５．光エレクトロニクス
大阪大学

村田 博司

本分科の講演件数は 108 件であり，2011 年春季講演 答特性の検討が行われた．波長 8μm において HgCdTe会より 45 件，2010 年秋季講演会より 32 件減少した． に代わる InAsSb フォトダイオード型光検出器の開発がこれは，ほぼ同じ日程で光エレクトロニクス関係の国際 進められ，従来型に近い分光比検出能力が得られた．
会議 CLEO/Pacific Rim 2011 が開催されたことが主因と Si-APD のアニールによる水素濃度分布測定が行われ，考えられるが，大震災による影響も少なからずあったの 酸化膜および P+層中の水素濃度の顕著な変化による暗かもしれない．一方，講演件数減にもかかわらず，多数 電流の低減，ゲインの向上が観測された．水素拡散によの聴衆を集めたセッションが多かった．今回は，「5.4 光 る欠陥および不純物準位の不動態化という興味深い結ファイバー」はポスター講演として実施した．
果が報告された．
今回の講演会では，二人の方に招待講演をお願いした．
「5.2 光記録／ストレージ」では，クラウド時代に要名古屋大学・川瀬晃道先生には，最新のLiNbO 3 波長変換デバイスを用いた広帯域テラヘルツ波発生技術につ 求される光記録技術による次世代大容量メモリから省いてご講演を頂いた．また，東京大学・五十嵐浩司先生 エネ IT ストレージ（デジタルアーカイブ）の研究分野には，光ファイバー通信システムにおける伝達関数制御 を募集し，4 件の講演があった．次世代テラバイトメモに関するご講演を頂いた．どちらも今後の展開が大いに リの実現に向けた新たな記録方式の提案や BD ディス期待される分野であり，聴衆の関心も高く好評を博した．ク検査基準の検討等の報告が行われた．今後は，光エレ本分科と密接に関連するシンポジウムとしては，フォ クトロニクス分科における技術応用分野（例えば LED，トニック ICT 研究会によるシンポジウム「大容量光通 EL 照明，レーザディスプレイ）も視野に入れてセッシ
信技術の最新動向 －100 テラビット時代の幕開け－」 ョンの活性化を検討していきたい．
が開催された．6 件の講演があり，光通信分野の第一線「5.3 光制御」は 67 件の講演があった．最近の講演の研究者の方々から最新の技術動向の紹介とともに今後の展望についてご議論を頂いた．（詳細については， 会と同様に光エレ分科全体の約 6 割を占めている．
半導体，非線形光学関連では，日本 IBM 中川氏の光・シンポジウムの報告を参照されたい．）
電子集積技術業績賞（林厳雄賞）受賞記念講演を含めた「高性能コ「5.1 半導体レーザー・発光／受光素子」は 28 件の 26 件の発表があった．中川氏のご発表では，ンピューターを実現する光インターコネクと技術」と題発表があった．半導体レーザーおよび発光素子関連では，面発光レーザー，量子ドットレーザー，シリコンフォト して，具体的な数値を基に，光配線の電気配線に対するニクス向け光源，量子カスケードレーザー等に関して報 優位性（高速化，低消費電力化，高密度化）を示された．
告が行われた．面発光レーザーでは，高出力化，波長可 しかし，脳と比較すれば，まだ消費電力で 3 桁以上大き変化，高速化に向けた課題への取り組みがみられる．量 く，この差を今後どのように埋めていくかついての興味
子ドットレ ーザーで は，1300nm 帯では最 高温度の 深いご指摘があった．本セッション（化合物半導体を用220℃での連続発振が報告されている．地下資源探索な いた光制御）においては，今回も光インタ－コネクトなどが応用として掲げられていたのが興味深かった．イン らびにシリコンフォトニクス関連の発表数は 26 件中 11
ターコネクション応用を想定したシリコン基板上への 件と多く，この傾向はここ 1，2 年続いている．発表と光源形成に関しては，化合物との接合の利用，シリコン しては，Si 基板上への化合物半導体光素子（レーザ，の超薄膜化等が報告されている．接合に関しては国内外 アンプ）のハイブリッド集積，Si 細線の高非線形性をでいくつかの手法で取り組みが行われてきているが，プ 利用した光非線形デバイス，これまで化合物半導体で検ロセスや評価が進展してきており今後の広がりが予想 討してきた光スイッチデバイスの Si 系材料（Ge/SiGe）
される．量子カスケードレーザーは計測応用で求められ での検討に関する発表があった．しばらくは，この傾向が続くと予想される．
る波長可変範囲広帯域化への進展が報告された．
ポリマー，ガラス，Si 関係では，東大の五十嵐先生
受光素子関連では，Si 集積回路上の光検出器，遠赤外光検出器，Si-APD の電子線検出器応用など光ファイ より「有限インパルス応答フィルタを用いた伝達関数のバー通信用途以外の検出器の発表が主であった．SOI 任意制御」と題する招待講演があり，今や成熟した技術
MOSFET 光検出器では金ナノ粒子，金属回折格子を用 となったシリカ系平面光波回路（PLC）の熱光学効果をいることによって量子効率の向上が確認された．a-Si 用いて，光信号の振幅と位相をいかに自在に制御するかの熱アニールによる多結晶化 Si 光導電素子の周波数応 について，興味深い研究内容が紹介された．Si フォト

