One-Renesas
メモリソリューション
産業および通信アプリケーションに最適なメモリポートフォリオを提供

2024.09

業界をリードするメモリ製品
ルネサスはお客様に提供するメモリポートフォリオをさらに充実させました。ルネサスは、産業市場と通信市場向けに、高信頼性と安定供給・長期サポートを兼ね備えた、低消費電力で高速の業界標準 SRAM を幅広く提供しています。
ルネサスの FIFO ポートフォリオには、140 種類を超える同期、非同期、双方向の製品があり、レートマッチング、バッファリング、バスマッチングといったチップ間通信プロトコルの問題を解消します。ルネサスのマルチポートメモリポートフォリオには、100 種類を超える非同期および同期のデュアルポート、4 ポート、バンク切替可能なデュアルポート製品があります。
コードとデータストレージ用フラッシュメモリ
ルネサスのフラッシュメモリは、業界標準の NOR アーキテクチャで構築されて、コードやデータストレージに信頼性の高いフラッシュメモリを必要とする産業用システム、省電力システム、バッテリ駆動システムの消費電力と性能の要件を満たすように設計されています。
当社の製品ラインアップには、システムブートなどのタスクに最適な標準クラスのほか、高度な FusionHD、Ultra-Low Energy、DataFlashファミリがあります。これら製品は、MCU のオーバーヘッドを最小限に抑えるように設計されており、一般的なフラッシュメモリソリューションと比較して 85% 以上のエネルギー節約を達成することができます。
メモリタイプ
低消費電力 SRAM
非同期高速 SRAM
同期 SRAM
専用メモリ
EEPROM

SPI NORフラッシュ製品

 (5V, 3V)
 (3V)

256Kb, 1Mb, 4Mb
2Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb, 64Mb

 (5V, 3.3V) 4Mb
 (5V)
 (3.3V)

16Kb, 64Kb, 256Kb, 1Mb
1Mb, 4Mb

 パイプラインバースト／フロースルー
 ゼロバスターンアラウンド (ZBT)

 マルチポート (5V, 3.3V, 2.5V)
 FIFO (5V, 3.3V)

4Mb, 9Mb
4Mb, 9Mb, 18Mb

8Kb 〜 36Mb
2Kb 〜 512Kb

 シリアル・インタフェース：I2C, SPI (1.8V 〜 5.5V) 2Kb 〜 512Kb

	標準製品：(1.8V) 8Mb 〜 256Mb, (1.8V 〜 3V, ワイド Vcc) 256Kb 〜 32Mb, (3V) 256Kb 〜 256Mb
	システム拡張製品：
Ultra-Low Energy [1Mb～16Mb]
FusionHD [4Mb 〜 32Mb]
DataFlash [2Mb 〜 64Mb]

CONTENTS
低消費電力 SRAM_______________________ 03
専用メモリ____________________________ 05
マルチポートメモリ／FIFO
非同期／同期 SRAMEEPROM______________________________ 09フラッシュメモリ_______________________ 10

02-03

低消費電力 SRAM

安全性・信頼性の高いユーザシステムへの要望が高まる中、システムプログラムや金融取引データといった重要な情報を格納するために使用する、信頼性の高い SRAM への需要も高まっています。ルネサスの低消費電力 SRAM（LPSRAM）製品は、中小規模のメモリシステムで多くの実績を残しており、ファクトリオートメーション（FA）、産業機器、スマートグリッドなどのアプリケーションで高い信頼性と長時間のバックアップバッテリ駆動を実現するように設計されています。
ルネサスの中核製品シリーズである Advanced Low Power SRAM は、技術的なトレードオフなしで高性能と高信頼性の両立を実現し、お客様から高い評価を得ています。これらの Advanced Low Power SRAM は、ルネサス独自技術によるメモリセルにより、従来のフル CMOS メモリセルよりも数桁低い優れたソフトエラー発生率を実現します。

ECC 内蔵 SRAM よりも優れたソフトエラー耐性を備えた Advanced LPSRAM
製品ファミリ

ソフトエラー対策

Advanced LPSRAMシリーズ(0.11 μ m / 0.15 μ m)

R1LV1616Hシリーズ <EOL>(0.13 μ m CMOS 16Mb)

