２０１５ 第２５回 ＲＣＪ信頼性シンポジウム（“EOS/ESD/EMCシンポジウム”、“電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”）
⽇時︓ 2015年11⽉5⽇（⽊）〜11⽉6⽇（⾦）
⽇時
項⽬
会場
午前
昼

11⽉5⽇（⽊）
EOS/ESD/EMC
電⼦デバイス・電⼦部品のシンポジウム
信頼性シンポジウム
優秀論⽂等表彰式
４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場(10:00〜11:50)「静電気管理」(10:15〜11:45)「デバイス・実装信頼性」

11⽉6⽇（⾦）
EOS/ESD/EMC
シンポジウム(10:00〜11:45)（10:00〜12:00）（11:45〜13:00）（12:00〜13:00）（13:00〜13:50）「システム＆試験」（14:05〜15:20）（13:00〜17:15）「招待講演」
Dr. Charvaka Duvvury（11:50〜12:10）（13:30〜15:15）

休憩（13:30〜15:30）

機能安全セミナー「イミュニティ(1)」（15:30〜17:30）

午後 後半

ワークショップ「包装資材と移送の取り扱
い及び抵抗測定⽅法」（15:45〜16:45）

パワーデバイス信頼性」（15:35〜17:15）「イミュニティ(2)」（17:30〜19:00）

夜

情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
4 階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）

展⽰会（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰ホール）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ

電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム

４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場

優秀論⽂等表彰式「EOS/ESDシンポ優秀論⽂」
午後 前半「デバイス＆シミュレーション」

開催場所︓⼤⽥区産業プラザ

信頼性セミナー
休憩

信頼性セミナー・招待講演︓⼭⼝ 浩⼆⽒「パワー半導体の信頼性技
術と規格の標準化」
・信頼性セミナーのテーマ「“パワー半導体の信頼性”と”LSI信頼性”」（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰ホール）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ

主催 ⼀般財団法⼈ ⽇本電⼦部品信頼性センター
協
賛 ⼀般社団法⼈ 電⼦情報技術産業協会 ⼀般社団法⼈ ⽇本電機⼯業会(順不同) ⼀般社団法⼈ ⽇本電気計測器⼯業会 ⼀般財団法⼈ ⽇本規格協会
⼀般社団法⼈ ⽇本電⼦回路⼯業会
⼀般財団法⼈ 光産業技術振興協会
⽇本信頼性学会 IDEMA JAPAN

⼀般社団法⼈ 電⼦情報通信学会
⼀般社団法⼈ 電気学会
⼀般財団法⼈ ⽇本科学技術連盟 静電気学会
公益社団法⼈ ⽇本磁気学会
⼀般社団法⼈ 情報通信ネットワーク産業協会
SPE ⽇本⽀部

シ ン ポ ジ ウ ム の概要
RCJ信頼性シンポジウムは、電⼦部品、電⼦デバイス、電⼦機器等の信頼性技術者・⽣産技術者を対象に、信頼性及びESDという共通のテーマで論⽂発表・討論しあい、より進歩した信頼性向上技術、ESD障害対策技術等の分野での発展に寄与することを狙いとしています。
本シンポジウムは、静電気関連問題を中⼼に扱う”EOS/ESD/EMCシンポジウム”、及び電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性問題
を中⼼に扱う”電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”からなっており、今年で25回⽬を迎えました。
EOS/ESD/EMC関係では、Dr. Charvaka Duvvury⽒による招待講演、”完成品や仕掛かり品の包装資材・移送の取り扱い”に関するワークショップを開催します。その他従来からのテーマである “⼯程内における静電気管理”、”デバイス・シミュレーショ
ン、システム・デバイス試験、イミュニティ”に関する各セッションがあり、幅広くESD現象と対策について討議できる場を提供しています。
電⼦デバイス関係では、最近注⽬されています“機能安全”に関するセミナー及び“パワー半導体の信頼性”を中⼼としたセミナーを開催し、従来からのテーマである半導体信頼性及び実装技術信頼性に関する発表等もあります。
また、同会場２階の⼩展⽰場では、静電気（ESD）対策⽤資材、計測・評価試験装置及び故障解析技術サービス等をテーマとした“信頼性・ESD対策技術展⽰会”及びESD対策技術ワークショップを同時開催します。
⽇頃、この⽅⾯でご活躍の皆様の多数のご参加をお待ちしております。
（2015.10.09）
本内容は今後変更になる可能性があります。RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）で随時ご確認願います。

-1-第２５回 ＥＯＳ/ＥＳＤ/ＥＭＣシンポジウム プログラム
開催⽇︓ ２０１５年１１⽉５⽇（⽊） １０︓００〜１９︓００
会 場︓ ４階コンベンションホール（Ａ会場）（10:00~10:05） 「開会の挨拶」（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター（10:05~10:10） 「今年度のEOS/ESD/EMCシンポジウムについて」

