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Inductive Position Sensor IC

IPS2550 Datasheet

概要

特徴

IPS2550 は、磁石を使用しない誘導型位置センサ IC で、自動車、産業用、医療用、および民生用アプリケーションの高速絶対位置センシングに使用できます。IPS2550 は、渦電流の物理原理を使用して、1 つの送信コイルと 2 つの受信コイルで構成された 1 組のコイル上を移動する単純な金属ターゲットの位置を検出します。

▪ 誘導原理に基づく位置検知

3 つのコイルは、通常、プリント基板 (PCB) 上に銅箔配線として形成されます。送信コイルは 2 つの受信コイルに二次電圧を誘起するように配置され、二次電圧はコイル上方の金属ターゲットの位置に依存します。

▪ プログラマブルリミットによる自動ゲイン制御▪ 磁石が不要で低コスト▪ 磁気浮遊磁界に対して堅牢、シールド不要▪ 過酷な環境や極端な温度に適応可能

en
tia
l

▪ 差動およびシングルエンドのサイン/コサイン出力▪ I2C インタフェース経由でプログラム可能な不揮発性
ユーザ設定メモリ▪ アナログまたはデジタルインタフェースでプログラミン
グ可能

コイル上の金属ターゲットの位置を表す信号は、受信コイ
ルからの二次電圧を復調して処理することによって得られます。ターゲットは、アルミニウム、鉄、または銅箔層を有する PCB のような任意の種類の金属が使用可能です。

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

▪ 単体 IC で軸上・軸外回転、直線運動、円弧運動セン
シングに対応▪ コイル設計により、あらゆるフルスケール角度範囲に
適応可能

,2
02
4

IPS2550 は 2 つの個別の出力インタフェースを提供します:▪ 復調されたアナログサイン/コサイン生データ出力の形で位置情報を提供する高速アナログインタフェース▪ 高精度:≦0.1%フルスケール (理想コイル使用時)▪ 診断およびプログラミング用の I2C デジタルインタフェース▪ 過電圧および逆極性保護:
電源端子、出力端子とも±18V

IPS2550 は、600 000 RPM までの回転速度で作動します(1 回転あたり 1 周期に設計されたコイル使用時)。4μs の超低伝搬遅延により、高速回転モータのための高いダイ
ナミック制御が得られます。

▪ 冗長設計要件を容易にする▪ ISO26262 に準拠した安全関連システムにおいて、シングル IC では ASIL-C、デュアル IC では ASIL-D ま
での実装に適しています

ov▪ 割り込みピンによる高速診断アラーム▪ 広い動作温度: -40℃～+160℃▪ 3.3V±0.3V または 5.0V±0.5V の電源電圧にプログラム可能▪ エクスポーズドパッド付き小型 16-TSSOP パッケージ(4.4mm ×5.0mm)

R

en

IPS2550 は、ISO26262 に準拠し ASIL C までの安全関連システムでの使用を目的として開発されました。また、
ASIL のデコンポジションルール (例えば、ISO 26262.2018
Part 9, Clause 5) または、システム設計者による正しリス
ク解析により ASIL D レベルのシステム要求に用いることができます。IPS2550 は 16 ピンエクスポーズドパッド付き
TSSOP パ ッ ケ ー ジ で 提 供 さ れ 、-40℃～+160℃の周囲温度での自動車での使用が認定されています。

応用回路例
1

利用可能なサポート

2
Rx
(sin)

ルネサスは、IPS2550 回転位置センシングアプリケーシ
ョンを実現できるリファレンスデザインを提供しています。

4

Rx
(cos)

主な用途

5
6

▪ ブラシレス DC モータ用ロータ位置検出; 任意の極対
数に対応

Tx

CT

7
8

▪ レゾルバの置き換え© 2022 Renesas Electronics Corporation

3

CVA

1

ADR_IRQN

SDA

RX1

SCL

RX2
RX3
RX4
TX1
TX2
VDDA

IPS2550es

asN▪ 360º 角レンジまでの回転検知

SIN_SCLSINN
COS_SDA
COSN
VDD
GND

16
15
14
13
12

11
10
9

3.3V / 5V
CVDD

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

目次
端子配置 ......................................................................................................................................................................................................................... 52.

