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電気的特性による Mo, Pt/4H-SiC（0001）接触界面に関する研究進

藤怜

史＊・浅野清光Interface Properties of Mo and Pt/4H-SiC（0001）Contacts
by Electrical Measurements
Satoshi SHINDO ＊ and Kiyomitsu ASANO（平成23年11月25日受理）
Metal/SiC interfaces play very important roles in many high-performance devices in
optoelectronic, high-temperature, high-frequency, and power applications. The formation ofconventional Ohmic contacts is required to have lower resistance and stable interface at hightemperature, but it is diﬃcult to gain such contact on the SiC surface. Therefore, Mo/4H-SiC（0001）and Pt/4H-SiC（0001）interfaces annealed up to 500℃ have been studied by barrierheight and ideal-factor measurements using forward I-V characteristics. We calculated ideal
barrier heights by extrapolation from these ideal factors and these barrier heights. These ideal
barrier heights varied with annealing temperature, but the behavior for Mo interfaces was quite
diﬀerent from Pt interfaces. These results indicated that Mo/4H-SiC（0001）interfaces annealed
up to 500℃ were mainly native Mo oxides and Pt/4H-SiC（0001）interfaces were mainly Ptsilicides ; this is attributed to the difference between refractory metals（Mo）and near-noblemetals（Pt）.
1.

緒言

現在，ハイブリッド車・電気自動車，電車，家電，産業用機器，変電所等において多くの電力変換装置が使われており，それを構成するパワーデバイスには幾つもの要求がある。変換における高効率は当然ながら，高温動作時の安定性，広い電圧領域での安定動作，高絶縁耐圧性，長期信頼性が求められている1）。例えば，ハイブリッド車に用いられる半導体デバイスは，自動車環境下で長期安定に動作する必要がある。インバータの小型化や低コスト化のための冷却装置の改善により，デバイス動作温度は200℃以上が必要とされ，デバイス特性として温度変動が少ない事が望まれている2）。しかし，従来のパワーデバイス材料 Si は，最高動作温度が150～200℃に制限されており，その物性に起因する性能限界が見え始め，今後の飛躍的な発展は容易ではない。そこで新規パワー半導体材料 SiC が注目されている。
SiC はパワーデバイス材料として注目されてお＊秋田高専専攻科学生

り，Cu 並みの高い熱伝導率，従来の Si に比較して10倍の絶縁破壊電界，2 倍の電子の飽和ドリフト速度を持つ。さらに，広禁制帯幅半導体では例外的に p，n 両伝導型の広範囲価電子制御が容易で，Siと同様の熱酸化により良質の絶縁膜（SiO2）を形成でき，導電性ウェハ，絶縁性ウェハが市販されている1, 3）。SiC には数多くのポリタイプが存在し，最もデバイス応用に適しているのは，六方晶で単位格子が 4 層の Si-C 層からなる 4H 型（4H-SiC）である。この理由として，電子移動度，禁制帯幅や絶縁破壊強度が大きいこと，電気伝導の異方性が小さいことドナーやアクセプタ準位が比較的浅いこと，良質の単結晶ウェハが入手できることなどが挙げられる。
SiC デバイスは，理論的には800℃以上の温度でもデバイス動作は可能であり，実際，650℃で SiC
MOS FET の動作を確認した報告や，300℃～350℃動作の SiC MOS 集積回路実現の報告もある3）。しかし，デバイスそのものは高温環境でも動作することが実証されているが，絶縁膜，金属，保護膜といったデバイス構成材料に対しても高温状態での長期安定性を保証する必要がある。そのような中で，半導体の電極技術，つまり金属 / 半導体接触の問題は，
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電気的特性による Mo, Pt/4H-SiC（0001）接触界面に関する研究本質的なものである。
2.

