■電気・電子工学講座 業績一覧 2020年〔査読付学術原著論文〕 26件
題目
著者
Enhancement‐Mode AlGaN/GaN Vertical Trench Metal–Insulator–Semiconductor
Akio Yamamoto, Keito Kanatani, Norifumi Yoneda, Joel, T. Asubar,
High‐Electron‐Mobility Transistors with a High Drain Current Fabricated Using
Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara
the AlGaN Regrowth Technique

掲載誌,巻,号(出版年月)頁
Physica Status Solidi A,217,7 (2020.04)1900622-(7)Enhancement-Mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs With High VTH and High IDmax
Using Recessed-Structure With Regrown AlGaN Barrier

Joel Tacla Asubar, Shinsaku Kawabata, Hirokuni Tokuda, Akio
Yamamoto, and Masaaki Kuzuhara

IEEE Electron Device Letters,41,5 (2020.05)693-696

Design considerations for normally-off operation in Schottky gate pGaN/AlGaN/GaN HEMTs

Hirokuni Tokuda, Joel T. Asubar and Masaaki Kuzuhara

Japanese Journal of Applied Physics,59(2020.07)084002-(7)Behavior of Raman B1 (high) Mode and Evaluation of Crystalline Quality in the
InxGa1–xN Alloys Grown by RF-MBE

Ashraful G. Bhuiyan, Kenji Kuroda, Md. Sherajul Islam, Akihiro Hashimoto Bull Mater Sci.,43 (2020.09)278-1-278-7

Optimization of Voltage Unbalance Compensation by Smart Inverter

Shigenobu, Ryuto, Nakadomari, Akito, Hong, Ying-Yi, Mandal, Paras,
Takahashi, Hiroshi, Senjyu, Tomonobu

ENERGIES,13,18 (2020.09)-(22)A method to find periodic solutions in nonautonomous nonlinear circuits using
Haar wavelet transform

S. Moro, K. Takamatsu

NOLTA, IEICE,11,4 (2020.10)561-570

Ni/p-GaNショットキー接触におけるMg濃度依存性

塩島謙次

材料,69,10 (2020.10)717-720

Mapping of large structural defects in SiC Schottky contacts using internal
photoemission microscopy

Kenji Shiojima, Masashi Kato

Materials Science in Semiconductor Processing,118(2020.11)105182-(12 pages)

RF-MBE Growth and Orientation Control of GaN on Epitaxial Graphene

Ashraful G. Bhuiyan, Yuta Kamada, Md. Sherajul Islam, Riku Syamoto,
Daiki Ishimaru, Akihiro Hashimoto

Results in Physics,20 (2020.12)103714-1-103714-5

On an Implementation of the Two-Sided Jacobi Method

Sho Araki, Masana Aoki, Masami Takata, Kinji Kimura, Yoshimasa
Nakamura

IPSJ Transactions on Mathematical Modeling and Its
Applications,14,1 (2021.01)12-20

Broad learning can tolerate noise in image recognition

Rong-Long Wang, Yang Yu, Yusuke Terada and Shangce Gao

IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND
ELECTRONIC ENGINEERING,16 (2021.01)167-169

宇宙太陽光励起レーザーの増幅システム最適化設計

大澤健人, 金邉 忠

レーザー研究,49,1 (2021.01)67-73

Growth of Single Crystalline Si on Graphene using RF-MBE: Orientation Control
Ashraful G. Bhuiyan, Taiji Terai, Tomohiro Katsuzaki, Akihiro Hashimotowith an AlN Interface Layer
Mapping of photo-electrochemical etched Ni/GaN Schottky contacts using
Ryo Matsuda, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida,scanning internal photoemission microscopy—comparison between n- and p-type
Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima
GaN samples
Mapping of n-GaN Schottky contacts formed on facet-growth substrates using
Kenji Shiojima, Masataka Maeda and Kaori Kurihara
near-ultraviolet scanning internal photoemission microscopy

