ポスターセッション
バルク結晶Si太陽電池 （9件）
番号
著者

所属

タイトル

○シャラムジャン スマイ、木田 康 産業技術総合研究所 福島再生 The Impact of Boron Diffusion on n-type
B-1 博、白澤 勝彦、 高遠 秀尚
可能エネルギー研究所
Silicon Bifacial Solar Cells
Jonathon Mitchell

Photovoltaic Power Team
Renewable Energy ResearchCenterFukishima Renewable Energy
Institute

STRUCTURAL ENGINEERING FOR
OPTICAL AND ELECTRONIC PROPERTIES
OF a-Si:H/c-Si

稲葉真宏、轟宗一郎、中田和

東京工業大学

温度可変QSSPC法による結晶シリコンのパッシ
ベーション膜評価

B-2

B-3 吉、宮島晋介

神岡 武文、高井 大輔、立花 富 豊田工大久、小島 拓人、大下 祥雄
中田和吉1、宮島晋介1、小長井 1東工大 理工学研究科 電子物理工学専攻、 2JST FUTUREB-5 誠1,2PV

SiNx:Hパッシベーション性の光劣化に及ぼすプラズマ誘起欠陥の影響評価
ヘテロ接合型c-Si太陽電池用n-µc-SiO:H裏面反射膜の作製と評価

棚橋 克人、森谷 正昭、木田 康 産業技術総合研究所 福島再生可能エネルギー研究所
B-6 博、鈴木 信隆、福田 哲生、白澤勝彦、高遠 秀尚

走査型静電容量顕微鏡法による結晶シリコン太陽電池セルのキャリア分布の観察沓掛健太朗１、二宮駿也１、杉岡 １東北大学、２名古屋大学

顕微PLイメージングによるシリコン結晶中の粒界特性評価

B-4

B-7 翔太１、出浦桃子１、大野裕１、宇佐美徳隆２、米永一郎１
杉岡 翔太、 沓掛 健太朗、 出浦 東北大金研
B-8 桃子、 大野 裕、 米永 一郎
高橋勲、岩田大将、宇佐美徳隆 名古屋大学大学院工学研究科

B-9
Si系太陽電池（バルク除く） （14件）
番号
著者

所属

太陽電池用モノライクSi成長中の結晶方位と応力の関係
SMART (Seed Manipulation for ARtificiallycontrolled defects Technique)法による新規モノライクシリコンの結晶成長

タイトル

産業技術総合研究所
ハニカムテクスチャ基板を用いた薄膜シリコン太S-1 齋 均、前島 圭剛、松井 卓矢、吉田 功、松原 浩司
太陽光発電技術研究組合
陽電池の高性能化
松井 卓矢1、 前島 圭剛2、
1産業技術総合研究所、2太陽光 低光劣化・高効率薄膜シリコン太陽電池の開発
Adrien Bidiville1、 齋 均1、 鯉田 発電技術研究組合
S-2
崇1、 近藤 道雄1、 吉田 功2
薮野 恭平1、新倉 ちさと2、宮島 晋介1、小長井 誠1

S-3

1東京工業大学大学院理工学研 FDTD法によるa-Si:H太陽電池の最適形状の探究科
索2物質・材料研究機構 太陽光発電材料ユニット

S-4 過程1、大平圭介1、高岸秀行2、 1.北陸先端大、2.福島大
S-5

下田達也1
小山晃一、大平圭介、松村英樹 北陸先端科学技術大学院大学

S-6 及川 貴史1、大平 圭介1,2、東嶺 北陸先端大1、JST CREST2
孝一1,2、 松村 英樹1,2○瀬戸 純一1,2S-7 大平 圭介1,2松村 英樹1,2
S-8 野澤 尚樹、大平 圭介

