J. Plasma Fusion Res. Vol.85, No.4 (2009)１
６５‐１７６

小特集 ドライエッチングの科学と技術の新局面

２．ドライエッチングのモデルとその実験検証
斧高 一，江 利 口 浩 二

京都大学大学院工学研究科（原稿受付：２
０
０
９年３月１
７日）

プラズマエッチングのモデリング，特に，微細加工形状進展を再現するためのモデルについて，塩素系プラズマによる Si エッチングを中心に説明するとともに，プラズマダメージについても言及する．著者等の新しい現象論的モデル（原子スケールセルモデル）は，これまでの多くの形状進展モデル（特性曲線法，ストリングモデ
ル，ショックトラッキング法，レベルセット法，レイトレイシングモデル，セルリムーバルモデル）と，分子動力学（MD）シミュレーションによる形状進展モデルとの中間に位置する．原子スケールセルモデルは，被エッチ
ング表面を含む解析領域を，基板原子１個を含む原子スケールの微小セルに分割して扱うことにより，ナノス
ケールのエッチング加工形状のみならず，表面反応層・堆積層の構造や化学組成，表面ラフネスなどを再現できる特徴を有する．また，鋭い残渣・ノッチ・マイクロトレンチなどの形状異常の進展を再現できることも特徴である．形状シミュレーションと実験との比較の一例も示し，このモデルの考え方と限界について議論する．
Keywords:
plasma etching, modeling, simulation, nanometer-scale etching, Si etching, gate electrode, shallow trench isolation (STI),
chlorine- and bromine-containing plasmas, feature profile evolution, plasma damage

２．
１ はじめに状進展を再現するための新しい現象論的モデル（原子ス

プラズマを用いたドライエッチング技術の高精度・高性

ケールセルモデル）について，著者等の最近の研究を中心

能化，および今後のナノスケールのプラズマエッチング技に［１０‐１３］，モデルの考え方，形状シミュレーション結果，術の研究開発において［１‐３］，プラズマ反応装置（プラズマ実験との比較，および今後の課題について述べる．このモリアクタ）におけるプラズマの物理的・化学的状態とプラ

デルは，被エッチング表面を含む解析領域全体を，基板原

ズマ・表面相互作用に関するより詳細で高度な理解，そし

子１個を含む原子スケールの微小セルに分割して扱うことてそれらの高精度な制御が，今後一層重要となる［４‐７］．こにより，ナノスケールのエッチング加工形状のみならず，のような状況の下，プラズマエッチングのモデリング・シ

表面反応層・堆積層の構造や化学組成，表面ラフネスなど

ミュレーションは，実験と相補的なバーチャルプロセスとを再現できる特徴を有する．また本章では，プラズマエッ

よぶこともでき［８］，学術的な基礎過程の理解・解明の観チング時に生じるデバイスへのダメージについても言及す

点のみならず，実用的な技術開発の高度化と効率化のためる．

にも，その必要性・重要性がますます高まっている．

２．
２ 半導体プロセスにおけるシリコンエッチング

プラズマプロセスのモデリング・シミュレーションは，一般に，プラズマリアクタ（装置）を対象とするプラズマ

シリコンをベースとした半導体集積回路デバイス（Si-

シミュレーションと，基板表面でのプロセスシミュレー

LSI）の製造工程において，Si エッチング技術は，フロント

ションに大別できる［９］．前者は，装置シミュレーションとエンド（FEOL: front end of the line）プロセスに不可欠であ呼ぶことも多く，基板や電極・リアクタ壁など固体表面上る．ここで，FEOL とは，Si ウエハにトランジスタやキャの空間電荷層（イオンシース）の取り扱いも含む．一方後パシタを形成するプロセス（言い換えれば，配線工程前ま者は，前者あるいは実験から得た，基板表面に入射する反でのプロセス）をさし，Si エッチングは，金属酸化膜半導

応粒子の組成・フラックス・速度分布を入力パラメータと体型電界効果トランジスタ（MOSFET）形成における多結して，基板表面での反応過程，さらに基板表面の微細パ

晶 Si（poly-Si）ゲート電極加工，およびトレンチ素子分離

ターン構造内の粒子輸送と表面反応過程についてモデリン

やトレンチキャパシタ形成における単結晶 Si（c-Si）基板のグ・シミュレーションを行い，プロセス特性（速度，形状，

トレンチ（溝）加工に用いられる［１，８］．図１に Si-LSI の基

選択性，微視的均一性など）を予測する．

本的な断面構造の模式図を，また，図２に poly-Si ゲート電

本章では，塩素系プラズマによる Si エッチングを対象

極加工プロセスフローの例を示す．ゲート電極加工では，に，プラズマエッチングのモデリング，特に，微細加工形

フォトレジストや CVD 酸化膜をマスクに（後者はハードマ

2. Modeling of Plasma-Surface Interactions and Profile Evolution during Dry Etching
ONO Kouichi and ERIGUCHI Kojiauthors’ e-mail: ono@kuaero.kyoto-u.ac.jp, eriguchi@kuaero.kyoto-u.ac.jp

１６５!2009 The Japan Society of Plasma
Science and Nuclear Fusion Research

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.85, No.4 April 2009

このような poly-Si ゲート電極加工，および Si 基板の STI
加工では，形状制御性，さらに前者の場合には下地ゲート
絶縁膜との選択性の観点から，塩素系・臭素系プラズマが主として用いられる．エッチング表面反応機構の観点からいえば［４‐７］，フッ素系プラズマでは，F 原子と Si との反応性が高く，自発的な化学反応によるエッチングが支配的で，パターン側壁にアンダーカットが入り等方的なエッチング形状に至りやすい．一方，塩素系（Cl2）・臭素系（HBr）
プラズマでは，Cl 原子・Br 原子と Si との反応性が低く，自図１

発的化学反応よりイオンアシスト反応の方が支配的とな

Si-LSI の基本的な断面構造の模式図．

り，さらに，パターン側壁および底面における保護膜形成
過程を相補的に発現させる工夫を加えて，エッチングの高異方性および高選択性・低損傷性というトレードオフの強い要求を同時に満たす．

２．
３ プラズマエッチングのモデリング
エッチング加工形状進展のモデルは，一般に，&微細パターン構造内における反応粒子の輸送，'パターン内の被エッチング表面での反応過程，および (被エッチング表
面／界面の時間進展（エッチング形状進展）の３つのモジュールから成る．
２．
３．
１ 基板に入射する反応粒子と，微細パターン内の粒子輸送
基板表面，および微細パターン内の被エッチング表面での反応過程は，まず，表面に入射するイオンや中性の反応
図２

活性種の化学組成，およびそれらの表面入射フラックスとPoly-Si ゲート電極加工プロセスフローの例．

速度分布（入射エネルギーと角度分布），さらに表面温度にスクともよばれる），厚さ 0.1〜0.2 μm の poly-Si 膜（あるいよって決まる．

はWSix/poly-Siのような積層構造のポリサイド膜）を，ゲー

表１に，Cl２プラズマによるSiエッチングにかかわる反応! 高い異方性ト長に相当する線幅＜0.1 μm に加工する．%

粒子を示す［５，６］．Cl２/O２プラズマの場合も同様である．表" 高い寸法精度（側壁のボー（パターン側壁の垂直形状），%には，反応粒子を，その発生源（反応ガス，反応生成物，壁イング・テーパ，側壁裾部のテーパ／裾引き，側壁に隣接からの不純物，マスク物質）と，表面反応での役割（中性

した底面のノッチ・マイクロトレンチなどを抑制し，マスの反応活性種，イオン，保護膜形成種)／堆積種，保護膜# オーバーエッチン
ク幅と加工電極幅との差を最小化），%

形成種*／反応種），の観点から分類して示している．実際

グに際して露出する厚さ 2〜5 nm の薄い下地ゲート絶縁膜のプロセス時のプラズマ中には，反応ガス分子とそのフラ（熱酸化膜・熱酸窒化膜など）に対する高い選択性，およびグメントの中性活性種やイオンのほか，基板からのエッチ$ ゲート絶縁膜に対する低ダメージが特に求められる．
%