Applied Surface Science,548 (2021.02)149295-1149295-7

両面受光型太陽光発電モジュールが発電機起動停止計画に与える効果の検証

エネルギー・資源学会論文誌,42,2 (2021.02)58-66

Low Cost and Stable THz-TDS System Using Laser Chaos
Lifetime Estimation for Electrical Components in Distribution Systems Using
Their Inspection and Maintenance Records

重信 颯人, 伊藤 雅一

Japanese Journal of Applied Physics,60(2021.02)SBBD12-7 pages
Semiconductor Science and Technology,36(2021.02)034007-9 pages

Fumiyoshi Kuwashima, Takuya Shirao, Kazuyuki Iwao, Masahiko Tani,
2020 45th International Conference on Infrared,
Kazuyoshi Kurihara, Kohji Yamamoto, Osamu Morikawa, Hideaki Kitahara, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), IEEE
Makoto Nakajima
Xplore, (2021.03)
Takano Hirotaka, Nakae Kan, Ryuto Shigenobu, Masakazu Ito, Yuusuke
Measurement, Control, and Automation,1,2 (2021.03)-(6)
Kokubo, Shoichi Higashiyama

A ladder spherical evolution search algorithm

Haichuan YANG, Shangce Gao, Rong-Long Wang and Yuki TODOIEICE TRANS. INF.&SYST.,E104-D,3 (2021.03)461-464

Molecular dynamics study of thermal transport in single-layer silicon carbide
nanoribbons

Md Sherajul Islam, A. S. M. Jannatul Islam, Orin Mahamud, Arnab Saha,
Naim Ferdousi, Jeongwon Park, Akihiro Hashimoto

AIP Advances,10 (2020.01)03162-DOI:
10.1063/1.5131296

Growth Mechanism of InN Nucleation Layers on Epitaxial Graphene Using
MOVPE and RF-MBE

Ashraful Bhuiyan, Daiki Ishimaru, Akihiro Hashimoto

ACS Crystal Growth and Design,20 (2020.01)1415-1421

Molecular beam epitaxy of InAlN alloys in the whole compositional range

Ashraful Bhuiyan, Md Sherajul Islam, Akihiro Hashimoto

AIP Advances,10 (2020.01)015053https://doi.org/10.1063/1.5139974

M-Shape PV Arrangement for Improving Solar Power Generation Efficiency

Huang, Yongyi, Shigenobu, Ryuto, Yona, Atsushi, Mandal, Paras, Yan,
Zengfeng, Senjyu, Tomonobu

APPLIED SCIENCES-BASEL,10,2 (2020.01)-(18)RF-MBE and MOVPE InxGa1-xN films over the entire composition range: A
study on growth method dependence

A. G. Bhuiyan, Md Sherajul Islam, D. Hironaga, A. Hashimoto

Superlattices and Microstructures,140 (2020.02)1064481-106448-7

Epitaxial growth and characterization of Cr-doped ZnSnAs2 thin films on InP
substrates

Hiroto Oomae, Kai Sato, Miyuki Shinoda, M. I. Faris bin Ishak, Hideyuki
Toyota, Masashi Akabori, Hidetoshi Kizaki, Shinichi Nakamura, Joel T.
Asubar and Naotaka Uchitomi

Japanese Journal of Applied Physics,59(2020.02)030601-(6)Behaviors of solutions to network diffusion equation with power-nonlinearity - A
Xiaoyan Zhang, Taiga Senyo, Hiroto Sakai and Atsumi Ohara
role of the q-exponential function for sufficiently large power-exponent -Eur. Phys. J. Special Topics,229 (2020.03)729-741〔査読付国際会議論文〕 12件
題目
Normally-off Recessed-gate ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Regrown
AlGaN Barrier

著者
Itsuki Nagase, Joel T. Asubar, Rui Shan Low, Shun Urano, Hirokuni
Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki Kuzuhara