端子の説明..................................................................................................................................................................................................................... 53.

受信コイル接続オプション ........................................................................................................................................................................................ 74.

絶対最大定格 ................................................................................................................................................................................................................ 95.

動作条件 ...................................................................................................................................................................................................................... 106.

使用温度範囲 ............................................................................................................................................................................................................. 117.

電気特性 ...................................................................................................................................................................................................................... 128.

回路説明 ...................................................................................................................................................................................................................... 21

en
tia
l

1.

8.1 概要 ...................................................................................................................................................................................................................... 21
サンプリングレート、分解能、出力データレート、および伝搬遅延 ........................................................................................................ 24

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

9.

10. 出力モード.................................................................................................................................................................................................................... 24
11. 高速での動作 ............................................................................................................................................................................................................. 25

,2
02
4

12. デジタル診断およびプログラミングインタフェース........................................................................................................................................ 25
13. ブロック図 ..................................................................................................................................................................................................................... 26
14. ブロックの詳細説明.................................................................................................................................................................................................. 27
14.1 電源管理 ............................................................................................................................................................................................................ 27

asN

14.2 LC 発振回路 ..................................................................................................................................................................................................... 27
14.3 アナログ信号経路 ........................................................................................................................................................................................... 27
14.3.2

受信信号ローパスフィルタ .......................................................................................................................................................... 27

14.3.3

オフセットとゲイン整合 ................................................................................................................................................................. 28

14.3.4

復調 ..................................................................................................................................................................................................... 28

14.3.5

自動ゲインコントロール (AGC).................................................................................................................................................. 28

enov

Rx コイル診断 .................................................................................................................................................................................. 27es

14.3.1R

14.4 信号チャンネルの入れ替え ........................................................................................................................................................................ 28
14.5 出力バッファ ...................................................................................................................................................................................................... 28
14.6 温度センサ......................................................................................................................................................................................................... 29
15. ECU 接続オプション ................................................................................................................................................................................................. 29
15.1 エンベデッド vs. リモート接続 ..................................................................................................................................................................... 29
15.2 電源電圧動作: 3.3V または 5V.................................................................................................................................................................. 31
15.3 I2C インタフェース ........................................................................................................................................................................................... 32
15.3.1

アドレス選択付き I2C (デフォルト) ........................................................................................................................................... 32

15.3.2

GND 喪失または VDD 喪失中の ADR_IRQN ピンを介した寄生パスの回避 .......................................................... 33

15.3.3

割り込み付き I2C インタフェース (プログラミングオプション) ........................................................................................ 33

16. 過電圧保護.................................................................................................................................................................................................................. 34© 2022 Renesas Electronics Corporation

2

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

16.1 入出力保護........................................................................................................................................................................................................ 34
17. プログラムオプション ................................................................................................................................................................................................ 35
17.1 もう一方の電源電圧オプションを使用するためのプログラミング ................................................................................................ 36
17.2 ロック機能 (サイバーセキュリティ) ........................................................................................................................................................... 37
17.3 プログラムオプション ...................................................................................................................................................................................... 37
18. 機能安全と診断 ......................................................................................................................................................................................................... 37

en
tia
l

18.1 機能安全 ASIL および ISO 準拠 ............................................................................................................................................................... 37
18.2 アナログ出力による診断モード表示........................................................................................................................................................ 38
18.2.1

短絡および断線検出..................................................................................................................................................................... 40

18.3 診断機能 ............................................................................................................................................................................................................ 43
18.4 内部レジスタとメモリエラー ......................................................................................................................................................................... 45
18.5 LC 発振回路の周波数外れ ........................................................................................................................................................................ 45

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

19. 冗長化接続.................................................................................................................................................................................................................. 45
20. 応用例 ........................................................................................................................................................................................................................... 46

