電気・電子工学専攻■電気・電子工学専攻 業績一覧 2019年〔査読付学術原著論文〕 24件
題目
著者
Temperature dependent localization dynamics of excitons
MS Islam, MS Hasan, E Kobayashi, T Makino
in MgZnO alloyed semiconductor

掲載誌,巻,号(出版年月)頁
Physica B,558,1 (2019.04)127-130

Scanning internal photoemission microscopy
measurements of n-GaN Schottky contacts under
applying voltage

Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima

Mapping of damage induced by neutral beam etching on
GaN surfaces using scanning internal photoemission
microscopy

Kenji Shiojima, Tetsuya Suemitsu, Takuya Ozaki, and Seiji Japanese Journal of Applied Physics,58
Samukawa(2019.05)SCCD13-1-SCCD13-5

Mapping the interfacial reaction of α-Ga2O3 Schottky
contacts through scanning internal photoemission
microscopy

Kenji Shiojima, Hitoshi Kambara, Tokiyoshi Matsuda,
Takashi Shinohe

Japanese Journal of Applied Physics,58(2019.04)SCCD02-1-SCCD02-7

Thin Solid Films,685 (2019.05)17-25

Spin-orbit coupling effects on the electronic structure of Islam, Md. Rasidul;Islam, Md. Sherajul;Ferdous,
two-dimensional silicon carbide
Naim;Anindya, Khalid N.;Hashimoto, Akihiro

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS,18,2(2019.06)407-414

Spinning reserve quantification considering confidence
levels of forecast in systems with high wind and solar
power penetration

T. N. Hanh Nguyen, Kuniaki Yabe, Masakazu Ito, Van Tu
Dao, Hideo Ishii, Yasuhiro Hayashi

IEEJ Transactions on Electrical and Electronic
Engineering,14,9 (2019.06)1304-1313

Recognition of landing target of UAV by vision using
machine learning

Y. Homma, S. Moro

J. Signal Processing,23,4 (2019.07)193-196

Widely tunable electronic properties in graphene/twodimensional silicon carbide van der Waals
heterostructures

Rashid, Asmaul Smitha;Islam, Md. Sherajul;Ferdous,
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS,18,3
Naim;Anindya, Khalid N.;Park, Jeongwon;Hashimoto, Akihiro (2019.09)836-845

Influence of reactive-ion-etching depth on interface
properties in Al2O3/n-GaN MOS diodes

Hirokuni Tokuda, Sayaka Harada, Joel T. Asubar andMasaaki Kuzuhara

Japanese Journal of Applied Physics,58 (2019.09)1065031-106503-6

Anomalous temperature dependent thermal conductivityof two-dimensional silicon carbide

Islam, A. S. M. Jannatul;Islam, Md Sherajul;Ferdousi,
Naim;Park, Jeongwon;Bhuiyan, A. G.;Hashimoto, Akihiro

NANOTECHNOLOGY,30,44, (2019.11)

Akihisa Kaneko, Yasuhiro Hayashi, Masakazu Ito, Takaya
LDC-Control Parameters by Plane Determination Using
Database Offline in Distribution Networks with PV System Anegawa, Hideyasu Hokazono, Masayuki Oyama

Int. J. Elec. & Elecn. Eng. & Telcomm, (2019.11)

Effect of Wafer Off-Angles on Defect Formation in Drift
Layers Grown on Free-Standing GaN Substrates

Kenji Shiojima, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita,
Takehiro Yoshida, and Tomoyoshi Mishima

Phys. Status Solidi B (2019.11)1900561-(5)Enhancement‐Mode AlGaN/GaN Vertical Trench Metal–
Insulator–Semiconductor High‐Electron‐Mobility
Transistors with a High Drain Current Fabricated Using
the AlGaN Regrowth Technique

Akio Yamamoto, Keito Kanatani, Norifumi Yoneda, Joel, T. Physica Status Solidi A 217 (2019.11) 1900622-1Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara
1900622-7

