2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会

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と きところ

2014年9月17日（水）、18日（木）、19日（金）、20日（土）北海道大学札幌キャンパス （北海道札幌市北区北8条西5丁目）
TEL 011-736-0771（大会本部直通）

Registration
大会本部

開場時刻
8:00 ～ 17:30 （ 最終日は8:00 ～ 13:00 ）8:00 ～ 20:00

主催／応用物理学会

協賛／北海道大学

応用物理学会関係サイト一覧＜2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会に関するサイト＞
第75回応用物理学会秋季学術講演会ホームページ
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会に関する全ての情報がまとまっています。

http://meeting.jsap.or.jp/index.html
講演会プログラムホームページ (Confit)
講演会のプログラムをパソコンで確認する場合はこちらをご参照ください。

https://confit.atlas.jp/jsap2014aプログラムＨＰ

講演会アプリ
講演会の情報をスマートフォンで確認する場合はこちらをご参照ください。
プログラム等、講演会全体の情報を網羅してます。

iTunes(App Store)
http://goo.gl/Z6J8Mw
GooglePlay
http://goo.gl/8JbVRk

大会アプリ（GooglePlay）

大会アプリ（iTunes）＜応用物理学会全体に関するサイト＞
応用物理学会ホームページ
応用物理学会に関する全ての情報がまとまっています。

http://www.jsap.or.jp
応用物理学会Ｆａｃｅｂｏｏｋ
講演会期間中は、講演会に関する情報をいち早く確認することができます。是非ご覧ください。

https://www.facebook.com/OYOBUTURI
応用物理学会Ｔｗｉｔｔｅｒ
講演会期間中は、講演会に関する情報をいち早く確認することができます。是非ご覧ください。

https://twitter.com/JSAPmeeting2014 年応用物理学会秋季学術講演会企画にあたって
応用物理学会講演会企画運営委員長
民谷 栄一

2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会は，北海道大学札幌キャンパスにて開催されます．今回，15の大分類
分科，合同セッション及びJSAP-OSA Joint Symposiaにおいて4,057件の発表（うち口頭講演3,174件，ポスター発表883件）が行われます．これに加えて，5件のチュートリアル講演と，18テーマのシンポジウムが開催されます．また，今年もEnglishセッションや英語発表を推奨するセッションがあります．また，ポスター会場には，120以上の企業・団体が出展する展示会も併設いたします．
例年以上の一般投稿件数となり，より一層実り多き講演会となると確信しております．
また本会に関わる受賞記念講演として，応用物理学会論文賞，講演奨励賞，プラズマエレクトロニクス賞，有機分子・
バイオエレクトロニクス分科会業績賞・論文賞の受賞記念講演が予定されています．恒例の「応物キャリア相談会」も開催致します．
講演プログラム及び講演会場，展示企業及び展示ブースなどが昨年同様，iPhone とiPad 及びAndroidのアプリで提供
されていますので是非ご活用ください．これを使えば，講演会場の号館や展示会のブースの場所がスマートフォンの表
示画面でキャンパス地図から案内される他，講演者や講演タイトル，講演時間なども簡単に検索できます．従来に引き続いて，託児室の設置も行っていますので，ご利用ください．学会としては非公式ではありますが，FacebookやTwitterなど
でもニュースやイベントの紹介をしております．学会におけるFacebookやTwitterの使い方はまだまだ白紙状態です．参加者の皆様に是非とも育てていただきたいと思っています．
展示会場（JSAP EXPO Autumn 2014）では，JSAP フォトコンテスト(Science as Art) の開催や，恒例のスタンプラリー等も企画されていますので，奮ってご参加ください．さらに，展示会出展社によるランチョンセミナーを今回も開催いたします．
参加者にとって活力を生み出す有意義な学術講演会になるよう願っております．最後になりましたが，講演会場をご提供いただいた北海道大学と現地実行委員の先生方に深く感謝いたします．

― 秋季講演会トピックス ―◇Fellow International特別講演
2014年9月17日（水） 13：30～15：20 B3会場
講演者：Gerhard Abstreiter (TUM Institute for Advanced Study)
Paolo Gargini (Stanford University)
Christopher R. Wronski (Pennsylvania State University)◇OSA President Special Lecture
2014年9月17日（水） 13：45～14：45 C4会場
講演題目：Quantum Control in Strong Laser Fields
講演者：Philip Bucksbaum (Stanford University)◇応用物理学会 会長特別講演
2014年9月18日（木） 10：00～ 11：45 B3会場
講演者：河田 聡（大阪大学）◇応物キャリア相談会
2014年9月19日（金） 12：30～17：00
PB会場（第2体育館）◇懇親会
2014年9月17日（水） 19：00～21：00 サッポロビール園
会費：社会人3000円，学生1000円
申込：ウェブまたは当日会場にて申込可能です．会費は当日17時までに，Registrationの「懇親会受付」にてお支払ください．
サッポロビール園

1Campus Map
Ａ・Ｓ（高等教育推進機構）
Ｂ（フロンティア応用科学研究棟）

Ｐ（体育館）
北18条駅

至小樽方面

Ｃ（工学部）

北18条

郵便局

北12条駅
北12条

地下鉄南北線
正門
北8条

至札幌駅
札幌駅
至旭川・千歳方面

Ａ＜Registration＞ 1F
公式ガイドブック引換、当日参加受付、招待講演者受付、チュートリアル受付、ランチョンセミナー受付、文献販売
・講演会場
1F A1、A2、A3
2F A4～A11、A27、A28
3F A12～A26

・会合(IM)
2F AM1～AM12

Ｓ
1F 大会本部、来賓室、クローク
・講演会場
1F S1
2F S8～S11

Ｐ

Ｂ

（体育館）
・ポスターセッション会場（PA、PB）
・展示会場
・インターネットサービス受付
・予稿集プリントサービス
・ドリンクコーナー・キャリア相談会
・リフレッシュ理科教室

2F B3会場 講演奨励賞贈呈式、Fellow International記
念講演、代議員・諮問委員合同会議、論文賞授賞式、フェロー表彰式
・講演会場
1F B1
2F B2、B3

Ｃ・講演会場
1F C1～C4
2F C5～C73F C8・会合(IM)
2F CM1～CM4
3F CM5

懇親会
日時 ： 9月17日 19：00～ 予定
会場 ： サッポロビール園
料金 ： 社会人3,000円、学生1,000円

工学部食堂

札幌駅まで徒歩20分

2

地下鉄南北線

70分

5分

地下鉄南北線
北18条駅

徒歩

8分

15分

北海道大学構内に駐車場はございません。

自家用車は御利用いただけません。
ご注意ください。

主要都市から札幌への飛行時間
出発地

飛行時間

仙台

1時間10分東京（羽田）

1時間30分東京（成田）

１時間40分～４５分

大阪（関西）

1時間50分

大阪（伊丹）

1時間45分名古屋（中部国際）1時間40～45分

福岡

2時間10分

3

Registration

JR札幌駅
リムジンバス

徒歩徒歩5分（A棟1階ホール）

10分

北海道大学 札幌キャンパス
北18条門

徒歩

40分

新千歳空港

JR快速エアポート

北海道大学 札幌キャンパス
正門

交通アクセスフロアマップ

S

A
自動販売機

1F
A27, A28会場へはこちらの入口をご利用ください。

自動販売機

2F

3F
4

フロアマップ

B

2F

1F

自動販売機

C

1F
C5会場へはこちらの階段をご利用ください。

2F

3F
5

■ご案内
本部行事
日 付 2014年9月17日(水)会 場 フロンティア応用科学研究棟ホール B3会場
●第36回応用物理学会「講演奨励賞」贈呈式（公開）11：15～12：00●2014年度国際フェロー特別講演 13：30～15：20●応用物理学会代議員・諮問委員合同会議 16：00～17：00●第36回応用物理学会「論文賞」授賞式 17：00～17：30●応用物理学会第8回(2014年度 )フェロー表彰式 17：30～18：00

参加費について学術講演会に出席される方は参加費（当日価格）をRegistrationにてお支払いください. 参加費をお支払いいただいた方には予稿集DVD・
公式ガイドブック・参加票をお渡しいたします.なお,参加費（予稿集DVD・公式ガイドブック・参加票含む）を事前予約されている方は,当日参加
票を首から下げて直接講演会場へお越しください.

内容

種別

予約価格

当日価格

講演会参加費

一般会員

8,000円

12,000円［事前送付］
・予稿集DVD
・参加票

学生（会員・非会員）

3,000円

5,000円シニア会員*

4,000円

7,000円協定学会会員**［当日引換］
・公式ガイドブック

8,000円

12,000円

非会員

15,000円

20,000円

予稿集DVDのみ購入

従来の0,1,2,3分冊の内容を全て収録

8,000円

公式ガイドブックのみ購入

プログラム・登壇者索引

2,000円* 常勤として勤務に就かれていない60歳以上の会員.一般会員からの種別変更が必要です.
** 協定学会：APS(American Physical Society), EOS (European Optical Society), EPS(European Physical Society), IOP(Institute of Physics),
KPS(Korean Physical Society), OSA(Optical Society of America), OSK(Optical Society of Korea), PESJ (日本物理教育学会),
PSROC(The Physical Society of Republic of China), Société Française de Physique(SFP), SPIE (International Society for Optica Engineering ),Taiwan Photonics Society (TPS)●講演会参加費は,一般会員および学生は不課税,非会員は内税です.
●事前予約されている方は当日，参加票を首から下げて直接講演会場へお越しください.
※ガイドブックが不要の方はRegistrationにお立ち寄りいただく必要はございません．
●講演会参加を予約されなかった方は，当日早目にRegistration内「当日受付（On-site Registration）」ブースにてお手続きください.
●会場内では，必ず「参加票」を首からさげて下さい.

サービスについて●バリアフリー対応について
講演会場の建物は基本的にバリアフリーですが，一部の対応していない会場があります．詳細に関しては，事前に事務局(03-58020864)にお問い合わせください．

●ネットワークサービスについて
学術講演会の開催期間中に，ポスター発表，JSAP EXPOの会場であるPA会場，PB会場で，無線LANを利用したインターネット接続
が無料で利用できます．利用するコンピュータはご自身にてご準備ください．なお，ウイルス対策を十分に講じたコンピュータをお使い下さいますよう，お願いします．

●公共交通機関利用のお願い
会場周辺には，駐車ができる施設・設備はありません．電車およびバス等の公共交通機関をご利用下さい．

●参加者用クローク(手荷物一時預かり)サービスについて
クロークサービス(有料)を以下にて実施しますのでご利用ください．

●営利目的の宣伝活動について事前申請された事業者以外の展示営業活動はご遠慮ください．

受付場所：S棟 1階S3
預かり料：荷物1個につき300円●撮影，録音について
講演発表の撮影，録音はできません．ポスターも撮影禁止です．

預かり時間：
9/17(水) は,8：00～19：00(当日限り)
9/18(木)～19(金) は,8：00～19：30(当日限り)
9/20(土) は,8：00～16：00(当日限り)●マスコミ取材について事前に許可が必要です．学会事務局または現地大会本部にご連絡ください．

その他：スペースに限りがあり，お預かりできない場合もございます．
貴重品はお預かりできません．

6

■口頭講演のご案内
1.PCプロジェクタ使用に関して
全ての講演会場で，PCプレゼンテーションを実施します．講演会場には，ノートパソコンと液晶プロジェクタを設置しています．以下の注意事
項参考に，発表の準備をしていただきますようお願いします．

1.会場設置のノートパソコンを使用する場合
講演者は，USBメモリ又はCD-ROMでパワーポイント(PPT)のファイルを会場に持参し，発表することができます．動作環境は以下のとおりで
す．
1-1)ハードウェア
・CPUとクロック周波数はIntelCorei3/2.1GHz以上です．
・メインメモリは2GB以上です．
・USB2.0ポートは3～4個付いています．ただし，１ポートはマウスにて使用されます．
1-2)ソフトウェア
・OSはWindows7Proです．
・プレゼンテーションソフトはMicrosoftPowerPoint(PPT)2007です．
・動画再生ソフトは，WindowsMediaPlayerVer.10です．特殊な形式・コーデックには対応していませんので，標準的なものをご使用ください．
QuickTime，RealPlayerやAdobeReaderなど，他の再生ソフトはインストールされていません．
・ウイルスセキュリティーソフトはインストールされていますが，複数の方がＵＳＢメモリーを介して同じＰＣを使用するため，ウイルス感染の危険性がないわけではありません．ＵＳＢメモリーはライトプロテクトスイッチ(書き込み防止機能)の付いたＵＳＢメモリーをご使用ください．
1-3)発表用ファイル
・PPTファイルを作成する場合，Windows7が標準で提供しているフォントを使用してください．例えば，日本語と英語：MS明朝，MSゴシック，英語：Arial，TimesNewRoman等があります．標準でないフォントを使用すると，デザインされたとおりには表示されません．
・ファイルサイズがあまり大きくならないようご注意ください．メインメモリの容量が限られていますので，サイズの大きなファイルを操作するとパソコンが不調になることがあります．
・PPTファイルにファイル名を付けてください．ファイル名は，半角英数字の講演番号と発表者のお名前をアンダースコア(アンダーバー)で結んで表記してください．
ファイル名の例：17a-A1-10_yamada.ppt
・ウィルスを感染させることが無いよう，ファイルの管理には十分注意して下さい．
1-4)発表会場
・セッション開始前の休憩中に，USBメモリ又はCD-ROMのデータをノートパソコンのデスクトップにコピーして，発表に備えてください．
この場合，セッション終了後にアルバイターがノートパソコンにコピーされたファイルを閲覧できない状態に削除します．
・講演会終了後にソフトウェアによるデーター消去は行いますが，完全消去には対応しておりませんので，ノートパソコンのハードディスクにデータが残ることを気になさる方は，USBメモリ又はCD-ROMを直接アクセスして投影を行ってください．
・ノートパソコンへのコピーと投影チェックは，セキュリティ上，座長あるいは会場担当のアルバイター立会いで行ってください．
コピーは原則アルバイターが行います．アルバイターは，休憩時間には常駐しますが，昼休みは午後の講演開始時間の20分前まで不在となりますので，ご協力願います．

2.ノートパソコンを持ち込まれる際のご注意
講演者が持参したノートパソコンを使って，発表することができます．以下の点にご留意いただき，発表を行ってください．
2-1)パソコンの操作
・発表開始前にパソコンの電源を入れ，投影の準備をしておいてください．
・講演者は，画面を外部出力可能にしておいてください．
2-2)講演時の注意事項
・接続に要する時間も講演時間に含みますので，速やかな発表に向けてのご準備にご配慮ください．
2-3)接続ケーブル
・右の画像のケーブルを準備してあります．一部のノートパソコンでは付属のコネクタが必要な場合がありますので，お忘れなくご持参ください．

2.講演時間について
一般講演の講演時間は15分（講演10分，質疑応答5分）です．会場係が経過時間をお知らせするベルを鳴らします．
●第１鈴：講演予定時間終了の5分前●第２鈴：講演予定時間終了※第２鈴がなったときただちに講演を中止していただきます．
●第３鈴：質疑（討論）時間終了

7■ポスター講演のご案内
1.展示方法2.講演時間について

・1講演につき，たて180cm，よこ90cmのパネルが用意されています．

準備
説明・ 討論撤収

90cm

am
9：10～9：30
9 ： 3 0～1 1： 3 0
11：30～11：40

pm前半
13：10～13：30
13 ： 3 0～1 5： 3 0
15：30～15：40

pm後半
15：40～16：00
1 6： 0 0 ～1 8 ：0 0
18：00～18：10

パネル

コアタイムは講演番号の順番が奇数の方は最初の1時間，偶数の方は後半の1時間です．その時間帯はポスターの前から離れないでください．

180cm

※例えば
17a-PA1-3であれば3番なので奇数
18p-PB2-6であれば6番なので偶数となります．
・パネルに各自用意したポスター，図表，写真などを適宜レイアウトして掲示してください．
・ポスターの大きさ，形式は問いません．パネルに収まるようにポスターを作成してください．
・すべての掲示は本部で用意したピンで行ってください．
糊の使用はご遠慮ください．

3.ショートプレゼンテーション付きポスター講演
口頭講演会場で1講演2分間のショートプレゼンテーションを行い，引き続きポスター講演会場にてポスター講演を行います．
ショートプレゼンテーションの日時・会場，およびポスター講演の日時・会場を必ずご確認ください．
ショートプレゼンテーションでは質疑応答はございませんので，終了のベルが鳴ったら直ちに講演を中止してください．

Poster Award規程
1.この規程は,公益社団法人応用物理学会（以下「本会」という.）が本会会員に対して行なうPoster Awardに関して定めたものである.
2.Poster Awardは,本会の応用物理学会春季学術講演会および応用物理学会秋季学術講演会（以下「講演会」という.）において,応用物理学の発展に貢献しうる優秀なポスター講演を行った会員を表彰し,その成果を称えることを目的とする.
3.表彰対象は,本会の講演会で発表された,応用物理学の発展に貢献しうる優秀なポスター講演で,以下(１)～(２)の条件を全て満たす著者を表彰する.
(１)ポスター講演を行った時点で本会会員であること(２)講演申し込み時に,登録された著者であること
4.ポスター講演の著者で,会員外(分科会A会員,相互協定を締結した学協会の会員及び非会員)の者は表彰対象としない.
5.Poster Awardの選考手順は,別途内規で定める.
6.表彰の対象となるポスターは,ポスター講演総数の概ね2％以内とする.
7.受賞者には本会会長名の賞状を授与する.
8.表彰は表彰時点における本会会長名により行う.
9.受賞ポスターは,講演会会期中,会場に掲示する.
10.表彰されたポスターについては,講演会企画運営委員会及び理事会に報告する.
11.本規程の改正は総務委員長が承認し理事会へ報告する.
付 則
1.この規程は平成25年2月15日理事会にて決定.
2.この規程は平成25年2月15日より施行する.

8

■講演番号について(例) 17 a ‐ A3 – 1
17日

aは午前
pは午後

A3会場

1番目

講演番号の横にある印の意味は以下の通りです．
▲ 英語による講演△ 講演奨励賞エントリーの講演◎ 招待講演■講演者名の表記について(例) 〇(M1)応物 太郎，応用 一郎，湯島 花子，本郷 次郎〇がついているのが講演者

この部分は在籍学年を意味します．
B 学士課程あるいはそれに準ずる課程在籍者
M1 博士前期課程1年在籍者
M2 博士前期課程2年在籍者
D 博士後期課程在籍者
P ポスドク(M1)→(M1C)，(D)→(DC)，(P)→(PC)と表示されている場合
求職中であることを意味します．
講演者が求職中であることを明示できるよう，キャリアエクスプローラーマークがございます．
詳しくは以下URLをご覧ください．
http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/CEmark.html■チラシについて講演会場でチラシやパンフレットを置いたり配布したりすることは禁止されております．見つけた場合にはただちに撤去させていただきます．
応用物理学会の協賛または共催の学会，会合等で，チラシに応用物理学会の名前またはロゴが入っているものに限り，Registration内指定のチラシ置場を準備してありますので，ご自身にてRegistrationにお持ちください．また，お持込いただいたチラシは最終日の12時までにご自身にて撤去をお願いいたします．

■駐車場について会場内には，来場者用の駐車場はありませんので，車では来場しないでください（公共交通機関をご利用下さい）．また近隣への迷惑になりますので，路上駐車は絶対に行わないでください．
無断で大学内に車で入構したのを発見した場合は，講演取消等の重い処分が下される場合がございますので，ご注意ください．

9

■懇親会のご案内
今大会の懇親会は人気の観光スポットの「サッポロビール園」で行います。
お手頃な参加費になっておりますので，ぜひお誘いあわせのうえ，ご参加ください。
日 時 2014年9月17日(水) 19：00～
会 場 サッポロビール園(札幌市東区北7条9-2-10)※当日は北大札幌キャンパスから無料の送迎バスをご用意しております．
バスの乗車場所については当日Registrationへお問い合わせください．

参加費

社会人
学生(会員・非会員)

3,000円(税込)
1,000円(税込)

以下の方々は懇親会は無料招待となります．
・名誉会員
・功労会員
・代議員・諮問委員合同会議出席者
・第36回講演奨励賞受賞者
・第36回論文賞受賞者
・2014年度フェロー表彰者

お申込方法●ウェブからのお申込み
ページ下の「参加申込」のURLにアクセスしてお申込みください．
参加費は，当日17：00までにRegistrationの「懇親会受付」にてお支払いください．（現金のみ）●会場でのお申込み
Registrationの「懇親会受付」にてお申込みいただき，参加費をお支払いください．（現金のみ）

懇親会参加予約締切： 2014年8月31日（日）懇親会参加申込URL
http://meeting.jsap.or.jp/socialgathering.html■託児室のご案内
応用物理学会学術講演会参加者のための臨時託児室を設置いたします．
利用料は無料となっておりますので，ぜひご利用ください．
設置期間 ： 2014年9月17日(水)～20日(土)開室時間 ： 8時30分～19時30分（最終日は16時まで）

利用には事前の申し込みが必要となりますのでご注意下さい.

2011年秋の様子

託児室利用申込締切： 2014年9月8日（月）託児室利用申込URL
http://meeting.jsap.or.jp/nursery.html

10講演分科日程表（分科別）I
大分類分科名

中分類分科名1. 応用物理学一般

午前

9 月 17 日（水）午後

午前

9 月 18 日（木）

午後

午前

北海道大学

9 月 19 日（金）午後

午前

9 月 20 日（土）午後

A23
13:30 〜 17:00

関連シンポジウム

A23
13:30 〜 16:45
A23
10:00 〜 12:30

1.1 応用物理一般・学際領域

PB1
9:30 〜 11:30
PB2
9:30 〜 11:30

1.2 教育

A23
PB3
14:00 〜 16:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

PA1
9:30 〜 11:30

1.4 エネルギー変換・貯蔵

PB4
9:30 〜 11:30

A23
9:30 〜 12:30

1.5 資源・環境

PB5
9:30 〜 11:30

A24
10:30 〜 12:15

1.3 新技術・複合新領域

A24
14:00 〜 18:30

1.6 磁場応用

PA2
A24
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 14:00 〜 17:30

1.7 計測技術・計測標準A15
PA3
14:00 〜 18:30 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

1.8 超音波
2. 放射線

B2
13:30 〜 16:15

関連シンポジウム
PA6
16:00 〜 18:00

2. 放射線（ポスター）
B2
13:15 〜 17:30

2.1 放射線物理一般・検出器基礎

＊ ＊＊
B2
B2
14:00 〜 14:45 9 : 0 0 〜 1 1 : 3 0

2.2 検出器開発
2.3 放射線応用・発生装置・新技術
3. 光・フォトニクス

※ コードシェアセッションあり

3.5 と 3.14（表の末尾，19 を参照）

C7
13:30 〜 17:15

関連シンポジウム

＊＊
PA1
C1
C1
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:45 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

3.1 光学基礎・光学新領域
3.2 材料・機器光学

B2
B2
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

B2
9:00 〜 12:45＊
C7
C7
9 : 0 0 〜 1 1 : 3 0 13:30 〜 17:45

PA1
13:30 〜 15:30
PA2
S11
S11
13:30 〜 15:30 9 : 3 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 16:45

3.3 情報フォトニクス・画像工学

PA4
9:30 〜 11:30

3.4 生体・医用光学

C7C79 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:00 〜 14:45

3.5 レーザー装置・材料

PA3
13:30 〜 15:30

3.6 超高速・高強度レーザー

＊
PA4
C2
C2
C2
13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:15 9 : 1 5 〜 1 2 : 0 0

C8
C8
C8
13:30 〜 18:15 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 14:30

3.7 レーザープロセシング

S9
S9
S9
S9
PA5
9 : 3 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:15 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

3.8 光計測技術・機器

＊＊
S8
S8
S8
S8
PA6
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 17:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 17:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

PA5
C6
C6
C6
C6
13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

3.9 テラヘルツ全般

C2
C2
PA7
9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5 14:00 〜 18:45 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

3.10 光量子物理・技術

C8
C8
C8
13:30 〜 15:30 10:00 〜 12:30 14:00 〜 17:45

3.11 フォトニック構造・現象

3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

3.13 半導体光デバイス

PA2
16:00 〜 18:00
C1
C1
C1
C1
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:45 〜 17:45 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:30 〜 16:00
PB11
16:00 〜 18:00
C6
C6
C6
C6
PA8
11:00 〜 12:30 14:00 〜 16:45 9 : 1 5 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 18:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0
C7
C7
C7
PA1
9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5 14:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 15:30

3.14 光制御デバイス・光ファイバ

PA3
A18
A18
A18
16:00 〜 18:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:15 9 : 3 0 〜 1 1 : 4 5

3.15 シリコンフォトニクス
6. 薄膜・表面※ コードセッションあり

6.1 と 9.1（表の末尾，19 を参照）

A1
13:00 〜 17:00
A10
13:15 〜 18:15

関連シンポジウム

A18
13:30 〜 17:30
A4
A4
9 : 1 5 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:00

6.2 カーボン系薄膜

＊
A8
A8
A8
A8
PB1
10:00 〜 11:45 13:15 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 19:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

6.3 酸化物エレクトロニクス

＊＊
A10
A10
A10
PA7
A10
A10
A10
A10
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:45 9 : 1 5 〜 1 1 : 4 5 16:00 〜 18:00 9 : 1 5 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 19:00 9 : 3 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

A11
A11
A11
# PB2
13:15 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:15 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

6.4 薄膜新材料
6.5 表面物理・真空A6
A6
9 : 3 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 15:45

PB3
9:30 〜 11:30
PA8
A8
A8
16:00 〜 18:00 9 : 3 0 〜 1 2 : 1 5 13:45 〜 19:00

6.6 プローブ顕微鏡

会場名のアルファベットは建物名を表します．
( 例：A1 は A 棟にあります．B2 は B 棟にあります )* 分科内招待講演あり** 応用物理学会論文賞受賞記念講演あり# 海外研究者招待講演あり＜建物略称＞
A：A 棟		B：B 棟		
C：C 棟
S：S 棟

11

PA：体育館
PB：体育館

講演分科日程表（分科別）II
大分類分科名

中分類分科名午前

7. ビーム応用

9 月 17 日（水）午後

午前

9 月 18 日（木）

午後

午前

北海道大学

9 月 19 日（金）午後

午前

9 月 20 日（土）

午後

A13
A13
9 : 3 0 〜 1 2 : 1 5 13:45 〜 16:30

関連シンポジウム

A13
13:15 〜 18:45

7.1 X 線技術

PB1
13:30 〜 15:30

7.2 電子顕微鏡，評価，測定，分析

PB2
A14
13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5＊A14
9:00 〜 12:30

7.3 リソグラフィ

A13
13:15 〜 17:00

PB3
13:30 〜 15:30
A13
A13
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 13:00 〜 15:00

7.4 ナノインプリント
A13
9:00 〜 9:45

7.5 ビーム・光励起表面反応PA2
13:30 〜 15:30
A14
13:15 〜 18:15

7.6 イオンビーム一般

PA3
13:30 〜 15:30
A14
13:00 〜 17:15

7.7 微小電子源＊
A13
10:00 〜 11:30

7.8 ビーム応用一般・新技術
8. プラズマエレクトロニクス

S1
13:30 〜 17:30

関連シンポジウム
8. プラズマエレクトロニクス

英語セッション

8. プラズマエレクトロニクス
演

海外研究者招待講

S10
S10
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 15:00 〜 18:00
S10#
13:15 〜 14:45＊
S1
9:15 〜 11:30

8. プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演
PB1
9:30 〜 11:30

8.1 プラズマ生成・制御

S8S8
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:15 〜 14:30
S11
16:30 〜 18:00

8.2 プラズマ診断・計測

PB4
13:30 〜 15:30

8.3 プラズマ成膜・表面処理

PB5
S9
S9
13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:15 〜 14:30

8.4 プラズマエッチング

PB6
13:30 〜 15:30
PB7
13:30 〜 15:30

8.5 プラズマナノテクノロジー
8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野
9. 応用物性S10
14:15 〜 19:00
S9S9
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 14:15

PB2
9:30 〜 11:30※ コードシェアセッションあり

S8
S8
S8
14:45 〜 18:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 14:30

6.1 と 9.1（表の末尾，19 を参照）

＊＊
A6
A6
A6
PA4
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 16:00 〜 18:00

9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子
9.3 ナノエレクトロニクス

PB1
13:30 〜 15:30

A7
A7
10:00 〜 11:45 13:15 〜 16:45
A7
A7
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 17:30

9.4 熱電変換
9.5 新機能材料・新物性

PA5
16:00 〜 18:00

PB2
13:30 〜 15:30

A6
13:15 〜 17:30

10. スピントロニクス・マグネティクス

S2
13:30 〜 17:15

関連シンポジウム
S2（ショート）＊
1 3 : 3 0 〜 1 3 : 5 2 S2
10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性 S2体等）
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 →ポスター PB
9:00 〜 11:45
16:00 〜 18:00
10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

S2（ショート）
13:52 〜 14:38

S2
S2
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00→ポスター PB
16:00 〜 18:00
S2（ショート）
14:38 〜 14:56

S2
9:00 〜 11:45→ポスター PB
16:00 〜 18:00
S2（ショート）
14:56 〜 15:06

S2
S10
13:15 〜 17:15 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0→ポスター PB
16:00 〜 18:00

11. 超伝導PB6
9:30 〜 11:30

11. 超伝導（ポスター）

A21
A21
A21
13:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:45 〜 16:15

11.1 基礎物性11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

A20
A20
9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5 13:30 〜 16:15
A21
14:00 〜 18:00
A22
A22
A22
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:15 10:30 〜 12:00

11.4 アナログ応用および関連技術
＊＊
A20
A20
11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用
11:00 〜 12:30 14:00 〜 16:45

会場名のアルファベットは建物名を表します．
( 例：A1 は A 棟にあります．B2 は B 棟にあります )* 分科内招待講演あり** 応用物理学会論文賞受賞記念講演あり# 海外研究者招待講演あり＜建物略称＞
A：A 棟		B：B 棟		
C：C 棟
S：S 棟

12

PA：体育館
PB：体育館

講演分科日程表（分科別）III
大分類分科名

中分類分科名12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

午前

9 月 17 日（水）午後

午前

9 月 18 日（木）

午後

午前

北海道大学

9 月 19 日（金）午後

午前

9 月 20 日（土）A1
13:00 〜 17:00

関連シンポジウム

A4
A4
9 : 1 5 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:00

12.1 作製・構造制御

A5
A5
A5
PB12
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 16:00 〜 18:00

12.2 評価・基礎物性

PA1
A2
A2
A2
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 13:15 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 17:45

12.3 機能材料・萌芽的デバイス

＊
A3
A3
A3
A3
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:00 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:45

PA6
16:00 〜 18:00

＊
A4
A4
A4
A4
A5
A5
A4
A4
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

12.4 有機 EL・トランジスタ

PA7
16:00 〜 18:00
PA2
A1
A1
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 13:15 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0

A1
A1
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:30＊

12.5 有機太陽電池
12.6 ナノバイオテクノロジー

A7
9:00 〜 11:45

12.7 医用工学・バイオチップ
13. 半導体 A（シリコン）＊PA1
9:30 〜 11:30

A3
A3
A3
9 : 3 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:00 9 : 3 0 〜 1 2 : 1 5

PA2
9:30 〜 11:30

A2
A2
A2
A2
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

A19
13:15 〜 17:45

関連シンポジウム

A14
13:30 〜 17:30

13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

A15
A15
PA2
9 : 3 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 16:45 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

13.2 絶縁膜技術

＊＊
A17
A17
PA3
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

PA1
A19
A19
A19
A19
A19
13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:45 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5

13.3 Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術

PA3
A16
A16
A16
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 14:00 〜 17:45 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 17:15

13.4 デバイス／集積化技術

A15
10:30 〜 12:15

13.5 Si-English Session

14. 半導体 B（探索的材料・物性・デバイス） ※ コードシェアセッションあり

14.3 と 15.4，14.5 と 15.2，14.5 と 15.3 と 15.4（表の末尾，19 を参照）

PB4
A27
A27
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 14:00 〜 18:45 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5

14.1 探索的材料物性14.2 超薄膜・量子ナノ構造

A27
A27
# A27
PB1
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 19:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:30 〜 15:30

14.3 電子デバイス・プロセス技術

A22
A22
9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5 14:00 〜 18:00

A28
A28
A28
A28
PB3
14:00 〜 17:15 9 : 3 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:15 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:30 〜 15:30

14.5 化合物太陽電池
15. 結晶工学

PB2
13:30 〜 15:30

A24
PB8
A26
A26
A26
A26
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5 13:45 〜 18:45 9 : 1 5 〜 1 1 : 4 5 13:00 〜 14:30

14.4 光物性・発光デバイス※ コードシェアセッションあり

14.3 と 15.4，14.5 と 15.2，14.5 と 15.3 と 15.4（表の末尾，19 を参照）

C5
C5
8 : 3 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:00

関連シンポジウム
PB9
13:30 〜 15:30

15.1 バルク結晶成長A17A179 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00
PB4
16:00 〜 18:00

15.2 II-VI 族結晶および多元系結晶A20A20
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 15:00 〜 19:00

15.3 III-V 族エピタキシャル結晶
15.4 III-V 族窒化物結晶

15.6 IV 族系化合物

PB5
16:00 〜 18:00

C5
C5
C5
C5
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:45 8 : 3 0 〜 1 2 : 3 0 13:30 〜 19:15
＊＊

＊＊
PB6
C5
C5
16:00 〜 18:00 8 : 3 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

＊＊

PB10
A16
A16
13:30 〜 15:30 9 : 3 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 18:15

15.5 IV 族結晶，IV-IV 族混晶

＊＊
A17
A17
A17
A17
PB5
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:15 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

A20
13:15 〜 14:45

15.7 エピタキシーの基礎

PB7
A20
16:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 3 : 0 0

15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥
16. 非晶質・微結晶

A25
13:00 〜 17:45

関連シンポジウム
16.1 基礎物性・評価

PB3
9:30 〜 11:30

A26
A26
10:30 〜 12:00 13:30 〜 17:15

PB4
9:30 〜 11:30

＊＊
A25
A25
A25
A25
A25
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:45 〜 18:15 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:45 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 0 : 1 5

A25
10:30 〜 12:30

16.2 プロセス技術・デバイス
16.3 シリコン系太陽電池
17. ナノカーボン
関連シンポジウム

S1
S1
9 : 1 5 〜 1 2 : 0 0 13:15 〜 18:00
B3
13:15 〜 18:30
PA3
9:30 〜 11:30

17. ナノカーボン（ポスター）

＊＊
B3
B3
B3
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:30 9 : 0 0 〜 1 0 : 4 5

17.1 成長技術

B1
9:00 〜 11:00
B1
14:00 〜 17:15

17.2 構造制御・プロセス

B1
13:15 〜 15:30
B1
13:15 〜 19:00

17.3 新機能探索・基礎物性評価
17.4 デバイス応用

午後

B1
B1
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 14:00

B1
15:45 〜 18:15
B1
9:15 〜 11:45

会場名のアルファベットは建物名を表します．
( 例：A1 は A 棟にあります．B2 は B 棟にあります )* 分科内招待講演あり** 応用物理学会論文賞受賞記念講演あり# 海外研究者招待講演あり＜建物略称＞
A：A 棟		B：B 棟		
C：C 棟
S：S 棟

13

PA：体育館
PB：体育館

講演分科日程表（分科別）IV
大分類分科名

中分類分科名18. JSAP-OSA Joint Symposia

午前

9 月 17 日（水）午後

午前

9 月 18 日（木）

午後

午前

北海道大学

9 月 19 日（金）午後

午前

9 月 20 日（土）C4
13:45 〜 14:45

OSA President Special Lecture

＊
＊
＊
C3
C3
C3
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0

18.1 Plasmonics

＊
C4
C4
C4
9 : 3 0 〜 1 2 : 3 0 13:45 〜 17:30 9 : 3 0 〜 1 2 : 3 0＊

18.2 Bio- and Medical Photonics＊＊
C4
13:30 〜 17:00

18.3 Laser Manufacturing
18.4 Optical Micro-sensing，Manipulation，and Fabrications

＊
＊
C3
C3
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:15
＊
＊
C1
C1
9 : 1 5 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

18.5 Opto-electronics

＊
＊
C4
C4
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 12:45 〜 15:00

18.6 Information Photonics
18.7 Laser Photonics -XFEL and ultrafast optics-

C4
C4
9 : 1 5 〜 1 2 : 3 0 15:00 〜 17:45

18.8 Carbon Photonics

＊
＊
C3
C3
10:15 〜 12:30 15:00 〜 17:30＊＊

19. コードシェアセッション

3.5 レーザー装置・材量，3.14 光制御デバイス・
光ファイバのコードシェアセッション

C8
9:00 〜 12:00

6.1 強誘電体薄膜，9.1 誘電材料・誘電体のコー
ドシェアセッション

＊
＊
＊
PA4
A9
A9
A9
A9
16:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:30 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:45

14.3 電子デバイス・プロセス技術，15.4 III-V 族 A27A27
窒化物結晶のコードシェアセッション
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 14:00 〜 17:45
14.5 化合物太陽電池，15.2 II-VI 族結晶および多元系結晶のコードシェアセッション

A12
13:15 〜 17:30

14.5 化合物半導体，15.3 III-V 族エピタキシャル
結晶，15.4 III-V 族窒化物結晶のコードシェアセッ
ション

S1
9:00 〜 12:30

合同セッションＫ

合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材
料・デバイス

＊＊
PA5
A12
A12
A12
A12
A12
16:00 〜 18:00 9 : 1 5 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:30 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:45 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5

会場名のアルファベットは建物名を表します．
( 例：A1 は A 棟にあります．B2 は B 棟にあります )* 分科内招待講演あり** 応用物理学会論文賞受賞記念講演あり# 海外研究者招待講演あり

講演分科日程表について

（例）

午後

＜建物略称＞
A：A 棟		B：B 棟		
C：C 棟
S：S 棟

9月17日（水）9月18日（木）S2（ショート）
13:30～13:52 PA1→ポスター（ P B ） 9:30～11:30
16:00～18:00
ショート講演の後にポスター講演A3
9:00～12:00（A3会場）

14

9月19日（金）A2
9:00～12:15

PA：体育館
PB：体育館

9月20日（土）A2
B1
13:15～17:00 9:00～12:00

B1
13:00～14:30

日程表（会場別）1
会場名

9 月 17 日（水）9 月 18 日（木）9 月 19 日（金）9 月 20 日（土）

午前

午前

午前

午前

午後

午後

12.5 有機太陽電池

バイオマテリアル表面のミクロ ナノの挙動とそ 12.5 有機太陽電池の応用

12.2 評価・基礎物性12.2 評価・基礎物性

午後

午後

A1

450

A2

110

A3

チュートリアル「半導体デバイス：物性の基礎か
12.2 評価・基礎物性
らデバイスの原理，回路・システムまで」110

12.3 機能材料・萌芽的 12.3 機能材料・萌芽的 12.3 機能材料・萌芽的 12.3 機能材料・萌芽的 12.6 ナノバイオテクノ 12.6 ナノバイオテクノ 12.6 ナノバイオテクノ
デバイス
デバイス
デバイス
デバイス
ロジー
ロジー
ロジー

A4

140

A5

Innovation in R&D of Innovation in R&D of
12.4 有機 EL・トランジ 12.4 有機 EL・トランジ 12.4 有機 EL・トランジ 12.4 有機 EL・トランジ the Flexible Electronics the Flexible Electronics 12.4 有機 EL・トランジ 12.4 有機 EL・トランジ
スタ
スタ
スタ
スタ
-Toward the Inorganic -Toward the Inorganic スタ
スタ
Flexible DevicesFlexible Devices-70

12.1 作製・構造制御

12.1 作製・構造制御

12.1 作製・構造制御

A670

6.5 表面物理・真空

6.5 表面物理・真空9.2 ナノワイヤ・ナノ粒 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒
9.5 新機能材料・新物性
子
子
子

A7

70

12.7 医用工学・バイオ
チップ

A8

70

6.2 カーボン系薄膜

A9

116

チュートリアル「半導体 6.1 強 誘 電 体 薄 膜，9.1 6.1 強 誘 電 体 薄 膜，9.1 6.1 強 誘 電 体 薄 膜，9.1 6.1 強 誘 電 体 薄 膜，9.1
チュートリアル「放射光バイオメディカルデバイ 誘電材料・誘電体のコー 誘電材料・誘電体のコー 誘電材料・誘電体のコー 誘電材料・誘電体のコー計測の基礎と実際」
ス技術」
ドシェアセッション
ドシェアセッション
ドシェアセッション
ドシェアセッション

A10

116

A11

70

大講堂

N1

N2

E201

E204
E205
E206
E207
E208

E214

E215

12.5 有機太陽電池

6.2 カーボン系薄膜

9.4 熱電変換

9.3 ナノエレクトロニク 9.3 ナノエレクトロニク
ス
ス

6.2 カーボン系薄膜

6.2 カーボン系薄膜

6.6 プローブ顕微鏡

6.4 薄膜新材料

6.4 薄膜新材料

6.4 薄膜新材料

14.5 化 合 物 太 陽 電 池，
合同セッションＫ ワイ 合同セッションＫ ワイ 合同セッションＫ ワイ 合同セッションＫ ワイ 合同セッションＫ ワイ
チュートリアル「結晶成 15.2 II-VI 族結晶およびドギャップ酸化物半導体 ドギャップ酸化物半導体 ドギャップ酸化物半導体 ドギャップ酸化物半導体 ドギャップ酸化物半導体
長」
多元系結晶のコードシェ
材料・デバイス
材料・デバイス
材料・デバイス
材料・デバイス
材料・デバイス
アセッション70

Ｘ線反射率，表面Ｘ線散 Ｘ線反射率，表面Ｘ線散 7.5 ビーム・光励起表面
原子・分子ビームによる乱による埋もれた界面の 乱による埋もれた界面の 反応
表面反応制御とその応用解析における位相問題 - 解析における位相問題 - 7.8 ビーム応用一般・新展開
新光源への期待
新光源への期待
技術

A14

70

7.3 リソグラフィ

A15

70

A16

70

A17

116

（高等教育）

E306
E307
E308

A18

140

A19

116

A20

70

A21

70

E310

E311

E312
E313

A22

70

A23

70

A24

70

A25

70

A26

70

A27

90

A28

90

E314
E315
E317
E318
E319

N302

N304

S1
S1

250

（

S

棟）

S

S2
S2

346

6.6 プローブ顕微鏡

固液界面を使った新しい
6.3 酸化物エレクトロニ 6.3 酸化物エレクトロニ 6.3 酸化物エレクトロニ 酸 化 物 エ レ ク ト ロ ニ ク 6.3 酸化物エレクトロニ 6.3 酸化物エレクトロニ 6.3 酸化物エレクトロニ 6.3 酸化物エレクトロニ
クスクスクス
ス：化学とデバイスの融 クス
クス
クス
クス
合

A13

E305

12.7 医用工学・バイオ 12.7 医用工学・バイオ 12.7 医用工学・バイオ 12.7 医用工学・バイオ
チップ
チップ
チップ
チップ

9.4 熱電変換

140

E304

12.5 有機太陽電池

12.4 有機 EL・トランジ 12.4 有機 EL・トランジ
スタ
スタ

A12
E301

A

収容
人数

北海道大学

界面ナノ電子化学： 半導体ウェットプロセスの最前線

7.6 イオンビーム一般
13.5 Si-English Session 1.8 超音波

7.1 X 線技術

7.4 ナノインプリント

7.4 ナノインプリント

15.1 バルク結晶成長15.1 バルク結晶成長7.2 電 子 顕 微 鏡， 評 価，
7.7 微小電子源
測定，分析13.1 基礎物性・表面界 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーショ 面現象・シミュレーショ
ン
ン

13.4 デバイス／集積化 13.4 デバイス／集積化 13.4 デバイス／集積化 15.5 IV 族 結 晶，IV-IV 15.5 IV 族 結 晶，IV-IV
技術
技術
技術
族混晶
族混晶
15.6 IV 族系化合物

15.6 IV 族系化合物

15.6 IV 族系化合物

15.6 IV 族系化合物

13.2 絶縁膜技術

13.2 絶縁膜技術

3.15 シリコンフォトニ 3.15 シリコンフォトニ 3.15 シリコンフォトニ 放射光表面反応観察の新
クス
クス
クス
展開
絶縁膜上におけるⅣ族系
チュートリアル「鉄系超 半導体結晶薄膜の低温成 13.3 Si プロセス・配線・ 13.3 Si プロセス・配線・ 13.3 Si プロセス・配線・ 13.3 Si プロセス・配線・ 13.3 Si プロセス・配線・伝導体－物質と物性－」 長 新しい結晶成長技術 MEMS・集積化技術
MEMS・集積化技術
MEMS・集積化技術
MEMS・集積化技術
MEMS・集積化技術への期待
11.5 接合，回路作製プ 11.5 接合，回路作製プ
15.7 エピタキシーの基礎 11.2 薄膜，厚膜，テー 11.2 薄膜，厚膜，テー15.3 III-V 族 エ ピ タ キ
15.8 結晶評価，不純物・
ロセスおよびデジタル応 ロセスおよびデジタル応15.3 III-V 族 エ ピ タ キ プ作製プロセスおよび結 プ作製プロセスおよび結
シャル結晶
結晶欠陥
用
用
シャル結晶
晶成長
晶成長
11.3 臨界電流，超伝導
パワー応用

11.1 基礎物性11.1 基礎物性11.1 基礎物性14.3 電子デバイス・プ 14.3 電子デバイス・プ 11.4 アナログ応用およ 11.4 アナログ応用およ 11.4 アナログ応用およ
ロセス技術
ロセス技術
び関連技術
び関連技術
び関連技術
応用物理に期待される資学生の育成を兼ねた科学 1.4 エネルギー変換・貯
源リサイクルとエネル
啓発活動
蔵
ギー問題

1.1 応用物理一般・学際
1.3 新技術・複合新領域
領域

14.4 光物性・発光デバ
1.6 磁場応用
イス

1.5 資源・環境

1.7 計測技術・計測標準

16.3 シリコン系太陽電池
薄膜シリコン太陽電池技
16.3 シリコン系太陽電池 16.3 シリコン系太陽電池 16.3 シリコン系太陽電池 16.3 シリコン系太陽電池 16.2 プロセス技術・デバ術の現状と課題イス
16.1 基礎物性・評価

16.1 基礎物性・評価

14.4 光物性・発光デバ 14.4 光物性・発光デバ 14.4 光物性・発光デバ 14.4 光物性・発光デバ
イス
イス
イス
イス

14.3 電 子 デ バ イ ス・ プ 14.3 電 子 デ バ イ ス・ プ
ロ セ ス 技 術，15.4 III-V ロ セ ス 技 術，15.4 III-V 14.2 超薄膜・量子ナノ 14.2 超薄膜・量子ナノ 14.2 超薄膜・量子ナノ14.1 探索的材料物性
族 窒 化 物 結 晶 の コ ー ド 族 窒 化 物 結 晶 の コ ー ド 構造
構造
構造
シェアセッション
シェアセッション
14.5 化合物太陽電池

14.5 化合物太陽電池

14.5 化合物太陽電池

14.1 探索的材料物性

14.5 化合物太陽電池

Japan-Korea Joint Japan-Korea Joint
Symposium on Symposium on
Semiconductor Physics Semiconductor Physics
14.5 化 合 物 半 導 体，
コンピュータによるプラa n d Te c h n o l o g y – a n d Te c h n o l o g y –15.3 III-V 族 エ ピ タ キ
8. プラズマエレクトロニ ズマシミュレーションのNano-carbon materials Nano-carbon materials
シ ャ ル 結 晶，15.4 III-V
クス賞受賞記念講演
実際（いま，何をどこま
including graphene – including graphene –族窒化物結晶のコードで計算できるのか）（日韓共同シンポジウム - （日韓共同シンポジウム シェアセッション
グラフェン等のナノカー グラフェン等のナノカー
ボン材料－）
ボン材料－）

10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）（ショート口頭
講演付ポスター講演）
10.2 スピントルク・ス
ピン流・回路・測定技術
10.1 新物質創成（酸化 （ショート口頭講演付ポ 10.1 新物質創成（酸化スピントロニクス材料・ 10.3 GMR・TMR・磁気 10.4 半導体・有機・光・ 10.2 スピントルク・ス 10.2 スピントルク・ス
物・ホイスラー・金属磁 スター講演）
物・ホイスラー・金属磁デバイスの最前線
記録技術
量子スピントロニクス
ピン流・回路・測定技術 ピン流・回路・測定技術性体等）
10.3 GMR・TMR・ 磁 性体等）
気記録技術（ショート口
頭講演付ポスター講演）
10.4 半導体・有機・光・
量子スピントロニクス（ショート口頭講演付ポスター講演）

15

日程表（会場別）2
収容人数

9 月 17 日（水）9 月 18 日（木）9 月 19 日（金）9 月 20 日（土）

午前

午後

午前

午後

午前

午前

S8

70

3.8 光計測技術・機器

3.8 光計測技術・機器

3.8 光計測技術・機器

3.8 光計測技術・機器

S970

3.7 レーザープロセシン 3.7 レーザープロセシン 3.7 レーザープロセシン 3.7 レーザープロセシン 8.3 プラズマ成膜・表面 8.3 プラズマ成膜・表面 8.5 プラズマナノテクノ 8.5 プラズマナノテクノ
グ
グ
グ
グ
処理
処理
ロジー
ロジー

S10

70

8.4 プラズマエッチング

S11

8．プラズマエレクトロニクス 海外研究者招待
8. プラズマエレクトロニ
講演
クス 英語セッション
8. プラズマエレクトロニ
クス 英語セッション70

8.2 プラズマ診断・計測

3.3 情報フォトニクス・ 3.3 情報フォトニクス・
画像工学
画像工学

B1

105

B2

87

B3

256

本部行事
（詳細は p.7 参照）

C1

78

3.12 ナ ノ 領 域 光 科 学・ 3.12 ナ ノ 領 域 光 科 学・ 3.12 ナ ノ 領 域 光 科 学・ 3.12 ナ ノ 領 域 光 科 学・ 3.1 光学基礎・光学新領 3.1 光学基礎・光学新領18.5 Opto-electronics
近接場光学
近接場光学
近接場光学
近接場光学
域
域

72

3.6 超高速・高強度レー 3.6 超高速・高強度レー 3.6 超高速・高強度レー
ザー
ザー
ザー

会場名
S8

（

S

棟）

S

S9

S10

S11

（フロンティア）

B

セミナー１

セミナー２

ホール
B11

C2
B12

17.3 新機能探索・基礎
17.4 デバイス応用
物性評価

2.1 放射線物理一般・検 2.3 放射線応用・発生装2.2 検出器開発
出器基礎
置・新技術
本部行事
（詳細は p.7 参照）

応用物理学会会長
特別講演（詳細は p. 18 参照）

3.10 光量子物理・技術

2.2 検出器開発

機能性原子薄膜化合物材
17.1 成長技術
料の新展開

3.10 光量子物理・技術

18.4 Optical Micro- 18.4 Optical Micro18.8 Carbon Photonics 18.8 Carbon Photonics sensing，Manipulation， sensing，Manipulation， 18.1 Plasmonics
and Fabrications
and Fabrications

10.4 半導体・有機・光・
量子スピントロニクス

17.2 構造制御・プロセス
17.1 成長技術
17.3 新機能探索・基礎
物性評価

原子力発電所事故時に於ける核燃料・核分裂生成
2.2 検出器開発
物の挙動及び廃止措置に向けた取り組み
17.1 成長技術

2.2 検出器開発

17.1 成長技術
18.5 Opto-electronics

C484

OSA President Special
18.7 Laser Photonics Lecture
18.2 Bio- and Medical 18.2 Bio- and Medical 18.2 Bio- and Medical- XFEL and ultrafast 18.7 Laser Photonics
18.3 Laser Manufacturing 18.6 Information Photonics 18.6 Information Photonics
Photonics
Photonics
Photonics
optics - XFEL and ultrafast
optics -C5

364

15.4 III-V 族窒化物結晶

15.4 III-V 族窒化物結晶

15.4 III-V 族窒化物結晶

15.4 III-V 族窒化物結晶

15.4 III-V 族窒化物結晶

C6

窒化物半導体特異構造の 窒化物半導体特異構造の科学〜物性評価と結晶学 科学〜物性評価と結晶学 15.4 III-V 族窒化物結晶
の構築へ〜
の構築へ〜

104

3.13 半導体光デバイス

3.13 半導体光デバイス

3.13 半導体光デバイス

3.13 半導体光デバイス

3.9 テラヘルツ全般

3.9 テラヘルツ全般

3.9 テラヘルツ全般

3.2 材料・機器光学

3.14 光 制 御 デ バ イ ス・ 3.14 光 制 御 デ バ イ ス・ 3.14 光 制 御 デ バ イ ス・ 量子計測技術における新3.4 生体・医用光学
光ファイバ
光ファイバ
光ファイバ
展開

3.4 生体・医用光学

（工学部）

B32

オープンホール

C7

C213

C8

C310

104

72

3.2 材料・機器光学

（第
体育館）

〜

PA1
PA8

ポスターセッション

（第

PB

体育館）

〜

PB1
PB12

18.1 Plasmonics

3.9 テラヘルツ全般

18.1 Plasmonics

3.5 レーザー装置・材量，3.11 フォトニック構造・ 3.11 フォトニック構造・ 3.11 フォトニック構造・ 3.14 光 制 御 デ バ イ ス・
3.5 レーザー装置・材料 3.5 レーザー装置・材料 3.5 レーザー装置・材料
現象
現象
現象
光ファイバのコードシェ
アセッション［前半］
3.2 材料・機器光学［前半］
3.14 光 制 御 デ バ イ ス・
3.3 情報フォトニクス・
光ファイバ
画像工学
7.5 ビーム・光励起表面
3.5 レーザー装置・材料
3.6 超高速・高強度レー 1.3 新技術・複合新領域 反応
ザー
1.7 計測技術・計測標準 7.6 イオンビーム一般
3.1 光学基礎・光学新領
12.6 ナノバイオテクノ 3.9 テラヘルツ全般
1.8 超音波域12.2 評価・基礎物性ロジー
3.4 生体・医用光学
13.1 基礎物性・表面界12.5 有機太陽電池
12.7 医用工学・バイオ
3.7 レーザープロセシン
面現象・シミュレーショ ・1 講 演 に つ き， た て
13.4 デバイス／集積化 ［後半］
チップ
グ
ン
技術
3.11 フォトニック構造・ 17. ナノカーボン
180cm， よ こ 90cm
3.8 光計測技術・機器 ［後半］13.2 絶縁膜技術
現象のパネルが用意されて3.10 光量子物理・技術 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒
3.15 シリコンフォトニ［後半］
います．予め講演番号，
3.13 半導体光デバイス 子
クス
2. 放射線
講 演 題 目， 所 属， 氏 名
9.4 熱電変換
6.1 強 誘 電 体 薄 膜，9.1
6.3 酸化物エレクトロニ
を 記 入 し た 用 紙（ た て12.3 機能材料・萌芽的
誘電材料・誘電体のコー
クス
15cm， よ こ 85cm） をデバイス
ドシェアセッション
6.6 プローブ顕微鏡
各自が用意し，これをパ
12.4 有機 EL・トランジ
合同セッションＫ ワイ
ネル上部に取り付けてく
スタドギャップ酸化物半導体
ださい．
材料・デバイス・次にパネルに，各自が［前半］
用 意 し た ポ ス タ ー， 図
7.1 X 線技術
表，写真などを，適宜レ
7.2 電 子 顕 微 鏡， 評 価，
イアウト（例えば研究目
測定，分析的，研究方法，研究成果
7.3 リソグラフィ
といった順に）して掲示
8.2 プラズマ診断・計測［前半］
してください．
［前半］
8.3 プラズマ成膜・表面14.2 超薄膜・量子ナノ9.3 ナノエレクトロニク
処理
構造・ポスターの大きさ，形ス
8.4 プラズマエッチング
14.3 電子デバイス・プ
式は問いませんが，でき
9.5 新機能材料・新物性
8.5 プラズマナノテクノ
ロセス技術
るだけ見やすく，大きく
ロジー
14.5 化合物太陽電池
書いてください．その際
14.4 光物性・発光デバ
ポスターがパネルにうま
1.1 応用物理一般・学際 イス
く収まるように，予めポ15.1 バルク結晶成長
8.1 プラズマ生成・制御
領域
スターの割り付けを検討
15.5 IV 族 結 晶，IV-IV 6.2 カーボン系薄膜
8.6 プラズマ現象・新応
1.2 教育6.4 薄膜新材料
しておくと便利です．
用・融合分野1.3 新技術・複合新領域 族混晶
6.5 表面物理・真空16.1 基礎物性・評価
1.4 エネルギー変換・貯
14.1 探索的材料物性
・すべての掲示は本部で16.3 シリコン系太陽電
蔵
15.6 IV 族系化合物
用意したピンで行ってく
池
1.5 資源・環境
ださい．糊の使用はご遠11. 超伝導慮ください．
［後半］
15.2 II-VI 族結晶および
［後半］
多元系結晶
［後半］
3.12 ナ ノ 領 域 光 科 学・
15.3 III-V 族 エ ピ タ キ
10. スピントロニクス ･
近接場光学
シャル結晶
マグネティクス12.1 作製・構造制御
15.4 III-V 族窒化物結晶
15.8 結晶評価，不純物・
結晶欠陥
［前半］
13.3 Si プロセス・配線・
MEMS・集積化技術

PA2

17.4 デバイス応用
17.2 構造制御・プロセス

午後

8.1 プラズマ生成・制御
8.6 プラズマ現象・新応 8.6 プラズマ現象・新応
8.1 プラズマ生成・制御 8.6 プラズマ現象・新応
用・融合分野用・融合分野用・融合分野

84

C212

1

17.4 デバイス応用

午後

C3
B31

C

北海道大学

16

■会長特別講演

第75回 応用物理学会 秋季学術講演会
応用物理学会会長 河田

聡

特別講演

「応用物理学会はこう変わる」

日時：2014年9月18日（木）10:00-11:45（予定）
会場：北海道大学 札幌キャンパス B3会場
参加費：無料（講演会への参加申込みは必要ございません）

河田 聡 略歴
1974年阪大応用物理学科卒業，79年同大学院博士課程修了(応用物理学専攻)，
工学博士．同年カリフォルニア大学アーバイン校研究助手，阪大助手，助教授を経て93年に教授．2002年‐12年理研主任研究員．
現在，大阪大学特別教授，フォトニクスセンター長，理研チームリーダー，ナノフォトン(株)会長．
紫綬褒章，文部科学大臣表彰，日本IBM科学賞，江崎玲於奈賞など数多く受賞．

17

■チュートリアル（ショートコース）一覧
開催日：2014年9月17日（水）題目：講義内容

講師略歴

講師名

所属

時間

会場

足立 伸一

高エネルギー加速器研究機構

9:00～12:10(休憩10分)A9

永崎 洋（独）産業技術総合研究所

9:00～12:10(休憩10分)

A19

太田 淳

奈良先端大

坂田利弥

東大

13:30～16:50(60分×3題
休憩10分×2）

A9

安藤博士

NICT

9:00～12:10(休憩10分)A2

9:00～12:10(休憩10分)A12

放射光計測の基礎と実際
1992年京都大学大学院工学研究科分子工学博士
シンクロトロン放射光（放射光）は，加速器により，ほぼ光速まで加速 課程修了．博士（工学）．同年理化学研究所入された電子から放射される高輝度で短波長の光であり，構造解析や 所.1996年より理化学研究所播磨研究所でSPring-8
理研ビームラインの建設と利用実験に従事．2003年
電子状態解析による基礎研究や材料評価のためのツールとして様々な用途に活用されている．本チュートリアルでは，放射光の発生 より高エネルギー加速器研究機構に助教授として異原理の基礎から，構造解析・電子状態解析の方法論について解説 動．放射光のパルス性を活かした時間分解X線計測
し，放射光を材料評価に活かした実例や最新の測定手法などにつ ビームラインの建設と利用実験に従事．2010年より教授，2012年より研究主幹.
いて紹介する．

鉄系超伝導体 －物質と物性－
2008年に発見された鉄系高温超伝導体は，その高い超伝導転移温 1992 東京大学大学院 工学系研究科博士課程修度と豊富な物質・物性のバリエーションから，これまで多くの研究が行 了 1992-2002 東京大学大学院 工学系研究科
われてきた．本講義では，鉄系超伝導体の特徴，研究の経緯と現状 2002 （独）産業技術総合研究所 現在に至るについて概観する予定である．

半導体バイオメディカルデバイス技術

1981 東京大学工学部物理工学科卒業
1983 東京大学大学院工学系研究科（修士課程）修了
1983 三菱電機（株）（1994-1993 コロラド大学光電子コンピューティング
システムズセンター客員研究員として滞在）
1998 奈良先端科学技術大学院大学助教授
2004 同教授（〜現在）

2011年4月-現在 東京大学大学院工学系研究科マ
半導体技術は，様々な機能回路を高集積化可能であり，我々の身近
テリアル工学専攻 准教授に広く普及している．近年，その高度な技術をバイオメディカル用途
2008年4月 東京大学大学院工学系研究科マテリアに利用することによって，従来では不可能であった高感度計測やリア
ル工学専攻 講師
ルタイム計測を可能とする技術が精力的に研究され，個々の細胞観
2006年9月 東京大学ナノバイオ・インテグレーション
察や脳機能計測，B M I (B rain-M achine Interface)への応用がな
研究拠点 特任講師
されてきている．本チュートリアルでは，以下の講師より，半導体バイ
2003年4月 独立行政法人 物質・材料研究機構 生
オセンシング技術の背景，手法・原理，現在の先端技術とその課題・
体材料研究センター バイオエレクトロニクスグループ
将来展望について解説する．
研究員
2003年3月 博士（工学）（大阪大学大学院工学研究・太田淳「半導体技術によるバイオメディカルデバイス」
科マテリアル科学専攻） 取得・坂田利弥「In vitro 半導体バイオセンシング技術の基礎と応用」
・安藤博士「神経活動計測デバイス・システム」
2002年広島大学大学院工学研究科博士課程後期修了。博士（工学）。広島大学ナノデバイス・システ
ム研究センター研究員、広島大学大学院先端物質科学研究科研究員を経て、2012年5月より情報通信研究機構に入所。超多チャネル埋込み型ワイヤレス
BMIシステムの研究に従事。

1971年大阪大学工学部電子工学科卒．1974年大阪大学大学院・基礎工学研究科・物性学専攻を博
士課程１年で中退，1974年東芝入社，東芝総合研究所でＭＯＳ集積回路の研究開発に従事．1978年
半導体物理の基礎の復習から始めて，デバイス動作の原理について ～1980年，スタンフォード大客員研究員としてレー
応用物理学会 物理系学術誌刊
柴田 直
述べる．そして，MOSFET動作の復習，Metal/半導体のコンタクトの ザアニールの研究．1986年東芝退社し東北大学工行センター
学部電子工学科助教授に．低温半導体プロセスの （東京大学名誉教
理解（Fermi-level pinning 等の解説も含む）．また，Floating gate
APEX/JJAP 専任編集長
授・工学博士）memory の原理を，ホットエレクトロン現象発見時のエピソードも絡め 研究から知能デバイスの研究を展開．1997年5月～て解説．さらに，デバイス機能が，どのように回路・システムの機能創 2013年3月東京大学教授，「心理学的能モデルに基づく知能VLSIシステム」の研究・開発を展開．現在，生につながっていくのかも述べ，将来への展望を探る．
応用物理学会，APEX/JJAP 専任編集長，東北大学（本講義は，基礎の復習であり，最先端デバイスの研究動向のレ
国際集積エレクトロニクス研究開発センター特任教
ビュー等は一切含まないのでご注意ください．）
授．

「半導体デバイス：物性の基礎からデバイスの原理，
回路・システムまで」―― もう一度，学部の基礎から復習してみよう ――

結晶成長
結晶成長は広く自然界で行われているが，多くの産業の基礎技術で 1962 名古屋大学工学部卒業，1967名古屋大学大あり，最新の電子・光デバイス作製でも不可欠な技術になっている． 学院工学研究科博士課程単位取得退学／助手，
本講演では，まず，結晶成長がどのように役に立ってきたかを考え， 1970名古屋大学工学部助教授，1977豊橋技術科
次に，成長の理解に必要な熱・統計力学の初歩について学ぶ．その 学大学教授，1981～1882結晶学研究所（モスクワ）
客員研究員，1983東京大学工学部教授，2002～
後，結晶の平衡形について考察し，結晶と環境相の界面におけるJacksonモデルとTemkinモデルを説明する．次に，核形成のメカニズ 2008 豊橋技術科学大学長，2004 IOCG Laudise
ムとZeldovich因子および核形成の実験的観察，表面拡散と結晶成 賞, 2007 応用物理学会フェロー，2007日本結晶成長について述べ，BCF（Burton-Cabrera-Frank）理論を解説する． 長学会業績賞，2019応用物理学会功労会員，2012
最後にマイクロ構造の制御に重要な働きをする面間表面拡散につい 応用物理学会業績賞て説明する．

西永 頌

東京大学(名誉教授)※会場名のアルファベットは建物名を表します．以下をご参照ください．例えば「A1」はA棟にございます．場所は表紙の「建物配置図」でご確認ください．
＜建物略称＞ A：A棟， B：B棟， C：C棟， S：S棟

チュートリアル受講希望の方は，以下URLより事前予約申し込みを行ってください．

事前予約申込締切：2014年9月10日（水）https://annex.jsap.or.jp/limesurvey/index.php/489279/lang-ja
残席がある場合に限り，当日受付を行います．満席の場合は入場できませんので予めご了承ください．
チュートリアルは以下の受講料を頂戴します．当日，Registration の「チュートリアル受付」で受講料をお支払ください．
お支払後，資料をお受け取りになり，会場へとお進みください．
＜チュートリアル受講料＞（税込）
一般会員：4,000円 学生：2,000円 非会員：6,000円
受講料支払場所：Registration 「チュートリアル受付」

18

■第36回 応用物理学会論文賞受賞記念講演
開催日

時間

会場

論文名および著者名「論文奨励賞受賞記念講演」（15分） 6.3酸化物エレクトロニクス

9:00～9:15

A10

Sodium Ion Diffusion in Layered NaxCoO2
筑波大 ○柴田恭幸「解説論文賞受賞記念講演」（30分） 11.5接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

11:00～11:30
9/17
(水)

A20

固体素子と量子力学の厳密テスト

C5「解説論文賞受賞記念講演」（30分） 15.4III-V族窒化物結晶
ワイドギャップ半導体材料－花満開に向けて－

NEC ○蔡 兆申

13:15～13:45

京大 ○藤田静雄

16:45～17:15

C5

14:15～14:45

B2「優秀論文賞受賞記念講演」（30分） 15.4III-V族窒化物結晶
Epitaxial Growth of III-Nitride/Graphene Heterostructures for Electronic Devices
米海軍研 ○Neeraj Nepal，Virginia D. Wheeler，Travis J. Anderson，Francis J. Kub，Michael A. Mastro，Rachael L. Myers-Ward，Syed B. Qadri，Jaime A. Freitas Jr.，Sandra C. Hernandez，Luke O. Nyakiti，Scott G. Walton，Kurt Gaskill，Charles R. Eddy, Jr.
「2. 放射線 分科内招待講演」「解説論文賞受賞記念講演」（30分） 2.2検出器開発
ヒッグス粒子発見とその意味
東大 ○浅井祥仁「優秀論文賞受賞記念講演」（30分） 3.8光計測技術・機器

9/18
(木)

9:00～9:30

S8Improved Absolute Frequency Measurement of the Yb Optical Lattice Clock towards a Candidate for the Redefinition of the Second
産総研 ○安田正美，稲場 肇，河野託也，田邊健彦，中嶋善晶，保坂一元，赤松大輔，大苗 敦，鈴山智也，雨宮正樹，洪 鋒雷「論文奨励賞受賞記念講演」（15分） 9.2ナノワイヤ・ナノ粒子

9:00～9:15

A6

GaAs/InGaP Core–Multishell Nanowire-Array-Based Solar Cells

13:30～14:00

C5

171

北大 ○中井栄治「優秀論文賞受賞記念講演」（30分） 15.4III-V族窒化物結晶
Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase
Epitaxy
1
2
3
4
5
6
1,2
1
1
1
トクヤマ ，神戸大 ，HexaTech ，情通機構 ，農工大 ，ノースカロライナ大 ○木下 亨 ，小幡俊之 ，永島 徹 ，柳 裕之 ，3

15:45～16:15

C5

1

京大 ，日亜化学「論文奨励賞受賞記念講演」（15分） 15.6IV族系化合物

9:00～9:15

3

2,4

5

5

3,6

Baxter Moody ，三田清二 ，井上振一郎 ，熊谷義直 ，纐纈明伯 ，Zlatko Sitar「優秀論文賞受賞記念講演」（30分） 15.4III-V族窒化物結晶
Remarkably Suppressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure
2

1

1

1

1

1

2

2

○船戸 充 ，金 潤碩 ，平 貴之 ，金田昭男 ，川上養一 ，三好 隆 ，長濱慎一

A17

Improvement of Carrier Lifetimes in Highly Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation

A25「論文奨励賞受賞記念講演」（15分） 16.3シリコン系太陽電池
Control of Grain Boundary Propagation in Mono-Like Si: Utilization of Functional Grain Boundaries

京大 ○奥田貴史

13:45～14:00

東北大，JST

14:00～14:15

C1

10:30～11:00

A17

9/19
(金)

9/20
(土)

○沓掛健太朗「論文奨励賞受賞記念講演」（15分） 3.1光学基礎・光学新領域
Plasmon-Based Optical Trapping of Polymer Nano-Spheres as Explored by Confocal Fluorescence Microspectroscopy: A Possible
Mechanism of a Resonant Excitation Effect
北大 ○東海林竜也「優秀論文賞受賞記念講演」（30分） 13.2絶縁膜技術
Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in FormingGas, and Difference in Oxidizing Species
1
2
3
4
1
1
1
1
1
1
2
3
東北大 ，ステラケミファ ，都市大 ，JASRI ○諏訪智之 ，寺本章伸 ，熊谷勇喜 ，阿部健一 ，李 翔 ，中尾幸久 ，山本雅士 ，野平博司 ，
4

4

1

1

1

室隆桂之 ，木下豊彦 ，須川成利 ，大見忠弘 ，服部健雄「優秀論文賞受賞記念講演」（30分） 17.1成長技術
Epitaxial Growth and Electronic Properties of Large Hexagonal Graphene Domains on Cu(111) Thin Film

9:00～9:30

B3

13:15～13:45

A12High-Efficiency Cu2O-Based Heterojunction Solar Cells Fabricated Using a Ga2O3 Thin Film as N-Type Layer
金沢工大 南 内嗣，○西 祐希，宮田俊弘「優秀論文賞受賞記念講演」（30分） 15.4III-V族窒化物結晶

8:30～9:00

C5

Photoluminescence Excitation Spectroscopy on Single GaN Quantum Dots

1

2

3

1

九大 ，ケムニッツ工科大 ，NIMS

1

1

1

1

1

1

○吾郷浩樹 ，河原憲治 ，小川友以 ，田上翔太 ，Mark A. Bissett ，辻 正治 ，坂口英継 ，
2
2
2
3
3
Roland J. Koch ，Felix Fromm ，Thomas Seyller ，小松克伊 ，塚越一仁「優秀論文賞受賞記念講演」（30分） 合同セッションK

1

2

東大 ，ヴロツワフ工科大

1,2

1

1

1

1

Pawel Podemski ，○Mark Holmes ，加古 敏 ，有田宗貴 ，荒川泰彦(注)所属は論文投稿時のものです．
※会場名のアルファベットは建物名を表します．以下をご参照ください．例えば「A1」はA棟にございます．場所は表紙の「建物配置図」でご確認ください．
＜建物略称＞ A：A棟， B：B棟， C：C棟， S：S棟

19

■第36回（2014年春季）応用物理学会講演奨励賞 賞状・記念品の贈呈式
標記贈呈式を以下により公開で行います．ふるってご参加ください．
日時： 9月17日（水） 11:15～12:00
会場： 北海道大学 B3会場（ホール）
講演奨励賞受賞者（講演時の所属）

講演題目（受賞者以外の共著者の所属：共著者）

講演奨励賞受賞者（講演時の所属）

共焦点サブハーモニック超音波フェーズドアレイによる広範囲の閉口き裂の深さ計測菅原あずさ（東北大工）
鈴木健誠

辻本学（首都大院都市環境）
畠山修一

Bi2Sr 2CaCu 2O8+δテラヘルツ光源のメサ内温度分布制御による高出力化（京大院工）（東北大工：神納健太郎，小原良和，山中一司）
異方性ナノコンポジットゲルの開発と配向記憶（京大院工）（首都大院都市環境1，物材機構2：山登正文1，廣田憲之2）
硬 X 線検出用錫吸収体を搭載した超伝導転移端センサの開発

亀井潤

ライトフィールドイメージングにおける位相変調の実現

バイオミメティック撥気泡表面の管内表面への作製齊藤裕太2，下村政嗣3,4，藪浩3）

山本俊介（阪大院情） （阪大院情：堀崎遼一，谷田純）
久野恭平

動的光重合による分子配向制御とフィルムの光学物性（東工大資源研）
澤田亮人（東北大多元研） （東北大多元研：園部和輝，三ツ石方也，宮下徳治）

狭帯域熱輻射光源の電圧高速変調 －実験的実証－

導電性高分子PEDOT:PSS薄膜のTHz-IR帯光学特性の温度依存性（理研，東北大院理） （理研1，東北大院理2，東北大金研3，山梨大院医工4：山下将嗣1，橋本顕一郎3，佐々木孝彦3，奥崎秀典4，大谷知行1,2）
単層カーボンナノチューブ／イオン液体ポリマーナノコンポジットの増強
ゼーベック効果（奈良先端大物質） （奈良先端大物質：野々口斐之，中嶋琢也，河合壯）

中野元博（東大院工） （東大院工：佐藤健，石川顕一）
井上卓也

高分子ナノシートをテンプレートとしたSiO2超薄膜の作製

山田雄介（東工大資源研：木下基，宍戸厚）
Enhanced Ionizationのボーム経路解析 2（京大院工1，JSTさきがけ2：辨天宏明1，大北英生1,2，伊藤紳三郎1）（東北大院工） （東北大工1，東北大院工2，東北大多元研3，東北大WPI4：阿部博弥1，

ラダマヤンティ2，大谷知行2，高崎浩司3，安宗貴志3，大西貴士3）中村友哉（京大院工：中川裕也，吉岡佑介，前田圭穂，神原仁志，掛谷一弘）
狭バンドギャップDonor/Acceptor共役高分子を用いた高分子ブレンド
薄膜太陽電池の高効率化

森大輔（東大工） （東大工1，理研2，JAEA3：入松川知也1，大野雅史1，高橋浩之1，トゥシャ

講演題目（受賞者以外の共著者の所属：共著者）

青木真由

Via-last TSVとウェハ積層を用いた三次元CMOSデバイスの開発（京大院工） （京大院工：中島嘉久，MenakaDeZoysa，浅野卓，野田進）
大気圧条件下でパルスレーザー照射されたステンレス鋼表面の残留応
江藤修三
力分布測定
（電中研） （電中研：三浦靖史，谷純一，藤井隆）（日立中研） （日立中研：古田太，朴澤一幸，花岡裕子，武田健一）
熱酸化におけるGe(001)基板上Ge1-xSnx層の表面Sn析出に対する熱安
加藤公彦
定性（名大院工） （名大院工：浅野孝典，田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明）

冬木琢真

小田穣

MBE成長GaAs1-xBi xレーザダイオードの室温発振

HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成による
Sub-1.0 nm EOT HfO2/In 0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上（産総研GNC） （産総研GNC1，住友化学2：入沢寿史1，上牟田雄一1，（京工繊大）

JevasuwanWipakorn 1，前田辰郎1，市川磨2，石原敏雄2，長田剛規2，手塚勉1）
低圧化学気相成長法によるグラフェン成長過程の反射高速電子回折そ
多層SiCNを用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN
湊拓郎
小林健悟
の場観察
HEMTにおける電流コラプスの抑制（名大院工）（東北大通研） （東北大通研1，MIT MTL2：畠山信也1，吉田智洋1，矢部裕平1，（名大院工：中原仁，安坂幸師，齋藤弥八）
DanielPiedra2，TomasPalacios2，尾辻泰一1，末光哲也1）
LaAlO3/CaFeO2.5/SrTiO3ヘテロ構造中の酸化還元過程における酸素西田圭佑
n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価
村上永晃
イオン拡散
（都市大工） （都市大工：徐学俊，高林昂紀，吉田圭佑，澤野憲太郎，白木靖寛，丸（京大化研）
12
1
1
1,2（京大化研 ，JST-CREST ：菅大介 ，市川能也 ，島川祐一 ）泉琢也）
トープラサートポン カ プローブ構造を用いた量子構造太陽電池におけるキャリア走行時間の熊谷明哉
界面イオン伝導顕微鏡の創製とLiイオン電池電極材料への応用
シディット
測定（東北大環境科学 （東北大環境科学研究科1，東北大WPI-AIMR2，首都大東京都市環境（東大工）1，東大先端研2，神戸大3：笠松直史3，藤井宏昌1，加田智之3，
（東大工
3
2
1
3
1
1
3
研究科） ：高橋康史 ，猪又宏貴 ，棟方裕一 ，伊野浩介 ，珠玖仁 ，金村聖志 ，
3，王云鵬2，渡辺健太郎2，杉山正和1，喜多隆3，中野義昭1）
朝日重雄
末永智一1,2）
マルチライン状Mo埋め込みターゲットによる位相格子の自己像直接検
森本直樹
藤井拓郎
MOVPEによるSiO2/Si基板上InGaAsP量子井戸構造のInP埋込み成長
出とX線位相イメージング（阪大院工） （阪大院工1，筑波大2，名大3：藤野翔1，大嶋建一2，原田仁平3，細井卓 （ＮＴＴフォトニクス研） （ＮＴＴフォトニクス研：佐藤具就，武田浩司，長谷部浩一，硴塚孝明，松尾慎治）
治1，渡部平司1，志村考功1）
次世代Liイオン電池用PS-PVD Si系ナノ複合負極材料特性のCu添加に
ゲートバイアスストレスによるしきい値電圧変動の緩和挙動と新規測定法
加賀真城
染谷満
よる変化
の提案
（東大院）
（産総研先進 （産総研先進パワエレ1，富士電機2：岡本大1，原田信介1，石森均1，高パワエレ）（東大院：神原淳）
須伸次1，畠山哲夫1，武井学2，児島一聡1，米澤善幸1，福田憲司1，奥村元1）（京工繊大：吉田憲司，吉岡諒，吉本昌広）

松田和久

LaAlSiOxのドライエッチング特性

西中淳一（東芝 S&S社） （東芝 S&S社：佐々木俊行，大村光広，林久貴）
長島一樹

紙資源を利用した超フレキシブル不揮発性メモリ

酒池耕平（阪大産研） （阪大産研1，imec2，九大農3：古賀大尚1，UmbertoCelano 2，金井真樹
1

寺西貴志

フレキシブル基板上での単結晶シリコンMOSFETの作製（広大院 先端研），北岡卓也3，能木雅也1，柳田剛1）(Ba,Sr)TiO3系強誘電体における分極のチューナビリティへの寄与

安野裕貴（岡山大工） （岡山大工：曽我部剛，林秀考，岸本昭）
深見俊輔

半極性(11-22)InGaN/AlGaN応力補償超格子のコヒーレント成長（京大院工） （京大院工：船戸充，川上養一）

電流誘起磁壁移動素子のしきい電流と熱安定性の素子サイズ依存性（広大院 先端研：赤澤宗樹，中村将吾，東清一郎）
同位体ヘテロ接合グラフェンの合成と接合界面の特性（大阪府大院工） （大阪府大院工：竹井邦晴，秋田成司，有江隆之）
寺澤知潮（東北大 CSIS） （東北大 CSIS 1，東北大 通研2，東北大 WPI-AIMR3：山ノ内路彦1,2，池

黒体輻射を用いたグラフェンCVD成長の光学顕微鏡観察（東大院理）

田正二1,2，大野英男1,2,3）
佐野京佑
外部クロックを用いたSFQ時間測定回路の冷凍機内における動作実証 大仲崇之
（横浜国大） （横浜国大1，産総研2：村松祐希1，山梨裕希1，吉川信行1，全伸幸2，大久保雅隆2）

20（東大院理1，東大院新領域2：斉木幸一朗1,2）

ZnO 溶液ゲート電界効果トランジスタを用いた免疫センサの作製と評価（阪工大） （阪工大：池谷謙，広藤裕一，小池一歩，前元利彦，佐々誠彦，矢野満明）

■第36回（2014年春季）応用物理学会講演奨励賞受賞記念講演
開催日

時間

会場

中分類分科名，講演タイトル，講演者名(共著者含む)

C7

3.2 材料・機器光学
動的光重合による分子配向制御と光学フィルムの創製

13:15～13:30

S9

3.7 レーザープロセシング
パルスレーザー照射がステンレス鋼の応力腐食割れの発生に及ぼす影響

10:30～10:45

A3

12.3 機能材料・萌芽的デバイス
単層カーボンナノチューブ／イオン液体ポリマーナノコンポジットの増強ゼーベック効果

16:30～16:45

A1

12.5 有機太陽電池
狭バンドギャップDonor/Acceptor高分子で創る高効率高分子ブレンド薄膜太陽電池

A1715.6 IV族系化合物
N2O酸化により形成した4H-SiC(0001) MOSFETに対する緩和無しVth変動評価

A20

産総研先進パワエレ1，富士電機2
11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用
直列バイアス技術用ドライバレシーバ回路の磁気結合部のインダクタンスと構造の最適化

A2

12.2 評価・基礎物性
導電性高分子PEDOT:PSS薄膜のTHz-IR分光によるキャリア輸送解析

A28

14.5 化合物太陽電池
キャリア走行時間測定法による量子構造太陽電池内のダイナミクスの直接観測

13:00～13:15

A5

東大工 ，東大先端研 ，神戸大12.1 作製・構造制御
高分子ナノシートの光酸化による室温・大気圧下でのSiO2超薄膜の作製

14:45～15:00

A5

12.1 作製・構造制御
水中におけるバイオミメティック撥気泡表面の管内表面への作製

A24

1.6 磁場応用
異方性ナノコンポジットゲルの開発と配向記憶

A15

1.8 超音波
共焦点サブハーモニック超音波フェーズドアレイと減衰二重節点モデルを用いた閉じたき裂における散乱挙動の解析

B2

2.2 検出器開発
錫バルク放射線吸収体を用いた高エネルギー分解能 TES による核物質精密測定

C83.11 フォトニック構造・現象
狭帯域熱輻射光源の電圧高速変調 －実験的進展－

13:30～13:45

C6

3.13 半導体光デバイス
発振波長の低い温度依存性を有するGaAs1-xBixレーザダイオードの実現

13:15～13:30

A8

6.2 カーボン系薄膜
低圧化学気相成長法によるグラフェン成長過程の反射高速電子回折その場観察

13:30～13:45

東工大資源研 ○久野恭平，宍戸 厚

電中研 ○江藤修三，三浦靖史，谷 純一，藤井 隆

奈良先端大物質 ○中野元博，野々口斐之，中嶋琢也，河合 壯

12

京大院工 ，JSTさきがけ

14:00～14:15
9/17(水)
14:00～14:15

1,2

1

1

1

1

1

1,2

1

○森 大輔 ，辨天宏明 ，大北英生 ，伊藤紳三郎

1

1

2

1

1

1

○染谷 満 ，岡本 大 ，原田信介 ，石森 均 ，高須伸次 ，畠山哲夫 ，武井 学 ，児島一聡 ，米澤喜幸 ，福田憲司

横浜国大工 ○佐野京佑，高橋章友，山梨裕希，吉川信行

15:15～15:30

1

2

3

4

1,2

1

3

3

4

理研 ，東北大院理 ，東北大金研 ，山梨大院医工 ○山田雄介 ，山下将嗣 ，橋本顕一郎 ，佐々木孝彦 ，奥崎秀典 ，大谷知行

14:00～14:15

1

2

3

1

3

1

3

3

2

2

1

3

1,2

1

○カシディット トープラサートポン ，笠松直史 ，藤井宏昌 ，加田智之 ，朝日重雄 ，王 云鵬 ，渡辺健太郎 ，杉山正和 ，喜多 隆 ，中野義昭

東北大多元研 ○山本俊介，園部和輝，三ツ石方也，宮下徳治

1

2

3

1

東北大院工 ，東北大工 ，東北大多元研

16:30～16:45

1

2

1

1

首都大院都市環境 ，物材機構

14:00～14:15

2○亀井 潤 ，阿部博弥 ，齊藤祐太 ，藪

3

浩

1

2

○鈴木健誠 ，山登正文 ，廣田憲之

東北大工 ○菅原あずさ，神納健太郎，小原良和，山中一司

14:00～14:15

1

2

3

東大工 ，理研 ，JAEA

10:00～10:15

1

1

1

1

2

1

京大院工 ，京大白眉

9/18
(木)

2

3

3

3

1,2

1

1

○畠山修一 ，入松川知也 ，大野雅史 ，高橋浩之 ，トゥシャラ ダマヤンティ ，大谷知行 ，高崎浩司 ，安宗貴志 ，大西貴士

2

1○井上卓也 ，Menaka De Zoysa ，浅野 卓 ，野田 進

京工繊大 ○冬木琢真，吉田憲司，吉岡 諒，吉本昌広

名大院工 ○湊 拓郎，中原 仁，安坂幸師，齋藤弥八
11.1 基礎物性

A21

Bi2Sr2CaCu2O8+δ固有ジョセフソン接合を用いた超伝導テラヘルツ光源の開発

A20

15.3 III-V族エピタキシャル結晶
Siウェハに直接接合したInGaAsP多重量子井戸薄膜の高温環境耐性

A12

合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス
ZnO溶液ゲート電界効果トランジスタを用いたバイオセンサの開発

11:30～11:45

S11

3.3 情報フォトニクス・画像工学
ライトフィールドイメージングに基づく位相変調の仮想化

11:00～11:15

C2

3.6 超高速・高強度レーザー
ボーム経路解析による高強度場現象の計算シミュレーション

9:30～9:45

A8

6.6 プローブ顕微鏡
界面イオン伝導顕微鏡による正極薄膜材料表面におけるLiイオン挿入・脱離機構の可視化

A13

東北大AIMR ，東北大環境科学
7.1 X線技術
マルチライン状埋め込みターゲットを用いた自己像直接検出型X線Talbot-Lau干渉計の開発<br>

13:00～13:15

1

2

1

京大院工 ，Univ. Tübingen

9:00～9:15

1

1

1

2

2

2

1

○辻本 学 ，神原仁志 ，吉岡佑介 ，中川裕也 ，Fabian Rudau ，Boris Gross ，Reinhold Kleiner ，掛谷一弘

NTTフォトニクス研 ○藤井拓郎，佐藤具就，武田浩司，長谷部浩一，硴塚孝明，松尾慎治

13:15～13:30

大工大ナノ材研センタ ○大仲崇之，池谷 謙，小池一歩，広藤裕一，前元利彦，佐々誠彦，矢野満明

阪大院情 ○中村友哉，堀崎遼一，谷田 純

東大院工 ○澤田亮人，佐藤 健，石川顕一

1

13:15～13:30

2

1

1

2

1

1

1

2

1

2

3

2

1

○熊谷明哉 ，高橋康史 ，猪又宏貴 ，白木 将 ，山本邦子 ，春田正和 ，伊野浩介 ，珠玖 仁 ，一杉太郎 ，末永智一

12

阪大院工 ，筑波大 ，名古屋大

3

1

1

1

1,2

1

○森本直樹 ，藤野 翔 ，大嶋建一 ，原田仁平 ，細井卓治 ，渡部平司 ，志村考功

8.4 プラズマエッチング

S10

フルオロカーボンガスを用いたLaAlSiOxの対Si高選択エッチング

14:00～14:15

A17

13.2 絶縁膜技術
HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上
産総研GNC ○小田 穣，入沢寿史，ジェバスワン ウィパコーン，前田辰郎，上牟田雄一，手塚 勉

9:00～9:15

A26

14.4 光物性・発光デバイス
n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価

13:15～13:30

B3

17.1 成長技術
同位体ヘテロ接合グラフェンの接合界面における電気・熱特性

13:30～13:45

B3

17.1 成長技術
黒体輻射顕微法によるグラフェンCVD成長のその場観察

A96.1強誘電体薄膜，9.1誘電材料・誘電体のコードシェアセッション(Ba, Sr)TiO3系強誘電体のチューナブル性能におけるドメインの寄与

S9

8.5 プラズマナノテクノロジー
PS-PVD法による次世代 Liイオン電池負極用Si-Cu系複合ナノ粒子の創製

S2

10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術
Thermal stability and critical current for domain wall motion in nanowire

13:00～13:15

C5

CSIS, Tohoku Univ. , CIES, Tohoku Univ. , RIEC, Tohoku Univ. , WPI-AIMR, Tohoku Univ.
15.4 III-V族窒化物結晶
半極性(11\overline{2}2)InGaN/AlGaN応力補償超格子の光学特性

10:30～10:45

A25

16.2 プロセス技術・デバイス
メニスカス力を用いた中空構造SOI層の低温転写とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFTの作製

14:15～14:30

東芝 S&S社 ○松田和久，佐々木俊行，大村光広，酒井伊都子，林 久貴

9/19
(金)

都市大工 ○西田圭佑，徐 学俊，高林昂紀，吉田圭佑，澤野憲太郎，白木靖寛，丸泉琢也

大阪府大院工 ○安野裕貴，竹井邦晴，秋田成司，有江隆之

1

東大院理 ，東大院新領域

13:45～14:00

2

1○寺澤知潮 ，斉木幸一朗

1,2

岡山大工 ○寺西貴志，曽我部剛，林 秀考，岸本 昭

10:45～11:00

東大院工 ○加賀真城，神原 淳

9:00～9:15

1

9/20
(土)

2

3

4

1,2

1,3

1,2,3

○Shunsuke Fukami , Michihiko Yamanouchi , Shoji Ikeda, Hideo Ohno

1,2,3,4

京大院工 ○西中淳一，船戸 充，川上養一

1

2

3

広大院先端研 ，学振特別研究員PD ，広大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所

1,2

1※会場名のアルファベットは建物名を表します．以下をご参照ください．例えば「A1」はA棟にございます．場所は表紙の「建物配置図」でご確認ください．
＜建物略称＞ A：A棟， B：B棟， C：C棟， S：S棟

21

1

1

○酒池耕平 ，赤澤宗樹 ，小林義崇 ，中村将吾 ，東清一郎

1,3

■分科企画シンポジウム
開催日

時間

9：30～16：30

13：15～17：45
9/17（水）
13：00～17：45

9：15～18：00

タイトル（日本語）
Title(English)

会場

7.ビーム応用
Ｘ線反射率、表面Ｘ線散乱による埋もれた界面の解析における位相問題 - 新光源への期待
A13 Phase problem in the analysis of buried interfaces by X-ray reflectivity and surface X-ray scattering Towards new research with coherent light sources
13.半導体A（シリコン）
絶縁膜上におけるⅣ族系半導体結晶薄膜の低温成長
A19 Low-Temperature Growth of Group-IV Semiconductors on Insulator - Emerging New Crystallization
Techniques 16.非晶質・微結晶
A25 薄膜シリコン太陽電池技術の現状と課題
Current situation and issues of thin-film silicon solar cell technologies
17.ナノカーボン

S1

Japan-Korea Joint Symposium on Semiconductor Physics and Technology– Nano-carbon materials including graphene –(日韓共同シンポジウム -グラフェン等のナノカーボン材料－)
1.応用物理学一般

13：30～17：00

A23 学生の育成を兼ねた科学啓発活動

13：00～17：00

A1

13：15～18：15

A10

Activity of the scientific enlightenment including upbringing of the student
6.薄膜・表面12.有機分子・バイオエレクトロニクス
バイオマテリアル表面のミクロ－ナノの挙動とその応用
Micro and nano behavior of bio material surfaces and its application
6.薄膜・表面
固液界面を使った新しい酸化物エレクトロニクス：化学とデバイスの融合
Oxide electronics at solid-liquid interfaces: Chemistry and device applications

世話人（所属）桜井 健次 （ 物 材 機 構 ）寺岡 有殿 （原子力機構）
江島 丈雄 （ 東 北 大 ）佐道 泰造 （ 九 大 ）角田 功 （ 熊 本 高 専 ）河本 直哉 （ 山 口 大 ）大平 圭介 （北陸先端大）松井 卓矢 （ 産 総 研 ）伊藤 貴司 （ 岐 阜 大 ）徳光 永輔 （北陸先端大）前橋 兼三 （ 阪 大 ）Yongmin Kim（Dankook Univ.）

鈴木 哲 （NTT）
小林 慶裕 （ 阪 大 ）渡部 智希 （北海道薬大）鈴木 芳文 （ 九 州 工 大 ）安江 常夫 （大阪電通大）
山元 隆志 （ 東 レ ）吉越 章隆 （原子力機構）
住友 弘二 （NTT）
高橋 竜太 （ 東 大 ）神吉 輝夫 （ 阪 大 ）廣瀬 靖 （ 東 大 ）組頭 広志 （ 高 エ ネ ル ギ ー
加速器研究機構）

9/18（木）田中 秀和 （ 阪 大 ）秋永 広幸 （ 産 総 研 ）寺岡 有殿 （原子力機構）
田川 雅人 （ 神 戸 大 ）7.ビーム応用

13：15～18：45

A13 原子・分子ビームによる表面反応制御とその応用展開

13：30～17：30

S1

13：30～17：15

S2

Surface reaction control by atomic and molecular beams, its development and application
8.プラズマエレクトロニクス
コンピュータによるプラズマシミュレーションの実際 （いま、何をどこまで計算できるのか）Computer Simulations for Plasma Processing (state-of-the-art plasma modelling)
10.スピントロニクス・マグネティクス
スピントロニクス材料・デバイスの最前線
Frontier of Spintronic Materials and Devices

13：15～18：30

B3

17.ナノカーボン
機能性原子薄膜化合物材料の新展開
Present and Future of Functional atomic thin film research

13：30～16：45

A23 Resource Recycling and Energy Utilization from View Point of Applied Physics

13：30～16：15

B2

13：30～17：15

C7

9/19 13：30～17：30（金）

9：15～17：00

1.応用物理学一般
応用物理に期待される資源リサイクルとエネルギー問題

2.放射線
原子力発電所事故時に於ける核燃料・核分裂生成物の挙動及び廃止措置に向けた取り組み
Behavior of nuclear fuel and fission products during severe accident and activities on decontamination
3.光・フォトニクス
量子計測技術における新展開
Frontiers in Quantum Metrology

6.薄膜・表面

A18 放射光表面反応観察の新展開

New Frontiers and Future Perspectives in Surface Reaction Observation Using Synchrotron Radiation
6.薄膜・表面12.有機分子・バイオエレクトロニクス
Innovation in R&D of the Flexible Electronics -Toward the Inorganic Flexible Devices-

A4

金子 智

15.結晶工学

8：30～18：00

高橋 和生 （京都工繊大）
豊田 浩孝 （ 名 大 ）小田 昭紀 （ 千 葉 工 大 ）関 剛斎 （ 東 北 大 ）千葉 大地 （ 東 大 ）好田 誠 （ 東 北 大 ）新田 淳作 （ 東 北 大 ）安藤 淳 （ 産 総 研 ）吹留 博一 （ 東 北 大 ）田中 丈士 （ 産 総 研 ）塚越 一仁 （ 物 材 機 構 ）小栗 和也 （ 東 海 大 ）内田 晴久 （ 東 海 大 ）藤井 克司 （ 東 大 ）岸田 俊二 （NEC ）越水 正典 （ 東 北 大 ）上野 克宜 （日立製作所）
佐藤 泰 （ 産 総 研 ）根本 香絵 （情報学研究所）
仙場 浩一 （NICT ）
廣川 真男 （ 岡 大 ）小坂 英男 （ 横 浜 国 大 ）行方 直人 ( 日 大 )高桑 雄二 （ 東 北 大 ）大野 真也 （ 横 国 大 ）吉越 章隆 （原子力機構）
田中 勝久 （ 京 大 ）中村 吉伸 （ 東 大 ）土屋 哲男 （ 産 総 研 ）鈴木 基史 （ 京 大 ）C5 窒化物半導体特異構造の科学 ～物性評価と結晶学の構築へ～

Materials Science of Singularity in Nitride semiconductors -Characterization and Crystallography-（ 神 奈 川 産 業
技術セ ンタ ー）西川 博昭 （ 近 畿 大 ）岩田 展幸 （ 日 大 ）坂上 知 （ 早 大 ）遠藤 民生 （ 三 重 大 ）三宅 秀人 （ 三 重 大 ）熊谷 義直 （ 農 工 大 ）片山 竜二 （ 東 北 大 ）■シンポジウム
開催日

時間

9/17
13：30～17：30（水）

会場

タイトル（日本語）
Title(English)

13.半導体A（シリコン）
A14 界面ナノ電子化学： 半導体ウェットプロセスの最前線
Interfacial nano electrochemistry: Research frontiers of semiconductor wet processes

世話人（所属）矢野 大作 （ オ ル ガ ノ ）真田 俊之 （ 静 岡 大 ）吉田 勇貴 （ 関 東 化 学 ）※会場名のアルファベットは建物名を表します．以下をご参照ください．例えば「A1」はA棟にございます．場所は表紙の「建物配置図」でご確認ください．
＜建物略称＞ A：A棟， B：B棟， C：C棟， S：S棟

22

■分科内招待講演■2.放射線
9/18
（木）

時間

会場

14:15～14:45

B2

タイトル（日本語）
2.2検出器開発
ヒッグス粒子発見とその意味

講演者名

（所属）

浅井 祥仁

（東大）

講演者名

（所属）

多加谷 明広

（慶大）

辻 剛志

（島根大）

乙部 智仁

（原子力機構）

講演者名

（所属）

中村 挙子

（産総研）

■3.光・フォトニクス
開催日

時間

会場

9/17
（水）

9:00～9:45

C7

タイトル（日本語）
3.2材料・機器光学
ポリマーの複屈折消去・制御とディスプレイへの応用
3.7レーザープロセシング

9/18
（木）

13:15～13:45

S9レーザー光照射と塩を用いた金ナノ粒子の凝集・溶融過程の制御

9/19
（金）

15:00～15:15

C2

時間分解動的Franz-Keldysh効果測定の理論及び第一原理計算

3.6超高速・高強度レーザー■6.薄膜・表面
開催日

時間

会場

9/18
（木）

15:15～15:45

A8

タイトル（日本語）
6.2カーボン系薄膜
表面化学修飾技術によるカーボン系機能性材料の開発■7.ビーム応用
開催日

時間

会場

9/17
（水）

9:00～9:30

タイトル（日本語）
7.3リソグラフィ

A14

DSAリソグラフィによるサブ10 nmパターニング

9/18
（木）

10:00～10:30

A13

高出力レーザーによる固体粒子加速

講演者名

（所属）

東 司

（EUVL基盤開発センター）

弘中 陽一郎（阪大）

7.8ビーム応用一般・新技術■8.プラズマエレクトロニクス
開催日
9/18
（木）

時間

会場

講演者名

（所属）

10:30～11:00

S1

ナノ・微粒子材料のプラズマプロセスとその場観測

タイトル（日本語）

林 康明（京都工繊大）11:00～11:30

S1

プラズマ科学技術の医療・バイオ応用に関する研究に携わって

永津 雅章

（静岡大）

■10.スピントロニクス・マグネティクス
開催日

時間

会場

9/17
（水）

9:00～9:30

S2

タイトル（日本語）
10.1新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）
SrTiO3デルタドープ構造における超伝導物性とスピン軌道相互作用

講演者名

（所属）

井上 悠

（スタンフォード大）

講演者名

（所属）

伊藤 肇

（北大）

大森 裕

（阪大）

高橋 光信

（金沢大）

吉田 弘幸

（京大）

■12.有機分子・バイオエレクトロニクス
開催日

9/18
（木）

時間

会場

タイトル（日本語）
12.3機能材料・萌芽的デバイス

13:15～13:45

A3

有機金錯体の動的なポリモルフィズム：発光性メカノクロミズムとドミノ現象

13:15～13:45

A4

有機エレクトロニクスの進展

9:00～9:30

A1

逆型有機薄膜太陽電池の開発と展開

12.4有機EL・トランジスタ

12.5有機太陽電池

9/19
（金）

12.5有機太陽電池
9:00～9:30

A1

低エネルギー逆光電子分光法による有機太陽電池材料の空準位測定■6.1・9.1コードシェアセッション 「誘電体および強誘電体 ～薄膜・バルク～」
開催日

9/18
（木）

9/19
（金）

時間

会場

講演者名

（所属）

10:30～11:00

A9

低次元強誘電体の作製とその物性

タイトル（日本語）

藤沢 浩訓（兵庫県立大）13:15～13:45

A9

セラミック誘電体材料の将来設計

坂部 行雄

（東工大）

15:15～15:45

A9

強誘電体・薄膜研究の進展と期待

奥山 雅則

（阪大）

13:15～13:45

A9

非鉛系圧電体を用いた超音波流量計の開発と材料科学 --- 次世代の誘電・圧電研究の方向性 ---

鶴見 敬章

（東工大）

15:30～16:00

A9

KTa1- x Nb x O3単結晶を用いた光ビームステアリングデバイス

今井 欽之

（NTT）

※会場名のアルファベットは建物名を表します．以下をご参照ください．例えば「A1」はA棟にございます．場所は表紙の「建物配置図」でご確認ください．
＜建物略称＞ A：A棟， B：B棟， C：C棟， S：S棟

23

■ 18. JSAP‐OSA Joint Symposia 2014 招待講演
■OSA President Special Lecture
開催日
9/17
（水）

時間

会場

13:45～14:45

C4

Quantum Control in Strong Laser Fields

Title (English)

会場

Title (English)
Metamaterials: From 3D Plasmonic Nanostructure to Reflective Metasurface

講演者名

（所属）

Philip Bucksbaum（Stanford Univ.）

講演者名
Din Ping Tsai（所属）
（National Taiwan Univ.）■18.1 Plasmonics
開催日
9/19
（金）
9/20
（土）

時間
9:00～9:30

15:45～16:15

C3
C3
C3
C3

9:00～9:30

C3

10:45～11:15
14:00～14:30

Thermal Radiation Control by Plasmonic Structures: from Metasurface to Metafilament
Visualizing plasmons by near-field spectroscopy
Plasmonic Hot Electron Induced Structural Phase Transition in Monolayer MoS2
Plasmonic applications of lossy transition metals

Junichi Takahara（Osaka Univ.）

Kohei Imura（Waseda Univ.）

Zheyu Fang

（Peking Univ.）

Katsuyoshi Ikeda（Hokkaido Univ.）

講演者名

（所属）
（National Yang-Ming
Univ.）（Japan Atomic Energy
Agency）（The Australian National
Univ.）■18.2 Bio‐ and Medical Photonics
開催日

9/18
（木）

9/19
（金）

Title (English)

時間

会場

9:30～10:00

C4

Optical Bio-Microrheology

Arthur Chiou

13:45～14:15

C4

A composite-type optical fiberscope system with hybrid functions of diagnosis and medical
treatment

Oka Kiyoshi

15:45～16:15

C4Light-neuron interactions: Key to understanding the brain

Vincent Daria

C4

Adaptive optics and its application to bioimaging

Yutaka Hayano

講演者名Bastian Becker

9:30～10:00（National Astronomical
Observatory of Japan）■18.3 Laser Manufacturing
開催日
9/19
（金）

時間
13:30～14:00

会場

C4

Title (English)
Lastest laser technology and applications

14:00～14:30

C4Single mode fiber laser and their process applications

Akira Fujisaki

15:30～16:00

C4

Micromachining of CFRP with Short Pulse Lasers

Masayuki Fujita（所属）（TRUMPF Corp.）（Furukawa Electric Co.,
Ltd.）
（ILT, Osaka Univ.）

講演者名
Keiji Sasaki（所属）（Hokkaido Univ.）

Jesper Gluckstad■18.4 Optical Micro‐sensing，Manipulation，and Fabrications
開催日

9/18
（木）

時間
9:00～9:30

会場

Title (English)
Optical Nanomanipulation Using Nanoshaped Plasmonic Fields

10:15～10:45

C3
C3

14:00～14:30

C3

Polarization Control over Deep Ultraviolet Light by Subwavelength Structures

15:30～16:00

C3
C3

Subwavelength light focusing and imaging via wavefront shaping in complex media

16:30～17:00

3D Light-driven Micro-tools with Nano-probes

Park Yongkeun（DTU Fotonik）（Beijing Inst. ofTechnology）（KAIST）

Takashige Omatsu（Chiba Univ.）

Title (English)
Functional Devices based on Photonic Crystal Waveguides

講演者名Kaiyu Cui（所属）
（Tsinghua Univ.）

Optical Switches and Biosensors Using Silicon Photonics

Shin Yokoyama（Hiroshima Univ.）

Growth, Fabrication, and Characterization of GaN-based Columnar LEDs
Beam Steering, Beam Shaping and Intensity Modulation Based on Bragg Reflector
Waveguides

Dong-Seon Lee（GIST）（Tokyo Instit. ofTechnology）

Helical lights twist materials to form chiral structures -Chiral Photonics-

Guoguo Kang

■18.5 Opto‐electronics
開催日

9/20
（土）

時間
9:15～9:45

会場

13:00～13:30

C1
C1
C1

14:30～15:00

C1

11:30～12:00

Fumio Koyama■18.6 Information Photonics
開催日

時間
9:00～9:30
11:15～11:45

C4
C4
C4

12:45～13:15

C4

14:00～14:30

C4

10:15～10:45
9/20
（土）

会場

Title (English)
Multimodal nonlinear spectral imaging of tissue samples with CARS molecular fingerprint

講演者名
Hideaki Kano

Imperceptible Polychromatic Visual Stimuli for Brain-Display Interfaces

Fang-Cheng Lin（NCTU）

Efficient Autofocusing in Optical Scanning Holography
Separating Reflective and Fluorescent Components using High Frequency Illumination in
the Spectral Domain
Computational Hyperspectral Imaging

Edmund Lam（Univ. of Hong Kong）（National Inst. ofInformatics）（Tsinghua Univ.）（所属）（Univ. of Tsukuba）

Imari Sato
Qionghai Dai■18.7 Laser Photonics ‐ XFEL and ultrafast optics ‐
開催日

9/17
（水）

Title (English)

時間

会場

9:30～10:00

C4

Few-Cycle Parametric Amplifiers and Sub-Cycle Waveform Synthesizers

講演者名

10:00～10:30

Toru Hara（所属）（DESY Center for FreeElectron Laser Science）（Academia Sinica）（Inst. for Molecular
Science）（RIKEN）

Kenji Tamasaku（RIKEN）

Oliver D. Muecke

C4

Synthesis of Single-Cycle Optical Fields

Andy Kung

11:15～11:45

C4

Exploring Quantum-Classical Boundary by Ultrafast Optics

Kenji Ohmori

15:00～15:30

C4
C4

Two-color XFEL operation at SACLA

15:45～16:15

Two-photon process with X-ray free-electron laser■18.8 Carbon Photonics
開催日

9/17
（水）

時間
10:15～10:45

Title (English)

会場
Carbon-Based Optics and Photonics

講演者名
Junichiro Kono

（所属）
（Rice Univ.）

11:30～12:00

C3
C3

Single Carbon Nanotube Devices for Integrated Photonics

Yuichiro Kato

15:00～15:30

C3Band nesting and photocarrier relaxation in group 6 transition metal dichalcogenide

16:15～16:45

C3

Nanoscale Raman imaging and analysis of strain distribution in carbon nanotube（The Univ. of Tokyo）（National Univ. ofSingapore）（Tokyo Inst. of Tech.）

Goki Eda
Taka-aki Yano

※会場名のアルファベットは建物名を表します．以下をご参照ください．例えば「A1」はA棟にございます．場所は表紙の「建物配置図」でご確認ください．
＜建物略称＞ A：A棟， B：B棟， C：C棟， S：S棟

24

■海外研究者招待講演
開催日
9/17
（水）
9/17
（水）

時間

会場

13:15～14:00

S10

Title (English)
8.Plasma Electronics
Plasma Applications to Agriculture: Plasma Farming
8.Plasma Electronics
The role of reactive oxygen and nitrogen species in plasma cancer treatment

14:00～14:45

S10

9/18
（木）

13:15～13:45

A11

6.4New thin-film materials
Tuning the magnetic properties of Co thin films by oxygen ion implantation

9/18
（木）

14:00～14:45

A27

14.2Ultrathin films and quantum nanostructures
Broad Spectral Bandwidth Light Emitters for Biomedical Imaging

講演者名

（所属）

Suk Jae Yoo（NFRI, Korea）

Deborah O'connell（Univ. York）

Jose Francisco LopezBarbera(ICN2, Spain)

Richard Hogg

（Univ. Sheffield）■大分類意見交換会一覧
開催日

時間

会場

大分類分科

9/18（木）9/19（金）

12:00 ～ 13:00 AM2 1.応用物理学一般
11:00 ～ 11:30 AM10 2.放射線9/18（木）

12:30 ～ 13:15

9/19（金）9/19（金）9/18（木）9/19（金）11:45 ～
11:30 ～
11:45 ～
12:00 ～

9/18（木）

17:40 ～ 19:30

9/18（木）
9/18（木）
9/18（木）12:45 ～ 13:00
12:00 ～ 13:00
19:00 ～ 21:00

9/17（水）

12:30 ～ 13:30

9/19（金）9/19（金）9/18（木）

12:00 ～ 13:00
12:30 ～ 13:30
12:00 ～ 13:00

13:45
12:30
12:15
13:00

折詰
折詰

8
25

S11 3.光・フォトニクス

折詰

27

AM2
AM3
S10
AM4

折詰
折詰
折詰
折詰
折詰

6.薄膜・表面7.ビーム応用
8.プラズマエレクトロニクス
9.応用物性10.スピントロニクス・マグネティクス
CM2 「スピントロニクス研究会幹事会」と同時開催
CM4 11.超伝導
AM12 12.有機分子・バイオエレクトロニクス
未定 13.半導体A（シリコン）
14.半導体B（探索的材料・物性・デバイ
AM3 ス）
CM2 15.結晶工学
AM5 16.非晶質・微結晶
AM4 17.ナノカーボン

世話人

食事 人数

14
5
80
7

松谷 晃宏
伏見 賢一
松浦 祐司
興 雄司
下村 和彦
神田 一浩
寺岡 有殿
佐藤 孝紀
原 真二郎

（
（
（
（
（
（
（
（
（

25

大兼 幹彦

（

東北大

）

30 小田部 荘司 （折詰 25 久保野 敦史 （- 未定 上野 智雄 （

九工大
静岡大
農工大

）
）
）

折詰

16

末光 哲也

（

東北大

）

折詰
折詰
折詰

15
9
15

杉山 正和
大平 圭介
前橋 兼三

（
（
（

※会場名のアルファベットは建物名を表します．以下をご参照ください．例えば「A1」はA棟にございます．場所は表紙の「建物配置図」でご確認ください．
＜建物略称＞ A：A棟， B：B棟， C：C棟， S：S棟

25

東工大
）
徳島大
）
東北大
）
九大
）
上智大
）
兵庫県立大 ）
原子力機構 ）
室蘭工大 ）
北大）

東大）
北陸先端大 ）阪大）

■JSAP-OSA Joint Symposia 2014 のご案内
OSA President Special Lecture
日時 ： 9月17日（水） 13：45～14：45
会場 ： C4会場
講演者 ： Philip Bucksbaum (Stanford University)
講演題目： Quantum Control in Strong Laser Fields
Plasmonics
9/19（金）
9：00～18：00
9/20（土）
9：00～12：30
Bio‐and Medical Photonics
9/18（木）
9：30～17：30
9/19（金）9：30～12：30
Laser Manufacturing
9/19（金）
13：30～17：00
Optical Micro‐sensing, Manipulation and Fabrication
9/18（木）
9：00～17：15
Opto‐electronics
9/20（土）
9：15～15：00
Information Photonics
9/20（土）
9：00～15：00
Laser Photonics ‐ XFEL and ultrafast optics ‐9/17（水）
9：15～17：45
Carbon Photonics
9/17（水）
10：15～17：45

18.1

18.2
18.3
18.4
18.5
18.6
18.7
18.8

オーガナイザー：Prabhat Verma （大阪大学）
口頭講演
C3会場
口頭講演
C3会場
オーガナイザー：藤田克昌 （大阪大学），松浦祐司 （東北大学）
口頭講演
C4会場
口頭講演
C4会場
オーガナイザー：塚本雅裕 （大阪大学），甲藤正人 （宮崎大学）
口頭講演
C4会場
オーガナイザー：志村努 （東京大学）
口頭講演
C3会場
オーガナイザー：下村和彦 （上智大学），李英根（日立）
口頭講演
C1会場
オーガナイザー：堀崎遼一 （大阪大学）
口頭講演
C4会場
オーガナイザー：緑川克美 （理研）
口頭講演
C4会場
オーガナイザー：松田一成 （京都大学）
口頭講演
C3会場

■English Session のご案内
以下のセッションでは英語による講演が予定されています．
8
10
10.1
10.2
10.3
10.4
13.5
18

プラズマエレクトロニクス 英語セッション
9/17（水）
9：00～18：00
スピントロニクス・マグネティクス ショート付ポスター講演
9/17（水）
13：30～15：06
新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）
9/18（木）
9：00～11：45
スピントルク・スピン流・回路・測定技術
9/20（土）
9：00～15：00
GMR・TMR・磁気記録技術
9/19（金）
9：00～11：45
半導体・有機・光・量子スピントロニクス
9/19（金）
13：15～17：30
9/20（土）
9：00～12：00
Si‐English Session
9/18（木）
10：30～12：15
JSAP‐OSA Joint Symposia
9/17（水）～20（土）終日

口頭講演

S10会場

ショートプレゼンテーション

S2会場

口頭講演

S2会場

口頭講演

S2会場

口頭講演

S2会場

口頭講演
口頭講演

S2会場
S10会場

口頭講演

A15会場

口頭講演

C1、C3、C4会場

Ja pa n‐Korea Joi nt Sympos i um on Semi conductor Phys i cs a nd Technology – Na no‐ca rbon ma teria l s incl uding gra phene –9/17（水）シンポジウム

9：15～18：00

口頭講演

S1会場

13：15～18：30

口頭講演

B3会場

機能性原子薄膜化合物材料の新展開

9/18（木）Innova ti on i n R&D of the Fl exible El ectronics ‐Towa rd the Inorga ni c Fl exi ble Devices ‐9/19（金）

9：15～17：00

26

口頭講演

A4会場

■会合一覧
会合については講演会運営上，本部と会合世話人との間で右のように責任分担範囲を定めて実施したいと ＜本部担当＞会場確保，割付
思いますので，各位のご協力をお願いします。
＜世話人担当＞会場準備，後片付け，支払他一切
開催日

9/17
（水）

9/18
（木）

9/19
（金）

9/20
（土）

世話人名（所属）

時間

会場

会合名

11：00～12：45

AM4

界面ナノ電子化学研究会 運営委員会

食事 人数
折詰

14

矢野 大作

（オルガノ）

11：45～13：15

AM9

JSAP-KPS Joint Symposium committee meeting

折詰

16

徳光 永輔

（北陸先端大）12：00～13：30

AM11

応用物理学会中国四国支部研究会企画委員会

折詰

9

浅田 裕法

（山口大）

12：00～13：30

AM12

埋もれた界面のＸ線・中性子解析研究会

－

20

桜井 健次

（物材機構）

13：30～16：00

AM1

応用物理教育分科会 幹事会

－

20

鈴木 芳文

（九州工業大）16：00～18：00

AM10

第3回学生研究者交流会

－

80

河村 敏和

（奈良先端大）9：00～12：00

AM9

第3回FDリフレッシュ理科教室（人材育成員会）

－

30

原 一広

（九大）

12：00～13：00

CM4

超伝導分科会幹事会

折詰

15

淡路 智

（東北大）

12：00～13：30

AM10

APEX/JJAP定例編集委員会

折詰50

12：00～13：30

CM2

応用物理学会中国四国支部2014年度第2回役員会

折詰

35

浅田 裕法

（山口大）

12：00～13：30

CM3

薄膜・表面物理分科会 第43期第3回幹事会

折詰34

佐々木 正洋（筑波大）

12：00～13：30

CM1

分科会庶務ミーティング

折詰

25

12：00～13：30

CM5

北陸・信越支部及びEM-NANO2015組織委員・プログラム委員合同IM

折詰

34

伊東 栄次

（信州大）

12：00～14：00

AM11

応用物理学会女子会IM

折詰

30

根本 香絵

（国立情報学研究所）

12：15～13：15

S10

プラズマエレクトロニクス分科会ミーティング

－

80

本村 大成

（産総研）

12：30～14：00

AM3

磁気科学研究会IM

－

20

堀井 滋
山本 勲

（京大）
（横国大）

15：00～17：30

AM10

人材育成委員会社会貢献ｸﾞﾙｰﾌﾟＩＭ

－

30

堂免 恵

（東工大）

17：00～18：00

A23

応用物理教育分科会 インフォーマルミーティング

－

30

鈴木 芳文

（九州工業大）17：30～19：30

AM11

ICCGE18/ISSCG16 実行委員会

折詰

40

寒川 義裕

（九大）

17：30～19：30

AM12

シリコンテクノロジー分科会幹事会

折詰

40

藤原 聡

（NTT）

17：30～19：30

CM1

先進パワー半導体分科会

折詰

30

加藤 正史

（名古屋工業大）17：40～19：30

CM2

スピントロニクス研究会幹事会

-

25

関 剛斎

（東北大）

11：30～13：00

AM10

放射線分科会幹事会

-

25

河原林 順

（名大）

11：45～13：15

CM4

ISGN6合同実行委員会

折詰

56

本田 善央

（名大）

11：30～13：30

AM12

研究会委員長・新領域グループ代表者会議(2014)

折詰

35

12：00～13：30

AM9

JJAP特集号編集委員会議

折詰

70

近藤 高志

（東大）

12：00～14：00

AM11

未来デバイス懇談会

折詰20

町田 俊太郎（日立）

12：20～13：50

AM1

シリサイド系半導体と関連物質研究会 幹事会

－

20

寺井 慶和

（鹿児島大）

12：30～14：00

CM1

日本光学会 情報フォトニクス研究グループ幹事会

折詰

10

鈴木 裕之

（東工大）

16：00～18：00

AM9

代議員推薦委員会-

15

17：30～19：30

AM10

有機分子・バイオエレクトロニクス分科会インフォーマルミーティング

折詰

39

間中 孝彰

（東工大）

17：30～19：30

AM11

応用電子物性分科会幹事会

折詰

25

伏見 浩

（東大）

18：30～19：30

CM4

窒化物半導体 特異構造の科学

-

40

三宅 秀人

（三重大）

12：00～13：30

AM10

EMS34第1回運営・実行合同委員会

折詰

30

光野 徹也

（静岡大）

27

応用物理学会本部

応用物理学会本部

応用物理学会本部

応用物理学会本部

28

■講演募集分科名・プログラム編集委員
大分類分科名 Category1 応用物理学一般
Applied Physics in General

2 放射線
Ionizing Radiation
3 光・フォトニクス
Optics and Photonics

6 薄膜・表面Thin Films and Surfaces

7 ビーム応用
Beam Technology and Nanofabrication

8 プラズマエレクトロニクス
Plasma Electronics

3.1

光学基礎・光学新領域

Interdisciplinary and general physics
Education
Novel technologies and frontier engineering science
Energy conversion and storage
Resources and environment
Magnetic field and its application
Instrumentation and measurement, metrology
Ultrasonic
Radiation physics and detectors
Detection systems
Application of radiation, radiation generators andtechnologies
Basic optics and frontier of optics

3.2

材料・機器光学

Materials and equipment optics

3.3
3.4

情報フォトニクス・画像工学
生体・医用光学Information photonics and image engineering
Biomedical optics

1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
2.1
2.2

応用物理一般・学際領域
教育
新技術・複合新領域
エネルギー変換・貯蔵
資源・環境
磁場応用
計測技術・計測標準
超音波
放射線物理一般・検出器基礎
検出器開発

2.3

放射線応用・発生装置・新技術

10 スピントロニクス・マグネティクス
Spintronics and Magnetics

面谷信 (東海大)
鈴木芳文 (九工大)
松谷晃宏 (東工大)
小栗和也 (東海大)
小栗和也 (東海大)山本勲 (横国大)菊永和也 (産総研)近藤淳 (静岡大)伏見賢一 (徳島大),越水正典（東北大）,人見啓太朗（東北大）3.5

レーザー装置・材料

Laser devices and materials

3.6

超高速・高強度レーザー

Ultrashort-pulse and high-intensity lasers

3.7

レーザープロセシング

Laser processing

細川陽一郎（奈良先端大）,佐藤正健（産総研）

3.8

光計測技術・機器

Optical measurement technology and devices

3.9
3.10
3.11
3.12

テラヘルツ全般
光量子物理・技術
フォトニック構造・現象
ナノ領域光科学･近接場光学

THz technology
Optical quantum physics and technologies
Photonic structures and phenomena
Nanoscale optical science and near-field optics

3.13

半導体光デバイス

Semiconductor optical devices

3.14

光制御デバイス・光ファイバ

Optical control devices and optical fiber

3.15

シリコンフォトニクス
強誘電体薄膜9.1とコードシェアセッションで開催（セッション名： 誘電体および強誘電体～薄膜・バルク～）

Silicon photonics

平井亜紀子（産総研）,小野寺理文（職能開発大）,柴田泰邦（首都大）河野行雄（東工大）,山下将嗣（理研）
行方直人（日大）
新家昭彦（NTT）,浅野卓（京大）
大平泰生（新潟大）,岩見健太郎（農工大）下村和彦（上智大）,中村滋（NEC）,荒川太郎（横国大）石月秀貴（NINS）,渡辺俊夫（NTT）,和田篤（防衛大）森雅彦（産総研）

Ferroelectric thin films

坂本渉 (名大),三浦薫 (キヤノン)

6.2
6.3

カーボン系薄膜
酸化物エレクトロニクス

Carbon-based thin films
Oxide-based electronics

神田一浩 (兵庫県立大),梅沢仁 (産総研)廣瀬靖(東大),神吉輝夫 (阪大)

6.4

薄膜新材料

New thin-film materials

中村吉伸 (東大),土屋哲男 (産総研)

6.5
6.6
7.1

表面物理・真空プローブ顕微鏡
X線技術

Surface physics and vacuum
Probe microscopy
X-ray technologies

吉越章隆 (原子力機構),大野真也 (横国大)福間剛士 (金沢大),山田豊和 (千葉大)寺岡有殿(原子力機構)，江島丈雄 (東北大)7.2

電子顕微鏡，評価，測定，分析Electron microscopes, evaluation, measurement andanalysis

川崎忠寛（JFCC）

7.3
7.4
7.5
7.6
7.7
7.8
8.1
8.2
8.3
8.4
8.5

リソグラフィ
ナノインプリント
ビーム・光励起表面反応
イオンビーム一般
微小電子源
ビーム応用一般・新技術
プラズマ生成・制御
プラズマ診断・計測
プラズマ成膜・表面処理
プラズマエッチング
プラズマナノテクノロジー

6.1

Lithography
山崎謙治 (NTT),須賀治 (EIDEC)
Nanoimprint
横尾篤 (NTT)
Particle/photon-beam-induced surface reactions
田川雅人 (神戸大)Ion beams
種村眞幸 (名古屋工大)
Vacuum nanoelectronics and electron sources
根尾陽一郎（静岡大）New beam-application technologies
田川雅人 (神戸大)Plasma production and control
柳生義人（佐世保高専）
Plasma measurements and diagnostics
伊藤剛仁（阪大）
Plasma deposition of thin film and surface treatment 太田貴之（名城大）
Plasma etching
前田賢治（日立）
Plasma nanotechnology
佐藤孝紀 (室蘭工大)，金子俊郎 (東北大)General plasma phenomena, emerging area of plasmas
小田昭紀 (千葉工大),山田英明 (産総研)
and their new applications

プラズマ現象・新応用・融合分野

9.2
9.3
9.4
9.5

誘電材料・誘電体
6.1とコードシェアセッションで開催（セッション名： 誘電体および強誘電体～薄膜・バルク～）
ナノワイヤ・ナノ粒子
ナノエレクトロニクス
熱電変換
新機能材料・新物性10.1

新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

Creation of new materials

近藤剛 (東芝)

スピントルク・スピン流・回路・測定技術

Spin torque, spin current, circuits, and measurement
technologies

大兼幹彦 (東北大)

10.3

GMR・TMR・磁気記録技術

Giant magnetoresistance (GMR), tunnel
magnetoresistance (TMR) and magnetic recording
technologies

高橋有紀子 (物材機構)

10.4

半導体・有機・光・量子スピントロニクス

Semiconductors, organic, optical, and quantum
spintronics

好田誠 (東北大)

9.1

10.2

11 超伝導Superconductivity

委員(所属)
下線は大分類分科代表又は合同セッション代表

居波渉（静岡大）石飛秀和 (阪大),望月博孝 (産総研),吽野靖行(キヤノン),片山龍一（福岡工大）,
的場修 (神戸大),片山龍一（福岡工大）
松浦祐司 (東北大)
興雄司（九大）,時田茂樹（阪大）,宮本克彦（千葉大）
石川顕一（東大）,石澤淳（NTT）

8.6

9 応用物性Applied Materials Science

Section

中分類分科名

Dielectrics, ferroelectrics

塚田真也 (島根大)Nanowires, nanoparticles
原真二郎 (北大),柳田剛 (阪大)Nanoelectronics
水柿義直（電通大）
Thermoelectric conversion
岡本庸一 (防衛大),竹内恒博 (名大)New functional materials and new physical properties 高瀬浩一（日大）

11.1

基礎物性

11.2

薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

11.3
11.4

臨界電流，超伝導パワー応用
アナログ応用および関連技術

11.5接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

Fundamental properties
山本秀樹 (NTT),入江晃亘 (宇都宮大)Thin films, thick films, coated conductors and thin film
土井俊哉 (京大)crystal growth
Critical current, superconducting power applications 小田部荘司 (九工大)
Analog application and its related technologies
紀和利彦 (岡山大)Junction, circuit fabrication process and digitalapplications

29

山梨裕希 (横国大)12 有機分子・バイオエレクトロニクス
Organic Molecules and Bioelectronics

13 半導体A（シリコン）
Semiconductors A (Silicon)

14 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）
Semiconductors B (Exploratory Materials,
Physical Properties, Devices)

15 結晶工学
Crystal Engineering

16 非晶質・微結晶
Amorphous and Microcrystalline Materials

17 ナノカーボン
Nanocarbon Technology

18 JSAP-OSA Joint Symposia

12.1

作製・構造制御

Fabrications and Structure Controls

12.2

評価・基礎物性

Characterization and Materials Physics

12.3

機能材料・萌芽的デバイス

Functional materials and novel devices

12.4

有機EL・トランジスタ

Organic light-emitting devices and organic transistors

12.5

有機太陽電池Organic solar cells

12.6

ナノバイオテクノロジー

Nanobiotechnology

12.7

医用工学・バイオチップ

Medical engineering and biochips

13.1

基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

13.2

絶縁膜技術

Basic Properties, Surface and Interface Phenomena,
and Simulation
Insulator technology

13.3

Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

Si process, interconnect, MEMS, integration

13.4
13.5
14.1

デバイス/集積化技術
Si-English Session
探索的材料物性

Devices/Integration Technologies
Si-English Session
Physical properties of exploratory materials

14.2

超薄膜・量子ナノ構造

Ultrathin films and quantum nanostructures

14.3

電子デバイス・プロセス技術

Electron devices and Process technology

14.4

光物性・発光デバイス

Optical properties and light-emitting devices

14.5
15.1

化合物太陽電池
バルク結晶成長

Compound solar cells
Bulk crystal growth

15.2

II-VI族結晶および多元系結晶

II-VI-group crystals and multicomponent crystals

15.3

III-V族エピタキシャル結晶

III-V-group epitaxial crystals

15.4

III-V族窒化物結晶

III-V-group nitride crystals

15.5
15.6
15.7
15.8

IV族結晶，IV-IV族混晶
IV族系化合物
エピタキシーの基礎
結晶評価，不純物・結晶欠陥

16.1

基礎物性・評価

16.2

プロセス技術・デバイス

IV-group crystals and IV-IV-group mixed crystals
IV-group-based compounds
Fundamentals of epitaxy
Crystal evaluation, impurities and crystal defects
Fundamental properties and their evaluation indisordered materials
Processing technologies and devices

16.3

シリコン系太陽電池

Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

17.1
17.2

成長技術
構造制御・プロセス

Growth technology
Structural control and process

17.3

新機能探索・基礎物性評価

Exploration of new functions and evaluation of basic
properties

17.4

デバイス応用Device application

18.1
18.2
18.3

Plasmonics
Bio- and Medical Photonics
Laser Manufacturing
Optical Micro-sensing, Manipulation, andFabrications
Opto-electronics
Information Photonics
Laser Photonics－XFEL and ultrafast optics－
Carbon Photonics

Plasmonics
Bio- and Medical Photonics
Laser Manufacturing

18.4
18.5
18.6
18.7
18.8

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

薄膜・表面の6.3酸化物エレクトロニクス，6.4薄膜新材

Joint Session K
料，および結晶工学15.2 II-VI族結晶および多元系結晶で企"Wide bandgap oxide semiconductor materials and 画した合同セッションです．
devices"30

永松秀一（九工大）,三浦康弘（桐蔭横浜大）,
松井淳（山形大）古川一暁（ＮＴＴ）,解良聡（NINS）,久保野敦史（静岡大）
福田武司（埼玉大）,山下兼一（京都工繊大）,増尾貞弘(関西学院大),尾崎良太郎(愛媛大),奥崎秀典（山梨大）
横山大輔（山形大）,野口裕(明治大),坂上知（早大）,北村雅季（神戸大）
久保貴哉(東大),嘉治寿彦（分子研）,尾坂格（理研）
住友弘二(NTT),熊谷慎也(豊田工大）
柳瀬雄輝（広島大）,笹川清隆（奈良先端大）,宮本浩一郎（東北大）
上野智雄 (農工大)，嵯峨幸一郎 (ソニー)，森伸也 (阪大)石田猛 (日立),小山正人 (東芝)
小川真一 (産総研),中村友二（富士通），上野和良（芝浦工大），河本直哉 (山口大),角嶋邦之 (東工大)，町田克之 (NTT-AT),佐々木実（豊田工大）,石井仁（豊橋技科大）,永瀬雅夫（徳島大）右田真司 (産総研),入沢寿史（東芝）
寺井慶和 (鹿児島大),末益崇 (筑波大)
宮澤俊之 (東大),俵毅彦 (NTT),早瀬潤子 (慶大),尾崎信彦（和歌山大）
中村成志 (首都大),塩島謙次 (福井大),牧山剛
三 (富士通研),末光哲也 (東北大)小泉淳 (阪大),國本崇 (徳島文理大),深田晴己(金沢工大),今北健二 (神戸大)杉山睦 (東理大),八木修平 (埼玉大)
荻野拓 (東大)阿部友紀 (鳥取大),宇野和行 (和歌山大),田橋正浩 (中部大)杉山正和(東大),河口研一 (東大)片山竜二 (東北大),高橋邦方 (パナソニック),福田和久 (ルネサス),山口智広 (工学院大),村上尚 (農工大)
澤野憲太郎 (東京都市大)矢野裕司（筑波大）
杉山正和(東大)深田直樹 (物材機構)，沓掛健太朗(東北大)吉田憲充(岐阜大),藤原巧 (東北大)大平圭介 (北陸先端大),傍島靖（阪大）
山嵜一郎 (シャープ),寺川朗 (パナソニック),石河泰明 (奈良先端大)佐藤信太郎 (富士通研),野内亮 (大阪府立大),吹留博一 (東北大),長汐晃輔 (東大),前橋兼三(阪大),神田晶申 (筑波大),田中丈士 (産総研),
千足昇平 (東大),藤井健志 (富士電機)
Prabhat Verma（阪大）
藤田克昌（阪大）,松浦祐司（東北大）
塚本雅裕（阪大）,甲藤正人（宮崎大）

Optical Micro-sensing, Manipulation, and Fabrications 志村努（東大）
Opto-electronics
Information Photonics
Laser Photonics－XFEL and ultrafast optics－
Carbon Photonics

李英根（日立）,下村和彦（上智大）
堀崎遼一（阪大）
緑川克美（理研）
松田一成（京大）

This is a joint session of 6.3 Oxide-based electronics,
6.4 New thin film materials in 6. Thin Films andSurfaces and 15.2 II-VI-group crystals andmulticomponent crystals in 15. Crystal Engineering.

廣瀬靖(東大),神吉輝夫 (阪大),中村吉伸 (東大),土屋哲男 (産総研),阿部友紀 (鳥取大),宇野和行 (和歌山大),田橋正浩 (中部大),川原村
敏幸（高知工科大）

■講演会運営関係

本部(応用物理学会)
会長

河田 聡

(阪大)

副会長

保立 和夫

(東大)

久間 和生

(内閣府)

講演会企画運営委員長

民谷 栄一

(阪大)

講演会企画運営副委員長

馬場 俊彦

(横国大)

益 一哉

(東工大)

現地実行委員顧問（アドバイザー）

福井 孝志(情報科学研究科)

馬場 直志(工学研究院)山本 眞史(情報科学研究科)

笹木 敬司(電子科学研究所)

実行委員長

西口 規彦

(工学研究院)

実行副委員長橋詰 保(量子集積エレ)高橋 康夫(情報科学研究科)

総務

原 真二郎

(量子集積エレ)矢久保 考介(工学研究院)

本久 順一(情報科学研究科)

郷原 一壽(工学研究院)

佐藤 威友(量子集積エレ)

岡 和彦(工学研究院)浅井 哲也(情報科学研究科)

友田 基信(工学研究院)

村山 明宏(情報科学研究科)

笹倉 弘理(工学研究院)

植村 哲也(情報科学研究科)

富田 章久(情報科学研究科)

有田 正志(情報科学研究科)

熊野 英和(電子科学研究所)

岡本 淳(情報科学研究科)

末岡 和久(情報科学研究科)

海住 英生(電子科学研究所)

菅原 広剛(情報科学研究科)

足立 智(工学研究院)戸田 泰則(工学研究院)

柏本 史郎(工学研究院)

関川 太郎(工学研究院)

土家 琢磨(工学研究院)

覺間 誠一(工学研究院)武藤 俊一(工学研究院)

鍜治 怜奈(工学研究院)

森田 隆二(工学研究院)

藤原 英樹(電子科学研究所)

葛西 誠也(量子集積エレ)松田 理(工学研究院)田中 之博(工学研究院)

八田 英嗣(情報科学研究科)

会場

アルバイト

会計

※下線は代表者

31

ランチョンセミナー

昼食無料

企業・団体によるランチョンセミナーが開催されます．
ランチョンセミナー参加者には先着順で昼食を無料でお配りいたします．
開催日

時間

9/17
(水)

9/18
(木)

12：15‐13：00

9/19
(金)

会場

定員

主催企業・団体

C5200

応用物理学会(APEX/JJAP)

S2

200

AIP Publishing

A4

100

エリオニクスS2

200

光ビームプラットフォーム（事務局：高エネルギー加速器研究機構）

A4

100

名古屋大学エコトピア科学研究所

S2

200

東陽テクニカA12

100

IOP 英国物理学会出版局/ 物質・材料研究機構(NIMS)

各セミナーの詳細につきましては、次ページ以降（p.33～p.39）のご案内 をご覧ください．
参加方法
ランチョンセミナー参加ご希望の方はRegistration内の「ランチョンセミナー参加受付」で参加票をご提示ください．その場で「整理券」をお渡しします．
その整理券にお名前，ご所属，メールアドレスを記載の上，昼12時10分までにランチョンセミナー
会場へお越しください．
整理券の配布
参加票をご提示いただき，整理券を配布いたします．
 配布場所：Registration内 「ランチョンセミナー参加受付」
 配布時間： 各日 8:00～11:00※先着順． 整理券が無くなり次第，受付を終了いたします．
注意事項「整理券」をお持ちの方は，お昼の12時10分までに各セミナー会場で昼食と引き換えてください．
12時10分を過ぎると「整理券」は無効になり，「整理券」をお持ちでないセミナー参加者へ昼食をお配りいたします．
整理券をお持ちでない方
12時10分までに各セミナー会場に直接お越しください．
昼食の残りがある場合に限り，先着順で昼食をお配りいたします．
昼食が無くなった場合でも，ご入場いただきセミナーに参加していただけます．

32

APEX/JJAP
Luncheon Seminar
日時: 9月17日 12:15 – 13:00
会場: C5 (北海道大学 工学部2階 オープンホール)“APEX and JJAP: Bringing your research to an international audience”
by Prof. Takashi Kondo
APEX/JJAP編集運営委員会委員長
by Dr. Matthew Salter
IOP Publishing, Publishing Manager Asia-Pacific“Publishing your work in a high-impact journal”
by Prof. Tadashi Shibata
APEX/JJAP編集長
Journals sites at iopscience.org/apex and iopscience.org/jjap33

Th in N
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APL Materials offers:> Free, Permanent, Online
Access to Your Article> Article Level Usage
Metrics> Fast and Fair Peer Review> Creative Commons
Licensing So You Retain
Copyright> Worldwide Visibility andPromotion

A High Impact Open Access Journal
in Functional Materials Science
Editor: Professor Judith L. MacManus-Driscoll
University of Cambridge, Cambridge, U.K.
° Nanomaterials and nanostructures° Biomaterials° Electronic, Magnetic & Optical Materials° Energy and Environment materials° Organic materials° Carbon and amorphous materials° Polymers° General functional materials

Visit aplmaterials.aip.org to learn more
Learn more about APL Materials and AIP Publishing at the
Luncheon Seminar, Wednesday, September 17, 12:15 - 13:00
34

35

文部科学省 先端研究基盤共用・プラットフォーム形成事業

光ビームプラットフォーム
放射光施設と大型レーザー光施設の共用のご紹介
施設の特長とご利用方法
第75回応用物理学会秋季学術講演会 ランチョンセミナー
日時： 9月18日（木） 12:15～13:00
会場： S2 （S棟2階）

・XAFS
・X線回折
・X線小角散乱・X線蛍光分析・イメージング・トポグラフィ・光電子分光・ポンププローブ・レーザー照射・アブレーション・テラヘルツ分析
・ナノマイクロ加工
・ガンマ線照射光ビームプラットフォームの施設

光ビームプラットフォームは、放射光施設及び大型レーザー光施設がネットワーク化することにより、施設の共用を促進し、産学官の皆様の学術研究や産業利用をより一層支援しようとする取組みです．各施設は初めての方でも気軽に相談できる窓口を設け、実験等の支援についても充実した体制を図っています．これらの大型研究施設を利用することで、企業や大学等の研究室では困難な、構造解析や材料分析、評価実験や微細加工などができる場合も数多くあります．ランチョンセミナーでは、光ビームプラットフォームの取組みと共に、各施設の特長やご利用方法などをご紹介します．総合窓口としてホームページを開設していますので是非一度ご覧下さい．

http://photonbeam.jp/
e-mail: consult@photonbeam.jp
光ビームプラットフォーム事務局
所在： 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
36

37

第 75 回 応 用 物 理 学 会 秋 季 学 術 講 演 会

東陽テクニカランチョンセミナー

テラヘルツ分光
日 時 :
会 場 :

9 月 19 日 （金） 12 : 15 ～ 13 : 00
S 2 （S 棟 2 階）

レイクショア 8500 型 ＴＨｚ分光システム～測定例の紹介～

株式会社東陽テクニカ 営業第１部 アプリケーション担当

株式会社東陽テクニカ 営業第１部〒103-8284 東京都中央区八重洲 1-1-6 ＴＥＬ.03-3279-0771 FAX. 03-3246-0645
http://www.toyo.co.jp E-mail : lakeshore@toyo.co.jp
38

山口政紀

Publish
ed
since

2000

39

分科企画シンポジウム

分科企画シンポジウム
7. ビーム応用

Ｘ線反射率，表面Ｘ線散乱による埋もれた界面の解析における位相問題 - 新光源への期待
9 月 17 日 9:30 〜 16:30
17a-A13 - 1 〜 5
1 Ｘ線反射率データ解析ブレークスルーの可能性

物材機構
2 表面Ｘ線回折における位相問題解決の現状と展望（45 分）
東大物性研
3 GISAS 解析のモデルにおける干渉性の取り扱い（30 分）
京大工

休

憩

桜井健次

○

高橋敏男

○

奥田浩司

○

11:00 〜 11:15

4 位相問題を解決する方法としてのＸ線定在波法 : 基板の結晶性が完全に近くなくても利用できるようにする取組み（30 分）
物材機構 1，東工大 2 ○坂田修身 1,2
5 放射光Ｘ線回折による表面界面の三次元原子イメージング（30 分）
高輝度光科学研究センター ○田尻寛男

昼食9 高性能フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による SiGe 混晶の極低温成長と方位制御
九大シス情 1，学振特別研究員 2 ○朴ジョンヒョク 1,2，
宮尾正信 1，佐道泰造 1
10 非晶質 Ge/SiO2の Au 誘起横方向成長に及ぼす電子線照射効果
熊本高専 1，ブルカーバイオスピン 2 ○（B）茂藤健太 1，崎山 晋 1，
岡本隼人 1，酒井崇嗣 1，中嶋一敬 1，原 英之 2，
西村浩人 2，高倉健一郎 1，角田 功 1
11 非晶質 Ge/SiO2の Au 誘起横方向成長に及ぼす応力印加効果
熊本高専 1，サムコ 2，堀場 3 ○（B）酒井崇嗣 1，中嶋一敬 1，茂藤健太 1，
本山慎一 2，楠田 豊 2，古田真浩 2，中 庸行 3，
沼田朋子 3，高倉健一郎 1，角田 功 1
12 クロージングリマーク
琉大工 ○野口 隆-----------------------------------------------------------------------------------16. 非晶質・結晶

薄膜シリコン太陽電池技術の現状と課題
9 月 17 日 13:00 〜 17:45
17p-A25 - 1 〜 12
1 薄膜シリコン太陽電池技術の現状と課題〜はじめに〜（15 分）
産総研 〇松井卓矢
2 薄膜シリコン太陽電池技術のシリコン系太陽電池への応用（30 分）
カネカ ○山本憲治，足立大輔
3 薄膜シリコン太陽電池コンソーシアムによる開発の現状と今後の展望（30 分）
PVTEC1，産総研 2，カネカ 3，パナソニック 4，シャープ 5，三菱重工 6，
均 2，
東京エレクトロン 7，福島大 8 ○吉田 功 1，松井卓矢 2，齋末崎 恭 3，片山博貴 4，杉山秀一郎 5，中尾禎子 1,6，
竹内良昭 6，牛島 満 7，斉藤公彦 8
4 ハニカムテクスチャ基板を用いた高性能薄膜シリコン太陽電池の開発（30 分）
均 1，松井卓矢 1，
産総研 1，三菱重工 2，パナソニック 3，PVTEC4 ○齋
近藤道雄 1，中尾禎子 2，竹内良昭 2，片山博貴 3，吉田 功 45 PADS 法を用いたアモルファスシリコンの光劣化制御（30 分）
阪大院基礎工 1，JST-CREST2 ○傍島 靖 1,2，松田彰久 1,2，岡本博明 1,2

12:15 〜 13:45

17p-A13 - 1 〜 6

1 X 線自由電子レーザーによる Pr0.5Ca0.5MnO3薄膜の時間分解 X 線回折
東大 1，SLS2，SwissFEL3，ETH4，LCLS5，理研 CEMS6 ○和達大樹 1，
Paul Beaud2,3，Andrin Caviezel2，Simon Mariager2，
Laurenz Rettig2，Gerhard Ingold3，Christian Dornes4，
Shin Wen Huang2，J. A. Johnson2，Milan Radovic2，
Thomas Huber4，Teresa Kubacka4，Andres Ferrer2,4，
Henrik Lemke5，Matthieu Chollet5，Diling Zhu5，
James Glownia5，Marcin Sikorski5，Aymeric Robert5，
中村優男 6，川崎雅司 1,6，十倉好紀 1,6，
Steven Johnson4，Urs Staub2▲ 2 Tomographic Micro-Imaging of Buried Layers and Interfaces with 15W
X-ray Power Source
University of Tsukuba1，National Institute for Materials Science2〇 (D)Jinxing Jiang1,2，Kenji Sakurai1,2
3 Ｘ線反射率解析における可干渉成分の取り扱い（30 分）
神戸大 ○藤居義和

休憩

14:45 〜 15:00

4 Ｘ線回折格子干渉計による逆空間位相計測とイメージングの可能性（30 分）
東北大多元研 ○矢代 航
5 X 線 CTR 散乱における直接的界面構造解析法とトポロジカル絶縁体界面への応用（30 分）
東大物性研 1，JST さきがけ 2 ○白澤徹郎 1,2
6 サマリーディスカション（30 分）-----------------------------------------------------------------------------------13. 半導体 A（シリコン）

絶縁膜上におけるⅣ族系半導体結晶薄膜の低温成長−新しい結晶成長技術への期待−
9 月 17 日 13:15 〜 17:45
17p-A19 - 1 〜 12

1 新しいⅣ族系半導体結晶薄膜の低温成長技術への期待
九大システム情報 ○佐道泰造
2 ブルーレーザダイオードアニール法による Si の低温結晶化とデバイス応用（30 分）
琉球大学 工学部 1，琉球大学 工学部 2 ○野口 隆 1，岡田竜弥 23 大気圧熱プラズマ結晶化および単結晶薄膜転写によるガラスおよびプラス
ティック上の高性能薄膜トランジスタ作製（30 分）
広大院先端研 1，広大ナノデバイス 2 ○東清一郎 1,2，林 将平 1，
森崎誠司 1，赤澤宗樹 1，酒池耕平 1
4 軟 X 線照射による非晶質 SiXGe1-X薄膜の低温結晶化（30 分）
兵庫県立大院工 1，大阪大接合科研 2，兵庫県立大高度研 3 ○松尾直人 1，
部家 彰 1，伊藤和博 2，高橋 誠 2，神田一浩 3，望月孝晏 3，宮本修治 3
5 ポリカーボネート基板上に形成された低温多結晶シリコン薄膜の内部応力
山口大院理工 1，兵庫県立大院工 2 ○河本直哉 1，只友一行 1，
部家 彰 2，松尾直人 2

休憩

15:15 〜 15:30

6 フラッシュランプアニール法による多結晶 Ge 成長とその MOSFET 応用（30分）
産総研 GNC ○臼田宏治，鎌田善己，上牟田雄一，森 貴洋，
小池正浩，手塚 勉
7 金属誘起層交換成長による非晶質基板上 Ge 薄膜の結晶方位制御（30 分）
筑波大院 1，名大院 2 ○都甲 薫 1，中沢宏紀 1，大谷直生 1，
宇佐美徳隆 2，末益 崇 1
8 Al 誘起層交換成長の物理 〜 Si の面方位制御を目指して〜
九大院シス情 1，学振 PD2 ○黒澤昌志 1,2，佐道泰造 1，宮尾正信 1

休憩

15:15 〜 15:30

6 a-Si:H 系太陽電池の材料基礎物性と分光感度特性（30 分）
岐阜大 ○藤原裕之△ 7 新規分光感度シミュレーション法によるテクスチャー型 a-Si:H 太陽電池の光学損失評価
岐大院工 1，産総研 2 ○村田大輔 1，松井卓矢 2，藤原裕之 1
8 高効率薄膜太陽電池に向けた高透過高光散乱 TCO 電極の開発
三菱電機 ○品川友宏，小西博文，津田祐樹，時岡秀忠，渕上宏幸
9 薄膜シリコン成長時のトラップ電荷とキャリア輸送のその場評価
産総研 ○布村正太，坂田 功
10 Si 系薄膜による結晶 Si 表面パッシベーション技術（30 分）
東工大院理工 ○宮島晋介
11 a-Si:H/c-Si ヘテロ界面近傍 a-Si:H 内ボイド構造の解明に向けて － 陽電子消滅パラメータと光学パラメータとの相関 －岐阜大 1，筑波大 2 ○松木伸行 1，上殿明良 2
12 裏面コンタクト型ヘテロ接合 Si 結晶セルのシミュレーションによるコンタク
ト設計指針の検討
豊 1，
豊田工大 1，明治大 2 ○（PC）神岡武文 1，林中村京太郎 2，大下祥雄 1-----------------------------------------------------------------------------------17. ナノカーボン

Japan-Korea Joint Symposium on Semiconductor Physics
and Technology – Nano-carbon materials including
graphene –（日韓共同シンポジウム - グラフェン等のナノカーボ
ン材料−）
9 月 17 日 9:15 〜 18:00
17a-S1 - 1 〜 4▲ 1 Opening Remarks (15min.)