,2
02
4

21. 電磁両立性 (EMC) ................................................................................................................................................................................................... 48
22. 16-TSSOP パッケージ外形図 ............................................................................................................................................................................. 48
23. マーキング図 .............................................................................................................................................................................................................. 48
23.1 生産部品のマーキング ................................................................................................................................................................................. 48

asN

24. 発注情報 ...................................................................................................................................................................................................................... 48

図一覧

en

16-TSSOP パッケージのピン配置-上面図 ..................................................................................................................................................... 5
分割 TX コンデンサによる ASIL‐C 構成における LC 発振回路接続.................................................................................................... 7
分割 TX コンデンサとの互換モード構成での LC 発振回路接続 ............................................................................................................ 8
最大消費電流-周囲温度特性 (グランドプレーン有・無) .......................................................................................................................... 12
並列共振回路 .......................................................................................................................................................................................................... 14
IPS2550 の応答 ....................................................................................................................................................................................................... 21
直線運動センサのためのコイル形状 .............................................................................................................................................................. 23
360°回転センサ用のコイル形状..................................................................................................................................................................... 23
出力信号:サインアナログ差動モード ............................................................................................................................................................... 24
出力信号:サインアナログシングルエンドモード ........................................................................................................................................... 24
ブロック図................................................................................................................................................................................................................... 26
AGC 振幅レンジ ...................................................................................................................................................................................................... 28
エンベデッドアプリケーション: センサと MCU は同じ PCB 上に配置されます ................................................................................. 30
診断用プルアップ抵抗付きリモートアプリケーション ................................................................................................................................. 31
診断用プルダウン抵抗付きリモートアプリケーション ................................................................................................................................ 31
I2C アドレス選択ビット .......................................................................................................................................................................................... 33
アドレス選択付き I2C インタフェース ............................................................................................................................................................... 33
ADR_IRQN ピン用いたハードウェアピン固定によるアドレス選択付き I2C インタフェース ........................................................... 33

R

図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図 10
図 11
図 12
図 13
図 14
図 15
図 16
図 17
図 18

ov

es

25. 改訂履歴 ...................................................................................................................................................................................................................... 49© 2022 Renesas Electronics Corporation

3

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

1 つのスレーブでの割り込みを使用した I2C インタフェース設定 ......................................................................................................... 34
マルチスレーブ割込みによる I2C インタフェースの構成 .......................................................................................................................... 34
I2C インタフェースを介した IPS2550 のプログラム ..................................................................................................................................... 35
アナログ出力を通した IPS2550 の製造最終工程でのプログラム ........................................................................................................ 36
動作範囲と診断範囲 ............................................................................................................................................................................................. 38
診断範囲の選択 ...................................................................................................................................................................................................... 39
VDD または GND ラインの断線によるアナログ出力の寄生電流 ......................................................................................................... 41
ADR_IRQN 端子、SDA 端子、SCL 端子の寄生電流 .................................................................................................................................. 42
アプリケーション図: デュアルセンサ、デュアル電源 .................................................................................................................................. 45
360°回転センサのコイル設計と信号出力 ................................................................................................................................................... 46
2 ×180°ロータリセンサ用のコイル設計と信号出力 ............................................................................................................................... 46
3 ×120°ロータリセンサ用のコイル設計と信号出力 ............................................................................................................................... 47
4 ×90°ロータリセンサ用のコイル設計と信号出力 ................................................................................................................................. 47

