DI MARCO MANUEDDU Suco Group BU manager ma.in.a. s.r.l.

focus

LO STRUMENTO
GIUSTOTHE RIGHTINSTRUMENT

La struttura del sistema di controllo
di processo rappresenta il modo con
cui le informazioni sulle variabili
manipolabili e su alcuni dei disturbi
vengono usate per effettuare le dovutecorrezioni del processo stesso.

The structure of a process control
system represents the way
information about adjustablevariables and some disturbances
is used to apply the required
corrections to the process.

44

Le informazioni sono molto spesso misurazioni effettuate mediante trasduttori e trasmettitori. La sceltaOPÜÜX \][^VPW]X LOPâ^L]X YP[]LW]X \SâWS»NL X]]PWPre le prestazioni desiderate dall’impianto e ridurre
le problematiche originate sia dagli errori di misurazione
NRPOLÜÜPOP_SLcSXWS/S\SâWS»NL^WS]LVPW]PLÜÜL[SO^cSXne delle rotture degli strumenti e alla costanza di funzioWLVPW]XWPÜÜ^WâXYP[SXOX^WL\SâWS»NL]S_L[SO^cSXWPOPÜcosto totale di proprietà (TCO).
5Ü 3[^YYX >@/: S N^S Y[XOX]]S \XWX OS\][SM^S]S SW 5]LÜSL OL
VLSWL\[Ü```VLSWL\[ÜS]QX[]POPÜÜ´P\YP[SPWcLVL]^rata in decenni nel monitoraggio della pressione e dell’amYSPccLOPÜÜP\XÜ^cSXWSY[XYX\]PwSWâ[LOXOSXQQ[S[POSQQPrenti soluzioni basate su diverse tipologie di sensori: piecX[P\S\]S_X'YSPcX[P\S\]S_X±XSÜ»ÜÜPO²'»ÜV\X]]SÜP'NP[LVSNX'
SOS (Silicon On Sapphire).

PROPOSTE MIRATE?[L S Y[XOX]]S YS  \SâWS»NL]S_S \S P_SOPWcSLWX ÜP \Pâ^PW]S
serie:
>^NX \P[SP "CC LOL]]S LO SVYSPâRS SW N^S w [SNRSP\]L
una robustezza superiore o il contatto con l’ossigeno);
>^NX\P[SP#CC]PNWXÜXâSL>:>LOL]]SLSVYSPâRSâPWP[SNSNXW\X\]LWcPNX[[X\S_P\X_[LY[P\\SXWP CPL\\PWcL
di elementi di tenuta);
1>53> ]PNWXÜXâSL>:>LOL]]SLSVYSPâRSâPWP[SNSNXW\X\]LWcPNX[[X\S_P\X_[LY[P\\SXWP CPL\\PWcLOSPÜPVPW]S OS ]PW^]L \YLW P cP[X NLÜSM[LMSÜS OS\YXWSMSÜSNXWY[PNS\SXWP»WXL.2>8PSW_P[\SXWSN^\]XVSczate);1>53> @>.LÜÜPNL[L]]P[S\]SNRPâSpNS]L]POPÜÜL\P[SP3>  \S NXVMSWL ÜL YX\\SMSÜS]p OS NXÜÜPâL[P »WX L "
][L\O^]]X[S L ^W ^WSNX ;/ NXW VXWS]X[LââSX PVS\\SXWPNP[]S»NL]XOSNLÜSM[LcSXWPOS\][^VPW]S]P[cSP]P\][PYX[]
di pressione e temperatura);
1>5 4; LS _LW]LââS OPÜÜL ]PNWXÜXâSL >:> ^WS\NP ÜLYX\\SMSÜS]pOSVXWS]X[L[PY[P\\SXWS»WXL ML[NXW
tempi di risposta eccellenti);
1>5;=][L\O^]]X[SOSY[P\\SXWPOSQQP[PWcSLÜPLWNRPSW_P[\SXWP-?1CPO51/1a'1>5;=%!][L\O^]]X[S`S[PÜP\\\]LWOLÜXWPNXWYX[]L]L»WXL!V

45

Trasduttori presentati da SUCO.
Transducers introduced by SUCO.

I

nformation is often made up of measurements
PaPN^]POMbVPLW\XQ][LW\O^NP[\LWO][LW\VS]]P[\?RP[PQX[P\PÜPN]SWâL\^S]LMÜPSW\][^VPW]VPLW\achieving the desired equipment performance andminimizing issues originated by measuring errors
LWOOP_SL]SXW\.P\SOP\[PO^NSWâSW\][^VPW]QLSÜ^[P
LWOPW\^[SWâNXW\S\]PW]XYP[L]SXWX_P[ÜXWâYP[SXO\]RS\LÜ\XM[SWâ\L\SâWS»NLW][PO^N]SXWXQ]X]LÜNX\]XQ
ownership (TCO).
?RP>@/:3[X^Y`RX\PY[XO^N]\L[POS\][SM^]POSW5]LÜbMbVLSWL\[Ü```VLSWL\[ÜS]ÜP_P[LâSWâ\P_P[LÜOPNLOP\XQPaYP[SPWNPSWY[P\\^[PVXWS]X[SWâLWOLM[XLO\XÜ^]SXWYX[]QXÜSXNLWXQQP[\P_P[LÜ\XÜ^]SXW\based on different types of sensors: piezo resisitive; “oil»ÜÜPO²YSPcX[P\S\]S_P']RSW»ÜV'NP[LVSN'>:>>SÜSNXWOn Sapphire).