JAIST ○ Eisuke Tokumitsu▲ 2 Graphene and beyond graphene, - Science of Atomic Layer （60min.）
Dept. Physics, Tohoku Univ. ○ Riichiro Saito

Break

10:30 〜 10:45▲ 3 Carbon nanotubes for hybrid quantum nanosystems（45min.）
RIKEN1，RIKEN-CEMS2 ○ Koji Ishibashi1,2，Akira Hida1，
Russell Deacon1,2▲ 4 Biomedical application of nanocarbons（30min.）Shiga University of Medical Science ○ Naoki Komatsu

Lunch

17p-S1 - 1 〜 9

12:00 〜 13:15▲ 1 Substrate dependence of the cyclotron resonance on large-area CVD
graphenes (30min.)Dankook Univ.1，NIMS2 ○ Yongmin Kim1，K. Takehana2

（ 40
40 ）

分科企画シンポジウム▲ 2 Energy gap formation and gap states analysis in bilayer graphene
under the ultra-high displacement（30min.）Univ. of Tokyo ○ Kosuke Nagashio▲ 3 Rotated domains in chemical vapor deposition-grown monolayer
graphene on Cu(111): an angle-resolved photoemission study (30min.)
Korea Basic Sci.Inst. ○ Cheolho Jeon
▲ 4 Optical quantum Hall eﬀect in monolayer graphene（30min.）The Univ. of Tokyo ○ Ryo Shimano

Break

15:15 〜 15:30▲ 5 Synthesis of two-dimensional materials by chemical vapor
deposition: graphene, hexagonal boron nitride, and transition metal
dichalcogenides (30min.）Dongguk Univ. ○ Ki Kang Kim▲ 6 Carbon nanotube thin-film devices for transparent and flexible
electronics (30min.)
Nagoya Univ. ○ Yutaka Ohno
▲ 7 Spatio-temporally resolved spectroscopic investigations of
nanostructures by correlation nanoscopy (30min.)Sungkyunkwan Univ. ○ Mun Seok Jeong▲ 8 Chemical route for highly conductive carbon nanotube and graphene
electrode (30min.)
Korea Electrotechnol. Res. Inst. ○ Hee Jin Jeong▲ 9 Application of graphene to interconnects and transistors (30min.)AIST1，Fujitsu Labs.2 ○ Shintaro Sato1,2

7 MeV イオンによる生細胞内局所領域の選択的照射（30 分）
理研原子物理 1，理研細胞核 2 ○山崎泰規 1，フォルカート メッケル 1，
ニチポン プッタラクサ 1，小林知洋 1，浜垣 学 1，今本尚子 28 プラズマ誘起バイオマテリアルの表面反応とプラズマ医療への展開（30 分）
名大 ○石川健治，田中宏昌，橋爪博司，竹田圭吾，近藤博基，
関根 誠，堀勝
9 Plasma on Plasma Membranes: 人工細胞膜系へのプラズマ照射
豊橋技科大環境・生命 1，豊橋技科大 EIIRIS2，豊橋技科大電気・電子 3○
手老龍吾 1,2，須田善行 3，山下龍舞 3，滝川浩史 3-----------------------------------------------------------------------------------6. 薄膜・表面

固液界面を使った新しい酸化物エレクトロニクス：化学とデバイスの融合
9 月 18 日 13:15 〜 18:15
18p-A10 - 1 〜 10
1 創発イオントロニクス（45 分）

東大院工 1，理研 CEMS2 ○岩佐義宏 1,22 水電気分解を利用した酸化物の熱電能変調（30 分）
北大電子研 ○太田裕道，片瀬貴義
3 ナノデバイス構築のための局所陽極酸化セルフアラインメント技術（30 分）
東京工科大 1，東北大院医工学 2，東北大通研 3 ○木村康男 1，
平野愛弓 2，庭野道夫 34 酸化物半導体と導電性高分子の複合膜を用いた光で充電できる蓄電地デバイ
スの開発
鹿児島大院 ○野見山輝明，前田大輝，安永達也，志垣直也，堀江雄二
5 オペランド軟 X 線分光による Li イオン電池正極材料の電子状態解析（30 分）
産総研 ○朝倉大輔-----------------------------------------------------------------------------------1. 応用物理学一般

学生の育成を兼ねた科学啓発活動
9 月 18 日 13:30 〜 17:00
18p-A23 - 1 〜 9休

1 オープニング「学生の育成を兼ねた科学啓発活動」

北薬大 ○渡部智希
2 学生の正課外プロジェクト活動による科学啓発・地域連携活動とキャリア教
育効果（30 分）
千歳科技大 ○長谷川誠
3 学生による科学コミュニケーション活動と地域連携（30 分）
東海大理 ○四方周輔
4 学生の育成のための科学啓発活動（30 分）
東京電機大学工学部 ○曽江久美

休憩

15:15 〜 15:30

5 学生ボランティアによる小・中学校の理科実験支援活動
日本工大 ○服部邦彦，瀧ヶ崎隆司，佐藤杉弥，梅谷篤史△ 6 学生プロジェクトによる理科実験授業におけるタブレット端末の活用
千歳科技大 ○手島 駿，長谷川誠
7 「物理博物館」における学生の創成活動および科学啓発活動
福井大工 ○佐藤直哉，関根隆春，横山絢美，鈴木良太，
古石貴裕，葛生 伸
8 学生主体で運営する新入生合宿研修と「物理道場」○
福井大工
鈴木良太，関根隆春，横山絢美，佐藤直哉，
古石貴裕，葛生 伸
9 サマリーディスカション（30 分）-----------------------------------------------------------------------------------6. 薄膜・表面12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

バイオマテリアル表面のミクロ−ナノの挙動とその応用
9 月 18 日 13:00 〜 17:00
18p-A1 - 1 〜 9憩

15:45 〜 16:00

東理大 ○工藤昭彦
7 酸化鉄光電極を利用した固液界面エレクトロニクス（30 分）
東大院工 ○田畑 仁▲ 8 Noble-metal doped Ti perovskite photocatalysts（30 分）
University of Tokyo, ISSP ○ Mikk Lippmaa
9 可視光駆動可能なチタニア結晶光触媒デバイス
物材機構 1，筑波大院数物 2，京大化研 3 ○三木一司 1,2，
Francesca Pincella1,2，磯崎勝弘 3
10 真空電気化学アプローチによる酸化物半導体界面の物性評価（30 分）
東北大院 ○松本祐司-----------------------------------------------------------------------------------7. ビーム応用

原子・分子ビームによる表面反応制御とその応用展開
9 月 18 日 13:15 〜 18:45
18p-A13 - 1 〜 13
1 分子線を利用した表面反応研究の進歩

原子力機構 ○寺岡有殿
2 空力加熱を受ける宇宙機の耐熱材における高温表面反応（30 分）
JAXA ○山田哲哉
3 宇宙環境の影響による材料表面での変化（30 分）
宇宙航空研究開発機構 ○宮崎英治△ 4 Si 含有 DLC 膜の原子状酸素照射効果
兵庫県立大高度研 1，神戸大院工 2，神戸大院海事 3，長岡技科大 4○
貴傳名健悟 1，新部正人 1，横田久美子 2，田川雅人 2，
古山雄一 3，小松啓志 4，齋藤秀俊 4，神田一浩 1休

1 原子間力顕微鏡（AFM）を用いたバイオマテリアルの液中観察（30 分）
東レリサーチセンター ○村司雄一
2 分子イメージングにおける質量分析の応用（30 分）
島津製作所 ○山崎雄三，山本卓志，藤分秀司
3 バイオメディカル LSI（30 分）
豊橋技術科学大学 1，JST-CREST2 ○澤田和明 1, 2，
高橋一浩 1，服部敏明 1, 2
4 人工細胞膜のミクロ・ナノ界面を利用した分子通信システムの創出（30 分）
奈良先端大院物質 ○菊池純一

休憩

6 人工光合成と金属酸化物光触媒（30 分）

15:00 〜 15:15

5 分子鋳型をゲートとしたサッカライドトランジスタによる選択的糖センシン
グの検討
東大院工 ○加治佐平，坂田利弥
6 フラグメント分子軌道計算のナノバイオテクノロジーへの展開 ( その１)
立教大理 1，東大生産研 2，みずほ情報総研 3，産総研 4，JSOL5○
望月祐志 1,2，福澤 薫 1,2,3，加藤幸一郎 3，沖山佳生 2，
塚本貴志 3，宮部寛志 1，都築誠二 4，古明地勇人 4，
小沢 拓 5，大畠広介 5，渡邉千鶴 2，永田大樹 1，
豊島 輝 1，酒井泉美 1，奥脇弘次 1

憩

14:45 〜 15:00

5 表面反応の量子ダイナミクス（30 分）
阪大工 1，アトミックデザイン研究センター 26 分子の状態制御による表面化学反応（30 分）○

笠井秀明 1,2，清水康司 1

阪大院理 ○岡田美智雄
7 量子状態選別酸素分子ビームによる表面反応スピン・立体効果の観測（30 分）
物材機構 ○倉橋光紀
8 超音速原子線散乱を応用した表面吸着層の実時間無擾乱計測（30 分）
筑波大 ○佐々木正洋，山田洋一

休憩

17:00 〜 17:15

9 分子線による表面吸着分子の衝突誘起移動（30 分）
東北大多元研 ○高岡 毅，米田忠弘
10 分子衝突による酸素吸着 Ru(0001) 表面構造の変化
コベルコ科研 1，原研 2，京大院理 3 ○高橋 真 1，寺岡有殿 2，有賀哲也 3
11 白金表面における振動励起したメタン分子の解離吸着反応
北大低温研 1，スイス連邦工科大 2 ○植田寛和 1，Li Chen2，Rainer Beck2△ 12 fcc 鉄 (111) 表面上及びサブ表面領域における水素原子の吸着状態
北大院工エネマテ ○國貞雄治，坂口紀史
13 宇宙材料分野でのビーム表面反応研究の必要性
神戸大院 ○田川雅人------------------------------------------------------------------------------------

（ 41
41 ）

分科企画シンポジウム

8. プラズマエレクトロニクス

コンピュータによるプラズマシミュレーションの実際（いま，何をどこまで計算できるのか）
9 月 18 日 13:30 〜 17:30
18p-S1 - 1 〜 9
1 プラズマシミュレーションの現状と課題（15 分）
首都大院理工 ○杤久保文嘉
2 放電基礎過程 −電子衝突断面積と電子輸送係数―（30 分）
室蘭工大 ○佐藤孝紀
3 計算化学を用いたプロセスプラズマ中の反応解析（30 分）
勝
名大 ○林 俊雄，石川健治，関根 誠，堀4 プラズマエッチングにおける表面形状進展（30 分）
京大工 ○斧 高一
5 誘電体上への水吸着量の分子軌道法による解析と沿面放電現象への応用
日立製作所 ○大嶽 敦，小林金也

休憩

15:30 〜 15:45

6 市販ソルバーを用いたプラズマシミュレーション（30 分）
大阪市大工 ○白藤 立
7 半導体製造装置のプラズマシミュレーション技術（30 分）
東京エレクトロン山梨 ○伝宝一樹
8 プラズマエッチングのモデリングと半導体加工制御への応用（30 分）
ソニー ○久保井信行，深沢正永，辰巳哲也
9 まとめ：プラズマシミュレーションの展望（15 分）
首都大院理工 ○杤久保文嘉

9 層数制御した MoSe2 超薄膜のエピタキシャル成長
NTT 物性基礎研 ○小野満恒二，Ryan Neufeld，熊倉一英，山本秀樹
10 大面積原子層薄膜を用いた新機能素子（30 分）
早大先進 1，早大材研 2 ○竹延大志 1,2
11 液相剥離プロセスを活用した MoS2 ナノシートのデバイス応用（30 分）
産総研ナノエレ 1，産総研電子光 2，産総研ナノシステム 3 ○三枝栄子 1，
阿澄玲子 2，島田 悟 2，清水哲夫 3，安藤 淳 1△ 12 Si(111) 上 ZrB(sub)2(sub) 薄膜の窒化による単原子層 hBN の形成
北陸先端大マテ 1，東大物性研 2 ○青柳航平 1，Rainer Friedlein1，
Antoine Flerurence1，Florian Gimbert1，
尾崎泰助 1,2，高村（山田）由起子 1△ 13 h-BN 層状絶縁物質における電気的絶縁破壊挙動
東大マテ 1，物材機構 2 ○服部吉晃 1，谷口 尚 2，渡邊賢司 2，長汐晃輔 1
14 クロージング：まとめと機能性原子薄膜化合物材料研究の展望
産総研 ○安藤 淳-----------------------------------------------------------------------------------1. 応用物理学一般

応用物理に期待される資源リサイクルとエネルギー問題
9 月 19 日 13:30 〜 16:45
19p-A23 - 1 〜 7

1 応用物理に期待される資源リサイクルとエネルギー問題開催にあたって
東海大教養 1，東大工 2，東大 GS+I3，NEC 特許情報 4 小栗和也 1，○
内田晴久 1，杉山正和 2，藤井克司 3，岸田俊二 42 廃棄物からのエネルギー回収（30 分）
日立造船 ○近藤 守
3 セメント産業における省エネルギーと廃棄物活用（30 分）
太平洋セメント ○上野直樹-----------------------------------------------------------------------------------10. スピントロニクス・マグネティクス

休

スピントロニクス材料・デバイスの最前線
9 月 18 日 13:30 〜 17:15
18p-S2 - 1 〜 9

1 高集積 STT-MRAM 実現に向けた垂直磁化トンネル接合の材料開発（30 分）
産総研 1，さきがけ 2 ○薬師寺啓 1,2，久保田均 1，甲野藤真 1，
福島章雄 1，安藤功兒 1，湯浅新治 1
2 格子定数制御可能なスピネル系トンネルバリアの開発（30 分）
物材機構 ○介川裕章
3 STT-MRAM および不揮発性ロジックの現状と将来展望（30 分）
東北大学 ○遠藤哲郎
4 スピントロニクス材料としての強磁性半導体（30 分）
東北大学 WPI-AIMR1，東北大学 CSIS2 ○松倉文礼 1,2

休憩

15:30 〜 15:45▲ 5 Room temperature visible-light electroluminescence in Mn doped
semiconductors（30 分）
Univ. Tokyo1，TiTech2 ○ Namhai Pham1,2，Daiki Maruo1，
Ducanh Le1，Masaaki Tanaka1
8 シリコン量子コンピュータの現状と課題（30 分）
慶大理工 ○伊藤公平
9 ダイヤモンド中の NV 中心を用いた量子スピントロ二クス（30 分）
阪大基礎工 1，CREST2 ○水落憲和 1,2

2. 放射線

原子力発電所事故時に於ける核燃料・核分裂生成物の挙動及び廃止措置に向けた取り組み
9 月 19 日 13:30 〜 16:15
19p-B2 - 1 〜 5
1 原子炉の構造（30 分）

東大 ○岡本孝司
2 SAMPSON コードによる東京電力福島第一原子力発電所事故解析（30 分）
エネ総工研 ○鈴木洋明，内藤正則，溝内秀男，
白井浩嗣，Marco Pellegrini
3 福島第一原子力発電所事故を対象としたソースターム PIRT の作成（30 分）
テプコシステムズ ○末廣祥一

17. ナノカーボン

機能性原子薄膜化合物材料の新展開
9 月 18 日 13:15 〜 18:30
18p-B3 - 1 〜 14

休

憩

憩

15:00 〜 15:15

4 「総合的線量低減計画の策定」（30 分）
アトックス 1，アトックス 2，アトックス 3，アトックス 4，東京電力 5，
東芝 6，日立 GENE7，三菱重工 8 加藤正平 1，○中澤利雄 2，
坂本幸夫 3，吉川 靖 4，村田裕俊 5，酒井仁志 6，
遠藤 洋 7，鬼塚博徳 85 軽水炉のシビアアクシデントにおける炉心溶融および移行（30 分）
電中研 ○尾形孝成

1 オープニング

休

14:45 〜 15:00------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

東北大通研 ○吹留博一
2 遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎物性と薄膜形成（30 分）
埼玉大院理工 ○上野啓司
3 単層 WS2 グレインバウンダリーからの特異な発光現象
東北大院工 ○加藤俊顕，金子俊郎
4 原子層薄膜物質の光科学（30 分）
京大エネ研 ○松田一成△ 5 ラマン分光法による高温スパッタ堆積 MoS2膜の評価
明治大 1，東工大 2 ○石原聖也 1，須田耕平 1，澤本直美 1，大橋 匠 2，
山口晋平 2，松浦賢太朗 2，若林 整 2，小椋厚志 1
6 層状金属カルコゲナイドの CVD：成長機構と自発的ナノ構造形成（30 分）
北大工 1，北大総化 2 ○柳瀬 隆 1，渡辺 翔 1，橋本 遊 2，
沓澤 大 2，長浜太郎 1，島田敏宏 1憩

4 金属電極を用いた電気化学的 CO2還元
千代田化工 1，東大工 2，東大 GS+I3 ○松本 純 1，武藤昭博 1，
武田 大 1，杉山正和 2，藤井克司 35 電子材料スクラップからのレアメタルの回収（30 分）
東北大 ○中村 崇
6 カルノー効率の 60% に達する熱音響システムの開発（30 分）
東海大工 ○長谷川真也
7 総合討論（30 分）-----------------------------------------------------------------------------------3. 光・フォトニクス

量子計測技術における新展開
9 月 19 日 13:30 〜 17:15
19p-C7 - 1 〜 8

15:30 〜 15:45▲ 7 Growth and Application of 2D Transition Metal Dichalcogenides（30min.）Academia Sinica ○ Ming-Yang Li，Ang-Yu Lu，Chang-Lung Hsu，
Jing-Kai Huang，Sheng-Han Su，Lain-Jong Li▲ 8 Interface electronic and transport properties in liquid-gated TMD thinflakesUniv. of Tokyo1，Univ. of Groningen2，RIKEN3 〇 (PC)Wu Shi1，
Jianting Ye1,2，Yijing Zhang1，Ryuji Suzuki1，
Naoko Inoue1，Yoshihiro Iwasa1,3

（ 42
42 ）

1 オープニングリマーク（15 分）

NTT 物性基礎研 ○山口浩司
2 デコヒーレンス下で標準量子限界を超える量子計測の実装法（30 分）
NTT 物性基礎研 1，早大理工 2，リーズ大学 3 ○松崎雄一郎 1，田中 亨 1,2，
Knott Paul1，Dooley Shane3，Munro William1，山口浩司 1，齊藤志郎 1
3 ダイヤモンド NV センターを用いたナノスケール NMR（30 分）
慶大理工 1，産総研 2 ○伊藤公平 1，早瀬潤子 1，渡邊幸志 2，鹿田真一 2
4 進化する超伝導単一光子検出器技術と応用分野への波及効果（30 分）
情通機構 ○三木茂人

休憩

15:15 〜 15:30

5 メカニカル共振器と量子計測（30 分）

NTT 物性基礎研

山口浩司○

分科企画シンポジウム

6 コヒーレント状態の光を用いた量子通信・量子計測（30 分）
情通機構 ○武岡正裕
7 超伝導回路を用いたパラメトリック増幅器・発振器とその量子情報処理への応用（30 分）日本電気スマエネ研 1，理研創発センター 2，東京医科歯科大 3，
東大先端研 4 ○山本 剛 1,2，林 志荣 2，猪股邦宏 2，
越野和樹 3，中村泰信 2,4，蔡 兆申 2
8 クロージングリマーク（15 分）
NII 〇根本香絵-----------------------------------------------------------------------------------6. 薄膜・表面

放射光表面反応観察の新展開
9 月 19 日 13:30 〜 17:30
19p-A18 - 1 〜 8

憩

15:30 〜 15:45

5 XAFS による表面構造反応オペランド観察（30 分）
電通大燃料電池セ ○岩澤康裕
6 放射光および実験室光源を用いた HXPES オペランド実験とその将来展開（30分）
原研 1，HiSOR2，高知工科大 3 ○小林啓介 1,2,3
7 若手放射光ユーザーの視点：その場観察光電子分光の現状と希望（30 分）
東北大多元研 ○小川修一
8 まとめと総合討論
横国大院工 ○大野真也-----------------------------------------------------------------------------------6. 薄膜・表面12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

Innovation in R&D of the Flexible Electronics -Toward theInorganic Flexible Devices9 月 19 日 9:15 〜 17:00
19a-A4 - 1 〜 7▲ 1 Opening Remarks（15min.）Mie Univ. 〇 Tamio Endo
▲ 2 Issues of Oxide-Based Flexible Devices（30min.）
MSL, Tokyo Tech1，MCES, Tokyo Tech2，FRC, Tokyo Tech3○
Toshio Kamiya1,2，Hideya Kumomi1,2，Hideo Hosono1,2,3▲ 3 Annealing-free Electrochemical Preparation of Mesoporous Anatase
Films for Application to Dye-sensitized Solar Cells（30min.）
Hokkaido Univ. ○ Hiroki Habazaki，Etsushi Tsuji，Yoshitaka Aoki
▲ 4 Flexible and Stretchable Thin-film Transistors of Transition Metal
Dichalcogenides
Waseda Univ.1，Academia Sinica2，Univ. of Tokyo3，RIKEN CEMS4，
Waseda ZAIKEN5 ○ Jiang Pu1，Kazuma Funahashi1，
Chang-Hsiao Chen2，Lain-Jong Li2，Yoshihiro Iwasa3,4，
Taishi Takenobu1,5

Break

Break

15. 結晶工学

窒化物半導体特異構造の科学〜物性評価と結晶学の構築へ〜
9 月 19 日 8:30 〜 18:00
19a-C5 - 1 〜 10

1 窒化物半導体の発光機構解明と制御（30 分）
京大院工 ○川上養一，船戸 充，石井良太
2 m 面自立基板上の InGaN 量子井戸層からの発光特性
三菱化学 1，金沢工大 2 ○栗原 香 1，長尾 哲 1，山口敦史 2△ 3 In 組成の空間的ゆらぎが非極性 InGaN 量子井戸の偏光特性へ及ぼす影響
金沢工大 1，三菱化学 2 ○坂井繁太 1，山口敦史 1，栗原 香 2，長尾 哲 2
4 規則配列ナノコラム LED におけるフォトニック結晶効果
上智理工 1，上智ナノテク研究センター 2 ○司馬大次郎 1，
柳原 藍 1，石沢峻介 1，岸野克巳 1,2
5 局在プラズモンを用いた InGaN 系 LED の作製と評価
山口大 1，九大 2 ○塚田哲朗 1，岡田成仁 1，只友一行 1，
岡本晃一 2，立石和隆 2

休

昼

10:00 〜 10:15

食11:45 〜 13:15

19p-C5 - 1 〜 12

1 陽電子による結晶特異構造中の点欠陥の光応答性と局所電界の評価（30 分）
筑波大数理 1，産総研ナノシステム 2，産総研計測フロンティア 3，
物材機構 4，MIT EECS5 ○上殿明良 1，石橋章司 2，大島永康 3，
鈴木良一 3，角谷正友 4，Tomas Palacios52 窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価−マルチスケール評価へのアプ
ローチ−（30 分）
阪大院基礎工 1，三重大院工 2，JASRI/SPring-83 ○酒井 朗 1，
竹内正太郎 1，中村芳明 1，三宅秀人 2，平松和政 2，
今井康彦 3，木村 滋 3
3 III 族原料流量変調エピタキシによるヒルロックフリー窒素極性 GaN(000-1)
薄膜の成長
日本電信電話 ○赤坂哲也，林 家弘，山本秀樹
4 非晶質基板上への窒化物薄膜成長におけるグラフェンバッファー層の効果
東大生研 1，JST-CREST2 孫 政佑 1，石井辰典 1，○太田実雄 1，
小林 篤 1，上野耕平 1，藤岡 洋 1,2
5 RF-MBE 法による α-In2O3/Sapphire 上への窒化物半導体成長
立命館大 1，ROCA2 ○荒木 努 1，増田 直 1，小林知樹 1，
名西憓之 1，織田真也 2，人羅俊実 2

10:45 〜 11:00

12:30 〜 14:00

19p-A4 - 1 〜 6▲ 1 Elastomer Nanocomposite Sensors in Flexible Electronics（30min.）Mahatma Gandhi University Kishor Kumar Sadasivuni，
Deepalekshmi Ponnamma，○ Sabu Thomas▲ 2 Plasma Irradiation Technology for Direct Bonding of Plastic Films –Contact Angle and Bonding Strength（30min.）Mie Univ.1，APC2，Toray Research Center3，Kinki Univ.4，
Kanagawa Ind. Tech.Center5，University of Tokyo6○
Miyoshi Yokura1,2，Toshiki Mori1，Kenichi Uehara1，
Yukiko Izumi3，Kumiko Takahashi3，Shigehisa Tomita3，
Hiroaki Nishikawa4，Satoru Kaneko5，
Yoshinobu Nakamura6，Tamio Endo1

憩

6 フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析（30 分）
東北大多元研 ○秩父重英，石川陽一，山崎芳樹，小島一信
7 GaN/AlGaN 界面ゆらぎ量子ドットにおける励起子微細構造分裂の観測
東大ナノ量子機構 1，東大生研 2 ○有田宗貴 1，壹岐太一 2，
加古 敏 2，荒川泰彦 1,2△ 8 レーザーリフトオフ技術による GaN 基板を剥離した近紫外 LED
名城大理工 1，名大・赤﨑記念研究センター 2 ○飯田大輔 1，河合俊介 1，
土屋貴義 1，江間伸明 1，岩谷素顕 1，竹内哲也 1，
上山 智 1，赤﨑 勇 1,2
9 高 Al 組成 p-AlGaN コンタクト層を用いた深紫外発光ダイオード
理研 ○定 昌史，前田哲利，平山秀樹△ 10 Ga-Al フラックスを用いた AlN 液相成長法における炭素添加の影響
東北大多元研 1，住友金属鉱山 2 ○安達正芳 1，関谷竜太 1，
杉山正史 2，飯田潤二 2，福山博之 1▲ 5 Nitride Devices Prepared on Flexible Substrates（30min.）The University of Tokyo1，JST-CREST2 ○ Hiroshi Fujioka1,2，
Hye-Ryun Kim1，Jeong-Woo Shon1，Jitsuo Ohta1▲ 6 Organic Molecular Films Covalently Grafted on Silicon（30min.）
Kyoto University ○ Hitoyuki Sugimura▲ 7 Flexible and Printed Organic TFTs and Integrated Circuits（30min.）Yamagata University ○ Shizuo Tokito

Lunch

15:30 〜 15:45▲ 4 Development of Bionic Nanomembranes Towards Wearable
Electronics（30min.）Waseda Univ. ○ Toshinori Fujie▲ 5 Flexible devices for biomedical electronics（30min.）Univ. of Tokyo1，JST/ERATO2，Osaka Univ.3 ○ Takao Someya1,2，
Tomoyuki Yokota1,2，Tsuyoshi Sekitani1,2,3，Masaki Sekino1,2▲ 6 Closing Remarks
B.O.S.T., Kinki Univ. ○ Hiroaki Nishikawa------------------------------------------------------------------------------------

1 趣旨説明と放射光表面反応観察のこれまでとこれから（30 分）
東北大多元研 ○高桑雄二
2 走査型光電子顕微鏡による表面反応研究の動向と展望（30 分）
東大放射光機構 ○尾嶋正治
3 雰囲気 X 線光電子分光法の発展と課題−動的表面過程の観測手法として−（30 分）
慶大理工 ○近藤 寛
4 雰囲気Ｘ線光電子分光法を用いた表面反応研究の最先端と将来展望（30 分）
東大物性研 ○山本 達

休▲ 3 Development of a large scale ﬂexible device by printing techniques（30min.）AIST ○ Toshihide Kamata，Uemura Sei，Watanabe Yuichi，Kodzasa Takehito，Yoshida Manabu

休憩

15:00 〜 15:15

6 混晶局在系における励起子多体効果（30 分）

山口大院・理工 ○山田陽一
7 赤外分光によるキャリアダイナミクスおよび結晶特異構造評価（30 分）
蓓
千葉大工 ○石谷善博，森田 健，馬
8 AlN の PL スペクトルにおける特異なピークの起源 II○
京大院工石井良太，船戸 充，川上養一△ 9 GaN ナノワイヤ量子ドットからの最大励起子分子束縛エネルギーの観測
12○
東大ナノ量子機構 ，東大生研
ギヒョン チェ 1，Mark Holmes1，
加古 敏 2，有田宗貴 1，荒川泰彦 1,2

（ 43
43 ）

分科企画シンポジウム
シンポジウム1 応用物理学一般
休憩

16:45 〜 17:00

10 イオンビームアシスト MBE による立方晶 BN(111) 薄膜の高品質化
NTT 物性研 ○平間一行，谷保芳孝，狩元慎一，山本秀樹
11 大電流駆動用 (-201)β-Ga2O3 基板上 InGaN 系 LED
タムラ製作所 1，エピスター 2 ○飯塚和幸 1，鈴木理紀也 1，小石川結樹 1，
脇本大樹 1，梅村沙織 1，後藤 健 1，森島嘉克 1，倉又朗人 1，
山腰茂伸 1，蘇 英陽 2，沈 豫俊 2，劉 家呈 2
12 窒化物半導体の界面制御とナノラミネート特異構造を用いた電子デバイスの開発（30 分）物材機構 ○小出康夫，井村将隆，劉 江偉，廖 梅勇

1.1 応用物理一般・学際領域
9 月 18 日
18a-PB1 - 1 〜 4
18a-PB1 - 1 〜 4

シンポジウム

界面ナノ電子化学： 半導体ウェットプロセスの最前線
9 月 17 日 13:30 〜 17:30
17p-A14 - 1 〜 12
1 オープニング： シンポジウム開催にあたって休憩

15:30 〜 15:45

7 溶液との界面化学に基づく次世代半導体表面の原子レベル構造制御（30 分）
阪大院工 ○有馬健太△ 8 半導体プロセスを用いたナノギャップ電極の作製
東芝 ○吉水康人，田中裕介，冨田 寛
9 Cu 表面の異常酸化メカニズムの研究
和光純薬工業 ○林 浩平，梶川敬之，綿引 勉
10 薬液中の低濃度溶存酸素モニタリング
堀場アドバンスドテクノ ○井上健太郎，土生一徳，蔵本久典
11 SiO2の固体壁面近傍における水およびアルコールの挙動の分子動力学解析
阪大工 1，オルガノ 2 ○中岡 聡 1，山口康隆 1，
川上雅之 2，矢野大作 2，山中弘次 2
12 クロージング：シンポジウム閉会にあたって
静岡大 ○真田俊之------------------------------------------------------------------------------------

1

応用物理学一般●関連シンポジウム「学生の育成を兼ねた科学啓発活動」（9 月 18 日（木），13:00 〜
17:00，A23 会場）が p.41 に，掲載されています．
●関連シンポジウム「応用物理に期待される資源リサイクルとエネルギー問題」（9 月 19日（金），13:30 〜 16:45，A23 会場）が p.42 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------1.1 応用物理一般・学際領域
9 月 17 日 10:00 〜 12:30
17a-A23 - 1 〜 9

1 ラマン分光法における THF- 溶液間の相互作用の温度依存性
青学大理工 ○（B）山崎 渉，加藤雅洋，松本 悟，高嶋明人，西尾 泉
2 ディスク EMS 法の極小トルクモードを用いた低粘度流動の非線形効果の直接観察
東大生研 ○平野太一，酒井啓司
3 ReD 表面張力計を用いた高温液体の表面張力測定
東大生研 ○美谷周二朗，酒井啓司
4 EMS システムを用いた表面単分子膜の表面粘性測定
東京電機大理工 藤本健夫，○細田真妃子
5 潤滑油のトラクションモードに現れる３種類の限界ずり応力
産総研 ○小林比呂志

休憩

11:15 〜 11:30

6 N2/02, N2/SF2混合ガス雰囲気中のコロナ放電イオナイザの除電特性
茨城大院理工 ○池畑 隆，根本大輔，ユディ クリスタント，佐藤直幸△ 7 回転スクリーンを用いた体積型立体表示－渦巻型スクリーンの検討－
東海大工 ○鈴木慎之介，藤川知栄美，面谷 信△ 8 電子ペーパーの立て掛けと手持ち条件での校正作業性比較
東海大工 ○笠原麻由果，面谷 信
9 ヴァイオリンの胴体への HFC-134a ガス注入による音色の変化
東工大半導体 MEMS プロセス技術センター ○松谷晃宏------------------------------------------------------------------------------------

9:30 〜 11:30

1 マイクロギャップ放電による静電気緩和の気体種依存性
労働安全衛生総合研究所 ○三浦 崇
2 ta-C 薄膜の深紫外光照射損傷と熱処理損傷のラマン分光による解析
レニショー 1，防衛大 2，秋田大 3，都立産業技術研究センター 4○
神津知己 1,2，山口 誠 3，川口雅弘 4，西田 謙 2，島 宏美 2
3 油中音速の温度依存特性
佐大文教 1，佐世保高専 2，久留米高専 3 小野文慈 1，○
重松利信 2，中島賢治 2，城野祐生 2，嶋田英樹 34 合宿型自然体験学習の試み
佐世保高専・電子制御工学科 1，佐世保高専・物質工学科 2，
佐世保海洋スポーツ協会 3，佐世保高専・技術室 4，
佐大文教 5 ○重松利信 1，越村匡博 2，山崎隆志 2，
松尾 晃 3，宮崎有恒 3，里見暢子 4，小野文慈 5------------------------------------------------------------------------------------

オルガノ ○矢野大作
2 III-V 族化合物半導体の電気化学エッチングと微細加工への応用（30 分）
北大量集セ ○佐藤威友，熊崎祐介，渡部晃生，谷田部然治
3 洗浄プロセス要求品質を検討する新しい取り組み -STRJ・SEMI・INE 連携の必要性 –（30 分）
東芝 S&S 社 ○冨田 寛
4 PVA ブラシの粘弾性と摩擦特性
静大 1，荏原製作所 2 ○真田俊之 1，原 義高 1，福永 明 2，檜山浩國 2
5 枚葉洗浄 System において Wafer 帯電除去の課題
東京エレクトロン九州 ○戸島孝之
6 150℃硫酸中におけるフィルターの除粒子性能評価方法の検討
日本ポール ○高倉知征，都築修一

ポスターセッション

ポスター展示時間-----------------------------------------------------------------------------------1.2 教育
9 月 18 日
18a-PB2 - 1 〜 29

18a-PB2 - 1 〜 29

1 グループ学習に関する一考察

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

近畿能開大 ○今園浩之
2 「放射線」学習の始まりとその後の放射線教育史 ―3.11 以後の医学系学生の放射線に対する意識・理解度調査―
埼玉医大教養教育 ○赤羽 明
3 偏光による着色現象を用いた光学教材 ( Ⅷ )北見工大情報システム ○原田建治，菅原詩織，酒井大輔
4 身近な道具でできるホログラム用乾板の作製方法
広島国際大工 ○平谷雄二
5 発光ダイオードによる位置センサを利用した物理教材の開発
岐阜高専 ○河野託也，市川公貴，臼井敏男
6 対流と熱伝達の誤概念に関する考察
香川大教育 ○高橋尚志，藤目祐太朗，大浦みゆき，青木高明，寺尾 徹
7 タイプ別インビジブルインクの検討と科学啓発教室
愛工大 ○中野寛之，荒川真由美，谷野順平，佐伯平二
8 光速度は可変であり相対性理論は物理上の完全な誤り Ⅸ
ダビンチ研 ○土田成能，平田 剛
9 可視光波長多重通信のための受信用バンドパスフィルタに関する研究
北見工大 ○福山桃可，曽根宏靖，原田建治，菅原詩織，古瀬裕章
10 物理チャレンジとプレチャレンジ普及活動への取り組み
東京工科大 1，東大 2，物理オリンピック日本委員会 3○
毛塚博史 1，長谷川修司 2，近藤泰洋 3，原田 勲 3
11 レゴ NXT の光学実験教材への応用
新居浜高専 1，駒沢中学校 2 ○黒田 航 1，森井菜央 1，
福田京也 1，青山友幸 2
12 画像解析を用いた簡易分光器の性能評価
新居浜高専 ○三村正樹，二宮章好，福田京也
13 何色の宝石が好き？〜ルビー・サファイア合成で楽しむ結晶科学〜
茨城高専 1，産総研 2 ○綿引柚衣子 1，小林治哉 1，佐藤桂輔 1，
中岡鑑一郎 1，池田伸一 2，原 嘉昭 1
14 価数の異なる強酸水溶液の pH 観測における吸光スペクトルの比較
千歳科技大 ○手島 駿，徳光聖茄，長谷川誠△ 15 偏光による着色現象に対する透過光スペクトル測定を利用した検討
千歳科技大 ○大川七海，浜松 霞，前田智美，長谷川誠△ 16 夕焼け実験装置における白色 LED 出射光の利用可能性の検討
千歳科技大 ○徳光聖茄，長谷川誠
17 第 2 回モンゴル理科教室
中部大工 1，オロンログ校 2，新モンゴル高校 3 ○野村詩織 1，
岡島茂樹 1，田中健一 2，ナランバヤル プレブスレン 3
18 創造理工学実験における双方向リアルタイム授業進行状況把握・連絡システ
ムの構築
中部大工 ○伊藤智幹，岡島茂樹，柴田祥一，佐藤元泰，伊藤 響，
中山和也，井筒 潤，大嶋晃敏，遊垣晃宏，
阪田 泉，上田洋征，伊藤幸雄
19 多倍長演算を題材とした数値計算教育
長野高専 ○中澤達夫，伊藤祥一
20 強制振動の解の可視化
島津理化 ○増子 寛△ 21 科学教室の企画・実施を題材とした導入教育
徳島大総合科 ○久田旭彦
22 分散や数量が異なるデータ群における丸め処理の違いが誤差へ与える影響
茨城大工 ○伊多波正徳
23 リフレッシュ理科教室の教材「息で動かすスーハーエンジン」
山梨大工 岡田 遼，○近藤英一

（ 44
44 ）

1

24 学大将を育てる「ティーチサイエンス」キャリアハウス教育
山梨大工 1，山梨大生命環境 2 岡部奈央 1，武田明子 2，内山和治 1，
渡邉満洋 1，有元圭介 1，○佐藤哲也 1，渡辺勝儀 1，張本鉄雄 1，
近藤英一 1，田中 功 1，中川清和 125「ティーチサイエンス」：放射線とは何か？
山梨大工 矢﨑智昌，○佐藤哲也，近藤英一，田中 功，張本鉄雄
26 工学部学生を対象とした実験における PBL の効果
電機大工 ○本橋光也，鈴木 剛，吉野隆幸，坂本直志，
江原義郎，幸谷 智，定松宣義，曽江久美
27 グラスハープを使用した教材開発（Ⅱ）
東海大教養 斉藤沙季，深澤里菜，大沼梨菜，藤居奈々，○小栗和也
28 電気泳動を用いた科目横断教材の開発
東海大教養 田島佳奈，伊藤光平，小林かおり，○小栗和也
29 Normally-on 型 MOSFET を用いたイオン電流計測
広島国際大 ○寺重隆視，上月具挙，山中仁昭，間島利也-----------------------------------------------------------------------------------1.3 新技術・複合新領域
9 月 17 日 14:00 〜 16:00
17p-A23 - 1 〜 8

1 マテリアルキュレーション：材料情報の活用による材料探索例２
物材機構 ○吉武道子
2 走査型アトムプローブによる炭素繊維の原子レベルでの解析 (3) 定量的組成
分析
金沢工大産学連携室 1，金沢工大バイオ化学 2 ○西川 治 1，谷口昌宏 2
3 FT-IR 法によるフタル酸エステルのスクリーニング技術
菱電化成分析センター 1，菱電化成分析センター 2，菱電化成分析センター 3，
三菱電機先端総研 4，三菱電機先端総研 5 ○黒川博志 1，
村岡克生 2，宮園友利江 3，梅村園子 4，中川康幸 54 金属細線爆発法の連続運転に向けたワイヤ送給装置の検討
沖縄高専 ○花城宗一郎，比嘉 修，比嘉勝也，伊東 繁
5 MOD 法により異なる基板上に作製した VOx薄膜の特性比較 ( Ⅱ )防衛大電気電子 ○内田貴司，松下亮仁，立木 隆△ 6 呼気ガス測定のための光ファイバーセンサーの開発
名大未来社会創造機構 1，名大院工 2，名大グリモ 3○
木口崇彦 1，Oi Lun Li2，齋藤永宏 1,2,3
7 層状物質 CuFeTe2を用いた酸素センサの開発
九大シス情 ○神崎雅俊，永島伸彦，池田晃裕，栗焼久夫，都甲 潔▲ 8 Development of dual-polarized slot antenna coupled MKID arrays for
CMB observation
RIKEN1，KEK2 〇 R. M. Thushara Damayanthi1，Satoru Mima1，
Chiko Otani1，Noboru Furukawa1，Osamu Tajima2-----------------------------------------------------------------------------------1.3 新技術・複合新領域
9 月 18 日
18a-PB3 - 1 〜 4

18a-PB3 - 1 〜 4

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 Au 膜厚を変化させた Pd/Au/GeO/Ge ダイオード型水素ガスセンサ
山形大工 ○奥山澄雄，尾崎 宙，松下浩一
2 β-FeSi2の光触媒効果による水素生成
神奈川産技セ 1，茨城高専 2，山梨大 3，東工大総理 4 ○秋山賢輔 1, 4，
原 嘉昭 2，高橋 亮 1，吉水暢治 3，舟窪 浩 4，
入江 寛 3，松本佳久 1
3 圧子圧入による HOPG 表面損傷部の顕微ラマン分光による評価
秋田大 1，レニショー 2，機振協技研 3，防衛大 4 ○山口 誠 1，
神津知己 2,4，藤塚将行 3，西田 謙 4△ 4 空気電池正極としての天然膨張黒鉛シートの評価
香川高専 1，東洋炭素 2 ○鶴岡拓朗 1，岡野 寛 1，
幸 哲也 2，三崎伸也 2，細川敏弘 2-----------------------------------------------------------------------------------1.3 新技術・複合新領域
9 月 19 日
19a-PA1 - 1 〜 2

19a-PA1 - 1 〜 2

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 プリンテッドプラズモニック結晶非標識バイオセンサーの開発
阪府大院工 1，SCIVAX2 ○遠藤達郎 1，梶田浩志 2，
末吉健志 1，田中 覚 2，久本秀明 1
2 Cl2- 誘導結合型プラズマエッチングにおけるヤヌス型トリプチセン TripC12のエッチング特性の評価
東工大半導体 MEMS プロセス技術センター 1，東工大資源化学研究所 2，
東北大多元物質科学研究所 3，JST-ERATO4 ○松谷晃宏 1，石割文崇 2，
庄子良晃 2，上原卓也 3，中川 勝 3，福島孝典 2,4------------------------------------------------------------------------------------

1.4 エネルギー変換・貯蔵
9 月 18 日
18a-PB4 - 1 〜 14
18a-PB4 - 1 〜 14

応用物理学一般

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 備長炭と水界面へのレーザー照射による水素発生中の白色光放射
和大シス工 ○秋元郁子，前田宏輔
2 セシウム被覆 Si エミッタの光支援熱電子放出における光照射および温度の影
響
静大院工 ○荻野明久，説田貴仁，井上健吾，白倉一人，羽田篤史
3 水素を利用した Mg-IVB 族系金属間化合物の低温合成
東海大工 鈴木義人，○佐藤正志，樋口昌史，淺香 隆，
Wilfried Wunderlich
4 水素を利用した超磁歪材料の合成○
東海大
近岡知実，久多良木蘭丸，佐藤正志
5 黒鉛負極の表面皮膜がリチウムイオンのインターカレーション反応に与える影響
関大理工 1，HRC2 ○岸田和久 1,2，中川清晴 1,2，小田廣和 1,2
6 リチウムイオン二次電池セパレータの電解液による構造変化観察
関西大 ○本 雅弘，松下友紀，北浦敬勝，高田啓二
7 水酸化リチウムによる賦活を用いた多孔質炭素材料の作製
東工大 ○田村知樹，大竹尚登，赤坂大樹
8 Li イオン電池用二相共存負極材料 LixTi5O12 の電子構造に対する第一原理計
算による解析
物材機構 1，物材機構 2 ○田中喜典 1，池田 稔 2，大野隆央 1,2▲ 9 Amorphous silicon solar cells fabricated on high-quality LPCVD SnO2:F/
textured glass
TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY 〇 (P)Amartya Chowdhury▲ 10 Compactness Impact of the Hole-blocking TiO2 Layer upon CH3NH3PbI3
Perovskite Solar Cells
Aichi Institute of Technology 〇 Binglong Lei，Vincent Vincent，Hideo Furuhashi，Tatsuo Mori Mori
△ 11 プラスチック基板型色素増感太陽電池の低温焼成法の開発
東大 ○全 俊豪，小野 亮△ 12 太陽電池モジュールにおけるホットスポット簡易診断の基礎実験
神奈川工科大 ○小佐野美穂，渡邉明彦，工藤嗣友，板子一隆▲ 13 Study on Hole Transport Layer of NPD:MoO3 for Organometal Perovskite
Solar cells
Achi Inst. of Tech. ○（M2）Vincent Eze，Binglong Lei，Hideo Furuhashi，Tatsuo Mori
14 TiO2ナノ粒子 /SiO 2ハイブリッド膜を用いた太陽電池裏面反射構造
東京高専 ○室岡拓也，永吉 浩-----------------------------------------------------------------------------------1.4 エネルギー変換・貯蔵
9 月 19 日 9:30 〜 12:30
19a-A23 - 1 〜 11

△ 1 コンビナトリアル装置による圧力領域下の CO2還元反応制御
パナソニック先端研 ○羽柴 寛，四橋聡史，出口正洋，山田由佳△ 2 光支援熱電子発電器の動作温度最適化による熱出力の数値解析
静大院工 ○説田貴仁，荻野明久
3 ソーラー熱光起電力発電における熱放射スペクトル制御材料の高温特性
東北大院工 ○清水 信，柳沢邦彦，小桧山朝華，井口史匡，湯上浩雄
4 ナノ構造化した Si を負極材料に用いたリチウムイオン電池
横国大 ○山浦大地，伊藤和希，荻野俊郎△ 5 充放電した LIB のその場 TOF-SIMS 元素マッピング法の開発
物材機構 1，太陽誘電 2 ○増田秀樹 1，石田暢之 1，小形曜一郎 2，藤田大介 1

休憩

10:45 〜 11:00△ 6 密度汎関数法による THF-CH のラマンスペクトルの解析
青学大理工 1，青学大理工 2，青学大理工 3，聖マリ医大 4，青学大理工 5○（M1）
加藤雅洋 1，松本 悟 2，高嶋明人 3，高須雄一 4，西尾 泉 5
7 磁界励起活性化イオンプレーティング法により形成した c-BN 膜の水素透過
特性
神港精機 1，兵庫工試 2，電気通信大 3 ○野間正男 1，山下 満 2，田村元紀 3▲ 8 Novel Application of MgF2 as a Back Reflector for Silicon Thin Film Solar△		 Cells
Department of Physical Electronics, Tokyo Tech.1，
Photovoltaic Research Center (PVREC), Tokyo Tech.2〇 (PC)
Dongwon Kang1，Porponth Sichanugrist1，
Makoto Konagai1,2▲ 9 Cathode Materials Na3V2(PO4)3 for Rechargeable Na-ion Batteries: A△		 Hybrid Density Functional Simulation
Global Research Center of Nanomaterials Science for Energy andEnvironment (GREEN), National Institute for Materials Science(NIMS)1，Graduate School of Pure and Applied Sciences,
University of Tsukuba2，Division of Materials andManufacturing Science, Graduate School of Engineering,Osaka University3，Institute of Industrial Science,
University of Tokyo4 〇 Kieumy Bui1,2，Van An Dinh3，
Susumu Okada2，Takahisa Ohno1,4

（ 45
45 ）

1

応用物理学一般

10 固体電解質 Na4Sn3O8 におけるイオン拡散の第一原理解析
日立中研 1，日立日研 2，東北大 3 ○浅利裕介 1，川治 純 2，
藤枝 正 2，林 大和 3，滝澤博胤 3
11 メカノケミカルプロセスによるケイ素 - 金属酸化物コンポジット負極活物質の合成
東北大環境 1，東北大多元研 2 ○下位法弘 1，
張 其武 2，田中泰光 1，田路和幸 1-----------------------------------------------------------------------------------1.5 資源・環境
9 月 18 日
18a-PB5 - 1

18a-PB5 - 1

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 材料の電気的物性変化に対する衛星帯電解析の感度評価
宇宙航空研究開発機構

大平正道

○

-----------------------------------------------------------------------------------1.5 資源・環境
9 月 19 日 10:30 〜 12:15
19a-A24 - 1 〜 7

1 斜面崩壊予知のための小型 EC センサの開発
静岡大工 1，岡山大 2，信州大 3，豊橋技科大 4 ○二川雅登 1，小松 満 2，鈴木彦文 3，竹下祐二 2，不破 泰 3，澤田和明 42 高分子ゲルへのクラウンエーテルの導入とレアメタル捕集の基礎検討
九大工 ○岡部弘高，大塚康平，堀ノ内俊介，日高芳樹，原 一広
3 ウッドセラミックスの湿度センサへの応用－低温特性
職業大 1，近畿大 2，三ツ沢環境技術研究所 3○
柿下和彦 1，岡部敏弘 2，須田敏和 3
4 ナノポーラスカーボンによる CO2および CH 4吸着挙動
長岡技科大院 ○石橋佳国，李 観成，戸田育民，小松啓志，
大塩茂夫，姫野修司，齋藤秀俊
5 リグニン由来ナノポーラスカーボンの CH4, CO2吸着特性○（P）
戸田育民，李 観成，石橋佳国，大塩茂夫，
長岡技大
姫野修司，小松啓志，齋藤秀俊
6 水含有状態のナノポーラスカーボンにおける CO2吸着挙動長岡技大 ○（P）戸田育民，石橋佳国，大塩茂夫，
姫野修司，小松啓志，齋藤秀俊
7 遊星ボールミルを用いた金属ゲルマニウムと二酸化ゲルマニウムの反応
東海大教養 岡部準子，伊藤光平，○小栗和也-----------------------------------------------------------------------------------1.6 磁場応用
9 月 18 日 14:00 〜 18:30
18p-A24 - 1 〜 16

1 強磁場下での液 - 液界面晶析法による結晶作製 III
横国大院工 仙波龍生，新城 拓，木村優太，
村瀬理映，小澤 瞬，○山本 勲
2 磁気アルキメデス分離の応用に関する検討
物材機構 1，日大 2，大阪大谷大 3 ○廣田憲之 1，
祥 3，岡田秀彦 1
安藤 努 2，牧
3 ラングミュア膜の表面波分散への磁場の影響
千葉工大工 岩本晋司，○飯野正昭
4 ビスマスナノ粒子の磁気異方性の光学的測定
産総研 1，東北大金研 2 ○北村直之 1，高橋弘紀 2，
茂木 巌 2，淡路 智 2，渡辺和雄 25 定電流磁気電析による界面キラリティの制御
東北大金研 1，職業大 2 ○茂木 巖 1，青柿良一 2，渡辺和雄 1

休

憩

憩

-----------------------------------------------------------------------------------1.7 計測技術・計測標準
9 月 19 日 14:00 〜 17:30
19p-A24 - 1 〜 13

1 冷凍機方式低温サファイア発振器を用いた高い周波数安定度を有する原子泉
時計
産総研計測標準 1，アデレード大 2 ○高見澤昭文 1，柳町真也 1，田邊健彦 1，
萩本 憲 1，平野 育 1，渡部謙一 1，池上 健 1，John Hartnett2△ 2 水銀光格子時計の開発および不確かさの評価
JST-ERATO1，東大院工 2，理研 3 ○大前宣昭 1,2,3，
山中一宏 1,2,3，高本将男 1,3，香取秀俊 1,2,3
3 キュリー・ワイスの法則に基づく純度分析法の検討－ニトロキシルラジカルをもつ高純度有機化合物の定量－
産総研計測標準 ○松本信洋，下坂琢哉
4 14K-273K での低温抵抗温度計の特性試験
産総研 ○中野 享
5 キャビティリングダウン分光法ガス中微量水分測定システムの高感度化
産総研 1，コペルニクス大 2 ○阿部 恒 1，Daniel Lisak2，
Agata Cygan2，Roman Ciuryło2△ 6 多種ガス用微量水分発生装置の開発
産総研 ○天野みなみ，阿部 恒
7 水晶振動子型水素漏洩検知器への温湿度の影響とその校正方法
産総研 1，バキュームプロダクツ 2，ブイピイアイ 3○
鈴木 淳 1，北條久男 2，小林太吉 3

休憩

15:45 〜 16:00

8 FPGA による高フィネス光共振器安定化 CW レーザー
東大物性研 ○伊藤 功，小林洋平
9 過渡熱現象を利用した液体の境界層の観察 - 基礎検討Ⅸ 日工大 ○丸山翔平，青柳 稔
10 原子層堆積法向けサファイア隔膜真空計の開発
アズビル ○石原卓也，栃木偉伸，吉永純一，吉川康秀
11 MEMS 技術による小型原子磁力計
岩手大工 ○（M2）成田匡伸，大坊真洋
12 食品中に存在する微生物の光検出装置の開発
豊技大院工 ○高見彩汰，石山 武，石井佑弥△ 13 フェムト秒レーザーパルスにより微細加工した単一光ファイバープローブによる気液二相流計測
静大工 1，静大創科院 2，静大グリーン研 3 ○池田悠祐 1，水嶋祐基 2，
齋藤隆之 3-----------------------------------------------------------------------------------1.7 計測技術・計測標準
9 月 19 日
19a-PA2 - 1 〜 4

19a-PA2 - 1 〜 4

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 微小角近似による位相雑音と振幅雑音の計算
産総研 柳町真也，池上 健，○平野 育，
和田雅人，高見澤昭文，萩本 憲
2 環境測定用アドホック無線計測システムの開発
足利工大 ○塚本雄二
3 Mn 添加スピネルと Si フォトダイオードを用いた X 線検出素子
東洋大理工 ○竹内はるな，勝亦 徹，相沢宏明，小室修二
4 ポリイミドフィルムにおける静電気の検出法の開発
産総研 ○菊永和也，山下博史，江頭正浩，檜枝龍美，野中一洋

15:15 〜 15:30

6 結晶性高分子中における磁気配列過程のその場観察
首都大院都市環境 1，大阪市大院工 2，東北大金研 3 ○山登正文 1，
堀邊英夫 2，高橋弘紀 3，渡辺和雄 3
7 有機結晶材料の磁場中溶融凝固その場観察
東北大金研 ○高橋弘紀，茂木 巖，淡路 智，渡辺和雄
8 強磁性 MnBi の強磁場中合成過程
鹿児島大院理工 1，東北大金研 2 ○三井好古 1，梅津理恵 2，
賢一 アベ松 1，小山佳一 1，渡辺和雄 2
9 強磁場中液相焼結による MnBi の結晶配向
鹿児島大 1，東北大金研 2 賢一 アベ松 1，○三井好古 1，
梅津理恵 2，高橋弘紀 2，小山佳一 1
10「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
異方性ナノコンポジットゲルの開発と配向記憶
首都大院都市環境 1，物材機構 2 ○鈴木健誠 1，山登正文 1，廣田憲之 2

休△ 14 強磁場中における熱分析・その場観察装置の開発
鹿児島大理 1，東北大金研 2 ○（B）宮崎泰樹 1，三井好古 1，賢一 アベ松 1，
高橋弘紀 2，宇田 聡 2，渡辺和雄 2，小山佳一 1△ 15 変調回転の容器内に発生する対流
日大院生産工 1，物材機構 2 ○井上真生 1，安藤 努 1，廣田憲之 2△ 16 シミュレーションによる磁気分離装置開発のための装置構成の検討
日大院生産工 1，物材機構 2，阪大工 3 ○今村健太郎 1，岡田秀彦 2，
安藤 努 1，廣田憲之 2，西嶋茂宏 3-----------------------------------------------------------------------------------1.8 超音波
9 月 18 日 14:00 〜 18:30
18p-A15 - 1 〜 17

16:45 〜 17:00

11 Bi-Mn 系過冷却液体金属の磁気相転移
横国大院工 ○村瀬理映，小澤 瞬，山本 勲
12 磁場中電気泳動堆積法による YBa2Cu3Oy配向厚膜の作製
京大院エネ科 ○松浦 瞬，堀井 滋，土井俊哉△ 13 振動電磁場が Sn-Pb 系合金の偏析に及ぼす影響
北大工 ○丸山明日香，中村公紀，村上史展，岩井一彦

（ 46
46 ）

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
共焦点サブハーモニック超音波フェーズドアレイと減衰二重節点モデルを用いた閉じたき裂における散乱挙動の解析
東北大工 ○菅原あずさ，神納健太郎，小原良和，山中一司
2 複数モード非線形共鳴超音波スペクトロスコピーを用いた閉じたき裂の位置特定の実験的研究
東北大工 1，ロスアラモス国立研究所 2，パリ第 6 大 3 ○小原良和 1，
Anderson Brian2，Haupert Sylvain3，Ulrich T. J.2，
Le Bas P.-Y.2，Johnson Paul2
3 超音波による骨の圧電イメージング
農工大院工 1，日本シグマックス 2 ○渡部 翔 1，山田尚人 1，
生嶋健司 1，新実信夫 2，小島良績 2

1△ 4 超音波速度変化イメージングによる脂肪肝定量評価のための検討
阪府大院工 1，阪市大院医 2 ○真野和音 1，酒井将君 1，谷川昇平 1，
堀誠 1，横田大輝 1，和田健司 1，松中敏行 1，
堀中博道 1，森川浩安 2
5 アルギン酸ナトリウムを用いた超音波ファントムの検討
日工大 ○吉田拓未，青柳 稔
6 外来物質導入用レーザ誘起創発的応力波素子
金沢工大 ○（M2）折坂駿介，筏井洋介，得永嘉昭，會澤康治
7 ランガサイト型単結晶の音響関連物理定数と温度係数決定法
東北大金研 1，東北大院医工 2，東北大院工 3，富山県立大 4○大橋雄二 1，荒川元孝 2，櫛引淳一 3，安達正利 4△ 8 極低温ピコ秒超音波法を用いた GaN のキャリアダイナミクスの観測と圧電定
数計測
阪大基礎工 ○（P）長久保白，石原達也，荻 博次，中村暢伴，平尾雅彦

休憩

16:00 〜 16:15

9 アモルファス Ta2O5薄膜装荷 Y-X LiTaO 3上のラブ波型弾性表面波
山梨大院医工 ○垣尾省司，深沢 遼，保坂桂子▲ 10 Mechanical Characteristics of Ultrasonic Motors Using Polymer-based△		 Vibrator
P.&I. Tokyo Tech. ○ Jiang Wu，Yosuke Mizuno，Marie Tabaru，Kentaro Nakamura
11 バブル付着時における水晶振動子の共振特性のモデル化
同志社大 1，千葉大 2 ○下谷遼資 1，吉田憲司 1,2，渡辺好章 1△ 12 kHz 帯超音波照射時の水中の粒子凝集体の定在位置と音圧分布との関係
静大工 1，静大創科院 2，静大グリーン研 3 ○矢内沙祐里 1，
水嶋祐基 2，齋藤隆之 3
13 オーバーサイズ円形導波路内における超音波無線電力伝送
岡大院自然 ○田所正昭，坪内和也，藤森和博，鶴田健二，深野秀樹
14 周期的パルス光源を用いた表面音響波イメージングにおける任意周波数音響
波の生成・検出
北大院工 ○松田 理，兼子翔伍，友田基信，オリバー B. ライト▲ 15 Surface phonon fields in phononic crystals with arbitrarily-positioned
point source
Hokkaido University1，Research Center for Non-Destructive
Testing GmbH2，KAIST3 〇 (P)Paul Otsuka1，Ryota Chinbe1，
Motonobu Tomoda1，Istvan Veres2，Joo-Hyung Lee3，
Jun-Bo Yoon3，Oliver Wright1
16 GHz 音響波の固体表面での異常透過
北大工 1，オーストリア非破壊研 2，メーヌ大 3，ヨンセイ大 4 ○長南和樹 1，
友田基信 1，松田 理 1，Paul Otsuka1，Istvan Veres2，
Vitalyi Gusev3，Sam Lee4，Oliver Wright1
17 二次元フォノニック結晶内で励起された表面弾性波の負屈折の時間分解イメージング
北大工 1，RECENDT2 ○西田浩紀 1，古賀裕章 1，友田基信 1，
松田 理 1，Otsuka Paul1，Veres Istvan2，Wright Oliver1-----------------------------------------------------------------------------------1.8 超音波
9 月 19 日
19a-PA3 - 1 〜 3

19a-PA3 - 1 〜 3

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30△ 1 重み付き逆投影法による CT 像のアーチファクト抑制
筑波大院シス情工 1，筑波大シス情系 2 ○野呂瀬葉子 1，
水谷孝一 2，若槻尚斗 2△ 2 13.5MHz 帯インピーダンス負荷パッシブ SAW センサの基礎特性
静岡大工 ○濱島博満，近藤 淳
3 弾性表面波センサを用いた血漿凝固反応の検出
静岡大 日下雄太，○近藤 淳------------------------------------------------------------------------------------

2

放射線●関連シンポジウム「原子力発電所事故時に於ける核燃料・核分裂生成物の挙動及び廃止措置に向けた取り組み」（9 月 19 日（金），13:30 〜 16:15，B2 会場）が p.42 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------2. 放射線
9 月 18 日
18p-PA6 - 1 〜 41

18p-PA6 - 1 〜 41

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 パルス X 線を用いた残光計測装置の開発
九州工大 1，東北大工 2，浜松ホトニクス 3 ○柳田健之 1，藤本 裕 2，
伊東 孝 3，内山公朗 3，森 邦芳 32 Bi 添加 La2Zr2O7 透明セラミックスの光学および放射線応答特性
九州工大 1，村田製作所 2 ○柳田健之 1，呉竹悟志 2，村山浩二 2，田中伸彦 2
3 Nd 添加 YLiF4 の真空紫外から近赤外域におけるシンチレーション
九州工大 1，トクヤマ 2，東北大工 3 ○柳田健之 1，
石津澄人 2，福田健太郎 2，藤本 裕 3

応用物理学一般
2 放射線

4 Sn 添加 40Li2O-40B2O3-20SiO2 ガラスの放射線応答特性
京大化研 1，九州工大 2 ○奥村 駿 1，正井博和 1，柳田健之 2
5 アントラセン、スチルベン、p- ターフェニルの n/γ 弁別特性
京大化研 1，九州工大 2，名大工 3 ○奥村 駿 1，柳田健之 2，渡辺賢一 3
6 Sn 添加 60ZnO-40P2O5 ガラスの放射線応答特性
京大化研 1，九工大 2 ○正井博和 1，柳田健之 2
7 Ce 添加 34Li2O-5MgO-10Al2O3-51SiO2 ガラスのシンチレーション特性
京大化研 1，九工大 2，京大人環 3 ○正井博和 1，柳田健之 2，
上田純平 3，藤本 裕 2，田部勢津久 3
8 熱中性子検出用 Na2O-Al2O3-B2O3ガラスシンチレータの開発
東北大 1，九工大 2 ○藤本 裕 1，柳田健之 2，越水正典 1，浅井圭介 1
9 Ce3+添加 MgO-Al 2O3-B2O3系ガラスの熱蛍光及び輝尽蛍光特性
東北大 1，九工大 2 ○藤本 裕 1，柳田健之 2，越水正典 1，浅井圭介 1
10 Nd3+添加イットリウムバナデート結晶の近赤外シンチレーション特性
東北大 1，九工大 2，オキサイド 3 ○藤本 裕 1，柳田健之 2，小島孝広 3
11 Ce:LiCaAlF6のシンチレーションにおける LET 効果
東北大院工 1，九工大 2，トクヤマ 3，東大院工 4，原子力機構 5○
越水正典 1，藤本 裕 1，柳田健之 2，福田健太郎 3，岩松和宏 4，
木村 敦 5，倉島 俊 5，田口光正 5，浅井圭介 1
12 オージェフリー発光を示す三元系塩化物結晶のシンチレーション特性
東北大院工 1，KEK2，放医研 3 矢羽々夏奈 1，○越水正典 1，
春木理恵 2，錦戸文彦 3，岸本俊二 2，浅井圭介 1
13 X 線あるいは紫外光を照射した Ce:YAG の熱蛍光特性
東北大院工 1，九工大 2，神島化学 3 ○越水正典 1，柳田健之 2，
藤本 裕 1，八木秀喜 3，柳谷高公 3，浅井圭介 1
14 CsPbCl3 単結晶のシンチレーション特性
東北大 1，九工大 2 ○渡邊 慶 1，越水正典 1，
柳田健之 2，藤本 裕 1，浅井圭介 1
15 Cs3BiCl6単結晶のシンチレーション特性
東北大工 1，九工大 2 ○清水 真 1，越水正典 1，
柳田健之 2，藤本 裕 1，浅井圭介 1
16 CsBr 単結晶のシンチレーション特性
東北大 1，九工大 2 ○佐伯啓一郎 1，越水正典 1，
柳田健之 2，藤本 裕 1，浅井圭介 1
17 リン酸塩ガラスのラジオフォトルミネッセンス特性の賦活剤濃度依存性
東北大 ○（B）田中宏典，越水正典，藤本 裕，浅井圭介
18 ゾルゲル反応を用いた高エネルギー光子検出用プラスチックシンチレータの開発
東北大 1，九工大 2 ○近野 唯 1，越水正典 1，
柳田健之 2，藤本 裕 1，浅井圭介 1
19 ハフニウム酸化物ナノ粒子含有プラスチックシンチレータの作製
東北大 1，九工大 2 ○平田智之 1，野口多紀郎 1，越水正典 1，柳田健之 2，
藤本 裕 1，相田 努 1，高見誠一 1，阿尻雅文 1
20 GdBa2Cu3Oδへの放射線照射による伝導特性変化の誘起
東北大 ○甲谷拓也，越水正典，浅井圭介
21 位置検出・エネルギー弁別型放射線検出装置用大面積 GPS:Ce 焼結体シンチ
レータプレートの開発
北大院・工 1，日本原子力研究開発機構 2 ○鍋田志生 1，金子純一 1，
坪田陽一 1，東井宏平 1，西方真美 1，樋口幹雄 1，
嶋岡毅紘 1，森下祐樹 2，井﨑賢治 2
22 GPS 焼結体に対する種々の添加物探索とその α 線に対するシンチレーション
特性
北大院工 1，日立化成 2 ○皆川 萌 1，金子純一 1，坪田陽一 1，
樋口幹雄 1，西方真美 1，石橋浩之 2
23 多光子蛍光による Nd3+:LuLiF4単結晶評価
名工大 1，アイシン精機 2，東北大 3 ○（M1）遠山浩平 1，
小野晋吾 1，大竹秀幸 2，吉川 彰 3▲ 24 Luminescence and Scintillation Properties of Selected Oxide Ceramics
and Nanoceramics Sintered by SPS Method
NICHe, Tohoku University1，Institute of Physics AS CR,
Czech Republic2，FNSPE, Czech Technical University3，
IMR, Tohoku University4 〇 Jan Pejchal1,2，Romana Kucerkova2，
Jan Barta3，Vaclav Cuba3，Shunsuke Kurosawa1,4，
Kei Kamada1，Yuui Yokota1，Akihiko Ito4，
Takashi Goto4，Akira Yoshikawa1,425 不純物ドープした ZnO シンチレータ蛍光体の発光特性
金沢工大高材研 1，千代田テクノル 2，日本原研 3 ○（M1）佐藤瑞葉 1，
平澤一樹 1，竹井義法 1，南戸秀仁 1，宮本由香 2，中村達也 3△ 26 熱蛍光素子 BeO (UD-170A) のグロー曲線の線量依存性と成分解析
首都大学東京 1，放射線医学総合研究所 2，近畿大原子力研究所 3○（M2）
大坪圭介 1，眞正浄光 1，古場裕介 2，福田茂一 2，若林源一郎 3
27 Al2O3セラミックス板の熱蛍光潜像現象
首都大学東京 1，放医研 2，近大原研 3，千代田テクノル 4 ○（B）大島梨奈 1，
眞正浄光 1，古場裕介 2，若林源一郎 3，松本和樹 4，牛場洋明 4△ 28 Al2O3セラミックス板の X 線と Ne 線に対する熱蛍光の線量応答性
首都大学東京 1，放医研 2，近大原研 3，千代田テクノル 4 ○（B）小山千絵 1，
眞正浄光 1，大坪圭介 1，古場裕介 2，福田茂一 2，
若林源一郎 3，松本和樹 4，牛場洋明 4
29 α 線に対する Al2O3セラミックス板の熱蛍光特性
首都大 1，放医研 2，近大原研 3，千代田テクノル 4 ○（B）齋藤雄介 1，
眞正浄光 1，古場裕介 2，若林源一郎 3，松本和樹 4，牛場洋明 4

（ 47
47 ）

2

放射線

△ 30 軽量セラミックス基盤組織等価型熱蛍光スラブ線量計の画像特性の向上
首都大 1，放医研 2，駒大 3 ○（B）柳澤 伸 1，
眞正浄光 1，古場裕介 2，原田和正 3
31 ラジオフォトルミネッセンス材料を利用した線量測定フィールドスコープの開発
阪大院工 1，阪大 RI センター 2，千代田テクノル 3 ○崎山朝喜 1，
図子直城 1，佐藤文信 1，村田 勲 1，清水喜久雄 2，
加藤裕史 1，山本幸佳 3，飯田敏行 1
32 立体成型可能なラジオフォトルミネセンス樹脂素材の開発
阪大院工 1，阪大 RI センター 2，千代田テクノル 3 ○前川達郎 1，
図子直城 1，佐藤文信 1，村田 勲 1，清水喜久雄 2，
加藤裕史 1，山本幸佳 3，飯田敏行 133 植物用放射性セシウム β 線検出スキャナーの開発
阪大院工 ○奥村友紀，崎山朝喜，図子直城，佐藤文信，
村田 勲，加藤裕史，飯田敏行△ 34 CdTe 上へのショットキー電極形成における表面処理の影響○
琉球大工
江崎 麦，山里将朗，比嘉 晃
35 超薄窓型単結晶ダイヤモンド荷電粒子検出器の開発
1
2
3
群馬大 ，原子力機構 ，CEA-Saclay ，RBI4 ○加田 渉 1，岩本直也 2，
Michal Pomorski3，Veljko Grilj4，Natko Skukan4，牧野高紘 2，
Milko Jakšić4，小野田忍 2，大島 武 2，神谷富裕 2，花泉 修 1
36 位置敏感型比例計数管とデジタル処理による熱外中性子検出器の開発 ２
阪府大院 1，阪大院 2，摂南大 3 ○宮丸広幸 1，村田 勲 2，山本淳治 337 単素子型 PET 内視鏡システム
東大工 1，東大医 2 ○島添健次 1，入矢達秋 1，高橋浩之 1，
佐久間一郎 1，高橋美和子 2，百瀬敏光 2
38 SEM に搭載された TES 型 X 線検出器システムの特性評価
九大工 1，九大超顕微センター 2，純真学園大保健医療 3，日本原燃 4，
日立ハイテクサイエンス 5 ○高野 彬 1，新木優春 1，前畑京介 1，
伊豫本直子 1，安田和弘 1，前野宏志 2，椎山謙一 3，
真崎祐次 4，田中啓一 5
39 SEM 搭載 TES 型 X 線検出器で計測された X 線スペクトル
九大工 1，九大超顕微鏡センター 2，純真学園大保健医療 3，日本原燃 4，
日立ハイテクサイエンス 5 ○新木優春 1，高野 彬 1，前畑京介 1，
伊豫本直子 1，安田和弘 1，前野宏志 2，椎山謙一 3，
真崎祐次 4，田中啓一 540 後方散乱 γ 線のエネルギー分布特性に着目した減肉検知手法の提案
電中研 ○大石祐嗣
41 核融合損失アルファ粒子計測のためのガンマ線画像再構成法
同志社大 1，東大新領域 2，神戸大 3，東大院工 4，古河機械金属 5，
核融合研 6，阪大 7 ○土居謙太 1，西浦正樹 2，谷池 晃 3，
松木拓也 3，島添健次 4，虫明敏生 2，吉野将生 5，長坂琢也 6，
藤本 靖 7，藤岡加奈 7，田中照也 6，木崎雅志 6，
山岡人志 8，松本新功 9，粕谷俊郎 1，和田 元 1

7 (Y,Gd)2Si2O7系単結晶シンチレータの高温環境下での発光特性評価
北大 1，日立化成 2 ○坪田陽一 1，金子純一 1，
樋口幹雄 1，石橋浩之 2，皆川 萌 1
8 光導波特性を有する多孔質 CuI シンチレータを用いた高分解能 X 線イメージ
ング
透
キヤノン ○大橋良太，安居伸浩，田休

15:15 〜 15:30

9 フェムト秒レーザーを用いた Ce :LiCaAlF6単結晶評価
名工大 1，アイシン精機 2，トクヤマ 3 ○（M1）遠山浩平 1，
小野晋吾 1，大竹秀幸 2，福田健太郎 3
10 広領域中性子測定のための SrBPO5:Eu2+輝尽性蛍光体の特性
原子力機構 ○坂佐井馨，藤健太郎，中村龍也，落合謙太郎，今野 力
11 TlBr 検出器の電子正孔対生成エネルギーの測定
東北大 1，東北工大 2 ○人見啓太朗 1，小野寺敏幸 2，
金 聖潤 1，庄司忠良 2，石井慶造 1
12 Tl6SI4放射線検出器の開発
東北工大 1，三井金属鉱業 2 ○小野寺敏幸 1，野島太郎 2，渡邊 肇 2，松浦宜範 2，高橋広己 2，庄司忠良 1
13 GaN における放射線検出特性の実験的評価
静大院工 1，名大院工 2，赤﨑リサーチセンター 3，静大電研 4 ○杉浦睦仁 1，
久志本真希 2，光成 正 2，山下康平 2，本田善央 2，天野 浩 2,3，
三村秀典 4，井上 翼 1，青木 徹 4，中野貴之 1
14 半導体放射線検出器を利用した放射性同位体の方向検知
静岡大院情報 1，静岡大電子研 2，ANSeeN3 真田拓人 1，森井久史 2,3，
中川央也 1，伊藤 哲 2，三村秀典 2，○青木 徹 1,2,3
15 高エネルギー重イオン照射により形成されたダイヤモンド中のイオン飛跡の検出
群馬大 1，原子力機構 2，筑波大 3 ○春山盛善 1,2，小野田忍 2，磯谷順一 3，
加田 渉 1，花泉 修 1，大島 武 216 BNCT のためのポリマーゲル線量計の基礎特性 (2)広国大保 1，京大原子炉 2，京大院工 3 ○林慎一郎 1，櫻井良憲 2，内田良平 3，鈴木 実 2，笛吹修治 1，富永孝宏 13+-----------------------------------------------------------------------------------2.2 検出器開発
9 月 18 日 14:00 〜 14:45
18p-B2 - 1 〜 2

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
錫バルク放射線吸収体を用いた高エネルギー分解能 TES による核物質精密測定
東大工 1，理研 2，JAEA3 ○畠山修一 1，入松川知也 1，大野雅史 1，
高橋浩之 1，トゥシャラ ダマヤンティ 2，大谷知行 2，
高崎浩司 3，安宗貴志 3，大西貴士 3
2 「2. 放射線 分科内招待講演」「応用物理学会解説論文賞受賞記念講演」（30 分）
ヒッグス粒子発見とその意味
東大 ○浅井祥仁-----------------------------------------------------------------------------------2.1 放射線物理一般・検出器基礎
9 月 17 日 13:15 〜 17:30
17p-B2 - 1 〜 16憩------------------------------------------------------------------------------------

1 Ce: 添加 Lu3Al5O12 における２価希土類イオン共添加のシンチレータ特性に与える影響
東北大 NICHe1，C&A2，チェコ物理研 3，東北大 IMR4 ○鎌田 圭 1,2，
Martin Nikl3，名倉亜耶 4，黒澤俊介 4，横田有為 1，庄子育宏 2,4，
Jan Pejchal1，大橋雄二 4，吉川 彰 1,2,4
2 Mg2+および Zr 4+共添加 Ce:Gd 3Ga3Al2O12単結晶のチョクラルスキー法による作製とシンチレータ特性評価
東北大金研 1，東北大 NICHe2，C&A3，チェコ物理研 4 ○名倉亜耶 1，
鎌田 圭 2,3，菱沼康介 1，山路晃広 1，黒澤俊介 1,2，Pejchal Jan2,4，
横田有為 2，大橋雄二 1，吉川 彰 1,2,3
3 Eu 添加 SrI2バルク単結晶の作製とシンチレーション特性
東北大 NICHe1，東北大金研 2，C&A3，WES4，京大理 5 ○横田有為 1，
黒澤俊介 1,2，庄子育宏 2,3，早坂将輝 3，柳田祥男 4，窪 秀利 5，
Jan Pejchal1，大橋雄二 2，鎌田 圭 1,3，吉川 彰 1,2,3▲ 4 Crystal growth of pure and Sn-doped SrI2 by atmosphere-controlled
micro-pulling-down method and its luminescence and scintillation
properties
Institute for Materials Research, Tohoku University1，Institute ofPhysics AS CR, Czech Republic2，NICHe, Tohoku University3〇
Robert Kral1,2，Karel Nitsch2，Jan Pejchal1,3，Vladimir Babin2，
Shunsuke Kurosawa1，Yuui Yokota3，
Martin Nikl2，Akira Yoshikawa1▲ 5 Luminescence and Scintillation Properties of Rare-earth-doped LuF3based VUV Scintillation Crystals
NICHe, Tohoku University1，Institute of Physics AS CR,
Czech Republic2，Tokuyama Corp.3，IMR, Tohoku University4〇
Jan Pejchal1,2，Kentaro Fukuda3，Akihiro Yamaji4，
Shunsuke Kurosawa1,4，Yuui Yokota1，Akira Yoshikawa1,4
6 1 インチ径 La-GSP 単結晶のシンチレーション特性評価 II
東北大金研 1，東北大 NICHe2，C&A3，チェコ物理研 4 ○黒澤俊介 1,2，
庄子育宏 1,3，村上力輝斗 1，山路晃広 1，Jan Pejchal2,4，
大橋雄二 1，横田有為 2，鎌田 圭 2,3，吉川 彰 1,2,3

2.2 検出器開発
9 月 19 日 9:00 〜 11:30
19a-B2 - 1 〜 10

1 3 次元シンチレータを用いた高感度コンプトンカメラの開発 ( Ⅲ )早大理工 1，浜松ホトニクス 2 ○（D）岸本 彩 1，片岡 淳 1，西山 徹 1，
藤田卓也 1，岩本康弘 1，多屋隆紀 1，大河内博 1，緒方裕子 1，
大須賀伸二 2，中村重幸 2，足立俊介 2，内山徹也 2
2 コンプトンカメラにおける画像ノイズ低減用シールドの提案
早大理工 1，浜松ホトニクス 2 ○西山 徹 1，片岡 淳 1，岸本 彩 1，
藤田卓也 1，岩本康弘 1，多屋隆紀 1，中村重幸 2，大須賀慎二 2，
足立俊介 2，平柳通人 2，内山徹也 2，加藤卓也 2
3 次世代型 PET 装置に向けた MPPC システムの開発実証
早大理工 1，JAXA2，名大医 3 ○呉井洋太 1，片岡 淳 1，加藤卓也 1，
岸本 彩 1，安部貴裕 1，藤田卓也 1，辻川貴之 1，大島 翼 1，
多屋隆紀 1，池田博一 2，山本誠一 3
4 Time-of-Flight(TOF)-PET に向けた MPPC の限界性能評価
早大理工 1，浜松ホトニクス 2，JAXA3 ○辻川貴之 1，片岡 淳 1，
安部貴裕 1，藤田卓也 1，呉井洋太 1，佐藤悟朗 1，
中村重幸 2，加藤卓也 2，池田博一 3▲ 5 Development of Compton Camera System for Unmanned Helicopter
the University of Tokyo1，the University of Tokyo2，the University ofTokyo3 ○ Jianyong Jiang1，Kenji Shimazoe2，Hiroyuki Takahashi3▲ 6 Development of SiPM DOI detector for high resolution PET system
School of Engineering, The University of Tokyo 〇 Alina Lipovec，Kenji Shimazoe，Hiroyuki Takahashi
7 2 光子放出型ガンマ線 CT の原理検証
東大工 ○吉原有里，中村泰明，島添健次，高橋浩之
8 加算回路を用いた時間幅信号処理法に対する新しいマルチプレックス法
東大工 ○中村泰明，島添健次，高橋浩之
9 放射光 X 線実験用 MPPC 型シンチレーション検出器の試み
KEK 物構研 1，総研大 2，東北大 3 ○岸本俊二 1,2，井上圭介 2，越水正典 3△ 10 プラスチックシンチレーションファイバ (PSF) と MPPC を用いた荷電粒子位
置検出器の開発
九大院総理工 ○鹿嶋亮介，金 政浩，渡辺幸信------------------------------------------------------------------------------------

（ 48
48 ）

3

2.2 検出器開発
9 月 20 日 9:00 〜 15:00
20a-B2 - 1 〜 11

1 DGFEM を用いた放射線輸送計算法のスカイシャインベンチマーク検証
大成建設 1，MRI リサーチアソシエイツ 2，テクノアルファ 3 ○西山恭平 1，
時吉正憲 1，羽場一基 2，久保 紳 3
2 Eu:LiCaAlF6分散樹脂型シンチレータの発光特性の評価
名大 1，トクヤマ 2，九工大 3 ○杉本 大 1，山﨑拓弥 1，渡辺賢一 1，
山﨑 淳 1，瓜谷 章 1，井口哲夫 1，福田健太郎 2，
石津澄人 2，柳田健之 33 透明樹脂型 Eu:LiCaAlF6シンチレータと波長シフトファイバ読出しを用いた
大面積中性子検出器の開発
名大工 1，トクヤマ 2，九工大 3 ○山崎拓弥 1，杉本 大 1，渡辺賢一 1，
山﨑 淳 1，瓜谷 章 1，井口哲夫 1，福田健太郎 2，
石津澄人 2，柳田健之 34 赤外発光シンチレータを用いた耐放射線性の高い放射線検出器の開発
名大工 ○（M1）熊谷洋祐，渡辺賢一，山崎 淳，瓜谷 章△ 5 高アスペクト比シンチレータ信号読み出しにおける光検出器配置の最適化
名大工 ○菅野裕章，高橋時音，河原林順，富田英生，井口哲夫

休

憩

昼

食

2.3 放射線応用・発生装置・新技術
9 月 18 日 9:00 〜 12:45
18a-B2 - 1 〜 14

1 検出器間散乱を用いた DOI-PET 装置の高感度化手法の開発
放医研 ○吉田英治，田島英朗，山谷泰賀
2 プロトンマイクロビームとレンジシフターを利用した３次元加工技術の開発
原子力機構量子ビーム 1，原子力機構高崎研 2 ○酒井卓郎 1，安田 良 1，
飯倉 寛 1，江夏昌志 2，佐藤隆博 2，石井保行 2
3 PHITS と多重有感領域モデルを用いたソフトエラー発生率解析
原子力機構 ○安部晋一郎，佐藤達彦
4 全身用 dual ring OpenPET 実証機の開発
放医研 1，浜ホト 2 ○吉田英治 1，品地哲也 1，田島英朗 1，
清水啓司 2，稲玉直子 1，山谷泰賀 1
5 陽子線透過像撮影における電子密度の精密測定
新潟大 RI セ 1，新潟大院自 2，放医研 3 ○泉川卓司 1，川崎健夫 2，
皿谷有一 3，佐藤友哉 2，須田英雄 2，後藤 淳 1，福田茂一 36 粒子線 CT 実用化に向けた、高速シリコン位置測定器の開発
新潟大自然 1，新潟大 RI2，放医研 3 ○川崎健夫 1，
泉川卓司 2，後藤 淳 2，皿谷有一 3
7 加速器中性子源を用いた 58Ni(n ,p ) 反応による 58Co の角度微分収量の計測
九大総理工 1，九大工 2 ○金 政浩 1，川越敬也 1，
石井裕也 2，荒木祥平 1，渡辺幸信 1

10:15 〜 10:30△ 6 フラットパネル検出器を搭載した汎用 CT 装置による実効原子番号測定
京大院工 1，京大病院放射線部 2，京大院医放治・画応 3 ○（M2）伊良皆拓 1，
桑原潤一 2，神野郁夫 1，伊藤秋男 1，中村光宏 3，平岡真寛 3
7 コンポジット YAG セラミックを利用した高空間分解能 X 線 2 次元計測
高輝度セ 1，理研 2，東大理 3 ○亀島 敬 1,2，佐藤尭洋 2,3，工藤統吾 2，
小野 峻 2，尾﨑恭介 2，片山哲夫 1,2，初井宇記 1,2，矢橋牧名 1,2▲ 8 Development of Photon-counting High Energy X-ray Imaging System with
Silicon Strip Detector and Time-over-threshold ASICTHE UNIVERSITY OF TOKYO1，Fuji Electric Co. Ltd.2，
Nagoya University3 〇 Xiaosong Yan1，Yang Tian1，
Kenji Shimazoe1，Takeshi Fujiwara1，Hiroyuki Takahashi1，
Takeshi Ishikura2，Hideki Tomita3△ 9 Scintillating Glass GEM
東大 1，放医研 2 ○藤原 健 1，三津谷有貴 1，
古場裕介 2，高橋浩之 1，上坂 充 1△ 10 シンチレーティング Glass GEM の炭素線に対する応答 (3)
放医研 1，東大 2 ○古場裕介 1，藤原 健 2，松藤成弘 1，高橋浩之 2
11 Coplanar 電極を用いた希ガス電離箱の開発Ⅱ
早大理工研 ○吉村 亮，川端 修，粟田光紀，岩崎健太，草野広樹，
宮島光弘，柴村英道，長谷部信行

12:00 〜 13:00

20p-B2 - 1 〜 8

1 Ta 吸収体 TES を用いた高エネルギー γ 線精密分光技術の開発
東大工 ○入松川知也，畠山修一，大野雅史，高橋浩之
2 ビスマス吸収体を用いたガンマ線検出用 TES 型マイクロカロリーメータの開発
九大院工 ○川上久雄，伊豫本直子，前畑京介，江崎翔平，
高野 彬，善本翔大，吉峰郁洋
3 マイクロカロリーメータ用 KTN 誘電体温度計の極低温における静電容量温度
依存性の測定九州大工 1，村田製作所 2 ○安部将史 1，前畑京介 1，
西表優太 1，和田信之 2，坂部行雄 2
4 マルチピクセル TES 型マイクロカロリーメータの同時動作
九大 1，物材機構 2，日立ハイテクサイエンス 3，宇宙航空研究開発機構 4，
大陽日酸 5 ○（M2）善本翔大 1，前畑京介 1，伊豫本直子 1，江崎翔平 1，
徹 2，田中啓一 3，満田和久 4，山中良浩 5
高野 彬 1，原
5 シリコンピクセル吸収体を有する超伝導トンネル接合アレイ検出器（２）産総研 ○志岐成友，藤井 剛，浮辺雅宏，小池正記，大久保雅隆
6 高温環境下におけるダイヤモンド放射線検出器の動作特性評価
北大院工 1，日立製作所 2，産総研 3，物材機構 4 ○金子純一 1，坪田雅功 1，
宮崎大二郎 1，上野克宜 2，田所孝広 2，茶谷原昭義 3，梅沢 仁 3，小泉 均 1，桑原 均 2，小泉 聡 4，鹿田真一 3，渡邊幸志 3
7 SIMS 測定下限領域における窒素低減がダイヤモンド中の電荷キャリア輸送特性に与える影響
北大院工 1，産総研 2 ○新名宏章 1，大西将矢 1，坪田雅功 1，金子純一 1，
嶋岡毅紘 1，宮崎大二郎 1，茶谷原昭義 2，梅沢 仁 2，小泉 均 1，鹿田真一 28 単結晶 CVD ダイヤモンド検出器の高速点火方式慣性核融合における中性子燃
焼履歴測定モニタ応用への試み
北大 1，阪大 2，核融合研 3，産総研 4 ○嶋岡毅紘 1，金子純一 1，有川安信 2，磯部光孝 3，坪田雅功 1，長井隆浩 2，小島完興 2，安部勇輝 2，坂田匠平 2，
鹿田真一 4，嶋岡毅紘 1，金子純一 1，有川安信 2，磯部光孝 3，坪田雅功 1，
長井隆浩 2，小島完興 1，安部勇輝 2，坂田匠平 2，藤岡慎一 2，中井光男 2，
白神宏之 2，畦地 宏 2，茶谷原昭義 4，梅澤 仁 4，鹿田真一 4------------------------------------------------------------------------------------

2 放射線
光・フォトニクス

休憩

10:45 〜 11:00

8 コイル一体型 PET/MRI 装置のフルリング試作機の開発：同時撮像における性能評価
放医研 1，千葉大 2 ○錦戸文彦 1，清水浩大 2，稲玉直子 1，吉田英治 1，
田島英朗 1，菅 幹生 2，小畠隆行 1，山谷泰賀 1△ 9 Ge 半導体コンプトンカメラにおける正確なコンプトン散乱角不確実性モデルに基づいたリストモード逐次近似画像再構成法の開発
岡山大院医歯薬 1，理研ライフサイエンス技術基盤研究センター 2○（DC）猪田敬弘 1,2，本村信治 2，榎本秀一 1,2
10 放射性核種分析のための高分解能共鳴イオン化分光法の開発
名大 1，理研 2，ヨハネス・グーテンベルク大マインツ 3，ユバスキュラ大 4○
富田英生 1,2，高松峻英 1，古田雄仁 1，能任琢真 1,2，クラウス ベント 3，
フォルカ ゾネンシャイン 4，中村 敦 1，井口哲夫 1，
トビアス コロン 3，園田 哲 2，和田道治 211 位置有感型比例計数箱 PS-TEPC フライトモデルの開発
KEK1，慶応大医 2，神戸大理 3，JAXA4，京大理 5，NIRS6，早大理工 7○岸本祐二 1，佐々木慎一 1，高橋一智 1，齋藤 究 1，寺沢和洋 2，
身内賢太朗 3，布施哲人 4，永松愛子 4，勝田真登 4，伊藤裕一 4，
松本晴久 4，森 國城 4，谷森 達 5，窪 秀利 5，
内堀幸夫 6，北村 尚 6，道家忠義 712 核融合高エネルギーイオン誘起ガンマ線検出器の開発
東大新領域 1，同志社大 2，神戸大 3，東大院工 4，古川機械金属 5，
核融合研 6，大阪大 7，理研 8，徳島文理大 9 ○西浦正樹 1，
土居謙太 2，谷池 晃 3，松木拓也 3，島添健次 4，山岡人志 8，
吉野将生 5，長坂琢也 6，藤本 靖 7，松本新功 9，虫明敏生 1，
藤岡加奈 7，田中照也 6，木崎雅志 6，和田 元 2
13 SiPM 用 TOT-ASIC を用いた術中プローブイメージングの研究
東大工 ○小山晃広，島添健次，高橋浩之
14 高周波電子銃を用いた後方散乱 X 線イメージング技術の開発（２）
産総研 1，BEAMX2，高エネ研 3，名大工 4，東大 5 ○豊川弘之 1，
平 義隆 1，黒田隆之助 1，安本正人 1，萬代新一 2，内藤富士雄 3，
肥後寿泰 3，明本光生 3，渡辺賢一 4，藤原 健 5------------------------------------------------------------------------------------

3

光・フォトニクス●関連シンポジウム「量子計測技術における新展開」（9 月 19 日（金），13:30 〜 17:15，
C7 会場）が p.42 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------3.1 光学基礎・光学新領域
9 月 19 日 9:00 〜 18:45
19a-C1 - 1 〜 13

△ 1 光ポンピング原子磁気センサを用いたポンプ光変調による磁場分布計測に向けた検討
京大院工 ○伊藤陽介，佐藤大地，鎌田啓吾，小林哲生
2 光学的グラジオメータによる光ポンピング原子磁気センサのノイズ低減
京大院工 ○（D）鎌田啓吾，伊藤陽介，小林哲生△ 3 光ポンピング K-Rb ハイブリッド原子磁気センサによるヒト MCG の多点同時計測
京大院工 ○佐藤大地，鎌田啓吾，伊藤陽介，小林哲生
4 フォトニック結晶ファイバーを使った色素ランダムレーザー
東工大総合理工 ○（M2）米永也亜土，藤村隆史，梶川浩太郎△ 5 ダイヤモンドナノ粒子薄膜におけるランダムレーザー発振特性の改善
北大電子研 ○煮雪 亮，藤原英樹，笹木敬司
6 六角形状 GaN マイクロディスク内に発現する微小光共振モードを用いたセン
シング手法の検討
静岡大 1，山梨大 2，上智大 3 ○光野徹也 1，
酒井 優 2，岸野克巳 3，原 和彦 1

（ 49
49 ）

3

光・フォトニクス

7 六角形状 GaN マイクロディスクアレイによる光共振特性の検討
静岡大工 1，山梨大医工 2，上智大理工 3 ○鈴木 翔 1，光野徹也 1，
酒井 優 2，岸野克巳 3，原 和彦 1

休憩

10:45 〜 11:00

8 ポリマー利得媒質の硬化状態と散乱体分布がランダムレーザー発振に与える
影響
九工大情報工 ○松下蕉平，高林正典，岡本 卓
9 カイラリティと磁性を併せ持つメタ分子による磁気カイラル効果
奈良先端大物質 1，理研 SPring-82，京都工繊大工芸 3 ○冨田知志 1，
澤田 桂 2，アンドレイ ポロフニュク 3，上田哲也 3△ 10 レーザートラップ支援局所的電気泳動堆積法による微細立体構造物の作製
静岡大工 ○高井隆成，豊田元気，岩田 太
11 光制御電気泳動法を用いた液中微小粒子操作法の開発
静岡大工 1，静岡大電研 2，JST-CREST3 ○長島大樹 1，
居波 渉 1,3，川田善正 2,3
12 フェムト秒ダブルパルストレインによるナノ粒子の光トラッピングおよび放出ダイナミクス (2) トレイン間時間差依存性
台湾国立交通大 1，アブドラ王立科技大 2 ○村松正康 1，
沈 則甫 1，江 威逸 1，Anwar Usman2，増原 宏 1▲ 13 Laser Trapping Dynamics of 220 nm Polystyrene Beads at Air/Solution
interface Studied by Reflection Spectroscopy
NCTU1，ITRC2 〇 Shun-Fa Wang1，Ken-ichi Yuyama1，
Teruki Sugiyama2，Hiroshi Masuhara1

昼食12:30 〜 14:00

1 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15 分）
Plasmon-Based Optical Trapping of Polymer Nano-Spheres as
Explored by Confocal Fluorescence Microspectroscopy: A Possible
Mechanism of a Resonant Excitation Eﬀect
北大 ○東海林竜也△ 2 放射圧特有の蛍光ラベル化リゾチーム高濃度領域の生成と緩和
埼大院理工 1，台湾交通大應化 2，台湾國研院儀科中心 3 ○西村晋平 1,2，
杜 静如 2,3，吉川洋史 1，中林誠一郎 1，柚山健一 2，
杉山輝樹 3，増原 宏 2△ 3 レーザー照射による異種マイクロ粒子の局所的集積化
阪府大院理 1，阪府大院工 2，阪府大ナノ科学・材料セ 3 ○山本靖之 1,2，
西村勇姿 1,2，床波志保 3，飯田琢也 1
4 ランダムプラズモニック構造による異常透過の制御とバイオ応用
阪府大院理 1，阪府大院工 2，阪府大ナノ科学・材料セ 3 ○吉川貴康 1，
田村 守 1,2，ヴイ ウエンドユイ 1，西田敬亮 2,3，
床波志保 3，飯田琢也 1,*
5 光渦レーザー照射により形成されたシリコン螺旋円錐体
千葉大院融合 1，北大院工 2，JST-CREST3 ○高橋冬都 1，滝澤 隼 1，
藤原穂波 1，宮本克彦 1，比田井洋史 1，森田隆二 2,3，尾松孝茂 1,3△ 6 光渦の輻射力による結晶性シリコンコラムの創成
千葉大院融合 1，北大院工 2，JST-CREST3 ○滝澤 隼 1，高橋冬都 1，
藤原穂波 1，宮本克彦 1，比田井洋史 1，森田隆二 2,3，尾松孝茂 1,3
7 ラゲール・ガウスビーム照射による光誘起表面レリーフ形成の解析 (II)宇大院工 1，宇大 CORE2，千葉大院融合 3，JST-CREST4 ○茨田大輔 1,2,4，
川田重夫 1,2，谷田貝豊彦 2，尾松孝茂 3,4
8 強く集光したビームの軸方向電場に起因した散乱光の観測
東北大多元研 ○小澤祐市，佐藤俊一△ 9 径偏光ビームの集光点における誘電体を用いた z 偏光電場形成の提案
京大白眉 1，京大院工 2 ○北村恭子 1,2，野田 進 2

憩

水谷彰夫，菊田久雄○-----------------------------------------------------------------------------------3.1 光学基礎・光学新領域
9 月 20 日
20a-PA1 - 1 〜 4

20a-PA1 - 1 〜 4

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 プリズムと Ag 薄膜を用いた CuCl 微小共振器の全反射領域に現れる 共振器
ポラリトンの光学特性
阪府大院理 ○（M2）荻野心平，大畠悟郎，溝口幸司
2 PLD 法で作製した Y2O3:Eu3+蛍光体薄膜のカソードルミネッセンス特性
静岡大工 1，兵県大工 2 ○（M2）守田智勇 1，豊嶋祐樹 2，福田真大 1，
名和靖矩 1，居波 渉 1，小南裕子 1，川田善正 1，
中西洋一郎 1，堀田育志 2，杉田篤史 1
3 透過光モニタリングによるナノファイバーのエッチング制御
九大先導研 1，香川大 2，情通機構 3 ○山本和広 1，山口堅三 2，横山士吉 1，
大友 明 3▲ 4 Temperature dependence of the low-frequencies optical phonons in
TlInS2
Chiba Inst. of Tech.1，Osaka Prefecture Univ.2，Azerbaijan Inst. ofPhys.3 〇 (D)Raul Paucar1，Kazuki Wakita1，Yonggu Shim2，
Alekperov Oktay3，Mamedov Nazim3------------------------------------------------------------------------------------

19p-C1 - 1 〜 18

休

18 GPGPU 用 FFT ライブラリによる PSTD 法の高速化
阪府大3.2 材料・機器光学
9 月 17 日 9:00 〜 17:45
17a-C7 - 1 〜 7

1 「3．光・フォトニクス 分科内招待講演」（45 分）
ポリマーの複屈折消去・制御とディスプレイへの応用
慶大院理工 1，KPRI2 ○多加谷明広 1,2
2 AIN 結晶の深紫外線領域におけるフォトリフラクティブ特性
宇大 CORE ○（B）久保雄紀，藤村隆史
3 簡易プロセスによるモルフォ蝶型構造発色フィルムの作製
阪大院工 1，阪府大院工 2，理研 /SPring-83 ○石橋幸成 1，渋谷拓人 1，
大賀順平 1，平井義彦 2，赤井 恵 1，桑原裕司 1,3，齋藤 彰 1,3

休

10:15 〜 10:30

昼

食11:30 〜 13:30

17p-C7 - 1 〜 15

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
動的光重合による分子配向制御と光学フィルムの創製
東工大資源研 ○久野恭平，宍戸 厚
2 プラスチック光ファイバ中のブリルアン周波数シフトの温度依存性とコアのガラス転移温度との相関
東工大精研 1，慶大 2，NYU3 ○皆川和成 1，小池康太郎 2，Qiming Du3，
林 寧生 1，小池康博 2，水野洋輔 1，中村健太郎 1
3 波長〜サブ波長構造付き曲面素子作製のための平面素子曲面化技術Ⅰ
日立ハイテク 1，日立日研 2 ○松井 繁 1，青野宇紀 2，
江畠佳定 1，八重樫健太 1
4 偏光依存性のない回折型分光素子の開発
東洋大理工 1，セイコーエプソン 2 ○尼子 淳 1，藤井永一 2
5 アモルファス GeS2膜への Ag のフォトドーピング効果のホログラム記録への応用
東海大 1，筑波技術大 2 ○荒井克哉 1，若木守明 1，渋谷猛久 1，村上佳久 2

16:15 〜 16:30

10 サブ波長金属回折格子の紫外域偏光特性の理論検討
徳島大 ATS1，徳島大 STS2 ○高島祐介 1，清水 亮 1，
原口雅宣 1,2，直井美貴 1,2△ 11 イントラキャビティ面発光レーザを実現する N 電極の最適化検討
東京都市大工 1，産総研 2，産総研 3，東京都市大工 4 ○（M2）千葉朋弘 1，
天野 建 2，小森和弘 3，岡野好伸 4△ 12 ホログラムの最適化によるラゲールガウスビーム発生の高精度化
北大院工 1，JST-CREST2 ○（M2）本田亜沙美 1，山根啓作 1,2，
鈴木雅人 1，戸田泰則 1,2，森田隆二 1,2
13 円筒座標系を基礎とする拡張ストークスパラメータによる軸対称偏光状態の解析Ⅱ
北大院工 1，JST CREST2 ○横瀬尚也 1，鈴木雅人 1，山根啓作 1,2，
岡 和彦 1，戸田泰則 1,2，森田隆二 1,2△ 14 拡張ストークスパラメータによる高次偏光渦の解析
北大院工 1，JST CREST2 ○（DC）鈴木雅人 1，山根啓作 1,2，
岡 和彦 1，戸田泰則 1,2，森田隆二 1,2△ 15 空間変調光帰還による面発光レーザーの高次横モード制御
北大院工 1，JST CREST2，NICT3 ○西坂拓馬 1，重松恭平 1，由利洋樹 1，
山根啓作 1,2，森田隆二 1,2，淡路祥成 3，戸田泰則 1,2△ 16 多重横モード面発光レーザーにおける特異点ダイナミクス
北大院工 1，JST CREST2，NICT3 ○由利洋樹 1，重松恭平 1，西坂拓馬 1，
山根啓作 1,2，森田隆二 1,2，淡路祥成 3，戸田泰則 1,2
17 面発光レーザ・変調器集積デバイスによる戻り光の制御
東工大精研 1，東工大技術部 2 ○高橋雄太 1，Dalir Hamed1，
松谷晃宏 2，小山二三夫 1憩

4 六ホウ化ランタン微粒子による近赤外光吸収の解析
住友金属鉱山 ○町田佳輔，藤田賢一，足立健治
5 第一原理計算を用いた LaB6の熱線遮蔽特性解析
住友金属鉱山 ○吉尾里司，槙孝一郎，足立健治
6 希土類元素 Eu 添加 ITO 結晶の発光特性
東海大 ○保田一成，渋谷猛久，若木守明
7 液滴駆動による可動発光点光源の可能性検討
パナソニック先端技研 ○石野正人，石川貴之，表 篤志，
田頭健司，金子由利子，綾洋一郎

休憩

14:45 〜 15:00△ 6 酸化チタン電子状態の修飾金ナノ粒子サイズ依存性
関学大理工 ○（PC）田邉一郎，領木貴之，尾崎幸洋△ 7 高分子－コレステリック液晶複合材料を用いた高速偏光回転素子
阪大院工 ○小橋淳二，金 會慶，吉田浩之，尾崎雅則△ 8 二重焦点可変型大口径液晶レンズの光学位相差特性
秋田大 1，液晶レンズ研究所 2 ○田村賢介 1，
糸田大輝 1，河村希典 1，佐藤 進 2△ 9 四角形状電極アレイを有する液晶マイクロレンズの屈折率分布特性
秋田大 1，液晶レンズ研究所 2 ○中村剣登 1，河村希典 1，佐藤 進 2
10 光線追跡法による屈折率分布を有する液晶マイクロレンズの解析
秋田高専 1，秋田大院工 2，液晶レンズ研究所 3 手塚大貴 1，○
田中将樹 1，中村剣登 2，河村希典 2，佐藤 進 3△ 11 ２光子加工法によるカーボンナノチューブの３次元配向制御
阪大院工 1，電通大先進理工 2，ライス大 3 ○牛場翔太 1，庄司 暁 2，
増井恭子 1，河野淳一郎 3，河田 聡 1

（ 50
50 ）

3

休

憩

16:30 〜 16:45

12 複屈折イメージング装置を用いた相転移現象の可視化
鹿児島大院理工 1，鈴鹿高専 2 ○真中浩貴 1，八木元太 1，
野崎裕史 1，三浦陽子 2
13 角度多重と回転多重を用いたホログラフィックメモリの角度・回転間隔
東京電機大 1，NHK2 ○澤田正充 1，木下延博 2，
室井哲彦 2，本橋光也 1，斎藤信雄 2
14 偏光板を利用しない液晶レンズの結像方法（その二）超多維 崔 春暉，包瑞，郁 樹達，宮 暁達，○葉茂
15 吸収膜・反射膜積層構造を用いた大面積光位相変調
1
2
○
1
1,2
宇大院工 ，宇大 CORE
戸澤諒麻 ，茨田大輔 ，川田重夫 1,2-----------------------------------------------------------------------------------3.2 材料・機器光学
9 月 18 日
18p-PA1 - 1 〜 18

18p-PA1 - 1 〜 18

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 水熱合成による波長変換ナノ粒子 ZnSeS:Mn の作製
デンソー 1，大阪市立大工 2 ○高木知己 1，谷口太一 2，祖父江進 1，
川井正一 1，奥野英一 1，長谷川順 1，金 大貴 2
2 両面インプリントにより反射防止機能を付加した赤外ワイヤグリッド偏光子の作製
滋賀県立大工 1，五鈴精工硝子 2，龍谷大理工 3，産総研 4，北大電子研 5○（M1）
吉田 黎 1，山田逸成 1，山下直人 2，栄西俊彦 2，
斉藤光徳 3，福味幸平 4，西井準治 5
3 二重リング形状電極構造を有する液晶レンズの焦点距離特性
秋田大 1，液晶レンズ研究所 2 ○千田 誠 1，
糸田大輝 1，河村希典 1，佐藤 進 24 外部電極及び四角形状電極を有する液晶マイクロレンズアレイの屈折率分布
特性 ( Ⅱ )秋田大 1，液晶レンズ研究所 2 ○中村剣登 1，掛川健太 1，
河村希典 1，佐藤 進 2
5 近赤外線波長領域における液晶レンズを用いた特徴抽出
秋田大 ○河村希典，石黒駿介
6 水中メチルレッドの UV/Vis 吸収の TDDFT による解析
室工大 ○木下絵梨，布田幸誠，北 健二，矢野篤子，矢野隆治
7 ポンプ - プローブ法を用いた溶液中アゾ色素の熱的シス - トランス異性化現象
室工大 ○北 健二，木下絵梨，布田幸誠，矢野隆治
8 主鎖型トリフェニルアミンポリマーを用いた高速フォトリフラクティブ素子の開発
京都工芸繊維大 1，理研 2 ○河野顕志 1，辻村 翔 1,2，
木梨憲司 1，坂井 亙 1，堤 直人 1
9 アゾベンゼン分子複合膜のホログラフィック特性
京都工芸繊維大 ○藪原侑樹，木梨憲司，坂井 亙，堤 直人
10 CO2レーザー照射による光ファイバからのレーザーデブリ飛散微粒子の観測
結果
NTT フォトニクス研究所 1，NTT 物性科学基礎研究所 2，
高輝度光科学研究センター 3 ○小池真司 1，柳 秀一 1，
鈴木賢哉 1，高橋哲夫 1，上野祐子 2，上杉健太朗 3，
竹内晃久 3，星野真人 3，鈴木芳生 3，渡辺義夫 3△ 11 ソリューションプラズマプロセスを用いた金シングルナノ流体の合成と伝熱性能評価
名大院工 1，名大グリモ 2，未来社会創造機構 3，JST-CREST4○
油家大輝 1，上野智永 1，許 容康 1，齋藤永宏 1,2,3,4
12 エレクトロウェッティング方式によるレーザー光偏向素子の作製
工学院大 ○馬場岳斉，野澤太郎，大野田慶，高橋泰樹
13 膨潤したシリコーンゴム中での色素分子の拡散係数
龍谷大理工 濵﨑孝政，○斉藤光徳
14 [CoPt/AZO/Ag] 積層膜の磁気光学特性と化学センサへの応用
秋田産技センター 1，千葉工大 2 ○山根治起 1，小林政信 215 イオントラックエッチピットを用いた極低反射光吸収体の開発 II
産総研 1，原子力機構 2 ○雨宮邦招 1，越川 博 2，前川康成 2，
沼田孝之 1，木下健一 1，蔀 洋司 1，田辺 稔 1，福田大治 1
16 超音波照射下における液体金属ナノ粒子の可逆的サイズ制御
ERATO 彌田プロ 1，東工大総理工 2 ○山口章久 1，間嶋 裕 2，彌田智一 1
17 ガリウムの合金・脱合金化プロセスによる金属ナノ構造作製
ERATO 彌田プロ ○山口章久，彌田智一
18 Ti と酸化チタンの格子で構成する反射型偏光素子の入射角依存性
滋賀県立大工 ○（M1）姫野 峻，山田逸成-----------------------------------------------------------------------------------3.3 情報フォトニクス・画像工学
9 月 18 日
18p-PA2 - 1 〜 2

18p-PA2 - 1 〜 2

ポスターセッション

ポスター展示時間

光・フォトニクス

2 超解像ホログラフィックメモリ
和歌山大院システム工 1，和歌山大システム工 2○（D）
信川輝吉 1，野村孝徳 2-----------------------------------------------------------------------------------3.3 情報フォトニクス・画像工学
9 月 19 日 9:30 〜 16:45
19a-S11 - 1 〜 11

1 ホログラフィックメモリに用いるページデータの多値数向上を目指した空間
直交振幅変調信号の設計
九工大情報工 1，北大院情報科学 2 ○中井俊之 1，
高林正典 1，岡本 淳 2，岡本 卓 1
2 ランダム 2 値位相パターンを用いた自己参照型ホログラフィックメモリに関する実験
九工大情報工 1，北大院情報科学 2 ○江藤太亮 1，
高林正典 1，岡本 淳 2，岡本 卓 1
3 スペックル３次元シフト多重記録を用いた反射型ホログラフィックメモリにおけるビットエラーレート特性評価
神戸大院シ情 ○西崎達哉，仁田功一，的場 修
4 シフト・ペリストロフィック多重ホログラフィック・メモリ記録方式の高密度多重特性
理科大基礎工 塚本 悠，○石原良真，吉田周平，山本 学
5 シフト・ペリストロフィック多重ホログラフィック・メモリ記録方式のための光学設計
理科大基礎工 ○山本桂子，牛山善太，吉田周平，山本 学
6 インラインホログラフィにおける位相ページ記録のパターン依存性
宇大 CORE1，宇大院工 2，産総研電子光技術 3 ○（M2）谷本拓也 1，
茨田大輔 2，福田隆史 3，早崎芳夫 1，谷田貝豊彦 1△ 7 ホログラフィック光相関演算における記録条件の最適化
電通大 ○池田佳奈美，渡邉恵理子

休憩

11:15 〜 11:30

8 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
ライトフィールドイメージングに基づく位相変調の仮想化
阪大院情 ○中村友哉，堀崎遼一，谷田 純
9 ディジタルホログラフィーによる音場計測
神戸大シ 1，京都工繊大 2 ○井ノ口弘毅 1，仁田功一 1，
的場 修 1，粟辻安浩 2
10 空間周波数帯域幅による単一露光一般化位相シフトディジタルホログラフィに適した参照光の検討
和歌山大院システム工 1，和歌山大システム工 2○（DC）井邊真俊 1，野村孝徳 2▲ 11 Edge detection by dark-field reconstruction Gabor-type digital holography
for omnidirectional 3D shape measurement
Saitama Univ. ○ Nobukazu Yoshikawa，Ryosuke Saito

昼食12:30 〜 14:00

19p-S11 - 1 〜 10

△ 1 適応型開口による球面波合成ホログラム作製時間短縮
和歌山大院システム工 1，和歌山大システム工 2 ○森
裕 1，野村孝徳 22 ランダム点像分割と時分割再生によるホログラフィックディスプレイのス
ペックル低減和歌山大院システム工 1，和歌山大システム工 2○
福岡隆彦 1，森裕 1，野村孝徳 23 視域走査によるテーブル型全周立体ホログラム表示の実現
農工大工 ○井上達晶，藤井啓介，高木康博△ 4 3 次元表示に向けた空間クロスモジュレーション
北大院情報科学 1，岐阜大教育 2 ○菅 悠太 1，岡本 淳 1，
渋川敦史 1，富田章久 1，舟越久敏 2
5 カラーシーケンシャル表示による自然画像に対する手振り復号型ステガノグ
ラフィー
宇大オプト 1，JST, CREST2 ○高橋昌史 1，山本裕紹 1,2△ 6 ノイズバランス誤差拡散法によるチェッカパターンキャリアスクリーン画像
静大院工 ○二上尚文，生源寺類

休憩

15:30 〜 15:45

7 偏光とデフォーカスを利用したワンショットタイコグラフィ
阪大院情 ○小倉裕介，谷田 純
8 開口アレイフィルターによる回折イメージング：開口サイズ条件の緩和
静大工 ○中島伸治△ 9 プログレッシブ位相共役技術による偏光多重空間モードの抽出
北大院情報科学 ○小田友和，岡本 淳，平崎裕貴，前田智弘，富田章久
10 ファイバーコンポーネントを用いた周波数基底の量子ゲート
東大院総合（駒場）1，JST さきがけ 2 ○大村史倫 1，
浅場智也 1，安武裕輔 1,2，深津 晋 1------------------------------------------------------------------------------------

13:30 〜 15:30

1 回転シアリング干渉計を用いたインコヒーレントフーリエホログラムの取得
和歌山大院システム工 1，和歌山大システム工 2○（D）
渡辺果歩 1，野村孝徳 2

（ 51
51 ）

3

光・フォトニクス

3.4 生体・医用光学
9 月 19 日
19a-PA4 - 1 〜 9
19a-PA4 - 1 〜 9

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 涙液中の薬物モニタリングに向けたラマン分光システム
阪大医 ○（M2）横山萌恵，西村隆宏，山田憲嗣，大野ゆう子
2 半導体レーザーを用いた超解像ポンプ・プローブ顕微鏡
電通大先進理工 1，先端レーザー 2 ○川角洸史 1，宮崎 淳 2，小林孝嘉 1,2
3 高出力利得スイッチングＬＤベース高機能光源による生体マウス海馬の invivo 2 光子イメージング
北大電子研 1，東北大未来研 2，東北大多元研 3，JST CREST4○
川上良介 1,4，澤田和明 1，草間裕太 2，房 宜澂 2，小澤祐市 3,4，佐藤俊一 3,4，横山弘之 3,4，根本知己 1,4
4 表面下散乱光の面計測による化粧肌のカバー効果評価
花王 1，立命館大院 2 ○五十嵐崇訓 1,2，中尾啓輔 1
5 中空ファイバを用いた Er:YAG レーザ誘起液体ジェットによる衝撃波発生
東北大工 1，東北大医工 2 ○高橋恭平 1，片桐崇史 1，松浦祐司 1,2
6 量子カスケードレーザと中空光ファイバガスセルを用いた呼気分析システム
東北大医工 ○鈴木 響，木野彩子，松浦祐司
7 レーザーによる細胞の配列と固定化：高分子混雑効果の活用
同志社 ○橋本 周，渡辺 俊，谷口浩章，吉川研一
8 バイオスペックル血流イメージングにおける血流領域の深さ推定
旭川高専 1，室蘭工大 2 ○横井直倫 1，相津佳永 2
9 Ｘ線マイクロトモグラフィ法によるショウジョウバエ脳の神経ネットワークの構造解析
東海大工 1，高輝度光科学研究セ 2 雑賀里乃 1，○水谷隆太 1，
竹内晃久 2，上杉健太朗 2，寺田靖子 2，鈴木芳生 25 皮膚の表面凹凸が光の反射および内部散乱に及ぼす影響：シミュレーション
解析
九工大情報工 1，花王スキンケア研 2 ○塚本健太郎 1，
五十嵐崇訓 2，高林正典 1，岡本 卓 1
6 アクセプタ型フォトニック結晶共振器を用いたバイオセンサーの作製と評価
広島大ナノデバイスバイオ融合科学研究所 ○本澤圭太，千日拓馬，
野田和希，雨宮嘉照，横山 新△ 7 光干渉導波路型微小化学分析デバイスの周辺屈折率に対するシグナル応答評
価筑波大 ○（M2）内山田健，大久保喬平，横川雅俊，浅川 潔，鈴木博章-----------------------------------------------------------------------------------3.5 レーザー装置・材料，3.14 光制御デバイス・光ファイバのコードシェアセッション
9 月 19 日 9:00 〜 12:00
19a-C8 - 1 〜 11

1 PPMgLN 素子の大口径化および高ビーム品質化検討
分子研 ○石月秀貴，平等拓範
2 PPMgSLT シングルパス波長変換による >10W 532nm CW 発生
オキサイド 畑野秀樹，冨張康弘，今井浩一，茂手木浩，○廣橋淳二，
羽鳥正美，牧尾 諭，星 正幸，古川保典
3 PP-LBGO デバイスによる 355nm 300mW 発生
オキサイド 1，東北大学際研 2，早大材研 3 ○廣橋淳二 1，谷内哲夫 2，
羽鳥正美 1，坂入光佳 1，松倉 誠 1，竹川俊二 1，今井浩一 1，
茂手木浩 1，牧尾 諭 1，宮澤信太郎 1,3，古川保典 1
4 非線形光学結晶 YAl3(BO3)4 の育成と評価
オキサイド 1，早大材研 2 ○宮本晃男 1，宮澤信太郎 1,2，古川保典 1
5 CsB3O5の位相整合温度特性
千歳科技大 1，阪大院工 2 ○梅村信弘 1，吉村政志 2，森 勇介 2，加藤 洌 1-----------------------------------------------------------------------------------3.4 生体・医用光学
9 月 20 日 9:00 〜 14:45
20a-C7 - 1 〜 10

1 蛍光顕微鏡による珪藻のバイオミネラリゼーションの可視化
山形大院理工 1，山形大工 2 ○堀田純一 1，鴇田浩明 2，
堀内友貴 1，佐藤瑞樹 1，山口実果 2
2 Li+による希土類添加 Y 2O3蛍光体粒子の近赤外発光増強とイメージング
阪大院基礎工 ○山崎淳平，福島昌一郎，新岡宏彦，
荒木 勉，橋本 守，三宅 淳△ 3 深紫外プラズモンによる非染色細胞の高感度観察
静岡大院工 1，JST-CREST2 ○黄川田昌和 1，小野篤史 1,2，
居波 渉 1,2，川田善正 1,2▲ 4 Development of CARS and SRS microscopy with speed wavelength
scannning laser
UFSCar1，Eng. Sci., Osaka Univ.2，Eng. The Univ. of Tokushima3○
Marcelo Kawamura1,2，Harsono Cahyadi3，Takuya Aoki2，
Tsutomu Araki2，Mamoru Hashimoto2
5 共焦点光和周波顕微鏡による米粒中デンプンの比較
北陸先端大マテリアル 1，滋賀県立大環境科学 2，滋賀農技振 C3○（D）
興山 渉 1，西田貴博 1，Thi Thu Hien Khuat1，
水谷五郎 1，長谷川博 2，宮村弘明 3

休憩

10:15 〜 10:30

6 LIF 法によるヒト手掌表面から放出された OH ラジカルの直接検出
阪大院理 1，国循セ 2 ○蔡 徳七 1，下内章人 2，水上智恵 2，野瀬和利 2
7 ヒートショック応答による生体傷害検出の研究
九大院工 1，九大院シス生 2 ○木村 壮 1，岡部弘高 1,2，
小林勝洋 2，河野真也 1，日高芳樹 1，原 一広 1,2
8 光電容積脈波波形を用いたストレス評価の研究
山形大 上杉悠気，水沼 充，○横山道央
9 自己相関関数を用いた微分光電脈波信号の解析法の提案
関西大 1，関西大院 2 ○尾崎 朝 2，井澤義弘 2，大村泰久 1,2△ 10 光アシスト超音波速度変化イメージングのための一体化プローブの試作
阪府大院工 ○谷川昇平，酒井将君，真野和音，松中敏行，
和田健司，堀中博道

昼

20p-C7 - 1 〜 7

食11:45 〜 13:00

1 レーザー誘起音による生体組織の厚さ情報取得
近大理工 1，近大院総理研 2 ○佐野 秀 1，加島克彦 2，橋新裕一 1,2▲ 2 Continuous and Noninvasive Characterization of Liquid Sample basedon Continuous-wave Photoacoustic Technique.
NTT Corp., Microsystem Integration Labs. 〇 Serge Camou，
Yujiro Tanaka，Yuichi Higuchi，Hiroshi Koizumi
3 結像型 2 次元フーリエ分光断層法による生体組織内部の成分分布計測
香川大工 1，香川大医 2 ○小川 哲 1，藤原 大 1，
Abeygunawardhana Pradeep1，佐藤 駿 1，
鈴木 聡 1，西山 成 2，石丸伊知郎 1
4 レーザブレイクダウン分光法を用いた歯牙初期う蝕検出
東北大医工 1，医科歯科大 2，東北大工 3 ○笹澤周平 1，
柿野聡子 2，片桐崇史 3，松浦祐司 1,3

休憩

10:15 〜 10:30

6 無添加及び Mg 添加定比組成 LiTaO3の Sellmeier 方程式の導出
中央大 1，オキサイド 2 ○加藤大樹 1，貫 彰太 1，郡司大輔 1，
庄司一郎 1，福井達雄 2，古川保典 2△ 7 光軸反転 β-BaB2O4デバイスによる深紫外光渦発生
千葉大院融合科学 1，中央大理工 2，JST-CREST3 ○佐々木佑太 1，
宮本克彦 1，庄司一郎 2，尾松孝茂 1,3△ 8 欠陥低減による CsLiB6O10結晶の紫外光経時劣化耐性の向上
阪大院工 ○増田一稀，高千穂慧，高橋義典，
吉村政志，佐々木孝友，森 勇介
9 CLBO 結晶を用いた注入同期 ArF エキシマレーザ用狭帯域高出力 193nm 固体レーザシステムの開発
ギガフォトン 1，東大物性研 2 ○五十嵐裕紀 1，玄 洪文 2，
趙 智剛 2，伊藤紳二 1，柿崎弘司 1，小林洋平 210 高平均出力 Nd:YAG パルスレーザーによる 3 倍高調波発生
阪大レーザー研 ○椿本孝治，吉田英次，藤田尚徳，宮永憲明
11 高コヒーレンス 193 nm 固体レーザーの開発
東理大総研 1，阪大レーザー研 2，ギガフォトン 3 ○中里智治 1，
坪井瑞樹 2，小野瀬貴士 3，田中佑一 1，猿倉信彦 2，
伊藤紳二 3，柿﨑弘司 3，渡部俊太郎 1-----------------------------------------------------------------------------------3.5 レーザー装置・材料
9 月 18 日
18p-PA3 - 1 〜 12

18p-PA3 - 1 〜 12

ポスターセッション

ポスター展示時間

1 特性因子 ΔS を用いたニ次非線形光学過程の最適化

13:30 〜 15:30

山梨大 ○張本鉄雄
2 1.3mol%MgO ドープ Stoichiometric LiNbO3の位相整合特性
千歳科技大 ○水野琢磨，梅村信弘，松田大輔
3 PPKTP を用いた複合共振器型 CW 光パラメトリック発振器の開発
情通機構 1，電通大情報理工 2 ○笠井克幸 1，張贇2
4 775 nm 励起 Tm3+:ZBLAN ファイバーによる 813 nm 光増幅
電通大レーザー研 1，JST-ERATO2 ○竹内裕一 1，梶川詠司 1，
河野健太 1，中川賢一 1，武者 満 1,2
5 軸方向放電励起 CO2レーザーにおける媒質ガスとレーザーパルス波形の関係
山梨大工 1，阪大レーザー研 2 ○（M2）廣瀬義文 1，宇野和行 1，
秋津哲也 1，實野孝久 2
6 周囲媒質が色素分散ゲル球の誘導放出に与える影響
龍谷大理工 高橋祥吾，○斉藤光徳
7 有機色素ドープポリマーによる非対称 DBR 型波長可変レーザ素子
京都工繊大 ○長井広治，川口 宗，山下兼一
8 高ピーク出力 Er ファイバー CPA 増幅システムの開発
阪大レーザー研 ○青野裕次，吉田英次，椿本孝治，藤田尚徳，宮永憲明
9 位相差制御によるコヒーレントビーム結合技術の開発 3
阪大レーザー研 ○衣笠卓一，椿本孝治，吉田英次，
藤田尚徳，宮永憲明，岩見洋輔
10 コヒーレントビーム結合のための制御アルゴリズムの開発○
阪大レーザー研
岩見洋輔，衣笠卓一，椿本孝治，
吉田英次，藤田尚徳，宮永憲明

（ 52
52 ）

3

11 ミュオニウム励起用 Lyman-α 光源の開発 : 注入同期光パラメトリック発生による 820.65 nm 光源
理研光量子 1，理研仁科 2 ○宮崎洸治 1，斎藤徳人 1，岡村幸太郎 1，
大石 裕 2，Oleg Louchev1，岩崎雅彦 2，和田智之 1▲ 12 Filled-aperture coherent combination of ns pulse laser beams
ILT1，ALPROT2，ILE3 〇 Haik Chosrowjan1,2，Seiji Taniguchi1,2，
Masayuki Fujita1,2,3，Kouji Tsubakimoto3，Hidetsugu Yoshida3，
Noriaki Miyanaga3，Yasukazu Izawa1,3-----------------------------------------------------------------------------------3.5 レーザー装置・材料
9 月 19 日 13:30 〜 18:15
19p-C8 - 1 〜 18

△ 1 高速ポンプ光走査による高次横モードビームの発振特性
東北大多元研 ○佐藤拓海，小澤祐市，佐藤俊一
2 金リングパターンを持つ Nd:YVO4レーザー結晶からの径偏光ビーム発生
剛，小澤祐市，佐藤俊一
東北大多元研 ○角▲ 3 Fractional vortex generation from a vortex pumped parametric oscillator
1△
Chiba Univ. ，Hokkaido Univ.2，JST-CREST3〇 (P)Yusufu Taximaiti1,3，Abullikemu Aizitiaili1，
Keisaku Yamane2,3，Katsuhiko Miyamoto1，
Takashige Omatsu1,3△ 4 同軸位相整合差周波光発生による中赤外 (6.3-12.0μm) 光渦
千葉大 1，JST-CREST2 ○堀川マイケル知樹 1，古城健司 1，
尾川あずさ 1，宮本克彦 1，尾松孝茂 1,2▲ 5 2ps duration optical pulse source based on a 1060nm-band gainswitched semiconductor laser diode
Tohoku Univ. NICHe ○ Yi-Cheng Fang，Yuta Kusama，
Hiroyuki Yokoyama
6 フォトニック結晶光ファイバ増幅器による 1060 nm 帯ピコ秒光パルスの高ピークパワー増幅
東北大未来研 1，東北大多元研 2 ○草間裕太 1，房 宜澂 1，
小澤祐市 2，佐藤俊一 2，横山弘之 1△ 7 利得スイッチング半導体レーザピコ秒光パルスの光増幅による 100 kW 高
ピークパワー化
東北大院工 1，東北大未来研 2 ○茶木智大 1,2，草間裕太 2，
房 宜澂 1,2，山田博仁 1,2，横山弘之 1,2
8 グラフェンを用いた耐候性フッ化物ファイバでの可視光レーザーパルスの発生
阪大レーザー研 1，近畿大 2，住田光学ガラス 3 ○藤本 靖 1，鈴木崇史 1,2，
リカルド オチャンテ 1，村上元一郎 1，平山孝志 2，
吉田 実 2，石井 修 3，山嵜正明 3，白神宏之 1
9 Sr 光格子時計用 813 nm 帯狭線幅 Tm3+:ZBLAN ファイバ MOPA の開発
電通大レーザー研 1，JST-ERATO2 ○梶川詠司 1，竹内裕一 1，
河野健太 1，中川賢一 1，武者 満 1,2

休憩

2 600 nm 帯 1W 超 cw 出力 SHG 光源の検討
オプトクエスト 1，フォトニッククリスタル研 2 都澤雅見 1，○川西悟基 1,2▲ 3 Dual Frequency Injection Locked Continuous Wave Ti: Sapphire Laser
UNIVERSITY OF ELECTRO-COMMUNICATIONS1，
OKAYAMA UNIVERSITY2 〇 (D)Trivikramarao Gavara1，
Yuki Fujimura1，Ryo Yoshizaki1，Nurul Sheedasuhaimi1，
Takuya Kawashima1，Takeru Ohashi11，
Yusuke Sasaki1，Hiroaki Hamano1，
Kazumichi Yoshii2，Satoshi Uetake1
4 重力波検出器「KAGRA」のためのレーザー光源開発
東大工 1，東大工 2 ○鈴木健一郎 1，西内良太 1，三尾典克 1,2
5 ミュオニウム光イオン化用ライマン α 光の発生
理研 ○大石 裕，宮崎洸治，斎藤徳人，岡村幸太郎，岩崎雅彦，和田智之▲ 6 Freely-designable optical frequency conversion process
Department of Engineering Science, University ofElectro-Communications 〇 Jian Zheng，Masayuki Katsuragawa
7 コヒーレントビーム結合に向けた単一光検出器による複数信号光のピストン位相と指向角の同時制御三菱電機 ○原口英介，鈴木二郎，安藤俊行△ 8 光周波数安定化 15-GHz, カーレンズモード同期 Yb:Y2O3セラミックレーザー
東大物性研 1，ERATO, JST2 ○（D）遠藤 護 1,2，伊藤 功 1,2，小林洋平 1,2△ 9 Yb:YAG 平面導波路型レーザ増幅器の高平均出力動作三菱電機 ○渡辺洋次郎，高崎拓哉，柳澤隆行
10 PCSEL を用いた励起用レンズフリーの Yb:YAG レーザー発振器の開発
阪大レーザー研 1，近大 2，京大院工 3，浜ホト 4 ○仲村悠基 1,2，
西浦聖太郎 3，野田 進 3，廣瀬和義 4，黒坂剛孝 4，杉山貴浩 4，渡邊明佳 4，時田茂樹 1，吉田 実 2，河仲準二 1，
宮永憲明 1，持田哲郎 1，石崎賢司 3
11 光 パ ラ メ ト リ ッ ク チ ャ ー プ パ ル ス 増 幅 用 励 起 光 源 を 目 的 と し た ピ コ 秒
Yb:YAG レーザー増幅器の開発
阪大レーザー研 Sungin Hwang，時田茂樹，○河仲準二
12 細径 Nd:YAG ロッドを用いた受動 Q スイッチマイクロレーザー
分子研 ○（PC）常包正樹，平等拓範

昼-----------------------------------------------------------------------------------3.5 レーザー装置・材料
9 月 20 日 9:00 〜 14:30
20a-C8 - 1 〜 12

1 1.1μm 帯波長可変レーザの開発
光伸光学工業

山野井俊雄，友松泰則，遠藤○

食

12:00 〜 13:00

20p-C8 - 1 〜 6

1 Cr:CdSe 結晶を用いた 2.55~3.06 µm パルスレーザー発振
理研 1，東京医科歯科大 2 ○湯本正樹 1，斎藤徳人 1，Taichen Lin2，
青木 章 2，中島貞洋 1，長坂啓吾 1，和泉雄一 2，和田智之 1
2 Tm ファイバーレーザー励起 Tm:KY(WO4)2 レーザー
電通大レーザー研 1，ORC, Uni.Southampton2 ○戸倉川正樹 1，
W Clarkson2，Jae Daniel2
3 モード同期 Yb3+添加 Lu 3Al5O12セラミックレーザー
電通大レーザー研 1，神島化学工業 2 ○（M1）北島将太朗 1，中尾博明 1，
白川 晃 1，八木秀喜 2，柳谷高公 24 高出力・高効率 Yb:LuAG セラミック thin-disk レーザー
電通大レーザー研 1，神島化学工業 2，シュトゥットガルト大 3○
中尾博明 1，白川 晃 1，植田憲一 1，八木秀喜 2，
柳谷高公 2，Birgit Weichelt3，Katrin Wentsch3，
Marwan Abdou Ahmed3，Thomas Graf3
5 フェムト秒モード同期 Nd3+添加 Ba(Zr,Mg,Ta)O 3セラミックレーザー
電通大レーザー研 1，村田製作所 2 ○東 祐軌 1，富田貴之 1，布施純一 1，
中尾博明 1，白川 晃 1，植田憲一 1，呉竹悟志 2，金高祐二 2，
村山浩二 2，田中伸彦 2，Alexander A. Kaminskii3
6 1J，100Hz 低温冷却 Yb:YAG-TRAM マルチパス増幅器
阪大レーザー 1，チェコ科学アカデミー 2，浜松ホトニクス 3，
電通大先進理工 4 ○時田茂樹 1，マーティン ディボッキー 2，
スンイン ファン 1，川嶋利幸 3，西岡 一 4，河仲準二 1

15:45 〜 16:00

10 受動モード同期中赤外ファイバーレーザーの開発
阪大レーザー研 1，三星ダイヤモンド工業 2 ○（M1）上須駿一 1，
時田茂樹 1，村上政直 2，清水政二 2，宮永憲明 1，河仲準二 1▲ 11 Self Focusing in Multicore Fiber Designs
Institute for Laser Science, Univ. of Electro Comm.
〇
Henrik Tuennermann，Akira Shirakawa
12 張力分布によるファイバーラマン増幅器での誘導ブリルアン散乱の抑制
電通大レーザー研 ○陳 明晨，鈴木悠太，白川 晃
13 多段ファイバー増幅に伴う自己位相変調の線幅拡大への影響
東海大 1，オプティ 2 ○山下隆太郎 1，上場康弘 1，鄭 和翊 1，
山口 滋 1，榎谷 順 2，住田 眞 2
14 高出力パルス動作 Yb ファイバーレーザーシステムの開発 (6)阪大レーザー研 1，ALPROT2，阪大接合研 3，片岡製作所 4，レーザー総研 5○吉田英次 1，山村 健 2,4，椿本孝治 1，藤田尚徳 1，宮永憲明 1，
塚本雅裕 3，酒川友一 2,4，コスロービアン ハイク 2,5，
谷口誠治 2,5，藤田雅之 2,5，井澤靖和 2,5
15 Nd,Cr 共添加 Y3GaxAl5-xO12結晶中の Cr 3+から Nd 3+へのエネルギー移動
豊田中研 1，NIMS2，岐阜大 3 ○水野真太郎 1，長谷川和男 1，伊藤 博 1，
Villora E.G.2，島村清史 2，高木一輝 3，山家光男 3
16 コンポジット Nd:YAG/Cr:YAG セラミックマイクロチップレーザーの長時間
信頼性評価
分子研 ○（PC）常包正樹，平等拓範
17 透光性 YAG セラミックの高温熱光学特性
北見工大 1，核融合研 2 ○高井 拓 1，古瀬裕章 1，安原 亮 2，平賀啓二郎 1
18 常温接合を用いた Nd:YAG/ ダイヤモンド及び Nd:YVO4/ ダイヤモンド複合構
造レーザーの作製
中央大理工 ○奥山洋平，山内太貴，恩田友美，庄司一郎

光・フォトニクス-----------------------------------------------------------------------------------3.6 超高速・高強度レーザー
9 月 18 日
18p-PA4 - 1 〜 3

18p-PA4 - 1 〜 3

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 Pump-dump 法によるホット分子コヒーレント制御の FDTD-Q 解析
新潟大自然研 1，新潟大超域 2 ○喜多涼介 1，岡 寿樹 2
2 1,2-butadiene における化学結合切断の実時間観測
北大院工 1，北大院理 2 ○（M1）飯窪 亮 1，藤原丈久 1，
関川太郎 1，原渕 祐 2，武次徹也 2
3 金ナノ薄膜を有する CdTe 半導体におけるコヒーレント LO フォノン増強
阪府大院理 ○（M2）土井洋平，大畠悟郎，溝口幸司-----------------------------------------------------------------------------------3.6 超高速・高強度レーザー
9 月 19 日 9:00 〜 18:15
19a-C2 - 1 〜 13

尚

（ 53
53 ）

1 1,3- シクロヘキサジエンの開環反応の観測
北大院工 1，北大院理 2 ○（M1）飯窪 亮 1，藤原丈久 1，
関川太郎 1，原渕 祐 2，武次徹也 2

3

光・フォトニクス△ 2 Bi2Sr2CaCu2O8+δのノード・アンチノード対称性にもとづく光誘起準粒子ダ
イナミックスの選択的観測
北大 ○渡辺健太，土屋 聡，戸田泰則，板垣征一朗，黒澤 徹，小田 研△ 3 ピコ秒時間スケールで高速回転するリング状光格子の生成
北大院工 1，JST-CREST2 ○（D）坂本盛嗣 1，山根啓作 1,2，
村上尚史 1，森田隆二 1,2，岡 和彦 1
△ 4 プラスチック光ファイバヒューズ現象の観測と特性評価
東工大精研 ○水野洋輔，林 寧生，田中宏樹，中村健太郎
5 高ドープシリコンのコヒーレントフォノン緩和ダイナミクスにおける温度依
存性
NTT 物性科学基礎研究所 ○加藤景子，小栗克弥，眞田治樹，俵 毅彦，
寒川哲臣，後藤秀樹
6 トポロジカル絶縁体 Sb2Te3のコヒーレント光学フォノン
東工大応セラ研 1，科学技術振興機構 2 ○則松 桂 1,2，
羽田真毅 1,2，山本宗平 1，笹川崇男 1，中村一隆 1,2△ 7 フェムト秒時間分解電子線回折法の開発
東工大応セラ研 1，JST- さきがけ 2，東工大院理工 3，JST-CREST4○
羽田真毅 1,2，恩田 健 2,3，腰原伸也 3,4，中村一隆 1,4

休憩

10:45 〜 11:00

8 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
ボーム経路解析による高強度場現象の計算シミュレーション
東大院工 ○澤田亮人，佐藤 健，石川顕一
9 強レーザー場中の多電子ダイナミクス : 原子のための実装
東大工 ○佐藤 健，石川顕一△ 10 イオン化閾値付近の高次高調波の位相差の測定
東大院理 ○（D）加藤康作，峰本紳一郎，酒見悠介，酒井広文
11 硫化カルボニル分子のトンネルイオン化の配向依存性
東大院理 ○酒見悠介，峰本紳一郎，飯田 耀，酒井広文
12 状態選別した分子の完全にフィールドフリーな条件下での配向制御
東大院理 ○文 堤會，室谷悠太，峰本紳一郎，酒井広文
13 単一アト秒パルスを用いた自動電離における時間依存双極子応答の位相再構
成NTT 物性科学基礎研 1，東京理科大 2 ○増子拓紀 1，山口量彦 1,2，
小栗克弥 1，須田 亮 2，後藤秀樹 1

昼食12:30 〜 14:00

19p-C2 - 1 〜 16

1 強誘電体フォノンポラリトン波束の量子制御と 2 次元ラマン相関分光 I：実験横国大 塩沢 優，栗林知憲，南 康夫，片山郁文，○武田 淳
2 強誘電体フォノンポラリトン波束の量子制御と 2 次元ラマン相関分光 II：シ
ミュレーション
横国大 塩沢 優，栗林知憲，南 康夫，片山郁文，○武田 淳
3 超広帯域パルス整形技術によるコヒーレントフォノン制御
横国大院工 ○（M2）菊池雄人，片山郁文，南 康夫，武田 淳
4 カルコゲナイド半導体薄膜の超高速アモルファス化のシングルショット実時
間イメージング
横国大 1，慶應大 2 大庭 航 1，南 康夫 1，
片山郁文 1，斎木敏治 2，○武田 淳 1
5 「3．光・フォトニクス 分科内招待講演」（15 分）
時間分解動的 Franz-Keldysh 効果測定の理論及び第一原理計算
原子力機構関西 1，マックスプランク研究所 2，筑波大 3，
筑波大計算科セ 4，ワシントン大 5 ○乙部智仁 1，篠原 康 2，
佐藤駿丞 3，矢花一浩 3,4，F. George Bertsch5
6 時間コヒーレンスを利用したレーザー光電子分光の検討
東大物性研 ○乙津聡夫，石田行章，小澤 陽，辛埴，小林洋平
7 サブ 2 サイクル位相保持赤外光源の高出力化
12○1
物性研 ，理科大石井順久 ，金島圭佑 1，
金井輝人 1，渡部俊太郎 2，板谷治郎 1▲ 8 Long-term passive stabilization of the carrier-envelope phase of infrared
few-cycle pulses from an optical parametric chirped-pulse amplifier
ISSP, U of Tokyo 〇 Henning Geiseler，Nobuhisa Ishii，Keisuke Kaneshima，Teruto Kanai，Jiro Itatani休憩△ 14 シミラリトン増幅器による高強度超短パルス光を用いた波長 0.8 μm 帯における第二高調波の生成
名大院工 1，産総研 2 ○（M1）野村佳孝 1，野崎裕人 1，榊原陽一 2，
面田恵美子 2，片浦弘道 2，西澤典彦 1△ 15 非線形偏波回転と SWNT 型ファイバーレーザーを用いた光周波数コムの特性
比較
名大院工 1，東大院工 2，産総研 3 ○（M2）長池 健 1，野村佳孝 1，
小関泰之 2，榊原陽一 3，面田恵美子 3，片浦弘道 3，西澤典彦 1△ 16 非線形光ループミラー中のパルス捕捉現象による非線形位相シフト
岐阜高専 1，名大 2 ○白木英二 1，西澤典彦 2-----------------------------------------------------------------------------------3.6 超高速・高強度レーザー
9 月 20 日 9:15 〜 12:00
20a-C2 - 1 〜 11

1 非共軸光波混合による高次高調波発生
東京理科大 ○須田 亮，黒田貴文，鈴木恭平，田丸裕基
2 超高繰り返し超短パルス列の時間波形測定へ向けた第二高調波・和周波発生
九大院工 1，九大未来化セ 2 ○新垣 隆 1，貴田祐一郎 1，今坂藤太郎 1,2
3 10ps チタンサファイア発振器の縦モード制御による超高繰り返し深紫外パル
ス列の強度安定化
東大工 1，東大理 2 ○（PC）大間知潤子 1，吉岡孝高 2，五神 真 1,2
4 超短パルス Yb ファイバーレーザーにおける利得狭窄補正
産総研 1，東京農工大 2 ○高田英行 1，千葉雄平 2，鳥塚健二 1，三沢和彦 2
5 分散制御した短尺シリコン導波路を用いたオンチップスーパーコンティニウ
ム光NTT 物性研 1，東京電機大 2，NTT NPC3，NTT MI 研 4 ○（M1）後藤貴大 1,2，
磊 3,4，土澤 泰 3,4，松田信幸 1,3，日達研一 1，
石澤 淳 1，高西川 正 2，山田浩治 3,4，寒川哲臣 1，後藤秀樹 1
6 微小光共振器における光カーコムの高調波モード同期制御
慶大理工 加藤拓巳，小畠知也，鈴木 良，○田邉孝純
7 一測定で 1.0 - 1.7 μm にわたるスペクトルを観測可能なデュアルコム分光
産総研 1，慶大理工 2，JST, ERATO3 ○大久保章 1,3，岩國加奈 1,2,3，
稲場 肇 1,3，保坂一元 1,3，大苗 敦 1,3，佐々田博之 2,3，洪 鋒雷 1,3
8 差周波発生を用いたオフセットフリー光周波数コムの開発
東大物性研 1，JST-ERATO2 ○中村卓磨 1，伊藤 功 1,2，小林洋平 1,2
9 系外惑星探査のための広帯域マルチギガヘルツコムの発生
農工大院工 1，国立天文台 2，東大院理 3 ○奥山康志 1，柏木 謙 1，
黒川隆志 2,1，小谷隆行 2，西川 淳 2，田村元秀 3,2
10 空間光変調器パルスシェーパーの位相・強度変調パターン設計に関する検討
浜松ホトニクス ○渡辺向陽，高橋考二，伊藤晴康，松本直也，井上 卓
11 空間光変調器パルスシェイパーによる強度変調特性の実験的検証
浜松ホトニクス ○高橋考二，渡辺向陽，伊藤晴康，松本直也，井上 卓-----------------------------------------------------------------------------------3.7 レーザープロセシング
9 月 17 日 9:30 〜 18:00
17a-S9 - 1 〜 8

1 フェムト秒レーザー誘起表面プラズモンポラリトンによる金属表面のナノ格
子形成
東京農工大 1，京大エネ理工研 2 ○宮地悟代 1，井上俊茂 2，宮崎健創 2
2 ピコ秒レーザパルスによる GeTe 結晶相 / アモルファス相周期構造の形成
慶應大院 ○森本悠介，森田貴紀，斎木敏治
3 シリコン表面におけるフェムト秒レーザーサブミクロン加工における加工閾
値に及ぼす対リップル形成の影響
東海大理 菅原 諒，曽根有紀，関口翔大，石堤敬太，○八木隆志
4 ラジアル偏光ビームからアキシコンにより形成されるベッセルゾーン内における偏光分布の測定
東海大理 関口翔大，曽根有紀，菅原 諒，○八木隆志

休

16:00 〜 16:15▲ 9 Wavefront Analysis of High-Efficiency, Large-Scale, Thin Transmission
Gratings
Tokyo Univ. of Science1，CANON Inc.2，Univ. of Tokyo3，CREST4
Chun Zhou1,4，Takashi Seki2，Tsuyoshi Kitamura2，
Yoshiyuki Kuramoto2，Takashi Sukegawa2，
Nobuhisa Ishii3，Teruto Kanai3，Jiro Itatani3，
Yohei Kobayashi3，○ Shuntaro Watanabe1,4△ 10 新規の分散補償法を用いたアト秒パルス列発生 Ⅲ
電通大先進理工 ○吉井一倫，伊藤公人，森宗 慶，桂川眞幸
11 希ガス充填中空ファイバー中の四波光パラメトリック増幅における伝搬モードの影響
九大院工 1，九大未来化セ 2 ○豊田大貴 1，貴田祐一郎 1，今坂藤太郎 1,2
12 ラマン活性媒質を用いた四波光パラメトリック増幅
九大院工 1，九大未来化セ 2 ○貴田祐一郎 1，豊田大貴 1，今坂藤太郎 1,2△ 13 広帯域波長可変狭線幅光源の高出力化及びスペクトル圧縮の高度化
名大院工 1，産総研 2 ○（M1）安藤栄充 1，榊原陽一 2，
面田恵美子 2，片浦弘道 2，西澤典彦 1憩

10:30 〜 10:45

5 フェムト秒レーザーによる微細周期構造のナノインプリント法への応用
近大理工 1，レーザー総研 2，阪大レーザー研 3 ○大塚昌孝 1，染川智弘 2，
川上慈郎 1，西籔和明 1，前田佳伸 1，松谷貴臣 1，藤田雅之 2,3，宮永憲明 3
6 レーザー加工における初期過程の第一原理的解析
筑波大数物 1，高等光技術研究所 2，Max Plank 研究所 3，原子力機構 4，筑波大計科セ 5 ○佐藤駿丞 1，李 畊旻 2，篠原 康 3，
乙部智仁 4，矢花一浩 1,5
7 CFRP の UV ピコ秒レーザー加工における熱影響層評価
近大理工 1，レーザー総研 2，阪大レーザー研 3，スペクトロニクス 4○
大河弘志 1，染川智弘 2，藤田雅之 2,3，前田佳伸 1，松谷貴臣 1，
宮永憲明 3，折井庸介 4，稲葉弘二 4，岡田穣治 4
8 超臨界二酸化炭素雰囲気におけるレーザー深穴加工
兵庫県大 ○吉木啓介，生津資大，井上尚三

昼17p-S9 - 1 〜 17食11:45 〜 13:15

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
パルスレーザー照射がステンレス鋼の応力腐食割れの発生に及ぼす影響
電中研 ○江藤修三，三浦靖史，谷 純一，藤井 隆△ 2 Ni/SiC 界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールによる Ni 拡散の促進
徳島大院 1，徳島大工 2 ○森本和樹 1，植木智之 2，富田卓朗 2，岡田達也 2

（ 54
54 ）

3

△ 3 フェムト秒レーザー照射による Ni/SiC 界面反応の物性解析
徳島大工 ○（B）近藤健太，柳田栄造，板東洋太，出来真斗，
岡田達也，富田卓朗△ 4 SiC のフェムト秒レーザー改質部における電気伝導機構
徳島大工 1，原子力機構 2 ○（M1）柳田栄造 1，近藤健太 1，板東洋太 1，
出来真斗 1,2，牧野高紘 2，大島 武 2，直井美貴 1，富田卓朗 1△ 5 軟 X 線シャドウグラフを用いた金におけるフェムト秒レーザーアブレーショ
ン過程のフルエンス依存性
徳島大院ソシオ 1，原子力機構関西研 2，東大物性研 3 ○柿本直也 1，
江山剛史 1，富田卓朗 1，長谷川登 2，錦野将元 2，南 康夫 3，
馬場基芳 3，河内哲哉 2，山極 満 2，末元 徹 3

休憩

14:30 〜 14:45△ 6 細胞伸展制御のためのフェムト秒レーザー誘起周期的微細構造形成
阪大接合研 1，阪大院工 2，東医歯大生材工研 3 ○（PC）篠永東吾 1，
塚本雅裕 1，宮川和也 2，原 一之 2，河 拓弥 2，
陳
鵬 3，永井亜希子 3，塙 隆夫 3
△ 7 フェムト秒レーザーアブレーションを用いたタンパク質結晶の成長制御
阪大院工 1，埼玉大院理工 2，阪大院理 3，創晶 4，京府大院生命環境 5，
東工大院生命理工 6 ○（M1）冨永勇佑 1，林 佑紀 1，中山智詞 1，
丸山美帆子 1，高橋義典 1，吉川洋史 1,2，吉村政志 1，杉山 成 3，
松村浩由 1,4，安達宏昭 1,4，高野和文 4,5，村上 聡 4,6，
井上 豪 1,4，森 勇介 1,4△ 8 フェムト秒レーザを用いた酸化銅ナノ粒子の還元パターニング
名大院工 ○溝尻瑞枝，荒金 駿，秦 誠一△ 9 レーザー誘起成長により形成された SiC(0001) 上グラフェンの雰囲気圧力依
存性
九大 1，NTT 物性基礎研 2 ○（M1）服部正和 1，古川一暁 2，
高村真琴 2，日比野浩樹 2，池上 浩 1△ 10 SiO2埋込み CO 2レーザーアニールにより形成した ZnO 薄膜の結晶性と光応
答特性
九大 ○（M2）山崎恒太，池上 浩，下垣哲也，渡邊陽介，
中村大輔，岡田龍雄△ 11 紫外レーザーアニーリングによる Ga2O3薄膜の室温配向結晶化
12
東工大 ，神奈川県産技センター ，豊島製作所 3，ROCA4○
塩尻大士 1，福田大二 1，山内涼輔 1，金子 智 2,1，
土峰信男 3，織田真也 4，松田晃史 1，吉本 護 1

休憩

16:15 〜 16:30△ 12 電析皮膜の液中レーザーアブレーション放出種に対するパルス幅の効果
京大院工 ○（DC）松本 歩，田村文香，天野健一，
深見一弘，西 直哉，作花哲夫△ 13 液中レーザーアブレーションの初期過程がプラズマの成長に与える影響
京大院工 ○（DC）田村文香，松本 歩，天野健一，
深見一弘，西 直哉，作花哲夫△ 14 有機溶媒中での液中レーザー溶融法における添加剤効果
1
2
○（M1）
北大工 ，産総研
安田圭佑 1，越崎直人 1，石川善恵 2△ 15 Nd:YAG レーザーと KrF エキシマレーザーによる液中レーザー溶融法生成粒子の比較
北大 1，九大 2，島根大 3，産総研 4 ○榊 祥太 1，越崎直人 1，
池上 浩 2，辻 剛志 3，石川善恵 4△ 16 レーザーピーニングにおけるプラズマ閉じ込め層制御の効果
近大理工 1，大産大工 2，阪大接合研 3 ○北脇一平 1，小玉康輝 1，
宮本幸大 1，部谷 学 2，塚本雅裕 3，津山美穂 1，中野人志 1△ 17 金属材料の残留応力に対するレーザーピーニングパラメータの効果
近大理工 1，大産大工 2，阪大接合研 3 ○小玉康輝 1，宮本幸大 1，
上田将司 1，宮原彩佳 1，部谷 学 2，塚本雅裕 3，
津山美穂 1，中野人志 1

7 プラズモン援用フェムト秒レーザ還元による複合金属構造の作製
山形大院理工 ○西山宏昭，大関透典▲ 8 Photo-reduction of graphene oxide (GO) by femtosecond laser irradiation
IMRAM,Tohoku Univ. 〇 (D)Yasin Muttaqin，Nakamura Takahiro，Shunichi Sato昼憩

11:45 〜 13:15

1 「3. 光・フォトニクス 分科内招待講演」（30 分）
レーザー光照射と塩を用いた金ナノ粒子の凝集・溶融過程の制御
島根大院総理工 1，九大先導研 2，産総研 3，北大院工 4 ○辻 剛志 1，
東 優磨 2，辻 正治 2，石川善恵 3，越崎直人 4
2 フッ素レーザーによる鉄薄膜表面への微細周期構造の形成 (2)
防衛大 1，関東学院大 2 ○大越昌幸 1，粟飯原雄太 1，戸出真由美 1，
山下嗣人 2，井上成美 1
3 高強度レーザー照射により作製した合金ナノ粒子の局所構造とその触媒活性
東北大多元研 サミウル サルカル，○中村貴宏，佐藤俊一
4 大気中レーザー照射による Sb 添加 ZnO マイクロ球の作製
九大シス情 ○中村大輔，田中稔伸，植山健史，池渕達也，
下垣哲也，東畠三洋，池上 浩，岡田龍雄
5 銅微粒子のレーザーシンタリングによる導電膜形成と微細パターニング
1
2○
東北大多元研 ，北大工
渡辺 明 1，Gang Qin1，米澤 徹 2，塚本宏樹 2
6 吸収分光法による液中レーザー誘起微小プラズマ中の基底種の解析
京大院工 ○川崎 惇，田村文香，松本 歩，天野健一，
深見一弘，西 直哉，作花哲夫△ 7 水中レーザーアブレーション法により生成される DLC の捕獲の試み
九大 ○（M1）谷山大地，池上 浩，大久保智幸，中村大輔，岡田龍雄

休憩

15:15 〜 15:30

8 レーザー誘起音による金属材料の情報取得
近大院総理研 1，近大理工 2 ○加島克彦 1，佐野 秀 2，橋新裕一 1,2
9 レーザーピーニング統合シミュレーションによる塑性応力の評価
レーザー総研 1，大産大工 2，近大理工 3 ○古河裕之 1，
部谷 学 2，中野人志 3
10 中赤外自由電子レーザーを用いた有機薄膜の相変化観測 I
京大エネ研 Eduard Ageev，溝端圭介，井阪勇貴，○中嶋 隆，
全 炳俊，紀井俊輝，大垣英明
11 ダブルパルスレーザー誘起ドット転写法：有限要素法による原料膜内レーザー
誘起高温分布の検討
産総研 ○奈良崎愛子，黒崎諒三，佐藤正健，新納弘之
12 パルスレーザアブレーション中の２つのプルームに衝撃波が与える影響
奈良高専 1，甲南大理工 2 ○萩原宏規 1，浜岡克佳 2，
香下将希 2，福岡 寛 1，梅津郁朗 2
13 ダブルパルスレーザーアブレーション過程で生成したナノ結晶とデブリの堆積
甲南大理工 1，奈良高専 2 ○香下将希 1，福岡 寛 2，
杉村 陽 1，青木珠緒 1，梅津郁朗 1
14 パルスレーザーアブレーションで作製した TiO2 ナノ結晶凝集体の表面構造と光触媒機能の相関
甲南大理工 1，阿南高専 2 ○若宮千司 1，渡辺てい 2，青木珠緒 1，
梅津郁朗 1，杉村 陽 1，吉田岳人 2-----------------------------------------------------------------------------------3.7 レーザープロセシング
9 月 19 日
19a-PA5 - 1 〜 3

19a-PA5 - 1 〜 3

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 液中レーザー溶融法により得られた球状粒子の内部観察
産総研 1，北大 2 ○石川善恵 1，越崎直人 2
2 液体二酸化炭素中レーザーアブレーションによる微粒子生成
名大工 1，北大工 2 マルディアンシャ マルディス 1，○高田昇治 1，
佐々木浩一 2，神田英輝 1，後藤元信 1
3 フェムト秒レーザーを用いた金属のレーザーアシスト酸化による微細周期構
造形成
名工大 1，アイシン精機 2 ○山根和樹 1，佐藤 匠 1，
糸魚川文広 1，小野晋吾 1，大竹秀幸 2

3.7 レーザープロセシング
9 月 18 日 9:30 〜 17:15
18a-S9 - 1 〜 8

休食

18p-S9 - 1 〜 14------------------------------------------------------------------------------------

1 生体分子添加水溶液にみられる集光フェムト秒レーザー誘起氷結晶成長 2―結晶形状と成長速度の添加分子依存性―
奈良先端大物質創成 1，岩手大寒冷バイオ 2 ○（M2）河野達也 1，澤田晃佑 1，
飯野敬矩 1，三木雄史 2，高橋大輔 2，河村幸男 2，上村松生 2，細川陽一郎 1
2 フェムト秒レーザー誘起衝撃力による微小球状生体試料の振動応答解析
奈良先端大物質 1，奈良先端大バイオ 2 ○（M2）福嶋亮介 1，山田壮平 2，
宮本敏男 1，飯野敬矩 1，別所康全 2，松井貴輝 2，細川陽一郎 1
3 フェムト秒レーザー誘起衝撃力によるビオチン修飾基板 - アビジン修飾微小球間の接着力評価
奈良先端大 ○丸山彰大，山川 健，上段寛久，飯野敬矩，細川陽一郎
4 レーザ加工によるマイクロ金型の作成とマイクロニードルアレイへの応用
東洋大工 ○伊山佳男，吉田善一，内田貴司

光・フォトニクス-----------------------------------------------------------------------------------3.8 光計測技術・機器
9 月 17 日 9:00 〜 17:00
17a-S8 - 1 〜 11

10:30 〜 10:45

5 フェムト秒パルスレーザーにより作製した YF3薄膜による真空紫外センサの開発
名工大 1，アイシン精機 2 ○柳原雅大 1，石川 紘 1，小野晋吾 1，大竹秀幸 2
6 干渉フェムト秒レーザー加工による金属ナノ周期構造の作製及び表面増強ラマン散乱測定への応用
阪大 1，市大 2 ○中田芳樹 1，島田直人 1，松葉良生 1，
宮永憲明 1，東海林竜也 2，坪井泰之 2

（ 55
55 ）

1 指紋スペクトルを用いた光ファイバーの高信頼度色分散測定
東大物性研 ○伊藤 隆，吉田正裕，秋山英文，小林洋平
2 高精度な測長及び照準変位の同時測定に向けた予備検討
三菱電機 ○原口英介，西岡隼也，鈴木二郎，安藤俊行
3 位相変調信号の２周波数成分から電気光学係数を求める２光束干渉法
浜松ホトニクス 1，山梨大 2 ○滝澤國治 1,2，金 蓮花 2
4 ヘテロダイン干渉計を用いたイオン液体の電気光学効果測定
農工大院工 ○長崎秀昭，大島卓之，小板橋怜子，岩見健太郎，梅田倫弘
5 マイケルソン干渉計による低損失光学材料の吸収測定
東大新領域 1，東大工 2 ○渡部恭平 1，三尾典克 2

3

光・フォトニクス休憩

10:15 〜 10:30

6 Shack-Hartmann 波面センサの波面外挿法による対応付け手法
三菱電機 ○三輪佳史，遠藤貴雄，鈴木二郎，安藤俊行
7 相関ピーク検出法によるホログラフィック Shack-Hartmann 波面センサーのダイナミックレンジ拡大
和歌山大システム工 ○最田裕介，野村孝徳
8 単 4 電池サイズの ATR 中赤外フーリエ分光装置によるその場解析 －日本酒の高精度多成分同時定量計測技術－
香川大工 1，香川大農 2，香川大医 3 ○細野皐月 1，鈴木 陽 1，
佐藤 駿 1，石田 茜 1，中田 翔 1，平松裕行 1，
森 敬太 1，田中直孝 2，和田健司 3，鈴木 聡 1，
Pradeep Abeygunawardhana1，石丸伊知郎 1
9 Photo-thermal Common-path Interferometry による微小光学吸収測定
東大工 1，東大新領域 2 ○古谷寛之 1，渡部恭平 2，三尾典克 1,2
10 近赤外光を用いたマイクロ流路内のアルコール水溶液の温度・濃度同時イメー
ジング
首都大理工 1，鳥取大工 2，産総研 3，電通大 4 ○角田直人 1，川嶋大介 1，
乙黒奈津希 1，近藤克哉 2，有本英伸 3，山田幸生 4
11 屋外計測に向けたハンディーサイズ (120mm×150mm×90mm) 赤外分光イメージング装置の開発
威，
香川大工 ○西藤 翼，藤原 大，鈴木 陽，斉Abeygunawardhana Pradeep，鈴木 聡，石丸伊知郎

昼食

12:00 〜 13:30

5 小型でロバストな光通信帯波長安定化レーザ
産総研 1，ネオアーク 2，電通大 3，JST,ERATO4 ○大苗 敦 1,4，
波多野智 2，稲場 肇 1,4，洪 鋒雷 1,4，美濃島薫 3,4

休

昼

憩

15:00 〜 15:15

食12:00 〜 13:30

1 1.6μm CO2-DIAL 用光源の小型化
首都大院シスデザ ○柴田泰邦，長澤親生，阿保 真
2 赤道域対流圏オゾンの DIAL による鉛直分布測定
首都大院シスデザ ○柴田泰邦，長澤親生，阿保 真
3 水中レーザーリモートセンシングに向けた CO2 気泡のラマン分光測定
レーザー総研 1，阪大院理 2，阪大レーザー研 3○
染川智弘 1，竹内智紀 2，藤田雅之 1,3
4 1.0 GHz 光子計数型位相変調方式蛍光寿命計
徳大院 ○水野孝彦，水谷康弘，岩田哲郎
5 広帯域 AD 変換器による時間分解ポンプ・プローブ信号検出法の改良
福井大工 1，理研 CEMS2 ○牧野哲征 1,2
6 時間相関測定における APD のクロストークの解析
東大院総合 1，JST さきがけ 2 ○大川洋平 1，大村史倫 1，
安武裕輔 1,2，深津 晋 1
7 シリコンフォトダイオード応答非直線性の波長依存性要因の実験的・理論的
検証 II
産総研計測標準 ○田辺 稔，雨宮邦招，沼田孝之，福田大治

1 生体内における化学物質の精密計測に関する研究
東京理科大 1，理研 2 ○菅野秀一 1，前田康大 2，
小川貴代 2，斎藤徳人 2，和田智之 2△ 2 導波モードセンサによる硫酸銅めっき液の管理
早大先進理工 1，早大材研 2，産総研 3 ○（M1）佐藤洸太朗 1，
大木義路 1,2，藤巻 真 3，粟津浩一 3△ 3 ソフトな回折格子を利用したフレキシブルフィルムの大湾曲歪み解析
東工大資源研 1，九大 WPI-I2CNER2，東大新領域 3 ○赤松範久 1，
田代 亘 1，藤川茂紀 2，竹谷純一 3，宍戸 厚 1△ 4 プラスチック光ファイバ中のブリルアン散乱を用いた歪・温度分布測定の実証
東工大精研 ○（DC）林 寧生，水野洋輔，中村健太郎△ 5 全フッ素化プラスチック光ファイバ中の多モード干渉を用いた超高感度歪・温度計測
東工大精研 ○沼田剛毅，林 寧生，田原麻梨江，水野洋輔，中村健太郎
6 光ファイバー先端部に生成する微小高温領域の時間分解計測
東海大 ○前田和夫，宮良政彦，藤本幸弘，鄭 和翊，山口 滋

休10:30 〜 10:45

18p-S8 - 1 〜 13

17p-S8 - 1 〜 137 白色干渉計を用いた透明電極 ITO 膜厚の計測
筑波大 ○（D）陳凱，雷楓，伊藤雅英8 白色反射光計測によるウェハ厚さ測定における表面性状の影響○
茨大工
小貫哲平，尾嶌裕隆，清水 淳，周 立波▲ 9 Development of the 2D singleshot, long range tomography andprofilometry with consideration of the rapid calculation of interference
fringe order
Nagaoka University of Technology1，Saitama University2〇
Tuan Banh Quoc1，Shioda Tatsutoshi2▲ 10 Polarization Phase Shifting Analysis on The Pixelated Phase-Mask
Dynamic Interferometer
Center for Optical Research & Education (CORE) - Utsunomiya University〇 (P)David Serrano，Otani Yukitoshi
11 振幅分割型ポラリメーターによる液晶可変リターダーの評価
山形大地教 石澤 倫，○津留俊英
12 二重回転ストークス偏光計と位相子キャリブレーション法宇都宮大 1，東京工芸大 2 ○柴田秀平 1，川畑州一 2，大谷幸利 1△ 13 偏光カメラの二色性キャリブレーション法宇都宮大 ○柴田秀平，大谷幸利

憩

6 Yb 固体レーザーの波長変換による中赤外光源の開発
東大物性研 1，JST-ERATO2 ○大久保弘樹 1,2，中村卓磨 1，
遠藤 護 1,2，伊藤 功 1,2，小林洋平 1,2
7 光コムのモードフィルタリングによる短期安定度向上をめざして
慶大理工 1，産総研 2，JST, ERATO3 ○世良英之 1,2,3，稲場 肇 2,3，
大久保章 2,3，保坂一元 2,3，大苗 敦 2,3，岩國加奈 1,2,3，
池上 健 2，佐々田博之 1,3，洪 鋒雷 2,3
8 波長可変なコム光源を用いた広帯域精密分光法の提案
農工大院工 1，埼玉大理工 2，国立天文台 3 ○関 智史 1，
塩田達俊 2，柏木 謙 1，田中洋介 1，黒川隆志 3,1
9 光コムを用いた波長の異なる狭線幅レーザーの周波数安定度測定
産総研 1，JST, ERATO2 ○保坂一元 1,2，稲場 肇 1,2，大久保章 1,2，
赤松大輔 1，安田正美 1，大苗 敦 1,2，洪 鋒雷 1,2△ 10 微量水分計測のための CRDS の開発
産総研 1，ニコラス・コペルニクス大 2 ○橋口幸治 1，
Daniel Lisak2，阿部 恒 1

休憩

15:15 〜 15:30△ 8 光コム干渉計におけるファイバノイズキャンセリング手法を用いた光路長安
定化
電通大先進理工 1，JST, ERATO2 ○中嶋善晶 1,2，美濃島薫 1,2
9 縦型球面フィゾー干渉計における重力の効果測定
産総研 1，光産業創成大 2 ○日比野謙一 1，花山良平 2△ 10 小型フォトニック結晶波長板による点回折干渉計の高精度化
東北大多元研 1，秋田産技センター 2 ○砂山 諒 1，豊田光紀 1，
近藤祐治 2，山川清志 2，柳原美廣 1
11 広視野ヘテロダイン干渉計による 2 次元面の一括振動分布計測
新潟大院 1，新潟大 2 ○丸山悠太 1，崔 森悦 2，鈴木孝昌 1
12 空間的多波長走査干渉計による薄膜形状計測
新潟大院 1，新潟大 2 ○佐藤瞭子 1，崔 森悦 2，鈴木孝昌 1
13 多波長逆伝搬法を用いた SD-OCT
新潟大院 1，新潟大 2 ○武隈雄也 1，崔 森悦 2，佐々木修己 2，鈴木孝昌 1-----------------------------------------------------------------------------------3.8 光計測技術・機器
9 月 19 日
19a-PA6 - 1 〜 10-----------------------------------------------------------------------------------3.8 光計測技術・機器
9 月 18 日 9:00 〜 17:00
18a-S8 - 1 〜 10

1 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30 分）
Improved Absolute Frequency Measurement of the 171Yb Optical
Lattice Clock towards a Candidate for the Redeﬁnition of the Second
産総研 ○安田正美，稲場 肇，河野託也，田邊健彦，中嶋善晶，
保坂一元，赤松大輔，大苗 敦，鈴山智也，雨宮正樹，洪 鋒雷△ 2 イッテルビウム原子の 1S0–1P1遷移の絶対周波数測定
産総研 ○田邊健彦，赤松大輔，安田正美，小林拓実，保坂一元，
稲場 肇，大久保章，大苗 敦，洪 鋒雷△ 3 Λ 型 3 準位系における Ramsey-CPT 共鳴の AC シュタルクシフト
1
首都大学東京 ，情報通信研究機構 2 ○（DC）矢野雄一郎 1，
五箇繁善 1，梶田雅稔 2
4 宇宙重力波検出器 DPF のための周波数安定化光源
電通大レーザー研 ○末正 有，中川賢一，武者 満

（ 56
56 ）

19a-PA6 - 1 〜 10

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 深部計測に向けた二光子励起発光測定による光ファイバープローブ形状の最適化
慶大院理工 1，山梨大 2 ○田中誠一 1，津守伸宏 1，
斎木敏治 1，酒井 優 2，犬飼潤治 2
2 エリプソメトリーにおける観測窓補正の一般化
山梨大 ○金 蓮花，春日翔貴，近藤英一
3 線形光周波数走査面発光半導体レーザを用いた高精度絶対長さ測定干渉計
北大院工 ○覚間誠一
4 光周波数コムが提供する物差長岡技大機械 ○韋
冬，明田川正人
5 空間エンコーディングされた測定点の非メカニカル走査によるレーザドップ
ラー断面速度分布計測
香川大工 ○丸 浩一
6 導波路型雨滴検知装置のための方向性結合器の評価
芝浦工大院理工 ○（M1）佐藤大樹，横井秀樹
7 二 重 焦 点 マ イ ク ロ レ ン ズ ア レ イ を 用 い た 広 ダ イ ナ ミ ッ ク レ ン ジ ShackHartmann 波面センサー
和歌山大院システム工 1，和歌山大システム工 2○
神藤宏伸 1，最田裕介 2，野村孝徳 2

3

8 局部傾斜角測定を利用した高分解能絶対形状測定装置の開発
産総研 ○尾藤洋一，近藤余範
9 近赤外波長におけるビーム診断用イメージセンサの感度不均一性
産総研計測標準 ○沼田孝之，田辺 稔，雨宮邦招，福田大治
10 CARS 分光法を使ったナフィオン膜中の水分分析
山梨大クリスタル研 1，山梨大院医工 2，山梨大燃料電池ナノセ 3，
北大工 4 ○東海林篤 1，酒井 優 2，原 正則 3，
永田伊智郎 3，松島永佳 4，犬飼潤治 3-----------------------------------------------------------------------------------3.9 テラヘルツ全般
9 月 18 日
18p-PA5 - 1 〜 20

18p-PA5 - 1 〜 20

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 GaInP/AlGaInP 系 THz 帯量子カスケードレーザ
情報通信研究機構 ○安田浩朗
2 共振器端面プラズマによるテラヘルツ量子カスケードレーザの強度変調
情報通信研究機構 1，阪大 2 ○酒瀬川洋平 1，齋藤伸吾 1，
関根徳彦 1，笠松章史 1，芦田昌明 2，寳迫 巌 1
3 テラヘルツ帯ゼロバイアス検波用三重障壁共鳴トンネルダイオードの高感度化設計についての理論解析
首都大院理工 ○（M1）小野孝介，岡崎俊道，斉藤光史，須原理彦
4 トンネルダイオードにおける量子輸送パラメータのバイアス依存性同定手法についての理論的検討
首都大院理工 1，Univ.Duisburg-essen2 ○（M1）伊森香織 1，須原理彦 1，
Gregor Keller2，Werner Prost2，Franz-Josef Tegude2
5 電子ビーム−グレーデッド・グレーティング相互作用によるテラヘルツ電磁波
放射の電子ビームエネルギー依存性
三重大院工 1，三重大極限ナノエレ 2 ○岡島亜希子 1,2，松井龍之介 1,2
6 サブテラヘルツ波発生にむけた光注入型波長可変光源の開発
理研 1，東北工大 2 ○時実 悠 1，三宅良宜 1,2，范 書振 1，縄田耕二 1，祁
峰 1，瀧田佑馬 1，林伸一郎 1，南出泰亜 1
7 電場印加した Sb2Te3薄膜からのテラヘルツ電磁波放射
阪府大院理 ○竹野広晃，大畠悟郎，溝口幸司
8 Type Ⅱバックワード位相整合によるテラヘルツ波光源の開発
千葉工大 1，千葉大 2 ○（M1）関裕次郎 1，秋葉拓也 1，小田切政樹 1，
橋野 風 1，水津光司 1，宮本克彦 2，尾松孝茂 29 金属円錐構造におけるテラヘルツ波の超集束：境界条件の検討
福井大教育地域 1，福井大遠赤セ 2，福井工大 3，海保大 4 ○栗原一嘉 1，
山本晃司 2，桑島史欣 3，森川 治 4，谷 正彦 2
△ 10 Q スイッチ YAG レーザーによるフレーム加工を施したフリースタンド型ワイ
ヤーグリッドの偏光子の作製と評価
大市大院工 ○鎌森隆明，菜嶋茂喜，細田 誠△ 11 フリースタンド型ワイヤーグリッドにおける表面波の断面形状依存性
大市大院工 ○堀田宏樹，菜嶋茂喜，細田 誠△ 12 金属メッシュデバイスにおける TH ｚスペクトル Dip 構造に対する厚み依存
性
大市大院工 1，村田製作所 2，京大院農 3 ○江原宜伸 1，藤村拓矢 1，
堤 太志 1，菜嶋茂喜 1，細田 誠 1，近藤孝志 2，
神波誠治 2，鈴木哲仁 3，小川雄一 3△ 13 台形型金属メッシュデバイスの Dip 構造の開口形状依存性
大市大院工 1，村田製作所 2，京大 3 ○（M1）藤村拓矢 1，江原宜伸 1，
菜嶋茂喜 1，細田 誠 1，近藤孝志 2，神波誠治 2，小川雄一 3△ 14 長方形開口型金属メッシュデバイスの透過特性
大市大院工 1，村田製作所 2，京大院農 3 ○澤坂駿介 1，堤 太志 1，
菜嶋茂喜 1，細田 誠 1，近藤孝志 2，神波誠治 2，鈴木哲仁 3，小川雄一 3△ 15 メタマテリアル構造を用いた µm 級薄膜レンズの 1THz 帯集光特性の一検討
首都大院理工 ○山倉裕和，斉藤光史，須原理彦
16 誘電体球を用いたテラヘルツ波吸収体の提案
阪大レーザー研 1，信州大理 2，リモージュ大 3 ○花井研一郎 1，高野恵介 1，
宮丸文章 2，中嶋 誠 1，萩行正憲 1，Yahiaoui Riad3
17 テラヘルツ時間領域分光法における位相アンラップの決定方法について
大市大院工 ○菜嶋茂喜，柴田浩昌，細田 誠△ 18 毛髪ケラチンを構成するアミノ酸のテラヘルツスペクトル測定
静大院工 1，味の素 2，静大電研 3 ○（M2C）柴 直孝 1，
山本 健 2，神原 大 3，廣本宣久 1▲ 19 Silicon lens antenna for linear array THz antenna detectors
Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University1，
Faculty of Engineering, Universitas Indonesia2，
Faculty of Engineering, Shizuoka University3〇
Catur Apriono1,2，Eko Tjipto Rahardjo2，
Norihisa Hiromoto1,320 導電性高分子 PEDOT:Tos のキャリアダイナミクス
理研光量子 1，東北大院理 2，Linkoping Univ.3 ○山下将嗣 1，
山田雄介 1,2，Crispin Xavier3，大谷知行 1,2------------------------------------------------------------------------------------

光・フォトニクス

3.9 テラヘルツ全般
9 月 19 日 9:00 〜 18:30
19a-C6 - 1 〜 13

1 接触型回折格子法による高強度テラヘルツ光の発生
原子力機構 ○坪内雅明，永島圭介，吉田芙美子，越智義浩，圓山桃子△ 2 チェレンコフ位相整合によるテラヘルツ波の偏光依存性の評価
千葉工大 1，千葉大 2，CREST3 ○秋葉拓也 1，秋元康尋 1，
水津光司 1，宮本克彦 2，尾松孝茂 2,33 非線形光学波長変換によるテラヘルツ光のコヒーレント検出
理研 1，名大工 2 ○林伸一郎 1，縄田耕二 1，川瀬晃道 2,1，南出泰亜 1
4 CMOS FinFET による低コストテラヘルツ波発生器の検討
産総研 ○松川 貴，柳原昌志，柳 永勛，大野守史，田所宏文，昌原明植
5 トンネル接合からの THz 発光
東北大・通研 1，産総研 2 角田貴也 1，○上原洋一 1，
片野 諭 1，桑原正史 2
6 固有ジョセフソンプラズマの素子端面からの放射モデル (10): 放射を引き起こす有ジョセフソンプラズマ内部モードの可能性
RIST1，東北大 2 ○飯塚幹夫 1，中村 壽 1，立木 昌 2

