第 43 回電子材料シンポジウム

43rd Electronic Materials
Symposium
EMS-43ADVANCE PROGRAM
Oct. 2nd (Wed.) – 4th (Fri.), 2024
43rd Electronic Materials Symposium
Grand Mercure Nara Kashihara
EMS-43Oct. 2nd, Wednesday

Oct. 3rd, Thursday

https://ems.jpn.org/
Oct. 4th, Friday

9:00

9:00

Session Th1(9:00 - 10:40)

Session Fr1(9:00 - 10:30)

10:00

10:00
Break (10:30 - 10:45)
Break (10:40 - 10:55)

11:00
Poster Session II(Session Th1)
(10:55 - 12:10)

Poster Session IV(Session Fr1)
(10:45 - 11:50)

12:00

13:00

11:00

12:00

Opening Session (13:00 - 13:10)

Lunch
Industrial Session(12:10 - 13:30)

Plenary Session(13:10 - 14:00)
Session Th2(13:30 - 14:40)

14:00

Lunch
(11:50 - 13:00)

13:00

Tutorial
Special Session(13:00 - 16:05)

14:00

Session We1(14:00 - 15:00)
Break (14:40 - 14:55)
15:00

Break (14:50 - 15:05)
Break (15:00 - 15:15)

15:00

Session Th3(14:55 - 15:59)
Session We2(15:15 - 16:25)
16:00

Break (15:59 - 16:14)
Break (16:25 - 16:40)

17:00

Poster Session I(Session We1, We2)
(16:40 - 17:55)

Poster Session III(Session Th2, Th3)
(16:14 - 17:30)

Closing Session (16:05 - 16:25)

16:00

17:00

Break (17:30 - 18:00)
18:00

18:00
Dinner
(17:55 - 19:20)
Banquet(18:00 - 20:00)

19:00

20:00

21:00

Rump Session(19:20 - 20:50)

19:00

20:00

21:00

【October 2nd, Wednesday】

Opening Session (13:00-13:10)

Plenary Session (13:10-14:00)
Chair: T. Araki (Ritsumeikan University)
Plenary 13:10 (50 min)Semiconductor Intracenter Photonics ~From Breakthrough to Innovation~
半導体イントラセンター・フォトニクス ～ブレイクスルーからイノベーションへ～
Y. Fujiwara
Ritsumeikan University

Session We1 (14:00-15:00)
Chair: T. Takizawa (Panasonic Industry Co.)
We1-1 [Invited] 14:00 (30 min)Material Reservoir Devices for Highly Efficiency AI Systems
ナノマテリアルランダムネットワークを利用したリザバー演算素子と知能システム応用
H. Tanaka
Kyushu Institute of Technology
We1-2
14:30 (2 min + poster)
Molecular Dynamics Simulations of Si-Cr Solutions: Investigation of the Effect of Al Addition on SiC Solution
GrowthSi-Cr 溶液の分子動力学シミュレーション：SiC 溶液成長における Al 添加の影響の検討
T. Fukunaga*, R. Iwasa*, T. Kawamura*, S. Seki**, S. Harada**, and T. Ujihara***Graduate School of Engineering, Mie University, **Graduate School of Engineering, Nagoya University
We1-3
14:32 (2 min + poster)Distinct Satellite Observation in X-ray Diffraction Patterns for Rocksalt-Structured MgZnO/MgO Quantum Wells
Grown by Mist CVD Method
ミスト CVD 法で成長させた岩塩構造 MgZnO/MgO 量子井戸の X 線回折パターンにおける明瞭なサテラ
イトピークの観察
H. Aichi, K. Ogawa, T. Mitomi, K. Tanaka, T. Yamaguchi, T. Honda, and T. Onuma
Kogakuin University
We1-4
14:34 (2 min + poster)
Mist CVD Growth of α-Ga2O3 Films Using Ga(C5H7O2)3-Containing Source Solution with Different IncubationTimes
静置時間の異なる Ga(C5H7O2)3 を含む原料溶液を用いた α-Ga2O3 膜のミスト CVD 成長
K. Yamada, T. Yamamoto, H. Nagai, T. Onuma, T. Honda, and T. Yamaguchi
Kogakuin UniversityWe1-5
14:36 (2 min + poster)
Optimization of simultaneous RF/DC magnetron sputtering process for improving the chemical composition andcrystalline quality of Mg2Si1-xSnx thin films
Mg2Si1-xSnx 薄膜の組成および結晶性改善のための RF/DC 同時スパッタリングプロセス適正化
R. Toyama, Y. Hida, and H. Katsumata
Meiji University
We1-6
14:38 (2 min + poster)Growth of GaInN thin film by MOVPE in He ambient
ヘリウム雰囲気下における GaInN 混晶薄膜 MOVPE 成長
Y. Arai*,**, T. Saito*,**, T. Onuma**, T. Honda**, and M. Sumiya**National Institute for Materials Science, **Kogakuin University
We1-7
14:40 (2 min + poster)Growth time dependence of Ga2O3 on ScAlMgO4 substrate
SAM 基板上 Ga2O3 の成長時間依存性
S. Kato*, J. Kikawa*, M. Matsukura****, T. Kojima****, M. Deura**, K. Kaneko***, and T. Araki**Col. of Sci. & Eng., **R-GIRO, ***ROST, Ritsumeikan University, ****OXIDE Co.
We1-8
14:42 (2 min + poster)Remote hetero epitaxy of α-Ga2O3 by mist CVD method
ミスト CVD 法を用いた α-Ga2O3 のリモートヘテロエピタキシー
S. Kanda, K. Kaneko, and S. Mouri
Ritsumeikan University
We1-9
14:44 (2 min + poster)Multi-modal Analysis of Spectral Imaging of InGaN Quantum Wells Using Tensor Decomposition
テンソル分解を用いた InGaN 量子井戸構造におけるスペクトルイメージングのマルチモーダル解析
K. Iwamitsu*, K. Sakai**, I. Shimbo**, H. Tosa**, Z. Akase*, A. A. Yamaguchi**, and S. Tomiya**Nara Institute of Science and Technology, **Kanazawa Institute of Technology
We1-10
14:46 (2 min + poster)
Effect of post-deposition annealing conditions on the types of electrical conductivity in Mg2Si thin films depositedby RF magnetron co-sputtering
RF マグネトロン共スパッタリング法により形成した Mg2Si 薄膜の電気伝導型に及ぼすアニール条件の影
響
K. Asano and H. Katsumata
Meiji Unversity
We1-11
14:48 (2 min + poster)
The electronic levels and the photoinduced current of correlated ferroelectric YMnO3 thin films
強相関強誘電体 YMnO3 薄膜の電子準位と光誘起物性
S. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura
Osaka Metropolitan University
We1-12
14:50 (2 min + poster)
Ferromagnetic permalloy/B-doped diamond Schottky tunnel contacts toward spintronic device applications
スピンデバイス応用に向けた強磁性パーマロイ/B ドープダイヤモンドショットキートンネル接触
M. Kawano, C. Cunha, K. Hirama, K. Kumakura, and Y. Taniyasu
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation
We1-13
14:52 (2 min + poster)
Preliminary Analysis on Chemical Treatment Effect of Si(111) Surface toward Electrical Contacts to Si Nanowires
Si(111)表面の化学処理による Si ナノワイヤへの電気的接触効果に関する予備的解析
R. Saito, S. Hara*, W. Jevasuwan**, and N. Fukata ***Hokkaido University, **National Institute for Materials ScienceWe1-14
14:54 (2 min + poster)
Accumulation-mode p-channel thin-film transistors using Sn-doped polycrystalline Ge layers
Sn ドープ多結晶 Ge 層を用いた蓄積動作型 p チャネル薄膜トランジスタ
S. Maeda*,**, K. Moto***, L. Huang***, A. Morimoto***, K. Yamamoto***, T. Suemasu*, and K. Toko**University of Tsukuba, **JSPS Research Fellow, ***Kyushu University
We1-15
14:56 (2 min + poster)
Characterization of AlGaN/GaN HEMTs on FFA Sp-AlN
FFA Sp-AlN 上の AlGaN/GaN HEMT の特性評価
M. Urushiyama*, R. Akaike*, H. Yasunaga*, T. Nakamura*, T. Araki**, and H. Miyake**Mie University, **Ritsumeikan University
We1-16
14:58 (2 min + poster)Power-Dependent Photovoltaic Properties of Laser Power Converter
レーザーパワーコンバーターの入射光強度に依存した光起電力特性
R. Hanakuma, S. Asahi, Y. Harada, and T. Kita
Kobe University

Break (15:00-15:15)