掲載誌,巻,号(出版年月)頁
Solid State Devices and Materials,2020 (2020.07)D-1007

Lesamnta-LW Revisited: Improved Security Analysis of Primitive and New PRF
Mode

Shoichi Hirose, Yu Sasaki, Hirotaka Yoshida

The 18th International Conference on Applied
Cryptography and Network Security (ACNS 2020),
Lecture Notes in Computer Science,12146 (2020.08)89109

Efficiency Increasement of 445-nm Laser Diode Pumped Ti:sapphire Laser byHigh Intensity Pumping

M. Shibata, S. Kataoka, T. Kawashima, Q. Han and S. Kawato

Conference on Lasers and Electro-Optics/Pacific Rim
2020, (2020.08)

Efficient CW operation of a single-emitter multi-mode laser-diode-pumped
hemispherical short cavity laser by high intensity pumping

Y. Aoyagi, R. Kobayashi, Q. Han and S. Kawato

Conference on Lasers and Electro-Optics/Pacific Rim
2020, (2020.08)

Theoretical analysis of the influence of loss position and pump power on theefficiency and oscillation spectrum in the oscillator of a mode-locked laser

Hiro Ashizawa, Junya Maeda, Sakae Kawato

Frontiers in Optics + Laser Science 2020, (2020.09)

Theoretical analysis of Influence of Pump-band Fraction and Pump-induced Loss
T. Kawashima, M, Shibata and S. Kawato
for efficiency of Laser Diode Pumped CW Ti:sapphire Laser

Frontiers in Optics + Laser Science 2020, (2020.09)
Proc. of International Symposium on Nonlinear Theory
and Its Applications (NOLTA2020) (2020.11)48-51
The 14th International Conference on Network and
System Security (NSS 2020), Lecture Notes in Computer
Science 12570, (2020.12)

Parameter estimation of nonlinear circuits using Haar wavelet transform

K. Sakaguchi and S. Moro

Compactly Committing Authenticated Encryption Using Tweakable Block Cipher

Shoichi Hirose

Lifetime Estimation for Electrical Components in Distribution Systems Using
Their Inspection and Maintenance Records

Takano Hirotaka, Nakae Kan, Ryuto Shigenobu, Masakazu Ito, Yuusuke
Kokubo, Shoichi Higashiyama

Measurement, Control, and Automation,1,2 (2021.03)-(6)On an Implementation of the One-Sided Jacobi Method with High Accuracy

Masami Takata, Sho Araki, Kinji Kimura, Yoshimasa Nakamura

Advances in Parallel & Distributed Processing, andApplications, (2021.08)

Application of the Orthogonal QD Algorithm with Shift to Singular Value
Decomposition for Large Sparse Matrices

Hiroki Tanaka, Taiki Kimura, Tetsuaki Matsunawa, Shoji Mimotogi,
Masami Takata, Kinji Kimura, Yoshimasa Nakamura

Advances in Parallel & Distributed Processing, andApplications, (2021.08)

Impact of SiN capping during Ohmic Annealing on Performance of GaN-based
MISHEMTs

RS Low, S Kawabata, JT Asubar, H Tokuda, M Kuzuhara

IEEE IMFEDK Technical Digest, (2020.01)

ページ 1

〔論文（その他）〕 2件
題目
Enhanced Breakdown Voltage in AlGaN/GaN HEMTs by Oxygen Plasma
Treatment

著者
Shunsuke Kamiya, Takashi Nishitani, Yu Matsuda, Nozomu Takano, Joel
T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara

Improved performance in GaN-based HEMTs with insulated gate structures

A Baratov, T Ozawa, S Yamashita, JT Asubar, H Tokuda, M Kuzuhara

掲載誌,巻,号(出版年月)頁
IEICE Technical Report,120 (2020.11)45-48
IEICE Technical Report,120 (2020.11)60-62〔講 演〕 59件
題目