Behaviors of solutions to network diffusion equation with
Xiaoyan Zhang, Taiga Senyo, Hiroto Sakai and Atsumi
power-nonlinearity - A role of the q-exponential function
Ohara
for sufficiently large power-exponent -Eur. Phys. J. Special Topics 229 729-741 (2020)

Scheduling Method of Wind Power Generation forElectricity Market Using State-of-charge Transition and
Forecast Error Journal of International Council on
Electrical Engineering

Aki Kikuchi, Masakazu Ito, Yasuhiro Hayashi

Journal of International Council on ElectricalEngineering,9,1 (2020.01)123-132

Tunable electronic properties in bismuthene/two
dimensional silicon carbide van der Waals heterobilayer

Joy Deep Sarker, Md. Sherajul Islam, Naim Ferdous,
Pantha Sarker, Ashraful Ghani Bhuiyan, Takayuki Makino,
Akihiro Hashimoto

Jpn. J. Appl. Phys.,59,SC (2020.02)SCCC03-(12)Temperature dependence of dielectric functions in Yb2O3 T. Makino, Takaho Asai, Tomoya Takeuchi, Kenichi
and Lu2O3 epitaxial thin films on sapphire (0001)
Kaminaga, Daichi Oka, T. Fukumura

Jpn. J. Appl. Phys.,59,SC (2020.02)SCCB13-(8)A new photoreflectance signal possibly due to midgap
interface states in buried F-doped SnO2/TiO2 junctions

E. Kobayashi, S. Shimmura, S. Ito, T. Makino

Jpn. J. Appl. Phys.,59,SC (2020.02)SCCB23-(5)Epitaxial growth and characterization of Cr-doped
ZnSnAs2 thin films on InP substrates

Hiroto Oomae, Kai Sato, Miyuki Shinoda, M. I. Faris bin
Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020.02) 030601-1 - 030601-6 2
Ishak, Hideyuki Toyota, Masashi Akabori, Hidetoshi Kizaki,
2020
Shinichi Nakamura, Joel T. Asubar and Naotaka Uchitomi

Multipurpose control and planning method for batteryenergy storage systems in distribution network withphotovoltaic plant

Satoru AkagiShinya Yoshizawa, Masakazu Ito, Yu Fujimoto,International Journal of Electrical Power & Energy
Teru Miyazaki, Yasuhiro Hayashi, Katsuhisa Tawa, Toshiya
Systems,116 (2020.03)105485
Hisada, Takashi Yano

Fabrication of InN on epitaxial graphene using RF-

Daiki Ishimaru, Ashraful G. Bhuiyan, and Akihiro Hashimoto J. Appl. Phys.,126 (2019)045301

Tunable electronic properties in stanene and two
dimensional silicon carbide hetero bilayer: A firstprinciples investigation

Naim Ferdous, Md. Sherajul Islam, Jeongwon Park, andAkihiro Hashimoto

AIP Advances,9,10 (2019)025120

Spatial distribution of substitutional Mn-As clusters in
Hiroto Oomae, Miyuki Shinoda, Joel T. Asubar, Kai Sato,
Journal of Applied Physics,125 (2019.02)073902-1ferromagnetic (Zn,Sn,Mn)As2 thin films revealed by image
Hideyuki Toyota, Norihito Mayama, Bakhshi Mehdiyev, and073902-8
reconstruction of atom probe tomography data (EDITOR'S
Naotaka Uchitomi
PICK)
On the presence of Ga2O sub-oxide in high-pressure
water vapor annealed AlGaN surface by combined XPS
and first-principles methods〔査読付国際会議論文〕 12件
題目

Mary Clare S. Escaño, Joel T. Asubar, Zenji Yatabe,
Melanie Y.David, Mutsunori Uenuma, Hirokuni Tokuda,
Yukiharu Uraoka, Masaaki Kuzuhara, and MasahikoTani

著者

Applied Surface Science 481 (2019.03)1120-1126

掲載誌,巻,号(出版年月)頁
Proceedings of International Conference on Parallel andDistributed Processing Techniques and Applications 2019(2019.07)156-162