ング反応生成物，壁からの不純物，マスク材料からの物質

一方，近年，素子分離の主流となっている浅いトレンチなどが含まれ，基板表面へ入射し，吸着・堆積などの過程

素子分離（STI: shallow trench isolation）のための Si 基板のを通じてエッチング表面反応に影響を及ぼす［４‐７］．この

トレンチ加工では，Si 基板上に窒化膜を形成後，トランジ

ような反応ガス以外に起源を有する反応粒子も，モデリン

スタの活性化領域に相当するスペースをあけて，窒化膜をマスクに，深さ 0.2〜0.3 μm，幅 0.1〜0.2 μm 程度の浅い溝を表１形成する．ここで求められるエッチング加工特性（特に形!側状）は上に述べたゲート電極の場合とはやや異なる．%

Cl２プラズマによる Si エッチングにかかわる反応粒子の発生源と表面反応過程での役割［５，６］．

#ナーのラウンドネス（四角でなく丸みがかった形状），%

SourceImpurity
Reaction
Maskfrom Walls
Feed Gas
Role in
Product
Material
andWindows
Surface Reactions
Neutral Reactant
Cl２, Cl

エッチング深さの精密制御（パターン底面の均一深さ），おIon" 側壁上部・下部コー
壁テーパ（垂直でなくテーパ形状），%

よび$ Si 基板に対する低ダメージなどが求められる．
%

Depositing
Surface Species
Inhibitor Reactive
Species

STI では，Si 基板のトレンチ加工の後，溝に CVD 酸化膜のような誘電体を埋め込むため，埋め込みやすい（言い換えれば，溝への CVD 酸化膜堆積に際して空隙のできない）
溝＋, Cl+
Cl２

＋, O+
O２

CxHya)

SiClx, SiOx
SiOxClyO２, Oa) In case of hard mask (or SiO mask), Si and/or Si compounds simi2形状が必要となる．

lar to reaction products would occur.

１６６

Special Topic Article

2. Modeling of Plasma-Surface Interactions and Profile Evolution during Dry Etching

K. Ono and K. Eriguchi

法により計算して，パターン内の被エッチング表面の各位グにおいて十分考慮する必要がある．
図３に，エッチング中の微細パターン（無限に長い２次置への入射粒子フラックスと入射角度分布を求める．パ

元トレンチ構造）の概念図を示す．プラズマからシースを

ターン内表面での中性粒子の反射（再放出）やイオンの反通過して，エッチング中の基板表面には，イオン，中性の射（散乱）を考慮することも多い．

反応活性種，保護膜形成種!／堆積種（エッチング副生成２．
３．
２ 表面反応過程物），堆積性ガス（C４F８，BCl３など）由来の保護膜形成種／

表２に，Cl２，Cl２/O２プラズマによる Si エッチングにかか

堆積種，および保護膜形成種"／反応種が流入し（フラッ

わる種々の表面反応過程を示す［１２］．エッチング表面反応

!
!
!
!
!
クスはそれぞれ !#
，!$
，!&
，!"
，!%
），パターン内を輸送

は［１５］，①中性の反応活性種による自発的な化学反応（表されて被エッチング表面に到達する．さらにパターン内の中 Reaction (2) with (1)），②イオンによる物理的／化学的ス

表面からは新たに入射粒子と基板原子との反応生成物

パッタリング（Reaction (3), "!!），③イオンと中性活性種（エッチング生成物）が脱離してエッチングが進むとともにの相乗効果によるイオンアシスト反応（Reactions (3) with!
（!'），パターン内を保護膜形成種／堆積種として輸送され(1)），および ④保護膜形成（表面酸化：Reactions (5), (8)て別の表面位置に到達する．プラズマは電気的にほぼ中性

with (9)；保護膜／重合膜堆積：Reactions (10), (11) with (3),であるが，プラズマと接触する基板表面（および電極・(9)），に大別できる．エッチング形状の異方性と材料選択

チェンバ壁など固体表面）上には，空間電荷層であるイオ

性・低損傷性を両立させるには，イオンアシスト反応③がンシースが形成され，正イオンはシース内の電界で加速さ最も重要な反応過程となる．なお表には，これら４種類のれ，基板表面にほぼ垂直に入射する（プラズマ中での熱運

エッチング反応にかかわる，中性活性種の表面吸着（Reac-動に起因して，シース内でガス分子との衝突がない場合でtion (1)），吸着活性種のイオン衝撃による脱離（Reactions

も，完全に垂直ではなく入射角度分布を有する）．一方，ガ(4), (7)），中性活性種の不飽和酸化表面への吸着（Reaction

ス分子や中性活性種など中性の反応粒子は，シースの影響(6)），酸化表面のイオンによるエッチング／スパッタリンを受けず，熱運動速度のまま表面に等方的に入射する．こグ（Reaction (9) ）などの過程も示している．

こで，プラズマからはシースを通して電子も入射する．電

保護膜形成④によるパターンの側壁保護は，中性活性種

子は，例えば基板が絶縁物の場合，微細パターン内表面のあるいは斜め入射イオンの側壁アタックの効果を抑制し，電荷蓄積，ひいてはパターン内でのイオン軌道の曲がりに

エッチング形状の異方性が向上する．さらに側壁への重合かかわるが，表面反応自体には寄与しない．最近の極薄膜堆積を積極的に利用してテーパ形状を得ることもでき，

ゲート絶縁膜上の poly-Si ゲート電極加工や，Si 基板の STI

またパターン底部の下地材料膜表面やマスク表面に材料選加工の場合，表面電荷蓄積の効果は小さく本章では考慮し択的に堆積した重合膜は，中性活性種やイオン入射の効果ない．

を抑制し選択性に寄与する．このような保護膜形成は，反応粒子の微細パターン内での粒子輸送は［１４］，パター

エッチングの加工形状や寸法精度，選択性，およびそれらン内でほかの粒子との衝突はないとして，粒子フラックスの微視的均一性に重大な影響を及ぼすため，イオンアシスの積分方程式，あるいは個々の粒子に対するモンテカルロ

ト反応とともに，その反応機構の一層の理解と制御が，ナノスケールの高精度エッチングにも不可欠である．表面反
応過程の詳細は著者の以前の解説に譲る［４‐７］．関連する反応係数（吸着・付着確率，脱離率，エッチング・スパッ
タリング収率など）は，種々の粒子ビーム（ガス［１６‐２４］，イオン［２５‐３６］）を用いての表面反応のモデル実験，分子動
力学（MD）シミュレーション［３７‐４４］，種々のプラズマ実験（プラズマ・表面診断，モデリング）［４５‐４９］，などにより求められているものを使う．ここで，脱離率およびエッチング・スパッタリング収率は，それぞれ，入射粒子／イ
オン１個あたり表面から脱離する吸着原子数，および基板
原子数をさす．しかし，種々の被エッチング材料と反応粒子の組み合わせに対するデータがすべて揃っているわけでなく，新材料のエッチングや新しい反応ガスによるエッチングを考える場合には，新たに，関連する反応係数の収集・創出が必要となる．
被エッチング表面の各位置での反応速度は，一般に，各

図３

エッチング中の微細パターン（無限に長い２次元トレンチ
構造）の概念図．エッチング加工形状進展のモデルは，微細パターン構造内における（１）
反応粒子の輸送，（２）
被エッチ
ング表面での反応過程，および（３）被エッチング表面／界面の時間進展（エッチング形状進展），の３つのモジュールから成る．

微小表面における反応種・堆積種の被覆率の時間変化を，表２に示すような種々の表面反応過程を考慮した速度方程式により計算し，各微小表面のエッチング・堆積速度を求める［５，６］．この方法では，表面吸着／反応層は最表面の１原子層と仮定する．一方，下の２．
３．
３項に述べるセルモデル
１６７

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.85, No.4 April 2009

では，被エッチング表面を構成する各微小セルに対して展を表現することは難しく，また微小面素（平面と辺）を（各セルは基板原子１個を含む），種々の表面反応過程によ使っての３次元への展開も難しい．ストリングモデルを用る反応粒子の吸着・付着／堆積・脱離を計算し，基板原子いた形状シミュレーションの詳細は，著者の以前の解説に１個を含む微小セルを除去あるいは付加することにより表譲る（粒子輸送は粒子フラックスの積分方程式，表面反応

