２００６ 第１６回 ＲＣＪ信頼性シンポジウムのご案内（電子デバイスの信頼性シンポジウム、EOS/ESD/EMCシンポジウム）
全体プログラム
日時： 2006年11月30日（木）〜12月1日（金）日時

開催場所：大田区産業プラザ

午後前半

11月30日（木）12月1日（金）電子デバイスの信頼性
EOS/ESD/EMC
電子デバイスの信頼性
EOS/ESD/EMC
シンポジウム､シンポジウム
シンポジウムシンポジウム
優秀論文等表彰式
４階コンベンションホール
４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場
Ａ会場
Ｂ会場
(10:00〜12:00)(10:00〜11:50)（10:00〜12:00）(9:30〜12:00)
招待講演
特別講演、米国優秀論文、信頼性セミナー「チュートリアル（半導体表彰受賞者の講演
デバイスの ESD 現象）」（12:00〜12:15）（12:00〜13:00）（12:00〜13:00）
優秀論文等表彰式（12:15〜13:15）
休憩
休憩
懇親会（１階展示場脇）（13:30〜15:30）（13:30〜15:10）（13:00〜16:40）（13:00〜15:00）「部品実装技術の「ナノデバイスのESD/EMI」「先端半導体デバイス信頼性」
信頼性セミナーの ESD」

午後
後半

（15:45〜17:15）「部品実装及び半導体デバイスの信頼性」

項目
会場
午前

昼

展示会

（15:20〜17:40）（15:10〜17:00）「ESD コントロール技術」 「次世代技術ロードマップ パネルディスカッション（ITRS）と信頼性課題」 「先端半導体デバイスの劣化と ESD 現象」（10:00〜17:00）
無し（１階大展示ホール）

主催 財団法人 日本電子部品信頼性センター
協
賛 社団法人 電子情報技術産業協会 社団法人 日本電機工業会( 順 不 同 ) 社団法人 日本電気計測器工業会 財団法人 日本規格協会
社団法人 日本電子回路工業会
財団法人 日本科学技術連盟
財団法人 光産業技術振興協会
日本信頼性学会
財団法人 ﾍﾞﾝﾁｬｰｴﾝﾀｰﾌﾟﾗｲｽﾞｾﾝﾀｰ 社団法人 日本応用磁気学会
IDEMA JAPAN

社団法人 電子情報通信学会
社団法人 電気学会
社団法人 静電気学会
情報通信ネットワーク産業協会
ＳＰＥ日本支部

参加のお勧めRCJ信頼性シンポジウムは、電子部品、電子デバイス、電子機器等の信頼性技術者・生産技術者を対象に、信頼性及びESDという共通のテーマで論文発表・討論しあい、より進歩した信頼性向上技術、ESD障害対策技術等の分野での発展に寄与することを狙いとしています。本シンポジウムは、電子デバイスの信頼性問題を中心に扱う電子デバイスの信頼性シンポジウム及び静電気関連問題を中心に扱うEOS/ESD/EMCシンポジウムからなっています。
今年で、16回目を迎えました。今年は、昨年に引き続き、ESD保護対策が必須のナノデバイスのESD/EMI問題、ESD対策技術に関する多数の論文投稿を頂きました。特に、今年は微細CMOSデバイスのESD劣化/破壊現象とその対策技術に関するチュートリアル、招待/一般論文及びパネルディスカッションを設けました。また、鉛フリーはんだ実装技術及び微細半導体デバイスの信頼性に関する発表等もあります。
さらに、同会場１階大展示場で、静電気（ESD）対策用資材、計測・評価試験装置及び半導体LSI等の環境試験装置、故障解析技術サービス等をテーマとした“信頼性・ESD対策技術展示会”を同時開催いたします。今年も、昨年好評頂きました“ESD対策モデルルーム”の展示を、内容を充実して行います。
日頃、この方面でご活躍の皆様の多数のご参加をお勧め致します。
最新版プログラムは RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）をご覧下さい。