1： 北陸先端大2： JST CREST
北陸先端科学技術大学院大学

液体Siを用いて製膜したa-Si膜のパッシベーショ
ン性能
SiNx/a- Si積層パッシベーション におけるa-Si層の発電効果
Cat-CVD a-Si製膜における極薄酸化膜形成によるエピタキシャル成長抑止
a-Si膜に対するBおよびPのCat-doping

FLAにより形成したpoly-Si膜へのa-Si膜による
表面パッシベーション
石川亮佑1、宮島晋介2、小長井 1JST-FUTURE PV Innovation、2 薄膜シリコン太陽電池のグラフェン透明電極を用
S-9
誠2東京工業大学いた引き剝がし技術
久米徹二、大橋史隆、阪上真
岐阜大学
新規光吸収材料としてのSiクラスレート薄膜の開S-10 史、野村政貴、野口明宏、伴隆
発幸、野々村修一

Vladimir Svrcek1、Tamilselvan 1Research Center for
Dopants Dependent Microplasma Induced
Velusamy2、 Conor. Rocks2、 Photovoltaics、 National
Surface Chemistries on phosphorus andDavide Mariotti2
Institute of Advanced Industrial boron doped Silicon Nanocrystals
Science and Technology(AIST)
S-11
2Nanotechnology & Integrated
Bio-Engineering Centre(NIBEC)、 University of Ulster、UK
矢野貢1、黒川康良2、宮島 晋

S-12 介1、山田明1

1東京工業大学、2名古屋大学＆ シリコンナノワイヤの細線化とバンドギャップ評
価
さきがけ

S-13 増田貴永、宮島晋介

東京工業大学理工学研究科
星裕介1、高橋勲1、青沼理1、太 1.名古屋大学
S-14 野垣健2、宇佐美徳隆12.京都大学

化合物系太陽電池 （16件）
番号
著者
山口 世力1、城内 紗千子2、原浩二郎2、小牧 弘典2、上川 由
C-1 紀子2、柴田 肇2、仁木 栄2、川上 雄士3、増田 淳2

所属

シリコンナノウォールの光学特性シミュレーション
ナノ構造体・結晶シリコン融合構造の太陽電池特性と光生成キャリアの取出し

タイトル

1北陸先端大、2産総研、3久留米 Cu(In、Ga)Se2薄膜太陽電池モジュールのPID
高専
加速試験における劣化挙動

C-2 西永慈郎、上川由紀子、崔誠

産業技術総合研究所太陽光発電 CIGS太陽電池の劣化機構の解析
研究センター
1 都城工業高等専門学校
クランク型ボールミルによる太陽電池用Cu(In、2 長岡技術科学大学Ga)Se2原料合成のための条件の検討
東京理科大学IMPACT OF KF-PDT ON CIGS THIN FILM
SOLAR CELLS
和歌山工業高等専門学校
Cu2ZnSnSe4化合物の蒸着法による薄膜太陽電池の作製と熱処理効果
中嶋崇喜、水井裕一、山口利幸 和歌山工業高等専門学校CZTSe化合物プリカーサの硫化・セレン化法によるCu2ZnSn(S、Se)4薄膜太陽電池の作製
長岡工業高等専門学校
江平 大、鷲尾 司、神保 和夫、片CZTS太陽電池におけるNa添加効果の検討
桐 裕則
田橋正浩1、山田諒太1、高橋誠 1中部大学、2宮崎大学
溶液塗布法により作製されたCZTSe薄膜の結1、吉野賢二2、後藤英雄1
晶相および組成に およぼすセレン化温度依存○佐竹哲夫1、 張毅聞1、 殷明 1凸版印刷(株) 総合研究所「塗布型CZTS太陽電池作製プロセスにおける1、陶山 直樹2、山田明2
2東京工業大学理工学研究科電 焼結雰囲気の影響（仮）」子物理工学専攻

佑、柴田肇、仁木栄
赤木洋二1、山田涼香1、野地英C-3
樹1、森茂龍一1、岡元智一郎2
C-4 Ishwor Khatri、 Mutsumi
Sugiyama、 Tokio Nakada
中嶋崇喜、湯川翔平、山口利幸

