2016.OCT.
Quarterly

VOL.95

I nformation
SEMICON Japan 2016 お知らせ
マレーシア支店を開設、東南アジアの販売・サービス体制強化

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S amco-Interview

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物質・材料研究機構 理事

技術開発・共用部門 部門長

小出 康夫 先生
À la carte 京の銘菓・老舗7 京都 くりや

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T echnical-Report
窒化物のバルク基板への取り組み

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Information

SEMICON Japan 2016
お知らせ
会

期 2016年12月14日（水）〜16日（金）会場 東京ビッグサイト

ブースNo．4420（HALL 4）

来る12月14日から16日までの3日間、世界最大級のエレクトロニクス製造サプライチェーン総合展示会である『SEMICON Japan 2016』が東京ビッグサイトで開催されます。
当 社 は、『Change Materials. The Future Is Now.』をテーマに、独自のダブルチャンバープラットフォームを 採 用したシリコン 深 掘り装 置『RIE-802BCT』、ALD（原子層堆積）装置『AL-1』や革新的なドライ洗浄プロセスであるAqua Plasma™ 専 用の新 製 品『AQ-2000』を紹介いたします。
長 年 に わ たり半 導 体 産 業 の 発 展 に 寄 与してき た
SEMICON Japanは、今年で40回目の開催となります。
最新かつ豊富な技術・マーケティング情報が得られる本展示会にぜひお越しください。

SEMICON Japan 2015の様子

マレーシア支店を開設、東南アジアの販売・サービス体制強化
当社は東南アジア地域での販売拡大とサービス体制の充実を狙い、2016年8月10日付でマレーシア支店を同国の首都・クアラルンプール近郊のペタリングジャヤに開設しました。
東南アジアでは、1996年にシンガポール支店、2012年にベトナムサービスオフィスを開設し、販売・サービス活動を行ってまいりました。しかし、欧米系デバイスメーカーの後工程生産拠点が集積するマレーシアのペナンやクアラルンプール、マラッカなどへの納入が拡大しており、また、同国には重要顧客の研究機関もあるため、ベトナムの拠点を廃止し、アクセスが便利なクアラルンプール近郊に拠点を開設しました。
自社製品の拡販を積極的に進めていくととともに、2014年5月

サムコ・マレーシア支店の住所にグループ傘下となったsamco-ucp社（本社 欧州リヒテンシュタ

C-8-21, Block C, Centum @ Oasis Corporate Park,イン）の主要顧客がマレーシアをはじめ東南アジアに集中するたNo.2, Jalan PJU 1A/2, Ara Damansara, 47301

め、同社製品の販売・サービス拠点としても活用してまいります。

Petaling Jaya, Selangor Darul Ehsan, Malaysia

表紙写真 ● 秋の「京都三大奇祭」の一つ『鞍馬の火祭』（由岐神社） 10月22日
毎年同日に行われる京都三大奇祭の一つ『鞍馬の火祭』。動乱や地震の続く平安時代中期の940（天慶3）年、世の平安を願う朱雀天皇の詔で御所に祀る由岐明神を鞍馬に遷宮し北の鎮めとする。その際、松明に神道具を携えた十町（約1㎞）にもおよぶ行列を、村人が篝火を焚いて迎えた故事に由来。午後六時の「神事にまいらっしゃれ」を合図に各戸で篝火が灯され,鞍馬太鼓が打ち鳴らされる中、「サイレヤ、サイリョウ」と大松明を持った若者が街道を練り歩くころに最高潮に達する。この勇壮な祭も、今や京都観光の目玉となっている。
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Samco-Interview

プロフィール
学歴 1982年

豊橋技術科学大学 工学部 電子工学科卒業

1984年

豊橋技術科学大学 大学院 工学研究科 電子工学専攻 修士課程

1987年

名古屋大学 大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士課程

1988年

工学博士（名古屋大学）

修了

修了

職歴 1987年

名古屋大学 工学部 電子工学科助手

1993年

京都大学 工学部 金属加工学科助教授

2002年

物質・材料研究機構 スーパーダイヤグループ

2006年

物質・材料研究機構 センサ材料センター 光学センシング材料グループ
グループリーダー

2014年

物質・材料研究機構 中核機能部門

2016年

物質・材料研究機構 理事／技術開発・共用部門 部門長（兼務）

物質・材料研究機構
技術開発・共用部門

理事部門長

こ い で

主任研究員

部門長

や す お

小出 康夫 先生

今回のSamco-Interviewは、物質・材料研究機構を訪ね、同機構理事で技術開発・共用部門長を兼務されている小出康夫先生にダイヤモンドなどのワイドギャップ半導体のご研究についてお話を伺いました。