パワー半導体における電極の問題

パワー半導体の電極は，高温環境においても，安定で再現性のある電気的性質を発揮しなければならない。しかし，多くの金属 / 半導体接触界面では，金属，半導体の融点より遙かに低い室温～400℃での温度で，界面形成物を伴う反応や原子拡散現象を起こすので，容易にその電気的特性は変化する。金属 /Si 界面で，この現象は多く調べられている。その Si との界面反応は Mo のような高融点金属と Ptのような準貴金属では大きく異なる。高融点金属に比べ，準貴金属は比較的低い温度で界面反応を生じ，2 種類以上の形成物を作る。一方，高融点金属では，界面形成物の反応は500～700℃で 1 種類だけ生じる事が知られている4）。
この界面反応は，比誘電率が 8 以上もしくは禁制帯幅が2.5eV 以下の半導体で生じると言われている5）。この条件は，障壁高さ（SBH : Schottky barrierheight）が金属の仕事関数に依らない Bardeen limitになりやすい半導体（共有結合性半導体）の条件と一致している。つまり，金属と低温で界面反応する半導体は，Bardeen limit に近づきやすい5）。4H-SiCは12%のイオン結合を有する共有結合性半導体であり，比誘電率3）は9.7（⊥ c），10.2（//c）であるため，先に述べた条件にも一致することから，低温での界面反応を考慮する必要がある。4H-SiC はパワーデバイスとして高温動作を念頭に置かれているので，200℃以上温度雰囲気の界面反応による電気的特性の変化の動向を探る事は，信頼性を確保するためにも重要である。
また，もう 1 つの SiC 電極形成の問題として，オーミックコンタクト形成がある。4H-SiC の電子親和力は約3.6eV，禁制帯幅は3.26eV であるので，高濃度ドーピングを加えない限り，整流性コンタクトとなる。つまり，Si に比べ SiC はオーミックコンタクトを得るのが困難である。実用的な低接触抵抗率のオーミックコンタクトの作成は，高濃度ドーピング後に900℃～1000℃の高温熱処理が施される。しかし，熱処理による界面でのシリサイド形成や，界面ラフネスの増大とオーム性接触との微視的なメカニズムは明らかになっていない6）。
3.

オーミックコンタクト形成技術
半導体素子への低抵抗オーミックコンタクトを

秋田高専研究紀要第47号

形 成 す る 手 法 と し て， 広 く 用 い ら れ て い る の がPost Deposition Annealing（PDA）法 で あ る。 こ の手法では，図 1 7）に示すように，コンタクト領域上に蒸着法やスパッタ法で金属層を蒸着し，熱処理を加えることによって，金属と半導体基板に前述した界面反応を促し，界面反応層を形成する。PDA 処理で形成されたコンタクトは，低い SBH 層，不純物の偏析効果を利用して半導体側に高キャリア濃度層が形成可能，熱的に安定なコンタクトが形成可能，化学反応によって自然酸化膜等の高抵抗な界面誘電体層を除去できる等の長所がある。一方で，
SiC デバイスへの PDA 処理の問題点として，化学的に安定な SiC との反応促進に高温の熱処理が必
要，金属元素に対する Si 及び C の化学反応性の差異によって，高抵抗の要因となる C が析出する可能性がある，低抵抗コンタクト形成には材料の選定が重要，界面反応層の膜厚制御が困難等の問題がある7）。
本研究では，4H-SiC への金属電極として高融点
金 属 Mo と 準 貴 金 属 Pt を 選 択 し，PDA 処 理 を 施した。これは低温での界面反応を利用して，低いSBH を得る事で，低接触抵抗率のオーミックコンタクトを低温プロセスで実現する事を目的としている。

図1

PDA 法によるオーミックコンタクト作成工程7）

4. 金属 / 半導体接触オーミックコンタクトの特性を左右する障壁高さ
φB は Schottky によると8），φB ＝φM －χS（1）と表わされる。ここで，φM は金属の仕事関数，χSは半導体の電子親和力であり，この（1）式は n 型半導体の場合である。この式から，半導体が同一であるなら，SBH は金属の仕事関数に依存する事

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進藤怜史・浅野清光

が 分 か る。Mo の 仕 事 関 数 は4.6eV で あ り，Pt の仕事関数は5.65eV である事から9），各障壁高さはSchottky model に よ る と，Mo の 場 合 に1.0eV，Ptの場合に2.05eV になる。しかし，前に述べたように，SiC のような共有結合性半導体は SBH が金属の仕事関数に殆ど依らない Bardeen 障壁を形成する傾向がある。これらを実験結果から定量的に評価するた
めに，普通，次式で定義される金属 / 半導体界面の界面定数 S が用いられる10）。

Ar ガスを導入し，RF パワー 50W で，15分間でスパッタした。実験時のスパッタ条件を表 1 に示す。
Pt/4H-SiC（0001）試 料 の 作 成 も 同 様 の 手 順 で 行 った。なお，スパッタ前に半導体洗浄液セミコクリーン23による表面洗浄を各 4H-SiC ウェハ基板に対して行った。
表1スパッタ条件