Session We2 (15:15-16:25)
Chair: J. Nishinaga (AIST)
We2-1 [Invited] 15:15 (30 min)Electronic Materials for Practical Application of Perovskite Photovoltaics
ペロブスカイト太陽電池の実用化に向けた電子材料開発
A. Wakamiya
Kyoto University
We2-2
15:45 (2 min + poster)
Design of single metal plasmon waveguide GaN-based THz-QCL used AlN substrate
AlN 基板を用いた片面金属導波路 GaN 系 THz-QCL の導波路解析
A. Kaneko, S. Fujikawa, H. Yaguchi, and H. Hirayama
Saitama University
We2-3
15:47 (2 min + poster)First-Principles Molecular Dynamics Simulations of SiC Solution Growth Interface
SiC 溶液成長界面の第一原理分子動力学シミュレーション
R. Iwasa*, T. Fukunaga*, T. Kawamura*, S. Seki**, S. Harada**, and T. Ujihara***Graduate School of Engineering, Mie University, **Graduate School of Engineering, Nagoya University
We2-4
15:49 (2 min + poster)
Demonstration of multi-color stacked micro-LEDs with tunnel junction based on Eu-doped GaN as a redcomponent
赤色成分に Eu 添加 GaN を用いたトンネル接合を有する多色積層マイクロ LED の実証
G. Tanaka*, T. Ishihara*, S. Ichikawa*,**, J. Tatebayashi*, and Y. Fujiwara*,****Graduate School of Engineering, Osaka University, **Research Center for Ultra-High Voltage Electron Microscopy,
Osaka University, ***Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University

We2-5
15:51 (2 min + poster)
Epitaxial growth of MgO-NiO-ZnO films lattice-matched to MgO substrate
MgO 基板と格子整合したエピタキシャル MgO-NiO-ZnO 膜の作製
S. Iida, T. Ikenoue, and M. Miyake
Graduate School of Energy Science, Kyoto University
We2-6
15:53 (2 min + poster)
Rapid Synthesis of Microdiamonds at Atmospheric Pressure Using Liquid-Phase DC Pulse Plasma Method
液中直流パルスプラズマ法による大気圧マイクロダイヤモンド高速合成
Y. Mabuchi, R. Zhu, R. Vishwakarma, and M. Umeno
C's Technology Inc.
We2-7
15:55 (2 min + poster)
Large-Area Epitaxial Lateral Overgrowth of Semipolar (1-101) GaN on Patterned Si Substrate by Metalorganic Vapor
Phase Epitaxy
有機金属気相成長法によるパターン Si 基板上への半極性(1-101)GaN の大面積エピタキシャル横方向成長
Y. Sano*,**, K. Uchihara*,**, M. Uemukai*,**, T. Tanikawa*,**, and R. Katayama*,***Graduate School of Engineering, **OTRI-Spin, Osaka University
We2-8
15:57 (2 min + poster)
The effect of improving surface flatness of GaN crystals by Zn addition in the Na-flux method
Na フラックス法における亜鉛添加による GaN 結晶の表面平坦化効果
Y. Sumitani, M. Imanishi, S. Usami, M. Maruyama, M. Yoshimura, and Y. Mori
Osaka University
We2-9
15:59 (2 min + poster)Control of GaN Crystal Habit using Pull-up Growth in the Na-flux Method
Na フラックス法における引き上げ成長を活用した GaN 結晶形状制御
M. Imanishi, K. Murakami, S. Usami, and Y. Mori
Osaka University
We2-10
16:01 (2 min + poster)
Fabrication of p-type amorphous GeTiOx alloy thin films
p 型アモルファス GeTiOx 薄膜の成長
T. Otsuka*, and K. Kaneko***Ritsumeikan University, **RISA
We2-11
16:03 (2 min + poster)First-Principles Calculation of Material Parameters of HfGe and ZrGe alloys for Light Emitting Device Applications
発光デバイス応用に向けた HfGe 及び ZrGe 混晶における材料パラメータの第一原理計算
Y. Sasaki, Y. Ishikawa, and K. Yamane
Toyohashi University of Technology
We2-12
16:05 (2 min + poster)
Characterization of N-doped VO2 thin films grown on quartz substrates using SnO2 buffer layer for smart windows
by mist CVD
スマートウインドウに向けたミスト CVD による石英基板上への SnO2 バッファ層を用いた N ドープ VO2の薄膜形成と物性評価
T. Kano* and H. Nishinaka*** Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, ** Faculty of Electrical Engineering and Electronics,
Kyoto Institute of Technology

We2-13
16:07 (2 min + poster)
Effect of RF power on the optical properties of SiC quantum dots in SiOx films formed by RF magnetron co-sputtering
RF マグネトロン共スパッタリング法により形成した SiOx 薄膜中の SiC 量子ドットの光物性に及ぼす RF
出力の影響
S. Iwasaki and H. Katsumata
Meiji University
We2-14
16:09 (2 min + poster)Electrical properties of Ge-doped α-Ga2O3 films with high electron mobilities grown by mist-CVD
ミスト CVD 法で作製した高移動度 Ge ドープ α-Ga2O3 薄膜の電気特性
T. Wakamatsu*, H. Izumi**, H. Takane*, Y. Isobe*, K. Kaneko*,***, and K. Tanaka**Kyoto University, **Hyogo Prefectural Institute of Technology, ***Ritsumeikan University
We2-15
16:11 (2 min + poster)Contact Resistance of MoS2 Devices Fabricated on Different Dielectric Substrate
異なる誘電性を有する基板上に製造された MoS2 デバイスの接触抵抗
T. Uno, S. Bekku, K. Rong, A. Kuddus, and S. Mouri
Ritsumeikan University
We2-16
16:13 (2 min + poster)
Effect of UVA light on Top Down GaN Nanowire Fabrication Using Contactless Photo-assisted Electrochemical
Etchingコンタクトレス PEC エッチングを用いたトップダウン法による GaN ナノワイヤ作製における UVA 光の効果
H. Furuuchi*,**, T. Sato**, and J. Motohisa*,***Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, **Research Center for Integrated
Quantum Electronics, Hokkaido University
We2-17
16:15 (2 min + poster)Threshold Voltage Instability under Various Bias Stress Conditions in GaN Planar MOSFETs with SiO2 Gate
Dielectric
SiO2 ゲート絶縁膜を用いた GaN プレーナ型 MOSFET における様々なバイアスストレス条件下でのしきい値電圧不安定性
Y. Ichikawa*, K. Ueno**, T. Kondo**, R. Tanaka**, S. Takashima**, J. Suda**Nagoya University, **Fuji ElectricWe2-18
16:17 (2 min + poster)
SnOx p-channel thin-film transistors with a mobility exceeding 1 cm2 V-1 s-1
移動度 1 cm2 V-1 s-1 を超える SnOx p チャネル薄膜トランジスタ
M. Taki, T. Nihongi, Y. Hattori, and M. Kitamura
Kobe University
We2-1916:19 (2 min + poster)
Current-voltage characteristics of ultra-thin film InGaZnO transistors operating in vacuum and air
真空中および大気中で極薄膜 InGaZnO トランジスタの電流電圧特性
T. Nihongi, T. Maeda, Y. Hattori, and M. Kitamura
Kobe University
We2-20
16:21 (2 min + poster)
Design consideration of (0001) InGaN/GaN pin photodiodes towards optical wireless communication
光無線通信に向けた(0001)InGaN/GaN pin フォトダイオードの提案と作製指針
K. Sakuragi*, S. Ichikawa*,**, and K. Kojima**Graduate School of Engineering, Osaka University, **Research Center for UHVEM, Osaka University

We2-21
16:23 (2 min + poster)
Fabrication of AlGaN-based UV-B laser diodes with refractive-index waveguide structure
AlGaN 系屈折率導波型 UV-B レーザダイオードの作製
R. Miyake*, Y. Imoto*, R. Yamada*, T. Saito*, S. Maruyama*, S. Karino*, Y. Sasaki*, S. Iwayama*, M. Iwaya*, T.
Takeuchi*, S. Kamiyama*, and H. Miyake***Meijo University, **Mie University

Break (16:25-16:40)

Poster Session 1 (16:40-17:55)

Free Time (Dinner) (17:55-19:20)

Rump Session (19:20-20:50)
Session Theme: “Diversified Carrier Paths for Researchers in Science and Engineering”
セッションテーマ：「理工系研究者の多様なキャリアパスを考える」
Organizers:

H. Imabayashi (University of Fukui)
J. Nishinaga (AIST)

Panelists:

TBA
J. Nishinaga
T. Hamaguchi
TBA(AIST)(Mie University)

