KEK:TST !l86

FSP006

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KEKTST !
KEK入射器では、熱電子銃とRF電子銃を運転に用いている。
• RF電子銃: SuperKEKB電子リング用の低エミッタンスビーム• 熱電子銃: SuperKEKB陽電子生成のための電子ビーム & PF、PF-AR用の電子ビーム =<• 3セクター〜5セクターまでのステアリング磁石と4極磁石のパルス化が行われた。
• パルス化により、SuperKEKBの短いライフと補うための高繰り返しビームと、PF、PF ‒AR運転が両立可能。
• これに伴い、小口径の新規BPMも導入済。
• パルス磁石とイベントベースの制御システムが導入されたことにより、4つのリング（SuperKEKB
HER/LER, PF, PF-AR）への同時入射に成功した[1]。
• 2種の電子銃のビームラインが合流するセクターAの一部においても、偏向磁石、4極磁石、ステアリングのパルス化が進行中であり、今夏に設置予定である。
• 加速管のwake filedによるエミッタンス増大を抑えるための軌道補正用パルスステアリングや、JARC前後の軌道調整用のパルスステアリングの検討または製作が進められている。

Event-based
Control System
Every
20 ms
F.B
e− GunARCe– (2.5GeV, 0.2nC)

F.B
e− GunARC

Damping ring

SuperKEKB-LER Injection

F.B

e– (3.5GeV, 10nC)

F.Be+ Targete+ (4GeV, 4nC)

e− GunARC

SuperKEKB-HER Injection

F.B

F.B

e– (7GeV, 5nC)
e− GunARC• KEK入射器は上流からA, B, J-ARC, C ,1, 2, 3, 4, 5セクターから構成される。
• ビーム繰り返しは最大50Hz、ビームは96nsスペースの２バンチ運転が可能。
• 4リング(HER/LER/PF/PF-AR)への入射が行われている。

F.B

PF Injection

PF-AR Injection

F.B
e– (6.5GeV, 0.2nC)

RFTQ

NJ@H FY2017¡• 2016年2月から6月までSuperKEKB phase I コミッショニングが行われた。その後2018年1月から陽電子用ダンピングリングのコミッショニングが開始され、Phase II コミッショニングが開始された。
• 例年並みの運転時間で4636時間であったが、故障率は昨年の2倍弱と多い。これは、2018年1月からダンピングリングのコミッショニング開始後、イベントシステムのトラブルが長時間続いたことが一因である。

QTWSC:cavity• Nd:YAGレーザーとIr5 Ceカソードを用いたquasitraveling-wave side-couple (QTWSC) cavityによって高電荷の低エミッタンスビームを生成している。
• Phase II では、レーザー増強と安定化によりRF電子銃から2nCの電子ビームを安定にリングへ供給することに成功した[3]。
• Phase III に向けて4nCの電子ビーム生成が必要となる。それに伴い、カソードの量子効率を回復させるための加熱洗浄機構を持つRF電子銃の導入と、レーザーの増幅率を2倍向上させるためにモジュールの追加が予定されている。

SuperKEKB

ST9*i(DR)• KEKBでの0.8nC 2バンチからSuperKEKBでの4nC 2バンチへの変更に伴い、現在は下図の構成で陽電子捕獲が行なわれている。
• 陽電子生成直後のエミッタンスは非常に大きいため、DRでの放射減衰によってエミッタンスを減少させなければならない。
• DR運転に向けて、右図のLTR, RTL, 及び電子が迂回するためのシケイン（セクター2と3の間）のビームラインが構築された。また、DR入出射に必要なイベントシステム[2]、DR入射に必要なエネルギー圧縮、DR出射に必要なバンチ圧縮に必要となる加速管や導波管といったRFシステム、ビームパラメタを測定するためのBPM、ストリークカメラ、スクリーン、ワイヤースキャナも新規導入された。

• 2018年2月から7月までSuperKEKB phase II コミッショニングが行われた[4]。
• 下のテーブルが入射器終端で達成されたビームパラメタであり、Phase II のビーム要求は概ね達成されたが、Phase III の要求までは達成することができなかった。
• 入射器終端からSuperKEKBリングに入るまでのBeam transport lineにてエミッタンスが増大していることが分かっており、原因究明が進められている[5]。
• Phase III では、ビームの位相空間ジッタがエミッタンスに無視できない影響を与えることが分かっており、ジッタの原因究明が行われている[6]。
• Phase III の要求を達成するために、上記原因究明に加えて、RFモニタ[7]を使用したビーム安定度解析や低エミッタンスビーム輸送に不可欠な軌道補正＆フィードバックのためのソフトウェア開発が進行中である。

A;D[1] WEP082, KEK電子陽電子入射器タイミングシステム (宮原房史)[2] THOM03, SuperKEKB phase-2運転における入射制御 (梶裕志)
THP091, SuperKEKB入射器とダンピングリングにおけるビームゲートを用いたトリガー制御 (杉村仁志)[3] FROM06, SuperKEKB用RF電子銃のコミッショニング (吉田光宏)
WEP006, SuperKEKB用RF gunのPhase-IIコミッショニング (周 翔宇)[4] WEOLP01, SuperKEKBフェーズ2におけるコミッショニングの成果 (大西幸喜)[5] THOM04, SuperKEKBの陽電子ダンピングリングの入出射路コミッショニング(飯田直子)[6] WEP002, SuperKEKB入射器におけるビーム位相空間ジッタと有効エミッタンス(清宮裕史)[7] THP104, SuperKEKB入射器のRFモニタシステムによるRF源診断 (片桐広明)