VOL.75

発行所

2011.OCT.
Q u art erl y

発行者

サムコ株式会社 わら や
京都市伏見区竹田藁屋町36☎（075）621-7841
辻 理

編集・企画協力

アド・アソシエイツ株式会社

www.samco.co.jp

おはらめ●表紙写真 ／ 大原女まつり［大原］10月28日（金）〜 11月13日（日）かつて大原の里から京の都へ、頭に薪や柴をのせ行商していた女性たちを大原女と呼びました。それにちなみ、
てっこう

きゃはん

こんえ

毎年、春と秋に「大原女まつり」が開催されます。期間中は手甲、脚絆、紺衣といった大原女装束の無料貸出や大原女時代行列などが行われ、紅葉に染まる大原を闊歩する大原女を一目見ようと、多くの人々が訪れます。
撮影(c)中田昭

お知らせ
会期 12 月 7日

〜 9日

会場 幕張メッセブース No. 4A-604（HALL 4）来る12月7日から9日までの3日間、半導体製造装置・材料の総合展示会として世界最大の規模を誇るセミコン・ジャパン2011が幕張メッセで開催されます。
『 Green Device Innovation 〜Wide Band-gap
Ma t e r ia ls〜 』
をテーマに、ワイドギャップ半 導 体であるSiC、GaNの加工技術を中心に紹介します。LEDの生産性向上に大きく寄与する化合物半導体プロセス用ICPエッチング装置「RIE-330iPC」、3次元LSIプロセスへの応用で高く評 価されているTEOS-SiO2 膜 形 成 用プラズマCVD装 置「PD-330STC」、MEMS/TSV分野の生産に対応したボッシュプロセス対 応の高 速シリコンディープエッチング装 置「RIE-800iPBC」といった業界をリードする製品群の最新の技術データを紹介する予定です。
最新かつ豊富な技術･マーケティング情報を得られるセミSEMICON Japan 2010の様子

コン・ジャパン2011にぜひお越しください。

中国市場における販売体制を強化
当社は中国市場において、戦略的に販売体制を強化し、拡販を進めております。
中国では、化合物半導体プロセス向けのCVD装置やドライエッチング装置の需要が拡大しており、商談は増加しています
が、高価な装置の場合、採用に結びつかないという課題がありました。そこで、当社は現地仕様で価格を低廉に抑えた専用装置を開発し、中国市場に特化した戦略商品として販売を開始しました。
また、9月には北京事務所を北京市海淀区北三環西路へ移転し、順次人員の拡大が可能な体制を整えました。同時に、京都のInformation 2研究開発センターにて、北京事務所、上海事務所の営業所長へのトレーニングを行い、営業担当者レベルでの一層の製品理解を深めました。今後さらに中国市場での営業を強化していきます。

装置構造のトレーニングを受ける上海営業所長と北京営業所長（左2名）

プロフィール言われました。そんな逆 風の中、2001年から1977年 九州大学工学部電気工学科卒業

1979年 九州大学大学院工学研究科博士課程前期電気工学専攻修了

1982年 九州大学大学院工学研究科博士課程後期電気工学専攻修了

九州大学工学部助手

福岡大学工学部電子工学科
1985年 福岡大学工学部

1992年 福岡大学工学部

募者がまだ5人程度でしたので、援助してくれた財団の人間は焦っていましたね。ところが蓋を開けてみたら、200人以上の参加者が集まり、白熱した議論があちこちで起こり、しかも日本人同士が英語で戦うといった今まで見たこともないワークショップとなりました。ある人はそれ

講師

助教授

1987年 スタンフォード大学

MAPを始めました。開催1 ヶ月前になっても応客員研究員

教授

を見て「こんなことが実現したのは奇跡ですね」と言っていました。MAPは今年11年目を迎え、先週もそのプロモーションでインドに行ってきました が、今 ま で に、北 京 半 導 体 行 業 協 会（BSIA）、IMAPS Korea（韓国マイクロ電子及びパッケージング学会）、香港サイエンスパーク（HKSTP）、マレーシア工業開発庁（MIDA）、

