XAFS 計測手順【蛍光法・19 素子半導体検出器】
斜入射測定手順2014.02.25 改定 大渕 博宣
0. 斜入射セッティングの前に行うこと(1) [ThetaMove]でエネルギーを合わせ(Appendix Ⅰ参照)、[dThScan]で回折強度最大の位置に移動しておく(Appendix Ⅱ参照)。
(2) 4D Slit サイズを height 1.0mm×width 0.5mm 以下にする(Appendix Ⅳ参照)。
1. 所定の位置に配置する。
(1) 19 素子半導体検出器を所定の位置にセッティングする。

(2) 斜入射用 Sample stage をセッティングする。
（ホール側に出し、目盛りに合わせる。
）

・リング側⇔ホール側

17cm 付近（赤矢印）(3) [PM16C Move]で「DetectorZ」を「48mm」、「DetectorX」を「50mm」の位置に移動する。(Appendix Ⅴ参照)
※ DetectorX 0mm の位置で DetectorZ を移動させるのが望ましい。

(3)(4) [PM16C Move]で「Sample stage X、Z、Lin.、θ」等の値を確認する。(Appendix Ⅴ参照)
※ 「0」でなければ、「0」にする。
(5) 試料を両面テープ等で固定しセットする。
(6) [PM16C Move]で Sample 表面付近にレーザーが当たるように高さを調整する。
(Appendix Ⅴ参照)

※サンプル交換の時は、「2. サンプル位置調整」から行う。
2. サンプル位置調整注） 4D Slit サイズ height 1.0mm×width 0.5mm 以下からスタートし、[SSDCountCheck]で SSD で検出される X 線の強度を確認(Appendix Ⅵ参照)しながら、4D Slit の[width]を変更する。(Appendix Ⅳ参照)（例：0.5mm 以下 ⇒ 5.0mm）(1) DSS を「開」にする。
① BL14B2 Control2.vi のメニュー窓から｢DSS｣を選択する。
② KEITHLEY 2000 MULTIMATER で、カレントアンプの出力値（I0、I1 共に10V 以下）を確認する。

③ オーバーフローしていれば、[Current Amp Set] を起動させてゲインを下げる。
※ Appendix Ⅲ「Current Amp Set」参照。

(2) [PM16C Move]で「Sample theta」の値を Read し、0°でなければ 0°にする。(AppendixⅤ参照)(3) [PM16C Move]で「Sample Lin」.の値を読む。
① [Channel]で"B. Sample Lin."を選択する。
② [Read/Move]が"Read"であることを確認する。

③ 実行ボタンをクリックする。

(4) [PM16C SingleScan]で「Sample Lin.」を Scan する。
① [Channel]で"B. Sample Lin."を選択する。
② スキャン範囲（[Measure Start]、[Start position]、[step]、[Dest. position]）を入力する。
Scan 範囲例（2.0mm 前後 Scan する場合）□:Read した値
Measure Start: □- 2.5
Start position: □- 2.0
step: 0.02
Dest. position: □+ 2.0③ 実行ボタンをクリックした後、[Start OK]ボタンを押してスキャンを実行する。
④ I1 カウントの高さ走査の中間点の横軸の値を読む。

(5) [PM16C Move]で「Sample Lin.」を(4)-④で読んだ値（半割り値）にする。
※２-(3)参照① [Channel]で"B. Sample Lin."を選択する。
② [Input position]に数値を入力する。
③ [Read/Move]を"Move"にする。
④ 実行ボタンをクリックする。
(6) [PM16C Move]で「Sample theta」の値を読む。
① [Channel]で"9. Sample theta"を選択する。
② [Read/Move]が"Read"であることを確認する。
③ 実行