面／界面の移動を表現し，エッチング・堆積速度を求める

過程は被覆率の速度方程式で扱う）［５，６］．ショックトラッ［１０‐１３］．

キング法やレベルセット法は，ストリングモデルの改良モ

２．
３．
３ 表面形状進展と，原子スケールセルモデル

デルであるが，例えば，近年よく用いられるレベルセット

エッチング加工形状進展シミュレーション（以下，形状法は，２次元解析領域全体を格子（メッシュ）状に分割し，シミュレーションと略す）の開発は，ドライエッチングが各格子点（グリッド）で反応過程解析を行い，レベルセッ

半導体プロセスの実用に供されだした１９７０年代後半あたり

ト関数を用いて表面／界面形状とその時間変化を計算すに始まるが［５０］，本格的な研究開発は，計算機の発達にとる．計算も比較的安定で，３次元への拡張も容易であるが，もな い１９８０年 代 後 半 か ら で あ ろ う［５１‐５３］．形 状 シミュ

やはり鋭い形状異常の進展を表現することは難しい．これ

レーションにおける形状進展（表面／界面移動）の表現にに対し，セルリムーバルモデル（セルモデル，セルラーモ

は，これまで，特性曲線法（method of characteristics）［５４

デルともよぶ）は，やや数学的厳密性に欠けるが，形状異‐５７］，ストリングモデル（string model）［５８‐６８］，ショック常の進展も取り扱うことができ，また３次元への拡張も容トラッキング法（shock-tracking method）［６９，７０］，レベル易である．これまでのセルモデルではセルの１辺が 5 nmセット法（level set method）［７１‐７８］，レイトレイシングモ程度である．

デル（ray-tracing model）［７９］，セルリムーバルモデル（cell

図４に，著者等の原子スケールセルモデルの概念図を示

removal model）［８０‐８８］，など種々の手法が用いられてき．被エッチンす（無限に長い２次元トレンチ構造）［１０‐１３］

たが，それぞれ長所・短所を有する．例えば，アルゴリズ

グ表面（図中 Solid）を，基板 Si 原子１個を中央に含む矩形

ムが理解しやすく当初より広く用いられるストリングモデの微小セルに分割するとともに，パターン内（図中 Vac-

ルは，２次元表面形状を多数の微小線素（直線と節）で近uum）も同じ大きさの矩形セルに分割して，解析領域を構似的に表し，各線素の節の位置で，上の２．
３．
２項で述べた表成する．ここで，エッチングに際して矩形セルの変形はな

面反応解析を行ってエッチング・堆積速度を求め，節ひい!
" "2.7
いものと仮定し，セルの１辺は原子スケール !"##$!

ては線素を時間を追って移動させて表面形状の時間変化をÅとしている（##$"5.0×1022 cm−3 はSi基板の原子密度，ま計算する．しかし，計算中の線素の交差などの問題により，た図中 "‐方向／奥行は１セル分の長さ !）．入射反応粒子

極微細パターン形状（高アスペクト比のパターン形状）や，として，イオン（Cl＋），中性の反応活性種（Cl），保護膜形

鋭い残渣・ノッチ・マイクロトレンチなどの形状異常の進

成種!／堆積種（SiClx/SiClxOy），保護膜形成種"／反応種

表２

２］
．
Cl2，Cl2/O2 プラズマによる Si エッチングにおける表面反応過程［１Reaction(1) Neutral adsorption(2) Spontaneous chemical etching

Process a)Si(s)+xCl(s)+Cl(g) → Si(s)+(x+1)Cl(s)Si(s)+3Cl(s)+C(g) → SiCl４(g)(x=0−3)(3) Ion-enhanced etchingCl+
Si(s)+xCl(s) → SiClx(g)(x=1−4)(4) Ion-enhanced desorptionCl+
Si(s)+xCl(s) → Si(s)+(x−1)Cl(s)+Cl(g)(x=1−4)(5) Surface oxidation(6) Surface chlorination of oxidized surfaces

Si(s)+xO(s)+O(g) → Si(s)+(x+1)O(s)(x=0, 1)
Si(s)+O(s)+xCl(s)+Cl(g) → Si(s)+O(s)+(x+1)Cl(s) (x=0, 1)

So= 1 − x/2
Sn= 0.5 (1 − x/2)

(7) Ion-enhanced desorption from oxidized surfacesCl+
Si(s)+O(s)+xCl(s) → Si(s)+O(s)+(x−1)Cl(s)+Cl(g) (x=1, 2)
Si(s)+xCl(s)+O(g) → Si(s)+xCl(s)+O(s)(x=1, 2)Si(s)+xCl(s)+O(g) → Si(s)+2Cl(s)+O(s)+(x−2)Cl(g) (x=3, 4)
Si(s)+xCl(s)+O(s)+O(g) → Si(s)+2O(s)+xCl(g)(x=1, 2)Yn (Ei, ")(8) Surface oxidation of chlorinated surfaces(9) Etching or removal of oxidized surfaces throughsputteringCl+
Si(s)+xCl(s)+O(s) → SiClxO(g)Cl+(x=1, 2)Si(s)+xO(s) → SiO(g)+(x−1)O(g)(x=1, 2)(10) Deposition of etch products from feature surfaces

SiClx(g) → Si(s)+xCl(s)SiOy(g) → Si(s)+yO(s)SiClxOy(g) → Si(s)+xCl(s)+yO(s)(x=1−4)(y=1)(x=1, 2; y=1)(11) Deposition of etch byproducts from the plasma

SiCl２(g) → Si(s)+2Cl(s)SiCl２O(g) → Si(s)+2Cl(s)+O(s)Coefficient b)
Sn= 1− x/4!Si/Cl (Ts)(x/4)YSi/Cl＋(Ei, ")Yn(Ei, ")

So= 1
So= 1
So= 0.5
sp

YSi/Cl+ (Ei, ")Sq = 0.002〜0.1
Sp = 0.1〜0.5a) (s) denotes species on the surface, while (g) denotes species in the gas phase (species incident on the surface from the gas phase, and species

desorbed from the surface into the gas phase).
b) S (j = n, o, q, p) denotes the sticking probability of neutrals, !
Si/Cl the reaction probability, YSi/Cl+ the etch yield, Yn the desorption yield, andjsp
YSi/Cl+the sputtering yield, where Ts is the surface temperature, and Ei and "the ion incident energy and angle onto surfaces.

１６８

Special Topic Article

2. Modeling of Plasma-Surface Interactions and Profile Evolution during Dry Etching

K. Ono and K. Eriguchi

L
L

L

図４

原子スケールセルモデルの概念図［１０‐１３］．矩形セルの１辺の長さは L = 2.7 Å（Si 基板の原子間距離）．２次元トレンチ構造のエッチングの場合，y 方向にも奥行き L を仮定
し，粒子の運動は位置空間２次元／速度空間３次元(2‐d/3‐v）
で取り扱い，形状進展は２次元で表す．

L

L

L

L

L

L

L

（O）の４種類を考え，またパターン内の被エッチング表面からの反応生成物（SiClx，SiClxOy）の脱離を考慮する．微図５

原子スケールセルモデルにおける粒子輸送，表面反応過程， および表面／界面移動の取り扱い方の模式図［１
０
‐
１
３］
．
（a）
中性反応種の表面への吸着・反射（再放出），（b）
保護膜形成種（a）／堆積種や反応生成物の表面への付着・堆積，（c）
イオンの表面での反射（散乱）や内部への侵入，（d）
イオ
ン入射による反応生成物（基板原子を含む化合物）の表面からの脱離．保護膜形成種（b）／反応種の表面への吸着は（a）に，また中性の反応活性種のみによる化学エッチングは
（d）
と同様．

図６

イオンの表面での反射（散乱）や内部への侵入の解析法の模式図（図５（c）
に対応）
［１
１，
１
３］
．入射イオンと基板原子との間の二体ポテンシャルにもとづき，入射イオンの基板原子による古典的な弾性衝突過程を連続的に計算し，表面反射や内部への侵入を解析．図中，v は入射イオンの速度ベクト
ル，p は衝突パラメータ，rcutoff は二体ポテンシャルのカッ
トオフ距離（Cl-Si に関する Stillinger-Weber 型ポテンシャ
ルでは，rcutoff = 3.7 Å）．