鈴⽊ 輝夫（（株）ソシオネクスト）

セッション名︓ 「静電気管理」（10:10~10:35） 25E-1

司会︓ 藤原 秀⼆（オン・セミコンダクター）、澤⽥ 真典（阪和電⼦⼯業(株)）「デバイス帯電電圧に着⽬したESD管理法の考察」
牧 国広、 廣瀬 賢司、 加来 太、若井 伸之、 瀬⼾屋 孝（（株）東芝 セミコンダクター＆ストレージ社）
半導体デバイスのESD管理⽅法は、IEC,ANSI/ESD-S20.20,JESD､RCJ-S等で制定内容が広く展開されているが、適⽤遵守している製造環境でも実際にESD破壊が⽣じる事例が存在している。いずれの場合もデバイス⾃体が帯電することで⽣じる破壊モデルのCDM(デバイス帯電モデル)によるESD破壊となっている。また、テクノロジーノードの微細化がさらに進むことで、半導体デバイスのESD
耐量⾃体がさらに低下傾向していくため、製造⼯程でのESD破壊が必然的に増加していくことが懸念される。この状況に対して、上記のESD管理内容の単純な適⽤では根絶出来ないESD/CDM破壊に対しては、デバイス⾃体の帯電状況に着⽬した管理内容が有効になると考えている。本報告では、
EPA内で発⽣しているESD破壊の事例、破壊のメカニズムと関連する半導体デバイスの静電容量および実際の帯電内容の測定内容の紹介を⾏い、実際に⾏うべきデバイスの帯電電圧に着⽬した
ESD管理⽅法の提案を⾏う。

（10:35~11:00） 25E-2「帯電導体板上の絶縁体の逆帯電について」
宮本 佳明 （阪和電⼦⼯業（株））
導体板上に絶縁板を乗せ、導体板を帯電させ、表⾯電位を測定すると、時間経過とともに電位が低下することが、確認できた。これは絶縁板の表⾯に、逆極性の帯電が⽣じるためである。その逆極性の帯電の⼤きさについて、調査した。

（10:50~11:15） 25E-3「真空環境下で使⽤できる表⾯電位測定器の開発」
中⼭ 智⼦, 保⼟原 鉄平、最上 智史、宮林 善也、野村 信雄（春⽇電機（株））
ハイバリアフィルムや透明導電性フィルム等の機能性樹脂フィルム製造するドライコーティングの⼯程
では、低コスト化に対応するために、真空炉内で樹脂フィルムを⾼速⾛⾏させて製造している。このような真空炉内を⾼速で⾛⾏するフィルムにおいては、⼤気圧中と同様に、⾦属ロールとの間の摩擦や接触・剥離によって静電気が発⽣し、静電気放電によるフィルムの損傷や機器の故障、帯電したフィルム
がロールに巻き込まれて破断してしまうなどの⽣産障害が報告されており、真空炉内での静電気対策
は喫緊の課題となっている。
このような背景から筆者らは、まずは⼯程上のどこでどの程度の静電気が発⽣しているかを知ることが重要と考え、従来の⼤気圧⽤の表⾯電位計を基に真空環境下で使⽤可能な表⾯電位計の開発を⾏った。本報ではこの真空⽤表⾯電位計について報告する。

（11:15~11:50） 25E-4「9.5keV以下の低エネルギーX線を⽤いたクリーンルーム⽤イオナイザーのX線の遮蔽⽅法について」
鈴⽊ 政典、佐藤 朋且 （（株）テクノ菱和）
9.5keV以下の低エネルギーＸ線を⽤いたイオナイザー（イオン化気流放出型イオナイザー）においては、安全上、正負イオンは通過できるが、低エネルギーＸ線は遮蔽される構造の遮蔽板が必要である。しかし、遮蔽板にイオンが通るための孔がある状態で、低エネルギーＸ線を遮蔽することは困難であった。
そこで、本報においては、簡単な構造の遮蔽板のサンプルを⽤いて、低エネルギーＸ線を遮蔽するための遮蔽板構造の条件を検討した。そして、イオナイザー実機の遮蔽板において、その検討結果を⽤いて、低エネルギーＸ線の漏洩線量率を1μSv/hr以下にでき、かつ正負イオンが充分に通過できることを確認した。

-2-

第24回ＲＣＪ信頼性シンポジウム優秀論⽂賞等表彰式 （11:50~12:10）
挨拶

⽳⼭ 汎 （（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター 理事⻑）⽳⼭ 汎 （（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター 理事⻑）＜優秀論⽂賞＞「PWM制御⼩型交流⾼圧電源を⽤いた超低オフセット電圧型除電装置の開発」
⾼橋 克幸、後藤 章、斎藤 智克、坂本 健介、永⽥ 秀海 （シシド静電気（株））