休憩

10:30 〜 10:45▲ 7 Modulation barriers AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers at 3.7 THz△
RIKEN ○ Tsung-Tse Lin，Hideki Hirayama
8 GaN 系 2 量子井戸型量子カスケード構造からのテラヘルツ発光
理研 ○寺嶋 亘，平山秀樹
9 バラクタダイオードを集積した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ周波数可変発振器
東工大総理工 1，東工大院理工 2 ○北川成一郎 1，鈴木左文 2，浅田雅洋 1
10 アンテナ長最適化による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の周波数向上
東工大総合理工 1，東工大理工 2 ○前川 猛 1，金谷英敏 1，
曽我部陸 1，鈴木左文 2，浅田雅洋 1
11 連続螺旋型位相板を用いたテラヘルツ光渦の発生およびモード解析
千葉大院融合 1，千葉工大工 2，CREST, JST3 ○宮本克彦 1，
水津光司 2，秋葉拓也 2，尾松孝茂 1,3
12 MEMS 両持ち梁構造を用いたテラヘルツ光検出の可能性
東大生研・ナノ量子機構 ○渡辺康行，吉田健治，平川一彦
13 斜周期分極反転素子を用いたテラヘルツセンサーの高感度化
理研 1，分子研 2 ○縄田耕二 1，野竹孝志 1，石月秀貴 2，祁
峰 1，
瀧田佑馬 1，范 書振 1，林伸一郎 1，時実 悠 1，
平等拓範 2，南出泰亜 1

昼食12:30 〜 14:00

19p-C6 - 1 〜 16

△ 1 GaAs/AlGaAs を用いたテラヘルツ帯チューナブル検出素子のゲート電圧による出力変調とキャリア緩和過程
東工大量子ナノエレ研セ ○（M2）平野智之，鈴木大地，小田俊理，河野行雄
2 狭帯域テラヘルツ光パルスによる GaAS 量子井戸中の励起子のコヒーレント
制御
京大院理 1，京大 iCeMS2，早大理工 3，CREST JST4，東大物性研 5，
プリンストン大 6 ○内田健人 1，廣理英基 2,4，玉谷知裕 1，向井 佑 1，
青木隆朗 3,4，田中耕一郎 1,2,4，望月敏光 5，金 昌秀 5，吉田正裕 5，
秋山英文 5，Loren Pfeiffer6，Ken West6△ 3 スプリットリング共振器の高強度テラヘルツ近接磁場による非線形スピン波
励起
京大院理 1，京大 iCeMS2，CREST JST3，京大院工 4 ○向井 佑 1，
廣理英基 2,3，山本隆文 4，陰山 洋 2,4，田中耕一郎 1,2,3
4 THz 電場誘起ゼナ－トンネリングがもたらす発光現象
京大 iCeMS1，CREST JST2，京大院理 3，原子力機構 4，東大物性研 5，
プリンストン大 6 ○廣理英基 1,2，篠北啓介 1,2，向井 佑 3，内田健人 3，
田中耕一郎 1,2,3，乙部智仁 4，望月敏光 5，金 昌秀 5，吉田正裕 5，
秋山英文 5，Loren Pfeiffer6，Ken West6
5 超短パルステラヘルツ波発生のための OH1 薄膜の作製と評価
名大 1，アークレイ 2，理研 3 ○山崎 良 1，内田裕久 2，川瀬晃道 1,3
6 負の屈折率媒質による電磁波放射の基礎研究
レーザー総研 1，阪大レーザー研 2，兵庫県立大 3○
李 大治 1，萩行正憲 2，宮本修治 3

休憩

15:30 〜 15:45

7 周期構造のモアレにより変調を受けたサブテラヘルツ帯メタ表面
東北大院理 ○大野誠吾，石原照也△ 8 FDTD 法によるテラヘルツ帯プラズモニックアンテナの小型化検討
東工大量子ナノ研セ ○（M2）井原 敏，小田俊理，河野行雄
9 テラヘルツ帯用高性能金属薄膜サブ波長格子構造偏光子の作製
宇都宮大 1，宇都宮大 2，宇都宮大 3 ○村木兼吾 1，諏訪翔也 2，白石和男 3△ 10 -50 dB 以下の高消光比と 80 % 以上の高透過電力を両立設計したテラヘルツ波帯ワイヤーグリッドの実験評価
茨城大工 1，阪大基礎工 2，M&M 研 3，阪大レーザー研 4 ○岸 湧大 1，
永井正也 2，御田 護 3，高野恵介 4，萩行正憲 4，鈴木健仁 1△ 11 塗布型有機半導体をコートしたシリコン基板におけるテラヘルツ透過の光変調
三重大院工 1，三重大極限ナノエレ 2，三重大工 3，阪大レーザーエネ研 4○
猪瀬優人 1，松井龍之介 1,2，黒宮章太 3,4，田中 翼 4，高野恵介 4，萩行正憲 4

（ 57
57 ）

3

光・フォトニクス△ 12 3 次元金属マイクロコイルを装加した金属スリットアレーによるテラヘルツ
波帯負の屈折率設計
茨城大工 1，茨城大工 2，阪大レーザー研 3 ○石原功基 1，岸 湧大 2，高野恵介 3，萩行正憲 3，鈴木健仁 1,2

休憩

17:15 〜 17:30▲ 13 characterization of gold thin film by Parallel Plate Waveguide Terahertz
Time Domain Spectroscopy
Institute of Laser Engineering Osaka University〇
Razanoelina Manjakavahoaka，Ryuhei Kinjo，Kazuhisa Takayama，Iwao Kawayama，
Hironaru Murakami，Masayoshi Tonouchi△ 14 ヒト汗腺がヘリカルアンテナとして機能した場合の共振周波数
名大 1，理研 2 ○宮田瑛介 1，Saroj Tripathi1，山田晴仁 1，川瀬晃道 1,2△ 15 アダプティブ・サンプリング式デュアル THz コム分光法
徳島大 1，JST-ERATO2，産総研 3，電通大 4 ○市川竜嗣 1，
謝 宣達 1,2，稲葉 肇 2,3，美濃島薫 2,4，安井武史 1,2△ 16 THz コム参照型スペクトラム・アナライザー用高速カレント・プリアンプ一体型光伝導アンテナモジュールの開発
徳島大 1，JST-ERATO2 ○小倉隆志 1，林 健太 1，岩田哲郎 1,2，安井武史 1,2-----------------------------------------------------------------------------------3.9 テラヘルツ全般
9 月 20 日 9:00 〜 15:00
20a-C6 - 1 〜 11

△ 1 テラヘルツ・エバネッセント波と励起光の相互作用を利用した分光応用
千葉工大工 1，千葉大工 2 ○（M2）金子直也 1，秋葉拓也 1，
水津光司 1，宮本克彦 2，尾松孝茂 22 高感度シングルショット THz 分光
横国大院工 ○堀内康平，増田開晴，南 康夫，片山郁文，武田 淳
3 THz-TDS を用いた THz エリプソメトリー装置の開発
日邦プレシジョン 1，摂南大 2 ○藤井高志 1，澤田 健 1，
岩本敏志 1，佐藤幸徳 1，長島 健 2
4 空気プラズマからの超広帯域コヒーレント赤外波をもちいた単結晶シリコンの時間分解ポンププローブ分光
阪歯大物理 1，阪大基礎工 2 ○松原英一 1,2，永井正也 2，芦田昌明 2△ 5 THz-Pump/THz-Probe 分光法による半金属ビスマスの非線形キャリア応答
横国大院工 1，物材機構 WPI-MANA2，JST-CREST3，奈良先端大 4，ルクスレイ 5 ○荒木光太郎 1，南 康夫 1，Dao Thang D.2,3,4，
長尾忠昭 2,3，武田 淳 1，北島正弘 1,3,5，片山郁文 1
6 金薄膜内キャリアの非線形テラヘルツ波応答
横国大院工 1，物材機構 WPI-MANA2，JST-CREST3，奈良先端大 4，ルクスレイ 5 ○南 康夫 1，Thang Duy Dao2,3,4，長尾忠昭 2,3，
武田 淳 1，北島正弘 1,3,5，片山郁文 1休憩

△ 8 テラヘルツ波ケミカル顕微鏡による燃料電池の触媒反応解析
岡山大自然 ○（M1）古礒和樹，日下鉄也，紀和利彦，堺 健司，塚田啓二-----------------------------------------------------------------------------------3.10 光量子物理・技術
9 月 18 日 9:00 〜 18:45
18a-C2 - 1 〜 12

1 ２次元共振器 GaAs マイクロレーザの TM モード発振
岡山県立大 1，NTT CS 研 2，金沢大 3，早大 4 ○福嶋丈浩 1，篠原 晋 2，
砂田 哲 3，原山卓久 4，坂口浩一郎 1，徳田安紀 12 長い光路を実現する２次元微小共振器
岡山県立大 1，NTT CS 研 2，金沢大 3，早大 4 ○福嶋丈浩 1，篠原 晋 2，
砂田 哲 3，原山卓久 4，新井賢一 2，吉村和之 2，坂口浩一郎 1，徳田安紀 1
3 光注入量子カスケード半導体レーザ変調特性のキャリア緩和時間依存性
静大院工 ○伊藤 惇，生源寺類，大坪順次
4 非対称 3 結合半導体ネットワークにおけるゼロ遅延同期
静大院工 ○小澤 諒，生源寺類，大坪順次
5 カオス駆動した VCSEL の直交偏光相互結合における同期ダイナミクス
静大院工 ○近藤博文，生源寺類，大坪順次△ 6 短距離で相互結合された半導体レーザにおける周波数帯域拡大カオスの生成
埼玉大 1，福岡大 2 ○岩川健人 1，菅野円隆 1,2，内田淳史 1△ 7 レーザカオス発生用相互結合型光集積回路におけるカオス同期実験
埼玉大 1，NTT CS 基礎研 2，早稲田大 3，NTT フォトニクス研 4，金沢大 5，
テレコグニックス 6 ○宇賀神上総 1，高橋里枝 1，内田淳史 1，原山卓久 2,3，
都築 健 4，砂田 哲 2,5，吉村和之 2，新井賢一 2，ピーター デイビス 2,6

休

昼

食

10:45 〜 11:00

昼

食12:15 〜 14:00

18p-C2 - 1 〜 17

1 局所場応答による基底状態探索演算

10:30 〜 10:45

日立中研 ○戸丸辰也
2 物理レイヤ暗号の秘密伝送可能情報量の具体的評価
早大理工 1，NICT2 ○遠藤寛之 1,2，韓 太舜 2，青木隆朗 1，佐々木雅英 2
3 測定装置無依存 DPS 量子鍵配送
阪大工 ○井上 恭4 過剰雑音及びビットエラー分布を考慮した光プリアンプを用いない IM/DD
QKD
阪大工 ○（M1）生田拓也，井上 恭
5 高振幅正弦電圧ゲート動作 InGaAs/InP アバランシェフォトダイオードによる単一光子検出
日大量科研 ○（M1）多田彬子，行方直人，井上修一郎
6 室温動作可能なサブ・ガイガーモード InGaAs APD 光子検出器の検討
東京女子医大 ○辻野賢治，山口俊夫，松本みどり，木下順二△ 7 THz-TDS による PE フィルム含水量の非破壊検査法
岡山大自然 ○（M1）松岡泰正，紀和利彦，堺 健司，塚田啓二
8 赤外分光法を用いたゼラチン薄膜の乾燥過程における結合水の観測
東大生研 ○大塚由紀子，白樫 了，平川一彦
9 テラヘルツ波を用いた高分子化合物の親水性評価
東大工 ○（D）川辺駿佑，足立真輝，田畑 仁
10 ガスタービン翼に施工された遮熱コーティングのトップコート膜厚測定
電中研 1，NICT2 ○福地哲生 1，布施則一 1，岡田満利 1，
尾関高行 1，藤井智晴 1，水野麻弥 2，福永 香 2
11 二重変調方式反射型 THz エリプソメータの製作と金属表面上の塗装膜厚の測
定
徳大院 1，阪大院 2 ○上村裕明 1，水谷康弘 1，安井武史 1,2，岩田哲郎 1

20p-C6 - 1 〜 8憩

8 戻り光のあるカオス発振半導体レーザの静的特性の制御
東理大理工 1，早大理工研 2 ○中尾俊也 1，海老澤賢史 1,2，前田譲治 1△ 9 GSLD の戻り光パルスを利用したファイバー光学長の精密計測
阪府大院工 ○松倉 聖，山上雄基，北川直昭，田中天翔，
和田健司，松山哲也，堀中博道△ 10 スーパールミネッセントダイオードを用いた共通信号入力同期と相関乱数秘密鍵配送実験
埼玉大 1，NTT CS 基礎研 2 ○鈴木頌允 1，樋田拓也 1，掛巣和泉 1，
内田淳史 1，吉村和之 2，新井賢一 2
11 緑色半導体レーザにおけるモードホッピング現象の電流・温度相関性
同志社大理工 ○川澄正翔，佐々木和可緒
12 電気－光双安定回路を搭載した自己組織化ノードによるスマートグリッド技術
同志社大理工 ○南里宏人，佐々木和可緒

12:00 〜 13:00

休

1 テラヘルツ近接場光による液体の微量分析
阪大 1，学振 PD2 ○（M1）松田栄輝 1，芹田和則 1,2，
村上博成 1，川山 巌 1，斗内政吉 1
2 テラヘルツ波による毛髪の保湿状態の評価
阪大レーザー研 1，学振 PD2 ○芹田和則 1,2，村上博成 1，
川山 巌 1，斗内政吉 1
3 フォトミキサアレイからの低コヒーレンスサブテラヘルツ波によるアクティ
ブイメージング
NTT MI 研 1，東京理科大 2 ○清水直文 1，松山 賢 2△ 4 コレステリック液晶を用いたテラヘルツイメージャーの開発
阪大レーザー研 ○（M2）西川智啓，田所 譲，高野恵介，中嶋 誠，萩行正憲▲ 5 Terahertz wavefront measurement using 2D electro-optic sampling
Inst. Tech. Sci., Univ. of Tokushima1，LOMA, Bordeaux Univ.,
France2 〇 Harsono Cahyadi1，Ryuji Ichikawa1，
Jerome Degert2，Eric Freysz2，Takeshi Yasui1，
Emmanuel Abraham2
6 時間 - 周波数解析によるテラヘルツパルス波からの構造情報の抽出 (2)スペクトルデザイン 1，東工大 2 ○高橋功将 1，深澤亮一 1，
碇 智文 1，大島誉寿 2，水谷義弘 2
7 テラヘルツ時間領域分光法によるラット脳生組織の腫瘍観測
キヤノン 1，浜松医大 2 ○山口小百合 1，福司康子 2，窪田央一 1，
井辻健明 1，山本清二 2，尾内敏彦 1憩

15:30 〜 15:45

7 Type-II PPMgSLT から生成された二光子のスペクトル特性
電通大先端セ ○清水亮介，Nandan Singh▲ 8 Efficient polarization-entangled photon generation using two-period△		 PPLN waveguides
Tohoku Univ.1，Oki Electric Industry Co. Ltd.2 ○ Bo Cao1，
Qiechun Chen1，Wakana Ueno1，Masahiro Yabuno1，
Yasuyoshi Mitsumori1，Tadashi Kishimoto2，
Hitoshi Murai2，Keiichi Edamatsu1
9 シリコン細線マイクロリング共振器を用いた高効率光子対発生
東北大通研 1，NTT ナノフォトニクスセンタ 2，NTT MI 研 3，NTT 物性研 4○阿部洋一 1，藪野正裕 1，三森康義 1，枝松圭一 1，土澤 泰 2,3，
松田信幸 2,4，畑中大樹 4，山田浩治 2,3
10 Si リング共振器を用いた time-bin 量子もつれ光子対生成Ⅱ
情報通信研究機構 1，早大理工 2 ○若林亮太 1,2，藤原幹生 1，
佐々木雅英 1，青木隆朗 2▲ 11 Control of two-photon production rates in a pulse: toward constructionof ultra-bright photon sources
NICT1，UEC2，Sophia University3 〇 Ruibo Jin1，Ryosuke Shimizu2，
Isao Morohashi1，Kentaro Wakui1，Masahiro Takeoka1，
Shuro Izumi1,3，Takahide Sakamoto1，Mikio Fujiwara1，
Taro Yamashita1，Shigehito Miki1

（ 58
58 ）

3

12 可視 - 通信波長光子対を用いたエンタングルメント抽出実験
阪大基礎工 1，東大工 2 ○杉浦幸大 1，逵本吉朗 1，勝瀬大祐 1，
安藤 誠 1，生田力三 1，山本 俊 1，小芦雅斗 2，井元信之 1

休憩

17:15 〜 17:30

13 1GHz クロック単一光子検出器を用いた通信波長帯偏光量子もつれ光子対のシングルモードファイバ配送実験
OKI ○荒平 慎，村井 仁
14 通信波長帯における高効率の量子もつれ交換
情報通信研究機構 1，東京理科大 2，電気通信大 3 金 鋭博 1，○
高木うた子 1,2，清水亮介 3，佐々木雅英 1
15 光通信波長帯マイケルソンファイバ二光子干渉計の三次分散効果
産総研 ○吉澤明男，福田大治，土田英実，山本宗継
16 量子ドット起源の２光子状態評価と Werner 状態生成
北大 1，物材機構 2 ○熊野英和 1，中島秀朗 1，黒田 隆 2，
劉 祥明 2，間野高明 2，迫田和彰 2，末宗幾夫 1▲ 17 Enhancement of Luminescence in InAs Quantum Dots employing
Cooper-pair Recombination
RIES, Hokkaido University1，NTT Basic Research Laboratories2，
NICT3 〇 Sinthia Shabnam Mou1，Hiroshi Irie2，Kouichi Akahane3，
Hiroyuki Kurosawa1，Hideaki Nakajima1，Hidekazu Kumano1，
Masahide Sasaki3，Ikuo Suemune1-----------------------------------------------------------------------------------3.10 光量子物理・技術
9 月 19 日
19a-PA7 - 1 〜 5

19a-PA7 - 1 〜 5

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 二色励起法によるハイパーパラメトリック散乱からの同軸量子もつれ光ビー
ムの生成
阪府大院理 ○清水 颯，大畠悟朗，山本康男，溝口幸司
2 励起子分子共鳴ハイパーパラメトリック散乱光における多光子偏光相関測定
阪府大院理 ○（DC）山本康男，大畠悟郎，溝口幸司
3 単一光子検出アバランシェフォトダイオードの為のリセット機能付き受動ク
エンチング回路
日大量科研 ○（M2）高野 晃，行方直人，井上修一郎
4 利得変調半導体レーザーの時間ジッター計測に関する数値計算
阪府大院工 ○山上雄基，松倉 聖，北川直昭，田中天翔，
和田健司，松山哲也，堀中博道
5 疑似ランダム信号を印加した戻り光半導体レーザー系のカオス発振
早大理工 1，東理大理工 2 ○海老澤賢史 1,2，前田譲治 2，小松進一 1-----------------------------------------------------------------------------------3.11 フォトニック構造・現象
9 月 17 日 13:30 〜 15:30
17p-C8 - 1 〜 8

1 SiC ナノビームフォトニック結晶共振器の作製
京大院工 1，成均館大 2 ○（D）田 昇愚 1，山口祐樹 1,2，
宋 奉植 1，浅野 卓 1，野田 進 12 ゲルマニウムフォトニック結晶ナノビーム共振器の作製と光学評価
東大生研 / ナノ量子機構 1，日立中研 2，PETRA3，PECST4 ○黒木理宏 1，
加古 敏 1，石田悟己 1，小田克矢 2,3,4，井戸立身 2,3,4，
岩本 敏 1，荒川泰彦 1,4
3 フォトリソグラフィで作製した SiO2 クラッド付き高 Q 値フォトニック結晶
共振器
慶大理工 ○大岡勇太，伏見亮大，吉岐 航，鐵本智大，田邉孝純
4 斜め SOI 細線導波路上に配置された InP フォトニック結晶レーザの小型ハイブリッド設計NTT ナノフォトニクスセンタ 1，NTT 物性科学基礎研究所 2，
NTT フォトニクス研究所 3 ○新家昭彦 1,2，野崎謙悟 1,2，
倉持栄一 1,2，硴塚孝明 1,3，武田浩司 1,3，佐藤具就佐藤具就 1,3，
谷山秀昭谷山秀昭 1,2，長谷部浩一 1,3，藤井拓郎藤井拓郎 1,3，
松尾慎治松尾慎治 1,3，納富雅也 1,2△ 5 3 次元フォトニック結晶による 3 次元光回路の検討 －並列水平導波路の結合特性解析－
京大院工 ○（D）権平 皓，石﨑賢司，北野圭輔，浅野 卓，野田 進△ 6 3 次元フォトニック結晶への導波路 - ナノ共振器結合構造の導入 (II)
京大院工 ○北野圭輔，石崎賢司，権平 皓，野田 進△ 7 <110> 層状ダイヤモンド構造三次元フォトニック結晶ナノ共振器の Q 値に対する積層誤差の影響 : 数値解析による評価
東大生研 1，東大ナノ量子機構 2 ○田尻武義 1，高橋 駿 2，
太田泰友 2，岩本 敏 1,2，荒川泰彦 1,2△ 8 半導体三次元キラルフォトニック結晶における量子ドットからの円偏光発光
東大ナノ量子機構 1，東大生研 2 ○高橋 駿 1，田尻武義 2，太田泰友 1，館林 潤 1，岩本 敏 1,2，荒川泰彦 1,2------------------------------------------------------------------------------------

3.11 フォトニック構造・現象
9 月 17 日
17p-PA2 - 1 〜 8
17p-PA2 - 1 〜 8

光・フォトニクス

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 フォトニック結晶レーザにおける 3 次元空孔形状の影響の検討
京大院工 1，京大白眉 2 ○（DC）西本昌哉 1，石崎賢司 1，前川享平 1，
梁
永 1，北村恭子 1,2，野田 進 1
2 ワットクラス・フォトニック結晶面発光レーザの詳細特性
浜ホト 1，京大院工 2，ACCEL JST3 廣瀬和義 1,2,3，梁永 2,3，
黒坂剛孝 1,2，○渡辺明佳 1,3，杉山貴浩 1,3，野田 進 2,3
3 フォトニック結晶レーザの結合波理論による解析 ( ⅩⅢ )– 不均一ポンピング
効果 永 1,2，
京大院工 1，ACCEL JST2 ○北川 均 1,2，梁John Gelleta1,2，野田 進 1,2
4 プラズモンフォーカシングによる光学ナノイメージング
阪大工 ○馬越貴之，齊藤結花，プラブハット バルマ
5 大面積 Si フォトニック結晶スラブを用いた色素分子の高感度検出
物材機構 ○崔 峯碩，岩長祐伸，宮崎英樹，杉本喜正，落合哲行，迫田和彰△ 6 SiC ナノビームフォトニック結晶共振器の設計 (2)京大院工 1，成均館大 2 ○山口祐樹 1，田 昇愚 1，宋 奉植 1,2，
浅野 卓 1，田中良典 1，野田 進 1△ 7 フォトニック結晶を導入した µc-Si 太陽電池の電子線誘起電流法による評価
京大院工 1，京大白眉 2 ○（M2）梅田尚実 1，石崎賢司 1，Menaka De Zoysa1,2，
田中良典 1，川本洋輔 1，藤田奨也 1，野田 進 1
8 ２光子励起による InAs 量子ドット埋め込み GaAs フォトニック結晶スラブ導波路型レーザー (3)千歳科技大 1，和歌山大 2，物材研 3 ○小田久哉 1，山中明生 1，
尾崎信彦 2，池田直樹 3，杉本喜正 3-----------------------------------------------------------------------------------3.11 フォトニック構造・現象
9 月 18 日 10:00 〜 17:45
18a-C8 - 1 〜 10

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
狭帯域熱輻射光源の電圧高速変調 −実験的進展−
京大院工 1，京大白眉 2 ○井上卓也 1，Menaka De Zoysa1,2，
浅野 卓 1，野田 進 1
2 吸収と放射の Q 値整合による狭帯域・高放射率熱輻射スペクトルの実現
京大院工 1，京大白眉 2 ○井上卓也 1，Menaka De Zoysa1,2，
浅野 卓 1，野田 進 1
3 キャップ層付き狭帯域マイクロキャビティ・エミッタの提案
NEC スマエネ研 ○角野雅芳，渋谷明信，眞子隆志，萬 伸一
4 熱光発電のための輻射制御に関する検討
京大院工 1，大阪ガス 2，京大白眉 3 ○末光真大 2，Menaka De Zoysa3，
橋本康平 1，井上卓也 1，浅野 卓 1，野田 進 1
5 狭帯域近赤外 Si フォトニック結晶熱輻射光源の検討 (V)
京大院工 1，京大白眉 2，大阪ガス 3 ○橋本康平 1，Menaka De Zoysa2，
末光真大 3，井上卓也 1，浅野 卓 1，野田 進 1
6 ハニカム・カゴメ格子配列ナノコラムの成長と評価
上智大理工 1，上智ナノテク 2 ○（B）本山 界 1，石沢峻介 1，
柳原 藍 1，司馬大次郎 1，岸野克己 1,2▲ 7 Theoretical investigation of local interaction and effects in photoniccrystal laser with embedded metallic nano-structures
kyoto Univ. ○ Yoonsik Lee，Kyoko Kitamura，Takashi Asano，Ishizaki Kenji，Susumu Noda
8 光デバイス応用のためのオンチップゼロ屈折率プラットフォーム
ハーバード大 SEAS ○北 翔太，Yang Li，Philip Munoz，Orad Reshef，Daryl Vulis，Eric Mazur，Marko Loncar
9 フォトニック結晶 µc-Si 太陽電池における形状効果の検討
京大院工 1，京大白眉 2 ○田中良典 1，川本洋輔 1，石崎賢司 1，
Menaka De Zoysa1,2，梅田尚実 1，藤田奨也 1，
浅野 卓 1，野田 進 1△ 10 光トラップ効率増大に向けたフォトニック結晶構造設計 ―電極吸収を考慮した設計―
京大院工 ○川本洋輔，田中良典，石崎賢司，Menaka De Zoysa，野田 進

昼18p-C8 - 1 〜 14食12:30 〜 14:00▲ 1 Demonstration of plasmonic laser in near infrared region using a GaAs
nanowire
Nanoquine, Univ. of Tokyo1，IIS, Univ. of Tokyo2 〇 Jinfa Ho1，
Jun Tatebayashi1，Sylvain Sergent1，Chee Fai Fong1，
Satoshi Iwamoto1, 2，Yasuhiko Arakawa1, 2
2 フォトニック結晶共振器中ナノワイヤからの誘導放出の評価
NTT ナノフォトニクスセンタ 1，NTT 物性研 2 ○滝口雅人 1,2，横尾 篤 1,2，
ダナン ビロウォスト 1,2，章 国強 2，舘野功太 2，倉持栄一 1,2，納富雅也 1,2
3 ナノ共振器と強く結合した量子ドットの自由空間への自然放出スペクトル測定
東大ナノ量子機構 1，東大生研 2 ○太田泰友 1，太田竜一 2，
熊谷直人 1，岩本 敏 1,2，荒川泰彦 1,2

（ 59
59 ）

3

光・フォトニクス

4 銅等電子中心発光のドープ濃度依存性
NTT ナノフォトセンタ 1，NTT 物性基礎研 2 ○角倉久史 1,2，
倉持栄一 1,2，谷山秀昭 1,2，納富雅也 1,2
5 高 Q 値ナノ共振器を用いた超低閾値シリコンラマンレーザの特性評価
阪府大ナノ科学・材料セ 1，京大院工 2 ○山下大喜 1，高橋 和 1，
乾 善貴 2，浅野 卓 2，野田 進 2▲ 6 Observation of Stimulated Raman Scattering in Silicon Photonic Crystal
Waveguides with silica cladding
IIS, Univ. of Tokyo ○（D）Yi-Hua Hsiao，Satoshi Iwamoto，Yasuhiko Arakawa
7 フォトニック結晶レーザの大面積高出力動作に向けたダブルホール孔形状の設計
永 1,2，北川 均 1,2，ジョン ゲレタ 1,2，
京大院工 1，ACCEL JST2 ○梁石崎賢司 1,2，北村恭子 1,2，野田 進 1,2▲ 8 Coupled-wave analysis for photonic-crystal surface-emitting lasers (XIV)–Effect of external reflection on the TE resonant mode–
Kyoto Univ.1，ACCEL JST2 ○ John Gelleta1,2，Yong Liang1,2，
Hitoshi Kitagawa1,2，Susumu Noda1,2

休憩

16:00 〜 16:15▲ 9 Group Velocity Measurements of Fast-Guided-Mode Photonic Crystal△		 Silicon Comb Nanowires
TU 〇 (DC)Borriboon Thubthimthong，Kazuhiro Hane
10 広帯域低分散スローライトを発現するシリカクラッドフォトニック結晶導波路の製作と評価
横国大院工 ○田村卓也，石倉徳洋，近藤圭祐，馬場俊彦
11 TiO2／ EO ポリマー細線光導波路の電気光学特性
九大先導研 1，日産化学 2，NICT3 Qiu Feng1，○横山士吉 1，
前田大輔 2，小澤雅昭 2，大土井啓祐 2，大友 明 3
12 フォトニック結晶スローライト導波路での動的制御による光パルス圧縮 (II)
横国大院工 ○近藤圭祐，石倉徳洋，田村卓也，馬場俊彦△ 13 離れた光ナノ共振器間での断熱的光転送の実証
京大院工 ○鴻池遼太郎，中川遥之，浅野 卓，田中良典，野田 進
14 大規模結合ナノ共振器の配列角度によるスローライト制御
NTT NPC1，NTT 物性基礎研 2 ○倉持栄一 1,2，松田信幸 1,2，
武居弘樹 2，納富雅也 1,2-----------------------------------------------------------------------------------3.12 ナノ領域光科学・近接場光学
9 月 17 日 9:00 〜 17:45
17a-C1 - 1 〜 13

1 In2O3:Sn ナノ粒子間のギャップ励起と機能
東大 1，巴製作所 2，税関中央分析所 3，京都工繊大 4 ○松井裕章 1，
古田晋也 2，長谷部貴之 3，蓮池紀幸 4，田畑 仁 1
2 J 会合体色素 / 空気界面における表面励起子ポラリトン
理研 1，横浜市大院生命ナノ 2 ○鷹取賢太郎 1,2，岡本隆之 1，
石橋幸治 1，ルジェロ ミケレット 2
3 金ナノ粒子集合体による蛍光増強機構
阪府大工 ○木下隆将，西野智昭，椎木 弘，長岡 勉
4 ナノ球プラズモンにおける訂正 Mie 散乱理論
富山大工 ○藤井雅文，安藤彰男，田原 稔△ 5 局在表面プラズモン－励起子強結合状態の形成・制御
北大院理 1，JST さきがけ 2 ○大貫温順 1，長澤文嘉 1，
鈴木健太郎 1，保田 諭 1,2，村越 敬 1
6 銀ナノキューブのプラズモン共鳴散乱光の制御
東大生研 ○（M2）齋藤滉一郎，立間 徹
7 銀ナノキャップ構造による希土類ドープナノ粒子のアップコンバージョン発
光増強
神戸大院工 ○山本 薫，曽和俊二，藤井 稔

休憩

10:45 〜 11:00

8 ナノ構造体界面の光励起電子ダイナミクス

分子研 ○野田真史，信定克幸
9 金ナノロッド / 非線形光学ポリマー複合系からの局在型表面プラズモンにおける第二高調波発生
静岡大工 ○平林拓磨，小野篤史，川田善正，杉田篤史
10 2 次元ナノギャッププラズモンによるナノ光渦の生成
北大電子研 ○竹井 涼，酒井恭輔，笹木敬司
11 金ナノディスク周期構造における六重極子プラズモンモード
北大 ○山本岳明，酒井恭輔，竹内雄哉，笹木敬司
12 SOI 基板に作製した相補的積層プラズモニック結晶の共鳴モード
物材機構 ○岩長祐伸，崔 峯碩△ 13 相補的金属ナノ構造における近接場分光特性の究明：可視域におけるバビネの原理の検証早大理工 1，北大電子研 2，分子研 3，総研大 4 ○溝端秀聡 1，
上野貢生 2，三澤弘明 2，岡本裕巳 3,4，井村考平 1

昼

17p-C1 - 1 〜 15

食12:30 〜 13:45

1 金ナノ構造で充填したナノホールの光透過現象
東工大 1，宇都宮大 2 諏訪泰介 1，○徳光 敦 1，藤村隆史 2，梶川浩太郎 1

2 双極子 - 四重極子結合によるプラズモン誘起透過の多波長化
阪大院工 1，フォトニクスセ 2 ○（M2）廣畑純平 1，宮田将司 1，
長崎裕介 1，高原淳一 1,2
3 連結プラズモンアンテナを用いた可視光領域におけるブライト・ダークモード結合
阪大院工 1，フォトニクスセ 2 ○（D）宮田将司 1，廣畑純平 1，高原淳一 1,2
4 ドルメン構造光アンテナにおける反射スペクトルの検討
立命館大理工 1，NIMS2 ○西村悠希 1，川野貴裕 1，國近祐太 1，
笠原健一 1，池田直樹 2，杉本喜正 2
5 中赤外光スロットアンテナによるレスト・ストラーレン反射の観測
立命館大理工 1，立命 SR センター 2，NIMS3 ○西村悠希 1，川野貴裕 1，
國近祐太 1，笠原健一 1，家路豊成 2，池田直樹 3，杉本喜正 3△ 6 中赤外超短パルスを用いた金ナノロッドからの光電界電子放出
農工大工 1，東大生研 2，ゲッティンゲン大 3 ○草 史野 1，芦原 聡 1,2，
Katharina Echternkamp3，Claus Ropers3
7 Ａｌの異方性アノードエッチングにもとづく熱放射制御構造の形成
首都大都市環境 1，オキツモ 2 ○近藤敏彰 1，長谷川駿 1，木村直史 2，
吉岡文孝 2，豊永 隆 2，益田秀樹 1
8 UV ナノインプリント法による赤外熱放射メタ表面の作製
物材機構 ○宮崎英樹，笠谷岳士，杉本喜正，
崔 峯碩，岩長祐伸，迫田和彰

休憩

15:45 〜 16:00▲ 9 Tip size dependence of passive THz near-field microscopy
Univ. Tokyo1，Univ. Tokyo2 ○ Kuanting Lin1，
Yusuke Kajihara1，Susumu Komiyama2
10 チップ増強ラマン散乱用探針先端の暗視野分光測定
産総研健工 1，ユニソク 2，関学理工 3 北濱康孝 1，鈴木利明 2，
尾崎幸洋 3，金子忠昭 3，久津間保徳 3，○伊藤民武 1
11 表面プラズモン共鳴を用いた近接場走査顕微鏡用高効率光導波路
日立横研 ○中田俊彦，馬塲修一
12 マイクロ波照射機構を備えた極低温光てこ原子間力顕微鏡の開発
阪大院工 ○徳田郁実，有馬英司，磯山季歩，内藤賀公，李 艶君，菅原康弘
13 力検出を用いた近接場光学顕微鏡による二次元光強度分布の測定
阪大院工 ○徳山貴士，山西絢介，内藤賀公，李 艶君，菅原康弘
14 放射光 STM による金属界面のナノスケール元素分析 ―元素コントラストとトンネルスペクトルの比較―
阪大院工 1，理研 /SPring-82，物材機構 3 ○古館侑大 1,2，齋藤 彰 1,2，
楠井雄太 1,2，齊戸智之 1,2，田中義人 2，玉作賢治 2，香村芳樹 2，
赤井 恵 1，石川哲也 2，青野正和 3，桑原裕司 1,2
15 光励起 STM による BHJ 型有機薄膜太陽電池の局所性能
筑波大数理物質 1，タカノ 2，物材機構 3 ○落合貴大 1,2，安田 剛 3，
小林祐貴 1，吉田昭二 1，武内 修 1，重川秀実 1-----------------------------------------------------------------------------------3.12 ナノ領域光科学・近接場光学
9 月 18 日 9:00 〜 16:00
18a-C1 - 1 〜 13

1 ナノインプリントによるメタマテリアル構造の複製
JST さきがけ 1，理研 2，北大 3 ○（PC）久保若奈 1,2，田中拓男 2,32 可視光領域におけるスプリットリング共振器の GHz 音響変調
北大院工 1，スインバン大 2 ○（M1C）今出悠太 1，Ronald Ulbricht1，
友田基信 1，松田 理 1，Gediminas Seniutinas2，
Saulius Juodkazis2，Oliver Wright1△ 3 干渉散乱場に基づく広入射角対応型ブルズアイ構造の設計
慶應大院理工 ○（M2）山田 明，寺川光洋
4 2 層型ワイヤーグリッド偏光子の偏光特性と表面プラズモン共鳴
三重大院工 1，三重大極限ナノエレセンター 2 ○元垣内敦司 1, 2，
森下雄太 1，三宅秀人 1, 2，平松和政 1, 2
△ 5 ナノコーティングプロセスによる金ナノフィン光学位相子
農工大院工 ○（M2）石井美帆，岩見健太郎，梅田倫弘
6 GeSbTe 相変化による金ナノ粒子局在表面プラズモン共鳴スイッチングのス
ペクトル観察敬，鍬村健太，斎木敏治
慶應大理工 ○木原雄也，平休憩

10:30 〜 10:45

7 エバネッセント光原子ファネルにおける中空光ビームの高効率結合
東工大総理工 ○吉田貴広，佐川研太，伊藤治彦
8 紫外光励起を用いた単一分子 DNA の Si ナノポア通過過程の高分解能化
慶大理工 ○伊藤晋太郎，山崎洋人，塚原 睦，江刺家恵子，斎木敏治
9 相変化マスク分光法を用いた半導体量子ドットの発光エネルギー制御とその応用
慶大院 ○金澤翔平，佐藤 悠，山村有慶，津守伸宏，斎木敏治△ 10 近接場マルチプローブ顕微鏡による半導体量子井戸内の励起輸送観察 ( Ⅳ )山梨大院医工 1，上智大理工 2 ○三輪嘉彦 1，大久保領 1，高橋良慈 1，
酒井 優 1，東海林篤 1，内山和治 1，小林 潔 1，
松本 俊 1，岸野克巳 2，堀 裕和 1
11 希薄磁性半導体二重量子井戸における近接場光相互作用によるスピン選択的
励起移動
山梨大工 ○内山和治，西川直樹，久保田悟，松本 俊，
小林 潔，堀 裕和

（ 60
60 ）

3

12 MoSe2 semiconductor indirect-to-direct transition by laser induced
etching
豊橋技大アイリス 1，豊橋技大工 2 高 必周 1，Tran Viet Thu1，○
高村 司 1，Abdelkader Abderrahmane2，アダルシュ サンドゥー 1,2▲ 13 Enhancement of photoluminescence from graphene oxide due to surface
plasmons
University of North Texas1，Japan Women's University2，
University of Electronic Science and Technology, Chengdu,
China3 Sanjay Karna1，Rakesh Shah1，Ryoko Shimada2，
Zhiming Wang3，〇 Arup Neogi1

昼食12:30 〜 13:30

18p-C1 - 1 〜 10

1 非放射場と放射場を対等に扱う単一感受率による光学の理論 III
山梨大院医工総合 ○坂野 斎
2 フォトンブリーディング効果を利用した偏光 SiC-LED
東大工 ○川添 忠，西岡克紘，大津元一△ 3 熱拡散法による可視発光 Si-LED の開発
東大院工 ○山口真生，水島彩子，川添 忠，大津元一
4 ドレスト光子を利用した Si レーザーの超低しきい値化
東大工 1，情通機構 2 ○田中 肇 1，川添 忠 1，大津元一 1，赤羽浩一 2△ 5 ドレスト光子フォノン援用アニールにおける電流依存性
東大院工 ○（D）金 俊亨，川添 忠，大津元一
6 損傷した半導体表面のレーザープロセスによる光学特性改善
東大院工 ○野村 航，川添 忠，大津元一
7 ドレスト光子フォノン援用アニールによる結晶シリコン太陽電池の高効率化
東大工 ○川添 忠，牧山真子，水島彩子，大津元一
8 ドレスト光子フォノン援用エネルギー上方変換を用いた色素増感型太陽電池の高効率化
東大院工 ○八井 崇，水島彩子
9 ドレスト光子エッチングにおける偏光および形状依存性に関する検討
東大院工 1，JST ALCA2，山梨大工 3，分子研 4，IS2M/ CNRS UMR5，
LPL CNRS-Paris 13 Univ6，中央大理工 7 ○坪井俊樹 1，八井 崇 1,2，
坂野 斎 3，信定克幸 4，Fabrice Stehlin5，Olivier Soppera5，
川添 忠 1，Daniel Bloch6，東條 賢 7，大津元一 1
10 近接場光相互作用を介した分子の二光子励起ダイナミクス
分子研 ○信定克幸，野田真史

15 Al2O3/SiO2/Fe 構造の表面プラズモンによる磁気光学効果の増強
東京農工大工 ○貝原輝則，安藤健朗，清水大雅
16 アンチストークス近接場蛍光を使ったナノ領域の温度測定
東工大総合理工 ○山本 賢，藤村隆史，梶川浩太郎
17 光学フィルタへの応用に向けた金属 2 次元回折格子構造の作製と可視光及び赤外光の透過・反射制御
三重大院工 1，三重大極限ナノエレセンター 2 ○鬼頭壮宜 1，
元垣内敦司 1,2，三宅秀人 1,2，平松和政 1,2
18 FDTD 法を用いたスプリットリング共振器の磁気応答特性評価
徳島大院 ○長沢明子，岡本敏弘，原口雅宣
19 微小球とナノホール構造を用いた 4 分割リング共振器の作製
徳島大院 ○齋藤 蘭，岡本敏弘，原口雅宣
20 微小球リソグラフィ法を用いた直立分割リング共振器の作製
徳島大工 ○谷川紘太，岡本敏弘，原口雅宣
21 トレンチ構造からなる反射型メタ表面の第二高調波発生
徳島大院 1，物材機構 2，香川大 3 ○岡本敏弘 1，坂東崇弘 1，崔 峯碩 2，
岩長祐伸 2，宮崎英樹 2，山口堅三 3，原口雅宣 1
22 表面プラズモンポラリトンを用いた微小ひずみ計測素子の検討
阿南高専 1，香川大工 2，徳島大院 3 ○岡本浩行 1，日下晃佑 1，山口堅三 2，
大津朋也 2，原口雅宣 3，岡本敏弘 3-----------------------------------------------------------------------------------3.13 半導体光デバイス
9 月 17 日 11:00 〜 16:45
17a-C6 - 1 〜 6

1 P ｄアシスト無電解エッチングによる Si ナノワイヤの作製と評価
群馬大 ○高橋翔平，松井祐介，安達定雄
2 トライオード型 PECVD 及び低温製膜による高品質 a-SiO:H 膜の開発
東工大院理工 1，太陽光発電システム研 2 ○山本 陸 1，
Porponth Sichanugrist1，小長井誠 1,2
3 Si 上スパッタエピタキシャル Ge 膜の欠陥評価
島根大 ○葉 文昌
4 シリコンナノインクを用いたパルスレーザードーピングによるシリコン太陽電池作製
奈良先端科学技術大学院大 1，帝人 2 ○真鍋満顕 1，西村英紀 1，
冬木 隆 1，富澤由香 2，池田吉紀 2
5 In/Si 界面特性とシリコンナノワイヤー形成の関係
奈良先端科学技術大学院大 1，科学技術振興機構 2 ○喜多一平 1，
福永圭吾 1，矢野裕司 1，谷あゆみ 1，石河泰明 1，岡本尚文 1，Ajimal Khan2，冬木 隆 1
6 N - フルオロピリジニウム塩を用いた光エッチングによるランダムダブルテク
スチャの形成阪大 1，ダイキン工業 2 ○熊田竜也 1，川合健太郎 1，大谷真輝 1，
平野利典 1，永井隆文 2，足達健二 2，有馬健太 1，森田瑞穂 1-----------------------------------------------------------------------------------3.12 ナノ領域光科学・近接場光学
9 月 18 日
18p-PB11 - 1 〜 22
18p-PB11 - 1 〜 22

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 堆積型セミシェル構造の光学スペクトルの金属種依存性
宇大 CORE ○（B）小山高大，佐藤諒真，藤村隆史
2 Pt 薄膜と Pt コート極細糸における Pt の複素屈折率
横国大教 ○但馬文昭，西山善郎
3 超高真空、低温ＴＥＲＳ装置の開発とＴＥＲＳイメージ測定
ユニソク 1，産総研健工 2，関西学院大理工 3 ○鈴木利明 1，北濱康孝 2，伊藤民武 2，久津間保徳 3，金子忠昭 3，尾崎幸洋 3▲ 4 Investigation of the presence of pesticides on fruits via plasmonicallyenhanced Raman spectroscopy
Department of applied Physics1，Photonics Advanced Research Center2〇
Bikas Ranjan1，Huang Lichuan1，Kyoko Masui1，
Yuika Saito1，Prabhat Verma2
5 金属ロッド配列ナノレンズによるサブ波長像拡大
阪大工 ○大橋慶郎，Bikas Ranjan，齊藤結花，Prabhat Verma
6 フェムト秒レーザーにより局所的に励起された表面プラズモンの観察
筑波大物理 ○加藤佳祐，久保 敦
7 コヒーレント ‐ インコヒーレントフォノン支援励起移動の理論
山梨大院医工 ○石川 陽，松本 俊，堀 裕和，小林 潔△ 8 二重トンネル接合された金ナノロッドにおける電流 - 電圧特性の近接場光による変調
山梨大工 ○西川直樹，内山和治，久保田悟，小林 潔，堀 裕和△ 9 第二高調波アシスト光近接場顕微鏡による青色半導体の局所観察
山梨大院医工 1，上智大理工 2 ○大久保領 1，三輪嘉彦 1，高橋良慈 1，
酒井 優 1，東海林篤 1，内山和治 1，小林 潔 1，
松本 俊 1，岸野克巳 2，堀 裕和 1
10 散乱型 SNOM の試作
山梨大 ○大橋輝久，上野源太，内山和治，小林 潔，居島 薫
11 純水を用いた液晶媒質のナノ構造形成
新潟大 ○高根沢靖之，大平泰生，新保一成，馬場 暁，加藤景三，金子双男
12 銀微粒子における局在表面プラズモンの実効モード体積のサイズ依存性に関する FDTD 解析
新潟大自然研 1，新潟大超域 2 ○新野信宏 1，岡 寿樹 2
13 金ナノロッド / 非線形光学ポリマー複合系からの第二高調波発生の励起条件に対する依存性
静岡大工 ○（M1）棚倉悠史，平林拓磨，小野篤史，川田善正，杉田篤史
14 銀粒子を用いた透明 EC 素子の PWM 制御のパルス電圧駆動
東京工芸大 1，日本写真学会フェロー 2 ○市川正人 1，平泉桃子 1，
岩田優一 1，小林天明 1，手嶋里帆 1，谷 忠昭 2，内田孝幸 1

光・フォトニクス

昼食12:30 〜 14:00

17p-C6 - 1 〜 10

1 低電圧動作 Ga2O3:Sn/c-Se ヘテロ接合フォトダイオード
NHK 技研 ○為村成亨，菊地健司，宮川和典，大竹 浩，久保田節
2 金ナノ粒子高密度配列による高感度 SOI フォトダイオードの開発
静大電研 1，静大院工 2，新日鉄住金化学 3 ○小野篤史 1,2，榎本 靖 3，
松村康史 3，佐藤弘明 1,2，猪川 洋 1,2
3 ホールアレイ型金属回折格子付ＳＯＩフォトダイオードの斜入射光に対する分光感度特性
静岡大電子研 1，静岡大工 2 ○佐藤弘明 1,2，岩田将平 2，
小野篤史 1,2，猪川 洋 1,2▲ 4 Dark current reduction of waveguide InGaAs MSM photodetector on
III-V CMOS photonics platform by InAlAs cap layer
Univ. Tokyo ○（DC）Yongpeng Cheng，Yuki Ikku，
Mitsuru Takenaka，Shinichi Takagi
5 二酸化炭素検出用 4.3μ ｍ発光ダイオードの開発
浜松ホトニクス ○田中章雅，飯田大輔，三嶋飛鳥

休憩

15:15 〜 15:30

6 窒素プラズマ処理による InAs/GaSb 超格子の表面酸化抑制
住友電工 1，JAXA2，立命館大 3 ○辻 幸洋 1，稲田博史 1，町長賢一 1，
Sundararajan Balasekaran1，三浦広平 1，猪口康博 1，
勝山 造 1，片山晴善 2，木股雅章 3▲ 7 Effect of surface pretreatments on the performance of InAs/GaSb
superlattice MWIR photodiodes.
Sumitomo Electric Industries, LTD 〇 Sundararajan Balasekaran，
Hiroshi Inada，Kouhei Miura，Yukihiro Tsuji，Ken-ichi Machinaga，Masaki Migita，Yasuhiro Iguchi，Tsukuru Tsukuru Katsuyama
8 10μ ｍ帯ホトダイオードの開発
浜松ホトニクス ○田中章雅，三嶋飛鳥，押村吉徳9 電荷敏感型赤外線検出器 (CSIP) の遠赤外線領域への拡張
東大理物 1，宇宙研 2，東大総文 3，情通研 4，東大生研 5 ○（D）二瓶亮太 1,2，
小宮山進 3,4，佐藤 崇 5，川田光伸 2，土井靖生 3，松浦周二 2，中川貴雄 1,2
10 電荷敏感型赤外光子検出器 (CSIP) における量子効率の向上
東大生研 1，東大総文 2，情通研 3 ○金 鮮美 1，小宮山進 2,3，
佐藤 崇 1，Mikhail Patrashin3，梶原優介 1------------------------------------------------------------------------------------

（ 61
61 ）

3

光・フォトニクス

3.13 半導体光デバイス
9 月 18 日 9:15 〜 18:00
18a-C6 - 1 〜 10

△ 1 歪補償多重積層 InAs 量子ドットを用いた 1.55μm 帯半導体光増幅器 による
高速光信号増幅
青山大理工 1，情報通信研 2 ○吉田尚也 1,2，外林秀之 1，松田大輝 1,2，
渡辺泰司 1,2，赤羽浩一 2，山本直克 2，菅野敦史 2，川西哲也 22 Lamb 方程式による TE モード一方向発振リングレーザの動作解析
農工大工 ○坂東敬広，八木友飛，清水大雅
3 チェビシェフ条件を用いた 4 次直列結合異径リング波長選択スイッチの損失を考慮した設計
横国大院 ○早坂伸之，池原広樹，荒川太郎，國分泰雄
4 小型低クロストーク InGaAsP 細線導波路光スイッチの作製
東大院工 ○一宮佑希，横山正史，竹中 充，高木信一
5 高純度 GaAs 厚膜を用いた高効率空間光変調器２
中部大 ○脇田紘一，吉田拓矢，高橋 誠

休憩

10:30 〜 10:45

6 高キャリア密度 ITO 層を用いたシリコンリブ導波路変調器の解析
東大院工 ○綾田雅文，種村拓夫，中野義昭
7 半導体光アンプ集積・量子ドット光変調デバイスの開発
電機大工 1，情報通研 2 ○渡辺克樹 1,2，山本直克 2，赤羽浩一 2，梅沢俊匡 2，川西哲也 2，江森俊文 1，高井裕司 1△ 8 InP/InGaAsP モノリシック偏波変調器の提案と実証
東大院工 ○川端祐斗，財津 優，種村拓夫，中野義昭
9 Bragg 反射鏡導波路による多モード干渉スプリッター
東工大 ○鈴木絢子，顧 暁冬，松谷晃宏，小山二三夫
10 低損失・広波長帯域多モード干渉 (MMI) 導波路によるコヒーレントレシーバ
用 90oハイブリッド集積受光素子の高感度化
住友電工 ○菊地健彦，八木英樹，井上尚子，増山竜二，勝山智和，
上坂勝己，米田昌博，小路 元

昼

食16 単一モード中赤外量子カスケードレーザの低消費電力化の検討
住友電工 ○吉永弘幸，森 大樹，橋本順一，辻 幸洋，
村田 誠，棚橋俊之，勝山 造
17 世界最小レーザロケット：思考実験
キューブ IT ○塚田俊久-----------------------------------------------------------------------------------3.13 半導体光デバイス
9 月 19 日
19a-PA8 - 1 〜 2

19a-PA8 - 1 〜 2-----------------------------------------------------------------------------------3.5 レーザー装置・材料，3.14 光制御デバイス・光ファイバのコードシェアセッション
9 月 19 日 9:00 〜 12:00
19a-C8 - 1 〜 11

1 PPMgLN 素子の大口径化および高ビーム品質化検討
分子研 ○石月秀貴，平等拓範
2 PPMgSLT シングルパス波長変換による >10W 532nm CW 発生
オキサイド 畑野秀樹，冨張康弘，今井浩一，茂手木浩，○廣橋淳二，
羽鳥正美，牧尾 諭，星 正幸，古川保典
3 PP-LBGO デバイスによる 355nm 300mW 発生
オキサイド 1，東北大学際研 2，早大材研 3 ○廣橋淳二 1，谷内哲夫 2，
羽鳥正美 1，坂入光佳 1，松倉 誠 1，竹川俊二 1，今井浩一 1，
茂手木浩 1，牧尾 諭 1，宮澤信太郎 1,3，古川保典 1
4 非線形光学結晶 YAl3(BO3)4 の育成と評価
オキサイド 1，早大材研 2 ○宮本晃男 1，宮澤信太郎 1,2，古川保典 1
5 CsB3O5の位相整合温度特性
千歳科技大 1，阪大院工 2 ○梅村信弘 1，吉村政志 2，森 勇介 2，加藤 洌 1

18p-C6 - 1 〜 17休憩

15:45 〜 16:00△ 10 GaAs 基板上 1.3 um 帯メタモルフィック InGaAs MQW レーザによる 25
Gb/s 直接変調動作
NTT フォトニクス研 ○中尾 亮，荒井昌和，小林 亘，神徳正樹△ 11 GaInAsP/InP 半導体薄膜分布帰還レーザの低しきい値動作
東工大電気電子工学専攻 1，量子ナノ 2 ○厚地祐輝 1，土居恭平 1，
李 智恩 1，渥美裕樹 1，平谷拓生 1，井上大輔 1，
雨宮智宏 2，西山伸彦 1，荒井滋久 1,2
12 1.3 um 帯外部共振器型量子ドットレーザの 4 波長同時発振
東大 1，富士通研究所 2 ○安岡奈美 1，石田 充 2，高田 幹 2，山口正臣 2，山本剛之 2，荒川泰彦 1▲ 13 Measurement of Temperature Dependence of Threshold Current in InAs/
GaAs Quantum Dot Lasers with p-Type Doping
NanoQuine, IIS, Univ. Tokyo 〇 Timothy Rae，Katsuaki Tanabe，Satoshi Iwamoto，Yasuhiko Arakawa△ 14 多波長 InAs 量子ドットの高次励起準位間発光を用いた電流注入型超広帯域近赤外光源
和歌山大シス工 1，NEC2，物材機構 3，シェフィールド大 4○（M2）
保田拓磨 1，柴田 弘 1，大河内俊介 2，池田直樹 3，
大里啓孝 3，渡辺英一郎 3，Richard Hogg4，尾崎信彦 1
15 広帯域量子ドット LD の発振帯域評価手法
パイオニア MTC1，情報通信研究機構 2 ○吉沢勝美 1，
沢渡義規 1，赤羽浩一 2，山本直克 2

9:30 〜 11:30

1 集光導波路構造を導入したアレイ導波路型 InAs 量子ドット LED の検討
上智大 ○（M1）鋤柄俊樹，山元雄太，西山哲央，下村和彦▲ 2 Extraction of SRH and Auger Recombination Coefficients by Utilizing
Theoretical Radiative Recombination Coefficient and Rate Equation in
LEDs
Hanyang Univ.1，RIKEN2 〇 Joosun Yun1, 2，
Hideki Hirayama2，Jong-In Shim1

12:00 〜 13:30

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
発振波長の低い温度依存性を有する GaAs1-xBixレーザダイオードの実現
京工繊大 ○冬木琢真，吉田憲司，吉岡 諒，吉本昌広
2 AlGaAs/AlAs タイプⅡ量子井戸中の電子及び正孔の電界印加後の波動関数
愛媛大理工 1，科技振 2 ○野村貴俊 1，下村 哲 1，石川史太郎 1，
福澤 薫 2，白方 祥 1，近藤久雄 1
3 正弦波形組成構造をもつ分布型ブラッグ反射器内のバンドプロファイル
愛媛大理工 ○真鍋直樹，松田晃賢，石川史太郎，下村 哲
4 混晶化法を用いた AlAs 選択酸化特性の数値解析
東工大精研 ○魏徹，宮本智之△ 5 VCSEL 光閉じ込めに用いるイオン注入混晶化の基礎検討
東工大 ○（M2）菊池麻子，宮本智之
6 励起準位を用いた高利得化 VCSEL に関する基礎検討
東工大精研 1，東工大技術部 2 ○角田 健 1，松谷晃宏 2，宮本智之 1
7 選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー
立命館大 ○（M2）大島光則，沼居貴陽
8 横方向回折格子と選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー―クラッド層厚依存性―
立命大院理工 ○平崎琢也，沼居貴陽
9 (411)A 面 GaAs 基板上の GaAs/GaAsBi 量子井戸の光学的特性
愛媛大理工 ○西井寅貴，檜垣興一郎，建部崇政，名原 優，
Patil Pallavi，石川史太郎，下村 哲

ポスターセッション

ポスター展示時間休憩

10:15 〜 10:30

6 無添加及び Mg 添加定比組成 LiTaO3の Sellmeier 方程式の導出
中央大 1，オキサイド 2 ○加藤大樹 1，貫 彰太 1，郡司大輔 1，
庄司一郎 1，福井達雄 2，古川保典 2△ 7 光軸反転 β-BaB2O4デバイスによる深紫外光渦発生
千葉大院融合科学 1，中央大理工 2，JST-CREST3 ○佐々木佑太 1，
宮本克彦 1，庄司一郎 2，尾松孝茂 1,3△ 8 欠陥低減による CsLiB6O10結晶の紫外光経時劣化耐性の向上
阪大院工 ○増田一稀，高千穂慧，高橋義典，
吉村政志，佐々木孝友，森 勇介
9 CLBO 結晶を用いた注入同期 ArF エキシマレーザ用狭帯域高出力 193nm 固体レーザシステムの開発
ギガフォトン 1，東大物性研 2 ○五十嵐裕紀 1，玄 洪文 2，
趙 智剛 2，伊藤紳二 1，柿崎弘司 1，小林洋平 210 高平均出力 Nd:YAG パルスレーザーによる 3 倍高調波発生
阪大レーザー研 ○椿本孝治，吉田英次，藤田尚徳，宮永憲明
11 高コヒーレンス 193 nm 固体レーザーの開発
東理大総研 1，阪大レーザー研 2，ギガフォトン 3 ○中里智治 1，
坪井瑞樹 2，小野瀬貴士 3，田中佑一 1，猿倉信彦 2，
伊藤紳二 3，柿﨑弘司 3，渡部俊太郎 1-----------------------------------------------------------------------------------3.14 光制御デバイス・光ファイバ
9 月 18 日 9:00 〜 18:00
18a-C7 - 1 〜 12

（ 62
62 ）

1 ファイバグレーティングの反射特性に対する放射線照射の影響
茨城大工 ○篠崎政人，横田浩久，今井 洋
2 CO2レーザ照射によるフォトニック結晶ファイバへの長周期グレーティング
形成
茨城大工 ○奈村晃平，横田浩久，今井 洋
3 カスケード型長周期光ファイバグレーティングを用いた多点ひずみ計測の基
礎実験
防衛大 ○月田 統，タントゥン ゴ，田中 哲，
内村良太郎，和田 篤，高橋信明
4 ひずみセンサ用チャープ型長周期光ファイバグレーティングの試作
防衛大 ○タン トゥン ゴ，月田 統，田中 哲，
内村良太郎，和田 篤，高橋信明
5 偏波保持型 FBG ファブリ・ペロー干渉計を用いた温度とひずみの同時測定における測定分解能の向上
防衛大 ○内村良太郎，和田 篤，月田 統，タントゥン ゴ，
田中 哲，高橋信明
6 ESD 法を用いた膨潤性ポリマクラッド型 POF アルカンセンサ
山梨大院医工 ○（M2）宇田和也，森澤正之

3

休

憩

10:30 〜 10:45

7 全フッ素化プラスチック光ファイバ中の光伝搬損失の巨大歪依存性
東工大精研 ○（B）氏原大希，林 寧生，田原麻梨江，水野洋輔，中村健太郎
8 プラスチック光ファイバ中のブリルアン周波数シフトホッピング
東工大精研 ○（DC）林 寧生，皆川和成，水野洋輔，中村健太郎
9 広帯域光波発生のための液体を選択的に充填した PCF の作製
千歳科学技術大 ○吉田詠一，唐澤直樹
10 GI 形 2 モードファイバを用いた広帯域可変モード変換
静岡大工 ○佐野弘樹，大下拓也，坂田 肇
11 カルコゲナイドガラスハイブリッド微細構造光ファイバによるスーパーコン
ティニューム光の発生
豊田工大 1，古河電子 2 ○加納靖大 1，浅野晃司 1，Cheng Tonglei1，
松本守男 2，三角 孝 2，鈴木健伸 1，大石泰丈 1▲ 12 Spontaneous Four-Wave Mixing Mediated Mid-IR Entangled Photon Pair
Generation in Dispersion Engineered Chalcogenide Optical Fibers
IITKGP 〇 Shailendra Varshney，Viswatosh Mishra，Satyapratap Singh

昼

食12:15 〜 14:00

7 細線導波路接続を目的とした光ファイバ先端へのマイクロチップ形成
静岡大工 ○坪井大知，冨木政宏，坂田 肇
8 多重リング Bragg 反射鏡導波路からの Vortex ビームの生成
東工大精研 1，東工大技術部 2 ○田辺賢司 1，顧 暁冬 1，
松谷晃宏 2，小山二三夫 1
9 1.55μm 帯 Si/SiO2 Bragg 反射鏡導波路によるビーム掃引デバイスの設計
東工大精研 ○小山俊泰，顧 暁冬，小山二三夫▲ 10 60-Channels Flexible-Grid Wavelength Selective Switch Based on a
Compact Bragg Reflector Waveguides Array
Tokyo Tech. P&I Lab.1，NTT PH Lab.2 ○（D）Xiaodong Gu1，
Kenya Suzuki2，Yuichiro Ikuma2，Fumio Koyama1
11 シリカトロイド共振器における光 Kerr 効果を用いた全光スイッチ
慶大理工 ○吉岐 航，田邉孝純-----------------------------------------------------------------------------------3.14 光制御デバイス・光ファイバ
9 月 19 日
19p-PA1 - 1 〜 13

18p-C7 - 1 〜 15

1 連続発振光の分子光学変調における共振器位相整合
九大院工 1，九大未来化セ 2 ○財津慎一 1,2，今坂藤太郎 1,2
2 KTN 結晶を用いた可視光動作高速可変焦点レンズ
NTT-AT1，埼玉大 2 ○藤浦和夫 1，米山幸司 1，
小松貴幸 1，小平 徹 1，中井淳一 23 高速応答顕微鏡用 KTN 可変焦点レンズのレンズパワー増大
NTT フォトニクス研究所 ○川村宗範，今井欽之，宮津 純，小林潤也
4 マッハツェンダー型導波路と分極反転構造を用いたプリイコライジング高速
電気光学変調器
阪大基礎工 ○三坪孝之，村田博司，岡村康行△ 5 埋め込み型チャネル光導波路を用いた高速電気光学偏光変調器
阪大院基礎工 ○姚 欣遠，村田博司，岡村康行△ 6 複数 PPLN 集積素子による第二高調波 / 差周波発生一体動作
日本電信電話 1，東海大 2 ○風間拓志 1，梅木毅伺 1，遊部雅生 2，
竹ノ内弘和 17 高効率化 PPLN モジュールを用いた位相感応増幅器の特性評価
NTT ○圓佛晃次，梅木毅伺，忠永 修，遊部雅生，竹ノ内弘和

休憩

15:45 〜 16:00

8 光偏向による KTa1-xNbxO3結晶内の注入電荷密度評価
NTT フォトニクス研究所 1，東北大医工 2 ○佐々木雄三 1，黄 晨暉 2，
宮津 純 1，豊田誠治 1，今井欽之 1，小林潤也 19 歪制御による KTN 結晶の屈折率分布制御
NTT フォトニクス研 ○宮津 純，今井欽之，豊田誠治，
川村宗範，小林潤也
10 五角形多反射構造による 500 kHz-100 mrad 超 KTN 光偏向器の実現
NTT フォトニクス研 ○坂本 尊，豊田誠治，上野雅浩，小林潤也△ 11 MgO(8mol%) 添加 c-LiTaO3短周期分極反転構造作製と一様性改善
阪大院工 1，阪大院工 2 ○岡 寿治 1，栖原敏明 2△ 12 走査型電子顕微鏡による MgO:LiNbO3周期分極反転構造の非破壊的観察
阪大院工 ○田中圭祐，栖原敏明△ 13 強誘電体材料の精密機械加工によるリッジ型光導波路の検討
九大 1，東大 2，情報通信研究機構 3 ○多喜川良 1，
日暮栄治 2，川西哲也 3，浅野種正 1△ 14 低閾値光パラメトリック発振をめざすブラッググレーティング付接着リッジ
導波路物材機構 1，早大先進理工 2 ○堀川聡志 1,2，櫨田拓也 1,2，清水正樹 1,2，
岡田大地 1,2，栗村 直 1,2，中島啓幾 2△ 15 Mg:LN を用いた 540 nm 周期分極反転構造
物材機構 1，早大先進理工 2 ○清水正樹 1,2，櫨田拓也 1,2，堀川聡志 1,2，
岡田大地 1,2，藤井一史 1，栗村 直 1,2，中島啓幾 2-----------------------------------------------------------------------------------3.14 光制御デバイス・光ファイバ
9 月 19 日 9:00 〜 12:00
19a-C7 - 1 〜 11休憩

10:15 〜 10:30

6 低電力光インターコネクト用マイクロレンズアレイ機構
IBM 東京基礎研 ○沼田英俊，平19p-PA1 - 1 〜 13

洋一

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 a-Si 磁気光学導波路における非相反移相量のバッファ層屈折率による影響
芝浦工大院理工 1，東工大院理工 2 ○（M1）岡田幸大 1，田村大介 1，
庄司雄哉 2，水本哲弥 2，横井秀樹 1
2 偏波無依存導波路型光トリプレクサの設計
芝浦工大院理工 ○（M2）小島佑太，岡田幸大，横井秀樹
3 ストリップ装荷型磁気光学導波路を用いた非相反導波モード ─放射モード
変換型光アイソレータの波長依存性
芝浦工大院理工 ○（M2）田村大介，岡田幸大，横井秀樹
4 線対称に配置した位相生成カプラを用いた広波長帯域光スイッチ
NTT フォトニクス研 ○渡辺俊夫，水野隆之，橋詰泰彰，高橋哲夫
5 自己形成型プラスチック導波路の屈折率分布および伝搬モードの制御
京工繊大院工芸 ○平川 遼，川口 宗，山下兼一
6 PPLN 埋め込み導波路波長変換デバイスの作製
沖電気工業 1，情通機構 2 ○岸本 直 1,2，小川 洋 2，
稲船浩司 1，関根徳彦 2，村井 仁 1
7 ポリマー大規模光スイッチのための作製条件に関する検討
早大理工 1，GCS 機構 2 ○若松果奈 1，小林久也 1，木村優一 1，
松島裕一 2，石川 浩 1，宇高勝之 1
8 ３次元ポリマー光デバイスの多層積層化作製技術の検討
早大 1，GCS 機構 2 ○（B）木村優一 1，小林久也 1，若松果奈 1，
宇高勝之 1，松島裕一 2，石川 浩 1
9 ポリマー 3 次元光インターコネクションスイッチング回路の特性改善
早大理工 1，GCS 機構 2 ○小林久也 1，木村優一 1，若松果奈 1，
松島裕一 2，石川 浩 1，宇高勝之 1
10 赤外レーザーによる光駆動ポンプ構築の試み
同志社大生命 1，独協医科大 2 ○南 雄大 1，渡辺 俊 1，
馬籠信之 2，吉川研一 1
11 全ハイメサ導波路 InAlGaAs/InAlAs マッハツェンダ型光スイッチ特性の解析
早大理工 1，GCS 機構 2 ○川崎祥子 1，浅川 奨 1，
松島裕一 2，石川 浩 1，宇高勝之 1
12 Si3N4/EO ポリマー光導波路の作製と光変調特性
九大総理工 1，九大先導研 2 ○（M1）石野雅章 1，Feng Qiu2，
山本和広 1,2，横山士吉 1,2
13 多段メタルスリットアレイを用いた分光機能
岡山県立大 1，阪大レーザ研 2 ○坂口浩一郎 1，福嶋丈浩 1，
徳田安紀 1，高野恵介 2，萩行正憲 2-----------------------------------------------------------------------------------3.15 シリコンフォトニクス
9 月 17 日
17p-PA3 - 1 〜 7

17p-PA3 - 1 〜 7

1 高分子系有機 EL 薄膜素子における表面プラズモンの散乱特性
立命館大理工 1，物材機構 2 ○乾 貴大 1，川瀬博人 1，溝口雄太 1，
米田拓也 1，笠原健一 1，池田直樹 2，杉本喜正 2
2 ATR 法を用いた 2 層誘電体プラズモン導波路型光アイソレータの設計
農工大工 ○安藤健朗，貝原輝則，清水大雅
3 TE モード半導体導波路光アイソレータの作製と評価
農工大工 ○八木友飛，阪西祥平，坂東敬広，清水大雅
4 アサーマル光アイソレータに向けた Ce:YIG の温度特性の解析
東工大 ○庄司雄哉，根本崇弥，水本哲弥
5 偏光変調信号の多重伝送をめざした磁気光学ファイバの評価
東工大 1，電通大 2，NHK 放送技研 3 ○西林一彦 1，米田仁紀 2，
久我 淳 3，松田 喬 1，宗片比呂夫 1

光・フォトニクス

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 実効屈折率積分表現を用いた光導波路解法 II
摂南大理工 1，北里大医療衛生 2，クオンタムフェーズラボラトリー 3○
大家重明 1，梅田徳男 2，張 吉夫 3
2 アモルファスシリコン積層光回路の実現に向けた低損失層間光伝送
産総研 1，PECST2 ○武井亮平 1,2，前神有里子 1,2，面田恵美子 1,2，
亀井利浩 1,2，榊原陽一 1,2，森 雅彦 1,2
3 CMOS 互換プロセスを用いた横型薄膜 Si-PIN 光検出器の 10 GHz 超応答
金沢大院 ○李根，前北和晃，丸山武男，飯山宏一△ 4 シリコン導波路集積型グラフェン光変調構造の最適化
早大先進理工 1，NTT NPC2，NTT マイクロシステム研 3，
磊 1, 2, 3，
NTT フォト二クス研 4 ○蕨かほり 1，高
西 英隆 2, 3，田邉真一 4，山本 剛 3，
山田浩治 2, 3，中島啓幾 1
5 半導体 - 金属遷移を利用したグラフェン光変調器の変調効率の検討
東大院工 1，JST-CREST2 ○嘉陽田達矢 1,2，竹中 充 1,2，高木信一 1,2
6 PLD 法により作製した ErxYbyY2-x-ySiO5結晶の発光強度増感作用の評価
電気通信大 ○（M1）近藤史哉，一色秀夫

（ 63
63 ）

3
6

光・フォトニクス
薄膜・表面
7 Ge の磁場中時間分解円偏光フォトルミネッセンス
東大院総合 1，JST さきがけ 2，埼玉大院理工 3○
安武裕輔 1,2，矢口裕之 3，深津 晋 1

15 グラフェンフォトディテクタの高性能化に向けた金属 / グラフェン界面におけるフェルミ準位変化の評価
東大院工 1，JST-CREST2 ○（M1）佐々木和哉 1,2，竹中 充 1,2，高木信一 1,2------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------▲ 1 Mid-refractive index GeSi photonics for Telecommunication applications△ The University of Tokyo1，University of Paris-Sud2，Politecnico di Milano3〇 (P)Papichaya Chaisakul1, 2，Vladyslav Vakarin2，Delphine Marris-Morini2，
Jacopo Frigerio3，Giovanni Isella3，Kazumi Wada1，Laurent Vivien2▲ 2 Traveling Plasmon Interaction with Light
Department of Material Engineering, University of Tokyo〇 (M1C)
Deng Yugao，Wada Kazumi△ 3 表面活性化接合を用いた III–V/SOI ハイブリッド光デバイスにおける III–V 層
部分エッチングプロセスの検討
東工大電電 1，量エレ 2 ○鈴木純一 1，林 侑介 1，久能雄輝 1，
姜 晙炫 1，雨宮智宏 2，西山伸彦 1，荒井滋久 1,2
4 ECR プラズマ CVD 法により作製した SiON 導波路の N-H 基低減
NTT NPC1，NTT MI 研 2 ○岡崎功太 1,2，西 英隆 1,2，
土澤 泰 1,2，山本 剛 2，山田浩治 1,2
5 チップ上における高密度波長多重通信のための物理蒸着による 窒化シリコ
ンプラットフォームに関する研究
寛 1，河合直行 1，
東大 1，NTT MI 研 2 ○張 梓懿 1，八子基樹 1，寿土澤 泰 2，山田浩治 2，福田 浩 2，和田一実 1△ 6 SiNx 薄膜による第二次好調波発生
神戸大院 ○（M1）北尾明大，今北健二，河村息吹，藤井 稔△ 7 磁気光学結晶上 a-Si:H 導波路光アイソレータ
東工大 1，芝浦工大 2 ○三浦謙悟 1，平澤崇佳 1，姜 晙炫 1，庄司雄哉 1，
岡田幸大 2，横井秀樹 2，西山伸彦 1，荒井滋久 1
8 a-Si 導波路を用いた偏波無依存型光アイソレータの設計
東工大 1，芝浦工大 2 ○石田瑛一 1，庄司雄哉 1，
三浦謙悟 1，横井秀樹 2，水本哲弥 1
9 広波長可変帯域を持つシリコンフォトニックレーザ
東北大工 ○北 智洋，唐睿，山田博仁1 量子ドットレーザを搭載する Si プラットフォーム上ハイブリッド集積光源に向けた低結合損失トリプルコア型 SSCPETRA1，産総研 2，東大 3 ○羽鳥伸明 1，清水隆徳 1，岡野 誠 1,2，
石坂政茂 1，山本剛之 1，賣野 豊 1，森 雅彦 1,2，
中村隆宏 1，荒川泰彦 3
2 Si 細線導波路に対応した偏波無依存型スポットサイズ変換器
PETRA ○宮村悟史，岡部 豊，小野英輝，亀井明夫，
徳島正敏，堀川 剛，佐々木浩紀
3 空間光多重伝送に向けた 3 次元 SiOx 導波路型フォトニックランタン
1
NTT NPC ，NTT MI 研 2 ○開 達郎 1,2，土澤 泰 1,2，
西 英隆 1,2，碓氷光男 2，山本 剛 2，山田浩治 1,2
4 微小貫通孔列型グレーティングカプラ
東北大工 ○田之岡宙，平野 秀，北 智洋，山田博仁△ 5 円形空隙を用いた金属ミラー装荷アポダイズドグレーティングカプラの理論
検討
東工大電気電子 1，東工大量子ナノ 2 ○久能雄輝 1，姜 晙炫 1，
林 侑介 1，鈴木純一 1，雨宮智宏 2，西山伸彦 1，荒井滋久 2
6 異なる次数のモードを利用した偏波無依存カプラ
沖電気工業 ○太縄陽介，岡山秀彰，八重樫浩樹，佐々木浩紀
7 アニール処理によるシリコン立体曲り導波路の伝搬損失改善
明大院理工 1，産総研 2 ○（M2）田島渉吾 1,2，吉田知也 2，西孝 2，
武井亮平 2，面田恵美子 2，長尾昌善 2，三浦 登 1，
森 雅彦 2，榊原陽一 2△ 8 特性ばらつき低減に向けた Si 細線光導波路コアサイズの検討
東北大院工 1，産総研 2 ○相馬宗厳 1，北 智洋 1，外山宗博 1,2，
関 三好 2，横山信幸 2，大塚 実 2，山田博仁 1
9 SOI スラブ導波路光回路
東北大工 1，東北大院工 2 ○邉見ふゆみ 1，北 智洋 2，山田博仁 2

3.15 シリコンフォトニクス
9 月 18 日 9:30 〜 17:15
18a-A18 - 1 〜 9

昼

食11:45 〜 13:15

1 磁気光学材料を用いたフォトニック結晶光スイッチの研究
広大ナノデバ研 1，TDK2 ○（M1）野田和希 1，千日拓馬 1，本澤圭太 1，
岡田一也 1，原田祥典 2，雨宮嘉照 1，田部井哲夫 1，横山 新 1
2 磁気光学材料 Bi3Fe5O12と Si リング共振器を用いた光スイッチの研究
広大ナノデバ研 ○岡田一也，野田和希，雨宮嘉照，田部井哲夫，横山 新
3 梁構造付加スロットリング共振器型光学素子の改善
広島大 ○雨宮嘉照，アムリタ クマル サナ，岡田一也，本澤圭太，
野田和希，千日拓馬，福山正隆，横山 新
4 ドーピングの最適化による Si フォトニック結晶導波路光変調器の位相変化量増大
横国大院工 ○寺田陽祐，伊藤寛之，馬場俊彦
5 高群屈折率シリカクラッド Si フォトニック結晶導波路を用いた 位相シフタ長90 μm マッハツェンダー光変調器での 25 Gbps 動作
横国大 ○雛倉陽介，田村卓也，寺田陽祐，伊藤寛之，馬場俊彦
6 シリコンフォトニック結晶導波路光変調器のオンチップ多波長動作
横国大 ○伊藤寛之，寺田陽祐，石倉徳洋，馬場俊彦
7 PIN ダイオードを用いたシリコン変調器による αV πLの低減
光電子融合 1，産総研 2 ○馬場 威 1，秋山 傑 1，今井雅彦 1，
堀川 剛 2，臼杵達哉 1
8 ArF リソグラフィで作製したシリコン光変調器の諸特性
光電子融合基盤技術研 秋山 傑，馬場 威，
今井雅彦，森 雅彦，○臼杵達哉
9 インターリーブ型 PN 接合を有するシリコンマイクロリング装荷型マッハ・
ツェンダー光変調器の解析
横国大院工 ○本間洋行，Rajdeep Gautam，荒川太郎，國分泰雄

憩------------------------------------------------------------------------------------

6

18p-A18 - 1 〜 15

休3.15 シリコンフォトニクス
9 月 19 日 9:30 〜 11:45
19a-A18 - 1 〜 9

15:30 〜 15:45

10 MOS 型 Si 光変調器と Ge 受光器の集積化と CMOS 駆動による高速動作
PETRA1，産総研 2，NEC3，東大 4 ○藤方潤一 1，高橋重樹 1，高橋正志 2，
野口将高 1，野口栄実 3，栗原 充 1，堀川 剛 2，中村隆宏 1，荒川泰彦 411 レーザーアニールを用いた Si 上 Ge pin フォトダイオードの高性能化
東大院工 1，東京エレクトロン宮城 2，東京エレクトロン 3 ○永友 翔 1，
川俣勇太 1，井澤友策 2，星野聡彦 3，石川靖彦 1
12 極薄膜 Ge シード層を適用した Si(001) 基板上 Ge 層の低暗電流の観察
技術研究組合 ○奥村滋一，下山峰史，小野英輝，三浦 真，野口将高，
藤方潤一，最上 徹，堀川 剛，田中 有，森戸 健
13 シリコン上に直接成長されたゲルマニウムの発光寿命測定
東大生研 1，東大ナノ量子機構 2，PETRA3，PECST4，日立中研 5○
加古 敏 1,2，小田克矢 3,4,5，谷 和樹 3,4,5，
井戸立身 3,4,5，荒川泰彦 1,2,4▲ 14 Ge-on-Insulator Fabrication by Smartcut Technology for Ge CMOS
Photonics Platform
Tokyo Univ.1，JST-CREST2 ○（D）Jian Kang1,2，Xiao Yu1,2，
Mitsuru Takenaka1,2，Shinichi Takagi1,2

薄膜・表面●関連シンポジウム「バイオマテリアル表面のミクロ­ナノの挙動とその応用」（9 月 18日（木），13:00 〜 17:00，A1 会場）が p.41 に，掲載されています．
●関連シンポジウム「固液界面を使った新しい酸化物エレクトロニクス：化学とデバイスの融合」（9 月 18 日（木），13:15 〜 18:15，A10 会場）が p.41 に，掲載されています．
●関連シンポジウム「放射光表面反応観察の新展開」（9 月 19 日（金），13:30 〜 17:30，
A18 会場）が p.43 に，掲載されています．
●関連シンポジウム「Innovation in R&D of the Flexible Electronics -Toward theInorganic Flexible Devices-」（9 月 19 日（金），9:15 〜 17:00，A4 会場）が p.43 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------6.1 強誘電体薄膜，9.1 誘電材料・誘電体のコードシェアセッション
9 月 17 日
17p-PA4 - 1 〜 15
17p-PA4 - 1 〜 15

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 GaFeO3型 I ｎ 0.25Fe1.75O3マルチフェロイック薄膜の作製と特性評価
東工大 ○濵嵜容丞，安井伸太郎，谷山智康，伊藤 満
2 電子線回折による BiFeO3エピタキシャル膜の構造解析
東北大 1，NY 州立大 2 佐藤聖也 1，○（M1）永沼 博 1，
In-Tae Bae2，大兼幹彦 1，安藤康夫 1
3 BiFeO3/ 透明導電性酸化物積層構造薄膜の作製と評価
名大エコトピア研 ○片山丈嗣，林幸壱朗，坂本 渉，余語利信
4 顕微メスバウア分光を用いた 57Fe 濃縮 BiFeO3と Bi 2Fe4O9薄膜の評価
静理大総技研 1，静理大理工 2，東理大理 3 ○田中清高 1，
塚本美徳 2，岡村総一郎 3，吉田 豊 2
5 CSD 堆積した (Bi,Pr)(Fe,Mn)O3薄膜に対する水リフトパターニング
金沢大院自然 1，金沢大理工 2 ○（M1）中西一浩 1，
丹羽貴大 1，川江 健 2，森本章治 26 化学溶液堆積法による配向性 BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3固溶体薄膜の作製
上智大 1，東工大 2 ○茂木翔太 1，金子祈之 2，
木村純一 2，舟窪 浩 2，内田 寛 1
7 低融点酸化物を添加した BaTiO3薄膜の作製と評価
名大エコトピア研 1，リコー 2 ○小林将也 1，林幸壱朗 1，
坂本 渉 1，秋山善一 2，余語利信 1
8 ZnO 基板上でのペロブスカイト型強誘電体薄膜の結晶成長
阪府大院工 ○山田裕明，吉村 武，藤村紀文
9 パルスポーリングを行った PZT 薄膜の圧電特性と微細構造の経時変化
産総研 1，茨城大 2，東工大 3 ○牧本なつみ 1，鈴木靖弘 1,2，
前田龍太郎 1，舟窪 浩 3，小林 健 1
10 スパッタ法を用いたプロトン伝導性酸化物薄膜の成膜条件依存性
鶴岡高専 1，東工大 2 ○（B）佐藤智也 1，舟窪 浩 2，井上貴明 1，内山 潔 1
11 多元素同時置換が層状コバルト酸化物の熱電特性に及ぼす影響
豊橋技術科学大 ○野島崇矢，中村雄一，井上光輝

（ 64
64 ）

6

12 Ｂｉ－Ｔｉ系非鉛圧電材料と環境発電デバイスの開発
長野県工技セ 1，セラテックジャパン 2 ○水嵜英明 1，米久保荘 1，
工藤賢一 1，菅沼幸男 1，西野入隆 2，奥冨 衛 2，児玉泰史 2，平林 明 2△ 13 ニオブ酸リチウム系強誘電体単結晶薄膜の光電流特性評価
東大先端研 ○高橋秀輔，井上亮太郎，野口祐二，宮山 勝
14 高温相における TKHSe と TKDSe のラマン散乱研究
近畿大理工 ○（M1）牟田慎之介
15 高温相における TCHSe と TCDSe のラマン散乱研究
近畿大 ○松本芳幸，角間隆之-----------------------------------------------------------------------------------6.1 強誘電体薄膜，9.1 誘電材料・誘電体のコードシェアセッション
9 月 18 日 9:00 〜 18:30
18a-A9 - 1 〜 9

1 Bi(Mg1/2Ti1/2)O3–Bi(Zn1/2Ti1/2)O3固溶体薄膜における結晶相の安定性
東工大 ○及川貴弘，舟窪 浩△ 2 コンビナトリアルスパッタ法による BZT-BCT 圧電薄膜の組成依存性評価
神大院工 ○黒川文弥，森亮，辻浦裕一，肥田博隆，神野伊策
3 Si 基板上 (001) 配向 (Na,Bi)TiO3-BaTiO3膜の結晶構造と圧電特性
パナソニック AIS 社 1，パナソニック先端研 2 ○岡本庄司 1，橋本和弥 1，
田中良明 1，張替貴聖 1，足立秀明 2，藤井映志 2
4 {100} 配向エピタキシャル PbTiO3膜におけるドメイン構造転移
東工大 1，産総研 2，名大 3，PRESTO4 ○中島崇明 1，一ノ瀬大地 1，
江原祥隆 1，清水荘雄 1，小林 健 2，山田智明 3,4，舟窪 浩 1
5 正方晶 PZT 薄膜とナノロッドにおける逆圧電特性の結晶方位依存性
名古屋大 1，JST さきがけ 2，物材機構 3，東工大 4，高輝度光科学研究センター 5 ○山田智明 1,2，安本 洵 1，伊藤大介 1，坂田修身 3,4，
今井康彦 5，白石貴久 4，清水荘雄 4，舟窪 浩 4，
吉野正人 1，長崎正雅 1

休憩

10:15 〜 10:30

6 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
低次元強誘電体の作製とその物性
兵庫県大工 ○藤沢浩訓，中嶋誠二，清水 勝
7 RF マグネトロンスパッタ法により作製した PZT 薄膜媒体へのナノドメイン
ドットの書き込み
東北大通研 ○平永良臣，長 康雄△ 8 PbTiO3エピタキシャル薄膜を用いた二次モード分極反転共振子
名工大 1，横浜市大 2 ○片田克吉 1，柳谷隆彦 1，鈴木雅視 1，和佐清孝 2
9 パルスポーリングした PZT 薄膜を集積化した圧電 MEMS カンチレバーのユ
ニポーラ駆動特性
産総研 1，茨城大 2，東工大 3 ○小林 健 1，牧本なつみ 1，鈴木靖弘 2，
舟窪 浩 3，前田龍太郎 1

昼

食

憩

休

15:00 〜 15:15

7 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
強誘電体・薄膜研究の進展と期待
阪大 ○奥山雅則
8 BiFeO3薄膜の格子整合成長の検討
阪府大院工 ○荒牧正明，苅谷健人，堂安 豪，吉村 武，藤村紀文
9 BiFeO3エピタキシャル薄膜の結晶構造に及ぼす引張歪の影響
大阪府立大 ○（M1）小前智也，荒牧正明，吉村 武，藤村紀文
10 単一ドメイン BiFeO3薄膜の電気的特性に Mn 及び Zn ドープが及ぼす影響(Ⅱ)
兵庫県大工 ○（M1）重松晃二，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水 勝
11 バッファー層導入によるビスマスフェライト薄膜の配向性制御と特性評価
上智大理工 1，防衛大 2，東工大物創 3 ○長坂康平 1，金 鎭雄 2，
島 宏美 2，西田 謙 2，大島直也 3，舟窪 浩 3，内田 寛 1

憩

17:00 〜 17:15

13 巨大な c/a比を有する BiFe 1-x Cox O3薄膜の作製とその結晶構造および電気的特性
東工大 ○清水啓佑，北條 元，東 正樹
14 (101)PdO//(111)Pd バッファー層を用いた {110} 一軸配向ペロブスカイト型
酸化物薄膜の合成とその評価
東工大 1，上智大 2，鶴岡高専 3 ○大島直也 1，江原祥隆 1，及川貴弘 1，
田中宏樹 1，内田 寛 2，内山 潔 3，舟窪 浩 1
15 チタン酸ビスマス厚膜に及ぼす焼成時間の影響
芝浦工大工 1，芝浦工大 RCGI2，八戸工大工 3 ○山口正樹 1,2，増田陽一郎 3
16 低 Tc フッ化ビニリデン / 三フッ化エチレン共重合体薄膜の結晶化挙動と強誘
電特性
東北大金研 1，小林理研 2，東理大理 3 ○中嶋宇史 1，
山浦真一 1，古川猛夫 2，岡村総一郎 3△ 17 VDF/TrFE 共重合体超薄膜における分極誘起抵抗変化効果に対する電極の影響
東理大理 1，東北大金研 2 ○臼井翔吾 1，中嶋宇史 2，
橋爪洋一郎 1，岡村総一郎 1-----------------------------------------------------------------------------------6.1 強誘電体薄膜，9.1 誘電材料・誘電体のコードシェアセッション
9 月 19 日 9:00 〜 17:45
19a-A9 - 1 〜 10

△ 1 熱処理が YAlO3単結晶のテラヘルツ吸収に与える影響
早大 1，材料科学研究所 2，情報通信研究機構 3 ○（M2）井上貴博 1，
金子昇司 1，針間正幸 1，森本貴明 1，大木義路 1,2，
水野麻弥 3，福永 香 3△ 2 LaAlO3単結晶へのイオン照射による La および酸素空孔の生成
早大 1，材研 2 ○（M1）針間正幸 1，森本貴明 1，
井上貴博 1，金子昇司 1，大木義路 1,2△ 3 高誘電率材料 YSZ, LaAlO3, YAlO3中に存在する酸素空孔の比較
早大 1，材料技術研究所 2 ○（M2）金子昇司 1，井上貴博 1，
針間正幸 1，森本貴明 1，大木義路 1,2
4 YSZ 単結晶に与えるイオン照射と光照射の影響の比較
早大 1，材料技術研究所 2 ○（M2）金子昇司 1，井上貴博 1，
針間正幸 1，森本貴明 1，大木義路 1,2△ 5 イオン照射で YAlO3に生じる損傷に熱処理が与える影響
早大先進理工 1，材研 2 ○（D）森本貴明 1，井上貴博 1，
金子昇司 1，針間正幸 1，大木義路 1,2

休

1 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
セラミック誘電体材料の将来設計
東工大 ○坂部行雄▲ 2 BaTiO 3- Bi(Mg 2/3Nb 1/3)O 3 Epitaxial Thin-films for High-temperature
Capacitors
National Institute for Materials Science (NIMS)1，COMET Inc.2〇
Somu Kumaragurubaran1，Takahiro Nagata1，Kenichiro Takahashi2，
Sun-Gi Ri2，Yoshifumi Tsunekawa2，Setsu Suzuki2，Toyohiro Chikyow1
3 (1-x ){Li0.06(Na,K)0.94}NbO3+x BaZrO3(0.035 ≦ x ≦ 0.075) の立法晶構造での電子密度分布の特徴
村田製作所 ○岩堀禎浩，野口博司△ 4 遠赤外エリプソメータを用いた BaTiO3単結晶のフォノン解析
東工大院理工 ○（M1）金原一樹，保科拓也，武田博明，鶴見敬章△ 5 熱電材料のための六方晶チタン酸バリウム単結晶の育成とその特性評価
東工大応セラ研 1，東工大元素 2 ○安井伸太郎 1，石本雄介 1，
清水荘雄 2，谷山智康 1，伊藤 満 1
6 様々な温度で焼成したチタン酸バリウムナノキューブ規則配列構造体の微細構造と誘電特性
産総研 ○三村憲一，加藤一実

休▲ 12 Structure and magneto-electric properties of tetragonal BiFeO3 with highspin, low spin and intermediate-spin Fe3+ under biaxial stress by firstprinciples calculations
Tokyo Inst. Technol. ○ Dan Ricinschi

11:45 〜 13:15

18p-A9 - 1 〜 17

薄膜・表面

憩

10:15 〜 10:30

6 KF 置換 BaTiO3結晶における電場－温度－組成相図と角度分解偏光ラマン分
光島根大教育 1，立命館大理工 2 ○塚田真也 1，藤井康裕 2，秋重幸邦 1
7 ポラリトンの複素分散関係と広帯域テラヘルツ時間領域分光
筑波大数理 ○小島誠治，森 龍也
8 BaTiO3系強誘電体単結晶の 90°ドメイン壁における巨大可視光電流応答東大先端研 ○（PC）井上亮太郎，井村亮太，高橋秀輔，
小口岳志，北中佑樹，野口祐二，宮山 勝
9 強相関系強誘電体 YMnO3薄膜の光誘起電流とキャリア伝導の異方性
大阪府大院工 ○宇賀洋志，芦田 淳，吉村 武，藤村紀文
10 配向の異なる SrTiO3基板上に作製した BiFeO 3薄膜のバルク光起電力効果
兵庫県立大工 ○内田智久，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水 勝

昼食11:45 〜 13:15

19p-A9 - 1 〜 15

1 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
非鉛系圧電体を用いた超音波流量計の開発と材料科学 --- 次世代の誘電・圧電研究の方向性 --東工大院理工 ○鶴見敬章，保立萌衣，吉留大地，保科拓也，武田博明
2 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）(Ba, Sr)TiO3系強誘電体のチューナブル性能におけるドメインの寄与
岡山大工 ○寺西貴志，曽我部剛，林 秀考，岸本 昭
3 (Bi0.5K0.5)TiO3-BiFeO3-K(Nb, Ta)O3強誘電体の物性、結晶・電子構造と強誘
電特性
東京理科大 ○（M2）宮﨑浩輔，石田直哉，北村尚斗，井手本康
4 (Na,Ba)(Nb,Ti)O3セラミックスの電気的特性に及ぼす添加物の影響
名工大院工 ○青柳倫太郎，坂野聡一
5 (K,Na)(Nb,W)O3系強誘電体の強誘電特性、結晶構造の組成依存
東京理科大 井手本康，○（M1）中島健太郎，石田直哉，北村尚斗△ 6 斜方晶構造を持つエピタキシャル HfO2系薄膜の作製と評価
東工大元素 1，東工大総理工 2 ○清水荘雄 1，舟窪 浩 1,2△ 7 (Hf,Zr)O2薄膜の電気特性と結晶構造の評価
東工大 1，上智大 2 ○白石貴久 1，片山きりは 1，横内達彦 1，
清水荘雄 1，及川貴弘 1，内田 寛 2，舟窪 浩 1

（ 65
65 ）

休

憩

15:15 〜 15:30

6

薄膜・表面

8 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
KTa1-x Nbx O3単結晶を用いた光ビームステアリングデバイス
NTT フォトニクス研 ○今井欽之△ 9 KTN 結晶の電界誘起相転移を用いた低電圧駆動の光位相変調
NTT 物性研 1，NTT フォトニクス研 2 ○稲垣卓弘 1，今井欽之 2，
宮津 純 2，武居弘樹 1，小林潤也 2△ 10 高効率水リフトオフプロセスに向けたアモルファス CaO の潮解現象に関する検証
金沢大 ○（M2）丹羽貴大，東浦俊太，今澤優子，石島達夫，
川江 健，森本章治△ 11 キレート剤を用いた大口径非鉛 KNN 圧電薄膜のウエットエッチング (II)○
日立金属
堀切文正，柴田憲治，末永和史，渡辺和俊，野口将希
12 圧電 MEMS 向けドライエッチングプロセスの開発
アルバック半電研 ○山本直志，上村隆一郎
13 振動発電素子と強誘電体メモリからなるバッテリレス衝撃記憶素子
パナソニック先端研 ○金子幸広，西谷 雄，上田路人，表 篤志△ 14 BiFeO3 薄膜を用いた多自由度圧電 MEMS 振動発電素子の試作
阪府大院工 1，産技総研 2 ○苅谷健人 1，吉村 武 1，村上修一 2，藤村紀文 1
15 強誘電体セラミックス ,PVDF,PMN-PT 結晶の電気熱量効果
湘南工大 ○眞岩宏司-----------------------------------------------------------------------------------6.2 カーボン系薄膜
9 月 17 日 10:00 〜 18:00
17a-A8 - 1 〜 7

1 球型共振器構造 MPCVD を用いたダイヤモンド (100) 膜のホモエピタキシャ
ル高速成長
金沢大院自然 1，産総研 2，JST,CREST3，アリオス 4 ○渡邊俊介 1，
森本隆介 1，金田大輝 1，徳田規夫 1,2,3，加藤宙光 2,3，
梅沢 仁 2,3，山崎 聡 2,3，有屋田修 4，猪熊孝夫 12 ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長における欠陥低減物材機構 ○寺地徳之
3 高品質高温高圧合成 IIa 基板を用いたダイレクトウェハ化
産総研 ○杢野由明，加藤有香子，坪内信輝，
山田英明，茶谷原昭義，鹿田真一△ 4 先端放電型プラズマ CVD を用いた 3C-SiC(001) / Si(001) ウェハ上への高配
向ダイヤモンド薄膜合成
東工大 1，CREST2，ALCA3，南フロリダ大 4 ○矢板潤也 1,2，岩崎孝之 1,2,3，
Meralys Natal4，Stephen Saddow4，波多野睦子 1,2,3△ 5 ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの横方向成長過程における結晶面制御と欠陥伝搬
青学大理工 1，トウプラスエンジニアリング 2 ○市川公善 1，
児玉英之 1，鈴木一博 2，澤邊厚仁 1
6 ダイヤモンドのプラズマＣＶＤ成長における固体挿入ドーピング
北大総化 1，北大 FCC2，北大工 3 田村貴大 1，柳瀬 隆 2，
長浜太郎 3，○島田敏宏 3▲ 7 Boron-doped superlattices and Bragg reflectors in diamond
NIMS1，Grenoble Alpes Univ.2，CNRS - Inst. NEEL3，CEA - INAC4，CNRS - GEMaC and Versailles Univ.5 〇 (PC)Alexandre Fiori1，
Jessica Bousquet2, 3，David Eon2, 3，Franck Omnes2, 3，
Edith Bellet-Amalric4，Francois Jomard5，Etienne Bustarret2, 3

昼

食11:45 〜 13:15

1 シンクロトロン光・単色 X 線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモン
ド単結晶の反りの高精度測定
佐賀大院 1，住友電工 2 ○嘉数 誠 1，村上竜一 1，桝谷聡士 1，
原田和也 1，角谷 均 22 ダイヤモンド p+(100) 基板の X 線トポグラフィー評価
産総研ダイヤモンド ○大曲新矢，加藤有香子，梅沢 仁，鹿田真一△ 3 X 線回折法を用いたボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の物性評価
早大理工 1，物材機構 2 ○柴田将暢 1，蔭浦泰資 1，古閑三靖 1，
山口尚秀 2，高野義彦 2，川原田洋 1
4 位相差顕微鏡によるダイヤモンド欠陥評価
産総研ユビキ ○加藤有香子，梅沢 仁，鹿田真一△ 5 ダイヤモンド中 NV センターの選択的な一軸方向制御
大阪大 1，産総研 2，CREST3，金沢大 4，東工大 5 ○（M2）福井貴大 1，
土井悠生 1，宮崎剛英 2，宮本良之 2，加藤宙光 2,3，松本 翼 2,3，
牧野俊晴 2,3，山崎 聡 2,3，森本隆介 4，徳田規夫 4，波多野睦子 3,5，
坂川優希 1，森下弘樹 1,3，田嶌俊之 1,3，三輪真嗣 1,3，
鈴木義茂 1,3，水落憲和 1,3
6 ダイヤモンドへの低エネルギー Si イオン注入における Si-V センタ生成収率の評価
早大理工 1，物材機構 2，原子力機構 3，ウルム大 4，華東師範大 5，
産総研 6，筑波大 7 ○（M2）田村崇人 1，小池悟大 1，谷井孝至 1，
寺地徳之 2，小野田忍 3，大島 武 3，Fedor Jelezko4，E Wu5，
品田賢宏 6，磯谷順一 7，Liam P. Mcguinness4，Lachlan Rogers4，
Christoph Müller4，Boris Naydenov4，Liu Yan5

憩

休

卓，小泉

16:30 〜 16:45-----------------------------------------------------------------------------------6.2 カーボン系薄膜
9 月 18 日 9:00 〜 19:00
18a-A8 - 1 〜 10

▲ 1 WC/p-diamond interface reaction at 600 K for stable diodes△
NIMS 〇 (PC)Alexandre Fiori，Tokuyuki Teraji，Yasuo Koide
2 Cu/ ダイヤモンドショットキーダイオードの高温耐電圧特性
名大院工 ○植田研二，河本圭太，西脇雅人，浅野秀文
3 高温動作ダイヤモンド MESFET の試作と評価
産総研ユビキダイヤ G ○梅沢 仁，松本 猛，鹿田真一△ 4 原子層堆積（ALD）Al2O3膜の高温電気特性
早大理工 ○松村大輔，齊藤達也，平岩 篤，川原田洋△ 5 ALD-Al2O3 C-H ダイヤモンド MOSFET の高耐圧特性
早大理工 ○北林祐哉，山田哲也，許 德琛，坪井秀俊，齊藤達也，
松村大輔，平岩 篤，川原田洋憩

10:15 〜 10:30

6 ダイヤモンドの負性電子親和力を応用した真空パワースイッチ (4)産総研エネ 1，筑波大 2，物材機構 3，ALCA(JST)4，CREST(JST)5○
竹内大輔 1,4,5，桑原大輔 1,2,5，牧野俊晴 1,4,5，加藤宙光 1,4,5，
小倉政彦 1,4,5，小泉 聡 1,3,4,5，大串秀世 1,4,5，
大橋弘通 1,4,5，山崎 聡 1,2,4,5▲ 7 Hydrogenated-diamond logic inverter fabrication with enhancement△		 mode metal-insulator-semiconductor field effect transistor
National Institute for Materials Science ○ Jiangwei Liu，
Meiyong Liao，Mastaka Imura，Yasuo Koide
8 ダイヤモンドショットキバリアダイオードを用いた高エネルギー荷電粒子の検出
原子力機構 1，群馬大 2，産総研 3 ○小野田忍 1，神林佑哉 1,2，加田 渉 2，
岩本直也 1，牧野高紘 1，梅沢 仁 3，杢野由明 3，鹿田真一 3，
花泉 修 2，神谷富裕 1，大島 武 1
9 ダイヤモンド pin 放射線検出器の試作
物材機構 1，日立製作所 2，北大 3，JST-CREST4 ○（PC）大谷亮太 1，
山本 卓 1，田所孝広 2，上野克宜 2，佐々木敬介 2，桑原 均 2，
坪田雅功 3，金子純一 3，小泉 聡 1,4△ 10 ダイヤモンド基板上での ATP 検出
早大理工 ○楢村卓朗，明道三穂，稲葉優文，石山雄一郎，
ルスリンダ アブドルラヒム，平岩 篤，川原田洋

昼

18p-A8 - 1 〜 20

14:45 〜 15:00

7 プラズマ CVD ダイヤモンドのリン取り込み効率温度依存性物材機構 ○（PC）山本憩△ 13 部分酸素終端 (111) ダイヤモンド表面の真空熱処理による表面伝導回復
早大理工 ○林 佑哉，原 壮志，瀬下裕志，袴田知宏，
小野和子，平岩 篤，川原田洋
14 H2O 形成 ALD-Al2O3 膜によるダイヤモンド表面保護効果の同位体解析
早大ナノ理工 1，早大理工 2 ○平岩 篤 1，齊藤達也 2，
大長 央 2，川原田洋 2△ 15 MBE-SiO2 膜下のダイヤモンド表面の電気物性
早大理工 ○原 壮志，袴田知宏，小野和子，瀬下裕志，
林 佑哉，平岩 篤，川原田洋△ 16 ポストウェットアニールによる p 型 (111) ダイヤモンドへのオーミック接触の形成
金沢大院自然 1，産総研エネ部門 2，JST,CREST3 ○南山拓真 1，
宮田大輔 1，長南幸直 1，徳田規夫 1,2,3，小倉政彦 2,3，
竹内大輔 2,3，山崎 聡 2,3，猪熊孝夫 1
17 AlN/ (111) 面ダイヤモンドヘテロ接合界面の微細構造観察と電気的特性評価
物材機構 1，東大 2 ○井村将隆 1，劉 江偉 1，廖 梅勇 1，小出康夫 1，
松元隆夫 2，柴田直哉 2，幾原雄一 2

休

17p-A8 - 1 〜 17休

8 オフ角の異なる (001) 面リンドープダイヤモンド薄膜の X 線光電子分光法による表面結合状態の評価
筑波大 1，産総研 2，JST/CREST3 ○（D）川島宏幸 1,2,3，
加藤宙光 2,3，竹内大輔 2,3，山崎 聡 1,2,3
9 n 型ダイヤモンド薄膜の表面平坦化による接触抵抗低減
産総研 1，CREST2，イノベーションスクール 3，筑波大 4 ○（P）松本 翼 1,2,3，
川島宏幸 1,2,4，加藤宙光 1,2，竹内大輔 1,2，山崎 聡 1,2,4
10 リン添加 n 型ダイヤモンド上に形成した狭間隔電極間電流と電子放出
産総研 1，CREST(JST)2，筑波大 3 ○工藤唯義 1,2，竹内大輔 1,2，加藤宙光 1,2，
牧野俊晴 1,2，小倉政彦 1,2，大串秀世 1,2，山崎 聡 1,2,3△ 11 (111) 基板上のダイヤモンド横型 p-n 接合の作製
東工大 1，ALCA2，CREST3，産総研 4 ○佐藤一樹 1，岩崎孝之 1,2,3，
清水麻希 1,3，加藤宙光 3,4，牧野俊晴 3,4，小倉政彦 3,4，
竹内大輔 3,4，山崎 聡 3,4，波多野睦子 1,2,3
12 ダイヤモンド LED における深紫外線発光の温度依存性
筑波大 1，産総研エネ部門 2，CREST/JST3 ○桑原大輔 1,2,3，牧野俊晴 2,3，
加藤宙光 2,3，竹内大輔 2,3，小倉政彦 2,3，大串秀世 2,3，山崎 聡 2,3

聡

（ 66
66 ）

食

11:45 〜 13:15

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
低圧化学気相成長法によるグラフェン成長過程の反射高速電子回折その場観察
名大院工 ○湊 拓郎，中原 仁，安坂幸師，齋藤弥八

6

2 フラーレンを用いた電子線照射によるグラフェン形成と水素ドーピングによる電気特性計測
熊大院自 ○松川誠也，今村友紀，松尾経太，吉岡昌雄，久保田弘
3 グラファイト状窒化炭素薄膜の合成とその評価
岐阜高専 1，豊橋技科大 2 ○藤田詩織 1，羽渕仁恵 1，髙木俊作 1，滝川浩史 2△ 4 アモルファス窒化炭素薄膜の電気抵抗率に及ぼす雰囲気ガスの影響
防大材料 ○田村尚之，青野祐美，宮﨑 尚，北沢信章，渡邉芳久△ 5 AC ベンディング法を用いたアモルファス窒化炭素薄膜の可逆性光誘起現象の評価
防大材料 ○原田人萌，青野祐美，北沢信章，渡邉芳久
6 C6H6/N2混合気体のマイクロ波放電フローにおけるラジカル計測
長岡技大工 ○小嶋 翔，伊藤治彦
7 プラズマ化学気相成長法による窒素添加 DLC 薄膜の膜特性評価
弘前大理工 ○土屋政人，真柄晃平，徳田健吾，中澤日出樹

休憩

15:00 〜 15:15

8 「6．薄膜・表面 分科内招待講演」（30 分）
表面化学修飾技術によるカーボン系機能性材料の開発△ 9 Si 含有 DLC 膜への軟 X 線照射効果
兵庫県立大高度研 1，長岡技科大 2 ○今井
10 F ドーピングによる a-C:H の伝導型制御

産総研

中村挙子

○

亮 ，鈴木常生 ，神田一浩 1
1

2

筑波大 ○寺田優介，秋本克洋
11 ダイヤモンドライクカーボン薄膜へのナノ制御ドーピング
東北大通研 1，東北大多元研 2 ○鷹林 将 1，林 広幸 2，楊猛 2，小川修一 2，尾辻泰一 1，高桑雄二 2
12 ダイヤモンドライクカーボン薄膜のラマン解析 (I): 関数解析について
東北大通研 1，東北大多元研 2 ○鷹林 将 1，林 広幸 2，楊猛 2，
小川修一 2，尾辻泰一 1，高桑雄二 2
13 ダイヤモンドライクカーボン薄膜のラマン解析 (II): 電気特性との関係性
東北大通研 1，東北大多元研 2 ○鷹林 将 1，林 広幸 2，楊猛 2，
小川修一 2，尾辻泰一 1，高桑雄二 2

休憩

17:00 〜 17:15

14 負パルスバイアス電圧印加 RFPECVD 法により合成した a-C:H 膜の光学定数の特性評価
長岡技科大 ○（D）周 小龍，サラユット トゥンミー，小松啓志，
戸田育民，大塩茂夫，齋藤秀俊
15 酸性塩化ナトリウム水溶液に対する水素化アモルファス炭素膜の耐腐食特性
および表面形態の変化
長岡技科大 ○荒川 悟，サラユット トゥンミー，周 小龍，
中谷恭之，小松啓志，戸田育民，大塩茂夫，齋藤秀俊▲ 16 Behaviors of optical and corrosion properties of a-C:H films at different
thicknesses
Nagaoka Univ. Tech. ○（D）Sarayut Tunmee，Xiaolong Zhou，
Yasuyuki Nagaya，Satoru Arakawa，Ikumi Toda，
Keiji Komatsu，Shigeo Ohshio，Hidetoshi Saitoh
17 電圧印加状態における水素化アモルファス炭素膜の腐食解析
長岡技科大院 ○中谷恭之，サラユット トゥンミー，周 小龍，
小松啓志，戸田育民，大塩茂夫，齋藤秀俊
18 アモルファス炭素膜の特性に及ぼす炭素・水素同位体の効果
東工大 1，長岡技科大 2，兵庫県立大 3 ○鈴木裕太郎 1，
鈴木常生 2，神田一浩 3，大竹尚登 1，赤坂大樹 1△ 19 ナノパルスプラズマ CVD による円管内面への DLC コーティング
東工大機物 ○（M2）高村瞭太，井上雅貴，赤坂大樹，大竹尚登
20 DLC 膜の生体適合性に関する評価
東京電機大 1，ナノテック 2，茨城大 3，堀場製作所 4，キング・サウド大 5，
長岡技術科学大 6，物材機構 7 ○多田晴菜 1，馬渕康史 1，日比野麻衣 1，
大越康晴 1，平塚傑工 2，尾関和秀 3，森山 匠 4，Ali Alanazi5，
斉藤秀俊 6，深田直樹 7，中森秀樹 2，Nataliya Nabatoba-Gabain4，
櫻井正行 4，佐藤慶介 1，平栗健二 1，福井康裕 1-----------------------------------------------------------------------------------6.2 カーボン系薄膜
9 月 19 日
19a-PB1 - 1 〜 23

19a-PB1 - 1 〜 23

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 CO 原料ガスを用いて合成した DLC 膜の電気特性評価
高知工科大 1，高知工科大ナノテク研 2 ○安岡佑起 1，
針谷 達 1，古田 寛 1,2，八田章光 1,2
2 DLC 膜の電子顕微鏡ツールへの利用 - 電子透過膜と観察試料の間隔が解像度に及ぼす影響 広国大工 1，広技研 2 ○上月具挙 1，縄稚典生 2
3 13C,1H 固体 NMR を用いた N-doped DLC 薄膜の構造解析
電通大先進理工 1，電通大国際交流 2 ○村田悠馬 1，Choo Chew-keong2，
小野 洋 1，桑原大介 1，田中勝己 1
4 グラフィティックカーボンナイトライドの薄膜化と応用
東大院工 1，理研 2 ○荒添弘樹 1,2，宮島大吾 2，相田卓三 1,2
5 C6H14/N2混合気体のマイクロ波放電フローを用いた a -CNx :H 膜の作製
長岡技科大工 ○平松拳也，伊藤治彦，斎藤秀俊
6 N2と有機化合物蒸気の混合気体放電フローで生成する CN ラジカルの付着確率
長岡技科大工 ○茂木紳令，津留紘樹，伊藤治彦

薄膜・表面

7 高周波プラズマ CVD による高窒素含有 a -CNx:H 薄膜の形成
長岡技科大工 ○櫻井一貴，津田哲平，齋藤秀俊，伊藤治彦
8 Ar のマイクロ波放電フロー中でのヘキサメチルジシランの解離励起反応解析
長岡技科大工 ○（M1）佐伯駿介，伊藤治彦△ 9 ヨウ素ドーピングを施した a-C:H 薄膜の電気的特性評価
琉球大工 ○前新 奏，浦崎直暁，山里将朗，比嘉 晃△ 10 化学ドーピング法によるアモルファス炭素薄膜のヨウ素ドーピング
琉球大工 ○浦崎直暁，前新 奏，山里将朗，比嘉 晃
11 変調 SiO2 基板上へのグラフェン成膜と特性評価に関する研究
熊大院自 1，熊大工 2 ○今村友紀 1，松尾経太 1，西口博樹 1，
伊崎貴生 1，松川誠也 1，吉岡昌雄 2，久保田弘 1,2
12 電子線によるグラフェンの配線パターニングに関する研究
熊本大院自然 ○（M1）伊崎貴生，西口博樹，今村友紀，松尾経太，
松川誠也，久保田弘，吉岡昌雄
13 Si 基板上への大面積高配向ダイヤモンドの選択成長
電気通信大 ○（M1）小宮一輝，小島隆平，相馬勇治，一色秀夫
14 球型共振器構造 MPCVD を用いたホウ素ドープダイヤモンド (100) 膜のホモ
エピタキシャル高速成長
金沢大院自然 1，産総研 2，JST, CREST3，アリオス 4 ○金田大輝 1，
渡邊俊介 1，徳田規夫 1,2,3，小倉政彦 2,3，加藤宙光 2,3，梅沢 仁 2，
山崎 聡 2,3，有屋田修 4，猪熊孝夫 1
15 水素プラズマ処理による原子的に平坦なダイヤモンド (111) 表面の選択的形
成
金沢大自然 1，産総研エネ部門 2，JST,CREST3 ○黒島裕貴 1，
徳田規夫 1,2,3，牧野俊晴 2,3，山崎 聡 2,3，猪熊孝夫 1
16 半絶縁性 CVD ダイヤモンド (111) 膜の電気的特性
金沢大院自然 1，産総研エネ部門 2，JST, CREST3 ○向瀬貴樹 1，
金田大輝 1，渡邊俊介 1，森本隆介 1，徳田規夫 1,2,3，
山崎 聡 2,3，猪熊孝夫 117 ウェットアニール処理による (100) ダイヤモンドの表面ラフネス評価
金沢大院自然 1，産総研エネ部門 2，JST, CREST3 ○宮田大輔 1，
南山拓真 1，徳田規夫 1,2,3，竹内大輔 2,3，山崎 聡 2,3，猪熊孝夫 118 ウェットアニールダイヤモンド (111) 上 ALD-Al2O3 膜を用いた MOS キャパ
シタの電気的特性
金沢大院自然 1，産総研エネ部門 2，JST，CREST3，物材機構 4○上田諒浩 1，宮田大輔 1，徳田規夫 1,2,3，井村将隆 4，
小出康夫 4，小倉政彦 2,3，山崎 聡 2,3，猪熊孝夫 119 ポストウェットアニール処理を用いたダイヤモンド MESFET の作製
金沢大院自然 1，金沢大理工 2，産総研 3，JST, CREST4 ○中西一浩 1，
南山拓真 1，宮田大輔 1，辻 裕司 2，徳田規夫 1,3,4，小倉政彦 3,4，
山崎 聡 3,4，森本章治 1，川江 健 1，猪熊孝夫 1
20 グラフェン・オン・ダイヤモンドにおけるダイヤモンド (111) 表面の水素終
端化
金沢大院自然 1，産総研エネ部門 2，JST,CREST3 ○長南幸直 1，
徳田規夫 1,2,3，小倉政彦 2,3，牧野俊晴 2,3，山崎 聡 2,3，猪熊孝夫 1
21 ダイヤモンドのバンド計算に基づくホットキャリア輸送特性の考察
阪大 ○脇村 豪，鎌倉良成
22 ダイヤモンドパウダへの銀コーティング
日工大 ○井山年明，大島龍司，飯塚完司
23 Heterojunction diodes comprising nitrogen-doped ultrananocrystalline
diamond/amorphous carbon and p-type silicon
九大 1，ドイツ工科大 2，アスワン大 3 アブデルラーマン ゼクリア 1，
儀間弘樹 1，サウサン アリヤミ 2，マハムド シャバーン 3，○吉武 剛 1-----------------------------------------------------------------------------------6.3 酸化物エレクトロニクス
9 月 17 日 9:00 〜 17:45
17a-A10 - 1 〜 11

1 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15 分）
Sodium Ion Diﬀusion in Layered NaxCoO2

筑波大 ○柴田恭幸
2 O3 型 NaCoO2薄膜の電気化学特性
筑波大数理 1，TIMS2 ○柴田恭幸 1，小林 航 1,2，守友 浩 1,2
3 PLD 法で作製したガラス基板上 LiCoO2膜へのポストアニールの影響
名工大院 ○矢野 航，杉浦潤平，市川 洋▲ 4 Impedance Study of Eptaixial Li3xLa2/3-xTiO3 Thin Films on Perovskite
Substrates Deposited by Pulsed Laser Deposition
Univ. of Tokyo1，JST-CREST2，KAST3 ○（D）Jie Wei1，
Tomoteru Fukumura1,2，Yasushi Hirose1,2,3，
Tetsuya Hasegawa1,2,3
5 第一原理計算及び多変量解析による YSZ ドーパント分布解析
東工大 1，JST-CREST2 ○竹本整司 1,2，多田朋史 1,2
6 ハイスループット第一原理計算による二次元エレクトライド探索
東工大元素セ ○多田朋史，竹本整司，松石 聡，細野秀雄
7 室温 PLD 堆積による MgO/Nb:SrTiO3 の仕事関数変調
東工大応セラ 1，東工大フロンティア 2 ○須崎友文 1，
紫垣延洋 1，松崎功佑 1，細野秀雄 1,28 非化学量論組成 SrTiO3薄膜における欠陥構造の製膜条件依存性
ファインセラミックスセンター 1，東大新領域 2，東大総研 3，名大工 4○小林俊介 1,2，加藤丈晴 1，平山 司 1，幾原雄一 1,3，山本剛久 1,2,4

（ 67
67 ）

6

薄膜・表面

9 DC マグネトロンスパッタ法を用いた β-MoO3(011) エピタキシャル薄膜の作
製
東北大 AIMR1，物材機構 2 ○清水亮太 1，山本邦子 1，鈴木 竜 1，
大澤健男 2，白木 将 1，一杉太郎 1
10 逆二重励起光音響分光法による酸化チタン (IV) 粉末中の電子トラップ密度のエネルギー分布の評価
北大院環境科学 1，北大触媒セ 2 ○新田明央 1，高瀬 舞 1,2，大谷文章 1,2
11 SrZnO2薄膜の光触媒効果
東理大 ○岡本 透，木村友二，趙 新為

昼

食11:45 〜 13:15

17p-A10 - 1 〜 17

△ 1 TiOx薄膜の合成と物性
東工大院理工 1，元素戦略 2 ○吉松公平 1，大島孝仁 1，大友 明 1,2△ 2 ダブルペロブスカイト型 La2TiFeO6の薄膜成長と物性
東工大院理工 1，元素戦略 2 ○渡会啓介 1，吉松公平 1，
大島孝仁 1，大友 明 1,2△ 3 ペロブスカイト構造を有するコバルト系ヒドリド酸化物薄膜の作製
東大院 1，JST-CREST2，KAST3 ○片山 司 1，近松 彰 1,2，神坂英幸 1,2，
廣瀬 靖 1,2,3，福村知昭 1,2，長谷川哲也 1,2,3△ 4 Bi2 −正方格子を持つ層状酸化物 Y2O2Bi エピタキシャル薄膜の物性
東大院理 1，JST-CREST2 ○清 良輔 1，福村知昭 1,2，長谷川哲也 1,2△ 5 V2O5—P2O5 系ガラスを用いた半導体塗布膜の作製および電気的接合形成
東工大総理工 1，神奈川県産技セ 2 ○劉 夢申 1，松田晃史 1，
金子 智 1,2，吉本 護 1▲ 6 Demonstration of Dynamic Reconfiguration in a Crystalline IGZO-based△		 Multi-Context FPGA
Semiconductor Energy Laboratory1，Linkoping Univ.2○
Nora Björklund1,2，Yuki Okamoto1，Takeshi Aoki1，
Munehiro Kozuma1，Yoshiyuki Kurokawa1，
Takayuki Ikeda1，Naoto Yamade1，Yutaka Okazaki1，
Hidekazu Miyairi1，Shunpei Yamazaki1△ 7 LaGaO3エピタキシャル薄膜の成長と深紫外カソードルミネッセンス特性評
価
東工大院理工 1，トクヤマ 2，東工大元素戦略 3 ○向井 章 1，大島孝仁 1，
吉松公平 1，藤井俊輔 2，須山敏尚 2，大友 明 1,3△ 8 反応性スパッタ法による n 型、並びに p 型 SnOx 薄膜の作製
青学大理工 1，フラウンホーファ研 2 ○米川早紀 1，
賈 軍軍 2，Gloess Daniel1，重里有三 1△ 9 MoS2 を用いたフォトトランジスタ構造の作製と評価
金沢大院自然 1，金沢大理工 2 ○（M2）広瀬宗一郎 1，小林拓平 1，
川江 健 2，森本章治 2

休憩

15:30 〜 15:45

10 スピネル型フェライト (Fe,Ti)3O4薄膜の電気伝導性制御
東大工 ○山原弘靖，高橋雅尚，関 宗俊，田畑 仁
11 Mn3O4のスピネル相およびポストスピネル相の電子構造
HPSTAR1，慶応大物情 2 ○平井慈人 1，後藤陽介 2，神原陽一 2，的場正憲 2
12 THz 時間分解分光によるナノ相分離 (La,Pr,Ca)MnO3の伝導ダイナミクス解明
阪大産研 1，阪大基礎工 2 ○服部 梓 1，Anh Nguyen1，永井正也 2，
中村拓郎 1，藤原宏平 1，芦田昌明 2，田中秀和 1
13 (La,Pr,Ca)MnO3薄膜のナノ電子相分離下における相転移特性の電界効果
阪大産研 ○中村拓郎，服部 梓，Anh Ngyuen，藤原宏平，田中秀和
14 Mott 絶縁体 Mn 酸化物薄膜における酸素八面体の電顕観察
富士電機 1，理研 CEMS2，物材機構 3，東大先端研 4，東大工 5○
荻本泰史 1,2，寺西秀明 1，井上千鶴 1，森 大輔 1，
小川直毅 2，宮野健次郎 3,4，十倉好紀 2,515 室温強磁性体 Sr4-xRx Co4O10+d (R=Y,Er) のエピタキシャル薄膜成長
北大電子研 1，名大理 2 ○片瀬貴義 1，鈴木雄喜 1，山ノ内路彦 1，
高橋英史 2，岡崎竜二 2，寺崎一郎 2，太田裕道 1
16 SrTiO3(110) 基板上における [CaBO3/ BiFe1-xMnxO3] 人工超格子 (B=Fe, Mn)の作製及び電気的・磁気的性質
日大理工 1，IMS Univ. of Twente2，日大文理 3 渡部雄太 1，及川貴大 1，
稲葉隆哲 1，大島佳祐 1，Mark Huijben2，Guus Rijnders2，
橋本拓也 3，高瀬浩一 1，山本 寛 1，○岩田展幸 1
17 CuCrO2の電子構造と磁気特性・輸送特性の関係
東理大理 1，東大物性研 2，京大人環 3，JASRI/SPring-84，高エ研 PF5，
鹿児島大工 6 ○加藤 諒 1，大川万里生 1，和達大樹 2，吉田徹平 3，
Kozina Xeniya4，池永英司 4，小野寛太 5，奥田哲治 6，齋藤智彦 1-----------------------------------------------------------------------------------6.3 酸化物エレクトロニクス
9 月 18 日 9:15 〜 11:45
18a-A10 - 1 〜 10

1 TiO2ナノ粒子 - 有機誘電体コンポジット /Si ヘテロ接合型太陽電池
旭化成 1，東北大多元研 2 ○湯本 徹 1，平野稔幸 1，渡辺 明 22 可視光透過型太陽電池に向けた Na 添加 NiO 単層膜の作製と評価
東理大 1，東洋大 2 ○山口竜典 1，金 相澈 1，小室修二 2，趙 新為 1
3 電気化学的手法により製膜した Cu2O 薄膜の特性評価
東工大院理工 ○辻 玄貴，滝口雄貴，宮島晋介

4 n 形酸化物半導体 /p 形 Cu2O ヘテロ接合における伝導帯不連続
金沢工大 OEDS R&D センター ○西 祐希，宮田俊弘，南 内嗣
5 熱酸化 Cu2O 薄板の電気的特性とヘテロ接合太陽電池特性との関係
金沢工大 OEDS R&D センター ○宮田俊弘，西 祐希，南 内嗣△ 6 配向を制御した α -Fe2O3薄膜の半導体光電極特性
東工大院理工 1，元素戦略 2 ○（D）増子尚徳 1，吉松公平 1，
大島孝仁 1，大友 明 1,2△ 7 LaFeO3/SrTiO3ヘテロ構造の半導体光電極特性
東工大院理工 1，元素戦略 2 ○（M1）中村研太郎 1，増子尚徳 1，
吉松公平 1，大島孝仁 1，大友 明 1,2△ 8 テクスチャ構造を有する ZnO:Al 薄膜上への ZnO ナノロッドの成長
中部大院工 ○山口裕生，山口孝弘，二宮善彦，佐藤 厚，山田直臣△ 9 ナノ粒子構造 TiO2及びナノチューブ構造 TiO 2のフォトルミネッセンスと光
電変換特性
電通大先進理工 1，九工大生命体工 2，宮崎大工 3，JST-CREST4○
秋元正哉 1，豊田太郎 1,4，奥野剛史 1，尾込裕平 2,4，
青 1,4
早瀬修二 2,4，吉野賢二 3,4，沈△ 10 酸窒化物半導体 ZnInON を用いた量子井戸型太陽電池の作製
九大 1，日本学術振興会特別研究員 DC2，JST さきがけ 3 ○松島宏一 1,2，
清水僚太 1，井手智章 1，山下大輔 1，鎌滝晋礼 1，徐 鉉雄 1，
古閑一憲 1，白谷正治 1，板垣奈穂 1,3-----------------------------------------------------------------------------------6.3 酸化物エレクトロニクス
9 月 18 日
18p-PA7 - 1 〜 16

18p-PA7 - 1 〜 16

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 RF リアクティブスパッタ堆積した NiO を用いた透明薄膜トランジスタの試作
東京理科大理工 1，東京理科大総研 2，諏訪東京理科大工 3，
東北大多元研 / 院工 4 川出大佑 1,2，○酒井 涼 1，
渡邊康之 2,3，秩父重英 4，杉山 睦 1,2
2 Mist CVD 法を用いて製作した α-Al2O3 基板上 Ga-In-O 薄膜の評価
工学院大工 1，東京高専 2，東北大 3 ○田沼圭亮 1，畠山 匠 1，尾沼猛儀 1,2，
山口智広 1，窪谷茂幸 3，片山竜二 3，松岡隆志 3，本田 徹 1
3 金属単結晶基板上に成膜した LiCoO2 エピタキシャル薄膜の配向制御
東北大 AIMR1，九大工学研究院 2，東大総合研究機構 3，
ファインセラミックセンター 4 ○白木 将 1，高木由貴 1，
春田正和 1，清水亮太 1，鈴木 竜 1，佐藤幸生 2，
幾原雄一 1,3,4，一杉太郎 1
4 高プロトン伝導性を有する BaZrY-O スパッタリング薄膜
パナソニック ○西原孝史，銭谷勇磁，浅野哲也，足立秀明，伊藤彰宏，
竹内宏樹，サイフッラー バダル，南 炫貞，藤井映志▲ 5 Electron-beam-induced current study of dislocation related defects in
SrTiO3 crystal
NIMS1，JST2，Meiji Univ.3 ○ Jun Chen1，Jianyong Li2，Wei Yi1,3，
Atsushi Ogura3，Takashi Sekiguchi1
6 WO3の形成と抵抗変化メモリへの応用
山梨大 1，SST2 ○（M1）高木翔太 1，池田礼隆 1，荒井哲司 1，
有元圭介 1，山中淳二 1，中川清和 1，高松利行 2
7 p-Cu2O/SiOx/n-SiC pn ダイオード構造抵抗変化型メモリの低温形成技術
東京農工大院工 ○山下敦史，塚本貴広，須田良幸
8 イオン液体の供給による導電性ブリッジメモリの抵抗スイッチング特性制御
鳥取大工 1，関東電化工業 2，TEDREC3 ○緒方涼介 1，渡邉浩平 1，
原田晃典 1,2，岸田 悟 1,3，伊藤俊幸 1，木下健太郎 1,3
9 ポーラスアルミナを絶縁膜に用いた抵抗変化メモリにおける絶縁膜の低抵抗化が電流－電圧特性に及ぼす影響
日大理工 1，関大システム理工 2 ○谷本優輔 1，浜田佳典 2，大塚慎太郎 2，
清水智弘 2，新宮原正三 2，渡辺忠孝 1，高野良紀 1，高瀬浩一 1
10 第一原理分子動力学法に基づく導電性ブリッジ形成シナリオの検討
鳥取大工 1，鳥取大ディスプレイ 2，物材機構 3，東大生産研 4○
木下健太郎 1,2，山崎隆浩 3，森山拓洋 1，大野隆央 3,4，岸田 悟 1,2
11 Co ドープ SrTiO3 の可視光下での光触媒活性
電通大 1，電通大国際交流センタ 2 ○市原文彦 1，小野 洋 1，
Choo Cheow-Keong2，田中勝己 1
12 銅酸化物多孔膜の多孔度による光電気化学的特性の変化と光蓄電池への応用
鹿児島大院理工 ○（M1C）前田大輝，野見山輝明，堀江雄二
13 Nd:YAG レーザーの第 4 次高調波を用いたニオブとニオブ酸化物のパルスレーザー堆積旭川高専 1，旭川高専 2，旭川高専 3，旭川高専 4 ○小野里尚記 1，
篁 耕司 2，中村基訓 3，吉本健一 4
14 LaSrMnO3/BiFeO3ヘテロ接合の作製
東北大院 ○（M2）一ノ瀬智浩，永沼 博，大兼幹彦，安藤康夫
15 溶媒置換による HfO2導電性ブリッジメモリのスイッチング特性制御
鳥取大工 1，TEDREC2 ○（M2）吉原正人 1，岸田 悟 1,2，木下健太郎 1,2▲ 16 High-k oxide/organic polymer hybrid gate structure for oxide field-effecttransistors
ISIR,Osaka Univ.1，Kunming Sci.Tech.Univ.2 ○ Tingting Wei1 ,2，Kohei Fujiwara1，Hidekazu Tanaka1------------------------------------------------------------------------------------

（ 68
68 ）

6

6.3 酸化物エレクトロニクス
9 月 19 日 9:15 〜 19:00
19a-A10 - 1 〜 10

1 不飽和加圧水蒸気による ITO の低温熱処理
東京理大理 1，平山製作所 2 ○平原颯太 1，北村弘嗣 1，植竹勇介 1，
長沢敏勝 2，五十嵐敬 2，大川和宏 1
2 CVD-TiO2薄膜の電導モデル
茨城大工 ○山内 智，石橋和洋，冨田啓輔，今井 洋
3 ナノミスト堆積法 ( 多電極型静電塗布法 ) による MgZnO 薄膜の基礎的検討
上智大理工 1，上智大ナノテクセンター 2 ○石野隼一 1，
新沼佳樹 1，菊池昭彦 1,2
4 ナノミスト堆積法（多電極型静電塗布法）による ZnO 薄膜の成膜と評価
上智大理工 1，上智大ナノテクセンター 2 ○新沼佳樹 1，
石野隼一 1，菊池昭彦 1,2
5 IZO/Ag/IZO 積層膜の有機 EL 素子の陽極への適用
北見工大 ○（M1）千葉知弥，工藤禎久，川村みどり，阿部良夫，金 敬鎬
6 AMZO/Ag(Al)/AMZO-DMD の熱処理効果
上智大理工 1，上智大ナノテクノロジー研究センター 2○
杉本悠紀子 1，菊池昭彦 1,2
7 可視光透過型太陽電池に向けた GZO 薄膜の作製と評価Ⅲ
東理大理 1，東洋大理工 2 ○金 相澈 1，山口竜典 1，趙 新為 1，小室修二 2
8 電界センサのための ZnO/LiNbO3/ZnO 薄膜構造の光学的評価
NTT MI 研 ○赤沢方省，福田 浩，山田浩治，土澤 泰，
板橋聖一，嶋田 勝，渡辺俊文
9 酸化亜鉛ナノロッド上へのグラフェンの転写○
名工大奥村竜二，大久保貴雅，ゴラップ カリタ，種村眞幸，市川 洋
10 Al 及び Cu をドープした ZnO ナノロッドの構造・光学的特性評価
北見工大 ○（M1）馬越智之，金 洙光，金 敬鎬，阿部良夫，川村みどり

昼食11:45 〜 13:15

19p-A10 - 1 〜 22

△ 1 ペロブスカイト Mn 酸化物エピタキシャル薄膜触媒を用いた酸素還元反応の活性評価
京大化研 1，京大人環 2，JST-CREST3 ○黒崎 諒 1，菅 大介 1，
大山 純 2，折笠有基 2，内本喜晴 2，島川祐一 1,3△ 2 Li 脱挿入による LiTi2O4 超伝導 - 絶縁状態間の可逆的スイッチング
東工大院理工 1，東工大元素戦略 2 ○丹羽三冬 1，吉松公平 1，
大島孝仁 1，大友 明 1,2△ 3 無限層構造を持つ銅酸化物超伝導体薄膜への電場誘起キャリアドーピング
東京大総合文化 ○（M2）清河文雄，林 昭悟，上野和紀△ 4 Sr2IrO4薄膜へのキャリアドーピングによる金属絶縁体転移
東北大金研 1，理研 CEMS2，東大院工 3 ○伊藤正人 1,2，打田正輝 3，
小塚裕介 3，高橋 圭 2，川﨑雅司 2,3△ 5 IrO2における結晶方位に依存したキャリアの符号変化
東大院工 1，理研 CEMS2 ○打田正輝 1，高橋 圭 2，
小塚裕介 1，十倉好紀 1,2，川﨑雅司 1,2
6 IrO2薄膜の作製
東大物性研 ○侯 秀一，高橋竜太，ミック リップマー△ 7 パイロクロア型イリジウム酸化物ヘテロ接合における磁気ドメイン境界の制
御と界面伝導の観測
東大院工 1，東北大金研 2，JST さきがけ 3，東大新領域 4，理研 CEMS5○
藤田貴啓 1，佐野 航 1，打田正輝 1，小塚裕介 1，
塚﨑 敦 2,3，有馬孝尚 4,5，川﨑雅司 1,5△ 8 ZnFe2O4/ZnCr2O4 超格子薄膜の作製とフラストレート磁性の制御
東大院工 1，理研 CEMS2 ○村田智城 1，打田正輝 1，小塚裕介 1，川﨑雅司 1,2△ 9 La0.7Ca0.3MnO3薄膜表面における構造・電子状態の原子スケール観察
東北大 AIMR1，理研 2，物材機構 3，東大工 4，JST さきがけ 5○
清水亮太 1，岩谷克也 2，大澤健男 3，中村俊也 4，安藤康伸 4，
南谷英美 4，渡邉 聡 4，一杉太郎 1,5
10 La0.75Ca0.25MnO3薄膜表面における構造・電子状態の第一原理計算
東大工 1，東北大 WPI-AIMR2，理研 3，物材機構 4，JST さきがけ 5○
中村俊也 1，安藤康伸 1，南谷英美 1，清水亮太 2，岩谷克也 3，
大澤健男 4，一杉太郎 2,5，渡邉 聡 1△ 11 EuO 薄膜におけるトポロジカルホール効果
東大院工 1，東大院総合 2，東北大金研 3，JST-PRESTO4，理研 CEMS5○大内祐貴 1，打田正輝 1，小塚裕介 1，上野和紀 2,3，
塚崎 敦 2,4，川﨑雅司 1,5△ 12 酸化物ヘテロ構造中の酸素八面体傾斜の伝搬
京大化研 1，JST-CREST2 ○佐藤理子 1，菅 大介 1，
麻生亮太郎 1，倉田博基 1,2，島川祐一 1,2

休憩

16:15 〜 16:30△ 13 外部応力印加による VO2 薄膜の相転移温度制御
青学大理工 1，日本電気硝子 2 ○安藤 峻 1，賈 軍軍 1，
伊村正明 2，金井敏正 2，重里有三 1△ 14 金属 - 絶縁体相転移をまたぐ VO2薄膜の熱伝導率の温度依存性
青学大理工 1，産総研 2 ○鬼塚日奈子 1，八木貴志 2，山下雄一郎 2，
賈 軍軍 1，中村新一 1，竹歳尚之 2，重里有三 1
15 VO2/W:VO2ヘテロ構造を用いた金属絶縁体転移の非局所性の評価
東大院工 ○矢嶋赳彬，西村知紀，鳥海 明

薄膜・表面

16 サイドゲート型 VO2ナノワイヤ電界効果トランジスタによるイオンドーピン
グ電気伝導変調率の向上と拡散長評価
阪大産研 ○（M2）佐々木翼，神吉輝夫，田中秀和
17 VO2ナノ細線を用いた局所ペルチェ効果による可逆金属 - 絶縁体相転移制御
阪大産研 高見英史，○神吉輝夫，田中秀和
18 走査型プローブ顕微鏡を用いた極小 VO2ナノ細線の電気伝導特性評価
阪大産研 ○（M1）左海康太郎，服部 梓，神吉輝夫，田中秀和
19 金属元素ドープ VO2 薄膜における抵抗変化係数と抵抗率の温度履歴幅の相関
デンソー基礎研 1，産総研 2，筑波大 3 ○宮崎憲一 1，渋谷圭介 2，
鈴木愛美 1，岩城隆雄 1，和戸弘幸 1，藤田淳一 3，澤 彰仁 2
20 TiN 導電層上への VO2薄膜の成長と積層方向への相転移特性
東海大院理工 ○シュルズ モハメッド，沖村邦雄
21 反応性スパッタ法における基板バイアス印加による VO2薄膜の結晶成長制御
魁，Bintiazhan Nurulhanis，沖村邦雄
東海大工 ○蘇22 金属及び Si 基板上への Wadsley 相 V6O13及び VO 2(B) 薄膜の選択成長
東海大院理工 ○ Bintiazhan Nurulhanis，沖村邦雄-----------------------------------------------------------------------------------6.3 酸化物エレクトロニクス
9 月 20 日 9:30 〜 15:00
20a-A10 - 1 〜 10

1 MOD 法による BaTiO3薄膜の抵抗変化動作特性の検討
京工繊工芸 ○橋本修平，張 子洋，山下 馨，野田 実
2 Si 基板上エピタキシャル Fe3O4-δナノドットの抵抗変化特性とそのアニール
処理依存性
阪大院基礎工 1，さきがけ -JST2 ○（M2）松井秀紀 1，
中村芳明 1,2，竹内正太郎 1，酒井 朗 1
3 Mn ナノドット埋め込み Si リッチ酸化膜の抵抗変化特性
名大院工 1，名大 VBL2 ○荒井 崇 1，大田晃生 2，牧原克典 1，宮崎誠一 1
4 Rational Concept for Designing Vapor-Liquid-Solid Growth of Metal
Oxide Nanowire
阪大産研 Annop Klamchuen，○柳田 剛，長島一樹，金井真樹，川合知二
5 Pt/Nb-SrTiO3ショットキー接合における過渡的な振舞い
京大化研 1，JST-CREST2 ○菅 大介 1，島川祐一 1,2
6 同一 ReRAM フィラメントに対する抵抗スイッチング特性の電極材料依存性
鳥取大工 1，TEDREC2 ○高 相圭 1，岸田 悟 1,2，木下健太郎 1,2△ 7 超微細抵抗変化メモリにおけるリセット過程のパルススイッチング特性
鳥取大工 1，TEDREC2 ○森山拓洋 1，高 相圭 1，小石遼介 1，
木村康平 1，越江祐介 1，岸田 悟 1,2，木下健太郎 1,2△ 8 NiO 薄膜を用いた抵抗変化型メモリにおける 2 つのモードを有するフォーミ
ング
京大院工 ○篠倉弘樹，西 佑介，岩田達哉，木本恒暢
9 NiO 薄膜中電気化学現象の歪み場依存性
東大工 1，Sungkyunkwan 大 2，ORNL3，Queen's 大 4，Pennsylvania 大 5，
名大量子 6，JFCC7，東北大 WPI8 ○杉山一生 1，Yunseok Kim2，
Stephen Jesse3，Evgheni Strelcov3，Amit Kumar4，
Vivek Shenoy5，柴田直哉 1，山本剛久 6,7，
Sergei Kalinin3，幾原雄一 1,7,8
10 導電性ブリッジメモリ (CB-RAM) におけるブリッジ形成機構の再考
鳥取大工 1，TEDREC2 ○（M2C）榎本雄太郎 1，岸田 悟 1,2，木下健太郎 1,2

昼

20p-A10 - 1 〜 8

食12:00 〜 13:00

1 エピタキシャル CeO2 膜 /Pt 電極を用いた抵抗スイッチング
物材機構 1，チェコカレル大 2 ○吉武道子 1，ミハイロ チューンダーク 1,2，
ミカエル ヴァーツラブ 1,2，ウラジミール マトリン 2，知京豊裕 1▲ 2 Investigation of the NiGe bottom electrode in CeO 2 based ReRAM
DevicesTokyo Tech. FRC1，Tokyo Tech. IGSSE2 ○ Jisong Jin1，
Kuniyuki Kakushima2，Yoshinori Kataoka2，
Akira Nishiyama2，Nobuyuki Sugii2，Hiroshi Wakabayashi2，
Kazuo Tsutsui2，Kenji Natori1，Hiroshi Iwai1
3 n +および p +-Si 上に形成した CeOx/SiO2膜の抵抗変化特性
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2 ○（M1）杉浦みのり 1，
Mokhammad Hadi1，角嶋邦之 2，片岡好則 2，西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，筒井一生 2，名取研二 1，岩井 洋 1
4 プラズマ還元処理がマンガン複合酸化物薄膜の抵抗スイッチング特性に及ぼす効果
大阪電通大工 1，京大院工 2 ○中村敏浩 1，山田昌樹 2，酒井 道 2
5 Cu(Ag)/Ta2O5界面の酸化還元過程とフォーミングに対する Ta 2O5膜密度の影
響物材機構 1，JST-CREST2，アーヘン工科大 3，ユーリヒ研究機構 4○鶴岡 徹 1,2，Ilia Valov3,4，長谷川剛 1,2，
Rainer Waser3,4，青野正和 1
6 酸化タンタル膜の抵抗スイッチ現象における SET 時間分布に対する RESET
電圧の影響
アーヘン工科大 1，東芝研開セ 2 ○西 義史 1,2，Stephan Menzel1，
Karsten Fleck1，Ulrich Boettger1，Rainer Waser1
7 RF スパッタ法で作製したアルミナにおけるナノギャップ電極を用いた抵抗ス
イッチ現象
上智大理工 ○兼平達也，宮邉 徹，小渕敦生，中岡俊裕

（ 69
69 ）

6

薄膜・表面

8 アルミ酸化物抵抗変化型メモリのリテンションタイム
物材機構 ○加藤誠一，児子精祐，木戸義勇-----------------------------------------------------------------------------------6.4 薄膜新材料
9 月 17 日 13:15 〜 18:00
17p-A11 - 1 〜 17

1 基板の表面粗さが光学薄膜の光散乱特性に与える影響 2
東海大工光・画像工学科 1，シンクロン 2，東海光学 3 ○杉山拓也 1，
室谷裕志 1，松本繁治 2，本多博光 2，田村耕一 3，杉浦宗男 3
2 H2O ガスを用いた反応性スパッタ法による IrOxHy薄膜の作製と評価
北見工大 ○伊藤 敏，阿部良夫，川村みどり，金 敬鎬
3 スパッタリング成膜によるランタンとチタンの複合酸化物光学薄膜の作製 (3)東海大院工 ○（M1）中野良太，室谷裕志
4 Ag 薄膜の特性変化の有機分子膜導入による抑制
北見工大 ○（M1）佐々木達也，川村みどり，阿部良夫，金 敬鎬
5 フレームデポジション法により合成した酸化イットリウム膜の気孔率
長岡技科大 1，中部キレスト 2 ○白井友之 1，中村 淳 1,2，
大塩茂夫 1，戸田育民 1，小松啓志 1，齋藤秀俊 1
6 フレームデポジション法により合成した酸化エルビウム膜の堆積速度と気孔率
長岡技科大 1，中部キレスト 2 ○白井友之 1，中村 淳 1,2，
大塩茂夫 1，戸田育民 1，小松啓志 1，齋藤秀俊 1

休憩

14:45 〜 15:00

7 大気開放型化学気相析出法で合成した SrO 膜
長岡技科大 ○（P）小松啓志，田邊森人，大塩茂夫，
戸田育民，村松寛之，齋藤秀俊
8 キャリアガス種の異なる大気開放型化学気相析出法で合成した SrO 膜
長岡技科大 ○（P）小松啓志，大塩茂夫，戸田育民，齋藤秀俊
9 スパッタ法により形成した Pr 酸化膜の構造評価
法政大 1，コメット 2 ○原 健太 1，熊谷健大 1，原口祐太郎 1，
鈴木 摂 2，石橋啓次 2，山本康博 1
10 O2 導入 Ar スパッタ法により形成した Al 添加 CeO2 薄膜の特性評価
法政大 1，コメット 2 ○野谷祐貴 1，原 健太 1，大澤隆志 1，青木和也 1，
藤山啓太 1，鈴木 摂 2，石橋啓次 2，山本康博 1
11 PLD 法による Sr2SiO4多結晶体ターゲットを用いた Sr 2SiO4薄膜の Si 基板上への作製
兵庫県立大 1，明治大 2，JST-CREST3 ○（M1）今西啓司 1，谷脇将太 1，
堀田育志 1,3，吉田晴彦 1,3，新船幸二 1,3，小椋厚志 2,3，佐藤真一 1,3
12 AlOx/Si 前駆体のポストアニール処理による AlOx/SiOx 構造の作製
兵庫県立大 1，明治大 2，JST-CREST3 ○（M1）三宅省三 1，豊嶋祐樹 1，
堀田育志 1,3，吉田晴彦 1,3，新船幸二 1,3，小椋厚志 2,3，佐藤真一 1,3

休憩

16:30 〜 16:45

13 上部電極膜のスパッタ成膜条件が有機 EL 素子の動作特性に及ぼす影響
東京工芸大工 1，新潟大 2 ○星 陽一 1，濱口大地 1，
小林信一 1，内田孝幸 1，清水英彦 2
14 スパッタ法によるウルツ鉱型 (Al,Ti)N のサーミスタ薄膜の作製
三菱マテリアル ○長友憲昭，稲場 均，田中 寛，藤田利晃，
竹島一太，松本文夫，山口邦生
15 ウルツ鉱型 (Al,Ti)N 薄膜の NTC サーミスタ特性○
三菱マテリアル藤田利晃，田中 寛，長友憲昭
16 ゾル - ゲル法により作製した金属ナノ粒子分散 MgF2薄膜のラマン分光
12○1
惣島暢昭 ，横山英佐 2，若木守明 1，渋谷猛久 1
東海大 ，東京工芸大
17 スパッタ法による 1012/ 平方インチ級 高密度 Au ナノ粒子の形成と粒子の規則配列性の向上
千葉工大工 1，信大工 2 ○安川雪子 1，劉 小晰 2，森迫昭光 2-----------------------------------------------------------------------------------6.4 薄膜新材料
9 月 18 日 9:00 〜 18:15
18a-A11 - 1 〜 101 窒化銅エピタキシャル薄膜の p/ ｎ型伝導制御
東工大元素戦略 1，東工大応セラ 2 ○松崎功佑 1,2，細野秀雄 1,2，須崎友文 1,22 酸化物単結晶基板上における完全に濡れたイオン液体ナノ薄膜の作製
東北大院工 ○丸山伸伍，鳥屋部果穂，山内美保，松本祐司△ 3 イオン液体を介した真空蒸着による KBr(111) 結晶表面成長
東北大院工 ○山内美保，丸山伸俉，大橋 昇，松本祐司△ 4 エピタキシャル歪みによるペロブスカイト型酸窒化物 SrTaO2N のアニオン配列制御
東大院理 1，KAST2，JST-CREST3 ○岡 大地 1，廣瀬 靖 1,2,3，
神坂英幸 1,3，福村知昭 1,2,3，長谷川哲也 1,2,3△ 5 炭素添加した InSiO チャネル材料の特性
明治大 1，物材機構 WPI-MANA2，芝浦工大 3 ○栗島一徳 1,2，生田目俊秀 2，
三苫伸彦 2，木津たきお 2，塚越一仁 2，澤田朋実 2，大井暁彦 2，
山本逸平 2,3，大石知司 3，知京豊裕 2，小椋厚志 1

休憩

10:15 〜 10:30△ 6 Li 挿入による Cu3N の非金属－金属転移
中部大院工 ○丸矢航平，清水 航，井野龍一朗，
二宮善彦，佐藤 厚，山田直臣△ 7 Srn +1RunO3n +1 薄膜へのポリフッ化ビニリデンによるトポタクティックフッ素
ドープ
東大院理 1，JST-CREST2，KAST3 ○河原佳祐 1，近松 彰 1,2，
片山 司 1，小野塚智也 1，福村知昭 1,2，長谷川哲也 1,2,3△ 8 イオン液体を用いた蒸着重合法による芳香族ポリ尿素薄膜の形成
東北大院工 ○大澤祐哉，大橋 昇，丸山伸伍，松本祐司△ 9 イオン液体を介した真空共蒸着法による DBTTF-TCNQ 錯体の作製
東北大 1，産総研 2 ○黒石晃平 1，大橋 昇 1,2，丸山伸伍 1，松本祐司 1△ 10 SiC フラックス成長における SiC 基板 / フラックス界面の高温真空レーザー
顕微鏡観察
東北大院工 1，名大院工 2，産総研 3，FUPET4，日立化成 5，JST-ALCA6○
小沼碧海 1，丸山伸伍 1，原田俊太 2，宇治原徹 2，加藤智久 3,4，
蔵重和央 4,5，奥村 元 3,4，松本祐司 1,6

昼

食11:45 〜 13:15

18p-A11 - 1 〜 17

▲ 1 「Invited lecture of overseas researcher」（30min.）Tuning the magnetic properties of Co thin films by oxygen ion
implantation
ICN2-Institut Catala de Nanociencia i Nanotecnologia, Spain1，
KU Leuven, Instituut voor Kern- en Stralingsfysica,Belgium2，
University of Gothenburg,Sweden3，National Institute ofStandards and Technology,USA4，Royal Institute of Technology,
Sweden5，ICREA -Institucio Catalana de Recerca i Estudis
Avançat,Spain6 ○ Jose Francisco Lopez-Barbera1，
E Menéndez2，H Modarresi2，M Kirby3，B.J. Kirby4，
J Åkerman3,5，J.A. Borchers4，A Vantomme2，
K Temst2，Josep Nogués1,6▲ 2 Electronic conductivity of impurity-doped Zn3N2 thin films△
Chubu Univ. ○（D）Xiang Cao，Kouki Watarai，Yoshihiko Ninomiya，Atsushi Sato，Naoomi Yamada▲ 3 Effect of oxidation process on MoS2 thin film growth
1
2○△
NIMS ，Kyusyu University
Sinae Heo1,2，Ryoma Hayakawa1，
Toyohiro Chikyow1，Yutaka Wakayama1,2▲ 4 Microfluidic control by temporally modulated thermoplasmonics△
Kyoto Univ.1，J S P S Research Fellow2 ○ Kyoko Namura1,2，
Kaoru Nakajima1，Kenji Kimura1，Motofumi Suzuki1▲ 5 Impact of thermal expansion of substrates on phase transition
temperature of VO2 films
GREMAN, Univ. Tours1，Tokyo Tech.2，Tokai Univ.3 ○ Joe Sakai1，
Mustapha Zaghrioui1，Masaaki Matsushima2，
Hiroshi Funakubo2，Kunio Okimura3▲ 6 Influence of nitrogen oxide gas supply during ZnO film growth using
high-temperature H2O generated from a catalytic reaction
Nagaoka Univ. Technol. Yusuke Teraguchi，Yuuki Ohashi，Naoya Yamaguchi，Yasuhiro Tamayama，○ Kanji Yasui▲ 7 Preparation of a single-phase TaO2 thin film
Okayama Univ. ○ Yuji Muraoka，Yuki Fujimoto，
Takanori Wakita，Takayoshi Yokoya休憩

15:15 〜 15:30

8 LiH 薄膜の配向制御とイオン伝導測定
東北大院工 1，東北大金研 2，東北大 AIMR3 ○大口裕之 1，池庄司民夫 2,3，
桑野博喜 1，白木 将 3，折茂慎一 2,3，一杉太郎 3
9 YAlO3(001) 基板上への r 面配向 Cr2O3薄膜の作製
日大理工 林佑太郎，隅田貴士，中村拓未，橋本浩佑，山本 寛，○岩田展幸
10 マンガン窒化物 Mn3(CuxAg1-x )N の薄膜作製
名大工結材 1，名大工応物 2 ○畑野敬史 1，松本利希 1，
松本健介 1，竹中康司 2，生田博志 1
11 水素ドープに伴う NdNiO3薄膜の構造変化
東大院理 1，JST-CREST2，KAST3 ○小野塚智也 1，近松 彰 1,2，
片山 司 1，福村知昭 1,2,3，長谷川哲也 1,2,3
12 PLD 法による Si 基板上への SrVO3薄膜の作製
兵庫県立大 ○（M1）稲垣 遼，堀田育志，佐藤真一

休憩

16:45 〜 17:00

13 大気開放型 CVD 法を用いた Nb:TiO2膜の合成と抵抗率
長岡技科大 ○（M2）小林 望，菊田剛史，小松啓志，
大塩茂夫，戸田育民，齋藤秀俊
14 常温大気圧下でのコプラナー型沿面放電による SnO2薄膜の形成における前駆体の検討
静岡大院工 ○金指翔大，増田優貴，花井利通，丹 祐人，奥谷昌之
15 大気下における沿面放電を利用した二酸化チタン膜の作成
静岡大 増田優貴，丹 祐人，○金指翔大，奥谷昌之
16 マイクロ波照射下における金属酸化物の自己発熱作用を利用した酸化スズ薄膜の作製
静岡大院工 大橋拓也，武藤 栄，○奥谷昌之
17 液相プロセスにおける酸化物ゲルへの UV 照射によるパターン形成技術の開発
北陸先端大 1，JST-ERATO2，グリーンデバイス研究センター 3○
芳本祐樹 1，永原幸児 1，下田達也 1,2,3------------------------------------------------------------------------------------

（ 70
70 ）

6

6.4 薄膜新材料
9 月 19 日
19a-PB2 - 1 〜 11
19a-PB2 - 1 〜 11

2 サファイア上にミスト CVD 成長させた α-Ga2O3薄膜の CAICISS による表面構造解析
阪大院工 1，京大院工 2，ROCA3 ○丹波大樹 1，尾坂 駿 1，岡坂翔太 1，
織田真也 2,3，田畑博史 1，久保 理 1，藤田静雄 2，片山光浩 1
3 フレキシブル基板上 ITO 薄膜の熱的相転移過程解明に関する研究
阪大院工 1，カネカ 2，カネカテクノリサーチ 3，名大エコトピア科学研究所 4○
塩飽義大 1，口山 崇 2，井上健二 2，丸山秀夫 3，武藤俊介 4，関 修平 1
4 電子放出材料としての MgO 粉体の解析
パナソニック 1，阪大院工 2 ○辻田卓司 1,2，浅野 洋 1,2，坂井全弘 1,2，
森田幸弘 1,2，西谷幹彦 1,2，北川雅俊 2

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 チタンバッファーを用いたシリコン基板上に成長したダイアモンドライク
カーボン
神奈川県産技センター 1，大阪産総研 2，日本電子工業 3，
日本アドバンスケミカルズ 4，不二 WPC5，コバヤシ精工 6，
相模原表面技術研究所 7，東工大総合理工 8，豊橋科技大 9○
金子 智 1,8，松永 崇 2，池永 薫 3，伊藤 健 6，
安井 学 7，堀内崇弘 1，安原重雄 4，三尋木勝洋 4，熊谷正夫 5，滝川浩史 9，下平英二 5，小林昌純 6，
須藤理枝子 7，松田晃史 8，吉本 護 8▲ 2 Development of nanosecond radiation thermometry for pulsed UV laser
processing
AIST ○ Kentaro Shinoda，Tomohiko Nakajima，Tetsuo Tsuchiya
3 真空蒸着法向け低スプラッシュ一酸化ケイ素材料の作製
キヤノンオプトロン ○上嶌聡一郎，渡会孝典，堀江晴彦，堀江幸弘
4 光反応による高輝度フレキシブル蛍光体膜の作製と評価
産総研 鵜澤裕子，中島智彦，篠田健太郎，○土屋哲男
5 超臨界二酸化炭素流体を用いた酸化ジルコニウム薄膜の化学的堆積
上智大理工 ○塩川真里奈，井﨑克史，内田 寛
6 MoSi2-Si 複合体薄膜の抵抗率の温度依存性
同志社大 ○木谷僚介，佐藤祐喜，吉門進三
7 水素ガス雰囲気中におけるフタロシアニンマグネシウム薄膜の特性
新潟大工 ○清水英彦，新保一成，岩野春男，
川上貴浩，福嶋康夫，永田向太郎△ 8 PLD 法を用いた Ga2O3薄膜結晶成長におけるバッファー層導入効果
1
2
3
東工大 ，豊島製作所 ，ROCA ，神奈川県産技センター 4 ○福田大二 1，
塩尻大士 1，山内涼輔 1，土嶺信男 2，織田真也 3，
金子 智 4,1，松田晃史 1，吉本 護 1
9 単一 Ti0.87O20.52 −ナノシートの絶縁・誘電特性物材機構 1，東大 2，JST-CREST3，KAST4 ○（PC）小川大輔 1,2,3，赤塚公章 1,3，
福村知昭 2,3，長田 実 1,3，佐々木高義 1,3，長谷川哲也 2,3,4
10 透明デバイスに向けた NiO 薄膜と BDD とのバンドアライメントの検討
東京理科大理工 1，東京理科大総研 2 ○川出大佑 1,2，谷島啓太 1，
近藤剛史 1,2，相川達男 1,2，湯浅 真 1,2，杉山 睦 1,2
11 赤外線センサ検知部材料のための Ta,W ドープ酸化バナジウム膜の形成 ( Ⅲ )成蹊大院理工 1，成蹊大理工 2 齋藤和弘 1，渡部良一 2，
渡邊良祐 2，○齋藤洋司 1,2

休

休

憩

10:45 〜 11:00

昼

17p-A6 - 1 〜 8

食12:00 〜 13:30

1 STM を用いた Au(111) 上ヘリセンジオール分子アセンブリのキラル分子認識
阪大院工 1，和歌山大システム工 2 ○都築拓朗 1，クルコスキー パウエル 1，
チャウンチャイヤクル ソンポル 1，皆川佑人 1，大須賀秀次 2，
田畑博史 1，久保 理 1，片山光浩 1，桑原裕司 1

14:30 〜 14:45-----------------------------------------------------------------------------------6.5 表面物理・真空
9 月 19 日
19a-PB3 - 1 〜 6

19a-PB3 - 1 〜 6

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 Ag(111) 表面上の Co 薄膜におけるモアレ構造と磁性の第一原理計算
東大工 1，東大物性研 2 ○南谷英美 1，吉田靖雄 2，長谷川幸雄 2，渡邉 聡 1
2 脱濡れ（凝集 ) 現象を用いた自己組織化 (Au, Ag)/Ti 薄膜のナノ構造
東大生研 1，韓国光云大 2 ○神子公男 1，野瀬健二 1，
光田好孝 1，河 在浩 2，河 在根 2
3 Ag(110) 上に合成した TiO2超薄膜の電子状態：X 線吸収端近傍微細構造
立教大理 1，未来分子研究センター 2，東工大理工 3，
高エネルギー加速器研究機構 4 ○（M2）杉崎裕一 1，
中村卓也 1，石田周平 1，枝元一之 1,2，掛札洋平 1，
小澤健一 3，間瀬一彦 44 走査トンネル顕微鏡を用いた単一鎖カーボンナノチューブのナノスケール発
光制御
濤，上原洋一東北大通研 ○片野 諭，藤田寛人，魏5 超音速分子線を用いて酸化された Si(113) 表面の解析
1
2
○
1
1
横国大院工 ，原子力機構
田中一馬 ，大野真也 ，小玉 開 1，
吉越章隆 2，寺岡有殿 2，田中正俊 1
6 Ga/Si(100) 表面再構成構造上 GaSb 3 次元島の成長形態解析
東理大院基礎工 1，情通機構 2 ○戸田隆介 1，町田龍人 1，緒方悟公 1，
藤川紗千恵 1，原 紳介 2，藤代博記 1

6.5 表面物理・真空
9 月 17 日 9:30 〜 15:45
17a-A6 - 1 〜 9

6 Si(100)-2×1 表面の分子状吸着状態の放射光リアルタイム光電子分光による時分割観察
原子力機構 1，筑波大院数物 2，兵県大院物質理 3 ○吉越章隆 1，岡田隆太 1,2，
寺岡有殿 1,3，岩井優太郎 3，山田洋一 2，佐々木正洋 2
7 不活性 Si(001) 表面上の α-sexithiophene 薄膜の成長と電子状態
横国大院工 1，佐賀大シンクロトロン 2，東大物性研 3 ○大野真也 1，
田中博也 1，平賀健太 1，田中一馬 1，高橋和敏 2，鎌田雅夫 2，
豊島弘明 1，井上 慧 1，向井孝三 3，吉信 淳 3，田中正俊 1
8 Si 表面上における分子柵内への TMP 分子の閉じ込め
静岡大工 ○下村 勝，岩辺あい，清瀬 史△ 9 走査トンネル顕微鏡を用いた Si 基板上への銀ナノ粒子の作製と形状制御
東北大通研 ○寶槻雅樹，片野 諭，上原洋一

憩

5 高温環境下における白金ナノギャップ電極の抵抗変化効果
千葉工大 1，物材機構 2，産総研 3 ○菅 洋志 1，篠村勇磨 1，
塚越一仁 2，清水哲夫 3，内藤泰久 3△ 6 In-situ 電気化学プロセスによるイオン液体と水素終端 Si(111) 界面の評価
東北大院工 ○渡邉 光，松本祐司，丸山伸伍▲ 7 Improved Terahertz Radiation from Schottky Contact on Porous Silicon
Faculty of Engineering, Hokkaido University〇
Xu Lu，Yohei Ishida，Tetesu Yonezawa
8 金属ナノ構造中の局在プラズモン励起による光放射の理論 -II
東大院工 ○市川昌和------------------------------------------------------------------------------------