発表者

会議名,発表番号記号,開催地,抄録集等名（発表年月）

両面受光型太陽光発電モジュールが発電機起動停止計画に与える効果の検証

重信 颯人, 伊藤 雅一

第39回エネルギー資源学会研究発表会 (2020.07)

H2エッチングSiC表面の微細孔形成平井 瑠一, 社本 利玖, 山下 雄大, 橋本 明弘

第81回応用物理学会秋季学術講演会,9a-Z29-14,オンラ
イン開催 (2020.09)

界面光顕微応答法によるゲートリセスPECエッチングしたAlGaN/GaN HEMT構造
川角 優斗, 堀切 文正, 福原 昇, 塩島 謙次の二次元評価

応用物理学会秋季学術講演会,10p-Z04-5,オンライン(2020.09)

Si薄膜成長へ向けたエピタキシャルグラフェンの表面改質

勝崎 友裕, 社本 利玖, 平井 瑠一, 橋本 明弘

第81回応用物理学会秋季学術講演会,10p-Z05-2,オンラ
イン開催 (2020.09)

PV導入量に応じたLFC確保容量決定手法のための予備検討

佐戸佑気, 重信颯人, 伊藤雅一

令和2年電気学会電力・エネルギー部門大会 (2020.09)

界面顕微光応答法による表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の評
価

塩島 謙次, 田中 亮, 高島 信也, 上野 勝典, 江戸 雅晴

応用物理学秋季学術講演会,10a-Z04-1,オンライン(2020.09)

界面顕微応答法を用いたInAlN-HEMT構造上のショットキー電極の2次元評価

内田 昌宏, 川角 優斗, 西村 一巳, 渡邉 則之, 塩島 謙次

応用物理学会秋季学術講演会,10a-Z04-4,オンライン(2020.09)

コンタクトレス光電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの評価--電解液による違い--松田 陵, 堀切 文正, 福原 昇, 成田 好伸, 吉田 丈洋, 三島 友義, 塩島 謙 応用物理学会秋季学術講演会,10a-Z04-6,オンライン
次(2020.09)

多機能2次元構造を用いたエピタキシャルグラフェン上GaN成長

社本 利玖, 平井 瑠一, 勝崎 友裕, 橋本 明弘

第81回応用物理学会秋季学術講演会,11a-Z02-9,オンラ
イン開催 (2020.09)

修復された多機能2次元構造を用いたGaN成長

水野 裕介, 社本 利玖, 勝崎 友裕, 橋本 明弘

第81回応用物理学会秋季学術講演会,11a-Z02-10,オン
ライン開催 (2020.09)

両側ヤコビ法を利用した複素数行列に対する特異値分解の実装について

宮前隆広, 木村欣司

2020年度電気・情報関係学会北陸支部連合大会(2020.09)

ハールウェーブレット変換を用いた2階偏微分方程式の数値解析

前川拓海, 茂呂征一郎

2020年度電気・情報関係学会北陸支部連合大会,F2-33,福井市 (2020.09)

ハールウェーブレット変換を用いた非線形回路のパラメータ推定

阪口和哉, 茂呂征一郎

2020年度電気・情報関係学会北陸支部連合大会,F2-32,福井市 (2020.09)

深層学習とステレオ画像を用いた自律型UAVの障害物検出と衝突回避

松山隼人, 茂呂征一郎

2020年度電気・情報関係学会北陸支部連合大会,F2-21,福井市 (2020.09)

CANDLES による二重ベータ崩壊の研究 -現状報告-

吉田斉, 伊賀友輝, 李暁龍, Ken Keong Lee, 山本朝陽, 原田卓明, 梅原さおり, 鉄野高之介, 能町正治, 味村周平, 岸本忠史, 松岡健次, 瀧平勇吉,
Bui Tuan Khai, 小川泉, 玉川洋一, 中島恭平, 戸澤理詞, 橋本明弘, 廣田 日本物理学会2020年秋季大会,17pSG-1 (2020.09)
歩夢, 河島祐介, 新木陽介, 伏見賢一, 飯田崇史, 硲隆太, NoithongPannipa, Anawat Rittirong, 鈴木耕拓