【October 3rd, Thursday】

Session Th1 (9:00-10:40)
Chair: M. Iwaya (Meijo Univerisity)Th1-1 [Invited] 9:00 (30 min)Advances in Deep Ultraviolet Semiconductor Lasers
深紫外半導体レーザの最先端
M. Kushimoto
Nagoya University
Th1-2
9:30 (2 min + poster)Analysis of κ-Ga2O3(001) Surface Structures by Ab Initio Calculations
第一原理計算による κ 型酸化ガリウム(001)表面構造の解析
T. Fujii, T. Kawamura, and T. Akiyama
Graduate School of Engineering, Mie University
Th1-3
9:32 (2 min + poster)Rate-Equation Growth Model of Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Towards Improvement of Controllability of
InxGa1-xN Alloy Composition
InxGa1-xN 混晶組成制御制改善のための速度方程式 MOVPE 成長モデル
M. Imura*, T. Hiroto*, T. Mano*, Y. Itokazu**, and M. Jo***NIMS, **RIKEN
Th1-4
9:34 (2 min + poster)Growth of Phosphorus and Gallium Co-doped Germanium Crystal for High n-type Doping
高濃度 n 型ドーピングに向けた P、Ga 共添加による Ge 結晶の成長
H. Koto, G. Ishizu, J. Ota, T. Horota, Y. Ishikawa, and K.Yamane
Toyohashi University of Technology
Th1-5
9:36 (2 min + poster)Band-gap reduction of Si quantum dots within SiOx thin films and their application to photovoltaic devices
SiOx 薄膜中の Si 量子ドットのバンドギャップ縮小および光起電力デバイスへの応用
T. Kondo and H. Katsumata
Meiji University
Th1-6
9:38 (2 min + poster)
Effect of Growth Rate on Surface Roughness in β-Ga2O3 Growth by HVPE
β-Ga2O3 の HVPE 成長における成長速度による表面粗さへの影響
R. Serizawa, S. Sato, Y. Hamaoka, and H. Murakami
Tokyo University of Agriculture and Technology
Th1-7
9:40 (2 min + poster)
ALD growth of HfO2-based ferroelectric thin films on Ga2O3
β-Ga2O3 上の HfO2 系強誘電体薄膜の ALD 成長
K. Furukawa, R. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura
Osaka Metropolitan UniversityTh1-8
9:42 (2 min + poster)
Relationship Between GaN Crystal Morphology during Coalescence and Dislocation Propagation in the Na-flux
Point Seed TechniqueNa-flux ポイントシード法における GaN 結晶の結合様式と転位伝搬の関係
R. Sasaki*, S. Washida*, M. Imanishi*, K. Murakami*, S. Usami*, M. Maruyama*, M. Yoshimura*,**, and Y. Mori**Graduate School of Engineering, Osaka University, *Institute of Laser Engineering, Osaka University
Th1-9
9:44 (2 min + poster)
Mass spectrometric analysis of vapor phase reactions for epitaxial growth of group-III sesquioxides
III 族セスキ酸化物のエピタキシャル成長に向けた気相反応の質量分析
T. Okuyama*, Y. Terauchi*, K. Kubota*, J. Yoshinaga*,**, S. Sasaki***, M. Ishikawa****, Y. Takinami*****, andY. Kumagai**Tokyo University of Agriculture and Technology, **TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION, ***Nara Women's
University, ****Gas-Phase Growth Ltd., *****Kanomax Analytical Incorporated
Th1-10
9:46 (2 min + poster)
Optical measurements for biogenic spherical lead sulfide nanocrystallites
生物由来の球状微結晶硫化鉛の光学測定
T. Anekawa*, K. Hiramatsu**, Y. Okamura*, and Y. Tominaga**Hiroshima University, **Kyushu University
Th1-11
9:48 (2 min + poster)Development of 6-inch hydride vapor phase epitaxy for solar cell applications
III-V 族太陽電池用途の 6 インチハイドライド気相成長装置の開発
R. Oshima*, Y. Shoji*, Y. Shimizu**, A. Ubukata**, K. Makita*, H. Tokunaga**, and T. Sugaya**National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, **Taiyo Nippon Sanso Corporation
Th1-12
9:50 (2 min + poster)
Insitu observation of lattice relaxation process in nanochannel epitaxy and remote epitaxy of GaN on r-plane sapphirer 面サファイア上 GaN ナノチャンネルエピタキシーならびにリモートエピタキシーにおける格子緩和過程のその場観察S. Naritsuka, R. Matsumoto, T. Takahashi, Y. Nagase, A. Ohsumi, W. Ohta, S. Kawahara, T. Sasaki, and T. Maruyama
Meijo University
Th1-13
9:52 (2 min + poster)
Transmission electron microscopy study on rutile-type GeO2 film on isostructural TiO2 (001) substrate
ルチル型 GeO2 の透過電子顕微鏡観察
H. Takane*, S. Konishi*, R. Ota**, Y. Hayasaka***, T. Wakamatsu*, Y. Isobe*, K. Kaneko****, and K. Tanaka**Kyoto University, **Hokkaido University, ***Tohoku University, ****Ritsumeikan University
Th1-14
9:54 (2 min + poster)
The Fabrication of Conductive and Corrosion-resistant Oxide Thin Films for Fuel Cells and Hydrogen Generation
Devices
燃料電池および水素生成技術への応用に向けた耐食性・導電性酸化物の作製
T. Hattori*, T. Tanaka***, K. Matsuo****, Y. Oda****, T. Araki*, and K. Kaneko***Ritsumeikan University, **RISA, ***EYETEC Co., Ltd., ****IWASAKI ELECTRIC Co., Ltd.
Th1-15
9:56 (2 min + poster)Electronic states analysis of fluorine terminated structures for a point defect inside gallium nitride crystals
窒化ガリウム結晶内部の点欠陥に対するフッ素終端構造の電子状態解析
Y. Fujishiro*, T. Yayama**, T. Nagata***, T. Chikyow**** and F. Akagi*,***Graduate school of Engineering, Kogakuin University, ** School of Advanced Engineering, Kogakuin University,***Research Center for Electronic and Optical Materials, NIMS, ****Center for Basic Research on Materials, NIMS

