「様式３」課題番号 P-18

ナノカーボン等の先端材料を用いたMEMS/Nanotechnology による極限画像科学の研究の Dr. Dan Van Ostrand を海外より招待し、［１］組織
代表者：Prof. William I. Milne（Cambridge University, U.K）
対応者：中本 正幸（静岡大学電子工学研究所）
分担者：
Prof. William I. Milne(Cambridge University, U.K)
Prof. Didier Pribat(Ecole Polytechnique, France)
Prof. Yvan Bonnassieux(Ecole Polytechnique, France)
Prof. Jin Jang
(Kyung Hee University, Korea)
Prof. Kyu-Chang Park
(Kyung Hee University, Korea)
Dr. Rashmi Rao(Qualcomm MEMS Technologies Inc., U.S.A)
Dr. Dan Van Ostrand(UniPixel Displays Inc., U.S.A)文 宗鉉(静岡大学電子工学研究所）［２］研究経過
MEMS、ナノデバイス、カーボンナノチューブ、ディスプレイ等の研究で国際的に著名な英国
Cambridge University の Prof. William I. Milne、フランス Ecole Polytechnique の Prof. Didier
PribatとProf. Yvan Bonnassieux、
韓国Kyung Hee
University の Prof. Jin Jang と Prof. Kyu-Chang
Park、米国 Qualcomm MEMS Technologies Inc.の Dr. Rashmi Rao、米国 UniPixel Displays Inc.

国 際 学 術 会 議 、 The 4th International
Nanotechnology/MEMS Seminar を開催した。
最先端研究開発・技術について 11 月 29 日に、国際学術会議を開催し、各分野で最新の研究成果の発表と質疑応答を行った。
［３］成果（３－１）研究成果
Cambridge University の Prof. William I. Milne
は 「 OptimisationofCNTsandZnO

Nanostructures for Electron Sources」について講演を行った。マイクロ波増幅器や X 線源へ応用できる高いエミッション電流密度をもつ高配向カーボン
ナノチューブ、バラスト抵抗を用いたエミッション電流の制御、およびバックライトや照明へ応用できる低電流密度の微少電子源として ZnO ナノワイヤーについて講演した。高配向、均一性が高いカーボ
ンナノチューブアレイを用いたマイクロ波変調器を作製し、1.5GHz に 12A/cm2、32GHz に 1.4A/cm2のマイクロ波増幅器への応用ができる高いエミッシ
ョン電流密度が出る。
Ecole Polytechnique の Prof. Yvan Bonnassieux
は「Organic Transistor from behavioral model tocircuit design」について講演を行った。OrganicTFT のcompact modeling とOLED のpixel circuitdesign について説明し、２層のピクセル構造
Organic TFT の低漏洩電流と低閾値電圧特性について講演した。また、Ecole Polytechnique の歴史とナノデバイス、ディスプレイ、MEMS に関する研究テーマについて紹介をした。
Kyung Hee University の Prof. Jin Jang は印刷方法半導体と絶縁膜を用いた Organic TFT や透明電極を作製し、次世代ディスプレイや太陽電池への応用について講演した。

Kyung Hee University の Prof. Kyu-Chang

され、エミッタ性能の劣化が大きな障害となっていPark は「Functionalized carbon nanotube forる。また、宇宙空間などの苛酷な環境でもエミッタnanoelectronic devices」について講演を行った。

性能の劣化が大きな障害となっている。高信頼性、RAP (Resist-Assisted Patterning)方法で成長し高い電流安定性がある耐過酷環境性・低仕事関数材

た垂直配向カーボンナノチューブの作製と電子電流料を用いた金型転写モールド法微小電子源を開発し、放出特性について講演した。

均一性再現性が大きく一般照明用フィールドエミッ

米国 Qualcomm MEMS Technologies Inc.の Dr.