On an Implementation of Two-Sided Jacobi Method

Sho Araki, Masami Takata, Kinji Kimura, Yoshimasa
Nakamura

Improvement of the Thick-Restart Lanczos Method inSingle Precision Floating Point Arithmetic using Givens
Rotations

Masana Aoki, Masami Takata, Kinji Kimura, Yoshimasa
Nakamura

Proceedings of International Conference on Parallel andDistributed Processing Techniques and Applications 2019(2019.07)149-155

A Discrete Three-wave System of Kahan-Hirota-KimuraType and the QRT Mapping

Yuko Takae, Masami Takata, Kinji Kimura, Yoshimasa
Nakamura

Proceedings of International Conference on Parallel andDistributed Processing Techniques and Applications 2019(2019.07)142-148

ページ 1

電気・電子工学専攻
Influence of the Pump-Induced Loss for the Efficiency of
Shunji Kataoka, Sakae Kawato
Blue Diode-laser-pumped Ti:sapphire Laser

Frontiers in Optics + Laser Science, (2019.09)

High Efficiency Laser-Diode-Pumped Hemispherical Short
Ryo Kobayashi, Sakae Kawato
Cavity Laser by High Intensity Pumping

Frontiers in Optics + Laser Science, (2019.09)

History-Free Sequential Aggregate MAC Revisited

Shoichi Hirose and Junji Shikata

The 13th International Conference on Provable Security(ProvSec 2019), Lecture Notes in Computer
Science,11821 (2019.10)77-93

Provable Security of the Ma-Tsudik Forward-Secure
Sequential Aggregate MAC Scheme

Shoichi Hirose and Junji Shikata

The 6th International Workshop on Information andCommunication Security (WICS '19), (2019.11)

Mapping of Metal/Semiconductor andSemiconductor/Semiconductor Interfaces Using Scanning Kenji Shiojima
Internal Photoemission Microscopy

2019 IEEE CPMT Symposium Japan (2019.11)169-172

Sequential Aggregate MACs with Detecting Functionality
Revisited

Shingo Sato, Shoichi Hirose and Junji Shikata,

The 13th International Conference on Network and
System Security (NSS 2019), Lecture Notes in Computer
Science,11928 (2019.12)387-407

Finding unstable periodic solutions in nonautonomous
time-continuous chaotic system using Haar wavelet
transform

K. Takamatsu, S. Moro

Proc. of International Symposium on Nonlinear Theory and
Its Applications (NOLTA 2019) (2019.12)169-172

Authenticated encryption based on Lesamnta-LW hashing
Shoichi Hirose, Hidenori Kuwakado and Hirotaka Yoshidamode

The 22nd International Conference on Information
Security and Cryptology (ICISC 2019), Lecture Notes in
Computer Science,11975 (2020.02)52-69

Doubly autoparallel structure on positive definite matrices
Atsumi Ohara
and its applications

Geometric Science of Information (Frank Nielsen andFrederic Barbaresco eds.) Springer Lecture Notes in
Computer Science,11712 (2019)251-260

Impact of SiN capping during Ohmic Annealing on
Performance of GaN-based MISHEMTs〔論文（その他）〕

1件
題目

Tunable electronic properties in bismuthene/two
dimensional silicon carbide van der Waals heterobilayer〔講 演〕

R. S. Low, S. Kawabata, J. T. Asubar, H. Tokuda, M.
Kuzuhara

著者

IEEE International Meeting for Future of Electron Device(IMFEDK 2019) Technical Digest (2019) 77-78, DOI:
10.1109/IMFEDK48381.2019.8950755

掲載誌,巻,号(出版年月)頁

Joy Deep Sarker and Md. Sherajul Islam and Naim Ferdous
Jpn. J. Appl. Phys.,59,SC (2019.12)SCCC03-(12)and Pantha Sarker and Ashraful Ghani Bhuiyan and
Takayuki MAKINO and Akihiro HASHIMOTO

63件
題目

発表者

会議名,発表番号記号,開催地,抄録集等名（開催年月）

Improved insulator/semiconductor interfaces in
Al2O3/AlGaN/GaN structures by AlGaN layer regrowth