Th1-16
9:58 (2 min + poster)
Proposal of Eu-doped ZnO-based red light emitting diodes using AlN as an electron blocking layer
AlN を電子ブロック層に用いた Eu 添加 ZnO 赤色発光ダイオード構造の提案
R. Masuda*, J. Tatebayashi*,**, M. Tane*, S. Ichikawa*,***, and Y. Fujiwara*****Graduate School of Engineering, Osaka University, **Center for QIQB, Osaka University, ***Research Center for
UHVEM, Osaka University, ****Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University
Th1-1710:00 (2 min + poster)Composition dependence of magneto-crystalline anisotropy constant K1 in FeCoNi-alloy epitaxial thin films
FeCoNi 系エピタキシャル合金薄膜における結晶磁気異方性定数 K1 の組成依存性
T. Ueno, T. Nakano, M. Tsunoda, and M. Oogane
Graduate School of Engineering, Tohoku University
Th1-1810:02 (2 min + poster)
Deposition and Properties of organic-inorganic hybrid (TMS)3Cu2I5 thin film with various precursor ratio
様々な前駆体材料比による有機無機ハイブリッド(TMS)3Cu2I5 の薄膜形成と物性評価
K. Watanabe* and H. Nishinaka***Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, **Faculty of Electrical Engineering and Electronics,
Kyoto Institute of Technology
Th1-1910:04 (2 min + poster)Analysis on Magnetic Domain Formation in CoFe/MgO Nanolayer Electrode Patterns on Amorphous SiO2/Si
Substrates
非晶質 SiO2/Si 基板上の CoFe/MgO ナノレイヤー電極パターンにおける磁区形成の評価
Y. Fujiwara*, R. Ochiai*, L. Zi*, M. Akabori**, and S. Hara**Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, **Center for Nano Materials andTechnology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST)
Th1-20
10:06 (2 min + poster)
MoOx thin film deposition by RF magnetron sputtering for anode contact structure in UV-C LED
UV-C LED でのアノードコンタクト構造に向け RF マグネトロンスパッタにより成膜した MoOx 薄膜の特性評価
K. Shibata*, M. Kushimoto*, Y. Honda**, and H. Amano***Graduate School of Electronic Materials, Nagoya University, **Institute of Materials and Systems for Sustainability,
Nagoya University
Th1-21
10:08 (2 min + poster)
Design Semi-polar (1-101) InGaN Quantum Well Structure for High-Efficiency Red Light-Emitting Diodes
高効率赤色発光ダイオードのための半極性(1-101)InGaN 量子井戸構造の設計
K. Uchihara*,***, Y. Sano**,***, M. Uemukai*,**,***, T. Tanikawa*,**,***, and R. Katayama*,**,****Graduate School of Engineering, Osaka University, **School of Engineering, Osaka University, ***OTRI-Spin,
Osaka University
Th1-22
10:10 (2 min + poster)
Deposition of AlN Film by Reactive Sputtering as a Piezoelectric Stressor for Tunable Near-infrared Photonic
Devices
圧電性応力印加による波長可変近赤外光デバイスに向けた反応性スパッタ AlN 膜
H. Kobayashi, J. A. Piedra-Lorenzana, S. Kaneko, T. Fukushima, T. Hizawa, K. Yamane, and Y. Ishikawa
Toyohashi University of Technology
Th1-23
10:12 (2 min + poster)Electrical properties of GaN npn structures used in GaN trench MOSFETs
GaN トレンチ MOSFET に用いられる GaN npn 構造の電気特性
N. Kusunoki, T. Oka, N. Tanaka, K. Hasegawa, T. Izumi, T. Niwa, and J. Suda
Nagoya UniversityTh1-24
10:14 (2 min + poster)
Effects of SiO2 Passivation Layer on Leakage Current of β-Ga2O3-SBDs
SiO2 保護膜による β-Ga2O3-SBD のリーク電流への影響
R. Sakai, T. Nanjo, Y. Yuda, T. Hayashida, M. Noguchi, K. Ebihara, R. Tanaka, M. Furuhashi, and T. Watahiki
Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation
Th1-25
10:16 (2 min + poster)
Characterization of Ni/Si-doped AlN Schottky barrier diodes
Si ドープ AlN ショットキーバリアダイオードの電気的特性評価
T. Maeda*, I. Sasaki*, M. Hiroki**, K. Hirama**, K. Kumakura**, and Y. Taniyasu***The University of Tokyo, **NTT Basic Research Laboratory, NTT Co.
Th1-26
10:18 (2 min + poster)Precise Measurements of Small Reverse-Biased-Currents for Large-Barrier Au/Ni/n-GaN Schottky Contacts
Ni/n-GaN ショットキー接触の I-V 特性における変位電流の評価
H. Imabayashi*, K. Kawanishi*, H. Ohta**, T. Mishima**, and K. Shiojima**University of Fukui, **Hosei University
Th1-27
10:20 (2 min + poster)
Intraband Transition in MAPbI3/Si Two-step Photon Up-conversion Solar Cells
MAPBI3/Si 二段階フォトンアップコンバージョン太陽電池におけるバンド内遷移
K. Honda, R. Onitsuka, S. Tokunaga, S. Asahi, and T. Kita
Kobe University
Th1-28
10:22 (2 min + poster)Time evolution of 167Er spectral holes using spectral hole burning technique
スペクトルホールバーニング技術を用いた 167Er のスペクトルホールの時間発展
T. Hamazaki*, Z. Matsuzaki*, H. Omi**, S. Yasui***, S. Adachi***, T. Inaba****, X. Xu**** , and T. Tawara**Nihon University, **Yamato University, ***Hokkaido University, ****NTT Basic Research Laboratories
Th1-2910:24 (2 min + poster)
Optical Properties of Wide Bandgap Semiconductors ZnSTe and ZnMgSTe
ワイドバンドギャップ半導体 ZnSTe および ZnMgSTe の光学特性
M. Kawai, S. Shiomi, K. Arima, H. Ohno, K. Iwahashi, K. Akaiwa, T. Abe, and K. Ichino
Tottori University
Th1-30
10:26 (2 min + poster)Far-Ultraviolet Second Harmonic Generation from AlN Polarity Inverted Rib Waveguide by Patterned Wafer
Bonding
パターンウエハ接合を用いた AlN 極性反転リブ導波路による遠紫外第二高調波発生
R. Momosaki*,**, H. Honda*,**, M. Uemukai*,**, T. Tanikawa*,**, R. Katayama*,***Graduating School of Engineering, Osaka University,**OTRI-Spin, Osaka University
Th1-31
10:28 (2 min + poster)
Design of InGaN Vertical External Cavity Surface Emitting Laser for Far-Ultraviolet Second Harmonic Generation
遠紫外第二高調波発生に向けた InGaN 外部共振器型面発光レーザーの設計
M. Ito*,**, H. Matsumoto*,**, T. Nambu***, M. Uemukai*,**, T. Tanikawa*,**, R. Katayama*,***Graduate school of Engineering, Osaka University, **OTRI-Spin, Osaka University, ***Institude of Laser
Engineering, Osaka University
Th1-32
10:30 (2 min + poster)
Fabrication of LiNbO3/GaN Transverse Quasi-Phase-Matched SPDC Device for Integrated Photonic Quantum
Devices
集積光量子デバイスに向けた LiNbO3/GaN 横型擬似位相整合 SPDC デバイスの作製
T. Einaga*,**, R. Sugano*,**, M. Uemukai*,**, T. Tanikawa*,**, and R.Katayama*,***Graduate School of Engineering, Osaka University, **OTRI-Spin, Osaka UniversityTh1-33
10:32 (2 min + poster)
Deposition condition dependence of current-induced torque in Cr/CoFeB/MgO
Cr/CoFeB/MgO における電流誘起トルクの成膜条件依存性
R. Yamamoto*,**, S. Chiba*,**, Y. Kurihara*,**, Y. Marui*, H. Ohno*,***,****,*****, S.
Fukami*,**,***,****,*****,*******Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku University, **Graduate School of Engineering,Tohoku University, ***WPI-AIMR, Tohoku University, ****CSIS, Tohoku University, *****CIES, Tohoku
University, ******Inamori Research Institute for ScienceTh1-34
10:34 (2 min + poster)
Stack Structure Dependence of Higher Order Non-Linear Hall Effects in the Presence of Multidomain Structure
多磁区構造を有する高次非線形ホール効果の積層構造依存性
T. Tasaki, T. Dohi, K. V. De Zoysa, K. Saijo, H. Ohno, and S. Fukami
Tohoku University
Th1-35
10:36 (2 min + poster)
Optimization of ultrasonic dispersion power in the preparation of P-type single-walled CNT films and improvementof the performance of CNT thermoelectric devices that float on water without the need for a heat source
P 型単層 CNT 膜作製における超音波分散出力の最適化および熱源不要の水上式 CNT 熱電発電デバイスの性能向上
Y. Okano*, H. Yamamoto*, S. Miyake**, and M. Takashiri**Tokai University, **Setsunan University
Th1-36
10:38 (2 min + poster)Development of SWCNT multilayer films with different diameters of SWCNTs via spraying method
噴霧法による SWCNT の直径が異なる SWCNT 多層膜の開発
K. Hoshino*, H. Yamamoto*, S. Miyake**, and M. Takashiri**Tokai University, **Setsunan University

Break (10:40-10:55)

Poster Session 2 (10:55-12:10)

Industrial Session (Lunch) (12:10-13:30)