1 GaAs(001) 表面上への平坦金属薄膜の形成
東工大院理工 ○加来 滋，今宮健太，津久井雅之，吉野淳二
2 RHEED 鏡面反射電子に対する表面プラズモンの異常励起
大同大工 1，東北大多元研 2 ○堀尾吉已 1，原 朋尚 1，高桑雄二 2，小川修一 2
3 Ge/Si(111) ヘテロエピタキシャル成長過程における Si(111)7×7 表面再構成
ストレスのその場観察
原子力機構 1，日立パワーソリューションズ 2，エイコーエンジニアリング 3○
魚住雄輝 1,2，山崎達也 3，朝岡秀人 1△ 4 清浄 Ge(001) および金属 (Pb, In) 吸着 Ge(001) における電子状態
奈良先端大物質創成 ○坂田智裕，武田さくら，北川幸祐，大門 寛
5 Ge(111)-c(2×8) 表面の酸化発展の O2並進エネルギー依存性
原子力機構 1，筑波大院数物 2，兵県大院物質理学 3 ○（D）岡田隆太 1,2，
吉越章隆 1，寺岡有殿 1,3，岩井優太郎 1,3，山田洋一 2，佐々木正洋 2

薄膜・表面-----------------------------------------------------------------------------------6.6 プローブ顕微鏡
9 月 18 日
18p-PA8 - 1 〜 8

18p-PA8 - 1 〜 8

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00▲ 1 ultrasfast coherent phonon probed by optical pump-probe scanningtunneling microscopy
Tsukuba Univ. ○ Zihan Wang，Toshihiko Kishizawa，Masaya Shigeno，Shoji Yoshida，Osamu Takeuchi，Hidemi Shigekawa△ 2 水素吸着による Fe3O4(001) 表面の局所電子状態変化の研究
北大院情報科学 ○樋浦諭志，池内昭朗，Agus Subagyo，末岡和久
3 高速液中 FM-AFM を用いたカルサイト結晶成長過程の解析
金大院 1，金大バイオ AFM セ 2，ACT-C/JST3 ○宮田一輝 1，
宮澤佳甫 1，淺川 雅 2，福間剛士 1,2,3
4 バイオセンシングに向けた機能性タンパク質の FM-AFM 構造観察
京大 1，京大白眉セ 2，産総研 3 ○（D）崔 子鵬 1，木南裕陽 1，
小林 圭 1,2，平田芳樹 3，山田啓文 1
5 DNA オリゴマー中のピリミジン塩基分子の dI/dV 測定
阪大産研 ○田中裕行，谷口正輝
6 長さ伸長型水晶振動子を用いた高速原子間力顕微鏡
阪大院基礎工 ○宮戸祐治，勝部大樹，糸崎秀夫
7 STM 探針励起による ZnTe(110) 表面の欠陥生成
筑波大院数理物質 ○金澤 研，吉田昭二，黒田眞司，重川秀実
8 X 線支援非接触原子間力顕微鏡（XANAM）によるＸ線照射下のフォースマッ
ピングの検討
名大院工 1，北大触媒セ 2，ICU3，KEK-PF4 ○鈴木秀士 1，
向井慎吾 2，田 旺帝 3，野村昌治 4，朝倉清高 2------------------------------------------------------------------------------------

（ 71
71 ）

6
7

薄膜・表面
ビーム応用

6.6 プローブ顕微鏡
9 月 19 日 9:30 〜 19:00
19a-A8 - 1 〜 10

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
界面イオン伝導顕微鏡による正極薄膜材料表面における Li イオン挿入・脱離機構の可視化東北大 AIMR1，東北大環境科学 2 ○熊谷明哉 1，高橋康史 1，猪又宏貴 2，
白木 将 1，山本邦子 1，春田正和 1，伊野浩介 2，
珠玖 仁 2，一杉太郎 1，末永智一 1,2△ 2 単一 PTCDA 分子の高分解能室温 AFM 測定
阪大院工 1，阪大産研 2 ○岩田孝太 1，山崎詩郎 2，杉本宜昭 1△ 3 電気化学 STM による Au(111) 上に成長したグラフェンの in-situ 観察
北大院理 1，JST さきがけ 2 ○熊谷諒太 1，佐藤志野 1，保田 諭 1,2，
村越 敬 1△ 4 液中動作 FM-AFM による IgG 抗体分子 6 量体形成の抗体種依存性
京大院工 1，京大白眉セ 2 ○木南裕陽 1，井戸慎一郎 1，小林 圭 1,2，
山田啓文 1△ 5 複数開口ナノピペットを有する走査型イオン伝導顕微鏡を用いた単一細胞エ
レクトロポレーション法
静岡大工 1，新潟大医 2 ○櫻井智史 1，山崎晃資 1，牛木辰男 2，岩田 太 1

休憩

10:45 〜 11:00

6 シミュレーションによる AFM のエネルギー減衰の解明Ⅱ
山口大院理工 1，アールト大 2 ○仙田康浩 1，嶋村修二 1，
Janne Blomqvist2，Risto Nieminen2
7 チタン酸リチウム Li4Ti5O12(111) 表面の液中 FM-AFM 観察
産総研 1，神戸大理 2 ○橘田晃宜 1，香山正憲 1，大西 洋 2
8 液中 FM-AFM による免疫グロブリン M（IgM）構造評価
京大院工 1，京大白眉セ 2 ○黄 雲飛 1，木南裕陽 1，小林 圭 1,2，山田啓文 19 走査型プローブエレクトロスプレーイオン化法（SPESI）による生体組織の質量イメージングの検討
キヤノン 1，関大化学生命工 2 ○大塚洋一 1，内藤順平 1，佐藤秀哉 1，
教學正文 1，橋本浩行 1，荒川隆一 2
10 Avidin-biotin 相互作用の FM-AFM フォースマップ評価
京大工 1，京大白眉 2 李 文尭 1，○（PC）鈴木一博 1，小林 圭 2，山田啓文 1

昼

食12:15 〜 13:45

19p-A8 - 1 〜 19

1 同軸構造導電性 AFM プローブの作製
筑波大数理 1，TIMS2 ○（M1）宮下 晃 1,2，村上勝久 1,2，藤田淳一 1,22 アルカリハライド結晶のステップ周辺における水和構造評価
京大工 1，京大白眉セ 2 ○長谷川俊 1，鈴木一博 1，小林 圭 2，山田啓文 1
3 3 次元走査型力顕微鏡を用いた CaF2(111)/ 水界面の水和構造解析
金大院 1，埼玉大 2，University College London3，ACT-C/JST4○（M1）
宮澤佳甫 1，小林成貴 2，Watkins Matthew3，
Shluger Alexander L.3，福間剛士 1,4
4 液中動作 FM-AFM を用いた局所水和構造と表面構造 / 電荷の相関に関する研究 (2)
京大工 1，京大白眉セ 2 ○（PC）梅田健一 1，小林 圭 2，山田啓文 1
5 アルミナ超薄膜表面におけるフォース分光
阪大工 ○横山弘尭，菅原康弘，李 艶君，内藤賀公
6 パルス法を用いたケルビンプローブフォーススペクトロスコピー
阪大院工 ○（PC）稲見栄一，杉本宜昭
7 BEEM による量子井戸構造の解析と界面の評価
東工大院理工 ○（M1）今宮健太，加来 滋，津久井雅之，吉野淳二

休憩

15:30 〜 15:45

8 金属コートカーボンナノファイバー探針の電気特性評価及び接触圧測定
名工大院工 1，オリンパス 2 ○田中志保美 1，松井宗一郎 1，
種村眞幸 1，北澤正志 2，太田 亮 2
9 ケルビンプローブ力顕微鏡によるルチル型 TiO2(110) 上の局所接触電位差の解明
阪大院工 ○神林良佑，温 煥飛，末貞昌英，内藤賀公，李 艶君，菅原康弘
10 非接触原子間力顕微鏡 / 力分光法による微量 NH3を反応させた Si(111)-7×7
表面電子状態解析
金沢大院 1，北陸先端大院 2 ○（M2）坂野友樹 1，富取正彦 2，新井豊子 1
11 フラーレン薄膜上金属内包フラーレンの FM-KFM 表面電位測定
京大院工 1，京大白眉セ 2 ○野田晃浩 1，小林 圭 1,2，山田啓文 1
12 室温・単一有機分子磁気接合の創成
千葉大 1，三重大 2 ○山田豊和 1，山岸祐平 1，北岡幸恵 2，中村浩次 2
13 NC-AFM に組込んだチャージアンプの出力解析
北陸先端大 1，金沢大 2 ○野上 真 1，新井豊子 2，笹原 亮 1，富取正彦 1

休憩

17:15 〜 17:30

14 STM/STS によるグラフェンナノリボンの電子構造解析
千葉大 1，阪大 2 ○福田秀人 1，福森 稔 2，一瀬奈美 1，
田中啓文 2，小川琢治 2，山田豊和 1
15 Ag (110) 上シリセンナノリボンの電子状態評価
阪大院工 ○大村良輔，重原正明，田畑博史，森 伸也，久保 理，片山光浩
16 近接場偏光顕微鏡を用いた磁気ドットの高分解能磁化計測
群馬大 ○高橋良輔，金涛，曾根逸人，尹友，保坂純男17 イオン照射法による磁気力顕微鏡用合金含有カーボンナノファイバ探針の熱処理効果 ( Ⅱ )名工大院工 1，オリンパス 2 ○松井宗一郎 1，田中志保美 1，
種村眞幸 1，北澤正志 2，太田 亮 218 原子操作によるナノクラスターの組立
阪大院工 1，阪大産研 2，阪大院基礎工 3 ○杉本宜昭 1，Ayhan Yurtsever2，
平山直樹 1，阿部真之 3，森田清三 2
19 Fe(110) ウィスカ単結晶上 Ni 超薄膜の bcc-fcc 構造
千葉大 ○山田豊和，川崎 巧------------------------------------------------------------------------------------

7

ビーム応用

●関連シンポジウム「Ｘ線反射率、表面Ｘ線散乱による埋もれた界面の解析における位相問題 - 新光源への期待」（9 月 17 日（水），9:30 〜 16:30，A13 会場）が p.40 に，掲載されています．
●関連シンポジウム「原子・分子ビームによる表面反応制御とその応用展開」（9 月 18 日（木），13:15 〜 18:45，A13 会場）が p.41 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------7.1 X 線技術
9 月 18 日
18p-PB1 - 1 〜 3

18p-PB1 - 1 〜 3

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 空間分解能を有する中性子反射率法の開発（２）物材機構 1，CROSS 東海 2 ○桜井健次 1，阿久津和宏 2，
宮田 登 2，伊藤崇芳 2，水沢まり 2▲ 2 High-precision curving process of Si wafer for X-ray MEMS mirror usedin space application
AIST1，Univ. of Yamanashi2，Tokyo Metropolitan Univ.3
Rasadujjaman Md1,2，○ Yuichi Kurashima1，
Atsuhiko Maeda1，Hiroshi Hiroshima1，
Hideki Takagi1，Eiichi Kondoh2，
Yuichirou Ezoe3▲ 3 X-ray Talbot Interferometry Using a Laser Compton Scattering X-ray
SourceTohoku University1，AIST2，Waseda University3 〇 Margie Olbinado1，
Yoshitaka Taira2，Masato Yasumoto2，Kazuyuki Sakaue3，
Ryunosuke Kuroda2，Atsushi Momose1-----------------------------------------------------------------------------------7.1 X 線技術
9 月 19 日 13:15 〜 17:00
19p-A13 - 1 〜 14

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
マルチライン状埋め込みターゲットを用いた自己像直接検出型 X 線 TalbotLau 干渉計の開発
阪大院工 1，筑波大 2，名古屋大 3 ○森本直樹 1，藤野 翔 1，大嶋建一 2，原田仁平 3，細井卓治 1，渡部平司 1，志村考功 1
2 埋め込み X 線ターゲットを用いたマイクロ光源アレイの作製と 2 次元 X 線位
相イメージングへの展開
阪大院工 ○森本直樹，藤野 翔，伊藤康浩，山崎 周，
細井卓治，渡部平司，志村考功△ 3 高エネルギー X 線位相イメージングに向けた、タングステン埋め込みターゲッ
トによる小型 Talbot-Lau 干渉計の検討
阪大 ○伊藤康浩，森本直樹，山崎 周，細井卓治，渡部平司，志村考功△ 4 電気めっきによるマルチライン Au 埋め込み X 線源の作製と評価
阪大院工 ○山崎 周，森本直樹，伊藤康浩，細井卓治，渡部平司，志村考功
5 プリパルスレーザー照射時のドロップレットの挙動 II
レーザー総研 1，阪大レーザー研 2，原研関西光量子 3 ○砂原 淳 1，
西原功修 2，佐々木明 3
6 EUV 光源ターゲットとレーザー光の相互作用のモデル化
原子力機構 1，レーザー総研 2，阪大レーザー研 3 ○佐々木明 1，
砂原 淳 2，西原功修 3△ 7 CO2レーザー駆動 Sn プラズマの EUV 放射効率化
阪大レーザー研 1，日本アドバンストテクノロジー 2，レーザー総研 3，
ギガフォトン 4 ○（PC）松隈 啓 1，吉田健祐 1，細田達矢 1，藤岡慎介 1，
余語覚文 1，西村博明 1，佐藤英児 2，染川智弘 3，柳田達哉 4
8 EUV 光源用レーザー生成 Sn プラズマのトムソン散乱計測システム開発
九大総理工 ○富田健太郎，佐藤祐太，西川和孝，内野喜一郎

休憩

15:15 〜 15:30

9 試料周辺の水の層の厚さの制御による密着型軟 X 線顕微鏡の高コントラスト
化
原子力機構 1，川崎医科大 2，奈良女子大 3，東海大 4 ○加道雅孝 1，
岸本 牧 1，刀祢重信 2，保 智己 3，安田恵子 3，
青山雅人 3，篠原邦夫 1,4
10 Ｎ－Ｋ吸収端近傍における生物細胞内構造のコントラスト
東北大多元研 1，原子力機構 2，奈良女子大 3 ○江島丈雄 1，廣瀬遼一 1，
加道雅孝 2，石野雅彦 2，青山雅人 3，安田恵子 3，保 智己 3

（ 72
72 ）

7

11 リチウムＫ発光高感度分光計測のための軟Ｘ線高効率回折格子の設計
原子力機構原子力科学 1，島津製作所デバイス 2，東北大多元研 3，日本電子 4○
小池雅人 1，今園孝志 1，小枝 勝 2，長野哲也 2，笹井浩行 2，大上裕紀 2，
米澤善央 2，倉本智史 2，寺内正己 3，高橋秀之 4，飯田信雄 4，村野孝訓 4
12 多層膜ミラーを用いた回折格子分光器の高次光解析法
東北大多元研 1，兵庫県大高度研 2 ○羽多野忠 1，原田哲男 213 高エネルギーＸ線を用いた Zeffイメージング法の試み
日立中研 1，産総研計測フロンティア 2，高エネ研物構研 3，北里大医療衛生 4○米山明男 1，竹谷 敏 2，兵藤一行 3，武田 徹 4
14 二次元Ｘ線 Talbot 干渉計における撮像法と信号雑音比の相関
キヤノン ○長井健太郎，近藤剛史，佐藤玄太，半田宗一郎，
山口公明，中村高士-----------------------------------------------------------------------------------7.2 電子顕微鏡，評価，測定，分析
9 月 18 日
18p-PB2 - 1
18p-PB2 - 1

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30△ 8 簡易投影露光装置の開発と垂直側壁をもつ流路パターンの形成
東京電機大院工 1，東京電機大工 2 ○森實祐太 1，
内野峻輔 2，渡邉勇介 2，堀内敏行 1,2△ 9 屈折率分布型レンズアレイを用いた走査投影露光の解像度と均一性改善の課
題
東京電機大院工 1，東京電機大工 2 ○佐藤貴紀 1，入澤 旬 2，堀内敏行 1,2
10 微細管内面に形成したエッチング溝パターンの非破壊観察
東京電機大院工 ○木村のぞみ，堀内敏行
11 集束イオンビーム化学気相成長法を用いた長尺オーバーハングナノ構造形成
における材料組成の均質化
東大工 ○米谷玲皇，青沼 正
12 ３次元電子ビーム描画の位置精度向上
NTT 物性基礎研 ○山崎謙治，山口浩司-----------------------------------------------------------------------------------7.3 リソグラフィ
9 月 18 日
18p-PB3 - 1

18p-PB3 - 1

1 ブタジエンゴムを含む複合材料の簡易 OsO4 染色
菱電化成 ○黒川博志，石崎祐美子，根子卓也，伊藤浩美，山本佳永-----------------------------------------------------------------------------------7.2 電子顕微鏡，評価，測定，分析
9 月 19 日 9:00 〜 11:45
19a-A14 - 1 〜 10

1 ABF 位相法による結晶構造の定量解析
名大院工 1，名大エコトピア科学研 2，JFCC3○
石田高史 1，川﨑忠寛 2,3，丹司敬義 22 円環状絞りによる STEM 焦点深度拡大の検証実験
名大エコ研 1，JFCC2，名大院工 3，近大理工 4，名城大理工 5，大阪電通大 6○川崎忠寛 1,2,3，石田高史 3，松谷貴臣 4，児玉哲司 5，生田 孝 6，丹司敬義 1
3 低加速電子線偏向法による局所磁場の可視化
筑波大数理 1，TIMS2 ○村上勝久 1,2，吉田木の実 1,2，藤田淳一 1,24 絶縁体薄膜表面電位分布の電子ビーム露光時間依存性
大阪工大 ○（M2）熊谷健太朗，細井創介，半田勇希，小寺正敏
5 走査電子顕微鏡におけるフォギング電子シミュレーション
大阪工大 ○細井創介，熊谷健太朗，半田勇希，小寺正敏

休憩

10:15 〜 10:30△ 6 ペロブスカイト酸化物中の酸素欠損に伴う陽イオン原子変位の可視化
ファインセラミックスセンター 1，東大新領域 2，モナッシュ大 3，
日本電子 4，東大総研 5，名大工 6 ○小林俊介 1,2，Scott Findlay3，
奥西栄治 4，幾原雄一 1,5，山本剛久 1,2,6△ 7 グラフェン上の金属原子のその場 TEM 観察
筑波大数理 1，NIMS2 ○狩野絵美 1,2，橋本綾子 1,2，竹口雅樹 1,2
8 白金ナノ粒子表面構造の収差補正環境 TEM 観察
阪大産研 1，阪大院工 2 ○吉田秀人 1，表 宏樹 1,2，竹田精治 1
9 金 - チタン酸ストロンチウム触媒の電子顕微鏡観察
産総研ユビキタス ○秋田知樹，前田 泰，香山正憲
10 環境電子顕微鏡による金ナノ触媒のプロピレン選択酸化反応その場観察
JFCC1，名大エコ研 2，名大院工 3，GREEN4，近大理工 5 ○川崎忠寛 1,2,3,4，
村瀬弘樹 3，今枝紀裕 3，松谷貴臣 5，丹司敬義 2,4憩

10:45 〜 11:00

13:30 〜 15:30-----------------------------------------------------------------------------------7.4 ナノインプリント
9 月 20 日 9:30 〜 15:00
20a-A13 - 1 〜 8

1 金属箔上への高温ナノインプリント
2 レーザー描画とリフロー処理によるパターン側壁の傾斜

産総研

銘苅春隆

○

産総研 ○銘苅春隆
3 レオロジープリンティング法による LaRuO ナノパターンの作製
北陸先端大 1，グリーンデバイス研 2 ○永原幸児 1，廣瀬大亮 2，
李 金望 2，徳光永輔 1,2，下田達也 1,2△ 4 熱ナノインプリント法によるガラス基板表面のシングルナノパターニングと薄膜成長制御東工大総理工 1，神奈川県産技セ 2 ○野沢靖久 1，譚ゴオン 1，
船迫友之 1，金子 智 2,1，松田晃史 1，吉本 護 1△ 5 熱ナノインプリント法による非晶質材料表面へのシングルナノパターン転写
東工大 1，協同インターナショナル 2，神奈川県産技セ 3 ○船迫友之 1，
野沢靖久 1，譚ゴオン 1，三田正弘 2，金子 智 1,3，松田晃史 1，吉本 護 1
6 分相性ナノポーラスガラスの室温ナノインプリント加工
神戸大院工 ○今北健二，鎌田 威，藤井 稔
7 リバーサル室温ナノインプリントによる三次元微細構造ガラス作製
兵庫県立大院理 ○菅野矩弘，岡田 真，春山雄一，松井真二
8 ポーラスアルミナを用いた光ナノインプリントによる階層構造の形成と超撥
水表面への応用
首都大都市環境 ○村越海斗，柳下 崇，益田秀樹

昼食11:30 〜 13:00

20p-A13 - 1 〜 8

1 高アスペクト比 Si パターンの作製 – ミクロンからナノサイズまで 大阪府大 ○川田博昭，下向主真，安田雅昭，平井義彦
2 熱ナノインプリントによる PS-b-PMMA 用ケミカルガイドパターンの作製
兵庫県大院理 ○若葉 瞳，岡田 真，伊吉就三，春山雄一，松井真二
3 Study of the Relationship between Antisticking Layer Deterioration and
Demolding forces on Repeated UV nanoimprint
Univ. of Hyogo1，Tohoku Univ.2，AIST3 〇 Shuso Iyoshi1，
Makoto Okada1，Yuichi Haruyama1，Masaru Nakagawa2，
Hiroshi Hiroshima3，Shinji Matsui1
4 フッ素系添加剤含有樹脂を用いたモールド離型膜フリーナノインプリント
兵県大院物質理 1，ダイキン工業 2 ○大山貴弘 1，山下恒雄 2，
岡田 真 1，伊吉就三 1，春山雄一 1，松井真二 1
5 ナノインプリントにおけるレジスト収縮の影響
大府大 ○（M1）栩野貴充，植村公亮，安田雅昭，川田博昭，平井義彦
6 X 線小角散乱法によるナノインプリントパターンの形状計測
リガク X 線研究所 ○表 和彦，伊藤義泰
7 回折効率測定による光反応性高分子液晶微細パターンの分子配向評価
兵県大高度研 1，兵県大工 2，長岡技科大 3 ○岡田 真 1，細田理沙 2，
近藤瑞穂 2，春山雄一 1，佐々木友之 3，小野浩司 3，
川月喜弘 2，松井真二 1
8 ナノインプリント法により作製したランダム回折素子の評価
パナソニック ○中村嘉孝，稲田安寿，橋谷 享，平澤 拓

7.3 リソグラフィ
9 月 17 日 9:00 〜 12:30
17a-A14 - 1 〜 12休

ポスターセッション

ポスター展示時間

1 ビルトインレンズマスクリソグラフィによる 3 次元露光の検討
大府大工 ○上田直樹，笹子 勝，菊田久雄，川田博昭，平井義彦------------------------------------------------------------------------------------

1 「7．ビーム応用 分科内招待講演」（30 分）
DSA リソグラフィによるサブ 10 nm パターニング
司 1，清野由里子 1，佐藤寛暢 1，
EIDEC1，東工大院理工 2 ○東笠原佑介 1，小林克稔 1，小寺克昌 1，金井秀樹 1，
木原尚子 1，川門前善洋 1，早川晃鏡 2
2 フラーレン添加ポジ型電子線レジストの現像特性及びパターン形状評価
山口大院理工 1，グルーオンラボ 2 ○池田紳悟 1，
東 幸浩 1，浅田裕法 1，星野亮一 2△ 3 PMMA をベースとした分岐電子線レジストの露光特性
山口大 1，熊本大 2，グルーオンラボ 3 ○池田紳悟 1，岸村由紀子 1，
浅田裕法 1，大久保勝也 2，白石寛治 2，國武雅司 2，星野亮一 34 環状オリゴマーに基づいた化学増幅型分子レジストのレジスト性能評価に関する研究
阪大産研 1，関西大 2 ○山本洋揮 1，工藤宏人 2，古澤孝弘 1△ 5 10 nm 級 EUV 干渉露光用透過型回折格子の製作
兵庫県立大 ○福井 翼，谷野寛仁，福田裕貴，
原田哲男，渡邊健夫，木下博雄△ 6 大型 EUV ミラー測定用の大型反射率計の開発
兵庫県立大 ○橋本 拓，井口晴貴，高橋洋平，九鬼真輝，田中祐輔，
藤野貴大，原田哲男，渡邊健夫，木下博雄

ビーム応用-----------------------------------------------------------------------------------7.5 ビーム・光励起表面反応
9 月 18 日 9:00 〜 9:45
18a-A13 - 1 〜 3△ 7 発光ダイオード・光ファイバにより転写した 2 次元コードマークの被読取性
能東京電機大院工 ○渡辺 潤，加藤和英，岩崎順哉，堀内敏行

（ 73
73 ）

1 FeAl 表面上のレーザー誘起磁気転移の波長依存性
北大創成 1，北大工エネマテ 2，北大電子研 3，東北大工 4 ○吉田 裕 1, 2，
渡辺精一 2，海住英生 3，西井準治 3，吉見享祐 4

7

ビーム応用

2 電子・レーザー照射下のイオン液体中金属ナノ粒子の TEM 内その場観察
北大院工 ○（PC）石岡準也，小暮一馬，エイケン ウ，
ミルザ ラフィック，柴山環樹，渡辺精一
3 ガスクラスターイオン照射による DLC 膜の表面化学修飾
兵庫県立大工 ○（M2）木村 旭，林 雅祐，豊田紀章，山田 公

休
4〜8

憩

9:45 〜 10:00

10:00 〜 11:30（7.8 ビーム応用一般・新技術）-----------------------------------------------------------------------------------7.5 ビーム・光励起表面反応
9 月 19 日
19p-PA2 - 1 〜 6

19p-PA2 - 1 〜 6

ポスター展示時間

7.6 イオンビーム一般
9 月 18 日 13:15 〜 18:15
18p-A14 - 1 〜 18

1 10/11C イオン生成 · 加速のための 10/11C 分子生成 · 分離システムの開発
放医研 ○片桐 健，永津弘太郎，北條 悟，中尾政夫，
鈴木和年，野田 章，野田耕司
2 Ne,Ar 混合下における電界電離 He イオンビームの飛行時間分析
1
三重大院工 ，三重大極限ナノエレセ 2 ○小牧啓介 1，永井滋一 1,2，
岩田達夫 1,2，梶原和夫 1,2，畑 浩一 1,2
3 ガスクラスターイオンビームによる Cu パターンエッチング
兵庫県立大院工 1，東京エレクトロン 2 ○日野浦諒 1，
豊田紀章 1，原 謙一 2，山田 公 1
4 ガス雰囲気下 GCIB 照射励起反応による反応脱離物の計測
兵庫県大工 ○（M2）森本寛規，豊田紀章，山田 公
5 He 混合による ClF3 中性クラスター速度制御
京大院工 1，岩谷産業 2，阪大院工 3 ○瀬木利夫 1，吉野 裕 2，
妹尾武彦 2，小池国彦 2，唐橋一浩 3，青木学聡 1，松尾二郎 1
6 フレキシブル基板上へのリップル構造転写プロセス
名工大院工 ○岡部晋宜，平岡陽祐，田中志保美，Golap Kalita，種村眞幸

14:45 〜 15:00

7 CnH2n+1+イオンビームを照射したシリコン基板の照射損傷評価
京大光・電子理工セ ○林 恭平，竹内光明，龍頭啓充，高岡義寛
8 ケミカルアシスト法を用いた高感度 MeV-SIMS 分析に関する研究
京大院工 ○藤井麻樹子，草刈将一，瀬木利夫，青木学聡，松尾二郎
9 Ar ガスクラスターイオンビームを用いた有機試料の三次元質量イメージング法の確立
京大院工 ○若本恵佑，中川駿一郎，瀬木利夫，青木学聡
10 MeV 重イオンを用いた揮発性混合試料の低真空二次イオン質量分析
京大院工 ○草刈将一，藤井麻樹子，瀬木利夫，青木学聡，松尾二郎
11 真空エレクトロスプレーにより生成される帯電液滴の質量電荷比分布
山梨大医工 1，山梨大クリーン 2 ○二宮 啓 1，境 悠治 2，
リーチュイン チェン 1，平岡賢三 2
12 水およびメタノールクラスターイオンビームを用いたアミノ酸分子の SIMS
測定
兵庫県大院工 ○永田翔吾，盛谷浩右，井原一誠，乾 徳夫，持地広造

休憩

16:30 〜 16:45

13 炭素ビームを用いた TOF-RBS 法の開発

7.6 イオンビーム一般
9 月 19 日
19p-PA3 - 1 〜 4

19p-PA3 - 1 〜 4

13:30 〜 15:30------------------------------------------------------------------------------------

憩------------------------------------------------------------------------------------

ポスターセッション

1 ナノ秒パルスレーザー照射による Au/Si 複合表面ナノ構造の作製
北大創成 1，北大工エネマテ 2，北大電子研 3，日立日立研 4 ○吉田 裕 1, 2，
渡辺精一 2，大西 広 3, 1，松尾保孝 3，加藤隆彦 42 パルスレーザー・電子ビーム照射による格子欠陥の振る舞い
北大院工学院 1，北京科技大 2，北大院工学研究院 3 ○（M2）神野 歩 1，
チャンビン ヤン 2，中島啓介 1，渡辺精一 3，柴山環樹 3，
谷津茂男 3，大久保賢二 3△ 3 イオンおよびナノ秒パルスレーザー同時照射による Au/SiO2表面のナノ構造化とその光学特性
北大院工 1，北大院工学研究院 2 ○（DC）于睿ケン 1，柴山環樹 2，
谷津茂男 2，石岡準也 2，渡辺精一 2
4 液中レーザー照射によるナノ表面改質効果
北大工 ○赤松義哲，白尾 泰，細川雄亮，谷津茂男，渡辺精一，石岡準也▲ 5 Synthesis of Metallic Oxides Nanocrystallites via Submerged Liquid
Plasma Treatment
Hokkaido Univ., Graduate School of Engineering ○ Jeem Melbert，
Bin Julaihi Muhammad Rafiq Mirza，Shigeo Yatsu，Junya Ishioka，Tamaki Shibayama，Seiichi Watanabe
6 Co/SiO2/Si のレーザー照射誘起周期的表面構造の制御と機能特性
北大院工学院（院生）1，北大工学研究院 2 ○高野祐輔 1，柴山環樹 2，
谷津茂男 2，吉田 裕 2，石岡準也 2，渡辺精一 2

休16 イオン照射による c 軸垂直配向 ScAlN 薄膜の極性反転現象
名工大 ○（DC）鈴木雅視，柳谷隆彦
17 Ga イオン照射した窒化シリコン薄膜への GaN 成長におけるイオン照射エネ
ルギーの影響（II）
滋賀県立大工 ○（M2）松井祐斗，アザマト オシュラフノフ，柳沢淳一
18 Si 基板中への高温酸素イオン注入により形成した SOI 構造の評価
神奈川大理 神川智洋，星野 靖，斎藤保直，○中田穣治

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 XPS によるアルゴンガスクラスターイオンビームを照射した Si 基板表面の損
傷評価 (2)
コベルコ科研 ○三井所亜子，高橋 真，稲葉雅之，三宅修吾
2 難加工材料へのガスクラスターイオンビーム照射効果
オーエスアイ ○花園勝巳，登木口克己，潟岡 泉
3 陽子マイクロビームプローブによるイオン誘起発光顕微分光分析を可能にする高分解能顕微光学系の開発
群馬大 1，原子力機構 2 ○加田 渉 1，横山彰人 2，江夏昌志 2，
山田尚人 2，佐藤隆博 2，神谷富裕 2
4 ガラス基板上に形成されたリップル構造のサイズ制御
名工大院工 ○平岡陽祐，岡部晋宜，Golap Kalita，種村眞幸-----------------------------------------------------------------------------------7.7 微小電子源
9 月 19 日 13:00 〜 17:15
19p-A14 - 1 〜 16

1 低真空下での炭素再構成リン添加ダイヤモンド表面からの電界電子放出
産総研 ○山田貴壽，鹿田真一
2 炭素堆積層の成長構造・界面と電界放射特性
長崎総合科学大工 宇 偉華，○奥野公夫△ 3 六方晶窒化ホウ素上に転写されたグラフェンからの電子放出
静岡大 1，産総研 2，国際基督教大 3，物材機構 4 ○（PC）増澤智昭 1，
山田貴壽 2，根尾陽一郎 1，三村秀典 1，胡谷大志 3，
岡野 健 3，谷口 尚 44 プラセオジム酸化物で修飾したタングステン電子源からの電子放射
香川高専 1，室工大工 2 ○川久保貴史 1，勘原宏大 1，木谷 翼 1，中根英章 2
5 UNCD/a-C:H 膜の成長基板と成膜方法による電子放出特性の変化
沖縄高専 ○翁長亨輔，田仲曙光，比嘉勝也
6 電界成長を用いた自己組織化による高輝度ナノ電子源の作製と評価Ⅳ
名大院工 ○伊藤真一，中原 仁，齋藤弥八
7 電子ビーム誘起堆積 Pt ナノ電子源からの縞状電子放出パターンの磁場中での観察
阪大基礎工 1，筑波大数理 2，TIMS3 ○山田芳生 1，阿保 智 1，
若家冨士男 1，村上勝久 2,3，阿部真之 1，高井幹夫 1
8 ショットキー放出 LaB6 電子銃の電子放出実験
名城大理工 1，PARAM Corp.2 ○江村泰明 1，村田英一 1，
六田英治 1，下山 宏 1，安田 洋 2，原口岳士 2

休憩

15:00 〜 15:15

9 p 型シリコン電界電子陰極からの光支援電子放射
八戸工大 1，産総研 2，静岡大 3，大阪大 4 ○嶋脇秀隆 1，長尾昌善 2，
吉田知也 2，根尾陽一郎 3，三村秀典 3，若家冨士男 4，高井幹夫 4
10 赤外レーザ励起タンタル酸リチウム X 線源の特性評価
阪大院基礎工 ○上里鷹寛，阿保 智，若家冨士男，阿部真之，高井幹夫
11 ブロッキング接合を組込んだ a-Se 光検出器ターゲットの開発
静岡大 1，国際基督教大 2，シンガポール国立大 3，産総研 4○（PC）増澤智昭 1，大西正徳 2，胡谷大志 2，大畑慧訓 2，
月島玲菜 2，落合 潤 2，齋藤市太郎 2，ダニエル チュア 3，
根尾陽一郎 1，三村秀典 1，山田貴壽 4，岡野 健 2
12 多孔質 Si を用いた多面体断面構造の電子放出素子
沖縄高専 ○新田航平，上原大夢，比嘉勝也
13 サイドゲート電極付 CNT 電子源を用いた X 線源の開発
阪大院基礎工 ○岡脇周平，阿保 智，若家冨士男，阿部真之，高井幹夫
14 二層レジストを用いた Mo スピント型エミッタの試作
産総研 ○長尾昌善，吉澤俊一，政岡文平
15 差分法を用いた陰極付近の電界計算に関する検討
京大院工 ○後藤康仁，辻 博司▲ 16 Discharge Characteristics of Nanostructure Transfer Mold Field Emitter
Arrays for Plasma Source Applications
Graduate School of Eng., Shizuoka Univ. ○ Jonghyun Moon，
Masayuki Nakamoto------------------------------------------------------------------------------------

若狭湾エネ研安田啓介，中田吉則
14 静電型分析器を用いた TOF-ERDA による極浅原子分布分析技術の開発 (II)○
阪大院基礎工阿保 智，李沛，姚 欣遠，若家冨士男，高井幹夫
15 イオン液体 EMIM-N(CN)2イオンビームによる薄膜形成○
星出優輝，竹内光明，龍頭啓充，高岡義寛
京大光電子理工セ
○

（ 74
74 ）

8

7.8 ビーム応用一般・新技術
9 月 18 日 10:00 〜 11:30
18a-A13 - 4 〜 8
1〜3

9:00 〜 9:45（7.5 ビーム・光励起表面反応）休憩

9:45 〜 10:00

4 「7．ビーム応用 分科内招待講演」（30 分）
高出力レーザーによる固体粒子加速阪大レーザー研 1，神戸大 工学 2，石川島播磨重工 3 ○弘中陽一郎 1，
大平淳貴 1，佐野孝好 2，重森啓介 1，田川雅人 2，北澤幸人 3
5 Cs 含有バーミキュライトの放射光光電子分光における表面電荷変調効果
原子力機構 1，兵庫県立大院 2，筑波大院 3 ○寺岡有殿 1,2，
岩井優太郎 1,2，岡田隆太 1,3，吉越章隆 1
6 機械式冷凍機を用いた超伝導加速空洞の研究
東工大 ○（D）高村雅希，林崎規託
7 宇宙機搭載用水晶振動子微小天秤による軌道上材料劣化評価と地上キャリブ
レーション
神戸大院工 1，宇宙研 2 ○横田久美子 1，潮田陽介 1，井出健太 1，
山崎勇希 1，西山和孝 2，田川雅人 1
8 火星高層大気シミュレーションのための超熱二酸化炭素ビーム形成
神戸大 ○初田光嶺，田川雅人，横田久美子------------------------------------------------------------------------------------

8

プラズマエレクトロニクス●関連シンポジウム「コンピュータによるプラズマシミュレーションの実際（いま、何をどこまで計算できるのか）」（9 月 18 日（木），13:30 〜 17:30，S1 会場）が p.42 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------8. Plasma Electronics English Session
9 月 17 日 9:00 〜 12:00
17a-S10 - 1 〜 11

▲ 1 A first attempt to measure the lifetime of S atom in magnetron sputtering
plasma employing a CuZnSnS target
Hokkaido University1，Universiti Tun Hussein Onn Malaysia2○
Nayan Nafarizal1,2，Koichi Sasaki1▲ 2 Saturation Spectroscopy for Measuring Electron Density in Argon△		 Containing Plasmas
Hokkaido Univ. 〇 (M2)Wang Huimin，Nishiyama Shusuke，Tomioka Satoshi，Sasaki Koichi▲ 3 Time-resolved Density Measurement of Pulse-modulated Plasma by
Curling Probe II
Chubu University1，Dowa Thermotech2 ○（D）Anil Pandey1，
Wataru Sakakibara2，Hiroyuki Matsuoka2，
Keiji Nakamura1，Hideo Sugai1▲ 4 Absolute O Atom Density Measured in N2/O2 Surface-wave Plasma Using△		 a VUVAS Method with a Calibration of Self-absorption of Light Source
GSST, Shizuoka Univ.1，Graduate School of Engineering,
Shizuoka Uni.2，Division of Quantum Science and Engineering,
Hokkaido Univ.3 〇 (D)Yang Xiaoli1，Tei Reitou2，
Sasaki Koichi3，Nagatsu Masaaki1,2▲ 5 Characteristics of cluster eliminating filter for plasma CVD△
Kyushu Univ. ○ Yoshihiro Torigoe，Susumu Toko，Weiting Chen，
Daisuke Yamashita，Hyunwoong Seo，Kunihiro Kamataki，Kazunori Koga，Masaharu Shiratani▲ 6 Influence of annealing on properties of amorphous carbon films grown△		 by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Nagoya University1，PLASMA NANOTECHNOLOGY RESEARCHCENTER, NAGOYA UNIVERSITY2 ○ Lingyun Jia1，Da Xu1，
Masayuki Nakamura1，Hirotsugu Sugiura1，Hiroki Kondo2，
Kenji Ishikawa2，Makoto Sekine2，Makoto Sekine2

Break

10:30 〜 10:45▲ 7 Enhancement of organic/hybrid solar cell performance via
photoluminescence downconversion of surface-engineered silicon
nanocrystals
Research Center for PV Technologies, AIST1，University of Ulster,UK2 〇 Svrcek Vladimir1，Tosihiro Yamanari1，Davide Mariotti2，
Somak Mitra2，Matsubara Koji1▲ 8 A Metallic Complex Reaction Etching of Transition Metal by Lowtemperature and Damage-free Neutral Beam Process (II)Tokyo Electron Limited1，Tohoku Univ.2 ○ Xun Gu1，
Yoshiyuki Kikuchi1,2，Toshihisa Nozawa1，Seiji Samukawa2▲ 9 Effect of crystallinity on optical, electrical and photovoltaic properties of△		 silicon nanoparticles synthesized by non-thermal plasma
Titech ○ Yi Ding，Shu Zhou，Michihiro Sugaya，Tomohiro Nozaki▲ 10 Synthesis and properties of molecule-doped diamond-like carbons
Hokkaido Univ.1，Hokkaido Univ.2，Hokkaido Univ.3 ○（DC）Wei Xie1，
Aiko Kawahito1，Takashi Yanase2，Taro Nagahama3，
Toshihiro Shimada3

7 ビーム応用
プラズマエレクトロニクス▲ 11 Fabrication of ZnO tetrapod based flexible ethanol sensor.
△
Kumoh National Institute of Technology (KIT)1，Gumi Electronics andInformation Technology Research Institute (GERI)2，Y
okohama National University3 〇 (D)Amir Abidov1,2，
Wanghoon Lee2，Myungchan An2，Bunyod Allabergenov1，
Feiyi Xiao1，Xing Jin1，Hitoshi Habuka3，Yong Bae Kim2，Sungjin Kim1-----------------------------------------------------------------------------------8. Plasma Electronics English Session
9 月 17 日 15:00 〜 18:00
17p-S10 - 3 〜 13
1〜2

13:15 〜 14:45（8. プラズマエレクトロニクス

Break

海外研究者招待講演）

14:45 〜 15:00▲ 3 Control of atmospheric DC glow discharge with liquid electrode bysheath flow system
Tokyo Metro. Univ. ○ Naoki Shirai，Ryuta Aoki，Aihito Nito，
Takuya Aoki，Satoshi Uchida，Fumiyoshi Tochikubo▲ 4 Plasma movement mechanism in pseudo-continuous meter-scaleatmospheric-pressure line plasma
Nagoya Univ.1，PLANT, Nagoya Univ.2，Tokyo Electron Ltd.3○
Haruka Suzuki1，Suguru Nakano1，Hitoshi Itoh2,3，Makoto Sekine1,2，Masaru Hori1,2，Hirotaka Toyoda1,2▲ 5 Mechanism of Pulse Repetition Rate Effects on Fast Ionization Wave in
HeliumTsinghua University, China ○ Keisuke Takashima，
Bang-Dou Huang，Yi-Kang Pu▲ 6 Effective Production of OH Radicals in Ar Plasma Jet
Muroran I. T. Kazuhiro Takahashi，○ Kohki Satoh，Hidenori Itoh
▲ 7 Influence of Atmospheric Air Discharge Plasma Irradiation on pH of△		 Water
Graduate School of Information Science and Electrical Engineering,
Kyushu Univ.1，Interdisciplinary Graduate School of Engineering
Science, Kyushu Univ.2 〇 Thapanut Sarinont1，Takaaki Amano1，
Kazunori Koga1，Masaharu Shiratani1，Hayashi Nobuya2▲ 8 PLASMONIC SOLAR CELLSOSA 〇 Mohan Karuppusamy，Choudhury PriyankaBreak

16:30 〜 16:45▲ 9 Transfection of DNA and RNA into Living-Cell by Controlled Plasma
Irradiation
Dept. of Electronic Eng., Tohoku Univ.1，Dept. of Medical Eng.,
Tohoku Univ.2 ○ Toshiro Kaneko1，Shota Sasaki1，Makoto Kanzaki2▲ 10 Diagnostics of reactive species on bio-liquid treatment with AC power△		 excited non-equilibrium atmospheric pressure Ar plasma
Nagoya Univ.1，Nu-Eco Eng. Co., Ltd.2 ○ Sijie Liang1，
Takumi Kumakura1，Keigo Takeda1，Hiroki Kondo1，
Hiroyuki Kano2，Kenji Ishikawa1，
Makoto Sekine1，Masaru Hori1▲ 11 Diagnostics of AC power excited non-equilibrium atmospheric pressureplasma jet with vacuum ultraviolet spectroscopy
Nagoya Univ.1，NU Eco-Engineering2，NU System3 ○ Keigo Takeda1，
Kenji Ishikawa1，Tanaka Hiromasa1，Kano Hiroyuki2，
Yasuhiro Higashijima3，Makoto Sekine1，Masaru Hori1▲ 12 Amino Groups Functionalization onto Carbon Nanotube Dot Array by△		 Capillary Atmospheric Pressure Plasma Jet and Simulating Biotin-Avidin
Immobilization for Microarray Biosensor
Grad. Sch. Sci. Tech., Shizuoka Univ.1，Dept. Elec. Eng.,
Universitas Indonesia2，Grad. Sch. Eng., Shizuoka Univ.3〇
Tomy Abuzairi1, 2，Okada Mitsuru3，Nji Poespawati2，
Masaaki Nagatsu1, 3▲ 13 Bioconjugation Efficiency of Plasma-Functionalized Graphite△		 Encapsulated Magnetic Nanoparticles Tested with Biotin-Avidin System
for Bacterial and Viral Detections
GSST, Shizuoka Univ.1，Grad.Schl. of Eng., Shizuoka Univ.2，
Faculty of Medicine, Univ. of Ryukuys3 〇 Anchu Viswan1，
Han Chou2，Akikazu Sakudo3，Masaaki Nagatsu1,2-----------------------------------------------------------------------------------8. プラズマエレクトロニクス
9 月 17 日 13:15 〜 14:45
17p-S10 - 1 〜 2

海外研究者招待講演▲ 1 「Invited lecture of overseas researcher」（45min.）
Plasma Applications to Agriculture: Plasma Farming
National Fusion Res. Inst. ○ Sukjae Yoo▲ 2 「Invited lecture of overseas researcher」（45min.）
The role of reactive oxygen and nitrogen species in plasma cancer
treatment
Univ. York ○ Deborah O'connell

Break
3 〜 13

14:45 〜 15:00

15:00 〜 18:00（8. Plasma Electronics English Session）------------------------------------------------------------------------------------

（ 75
75 ）

8

プラズマエレクトロニクス

8. プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演
9 月 18 日 9:15 〜 11:30
18a-S1 - 1 〜 4

1 「プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演」（30 分）
プラズマ CVD 中グラフェンナノリボンの合成機構
東北大院工 ○加藤俊顕，鈴木弘朗，畠山力三，金子俊郎
2 「プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演」（30 分）
フルオロカーボンプラズマによる SiO2/Si ホールエッチングの際に引き起こされるダメージ分布のモデリングとシミュレーション
ソニー ○久保井信行，辰巳哲也，小林正治，木下 隆，
小町 潤，深沢正永，安斎久浩

休憩

10:15 〜 10:30

3 「8．プラズマエレクトロニクス 分科内招待講演」（30 分）
ナノ・微粒子材料のプラズマプロセスとその場観測
京都工繊大院工芸科学
4 「8．プラズマエレクトロニクス 分科内招待講演」（30 分）
プラズマ科学技術の医療・バイオ応用に関する研究に携わって
静大創造科技院

林

○

康明

永津雅章

○

-----------------------------------------------------------------------------------8.1 プラズマ生成・制御
9 月 17 日
17a-PB1 - 1 〜 8

17a-PB1 - 1 〜 8

9:30 〜 11:30-----------------------------------------------------------------------------------8.1 プラズマ生成・制御
9 月 19 日 9:00 〜 14:30
19a-S8 - 1 〜 11

1 ＥＣＲ加熱プラズマにおける二重周波数による多価イオン生成の理解のための計算機シミュレーション手法
放医研 1，阪大工 2，ATOMKI3 ○北川敦志 1，村松正幸 1，
加藤裕史 2，Sandor Biri3，Richard Racz3
2 様々なイオンの生成を目的とした小型ＥＣＲ源開発 ２
放医研 1，東洋大 2，住友重機 3 ○村松正幸 1，大島康輔 2，
高橋伸明 3，北條 悟 1，北川敦志 1
3 電子サイクロトロン共鳴イオン源プラズマからの多価イオンビーム引き出しの圧力依存性とエミッタンス測定
阪大院工 1，放医研 2 ○今井洋太 1，村松正幸 2，熊倉 翔 1，西岡田卓也 1，
長家知生 1，佐藤文信 1，加藤裕史 1，北川敦志 2，飯田敏行 1
4 ビーム法による ECR 多価イオン源内の空間電位計測
阪大院工 ○熊倉 翔，今井洋太，長家知生，西岡田卓也，
佐藤文信，加藤裕史，飯田敏行
5 タンデム型 ECR イオン源第 1 ステージにおける価数分布と輸送○
阪大院工長家知生，熊倉 翔，今井洋太，西岡田卓也，
佐藤文信，加藤裕史，飯田敏行
6 ECR 多価イオン源におけるマイクロ波の近接条件と新たな加熱機構
阪大院工 ○西岡田卓也，今井洋太，熊倉 翔，長家知生，
佐藤文信，加藤裕史，飯田敏行

憩

昼

食

12:00 〜 13:15

19p-S8 - 1 〜 5

1 誘電体バリア放電プラズマアクチュエータにおける誘起流れの光学的診断と解析
京大院工 ○小畠拓也，出口正則，鈴木惇也，江利口浩二，斧 高一△ 2 大面積マイクロ波プラズマの円筒キャビティ励起の最適化
中部大工 1，アプライドマテリアルズ 2，名産研 3 ○（B）長谷川雄一 1，
小川大輔 1，中村圭二 1，小林 理 2，菅井秀郎 33 RF マグネトロンスパッタにおける負の DC カソードバイアス印加の効果 (2)東海大院工 1，東海大工 2 ○大須賀康平 1，進藤春雄 1，磯村雅夫 1,2△ 4 プラズマからのイオン照射による液体へのエネルギー伝搬
首都大院理工 ○（D）皆川優大，白井直機，内田 諭，杤久保文嘉
5 3 次元ハイブリッド粒子 / 流体法によるイオン源プラズマ数値シミュレーショ
ン (1)住友重機 ○宮下 大，衞藤晴彦，青木 康，加藤隆典

休

ポスターセッション

ポスター展示時間

1 RF6kW 小型熱プラズマ装置の開発
日本電子 ○蔦川生璃，三澤啓一，飯島善時，鈴木康輔，濱邉雅史，小牧 久
2 高気圧アーク放電電極に対する紫外線照射の効果
佐世保高専 ○川崎仁晴，大島多美子，柳生義人，
猪原武士，田中 雪，須田義昭
3 VHF-DC 重畳マグネトロンスパッタ装置の特性評価
1
2
名大工 ，名大技術部 ，名大プラズマナノ工学研究センター 3○
福岡侑士 1，福井崇史 1，高田昇治 2，笹井建典 1，豊田浩孝 1,3
4 大気圧非平衡ミストプラズマプロセス装置の開発
阪大工 ○妻木正尚，伊藤剛仁△ 5 振動励起種が活性種生成に及ぼす影響
産総研 ○寺本慶之，金 賢夏，尾形 敦，根岸信彰
6 二周波重畳型電子サイクロトロン共鳴イオン源の開発
大島商船高専 1，阪大 2 ○邑上夏樹 1，浅地豊久 1，中原雄太 1，
中村 翼 1，古瀬宗男 1，加藤裕史 2
7 鉄イオン照射による鉄内包フラーレンの生成と高速液体クロマトグラフィによる分析
東洋大 ○石原聖也，内田貴司，吉田善一
8 水－エタノール混合溶媒中ソリューションプラズマにおけるラジカル生成場の解析
名大院工 1，名大グリモ 2，未来社会創造機構 3，JST-CREST4○
簾 智仁 1，上野智永 1,4，齋藤永宏 1,2,3,4

休

9 高圧マイクロ波水素プラズマ中の原子状水素密度 －アクチノメトリによる相対密度変化の検討－
阪大院工 1，JST CREST2 ○山田高寛 1,2，平野達也 1，山田浩輔 1，
大参宏昌 1,2，垣内弘章 1,2，安武 潔 1,2
10 電子レンジ中でのアーク・プラズマの生成
いろは理科工房 1，日本工大 2 ○塚林 功 1，佐藤杉弥 2，服部邦彦 211 多電極型大気圧プラズマ発生装置を用いた数値制御犠牲酸化法の開発
阪大院工 ○武居弘泰，栗生 賢，松山智至，山内和人，佐野泰久

6 〜 19憩

14:30 〜 14:45

14:45 〜 18:30（8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野）-----------------------------------------------------------------------------------8.2 プラズマ診断・計測
9 月 17 日 16:30 〜 18:00
17p-S11 - 1 〜 6

1 位相変調 2 倍高調波干渉計による高気圧プラズマ電子密度計測
東大院新領域 1，核融合研 2 ○（P）占部継一郎 1，秋山毅志 2，寺嶋和夫 12 液体と接した大気圧プラズマのトムソン散乱計測
九大総理工 ○富田健太郎，清水陽大，山形幸彦，内野喜一郎
3 自己組織化単分子膜とプラズマの反応の赤外分光解析
長崎大院工 ○篠原正典，丸野尚紀，吉田裕太，伊東和樹，
中野大和，谷口雄二郎，松田良信，藤山 寛
4 スパッタリングターゲット近傍での気体温度の空間分布
長崎大院工 ○松田良信，坂口侑也，有馬直人，篠原正典
5 円柱状プラズマにおける微粒子の観察とプラズマ診断
京都工繊大電子 1，ISAS/JAXA2 ○高橋和生 1，東辻浩夫 2，足立 聡 2
6 凹型引き出し電極を用いた低エネルギー高電流密度イオンビームの自発的集束への静電プローブ計測の影響
筑波大院システム情報 1，産総研エネルギー技術 2，日大理工物理 3○
藤原 大 1,2，平野洋一 2,3，木山 學 2，中宮明久 1,2，
小口治久 2，榊田 創 1,2-----------------------------------------------------------------------------------8.2 プラズマ診断・計測
9 月 18 日
18p-PB4 - 1 〜 3

18p-PB4 - 1 〜 3

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30△ 1 RF マグネトロンカーボンスパッタリングプラズマ中の準安定励起 Ar 原子の挙動
名城大理工 1，千葉工大 2，名大院工機械 3 ○（M1）佐郷友亮 1，
太田貴之 1，小田昭紀 2，上坂裕之 3
2 禁則遷移を用いた酸素原子数密度測定へのアプローチ
静大工 ○松井 信，森田 陵，西本昂司△ 3 プラズマ生成ラジカルによる水表面分子構造の変化
阪大院工 ○（DC）近藤崇博，伊藤剛仁-----------------------------------------------------------------------------------8.3 プラズマ成膜・表面処理
9 月 18 日
18p-PB5 - 1 〜 11

10:30 〜 10:45

7 RF 印加電圧波形解析と中性粒子ビーム加速機構のモデル化
東京エレクトロン 1，東北大 2 ○榊原康明 1，三ツ森章祥 1，
菊地良幸 1,2，寒川誠二 2
8 メタマテリアル効果を用いたマイクロ波プラズマでの高調波生成の効率化
京大 ○岩井亮憲，中村嘉浩，酒井 道

（ 76
76 ）

18p-PB5 - 1 〜 11

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 永久磁石を用いたリング状ホロー放電磁化プラズマ生成とその空間分布
佐大院工 ○大津康徳，柳瀬俊彰，江口純太，矢羽田祥貴
2 高真空平板マグネトロン放電の二つのモードでのスパッタ
東理大 ○大野貴弘，浅倉直和，河村洋史，宇佐美剛，舩木貴良，
伊藤勝利，宇原祥夫，三浦 勉，斉藤 茂
3 対抗タ－ゲット型 HPPS ペニング放電による DLC 成膜
名工大工 1，兵庫県立大工 2，産総研 3 ○木村高志 1，東 欣吾 2，中尾節男 3
4 バリア型沿面放電プラズマによる DLC 膜の膜質向上に関する研究
名古屋工大 ○多田和也，安井晋示，浅井靖貴
5 PFC 凝縮層へのプラズマ照射により合成した a-C:F 薄膜の物性評価
山梨大院医工総研 ○曽我遥華，山井孝太，森川恭兵，佐藤哲也，中川清和

8

6 ALD 法による a-TiNx 薄膜の低温合成
山梨大院医工総研 ○関 渓太，柳 炳學，佐藤哲也
7 同軸ガス流型低圧パルスプラズマによる ZnO ナノ粒子ドメインの自己形成
東北大院工 ○白畑太樹，飯塚 哲
8 大気圧プラズマ支援による酸化亜鉛薄膜の形成に向けたプラズマ / ミスト相互作用の解析
阪大接合研 ○竹中弘祐，内田儀一郎，節原裕一
9 VHF-PECVD で形成した SiNx膜中の化学結合経時変化 ( Ⅲ )東京工芸大工 ○小林信一
10 各種アルミニウム合金添加物におけるプラズマ窒化処理の影響
近大院 ○坂本風刀，武村祐一朗△ 11 キャピラリー大気圧プラズマジェットを用いた CNT ドットアレイの表面官能基修飾の最適化
静大院工 1，創造科技院 2，インドネシア大 3 ○岡田 充 1，
晗 1，Poespawati Nji3，永津雅章 1,2
Abuzairi Tomy2,3，張-----------------------------------------------------------------------------------8.3 プラズマ成膜・表面処理
9 月 19 日 9:00 〜 14:30
19a-S9 - 1 〜 11

1 粉体スパッタリング法による複合薄膜の作製
佐世保高専 ○大島多美子，前田 尭，田中 雪，
川崎仁晴，柳生義人，須田義昭
2 軸外し RF スパッタによる低抵抗 Al 添加 ZnO 膜の均一成膜○
長崎大院工松田良信，横山宏信，小山田俊介，篠原正典
3 バラン給電型マルチホローカソードプラズマを用いた低光劣化 a-Si:H 製膜法の開発
岐阜大院工 ○鈴木貴也，牟田浩司，西田 哲，栗林志頭眞△ 4 プラズマ励起化学気相堆積法で成長したアモルファスカーボン膜の膜構造および電子物性における高周波電力依存性達，中村将之，
名大院工 ○杉浦啓嗣，賈 凌雲，徐近藤博基，関根 誠，堀勝
5 DLC 成膜用容量結合型高周波テトラメチルシランプラズマのシミュレーショ
ン
千葉工大 1，室蘭工大 2，名大院工機械 3，名城大理工 4 ○小田昭紀 1，
川口 悟 2，佐藤孝紀 2，上坂裕之 3，太田貴之 46 水素プラズマによる金属の蒸発促進と高速成膜への応用
阪大院工 ○大参宏昌，垣内弘章，安武 潔

休憩

10:30 〜 10:45

7 プラズマ支援原子層堆積により生じるグラフェンの歪み
防大電気 ○北嶋 武，中野俊樹△ 8 シリコンナノ粒子の表面化学修飾とドーピング効果
東工大 ○菅谷通宏，丁毅，周述，野崎智洋△ 9 マイクロ波液中プラズマ法による Au/Pd 合金ナノ粒子の合成
北大院工 1，名大院工 2 ○（M1）白井宏明 1，石田洋平 1，
米澤 徹 1，徳永智春 2△ 10 保護剤混合 PEG 中にスパッタリングで合成する蛍光性金ナノ粒子
北大院工 ○鷲見太希，石田洋平，米澤 徹
11 紫外線吸収分光法を用いた大気圧プラズマ処理水中の活性種測定
高知工科大 1，高知工科大ナノセンター 2 ○呉 準席 1，
桜本幸大 1，古田 寛 1,2，八田章光 1,2

昼

食12:00 〜 13:15

19p-S9 - 1 〜 5

1 プラズマインジケータ（１）：プラズマ雰囲気下における無機酸化物の変色性とプラズマ診断
サクラクレパス 1，京大院工 2 ○山川 裕 1,2，宮崎裕司 1，釆山和弘 1，
井上 浩 1，清水雅弘 2，西 正之 2，平尾一之 22 プラズマインジケータ（２）〜プラズマインジケータを用いたプラズマ分布
診断法〜
サクラクレパス 1，京大院工 2 ○菱川敬太 1,2，宮﨑裕司 1，
釆山和弘 1，井上 浩 1，酒井 道 2
3 窒化ガリウム薄膜をプラズマ中に曝したときの基板温度の効果
中部大 ○小川大輔，中野由崇，中村圭二
4 リモート窒素プラズマが照射された SiC 表面における窒素原子組成比：活性種の影響
北大工 1，東芝研究開発センター 2 ○嶋林正晴 1，栗原一彰 2，佐々木浩一 1
5 Si, Al2O3基板への Ar プラズマの影響
東芝テック 1，法政大 2 ○關 雅志 1，田沼千秋 2-----------------------------------------------------------------------------------8.4 プラズマエッチング
9 月 18 日
18p-PB6 - 1

18p-PB6 - 1

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 CF4 と Ar プラズマでエッチングした AlGaN 表面ダメージ
兵庫県大高度研 1，徳島大院工 2，中部大院工 3，日亜化学 4 ○新部正人 1，
川上烈生 2，中野由崇 3，向井孝志 4，白濱達夫 2，平井翔大 1

プラズマエレクトロニクス

8.4 プラズマエッチング
9 月 19 日 14:15 〜 19:00
19p-S10 - 1 〜 18

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
フルオロカーボンガスを用いた LaAlSiOxの対 Si 高選択エッチング
東芝 S&S 社 ○松田和久，佐々木俊行，大村光広，酒井伊都子，林 久貴△ 2 ミニマルファブ用 TSV プラズマエッチング装置の原理実証
産総研 1，ミニマルファブ技術研究組合 2，東北大 3 ○本村大成 1,2，
高橋和貴 3，笠嶋悠司 1，菊永和也 1，上杉文彦 1，安藤 晃 3，
猿渡新水 1，田中宏幸 2，清水禎樹 1,2，中野 禅 1,2，
小木曽久人 1,2，ソマワン クンプアン 1,2，原 史朗 1,2△ 3 高アスペクトシリコン加工に対応した有磁場 VHF プラズマのエッチング特性
日立ハイテク ○岩瀬 拓，横川賢悦，荒瀬高男，平田 昭，森 政士
4 高速・高精度基板温度センサとパルス放電による基板温度制御
名大院工 1，名城大理工 2 ○（DC）堤 隆嘉 1，福永祐介 1，石川健治 1，
勝1
竹田圭吾 1，近藤博基 1，太田貴之 2，伊藤昌文 2，関根 誠 1，堀△ 5 基板温度制御による有機 Low-k 膜のエッチング形状制御
名大院工 ○福永裕介，堤 隆嘉，竹田圭吾，石川健治，
近藤博基，関根 誠，堀勝
6 誘導結合 Cl2プラズマ Si エッチングにおける表面ラフネスの解析：パルスバ
イアスエッチングの効果
京大院工 ○（D）中崎暢也，松本 悠，江利口浩二，斧 高一
7 ガスパルスエッチングによる高精度形状制御
日立ハイテクノロジーズ ○田中基裕，園田 靖，
高妻 豊，角屋誠浩，安井尚輝
8 Front End of Line (FEOL) 工程におけるメタル反応生成物によるプロセス変
動メカニズムの解明
日立ハイテク ○釜地義人，角屋誠浩△ 9 量産用プラズマエッチング装置における異常放電による剥離パーティクルの多量発生
産総研生産計測 ○笠嶋悠司，本村大成，上杉文彦

休憩

16:30 〜 16:45

10 プラズマプロセス下の半導体薄膜の欠陥発生と修復の実時間モニタリング
産総研 ○布村正太，坂田 功△ 11 HBr/O2プラズマへの Cl 2添加によるプラズマプロセスダメージ
東芝 生産技術センター ○叶丸孝治，野尻康弘，尾上誠司，新村 忠
12 CO クラスター照射による磁性体エッチング反応
阪大院工アトミックデザイン研究センター 1，京大院工 2○
唐橋一浩 1，瀬木利夫 2，松尾二郎 2，浜口智志 1△ 13 透明電極材料エッチングにおける CH+ 及び CH3+ 照射による化学的効果の解析
虎 1，唐橋一浩 1，深沢正永 2，
阪大院工 1，ソニー 2 ○李長畑和典 2，辰巳哲也 2，浜口智志 1
14 酸素・中性粒子ビームによる酸化・錯体反応を用いた遷移金属エッチングメ
カニズム
東北大流体研 1，東京エレクトロン 2，東北大 WPI-AIMR3 ○久保田智広 1，
勛 2，野沢俊久 2，寒川誠二 1,3
菊地良幸 1,2，谷
15 第一原理理論計算による中性粒子ビーム生成メカニズムの定量的予測
東北大流体研 1，みずほ情報総研 2，東北大 WPI-AIMR3 ○久保田智広 1，
渡辺尚貴 2，大塚晋吾 2，岩崎拓也 2，小野耕平 2，入江康郎 2，寒川誠二 1,3
16 プラズマエッチングにおける基板表面へのイオン入射軌跡の解析
京大 中崎暢也，○園部蒼馬，初瀬 巧，江利口浩二，斧 高一
17 3 次元原子スケールセルモデルによるプラズマエッチングにおける表面ラフネス形成機構の解明
京大 ○初瀬 巧，園部蒼馬，中崎暢也，江利口浩二，斧 高一
18 原料回転を利用した水素プラズマ誘起 SiH4生成反応の高効率化
阪大院工 1，JST CREST2 ○桑岡裕太 1，山田高寛 1,2，
垣内弘章 1,2，安武 潔 1,2，大参宏昌 1,2-----------------------------------------------------------------------------------8.5 プラズマナノテクノロジー
9 月 18 日
18p-PB7 - 1 〜 4

18p-PB7 - 1 〜 4

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 液中プラズマ法による金ナノ粒子の合成と担持複合体の光触媒特性
北大工 ○中杉祐己，齊藤元貴，山下 徹，秋山友宏
2 表面波マイクロ波化学気相蒸着法によるカーボンナノチューブの生成
東洋大 ○新井瑞季，内田貴司，吉田善一
3 プラズマ配向カーボンナノチューブの電界電子放出基礎特性の評価
京都工繊大工芸科学 ○藤原裕也，林 康明△ 4 斜め堆積窒化スズ薄膜の結晶性と微細構造に対する基板温度の影響
千葉工大工 1，千葉工大院工 2，関東学院大材料表面研 3 ○渡邉史典 1，加藤正鷹 1，仲尾昌浩 1，枡川尊重 2，井上泰志 1，高井 治 3------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

（ 77
77 ）

8

プラズマエレクトロニクス

8.5 プラズマナノテクノロジー
9 月 20 日 9:00 〜 14:15
20a-S9 - 1 〜 11

△ 1 変調型誘導熱プラズマを用いた TiO2ナノ粒子生成法における原料粉体の連続/ 間歇投入時の発光スペクトル強度変化
金沢大院自然 1，日清製粉グループ本社 2 ○兒玉直人 1，北健太郎 1，
田中康規 1，上杉喜彦 1，石島達夫 1，渡邊 周 2，中村圭太郎 22 大気圧 Ar/NH3プラズマプロセスによる N 2H4を用いた銀粒子パターンの作
製
京大院工 ○木原直也，平岡 悠，酒井 道
3 ナノ粒子生成中の液中プラズマの高速度カメラ観察
北大工 ○齊藤元貴，中杉祐己，秋山友宏
4 荷電量制御型微粒子の作製と評価
京大院工 1，サクラクレパス 2 ○西尾祐亮 1，安藤あゆみ 2，
清江龍一 2，井上 浩 2，酒井 道 1△ 5 白金微粒子担持カーボンナノウォールの電気化学特性
名大院工 1，名城大理工 2 ○今井 駿 1，近藤博基 1，石川健治 1，
勝1
平松美根男 2，関根 誠 1，堀△ 6 Ar/NH3プラズマによるグラファイト外包磁気ナノ微粒子のアミノ基表面修
飾の最適化
静大院工 1，静大創造院 2，九大院システム 3 ○張 ハン 1，楊 恩波 2，
古閑一憲 3，白谷正治 3，永津雅章 1,2

休憩

10:30 〜 10:45

7 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
PS-PVD 法による次世代 Li イオン電池負極用 Si-Cu 系複合ナノ粒子の創製
東大院工 ○加賀真城，神原 淳
8 RF6kW 小型熱プラズマ装置を用いた Si の窒化
日本電子 ○蔦川生璃，三澤啓一，飯島善時，小牧 久
9 酸化カーボンナノバルーンを添加した電気二重層キャパシタの特性評価
豊橋技科大 1，東海カーボン 2，湘南合成樹脂製作所 3，東邦ガス 4○
須田善行 1，水谷彰孝 1，岡部雄太 1，滝川浩史 1，
植 仁志 2，清水一樹 3，梅田良人 410 酸素プラズマエッチングによる DLC ナノ構造体形成における基材膜質の影響
高知工科大 1，高知工科大ナノテクセンター 2 ○針谷 達 1，
安岡佑起 1，古田 寛 1,2，八田章光 1,2
11 放電による活性化した多層カーボンナノチューブ（MWCNTs）の表面反応
中部大 ○小川大輔，中村圭二

昼食12:00 〜 13:00

20p-S9 - 1 〜 5△ 1 マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いたグラフェンの作製
名城大 1，名城大 2，名城大 3，名大 4，名大 5 ○（M1）東松真和 1，
勝5加島洋平 2，平松美根男 3，近藤博基 4，堀
2 高周波マグネトロンプラズマ CVD によるグラフェンの成長
京都工繊大工芸科学 ○佐野和也，林 康明
3 アルゴン / フッ素ガスを用いたグラフェンエッジ終端のカーボンナノウォー
ルの化学構造および電気的特性に対する効果
名大院工 1，名城大理工 2 ○（PC）趙 亨峻 1，田嶋聡美 1，近藤博基 1，
勝1
石川健治 1，関根 誠 1，平松美根男 2，堀4 水素注入によるグラフェンのバンドギャップ生成に関する研究
熊大院自然科学 1，熊大工 2 ○松尾経太 1，久保田弘 1，松川誠也 1，吉岡昌雄 2△ 5 プラズマ CVD によって形成したカーボンナノウォールを用いた燃料電池の作製
名城大理工 1，名大院工 2 ○（M1）大慶亮佑 1，岩本翔太 1，太田貴之 1，
勝2
伊藤昌文 1，平松美根男 1，近藤博基 2，堀-----------------------------------------------------------------------------------8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野
9 月 17 日
17a-PB2 - 1 〜 18
17a-PB2 - 1 〜 18

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 大気圧グロー放電における電位分布が酢酸を含む水電極に与える影響
東京電機大 ○佐藤修一，西嶋 慶，大内幹夫
2 水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱とそのデバイス応用
山梨大 1，SST2，東京都市大 3 ○上村和貴 1，荒井哲司 1，有元圭介 1，
山中淳二 1，佐藤哲也 1，中川清和 1，高松利行 2，澤野憲太郎 33 誘電体バリア放電による揮発性化学兵器用剤分解処理実験
東工大院総理工 1，科警研 2 ○井上裕貴 1，宇都宮嘉孝 1，岩井貴弘 1,2，
長島央行 2，名児耶友樹 2，宮原秀一 1，瀬戸康雄 2，沖野晃俊 1
4 セラミックバーナーを用いた光子援用熱電子発電
大阪ガス 1，阪大工 2 ○小林和伸 1，鷹尾治樹 2，伊藤剛仁 2
5 マイクロ波放電による空間的アフターグロープラズマにおけるラジカル種の殺菌効果
早大先進理工 ○落合剛志，井藤翔太，加藤 勇
6 大気圧プラズマジェット照射に伴い生成される過酸化水素の濃度分布
東海大 ○（M1）山口健志，桑畑周司
7 大気圧プラズマジェット照射された蒸留水の HPLC 測定 ( Ⅲ )：照射距離依存性
東海大工 1，東海大理 2 ○（M1）宮田弘志 1，毛塚智子 1，三上一行 2，
桑畑周司 18 絶縁管内の液中プラズマによる金ナノ粒子の生成
愛媛大院理工 1，愛媛大農 2 ○田中彩果 1，水國将馬 1，川嶋文人 2，
前原常弘 1△ 9 水―エタノール混合液中レーザーアブレーションによる ZnO ナノ粒子合成
阪大院工 1，東海大 ISST2，産総研 3 ○（M1）後藤 拓 1，Hansel Weihs1，
本田光裕 2，Sergei Kulinich2，清水禎樹 3，伊藤剛仁 1
10 プラズマ処理条件によるフザリウム菌の殺菌効果
名工大 1，電中研 2 ○関 聡史 1，安井晋示 1，寺添 斉 2，庄子和博 2
11 ヘリウムおよびアルゴンを用いた誘電体バリア放電における電極間ギャップ長に対する放電開始電圧の依存性
豊技大電気・電子情報 1，豊技大 EIIRIS2 ○須田善行 1，山下龍舞 1，
加藤 諒 1，滝川浩史 1，手老龍吾 2
12 抗体集積化磁性ナノ粒子を用いたインフルエンザウイルス濃縮法の開発
琉球大 1，静岡大 2 ○作道章一 1，永津雅章 2
13 気液界面を介した大気圧非平衡プラズマと生体分子との相互作用
阪大接合研 ○竹中弘祐，川端一史，宮崎敦史，阿部浩也，
内田儀一郎，節原裕一
14 大気圧高周波放電プラズマの動的特性○
阪大接合研
内田儀一郎，川端一史，竹中弘祐，節原裕一△ 15 遺伝子細胞膜透過性に対するプラズマ照射起因電気的ストレスと酸化ストレスの効果
東北大院工 1，東北大院医工 2 ○佐々木渉太 1，神崎 展 2，金子俊郎 1
16 プラズマ励起ガス殺菌における供給ガス中の窒素 - 酸素混合比率の影響
金沢工大 ○松井 慧，池永訓昭，作道訓之17 細菌の増殖能力に対する大気圧プラズマの影響
京都工芸繊維大工 ○堂上啓太，高橋和生
18 液体電極プラズマを用いた溶液中の有機色素の分解
日立中研 1，日立ハイテク 2，日立ハイテクサイエンス 3 ○石田 猛 1，
小原賢信 1，照井 康 2，甲田公良 3-----------------------------------------------------------------------------------8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野
9 月 19 日 14:45 〜 18:30
19p-S8 - 6 〜 19
1〜5

13:15 〜 14:30（8.1 プラズマ生成・制御）

休憩

14:30 〜 14:45

6 パルス電圧印加誘電体バリア放電によるオゾン生成のシミュレーション
防衛大 ○明石治朗，吉永智一△ 7 H2O vapour の電子衝突断面積の推定
室蘭工大 ○（M2）川口 悟，佐藤孝紀，伊藤秀範△ 8 各種ガスのマイクログローコロナの発光分光特性
首都大理工 ○遠藤真太郎，角田直人△ 9 マイクロバブル水中における放電プラズマを用いた水の機能化
名大工 ○（M2）林 祐衣，神田英輝，高田昇治，後藤元信△ 10 低周波大気圧 He プラズマジェットへの分子性ガス混合率が液中 OH ラジカ
ル生成速度に与える影響
金沢大 ○今澤優子，大滝陽平，猪俣尚則，石島達夫，田中康規，上杉喜彦△ 11 光支援型光子援用熱電子発電の効率予想
阪大院工 1，スタンフォード大機械工 2 ○鷹尾治樹 1，
Mark Cappelli2，伊藤剛仁 1△ 12 セレン酸溶液に対する直流駆動大気圧非平衡プラズマ照射効果の基礎特性調査
金沢大院 1，金沢大サステナブル研 2，金沢大理研 3 ○伊藤卓也 1，
石島達夫 2，田中康規 2,3，上杉喜彦 2,3

休憩

16:30 〜 16:45

13 二光子レーザー誘起蛍光法によるプラズマ支援予混合バーナー火炎内の酸素
原子密度計測北大工 1，防衛大 2 ○財満和典 1，明石治朗 2，佐々木浩一 1
14 PIV を用いたプラズマ誘起流の可視化
東芝 ○志村尚彦，内田竜郎，大西祐太，安井祐之
15 プラズマスパッタリングを用いたシリコンナノワイヤ形成
京大院工 ○山田郁美，江利口浩二，斧 高一
16 誘電体バリア放電イオン化検出器における放電ガス中不純物の影響
島津製作所 1，阪大院工 2 ○品田 恵 1，堀池重吉 1，北野勝久 217 水中マイクロギャップ放電の発光分光測定
高知工科大 1，高知工大ナノセンター 2 北村謙典 1，田浪荘汰 1，
橋本裕介 1，呉 凖席 1,2，古田 寛 1,2，○八田章光 1,2
18 気液界面ヘリウム直流大気圧グロープラズマにおけるレーザー散乱計測
北大工 ○石亀裕晃，佐々木浩一，西山修輔
19 超音波励起キャビテーション気泡内での放電現象の観察
名大工 1，北大工 2 ○高田昇治 1，林 祐依 1，後藤元信 1，佐々木浩一 2-----------------------------------------------------------------------------------8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野
9 月 20 日 9:00 〜 14:30
20a-S8 - 1 〜 11

△ 1 電子スピン共鳴法による中性酸素ラジカル照射溶液の解析
名城大理工 1，名大院工 2 ○（M2）唐渡卓也 1，橋爪博司 2，太田貴之 1，
勝 2，伊藤昌文 1
石川健治 2，堀

（ 78
78 ）

8

△ 2 酸素ラジカル照射量による出芽酵母の活性化制御
名城大理工 1，名大院工 2 ○（M1）小林 潤 1，山内啓資 1，橋爪博司 2，
勝 2，伊藤昌文 1
太田貴之 1，堀△ 3 大気圧酸素ラジカル源によるコウジカビ胞子の殺菌
名城大理工 1，名大院工 2 ○（M1）森 洋介 1，西田圭佑 1，橋爪博司 2，
勝 2，伊藤昌文 1
太田貴之 1，堀△ 4 非平衡大気圧プラズマによるアルテミアの成長への影響に関する研究
名大院工 1，名大院医 2 ○熊倉 匠 1，竹田圭吾 1，田中宏昌 1，秋山真一 2，
勝1
石川健治 1，近藤博基 1，関根 誠 1，堀
5 マイクロキャピラリー電極を用いたプラズマ遺伝子導入における電源極性の影響
愛媛大院理工 1，大阪電通大工 2，ワイ ' ズ 3，パール工業 4 ○眞鍋国盛 1，
山崎拓也 1，池田善久 1，本村英樹 1，神野雅文 1，
橘 邦英 2，佐藤 晋 3，木戸祐吾 4
6 マイクロキャピラリー電極型プラズマ遺伝子導入における針状対向電極による低ダメージ化
愛媛大院理工 1，大阪電通大工 2，ワイ ' ズ 3，パール工業 4 ○立花宏紀 1，池田洋平 1，木村真徳 1，池田善久 1，本村英樹 1，神野雅文 1，
橘 邦英 2，佐藤 普 3，木戸祐吾 4休憩

10:30 〜 10:45

7 プラズマによる遺伝子導入法における DNA 損傷評価
愛媛大院理工 1，大阪電通大工 2，ワイ ' ズ 3，パール工業 4 ○三宅 献 1，
柴川勢竜 1，池田善久 1，本村英樹 1，神野雅文 1，
橘 邦英 2，佐藤 晋 3，木戸祐吾 4
8 沿面放電による遺伝子導入
愛媛大院理工 1，大阪電通大工 2，ワイ ' ズ 3，パール工業 4 ○吉岡 優 1，
中野孝輝 1，池田善久 1，本村英樹 1，神野雅文 1，
橘 邦英 2，佐藤 晋 3，木戸祐吾 4△ 9 ウシ血清アルブミン (BSA) の非平衡大気圧プラズマ照射による質量分析スペ
クトルの変化名城大理工 1，名大院工 2 ○（M1）藤田英彦 1，太田貴之 1，
勝2
石川健治 2，竹田圭吾 2，堀△ 10 イチゴ灰色カビ病殺菌に対する大気圧空気プラズマ中の活性種の効果
東北大院工 1，宮城農園研 2 ○小西秀明 1，高田涼平 1，加藤俊顕 1，
金子俊郎 1，猪苗代翔太 2，瀬尾直美 2△ 11 大気圧プラズマ照射培養液の抗腫瘍効果作用機序の解析
名大工 1，名大医 2，富山大 3 ○（M1）倉家尚之 1，田中宏昌 1，石川健治 1，
勝1
中村香江 2，梶山広明 2，吉川史隆 2，近藤 隆 3，関根 誠 1，堀

昼

食12:00 〜 13:00

20p-S8 - 1 〜 6

1 ローラーコンベア型誘電体バリア放電電極によるミドリカビ病菌胞子の不活化
佐世保高専 1，九大総理工 2 ○柳生義人 1，松本直樹 1，畑山雄大 1，
山﨑隆志 1，林 信哉 2，大島多美子 1，川崎仁晴 1，須田義昭 1
2 水－誘電体多層電極を用いた大気圧プラズマの立体形状物に対する照射の効
果佐賀大工 1，大阪府立環境農水研 2 ○三沢達也 1，
三島朋子 2，高井雄一郎 2，西岡輝美 2
3 反応速度論に基づく低 pH 法による液体殺菌の物理化学機構
阪大工 1，大阪産技研 2，阪大理 3 ○北野勝久 1，
井川 聡 2，中島陽一 2，谷 篤史 3
4 反応速度論に基づくプラズマ処理水活性の温度依存の物理化学機構
阪大工 1，大阪産技研 2，阪大理 3 ○北野勝久 1，
井川 聡 2，中島陽一 2，谷 篤史 35 非平衡大気圧プラズマジェットにより誘導される細胞内、細胞外の OH ラジ
カル生成と細胞殺傷効果の評価
金沢大理工研究域 仁宮一章，石島達夫，○（M2）今村允俊，山原貴之，
榎本啓士，高橋憲司，田中康規，上杉喜彦，清水宣明
6 ミストプラズマによる芽胞菌の殺菌
京都工繊大工芸科学 ○由里 淳，高橋和生------------------------------------------------------------------------------------

9

応用物性

6.1 強誘電体薄膜，9.1 誘電材料・誘電体のコードシェアセッション
9 月 17 日
17p-PA4 - 1 〜 15
17p-PA4 - 1 〜 15

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 GaFeO3型 I ｎ 0.25Fe1.75O3マルチフェロイック薄膜の作製と特性評価
東工大 ○濵嵜容丞，安井伸太郎，谷山智康，伊藤 満
2 電子線回折による BiFeO3エピタキシャル膜の構造解析
東北大 1，NY 州立大 2 佐藤聖也 1，○（M1）永沼 博 1，
In-Tae Bae2，大兼幹彦 1，安藤康夫 1
3 BiFeO3/ 透明導電性酸化物積層構造薄膜の作製と評価
名大エコトピア研 ○片山丈嗣，林幸壱朗，坂本 渉，余語利信
4 顕微メスバウア分光を用いた 57Fe 濃縮 BiFeO3と Bi 2Fe4O9薄膜の評価
静理大総技研 1，静理大理工 2，東理大理 3 ○田中清高 1，
塚本美徳 2，岡村総一郎 3，吉田 豊 2プラズマエレクトロニクス
9 応用物性5 CSD 堆積した (Bi,Pr)(Fe,Mn)O3薄膜に対する水リフトパターニング
金沢大院自然 1，金沢大理工 2 ○（M1）中西一浩 1，
丹羽貴大 1，川江 健 2，森本章治 26 化学溶液堆積法による配向性 BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3固溶体薄膜の作製
上智大 1，東工大 2 ○茂木翔太 1，金子祈之 2，
木村純一 2，舟窪 浩 2，内田 寛 1
7 低融点酸化物を添加した BaTiO3薄膜の作製と評価
名大エコトピア研 1，リコー 2 ○小林将也 1，林幸壱朗 1，
坂本 渉 1，秋山善一 2，余語利信 1
8 ZnO 基板上でのペロブスカイト型強誘電体薄膜の結晶成長
阪府大院工 ○山田裕明，吉村 武，藤村紀文
9 パルスポーリングを行った PZT 薄膜の圧電特性と微細構造の経時変化
産総研 1，茨城大 2，東工大 3 ○牧本なつみ 1，鈴木靖弘 1,2，
前田龍太郎 1，舟窪 浩 3，小林 健 1
10 スパッタ法を用いたプロトン伝導性酸化物薄膜の成膜条件依存性
鶴岡高専 1，東工大 2 ○（B）佐藤智也 1，舟窪 浩 2，井上貴明 1，内山 潔 1
11 多元素同時置換が層状コバルト酸化物の熱電特性に及ぼす影響
豊橋技術科学大 ○野島崇矢，中村雄一，井上光輝
12 Ｂｉ－Ｔｉ系非鉛圧電材料と環境発電デバイスの開発
長野県工技セ 1，セラテックジャパン 2 ○水嵜英明 1，米久保荘 1，
工藤賢一 1，菅沼幸男 1，西野入隆 2，奥冨 衛 2，児玉泰史 2，平林 明 2△ 13 ニオブ酸リチウム系強誘電体単結晶薄膜の光電流特性評価
東大先端研 ○高橋秀輔，井上亮太郎，野口祐二，宮山 勝
14 高温相における TKHSe と TKDSe のラマン散乱研究
近畿大理工 ○（M1）牟田慎之介
15 高温相における TCHSe と TCDSe のラマン散乱研究
近畿大 ○松本芳幸，角間隆之-----------------------------------------------------------------------------------6.1 強誘電体薄膜，9.1 誘電材料・誘電体のコードシェアセッション
9 月 18 日 9:00 〜 18:30
18a-A9 - 1 〜 9

1 Bi(Mg1/2Ti1/2)O3–Bi(Zn1/2Ti1/2)O3固溶体薄膜における結晶相の安定性
東工大 ○及川貴弘，舟窪 浩△ 2 コンビナトリアルスパッタ法による BZT-BCT 圧電薄膜の組成依存性評価
神大院工 ○黒川文弥，森亮，辻浦裕一，肥田博隆，神野伊策
3 Si 基板上 (001) 配向 (Na,Bi)TiO3-BaTiO3膜の結晶構造と圧電特性
1
パナソニック AIS 社 ，パナソニック先端研 2 ○岡本庄司 1，橋本和弥 1，
田中良明 1，張替貴聖 1，足立秀明 2，藤井映志 2
4 {100} 配向エピタキシャル PbTiO3膜におけるドメイン構造転移
東工大 1，産総研 2，名大 3，PRESTO4 ○中島崇明 1，一ノ瀬大地 1，
江原祥隆 1，清水荘雄 1，小林 健 2，山田智明 3,4，舟窪 浩 1
5 正方晶 PZT 薄膜とナノロッドにおける逆圧電特性の結晶方位依存性
名古屋大 1，JST さきがけ 2，物材機構 3，東工大 4，高輝度光科学研究センター 5 ○山田智明 1,2，安本 洵 1，伊藤大介 1，坂田修身 3,4，
今井康彦 5，白石貴久 4，清水荘雄 4，舟窪 浩 4，
吉野正人 1，長崎正雅 1

休憩

10:15 〜 10:30

6 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
低次元強誘電体の作製とその物性
兵庫県大工 ○藤沢浩訓，中嶋誠二，清水 勝
7 RF マグネトロンスパッタ法により作製した PZT 薄膜媒体へのナノドメイン
ドットの書き込み
東北大通研 ○平永良臣，長 康雄△ 8 PbTiO3エピタキシャル薄膜を用いた二次モード分極反転共振子
名工大 1，横浜市大 2 ○片田克吉 1，柳谷隆彦 1，鈴木雅視 1，和佐清孝 2
9 パルスポーリングした PZT 薄膜を集積化した圧電 MEMS カンチレバーのユ
ニポーラ駆動特性
産総研 1，茨城大 2，東工大 3 ○小林 健 1，牧本なつみ 1，鈴木靖弘 2，
舟窪 浩 3，前田龍太郎 1

昼

18p-A9 - 1 〜 17食11:45 〜 13:15

1 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
セラミック誘電体材料の将来設計
東工大 ○坂部行雄▲ 2 BaTiO 3- Bi(Mg 2/3Nb 1/3)O 3 Epitaxial Thin-films for High-temperature
Capacitors
National Institute for Materials Science (NIMS)1，COMET Inc.2〇
Somu Kumaragurubaran1，Takahiro Nagata1，Kenichiro Takahashi2，
Sun-Gi Ri2，Yoshifumi Tsunekawa2，Setsu Suzuki2，Toyohiro Chikyow1
3 (1-x ){Li0.06(Na,K)0.94}NbO3+x BaZrO3(0.035 ≦ x ≦ 0.075) の立法晶構造での電子密度分布の特徴
村田製作所 ○岩堀禎浩，野口博司△ 4 遠赤外エリプソメータを用いた BaTiO3単結晶のフォノン解析
東工大院理工 ○（M1）金原一樹，保科拓也，武田博明，鶴見敬章△ 5 熱電材料のための六方晶チタン酸バリウム単結晶の育成とその特性評価
東工大応セラ研 1，東工大元素 2 ○安井伸太郎 1，石本雄介 1，
清水荘雄 2，谷山智康 1，伊藤 満 1

（ 79
79 ）

9

応用物性

6 様々な温度で焼成したチタン酸バリウムナノキューブ規則配列構造体の微細構造と誘電特性
産総研 ○三村憲一，加藤一実

休憩

15:00 〜 15:15

7 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
強誘電体・薄膜研究の進展と期待
阪大 ○奥山雅則
8 BiFeO3薄膜の格子整合成長の検討
阪府大院工 ○荒牧正明，苅谷健人，堂安 豪，吉村 武，藤村紀文
9 BiFeO3エピタキシャル薄膜の結晶構造に及ぼす引張歪の影響
大阪府立大 ○（M1）小前智也，荒牧正明，吉村 武，藤村紀文
10 単一ドメイン BiFeO3薄膜の電気的特性に Mn 及び Zn ドープが及ぼす影響(Ⅱ)
兵庫県大工 ○（M1）重松晃二，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水 勝
11 バッファー層導入によるビスマスフェライト薄膜の配向性制御と特性評価
上智大理工 1，防衛大 2，東工大物創 3 ○長坂康平 1，金 鎭雄 2，
島 宏美 2，西田 謙 2，大島直也 3，舟窪 浩 3，内田 寛 1▲ 12 Structure and magneto-electric properties of tetragonal BiFeO3 with highspin, low spin and intermediate-spin Fe3+ under biaxial stress by firstprinciples calculations
Tokyo Inst. Technol. ○ Dan Ricinschi

休憩

17:00 〜 17:15

13 巨大な c/a比を有する BiFe 1-x Cox O3薄膜の作製とその結晶構造および電気的特性
東工大 ○清水啓佑，北條 元，東 正樹
14 (101)PdO//(111)Pd バッファー層を用いた {110} 一軸配向ペロブスカイト型
酸化物薄膜の合成とその評価
東工大 1，上智大 2，鶴岡高専 3 ○大島直也 1，江原祥隆 1，及川貴弘 1，
田中宏樹 1，内田 寛 2，内山 潔 3，舟窪 浩 1
15 チタン酸ビスマス厚膜に及ぼす焼成時間の影響
芝浦工大工 1，芝浦工大 RCGI2，八戸工大工 3 ○山口正樹 1,2，増田陽一郎 3
16 低 Tc フッ化ビニリデン / 三フッ化エチレン共重合体薄膜の結晶化挙動と強誘
電特性
東北大金研 1，小林理研 2，東理大理 3 ○中嶋宇史 1，
山浦真一 1，古川猛夫 2，岡村総一郎 3△ 17 VDF/TrFE 共重合体超薄膜における分極誘起抵抗変化効果に対する電極の影響
東理大理 1，東北大金研 2 ○臼井翔吾 1，中嶋宇史 2，
橋爪洋一郎 1，岡村総一郎 1-----------------------------------------------------------------------------------6.1 強誘電体薄膜，9.1 誘電材料・誘電体のコードシェアセッション
9 月 19 日 9:00 〜 17:45
19a-A9 - 1 〜 10

△ 1 熱処理が YAlO3単結晶のテラヘルツ吸収に与える影響
早大 1，材料科学研究所 2，情報通信研究機構 3 ○（M2）井上貴博 1，
金子昇司 1，針間正幸 1，森本貴明 1，大木義路 1,2，
水野麻弥 3，福永 香 3△ 2 LaAlO3単結晶へのイオン照射による La および酸素空孔の生成
早大 1，材研 2 ○（M1）針間正幸 1，森本貴明 1，
井上貴博 1，金子昇司 1，大木義路 1,2△ 3 高誘電率材料 YSZ, LaAlO3, YAlO3中に存在する酸素空孔の比較
早大 1，材料技術研究所 2 ○（M2）金子昇司 1，井上貴博 1，
針間正幸 1，森本貴明 1，大木義路 1,2
4 YSZ 単結晶に与えるイオン照射と光照射の影響の比較
早大 1，材料技術研究所 2 ○（M2）金子昇司 1，井上貴博 1，
針間正幸 1，森本貴明 1，大木義路 1,2△ 5 イオン照射で YAlO3に生じる損傷に熱処理が与える影響
早大先進理工 1，材研 2 ○（D）森本貴明 1，井上貴博 1，
金子昇司 1，針間正幸 1，大木義路 1,2

休憩

10:15 〜 10:30

6 KF 置換 BaTiO3結晶における電場－温度－組成相図と角度分解偏光ラマン分
光島根大教育 1，立命館大理工 2 ○塚田真也 1，藤井康裕 2，秋重幸邦 1
7 ポラリトンの複素分散関係と広帯域テラヘルツ時間領域分光
筑波大数理 ○小島誠治，森 龍也
8 BaTiO3系強誘電体単結晶の 90°ドメイン壁における巨大可視光電流応答東大先端研 ○（PC）井上亮太郎，井村亮太，高橋秀輔，
小口岳志，北中佑樹，野口祐二，宮山 勝
9 強相関系強誘電体 YMnO3薄膜の光誘起電流とキャリア伝導の異方性
大阪府大院工 ○宇賀洋志，芦田 淳，吉村 武，藤村紀文
10 配向の異なる SrTiO3基板上に作製した BiFeO 3薄膜のバルク光起電力効果
兵庫県立大工 ○内田智久，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水 勝

昼19p-A9 - 1 〜 15

食11:45 〜 13:15

1 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
非鉛系圧電体を用いた超音波流量計の開発と材料科学 --- 次世代の誘電・圧電研究の方向性 --東工大院理工 ○鶴見敬章，保立萌衣，吉留大地，保科拓也，武田博明

2 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）(Ba, Sr)TiO3系強誘電体のチューナブル性能におけるドメインの寄与
岡山大工 ○寺西貴志，曽我部剛，林 秀考，岸本 昭
3 (Bi0.5K0.5)TiO3-BiFeO3-K(Nb, Ta)O3強誘電体の物性、結晶・電子構造と強誘
電特性
東京理科大 ○（M2）宮﨑浩輔，石田直哉，北村尚斗，井手本康
4 (Na,Ba)(Nb,Ti)O3セラミックスの電気的特性に及ぼす添加物の影響
名工大院工 ○青柳倫太郎，坂野聡一
5 (K,Na)(Nb,W)O3系強誘電体の強誘電特性、結晶構造の組成依存
東京理科大 井手本康，○（M1）中島健太郎，石田直哉，北村尚斗△ 6 斜方晶構造を持つエピタキシャル HfO2系薄膜の作製と評価
東工大元素 1，東工大総理工 2 ○清水荘雄 1，舟窪 浩 1,2△ 7 (Hf,Zr)O2薄膜の電気特性と結晶構造の評価
東工大 1，上智大 2 ○白石貴久 1，片山きりは 1，横内達彦 1，
清水荘雄 1，及川貴弘 1，内田 寛 2，舟窪 浩 1

休憩

15:15 〜 15:30

8 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
KTa1-x Nbx O3単結晶を用いた光ビームステアリングデバイス
NTT フォトニクス研 ○今井欽之△ 9 KTN 結晶の電界誘起相転移を用いた低電圧駆動の光位相変調
NTT 物性研 1，NTT フォトニクス研 2 ○稲垣卓弘 1，今井欽之 2，
宮津 純 2，武居弘樹 1，小林潤也 2△ 10 高効率水リフトオフプロセスに向けたアモルファス CaO の潮解現象に関する検証
金沢大 ○（M2）丹羽貴大，東浦俊太，今澤優子，石島達夫，
川江 健，森本章治△ 11 キレート剤を用いた大口径非鉛 KNN 圧電薄膜のウエットエッチング (II)○
日立金属
堀切文正，柴田憲治，末永和史，渡辺和俊，野口将希
12 圧電 MEMS 向けドライエッチングプロセスの開発
アルバック半電研 ○山本直志，上村隆一郎
13 振動発電素子と強誘電体メモリからなるバッテリレス衝撃記憶素子
パナソニック先端研 ○金子幸広，西谷 雄，上田路人，表 篤志△ 14 BiFeO3 薄膜を用いた多自由度圧電 MEMS 振動発電素子の試作
阪府大院工 1，産技総研 2 ○苅谷健人 1，吉村 武 1，村上修一 2，藤村紀文 1
15 強誘電体セラミックス ,PVDF,PMN-PT 結晶の電気熱量効果
湘南工大 ○眞岩宏司-----------------------------------------------------------------------------------9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子
9 月 18 日 9:00 〜 18:00
18a-A6 - 1 〜 11

1 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15 分）
GaAs/InGaP Core–Multishell Nanowire-Array-Based Solar Cells
北大 ○中井栄治
2 Si パターン基板上への自己触媒 InP ナノワイヤの形成
東大ナノ量子 1，富士通研 2，東大生研 3 ○河口研一 1，須藤久男 2，
松田 学 2，竹本一矢 2，山本剛之 2，荒川泰彦 1,3
3 MnAs/InAs ナノワイヤの作製と成長条件依存性評価
北大量集センター ○小平竜太郎，藤曲央武，加藤弘晃，崎田晋哉，原真二郎
4 InGaAs/GaAs 積層量子ドットを有する GaAs ナノワイヤ光共振器からのレー
ザ発振
東大ナノ量子機構 1，東大生研 2 ○舘林 潤 1，加古 敏 1，
Jinfa Ho2，岩本 敏 1,2，荒川泰彦 1,2
5 自己触媒 VLS 法による InP ナノワイヤの成長前基板加熱温度依存性
上智大 ○（M1）荻野雄大，朝倉啓太，下村和彦，和保孝夫

休憩

10:15 〜 10:30

6 InAs/InP ヘテロ構造ナノワイヤにおける歪のシミュレーション評価
NTT 物性研 ○舘野功太，章 国強，後藤秀樹
7 Ge(111) 基板上の垂直 InAs ナノワイヤの選択成長
北大院情報科学および量子集積センター 1，JST さきがけ 2○
冨岡克広 1,2，石坂文哉 1，中井栄治 1，福井孝志 1
8 X 線小角散乱によるナノワイヤ成長中の Au 触媒形状観測
原子力機構 1，兵庫県立大 2 ○佐々木拓生 1，出来亮太 2，高橋正光 1,2
9 MBE 法による Si 基板上 InAs ナノワイヤ成長
名大院工 1，赤﨑記念研究センター 2 ○木津良祐 1，本田善央 1，天野 浩 1,2
10 InAs ナノワイヤの電子構造および電気伝導率に関する理論的検討
三重大院工 ○秋山 亨，中村浩次，伊藤智徳
11 非均一なナノワイヤ成長速度の時間依存性
NTT 物性基礎研 ○ Guoqiang Zhang，舘野功太，後藤秀樹

昼

18p-A6 - 1 〜 16食12:00 〜 13:30△ 1 溶液成長 ZnO ナノロッドの成長モード制御による残留ドナー濃度均一化
物材機構 1，筑波大 2，ハンガリー科学アカデミー 3 ○（PC）渡辺健太郎 1,2，
呉 承俊 1，長田貴弘 1，若山 裕 1，関口隆史 1，János Volk3△ 2 反応性高温斜め蒸着法による Ga2O3ナノワイヤの成長に及ぼす間欠蒸着の影
響
京大院工 ○山崎世紀，南竹春彦，鈴木基史△ 3 ナノツリーの発生を抑制した Ge/Si コアシェルナノワイヤ成長
東工大量子ナノ研セ 1，東工大電子物理 2 ○野口智弘 1，森田広大 1，
Marolop Simanullang1，Zhengyu Xu1，宇佐美浩一 1，
河野行雄 1，小寺哲夫 2，小田俊理 1

（ 80
80 ）

9

△ 4 金属ナノ粒子焼結挙動：分子動力学的研究
九大院工 ○（D）松原典恵，宗藤伸治，古君 修▲ 5 Elemental Distributions in Individual Ge/Si/Ge Core-Double Shell△		 Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography
IMR Tohoku Univ.1，NIMS2，Univ. of Tsukuba3 ○ Bin Han1，
Yasuo Shimizu1，Hisashi Takamizawa1，Mingke Yu2,3，
Wipakorn Jevasuwan2，Naoki Fukata2，
Koji Inoue1，Yasuyoshi Nagai1
6 Ge/Si コアシェルナノワイヤ中のシェルの結晶性とドーピング評価
筑波大工 1，物材機構 2 ○余 銘珂 1,2，神永 惇 1,2，
ウィパコーン ジェバスワン 2，深田直樹 2

休憩

15:00 〜 15:15

7 イレギュラーなナノワイヤ形成の詳細な解析によるＶＬＳ成長機構の探求
キヤノン ○古藤 誠
8 鋳型圧入法による Bi ナノワイヤーの開発と熱電物性の評価
産総研 1，埼玉大 2，茨城大 3 ○村田正行 1，山本 淳 1，寺門宏樹 2，
本間亮英 2，長谷川靖洋 2，小峰啓史 3
9 タンパク質超分子を用いて合成されたカーボンナノチューブの色素増感太陽電池への応用奈良先端大 1，味の素 2 ○豊田健一 1，井之上一平 2，石河泰明 1，
安枝 寿 2，浦岡行治 1，山下一郎 1
10 金属触媒を用いないシリコンナノワイヤの硫黄支援成長
豊技大院工 ○森島 聖，中川周平，石山 武，石井佑弥▲ 11 Growth and characterization of molybdenum oxide nanorods by one-step
sol-gel spin coating method
Graduate School of Engineering, Osaka Univ.1，ISIR, Univ.2○
Shuren Cong1,2，Tohru Sugahara2，Jinting Jiu2，
Yukiko Hirose2，Shijo Nagao2，Katsuaki Suganuma2
12 銀フレーク・フッ素ゴム系伸縮性導体の作製と評価
東大院工 1，ALPS2，JST ERATO3，ヨハネス・ケプラー大 4，阪大産研 5○
松久直司 1,2，Martin Kaltenbrunner1,3,4，甚野裕明 1，
横田知之 1,3，関谷 毅 1,3,5，染谷隆夫 1,3

休憩

16:45 〜 17:00

13 SPM 探針への応用に向けたタングステン酸化物の針状結晶成長法
金沢大院 1，北陸先端大院 2 ○永島一樹 1，富取正彦 2，新井豊子 1
14 Sb2Te3のナノ構造作製と組成分析
芝浦エレテック 1，産総研 2，東北大 3，トゥール大 4，群馬大 5，東工大 6，
物材機構 7 桑原正史 2，上原洋一 3，阿部真帆 3，坂井 穣 4，
保坂純男 5，曾根逸人 5，遠藤理恵 6，鶴岡 徹 7，○浦辻秀明 1
15 単層吸着制御した Fe3O4 ナノ粒子の磁気光学特性
東北大 ○北條大介，水上成美，阿尻雅文
16 油水界面張力法を用いた単結晶ナノワイヤの基板上での配列アレイ化 ―ミク
ロンパターンでナノスケールのサイズ選択性を生む仕組み―
阪大産研 He Yong，○柳田 剛，長島一樹，金井真樹，川合知二-----------------------------------------------------------------------------------9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子
9 月 19 日 9:00 〜 12:00
19a-A6 - 1 〜 11憩

19p-PA4 - 1 〜 15

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 Rational Designing of Vapor-liquid-solid Oxide Nanowire Growth
NANOTEC1，阪大産研 2 Annop Klamchuen1，柳田 剛 2，○長島一樹 2，
吉田秀人 2，金井真樹 2，Fuwei Zhuge2，Yong He2，
Gang Meng2，竹田精治 2，川合知二 22 Single Crystalline NiO Nanowires Grown via VLS Mechanism and Their
Significance on Resistive Switching Memory
阪大産研 ○長島一樹，柳田 剛，吉田秀人，金井真樹，Gang Meng，Fuwei Zhuge，Yong He，竹田精治，川合知二
3 熱 CVD 法による酸化物基板上への Fe ナノワイヤの作製
北大総化 1，北大 FCC2，北大工 3 ○（M2）川人愛子 1，柳瀬 隆 2，
石岡準也 3，柴山環樹 3，渡辺精一 3，長浜太郎 3，島田敏宏 3
4 汎用マグネトロンスパッタ装置で形成したＩＴＯナノワイヤの電気特性と微細構造
高知工科大 ○山本直樹，森澤桐彦
5 粒子表面状態制御による ITO 表面への銅ナノ粒子付着および成長
東北大環 1，東北大学際 2，パナソニック 3 ○横山 俊 1，本宮憲一 1，
高橋英志 1，田路和幸 1，伊藤 隆 2，甲斐隆之 3
6 電荷輸送材料添加による半導体粒子層の電荷輸送効率改善に関する研究
東北大環境 ○馬渕 隆，横山 俊，下位法弘，高橋英志，田路和幸
7 化合物半導体ヘテロ構造ナノワイヤの選択ウェットエッチング
阪大院工 1，愛媛大院工 2 ○（M2）日比秀昭 1，近藤正彦 1，石川史太郎 2
8 Modulation of Thermoelectric Power Factor via Radial Dopant
Inhomogeneity in B-doped Si Nanowires
阪大産研 1，物材機構 2，慶大理工 3 Fuwei Zhuge1，○金井真樹 1，
長島一樹 1，深田直樹 2，内田 健 3，柳田 剛 1
9 真空蒸着によるイオン液体中への金ナノ粒子の合成
京大院工 ○松本雄介，竹内光明，龍頭啓充，高岡義寛
10 マルチシェル型蛍光ナノ粒子の透過電顕を用いた光学特性及び構造評価
産総研 1，東北大多元研 2 ○上原雅人 1，佐藤庸平 2，寺内正己 2△ 11 SA-MOVPE 法により作製した横型 MnAs ナノワイヤの磁化特性評価
北大量集センター ○加藤弘晃，崎田晋哉，原真二郎
12 分子修飾による無機ナノワイヤのｎ型ドーピング
奈良先端大 ○（M2）上紺屋史彦，野々口斐之，河合 壯
13 同軸型アークプラズマ銃を用いた粉末ナノダイヤモンド作製法の開発とその磁性付与
九大院総合理工 1，九大シンクロトロン 2，九州工大工 3，福岡工大工 4○
冨永亜希 1,2，楢木野宏 1，花田賢志 2，出口博之 3，
武田 薫 4，吉武 剛 1,2▲ 14 HVPE and VLS-HVPE synthesis of vertical and horizontal GaN nanowires
Nagoya University1，Akasaki Center2 〇 Kaddour Lekhal1，
Tadashi Mitsunari1，Yoshio Honda1，Hiroshi Amano1, 2
15 気相成長法を用いた AlxIn1-xN ナノ細線の生成と評価
東洋大院工 ○剣持直人，和田 昇------------------------------------------------------------------------------------△ 1 シリコンナノ結晶ソリッドにおけるナノ結晶間相互作用
神戸大院工 ○古田健太，杉本 泰，今北健二，藤井 稔△ 2 シリコンナノ結晶コロイド塗布薄膜の形成と評価
神戸大院工 ○佐々木誠仁，杉本 泰，今北健二，藤井 稔△ 3 コロイド状 Si1-x Gex ナノ結晶の塗布によるナノ結晶薄膜の作製と評価（I）
神戸大院工 ○管野 天，杉本 泰，今北健二，藤井 稔
4 L- ヒスチジン修飾 Au10ナノクラスターの発光特性の温度依存性
関西大 ○塚本将人，稲本大輝，齊藤 正，稲田 貢
5 プルシアンブルーナノ粒子を用いたエレクトロクロミックフィルタの粒子制
御パナソニック 1，産総研 2 ○伊豆崇則 1，山内 哲 1，杉山 泰 2，川本 徹 2

休

9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子
9 月 19 日
19p-PA4 - 1 〜 15

応用物性9.3 ナノエレクトロニクス
9 月 17 日
17p-PB1 - 1 〜 5

17p-PB1 - 1 〜 5

13:30 〜 15:30

1 金属梁構造における共振現象のトンネル電流による観察
東工大応セラ ○東 康男，真島 豊
2 環状単電子振動子アレイにおける確率共鳴
横国大院工 1，北大院情報 2 ○（M2）大竹央将 1，石村憲意 2，
浅井哲也 2，大矢剛嗣 1
3 単電子蟻情報処理回路の応用設計
横国大院工 ○（M2）小尾勇志，大矢剛嗣
4 軍隊ガ二の挙動に学ぶ単電子論理回路の設計
横国大院工 ○浜名良樹，今野和樹，大矢剛嗣
5 熱雑音を利用するニューロン構造に学ぶ単電子信号伝搬の高速化
横国大院工 ○（M1）平島 諒，大矢剛嗣

10:15 〜 10:30

6 表面修飾したシリコンナノ結晶と P3HT の複合体における光伝導特性評価
東工大量子ナノ研セ 1，東工大院理工 2 ○舩木健伍 1，山崎将太郎 1，
宇佐美浩一 1，河野行雄 1，野崎智洋 2，小田俊理 1
7 電気泳動を用いたディップコーティング法によるシリコンナノ結晶の配列制
御東工大・量子ナノ研セ ○山崎将太郎，舩木健伍，
宇佐美浩一，河野行雄，小田俊理
8 蒸留水に分散させた表面終端ポーラス Si の発光特性
富山県立大 1，長野高専 2 ○上口眞央 1，松本公久 1，
野村 俊 1，神谷和秀 1，鈴木伸哉 2
9 エタノール中でエイジングしたポーラス Si の PL 強度増加
富山県立大 1，長野高専 2，関西大 3 ○（M1）西尾亮介 1，松本公久 1，
野村 俊 1，神谷和秀 1，鈴木伸哉 2，稲田 貢 3
10 ボールミル粉砕によるカルボン酸修飾 Si 超微粒子の作製
兵庫県立大院物質理学 ○佐藤井一，土橋哲明，松田真輔
11 ガルバニ還元反応で生成した銀ナノ粒子の組成・生成過程に関する研究
香川大教育 1，香川大工 2，産総研健工 3 ○藤目祐太朗 1，
山本裕子 2，伊藤民武 3，高橋尚志 1

ポスターセッション

ポスター展示時間-----------------------------------------------------------------------------------9.3 ナノエレクトロニクス
9 月 19 日 10:00 〜 16:45
19a-A7 - 1 〜 7------------------------------------------------------------------------------------

（ 81
81 ）

1 Ni- ベンゼンジチオール -Ni 接合の熱起電力の第一原理計算
阪大院基礎工 ○大戸達彦，See Kei Lee，山田 亮，夛田博一
2 銅フタロシアニン誘導体を添加した銀微粒子単電子トランジスタにおける光応答特性
千葉大融合 1，九大先導研 2，情通研未来 3，千葉大先進 4，明治大理工 5○山本真人 1，大岩さゆり 2，篠原修平 2，玉田 薫 2，上田里永子 3，
照井通文 3，石井久夫 1,4，野口 裕 5
3 サブミクロン Al 接合を用いた dc-SQUID の量子干渉パターンに見られる古典的理論との差異
電通大院 ○三浦晃司，菊池健人，島田 宏，水柿義直

9

応用物性

4 微小な Al/AlOx/V 接合を用いた超伝導単一電子トランジスタ
電通大先進理工 ○宮脇健至，水柿義直，島田 宏▲ 5 Numerical Demonstration of Single-Electron Inverter with Input△		 Discretizer
UEC for the University of Electro-Communications 〇 Huong Tran，Hiroshi Shimada，Yoshinao Mizugaki
6 粘菌型解探索システムにおける自発的解探索の検討
北大量集センター 1，東工大地球生命研 2，NICT 光ネット研 3，関学大工 4○
若宮 遼 1，葛西誠也 1，青野真士 2，成瀬 誠 3，巳波弘佳 4△ 7 非対称ゲート GaAs ナノワイヤ電子ブラウンラチェット特性の構造依存性
北大院情報科学 1，北大量子集積センター 2 ○阿部遊子 1,2，
田中貴之 1,2，葛西誠也 1,2

昼

食11:45 〜 13:15

昼

19p-A7 - 1 〜 13

1 単一分子トランジスタにおける THz フォトンアシステッドトンネル効果（２）
東大生研・ナノ量子機構 1，東北工大 2 ○吉田健治 1，柴田憲治 2，平川一彦 1
2 RF 駆動による高速 FET センサ
NTT 物性研 1，Delft Univ. of Tech.2 ○西口克彦 1，山口浩司 1，
藤原 聡 1，Herre Zant2，Gary Steele2▲ 3 Fabrication and Characterization of Ge/Si Core/Shell Nanowire Based
Devices Towards a Hole Spin Qubit
RIKEN1，RIKEN-CEMS2，NIMS-MANA3，Chiba Univ.4 〇 Rui Wang1，
Kenji Wada1,4，Russell S. Deacon1,2，Naoki Fukata3，Koji Ishibashi1,24 ナノデバイス構造での不純物相関の電子輸送特性への影響
筑波大数物 ○ Muhammad Restu Zulhidza，植田暁子，
本多周太，吉田勝尚，佐野伸行
5 エレクトロマイグレーションによる Cu ナノギャップ電極の作製と応用
北大院情報 ○米坂瞭太，越智隼人，村上暢介，有田正志，高橋庸夫

休憩

14:45 〜 15:00

6 金属酸化膜を利用した狭ナノギャップ電極の作製
東大生研・ナノ量子機構 ○尾上俊樹，吉田健治，平川一彦
7 金ナノギャップ電極を用いた亜鉛ポルフィリン分子のメモリ動作
東工大応セラ研 1，京大化研 2 ○小林祥希 1，大沼悠人 1，浜田翔悟 1，
藤田泰弘 1，多田 宰 1，田中大介 2，坂本雅典 2，寺西利治 2，真島 豊 1
8 ナノ粒子単電子トランジスタにおけるフローティングゲートメモリ効果
東工大応セラ 1，京大化研 2 ○東 康男 1，青山詠樹 1，加納伸也 1，
田中大介 2，坂本雅典 2，寺西利治 2，真島 豊 1
9 Ni ナノギャップを用いた通電による抵抗スイッチング効果の 動作パラメータの検討
東京農工大院工 ○滝川主喜，伊藤光樹，森原康平，豊中貴大，白樫淳一
10 エレクトロマイグレーションを用いた Au ナノチャネルのコンダクタンス制
御と Mass Transport の AFM 実時間観察
東京農工大院工 ○八木麻実子，齋藤孝成，白樫淳一△ 11 FPGA を用いたカスタムハードウェアによるエレクトロマイグレーションのマイクロ秒制御
東京農工大院工 ○金丸祐真，又吉美佐枝，白樫淳一
12 薄膜グラファイトを用いた面状ヒータの発熱温度観察
東京農工大院工 ○齋藤孝成，又吉美佐枝，白樫淳一△ 13 薄膜グラファイト細線の電気伝導特性に対する変形の効果
東京農工大院工 ○又吉美佐枝，齋藤孝成，白樫淳一-----------------------------------------------------------------------------------9.4 熱電変換
9 月 18 日 9:00 〜 17:30
18a-A7 - 1 〜 11

1 層状オキシサルファイド LaCuSO の輸送特性における銅欠陥の効果
慶大理工 ○木下寛己，棚木麻衣，大草裕己，後藤陽介，
澁谷泰蔵，的場正憲，神原陽一
2 Ca3Co4O9の熱電物性に及ぼす 3d 遷移金属元素の添加効果
1
2○
立入聖悟 1，佐々木実 2，大西彰正 2，
山形大院理工 ，山形大理
北浦 守 2▲ 3 Al-doped ZnO Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition Technique:Effect of Substrate Crystallinity on Thermoelectric Performance
Hiroshima University1，Kyushu Institute of Technology2，CRIEPI3，
Technical University of Darmstadt (Germany)4，University ofVirginia (USA)5 〇 Paolo Mele1，Shrikant Saini1，
Hiroaki Honda1，Kaname Matsumoto2，
Koji Miyazaki2，Harutoshi Hagino2，
Ataru Ichinose3，Leopoldo Molina-Luna4，
Patrick Hopkins5▲ 4 Decreased thermal conductivity in Bi2Sr2Co2Ox bulk materials preparedby partial melting processing way
AIST Kansai 〇 Emmanuel Combe，Ryoji Funahashi，Tristan Barbier
5 熱発電チューブによる廃棄物焼却施設での排熱回収試験
パナソニック先端技研 1，ENSICAEN2 ○菅野 勉 1，酒井章裕 1，
高橋宏平 1，草田英夫 1，玉置洋正 1，Sophie Linh Repussard1,2，
山田由佳 1
6 シリサイド熱電モジュールの耐久性向上に関する研究
産総研 1，北大工 2，阪大工 3 ○舟橋良次 1，松村葉子 1，
鈴木亮輔 2，勝山 茂 3

休憩

7 Bi2Te3熱電材料薄膜からのテラヘルツ電磁波発生に見られる超高速ゼーベッ
ク効果
パナソニック先端技研 ○高橋宏平，菅野 勉，酒井章裕，
玉置洋正，草田英夫，山田由佳
8 AC-DC 法を用いたトムソン係数の温度依存性の測定
産総研 ○天谷康孝，山本 淳，阿子島めぐみ，藤木弘之，金子晋久
9 3ω 法における温度振幅の複素解析
北陸先端大 ○（D）西野俊佑，小矢野幹夫，大平圭介
10 銅ニッケル合金におけるフォノン伝導の非平衡分子動力学シミュレーション
産総研ナノシステム ○小西優祐，浅井美博
11 ZnS 単結晶における光ゼーベック効果
名大院理 ○白石祐芽，岡崎竜二，谷口博基，寺崎一郎

10:30 〜 10:45

食12:00 〜 13:00

18p-A7 - 1 〜 16

1 Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化
島根大総合理工 ○梶川靖友
2 低温での p 型 CoSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析
島根大総合理工 ○梶川靖友
3 Bi-Sb 系バルク材料の作製と熱電物性の評価
産総研 1，埼玉大 2，茨城大 3 ○村田正行 1，山本 淳 1，
長谷川靖洋 2，小峰啓史 3
4 ウルマナイト NiSbS の電子物性と 3d 遷移金属置換効果Ⅱ
北陸先端大 1，東大物性研 2 ○（M2）宮田全展 1，尾崎泰助 1, 2，小矢野幹夫 1△ 5 層状カルコゲン化合物 CuCrX 2(X = Se, S) の熱電特性における不純物効果
東工大応セラ研 ○（DC）矢野力三，笹川崇男

休憩

14:15 〜 14:30

6 単結晶 Ba8AuxSi46-xクラスレートを用いた新たな熱 - 電力変換メカニズム
九大工 ○宗藤伸治，刑部有紀，足立爽太，下西圭佑，
大中皓允，鬼塚裕介，古君 修△ 7 温度差を必要としない新たな熱 - 電力変換メカニズムの理論解析○
九大工
足立爽太，刑部有紀，宗藤伸治，古君 修
8 W を過剰に固溶させた高マンガンシリサイド MnSiγ の熱電物性
1
豊田工大 ，JST さきがけ 2，名大 3 ○竹内恒博 1,2，広石尚也 3
9 Chimney-ladder 型 MnSiγにおける V 置換効果
慶
東北大院工 菊池祐太，○宮﨑 讓，中條隆貴，林▲ 10 Thermoelectric properties enhancement of a new silicide compound by
cationic substitution
AIST Kansai 〇 Tristan Barbier，Ryoji Funahashi，Emmanuel Combe，Tomonari Takeuchi，Masahiro Shikano
11 ２次元窒化物 AMN2の電子状態と熱電変換輸送特性
物材機構 ○大久保勇男，森 孝雄

休憩

16:00 〜 16:15

12 意図的に導入されたドーパントの空間不均一性によるシリコンナノワイヤのパワーファクター増強効果
阪大産研 1，物材機構 2，慶大理工 3 Fuwei Zhuge1，○柳田 剛 1，
長島一樹 1，金井真樹 1，深田直樹 2，内田 健 3
13 エピタキシャル鉄シリサイドナノドット積層構造の熱電特性
阪大院基礎工 1，さきがけ -JST2 ○（D）山阪司祐人 1，中村芳明 1,2，
鶴崎晋也 1，竹内正太郎 1，酒井 朗 1△ 14 直径 700nm Bi ナノワイヤーのホール係数測定とキャリア移動度評価
産総研 1，埼玉大 2，茨城大 3 ○村田正行 1，山本 淳 1，
長谷川靖洋 2，小峰啓史 3
15 単結晶及び多結晶シリコンナノワイヤーの熱伝導特性比較
東大院 1，LIMMS2，ナノ量子機構 3，フライブルク大 4 ○（M2）鹿毛雄太 1，
Maire Jeremie2，Moser Dominik4，Paul Oliver4，野村政宏 1,3,4▲ 16 Temperature dependence of thermal conductivity for Si nanostructures
IIS1，LIMMS2，Nanoquine3 ○ Jeremie Maire1,2，Masahiro Nomura1,3-----------------------------------------------------------------------------------9.4 熱電変換
9 月 19 日
19p-PA5 - 1 〜 8

19p-PA5 - 1 〜 8

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 大気中における CoSb2.85Te0.15/Ti 界面の電極界面の耐久性試験
産総研 ○山本 淳，長瀬和夫
2 P ドープ SOI 層のゼーベック係数におけるフォノンドラッグ効果
静大電研 1，阪大 2 ○（P）サレ ファイズ 1，織田琢郎 1，
鈴木悠平 1，鎌倉良成 2，池田浩也 1
3 水溶液を反応場とする Bi2Te3熱電変換ナノ粒子の粒子径制御法の開発
東北大環境 ○（M2）佐藤恵太，横山 俊，高橋英志，田路和幸
4 第一原理計算による半導体シリサイド Ca3Si4 の熱電特性
日立中研 ○籔内 真，黒崎洋輔，早川 純△ 5 めっき法を用いたビスマステルライド系薄膜熱電モジュールの開発と物性評
価
東海大院工 1，東海大工 2 ○初田直樹 1，武井美博 2，
松岡 健 1，奥畑充啓 2，高尻雅之 1
6 炭素置換した YxAlyB14-zCz(x ~ 0.56) の合成と熱電特性物材機構 ○丸山恵史，森 孝雄

（ 82
82 ）

10
△ 7 塑性成型法によって作製したカルシウム・コバルト酸化物熱電材料の表面形
態と熱電特性 (IV)
中部大 1，オザワ科学 2 ○（M2）奥山剛史 1，杉山泰庸 1，小川 清 2，
田橋正浩 1，高橋 誠 1，後藤英雄 1△ 8 LiCoO2への 2 価元素置換効果とその熱電特性
岩手大 ○水野 州，内藤智之，藤代博之-----------------------------------------------------------------------------------9.5 新機能材料・新物性
9 月 17 日
17p-PB2 - 1 〜 7

17p-PB2 - 1 〜 7

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 層状 3 元タリウム化合物における光誘起表面形状変化
阪府大工 1，千葉工大工 2，アゼルバイジャン科学アカデミー 3○（M1）
今西 慎 1，沈 用球 1，脇田和樹 2，Mamedov Nazim3△ 2 アモルファス Ce50-xYx Mn50 (x = 0 - 50) 合金の磁性と熱膨張
室蘭工大院 1，環材研セ 2 ○藤田恭平 1，石原 圭 1，目黒早恵 1，
雨海有佑 1,2，桃野直樹 1,2，高野英明 1，村山茂幸 1,2
3 Mn 酸化物を用いた宇宙機用熱制御材料の開発
上智大理工 1，ISAS/JAXA2，東理大理 3 ○村上良明 1，
太刀川純孝 2，齋藤智彦 3，桑原英樹 1
4 (Eu,Y)3(Ga,Fe)5O12ガーネット微粒子の蛍光と磁性
岐阜大院工 1，岐阜大院工 2 ○（M1）岡 翔平 1，嶋 睦宏 2
5 アモルファス希土類 -Mn 合金の熱膨張に対する磁場効果
室蘭工大 1，環材研セ 2 ○雨海有佑 1,2，藤田恭平 1，目黒早恵 1，
石原 圭 1，桃野直樹 1,2，髙野英明 1，村山茂幸 1,2
6 Si ナノロッド配列上に形成した Cu2ZnSnS4薄膜の光学特性
関西大 1，日大 2 ○清水智弘 1，王スウガ 1，近藤彰人 1，
谷本優輔 2，高瀬浩一 2，新宮原正三 1△ 7 Sn 添加リン酸塩ガラスの電気特性におよぼす Na 添加の影響
中部大工 ○熊崎悠介，後藤英雄，田橋正浩-----------------------------------------------------------------------------------9.5 新機能材料・新物性
9 月 19 日 13:15 〜 17:30
19p-A6 - 1 〜 16

1 ＫＴＮ結晶を用いた電界誘起相転移型可変容量コンデンサ
NTT フォトニクス研究所 ○豊田誠治，今井欽之，宮津 純，小林潤也
2 Pr-Ca-Co-O 系の金属・絶縁体－スピン状態転移への磁場効果
岩手大工 1，東北大金研 2，チェコ科学アカデミー 3 ○内藤智之 1，
藤代博之 1，西嵜照和 2，小林典男 2，Jiri Hejtmanek3，
Karel Knizek3，Zdenek Jirak3
3 RFe2O4-δ（R：希土類）の室温における自発磁化の検証
京大院工 1，東大新領域 2 ○小西伸弥 1，有馬孝尚 2，田中勝久 1
4 固体電解質 Li7La3ZrO12及び Li 3PO4中での Li 拡散の第一原理計算による解析
物材機構 CMSU1，物材機構 GREEN2 ○池田 稔 1，
田中喜典 2，隅田真人 1，大野隆央 1,2
5 層状複合アニオン化合物 Ba3RE 2M 2Ch2O5の電子構造と発光特性
東大院工 1，東大院理 2，阪大レーザー研 3 ○荻野 拓 1，龍田 誠 1，
桂ゆかり 2，市原義悠 1，下山淳一 1，山ノ井航平 3，坪井瑞輝 3，
清水俊彦 3，猿倉信彦 3，岸尾光二 1
6 酸素分子を吸着したナノポーラス配位高分子の磁性
埼玉大院理工 1，阪大先端強磁場 2 ○児玉貴文 1，菊川玲於 1，萩原政幸 2，
木田孝則 2，酒井政道 1，福田武司 1，鎌田憲彦 1，本多善太郎 1
7 鉄フタロシアニンを基にした磁性炭素材料の合成と磁性
埼玉大院理工 1，阪大先端強磁場 2 ○武藤祐太 1，佐藤 峻 1，萩原政幸 2，
木田孝則 2，酒井政道 1，福田武司 1，鎌田憲彦 1，本多善太郎 1

休憩

15:00 〜 15:15△ 8 Pd 系合金における水素吸蔵特性の固溶元素依存性
九大稲盛セ 1，CREST2，九大 I2CNER3 ○屋山 巴 1,2，
石元孝佳 1,2，古山通久 1,2,3△ 9 ZnSiO フォトクロミズム転移膜のプラズマ合成法に関する研究
徳島文理大院 1，九大院 2，広島大院 3，関西大 4 ○（M2）松浦俊啓 1，
前川真鎖伸 2，梶山博司 1，井上修平 3，高田啓二 4，内野喜一郎 2
10 非晶性ポリマー /Ni 微粒子コンポジットにおける PTC 特性発現
金沢工大 EOE 応用研 ○河野昭彦，吉良和真，花岡良一，
藤田洋司，小山正人，漆畑広明
11 化学発光法によるトルマリン添加の低密度ポリエチレンの発光強度測定
日大理工 1，日大理工 2 ○阿部和也 1，星村義一 212 無機粉体添加によるポリエチレン樹脂の酸化劣化抑制 ( 熱分解 )日大理工 1，日大理工 2 ○（B）谷口雄基 1，星村義一 213 銀形ゼオライトにおける Photoluminescence と Ag クラスター
弘前大理工 ○成田 翔，鈴木裕史，宮永崇史，中村 敦
14 電子線リソグラフィ法を用いて作成した金ナノ粒子配列薄膜における赤外吸収増大現象
弘前大院理工 1，弘前大理工 2，弘前大教育 3 ○中嶋 洋 1，碇亜紀彦 2，
石郷侑汰 2，津島将導 2，熊谷遊太 3，島田 透 3，鈴木裕史 1
15 FePt ナノドット / 極薄 SiO2層における電子輸送特性の外部磁場依存性
名大院工 ○（M2）壁谷悠希，大田晃生，牧原克典，宮崎誠一

9 応用物性
スピントロニクス・マグネティクス

16 リモート水素プラズマ支援による Mn-Ge 系ナノドットの高密度一括形成
名大院工 1，名大 VBL2 ○温 映輝 1，牧原克典 1，大田晃生 2，宮崎誠一 1------------------------------------------------------------------------------------

10

スピントロニクス・マグネティクス●関連シンポジウム「スピントロニクス材料・デバイスの最前線」（9 月 18 日（木），13:00 〜 17:15，S2 会場）が p.42 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）
9 月 17 日 9:00 〜 11:45
17a-S2 - 1 〜 10

1 「10．スピントロニクス・マグネティクス 分科内招待講演」（30 分）
SrTiO3デルタドープ構造における超伝導物性とスピン軌道相互作用
スタンフォード大 1，SLAC 国立加速器研 2，ソウル国立大 3，東大院工 4，ブリストル大 5 ○井上 悠 1,2，金 民祐 2,3，小塚裕介 4，
クリストファー ベル 2,5，疋田育之 2，
スリニバス ラグー 1,2，ハロルド ファン 1,2▲ 2 Magneto-electric effect of α-Cr 2O3(0001) thin film on perpendicularexchange bias and influence of Pt spacer layer
Osaka Univ.1，JASRI/SPring-82，NIMS3 ○ Yu Shiratsuchi1，
Kentaro Toyoki1，Tetsuya Nakamura2，Motohiro Suzuki2，
Shotaro Harimoto1，Satoshi Onoue1，Hikaru Nomura1，
Chiharu Mitsumata3，Ryoichi Nakatani1▲ 3 Fabrication of Tunnel Junction with the BiFeO 3 Barrier and theLa0.6Sr0.4MnO3 Electrode
Tohoku Univ. ○（M2）Tomohiro Ichinose，Hiroshi Naganuma，Mikihiko Oogane，Yasuo Ando
▲ 4 Electric field control of magnetism in Pd/Co/Pt multilayer△
The Univ. of Tokyo1，CRIEPI2 ○ Aya Obinata1，Daichi Hayakawa1，
Yuki Hibino1，Tomohiro Koyama1，Kazumoto Miwa2，
Shimpei Ono2，Daichi Chiba1▲ 5 Electric field control of magnetic anisotropy in Pd/Co/Pt△
The Univ. of Tokyo1，CRIEPI2 ○ Yuki Hibino1，Aya Obinata1，
Tomohiro Koyama1，Kazumoto Miwa2，
Shimpei Ono2，Daichi Chiba1▲ 6 Interface perpendicular magnetic anisotropy between ultrathin Fe filmand MgO studied by x-ray magnetic circular dichroism
Univ. of Tokyo1，NIMS2，Univ. of Tsukuba3，IMS4 ○ Jun Okabayashi1，
Jung Woo Koo2,3，Hiroaki Sukegawa2，Seiji Mitani2,3，
Yasumasa Takagi4，Toshihiko Yokoyama4▲ 7 Magnetic anisotropy in Ta/CoFeB/MgO investigated by x-ray magnetic
circular dichroism and first-principles calculation
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku Univ.1，
CSIS, Tohoku Univ.2，RIEC, Tohoku Univ.3，WPI-AIMR,
Tohoku Univ.4 ○ Shun Kanai1，Masahito Tsujikawa2，
Michihiko Yamanouchi1,2，Shoji Ikeda1,2，Yoshio Miura3,2，
Masafumi Shirai3,2，Fumihiro Matsukura4,2，Hideo Ohno1,2,4▲ 8 Tunnel magnetoresistance in lattice-mattched Co2FeAl/Mg-Al-O/CoFe
junctions
Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba1，
NIMS2 〇 Thomas Scheike1,2，Hiroaki Sukegawa2，Takao Furubayashi2，
Zhenchao Wen2，Koichiro Inomata2，Seiji Mitani1,2▲ 9 Interfacial Exchange Coupling of Mn3Ga/Co2FeZ (Z=Al, Si) Heusler△		 Bilayers
WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University1，
Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering,Tohoku University2 〇 Reza Ranjbardizaj1,2，Shigemi Mizukami1，
Qinli Ma1，Atsushi Sugihara1，Kazuya Suzuki1，Xianmin Zhang2，
Yasuo Ando2，Terunobu Miyazaki1▲ 10 Exchange interaction in Co/Tb/Co trilayer structures
NIMS1，Univ. Tsukuba2，ESICMM3 〇 (M1)Qingyi Xiang1,2,3，
Seiji Mitani1,2,3，Zhenchao Wen2,3，Hiroaki Sukegawa2,3-----------------------------------------------------------------------------------10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）
9 月 17 日 13:30 〜 13:52
17p-S2 - 1 〜 11

ショートプレゼンテーション（各 2 分）13:30 〜 13:52

17p-S2 - 1 〜 11

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00（PB 会場）

1 有機金属分解 (MOD) 法によりガラス基板上に作製した Nd0.5Bi2.5Fe4GaO12
薄膜の磁気光学特性及び膜厚依存性
長岡技科大 ○婁 庚健，吉田和彦，石橋隆幸
2 有機金属分解（MOD）法によって GGG(111) 基板上に作製した Bi2.5Nd0.5Fe5yGayO12 (y=0, 0.5, 1) 薄膜の評価
長岡技科大 ○佐々木教真，箸中貴大，目黒 燎，
二宮 南，婁 庚健，石橋隆幸▲ 3 The magnetization process in Fe3O4/Cr/Fe systems○
Tomohiro Kawai，Nozomi Takahashi，
Hokkaido Univ.
Takashi Yanase，Taro Nagahama，Toshihiro Shimada

（ 83
83 ）

10

スピントロニクス・マグネティクス▲ 4 Fabrication of CoFe2O4/LiTi2O4 multilayers by molecular beam epitaxy
Hokkaido Univ.1，Hokkaido Univ.2 ○ Takuya Takagi1，
Taro Nagahama2，Toshihiro Simada2
5 ZnO 磁気ナノ微粒子の遷移金属ドープ効果と XAFS 測定
横国大院工 兵藤公美典，蜂巣将也，森 一将，森本翔大，
山崎貴大，塩路直樹，○一柳優子
6 遷移金属を共ドープした希薄磁性半導体アナターゼ型 TiO2ナノ微粒子の作製
横国大院工 蜂巣将也，森 一将，兵藤公美典，
森本翔大，山崎貴大，○一柳優子△ 7 磁気ハイパーサーミアに向けた酸化鉄ナノ微粒子の作製と発熱特性
横国大院工 ○森 一将，蜂巣将也，兵藤公美典，
森本翔大，山崎貴大，一柳優子
8 磁気ハイパーサーミア用 Mn-Zn ferrite ナノ微粒子の作製及び分散性の向上
横国大院工 山崎貴大，蜂巣将也，○森 一将，
兵藤公美典，森本翔大，一柳優子
9 Co2Fe(Al,Si)/n-GaAs 接合における非局所スピンシグナル○
手束展規，斉藤達哉，及川楓吾，松浦昌志，杉本 諭
東北大工
10 異方性磁気抵抗 (AMR) 効果の直感的説明とハーフメタリック強磁性体の必要条件「負の AMR」
静大工 1，東北大工 2 ○古門聡士 1，北川佑太 1，角田匡清 2
11 Cr(001) 下地上に作製した MnGa(001) 極薄膜の垂直磁気特性
東北大 WPI-AIMR ○鈴木和也，杉原 敦，水上成美，宮崎照宜
12 〜 34 13:52 〜 14:38（10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術）
35 〜 43 14:38 〜 14:56（10.3 GMR・TMR・磁気記録技術）
44 〜 48 14:56 〜 15:06（10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス）-----------------------------------------------------------------------------------10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）
9 月 18 日 9:00 〜 11:45
18a-S2 - 1 〜 11

1 第一原理計算による Fe/Cu 薄膜の電子状態解析
東大理 1，東大物性研 2，東工大総理工 3 ○立津慶幸 1，
常行真司 1,2，合田義弘 1,3△ 2 巨大保磁力をもつイプシロン型酸化鉄の理論解析
東大理 1，東大物性研 2，東工大総理工 3 ○平井大介 1，
常行真司 1,2，合田義弘 1,3▲ 3 Magnetic properties of Co thin films on low melting point glass for highpolarized spin injection devices
Hokkaido Univ. ○ Takahiro Misawa，Sumito Mori，
Haruya Kasa，Hideo Kaiju，Junji Nishii
4 スパッタ製膜時の酸素流量比によるセリウム置換イットリウム鉄ガーネットの磁気光学効果の変化
東京農工大工 ○服部貴也，清水大雅▲ 5 Magnetic Pinning in a d 0 Ferromagnet/Superconductor Nanocomposite
Kobe Univ ○ Takashi Uchino，Yuki Uenaka，Haruka Soma，
Takahiro Sakurai，Hitoshi Ohta
6 CoxMn4-x N 薄膜における磁気特性の Co/Mn 比依存性○
安富陽子，伊藤啓太，具志俊希，都甲 薫，末益 崇
筑波大院電子物理
7 くの字型及び円弧状 Fe4N 強磁性細線の作製と磁区観察
筑波大院数理物質 1，物材機構 2 ○具志俊希 1，伊藤啓太 1，
安富陽子 1，都甲 薫 1，大里啓孝 2，杉本喜正 2，
浅川 潔 1，太田憲雄 1，本多周太 1，末益 崇 1
8 Cox Fe4-xN(x = 0, 1, 3) エピタキシャル膜のメスバウアー測定
学振 1，筑波大電子物理 2，東北大電子工学 3 ○伊藤啓太 1,2,3，
佐内辰徳 2，安富陽子 2，具志俊希 2，都甲 薫 2，
柳原英人 2，角田匡清 3，喜多英治 2，末益 崇 2▲ 9 Structural, magnetic and transport properties of (Mn1-xCox)2VGa thin films
prepared by magnetron sputtering
IMR, Tohoku Univ.1，NIMS2，KEK3 ○ Tomoki Tsuchiya1，
Tomoko Sugiyama1，Takahide Kubota1，Issei Narita1，
Masaki Mizuguchi1，Tetsuro Ueno2，Nobuhito Inami3，
Kanta Ono3，Koki Takanashi1
10 L10 オーダーを制御した FePt 薄膜の Fe L2,3 吸収端 X 線磁気円二色性
東大理 1，東北大金研 2，KEK-PF3 ○石上啓介 1，芝田悟朗 1，関 剛斎 2，
高橋文雄 1，門野利治 1，坂本祥哉 1，小出常晴 3，高梨弘毅 2，藤森 淳 1
11 高輝度・高スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡による CoNi 多層膜の垂直磁化特性の観察
阪電通大エレ研 1，お茶の水大 2，阪大工 3，アリゾナ州立大 4 鈴木雅彦 1，
工藤和恵 2，小島一希 3，○安江常夫 1，阿久津典子 1，Dino W.A.3，
笠井秀明 3，Bauer E.4，越川孝範 1-----------------------------------------------------------------------------------10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術
9 月 17 日 13:52 〜 14:38
17p-S2 - 12 〜 34

ショートプレゼンテーション（各 2 分）13:52 〜 14:38

17p-S2 - 12 〜 34

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00（PB 会場）

1 〜 11 13:30 〜 13:52（10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等））
12 磁場中熱処理した Ni80Fe20薄膜を用いたスピンポンピング
大阪市大院工 1，大阪市大工 2，大阪市大院理 3 ○（M1）下菊秀記 1，
花山直之 2，手木芳男 3，辻本浩章 1，仕幸英治 1▲ 13 Quantitative investigation of long-range spin transport in n-type Si atroom temperature
Osaka Univ.1，Kyoto Univ.2，TDK Co.3，AIT4 ○（D）Makoto Kameno1,2，
Yuichiro Ando2，Teruya Shinjo2，Masashi Shiraishi2，Yuto Koike3，
Tomoyuki Sasaki3，Tohru Oikawa3，Toshio Suzuki4
14 Co/GaN ショットキー接合における室温でのスピン注入の非局所検出阪大産研 山口明哲，○長谷川繁彦▲ 15 Observation of spin wave resonances in nano-scale single magnetic dots
using high sensitivity ferromagnetic resonance based on microwave
interferometer
AIST ○ Shingo Tamaru，Hitoshi Kubota，Kay Yakusiji，Akio Fukushima，Shinji Yuasa▲ 16 Ferromagnetic resonance of CoFeB detected by tunnel anisotropic△		 magnetoresistance
Osaka Univ. ○（M1）Shohei Hatanaka，Shinji Miwa，Kensho Matsuda，
Kohei Nawaoka，Kazuhito Tanaka，Hiroki Morishita，Norikazu Mizuochi，Teruya Shinjo，Yoshishige Suzuki▲ 17 Spin-torque-induced magnetic resonance in Fe nanoparticles
Osaka Univ. ○ Shinji Miwa，Kensho Matsuda，Kohei Nawaoka，Norikazu Mizuochi，Teruya Shinjo，Yoshishige Suzuki▲ 18 Nonlinear stochastic spin-dynamics in CoFeSiB under spin-torqueexcitation
Osaka Univ.1，AIST2 Hiroyuki Tomita1,2，○ Shinji Miwa1,2，
Mariko Umeyama1，Hitoshi Kubota2，Rie Matsumoto2，
Kay Yakushiji2，Akio Fukushima2，Shinji Yuasa2，
Norikazu Mizuochi1，Teruya Shinjo1，Yoshishige Suzuki1,2
19 回転核磁気共鳴におけるベリー位相
原子力機構先端研 1，東北大金研 2 ○（PC）針井一哉 1，中堂博之 1，
小野正雄 1，松尾 衛 1，家田淳一 1，岡安 悟 1，
安岡弘志 1，前川禎通 1，齊藤英治 1,2▲ 20 Spin wave spectroscopy in Au/ultrathin-Fe/MgO structure using vector
network analyzer
Osaka Univ.1，JST-CREST2 ○ Yoichi Shiota1,2，Shinji Miwa1,2，
Norikazu Mizuochi1，Teruya Shinjo1，Yoshishige Suzuki1,221 静磁表面波の群速度の磁性層厚依存性
福岡大理 1，物材機構 2 ○（M1）太田雅己 1，葛西伸哉 2，三谷誠司 2，眞砂卓史 1
22 静磁表面スピン波の非相反性の磁性層厚依存性
福岡大理 1，物材機構 2 ○（M1）中山真伎 1，葛西伸哉 2，三谷誠司 2，眞砂卓史 1▲ 23 Magnetization Precession with Low Damping for Perpendicularly
Magnetized L 10-FePd Films Grown on SrTiO3 Substrates
Tohoku Univ.1，WPI-AIMR, Tohoku Univ.2 ○ Satoshi Iihama1，
Shigemi Mizukami2，Hiroshi Naganuma1，Mikihiko Oogane1，
Terunobu Miyazaki2，Yasuo Ando1
24 High Power Laser Induced spin precessional dynamics of CoFeB Films
東北大院工 1，東北大 WPI2 ○佐々木悠太 1，水上成美 2，飯浜賢志 1，
永沼 博 1，大兼幹彦 1，宮﨑照宜 2，安藤康夫 1
25 Observation of spin-Seebeck effect in cobalt-ferrite epitaxial thin film
WPI-AIMR Tohoku Univ.1，IMR Tohoku Univ.2，JST-PRESTO3，
JST-CREST4，JAEA5，Univ. of Tsukuba6 ○新関智彦 1，
吉川貴史 2，内田健一 2,3，齊藤英治 1,2,4,5，岡美嶺人 6，
鈴木和也 6，柳原英人 6，喜多英治 626 大気中熱処理によるスピンゼーベック起電力の向上
デンソー 1，東北大工 2 ○才賀裕太 1，水沼広太郎 1，河野 欣 1，
柳 淀春 2，小野宏史 2，好田 誠 2，奥野英一 127 常磁性状態におけるバーネット効果の観測
原子力機構先端研 1，東北大金研 2 ○小野正雄 1，針井一哉 1，岡安 悟 1，
中堂博之 1，松尾 衛 1，家田淳一 1，前川禎通 1，齊藤英治 2,1
28 磁性絶縁体における電流駆動磁気緩和の変調
東北大金研 1，東北大 WPI-AIMR2，デルフト工科大 3○
千葉貴裕 1，Gerrit Bauer1,2,3，高橋三郎 1
29 磁壁対消滅磁場測定を用いたジャロシンスキー・守谷相互作用の見積もり
京大化研 1，電通大情報理工 2 ○平松 亮 1，Kabjin Kim1，
仲谷栄伸 2，森山貴広 1，小野輝男 1▲ 30 Interface-dependent magnetotransport properties for thin Pt lms on△		 ferrimagnetic Y3Fe5O12
IMR, Tohoku Univ.1，WPI-AIMR, Tohoku Univ.2，RIEC, Tohoku Univ.3，
PRESTO4，CREST5，ASRC, JAEA6 ○ Yuki Shiomi1，Takashi Ohtani1，
Satoshi Iguchi1，Takahiko Sasaki1，Zhiyong Qiu2，
Hiroyasu Nakayama1,3，Ken-ichi Uchida1,4，Eiji Saitoh1,2,5,6▲ 31 Anomalous Nernst and Hall effects in Mn-Ga-Co epitaxial thin films
Tohoku Univ. ○ Masaki Inoue，Masaki Mizuguchi，Tomoko Sugiyama，Takahide Kubota，Koki Takanashi
32 Magnetic and electrical transport properties of Mn2CoAl Heusler alloy
thin films
東北大金研 ○窪田崇秀，杉山知子，高梨弘毅
33 A study of FANOUT function in current driven spin memory and logic
豊田工大 ○前田龍幸，粟野博之，兼平冬馬34 漏洩磁場を用いたスピン量子十字デバイスの磁気特性
北大電子研 1，茨大工 2 ○森 澄人 1，三澤貴浩 1，笠 晴也 1，
小峰啓史 2，阿部太郎 1，海住英生 1，西井準治 1
35 〜 43 14:38 〜 14:56（10.3 GMR・TMR・磁気記録技術）
44 〜 48 14:56 〜 15:06（10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス）------------------------------------------------------------------------------------

（ 84
84 ）

10

10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術
9 月 20 日 9:00 〜 15:00
20a-S2 - 1 〜 12

▲ 1 [Young Scientist Oral Presentation Award Speech]（15min.）
Thermal stability and critical current for domain wall motion in
nanowire
CSIS, Tohoku Univ.1，CIES, Tohoku Univ.2，RIEC, Tohoku Univ.3，
WPI-AIMR, Tohoku Univ.4 ○ Shunsuke Fukami1,2，
Michihiko Yamanouchi1,3，Shoji Ikeda1,2,3，Hideo Ohno1,2,3,4▲ 2 Current and field induced domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO/Ta wire△		 Laboratoty for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku University1，
CSIS, Tohoku University2，CIES, Tohoku University3，WPI-AIMR,
Tohoku University4 〇 Samik Duttagupta1，Shunsuke Fukami2,3，Michihiko Yamanouchi1,2，Chao Ling Zhang1，Hideo Sato2,3，
Fumihiro Matsukura1,2,4，Hideo Ohno1,2,3,4▲ 3 Device size dependence of magnetization switching by spin-orbit torque△		 in Ta/CoFeB/MgO structure
RIEC, Tohoku Univ.1，CSIS, Tohoku Univ.2，CIES, Tohoku Univ.3，
WPI-AIMR, Tohoku Univ4 ○ Chaoliang Zhang1，Shunsuke Fukami2,3，
Hideo Sato2,3，Michihiko Yamanouchi1,2，Fumihiro Matsukura1,2,4，Hideo Ohno1,2,3,4
4 垂直磁化 MTJ を積層した多値 MRAM 素子
LEAP ○青木正樹，能代英之，角田浩司，射場義久，畑田明良，
中林正明，高橋 厚，山崎裕一，吉田親子，杉井寿博
5 同一温度にある複数の磁気抵抗素子におけるスピントルク磁化反転の相関性
産総研・ナノスピン 1，筑波大 2 関 貴之 2，○福島章雄 1，
薬師寺啓 1，久保田均 1，今村裕志 1，湯浅新治 1▲ 6 Contribution of rare-earth-substituted Yttrium Iron Garnet for the spinSeebeck effect
NEC1，IMR Tohoku Univ.2，JST-PRESTO3，WPI Tohoku Univ.4，
JAEA-ASRC5，JST-CREST6 ○ Yuma Iwasaki1，Masahiko Ishida1，
Akihiro Kirihara1，Ken-ichi Uchida2,3，Hiroko Someya1，
Kazuki Ihara1，Shigeru Komoto1，Eiji Saitoh2,4,5,6，
Tomoo Murakami1▲ 7 Atomistic calculations of the spin wave spectrum of YIG
WPI-AIMR, Tohoku University1，IMR, Tohoku University2，
Kavli Institute of NanoScience, Delft University of Technology3〇
Joseph Barker1，Gerrit Bauer1,2,3
8 表面音波を用いたスピン流生成理論
原子力機構先端研 1，JST-CREST2，東北大金研 3 ○松尾 衛 1,2，
家田淳一 1,2，針井一哉 1,2，齊藤英治 2,3，前川禎通 1,2▲ 9 Electrical detection of spin current in surface state of 3Dimensional
topological insulator
Grad. Sch. of Eng. Sci., Osaka Univ.1，Dep. of Electr. Sci. and Eng.,
Kyoto Univ.2，I. S. I. R., Osaka Univ.3 ○ Takahiro Hamasaki1，
Yuichiro Ando1,2，Takayuki Kurokawa1，Yang Fan3，
Novak Mario3，Satoshi Sasaki3，Kouji Segawa3，
Yoichi Ando3，Masashi Shiraishi1,210 核磁気共鳴法による核バーネット効果の観測
原子力機構 1，東北大 2 ○（PC）中堂博之 1，小野正雄 1，針井一哉 1，
松尾 衛 1，家田淳一 1，岡安 悟 1，安岡弘志 1，
前川禎通 1，齊藤英治 1,2▲ 11 Spin-Wave Propagation Detected using All-Optical TR-MOKE Microscopein Permalloy Films
Tohoku Univ.1，WPI-AIMR, Tohoku Univ.2 ○ Satoshi Iihama1，
Shigemi Mizukami2，Motoki Endo1，Yuta Sasaki1，
Atsushi Sugihara2，Hiroshi Naganuma1，Mikihiko Oogane1，
Terunobu Miyazaki2，Yasuo Ando1▲ 12 Spin wave propagation in magnetic bilayers with L10-MnGa
WPI-AIMR, Tohoku Univ.1，Tohoku Univ.2 ○ Shigemi Mizukami1，
Takahide Kubota1，Reza Ranjbar1,2，Satoshi Iihama2，
Atsushi Sugihara1，Qinli Ma1，Yasuo Ando2，
Kazuya Suzuki1，Xianmin Zhang1，Terunobu Miyazaki1

昼

20p-S2 - 1 〜 8

食12:00 〜 13:00▲ 1 3T-Hanle signals of Fe/SiO2/Si junctions measured with various magnetic
field directions
EEIS, Univ. of Tokyo1，IIIEE, Univ. of Tokyo2 ○ Shoichi Sato1，
Ryosho Nakane1,2，Masaaki Tanaka1
2 三端子 Hanle 信号の理論的解析
東大工電気 1，東大工国際工学教育推進 2 ○佐藤彰一 1，
中根了昌 1,2，田中雅明 1▲ 3 Gate control of spin-valve signal and Hanle signal in GaAs observed by a△		 four-terminal nonlocal geometry
Graduate School of Infomation Science and Technology,
Hokkaido University ○ Takumi Miyakawa，Takafumi Akiho，Yuya Ebina，Masafumi Yamamoto，Tetsuya Uemura▲ 4 Weak anti-localization in CuPt thin films with different Pt concentrations
Tohoku university ○（M2）Hiroshi Ono，Ryu Ryu，
Makoto Kohda，Junsaku Nitta

スピントロニクス・マグネティクス▲ 5 Thickness dependence of spin relaxation in polycrystalline AlO / Pt /△		 GaAs
Tohoku Univ. ○ Jeongchun Ryu，Makoto Kohda，Junsaku Nitta▲ 6 Dynamical spin injection into highly-orientated Bi(001) thin film
Osaka Univ.1，Kyoto Univ.2，Osaka City Univ.3，Univ. ofElectro-Communications4 ○（M2）Hiroyuki Emoto1，
Yuichiro Ando2，Eiji Shikoh3，Yuki Fuseya4，
Teruya Shinjo2，Kohei Hamaya1，Masashi Shiraishi2▲ 7 Spin-charge conversion in single-layer graphene at room temperature△
Osaka Univ.1，Kyoto Univ.2，Kyushu Univ.3 ○（M1）Ryo Ohshima1，
Atsushi Sakai1，Yuichiro Ando1,2，Teruya Shinjo1,2，Kohei Hamaya1，
Kenji Kawahara3，Hiroki Ago3，Masashi Shiraishi1,2▲ 8 Spin transport in n-type Germanium epilayers at room temperature.
Osaka Univ.1，Kyoto Univ.2，Univ. of Warwick3 〇 (D)Sergey Dushenko1，
Mariko Koike1，Yuichiro Ando1,2，Maksym Myronov3，
Masashi Shiraishi1,2-----------------------------------------------------------------------------------10.3 GMR・TMR・磁気記録技術
9 月 17 日 14:38 〜 14:56
17p-S2 - 35 〜 43

ショートプレゼンテーション（各 2 分）14:38 〜 14:56

17p-S2 - 35 〜 43

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00（PB 会場）

1 〜 11 13:30 〜 13:52（10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）
12 〜 34 13:52 〜 14:38（10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術）▲ 35 Annealing temperature dependence of properties of magnetic tunnel
junction with perpendicular easy axis using MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO
recording structure
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku Univ.1，
CSIS, Tohoku Univ.2，CIES, Tohoku Univ.3，WPI AIMR, Tohoku Univ.4〇 (P)Eli Enobio1,2，Hideo Sato2,3，Shunsuke Fukami2,3，Shoji Ikeda1,2,3，
Fumihiro Matsukura4,1,2，Hideo Ohno1,2,3,4
36 CoFeB センシング層を適用したセンサ用磁気トンネル接合における磁気特性の MgO キャップ層膜厚依存性
超低電圧デバイス技術研究組合 ○津嵜陽亮，長永隆志，古川泰助，
吉田親子，山崎裕一，青木正樹，射場義久，高橋 厚，角田浩司，
中林正明，能代英之，畑田明良，吉田幸久，佐竹徹也，杉井寿博▲ 37 Bias current density dependence of CPP-GMR ratio in Co 2(Fe, Mn)Si
Heusler alloy based junctions
IMR, Tohoku Univ.1，NIMS2 ○ Hiroyuki Narisawa1，Takahide Kubota1，
Yuya Sakuraba2，Koki Takanashi1
38 Tunnel Magnetoresistance Effect in Magnetic Tunnel Junctions using
Perpendicularly Magnetized [Co75Fe25/Pd] Multilayer
東北大院工 ○向山広記，永沼 博，大兼幹彦，安藤康夫▲ 39 Detection of paramagnetic particle using spin-torque oscillator
AIST Spintronics Research Center1，Osaka Univ.2 ○ Hiroyuki Tomita1,2，
Hitoshi Kubota1，Shinji Miwa2，Akio Fukushima1，
Shinji Yuasa1，Yoshishige Suzuki2
40 Micromagnetics simulation of mode jump driven by high d.c. spinpolarized current in vortex nano-oscillator
東北大 Demiray Ahmet，河田祐紀，○永沼 博，大兼幹彦，安藤康夫▲ 41 Magnetization Reversal in Perpendicularly Magnetized L 1 0 -FePt /Permalloy Nanodots under RF Field Application
IMR, Tohoku Univ.1，AIST2 ○ Weinan Zhou1，Takeshi Seki1，
Hiroko Arai2，Hiroshi Imamura2，Koki Takanashi1
42 Co/Alq3/Ni75 Fe25 接合における交流インピーダンス特性
北大電子研 ○（M2）坂下友規，釜谷悠介，海住英生，近藤憲治，石橋 晃
43 Structural and Magnetic Properties of L 10-MnAl/Co Multilayer
東北大院工 ○栗本雄太，猿山陽鏡，大兼幹彦，永沼 博，安藤康夫
44 〜 48 14:56 〜 15:06（10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス）-----------------------------------------------------------------------------------10.3 GMR・TMR・磁気記録技術
9 月 19 日 9:00 〜 11:45
19a-S2 - 1 〜 11

▲ 1 Impact of Selection of Metallic Elements in Oxides on Voltage-induced
Change of Interface Magnetic Anisotropy of CoFeB/MOx
The Univ. of Tokyo ○ Ryusuke Oishi，Koji Kita
▲ 2 Electric field modulation of magnetization in MgO/Co/Pt structure
ICR, Kyoto Univ.1，The Univ. of Tokyo2 ○ Kihiro Yamada1，
Haruka Kakizakai1，Tomohiro Koyama2，Masashi Kawaguchi1，
Takahiro Moriyama1，Daichi Chiba2，Teruo Ono1
▲ 3 Voltage induced anisotropy change in FeGd△
Osaka Univ.1，CREST2 ○（M1）Kazuhito Tanaka1,2，Shinji Miwa1,2，
Yoichi Shiota1,2，Eiiti Tamura1，Norikazu Mizuochi1，
Teruya Shinjo1，Yoshishige Suzuki1,2▲ 4 Stabilization of self-oscillation in spin torque oscillator by field-liketorqueAIST1，CNRS2 ○ Tomohiro Taniguchi1，Sumito Tsunegi2，
Hitoshi Kubota1，Hiroshi Imamura1

（ 85
85 ）

10

スピントロニクス・マグネティクス▲ 5 Enhancement of spin-torque diode sensitivity at high-frequency byutilizing dynamic coupling of free and reference layers
AIST ○ Rie Matsumoto，Hitoshi Kubota，Yamaji Toshiki，Hiroko Arai，
Hiroshi Imamura，Kay Yakushiji，Akio Fukushima，Shinji Yuasa▲ 6 Synchronized Oscillation with Narrow Spectral Linewidth in a Dual FreeLayer Heusler-Alloy-Based Spin-Torque Oscillator
Toshiba Co. RDC ○ Tazumi Nagasawa，Kiwamu Kudo，Hirofumi Suto，
Michinaga Yamagishi，Koichi Mizushima，Rie Sato
▲ 7 Junction size dependence of intrinsic critical current and thermal
stability factor of MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure
CSIS, Tohoku Univ.1，CIES, Tohoku Univ.2，Lab. for Nanoelectronics
and Spintonics, RIEC, Tohoku Univ.3，WPI-AIMR, Tohoku Univ.4○
Hideo Sato1,2，Eli Enobio1,3，Michihiko Yamanouchi1,3，
Shoji Ikeda1,2,3，Shunsuke Fukami1,2，
Fumihiro Matsukura4,1,3，Hideo Ohno1,2,3,4△ 8 In-plane anisotropy in a CoFeB-MgO magnetic tunnel junction detectedby magnetoresistance
東北大通研 1，東北大 CSIS2，東北大 CIES3，東北大 WPI-AIMR4○
平山絵里子 1，金井 駿 1，佐藤英夫 2,3，松倉文礼 2,4，大野英男 1,2,3,4▲ 9 Improvement of Annealing Stability in Magnetic Sensors Based on
Magnetic Tunnel Junction by Using CoFeB/CoFeAlB Sensing Bilayer
Tohoku Univ.1，DENSO CORP.2 ○（D）Takafumi Nakano1，
Mikihiko Oogane1，Hiroshi Naganuma1，
Toshifumi Yano2，Kenichi Ao2，Yasuo Ando1▲ 10 Fabrication of Magnetic Tunnel Junctions with Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler
Alloy for Magnetic Field Sensor Devices
Tohoku Univ. ○ Atsuo Ono，Mikihiko Oogane，Hiroshi Naganuma，Yasuo Ando
11 Ni/Al/Ni 単一電子トランジスタにおけるトンネル磁気抵抗の静電的な極性制
御電通大先進理工 小林竜介，○辻道尚貴，島田 宏-----------------------------------------------------------------------------------10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス
9 月 17 日 14:56 〜 15:06
17p-S2 - 44 〜 48

ショートプレゼンテーション（各 2 分）14:56 〜 15:06

17p-S2 - 44 〜 48

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00（PB 会場）

1 〜 11 13:30 〜 13:52（10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）
12 〜 34 13:52 〜 14:38（10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術）
35 〜 43 14:38 〜 14:56（10.3 GMR・TMR・磁気記録技術）
44 時間分解 STM を用いた半導体電子スピンダイナミクス計測
筑波大 ○吉田昭二，Wang Zi-han，奥山久佳，武内 修，重川秀実▲ 45 A spin-rotation interferometer
ISSP, Univ. Tokyo Yu Iwasaki，Taketomo Nakamura，
Yoshiaki Hashimoto，Yasuhiro Iye，○ Shingo Katsumoto▲ 46 The effect of F-doping on magnetism in diluted magnetic semiconductor(Zn,Co)O thin films
Grad. School of Pure & Appl. Sci., Univ. Tsukuba○（M2）
Ryo Ishikawa，Ryota Akiyama，Shinji Kuroda
47 MBE 成長した三元化合物 (Mn,Cr)Te 薄膜の結晶構造と磁性
筑波大院数理物質 ○（M1）伊藤 晃，金澤 研，黒田眞司
48 有機強誘電体 P(VDF-TrFE) を用いた Ce 添加 Si 薄膜の伝導制御
大阪府大院工 ○宮田祐輔，植野和也，吉村 武，芦田 淳，藤村紀文-----------------------------------------------------------------------------------10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス
9 月 19 日 13:15 〜 17:15
19p-S2 - 1 〜 15

1 Fe/AlOx電極による (110)GaAs QW への室温高電流密度スピン注入
奈良先端大物質 1，東工大像情報 2 ○横田信英 1，青島洋平 1，
池田和浩 1，西沢 望 2，宗片比呂夫 2，河口仁司 1▲ 2 Spin injection from epitaxially grown Fe into an InAs quantum well
ISSP, Univ. Tokyo Yoshiaki Hashimoto，Taketomo Nakamura，Yasuhiro Iye，○ Shingo Katsumoto▲ 3 Electrical detection of nuclear magnetic resonance in GaAs using△		 transient oblique Hanle signals
Division of Electronics for Informatics, Hokkaido Univ.
○
Takafumi Akiho，Yuya Ebina，Masafumi Yamamoto，Tetsuya Uemura▲ 4 Observation of Reflection and Tunnel Effect in Photoinduced Spin Waves△		 by Spatio-Temporally Resolved Imaging
Univ. of Tokyo1，Kyushu Univ.2 ○（D）Isao Yoshimine1，
Takuya Satoh2，Tsutomu Shimura1▲ 5 Observation of spin relaxation in Be-doped InGaAsP by time-resolved△		 pump and probe measurement (10-300 K)
Waseda Univ.1，SINANO-CAS2 ○ Hao Wu1，Ryo Harasawa1，
Naoki Yamamoto1，Takanori Aritake1，Shulong Lu2，
Lian Ji2，Atsushi Tackeuchi1△ 6 ポンププローブ反射計測による Be ドープ GaAs のスピン緩和の観測
早大理工 1，SINANO-CAS2 ○有竹貴紀 1，原澤 遼 1，山本直輝 1，
Hao Wu1，Shulong Lu2，Pan Dai2，竹内 淳 1△ 7 低温成長 GaAs の伝導帯 - カーボンアクセプター間遷移でのスピン緩和
早大先進理工 1，SINANO-CAS2 ○（M2）本多一輝 1，安江雄也 1，
浅川将輝 1，Lu Shulong2，Dai Pan2，竹内 淳 1

