２００５ 第１５回 ＲＣＪ信頼性シンポジウムのご案内（電子デバイスの信頼性シンポジウム、EOS/ESD/EMCシンポジウム）
全体プログラム
日時： 2005年11月10日（木）〜11日（金）
日時
項目
会場
午前

昼

午後
前半

午後
後半

展示会

開催場所：大田区産業プラザ

11月10日（木）11月11日（金）電子デバイスの信頼性
EOS/ESD/EMC
電子デバイスの信頼性
EOS/ESD/EMC
シンポジウム､シンポジウム
シンポジウムシンポジウム
優秀論文等表彰式
４階コンベンションホール
４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場
Ａ会場
Ｂ会場
(10:00〜12:00)(10:00〜12:00)（10:00〜12:00）(10:00〜12:00)
招待講演「ナノデバイスのESD/EMI」
信頼性セミナー「イオナイザ」（12:00〜12:15）
優秀論文等表彰式（12:15〜13:15）
懇親会（１階展示場脇）（13:30〜15:30）「部品実装技術の信頼性」（13:30〜14:50）
米国優秀論文、表彰受賞者の講演、他（15:45〜17:15）「半導体デバイスの信頼性」（15:00〜17:00）「ESD コントロール技術」(17:10〜18:10)
ラウンドテーブル
ディスカッション（10:00〜17:00）（１階大展示ホール）（12:00〜13:00）（12:00〜13:00）

休憩

休憩（13:00〜16:40）（13:00〜14:40）「半導体デバイスの ESD」

信頼性セミナー「ULSIのバーイン技術及び最近の話題」

主催 財団法人 日本電子部品信頼性センター
協
賛 社団法人 電子情報技術産業協会 社団法人 日本電機工業会( 順 不 同 ) 社団法人 日本電気計測器工業会 財団法人 日本規格協会
社団法人 日本電子回路工業会
財団法人 日本科学技術連盟
財団法人 光産業技術振興協会
日本信頼性学会
財団法人 ﾍﾞﾝﾁｬｰｴﾝﾀｰﾌﾟﾗｲｽﾞｾﾝﾀｰ 社団法人 日本応用磁気学会
IDEMA JAPAN（15:00〜16:30）
パネルディスカッション「今後の半導体デバイスにおける ESD 保護回路」
無し

社団法人 電子情報通信学会
社団法人 電気学会
社団法人 静電気学会
情報通信ネットワーク産業協会
ＳＰＥ日本支部

参加のお勧めRCJ信頼性シンポジウムは、電子部品、電子デバイス、電子機器等の信頼性技術者・生産技術者を対象に、信頼性及びESDという共通のテーマで論文発表・討論しあい、より進歩した信頼性向上技術、ESD障害対策技術等の分野での発展に寄与することを狙いとしています。本シンポジウムは、電子デバイスの信頼性問題を中心に扱う電子デバイスの信頼性シンポジウム及び静電気関連問題を中心に扱うEOS/ESD/EMCシンポジウムからなっています。
今年で、15回目を迎えました。今年は、昨年に引き続き、ESD保護対策が必須のGMRヘッド、半導体のESD問題、EMI問題、ESD対策技術に関する多数の論文投稿を頂きました。特に、今年はコンシューマエレクトロニクスとESD/EMIと題するラウンドテーブルディスカッション、及び微細CMOSの保護回路技術に関するパネルディスカッションを設けました。また、鉛フリーはんだ実装技術及び微細半導体デバイスの信頼性に関する発表等もあります。
さらに、同会場１階大展示場で、静電気（ESD）対策用資材、計測・評価試験装置及び半導体LSI等の環境試験装置、故障解析技術サービス等をテーマとした“信頼性・ESD対策技術展示会”を同時開催いたします。今年も、昨年好評頂きました“ESD対策モデルルーム”の展示を、内容を充実して行います。
日頃、この方面でご活躍の皆様の多数のご参加をお勧め致します。
最新版プログラムは RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）をご覧下さい。
-1-第１５回 電子デバイスの信頼性シンポジウム、優秀論文等表彰式
開催日： ２００５年１１月１０日(木) １０：００〜１７：１５
会 場： ４階コンベンションホール（A会場）
開会の挨拶（10:00~10:05）
久保 陽一 （RCJ 専務理事）
セッション名： 鉛フリーはんだ接続技術信頼性
司会 久保 陽一 （RCJ 専務理事）（10:05~11:00） 招 待 「電気製品のリユースに関する国際規格IEC 62309(2004): Dependability of products
containing reused parts – Requirements for functionality and testとJIS化」
夏 目 武 （文教大学大学院 情報学研究科）（11:00~12:00） 招 待 「信頼性から見た鉛フリー化と課題」
伊藤 貞則 （オムロン（株））
第１４回ＲＣＪ信頼性シンポジウム優秀論文賞等表彰式 (12:00~12:15)
挨拶鈴木 務（電気通信大学/日本工業大学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員長）
表彰式
鈴木 務 （ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員長）＜優秀論文賞＞「電源クランプに関する研究」
鈴木 輝夫1、岩堀 淳司1、森田 晃生1、高岡晴義1、齋藤 則章2、相澤 克明2、
橋本 賢治2、広地 勝治2、市野 尚治2 （1富士通VLSI（株）、2富士通（株））
その他の賞は後日発表します。