en
tia
l

図 19
図 20
図 21
図 22
図 23
図 24
図 25
図 26
図 27
図 28
図 29
図 30
図 31

en

ov

es

as
N

,2
02
4

端子の説明 ................................................................................................................................................................................................................. 5出力構成 ...................................................................................................................................................................................................................... 6
デジタルインタフェースの設定 ............................................................................................................................................................................. 7
絶対最大定格 ............................................................................................................................................................................................................ 9
静電気放電 (ESD) .................................................................................................................................................................................................... 9
動作条件 .................................................................................................................................................................................................................... 10
IPS2550 電気的特性、3.3V モード .................................................................................................................................................................... 12
IPS2550 電気的特性、5.0V モード .................................................................................................................................................................... 13LC 発振回路の仕様 .............................................................................................................................................................................................. 13
コイルレシーバフロントエンド仕様 .................................................................................................................................................................... 15
自動ゲインコントロール (AGC) .......................................................................................................................................................................... 16
診断チェック .............................................................................................................................................................................................................. 17
バックエンド仕様、アナログ出力 SIN_SCL、SINN、COS_SDA、COSN ................................................................................................. 17
デジタル I2C 制御インタフェース、SDA、SCL ピン ..................................................................................................................................... 18
アナログ出力経由の I2C インタフェース ........................................................................................................................................................ 19
デジタル I2C 制御インタフェース、ピン ADR_IRQN ..................................................................................................................................... 20
不揮発性メモリ ......................................................................................................................................................................................................... 20
伝搬遅延 .................................................................................................................................................................................................................... 24
出力モードと最高速度 .......................................................................................................................................................................................... 25
内部チップ温度センサ特性 ................................................................................................................................................................................. 29
NVM でのアドレス選択オプション ..................................................................................................................................................................... 32
プログラムオプションの概要 ............................................................................................................................................................................... 37
配線間のショート検出 ........................................................................................................................................................................................... 40
プルアップ抵抗付きの診断レベル .................................................................................................................................................................... 42
プルダウン抵抗付き診断レベル ........................................................................................................................................................................ 42
診断機能 .................................................................................................................................................................................................................... 43

R

表1
表2
表3
表4
表5
表6
表7
表8
表9
表 10
表 11
表 12
表 13
表 14
表 15
表 16
表 17
表 18
表 19
表 20
表 21
表 22
表 23
表 24
表 25
表 26

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

表一覧

© 2022 Renesas Electronics Corporation

4

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

1. 端子配置
IPS2550 は周囲温度-40℃ ～+160℃に認定された RoSH 対応エクスポーズドパッド付き 16-TSSOP (4.4mm × 5.0mm) です。

2

RX1

SCL 15

3

RX2

SIN_SCL 14

4

RX3

5

RX4

6

TX1

COSN 11

7TX2

VDD 10

8

VDDA

GND

3

9

種類

RX1
RX2

Analog Input

概要

I2C インタフェースアドレス選択用のアドレス選択デジタル入力。プッシュ/プル割り込み出力 (プログラムオプション、表 3 参照)

oves

DigitalInput/Output

en

ADR_IRQN

端子の説明

as
N

ピン名

R

2

COS_SDA 12

16-TSSOP パッケージのピン配置-上面図

表11

SINN 13,2024

2. 端子の説明

ピン番号

en
tia
l

SDA 16

IPS2550

ADR_IRQN

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

図1

1

I2C アドレス選択入力として使用する場合は、プルアップまたはプルダウン抵抗 RADR
(表 14 参照) で I2C アドレスを選択してください。
ASIL-C 構成モード (デフォルト): 受信コイ
ル 1 (サイン、図 2 参照)

互換モード: 受信コイル 1

ASIL-C 構成モード (デフォルト):受信コイ
ル 2 (コサイン、図 2 参照)

互換モード: 受信コイル 1(サイン、図 3 参照)(反転サイン、図 3 参照)

4RX3

ASIL-C 構成モード (デフォルト): 受信コイ
ル 1 (反転サイン、図 2 参照)

互換モード: 受信コイル 2

5RX4ASIL-C 構成モード (デフォルト): 受信コイ
ル 2 (反転コサイン、図 2 参照)

互換モード: 受信コイル 2

6

TX1

7

TX2

AnalogInput/Output© 2022 Renesas Electronics Corporation(コサイン、図 3 参照)(反転コサイン、図 3 参照)

TX1 ピンと TX2 ピンの間に送信コイルを接続します。共振周波数は、図 2、図 3 に示すように TX1～GND 間のコンデンサ CTx1、TX2～GND 間の CTx2 で調整します。
CTx1 と CTx2 は、同じ容量値になるようにしてください。これらは式 3 で計算できます5