セッション名︓ USA Best Paper（13:30~14:00） Invited

司会︓ 磯福 佐東⾄（東京電⼦交易（株））

ESDA 2014 EOS/ESD Symposium Best Paper (予定)セッション名︓ 「デバイス＆シミュレーション」 司会︓ ⼩⼭ 明（ソニー）、奥島 基嗣(ルネサスエレクトロニクス)（14:00~14:25） 25E-5「800V JFETのESD耐性向上の検討」
藤原 秀⼆、Richard Burton （オン・セミコンダクター）
800V JFETのESD耐性向上の検討結果について報告する。3D TCAD解析により、ESD破壊メ
カニズム、ESD耐性向上のための素⼦構造の検討を⾏った。TCAD解析結果に基づいて素⼦試作を⾏った結果、ESD耐性を⼤幅に向上することができた。

（14:25~14:50） 25E-6「HBMテスト印加前に発⽣する電圧について」⼩沢 忠史、植野 振⼀郎、佐々⽊ 真吾 （（株）メガチップス）
従来からのHBM試験においては、試験装置内のリレー端⼦間容量の変化により、電流印加前に意図しない電圧が⽣成される。この事⾃体は10年前には報告されており（J. Barth et al. 2005
EOS/ESD Symposium）、JS-001にもPre-Pulse Voltageとして記載されている既知の事実である。しかし、問題となるケースは稀で、電圧波形も思い込み等で正しく得られない場合があり、実際にこの問題に直⾯した場合、把握が⽐較的難しい。
今回、実際に経験した不具合事例や電圧波形を元に、メカニズムを改めて確認すると共に、不具合に陥りやすい回路条件を整理する。

（14:50~15:15） 25E-7「ESDシミュレーション技術を⽤いた28nm SerDesの2nd-clamp設計」
成⽥ 幸輝、奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス（株））
TLP評価による保護/被保護素⼦のパラメータ抽出や、CDM試験結果との合わせこみによって、
SPICE ESDシミュレーションの⾼精度化を実施。⾼精度化されたESDシミュレーション結果を基に、28nmプロセス⾼速SerDes IP向けの2nd-clamp設計を⾏った。

ワークショップ（15:30~17:30）

司会： 豊嶋 協⼀ （ゴールド⼯業（株））
新しいRCJS-5-1の附属書（包装資材と移送の取り扱い及び抵抗測定⽅法）の解説と討論」■概要︓ 静電気対策では、完成品や仕掛かり品の包装と移送の取り扱いも重要です。本ワークシ
ョップでは、関連するIEC標準に基づき発⾏したRCJS-5-1の附属書I、Jの解説と討論を⾏います。常⽇頃、静電気管理に携わっている技術者、特に包装資材を担当している技術者の参加をお勧めします。
■規格解説︓(1) 包装資材と移送の取り扱い（IEC 61340-5-3 ed.2.0: 2015）︓
岡⼭ 良徳（（株）東芝S＆S社）（30分）(2) 包装資材の測定⽅法（IEC 61340-2-3 第2版（CDV））︓
⾼橋 忠（トレック・ジャパン（株））（30分）■総合討論
パネラー︓ 岡⼭ 良徳（（株）東芝S＆S社）、松本 雅俊（ルネサスエレクトロニクス（株））
⾼橋 忠（トレック・ジャパン（株））、鈴⽊ 輝夫（春⽇電機（株））、
川村 智紀（ミドリ安全（株））、⼭⼝ 晋⼀（シシド静電気（株））
-3-

■資料
RCJS-5-1附属書I（参考）︓静電気敏感性デバイスのために使⽤する包装の特性と要求事項
J（参考）︓静電気電荷蓄積を防⽌する固体材料の抵抗及び抵抗率試験⽅法＜シンポジウムに参加されている⽅の参加は、無料ですが、資料は、有料で￥3,000円（税込み））です。＞

17:30〜19:00

情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
会場︓ 4階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）

開催⽇︓ ２０１５年１１⽉６⽇（⾦） １０︓００〜１７︓１５
会 場︓ ４階コンベンションホール（A会場）
セッション名︓ 「招待講演」

司会︓若井 伸之 （（株）東芝 セミコンダクター＆ストレージ社）（10:00~11:45） Invited 「Industry Council Report on ESD Harmonization and EOS Mitigation」○

Dr. Charvaka Duvvury, IEEE Fellow

Dr. Harald Gossner, Intel Senior Principal Engineer
This talk will present the case for component ESD harmonization that can avoid
confusion during qualification, and for system level ESD, define more efficientapproaches for addressing both hard and soft failures. These two strategies
combined can minimize the bill of materials (BoM). Finally, the Councilʼs newcomprehensive understanding of EOS failure causes and some important lessons
learned for EOS mitigation will be summarized.