Shinsaku Kawabata, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Akio
Compound Semiconductor Week 2019, Nara (2019.05)
Yamamoto, Masaaki Kuzuhara

Relationship between High Frequency PowerCharacteristics and Current Collapse of AlGaN/GaN
HEMTs

Takashi Ozawa, Joel Tacla Asubar, Hirokuni Tokuda, Yohei
Compound Semiconductor Week 2019, Nara (2019.05)
Yagishita, Yoichi Kawano, Masaaki Kuzuhara

Improved on-state breakdown characteristics in
AlGaN/GaN MOS-HEMTs with a gate field plate

Takashi Nishitani, Ryota Yamaguchi, Joel Tacla Asubar,
Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara

Compound Semiconductor Week 2019, Nara (2019.05)

A Study on Application of Intelligent Algorithms to
Operation Scheduling Problem of Microgrids

Hirotaka Takano;Daichi Ito, Hisao Taoka

ICEE2019 (2019.06)

半球型共振器連続波レーザーの高効率化

青栁 祐宇, 川戸 栄

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2019,吹田市(2019.06)

非線形材料を挿入したモード同期Yb:YAGレーザーのモード
前田隼哉、川戸栄同期の条件が効率に与える影響に関する理論解析

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2019 (2019.06)

高密度励起による青紫色レーザーダイオード励起連続波
チタンサファイアレーザーの高効率化

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2019 (2019.06)

柴田 真志, 川戸 栄

連続波モード同期レーザーの効率に対する共振器内部損
芦澤浩、川戸栄失を与える位置の影響に関する理論的解析

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2019 (2019.06)

Impact of regrown AlGaN layer on the properties of
Al2O3/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor
structures

Joel T. Asubar, Shinsaku Kawabata, Low Rui Shan,
Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki Kuzuhara

Workshop on Compound Semiconductor Devices andIntegrated Circuits held in Europe (WOCSDICE 2019)
Cabourg (France) 17 Jun 2019,Cabourg, France (2019.06)

Optimal Switch configuration for Tanzania RealDistribution Network

Zawadi Athanas MACHA, Ryuto SHIGENOBU, Masakazu
ITO, Hisao TAOKA

日中スプリング・シンポジウム (2019.06)

Optimal PV Cell Size for PV-Powered Vehicles

松田 翔, 重信 颯人, 伊藤 雅一

日中スプリングプログラム・シンポジウム (2019.06)

Combined Excitation Emission Spectroscopy on
CH3NH3Pb(Cl,I)3

T. Asai, T. Takeuchi, T. Yamade, T. Makino, S. Ito

EM-Nano 2019,P1-27,Nagano(Japan),Abstract book for
EM-Nano 2019 (2019.06)

Temperature Dependence of Dielectric Functions in
Yb2O3 and Lu2O3 Thin Films

T. Makino, T. Asai, T. Takeuchi, K. Kaminaga, D. Oka, T.
Fukumura

EM-Nano 2019,A1-5,長野市,Abstract book for EM-Nano2019 (2019.06)

Vertical GaN MOSFETs with a regrown AlGaN barrier
layer

M. Kuzuhara, A. Yamaomoto

2019 Energy, Materials, and Nanotechnology (EMN)
Meeting on Epitaxy,Amstergam(Netherland) (2019.06)

Tunable electronic properties in bismuthene and two
dimensional SiC van der Waals heterobilayer

Md. Sherajul Islam, J. D. Sarker, ASM Jannatul Islam, A. G. EM-Nano 2019,P2-35,Nagano (Japan),Abstract book for
Bhuiyan, T. Makino, A. Hashomoto
EM-Nano 2019 (2019.06)

Effects of Chlorine Concentration on Photoelectric
Conversion Efficiency of Perovskite Solar Cells

T. Makino, A. Maeda, T. Asai, S. Ito

EM-Nano 2019,P3-18,Nagano(Japan),Abstract book for
EM-Nano 2019 (2019.06)