具体的手段？

〇

独自技術による臨界電荷量 (Qcrit) の増加〇

ECC 内蔵R1LV1616Hシリーズ

ルネサス0.11/0.15µm
Advanced LP-SRAM

ルネサス0.13µm
16Mb LP-SRAM< 0.1 FIT/Mb< 10 FIT/Mb

Advanced
LP-SRAM
シリーズ

ECC内蔵
SRAM

0.1

1

< 0.04 FIT/Mb [0.11µm]< 0.06 FIT/Mb [0.15µm]< 5.5 FIT/Mb

RMLV1616Aシリーズ他

0.01

ソフトエラー発生率（実測値）

ルネサス0.18µm
4Mb高速SRAM

従来型SRAM

500 ~ 5,000 FIT/Mb,
100 ~ 500 FIT/Mb 通常 ~ 1,000 FIT/Mb
プレーナー型容量付加SRAM

10
SER [FIT/Mb]

100

ECC非内蔵SRAM

100010000

ソフトエラー発生率のオーダー (×10nの桁) 比較イメージ特長

用途■ 高い信頼性– 組み込み ECC なしで優れたソフトエラー耐性を実現– ラッチアップフリーのメモリセル構造■ 安定した供給と長期サポート– PLP（Product Longevity Program：長期製品供給プログラム）の対象■ すべてのアプリケーションに対応した広範なラインアップ– メモリ容量：256Kb～64Mb– 供給電圧：3V/5V（5V 部品を引き続きサポート）– パッケージ：豊富なパッケージラインアップ■ 産業– ファクトリオートメーション（PLC、CNC など）、サーボモー
タ、AC ドライブ（インバータ）、産業ロボット、プラント制御
システム、自動販売機、改札機、ATM など■ 通信– ルータ、交換機、基地局など■ 社会インフラ– エレベータシステム、輸送システム、鉄道システム、信号シス
テム、スマートグリッドデバイスなど■ オフィスオートメーション– 多機能プリンタなど■ 民生– ゲーム機、楽器、関数電卓など■ 自動車アクセサリ（駆動系を除く）– ETC、デジタルタコメータなど■ メディカル / ヘルスケア– 医療用電子機器

他社製品との比較
256Kb から 64Mb まで全ての製品がソフトエラーフリーです

Vendorルネサス
他社

 製品 ソフトエラー対策：

Process

256Kb

1Mb

2Mb

4Mb

0.15μm Advanced







 (5V)

0.11μm Advanced
90nm CMOS no ECC





8Mb

16Mb

あり

32Mb

なし

64Mb

Change to 0.11μm Advanced

 (3V)





























65nm CMOS ECC embedded

製品ベンチマーク最小のスタンバイ電流とソフトエラーフリーを両立できるのはルネサスだけですベンダー

スタンバイ電流ソフトエラー発生率ルネサス

0.3 μ A (4Mb, 3V Typ.)< 0.04 FIT / Mb (0.11 μ m Advanced LPSRAM)

他社

3.5 μ A (4Mb, 3V Typ.)500~5,000 FIT / Mb (90nm LPSRAM, w/o ECC)

製品ラインアップ
Product Series

DensityOrg.