懇親会（12:15~13:15） （場所：１階大展示場）
ＲＣＪ信頼性シンポジウム参加の皆様は自由にご出席下さい（無料）。
セッション名： 部品実装技術の信頼性
座長： 穴山 汎 （ＲＣＪ）（13:30~14:00） 15S-01 「基板付けした積層コンデンサのたわみ応力シミュレーション」
中野 牧人＊1, 斎藤 彰＊1, 吉川 祐司＊2（*1（株）村田製作所、*2（株）福井村田製作所）「多層基板の耐CAF（Conductive Anodic Filament）性評価」（14:00~14:30） 15S-02
久世 晶子、青木 雄一、戸井 恵子（エスペック株式会社）（14:30~15:00） 15S-03 「鉛フリーはんだのはんだぬれ性試験における温度条件の影響と急加熱昇温法における時間-ぬれ曲線の考察」
宗沢 薫、 鎌田 信雄、 野口 博司 （（株）村田製作所）（15:00~15:30） 15S-04 「フリップチップはんだバンプのエレクトロマイグレーション評価手法」
宮崎 徹、井上 暁、小俣 朋哉（ＮＥＣエレクトロニクス（株））
休憩（15:00~15:15）
セッション名： 半導体デバイスの信頼性
座長： 横川 慎二（ＮＥＣエレクトロニクス（株））（15:45~16:15） 15S-05 「極薄膜世代のＴＤＤＢ寿命予測手法の考察」
土肥 靖弘、牟田 まどか（（株）東芝 セミコンダクター社）「低い累積故障確率におけるエレクトロマイグレーション寿命とボイド形成」（16:15~16:45） 15S-06
土屋 秀昭、横川 慎二（ＮＥＣエレクトロニクス（株））（16:45~17:15） 15S-07 「不揮発性メモリ EEPROM のデータリテンション不良解析」
花田 和弘*1、長峰 真嗣*1、栗原 美智男*1、原 啓良*1、冨田 紀子*2（*1（株）東芝セミコンダクター社、*2 東芝ナノアナリシス（株））-2-第１５回 電子デバイスの信頼性シンポジウム（続き）
開催日： ２００５年１１月１１日（金） １０：００〜１６：４０
会 場： ４階コンベンションホール（Ａ会場）

信頼性セミナー： ＵLSIのバーンイン技術及び最新の話題
司会： 木村 忠正 （電気通信大学）（10:00~10:20） 「あいさつ（故障物理研究委員会活動）」（10:20~11:10） 「サブミクロンLSI摩耗故障とバーンイン」（11:10~12:00） 「歩留りと信頼性の関係及びバーンイン最適化」

木村 忠正（電気通信大学：故障物理委員会委員長）
横川 慎二（NECエレクトロニクス（株））
塩野 登（ＲＣＪ）

昼食休憩（12:00~13:00）
司会： 大日方 浩二 （ソニー（株）SSNC）（13:00~13:50） 「システムLSIの市場不良モードとバーンイン技術」（13:50~14:40） 「先端デバイスのNBTI劣化現象」