セッション名︓ 「システム＆試験」 司会︓⽯塚 裕康 (Synaptics Japan)､徳永 英晃 (パナソニック AIS社)（13:00~13:25） 25E-8「光電界センサ/光電圧プローブによるESD波形の測定」
⼤沢 隆⼆ （（株）精⼯技研）
ESD試験において、誤動作や破壊が発⽣した装置および回路の原因調査を⾏うことができる測定器や測定⽅法を提案することを⽬的とする。 そのために、アンテナと同軸ケーブルを使う従来⽅法と光電界センサによるESD電界の測定実験を⾏ったところ、後者の⽅がより正確な電界測定結果が得られた。 また、ESD電圧についても同軸ケーブルを使う従来⽅法と光電圧プローブの測定実験では、きわめて正確に⼀致することが確認された。

（13:25~13:50） 25E-9「ESD印加時のデバイスを通過する波形の調査」
澤⽥ 真典、三浦 秀明、中尾 春喜、松井 信近、吉⽥ 慎、柴⽥ 元治、⽶地 功⾄（阪和電⼦⼯業（株））
従来のESD試験機は、リレーマトリクスにおける寄⽣容量の影響で、AサイドとBサイドの波形差が確認されているが、デバイス測定への波形はどうなっているか不明であった。AサイドとBサイドの波形差とデバイスを通過時の波形について、どのような波形になっているかを調査した結果を報告する。

休憩（13:50~14:05）
セッション名︓ 「イミュニティ（1）」

司会︓本⽥昌實 (インパルス物理研究所)（14:05~14:30） 25E-10 「放電電流プローブによる2端⼦デバイスからの放電検出」
早⽥ 裕 （プローブテック(株)）
放電電流プローブをもちいて、2端⼦からなるデバイスからの放電を検出した。L,R,Cの素⼦からなる
2端⼦デバイスをもちい、チャージ電源により帯電させ、端⼦パターンから放電させたときの放電電流を測定した。また、ホルダーとして、メタル板とべーク板をもちい、その放電電流にあたえる影響を測定した。

-4-

（14:30~14:55） 25E-11 「静電気放電によるロボットの誤動作に関する研究」
⼤津 孝佳、⼤⽯ 晋平、堂⼭ 英之、⻑﨑 祐亮、宮内 広海、⽚岡 俊⼆、
池⽥ 怜太郎、五⼗嵐 翔 （沼津⼯業⾼等専⾨学校）
電⼦デバイスの静電気耐⼒は、⾼性能化と共に低下しており、コンポーネットレベルでの静電気対策のみならず、システムレベルでの静電気対策が望まれる。特に、ロボットやモビリティーに於いて、その信頼性の向上は不可⽋である。本研究では、ロボットの制御基板へESD gunにより、ESDを印加した場合の故障モード（リセット、誤動作）の検討を⾏った。本報告では、①気中放電と接触放電との違いについて、②グランドの効果について報告する。また、③伝送モデルによりグランド有無による波形の減衰の効果の検討結果について述べる。

（14:55~15:20） 25E-12 「静電気対策材料の放電特性及び保護素⼦の効果に関する研究」
⼤津 孝佳1、堂⼭ 英之、鷺坂 功⼀2（沼津⼯業⾼等専⾨学校１, 油化電⼦2）
携帯電話、スマートフォン、タブレット端末などユビキタス時代の到来とともに、半導体製品が様々な環境下で使われるようになっている。特に、静電気により数 kV に帯電した⼈体からの放電、摩擦や静電誘導によって帯電した機器との接続による放電など、静電気放電による電⼦機器の破壊や誤動作
は深刻な問題である。よって、コンポーネントレベルでの静電気対策のみならず、システムレベルでの静電気対策が急務とされる。本報告では、ESD ガン印加時や静電気放電時の放電電圧波形、放電
電流波形、放射電磁波波形が同時に観察できる装置を開発し、各種静電気対策材料の観察結果と共に保護素⼦との⽐較結果について述べる。

休憩（15:20~15:35）
セッション名︓ 「イミュニティ（2）」

司会︓ ⼤津 孝佳 （沼津⼯業⾼等専⾨学校）（15:35~16:00） 25E-13 「静電気放電発⽣箇所可視化システムの低コスト化技術の開発（その１）」
尾前 宏 （⿅児島県⼯業技術センター）
電⼦関連企業等で深刻化している静電気放電トラブルに対応するため，放電に伴う電磁波を 4本以上の受信アンテナで検出し，双曲線法を⽤いて放電座標を算出し，被測定物のビデオ映像上の該当位置にマーキング表⽰することで放電現象を可視化する技術を開発した。
装置の普及を図るため，可視化装置の低コスト化に関する研究開発を進めており，使⽤する計測器の性能に伴う放電位置の算出誤差を含め，放電原因を特定し易くする技術を開発したので報告する。