-1-第１６回 電子デバイスの信頼性シンポジウム、優秀論文等表彰式
開催日： ２００６年１１月３０日(木) １０：００〜１７：１５
会 場： ４階コンベンションホール（A会場）
開会の挨拶（10:00~10:05）
久保 陽一 （RCJ 専務理事）
セッション名： 招待講演
司会 久保 陽一 （RCJ 専務理事）（10:05~11:00） 招 待 「管理からみた信頼性の意味と変遷」
西 干機 （元日本電気株式会社）（11:00~12:00） 招 待 「電子機器の高密度実装の動向と信頼性評価における課題」
津久井 勤 （東海大）
第１５回ＲＣＪ信頼性シンポジウム優秀論文賞等表彰式 （12:00~12:15）
挨拶木村 忠正（電気通信大学教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営副委員長）
表彰式
木村 忠正 （ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営副委員長）＜優秀論文賞＞「低い累積故障確率におけるエレクトロマイグレーション寿命とボイド形成」
土屋 秀昭、横川 慎二（ＮＥＣエレクトロニクス（株））「被覆電線からGMRヘッドへの放電現象の検討」
早田 裕 （ソニー（株））＜技術賞＞「鉛フリーはんだのはんだぬれ性試験における温度条件の影響と急加熱昇温法における時間-ぬれ曲線の考察」
宗沢 薫、 鎌田 信雄、 野口 博司 （（株）村田製作所）「GMR/TMRヘッドのEMIに関する検討」
名取 章二、和田辰彦、伊藤裕蔵、坂田博政、片岡宏治＊、大津孝佳＊、田辺英男＊（日立コンピュータ機器（株）、*（株）日立グローバルストレージテクノロジーズ）「デバイス帯電モデル試験機の再考」
児玉 紀行*1、塚越 常雄*2 （*1:NECエレクトロニクス（株）、*2：NEC）
懇親会（12:15~13:15） （場所：１階大展示場）
ＲＣＪ信頼性シンポジウム参加の皆様は自由にご出席下さい（無料）。
セッション名： 部品実装技術の信頼性
座長： 穴山 汎 （ＲＣＪ）（13:30~14:00） 16S-01 「外部応力ウィスカの試験方法と接触部以外のウィスカ発生について」
藤野 秀人（山一電機（株））（14:00~14:30） 16S-02 「コネクタ嵌合応力による Sn ウィスカの評価解析」
気賀 智也、浅井 正（ソニーイーエムシーエス（株））（14:30~15:00） 16S-03 「ウィスカの成長メカニズムの検討」
森内 裕之＊、御子貝英一＊、田所 義浩＊、佐藤 正秀＊＊、古澤 毅＊＊、
鈴木 昇＊＊ （*第一電子工業（株）、＊＊宇都宮大学）（15:00~15:30） 16S-04 「Ｓｎ−Ｎｉめっき／Ｃｕ板を用いたＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系鉛フリーはんだに対するはんだぬれ性劣化挙動の考察」
宗沢 薫、三木 寿、鎌田 信雄、野口 博司（（株）村田製作所）
休憩（15:30~15:45）
セッション名： 部品実装及び半導体デバイスの信頼性
座長： 大日方 浩二 （ソニー（株））（15:45~16:15） 16S-05 「はんだ接合部の熱疲労寿命に及ぼす温度変化率の影響」
辻江一作*1、青木雄一*1、永井孝幸*2（*1 エスペック（株） *2 エスペック環境試験技術センター（株））（16:15~16:45） 16S-06 「フリップチップ半田バンプのエレクトロマイグレーションにおける抵抗変動とボイド成長挙動」
宇野 哲史、横川 慎二（ＮＥＣエレクトロニクス（株））（16:45~17:15） 16S-07 「インバーターチェーン回路を用いた Soft Breakdown 起因の IDD 劣化評価」
加藤 一郎、横川 慎二（ＮＥＣエレクトロニクス（株））-2-第１６回 電子デバイスの信頼性シンポジウム（続き）
開催日： ２００６年１２月１日（金） １０：００〜１６：４０
会 場： ４階コンベンションホール（Ａ会場）

信頼性セミナー： 次世代技術ロードマップ（ITRS）と信頼性課題
司会： 木村 忠正 （電気通信大学）（10:00~11:00） 「次世代技術ロードマップと信頼性課題（概要）」（11:00~12:00） 「微細ULSI用故障解析技術」

木村 忠正（電気通信大学：故障物理委員会委員長）
二川 清（NECエレクトロニクス（株））

昼食休憩（12:00~13:00）
司会： 大日方 浩二 （ソニー（株）SSNC）（13:00~13:50） 「最新high-κゲート絶縁膜技術と信頼性」（13:50~14:40） 「先端デバイスのNBTI劣化現象」