▶ ダイヤモンド半導体のご研究についてご紹介ください。

2008年頃からはパワーデバイスへの応用いました。の研究を始めました。シリコン（Si）の次の省

その後、1993年に京都大学の材料工学専

エネルギーパワーデバイスとして炭化シリコン攻の村上正紀研究室に移りました。そこでは私は2002年の5月に物 質・材 料 研 究 機 構（SiC）、その次に窒化ガリウム（GaN）がありまさまざまな半導体のオーム性電極材料の開発（NIMS）へ参りました。研究をダイヤモンド半すが、さらに次世代としてダイヤモンドがありを行っており、その一つが先ほど申しましたダ

導体に絞ったのはそのときからになりますが、ます。究極の堅い丈夫な材料ですので、さらにイヤモンド半導体のオーム性電極材料開発で京都大学の助教授になった1993年に一部の高パワー領域に応用し、高周波領域も狙ったす。1993年に中村修二さんが青色LEDを発研究は始めておりました。それは、将来のダイトランジスタの開発研究を行っております。も表しますが、それまでは青色材料の候補としヤモンドデバイスの実 現に向 けての低 抵 抗

う一つは、ダイヤモンドの非常に丈夫で固いとてセレン化亜鉛（ZnSe）、SiC、GaNがあり、世オーム性電極材料の開発です。通常ですと、トいう特 性 を 活 か し たMEMS（Micro Electro

界で圧倒的に研究者が多かったのがZnSe系ランジスタやレーザ、LEDといったデバイスにMechanical Systems：微 小 電 気 機 械 シス テでした。京大へはワイドギャップ半導体系の応じてオーム性電極材料を開発していきます。

ム）デバイスへの応用研究を同僚とともに行っオーム性電極材料の開発をするために行きま抵抗が低ければよいというのではなく、熱的にております。

した。その一つがZnSeであり、ダイヤモンド安定だとか、LSI用であるため熱処理温度は何度以下にするといったデバイスごとに制限があり、その中でベストマテリアルズを開発しよ▶ ワイドギャップ半導体のご研究を始められた
きっかけと経緯についてお聞かせください。

でした。京大には10年弱おりましたが、その中でZnSeを集約させ、GaNの特に難しいといわれたLED、LD用のpnジャンクションのp型うとします。しかし、当時ダイヤモンドはデバイ

博士の学位は名古屋大学の電子工学専攻の低抵抗オーム性電極材料の開発に取り組スがまだ決まっておりませんでしたので、低抵の赤﨑勇研究室で頂きました。その研究が窒みました。村上先生がIBMワトソン研時代か抗にするというところから研究を始めました。

化アルミニウムガリウム（AlGaN）であり、ワイら続けていたガリウムヒ素（GaAs）を集積回2002年にNIMSに来てからは、280nm以下ドギャップ半導体の研究のスタートになりま路として応用するためのオーム性電極材料開の短波長のダイヤモンド深紫外線センサの開す。赤﨑先生は結晶成長から、プロセシング、発をメインで行う研究室におりましたので、そ発に向けた研究をスタートしました。それ以前

そして最後デバイスまで作るという終始一貫の研究にも携わりました。

よりダイヤモンドは放射線センサとして応用さの研究スタイルであり、私も当時からこのスタれており、特にヨーロッパが進んでおりました。

イルで変わっておりません。

私は視点を変えて、火災検知システムとしての1988年に学位を取ってから名古屋大学内深紫外線センサを狙いました。ベンチャー企

でSiプロセスの安田幸夫研究室に移りました。

業と共同研究を行い、感度の高い、あるいはSi 上 に ガ ス ソ ー スMBE（Molecular Beam

感度が増幅するメカニズムを発見し、そのメカ

Epitaxy：分子線エピタキシャル成長）法でシニズムを解明して2008年に火災検知システリコンゲルマニウム（SiGe）結晶を成長させ、2002年にNIMSに移り、研究をダイヤモンドに絞り、先ほどのお話につながります。
▶ ところで、名古屋大学の赤﨑研究室では天野先生とMOCVD（有機金属気相成長）装置を製作されたそうですが、その時のエピソードをお聞かせください。

