鈴木雄喜 (SUZUKI, Yuki)

修士論文 「コバルト酸ストロンチウム薄膜を活性層とする磁性・導電性記憶素子の改善」
卒業論文 「全固体 SrCoO3-δ 強磁性薄膜トランジスタの作製」
在籍期間：2013.11 - 2017.3
原著論文 / Original Paper[1] Takayoshi Katase, Yuki Suzuki, Hiromichi Ohta, “Highly conducting leakagefree electrolyte for SrCoOx-based non-volatile memory device”, J. Appl. Phys. 122,135303 (2017). (DOI: 10.1063/1.5005520)[2] T. Katase, Y. Suzuki, and H. Ohta, “Reversibly switchable electromagnetic device
with leakage-free electrolyte”, Adv. Electron. Mater. 2, 1600044 (2016). (2016.3.29online). (doi:10.1002/aelm.201600044)[3] T. Katase, H. Takahashi, T. Tohei, Y. Suzuki, M. Yamanouchi, Y. Ikuhara, I.
Terasaki, and H. Ohta, “Solid-phase epitaxial growth of A-site-ordered perovskite
Sr4-xErxCo4O12-d: A room temperature ferrimagnetic p-type semiconductor”, Adv.
Electron. Mater. 1, 1500199 (2015). (DOI: 10.1002/aelm.201500199)
学会発表 / Conference[11] Y. Suzuki, T. Katase, and H. Ohta, “Characterization of amorphous
NaTaO3 nanopillar array film”, The 17th RIES-Hokudai International Symposium 柔[Ju], Chateraise Gateaux Kingdom Sapporo, Sapporo, Japan, 13-14 Dec. 2016（ポスター）[10] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “コバルト酸ストロンチウム薄膜の酸化還元反応を利用した電気・磁気メモリデバイスの開発”, 日本セラミックス協会東北北海道支部研究発表会, 北海道大学
フロンティア応用科学研究棟, 札幌, 2016 年 10 月 27 日-28 日[9] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “磁性と導電性を同時切替可能な全固体薄膜デバイスの作製”, 薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都, 2016 年 10 月 21 日-22日（ポスター） スチューデントアワード受賞[8] Y. Suzuki, T. Katase, and H. Ohta, “Leakage-free alkaline electrolyte:Amorphous NaTaO3 nanopillar array”, International Workshop on Oxide Electronics23, Nanjing International Conference Hotel, Nanjing, China, 12-14 Oct. 2016(poster)[7] Yuki Suzuki, Takayoshi Katase, Hiromichi Ohta, “Leakage-free alkaline
electrolyte: Amorphous NaTaO3 nanopillar array”, HOKUDAI-NCTU International
Joint Symposium on Nano, Opto and Bio Sciences, Hokkaido University, Sapporo,Japan, 4-5 Oct. 2016 (poster)[6] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “Sr1-xBaxCoO3-δ 薄膜の強磁性転移温度”, 2016 年 第77 回 応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟県新潟市, 2016 年 9 月 13 日-16 日[5] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “漏液しないアルカリ電解液による導電性-磁性切替デバイスの省電力化”, 第 63 回 応用物理学会春季学術講演会, 東工大 大岡山キャンパス, 東京, 2016
年 3 月 19 日-22 日[4] 鈴木雄喜, 片瀬貴義，太田裕道, “含水多孔質ガラスを用いた全固体導電率-磁性スイッチングデバイス”, 第 51 回応用物理学会北海道支部学術講演会, 北海道大学 学術交流会館, 札幌,
2016 年 1 月 9 日-10 日[3] Y. Suzuki, T. Katase, and H. Ohta, “All-solid-state non-volatile electromagnetic
phase switching device”, THE 16th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM“術” [JUTSU], Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo, Japan, 2015 年 11 月 10 日-11日（ポスター）