休憩

15:00 〜 15:15▲ 8 Modulation of spin precession frequency by spin relaxation anisotropy in△		 a (110) GaAs/AlGaAs quantum well
Tohoku Univ.1，RIEC, Tohoku Univ.2，Tsukuba Univ.3，WPI-AIMR,
Tohoku Univ.4 ○ Asuka Aoki1，Makoto Kohda1，Jun Ishihara2，
Yuzo Ohno3，Fumihiro Matsukura2,4，Hideo Ohno2,4，Junsaku Nitta1▲ 9 Detection of the exact persistent spin helix state using drift spin transport
in GaAs quantum well
NTT BRL1，Tohoku Univ.2 ○ Yoji Kunihashi1，Haruki Sanada1，
Hideki Gotoh1，Koji Onomitsu1，Makoto Kohda2，
Junsaku Nitta2，Tetsuomi Sogawa1▲ 10 Determination of spin-orbit interaction coefficients under persistent and△		 inverse persistent spin helix states in an InGaAs/InAlAs quantum well
Tohoku Univ. ○ Kohei Yoshizumi，Atsuya Sasaki，Makoto Kohda，Junsaku Nitta▲ 11 Room temperature spin relaxation in InGaAs quantum wells
1
2○
Chiba Univ. ，Tokushima Univ.
Ken Morita1,2，Ryota Kurosawa1，
Tatsuya Oda2，Yoshihiro Ishitani1，Takahiro Kitada2，Toshiro Isu2
12 Monte Carlo 法に基づく InGaAs 系量子井戸中スピン偏極の空間マッピング
千葉大院工 ○（M1）黒澤亮太，森田 健，石谷善博
13 顕微ポンプ・プローブ法による (110)InGaAs/InAlAs MQW の電子スピン緩和時間測定
奈良先端大物質 ○横田信英，安田祐介，池田和浩，河口仁司▲ 14 Spin-injection dynamics via tunneling from InGaAs quantum wells intoquantum dots; dependence of tunneling-barrier thickness
Graduate School of Information Science and Technology,
Hokkaido University ○（M2）Takafimi Yamamura，
Xiaojie Yang，Takayuki Kiba，Junichi Takayama，Subagyo Agus，Kazuhisa Sueoka，Akihiro Murayama▲ 15 Magnetization Process of the n -type Ferromagnetic Semiconductor (In,Fe)
As:Be Studied by X-ray Magnetic Circular Dichroism
Univ. of Tokyo1，JAEA2，IMSS3 ○ Shoya Sakamoto1，Anh Le Duc1，
Hai Pham Nam1，Goro Shibata1，Yukio Takahashi1，
Yukiharu Takeda2，Masaki Kobayashi3，Tsuneharu Koide3，
Masaaki Tanaka1，Atsushi Fujimori1-----------------------------------------------------------------------------------10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス
9 月 20 日 9:00 〜 12:00
20a-S10 - 1 〜 12

▲ 1 Structural analysis of group-IV-based ferromagnetic semiconductor GeFe△		 by MeV-ion channeling
The University of Tokyo ○（D）Yuki Wakabayashi，Shinobu Ohya，Yoshisuke Ban，Masaaki Tanaka▲ 2 Origin of ferromagnetism in GaMnAs from a new theoretical viewpoint
Graduate School of Engineering, Osaka University1，Graduate School ofEngineering Science, Osaka University2 〇 Van An Dinh1，
Kazunori Sato1，Hiroshi Katayama-Yoshida2，
Tomoyuki Kakeshita1▲ 3 Identification of impurity band and valence band in GaMnAs by△		 tunneling anisotropic magnetoresistance spectroscopy
Univ. of Tokyo ○（PC）Iriya Muneta，Toshiki Kanaki，Shinobu Ohya，Masaaki Tanaka▲ 4 Study of Cr impurity states in diluted magnetic semiconductor (Zn,Cr)Te
by STM/STS
Univ. of Tsukuba ○ Taku Nishimura，Ken Kanazawa，
Shoji Yoshida，Hidemi Shigekawa，Shinji Kuroda▲ 5 Spin dynamics induced by linearly-polarized-pump lights in△		 ferromagnetic semiconductor GaMnAs
Univ. of Tokyo1，Radboud Univ. Nijmegen2 ○（M2）Tomoaki Ishii1，
Tadashi Kawazoe1，Yusuke Hashimoto2，Iriya Muneta1，
Motoichi Ohtsu1，Masaaki Tanaka1，Shinobu Ohya1▲ 6 Estimation of the off-diagonal element of the dielectric tensor of GaMnAs△
The Univ. of Tokyo ○ Hiroshi Terada，Shinobu Ohya，Masaaki Tanaka▲ 7 (Ga,Fe)Sb: a new p-type ferromagnetic semiconductor△
University of Tokyo 〇 Thanh Tu Nguyen，Nam Hai Pham，
Duc Anh Le，Masaaki Tanaka▲ 8 Enhancement of ferromagnetism by manipulating the wavefunctions in△		 n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As quantum wells
Tokyo univ. ○ Duc Anh Le，Nam Hai Pham，Yuichi Kasahara，
Yoshihiro Iwasa，Masaaki Tanaka
9 界面ナノ構造を利用した IV 族半導体への Mn δ ドーピング
1
2物材機構 ，筑波大院数物 ，JASRI3 ○三木一司 1,2，村田晃一 1,2，
新田清文 3，坪松悟史 1,2，金澤 孝 1,2，日塔光一 1，
坂田修身 1，寺田靖子 3，宇留賀朋哉 3▲ 10 Fabrication and magnetic resonance of Ferromagnetic Chiral Meta△		 molecules
GSMS-NAIST1，RIKEN SPring-8 Center2 ○ Toshiyuki Kodama1，
Satoshi Tomita1，Kei Sawada2，Nobuyoshi Hosoito1，Hisao Yanagi1

（ 86
86 ）

10

▲ 11 Magnetotransport properties of vertical spin valves of graphene/cobalt
junctions
JAEA ○ Shiro Entani，Hiroshi Naramoto，Seiji Sakai▲ 12 Observation of dark states in a superconductor diamond quantum hybrid△		 system
NTT BRL1，TU Wien2，Osaka Univ.3，NII4，NICT5○
Yuichiro Matsuzaki1，Zhu Xiab1，Robert Amsuss1,2，
Kousuke Kakuyanagi1，Takaaki Shimo-oka3，
Norikazu Mizuochi3，Kae Nemoto4，
Kouichi Semba5，William Munro1，
Shiro Saito1------------------------------------------------------------------------------------

11

超伝導

11. 超伝導9 月 18 日
18a-PB6 - 1 〜 34
18a-PB6 - 1 〜 34

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 MOD 法による非 c 軸配向 BSCCO 薄膜の作製
小山高専 1，長岡技科大 2 ○山田靖幸 1，森 夏樹 1，渥美太郎 1，石橋隆幸 22 希塩酸法によって生成された BiOCl の Bi2Sr2CaCu2Oy中の成長メカニズム
長岡技大極限センター 1，長岡技大電気系 2，情報通信研究機構 3○
小瀧侑央 1，西方 翼 2，川上 彰 3，加藤孝弘 2，安井寛治 2，鈴木常生 1，中山忠親 1，末松久幸 1，新原晧一 1
3 ビスマス系高温超伝導体単結晶を用いたブリッジ接合の作製
宇都宮大 1，長岡技科大 2 ○名和優志 1，小瀧侑央 2，加藤孝弘 2，八巻和宏 1，入江晃亘 1
4 テラヘルツ発振素子応用へ向けた直列接続固有接合メサ構造
宇都宮大工 ○倉成友理，田崎 翼，八巻和宏，入江晃亘
5 BSCCO-IJJ テラヘルツ発振器の特性評価方法の検討
茨城大 ○日澤光紘，坪内恒祐，島影 尚
6 接触抵抗が固有ジョセフソン接合の自己発熱へ与える影響
豊田高専 ○及川 大，岩塚伸矢，室谷英彰，杉浦藤虎，塚本武彦
7 BaPb1-xBixO3におけるテラヘルツ時間領域分光
京大工 ○鵜沢 旭，中川裕也，亀井裕太，松本雄介，鈴木 実，掛谷一弘
8 Sr2Ca(n-1)CunOy(n=2-4) を母相とする派生相における Tcの CuO 2面数依存性
長岡技大 ○（DC）青葉知弥，鈴木常夫，中山忠親，末松久幸，新原皓一
9 KOH flux 法を用いて低温合成した REBa2Cu3O7-δ の超伝導特性
島大総理工 ○奥西亮太，宮地優悟，舩木修平，山田容士
10 衝撃圧縮による Bi 系酸化物超伝導体のマイクロウィスカーの生成
東京工科大 1，熊本大 2，三重大 3，金沢工大 4，物材機構 5 ○富岡成矢 1，
正田貴弘 1，亀谷崇樹 2，真下 茂 2，遠藤民生 3，遠藤和弘 4，有沢俊一 5，鶴岡 誠 1，毛塚博史 1
11 (NH3)ySrxFeSe1-xTexの作製及び転移温度の組成依存性
東理大理 ○南田昌輝，小林友樹，川津那都美，金城達矢，
石井 慧，西尾太一郎
12 Ca-(Nb1-xVx)-O 系酸化物の物性、導電特性の組成依存○
東京理科大 井手本康， 森 祥基，北村尚斗，石田直哉
13 スピネル構造材料 CoFe2O4添加 YBa 2Cu3Oy 薄膜における表面形状及び結晶成長
名大工 ○曽田昇吾，一野祐亮，吉田 隆
14 金属オクチル酸塩を用いたフッ素フリー MOD 法による（Gd,Dy）Ba2Cu3Oy
超伝導薄膜の作製
静大院工 1，首都大院工 2，九大院工 3 ○山内亮平 1，喜多隆介 1，
大津陽一 2，久保勇人 2，三浦大介 2，山田和広 3，金子賢治 3
15 フッ素フリー MOD 法による Gd 系超伝導薄膜への RE 混晶化効果
静大院工 1，首都大院工 2，九大院工 3 ○廣岡健太 1，喜多隆介 1，
大津陽一 2，久保勇人 2，三浦大介 2，山田和広 3，金子賢治 3
16 MOD 膜を用いた液相 - 固相成長法による薄膜の作製
静岡大院工 1，首都大院工 2，九州大院工 3 ○片柳聡史 1，喜多隆介 1，
大津陽一 2，三浦大介 2，久保勇人 2，山田和広 3，金子賢治 3
17 フッ素フリー MOD-GdBCO 膜形成における Ho 添加濃度依存性
静岡大院 1，首都大学東京院 2，九大院 3 ○鈴木 寛 1，喜多隆介 1，
三浦大介 2，大津陽一 2，久保勇人 2，山田和広 3，金子賢治 3
18 メッシュ法を用いた磁束クリープ・フローモデルのパラメータ解析における評価方法の検討
九工大 ○増田嘉道，小田部荘司，木内 勝
19 形状を変化させた MgB2 超伝導バルク磁石における捕捉磁界の有限要素法による評価
九工大 ○水上総司，吉富邦和，小田部荘司，木内 勝，松下照男
20 MgB2超電導バルク磁石の機械加工と捕捉磁場特性
鉄道総研 1，東大 2，さきがけ 3 ○石原 篤 1，赤坂友幸 1，富田 優 1，
山本明保 2, 3，杉野 翔 2，岸尾光二 2
21 積層したリング状バルク超電導体における磁束密度分布評価
鉄道総研 1，東大 2 ○富田 優 1，福本祐介 1，石原 篤 1，
赤坂友幸 1，関野正樹 2，大崎博之 2
22 バルク超伝導体上に浮上した磁性流体吸着磁石の振動周波数依存性
秋田県立大 ○二村宗男，進藤 諒，中西喬洋，須藤誠一
23 MeV イオン照射 YBCO 薄膜における Jc の磁場角度依存性
産総研 ○松井浩明，小木曽久人，山崎裕文，相馬 貢，
山口 巌，熊谷俊哉，真部高明

スピントロニクス・マグネティクス
11 超伝導24 BaSnO3ナノロッドと空間分布制御した Y 2O3ナノ粒子を含む YBa 2Cu3Oy薄膜のピンニング特性
熊大工 ○末吉哲郎，戸木田裕貴，藤吉孝則，光木文秋，池上知顯△ 25 磁気モーメントのベクトル測定による斜め磁界中における REBCO 線材の磁化特性の評価九大シス情 1，ISTEC2 ○小野寺優太 1，今村和孝 1，東川甲平 1，
井上昌睦 1，吉積正晃 2，和泉輝郎 2，木須隆暢 1▲ 26 Systematic magnetic Jc study on iron-pnictide superconductor K, Co andP doped BaFe2As2
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology1，
Tokyo University of Science2 〇 Dongjoon Song1，Shigeyuki Ishida1，
Yoshiyuki Yoshida1，Hiroshi Eisaki1，Yoshinori Tsuchiya1，
Akira Ishii2，Taichiro Nishio2，Kunihiro Kiho1，
Chul-ho Lee1，Yasunori Mawatari1
27 進行波型超伝導パラメトリック増幅器開発に向けたカイネティックインダク
タンス非線形性の評価
静大院工 1，国立天文台 2，山形大院工 3，情通機構 4，茨城大工 5○武田正典 1，小嶋崇文 2，齊藤 敦 3，牧瀬圭正 4，島影 尚 5
28 パラレル型超伝導ストリップイオン検出器中のバイアス電流分布の改善
産総研 ○全 伸幸，藤井 剛，志岐成友，浮辺雅宏，小池正記，大久保雅隆
29 人工内耳装用者用脳磁計の検出コイル検討
金沢工大先端電子研 ○樋口正法，小山大介，河端美樹，
足立善昭，河合 淳，上原 弦
30 HTS-SQUID を用いた電解質中イオン輸送の可視化（II）○
岡山大自然
紀和利彦，田中洸平，糟谷尚平，堺 健司，塚田啓二
31 高感度化に向けた SQUID センサによる走査型 SQUID 顕微鏡の改良
1
大阪府大 ，大阪府大ナノ研 2，秋田大 3，産総研 4 ○（PC）宮嶋茂之 1,2，
岡本拓人 1，松本仁志 1，ヒュイ ホタン 1，林 正彦 3，
前澤正明 4，日高睦夫 4，石田武和 1,2▲ 32 Improvement of dielectric loss in superconducting microwave resonators
NICT1，SIMIT2 ○ Wei Qiu1，Rui Sun2，Kazumasa Makise1，
Hirotaka Terai1，Zhen Wang1,2
33 TiN バッファー層を用いた Si 基板上 NbN 薄膜の構造と輸送特性評価
情通機構 1，上海微系 2 ○牧瀬圭正 1，孫
鋭 2，寺井弘高 1，王鎮2
34 エラーフリー動作に向けた低エネルギー超伝導ナノワイア O/E 変換器の検討
情通機構 ○梶野顕明，三木茂人，山下太郎，寺井弘高-----------------------------------------------------------------------------------11.1 基礎物性
9 月 18 日 13:00 〜 18:00
18p-A21 - 1 〜 18

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
Bi2Sr2CaCu2O8+δ固有ジョセフソン接合を用いた超伝導テラヘルツ光源の開発
京大院工 1，Univ. Tübingen2 ○辻本 学 1，神原仁志 1，吉岡佑介 1，
中川裕也 1，Fabian Rudau2，Boris Gross2，
Reinhold Kleiner2，掛谷一弘 1
2 高温超伝導体 Bi2212 の新しい単独メサ構造作製法の開発
筑波大 1，物材機構 2 ○柴野雄紀 1，柏木隆成 1，北村健郎 1，渡辺千春 1，
浅沼健太郎 1，安居昂紀 1，中出蔵馬 1，幸 良彦 1，
山本 卓 2，南 英俊 1，門脇和男 1
3 埋め込み型 Bi-2212 固有ジョセフソン接合の作製
山形大 ○木村 渉，竹野智史，山田博信，中島健介
4 高温超伝導 THz 波発振デバイスに生じる静電ポテンシャル分布の観測
筑波大数理物質 1，物材機構 2 ○渡邉千春 1，南 英俊 1，北村健郎 1，
浅沼健太郎 1，中出蔵馬 1，安居昂紀 1，幸 良彦 1，柴野雄紀 1，
山本 卓 2，柏木隆成 1，門脇和男 1
5 高温超伝導テラヘルツ波発振デバイスの液体窒素動作
筑波大数理物質 ○南 英俊，渡辺千春，桂川拓也，柴野雄紀，北村健郎，
柏木隆成，幸 良彦，中出蔵馬，浅沼健太郎，
安居昴紀，山本 卓，門脇和男
6 クライオクーラーを用いた高温超伝導体 Bi2212THz 発振素子の開発
1
2○
1
筑波大 ，物材機構
幸 良彦 ，柏木隆成 1，中出蔵馬 1，北村健郎 1，
渡辺千春 1，浅沼健太郎 1，安居昂紀 1，柴野雄紀 1，
山本 卓 2，南 英俊 1，門脇和男 1

休憩

14:30 〜 14:45

7 Bi2Sr2CaCu2O8+δ固有ジョセフソン接合を用いたテラヘルツ波源の偏波制御
京大院工 ○吉岡佑介，岸本卓也，中川裕也，辻本 学，掛谷一弘
8 固有ジョセフソン接合を用いたテラヘルツ波発振素子の放射特性の解析
防衛大 ○立木 隆，内田貴司
9 BSCCO 固有接合からの高次モード発振の実現に向けた取り組み
宇都宮大工 ○八巻和宏，田村晃一，入江晃亘△ 10 PbSr2Y1-xCaxCu2O7エピタキシャル薄膜の SIS 型固有ジョセフソン特性
京大院工 ○小森祥央，掛谷一弘
11 BSCCO 固有ジョセフソン接合におけるスイッチング特性の系統的測定を目的とした微小交差構造素子の作製
京大工 ○（DC）神原仁志，野村義樹，中川裕也，掛谷一弘
12 希塩酸改質法によるビスマス系高温超伝導体スピンデバイスの作製
宇都宮大工 1，長岡技科大 2 ○村田健一郎 1，小瀧侑央 2，加藤孝弘 2，八巻和宏 1，入江晃亘 1

（ 87
87 ）

休

憩

16:15 〜 16:30

11

超伝導

13 NbTiN 超伝導細線の作製と輸送特性
九大理 1，情通機構 2 ○篠崎文重 1，牧瀬圭正 2，
寺井弘高 2，富成征弘 2，田中秀吉 2
14 自己形成 InAs ナノリングを介した超伝導接合における高周波特性
東理大 1，物材機構 2 ○日暮 優 1，本間心人 1，伊藤宙陛 2，
津村公平 1，野田武司 2，高柳英明 1,2
15 自己形成 InAs ナノリングにおける In 添加量による伝導特性の変化
東京理科大 1，東京理科大 2，東京理科大 3，東京理科大 4，物材機構 5，
東京理科大 6 ○本間心人 1，日暮 優 2，伊藤宙陛 3，
津村公平 4，野田武司 5，高柳英明 6
16 グラフェン幅変化に伴うグラフェン / 超伝導金属接合の輸送特性変化
東理大 1，物材機構 MANA2 ○平林元樹 1，上保淳敬 1，
津村公平 1，高柳英明 1,2
17 グラフェン／超伝導体接合に対する光照射に伴う超伝導臨界電流値の変化
東理大 1，NIMS 微細加工 PF2，物材機構 MANA3 ○古川直紀 1，
津村公平 1，渡辺英一郎 2，津谷大樹 2，高柳英明 1,3
18 集束イオンビームアシスト蒸着法によるタングステン超伝導薄膜とカイラル
超伝導体 Sr2RuO4接合の作製と評価
東理大理 1，理研 CEMS2，産総研 3，京大理 4 ○田野佑典 1，石黒亮輔 2，
永合祐輔 1，柏谷 聡 3，米澤進吾 4，Anwar Muhammad4，
高柳英明 1，河野公俊 2，前野悦輝 4-----------------------------------------------------------------------------------11.1 基礎物性
9 月 19 日 9:00 〜 16:15
19a-A21 - 1 〜 13

1 高濃度ホウ素ドープダイヤモンド超伝導膜における緩衝層導入の Tcへの影響
岡山大院自然科学 ○橘高朋子，犬伏聖子，脇田高徳，横谷尚睦，村岡祐治
2 (Sr,Ca)-(Nb,Mo)-Oy系酸化物の物性、導電率の組成依存
東京理科大 ○福田大地，井手本康，北村尚斗，石田直哉
3 巨大ひずみ加工処理された超伝導体レニウムの超伝導特性
九工大院工 1，産総研 FLEC2，兵県大院工 3，九大院工 4 ○美藤正樹 1，
松井英明 1，出口博之 1，中村和磨 1，白川直樹 2，足立大樹 3，
山崎 徹 3，岩岡秀明 4，生駒嘉史 4，堀田善治 44 アルカリ金属拡散によるフラーレンナノウィスカーの超伝導化物材機構 ○竹屋浩幸，今野俊生，平田千佳，若原孝次，宮澤薫一，
藤岡正弥，田中将嗣，山口尚秀，高野義彦
5 Ca ドープされた銅酸化物超伝導体 YBa2Cu4O8 に対する一軸性圧縮効果
1
九工大院生命体工学 ，九工大院工 2，物材機構 3 ○後藤弘樹 1，美藤正樹 2，
松井英明 2，出口博之 2，内藤正路 1，松本 要 2，
原
裕 3，竹屋浩幸 3，高野義彦 3△ 6 水素化した NdBa2Cu3O7Hx の超伝導仙台高専 1，東北大工応物 2 ○栁生穂高 1，佐藤真之介 2，
住野義樹 2，加藤雅恒 2，野地 尚 2，小池洋二 2△ 7 Bi-2201 相 Bi2Sr2CuO6+δにおける Sr の Ba 置換
東北大院工 ○吉田多聞，加藤雅恒，野地 尚，小池洋二

休憩

10:45 〜 11:00

8 層状超原子価化合物 Ba2Bi(Sb1‒x Bix)2における電荷密度波と超伝導
東大物性研 1，京大院工 2，カリフォルニア州立大 3，東理大理 4，NIST5○
矢島 健 1，竹入史隆 2，野崎保将 2，Zhi Li3，遠山貴己 4，Mark Green5，小林洋治 2，陰山 洋 2△ 9 TES 型マイクロカロリメータにおけるボルテックスダイナミクス
九大院 ○江崎翔平，前畑京介，伊豫本直子，篠崎文重
10 BaxSr1-xTiO3用いた Sr 1-xLaxCuO2薄膜の歪効果
名大院工 ○（M2）何 軼倫，伊藤雅崇，作間啓太，宮脇哲也，
植田研二，浅野秀文
11 MOD 法により作製したペロブスカイト RE NiO3薄膜のエピタキシャル効果
1
2
○
1
1
池田 愛 ，富樫理恵 ，真部高明 2，内藤方夫 1
農工大 ，産総研
12 各種金属水素化物を用いた無限層構造 LaNiO2薄膜合成の進展
農工大 1，産総研 2 ○池田 愛 1，真部高明 2，内藤方夫 1
13 分子線エピタキシー成長による二元 Sr-N 系薄膜の作製
農工大工 ○（M1）武田力丸，山口紘一，内藤方夫

昼食△ 5 高フッ素濃度単結晶 SmFeAsO1-xFxの微細加工技術を用いた超伝導特性評価
物材機構 1，筑波大 2 ○（PC）藤岡正弥 1，Saleem Denholme1，田中将嗣 1，
裕 1,2，山木拓馬 1,2，山下愛智 1,2，
鈴木皓司 1,2，原
山口尚秀 1，竹屋浩幸 1，高野義彦 1,2
6 様々な鉄系超伝導体の単結晶作製と異方性評価
東工大応セラ研 ○笹川崇男，片桐隆雄
7 Pr, Co 共添加 CaFe2As2の超伝導特性
東大院工 ○岡田朋之，荻野 拓，焼田裕之，山本明保，岸尾光二，下山淳一
8 (Ca,RE )FeAs2の超伝導特性に及ぼす遷移金属ドープ効果
東大院工 1，産総研 2 ○焼田裕之 1，荻野 拓 1，岡田朋之 1，山本明保 1，
岸尾光二 1，伊豫 彰 2，永崎 洋 2，下山淳一 1
9 122 系鉄系高温超伝導体の線材応用に向けた基礎物性評価
産総研 1，東理大 2 ○石田茂之 1，石井 慧 1,2，土屋佳則 1，宋 東俊 1，
平 英明 1,2，木方邦宏 1，李 哲虎 1，松崎邦男 1，山崎裕文 1，
鬼頭 聖 1，馬渡康徳 1，西尾太一郎 2，伊豫 彰 1,2，
永崎 洋 1，吉田良行 1-----------------------------------------------------------------------------------11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長
9 月 19 日 9:00 〜 16:15
19a-A20 - 1 〜 12

1 マイクロ波力学インダクタンス検出器用 TaN 薄膜の作製
山形大 1，名工大 2 ○山田博信 1，安倍 翼 1，齊藤 敦 1，大嶋重利 1，
有吉誠一郎 2，裵 鐘石 2，中島健介 12 分子線エピタキシー法 (MBE) を用いた鉄系超伝導体 SmFeAs(O,F) 薄膜の1-Step 成長 (2)
農工大 1，東大 2 ○常木孝信 1，渡辺大樹 1，迫田將仁 1，
山本明保 2，内藤方夫 1
3 分子線エピタキシー法を用いて成長した鉄系超伝導体 SmFeAs(O,F) の積層膜と接合作製
農工大工 ○迫田將仁，常木孝信，目出和也，渡辺大樹，内藤方夫△ 4 成長阻害要因の解明とその改善による NdFeAs(O,F) 超伝導薄膜の作製
名大工 ○角谷直紀，千原真志，荒井健太，畑野敬史，生田博志
5 MBE 成長した NdFeAs(O,F) / MgO 薄膜の臨界電流密度
名大工 1，IFW Dresden2，名大 VBL3，NHMFL,Florida State Univ.4○
千原真志 1，角谷直紀 1，荒井健太 1，Fritz Kurth2，川口昂彦 3，
Tarantini Chiara4，畑野敬史 1，飯田和昌 2，生田博志 1
6 CaFe2As2系薄膜の分子線エピタキシー成長
名大工 ○藤本亮祐，中村伊吹，森 康博，畑野敬史，生田博志
7 CaFe2As2系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察
名大 VBL1，名大工 2 ○（PC）川口昂彦 1，原田俊太 2，藤本亮祐 2，
森 康博 2，中村伊吹 2，畑野敬史 2，宇治原徹 2，生田博志 2

休

昼

12:30 〜 13:45

1 層状鉄セレン化物モット絶縁体 TlFe1.6Se2を使った電気二重層トランジスタ
東工大応セラ研 1，東工大元素戦略研 2，東工大フロンティア研 3○
平松秀典 1,2，片瀬貴義 3，神谷利夫 1,2，細野秀雄 1,2,3
2 電池反応を応用した FeTe1-xSx の超伝導化物材機構 1，筑波大 2 ○高野義彦 1,2，山下愛智 1,2▲ 3 Investigation into the feasibility of alkali/alkaline earth metalintercalation into the tetragonal - FeS (mackinawite) structure
National Institute for Materials Science (NIMS) 〇 Saleem Denholme，Aichi Yamashita，Takuma Yamaki，Fujioka Masa，Hiroshi Hara，
Masashi Tanaka，Takahide Yamaguchi，Hiroyuki Takeya，Yoshihiko Takano
4 LaO(F)BiSe2単結晶の育成と評価
1
山梨大院クリスタル研 ，物材機構 2 ○長尾雅則 1，田中将嗣 2，
綿打敏司 1，田中 功 1，高野義彦 2

憩

10:45 〜 11:00

食12:15 〜 13:30

19p-A20 - 1 〜 10

19p-A21 - 1 〜 9休憩

8 CeO2バッファ層を用いた MOD 法による高品質 Bi-2212 薄膜の作製
茨城大 1，情報通信研究機構 2，山形大 3，静岡大 4 ○岩本恵祐 1，
島影 尚 1，川上 彰 2，齊藤 敦 3，武田正典 4
9 積層前駆体膜を用いた Bi,Pb-2223 超伝導薄膜物材機構 1，九大 2 ○松本明善 1，北口 仁 1，福田大輝 2，
嶋田雄介 2，波多 聰 2，中島英治 2
10 PIT 法 MgB2 線材の組織と臨界電流特性に及ぼす Mg 粉末粒径の影響
物材機構 ○熊倉浩明，新田隆二，葉 術軍，張 雲超，松本明善
11 電子ビーム蒸着法で作製した C ドープ MgB2薄膜の超伝導特性
京大院エネ科 1，日立製作所 2 ○竹原寛人 1，青木翔太 1，
堀井 滋 1，土井俊哉 1，楠 敏明 2
12 EB 法による Si 基板への MgB2薄膜の作製と磁束ピンニングセンタ導入の試み
京大院エネ科 1，日立製作所 2 ○青木翔太 1，竹原寛人 1，
堀井 滋 1，土井俊哉 1，楠 敏明 2

14:45 〜 15:00

（ 88
88 ）

1 ナノロッドを導入した PLD-REBa2Cu3Oy 薄膜における臨界電流特性のナノロッド材料・RE 種に対する影響
京大院エネ科 1，電中研 2，同志社大 3 ○堀井 滋 1，
一瀬 中 2，春田正和 3，土井俊哉 1
2 シード層が SmBa2Cu3Oy 薄膜中の BaHfO3 ナノロッド形状に与える影響
名大工 1，ISTEC-SRL2，JFCC3 ○渡邊俊哉 1，吉田 隆 1，
一野祐亮 1，吉積正晃 2，和泉輝郎 2，加藤丈晴 33 SmBa2Cu3Oy超電導膜中の BaHfO 3ナノ粒子の分布状態
電中研 1，名大工 2 ○一瀬 中 1，鶴田彰宏 2，渡邊俊哉 2，
杉原和樹 2，一野祐亮 2，吉田 隆 2
4 TFA-MOD 法により YBa2Cu3Oy膜に導入した BaHfO 3粒状ピン止め点の高数
密度化
九州大工 1，超電導工研 2 ○寺西 亮 1，大田黒賢也 1，
山田和広 1，金子賢治 1，吉積正晃 2，和泉輝郎 25 第一原理計算を用いた YBa2Cu3O7における酸素空孔エネルギーの評価
九工大 ○堀出朋哉，松本 要

休憩

14:45 〜 15:00

6 溶融水酸化物法を用いた EuBCO 膜の低温成膜
島大総理工 ○宮地優悟，奥西亮太，舩木修平，山田容士

11△ 7 KOH フラックス法を用いた 1 気圧大気中における RE123 膜の低温成膜
島大総理工 1，島大総科研支セ 2 ○舩木修平 1，山田容士 1，
宮地優悟 1，奥西亮太 1，西郡至誠 2
8 {110}<001> 集合組織鉄テープを基材とした YBa2Cu3O7-δ薄膜の作製
京大院エネ科 1，JST-ALCA2，電中研 3 ○中 順平 1，内間貴之 1，
堀井 滋 1,2，土井俊哉 1,2，一瀬 中 2,39 配向鉄テープ上で成長させた CaO 安定化 ZrO2中間層の結晶成長方位と構造の関係
京大院エネ科 1，科学技術振興機構 2，電中研 3 ○内間貴之 1，中 順平 1，
橋本真幸 1，堀井 滋 1,2，土井俊哉 1,2，一瀬 中 2,310 格子不整合性界面における中間層の結晶配向のメカニズム
電中研 1，京大院エネ科 2，JST-ALCA3 ○一瀬 中 1,3，中 順平 2，
内間貴之 2，堀井 滋 2,3，土井俊哉 2,3-----------------------------------------------------------------------------------11.3 臨界電流，超伝導パワー応用
9 月 17 日 14:00 〜 18:00
17p-A21 - 1 〜 15

1 異なる成膜温度で作製した BaHfO3添加 SmBa 2Cu3Oy 薄膜の低磁場磁束状態の検討
名大工 1，電中研 2，九工大 3，東北大 4 ○（D）鶴田彰宏 1，三浦 峻 1，
一野祐亮 1，吉田 隆 1，一瀬 中 2，松本 要 3，淡路 智 4△ 2 高濃度 BaHfO3添加 LTG-SmBa 2Cu3Oy薄膜の広範囲温度領域における磁場中
超伝導特性
名大工 1，九工大 2，電中研 3，東北大金研 4 ○（D）三浦 峻 1，
吉田 隆 1，一野祐亮 1，松本 要 2，一瀬 中 3，淡路 智 4△ 3 異なる形状の BaHfO3導入が縦磁場下における SmBa 2Cu3Oy薄膜の磁場中超伝導特性に与える影響
名大工 1，電中研 2 ○（M1）杉原和樹 1，鶴田彰宏 1，
一野祐亮 1，吉田 隆 1，一瀬 中 2
4 BHO 添加 Sm123 薄膜の不可逆磁場近傍の相関ピン特性
東北大金研 1，名大工 2，九工大 3 ○淡路 智 1，渡辺和雄 1，三浦 峻 2，
鶴田彰宏 2，一野祐亮 2，吉田 隆 2，松本 要 3
5 BaHfO3人工ピンを導入した PLD-REBCO 線材の磁場中臨界電流特性
九大シス情 1，超電導工研 2 Kenta Tanaka1，○ Masayoshi Inoue1，
Kazutaka Imamura1，Kohei Higashikawa1，Tomo Yoshida2，
Masateru Yoshizumi2，Teruo Izumi2，Takanobu Kiss1
6 IBAD 基板上に作製した YBa2Cu3O7-X 薄膜の超伝導特性
九工大 1，超工研 2 ○高木健次 1，堀出朋哉 1，
松本 要 1，吉積正晃 2，和泉輝郎 2
7 BaSnO3 ナノロッドによる YBa2Cu3O7-x 薄膜の臨界電流密度制御
九工大 1，名大 2，東北大 3 ○西原匡弥 1，梶原太智 1，
堀出朋哉 1，松本 要 1，吉田 隆 2，淡路 智 3
8 REBCO 線材の局所臨界電流分布に対する空間周波数解析
九大院シス情 1，SWCC2，超電導工研 3 ○木須隆暢 1，東川甲平 1，
井上昌睦 1，木村一成 2，小泉 勉 2，青木伸夫 2，
衣斐 顕 3，吉積正晃 3，和泉輝郎 3

休憩

16:00 〜 16:15

9 デツインした REBCO コート線材における Tc の一軸圧力効果
東北大 ○（DC）鈴木 匠，淡路 智，小黒英俊，渡辺和雄
10 ナノ粒子導入による REBCO コート線材の臨界電流密度の磁界角度異方性の低減
九工大 ○松下照男，木内 勝
11 MgB2超電導バルク磁石の基礎特性評価
鉄道総研 1，東大 2，さきがけ 3 ○赤坂友幸 1，石原 篤 1，
富田 優 1，山本明保 2,3，杉野 翔 2，岸尾光二 2
12 Ti 添加した MgB2 バルク超伝導体の捕捉磁場特性Ⅱ
岩手大工 ○内藤智之，吉田卓史，遠藤友理，藤代博之
13 アンダードープ (Ba,K)Fe2As2超伝導 PIT 線材のテープ化による臨界電流密度の向上
東理大理 1，産総研 2 ○石井 慧 1,2，石田茂之 2，土屋佳則 2，木方邦宏 2，
李 哲虎 2，松崎邦男 2，山崎裕文 2，鬼頭 聖 2，馬渡康徳 2，
西尾太一郎 1,2，伊豫 彰 2，永崎 洋 2，吉田良行 214 高温超伝導体のピンニング特性に及ぼす電子線照射効果
東大院工 1，東北大金研 2，産総研 3 ○下山淳一 1，山木 修 1，瀬戸山結衣 1，
山本明保 1，荻野 拓 1，岸尾光二 1，寺井隆幸 1，淡路 智 2，永崎 洋 3
15 非対称ピンニングアレイにおける磁束ダイナミクスの二次元 TDGL 方程式を用いた数値シミュレーション
名大エコ研 1，名大院工 2 ○一野祐亮 1,2，伊藤慎太郎 2，吉田 隆 2-----------------------------------------------------------------------------------11.4 アナログ応用および関連技術
9 月 19 日 9:00 〜 17:15
19a-A22 - 1 〜 13

1 HTS rf-SQUID を用いた異物検査装置の開発
豊橋技科大 ○大谷剛義，内田陽介，田中三郎
2 LC 共振器と HTS-SQUID を用いた超低磁場 MRI 装置の研究
豊橋技科大 ○山本将彰，豊田裕智，川越 聡，八田純一，田中三郎
3 超低磁場 MRI 装置における画像再構成処理の検討
豊橋技科大 ○豊田裕智，山本将彰，川越 聡，八田純一，田中三郎

超伝導

4 第二調波を用いた SQUID MPI 技術の検討
豊橋技科大 1，MagQu2 ○鈴木健文 1，大石朋弥 1，
Yang Shieh-Yueh2，田中三郎 1
5 分離型ピックアップコイルを使用した高温超伝導 SQUID 非破壊検査システ
ムの開発
中国電力 1，超電導工研 2 ○河野丈治 1，河内清次 1，石川文雄 1，田辺圭一 2▲ 6 Optimization of Integrated AC/DC Detection Unit of High-Tc SQUID
Magnetometer
Okayama Univ. ○ Mawardi Mohd，Koji Morita，Yuichi Ishihara，Toki Kusaka，Kenji Sakai，Toshihiko Kiwa，Keiji Tsukada休憩

10:30 〜 10:45△ 7 磁気粒子イメージングの為の高感度交流磁場計測システムの開発
九大 ○（M2）宮崎貴吏，森下 学，吉田 敬，松尾政晃，円福敬二
8 SQUID を用いた液相免疫検査法の開発 - 磁場中反応の効果 九大システム情報 1，日立製作所 2 ○上岡祐太 1，浦 正和 1，
吉田 敬 1，円福敬二 1，溝口崇子 2，神鳥明彦 2
9 CO2を用いた石油増進回収モニタリングに向けた高温超電導 SQUID システ
ム
超電導工研 1，三井金属資源開発 2，JOGMEC3 ○波頭経裕 1，塚本 晃 1，
安達成司 1，渡辺英久 2，石川秀浩 2，加藤文人 3，毛利拓治 3，田辺圭一 1
10 アクティブシールド付き 2-SQUID 同軸型グラジオメータの試作
超電導工学研究所 1，JOGMEC2 ○塚本 晃 1，波頭経裕 1，安達成司 1，
押久保靖夫 1，文 裕植 1，杉崎真幸 2，本居正幸 2，田辺圭一 1
11 STM-SQUID 顕微鏡で撮像した磁場像に対する SQUID・プローブ間距離依存性
阪大院基礎工 ○宮戸祐治，松井憲保，芦塚拓也，久山耕平，糸崎秀夫
12 中空クライオスタットを用いた SQUID 顕微鏡の開発
金沢工大電子研 1，産総研 2，フジヒラ 3 ○河合 淳 1，小田啓邦 2，
藤平潤一 3，河端美樹 1，宮本政和 1，尾形久直 1
13 微小試料の磁化測定のための集束イオンビームアシスト蒸着による直接描画
SQUID の開発
理研創発物性 1，東理大応物 2 ○石黒亮輔 1，田野佑典 2，
永合祐輔 2，高柳英明 2，河野公俊 1

昼

食12:30 〜 14:00

19p-A22 - 1 〜 12

1 超伝導を用いたローパスフィルター型セミリジッドケーブルの開発
旭川高専 1，コアックス 2 ○久志野彰寛 1，笠井荘一 2△ 2 プログラマブルジョセフソン電圧標準用素子チップの伝熱解析
都市大工 1，産総研 2 ○（B）高橋ひかり 1，丸山道隆 2，天谷康孝 2，
山森弘毅 2，金子晋久 2，桐生昭吾 1
3 プログラマブルジョセフソン電圧標準による 10 Vrms ステップ近似交流波形生成と過渡応答特性の評価
産総研 1，東京都市大 2 ○丸山道隆 1，天谷康孝 1，山森弘毅 1，
高橋ひかり 2，浦野千春 1，桐生昭吾 2，金子晋久 1
4 導波路型超伝導ナノワイヤ単一光子検出器の開発 II
阪大院基礎工 1，情通機構 2，JST さきがけ 3 ○和木健太朗 1,2，山下太郎 2，井上振一郎 2,3，三木茂人 2，寺井弘高 2，生田力三 1，山本 俊 1，井元信之 1
5 可視波長帯超伝導ナノワイヤ単一光子検出器を用いた蛍光相関分光 I
情通機構 1，上海微所 2，北大先端生命 3，阪大生命機能 4 ○山下太郎 1，
劉 登寛 2，三木茂人 1，山本条太郎 3，原口徳子 1,4，金城政孝 3，
鎮 1,2，寺井弘高 1
平岡 泰 1,4，王
6 低温下におけるパッケージ - ホルダ間の接触抵抗の計測
名大院工 ○伊藤雄記，藤巻 朗

休憩

15:30 〜 15:45

7 位置分解能を有する基板吸収型 STJ 検出器に関する研究
埼玉大院理工 1，理研 2 ○五十嵐直樹 1，成瀬雅人 1，
明連広昭 1，大谷知行 2，田井野徹 1
8 エピタキシャル TiN/AlN/TiN 接合の作製と評価
埼玉大 ○中山 武，成瀬雅人，明連広昭，田井野徹
9 Si 深掘り溝を利用した多量子ビーム検出器の作製
埼玉大院理工 ○廣崎直也，成瀬雅人，田井野徹，明連広昭
10 SiO2埋め込み型 STJ フォトン検出器の作製と評価
埼玉大院理工 1，産総研 2 ○戸塚裕太 1，松本 功 1，成瀬雅人 1，
明連広昭 1，青柳昌宏 2，田井野徹 1
11 オゾン酸化プロセスによる超伝導トンネル接合 X 線検出器のエネルギー分解
能向上
産総研 ○浮辺雅宏，藤井 剛，大久保雅隆△ 12 電流バイアス運動インダクタンス検出器による中性子検出
大阪府大 1，大阪府大ナノ研 2，名大 3，産総研 4，原子力機構
J-PARC センター 5 ○（PC）宮嶋茂之 1,2，鳴神吉人 1，宍戸寛明 1,2，
吉岡直人 1，藤巻 朗 3，日高睦夫 4，及川健一 5，原田正英 5，
奥 隆之 5，新井正敏 5，石田武和 1,2-----------------------------------------------------------------------------------11.4 アナログ応用および関連技術
9 月 20 日 10:30 〜 12:00
20a-A22 - 1 〜 6

（ 89
89 ）

1 ナノダイポールアンテナを用いた超伝導中赤外光検出器の検討
茨城大院理工 1，情報通信研究機構 2，金沢大理工 3，静岡大院工 4○
堀川隼世 1,2，川上 彰 2，兵頭政春 3，田中秀吉 2，
武田正典 4，島影 尚 1

11
12

超伝導
有機分子・バイオエレクトロニクス
2 NbN 製力学インダクタンス検出器のテラヘルツ光学特性評価
名工大院 1，山形大院 2，埼玉大院 3，理研 4 ○有吉誠一郎 1，中島健介 2，
齊藤 敦 2，小川裕平 2，兪 熊斌 1，田井野徹 3，大谷知行 4，山田博信 2，
大嶋重利 2，塚田 究 1，中島 恵 1，本下 要 1，裵 鐘石 1
3 1000 素子 STJ アレイ X 線検出器に向けての 3 次元構造の開発 (2)産総研 ○藤井 剛，浮辺雅宏，志岐成友，大久保雅隆
4 MgB2超伝導ストリップを用いた分子イオン検出器のシミュレーション
産総研 1，NTT 物性研 2 ○馬渡康徳 1，全 伸幸 1，柴田浩行 2，
柏谷 聡 1，小池正記 1，大久保雅隆 1
5 超伝導共振器アレイによるガンマ線イメージングカメラの基礎開発
埼玉大工 ○成瀬雅人，宮本法明，田井野徹，明連広昭
6 Ti/TiN 積層膜を用いた力学インダクタンス検出器の開発
埼大院 1，理研 2，東北大院 3，KEK4 ○西村欣大郎 1，美馬 覚 2，
成瀬雅人 1，田井野徹 1，明連広昭 1，大谷知行 2,3，田島 治 43 ペンタセン、フッ素化ペンタセン共蒸着膜形成過程の構造その場観察とデバ
イス特性
岩手大工 1，高輝度光化学研究セ 2 ○多田圭佑 1，渡辺 剛 2，西田広作 1，
小金澤智之 2，菊池 護 1，廣沢一郎 2，吉本則之 1
4 窒素添加 LaB6薄膜上に形成したペンタセン薄膜の堆積温度依存性
東工大総理工 1，東北大未来研 2 ○前田康貴 1，
大見俊一郎 1，後藤哲也 2，大見忠弘 2
5 Liquid-Phase Molecular Layer Deposition を用いた多色素層成長による光電流スペクトル幅の拡大
東京工科大 ○松村祐作，吉村徹三

休-----------------------------------------------------------------------------------11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用
9 月 17 日 11:00 〜 16:45
17a-A20 - 1 〜 5
1 「応用物理学会解説論文賞受賞記念講演」（30 分）
固体素子と量子力学の厳密テスト

NEC ○蔡 兆申△ 2 単一磁束量子回路に向けた NbTiN 薄膜の磁場侵入長の検討
名大工院 ○坂本隼也，宗本健太郎，赤池宏之，藤巻 朗△ 3 PdNi 層を持つジョセフソン接合の磁気的特性の検討
名大院工 ○伊藤 大，谷口壮耶，石川航太，赤池宏之，藤巻 朗△ 4 超伝導位相シフタ応用のための磁性体による磁束バイアス量の評価
名大院工 ○谷口壮耶，伊藤 大，石川航太，赤池宏之，藤巻 朗
5 高温超伝導ランプエッジ接合上部電極層の TEM 観察
超電導工研 ○安達成司，塚本 晃，文 裕植，押久保靖夫，田辺圭一

昼

食

昼

12:30 〜 14:00

15:15 〜 15:30

6 直流磁束バイアス JTL における dcSQUID の Josephson 接合アンシャント化
時の評価と測定横浜国大院工 ○堤 隆太，吉川信行，山梨裕希
7 オンチップのパルス電流生成器による磁気結合 dc/SFQ 変換器のパルス応答
検証
電通大 ○渡邉智希，浦井芳彰，島田 宏，水柿義直
8 直流バイアス運動インダクタンス検出器アレイの光照射実験とその評価
名大 1，産総研 2，大阪府大 3 ○喜多祐真 1，上阪 岬 1，
伊藤圭介 1，日高睦夫 2，石田武和 3，藤巻 朗 1
9 パルス数増倍器を入力に備えた 200 倍 DFQ アンプの高周波入力応答
電通大 1，産総研 2 ○浦井芳彰 1，高橋義隆 1，
島田 宏 1，前澤正明 2，水柿義直 1
10 単一磁束量子論理ゲートの論理動作における熱雑音の影響の調査
横国大理工 1，横国大工 2 ○増渕光太 1，山梨裕希 2，吉川信行 2------------------------------------------------------------------------------------

12

有機分子・バイオエレクトロニクス●関連シンポジウム「バイオマテリアル表面のミクロ­ナノの挙動とその応用」（9 月 18日（木），13:00 〜 17:00，A1 会場）が p.41 に，掲載されています．
●関連シンポジウム「Innovation in R&D of the Flexible Electronics -Toward theInorganic Flexible Devices-」（9 月 19 日（金），9:15 〜 17:00，A4 会場）が p.43 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------12.1 作製・構造制御
9 月 17 日 9:00 〜 18:00
17a-A5 - 1 〜 9

1 有機薄膜形成過程の分子動力学シミュレーション
北大工 1，北大総化 2，北大 FCC3 ○島田敏宏 1，
田村貴大 2，柳瀬 隆 3，長浜太郎 2
2 In-situ 2D-GIXD 観察によるペンタセン蒸着膜の構造温度依存性
岩手大工 1，高輝度光化学研究センター 2，奈良先端大物質 3 ○小栗貴文 1，
多田圭佑 1，渡辺 剛 2，菊池 護 1，小金澤智之 2，
中村雅一 3，廣沢一郎 2，吉本則之 1

食11:45 〜 13:00

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
高分子ナノシートの光酸化による室温・大気圧下での SiO2超薄膜の作製
東北大多元研 ○山本俊介，園部和輝，三ツ石方也，宮下徳治
2 界面の電気化学 －ポリアニリン／ aluminum (Al) 電極界面－
兵庫県大院工 1，大阪工大院工 2 ○小野田光宜 1，大澤利幸 23 ナノ電解法による位置選択的ナノ単結晶作製 〜有機ドナー分子への展開〜
北大院理 1，情報通信研・未来 2 ○長谷川裕之 1,2
4 アルキルアンモニウム -Au(dmit)2塩の LB 膜の電気化学的特性評価 (II)桐蔭横浜大院工 1，東京高専物質工 2 ○三浦康弘 1，城石英伸 2，高橋三男 2
5 Rod-disc 互変型分子の液晶相形成：光学組織と分子コンフォメーション
産総研ユビキタス 1，龍谷大理工 2 奥田大樹 1,2，
田中大介 2,1，内田欣吾 2，○清水 洋 1
6 ピロリン骨格アクセプターを有する色素のナノ構造体の作製
山形大院理工 1，東京農工大院工 2 ○今井将人 1，稲田駿介 1，佐藤迪吉 1，帯刀陽子 2，岡田修司 17 可視光全域を有効利用可能な二次元超分子型人工光捕集系
北大院工 1，首都大院都市環境 2 ○石田洋平 1，高木慎介 2，米澤 徹 1

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
直列バイアス技術用ドライバレシーバ回路の磁気結合部のインダクタンスと構造の最適化
横浜国大工 ○佐野京佑，高橋章友，山梨裕希，吉川信行△ 2 飛行時間型質量分析用 SFQ 電流検出器におけるグレーゾーンの測定
横国大工 ○（M2）村松祐希，佐野京佑，下田知毅，山梨裕希，吉川信行△ 3 パルス間斥力を利用した SFQ リングオシレータにおけるジッタの低減
横国大 ○下田知毅，佐野京佑，村松祐希，山梨裕希，吉川信行△ 4 断熱型磁束量子パラメトロン回路における多分岐 Splitter の設計と評価
横国大工 1，情通機構 2 ○奈良間達也 1，竹内尚輝 2，山梨裕希 1，吉川信行 1△ 5 ラッチ回路を用いた断熱磁束量子パラメトロン回路の高速動作実証
情通機構 1，横国大 2 ○竹内尚輝 1，山梨裕希 2，吉川信行 2

憩

10:15 〜 10:30

17p-A5 - 1 〜 18

17p-A20 - 1 〜 10休

憩

6 溶媒蒸気アニール中の電場印加による C8-BTBT 結晶の成長制御
東大院理 ○小槻賢志，斉木幸一朗
7 イオン液体中でのテトラシアノベンゼン四量化反応によるオクタシアノフタ
ロシアニンの生成と評価
神戸大院工 ○小柴康子，松本美菜子，三宅優美，三崎雅裕，石田謙司
8 フレキシブルなチエノキノイド半導体薄膜におけるラビングによる分子パッキング構造制御
理研 1，横国大 2，理研 CEMS3，福島高専 4，九大 5，東大院薬 6○
青山哲也 1，横田裕基 1,2，橋爪大輔 3，高石和人 1，内山真伸 1,6，
Pascal André1，田中利彦 4，松本真哉 1,2，Jean-Charles Ribierre5
9 「有機分子・バイオエレクトロニクス分科会業績賞受賞記念講演」（30 分）
分子を並べる技術
産総研計測・計量標準 ○八瀬清志

休憩

14:45 〜 15:00

8 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
水中におけるバイオミメティック撥気泡表面の管内表面への作製
東北大院工 1，東北大工 2，東北大多元研 3 ○亀井 潤 1，
浩3
阿部博弥 2，齊藤祐太 1，藪9 親水 / 疎水パターニング基板における微粒子分散液滴の乾燥挙動
高知工大院知能機械 1，高知工大総研 2 ○（M1）中島大貴 1，川原村敏幸 1, 2
10 Electro spray 法による PTFE 薄膜の表面機能性制御
慶大理工 ○土屋弘貴，慶 奎弘，白鳥世明
11 中空シアノアクリレートナノ粒子を用いた半透明高撥油膜の作製
慶大理工 ○（B）松林 毅，天神林瑞樹，白鳥世明
12 エレクトロスピニング法による導電性ナノファイバーの作製と評価
慶大理工 ○（B）竹中一生，深田健太，能登屋桃子，白鳥世明
13 アニーリングによる銀ナノワイヤー試料の導電性向上
大阪電通大院工 ○富岡明宏，増田啓宏，波多野雄亮，川畑公人

休憩

16:30 〜 16:45

14 TEM 観察下での電気的破断法によるナノギャップ電極形成
阪大産研 ○横田一道，谷口正輝，川合知二▲ 15 Controlling the Morphology of ZnO Nanorod Arrays for Hybrid Solar
Cells
Nara Inst. of Sci. and Tech. 〇 Jennifer Damasco Ty，Hisao Yanagi
16 金属ハロゲン化物ペロブスカイトの電子構造制御とプリンテッドエレクトロニクス
北大院理 1，北大院総化 2，JST-CREST3 ○長谷川裕之 1,3，大崎 剛 2，
ジーヤンカルロ ロレーナ 2，高橋幸裕 1,2,3，原田 潤 1,2,3，稲辺 保 1,2,3
17 ナノミスト堆積法 ( 多電極型静電塗布法 ) を用いた Alq3/α-NPD 薄膜積層構造の成膜評価上智大理工 1，上智大ナノテクセンター 2 ○高塚祐輔 1，
西 大紀 1，菊池昭彦 1,2
18 超微細インクジェット法により作製した微小液滴から形成される導電性ポリ
マーブレンドの微細相分離構造
名大院工 1，名大 VBL2 ○水野 佑 1，原 光生 1，永野修作 2，関 隆広 1------------------------------------------------------------------------------------

（ 90
90 ）

12

12.1 作製・構造制御
9 月 18 日 9:00 〜 12:00
18a-A5 - 1 〜 11

△ 1 抗がん活性ナノ粒子作製技術の開発
東北大多元研 ○幾田良和，小関良卓，小野寺恒信，及川英俊，笠井 均△ 2 LB 法を応用した垂直配向 CNT の作製と成長条件の最適化
千葉大院工 ○栗山直樹，金杉 治，大橋正明，
高際翔太，中村健太郎，串田正人△ 3 高速 AFM による自己組織化単分子膜 (SAM) 形成過程の直接動画観察○
日本曹達
岩佐淳司，熊澤和久，山田茂男，鈴木啓之
4 Si(111) 表面へのフェロセニルポリエチレングリコールの接合とその物性評価
○（M2）
京大院工
杉浦慎太郎，一井 崇，宇都宮徹，杉村博之△ 5 針状電極でイオン化した超音波霧化液滴を用いた有機薄膜の成膜技術
埼玉大 ○佐藤 新，福田武司，鎌田憲彦，本多善太郎

休憩

10:15 〜 10:30

6 イオン液体を介した真空蒸着法によるペンタセンの材料精製
東北大 1，産総研 2 ○（PC）大橋 昇 1，丸山伸伍 1，
柴田陽生 2，吉田郵司 2，松本祐司 1△ 7 イオン液体を介した昇華・再結晶ハイブリッド法による有機半導体結晶の作
製と高純度化
東北大院工 ○榎本大貴，大橋 昇，丸山伸伍，松本祐司△ 8 溶媒蒸発時間を制御した静電塗布 P3HT:PCBM 膜の特性
埼玉大 ○鈴木勝己，戸田明日来，Yingjie Liao，
福田武司，鎌田憲彦，本田善太郎△ 9 異種ミクロ液滴の特異な混合メカニズムと高度印刷薄膜製造技術への応用
産総研 FLEC1，東大工 2 ○野田祐樹 1，峯廻洋美 1，
山田寿一 1，長谷川達生 1,2△ 10 銀ナノ粒子電極の密着性向上と融着メカニズムの解析
山形大 ROEL ○関根智仁，福田憲二郎，熊木大介，時任静士△ 11 加熱スピンコート法を用いた液晶性フタロシアニン薄膜の作製及び基礎物性評価
阪大院工 ○東 卓也，大森雅志，Mihary Fiderana Ramananarivo，
吉田浩之，藤井彰彦，尾崎雅則-----------------------------------------------------------------------------------12.1 作製・構造制御
9 月 18 日
18p-PB12 - 1 〜 22

18p-PB12 - 1 〜 2217 反応性自己組織化膜を用いた有機ＥＬ素子の界面制御
東京農工大工 1，Case Western Rserve Univ.2 ○小野爽太郎 1，
臼井博明 1，金 性湖 1，Rigoberto Advincula2，田中邦明 1
18 レーザー照射による有機光機能素子の作製
室蘭工大 1，千歳科学技術大 2 ○夛田芳広 1，夛田量宏 2，小田久哉 2
19 微粒子積層による全方向反射防止膜の傾斜機能特性
慶大院理工 ○（M2）深田健太，白鳥世明
20 電圧印加交互積層法による粘土 / ポリマーヘテロ構造の作製・評価
慶大院理工 ○能登屋桃子，白鳥世明
21 一次元直鎖状高分子錯体のナノ結晶化と光学特性評価
東北大多元研 ○鈴木龍樹，小野寺恒信，笠井 均，及川英俊
22 CaCl2 添加による自己修復膜の性能変化
慶大院理工 ○（M2）谷口太平，白鳥世明-----------------------------------------------------------------------------------12.2 評価・基礎物性
9 月 17 日 13:15 〜 18:00
17p-A2 - 1 〜 17

△ 1 Au(111) 上オクタエチルポルフィリンダブルデッカー型単分子磁石の STM を用いた単一分子操作
阪大院理 1，東北大多元研 2，九工大 3 ○猪瀬朋子 1，田中大輔 1，
Jie Liu2，田中啓文 1,3，米田忠弘 2，小川琢治 1
2 メカニカルブレークジャンクション法によるポルフィリンダブルデッカー型
単分子磁石の単分子電気計測
阪大院 1，九工大 2 ○炭谷宣登 1，Vanessa Timmerman1，田中大輔 1，
猪瀬朋子 1，田中啓文 2，石川直人 1，山田 亮 1，夛田博一 1，小川琢冶 1
3 単一分子架橋系の交流応答特性の NEGF － DFT 計算
東大院工 ○川尻雄基，平井大介，笹岡健二，俵 有央，渡邉 聡
4 ペンタセン薄膜トランジスタの局所表面電位の温度依存性評価
京大院工 1，京大白眉セ 2 ○黄 子玲 1，木村知玄 1，小林 圭 1,2，山田啓文 1△ 5 電極表面処理による電極 - 有機グレイン界面物性の局所影響評価
京大院工 1，京大白眉セ 2 ○木村知玄 1，小林 圭 1,2，山田啓文 1
6 AFM による {Mo154/152}-ring の電気伝導度測定
阪大院理 1，山口大院理工 2 ○松尾春佳 1，角田 早 1，岸本裕幸 1，
蔡 徳七 1，綱島 亮 2，中村一平 2
7 {Mo154/152}–ring の超薄膜形成と電気特性
阪大院理 1，山口大院理工 2 ○（M1）岸本裕幸 1，山口晴正 1，蔡 徳七 1，
中村一平 2，綱島 亮 2，松本卓也 1

休
ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 蒸発過程における液晶薄膜の粘弾性解析
静大院工 原木秀巳，○片岡正太郎，陶山 駿，久保野敦史
2 2 つの電位を用いた ESD 法による液晶配向材の選択的塗り分け精度の向上
工学院大院工 1，工学院大工 2 ○内田裕大 1，工藤幸寛 1，高橋泰樹 2
3 エレクトロスピニング法を応用した液晶性マイクロロッドの作製
工学院大院工 ○渡戸優介，工藤幸寛，高橋泰樹
4 エレクトロスピニングを用いた液体滑液膜の作製と評価
慶大院理工 ○（M1）塚本拓也，白鳥世明
5 ミストデポジション法によるホール輸送層の成膜とその表面電位特性
津山高専 1，千葉工大 2 ○香取重尊 1，佐藤宣夫 26 カーボンナノチューブ含有マイクロカプセルの作製と近赤外光照射に対する応答性
明大理工 ○齋藤晴之，加藤徳剛
7 多孔質シリカカプセルのシェル厚制御と放出レートの観察
明大理工 ○山口 優，加藤徳剛
8 ダイヤモンドナノ粒子の電気泳動堆積における溶媒の影響
農工大工 1，神奈川大理 2 後藤洋介 1，田中邦明 1，大石不二夫 2，○
臼井博明 19 Si 基板上への金ナノ粒子の位置制御配列
群馬大院理工 ○伊藤和男，増山貴行，野口克也
10 ベンゼンチオール誘導体を用いた金属表面の濡れ性制御
神戸大院工 1，シャープ 2，東大ナノ量子機構 3○
鈩 信吾 1，葛本恭崇 2，北村雅季 1,3
11 溶液の接触角制御による有機半導体の一方向成長
岩手大工 1，奈良先端大物質 2 ○小鹿曹汰 1，神谷亮輔 1，
山本秦平 2，鈴木充朗 2，山田容子 2，吉本則之 1
12 有機薄膜太陽電池への応用を目指したペンタセンの配向制御
産総研ユビキタス 1，関西大化学生命工 2 藤澤拓平 1,2，溝黒登志子 1，
クライレ ヘック 1，青田浩幸 2，○谷垣宣孝 1,2
13 蒸着重合法による芳香族ポリ尿素架橋薄膜の作製
静大院工 浅井康太，○蓬莱健一，池部雅俊，小林拓磨，久保野敦史
14 サゾール H1 薄膜の製膜法の比較と評価
農工大工 ○佐藤慶太，庭野俊裕，櫛田孝太郎，
畠山 温，田中邦明，臼井博明
15 プラスチック表面の Ag-Cu 合金シード層薄膜の作製
1
2○
農工大工 ，東洋化成
神野友樹 1，田中邦明 1，臼井博明 1，
飛鳥田孝幸 2，吉田 完 2，茂手木義人 216 上部 ITO 電極を有する半透明有機 EL デバイスにおける、ITO 製膜時膨張の効果
産総研 ○末森浩司，星野 聰，茨木伸樹，鎌田俊英

有機分子・バイオエレクトロニクス

憩

15:00 〜 15:15

8 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
導電性高分子 PEDOT:PSS 薄膜の THz-IR 分光によるキャリア輸送解析
理研 1，東北大院理 2，東北大金研 3，山梨大院医工 4 ○山田雄介 1,2，
山下将嗣 1，橋本顕一郎 3，佐々木孝彦 3，奥崎秀典 4，大谷知行 1,2
9 周波数変調静電気力画像による有機薄膜上の電荷分布観察
阪大院理 1，阪大産研 2 ○（B）荒木健人 1，家 裕隆 2，
安蘇芳雄 2，松本卓也 1
10 電気二重層有機電界効果トランジスタの高性能化に向けたイオン液体／ルブ
レン単結晶界面における局所構造解析
阪大院基礎工 1，東大新領域 2，阪大産研 3 ○森野裕介 1，原 援又 1，
坂東賢一 1，岡田悠悟 2,3，今西哲士 1，植村隆文 2,3，
横田泰之 1，竹谷純一 2,3，福井賢一 1△ 11 マイクロ波法によるグラフェン上のディラック電子の電荷輸送特性評価
阪大院工 ○崔 旭鎮，櫻井庸明，佐伯昭紀，関 修平
12 パリレン複合薄膜の高電界電流の大きな負の温度依存性
愛知工大 ○森 竜雄，水谷照吉

休憩

16:30 〜 16:45△ 13 バルク状態制御による有機フォトリフラクティブ材料の高速化
京工繊大院 1，理研 2，九州先端研 3 ○辻村 翔 1,2，藤原 隆 2,3，
佐々高史 2，木梨憲司 1，坂井 亙 1，石橋幸治 2，堤 直人 1
△ 14 Photo-CELIV 法による液晶性フタロシアニンバルクヘテロ接合薄膜のキャリ
ア移動度評価阪大院工 ○池原成拓，大森雅志，藤井彰彦，尾﨑雅則
15 Injected CELIV 法における注入電極と過渡電流シグナルの関係
山形大院理工 1，ROEL2 ○片桐千帆 1,2，中山健一 1,2
16 電界誘起光第二次高調波発生法による IZO/PMMA/α-NPD/Au の電界分布測定と電気伝導機構の解析
東工大院理工 ○西 翔平，田口 大，間中孝彰，岩本光正
17 過渡電流測定法及び電界誘起光第二次高調波発生法による ITO/Polyimide/
C60/Al のキャリア挙動の評価と Maxwell-Wagner 効果モデルによる解析
東工大 ○中村大二郎，貞方敦雄，田口 大，間中孝彰，岩本光正-----------------------------------------------------------------------------------12.2 評価・基礎物性
9 月 17 日
17a-PA1 - 1 〜 14

（ 91
91 ）

17a-PA1 - 1 〜 14

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 インピーダンス分光法による移動度評価 －キャリア寿命の影響－
大阪府大院工 1，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研 2○
高木謙一郎 1，永瀬 隆 1,2，小林隆史 1,2，内藤裕義 1,212有機分子・バイオエレクトロニクス

2 ポリマー薄膜ダイオードにおける電流電圧特性の分光による評価
阪市大 ○石川沙樹，鐘本勝一
3 置換ポリアセチレン主鎖から発生する電子スピンの挙動
室工大院工 1，室工大環境調和材セ 2 ○（P）佐々木隆浩 1，
吉田嘉晃 1，馬渡康輝 1,2，田畑昌祥 1,2
4 インピーダンス分光法による有機感光体の局在準位密度分布評価
大阪府大院工 1，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研 2，富士電機 3○
阿部聡一郎 1，甲田直也 1，小林隆史 1,2，永瀬 隆 1,2，
鈴木信二郎 3，小川祐治 3，寺崎成史 3，内藤裕義 1,2
5 時分割 X 線光電子分光による有機薄膜太陽電池界面光起電圧の検出
筑波大数理 1，JST さきがけ 2，東工大理工 3，東大物性研 4 ○櫻井岳暁 1,2，
小澤健一 3，湯川 龍 4，秋久保一馬 4，山本 達 4，松田 巌 4
6 P3HT 膜の F4-TCNQ ドーピング濃度と導電率の関係
騰 1，
東北大通研 1，東京工科大 2 ○但木大介 1，馬木村康男 2，庭野道夫 1
7 エネルギードナー・アクセプター発光による有機薄膜中の分子凝集の評価
埼玉大 ○大竹隆明，鎌田憲彦，福田武司
8 ジオクチルクリセン超薄膜の準安定励起原子電子分光
東京農工大院工 1，東京農工大工 2，東京農工大院 BASE3，ウシオケミックス 4○奥田昌平 1，山崎俊弥 1，仲本真虎 1，藤井悠基 1，川島若奈 2，猪野貴士 2，
尾崎弘行 1，遠藤 理 1，荻野賢司 3，大槻裕之 4，岡本一男 4
9 2 探針 AFM による塗布成膜高結晶性有機薄膜の電気特性評価
京大院工 1，京大白眉セ 2 ○清水太一 1，山岸裕史 1，小林 圭 1,2，山田啓文 1
10 金 - フラーレン単分子接合の電子構造
阪大産研 ○森川高典，筒井真楠，谷口正輝
11 多彩な配列を有するポルフィリンアレイの単一分子電気測定
阪大院理 1，阪大院基礎工 2 ○玉木 孝 1，野坂長範 1，
山田 亮 2，夛田博一 2，小川琢治 1
12 モジュラスの周波数特性からの有機半導体移動度評価
大阪府立大院 1，大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研 2○
高田政志 1，高田 誠 1，高木謙一郎 1，永瀬 隆 1,2，
小林隆史 1,2，内藤裕義 1,2
13 アルミナゲート絶縁膜 / チオフェン系有機半導体界面準位密度に対する自己組織化単分子膜（SAM) の効果
愛知工大 1，デンソー 2 ○吉田友紀 1，徳田 豊 1，
中村健二 2，加藤哲弥 2，片山雅之 2
14 化成処理で形成したアルミニウム箔上の Al2O3膜の結晶解析技術
村田製作所 ○野口博司，岩堀禎浩，吉野幸子，田村昌望-----------------------------------------------------------------------------------12.2 評価・基礎物性
9 月 18 日 9:00 〜 17:45
18a-A2 - 1 〜 11

1 SAM 修飾電極を用いたシトクロム c3 単分子の電気伝導測定
阪大院理 1，兵庫県立大院生命理 2 ○角田 早 1，蔡 徳七 1，
鈴木雅之 2，樋口芳樹 2，松本卓也 1
2 シトクロム c / 異種 DNA のクーロンブロッケード挙動
阪大院理 1，福井大院工 2 ○山口晴正 1，蔡 徳七 1，平野義明 2，松本卓也 1△ 3 等方加圧処理により高密度化された Alq3低分子薄膜の力学特性
茨城高専 1，長岡技術科学大 2 ○寺田有汰 1，長野陽平 1，
若松 孝 1，井原郁夫 2，金成守康 1
4 自己ドーピングを有する水溶性ポリアニリンのナノスケール電気特性
阪大院理 ○宇佐美雄生，山口晴正，岸本裕幸，蔡 徳七，松本卓也
5 ポリチオフェン薄膜の局所電界によるドーパント移動現象の観察
阪大 ○淺田 敬，仲 裕介，赤井 恵，齋藤 彰，桑原裕司

休

憩

食

1 「有機分子・バイオエレクトロニクス分科会論文賞受賞記念講演」（30 分）
低エネルギー逆光電子分光法の開発と有機半導体研究への応用
京大化研 ○吉田弘幸
2 有機 - 金属接合から有機側へ広がる波動関数の検出
産総研 1，千葉大院融合 2，分子研 3 ○細貝拓也 1，米澤恵一朗 2，
加藤賢悟 2，牧野凜太朗 2，上野信雄 2，解良 聡 3
3 [6,6]-Phenyl-C61-butyric Acid Methyl Ester (PCBM) の結晶化に伴うエネル
ギー準位の変化と有機薄膜太陽電池への影響
東大院工 1，理研 CEMS2，JST さきがけ 3，JASRI4，京大化研 5 鐘 宇飛 1,2，
伊澤誠一郎 1,2，橋本和仁 1，○但馬敬介 2,3，小金澤智之 4，吉田弘幸 3,5
4 紫外光電子分光および光電子収量分光法による HAT-CN のイオン化エネル
ギーの決定とその雰囲気効果の検証
千葉大院融合 1，千葉大先進 2 ○米山敦士 1，Koswattage K.R.2，
金城拓海 1，中山泰生 1，石井久夫 1,2
5 金属 / ペンタセン接合界面の硬 X 線光電子分光による検討
高輝度光科学研究セ 1，岩手大工 2 渡辺 剛 1，○（PC）広沢一郎 1，
陰地 宏 1，多田圭佑 2，吉本則之 2△ 6 K ドーピングしたフタロシアニン単分子膜の分子レベル構造と電子状態
筑波大数物 1，物材機構 WPI-MANA2 ○（M2）長谷川友里 1，
山田洋一 1，佐々木正洋 1，若山 裕 2
7 Picene 及び Coronene 単分子層へのアルカリドーピング
筑波大数理 1，物材機構 WPI-MANA2 ○山田洋一 1，矢野雅大 1，
遠藤めぐみ 1，清水亮介 1，長谷川友里 1，佐々木正洋 1，若山 裕 2

休

12:00 〜 13:30

憩

15:30 〜 15:45△ 8 有機 LED におけるキャリア・励起子生成ダイナミクスの分光観測
阪市大院理 ○高橋崇寛，鐘本勝一
9 導電性高分子 PEDOT-ClO4膜のフェムト秒過渡吸収分光
名大院工 ○松野泰己，小山剛史，岸田英夫
10 エチレングリコールを添加した PEDOT：PSS 膜の膜構造及び電子状態評価
千葉大院融合 ○田中正人，奥平幸司，上野信雄△ 11 超格子ヘテロ分子単層膜における非占有電子状態変化
千葉大院融合科学 1，京大化研 2，琉球大理 3，分子研 4 ○須田洋輔 1，
米澤恵一朗 1，山田一斗 2，吉田弘幸 2，佐藤直樹 2，柳澤 将 3，
奥平幸司 1，上野信雄 1，解良 聡 4△ 12 光電子分光および高感度光電子収量分光による Nylon-6,6 薄膜の電子構造観察
千葉大院融合 1，千葉大先進 2 ○佐藤友哉 1，ラシカ コスワッタゲ 2，
中山泰生 1，石井久夫 1,2
13 光電子収量分光による非真空環境下の生体関連分子クロロフィル a の電子構
造観察
千葉大院融合 1，千葉大工 2，千葉大先進 3 ○武田祐希 1，江澤 拓 2，
宮内拓也 1，金城拓海 1，中山泰生 1，石井久夫 1,3
14 大気中の貴金属ナノ粒子の電子構造と安定性へのゼラチン被膜の効果
日本写真学会フェロー 1，東京工芸大工 2 ○谷 忠昭 1，内田孝幸 2
15 超大規模電子状態理論による有機材料シミュレーション
鳥取大院工 1，JST-CREST(PostPeta)2 ○星 健夫 1,2，横山誠也 1-----------------------------------------------------------------------------------12.3 機能材料・萌芽的デバイス
9 月 17 日 9:00 〜 17:00
17a-A3 - 1 〜 10

1 フルオレン系高分子を用いた 2 波長の偏光検出可能な積層型偏光受光素子の検討
阪大院工 ○尾山広隆，橋本和弥，梶井博武，大森 裕
2 3 次元有機トランジスタを用いた接触荷重センサ
阪府産技研 1，デンソー 2 ○宇野真由美 1，金岡祐介 1，車 溥相 1，
阿南裕穂 2，加納一彦 2，片山雅之 2
3 フレキシブル有機トランジスタの作製と出力特性
山梨大院工 ○久保田智章，鶴田高広，奥崎秀典
4 ポリピロールによるバイモルフ構造の導電性高分子ソフトアクチュエータの最適化設計
九工大 ○渕脇正樹
5 導電性高分子の高次構造と固体電解コンデンサへの応用
山梨大院医工 ○（M1）竹澤裕美，勝沼将人，堀井辰衛，李 悦忱，奥崎秀典

10:15 〜 10:30

6 その場すれすれ入射小角 X 線散乱測定によるペンタセン薄膜形成中の膜厚の検討
高輝度光科学研究セ 1，岩手大工 2 ○（PC）渡辺 剛 1，
小金澤智之 1，菊池 護 2，吉本則之 2，広沢一郎 1△ 7 液晶性フタロシアニン薄膜の結晶構造における置換基種依存性
阪大院工 1，産総研ユビキタス 2 ○（M2）大森雅志 1，
藤井彰彦 1，清水 洋 2，尾崎雅則 1
8 蒸着法により作製した有機無機積層ガスバリアフィルム
東洋紡総研 ○江畑 崇，稲垣京子△ 9 金属ナノギャップアンテナ構造の作製・評価とナノ光トラッピングへの応用
東工大 1，理研 2 ○森田康洋 1，矢野隆章 1,2，林 智広 1,2，原 正彦 1,2▲ 10 Investigation of Localized Surface Plasmon/Grating-coupled Surface△		 Plasmon Enhanced Photocurrent of TiO2 Thin Film
Graduate School of Science and Techonology and Center forTransdisciplinary Research, Niigata University1，Department ofChemistry, Faculty of Science, Chulalongkorn University2，
Department of Chemistry, Faculty of Science,
Chiang Mai University3 〇 (D)Supeera Nootchanat1,2，
Hathaithip Ninsonti2,3，Chuchaat Thammacharoen1,3，
Kazunari Shinbo1，Keizo Kato1，Futao Kaneko1，
Sanong Ekgasit2，Akira Baba1
11 量子ドット付着金ナノ粒子ガラスビーズの作製と蛍光増強効果の検証
産総研 ○村瀬至生，澤井俊博，伊藤民武，鎌田賢司，川崎一則，内田雄幸

昼

18p-A2 - 1 〜 15

休憩

10:15 〜 10:30

6 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
単層カーボンナノチューブ／イオン液体ポリマーナノコンポジットの増強
ゼーベック効果奈良先端大物質 ○中野元博，野々口斐之，中嶋琢也，河合 壯
7 自己組織化単分子膜の非線形電流電圧特性と信号伝達特性
阪大院基礎工 ○山口真理子，大戸達彦，山田 亮，夛田博一
8 液晶相の混和性とキャリヤ移動特性：ジチエニルナフタレンジアルキル誘導体におけるアルキル同族体（nTNATn）
産総研ユビキタス 1，龍谷大理工 2 川野倖暉 1,2，縄本眞三 1，
西川浩矢 1,2，物部浩達 1，○清水 洋 1
9 フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜における焦電特性の温度依存性
神戸大院工 1，ダイキン工業 2 ○森 陽光 1，小谷哲浩 2，高 明天 2，
金村 崇 2，小柴康子 1，三崎雅裕 1，石田謙司 1
10 3ω 法を用いた導電性高分子材料の熱伝導率の計測
阪大院基礎工 ○後北寛明，夛田博一

昼

（ 92
92 ）

食

11:45 〜 13:15

12

17p-A3 - 1 〜 14

△ 1 光重合誘起分子配向における液晶高分子の添加効果
東工大資源研 ○中野 航，梅垣 薫，宍戸 厚△ 2 長時間電気化学発光の実現
慶應大院 ○（M1）吉田貴之，二瓶栄輔▲ 3 Anti-Stokes Photon Emission Through Intermolecular Triplet Dexter△		 Energy Transfer From C60-Fullerene to 1-Chloro-9,10-bis(phenylethynyl)
anthracene
International Christian Univ. ○（B）Akiyoshi Park，Hideki Okamura△ 4 発光性共振器としての自己集合化共役高分子マイクロ球体
筑波大数理物質 1，デュイスブルグ - エッセン大 2，筑波大 TIMS3○
田畑顕一 1，Braam Daniel2，櫛田 創 1，童亮 1，
桑原純平 1，神原貴樹 1，Lorke Axcel2，山本洋平 1,3▲ 5 Study on Electro-polymerization Wiring System Imitating Axonal Growth△		 of Artificial Neurons towards Machine Learning
Osaka University1，Hokkaido University2 〇 Nguyen Tuan Dang1，
Megumi Akai-kasada1，Tetsuya Asai2，Akira Saito1，Yuji Kuwahara1△ 6 ポリ尿素薄膜を用いた焦電・圧電特性および振動発電評価
神戸大院工 ○森本勝大，辻浦裕一，小柴康子，
三崎雅裕，神野伊策，石田謙司△ 7 エレクトロスピニング法で製膜したポリ乳酸ファイバーの電気特性の圧力応
答
産総研 1，豊橋技科大 2，北陸先端大 3 ○延島大樹 1，
石井佑弥 2，酒井平祐 3，植村 聖 1

休憩-----------------------------------------------------------------------------------12.3 機能材料・萌芽的デバイス
9 月 18 日 9:00 〜 17:45
18a-A3 - 1 〜 10

1 エレクトロスピニングによる単結晶 P(VDF-TrFE) ナノファイバーの形成
静岡大 ○野寄雅司，根尾陽一郎，三村秀典
2 微小空間内での導電性高分子ナノファイバーの配向制御
東京農工大 ○串 聡志，塚田涼太，下村武史
3 ナノファイバー／液晶複合素子の電気光学特性
防衛大電気情報 1，愛媛大院理工 2 Quoc Toan Duong1，
尾﨑良太郎 2，○森武 洋 1
4 ハイパボリック・メタマテリアルによる有機薄膜の蛍光増強
三重大院工 1，三重大極限ナノエレ 2 ○松井龍之介 1,2，宇佐美英典 1
5 p-sexiphenyl 単結晶キャビティの光励起レーザー発振
奈良先端大物質 1，産総研電子光技術 2 ○柳 久雄 1，
田村健次 1，田中庸介 1，佐々木史雄 2

休憩

10:15 〜 10:30

6 光スイッチ応用へ向けたシアニン色素薄膜の作製
神戸大院工 1，阪府大院工 2 ○長内順平 1，小島磨 1，喜多 隆 1，
沈 用球 2
7 超分岐ポリマーを用いた蛍光性プラチナ・ナノクラスターの合成
阪大生命機能 1，阪大応物 2 ○井上康志 1,2，Xin Huang1，石飛秀和 1,2
8 電気光学ポリマーと無機電気光学結晶の電気光学特性のアパチャー無しの透過型エリプソメトリー法による評価
情報通信研究機構 ○山田俊樹，青木 勲，三木秀樹，大友 明
9 厚いセルにおける高分子安定化ネマティック液晶の応答解析
防衛大電気情報 1，九大先導研 2 ○森武 洋 1，Van Bao Bui1，
Thanh Nguyen1，樋口博紀 2，菊池裕嗣 2
10 液晶エラストマーの電界応答特性
九大院工 ○大石崇之，河野真也，渕祐太郎，民法大樹，
日高芳樹，岡部弘高，原 一広

昼食

18p-A3 - 1 〜 16

1 「12．有機分子・バイオエレクトロニクス 分科内招待講演」（30 分）
有機金錯体の動的なポリモルフィズム：発光性メカノクロミズムとドミノ現象
北大院工 ○伊藤 肇
2 TPCO 単結晶を用いた垂直共振器型面発光レーザ
京工繊大院工芸 1，奈良先端大物質 2 ○中畑拓也 1，早川昂志 1，山下兼一 1，
櫻井優作 1，山雄健史 1，柳 久雄 2，堀田 収 1
3 TPCO 単結晶からの面発光の微小共振器効果
京工繊大院工芸 1，奈良先端大物質 2 早川昂志 1，○山下兼一 1，山雄健史 1，
堀田 収 1，柳 久雄 2
4 Grignard 反応剤を用いたアルキル化による不融化石炭ピッチの可溶化と固体
および溶液物性解明
中央大院理工 1，埼玉大院理工 2，大阪ガスケミカル 3，中央大理工 4○
藤本 翔 1，福田武司 2，山形憲一 3，山下 誠 45 導電性高分子を用いたバイオプラットフォームの開発
阪府大院工 ○（M1）高井将博，陶国智史，西野智昭，椎木 弘，長岡 勉
6 NaPSS ブラシ表面における往復ナノ摺動に対する水中摩擦挙動の振幅および荷重依存性
東京都市大工 ○藤間卓也，村井翔太，島崎雅弘，二口栄太郎
7 導電性高分子のラインパターニングによる透明電極の作製とタッチパネルへの応用
山梨大院医工 ○尾身拓哉，滝上勇気，奥崎秀典
8 らせん状ポリイソシアニドを用いた抵抗変化型不揮発性メモリ
北陸先端科学技術大学院大 1，金沢大 2 ○（M2）櫻川康志 1，
高木遊学 2，井改知幸 2，酒井平祐 1，村田英幸 1

15:00 〜 15:15△ 8 有機圧電エナジーハーベスターにおける振動発電特性の分子配向依存性
神戸大工 ○梶原忠夫，上野慶和，辻浦裕一，小柴康子，
三崎雅裕，神野伊策，石田謙司△ 9 一次元金属回折格子上での高分子ナノ集積体中の光の伝搬特性
12
東北大多元研 ，産総研 ，北大電子研 3 ○印藤健也 1，森田晋平 1，
山本俊介 1，田和圭子 2，西井準治 3，宮下徳治 1，三ツ石方也 1△ 10 光重合誘起分子配向を利用した回折格子の自発形成
東工大資源研 ○相沢美帆，久野恭平，赤松範久，宍戸 厚△ 11 ポリマー材料を用いた印刷可能なフレキシブル温度センサ
東大工 1，JST, ERATO2，The University of Texas3，阪大産研 4○
横田知之 1,2，寺川雄貴 1，Jonathan Reeder1,3，Taylor Ware3，
Walter Voit3，関谷 毅 1,2,4，染谷隆夫 1,2△ 12 フレキシブルシルク電極による生体電位計測
東北大院工 1，NTT 物性科学基礎研 2 ○園部達真 1，高橋秀幸 1，
渡邊 恵 1，鳥光慶一 1，塚田信吾 2，住友弘二 2△ 13 櫛形電極による電気化学発光
慶大院理工 ○（M1）西村亮一，二瓶栄輔△ 14 高機能薄膜のグラフォエピタキシーに向けたガラス基板のナノパターニング
東工大院理化学研 1，元素戦略 2，JST-ALCA3 ○大橋一輝 1，
入野将昴 1，大島孝仁 1，吉松公平 1，大友 明 1,2,3

11:45 〜 13:15

有機分子・バイオエレクトロニクス

休憩

15:30 〜 15:45

9 van der Waals 相互作用エネルギーが乾燥模様に与える影響
北陸先端大 1，グリーンデバイス研 2 ○大森豊司 1，
増田貴史 1，深田和宏 2，下田達也 1,2
10 トリシアノフラン系色素を含むホスト / ゲストポリマーにおける二次非線形光学効果の界面吸着挙動に対する依存性Ⅱ
静岡大院工 ○（M2）高須亮佑，川田善正，間瀬暢之，杉田篤史
11 極薄フィルム基板上への有機光検出器の作製
東大工 1，ヨハネス・ケプラー大 2，JST/ERATO3，阪大産研 4○
北之迫浩輝 1，Martin Kaltenbrunner1,2,3，横田知之 1,3，
関谷 毅 1,3,4，染谷隆夫 1,3
12 CuPc:C60 有機受光素子の ZnO 薄膜挿入効果
香川高専 ○森宗太一郎，西丸大貴
13 p 型および n 型ドープされたポリマー半導体による pn 接合の作製
九大先導研 1，九大総理工 2 ○水谷直貴 1，林田寿徳 2，藤田克彦 1,2
14 オール印刷でのガス透過性 CNT 電極を有する静電容量型湿度センサの作製と安定性向上に関する検討
信州大工 ○高田明典，伊東栄次
15 アゾ・カルバゾール色素における光誘起屈折率格子の形成 VI
千歳科学技術大 ○夛田量宏，今井敏郎，川辺 豊
16 Sol-gel 法による自立型フレキシブル透明滑水滑油膜の作製
慶大理工 1，三菱マテリアル電子化成 2 ○（B）中島太一 1，天神林瑞樹 1，
白鳥世明 1，藤田将人 2，神谷武志 2，本田常俊 2-----------------------------------------------------------------------------------12.3 機能材料・萌芽的デバイス
9 月 19 日
19p-PA6 - 1 〜 22

19p-PA6 - 1 〜 22

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 液晶マイクロレンズに形成したポストスペーサ周辺の基板配向
秋田県産業技術センタ ○梁瀬 智，王濱，内田 勝2 遠赤外線領域における楔形液晶セルの電気光学特性
秋田大 1，液晶レンズ研究所 2 佐藤翔吾 1，○河村希典 1，佐藤 進 2
3 滑水性表面の低温領域での水滴滑落性の検証
慶應大 白鳥世明，○（B）守谷赳夫，諏訪部憲△ 4 高発光性パイ共役高分子マイクロ球体による特異な発光特性
筑波大数理物質 1，デュイスブルグーエッセン大 2 ○（M1C）櫛田 創 1，Braam Daniel2，田畑顕一 1，柴崎浩輔 1，木島正志 1，Lorke Axel2
5 新規光異性化材料における屈折率変化保持特性
理研 1，慶大理工 2，九州先端研 3 ○清水智樹 1,2，藤原 隆 1,3，
川本益揮 1，礒島隆史 1，佐々高史 1，木下岳司 2，石橋幸治 1△ 6 直流駆動型無接点マイクロモーターの創出
同志社大生命医科 1，同志社大院理工 2 ○森 世織 1，
山本亮太 2，三木真湖 1，塩井章久 2，吉川研一 1
7 2,5-Bis(4-biphenylyl)thiophene の結晶成長と光励起レーザー作用
奈良先端大物質 1，産総研電子光技術 2，京工繊大院工芸 3○
小野静之 1，柳 久雄 1，佐々木史雄 2，堀田 収 3
8 溶融結晶化により作製した TPCO マイクロキャビティの発光特性
奈良先端大物質 1，京工繊大院工芸 2，産総研電子光技術 3 ○田中庸介 1，
柳 久雄 1，中畑拓也 2，山下兼一 2，山雄健史 2，堀田 収 2，佐々木史雄 3
9 アルキル末端鎖を持つ平滑膜の吸湿剤添加による疎液性向上
慶大理工院 ○諏訪部憲，白鳥世明
10 TCF-CF3アクセプターを含む NLO 色素の無電界ポーリング法
静岡大工 ○（M1）鈴木亮太，伊藤一磨，間瀬暢之，
鳴海哲夫，川田善正，杉田篤史

（ 93
93 ）

12

有機分子・バイオエレクトロニクス△ 11 C8BTBT-TCNQ 錯体による CT バンド吸収を利用した新規有機太陽電池の開発
産総研太陽光 1，産総研 FLEC2，東大工 3 ○柴田陽生 1，堤 潤也 2，
松岡悟志 2，長谷川達生 3,2，松原浩司 1，吉田郵司 1，近松真之 1
12 アゾカルバゾール色素における光誘起回折格子の形成 : 濃度依存性
千歳科技大 1，千歳科技大 2，千歳科技大 3，千歳科技大 4，千歳科技大 5○
松岡利憲 1，夛田量宏 2，吉川俊雄 3，今井敏郎 4，川辺 豊 5
13 酸化チタン - 銀ナノ粒子複合フィルムの作製と光電導
群馬高専 1，長岡高専 2，豊橋技科大 3 ○山崎健輝 1，石田拓馬 1，
藤野正家 1，片桐裕則 2，河村 剛 3，松田厚範 314 酸化グラフェン分散性の数値化
佐賀大院工 ○大竹亜紗美，内野聖子，滝澤 登，江良正直，坂口幸一
15 酸化グラフェンに対する高汎用性官能基導入法の検討
佐賀大院工 ○佐熊祐大，内野聖子，大竹亜紗美，
島 靖卓，江良正直，坂口幸一
16 立体規則性芳香族置換ポリアセチレンが形成する π 共役らせん構造の伸び縮み
室工大院工 1，室工大環調材工研セ 2 ○馬渡康輝 1,2，元茂朝日 1，
吉田嘉晃 1，元茂蘭子 1，佐々木隆浩 1，田畑昌祥 1,2
17 温度変調に伴うキャリア伝導機構変化を利用した新奇有機熱電材料の探索（Ⅱ）：巨大ゼーベック効果は定常現象か？
奈良先端大物質 ○阿部 竜，伊藤光洋，高橋功太郎，小島広孝，
松原亮介，葛原大軌，山田容子，中村雅一
18 3 次元構造を有するジチオカルバミン酸配位高分子薄膜のキャリア輸送特性
評価
近畿大理工 1，JST さきがけ 2 ○樋元健人 1，中橋裕貴 1，
大久保貴志 1,2，前川雅彦 1，黒田孝義 1
19 ポリチオフェン導電性高分子の熱電変換
農工大院 BASE1，農工大院工 2 ○樋浦翔悟 1，
涌井純馬 2，太田 豊 2，下村武史 2
20 イオン輸送スイッチを目指したイオン液体膨潤環動ゲルの体積変化
農工大院 BASE1，農工大院工 2，東大院新領域 3○
柏野智洋 1，下村武史 2，伊藤耕三 3▲ 21 Alkyl substitution effect on thieno[3,2-b]thiophene derivatives exhibiting
liquid-crystalline phases for organic field-effect transistor application
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University1，
Department of Advanced Materials Science, Faculty of Engineering,
Kagawa University2 〇 Yuna Kim1，Masahiro Funahashi2，
Nobuyuki Tamaoki1
22 石炭ピッチから長波長発光を示す有機分子の分離抽出手法の検討
埼玉大 1，大阪ガスケミカル 2，中央大 3 ○福田武司 1，
井上智明 1，菱沼賢智 1，山形憲一 2，山下 誠 3-----------------------------------------------------------------------------------12.4 有機 EL・トランジスタ
9 月 17 日 9:00 〜 18:00
17a-A4 - 1 〜 10

1 超臨界溶体急速膨張法によるテトラセン薄膜の創製と溶体噴射時間の影響
信州大 ○（D）藤井竜也，高橋佑汰，内田博久
2 静電スプレー堆積法を用いて作製したトップゲート型有機トランジスタ
山梨大工 ○小野島紀夫，齋藤弘樹，原 和寛
3 超音波溶融によるフレキシブル有機薄膜トランジスタの作製
千葉大院工 1，日本化薬 2 ○酒井正俊 1，山崎陽太 1，佐々木達彦 1，
山口祥平 1，林 潤郎 1，國吉繁一 1，山内 博 1，
貞光雄一 2，品村祥司 2，工藤一浩 1
4 低分子有機半導体 / ポリマーブレンド溶液の塗布による高移動度有機半導体
大面積薄膜の結晶化
東大院新領域 1，阪大院工 2 ○添田淳史 1,2，三津井親彦 1，
岡本敏宏 1，竹谷純一 1,25 低分子真空蒸着における成膜速度の超高速化と FET 特性への影響
奈良先端大物質創成 ○寺岡拓麻，松原亮介，小島広考，中村雅一

休憩

10:15 〜 10:30

6 照明用のフレキシブル OLED パネルの製作技術
ETRI ○ Byoung-Gon Yu，Jaehyun Moon，Joohyun Hwang，Seung Koo Park，Nam Sung Cho，Jun-Han Han，Doo-Hee Cho，
Jonghee Lee，Hye Yong Chu，Jeong-Ik Lee
7 有機薄膜のスピンコート塗布時おける膜形成過程の観察
1
山形大有機イノベ ，首都大院都市環境 2 ○硯里善幸 1,2，井上晴夫 2
8 ナノミスト堆積法（多電極型静電塗布法）による高分子 F8BT 薄膜の表面モ
ホロジー制御及び OLED の作製
上智大 1，上智大ナノテクセンター 2 ○西 大紀 1，石野隼一 1，菊池昭彦 1,2
9 転写法で発光層を積層したポリマー系電子注入層を有する積層型高分子系有機 EL
信州大工 ○蔵見和彦，伊東栄次
10 冷間等方圧加圧による有機薄膜の電気伝導性の向上
九大 OPERA1，JST ERATO2 ○松島敏則 1,2，江崎 有 1，安達千波矢 1,2

昼

食

17p-A4 - 1 〜 17

1 高平滑・塗布ゲート電極を有するプラスチック基板上の高性能有機トランジ
スタ
トッパン・フォームズ 1，東大新領域 2，阪府産技研 3 ○松本孝典 1，
宇野真由美 2,3，金岡祐介 2,3，岡本敏宏 2，三津井親彦 2，竹谷純一 2,32 無電解めっき電極を有するプラスチック基板上高性能有機トランジスタ
EEJA1，東大新領域 2，阪府産技研 3，トッパン・フォームズ 4 ○伊東正浩 1,2，
境 駿希 2，宇野真由美 2,3，松本孝典 4，竹谷純一 2,3
3 オールウェットプロセスによる高移動度有機単結晶トランジスタ
東大新領域 1，阪府産技研 2，EEJA3，トッパン・フォームズ 4，旭硝子 5，
パイクリスタル 6 ○境 駿希 1，岸 柾之 1，松井弘之 1，三津井親彦 1，
岡本敏宏 1，宇野真由美 2，伊東正浩 3，松本孝典 4，阿部岳文 5，岸村眞治 6，竹谷純一 1,6
4 凸版反転印刷法を用いた短チャネル有機薄膜トランジスタの作製
山形大院理工 1，DIC2 ○吉村悠大 1，竹田泰典 1，岡本朋子 2，福田憲二郎 1，熊木大介 1，片山嘉則 2，時任静士 1
5 チャネル長 5 µm における高移動度有機電界効果トランジスタ
大阪府大 1，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研 2，日本化薬 3○
中道諒介 1，永瀬 隆 1,2，小林隆史 1,2，貞光雄一 3，内藤裕義 1,26 塗布型カーボン電極を用いたボトムコンタクト C6-DBTDT トランジスタ
東工大院理工 ○角屋智史，森 健彦

休憩

14:45 〜 15:00

7 パルス合成方式を用いた銅ナノ粒子電極の低熱ダメージ光焼成プロセスの検討
山形大院理工 1，山形大 ROEL2，菅原研究所 3 ○熊木大介 1,2，乗田翔平 1,2，
林 賢二 3，菅野純司 3，近藤 滋 3，福田憲二郎 1,2，時任静士 1,2
8 シアノエチル化ポリマーをゲート絶縁膜に用いた有機トランジスタと可塑剤
添加の影響
信州大繊維 ○廣田みさと，市川 結
9 有機薄膜トランジスタの閾値電圧制御：集積回路応用に向けて
神戸大院工 1，東大ナノ量子機構 2，東大生研 3○木村由斉 1，北村雅季 1,2，荒川泰彦 2,3
10 酸化チタン絶縁膜を用いた低電圧駆動有機トランジスタ
東大院工 1，JST/ERATO2，ヨハネスケプラー大 3，フォトンサイエンス・リーディング大学院 4，阪大産業科学研 5 ○甚野裕明 1,2，立花勇太郎 1,2，
Kaltenbrunner Martin2,3，横田知之 1,2，松久直司 1,2,4，
関谷 毅 2,5，染谷隆夫 1,2
11 大面積の高移動度塗布型有機半導体結晶薄膜の作製と CMOS 回路
東大新領域 1，大阪府立産技研 2 ○岸 柾之 1，添田淳史 1，
松井弘之 1，金岡祐介 2，宇野真由美 2，竹谷純一 1,2

休憩

16:15 〜 16:30

12 非対称置換型 BTBT 誘導体の単結晶構造解析
産総研 1，KEK 物構研 PF/CMRC2，東大工 3 ○峯廻洋美 1，井上 悟 1，
山田寿一 1，熊井玲児 2，田中睦生 1，長谷川達生 1,3
13 Ph-BTBT- アルキル誘導体のアルキル鎖長依存性と単結晶構造解析
産総研 1，KEK 物構研 PF/CMRC2，東大工 3 ○井上 悟 1，峯廻洋美 1，
近松真之 1，堤 潤也 1，山田寿一 1，堀内佐智雄 1，
田中睦生 1，熊井玲児 2，長谷川達生 1,3
14 高次の分子配向秩序をもつスメクティック E(SmE) 相における電荷輸送特性
東工大 ○新田武父，大野 玲，飯野裕明，臼井孝之，半那純一
15 構造秩序性もつ有機半導体の Correlated Disorder Model の構築とその電荷輸送の温度依存性
東工大像情報 ○大野 玲，新田武父，高屋敷由紀子，飯野裕明，半那純一
16 ベンゾビスチアジアゾール骨格を有する高溶解性、高移動度の新規塗布系 n型有機 TFT
宇部興産 1，山形大院理工 2，山形大 INOEL3，山形大 ROEL4 ○垣田一成 1，
島 秀好 1，米田康洋 1，田中康裕 1，儘田正史 2,3，熊木大介 2,4，時任静士 2,417 全塗布型 n 型有機薄膜トランジスタの作製と有機相補型回路応用
山形大院理工 1，山形大 ROEL2，宇部興産 3，山形大 INOEL4 ○竹田泰典 1,2，
青塚 晟 1,2，垣田一成 3，島 秀好 3，米田康洋 3，田中康裕 3，
儘田正史 1,4，福田憲二郎 1,2，熊木大介 1,2，時任静士 1,2-----------------------------------------------------------------------------------12.4 有機 EL・トランジスタ
9 月 18 日 9:00 〜 18:00
18a-A4 - 1 〜 10

11:45 〜 13:15

（ 94
94 ）

1 ドープ系有機 EL 素子に用いられる共蒸着層における巨大表面電位の観測
千葉大院融合 1，明治大理工 2，千葉大先進 3○
中光栄仁 1，野口 裕 2，石井久夫 32 有機 EL 素子のインパルス応答によるインピーダンス ･ 発光解析
愛知工大 1，サンウォーター 2，岩手大 3 ○森 竜雄 1，
魚田 隆 2，魚田 慧 2，西川尚男 3
3 時間分解発光分光法を用いた Ir(ppy)3の正孔による励起子失活過程の解析
JAIST ○（M2）大山詩歩，村田英幸
4 ラマン分光法による 30mm 角有機 EL の HAT-CN 層の温度分布測定
早大院先進理工 1，CEREBA2 ○横山智子 1，古川行夫 1，
片木京子 2，大畑 浩 2，宮口 敏 2，筒井哲夫 2
5 二重共鳴 SFG 分光による有機 EL 素子の駆動劣化
産総研 1，CEREBA2 ○宮前孝行 1,2，高田徳幸 1,2，宮口 敏 2，
大畑 浩 2，吉岡俊博 2，筒井哲夫 2

12

休

憩

10:15 〜 10:30

6 Alq3系有機 EL 素子における劣化に伴う磁場特性への影響
阪大院工 ○田中慶佑，梶井博武，大森 裕
7 機能分離したフルオレン系高分子 EL 素子における特性の検討
阪大院工 ○水野恭介，梶井博武，大森 裕
8 LED 法および PL 法を用いた有機 EL 光取り出しフィルムの評価・解析
金沢工大 ○土居周平，三上明義
9 イオン液体を用いた青色電気化学発光セルの作製
早大理工 1，早大材研 2，日本化学工業 3 ○坂上 知 1，
田中美奈子 1，竹延大志 1,2，米川文弘 3
10 ポリフルオレンとアミン誘導体を用いた発光電気化学セルにおけるエキサイ
プレックス形成と発光色の相関
早大理工 1，JX 日鉱日石エネルギー 2 ○竹内宏典 1，西出宏之 1，
錦谷禎範 1，内田聡一 2，矢崎さなみ 2，西村 涼 2

昼食

18p-A4 - 1 〜 16

11:45 〜 13:15

1 「12．有機分子・バイオエレクトロニクス
有機エレクトロニクスの進展

分科内招待講演」（30 分）

阪大工 ○大森 裕△ 2 回折素子を有する有機ＥＬの光取り出し解析
パナソニック ○橋谷 享，稲田安寿，中村嘉孝，平澤 拓△ 3 成膜法による有機 EL 材料の膜物性の違い
山形大院理工 1，山形大有機エレクトロニクス研究センター 2○
柴田真希 1，横山大輔 1,2△ 4 Ir 錯体を用いた緑色燐光有機 EL 素子の過渡応答解析
阪大院工 1，阪大カネカ協働研 2 ○上田雅之 1，小西将弘 1，
梶井博武 1，西田将三 2，日高昌也 2，大森 裕 1

休憩

14:30 〜 14:45△ 5 長寿命・高効率なリン光有機 EL 素子内の三重項励起子ダイナミクス
東理大院理 1，NHK 技研 2 ○鎌田太介 1，清水貴央 2，
桐林幸弘 1，山本敏裕 2，深川弘彦 2△ 6 熱活性化遅延蛍光材料をホストに用いた高効率・長寿命緑色リン光素子
東理大院理 1，NHK 技研 2 ○由井翔太 1，清水貴央 2，
鎌田太介 1，山本敏裕 2，深川弘彦 1,2△ 7 TADF 過程を利用した高効率蛍光有機 EL 素子の劣化機構解析
九大応化 1，九大 OPERA2，JST・ERATO3 ○（M1C）古川太郎 1，
中野谷一 2,3，安達千波矢 1,2,3△ 8 TADF 分子をアシストドーパントとして用いた青色蛍光有機 EL 素子
九大工 1，九大 OPERA2，JST.ERATO3 ○（M2）樋口貴史 1，
中野谷一 2,3，安達千波矢 1,2,3△ 9 熱刺激電界誘起光第 2 次高調波発生測定による IZO/a-NPD/Alq3/Al 積層型
有機ＥＬ素子中に蓄積するホールのエネルギ準位の測定
東工大 ○田口 大，間中孝彰，岩本光正△ 10 軸対称偏光レーザー顕微電界誘起光第二次高調波発生測定法による有機 EL 素子の電界分布、界面電荷分布、発光強度分布の評価
東工大院理工 ○貞方敦雄，田口 大，間中孝彰，岩本光正

休憩

16:15 〜 16:30△ 11 フルオレン系高分子を用いた積層有機面発光トランジスタの移動度が与える
光学特性の影響に関する研究
阪大 ○大友隆弘，田中 仁，橋本和弥，梶井博武，大森 裕△ 12 周波数変調ケルビンプローブ原子間力顕微鏡による有機トランジスタの局所
しきい値電圧マッピング
京大院工 1，慶應大理工 2，京大白眉セ 3 ○山岸裕史 1，
野田 啓 2，小林 圭 1,3，山田啓文 1△ 13 イオン液体ゲートトランジスタを用いた導電性高分子 PBTTT の絶縁体 - 金属
転移
名大院工 ○（M2）原田知典，伊東 裕，安藤良洋，田中久暁，黒田新一
14 高速有機整流素子と有機 CMOS リングオシレータを用いた RF 変調回路
阪府産技研 1，トッパン・フォームズ 2，デンソー 3，富士フイルム 4，
東大新領域 5 ○金岡祐介 1，中山健吾 1，宇野真由美 1，松本孝典 2，加藤哲弥 3，片山雅之 3，宇佐美由久 4，竹谷純一 1,5
15 均一な特性を有する印刷型有機トランジスタの集積回路応用
山形大院理工 ○福田憲二郎，熊木大介，時任静士
16 溶液プロセスによる有機 TFT の閾値電圧制御およびインバータ回路応用
山形大院理工 1，山形大 ROEL2 ○塩飽 黎 1，吉村悠大 1，
竹田泰典 1，福田憲二郎 1, 2，熊木大介 1, 2，時任静士 1, 2

有機分子・バイオエレクトロニクス

4 熱ストレス耐久性を有する有機トランジスタに向けた屈曲 N 字型パイ電子系
分子
東大新領域 1，理研 CEMS2，JEOL RESONANCE3，リガク 4，JST さきがけ 5○
三津井親彦 1,2，岸 柾之 1，矢澤宏次 3，橋爪大輔 2，山岸正和 1，
佐藤寛泰 4，山野昭人 4，竹谷純一 1，岡本敏宏 1,2,5
5 フェナセン単結晶トランジスタの伝導特性
岡山大院自然 ○（M1）下 侑馬，三上隆弘，浜尾志乃，
後藤秀徳，岡本秀毅，林 靖彦，久保園芳博

休憩

10:15 〜 10:30

6 液晶性有機半導体 Ph-BTBT 誘導体の多結晶薄膜トランジスタの特性評価
東工大像情報 ○飯野裕明，岡村 寿，臼井孝之，半那純一
7 ボトムゲート・ボトムコンタクト型 Ph-BTBT-10 FET の低電圧駆動特性
東工大像情報 ○國井正文，飯野裕明，半那純一
8 ラマン分光法による PBTTT/ イオン液体有機トランジスタのキャリア解析
早大先進理工 ○秋山浩太郎，山本 潤，古川行夫△ 9 チエノチオフェンジオン骨格を有するドナー - アクセプター型ポリマーを用いた両極性トランジスタ
理研 CEMS1，JST さきがけ 2，JASRI3 ○川畑公輔 1，
尾坂 格 1,2，小金澤智之 3，瀧宮和男 1△ 10 インジゴ誘導体を用いたアンバイポーラ有機電界効果トランジスタ
東工大 ○ Oratai Pitayatanakul，東野寿樹，川本 正，森 健彦

昼食11:45 〜 13:15

19p-A5 - 1 〜 8△ 1 ナフトジチオフェンジイミド (NDTI) を基盤とした新規半導体ポリマー
理研 1，広大院工 2，JASRI3 ○中野正浩 1，尾坂 格 1，
瀧宮和男 1,2，小金沢智之 3
2 Cs 層挿入によるナフタレンジイミド誘導体 TFT の電子注入性の改善
信州大繊維 1，大日精化工業 2 ○岩崎一晃 1，小熊尚美 2，
平田直毅 2，市川 結 1
3 電極装飾による両極性有機電界効果トランジスタの高性能化
東理大 1，産総研 2，阪大院理 3 ○（M1）山根 航 1，古池晴信 1，
近松真之 2，久保孝史 3，西内智彦 3，金井 要 1△ 4 アクセプター部位を有するカルバゾールデンドリマーの合成と物性
東工大資源研 1，九大先導研 2 ○建 アルブレヒト 1，
松岡健一 2，藤田克彦 2，山元公寿 1

休憩

14:15 〜 14:30

5 トリフェニルシリルピリジル基を用いた新規ホスト材料の有機 EL 特性
信州大 1，保土谷化学工業 2 ○中村俊和 1，中村通孝 1，長岡 誠 2，市川 結 1▲ 6 Highly efficient exciplex organic light-emitting diodes incorporating a△		 heptazine derivative as an electron acceptor
Kyushu Univ.1，Nippon Steel and Sumikin Chemical Co., Ltd.2，
WPI-I2CNER3 〇 Jie Li1，Nomura Hiroko1，
Miyazaki Hiroshi1,2，Chihaya Adachi1,37 高効率熱活性化遅延蛍光有機 EL デバイスの開発
山形大院理工 1，山形大有機エレ研セ 2 ○猪股 晋 1，笹部久宏 1,2，
清野雄基 1，夫 勇進 1,2，城戸淳二 1,28 フッ素置換フェニルピリジン誘導体電子輸送材料の開発
山形大院理工 1，山大有機エレ研セ 2 ○鎌田嵩弘 1，笹部久宏 1,2，
横山大輔 1,2，夫 勇進 1,2，城戸淳二 1,2-----------------------------------------------------------------------------------12.4 有機 EL・トランジスタ
9 月 19 日
19p-PA7 - 1 〜 19-----------------------------------------------------------------------------------12.4 有機 EL・トランジスタ
9 月 19 日 9:00 〜 15:30
19a-A5 - 1 〜 10

1 フラン縮環拡張 π 共役分子の合成と有機電界効果トランジスタへの応用
東農工大院工 山片悠太，○中野幸司
2 新規可溶性ピロメリット酸ジイミド誘導体のトランジスタ特性
信州大繊維 ○青山奈々恵，市川 結△ 3 2,6 位で結合したターアズレン構造異性体の物性と有機トランジスタへの応
用
山形大院理工 1，山形大 ROEL2 ○山口裕二 1,2，田窪舞記 1，
小川佳祐 1，片桐洋史 1,2，中山健一 1,2

（ 95
95 ）

19p-PA7 - 1 〜 19

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 有機発光ダイオードの負の静電容量－電流効率、デバイス寿命との相関－
大阪府立大 1，サムスン日本研究所 2，大阪府立大分子エレクトロニック
デバイス研 3 ○高田 誠 1，高田政志 1，佐藤朱里 2，藤田悦昌 2，
小林隆史 1, 3，永瀬 隆 1, 3，内藤裕義 1, 3
2 多層構造有機 EL 素子のモジュラスプロットの解析
大阪府立大院 1，サムスン日本研究所 2，大阪府立大分子エレ研 3○
高田政志 1，高田 誠 1，佐藤朱里 2，藤田悦昌 2，
永瀬 隆 1,3，小林隆史 1,3，内藤裕義 1,3
3 有機 EL 用正孔輸送材料のキャリア注入および輸送の解析
愛知工大 1，岩手大 2 ○光崎茂松 1，坂井田雅人 1，影山貴浩 1，
雷 丙尤 1，古橋秀夫 1，西川尚男 2，森 竜雄 1
4 熱活性化遅延蛍光材料の光誘導吸収大阪府大工 1，大阪府大工 RIMED2，九大 OPERA3，WPI-I2CNER4○（M2）
丹羽顕嗣 1，小林隆史 1,2，永瀬 隆 1,2，合志憲一 3,4，
安達千波矢 3,4，内藤裕義 1,2
5 熱活性化遅延蛍光材料における発光特性のドーパント濃度依存性
大阪府大工 1，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研 2，九大 OPERA3，
九大 WPI-I2CNER4 ○高木絢生 1，丹羽顕嗣 1，小林隆史 1,2，
永瀬 隆 1,2，合志憲一 3,4，安達千波矢 3,4，内藤裕義 1,2
6 局在表面プラズモン共鳴を利用した有機発光ダイオードの発光増強度共鳴波
長依存性
同志社大院理工 ○松岡 輝，江本顕雄，大谷直毅

12有機分子・バイオエレクトロニクス

7 UV 硬化型導電性材料を用いた有機発光ダイオードの作製
同志社大院理工 ○秋山博紀，江本顕雄，大谷直毅▲ 8 Enhanced luminescence efficiency by Ag nanoparticles dispersed on
indium tin oxide for polymer light-emitting diode
National Chiayi University (NCU) Chen Sy-Hann，〇 (B)Li Yi Ru，
Lin Chang-Feng，Kao Po-Ching，Yu Chang-Feng
9 有機発光材料を分散させたシリカガラスを発光層に用いた積層型有機 EL 素子の作製
同志社大院理工 ○中川 諒，實井祐介，江本顕雄，大谷直毅
10 ミスト成膜法による有機発光材料の薄膜作製条件の評価
同志社大院理工 ○安藤貴志，江本顕雄，大谷直毅
11 n 型ジスチリルベンゼン誘導体を用いたボトムコンタクト OTFT
九工大 ○永松秀一，森口哲次，高嶋 授，岡内辰夫，早瀬修二
12 ジナフトチエノチオフェン骨格を有する n 型有機トランジスタ材料の設計
神戸大院工 1，東大ナノ量子機構 2 ○見塚翔太 1，北村雅季 1,2
13 ポリシルセスキオキサンをゲート絶縁膜に用いた TIPS-pentacene トランジ
スタの作製
和歌山大システム工 ○松田 悠，中原佳夫，道浦大輔，宇野和行，田中一郎
14 無溶媒・低温プロセス化を目指した超音波溶融によるフレキシブル OFET の作製
千葉大院工 1，日本化薬 2 ○佐々木達彦 1，山口祥平 1，林 潤郎 1，
山崎陽太 1，酒井正俊 1，山内 博 1，国吉繁一 1，
貞光雄一 2，品村祥司 2，工藤一浩 1
15 磁場下での有機蒸着膜作製と電界効果移動度の向上
筑波大数理物質 1，筑波大 TIMS2 ○田畑顕一 1，佐々木貴之 1，山本洋平 1,2
16 インクジェット印刷法を用いた銀ナノ粒子電極の微細化
山形大院理工 1，山形大 ROEL2 ○熊木大介 1,2，後藤芳政 1,2，
志賀恵美 1,2，福田憲二郎 1,2，時任静士 1,2
17 テトラセン OFET の熱処理による特性改善
東京農工大工 ○小倉大輝，岩崎好孝，上野智雄
18 CYTOP 薄膜の誘電特性とメモリデバイスへの応用
室蘭工大 ○夛田芳広，中山 誠，植杉克弘，福田 永
19 GZO 透明電極を用いたトップエミッション有機発光トランジスタの検討
諏訪東京理科大 1，ヘンミ計算尺 2，千葉大 3，NHK 技研 4 ○小林 心 1，
加藤雄二 2，工藤一浩 3，深川弘彦 4，渡邊康之 1-----------------------------------------------------------------------------------12.4 有機 EL・トランジスタ
9 月 20 日 9:00 〜 15:00
20a-A4 - 1 〜 11

1 小面積素子による p 型メタルベース有機トランジスタの高周波発振
山形大院理工 1，山形大 ROEL2 ○武藤隼斗 1,2，
上妻嵩委 1,2，城戸淳二 1,2，中山健一 1,2
2 光応答性電気二重層を利用した有機超伝導トランジスタ
分子研 1，理研 2 ○須田理行 1,2，加藤礼三 2，山本浩史 1,2▲ 3 Tuning the shape and sign of organic magnetoresistance (OMAR) by
controlling the interface defects in organic diodes.
Graduate School Of Engineering Science Osaka Univ.
〇 (D)Marine Fayolle，Mariko Yamaguchi，Tatsuhiko Ohto，Hirokazu Tada
4 Separation of Carrier-Transport and Light-Emission Functions in a LightEmitting Organic Transistor with Bilayer Configuration
慧，下谷秀和，Kanagasekara Thangaveln，谷垣勝己
東北大 ○尚5 スライドボート法による融液からの有機結晶薄膜作製
産総研電子光技術 1，奈良先端大物質 2，京工繊大院工芸 3○佐々木史雄 1，望月博孝 1，柳 久雄 2，堀田 收 3
6 金属酸化物半導体層をもつ有機薄膜発光トランジスタ (II)
京工繊大院工芸 山田経世，○山雄健史，堀田 収

休憩

10:30 〜 10:45

7 ポリフルオレン系偏光発光トランジスタによるキャリア伝導異方性と発光特性に関する検討
阪大院工 ○橋本和弥，田中 仁，梶井博武，大森 裕
8 イオン液体ゲートトランジスタによる BEDT-TTF 錯体単結晶の n 型電流増幅
名大院工 1，名城大農 2 ○伊東 裕 1，井口聖悟 1，佐藤奎斗 1，
黒田新一 1，平松孝章 2，吉田幸大 2，齋藤軍治 2
9 極薄ゲート絶縁膜を用いた三次元型高分子トランジスタ
住友化学 1，東大新領域 2，理研 3 ○岡地崇之 1，樫木友也 1，松室智紀 1，
小熊 潤 1，小廣健司 1，松井弘之 2，尾坂 格 3，竹谷純一 2，瀧宮和男 3
10 生分解性電極を用いた有機薄膜トランジスタ
東大工 1，JST/ERATO2，阪大産研 3 ○依田玲央奈 1,2，
横田知之 1,2，関谷 毅 1,2,3，染谷隆夫 1,2
11 延長ゲート有機トランジスタを用いた非酵素型糖検出
山形大院理工 1，山形大 ROEL2，山形大工 3 ○（D）南木 創 1,2，南豪 1,2，
橋間裕貴 3，福田憲二郎 1,2，熊木大介 1,2，時任静士 1,2

昼

20p-A4 - 1 〜 8

食12:00 〜 13:00

1 ペンタセン結晶分子配列乱れに起因した電荷トラップの可能性
日立中研 1，日立日立研 2，産総研ナノシステム 3，旭化成基盤研 4○
安藤正彦 1，川崎昌宏 2，米谷 慎 3，南方 尚 4

2 TRM-SHG 法による TIPS ペンタセン FET におけるキャリア輸送の温度依存性評価
東工大院理工 ○間中孝彰，松原幸平，田口 大，岩本光正
3 電荷変調分光法による DA 型ポリマー半導体の分子秩序度評価 2
産総研 1，KEK 物構研 PF/CMRC2，理研 3，東大工 4 ○松岡悟志 1，
堤 潤也 1，山田寿一 1，熊井玲児 2，尾坂 格 3，
瀧宮和男 3，長谷川達生 1,44 電荷変調イメージング法による有機薄膜トランジスタアレイの欠陥検査
産総研 1，東大工 2 ○堤 潤也 1，松岡悟志 1，山田寿一 1，長谷川達生 1,2
5 高移動度有機トランジスタにおける接触抵抗のゲート電圧依存性
東大新領域 1，阪大産研 2，imec3 ○植村隆文 1,2，Rolin Cedric3，
Fesenko Pavlo3，Tung Huei Ke3，Myny Kris3，Steudel Soeren3，
Genoe Jan3，Heremans Paul3，竹谷純一 1,26 電極／有機半導体界面の電荷注入障壁スイッチングに対する電極表面修飾分子の永久双極子の効果
阪府大 N2RC ○谷本敬明，野内 亮
7 電荷移動錯体を用いた [7] フェナセン単結晶トランジスタの界面制御
岡山大院自然 1，名城大 2 ○（M1）三上隆弘 1，下 侑馬 1，浜尾志乃 1，
後藤秀徳 1，岡本秀毅 1，吉田幸大 2，齋藤軍治 2，
久保園芳博 1，林 靖彦 1
8 キャリア注入障壁を考慮した p チャネル有機トランジスタの数値的検討
慶大理工 1，東洋大 2 ○野田 啓 1，和田恭雄 1，鳥谷部達 2-----------------------------------------------------------------------------------12.5 有機太陽電池
9 月 17 日 13:15 〜 18:00
17p-A1 - 1 〜 17

1 CH3NH3PbI3-xClxペロブスカイトと Cu(In,Ga)Se2 薄膜陽電池のデバイスモデ
ル比較とシミュレーション
立命館大 ○峯元高志，村田 雅△ 2 CH3NH3PbI3-xClxペロブスカイトの性能シミュレーションと膜厚の最適化
立命館大 ○村田 雅，峯元高志△ 3 エアロゾルデポジション法を用いたフィルム型色素増感太陽電池の高効率化
積水化学工業 1，産総研 2 ○藤沼尚洋 1，安西純一郎 1，
佐藤幸子 1，知久義則 1，廣瀬伸吾 2，明渡 純 2△ 4 アミン化合物修飾 ITO を電子捕集電極として用いた逆型有機薄膜太陽電池のLight-soaking 効果のメカニズム解明
金沢大院自 1，金沢大 RSET2，JST さきがけ 3 ○久住拓司 1，
桑原貴之 1,2，當摩哲也 1,2,3，高橋光信 1,2△ 5 ZnO ナノワイヤ /PbS 量子ドット太陽電池の銀ナノキューブによる光電流増強東大生研 1，東大先端研 2 ○（DC）川脇徳久 1，齋藤滉一郎 1，立間 徹 1，
王 海濱 2，久保貴哉 2，中崎城太郎 2，瀬川浩司 2△ 6 溶液プロセスでのコロイド量子ドット埋め込み構造の作製
東大院工 1，先端研 2 ○大澤 惇 1,2，星井拓也 1,2，
王 海濱 2，久保貴哉 2，岡田至崇 1,2

休憩

14:45 〜 15:00△ 7 有機薄膜太陽電池における結晶性と自由電荷生成
京大院工 1，JST さきがけ 2 ○（PC）玉井康成 1，津田一樹 1，
大北英生 1,2，辨天宏明 1，伊藤紳三郎 1△ 8 液晶性フタロシアニンを用いた有機薄膜太陽電池における高分子ドナー材料
添加効果
阪大院工 ○熊田泰士，Gilles De Romeo Banoukepa，
大森雅志，Quang Duy Dao，藤井彰彦，尾﨑雅則△ 9 ベンゾポルフィリン―フラーレン連結分子の合成と有機薄膜太陽電池への応
用
奈良先端大 1，JST, CREST2 ○田村悠人 1，佐伯宏之 1，
葛原大軌 1，山田容子 1,2▲ 10 Comparative Study of Fullerene Derivatives in High Performance△		 PNTz4T based OPV
JAIST1，Riken2，UEC3 〇 Varun Vohra1,3，Itaru Osaka2，
Kazuo Takimiya2，Hideyuki Murata1▲ 11 Optical, electronic, and photovoltaic properties of octahexyl△		 tetrabenzotriazaporphyrin
Osaka University1，Research Institute for Ubiquitous Energy Devices,
Kansai Center, National Institute of Advanced Industrial Scienceand Technology2 〇 Quang-Duy Dao1，Koichi Watanabe1，
Hiromichi Itani1,2，Lydia Sosa-Vargas2，Akihiko Fujii1，
Yo Shimizu2，Masanori Ozaki1

休憩

16:15 〜 16:30

12「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
狭バンドギャップ Donor/Acceptor 高分子で創る高効率高分子ブレンド薄膜
太陽電池
京大院工 1，JST さきがけ 2 ○森 大輔 1，辨天宏明 1，
大北英生 1,2，伊藤紳三郎 1
13 高効率全高分子型太陽電池における電荷生成ダイナミクス
京大院工 1，JST さきがけ 2 ○石田翔大 1，森 大輔 1，
辨天宏明 1，大北英生 1,2，伊藤紳三郎 1
14 高分子太陽電池における電荷解離と二分子再結合
京大院工 1，JST さきがけ 2 ○児玉卓也 1，大北英生 1,2，
辨天宏明 1，伊藤紳三郎 1

（ 96
96 ）

12

15 有機薄膜太陽電池の電子・正孔の移動度、寿命評価
大阪府立大 1，大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研 2，JST-CREST3○
村田憲保 1，永瀬 隆 1,2，小林隆史 1,2，内藤裕義 1,2,3
16 光誘起 ESR 法を用いた PTB7:PC71BM 高分子太陽電池における素子駆動時の電荷蓄積の直接観測
筑波大院数物 1，産総研太陽光セ 2，筑波大学際セ 3 ○（M1）久保寺貴也 1，
八武崎正樹 1，山成敏広 2，吉田郵司 2，丸本一弘 1,3
17 ジケトピロロピロール骨格を有するドナー・アクセプター型コポリマーを用いた有機太陽電池における光励起状態ダイナミクス
産総研 1，日大工 2，Shiv Nadar Univ.3，IMRE4 ○松崎弘幸 1，古部昭広 1，
加藤隆二 2，Samarendra Pratap Singh3，Prashant Sonar4，
Evan Laurence Williams4，Vijila Chellappan4，
Gomathy Sandhya Subramanian4，
Sergey Gorelik4，Jonathan Hobley4-----------------------------------------------------------------------------------12.5 有機太陽電池
9 月 17 日
17a-PA2 - 1 〜 34

17a-PA2 - 1 〜 34

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 転写法により積層した銅電極及び銅表面酸化膜を有する逆構造バルクヘテロ
接合型有機薄膜太陽電池の作製
信州大工 ○酒井翔太，伊東栄次
2 可溶性モノマーを p 型層としたヘテロ接合型有機薄膜太陽電池の作製
信州大工 1，信州大繊 2 ○小林弘季 1，伊東栄次 1，吉岡美穂 2，佐々木絵里 2，
西口貴大 2，石川 綾 2，市原正寛 2，太田和親 2，市川 結 2
3 高分子電子輸送層の適用による PTB7:C70 バルクヘテロジャンクション光起電力素子のパワー変換効率向上
兵庫県立大 ○多田和也
4 室内照明下における有機太陽電池の効率予測
大阪府立大 1，大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研 2，JST-CREST3○
大面隆範 1，永瀬 隆 1,2，小林隆史 1,2，内藤裕義 1,2,35 液晶性フタロシアニン /PCBM 混合系における構造形成の MD 計算
産総研 1，阪大 2 ○米谷 慎 1，宮元彩乃 1，清水 洋 1，
藤井彰彦 2，尾崎雅則 2
6 有機薄膜太陽電池におけるキャリア移動度の膜厚依存性
大阪府大工 1，分子エレクトロニックデバイス研 2，JST-CREST3○
成岡達彦 1，砂原智徳 1，小林隆史 1,2，永瀬 隆 1,2，内藤裕義 1,2,3
7 化学浴析出酸化チタンを用いた逆型有機薄膜太陽電池の Light-soaking 効果の機構解析
金沢大 1，JST- さきがけ 2，筑波大 3 ○桑原貴之 1，矢野勝寛 1，
山口孝浩 1，當摩哲也 1,2，髙橋光信 1，孫 東鉉 3，丸本一弘 2,3
8 Si/PEDOT:PSS ヘテロ接合太陽電池の光照射下での劣化
埼玉大院理工 ○武居雄輝，八木大地，石川 良，白井 肇，上野啓司
9 有機半導体のドーピングイオン化率増感
分子研 1，CREST/JST2 ○新村祐介 1,2，山品洋平 1,2，
嘉治寿彦 1,2，平本昌宏 1,2
10 低分子 p 型半導体材料における赤外分光を用いた分子配向の評価
金沢大 1，JST- さきがけ 2 ○岡本宏樹 1，桑原貴之 1，
高橋光信 1，當摩哲也 1,2
11 TiOx電子捕集層を用いた逆型高分子太陽電池における紫外光照射効果の光誘起電子スピン共鳴による研究
筑波大院数物 1，金沢大院自然 2，筑波大学際セ 3 ○（D）孫 東鉉 1，
矢野勝寛 2，桑原貴之 2，高橋光信 2，丸本一弘 1,3
12 薄膜転写法で作製した二層型素子の接合界面におけるキャリアの蓄積
理研 1，東大院工 2 ○中野恭兵 1，真弓智裕 1,2，鈴木かおり 1，
伊澤誠一郎 1,2，橋本和仁 2，但馬敬介 1
13 還元剤のドーピングによる P3HT:PCBM バルクヘテロ太陽電池の長寿命化
近畿大院総合理工 ○（M1）鋸本和英，田中仙君
14 新規 Push-pull 型半導体材料を用いたセルにおけるドーピング効果
分子研 1，信州大 2，産総研太陽光 3，CREST/JST4 ○菊地 満 1,4，
新村祐介 1,4，嘉治寿彦 1,4，河野隆広 2,4，吉田郵司 3,4，平本昌宏 1,4
15 PTB7:PC71BM バルクヘテロ接合太陽電池のキャリア輸送特性に及ぼす添加剤の効果
大阪府大院工 1，分子エレクトロニックデバイス研 2，JST-CREST3○
砂原智徳 1，大面隆範 1，小林隆史 1,2，永瀬 隆 1,2，内藤裕義 1,2,3
16 強誘電性ジチオカルバミン酸配位高分子を用いた有機薄膜太陽電池の開発
近畿大理工 1，JST さきがけ 2 ○河野由樹 1，中谷研二 1，樋元健人 1，
中橋裕貴 1，大久保貴志 1,2，前川雅彦 1，黒田孝義 1
17 ポルフィセン – ジケトピロロピロール連結分子の有機薄膜太陽電池の作製と評価
奈良先端大 1，JST CREST2 ○岡部拓也 1，
佐伯宏之 1，葛原大軌 1，山田容子 1,2
18 有機太陽電池共蒸着光電変換層へのドーピング効果
総研大 1，分子研 2，CREST/JST3 ○大橋知佳 1,2，
新村祐介 2,3，嘉治寿彦 1,2,3，平本昌宏 1,2,3
19 塗布成膜した酸化モリブデンを正孔捕集層として用いる有機薄膜太陽電池
九工大院工 ○濱田圭祐，村上大貴，中野洋人，村上直也，横野照尚
20 1-10 ppm 極微量ドーピングの有機太陽電池特性に与える影響
分子研 1，CREST/JST2 ○久保雅之 1,2，嘉治寿彦 1,2，平本昌宏 1,2
21 フレキシブル基板上での逆構造型 PTB7:PC71BM 有機薄膜太陽電池の作製
産総研ナノシス ○藤井俊治郎，田中丈士，片浦弘道

有機分子・バイオエレクトロニクス

22 固体型 Sb2S3増感太陽電池における電荷再結合界面の解明
電通大先進理工 1，中大理工 2，九工大生命体工 3，JST CREST4○（M1）
山崎康平 1，佐藤光希 1,2，豊田太郎 1,4，片山建二 2，
青 1,4
尾込裕平 3,4，早瀬修二 3,4，沈
23 酸化物層挿入による Si/PEDOT:PSS ヘテロ接合太陽電池の高性能化
埼玉大院理工 ○八木大地，武居雄輝，石川 良，白井 肇，上野啓司
24 ZnO ナノ粒子を用いた有機・無機ハイブリッド型太陽電池におけるポリ (3ヘキシルチオフェン ) の分子配向
奈良先端大物質 1，産総研ユビキタス 2 ○大迫将也 1，
石墨 淳 1，谷垣宣孝 2，柳 久雄 1
25 PbS 量子ドット太陽電池薄膜における電荷分離とキャリア輸送
電通大先進理工 1，九工大生命体工 2，宮崎大工 3，JST CREST4○
久家佑輝 1，常進 1,4，尾込裕平 2,4，早瀬修二 2,4，
青 1,4
吉野賢二 3,4，豊田太郎 1,4，沈
26 AgInS2 量子ドットを担持した酸化チタン薄膜の電子移動過程
名工大院 1，室蘭工大 2 ○（M1）松本顕至 1，
桑田貴彦 1，濱中 泰 1，葛谷俊博 2▲ 27 Investigation of organolead halide perovskite using infrared spectroscopy
Tohoku Univ. ○ Teng Ma，Matteo Cagnoni，Michio Niwano
28 ペロブスカイト太陽電池における薄膜材料中の電荷状態の光誘起 ESR 研究
筑波大院数物 1，九工大院生命体工 2，筑波大学際セ 3 ○（M1）生天目美貴 1，
八武崎正樹 1，尾込裕平 2，早瀬修二 2，丸本一弘 1,3
29 オクタメチレンジチオカルバミン酸銅配位高分子を増感色素に用いた色素増感型バルクへテロ接合型太陽電池の素子評価
近畿大理工 1，JST さきがけ 2 ○（D）中谷研二 1，
大久保貴志 1,2，前川雅彦 1，黒田孝義 1
30 Nb:TiO2緻密層の構造による色素増感太陽電池の発電特性への影響
鹿児島大院理工 ○堀江雄二，大坂和博，向江宏貴，郭 世栄，野見山輝明
31 定常光照射下の色素増感太陽電池における動作過程の分光観測
阪市大院理 ○中谷仁美，鐘本勝一
32 TiO2ナノ粒子を挿入した Nb:TiO 2ナノファイバ不織布の色素増感太陽電池への応用
鹿児島大院理工 ○（M1C）今田慎二，堀江雄二，野見山輝明，郭 世栄
33 増感色素を吸着させたナノポーラス酸化チタンのインピーダンス分光法による電荷移動度評価
大阪府立大 1，大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研 2，JST-CREST3○
青野正規 1，永瀬 隆 1,2，小林隆史 1,2，内藤裕義 1,2,334 酸化チタンナノ孔内壁面の色素分子の吸着過程の赤外分光その場観測
東北大 ○山田夏輝，庭野道夫，馬騰，但木大介-----------------------------------------------------------------------------------12.5 有機太陽電池
9 月 18 日 9:00 〜 12:00
18a-A1 - 1 〜 10

1 「12．有機分子・バイオエレクトロニクス
逆型有機薄膜太陽電池の開発と展開

分科内招待講演」（30 分）

金沢大 RSET ○高橋光信
2 PNTz4T を用いた逆構造太陽電池
理研 CEMS1，JST さきがけ 2，北陸先端大 3，広大院工 4，
高輝度光科学研究セ 5 ○尾坂 格 1,2，Varun Vohra3，川島和彰 1,4，
加々良剛志 4，小金澤智之 5，村田英幸 3，瀧宮和男 1,4▲ 3 Increased Open Circuit Voltage and Efficiency in Small Molecule Organic
Solar Cells Through the Use of a 56-pi Electron Acceptor - Methano
Indene Fullerene
The University of Tokyo 〇 (P)James Ryan，
Takafumi Nakagawa，Yutaka Matsuo
4 C60膜中にドープした光吸収材料による有機薄膜太陽電池の増感
信州大繊維 ○小野口貴士，市川 結
5 高分子太陽電池に適した近赤外増感色素の分子設計
京大院工 1，JST さきがけ 2 ○大北英生 1,2，
徐 華君 1，辨天宏明 1，伊藤紳三郎 1

休憩

10:30 〜 10:45

6 配位溶媒による溶解度制御と長波長光吸収を目指した新規ポルフィリン誘導体の開発とその太陽電池特性
東大院理 ○中川貴文，佐藤健成，岡田洋史，松尾 豊
7 DPP 基を導入した熱変換型ベンゾポルフィリンを用いた有機薄膜太陽電池の作製
山形大院理工 1，奈良先端大物質 2，CREST3，山形大 ROEL4 ○山田直也 1,4，
高橋功太郎 2，山口裕二 1,4，葛原大軌 2，山田容子 2,3，中山健一 1,3,4
8 非対称ベンゾチエノイソインディゴ基を含む共重合体の光電変換機能
阪大院工 ○井出茉里奈，佐伯昭紀，小泉美子，関 修平
9 ポリエチレングリコール添加効果の光電変換層材料依存性
名工大 ○種治健太，曽我哲夫，岸 直希
10 有機薄膜太陽電池信頼性評価用テストモジュール構成の検討
太陽光発電技術研究組合 1，東レ 2，産総研 3○森田秀幸 1,2，宮下正範 2，増田 淳 3------------------------------------------------------------------------------------

（ 97
97 ）

12

有機分子・バイオエレクトロニクス

12.5 有機太陽電池
9 月 19 日 9:00 〜 18:30
19a-A1 - 1 〜 9

1 「12．有機分子・バイオエレクトロニクス 分科内招待講演」（30 分）
低エネルギー逆光電子分光法による有機太陽電池材料の空準位測定
京大化研 ○吉田弘幸
2 軟 X 線顕微鏡による有機薄膜太陽電池の分子混合
筑波大 1，PRESTO, JST2，NIMS3，KEK, PF4，広大 5，AIST6 ○守友 浩 1，
櫻井岳暁 1,2，安田 剛 3，武市泰男 4，米澤宏平 1，上岡隼人 1，菅 大暉 5，高橋嘉夫 5，吉田郵司 6，井波暢人 4，間瀬一彦 4，小野寛太 4
3 P3HT/PCBM の電荷生成効率と内部量子効率
筑波大 1，NIMS2 ○守友 浩 1，米澤宏平 1，安田 剛 2
4 PTB7/PC70BM の電荷生成効率の励起光強度依存性
筑波大数理 1，筑波大 TIMS2，物材機構 3 ○米澤宏平 1，
守友 浩 1,2，安田 剛 3
5 有機太陽電池における n 型有機半導体分子の電子構造
東理大理工 1，岡山大院自然 2 ○中西利栄 1，
野木村あゆ美 1，江口律子 2，金井 要 1

休憩

10:30 〜 10:45

6 近赤外高効率 PbS 量子ドット /ZnO ナノワイヤアレイ太陽電池の連続光照射下での長期安定性
東大先端研 王 海濱，○久保貴哉，中崎城太郎，瀬川浩司▲ 7 Improved open-circuit voltage in ZnO/PbS quantum dot heterojunction
solar cells through the surface passivation of ZnO nanowires
Univ. Electro-Commun.1，Kyushu Inst. Tech.2，Miyazaki Univ.3，
CREST JST4 〇 Jin Chang1，Yuki Kuga1，Yuhei Ogomi2,4，
Shuzi Hayase2,4，Kenji Yoshino3,4，Taro Toyoda1,4，Qing Shen1,4
8 ルチル型 TiO2各種結晶面への光誘起電子移動：CdSe 量子ドット増感系
電通大先進理工 1，分光計器 2，九工大 3，JST-CREST4 ○豊田太郎 1,4，
青 1,4
Witoon Yindeesuk1，神山慶太 2，早瀬修二 3，沈
9 TiO2基板モルフォロジーの電子構造に及ぼす効果
電通大先進理工 1，分光計器 2，九工大 3，JST-CREST4 ○豊田太郎 1,4，
青 1,4
Witoon Yindeesuk1，神山慶太 2，奥野 剛 1，早瀬修二 3,4，沈

昼

食11:45 〜 13:15

19p-A1 - 1 〜 19

▲ 1 Extended Spectral Photo Response utilizing TCO-less Tandem DSSCKYUTECH ○ Ajay Baranwal，Yuhei Ogomi，Shyam Pandey，
Tingli Ma，Shuzi Hayase
2 DSC 用酸化チタン電極における焼結処理中のガス組成の影響
1
2○
静大院 ，静大工
山本千智 1，小松夏季 2，下村 勝 1
3 二種類の二酸化チタンを用いた電気泳動法による複合薄膜の作製
同志社大院理工 ○川上 亮，左橋知也，佐藤祐喜，森 康維，吉門進三
4 電気泳動法を用いた色素増感型太陽電池の色素吸着
同志社大院理工 ○左橋知也，川上 亮，湯浅拓也，
佐藤祐喜，森 康維，吉門進三
5 酸化チタンナノ粒子の GHz 周波数変調複素光電気伝導度○
阪大院工佐伯昭紀，安谷佳浩，大賀 光，関 修平
6 ペロブスカイト構造における局所電荷キャリア移動度と再結合過程
1
阪大院工 ，九工大生命 2 ○（M1）大賀 光 1，佐伯昭紀 1，
尾込裕平 2，早瀬修二 2，関 修平 1
7 化学浴析出法により作製した酸化チタンを用いた積層型ぺロブスカイト太陽電池の研究
金沢大 1，JST- さきがけ 2 ○山本晃平 1，桑原貴之 1，高橋光信 1，當摩哲也 1,2

休憩

15:00 〜 15:15

8 ホール輸送性ポリ (3- ヘキシルチオフェン ) を用いたペロブスカイト太陽電池
東大院理 ○田中秀幸，Yunlong Guo，Liu Chao，
井上健仁，原野幸治，中村栄一
9 ホール輸送ポリマーを用いた planar 型 perovskite 太陽電池の作製及び評価
1
2
山形大院理工 ，山形大有機エレ研セ ，山形大 INOEL3 ○溝井 聡 1，
佐野健志 1,3，横尾英紀 1，笹部久宏 1,2，城戸淳二 1,2
10 レーザー蒸着法によるハロゲン化鉛ペロブスカイト太陽電池の作製
産総研 1，JST さきがけ 2 ○宮寺哲彦 1,2，杉田 武 1，
村上拓郎 1，松原浩司 1，近松真之 1
11 酸化亜鉛前躯体を用いた低温プロセスによるペロブスカイト太陽電池の作製
九工大院生命体工 1，電通大先進理工 2，宮崎大工 3，JST CREST4
西村滉平 1，川野美延 1，濱園康司 1，持原晶子 3,4，○尾込裕平 1,4，
Shyam S Pandey1，馬 廷麗 1，吉野賢二 3,4，
沈
青 2,4，豊田太郎 2,4，早瀬修二 1,4
12 非真空プロセスによる酸化亜鉛薄膜の低温作製と太陽電池への応用
宮崎大 1，九州工大 2，電気通信大 3 ○（M1）濱地健太 1，持原晶子 1，
井手亜貴子 1，吉野賢二 1，木村将太 2，尾込裕平 2，沈
青 3，豊田太郎 3，早瀬修二 2
13 酸化亜鉛ナノ粒子を電子輸送層とするペロブスカイト太陽電池 (2)埼玉大院理工 ○石川 良，山中孝紀，本多善太郎，上野啓司，白井 肇

休憩

16:45 〜 17:00

14 メソポーラスシリカ (MCM-41) 膜上の層状ペロブスカイト化合物の特性評価
法政大院 1，法政大 2 ○丸山翔大 1，中村祥大 2，鰐渕悠真 2，緒方啓典 1,2

15 Sn/Pb ペロブスカイト太陽電池の電荷分離機構の解明と高効率化への提案
電通大先進理工 1，九工大院生命体工 2，中大理工 3，宮崎大工 4，
青 1,5，尾込裕平 2,5，塚本翔太 2，
JST CREST5 ○沈
藤原幸星 2，Witoon Yindeesuk1，佐藤光希 3，
片山建二 3，吉野賢二 4,5，豊田太郎 1,5，早瀬修二 2,5
16 錫・鉛複合ペロブスカイトを用いた有機無機ハイブリッド太陽電池の結晶構
造評価
宮崎大工 1，九工大院生命体工 2，電通大先進理工 3，JST-CREST4○
持原晶子 1,4，吉野賢二 1,4，尾込裕平 2,4，沈
青 3,4，
豊田太郎 3,4，早瀬修二 2,4
17 Sb キサンテートをプリカーサーとする Sb2S3 結晶作製時の基板依存性
九工大 1，JST-CREST2，電通大 3，宮崎大 4 ○川野美延 1，松隈智寛 1，
青 2,3，豊田太郎 2,3，吉野賢二 2,4，
Tarun Vagvala1，沈
尾込裕平 1,2，Pandey Shyam1,2，馬 廷麗 1，早瀬修二 1,2
18 電荷分離界面制御による Sn/Pb ペロブスカイト太陽電池の特性評価
九工大院生命体工 1，電通大先進理工 2，宮崎大工 3，JST CREST4
坂口恵太 1，森谷昌平 1，宮田陽平 1，藤川直耕，○尾込裕平 1,4，
Shyam S Pandey1，馬 廷麗 1，吉野賢二 3,4，
沈
青 2,4，豊田太郎 2,4，早瀬修二 1,4
19 スズ系ぺロブスカイト太陽電池の高性能に関する検討
九工大院生命体工 1，電通大先進理工 2，宮崎大工 3，JST CREST4
藤原幸星 1，中里隆二 1，西山 翼 1，西中浩二 1，○尾込裕平 1,4，
Shyam S Pandey1，馬 廷麗 1，吉野賢二 3,4，
沈
青 2,4，豊田太郎 2,4，早瀬修二 1,4-----------------------------------------------------------------------------------12.6 ナノバイオテクノロジー
9 月 18 日
18a-PA1 - 1 〜 10

18a-PA1 - 1 〜 10

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 アパタイト結晶に対するフラグメント分子軌道法の試み #1
みずほ情報総研 1，立教大理 2，東大生産研 3 ○加藤幸一郎 1，
福澤 薫 1,2,3，望月祐志 2,3
2 ペプチドナノリングを用いたアミノ酸キラリティー認識に関する理論的研究
高千穂大人科 1，早大先進理工 2 ○竹内 淨 1,2，武田京三郎 23 PVC 膜を支持基板とする人工脂質膜形成と流動性評価
豊橋技科大電気・電子 1，豊橋技科大環境・生命 2，豊橋技科大 EIIRIS3○
小林拓史 1，河野顕輝 1，服部敏明 1，澤田和明 1，手老龍吾 2,34 脂質膜でシールした微小井戸構造におけるイオンリーク評価
NTT 物性科学基礎研 ○樫村吉晃，大嶋 梓，住友弘二
5 断片化抗体を用いた金ナノ粒子サンドイッチアッセイ法による抗原抗体反応の光学的検出
慶應大院理工 ○水野直人，三反畑輝，江刺家恵子，斎木敏治
6 ナノポアトラップ法を応用した単一粒子検出
阪大産研 1，阪大基礎工 2 ○筒井真楠 1，前田陽一 2，有馬彰秀 1，
土井謙太郎 2，川野聡恭 2，川合知二 1，谷口正輝 1
7 ナノスリット導波路を用いた細胞内生体分子のリアルタイム蛍光イメージング
早大理工 1，東北大学際研 2 ○（M2）大久保幸太朗 1，櫛田昂歳 1，
和泉聡志 1，山本英明 2，谷井孝至 1
8 細胞蛍光顕微鏡観察が可能な牽引力顕微鏡の評価
北大情報科学 ○（M2）坂井 譲，武蔵湧貴，朱 鑫峰，土屋雅博，岡嶋孝治
9 細胞接着基板延伸装置を用いた細胞動態のタイムラプス測定
北大情報科学 ○（M2）武藏湧貴，土屋雅博，坂井 譲，朱 鑫峰，岡嶋孝治
10 Three-Dimensional Elemental Analysis of Human Enamel and Dentin by
Laser-Assisted Atom Probe Tomography
斌 1，高見澤悠 1，
東北大金研 1，東京医科歯科大 2 ○清水康雄 1，韓Turki Bakhsh2，Alireza Sadr2，田上順次 2，井上耕治 1，永井康介 1-----------------------------------------------------------------------------------12.6 ナノバイオテクノロジー
9 月 19 日 9:30 〜 18:00
19a-A3 - 1 〜 8

1 静電相互作用を用いた基板支持膜へのベシクル融合制御
NTT 物性基礎研 ○大嶋 梓，田中あや，樫村吉晃，住友弘二
2 LiTaO3表面における自発分極ドメインの観察
横国大院工 ○仲山智明，磯部亜紀子，荻野俊郎
3 Aβ タンパク質―人工細胞膜リポソーム間相互作用の誘電分散解析
京工繊大 ○吉川知貴，張 子洋，山下 馨，野田 実

休憩

10:15 〜 10:30

4 ナノピラー上での神経細胞成長
NTT 物性科学基礎研究所 ○河西奈保子，後藤東一郎，Rick Lu，
Roxana Filip，樫村吉晃，塚田信吾，住友弘二
5 基板表面と神経細胞の界面 SEM 観察○
NTT 物性研
後藤東一郎，河西奈保子，Lu Rick，Filip Loxana，住友弘二△ 6 走査型電子顕微鏡による培養細胞の内部構造観察
日立製作所中央研究所 ○庄子美南，久田明子，大嶋 卓
7 グルタミン酸電流と興奮性シナプス後電位の同時測定法
東北大院医工 1，東北大学際研 2，東北大通研 3 ○松村亮佑 1，
平野愛弓 1，山本英明 2，庭野道夫 1,3

（ 98
98 ）

12

△ 8 ピコ秒フォノン計測によるマイクロドットを用いた大規模多チャンネルバイ
オセンサーの開発
阪大院基礎工 1，京大化研 2 ○（M1）岩上 慈 1，荻 博次 1，長久保白 1，
中村暢伴 1，平尾雅彦 1，平松 亮 2，小野輝男 2

昼食11:45 〜 13:15

19p-A3 - 1 〜 17

1 ナノポア狭小化による一本鎖ＤＮＡのナノポア通過速度への影響
日立中研 1，日立ハイテクノロジーズ 2，日立日研 3 ○赤堀玲奈 1，
至 1，大浦 剛 2，
芳賀孝信 1，波多野利行 1，柳濱村浩孝 1，岩崎富夫 3，横井崇秀 1，穴沢 隆 1
2 多段パルス電圧制御による絶縁破壊を用いた径 1 nm 以下から 3 nm までのナノポア形成至，赤堀玲奈，横井崇秀，武田健一
日立中研 ○柳3 単分子電気検出のためのシリコン基板デバイスの開発○
阪大産研
大城敬人，筒井真楠，横田一道，川合知二，谷口正輝△ 4 光学的高時間分解能観察による DNA ナノポア通過ダイナミクスの解析
慶大院理工 ○（DC）山崎洋人，塚原 睦，伊藤晋太郎，江刺家恵子，斎木敏治△ 5 ナノポアトラップ法によるナノ粒子の粒径識別
阪大産研 ○有馬彰秀，筒井真楠，谷口正輝
6 Fishing 法による単一分子検出
阪大産研 ○谷本幸枝，森川高典，有馬彰秀，筒井真楠，谷口正輝

休憩

14:45 〜 15:00

7 植物油を用いたフッ素フリー滑液面
慶應大 ○（B）西岡紗知子，天神林瑞樹，諏訪部憲，白鳥世明△ 8 高強度生体材料を指向したコラーゲン配向フィルムの開発
東工大資源研 ○小熊崇大，赤松範久，宍戸 厚
9 超常磁性カップの作製とサイズ選択的細胞回収
KAST1，東京医歯大生材研 2，東洋大生命科学 3 ○金 賢徹 1，寺薗英之 1,2，竹井弘之 1,3，安田賢二 1,2▲ 10 The crystallographic orientation of self-assembled peptides on CVDgrown MoS2 single crystal
Tokyo Inst1，Washionton Univ2 〇 (D)Linhao Sun1，Fukata Hiroto1，
Peiying Li1，Mehmet Sarikaya2，Yuhei Hayamizu1
11 蛍光修飾した自己組織化ペプチドのその場観察
東工大院理工 1，ワ大 2 ○李 佩瑩 1，野田紘志 1，平田修造 1，
Martin Vacha1，Mehmet Sarikaya2，早水裕平 1

休憩

16:15 〜 16:30

12 PEG フェリチンの 2 次元結晶配列
奈良先端

何超，上沼睦典，岡本尚文，
石河泰明，山下一郎，浦岡行治
13 脂質二重膜上における DNA 被覆金ナノ粒子の拡散現象
名大院工 1，豊橋技科大 2 ○中田咲子 1，赤田英里 1，磯貝卓巳 1，
手老龍吾 2，原田俊太 1，宇治原徹 1，田川美穂 1△ 14 ナノ粒子の誘電泳動捕集における構造因子の影響
首都大学東京 ○片岡良介，内田 諭，白井直機，杤久保文嘉△ 15 誘電泳動による金属ナノ材料の立体配置の基礎検討
首都大理工 1，芝浦工大 2 ○（M2）時田寛也 1，
内田 諭 1，佐野 遼 2，西川宏之 2
16 ペプチド修飾された MoS2FET の液中電気特性評価
東工大院理工 1，ワ大 2 ○砂村海斗 1，Tamon Page2，
Mehmet Sarikaya2，早水裕平 1△ 17 かご状タンパク質を利用した熱・キャリア輸送制御によるカーボンナノチュー
ブナノコンポジットの熱電性能向上
奈良先端科学技術大学院大 ○伊藤光洋，岡本尚文，阿部 竜，
小島広孝，松原亮介，山下一郎，中村雅一○（D）-----------------------------------------------------------------------------------12.6 ナノバイオテクノロジー
9 月 20 日 9:30 〜 12:15
20a-A3 - 1 〜 10

△ 6 吸着抑制能を有するＳＡＭ / 水界面の３次元相互作用力分布の直接計測
金大院 1，金大バイオ AFM セ 2，JST ACT-C3 ○稲田なつみ 1，
淺川 雅 2，宮澤佳甫 1，福間剛士 1,2,3
7 FM-AFM を用いたバイオセンシング界面における局所水和構造計測に関する研究
産総研 1，京大工 2 ○平田芳樹 1，小林 圭 2，山田啓文 2，田中睦生 1
8 液中動作 FM-AFM による真核生物 DNA 複製の初期過程イメージング
京大院工 1，国立遺伝研 2，京大白眉セ 3 ○木南裕陽 1，
日詰光治 2，荒木弘之 2，小林 圭 1,3，山田啓文 1
9 固体基板上に吸着させたエクソソームの AFM 評価
横国大院工 1，がん研究所 2 ○（M2）横田圭司 1，坂口直駿 1，
松村幸子 2，菅加奈子 2，芝 清隆 2，荻野俊郎 1
10 DNA 探針を用いたトンネル電流計測に基づく遺伝子変異の単分子検出
阪府大 ○西野智昭，Phuc Bui，椎木 弘，長岡 勉-----------------------------------------------------------------------------------12.7 医用工学・バイオチップ
9 月 17 日 9:00 〜 11:45
17a-A7 - 1 〜 10

1 溶解材料塗布によるハイアスペクト比フレキシブルワイヤの刺入
豊橋技科大 1，EIIRIS2 ○（M2）八木智史 1，山際翔太 1，今塩屋竜也 1，
大井英生 1,2，久保田吉博 1，石田 誠 1,2，河野剛士 1
2 シリコンウィスカ神経電極ブロックモジュール
豊橋技科大 1，EIIRIS2 ○澤畑博人 1，山際翔太 1，守谷愛里 1，大井英生 2，安東頼子 2，沼野利佳 1,2，石田 誠 1,2，鯉田孝和 2，河野剛士 1△ 3 ナノプローブ神経電極アレイの細胞内電位計測応用
豊橋技科大 1，EIIRIS2 ○（M2）久保田吉博 1，大井英生 2，澤畑博人 1，
牛流章弘 1，安東頼子 2，沼野利佳 1,2，石田 誠 1,2，河野剛士 1△ 4 人工視覚用 CMOS チップ内蔵型スマート電極デバイスの刺激機能実証
奈良先端大 1，ニデック 2，九大 3 ○（M2）藤沢 匠 1，野田俊彦 1，寺澤靖雄 2，
田代洋行 1,3，竹原宏明 1，笹川清隆 1，徳田 崇 1，太田 淳 1
5 脳への刺入負荷低減のための尖鋭・小断面積シリコン神経プローブの作製とIn vivo 評価
東北大院工 1，東北大院医工 2，東北大院情報 3 ○原島卓也 1，谷 卓治 1，
鈴木雄策 1，木野久志 2，片山統裕 3，田中 徹 1,2

休

憩

憩

10:15 〜 10:30△ 6 蛍光方式生体内グルコース計測技術に向けた CMOS ラインセンサの開発
奈良先端科学技術大学院大 1，テルモ 2，東大 3 ○（D）河村敏和 1，
増田啓太 1，竹原宏明 1，野田俊彦 1，笹川清隆 1，徳田 崇 1，
高橋正幸 2，興津 輝 3，竹内昌治 3，太田 淳 1
7 オプトジェネティクスのための CMOS ベース光・電気神経インターフェイス
デバイス
奈良先端大物質創成 1，JST- さきがけ 2 ○神山直也 1，竹原宏明 1，
野田俊彦 1，笹川清隆 1，徳田 崇 1,2，太田 淳 1
8 遺伝子改変マウスの生体内蛍光イメージングに向けた埋植型イメージデバイ
スの開発
奈良先端大物質 1，奈良先端大バイオ 2 ○竹原宏明 1，太田安美 1，
元山真由美 1，春田牧人 1，野田俊彦 1，笹川清隆 1，
徳田 崇 1，塩坂貞夫 2，太田 淳 1
9 マイクロ液滴アレイ観察用デュアルモードレンズレスイメージングデバイス
奈良先端大物質 1，東大院工 2，岡崎統合バイオサイエンスセンター 3，
JST-CREST4 ○笹川清隆 1,4，北口一樹 1，竹原浩成 1,4，野田俊彦 1,4，
徳田 崇 1,4，金 秀炫 2,4，山内里紗 2,4，飯野亮太 3,4，
野地博行 2,4，太田 淳 1,4△ 10 直接増幅型レドックスセンサの検出限界向上のための増幅率の安定化
豊橋技科大 1，静大 2 ○高橋 聡 1，二川雅登 2，石田 誠 1，澤田和明 1-----------------------------------------------------------------------------------12.7 医用工学・バイオチップ
9 月 18 日
18a-PA2 - 1 〜 14

1 金ナノ粒子をアンテナとしたバクテリア検出
阪府大 ○福田真帆，初岡 優，Dung Lequynh，
西野智昭，椎木 弘，長岡 勉
2 液中偏光計測を用いた金ナノ粒子サンドイッチアッセイにおける検出感度・精度の粒子間距離依存性
慶大理工 ○三反畑輝，水野直人，江刺家恵子，斎木敏治
3 フォトニック結晶ナノレーザバイオセンサにおけるデバイ遮蔽効果の検証
横国大院工 ○渡部 工，渡邊敬介，羽中田祥司，
高橋大智，西島喜明，馬場俊彦
4 バクテリオロドプシンとナノ構造化透明電極を用いた高効率光センシングデ
バイスの作製
情通機構 ○梶 貴博，笠井克幸，井上振一郎，春山喜洋，山田俊樹，
富成征弘，上田里永子，照井通文，田中秀吉，大友 明△ 5 量子ドット ‐ 色素間の反応速度に微小液滴のサイズが与える影響
埼玉大 1，早大 2 ○倉林智和 1，宇高 光 1，福田武司 1，Dong Hyun Yoon2，
船木那由太 1，鎌田憲彦 1，鈴木美穂 1，中原 旭 2，関口哲志 2，庄子習一 2休

有機分子・バイオエレクトロニクス

10:45 〜 11:00

（ 99
99 ）

18a-PA2 - 1 〜 14

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 ミドリムシの化学走性を利用した細胞毒性モニターチップ
理研 ○尾笹一成，前田瑞夫
2 ステロイドホルモンのその場検査に向けた分子鋳型ポリマーを利用した検査
チップの開発日立横研 1，神戸大院工 2 ○谷口伸一 1，村瀬敦郎 2，竹内俊文 23 電極表面処理した半導体デバイスによる精子機能の評価
東大院工 ○齋藤暁子，坂田利弥
4 差動マルチ QCM 型においセンサの作製とその評価
慶大理工 ○湯川幸江，慶 奎弘，白鳥世明，松本佳宣
5 珪藻被殻足場を用いた細胞培養
山形大院理工 ○堀内友貴，北上恵理香，干場隆志，田中 賢，堀田純一
6 表面弾性波を用いた液相系センサーの動作特性
室蘭工大 佐藤 宣，○夛田芳広，福田 永
7 流路付加差動 Si リング光共振器を用いた PSA 検出
広島大ナノデバ研 1，先端研半導体専攻 2，分子生命専攻 3 ○谷口智哉 1,2，
横山修平 1,2，雨宮嘉照 1，池田 丈 3,1，黒田章夫 3,1，横山 新 1,2
8 機能化した Fe 微粒子を用いたラット小脳の質量分析イメージング
横国大院工 森本翔大，蜂巣将也，森 一将，
兵藤公美典，山崎貴大，○一柳優子

12

有機分子・バイオエレクトロニクス▲ 9 Blood coagulability characteristics of size controlled calcium carbonate
composite
Grad. Sch. Sci. Tech., Keio Univ.1，Dep. Adv. Ceramic material. Eng.,
Gangneung-Wonju Univ.2 〇 Junyong Park1，Kyuhong Kyung1，
Saehoon Kim2，Seimei Shiratori1
10 金型成形ガラスチップを用いた V 溝蛍光センサの高感度化
産総研 1，パナソニック 2 ○芦葉裕樹 1，王 暁民 1，
藤巻 真 1，田村隆正 2，清水義之 2
11 自己吸引型 QCM を用いたストレスマーカー計測
神奈川県産技セ 1，日本電波工業 2，慶大理工 3 ○伊藤 健 1，
青木信義 1，忍和歌子 2，鈴木孝治 312 無線神経インターフェイスに向けたパリレンフィルムアンテナの設計
豊橋技科大工 1，豊橋技科大 EIIRIS2 ○岡部謙志 1，秋田一平 1，石田 誠 1,2
13 差動 Si リング光共振器センサーによるショ糖濃度の測定
広大ナノデバ研 1，先端研半導体専攻 2，分子生命専攻 3 ○（M1）横山脩平 1,2，
谷口智哉 1,2，雨宮嘉照 1,2，池田 丈 3,1，黒田章夫 3,1，横山 新 1,2
14 フォトニック結晶ナノレーザバイオセンサとリムルス試薬を用いた 高速・高感度エンドトキシン検出
横国大院 ○高橋大智，羽中田祥司，西島喜明，馬場俊彦-----------------------------------------------------------------------------------12.7 医用工学・バイオチップ
9 月 19 日 9:00 〜 18:30
19a-A2 - 1 〜 10

△ 1 レーザー誘導型パルスジェットメスによる細血管温存効果の評価
東大 1，東京電機大 2，産総研 3，東北大 4，広南病院 5 ○（D）加藤峰士 1，
荒船龍彦 2，鷲尾利克 3，中川敦寛 4，小川欣一 5，冨永悌二 4，佐久間一郎 1，小林英津子 1△ 2 表面プラズモンアンテナ付ＳＯＩフォトダイオードを用いた１波長２ダイオード方式における屈折率感度の波長依存性
静岡大工 1，静岡大電子研 2 ○岩田将平 1，佐藤弘明 1,2，
小野篤史 1,2，猪川 洋 1,2△ 3 フォトニック結晶ナノレーザバイオセンサにおける屈折率・電荷同時検出の可能性 ( Ⅱ )横国大院工 ○（M2）岸 洋次，渡邊敬介，羽中田祥司，渡部 工，
酒本真衣，西島喜明，馬場俊彦
4 フォトニック結晶ナノレーザによる不純物を含む試料からの前立腺癌マーカの高感度検出
横国大院工 ○羽中田祥司，高橋大智，渡部 工，田中智基，馬場俊彦
5 フォトニック結晶ナノレーザアレイを用いた細胞の移動に伴う接着分布の観察
横国大院工 ○阿部紘士，大多哲史，竹村泰司，馬場俊彦