ニクス関連では，横浜国立大から，多くの機能要素（可変光減衰器，1 ビット遅延線，90°ハイブリッド，Ge-PD）を 1 チップに集積化して作製した差動四値位相変調（DQPSK）レシーバについて報告されたのが注目される．また，ポリマー関連では，NICT より，Si フォトニック結晶導波路のコアのスロット部に電気光学ポリマーを挿入して，低動作電圧（1V 以下）で広帯域（100GHz以上）の光強度変調特性を確認したとの報告がなされた．
今後も，Si をプラットフォームとした光集積回路のさらなる進展が期待される．
強誘電体材料・光波長変換デバイス関係では，招待講演を含め 26 件の報告があった．名大・川瀬晃道先生には，「非線形デバイスを用いた広帯域テラヘルツ発生の進展」と題した講演をお願いした．差周波発生における位相整合と発生信号の高効率結合とを同時に満足するデバイス技術について丁寧に議論して頂き，非常に好評であった．光学結晶の常温接合技術を利用した波長変換デバイスにも着実な進展が見られた．光通信関係では差周波発生を用いた光ベクトル変調信号の位相感応増幅の報告が関心を集めた．現在注目の新技術であり，今後のさらなる発展が期待される．また，光変調デバイスでは，LiNbO 3 とSiの融合デバイスやEOポリマーデバイスの報告が注目を集めた．高速光変調デバイスに種々の機能を付加した新デバイスの提案なども見られた．
全般的に，デバイス作製や評価における技術完成度，集約度の高い優れた発表が多く見られ，フォトニクス技術の進歩を強く感じた．
「5.4 光ファイバー」は，ポスター発表であった．発表件数は昨年の同時期より 3 件少なく 9 件である．発表
内容は，センサー応用が多くを占めているが，テラヘルツ光発生を目指してパルス圧縮ファイバーを用いたフェムト秒パルス光源や増幅ファイバーにおける発光原理の理解を目指す研究もあった．
センサー応用の対象は，温度，振動，屈折率，患者の呼吸と多岐に渡り，応用範囲の拡大を目指している．新しい取り組みとして，温度センサーへの応用を目指した
プラスチック光ファイバー(POF)の音速や誘導ブリルアン散乱特性の測定があった．患者の呼吸センサー応用は，臨床の段階であり，将来の市場投入が患者の検査負担を軽減することを期待する．
本稿を纏めるにあたり御協力を頂いた，中村，下村，入江，李，森，高坂，各委員に深謝します．