Session Th2 (13:30-14:40)
Chair: S. Naritsuka (Meijo University)Th2-1 [Invited] 13:30 (30 min)"Industrialization" of compound semiconductors (social implementation) –Learning from the history andcurrent state of electronic devices–
化合物半導体”産業化”（社会実装）のポイントと指針
Y. Otoki
Nagoya UniversityTh2-2
14:00 (2 min + poster)High-pressure annealing effect of Mg induced lateral growth of a-Ge
非晶質 Ge 薄膜の Mg 誘起横方向成長における高圧下熱処理の影響
T. Nakahara, H. Nonaka, A. Takazaiku, K. Takakura, and I. Tsunoda
National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto College
Th2-3
14:02 (2 min + poster)
LiNbO3 Substrates for Growth of Corundum Structured Oxides
LiNbO3 基板上へのコランダム構造酸化物の成長と評価
K. Shimazoe and H. Nishinaka
Faculty of Electrical Engineering and Electronics, Kyoto Institute of Technology
Th2-4
14:04 (2 min + poster)
Structural characteristics of self-catalyzed GaAs nanowire's nucleation on Si(111) substrates
Si(111)基板上における自己触媒 GaAs ナノワイヤ核形成の構造特性
K. Nakama, K. Minehisa, H. Hashimoto, and F. Ishikawa
Hokkaido University
Th2-5
14:06 (2 min + poster)
Crystal Phase and Composition Control of Multiferroic YbFe2O4 Epitaxial Thin Films
マルチフェロイック YbFe2O4 エピタキシャル薄膜の相形成と組成制御
K. Shimamoto, T. Hayama, S. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura
Osaka Metropolitan University
Th2-6
14:08 (2 min + poster)High Al content AlGaN growth on low-dislocation-density AlN templte substrates
低転位密度 AlN テンプレート基板上への高 Al 組成 AlGaN の成長
R. Kasai*, R. Tanaka*, M. Deura**, M. Urushiyama***, R. Akaike***, T. Nakamura***,**** , H. Miyake***, andT. Araki**College of Science and Engineering, **R-GIRO, Ritsumeikan University, ***Graduate School of Engineering.,****MRPCO, Mie University
Th2-7
14:10 (2 min + poster)Growth time dependence of InGaN on ScAlMgO4 substrates using RF-MBE
RF-MBE による ScAlMgO4 基板上 InGaN の成長時間依存性
Y. Kubo, Y. Zhong, M. Deura, T. Fujii, and T. Araki
Ritsumeikan University
Th2-8
14:12 (2 min + poster)
Estimation of thermal stability of low-temperature grown GaAs1-xBix and InyGa1-yAs1-xBix using X-ray diffraction
X 線回折法を用いた低温成長 GaAs1-xBix および InyGa1-yAs1-xBix の熱安定性の推定
T. Arakawa*, Y. Kozai*, F. Abe*, Y. Tominaga*, K. Minehisa**, H. Hashimoto**, K. Nakama**, and F. Ishikawa***Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima University, **Research Center for Integrated
Quantum Electronics, Hokkaido University
Th2-9
14:14 (2 min + poster)
Wavelength dependence of photoluminescence lifetime in InGaN quantum wells with different alloy composition
In 組成違い InGaN 量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の波長依存性
R. Yamagata*, I. Shimbo*, A. A. Yamaguchi*, K. Iwamitsu**, and S. Tomiya***Kanazawa Institute of Technology, **Nara Institute of Science and Technology
Th2-10
14:16 (2 min + poster)Carrier diffusion processes in InGaN quantum wells measured by time-resolved PL measurements
時間分解 PL 測定による InGaN 量子井戸におけるキャリア拡散の測定
O. Ito*, A. A. Yamaguchi*, M. Ito**, R. Koda**, and T. Hamaguchi**,****Kanazawa Institute of Technology, **Sony Semiconductor Solutions Corporation, ***Mie UniversityTh2-11
14:18 (2 min + poster)Electronic Structures in γ-Nb4N3/AlN Superlattice Interface
γ-Nb4N3/AlN 超格子界面の電子構造
T. Yamaguchi* , T. Kawamura* , T. Akiyama* , and A. Kobayashi***Mie University, **Tokyo University of ScienceTh2-12
14:20 (2 min + poster)
Characterization of in-gap emission in carbon and oxygen ion implanted GaN films by photothermal deflection
spectroscopy
光熱偏向分光法による炭素および酸素イオン注入した GaN 薄膜のギャップ内発光の評価
T. Saito*,**, Y. Arai*,**, I. Sakaguchi*, T. Onuma**, T. Honda**, and M. Sumiya**National Institute for Materials Science, **Kogakuin University
Th2-13
14:22 (2 min + poster)Formation of Periodic Nanostructures induced by Supercontinuum Femtosecond Laser
超広帯域光を用いたフェムト秒レーザー誘起周期構造の形成
S. Naito, M. Tanaka, R. Seyed Ali, O. Eryu, and R. Miyagawa
Nagoya Institute of Technology
Th2-14
14:24 (2 min + poster)
Effects of Post-Metallization-Annealing in EID AlGaN/GaN MOS HEMTs
EID AlGaN/GaN MOS HEMT における電極形成後アニールの影響
T. Nanjo*, M. Furuhashi*, T. Watahiki*, T. Oishi**, and T. Egawa****Mitsubishi Electric Corporation, **Saga University, ***Nagoya Institute of Technology
Th2-15
14:26 (2 min + poster)
Current Transport Mechanism of Carbon-doped GaN Schottky Barrier Diodes Grown on Si substrates
Si 基板上炭素ドープ GaN ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の検討
Y. Hirayama*, M. Shimizu***, T. Hikosaka***, H. Nago***, Y. Kajiwara***, S. Nunoue***, M. Horita*,**, and J.
Suda*,***Nagoya University, ** IMaSS, Nagoya University, ***Toshiba Corporation
Th2-16
14:28 (2 min + poster)
Structural optimization of rare-earth slot waveguides for suppression of optical propagation loss
光伝搬損失の抑制のための希土類スロット型光導波路の構造最適化
R. Fujimaki*, Y. Sakurada*, X. Xu**, T. Inaba**, and T. Tawara**Nihon University, **NTT Basic Research Laboratories
Th2-17
14:30 (2 min + poster)
Demonstration of Second Harmonic Generation using 4-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide
4 層極性反転 AlN 導波路による第二高調波発生の実証
E. Sato*,**, H. Honda*,**, R. Momosaki*,**, T. Tamano***, K. Shojiki****, H. Miyake***, M. Uemukai*,**, T.
Tanikawa*,**, and R. Katayama*,***Graduate School of Engineering Osaka University, **OTRI-Spin, Osaka University, ***Graduate School ofEngineering, Mie University, ****Graduate School of Engineering, Kyoto University
Th2-18
14:32 (2 min + poster)
Effect of optical excitation conditions on single InP/InAs nanowire luminescence
単一 InP/InAs ナノワイヤーの発光に及ぼす光励起条件の影響
H. Tahara*, T. Matsumoto*, G. Zhang**, and T. Tawara**Nihon University, **NTT Basic Research Laboratories

Th2-19
14:34 (2 min + poster)
Stochastic Magnetic Tunnel Junction with Partially or Fully Compensated Synthetic Antiferromagnetic Free Layer
部分的または完全に磁化補償された反強磁性結合自由層を有する超常磁性磁気トンネル接合の評価
T. Kinoshita, J.-Y. Yoon, N. Cacoilo, H. Kaneko, S. Kanai, H. Ohno, and S. Fukami
Tohoku University
Th2-20
14:36 (2 min + poster)
Thermoelectric generators using single-walled carbon nanotube/mesh sheets attached on flexible substrate
フレキシブル基板上に単層カーボンナノチューブ／メッシュシートを貼り付けた熱電発電機
T. Amezawa and M. Takasiri
Tokai University
Th2-21
14:38 (2 min + poster)
Investigation of Narrow Bandgap Materials for Thermoradiative Diodes
熱輻射発電デバイスのための狭バンドギャップ材料の検討
Y. Kyuno*, T. Nakamura**, J. Ota*, K. Sagane*, and K. Yamane**Toyohashi University of Technology, **Japan Aerospace Exploration Agency

Break (14:40-14:55)

Session Th3 (14:55-15:59)
Chair: A. Ubukata (Taiyo Nippon Sanso Co.)
Th3-1 [Invited] 14:55 (30 min)Growth of β-Ga2O3 Layers Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
有機金属気相成長法を用いた β-Ga2O3 層の成長
Y. Kumagai
Tokyo University of Agriculture and Technology
Th3-2
15:25 (2 min + poster)
Impact of Condition for Alternating-Precursor Supply in Mist CVD Growths of RS-MgZnO/MgO Heterostructures
and Superlattices
ミスト CVD 成長による RS-MgZnO/MgO ヘテロ構造および超格子構造製作における前駆体ミスト交互供給条件の影響K. Ogawa, H. Aichi, T. Mitomi, K. Tanaka, T. Yamaguchi, T. Honda, and T. Onuma
Kogakuin University
Th3-3
15:27 (2 min + poster)Radial growth of InAs nanowire by MBE
MBE 法による InAs ナノワイヤの動径方向成長
S. Komatsu and M. Akabori
Japan Advanced Institute of Science and Technology
Th3-4
15:29 (2 min + poster)
Molecular Beam Epitaxy of GaAs/GaInNAsSb Nanowires Showing Telecommunication Wavelength Emissions
Between 1.0 and 1.4 µm
1.0～1.4µm の通信波長発光を示す GaAs/GaInNAsSb ナノワイヤの分子線エピタキシー
T. Goto, K. Nakama, H. Hashimoto, K. Minehisa, and F. Ishikawa
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University