RF パワー［W］50（2）Ar 圧力［Pa］

0.665

ターゲット距離［cm］

4S ＝1 の時，（1）式に対応し，Schottky limit と呼ばれている。また，S ＝0 なら金属の仕事関数に依存しない障壁高さである Bardeen limit と呼ばれる。
よって本研究において Mo, Pt/4H-SiC（0001）の各SBH を比較する事で，4H-SiC の S 値が算出できる。
この S 値は金属電極材料により4H-SiC の SBH がどの程度変化するかの指標になる。
また，PDA 処理後の SBH の評価は極めて重要である。例えば，Y/Si（111）において，300℃を超える加熱処理で界面にイットリウムシリサイドが形成され，障壁高さが低下するという報告がある11）。
よ っ て，Mo/4H-SiC（0001）あ る い は Pt/4H-SiC（0001）の PDA 処 理 前 後 の SBH の 変 化 を 評 価 し，SBH が最も低くなる加熱温度を検討する事は，低接触抵抗率を有するオーミックコンタクトを開発する礎になり，加熱温度による電気的特性の変化を考察する事は，SiC の電極の高温雰囲気での信頼性の研究に繋がる。
そこで本研究では，SiC パワーデバイスへの応用を目的として，低接触抵抗率のオーミック電極開発のため，Mo，Pt/4H-SiC（0001）Si 面接触試料を RFマグネトロンスパッタ法で作成し，PDA 処理前後の I-V 特性から理想因子，障壁高さを算出し，ショットキー障壁形成機構の考察を行ったので報告する。

Ar 流量［㎖/min］

15.5

スパッタ時間［min］

15S＝

∂φB
∂φM

5. 実験方法
厚さ約340μm，抵抗率約0.045Ω・cm で 2 inch φの窒素ドープ n 型 4H-SiC ウェハ基板，純度99.5%のMo，純度99.99%の Pt ターゲットを用いた。まず，
4H-SiC ウェハ基板の（0001）Si 面に RF マグネトロン
スパッタ法により膜厚30nm 程度の Mo ナノ薄膜を形成し，Mo/4H-SiC（0001）試料を作成した。ロータ
リポンプ，クライオポンプにより，チャンバー内を1.33×10－6 Pa 以下の超高真空まで排気し，高純度次に，作成した各試料を0.5～1.5cm2 の大きさに分割し，幾つかの試料に対して PDA 処理（試料への加熱処理）を行い，室温まで試料を炉冷した後，￣
4H-SiC（0001）C 面 へ の 電 極 と し て InGa を 塗 布 し，それらの I-V 特性を測定した。その結果から理想因子 n，障壁高さφB の算出を行った。PDA 処理は，PID 制御を用いて，60［min］で目標値まで温度を上げ，その後さらに同温度で60［min］加熱を行い，炉冷する方法を取った。
次に n，φB の算出法12） について以下に述べる。
一般的に Schottky 障壁界面を通過する電流が，障壁の上だけを通過するような熱電子放出機構で説明される単純な場合は，ショットキー接触の順方向電流密度 J は，qVkT
J ＝ J（e― 1）0（3）と表せる。ここで，V は電圧，q は電荷，T は絶対温度，k はボルツマン定数，J0 は逆方向電流密度である。しかし，V ≫ kT/q であるときは，指数項が1 よりも非常に大きいことから，近似で以下のようになる。
qV

J ＝ J0 e kT（4）また，障壁の上だけでなく，障壁内部をトンネリングなどにより通過する場合には電圧が低くても電流が流れてしまい，上式に当てはまらなくなるので，
qV

J ＝ J0 e nkT（5）と書き直す。ここで n は理想因子である。n ＝ 1 ならば，熱拡散輸送電流のみの理想状態であり，n の値が大きいならば，何らかの別の電流が流れている事になる。また，J0 は，

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電気的特性による Mo, Pt/4H-SiC（0001）接触界面に関する研究－φB

J0＝ A* T 2e kT（6）と表せる。A* はリチャードソン定数である。ここで，A* は次式で表される。
24πqm*ekA*＝h3（7）m*e は電子の有効質量，h はプランク定数である。
本研究では，SiC の m*e を0.3m（m00 は電子の静止質5－2 －2量）とし13），A* を3.60×10［AmK ］とする。そして，両辺の常用対数をとると，log10 J ＝

qlog10 eV ＋ log10 J0nkT（8）と書き表せる。よって，（8）式の傾きをグラフ上から求めると，
qlog10 e Δlog10 J＝nkT
ΔV