細パターン内の粒子輸送は，パターン内でほかの粒子との衝突はないとし，パターン内表面での中性粒子の反射（再放出）とともに，イオンの反射（散乱）および内部への侵入も考慮して，個々の粒子に対するモンテカルロ法により計算する．ここで，粒子の運動は，位置空間２次元／速度
空間３次元（２‐d／３‐v）で取り扱い，各粒子を，微小時間ステップ !#ごとに一定の微小距離（上記 "と同じ程度の距離）ずつ動かし，粒子が存在する位置のセルが基板原子を含むセルに隣接したところで，表面に到達／入射と判断する．なお，基板原子や入射・脱離粒子などすべて，大きさはない質点として扱う．
図５に，原子スケールセルモデルにおける粒子輸送，表面反応過程，および表面／界面移動の取り扱い方の模式図を示す［１０‐１３］．図５（a）の中性反応種の表面への吸着・反射（再放出）では，反応種の吸着は，基板表面セルあたり
Cl 原子４個までとし，反射は基板表面温度のもと等方的（拡散反射）と仮定する．保護膜形成種"／反応種の表面への吸着も同様であり，表面セルあたり O 原子は２個まで入る．図５（b）の保護膜形成種!／堆積種や反応生成物の表面への付着／堆積では，基板表面セルに，Si 原子を中央に含む新たなセルを隣接して加えることにより，表面／界面移動を表す．図５（c）のイオンの表面での反射（散乱）や内部への侵入では，入射イオンと基板原子との間の二体ポテたデータが示されている）．これまでの形状シミュレー

ンシャルにもとづき，図６に示す模式図のように，入射イオンの基板原子による古典的な弾性衝突過程を連続的に計ションでは，イオンの表面反射の反射 角 を，鏡 面 反 射

算し，表面反射や内部への侵入を表す［１１，１３］．ここで，表（"!"""）
［６７，
６８，
７９，
８３‐８５］やガウス分布［８０‐８２］などと仮面が塩素化あるいは酸化されているか否かにかかわらず，

定していた．なお，入射イオンが表面から基板内部に侵入

二体ポテンシャルとして Cl-Si に関する Stillinger-Weber

した場合には，基板原子との衝突を繰り返すことにより，型ポテンシャル［３７］を適用する．このようなイオンの表面

徐々にそのエネルギーを失い，基板内部のセルに反応種と反射の取り扱い方は，著者等の原子スケールセルモデルのしてとどまる．

特徴の一つであり，表面への入射エネルギー !!と入射角

また，図５（d）のイオン入射による反応生成物（基板原子"!に対して，粒子が反射する確率や，反射粒子の反射角を含む化合物）の表面からの脱離によるエッチング・ス""とエネルギー !"の分布などは計算より求まり，MD シ

パッタリングでは，イオン入射エネルギー !!
（イオンが表ミュレーションによるデータ［３９，４０］とほぼ一致する（MD面 反 射 す る 場 合 は，入 射 と 反 射 の エ ネ ル ギ ー 差

では，清浄〜２原子層程度塩素化された Si 表面まで似通っ!!"!!!!"，言い換えれば入射粒子との衝突により基板
１６９

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.85, No.4 April 2009

原子が得たエネルギー）に基づきエッチング・スパッタリ

による Si エッチング形状シミュレーションの一例を示す

ング収率を算出し，基板表面セルを取り除くことにより，［１１，１３］．模擬した構造は，種々の寸法のライン・アンド・

表面／界面移動を表す．ここで，著者等の原子スケールセスペース（L&S）パターンで（ライン幅 100 nm，スペース

ルモデルでは，エッチング収率のイオン入射角度依存性

幅 30，50，70，100，200，500 nm，Si 膜厚 200 nm/SiO２），マ

#
"
)
$(（
%'%("$)"$$"(!
"(""#!"-"
)
$(［
$(%
#!$
%
$
%２８］，こ こ で !
'スク（高さ 50 nm）は不活性でエッチング中の変化はないとは定数，"-'はしきいエネルギーで，ともに入射粒子と基板した．また，イオン入射エネルギー "(#(&,'#100 eV，イの種類，および基板表面状態に依る）は仮定する必要がな

オンの入射エネルギーと熱運動エネルギーとの比

く，表面でのイオンの反射確率（ひいては内部への侵入確

$#(
&,'"
+
%(#0.5 eV），イオン入射フラックス+%(##!!$

率）をもとに計算され，ビーム実験［３２‐３４］や MD シミュ!
#(#1×1016 cm−2s−1，中性の反応活性種とイオンの入射! !
（圧力 10 mTorr 台の中・高密度
フラックス比 #*"#( #"!!

レーション［４１，４２］とほぼ一致するデータが得られる．なプラズマの場合に相当），基板表面温度 %,#300 K，Si 中のお，スパッタリング収率のイオン入射角度依存性 *$$(%は#&#1×1018 cm−3（ほぼ non

仮定する．エッチング・スパッタリング収率が１を超える不純物（ドーパント）密度場合には，さらに隣接する表面セルを除去して対応する．

!
-doped Si），および，酸素流入ゼロ（#+#!）を仮定した．

また，エッチング・スパッタリングによる反応生成物の脱図では，エッチングはほぼジャストエッチであり（下地離も，中性反応種の反射・脱離と同様，基板表面温度のもSiO2 に到達するあたりまでエッチング），形状進展は 10 sと等方的と仮定する．中性の反応活性種のみによる化学

ごと，また 500 nm スペースのエッチング速度 "$も示し

エッチングも同様であり，Cl 原子が４個入った基板表面セ
ルを，反応種による飽和（SiCl４）セルとして，表面温度に依存する自発的な化学エッチング反応率を算出して，表面セルを取り除く．
図７に，原子スケールセルモデルにおける表面垂線（surface normal）の取り扱い方の模式図を示す［１０‐１３］．基板表
面について，該当する基板表面矩形セルの４辺に，他の基板セルが隣接しているか否かにより表面垂線の方向を決め（four-point technique），イオンや中性粒子の表面入射角・反射角，表面からの脱離粒子の脱離角度の基準とする．なお，セルモデルでは，基板原子を内包するセルが孤立して空間に孤立することがある．このような状態が生じていな
いかどうか，時間ステップごとに調べ，孤立した基板セル
は，適宜，すぐ近くの基板表面セルに接続するか，あるいは消去する操作を施す必要がある．このような表面垂線の決め方，および孤立した基板セルの処理は，セルモデルにおいて，最も重要かつ数学的不確定さが残る問題であろう．
２．
３．
４ 形状シミュレーション，および実験との比較
図８に，原子スケールセルモデルを用いた Cl２プラズマ

図８

図７

原子スケールセルモデルにおける表面垂線（surface normal）の取り扱い方（four-pont technique）の模式図［１
０
‐
１
３］
．

１７０

原子スケールセルモデルを用いた Cl2 プラズマによる Si
エッチング形状シミュレーション［１１，１３］．この計算例では，Ei = eVsh = 100 eV，R = eVsh/kTi = 200（kTi = 0.5 eV），#0i = 1 × 1016 cm−2s−1，#0n/#0i = 100，Ts = 300 K，Ne = 1（#０を仮定し，形× 1018 cm−3，および，酸素入射ゼロ
o = 0）
状進展は 10 s ごと，また 500 nm スペースのエッチング速度 ER も示す．（a）
は表面でのイオン散乱を考えていない
が，（b）
〜（c）
ではイオン散乱を考 慮．ま た，（a），（b）
はエッチング生成物・副生成物の堆積は考えていないが，（c）ではエッチング生成物の再堆積（Sq= 0.05），（d）
ではさらにエッチング副生成物の流入・堆積（Pr = 1.0，Sp = 0.1）を考慮．

Special Topic Article

2. Modeling of Plasma-Surface Interactions and Profile Evolution during Dry Etching

K. Ono and K. Eriguchi

た．考慮した表面反応過程は先に表２に示したとおりであの状況から出発して，プラズマからの酸素流入量を徐々にるが，反応係数の詳細は著者等の論文に譲る［１２］．パター! !
増やしたものであり（#'"#% !0→0.1〜20），形状進展の描

ン内表面から脱離するエッチング生 成 物 の 影 響 がなく写は 10 s ごとである．パターン内表面では，表面酸化によ（")!!），またプラズマからのエッチング副生成物の流入

り，底面のエッチング反応が抑制され，エッチング速度が!
もない（#("!*!!）として，表面でのイオン散乱を考慮!!