塩野 登
（RCJ）
大日方 浩二（ソニー（株）SSNC）

休憩（14:40~15:00）（15:00~15:50） 「先端微細配線技術と信頼性」（15:50~16:40） 「次世代不揮発性RRAM技術と信頼性」

横川 慎二（NECエレクトロニクス（株））
馬場 智也（シャープ（株））（注： テーマ名等プログラムが変更される場合があります）＜要旨＞
LSI の微細化と連動して常に問題となってきた信頼性の課題は、ゲート酸化膜の経時破壊（TDDB）、配線のエレクトロマイグレーション（EM）およびストレス誘起ボイド形成（SIV）、ホットエレクトロン（HC）に起因する特性劣化、負バイアス温度不安定性（NBTI）などの摩耗故障である。ゲート酸化膜が 2nm を切り TDDB の故障メカニズムや故障の特性が大きく変り、また、Cu 配線材料の導入によりストレス誘起ボイド形成による故障が現れ、その対策に、ここ数年の間、信頼性研究者、技術者の多大な苦労と貢献がありました。
45nm ノード以降の高性能・高集積化技術では、単なる微細化ではなく、新素材と新しいデバイス構造の採用が必要となっている。その代表例が high-κ ゲート絶縁膜、low-κ 層関膜、マルチゲート構造である。このような新素材・新デバイス構造は、信頼性にも大きな影響を与え、この技術開発では、信頼性検討・対策も重要な要素となっている。
主な信頼性上の課題は、①ストレスが増加する（一般に微細化（スケーリング（寸法縮小））よりは、電源電圧の低下は難しく、スケーリングにより配線に流れる電流密度、配線間やゲート絶縁膜に印加される電界強度は増加する傾向にある。）、②新しい素材、プロセス、デバイス構造の採用では、新しい故障モードが現れる、③寿命試験の効率が低下し、スクリーニング効率も低下する（実使用電圧と寿命試験やスクリーニング（バーンイン）時に印加可能なストレス電圧との差が小さくなり、電圧加速性が小さくなる。また実使用時の接合温度も高くなり、寿命試験やバーンイン温度との差が小さくなり、温度加速性も小さくなる）である。
本セミナーでは、以上の課題のなかで、high-κ ゲート絶縁膜、NBTI 不安定性、low-κ/Cu 配線の信頼性課題を中心に解説します。また、信頼性試験やフィールドでの故障品の解析は勿論、デバイス/プロセス開発上でも重要となっている故障解析技術、さらに、ITRS の次世代メモリ技術として取り上げられている不揮発性メモリの中のRRAM についても解説します。信頼性課題を全て網羅している訳でなく、また深さも十分とはいかないかもしれませんが、半導体デバイス信頼性に携わっている方の参加をお勧めします。なお、本セミナーは、RCJ 故障物理研究委員会の活動成果を報告するものです。

-3-第１６回 ＥＯＳ/ＥＳＤ/ＥＭＣシンポジウム プログラム
開催日： ２００６年１１月３０日（木） １０：００〜１７：４０
会 場： ４階コンベンションホール（Ｂ会場）
受賞記念講演及び特別講演（10:00~11:50）
司会： 塩野 登 （RCJ）（10:00~10:50） ＜特別講演＞「ESD Design Considerations for Nanometer Technologies: Limitations and Future Issues」
Charvaka Duvvury （Texas Instruments Inc.、Board of Director of ESD Association）（10:50~11:20） ２００５年 米国ＥＯＳ/ＥＳＤシンポジウム 優秀論文
「ESD Evaluation of the Emerging MuGFET Technology」
Christian Russ1, Harald Gossner1, Thomas Schulz1,3, Nirmal Chaudhary1,3, Weize Xiong2,3,
Andrew Marshall2, Charvaka Duvvury2, Klaus Schruefer1, C. Rinn Cleavelin2((1) Infineon Technologies AG, Germany, (2) Texas Instruments Inc., USA(3) ATDF Advanced Technology Development Facility, International Sematech, USA）
（11:20~11:50） ＜優秀論文賞＞ 「被覆電線からGMRヘッドへの放電現象の検討」
早田 裕 （ソニー（株））