ションランプや宇宙・原子力・耐環境用真空ナノデ

Rashmi Rao は「Emerging front light for reflective

バイスの実現を目指す。苛酷な酸素ラジカル雰囲気

displays」について講演を行った。Qualcomm

下で、低仕事関数材料窒化チタン被覆した転写モーMEMS Technologies Inc.社は携帯端末用 MEMS

ルドエミッタアレイの電子電流放出安全性についてディスプレイを開発した。低消費電力を実現し、明講演した。

るい陽射しの下などを含め、様々な環境下でもディ合計８名の講演者による研究会を行った。MEMS、スプレイを鮮明に表示できる画期的な最先端技術でナノデバイス、カーボンナノチューブ、ディスプレある。蝶の羽が光にきらめくのと同じ原理を利用しイ等に関する最先端の研究成果の発表と情報交換をている。反射技術をベースにした Mirasol ディスプ行うことが出来た。

レイはバックライトが必要のため携帯端末で従来使用されている標準のディスプレイより消費電力を大幅に低減。光を反射させて特定の波長を互いに干渉させる発色原理について講演した。

（３－２）波及効果と発展性など
MEMS、ナノデバイス、カーボンナノチューブ、ディスプレイ等の研究で国際的に著名な研究者を結米国 UniPixel Displays Inc.の Dr. Dan Van

集することにより、ナノカーボン等の先端材料を用

Ostrand は 「 MEMS based time multiplexed

いた MEMS/Nanotechnology による極限画像科学

optical shutter (TMOSTM) full color display」につに大きく寄与することが期待される。

いて講演を行った。MEMS 技術を用いた TMOS(Time Multiplexed Optical Shutter)を作製し、低消［４］成果資料

費電力、高い輝度、LCD に比べて 1000 倍以上の早（本プロジェクトで研究された研究成果が掲載されい pixel 速度等の特徴を持つ次世代 MEMS ディている主要論文リスト掲載してください。
）

スプレイ素子について講演をした。2 microsecond（1) M. Nakamoto and J. H. Moon, “Suitabilityのピクセル速度、12V 以下の駆動電圧、38%以上のof low-work-function titanium nitride coated

光効率を持つ、プロトタイプ MEMS ディスプレイ

transfer mold field-emitter arrays for harshの映像を講演で紹介した。

environment applications”, J. Vac. Sci. Technol. B

Ecole PolytechniqueのProf. D. PribatはMEMS

29(2),pp02B112-1-5(2011).

技術を用いた、カーボンナノチューブ（CNT）、グ(2) Masayuki Nakamoto, Jonghyun Moon, andラフェン (Graphene) や Si ナノワイヤの TFT やKoji

MEMS スイッチング素子への応用について講演を

nanometer-order行った。

field-emitter arrays”, J. Vac. Sci. Technol. B 28(2),静岡大学電子工学研究所の中本正幸教授及び文宗Shiratori,“Lowcontrolledwork

functiontransfermold

ppC2B1-C2B5 (2010)

鉉助教は「耐環境性低仕事関数材料を用いた転写モ（3）S. Manivannan, Je Hwang Ryu, Han Eolールドエミッタアレイの苛酷環境下における電界放Lim, M. Nakamoto, Jin Jang, and Kyu Chang

出電流安定性」について講演を行った。

Park, “Properties of surface treated transparent

微小電子源の作製である真空封止工程において、conducting single walled carbon nanotube films”,

エミッタが、高温度大気及び様々なガス雰囲気に曝J Mater Sci: Mater Electron, 21, pp.72–77 (2010).

出張報告（１）氏 名： Prof. William I. Milne
所 属：Cam bridge University、U. K.
期 間：2010/11/26-11/30
用務先：静岡大学電子工学研究所
用務内容：研究打ち合わせ及び国際会議参加
主たる対応者：中本 正幸（２）氏 名： Prof. Didier Pribat
所 属：Ecole Polytechnique, France期 間：2010/11/26-11/30
用務先：静岡大学電子工学研究所
用務内容：研究打ち合わせ及び国際会議参加
主たる対応者：中本 正幸（３）氏 名： Prof. Yvan Bonnassieux
所 属：Ecole Polytechnique, France期 間：2010/11/26-11/30
用務先：静岡大学電子工学研究所
用務内容：研究打ち合わせ及び国際会議参加
主たる対応者：中本 正幸（４）氏 名： Prof. Jin Jang
所 属：Kyung-Hee University, Korea
期 間：2010/11/26-11/30
用務先：静岡大学電子工学研究所
用務内容：研究打ち合わせ及び国際会議参加
主たる対応者：中本 正幸（５）氏 名： Prof. Kyu-Chang Park
所 属：Kyung-Hee University, Korea
期 間：2010/11/26-11/30
用務先：静岡大学電子工学研究所
用務内容：研究打ち合わせ及び国際会議参加
主たる対応者：中本 正幸