ムをほぼ完成させました。高純度な単結晶のその成長メカニズムを探り、光電物性を調べ私は1984年に博士課程1年で赤﨑研究室結晶成長からプロセシングを行い、センサデるという研究室に助手として着任しました。同に入りました。天野先生は一つ下で修士課程バイスを作ってパッケージングをするというと時に、Siに対する電極材料、Si金属半導体界2年でした。赤﨑先生が当時の松下技研からころまで全部一貫して行いました。

面、およびSi MOS界面の特性評価研究を行ちょうど移られたばかりで、名古屋大学にク

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リーンルームを作り、同時にGaNのMOCVD装フォームは研究者が持っているアイデアを実証置を設置したいということで、私達で製作するこするためのプロトタイプデバイスを作る施設でとになりました。私は豊橋技科大学の修士課程すので、Siのみならず化合物系の多種多様な材でインジウムリン（InP）のMOCVD装置を一人料のドライエッチングに使用しておりますが、コで作っており、赤﨑先生はその経験をおそらくンタミなどのクレームは一度もありません。

ご存知だったと思います。自分で設計し、部品も中古か新品か、あるいは図面を引いてオーダーするか等々を赤﨑先生と議論し、決めました。

▶ 物質・材料研究機構は特定国立研究開発法人に指定されるそうですが、今後、どのよう私は番頭役みたいな感じで、部品調達が終わるに産業界に貢献される方針でしょうか？と天野先生と二人で作りました。それが第1号

本年10月より、理化学研究所、産業技術総機のMOCVD装置であり、最初は二週間交代で合研究所、NIMSは特定国立研究開発法人にな天野先生と二人でシェアして使いました。私はります。金属材料研究所から60年、現在の名称

AlGaNで、天野先生はもちろんGaNで青色LEDとなって15年とその間、物質・材料に関する基を狙っていました。この装置で青色LEDのバッ礎基盤研究をずっと続けてきましたが、それをファー層の発見に至りましたので、まさに2兆円いかに社会実装させるかということが問われて産業の始まりとなる装置です。高効率青色LED、おります。NIMSには物質・材料開発に関するノLDの原点はここだと私は思っております。

ウハウも含めさまざまな知的財産があり、それ天野先生の招待者としてノーベル賞の授賞式

を社 会 実 装していく試 みとしてマテリアルズにも参加してきました。赤﨑先生のノーベルレオープンプラットフォーム、マテリアルズリサー

クチャーでは、赤﨑先生から見た学生としてのチバンク、マテリアルズグローバルセンターと小出、天野の研究成果を順にご紹介いただきまいう構想を持っております。日本全国の民間企した。

業に共同研究を含めてNIMSの持っている知の財産を活用してもらい、また、グローバルセン
ターという意味では日本のみならず世界の研究者、あるいは若手の研究者にもどんどんNIMSに来ていただく仕組みも構築しております。リ
サーチバンクとして最先端の技術も含めて今までの蓄積を公開し、社会実装させようとしております。また、人材育成のためにNIMSに来ていただく仕組みも作り、基礎基盤で優れた研究をして終わりではなく、アカデミア、大学、民間企業と連携して社会実装に向けて活動していく方

名古屋大学で天野先生と製作されたMOCVD装置

針です。

▶ 弊社の装置をどのようにご使用いただいてお▶ 座右の銘をお教えください。

りますか？ また、ご感想をお聞かせください。

一つ挙げるとしましたら、「私に非ず公にあり」

NIMSには微細加工プラットフォームという共です。これは自己中心とならずに心は常にパブ用施設があり、文部科学省のナノテクノロジー関リックにあるということで、大げさなものではあり連の研究者支援事業に参画しております。私はませんが小出家の家訓でもあります。今思うと2007年にそこの立上げを行い、理事になるまで行動パターンはこれに立脚していると思います。