福岡大学
教授

工学部電子情報工学科と も か げ

は じ め

友景 肇 先生

今回のSamco-Interviewは、福岡大学を訪ね、工学部電子情報工学科の友景肇先生に三次元半導体研究センターについてお話を伺いました。

インド半導体協会、MEPTECというアメリカのアソシエ ーションとMOU（Memorandum ofUnderstanding：戦略的な提携を示した覚書）を結んでいます。九州には600社以上の半導体企業が残っています。しかし、半導体製造装置メーカーや材料メーカーというのは、国内マーケットが縮小しているから海外に売るしか活路

デバイス実装研究会を立ち上げられたきっ

多くの方に参加して頂く為に15時〜17時で研がないわけです。その売るための仕組みを作らかけと経緯についてお聞かせください。

究会を行い17時から懇親会が開かれます。後ないといけません。大きい会社には様々な手法者が大切で、そこでお酒を飲みながら名刺交換がありますが、小さい会社ではなかなか難しい。

1987年に渡米したとき、シリコンバレーにヤンなどして、新しいネットワークが構築されます。そそれで、みんなで結集して英語でプレゼンしてグエンジニアズアソシエーションという集まりがあんな会をもう50回以上開催してきましたが、正式海外とビジネスのネットワークを作ろうというのがることを知りました。それは、シリコンバレーにあな記録を保存してこなかったのが残念です。

MAPのコンセプトで、それを今も継続しているというわけです。

る様々な会社の若手の研究者達が週末に集まってビールを飲みながら話をするというもので、

当 社 も 参 加 させ て 頂 い て おりますMAP

シリコンバレーで新しい発想や技術が生まれる（International Workshop on Microelec-三次元半導体研究センターを立ち上げら土台はこういうところにあると感じました。九州はtronics Assembling and Packaging：

れたきっかけと経緯についてお聞かせく

シリコンアイランドと言われているのに、当時そう半導体実装国際ワークショップ）を立ち上ださい。

いう取組みが全くありませんでした。1988年にげられたきっかけと経緯についてお聞かせ

帰国してから、日本にも研究について活発に議ください。

論できる場を作りたいとずっと考えていました。

地域結集型共同研究事業が5年で終わった
後、2002年から文部科学省の知的クラスター

そんな時に、（独）科学技術振興機構（JST）の「デバイス実装研究会」を立ち上げてから1年創成事業という年間5億円の予算で5年間の地域結集型共同研究事業という国のプロジェク程経過した時に、福岡で完全に英語のみの半導プロジェクトが始まりました。5プロジェクトあり、トを福岡県が始め、私が「デバイス実装プロジェ体実装に関する国際ワークショップを開催しようと私 はその中の「SiP（System in a Package）クト」の研究代表をやることになりました。そこでいう話になりました。その時はまだ日本のLSIがモジュール設計技術の確立」というプロジェクト

シリコンバレーの集いを日本にも作ろうと考え、強かった時なのですが、アメリカで作ったロードの 研 究 代 表になり、5年 間、高 周 波SiPの 設

Samco-Interview 3 • 4

1998年4月に「デバイス実装研究会」を立ち上

マップを日本が半導体で実現するという時代でし計・評価の研究を行いました。そして、終了後げました。当初の会員がたったの25人、ホテルた。そうではなく、作る側からエイジアン・ロードの2007年からは、知的クラスター事業のII期がを借りて開催した懇親会の出席者は20人しかマップを提案しよう、それがMAPです。MAPを始まり、今年が5年間のプロジェクトの最終年度いませんでした。それから、国内の企業の研究開催する調査の為に、1998年からアジアを視察です。研究予算は、年間16億円です。現在、者を呼び、様々な技 術の話をしてもらううちにして回りました。しかし、九州で実装の国際ワーク20テーマのプロジェクトが走っており、その中の段々人数が増えてきて、今では会員は約2000ショップがあるという話をしても、「帰れ」という雰囲一つ「半導体実装プラットフォームの研究開発」