SupplyVoltage (V)AccessTime (ns)StandbyCurrent (typ.)Temp. Range

TSOP

SOP

R1LP5256E

256 Kbx8

4.5 - 5.555

0.6 μA-40°C to 85°C





R1LP0108E

1 Mb

x8

4.5 - 5.555

0.6 μA-40°C to 85°C





R1LP0408D

4 Mb

x8

4.5 - 5.555

0.8 μA-40°C to 85°C



R1LV5256E

256 Kbx8

2.7 - 3.655

0.6 μA-40°C to 85°C





R1LV0108E

1 Mb

x8

2.7 - 3.655

0.6 μA-40°C to 85°C





R1LV0208BSA

2 Mb

x8

2.7 - 3.655

1 μA-40°C to 85°C



R1LV0216BSB

2 Mb

x16

2.7 - 3.655

1 μA-40°C to 85°C



RMLV0408E

4 Mb

x8

2.7 - 3.645

0.3 μA-40°C to 85°C



RMLV0414E

4 Mb

x16

2.7 - 3.645

0.3 μA-40°C to 85°C



RMLV0416E

4 Mb

x16

2.7 - 3.6450.3 μA-40°C to 85°C



RMLV0808BGSB

8 Mb

x82.4 - 3.6450.45 μA-40°C to 85°C



RMLV0816BGBG

8 Mb

x16

2.4 - 3.6450.45 μA-40°C to 85°C

RMLV0816BGSA

8 Mb

x16

2.4 - 3.6450.45 μA-40°C to 85°C



RMLV0816BGSB

8 Mb

x16

2.4 - 3.6450.45 μA-40°C to 85°C



RMLV0816BGSD

8 Mb

x16

2.4 - 3.645

0.45 μA-40°C to 85°C

FBGA

μTSOP






RMLV1616A-S

16 Mb

x16

2.7 - 3.655

0.5 μA-40°C to 85°C



RMLV1616A-U

16 Mb

x16

2.7 - 3.645, 55

0.4 μA-40°C to 85°C







RMLV3216A

32 Mb

x16

2.7 - 3.655

0.6 μA-40°C to 85°C



RMWV6416A

64 Mb

x16

2.7 - 3.655

1.2 μA-40°C to 85°C



04-05

マルチポートメモリ

FIFO ロジック製品

ルネサスのマルチポートメモリポートフォリオには、100 種類を超える非同期および同期のデュアルポート、4 ポート、バンク切替可能なデュアルポート製品があります。

マルチポートメモリ

専用メモリの分野で圧倒的なシェアを持つルネサスは、長いイノベーションの歴史を誇り、FIFO やマルチポート製品で最高クラスのサポートを提供する世界的リーダー企業です。数百種類の製品と数千社のお客様に支えられたルネサスは、業界最高の品質で最速の、そして最も多様な専用メモリラインアップを提供しています。

Dual-Portor FIFO

ルネサスのマルチポートメモリポートフォリオには、100 種類を超える非同期および同期のデュアルポート、4 ポート、バンク切替可能なデュアルポート製品があります。これらのマルチポートメモリデバイスは、スイッチ、ルータ、ハブ、産業機器、ファイバチャネルラインカード、RAID コントローラなどに理想的です。
ルネサスのデュアルポートメモリファミリは業界標準であり、その革新的な機能とスピードは、システムレベルの設計に優れた価値とパフォーマンスをもたらします。ルネサスは、高パフォーマ
ンス 共 有 SRAM を ベース と し た デュアルポートメモリソリューションの低コスト化に取り組み続けています。ルネサスは、半導体業界におけるデュアルポート同期および非同期メモリのリーディングプロバイダであり、これからもその地位を守り続けます。

マルチポートメモリの利点■ 帯域幅の増大（最大で SRAM の 2 倍）
■ チップ間接続の問題を解消することで設計の複雑さを低減■ x8、x9、x16、x18、x36 から最大 x72 ビットのバス幅まで、バスマッチングの問題を解消■ 異なる電圧の部品を一緒に使用可能。1.8V、2.5V、3.3V、5V I/Oが適応可能■ DC から 200MHz までのバッファバス速度の不一致■ 8Kb～36Mb の容量で幅広いアプリケーションに対応■ 実績ある市販デバイスを使用することで市場投入期間を短縮マルチポート製品ファミリ

標準的なマルチポートアプリケーションブロック図

非同期デュアルポート RAM
非同期デュアルポートは、クロック制御された入出力を持たないメモリで、データ、アドレス、制御機能に使用します。

ストレージエリアネットワーク

バンク切替可能デュアルポート RAM
ルネサスの同期バンク切替可能デュアルポート RAM は、共有アレイへのアクセス、ポートごとの個別クロック、200MHz の動作速度、フルバウンダリカウンタといった真のデュアルポートの特長の多くとデュアルポートファミリとのピンアウト互換性を残しつつ容量を高めています。

Controller
Dual-Port

Dual-Port

Fiber
Channel

HOST BUS
ADAPTER

非同期低消費電力デュアルポート RAM
ルネサスの低消費電力デュアルポート製品は、携帯型デバイスの設計プロセスを簡素化します。ルネサスの LPDP は極めて低い電力消費を実現するとともに、プロセッサ間の電圧、速度、バス幅の不一致を緩衝する機能を備えています。