Itsuki Nagase;Joel T. Asubar;Rui Shan Low;Shun Urano;Hirokuni
Tokuda;Akio Yamamoto;Masaaki Kuzuhara

2020年度 日本数学会 秋季総合分科会 応用数学分科会,熊本市（遠隔）,2020年度 日本数学会 秋季総合分科
会 応用数学分科会 講演アブストラクト (2020.09)
Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM 2020)(2020.09)

Ryo Matsuda, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida,
Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima

International conference on Solid State Devices andMaterials 2020 (SSDM2020),D-2-06,オンライン (2020.09)

Kenji Shiojima, Yuto Kawasumi, Yuto Yasui, Yukiyasu Kashiwagi,
Toshiyuki Tamai

International conference on Solid State Devices andMaterials 2020 (SSDM2020),C-5-02,オンライン (2020.09)

どこまで拡がる? 微分方程式整数型解法の適用範囲―整数の四則演算だけでど
坂口文則
こまでできるか―
Normally-off Recessed-gate ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with Regrown
AlGaN Barrier
Mapping of Photoelectrochemical Etched Ni/GaN Schottky Contacts Using
Scanning Internal Photoemission Microscopy -- Comparison between n- and ptype GaN samples -Two-Dimensional Characterization of n-GaN Schottky Contacts Printed byUsing Ni Nanoink

共振器内の損失を与える位置が非線形材料を挿入したモード同期レーザーの効 芦澤 浩, 前田 隼哉, 青柳 祐宇, 柴田 真志, HAN QIYAO, 川嶋俊輝,
率と発振スペクトルに及ぼす影響に関する理論解析
川戸 栄, 河仲 準二

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2020 (2020.09)

エコロジカルフットプリントによる持続可能社会のための再生可能エネルギー必
要発電量推計Nurainina Najaa binti Firaberi, 重信颯人, 伊藤雅一, 田中裕章

日本太陽エネルギー学会研究発表会 (2020.11)

Inertia Comtrol Method Considering State of Charge for Battery-based Virtual
Synchronous Generator

藤田 哲平, 重信 颯人, 伊藤 雅一2020 XUT ANNUAL GRADUATE CONFERENCE AND
INTERNATIONAL ACADEMIC SYMPOSIUM (2020.11)

Output Estimation Method for Bifacial PV ModulesConsidering Sight Factor and
PV Cell Cluster

佐戸 佑気, 重信 颯人, 伊藤 雅一2020 XUT ANNUAL GRADUATE CONFERENCE AND
INTERNATIONAL ACADEMIC SYMPOSIUM (2020.11)

Renewable Energy and Power Network Research for Sustainable Society

Masakazu Ito

PVSEC-30 (2020.11)