鈴木 一彦（（株）東芝 セミコンダクター社）
大日方 浩二（ソニー（株）SSNC）

休憩（14:40~15:00）
馬場 智也（シャープ（株））「最近のSOI（Silicon On Insulator）デバイス技術と 堤 利幸
（15:50~16:40）
信頼性」（明治大学 理工学部）（15:00~15:50） 「3次元構造MOSFETと信頼性」＜要旨＞
LSI の微細化と連動して常に問題となってきた信頼性の課題は、ゲート酸化膜の経時破壊（TDDB）、配線のエレクトロマイグレーション（EM）およびストレス誘起ボイド形成（SIV）、ホットエレクトロン（HC）に起因する特性劣化、負バイアス温度不安定性（NBTI）などの摩耗故障である。ゲート酸化膜が 2nm を切り TDDBの故障メカニズムや故障の特性が大きく変り、また、Cu 配線材料の導入によりストレス誘起ボイド形成による故障が現れ、その対策に、ここ数年の間、信頼性研究者、技術者の多大な苦労と貢献があった。
一方、実用的には、歩留まり、初期故障、ゼロタイム故障（テスタビリティの問題でテストすり抜けによる故障）等が問題となる。プロセス変動や環境変動、また微小パーティクルの混入により、ストレスに非常に弱く初期故障を起しやすい製品が生じ、このような不良素子を除去するために、出荷前にバーンインスクリーニングを行うのが一般的である。このようなスクリーニング手法開発には、故障物理をこれまで以上に導入する必要がある。しかし、偶発的故障事象と故障物理との関連付けの困難性があり、ノウハウ的な要素も多いため、これらの問題に対し、故障物理的視点から科学的に検討した研究論文の発表は非常に少ない。
RCJ 故障物理研究委員会の平成の 15 年、16 年度の活動では、LSI の初期故障、バーンイン技術を主テーマとして取り上げた。当初、これらに関する文献は少なく調査研究は困難と思われたが、調査を進めるにしたがい、初期故障モード、メカニズム、分布、初期故障と歩留まりやトランジスタ初期特性との関係、バーンインの得失、バーンインに替わるスクリーニングの方法などの研究が意外と進んでいることが分かった。これらの調査研究を基に、研究段階から実際の市場出荷品まで、最新 ULSI の初期故障とバーンイン技術に関しての成果報告書を作成することができました。本セミナーでは、昨年に引き続き、内容を充実して、これらの研究調査の成果について報告いたします。
また、最新の話題として、3 次元構造トランジスタ、NBTI、さらには SOI デバイス技術とその信頼性に関しても調査研究を行った。その成果についても報告致します。