低下する．また，酸素の中性シャドーイング効果のため，しない場合（図８（a））と考慮した場合（図８（b））を比較! !
逆 RIE ラグがより顕著になる（図９（a），#'
!
"
#% !!
"）．酸素

すると，パターン側壁でのイオン散乱により，側壁に隣接の量が増えると，パターン底面の局所表面酸化により SiO２したパターン底面にマイクロトレンチが形成され，時間とマイクロマスクが生じ，残渣（マイクロピラー）が広いパともに（エッチング深さが深くなるとともに）発達するこ! !
ターン底面で特に顕著になる（図９（b），
（c）
，#'
"
#% !0.5，とがわかる．また，イオン散乱を考慮しない場合には，中2.0）．酸素流入量がさらに増大すると，パターン底面の表性粒子に対する微細パターンの幾何学的シャドーイング

面酸化がさらに促進され，残渣は消え，底面全体がイオン（中性シャドーイング）効果に起因する RIE ラグ（reactiveによる酸化膜エッチング／スパッタリングの様相を呈し，ion etching lag，狭 いパターンほどエッチング 深 さ が 浅 い）

エッチング／スパッタリング速度がさらに低下する．まが見られるが，イオン散乱の効果を入れると逆 RIE ラグ

た，イオンに対する微細パターンの幾何学的シャドーイン

（inverse reactive ion etching lag，狭いパターンほどエッチ

グ（イオンシャドーイング）効果は中性シャドーイングとング深さが深い）が生じる．この一見奇異な現象は，中性

比較して小さく，エッチング深さのパターン依存性が消え! !
活性種の入射が少ない場合（#&"#% !100→10）には見られる（RIE ラグ，逆 RIE ラグとも目立たなくなる）（図９（d），なく，イオン散乱を考慮した場合でも，RIE ラグのままで

! !
#'
"
#% !#!）．このようなエッチングによる nm スケールのあるとともに，マイクロトレンチも形成されない．これら

表面凹凸（ラフネス）や鋭い残渣を表現できることは，著のことは，パターン側壁でのイオン散乱により，側壁隣接者等の原子スケ−ルセルモデルの大きな特徴である．

底面では，入射イオンフラックスが増大し，中性活性種が

図１０に，Cl２プラズマおよび Cl２/O２プラズマによるSiエッ! !
十分存在する場合（#&"#% が大きい場合），イオンアシスト

チングについて，形状シミュレーションと実験の比較の一反応によるエッチング速度が増大し，マイクロトレンチ形

例を示す．計算および実験の詳細は著者等の論文に譲る

成と逆 RIE ラグに至ることを示唆する（狭いパターンでは，［１１］．計算・実験について，Cl２プラズマではパターン側壁

両側壁に隣接した底面のマイクロトレンチが合体し，実質の堆積膜厚が薄く，裾引きが顕著であること，一方，Cl２/的なエッチング深さが深くなる）．

O２プラズマでは側壁の堆積膜厚が特に側壁上部で厚く（まパターン内表面から脱離したエッチング生成物の側壁へた広いパターン側壁ほど厚い），裾引きが見られず，側壁はの再入射→再堆積を考えると（図８（c），")!!
!
!$），側壁

ほぼ直線的なテーパであることがわかる．先に述べたとお形状はテーパになるが，テーパ形状の裾引きが生じ（底面り（図８），裾引きは，パターン底面から脱離したエッチンに近い側壁ほどテーパが顕著），マイクロトレンチもよりグ生成物の側壁への再堆積，一方，パターン側壁上部の堆顕著になることがわかる．前者は，パターン底面から脱離積は，プラズマから中性シャドーイング効果の下でパターした生成物が，底面近くのパターン側壁に再堆積するこン内に流入したエッチング副生成物の側壁への堆積に起因と，一方後者は，垂直な側壁に比べてテーパ側壁の方が，側壁でのイオン散乱により側壁隣接底面での入射イオンフ
ラックスが増大することに起因する．さらに，プラズマから（パターン上方から）のエッチング副生成物の流入も考慮すると（図８（d），!*!"!
!
!，"(!!
"），パターン側壁上部への堆積が顕著になり，テーパ形状の裾引きは目立たなくなる．ここで，!*は，著者等が導入した再流入確率（returning probability）とよぶパラメータであり，パターン内
表面から脱離してプラズマ中（パターン外）に一旦出たエッ
チング生成物が，パターン方向に戻る確率を表す．したがって，エッチング副生成物の流入フラックスは，エッチ#%ング生成物のパターン外へ抜けるフラックスを #
#)
$とす

!
+%
る と，#(#)!!*#$と 表 さ れ（平 坦 な 基 板 表 面 で は
+
+%
#)
#)
!#
$），図の計算では，フラックス比は! !
"#% "0.51#(

図９程度である．
図９に，原子スケールセルモデルを用いた Cl2/O2 プラズ
マによるSiエッチング形状シミュレーションの一例を示す［１１，１３］．計算条件や図の表示法は図８と同じである．ただし下地 SiO２膜は存在しなく，プラズマからのエッチング副!
生成物も考えていない（!*!!
"#(!!）．これらは，図８（c）

１７１

原子スケールセルモデルを用いた Cl2/O2 プラズマによる Si
エッチング形状シミュレーション［１３］．この例の計算条件
や図の表示法は図８と同じである（形状進展の描写は 10 sごと）
．ただし下地 SiO2 膜は存在しなく，プラズマからのエッチング副生成物の流入も考えていない（Pr = 0 / #0p = 0）．
これらは，図８（c）の状況から出発して，プラズマからの酸
素流入量を徐々に増やしたものである（#0o/#0i = 0 →（a）
0.1，（b）
0.5，（c）
2.0，（d）
20）．

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.85, No.4 April 2009

図１
０ Cl2 プラズマおよび Cl2/O2 プラズマによる Si エッチングに関する形状シミュレーションと実験の比較［１１］．この計算例では，Ei =eVsh = 100 eV，R = eVsh/kTi = 200（kTi = 0.5eV），!0i = 5×1015 cm−2s−1，!0n/!0i = 100，Ts = 300 K，Ne = 1×1018 cm−3，Sq = 0.05，，（b）は酸素・副生また，形状進展は 10 s ごとに示す．（a）
は酸素・エッチング副生成物の流入がない場合，（!0o/!0i = 0，!0p/!0i = 0）
成物の流入がある場合（!0o/!0i = 1.0，!0p/!0i = 1.3，Sp = 0.1）を示す．（c）（，d）
は（b）に示す形状表面の側壁および底面の拡大図．（e），（f）
は，Cl2 および Cl2/20％‐O2 プラズマによる Poly-Si エッチング断面の TEM 写真．

する．Cl２プラズマで顕著な側壁の裾引きは，エッチング生
成物の側壁への再堆積が狭いパターンほど頻繁であるため，狭いパターンほど一層顕著である．Cl２/O２プラズマでは，プラズマから流入した酸素による側壁表面の酸化も，エッチング副生成物の堆積と相乗し，副生成物の流入→堆積のみの場合と比較して側壁の堆積膜厚は厚くなる．また，副生成物・酸素の流入とも，中性シャドーイングの影
響を受けるため，側壁堆積膜厚（および側壁テーパ度）は，
広いパターンほど大きい．マイクロトレンチに関しては，
実験では，狭いパターンで顕著あり，また，Cl２プラズマの方が Cl２/O２プラズマの場合より顕著であるが．計算でまだ十分再現できていない．
なお，図１０（c），（d）のように形状を拡大して見ると，パターン側壁・底面のラフネスや，表面における Cl，O 原子

図１
１ 酸素の量が多い Cl2/O2 プラズマによる Si エッチングに関する形状シミュレーションと実験の比較［１３］．この計算例
は，図９（c）と同じものである（形状進展の描写は 10 s ご
と）
．（b）
は，（a）
に示す形状表面の底面部の拡大図（パターン内におけるイオン軌道の一部も含む）．（c）
は，Cl2/30％‐
O2 プラズマによる poly-Si エッチング断面の SEM 写真．

の分布を示すことができ，著者等の原子スケールセルモデ
ルの特徴である．図中，側壁の堆積膜厚は厚く，堆積層内に Cl も O も存在している（O 原子の方が多い）．一方，底面は，常にイオン衝撃にさらされてエッチングが進展しているため表面反応層は薄く，Cl 原子の方が O 原子に比べて多い．これら Cl 原子は，表面から侵入した Cl＋イオンがエ原子が多く存在し，イオン入射によるエッチング／スパッネルギーを失って内部にとどまったものであり，パターン