Modulation Spectroscopy on TiO2 Thin Films Grown by
Spray-Pyrolysis

E. Kobayashi, S. Shimmura, S. Ito and T. Makino

EM-Nano 2019,Abstract book for EM-Nano
2019,Nagano(Japan) (2019.06)

Recent progress in Normally-off GaN-based transistors(招待講演)

Joel T. Asubar

Recent Topics on GaN Semiconductor Devices,(2019.06)

Optimal Configuration of Loop-Radial Hybrid Distribution
Networks under Various PV Systems Penetration

Akihisa Kaneko, Masakazu Ito, Yasuhiro Hayashi, Takaya
Anegawa, Hideyasu Hokazono, Masayuki Oyama

ICEE2019,香港 (2019.07)

レーザー宇宙太陽光発電システム

金邉 忠

きいぱすカフェ2019 (2019.07)

ページ 2

電気・電子工学専攻
Effect of Wafer Off-Angles on Defect Formation in Drift
Layers Grown on Freestanding GaN Substrates

Kenji Shiojima, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita,
Takehiro Yoshida, and Tomoyoshi Mishima

13th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 13),P02.05,Seattle (USA) (2019.07)

Mapping of n-GaN Schottky Contacts Formed on FacetGrowth Substrates Using Scanning Internal Photoemission Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Kaori Kurihara
Microscopy

13th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS 13,J01.02,Seattle (USA) (2019.07)

太陽光発電システム搭載自動車のための最適セルサイズ
松田 翔，重信 颯人，伊藤 雅一
に関する検討日本太陽エネルギー学会若手研究者発表会 (2019.08)

機械学習を用いたUAVの着陸目標の認識

本間裕也，茂呂征一郎

2019年度電気・情報関係学会北陸支部連合大会,F2-32(2019.08)

砂漠における大規模太陽光発電に関する研究伊藤 雅一

電気・情報関係学会北陸支部連合大会 (2019.08)

Optimum Switch Configuration considering both RealPower Losses and VSI for Tanzania Distribution System

Zawadi Athanas Macha;Ryuto Shigenobu, Masakazu Ito

令和元年度電気学会電力・エネルギー部門大会 (2019.09)

風力発電システムの計画発電におけるウィンドファーム規模の違いによる蓄エネルギー装置の所要設備容量削減効 菊地 亜希;伊藤 雅一，林 泰弘
果の比較

令和元年度電気学会電力・エネルギー部門大会 (2019.09)

Uniformity Characterization of Printed Schottky Contacts Kenji Shiojima, Yukiyasu Kashiwagi, Atsushi Koizumi,
Masashi Saitoh, Toshiyuki Tamai, and Yasufumi Fujiwara
Formed on n-GaN Epitaxial Layers by Using Ag Nanoink

International conference on Solid State Devices andMaterials 2019 (SSDM2019),J-6-02,名古屋市 (2019.09)

融合積和演算を利用した特異値分解のための両側ヤコビ
荒木翔, 高田雅美, 木村欣司, 中村佳正
法の実装について

日本応用数理学会2019年度年会,東京大学 駒場キャンパ
ス (2019.09)

PVシステムの安全性向上・長寿命化技術

宇佐美 章;大関 崇，伊藤 雅一

太陽光発電の長期安定利用技術 (2019.09)

Hole traps produced in MOVPE-grown n-GaN byhydrogen implantation

Yutaka Tokuda, Shun Itoh, Kazuya Tamura, Joji Ito,
Takahide Yagi, Kenji Shiojima

18th Conference on Defects-Recognition , Imaging andPhysics in Semiconductors (DRIP XVIII),7.4-O,Berlin(Germany) (2019.09)

一般の代数関数を係数にもつ線型高階常微分法方程式の坂口文則
整数型解法における余剰解の除去方法
界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/GaN
ショットキーの2次元評価 (Ⅱ)--n形とp形の比較—

日本数学会,金沢市,2019年度 日本数学会 秋季総合分科
会 応用数学分科会 講演アブストラクト (2019.09)