C-5
C-6C-7C-8C-9桑名潤1、後藤仁憲1、杉本寛太 1東工大院理工、2東工大太陽光 ナノ粒子塗布法によるCZTSSe薄膜太陽電池の高効率化
版印刷
1,2
電気化学的手法により金薄膜上に製膜した
辻 玄貴、滝口 雄貴、宮島 晋介 東工大院理工
C-11
Cu2O薄膜の特性評価
滝口 雄貴、辻 玄貴、宮島 晋介 東工大院理工
理論解析によるCu2Oヘテロ接合太陽電池の検C-12
討中嶋崇喜、藤本純弥、山口利幸 和歌山工業高等専門学校
NaF添加プリカーサの硫化法によるCu2SnS3薄C-13膜太陽電池の作製
同時蒸着法を用いたSnS薄膜太陽電池の作製
C-14 家後和美、金井綾香、荒木秀明 長岡工業高等専門学校
中川慶彦1、原康祐2,3、末益崇 1名大院工、2山梨大学クリスタル 原料分解反応を制御した真空蒸着法によるSi基C-15
3,4研、3JST-CREST、4筑波大学
板上BaSi2膜の高品質化
宇佐美徳隆1,3
須原貴道1、鈴木慎太郎1、原康1.名古屋大学 2.山梨大学
pn接合実現に向けた真空蒸着法によるBaSi2薄
C-16
祐2,3、末益崇3,4、宇佐美徳隆 3.JST-CREST 4.筑波大学
膜およびSnS薄膜の作製
1,3
ペロブスカイト・色素増感・有機太陽電池（4件）

C-10 1、陶山直樹1、張毅聞3、山田明 発電システム研究センター、3凸

番号
P-1
P-2

著者
安福拓真、岸直希、曽我哲夫
布村正太、X. Che、SR Forrest所属

ホットプレス法を用いたフレキシブル色素増感太陽電池の作製と評価
産業技術総合研究所、ミシガン大 有機薄膜太陽電池のトラップと発電効率との相学
関増原陽人1,3、松井淳2、中山健 1. 山形大学大学院理工学研究科
2. 山形大学理学部

P-3 一1,3、吉田司1,3

タイトル

名古屋工業大学

有機ナノ結晶を導入した太陽電池の創成

P-4

江部日南子、荒木秀明

多接合・新コンセプト （17件）
番号
著者

長岡工業高等専門学校

所属

Li Wang、 Omar Elleuch、Research Center for Smart
Nobuaki Kojima、 Yoshio
Energy Technology、N-1
Ohshita and Masafumi
Semiconductor lab.、 Toyota
Yamaguchi
Technological Institute、 Japan
Omar Elleuch、 Li Wang、 Kan- Toyota Technological Institute
Hua Lee、 Kazuma Ikeda、
N-2 Nobuaki Kojima、 Yoshio
Ohshita、 and Masafumi
Yamaguchi

気相反応法を用いたペロブスカイト太陽電池の作製

タイトル
Effects of Nitrogen inhomogenous on themobility of GaAsN grown by CBE

A double acceptor in GaAsN grown bychemical beam epitaxy

松落高輝1、中村翼1、村上匠1、 1宮崎大学工学部
InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池に形成さ福山敦彦1、碇哲雄1、K.
2東京大学大学院工学系研究科 れるミニバンドの光学的評価手法の確立
N-3 Toprasertpong2、杉山正和2、中野義昭2
レーザー変調反射分光法を用いた超格子太陽中村翼1、松落高輝1、村上匠1、 1宮崎大学工学部
福山敦彦1、碇哲雄1、K.
2東京大学大学院工学系研究科 電池の内部電界がミニバンド幅に与える影響評
価
N-4 Toprasertpong2、杉山正和2、中野義昭2
徳田直樹1、堀切将1、丁文1、李 1宮崎大学工学部
N-5 垚1、鈴木秀俊1、福山敦彦1、碇 2宮崎大学 産学・地域連携センター
哲雄1、境健太郎2
堀切将、横山祐貴、原口智宏、