Fumiyoshi Kuwashima, Takuya Shirao, Kazuyuki Iwao, Masahiko Tani,
2020 45th International Conference on Infrared,
Low Cost and Stable THz-TDS System Using Laser Chaos
Kazuyoshi Kurihara, Kohji Yamamoto, Osamu Morikawa, Hideaki Kitahara, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMWMakoto NakajimaTHz),P307,Online (2020.11)
Hideaki Kitahara, Masaki Shiihara, Akihiro Esaki, Hiroki Takeuchi, Takashi
Electro-Optic Sampling Of Terahertz Pulses By Using GaAs And Tapered
45th International Conference on Infrared, Millimeter, andFuruya, Elmer Estacio, Kohji Yamamoto, Mary Clare Escaño, Michael
Parallel Plate WaveguideTerahertz Waves (IRMMW-THz 2020) (2020.11)
Bakunov, Masahiko Tani
Developments of Millimeter and Sub-Millimeter Wave Backscattering Systems for T. Tokuzawa, K. Tanaka, K. Y. Watanabe, S. Kubo, A. Ejiri, S. Inagaki, J.
45th International Conference on Infrared, Millimeter, andFusion Plasma Turbulence Diagnostics
Kohagura, K. Yamamoto, T. Saito, H. Idei, R. Imazawa, N. Oyama
Terahertz Waves (IRMMW-THz 2020),P266 (2020.11)
Fumiyoshi Kuwashima, Takuya Shirao, Kazuyuki Iwao, Masahiko Tani,
45th International Conference on Infrared, Millimeter, and
Low Cost And Stable THz-TDS System Using Laser Chaos
Kazuyoshi Kurihara, Kohji Yamamoto, Osamu Morikawa, Hideaki Kitahara,
Terahertz Waves (IRMMW-THz 2020),P307 (2020.11)
and Makoto Nakajima
界面顕微光応答法によるn-GaN上に印刷法で形成したNi，Agショットキー接触の令和2年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2川角優斗, 安井悠人, 柏木行康, 玉井聡行, 塩島謙次
二次元評価回研究会,2,WEB開催 (2020.11)
界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキーの２次 松田 陵, 堀切 文正, 成田 好伸, 吉田 丈洋, 福原 昇, 三島 友義, 塩 電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究
元評価－n形とp形の比較－
島 謙次
会,ED2020-9,WEB開催 (2020.11)
Enhanced Breakdown Voltage in AlGaN/GaN HEMTs by Oxygen Plasma
Treatment
GaN-based MIS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Al2O3
Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価
Characterization of mist-CVD deposited Al2O3 films on AlGaN/GaN
heterostructures
Effect of Post-Metallization Annealing on Properties of ZrO2/regrownAlGaN/GaN structures
Effect of recoil-implanted N atoms on defect formation in Mg-implanted GaN

Shunsuke Kamiya;Takashi Nishitani;Yu Matsuda;Nozomu Takano;Joel T.
Asubar;Hirokuni Tokuda;Masaaki Kuzuhara
Low Rui Shan;Itsuki Nagase;Ali Baratov;Joel Tacla Asubar;Hirokuni
Tokuda;Masaaki Kuzuhara;Zenji Yatabe;Kenta Naito;Motoyama
Tomohiro;Yusui Nakamura
川角優斗, 安井悠人, 柏木行康, 玉井聡行, 塩島謙次
Tomohiro Motoyama, Kenta Naito, Yusui Nakamura, Zenji Yatabe, Rui
Shan Low, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Hirokuni Tokuda, Masaaki
Kuzuhara, Joel T. Asubar
Shun Urano, Joel T. Asubar, Itsuki Nagase, Rui Shan Low, Shunsuke
Kamiya, Ali Baratov, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki
Kuzuhara
K. C. Herbert, K. Shibata, J. T. Asubar, M. Kuzuhara

ページ 2

IEICE Electron Device (2020.11)
IEICE Electron Device (2020.11)
電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会,ED2020-19,WEB開催 (2020.11)
The 2020 IEEE International Meeting for Future of
Electron Devices Kansai 2020 11 27,Kyoto, Japan(2020.11)
The 2020 IEEE International Meeting for Future of
Electron Devices Kansai 2020 11 27,Kyoto, Japan(2020.11)
The 2020 IEEE International Meeting for Future of
Electron Devices Kansai 2020 11 27,Kyoto, Japan(2020.11)

題目
Improved Interfaces of high-K ZrO2 and AlGaN via ex-situ MOVPE regrowth
Improved performance in GaN-based HEMTs with insulated gate structures