図2

Pt/4H-SiC（0001）の PDA 処理前後の J-V 特性（9）（9）式から n 値が求められる。
n＝qΔln JkTΔV（10）また，ショットキー障壁高さφB は，（6）式より，φB ＝ kT ln

A* T 2J0（11）と求められる。また，（11）式の J0 は（8）式のグラフを V ＝ 0 で外挿する事で求めた。
6. 実験結果
6.1 Pt/4H-SiC（0001）試料
Pt/4H-SiC（0001）試料の各処理温度での J-V 特性を 図 2 に 示 す。 図 よ り， 非 加 熱，150 ℃，300 ℃，500℃加熱試料の J-V 特性はバリスタ特性となり，加熱温度の変化と共に特性が複雑に変化していることが分かる。順バイアスでは500℃加熱試料，逆バイアスでは150℃加熱試料の電気伝導性が良くなっている。
図 3 に 図 2 の J-V 特 性 よ り 求 め た Pt/4H-SiC（0001）接触試料の n- φB の相関関係を示す。図 3 では各点が直線あるいは曲線上に分布している事から，n ＝1 で外挿した値が熱電子放出機構に従った理想障壁高さとなる14）。図 3 において n ＝1 で外挿した各処理温度における理想障壁高さを表 2 に示秋田高専研究紀要第47号

図3

Pt/4H-SiC（0001）の PDA 処理前後の n-φBす。表 2 から，加熱処理によって理想障壁高さが変化している事が分かる。また，150℃と300℃では nφB 関数の大きな変化が見られた。
6.2 Mo/4H-SiC（0001）試料
Mo/4H-SiC（0001）試料の各処理温度での J-V 特性を図 4 に示す。図より，非加熱時に最も電気伝導性が良く，加熱温度の増加と共に悪くなっている事が分かる。また500℃加熱試料においては，測定箇所によって，測定値が変動し再現性のあるデータが得られなかったが，概ね，図 4 のように非加熱～300℃と比較して電流が流れにくい結果となった。また，試料表面は加熱温度の増加と共に変化し，300℃で金色，500℃で透明となった。

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進藤怜史・浅野清光

表2

各処理温度における Pt/4H-SiC（0001）界面の表3

理想障壁高さ

図4各処理温度における Mo/4H-SiC（0001）界面の理想障壁高さ

処理温度［℃］

理想障壁高さφB［eV］

処理温度［℃］

理想障壁高さφB［eV］

非加熱

0.74

非加熱

0.69

1500.71

1500.73

3000.77

3000.75

5000.72

5000.87

Mo/4H-SiC（0001）の PDA 処理前後の J-V 特性

図5Mo/4H-SiC（0001）の PDA 処理前後の n-φB

図6

Pt/Mo/4H-SiC（0001）と Mo/4H-SiC（0001）の

図 5 に 図 4 の J-V 特 性 よ り 求 め た Mo/4H-SiC（0001）接触試料の n-φB の相関関係を示す。また，
Pt の場合と同様に，各処理温度における理想障壁高さを表 3 に示す。
表 3 より，Mo/4H-SiC（0001）界面の理想障壁高さは，処理温度と共に増加する事が分かる。Pt/4HSiC（0001）試料のように，150℃と300℃で n-φB 関数の大きな変化が見られなかった。また，500℃加熱試料の理想障壁高さでばらつきが見られた（図中のMo/4H-SiC（0001）試料の理想障壁高さは，ばらつきの中で最も低い値にした）。
7. 考察
7.1 Pt/Mo/4H-SiC（0001）試料
Mo/4H-SiC（0001）の500℃加熱による再現性の問
題を解決するため，Pt/Mo/4H-SiC（0001）試料を作成した。Mo/4H-SiC（0001）試料を同様の方法で作成した後，Pt も同様のスパッタ条件で製膜した。その後，PDA 処理を行い，炉冷後，500℃加熱時の電気的特性を評価した。Pt/Mo/4H-SiC（0001）500℃加熱試料と Mo/4H-SiC（0001）500℃加熱試料の J-V 特性を図 6 に，n-φB の相関関係を図 7 に示す。