[2] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道,”固体電解質を利用した磁性酸化物薄膜の反強磁性絶縁体－強磁性金属スイッチング”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第３回若手の会, ホテルグランテラス千歳, 北海道, 2015 年 7 月 27 日-28 日 平成 27 年度
増本賞 金賞 受賞[1] 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “全固体 SrCoO3-δ 強磁性薄膜トランジスタ”, 第 62 回 応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 神奈川, 2015 年 3 月 11 日-14 日
受賞 / Award[4] スチューデントアワード, 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道, “磁性と導電性を同時切替可能な全固体薄膜デバイスの作製”, 薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学 響都ホール校友会館, 京都,2016 年 10 月 21 日-22 日（ポスター）[5] THE 16th RIES-HOKUDAI INTERNATIONAL SYMPOSIUM “術” [JUTSU] PosterAward, Y.

Suzuki,electromagnetic

T.

phase

Katase,andswitchingH.

Ohta,device”,“All-solid-stateTHE

16th

non-volatile

RIES-HOKUDAI

INTERNATIONAL SYMPOSIUM “術” [JUTSU] , Gateaux Kingdom SAPPORO, Sapporo,Japan, 2015 年 11 月 10 日-11 日（ポスター）[3] 平成 27 年度 増本賞 金賞, 鈴木雄喜, 片瀬貴義, 太田裕道,”固体電解質を利用した磁性酸化物薄膜の反強磁性絶縁体－強磁性金属スイッチング”, 新学術領域研究「ナノ構造情報のフロン
ティア開拓 ― 材料科学の新展開」第３回若手の会, ホテルグランテラス千歳, 北海道, 2015 年 7
月 27 日-28 日
特許 / Patent[1] 太田裕道, 片瀬貴義，鈴木雄喜，国際特許出願 PCT/JP2016/050206 「半導体装置」（2016 年 1 月 6 日 出願）[2] 特願 2015-002769 「半導体装置」、太田裕道、片瀬貴義、鈴木雄喜（2015 年 1 月 9 日出願）
報道 / News[21] 「北大が新しい記憶装置を開発」、北海道放送 HBC ニュース（2016 年 3 月 30 日）PDF[20] 「電気・磁化の両方で記憶 北大・新メモリーを開発」、化学工業日報（2016 年 3 月 30 日）

[19] 「北大、レーザー堆積法で電気／磁気メモリーを開発」、月刊 OPTRONICS online（2016 年3 月 31 日）[18] 「絶縁体の酸化物 電気流れる磁石に 北大電子研が成果」、科学新聞（2016 年 4 月 8 日6 面）[17] 「記憶媒体 容量 2 倍に 北大教授ら開発 スマホに応用可」、読売新聞（2016 年 4 月 16
日 朝刊 26 面 北海道版）PDF[16] “The switch that could double USB memory”, Phys.org, 24 June, 2016[15] “The switch that could double USB memory”, Science Daily, June 24, 2016[14] “Magnetic switch holds promise for double capacity solid state storage”,gizmag, June 28, 2016[13] “Magnetic switch holds promise for double capacity solid state storage”,truemag, 28 June, 2016[12] “The switch that could double USB memory”, new electronics, 1 July, 2016[11] “Switching States To Deliver Double USB Memory”, Crazy Engineers, July 2,2016[10] “The switch that could double USB memory”, News Dog, July 2, 2016
[9] “A New Method to Double USB Memory”, Iscanews, July 2, 2016[8] “The Switch That Could Double USB Memory”, Science Newsline Technology, 2July, 2016
[7] “The Switch That Could Double USB Memory”, Technobahn, 2 July, 2016
[6] “The switch that could double USB memory”, RtoZ.org, July 3, 2016 Youtube[5] “The switch that could double USB memory”, Space Daily, 6 July 2016
[4] “Hitting The Magnetic Switches”, Tom’s Hardware, July 9, 2016
[3] “New Device Could Double USB Storage Capacity”, Electronics 360, 11 July,2016[2] “磁電雙穩態材料倍增儲存容量”, EET Taiwan, 12 July, 2016
[1] “Double memory storage with magnetic and electric signals”, COSMOSMagazine, 12 July, 2016