(7) [PM16C SingleScan]で「Sample theta」を Scan する。
① [Channel]で"9. Sample theta"を選択する。
② [19SSD Counter]で "Axcpci3901"を選択する。
③ [End Position] で"Dest."を選択する。
④ スキャン範囲（[Measure Start]、[Start position]、[step]、[Dest. position]）を入力する。
Scan 範囲例
バックラッシュ：0.1-3°～3°
step: 0.1
⑤ 実行ボタンをクリックした後、[Start OK]ボタンを押してスキャンを実行する。

⑥ I2 カウントのピークの値を読む。

(8) [PM16C Move]で「Sample theta」を Move する。
※

２-(6)参照① [Channel]で"9. Sample theta"を選択する。
② [Input position]に(7)-⑥で読み取った数値を入力する。
③ [Read/Move]を"Move"にする。
④ 実行ボタンをクリックする(9) (3)-(8)を繰り返し、"Sample Lin""Sample theta"の値に変化がなければ試料の半割りを終了し、次の手順に移る。
(10) [PM16C SingleScan]で「Sample theta」を Scan する。
① [Channel]で"9. Sample theta"を選択する。
② [19SSD Counter]で "KC3122"を選択する。
③ [End Position] で"Dest."を選択する。
④ スキャン範囲（[Measure Start]、[Start position]、[step]、[Dest. position]）を入力する。
Scan 範囲例
バックラッシュ：0.1
0°～3°
step: 0.1
⑤ 実行ボタンをクリックした後、[Start OK]ボタンを押してスキャンを実行する。

⑥ I2 カウントのピークから 0.4°～0.5°深い値を読む。

(11) [PM16C Move]で「Sample theta」を Move する。
※２-(6)参照① [Channel]で"9. Sample theta"を選択する。
② [Input position]に(7)-⑥で読み取った数値を入力する。
③ [Read/Move]を"Move"にする。
④ 実行ボタンをクリックする。

(12) [SSD Count Check]で ICR を確認する。(できるだけ width は 0.5mm 以下)（Appendix
Ⅵ参照)※ 5 万 cps 以下でできるだけ大きい値になるように、DetectorX,4DSlit などで調整する。
(13) [PM16C SingleScan]で「Sample Lin.」を Scan する。
① [Channel]で"B. Sample Lin."を選択する。
② スキャン範囲（[Measure Start]、[Start position]、[step]、[Dest. position]）を入力する。
Scan 範囲例（1.5mm 前後 Scan する場合）□:Read した値
Measure Start: □- 2.0
Start position: □- 1.5
step: 0.05
Dest. position: □+ 1.5③実行ボタンをクリックした後、[Start OK]ボタンを押してスキャンを実行する。

④ I2 カウントのピーク中心の横軸の値を読む。

(14) [PM16C Move]で「Sample Lin.」を(10)-④で読んだ値（ピーク中心値）にする。
※２-(3)参照① [Channel]で"B. Sample Lin."を選択する。
② [Input position]に数値を入力する。
③ [Read/Move]を"Move"にする。
④ 実行ボタンをクリックする。

３．XAFS スペクトルの測定
XAFS測定プログラムの使用方法については45°入射配置の時と同様であるので、別紙「XAFS測定手順【蛍光法・19素子半導体検出器】アナログ計測系入射）」の「4．XAFSスペクトルの測定」を参照のこと。

測定手順（45°４．斜入射配置の退避方法(1) [PM16C Move]で「Detector X」と「Detector Z」を「0mm」の位置に移動する。(AppendixⅤ参照)※DetectorX 0mmの位置でDetectorZを移動させるのが望ましい。
(2) [PM16C Move]で「Sample stage Lin.,θ」の値を「0」の位置に移動する。(Appendix Ⅴ参照)※「Sample stage X,Z」の値を確認し、「0mm」でなければ、「0mm」にする。
(3) 19素子半導体検出器をホール側と下流にいっぱい下げる。
(4) 斜入射用Sample stageをリング側に下げる。

以上

改訂履歴
改訂年月日

改訂者

2007.02.28

平山 明香

2007.10.30

大渕 博宣

2008.02.05

陰地 宏

2014.02.25

大渕 博宣