松田 陵、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、三島 友義、
塩島 謙次

界面顕微光応答法によるN極性p形GaNショットキー電極の塩島 謙次、谷川 智之、片山 竜二、松岡 隆志
2次元評価

応用物理学会秋季学術講演会,18p-N302-6,札幌市(2019.09)
応用物理学会秋季学術講演会,18p-N302-5,札幌市(2019.09)

希土類酸化物薄膜のフェムト秒時間分解分光

山出 拓史、山本 卓、岡 大地、神永 健一、福村 知昭、金井 輝人、石井 順久、板谷 治郎、牧野 哲征

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会,19a-PB323,Sapporo(Japan),2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会概要集 (2019.09)

界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価

塩島 謙次、松田 稜、加藤 正史

応用物理学会秋季学術講演会,19p-PB4-2,札幌市(2019.09)

水素イオン注入n-GaNに誘起された正孔トラップの熱処理
伊藤 俊、徳田 豊、塩島 謙次、伊藤 成志、八木 孝秀
効果

応用物理学会秋季学術講演会,19p-PB3-21,札幌市(2019.09)

配電電圧三相不平衡の関する一考察

重信 颯人;伊藤 雅一, 田岡 久雄

電気学会 電力技術・電力系統技術合同研究会(2019.09)

界面顕微光応答法によるエッチングしたGaN表面の2次元
評価

塩島 謙次

応用物理学会秋季学術講演会,20p-E301-7,札幌市(2019.09)

LDC-Control Parameters Determination by the Planes
Using Measured Data from IT-Switches in Distribution
Systems with PV Systems

Akihisa Kaneko;Yasuhiro Hayashi, Masakazu Ito, Takaya
Anegawa, Yukiyasu Kuwashita, Masayuki Oyama

CPESE 2019,Okinawa (2019.09)

GaN HEMTの高性能化に向けた最近の動向

葛原正明

URSI-C 第24期第６回公開研究会,川崎市 (2019.09)

Characterization of leakage current near breakdown in
AlGaN/GaN MOS-HEMTs (19a-E301-9)

Takashi Nishitani, Shunsuke Kamiya, Joel Asubar, Hirokuni
The 80th JSAP Autumn Meeting 2019, Sapporo (2019.09)
Tokuda, Masaaki Kuzuhara

Threshold voltage control in normally-off
Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTs through Al2O3
thickness variation (18p-N302-13)

Shinsaku Kawabata, Joel Asubar, Hirokuni Tokuda, Akio
Yamamoto, Masaaki Kuzuhara

The 80th JSAP Autumn Meeting 2019, Sapporo (2019.09)

Characterization of frequency in AlGaN/GaN MOS HEMTs Takashi Ozawa, Joel Asubar, Hirokuni Tokuda, Yohei(19a-E301-9)
Yagishita, Yoichi Kawano, Masaaki Kuzuhara

The 80th JSAP Autumn Meeting 2019, Sapporo (2019.09)

太陽電池モジュールにかかる影とセル配置を考慮した発電
佐戸 佑気;重信 颯人，伊藤 雅一
量に関する予備検討

太陽エネルギー学会研究発表会 (2019.10)

アグリゲートメッセージ認証方式の実証システムの検討とIoTシステムへの適用

山岸篤弘, 武内良男, 竹久達也, 西浦英一, 今村祐, 四方順 電子情報通信学会情報通信システムセキュリティ研究会司, 廣瀬勝一, 中尾康二, 石田祐子, 今井秀樹, 平田康夫 (2019.11)

Preliminary Study on Optimal PV Cell Size for PVPowered Vehicles

Kakeru Matsuta;Ryuto Shigenobu, Masakazu Ito

PVSEC-29,西安 (2019.11)

界面顕微光応答法による金属／半導体、半導体／半導体
塩島 謙次
界面の2次元評価

電子情報通信学会電子部品・材料研究会,CPM2019-51,福井市（福井大） (2019.11)

BL7Bを光源とした可視-真空紫外複素屈折率測定装置の福井一俊, 齋藤輝文
開発

UVSORシンポジウム2019,岡﨑市 (2019.11)