名になりました。8割が関東・関西の人で2割が気でした。台湾では、「台湾こそがシリコンアイラを担当しています。これは、MEMS対応三次地元九州の人です。デバイス実装研究会はHPンドだ」と言われ、2000年に当時ITバブルであっ元SiP設 計ツールや 実 装 工 程 評 価 用TEGもありません。それでもメールで開催通知を送るたシンガポールに行った時も、「自分達で21世紀（Test Element Group）などを開発しており、と、毎回100名程度のエンジニアが集まります。のフレームワークは作っているので、必要ない」と14社の企 業と京 都 大 学・福 岡 大 学とのコンソーシアムを組んで研究をしています。2009年に、TEGチップを外注すると手の内がばれますから、このプロジェクトの出口として実装の研究所を作内作する為の8インチのSiウエハーのプロセスをれないかという提案がありました。研究所を作る導入しました。TEGチップを作る時に、これからはのであれば、ヨーロッパの研究所やアジアの研究Siインターポーザという話が出てきますので、どうし所に勝たないといけません。そこで考えたのが、てもTSV構造のチップを作りたい。それで、TSV部品内蔵基板について研究をする「三次元半導形成の為に、サムコのSi深堀装置RIE-800iPBと体研究センター」
です。部品内蔵基板とは、プリン絶縁膜形成用のCVD装置PD-200STPを購入しト基板の中にチップを入れることで、実装密度を上たというわけです。

げ、高い信頼性の高密度デバイスができるという理屈に基づいた技術です。

三次元半導体研究センターについてご紹介ください。

なぜ部品内蔵基板のご研究を選ばれたのですか？

昔、日本の電機メーカーが強かった時は、新製品を開発するとなれば、プロジェクトに装置メー日本のプリント基板の製造は半導体の製造と同カー、材 料メーカーなどが全 部 入っていました。

じ運命にあります。なぜかというと、組み立ての現今、日本のメーカーにそういう力がなく、各組織の場が中国などに移転したからです。製造の現場研究者が共同で実験する場がありません。
「様々である中国では、当然のようにプリント基板の技術な分野の会社の人間が集まって実装の実験がでがどんどん上がっていきます。日本のプリント基板きる場を作り、できた技術をブラックボックスにして、製造は、日本で組み立てていた時はすごく強かっ日本が勝つような仕組みを作りたい」というのが三たのですが、残念ながら、マーケットは小さくなっ次元半導体研究センターのコンセプトです。これてしまいました。しかし、もちろんまだ戦っている企は言うは易しで、成功させるのは難しい。それを十業があり、高度な製造技術を維持しているので分承知の上で、やらなければいけません。現在、す。これを、何とかしないといけない、何とかできるセンターには、材料、装置、プリント基板、実装のところはないかと色々考えていた時に、基板の中メーカー 36社が参画しています。その会社の壁をにチップを入れる技術はどうかと思いつきました。

はずす為に、巨大な部屋を作りました。壁がホワイ部品内蔵基板というのは、プリント基板メーカーだ

トボードになっている仕切りのない部屋で、会社のけでは作れません。接着や封止の手法は製造装垣根を越えて、全員で議論する場になればと思っ置や材料物性の技術と知識が必要になります。日ています。また、三次元半導体研究センターは全本の製造装置メーカーと材料メーカーはまだ強い工程を完結できるひとつの工場のような研究施設わけですから、それらとプリント基板メーカーが集です。600mm×500mmの基板を流すことができまって技術を磨けば海外に勝つことができます。