（16:00~16:25） 25E-14 「電磁波ノイズ可視化診断」
中島 ⼤ （沖エンジニアリング（株））
製造者は製品出荷に当たり、当該規格を満⾜させなければならない。その数ある試験の中で、EMI試験は不適合となる事が多く、その対策作業に思わぬ時間と労⼒が必要となる事がある。その要因として、試験場所が限定されることによる対策作業実施の遅れ、ノイズが⾒えないことにより対策作業は
⼿探りとなってしまう、ということが挙げられる。
今回、ノイズ源を可視化することにより、対策ターゲットを早期に特定し、対策時間短縮を実現す
る、電磁波ノイズ可視化診断サービスについて紹介する。

（16:25~16:50） 25E-15 「誘導ＥＳＤ現象とそのＥＭＩ作⽤について」
本⽥ 昌實（（株）インパルス物理研究所）
プラスチックケースで覆われた装置内部において、数μから数百μｍ程度の狭いギャップを持つ浮動⾦属体間で発⽣する誘導ＥＳＤ現象と、この現象に固有の電磁妨害（ＥＭＩ）作⽤について、実験データを基に解析を⾏なったので報告する。

（16:50~17:15） 25E-16 「リスクアセスメントの⼿順」
⽟⼿ 泰将（沖エンジニアリング（株））
近年、製品安全について、産業・医療分野を中⼼に規格でリスクアセスメントの実施が要求されている。
製品安全を確実にする、リスクアセスメントの⼿順について、安全の考え⽅から、JIS Z 8051のリスクア
セスメント⼿順に従い、各⼿順で何を実施するべきかを解説する。リスクアセスメントを実施した結果を記録するリスクアセスメントシートの活⽤について事例を紹介する。

-5-第２５回 電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム
開催⽇︓

２０１５年１１⽉５⽇(⽊) １０︓００〜１６︓４５

会 場︓

４階コンベンションホール（B会場）

セッション名︓ 「デバイス・実装信頼性」

司会︓ ⼤⽇⽅ 浩⼆（ソニー（株））(10:15~10:45) 25S-01 「実装基板・モジュールにおける良品解析の構築」
⼤⾕ 直⼰，佐藤 晃太郎，村原 ⼤介，岡 克⼰，中嶋 ⿓⼀，味岡 恒夫，
今井 康雄 （沖エンジニアリング（株））
LSIチップの⾼集積化が限界に近づく中、多数の部品を搭載し、特定の機能を持つモジュールはLSIに代わる次世代の機能部品として注⽬されている。このような次世代のモジュールでは製品の機能だけでなく、各部分の構造の最適化が信頼性上重要になるため、良品解析は不可⽋なものになる。我々はLSIで実施してきた良品解析（LSIプロセス診断）をモジュールや実装基板に適⽤し、これらに合った良品解析を検討している。この特徴は診断と試験・評価を組み合わせたところにある。診断では発⽣原因を把握し、故障に⾄る危険性を推測し、対処法を提案するところにある。また、信頼性上の問題が多く含まれるため、信頼性試験による劣化評価の追加や、対処法の⼀つとして信頼性試験による確認を併せて提案している。
今回の発表では実装基板の評価をもとにこの良品解析について説明する。

(10:45~11:15) 25S-02 「温度環境を考慮したリチウムイオン⼆次電池の安全性試験の検討」
鈴⽊ 聡 （エスペック（株））
リチウムイオン⼆次電池のエネルギー密度の向上により、従来から使⽤されていた携帯端末やPCな
どの⼩型の電池から⾞載⽤や蓄電⽤などの⼤型の電池への普及が進んでいる。⾞載⽤途や蓄電⽤
途では、低温環境下など環境負荷の⾼い条件下でも性能が求められており、温度環境を変化させた
安全性評価試験への要求も増えている。
そこで、我々は、温度環境を考慮した安全性試験を実施し、環境温度の違いにより電池の挙動がどのように変化し、安全性に対しどう影響を与えるかを調査したので報告する。

(11:15~11:45) 25S-03 「SSD(Solid State Drive)の信頼性評価」
⻑野 真⼈、出⼝ 泰、⼩関 健哲、岩井 泰之、今井 康雄（沖エンジニアリング（株））
近年、コンピュータシステムの⼤容量記憶装置であるHDD(Hard Disk Drive)が、SSD(Solid
State Drive)へ急速に置き換わりつつある。SSD の特徴は、可動部が無いため振動衝撃に強く、
⾼速アクセスが可能等である。その反⾯、SSD ごとに信頼性、性能に関する設計の考え⽅が異なり、その違いを充分理解することなく採⽤すると、想定外の故障により情報消失といった重⼤事故に遭遇することも否めない。採⽤前評価により、SSD の実⼒値、挙動を適切に理解することで、アプリケ
ーションに最適なSSD を選択することが可能となる。今回、弊社で構築したSSD 評価環境における効果的な評価⼿法を事例にて紹介する。