FPGASERDESNPUFPGASERDES

Dual-Port

Dual-Port

32 Bit
100MHzDual-Port

JTAG

Flash
Dual-Port

1024 KB(Data)

Dual-Port

Debug
Interface

TRIGGERCONTROL
Page
Initialization
ETHERNETCONTROLRAMCONTROLPROCESSOR

4 KB
SystemFunctionsStandby Power Supply
ECU Reset& Power
Control

マルチポートのアプリケーション例■ フライト制御■ ビデオ会議システム■ ソナー■ ガスセンサー■ 半導体装置

NPU

64 Bit133 MHz

4 ポート RAM
ルネサスの 4 ポート RAM は、専有するボード面積を最小限に抑えつつ、ハイエンドマルチメディアハンドセットアプリケーショ
ンで求められる最大限の機能を提供する、費用対効果に優れたマルチポート製品です。
同期デュアルポート RAM
ルネサスの同期デュアルポート RAM メモリセルは、両方のポートからアドレスへの同時アクセスが可能です。

32 Bit
100MHz■ 航空機ミッションレコーダ■ 鉄道システム用 PC■ 産業ロボット■ モータドライブコントローラ

100
Mbit/sBattery

POWER SUPPLYAND CONTROL

Automatic
Power-On

06-07

FIFO 製品

ルネサスは、レートマッチング、バッファリング、バスマッチングといったチップ間通信の問題の解消を支援する 140 種類を超える同期、非同期、および双方向製品で FIFO 市場をリードしています。

FIFO 製品ファミリ

標準的な FIFO アプリケーションブロック図

非同期 FIFO
ルネサスの非同期 FIFO は、読み書きそれぞれに個別のストローブを用意したメモリとなっています。データ転送のバッファリングに使用すると、転送の完了前にデータ処理を開始できるようになります。そのために、ワードサイズと深度の両方で容量を無制限に拡張できるようにするロジックを使用することで、データのオーバフローとアンダフローを防止しています。

テスト機器アプリケーション

FIFO のキュー処理
完全にプログラム可能なルネサスの FIFO マルチキューデバイス
は、キューの柔軟な設定が可能です。
同期 FIFO
ルネサスの同期 FIFO は、特にネットワーク、ビデオ、通信、デー
タ通信など、大量のデータをバッファリングする必要のあるアプ
リケーションに適しています。

LVTTL
HSTL
40MHz

SERIALI/O
BACKPLANEFPGACONTROL
40MHz

データバッファリング：高帯域幅ラインカード
125 MHz

OC-192
10Gbit/s

18100 MHz

FIFO

36

PacketProcessor

Line Card

OC-12
622Mbit/s

FIFO

PacketProcessor

Line Card

OC-3
155Mbit/s

FIFO

Line Card

FIFO のアプリケーション例■ 医療用レコーダ■ リピータ■ 超音波■ 密度計■ 手術器具

FIFO

■ ATM
■ 脳波計
■ 携帯電話テスタ■ 民生用アビオニクス■ プリンタ

PacketProcessor

Backplane

双方向 FIFO
ルネサスの双方向 FIFO は、双方向にデータを転送できるため、プロセッサ間通信や DSP 間通信を最適化できます。双方向転送機能は、特に通信ネットワーク機器で便利です。高集積度デバイ
スは、2 つの隣接する FIFO メモリアレイを備えています。これらのアレイにより、サイクル時間が短縮され、ボード面積が削減されて、より効率的にバスを利用できるようになります。

ASIC
HSTL
156MHzTEST
SOCKET

SWITCHING
CORE

SRAM（旧 IDT 製品）
非同期 SRAM、同期バースト SRAM、ゼロバスターンアラウンド（ZBT）SRAM
ルネサスでは、FIFO とマルチポートに加えて、通信、産業、軍事の市場に向けた業界標準の高速 SRAM ラインアップを取り揃えています。ルネサスは、SRAM 市場で 40 年以上も事業を継続しており、一貫した革新的な高品質製品を作り続けています。

SRAM の利点■ 容量 16K ビット～18M ビットの広範な製品■ 同期および非同期アーキテクチャ■ ルネサスは通信 SRAM 標準の ZBT テクノロジを発明