るので、生産に直結した開発ができます。実験室

しかし、生産を日本でというのは考えられません。

レベルのビーカーの中でできた基板では、それを量そこで必要になるのが、標準規格化です。設計

産レベルの基板にする為に、あと3段階くらいブ方法・工法・信頼性試験などのスタンダードを定レークスルーが必要になります。先端材料を試験め、例えば、A社の材料とB社の装置を使い、あする時は、ある程度量産レベルの試験ができないる条件で性能の出る基板が完成するというパッとなかなか新しいことはできないのです。

ケージを作り、それを海外に発信します。すると、海外メーカーは、その基板が欲しければ、A社の最後にサムコに対して一言お願いします。

材料と、B社の装置を買うしかないわけです。日
本のメーカーが生き残るにはそういうビジネスしかないのではないかと思います。

部品内蔵基板を評価するTEGチップのTSV加工の標準規格化をサムコと一緒にできればと思っています。小 型 基 板のTSVの加 工 形 状、サムコの装置はどういった位置づけで径、位置などを規定し、その通りに作れば信頼性ご活用頂いていますでしょうか？

を保証するという標準規格作りです。これは双方にメリットがある話ですので、ぜひご協力いただき三次元半導体研究センターでは、部品内蔵のたいと思っています。

プリント基板を量産レベルで試作できます。そして、それを評価しないといけないわけですが、プリお忙しいところ貴重なお時間を頂き、ント基 板の接 続 信 頼 性は配 線 パターンだけの誠にありがとうございました。

TEGチップを入れて評 価 するしかありません。

京の門前菓子7

左京区の自然豊かな土地、上高野に静かに建つ三宅八幡宮。その歴史は古く、推古天皇の時代にその起源があるといわれています。八幡宮では境内に狛犬ならぬ狛鳩が置かれています。今回は、その狛鳩をモチーフとした菓子「鳩餅」を作っておられる双鳩堂さんにお話を伺いしました。
えないこと。それが当店のこだわりです。そのため、気温や湿度の変化には十分注意し、その常々で蒸し加減などを変えております。また、材料となる米粉も毎年出来が変わるため、変わらない味をお客様にお届けするにはどうしたらいいのか、業者と相談しながら試行錯誤しています。
明治時代から変わらず、同じ土地に建つ明治時代から続く歴史ある菓子処

当店ですが、その周辺は、この近年で大きく様変わりしました。しかし、当店のお菓子の当店の歴史は、明治13年、鯖街道で有味は変わらずに保ち続けています。子ども

名な大原道沿いに面した山端の地で店をの時に食べた鳩餅の味が忘れられず、大人開いたことから始まります。初代は、煎餅屋になってから買いに来られるお客様が大勢として商いをはじめ、数多くの煎餅を焼いておられるのも、そういったこだわりを持ち続けきました。当店の名物菓子「鳩餅」の原型ているからだと思っております。

である、鳩煎餅もその一つで、店が三宅八時代が変わっても変わらないものがあるよ

幡宮へ続く参道の途中にあったことから、うに、変わらない鳩餅の味を、いつまでもお初代は三宅八幡宮にある狛鳩をモデルに客様に提供していきたいと考えております。

した大きな鳩せんべいを焼いて商いをしていたと伝わっています。
二代目になってからは生菓子製造を始めたこともあり、鳩煎餅も鳩餅へと作り変えることになりました。鳩の形をした専用の木型を作り、そこに米粉を蒸して作った餅を入れ形作る。色も白、ニッキ、抹茶の三色を用意し、味もほんのりとした甘さを残すことで、小さな子どもから大人まで、多くの人々にご愛好いただきました。四代目となる私の時代でもそれは変わらず、当店の名物菓子として、多くのお客様に愛されております。
ただ一つのこだわりは「変わらない」
こと
鳩餅は米粉を蒸して作った餅で作られA • la • carte 5

る、非常にシンプルなお菓子です。しかしそれ故に、気温や湿度の多少の変化でも、味や食感が変わってしまいます。明治時代から当店を支え続けてきた、歴史ある名物菓
子である鳩餅には、その歴史とともに受け継がれてきた、味と食感があります。それを変■ 双鳩堂
京都市左京区山端川端町11
TEL 075-781-5262
営業時間 10：00〜17：00 定休日 水曜