Th3-5
15:31 (2 min + poster)Formation and optical properties of Tm, Yb-codoped ZnO nanowires grown on quartz substrates
石英基板上 Tm,Yb 共添加 ZnO ナノワイヤの形成と光学特性評価
M. Ida*, J. Tatebayashi*, S. Ichikawa*, M. Tane*, and Y. Fujiwara***Graduate School of Engineering, Osaka University, **Research Organization of Science and Technology,
Ritsumeikan University
Th3-6
15:33 (2 min + poster)Growth mechanism of ALD-Ga2O3 thin film
ALD 法により作製した Ga2O3 薄膜の成長機構
R. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura
Osaka Metropolitan University
Th3-7
15:35 (2 min + poster)
Fabrication of Buffer Layers for Highly Sensitive TMR Sensors with Co-based Heusler alloy electrodes
Co 基ホイスラー合金電極を用いた高感度 TMR センサ用バッファー層の作製
H. Hamasaki, T. Hojo, M. Tsunoda, and M. Oogane
Tohoku University
Th3-8
15:37 (2 min + poster)Thickness and Aspect-Ratio Dependent Magnetization Switching in CoFe/MgO Nanolayer Patterns on GaAs(001)
Substrates
GaAs(001)基板上の CoFe/MgO ナノレイヤーパターンの磁化反転の膜厚およびアスペクト比依存性
R. Ochiai*, Y. Fujiwara*, L. Zi*, M. Akabori**, and S. Hara**Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, **Center for Nano Materials andTechnology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST)
Th3-9
15:39 (2 min + poster)
Dependence of Hydrochloric Acid Concentration Adding to Source Solution in Mist CVD Growth of In2O3 Films on
Amorphous SiO2
Mist CVD 法によるアモルファス SiO2 上 In2O3 薄膜成膜における添加塩酸濃度の依存性
R. Ishikawa, T. Yamamoto, Y. Hayashi, S. Aikawa, T. Onuma, T. Honda, and T. Yamaguchi
Kogakuin University
Th3-10
15:41 (2 min + poster)Band structure analysis of κ-Ga2O3/Al2O3 superlattices
κ-Ga₂O₃/Al₂O₃超格子のバンド構造解析
T. Nishimura*, T. Kawamura*, T. Akiyama*, and Y. Kangawa***Mie University, **Kyushu University
Th3-11
15:43 (2 min + poster)
Evaluation of Electrical Properties of Mg Ion-implanted GaN Single Crystals using THz-TDSE
THz-TDSE による Mg イオン注入した GaN 単結晶の電気特性評価
D. Wang* , T. Fujii*,*** , M. Deura** , T. Iwamoto*** , A. Suyama**** , and T. Araki** College of Science and Engineering, ** R-GIRO, Ritsumeikan University, *** NIPPO PRECISION Co., Ltd.,****Ion Technology Center Co., Ltd.
Th3-12
15:45 (2 min + poster)
Challenge for dry-transfer of graphene with aiming at GaAs nanochannel epitaxy on Si substrate
Si 基板上 GaAs ナノチャネルエピタキシーを目指したグラフェンのドライ転写への挑戦
A. Ohsumi, W. Ohta, T. Maruyama, and S. Naritsuka
Meijo University

Th3-13
15:47 (2 min + poster)Temperature-Dependent Hall Effect Measurement of 2DEG in ScAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Prepared by
Sputtering Method
スパッタ成長 ScAlN/AlGaN/AlN/GaN ヘテロ構造における 2DEG 輸送特性の温度依存性
K. Kubota, Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, Y. Nakano, A. Kobayashi, and T. Maeda
The University of Tokyo, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Tokyo University of ScienceTh3-14
15:49 (2 min + poster)Widegap CIGS solar cells with ZTO buffer layer
ZTO バッファ層を活用したワイドギャップ CIGS 太陽電池の特性評価
T. Nishida*, J. Nishinaga*, N. Terada*,**, and S. Ishizuka**AIST, **Kagoshima University
Th3-15
15:51 (2 min + poster)
Optical coupling characteristics of grating couplers for rare-earth slot waveguides
希土類スロット型導波路用グレーティングカプラの光結合特性
Y. Sakurada*, R. Fujimaki*, X. Xu**, T. Inaba**, and T. Tawara**Graduate School of Engineering, Nihon University, **NTT Basic Research Laboratories
Th3-16
15:53 (2 min + poster)
Fabrication of GaInN-based RGB monolithic micro LED arrays fabricated by combining PSD and MOVPE methods
PSD 法により赤色 LED 構造を GB-LED 下地層上に成長した GaInN 系 RGB モノリシック µLED アレイの作製
Y. Shimizu*, N. Hasegawa*, Y. Suehiro*, T. Takeuchi*, S. Kamiyama*, K. Ueno**, H. Fujioka**, and M. Iwaya**Faculty of Science and Technology, Meijo University, **Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
Th3-17
15:55 (2 min + poster)
Linear/Nonlinear Quasi-Phase Matched Photon Pair Generation Device Using InGaN Laser Epitaxial Wafer
InGaN レーザエピタキシャルウェハを用いた線形/非線形擬似位相整合光子対発生デバイス
T. Wada*,***, H. Ogawa**,***, M. Uemukai*,**,***, T. Tanikawa*,**,***, and R. Katayama*,**,****Graduate School of Engineering, Osaka University, **School of Engineering, Osaka University, ***OTRI-Spin,
Osaka University
Th3-18
15:57 (2 min + poster)Interlayer Dzyaloshinskii-Moriya Interaction in multilayer structures
多層膜における層間ジャロシンスキー・守谷相互作用に関する研究
K. Saijo, T. Dohi, T. Uchimura, Y. Yamane, S. Wakabayashi, H. Ohno, and S. Fukami
Tohoku University

Break (15:59-16:14)

Poster Session 3 (16:14-17:30)

Break (17:30-18:00)

Banquet (18:00-20:00)