専用メモリのアプリケーション例■ 産業制御■ 医療用アプリケーション■ エレベータ制御■ 酒造制御■ ロボット溶接

08-09EEPROM

ルネサスの EEPROM は、高度な MONOS メモリ技術、CMOS プロセス、低電圧回路技術を活用して、高速、低消費電力、そして高信頼性を実現しています。

シリアル EEPROM の特長■ メモリ容量：2Kb～512Kb■ 標準シリアルインタフェース：I2C（2 線式）および SPI バスにより、MPU との直接接続が可能■ データ保護機能：書き込み保護端子およびソフトウェア書き込み保護■ 幅広い動作電圧：1.8V～5.5V■ -40°C～+85°C の幅広い温度範囲■ 高速モード対応：400kHz～1MHz（I2C）、3MHz～5MHz（SPI）■ 書き換え回数：100 万回以上、データ保持：100 年以上■ 少ピンパッケージ：SOP-8、TSSOP-8

製品ラインアップ
SOP-8 Package

TTSOP-8 Package

R1EX24002A / R1EX24004A / R1EX24008A

Product Series

Interface
I2C

2Kb / 4Kb / 8Kb



R1EX24016A / R1EX24032A / R1EX24064A

2IC16Kb / 32Kb / 64Kb





R1EX24128B / R1EX24256B / R1EX24512B

IC

128Kb / 256Kb / 512Kb



R1EX25002A / R1EX25004A / R1EX25008A

SPI

2Kb / 4Kb / 8Kb2Density

R1EX25016A / R1EX25032A / R1EX25064A

SPI

16Kb / 32Kb / 64Kb



HN58X25128 / HN58X25256

SPI128Kb / 256Kb



R1EX25512A

SPI512Kb



MONOS 構造■ MONOS 構造には、FLOTOX と比べて格納されている電荷が失われにくいという利点があり、データ保持期間が向上します。
MONOS 型メモリ

FLOTOX（浮遊ゲート）型メモリ（他社）（ルネサス）

スポンジモデル（電荷蓄積イメージ）

MetalOxideNitride (Si3N4)
Oxide
Semiconductor
Drain

Control Gate

Source

水風船モデル（電荷蓄積イメージ）

Control Gate
Floating Gate
Tunnel Oxide

SourceDrain

SiSi
基板／トンネル酸化膜界面の全面で電荷をやりとり

基板／トンネル酸化膜界面で局所的に電荷をやりとり
ポリシリコン膜（導電体）に電荷を蓄積窒化膜（非導電体）に電荷を面状に蓄積-> トンネル酸化膜に局所的な欠陥が生じても-> トンネル酸化膜の局所的な欠陥が電荷の消失は局所的なものに限られる

全面的な電荷の消失につながる-> 信頼性確保が容易-> MONOS 型に比べて信頼性確保が困難-> 大容量製品でも ECC 内蔵は不要

電荷の消失は局所的-> 大容量製品では ECC 内蔵が必要

局所的な欠陥が全面的な電荷消失に

EEPROM のアプリケーション
産業から民生まで幅広い分野で、製造装置のパラメータやデバイス設定情報といった電源オフ後も保持する必要のあるデータの格納に利用されています。
産業
FA 機器

エネルギーシステム

通信機器

民生
POS
システム

車載アクセサリ（非駆動系）
カーナビ, etc.

ヘルスケア

家電

OA 機器

ゲーム機

フラッシュメモリ

システム設計者の選択肢を拡充

ルネサスでは、電力が重視される環境でシステム設計者が電力、処理、帯域幅の課題に合わせてデータおよびコードの格納の選択肢を拡充しています。
システムブートなどのタスクに合わせて設計されていた標準クラスのフラッシュに加えて、システム拡張クラスのメモリは、MCU オーバヘッドを削減し、エネルギーを最大で 85% も節約します。