責任者を務めてきました。最先端微細加工プロ
セシング装置およびナノスケール観察・測定評▶ 最後にサムコに対して一言お願いします。

価装置が完備された450m2 のクリーンルームを同業他社の装置も使ってもいますが、その中持っており、そこにはサムコさんの平行平板型ドでもサムコさんの装置は非常に優秀だと思ってライエッチング 装 置 やICPエッチング 装 置、おります。今後も新しいプロセスが開発されれTEOSのプラズマCVD装置、UV/O3クリーナーがばいち早くキャッチして、技術革新を図ったプロ入っております。我々のスタッフがクリーニングセス装置をどんどんと製造販売していって頂きやメンテナンスは行ってはおりますが、大きなトたいと思います。

ラブルがなく、特にドライエッチング装置とプラズマCVD装置は順調に動いております。サムコ

お忙しいところ貴重なお時間を頂き、さんの技術力なのでしょうね。微細加工プラット誠にありがとうございました。

3-4À la carte

京 の 銘菓・老舗 7
秋の味覚を代表する栗。その栗を使った和菓子を中心に販売しているのが栗菓子本舗「京都くりや」です。素材の持ち味を生かそうと、真摯に菓子づくりを続ける3代目当主・山名清司さんを訪ねました。
より多くの方に京菓子を秋には季節限定の「栗おはぎ」が商品棚にもちごめ並びます。100％丹波栗で作った餡が、糯米を覆っているという贅沢な和菓子です。
製造当日が消費期限で、それだけに栗本来の風味をたっぷり味わえる和菓子だと好評です。お昼頃に完売になるため予約を入れたほうが確実と言

銘菓「金の実 栗納豆」
豪華な雰囲気を醸し出す和菓子は贈答用などに喜ばれている。

われるほどで、この時期は同店の繁忙期となります。
「お客様から“美味しかったよ”とお芸術家にも愛された「金の実」聞きできると嬉しいですね。ご近所のおじい「京都くりや」は、1855（安政2）年に園部ちゃん、おばあちゃんが2つ買ってくださり、次町で創業した栗納豆本家「くりや」（現在は西の日また2つ買っていかれる。そんなふうに来京区桂）から大正初期に暖簾分けされ、誕生店してくださるのが本当に嬉しいですね」。
山名さんは、およそ20年前に修学旅行生をしました。
ここで作られるのは栗入り最中やどら焼き対象にした体験工房をお店で始めました。
「思など、約9割の和菓子は栗を使った商品でい出の1ページにでもなればいいなと思ってす。看板商品は通年販売している銘菓「金のいます」。徐々に人数が増えていったため、最実 栗納豆」
（通称「金の実」）で、厳選した大近は宿泊先の旅館で出張教室を開いていま粒の国産栗を蜜煮にしています。丁寧な仕す。また京菓子講師倶楽部の一員として、一事で素材の風味を最大限に生かした「金の般の方が参加できる和菓子教室の開催にも力実」は、多くの人々に愛されてきました。
「元を尽くしています。年1回行ってきた創作作品

来、茶事では木の実が茶請けにされていまし

展も次第に規模が大きくなり、今年は京都市た。やがて餡子が炊けるようになるなど進歩勧業館「みやこめっせ」

していき、京の生 菓 子 が 発 展していきましで 行 わ れ、大きな 反 響た。金の実はそれをヒントに考案されたものを呼びました。このようです」と山名さん。

な 活 躍 が 認 められ、今大正6年と昭和3年の2回、天皇陛下から年“一 般 社 団 法 人 京 都お買い上げの栄を賜わりました。著名なファ府食品産業協会 味の匠ンも多く、その証をあちこちに見ることができ

京のフードマイスター”ます。同店が使用している掛け紙には、山元に認定されました。

しゅんきょ

春挙画伯の歌が書かれています。山元氏は無名だった頃、かつての「京都くりや」の店舗（四条西洞院）近くで下宿生活を送っており、「渋皮の むけて 丹波の 男ぶり」（“ひと皮 む け て、男 っ京都 くりや
京都市中京区丸太町堀川東入TEL 075-231-4564
営業時間 8：00〜20：00／【日祝】10：00〜15：00
定休日 元日