宮崎大学工学部

N-6 山内俊浩、鈴木秀俊、福山敦彦、碇哲雄
菅谷武芳1、望月透1,2、牧田紀 1産業技術総合研究所
N-7 久夫1、大島隆治1、松原浩司1、 2東京都市大学
岡野好伸2、仁木栄1

表面光起電力法を用いたGaAs/Si太陽電池におけるバッファー層の評価
原子層エピタキシー成長GaAsNにおけるSiドー
ピング供給順序変化が薄膜の結晶性・成長速度に与える影響
スマートスタック多接合太陽電池に向けたMBEによる3接合トップセルの試作

水野 英範、 牧田 紀久夫、 菅谷 産総研 福島再生可能エネル
ギー研究所
N-8 武芳、 松原 浩司、 高遠 秀尚
産総研 つくば中央

スマートスタックセルにおける接合界面光マネジ
メントは可能か?

N-9 竹井雄太郎、滝口雄貴、増田祐 東京工業大学

3接合波長スプリッティング型太陽電池の開発と評価
Prospect of InGaAsN Solar Cells Grown By
Chemical Beam Epitaxy For High-Efficiency
Multi-Junction Solar Cells

池田和磨、坂田祐輔、小島信
豊田工業大学晃、大下祥雄、山口真史
岡本保1、細野藍響1、石井奏真 木更津工業高等専門学校1、東N-12 1、村田歩紀1、小川洋平1、増田 京工業大学2、東京理科大学3
祐耶2、植田譲3、小長井誠2

GaAsNにおけるN-H局在振動モードの一軸圧印
加による影響InGaPおよびGaAs太陽電池を用いた波長スプリッティング低倍率集光型PVシステムの屋外出力計測

耶、宮島晋介、小長井誠
Kan-Hua Lee、 Omar Elleuch、 豊田工業大学
Kazuma Ikeda、 Li Wang、
N-10 Koshiro Demizu、 Nobuaki
Kojima、 Yoshio Ohshita andMasafumi Yamaguchi

N-11

N-13 牧田紀久夫、水野英範、大島隆 産業技術総合研究所
治、高遠秀尚、菅谷武芳
新倉ちさと1、 Bancha
Janthong2、 Porponth
Sichanugrist2、 宮島晋介3、 小N-14 長井誠2,3

スマートスタック技術を用いた多接合太陽電池の開発
1物質・材料研究機構太陽光発電 ３Dミクロ構造周期パターン基板上a-SiO:H太陽材料ユニット、電池
2科学技術振興機構 FUTUREPV、
3東京工業大学大学院理工学研
究科

N-15 アディカリ・スディープ、梅野正義 中部大学研究推進機構

グラフェン/Siヘテロ接合太陽電池
向井哲也1、萬條宏行1、船戸一 1岐阜大学大学院工学研究科環 透明基板上のGeクラスレート薄膜の合成
平1、大橋史隆1、久米徹二2、伴 境エネルギーシステム専攻
N-16 隆幸2、野々村修一12岐阜大学大学院工学研究科機
能材料工学専攻

鯉沼秀臣1、松木伸行２

１東大院・新領域、２岐阜大

N-17
システム・モジュール・評価 （6件）
番号
著者

所属

21世紀日本の太陽光発電政策：空白の15年と復興に向けたグローバル戦略

タイトル

眞野裕之1、 冨田遼平1、 太田 1.立命館大学、 2.宮崎大学
M-1 靖之2、 西岡賢祐2、 峯元高志1

晴天指数とエアマスを用いた等高線図による
CIS太陽電池の性能評価

M-2 太田靖之、西岡賢祐

集光型太陽電池モジュールの最適化設計
封止樹脂の体積抵抗率測定に関するIEC規格
策定状況

櫻井啓一郎

宮崎大学工学部
産業技術総合研究所

M-3
M-4 菱川善博

産業技術総合研究所
伊藤貴司1、松井研人1、
1.岐阜大学、2.シャープ株式会
Syazwana Abd Rahman1、片 社、3.東京工業大学
山竜一1、山川幸輝1、斉藤潤2、
M-5 杉山秀一郎2、Porponth
Sichanugrist3、野々村修一1、小長井誠3
小島拓人、関口隆史、大下祥