標準製品

システムパフォーマンスの向上

ブートローダやXIP（Execute-in-Place）
タスクに理想的エネルギーを最大で 85% 節約し、MCU オーバヘッドを削減

SRAM

12
3
4

I/O Interface

システム拡張製品

ユニバーサル互換性

8765

標準ピンアウト

電力とエネルギーの節約

高効率で堅牢なデータログ

FlashArray

標準アーキテクチャ

CPU オーバヘッドの削減

サポート
XIP（Execute-in-Place）

標準コマンドソフトウェアの簡素化

タスク別の推奨製品
タスク
ブートコードコードシャドー

XIP（Execute-in-Place）

システムの設定

データログ

推奨製品

容量ファミリ

AT25SL

32M ビット〜 128M ビット
256M ビットは 2025 年第 1 四半期に発売

標準 1.8 V

AT25SF

4M ビット〜 256M ビット

標準 3 V

AT25FF

4M ビット〜 32M ビット

標準低消費電力

AT25EU

1M ビット～16M ビット

超低エネルギー

AT25XE

4M ビット〜 32M ビット

FusionHDシステム拡張機能

AT25FF

4M ビット〜 32M ビット

標準低消費電力

AT25SL

32M ビット〜 128M ビット
256M ビットは 2025 年第 1 四半期に発売

標準 1.8 V

AT25SF

4M ビット〜 256M ビット

標準 3 V

AT25EU

1M ビット～16M ビット

超低エネルギー

AT25EU

1M ビット～16M ビット

超低エネルギー

AT25XE

256K ビット〜 32M ビット

FusionHDシステム拡張機能

AT25FF

4M ビット〜 32M ビット

標準低消費電力

AT45DB

2M ビット〜 64M ビット

データフラッシュ高効率データログ

AT45DB

2M ビット〜 64M ビット

データフラッシュ高効率データログ

AT25XE

256K ビット〜 32M ビット

FusionHDシステム拡張機能

フラッシュ製品セレクターガイドをダウンロード

10-11

ルネサスのフラッシュ製品の特長
製品の特長

システムのメリット
小規模の更新に理想的
低消費電力
更新の高速化
フラッシュ摩耗の削減

小規模ページ消去

読み出し修正書き込み

単独のコマンドによる更新
メモリ更新中の CPU オーバヘッドを75% 削減

SRAM バッファを設計者が独立して制御
シングルおよびデュアルエネルギー節約
R/W SRAM バッファ
同時 R/W 動作
アクティブ割り込み
低消費電力スリープ

AT25EUMCU オーバヘッドを削減／
MCU をスリープモード移行可能

内部回路を電源オフ
外部 FET／電源切替を不要に

AT25XE
FusionHD

AT45
データフラッシュ

AT25EU超低エネルギー（シングル）（デュアル）

7nA

AT25FF
標準
400nA

100nA

7nA

最新のフラッシュ - 超低消費エネルギー

バッテリ駆動型や電力重視の設計では、エネルギーの総消費量が重要です。新しい AT25EU フラッシュは、低消費電力と高速パフォーマンスを組み合わせることで、電力重視のデバイスで最小のエネルギーフットプリントを実現します。

Read Power

Deep Power Down

70%80%Up to
LESS ENERGYUp to
LESS ENERGY

AT25EU

AT25EU

Brand xBrand xBrand yBrand yBrand zBrand z0%20%

40%60%

80% 100%

0%

20%

40%

60%

80% 100%

〒135-0061

東京都江東区豊洲3-2-24（豊洲フォレシア）

ご注意書き
1.

本資料に記載された回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導体製品の動作例、応用例を説明するものです。回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用する場合、お客様の責任において、お客様の機器・シ

2.

当社製品または本資料に記載された製品デ－タ、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等の情報の使用に起因して発生した第三者の特許権、著作権その他の知的財産権に対する侵害またはこれらに関する紛争について、当社

3.

当社は、本資料に基づき当社または第三者の特許権、著作権その他の知的財産権を何ら許諾するものではありません。

ステムを設計ください。これらの使用に起因して生じた損害（お客様または第三者いずれに生じた損害も含みます。以下同じです。）に関し、当社は、一切その責任を負いません。
は、何らの保証を行うものではなく、また責任を負うものではありません。

4.

当社製品を組み込んだ製品の輸出入、製造、販売、利用、配布その他の行為を行うにあたり、第三者保有の技術の利用に関するライセンスが必要となる場合、当該ライセンス取得の判断および取得はお客様の責任において行ってくださ

5.

当社製品を、全部または一部を問わず、改造、改変、複製、リバースエンジニアリング、その他、不適切に使用しないでください。かかる改造、改変、複製、リバースエンジニアリング等により生じた損害に関し、当社は、一切その責6.