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

ピン番号

ピン名

種類

概要

VDDA

Supply9

GND

Supply共通グランド

10

VDD

Supply

外部電源入力。コンデンサ CVDD (表 6 参照) を GND 端子との間に接続してください

11

COSN

Analog Output

バッファ付きアナログ出力。表 2 参照

12

COS_SDA

Analog Output,
Digital I/O

バッファ付きアナログ出力。プログラミングモード中のデジタル I2C データ入出力。表
2 参照

13

SINN

Analog Output

バッファ付きアナログ出力。表 2 参照

14

SIN_SCL

Analog Output,
Digital Input

バッファ付きアナログ出力。プログラミングモード中のデジタル I2C クロック入力。表
2 参照

15

SCL

Digital Input

SDA

DigitalInput/Output

デジタルプログラムおよび診断 I2C インタフェース用のクロック入力

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

プルアップ抵抗 RSCL (表 14 参照) を接続してください
デジタルプログラムおよび診断 I2C インタフェース用のオープンドレイン双方向デー
タ I/O ライン

,2
02
4

16

en
tia
l

8

内部アナログ電源、選択された VDD モードで変化します。GND 端子との間にコンデンサ CVA (表 6 参照) を接続してください。5V モードでは表 8 の VDDA5 を、3.3V モー
ドでは表 7 の VDDA3 を参照してください。

プルアップ抵抗 RSDA (表 14 参照) を接続してください
ヒートシンク。GND (9 ピン) へ直接接続、または未接続にできます。詳細はExposed Pad

Heat sink

図 4 を参照してください

13
12
11

ov

出力構成

モードに応じた出力

診断状態、プログラムオプション

アナログ差動アナログシングル
エンド

プログラミング

無効

Mode1

Mode2

Mode3

SIN_SCL

SIN

SIN

SCL

SIN

SIN

Hi-Z

Hi-Z

SINN

SINN

REF

Not used

SINN

Hi-Z

SINN

Hi-Z

COS_SDA

COS

COS

SDA

COS

COS

Hi-Z

Hi-Z

COSN

COSN

REF

Not used

COSN

Hi-Z

COSN

Hi-Z

R

14

表2

端子名

en

ピン番号

es

ピン (図 1 参照)

asN

エクスポーズドパッドは GND 以外の電位に接続しないでください[a] 表 2 で使用した略語:
SIN:
SIN:
COS:
COSN:
REF:
SCL:
SDA:
Hi-Z:

サインチャネル出力、バイアス電圧= VDD/2
反転サインチャネル出力、バイアス電圧= VDD/2
コサインチャネル出力、バイアス電圧= VDD/2
反転コサインチャネル出力、バイアス電圧= VDD/2
DC 出力バイアス電圧、VDD/2
I2C プログラミング用シリアルクロック入力
I2C プログラミング用シリアル双方向データ I/O ポート
出力はハイ・インピーダンス、診断出力は外部のプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗で示されます。

© 2022 Renesas Electronics Corporation

6

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

表3

デジタルインタフェースの設定
インタフェース Mode に応じた入出力[a]ピン (図 1 参照)
TSSOP ピン番号

端子名

アドレス選択付き I2C

割り込み付き I2C

16

SDA

SDA

15

SCL

SCL

1

ADR_IRQN

ADR

en
tia
l

[a] 表 3 で使用した略語:

IRQN

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

ADR_IRQN: アドレスセレクト入力または、割り込み出力
ADR:
I2C モードのハードウェアアドレス選択入力 (ADR_IRQN ピンのデジタル入力レベルで 2 つのアドレスを選択します)
SDA:
I2C モード用シリアル双方向データ I/O ポート`
SCL:
I2C モード用シリアルクロック入力
IRQN:
割り込み出力3. 受信コイル接続オプション