M-6 雄、山口真史
JST （11件）
番号

著者

加藤慎也1、山崎竜也2、黒川康J-1
良2、宮島晋介2、小長井誠2
屋敷保聡1、白柳裕介1、袴田朋J-2 宏1、小長井誠2

太陽電池の新測定技術
光吸収によるa-SiOx:H薄膜の欠陥評価

豊田工業大学、物質・材料研究機構、筑波大学

マルチシード成長によって導入したシリコン結晶粒界の再結合速度の温度特性

所属

タイトル

1科学技術振興機構、2東京工業 シリコンナノワイヤ/Al2O3薄膜のキャリアライフタ
大学
イムのアニール温度依存性評価
1科学技術振興機構、2東京工業 ドライエッチング法を用いたワイヤー構造太陽電池の作成と評価
大学

Van Hoang NGUYEN1,2,
1 FUTURE-PV Innovation, JST Selective Growth of Epitaxial Si Nanowire
Yusuke HOSHI2, and Noritaka 2 Graduate School ofArray Using SiH4 and Si2H6J-3 USAMI1,2Engineering, Nagoya University
平井政和1、吉葉修平1、市川幸 1科学技術振興機構、2東工大

Siナノウォールセルの開発

J-4 美1、小長井誠1,2○山田繁1、小長井誠1、2、宮島 1科学技術振興機構、2東工大院 吸収分光法によるSi/SiO2超格子のバンドギャッ
理工晋介2
プの評価
Xiao-Mei Zhang1,2、Kairi
1.Japan Science andA Simple Method to Synthesis Indium
Yamada2 、Manabu Ihara2
Technology Agency、Nanoparticles and Their Application forFUTURE-PV Innovation、Silicon Nanowires Solar Cells
Fukushima Renewable Energy
InstituteJ-6
2.Tokyo Institute ofTechnology、 Department ofChemistryJ-5

Sergii Tutashkonko1
Van-Hoang Nguyen1
Noritaka Usami2

J-7

1FUkushima Top-level United Effects of the Al/Si thin film thickness on thecenter for Renewable Energy Aluminum-Induced Crystallization Process
research (FUTURE-PV)
Innovation、Japan Science and Technology
Agency (JST)2Graduate School ofEngineering、 Nagoya
University

He Zhang、 Kazuyoshi
MEXT/FUTURE-PV
The optimization of the annealing
Nakada、 Shinsuke
Innovation Research、 JST、 treatment in fabricating a-SiOx:H/c-Si
Miyajima、 Makoto Konagai Tokyo、 Japan
Heterojunction solar cells
Department of Physical
J-8
Electronics、 Tokyo Instituteof Technology、 Tokyo、Japan小野聖、金子弦、村井良多、
中嶋一雄
金子弦、小野聖、村井良多、
J-10
中嶋一雄
Anatolii Lukianov1 andManabu Ihara2
J-9

J-11

科学技術振興機構

Noncontact crucible methodを用いた直径比の大きなインゴット結晶の成長
科学技術振興機構
Noncontact Crucible methodにおける偏芯の改善による結晶形状の制御
1FUkushima Top-level
Formation of seed layer for epitaxial Si
United center for Renewable growth by zone-heating recrystallization
Energy research, Japanof por-Si layers for thin-film solar cell
Science and TechnologyCenter (JST),
2Tokyo Institute ofTechnology