休憩

10:15 〜 10:30▲ 6 Neural Network Formation and Multiple points Channel Current
Measurement Using Incubation Type Planar Patch Clamp Biochip with
Cell Cage Pattern
Nagoya University1，JST-CREST2，Nihon University3，
Toyama Industrial Technol. Cent.4，Tateyama Machine Co. Ltd.5○
Zhi-Hong Wang1,2，Yasutaka Nagaoka1,2，Hidetaka Uno1,2，
Kei Kobayashi1,2，Takashi Kaito3，Hirofumi Nabesawa4，
Takashi Hitobo5，Tsuneo Urisu1,2
7 セルケージ構造を用いた基板上で規則的に配置された in vitro 神経細胞ネッ
トワークのカルシウムイメージング
名大革新ナノバイオデバイス研究センター 1，JST-CREST2，
名大環境医学研究所 3 ○長岡靖崇 1,2，王 志宏 1,2，
小松由紀夫 3，宇理須恒雄 1,2
8 セルケージパターンを有する培養基板上の神経細胞のカルシウムイメージン
グに用いる灌流装置の開発
名大革新ナノバイ 1，JST-CREST2，名大環研 3 ○小林 啓 1, 2，
長岡靖崇 1, 2，王 志宏 1, 2，小松由紀夫 3，宇理須恒雄 1, 2
△ 9 単層カーボンナノチューブ複合体を用いた薄膜トランジスタ型バイオセンサ
東レ 1，阪大産研 2 ○磯貝和生 1，清水浩二 1，村瀬清一郎 1，
金井 康 2，大野恭秀 2，前橋兼三 2，松本和彦 2▲ 10 DLC Film Deposited on Micro-Electrode with NBECVD for Bio-LSIs△
Institute of Fluid Science, Tohoku Univ.1，Tokyo Electron Limited2，
Graduate School of Environmental Studies, Tohoku Univ.3，
Micro-SIC, Tohoku Univ.4，WPI-AIMR, Tohoku Univ.5○（P）
Xijiang Chang1，Yoshiyuki Kikuchi1,2，Tomohiro Kubota1，
KumiInoue3,4，Tomokazu Matsue3,4,5，
Toshihisa Nozawa2，Seiji Samukawa1,5

昼

19p-A2 - 1 〜 20

食11:45 〜 13:15

1 受精卵質量測定のためのホルダ型ピエゾ抵抗カンチレバの設計と作製
群大院理工 1，群大院工 2，東大院工 3 ○曾根逸人 1，川上智之 2，
齋藤暁子 3，須藤寛文 1，保坂純男 1，坂田利弥 3△ 2 移植前診断に向けたイオン感応型透明ゲートトランジスタの創製
東大院工 ○西村光太郎，宮澤雄弥，齋藤暁子，加治佐平，坂田利弥
3 Molecular Charge Contact 法による抗原 ‐ 抗体反応計測の検討
東大院工 ○宮澤雄弥，坂田利弥

4 DNA 分子を固定化した半導体 / バイオインターフェイス構造の分子動力学法による解明
東大院工 ○前川侑毅，澁田 靖，加治佐平，坂田利弥
5 グルコース特異計測を目指したハイドロゲルトランジスタの創製
東大院工 ○上松祐太，加治佐平，坂田利弥△ 6 嗅上皮細胞インターフェースを用いた癌探知バイオトランジスタの創製
東大工 1，東大院工 2 ○広瀬雄一 1，齋藤暁子 2，加治佐平 2，坂田利弥 1,2△ 7 半導体原理に基づく静水圧負荷再生軟骨細胞分化挙動の in situ モニタリング
東大院工 1，ハーバード大 2 ○佐竹皓宇 1，齋藤暁子 1，
加治佐平 1，水野秀一 2，坂田利弥 1
8 CMOS マイクロ電極アレイを用いた細菌の電気化学検出
名大院工 ○太田晶子，新津葵一，中里和郎
9 CMOS 集積回路を用いた生体分子輸送 ･ 検出技術の検討
名大院工 ○吉田康平，新津葵一，中里和郎△ 10 化学イメージセンサを用いた細胞層の創傷イメージング
東北大院工 1，東北大院医工 2 ○于
冰 1，宮本浩一郎 1，吉信達夫 1,2

休憩

15:45 〜 16:00▲ 11 Single Cell Interaction Monitoring of Trapped Cardiomyocytes in aCentrifugal Microfluidic Chip
Osaka University 〇 (D)Wilfred Espulgar，Yoshinori Yamaguchi，
Wataru Aoki，Daiki Mita，Masato Saito，Jong-Kook Lee，Eiichi Tamiya
12 マイクロ流路遠心デバイスへの分取機能付与の検討
阪大院工 ○桐山雄一朗，齋藤真人，民谷栄一
13 有機シラン単分子膜パターン基板を用いたモジュール構造型培養神経回路の構築
早大理工 1，東北大学際研 2 ○石原広識 1，藤森壮也 1，
山本英明 2，谷井孝至 1
14 電圧可変平面電気６重極を用いた誘電泳動力による細胞の操作（Ⅱ）
鹿児島高専 1，産総研ナノシステム 2 ○西元稜太 1，須田隆夫 1，井上貴仁 2△ 15 クロマトグラフィーペーパー浸透溶液中金ナノ粒子のインピーダンス法による検出
立命院理工 ○（M1）堀 文貴，岩原昇平，宇野重康△ 16 クロマトグラフィーペーパーとフロー制御装置を用いた酵素センサによるア
ルコールガスの電気化学的検出
立命院理工 ○（M1）呉竹龍巳，Muhammad Syakirin Musa，宇野重康△ 17 クロマトグラフィーペーパーを用いたサイクリックボルタンメトリー測定の基礎実験
立命館大 ○（M1）原田裕司，宇野重康
18 クロマトグラフィーペーパーを用いた電気化学測定のコンピュータシミュ
レーション
立命館大 ○朴 康太，原田裕司，宇野重康
19 オンチップ質量分析に向けた熱パルスイオン源とマトリックスの効果
北陸先端大マテリアル ○杉山清隆，高村 禅△ 20 Rh(D) 血液型検査のための導波モードセンサの開発
早大先進理工 1，早大材研 2，産総研 3，日大医 4 ○（M2）傅 梦穎 1，
大木義路 1,2，芦葉裕樹 3，藤巻 真 3，粟津浩一 3，
田中寅彦 4，槇島 誠 4-----------------------------------------------------------------------------------12.7 医用工学・バイオチップ
9 月 20 日 9:00 〜 15:00
20a-A2 - 1 〜 11

1 マイクロロボット応用へ向けた磁性細菌表面の機能化
豊橋技大アイリス 1，豊橋技大工 2，東農工大工 3 ○高村 司 1，
田代起也 2，新垣篤史 3，アダルシュ サンドゥー 1,2
2 導波モードセンサーによる低濃度エンドトキシンの検出
シーアンドアイ 1，産総研 2 上野耕治 1，○藤巻 真 2
3 プラズモニックチップによる癌細胞のマルチカラー蛍光顕微鏡観察
産総研健康工学 ○田和圭子，笹川知里，山村昌平，片岡正俊
4 プラズモニックチップにおける背面照射での金属薄膜の膜厚と蛍光増強度との関係
産総研 1，関学大理工 2 ○中山拓哉 1,2，金高健二 1，田和圭子 1,2
5 特異的リガンド含有ポリマー薄膜構築チップを用いた C-Reactive protein の
高感度プラズモニックセンシング
神戸大院工 1，産総研 2 ○松浦 亮 1，北山雄己哉 1，田和圭子 2，竹内俊文 1

休憩

10:15 〜 10:30▲ 6 A small microfluidic platform for portable electrical biosensing towards
point of care detection
Univ. of Tokyo 〇 Tanzilur Rahman，Takanori Ichiki
7 ポリマー系フリーフロー電気泳動デバイスの開発
東大院工 〇久保田涼介，小林 雅，酒井崇匡，一木隆範
8 アトリットル容積を持つナノセルを用いた酵素 1 分子の高速検出
東大院工応用化学 1，JST-CREST2，東大院工バイオ 3○（PC）小野尭生 1,2，一木隆範 3，野地博行 1,2
9 形状記憶ポリマーマイクロバルブのプラスチック製デバイスへの実装
東大院工 1，物材機構 2 ○（M2）蒋 晨陽 1，宇都甲一郎 2，
荏原充宏 2，青柳隆夫 2，一木隆範 1
10 レーザ暗視野光学系を用いたナノ粒子のイメージング
東大院工 1，ニコン 2 ○花村奈未 1，小林 遼 2，赤木貴則 1，一木隆範 1

（ 100
100 ）

12

11 細胞培養プレートのプラズマ表面処理
阪大工 1，阪大医 2

昼

食

○

斉宮 大 1，杉本敏司 1，宮本 諭 2，
名井 陽 2，吉川秀樹 2，浜口智志 1

12:00 〜 13:00

20p-A2 - 1 〜 8▲ 1 Immobilizations of single-stranded DNA molecules onto amorphous
InGaZnO4 film surfaces
Univ.Of Tokyo, BioEng. Dept.1，Univ.Of Tokyo, ElectricalEng. Dept.2○（D）
Dali Sun1，Hiroaki Matsui1,2，Hitoshi Tabata1,22 酸素及び CO と吸着したヘモグロビンの物理化学特性の相違
阪大理 1，阪大院理 2，国循 3，埼玉医大 4 ○眞榮平愛 1，
蔡 徳七 2，下内章人 3，澤野 誠 4，松本卓也 2
3 非特異吸着防止のための塗布型ポリマー材料
JSR1，JSR ライフサイエンス 2，JSRMicro NV3，IMEC4 ○稗田克彦 1，
宮本秀俊 2，磯 和宏 2，宮崎智和 3，Sara Peeters3，John O'callghan4，
Karolien Jans4，Liesbet Lagae4，Raru Deshpande4
4 チタニア表面でのアパタイト析出反応における Na+と Ca 2+濃度の影響
東工大 1，東京高専 2 ○坂口 晃 1，中野雅之 2，大竹尚登 1，赤坂大樹 1
5 Aβ ラベルフリー検知リポソーム固定 NiCr 歪ゲージカンチレバーセンサ
京工繊大 1，新潟大 2 ○張 子洋 1，寒川雅之 2，山下 馨 1，野田 実 1
6 力印加共焦点光学顕微鏡によるミトコンドリア生理活性の力学応答測定
農工大工 ○本田諭志，李 永波，長崎秀昭，
岩見健太郎，太田善弘，梅田倫弘
7 アレルギー検査のための細胞分離検査チップの評価
九州工大 1，広島大 2，東大 3 ○坂本憲児 1，
柳瀬雄輝 2，秀 道広 2，三宅 亮 3
8 インピーダンスセンサを利用した生細胞応答解析
広大医 1，九工大 2 ○柳瀬雄輝 1，川口智子 1，坂本憲児 2，秀 道広 1------------------------------------------------------------------------------------

13

半導体 A（シリコン）●関連シンポジウム「絶縁膜上におけるⅣ族系半導体結晶薄膜の低温成長­ 新しい結晶成長技術への期待 ­」（9 月 17 日（水），13:00 〜 17:30，A19 会場）が p.40 に，掲載されています．
（9 月 17 日●関連シンポジウム「界面ナノ電子化学： 半導体ウェットプロセスの最前線」（水），13:30 〜 17:30，A14 会場）が p.44 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
9 月 19 日 9:30 〜 16:45
19a-A15 - 1 〜 9

1 バッチ式湿式洗浄機の水噴出ノズル設計
横国大院工 1，プレテック 2 ○小野伸賢 1，羽深 等 1，後藤昭広 22 バッチ式超音波洗浄におけるウエハガイド起因洗浄むらの低減
日立横研 1，国際電気セミコンダクターサービス 2 ○高橋広毅 1，大川真樹 2
3 犠牲酸化による Si 表面平坦化の基板面方位依存性
東工大 ○工藤聡也，Nithi Atthi，大見俊一郎
4 表面処理が高抵抗 CZ-Si ウェーハのライフタイム測定に与える影響
グローバルウェーハズ・ジャパン ○荒木延恵，日髙洋美，宮下守也
5 Si 酸化膜と Si 窒化膜中における金属原子の安定性に関する第一原理解析
岡山県立大院 ○（M2）柴田大生，小林駿介，末岡浩治

休憩

10:45 〜 11:00

6 シリコン結晶中ヒ素欠陥の第一原理 X 線光電子分光計算
慶大理工 ○山内 淳，岸 大季，宮澤美希
7 金属 /Ge 界面近傍における点欠陥の密度増加の起源
千葉大 ○佐々木奨悟，中山隆史
8 ZrN, HfN/Ge コンタクトの電気特性と界面微細構造解析
九大・総理工（院生）1，九大・総理工 2，九大・産学連携センター 3，物材機構 4 ○野口竜太郎 1，光原昌寿 2，山本圭介 3，
徹4
西田 稔 2，中島 寛 3，原9 非晶質 Ge 界面層と N による Ge コンタクトの外因性準位と S ファクターの変調
九大産学連携センター 1，九大総合理工学研究院 2○山本圭介 1，王冬 2，中島 寛 1

昼

19p-A15 - 1 〜 12食12:00 〜 13:30

1 極薄歪み SOI における UV ラマンスペクトルの厚さ依存性
産総研 ○多田哲也，原未来也，ウラジミール ポボロッチ▲ 2 Study of Heat Conduction in Corrugated Si Nanowires Using Raman
mapping
NeRI-AIST 〇 Vladimir Poborchii，Yukinori Morita，Tetsuya Tada
3 B および P をドープした Si 量子ドットの電子状態
富士通研究所 ○金田千穂子
4 P 添加 Si 量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性
名大院工 1，名大 VBL2，広大院先端研 3 ○竹内大智 1，
牧原克典 1，大田晃生 2，池田弥央 3，宮崎誠一 1
5 不純物添加 Si 量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス
名大院工 1，広大院先端研 2 ○山田敬久 1，
牧原克典 1，池田弥央 2，宮崎誠一 1

有機分子・バイオエレクトロニクス
13 半導体 A（シリコン）

6 二光子吸収過程を用いた半導体デバイスの放射線照射効果の評価
東大院工 1，宇宙研 2 ○井辻宏章 1,2，小林大輔 1,2，廣瀬和之 1,2

休憩

15:00 〜 15:15

7 ポリシリコンの結晶性を考慮したモンテカルロイオン注入計算手法
東芝 S&S 社 1，NFT2 ○関野勇樹 1，横田義徳 1，伊藤早苗 1，
青木伸俊 1，石丸一成 1，宮野清孝 2△ 8 酸化膜トラップ電荷による Si ナノワイヤトランジスタの電流ばらつきの統計的解析
早大理工 1，豊田工大 2，阪大院工 3 ○鈴木晃人 1，
神岡武文 2，鎌倉良成 3，渡邉孝信 1
9 シリコン量子細線における弾道的フォノン熱輸送に与えるヒ素ドーピングの影響
産総研 1，立命館大 2，JST, CREST3 ○服部淳一 1,2,3，宇野重康 2,3△ 10 酸化被膜型 Si ナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する考察
早大理工 1，筑波大 2，学振特別研究員 DC23 ○図師知文 1,3，
大毛利健治 2，山田啓作 2，渡邉孝信 1
11 高熱伝導率 BOX SOI FinFET のアナログおよび I/O 動作特性評価
慶應大理工電子工 1，CREST, JST2 ○高橋綱己 1,2，内田 建 1,2
12 放射線による局所昇温現象を考慮したソフトエラーシミュレーション
JAXA 宇宙研 1，東大院工 2 ○小林大輔 1,2，伊藤大智 1，廣瀬和之 1,2-----------------------------------------------------------------------------------13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
9 月 20 日
20a-PA2 - 1 〜 11
20a-PA2 - 1 〜 11

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 複雑な断面形状を持つ Si NWMOSFET における量子輸送シミュレーション
神大院工 ○森本剛司，笹岡健二，相馬聡文，小川真人
2 サブ 60mV/decade スイッチングを実現する異なる FET ゲート制御機構のシミュレーションによる比較解析
神戸大院工 石田智也，福嶋賢介，笹岡健二，小川真人，○相馬聡文
3 Analysis of Heat Escape Paths in FinFETs Using Phonon Monte Carlo
Simulation
阪大 1，JST CREST2 ○ Indra Nur Adisusilo1，
久木田健太郎 1，脇村 豪 1，鎌倉良成 1,2△ 4 InGaAS n-MOSFET におけるドレイン電流解析モデルを用いた反転層移動度の抽出
京都工芸繊維大 ○松田明大，廣木 彰，後藤悠太
5 ボディ短絡型自己バイアスチャネルダイオードの逆回復特性のシミュレー
ション解析
神奈川工科大 1，東北学院大 2 ○山田大輔 1，工藤嗣友 1，菅原文彦 2△ 6 サウンドエフェクト回路設計のための Ge ダイオードのモデルパラメータ抽出
京都工芸繊維大 ○小田宏和，廣木 彰，大山喬矢△ 7 ディストーション回路設計のためのオペアンプのマクロモデリング
京都工芸繊維大 ○大和谷祐貴，廣木 彰，大山喬也
8 乾燥シリコン表面における多成分系有機分子吸着脱離挙動
横国大院工 中込 健，ジェハ チェ，○羽深 等△ 9 シリコン酸化膜熱脱離時に形成される微細構造形成機構
弘前大院 ○長内翔大，吉田太祐，遠田義晴
10 電子線照射した Si0.99C0.01 S/D n-MOSFET に及ぼす熱処理の影響
熊本高専 1，中央電子工業 2，imec3 ○堀 眞聡 1，米岡将士 1，中島敏之 2，
Eddy Simoen3，Cor Claeys3，角田 功 1，高倉健一郎 1
11 分子シミュレーションによる Si 表面の空孔クラスタと Ni 原子の相互作用の解析
早大理工 1，豊田工大 2 ○木谷 哲 1，橋本修一郎 1，武良光太郎 1，
今津研太 1，小花絃暉 1，神岡武文 2，渡邉孝信 1-----------------------------------------------------------------------------------13.2 絶縁膜技術
9 月 19 日 9:00 〜 17:00
19a-A17 - 1 〜 12

▲ 1 Evidence for Si up-diffusion during scavenging of interfacial SiO2 in△		 HfO2/SiO2/Si stack
Univ. of Tokyo ○（D）Xiuyan Li，Takeaki Yajima，Tomonori Nishimura，
Kousuke Nagashio，Akira Toriumi
2 Hf1-xZrxO2-HfO2積層膜における HfO 2膜の強誘電的特性の発現○
西村知紀，矢嶋赳彬，長汐晃輔，鳥海 明
東大院工3 分子動力学法による high-k/SiO2界面のダイポール形成シミュレーション－正負両方向のダイポール層の再現－
早大理工 1，早大ナノ機構 2，明大理工 3，兵庫県立大 4，JST-CREST5○
志村昂亮 1，橋口誠広 1，功刀遼太 1，小椋厚志 3,5，
佐藤真一 4,5，渡邉孝信 1,2,5
4 La2O3/HfO2/SiO2積層絶縁膜 Si-MOS キャパシタのフラットバンド電圧の測
定
東工大フロンティア 1，東工大総理工 2 ○福井 僚 1，中村嘉基 1，
角嶋邦之 2，片岡好則 2，西山 彰 2，若林 整 2，杉井信之 2，
筒井一生 2，名取研二 1，岩井 洋 1
5 La シリケート /Si 接合の熱的不安定性と膜中欠陥
東芝研開セ ○中崎 靖，諸田美砂子，高島 章，加藤弘一，三谷祐一郎

休

（ 101
101 ）

憩

10:15 〜 10:30

13

半導体 A（シリコン）

6 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30 分）
Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on
Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in
Forming Gas, and Diﬀerence in Oxidizing Species
東北大 1，ステラケミファ 2，都市大 3，JASRI4 ○諏訪智之 1，寺本章伸 1，
翔 1，中尾幸久 1，山本雅士 2，野平博司 3，
熊谷勇喜 1，阿部健一 1，李室隆桂之 44，木下豊彦 4，須川成利 1，大見忠弘 1，服部健雄 1
7 SiO2/Si 界面の緩和エネルギーから推定した誘電率の評価
早大理工 1，東京都市大 2，宇宙研 3 ○森谷真帆 1,3，天野裕士 2,3，
小林大輔 3，山本知之 1，廣瀬和之 3
8 分子軌道法を用いて求めた回復率の検討
早大理工 1，宇宙研 2 ○若尾周一郎 1,2，廣瀬和之 2，小林大輔 2，山本知之 1△ 9 SiN 膜組成制御による MONOS 型メモリ消去速度 - 保持特性両立
東芝 ○藤井章輔，草井 悠，佐久間究，小山正人
10 低温 Kr/O2プラズマ酸化法による SiO 2/Si 構造の作製および評価
東京農工大工 ○藤川雄太，上野智雄，岩崎好孝△ 11 ポリシラザン塗布膜の CO2レーザーアニールと多結晶シリコン薄膜トランジ
スタ応用
奈良先端大 1，CREST2，九大 3 ○菱谷大輔 1，堀田昌宏 1,2，
石河泰明 1,2，渡辺陽介 3，池上 浩 3，浦岡行治 1,2▲ 12 Improvement of S-factor method for evaluation of MOS interface state
density
Tokyo Univ.1，JST CREST2 ○（D）Weili Cai1,2，
Mitsuru Takenaka1,2，Shinichi Takagi1,2

昼

食12:30 〜 14:00

19p-A17 - 1 〜 11

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
HfO2 成膜前アニールにより形成した GaOx パッシベーション層形成による
Sub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFET の電子移動度向上
産総研 GNC ○小田 穣，入沢寿史，ジェバスワン ウィパコーン，
前田辰郎，上牟田雄一，手塚 勉△ 2 窒素プラズマ処理を施した Al2O3/GaSb MOS 構造の特性評価
東京理科大院 1，産総研 2 ○（M2）後藤高寛 1,2，藤川紗千恵 1，
藤代博記 1，小倉睦郎 2，安田哲二 2，前田辰郎 1,2
3 ALD 法を用いた Al2O3膜の酸化剤による膜質の検討
早大ナノ機構 ○野崎義人，関口哲志，平岩 篤，川原田洋△ 4 ALD 形成 Al2O3/GeO2/p-Ge の電気的特性に及ぼす熱処理効果の検討
諏訪東京理科大 1，山梨大 2 ○梁池昂生 1，横平知也 1，山田大地 1，
王谷洋平 1，関 渓太 2，佐藤哲也 2，福田幸夫 1
5 Al2O3/GeO2/p-Ge の電気特性に及ぼす酸素ラジカル照射の効果
諏訪東京理科大 1，山梨大 2 ○王谷洋平 1，梁池昂生 1，横平知也 1，
山田大地 1，関 渓太 2，佐藤哲也 2，福田幸夫 1
6 ALD により形成した Al2O3/Ge ゲートスタックに於ける Kr/O2 ECR プラズマ
酸化効果
九大院総合理工学府 1，九大産学連携センター 2 ○（M2）長岡裕一 1，
冬 1，中島 寛 2
永冨雄太 1，山本圭介 2，王休憩

15:30 〜 15:45△ 7 プラズマ後窒化 HfO2/Al2O3/SiGe0.32 MOS 界面の電極依存性
東大院工 1，JST-CREST2 ○（D）韓 在勲 1,2，竹中 充 1,2，高木信一 1,2
8 CVD 法による Ge 酸化膜の作製と評価
農工大工 ○（M2）松岡悠斗，岩崎好孝，上野智雄
9 Hf-PMA による良質な GeO2/Ge 界面と GeO2絶縁膜の性質変化
東京農工大工 ○新井田淳平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄
10 Kr/O2プラズマを用いた GeO 2/Ge 界面特性の改善
東京農工大工 ○中谷友哉，新井田淳平，岩崎好孝，上野智雄
11 パルス MOCVD 法により作製した GeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性
名大院工 1，学振特別研究員 2 ○柴山茂久 1,2，吉田鉄兵 1，加藤公彦 1，
坂下満男 1，竹内和歌奈 1，田岡紀之 1，中塚 理 1，財満鎭明 1-----------------------------------------------------------------------------------13.2 絶縁膜技術
9 月 20 日
20a-PA3 - 1 〜 7

20a-PA3 - 1 〜 7

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 高温高湿下で絶縁膜上に形成されるシリコン酸化層
三菱電機 1，メルコセミコンダクターエンジニアリング 2 ○奥 友希 1，
奥村 学 2，志賀俊彦 1，戸塚正裕 1，渡辺 斉 1△ 2 シリコン酸窒化膜の内殻準位化学シフトと表面モフォロジーの関連
弘前大院理工 ○高見貴弘，和田 誠，遠田義晴
3 シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果 ( Ⅲ )東海大院工 1，東海大工 2 ○（M2）鈴木亜嵐 1，
永島大樹 2，林 宏紀 2，小林清輝 1,2
4 低誘電率 SiCN 電荷捕獲層の正孔捕獲特性
東海大院工 ○（M1）田中 伸，内藤慎二，小林清輝
5 多結晶 HfO2膜における絶縁破壊箇所の同定
筑波大 1，産総研 2 ○戸村有佑 1，蓮沼 隆 1，山部紀久夫 1，右田真司 2

6 High-k/ High-k 界面におけるダイポール形成の可能性の検討
早大理工 1，早大ナノ機構 2，物材機構 3，明大理工 4，兵庫県立大 5，
JST-CREST6 ○橋口誠広 1，志村昂亮 1，功刀遼太 1，知京豊裕 3，
小椋厚志 4,6，佐藤真一 5,6，渡邉孝信 1,2,6
7 Si(001) 上の GaSb ﾅﾉｺﾝﾀｸﾄ ﾍﾃﾛｴﾋﾟ成長と HfO2/GaSb MOS 特性
産総研 1，物材機構 2，東大院工 3 ○宮田典幸 1，大竹晃浩 2，
市川昌和 3，森 貴洋 1，安田哲二 1-----------------------------------------------------------------------------------13.3 Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術
9 月 17 日
17p-PA1 - 1 〜 16
17p-PA1 - 1 〜 16

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 高機能非冷却赤外線センサの高性能化 III - ナノギャップ 3 次元プラズモニッ
クメタマテリアル吸収体の作製 三菱電機 1，立命館大 2 ○植月満治 1，秦 久敏 1，三崎浩司 1，
小川新平 1，藤澤大介 1，木股雅章 2
2 3D スプリングを用いた可変プラズモニック構造とその光学特性
山形大院理工 ○西山宏昭，阿部佑真，市村琢朗，大関透典，齋藤泰登△ 3 小型分光器の実現に向けた面内回転型 MEMS 分光デバイス
香川大 ○岡 勇作，篠崎亮輔，下川房男，大平文和，高尾英邦△ 4 集積化 CMOS-MEMS 加速度センサへ向けた sub-1G 静電容量型センサの検討
東工大 1，NTT-AT2，東大 3 ○亀井将太 1，山根大輔 1，小西敏文 2，
松島隆明 2，年吉 洋 3，町田克之 1,2，益 一哉 1
5 積層メタル構造による 3 軸加速度センサの検討
NTT-AT1，東工大 2，東大 3 ○松島隆明 1，小西敏文 1，
山根大輔 2，年吉 洋 3，益 一哉 2，町田克之 1,2
6 エネルギーハーベスティングデバイスの検討 (4)NTT-AT1，東工大 2，東大 3 ○小西敏文 1，山根大輔 2，
松島隆明 1，益 一哉 2，年吉 洋 3，町田克之 1,2
7 壁面に熱電対を配置したマイクロ流路デバイス
豊田工大 ○（B）柴田真宏，山口貴大，熊谷慎也，佐々木実
8 MEMS によるマイクロ流体界面での反応性プラズマ形成
豊田工大 ○柄崎克樹，熊谷慎也，佐々木実
9 連続発振 Si レーザ結晶化におけるマルチラインビーム化の効果
広島大 RNBS1，東北大院 2 ○平田達誠 1，黒木伸一郎 1，
山野真幸 1，佐藤 旦 1，小谷光司 2，吉川公麿 1
10 高性能 poly-Si TFT 特性とチャネル結晶面方位との相関
広島大ナノデバイス 1，東北大工 2 ○山野真幸 1，黒木伸一郎 1，
平田達誠 1，佐藤 旦 1，小谷光司 2，吉川公麿 1▲ 11 Pulsed-Laser-Microcrystallization of Si Thin Films on Metal Films with
Crystallization-Induction Layers of YSZ by the Two-Step Irradiation
MethodJAIST 〇 Lien Mai，Susumu Horita△ 12 a-Si 膜の軟 X 線照射結晶化における横方向成長
兵庫県立大院工 1，兵庫県立大高度研 2 ○平野翔大 1，
草壁 史 1，部家 彰 1，松尾直人 1，神田一浩 2
13 透明導電膜付きポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜の結晶
成長
山口大院理工 1，琉球大 2 ○河本直哉 1，只友一行 1，野口 隆 2，岡田竜弥 2
14 Ni シリサイド化速度の Si 結晶構造依存性 - 分子動力学法による解析 早大理工 ○橋本修一郎，小杉山洋希，セイ ソン，
武井康平，木谷 哲，図師知文，渡邉孝信
15 金属 Germanide の相図と Ge 界面におけるショットキーバリア
千葉大理 ○（DC）飯塚将太，中山隆史
16 炭素を用いた Cu 拡散抑制の検討
芝浦工大 ○ラーエド アルスバイエ，山下 諒，上野和良-----------------------------------------------------------------------------------13.3 Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術
9 月 18 日 9:00 〜 17:45
18a-A19 - 1 〜 13

1 軟 X 線照射による B10H14注入 Si 基板中の B 原子活性化
兵庫県立大 1，兵庫県立大高度研 2 ○部家 彰 1，平野翔大 1，
草壁 史 1，松尾直人 1，神田一浩 22 Bi 原子細線をドーパント源とする Si 結晶中の Bi\delta ドーピング法：
EXAFS によるドーピング機構解明
物材機構 1，筑波大院数物 2，JASRI3 村田晃一 1,2，新田清文 3，
宇留賀朋哉 3，寺田靖子 3，日塔光一 1，坂田修身 1，○三木一司 1,2
3 Bi 原子細線をドーパント源とする Si 結晶中の Biδ ドーピング法 : アニール
温度の再考
物材機構 1，筑波大院数物 2 ○（M2）金澤 孝 1,2，
村田晃一 1,2，日塔光一 1，三木一司 1,24 リン酸溶液中レーザドーピングによる Ge ダイオードの低温形成
名大院工 1，学振 PD2，九大院シス情 3 ○高橋恒太 1，黒澤昌志 1,2，
池上 浩 3，坂下満男 1，竹内和歌奈 1，中塚 理 1，財満鎭明 1
5 Sn/Ge コンタクトにおけるショットキー障壁高さの Ge 面方位依存性
名大院工 1，学振特別研究員 2 ○鈴木陽洋 1，鄧 云生 1，
黒澤昌志 1,2，坂下満男 1，中塚 理 1，財満鎭明 1
6 WSin/Ge 接合の結合状態とフェルミレベルピニング解除
産総研ナノエレ 1，JST- さきがけ 2，産総研ナノシステム 3，産総研 4○
内田紀行 1，岡田直也 1,2，宮崎剛英 3，福田浩一 1，金山敏彦 4

（ 102
102 ）

13

休

憩

10:30 〜 10:45

7 中性無電解銅めっき法を用いたアルミ電極上への銅バンプ形成
千葉工大工 ○杉浦 修
8 W 内包 Si クラスターを凝集した原子層厚シリサイド膜の電気伝導特性
JST さきがけ 1，産総研 2 ○岡田直也 1,2，内田紀行 2，金山敏彦 2
9 常温超音波接合技術による VGA サイズ近赤外イメージセンサーの作製
九大 1，アイアールスペック 2 ○（DC）首藤高徳 1，岩鍋圭一郎 1，
小倉睦郎 2，西田克彦 2，浅野種正 1
10 先鋭バンプの超音波接合による常温接合機構の調査
九大 ○岩鍋圭一郎，首藤高徳，多喜川良，浅野種正
11 先鋭バンプの微細化による常温 CoC 接合の低荷重化
九大 ○青木洋平，多喜川良，岩鍋圭一郎，首藤高徳，浅野種正
12 直接貼付 InP/SiO2 接合界面におけるボイド占有率の評価
上智大理工 ○松本恵一，金谷佳則，岸川純也，下村和彦
13 ３次元構造撮像デバイスの実現に向けた画素回路の試作
NHK 技研 1，東大 2 ○後藤正英 1，萩原 啓 1，井口義則 1，大竹 浩 1，
更屋拓哉 2，日暮栄治 2，年吉 洋 2，平本俊郎 2

昼食12:30 〜 14:00

18p-A19 - 1 〜 14

△ 1 1 次元プラズモニックメタマテリアル吸収体による偏光検知非冷却赤外線センサ
立命館大 1，三菱電機 2 ○（M2）高川陽輔 1，小川新平 2，
増田恭平 1，宮下晃一 1，木股雅章 12 高機能非冷却赤外線センサの高性能化 I:3 次元プラズモニックメタマテリア
ル吸収体の基礎検討
三菱電機 1，立命館大 2 ○小川新平 1，藤澤大介 1，
秦 久敏 1，植月満治 1，三崎浩司 1，木股雅章 2
3 高機能非冷却赤外線センサの高性能化Ⅱ :3 次元プラズモニックメタマテリア
ル吸収体の光学特性
三菱電機 1，立命館大 2 ○藤澤大介 1，小川新平 1，
秦 久敏 1，植月満治 1，三崎浩司 1，木股雅章 24 焦電型赤外線センサの感度向上に向けた配線材料薄膜化
豊橋技科大工 1，豊橋技科大 EIRIS2 ○（M1）米丸翔太 1，
大石浩史 1，赤井大輔 1,2，石田 誠 1,2△ 5 アルミ微細周期構造による表面プラズモンを利用したフレキシブルカラー
フィルムの製作
豊橋技術科学大 ○（B）熊谷隼人，本間浩章，高橋一浩，石田 誠，澤田和明
6 薄膜 PZT-MEMS バイモルフ構造を用いた自励発振システム
兵庫県大工 ○（M2）井上純一，松田貴文，神田健介，藤田孝之，前中一介
7 三次元 Si 加工基板上への PZT 成膜と評価
兵県大工 ○（M1）森上慎悟，井上純一，神田健介，藤田孝之，前中一介
8 太陽光励起レーザーと組み合わせるためのシリコン光電変換素子
豊田中研 1，名大 2 ○竹田康彦 1，飯塚英男 1，伊藤 忠 1，水野真太郎 1，
長谷川和男 1，市川 正 1，伊藤 博 1，梶野 勉 1，
樋口和夫 1, 2，一木輝久 2，元廣友美 2

休憩

16:00 〜 16:15

9 バッファアンプを搭載するマイクロプローブ細胞外電極アレイ
豊橋技科大 1，EIIRIS2 ○（M1）牧野浩樹 1，浅井皓平 1，
田中将徳 1，石田 誠 1,2，河野剛士 1
10 Ir/SiO2マイクロチューブ，ガラス管アレイ集積化神経電極デバイス
豊橋技科大 1，EIIRIS2 ○（M1）松尾朋幸 1，中邨友彦 1，坂田真浩 1，
山際翔太 1，澤畑博人 1，石田 誠 1,2，河野剛士 1△ 11 ビーズを用いた PDMS 製細菌捕獲チップの検討 Ⅱ - 蛍光強度の時間依存性
蛍光強度の時間依存性 豊橋技科学大電気・電子情報工学 1，東工大 2，NTT-AT3，九大医学研究院 4○西村祐典 1，林 隆平 1，中澤寛一 1，石田 誠 1，澤田和明 1，
石井 仁 1，町田克之 2,3，益 一哉 2，吉田眞一 4，齋藤光正 4△ 12 材料判別を実現する熱伝導率センサ集積型メッシュ状シリコン触覚イメー
ジャ
香川大 ○大杉亮太，高木優佑，前田祐作，寺尾京平，
鈴木孝明，下川房男，高尾英邦
13 圧電 MEMS 振動発電における銅めっきによる錘の形成12○
大阪府立産技研 ，大阪府立大村上修一 1，苅谷健人 2，吉村 武 2，
長瀧敬行 1，中出卓男 1，佐藤和郎 1，藤村紀文 2
14 アルミ薄膜を用いた陽極接合による真空封止技術
セイコーインスツル ○唐澤賢志，杉山 剛，田家良久，浜田秀史，吉田宜史-----------------------------------------------------------------------------------13.3 Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術
9 月 19 日 9:00 〜 18:00
19a-A19 - 1 〜 13

1 450mmφ シリコンエピタキシャル成長速度の数値計算
横国大院工 ○松井美沙子，羽深 等
2 SiHCl3-SiHx系における気相・表面化学反応
横国大院工 ○齋藤あゆ美，桜井あゆみ，羽深 等
3 ランガサイト結晶振動子を用いたその場測定による SiHCl3-BCl3 混合系化学
気相堆積の観察横国大院工 齋藤あゆ美，宮崎賢都，松井美沙子，○羽深 等

半導体 A（シリコン）

4 ラマン分光による電子線照射非晶質 Ge 薄膜の固相成長過程の評価
熊本高専 1，ブルカーバイオスピン 2 ○村上英司郎 1，茂藤健太 1，
野満建至 1，原 英之 2，西村浩人 2，高倉健一郎 1，角田 功 1
5 初期非晶質性を変調した Ge 薄膜の Au 誘起成長
熊本高専 1，ブルカーバイオスピン 2 ○岡本隼人 1，堀 眞聡 1，茂藤健太 1，
崎山 晋 1，塘内功大 1，原 英之 2，西村浩人 2，高倉健一郎 1，角田 功 1
6 O2混合 Ar スパッタにより成膜した高耐圧 SiO 2膜の電気特性評価
琉大工 ○岡田竜弥，井村公彦，野口 隆

休憩

10:30 〜 10:45

7 マイクロ熱プラズマジェット結晶化による Si 極細線の電気特性評価及び薄膜
トランジスタ応用
広大院先端研 ○（M2）山本将悟，森崎誠司，林 将平，中谷太一，東清一郎
8 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化 Ge 膜を用いた TFT の電気特性評価
広大院先端研 ○中谷太一，林 将平，森崎誠司，
上倉敬弘，山本将悟，東清一郎△ 9 量子分子動力学法に基づくシリコン酸化膜のエッチングプロセスにおけるエッチャントの堆積メカニズムの解明
東北大院工 1，東北大流体研 2 ○（D）伊藤 寿 1，桑原卓哉 1，
樋口祐次 1，尾澤伸樹 1，寒川誠二 2，久保百司 1
10 ナノシリコン弾道電子源を用いたⅣ族半導体薄膜の堆積
農工大院工 ○八木麻実子，須田隆太郎，小島 明，Mentek Romain，白樫淳一，越田信義
11 アンドープ基板を用いた Si/SiGe 量子ドットデバイスのノイズ評価
東工大量子ナノ研 1，東大 2，理研 3，東工大 4，東大ナノ量子機構 5○本田拓夢 1，武田健太 2，神岡 純 1，米田 淳 3，Marian Marx3，
小寺哲夫 4,5，樽茶清悟 2,3,5，小田俊理 1
12 Si ナノワイヤの Ni シリサイド化速度へのポスト酸化アニールの影響
早大理工 1，明大理工 2，産総研 3 ○セイ ソン 1，橋本修一郎 1，
小杉山洋希 1，武井康平 1，麻田修平 1，徐 泰宇 1，若水 昂 1，
今井亮佑 2，徳武寛紀 2，松川 貴 3，富田基裕 2，
小椋厚志 2，昌原明植 3，渡邉孝信 1
13 酸化膜被覆型 Si ナノワイヤのシリサイド化に伴う破裂現象
早大理工 1，産総研 2 ○武井康平 1，小杉山洋希 1，橋本修一郎 1，
セイ ソン 1，麻田修平 1，徐 泰宇 1，若水 昂 1，
松川 貴 2，昌原明植 2，渡邉孝信 1

昼

食12:30 〜 14:00

19p-A19 - 1 〜 15

1 新 Ti 原料を用いた低抵抗 CVD-TiN 薄膜の形成
日立国際電気 原田和宏，中谷公彦，○芦原洋司，金山健司
2 ZrNx膜を用いた一体型バリヤの作製
北見工大 ○佐藤 勝，武山真弓，野矢 厚▲ 3 Formation of Highly Pure Metallic Ruthenium Film Using Hot-wireassisted Atomic Layer Deposition for Electrode Applications
The Univ. of Tokyo ○ Guangjie Yuan，Hideharu Shimizu，Takeshi Momose，Yukihiro Shimogaki△ 4 3 次元アトムプローブを用いた新規 Cu(Mn)/Co(W) 配線システムのサブナノ構造の解明とバリヤ性評価
远 2，韓
斌 2，
東大院工 1，東北大金研 2 ○（D）嶋 紘平 1，涂
高見澤悠 2，清水秀治 1，清水康雄 2，百瀬 健 1，
井上耕治 2，永井康介 2，霜垣幸浩 15 銅配線用新規低温分解性フッ素フリー原料
気相成長 1，山梨大 2 須藤 弘 1，石川真人 1，○町田英明 1，
Rasadujjaman Md2，近藤英一 26 Supercritical Fluid Chemical Deposition of Cu in Ru-lined Deep
Nanotrenches using a New Cu(I) Amidinate Precursor
山梨大 1，気相成長 2 Md. Rasadujjaman1，渡邉満洋 1，
須藤 弘 2，町田英明 2，○近藤英一 1
7 基板表裏面間差圧を用いたウェハレベル超臨界 Cu 均一成膜
山梨大院医工 1，フジクラ 2 ○渡邉満洋 1，植野隆大 1，
近藤英一 1，山本 敏 2，末益龍夫 28 臭素ドープ多層グラフェン配線のためのパッシベーション膜の検討
芝浦工大 1，超低電圧デバイス技術研究組合 2 ○松本勇士 1，青笹明彦 1，
小杉諒佑 1，宮崎久生 2，和田 真 2，佐久間尚志 2，
梶田明広 2，酒井忠司 2，上野和良 1

休憩

16:00 〜 16:15

9 TSV に適用可能な SiNx膜の低温作製とその特性評価
北見工大 1，富士通研 2 ○武山真弓 1，佐藤 勝 1，野矢 厚 1，
小林靖志 2，中田義弘 2，中村友二 2
10 NO と F2 を用いた Si ケミカルドライエッチング中の F 失活過程の解析 (II)名大院工 1，豊田工大 2，片桐エンジニアリング 3 ○田嶋聡美 1，林 俊雄 1，
勝1
石川健治 1，関根 誠 1，佐々木実 2，山川晃司 3，堀
11 ローコスト TSV 向けテーパーエッチング開発
アルバック 1，NMEMS2 ○作石敏幸 1,2，村山貴英 1,2，森川泰宏 1,2
12 3 次元積層集積デバイス向け高アスペクト比のビア深さ測定
富士通 ○中村 誠，北田秀樹，作山誠樹
13 3D IC 用ビアラスト・バックサイドビアプロセスにおけるプラズマダメージの MOSFET 特性への影響評価
東北大院工 1，東北大院医工 2，東北大未来研 3 ○菅原陽平 1，橋口日出登 1，
谷川星野 1，木野久志 2，福島誉史 3，李 康旭 3，小柳光正 3，田中 徹 1,2

（ 103
103 ）

13

半導体 A（シリコン）

14 再配線構造による薄化 Si チップの熱変形挙動
富士通 1，富士通研究所 2 ○土手 暁 1，森田 将 1，
北田秀樹 1，水島賢子 2，作山誠樹 1
15 反射型レチクルフリー露光装置を用いた不均一伸縮基板対応アライメント方式の開発
熊大院自 1，熊大工 2 ○刀根輝徳 1，横山 聡 1，久保田弘 1，吉岡昌雄 2-----------------------------------------------------------------------------------13.3 Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術
9 月 20 日 9:00 〜 12:15
20a-A19 - 1 〜 12

1 局所クリーン化ミニマル PLAD エア循環システム（Ⅲ）
ミニマルファブ技術研究組合 1，産総研 2 ○谷島 孝 1，飯田健次郎 1,2，
安井政治 1，ソマワン クンプアン 1,2，前川 仁 1,2，原 史朗 1,2
2 必要最小限の薬液を使用したスピン現像の効果
ミニマルファブ 1，リソテック 2，産総研 3 ○奥田修史 1，武内 翔 1,2，
扇子義久 1,2，ソマワン クンプアン 1,3，原 史朗 1,3
3 ミニマルマスクレス描画装置におけるリソグラフィー解像度の均一性制御（Ⅱ）
ミニマルファブ技術研究組合 1，PMT2，産総研 3 ○北山侑司 1，吉岡昌男 1,2，
入田亮一 1,2，三宅賢治 1,2，ソマワン クンプアン 1,3，原 史朗 1,3
4 二重のレーザ加熱によるハーフインチウェハ面内の温度均一性
ミニマルファブ技組 1，産総研 2，坂口電熱 3 ○遠江栄希 1，千葉貴史 1,3，
寺田昌男 1,3，清水真博 1,3，山口博隆 2，石田夕起 1,2，池田伸一 1,2，
ソマワン クンプアン 1,2，原 史朗 1,2
5 ミニマル集光加熱炉における加熱効率および温度均一性の改善
ミニマルファブ 1，米倉製作所 2，産総研 3 ○三浦典子 1，相澤 洸 1,2，
山田武史 1,2，大西康弘 1,2，池田伸一 1,3，遠江栄希 1，石田夕起 1,3，
朗 1,3
三ケ原孝則 1，中戸克彦 1，ソマワン クンプアン 1,3，原
6 ミニマル抵抗加熱炉で形成した熱酸化膜の電気的特性（Ⅱ）
ミニマルファブ技術研究組合 1，産総研 2，光洋サーモシステム 3○
中戸克彦 1，居村史人 1，浅野 均 1，鈴木真之佑 1,3，松田祥吾 1,3，
柳沼綾美 1,3，森川清彦 1,3，服部 昌 1,3，池田伸一 1,2，
クンプアン ソマワン 1,2，原 史朗 1,2

休憩

10:30 〜 10:45

7 ボロンシリサイドの低温酸化によるボロン拡散制御
ミニマルファブ技術研究組合 1，産総研 2 ○古賀和博 1，梅山規男 1,2，
居村史人 1，浅野 均 1，遠江栄希 1，ソマワン クンプアン 1,2，原 史朗 1,2
8 マイクロプラズマを用いたエッチングプロセス（Ⅲ）
ミニマルファブ 1，産総研 2，三友製作所 3 ○田中宏幸 1，清水禎樹 1,2，
小木曽久人 1,2，中野 禅 1,2，新堀俊一郎 3，加藤木真紀 3，高橋 賢 3，
朗 1,2
白山裕也 3，横須賀俊太郎 3，ソマワン クンプアン 1,2，原
9 ミニマルファブ用 TSV プラズマエッチング装置のエッチング特性
産総研 1，ミニマルファブ技術研究組合 2，東北大 3 ○本村大成 1,2，
高橋和貴 3，笠嶋悠司 1，菊永和也 1，上杉文彦 1，安藤 晃 3，
猿渡新水 1，田中宏幸 2，清水禎樹 1,2，中野 禅 1,2，
小木曽久人 1,2，ソマワン クンプアン 1,2，原 史朗 1,2
10 ミニマルスパッタ装置における A ｌ薄膜の成膜性 ( Ⅱ )ミニマルファブ技術研究組合 1，産総研 2，誠南工業 3 ○加藤旭彦 1,3，
小木曽久人 1,2，中野 禅 1,2，薮田勇気 3，
ソマワン クンプアン 1,2，原 史朗 1,2
11 集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコン CVD 装置 (III)
横国大院工 1，産総研 2 ○李寧 1，羽深 等 1，
池田伸一 2，石田夕起 2，原 史朗 2
12 ミニマル Si-CVD プロセスにおける膜厚分布の成長条件依存性
産総研 1，ミニマルファブ技術研究組合 2，横国大 3 ○石田夕起 1,2，
池田伸一 1,2，三ケ原孝則 2，中戸克彦 2，三浦典子 2，羽深 等 3，
ソマワン クンプアン 1,2，原 史朗 1,2-----------------------------------------------------------------------------------13.4 デバイス／集積化技術
9 月 17 日 14:00 〜 17:45
17p-A16 - 1 〜 14

1 チャージセンサを用いた 2 重結合シリコン量子ドット内のスピンブロッケー
ド現象の観測東工大量子ナノエレ研セ 1，東工大電子物理 2，東大ナノ量子機構 3○
堀部浩介 1，小寺哲夫 2,3，小田俊理 1
2 2 つのシリコン 2 重量子ドットデバイス間の静電結合観測
東工大量子ナノエレ研セ 1，東工大電子物理 2 ○呂
逸 1，
堀部浩介 1，小寺哲夫 2，小田俊理 1
3 3 端子ナノドットアレイの高機能の創出 (2)北大院情報 1，NTT 物性研究所 2 ○吉岡 勇 1，内田貴史 1，
佐藤 光 1，有田正志 1，藤原 聡 2，高橋庸夫 1
4 Si 単電子トランジスタにおける励起準位の分類
北大院情報 1，NTT 物性基礎研 2 ○佐藤 光 1，内田貴史 1，
吉岡 勇 1，有田正志 1，藤原 聡 2，高橋庸夫 1
5 シリコン高速単正孔転送素子
NTT 物性基礎研 ○山端元音，藤原 聡△ 6 単電子検出を利用したフィードバック制御による熱ゆらぎの抑制
NTT 物性研 ○知田健作，西口克彦，山端元音，藤原 聡

7 短チャネルトンネル電界効果トランジスタにおける深い準位を介した単一電子輸送
理研 1，産総研 2，物材機構 3 ○大野圭司 1，森 貴洋 2，森山悟士 3
8 Tunnel FET の短チャネル効果の検討
産総研 ○福田浩一，森 貴洋，水林 亘，森田行則，
昌原明植，安田哲二，右田真司，太田裕之
9 エピタキシャル成長で形成したトンネル接合の品質改善によるトンネル FETの性能向上
産総研 ○森田行則，森 貴洋，右田真司，水林 亘，福田浩一，
松川 貴，遠藤和彦，大内真一，柳 永勛，昌原明植，太田裕之

休憩

16:15 〜 16:30

10 三次元 Fin チャネルを用いた MANOS 型フラッシュメモリの作製及び電気特性評価
産総研 1，物材研 2 ○柳 永勛 1，生田目俊秀 2，松川 貴 1，遠藤和彦 1，
大内真一 1，塚田順一 1，山内洋美 1，石川由紀 1，水林 亘 1，
森田行則 1，右田真司 1，太田裕之 1，知京豊裕 2，昌原明植 1△ 11 ナノ粒子埋込 V 溝型 Junction-less FET の作製と評価
奈良先端大 1，産総研 2 ○（D）番 貴彦 1，上沼睦典 1，
右田真司 2，石河泰明 1，山下一郎 1，浦岡行治 1
12 HfOx 抵抗変化メモリにおけるスイッチング特性の酸化物膜厚依存性
関西大 ○伊藤大介，大塚慎太郎，濱田佳典，清水智弘，新宮原正三
13 Ni/HfO2/Pt 抵抗変化メモリにおける強磁性導通フィラメントの形成
関西大 ○大塚慎太郎，浜田佳典，伊藤大介，清水智弘，新宮原正三
14 Cu/MoOx/TiN ReRAM の初期スイッチ過程における導電フィラメント
北大情報 ○有田正志，大野裕輝，工藤昌輝，高橋庸夫-----------------------------------------------------------------------------------13.4 デバイス／集積化技術
9 月 17 日
17a-PA3 - 1 〜 7

17a-PA3 - 1 〜 7

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 等電子トラップ援用 TFET における Subthreshold Slope の温度依存性
産総研 ○森 貴洋，森田行則，宮田典幸，右田真司，
福田浩一，昌原明植，安田哲二，太田裕之▲ 2 Ge/Si Hetero-Junction TFETs with In-situ Boron-Doped Ge-Source
The University of Tokyo1，JST-CREST2 ○ Minsoo Kim1,2，
Yuki Wakabayashi1，Ryosho Nakane1，
Mitsuru Takenaka1,2，Shinichi Takagi1,2
3 高速、パルス測定による Super Steep Cut Off SOI Device のヒステリシス特性の変化
金沢工大工 1，高エネ研 2 ○蔵本陽介 1，井田次郎 1，新井康夫 2
4 基板貼り合わせ法により作製した Si 上フロントゲート GaSb-OI p-MOSFETの動作実証
東大院工 1，JST CREST2，NTT フォトニクス研 3 ○西 康一 1,2，
横山正史 1，横山春喜 2,3，星 拓也 2,3，杉山弘樹 2,3，
竹中 充 1,2，高木信一 1,2
5 マルチゲート Si 単電子トランジスタを用いた potential barrier の電圧制御
北大院情報 1，NTT 物性基礎研 2 ○内田貴史 1，吉岡 勇 1，
佐藤 光 1，有田正志 1，藤原 聡 2，高橋庸夫 1
6 ジャンクションレストランジスタの表面ラフネス散乱及び不純物散乱の影響
神戸大工 1，阪大工 2，JST CREST3 ○一居雅人 1，土屋英昭 1,3，
鎌倉良成 2,3，森 伸也 2,3，小川真人 1▲ 7 A 2-12 GHz 1 mW 65 nm CMOS Double Pole Eight Throw Switching
MatrixResearch Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University〇
Afreen Azhari，Takumi Sugitani，Kenta Sogo，Takamaro Kikkawa-----------------------------------------------------------------------------------13.4 デバイス／集積化技術
9 月 18 日 9:00 〜 17:15
18a-A16 - 1 〜 11

1 完全空乏型 Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSFET および Bulk MOSFET における特性ばらつきの系統的統計解析
東大生研 1，LEAP2 ○（M1）田中克久 1，水谷朋子 1，山本芳樹 2，
槇山秀樹 2，山下朋弘 2，尾田秀一 2，蒲原史朗 2，杉井信之 2，
更屋拓哉 1，小林正治 1，平本俊郎 12 金属ゲートの仕事関数ばらつきによる FinFET の DIBL ばらつきの解析
産総研 ○松川 貴，福田浩一，柳 永勛，遠藤和彦，塚田順一，山内洋美，
石川由紀，大内真一，右田真司，水林 亘，森田行則，太田裕之，昌原明植
3 完全空乏型 Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM セルにおける最低動作電圧(Vmin) の統計的解析
東大生研 1，LEAP2 ○水谷朋子 1，山本芳樹 2，槇山秀樹 2，山下朋弘 2，
尾田秀一 2，蒲原史朗 2，杉井信之 2，平本俊郎 1▲ 4 Analysis of Delay Time Degradation of Ultra-Low Supply Voltage CMOS
Circuit Operating in Subthreshold Region
IIS ○（D）Seung-Min Jung，Takuya Saraya，Masaharu Kobayashi，Toshiro Hiramoto
5 SOTB-FinFET へのバックバイアス印加による低ばらつき Vt 可変技術
産総研 ○松川 貴，柳 永勛，遠藤和彦，塚田順一，山内洋美，石川由紀，
大内真一，右田真司，森田行則，水林 亘，太田裕之，昌原明植

（ 104
104 ）

14
△ 6 しきい値電圧自己調整 MOSFET および SRAM セルの超低電圧 (0.1V) 動作
東大生研 1，中大院理工 2 ○（M2）上田晃頌 1,2，鄭 承旻 1，
水谷朋子 1，Anil Kumar1，更屋拓哉 1，平本俊郎 1休憩

10:30 〜 10:45

7 微細バルクトランジスタの線形領域と飽和領域におけるランダムテレグラフ
ノイズ (RTN) の統計分布解析
東大生研 ○川上誠純，水谷朋子，更屋拓哉，小林正治，平本俊郎
8 Bulk MOSFET と SOTB MOSFET におけるランダムテレグラフノイズ (RTN)の統計分布比較東大生研 1，LEAP2 ○古峰祐樹 1，水谷朋子 1，山本芳樹 2，
槇山秀樹 2，山下朋弘 2，尾田秀一 2，蒲原史朗 2，
杉井信之 2，更屋拓哉 1，小林正治 1，平本俊郎 1△ 9 トライゲートナノワイヤ MOSFET における RTN とホットキャリア、NBTI
劣化後の RTN
東芝研開セ ○太田健介，齋藤真澄，田中千加，松下大介，沼田敏典△ 10 ランダム・テレグラム・ノイズにおける欠陥時定数ばらつきに関する物理機
構の考察
東芝研発セ ○陳 杰智，東 悠介，加藤弘一，三谷祐一郎
11 熱刺激電圧シフト法による単一トラップの観察
日立横研 ○与名本欣樹

昼食

12:00 〜 13:30

18p-A16 - 1 〜 14

1 FinFET- ナノディスクアレイ構造デバイスによる時間軸での積和演算
九工大生命体 1，産総研 2，東北大流体研 3 ○倉光良明 1，東原 敬 1，
遠藤和彦 2，寒川誠二 3，昌原明植 2，森江 隆 1△ 2 FinFET- ナノディスクアレイ構造結合のためのプロセス手法
九工大生命体 1，産総研 2，東北大流体研 3 ○東原 敬 1，遠藤和彦 2，柳 永勛 2，五十嵐誠 3，寒川誠二 3，昌原明植 2，森江 隆 1
3 ドレイン電極に関連した MOSFET の微細化限界について
東工大フロンテイア ○名取研二
4 JL-FETs におけるランダム不純物のポテンシャルゆらぎに伴った動作限界
筑波大電物 ○（M1）井上和総，吉田勝尚，佐野伸行
5 自己鏡像ポテンシャルのナノデバイスシミュレーションへの導入
筑波大電物 ○（M1）土屋耀介，吉田勝尚，佐野伸行
6 円筒系 GAA-MOSFET におけるソース・ドレイン間トンネル電流の解析コン
パクトモデル
賀 1,3，宇野重康 2,3，中里和郎 1
名大 1，立命館大 2，JST CREST3 ○程△ 7 長方形断面 Ge ナノワイヤのフォノン制限正孔移動度の原子論的計算
京大院工 ○田中 一，森 誠悟，森岡直也，須田 淳，木本恒暢

休憩

15:15 〜 15:30

8 数 nm-CMOS 素子用二次元 Si 層の検討 ( Ⅷ ): 酸化膜応力によるバンド変調
神奈川大 1，産総研 2 ○鈴木佑弥 1，長嶺由騎 1，山中正博 1，
青木 孝 1，水野智久 1，前田辰郎 2
9 数 nm-COMOS 素子用二次元 Si 層の検討（Ⅸ）：量子閉じ込め効果の結晶方位依存性へのドーパントの影響
神奈川大 1，東京農工大 2 水野智久 1，青木 孝 1，
鈴木佑弥 1，○長嶺由騎 1，鮫島俊之 2△ 10 Si ナノワイヤ MOSFET の正孔移動度の結晶方位および断面形状依存性
京大院工 ○藤原寛朗，森岡直也，田中 一，須田 淳，木本恒暢▲ 11 Effects of thinning condensation UTB GOI films by additional thermal△		 oxidation on GOI Characteristics
The University of Tokyo1，JST-CREST2 ○ Wukang Kim1, 2，
Shinichi Takagi1, 2，Mitsuru Takenaka1, 2
12 エピタキシャルリフトオフ (ELO) 法による大口径薄膜 Ge-on-Insulator 基板
産総研 1，住友化学 2，日立国際電気 3 ○前田辰郎 1，三枝栄子 1，
石井裕之 1，服部浩之 1，板谷太郎 1，安田哲二 1，倉島優一 1，
高木秀樹 1，青木健志 2，由上二郎 3，山本武継 2，市川 磨 2，
長田剛規 2，高田朋幸 2，秦 雅彦 2，小川有人 3，
菊池俊之 3，国井泰夫 3
13 高温スパッタリング法による MoS2膜の形成と電気特性
東工大 1，明治大 2 ○松浦賢太朗 1，大橋 匠 1，山口晋平 1，須田耕平 2，
石原聖也 2，澤本直美 2，角嶋邦之 1，杉井信之 1，西山 彰 1，
片岡好則 1，名取研二 1，筒井一生 1，岩井 洋 1，
小椋厚志 2，若林 整 1
14 高温スパッタリング法における MoS2薄膜化と電気特性
東工大 1，明治大 2 ○大橋 匠 1，山口晋平 1，松浦賢太朗 1，須田耕平 2，
石原聖也 2，澤本直美 2，角嶋邦之 1，杉井信之 1，西山 彰 1，
片岡好則 1，名取研二 1，筒井一生 1，岩井 洋 1，
小椋厚志 2，若林 整 1-----------------------------------------------------------------------------------13.5 Si-English Session
9 月 18 日 10:30 〜 12:15
18a-A15 - 1 〜 7▲ 1 Impact of Doping Concentration Regimes on Low-Temperature Tunnelingin Nanoscale SOI-FETs
Shizuoka Univ.1，JAIST2，Univ. of Southampton3 〇 (P)Daniel Moraru1，
Yuuki Takasu1，Takahiro Tsutaya1，Arup Samanta1，
Le The Anh2，Muruganathan Manoharan2，
Takeshi Mizuno1，Hiroshi Mizuta2,3，Michiharu Tabe1

13 半導体 A（シリコン）
半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）▲ 2 Effect of Dopants in Tunnel Barriers of Selectively Doped SOI-FETs
SU1，JAIST2，Unv. of Southampton3 〇 Arup Samanta1，Daniel Moraru1，
Takahiro Tsutaya1，Le The Anh2，Muruganatha Manoharan2，
Takeshi Mizuno1，Hiroshi Mizuta2,3，Michiharu Tabe1▲ 3 KPFM Imaging of Donor Clusters in Selectively-Doped SOI-FET
Shizuoka Univ.1，Warsaw Univ. of Tech.2 〇 Krzysztof Tyszka1,2，
Daniel Moraru1，Takeshi Mizuno1，Ryszard Jablonski2，
Michiharu Tabe1▲ 4 Interband Tunneling through Individual Dopants in Nanoscale pn
JunctionsShizuoka Univ.1，U.I2，JAIST3，Univ. of Southampton4○（M1）
Nhat Tan Hoang1，Purwiyanti Sri1,2，Daniel Moraru1，
Anh Le3，Muruganathan Manoharan3，Takeshi Mizuno1，
Hiroshi Mizuta3,4，Hartanto Djoko2，Michiharu Tabe1▲ 5 Epitaxial formation and electrical property of Ni Germanide/Ge contacts
Nagoya Univ. ○ Yunsheng Deng，Osamu Nakatsuka，Shigeaki Zaima▲ 6 Dependence of dielectric constants, leakage currents, and ferroelectric
hystereses on Hf0.5Zr0.5O2 thicknesses in MIM Capacitors
AIST ○ Shinji Migita，Hiroyuki Ota，Yukinori Morita，Meishoku Masahara▲ 7 Thermal Decomposition Reaction Mechanism of Ultrathin Oxide on
Si(111)
Tohoku Univ.1，JAEA2，Nagaoka Univ. Tech.3 ○（D）Jiayi Tang1，
Shuichi Ogawa1，Akitaka Yoshigoe2，Kiwamu Nishimoto1，
Shinnji Ishidzuka3，Yuden Teraoka2，Yuji Takakuwa1------------------------------------------------------------------------------------

14

半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）

14.1 探索的材料物性
9 月 19 日 14:00 〜 18:45
19p-A27 - 1 〜 17

1 MBE 法による Ge(111) 基板上の BaSi2エピタキシャル膜の作製と評価
筑波大院電物 1，名大 2，JST-CREST3 ○髙部涼太 1，馬場正和 1，Weijie Du1，
都甲 薫 1，原 康祐 2，宇佐美徳隆 2,3，末益 崇 1,3
2 KFM 法による Si(111) 基板上 BaSi2PN 接合の観察
筑波大数理 1，物材機構 2，JST － CREST3 ○塚原大地 1，馬場正和 1，
都甲 薫 1，木村 隆 2，渡辺健太郎 1,2，関口隆史 2，末益 崇 1,3
3 n-BaSi2エピタキシャル膜表面におけるパッシベーションと欠陥準位の関係
筑波大 1，JST-CREST2 ○武内大樹 1，Weijie Du1，高部涼太 1，
都甲 薫 1，末益 崇 1,2
4 B ドープ p 型 BaSi 2の活性化率向上及び電気的特性評価
寧 1，武内大樹 1，Weijie Du1，
筑波大院 1，CREST JST2 ○章
高部涼太 1，馬場正和 1，塚原大地 1，都甲 薫 1，末益 崇 1,2▲ 5 Fabrication of BaSi2 films by RF sputtering on a heated glass substratewith pre-deposition Si layer
Inst. of Appl. Phys. Univ. Tsukuba1，Tosoh Corporation2，JST-CREST3○
Nurul Amal Abdullatiff1，Seiya Yokoyama1，Masami Mesuda2，
Hideto Kuramochi2，Kaoru Toko1，Takashi Suemasu1,3△ 6 シリコン補給層を利用したガラス基板上 BaSi2単相蒸着膜の厚膜化
名大院工 1，JST-CREST2，筑波大院 3 ○原 康祐 1,2，
中川慶彦 1，末益 崇 2,3，宇佐美徳隆 1,2

休憩

15:30 〜 15:45

7 真空蒸着法で作製した BaSi2薄膜のキャリアライフタイムの評価
名大工 1，JST-CREST2，筑波大 3 ○（M1）中川慶彦 1，
原 康祐 1,2，末益 崇 2,3，宇佐美徳隆 1,2
8 BaSi2 への侵入型ドーピングの可能性について
産総研 1，筑波大院 2 ○今井庸二 1,2，相馬 貢 1，末益 崇 2
9 BaSi2における不純物原子拡散の理論検討
千葉大理 ○大須賀祐喜，中山隆史
10 第一原理計算による (Sr,Ba)(Si,Ge)2 薄膜太陽電池の研究
物材機構 ○梅澤直人，Mukesh Kumar，今井基晴
11 赤外吸収法による β-FeSi2/Si ナノ混合相の酸化挙動
九工大院情報工 1，原子力機構 ASRC2 ○森田洸介 1，中村達哉 1，
小林博之 1，達見隆秀 1，鳴海一雅 2，前田佳均 1,2△ 12 β-FeSi2ナノ結晶 /SiO 2のナノ混合相のフォトルミネッセンス特性
九工大院情報工 1，原子力機構 ASRC2 ○達見隆秀 1，中村達哉 1，
森田洸介 1，小林博之 1，鳴海一雅 2，前田佳均 1,2

休憩

17:15 〜 17:30

13 β-FeSi2(100)//Si(001) エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトル
鹿児島大理工 ○山口陽己，塚本裕明，服部 哲，東 貴彦，寺井慶和
14 β-FeSi2多結晶薄膜における結晶欠陥と残留キャリア密度との相関
鹿児島大理工 ○東 貴彦，服部 哲，塚本裕明，山口陽己，寺井慶和
15 n 型 β-FeSi2多結晶薄膜 /p-Si ヘテロ接合における電流 - 電圧特性のキャリア
密度依存性
鹿児島大理工 ○服部 哲，東 貴彦，塚本裕明，山口陽己，寺井慶和
16 SiN 膜で保護した β-FeSi2膜の熱処理後の残留酸素の評価
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2 ○嘉藤貴史 1，若林 整 2，
佐々木亮人 2，角嶋邦之 2，片岡好則 2，西山 彰 2，杉井信之 2，筒井一生 2，名取研二 1，岩井 洋 1

（ 105
105 ）

14

半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）

17 ボールミルにおける溶媒条件が β-FeSi2のプラズマ焼結に与える影響
明大理工 1，エレニックス 2 ○（M2）松本逸暉 1，勝俣 裕 1，
高橋 隆 2，相馬宏史 2，東谷 泉 2，石山正明 2-----------------------------------------------------------------------------------14.1 探索的材料物性
9 月 19 日
19a-PB4 - 1 〜 9

19a-PB4 - 1 〜 9

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 n 型 β-FeSi2/p 型 Si ヘテロ接合ダイオードの電気特性に対する n 型 β-FeSi2への C ドープの効果
九大総合理工学府 1，キングモンクット工大 2，アスワン大 3○（M2）
高原 基 1，船﨑 優 1，ムスタファ タレク 1，馬場隆司 1，
ナタポーン ポンロス 2，シャバーン マハムド 3，冨永亜希 1，吉武 剛 1
2 Fe3Si/FeSi2/Fe3Si 人工格子によるスピンバルブ素子の創製
九大院総合理工学府 1，久留米高等 2，福岡工大 3 ○浅井勇輝 1，
堺研一郎 1,2，石橋和也 1，武田 薫 3，吉武 剛 1
3 Ag 蒸着 Si(110) 基板に成長させた β-FeSi2 薄膜の微細構造解析
九大総理工 1，神奈川産技センター 2 ○（M2）林 剛平 1，
板倉 賢 1，秋山賢輔 2
4 真空蒸着法による β-FeSi2薄膜作製への蒸着材料の影響
茨城高専 ○小林治哉，綿引柚衣子，佐藤桂輔，中岡鑑一郎，原 嘉昭
5 β-FeSi2 UP+構造における Franz-Keldysh oscillations の温度および励起光
強度依存性
鹿児島大理工 ○塚本裕明，山口陽己，服部 哲，東 貴彦，寺井慶和
6 Bi,Sb 不純物が Mg2Si 結晶の熱電特性に及ぼす影響
茨城大院 ○大坪 翼，大竹秀明，鵜殿治彦△ 7 簡易合成法で成長した溶融 Mg2Si 中の Sb 不純物分布
茨城大院 ○岡崎 大，鵜殿治彦
8 イオンビームスパッタ蒸着法による Er2O3高配向薄膜の作製
茨城大 1，原子力機構 2，東大 3，静岡大 4 ○藤田将弥 1,2，山口憲司 2，
偉 3，近田拓未 4，鈴木晶大 3，寺井隆幸 3
朝岡秀人 2，毛9 キセノンイオンを注入したシリコンのアニールによる構造変化
岐阜高専 1，岐大工 2 ○羽渕仁恵 1，藤田詩織 1，飯田民夫 1，
大橋史隆 2，伴 隆幸 2，久米徹二 2，野々村修一 2-----------------------------------------------------------------------------------14.1 探索的材料物性
9 月 20 日 9:00 〜 11:45
20a-A27 - 1 〜 10

△ 1 スパッタエッチングによる Mg2Si 結晶中の Ag 熱拡散深さの評価
茨城大院 1，原子力機構 2 ○堀 信彦 1，江坂文孝 2，鵜殿治彦 1
2 サファイア基板上 Mg/Si 共堆積膜のポストアニールによる Mg2Si 膜固相合成
月，國武和広，池畑 隆，鵜殿治彦，佐藤直幸
茨城大工 ○高木雄太，張3 Sb,Bi 不純物添加によるマグネシウムシリサイド格子熱伝導率の低減効果
茨城大院 1，東大院 2 ○大竹秀明 1，大坪 翼 1，
志賀拓麿 2，塩見淳一郎 2，鵜殿治彦 1
4 Mg2Si 薄膜の固相成長中の熱処理雰囲気が膜質に与える影響
明大理工 ○（M2）橋本哲弥，原 英樹，勝俣 裕
5 SPS 法で作製した Ni-Mg2Si 界面の断面 TEM 観察
首都大 SD1，青山学院大 2，津山高専 3，岡山理科大 4 ○菅原宏治 1，
山崎由布紀 1，中村新一 2，中村重之 3，森 嘉久 4，財部健一 46 高温高圧下における Mg2Si
物材機構 1，名大 2 ○今井基晴 1，磯田幸広 1，長谷川正 2，西田憲司 2休憩

10:30 〜 10:45

7 三元系 Si クラスレート K8AlxSi46-xの合成物材機構 シバクマール シン，○今井基晴
8 C 型希土類構造を持つ混晶系のラマン散乱
千歳科学技術大 ○知花優太郎，山中明生
9 ダイアモンド半導体の電極形成に関する電子状態計算
北陸先端科学技術大学院大 ○（D）上田陽亮，前園 涼
10 実チップにおける薄膜界面の密着強度評価法
三菱電機先端総研 ○根岸 哲，寺井 護，西村 隆-----------------------------------------------------------------------------------14.2 超薄膜・量子ナノ構造
9 月 18 日 9:00 〜 19:00
18a-A27 - 1 〜 13

△ 1 電気化学エッチングによる GaN 多孔質構造の形成と形状制御の向上
北大量集セ ○熊崎祐介，渡部晃生，谷田部然治，佐藤威友
2 InSb 量子ドット / マイクロ波回路共振器ハイブリッドナノ構造の作製と評価
理研 1，理研創発物性センター (CRMS)2，理科大 3，東大 4，ルンド大 5○
山崎祐志 1,3，Russell Deacon1,2，布施智子 1，Giles Allison2，大岩 顕 4，
Mingtang Deng5，Hongqi Xu5，樽茶清悟 2,4，石橋幸治 1,2
3 単一 CdSe/ZnS ナノ粒子における発光のスペクトル拡散現象の励起強度依存性
京大化研 ○（M1）伊吹博人，井原章之，金光義彦
4 発光明滅を示す単一半導体ナノ粒子における励起スペクトル測定
京大化研 ○井原章之，金光義彦

5 コロイダル量子ドットの濃縮によるエレクトロカップリング
パナソニック 1，阪大院工 2 ○浅野 洋 1,2，坂井全弘 1,2，
西谷幹彦 1,2，末廣隆史 2，北川雅俊 2，小俣孝久 2
6 超高速キャリア緩和 InAs 量子ドット積層構造の面内光伝導徳島大院フロンティア ○熊谷直人，村雲圭佑，北田貴弘，井須俊郎△ 7 Si ドープ In0.8Ga0.2As/AlAs/AlAs0.56Sb0.44結合量子井戸のスピン緩和
早大先進理工 1，産総研 2 ○浅川将輝 1，牛頭信一郎 2，
物集照夫 2，本多一輝 1，安江裕也 1，竹内 淳 1

休憩

10:45 〜 11:00▲ 8 Measurement of Nuclear Spin Build-up Time in Single InAs/GaAs
Quantum Dots by Modulated Circularly Polarized Excitation
NanoQuine, Univ of Tokyo1，IIS, Univ. of Tokyo2，Univ. of Bristol3〇
Chee Fai Fong1,2，Yasutomo Ota1,2，Edmund Harbord1,3，
Satoshi Iwamoto1,2，Yasuhiko Arakawa1,29 超伝導電極を用いた量子ドットスピン干渉計におけるスピン分極の検出
筑波大数理物質 1，NTT 物性基礎研 2 ○久保敏弘 1，都倉康弘 1,2▲ 10 Terahertz intersublevel transitions in single self-assembled InAs quantum△		 dots with variable electron numbers
IIS, Univ. of Tokyo1，INQIE, Univ. of Tokyo2，LPA, Ecole Normale
Superieure3 ○（D）Ya Zhang1，K. Shibata1，N. Nagai1，
G. Bastard1,3，C. Ndebeka-Bandou1,3，K. Hirakawa1,2
11 単一 InAs 量子リングの面内 g 因子測定と光学異方性の考察
北大院工 ○（M2）冨井拓真，鍜治怜奈，足立 智
12 単一量子リングにおける正孔 g 因子のばらつきと価電子帯混合の相関
北大院工 1，北大創成研究機構 2，台湾国立交通大 3 ○鍜治怜奈 1，
冨井拓真 1，笹倉弘理 2，呉 佑年 3，鄭 舜仁 3，足立 智 1
13 位置制御ナノワイヤ量子ドットの励起状態及びゼロ吸収領域の観測
東大ナノ量子機構 1，東大生研 2 ○マーク ホームズ 1，
加古 敏 2，崔 琦鉉 1，有田宗貴 1，荒川泰彦 1,2

昼

食12:30 〜 14:00

18p-A27 - 1 〜 17

▲ 1 「Invited lecture of overseas researcher」（45min.）Broad Spectral Bandwidth Light Emitters for Biomedical Imaging
Univ. Sheﬃeld ○ Richard Hogg
2 MBE 成長とウエハ接合により作製した pn 接合を含む量子ドット結合共振器
徳島大院フロンティア ○北田貴弘，原山千穂，太田寛人，
前川知久，高田博文，盧 翔孟，熊谷直人，井須俊郎
3 InAs 量子ドットを含む GaAs/AlGaAs 結合共振器の電流注入による二波長発光徳島大院フロンティア 1，日亜化学 2 ○原山千穂 1，上原敏弘 1，
中河義典 1,2，盧 翔孟 1，熊谷直人 1，北田貴弘 1，井須俊郎 1
4 InAs 量子ドットを有する GaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号
測定
徳島大院フロンティア 1，日亜化学 2 ○大柄根斉宣 1，安長千徳 1，
中河義典 1,2，森田 健 1，北田貴弘 1，井須俊郎 1▲ 5 Germanium Nano-Wires Fabrication And Size Control by Combined TopDown Process Neutral Beam Etching And Hydrogen Radical Treatment
Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ.1，CREST Japan Sci. and Tech. Agency2，
Dept. of Mat. Eng., Univ. of Tokyo3，WPI-Advanced Inst. forMaterials Res., Tohoku Univ.4 〇 M.T. Chentir1 , 2，Takeru Okada1，
Naoyuki Kawai3，Kazumi Wada3，Seiji Samukawa1 , 2 , 4▲ 6 Optimization of Passivation Layer for a Quantum Dot Superlattice△		 Fabricated with Bio-template and Neutral Beam Etching Technology forHigh Efficiency Solar Cell
Institute of Fluid Science, Tohoku University1，Graduate School ofEngineering, Nagoya University2，WPI Advanced Institute forMaterials Research, Tohoku University3，Japan Science andTechnology Agency, CREST4，Graduate School of Engineering,
the University of Tokyo5 〇 Mohammad Maksudur Rahman1,4，
Takeru Okada1，Akio Higo3，Halubai Sekhar1，
Masakazu Sugiyama5，Yoshiaki Nakano5，
Noritaka Usami2，Seiji Samukawa1,3,4▲ 7 Etching of InGaAs/GaAs layered structures by neutral beam etching forquantum dot laser applications
Inst. of Fluid Science, Tohoku Univ.1，WPI-AIMR, Tohoku Univ.2，
Hokkaido Univ.3，Nara Inst. of Info. and Technol.4，JST-CREST5〇 (PC)
Cedric Thomas1,5，Chang Yong Lee1,5，Kenichi Yoshikawa1,5，
Akio Higo2，Takayuki Kiba3,5，Ichiro Yamashita4,5，
Akihiro Murayama3,5，Seiji Samukawa1,2,5
8 バイオテンプレート極限加工による InGaAs 量子ナノディスクの光学特性評
価
東北大 WPI-AIMR1，北大院情報科学 2，東北大流体研 3，奈良先端大 4，
東大先端研 5，東大工 6，JST-CREST7 ○肥後昭男 1，木場隆之 2,7，
セドリック トーマス 3,7，李 昌勇 3,7，吉川憲一 3，田村洋典 3，
山下一郎 4，王 雲鵬 5，ソダーバンル ハサネット 5，
杉山正和 6，中野義昭 6，村山明宏 2，寒川誠二 1,3,7

（ 106
106 ）

休

憩

16:30 〜 16:45

14

9 バイオテンプレート極限加工 GaAs 量子ディスクにおけるピコ秒キャリア捕捉ダイナミクス
北大院情報科学 1，東北大 WPI-AIMR2，東北大流体研 3，JST-CREST4○
木場隆之 1,4，肥後昭男 2，田村洋典 3，セドリック トーマス 3,4，
寒川誠二 2,3,4，村山明宏 1,4
10 バイオテンプレート極限加工 GaAs 量子ディスクにおける電子スピンダイナ
ミクスの磁場中反射ポンププローブ分光
北大院情報科学 1，東北大 WPI-AIMR2，東北大流体研 3，JST-CREST4○
田中 亨 1，木場隆之 1,4，肥後昭男 2，田村洋典 3，
セドリック トーマス 3,4，寒川誠二 2,3,4，村山明宏 1,4
11 バイオテンプレート極限加工による高密度 InGaN/GaN 量子ナノ構造の作製
東北大流体研 1，東北大 WPI-AIMR2，東大生産研 3，奈良先端大 4，
JST-CREST5 ○（PC）李 昌勇 1,5，肥後昭男 2，太田実雄 3，
山下一郎 4,5，藤岡 洋 3,5，寒川誠二 1,2,5
12 単層 InAs 量子ドットの光刺激応答の電気的評価
東大先端研 ○星井拓也，岡田至崇△ 13 量子ドット集合体における偏光選択 3 パルスフォトンエコー測定
慶大理工 1，情通機構 2 ○（M1）市川翔大 1，赤羽浩一 2，
鈴木一将 1，早瀬潤子 1
14 ナノ共振器中量子ドットを用いた単一光子発生における暗励起子の影響
東大ナノ量子機構 1，東大生研 2 ○上出健仁 1，岩本 敏 1,2，荒川泰彦 1,2
15 高 NA レンズ結合型シングルモードファイバ系を用いた量子ドット光源の開発
北大電子研 ○原田拓弥，小田島聡，熊野英和，末宗幾夫
16 ２波長励起による量子ドット荷電状態制御とその励起ダイナミクスの考察
北大電子研 ○中島秀朗，原田拓弥，熊野英和
17 量子ドット中の励起子分子状態の 2 色 PL 励起スペクトル法による評価
NTT 物性研 ○後藤秀樹，眞田治樹，山口浩司，寒川哲臣-----------------------------------------------------------------------------------14.2 超薄膜・量子ナノ構造
9 月 19 日 9:00 〜 12:30
19a-A27 - 1 〜 13

1 Si/CaF2/CdF2 RTD 構造における電流電圧特性の理論解析
東工大 ○須田慶太，桑田友哉，渡辺正裕
2 Si/CaF2/CdF2サブバンド間遷移レーザ構造における CdF 2高速引き抜き層の導入と EL 増大効果
東工大院総理工 ○望月雅人，金子大志，須田慶太，渡辺正裕
3 ミニバンド構造を有する結合量子井戸のサブバンド間遷移光吸収特性
産総研 ○牛頭信一郎，物集照夫▲ 4 Resident Electron Spin Polarization via Trion Dynamics in a Single
Quantum Well
Hokkaido Univ. ○ Li-Ping Yan，Satoru Adachi，Reina Kaji
5 ダブルパルス - ポンプ - プローブ法による高温下での励起子量子ビートの観測
神戸大院工 1，情通機構 2 ○小島 磨 1，喜多 隆 1，赤羽浩一 2
6 GaAs 量子井戸における正孔スピン重ね合わせ状態に対するバンド混合効果
静岡大電子研 1，静岡大院工 2，NTT 物性科学基礎研 3，甲南大理工 4○伊藤 哲 1,2，後藤秀樹 3，市田正夫 4，安藤弘明 4

休憩

10:30 〜 10:45

7 高 Q 値機械共振器の高速振幅制御
NTT 物性基礎研 ○岡本 創，イムラン マブーブ，小野満恒二，山口浩司
8 メンブレンフォノニック結晶導波路による双安定メモリ制御
NTT 物性研 ○畑中大樹，イムラン マブーブ，小野満恒二，山口浩司
9 単一 InGaN ナノコラムにおける狭線発光と温度依存性
上智大 ○関根清登，尾上洋平，吉池 徹，淺見康太，
石沢俊介，中岡俊裕，岸野克巳
10 超高移動度量子細線における電流雑音の増大の観測
1
2
京大化研 ，阪大理 ，スイス連邦工科大 3 ○西原禎孝 1,2，小野輝男 1，
荒川智紀 2，田辺賢士 2，田中崇大 2，則元将太 2，小林研介 2，
Thomas Ihn3，Clemens Rössler3，Klaus Ensslin3
11 陽極酸化を用いたシリコンロール作製における界面活性剤の影響
電機大工 1，日本電子 2 ○清水友貴 1，今泉拓哉 1，坂元飛鳥 1，
鈴木俊明 2，丹羽雅昭 1，本橋光也 1
12 陽極酸化を用いて作製したシリコンワイヤーの細線化
電機大工 1，日本電子 2 ○今泉拓哉 1，清水友貴 1，
鈴木俊明 2，丹羽雅昭 1，本橋光也 1
13 InAs/GaSb 断面上の In 原子操作とトンネル過程
NTT 物性科学基礎研 1，ポールドルーデ研 2 ○鈴木恭一 1，
小野満恒二 1，Stefan Fölsch2，蟹澤 聖 1-----------------------------------------------------------------------------------14.2 超薄膜・量子ナノ構造
9 月 19 日
19p-PB1 - 1 〜 7

19p-PB1 - 1 〜 7

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 CoSi2バッファ層の導入による Si 上 CdF 2層の高温成長
東工大総理工 ○高橋慶太，高橋 剛，筒井一生
2 ナノギャップ電極・単一量子ドット接合系におけるゲート変調効果
東北工大 1，東大生産研 2，東大ナノ量子機構 3 ○柴田憲治 1,2,3，平川一彦 2,3

半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）

3 QDinF を用いた InAlAs 量子ドットの光誘起核スピン偏極
北大院工 1，北大創成機構 2 ○村上大輔 1，
笹倉弘理 2，中田義昭 1，武藤俊一 14 分光エリプソメトリによる CdTe ナノ粒子の誘電率解析
阪府大院工 1，阪市大院工 2，千葉工大工 3 ○岡村啓太 1，
金 大貴 2，脇田和樹 3，沈 用球 1
5 四光波混合によるコロイド合成半導体量子ドットの励起子スピン緩和ダイナ
ミクス
関学大理工 ○田原一彬，奥畑智樹，玉井尚登
6 1 次元フォトニック結晶によるフォトルミネッセンス光の増強に関する研究(II)
阪大院工 ○菖蒲谷晃平，森藤正人
7 フォトニック結晶共振器に埋め込まれた等電子トラップからの非古典光発生
筑波大数物 1，物材機構 2 ○（M1）山田雄太 1，張遼 1，
池沢道男 1，武田寛之 2，池田直樹 2，杉本喜正 2，
佐久間芳樹 2，迫田和彰 2，舛本泰章 1-----------------------------------------------------------------------------------14.3 電子デバイス・プロセス技術，15.4 III-V 族窒化物結晶のコードシェアセッション
9 月 17 日 9:00 〜 17:45
17a-A27 - 1 〜 11

1 銀ナノインクを用いたスクリーン印刷による GaN 系青色発光ダイオードへの電極形成
阪大院工 1，大阪市立工業研究所 2，大研化学工業 3，奥野製薬 4○
重宗 翼 1，小泉 淳 1，柏木行康 2，垣内宏之 3，竹村康孝 4，
山本真理 2，斉藤大志 2，高橋雅也 2，大野敏信 2，中許昌美 2，
青柳伸宜 3，吉田幸雄 3，村橋浩一郎 4，大塚邦顕 4，藤原康文 1
2 InP の陽極酸化反応に関する研究
農工大工 ○（M1C）岩崎太平，森下義隆
3 両面陽極酸化ポーラスアルミナの ReRAM 動作
農工大工 ○（M1）小川大翔，森下義隆，細野貴也△ 4 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた実動作中 SiC-DMOSFET の断面観察
東北大 ○茅根慎通，長 康雄△ 5 F 級増幅器における InGaAs-HEMT ゲート寄生遅延時間の影響
東北大通研 1，東理大理工 2 ○吉田智洋 1，小山雅史 2，
渡邊邦彦 2，楳田洋太郎 2，尾辻泰一 1，末光哲也 1
6 貫通転位が InSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析
東理大院基礎工 1，情報通信研究機構 2 ○初芝正太 1，長井彰平 1，
藤川紗千恵 1，原 紳介 2，遠藤 聡 2，渡邊一世 1,2，
笠松章史 2，藤代博記 1,2

休憩

10:30 〜 10:45△ 7 GaAsSb/InGaAs ヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネル FET における SSと ON 電流のボディ幅依存性
東工大 ○（M2）大橋一水，藤松基彦，宮本恭幸
8 プレーナードープ GaAsSb トンネルダイオードの 170GHz 感度特性
富士通 1，富士通研 2 ○高橋 剛 1,2，佐藤 優 1,2，中舍安宏 1,2，
芝 祥一 1,2，原 直紀 1,2，岩井大介 2
9 表面活性化接合を用いた基板トランスファ InP HBT 作製に関する検討
NTT フォトニクス研 1，東大 2 ○白鳥悠太 1，柏尾典秀 1，
栗島賢二 1，星 拓也 1，日暮栄治 2，松崎秀昭 1△ 10 CBr4流量変調による InP 系 DHBT の組成傾斜 InGaAsSb ベース形成
NTT フォトニクス研 1，NTT 物性基礎研 2，筑波大院 3 ○（D）星 拓也 1,3，
柏尾典秀 1，杉山弘樹 1，横山春喜 1，栗島賢二 1，井田 実 1，
松崎秀昭 1，神徳正樹 1，後藤秀樹 2,3
11 f t/f max>450GHz の高周波特性を有する高電流利得 InP/InGaAs DHBTNTT フォトニクス研 ○柏尾典秀，栗島賢二，井田 実，松崎秀昭

昼17p-A27 - 1 〜 14食12:00 〜 14:00

1 GaN 基板上 MOCVDn-GaN で観測されるトラップの濃度分散
愛知工大 ○宮本一輝，徳田 豊▲ 2 Influence of intentional impurities (O, C) on the epitaxial GaN layers
properties
TUS1，AL2 〇 (P)Yaxin Wang1，Takashi Teramoto2，Kazuhiro Ohkawa1
3 変調ドープ GaN キャップ層を有する AlGaN/GaN ヘテロ構造における ホー
ル移動度の温度依存性
名工大 1，ULVAC2 ○安藤彰浩 1，長田大和 2，
上村隆一郎 2，分島彰男 1，江川孝志 1
4 AlGaN/GaN ヘテロ接合界面トラップのコンダクタンス法解析
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2 ○馬場俊之 1，川那子高暢 2，
角嶋邦之 2，片岡好則 2，西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，
筒井一生 2，名取研二 1，岩井 洋 1
5 硬Ｘ線光電子分光を用いた金属 /AlGaN/GaN のバンド構造の解析
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2，東京都市大 3 ○大賀一樹 1，
陳 江寧 1，川那子高暢 2，角嶋邦之 2，野平博司 3，片岡好則 2，
西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，筒井一生 2，
名取研二 1，岩井 洋 1
6 格子整合系 InAlN/AlGaN 2DEG ヘテロ構造の MOCVD 成長と評価
名工大 ○藤田 周，三好実人，江川孝志

（ 107
107 ）

14

半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）

7 MOVPE 法を用いた Si 添加 AlInN/GaN ヘテロ接合の電気的特性
名城大理工 1，名大・赤﨑記念研究センター 2 ○池山和希 1，安田俊輝 1，
小塚祐吾 1，堀川航佑 1，竹内哲也 1，上山 智 1，岩谷素顕 1，赤﨑 勇 1,2

休憩

15:45 〜 16:00▲ 8 RTA of MOVPE-grown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation
Univ. of Fukui1，JST-CREST2，Osaka City Univ.3 〇 Mdtanvir Hasan1,2，
A. Mihara1,2，N. Shigekawa3，A. Yamamoto1,2，M. Kuzuhara1
9 Si 基板上に成長した AlGaN/GaN HEMT エピにおけるバッファ構造と耐圧の関係
NTT PH 研 ○渡邉則之，田邉真一，前田就彦，松崎秀昭
10 AlGaN/GaN 系 P チャネル型 HFET におけるリーク電流制御
東工大総理工 1，東工大フロンティア研 2，産総研 3 ○萱沼 怜 1，
久保田俊介 1，中島 昭 3，西澤伸一 3，大橋弘通 2,3，
筒井一生 1，角嶋邦之 1，若林 整 1，岩井 洋 2△ 11 非接触超音波共振法による高温における高抵抗 GaN のキャリアダイナミクスの研究
阪大院基礎工 1，阪大院工 2 ○（M2）筒井裕貴 1，荻 博次 1，中村暢伴 1，
森 勇介 2，今出 完 2，吉村政志 2，平尾雅彦 1
12 THz エリプソメトリーによるサファイア基板上 GaN 膜の電気特性測定
日邦プレシジョン 1，名城大 2，摂南大 3，立命館大 4 ○藤井高志 1,4，
岩本敏志 1，佐藤幸徳 1，上山 智 2，長島 健 3，荒木 努 4
13 Mg ドープ AlGaN による AlGaN/GaN HFET 型紫外フォトセンサーの高性能化
名城大理工 1，名大・赤崎記念研究センター 2 ○山本雄磨 1，村瀬卓弥 1，
草深敏匡 1，岩谷素顕 1，竹内哲也 1，上山 智 1，赤﨑 勇 1,2
14 Radiation Hard AlGaN/GaN Heterostructure- Micro-Hall Sensors
豊橋技大工 1，豊橋技大アイリス 2，日本原子研 3
Abdelkader Abderrahmane1，○高村 司 2，佐藤真一郎 3，
大島 武 3，岡田 浩 1,2，アダルシュ サンドゥー 1,2-----------------------------------------------------------------------------------14.3 電子デバイス・プロセス技術
9 月 18 日 9:00 〜 18:00
18a-A22 - 1 〜 12

1 プラズマ照射により不活性化された n 型 GaN 中ドナーの再活性化メカニズ
ムの検討
首都大理工 ○横山大樹，中村成志，奥村次徳
2 界面顕微光応答法による Ni/n-SiC ショットキー接触の２次元評価
福井大院工 ○木原雄平，山本晋吾，塩島謙次△ 3 界面顕微光応答法を用いた n-GaN ショットキー接触の２次元評価 -- 表面構
造の影響 -福井大院工 ○山本晋吾，木原雄平，塩島謙次
4 TiN 電極マイクロ波整流用 GaN SBD の温度特性
徳島大院 1，e デバイス 2 ○藤原諒太 1，板井勇樹 1，劉強 1，
李 柳暗 1，大野泰夫 2，敖 金平 1
5 AlGaN/GaN HEMT における界面凹凸散乱と合金散乱の大小関係
豊田工大 ○秋山芳広，丹羽亮介，榊 裕之
6 電圧印加 XPS を用いた SiN/AlGaN 界面準位の評価
東芝生産技術センター ○川嶋智仁，齋藤玲子，薮原秀彦

休憩

10:30 〜 10:45

7 AlGaN/GaN HEMT の電子捕獲における活性化エネルギー見積もり
名古屋工大 ○成田知隆，片山雄貴，分島彰男，江川孝志
8 酸素プラズマ処理による AlGaN/GaN HEMT の電流コラプス改善
福井大院工 ○坂井田佳紀，徳田博邦，葛原正明
9 AlGaN/GaN HEMT における高圧水蒸気処理による電流コラプスの抑制
福井大院工 1，奈良先端科学技術大学院大 2 ○小林洋平 1，吉嗣晃治 2，
徳田博邦 1，堀田昌宏 2，浦岡行治 2，葛原正明 1
10 Al2O3 保護膜を有する AlGaN/GaN HEMT の電流コラプス比較
住友電工伝デ研 ○水江千帆子，市川弘之，井上和孝
11 SiNxおよび SiO 2保護膜の AlGaN/GaN 膜中への影響
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2，東芝セミコンダクター &ストレージ社 3 ○宮脇 彬 1，岡本真里 1，角嶋邦之 2，片岡好則 2，
西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，筒井一生 2，名取研二 1，
齋藤 渉 3，大橋弘通 1，岩井 洋 1
12 高圧水蒸気処理による ALD-Al2O3/GaN 構造の改質機構の考察
奈良先端大 ○吉嗣晃治，堀田昌宏，浦川 哲，石河泰明，浦岡行治

昼

18p-A22 - 1 〜 15

食12:15 〜 14:00

1 Overlaid Field Plate による AlGaN/GaN HEMT のドレイン I-V 特性改善
名古屋工大 ○間瀬 駿，江川孝志，分島彰男
2 InAlN/AlN/GaN HEMT におけるデバイス特性の InAlN バリア層厚依存性(III)
情報通信研究機構 1，富士通研 2 ○山下良美 1，渡邊一世 1，
遠藤 聡 1,2，笠松章史 1，三村高志 1,2
3 半絶縁性 GaN 基板上 AlGaN/GaN ショットキー接合の輸送特性
三菱電機先端総研 ○南條拓真，今井章文，倉橋健一郎，
鈴木洋介，吹田宗義，田中俊行，柳生栄治
4 Y ゲートプロセスで作製した 150nm InAlN/GaN HEMT
住友電工伝送デバイス研 ○市川弘之，水江千帆子，
眞壁勇夫，舘野泰範，中田 健，井上和孝

5 デジタルエッチングを用いた GaN HEMT のノーマリーオフ化
東工大院理工 1，三菱電機 2 ○山中僚大 1，
金澤 徹 1，柳生栄治 2，宮本恭幸 1
6 AlGaN/GaN 系 2 次元電子ガスへのノンアロイコンタクトにおけるコンタク
ト抵抗の AlGaN 層厚依存性による抵抗成分分析
東工大 1，セミコンダクター & ストレージ社 2 ○武井優典 1，岡本真里 1，
シン マン 1，萱沼 玲 1，下田智裕 1，三井陽平 1，齋藤 渉 2，
筒井一生 1，角嶋邦之 1，若林 整 1，片岡好則 1，岩井 洋 1
7 成膜後アニールによる ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT の閾値シフト低減
名工大 ○（M2）吉田雄祐，久保俊晴，三好実人，江川孝志△ 8 AlGaN/GaN HEMT 破壊電圧の温度依存性に関する考察
福井大 ○（PC）児玉和樹，徳田博邦，葛原正明

休憩

16:00 〜 16:15

9 InAlN スペーサを用いた AlGaN/GaN 及び InAlN/GaN ヘテロ構造の電気的特性評価
名工大院 ○村越弘昌，渡邉 新，江川孝志
10 熱処理により導入される AlGaN/GaN 界面歪による 2DEG 移動度の増加
福井大院工 ○川口 剛，徳田博邦，葛原正明
11 層状 BN 剥離層を用いた銅板転写 AlGaN/GaN HEMT の放熱性評価
NTT 物性研 ○廣木正伸，熊倉一英，山本秀樹
12 デバイスシミュレーションによる GaN 系ジャンクションレス・トランジスタ
における閾値電圧特性の検証
東工大 1，産総研 2 ○ Minjae Yoon1，中島 昭 2，角嶋邦之 1，片岡好則 1，
西山 彰 1，若林 整 1，名取研二 1，筒井一生 1，杉井信之 1，
岩井 洋 1，西澤伸一 2，大橋弘通 2
13 Ga2O3中の Fe 原子の拡散に関する調査
タムラ製作所 1，情通機構 2 ○佐々木公平 1, 2，マンホイ ワン 2，
東脇正高 2，倉又朗人 1，山腰茂伸 1
14 Al2O3/β-Ga2O¬3 ヘテロ接合バンドアライメント
情通機構 1，タムラ製作所 2 ○上村崇史 1，佐々木公平 2,1，黄 文海 1，
キルシナムルティ ダイワシガマニ 1，倉又朗人 2，山越茂伸 1，東脇正高 1△ 15 ダイヤモンド MOSFET のゲート容量の周波数依存性
佐賀大院工 1，NTT 物性基礎研 2 ○（M1）原田和也 1，
平間一行 2，大石敏之 1，嘉数 誠 1-----------------------------------------------------------------------------------14.3 電子デバイス・プロセス技術
9 月 19 日
19p-PB2 - 1 〜 19
19p-PB2 - 1 〜 19

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 低 Mg ドープ p-AlGaN 及び p-InGaN ショットキー電極の表面欠陥の評価
福井大院工 ○青木俊周，塩島謙次
2 表面処理による Ni/AlGaN ショットキー特性への影響 (2)北海道科学大 ○（M2）Ali Abbas Alsalman，澤田孝幸，鈴木和彦，増田貴宏
3 2 段階 ALD 成膜 Al2O3/InAlN 界面の MOSHEMT への応用
北大 ○小棚木陽一郎，赤澤正道，Asubar Joel，谷田部然治，橋詰 保
4 ドレインコンダクタンス DLTS 測定による Si 基板上 AlGaN/GaN HEMT のトラップ評価愛知工大 1，豊田中央研究所 2 ○宮本一輝 1，徳田 豊 1，
上田博之 2，勝野高志 2，加地 徹 2
5 C-t 法による AlGaN/GaN ヘテロ構造のターンオン回復特性評価
中部大工 1，物材機構 2，パウデック 3 ○中野由崇 1，
色川芳宏 2，角谷正友 2，八木修一 3，河合弘治 3
6 Ar+イオン照射した HVPE-GaN 膜の電気的評価
中部大工 1，兵庫県立大高度研 2，徳島大工 3 ○中野由崇 1，
中村圭二 1，新部正人 2，川上烈生 37 傾斜型フィールドプレートを用いた AlGaN/GaN HEMTs の RF 特性
東北大通研 ○畠山信也，小林健悟，吉田智洋，尾辻泰一，末光哲也
8 表面波プラズマを用いたシリコン系絶縁膜の化学気相堆積と窒化物半導体デバイスへの応用
豊橋技科大 EIIRIS1，豊橋技科大工 2，アリエースリサーチ 3○
岡田 浩 1,2，川上恭平 2，石丸貴博 2，篠原正俊 2，
古川雅一 3，若原昭浩 2,1，関口寛人 2
9 n 型 GaN への Mg イオン注入による pn 接合の形成
法政大理工 ○（M1）西城祐亮，及川拓弥，加藤茂樹，三島友義，中村 徹
10 Mg イオン注入を用いた GaN MISFET のノーマリーオフ化
法政大理工 ○葛西 駿，及川拓弥，木村 純，三島友義，中村 徹
11 p-GaN 基板上自己整合型イオン注入 MISFET の高耐圧化
法政大 ○（M1）木村 純，葛西 駿，中村 徹，三島友義
12 自立 GaN 基板上のイオン注入縦型バイポーラトランジスタ
法政大理工 1，ノートルダム大 2 ○（M2）高橋賢伍 1，
野本一貴 2，三島友義 1，中村 徹 1
13 2 次元正孔ガスへのコンタクト形成における SiO2堆積プロセスの影響
東工大総理工 1，東工大フロンティア研 2，産総研 3 ○久保田俊介 1，
萱沼 怜 1，中島 昭 3，西澤伸一 3，大橋弘通 2,3，筒井一生 1，
角嶋邦之 1，若林 整 1，岩井 洋 2
14 サファイア基板上 GaN PSJ（分極超接合）トランジスタの 600V スイッチン
グ特性
パウデック ○八木修一，平田祥子，中村文彦，
松本壮太，中村嘉考，河合弘治

（ 108
108 ）

14

15 Pd/ZnO/GaN ヘテロ接合ダイオードの NOx ガス検知特性の評価
名工大 ○藤田 周，三好実人，江川孝志
16 InAs 系 MSM–PD における光利得機構
東理大院 ○杉山駿輔，西尾 結，佐藤万里衣，平田柊作，
佐藤宇人，平山尚美，飯田 努，高梨良文
17 InAs 系 HEMT における正孔蓄積に伴うのゲート電圧のシフト
東理大院 ○西尾 結，杉山駿輔，佐藤万里衣，平田柊作，
佐藤宇人，平山尚美，飯田 努，高梨良文
18 90 GHz 帯における InGaAs/InAlAs HEMT の入出力特性
情報通信研究機構 1，富士通研 2 ○渡邊一世 1，
遠藤 聡 1,2，笠松章史 1，三村高志 1,2
19 種々の形状の埋め込みゲートを有する InAlAs/InGaAs HEMT のモンテカル
ロ計算
情報通信研究機構 1，富士通研 2 ○遠藤 聡 1,2，
渡邊一世 1，笠松章史 1，三村高志 1,2-----------------------------------------------------------------------------------14.4 光物性・発光デバイス
9 月 18 日 9:00 〜 12:30
18a-A24 - 1 〜 13

1 NH3および N 2を用いた Al 薄膜の直接窒化による AlN 薄膜の形成
明大理工 ○梶原 舜，濱崎聖士，勝俣 裕▲ 2 Growth and Characterization of Eu-Doped GaN by Low-Temperature
Organometallic Vapor Phase Epitaxy
Osaka Univ. ○ Wanxin Zhu，Timmerman Dolf，
Atsushi Koizumi，Yasufumi Fujiwara△ 3 Eu 添加 GaN における Zn,O 共添加による新たな Eu 発光中心の形成
阪大院工 ○松田将明，朱 婉新，児島貴徳，小泉 淳，藤原康文△ 4 局在表面プラズモン共鳴による Eu 添加 GaN の Eu 発光強度増大
阪大院工 ○（M2）稲葉智宏，児島貴徳，小泉 淳，藤原康文△ 5 二波長励起 PL 測定による Eu 添加 GaN のエネルギー輸送効率の評価
阪大院工 ○岡田浩平，若松龍太，Dolf Timmerman，
児島貴徳，小泉 敦，藤原康文
6 各種基板上に成長した Eu 添加 GaN における Eu 発光中心間の相互エネルギー輸送に対する歪みの効果
阪大院工 ○小泉 淳，若松龍太，ドルフ ティマーマン，
田中一輝，児島貴徳，藤原康文

休憩

10:30 〜 10:45

7 酸化エルビウム薄膜における上位準位へのポピュレーション移動
NTT 物性基礎研 1，NTT ナノフォトニクスセンタ 2，北大院工 3○
俵 毅彦 1,2，尾身博雄 1,2，Adel Najar1，
鍜治怜奈 3，足立 智 3，後藤秀樹 1
8 酸化エルビウム混晶薄膜発光の温度依存性：エネルギー移動と非発光過程の考察
北大院工 1，NTT 物性基礎研 2，NTT ナノフォトニクスセンタ 3○
川上欣洋 1，鍜治怜奈 1，足立 智 1，俵 毅彦 2,3，尾身博雄 2,3
9 Y2SiO5結晶中の 167Er3+イオンの超微細構造準位の位相緩和特性
NTT 物性基礎研 1，NTT 物性基礎研 2 ○橋本大佑 1，清水 薫 2▲ 10 Structural Characterization and Luminescence Properties of ErxSc2xSi2O7 Prepared by RF Sputtering
NTT BRL1，NPC2 ○ Adel Najar1，Hiroo Omi1,2，Takehiko Tawara1,2
11 (Er1-xScx)2O3MBE 成長膜中 Er 置換サイトの Er 濃度依存性
NTT 物性基礎研 1，NTT ナノフォトニクスセンタ 2，北大工 3○
尾身博雄 1,2，俵 毅彦 1,2，鍛冶玲奈 3，足立 智 3，後藤秀樹 1
12 ZnO 膜中にドープされた Eu2 価イオンからの発光
NTT MI 研 1，久留米高専 2 ○赤沢方省 1，篠島弘幸 2
13 Nd-Al 共添加 TiO2薄膜の PL 特性と局所構造解析
東理大理 1，東洋大理工 2，原子力機構 3 ○相澤 豊 1，
小室修二 2，平尾法恵 3，趙 新為 1-----------------------------------------------------------------------------------14.4 光物性・発光デバイス
9 月 18 日
18p-PB8 - 1 〜 17

18p-PB8 - 1 〜 17

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 歪 Ge マイクロブリッジの作製と評価
東京都市大 ○滝澤寛之，徐 学俊，白木靖寛，澤野憲太郎，丸泉琢也
2 TlGaSe2のバンド端ルミネセンス
千葉工大 1，大府大院工 2，アゼルバイジャン物理研 3 ○萩原将史 1，
Raul Paucar1，沈 用球 2，脇田和樹 1，Oktay Alekperov3，
Arzu Najafov3，Nazim Mamedov3
3 2 光子吸収を有する試料におけるガウシアンビームの伝搬シミュレーション
千葉大院融合 ○李 修平，坂東弘之，大石真樹，松末俊夫
4 MOD 法を用いて作製したアップコンバージョン蛍光体のアニール温度依存性
龍谷大院理工 1，佐賀大院工 2，心和美創 3 ○野中俊宏 1，大山渓人 1，
菖蒲 勇 1，久保孝徳 1，ホムナト ルイテル 3，渡 孝則 2，山本伸一 1△ 5 YAG:Ce3+ナノ粒子 / ポリマー複合膜の蛍光特性
慶大理工 ○（M1）佐々木優太，竹下 覚，磯部徹彦

半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）

6 マイクロリアクター法を用いたナノ蛍光体の開発及び太陽電池用波長変換膜への応用
メルク 1，鳥取大工 2 ○大倉 央 1，坂田陵輔 2，山科憲司 2，
小宮山凌平 2，宮下英俊 2，李 相錫 2，大観光徳 2
7 Si ナノ構造を利用した (Ba,Eu)Si2S5蛍光体膜の作製
電通大 ○今井 悠，七井 靖，奥野剛史
8 二波長励起 PL 法による Ba3Si6O12N2:Eu2+ の非発光再結合準位評価
埼玉大院 1，三菱化学科技研 2 ○李 廷廷 1，福田武司 1，
本多善太郎 1，鎌田憲彦 1，来島友幸 2
9 第一原理計算を用いた Ce3+および Eu 2+を添加した窒化物蛍光体のスペクト
ル解析
関西学院大 ○田村 光，渡邊真太，小笠原一禎
10 MS(M=Mg, Ca, Sr, Ba) 中の Ce3+における 4f-5d 遷移スペクトルの第一原理
計算
関学大理工 ○松隈高広，渡邊真太，小笠原一禎
11 s0電子系金属カチオンを含むダブルペロブスカイト蛍光体の発光特性
岡山理大理 1，東北大多元研 2 ○佐藤泰史 1，垣花眞人 2
12 紫外発光 ZnAl2O4の電子線励起発光およびその発光機構
静大院工 1，静大電子研 2 ○石永健揚 1，小南裕子 1，中西洋一郎 2，
原 和彦 213 大気中焼成による複合ホウ酸塩蛍光体中の Ce 発光イオンの価数調査
TEDREC1，新潟大 2，鳥取大 3 ○石垣 雅 1，菊地拓巳 2，
上松和義 2，戸田健司 2，佐藤峰夫 2，大観光徳 1,3
14 X 線励起可視発光を用いた Eu 付活蛍光体中の発光中心の解析
高輝度光科学研究セ 1，徳文大理工 2 ○本間徹生 1，國本 崇 2，藤田佳子 215 高圧相 SrO:Ce 紫外蛍光体のアニール試験
長岡技科大 1，中部キレスト 2 ○（P）小松啓志 1，中村 淳 1,2，
大塩茂夫 1，戸田育民 1，村松寛之 1，齋藤秀俊 1
16 GaN 化合物及び金属 Ga とラジカル窒素を原料に用いた MBE 法によるユー
ロピウム添加 GaN 薄膜の GaAs(100) 基板上への作製
愛大工 ○小山裕生，弓達新治，宮田 晃，白方 祥
17 GaN 化合物とラジカル窒素を原料に用いた MBE 法によるユーロピウム添加
GaN 及び AlGaN 薄膜の作製
愛大工 ○弓達新治，小山裕生，宮田 晃，白方 祥-----------------------------------------------------------------------------------14.4 光物性・発光デバイス
9 月 19 日 9:00 〜 18:45
19a-A26 - 1 〜 12

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
n 型ドープ引っ張り歪み GOI の作製と発光特性の評価
都市大工 ○西田圭佑，徐 学俊，高林昂紀，吉田圭佑，
澤野憲太郎，白木靖寛，丸泉琢也
2 Si-nc:P における赤外励起オージェ電子放出と熱励起放出の相補性物材機構 1，Univ. Manchester2，McMaster Univ.3，Univ. Surrey4○
石井真史 1，Iain Crowe2，Matthew Halsall2，Andrew Knights3，
Russell Gwilliam4，Bruce Hamilton2
3 新規化学成長法による (NH4)2SiF6微粒子の作製
東京電機大院工 1，物材機構 2 ○北澤 駿 1，
佐藤慶介 1，深田直樹 2，平栗健二 1△ 4 攪拌機を用いたシリコンナノ粒子の作製
東京電機大院工 1，物材機構 2 ○北澤 駿 1，
佐藤慶介 1，深田直樹 2，平栗健二 1△ 5 半導体のバレー選択が可能な新しい共鳴光励起法の開発
東大総合 1，JST さきがけ 2 ○坂本哲也 1，安武裕輔 1,2，深津 晋 1△ 6 InGaAsP バルクのサブピコ秒スピン緩和時間の観測
早大先進理工 1，SINANO-CAS2 ○原澤 遼 1，山本直輝 1，呉昊 1，
有竹貴紀 1，Shulong Lu2，Lian Ji2，竹内 淳 1△ 7 VGF 法成長による Zn-GaAs バルクのスピン緩和
早大先進理工 ○安江雄也，本多一輝，浅川将輝，竹内 淳

休憩

10:45 〜 11:00

8 InGaAs 量子ドットと量子井戸の結合スピン状態に対する電界印加効果
北大院情報科学 ○高山純一，木場隆之，山村隆文，野村 譲，
Subagyo Agus，末岡和久，村山明宏
9 金属強磁性体電極を持つ InGaAs 量子構造発光ダイオードの EL 特性○
北大院情報科学
野村 譲，高山純一，木場隆之，Subagyo Agus，
山村隆文，楊 暁傑，末岡和久，村山明宏
10 1 光束楕円偏光を用いた Z-scan 法による 3 次非線形感受率テンソルの虚部の測定
皓，坂東弘之，篠崎智文，大石真樹，松末俊夫
千葉大院融合 ○（M2）原
11 InP() 面における円偏光・直線偏光の 2 光束による 2 光子吸収の偏光状態依存性
千葉大院融合 ○（D）大石真樹，坂東弘之，三科敬英，松末俊夫
12 ファノ干渉の影響を考慮した GaInP のラマン散乱スペクトルの詳細な解析
千葉大工 ○（M2）坂本裕則，石原一行，馬蓓，森田 健，石谷善博

昼

食12:15 〜 13:45

19p-A26 - 1 〜 19

1 蛍光体 1 粒子の発光特性物材機構 ○武田隆史，広崎尚登，舟橋司朗，解2 単粒子診断法による新規酸窒化物蛍光体探索
物材機構 ○（PC）舟橋司朗，広崎尚登，武田隆史，解

（ 109
109 ）

栄軍
栄軍

14

半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）

3 近紫外励起青色蛍光体 (Sr, Ba)Al2Si3O4N4:Eu2+における発光効率の Sr/Ba 比依存性
鳥取大院工 1，電気化学工業 2，TEDREC3，物材機構 4 ○吉松 良 1,2，
舟橋司朗 4，石垣 雅 3，山田鈴弥 2，広崎尚登 4，大観光徳 1
4 LaAl(Si6-zAlz)(N10-zOz)(z~1):Ce3+ 青色蛍光体のカソードルミネッセンス解析
物材機構 ○高橋向星，Benjamin Dierre，Cho Yujin，
関口隆史，武田隆史，解 栄軍，広崎尚登▲ 5 Conditions and mechanism for crystal growth of Si-doped AlN powders
1△
NIMS ，Tsukuba Univ.2 〇 Yujin Cho1,2，Benjamin Dierre1，
Takashi Takeda1，Kohsei Takahashi1，Naoki Fukata1,2，
Naoto Hirosaki1，Takashi Sekiguchi1,2▲ 6 Cathodoluminescence of AlN:Mn2+
NIMS Xiaojun Wang，○ Rongjun Xie，Benjamin Dierre，
Takashi Takeda，Takayuki Suehiro，Naoto Hirosaki，Takashi Sekiguchi
7 HF 処理した酸窒化物系蛍光体の表面状態が発光特性に及ぼす影響
1
2
東芝生産技術センター ，東芝研究開発センター ，東芝マテリアル 3○
篠田奈緒 1，小泉正子 1，五十川昌邦 1，牧野伸顕 1，
福田由美 2，碓井大地 3
8 p-ZnO:Cu,N/n-SiC ヘテロ接合デバイスの作製と光物性評価
明大理工 ○（M1）平野 祐，岩田純一，佐瀬宏樹，勝俣 裕△ 9 蒸気圧制御温度差液相成長法による GaSe 結晶成長と評価
東北大 ○鈴木康平，長井悠輝，山本邦彦，前田健作，齊藤恭介，小山 裕

休憩

16:00 〜 16:15

10 赤色蛍光体 Eu2+付活 Sr サイアロンの開発
東芝マテリアル 1，東芝 2 ○碓井大地 1，松田直寿 1，
竹村博文 1，福田由美 2，小林薫平 1
11 黄色発光蛍光体 Sr2Si7Al3ON13:Ce の結晶構造と電子状態
東芝研開セ 1，米ロスアラモス研究所 2 ○石田邦夫 1，Graham King2，
Katharine Page2，福田由美 1，加藤雅礼 1，福島 伸 1
12 Ⅲ a-O- Ⅶ b-S（Ⅲ a=Y,La、Ⅶ b=F, Cl）系母体中における Eu3+イオンの CTS
励起帯
鳥大院工 1，TEDREC2，電化 3 ○景山洋至 1，岡田将大 1，
石垣 雅 1,2，大観光徳 1,2，吉松 良 3
13 青色光励起・赤色発光を示す Eu2+賦活 Ca 2SiO4蛍光体の発光特性
岡山理大理 1，東北大多元研 2，成均館大 3 ○佐藤泰史 1，桑原寛季 2，
加藤英樹 2，小林 亮 2，正木孝樹 3，垣花眞人 2
14 La6Si4S17母体結晶の合成および Ce 賦活蛍光体の発光特性
電気通信大先進理工 ○（PC）七井 靖，室崎 祐，奥野剛史
15 青色励起黄色蛍光体 Y6+(x/3)-yCaySi11O1-x+yN20+x-y:Ce
サムスン日本研究所 瀬戸孝俊，○伊澤孝昌
16 Ca2TbZr2(AlO4)3:Ce3+緑色蛍光体の発光特性
パナソニック 佐藤夏希，○大塩祥三，山崎圭一
17 Ca2TbZr2(AlO4)3:Ce3+,Eu3+赤色蛍光体の発光特性
パナソニック ○佐藤夏希，大塩祥三，山崎圭一
18 界面活性剤を用いた (ZnCd)S:Mn ナノ粒子の溶液合成
鳥取大院工 1，TEDREC2，メルク 3 ○土井直紀 1，
石垣 雅 2，大倉 央 3，大観光徳 1,219 反応性 RF スパッタ法による Zn3N2薄膜の形成における Ga 2O3添加の影響
明大理工 ○岩田純一，平野 祐，佐瀬宏樹，勝俣 裕-----------------------------------------------------------------------------------14.4 光物性・発光デバイス
9 月 20 日 9:15 〜 14:30
20a-A26 - 1 〜 9憩10:45 〜 11:00△ 7 YVO4:Eu3+蛍光ナノ粒子と層状複水酸化物ナノシートの交互積層
慶大理工 ○大西 航，竹下 覚，磯部徹彦△ 8 近紫外励起 • 赤色蛍光 Y2O3:Bi3+,Eu3+ナノシートの作製
慶大理工 ○松永拓也，竹下 覚，磯部徹彦△ 9 新規酸塩化物 Ba3RE 2X 2O5の蛍光特性
東大院工 1，九工大院工 2，東北大院工 3 ○（M1）龍田 誠 1，荻野 拓 1，
下山淳一 1，藤本 裕 3，柳田健之 2，岸尾光二 1

昼食

1 Pr3+を添加した LaScO 3における光学特性および Pr 3+置換サイトの解析
関西学院大理工 1，名大 2 ○（P）渡邊真太 1，小笠原一禎 1，
吉野正人 2，山田智明 2，長﨑正雅 2
2 Gd3Al2Ga3O12結晶における欠陥からの狭小線幅発光
山形大院理工 1，山形大理 2，東北大 NICHe3，東北大金研 4，静岡大電研 5○
佐藤亜都紗 1，北浦 守 2，鎌田 圭 3，黒澤俊介 3,4，
大西彰正 2，佐々木実 2，原 和彦 5
3 希土類添加ガラスのマイクロ波応答：「光らなかった」過程の動的分析
物材機構 1，青学大 2，名産研 3 ○石井真史 1，渕 真悟 2，竹田美和 3
4 ガラス形成酸化物混合による Pr3+添加ガラス蛍光体の発光スペクトル制御
青学大 1，科技財団 2 ○清水勇佑 1，渡辺敬太 1，
上村彦樹 2，渕 真悟 1，竹田美和 2
5 ZnGeF6･6H2O:Mn4+赤色蛍光体の作製と評価
群馬大院理工 ○（M1）星野良介，安達定雄
6 KCl への (Ce3+, Sn2+) イオンの共賦活効果
群大院理工 ○登坂優希，安達定雄-----------------------------------------------------------------------------------14.5 化合物太陽電池，15.2 II-VI 族結晶および多元系結晶のコードシェアセッション
9 月 17 日 13:15 〜 17:30
17p-A12 - 1 〜 15

▲ 1 Facile synthesis of nickel sulfide hierarchical structures and its phasechanges
RIE Shizuoka Univ ○ Karthikeyan Rajan，Navaneethan Mani，
Arivanandhan Mukannan，Tadanobu Koyama，
Yasuhiro Hayakawa▲ 2 Ligand-assisted hydrothermal growth of monodispersed ZnOnanostructures and investigation of functional properties
RIE Shizuoka Univ ○ Navaneethan Mani，Archana Jayaram，Tadanobu Koyama，Yasuhiro Hayakawa△ 3 c, r, m 面サファイア基板 /ZnTe 薄膜の成長方位関係の解析
早大先進理工 1，早大材研 2，JX 金属 3 ○中須大蔵 1，山下聡太郎 1，
相場貴之 1，服部翔太 1，孫 惟哲 1，田栗光祐 1，風見蕗乃 1，
木津 健 1，小林正和 1,2，朝日聡明 3
4 サファイア a 面基板のオフ角が ZnTe ドメイン構造へ与える影響の評価
早大先進理工 1，早大材研 2，JX 金属 3 ○山下聡太郎 1，中須大蔵 1，
相場貴之 1，服部翔太 1，孫 惟哲 1，田栗光祐 1，風見蕗乃 1，
木津 健 1，小林正和 1,2，朝日聡明 3
5 MBE 法を用いたサファイア基板上への ZnTe の横方向成長
早大先進理工 1，早大材研 2，JX 金属 3，早大基幹理工 4 ○服部翔太 1，
中須大蔵 1，山下聡太郎 1，相場貴之 1，孫惟哲田栗光祐 1，
風見蕗乃 1，木津 健 1，小林正和 1,2，朝日聡明 3，
武井勇樹 4，宇高勝之 46 ファインチャネルミスト CVD 法による ZnS 薄膜の成長和歌山大 ○山崎佑一郎，宇野和行，田中一郎
7 UHV スパッタエピタキシーによる ZnS 単結晶層の成長
東京電機大工 ○（M1）佐久間大樹，松久健司，三好佑弥，篠田宏之，六倉信喜
8 n-ZnS 窓層を用いた ZnTeO 中間バンド型太陽電池の特性評価
佐賀大院工 1，JST さきがけ 2 ○田中 徹 1,2，原口 真 1，溝口耕輔 1，
寺沢俊貴 1，斉藤勝彦 1，郭 其新 1，西尾光弘 1休

1 焼成温度による SnO2:Eu3+蛍光体の発光スペクトルの影響
群馬大院理工 ○（M2）新井敬章，安達定雄
2 Ga2O3:Tb3+, Eu3+赤色蛍光体の作製と特性評価
群馬大院理工 ○（B）澤田健士，安達定雄
3 希土類共添加 SrAl2O4:Eu の結晶成長と光学特性
千歳科学技術大 ○石橋知也，古川翔子，山中明生
4 PLD 法によって作製された Gd3+添加 YAlO 3薄膜の紫外 CL
九工大 1，産総研 2，学習院大 3 ○清水雄平 1，
植田和茂 1，高島 浩 2，稲熊宜之 3
5 ペロブスカイト型酸化物薄膜の電子線励起によるＲＧＢ色発光
産総研 1，九工大 2 ○高島 浩 1，長尾昌善 1，植田和茂 2
6 Ca0.6Sr0.4TiO3:Pr を用いた薄膜型および粉末型 EL 素子における低電圧発光現象
産総研 1，明大理工 2 ○池上敬一 1，青木光子 1，伯田幸也 1，
中川祐希 2，三浦 登 2，高島 浩 1

休

20p-A26 - 1 〜 6

11:45 〜 13:00

憩

15:15 〜 15:45

9 CNT を添加したカーボン電極を用いた CdTe 太陽電池の作製
木更津高専 1，JFE エンジニアリング 2 ○小川洋平 1，林 亮二 1，
細野藍響 1，岡本 保 1，土居 真 2
10 近接昇華法による Cl ドープ CdTe 多結晶膜の作製と評価
木更津高専 1，島津製作所 2 ○高橋航平 1，秋葉 翔 1，岡本 保 1，
徳田 敏 2，岸原弘之 2，佐藤敏幸 2
11 MOVPE 法 に よ る 大 面 積 CdTeX 線・γ 線 画 像 検 出 器 に 関 す る 研 究 〜
p-CdTe/n-CdTe/n+-Si ダイオードにおける輸送特性の検討〜
名工大院工 ○松本雅彦，鈴木悠太，高井紀明，塚本雄大，伊藤祐葵，
杉本宗一郎，神野悟史，山崎大輔，安形保則，
マダン ニラウラ，安田和人△ 12 ナフテン酸銅，ナフテン酸亜鉛およびオクチル酸スズを出発原料に用いた
CZTS 光吸収層の作製
中部大 1，津山高等 2，宮崎大 3 ○山田諒太 1，田橋正浩 1，
中村重之 2，高橋 誠 1，吉野賢二 3，後藤英雄 1△ 13 近接昇華法で作製した AgGaTe2の仕込み原料による影響
早大先進理工 1，早大材研 2 ○宇留野彩 1，薄井綾香 1，
竹田裕二 1，井上朋大 1，小林正和 1,2
14 分子線エピタキシー法による CuGaS2薄膜の作製と評価 ( Ⅱ )鳥取大院工 ○岡 優貴，倉掛真弥，西川直宏，松下将也，
山田秀明，阿部友紀，市野邦男
15 インクジェット法による有機 - 無機ハイブリッド型 ZnSSe 系紫外 APD 光検出器の開発 〜 APD の集積化〜
鳥取大院工 1，鳥取大工 2 ○田中健太 1，井上亮一 1，藤本 健 1，
筏津教行 1，田末章男 2，内田繁人 2，阿部友紀 1，
笠田洋文 1，安東孝止 1，市野邦男 1------------------------------------------------------------------------------------

（ 110
110 ）

14

14.5 化合物半導体，15.3 III-V 族エピタキシャル結晶，
15.4 III-V 族窒化物結晶のコードシェアセッション
9 月 19 日 9:00 〜 12:30
19a-S1 - 1 〜 13

1 MBE を用いた InGaP/(In)AlGaAs/GaAs 3 接合太陽電池の作製
産総研 1，都市大 2 ○（M1）望月 透 1,2，菅谷武芳 1，牧田紀久夫 1，
大島隆治 1，松原浩司 1，仁木 栄 1，岡野好伸 2
2 TEGa を用いた低温 MOVPE による微傾斜基板上 InGaAs/GaAsP 超格子太陽電池
東大院工 1，東大先端研 2 ○藤井宏昌 1，王 云鵬 2，
ハッサネット ソダーバンル 2，渡辺健太郎 2，
杉山正和 1，中野義昭 1
3 GaAs 基板の傾斜方向が InGaAs 膜中緩和過程に与える影響 -X 線回折その場
観察 豊田工大 1，原子力機構 2，宮崎大 3 ○小寺大介 1，佐々木拓生 2，
高橋正光 2，神谷 格 1，大下祥雄 1，小島信晃 1，
山口真史 1，鈴木秀俊 3
4 原子層エピタキシーを用いた Si ドープ GaAsN 薄膜における不純物混入過程
宮崎大工 ○横山祐貴，原口智宏，山内俊浩，鈴木秀俊，福山敦彦，碇 哲雄△ 5 赤外吸収層厚を増大した GaInNAsSb 太陽電池のキャリア収集の改善
東大先端研 ○宮下直也，ナズムル アーサン，岡田至崇
6 GaAs:N δ ドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
埼玉大理工 1，東大先端研 2 ○長田一輝 1，鈴木智也 1，八木修平 1，
内藤駿弥 2，庄司 靖 2，岡田至崇 2，土方泰斗 1，矢口裕之 1

休憩

10:30 〜 10:45

7 GaAsN 中の N-H 複合欠陥の熱処理に伴う濃度変化
豊田工大 ○出水孝志郎，池田和磨，Wang Li，Elleuch Omar，
小島信晃，大下祥雄，山口真史
8 化学ビームエピタキシー法により成長した GaAsN における N-H 結合の偏向
特性の起源
豊田工大 ○（PC）池田和磨，出水孝志郎，小島信晃，大下祥雄，山口真史
9 (InN)1/(GaN)n短周期超格子 SMART 構造の光物性
千葉大 C-SMART GIR1，千葉大 VBL2，JST-ALCA SMART Solar Cell PJ3，
科 1,2,3，吉川明彦 1,2,3,4
工学院大 4 ○今井大地 1,2,3，草部一秀 1,2,3，王
10 InGaN 量子井戸構造太陽電池の作製と評価
東大生研 1，JST-CREST2 ○荒川靖章 1，上野耕平 1，
野口英成 1，太田実雄 1，藤岡 洋 1,2
11 歪み InGaN 活性層を用いた太陽電池特性の n 層ドーピング密度依存性物材機構 1，JST-ALCA2，工学院大 3，中部大 4 ○角谷正友 1,2，
本田 徹 3，Liwen Sang1，中野由崇 4，長谷川文夫 412 MOVPE-SMART 太陽電池での実効 In 組成制御の検討
千葉大 C-SGIR1，千葉大 VBL2，千葉大 JST-ALCA PJ3，工学院大 4○
草部一秀 1,2,3，今井大地 1,2,3，王科 1,2,3，吉川明彦 1,2,3,4
13 GaInN/GaN 超格子を用いた窒化物太陽電池構造の検討
名城大理工 1，名大・赤﨑記念研究センター 2 ○（M2）山本泰司 1，黒川泰視 1，
小﨑桂矢 1，岩谷素顕 1，上山 智 1，竹内哲也 1，赤﨑 勇 1,2-----------------------------------------------------------------------------------14.5 化合物太陽電池
9 月 17 日 14:00 〜 17:15
17p-A28 - 1 〜 12

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
キャリア走行時間測定法による量子構造太陽電池内のダイナミクスの直接観測東大工 1，東大先端研 2，神戸大 3 ○カシディット トープラサートポン 1，
笠松直史 3，藤井宏昌 1，加田智之 3，朝日重雄 3，王 云鵬 2，
渡辺健太郎 2，杉山正和 1，喜多 隆 3，中野義昭 12 圧電素子光熱分光法を用いた超格子太陽電池のミニバンド評価
宮崎大工 1，東京大工 2 ○（D）相原健人 1，村上 匠 1，倉留弘憲 1，
杉本泰士 1，鈴木秀俊 1，福山敦彦 1，杉山正和 2，
中野義昭 2，碇 哲雄 1
△ 3 コロイド量子ドット薄膜におけるマルチエキシトン生成：表面配位子の効果
富士フイルム 1，京大化研 2，JST-CREST3 ○小野雅司 1，西原大志 2，
井原章之 2，菊池 信 1，田中 淳 1，鈴木真之 1，金光義彦 2,3
4 コロイド量子ドット薄膜におけるマルチエキシトン生成：エキシトンダイナ
ミクスとキャリア生成
京大化研 1，富士フィルム先端コア技術研究所 2，JST-CREST3○
西原大志 1，小野雅司 2，田原弘量 1，金光義彦 1,3▲ 5 Analysis of voltage dependence of two-step photocurrent generation in△		 GaAs/AlGaAs quantum dot solar cells using rate equations
NIMS1，Univ. Tsukuba2 〇 Martin Elborg1，Takeshi Noda1，
Takaaki Mano1，Kazuaki Sakoda1, 2，Liyuan Han1
△ 6 量子ドット太陽電池におけるドットへの Si ドーピングの影響
東大院工 1，先端研 2 ○（D）内藤駿弥 1,2，カシディット トープラサートポン 1，
星井拓也 1,2，杉山正和 1，岡田至崇 1,2

休憩

15:30 〜 15:45△ 7 中間バンド太陽電池動作へ向けた単一量子ドット中における 2 段階光吸収による電流増大の観測
東大ナノ量子 1，東大生研 2，シャープ 3 ○野澤朋宏 1,2,3，
都木宏之 1,2，渡邉克之 1，荒川泰彦 1,2

半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）△ 8 バリア層の異なる InGaAs 量子ドット太陽電池における２段階光吸収東大先端研 ○玉置 亮，庄司 靖，岡田至崇，宮野健次郎△ 9 InAs/GaAs 量子ドット超格子太陽電池における量子準位へのキャリア緩和過程が２段階光吸収に与える影響
神戸大院 1，東大先端研 2 ○加田智之 1，朝日重雄 1，海津利行 1，
喜多 隆 1，玉置 亮 2，岡田至崇 2，宮野健次郎 2
10 中間バンド型太陽電池の高障壁層導入による効率的な室温 2 段階光吸収
神戸大院工 ○朝日重雄，寺西陽之，笠松直史，
加田智之，海津利行，喜多 隆
11 InAs/GaAsSb 量子ドットを用いた中間バンド太陽電池の集光特性の計算○
電通大先進理工内田圭祐，坂本克好，山口浩一
12 低次元量子構造を利用したホットキャリア中間バンド型太陽電池
神戸大院工 ○渡部大樹，笠松直史，原田幸弘，喜多 隆-----------------------------------------------------------------------------------14.5 化合物太陽電池
9 月 18 日 9:30 〜 18:15
18a-A28 - 1 〜 11

1 薄型レンズアレイ一体集光型太陽電池の発電特性解析
パナソニック先端技研 ○林 伸彦，松下明生，井上大二朗，
松本光弘，永田貴之，樋口 洋，綾洋一郎，中川 徹
2 金属ナノ構造を用いる薄膜 GaAs 太陽電池光閉じ込め
産総研再エネ 1，産総研太陽光 2 ○水野英範 1，穂積康雄 2，
均 2，高遠秀尚 1，松原浩司 2
牧田紀久夫 2，齋
3 裏面微細構造による薄膜化 III-V 族化合物半導体太陽電池の光閉じ込め効果
東大先端研 1，東大工 2 ○渡辺健太郎 1，井上智之 2，杉山正和 2，中野義昭 1,2
4 LED バイアス光法による 3 接合太陽電池の Luminescence Coupling 定量化
エイ・イー・エス 1，宇宙機構 2 ○菅井光信 1，中村徹哉 2，今泉 充 2
5 格子不整合系逆成長３接合太陽電池を構成するサブセルの電子線と陽子線に対する放射線耐性の比較
宇宙航空機構 1，原子力機構 2 ○今泉 充 1，中村徹哉 1，大島 武 2

休憩

10:45 〜 11:00

6 エレクトロルミネッセンス絶対光量計測による InGaP/GaAs/Ge 3 接合太陽電池のサブセル特性評価
琳 1，
東大物性研 1，JAXA2，京大化研 3 ○吉田正裕 1，陳 少強 1，朱望月敏光 1，金 昌秀 1，秋山英文 1，今泉 充 2，金光義彦 3▲ 7 Analysis of Internal-luminescence-quantum-yield of Subcells in InGaP/
GaAs/Ge triple-junction solar cells and their influence on energy
conversion efficiencies
ISSP, Univ. of Tokyo1，JAXA2，ICR, Kyoto Univ.3 ○ Lin Zhu1，
Shaoqiang Chen1，Masahiro Yochita1，Toshimitsu Mochizuki1，
Changsu Kim1，Hidefumi Akiyama1，
Mitsuru Imaizumi2，Yoshihiko Kanemitsu3▲ 8 High Optical Transmissivity in Stacked Multi-Junction Solar Cell
TUAT1，NISSIN ELECTRIC2 ○ Shunsuke Kimura1，Shinya Yoshidomi1，
Masahiko Hasumi1，Shunji Takase2，Yasunori Ando2，
Toshiyuki Sameshima1▲ 9 Subcell carrier collection efficiencies in multijunction solar cells
determined by time-resolved photoluminescence
ICR Kyoto Univ.1，ISSP Tokyo Univ.2，JAXA3，JST-CREST4○（P）David Tex1,4，Toshiyuki Ihara1，Hidefumi Akiyama2,4，
Mitsuru Imaizumi3，Yoshihiko Kanemitsu1,4
10 CW 光照射下におけるレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による 3 接合
タンデム太陽電池局所特性評価 - CW 光波長依存性 大日本スクリーン製造 1，阪大レーザー研 2 ○伊藤 明 1，中西英俊 1，
梅垣俊仁 2，高山和久 2，川山 巌 2，村上博成 2，斗内政吉 2
11 波長可変パルスレーザー光励起による 3 接合タンデム太陽電池から放射されたテラヘルツ波の特性
阪大レーザー研 1，大日本スクリーン製造 2 ○梅垣俊仁 1，酒井裕司 1，
伊藤 明 2，中西英俊 2，川山 巌 1，村上博成 1，斗内政吉 1

昼

18p-A28 - 1 〜 16食12:30 〜 14:00

1 超音波噴霧法による太陽電池応用へ向けた硫化物薄膜の作製
京大院工 ○高木良輔，柴山健次，金子健太郎，藤田静雄△ 2 静電噴霧法により作製した FeS2薄膜の前駆体溶液依存性
奈良先端大 ○土江貴洋，石河泰明，内山俊祐，堀田昌宏，浦岡行治
3 光照射電気化学堆積法による SnS 薄膜の作製と CdS/SnS ヘテロ接合太陽電池への応用
名工大 ○（M2）田中良和，市村正也△ 4 ミスト CVD 法による Cu2ZnSnS4薄膜の作製とミスト硫化法の効果
京大院エネ科 ○池之上卓己，渡辺勇一郎，三宅正男，平藤哲司
5 CZTS 薄膜表面に与えるアンモニア溶液処理の効果
防衛大 1，長岡高専 2 ○宮崎 尚 1，青野祐美 1，岸村浩明 1，片桐裕則 2
6 塗布型 Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜に対する S 雰囲気アニールの影響
東工大院理工 1，凸版印刷 2，東工大 PVREC3 ○（M1）杉本寛太 1，桑名 潤 1，
後藤仁憲 1，陶山直樹 1，張 毅聞 2，黒川康良 1，山田 明 1,3
7 二段階焼結法による Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池の作製
東工大院理工 1，凸版印刷 2，東工大 PVREC3 ○後藤仁憲 1，桑名 潤 1，
杉本寛太 1，陶山直樹 1，張 毅聞 2，黒川康良 1，山田 明 1,3

（ 111
111 ）

14

半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）

8 多段階蒸着法による CZTS 薄膜の直接成長と太陽電池への応用
豊田中研 1，長岡高専 2 ○三瀬貴寛 1，田島 伸 1，深野達雄 1，
樋口和夫 1，鷲尾 司 2，神保和夫 2，片桐裕則 2

休憩

16:00 〜 16:15▲ 9 Free carrier dynamics in Cu 2ZnSnS 4 single crystals investigated by
optical pump - THz probe spectroscopy
Kyoto University1，JST-CREST2，Osaka University3，University ofMiyazaki4 〇 Phuong Le Quang1,2，Okano Makoto1，
Yamashita Genki3，Morimoto Tomohide3，
Yamada Yasuhiro1，Nagaoka Akira1,4，
Yoshino Kenji4，Nagai Masaya3，
Ashida Masaaki3，Kanemitsu Yoshihiko1,2
10 H2O 噴霧処理による CdS/Cu2ZnSnS4接合のバンド構造への影響
信州大工 1，長野高専 2 ○藤村遼介 1，橋本佳男 1，
Than Htay Myo1，百瀬成空 2▲ 11 The investigation of Ge substitution effects in Cu2ZnSnSe4 Thin film solar
cells
RCPVT, AIST 〇 Kim Shinho，Kim Kang Min，Tampo Hitoshi，Shibata Hajime，Niki Shigeru
12 ワイドギャップ ZnCuGaSe2太陽電池の接合界面評価
1
2○
1
山本輝明 ，根上卓之 1，松原浩司 2，仁木 栄 2
パナソニック ，産総研
13 ゲルマニウム添加した Cu2SnSe3 薄膜の成長及びその太陽電池特性
産総研太陽光センター ○ Kangmin Kim，金 信浩，
反保衆志，柴田 肇，仁木 栄
14 フ ェ ム ト 秒 白 色 ポ ン プ プ ロ ー ブ 過 渡 反 射 測 定 に よ る ペ ロ ブ ス カ イ ト
CH3NH3PbI3単結晶の光キャリア再結合ダイナミクス
京大化研 ○山田琢允，山田泰裕，西村秀隆，若宮淳志，金光義彦
15 ハライド系ペロブスカイト太陽電池材料 CH3NH3PbI3薄膜における光キャリ
ア再結合ダイナミクス
京大化研 1，JST-CREST2 ○山田泰裕 1，遠藤 克 1，若宮淳志 1，金光義彦 1,2
16 CH3NH3PbI3太陽電池における室温アニーリングの影響と発光ダイナミクスとの相関
京大化研 1，JST-CREST2 ○山田泰裕 1，遠藤 克 1，若宮淳志 1，金光義彦 1,2-----------------------------------------------------------------------------------14.5 化合物太陽電池
9 月 19 日 9:00 〜 12:30
19a-A28 - 1 〜 13

1 CIGS 薄膜作製の光学的その場観測の検討 ( Ⅲ )愛媛大工 ○北村優天，高橋敏洋，弓達新治，宮田 晃，白方 祥
2 フォトルミネッセンス法による CIGS 薄膜の光学的特性評価
愛媛大院理工 ○岸田貴志，吉田正吾，弓達新治，宮田 晃，白方 祥▲ 3 Investigation on Non-radiative Recombination in CIGS Solar Cells
through PT-AFM under Various Incident Light Conditions
IIS, the University of Tokyo1，INQIE2，Coll. of Sci. and Eng.,
Ritsumeikan Univ.3 〇 Warithapol Srivises1，
Takashi Minemoto3，Takuji Takahashi1,2
4 ケルビンプローブフォース顕微鏡による CIGS 太陽電池の表面電位および容量の評価
東大生研 1，東大ナノ量子機構 2，立命館大理工 3○
石井智章 1，峯本高志 3，高橋琢二 1,2
5 Ga 組成の異なる CIGS 太陽電池上での P-KFM による光励起キャリア再結合
プロセスの評価
東大生研 1，東大ナノ量子機構 2，立命館大理工 3○
龍 顯得 1，峯元高志 3，高橋琢二 1,2
6 CIGS,CdS/CIGS on ポリマー基板の電子構造の in-situ PES/IPES 評価
鹿児島大 1，産総研 2 ○福山貴之 1，吉本 翔 1，帖地宏典 1，佐々木一成 1，
諏訪原裕貴 1，光永将宏 1，柴田 肇 2，松原浩司 2，仁木 栄 2，寺田教男 1,2

休憩

10:30 〜 10:45

7 CIGS 太陽電池用 Mo スパッタ膜の高温製膜
東理大 1，東理大総研 2 ○寺本真浩 1，清酒泰介 1，深井尋史 2，
Jehl Zacharie2，杉山 睦 1，中田時夫 2
8 ワイドギャップ CIGS 薄膜の高温製膜
青山学院大理工 1，東京理科大総研 2 中木場裕也 1，○
深井尋史 2，イエル カオ ザッカリ 2，中田時夫 2△ 9 Cu(In,Ga)Se2太陽電池への Cu(In,Ga) 3Se5導入による界面再結合の抑制
東工大院理工 1，太陽光発電システム研究センター 2 ○（M2）西村昂人 1，
平井義晃 1，黒川康良 1，山田 明 1,2
10 ポリイミド薄膜付青板ガラス基板を用いたフレキシブル CIGS 太陽電池の作
製
東工大院理工 1，東工大 PVREC2，カネカ 3 ○（M2）Adiyudha Sadono1，
日野将志 3，市川 満 3，山本憲治 3，黒川康良 1，小長井誠 1,2，山田 明 1,2▲ 11 Effect of Surface Sulfurization on MBE-Grown Cu(In1-x,Gax)Se2 Thin Film
Research Institute for Science and Technology, Tokyo University of
Science 〇 Ishwor Khatri，Isamu Matsuyama，
Hiroshi Yamaguchi，Tokio Nakada
12 非晶質酸化物半導体をバッファー層とした CIGS 太陽電池の特性
産総研 ○鯉田 崇，高橋秀樹，上川由紀子，山田昭政，柴田 肇，仁木 栄
13 MBE を用いた InSe/Mo と In2Se3/Mo の薄膜の成長
北科大 ○一戸善弘，矢神雅規，三澤顕次------------------------------------------------------------------------------------

14.5 化合物太陽電池
9 月 19 日
19p-PB3 - 1 〜 27
19p-PB3 - 1 〜 27

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30

1 AlGaAs/GaAs 太陽電池における表面再結合制御
早大理工 1，JST-CREST2 ○浦部宏之 1,2，倉本 真 1,2，
中野朋洋 1,2，河原塚篤 2，牧本俊樹 1，堀越佳治 2
2 GaAs および InGaP 太陽電池を用いた波長スプリッティング低倍率集光型 PV
システムの屋外発電特性評価
木更津高専 1，東京工業大 2，東京理科大 3 ○細野藍響 1，石井奏真 1，
小川洋平 1，増田祐耶 2，岡本 保 1，植田 譲 3，小長井誠 2
3 波長スプリッティングを用いた太陽電池の高効率化
東工大院理工 1，東工大工 2，東京理科大総研 3，東工大 PVREC4○
滝口雄貴 1，竹井雄太郎 2，増田祐耶 1，Porponth Sichanugrist1，
Zacharie Jehl3，中田時夫 3，小長井誠 1,4
4 異種材料直接接合による InGaP/GaAs/Si タンデムセル
大阪市大工 1，シャープ 2 ○重川直輝 1，柴麗 1，森本雅史 1，
梁 剣波 1，鬼塚隆祐 2，安居院高明 2，十楚博行 2，高本達也 2
5 多接合太陽電池におけるルミネッセンスカップリングの変換効率に与える影響
東大 ○（P）小倉暁雄，曽我部東馬，岡田至崇
6 GaAs/AlGaAs 量子ナノディスク太陽電池の中間バンド内の輸送を考慮したドリフト拡散シミュレーション
東大 ○（P）小倉暁雄，曽我部東馬，岡田至崇
7 InAs/AlGaAs 量子ドット太陽電池における電界減衰層の導入効果
東大先端研 1，マドリード工科大 2 ○庄司 靖 1，玉置 亮 1，
Alejandro Datas2，Antonio Martí2，Antonio Luque2，岡田至崇 1
8 AlxGa1-xAs/GaAs 超格子太陽電池における障壁層厚さの効果
早大理工 1，JST-CREST2 ○倉本 真 1,2，浦部宏之 1,2，中野朋洋 1,2，
河原塚篤 1,2，西永慈郎 1,2，牧本俊樹 1，堀越佳治 1,29 結合量子ドット構造の光学吸収特性のドット形状依存性
神大院工 ○武藤庸平，笹岡健二，相馬聡文，小川真人
10 中間バンド型太陽電池に向けた GaAs:Nδ ドープ超格子の MBE 成長
埼玉大理工 1，東大先端研 2 ○鈴木智也 1，長田一輝 1，八木修平 1，
内藤俊弥 2，土方泰斗 1，岡田至崇 2，矢口裕之 1
11 電着法による FeSe 薄膜の作製と物性評価
中部大 ○長屋智紀，高橋 誠，鈴木崇也，田橋正浩
12 Cu2SnS3薄膜と n 型半導体におけるバンドアライメントの検討
東理大理工／総研 佐藤宗一，○鷲見浩貴，史 冠男，杉山 睦
13 CZTS プリカーサにおける硫化過程の TG/DTA
長岡高専 1，JST-CREST2 ○（PC）鷲尾 司 1,2，神保和夫 1，片桐裕則 1,2
14 固相法による Cu2ZnSnS4多結晶成長
千葉工大 1，阪大院工 2 ○渡辺裕介 1，三浦宏記 1，沈 用球 2，脇田和樹 1
15 化合物プリカーサのセレン化による Cu2ZnSnSe4薄膜の作製Ⅱ
和歌山高専 中嶋崇喜，湯川翔平，楠本健悟，○山口利幸
16 移動ヒーター法による Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4単結晶成長
京大院工 1，宮崎大工 2，三重大工 3，学振特別研究員 PD4○
永岡 章 1,4，吉野賢二 2，三宅秀人 3，野瀬嘉太郎 1
17 カソードスパッタによる CdS:O 薄膜の構造と光学特性
千葉工大 1，大府大院工 2，アゼルバイジャン物理研 3 ○中嶋将大 1，
淺葉 亮 1，鈴木昭典 1，沈 用球 2，Khuraman Khalilova3，
Nazim Mamedov3，Ayaz Bayramov3，
Emil Huseynov3，脇田和樹 1
18 SnS 薄膜の硫化条件が PL 特性へ与える影響
東理大理工／総研 ○三上俊太郎，平松 昂，杉山 睦
19 CdS フリー CIGS 及び SnS 太陽電池に向けた RF スパッタ法によるアモルファ
ス Zn-Sn-O バッファ層の検討
東理大理工／総研 張 紹偉，村上優行，○中井洋志，杉山 睦
20 電気化学測定を用いたカルコゲナイド薄膜のキャラクタリゼーション
阪大太陽エネ研セ 1，立命館大理工 2，京大工 3 ○池田 茂 1，
Wilman Septina1，川崎義人 1，峯元高志 2，野瀬嘉太郎 3，松村道雄 1
21 電気化学インピーダンス法を用いた陽子線照射による CIGS 太陽電池の界面欠陥の検討
東理大理工／総研 坂倉秀徳，近藤良紀，○横井 翼，板垣昌幸，杉山 睦
22 CIGS 薄膜太陽電池の作製と Zn 添加の検討
愛媛大院理工 ○吉田正吾，岸田貴志，弓達新治，宮田 晃，白方 祥
23 スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温作製と Cu(In,Ga)Se2太陽電池への応用
宮崎大 1，立命館大 2，阪大 3 ○（M1）濱地健太 1，富永姫香 1，持原晶子 1，
吉野賢二 1，峯元高志 2，Jiang Feng3，池田 茂 3
24 PLD 法による CuInS2エピタキシャル薄膜
千葉工大 1，大府大院工 2 ○吉田 亮 1，曽 柏翰 1，沈 用球 2，脇田和樹 1
25 MEE 法を用いた GaAs (001) 基板上への CIS-CGS 低温成長
早大理工 ○谷口龍希，サティアバマ ティル，堀越佳治，牧本俊樹▲ 26 Optimization of CIGSe bottom cell for spectral splitting device
application
Tokyo University of Science 〇 Zacharie Jehl，Hirofumi Fukai，Isamu Matsuyama，Tokio Nakada
27 水溶液中 Cu-In 合金ナノ粒子合成法の開発と化合物太陽電池塗布形成への応用
東北大環境 ○藤木洋成，横山 俊，高橋英志，田路和幸------------------------------------------------------------------------------------

（ 112
112 ）

15

15

結晶工学

●関連シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学 〜物性評価と結晶学の構築へ〜」（9月 19 日（金），9:00 〜 18:00，C5 会場）が p.43 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------15.1 バルク結晶成長
9 月 18 日
18p-PB9 - 1

18p-PB9 - 1

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30▲ 1 Growth and properties of InGaSb alloy semiconductor crystals grownunder microgravity and 1G conditions
RIE, Shizuoka Univ1，JAXA2，Shizuoka Insti Sci.3，Osaka Univ.4○
Nirmal Kumar Velu1，Arivanandhan Mukannan1，
Rajesh Govindasamy1，Tadanobu Koyama1，
Yoshimi Momose1，Yuko Inatomi2，
Kaoruho Sakata2，Takehiko Ishikawa2，
Masahiro Takayanagi2，Shigeki Kamigaichi2，
Tetsuo Ozawa3，Yasunori Okano4，
Yasuhiro Hayakawa1-----------------------------------------------------------------------------------15.1 バルク結晶成長
9 月 20 日 9:00 〜 15:00
20a-A17 - 1 〜 12

1 大形の VB 法サファイア結晶成長の種子付け界面形状と温度分布
信大工 1，不二越機械工業 2 ○宮川千宏 1, 2，小林拓実 2，太子敏則 1，
干川圭吾 1
2 垂直ブリッジマン（VB）法による Al2O3/YAG:Ce-MGC の成長（Ⅰ）
信大工 1，宇部興産 2 ○（D）吉村正文 1,2，山田聖也 1，
干川圭吾 1，坂田信一 2，射場久善 2，河野孝史 2
3 垂直ブリッジマン（VB）法による Al2O3/YAG:Ce-MGC の成長（Ⅱ）
信州大工 1，宇部興産 2 ○干川圭吾 1，山田聖也 1，吉村正文 1,2，坂田信一 2
4 CsI-NaCl 相分離シンチレータの凝固過程その場観察
キヤノン ○安居伸浩，大橋良太，田透
5 Eu3+,Y3+ 共添加 HfO2/Al2O3 共晶体の作製と発光特性評価
1
2
3
○
1
2,3
東北大金研 ，東北大 NICHe ，C&A
菱沼康介 ，鎌田 圭 ，山路晃広 1，黒澤俊介 1，横田有為 2，Pejchal Jan2，大橋雄二 1，
吉川 彰 1,2,3
6 1 インチ径 (Gd,Y)3(Al,Ga)5O12シンチレータ結晶の育成とそのシンチレーショ
ン評価
東北大金研 1，東北大 NICHe2，C&A3，チェコ物理研 4 ○黒澤俊介 1,2，
関 真冬 1，鎌田 圭 2,3，庄子育宏 1,3，Jan Pejchal2,4，
大橋雄二 1，横田有為 2，吉川 彰 1,2,3
7 マイクロ引き下げ法で作製した CeBr3結晶における Pr 添加効果
東北大金研 1，東北大 NICHe2，C&A3，チェコ物理研 4 ○伊藤友樹 1，
横田有為 2，黒澤俊介 1,2，Pejchal Jan2,4，大橋雄二 1，
鎌田 圭 2,3，吉川 彰 1,2,3△ 8 Cz 法により育成した Mg/Ce 共添加 (La, Gd)2Si2O7単結晶のシンチレーショ
ン特性評価
東北大金研 1，東北大 NICHe2，チェコ物理研 3，C&A4 ○（M1）村上力輝斗 1，
黒澤俊介 1,2，庄子育宏 1,4，横田有為 2，Pejchal Jan2,3，
大橋雄二 1，鎌田 圭 2,4，吉川 彰 1,2,4
9 Gd2Si2O7:Ce 多結晶における粒成長とその対 α 線シンチレーション特性
北大院工 1，日立化成 2 西方真美 1，○樋口幹雄 1，植田あき 1，
坪田陽一 1，金子純一 1，石橋浩之 2，忠永清治 1
10 浮 遊 帯 溶 融 法 に よ っ て 育 成 し た Cr,Nd:CaRE AlO4単 結 晶 の 分 光 学 的 性 質（RE=Y，La，Gd）
北大院工 1，理研 2 ○生田目大輔 1，植田あき 1，樋口幹雄 1，
忠永清治 1，小川貴代 2，和田智之 2
11 有機非線形 BNA 単結晶ファイバーのマイクロ引下げ法による作製と特性評価
東北大 NICHe1，C&A2，理研 3，東北大 IMR4 ○鎌田 圭 1,2，瀧田佑馬 3，
南出泰亜 3，黒澤俊介 4，横田有為 1，庄子育宏 2,3，
Jan Pejchal1，大橋雄二 4，吉川 彰 1,2,4
12 Cz 法による Ca3Ta(GaxAl1-x)3Si2O14 (x = 0, 0.5, 1) 圧電単結晶の育成と圧電
特性評価
東北大金研 1，東北大 NICHe2，C&A3 ○（M2）工藤哲男 1，横田有為 2，
大橋雄二 1，庄子育宏 1,3，鎌田 圭 2,3，黒澤俊介 1,2，
Pejchal Jan2，吉川 彰 1,2,3

昼

20p-A17 - 1 〜 8

食12:00 〜 13:00

1 原料供給垂直ブリッジマン法による KTN 結晶育成
オキサイド 1，NTT-AT2，信大工 3 ○小島孝広 1，長田隼弥 1，竹川俊二 1，
笹浦正弘 1，小松貴幸 2，太子敏則 3，干川圭吾 3，古川保典 1
2 UV 発生用強誘電体 LaBGeO5単結晶の Cz 育成
オキサイド 1，早大材研 2 ○坂入光佳 1，松倉 誠 1，廣橋淳二 1，
宮澤信太郎 1,2，竹川俊二 1，古川保典 1

結晶工学△ 3 FZ 法によるビスマス添加シリコンバルク単結晶の成長と FTIR 評価
慶応大理工 ○（M1）山田快斗，伊藤公平
4 育成結晶形状に対する IR-FZ 法における集光鏡の移動効果
山梨大院クリスタル研 1，JST- さきがけ 2 ○綿打敏司 1,2，
エムディー ムクタール ホサイン 1，長尾雅則 1，田中 功 1
5 交流電場印加によるタンパク質結晶中の sub-grain の制御
東北大金研 1，横市大院生命ナノ 2，創英大教育 3 ○小泉晴比古 1，
勝 2，小島謙一 3，野澤 純 1
宇田 聡 1，藤原航三 1，橘
6 重力沈降によって生成したシリカコロイド結晶の構造観察
富士化学 ○大木芳正，中野勇二，川中智司，今井宏起，内田文生
7 宇宙環境を利用した均一組成 SiGe 結晶育成実験
宇宙機構 ○荒井康智，木下恭一，高柳昌弘
8 高品質 AgGaSe2単結晶育成に向けた Se 添加効果の検討
大阪府立大高専 ○須崎昌己-----------------------------------------------------------------------------------14.5 化合物太陽電池，15.2 II-VI 族結晶および多元系結晶のコードシェアセッション
9 月 17 日 13:15 〜 17:30
17p-A12 - 1 〜 15

▲ 1 Facile synthesis of nickel sulfide hierarchical structures and its phasechanges
RIE Shizuoka Univ ○ Karthikeyan Rajan，Navaneethan Mani，
Arivanandhan Mukannan，Tadanobu Koyama，
Yasuhiro Hayakawa▲ 2 Ligand-assisted hydrothermal growth of monodispersed ZnOnanostructures and investigation of functional properties
RIE Shizuoka Univ ○ Navaneethan Mani，Archana Jayaram，Tadanobu Koyama，Yasuhiro Hayakawa△ 3 c, r, m 面サファイア基板 /ZnTe 薄膜の成長方位関係の解析
早大先進理工 1，早大材研 2，JX 金属 3 ○中須大蔵 1，山下聡太郎 1，
相場貴之 1，服部翔太 1，孫 惟哲 1，田栗光祐 1，風見蕗乃 1，
木津 健 1，小林正和 1,2，朝日聡明 3
4 サファイア a 面基板のオフ角が ZnTe ドメイン構造へ与える影響の評価
早大先進理工 1，早大材研 2，JX 金属 3 ○山下聡太郎 1，中須大蔵 1，
相場貴之 1，服部翔太 1，孫 惟哲 1，田栗光祐 1，風見蕗乃 1，
木津 健 1，小林正和 1,2，朝日聡明 3
5 MBE 法を用いたサファイア基板上への ZnTe の横方向成長
早大先進理工 1，早大材研 2，JX 金属 3，早大基幹理工 4 ○服部翔太 1，
中須大蔵 1，山下聡太郎 1，相場貴之 1，孫惟哲田栗光祐 1，
風見蕗乃 1，木津 健 1，小林正和 1,2，朝日聡明 3，
武井勇樹 4，宇高勝之 46 ファインチャネルミスト CVD 法による ZnS 薄膜の成長和歌山大 ○山崎佑一郎，宇野和行，田中一郎
7 UHV スパッタエピタキシーによる ZnS 単結晶層の成長
東京電機大工 ○（M1）佐久間大樹，松久健司，三好佑弥，篠田宏之，六倉信喜
8 n-ZnS 窓層を用いた ZnTeO 中間バンド型太陽電池の特性評価
佐賀大院工 1，JST さきがけ 2 ○田中 徹 1,2，原口 真 1，溝口耕輔 1，
寺沢俊貴 1，斉藤勝彦 1，郭 其新 1，西尾光弘 1

休憩

15:15 〜 15:45

9 CNT を添加したカーボン電極を用いた CdTe 太陽電池の作製
木更津高専 1，JFE エンジニアリング 2 ○小川洋平 1，林 亮二 1，
細野藍響 1，岡本 保 1，土居 真 2
10 近接昇華法による Cl ドープ CdTe 多結晶膜の作製と評価
木更津高専 1，島津製作所 2 ○高橋航平 1，秋葉 翔 1，岡本 保 1，
徳田 敏 2，岸原弘之 2，佐藤敏幸 2
11 MOVPE 法 に よ る 大 面 積 CdTeX 線・γ 線 画 像 検 出 器 に 関 す る 研 究 〜
p-CdTe/n-CdTe/n+-Si ダイオードにおける輸送特性の検討〜
名工大院工 ○松本雅彦，鈴木悠太，高井紀明，塚本雄大，伊藤祐葵，
杉本宗一郎，神野悟史，山崎大輔，安形保則，
マダン ニラウラ，安田和人△ 12 ナフテン酸銅，ナフテン酸亜鉛およびオクチル酸スズを出発原料に用いた
CZTS 光吸収層の作製
中部大 1，津山高等 2，宮崎大 3 ○山田諒太 1，田橋正浩 1，
中村重之 2，高橋 誠 1，吉野賢二 3，後藤英雄 1△ 13 近接昇華法で作製した AgGaTe2の仕込み原料による影響
早大先進理工 1，早大材研 2 ○宇留野彩 1，薄井綾香 1，
竹田裕二 1，井上朋大 1，小林正和 1,2
14 分子線エピタキシー法による CuGaS2薄膜の作製と評価 ( Ⅱ )鳥取大院工 ○岡 優貴，倉掛真弥，西川直宏，松下将也，
山田秀明，阿部友紀，市野邦男
15 インクジェット法による有機 - 無機ハイブリッド型 ZnSSe 系紫外 APD 光検出器の開発 〜 APD の集積化〜
鳥取大院工 1，鳥取大工 2 ○田中健太 1，井上亮一 1，藤本 健 1，
筏津教行 1，田末章男 2，内田繁人 2，阿部友紀 1，
笠田洋文 1，安東孝止 1，市野邦男 1------------------------------------------------------------------------------------

（ 113
113 ）

15

結晶工学

15.2 II-VI 族結晶および多元系結晶
9 月 19 日
19p-PB4 - 1
19p-PB4 - 1

6 MBE 成長における As 原料シャッター遮蔽性能の評価
東大ナノ量子機構 1，東大生研 2 ○影山健生 1，渡邉克之 2，
角田雅弘 1，岩本 敏 1,2，荒川泰彦 1,2
ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00▲ 1 Synthesis of Ag- deposited TiO2 nanostructures and photo catalytic
degradation of dye
RIE Shizuoka Univ ○ Prakash Natarajan，Navaneethan Mani，
Karthikeyan Rajan，Arivanandhan Mukannan，Tadanobu Koyama，Yasuhiro Hayakawa-----------------------------------------------------------------------------------14.5 化合物半導体，15.3 III-V 族エピタキシャル結晶，
15.4 III-V 族窒化物結晶のコードシェアセッション
9 月 19 日 9:00 〜 12:30
19a-S1 - 1 〜 13休