-3-第１５回 ＥＯＳ/ＥＳＤ/ＥＭＣシンポジウム プログラム
開催日： ２００5年１１月１0日（木） １０：００〜１８：１０
会 場： ４階コンベンションホール（Ｂ会場）
セッション名： ナノデバイスのESD/EMI 座長： 大津 孝佳 （（株）日立グローバルストレージテクノロジーズ）（10:00~10:20） 15E-01 「被覆電線からGMRヘッドへの放電現象の検討」
早田 裕 （ソニー（株））（10:20~10:40） 15E-02 「ESDSデバイスに対する2次ESDの影響」
小池 志郎 （東京電子交易（株））（10:40~11:00） 15E-03 「ハードディスクドライブの熱的信頼性の考察」
溝尾 嘉章、青野 暁史、中北 勝 （パナソニック四国エレクトロニクス（株））（11:00~11:20） 15E-04 「機内で使用する携帯電子機器からのEMI対策の検討」
平田 俊清 （RAエンジニアリングハウス）（11:20~11:40） 15E-05 「衝突ＥＳＤの発生とその電磁妨害作用」
本田 昌實 （（株）インパルス物理研究所）（11:40~12:00） 15E-06 「GMR/TMRヘッドのEMIに関する検討」
名取 章二、和田辰彦、伊藤裕蔵、坂田博政、片岡宏治＊、大津孝佳＊、田辺英男 ＊（日立コンピュータ機器（株）、*（株）日立グローバルストレージテクノロジーズ）
休憩（12:00~13:30）: A会場での優秀論文賞等表彰式その後の１階展示場脇での懇親会にご参加下さい受賞記念講演（13:30~14:50）
司会： 塩野 登 （RCJ）（13:30~14:00） ２００４年 米国ＥＯＳ/ＥＳＤシンポジウム 優秀論文
「ESD Protection for a 5.5 GHz LNA in 90 nm RF CMOS ‒ Implementation Concepts, Constraintsand Solutions」
S. Thijs, ○M.I. Natarajan, D. Linten, V. Vassilev, T. Daenen, Andries Scholten,
R. Degraeve, P. Wambacq, G. Groeseneken （IMEC, Belgium）＜優秀論文賞＞ 「電源クランプに関する研究」（14:00~14:20）
鈴木 輝夫1、岩堀 淳司1、森田 晃生1、高岡晴義1、齋藤 則章2、相澤 克明2、
橋本 賢治2、広地 勝治2、市野 尚治2 （1富士通VLSI（株）、2富士通（株））＜特別講演＞ 「300 mm Wafer Static Control Issue」
Arnold Steinman （ION Systems、米国ESD Association Member）（14:20~14:50）
休憩（14:50~15:00）
セッション名： ESDコントロール技術
座長： 藤江 明雄（(株)カイジョー）（15:00~15:20） 15E-07 「ESD対策評価の単純化と合理化」
村崎 憲雄 （東京農工大学 名誉教授）（15:20~15:40） 15E-08 ｢ESD対応材料の電気的な均一性評価」
西畑 直光、川崎 達也、森村 克宏、小松 勇一、畠 慎也 （呉羽化学工業（株））（15:40~16:00） 15E-09 ｢CDM対策用静電気導電性ピンセットについて」
沼口 敏一、中川 徹、内田 秀樹、岡田 幸久 （住友スリーエム（株））（16:00~16:20） 15E-10 ｢低電圧空気中／リードスイッチ放電の放電抵抗の電圧依存性｣
磯福 佐東至 （東京電子交易（株））｢CHARM®-2:
Equipment and Process Monitor for Manufacture of Charge-Sensitive（16:20~16:40） 15E-11
Devices」 Wes Lukaszek（Wafer Charging Monitors, Inc.）（16:40~17:00） 15E-12 ｢Electrometer for Electrostatic Potential Measurement」
M. A. Noras1, S. Yamaguchi2, B. T. Williams1, J. Kieres1（1 Trek, Inc. 2 Trek Japan KK）
休憩（17:00~17:10）（17:10~18:10） ラウンドテーブルディスカッション：「コンシューマエレクロトロニクスとESD/EMI （IDEMA Japanコラボレーション）」
趣旨：次世代半導体技術、テラバイト情報ストレージ技術、ネットワークデバイス技術に代表されるナノデバイスのアプリ
ケーションとして、ハードディスクドライブは、HDDレコーダ、カーナビ、MP3プレーヤ、携帯電話など身近な製品に使われるようになってきた。そこで、コンシューマHDDの市場動向と共に、今後のESD/EMI対策についてディスカッションを行う。
-4-講演：「コンシューマHDDの市場動向」
堀内 義章 （ピクシーピナクル）
コーディネータ：大津 孝佳（日立GST）
パネラー：田中 彰二（SONY）、溝尾 嘉章（パナソニック）、長瀬 由樹（日本HP）、仲島 智秀 （富士通）、津波古 和司（日立GST）、岡野 一雄（職能開大）、小林 和雄（富士通）、早田 裕（SONY）、本田 昌實（インパルス物理研究所）他