【October 4th, Friday】

Session Fr1 (9:00-10:30)
Chair: R. Katayama (Osaka University)
Fr1-1 [Invited] 9:00 (30 min)
Exploration of artificial multiferroic heterostructures and their functions
界面マルチフェロイク材料の探索と機能開拓
T. Taniyama
Nagoya University
Fr1-2
9:30 (2 min + poster)
Solid phase growth of a-Ge/Mg/SiO2 stacked structure
非晶質 Ge/Mg/SiO2 積層構造の固相成長
T. Nagashima, A. Morimoto, S. Kikumoto, K. Takakura, and I. Tsunoda
National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto College
Fr1-3
9:32 (2 min + poster)Carrier density control of rutile-type SnO2 thin films and fabrication of a vertical Schottky barrier diode
ルチル型 SnO2 薄膜のキャリア密度制御と縦型ショットキーバリアダイオードの作製
Y. Takahashi*, H. Takane*, H. Izumi**, T. Wakamatsu*, Y. Isobe*, K. Kaneko***, and K. Tanaka**Kyoto University, **Hyogo Prefectural Institute of Technology, ***Ritsumeikan University
Fr1-4
9:34 (2 min + poster)Development of Nitrogen Doping Process for Ga2O3 by MBE
MBE による Ga2O3 への窒素ドーピングプロセスの開発
S. Taniguchi*, K. Nakaoka*, T. Uehara*, J. Inajima*, Y. Teramura*, K. Tsujimoto*, S. Honda*, and M.
Higashiwaki*,***Osaka Metropolitan University, **National Institute of Information and Communications Technology
Fr1-5
9:36 (2 min + poster)Control of Indium Composition on Van der Waals Epitaxy of InGaN Thin Film on Graphene by RF-MBE Method
ファンデルワールスエピタキシーによるグラフェン上 InGaN 薄膜のインジウム組成制御
R. Nambu, S. Hattori, T. Araki, and S. Mouri
Ritsumeikan University
Fr1-6
9:38 (2 min + poster)As-free growth of InSb films on GaAs substrates covered with GaSb by Sb irradiation
Sb 照射により GaSb を形成した GaAs 基板上への InSb の As フリー成長
Y. Shirakawa, Y. Nukaga, H. Yaguchi, and S. Fujikawa
Saitama University
Fr1-7
9:40 (2 min + poster)Low Temperature AlN Growth by RF-MBE
RF-MBE 法を用いた低温 AlN 成長
Y. Kawakami*, R. Tanaka*, M. Deura**, and T. Araki**Ritsumeikan University, **Ritsumeikan Global Innovation Research Organization (R-GIRO)
Fr1-8
9:42 (2 min + poster)
The effect of growth temperature on the growth model of low-temperature-grown GaAs1-xBix
低温成長 GaAs1-xBix の成長モデルに対して成長温度が与える影響
F. Abe, Y. Kozai, T. Arakawa, and Y. Tominaga
Hiroshima UniversityFr1-9
9:44 (2 min + poster)
RF-MBE growth and evaluation of InGaN thermoelectric films of whole In contents
全組成域 InGaN の RF-MBE 成長とその熱電特性評価
S. Hattori*, T. Araki*, and M. Deura***College of Science and Engineering, **R-GIRO, Ritsumeikan University
Fr1-10
9:46 (2 min + poster)
Pulsed Sputtering Growth of GaN film using Sintered Target
焼結体ターゲットを用いた GaN 薄膜のパルススパッタ成長
K. Nomura, K. Bando, Y. Ueoka, Y. Kususe, M. Mesuda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
Graduate School of Engineering and OTRI-Spin, Osaka University and Tosoh Corp.
Fr1-11
9:48 (2 min + poster)
Investigation of the carrier capture levels in the n-Mg2Si single crystals with varying carrier density
キャリア密度を変化させた n-Mg2Si 単結晶におけるキャリア捕獲準位の検討
K. Shimizu*, T. Ota*, T. Uematsu**, H. Udono**, I. Tsunoda*, and K. Takakura**National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto College, **Ibaraki University
Fr1-12
9:50 (2 min + poster)
Effect of Lattice Strain on Bandgap of κ-Ga2O3
κ-Ga2O3 のバンドギャップに対する格子ひずみの影響
T. Yamashita*, T. Kawamura*, T. Akiyama*, and Y. Kangawa***Mie University, **Kyushu University
Fr1-13
9:52 (2 min + poster)
Detailed analysis of temperature dependence of time-resolved photoluminescence spectra in an InGaN single
quantum well
InGaN 単一量子井戸における時間分解フォトルミネセンススペクトルの温度依存性
I. Shimbo*, H. Tosa*, A. A. Yamaguchi*, K. Iwamitsu**, and S. Tomiya***Kanazawa Institute of Technology, **Nara Institute of Science and Technology
Fr1-14
9:54 (2 min + poster)Atomic position of Mg in Mg-as-implanted GaN
Mg イオン注入後熱処理前の GaN 中 Mg サイトの解析
M. Uenuma*,**, H. Tomita**, H. Natsui**, Y. Hashimoto**, T. Matsushita**, and Y. Uraoka***AIST, **NAIST
Fr1-15
9:56 (2 min + poster)
Impact of Polarization of LiNbO3 Substrate on MoS2 Device
LiNbO3 基板の分極が MoS2 に与える影響
S. Bekku, T. Uno, K. Rong, A. Kuddus, and S. Mouri
Ritsumeikan University
Fr1-16
9:58 (2 min + poster)
Proposal of "optoiontronic carrier dynamics" of water splitting by Cu(In,Ga)Se2 photoelectrodeCu(In,Ga)Se2 光電極を用いた"光イオントロニクス"水分解反応メカニズムの提案
K. Ueda* and M. Sugiyama*,***Department of Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, **RIST,Tokyo University of ScienceFr1-1710:00 (2 min + poster)
Circular Defect in 2D photonic crystal (CirD) Laser, of which Cladding Layers are AlO x, with Output Orthogonal
Lattice Waveguide (OLW) with Air Cladding Layers
円形欠陥フォトニック結晶(CirD)レーザの空気クラッド直交格子導波路(OLW)構造
Y. Kudo, K. Sato, H. Kubota, Y. Adachi, M. Morifuji, H. Kajii, A. Maruta, T. Yagi, and M. Kondow
Graduate School of Engineering, Osaka UniversityFr1-18
10:02 (2 min + poster)
Research of Low-Threshold Schottky Barrier Diodes Suitable for Low-Power Applications
小電力応用に適する低しきい値ショットキーバリアダイオードの研究
R. Ando*, G. Kamio*, R. Morita*, Y. Suda*, H. Fujioka**, and N. Maeda**Tokyo University of Technology, **Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
Fr1-1910:04 (2 min + poster)Temperature-Dependent Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Heterostructures
AlGaN/GaN ヘテロ接合における 2DEG ドリフト速度の温度特性評価
Y. Wakamoto*, T. Kawahara**, S. Yoshida**, K. Makiyama**, K. Nakata**, and T. Maeda**The University of Tokyo, **Tokyo University of ScienceFr1-20
10:06 (2 min + poster)
Fabrication and Evaluation of Normally-Off Diamond MESFETs toward the Development of Radiation-Resistantand High-Temperature Operating Digital Circuits
耐放射線性・高温動作デジタル回路開発に向けたノーマリーオフダイヤモンド MESFET の作製と評価
A. Okuno*, J. H. Kaneko*, H. Umezawa**, T. Masumura*, H. Kawashima**, and T. Makino***Hokkaido University, **National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Fr1-21
10:08 (2 min + poster)
Fabrication of InAs quantum dot embedded GaAs core layer limited within the CirD cavity for photonic crystal laser
フォトニック結晶レーザのための CirD 共振器内に限定した InAs 量子ドット埋め込み GaAs コア層の作
製
F. Hayashi*, H. Muto*, R. Kato*, R. Zuo*, H. Ye*, H. Kajii*, M. Morifuji*, T. Yagi*, A. Maruta*, M. Arai**, andM. Kondow**Graduate School of Engineering, Osaka University, **Faculty of Engineering, University of Miyazaki
Fr1-22
10:10 (2 min + poster)
Voltage-Boost Effects Enhanced by Quantum Dots in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells
2 段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の量子ドットによる電圧増強効果
D. Nagai, S. Yamamoto, S. Asahi, and T. Kita
Kobe University
Fr1-23
10:12 (2 min + poster)
GaN p-i-n Structure Electric-Field Driven Mach-Zehnder Interferometer for High-Speed Modulation
高速変調に向けた GaN p-i-n 構造電界印加型マッハツェンダ干渉計に関する研究
R. Sugano*,**, M. Uemukai*,**, T. Tanikawa*,**, and R. Katayama*,***Graduate School of Engineering, Osaka University,**OTRI-Spin, Osaka University
Fr1-24
10:14 (2 min + poster)
Voltage boost effect in intermediate-band thermoradiative diodes
中間バンドを有する熱放射ダイオードにおける電圧上昇効果
Y. Harada and T. Kita
Kobe University
Fr1-25
10:16 (2 min + poster)
Fabrication of PIN structure using InSb1-xNx thin films by magnetron sputtering
マグネトロンスパッタ法による InSb1-xNx 薄膜を用いた PIN 構造の作製
Y. Ariji, H. Yaguchi, and S. Fujikawa
Saitama University
Fr1-26
10:18 (2 min + poster)
199 nm Second Harmonic Generation from SrB4O7 Vertical Microcavity Device
SrB4O7 垂直微小共振器デバイスからの 199 nm 第二高調波発生
H. Matsumoto*,**, T. Nambu***, M. Uemukai*,**, T. Tanikawa*,**, and R. Katayama*,***Graduate School of Engineering, **OTRI-Spin, and ***Institute of Laser Engineering, Osaka UniversityFr1-27
10:20 (2 min + poster)Anomalous hall effect of poly-crystalline Mn3Sn thin films deposited on various substrate
様々な基板上に成膜した多結晶 Mn3Sn の異常ホール効果
H. Iwai, Y. Sato, H. Kubota, K. Gas, J. -Y. Yoon, Y. Takeuchi, Y. Yamane, T. Uchimura, S. Wakabayashi, S. Kanai,
H.Ohno, and S. Fukami
Tohoku university
Fr1-28
10:22 (2 min + poster)
Ferromagnetic resonance in magnetic tunnel junction for wireless signal energy harvesting
無線信号環境発電に向けた磁気トンネル接合による強磁性共鳴
K. Kino, T. Dohi, T. Shinoda, S. Kanai, H. Ohno, and S. Fukami
RIEC, Tohoku University
Fr1-2910:24 (2 min + poster)Electrical characterization of ferroelectric gate FETs for physical reservoir computing
物理リザバーコンピューティングのための強誘電体ゲート FET の電気特性評価
Y. Ukezeki*, H. Yamada*, S. Inoue*, N. Fujimura*, T. Yokomatsu**, K. Kanda**, K. Maenaka**, K.
Toprasertpong***, S. Takagi*** and T. Yoshimura**Osaka Metropolitan University, **University of Hyogo, ***The University of Tokyo
Fr1-30
10:26 (2 min + poster)Three-dimensional thermoelectric generators with SWCNT films on expandable paper using Sogame Fold
ソガメ折りを用いた SWCNT 膜を添付した三次元熱電発電機の開発
H. Yamamoto, K. Hoshino, A. Sogame, and M. Takashiri
Tokai University
Fr1-31
10:28 (2 min + poster)Analysis of doping density dependence of optical gain of 10 THz-band GaN-based QCL
GaN 系 10 THz 帯量子カスケードレーザー光利得のドーピング濃度依存性
A. Takahashi, L. Wang, S. Fujikawa, H. Yaguchi, and H. Hirayama
RIKEN, Saitama University