ぷりも上がる”という意 味）と 直筆した歌を店に贈ってくれました。もう一首はペーパーバッグに印刷されています。漫画家の根本進さんは「金の実」のかせい推薦文を寄稿し、また店内には上田家聖画伯が描いた栗の絵の作品が飾られています。

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Technical-Report

窒化物のバルク基板への取り組み【サムコ（株）基盤技術研究所】

1.AlNバルク基板への取り組み■はじめにた、上層にはN 2 を流し、そのまま成長領域へ供給する。その後、AlNはバンドギャップエネルギー（6.0eV）が大きく、直接遷移

これらが基板の置かれている成長領域で混ざる [1] 。

型であることから、深紫外光源素子への利用が期待できる。ま本方法により、これまでに原料領域温度：1400℃、成長領域た、高い破壊電界強度や高い熱伝導性を有することから、高性

温 度：1550℃、圧 力：10kPa、N 2とAl 蒸 気 の モ ル 比 率（Ⅴ/Ⅲ

能なパワーデバイスへの利用も期待できる。高性能なA l N系半比）：約2200の条件下で、サファイア基板上に成長速度：18μm

導体デバイスを得るためには高品質なエピ膜が必要不可欠であ/hour、転位密度：5×10 8cm - 2 のA l N成長を達成している[1]。

る。AlNはエピ膜として用いられるGaNやAlGaN系材料と格子その時のSEM断面像を図2に示す[1] [2]。

定数や熱膨張係数の差が小さいことから、高品質なエピ膜を得図2るための最適な基板材料の一つとして期待されている。しかし、

AlN 膜（18μm/hour）のSEM 断面像

AlNは高融点でかつNの解離蒸気圧が高い材料のため、大口径10 µmでかつ高品質を有するAlN単結晶基板の作製が困難であり、コストや量産性の面で課題が多く、普及には至っていない。現在の主なAlN基板の作製方法は、昇華法やハライド気相成長法などが挙げられるが、コストや品質において、更なる改善が必要とAlNなっている。
そこで、京都大学川上研究室では新規のA l Nバルク基板の作Sapp.

製方法として、EVPE（Elementary source Vapor Phase Epitaxy）法を提案している。当社は川上研究室と成長速度の向上や膜質(a) 全体図の改善のための「成長装置の改良」や「エピ成長条件」について共同研究を行っている。今回はこのEVPE法によるAlNバルク成長について簡単に紹介する。

AlN■EVPE法
EVPE法は、Al金属とN 2という安価で安全かつクリーンな原料によるシンプルな反応（Al + 1/2N 2 → A l N）を利用している

Sapp.のが特徴である。EVPE装置の概略図を図1に示す[1] 。
図1Heater 2■今後の展望
今後は、バルク基板の作製を目指して、更なる成長速度の向graphite

上に取り組んでいく。

N2
Ar(b) AlNとサファイア基板の界面付近

EVPE 装置の概略図

Heater 1

5 µm

AI vapor

一方で、高温雰囲気に晒されたサファイア基板表面で発生しsubstrate

たvoid上にもA l Nが成長している（図2(b)）ことも注目すべき点であると考えている。これは横方向成長によるものと推測しておHeater 1

Heater 2

Source zone

Growth zone

り、転位欠陥の低減につながる可能性があると考えられる。そのため成長速度の向上と並行して、転位欠陥の低減についても取り組んでいく。

装置は横型成長装置で、独立に温度制御が可能な2つの温度領域に分かれている。1つがAl原料を生成するための領域（原■参考文献料領域）、もう1つがA l Nを成長させるための領域（成長領域）で[1] PeiTsen Wu, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Scientiﬁcある。更に原 料 領 域は上 層と下 層に分 か れている。下 層にはキャリアガスとしてArを流し、Al蒸気を成長領域へ移送する。まvol.95
サムコ株式会社

Reports 5, 17405 (2015)[2] PeiTsen Wu, 博士学位論文, 京都大学 (2015)2016年 10月発行〒612-8443 京都市伏見区竹田藁屋町36

TEL 075-621-7841 FAX 075-621-0936 E-mail koho@samco.co.jp

http://www.samco.co.jp/