休憩（11:50~13:30）: A会場での優秀論文賞等表彰式その後の１階展示場脇での懇親会にご参加下さい
セッション名： ナノデバイスのESD/EMI
座長：大津 孝佳 （（株）日立グローバルストレージテクノロジーズ）（13:30~13:50） 16E-01 「携帯電子機器からのＥＭＩ検出器の考察」
平田 俊清 （RAエンジニアリングハウス）（13:50~14:10） 16E-02 「固定間隙での放電における電磁干渉（ＥＭＩ）能力の測定」
本田 昌實 （（株）インパルス物理研究所）（14:10~14:30） 16E-03 「金属電極間のESDにおける放電電流波形と放射電磁ノイズ(Ⅱ)」吉田 孝博、隅田 淳、増井 典明 （東京理科大学 工学部）
（14:30~14:50） 16E-04 「被覆電線からキャパシタンスデバイスへの放電現象」
早田 裕 （ソニー（株））「強磁界トランスファーカーブによるGMRヘッド固定層ダメージの検討」（14:50~15:10） 16E-05
片岡 宏治、大津 孝佳、西岡 浩一、小山 直樹、田中 秀明*、Sam Luo**（（株）日立グローバルストレージテクノロジーズ、*（株）日立製作所ストレージ・テクノロジー研究センタ、** Hitachi Global Storage Technologies, Inc.）
休憩（15:10~15:20）
セッション名： ESDコントロール技術
座長： 本田 昌實 （（株）インパルス物理研究所）（15:20~15:40） 16E-06 ｢イオナイザーの静特性と動特性」
村崎 憲雄 （東京農工大学 名誉教授）（15:40~16:00） 16E-07 ｢軟 X 線式ジェットイオナイザが生成した荷電粒子の濃度分布｣
ナインゴーラン シモン、 岡野 一雄 （職業能力開発総合大学校）（16:00~16:20） 16E-08 ｢軟 X 線式イオナイザの除電速度に及ぼすグランドグリッドの効果」
吉野 龍太、岡野 一雄 （職業能力開発総合大学校）（16:20~16:40） 16E-09 ｢遮蔽構造を有する軟X線イオナイザーの開発(その2)」
佐藤 朋且、○鈴木 政典（（株）テクノ菱和）（16:40~17:00） 16E-10 ｢空間電荷濃度制御システムの開発」
氏家 翔太、岡野 一雄（職業能力開発総合大学校）（17:00~17:20） 16E-11 ｢ESD対応ソケットの開発とその特性解析」
西畑 直光、○川崎達也、小松 勇一 （（株）クレハ）（17:20~17:40） 16E-12 「ＬＣＤガラスの剥離帯電低減用フッ素樹脂薄膜の評価技術」
藤江 明雄-4-第１６回 ＥＯＳ/ＥＳＤ/ＥＭＣシンポジウム プログラム（続き）
開催日： ２００６年１２月１日（金） １０：００〜１７：００
会 場： ４階コンベンションホール（Ｂ会場）
チュートリアル： 半導体デバイスのESD現象と評価方法の基礎
時間： 9:30〜12:00
司会： 福田 保裕 （沖エンジニアリング（株））（ 9:30~10:00） 「静電気放電(ESD)障害、損傷現象基礎」

福田 保裕 （沖エンジニアリング（株））（10:00~10:30） 「半導体ﾃﾞﾊﾞｲｽにおけるESDｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ・試験方法」 磯福 佐東至 （東京電子交易（株））（10:30~11:00） 「ESD損傷と信頼性劣化」

若井 伸之 （（株）東芝セミコンダクター社）（11:00~11:30） 「ESD保護回路」

森下 泰之 （NECエレクトロニクス（株））（11:30~12:00） 「ESD保護設計ｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ」