1 MBE を用いた InGaP/(In)AlGaAs/GaAs 3 接合太陽電池の作製
産総研 1，都市大 2 ○（M1）望月 透 1,2，菅谷武芳 1，牧田紀久夫 1，
大島隆治 1，松原浩司 1，仁木 栄 1，岡野好伸 2
2 TEGa を用いた低温 MOVPE による微傾斜基板上 InGaAs/GaAsP 超格子太陽電池
東大院工 1，東大先端研 2 ○藤井宏昌 1，王 云鵬 2，
ハッサネット ソダーバンル 2，渡辺健太郎 2，
杉山正和 1，中野義昭 1
3 GaAs 基板の傾斜方向が InGaAs 膜中緩和過程に与える影響 -X 線回折その場
観察 豊田工大 1，原子力機構 2，宮崎大 3 ○小寺大介 1，佐々木拓生 2，
高橋正光 2，神谷 格 1，大下祥雄 1，小島信晃 1，
山口真史 1，鈴木秀俊 3
4 原子層エピタキシーを用いた Si ドープ GaAsN 薄膜における不純物混入過程
宮崎大工 ○横山祐貴，原口智宏，山内俊浩，鈴木秀俊，福山敦彦，碇 哲雄△ 5 赤外吸収層厚を増大した GaInNAsSb 太陽電池のキャリア収集の改善
東大先端研 ○宮下直也，ナズムル アーサン，岡田至崇
6 GaAs:N δ ドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
埼玉大理工 1，東大先端研 2 ○長田一輝 1，鈴木智也 1，八木修平 1，
内藤駿弥 2，庄司 靖 2，岡田至崇 2，土方泰斗 1，矢口裕之 1

休憩

10:30 〜 10:45

7 GaAsN 中の N-H 複合欠陥の熱処理に伴う濃度変化
豊田工大 ○出水孝志郎，池田和磨，Wang Li，Elleuch Omar，
小島信晃，大下祥雄，山口真史
8 化学ビームエピタキシー法により成長した GaAsN における N-H 結合の偏向
特性の起源
豊田工大 ○（PC）池田和磨，出水孝志郎，小島信晃，大下祥雄，山口真史
9 (InN)1/(GaN)n短周期超格子 SMART 構造の光物性
千葉大 C-SMART GIR1，千葉大 VBL2，JST-ALCA SMART Solar Cell PJ3，
科 1,2,3，吉川明彦 1,2,3,4
工学院大 4 ○今井大地 1,2,3，草部一秀 1,2,3，王
10 InGaN 量子井戸構造太陽電池の作製と評価
東大生研 1，JST-CREST2 ○荒川靖章 1，上野耕平 1，
野口英成 1，太田実雄 1，藤岡 洋 1,2
11 歪み InGaN 活性層を用いた太陽電池特性の n 層ドーピング密度依存性物材機構 1，JST-ALCA2，工学院大 3，中部大 4 ○角谷正友 1,2，
本田 徹 3，Liwen Sang1，中野由崇 4，長谷川文夫 412 MOVPE-SMART 太陽電池での実効 In 組成制御の検討
千葉大 C-SGIR1，千葉大 VBL2，千葉大 JST-ALCA PJ3，工学院大 4○
草部一秀 1,2,3，今井大地 1,2,3，王科 1,2,3，吉川明彦 1,2,3,4
13 GaInN/GaN 超格子を用いた窒化物太陽電池構造の検討
名城大理工 1，名大・赤﨑記念研究センター 2 ○（M2）山本泰司 1，黒川泰視 1，
小﨑桂矢 1，岩谷素顕 1，上山 智 1，竹内哲也 1，赤﨑 勇 1,2-----------------------------------------------------------------------------------15.3 III-V 族エピタキシャル結晶
9 月 18 日 9:00 〜 19:00
18a-A20 - 1 〜 11休憩

10:30 〜 10:45

7 低温成長 InxGa1-xAs の結晶構造のアニール温度依存性
広大院先端研 ○富永依里子，冨保勇貴，角屋 豊
8 グレーデッドバッファ層を導入した InSb HEMT 構造の作製と評価
東理大院基礎工 ○竹鶴達哉，前田章臣，辻 大介，藤川紗千恵，藤代博記
9 STM による GaAs 中 N 不純物準位の直接可視化
物材機構 1，理研 2 ○石田暢之 1，定 昌史 2，間野高明 1，
野田武司 1，佐久間芳樹 1，藤田大介 1
10 GaAs 中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態 (II)
神戸大院工 ○原田幸弘，馬場 健，海津利行，喜多 隆
11 GaAs 中のエピタキシャル二次元窒素膜における発光ダイナミクス
神戸大院工 ○馬場 健，原田幸弘，海津利行，喜多 隆

憩

14:45 〜 15:00

18p-A20 - 7 〜 21

1 〜 6 13:15 〜 14:45（15.7 エピタキシーの基礎）
7 埋め込み型 GaAs/AlGaAs コア - シェル型ナノワイヤ形成機構の X 線回折法による評価
愛媛大工 ○吉田 剛，下村 哲，石川史太郎
8 GaAs{111}A,B 表面上での Ga 液滴形成
物材機構 1，九大 2 ○大竹晃浩 1，間野高明 1，ヌル ハ 1,2
9 GaAs(111)B 面上の Ga の挙動
早大材研 1，早大理工 2，JST-CREST3 ○河原塚篤 1,2,3，堀越佳治 1,2,3△ 10 2 種類の拡散原子を有する島成長での体積分布関数
北大院工 1，北大創成研 2 ○（M2）山内 諒 1，盧 翔孟 1，
小山正孝 1，笹倉弘理 1,2，武藤俊一 1△ 11 Si(100) 上 GaAs ナノワイヤにおける InAs S-K 量子ドットの成長
東大生研 1，東大ナノ量子機構 2 ○（D）權 晋寛 1，
渡邉克之 1，岩本 敏 1,2，荒川泰彦 1,2
12 低密度 InAs 量子ドットを内蔵したマイクロピラー共振器の作製と PL 発光特性
電通大先進理工 ○山下博幸，高橋佑太，山口浩一
13 InAs/InGaAs 量子ドット積層構造の面内光伝導特性の異方性
徳島大 ○村雲圭佑，熊谷直人，北田貴弘，井須俊郎

休憩

16:45 〜 17:00▲ 14 Formation of InAs quantum dots emitting at 1.55 micron using droplet
epitaxy on metamorphic InAlAs/InAs/GaAs(111)A
National Institute for Materials Science (NIMS)1，Kyushu University2〇
Neul Ha1,2，Takaaki Mano1，Xiangming Liu1，Takashi Kuroda1,2，Lazutaka Mitsuishi1，Akihiro Ohtake1，Takeshi Noda1，
Yoshiki Sakuma1，Kazuaki Sakoda1
15 GaAs(001) 上の InAs 量子ドットの 1.55 μm 以上での発光
豊田工大 ○下村憲一，神谷 格
16 AlAs キャップ付 InAs 量子ドットのフォトルミネツセンスに対する InGaAs層の影響
徳大 1，日亜化学 2 ○盧 翔孟 1，川口晃弘 1，中河義典 1,2，
熊谷直人 1，北田貴弘 1，井須俊郎 1
17 窒素 δ ドープ GaAs 上の InAs 量子ドットの発光波長シフト機構
神戸大研究基盤セ 1，神戸大院工 2 ○海津利行 1,2，喜多 隆 2
18 InAs/InGaAsP 量子ドットの量子準位の解析
日女大 今井 元，○（M2）山口萌花，新井暢子，井出結女
19 1.3μm 帯 InAs/GaAs 量子ドット構造への GaP(As) 層の導入
東大生研 1，東大ナノ量子機構 2 ○渡邉克之 1，影山健生 2，
角田雅弘 2，岩本 敏 1,2，荒川泰彦 1,2
20 As2原料を用いた高温部分キャップ InAs/GaAs 単一量子ドット成長
東大ナノ量子機構 1，東大生研 2 ○（P）角田雅弘 1，權 晋寛 2，太田泰友 1，渡邉克之 2，岩本 敏 1,2，荒川泰彦 1,2
21 InP(311)B 基板上における InAs 量子ドットのデジタル埋め込み構造
情通機構 ○赤羽浩一，山本直克，川西哲也------------------------------------------------------------------------------------

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
Si ウェハに直接接合した InGaAsP 多重量子井戸薄膜の高温環境耐性
NTT フォトニクス研 ○藤井拓郎，佐藤具就，武田浩司，
長谷部浩一，硴塚孝明，松尾慎治
2 Si 上 InGaAs microdisk における S ドーパントの局在化
東大工 1，東大農 2 ○渡邉冬馬 1，竹内美由紀 2，中野義昭 1，杉山正和 1
3 InP 基板上の InGaAsN/GaAsSb タイプ II 量子井戸層の光吸収特性
大阪府立大 1，住友電気工業 2 白藤重俊 1，三浦広平 2，
猪口康博 2，○河村裕一 1△ 4 有機金属気相成長法による InAs/GaSb TypeII 超格子の成長
住友電工半技研 1，住友電工伝デ研 2 ○有方 卓 1，
京野孝史 1，藤井 慧 1，三浦広平 2，秋田勝史 1
5 無極性 m 面 AlGaN/GaN 量子井戸の中赤外サブバンド間吸収の観測
東大ナノ量子 1，東大生研 2，シャープ 3 ○小谷晃央 1,2,3，
有田宗貴 1，荒川泰彦 1,2

15.3 III-V 族エピタキシャル結晶
9 月 19 日
19p-PB5 - 1 〜 16

19p-PB5 - 1 〜 16

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00▲ 1 Formation and control of wetting layer during the growth of InAs
quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy
National Institute for Materials Science (NIMS)1，Kyushu University2〇
Neul Ha1,2，Xiangming Liu1，Takaaki Mano1，Takashi Kuroda1,2，
Akihiro Ohtake1，Kazutaka Mitsuishi1，Takeshi Noda1，
Yoshiki Sakuma1，Kazuaki Sakoda1
2 面内超高密度 InAs 量子ドット層の特異な PL 特性
電通大先進理工 ○内田俊介，山口浩一
3 MBE による自己集合量子ドット密度に及ぼす表面粗さの効果
北大院工 1，北大創成研 2 ○村松 修 1，小山正孝 1，
笹倉弘理 1,2，武藤俊一 1，中田義昭 1

（ 114
114 ）

15

4 高指数面 GaAs 基板上の GaSb および AlSb 量子ドットの成長物材機構 1，豊田工大 2 ○川津琢也 1，野田武司 1，
間野高明 1，佐久間芳樹 1，榊 裕之 1,2
5 GaAs 傾斜基板上に多重積層させた自己形成 InGaP/InGaP 量子細線状構造
NTT フォトニクス研 1，大阪市大 2 ○満原 学 1，
渡邉則之 1，横山春喜 1，重川直輝 2
6 AlGaAs/GaAs 超格子 pin 接合における発光特性の検討
早大理工 1，JST-CREST2，産総研 3，NTT 基礎研 4 ○中野朋洋 1，
浦部宏之 1，倉本 真 1，河原塚篤 1,2，西永慈郎 3，小野満恒二 4，牧本俊樹 1，堀越佳治 1,2
7 MOVPE 法による GaN 基板上のウルツ鉱構造 AlGaP 作製の試み
北大院情報科学および量子集積センター 1，JST さきがけ 2○
平谷佳大 1，石坂文哉 1，冨岡克広 1,2，福井孝志 1
8 CaF2基板上 GaAs 薄膜の MBE 成長
北陸先端大 1，Univ. of Southampton2 ○村上達也 1，赤堀誠志 1，
岩瀬比宇麻 1，日高志郎 1，山田省二 1，Rutt Harvey29 結晶性 AlOx 層上への GaAs の再成長
東工大像情報 ○（PC）西沢 望，宗片比呂夫
10 直接貼付 InP/Si 基板接合界面におけるボイドによる電気特性への影響
上智大 ○金谷佳則，松本恵一，岸川純也，下村和彦
11 Si(111) 基板上への GaSb エピタキシャル成長と膜質の評価
富山大院 ○下山浩哉，森 雅之，前澤宏一
12 Ge(111) 基板上 InSb 薄膜の作製
富山大院 ○三枝孝彰，森 雅之，前澤宏一
13 有機ゲルマニウム材料を用いた Si 基板上 Ge/GaAs 一括 MOVPE 成長の検討
NTT フォトニクス研 ○荒井昌和，中尾 亮，神徳正樹
14 Si(111) 上での GaSb ヘテロエピタキシーと HfO2/GaSb MOS キャパシタの作製
物材機構 1，産総研 2 ○大竹晃浩 1，宮田典幸 2，
間野高明 1，森 貴洋 2，安田哲二 2
15 SOI(Silicon-on-Insulator) 基板上への InSb ヘテロエピタキシャル成長
富山大院 1，富山大院 2，富山大院 3 ○坂本大地 1，森 雅之 2，前澤宏一 3
16 直接貼付 InP/Glass 基板上選択 MOVPE 成長により形成された InP 系導波路の断面形状評価
上智大 ○（M1）岸川純也，松本恵一，金谷佳則，下村和彦-----------------------------------------------------------------------------------14.3 電子デバイス・プロセス技術，15.4 III-V 族窒化物結晶のコードシェアセッション
9 月 17 日 9:00 〜 17:45
17a-A27 - 1 〜 11

1 銀ナノインクを用いたスクリーン印刷による GaN 系青色発光ダイオードへの電極形成
阪大院工 1，大阪市立工業研究所 2，大研化学工業 3，奥野製薬 4○
重宗 翼 1，小泉 淳 1，柏木行康 2，垣内宏之 3，竹村康孝 4，
山本真理 2，斉藤大志 2，高橋雅也 2，大野敏信 2，中許昌美 2，
青柳伸宜 3，吉田幸雄 3，村橋浩一郎 4，大塚邦顕 4，藤原康文 1
2 InP の陽極酸化反応に関する研究
農工大工 ○（M1C）岩崎太平，森下義隆
3 両面陽極酸化ポーラスアルミナの ReRAM 動作
農工大工 ○（M1）小川大翔，森下義隆，細野貴也△ 4 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた実動作中 SiC-DMOSFET の断面観察
東北大 ○茅根慎通，長 康雄△ 5 F 級増幅器における InGaAs-HEMT ゲート寄生遅延時間の影響
東北大通研 1，東理大理工 2 ○吉田智洋 1，小山雅史 2，
渡邊邦彦 2，楳田洋太郎 2，尾辻泰一 1，末光哲也 1
6 貫通転位が InSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析
東理大院基礎工 1，情報通信研究機構 2 ○初芝正太 1，長井彰平 1，
藤川紗千恵 1，原 紳介 2，遠藤 聡 2，渡邊一世 1,2，
笠松章史 2，藤代博記 1,2

休憩

10:30 〜 10:45△ 7 GaAsSb/InGaAs ヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネル FET における SSと ON 電流のボディ幅依存性
東工大 ○（M2）大橋一水，藤松基彦，宮本恭幸
8 プレーナードープ GaAsSb トンネルダイオードの 170GHz 感度特性
富士通 1，富士通研 2 ○高橋 剛 1,2，佐藤 優 1,2，中舍安宏 1,2，
芝 祥一 1,2，原 直紀 1,2，岩井大介 2
9 表面活性化接合を用いた基板トランスファ InP HBT 作製に関する検討
NTT フォトニクス研 1，東大 2 ○白鳥悠太 1，柏尾典秀 1，
栗島賢二 1，星 拓也 1，日暮栄治 2，松崎秀昭 1△ 10 CBr4流量変調による InP 系 DHBT の組成傾斜 InGaAsSb ベース形成
NTT フォトニクス研 1，NTT 物性基礎研 2，筑波大院 3 ○（D）星 拓也 1,3，
柏尾典秀 1，杉山弘樹 1，横山春喜 1，栗島賢二 1，井田 実 1，
松崎秀昭 1，神徳正樹 1，後藤秀樹 2,3
11 f t/f max>450GHz の高周波特性を有する高電流利得 InP/InGaAs DHBTNTT フォトニクス研 ○柏尾典秀，栗島賢二，井田 実，松崎秀昭

昼食12:00 〜 14:00

17p-A27 - 1 〜 14

1 GaN 基板上 MOCVDn-GaN で観測されるトラップの濃度分散
愛知工大 ○宮本一輝，徳田

結晶工学▲ 2 Influence of intentional impurities (O, C) on the epitaxial GaN layers
properties
TUS1，AL2 〇 (P)Yaxin Wang1，Takashi Teramoto2，Kazuhiro Ohkawa1
3 変調ドープ GaN キャップ層を有する AlGaN/GaN ヘテロ構造における ホー
ル移動度の温度依存性
名工大 1，ULVAC2 ○安藤彰浩 1，長田大和 2，
上村隆一郎 2，分島彰男 1，江川孝志 1
4 AlGaN/GaN ヘテロ接合界面トラップのコンダクタンス法解析
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2 ○馬場俊之 1，川那子高暢 2，
角嶋邦之 2，片岡好則 2，西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，
筒井一生 2，名取研二 1，岩井 洋 1
5 硬Ｘ線光電子分光を用いた金属 /AlGaN/GaN のバンド構造の解析
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2，東京都市大 3 ○大賀一樹 1，
陳 江寧 1，川那子高暢 2，角嶋邦之 2，野平博司 3，片岡好則 2，
西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，筒井一生 2，
名取研二 1，岩井 洋 1
6 格子整合系 InAlN/AlGaN 2DEG ヘテロ構造の MOCVD 成長と評価
名工大 ○藤田 周，三好実人，江川孝志
7 MOVPE 法を用いた Si 添加 AlInN/GaN ヘテロ接合の電気的特性
名城大理工 1，名大・赤﨑記念研究センター 2 ○池山和希 1，安田俊輝 1，
小塚祐吾 1，堀川航佑 1，竹内哲也 1，上山 智 1，岩谷素顕 1，赤﨑 勇 1,2

休憩

15:45 〜 16:00▲ 8 RTA of MOVPE-grown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation
Univ. of Fukui1，JST-CREST2，Osaka City Univ.3 〇 Mdtanvir Hasan1,2，
A. Mihara1,2，N. Shigekawa3，A. Yamamoto1,2，M. Kuzuhara1
9 Si 基板上に成長した AlGaN/GaN HEMT エピにおけるバッファ構造と耐圧の関係
NTT PH 研 ○渡邉則之，田邉真一，前田就彦，松崎秀昭
10 AlGaN/GaN 系 P チャネル型 HFET におけるリーク電流制御
東工大総理工 1，東工大フロンティア研 2，産総研 3 ○萱沼 怜 1，
久保田俊介 1，中島 昭 3，西澤伸一 3，大橋弘通 2,3，
筒井一生 1，角嶋邦之 1，若林 整 1，岩井 洋 2△ 11 非接触超音波共振法による高温における高抵抗 GaN のキャリアダイナミクスの研究
阪大院基礎工 1，阪大院工 2 ○（M2）筒井裕貴 1，荻 博次 1，中村暢伴 1，
森 勇介 2，今出 完 2，吉村政志 2，平尾雅彦 1
12 THz エリプソメトリーによるサファイア基板上 GaN 膜の電気特性測定
日邦プレシジョン 1，名城大 2，摂南大 3，立命館大 4 ○藤井高志 1,4，
岩本敏志 1，佐藤幸徳 1，上山 智 2，長島 健 3，荒木 努 4
13 Mg ドープ AlGaN による AlGaN/GaN HFET 型紫外フォトセンサーの高性能化
名城大理工 1，名大・赤崎記念研究センター 2 ○山本雄磨 1，村瀬卓弥 1，
草深敏匡 1，岩谷素顕 1，竹内哲也 1，上山 智 1，赤﨑 勇 1,2
14 Radiation Hard AlGaN/GaN Heterostructure- Micro-Hall Sensors
豊橋技大工 1，豊橋技大アイリス 2，日本原子研 3
Abdelkader Abderrahmane1，○高村 司 2，佐藤真一郎 3，
大島 武 3，岡田 浩 1,2，アダルシュ サンドゥー 1,2-----------------------------------------------------------------------------------15.4 III-V 族窒化物結晶
9 月 17 日 9:00 〜 18:45
17a-C5 - 1 〜 10

1 六方晶窒化ホウ素薄膜の減圧 CVD 成長
静岡大院工 1，静岡大工 2，静岡大電子研 3，静岡大創造大院 4 ○梅原直己 1，
増田 敦 1，清水乙生 2，光野徹也 1，小南裕子 1，原 和彦 3,4
2 BGaN 成長における基板依存性の検討
静大院工 1，静大電研 2 ○（M1）上山浩平 1，渥美勝浩 1，
三村秀典 2，井上 翼 1，青木 徹 2，中野貴之 1
3 反応性プラズマ支援成膜法により形成した BN 膜の構造と機械特性 —基板バ
イアス電圧依存性—
神港精機 1，兵庫工試 2，京大院工 3，阪大産研 4 ○野間正男 1，
山下 満 2，江利口浩二 3，長谷川繁彦 44 GaN(0001) 上に形成した窒化鉄の構造と電気的磁気的特性の評価
阪大産研 山内翔太，米岡 賢，山口明哲，○長谷川繁彦
5 ECR-MBE 法で作製したグラフェン単層膜付 /SiO2/Si(001) 基板上 GaN 薄膜 (t〜 250nm) 成長におけるグラフェン単層膜の影響 (II)楠 1，
大阪工大 1，東工大 2，神奈川県産技センター 3 ○淀 徳男 1，楊石川智暁 1，金子 智 3,2，塩尻大士 2，松田晃史 2，吉本 護 2

休憩

10:15 〜 10:30

6 MOMBE を用いた GaN 初期成長に与えるその場 N2マイクロプラズマ処理の効果
名城大理工 1，静岡大工 2 ○鈴木陽平 1，日下部安宏 1，
丸山隆浩 1，成塚重弥 1，清水一男 2，金田省吾 2△ 7 PAMBE 法による AlN/GaN 多層構造作製における極薄 GaN 層の成長制御性に関する検討
京大院工 ○金子光顕，木本恒暢，須田 淳△ 8 規則配列 GaN ナノコラムの細線化〜コラム径 34 nm のナノコラムの実現〜
上智大理工 1，上智大ナノテク 2 ○加納達也 1,2，大音隆男 1,2，
水野祐太郎 1,2，吉田 純 1,2，宮川 倫 1,2，岸野克巳 1,2

豊

（ 115
115 ）

15

結晶工学

9 パターニングによる AlN スパッタ膜上窒化物ナノコラムの結晶品質制御
上智大 1，上智大ナノテク 2 ○福島大史 1，林 宏暁 1，今野裕太 1，
岸野克巳 1,2
10 スパッタ成膜 AlN 上単結晶ナノコラムのフリップチップボンディング
上智大 1，上智大ナノテク研究センタ 2 ○林 宏暁 1，富松大典 1，
福島大史 1，野間友博 1，野村一郎 1，岸野克巳 1,2

昼

食11:45 〜 13:15

17p-C5 - 1 〜 18

1 「応用物理学会解説論文賞受賞記念講演」（30 分）
ワイドギャップ半導体材料−花満開に向けて−

京大 ○藤田静雄
2 周期溝加工 (22-43) サファイア基板上半極性面 (20-21)GaN の微視的結晶構
造解析
阪大院基礎工 1，山口大院理工 2，JASRI/SPring-83 ○（M2）荒内琢士 1，
竹内正太郎 1，橋本健宏 2，中村芳明 1，今井康彦 3，山根啓輔 2，岡田成仁 2，木村 滋 3，只友一行 2，酒井 朗 1
3 X 線回折法による半極性 (20-21)GaN 膜の膜厚・成長条件依存性評価
阪大院基礎工 1，山口大院理工 2 ○（M1）内山星郎 1，竹内正太郎 1，
荒内琢士 1，橋本健宏 2，中村芳明 1，山根啓輔 2，岡田成仁 2，只友一行 2，酒井 朗 1
4 放射光 X 線による Na フラックス法 GaN 単結晶基板の結晶性評価
兵県大院物質理 1，兵庫放射光ナノテク研 2，阪大院工 3 ○（M2）福田修平 1，
津坂佳幸 1，高野秀和 1，篭島 靖 1，野瀬惣市 2，竹田晋吾 2，横山和司 2，松井純爾 2，今西正幸 3，轟 夕摩 3，丸山美帆子 3，
今出 完 3，吉村政志 3，森 勇介 3
5 ハイドライド気相成長における GaN テンプレートの品質が GaN 基板に与える影響
山口大院理工 ○江上卓也，山本健志，稲垣卓志，
板垣憲広，岡田成仁，只友一行
6 HVPE 成長した半極性 {20-21} 面 GaN と {20-2-1} 面 GaN の結晶性比較1
山口大 ，豊橋技術科学大 2 ○橋本健宏 1，稲垣卓志 1，
中尾洸太 1，山根啓輔 2，岡田成仁 1，只友一行 1

休憩

15:00 〜 15:15

7 Ga2O を用いた GaN 気相成長法における温度分布の影響
阪大院工 1，伊藤忠プラスチックス 2 ○高津啓彰 1，谷山雄紀 1，重田真実 1，
隅 智亮 1，北本 啓 1，今出 完 1，吉村政志 1，伊勢村雅士 2，森 勇介 1
8 Ga2O を Ga 源とした GaN 結晶成長における種基板表面状態の影響
淵 1，高津啓彰 1，
阪大院工 1，伊藤忠プラスチックス 2 ○北本 啓 1，卜重田真実 1，隅 智亮 1，今出 完 1，吉村政志 1，伊勢村雅士 2，森 勇介 1
9 AlN の HVPE 高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因
農工大院工 1，トクヤマ 2，HexaTech, Inc.3，North Carolina State
University4 ○東城俊介 1，田中凌平 1，額賀俊成 1，富樫理恵 1，
永島 徹 2，木下 亨 2，Baxter Moody3，村上 尚 1，
Ramon Collazo4，熊谷義直 1，Zlatko Sitar3,4△ 10 多元溶媒窒化法を用いた単結晶 AlN ウィスカーの合成
名大院工 1，名大エコトピア研 2 ○（M2）陳 鳴宇 1，永冶 仁 1，渡邉将太 1，
竹内幸久 1，原田俊太 1，荒井重勇 2，田川美穂 1，宇治原徹 1△ 11 AlN 溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定
名大院工 ○（M2）永冶 仁，陳 鳴宇，渡邉将太，
竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹

休憩

16:30 〜 16:45

12「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30 分）
Epitaxial Growth of III-Nitride/Graphene Heterostructures forElectronic Devices
米海軍研 ○ Neeraj Nepal，Virginia D. Wheeler，Travis J. Anderson，Francis J. Kub，Michael A. Mastro，Rachael L. Myers-Ward，Syed B. Qadri，Jaime A. Freitas Jr.，Sandra C. Hernandez，Luke O. Nyakiti，Scott G. Walton，Kurt Gaskill，Charles R. Eddy, Jr.
13 前駆体二段階生成 HVPE 法による窒化イットリア安定化ジルコニア (111) 基
板上への高速 InN 成長
東京農工大院工 ○小島千恵，富樫理恵，村上 尚，熊谷義直，纐纈明伯△ 14 反応性スパッタ法による GaN 薄膜のエピタキシャル成長
青学大理工 1，産総研 2 ○磯崎勇児 1，山下雄一郎 2，八木貴志 2，
賈 軍軍 1，竹歳尚之 2，中村新一 1，重里有三 1
15 反応性パルス DC スパッタ法により作製した AlN 膜の表面構造および結晶性に及ぼすスパッタ圧力の影響
東北大多元研 ○（M1）竹内洋仁，大塚 誠，福山博之
16 パルススパッタ法による hcp 金属基板上への窒化物薄膜成長
東大 1，JST-CREST2 ○金 惠蓮 1，太田実雄 1，田中龍太 1，
小林 篤 1，上野耕平 1，藤岡 洋 1,2
17 UHV スパッタエピタキシー法による InN 層の成長 ( Ⅱ )東京電機大工 ○（M2）多田暁由，小橋勇希，福井 迪，
神田赳志，篠田宏之，六倉信喜
18 UHV スパッタエピタキシー法による InN 層の成長 (III)
東京電機大工 ○（M2）福井 迪，小橋勇希，多田暁由，
神田赳志，篠田宏之，六倉信喜------------------------------------------------------------------------------------

15.4 III-V 族窒化物結晶
9 月 18 日 8:30 〜 19:15
18a-C5 - 1 〜 15

1 低温 PL を利用した InGaN における In 分布の製膜条件依存性
東大院工 1，エアリキード 2 ○鈴木雄大 1，百瀬 健 1，寺本 喬 2，
Christian Dussarrat2，藤井克司 1，杉山正和 1，霜垣幸浩 1△ 2 GaInN/GaN ヘテロ接合における格子緩和の評価
名城大理工 1，名古屋大赤﨑記念研究センター 2 ○（M1）石原耕史 1，
近藤保成 1，松原大幸 1，岩谷素顕 1，竹内哲也 1，
上山 智 1，赤﨑 勇 1,2△ 3 高 InN モル分率 GaInN を用いたトンネル接合（2）
名城大 1，名大・赤崎記念研究センター 2 ○（M2）南川大智 1，井野匡貴 1，
高須賀大貴 1，岩谷素顕 1，竹内哲也 1，上山 智 1，赤﨑 勇 1,2△ 4 サファイア基板上 MOVPE 成長 N 極性面 ()InGaN を用いた赤・緑・青
色発光ダイオードの作製
東北大金研 1，JST, CREST2 ○正直花奈子 1，崔 正焄 1，谷川智之 1,2，
窪谷茂幸 1，花田 貴 1,2，片山竜二 1,2，松岡隆志 1,2
5 MOVPE 法を用いた GaN 両極性同時成長における極性界面形成メカニズムの検討
静大院工 ○（M1）久瀬健太，藤田陽平，井上 翼，中野貴之
6 MOVPE 選択成長による GaN ナノコラムのマスクパターン依存性
名城大理工 1，名大・赤崎記念研究センター 2 ○水野尚之 1，加藤嵩裕 1，
上山 智 1，竹内哲也 1，岩谷素顕 1，赤崎 勇 1,2
7 サファイア基板のサーマルクーリング
三重大工 ○林 家弘，鈴木周平，岡田俊祐，三宅秀人，平松和政

休憩

10:15 〜 10:30△ 8 有機金属気相成長法による ScAlMgO4(0001) 基板上 (In)GaN エピタキシャル層の作製と評価
京大院工 ○（D）尾崎拓也，船戸 充，川上養一
9 CO ガスを用いた Si 表面炭化により形成した SiC 層の微細構造評価
東北大金研 1，東北大多元研 2 ○出浦桃子 1，大野 裕 1，
福山博之 2，米永一郎 1
10 MOCVD による 4 インチ Si(110) 基板上への GaN 成長 ‐ 薄い AlN/GaN 超格
子中間層の周期数の影響 ‐産総研 ○沈 旭強，高橋言緒，井手利英，清水三聡△ 11 サファイア基板の窒化による AlN の結晶性改善と AlGaN 量子井戸の発光強度の向上
京大院工 ○柴岡真実，船戸 充，川上養一△ 12 CL マッピング測定を用いた AlGaN 系半導体における支配的な非輻射再結合
経路の直接観察京大院工 1，JFE ミネラル 2 ○（D）市川修平 1，
船戸 充 1，岩﨑洋介 2，川上養一 1
13 m 面 GaN 基板上に成長した Al 1-xInxN エピタキシャル薄膜の偏光特性
東北大多元研 1，三菱化学 2 ○小島一信 1，池田宏隆 2，藤戸健史 2，秩父重英 1
14 自立 GaN 基板上 m 面 Al1-xInxN エピタキシャル薄膜の発光特性 (II)
東北大多元研 1，三菱化学 2 ○秩父重英 1，石川陽一 1，
大友友美 1，古澤健太郎 1，池田宏隆 2，藤戸健史 2
15 高 Al 組成 p-AlGaN 層の Mg ドーピング特性
NTT 物性基礎研 ○奥村宏典，谷保芳孝，山本秀樹

昼食12:30 〜 13:30

18p-C5 - 1 〜 19

1 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30 分）
Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting
Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor
Phase Epitaxy
トクヤマ 1，神戸大 2，HexaTech3，情通機構 4，農工大 5，
ノースカロライナ大 6 ○木下 亨 1,2，小幡俊之 1，
永島 徹 1，柳 裕之 1，Baxter Moody3，
三田清二 3，井上振一郎 2,4，熊谷義直 5，纐纈明伯 5，Zlatko Sitar3,6
2 GaN/AlN/GaN フォトカソードにおける AlN 成長温度依存
東大院工 1，GS+I2 ○中村亮裕 1，藤井克司 2，杉山正和 1，中野義昭 1
3 高キャリア濃度 Si ドープ n 型 Al0.03Ga0.97N 上の Ag 電極を用いた高反射電極の検討
名城大理工 1，名大赤﨑研究記念センター 2 ○河合俊介 1，飯田大輔 1，
岩谷素顕 1，竹内哲也 1，上山 智 1，赤﨑 勇 1,2▲ 4 High light-extraction efficiency induced by evanescent wave coupling
effect in GaN-based light-emitting diodes
AIST1，Asahi Kasei Corp.2 ○（P）Guodonog Hao1，Ahmed Mohammed
Jahir1，Tokio Takahashi1，Mitsuaki Shimizu1，Xue-Lun Wang1，
Hiroyuki Kishi2，Yukiko Hayashi2，Keigo Takeguchi2
5 ZnO 透明電極を用いた GaN 系 LED の特性改善
名古屋工大 ○赤塚雄太，江川孝志，三好実人
6 III 族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流狭窄構造の低抵抗化
名城大理工 1，名大赤崎記念センター 2 ○井野匡貴 1，南川大智 1，
竹内哲也 1，上山 智 1，岩谷素顕 1，赤﨑 勇 1,2
7 窒化物半導体発光トランジスタの高速光出力変調
NTT 物性研 ○熊倉一英，山本秀樹

（ 116
116 ）

休

憩

15:30 〜 15:45

15

8 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30 分）
Remarkably Suppressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001)
InGaN Green Laser Structure
京大 1，日亜化学 2 ○船戸 充 1，金 潤碩 1，平 貴之 1，
金田昭男 1，川上養一 1，三好 隆 2，長濱慎一 2△ 9 変調分光法による InGaN/GaN LED の内部電界の観測
東北大金研 1，JST-CREST2，名大院工 3，赤﨑記念研究センター 4○
谷川智之 1,2，片山竜二 1,2，正直花奈子 1，窪谷茂幸 1，
松岡隆志 1,2，本田善央 3，天野 浩 3,4
10 水素雰囲気異方性熱エッチング (HEATE) 法で作製した InGaN/GaN 量子井戸
ナノ構造の光学特性評価
上智大理工 1，上智大ナノテクセンター 2 ○蜂屋 諒 1，
喜多 諒 1，菊池昭彦 1,2
11 水素雰囲気異方性熱エッチング (HEATE) 法による GaN ナノ構造作製とその熱力学的解析
上智大理工 1，上智大ナノテクノロジー研究センター 2○
喜多 諒 1，蜂屋 諒 1，菊池昭彦 1,2
12 分子動力学法による窒化物半導体の超格子構造の格子歪み解析
三重大院工 1，九大応力研 2 ○（M2）雨川将大 1，吉村善徳 1，
河村貴宏 1，鈴木泰之 1，寒川義裕 2，柿本浩一 2
13 AlN 半極性面における表面再構成および Al 原子の吸着脱離に関する理論的検討
三重大院工 ○竹本圭孝，秋山 亨，中村浩次，伊藤智徳
14 GaN テンプレート基板と Si 基板の常温ウェハ接合
豊技大工 1，EIIRIS2 ○土山和晃 1，田原浩行 1，山根啓補 1，
関口寛人 1，岡田 浩 1,2，若原昭浩 1休憩

17:45 〜 18:00

15 GaN 成長表面における C-N 結合エネルギーの第一原理計算
三重大院工 1，阪大院工 2 ○河村貴宏 1,2，今林弘毅 2，丸山美帆子 2，
今出 完 2，吉村政志 2，森 勇介 2，森川良忠 2
16 Na フラックス法による半極性面透明 GaN バルク結晶育成
阪大院工 1，パナソニック 2 ○中村亘志 1，高澤秀生 1，丸山美帆子 1，
今出 完 1，吉村政志 1，崔 成伯 1,2，森田幸弘 1,2，森 勇介 1
17 Ga-Al フラックスを用いた液相成長法による低酸素分圧下での Al 極性 AlN
膜の作製
東北大多元研 1，住友金属鉱山 2 ○（M1）関谷竜太 1，安達正芳 1，
大塚 誠 1，杉山正史 2，飯田潤二 2，福山博之 1
18 酸性アモノサーマル法による高品位 GaN 高速育成
東北大多元研 1，三菱化学 2，日本製鋼所 3 ○斉藤 真 1,2，包 全喜 1,3，
栗本浩平 1,3，冨田大輔 1，小島一信 1，山崎芳樹 1，鏡谷勇二 2，
焜 1，石黒 徹 1，横山千昭 1，秩父重英 1
茅野林造 3，喬△ 19 メサ加工テンプレート基板を用いた電流制御型液相成長による GaN 横方向成長
名城大 ○高倉宏幸，冨田将史，神林大介，岩川宗樹，水野陽介，
山田純平，安井亮太，丸山隆浩，成塚重弥-----------------------------------------------------------------------------------15.4 III-V 族窒化物結晶
9 月 19 日
19p-PB6 - 1 〜 26

19p-PB6 - 1 〜 26

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 物性値変化を考慮したアモノサーマル法による GaN バルク単結晶育成時の熱流体解析
産総研 1，東北大多元研 2 ○増田善雄 1，金久保光央 1，冨田大輔 2，
横山千昭 2△ 2 Na フラックス法におけるポイントシード上結合結晶の膜厚と反りの関係
阪大院工 ○今西正幸，轟 夕摩，村上航介，今林弘毅，松尾大輔，
高澤秀生，丸山美帆子，今出 完，吉村政志，森 勇介
3 r 面サファイア基板上における a 面 GaN 成長に関する検討
名城大理工 1，東京理大 2，立命館大 3，福田結晶技術 4，
名大・赤﨑記念研究センター 5 ○加藤貴久 1，水野尚之 1，
伊藤弘晃 1，飯田大輔 2，藤井高志 3，福田承生 4，
上山 智 1，竹内哲也 1，岩谷素顕 1，赤﨑 勇 1,5
4 SiN マスクによる GaN 選択成長における成長前プロセスの検討
東工大総理工 1，東工大フロンティア研 2，産総研 3 ○シン マン 1，
萱沼 怜 1，武井優典 1，高橋言緒 3，井手利英 3，清水三聡 3，
筒井一生 1，角嶋邦之 1，若林 整 1，片岡好則 2，岩井 洋 2
5 RF-MBE 法を用いた GaN 成長が疑似 Al 基板に与える影響
工学院大 1，東京高専 2 ○（M2）大澤真弥 1，渡邉悠斗 1，
尾沼猛儀 1,2，山口智広 1，本田 徹 1
6 疑似 Al 基板上 GaN 薄膜のフォトルミネッセンス評価
工学院大 1，東京高専 2 ○渡邉悠斗 1，大澤真弥 1，
尾沼猛儀 1,2，山口智広 1，本田 徹 1▲ 7 Study on Homo-Epitaxial Growth of GaN by Radical-Enhanced Metal△		 Organic Chemical Vapor Deposition (REMOCVD)
Nagoya Univ. ○（P）Yi Lu，Osamu Oda，Hiroki Kondo，Kenji Ishikawa，Makoto Sekine，Masaru Hori
8 3D プリンターを用いた流速支援 GaN 液相成長用ボートの設計
名城大理工 ○岩川宗樹，高倉宏幸，冨田将史，神林大介，
安井亮太，水野陽介，山田純平，丸山隆浩，成塚重弥

結晶工学

9 RF-MBE 法による r 面サファイア基板上への a 面 InN 成長
早大理工 ○前田理也，畑 泰希，山崎隆弘，山根悠介，牧本俊樹
10 金属マスクを用いた昇華法 AlN の選択成長
名大院工 1，赤崎記念研究センター 2 ○袴田涼馬 1，本田善央 1，天野 浩 1,2
11 InGaN 系発光ダイオードにおける発光層直下の超格子の周期が光学的特性に与える影響
山口大院理工 ○岡田成仁，山田陽一，只友一行
12 InGaN 系発光ダイオードにおける発光層直下の超格子が電気的特性に与える
影響
山口大院理工 ○岡田成仁，山田陽一，只友一行
13 InGaN 量子井戸構造における輻射・非輻射再結合ダイナミクスの In 組成比依存性
山口大院・理工 ○平生英之，乾 隆登，田中勇介，
倉井 聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一
14 InGaN 量子井戸構造における暗点近傍の微視的発光分布
山口大院理工 ○細川大介，立山裕基，三原練磨，藤井 翔，
倉井 聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一
15 加圧 MOVPE 法を用いた半極性面上 InGaN/GaN 多重量子井戸の成長
1
名大院工 ，赤崎記念研究センター 2 ○田村 彰 1,2，本田善央 1,2，
天野 浩 1,2
16 Eu 添加 GaN を用いた選択成長によって形成した半極性面上における InGaN/
GaN 多重量子井戸の発光特性
阪大院工 1，京大院工 2 ○児島貴徳 1，高野翔太 1，長谷川亮介 1，
Dolf Timmerman1，小泉 淳 1，船戸 充 2，川上養一 2，藤原康文 1
17 AlGaN 系量子井戸構造の高温 PLE 測定
山口大院理工 1，三重大院工 2 ○福野智規 1，中村豪仁 1，和泉 平 1，
倉井 聡 1，三宅秀人 2，平松和政 2，山田陽一 1
18 AlGaN 混晶薄膜の高温 PLE 測定
山口大院理工 1，三重大院工 2 ○中尾文哉 1，長坂智幸 1，鶴丸拓斗 1，
倉井 聡 1，三宅秀人 2，平松和政 2，山田陽一 1
19 Si 濃度の異なる Al0.61Ga0.39N 混晶薄膜のカソードルミネッセンス法による局
所スペクトル評価
山口大院理工 1，三重大院工 2 ○倉井 聡 1，
三宅秀人 2，平松和政 2，山田陽一 1
20 低温 AlN スペーサを用いた InAlN/GaN ヘテロ構造の特性改善
名工大院 ○（M2）伊藤達也，渡邉 新，井上恵太，江川孝志
21 AlGaN 系 UVC LED への透明 p-AlGaN 超格子ホール横拡散層の導入
理研 ○前田哲利，定 昌史，平山秀樹
22 III-V 族窒化物太陽電池特性の p-GaN 層 Mg doping と InGaN 層のキャリア
密度依存性物材機構 1，JST-ALCA2，工学院大 3，中部大 4 ○角谷正友 1,2，
本田 徹 3，Liwen Sang1，中野由崇 4，長谷川文夫 4▲ 23 Detail Study on Lattice Deformation and Recovery of GaN by Mg-ionimplantation and the Subsequent Thermal Annealing
Nagoya Univ.1，Akasaki Research Center2，Nissin Ion Equipment
Co., Ltd.3，Nissin Electric Co., Ltd.4 ○（DC）Zheng Sun1，
Marc Olsson1，Di Lu1，Tsutomu Nagayama3，
Tetsuya Watanabe4，Yoshio Honda1，
Hiroshi Amano1,2
24 逆バイアス下光電流測定による SRH モデル修正
名大院工 1，赤﨑記念研究センター 2 ○宇佐美茂佳 1，本田善央 1，
天野 浩 1,2▲ 25 Realization of vertically well-aligned GaN nanowire based core-shellarray growth by MOVPE : Morphology evolution and luminescent
properties
Nagoya Univ1，NIMS2 ○（D）Byungoh Jung1，Si-Young Bae1，
Masataka Imura2，Yoshio Honda1，Hiroshi Amano1
26 混晶半導体の電子状態に対する新しい計算法：IQB
和歌山大シス工 ○篠塚雄三-----------------------------------------------------------------------------------15.4 III-V 族窒化物結晶
9 月 20 日 8:30 〜 15:00
20a-C5 - 1 〜 12

1 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30 分）
Photoluminescence Excitation Spectroscopy on Single GaN QuantumDots
東大 1，ヴロツワフ工科大 2 Pawel Podemski1,2，○ Mark Holmes1，
加古 敏 1，有田宗貴 1，荒川泰彦 12 AlxGa1-x(x < 0.25) 薄膜中における局在中心の構造・光学評価
東大生産研 1，東大ナノ量子機構 2 ○壹岐太一 1，
有田宗貴 2，加古 敏 1，荒川泰彦 1,2
3 AlxGa1-xN(x<0.25) 薄膜中局在中心からの狭い PL 発光線幅 [40 μeV] の観測
東大ナノ量子機構 1，東大生研 2 ○有田宗貴 1，
壹岐太一 2，加古 敏 2，荒川泰彦 1,2△ 4 InGaN ナノコラムにおける発光寿命のコラム直径依存性
上智大理工 1，上智ナノテク 2 ○水野祐太郎 1,2，大音隆男 1,2，
加納達也 1,2，宮川 倫 1,2，吉田 純 1,2，岸野克巳 1,2
5 InGaN 系ナノコラムにおける面内発光分布とキャリアダイナミクス
上智大理工 1，上智大ナノテク 2，京大院工 3 ○大音隆男 1,2，水野祐太郎 1,2，
宮川 倫 1,2，加納達也 1,2，吉田 純 1,2，船戸 充 3，川上養一 3，
岸野克巳 1,2

（ 117
117 ）

休

憩

10:00 〜 10:15

15

結晶工学

6 InGaN/GaN 規則配列ナノコラムの光励起キャリアダイナミクス I
上智大理工 1，上智大ナノテク 2 ○下迫直樹 1，
猪瀬裕太 1，江馬一弘 1,2，岸野克巳 1,2
7 InGaN/GaN 規則配列ナノコラムの光励起キャリアダイナミクス II
上智大理工 1，上智ナノテク 2 ○（PC）猪瀬裕太 1，
下迫直樹 1，江馬一弘 1,2，岸野克巳 1,2
8 InGaN 系ナノコラムフォトニック結晶における自己形成型キャップレイヤ
モード
上智大理工 1，上智ナノテク 2 ○澄川雄樹 1，石沢峻介 1，岸野克巳 1, 2
9 ナノコラムフォトニック結晶のレーザー応用に向けた PL 放射特性の評価
上智大理工 1，上智大ナノテク 2 ○（PC）石沢峻介 1，
澄川雄樹 1，本山 界 1，岸野克巳 1,2△ 10 (001)Si 基板上半極性面 InGaN 光共振器の誘導放出特性
名大院工 1，赤崎研究センター 2 ○久志本真希 1，本田善央 1，天野 浩 1,2△ 11 SNOM を用いた (0001)GaN 基板上 InGaN 単一量子井戸におけるキャリアダ
イナミクス評価
京大院工 1，日亜化学 2 ○平 貴之 1，船戸 充 1，
川上養一 1，三好 隆 2，長濱慎一 2
12 InGaN 量子井戸構造における非輻射再結合寿命と内部量子効率の励起エネル
ギー密度依存性
豊田高専 1，山口大院理工 2，名大院工 3 ○室谷英彰 1，
杉浦藤虎 1，山田陽一 2，本田善央 3，天野 浩 3

昼

食12:00 〜 13:00

20p-C5 - 1 〜 8

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）)InGaN/AlGaN 応力補償超格子の光学特性
半極性 (京大院工 ○西中淳一，船戸 充，川上養一
2 MOVPE 成長高 In 組成 InGaN 量子井戸構造の励起子緩和過程
東理大院理 ○長澤和輝，宮島顕祐，大川和宏
3 GaN におけるキャリア・励起子エネルギー緩和過程
千葉大工 1，三重大工 2 ○馬
蓓 1，山口裕暉 1，高橋賢治 1，後藤 圭 1，
竹内和真 1，岩堀友洋 1，森田 健 1，石谷善博 1，三宅秀人 2，平松和政 2
4 AlOx/AlN/GaN ヘテロ構造の発光特性
東京高専 1，工学院大 2，情通機構 3 ○尾沼猛儀 1-3，杉浦洋平 2,3，
山口智広 2，本田 徹 2，東脇正高 3
5 Eu ドープ AlGaN への Mg 共添加による影響
豊橋技科大工 1，山梨大院医工 2 ○金本匡祥 1，関口寛人 1，
酒井 優 2，東海林篤 2，岡田 浩 1，若原昭浩 1
6 Exciton-phonon interaction in AlGaN ternary alloys
NTT 物性研 ○ Ryan Banal，谷保芳孝，山本秀樹
7 混晶組成変調による Si 添加 AlGaN 多重量子井戸の発光効率向上
東北大多元研 1，三重大院工 2 ○山崎芳樹 1，古澤健太郎 1，小島一信 1，
中濵和大 2，三宅秀人 2，平松和政 2，秩父重英 1△ 8 顕微 PL 測定によるホモエピタキシャル AlGaN/AlN 量子井戸における LO
フォノンレプリカの観測
京大院工 ○（D）岩田佳也，市川修平，船戸 充，川上養一-----------------------------------------------------------------------------------15.5 IV 族結晶，IV-IV 族混晶
9 月 18 日
18p-PB10 - 1 〜 11

18p-PB10 - 1 〜 11

ポスターセッション

ポスター展示時間

13:30 〜 15:30▲ 1 Growth of compositionally homogeneous P-type Si1-xGex bulk crystal forthermoelectric application
RIE Shizuoka Univ1，Osaka Univ2，Shizuoka Insti Sci. and Tech3，
JAXA4，Anna Univ.5，BARC6 ○（DC）Omprakash Muthusamy1，
Arivanandhan Mukannan1，Tadanobu Koyama1，Yoshimi Momose1，
Hiroya Ikeda1，Hirokazu Tatsuoka1，Yasunori Okano2，
Tetsuo Ozawa3，Yuko Inatomi4，Moorthy Babu Sridharan5，
Dinesh Kumar Aswal6，Shovit Bhattacharya6，Yasuhiro Hayakawa1
2 めっき法 Ge 膜の Cu 誘起低温多結晶化
帝京科学大 ○内田恭敬，舩山朋子，木暮嘉明
3 Si 直上 Ge 薄膜形成におけるスパッタ電力の効果と表面平坦化の試み
東京農工大院工 1，情報通信研究機構 2 ○塚本貴広 1，広瀬信光 2，
笠松章史 2，三村高志 2，松井敏明 2，須田良幸 1
4 伸張歪み Si/ 緩和 SiGe/Si(110) の微細構造および電気的特性への熱処理の影
響
山梨大クリスタル研 1，名大 2，東京都市大総研 3 ○宇津山直人 1，
有元圭介 1，山中淳二 1，中川清和 1，宇佐美徳隆 2，澤野憲太郎 35 スパッタエピタキシー法による SiGe バッファを用いた歪 Si 層形成技術
東京農工大院工 1，情報通信研究機構 2 ○本橋 叡 1，広瀬信光 2，
笠松章史 2，三村高志 2，松井敏明 2，塚本貴広 1，須田良幸 1
6 イオン注入法で作製した圧縮歪み Si/Si1-xCx/Si(001) 構造の結晶性及びデバイ
ス特性評価
山梨大クリスタル研 1，名大 2，東京都市大総研 3 ○中込 諒 1，
酒井翔一朗 1，藤原幸亮 1，古川洋志 1，有元圭介 1，山中淳二 1，
中川清和 1，宇佐美徳隆 2，星 裕介 2，澤野憲太郎 3
7 歪み Si/Si1-XCx/Si(001) 構造の不純物活性化過程における結晶性及び電気特性評価
山梨大クリスタル研 1，名大 2，東京都市大総研 3 ○藤原幸亮 1，
酒井翔一朗 1，古川洋志 1，井上樹範 1，有元圭介 1，山中淳二 1，
中川清和 1，宇佐美徳隆 2，星 裕介 2，澤野憲太郎 38 高空間分解能 HXPES による一軸歪み量の違いが SiGe 価電子帯に与える影響の検出
都市大 1，高輝度光科学研究センター 2 ○山堀俊太 1，櫻井拓也 1，
米窪 駿 1，荒井 仁 1，澤野憲太郎 1，池永英司 2，野平博司 1
9 Ge1-x-ySixSnyエピタキシャル層の結晶性への伸長または圧縮歪の影響
名大院工 1，学振特別研究員 2 ○浅野孝典 1,2，寺島辰也 1，山羽 隆 1，
田岡紀之 1，竹内和歌奈 1，中塚 理 1，財満鎭明 1
10 選択的イオン注入法によるサブミクロン領域での SiGe 歪み制御
東京都市大 1，山梨大 2 ○船橋直貴 1，中川清和 2，澤野憲太郎 1
11 Al2O3 をゲート絶縁膜とした歪み Ge MOS 構造の電気特性
都市大総研 1，慶應大 2，Warwick 大 3 ○深山 剛 1，田中伸乃介 2，
田中貴久 2，ミロノフ マクシム 3，牧 秀之 2，
伊藤公平 2，澤野憲太郎 1-----------------------------------------------------------------------------------15.5 IV 族結晶，IV-IV 族混晶
9 月 19 日 9:30 〜 18:15
19a-A16 - 1 〜 10

1 引っ張り歪付与のための Ge ブリッジ構造の製作と評価
京工繊大 1，ICREA2，ICMAB-CSIC3 ○袖岡大輝 1，来馬英樹 1，
吉本昌広 1，Pablo Vaccaro2,3，Isabel Alonso3，
Miquel Garriga3，Alejandro Goni2,3△ 2 液浸ラマン分光法を用いた TO/LO フォノンスペクトル励起による高 Ge 濃度
歪 SiGe メサ構造の異方性 2 軸応力緩和の観測
明治大理工 1，産総研 GNC2，学振特別研究員 DC3 ○山本章太郎 1，
小瀬村大亮 1，富田基裕 1,3，武内一真 1，横川 凌 1，
臼田宏冶 2，小椋厚志 1△ 3 EBSP 法を用いた微細な歪 SiGe メサ構造に生じる応力緩和分布の Ge 濃度依
存性評価
明大理工 1，学振特別研究員 DC2，産総研 GNC3 ○富田基裕 1,2，
小瀬村大亮 1，臼田宏治 3，小椋厚志 1
4 液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪 SiGe/Siの異方性 2 軸応力評価
明治大理工 1，東京都市大 2，学振特別研究員 DC3 ○山本章太郎 1，
小瀬村大亮 1，富田基裕 1,3，武内一真 1，横川 凌 1，米倉瑛介 2，
澤野憲太郎 2，野平博司 2，小椋厚志 1
5 Si 基板上に直接成長させた Ge の TOF-SIMS 測定 (II)
物材機構量子ビーム U1，東大マテリアル工学 2 ○河野健一郎 1，
朴 成鳳 2，石川靖彦 2，和田一実 2
6 サブ原子層カーボンを用いた Si 基板上 Ge 薄膜の平坦性向上に関する検討
東北大院工 1，東北大工 2 ○畠山真慈 1，伊藤友樹 1，川島知之 1,2，
鷲尾勝由 1,2
7 Si-C 結合を利用した Ge ドットの形成温度に関する検討
東北大院工 ○佐藤佑紀，伊藤友樹，川島知之，鷲尾勝由△ 8 Ge バッファ層とサブ原子層カーボン導入による Ge/Si ミキシングの抑制
東北大院工 ○（M2）伊藤友樹，早瀬 凌，畠山真慈，川島知之，鷲尾勝由
9 MBE を用いた Si(100) 基板上の 2 段階 Ge 薄膜成長
東北大院工 ○早瀬 凌，伊藤友樹，川島知之，鷲尾勝由△ 10 貼り合わせ法による高移動度歪み GOI の作製
都市大総研 1，阪大基礎工 2，九大院シス情 3 ○長嶋智典 1，
勝俣洋典 1，浜屋宏平 2,3，宮尾正信 3，澤野憲太郎 1

昼

食12:00 〜 13:30

19p-A16 - 1 〜 18

1 太陽電池用 Ge 結晶における IV 族添加元素の安定性に関する第一原理解析 (2)岡山県立大院情報工 1，グローバルウェーハズ 2○（M2）
松谷 亮 1，末岡浩治 1，神山栄治 1,22 太陽電池用Ⅳ族混晶半導体のエネルギーバンド構造に関する基礎検討 (2)岡山県立大院情報工 1，グローバルウェーハズ 2○（M2）
須和 亮 1，末岡浩治 1，神山栄治 1,2
3 Ge1-xSnxエピタキシャル成長における水素サーファクタント導入の効果
名大院工 1，学振特別研究員 2 ○浅野孝典 1,2，田岡紀之 1，保崎航也 1，
竹内和歌奈 1，坂下満男 1，中塚 理 1，財満鎭明 1
4 スパッタエピタキシー法を用いた Si 直上への GeSn 薄膜の形成
東京農工大院工 1，情報通信研究機構 2 ○塚本貴広 1，広瀬信光 2，
笠松章史 2，三村高志 2，松井敏明 2，須田良幸 1
5 有機金属化学気相蒸着法による Ge1-x Snx薄膜成長名古屋大院工 1，学振特別研究員 2 ○犬塚雄貴 1，池 進一 1,2，
浅野孝典 1,2，竹内和歌奈 1，中塚 理 1，財満鎭明 1
6 MOCVD 法による Ge エピタキシャル成長 (2)
明治大 1，気相成長 2，豊田工大 3 ○須田耕平 1，石原聖也 1，澤本直美 1，
町田英明 2，石川真人 2，須藤 弘 2，大下祥雄 3，小椋厚志 1△ 7 MOCVD 法による Ge 基板上での Ge1-xSnxエピタキシャル成長
明治大 1，気相成長 2，豊田工大 3 ○須田耕平 1，石原聖也 1，澤本直美 1，
町田英明 2，石川真人 2，須藤 弘 2，大下祥雄 3，小椋厚志 1
8 Al 誘起成長 Ge 層の選択的アイランド除去と光学特性評価
筑波大院数理物質 ○中沢宏紀，都甲 薫，末益 崇
9 非 晶 質 Ge/ ガ ラ ス の Sn 誘 起 低 温 成 長 (70 ℃ ) に よ る 高 Sn 濃 度・ 多 結 晶
GeSn 薄膜の形成
筑波大院数理物質 ○大谷直生，都甲 薫，末益 崇

（ 118
118 ）

休

憩

15:45 〜 16:00

15

10 Al 誘起成長による Si 薄膜をテンプレートとした Si 薄膜の固相成長
名大 1，JST-PV innovation2 ○（M1）筋原康博 1，Sergii Tutashkonko1,2，
高橋 勲 1，宇佐美徳隆 1△ 11 レーザーアニールによる非晶質基板上への結晶ゲルマニウム薄膜形成
奈良先端大 ○高尾 透，堀田昌宏，山﨑浩司，石河泰明，浦岡行治
12 絶縁基板上における a-GeSn の極低温・高速固相成長 (<250oC)
九大院・システム情報 1，学振特別研究員 2 ○松村 亮 1,2，佐々木雅也 1，
知北大典 1，甲斐友樹 1，佐道泰造 1，宮尾正信 1△ 13 絶縁基板上における a-GeSn の極低温横方向固相成長 ( ≦ 250℃ ) －極低温
Sn 溶融核による位置制御－
九大シス情 ○知北大典，松村 亮，甲斐友樹，佐道泰造，宮尾正信△ 14 横方向液相成長法で作製した Si 基板上 GeSn 細線の初期結晶方位とその安定
性
阪大院工 ○冨永幸平，梶村恵子，天本隆史，細井卓治，志村考功，渡部平司△ 15 横方向液相エピタキシャル成長法により形成した GeSn-on-insulator 層の電気特性評価
阪大院工 ○梶村恵子，細井卓治，志村孝功，渡部平司△ 16 固相エピタキシャル成長法による高 Sn 組成（＞ 20％）SiSn 薄膜の創製
名大院工 1，学振特別研究員（PD）2 ○加藤元太 1，黒澤昌志 1,2，
山羽 隆 1，田岡紀之 1，中塚 理 1，財満鎭明 1
17 Si1-xSnx薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測
名大院工 1，学振 PD2，学振 DC3 ○黒澤昌志 1,2，柴山茂久 1,3，加藤元太 1，
山羽 隆 1，坂下満男 1，竹内和歌奈 1，中塚 理 1，財満鎭明 1
18 Poly-Ge、GeSn のキャリア輸送特性と熱伝導率
産総研ナノエレ 1，阪大院 2，九工大院 3，ル―ベン大 4 ○内田紀行 1，
前田辰郎 1，福田浩一 1，服部淳一 1，岡島真吾 2，大石佑治 2，
石丸 学 3，Lieten Ruben4，Jean-Pierre Locquet4-----------------------------------------------------------------------------------15.6 IV 族系化合物
9 月 17 日 9:00 〜 18:00
17a-A17 - 1 〜 13

1 二次元核形成理論を用いた SiC 昇華法成長における多形安定性の非定常解析
九大院工 1，九大応力研 2，産総研 3 ○（M2）荒木清道 1，高冰 2，
中野 智 2，西澤伸一 3，柿本浩一 1,2
2 高品質 4H-SiC 溶液成長における多形変化抑制メカニズム
名大院工 ○原田俊太，山本祐治，村山健太，青柳健大，
酒井武信，田川美穂，宇治原徹▲ 3 The investigation of step structure with different TSDs conversion
behavior during 4H-SiC solution growth
Nagoya University ○ Shiyu Xiao，Natsumi Hara，
Shunta Harada，Toru Ujihara△ 4 SiC 溶液成長法における種結晶形状の成長表面への影響と貫通らせん転位変換
名大院工 ○古池大輝，梅崎智典，原田俊太，田川美穂，酒井武信，宇治原徹
5 溶液法成長４Ｈ－ＳｉＣ基板上へのエピタキシャル成長
トヨタ自動車 ○関 章憲，旦野克典，大黒寛典，白井崇幸，
佐藤和明，別所 毅
6 4H-SiC における遷移金属の拡散メカニズムの提案
1
2
○
1
1
トヨタ自動車 ，京大工旦野克典 ，関 章憲 ，齋藤 信 1，白井嵩幸 1，
鈴木 寛 1，坂元秀光 1，佐藤和明 1，別所 毅 1，木本恒暢 27 溶液法基板上 4H-SiC エピタキシャル成長層における遷移金属の評価
トヨタ自動車 1，京大工 2 ○旦野克典 1，関 章憲 1，齋藤 信 1，白井嵩幸 1，
鈴木 寛 1，坂元秀光 1，佐藤和明 1，別所 毅 1，木本恒暢 2

休憩

10:45 〜 11:00△ 8 1 度オフ 4H-SiC Si 面エピタキシャル成長における積層欠陥密度の低減
FUPET1，産総研 2，ローム 3，パナソニック 4，東芝 5，日立 6○
升本恵子 1,2，浅水啓州 1,3，田村謙太郎 1,3，工藤千秋 1,4，
西尾譲司 1,5，児島一聡 1,2，大野俊之 1,6，奥村 元 1,2
9 2 度 off4H-SiC Si 面エピ成長における表面欠陥低減
FUPET1，ローム 2，パナソニック 3，産総研 4，東芝 5，日立製作所 6○
浅水啓州 1,2，工藤千秋 1,3，伊藤佐千子 1,4，升本恵子 1,4，
西尾譲司 1,5，田村謙太郎 1,2，児島一聡 1,4，大野俊之 1,6
10 150mmφ4H -SiC C 面エピ成長におけるキャリア濃度分布向上
FUPET1，東芝 2，ローム 3，パナソニック 4，産総研 5，日立 6○
西尾譲司 1,2，浅水啓州 1,3，工藤千秋 1,4，伊藤佐千子 5，
升本恵子 1,5，田村謙太郎 1,3，児島一聡 1,5，大野俊之 1,6
11 横型 CVD 装置を用いた SiC エピ膜成長における実効 C/Si 比変化
FUPET1，パナソニック 2，ローム 3，東芝 4，産総研 5，日立 6○
工藤千秋 1,2，升本恵子 1,5，浅水啓州 1,3，田村謙太郎 1,3，
西尾譲司 1,4，児島一聡 1,5，大野俊之 1,6
12 様々な傾斜角を有する微傾斜 SiC(0001) 表面のナノ周期構造
九大院工 ○福間洸平，花木智史，梶原隆司，
アントン ビシコフスキー，田中 悟
13 レーザーアブレーション法による AlN/Si 上への SiC ヘテロエピタキシャル成長
弘前大院理工 ○目黒一熙，成田次理，上村駿洋，中澤日出樹

昼食12:30 〜 14:00

結晶工学

17p-A17 - 1 〜 14

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
N2O 酸化により形成した 4H-SiC(0001) MOSFET に対する緩和無し Vth 変動評価
産総研先進パワエレ 1，富士電機 2 ○染谷 満 1,2，岡本 大 1，原田信介 1，
石森 均 1，高須伸次 1，畠山哲夫 1，武井 学 2，
児島一聡 1，米澤喜幸 1，福田憲司 12 SiC MOS 界面近傍の膜中欠陥モデルを用いた容量の過渡応答による遅い準位の定量的解析手法の提案
東大院工 1，JST さきがけ 2 ○藤野雄貴 1，菊地リチャード平八郎 1，
平井悠久 1，喜多浩之 1,2
3 SiC-MOSFET の過渡応答特性
FUPET1，産総研 2 ○先崎純寿 1,2，吉岡裕典 1,2，下里 淳 2，小林勇介 1，
有吉恵子 1，小島貴仁 1，原田信介 1,2，田中保宣 1,2，奥村 元 1,2
4 4H-SiC エピ膜の表面欠陥とゲート酸化膜信頼性
FUPET1，産総研 2，パナソニック 3，東レリサーチセンター 4○
石山 修 1,3，山田敬一 1,4，先崎純寿 1,2，北畠 真 1,3
5 SiC でもできたゲート酸化膜の信頼性向上
フェニテック ○南 眞嗣

休憩

15:15 〜 15:30△ 6 紫外光照射による SiC 基板表面への正孔供給を用いたゲート負電圧印加時の絶縁膜信頼性の評価手法
東芝研開セ ○大橋輝之，飯島良介，高尾和人△ 7 イオン照射を行った 4H-SiC MOSFET における絶縁破壊電界
徳島大 1，原子力機構 2，産総研 3 ○出来真斗 1,2，牧野高紘 2，
富田卓朗 1，児島一聡 3，大島 武 2
8 NF3 添加酸化で C 面上に作製した 4H-SiC MOS の界面特性
筑波大 ○花里耕平，蓮沼 隆，山部紀久夫
9 SiC 基板上 Si 薄膜のウェット酸化と界面構造の安定
大阪市立大 1，新日本無線 2 ○（PC）梁 剣波 1，林 朋宏 1，
西田将太 1，森本雅史 1，重川直輝 1，新井 学 2
10 n 形 3C-SiC へのゲートスタックの低温形成
九大総合理工学府 1，九大産学連携センター 2，エア ･ ウォーター研究所 3○
山本裕介 1，村山亮介 1，山本圭介 2，王冬 1，
中島 寛 2，菱木繁臣 3，川村啓介 3

休憩

16:45 〜 17:00△ 11 大気圧窒素プラズマ中レーザー照射による 4H-SiC 中への窒素ドーピング
九大 ○小島遼太，池上 浩，渡邊陽介，池田晃裕，
中村大輔，浅野種正，岡田龍雄
12 KrF エキシマレーザーの液体窒素中照射による 4H-SiC への N のドーピング○
九大
丸井大地，池田晃裕，池上 浩，浅野種正
13 TiC 電極，TiSi2 電極と SiC 基板の Schottky ダイオード特性評価
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2 ○鈴木智之 1，岡本真里 2，
宗清 修 2，角嶋邦之 2，片岡好則 2，西山 彰 2，杉井信之 2，
若林 整 2，筒井一生 2，名取研二 1，岩井 洋 1
14 アルファ粒子誘起過渡電荷を用いた 4H-SiC ショットキーバリアダイオード
中の欠陥準位評価
群馬大院理工 1，原子力機構 2，電中研 3 ○（M1）神林佑哉 1,2，小野田忍 2，
岩本直也 2，加田 渉 1，牧野高紘 2，星乃紀博 3，土田秀一 3，
大島 武 2，神谷富裕 2，花泉 修 1-----------------------------------------------------------------------------------15.6 IV 族系化合物
9 月 18 日 9:00 〜 17:15
18a-A17 - 1 〜 13

1 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15 分）
Improvement of Carrier Lifetimes in Highly Al-Doped p-Type 4H-SiC
Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation
京大 ○奥田貴史
2 SiC 中の単一発光源となる欠陥の探索
原子力機構 1，メルボルン大 2，RMIT 大 3，筑波大数理物質系 4，ハンガリー
科学アカデミー 5，群馬大理工 6 ○大島 武 1，小野田忍 1，牧野高紘 1，
岩本直也 1，Brett Johnson2，Alex Lohrmann2，T Karle2，
Jeffrey Mccallum2，Stefania Castelletto3，梅田享英 4，佐藤嘉洋 4，朱 煜偉 4，V Ivady5，Adam Gali5，
春山盛善 1,6，加田 渉 6，花泉 修 6▲ 3 Evaluation of stacking faults in 4H-SiC single crystal by using KOH
etching on non-polar {1-100} face and cathodoluminescence
JFCC1，Toyota Motor Corporation2，NIMS3 ○ Yongzhao Yao1，
Yukari Ishikawa1，Yoshihiro Sugawara1，Koji Sato1，
Takayuki Shirai2，Katsunori Danno2，Hidemitsu Sakamoto2，
Kazuaki Sato2，Takeshi Bessho2，Benjamin Dierre3，
Kentaro Watanabe3，Takashi Sekiguchi34 分子動力学法による 4H-SiC のらせん転位解析
三重大院工 1，九大応力研 2 ○（M2）水谷充利 1，河村貴宏 1，
鈴木泰之 1，寒川義裕 2，柿本浩一 2
5 ミラー電子顕微鏡による貫通転位 - 表面ナノグルーブ対構造の観察
京都工芸繊維大 1，日立中研 2 ○一色俊之 1，長谷川正樹 2
6 積層欠陥の拡大収縮にともなう 4H-SiC 中部分転位の運動
岡山大院自然 ○山下善文，下村拓也，西川 亘，林 靖彦

（ 119
119 ）

15

結晶工学

7 X 線トポグラフィによる 4H-SiC エピ層中の積層欠陥の評価
日鉄住金テクノロジー ○野網健悟，永井哲也，中居克彦，二木登史郎

休憩

10:45 〜 11:00

8 SiC 光電極の分光感度特性

名工大 ○加藤正史，三宅景子，市村正也
9 光電極応用に向けた p 型 SiC エピタキシャル層の欠陥評価
名工大 1，中部大 2 ○加藤正史 1，中野由崇 2
10 3C-SiC 表面の水分解素過程に関する第一原理解析
岡山大院自然 ○新池一央，鶴田健二，石川 篤△ 11 高安定・高効率な水の光電気分解に向けた p 型 3C-SiC 電極の開発
東工大 1，名工大 2 ○赤羽俊之輔 1，Jun Tae Song1，Renato Goes Amici1，
三宅景子 2，加藤正史 2，岩崎孝之 1，波多野睦子 1▲ 12 Photoelectrochemical CO2 reduction on 3C-SiC photo-anode△
Tokyo Inst. of Tech. 〇 Jun Tae Song，Shunnosuke Akabane，Renato Goes Amici，Takayuki Iwasaki，Mutsuko Hatano
13 SiC の陽極酸化プロセスにおける光照射に関する検討
名城大理工 1，赤﨑記念研究センター 2 ○（M1）日高公崇香 1，
渡 和樹 1，岩谷素顕 1，上山 智 1，赤﨑 勇 1,2

昼

食12:30 〜 14:00

18p-A17 - 1 〜 12

1 ATR-FTIR 法を用いた SiC 基板上 La2O3 と SiN との界面反応の解析
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2，三菱電機 3 ○雷 一鳴 1，
宗清 修 1，角嶋邦之 2，川那子高暢 2，片岡好則 2，西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，筒井一生 2，山川 聡 3，岩井 洋 1，
古橋壮之 3，三浦成久 3，名取研二 12 光電子収率分光法による SiO2/SiC 界面の電子状態計測
名大 VBL1，名大院工 2 ○大田晃生 1，竹内大智 2，
チュン グェンスァン 2，牧原克典 2，宮崎誠一 2
3 SiC 表面における酸化初期過程に関する理論的研究
三重大院工 1，名大院工 2，島根大院理工 3，慶大理工 4 ○伊藤綾子 1，
秋山 亨 1，中村浩次 1，伊藤智徳 1，白石賢二 2，
影島博之 3，植松真司 44 4H-SiC MOS 界面窒化処理における窒素ドーピングの ESR 定量
筑波大 1，産総研 2 ○梅田享英 1，佐藤嘉洋 1，佐久間由貴 2，小杉亮治 2△ 5 4H-SiC(0001) 面のウェット酸化における水分子の役割
阪大院工 ○永井大介，細井卓司，志村孝功，渡部平司△ 6 カソードルミネッセンス法による熱酸化 SiO2 /SiC 構造の評価
阪大院工 ○福島悠太，Furkan Alan，樋口直樹，Atthawut Chanthaphan，
細井卓治，志村考功，渡部平司△ 7 DLTS 法による窒化後酸化 SiC-MOSFET の界面準位評価
1
2○
1
東工大 ，三菱電機
長谷川淳一 ，須藤建瑠 1，岩崎孝之 1，小寺哲夫 1，
古橋壮之 2，野口宗隆 2，中田修平 2，西村 正 1，波多野睦子 1

休憩

15:45 〜 16:00

8 シリコン表面における炭化珪素薄膜の室温形成
横国大院工 廣岡亜純，塩田耕平，津地雅希，○羽深 等
9 アルミニウム表面における炭化珪素薄膜の室温形成
横国大院工 ○廣岡亜純，塩田耕平，津地雅希，羽深 等
10 耐三フッ化塩素保護膜形成法 (2)横国大院工 ○松田仁美，羽深 等，石田夕起，大野俊之
11 ClF3ガスによる SiC ウエハエッチング速度挙動
横国大院工 1，産総研 2 ○中込 健 1，矢島大里 1，羽深 等 1，加藤智久 2
12 三フッ化塩素ガスによる SiC 成膜装置クリーニング法 (2)横国大院工 1，産総研 2，FUPET3 ○水野浩輔 1，福元裕介 1，
羽深 等 1，石田夕起 2，大野俊之 3-----------------------------------------------------------------------------------15.6 IV 族系化合物
9 月 19 日
19a-PB5 - 1 〜 17

19a-PB5 - 1 〜 17

7 大気圧熱プラズマジェット照射による 4H-SiC 上 SiO2堆積膜の改善
広大院先端研 ○石丸凌輔，花房宏明，丸山佳祐，
廣松志隆，林 将平，東清一郎
8 SiC 上に堆積した TEOS-SiO2膜の電気的特性
筑波大 ○前田貫太，蓮沼 隆，山部紀久夫
9 NF3添加酸化による SiC 熱酸化膜中の C 脱離
筑波大 ○（M2）名越政仁，蓮沼 隆，山部紀久夫
10 SiC 熱酸化膜の深さ方向密度分布
筑波大 ○林真理子，蓮沼 隆，山部紀久夫
11 SiC 酸化への Ar アニール導入による酸化膜成長速度の変化
埼玉大院理工 ○今野良太郎，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
12 4H-SiC(0001) 表面酸化過程の動的シミュレーションおよび第一原理解析
物材機構 1，高効率電デバコンソーシアム 2，高度情報 3，
東芝研究開発センター 4，東大生産研 5 ○山崎隆浩 1,2，
小山 洋 2,3，奈良 純 1,2，清水達雄 4，加藤弘一 4，大野隆央 1,2,5
13 AR-XPS による 4H-SiC の初期酸化過程の解明 ( Ⅱ )都市大 ○笹子知弥，荒井 仁，野平博司
14 4H-SiC 熱酸化膜の膜中親水基発生による CV 特性の変化
広島大ナノデバイス 1，フェニテックセミコン 2 ○佐藤 旦 1，
黒木伸一郎 1，石川誠治 2，前田知徳 2，瀬崎 洋 2，吉川公麿 1
15 4H-SiC ショットキーダイオードにおけるイオン誘起破壊前兆現象メカニズムの検討
原子力機構 1，徳島大 2，電中研 3 ○牧野高紘 1，出来真斗 2，
小野田忍 1，星乃紀博 3，土田秀一 3，大島 武 1
16 ドリフト層濃度分布最適化による低抵抗 SiC-SBD の実現
三菱電機 ○富永貴亮，小山皓浩，田中貴規，渡邊 寛，冨田信之，山川 聡
17 ガンマ線照射した SiC-MOSFET の特性の安定性
埼玉大院理工研 1，原子力機構 2，サンケン電気 3 ○横関貴史 1,2，
牧野高紘 2，阿部浩之 2，小野田忍 2，大島 武 2，田中雄季 3，
神取幹郎 3，吉江 徹 3，土方泰斗 1-----------------------------------------------------------------------------------15.7 エピタキシーの基礎
9 月 18 日 13:15 〜 14:45
18p-A20 - 1 〜 6

1 溝形状と単結晶アルミナ基板の歪解放との関係
物材機構 ○吉武道子，柳生進二郎，知京豊裕
2 GaAs MCE における表面過飽和度と法線成長速度の関係
名城大理工 ○冨田将史，高倉宏幸，水野陽介，岩川宗樹，
山田純平，神林大介，丸山隆浩，成塚重弥
3 第一原理計算による Mn 吸着 GaAs(001)-(nx2) の構造安定性評価
1
電通大院先進理工 ，物材機構 2 ○萩原 敦 1，大竹晃浩 2，中村 淳 1
4 InAs(001)-(2×3) ぬれ層表面に対する量子論的アプローチ
三重大院工 ○伊藤智徳，秋山 亨，中村浩次
5 InP(111)B 表面における表面再構成および成長初期過程の Zn ドーピング効果に関する理論的検討
三重大工 ○加藤真崇，秋山 亨，中村浩次，伊藤智徳
6 InAs ウェッティング層上ステップ構造近傍での量子ドット形成 STMBE 観察
阿南高専 1，電通大 2 ○東條孝志 1,2，山口浩一 2，塚本史郎 1

休
7 〜 21

憩

14:45 〜 15:00

15:00 〜 19:00（15.3 III-V 族エピタキシャル結晶）-----------------------------------------------------------------------------------15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥
9 月 19 日
19p-PB7 - 1 〜 6
19p-PB7 - 1 〜 6

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 自然酸化膜付 Si 基板上へのモノメチルシランを用いた SiC 薄膜高速成長
山形大工 1，東北大通研 2 ○成田 克 1，山田晋平 1，髙野昌伸 1，
早尾貴史 1，中島健介 1，末光眞希 22 多方向走査透過電子顕微鏡法による SiC の転位解析
日立ハイテクノロジーズ 1，日立ハイテクマニュファクチャ & サービス 2，
京都工芸繊維大 3 ○佐藤高広 1，大津喜宏 2，生頼義久 1，
一色俊之 3，福井宗利 1
3 フェムト秒レーザーを照射した 6H-SiC 基板の表面評価
名工大院 ○宮川鈴衣奈，岡本淳祐，江龍 修
4 プ ラ ズ マ 発 生 領 域 制 限 マ ス ク を 用 い た PCVM (Plasma Chemical
Vaporization Machining) による SiC 基板のダイシングの検討 - ベースガスとして Ar を用いた検討 阪大院 ○岡田 悠，田尻光毅，佐野泰久，松山智至，山内和人
5 EBSD パターン明瞭度を用いたリン注入 4H-SiC 層の結晶性評価
広大院先端研 ○花房宏明，丸山圭祐，林 将平，東清一郎
6 大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処における 4H-SiC 中の不純物活性化と冷却速度制御
広島大院先端物質 ○丸山佳祐，花房宏明，村上秀樹，林 将平，東清一郎

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00△ 1 パワーデバイス用結晶の評価（Ⅵ）Si エピタキシャルウエハ中のミスフィッ
ト転位の透過電子顕微鏡による評価 (2)千葉工大工 1，日鉄住金テクノロジー 2 ○川本光太 1，永井哲也 2，
野網健吾 2，中居克彦 2，二木登史郎 2，山本秀和 1△ 2 パワーデバイス用結晶の評価（Ⅶ） ＧａＮ結晶のＸ線トポグラフィによる評
価
千葉工大工 ○冨永 誠，安藤将吾，山本秀和△ 3 パワーデバイス用結晶の評価（Ⅷ）パワーデバイス用 GaN ウエハのラマン散乱分光法による評価 (2)千葉工大工 ○安藤将吾，山本秀和△ 4 パワーデバイス用結晶の評価 ( Ⅸ ) SiC 基板中の積層欠陥の透過電子顕微鏡による評価 (2)
千葉工大工 1，日鉄住金テクノロジー 2 ○白取美帆 1，永井哲也 2，
野網健吾 2，中居克彦 2，二木登史郎 2，山本秀和 1
5 X 線侵入長を制御した斜入射トポグラフィーによる Al イオン注入 SiC 基板の歪状態の観察KEK-PF1，長町サイエンスラボ 2，阪大院工 3 ○高橋由美子 1，
平野馨一 1，吉村順一 1，長町信治 2，古室昌徳 1，志村孝巧 3
6 n-GaN 結晶の XPS スペクトルにおける内殻準位ピーク非対称性の検討
工学院大 ○磯野大樹，網谷良介，杉浦洋平，山口智広，本田 徹------------------------------------------------------------------------------------

（ 120
120 ）

16

15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥
9 月 20 日 9:00 〜 13:00
20a-A20 - 1 〜 15

1 シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（8）真正点欠陥とその複合体の検出の検討
東京農工大 1，トヨタ自動車 2，東レリサーチセンター 3，システムズエンジニアリング 4，大阪府立大 5 ○井上直久 1,5，
後藤安則 2，関 洋文 3，渡邉 香 4，河村裕一 5△ 2 Si 結晶中の低濃度炭素の赤外吸収測定 (V) フォノン吸収による妨害の対策と規格化の検討
システムズエンジニアリング 1，東京農工大 2，トヨタ自動車 3，東レ
リサーチセンター 4，住重試験検査 5，大阪府立大 6 ○渡邉 香 1，
井上直久 2,6，後藤安則 3，関 洋文 4，鵜野浩行 5，河村裕一 6
3 ＭＣＺシリコン単結晶のバルクライフタイムに対する低炭素化の効果
グローバルウェーハズ ○日笠光朗，永井勇太，中川聰子，鹿島一日兒
4 CZSi 結晶内の引き上げ速度に依存した点欠陥分布の融液からの切り離しによる観察
信越半導体 1，阪大産研 2，高エネ研 3 ○阿部孝夫 1，
高橋 徹 1，白井光雲 2，張 小威 3
5 Si 単結晶成長中の熱応力が点欠陥挙動に与える影響
SUMCO1，岡山県立大 2 ○末若良太 1，中村浩三 1,2
6 Si 結晶中の VH4 欠陥形成に与える C ドープの効果（第一原理計算）
岡山県大情報工 ○末岡浩治，中村浩三，神山栄治
7 シリコン中の空孔濃度に及ぼす不純物効果の検討
岡山県大情報工 ○中村浩三，末岡浩治，神山栄治
8 Si 中の複空孔形成における空孔拡散の原子描像
岡山県大情報工 ○神山栄治，末岡浩治

休憩

11:00 〜 11:15△ 9 Si 同位体周期構造を用いた end-of-range 欠陥に起因する歪みによる Si 自己
拡散増速の観測
慶大理工 ○磯田大河，植松真司，伊藤公平△ 10 窒素雰囲気中高温長時間熱処理によりシリコン中に発生する析出物（Ⅲ）
富士電機 1，横国大 2 ○村松 徹 1，中澤治雄 1，荻野正明 1，
寺西秀明 1，高橋良和 1，羽深 等 2
11 p/p+ シリコンウェーハにおける Ni の偏析型ゲッタリング
SUMCO1，岡山県立大 2 ○鳥越和尚 1，小野敏昭 1，中村浩三 1,2△ 12 炭素クラスターイオン照射による Si ウェーハの近接ゲッタリング - 水素の拡
散挙動と照射欠陥の形成に与える影響 SUMCO ○奥山亮輔，門野 武，岩永卓朗，古賀祥泰，奥田秀彦，栗田一成
13 軽元素イオン注入による Si ウェーハ中の遷移金属に対する近接ゲッタリング
効果 (2)SUMCO ○古賀祥泰，栗田一成
14 Si ウェーハ中の固溶酸素が 3 点曲げ変形の転位分布に及ぼす影響
グローバルウェーハズ・ジャパン ○日髙洋美，荒木延恵，堀川智之，宮下守也
15 Si ウェーハの曲げ強度に対する表層窒素濃度の影響
グローバルウェーハズ・ジャパン 1，阪大 2 ○須藤治生 1，荒木浩司 1，
日高洋美 1，荒木延恵 1，竹内正太郎 2，中村芳明 2，
酒井 朗 2，泉妻宏治 1------------------------------------------------------------------------------------

16

非晶質・微結晶●関連シンポジウム「薄膜シリコン太陽電池技術の現状と課題」（9 月 17 日（水），13:00〜 17:45，A25 会場）が p.40 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------16.1 基礎物性・評価
9 月 17 日
17a-PB3 - 1 〜 3

17a-PB3 - 1 〜 3

昼

ポスターセッション
9:30 〜 11:30------------------------------------------------------------------------------------

1 Ge-Sb-Te 系材料における Ag 電極を用いた抵抗スイッチ現象
上智大理工 ○木田士文，宮邉 徹，桑原大輔，中岡俊裕
2 TRAM(topological-switching RAM) デバイスの熱安定性評価
LEAP1，筑波大 2，名大 3 ○田井光春 1，大柳孝純 1，木下勝治 1，森川貴博 1，
秋田憲一 1，高浦則克 1，加藤重徳 2，白川裕規 2，洗平昌晃 3，白石賢二 33 真空紫外吸収分光法によるカルコゲナイド系アモルファス薄膜の評価
岐阜大工 ○林 浩司

食

12:00 〜 13:30

18p-A26 - 1 〜 14

1 ソーダガラス中の微量鉄の局所構造 (2)SPring-8/JASRI1，ニュースバル 2 ○岡田京子 1，大渕博宣 1，
依田芳卓 1，梅咲則正 2，櫻井吉晴 12 超音波マイクロスペクトロスコピー技術による強化ガラスの表面応力層の評
価方法の検討東北大院医工 1，東北大院工 2，東北大金研 3 ○荒川元孝 1，
櫛引淳一 2，大橋雄二 3，川口邦子 2，竹田宣生 23 金属マグネシウムとバルクガラスの反応による金属複合化合物の作製
神戸大理 ○上野勝也，永吉 佑，林 貴大，内野隆司△ 4 第二次高調波発生による GeO2多結晶の配向方位決定
神戸大 ○河村息吹，今北健二，北尾明大，藤井 稔
5 18O2含浸したアモルファス SiO 2における真空紫外光誘起格子間酸素原子の拡散と反応
首都大 1，ラトビア大 2，東工大 3 ○梶原浩一 1，Linards Skuja2，細野秀雄 3
6 TiO2結晶化ガラス中の欠陥評価
東北大院工 1，京大化研 2，東北大多元研 3 ○吉田和貴 1，正井博和 2，高橋儀宏 1，寺門信明 1，藤原 巧 1，加藤英樹 3，垣花眞人 3
7 SnO-ZnO-B2O3-P2O5ガラスの発光特性
京大化研 ○奥村 駿，正井博和，徳田陽明

休憩

15:15 〜 15:30

8 Mn4+ドープ SrGe 4O9結晶相の赤色発光特性
東北大 ○（M1）鈴木理恵，高橋儀宏，寺門信明，藤原 巧
9 Mn 添加 Li2O-ZnO-GeO2系ガラスの結晶化時間による発光色の変化
東北大院工 ○（M1）星野愛信，高橋儀宏，寺門信明，藤原 巧
10 コロナ放電処理を用いた間隙を有する異種ガラス間のアルカリイオン移動
北大電子研 ○川口慶雅，海住英生，西井準治
11 Na イオン伝導ガラス -NASICON 複合体の創製
長岡技科大 ○本間 剛，岡本昌賢，富樫拓也，篠﨑健二，小松高行△ 12 レーザー誘起高配向結晶ラインの TEM 観察による準安定結晶 BiBO3 (II) の結晶構造解析
長岡技科大 ○篠崎健二，橋本和貴，本間 剛，小松高行
13 ZnO-P2O5系ガラスの構造変化と物理特性の相関
東北大院工 1，物材機構 2 ○石関修多 1，中村健作 1，寺門信明 1，高橋儀宏 1，長田 実 2，藤原 巧 1
14 多成分系ガラスから形成した ZnO の構造評価：顕微鏡学的および分光学的研
究
東北大院工 1，物材機構 2 ○高橋儀宏 1，木下幹夫 1，宮崎孝道 1，
長田 実 2，寺門信明 1，藤原 巧 1-----------------------------------------------------------------------------------16.2 プロセス技術・デバイス
9 月 20 日 10:30 〜 12:30
20a-A25 - 6 〜 13

9:00 〜 10:15（16.3 シリコン系太陽電池）

休

1 シリカガラスの摩擦ルミネッセンスの理論的考察
山口大工 1，山口大工 2 ○（M2）金平大輝 1，嶋村修二 22 シリカガラスの失透に対する反応雰囲気気体の影響
福井高専 1，福井大院工 2，熊本大院自然 3 ○堀井直宏 1，寺岡智己 1，
葛生 伸 2，池田昌弘 1，安仁屋勝 3，青山義弘 1
3 接合したシリカガラス間の OH 基の拡散
福井大院工 1，東ソー・エスジーエム 2 ○（M2）山本剛貴 1，
葛生 伸 1，堀越秀春 2，丹羽祥平 1

16.1 基礎物性・評価
9 月 18 日 10:30 〜 17:15
18a-A26 - 1 〜 6

4 乱れた絶縁体における最小 Urbach エネルギー：普遍性と成因
北大工 ○田中啓司
5 中性子反射率法による Ge カルコゲナイド薄膜への銀の光拡散の研究 III
CROSS1，JAEA2，ボイジー州立大 3 ○坂口佳史 1，朝岡秀人 2，魚住雄輝 2，
川北至信 2，伊藤崇芳 1，久保田正人 2，山崎 大 2，曽山和彦 2，
Mahesh Ailavajhala3，Kasandra Wolf3，
Maria Mitkova3，M.W.A. Skoda4
6 光熱偏向分光法によるアモルファス InGaZnO4薄膜の評価
群馬大理工 ○後藤民浩

1〜5

ポスター展示時間

15 結晶工学
非晶質・微結晶憩

10:15 〜 10:30

6 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
メニスカス力を用いた中空構造 SOI 層の低温転写とフレキシブル基板上での単結晶シリコン TFT の作製
広大院先端研 1，学振特別研究員 PD2，広大ナノデバイス・
バイオ融合科学研究所 3 ○酒池耕平 1,2，赤澤宗樹 1，
小林義崇 1，中村将吾 1，東清一郎 1,3
7 MgZnO/ZnO 薄膜を用いた赤外線イメージセンサ用薄膜材料の研究
東理大院 ○太田裕紀，福山孔一，宝田 隼，古川昭雄
8 Ge/Si/Ge 障壁構造での赤外線ボロメータ素子の電気特性
東理大 ○小田健志，宝田 隼，古川昭雄
9 Na 内包 II 型 SiGe 合金クラスレートの合成と拡散反射法による評価
岐大工 ○大橋史隆，今井承一，姫野呂人，久米徹二，
伴 隆幸，青木正人，野々村修一
10 単結晶 Si 基板上に固相成長させた結晶 SiGe 薄膜に関する検討（2）1
東海大院工 ，東海大工 2 ○小島祐二 1，磯村雅夫 1,2
11 液体シリコンから作製した a-Si:H 薄膜のグリーンレーザ結晶化
北陸先端大マテ 1，北陸先端大 GDRC2 ○溝口雅裕 1，増田貴史 1，
申 仲栄 1，高岸秀行 2，下田達也 1,2
12 FLA による平面ガラス上への poly-Si 薄膜形成
北陸先端大 ○（M2）渡邊大貴，大平圭介
13 加熱タングステンワイヤ上でのジボランからのＢ原子およびＢＨラジカルの発生機構
静岡大工 1，JST CREST2 ○梅本宏信 1,2，金光泰二郎 1,2------------------------------------------------------------------------------------

（ 121
121 ）

16

非晶質・微結晶16.3 シリコン系太陽電池
9 月 17 日
17a-PB4 - 1 〜 21
17a-PB4 - 1 〜 21

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30

1 顕微メスバウア分光観察に向けた PL・EBSD マッピングによる多結晶シリコ
ン結晶粒と鉄不純物分布評価
静岡理工科大 1，Bruker AXS2，アプコ 3 ○伊野裕司 1，田中清高 1，
花田 剛 2，原田芳仁 3，小粥啓子 3，森口幸一 3，吉田 豊 1▲ 2 Grain Boundary Electrical Activity and Growth in Multicrystalline Silicon
NIMS1，Tsukuba Univ.2 〇 (D)Ronit Roneel Prakash1,2，Yoshiji Miyamura1，
Jun Chen1，Karolin Jiptner1，Hirofumi Harada1，Takashi Sekiguchi1,23 化学的転写法で作製した極低反射 Si 基板の光閉じ込め
阪大 1，CREST-JST2 ○野中啓章 1,2，入鹿大地 1,2，今村健太郎 1,2，
小林 光 1,2
4 SiNx/Si 構造の電気特性におけるファイヤースルー処理の影響
兵庫県立大 1，明治大 2，JST-CREST3 ○榎本裕也 1，高柳 暢 1，
吉田晴彦 1,3，新船幸二 1,3，小椋厚志 2,3，佐藤真一 1,3△ 5 シリコン窒化膜製膜時に導入される結晶欠陥と表面形状の関係
豊田工大 ○立花福久，高井大輔，大下祥雄
6 エネルギー障壁を制御したショットキー型 Si 太陽電池の発電特性
東工大総理工 1，東工大フロンティア研 2 ○伊藤勇磨 1，角嶋邦之 1，
筒井一生 1，若林 整 1，片岡好則 1，西山 彰 1，
杉井信之 1，名取研二 2，岩井 洋 2
7 Ion Beam Assist 法を用いた a-Si:H 膜への過剰水素添加に関する研究
熊大院自 1，熊大工 2 ○美山和樹 1，深 純平 1，松川誠也 1，
久保田弘 1，吉岡昌雄 2，大津宗一郎 2
8 スパッタエピタキシー法を用いた SiC 膜の形成と太陽電池への応用
東京農工大院工 ○渡辺崚介，塚本貴広，須田良幸
9 太陽電池用 a-Si:H 膜の高速成膜と高品質アニール効果の研究
岐阜大院工 ○岡田祐希，栗林志頭眞，牟田浩司，西田 哲
10 非平衡プラズマジェット CVD を用いた微結晶シリコン膜 (μc-Si) の高速成膜
岐阜大院工 ○千藤彰大，西田 哲，牟田浩司，栗林志頭眞
11 太陽電池のテクスチャ構造の形状による電流漏れの変化の評価
岐阜大院工 ○兼松雅斗，西田 哲，牟田浩司，栗林志頭眞
12 選択的 Si 酸化を用いた c-Si/a-Si ヘテロ接合界面における漏れ電流抑制技術の開発
岐阜大院工 ○三和寛之，西田 哲，牟田浩司，野々村修一，栗林志頭眞
13 導電性 AFM によるヘテロ接合部のリーク電流測定時の雰囲気温度および圧力による影響岐大院工 ○武藤芳樹，西田 哲，吉田憲充，栗林志頭眞，野々村修一
14 微粒子光散乱層を用いた薄膜 Si 太陽電池における光閉じ込め
岐大院工 1，岐大工 2 ○鈴木一鋭 1，三浦修平 1，野田真一 1，
井上将成 2，村上功一 2，野々村修一 1,2
15 ClF3 プラズマレスドライエッチングを用いた多結晶 Si 太陽電池のテクスチャ処理の最適化
成蹊大院理工 安倍友佳，市川由美子，○渡邊良祐，齋藤洋司
16 テクスチャ化 Si 基板上へのスピンコーティング法における反射防止膜の形成と光学的特性成蹊大院理工 山田拓也，江口陽平，中井康人，○渡邊良祐，齋藤洋司
17 スピンコート法で作製したアルミナ薄膜の表面パッシベーション効果Ⅱ
成蹊大院理工 川島瑞穂，○渡邊良祐，齋藤洋司
18 液体原料 SiO2による Si 表面パッシベーションの安定性評価
東京高専 ○萩原千拡，永吉 浩▲ 19 PEDOT:PSS/poly-Si heterojunction solar cells
Saitama University ○（D）Qiming Liu，Tatsuya Ohki，
Ryo Ishikawa，Keiji Ueno，Hajime Shirai
20 光照射を含んだ太陽電池モジュールの複合加速試験
太陽光発電技術研究組合 1，産総研 2 ○ Thi Hong Trang Ngo1，
辺田祐志 1，土井卓也 2，増田 淳 2
21 フォトンフォトキャリア直交型高効率太陽電池のための導波路の検討
北大院理 1，電子研 2 ○谷口朝哉 1,2，河西 剛 2，近藤憲治 1,2，石橋 晃 1,2-----------------------------------------------------------------------------------16.3 シリコン系太陽電池
9 月 18 日 9:00 〜 18:15
18a-A25 - 1 〜 13

5 歪み補償系多重積層 Ge/Si1-xCx自己形成量子ドットの構造評価
東工大総理 1，産総研 2 ○後藤和泰 1，大島隆治 2，菅谷武芳 2，
坂田 功 2，松原浩司 2，近藤道雄 1,2
6 紫外線照射が Si ナノワイヤ太陽電池の発電特性に及ぼす影響
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2 ○宮澤遼太 1，小路智也 1，
角嶋邦之 2，片岡好則 2，西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，
筒井一生 2，大橋弘通 1，名取研二 1，岩井 洋 1△ 7 凝集したシリコンナノワイヤの光学解析
科学技術振興機構 1，東工大院理工 2 ○加藤慎也 1，森田尊彦 2，
山崎竜也 2，宮島晋介 2，小長井誠 1,2

休

10:45 〜 11:00

昼

食12:30 〜 13:45

18p-A25 - 1 〜 17

1 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15 分）
Control of Grain Boundary Propagation in Mono-Like Si: Utilizationof Functional Grain Boundaries
東北大，JST ○沓掛健太朗
2 炭素・水素を含む CZ-Si 結晶中に形成される Ultrashallow Thermal Donorの形成メカニズム
東北学院大 ○原 明人，淡野照義▲ 3 Potential and limitation of 3D Alexander-Haasen model in analyzing
experimental dislocation-density distribution in single-crystal silicon
RIAM, Kyushu Univ.1，NIMS2 ○ Bing Gao1，Karolin Jiptner2，
Satoshi Nakano1，Hirofumi Harada2，Yoshiji Miyamura2，
Takashi Sekiguchi2，Koichi Kakimoto1
4 太陽電池用多結晶シリコン結晶育成方法と転位密度の関係
九大応力研 ○中野 智，高冰，柿本浩一▲ 5 Effects of Argon Flow on Carbon Contamination during Melting Processof Czochralski Silicon Crystal Growth
RIAM, Kyushu Univ. 〇 Xin Liu，Bing Gao，
Satoshi Nakano，Koichi Kakimoto
6 mono Si 結晶表面の晶癖線物材機構 1，九大 2 ○宮村佳児 1，原田博文 1，
関口隆史 1，中野 智 2，柿本浩一 2△ 7 多結晶シリコン中の窒素酸素複合体の熱処理挙動
明治大 1，神奈川県産技セ 2 ○佐藤邦孝 1,2，小椋厚志 1，小野春彦 1,2△ 8 キャスト成長多結晶シリコン中の酸素析出物分布と粒界との関係
明治大 1，神奈川県産技セ 2 ○（M1）宇野 匠 1,2，
佐藤邦孝 1,2，小椋厚志 1，小野春彦 1,2
9 Si バルク多結晶の結晶組織制御に向けた炉内温度分布計算
名大工 ○（M1）平松巧也，高橋 勲，松島 悟，宇佐美徳隆
10 実用サイズ Si インゴットにおけるデンドライト成長を利用した多結晶組織制
御名大工 ○高橋 勲，平松巧也，松島 悟，宇佐美徳隆

休

1 多結晶シリコンナノワイヤの水素化処理およびキャリアライフタイム評価
東工大院理工 1，科学技術振興機構 2 ○山崎竜也 1，
加藤慎也 2，宮島晋介 1，小長井誠 1,2
2 太陽電池用 Si ナノウォールの形成技術
科学技術振興機構 1，東工大院理工 2 ○市川幸美 1，
冨澤 浩 1，加藤慎也 1，小長井誠 1,2
3 Si/SiO2超格子太陽電池における Si 層膜厚の影響
科学技術振興機構 1，新潟大工 2，東工大院理工 3 ○山田 繁 1，
石川亮佑 2，比嘉隆也 3，小長井誠 1,3，宮島晋介 34 ドーピングペーストをドープ源とするワイヤー構造結晶シリコン太陽電池の作製
科学技術振興機構 1，東工大 2 ○白柳裕介 1，檜座秀一 1，
屋敷保聡 1，袴田朋宏 1，小長井誠 1,2

憩

8 表面フォトニックナノ構造における光透過特性と光閉じ込め効果
京大化研 1，名大工 2 ○太野垣健 1，岸本祐子 1，星 裕介 2，宇佐美徳隆 2
9 Si 微粒子の塗布とレーザー焼結による太陽電池の試作
レーザー技術推進センター 1，京都工繊大 2，阪大レーザー研 3○
川上雄平 1,2，吉本昌広 2，實野孝久 310 硫黄を過飽和ドープしたＳｉ単結晶への熱アニーリングの効果
甲南大理工 1，関西大システム理工 2 ○長尾克紀 1，斎藤 正 2，稲田 貢 2，
丹野裕貴 2，内藤宗幸 1，小林勇輝 1，青木珠緒 1，杉村 陽 1，梅津郁朗 1
11 硫黄を過飽和ドープした Si 単結晶の光吸収と電気伝導特性
甲南大理工 ○中井達也，内藤宗幸，小林勇輝，
長尾克紀，青木珠緒，杉村 陽，梅津郁朗△ 12 霧化塗布法 PEDOT:PSS のテクスチャー Si 上へのミスト輸送 , 基板付着過程の診断 Ⅱ
埼玉大理工研 1，台湾交通大 2，チャレンジ 3，東洋大バイオナノ
エレクトロニクス研究センター 4 ○大木達也 1，菅原広充 1，
市川浩気 1，古 佩儒 2，藤山和彦 3，花尻達郎 4，
石川 良 1，上野啓司 1，孫 建文 2，白井 肇 1▲ 13 Effects of surface modification on the photovoltaic performance ofnanocrystalline silicon membrane cells
Tokyo Univ. of Agr. & Tech.1，Nagoya Univ.2 〇 (P)Romain Mentek1，
Bernard Gelloz2，Daihei Hippo1，Nobuyoshi Koshida1

憩

16:15 〜 16:30△ 11 顕微 PL イメージングによる Si 結晶中粒界の電気的特性評価
東北大金研 1，JST さきがけ 2，名大院工 3 ○二宮駿也 1，沓掛健太朗 1,2，
出浦桃子 1，大野 裕 1，宇佐美徳隆 3，米永一郎 1
12 57Fe 汚染シリコンのゲッタリング処理とメスバウア・スペクトル
静理大総技研 1，静理大理工 2 ○田中清高 1，藤田裕也 2，伊野裕司 1，
吉田 豊 2▲ 13 Additional Low Temperature Multiple Cycles of Annealing and Coolingafter Phosphorus Diffusion to Improve Lifetime in Multicrystalline Silicon
Grad. of Engineering, Nagoya University 〇 (PC)Supawan Joonwichien，Isao Takahashi，Satoru Matsushima，Noritaka Usami
14 ボロン Si ペーストを用いたレーザードーピングと高効率太陽電池への応用
帝人 1，NanoGram2 ○富澤由香 1，今村哲也 1，
添田雅也 1, 2，池田吉紀 1，城 尚志 1, 2

（ 122
122 ）

16 非晶質・微結晶
17 ナノカーボン△ 15 CO2レーザードーピングのレーザー周波数が結晶シリコン太陽電池に与える
影響
奈良先端大 1，九州大 2 ○本多竜規 1，石河泰明 1，池上 浩 2，
渡邊陽介 2，吉永征矢 1，姜 雲健 1，浦岡行治 1
16 レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による結晶 Si 太陽電池の局所特性評
価 －シート抵抗値依存性－
大日本スクリーン製造 1，阪大レーザー研 2 ○中西英俊 1，伊藤 明 1，
高山和久 2，川山 巌 2，村上博成 2，斗内政吉 2△ 17 シリコン太陽電池に利用するナノインプリントテクスチャ構造の最適化
奈良先端大 ○吉永征矢，石河泰明，荒木慎司，本多竜規，
姜 雲建，堀田昌宏，浦岡行治-----------------------------------------------------------------------------------16.3 シリコン系太陽電池
9 月 19 日 9:00 〜 18:00
19a-A25 - 1 〜 13

1 低純度 Si 精製に向けたジボラン（B2H6）選択除去手法の開発とその特性評価
阪大院工 ○大参宏昌，垣内弘章，安武 潔△ 2 Self-consistent-charge density-functional tight-binding 法 を 用 い た ア モ ル
ファス SiC の CVD 成長機構の検討
東北大院工 ○（D）桑原卓哉，伊藤 寿，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司
3 分光エリプソメトリーおよび赤外分光による a-SiO:H ネットワーク構造の評
価
岐大工院 ○佐藤正規，細井 優，藤原裕之
4 光熱輻射分光法によるシリコン系薄膜の欠陥密度評価 ( Ⅱ )岐阜大工 1，岐阜大工 2，岐阜大工 3，岐阜大工 4，岐阜大工 5，岐阜大工 6，岐阜大工 7 ○近藤宏紀 1，安井彬絋 2，松田耀右 3，石井克典 4，
高橋昌吾 5，吉田憲充 6，野々村修一 7△ 5 走査型非線形誘電率顕微鏡によるアモルファスシリコン太陽電池の pin 接合の可視化
東北大通研 ○廣瀬光太郎，茅根慎通，長 康雄
6 a-SiOx:H 薄膜の欠陥評価
岐阜大工 1，シャープ 2，東工大院理工 3 ○松井研人 1，伊藤貴司 1，
片山竜一 1，山川幸輝 1，斉藤 潤 2，杉山秀一郎 2，
Porponth Sichanugrist3，野々村修一 1，小長井誠 3
7 光起電力顕微鏡による a-Si:H 系薄膜太陽電池の局所的発電特性評価
岐阜大 ○（M2）川口 巧，栗山 寛，松井研人，松浦知樹，
山本大貴，稲吉芳紀，伊藤貴司，野々村修一

休憩

10:45 〜 11:00

8 ケルビンプローブ顕微鏡を用いた Si ヘテロ接合 (SHJ) 太陽電池における表面
構造界面の局所的仕事関数測定
豊田工大 ○（PC）山田郁彦，神岡武文，立花福久，中村京太郎，大下祥雄，神谷 格△ 9 a-Si:H/c-Si ヘテロ接合型太陽電池特性における 2 層構造 ITO 膜を用いたス
パッタイオン衝撃の影響解明
岐阜大 ○玉腰正人，松木伸行
10 n/i 型 a-Si:H 層が p/i 層に部分的に重なった構造の裏面電極型ヘテロ接合 Si
太陽電池の特性シミュレーション
福島大 1，東海大工 2，産総研 3 ○野毛 宏 1，齊藤公彦 1，
佐藤愛子 1，金子哲也 2，近藤道雄 1,3
11 Cat-CVD を用いて作製した a-Si/c-Si ヘテロ接合太陽電池の極薄酸化膜形成による特性改善北陸先端大 1，JST CREST2 ○及川貴史 1，大平圭介 1,2，松村英樹 1,2▲ 12 Optimum Design of Antireflection coating for Heterojunction Solar Cellwith nc-3C-SiC:H EmitterTokyo institute of technology1，Tokyo tech PVREC2○（D）
Erick Ateto1，Makoto Konagai1，Shinsuke Miyajima1,2
13 セリウムをドープした酸化インジウム膜を備えるヘテロ接合太陽電池の優位性
長州産業 ○小林英治，渡部 嘉

昼

19p-A25 - 1 〜 16食12:30 〜 13:45△ 1 微結晶 Si 太陽電池における MgF2裏面反射層の応用
東工大院理工 1，東工大 PVREC2，The Pennsylvania State Univ.3○
阿部祐介 1，Porponth Sichanugrist1，
Christophe Wronski3，小長井誠 1,2
2 MOCVD 法による薄膜シリコン太陽電池用 ZnO 透明導電膜の開発
PVTEC1，産総研 2 ○（PC）前島圭剛 1，鯉田 崇 2，齋
均 2，松井卓矢 2，吉田 功 1△ 3 アモルファス Si におけるプラズモンを利用した光吸収量増大効果
奈良先端大 1，北陸先端大 2 ○末永 慧 1，石河泰明 1，
大平圭介 2，上沼睦典 1，浦岡行治 1
4 Si テクスチャ基板を用いた Ge ドット成長とその太陽電池応用
名大院工 1，京大化研 2 ○星 裕介 1，青沼 理 1，太野垣健 2，宇佐美徳隆 1
5 結晶成長温度の変化によるフォトニックナノ構造の形状制御と光学特性
名大院工 1，京大化研 2，ロシア科学アカデミー 3，ニジェゴロド国立大 4○（M1）
青沼 理 1，星 裕介 1，太野垣健 2，Alexey Novikov3，
Dmitry Yurasov3,4，宇佐美徳隆 1
6 フォトニック結晶を導入した µc-Si 太陽電池の評価
京大院工 1，京大白眉 2 ○ Menaka De Zoysa2，石崎賢司 1，梅田尚実 1，
田中良典 1，藤田奨也 1，川本洋輔 1，野田 進 1

7 フォトニック結晶を有する µc-Si 太陽電池の変換効率向上の検討
京大院工 1，京大白眉 2 ○石崎賢司 1，Menaka De Zoysa1,2，梅田尚実 1，
田中良典 1，川本洋輔 1，藤田奨也 1，野田 進 1△ 8 化学的転写法を用いた極低反射 Si 表面のパッシベーション
阪大産研 1，CREST-JST2 ○入鹿大地 1,2，今村健太郎 1,2，小林 光 1,2

休憩

15:45 〜 16:00

9 硝酸酸化法による Si 表面の新規パッシベーション方法
阪大産研 ○中島寛記，入鹿大地，野中啓章，今村健太郎，
松本健俊，小林 光
10 硝酸酸化膜を用いるアンモニアプラズマによる基板 Si の直接窒化防止とシリコン太陽電池の効率向上
阪大産研、CREST-JST ○松本健俊，廣瀬 諒，小林 光▲ 11 A Low Surface Recombination Velocity Realized on Textured c-Si by Cat△		 CVD SiNx/P Cat-doped Layers
JAIST1，CREST2 〇 (D)Cham Thi Trinh1, 2，Koyama Koichi1,2，
Ohdaira Keisuke1,2，Matsumura Hideki1,2
12 ミスト CVD 法により製膜した AlOx膜のパッシベーション性能
兵庫県立大 1，明治大 2，JST-CREST3 ○井口功嗣 1,3，北野 奨 1，
三木祥平 1，小椋厚志 2,3，吉田晴彦 1,3，佐藤真一 1,3，新船幸二 1,3
13 熱アニールによる ALD-AlOx 膜のパッシベーション特性変化
兵庫県立大 1，明治大 2，JST-CREST3 ○今枝博紀 1,3，三木祥平 1，
小椋厚志 2,3，吉田晴彦 1,3，佐藤真一 1,3，新船幸二 1,3△ 14 ALD 法で成膜した AlOxパッシベーションのバンド構造評価
明治大 1，高輝度光科学研究センター 2，兵県大 3，物材機構 4，
学振特別研究員 5，JST-CREST6 ○池野成裕 1,5，山下祥弘 1，
陰地 宏 2，三木祥平 3，新船幸二 3,6，吉田晴彦 3,6，
佐藤真一 3,6，廣沢一郎 2，知京豊裕 4，小椋厚志 1,6△ 15 結晶 Si 太陽電池における SiN パッシベーション膜および界面の X 線による評価
明治大 1，豊田工業大 2，学振特別研究員 DC3 ○山下祥弘 1，
池野成裕 1,3，立花福久 2，大下祥雄 2，小椋厚志 1
16 SrO 終端の Si(100)2×1 再構成基板上に成長した SrxSiOx+2薄膜の電気特性
兵庫県立大 1，明治大 2，JST-CREST3 ○（M2）谷脇将太 1，今西啓司 1，
堀田育志 1,3，吉田晴彦 1,3，新船幸二 1,3，小椋厚志 2,3，佐藤真一 1,3-----------------------------------------------------------------------------------16.3 シリコン系太陽電池
9 月 20 日 9:00 〜 10:15
20a-A25 - 1 〜 5

1 SOI 太陽電池のポストアニール温度と発電特性との関係
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2 ○堀 隼人 1，小路智也 1，
角嶋邦之 2，片岡好則 2，西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，
筒井一生 2，大橋弘通 1，名取研二 1，岩井 洋 12 結晶 Si 太陽電池モジュールにおける機械式荷重試験の劣化メカニズムの検討
PVTEC1，エスペック 2，産総研 3 ○鈴木 聡 1,2，
棚橋紀悟 2，土井卓也 3，増田 淳 33 EL と PL を用いた太陽電池モジュールの信頼性評価
明治大 1，アイテス 2，産総研 3 ○大谷洋一 1，堤 利幸 1，高野和美 2，
杉原 薫 2，浅尾秀一 3，白澤勝彦 3，高遠秀尚 34 太陽電池モジュール内の酸性微量水分検出用ナノ構造 pH センサーの開発
農工大院工 1，産総研 2 ○浅香 孝 1，板山知広 1，長崎秀昭 1，岩見健太郎 1，
山本千津子 2，原由希子 2，増田 淳 2，梅田倫弘 1
5 シリコン系太陽光システムの劣化調査
佐世保高専 1，佐大文教 2 ○重松利信 1，川崎仁晴 1，
嶋田英樹 1，城野祐生 1，小野文慈 2

休
6 〜 13

憩

10:15 〜 10:30

10:30 〜 12:30（16.2 プロセス技術・デバイス）------------------------------------------------------------------------------------

17

ナノカーボン● 関 連 シ ン ポ ジ ウ ム「Japan-Korea Joint Symposium on Semiconductor Physics
and Technology ­ Nano-carbon materials including graphene ­ ( 日韓共同シンポ
ジウム - グラフェン等のナノカーボン材料­ )」（9 月 17 日（水），9:15 〜 18:00，S1 会場）
が p.40 に，掲載されています．
（9 月 18 日（木），13:15 〜●関連シンポジウム「機能性原子薄膜化合物材料の新展開」
18:30，B3 会場）が p.42 に，掲載されています．

-----------------------------------------------------------------------------------17. ナノカーボン
9 月 18 日
18a-PA3 - 1 〜 56

18a-PA3 - 1 〜 56

ポスターセッション

ポスター展示時間

9:30 〜 11:30▲ 1 Highly Concentrated and Conductive Reduced Graphene Oxide
Nanosheets by Monovalent Cation-pi Interaction
Korea electrotechnology research institute 〇 Sooyeon Jeong
2 アルコールガスソース法による Pd 触媒からの単層カーボンナノチューブ成長
名城大 ○小澤顕成，才田隆広，成塚重弥，丸山隆浩
3 水素原子を用いた SiC 表面のグラフェン形成温度の低温化
山形大工 1，東北大通研 2 ○髙野昌伸 1，早尾貴史 1，
山田晋平 1，成田 克 1，末光眞希 2

（ 123
123 ）

17

ナノカーボン

4 酸化鉄微粉末を使用したカーボンナノコイルの高純度合成のための触媒構造と合成条件の検討
豊橋技科大 1，東海カーボン 2，湘南合成樹脂製作所 3，東邦ガス 4○清水慶明 1，飯田哲生 1，丸山皓司 1，須田善行 1，滝川浩史 1，
植 仁志 2，清水一樹 3，梅田良人 45 プラズマ処理によるイオン注入 4H-SiC 上の p-type グラフェン層の形成
法政大理工 1，法政大イオンビーム 2 ○（M1）椎名裕亮 1，
青柳大輝 1，西村智朗 2，中村 徹 1
6 有機物挿入テニオライトの焼成による炭素構造体の生成と評価
東洋大院工 ○前角孝明，和田 昇△ 7 直接合成法を用いたグラフェンセンサアレイの作製
阪大産研 ○生田 昂，金井 康，大野恭秀，前橋兼三，松本和彦
8 層状 WTe2単結晶を用いた電界効果トランジスタ作製と評価
埼玉大院理工 ○福島宏治，上野啓司
9 層状遷移金属 Se、Te 化合物の化学気相成長
埼玉大院理工 ○田崎直也，上野啓司
10 前駆体溶液塗布膜からの大面積層状ダイカルコゲナイド薄膜の作製
埼玉大院理工 ○黒崎祐太郎，上野啓司
11 SiC 表面分解法におけるステップ端からのグラフェン成長シミュレーション
三重大院工 1，九大応力研 2 ○（M2）土井優太 1，井口綾佑 1，
河村貴宏 1，鈴木泰之 1，寒川義裕 2，柿本浩一 2
12 有機物を用いた新しいグラフェンの作製方法
東理大 ○西村未来，加藤幹大，宇木権一，趙 新為
13 パルスアークプラズマ蒸着による SiO2/Si(111) 基板上グラフェン層の形成Ⅳ
名古屋工大 ○水野正也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫
14 レーザー照射法によるグラフェンの透明基板上直接合成
阪大産研 ○石橋祐輔，金井 康，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
15 カーボン蒸着によるグラフェンの作製と Ni 結晶面の成長評価 2
東理大理 1，東洋大理工 2 ○宇木権一 1，加藤幹大 1，
西村未来 1，小室修二 2，趙 新為 1
16 CNW-FET プロセスへの低温バッファー層の影響
中部大工 1，阪大産研 2，北大院工 3，日新電機 4，豊田工大工 5○
河原敏男 1，中川幸紀 1，大野泰秀 2，前橋謙三 2，松本和彦 2，
岡本一将 3，宇都宮里佐 4，松葉晃明 4，吉村雅満 5，松岡佑樹 5
17 アルコール CVD による Ni 上グラフェン合成におけるアニール時間依存性
名工大 ○岩田鷹明，岸 直希，曽我哲夫
18 インクジェット法で固定化した触媒を用いた垂直配向 CNT の生成
旭川高専 ○林 潤一，鈴木健吾，中村基訓，篁 耕司
19 微量大気導入による CVD グラフェンの低密度成長
豊田工大院工 ○（D）鈴木誠也，永守孝至，清住香奈，吉村雅満
20 SiC (0001) Si 面バッファー層上へのＭＢＥによるグラフェン成長 – 移動度の評価 NTT 物性基礎研 ○前田文彦，高村真琴，日比野浩樹
21 アダマンタンを用いた熱 CVD によるグラフェン膜の作製
中部大 1，パルスプラズマ技研 2 ○吉田拓矢 1，野田三喜男 2，
山口誠二 1，内田秀雄 1，梅野正義 1，脇田紘一 1
22 SiC(000-1) 上 B4C 薄膜のエピタキシャル成長
名大院工 1，名大エコ 2 ○増森淳史 1，乗松 航 1，楠美智子 1,2
23 6H-SiC 上グラフェンにおける成長時間とキャリア密度の関係
北大 RCIQE ○宮本貴雄，小西敬太，佐藤威友
24 ナノ膜厚触媒を用いた炭素膜の合成
高知工科大 1，高知工科大総研ナノテク C2 ○楠本雄司 1，西森俊作 1，
針谷 達 1，小路紘史 1，古田 寛 1,2，八田章光 1,2
25 グラフェンナノパターニングに向けた SiC 初期酸化膜の周期構造
名大院工 1，名大エコ 2 ○（M2）宮田将大 1，乗松 航 1，楠美智子 1,2△ 26 CVD 成長による MoS2薄膜の合成と光電変換デバイスへ応用
京大エネ研 1，名大院理 2，JST-PRESTO3 ○壷井佑夏 1，王 飛久 1，
小澤大知 1，宮内雄平 1,2,3，毛利真一郎 1，松田一成 1△ 27 Au,Al2O3バリア層を用いたグラフェン析出法における核形成制御
名城大理工 ○山田純平，鈴木 学，上田悠貴，成塚重弥，丸山隆弘
28 固相反応を用いた絶縁基板上へのグラフェンの直接合成 ( Ⅱ )名工大院工 ○杉浦孝俊，若松裕司，Golap Kalita，種村眞幸
29 Cu 表面上の CVD グラフェン成長に関する第一原理的研究
物材機構 1，MARCEED2，東大生産研 3 ○田島暢夫 1,2，
金子智昭 1,2，奈良 純 1,2，大野隆央 1,2,330 非接触原子間力顕微鏡による銅基板上ナノカーボンの評価
広島大院先端研 1，情報通信研究機構 2 ○鈴木 仁 1，富成征弘 2，田中秀吉 2
31 単層カーボンナノチューブアンジップの構造依存性
阪大院理 1，九工大院 2，阪大院工 3 ○（D）福森 稔 1，田中啓文 2，
根岸良太 3，小林慶裕 3，田中大輔 1，小川琢冶 1
32 井戸型パターン絶縁基板上へのグラフェン転写
横国大院工 ○増山大祐，横田圭司，清野亮介，Zikri Muhammad，荻野俊郎
33 ナノカーボン材料の電子ビーム加工の分子シミュレーション ( Ⅷ )大阪府大院工 ○山本真也，朝山良樹，安田雅昭，川田博昭，平井義彦
34 ゲルカラムによる単層カーボンナノチューブの金属・半導体分離
産総研ナノシス ○片浦弘道，久保田真理子，
都築真由美，平野 篤，藤井俊治郎
35 カーボンナノコイルを対象とした電気特性測定系の構築と電気抵抗率の評価
豊橋技科大 1，東海カーボン 2，湘南合成樹脂製作所 3，東邦ガス 4○清水慶明 1，中村康史 1，國本隆司 1，須田善行 1，滝川浩史 1，
植 仁志 2，清水一樹 3，梅田良人 436 黒リンからなる単原子層フォスフォレンの光学特性
京大エネ研 ○中村 隆，小澤大知，毛利真一郎，松田一成

37 ダイヤモンド超格子における励起子発光
横国大院工 1，産総研 2 ○井上正裕 1，南 康夫 1，片山郁文 1，
関谷隆夫 1，渡邊幸志 2，武田 淳 1
38 第一原理伝道計算によるピーポッドの輸送特性評価
阪大工 ○岩瀬 滋，小野倫也▲ 39 Study the valley polarization in monolayer WSe2 by polarization-resolved
photoluminescence spectroscopy
Institute of Advanced Energy, Kyoto University1，Japan Science andTechnology Agency, PRESTO2，Grad. Sch. Sci. Nagoya University3，
National University of Singapore4 ○ Lizhong Zhou1，Yuhei Miyauchi1,2,3，
Shinichiro Mouri1，Minglin Toh4，Zhao Weijie4，
Goki Eda4，Kazunari Matsuda1
40 電子線照射したグラフェンのラマンスペクトル
筑波大数理 1，TIMS2 ○田中宏和 1,2，平出璃音可 1,2，
大塚洋一 1，友利ひかり 1,2，神田晶申 1,2
41 カーボンナノウォール薄膜の電気伝導度とその膜厚による変化
岐阜大工 ○山本大貴，坂野允彦，小川 大，伊藤貴司，野々村修一
42 周期的 1 軸ひずみを導入したグラフェン電界効果トランジスタ構造の作製と電気伝導評価筑波大数理物質，学際物質セ ○平出璃音可，田中宏和，片倉健太，大塚洋一，友利ひかり，神田晶申
43 カーボンナノチューブ複合紙によるバックコンタクト型 色素増感太陽電池の開発
横国大院工 ○井口広大，大矢剛嗣
44 カーボンナノチューブ複合糸を用いた糸トランジスタの力学的センサーへの応用検討
横国大院工 ○吉田将俊，大矢剛嗣
45 カーボンナノチューブ複合紙を用いた人工物メトリクス認証の高精度化
横国大院工 ○（M2）秋場 誠，大矢剛嗣
46 カーボンナノチューブ複合紙を用いた新電磁波シールド構造と評価 (3)横国大院工 ○（M2）李 搏决，大矢剛嗣
47 単原子層 Ge ナノリボンの電子移動度解析
神戸大工 1，阪大工 2，JST CREST3 ○森 規泰 1，下井田健太 1，
土屋英昭 1,3，鎌倉良成 2,3，森 伸也 2,3，小川真人 1
48 絶縁基板上グラフェンの電子移動度解析
神戸大工 1，阪大工 2，JST CREST3 ○平井秀樹 1，土屋英昭 1,3，
鎌倉良成 2,3，森 伸也 2,3，小川真人 1
49 ディラック電子をキャリアとする FET の性能予測シミュレーション
神大院工 ○田中未来，小川真人，相馬聡文，笹岡健二△ 50 印刷技術によるカーボンナノチューブ折り畳み電極の提案
大阪府大 ○本田 航，有江隆之，秋田成司，竹井邦晴
51 擬似磁場効果を利用した歪みグラフェン FET の準解析的モデル提案
神大院工 ○上山真之，笹岡健二，小川真人，相馬聡文
52 歪み誘起擬似磁場を利用したグラフェンＦＥＴの スイッチング機構における構造乱れの影響
神大院工 ○堤賢一郎，笹岡健二，小川真人，相馬聡文
53 圧電性高分子ポリマー P(VDF-TrFE) 被膜半導体単層カーボンナノチューブ薄膜 FET に対するコロナポーリングの効果
阪大院工 ○井川剛志，吉澤武志，田畑博史，久保 理，片山光浩
54 グラフェン電界効果トランジスタを用いたアルコールおよびケトンのセンサ
特性評価
東工大院理工 ○青柳敬之，ジェフリー クロス，生駒俊之，田中順三
55 グラフェン／シリセン／ゲルマネンナノリボン FET の性能比較
阪大工 1，神戸大工 2，JST CREST3 ○啓示 クレンデネン 1，
森 伸也 1,3，土屋英昭 2,3△ 56 硫化アンモニウムによるグラフェン FET への化学ドーピング大阪府大 ○石田昌平，安野裕貴，有江隆之，竹井邦晴，秋田成司-----------------------------------------------------------------------------------17.1 成長技術
9 月 19 日 9:00 〜 17:30
19a-B3 - 1 〜 9

1 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30 分）
Epitaxial Growth and Electronic Properties of Large Hexagonal
Graphene Domains on Cu(111) Thin Film
九大 1，ケムニッツ工科大 2，NIMS3 ○吾郷浩樹 1，河原憲治 1，小川友以 1，
田上翔太 1，Mark A. Bissett1，辻 正治 1，坂口英継 1，Roland J. Koch2，
Felix Fromm2，Thomas Seyller2，小松克伊 3，塚越一仁 32 塗布を用いた絶縁基板上への直接成長グラファイト薄膜
東理大理 ○加藤幹大，西村未来，宇木権一，趙 新為
3 グラフェンエッジ近傍不純物の構造安定性と電子状態
電通大院先進理工 1，JST-CREST2 ○内田優希 1,2，赤石 暁 1,2，中村 淳 1,2
4 ラマン分光測定による金属 - グラフェン相互作用の評価
東理大理 ○高橋惇郎，加藤大樹，本間芳和

休憩

10:15 〜 10:30△ 5 Cu-Ni 薄膜を用いた二層グラフェンの選択成長とそのメカニズム
九大院総理工 1，九大先導研 2，JST さきがけ 3○
竹崎悠一郎 1，辻 正治 1,2，吾郷浩樹 1,2,3△ 6 銅表面におけるグラフェン成長のダイナミックス
九大院総理工 1，NTT 基礎研 2，九大先導研 3，JST さきがけ 4○
太田勇二郎 1，水野清義 1，日比野浩樹 2，
辻 正治 1,3，吾郷浩樹 1,3,4

（ 124
124 ）

17

△ 7 架橋グラフェンナノリボンアレイの高効率合成
東北大院工 ○鈴木弘朗，加藤俊顕，金子俊郎△ 8 水分量を制御した銅触媒上のグラフェン合成
大阪府大 ○井上雅文，安野裕貴，竹井邦晴，秋田成司，有江隆之▲ 9 Controlling shape and number of layers of graphene crystals in CVD△		 process using waste plastic as carbon source
Nagoya Institute of technology 〇 Subash Sharma，Golap Kalita，Remi Papon，Masaki Tanemura

昼食11:45 〜 13:15

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
同位体ヘテロ接合グラフェンの接合界面における電気・熱特性
大阪府大院工 ○安野裕貴，竹井邦晴，秋田成司，有江隆之
2 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
黒体輻射顕微法によるグラフェン CVD 成長のその場観察
東大院理 1，東大院新領域 2 ○寺澤知潮 1，斉木幸一朗 1,2
3 SiC(0001) Si 面上第一層目グラフェン成長における [1-100] ステップの役割
島根大院総合理工 1，NTT 物性基礎研 2，徳島大工 3 ○影島博之 1,2，
日比野浩樹 2，山口浩司 2，永瀬雅夫 3
4 SiC ステップ表面上の Si 熱脱離グラフェン成長の第一原理シミュレーション
高度情報 1，物材機構 2，東大生研 3，高効率電デバ 4○
小野裕己 1,4，山崎隆浩 2,4，大野隆央 2,3,4
5 CVD 法による SiC 基板へのエピタキシャルグラフェン成長
九大院工 1，東大物性研 2 ○梶原隆司 1，高崎友也 1，木本真一 1，
アントン ビキコフスキー 1，小森文夫 2，田中 悟 1
6 銀微粒子を利用したニッケル上グラフェン成長における表面ダイナミクスの研究
東理大理 ○加藤大樹，籾内雄太，高橋惇郎，本間芳和
7 アルコール CVD 法による大面積単結晶グラフェンドメインの成長
東大工 ○津島幸平，曽田将来，陳嘯，千足昇平，丸山茂夫
8 酸化グラフェンを用いた金属上でのグラフェン生成における還元方法の影響1
2○
1
東大新領域 ，東大院理小幡誠司 ，田中弘成 2，斉木幸一朗 1,2

憩

15:15 〜 15:30

9 多層グラフェンのエピタキシャル触媒膜厚依存性とその電気特性
産総研 1，富士通研 2 ○近藤大雄 1,2，中野美尚 1，周
波 1，
井亜希子 1，林賢二郎 1,2，佐藤信太郎 1,2，横山直樹 1,2
10 Al2O3バリア層を用いた析出法による多層グラフェンの作製
名城大理工 ○鈴木 学，山田純平，上田悠貴，成塚重弥，丸山隆浩▲ 11 Bottom-Up Graphene-Nanoribbon Fabrication Reveals Chiral Edges andEnantioselectivity
WPI-AIMR, Tohoku Univ.1，RIKEN CEMS2，UCLA3 〇 Patrick Han1，
Kazuto Akagi1，Filippo Federici Canova1，Hirotaka Mutoh1，
Susumu Shiraki1，Katsuya Iwaya2，Paul Weiss3，
Naoki Asao1，Taro Hitosugi1
12 プラズマ CVD 法による選択的 2 層グラフェンの合成
TASC グラフェン 1，産総研ナノチューブ 2 ○加藤隆一 1，沖川侑揮 1,2，石原正統 1,2，山田貴壽 1,2，長谷川雅考 1,2
13 高分子焼成法による高熱伝導性多層グラフェンの作製
カネカ 1，TASC グラフェン事業部 2，産総研 3 ○多々見篤 1,2，
立花正満 1,2，八木貴志 2,3，阿子島めぐみ 2,3，村上睦明 1,2
14 新規原料分子を用いたグラフェン及び窒素ドープグラフェンの成長
東大院新領域 1，京大院理 2 ○加藤時穂 1，今村 岳 1，小幡誠司 1，
Malli Bhanuchandra2，依光英樹 2，斉木幸一朗 1
15 プラズマ処理で合成したグラフェンにおける伝導度とドメインサイズの関係
産総研 1，TASC2 ○沖川侑揮 1,2，加藤隆一 2，石原正統 1,2，
山田貴壽 1,2，長谷川雅考 1,2
16 低温プラズマ CVD 法によるフレキシブルウェブへのグラフェンの Roll-toRoll 成膜
産総研 1，TASC2 ○山田貴壽 1,2，嶋田那由太 2，植草和輝 2，長谷川雅考 1,2-----------------------------------------------------------------------------------17.1 成長技術
9 月 20 日 9:00 〜 11:00
20a-B1 - 1 〜 8

6 Al2O3/SiO2基板上での Fe ナノ粒子 -LB 膜を用いた PEFC 用垂直配向 CNT の合成
千葉大院工 ○高際翔太，栗山直樹，大橋正明，串田正人
7 Si 含有カーボンナノファイバーの電気特性評価と構造変化
名工大院工 ○桑高 悠，Zamri Mohd，Yazid Yaakob，Golap Kalita，種村眞幸
8 Fe3O4@SiO2 型コアシェル粒子を触媒に用いたカーボンナノチューブの合成と構造評価
千葉大院工 ○大橋正明，栗山直樹，金杉 治，高際翔太，串田正人------------------------------------------------------------------------------------

19p-B3 - 1 〜 16休

ナノカーボン

1 開口ナノチューブをテンプレートとした単層カーボンナノチューブの繰り返し合成
東大 ○（M1）竹崎大輝，海野貴徳，井ノ上泰輝，千足昇平，丸山茂夫
2 化学気相堆積法によるカーボンナノチューブの再成長および光学測定
東理大理 ○山田千悟，汪 華鋒，伊藤雅浩，加藤大樹，本間芳和△ 3 SiC 上のカーボンナノチューブを下地としたカーボンナノチューブフォレス
トのクローニング成長
早大理工 1，名大エコトピア研 2 ○平野 優 1，稲葉優文 1，渋谷 恵 1，
鈴木和真 1，李 智宇 1，明道三穂 1，平岩 篤 1，
乗松 航 2，楠美智子 2，川原田洋 1△ 4 パルスプラズマ CVD による (6,4) 単層カーボンナノチューブの高純度合成
東北大院工 ○許斌，加藤俊顕，金子俊郎△ 5 低圧化学気相成長法による多層カーボンナノコイルの細線化
1
2
豊橋技科大 ，東海カーボン ，湘南合成樹脂製作所 3，東邦ガス 4○清水慶明 1，須田善行 1，滝川浩史 1，植 仁志 2，
清水一樹 3，梅田良人 4

17.1 成長技術
9 月 20 日 9:00 〜 10:45
20a-B3 - 1 〜 7

1 剥離 MoS2薄膜の LEEM/LEED 解析
NTT 物性基礎研 1，九大 2，島根大 3 ○日比野浩樹 1，
西口克彦 1，水野清義 2，影島博之 3
2 hBN 上への原子層 WS2の直接 CVD 合成
名大院理 1，物材機構 2 ○岡田光博 1，澤崎拓実 1，渡邊賢司 2，
谷口 尚 2，篠原久典 1，北浦 良 1△ 3 薄膜硫化法による MoxW1-xS2 原子層の合成と評価
首都大院理工 1，JST さきがけ 2 ○小林 佑 1，
森 勝平 1，真庭 豊 1，宮田耕充 1,2
4 インジウムはんだを利用した遷移金属ダイカルコゲナイドの電気伝導特性評
価
首都大理工 1，JST さきがけ 2 ○井上凌介 1，小林 佑 1，
森 勝平 1，真庭 豊 1，宮田耕充 1,2△ 5 マイルドプラズマによる遷移金属ダイカルコゲナイドの機能化
東北大院工 ○高橋智之，加藤俊顕，金子俊郎
6 薄膜硫化法による金属性遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長
首都大理工 1，JST さきがけ 2 ○佐々木将悟 1，真庭 豊 1，宮田耕充 1,2▲ 7 Vertically-Aligned Carbon Nanosheets on Grafoils for Lithium Ion
Batteries
Shinshu Univ.1，Hosei Univ.2 ○ Zhipeng Wang1，Hironori Ogata2，
Shingo Morimoto1，Masatsugu Fujishige1，Kenji Takeuchi1，
Yoshio Hashimoto1，Morinobu Endo1-----------------------------------------------------------------------------------17.2 構造制御・プロセス
9 月 17 日 14:00 〜 17:15
17p-B1 - 4 〜 15

1 〜 3 13:15 〜 14:00（17.4 デバイス応用）
4 デバイス化プロセスにおける SiC 上グラフェン電子物性変調
徳島大工 ○有月琢哉，奥村俊夫，呉 龍錫，中島健志，小林慶祐，永瀬雅夫
5 SiC 上グラフェン表面電位の環境雰囲気効果に関する研究
徳島大工 ○泰地耕作，奥村俊夫，中島健志，永瀬雅夫
6 Si インターカレーションによるグラフェン／ SiC 界面構造と電子状態
九大院工 1，東大物性研 2 ○（M2）木本真一 1，飯盛拓嗣 2，
アントン ビシコフスキー 1，梶原隆司 1，
小森文夫 2，田中 悟 1
7 水素終端化シリコン基板への酸化グラフェンの固定化
京大院工 ○國府 翔，屠 宇迪，一井 崇，宇都宮徹，杉村博之
8 VUV/O3 エッチングによる酸化グラフェンのマイクロパターニング
京大院工 1，IIP2 ○（M2）屠 宇迪 1，Om Prakash Khatri2，
一井 崇 1，宇都宮徹 1，杉村博之 1

休憩

15:15 〜 15:30

9 銀コート AFM 探針を用いた架橋グラフェンへの触媒微粒子形成制御
横国大院工 ○増山大祐，荻野俊郎
10 多層グラフェンにおける AFM 陽極酸化と理論分解電圧
東理大理 ○宇木権一，加藤幹大，西村未来，趙 新為
11 グラフェンドット作製と光学特性解析
東北大流体研 1，National Central University2，Ming Chi University ofTechnology3，東北大 WPI-AIMR4 ○岡田 健 1，
Su Cy2，Huang Ch3，寒川誠二 1,4
12 面内へき開によるグラフェン端の構造制御
名大院理 1，首都大理工 2，JST さきがけ 3 ○藤原美帆 1，
宮田耕充 2,3，篠原久典 1
13 マスクレス加工のためのグラフェンへの紫外レーザ照射（Ⅲ）
阪大院基礎工 ○萬木成彰，若家冨士男，阿保 智，阿部真之，高井幹夫
14 電子ビーム描画を用いたグラフェンナノディスクの作製と光学特性評価
北大電子研 ○石田周太郎，関根裕明，笹木敬司
15 バイオセンサー高感度化に向けたグラフェン上ピレン吸着密度定量解析
阪大院工 ○（M1）松井祐司，根岸良太，小林慶裕-----------------------------------------------------------------------------------17.2 構造制御・プロセス
9 月 19 日 13:15 〜 15:30
19p-B1 - 1 〜 9

1 ビア内カーボンナノチューブ選択成長のための CMP プロセス開発
超低電圧デバイス技術研究組合 ○伊東 伴，和田 真，斎藤達朗，
西出大亮，松本貴士，片桐雅之，渡邉勝仁，佐久間尚志，
梶田明広，酒井忠司

（ 125
125 ）

17

ナノカーボン

2 ネックレス型類似新規構造カーボンナノチューブの合成
熊本大院自然 1，CREST2 ○横井裕之 1,2，畠山一翔 1,2，
谷口貴章 1,2，鯉沼陸央 1,2，松本泰道 1,2
3 単層カーボンナノチューブの X 線誘起欠陥における直径依存性
和大シス工 1，和大教育 2 ○村上俊也 1，磯崎 哲 1，
松田充晃 1，木曽田賢治 2，伊東千尋 1△ 4 大気圧プラズマジェット触媒表面処理による CNT の局所成長
高知工科大シス工 1，高知工科大総研ナノ C2 ○本郷知紀 1，
小路紘史 1，呉 準席 1, 2，古田 寛 1, 2，八田章光 1, 2
△ 5 炭化物への塩素処理で形成する多孔質カーボンの特性
住友電工 ○斎藤崇広，石川真二，桑原一也△ 6 結晶鋳型法による金属型・半導体型単層カーボンナノチューブの自己組織的
配列集合体形成
首都大 ○河合英輝，長谷川凱，柳 和宏△ 7 段階溶出による単層カーボンナノチューブの大量構造分離
産総研 ○蓬田陽平，都築真由美，魏 小均，平野 篤，
藤井俊治郎，田中丈士，片浦弘道
8 過剰投入選択吸着と段階溶出クロマトグラフィーによる単層カーボンナノ
チューブの構造分離
産総研ナノシス ○魏 小均，都築真由美，平川琢也，蓬田陽平，
平野 篤，藤井俊治郎，田中丈士，片浦弘道
9 界面活性剤 SDS による半導体／金属カーボンナノチューブ分離の機構解明のための第一原理計算
富士通研 ○大淵真理

休10 〜 19憩

15:30 〜 15:45

15:45 〜 18:15（17.3 新機能探索・基礎物性評価）-----------------------------------------------------------------------------------17.3 新機能探索・基礎物性評価
9 月 18 日 13:15 〜 19:00
18p-B1 - 1 〜 22

1 酸化グラフェンの酸化還元反応を用いた固体イオニクスデバイス
物材機構 ○土屋敬志，鶴岡 徹，寺部一弥，青野正和
2 還元・構造修復に伴う酸化グラフェン薄膜のキャリア伝導機構変化
阪大院工 1，北陸先端大 2 ○根岸良太 1，赤堀誠誌 2，山田省二 2，小林慶裕 1
3 窒素ドープグラフェンの構造安定性と電子状態
電通大院先進理工 1，JST-CREST2 梅木暁図 1,2，○赤石 暁 1,2，中村 淳 1,2
4 窒素ドープグラフェンにおける酸素吸着活性東大新領域 ○赤田圭史，小幡誠司，斉木幸一朗
5 窒素ドープグラフェン上の酸素分子吸着
電通大院先進理工 1，JST-CREST2 ○市川諒英 1,2，赤石 曉 1,2，中村 淳 1,2
6 グラフェンからの二次電子発生機構の研究
東理大理 ○的場健佑，入田 賢，籾内雄太，加藤大樹，本間芳和
7 Photocurrent generation of graphene p-n junction formed by interface
modification
NTT 物性研 ○ Shengnan Wang，関根佳明，鈴木 哲，
前田文彦，日比野浩樹
8 微細加工 Si 基板上 GOS グラフェンの電荷移動領域観察
12
東北大通研 ，東北大多元研 ，東大放射光連携研究機構 3 ○田島圭一郎 1，
井出隆之 1，永村直佳 2，堀場弘司 3，尾嶋正治 3，吹留博一 1，末光眞希 1
9 SiC 上グラフェンのラマンスペクトルにおける表面成分抽出
徳島大 ○青木 翔，呉 龍錫，井口宗明，中島健志，永瀬雅夫
10 非 接 触 走 査 型 非 線 形 誘 電 率 顕 微 鏡 に よ る 水 素 イ ン タ ー カ レ ー ト さ れ た
4H-SiC(0001) 上グラフェンの観察
東北大通研 ○山末耕平，吹留博一，舩窪一智，末光眞希，長 康雄
11 4H-SiC(000-1) エピタキシャルグラフェンの空間分解ラマン分光法とフェム
ト秒キャリアダイナミクス
関学大理工 ○重政英史，久津間保徳，大谷 昇，金子忠昭，玉井尚登
12 金ナノ粒子表面増強ラマン散乱分光を用いた graphene/SiC 界面のバッファー
層の精密分析
NTT 物性基礎研 1，徳島大工 2 ○関根佳明 1，日比野浩樹 1，小栗克弥 1，
岩本 篤 2，永瀬雅夫 2，影島博之 1，赤崎達志 1

休憩

16:15 〜 16:30

13 グラフェンと Ni の界面反応の微視的「その場」観察
東北大通研 1，JASRI/SPring-82，東北大金研 3，JST/CREST4○
長谷川美佳 1，吹留博一 1，小嗣真人 2，大河内拓雄 2，
木下豊彦 2，伊藤 俊 3，末光眞希 1,4
14 グラフェン /h-BN 複合ナノリボンのゼーベック係数
電通大院先進理工 1，JST-CREST2 ○（M2）綾子陽介 1,2，
赤石 暁 1,2，中村 淳 1,2
15 単層グラフェン電気二重層トランジスタの電子状態の ESR 研究
筑波大院数物 1，九大先導研 2，早大院先進 3，筑波大学際セ 4 ○藤田直大 1，
松本大佑 1，櫻井勇希 1，河原憲治 2，吾郷浩樹 2，竹延大志 3，丸本一弘 1,4
16 グラフェンにおける化学ドーピングと有機分子の仕事関数との相関
東工大院理工 ○増島弘顕，森 健彦，早水裕平
17 HfO2下のグラフェンについての電気伝導の第一原理解析
物材機構 1，MARCEED2，東大生産研 3 ○金子智昭 1,2，大野隆央 1,2,3
18 Y2O3(111) 上グラフェンの安定性についての第一原理解析
物材機構 1，MARCEED2，東大生産研 3 ○金子智昭 1,2，大野隆央 1,2,3

19 Graphene/MoS2ファンデルワールスヘテロ構造におけるショットキー障壁のゲート変調
東大生産研 1，東大ナノ量子機構 2 ○佐田洋太 1，山口健洋 1，井上義久 1，
矢吹直人 1，森川 生 1，守谷 頼 1，増渕 覚 1,2，町田友樹 1,2
20 グラフェン／ｈ−ＢＮモアレ超格子におけるグラフェンのバンド構造変調とHofstadter Butterfly 構造の観測
東大生研 1，東大ナノ量子 2，物材機構 3 ○増渕 覚 1, 2，柏木麗奈 1，
森川 生 1，渡邊賢司 3，谷口 尚 3，町田友樹 1, 2
21 緩やかに変化する 1 軸局所ひずみを導入したグラフェンの電気伝導特性
筑波大数理 1，TIMS2 ○友利ひかり 1,2，平出璃音可 1,2，
田中宏和 1,2，大塚洋一 1，神田晶申 1,2
22 グラフェンへの界面電荷移動効果に対する電極接合と表面吸着子の競合
阪府大 N2RC1，東北大 WPI-AIMR，院理 2○
野内 亮 1，松本守広 1，谷垣勝己 2-----------------------------------------------------------------------------------17.3 新機能探索・基礎物性評価
9 月 19 日 15:45 〜 18:15
19p-B1 - 10 〜 19
1〜9

13:15 〜 15:30（17.2 構造制御・プロセス）休憩

15:30 〜 15:45

10 ナノダイヤモンド核から成長した金属フリーカーボンナノチューブをチャネルとした薄膜トランジスタ作製とセンサー応用
阪大院工 1，日本化薬 2 ○加瀬寛人 1，根岸良太 1，
有福達治 2，清柳典子 2，小林慶裕 1▲ 11 Exciton diffusion and related decay processes in individual air-suspended△		 carbon nanotubes
Univ. of Tokyo ○ Akihiro Ishii，Masahiro Yoshida，Yuichiro K. Kato
12 高配向長尺 CNT/ 樹脂複合材料の電気伝導特性
静大院工 1，静大電研 2，JAXA3 ○（M1）柴田欣樹 1，中野貴之 1，
三村秀典 2，島村佳伸 1，後藤 健 3，小笠原俊夫 3，井上 翼 1
13 通電加熱したカーボンナノチューブ紡績糸の機械的性質の評価
東海大院 1，東海大工 2，岡山大院自然 3 ○中込和輝 1，佐藤 匡 2，
飯島 徹 3，稲垣裕大 3，林 靖彦 3，葛巻 徹 2▲ 14 Spontaneous Exciton Dissociation and the Stark Effect in Carbon△		 Nanotubes
Univ. of Tokyo ○（DC）Masahiro Yoshida，Yusuke Kumamoto，Akihiro Ishii，Akio Yokoyama，Takashi Shimada，Yuichiro K. Kato
15 多層カーボンナノチューブにおける内層引き込み現象を利用した層間電気抵抗の測定
名大 ○（M1）四ノ宮悠司，安坂幸師，中原 仁，齋藤弥八
16 垂直配向単層カーボンナノチューブへの水分子吸着
東理大理 1，東大工 2 ○桑原 諄 1，千足昇平 2，
山口元太 1，加藤大樹 1，本間芳和 1
17 イオン液体を用いた電気二重層キャリア注入による半導体型単層カーボンナ
ノチューブの熱電物性の制御
首都大理工 ○北村典雅，大島侑己，神田翔平，河合英輝，
中井祐介，真庭 豊，柳 和宏△ 18 極性ダイヤ分子の設計と合成による固体強誘電性の開拓
東工大応セラ研 ○（DC）並木宏允，笹川崇男△ 19 異種ダイヤ分子の固溶体における誘電特性
東工大応セラ研 ○田中寛人，並木宏允，笹川崇男-----------------------------------------------------------------------------------17.4 デバイス応用
9 月 17 日 9:00 〜 14:00
17a-B1 - 1 〜 10

1 酸化グラフェン薄膜トランジスタを用いたフラグメント抗体によるタンパク質の選択的検出
阪大院工 1，阪大産研 2 ○（M2）松崎通弘 1，根岸良太 1，小林慶裕 1，
大野恭秀 2，前橋兼三 2，松本和彦 22 グラフェン表面に構築した FRET アプタセンサ
NTT 物性基礎研 ○古川一暁，上野祐子，高村真琴，日比野浩樹
3 グラフェン FET による蛍光性結合分子 -DNA 結合の検出
阪大産研 ○岡野誠之，Sabani Norhayati，Verma Rajiv，金井 康，
大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，武井史恵，中谷和彦，松本和彦
4 高感度インフルエンザウイルスセンサに向けたシアロ糖鎖修飾グラフェン電
界効果トランジスタを用いたレクチン検出
阪大産研 1，阪大微研 2，中部大 3，香川大 4 ○麻植丈史 1，金井 康 1，
大野恭秀 1，前橋兼三 1，井上恒一 1，松本和彦 1，渡邊洋平 2，
河原敏男 3，鈴木康夫 3，中北愼一 45 基板表面処理によるグラフェンガスセンサの感度変化
阪大産研 ○中村仁俊，金井 康，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦

休憩

10:15 〜 10:30

6 還元型グラフェン／銀ナノワイヤ積層透明導電フィルムのボロハイドライド
水溶液による小仕事関数化
東芝研究開発センター ○内藤勝之，吉永典裕，赤坂芳浩

（ 126
126 ）

18
7 CDV 成長グラフェンを用いたウェハスケールのトランジスタ作製
物材機構 WPI-MANA1，産総研 GNC2，産総研ナノエレ部門 3○
中払 周 1,2，飯島智彦 3，小川真一 3，八木克典 2，原田直樹 2，
林賢二郎 2，近藤大雄 2，高橋 慎 2，黎 松林 1，
塚越一仁 1，佐藤信太郎 2，横山直樹 2△ 8 グラフェン /n-SiC コンタクトの電気的特性のゲート電圧変調効果
東工大精研 1，北陸先端大 GDRC2 ○（D）永久雄一 1，徳光永輔 1,2
9 高光応答性を有するグラフェン・Si ショットキー接合の作製
名古屋工大 ○ Golap Kalita，Ayahn Muhammed，種村眞幸△ 10 非平衡グリーン関数を用いたグラフェンナノリボン配線伝導特性へのエッジ
揺らぎ効果の第一原理計算
慶大理工 1，LEAP2 ○籔﨑勝也 1，Mohamad Aizuddin1，
酒井忠司 2，粟野祐二 1

昼食11:45 〜 13:15

17p-B1 - 1 〜 3

1 Al2O3絶縁膜を用いたトップゲート型 MoS 2 FET の試作
横国大院工 1，産総研 2，物材機構 3 ○二之宮成樹 1,2，森 貴洋 2，
内田紀行 2，渡辺英一郎 3，津谷大樹 3，森山悟士 3，
田中正俊 1，安藤 淳 22 MoS2 FET における金属－チャネル界面領域での電荷移動観察
東北大通研 1，東北大多元研 2，東大放射光連携研究機構 3 ○（M2）須藤亮太 1，
田島圭一郎 1，安川奈那 1，北田祐太 2，永村直佳 2，本間 格 2，
堀場弘司 3，尾嶋正治 3，吹留博一 1，末光眞希 1
3 大面積 WSe2 薄膜を用いた Flexible logic circuits
早大応物 1，Academia Sinica2，東大工 3，理研 CEMS4，早大材研 5○
舟橋一真 1，蒲江 1，Lain-Jong Li2，岩佐義宏 3,4，竹延大志 1,5
4 〜 15 14:00 〜 17:15（17.2 構造制御・プロセス）-----------------------------------------------------------------------------------17.4 デバイス応用
9 月 19 日 9:15 〜 11:45
19a-B1 - 1 〜 9▲ 1 CNT microelectrodes for flexible electrochemical sensor applications
Dept. Quantum Eng., Nagoya Univ. 〇 Xuan Viet Nguyen，Kishimoto Shigeru，Ohno Yutaka
2 n 型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタのしきい値ばらつきの評価
名大工 ○安西智洋，岸本 茂，大野雄高
3 版を用いない印刷・塗布法で作製した CNT 薄膜トランジスタアレイ
TASC1，AIST2，NEC3 ○沼田秀昭 1,3，佐々木扶紗子 1，
斎藤 毅 1,2，二瓶史行 3
4 ナノ浮遊ドットを有するカーボンナノチューブ単電子トランジスタ
阪大産研 ○清家康平，金井 康，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦

休憩

10:15 〜 10:30△ 5 印刷技術を用いた歪みセンサアレイによる人工電子ウィスカー
大阪府大 ○原田真吾，本田 航，有江隆之，秋田成司，竹井邦晴△ 6 高配向半導体カーボンナノチューブ薄膜を用いた太陽電池の創製
東北大院工 ○赤間俊紀，加藤俊顕，金子俊郎△ 7 SiC 上に形成した稠密カーボンナノチューブフォレストの面内方向伝導性評
価
早大理工 1，名大エコトピア研 2 ○稲葉優文 1，李 智宇 1，鈴木和真 1，
渋谷 恵 1，明道三穂 1，平野 優 1，平岩 篤 1，
乗松 航 2，楠美智子 2，川原田洋 1
8 電着法による炭素材料への Pt-Ru 金属ナノ粒子の担持およびメタノール酸化
活性評価 (II)
法政大院理工 1，信州大工 2 ○吉竹晴彦 1，早瀬勝平 1，
王 志朋 2，緒方啓典 1
9 イオン照射した炭素材料への Pt ナノ粒子の担持およびメタノール酸化活性評
価
法政大院 1，法政大イオン研 2，信州大 3 ○早瀬勝平 1，
吉竹晴彦 1，西村智朗 2，王 志朋 3，緒方啓典 1------------------------------------------------------------------------------------

18

JSAP-OSA Joint Symposia

OSA President Special Lecture
9 月 17 日 13:45 〜 14:45
17p-C4 - 1

Quantum Control in Strong Laser Fields（60min.）Stanford University ○ Philip Bucksbaum------------------------------------------------------------------------------------

17 ナノカーボン
JSAP-OSA Joint Symposia

18.1 Plasmonics
9 月 19 日 9:00 〜 18:00
19a-C3 - 1 〜 11

▲ 1 [INVITED] Metamaterials: From 3D Plasmonic Nanostructure toReﬂective Metasurface（30min.）Department of Physics, National Taiwan University1，Research Center
for Applied Sciences, Academia Sinica2，Optoelectronics ResearchCentre and Centre for Photonic Metamaterials, University ofSouthampton3，Department of Physics, University of
Massachusetts Boston, Boston, Massachusetts 02125, USA.4，
Department of Optical Science and Engineering,
Fudan University5，School of Electrical andElectronic Engineering, Nanyang Technological
University6 〇 Din Ping Tsai1.2，Wei Ting Chen1，
Yao-Wei Huang1，Pin Chieh Wu1，Chun Yen Liao1，
Kuang-Yu Yang2，Ai Qun Liu6，Vassili Fedotov3，
Greg Sun4，Lei Zhou5▲ 2 Fano resonance in surface plasmon polariton mediated extraordinary
optical transmission
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences1，Department of
Physics, University of Texas at Austin2 〇 Qiu Xianggang1，Li Bohong1，
Cheng Fei1，Sanders Charlotte2，Shvets Gennady2，Shih Chih-Kang2▲ 3 Reflective Metasurface and Plasmonic Hologram Application
Department of Physics, National Taiwan University1，Research Center
for Applied Sciences, Academia Sinica2，Institute of Opto-electronic
Engineering, National Dong Hwa University3，Department of Physics,
University of Massachusetts Boston4，Department of Optical Science andEngineering, Fudan University5，State Key Laboratory of Surface Physics
and Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (Ministry of
Education), Fudan University6，School of Electrical and Electronic
Engineering, Nanyang Technological University7 〇 Yao-Wei Huang1，
Wei Ting Chen1，Kuang-Yu Yang2，Chih-Ming Wang3，Greg Sun4，
Shulin Sun5，Lei Zhou6，Ai Qun Liu7，Din Ping Tsai1,2▲ 4 Isotropic perfect absorber in optical frequencies using vertical split-ringresonator
National Taiwan University (NTU) 〇 Hao-Tsun Lin，
Pin Chieh Wu，Din Ping Tsai
▲ 5 Visualization of Plasmonic Coupled mode of Gold Curvilinear Nanorods
and Straight Nanorods by Photoemission Electron Microscopy
Metamaterials Lab., RIKEN1，RIES Hokkaido Univ.2 〇 Yukie Yokota1，
Quan Sun2，Kosei Ueno2，Yasutaka Matuo2，
Hiroaki Misawa2，Takuo Tanaka1,2

Break

10:30 〜 10:45▲ 6 [INVITED] Thermal Radiation Control by Plasmonic Structures: from
Metasurface to Metaﬁlament（30min.）
PARC1，Graduate School of Eng.2 ○ Junichi Takahara1,2，
Yosuke Ueba2▲ 7 Graphene Metasurface for THz Wavefront Control△
Okayama Univ. 〇 Takumi Yatooshi，Atsushi Ishikawa，Kenji Tsuruta▲ 8 Large Area, Aluminum Metal-Insulator-Metal Infrared Perfect Absorber△International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institutefor Materials Science (NIMS)1，CREST, Japan Science and Technology
Agency2，Graduate School of Materials Science, Nara Institute of
Science and Technology3 〇 Thang Dao1,2,3，Kai Chen1,2，Ishii Satoshi1,2，Lakshminarayana Gandham1,2，
Ohi Akihiko1,2，Nabatame Toshihide1,2，
Nagao Tadaaki1,2▲ 9 Large-area Tunable Al Plasmonic Substrate for Infrared Spectroscopy
MANA, NIMS1，CREST, Japan Science and Technology Agency2，
Graduate School of Materials Science, NIST3 〇 Kai Chen1,2，
Thang Duy Dao1,2,3，Lakshminarayana Gandham1,2，
Tadaaki Nagao1,2▲ 10 Plasmon hybridization in 3D magnetic metamolecules
NTU (Taiwan)1，NTU (Singapore)2，UMB3 〇 (D)Wei-Lun Hsu1，
Pin Chieh Wu1，Wei Ting Chen1，Yao-Wei Huang1，
Chun Yen Liao1，Ai Qun Liu2，Greg Sun3，
Din Ping Tsai1▲ 11 Vertical split-ring resonator based nanoplasmonic sensor
Department of Physics, National Taiwan University1，Department of
Physics, University of Massachusetts Boston2，Institute of Optoelectronic
Sciences, National Taiwan Ocean University3，Research Center for
Applied Sciences, Academia Sinica4，Institute of Physics,
Academia Sinica5 〇 Pin Chieh Wu1，Greg Sun2，
Wei Ting Chen1，Yao-Wei Huang1，Hsiang Lin Huang3，
Hai Pang Chiang3, 4, 5，Din Ping Tsai1, 4

Lunch

19p-C3 - 1 〜 13

12:30 〜 14:00▲ 1 [INVITED] Visualizing plasmons by near-ﬁeld spectroscopy（30min.）Waseda Univ. 〇 Kohei Imura

（ 127
127 ）

18

JSAP-OSA Joint Symposia▲ 2 Three dimensional light manipulation for full-color nano-projector
National Taiwan University1，Nanyang Technological University2，
Academia Sinica3 〇 Mu Ku Chen1，Chia Min Chang1，Ming Lun Tseng1，
Din Ping Tsai1，Ai Qun Liu2，Ding-Wei Huang1，Yung Chiang Lan2，
Bo Han Cheng3，I-Da Chiang1▲ 3 Modification of Point-Spread Function in Confocal Microscopy by△		 Nonlinear Plasmonic Light Scattering
Dept. of Applied Physics, Osaka University1，Dept. of Physics,
National Taiwan University2 〇 Ryosuke Oketani1，Hsueh-Yu Wu2，
Hsuan Lee2，Yen-Ta Huang2，Yasuo Yonemaru1，Tung-Yu Su2，
Satoshi Kawata1，Shi-Wei Chu2，Katsumasa Fujita1▲ 4 Sharp resonances in waveguide-coupled surface plasmon sensors forsuper-resolution sensing
MASCIR1，Kobe Univ.2，Univ. Mohamed V-Agdal3，Osaka Univ.4〇
Shinji Hayashi1,2，Dmitry Nesterenko1，Zouheir Sekkat1,3，
Yasushi Inoue4，Satoshi Kawata4▲ 5 Metal-insulator-metal structures for high-resolution sensing
MASCIR1，Kobe Univ.2，Univ. Mohammed V-Agdal3，Osaka Univ.4〇
Siham Refki1,3，Shinji Hayashi1,2，Dmitry Nesterenko1，
Zouheri Sekkat1,3，Yasushi Inoue4，Satoshi Kawata4

Break

15:30 〜 15:45▲ 6 [INVITED] Plasmonic Hot Electron Induced Structural Phase
Transition in Monolayer MoS2（30min.）School of Physics, Peking University Yimin Kang，〇 Zheyu Fang
▲ 7 Plasmonic Photocatalyst for Degradation with Spinning Optical Disk
ReactorDepartment of Physics,NTU1，Graduate Institute of Applied Physics,NTU2，
Department of Chemistry,NTU3，Instrument Technology Research Center,
NARL4，Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica5〇 (M1)
Wenting Hsieh1，Yulim Chen1，Ida Chiang1，Lichung Kuo1，
Min Lun Tseng2，Hao Ming Chen3，Chih Kai Chen3，
Hung Ji Huang4，Ru Shi Liu3，Din Ping Tsai5▲ 8 Directional coupling of plasmonic disk modes to an edge waveguide
Institute of Physics, University of Graz1，FELMI, Graz University ofTechnology, 8010 Graz, Austria2 〇 Harald Ditlbacher1，
Franz Schmidt1,2，Ulrich Hohenester1，Joachim R. Krenn1▲ 9 Imaging of Localized Plasmon Polaritons by Apertureless Scanning Near△		 field Optical Microscopy
Nagaoka University of Technology 〇 Soushi Ikeda，Yongfu Cai，
Qianwen Meng，Taichi Yokoyama，Kenji Shinozaki，Takayuki Komatsu，Takayuki Ishibashi▲ 10 Cathodoluminescence of 2D plasmonic crystals with hexagonal lattice
1
Tokyo Institute of Tech. ，JST-CREST2 ○ Hikaru Saito1，Naoki Yamamoto1,2▲ 11 Surface plasmons and Mott transition in strongly-correlated oxide VO2The Univ. of Tokyo1，ISIR-Sanken, Osaka University2 〇 Matsui Hiroaki1，
Kanki Teruo2，Tanaka Hidekazu2，Delaunay Jean-Jacques1，
Tabata Hitoshi1▲ 12 Electromagnetic Modelling of Metal-Dielectric Multi-Nanolayer Structure
Supporting Surface Plasmons
State Engineering University of Armenia1，National Institute of
Telecommunication, Poland2，Kielce University of Technology,
Poland3 〇 Marian Marciniak2,3，Hovik Baghdasaryan1，
Tamara Knyazyan1，Tamara Hovhannisyan1▲ 13 Optical constants of gold-silver-copper alloy system
Yokohama National University1，Swinburne University of Technology2〇
Yoshikazu Hashimoto1，Yoshiaki Nishijima1，Seniutinas Gediminas2，
Rosa Lorenzo2，Juodkazis Saulius2-----------------------------------------------------------------------------------18.1 Plasmonics
9 月 20 日 9:00 〜 12:30
20a-C3 - 1 〜 11