タリングが抑制されるが，残渣の下部（凹部）の表面では，底面で，表面から深く（5 nm 近く内部）まで分布している．

中性シャドーイング効果に起因して O 原子が少なく，イオ

図１１に，酸素の量が多い Cl２/O２プラズマによる Si エッチ

ン入射によるエッチング／スパッタリングが進行して残渣

ングについて，形状シミュレーションと実験の比較の一例

形状が発達することがわかる（図１１（b）にはイオン軌道のを示す．計算およ び 実 験 の 詳 細 は 著 者 等 の 論 文 に 譲る

一部も描いた）．なお，残渣下部表面に存在する Cl 原子は，［１３］．計算・実験について，先に述べたとおり（図９），酸

やはり，Cl＋イオンがエネルギーを失いとどまったもので素流入が増えると，パターン底面の局所表面酸化により，ある（Cl 原子は，O 原子と同様，中性シャドーイングのた残渣（マイクロピラー）が顕著に見える．図１１（b）のようにめ，残渣凹部奥深くにまで入れない）．

形状を拡大して見ると，残渣の上部（凸部）の表面には O
１７２

Special Topic Article

2. Modeling of Plasma-Surface Interactions and Profile Evolution during Dry Etching

K. Ono and K. Eriguchi

２．
４ プラズマダメージ
現在，ドライエッチングに代表されるプラズマプロセス
は，システム LSI 製造工程において中心的な役割を担っている．最小寸法が 32 nm 以細の次世代高性能システム LSIの実現には，プラズマプロセスが必須であり，高加工精度（高い寸法制御性）には，高い異方性をもったプラズマプロ
セスの理解と制御が不可欠である．プラズマプロセスは，加工工程（ドライエッチング），金属・誘電体・絶縁体材料の成膜工程，フォトレジスト除去，プラズマ窒化などの表面処理，などに広く利用されている．ドライエッチング装置におけるプラズマ形成方法は，平行平板容量結合型プラズマ（CCP: capacitively coupled plasma）から始まり，１９８０
年代後半から電子サイクロトロン共鳴型プラズマ（ECR:
electron cyclotron resonance）および磁場印加型プラズマ（MERIE: magnetically enhanced reactive ion etchingplasma），１９９０年代半ばから，誘導結合型プラズマ（ICP:
inductively coupled plasma），表面波励起型プラズマ（SWP:
surface-excited plasma），が広く用いられ初めた［７］．しかしながら，プラズマプロセスの積極的な利用とデバイスの微細化の進展の要請［２］によるプラズマ密度の高密度化，低圧力化（高真空化）は，プラズマとデバイスとの

望ま

しくない

プラ

相互作用による欠陥形成過程，すなわちズマダメージ の問題を露呈してきている［８９］． プラズマ
ダメージには，その対象となる欠陥形成機構から，（A）

プラズマからの荷電粒子の流れに起因する電気的ダメー

図１
２ プラズマダメージメカニズムの概念図．（backend は配線
形成工程，frontend はトランジスタ形成工程に対応）．

ジ，（B）
高エネルギーイオンなど粒子の衝突による物理的
ダメージ，（C）
プラズマからの高エネルギーフォトン照射による光照射ダメージの３つに分類できる［８９］．図１２に，典型的なプラズマダメージのメカニズムについて示す．
２．
４．
１ 電気的ダメージ（チャージングダメージ）
通常，プラズマダメージといえば，チャージングダメー
ジが連想され る こと が 多 い．チ ャ ー ジ ン グ ダ メ ージは

(
%*
#
!
(
**
%"
,$!
#$

（２）

&
(
%*
"* &
#
*20! 1+"*$! (*%*$ # ")（３）

MOS（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタのゲート

ここで，(は電荷素量，$ はイオンの質量，) は電子の質

絶縁膜の破壊・劣化をもたらす（図１２（a）参照）．１９
８３年に量，&1+はシースにかかる電位差（＜0）である． #
0)
1
.)は時

チャージングダメージが公に報告されて以来［９０］，デバイ間に依存する．一方，MOS トランジスタを特性・信頼性をス動作不能をもたらす重大な課題として認識され，精力的決定するゲート酸化膜を流れる Fowler-Nordheim（F-N）トに研究されてきた．チャージングダメージは，プラズマ，

ンネル電流特性は，プラズマと接しているデバイス表面，基板（ウエハ），の間

#

&
"'
#
"
! /2" *20!!
'( $!#'&/2に発生する電位差が誘発するプラズマからの伝導電流が，デバイス中を流れることにより生じる．この伝導電流によ（４）

ここで，!，" は材料で決まる定数，&/2はゲート酸化膜にりゲート酸化膜（SiO２）中や SiO２/Si 基板界面に存在する Si-O，Si-H，Si-OH などの結合が切断される．切断された結合かかる電圧，'はゲート酸化膜厚である．チャージングダ

は，電荷の捕獲準位になり，微視的には絶縁体としての特メージは，上記の #plasma と #FN により形成される閉回路性が劣化する．１９９０年代に入ってからは，金属配線長に依（電位差 &1+!&/2を基準）を考えて議論されることが多い．

存したチャージングダメージとしてアンテナ効果が注目さ

アンテナ効果の場合は［９１，９２］，アンテナ比 +（＝プラズマれた［９１，
９２］．

に露出する配線面積／ゲート面積）を用いて，実効的にチャージングダメージを誘発するプラズマからの伝導電［９２］．ゲート酸化膜の薄#0)1.)を +倍した電流値を考える

流#*，電子密度 %*の関数としてイオン0)1.)は，電子温度 *膜化が進むと，（４）式を直接トンネル電流の式に置き換え

電流，電子電流の和として表される．例えば，簡単なシーて議論する．ゲート酸化膜の薄膜化が進展する（'が小さくス構造モデルでは，

なる）と，大きな直接トンネル電流の影響で，チャージン
グダメージが減少する，という議論が多い．しかしながら，

#
*
,"#
0)
1
.)$#

薄膜化に伴いチャージングダメージが増大するのか？，あ

（１）
１７３

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.85, No.4 April 2009

るいは，減少するのか？については，相反する報告例もあングモデル，セルリムーバルモデル）と，MD シミュレー

り［９３，９４］，結論が出ていないのが現状である．

ションによる形状進展モデル（現在の計算機の能力で，＜２．
４．
２ 物理的ダメージ

10 nm 程度のパターンは扱える）［１００］との中間に位置す

プラズマとプラズマに接しているデバイスとの間には，る．この原子スケールセルモデルは，被エッチング表面をシースが形成される．シース内に形成される電界は，イオ含む解析領域を，基板原子１個を含む原子スケールの微小ンをデバイス表面に向けて加速する．その結果，加速されセルに分割して扱うことにより，ナノスケールのエッチン

たイオンによるデバイスへの物理的な衝撃（物理的ダメー

グ加工形状のみならず，表面反応層・堆積層の構造や化学

ジ）が必ず発生する（図１２（b）参照）．一般に数 100 W〜数組成，表面ラフネス，などを再現できる特徴を有する．まkW の電力を投入するプラズマエッチング装置においてた，鋭い残渣・ノッチ・マイクロトレンチなどの形状異常

は，投入する電力の周波数にも依るが，実効的には数 100の進展を再現できることも特徴である．

V の電位差がシース内に発生している．したがって，シー

ほかの被エッチング材料やエッチング反応種の組み合わ

ス内においてイオンの衝突が無視できる場合，基板に到達せについても，同様に，原子スケールセルモデルを用いてするイオンのエネルギーは数 100 eV に達することになる．

解析と議論ができるが，関連する表面反応係数（吸着・付そのような場合，加速されたイオンは，表面反応層だけで着確率，脱離率，エッチング・スパッタリング収率など）のなく，デバイス内部深くまで侵入する．一見単純なメカニ

データを新たに必要とする場合も多く（例えば，本小特集

ズムに思われる物理的ダメージは，以前から報告されてい第４章の high-!ゲートエッチング，また Br/Si 反応系のるが［９５］，最近になって，そのスケールが問題視されていデータも F/Si，Cl/Si に比べて少ない），ビーム実験，MDる．この物理的ダメージによって生じる表面反応層（〜ダシミュレーション，プラズマ実験などによる基礎的データ