休憩（11:45~13:30）

機能安全セミナー︓ 「機能安全規格の総括と展望及び電⼦部品故障率モデル⽐較」
司会︓

塩野 登（ＲＣＪ）「機能安全規格－その創成期20年の総括と今後20年の展望」(13:30~14:30)

佐藤 吉信 （元東京海洋⼤学）
開発と発⾏から約20年間の規格活⽤状況を検証し、今後20年間の⽬標として⾃動運転、ロボットなどへの規格適⽤課題を展望する。

「故障率モデルの概要と故障率予測データ⽐較（IEC 62380、217plus、FIDES）」
塩野 登 （RCJ）(14:30~15:30)

機能安全の安全度⽔準SIL（⾃動⾞の場合はASIL）を評価するには、電⼦機器の構成電⼦部品の故障率を基に算出する。この際に良く⽤いられている故障率モデルのIEC 62380/TR、217plus、FIDES
を取り上げ、それらのモデルの特徴と各種部品に適⽤し予測した故障率の⽐較を⽰す。
-6-

休憩（15:30~15:45）
セッション名︓ 「パワーデバイス信頼性」

司会︓ 奥⻄ 拓⾺（ルネサスエレクトロニクス（株））(15:45~16:15) 25S-04 「ストレス試験により故障した SiC ショットキーバリアダイオードの物理解析」
能⽊ 純介、鈴⽊ 啓修、俊成 恭治（（株）村⽥製作所）

我々の⽣活では、様々なところで電⼒エネルギーの変換が⾏われているが、その役割を担う半導体
パワーデバイスとして、これまで Si 系の MOSFET や IGBT が広く⽤いられてきた。しかし、これらの Si
系パワーデバイスは、材料物性に起因する性能限界に達しており、⾼耐圧化維持に加えて低オン抵抗化と⾼速化が困難になってきている。そこで、SiC(炭化ケイ素)や GaN(窒化ガリウム)を⽤いること
により、Si 系パワーデバイスの限界を超える⾼性能・⾼効率デバイスの実現が進められ、すでに実⽤化に⾄っている。今後もこれらの新材料を⽤いたパワーデバイスの需要は⼀層⾼まると考えられる。
⼀⽅で、SiC デバイスの故障情報、解析事例の報告は Si デバイスと⽐べて少ない。この新材料の半導体デバイスを使⽤するにあたり、デバイスの故障状態(モード)を知ること、その解析技術を構築しておくことは重要である。今回、ストレス試験により故障した SiC-SBD(Schottky Barrier Diode)の解析を⾏ったので、その⼀部を紹介する。

(16:15~16:45) 25S-05 「次世代パワーデバイスの評価解析」
原 美帆、⻑⾕川 覚、久保⽥ 英久、中村 典⼦、⽴⼭ 博⽂、⼤⾕ 直⼰、
前⾓ 知⽣ （沖エンジニアリング（株））
近年、次世代パワー半導体材料として、GaN（窒化ガリウム）およびSiC（炭化ケイ素）が注⽬されている。これらの内、SiCパワーデバイスは、⾼耐圧・⼤電流のモーター駆動に利⽤が考えられている。但し、その⽤途となる⾼耐圧・⼤電流スイッチング時における急加熱、急冷却に伴う劣化状態の解明が⼗分なされていない。その為、SiCデバイス(MOSFET)をパワーサイクル試験により劣化させ、解析を試みた結果、デバイスの劣化と構造部の⽋陥の相関を確認できたことからここに紹介する。
⼀⽅、GaN デバイスは、Si プロセスとは積層構造が異なるため、解析結果からその良否の判定することが難しいデバイスである。当該デバイスの解析⼿法の確⽴に向けた取り組みとして、GaN デバイスについて、構造部の詳細な検討を⾏ったので、その事例を紹介する。

-7-

開催⽇︓

２０１５年１１⽉６⽇(⾦) １０︓００〜１７︓１５

会 場︓

４階コンベンションホール（B会場）

信頼性セミナー︓ 「“次世代パワー半導体の信頼性”と“LSI信頼性”」
司会︓

⽊村 忠正 （電気通信⼤学）（10:00~10:30）「故障物理委員会活動状況とパワー半導体の ⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑
基礎」

電気通信⼤学）奥⻄ 拓⾺（10:30~11:15） 「SiC系パワー半導体の信頼性」（ルネサスエレクトロニクス（株））（11:15~12:00） 「GaN系パワー半導体の原理と信頼性」

能⽊ 純介（村⽥製作所）（12:00~13:00） 昼⾷休憩
（13:00~14:00）（14:00~14:45）

招待「パワー半導体の信頼性技術と規格の標準化」「GaN系パワー半導体の最近の信頼性評価・解析」

⼭⼝ 浩⼆（富⼠電機株式会社）
清⽔ ⽴雄（ルネサスエレクトロニクス（株））（14:45~15:00） 休憩
司会︓

清⽔ ⽴雄（ルネサスエレクトロニクス（株））（15:00~15:45）（15:45~16:30）「MOLの信頼性横川 慎⼆－先端デバイスからパワーデバイスまで－」（職業能⼒開発総合⼤学校））「NBTIの回復現象とRTNの原因となる酸化膜⽋陥モデル」（16:30~17:15） 「LSIばらつきと信頼性」（注：