▲ 1 [INVITED] Plasmonic applications of lossy transition metals (30min.)
Hokkaido Univ.1，JST-PRESTO2 〇 Katsuyoshi Ikeda1,2▲ 2 Polarization analysis of near-field probe for top-enhanced Raman
imaging
Department of Applied Physics, Osaka University 〇 Toshihiro Mino，
Yuika Saito，Prabhat Verma▲ 3 Active gold nanoshells for surface enhanced Raman scattering
Faculty of science, Jiangsu University1，School of Physics,
Nanjing University2 Jiang Shumin1，〇 Wu Dajian1，
Cheng Ying2，Liu Xiaojun2▲ 4 Metamaterial-Enhanced Infrared Absorption Spectroscopy
Okayama Univ.1，RIKEN2，Hokkaido Univ.3〇
Atsushi Ishikawa1,2，Takuo Tanaka2,3▲ 5 Indium for deep-UV plasmonics: Surface-enhanced Raman scattering△
RIKEN1，Osaka Univ.2 〇 Yasuaki Kumamoto1，Yuika Saito2，
Atsushi Taguchi1,2，Mitsuhiro Honda1，
Koichi Watanabe1，Satoshi Kawata1,2

Break

10:30 〜 11:00▲ 6 Grain structure for TERS microscopy
Osaka University1，RIKEN2 〇 Atsushi Taguchi1, 2，Satoshi Kawata1, 2▲ 7 Nanoantenna on remote plasmonic excitation nanostructures
NTU 〇 (M2)Liang Yen-Hsiang，Chen Shih-Wen，Hsueh Chun-Hway，Li Jia-Han▲ 8 Enhanced Nano-size Circularly Polarized Light Generated by Cross△		 V-groove Aperture Antenna
Nagaoka Univ. of Tech.1，Nihon Univ.2，NHK3 〇 (DC)Yongfu Cai1，
Katsuji Nakagawa2，Hiroshi Kikuchi3，Naoki Shimidzu3，
Takayuki Ishibashi1▲ 9 Optimization of Sensitivity and Electric Field Enhancement for Bowtie△		 Nanoring Nanoantenna Arrays
NTU 〇 (D)Li-Wei Nien，Bo-Kai Chao，Jia-Han Li，Chun-Hway Hsueh▲ 10 Effects of Nanoprism Rotation-angle on Surface Plasmon Coupling in△		 Gold Bowtie Nanoantennas
Department of Materials Science and Engineering, NTU1，
Department of Engineering Science and Ocean Engineering, NTU2〇
Miao-Hsuan Chien1，Li-Wei Nien1，Bo-Kai Chao1，
Jia-Han Li2，Chun-Hway Hsueh1▲ 11 Characterization of plasmonic nano-antennas by cathodoluminescenceTokyo Tech1，JST-CREST2，NIMS3 〇 Nishio Natsuki1,2，
Naoki Yamamoto1,2，Dao Duy Thang3，
Chung Vu Hoang3，Tadaaki Nagao3-----------------------------------------------------------------------------------18.2 Bio- and Medical Photonics
9 月 18 日 9:30 〜 17:30
18a-C4 - 1 〜 10

▲ 1 [INVITED] Optical Bio-Microrheology（30min.）Institute of Biophotonics, National Yang-Ming University1，
Biophotonics & Molecular Imaging Research Center (BMIRC),
National Yang-Ming University2 Yin-Quan Chen1，〇
Arthur Chiou1, 2▲ 2 Super-resolution Microscope Based on Laser Scanning and a Microsphere
Lens
Department of Physics, National Taiwan University1，Center for
Condensed Matter Sciences, National Taiwan University2，
Institute of Physics, Academia Sinica3，Molecular Imaging Center,
National Taiwan University4 〇 Kuan-Yu Li1，Yun-Ju Liu1，
Yang Tsao1,2，Kung-Hsuan Lin3，Chih-Wei Chang1,2，
Shi-Wei Chu1,4▲ 3 Tunable Fano resonance in two-layer gold nanoslit array and its
application for highly sensitive biosensors
research center for applied sciences, academia sinica 〇 pei-kuen Wei▲ 4 Label-free measurement of cell-electrode cleft gap distance with a highspatial resolution surface plasmon microscopy
Institute of Bioelectronics (ICS-8/PGI-8), Forschungszentrum Juelich
GmbH1，Institute of Biomaterials and Bioengineering, Tokyo Medical
and Dental University2，Division of Information and Electronic
Engineering, Muroran Institute of Technology3 〇 Koji Toma1,2，
Hiroshi Kano3，Andreas Offenhaeusser1▲ 5 Dual SPR-SERS Sensors Using Gold Nanoslits and Oblique Angle
Deposition
Academia Sinica1，National Yang-Ming University2，
National Taiwan Ocean University3 〇 Kuang-Li Lee1，
Chao-Hsien Cheng2，Wei-Yi Chang1，Pei-Kuen Wei1,2,3

Break

11:00 〜 11:15▲ 6 Single Molecule FRET Combined with Defocus Imaging△
Dept. Appl. Phys., Osaka Univ.1，Frontier Biosci., Osaka Univ.2〇
Somekawa Kazuma1，Ishitobi Hidekazu1,2，Inouye Yasushi1,2▲ 7 The Stimulated Emission Depletion Properties of Spiro-BTA
Department of Physics, National Taiwan University1，Department ofChemistry, National Taiwan University2，National Taiwan University
Molecular Imaging Center3 〇 Wei-Kuan Lin1，Jian-Zhang Cheng2，
Si-Han Wu2，Hsueh-Yu Wu1，Po-Fu Chen1，Yun-Ju Liu1，
Ken-Tsung Wong2，Chung-Yuan Mou2，Shi-Wei Chu1,3▲ 8 Photoisomerization of azobenzene derivative combined liposome suing a
two-photon UV-Blue pulsed laser
Photonics Control Technology Team, RIKEN 〇 Shengyong Geng，
Syuuichi Kanno，Yasuhiro Maeda，Satoshi Wada
▲ 9 Development of a Fluorescent Probe Providing Nonlinear Response
through Intramolecular Electron Transfer
Department of Applied Physics, Graduate school of Engineering,Osaka University1，Division of Advanced Science andBiotechnology, Graduate school of Engineering,Osaka University2，FUJIFILM corporation3，
Biophotonics Laboratory., IFReC,
Osaka University4 〇 Kentaro Mochizuki1，
Lanting Shi1，Susumu Mizukami2，
Masahito Yamanaka1，Mamoru Tanabe3，
Wei-Tao Gong2，Shogo Kawano1，
Nicholas Isaac Smith4，Satoshi Kawata1，
Kazuya Kikuchi2

（ 128
128 ）

18

▲ 10 Simultaneous single and two-photon excitation of fluorescent proteins for
multicolor imaging of cellular structures
Dept of Applied Physics, Osaka Univ.1，Dept of Quantum Engineering,
Nagoya Univ.2，Inst of Scientific Industrial Research, Osaka Univ.3，
Immunology Frontier Research Center, Osaka Univ.4〇
Kumiko Uegaki1，Masahito Yamanaka2，Kenta Saito3，
Nicholas Smith4，Yoshiyuki Arai3，Satoshi Kawata1，
Takeharu Nagai3，Katsumasa Fujita1

Lunch

12:30 〜 13:45

18p-C4 - 1 〜 12

▲ 1 [INVITED] A composite-type optical ﬁberscope system with hybrid
functions of diagnosis and medical treatment（30min.）Japan Atomic Energy Agency1，Akita University2〇
Oka Kiyoshi1，Seki Takeshi2▲ 2 Fluorescence-Raman (Dual-modal) Endoscopic System for Real-time invivo Multiplexed Molecular Diagnosis
Departmenet of Chemistry Education, SNU1，Department of Nuclear
Medicine, College of Medicine, SNU2，School of Chemical and BiologicalEngineering, SNU3 〇 Sinyoung Jeong1，Yong-il Kim2，Homan Kang3，
Gunsung Kim1，Myeong Geun Cha1，Hyejin Chang1，Yoon-Sik Lee3，
Dong Soo Lee2，Dae Hong Jeong1▲ 3 In vivo photothermal optical coherence tomography for non-invasive
endogenous absorption agent imaging
Computational Optics Group in University of Tsukuba〇
Shuichi Makita，Young-Joo Hong，Yoshiaki Yasuno▲ 4 Functional optical coherence tomography (fOCT) based on biospeckle to△		 monitor environmental stresses on plants
Saitama Univ.1，Ruhuna Univ., Sri Lanka2〇 (D)Thanuja Srimal1,2，Hirofumi Kadono1▲ 5 Ultra-short term plant growth dynamics under cadmium stressusing
Statistical Interferometry Technique
Saitama Univ.1，Saitama Univ.2 〇 Satoru Sekine1，Hirofumi Kadono2▲ 6 Temporal observation of osteoblastic mineralization by Raman imaging△
Department of applied physics, Graduate School of Engineering,Osaka University1，Department of Periodontology,
Graduate School of Dentistry, Osaka University2，
Department of Physics, Faculty of Science,
East China University of Science and Technology3，
Photonics Advanced Research Center, Osaka University4〇
Aya Hashimoto1，Liang-da Chiu1，Tomohiko Ikeuchi1，
Katsumasa Fujita1，Masahide Takedachi2，
Yoshinori Yamaguchi1, 3，Satoshi Kawata1, 4，
Shinya Murakami2，Eiichi Tamiya1, 4

Break

15:30 〜 15:45▲ 7 [INVITED] Light-neuron interactions: Key to understanding the brain（30min.）The Australian National University 〇 Vincent Daria▲ 8 In vivo imaging of the absorption and scattering properties of exposed
rat brain by using multi-spectral diffuse reflectance images
Tokyo University of Agriculture and Technology BASE1，
National Defense Medical College Research Institute2，
Yamagata University3 Tomohiro Ishizuka1，
Keiichiro Yoshida1，〇 Izumi Nishidate1，
Satoko Kawauchi2，Shunichi Sato2，Manabu Sato3▲ 9 Hyperspectral holographic imaging of brain tissues using swept-source
diffraction phase microscopy
Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)〇Lee Shinwha，Lee Eeksung，Jeong Jaehwang，Park Hyungjoo，Jeong Yong，Park Yongkeun▲ 10 Large Area Raman Spectroscopic Imaging of Unstained Mouse Brain
Slice with Sub-micron Spatial Resolution
Photonics Advanced Research Center, Osaka University1，
Department of Applied Physics, Osaka University2，
Graduate School of Pharmaceutical Sciences,
Osaka University3，Institute for Academic Initiatives,
Osaka University4，United Graduate School ofChild Development, Osaka University5〇
Almar Palonpon1,2，Atsushi Kasai3,4，
Satoshi Kawata1,2，Hitoshi Hashimoto3,5，Katsumasa Fujita2▲ 11 Spectroscopic Study of Second Harmonic Generation Chiral Microscopy
in Type I Collagen
Department of Physics, National Taiwan University1，Institute of
Photonics Technologies, National TsingHua University2，Department
of Electrical Engineering, National TsingHua University3，Molecular
Imaging Center, National Taiwan University4 〇 (D)Mei-Yu Chen1，
Che-Wei Kan1，Yen-Yin Lin2,3，Shi-Wei Chu1,4▲ 12 Live Dynamics on Femtoinjection of GFP-Tagged Nucleosome
Chaperones into HeLa Cell
RcMcD, Hiroshima Univ.1，Tokyo Univ. Agri. Tech.2〇
Tomohide Takami1，Jun-ichi Uewaki1，Hiroshi Ochiai1，
Masato Koyama2，Yoshihide Ogawa2，Mikako Saito2，
Hideaki Matsuoka2，Shin-ichi Tate1

JSAP-OSA Joint Symposia

18.2 Bio- and Medical Photonics
9 月 19 日 9:30 〜 12:30
19a-C4 - 1 〜 10

▲ 1 [INVITED] Adaptive optics and its application to bioimaging.(30min.)Subaru Telescope, National Astronomical Observatory of Japan1，
Division of Evolutionaly Biology, National Instutute for
Basic Biology2，Spectrography and Bioimaging Facility,
National Instutute for Basic Biology3 ○ Yutaka Hayano1，
Yosuke Tamada2，Masayuki Hattori3，Shin Oya1，
Yasuhiro Kamei3，Takashi Murata2，Mitsuyasu Hasebe2▲ 2 Imaging Analysis of the Target inside Turbid Media in Volume
Holographic Imaging System
Center for Optoelectronic Medicine, National Taiwan University1，
Molecular Imaging Center, National Taiwan University2〇
Chen Yen Lin1，Yuan Luo1,2▲ 3 Video-rate spectral imaging with fiber-laser-based stimulated Raman
scattering microscope
Canon1，Tokyo Univ.2 ○ Naoki Kohara1，Michio Ishikawa1，
Yuki Yonetani1，Chidane Ouchi1，Yasuyuki Ozeki2▲ 4 Fiber-laser-based stimulated Raman scattering microscope in△		 fingerprint region with a Neodymium doped fiber laser at 920 nm
Canon1，Tokyo Univ.2 ○ Yuki Yonetani1，Naoki Kohara1，
Michio Ishikawa1，Chidane Ouchi1，Yasuyuki Ozeki2▲ 5 Coherent Anti-stokes Raman Spectroscopy with Dual-Wavelength△		 Oscillation Electronically Tuned laser
Photonics Control Technology Team, RIKEN1，Dept. of Bioscience,
Graduate School of Science and technology, Kwansei Gakuin Univ.2〇
Yasuhiro Maeda1，Yusuke Nishimoto2，Satoshi Wada1，
Hidetoshi Sato2

Break

11:00 〜 11:15▲ 6 Multimodal label-free imaging and complementary imaging pathways
based on different scattering modes.
Biophotonics Laboratory, Immunology Frontier Research Center,
Osaka University1，Dept Applied Physics, Graduate School ofEngineering, Osaka University2 〇 Nicholas Smith1,2，
Nicolas Pavillon1，Alison Hobro1，Katsumasa Fujita2▲ 7 Multi-modality Super-resolution Optical Imaging of Living System
Peking Univ.1，Chinese Acad Sci.2 〇 Chen Xuanze1，
Zhang Xi2，Xu Pingyong2，Xi Peng1▲ 8 Label-free cell organelle imaging by D-EXA microscopy
Shizuoka Univ.1，JSPS Research Fellow2，JST CREST3，
Hamamatsu Univ. Sch. Med.4 ○（PC）Yasunori Nawa1, 2，
Wataru Inami1, 3，Atsushi Ono1, 3，Sheng Lin1，
Yoshimasa Kawata1, 3, 4，Susumu Terakawa3, 4▲ 9 Tens nanometer scale cathodoluminescence bioimaging with rare-earth
doped nanophosphors
Graduate School of Engineering Science, Osaka University1，
School of Engineering, The University of Shiga Prefecture2〇
Shoichiro Fukushima1，Hirohiko Niioka1，Ichimiya Masayoshi1,2，
Miyake Jun1，Ashida Masaaki1，Araki Tsutomu1，
Hashimoto Mamoru1▲ 10 Multimodal bioimaging probes based on lanthanide doped Gd2O3
nanophosphors
Grad. School of Eng. Sci. Osaka U1，School of Eng., The U. of Shiga
Prefecture2 〇 (D)T Kim Dung Doan1，Shoichiro Fukushima1，
Hirohiko Niioka1，Jun Miyake1，Masayoshi Ichimiya1,2，
Masaaki Ashida1，Tsutomu Araki1，Mamoru Hashimoto1-----------------------------------------------------------------------------------18.3 Laser Manufacturing
9 月 19 日 13:30 〜 17:00
19p-C4 - 1 〜 10

▲ 1 [INVITED] Lastest laser technology and applications（30min.）TRUMPF Corporation ○ Bastian Becker，Tsuyoshi Nakamura▲ 2 [INVITED] Single mode fiber laser and their process applications（30min.）Furukawa Electric CO.,LTD 〇 Akira Fujisaki▲ 3 Highly Efficient Yb-doped Laser Fiber Synthesized by Vapor-phase
Doping Technique
CSIR-CGCRI1，IPHT2 〇 (D)Maitreyee Saha1，Atasi Pal1，Mrinmay Pal1，
Martin Leich2，Jens Kobelke2，Ranjan Sen1
▲ 4 The influence of particle diameter on the powder melting process by△		 diode laser irradiation
Graduate school of engineering, Osaka University1，Joining and Welding
Research Institute, Osaka University2，Osaka Fuji Corporation3〇 (D)Tanigawa Daichi1，Abe Nobuyuki2，Tsukamoto Masahiro2，
Hayashi Yoshihiko2，Yamazaki Hiroyuki2，Tatsumi Yoshihiro3，
Yoneyama Mikio3------------------------------------------------------------------------------------

（ 129
129 ）

18

JSAP-OSA Joint Symposia▲ 5 Fabrication of plasmonic cavity and indefinite metamaterial by laserinduced forward transfer
Department of Physics, National Taiwan University1，National Center ofTheoretical Sciences at Taipei, Physics Division, National Taiwan
University2，Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,
National Taiwan University3，State Key Laboratory of Surface Physics
and Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (Ministryof Education), Fudan University4，School of Electrical andElectronic Engineering, Nanyang Technological University,
Singapore 639798, Singapore.5，Research Center for Applied
Sciences, Academia Sinica6 〇 Yi-Teng Huang1，Wei Ting Chen1，
Ming Lun Tseng1，Chun Yen Liao1，Pin Chieh Wu1，Shulin Sun1,2，
Ai Qun Liu5，Chia Min Chang3，Lei Zhou4，Din Ping Tsai1,6

Break

15:15 〜 15:30▲ 6 [INVITED] Micromachining of CFRP with Short Pulse Lasers（30min.）
ILT1，Kinki Univ.2，ILE, Osaka Univ.3，Spectronix Co.4〇
Masayuki Fujita1，Hiroshi Ohkawa2，Masataka Otsuka2，
Yoshinobu Maeda2，Takaomi Matsutani2，Noriaki Miyanaga3，
Yosuke Orii4，Koji Inaba4，George Okada4▲ 7 Nanosecond laser induced carbon fiber reinforced plastic processing
under Ar gas ambience for suppression HAZ
JWRI, Osaka Univ.1，Graduate School of Enginerring, Osaka Univ.2〇 (PC)
Sato Yuji1，Tsukamoto Masahiro1，Matsuoka Fumihiro2，
Takahashi Kenjiro1，Masuno Shinichiro1▲ 8 Effective Scanning Condition of Laser CFRP Processing with High Power
Pulsed Fiber Laser
Joining and Welding Research Institute, Osaka University1，
Institute of Laser Engineering, Osaka University2，
Institute of Laser Technology3，Advanced Laser and Process
Technology Research Association4 〇 (PC)Kenjiro Takahashi1，
Masahiro Tsukamoto1，Shin-ichiro Masuno1，Yuji Sato1，
Hidetsugu Yoshida2，Koji Tsubakimoto2，Hisanori Fujita2，
Noriaki Miyanaga2，Masayuki Fujita3，Hitoshi Ogata4▲ 9 Periodic Nanostructures Formation for Creating New Functional
Biomaterials
Joining and Welding Research Institute, Osaka University1，
Institute of Biomaterials and Bioengineering, Tokyo Medical
and Dental University2 〇 Togo Shinonaga1，
Masahiro Tsukamoto1，Peng Chen2，
Akiko Nagai2，Takao Hanawa2▲ 10 Crack formations inside a LiF single crystal by focusing a femtosecond
laser pulse with controlled astigmatism
SACI, Kyoto Univ.1，Grad. Sch. Eng, Kyoto Univ.2 〇 Sakakura Masaaki1，
Fujimatsu Yusei2，Fukuda Naoaki1，Shimotsuma Yasuhiko2，
Miura Kiyotaka2-----------------------------------------------------------------------------------18.4 Optical Micro-sensing，Manipulation，and Fabrications
9 月 18 日 9:00 〜 17:15
18a-C3 - 1 〜 11

▲ 1 [INVITED] Optical Nanomanipulation Using Nanoshaped Plasmonic
Fields（30min.）
RIES, Hokkaido Univ. 〇 Keiji Sasaki，Shutaro Ishida，Kyosuke Sakai，Yoshito Tanaka▲ 2 Determination of thickness and refractive index of thin layers using dual
plasmonic Fano resonances in gold nanogrids
Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica1，
Institute of Photonics Technologies, National Tsing Hua University2，
Department of Optoelectronics, National Taiwan Ocean University3，
Department of Mechanical and Mechatronic Engineering,
National Taiwan Ocean University4 〇 Ming-Yang Pan1,2，
Kuang-Li Lee1，Likang Wang2，Pei-Kun Wei1,3,4▲ 3 Construction of photo-thermal voltaic system using black semiconductors
YNU for Yokohama National University1，SUT for Swinburne Universityof Technology2 〇 Ryosuke Komatsu1，Takuya Yamamura1，
Gediminas Seniutinas2，Yoshiaki Nishijima1，
Saulius Juodkazis2

Break

10:00 〜 10:15▲ 4 [INVITED] 3D Light-driven Micro-tools with Nano-probes（30min.）DTU Fotonik 〇 Jesper Gluckstad▲ 5 SOI Slot Waveguide Based on-Chip Trace Gas Sensor in the Mid-IR
Physics Department, Indian Institute of Technology Delhi〇 (D)Ajanta Barh，Babita Kumari，R. K. Varshney，B. P. Pal▲ 6 Selective excitation of fundamental and zeroth-order vector beams in
few-mode fiber for sensing application
Department of Physics, IIT Kharagpur 〇 Saba Khan，
Sudip Kr Chatterjee，Partha Roy Chaudhuri▲ 7 Unprecedented highest EO coefficient of 216 pm/V for electro-optic
polymer/TiO2 multilayer slot waveguide modulators
KUT1，UW2 〇 (P)Youssef Jouane1，Yu Chi Chang1，Dan Zhang1，
Hidehiro Nakamura1，A. K-Y Jen2，J Luo2，Yasufumi Enami1▲ 8 Response of nano Crystalline Cobalt-doped Nickel Ferrite Particles in
Magnetic Field Detection Experiments
OSA 〇 Somarpita Pradhan，Kajal Mondal，Partha Roy Chaudhuri▲ 9 Optical Detection of Defects on Porous Surfaces△
Faculty of engineering, Ibaraki university〇
Takemune Kiho，Katsuhiro Uno▲ 10 Matched Spatial Filtering of phase objects with Liquid Crystal on Silicon△		 Device
Faculty of Engineering, Ibaraki University1，Research Institute ofAdvanced Technology (RIAT)2 〇 Yuuta Kamikozawa1，
Isao Shimizu2，Katsuhiro Uno1
▲ 11 Observation of anhydrated and hydrated DAST crystals using multiplex
fourth order Raman microscope
Graduated School of Engeenering Science, Osaka University〇
Chikako Ninagawa，Hirohiko Niioka，Tsutomu Araki，Mamoru Hashimoto

Lunch

12:30 〜 14:00

18p-C3 - 1 〜 9▲ 1 [INVITED] Polarization Control over Deep Ultraviolet Light by
Subwavelength Structures（30min.）School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology〇
Guoguo Kang，Xiaodi Tan▲ 2 Dispersion through Optical Fibers under PEMC Boundary conditions〇 (D)IMEN, UKM, Bangi selangor, Malaysia
Muhammad Abuzar Baqir，Pankaj Kumar Choudhury▲ 3 Quantum size effects in the intrinsic third order nonlinear opticalsusceptibility of metal clusters: Ag nanospheres-silica glass composites
University of Tsukuba1，Hokkaido University2，National Institute forMaterials Science3 〇 (D)Rodrigo Sato1，Masato Ohnuma2，
Keiji Oyoshi3，Yoshihiko Takeda1,3▲ 4 Thermal stability of ZrO 2 nanoparticle-polymer composite volume
gratings incorporating multifunctional chain transfer agents
Department of Engineering Science, University of ElectroCommunicationsUniversity of Electro-Communications〇 (P)Jinxin Guo，Ryuta Fujii，Takanori Ono，Yasuo TomitaBreak

15:15 〜 15:30▲ 5 [INVITED] Subwavelength light focusing and imaging via wavefront
shaping in complex media（30min.）
Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)〇Park Yongkeun▲ 6 Two color bandedge lasing from cholesteric liquid crystals in capillary〇
National Taipei University of Technology
Kuan-Cheng Liao，
Chun-Hao Chen，Li-Hao Jian，Ja-Hon Lin，
Shwu-Yun Tsay，Yao-Hui Chen
▲ 7 Profile monitoring on surface relief gratings by spectroscopic ellipsometry
1
Nagaoka University of Technology ，Charles University in Prague2，
University of Pardubice3 〇 Roman Antos1,2，Martin Veis2，
Jan Mistrik3，Martin Karlovec3，Miroslav Vlcek3，
Takayuki Ishibashi1▲ 8 [INVITED] Helical lights twist materials to form chiral structures-Chiral Photonics-（30min.）Chiba University 〇 Takashige Omatsu▲ 9 Reversible deformation of photoresist structures fabricated by directlaser write technique
Shizuoka University 〇 Vygantas Mizeikis-----------------------------------------------------------------------------------18.5 Opto-electronics
9 月 20 日 9:15 〜 15:00
20a-C1 - 1 〜 8▲ 1 [INVITED] Functional Devices based on Photonic Crystal Waveguides（30min.）Dept. of Electronic Engineering, Tsinghua Univ. 〇 Kaiyu Cui，
Yidong Huang，Xue Feng，Fang Liu，Wei Zhang▲ 2 Mach-Zehnder Interferometer Optical Modulator Using Cascaded p/njunctions and Photonic Crystal
RNBS, Hiroshima Univ. 〇 Amrita Kumar Sana，Yoshiteru Amemiya，Tetsuo Tabei，Shin Yokoyama▲ 3 Low Energy 1D Silicon Photonic Crystal Electro-Optic Modulator
1
NTT Basic Research Laboratories ，NTT Nanophotonics Center2〇
Abdul Shakoor1，Kengo Nozaki1,2，Eiichi Kuramochi1,2，
Katsuhiko Nishiguchi1，Akihiko Shinya1,2，
Masaya Notomi1,2▲ 4 Electro-optic Polymer / Titanium Dioxide Hybrid Modulators
Kyushu University 〇 Qiu Feng，Yokoyama Shiyoshi

Break

10:30 〜 10:45▲ 5 Arbitrary Ratio Three Waveguide Beam Splitter using Shortcuts to
Adiabaticity
Dept. of Photonics, NCKU, Taiwan Yu-Chen Chuang，〇 Shuo-Yen Tseng

（ 130
130 ）

18

▲ 6 Metallic photo-monitors for optical waveguides at telecom wavelengths△
NICT1，MANA-NIMS2 〇 Satoshi Ishii1,2，Shin-ichiro Inoue1，
Rieko Ueda1，Akira Otomo1▲ 7 Direct Current Modulation Response of Metal-Clad Semiconductor Nanolasers
Bangor University 〇 Alan Shore，Zubaida Sattar▲ 8 [INVITED] Optical Switches and Biosensors Using Silicon Photonics（30min.）Hiroshima Univ. 〇 Shin Yokoyama，Yoshiteru Amemiya，Tetsuo Tabei，Takeshi Ikeda，Akio Kuroda

Lunch

12:00 〜 13:00

20p-C1 - 1 〜 6▲ 1 [INVITED] Growth, Fabrication, and Characterization of GaN-based
Columnar LEDs（30min.）Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)1，
Nagoya University2 Duk-Jo Kong1，Chang-Mo Kang1，
Si-Young Bae2，〇 Dong-Seon Lee1
▲ 2 GaN-Based Blue Light Emitting Diodes Using Conducting FilamentEmbedded Indium Tin Oxide Electrodes
Korea Univ. 〇 Tae-Ho Lee，Hee-Dong Kim，Kyeong Heon Kim，
Su Jin Kim，Sukwon Kim，Min Ju Kim，Ju Hyun Park，
Byeong Ryong Lee，Tae Geun Kim▲ 3 Effect of Growth Temperature of GaAs/Al0.4Ga0.6As Lower Cladding
Layer on the Photoluminescence Intensity of InAs/Sb:GaAs Quantum
Dots Monolithically Grown on Ge/Si Substrate by MOCVD for Laser
Application
NanoQuine, The University of Tokyo1，PECST2，PETRA3，
IIS, The University of Tokyo4 〇 Mohan Rajesh1，
Makoto Miura2,3，Masao Nishioka4，
Yasuhiko Arakawa1, 2,4▲ 4 Photoluminescence Study of Self-Assembled InGaAs Quantum Dot
Structure Prepared by Ultrahigh-rate Molecular Beam Epitaxial GrowthTechniqueTokyo Metro. Univ.1，Univ. of Fukui2，NICT3 ○ Hiroharu Sugawara1，
Fumihiko Tanoue1，Shigehiro Kitamura2，Toshio Katsuyama2，
Kouichi Akahane3，Naokatsu Yamamoto3▲ 5 Ultra-fast Compact Modulator-Integrated-VCSEL for Highly EfficientMillimeter-wave Modulation
Tokyo Institute of Technology 〇 Hamed Dalir，Fumio Koyama▲ 6 [INVITED] Beam Steering, Beam Shaping and Intensity Modulation
Based on Bragg Reﬂector Waveguides（30min.）Tokyo Institute of Technology 〇 Fumio Koyama-----------------------------------------------------------------------------------18.6 Information Photonics
9 月 20 日 9:00 〜 15:00
20a-C4 - 1 〜 8▲ 1 [INVITED] Multimodal nonlinear spectral imaging of tissue samples
with CARS molecular ﬁngerprint (30min.)
2-Department of Chemistry, School of Science, The University ofTokyo1，1-Graduate School of Pure and Applied Sciences,
University of Tsukuba2，3-Graduate School ofComprehensive Human Science,
University of Tsukuba3 Segawa Hiroki1，
Akiyama Toshihiro2，Kaji Yuichi3，〇
Hideaki Kano2▲ 2 Three-dimensional see-through display using resolution enhanced lensarray holographic optical element
SNU 〇 (M2)Changwon Jang，Keehoon Hong，
Jiwoon Yeom，Byoungho Lee▲ 3 Optical Design for Heterogeneous Imaging Based on Retro Reflection
Using Parallel Roof Mirror Arrays
Graduate School of Eng., Osaka City Univ.1，Parity Innovations Co. Ltd.2〇 (D)Yuki Maeda1，Daisuke Miyazaki1，Satoshi Maekawa2▲ 4 Comparison of retroreflective elements in directivity of aerial imaging by
retroreflection (AIRR)
Univ. Tokushima1，Univ. Utsunomiya2 〇 Tomiyama Yuka1，
Suyama Shiro1，Yamamoto Hirotsugu1,2▲ 5 [INVITED] Imperceptible Polychromatic Visual Stimuli for BrainDisplay Interfaces (30min.)
Dept. of Photonics & Display Inst., NCTU1，Dept. of Photonics &Inst. of EO Eng., NCTU2，Dept. of CS & Inst. of Biomed. Eng.,NCTU3，Swartz Center, UCSD4 〇 Fang-Cheng Lin1，
Yu-Yi Chien2，John K. Zao3，Ching-Chi Chou1，
Yi-Pai Huang1，Yijun Wang4，Tzyy-Ping Jung4，
Han-Ping D. Shieh1▲ 6 Single-shot color digital holography based on spatial frequency-divisionmultiplexing and space-bandwidth capacity-enhanceKansai Univ. ○ Tatsuki Tahara，Toru Kaku，Yasuhiko Arai
▲ 7 Fast Generation Method for Computer-Generated Hologram Animation
with Hidden Surface Removal Using Ray Tracing Method.
OSA 〇 Ryosuke Watanabe，Yuji Sakamoto

JSAP-OSA Joint Symposia▲ 8 [INVITED] Efficient Autofocusing in Optical Scanning Holography（30min.）University of Hong Kong Siyang Li，〇 Edmund Lam

Lunch

11:45 〜 12:45

20p-C4 - 1 〜 7

1 [INVITED] Separating Reﬂective and Fluorescent Components using
High Frequency Illumination in the Spectral Domain (30min.)National Inst. of Informatics1，Univ. of Tokyo2，Kyushu Inst.
of Technology3 Ying Fu2，Antony Lam1，〇 Imari Sato1，
Takahiro Okabe3，Yoichi Sato2▲ 2 Computational image projection with extended depth-of-field and fieldof-view: concept and implementations
Osaka Univ. 〇 (D)Tomoya Nakamura，Ryoichi Horisaki，Jun Tanida▲ 3 System of crossed-mirror array to converge illumination light for
culturing chlorella
University of Tokushima1，Utsunomiya University2 〇 Ryosuke Kujime1，
Kouhei Miyamoto1，Shiro Suyama1，Hirosugu Yamamoto2▲ 4 Controlled-release of single-stranded DNA based on photothermal effectusing BHQ
Osaka Univ. 〇 (M1)Atsushi Onishi，Yusuke Ogura，Jun Tanida▲ 5 [INVITED] Computational Hyperspectral Imaging（30min.）Department of Automation, Tsinghua University 〇 Qionghai Dai，
Chenguang Ma，Jinli Suo，Xun Cao▲ 6 Supplementary Zones-surrounded Fresnel Zone Plate
NTU1，NARL2 Yen-Min Lee1，Szu-Hung Chen2，Pei-Chuen Chiou1，
Kuen-Yu Tsai1，Tien-Tung Chung1，Cheng-Han Tsai1，
Zhan-Yu Liu1，〇 Jia-Han Li1▲ 7 Acquisition and display of reflectance field
Osaka Univ. 〇 Ryoichi Horisaki，Yusuke Tampa，Jun Tanida-----------------------------------------------------------------------------------18.7 Laser Photonics − XFEL and ultrafast optics −9 月 17 日 9:15 〜 17:45
17a-C4 - 1 〜 9▲ 1 Cascaded Raman Scattering by a Q-switched and Mode-Locked pulses
through Yb3+-doped Fiber Amplifier
National Taipei University of Technology 〇 Kuan-Cheng Liao，
Ja-Hon Lin，Yin-Wen Lee▲ 2 [INVITED] Few-Cycle Parametric Ampliﬁers and Sub-Cycle Waveform
Synthesizers（30min.）DESY Center for Free-Electron Laser Science1，Physics Dept.,
Univ. of Hamburg2，The Hamburg Center for Ultrafast Imaging3，
Dept. of Electrical Engineering and Computer Science andResearch Lab. of Electronics, MIT4，IFN-CNR, Dipartimento
di Fisica, Politecnico di Milano5 ○ Oliver D. Muecke1,3，
Giovanni Cirmi1,3，Shaobo Fang1,3，Giulio M. Rossi1,3，
Shih-Hsuan Chia1,3，Cristian Manzoni5，Paolo Farinello5，
Giulio Cerullo5，Franz X. Kaertner1,2,3,4▲ 3 [INVITED] Synthesis of Single-Cycle Optical Fields（30min.）Academia Sinica1，National Tsing Hua University2 〇 Andy Kung1,2▲ 4 Laser-induced electron diffraction with carrier-envelope phase-stabilized
few-cycle pulses for extraction of elastic scattering cross sections
ISSP, U of Tokyo 〇 Henning Geiseler，Nobuhisa Ishii，Keisuke Kaneshima，Teruto Kanai，Jiro Itatani

Break10:45 〜 11:00▲ 5 Nuclear Reaction by Laser Induced Proton Recollision
RIKEN Center for Advanced Photonics ○ Katsumi Midorikawa，Erik Lötstedt▲ 6 [INVITED] Exploring Quantum-Classical Boundary by Ultrafast
Optics（30min.）Institute for Molecular Science, National Institutes of
Natural Sciences ○ Kenji Ohmori▲ 7 Tracking Vibrational Wavepackets of Nitrogen Molecules by XUV-Pump
XUV-Probe with Momentum Imaging
RIKEN1，Univ. Tokyo2 〇 Tomoya Okino1，Yusuke Furukawa1，
A. Amani Eilanlou1，Yasuo Nabekawa1，Eiji J. Takahashi1，
Kaoru Yamanouchi2，Katsumi Midorikawa1▲ 8 Observation of Vibrational Wavepacket Evolution of H 2+ by TimeResolved Spectroscopy of HHG Pulses
RIKEN RAP1，Univ. Tokyo2 〇 (PC)Yusuke Furukawa1，Tomoya Okino1，
A. Amani Eilanlou1，Yasuo Nabekawa1，Eiji Takahashi1，
Kaoru Yamanouchi2，Katsumi Midorikawa1▲ 9 Vibrational wavepacket reconstruction with frequency-resolved opticalgating technique
RIKEN1，U. Tokyo2 〇 Yasuo Nabekawa1，Yusuke Furukawa1，
Tomoya Okino1，Abdolreza Amani Eilanlou1，Eiji Takahashi1，
Kaoru Yamanouchi2，Katsumi Midorikawa1

（ 131
131 ）

Lunch

12:30 〜 13:45

18 JSAP-OSA Joint Symposia
コードシェアセッション

17p-C4 - 1

13:45 〜 14:45

1 [OSA President's Lecture]
Quantum Control in Strong Laser Fields（60min.）Stanford University ○ Philip Bucksbaum

Break14:45 〜 15:00

17p-C4 - 2 〜 9▲ 2 [INVITED] Two-color XFEL operation at SACLA（30min.）
RIKEN SPring-8 Center 〇 Toru Hara
▲ 3 Development of Hard X-Ray Split-Delay Optics Based on Si(220) Crystals△
Osaka University1，JASRI2，RIKEN SPring-8 Center3，The Universityof Tokyo4 〇 (D)Taito Osaka1，Takashi Hirano1，Yuichi Inubushi2，
Makina Yabashi3，Yasuhisa Sano1，Satoshi Matsuyama1，
Kensuke Tono2，Takahiro Sato4，Kanade Ogawa3，
Tetsuya Ishikawa3▲ 4 [INVITED] Two-photon process with X-ray free-electron laser（30min.）RIKEN SPring-8 Center 〇 Kenji Tamasaku▲ 5 Ultra-fast Processes in Optically Excited Ge2Sb2Te5 by Transient X-ray
Diffraction Using a Free-Electron Laser
Nanoelectronics Research Institute, AIST1，Institute of Applied Physics,
University of Tsukuba2，Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik3，
RIKEN SPring-8, XFEL Research and Development Division4，
XFEL Project Head Office, Japan Synchrotron Radiation
Research Institute5 〇 Kirill Mitrofanov1,4，Paul Fons1,4，
Kotaro Makino1，Ryo Terashima2，Alexander Kolobov1，
Junji Tominaga1，Alessandro Giussani3，Raffella Calarco3，
Henning Riechert3，Tetsuo Katayama5

Break

16:30 〜 16:45▲ 6 A Density Function Investigation of Excited-State effects due to Ultrafast
Excitation in Ge2Sb2Te5 Epitaxial Films
Nanoelectronics Research Institute, AIST1，Institute of Applied Physics,
University of Tsukuba2，Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik3，
RIKEN SPring-8, XFEL Research and Development Division4，
XFEL Project Head Office, Japan Synchrotron Radiation
Research Institute5 〇 Paul Fons1,4，Kirill Mitrofanov1,4，
Kotaro Makino1，Ryo Terashima2，Alexander Kolobov1，
Junji Tominaga1，Alessandro Giussani3，Raffella Calarco3，
Henning Riechert3，Tetsuo Katayama5▲ 7 Measurement of excitation and melting processes of the solid siliconsurface excited by ultra short laser pulses
Tokai Univ.1，Kyocera Corp2，Yazaki Sogyo Corp3 〇 Takashi Yagi1，
Kenta Takakusaki2，Ryo Inoue3▲ 8 A Theoretical Investigation on Modulational Instability in noninstantaneous Saturable Nonlinear MediaPONDICHERRY UNIVERSITY 〇 (D)Nithyanandan Kanagaraj，
Porsezian Kuppusamy▲ 9 A Study on Super Continuum Generation in Exponential type Saturable
Nonlinearity
PONDICHERRY UNIVERSITY 〇 (D)Nithyanandan Kanagaraj，
Porsezian Kuppusamy-----------------------------------------------------------------------------------18.8 Carbon Photonics
9 月 17 日 10:15 〜 17:30
17a-C3 - 1 〜 6▲ 1 [INVITED] Carbon-Based Optics and Photonics（30min.）Rice University 〇 Junichiro Kono
▲ 2 Ultrahigh-speed Light Emitters Based on Carbon nanotubes
Keio University 〇 Hideyuki Maki，Tatsuya Mori，
Yohei Yamauchi，Satoshi Honda▲ 3 Tuning Microstructure and Nanostructure of Single-Walled Carbon
Nanotubes for Solar Cells Applications
Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo〇
Kehang Cui，Rong Xiang，Shohei Chiashi，Shigeo Maruyama

Break11:15 〜 11:30▲ 4 [INVITED] Single Carbon Nanotube Devices for Integrated Photonics（30min.）Inst. Eng. Innov., Univ. Tokyo 〇 Yuichiro Kato
▲ 5 A New Simulation Method of Graphene-Coated SOI Wire Waveguides
Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST),The University of Tokyo 〇 (M1)Goran Kovacevic，Shinji Yamashita▲ 6 In situ Observation of Ni Catalyzed Bamboo-like Carbon Nanotubes△		 Growth by Current-Induced Annealing
Nagoya Inst. of Tech.1，Univ. Pend. Sultan Idris2，Univ. Putra Malaysia3，
Univ. Teknologi Malaysia4 〇 Mohamad Saufi Rosmi1,2，
Yazid Yaakob1,3，Mohd Zamri Mohd Yusop1,4，
Golap Kalita1，Tanemura Masaki1

Lunch
		 OSA President Special LectureBreak

12:30 〜 13:45
13:45 〜 14:45

17p-C3 - 1 〜 7▲ 1 [INVITED] Band nesting and photocarrier relaxation in group 6transition metal dichalcogenide（30min.）National University of Singapore ○ Goki Eda▲ 2 Modulation of Photoluminescence Properties of Monolayer Transition
Metal Dichalcogenides via Chemical Doping
Institute of Advanced Energy, Kyoto University1，Japan Science andTechnology Agency, PRESTO2，Graduate School of Science,
Nagoya University3 〇 Shinichiro Mouri1，
Yuhei Miyauchi1,2,3，Kazunari Matsuda1▲ 3 Photo-induced anomalous Nernst effects in transition metal
dichalcogenides
Univ. of Tsukuba1，Tokyo Univ. of Science2，JST, CREST3〇
Satoru Konabe1,3，Takahiro Yamamoto2

Break

16:00 〜 16:15▲ 4 [INVITED] Nanoscale Raman imaging and analysis of strain
distribution in carbon nanotube（30min.）Tokyo Inst. Tech.1，RIKEN2，Chuo Univ.3，Osaka Univ.4〇
Taka-aki Yano1，Taro Ichimura2，Shota Kuwahara3，
Prabhat Verma4，Satoshi Kawata2,4▲ 5 An Improved Self-Aligned Ohmic-Contact Process for Graphene-Channel
Field-Effect Transistors
RIEC, Tohoku Univ. 〇 (M2)Hussin Mastura，Kenta Sugawara，Tetsuya Suemitsu，Taiichi Otsuji▲ 6 3D microstructures made of aligned carbon nanotube/polymer△		 composites fabricated by two photon polymerization lithography
Department of Applied Physics, Osaka University1，Department ofEngineering Science, The University of Electro-Communications2，
Department of Electrical and Computer Engineering, Rice University3〇
Shota Ushiba1，Satoru Shoji2，Kyoko Masui1，Junichiro Kono3，
Satoshi Kawata1▲ 7 Investigation of gold-graphene surface plasmon resonance biosensor
Nano3 i-kohza, Malaysia- Japan International Institute of Technology(MJIIT), Universiti Teknologi Malaysia1，2Nanotechnology
Research Center, Nanoelectronic group, Physics Department,
Faculty of Science, Urmia University2 〇 (DC)Hamid Toloue1，
Anthony Centeno1，Mohammad Taghi Ahmadi2------------------------------------------------------------------------------------

コードシェアセッション

3.5 レーザー装置・材料，3.14 光制御デバイス・光ファイバのコードシェアセッション
9 月 19 日 9:00 〜 12:00
19a-C8 - 1 〜 11

1 PPMgLN 素子の大口径化および高ビーム品質化検討
分子研 ○石月秀貴，平等拓範
2 PPMgSLT シングルパス波長変換による >10W 532nm CW 発生
オキサイド 畑野秀樹，冨張康弘，今井浩一，茂手木浩，○廣橋淳二，
羽鳥正美，牧尾 諭，星 正幸，古川保典
3 PP-LBGO デバイスによる 355nm 300mW 発生
オキサイド 1，東北大学際研 2，早大材研 3 ○廣橋淳二 1，谷内哲夫 2，
羽鳥正美 1，坂入光佳 1，松倉 誠 1，竹川俊二 1，今井浩一 1，
茂手木浩 1，牧尾 諭 1，宮澤信太郎 1,3，古川保典 1
4 非線形光学結晶 YAl3(BO3)4 の育成と評価
オキサイド 1，早大材研 2 ○宮本晃男 1，宮澤信太郎 1,2，古川保典 1
5 CsB3O5の位相整合温度特性
千歳科技大 1，阪大院工 2 ○梅村信弘 1，吉村政志 2，森 勇介 2，加藤 洌 1

休憩

10:15 〜 10:30

6 無添加及び Mg 添加定比組成 LiTaO3の Sellmeier 方程式の導出
中央大 1，オキサイド 2 ○加藤大樹 1，貫 彰太 1，郡司大輔 1，
庄司一郎 1，福井達雄 2，古川保典 2△ 7 光軸反転 β-BaB2O4デバイスによる深紫外光渦発生
千葉大院融合科学 1，中央大理工 2，JST-CREST3 ○佐々木佑太 1，
宮本克彦 1，庄司一郎 2，尾松孝茂 1,3△ 8 欠陥低減による CsLiB6O10結晶の紫外光経時劣化耐性の向上
阪大院工 ○増田一稀，高千穂慧，高橋義典，
吉村政志，佐々木孝友，森 勇介
9 CLBO 結晶を用いた注入同期 ArF エキシマレーザ用狭帯域高出力 193nm 固体レーザシステムの開発
ギガフォトン 1，東大物性研 2 ○五十嵐裕紀 1，玄 洪文 2，
趙 智剛 2，伊藤紳二 1，柿崎弘司 1，小林洋平 210 高平均出力 Nd:YAG パルスレーザーによる 3 倍高調波発生
阪大レーザー研 ○椿本孝治，吉田英次，藤田尚徳，宮永憲明
11 高コヒーレンス 193 nm 固体レーザーの開発
東理大総研 1，阪大レーザー研 2，ギガフォトン 3 ○中里智治 1，
坪井瑞樹 2，小野瀬貴士 3，田中佑一 1，猿倉信彦 2，
伊藤紳二 3，柿﨑弘司 3，渡部俊太郎 1------------------------------------------------------------------------------------

14:45 〜 15:00

（ 132
132 ）

コードシェアセッション

6.1 強誘電体薄膜，9.1 誘電材料・誘電体のコードシェアセッション
9 月 17 日
17p-PA4 - 1 〜 15
17p-PA4 - 1 〜 15

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 GaFeO3型 I ｎ 0.25Fe1.75O3マルチフェロイック薄膜の作製と特性評価
東工大 ○濵嵜容丞，安井伸太郎，谷山智康，伊藤 満
2 電子線回折による BiFeO3エピタキシャル膜の構造解析
東北大 1，NY 州立大 2 佐藤聖也 1，○（M1）永沼 博 1，
In-Tae Bae2，大兼幹彦 1，安藤康夫 1
3 BiFeO3/ 透明導電性酸化物積層構造薄膜の作製と評価
名大エコトピア研 ○片山丈嗣，林幸壱朗，坂本 渉，余語利信
4 顕微メスバウア分光を用いた 57Fe 濃縮 BiFeO3と Bi 2Fe4O9薄膜の評価
静理大総技研 1，静理大理工 2，東理大理 3 ○田中清高 1，
塚本美徳 2，岡村総一郎 3，吉田 豊 2
5 CSD 堆積した (Bi,Pr)(Fe,Mn)O3薄膜に対する水リフトパターニング
金沢大院自然 1，金沢大理工 2 ○（M1）中西一浩 1，
丹羽貴大 1，川江 健 2，森本章治 26 化学溶液堆積法による配向性 BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3固溶体薄膜の作製
上智大 1，東工大 2 ○茂木翔太 1，金子祈之 2，
木村純一 2，舟窪 浩 2，内田 寛 1
7 低融点酸化物を添加した BaTiO3薄膜の作製と評価
名大エコトピア研 1，リコー 2 ○小林将也 1，林幸壱朗 1，
坂本 渉 1，秋山善一 2，余語利信 1
8 ZnO 基板上でのペロブスカイト型強誘電体薄膜の結晶成長
阪府大院工 ○山田裕明，吉村 武，藤村紀文
9 パルスポーリングを行った PZT 薄膜の圧電特性と微細構造の経時変化
産総研 1，茨城大 2，東工大 3 ○牧本なつみ 1，鈴木靖弘 1,2，
前田龍太郎 1，舟窪 浩 3，小林 健 1
10 スパッタ法を用いたプロトン伝導性酸化物薄膜の成膜条件依存性
鶴岡高専 1，東工大 2 ○（B）佐藤智也 1，舟窪 浩 2，井上貴明 1，内山 潔 1
11 多元素同時置換が層状コバルト酸化物の熱電特性に及ぼす影響
豊橋技術科学大 ○野島崇矢，中村雄一，井上光輝
12 Ｂｉ－Ｔｉ系非鉛圧電材料と環境発電デバイスの開発
長野県工技セ 1，セラテックジャパン 2 ○水嵜英明 1，米久保荘 1，
工藤賢一 1，菅沼幸男 1，西野入隆 2，奥冨 衛 2，児玉泰史 2，平林 明 2△ 13 ニオブ酸リチウム系強誘電体単結晶薄膜の光電流特性評価
東大先端研 ○高橋秀輔，井上亮太郎，野口祐二，宮山 勝
14 高温相における TKHSe と TKDSe のラマン散乱研究
近畿大理工 ○（M1）牟田慎之介
15 高温相における TCHSe と TCDSe のラマン散乱研究
近畿大 ○松本芳幸，角間隆之-----------------------------------------------------------------------------------6.1 強誘電体薄膜，9.1 誘電材料・誘電体のコードシェアセッション
9 月 18 日 9:00 〜 18:30
18a-A9 - 1 〜 9

1 Bi(Mg1/2Ti1/2)O3–Bi(Zn1/2Ti1/2)O3固溶体薄膜における結晶相の安定性
東工大 ○及川貴弘，舟窪 浩△ 2 コンビナトリアルスパッタ法による BZT-BCT 圧電薄膜の組成依存性評価
神大院工 ○黒川文弥，森亮，辻浦裕一，肥田博隆，神野伊策
3 Si 基板上 (001) 配向 (Na,Bi)TiO3-BaTiO3膜の結晶構造と圧電特性
1
パナソニック AIS 社 ，パナソニック先端研 2 ○岡本庄司 1，橋本和弥 1，
田中良明 1，張替貴聖 1，足立秀明 2，藤井映志 2
4 {100} 配向エピタキシャル PbTiO3膜におけるドメイン構造転移
東工大 1，産総研 2，名大 3，PRESTO4 ○中島崇明 1，一ノ瀬大地 1，
江原祥隆 1，清水荘雄 1，小林 健 2，山田智明 3,4，舟窪 浩 1
5 正方晶 PZT 薄膜とナノロッドにおける逆圧電特性の結晶方位依存性
名古屋大 1，JST さきがけ 2，物材機構 3，東工大 4，高輝度光科学研究センター 5 ○山田智明 1,2，安本 洵 1，伊藤大介 1，坂田修身 3,4，
今井康彦 5，白石貴久 4，清水荘雄 4，舟窪 浩 4，
吉野正人 1，長崎正雅 1

休憩

10:15 〜 10:30

6 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
低次元強誘電体の作製とその物性
兵庫県大工 ○藤沢浩訓，中嶋誠二，清水 勝
7 RF マグネトロンスパッタ法により作製した PZT 薄膜媒体へのナノドメイン
ドットの書き込み
東北大通研 ○平永良臣，長 康雄△ 8 PbTiO3エピタキシャル薄膜を用いた二次モード分極反転共振子
名工大 1，横浜市大 2 ○片田克吉 1，柳谷隆彦 1，鈴木雅視 1，和佐清孝 2
9 パルスポーリングした PZT 薄膜を集積化した圧電 MEMS カンチレバーのユ
ニポーラ駆動特性
産総研 1，茨城大 2，東工大 3 ○小林 健 1，牧本なつみ 1，鈴木靖弘 2，
舟窪 浩 3，前田龍太郎 1

昼

食11:45 〜 13:15

18p-A9 - 1 〜 17

1 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
セラミック誘電体材料の将来設計
東工大 ○坂部行雄▲ 2 BaTiO 3- Bi(Mg 2/3Nb 1/3)O 3 Epitaxial Thin-films for High-temperature
Capacitors
National Institute for Materials Science (NIMS)1，COMET Inc.2〇
Somu Kumaragurubaran1，Takahiro Nagata1，Kenichiro Takahashi2，
Sun-Gi Ri2，Yoshifumi Tsunekawa2，Setsu Suzuki2，Toyohiro Chikyow1
3 (1-x ){Li0.06(Na,K)0.94}NbO3+x BaZrO3(0.035 ≦ x ≦ 0.075) の立法晶構造での電子密度分布の特徴
村田製作所 ○岩堀禎浩，野口博司△ 4 遠赤外エリプソメータを用いた BaTiO3単結晶のフォノン解析
東工大院理工 ○（M1）金原一樹，保科拓也，武田博明，鶴見敬章△ 5 熱電材料のための六方晶チタン酸バリウム単結晶の育成とその特性評価
東工大応セラ研 1，東工大元素 2 ○安井伸太郎 1，石本雄介 1，
清水荘雄 2，谷山智康 1，伊藤 満 1
6 様々な温度で焼成したチタン酸バリウムナノキューブ規則配列構造体の微細構造と誘電特性
産総研 ○三村憲一，加藤一実

休憩

15:00 〜 15:15

7 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
強誘電体・薄膜研究の進展と期待
阪大 ○奥山雅則
8 BiFeO3薄膜の格子整合成長の検討
阪府大院工 ○荒牧正明，苅谷健人，堂安 豪，吉村 武，藤村紀文
9 BiFeO3エピタキシャル薄膜の結晶構造に及ぼす引張歪の影響
大阪府立大 ○（M1）小前智也，荒牧正明，吉村 武，藤村紀文
10 単一ドメイン BiFeO3薄膜の電気的特性に Mn 及び Zn ドープが及ぼす影響(Ⅱ)
兵庫県大工 ○（M1）重松晃二，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水 勝
11 バッファー層導入によるビスマスフェライト薄膜の配向性制御と特性評価
上智大理工 1，防衛大 2，東工大物創 3 ○長坂康平 1，金 鎭雄 2，
島 宏美 2，西田 謙 2，大島直也 3，舟窪 浩 3，内田 寛 1▲ 12 Structure and magneto-electric properties of tetragonal BiFeO3 with highspin, low spin and intermediate-spin Fe3+ under biaxial stress by firstprinciples calculations
Tokyo Inst. Technol. ○ Dan Ricinschi

休憩

17:00 〜 17:15

13 巨大な c/a比を有する BiFe 1-x Cox O3薄膜の作製とその結晶構造および電気的特性
東工大 ○清水啓佑，北條 元，東 正樹
14 (101)PdO//(111)Pd バッファー層を用いた {110} 一軸配向ペロブスカイト型
酸化物薄膜の合成とその評価
東工大 1，上智大 2，鶴岡高専 3 ○大島直也 1，江原祥隆 1，及川貴弘 1，
田中宏樹 1，内田 寛 2，内山 潔 3，舟窪 浩 1
15 チタン酸ビスマス厚膜に及ぼす焼成時間の影響
芝浦工大工 1，芝浦工大 RCGI2，八戸工大工 3 ○山口正樹 1,2，増田陽一郎 3
16 低 Tc フッ化ビニリデン / 三フッ化エチレン共重合体薄膜の結晶化挙動と強誘
電特性
東北大金研 1，小林理研 2，東理大理 3 ○中嶋宇史 1，
山浦真一 1，古川猛夫 2，岡村総一郎 3△ 17 VDF/TrFE 共重合体超薄膜における分極誘起抵抗変化効果に対する電極の影響
東理大理 1，東北大金研 2 ○臼井翔吾 1，中嶋宇史 2，
橋爪洋一郎 1，岡村総一郎 1-----------------------------------------------------------------------------------6.1 強誘電体薄膜，9.1 誘電材料・誘電体のコードシェアセッション
9 月 19 日 9:00 〜 17:45
19a-A9 - 1 〜 10

△ 1 熱処理が YAlO3単結晶のテラヘルツ吸収に与える影響
早大 1，材料科学研究所 2，情報通信研究機構 3 ○（M2）井上貴博 1，
金子昇司 1，針間正幸 1，森本貴明 1，大木義路 1,2，
水野麻弥 3，福永 香 3△ 2 LaAlO3単結晶へのイオン照射による La および酸素空孔の生成
早大 1，材研 2 ○（M1）針間正幸 1，森本貴明 1，
井上貴博 1，金子昇司 1，大木義路 1,2△ 3 高誘電率材料 YSZ, LaAlO3, YAlO3中に存在する酸素空孔の比較
早大 1，材料技術研究所 2 ○（M2）金子昇司 1，井上貴博 1，
針間正幸 1，森本貴明 1，大木義路 1,2
4 YSZ 単結晶に与えるイオン照射と光照射の影響の比較
早大 1，材料技術研究所 2 ○（M2）金子昇司 1，井上貴博 1，
針間正幸 1，森本貴明 1，大木義路 1,2△ 5 イオン照射で YAlO3に生じる損傷に熱処理が与える影響
早大先進理工 1，材研 2 ○（D）森本貴明 1，井上貴博 1，
金子昇司 1，針間正幸 1，大木義路 1,2

休

（ 133
133 ）

憩

10:15 〜 10:30

コードシェアセッション

6 KF 置換 BaTiO3結晶における電場－温度－組成相図と角度分解偏光ラマン分光
島根大教育 1，立命館大理工 2 ○塚田真也 1，藤井康裕 2，秋重幸邦 1
7 ポラリトンの複素分散関係と広帯域テラヘルツ時間領域分光
筑波大数理 ○小島誠治，森 龍也
8 BaTiO3系強誘電体単結晶の 90°ドメイン壁における巨大可視光電流応答東大先端研 ○（PC）井上亮太郎，井村亮太，高橋秀輔，
小口岳志，北中佑樹，野口祐二，宮山 勝
9 強相関系強誘電体 YMnO3薄膜の光誘起電流とキャリア伝導の異方性○
宇賀洋志，芦田 淳，吉村 武，藤村紀文
大阪府大院工10 配向の異なる SrTiO3基板上に作製した BiFeO 3薄膜のバルク光起電力効果○
内田智久，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水 勝
兵庫県立大工昼

食11:45 〜 13:15

19p-A9 - 1 〜 15

1 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
非鉛系圧電体を用いた超音波流量計の開発と材料科学 --- 次世代の誘電・圧電研究の方向性 --東工大院理工 ○鶴見敬章，保立萌衣，吉留大地，保科拓也，武田博明
2 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）(Ba, Sr)TiO3系強誘電体のチューナブル性能におけるドメインの寄与
岡山大工 ○寺西貴志，曽我部剛，林 秀考，岸本 昭
3 (Bi0.5K0.5)TiO3-BiFeO3-K(Nb, Ta)O3強誘電体の物性、結晶・電子構造と強誘
電特性
東京理科大 ○（M2）宮﨑浩輔，石田直哉，北村尚斗，井手本康
4 (Na,Ba)(Nb,Ti)O3セラミックスの電気的特性に及ぼす添加物の影響
名工大院工 ○青柳倫太郎，坂野聡一
5 (K,Na)(Nb,W)O3系強誘電体の強誘電特性、結晶構造の組成依存
東京理科大 井手本康，○（M1）中島健太郎，石田直哉，北村尚斗△ 6 斜方晶構造を持つエピタキシャル HfO2系薄膜の作製と評価
東工大元素 1，東工大総理工 2 ○清水荘雄 1，舟窪 浩 1,2△ 7 (Hf,Zr)O2薄膜の電気特性と結晶構造の評価
東工大 1，上智大 2 ○白石貴久 1，片山きりは 1，横内達彦 1，
清水荘雄 1，及川貴弘 1，内田 寛 2，舟窪 浩 1

休憩

15:15 〜 15:30

8 「6.1・9.1 コードシェアセッション分科内招待講演」（30 分）
KTa1-x Nbx O3単結晶を用いた光ビームステアリングデバイス
NTT フォトニクス研 ○今井欽之△ 9 KTN 結晶の電界誘起相転移を用いた低電圧駆動の光位相変調
NTT 物性研 1，NTT フォトニクス研 2 ○稲垣卓弘 1，今井欽之 2，
宮津 純 2，武居弘樹 1，小林潤也 2△ 10 高効率水リフトオフプロセスに向けたアモルファス CaO の潮解現象に関する検証
金沢大 ○（M2）丹羽貴大，東浦俊太，今澤優子，石島達夫，
川江 健，森本章治△ 11 キレート剤を用いた大口径非鉛 KNN 圧電薄膜のウエットエッチング (II)日立金属 ○堀切文正，柴田憲治，末永和史，渡辺和俊，野口将希
12 圧電 MEMS 向けドライエッチングプロセスの開発
アルバック半電研 ○山本直志，上村隆一郎
13 振動発電素子と強誘電体メモリからなるバッテリレス衝撃記憶素子
パナソニック先端研 ○金子幸広，西谷 雄，上田路人，表 篤志△ 14 BiFeO3 薄膜を用いた多自由度圧電 MEMS 振動発電素子の試作
阪府大院工 1，産技総研 2 ○苅谷健人 1，吉村 武 1，村上修一 2，藤村紀文 1
15 強誘電体セラミックス ,PVDF,PMN-PT 結晶の電気熱量効果
湘南工大 ○眞岩宏司-----------------------------------------------------------------------------------14.3 電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V 族窒化物結晶のコードシェアセッション
9 月 17 日 9:00 〜 17:45
17a-A27 - 1 〜 11

1 銀ナノインクを用いたスクリーン印刷による GaN 系青色発光ダイオードへの電極形成
阪大院工 1，大阪市立工業研究所 2，大研化学工業 3，奥野製薬 4○
重宗 翼 1，小泉 淳 1，柏木行康 2，垣内宏之 3，竹村康孝 4，
山本真理 2，斉藤大志 2，高橋雅也 2，大野敏信 2，中許昌美 2，
青柳伸宜 3，吉田幸雄 3，村橋浩一郎 4，大塚邦顕 4，藤原康文 1
2 InP の陽極酸化反応に関する研究
農工大工 ○（M1C）岩崎太平，森下義隆
3 両面陽極酸化ポーラスアルミナの ReRAM 動作
農工大工 ○（M1）小川大翔，森下義隆，細野貴也△ 4 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた実動作中 SiC-DMOSFET の断面観察
東北大 ○茅根慎通，長 康雄△ 5 F 級増幅器における InGaAs-HEMT ゲート寄生遅延時間の影響
東北大通研 1，東理大理工 2 ○吉田智洋 1，小山雅史 2，
渡邊邦彦 2，楳田洋太郎 2，尾辻泰一 1，末光哲也 1
6 貫通転位が InSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析
東理大院基礎工 1，情報通信研究機構 2 ○初芝正太 1，長井彰平 1，
藤川紗千恵 1，原 紳介 2，遠藤 聡 2，渡邊一世 1,2，
笠松章史 2，藤代博記 1,2

休憩

10:30 〜 10:45△ 7 GaAsSb/InGaAs ヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネル FET における SSと ON 電流のボディ幅依存性
東工大 ○（M2）大橋一水，藤松基彦，宮本恭幸
8 プレーナードープ GaAsSb トンネルダイオードの 170GHz 感度特性
富士通 1，富士通研 2 ○高橋 剛 1,2，佐藤 優 1,2，中舍安宏 1,2，
芝 祥一 1,2，原 直紀 1,2，岩井大介 2
9 表面活性化接合を用いた基板トランスファ InP HBT 作製に関する検討
NTT フォトニクス研 1，東大 2 ○白鳥悠太 1，柏尾典秀 1，
栗島賢二 1，星 拓也 1，日暮栄治 2，松崎秀昭 1△ 10 CBr4流量変調による InP 系 DHBT の組成傾斜 InGaAsSb ベース形成
NTT フォトニクス研 1，NTT 物性基礎研 2，筑波大院 3 ○（D）星 拓也 1,3，
柏尾典秀 1，杉山弘樹 1，横山春喜 1，栗島賢二 1，井田 実 1，
松崎秀昭 1，神徳正樹 1，後藤秀樹 2,3
11 f t/f max>450GHz の高周波特性を有する高電流利得 InP/InGaAs DHBTNTT フォトニクス研 ○柏尾典秀，栗島賢二，井田 実，松崎秀昭

昼食12:00 〜 14:00

17p-A27 - 1 〜 14

1 GaN 基板上 MOCVDn-GaN で観測されるトラップの濃度分散
愛知工大 ○宮本一輝，徳田 豊▲ 2 Influence of intentional impurities (O, C) on the epitaxial GaN layers
properties
TUS1，AL2 〇 (P)Yaxin Wang1，Takashi Teramoto2，Kazuhiro Ohkawa1
3 変調ドープ GaN キャップ層を有する AlGaN/GaN ヘテロ構造における ホー
ル移動度の温度依存性
名工大 1，ULVAC2 ○安藤彰浩 1，長田大和 2，
上村隆一郎 2，分島彰男 1，江川孝志 1
4 AlGaN/GaN ヘテロ接合界面トラップのコンダクタンス法解析
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2 ○馬場俊之 1，川那子高暢 2，
角嶋邦之 2，片岡好則 2，西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，
筒井一生 2，名取研二 1，岩井 洋 1
5 硬Ｘ線光電子分光を用いた金属 /AlGaN/GaN のバンド構造の解析
東工大フロンティア研 1，東工大総理工 2，東京都市大 3 ○大賀一樹 1，
陳 江寧 1，川那子高暢 2，角嶋邦之 2，野平博司 3，片岡好則 2，
西山 彰 2，杉井信之 2，若林 整 2，筒井一生 2，
名取研二 1，岩井 洋 1
6 格子整合系 InAlN/AlGaN 2DEG ヘテロ構造の MOCVD 成長と評価
名工大 ○藤田 周，三好実人，江川孝志
7 MOVPE 法を用いた Si 添加 AlInN/GaN ヘテロ接合の電気的特性
名城大理工 1，名大・赤﨑記念研究センター 2 ○池山和希 1，安田俊輝 1，
小塚祐吾 1，堀川航佑 1，竹内哲也 1，上山 智 1，岩谷素顕 1，赤﨑 勇 1,2

休憩

15:45 〜 16:00▲ 8 RTA of MOVPE-grown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation
Univ. of Fukui1，JST-CREST2，Osaka City Univ.3 〇 Mdtanvir Hasan1,2，
A. Mihara1,2，N. Shigekawa3，A. Yamamoto1,2，M. Kuzuhara1
9 Si 基板上に成長した AlGaN/GaN HEMT エピにおけるバッファ構造と耐圧の関係
NTT PH 研 ○渡邉則之，田邉真一，前田就彦，松崎秀昭
10 AlGaN/GaN 系 P チャネル型 HFET におけるリーク電流制御
東工大総理工 1，東工大フロンティア研 2，産総研 3 ○萱沼 怜 1，
久保田俊介 1，中島 昭 3，西澤伸一 3，大橋弘通 2,3，
筒井一生 1，角嶋邦之 1，若林 整 1，岩井 洋 2△ 11 非接触超音波共振法による高温における高抵抗 GaN のキャリアダイナミクスの研究
阪大院基礎工 1，阪大院工 2 ○（M2）筒井裕貴 1，荻 博次 1，中村暢伴 1，
森 勇介 2，今出 完 2，吉村政志 2，平尾雅彦 1
12 THz エリプソメトリーによるサファイア基板上 GaN 膜の電気特性測定
日邦プレシジョン 1，名城大 2，摂南大 3，立命館大 4 ○藤井高志 1,4，
岩本敏志 1，佐藤幸徳 1，上山 智 2，長島 健 3，荒木 努 4
13 Mg ドープ AlGaN による AlGaN/GaN HFET 型紫外フォトセンサーの高性能化
名城大理工 1，名大・赤崎記念研究センター 2 ○山本雄磨 1，村瀬卓弥 1，
草深敏匡 1，岩谷素顕 1，竹内哲也 1，上山 智 1，赤﨑 勇 1,2
14 Radiation Hard AlGaN/GaN Heterostructure- Micro-Hall Sensors
豊橋技大工 1，豊橋技大アイリス 2，日本原子研 3
Abdelkader Abderrahmane1，○高村 司 2，佐藤真一郎 3，
大島 武 3，岡田 浩 1,2，アダルシュ サンドゥー 1,2-----------------------------------------------------------------------------------14.5 化合物太陽電池，15.2 II-VI 族結晶および多元系結晶のコードシェアセッション
9 月 17 日 13:15 〜 17:30
17p-A12 - 1 〜 15

▲ 1 Facile synthesis of nickel sulfide hierarchical structures and its phasechanges
RIE Shizuoka Univ ○ Karthikeyan Rajan，Navaneethan Mani，
Arivanandhan Mukannan，Tadanobu Koyama，
Yasuhiro Hayakawa▲ 2 Ligand-assisted hydrothermal growth of monodispersed ZnOnanostructures and investigation of functional properties
RIE Shizuoka Univ ○ Navaneethan Mani，Archana Jayaram，Tadanobu Koyama，Yasuhiro Hayakawa

（ 134
134 ）

コードシェアセッション
合同セッション K△ 3 c, r, m 面サファイア基板 /ZnTe 薄膜の成長方位関係の解析
早大先進理工 1，早大材研 2，JX 金属 3 ○中須大蔵 1，山下聡太郎 1，
相場貴之 1，服部翔太 1，孫 惟哲 1，田栗光祐 1，風見蕗乃 1，
木津 健 1，小林正和 1,2，朝日聡明 3
4 サファイア a 面基板のオフ角が ZnTe ドメイン構造へ与える影響の評価
早大先進理工 1，早大材研 2，JX 金属 3 ○山下聡太郎 1，中須大蔵 1，
相場貴之 1，服部翔太 1，孫 惟哲 1，田栗光祐 1，風見蕗乃 1，
木津 健 1，小林正和 1,2，朝日聡明 3
5 MBE 法を用いたサファイア基板上への ZnTe の横方向成長
早大先進理工 1，早大材研 2，JX 金属 3，早大基幹理工 4 ○服部翔太 1，
中須大蔵 1，山下聡太郎 1，相場貴之 1，孫惟哲田栗光祐 1，
風見蕗乃 1，木津 健 1，小林正和 1,2，朝日聡明 3，
武井勇樹 4，宇高勝之 46 ファインチャネルミスト CVD 法による ZnS 薄膜の成長和歌山大 ○山崎佑一郎，宇野和行，田中一郎
7 UHV スパッタエピタキシーによる ZnS 単結晶層の成長
東京電機大工 ○（M1）佐久間大樹，松久健司，三好佑弥，篠田宏之，六倉信喜
8 n-ZnS 窓層を用いた ZnTeO 中間バンド型太陽電池の特性評価
佐賀大院工 1，JST さきがけ 2 ○田中 徹 1,2，原口 真 1，溝口耕輔 1，
寺沢俊貴 1，斉藤勝彦 1，郭 其新 1，西尾光弘 1

休憩

15:15 〜 15:45

9 CNT を添加したカーボン電極を用いた CdTe 太陽電池の作製
木更津高専 1，JFE エンジニアリング 2 ○小川洋平 1，林 亮二 1，
細野藍響 1，岡本 保 1，土居 真 2
10 近接昇華法による Cl ドープ CdTe 多結晶膜の作製と評価
木更津高専 1，島津製作所 2 ○高橋航平 1，秋葉 翔 1，岡本 保 1，
徳田 敏 2，岸原弘之 2，佐藤敏幸 2
11 MOVPE 法 に よ る 大 面 積 CdTeX 線・γ 線 画 像 検 出 器 に 関 す る 研 究 〜
p-CdTe/n-CdTe/n+-Si ダイオードにおける輸送特性の検討〜
名工大院工 ○松本雅彦，鈴木悠太，高井紀明，塚本雄大，伊藤祐葵，
杉本宗一郎，神野悟史，山崎大輔，安形保則，
マダン ニラウラ，安田和人△ 12 ナフテン酸銅，ナフテン酸亜鉛およびオクチル酸スズを出発原料に用いた
CZTS 光吸収層の作製
中部大 1，津山高等 2，宮崎大 3 ○山田諒太 1，田橋正浩 1，
中村重之 2，高橋 誠 1，吉野賢二 3，後藤英雄 1△ 13 近接昇華法で作製した AgGaTe2の仕込み原料による影響
早大先進理工 1，早大材研 2 ○宇留野彩 1，薄井綾香 1，
竹田裕二 1，井上朋大 1，小林正和 1,2
14 分子線エピタキシー法による CuGaS2薄膜の作製と評価 ( Ⅱ )鳥取大院工 ○岡 優貴，倉掛真弥，西川直宏，松下将也，
山田秀明，阿部友紀，市野邦男
15 インクジェット法による有機 - 無機ハイブリッド型 ZnSSe 系紫外 APD 光検出器の開発 〜 APD の集積化〜
鳥取大院工 1，鳥取大工 2 ○田中健太 1，井上亮一 1，藤本 健 1，
筏津教行 1，田末章男 2，内田繁人 2，阿部友紀 1，
笠田洋文 1，安東孝止 1，市野邦男 1-----------------------------------------------------------------------------------14.5 化合物半導体，15.3 III-V 族エピタキシャル結晶，
15.4 III-V 族窒化物結晶のコードシェアセッション
9 月 19 日 9:00 〜 12:30
19a-S1 - 1 〜 13

1 MBE を用いた InGaP/(In)AlGaAs/GaAs 3 接合太陽電池の作製
産総研 1，都市大 2 ○（M1）望月 透 1,2，菅谷武芳 1，牧田紀久夫 1，
大島隆治 1，松原浩司 1，仁木 栄 1，岡野好伸 2
2 TEGa を用いた低温 MOVPE による微傾斜基板上 InGaAs/GaAsP 超格子太陽電池
東大院工 1，東大先端研 2 ○藤井宏昌 1，王 云鵬 2，
ハッサネット ソダーバンル 2，渡辺健太郎 2，
杉山正和 1，中野義昭 1
3 GaAs 基板の傾斜方向が InGaAs 膜中緩和過程に与える影響 -X 線回折その場
観察 豊田工大 1，原子力機構 2，宮崎大 3 ○小寺大介 1，佐々木拓生 2，
高橋正光 2，神谷 格 1，大下祥雄 1，小島信晃 1，
山口真史 1，鈴木秀俊 3
4 原子層エピタキシーを用いた Si ドープ GaAsN 薄膜における不純物混入過程
宮崎大工 ○横山祐貴，原口智宏，山内俊浩，鈴木秀俊，福山敦彦，碇 哲雄△ 5 赤外吸収層厚を増大した GaInNAsSb 太陽電池のキャリア収集の改善
東大先端研 ○宮下直也，ナズムル アーサン，岡田至崇
6 GaAs:N δ ドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
埼玉大理工 1，東大先端研 2 ○長田一輝 1，鈴木智也 1，八木修平 1，
内藤駿弥 2，庄司 靖 2，岡田至崇 2，土方泰斗 1，矢口裕之 1

休憩

10:30 〜 10:45

7 GaAsN 中の N-H 複合欠陥の熱処理に伴う濃度変化
豊田工大 ○出水孝志郎，池田和磨，Wang Li，Elleuch Omar，
小島信晃，大下祥雄，山口真史
8 化学ビームエピタキシー法により成長した GaAsN における N-H 結合の偏向
特性の起源
豊田工大 ○（PC）池田和磨，出水孝志郎，小島信晃，大下祥雄，山口真史

9 (InN)1/(GaN)n短周期超格子 SMART 構造の光物性
千葉大 C-SMART GIR1，千葉大 VBL2，JST-ALCA SMART Solar Cell PJ3，
科 1,2,3，吉川明彦 1,2,3,4
工学院大 4 ○今井大地 1,2,3，草部一秀 1,2,3，王
10 InGaN 量子井戸構造太陽電池の作製と評価
東大生研 1，JST-CREST2 ○荒川靖章 1，上野耕平 1，
野口英成 1，太田実雄 1，藤岡 洋 1,2
11 歪み InGaN 活性層を用いた太陽電池特性の n 層ドーピング密度依存性物材機構 1，JST-ALCA2，工学院大 3，中部大 4 ○角谷正友 1,2，
本田 徹 3，Liwen Sang1，中野由崇 4，長谷川文夫 412 MOVPE-SMART 太陽電池での実効 In 組成制御の検討
千葉大 C-SGIR1，千葉大 VBL2，千葉大 JST-ALCA PJ3，工学院大 4○
草部一秀 1,2,3，今井大地 1,2,3，王科 1,2,3，吉川明彦 1,2,3,4
13 GaInN/GaN 超格子を用いた窒化物太陽電池構造の検討
名城大理工 1，名大・赤﨑記念研究センター 2 ○（M2）山本泰司 1，黒川泰視 1，
小﨑桂矢 1，岩谷素顕 1，上山 智 1，竹内哲也 1，赤﨑 勇 1,2------------------------------------------------------------------------------------

合同セッション K（6 薄膜・表面15 結晶工学）

合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス
9 月 17 日
17p-PA5 - 1 〜 22
17p-PA5 - 1 〜 22

ポスターセッション

ポスター展示時間

16:00 〜 18:00

1 硝酸銅 (II) 三水和物を原料とする溶液成長法による Cu2O 薄膜の低温成長
愛媛大院理工 1，愛媛大工 2 北峯誠之 1，一ノ谷光 2，平松知晃 2，
福井一平 2，真鍋 豪 2，脇坂俊也 2，○寺迫智昭 1
2 ゾル・ゲルディップ法により作成した ZnCdO 薄膜の結晶性
石巻専修大 ○安田 隆，小池真俊
3 常圧 N2/O2リモートプラズマを用いた ZnO 薄膜の CVD 成長における不純物
取り込みと伝導機構
阪府大院工 1，積水化学 2 ○（DC）野瀬幸則 1，木口拓也 1，吉村 武 1，
芦田 淳 1，上原 剛 2，藤村紀文 1
4 硝酸亜鉛六水和物と硝酸銅 (II) 三水和物を用いた溶液成長法による ZnO/CuO
ヘテロ接合の形成
愛媛大院理工 1，マレーシア工科大 MJIIT2，愛媛大工 3 ○寺迫智昭 1，
ヌル アシキン ハンバリ 2，ヌルル・アズヤティー ジャヤ 2，
一ノ谷光 3，平松知晃 3，福井一平 3，真鍋 豪 3，脇坂俊也 3，
アブドル マナフ ハシム 2，白方 祥 1
5 触媒反応生成高エネルギー H2O を用いてガラス基板上に堆積した ZnO 薄膜の N2O 添加初期成長膜の挿入効果
長岡技科大工 ○大橋優樹，叶内慎吾，山口直也，玉山泰宏，安井寛治
6 触媒反応生成高エネルギー H2O を用いてサファイア基板上に成長した ZnO
薄膜の転位分布長岡技科大 ○中村友紀，石塚侑己，山口直也，玉山泰宏，安井寛治
7 電気化学堆積法による六角柱状 ZnO の結晶成長
木更津高専 ○木田正紀，鈴木 聡
8 ライデンフロスト効果を利用したミスト CVD による Fe2O3/Ga2O3 多重量
子井戸の作製高知工大総研 1，高知工大シス工 2，高知工大環境理工 3，カンタベリー大 4○
川原村敏幸 1, 2，鄧太 江 4，新田紀子 1, 3
9 RPE-MOCVD 成長による ZnCdMgO 四元混晶バンドギャップ制御
静大院工 ○中村篤志，仁枝嘉昭，鈴木麻里，天明二郎
10 Al 添加 ZnO 薄膜中の極性反転界面物材機構 ○安達 裕，坂口 勲，大橋直樹
11 ZnO/Zn1-xMnxO/ZnO ヘテロ界面における二次元量子構造の形成と自発分極の影響
大阪府立大院工 ○岩崎裕徳，中村 立，吉村 武，芦田 淳，藤村紀文
12 ウルツ鉱 MgxZn1-xO の分極の理論計算
関東学院大理工 ○島田和宏，藤原大亮，高橋弘樹，加藤ひとし，平松友康
13 ワイドギャップ半導体 β-Ga2O3 単結晶のテラヘルツ波吸収測定
情通機構 1，東京高専 2，タムラ製作所 3 ○齋藤伸吾 1，尾沼猛儀 2，
佐々木公平 3，倉又朗人 3，関根徳彦 1，笠松章史 1，東脇正高 1
14 硬 X 線光電子分光法による In2O3単結晶の電子状態評価
物材機構 1，パウル・ドルーテ固体電子工学研究所 2，ライプニッツ
結晶成長研究所 3，SPring-8 物材機構 4 ○長田貴弘 1，
オリバー ビアワーゲン 2，ビニュエフ ガラッカ 3，
上田茂典 4，吉川英樹 1，井村将隆 1，山下良之 1，
呉 承俊 1，坂田修身 4，知京豊裕 1
15 Ga 添加 ZnO 膜における軸長と電気特性の相関
島大総理工 ○山田容士，舩木修平，菊池大樹，井上創太
16 NTO/GZO 積層膜の電気特性の面内分布と真空アニール効果
島大総理工 ○菊池大樹，井上創太，舩木修平，山田容士▲ 17 ITO/Al Transparent Electrode for Near Ultraviolet Light Emitting Diodes
School of Electrical Engineering, Korea Univ. 〇 Kim Min Ju，Woo Kie Young，Lee Byeong Ryong，Kim Sukwon，Shin Hee Woong，Park Tae Hoon，Kim Kyeong Heon，
Kim Su Jin，Kim Tae Geun
18 Ta:SnO2透明導電膜における低基板温度でのシード層の有効性
KAST1，CREST2，中部大 3，東大理 4 ○中尾祥一郎 1,2，
山田直臣 3，廣瀬 靖 1,2,4，長谷川哲也 1,2,4

（ 135
135 ）

合同セッション K

19 酢酸塩を原料としたゾルゲル法による CuAlO2薄膜の形成
石巻専修大理工 1，石巻専修大人間 2 阿部 寛 1，阿部清晃 1，
飯坂 涼 1，佐藤拓哉 1，○惠原貴志 1,2△ 20 エアブラシを用いた塗布法による n 型および p 型酸化亜鉛ナノ粒子層の作製と評価
島根大 ○（M1）糸原大貴，篠原風人，吉田俊幸，藤田恭久▲ 21 PEDOT:PSS and MoOx doped-Reduced Graphene Oxide/Single
Walled Carbon Nanotubes Hybrid Film-Based Transparent Conductive
Electrodes for Light Emitting Diodes
School of Electrical Engineering, Korea University〇
Byeong Ryong Lee，Kyeong Heon Kim，
Kie Young Woo，Sukwon Kim，
Hee Woong Shin，Su Jin Kim，
Tae Geun Kim
22 ZnO-SnO2薄膜を用いた TFT の低温形成（Ⅲ）
大阪府立産技研 ○佐藤和郎，山田義春，村上修一，筧 芳治，櫻井芳昭-----------------------------------------------------------------------------------合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス
9 月 18 日 9:15 〜 17:30
18a-A12 - 1 〜 9△ 1 レーザープロセスを利用した ZnO ナノ・マイクロ結晶のパターン成長
九大システム情報科学府 1，阪大レーザーエネルギー学研究センター 2○（D）
下垣哲也 1，川原裕貴 1，中尾しほみ 1，原田浩輔 1，高橋将大 1，
東畠三洋 1，中村大輔 1，中田芳樹 2，岡田龍雄 1
2 焼成酸化亜鉛マイクロ微粒子におけるランダムレーザー発振特性
群馬大院理工 ○（M2）薗田翔平，中村俊博，安達定雄
3 ZnO の電子伝導における電荷補償と電子状態の考察
物材機構 ○大澤健男，橋口未奈子，坂口 勲，大橋直樹
4 ZnO Anti-Stokes フォトルミネッセンスに関与する中間準位の性質
東大 GS+I1，理研 2，産総研 3 ○藤井克司 1，後藤武生 2，八百隆文 3
5 銀ナノ粒子の表面プラズモン共鳴効果による酸化亜鉛薄膜の欠陥からの可視発光の増強
群馬大院理工 ○（M1）肖 貴宝，中村俊博，安達定雄

休憩

10:30 〜 10:45

6 In2O3:Sn ナノ粒子の局在表面プラズモン共鳴とその近赤外応用
東大 1，巴製作所 2，税関中央分析所 3，京都工繊大 4 ○松井裕章 1，
古田晋也 2，長谷部貴之 3，蓮池紀幸 4，田畑 仁 1△ 7 移動度 200 cm2V-1s-1を超える非晶質 ZnO x Ny 薄膜の合成
東大院理 1，KAST2，JST-CREST3，UTTAC4 ○山崎崇範 1，廣瀬 靖 1,2,3，
中尾祥一郎 2,3，原山 勲 4，関場大一郎 4，長谷川哲也 1,2,3△ 8 アモルファス IZO, IGO, IGZO 薄膜の結晶化 (1)：IZO と IGO 薄膜の結晶化
挙動○
賈 軍軍，早瀬 礼，吉田匡佑，中村新一，重里有三
青学大理工△ 9 アモルファス IZO,IGO,IGZO 薄膜の結晶化 (2):IGZO の結晶化挙動とデバイ
ス特性
青学大理工 1，出光興産 2 ○須古彩香 1，賈 軍軍 1，中村新一 1，
川嶋絵美 2，宇都野太 2，矢野公規 2，重里有三 1

昼食11:45 〜 13:15

1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
ZnO 溶液ゲート電界効果トランジスタを用いたバイオセンサの開発
大工大ナノ材研センタ ○大仲崇之，池谷 謙，小池一歩，広藤裕一，
前元利彦，佐々誠彦，矢野満明
2 ナノサイズ結晶を有する IGZO 薄膜の結晶性について○
半エネ研
黒澤陽一，野中裕介，石原典隆，太田将志，
山田良則，西野信也，山﨑舜平
3 IGZO 薄膜における結晶性の成膜条件依存性
半エネ研 ○山田良則，下村明久，野中裕介，石原典隆，山﨑舜平△ 4 スピンコート法で作製した IGZO 薄膜の特性に与える焼成温度と時間の影響
早大 1，材研 2，産総研 FLEC3 ○陳 東京 1，
森本貴明 1，福田伸子 3，大木義路 1, 25 酸化物半導体の低温化・短時間焼成プロセスの検討
産総研 , フレキシブル ○（PC）鄭 恵貞，小倉晋太郎，酒井平祐，
吉田 学，牛島洋史，植村 聖，福田伸子▲ 6 Suppression of hump effect in a-InGaZnO thin-film transistors passivated△		 by novel photosensitive passivation layer
NAIST1，AZ Electronic Materials2 〇 (DC)Juan Paolo Bermundo1，
Yasuaki Ishikawa1，Haruka Yamazaki1，Kulchaisit Chaiyanan1，
Mami Fujii1，Toshiaki Nonaka2，Yukiharu Uraoka1
7 大型スパッタカソードにおける IGZO TFT 特性の均一性向上
アルバック ○磯部辰徳，新井 真，清田淳也，齋藤一也
8 低温プロセスで作製した a-IGZO TFT の特性評価
神戸製鋼所 ○高梨泰幸，越智元隆，後藤裕史，釘宮敏洋

憩-----------------------------------------------------------------------------------合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス
9 月 19 日 9:00 〜 17:45
19a-A12 - 1 〜 10

1 高キャリア密度 Ga 添加 ZnO 薄膜における近赤外光領域での光学損失：プラ
ズモニクス応用へ
高知工科大総研 ○山本哲也，野本淳一，牧野久雄
2 Ga 添加 ZnO 薄膜における表面化学状態に対する熱処理効果
高知工科大総研 1，高知工科大システム工 2，高知高専機械 3 ○牧野久雄 1,2，
宋 華平 1，岸本誠一 3，野本淳一 1，山本哲也 1△ 3 クリティカルレイヤーを用いたスパッタ Al 添加 ZnO 透明電導電膜のキャリ
ア輸送制御
高知工科大総研 ○野本淳一，牧野久雄，山本哲也
4 表面テクスチャ AZO 透明導電膜の光吸収と電気的・結晶学的特性との関係
金沢工大 OEDS R&D センター ○宮田俊弘，山中俊憲，宇於崎涼介，南 内嗣
5 付着金属の電気化学効果による TiO2薄膜への電子ドープ
東大院工 ○矢嶋赳彬，小池 豪，西村知紀，鳥海 明

休憩

10:15 〜 10:30

6 微粒子層導入による FTO ガラスの高ヘイズ化と色素増感太陽電池への応用
静岡大院工 ○大塚玲奈，高野貴文，村上 遼，奥谷昌之△ 7 スプレー CVD 法による Ta ドープ SnO2透明導電膜の作製と評価
中部大院 ○白井寛之，服部祐樹，二宮善彦，佐藤 厚，山田直臣△ 8 大気開放下による SnO 薄膜の作製とその物性評価
京大院工 1，高知工大システム工学 2 ○内田貴之 1，川原村敏幸 2，藤田静雄 1
9 ディップコートシード層への水溶液法による ZnO 薄膜の作製
名工大院 ○（M2）松本拓也，安部功二
10 ゾル - ゲル法による MgO 基板上への NiO 薄膜の作製
石巻専修大理工 ○國分義弘，天野優太，阿部隆大，中込真二

昼食11:45 〜 13:15

19p-A12 - 1 〜 16

18p-A12 - 1 〜 16休

11 トップゲート効果を活用した a-InGaZnO TFT pH センサ (1)NLT テクノロジー 1，山形県工業技術センター 2 ○竹知和重 1，田邉 浩 1，
岩松新之輔 2，矢作 徹 2，阿部 泰 2，小林誠也 2
12 トップゲート効果を活用した a-InGaZnO TFT pH センサ (2)NLT テクノロジー 1，山形県工業技術センター 2 ○竹知和重 1，田邉 浩 1，
岩松新之輔 2，矢作 徹 2，阿部 泰 2，小林誠也 2
13 トップゲート効果を活用した a-InGaZnO TFT pH センサ (3)山形県工技セ 1，NLT テクノロジー 2 ○岩松新之輔 1，竹知和重 2，
阿部 泰 1，矢作 徹 1，田邉 浩 2，小林誠也 1△ 14 AZO 薄膜を電極に用いた透明酸化亜鉛薄膜トランジスタ
大工大ナノ材研センタ ○孫
屹，前元利彦，佐々誠彦
15 低温プロセスで高移動度かつ高安定な a-InWO TFT
物材機構 ○（PC）木津たきお，相川慎也，三苫伸彦，清水麻希，高旭，
林 孟芳，生田目俊秀，塚越一仁△ 16 シリコン添加により制御された酸化インジウム薄膜トランジスタ
物材機構 WPI-MANA ○（PC）三苫伸彦，相川慎也，高旭，木津たきお，清水麻希，林 孟芳，生田目俊秀，塚越一仁

15:15 〜 15:30

9 自己組織化単分子膜（SAM）による a-InGaZnO/SiOx 界面の修飾
高知工大 ○（DC）戸田達也，是友大地，古田 守
10 塗布型 InZnO-FETs の動作安定性
大阪府立大 1，大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研 2○
岡田 純 1，永瀬 隆 1,2，小林隆史 1,2，内藤裕義 1,2

1 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30 分）
High-Efficiency Cu2O-Based Heterojunction Solar Cells FabricatedUsing a Ga2O3 Thin Film as N-Type Layer
金沢工大 ○南 内嗣，西 祐希，宮田俊弘
2 ビス (2,4- ペンタンジオナト )- 銅 (II) を用いた常圧 MOCVD 法による Cu2O
薄膜の作製
芝浦工大 ○寺村瑞樹，谷口 凱，石川博康
3 X 線逆格子マップ測定による c 面サファイア基板上の alpha-MoO3エピタキ
シャル薄膜の結晶構造解析
リガク 1，大阪工大 2 ○稲葉克彦 1，小林信太郎 1，八木信治 2，松尾昌幸 2，小池一歩 2，原田義之 2，佐々誠彦 2，矢野満明 2△ 4 サファイア基板への酸化タングステン薄膜の分子線エピタキシャル成長
大工大ナノ材研センタ 1，リガク X 線研究所 2 ○（M2）八木信治 1，松尾昌幸 1，
小池一歩 1，原田義之 1，佐々誠彦 1，矢野満明 1，稲葉克彦 2
5 ミスト CVD 法による酸化ガリウムバッファ層を用いたコランダム型 In2O3薄膜の作製
高知工大シス工 ○（B）須和祐太，川原村敏幸
6 α-In2O3薄膜の n 型導電性の起源に関する考察
京大院工 ○北島雅士，鈴木規央，金子健太郎，藤田静雄△ 7 α-(Inx Ga1-x )2O3薄膜の電気特性評価
京大院工 ○伊藤義人，北島雅士，鈴木規央，金子健太郎，藤田静雄
8 ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長の熱力学解析
東京農工大院工 1，タムラ製作所 2 ○（D）野村一城 1，後藤 健 2，富樫理恵 1，
村上 尚 1，熊谷義直 1，倉又朗人 2，山腰茂伸 2，纐纈明伯 1

休憩

15:30 〜 15:45△ 9 (-201) 及び B 面 β-Ga2O3単結晶のシンクロトロン単色 X 線トポグラフィー
観察
佐賀大院工 1，タムラ製作所 2 ○（M1）桝谷聡士 1，村上竜一 1，輿 公祥 2，
倉又朗人 2，飯塚和幸 2，嘉数 誠 1

（ 136
136 ）

合同セッション K

10 β-Ga2O3 基板の結晶欠陥評価
日鉄住金テクノロジー ○永井哲也，野網健悟，中居克彦，二木登史郎
11 大気圧プラズマ CVD 法を用いた β-Ga2O3薄膜の成長 II
阪府大院工 1，積水インテグレーテッドリサーチ 2 ○（M1）木口拓也 1，
野瀬幸則 1，上原 剛 2，藤村紀文 1
12 Ga2O3の結晶多形 - 基板と成長ガスの影響 NTT MI 研 ○赤沢方省
13 Sn ドープおよびノンドープ α-(Al1-x Gax)2O3薄膜の XPS 測定
京大院工 ○鈴木健太，金子健太郎，伊藤義人，赤岩和明，藤田静雄
14 伝導性 γ 相酸化ガリウム薄膜の作製
東工大院理工 1，東工大元素戦略 2 松山慶太朗 1，○
大島孝仁 1，吉松公平 1，大友 明 1,2△ 15 ウルツ鉱型 β-CuGaO2, β-AgGaO2 の第一原理計算
阪大 1，富山高専 2，山梨大 3，物材機構 4 ○（DC）鈴木一誓 1，長谷 拓 1，
博 3，
喜多正雄 2，井口雄喜 3，佐藤千友紀 3，柳大橋直樹 4，小俣孝久 1
16 β-Ga2O3 / SiC ヘテロ接合に基づく深紫外フォトダイオード
石巻専修大理工 ○中込真二，平塚慧祐，國分義弘-----------------------------------------------------------------------------------合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス
9 月 20 日 9:00 〜 11:45
20a-A12 - 1 〜 10

1 c 面サファイア基板上への単結晶 ZnO 膜の形成 : 格子不整合系ヘテロエピタ
キシーにおける成長初期過程の表面形態の影響
九大シス情 1，JST さきがけ 2 ○板垣奈穂 1,2，井出智章 1，松島宏一 1，
山下大輔 1，徐 鉉雄 1，古閑一憲 1，白谷正治 1
2 UHV スパッタエピタキシー法による ZnMgO 層の成長 ( Ⅱ )東京電機大工 ○（M2）三好佑弥，佐久間大樹，松久健司，篠田宏之，六倉信喜
3 UHV スパッタエピタキシー法による ZnO 単結晶層の成長 (II)
東京電機大 ○（M1）松久健司，佐久間大樹，三好佑弥，篠田宏之，六倉信喜△ 4 c 面サファイア基板上に成膜した V 添加 ZnO 薄膜における 30o回転ドメインの抑制
東北大院工 ○千葉 博，川島知之，鷲尾勝由
5 V 添加 ZnO 薄膜形成における Ar/O2 組成の効果
東北大院 ○安倍 大，川島知之，鷲尾勝由

休憩

10:15 〜 10:30

6 a 面 GaN テンプレート上 ZnO 膜における酸素分圧効果
物材機構 1，コメット 2 ○（PC）原田善之 1,2，鈴木 摂 2，
知京豊裕 1,2，角谷正友 1▲ 7 The optical properties of m-plane ZnO/Zn0.9Mg0.1 multiple quantum
wells grown by pulsed laser deposition
Department of Photonics & Institute of Electro-Optical Engineering,
National Chiao Tung University Hou-Ren Chen，
Yu-Cheng Huang，〇 Wen-Feng Hsieh
8 RS-MBE 法による MgxZn1-xO 薄膜の成膜と Pt/MgxZn1-xO ショットキーフォ
トダイオードの作製
岩手県工技センタ 1，イーエムシー半導体 2，東北大工 3，岩手大 4○遠藤治之 1，大橋律男 2，佐藤秀幸 3，Mohamed Belmoubarik3，
高橋 強 1，野崎友大 3，佐橋政司 3，柏葉安兵衛 4
9 酸化亜鉛ナノ粒子塗布型紫外線発光ダイオード
島根大院総理 1，島根大総理 2，島根大戦略的研究推進センター 3○
藤田恭久 1，清山拓史 1，狩野祐太 1，阿部耕介 2，
平儀野雄斗 1，橋本英樹 3，吉田俊幸 1
10 PARE 法により作製した MgxZn1-xO:N/ZnO ヘテロ接合の EL 特性
岩手大 1，仙台高専 2 ○中川 玲 1，阿部貴美 1，千葉鉄也 1，中川美智子 1，
高橋修三 1，千葉茂樹 1，柏葉安宏 2，小島 勉 1，
新倉郁生 1，柏葉安兵衛 1，長田 洋 1------------------------------------------------------------------------------------

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137 ）

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理科工作の展示をしています48
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6
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日程：平成 2６年９月 1７日（水）〜1９日（金）理科教室

場所：展示会場内（体育館）

9 4 5 2 0 2 0 6 7 5 8
1 8 4 5 9 6に金 ！
21 募 い71
8 2 だ4
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資 力6 1 9 物0
7
協
受付

体育館

用

応

理

物

教

学

の

育

興

振

応 ご

139

普

・

啓

及

の

発

め

た

The 75th JSAP Autumn Meeting 2014

PROGRAM
Dates
Venue

September 17 (Wed.) – 20 (Sat.)
Sapporo Campus, Hokkaido University(Kita 8, Nishi 5, Kita‐ku, Sapporo, Hokkaido, 060‐0808 Japan)
TEL 011‐736‐0771 (Secretariat Office at the Venue)

Registration
Secretariat OfficeOpen Hours
8:00 ‐ 17:30 ( Last day: 8:00 ‐ 13:00 )8:00 ‐ 20:00

Sponsored by The Japan Society of Applied Physics

The Japan Society of Applied Physics Official HP
The 75th JSAP Autumn Meting Official HP
Meeting Web Program

Supported by Hokkaido University

http://www.jsap.or.jp/english
http://meeting.jsap.or.jp/index.html
https://confit.atlas.jp/jsap2014a
Google Play

140

iTunesCampus Map

A・S

P（Gymnasium）(Inst. of the Advancement of Higher Education)

B
Kita Juhachi‐jo Sta.

(Frontier Research in Applied Science Bldg.)

C（School of Engineering）
Kita Juni‐jo Sta.

JR Sapporo Sta.

A

Registration 1F
Back Issue Sales 1F

Session Room
1F A1, A2, A3
2F A4～A11, A27, A28
3F A12～A26

Informal Meeting Room
2F AM1～AM12

S

Secretariat Office 1F
Cloak Service 1F
Guest Room 1F

Session Room
1F S1
2F S8～S11

B

P

Poster Session Venue (PA, PB)
JSAP EXPO AUTUMN
Wireless Internet Service
Abstract Print‐out Service
Coffee Service

Session Room
1F B1
2F B2, B3

C

Session Room
1F C1～C4
2F C5～C7
3F C8

Welcome Reception
Date ： September 17 (Wed.) 19：00～
Venue： Sapporo Beer Garden
Fee ： Non‐student 3,000 JPY, Student 1,000 JPY

Cafeteria

Informal Meeting Room
2F CM1～CM4
3F CM5141

Metro Namboku Line70 min.

5 min.

Walk

8 min.

Walk

Registration

15 min.

Walk

5 min.

(Institute for the Advancement of Higher Education Bldg. 1F)

Airport Limousine(北18条駅)

10 min.

Kita Juhachi-jo Gate
Sapporo Campus, Hokkaido Univ.

JR Sapporo Station （札幌駅）

40 min.

Main Gate
Sapporo Campus, Hokkaido Univ.

Walk

JR Rapid Airport

Kita Juhachi-jo Station

New Chitose Airport (新千歳空港)

AccessThere is no parking space available on the campus. Please use the public transpiration.
Please avoid street parking as a courtesy to the neighbors.

Flight Hours to New Chitose Airport
From

Hours

From

Hours

Sendai1 hour 10 min.

Seoul, South Korea

approx. 3 hours

Tokyo (Haneda)

1 hour 30 min.

Busan, South Korea

2 hours 40 min.

Tokyo (Narita)

1 hour 40-45 min.

Beijing, China

3 hours 50 min.

Osaka (Kansai)

1 hour 50 min.

Shanghai, China

approx. 3 hours 30 min.

Osaka (Itami)

1 hour 45 min.

Hong Kong, China

5 hours

Nagoya (Centrair)

1 hour 40-45 min.

Taipei, Taiwan

4 hours 40 min.

Fukuoka

2 hour 10 min.

Bangkok, Thailand

approx. 7 hours

142

Floor PlanS

AMultimedia
Education
Bldg.

1F
Please use these doors toenter the room A27 and A28.

2F

3F
143

Floor Plan

B

2F

1F

C

1F
Please use these stairs
to enter the room C5.

2F

3F
144

■General Information
Registration
Location: 1F, A Bldg.
Hours: September 17 (Wed.)‐19 (Fri.); 8:00 am‐5:30 pm
September 20 (Sat.); 8:00 am‐ 1:00 pm
Registration Fee
Category

Advanced

OnsiteJSAP Regular Member

8,000 JPY

12,000 JPY

Student (Member/Non‐member)

3,000 JPY

5,000 JPY

JSAP Senior Member*

4,000 JPY

7 ,000 JPY

JSAP’s Partner Society **Member

8,000 JPY

12,000 JPY

Non‐member

15,000 JPY

20,000 JPY*JSAP members of over 60 years age without a regular job. Need application to become Senior Member.
** JSAP’s Partner Societies：APS(American Physical Society), EOS (European Optical Society), EPS(European Physical Society), IOP(Instituteof Physics), KPS(Korean Physical Society), OSA(Optical Society of America), OSK(Optical Society of Korea), PESJ (Physics Education
Society of Japan), PSROC(The Physical Society of Republic of China), Société Française de Physique(SFP), SPIE (International Society for
Optical Engineering ), Taiwan Photonics Society (TPS)

Wireless Internet Service
Wireless internet service is available for free. No PC is available at the site. Please bring our own laptops.
Location: Poster Session Venue <PA, PB>
Hours: September 17 (Wed.)‐19 (Fri.); 10:00 am‐6:00 pm
September 20 (Sat.); 10:00 am‐ 1:00 pm

Cloak Room Service
Location: Room S3, S Bldg. 1F
Hours: September 17 (Wed.); 8:00 am‐7:00 pm
September 18 (Thu.)‐19 (Fri.); 8:00 am‐7:30 pm
September 20 (Sat.); 8:00 am‐ 4:00 pm
Fee:
300 JPY per luggage
Notes: Please keep the valuables with you. We may not able to accept your luggage due to the limited space of the room.

Lost and FoundTo check whether a lost item has been turned in, please come to the Secretariat Office (1F, S Bldg.).
After the conference, please contact at the JSAP Secretariat (meeting@jsap.or.jp)

Print‐out Service
Conference abstracts included in the abstract DVD‐ROM can be printed out at Poster Session Venue. Please note that you
cannot print out your personal documents.

No photo taking is allowed during the session.
All participants must wear their meeting badges at all times.

145

■Presentation Guidelines
Oral Presentations
1. Presentation Time
Oral presentations are assigned 15 minutes. (presentation for 10 minutes, Q&A for 5 minutes).
Staff will inform you of the time with a bell.
1st Bell ： 10 min. (including 5 min. for Q&A remaining)
2nd Bell： 5 min. remaining (end of your talk)
3rd Bell： End of your presentation time
2. Presentation Method
Oral presentations will given using a PC projector. JSAP will prepare a laptop PC and a LCD projector at each session room.
Please bring your presentation files (ppt) in USB devices or CD‐ROMs.
(Software specifications)‐ OS: Windows 7 Pro.
‐ Microsoft Power Point 2007
‐ Windows Media Player Ver. 10 *Other video players are not installed on the PC.
(Presentation file)‐ Please use the standard fonts of Windows 7.
‐ Presentation files should be named as follows; your program number_your family name.
Ex.) 17a‐S2‐5_Smith.ppt(Preparation at the session room)‐ Please copy your presentation file to the desktop in the presence of our staff member during the break before the session
starts.
For those who bring their own PC‐ Please turn on your computer prior to your presentation and make sure thatyou can quickly project the screen when your turn comes.
‐ Time to set up the equipment is included in your presentation time. Please
prepare will in advance for the smooth flow of the session.
‐ We will prepare the connector as shown right. If your laptop does not have thisconnection, please bring the converter by yourself.

Short Oral Presentation
Presenters have 2 minutes to present the summary of their study before their poster presentations.
There will be no discussion time allotted. Speakers must end their presentation immediately after the attention bell.

Poster Presentation
1. Preparation
JSAP will prepare display panels (180cm(H)×90cm(W) with each program number posted on. Pushpins will be available ateach panel. Do not use glue or tape.
2. Hours
AM

PM1

PM2

Preparation

9:10 ～9：30

13:10～13：30

15：40～16：00

Session9：30～11：30

13：30～15：30

16：00～18：00

Poster Removal

11：30～11：40

15：30～15：40

18：00～18：10

146

■Welcome Reception
This year's welcome reception will be held at Sapporo
Beer Garden, one of the popular tourists spots in
Sapporo.
Enjoy the cold beer and great food while networking
with your colleagues and other meeting participants!

Date: 7:00pm‐ September 17 (Wed.), 2014
Venue: Sapporo Beer Garden（North 7 Jo 9 Chome 2‐10, Higashi‐ku, Sapporo,
Hokkaido, 065‐0007）*Free shuttle bus to the reception venue will departfrom the campus.

Non-student
Student

Fee

3,000 JPY (tax included)
1,000 JPY (tax included)

How to Participate
1.
2.

Please register on the site below.
Online payment is not available. Please pay the fee at the “Welcome Reception” desk at theRegistration by 17:00, Wednesday, Sept. 17. We only accept cash.

**Onsite registration is available only if there are still seats left after the deadline.

Register at: http://meeting.jsap.or.jp/eng/socialgathering.html

Registration Deadline： August 31 (Sun.), 2014

■Nursery Service
JSAP offers free nursery services with qualified staff for the participants with children.
Hours: September 17 (Wed.) ‐19 (Fri.) 8:30 am – 7:30 pm
September 20 (Sat.) 8:30 am‐ 4:00 pm

Advanced reservation is required.
Apply at: http://meeting.jsap.or.jp/eng/nursery

Application Deadline： September 8 (Mon.), 2014147

Schedule by Category I
Category

Section
1. Applied Physics in General

September 17（Wed.）

AM

September 18（Thu.）

PM

AM

September 19（Fri.）

PM

AM

PM

September 20（Sat.）

AM

PM

A23
13:30 〜 17:00

Symposium

A23
13:30 〜 16:45

1.1 Interdisciplinary and General Physics

A23
10:00 〜 12:30

PB1
9:30 〜 11:30
PB2
9:30 〜 11:30

1.2 Education
1.3 Novel Technologies and Frontier
Engineering Science

A23
PB3
14:00 〜 16:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

PA1
9:30 〜 11:30

1.4 Energy conversion and storage

PB4
9:30 〜 11:30

A23
9:30 〜 12:30

1.5 Resources and environment

PB5
9:30 〜 11:30

A24
10:30 〜 12:15
A24
14:00 〜 18:30

1.6 Magnetic field and its application
1.7 Instrumentation and measurement,
metrology

PA2
A24
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 14:00 〜 17:30
A15
PA3
14:00 〜 18:30 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

1.8 Ultrasonic
2. Ionizing Radiation

B2
13:30 〜 16:15

Symposium
PA6
16:00 〜 18:00

2. Ionizing Radiation (Poster)
2.1 Radiation physics and detectors

B2
13:15 〜 17:30
B2
B2
14:00 〜 14:45 9 : 0 0 〜 1 1 : 3 0

2.2 Detection systems
2.3 Application of radiation, radiation
generators and technologies
3. Optics and Photonics

C7
13:30 〜 17:15

Symposium

C1
C1
PA1
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:45 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

3.1 Basic optics and frontier of optics
3.2 Materials and equipment optics

B2
B2
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

B2
9:00 〜 12:45

C7
C7
9 : 0 0 〜 1 1 : 3 0 13:30 〜 17:45

PA1
13:30 〜 15:30

3.3 Information photonics and image
engineering

PA2
S11
S11
13:30 〜 15:30 9 : 3 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 16:45
PA4
9:30 〜 11:30

3.4 Biomedical optics

C7
C7
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:00 〜 14:45

3.5 Laser devices and materials

PA3
13:30 〜 15:30

3.6 Ultrashort-pulse and high-intensity lasers

PA4
C2
C2
C2
13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:15 9 : 1 5 〜 1 2 : 0 0

C8
C8
C8
13:30 〜 18:15 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 14:30

3.7 Laser processing

S9
S9
S9
S9
PA5
9 : 3 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:15 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

3.8 Optical measurement technology anddevices

S8
S8
S8
S8
PA6
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 17:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 17:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0
PA5
C6
C6
C6
C6
13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

3.9 THz technology

C2
C2
PA7
9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5 14:00 〜 18:45 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

3.10 Optical quantum physics and technologies

3.11 Photonic structures and phenomena

3.12 Nanoscale optical science and near-field
optics3.13 Semiconductor optical devices

C8
C8
C8
13:30 〜 15:30 10:00 〜 12:30 14:00 〜 17:45
PA2
16:00 〜 18:00
C1
C1
C1
C1
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:45 〜 17:45 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:30 〜 16:00
PB11
16:00 〜 18:00
C6
C6
C6
C6
PA8
11:00 〜 12:30 14:00 〜 16:45 9 : 1 5 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 18:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0
C7
C7
C7
PA1
9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5 14:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 15:30

3.14 Optical control devices and optical fiber
3.15 Silicon photonics

How to Read a Table

PA3
A18
A18
A18
16:00 〜 18:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:15 9 : 3 0 〜 1 1 : 4 5

September 17（Wed.） September 18（Thu.） September 19（Fri.）
AM
PM
AM
PM
AM
PM
S2（ S h o r t ）13:30～13:52 PA1→Poster（ P B ） 9:30～11:30
16:00～18:00

Short oral presentation
followed by poster
presentation

A3
9:00～12:00

A2
9:00～12:15

Session Room Session Time148

September 20（Sat.）
AM
PM

A2
B1
13:15～17:00 9:00～12:00

B1
13:00～14:30

Schedule by Category II
Category

September 17（Wed.）

SectionAM

6. Thin Films and Surfaces

PM

September 18（Thu.）

AM

PM

September 19（Fri.）

AM

PM

September 20（Sat.）

AM

PM

A1
13:00 〜 17:00
A10
13:15 〜 18:15

Symposium

A18
13:30 〜 17:30
A4
A4
9 : 1 5 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:00

6.2 Carbon-based thin films

A8
A8
A8
A8
PB1
10:00 〜 11:45 13:15 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 19:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

6.3 Oxide-based electronics

A10
A10
A10
PA7
A10
A10
A10
A10
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:45 9 : 1 5 〜 1 1 : 4 5 16:00 〜 18:00 9 : 1 5 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 19:00 9 : 3 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00
A11
A11
A11
PB2
13:15 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:15 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

6.4 New thin-film materials
6.5 Surface physics and vacuum

A6
A6
9 : 3 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 15:45

PB3
9:30 〜 11:30
PA8
A8
A8
16:00 〜 18:00 9 : 3 0 〜 1 2 : 1 5 13:45 〜 19:00

6.6 Probe microscopy
7. Beam Technology and Nanofabrication

A13
A13
9 : 3 0 〜 1 2 : 1 5 13:45 〜 16:30

Symposium

A13
13:15 〜 18:45

7.1 X-ray technologies

PB1
13:30 〜 15:30

7.2 Electron microscopes, evaluation,measurement and analysis

PB2
A14
13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5A14
9:00 〜 12:30

7.3 Lithography

A13
13:15 〜 17:00

PB3
13:30 〜 15:30
A13
A13
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 13:00 〜 15:00

7.4 Nanoimprint
7.5 Particle/photon-beam-induced surface
reactionsA13
9:00 〜 9:45

PA2
13:30 〜 15:30
A14
13:15 〜 18:15

7.6 Ion beams

PA3
13:30 〜 15:30

7.7 Vacuum nanoelectronics and electron
sources

A14
13:00 〜 17:15
A13
10:00 〜 11:30

7.8 New beam-application technologies
8. Plasma Electronics

S1
13:30 〜 17:30

Symposium
8. Plasma Electronics: English Session

S10
S10
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 15:00 〜 18:00

8. Plasma Electronics: Invited Lecture ofOverseas Researcher

S10
13:15 〜 14:45
S1
9:15 〜 11:30

8. Plasma Electronics: Award Speech
8.1 Plasma production and control

PB1
9:30 〜 11:30

S8
S8
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:15 〜 14:30
S11
16:30 〜 18:00

8.2 Plasma measurements and diagnostics

PB4
13:30 〜 15:30

8.3 Plasma deposition of thin film and surface
treatment

PB5
S9
S9
13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:15 〜 14:30

8.4 Plasma etching

PB6
13:30 〜 15:30

8.5 Plasma nanotechnology

PB7
13:30 〜 15:30

S10
14:15 〜 19:00
S9S9
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 14:15

8.6 General plasma phenomena, emerging area PB2of plasmas and their new applications
9:30 〜 11:30

S8
S8
S8
14:45 〜 18:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 14:30

9. Applied Materials Science

A6
A6
A6
PA4
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 16:00 〜 18:00

9.1 Nanowires, nanoparticles
PB1
13:30 〜 15:30

9.3 Nanoelectronics

A7
A7
10:00 〜 11:45 13:15 〜 16:45
A7
A7
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 17:30

9.4 Thermoelectric conversion
9.5 New functional materials and new physicalproperties

A6
13:15 〜 17:30

10. Spintronics and Magnetics

S2
13:30 〜 17:15

Symposium

10.1 Creation of new materials

10.2 Spin torque, spin current, circuits, andmeasurement technologies
10.3 Giant magnetoresistance (GMR), tunnel
magnetoresistance (TMR) and magnetic
recording technologies
10.4 Semiconductors, organic, optical, andquantum spintronics

PA5
16:00 〜 18:00

PB2
13:30 〜 15:30

S2（Short）
1 3 : 3 0 〜 1 3 : 5 2 S2
S2
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 → Poster (PB)
9:00 〜 11:45
16:00 〜 18:00
S2（Short）
13:52 〜 14:38

S2
S2
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00→ Poster (PB)
16:00 〜 18:00
S2（Short）
14:38 〜 14:56

S2
9:00 〜 11:45→ Poster (PB)
16:00 〜 18:00
S2（Short）
14:56 〜 15:06

S2
S10
13:15 〜 17:15 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0→ Poster (PB)
16:00 〜 18:00

149

Schedule by Category III
Category

September 17（Wed.）

SectionAM

11. Superconductivity

September 18（Thu.）

PM

AM

PM

PM

September 20（Sat.）

AM

PM

PB6
9:30 〜 11:30

11. Superconductivity (Poster)

A21
A21
A21
13:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:45 〜 16:15

11.1 Fundamental properties
11.2 Thin films, thick films, coated conductors
and thin film crystal growth

A20
A20
9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5 13:30 〜 16:15

11.3 Critical current, superconducting power
applications

A21
14:00 〜 18:00

11.4 Analog application and its related
technologies
11.5 Junction, circuit fabrication process anddigital applications

September 19（Fri.）

AM

A22
A22
A22
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:15 10:30 〜 12:00
A20
A20
11:00 〜 12:30 14:00 〜 16:45

12. Organic Molecules and Bioelectronics

A1
13:00 〜 17:00

Symposium

A4
A4
9 : 1 5 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:00

12.1 Fabrications and Structure Controls

A5
A5
A5
PB12
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 16:00 〜 18:00

12.2 Characterization and Materials Physics

PA1
A2
A2
A2
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 13:15 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 17:45

12.3 Functional materials and novel devices

A3
A3
A3
A3
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:00 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:45

PA6
16:00 〜 18:00

A4
A4
A4
A4
A5
A5
A4
A4
12.4 Organic light-emitting devices and organic 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 1 3 : 1 5 〜 1 8 : 0 0 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 1 3 : 1 5 〜 1 8 : 0 0 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 1 3 : 1 5 〜 1 5 : 3 0 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 1 3 : 0 0 〜 1 5 : 0 0transistors
PA7
16:00 〜 18:00
12.5 Organic solar cells

PA2
A1
A1
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 13:15 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0

12.6 Nanobiotechnology

PA1
9:30 〜 11:30

A3
A3
A3
9 : 3 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:00 9 : 3 0 〜 1 2 : 1 5

PA2
9:30 〜 11:30

A2
A2
A2
A2
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

12.7 Medical Engineering and Biochips

A7
9:00 〜 11:45

13. Semiconductors A (Silicon)
Symposium

A1
A1
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:30

A19
13:15 〜 17:45
A14
13:30 〜 17:30

13.1 Basic Properties, Surface and Interface
Phenomena, and Simulation

A15
A15
PA2
9 : 3 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 16:45 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

13.2 Insulator technology

A17
A17
PA3
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:00 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

13.3 Si Process・Interconnect・MEMS・Integration
13.4 Devices/Integration Technologies

PA1
A19
A19
A19
A19
A19
13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:45 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5
PA3
A16
A16
A16
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 14:00 〜 17:45 9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 17:15
A15
10:30 〜 12:15

13.5 Si-English Session

14. Semiconductors B (Exploratory Materials, Physical Properties, Devices)

14.1 Physical properties of exploratory
materials

PB4
A27
A27
9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0 14:00 〜 18:45 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5

14.2 Ultrathin films and quantum
nanostructures

A27
A27
A27
PB1
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 19:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:30 〜 15:30

14.3 Electron devices and Process technology

A22A22
9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5 14:00 〜 18:00

14.4 Optical properties and light-emitting
devices

PB2
13:30 〜 15:30

A24
PB8
A26
A26
A26
A26
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:30 〜 15:30 9 : 0 0 〜 1 2 : 1 5 13:45 〜 18:45 9 : 1 5 〜 1 1 : 4 5 13:00 〜 14:30
A28
A28
A28
A28
PB3
14:00 〜 17:15 9 : 3 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:15 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:30 〜 15:30

14.5 Compound solar cells
15. Crystal Engineering

C5
C5
8 : 3 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:00

Symposium
PB9
13:30 〜 15:30

15.1 Bulk crystal growth15.2 II-VI-group crystals and multicomponent
crystals

A20
A20
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 15:00 〜 19:00

15.3 III-V-group epitaxial crystals
15.4 III-V-group nitride crystals

C5
C5
C5
C5
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:45 8 : 3 0 〜 1 2 : 3 0 13:30 〜 19:15

15.5 IV-group crystals and IV-IV-group mixed
crystals
15.6 IV-group-based compounds

PB6
C5
C5
16:00 〜 18:00 8 : 3 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

PB10
A16
A16
13:30 〜 15:30 9 : 3 0 〜 1 2 : 0 0 13:30 〜 18:15

A20
13:15 〜 14:45

15.8 Crystal evaluation, impurities and crystal
defects

PB7
A20
16:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 3 : 0 0

16. Amorphous and Microcrystalline Materials
Symposium
PB3
9:30 〜 11:30

A25
13:00 〜 17:45
A26
A26
10:30 〜 12:00 13:30 〜 17:15
A25
10:30 〜 12:30

16.2 Processing technologies and devices
16.3 Bulk, thin-film and other silicon-basedsolar cells

PB5
16:00 〜 18:00

A17
A17
A17
A17
PB5
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:15 9 : 3 0 〜 1 1 : 3 0

15.7 Fundamentals of epitaxy

16.1 Fundamental properties and theirevaluation in disordered materials

A17
A17
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00
PB4
16:00 〜 18:00

PB4
9:30 〜 11:30

A25
A25
A25
A25
A25
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:45 〜 18:15 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 13:45 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 0 : 1 5150

Schedule by Category IV
Category

September 17（Wed.）

Section17. Nanocarbon Technology
Symposium

AM

September 18（Thu.）

PM

AM

PM

September 19（Fri.）

AM

PM

September 20（Sat.）

AM

PM

S1
S1
9 : 1 5 〜 1 2 : 0 0 13:15 〜 18:00
B3
13:15 〜 18:30
PA3
9:30 〜 11:30

17. Nanocarbon Technology (Poster)

B3
B3
B3
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:30 9 : 0 0 〜 1 0 : 4 5

17.1 Growth technology

B1
9:00 〜 11:00
B1
14:00 〜 17:15

17.2 Structural control and process

B1
13:15 〜 15:30

17.3 Exploration of new functions andevaluation of basic properties
17.4 Device application

B1
13:15 〜 19:00
B1
B1
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 14:00

18. JSAP-OSA Joint Symposia
OSA President Special Lecture

B1
15:45 〜 18:15
B1
9:15 〜 11:45

C4
13:45 〜 14:45
C3
C3
C3
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0

18.1 Plasmonics

C4
C4
C4
9 : 3 0 〜 1 2 : 3 0 13:45 〜 17:30 9 : 3 0 〜 1 2 : 3 0

18.2 Bio- and Medical Photonics

C4
13:30 〜 17:00

18.3 Laser Manufacturing
18.4 Optical Micro-sensing，Manipulation，and Fabrications

C3
C3
9 : 0 0 〜 1 2 : 3 0 14:00 〜 17:15

18.5 Opto-electronics

C1
C1
9 : 1 5 〜 1 2 : 0 0 13:00 〜 15:00

18.6 Information Photonics

C4
C4
9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 12:45 〜 15:00

18.7 Laser Photonics -XFEL and ultrafast optics-

C4
C4
9 : 1 5 〜 1 2 : 3 0 15:00 〜 17:45

18.8 Carbon Photonics

C3
C3
10:15 〜 12:30 15:00 〜 17:30

19. Code-sharing session

C8
9:00 〜 12:00

3.5/3.14 code-sharing session
6.1/9.1 code-sharing session

PA4
A9
A9
A9
A9
16:00 〜 18:00 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 18:30 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:45

14.3/15.4 code-sharing session

A27
A27
9 : 0 0 〜 1 2 : 0 0 14:00 〜 17:45

14.5/15.2 code-sharing session

A12
13:15 〜 17:30
S1
9:00 〜 12:30

14.5/15.3/15.4 code-sharing session
Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Joint Session K "Wide bandgap oxide
semiconductor materials and devices"

PA5
A12
A12
A12
A12
A12
16:00 〜 18:00 9 : 1 5 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:30 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5 13:15 〜 17:45 9 : 0 0 〜 1 1 : 4 5151

Schedule by Room 1
Room

September 17（Wed.）
AM

A1

450

A2

110

TutorialA3

110

12.3 Functional
materials and novel
devices

大講堂

N1
N2

September 18（Thu.）PM

AM

12.5 Organic solar
cells

12.5 Organic solar
cells

PM

September 19（Fri.）AM

12.3 Functional
materials and novel
devices

September 20（Sat.）AM

Symposium: Microand nano behavior of 12.5 Organic solar
bio material surfaces cells
and its application

12.5 Organic solar
cells

12.3 Functional
materials and novel
devices12.7 Medical
Engineering andBiochips12.7 Medical
Engineering andBiochips

12.6
Nanobiotechnology

12.6
Nanobiotechnology

12.2
12.2
12.2
12.7 Medical
Characterization and Characterization and Characterization and Engineering andMaterials Physics
Materials Physics
Materials Physics
Biochips12.3 Functional
materials and novel
devicesPM

12.6
Nanobiotechnology

140

A5

70

12.1 Fabrications
and Structure
Controls

12.1 Fabrications
and Structure
Controls

12.1 Fabrications
and Structure
Controls

A670

6.5 Surface physics
and vacuum

6.5 Surface physics
and vacuum

9.2 Nanowires,
nanoparticles

9.2 Nanowires,
nanoparticles

9.2 Nanowires,
nanoparticles

A770

9.4 Thermoelectric
conversion

9.4 Thermoelectric
conversion

9.3 Nanoelectronics 9.3 Nanoelectronics

A8

12.7 Medical
Engineering andBiochips

70

6.2 Carbon-based
thin films

6.2 Carbon-based
thin films

6.2 Carbon-based
thin films

6.2 Carbon-based
thin films

6.6 Probe
microscopy

6.6 Probe
microscopy

A9

116

Tutorial

Tutorial

6.1/9.1 codesharing session

6.1/9.1 codesharing session

6.1/9.1 codesharing session

6.1/9.1 codesharing session

A10

116

6.3 Oxide-based
electronics

6.3 Oxide-based
electronics

6.3 Oxide-based
electronics

6.3 Oxide-based
electronics

6.3 Oxide-based
electronics

A11

Symposium: Oxide
electronics at solidliquid interfaces:
Chemistry anddevice applications70

6.4 New thin-film
materials

6.4 New thin-film
materials

6.4 New thin-film
materials

A12

140

Tutorial

14.5/15.2 codesharing session

Joint Session K
Joint Session K
Joint Session K
Joint Session K
Joint Session K"Wide bandgap"Wide bandgap"Wide bandgap"Wide bandgap"Wide bandgap
oxide semiconductor oxide semiconductor oxide semiconductor oxide semiconductor oxide semiconductormaterials andmaterials andmaterials andmaterials andmaterials anddevices"
devices"
devices"
devices"
devices"

70

Symposium: Phase
Symposium: Phase
problem in the
problem in theanalysis of buried
analysis of buried
7.5 Particle/photoninterfaces byinterfaces bybeam-induced
X-ray reflectivity
X-ray reflectivity
surface reactions
and surface X-rayand surface X-ray
7.8 New beamscattering - Towards scattering - Towards application
new research withnew research withtechnologies
coherent lightcoherent lightsourcessources

Symposium: Surface
reaction control
by atomic andmolecular beams,
its development andapplication

7.3 Lithography

7.6 Ion beams

7.2 Electron
microscopes,
evaluation,measurement andanalysis

7.7 Vacuum
nanoelectronics andelectron sources

13.5 Si-English
Session

1.8 Ultrasonic

13.4 Devices/
Integration
Technologies

13.4 Devices/
Integration
Technologies

13.1 Basic
Properties, Surface
and Interface
Phenomena, andSimulation

13.1 Basic
Properties, Surface
and Interface
Phenomena, andSimulation

E204
E205
E206
E207
E208

E214

E215

E301

A13
E304

A14

70

A15

70

A16

70

A17

116

E305

E306

E307
E308

A18
E310

3.15 Silicon
photonics

140

Tutorial

A20

70

11.5 Junction,
circuit fabrication
process and digitalapplications

A21

70

A22

70

A23

70

A24

70

E313
E314

E315

E317

A25
E318

70

12.7 Medical
Engineering andBiochips12.4 Organic light12.4 Organic lightemitting devices and emitting devices andorganic transistorsorganic transistors

Symposium: LowTemperature
Growth of Group-IV 13.3 Si Process・
Semiconductors on Interconnect・
Insulator - Emerging MEMS・Integration
New Crystallization
Techniques 11.5 Junction,
circuit fabrication
process and digitalapplications

11.3 Critical current,
superconducting
power applications

15.3 III-V-groupepitaxial crystals

6.3 Oxide-based
electronics

7.4 Nanoimprint

15.1 Bulk crystal
growth15.1 Bulk crystal
growth15.5 IV-group15.5 IV-group
crystals and IV-IVcrystals and IV-IVgroup mixed crystals group mixed crystals
13.2 Insulator
technology

3.15 Silicon
photonics

3.15 Silicon
photonics

Symposium: New
Frontiers and Future
Perspectives in
Surface Reaction
Observation Using
Synchrotron
Radiation

13.3 Si Process・Interconnect・
MEMS・Integration

13.3 Si Process・Interconnect・
MEMS・Integration

13.3 Si Process・Interconnect・
MEMS・Integration

15.7 Fundamentals
of epitaxy
15.3 III-V-groupepitaxial crystals

11.2 Thin films,
thick films, coatedconductors and thinfilm crystal growth11.2 Thin films,
15.8 Crystal
thick films, coatedevaluation, impurities
conductors and thinand crystal defects
film crystal growth11.1 Fundamental
properties

11.1 Fundamental
properties

11.1 Fundamental
properties

Symposium: Activityof the scientific
1.4 Energy
enlightenment
conversion andincluding upbringing storageof the student

13.3 Si Process・Interconnect・
MEMS・Integration

Resource Recycling
and Energy
Utilization from View
Point of Applied
Physics

14.4 Optical
1.6 Magnetic field
properties and lightand its application
emitting devices

1.5 Resources andenvironment

1.7 Instrumentationand measurement,
metrology

16.3 Bulk, thin-film
and other siliconbased solar cells

16.3 Bulk, thin-film
and other siliconbased solar cells

16.3 Bulk, thin-film
and other siliconbased solar cells

16.3 Bulk, thin-film
and other siliconbased solar cells

152

6.3 Oxide-based
electronics

7.4 Nanoimprint

14.3 Electron
14.3 Electron
11.4 Analog
11.4 Analog
11.4 Analog
devices and Process devices and Process application and its
application and its
application and its
technology
technology
related technologies related technologies related technologies

1.3 Novel
1.1 Interdisciplinary Technologies andand General Physics Frontier Engineering
Science

Symposium:
Current situationand issues of thinfilm silicon solar cell
technologies

9.5 New functional
materials and new
physical properties

7.1 X-raytechnologies

15.6 IV-group-based 15.6 IV-group-based 15.6 IV-group-based 15.6 IV-group-based 13.2 Insulator
compounds
compounds
compounds
compounds
technology

116

E312

Symposium:
Interfacial nanoelectrochemistry:
Research frontiersof semiconductor
wet processes

13.4 Devices/
Integration
Technologies

A19
E311

PM

Symposium:
Innovation in R&D
Innovation in R&D
12.4 Organic light12.4 Organic light12.4 Organic light12.4 Organic lightof the Flexible
12.4 Organic light12.4 Organic lightof the Flexible
emitting devices and emitting devices and emitting devices and emitting devices andElectronics -Toward emitting devices and emitting devices andElectronics -Toward
organic transistorsorganic transistorsorganic transistorsorganic transistors
the Inorganic Flexible organic transistorsorganic transistors
the Inorganic Flexible
DevicesDevices-

A4

E201

A

Cap.

16.3 Bulk, thin-film
and other siliconbased solar cells
16.2 Processing
technologies anddevicesSchedule by Room 2
Room
A26

70

A27

90

A28

90

E319

A

Cap.

N302

N304

S1
S1

250

September 17（Wed.）
AM

19.4 14.3/15.4
code-sharing
sessionJapan-Korea Joint
Symposium on
Semiconductor
Physics andTechnology - Nanocarbon materials
including graphene -AM

PM

14.5 Compoundsolar cells

14.5 Compoundsolar cells

14.5 Compoundsolar cells

14.5 Compoundsolar cells

Symposium:Computer
Simulations for
Plasma Processing(state-of-the-art
plasma modelling)

14.5/15.3/15.4
code-sharing
sessionJapan-Korea Joint
Symposium on
Semiconductor
8. Plasma
Physics andElectronics: Award
Technology - Nano- Speechcarbon materials
including graphene -S970

3.7 Laser processing 3.7 Laser processing 3.7 Laser processing 3.7 Laser processing

S10

70

8. PlasmaElectronics: English
Session

S11

70

B1

セミナー１

105

3.8 Opticalmeasurement
technology anddevices10.2 Spin torque,10.2 Spin torque,spin current, circuits, spin current, circuits,
and measurement
and measurement
technologies
technologies

3.8 Opticalmeasurement
technology anddevices

8.1 Plasma
production andcontrol
8.6 General plasma
phenomena,
emerging area ofplasmas and their
new applications

8.6 General plasma
phenomena,
emerging area ofplasmas and their
new applications

8.6 General plasma
phenomena,
emerging area ofplasmas and their
new applications

8.3 Plasma
deposition of thinfilm and surface
treatment

8.5 Plasma
nanotechnology

8.5 Plasma
nanotechnology

8.4 Plasma etching

10.4
Semiconductors,organic, optical, andquantum spintronics

8. PlasmaElectronics: Invited
Lecture of Overseas
Researcher
8. PlasmaElectronics: English
Session

8.1 Plasma
production andcontrol

8.3 Plasma
deposition of thinfilm and surface
treatment

3.3 Information
3.3 Information
photonics and image photonics and image
engineeringengineering

17.4 Device
application
17.2 Structuralcontrol and process

17.3 Exploration of
new functions andevaluation of basic
properties

17.4 Device
application

2.1 Radiation
physics anddetectors

2.3 Application ofradiation, radiation
generators andtechnologies

2.2 Detection
systems

Symposium: Present
and Future of
17.1 Growth
Functional atomic
technology
thin film research

87

B3

256

Special Events(See p. ENG-14)

Special Events(See p. ENG-14)

JSAP President
Special Lecture

C1

78

3.12 Nanoscale
optical science andnear-field optics

3.12 Nanoscale
optical science andnear-field optics

3.12 Nanoscale
optical science andnear-field optics

C2

72

C3

84

18.8 Carbon
Photonics

18.8 Carbon
Photonics

C484

OSA President
18.7 Laser
Special Lecture
18.2 Bio- andPhotonics-XFEL and 18.7 Laser
Medical Photonics
ultrafast opticsPhotonics-XFEL andultrafast optics-

C5

364

15.4 III-V-groupnitride crystals

C6

104

3.13 Semiconductor 3.13 Semiconductor 3.13 Semiconductor 3.13 Semiconductor
3.9 THz technology
optical devices
optical devices
optical devices
optical devices

ホール

B11
B12

B31

B32

オープンホール

C212

C7

104

C8

72

C213
C310

3.2 Materials andequipment optics

15.4 III-V-groupnitride crystals

3.2 Materials andequipment optics
3.11 Photonic
structures andphenomena14.1 Physicalproperties of
exploratory
materials

10.4
Semiconductors,organic, optical, andquantum spintronics

B2

セミナー２

14.1 Physicalproperties of
exploratory
materials

10.3 Giantmagnetoresistance
Symposium: Frontier(GMR), tunnelof SpintronicmagnetoresistanceMaterials and(TMR) and
Devicesmagnetic recording
technologies

8.2 Plasmameasurements anddiagnostics
17.4 Device
application

PM

14.2 Ultrathin
films and quantum
nanostructures

70

S11

AM

14.2 Ultrathin
films and quantum
nanostructures

S8

S10

September 20（Sat.）14.2 Ultrathin
films and quantum
nanostructures

3.8 Opticalmeasurement
technology anddevicesS9PM

19.4 14.3/15.4
code-sharing
session

3.8 Opticalmeasurement
technology anddevicesS8

AM

16.1 Fundamental
14.4 Optical
14.4 Optical
14.4 Optical
14.4 Opticalproperties andproperties and light- properties and light- properties and light- properties and lighttheir evaluation inemitting devices
emitting devices
emitting devices
emitting devices
disordered materials

10.1 Creation of
new materials

S

September 19（Fri.）

16.1 Fundamental
properties andtheir evaluation indisordered materials

346

S2

C

September 18（Thu.）

10.1 Creation of
new materials（Shortoral presentation）
10.2 Spin torque,spin current, circuits,
and measurement
technologies（Shortoral presentation）
10.3 Giantmagnetoresistance(GMR), tunnel
10.1 Creation ofmagnetoresistancenew materials(TMR) andmagnetic recording
technologies（Shortoral presentation）
10.4
Semiconductors,organic, optical,
and quantum
spintronics（Shortoral presentation）

S2

B

PM

3.10 Opticalquantum physics
and technologies

18.4 Optical
Micro-sensing,
Manipulation, andFabrications

15.4 III-V-groupnitride crystals

3.12 Nanoscale
optical science andnear-field optics

3.10 Opticalquantum physics
and technologies

18.4 Optical
Micro-sensing,
Manipulation, andFabrications

2.2 Detection
systems

17.2 Structuralcontrol and process
17.3 Exploration of
new functions andevaluation of basic
properties

Symposium:
Behavior of nuclear
fuel and fission
products during
severe accident
and activities on
decontamination

2.2 Detection
systems

17.1 Growthtechnology

17.1 Growthtechnology

3.1 Basic optics and 3.1 Basic optics and 18.5 Optofrontier of optics
frontier of optics
electronics

2.2 Detection
systems

18.5 Optoelectronics

3.6 Ultrashort-pulse 3.6 Ultrashort-pulse 3.6 Ultrashort-pulse
and high-intensity
and high-intensity
and high-intensity
laserslaserslasers18.1 Plasmonics

18.1 Plasmonics

18.1 Plasmonics

18.2 Bio- andMedical Photonics

18.2 Bio- andMedical Photonics

18.3 Laser
Manufacturing

18.6 Information
Photonics

18.6 Information
Photonics

15.4 III-V-groupnitride crystals

Symposium:
Symposium:
Materials Science of Materials Science ofSingularity in Nitride Singularity in Nitride 15.4 III-V-group
semiconductors 〜
semiconductors 〜
nitride crystals
Characterization and Characterization and
Crystallography 〜
Crystallography 〜

15.4 III-V-groupnitride crystals

3.9 THz technology

3.14 Optical control 3.14 Optical control 3.14 Optical control Symposium:
devices and optical devices and optical devices and optical Frontiers in
fiber
fiber
fiber
Quantum Metrology

3.11 Photonic
structures andphenomena17.1 Growthtechnology

3.11 Photonic
structures andphenomena153

3.5/3.14 codesharing session

3.5 Laser devices
and materials

3.9 THz technology

3.9 THz technology

3.4 Biomedical
optics

3.4 Biomedical
optics

3.5 Laser devices
and materials

3.5 Laser devices
and materials

Schedule by Room 3
Room

Cap.

（第
体育館）

〜

PA1
PA12

Poster Session

（第

PB

PB1
〜

体育館）

2

PB12

AM

PM

September 18（Thu.）
AM

PM

September 19（Fri.）
AM

PM

September 20（Sat.）AM［1:30 pm - 3:30 pm］
3.2 Materials andequipment optics［1:30 pm - 3:30 pm］
1.3 Novel
3.3 Information
3.14 Optical control［1:30 pm - 3:30 pm］
photonics and image Technologies anddevices and optical
Frontier Engineering fiber
13.3 Si Process・
engineering
Science
Interconnect・
3.5 Laser devices
7.5 Particle/photon1.7 Instrumentation beam-induced
MEMS・Integrationand materials
3.6 Ultrashort-pulse and measurement,
surface reactions
3.1 Basic optics and12.2
metrology
and high-intensity
7.6 Ion beams
12.6
frontier of optics
Characterization and
1.8 Ultrasonic
Nanobiotechnology lasers
13.1 Basic
Materials Physics
3.9 THz technology 3.4 Biomedical
12.7 Medical
Properties, Surface
12.5 Organic solar
opticsEngineering andand Interface
［4:00
pm
6:00
pm］
cells
3.7 Laser processing
Biochips3.11 Photonic［4:00 pm - 6:00 pm］ Phenomena, and13.4 Devices/
3.8 Optical
17. Nanocarbon
Simulation
structures
and9.2
Nanowires,
Integration
measurement
Technology
13.2 Insulator
phenomena
nanoparticles
Technologies［4:00 pm - 6:00 pm］ technology andtechnology
3.15 Silicon
9.4
Thermoelectric
2. Ionizing Radiation devices
photonics
conversion
3.10 Optical
6.3 Oxide-based
6.1/9.1 code12.3
Functional
quantum physics
electronics
sharing session
materials and novel
and technologies
6.6 Probe
Joint Session K
3.13 Semiconductor devices
microscopy"Wide bandgap
12.4 Organic lightoptical devices
oxide semiconductor
emitting devices andmaterials andorganic transistors
devices"PA
1

September 17（Wed.）［1:30 pm - 3:30 pm］
7.1 X-raytechnologies
7.2 Electron
microscopes,
evaluation,measurement andanalysis
7.3 Lithography
8.2 Plasma［1:30 pm - 3:30 pm］
measurements and14.2 Ultrathin［1:30 pm - 3:30 pm］
diagnostics
films and quantum
9.3 Nanoelectronics
8.3 Plasma
nanostructures
8.1 Plasma
1.1 Interdisciplinary deposition of thin
9.5
New
functional
14.3 Electron
production and
6.2 Carbon-basedand General Physics film and surface
materials and new
devices and Processcontrolthin films
1.2 Education
physicalproperties
treatment
technology
8.6 General plasma
1.3 Novel
8.4 Plasma etching 6.4 New thin-film
14.5 Compound
phenomena,materials
Technologies and
8.5
Plasmasolar cells
emerging area of
6.5 Surface physics
Frontier Engineering nanotechnology
plasmas and theirand vacuum
Science
14.4
Opticalnew applications
1.4 Energy
properties and light- 14.1 Physical16.1 Fundamental
properties of
conversion andemitting devices
properties andexploratorystorage15.1 Bulk crystal
their evaluation inmaterials
1.5 Resources andgrowthdisordered materials
15.6 IV-group-based
environment
15.5 IV-group16.3 Bulk, thin-film
compounds
11.
crystalsand
IV-IVand other siliconSuperconductivity
group mixed crystals
based solar cells［4:00 pm - 6:00 pm］
15.2 II-VI-group
crystals and［4:00 pm - 6:00 pm］
multicomponent
3.12 Nanoscale
crystals［4:00 pm - 6:00 pm］
optical science and15.3 III-V-groupnear-field optics
10. Spintronics andepitaxial crystals
12.1 Fabrications
Magnetics
15.4 III-V-group
and Structure
nitride crystals
Controls
15.8 Crystal
evaluation, impurities
and crystal defects

154

PM

■JSAP‐OSA Joint Symposia 2014
OSA President Special Lecture
Date ： September 17 (Wed.) 13：45～14：45
Venue ： Room C4
Lecturer ： Philip Bucksbaum (Stanford University)
Title： Quantum Control in Strong Laser Fields

Sessions
Plasmonics
18.1

18.2
18.3
18.4
18.5
18.6
18.7
18.8

9/19 (Fri.)
9：00～18：00
9/20 (Sat.)
9：00～12：30
Bio‐and Medical Photonics
9/18 (Thu.)
9：30～17：30
9/19 (Fri.)
9:30～12:30
Laser Manufacturing
9/19 (Fri.)
13：30～17:00
Optical Micro‐sensing, Manipulation and Fabrication
9/18 (Thu.)
9：00～17：15
Opto‐electronics
9/20 (Sat.)
9：15～15:00
Information Photonics
9/20 (Sat.)
9:00～15:00
Laser Photonics ‐ XFEL and ultrafast optics ‐9/17 (Wed.)
9：15～17:45
Carbon Photonics
9/17 (Wed.)
10:15～17:45

Organizer: Prabhat Verma (Osaka Univ.)
Room C3
Oral Session
Room C3
Oral Session
Organizers: Katsumasa Fujita (Osaka Univ.), Yuji Matsuura (Tohoku Univ.)
Room C4
Oral Session
Room C4
Oral Session
Organizers: Masahiro Tsukamoto (Osaka Univ.), Masahito Katto (Miyazaki Univ.)
Oral Session
Room C4
Organizer: Tsutomu Shimura (The Univ. of Tokyo)
Oral Session
Room C3
Organizers: Kazuhiko Shimomura (Sophia Univ.)
Oral Session
Room C1
Organizer: Ryoichi Horisaki (Osaka Univ.)
Oral Session
Room C4
Organizer: Katsumi Midorikawa (RIKEN)
Oral Session
Room C4
Organizer: Kazunari Matsuda (Kyoto Univ.)
Oral Session
Room C3

Invited Talks
18.1 Plasmonics
Date

9/19
(Fri.)

9/20(Sat.)

Hours

Room

9:00～9:30

C3

Metamaterials: From 3D Plasmonic Nanostructure to Reflective Metasurface

Title (English)

10:45～11:15

C3

Thermal Radiation Control by Plasmonic Structures: from Metasurface toMetafilament

14:00～14:30

C3

15:45～16:15
9:00～9:30

Lecturer
Din Ping Tsai（National Taiwan Univ.）

Junichi Takahara（Osaka Univ.）

Visualizing plasmons by near‐field spectroscopy

Kohei Imura（Waseda Univ.）

C3

Plasmonic Hot Electron Induced Structural Phase Transition in Monolayer MoS2

Zheyu Fang

（Peking Univ.）

C3

Plasmonic applications of lossy transition metals

Katsuyoshi Ikeda（Hokkaido Univ.）

18.2 Bio‐and Medical Photonics
Date

9/18
(Thu.)

9/19(Fri.)

Hours

Room

Title (English)

Lecturer

9:30～10:00

C4

Optical Bio‐Microrheology

Arthur Chiou（National Yang‐Ming
Univ.）

13:45～14:15

C4

A composite‐type optical fiberscope system with hybrid functions of diagnosis andmedical treatment

Oka Kiyoshi（Japan Atomic Energy
Agency）

15:45～16:15

C4Light‐neuron interactions: Key to understanding the brain

Vincent Daria（The Australian National
Univ.）

9:30～10:00

C4

Adaptive optics and its application to bioimaging

Yutaka Hayano（National Astronomical
Observatory of Japan）

18.3 Laser Manufacturing
Date

9/19
(Fri.)

Hours

Room

13:30～14:00

C4

Title (English)
Lastest laser technology and applications

Lecturer
Bastian Becker（TRUMPF Corp.）

14:00～14:30

C4Single mode fiber laser and their process applications

Akira Fujisaki（Furukawa ElectricCo., Ltd.）

15:30～16:00

C4

Micromachining of CFRP with Short Pulse Lasers

Masayuki Fujita（ILT, Osaka Univ.）

155

■JSAP‐OSA Joint Symposia 2014 (continued)
Invited Talks
18.4 Optical Micro‐sensing, Manipulation and Fabrication
Date

9/18
(Thu.)

Hours

Room

9:00～9:30

C3

Optical Nanomanipulation Using Nanoshaped Plasmonic Fields

Title (English)

10:15～10:45

C3

3D Light‐driven Micro‐tools with Nano‐probes

Lecturer
Keiji Sasaki（Hokkaido Univ.）

Jesper Gluckstad（DTU Fotonik）

14:00～14:30

C3

Polarization Control over Deep Ultraviolet Light by Subwavelength Structures

Guoguo Kang

（Beijing Inst. ofTechnology）

15:30～16:00

C3

Subwavelength light focusing and imaging via wavefront shaping in complex media

Park Yongkeun（KAIST）

16:30～17:00

C3

Helical lights twist materials to form chiral structures ‐Chiral Photonics‐

Takashige Omatsu（Chiba Univ.）

18.5 Opto‐electronics
Date

9/20
(Sat.)

Hours

Room

9:15～9:45

C1

Functional Devices based on Photonic Crystal Waveguides

Kaiyu Cui

（Tsinghua Univ.）

11:30～12:00

C1

Optical Switches and Biosensors Using Silicon Photonics

Shin Yokoyama（Hiroshima Univ.）

13:00～13:30

C1

Growth, Fabrication, and Characterization of GaN‐based Columnar LEDs

Dong‐Seon Lee（GIST）

C1

Beam Steering, Beam Shaping and Intensity Modulation Based on Bragg Reflector
Waveguides

Fumio Koyama（Tokyo Instit. ofTechnology）

14:30～15:00

Title (English)

Lecturer

18.6 Information Photonics
Date

9/20
(Sat.)

Hours

Room

Title (English)

Lecturer

9:00～9:30

C4

Multimodal nonlinear spectral imaging of tissue samples with CARS molecularfingerprint

10:15～10:45

C4

Imperceptible Polychromatic Visual Stimuli for Brain‐Display Interfaces

Fang‐Cheng Lin（NCTU）

11:15～11:45

C4

Efficient Autofocusing in Optical Scanning Holography

Edmund Lam（Univ. of Hong Kong）

12:45～13:15

C4

Separating Reflective and Fluorescent Components using High Frequency
Illumination in the Spectral Domain

Imari Sato

（National Inst. ofInformatics）

14:00～14:30

C4

Computational Hyperspectral Imaging

Qionghai Dai（Tsinghua Univ.）

Hideaki Kano

（Univ. of Tsukuba）

18.7 Laser Photonics ‐ XFEL and ultrafast optics ‐
Date

9/17
(Wed.)

Hours

Room

9:30～10:00

C4

Few‐Cycle Parametric Amplifiers and Sub‐Cycle Waveform Synthesizers

10:00～10:30

C4

11:15～11:45

Title (English)

Lecturer
Oliver D. Muecke（DESY Center for Free‐
Electron Laser Science）

Synthesis of Single‐Cycle Optical Fields

Andy Kung（Academia Sinica）

C4

Exploring Quantum‐Classical Boundary by Ultrafast Optics

Kenji Ohmori（Inst. for Molecular
Science）

15:00～15:30

C4

Two‐color XFEL operation at SACLA

Toru Hara（RIKEN）

15:45～16:15

C4

Two‐photon process with X‐ray free‐electron laser

Kenji Tamasaku（RIKEN）

18.8 Carbon Photonics
Date

9/17
(Wed.)

Hours

Room

10:15～10:45

C3

Carbon‐Based Optics and Photonics

Title (English)

Junichiro Kono

（Rice Univ.）

11:30～12:00

C3

Single Carbon Nanotube Devices for Integrated Photonics

Yuichiro Kato（The Univ. of Tokyo）

15:00～15:30

C3Band nesting and photocarrier relaxation in group 6 transition metal dichalcogenide

Goki Eda（National Univ. ofSingapore）

16:15～16:45

C3

Nanoscale Raman imaging and analysis of strain distribution in carbon nanotube

Taka‐aki Yano

（Tokyo Inst. of Tech.）

156

Lecturer■ Invited Lectures of Overseas Researchers
Date

Hours

Room

Speaker

Title

9/17
（Wed.）

13:15～14:00

S10

8. Plasma Electronics
Plasma Applications to Agriculture: Plasma Farming

9/17（Wed.）

14:00～14:45

S10

9/18
（Thu.）

13:15～13:45

9/18（Thu.）

14:00～14:45

Suk Jae Yoo（NFRI, Korea）

8. Plasma Electronics
The role of reactive oxygen and nitrogen species in plasma cancer treatment

Deborah O'Connell（Univ. York）

A11

6.4 New thin‐film materials
Tuning the magnetic properties of Co thin films by oxygen ion implantation

Jose Francisco Lopez‐
Barbera(ICN2, Spain)

A27

14. 2Ultrathin films and quantum nanostructures
Broad Spectral Bandwidth Light Emitters for Biomedical Imaging

Richard Hogg

（Univ. Sheffield）■English Session
English presentations are scheduled in the following sessions.
Plasma electronics ‐ English Session
8
9/17 (Wed.)
9：00～18：00
Oral Session
Spintronics and magnetics
10
9/17 (Wed.)
13：30～15：06
Short Oral Presentation
Creation of new materials
10.1
Oral Session
9/18 (Thu.)
9：00～11：45
Spin torque, spin current, circuits, and measurement technologies
10.2
9/20 (Sat.)
9：00～15：00
Oral Session
Giant magnetoresistance (GMR), tunnel magnetoresistance (TMR) and magnetic recording technologies
10.3
Oral Session
9/19 (Fri.)
9：00～11：45
Semiconductors, organic, optical, and quantum spintronics
9/19 (Fri.)
13：15～17：30
Oral Session
10.4
9/20 (Sat.)
9：00～12：00
Oral Session
Si‐English Session
13.5
9/18 (Thu.)
10：30～12：15
Oral Session
JSAP‐OSA Joint Symposia 201418
Oral Session
9/17 (Wed.)～20 (Sat.) All Day

Room S10
Room S2
Room S2
Room S2
Room S2
Room S2
Room S10
Room A15
Room C1、C3、C4

Ja pa n‐Korea Joi nt Sympos i um on Semi conductor Phys i cs a nd Technol ogy – Na no‐ca rbon ma teri a l s i ncl udi ng gra phene –9/17 (Wed.)
Symposium

9：15～18：00

Oral Session

Room S1

Oral Session

Room B3

Pres ent a nd Future of Functi ona l a tomi c thi n fi l m res ea rch

9/18 (Thu.)

13：15～18：30

Innova ti on i n R&D of the Fl exi bl e El ectroni cs ‐Towa rd the Inorga ni c Fl exi bl e Devi ces ‐9/19 (Fri.)

9：15～17：00

Oral Session

157

Room A4

■Special EventsAwards Presentations
Date:
September 17 (Wed.)
Location: B3 (Frontier Research in Applied Sciences Bldg. 2F)
11:15 am ‐ 12:00 pm The 36th Young Scientist Oral Presentation Award
5：00 pm ‐ 5：30 pm JSAP Outstanding Paper Award
5：30 pm ‐ 6：00 pm JSAP Fellow

Special Lectures
Fellow International Special Lecture
Date:
September 17 (Wed.) 1:30 pm – 3:20 pm
Location: Room B3 (Frontier Research in Applied Sciences Bldg. 2F)
Lecturers: Gerhard Abstreiter (TUM Institute for Advanced Study)
Paolo Gargini (Stanford University)
Christopher R. Wronski (Pennsylvania State University)
OSA President Special Lecture
Date:
September 17 (Wed.) 1:45 pm – 2:45 pm
Location: Room C4 (Graduate School of Engineering Bldg. 1F)
Lecturer: Philip Bucksbaum (Stanford University)
Title:
Quantum Control in Strong Laser Fields
JSAP President Special Lecture
Date:
September 18 (Thu.) 10:00 am – 11:45 am
Location: Room B3 (Frontier Research in Applied Sciences Bldg. 2F)
Lecturer: Satoshi Kawata (Osaka University)

President’s Reception for Overseas Researchers
Researchers from overseas attending the meeting are invited to join the directors of the JSAP to share and exchange ideas
about the activities of the JSAP.
Date:
September 19 (Fri.) 5:00 pm – 7:00 pm
Location: Cafeteria "Hokubu Shokudo“, Sapporo Campus, Hokkaido University
Fee:Free (No reservation is required.)

Luncheon Seminar
Luncheon seminars sponsored by our exhibitors are scheduled during the meeting.
Date

9/17
(Wed)

Hours

12:15 pm‐ 1:00 pm

9/18(Thu.)

12:15 pm‐ 1:00 pm

9/19(Fri.)

12:15 pm‐ 1:00 pm

Roo
m

Seat

C5

200

The Japan Society of Applied Physics (APEX/JJAP)

S2

200

AIP Publishing

A4

100

ELIONIX INC.

S2

200

High Energy Accelerator Research Organization

A4

100

Eco Topia Science Institute, Nagoya University

S2

200

TOYO Corporation

A12

100

IOP Publishing /National Institute for Materials Science (NIMS)

SponsorHow to Participate
Tickets for the luncheon seminars will be distributed upon presentation of your meeting badge.
Location: “Luncheon Seminars” desk at the Registration.
Hours: 8:00 am‐ 11:00 am on the day of the event *first‐come and first‐served basis
Please make sure to come to the seminar room before 12:10 pm and receive the lunch in exchange of the ticket.
The exchange ticket will become invalid at 12:10 pm.
Those without the ticket can wait for cancellation. Please come to the venue by 12:10 pm.

158

■JSAP EXPO Autumn 2014
The exhibit is open to everyone. Visit the exhibition showcasing latest products and technical solutions!
Complementary coffee is available at the venue.
Location: PA<Gymnasium #1>, PB<Gymnasium#2>
Hours: September 17 (Wed.) – 19 (Fri.); 10:00 am – 6:00 pm
September 20 (Sat.); 10:00 am – 12:00 pm
Number of Exhibitors: 120 companies (expected)

List of Exhibitors (as of July 16, 2014)
Accelrys K.K., AdvanceSoft Corporation, ADVANTEST CORPORATION, Agilent Technologies, AIP Publishing, ALLIANCE
Biosystems, Inc., AOV Co., Ltd, APF, Inc., APOLLOWAVE Corporation, ARTRAY CO., LTD., Asahi Spectra Co., Ltd,
Bunkoukeiki Co., LTD, COAX CO., LTD., Cornes Technologies Limited, COSMOTEC Corporation, CRESTECCORPORATION, Crosslight Software Inc. Japan Branch, Crystal Base Co., Ltd., Cybernet Systems Co., Ltd., DAINIPPONSCREEN MFG CO.LTD / EMD Corporation, Digital Data Management Corporation, EIKO Corporation, ELMINETCORPORATION, EpiQuest, Inc., EPITECH, INC, FUJITSU LIMITED, GEOMATEC Co., Ltd., HiSOL, Hitachi High‐Tech
Science Corporation, Hokkai Photoelectron CO., LTD, HORIBA, Ltd., IOP Publishing, IRC, Inc. / Chukoichi, J.A. Woollam
Japan Corporation, Japan High Tech Co., Ltd., Japan Laser Corporation, JAPAN SYNCHROTRON RADIATION RESEARCHINSTITUTE(JASRI)､SPring‐8, JECC TORISHA Co., Ltd., JSW AFTY Corporation, KASHIYAMA INDUSTRIES,LTD, Keisoku
Engineering System, Co., Ltd., Kenix Corporation, KIMMONKOHA Co., Ltd., Kinokuniya Company Ltd., KITANO SEIKI
CO., LTD, KOA Corporation, Kohzu Precision Co., Ltd., Kojyundo Chemical LaB.Co.Ltd, Kosaka Laboratory Ltd. ,Lasertec Corporation, LightStone Corp, LUCIR Inc., MEIDENSHA CORPORATION, MUSASHI ENGINEERING, INC.,
Mutumi Corporation, MY SCIENCE CO., Ltd., Nagase Techno‐Engineering Co.,Ltd., Namiki Precision Jewel Co., Ltd.,
Nanometrics Japan Ltd., Nanophoton Corporation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST), National Institute of Radiological Sciences, NEOARK CORPOｒATION, NF Corporation, NIDEK CO., LTD., NIKONCORPORATION, NIKON ENGINEERING CO., LTD, NIPPON AUTOMATIC CONTROL COMPANY, Nippon Roper K.K.,
NISSIN ION EQUIPMENT CO.,LTD., Northern Science Consulting Inc., NTT Advanced Technology Corporation, Ocean
Photonics, Inc., OPHIR JAPAN LTD., OPTO HUB Co., Ltd., OptoSirius Corporation, Otsuka Electronics Co., Ltd., Oxford
Instruments KK / Omicron Nano Technology Japan Inc., OXIDE Corporation, PASCAL CO., LTD., Photonbeam Platform,
PHOTOTECHNICA CORP., Quantum Design Japan, Inc., R‐DEC Co., Ltd., Riko International Co., LTD, ROCKGATE Co.,SAKIGAKE Semiconductor, SANYU ELECTRON CO., LTD., Schrodinger K.K., SCIVAX Corporation, Semilab Japan,
SHIMADZU CORPORATION, SK MEDICAL ELECTRONICS CO., LTD, Spectra‐Physics K.K., SPLEAD Corporation, Springer
Japan, SystemBrain, SYSTEMHOUSE SUNRISE Inc., Taiei Electric Co., Takano Co.,Ltd., TAMURA CORPORATION,TANAKA PRECIOUS METALS, Tec Corporation, THAMWAY CO.,LTD, The Japan Society of Applied Physics, THERMORIKO CO., LTD, Thermocera Japan Ltd., Thorlabs Japan Inc., TNS Systems LLC, Toshima Manufacturing Co., Ltd., TOYO
Corporation, ULVAC CRYOGENICS INC., Vector Semiconductor CO., LTD, VG Scienta, WITec K.K.

4th JSAP Photo Contests (Science as Art)
Vote your favorite and win a prize!
Location: Poster Session venue.
Hours: September 17 (Wed.) – 19 (Fri.); 10:00 am – 6:00 pm
September 20 (Sat.); 10:00 am – 1:00 pm

Stamp Rally
Get 2 signatures from exhibitors and win a prize!

159

■Application for International Postdoctoral Membership
International Postdoctoral Membership is new membership type for a member without Japanese nationality who
received a doctoral degree from a Japanese university and will belong/ belong to overseas institutions. .
With the annual membership fee of 6,000 JPY (3,000 JPY from 2015), International Postdoctoral Members are eligible
to subscribe for free to the JSAP’s online English journal (APEX /JJAP) instead of JSAP’s Japanese membership journal(OYO BUTURI).
The valid period of the membership is for three years including the year of returning to their home country.
Please fill out the application form and bring it to information desk at registration or send by post, fax or by email asa scanned document to the following.
Membership Services, The Japan Society of Applied Physics
Yushima Urban Bldg. 7F, 2‐31‐22 Yushima, Bunkyo‐ku, Tokyo 113‐0034
TEL: +81‐3‐5802‐0862 FAX: +81‐3‐5802‐6250
Email: membership@jsap.or.jp(Paragraph 5, Article 2 of the Detailed Rules of The Japan Society of Applied Physics)
As a general rule, if a Member without Japanese nationality who received a doctoral degree from a Japanese
university and belongs to an overseas institution applies in accordance with prescribed procedures based on
nomination of an educator at the Japanese university, he/she will, upon review by the international committee, be
approved as an International Postdoctoral Member. International Postdoctoral Members may gratuitously view only
Applied Physics Express (APEX) and the Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), English journals, instead ofJapanese journals. The period of this provision shall be for three years, including the year of returning to the homecountry.

The Japan Society of Applied Physics
International Postdoctoral Member Application Form
Date:
I, hereby, declare that I have the qualification prescribed paragraph 5, Article 2 of the
Detailed Rules of the Japan Society of Applied Physics, and apply to become an International
Postdoctoral Member.
Applicant Information
Name:
Membership Number:
University:
Expected Graduation Year:
Affiliation after Graduation:
Start Date of Subscription to APEX/JJAP:
Research Area:(Month/Year)

Endorser
Academic Supervisor’s Name:(Signature)Membership Number:160