第１５回 ＥＯＳ/ＥＳＤ/ＥＭＣシンポジウム プログラム（続き）
開催日： ２００５年１１月１１日（金） １０：００〜１６：３０
会 場： ４階コンベンションホール（Ｂ会場）
セッション名： イオナイザ
座長： 早田 裕 （ソニー（株））「ACコロナ放電型イオナイザの除電速度に及ぼす周波数と風速の効果(Ⅰ)（10:00~10:20） 15E-13− 実験的検討 −」吉岡 ひさよ、依田 安基、岡野 一雄 （職業能力開発総合大学校）（10:20~10:40） 15E-14 「AC コロナ放電型イオナイザの除電速度に及ぼす周波数と風速の効果 (Ⅱ)- シミュレーションによる検討 -」依田 安基、吉岡 ひさよ、岡野 一雄 （職業能力開発総合大学校）（10:40~11:00） 15E-15 「交流コロナ除電のコンピュータシミュレーション」
大澤 敦 （（独）産業安全研究所）（11:00~11:20） 15E-16 「セラミックストランス式イオナイザの空間電荷濃度制御」
氏家 翔太、岡野 一雄 （職業能力開発総合大学校）（11:20~11:40） 15E-17 「軟 X 線式静電気制御システムの応答速度」
芳賀 亮太、岡野 一雄 （職業能力開発総合大学校）（11:40~12:00） 15E-18 「遮蔽構造を有する軟X線イオナイザーの開発」
佐藤 朋且、鈴木 政典 （（株）テクノ菱和）
昼食休憩（12:00~13:00）
セッション名： 半導体デバイスのESD
座長： 石塚 裕康 （（株）ルネサステクノロジ）（13:00~13:20） 15E-19 「デバイス帯電モデル試験機の再考」
児玉 紀行*1、塚越 常雄*2 （*1:NECエレクトロニクス（株）、*2：NEC）（13:20~13:40） 15E-20 「電源クランプに関する考察」
鈴木 輝夫、岩堀淳司、森田晃生、高岡晴義、野村俊雄* 橋本賢治* 市野尚治*（富士通VLSI（株）、*富士通（株））（13:40~14:00） 15E-21 「TDR-TLP測定における抽出ESDパラメータを用いた半導体デバイスのESD保護設計手法」
福田 保裕、黒田 俊一 （沖エンジニアリング（株））（14:00~14:20） 15E-22 「半導体デバイスにおける低保持電圧ESD保護素子のESDサージ誤動作解析及び対策手法」
黒田 俊一、福田 保裕 （沖エンジニアリング（株））（14:20~14:40） 15E-23 「 SCR based ESD protection of Output Drivers in EPI technologies avoiding
competitive triggering」
Bart Keppens, Olivier Marichal, Benjamin Van Camp （Sarnoff Europe）
休憩（14:40~15:00）（15:00~16:30） パネルディスカッション： 「今後の半導体デバイスにおけるESD保護回路」
趣旨：半導体デバイスは、SOIデバイスをはじめてとして、各種ESDサージに対し脆弱な構造に急速に変化しつつあり、従来のESD耐性を確保しようとするため、ESD保護素子、ESD保護回路設計手法の開発が急がれている。そこで、今回、ESD保護開発方法の変化を紹介し、次世代のESD保護はどう開発されるべきか、議論する。
コーディネータ： 福田 保裕 （沖電気工業（株））
パネリスト： Bert Keppens (Sarnoff Europe)、鈴木 輝夫（富士通VLSI）、
石塚 裕康（ルネサステクノロジ）、M.I. Natarajan（IMEC）、森下 泰之（NECエレクトロニクス）-5-信頼性・ESD 対策技術展示会（無料）（静電気障害対策技術、信頼性評価技術及び故障解析技術を扱う専門の展示会）
静電気の影響を受けやすい電子デバイス・部品、電子機器などを扱う信頼性技術者、生産技術者の方々を対象に、より進歩した静電気障害対策技術、信頼性評価技術、故障解析技術を扱う専門の展示会です。多くの専門メーカが展示しますので、最新の技術情報収集のためにも是非お役立て下さい。

期日： 平成 17 年 11 月 8 日（火）〜10 日（木）： 10:00〜17:00
会場： 大田区産業プラザ（東京 蒲田）1 階大展示場
同時開催： ESD 対策技術セミナー（無料：資料代有料）、信頼性・ESD 対策技術ワークッショップ（無料）
同会場内特設会場にてESD対策技術基礎セミナー（参加費無料、資料代5,000円）
・出展社主催のESD対策技術基礎セミナーを行います。参加費は無料ですが、資料代は有料です。
・本セミナーは、ESDCコーディネータセミナーと関係ありません。目的は静電気現象の実験を交えて説明すると共に静電気対策に使用される各種機器のデモンストレーションを行い、より実務的な分かり易い内容のセミナーと成っています。
日付

時間
講師
10:30~12:00 鈴木 輝夫 （春日電機（株））
11 月 8 日（火）13:00~14:30 高橋 忠 （トレック・ジャパン（株））
佐土原 秀樹10:30~12:00
11 月 9 日（水）（東京電子交易（株））
13:00~14:30 西畑 直光 （呉羽化学工業（株））
10:30~12:00 川村 智紀 （ミドリ安全（株））
11 月 10 日（木）13:30~15:00 山口 晋一 （トレック・ジャパン（株））

セミナーテーマ： ESD対策技術基礎
ESD対策に使用される装置（イオナイザー）
静電気現象と静電気対策
デバイス試験（ESD､CDM波形規格・試験方法）
ESDコントロール材料
静電対策用靴、手袋等
計測と静電気対策

出展社による無料の信頼性・ESD対策技術ワークショップもあります。
出展社名
アキレス（株）沖エンジニアリング（株）（株）コガネイ
ショーワ（株）（株）東陽テクニカ
阪和電子工業（株）
松本技研（株）（株）いけうち春日電機（株）シシド静電気（株）
住友スリーエム（株）
トレック・ジャパン（株）
ヒューグルエレクトロニクス（株）
ミドリ安全（株）