石塚 裕康 （（株）ルネサスステクノロジ）

セッション名： 先端半導体デバイスのESD現象
座長： 鈴木 輝夫（富士通VLSI（株））・澤田 真典（阪和電子工業（株））（13:00~13:30） 招 待 「Using the Voltage and Current Waveforms from VFTLP systems
to study transient device behavior」
Bart Keppens, Geert Wybo. （Sarnoff Europe, Belgium）（13:30~14:00） 招 待 「Class 3 HBM and Class M4 MM ESD Protected 5.5 GHz LNA in 90 nm RFCMOS using
Above-IC Inductor」
S. Thijs, D. Linten1, M.I. Natarajan, W. Jeamsaksiri, A. Mercha, J. Ramos, X. Sun,G. Carchon, P. Soussan, T. Nakaie2, M. Sawada2, T. Hasebe2, P. Wambacq3,S. Decoutere, G. Groeseneken4(IMEC, Belgium, 1 - Also Vrije Universiteit Brussel, Belgium, 2 - Hanwa Electronic
Industries, Japan, 3 - Also at: Vrije Universiteit Brussel, Belgium, 4- Also at: ElectricalEngineering Dept., Katholieke Universiteit Leuven, Belgium)
座長： 石塚 裕康（（株）ルネサスステクノロジ）・森下 泰之（NECエレクトロニクス（株））（14:00~14:20） 16E-13 「EOS/ESD破壊メカニズムに関する調査・検討」
小松 敬和、村瀬 眞道 （NECエレクトロニクス（株））
キャン（この発表は、キャンセルされました）セル（14:20~14:40） 16E-14 「TDR-TLP/パルス幅依存抽出ESDパラメータを用いたESD保護設計提案」
黒田 俊一(*) 福田 保裕(*) 澤田 真典(**)（(*)沖エンジニアリング株式会社 (**)阪和電子工業株式会社）（14:40~15:00） 16E-15 「カスケード接続したNMOS ドライバーのESD 耐圧に関する考察」
鈴木 輝夫、小島 正誉、岩堀 淳司、森田 晃生、磯村 信芳、橋本 賢治*
横田 昇* （富士通VLSI（株）、*富士通）
休憩（15:00~15:10）（15:10~17:00） パネルディスカッション： 「先端半導体デバイスの劣化とESD現象」
趣旨：半導体デバイスは、SOIデバイスをはじめてとして、各種ESDサージに対し脆弱な構造に急速に変化しつつあり、従来のESD耐性を確保しようとするため、ESD保護素子、ESD保護回路設計手法の開発が急がれている。そのような保護回路設計では、ESDによる劣化と破壊現象についての深い理解が重要となる。ここでは、それらの現象を中心に議論する。
コーディネーター： 川島 博文（ソニー(株)）、福田 保裕 （沖エンジニアリング（株））
パネリスト： Bert Keppens (Sarnoff Europe)、S. Thijs（IMEC）、C. Russ (Infinion)
鈴木 輝夫（富士通VLSI（株））、石塚 裕康（(株)ルネサステクノロジ）、
小平 裕司（（株）東芝セミコンダクター社）、若井 伸之（（株）東芝セミコンダクター社）、
森下 泰之（NECエレクトロニクス（株））、磯福 佐東至（東京電子交易（株））、
澤田真典（（阪和電子工業（株））他-5-信頼性・ESD 対策技術展示会（無料）（静電気障害対策技術、信頼性評価技術及び故障解析技術を扱う専門の展示会）
静電気の影響を受けやすい電子デバイス・部品、電子機器などを扱う信頼性技術者、生産技術者の方々を対象に、より進歩した静電気障害対策技術、信頼性評価技術、故障解析技術を扱う専門の展示会です。多くの専門メーカが展示しますので、最新の技術情報収集のためにも是非お役立て下さい。

期日： 平成 18 年 11 月 28 日（火）〜30 日（木）： 10:00〜17:00（28 日は 13:00 から）
会場： 大田区産業プラザ（東京 蒲田）1 階大展示場
同時開催： ESD 対策技術セミナー（無料：資料代有料）、信頼性・ESD 対策技術ワークッショップ（無料）
同会場内特設会場にて出展社による無料の信頼性・ESD対策技術ワークショップがあります。
出展社名
アキレス（株）沖エンジニアリング（株）（株）クレハシムコジャパン（株）
株式会社テクノスタット工業
原田産業（株）松本技研（株）（財）日本電子部品信頼性センター（株）いけうち春日電機（株）（株）コガネイ
ショーワグローブ（株）
東京電子交易（株）
阪和電子工業（株）
ミドリ安全（株）

エスペック（株）
株式会社クリテック・ジャパン
シシド静電気（株）
住友スリーエム（株）
トレック・ジャパン（株）
ヒューグルエレクトロニクス（株）
礼亜有限会社★詳細は別途案内状をご覧下さい。（RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）にも掲載しています）。

RCJ IEC TC 101 静電気セミナーのご案内
期日： 平成 18 年 11 月 28 日（火）〜29 日（水）： 10:00〜17:00
会場： 大田区産業プラザ（東京 蒲田） 1 階大展示場内 特設会場
主催： （財）日本電子部品信頼性センター IEC TC101（静電気）国内委員会
協賛： ESDコーディネーター協会
平成 18 年 11 月 28 日（火）10:00〜17:00