⼤⽇⽅ 浩⼆ （ソニー（株））
堤 利幸 （明治⼤学）

テーマ名等プログラムが変更される場合があります）＜要旨＞
現在半導体分野でのホットな話題は、新材料を用いたパワー半導体です。RCJ 故障物理委員会では、この次世代のパワー半導体の動向と信頼性問題を取り上げ、調査研究をしています。本セミナーは、これらの調査活動成果を中心に報告するものです。パワー半導体以外に、従来より調査活動を進めてきた“ＬＳＩ信頼性問題”についても報告します。
本セミナーでは、現在LSI信頼性の分野で問題となっているホットな話題を取り上げています。半導体デバイス信頼性に携わっている方は勿論その他の分野に携わっている方々のご参加をお勧めします。

-8-

（静電気障害対策技術及び ESD 故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会）
静電気の影響を受けやすい電⼦デバイス・部品、電⼦機器などを扱う信頼性技術者、設計技術者、品質技術者の⽅々を対象に、より進歩した静電気障害対策技術、静電気測定技術、故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会です。この分野の専⾨メーカが展⽰しますので、最新の技術情報収集のためにも是⾮お⽴ち寄り下さい。

期⽇︓ 平成 27 年 11 ⽉ 5 ⽇（⽊）〜11 ⽉ 6 ⽇（⾦）︓ 10:00〜17:00
会場︓ ⼤⽥区産業プラザ（東京 蒲⽥）、2 階⼩展⽰場
主催︓ NPO 法⼈ ESD 協会、（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター
同時開催︓ ESD 対策技術ワークショップ（無料）
同会場内特設会場にてトピックス︓ 全出展社のESD対策新製品紹介や有効な対策技術紹介を主としたワークショップを⾏います。

参加費は無料です。（スケジュールは、現在調整中です）

出展社名
株式会社いけうち

OKIエンジニアリング〒108-0022 東京都港区海岸3-9-15 LOOP-X 14階
TEL：03-6400-1973, E-mail：dryfog@kirinoikeuchi.co.jp
URL：http://dryfog.kirinoikeuchi.co.jp

春⽇電機株式会社〒179-0084 東京都練馬区氷川台3-20-16
TEL: 03-5920-2366, E-mail:oeg-dsales-g@oki.com
URL: http://www.oeg.co.jp

クレハエクストロン株式会社〒212-0032 神奈川県川崎市幸区新川崎２番４号
TEL: 044-580-3511, E-mail: info@ekasuga.co.jp
URL: http://www.ekasuga.co.jp

シシド静電気株式会社〒143-0004 東京都大田区昭和島2-4-4
TEL: 03-3764-2511
URL : http://www.kreha-extron.co.jp

テク･トライアングル〒145-0065 東京都大田区東雪谷1-3-3
TEL: 03-3727-0161, FAX:03-3727-0342,
URL: http://www.shishido-esd.co.jp

DESCO JAPAN株式会社〒289-1115千葉県八街市八街ほ20-2
Tel: 043-309-4470、E-Mail: Tosh.Hagiwara@Desco.com
URL: http://www.DescoAsia.com

トレック・ジャパン株式会社〒299-4111 千葉県茂原市萱場776-58
TEL: 0475-36-7037 E-mail: suzuki-triangle@nyc.odn.ne.jp
URL: http://www.tech-triangle.jp

東京電⼦交易株式会社〒190-0023 東京都立川市柴崎町5-16-30
TEL: 042-548-8011, E-mail: sadohara@tet.co.jp
URL: http://www.tet.co.jp

阪和電⼦⼯業株式会社〒103-0013 東京都中央区日本橋人形町1-2-12
元林ビル6F
TEL: 03-6264-8692, E-mail: sales@trekj.com
URL: http://www.trekj.com

ミドリ安全株式会社〒150-8455 東京都渋谷区広尾5丁目4番3号
TEL: 03-3442-8244, FAX: 03-3444-4508
URL: http://www.midori-esd.jp〒649-6272 和歌山県和歌山市大垣内689-3
TEL: 073-477-4435, E-mail: y-yata@hanwa-ei.co.jp
URL: http://www.hanwa-ei.co.jp

村上商事株式会社〒103-0023 東京都台東区駒形2-5-6カミナガビル3階
TEL: 03-6231-7405, E-mail: info@murakamicorp.co.jp
URL: http://www.murakamicorp.co.jp-9-

＜参加要領＞
テキスト

参加区分（開催日）① 11月5日､11月6日:（2日間）② 11月5日:（1日間）③ 11月6日:（1日間）④ 11月5日のワークショ
ップ資料「 RCJS-5-1 附 属 書 I 、 J ：
2015」