メージ層）および物理的ダメージ層の膜厚は，〜数 nm であの創出・蓄積が必要不可欠である．著者等は，最近，Br/

り［８９，
９６，
９７］，この値はプラズマパラメータで決定されSi 系に関する反応係数のデータを MD シミュレーションにる．デバイスはスケーリング則に従って急激に微細化してより求め［１０１‐１０４］，原子スケールセルモデルに適用する

いるが，プラズマは劇的にはスケーリングできない．近いとともに，塩素系（Cl２）・臭素系（HBr）プラズマによる Si

将来，物理的ダメージ層厚が，デバイスの特性寸法およびエッチングについて，新たに，MD による形状進展シミュ

その許容バラツキ範囲に対して無視できなくなると予想さレーションも行おうとしている．また，プラズマダメージ

れ，将来のデバイスの実現を阻止することになる．

を含めた，エッチングによる膜物性の変化，ひいては電気

２．
４．
３ 光照射ダメージ

特性の変化についてのモデリングにも取り組もうとしていプラズマからの高エネルギーフォトンがデバイスに照射

る．いずれにせよ，バーチャルプロセスともいえるシミュすることにより発生する光誘起伝導機構［９８］や欠陥形成機

レーションと実際のデバイス作製プロセスとの不断の比較

構［９９］が光照射ダメージである．Low-!と呼ばれる層間絶により，シミュレーションが基づく物理・化学モデルをブ

縁膜材料（図１２（a）の ILD）が用いられるようになり，光照

ラッシュアップして高精度化していくことが，実用のみな

射ダメージが注目され始めている．Low-!膜中の Si-O，Si

らず基礎的研究の観点からも重要かつ有効である．

-C 結合の変化は誘電率の変化（増加）をもたらし，結果，配謝

線間容量の変化により回路遅延が発生するためである．新辞

本稿中における著者等の研究の一部は，日本学術振興会

規の low-!膜導入に伴い，ますます光照射ダメージは重要からの科学研究費補助金の援助を受けて行われた．

となる．
今後も LSI 製造工程におけるプラズマプロセスの位置付けの重要さは普遍であり，さらに，新たな機能素子開発に

参考文献

おいても，プラズマプロセスは，低温プロセス，異方性加［１］H. Abe, M. Yoneda and N. Fujiwara, Jpn. J. Appl. Phys.
47, 1435 (2008).
［２］International Technology Roadmaps for Semiconductors(ITRS) 2007 Edition, 2008 Update [http://www.itrs.net]［３］E. Pargon, M. Darnon, O. Joubert, T. Chevolleau, L. Vallier,L. Mollard and T. Lill, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1913 (2005).
［４］斧 高一：プラズマ・核融合学会誌 75, 350 (1999), andreferences therein.
［５］斧 高一：応用物理 68, 513 (1999), and references
therein.
［６］斧 高一：次世代 ULSI プロセス技術（広瀬全孝編，リ
アライズ社，２
０
０
０）
，第１
０章第１
０．
３節，pp. 436〜454, andreferences therein.
［７］斧 高一：表面技術 51, 785 (2000).
［８］J.D. Plummer, M.D. Deal and P.B. Griffin, Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice and Modeling (Prentice Hall,
New Jersey, 2000).

工プロセスという視点からも必須である．上記のプラズマダメージに対して鑑みた場合，その対策には，統一的・科学的理解とともに，プラズマプロセス設計，デバイス設計，
材料設計，回路設計の各方面からの取り組みが重要である．

２．
５ おわりにプラズマエッチングのモデリング，特に，微細加工形状進展を再現するためのモデルについて，塩素系プラズマによる Si エッチングを中心に説明し議論するとともに，さらに，プラズマダメージにも言及した．著者等の新しい現象論的モデル（原子スケールセルモデル）は，これまでの多くの形状進展モデル（特性曲線法，ストリングモデル，
ショックトラッキング法，レベルセット法，レイトレイシ
１７４

Special Topic Article

2. Modeling of Plasma-Surface Interactions and Profile Evolution during Dry Etching［９］斧 高一：プラズマ・核融合学会誌 80, 2004 (2004).
［１０］Y. Osano and K. Ono, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 8650 (2005).
［１１］Y. Osano, M. Mori, N. Itabashi, K. Takahashi, K. Eriguchi
and K. Ono, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 8157 (2006).
［１２］Y. Osano and K. Ono, J. Vac. Sci. Technol. B 26, 1425 (2008).
［１３］H. Tsuda, Y. Osano, S. Irie, M. Mori, K. Eriguchi and K.
Ono, Bull. Am. Phys. Soc. 53, 19 (2008)（61st GEC, Dallas,
TX, Oct. 2008, Paper Paper DT1-3）; and also to be prepared for publication.
［１４］G. Kokkoris, A.G. Boudouvis and E. Gogolides, J. Vac. Sci.
Technol. A 24, 2008 (2006).
［１５］H.F. Winters and J.W. Coburn, Surf. Sci. Rep. 14, 161 (1992).
［１６］J.R. Engstrom, M.M. Nelson and T. Engel, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 1837 (1989).
［１７］J.R. Engstrom and T. Engel, Phys. Rev. B 41, 1038 (1990).
［１８］L.J. Whitman, S.A. Joyce, J.A. Yarmoff, F.R. McFeely and
L.J. Terminello, Surf. Sci. 232, 297 (1990).
［１９］P. Gupta, P.A. Coon, B.G. Koehler and S.M. George, J.
Chem. Phys. 93, 2827 (1990).
［２０］W. Müller-Markgraf and M.J. Rossi, J. Vac. Sci. Technol.
A 9, 217 (1991).
［２１］D.J.D. Sullivan, H.C. Flaum and A.C. Kummel, J. Phys.
Chem. 97, 12051 (1993).
［２２］H.C. Flaum, D.J.D. Sullivan and A.C. Kummel, J. Phys.
Chem. 98, 1719 (1994).
［２３］M. Tanaka, T. Shirao, T. Sakai, K. Shudo, H. Washio and
N. Kaneko, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1358 (2002).
［２４］M. Tanaka, E. Yamakawa, T. Shirao and K. Shudo, Phys.
Rev. B 68, 165411 (2003).
［２５］T. Mizutani, C.J. Dale, W.K. Chu and T.M. Mayer, Nucl.
Instrum. Methods B7/8, 825 (1985).
［２６］D.J. Oostra, R.P. van Ingen, A. Haring, A.E. de Vries and
G.N.A. van Veen, Appl. Phys. Lett. 50, 1506 (1987).
［２７］D.J. Oostra, A. Haring, R.P. van Ingen and A.E. de Vries,
J. Appl. Phys. 64, 315 (1988).
［２８］Ch. Steinbrüchel, Appl. Phys. Lett. 55, 1960 (1989).
［２９］S. Tachi, K. Tsujimoto, S. Arai and T. Kure J. Vac. Sci.
Technol. A 9, 796 (1991).
［３０］T. Sakai, A. Sakai and H. Okano, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 3089
(1993).
［３１］M. Balooch, M. Moalem, Wei-E. Wang and A.V. Hamza,
J. Vac. Sci. Technol. A 14, 229 (1996).
［３２］J.P. Chang and H.H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 610(1997).
［３３］J.P. Chang, J.C. Arnold, G.C.H. Zau, H.-S. Shin and H.H.
Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1853 (1997).
［３４］J.P. Chang, A.P. Mahorowala and H.H. Sawin, J. Vac. Sci.
Technol. A 16, 217 (1998).
［３５］S.A. Vitale, H. Chae and H.H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol.
A 19, 2197 (2001).
［３６］W. Jin, S.A. Vitale and H.H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol.
A 20, 2106 (2002).
［３７］H. Feil, J. Dieleman and B.J. Garrison, J. Appl. Phys. 74,
1303 (1993).
［３８］M.E. Barone and D.B. Graves, J. Appl. Phys. 78, 6604 (1995).
［３９］B.A. Helmer and D.B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 16,
3502 (1998).
［４０］B.A. Helmer and D.B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 17,2759 (1999).