PDA 処理温度500℃時の J-V 特性の比較

まず，500℃加熱時の Pt/Mo/4H-SiC（0001）試料において，I-V 特性の再現性が得られた。また，図6 か ら，Mo/4H-SiC（0001）試 料 の 整 流 特 性 か ら，Pt/Mo/4H-SiC（0001）試料のバリスタ特性に変化している事が分かる。さらに，図 7 より，理想障壁高平成24年２月

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電気的特性による Mo, Pt/4H-SiC（0001）接触界面に関する研究

図7

Pt/Mo/4H-SiC（0001）と Mo/4H-SiC（0001）のPDA 処理温度500℃時の n-φB の比較さの値は低い値になっている。Mo は空気雰囲気中，約500℃で，酸化が急激に進行する事から15），Mo 上の Pt スパッタによって Mo の酸化が妨げられたのが，この電気的特性の変化の原因と考えられる。
また，Pt の有無で障壁高さが変化した事から，界面相は Pt の有無で異なると考えられる。Mo/4HSiC（0001）試料では，500℃加熱試料が透明になり，試料表面（Mo 電極形成側）から 4H-SiC 基板が見えていた事から，Mo 薄膜は表面だけでなく，バルク中も酸化している事が推察できる。よって，500℃加熱時の Mo/4H-SiC（0001）試料の界面相は Mo 酸化物である可能性が高く，それが原因で再現性が得られなかったと考えられる。一方，Pt/Mo/4H-SiC（0001）試料は表面の Pt 薄膜により，Mo の酸化が妨げられるので，界面相は Mo あるいは 4H-SiC との界面形成物であるシリサイドであると考えられる。
7.2 Pt/4H-SiC（0001）の n-φB の関数の変化
図 3 において，Pt/4H-SiC（0001）の 150℃と300℃加熱試料で n-φB 関数の大きな変化が見られた。そこで Pt/4H-SiC（0001）の 150，200，250，300℃加熱試料を用意し，その I-V 特性から各 n-φB 関数を求めた。その結果を図 8 に示す。図 8 から200℃から250℃の間で関数の大きな変化があるのが分かる。
これは Pt/Si（111）の界面相が Pt2Si から PtSi へ相変態する温度付近である4, 16）。そして，加熱温度によって理想障壁高さが変化している事から，界面相が相変態している事は明らかである。よって，この結果は関数の変化から界面における相変態の温度が特定
秋田高専研究紀要第47号

図8PDA 処理温度が Pt/Si（111）でのシリサイド相変態温度付近の Pt/4H-SiC（0001）の n-φBできる可能性を示している。
7.3 Mo/4H-SiC（0001）の n-φB の関数の変化
Mo/4H-SiC（0001）においては，理想障壁高さの変化は見られるが，Pt と比較して大きな関数の変化は無い。MoSi2 の形成は525℃である事から16），界面相でシリサイドを形成していないと考えられる。
よって，Mo の場合の加熱温度による理想障壁高さの増加はシリサイド形成に依るものでないと考えられる。この理想障壁高さの増加は，Mo/4H-SiC（0001）
接 触 界 面 が Bardeen limit か ら Schottky limit で ある1.0eV に近づいているのが原因と考えられる。ス
パッタ直後の Mo/4H-SiC（0001）界面には，表面洗浄後に残留している SiO2 絶縁膜が介在していると考えられるので，その影響で Bardeen limit に近い障壁高さになる。そして，その後の加熱処理によって，介在層の無い理想的な Mo/4H-SiC（0001）接触界面に近づいたために障壁高さは増加したと考えられる。
7.4 Mo, Pt/4H-SiC（0001）の S 値
表 4 に Mo，Pt/4H-SiC（0001）接触界面における理想障壁高さの Schottky limit と実験値を示す。実験値より界面挙動指数 S を算出すると，S ＝0.05となった。SiC のような共有結合性半導体は，金属の仕事関数に依らない Bardeen limit に近い S 値を示す。
また，今回，S 値を算出するために Mo，Pt を用いたが，より信頼性のある S 値を算出するには，表― 52 ―
進藤怜史・浅野清光

