IEEE EDS Kansai Chapterの皆様
IEEE Kansai Section の皆様

2015年11月26日
IEEE EDS Kansai Chapter Chair 浦岡行治
Vice Chair 中村 孝

下記の通り、第15回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」を開催致します。
会員の皆様のご参加をお待ち申し上げております。

記

会議名: 第15回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」
主 催: IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter
日 時: 2015年12月15日(火) 10:00～16:10
会 場: 大阪工業大学 うめきたナレッジセンター
場 所: 〒530-0011 大阪市北区大深町3-1
グランフロント大阪 ナレッジキャピタルタワー C9階プログラム: 次ページ以降参照
公用語: 日本語
会 費: 無料(事前登録不要)[お問い合せ先]IEEE EDS Kansai Chapter Secretary: 前元 利彦 （大阪工業大学; toshihiko.maemoto@oit.ac.jp)＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＜ご講演頂く皆様へ＞
講演時間：２０分 + 質疑：５分 （全て日本語）
使用器具：講演で使用していただくPCは原則ご持参ください。もしご都合が悪いようでしたら、事前に鎌倉(阪大; kamakura＠si.eei.eng.osaka-u.ac.jp)までご連絡ください。その場合、Power Pointデータを事前に上記アドレス宛お送りいただくか、当日USBスティックメモリをご持参ください。
当日、特別な資料をご用意いただく必要はありません。

IEEE EDS Kansai Chapter
第15回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」プログラム
2015年12月15日 (火)大阪工業大学 うめきたナレッジセンター

開会挨拶[10:00 - 10:05]
浦岡 行治 （奈良先端科学技術大学院大学）

Session I - I.

Sensor, Solar Cell, and Emerging Devices[10:05-11:20]

座長： 木村 睦（龍谷大学）

10:05~ IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award ~Mist Deposition Technology as a Green Route for Thin Film Growth
S. Fujita
Kyoto Univ.

[AMFPD]

10:30

Highly Efficient White Organic Light Emitting Devices with a Binary Random
Phase Array [SSDM]
T. Hirasawa, Y. Inada, S. Nishiwaki, J. Matsuzaki, Y. Nakamura, A. Hashiya,S. Wakabayashi, M. Suzuki
Panasonic Corp.

10:55

Vertical Capacitive Energy Harvester Positively Using Contact between Proof
Mass and Electret Plate – Stiffness Matching by Spring Support of Plate andStiction Prevention by Stopper Mechanism – [MEMS Conf.]
T. Takahashi1, M. Suzuki1, T. Nishida2, Y. Yoshikawa2, S. Aoyagi1
1Kansai Univ., 2Rohm Co. Ltd.

Session II - I.

Power and Compund Semiconductor Devices [11:20 - 11:45]
座長： 木村 睦（龍谷大学）

11:20

-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Fabricated by Mist Epitaxy Technique [SSDM]
M. Oda1,2, A. Takatsuka1, T. Hitora1, J. Kikawa3, K. Kaneko2, S. Fujita2
1
FLOSFIA, INC., 2Kyoto Univ., 3Ritsumeikan Univ.

AWARD授与式[11:45-12:00]
渡辺 博文 （リコー）― 昼食 [12:00 - 13:00] ―Session II - II.

Power and Compund Semiconductor Devices [13:00 - 14:15]
座長： 西中 浩之 （京都工芸繊維大学）

13:00

Extremely Low On-resistance Enhancement-mode GaN-based HFET Using
Ge-doped Regrowth Technique [IEDM]
A. Suzuki1, S. Choe1, Y. Yamada1, S. Nagai1, M. Hiraiwa1, N. Otsuka1, D. Ueda2
1
Panasonic Corp., 2Kyoto Inst. Tech.

13:25

3.3 kV/1500 A Power Modules for the World’s First All-SiC Traction Inverter[SSDM]
K. Hamada1, S. Hino1,2, N. Miura1, H. Watanabe1,2, S. Nakata1,2, E. Suekawa1,Y. Ebiike1, M. Imaizumi1, I. Umezaki1, S. Yamakawa1,2
1
Mitsubishi Electric Corp., 2FUPET

13:50

Broadband Distortion Cancellation Technique in GaAs HJFET and GaN FET
Cascode Amplifier [IEEE T-ED]
I. Takenaka1, S. Takahashi2, H. Takahashi1, Y. Ando1, Y. Kakuta1, C. Sasaoka1
1
Renesas System Design Co. Ltd., 2Renesas SP Drivers Inc.
― 休憩 [14:15 - 14:25] ―Session I - II.

Sensor, Solar Cell, and Emerging Devices[14:25-14:50]

座長： 木村 睦（龍谷大学）
14:25

Ultraflexible Organic Transistor Active Matrix using Self-assembled Monolayer
Gate Dielectrics [AM-FPD]
T. Sekitani
Osaka Univ.

Session III.

CMOS Process, Device, and Circuit[14:50-16:05]
座長： 安藤 友一 （リコー）

14:50

15:15

15:40

閉会挨拶

Toward 1Gfps: Evolution of Ultra-high-speed Image Sensors – ISIS, BSI,
Multi-Collection Gates, and 3D-stacking – [IEDM]
T. G. Etoh1, V. T. S. Dao1, K. Shimonomura1, E. Charbon2, C. Zhang2, Y. Kamakura3,T. Matsuoka3
1
Ritsumeikan Univ., 2TU Delft, 3Osaka Univ.
~ IEEE EDS Kansai Chapter MSFK Award ~Phonon-limited Electron Mobility in Rectangular Cross-sectional Ge Nanowires[IEEE T-ED]
H. Tanaka, S. Mori, N. Morioka, J. Suda, T. Kimoto
Kyoto Univ.
Engineering of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation after Germanidation
for Metal S/D Ge CMOS Technology [SISC]
H. Oka, Y. Minoura, R. Asahara, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
Osaka Univ.

[16:05-16:10]
浦岡 行治 （奈良先端科学技術大学院大学）