TARGETED SOLUTIONS?RPVX\]\SâWS»NLW]Y[XO^N]\SWNÜ^OP]RPQXÜÜX`SWâfamilies:
>^NX\P[SP\"CCQX[LYYÜSNL]SXW\[PZ^S[SWâRSâRP[\]^[OSWP\\LWO\^MTPN]]XNXW]LN]`S]RXabâPW'>^NX\P[SP\#CC>:>]PNRWXÜXâbQX[âPWP[LÜY^[YX\PLYYÜSNL]SXW\SW_XÜ_SWâNX[[X\S_P\^M\]LWNP\ C
overpressure and lack of sealing elements);
1>53> >:>]PNRWXÜXâbQX[âPWP[LÜY^[YX\PLYYÜSNL]SXW\SW_XÜ_SWâNX[[X\S_P\^M\]LWNP\ C
X_P[Y[P\\^[PLWOÜLNUXQ\PLÜSWâPÜPVPW]\LOT^\]LMÜP\YLWLWOcP[XÜP_PÜ\L_LSÜLMÜP`S]RLNN^[LNbÜP_PÜ\^Y
]X.2>8LWOSWN^\]XV_P[\SXW\'1>53> @>.\LVPQPL]^[P\L\\P[SP\3> YÜ^\]RPYX\\SMSÜS]b]XNXWWPN]^Y]X"][LW\O^NP[\]XXWP;/QX[VXWS]X[SWâPVS\\SXWXQNLÜSM[L]SXWNP[]S»NL]P
QX[]RS[OYL[]bSW\][^VPW]\Y[P\\^[PLWO]PVYP[L]^[P
test reports);
1>54;]RPMPWP»]\XQ>:>]PNRWXÜXâbYÜ^\]RP
YX\\SMSÜS]b]XVXWS]X[Y[P\\^[P^Y]X ML[`S]RPaNPÜÜPW]QPPOMLNU]SVP'1>5;=OSQQP[PW]SLÜY[P\\^[P][LW\O^NP[\LÜ\XSW-?1CLWO51/1a_P[\SXW\'1>5;=%!\]LWOLÜXWP`S[PÜP\\][LW\O^NP[\`S]R
XYP[L]SWâ[LWâP^Y]X!VfocusTECNOLOGIA SOS

Silicon-On-Sapphire, o più semplicemente SOS, è una tecnologia che
identifica un sensore capace di sfruttare le caratteristiche di isolamentodello zaffiro (Al2O3), in cui viene fatto crescere per epitassi l’estensimetro in silicio (un thin layer tipicamente inferiore ai 6 micron) in grado dimisurare accuratamente vibrazioni, coppia, forza o pressione a temperature estreme per lunghi periodi di tempo. La tecnologia SOS è stata inizialmente utilizzata nella produzione di circuiti integrati dei programmi
spaziali NASA.
Il Gruppo SUCO ha reso tale tecnologia applicabile a sensori di pressione sia per impieghi heavy-duty e critici, sia in versioni destinate alarga diffusione e quindi con un prezzo allineato alla concorrenza. Sono
ovviamente disponibili anche versioni certificate ATEX e IECEx.
L’esclusiva tecnologia SOS rappresenta un grande passo in avanti rispetto ai tradizionali sensori: unitamente all’impiego di titanio e all’assenza di elementi di tenuta, consente infatti di ottenere un prodotto con
caratteristiche di assoluto spicco:Əresistenza alla corrosione;Ərange di temperatura esteso (-40 +120 °C);Əaccuratezza nella misura (0,5% FS - 0,25% BFSL standard e versioni
speciali a richiesta 0,2% FS – 0,1% BFSL);Əottima ripetibilità;Əisteresi non misurabile;Əstabilità della misurazione nel lungo periodo;Əalta sensibilità dell’output (fino a 20 mV/V);Əresistenza ai picchi di pressione;Əottimo isolamento da impulsi elettromagnetici.

SOS TECHNOLOGY

Silicon-on-sapphire, or simply SOS, is a technology that identifies
a sensor capable of leveraging the insulating properties of sapphire(Al2O3), where a silicon strain gauge is grown by epitaxy (a thinlayer typically below 6 microns), that can accurately measure vibration, torque, force or pressure at extreme temperatures for longperiods. SOS technology was originally adopted to produce integrated circuits for NASA’s space programs.
SUCO Group has transferred this technology to pressure sensors
both for heavy-duty and critical applications, and for widespreaduse, thus with competitive pricing. ATEX and IECEx certified versions are also available, of course. The exclusive SOS technology
is a big step forward compared to conventional sensors. The use oftitanium and the lack of sealing elements result into a product withinteresting properties:Əcorrosion resistance;Əextended temperature range (-40 +120 °C);Əaccurate measurements (0.5% FS - 0.25% BFSL as standard, special versions upon request with 0.2% FS – 0.1% BFSL);Əexcellent repeatability;Ənon measurable hysteresis;Əstable measurement in the long term;Əhigh sensitivity of output (up to 20 mV/V);Əresistance to pressure spikes;
Əexcellent insulation from electromagnetic pulses.

Il Gruppo SUCO propone soluzioni ottimali per il monitoraggiodella pressione.
SUCO Group offers optimal solutions for pressure monitoring.

Anche ESI si distingue per la tecnologia SOS e perÜ´XQQP[]LOS][L\O^]]X[SLQ»OLMSÜSAlso ESI stands out with SOS technology and a family of
reliable transducers.

ESI Technology Ltd46