表4Mo, Pt/4H-SiC（0001）接触界面における理想障壁高さの Schottky limit と実験値

電極金属

Schottky limit［eV］

実験値［eV］

Mo1.00.69

Pt

2.050.74

表54H-SiC（0001）の金属電極の候補

電極金属

仕事関数
［eV］

Schottky limit
［eV］

Y3.1

オーム性

Nb

4.30.7

Pd5.551.95

5に示すような金属でも評価する必要がある。Y は本研究で使用した Pt，Mo と仕事関数が離れているため，より正確な S 値を算出できると考えられる。
また，Y/Si において，低 SBH となるイットリウム
シリサイドの加熱温度による SBH の変化を評価する事ができる。Nb，Pd はそれぞれ高融点金属と準貴金属であるから，PDA 処理温度で Mo，Pt と電気的特性が同様の傾向を示すのか調べる事ができる。
また，仕事関数が Mo，Pt と近いため，より正確なS 値算出に貢献できる。
8. 結言
本研究では，Mo, Pt/4H-SiC（0001）接触試料を作成し，その PDA 処理前後の理想因子，障壁高さを算出して，金属 /4H-SiC（0001）のショットキー障壁形成機構の考察を行った。
まず，Mo，Pt/4H-SiC（0001）接触界面において，界面挙動指数 S を計算した結果，S ＝0.05となり，Bardeen limit に近い障壁高さとなった。より妥当性のある S 値を算出するためには Y，Nb，Pd のような金属でも同様の実験を行う必要がある。
また，Mo/4H-SiC（0001）接触は500℃加熱時，電気的特性が大幅に劣化し，再現性も得られなかった。
そのため，Mo/4H-SiC（0001）試料に対して Pt スパッタを施した Pt/Mo/4H-SiC（0001）試料を作成し，電気的特性を評価したところ，再現性を得られ，SBHも低い値となった。このような改善が見られた事か
ら，空気雰囲気中での500℃加熱は，金属電極表面の酸化に大きく影響していると考えられ，今後のPDA 処理の改善には，不活性雰囲気中での加熱が必要と考えられる。
次に，Mo/4H-SiC（0001）の SBH は加熱温度と共に増加し，Pt/4H-SiC（0001）の SBH は加熱温度の上昇で，増加あるいは減少した。Mo の場合，界面相は表面処理後に残留した酸化膜で，加熱温度と共に除去され理想的な Mo/4H-SiC（0001）界面，つまりSchottky limit に近づいた結果，その SBH は増加したと考えられる。一方，Pt の場合，加熱後の界面相は Pt シリサイドと考えられ，その SBH の増減は界面相である Pt2Si から PtSi への相変態が原因であると考えられる。
さ ら に， 今 回， 調 査 し た 各 PDA 処 理 温 度 で のPt/4H-SiC（0001）の n-φB の相関関係は，その界面相変態温度で n-φB 関数が大きく変化する可能性を示唆している。これを裏付けるためには，Pt のような準貴金属である Pd や Ni を電極とした試料を作成し，相変態温度で n-φB 関数が大きく変化するかを調べる必要がある。このために，Pt/Si（111）あるいは Ni/4H-SiC（0001）の各 PDA 処理温度の n-φB の相関関係を調査すればよいと考えられる。
総じて，4H-SiC（0001）の電極として，高融点金属 Mo と準貴金属 Pt では，比較的低温（500℃以下）での PDA 処理後のそれらの SBH 形成機構は異なると本研究結果から類推される。Mo のような高融点金属の SBH はシリサイドの効果よりも，基板の表面処理の効果に大きく影響されると考えられる。なぜなら，低温において界面相は表面処理後に残る酸化膜である考えられるからである。よって，加熱処理によって SBH が変化するなら，それは酸化膜の厚さに影響されると考えられる。しかし，500℃以上の高温加熱ならば，Mo/4H-SiC（0001）は界面でシリサイド相を形成すると考えられるので，酸化膜の効果は薄れると考えられる。一方で Pt のような準貴金属は，200℃から500℃程度の比較的低温でシリサイドを形成するので，PDA 処理後の SBH は表面処理の影響を Mo と比較すると受けないと考えられる。
最後にパワーデバイス応用の観点から述べると，
Mo, Pt/4H-SiC（0001）の SBH は PDA 処 理 温 度 で 変化する事から，その変動は電極の信頼性を欠くものになる。なぜなら，SiC は200℃以上での高温安定動作が望まれているからである。しかし，低接触抵抗率のオーミックコンタクトを実現するには PDA処理による低 SBH は必須である。低温プロセスで，上記の要求に応えるのは非常に難しい。500℃以下という PDA 温度で低 SBH を実現してオーミックコンタクトとし，要求される温度で安定な SBH になるような電極金属を今後，検討していく必要がある。

平成24年２月

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電気的特性による Mo, Pt/4H-SiC（0001）接触界面に関する研究

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