エスペック（株）
呉羽化学工業（株）
シムコジャパン（株）
東京電子交易（株）
原田産業（株）
ファブソリューション（株）（財）日本電子部品信頼性センター★詳細は別途案内状をご覧下さい。（RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）にも掲載しています）。

-6-＜参加要領＞
参加区分（開催日）

テキスト① 11月10日､11日:（2日間）

1) RCJ信頼性シンポジウム発表論文集（電子デバイスの信頼性シンポジウム、EOS/ESD/EMCシンポジウム）② 11月10日:（1日間）③ 11月11日:（1日間）

参加費（消費税を含む）（円）RCJ会員･非会員
協賛団体会員場所、定員

２０,０００２５,０００

１２,０００

１５,０００

１２,０００

１５,０００４階
A、B会場（注：電子デバイス、EOS/ESD/EMCシンポジウム両方の聴講可能）
2）平成16年度故障物理研究委員会成果
報告書（信頼性セミナー用テキスト）（注：このテキストは希望者に配布します）

300名〒103-0027 東京都中央区日本橋3-4-13 新第一ビル TEL：03-3272-2736、FAX：03-3272-2926（財）日本電子部品信頼性センター 総務部
E-mail： masunaga@rcj.or.jp
申込締切： 11月1日（火）申込方法：「参加申込書」を上記あて送付すると共に、「参加費」を現金書留又は銀行振込でご送金下さい。
銀行振込の手数料は、申込者負担です。銀行振込の場合は、振込内容（振込予定日（分かる場合）、金額、振込人名義）を参加申込書に明記して下さい。
なお、請求書及び領収書の発行を致しますので、必要な場合はその旨申込書にご記入下さい。
参加申込者には、参加券とシンポジウム発表論文集及び関連資料を送付致します。
振込銀行 三菱信託銀行、本店 普通預金口座 3546421
口 座 名 ： （財）日本電子部品信頼性センター
申込先：

きりとり線
・FAXの場合は切り取らずこの用紙のままご送付下さい。

参加申込書
区分欄に上記表の①、②、③の参加区分を必ず記入して下さい。
会 社 名
所 在 地
〒

会員又は否に○印を付けて下さい
RCJ会員・協賛団体会員

否ＴＥＬ*受理番号区分

氏 名所 属

平成16年度故障物理研究委員会成果報告書の要否（該当箇所に○を付けて下さい）

ご記入して下さい。
●支払方法
現金書留／銀行振込●振込予定日
月日 ●振込金額●振込人名義円*受理番号欄には、記入しないで下さい

-7-

要不要

要不要

要不要

備考（請求書、領収書の要否（該当箇所に○を付けて下さい））
請求書
要不要
領収書
要不要

◆会場ご案内
至品川

JR常磐線
日暮里

新宿

上野

東急蒲田

JR総武線

JR川崎
京浜急行

大田区産業プラザ

至横浜

第環状八号線

羽田

至横浜

会場案内図

会場： 大田区産業プラザ： ４階コンベンションホール、１階大展示場〒144-0035 東京都大田区南蒲田１−２０−２０
交通： 京浜急行線・空港線/京急蒲田駅より徒歩約２分(品川・横浜・羽田空港よりの所要時間各約１０数分)
ＪＲ京浜東北線/蒲田駅より徒歩約１２分◆宿泊施設のご案内
遠方からお越しの方で宿泊が必要な場合下記のホテルに直接連絡してご利用下さい。
（１） ホテル パネックス
ＴＥＬ： ０３−５７０３−１１１１
東京都大田区蒲田５−９−１９（２） 東横イン 蒲田東口
ＴＥＬ： ０３−３４４０−５４８９（予約センター）
東京都大田区蒲田５−１８−４（３） 三井ガーデンホテル蒲田 ＴＥＬ： ０３−５７１０−１１３１
東京都大田区蒲田５−１９−１２注）（１）、（２）、（３）ともＪＲ蒲田駅東口徒歩２〜３分程度

-8-

至羽田

行本
浜急

京急蒲田

京JR蒲田
JR京浜東北線

ＪＲ

品川

一京
浜

東京線

京浜東北線

八王子

京急

JR中央線

東口
蒲田

田端

ＪＲ
蒲田

JR京浜東北線

至品川呑川

大田区産業プラザ