K. Ono and K. Eriguchi［４１］D.E. Hanson, A.F. Voter and J.D. Kress, J. Appl. Phys. 82,
3552 (1997).
［４２］D.E. Hanson, J.D. Kress and A.F. Voter, J. Vac. Sci. Technol. A17, 1510 (1997).
［４３］H. Ohta and S. Hamaguchi, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2373
(2001).
［４４］D. Humbird and D.B. Graves, J. Appl. Phys. 96, 791 (2004).
［４５］E.A. Ogryzlo, D.E. Ibbotson, D.L. Flamm and J.A. Mucha,
J. Appl. Phys. 67, 3115 (1990).
［４６］T. Morimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 1253 (1993).
［４７］A.D. Bailey III, M.C.M. van de Sanden, J.A. Gregus and
R.A. Gottscho, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 92 (1995).
［４８］K. Nishikawa, T. Oomori and K. Ono, J. Vac. Sci. Technol.
B 17, 127 (1999).
［４９］L. Desvoivres, L. Vallier and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 420 (2001).
［５０］R.E. Jewett, P.I. Hagouel, A.R. Neureuther and T. Van.
Duzer, Polymer Eng. Sci. 17, 381 (1977).
［５１］D.S. Ross, J. Electrochem. Soc. 135, 1235 (1988).
［５２］D.S. Ross, J. Electrochem. Soc. 135, 1260 (1988).
［５３］J.I. Ulacia F.C.J. Petti and J.P. McVittie, J. Electrochem.
Soc. 135, 1521 (1988).
［５４］E.S.G. Shaqfeh and C.W. Jurgensen, J. Appl. Phys. 66, 4664
(1989).
［５５］J.C. Arnold and H.H. Sawin, J. Appl. Phys. 70, 5314 (1991).
［５６］V.K. Singh, E.S.G. Shaqfeh and J.P. McVittie, J. Vac. Sci.
Technol. B 10, 1091 (1992).
［５７］B. Abraham-Shrauner, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2347
(1994).
［５８］T.J. Cotler, M.S. Barnes and M.E. Elta, J. Vac. Sci. Technol.
B 5, 542 (1988).
［５９］J.I. Ulacia F and J.P. McVittie, J. Appl. Phys. 65, 1484 (1989).
［６０］C.W. Jurgensen and E.S.G. Shaqfeh, J. Vac. Sci. Technol.
B 7, 1488 (1989).
［６１］E.S.G. Shaqfeh and C.W. Jurgensen, J. Appl. Phys. 66, 4664
(1989).
［６２］A. Misaka, K. Harafuji, M. Kubota and N. Nomura, Jpn.
J. Appl. Phys. 31, 4363 (1992).
［６３］K. Harafuji and A. Misaka, IEEE Trans. Electron Devices
42, 1903 (1995).
［６４］M. Tuda, K. Ono and K. Nishikawa, J. Vac. Sci. Technol.
B 14, 3291 (1996).
［６５］M. Tuda, K. Nishikawa, and K. Ono, J. Appl. Phys. 81, 960(1997).
［６６］K. Harafuji, M. Ohkuni, M. Kubota, H. Nakagawa, and A.
Misaka, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1105 (1999).
［６７］M.A. Vyvoda, M.L. and D.B. Graves, J. Vac. Sci. Technol.
A 17, 3293 (1999).
［６８］M.A. Vyvoda, M.L. and D.B. Graves, H. Lee, M.V. Malyshev, F.P. Klemens, J.T.C. Lee and V.M. Donnelly, J. Vac.
Sci. Technol. B 18, 820 (2000).
［６９］S. Hamaguchi, M. Davie, R.T. Farouki and S. Sethuraman,
J. Appl. Phys. 74, 5172 (1993).
［７０］S. Hamaguchi and M. Dalvie, J. Vac. Sci. Technol. A 12,2745 (1994).
［７１］J.A. Sethian, Level Set Methods and Fast Marching Methods:
Evolving Interfaces in Computational Geometry, Fluid Mechanics, Computer Vision, and Materials Science, 2nd ed.
(Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1999).

１７５

Journal of Plasma and Fusion Research Vol.85, No.4 April 2009［７２］H.H. Hwang, T.R. Govindan and M. Meyyappan, J. Electrochem. Soc. 146, 1889 (1999).
［７３］Y.H. Im, Y.B. Hahn and S.J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol.
B 19, 701 (2001).
［７４］H.H. Hwang, M. Meyyappan, G.S. Mathad and R. Ranade,
J. Vac. Sci. Technol. B 20, 2199 (2002).
［７５］S. Osher and R. Fedkiw, Level Set Methods and Dynamic Implicit Surfaces, in Applied Mathematics Sciences, Vol. 153(Springer, New York, 2003).
［７６］A.L. Magna and G. Garozzo, J. Electrochem. Soc. 1150, F
178 (2003).
［７７］T. Shimada, T. Yagisawa and T. Makabe, Jpn. J. Appl.
Phys. 45, L132 (2003).
［７８］G. Kokkoris, A. Tserepi, A.G. Boudouvis and E. Gogolides,
J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1896 (2004).
［７９］D.J. Cooperberg, V. Vahedi and R.A. Gottscho, J. Vac. Sci.
Technol. A 20, 1536 (2002).
［８０］G.S. Hwang and K.P. Giapis, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 70(1997).
［８１］G.S. Hwang and K.P. Giapis, J. Appl. Phys. 84, 683 (1998).
［８２］K.P. Giapis and G.S. Hwang, Thin Solid Films 374, 175(2000).
［８３］A.P. Mahorowala and H.H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B
20, 1064 (2002).
［８４］A.P. Mahorowala and H.H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B
20, 1077 (2002).
［８５］A.P. Mahorowala and H.H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B
20, 1084 (2002).
［８６］W. Jin and H.H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 911 (2003).
［８７］E. Zakka, V. Constantoudis and E. Gogolides, IEEE Trans.
Plasma. Sci. PS-35, 1359 (2007).
［８８］G. Kokkoris, V. Constantoudis, P. Angelikopoulos, G. Boulousis and E. Gogolides, Phys. Rev. B 76,193405 (2007).

［８９］K. Eriguchi and K. Ono, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 024002(2008).
［９０］Y. Yoshida and T. Watanabe, Proc. Symp. Dry Process,Tokyo (1983) p. 4.
［９１］W.M. Greene, J.B. Kruger and G. Kooi, J. Vac. Sci. Technol.
B 9, 366 (1991).
［９２］K. Eriguchi, Y. Uraoka, H. Nakagawa, T. Tamaki, M.
Kubota and N. Nomura, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 83 (1994).
［９３］S. Krishnan and A. Amerasekera, Proc. Int. Rel. Phys.
Symp. Reno, NV (1998) p. 302.
［９４］D. Park and C. Hu, Proc. Int. Symp. Plasma Process-Induced
Damage, Monterey, CA (1997) p. 15.
［９５］T. Yunogami, T. Mizutani, K. Suzuki and S. Nishimatsu,
Jpn. J. Appl. Phys. 28, 2172 (1989).
［９６］H. Wada, M. Agata, K. Eriguchi, A. Fujimoto, T. Kanashima, and M. Okuyama, J. Appl. Phys. 88, 2336 (2000).
［９７］K. Egashira, K. Eriguchi and S. Hashimoto, Int. Electron
Device Meet.: Technical Digests, San Francisco (1998) p. 563.
［９８］A. Cacciato, A. Scarpa, S. Evseev and M. Diekema: Appl.
Phys. Lett. 81, 4464 (2002).
［９９］M. Okigawa, Y. Ishikawa and S. Samukawa, J. Vac. Sci.
Technol. B 21, 2448 (2003).
［１００］J. Vegh, Bull. Am. Phys. Soc. 53(10), 74 (2008) (61st GEC,
Dallas, TX, Oct. 2008, Paper QR1-4).
［１０１］A. Iwakawa, H. Ohta, K. Eriguchi and K. Ono, Jpn. J. Appl.
Phys. 47, 6464 (2008).
［１０２］H. Ohta, A. Iwakawa, K. Eriguchi and K. Ono, J. Appl.
Phys. 104, 073302 (2008).
［１０３］A. Iwakawa, T. Nagaoka, H. Ohta, K. Eriguchi and K. Ono,
Jpn. J. Appl. Phys. 47, 8560 (2008).
［１０４］T. Nagaoka, H. Ohta, K. Eriguchi and K. Ono, J. Appl. Phys.
105, 023302 (2009).

１７６