SiO2、SiC 高速エッチングプロセスデータ
近年需要が高まってきているSiO2 及びSiCの高速エッチングプロセスを紹介する。
特にSiCは電力変換の省エネルギー化に貢献するパワーデバイスの材料として注目を集めており、Siに変わる次世代材料として期待されている。

SiO 2 エッチング結果

製 用 途 の 点 から、サンプル温 度 上 昇 の 抑 制、つまり低 温（〜これまで、当社のSiO 2 エッチングレートは、最 大500nm/min150℃）でのエッチングが要求される場合がある。図2の加工例程度であった。図1に最新の実験結果を示す。これまでを大きくではSiCを高速でエッチングすることはできていたが、サンプル温上回るレートが得られている。パターン依存はあるが、3μm/min

度は200℃以上に達していた。そこで、加工時の温度上昇の抑以上の結果を得ている。この加工例では、エッチングレート：1.0制を考慮したプロセスによるエッチングを試みた。結果を図3にμm/minで深さ：27.0μmまで垂直にエッチングされている。この示す。

ようなSiO 2 のエッチングは、光デバイス、流路等の作製に有望でこの加工でも深さ、形状の点で図2とほぼ同様の結果が得られている。サンプルの温度は150℃以下であり、目的とした温度ある。
今後は、更なるレート向上、形状の制御、各種マスクとの選択上昇の抑制がなされている。しかし、SiCエッチングレートは1.0μ比、均一性等についてのデータを充実させ、プロセス提案を行m/minであり、予想したように図2（サンプル温度 > 200℃）の加い、研究・開発、更には生産装置（C to C仕様）を提供したいと工時よりも低い値となった。
現状、SiCエッチングについて、形状制御、選択比、均一性等考えている。
● パターン：50μm L/S● 深さ：27.0μm● レート：1.0μm/min
27.0μm● 選択比：50を検討するとともに、サンプル温度制御を含めた高レート加工のプロセス開発を行っている。また、パワーデバイス応用に関しても、現在、形状は問題ないレベルと判断しているが、ゲート形成部の平坦性改善を課題として、トレンチMOS-FET実現に向けたプロセス開発を行っている。今後は、SiCエッチング応用に関しても、新装置を研究・開発、更には生産装置（C to C仕様）として提供したいと考えている。
● パターン：φ60μmホール

図1. SiO2 エッチング結果● 深さ：83.6μm● レート：2.1μm/min

4H-SiCエッチング結果

83.6μm● 選択比：70● SiCサンプル温度：200℃以上

SiCエッチングに関し、当社では2つの視点から取り組んでいる。ビアホール加工等の高速ディープエッチング、及び、パワーデバイス用途の為のトレンチ加工（トレンチMOSFET）である。ここでは、主に高速ディープエッチングについて述べる。

図2. SiCエッチング結果①

これまでSiCのエッチングレートは、1μm/min程度までであっ● パターン：φ60μmホールた。更に、形状制御等の面での不具合が伴っており、その改善● 深さ：89.2μmは極めて困難であった。これに対し、最新の実験では、SiCエッ● レート：1.0μm/min

チングにおいてもこれまでを上回るレートを実現した。パターン依存性はあるが、3μm/min以上が得られている。

89.2μmTechnical-Report 6● SiCサンプル温度：150℃以下

図2にSiCエッチングの結果を示す。この加工例では、エッチングレート：2.1μm/min、深さ：83.6μmまでエッチングされている。しかも高速加工でありながら、従来困難であった形状制御等の面でも良好な結果を得ることができている。
エッチング時のSiCサンプル温度と高速エッチングは相関があることが予想される。高いレートが求められる一方で、デバイス作● 選択比：95

図3. SiCエッチング結果②