発表者
Itsuki Nagase, Joel T. Asubar, Rui Shan Low, Shun Urano, Shunsuke
Kamiya, Ali Baratov, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki
Kuzuhara
Ali Baratov;Takashi Ozawa;Shunpei Yamashita;Joel T. Asubar;Hirokuni
Tokuda;Masaaki Kuzuhara

会議名,発表番号記号,開催地,抄録集等名（発表年月）
The 2020 IEEE International Meeting for Future of
Electron Devices Kansai 2020 11 27,Kyoto. Japan(2020.11)
IEICE Electron Device (2020.11)

軟X線励起による窒化アルミニウムの不純物発光

坂野俊文, 前川侑大, 福井一俊, 山本晃司, 今田早紀

令和2年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会,B12 (2020.11)

金属平行平板導波路に配置した誘電体チューブにおけるテラヘルツ波の局在
モード

原直正, 山本晃司, 福井一俊

令和2年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会,B05 (2020.11)

光学干渉解析による複素屈折率の導出法の研究

堀場将人, 福井一俊, 山本晃司, 斎藤輝文, 堀米利夫

令和2年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会,B11 (2020.11)

界面顕微光応答法による2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の二次元評
平野 智也, 朝日 重雄, 喜多 隆, 塩島 謙次
価

令和2年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会,講演番号7,WEB開催 (2021.01)

デコンボリューション問題におけるcondition L-curveの検討

久保井五貴, 田中利佳, 小澤伸也, 細田陽介, 高田雅美, 木村欣司

日本応用数理学会 2021年 研究部会連合発表会(2021.03)

影考慮のための形態係数を用いた両面PVモジュールの裏面日射強度の推定

野坂良輔, 重信颯人, 伊藤雅一

令和3年電気学会全国大会 (2021.03)

走行シナリオを考慮した太陽光発電システム搭載自動車におけるセルサイズの最適化

吉田将希, 重信颯人, 伊藤雅一

令和3年電気学会全国大会 (2021.03)

Characterization of Au/Ni/n-GaN Schottky Contacts with Different Surface
Treatments

Kenji Shiojima, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno and
Masaharu Edo,

13th International Symposium on Advanced Plasma
Science and its Applicationa for Nitrides andNanomaterials (ISPlasma 2021),09pD13O,on line
(2021.03)

風力発電の長周期変動緩和要件対応のための予測を用いた蓄エネルギー装置
後藤立真, 重信颯人, 伊藤雅一
による指定時間帯一定制御の基礎検討

令和3年電気学会全国大会 (2021.03)

Niナノインクを用いて印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価

川角 優斗, 安井 悠人, 柏木 行康, 玉井 聡行, 塩島 謙次

応用物理学会春季学術講演会,16a-Z16-4,WEB開催(2021.03)

多機能2次元構造作製におけるエピタキシャルグラフェン形成過程

社本 利玖, 勝崎 友裕, 水野 裕介, 橋本 明弘

第68回応用物理学会春季学術講演会,16p-P01-4,オンラ
イン開催 (2021.03)

金属平行平板誘電体チューブのテラヘルツ帯減衰ピークの誘電率依存性

原直正, ビン タジュデン ムハマド イルミ, 福井一俊, 山本晃司

第68回2021年応用物理学会春季学術講演会,17p-P01-2(2021.03)

廉価版sub-THz分光器での集束sub-THz放射を用いた透過測定

森川 治, 山本 晃司, 栗原 一嘉, 桒島 史欣, 谷 正彦

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会,17p-P011~7,Online (2021.03)

GaAsとテーパー付き平行平板導波路によるテラヘルツパルスの電気光学サンプ 北原英明, 江崎晃弘, 古屋岳, エスタシオ エルマー, 山本晃司, エスカニョ 第68回2021年応用物理学会春季学術講演会,18a-Z09-2
リング検出
メアリ クレア, バクノフ マイケル, 谷正彦(2021.03)
ポーラスエピタキシャルグラフェン形成におけるSiC表面構造の影響