界面顕微光応答法による光電気化学エッチングした
Ni/GaNショットキーの2次元評価 --n形とp形の比較--

松田陵, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 三島友義, 塩島謙 日本材料学会令和元年度第2回研究会,4,京都市（京都大次学桂キャンパス） (2019.11)

Mapping of Metal/Semiconductor andSemiconductor/Semiconductor Interfaces Using Scanning Kenji Shiojima
Internal Photoemission Microscopy

2019 IEEE CPMT Symposium Japan,10-01,京都市(2019.11)

High-breakdown voltage GaN HEMTs fabricated on semiM. Kuzuhara, J. T. Asubar, H. Tokuda
insulating GaN substrates

SSLCHINA&IFWS 2019,ShenZhen(China) (2019.11)

Al2O3 thin films deposited by mist-CVD for gate insulator Kenta Naito, Kazuki Nishimura, Zenji Yatabe, Joel T.
Asubar, Yusui Nakamura
application in GaN-based devices

The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC),
Kumamoto, (2019.11)

Study on Luminescence and Leakage Current of
AlGaN/GaN HEMTs Biased near Off-State Breakdown

Shunsuke Kamiya, Takashi Nishitani, Joel T. Asubar,
Hirokuni Tokuda, and Masaaki Kuzuhara

ページ 3

The 2019 IEEE International Meeting for Future of
Electron Devices, Kyoto, (2019.11)

電気・電子工学専攻
Sub-Micron Gate Fabrication Process for AlGaN/GaN
HEMTs

Ali Baratov, Takashi Ozawa, Joel T. Asubar, Hirokuni
Tokuda, and Masaaki Kuzuhara

The 2019 IEEE International Meeting for Future of
Electron Devices, Kyoto, (2019.11)

両側ヤコビ法を用いたAIRLB法の改良について

青木雅奈, 荒木翔, 木村欣司, 中村佳正

第17回計算数学研究会 (2019.12)

特異スペクトル変換法向け両側ヤコビ法の融合積和演算を利用した実装について

荒木翔, 青木雅奈, 高田雅美, 木村欣司, 中村佳正

第17回計算数学研究会 (2019.12)

Mapping of Photo-Electrochemical Etched Ni/n-GaN
Schottkey Contacts Using Scanning Internal
Photoemission Microscopy

Ryo MATSUDA, Fumimasa HORIKIRI, Yoshinobu NARITA, Material Research Meeting 2019 (MRM2019),D4-11-P03,
Takehiro YOSHIDA, Tomoyoshi MISHIMA, Kenji SHIOJIMA 横浜市 (2019.12)

界面顕微光応答法による電極界面の欠陥、劣化過程の2
次元解析

塩島謙次

応用物理学会結晶工学分科会第24回結晶工学セミ
ナー,(1),新宿区（工学院大学） (2019.12)

仮想同期発電機主体の独立系統における系統安定化評価笹川大樹，重信颯人，伊藤雅一，田岡久雄

令和元年度電気学会九州支部沖縄支所講演会 (2019.12)

発電機起動停止計画における両面PVモジュールが電力シ
伊藤 大智;重信 颯人，伊藤 雅一
ステムに与える効果

令和元年度電気学会九州支部沖縄支所講演会 (2019.12)

共通鍵暗号を用いた集団検査機能を有する集約エンティ
ティ認証について

廣瀬勝一, 四方順司

2020年暗号と情報セキュリティシンポジウム (2020.01)

Re-keying方式の高次サイドチャネル攻撃への耐性に関す
駒野雄一, 廣瀬勝一
る検討2020年暗号と情報セキュリティシンポジウム (2020.01)

White-Box Symmetric Cipher Using Quantum Memory

Hidenori Kuwakado, Shoichi Hirose, Masahiro Mambo

2020年暗号と情報セキュリティシンポジウム (2020.01)

アグリゲートメッセージ認証方式の実装と評価

山岸篤弘, 武内良男, 竹久達也, 西浦英一, 鄒家発, 今村祐, 四方順司, 廣瀬勝一, 中尾康二, 石田祐子, 今井秀樹,
平田康夫

電子情報通信学会情報通信システムセキュリティ研究会(2020.03)