Break (10:30-10:45)

Poster Session 4 (10:45-11:50)

Free Time (Lunch) (11:50-13:00)

Tutrial (13:00-13:50)
Chairs: T. Araki (Ritsumeikan University)
Tutorial
13:00 (50 min)Requirements in Doping Characteristics and Controllability for Semiconductor Power Devices
パワーデバイスにおけるドーピングの役割と求められる特性
J. SudaNagoya University

Special Session (13:50 - 16:05)
Session Theme: “Doping technologies for wide-bandgap semiconductor power devices”
セッションテーマ：「パワーデバイス応用に向けたワイドバンドギャップ材料へのドーピング技術」
Chairs: J. Suda (Nagoya University) and T. Nanjo (Mitsubishi Electric Corporation)
Special Session-1 13:50 (30 min)Polarization doping in nitride-based semiconductors
窒化物半導体の分極ドーピング
T. Takeuchi, M. Iwaya, and S. Kamiyama
Meijo University
Special Session-2 14:20 (30 min)Heavy Doping Technology for Nitride Semiconductors with Sputtering
スパッタリングを用いた窒化物半導体への高濃度ドーピング技術
H. Fujioka and K. Ueno
The University of Tokyo

Break (14:50-15:05)

Special Session-3 15:05 (30 min)Potential of Germanium dioxide (GeO2) with ambipolar dopability and huge bandgap for power device
applications
両伝導型 UWBG 酸化物 二酸化ゲルマニウムの可能性 -酸化物パワー半導体が抱える p 型問題解決の糸口K. Kaneko
Ritsumeikan University
Special Session-4 15:35 (30 min)
Impurity doping on diamond semiconductor by microwave plasma CVD
マイクロ波プラズマ CVD 法によるダイヤモンド半導体への不純物ドーピング
H. KatoAIST

Closing Session (16:05 - 16:25)

【講演者へのご案内】【会場】（プレナリー講演，招待講演，スペシャルセッション）
プレナリー講演，招待講演，スペシャルセッション（チュートリアルを含む）は口頭講演です．PC をご持参いただくか，会場に用意いたします
PC をご利用下さい．

EMS-43 会場 グランドメルキュール奈良橿原〒634-0063 奈良県橿原市久米町 652 番地の 2
TEL：0744-28-6636，FAX：0744-28-6644
https://grand-mercure-nara-kashihara.jp/［アクセス］
橿原神宮前駅東出口 徒歩約 1 分（一般講演）
一般講演は，2 分間のショートプレゼンテーション（交代時間含む）と，ポスター発表からなります．
［ショートプレゼンテーション］
視認性向上，講演者交代の迅速化を目的として液晶プロジェクターにより実施します．講演時間 2 分は交代時間を含むため，ベルの鳴るタ
イミングを第１鈴: 1 分，第 2 鈴: 1 分 50 秒とし，第 2 鈴で速やかに終了，とさせて頂きますので，ご協力をお願いいたします．
交代時間節約のため，事前に，EMS ホームページにて，講演スライドを PDF 形式にて提出して頂きます．詳細は EMS ホームページをご覧ください．（https://ems.jpn.org/）［ポスターセッション］
1. ショートプレゼンテーションの番号に対応するポスターセッションでご発表をお願いします．著者の方は，指定された時間中はポスター掲
示場所でご説明をお願い致します．
2. 来場次第，講演番号で指定された場所に掲示をお願いします．ポス
ターは会期中を通じ掲示して下さい．
84.1 cm
3. 掲示スペースは A0 サイズ（縦 118.4
cm×横 84.1 cm）が 1 枚です．
ポスター会場は会期中を通してオープン
118.4cm
にしていますので，ポスター発表が同じ時間帯の方との討論などにご活用下さい．

［電車でお越しの方］［車でお越しの方］【EMS 賞】
本シンポジウムでは，第 16 回（平成 9 年開催）以降，優れた研究発表をなされた，あるいは討論等によりこの会議を盛り上げていただいた，
原則として 35 才以下の若手研究者を対象として EMS 賞を授与しています．資格などの詳しい内容は会議初日にアナウンスし，受賞者の発表
および授与式は最終日に行います．論文発表に加えて，formal あるいは informal な討論の場にも是非，積極的に参加して頂き，大いに会議を盛り上げて頂けますようお願い申し上げます．
［交通案内図］

【問い合わせ先】
論文・プログラム関係〒525-8577 滋賀県草津市野路東 1-1-1
立命館大学 理工学部電気電子工学科
荒木 努（論文委員長）
TEL：077-561-5030
e-mail：tara@se.ritsumei.ac.jp
参加の申込みと支払い〒604-0031 京都府京都市中京区新町通二条
下る頭町 21-5㈱アートツーリスト EMS-43 係
TEL：075-252-2234，FAX：075-252-2244
e-mail：tachi_webreg@art-tourist.co.jp
その他シンポジウム全般（事務局）〒565-0871 大阪府吹田市山田丘 2-1
大阪大学 大学院工学研究科
電気電子情報通信工学専攻
今西 正幸（総務委員）
TEL：06-6879-7705
e-mail：ems43-query@ems.jpn.org
各種情報は，EMSホームページをご覧下さい．
https://ems.jpn.org/

電子材料シンポジウム委員会
運営委員長
藤原 康文
（立命館大）
運営委員
朝日 一
（阪大）
上田 哲三
上野 昌紀
（住友電工）乙木 洋平
尾鍋 研太郎 （東大）
河口 研一
喜多 隆
（神戸大）
纐纈 明伯
熊倉 一英
（日本電信電話） 須田 淳
竹田 美和
（科学技術交流財団） 手塚 勉
冨谷 茂隆
（奈良先端大）波多野 睦子
藤村 紀文
（阪公大）
三宅 秀人
本久 順一
（北大）
吉野 淳二
若原 昭浩
（豊橋技科大）
実行委員長
本久 順一
（北大）
実行副委員長
須田 淳
（名大）
冨谷 茂隆
総務委員
朝日 重雄
（神戸大）
今西 正幸
太田 優一
（富山県立大）久志本 真希正直 花奈子 （京大）
出浦 桃子
都甲 薫
（筑波大）
情報セキュリティ委員
宇野 和行（和歌山大）
会計委員
河野 慎（日本電信電話） 舘林 潤
会場委員
赤岩 和明
（鳥取大）
神野 莉衣奈
西田 竹志
（産総研）
林
侑介
藤川 紗千恵 （埼玉大）
前田 拓也
山根 啓輔
（豊橋技科大）論文委員長
荒木 努（立命館大）
論文副委員長
片山 竜二
（阪大）
滝澤 俊幸
論文委員
石川 史太郎
一色 秀夫
岩谷 素顕
生方 映徳
大曲 新矢
寒川 義裕
沓掛 健太朗
蔵口 雅彦
小島 一信
徐
学俊
杉山 正和
俵
毅彦
寺井 慶和
成塚 重弥
西永 慈郎
東脇 正高
藤村 紀文
冬木 琢真
村上 尚
山田 明
分島 彰男

（北大)
（電通大）
（名城大）
（大陽日酸）
（産総研）
（九大）
（名大）
（東芝）
（阪大）
（日本電信電話）
（東大）
（日大）
（九工大）
（名城大）
（産総研）
（阪公大）
（阪公大）
（住友電工）（東京農工大）
（東工大）
（熊本大）

石川 靖彦
今林 弘毅
牛田 泰久
大野 雄高
金村 雅仁
北村 雅季
朽木 克博
栗原 香
笹倉 弘理
末益 崇
竹見 政義
張
超亮
德田 崇
南條 拓真
西中 浩之
冨士田 誠之船戸 充
宮川 鈴衣奈
森
勇介
屋山 巴
渡邊 賢司

（パナソニック）（名大）（富士通研）（東京農工大）（名大）（キオクシア）
（東工大）
（三重大）
（東工大）

（奈良先端大）（阪大）（名大）（立命館大）（阪大）（東大）（NIMS）（東大）（パナソニック）（豊橋技科大）（福井大）（豊田合成）（名大）（ﾄﾗﾝｽﾌｫｰﾑ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ）（神戸大）（豊田中研）（住友化学）（北大）（筑波大）（三菱電機）（東北大）（東工大）（三菱電機）（京都工繊大）
（阪大）
（京大）
（名工大）
（阪大）
（工学院大）（物材機構）

シンポジウム運営にかかる費用の一部は公益社団法人応用物理学会「高野榮一光科学基金」にご支援いただいております．