対応デバイスおよび解析サービスメニュー◆対応デバイス
当社では東芝半導体製品の故障解析で培った解析ノウハウを基に、様々なデバイスに対応しております。
センサー
集積回路（IC・LSI）
Power Device

MOSFET
IGBT
化合物半導体Power Module解析ダイオード
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MEMSセンサー（加速度センサー/加圧センサー） AFセンサー
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イメージセンサーラインセンサー
リニアーセンサー

ショットキーバリアダイオード
レーザーダイオード
ガリウムナイトライド（窒化ガリウム）ダイオード

ロジックデバイス
メモリーデバイス
バイポーラーデバイス

この他にも モジュール品 の解析など、半導体製品を中心とした様々な解析に対応しております。
まずはご相談ください。

◆解析サービスメニュー
パッケージ開封などの前処理から、テスターを使った電気的特性評価、各故障モードに沿った故障箇所特定、原因究明の為の物理解析 等、様々な解析サービスメニューを取り揃えております。
前処理

電気的特性評価

モールド開封(パッケージ開封)処理

LSIテスターによる不良再現

ポリイミド膜剥離処理

半導体パラメーターアナライザーによる特性評価

ベアチップ化(パッケージからチップを取り出す)
FIB加工(Pad作成／回路修正)

電気的特性評価および故障箇所特定解析につきまして、立ち合いに便利なオンライン解析環境をご準備いたしました。是非ご検討ください。

故障箇所特定ショート・リーク故障（DC故障）解析
 PEM解析（フォトエミッション解析）
 IR-OBIRCH解析（熱抵抗変動解析）
 LIT解析（発熱解析）
 EBAC解析（吸収電流解析）
 ナノプローブ解析（微細プロービング解析）

動作故障・タイミング故障（FC/AC故障）解析
 EOP/EOFM/EBT解析（非接触波形解析）
 SDL解析（熱印可動作変動解析）

物理解析
平面分析
 SEM分析（走査型電子顕微鏡分析）
 TEM分析（透過型電子顕微鏡分析） オージェ分析、EDX分析（成分分析）
 SSRM分析（走査型広がり抵抗顕微鏡分析）
 SNDM分析（走査型非線形誘電率顕微鏡分析）
 SIMS分析（二次イオン質量分析）
断面分析
 SEM分析（走査型電子顕微鏡分析）
 TEM分析（透過型電子顕微鏡分析）
 SSRM分析（走査型広がり抵抗顕微鏡分析）
 SNDM分析（走査型非線形誘電率顕微鏡分析）© 2021 Toshiba Electronic Device Solutions Corporation1

解析ソリューションの提供（１）◆ 一貫解析ソリューションの提供
解析サンプルの不良再現から、故障箇所特定、物理解析・成分分析まで一貫した解析ソリューションをご提供します。

不良サンプル

解析結果報告◆ テスターリンク解析ソリューションの提供
LSIテスターと解析装置をダイレクトドッキングする事で、製品動作時の動作不良解析を実現します。

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解析ソリューションの提供（２）◆ 究極の絞り込みによる原因追及
優れた故障箇所特定技術で「究極の絞り込み」をご提供します。

セルレベル ～100μm
PEM
OBIRCH
DiagFBM

素子レベル ～10μm
ナノプローブ

OBIRCH発光イメージ◆ 歩留まり向上ソリューションの提供

出典：ジャパンセミコンダクター社

ピンポイント ～0.1μm
DI-EBAC

出典：ジャパンセミコンダクター社

半導体IDMとして培って来たノウハウを基に、一貫した評価・解析・歩留まり改善コンサルタントサービスをご提供します。

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主な故障箇所特定手法（１）◆PEM（フォトエミッション）

PEM

故障箇所及びその影響を受けて誤動作している箇所から放出されるフォトン(光子)を観測します。
当社では、固侵レンズを使いチップ裏面(Si基板側)からの発光観測を行う事で、多層製品等のチップ表面からの観測では配線が邪魔して発光を観測出来ないケースでも配線の影響を受ける事なく故障箇所の特定を可能にしています。
PKG品に限らず、チップやウエハー状態でも対応可能です。
エミッション反応イメージ◆ナノプローブ

ナノプローブ

ナノプローブ装置を使ってLSI中の単体トランジスターの電極に直接コンタクトを行い、素子の電気特性を測定します。電圧－電流特性から異常の有無や正常素子との比較により不良の原因となる特性の変動などを調べます。
当社のナノプローブ解析では、最大8電極を使用したプロービングを行う事が出来ます。また、測定温度は -40℃～150℃ の範囲で測定を行う事が可能です。
出典：ジャパンセミコンダクター社◆EOP/EOFM

EOPチップ裏面から非コヒーレント光（赤外線レーザー）を照射し、拡散層でのレーザー反射強度から波形を測定（EOP）、および位相マッピングを生成（EOFM）する事で、非接触で故障箇所を特定する事が出来ます。

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4主な故障箇所特定手法（２）◆EBAC

電圧印可型EBAC

解析対象の配線と吸収電流アンプを接続した状態で試料に電子ビームを照射し、吸収電流のコントラストの差異を観測する事で高抵抗箇所、オープン箇所、トランジスターやキャパシターのリーク箇所を特定する事が出来ます。
故障モードにより、差動EBAC、電圧印可型EBAC 等の対応が可能です。

◆SSRM/SNDM
SSRM：導電性プローブでバイアスを印加した試料の表面を走査する事で、二次元抵抗分布（広がり抵抗）像を得る事が出来ます。

出典：ジャパンセミコンダクター社

SSRM

SNDM：導電性プローブでバイアスを印加した試料の表面を走査する事で、二次元容量分布像を得る事が出来ます。

出典：ジャパンセミコンダクター社

出典：ジャパンセミコンダクター社

この他にもお客様のニーズに合わせた様々な故障箇所特定手法を取り揃えております。
故障解析や歩留まり改善をご検討の際は是非当社までご一報ください。
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オンライン解析のご紹介「解析現場に立ち合いたいが、昨今の諸事情等により立ち会えない、立ち合いが難しい」等のご要望にお応えし、弊社ではWeb会議ツールを使用したオンライン解析の環境をご準備いたしました。
リアルタイムに解析状況をモニターする事が出来、また解析状況により解析条件の変更などがタイムリーに行える事から解析期間の短縮にも有効です。
是非ご検討ください。

オンライン解析メニュー
PEM
IR-OBIRCH
LIT
DALS
EOP/EOFM
NanoProbe
各種EBAC
電特採取＊Web会議ツールにつきましては対応できない物がございます。事前に弊社にお問い合わせください。

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故障解析のお問い合わせ
半導体故障解析、歩留まり改善のご相談、ご依頼は下記へお問い合わせください。
TEDS-fa-service@ml.toshiba.co.jp© 2021 Toshiba Electronic Device Solutions Corporation

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＊本資料に記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

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