平井 瑠一, 山下 雄大, 橋本 明弘

第68回応用物理学会春季学術講演会,19p-P01-21,オン
ライン開催 (2021.03)

離散戸田分子方程式と逆問題

木村欣司, 久保井五貴, 田中利佳, 小澤伸也, 細田陽介, 高田雅美

Risa/Asir Conference 2021 (2021.03)

走行シナリオを考慮した太陽光発電システム搭載自動車におけるセルサイズの最適化

吉田将希；重信颯人, 伊藤雅一

令和3年電気学会全国大会 (2021.03)

影考慮のための形態係数を用いた両面PVモジュールの裏面日射強度の推定

野坂良輔；重信颯人, 伊藤雅一

令和3年電気学会全国大会 (2021.03)

エコロジカルフットプリントを用いたエリア別に追加再生可能エネルギー発電量のヌライニナ；重信颯人, 伊藤雅一
令和3年電気学会全国大会 (2021.03)
推計
RuiShan Low, Shinsaku Kawabata, Joel Asubar, Hirokuni Tokuda,
AlGaN/GaN MIS-HEMTs using 4-nm-thick Al2O3 Dielectric Deposited by Mist
The 67th JSAP Spring Meeting 2020 (Tokyo) 2020 03 12
Masaaki Kuzuhara, Zenji Yatabe, Kenta Naito, Kazuki Nishimura, Yusui
Chemical Vapor Deposition (14p-B401-6)(2020.03)
NakamuraAli Baratov, Takashi Ozawa, Mohammad Nazrin, Shunpei Yamashita, Joel
Study on gain improvement in AlGaN/GaN MOS HEMTs Study on gain
The 67th JSAP Spring Meeting 2020 (Tokyo) 2020 03 12
T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masato Nishimori, Yoichi Kawano, Masaaki
improvement in AlGaN/GaN MOS HEMTs (14p-B401-5)(2020.03)
Kuzuhara〔著 書〕 1件
題目
Control of Semiconductor Interfaces

著者
出版社(出版年月)
Kenji Shiojima, Professor Katsuyoshi Washio, Professor Seiichi Miyazaki, Materials Science in Semiconductor Processing
Dr. Hiroo Omi, Dr. Giuliana Impellizzeri(2020.11)〔特 許〕 1件
題目
顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法

発明者
塩島謙次

特許番号(登録日)
6744525 (2020.08)〔資料・解説等〕 4件
題目
用語解説（第109回テーマ：集光型太陽光発電システム）／電力・エネルギー部門
伊藤 雅一
誌 2020年4月号目次
研究グループ紹介：福井大学 電力システム研究室

著者

掲載誌,巻,号,頁(出版年月)
電気学会論文誌Ｂ（電力・エネルギー部門誌）,140,4,NL4_11-NL4_11 (2020.04)
電気学会論文誌Ｂ（電力・エネルギー部門誌）,140,9,NL9_2-NL9_2 (2020.09)

伊藤 雅一, 重信 颯人

界面顕微光応答法によるワイドバンドギャップ材料・電極界面の2次元評価”、 講
塩島謙次
座（IoT社会の発展を支える半導体技術の新展開）

材料,69,11,837-842 (2020.11)

太陽光発電システムの持続的利用技術調査専門委員会設置について (新エネル伊藤 雅一
ギー・環境研究会・新エネルギー・環境技術一般)

電気学会研究会資料. FTE = The papers of Technical
Meeting on "Frontier Technology and Engineering", IEE
Japan,2021,1,35-37 (2021.03)〔学会等の開催〕 3件
名称The 15th International Workshop on Security (IWSEC 2020)

担当者

開催地(期間始)

廣瀬勝一

オンライン (2020.09)

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) K. Shiojima

オンライン (2020.09)

電気学会U-21学生研究発表会

オンライン (2021.03)

伊藤雅一

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