IEC 61340 シリーズの静電気関連規格開発（改訂）状況
平成 18年 11月 29日（水）10:00〜17:00

静電気測定方法の実技/実演セミナー（IEC 61340 シリーズに準拠）★詳細はRCJホームページ（http://www.rcj.or.jp）をご覧下さい。

-6-＜参加要領＞
参加区分（開催日）

テキスト① 11月30日､12月1日:（2日間）

1) RCJ信頼性シンポジウム発表論文集（電子デバイスの信頼性シンポジウ
ム、EOS/ESD/EMCシンポジウム）② 11月30日:（1日間）③ 12月1日:（1日間）

参加費（消費税を含む）（円）RCJ会員･非会員
協賛団体会員場所、
定員

２０,０００２５,０００

１２,０００

１５,０００

１２,０００

１５,０００４階
A、B会場（注：電子デバイス、EOS/ESD/EMCシンポジウム両方の聴講可能）
2）平成17年度故障物理研究委員会成果報告書（信頼性セミナー用テキスト）（注：このテキストは希望者に配布します）

300名

申 込 先： 〒103-0027 東京都中央区日本橋3-4-13 新第一ビル TEL：03-3272-2736、FAX：03-3272-2926（財）日本電子部品信頼性センター 総務部
E-mail： masunaga@rcj.or.jp
申込締切： 11月21日（火）申込方法：「参加申込書」を上記あて送付すると共に、「参加費」を現金書留又は銀行振込でご送金下さい。
銀行振込の手数料は、申込者負担です。銀行振込の場合は、振込内容（振込予定日（分かる場合：貴社の都合に合わせて結構です）、金額、振込人名義）を参加申込書に明記して下さい。
なお、請求書及び領収書の発行を致しますので、必要な場合はその旨申込書にご記入下さい。
参加申込者には、参加券とシンポジウム発表論文集及び関連資料を送付致します。
振込銀行 三菱UFJ信託銀行、本店 普通預金口座 3546421
口 座 名 ： （財）日本電子部品信頼性センター

きりとり線
・FAXの場合は切り取らずこの用紙のままご送付下さい。

参加申込書
区分欄に上記表の①、②、③の参加区分を必ず記入して下さい。
会 社 名
所 在 地
〒

会員又は否に○印を付けて下さい
RCJ会員・協賛団体会員

否ＴＥＬ*受理番号区分氏 名

所 属

平成17年度故障物理研究委員会成果報告書の要否（該当箇所に○を付けて下さい）

ご記入して下さい。
●支払方法
現金書留／銀行振込●振込予定日
月日 ●振込金額●振込人名義円*受理番号欄には、記入しないで下さい
-7-

要不要

要不要

要不要

備考（請求書、領収書の要否（該当箇所に○を付けて下さい））
請求書
要不要
領収書
要不要

◆会場ご案内
至品川

JR常磐線
日暮里

新宿

上野

東急蒲田

JR総武線

JR川崎
京浜急行

大田区産業プラザ

至横浜

第環状八号線

羽田

至横浜

会場案内図

会場： 大田区産業プラザ： ４階コンベンションホール、１階大展示場〒144-0035 東京都大田区南蒲田１−２０−２０
交通： 京浜急行線・空港線/京急蒲田駅より徒歩約２分(品川・横浜・羽田空港よりの所要時間各約１０数分)
ＪＲ京浜東北線/蒲田駅より徒歩約１２分◆宿泊施設のご案内
遠方からお越しの方で宿泊が必要な場合下記のホテルに直接連絡してご利用下さい。
（１） ホテル パネックス
ＴＥＬ： ０３−５７０３−１１１１
東京都大田区蒲田５−９−１９（２） 東横イン 蒲田東口
ＴＥＬ： ０３−３７３６−１０４５
東京都大田区蒲田５−１８−４（３） 三井ガーデンホテル蒲田 ＴＥＬ： ０３−５７１０−１１３１
東京都大田区蒲田５−１９−１２注）（１）、（２）、（３）ともＪＲ蒲田駅東口徒歩２〜３分程度

-8-

至羽田行本
浜急

京急蒲田

京JR蒲田
JR京浜東北線

ＪＲ

品川

一京
浜

東京線

京浜東北線

八王子

京急

JR中央線

東口
蒲田

田端

ＪＲ
蒲田

JR京浜東北線

至品川呑川

大田区産業プラザ