当社は、当社製品の品質水準を「標準水準」および「高品質水準」に分類しており、各品質水準は、以下に示す用途に製品が使用されることを意図しております。

い。

任を負いません。
標準水準：

コンピュータ、OA機器、通信機器、計測機器、AV機器、家電、工作機械、パーソナル機器、産業用ロボット等

高品質水準： 輸送機器（自動車、電車、船舶等）、交通制御（信号）、大規模通信機器、金融端末基幹システム、各種安全制御装置等

当社製品は、データシート等により高信頼性、Harsh environment向け製品と定義しているものを除き、直接生命・身体に危害を及ぼす可能性のある機器・システム（生命維持装置、人体に埋め込み使用するもの等）、もしくは多大な物的損害を発生させるおそれのある機器・システム（宇宙機器と、海底中継器、原子力制御システム、航空機制御システム、プラント基幹システム、軍事機器等）に使用されることを意図しておらず、これらの用途に使用することは想7.

定していません。たとえ、当社が想定していない用途に当社製品を使用したことにより損害が生じても、当社は一切その責任を負いません。

あらゆる半導体製品は、外部攻撃からの安全性を100％保証されているわけではありません。当社ハードウェア／ソフトウェア製品にはセキュリティ対策が組み込まれているものもありますが、これによって、当社は、セキュリティ脆弱性または侵害（当社製品または当社製品が使用されているシステムに対する不正アクセス・不正使用を含みますが、これに限りません。）から生じる責任を負うものではありません。当社は、当社製品または当社製品が使用されたあらゆるシステムが、不正な改変、攻撃、ウイルス、干渉、ハッキング、データの破壊または窃盗その他の不正な侵入行為（「脆弱性問題」といいます。）によって影響を受けないことを保証しません。当社は、脆弱性問題に起因しまたはこれに関連して生じた損害について、一切責任を負いません。また、法令において認められる限りにおいて、本資料および当社ハードウェア／ソフトウェア製品について、商品性および特定目的との合致に関する保証ならびに第三者の権利を侵害しないことの保証を含め、明示または黙示のいかなる保証も行いません。

8.

当社製品をご使用の際は、最新の製品情報（データシート、ユーザーズマニュアル、アプリケーションノート、信頼性ハンドブックに記載の「半導体デバイスの使用上の一般的な注意事項」等）をご確認の上、当社が指定する最大定9.

当社は、当社製品の品質および信頼性の向上に努めていますが、半導体製品はある確率で故障が発生したり、使用条件によっては誤動作したりする場合があります。また、当社製品は、データシート等において高信頼性、Harsh格、動作電源電圧範囲、放熱特性、実装条件その他指定条件の範囲内でご使用ください。指定条件の範囲を超えて当社製品をご使用された場合の故障、誤動作の不具合および事故につきましては、当社は、一切その責任を負いません。

environment向け製品と定義しているものを除き、耐放射線設計を行っておりません。仮に当社製品の故障または誤動作が生じた場合であっても、人身事故、火災事故その他社会的損害等を生じさせないよう、お客様の責任において、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計およびエージング処理等、お客様の機器・システムとしての出荷保証を行ってください。特に、マイコンソフトウェアは、単独での検証は困難なため、お客様の機器・システムとしての安全検証をお客様の責任で行ってください。

10.

当社製品の環境適合性等の詳細につきましては、製品個別に必ず当社営業窓口までお問合せください。ご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用される環境関連法令を十分調査のうえ、かかる法令に適11.

当社製品および技術を国内外の法令および規則により製造・使用・販売を禁止されている機器・システムに使用することはできません。当社製品および技術を輸出、販売または移転等する場合は、「外国為替及び外国貿易法」その他日

12.

お客様が当社製品を第三者に転売等される場合には、事前に当該第三者に対して、本ご注意書き記載の諸条件を通知する責任を負うものといたします。

14.

本資料に記載されている内容または当社製品についてご不明な点がございましたら、当社の営業担当者までお問合せください。

13.
注1.
注2.

合するようご使用ください。かかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は、一切その責任を負いません。
本国および適用される外国の輸出管理関連法規を遵守し、それらの定めるところに従い必要な手続きを行ってください。

本資料の全部または一部を当社の文書による事前の承諾を得ることなく転載または複製することを禁じます。

本資料において使用されている「当社」とは、ルネサス エレクトロニクス株式会社およびルネサス エレクトロニクス株式会社が直接的、間接的に支配する会社をいいます。
本資料において使用されている「当社製品」とは、注1において定義された当社の開発、製造製品をいいます。
(Rev.5.0-1 2020.10)■お問い合わせhttps://www.renesas.com/contact-us

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