場所、
定員

RCJ信頼性シンポジウム発表論文集（電子デバイス・電子部品の信頼性シンポジ
ウム、EOS/ESD/EMCシンポジウム）（注：電子デバイス・電子部品、EOS/ESD/EMC
シンポジウム両方の聴講可能）

資料は当日配布

A、B
会場
200名

参加費（消費税を含む）（円）
RCJ会員
協賛団体会員
非会員
大田区民

２５,０００３２,０００

１７,０００２２,０００

１７,０００２２,０００上記、①or②
or③の参加費＋3,000上記、①or②
or ③ の 参 加費
＋3,000

申 込 先： 〒111-0043 東京都台東区駒形2-5-6 カミナガビル3F TEL：03-5830-7601、FAX：03-5830-7602（一財）日本電子部品信頼性センター 総務部
E-mail： masunaga@rcj.or.jp
申込締切： 10月2７日（金）申込方法：「参加申込書」を上記あて送付すると共に、「参加費」を現金書留又は銀行振込でご送金下さい。
銀行振込の手数料は、申込者負担です。銀行振込の場合は、振込内容（振込予定日（分かる場
合：貴社の都合に合わせて結構です）、金額、振込人名義）を参加申込書に明記して下さい。
なお、請求書及び領収書の発行を致しますので、必要な場合はその旨申込書にご記入下さい。
参加申込者には、参加券を送付致します。シンポジウム発表論文集やセミナーテキストは当日配布します。
振込銀行 三菱東京UFJ銀行、日本橋中央支店、普通預金口座 0084373、
口 座 名 ： 名義：（一財）日本電子部品信頼性センター
きりとり線
・FAXの場合は切り取らずこの用紙のままご送付下さい。

参加申込書
区分欄に上記表の参加区分①、②、③、または、④の資料（RCJS-5-1附属書I、J：2015発行）の購入を希望する場合は、シンポジウムの参加区分と合わせた①④、②④、③④の何れかを必ず記入して下さい。
会 社 名
所 在 地
会員又は否に○印を付けて下さい〒
RCJ賛助会員
協賛団体会員
否
大田区民
ＴＥＬ
*受理番号
区分
氏 名
所 属 ・ E-mail所属：
E-mail：所属：
E-mail：所属：
E-mail：

ご記入して下さい。
●支払方法
現金書留／銀行振込●振込予定日
月日 ●振込金額●振込人名義円*受理番号欄には、記入しないで下さい- 10 -

備考（請求書、領収書の要否（該当箇所に○を付けて下さい））
請求書
要
不要
領収書
要
不要

◆会場ご案内
至品川

JR常磐線
日暮里

新宿

上野

東急蒲田

JR総武線

JR川崎
京浜急行

大田区産業プラザ

至横浜

至横浜

会場案内図

会場： 大田区産業プラザ： ４階コンベンションホール、２階小展示場〒144-0035 東京都大田区南蒲田１－２０－２０
交通： 京浜急行線・空港線/京急蒲田駅より徒歩約２分(品川・横浜・羽田空港よりの所要時間各約１０数分)
ＪＲ京浜東北線/蒲田駅より徒歩約１２分◆宿泊施設のご案内
遠方からお越しの方で宿泊が必要な場合下記のホテルに直接連絡してご利用下さい。
（１） グランパークホテル パネックス東京
ＴＥＬ： ０３－５７０３－１１１１〒144-0052 東京都大田区蒲田5-9-19（２） 東横イン 蒲田東口
ＴＥＬ： ０３－３７３６－１０４５〒144-0052 東京都大田区蒲田5-18-4（３） 相鉄フレッサイン東京蒲田 ＴＥＬ： ０３－５７１４－０３０３〒144-0052 東京都大田区蒲田5-19-12
注）（１）、（２）、（３）とも、ＪＲ蒲田駅東口徒歩２～３分程度（４） アパホテル京急蒲田駅前 ＴＥＬ： ０３－５７１３－３９３９〒144-0052 東京都大田区蒲田4-18-24（５） 東急ステイ蒲田 ＴＥＬ： ０３－５７１４－１０９０〒144-0052 東京都大田区蒲田4-23-1（６） チサンイン蒲田 ＴＥＬ： ０３－６７１５－７３１１〒144-0052 東京都大田区蒲田4-23-13
注）（４）、（５）、（６）とも、京急蒲田西口徒歩２～３分程度- 11 -

浜

行本

環状八
号線

羽田

至羽田

一京

京急蒲田

第

JR蒲田
JR京浜東北線

浜急

品川

京

東京

線

ＪＲ
京浜
東北
線

八王子

京

急

JR中央線

東口
蒲田

田端

ＪＲ
蒲田

JR京浜東北線

至品川呑川

大田区産業プラザ