エコロジカルフットプリントによる持続可能社会のための再田中 裕章;伊藤雅一,田岡久雄,重信颯人
生可能エネルギー必要発電量推計
界面顕微光応答法によるコンタクトレス光電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価

松田 陵、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、三島 友義、
塩島 謙次

界面顕微光応答法を用いた窒化物半導体HEMT上のショッ
内田 昌宏、川角 優斗、西村 一巳、塩島 謙次
トキー電極の2次元評価

令和2年電気学会全国大会 (2020.03)
応用物理学会春季学術講演会,12p-B401-8,上智大（千代田区） (2020.03)
応用物理学会春季学術講演会,12p-B401-13,上智大（千代田区） (2020.03)

送電ネットワークとの協調を考慮した配電ネットワークの再 阪口遼;重信颯人, 田岡久雄, 伊藤雅一, 高野浩貴, 花井悠
令和2年電気学会全国大会 (2020.03)
二, 竹原有紗構成問題
界面顕微光応答法によるp-4H-SiCウエハー上ショットキー
塩島 謙次、Nabilah Fatin、松田 稜、加藤 正史
電極の2次元評価

応用物理学会春季学術講演会,13a-PA6-11,上智大（千代田区） (2020.03)

配電線電圧を考慮した電力取引向け蓄エネルギー手法

藤﨑 佑介;重信颯人, 田岡久雄, 伊藤雅一

令和2年電気学会全国大会 (2020.03)

垂直設置した両面受光型太陽電池モジュールの影を考慮小山 稔貴,重信颯人,田岡久雄,伊藤雅一
した裏面日射強度の推定方法の検討

令和2年電気学会全国大会 (2020.03)

太陽光発電出力の短周期変動の季節別評価

藤田 哲平, 重信颯人,田岡久雄,伊藤雅一,山田誠司,金尾則
令和2年電気学会全国大会 (2020.03)
一

AlGaN/GaN MIS-HEMTs using 4-nm-thick Al2O3
Dielectric Deposited by Mist Chemical Vapor Deposition(14p-B401-6)

RuiShan Low, Shinsaku Kawabata, Joel Asubar, Hirokuni
Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Zenji Yatabe, Kenta Naito,
Kazuki Nishimura, Yusui Nakamura

The 67th JSAP Spring Meeting 2020, Tokyo (2020.03)

Study on gain improvement in AlGaN/GaN MOS HEMTs(14p-B401-5)

Ali Baratov, Takashi Ozawa, Mohammad Nazrin, Shunpei
Yamashita, Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masato
Nishimori, Yoichi Kawano, Masaaki Kuzuhara

The 67th JSAP Spring Meeting 2020, Tokyo (2020.03)

〔著 書〕

3件
題目

Semiconductor Process Integration 11

著者
出版社(出版年月)
J. Murota, C. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, A. Mai,The Electrochemical Society (2019.09)
K. Shiojima, Y. Cao,
長谷川秀彦・今村俊幸・山田進・櫻井鉄也・荻田武史・相島
丸善出版 (2019.12)
健助・木村欣司・中村佳正

固有値問題と特異値問題

Geometric Structure of Information, Chapter 4: Conformal
Flattening on the Probability Simplex and Its Applications Atsumi Ohara
to Voronoi Partitions and Centroids〔資料・解説等〕

1件
題目

宇宙太陽光励起レーザーの増幅伝播設計〔学会等の開催〕

Springer (2019)

著者
松浦 雅峰，大澤 健人，金邉 忠

掲載誌,巻,号,頁(出版年月)
レーザー学会第533回研究会報告,RTM-19,13-18(2019.07)

3件
名称

担当者

開催地(期間始)レーザー学会研究会

川戸 栄

彦根 (2019.05)

8th International Symposium on Control of
Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)

Kenji Shiojima

仙台市（東北大学） (2019.11)

Material Research Meeting 2019 (MRM2019)

Kenji Shiojima

横浜市 (2019.12)

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