,2
02
4

IPS2550 は、2 つの受信コイル接続方法をユーザープログラムモードで設定できます:▪ ASIL-C コンフィグレーション・モード (デフォルト) では、2 つの隣接ピン間の短絡による、受信コイルの短絡が回避できる
ため、チップの故障検出率が向上します。
▪ 互換モード (プログラムオプション) では、IPS2200 誘導型センサ IC とピン互換になります。

RADR

Tx

R

4

Rx
(cos)

5

RTx1 6
RTx2 7

CTx1

RX1

SCL

en

3

SDA

CTx2

8

SIN_SCL

RX2

RX3

RX4
TX1
TX2

IPS2550

2
Rx
(sin)

ADR_IRQN

es

1

VDD

VDD

RSDA

RSCL

SINN

16

ov

VDD

as
N

▪

15

分割コンデンサ CTx1 = CTx2、Tx コイル直列抵抗 RTx1 =RTx2 および出力コンデンサを使用した ASIL-C モードの
構成

14

COut1
13
COut2

COS_SDA
COSN
VDD
GND

VDDA

特性向上のため COut1 = COut2 = COut3 = COut4 としてくだ
さい

12
11

COut3
COut4
3.3V / 5V

10
9

CVDD

CVA

図2

分割 TX コンデンサによる ASIL‐C 構成における LC 発振回路接続© 2022 Renesas Electronics Corporation

7

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

VDD

VDD

VDD

RADR

RSDA

RSCL

4
Rx
(cos)

5

Tx

CTx1

RX1

SCL

RX3
RX4

RTx1 6

TX1

RTx2 7

TX2

CTx2

8

SIN_SCL

RX2

SINN

15
14

分割コンデンサ CTx1 = CTx2、Tx コイル直列抵抗 RTx1 =RTx2 および出力コンデンサを使用した IPS2200 互換モードでの構成

COut1
13
COut2

COS_SDA
COSN
VDD
GND

VDDA

CVA

12

特性向上のため COut1 = COut2 = COut3 = COut4 としてく
ださい

COut3

11

COut4
3.3V / 5V

10
CVDD

9

分割 TX コンデンサとの互換モード構成での LC 発振回路接続

,2
02
4

図3

16

en
tia
l

3

SDA

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

2
Rx
(sin)

ADR_IRQN

IPS25501発振周波数は、コイル L、コンデンサ CTx1、CTx2 の値により以下のように決まります:

CTx1 = CTx2 の場合:

1

𝐿 × 𝐶𝑇𝑥1 × 𝐶𝑇𝑥2
2𝜋√
𝐶𝑇𝑥1 + 𝐶𝑇𝑥2

as
N

𝑓𝑇𝑋 =

es

𝑓𝑇𝑋 =

1

𝐶𝑇𝑥1
2

式2

2
𝐿(2𝜋𝑓𝑇𝑋 )²

式3

2𝜋√𝐿

𝐶𝑇𝑥1 = 𝐶𝑇𝑥2 =

en

式1

ov

発振周波数:R

ここで、
f TX = 発振周波数 (単位： MHz)L = コイルインダクタンス (単位:μH)
CTx1, CTx2 = 容量値 (単位: μF)
注: RTx1 = RTx2 = 22Ω (標準値)© 2022 Renesas Electronics Corporation

8

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

4. 絶対最大定格
絶対最大定格とは、製品に物理的な損傷を与えかねない定格値です。必ずこの定格値を越えない状態で、製品をご使用く
ださい。各項目のうち 1 項目でも、また一瞬でも絶対最大定格を越えると、製品の品質を損なう恐れがあります。
すべての電圧レベルは GND を基準とします。

記号

絶対最大定格パラメータ

条件

External supply voltage

Continuous

VOUT

SIN_SCL, SINN,COS_SDA and COSN
output voltage

Continuous

VRX1

Receiver coil pin: RX1

VRX2

Receiver coil pin: RX2

VRX3

Receiver coil pin: RX3

VRX4

Receiver coil pin: RX4

VDIGITAL

Digital IO pins: SCL, SDA, ADR_IRQN

VTx1_2

Transmitter pins, TX1, TX2

-18

18

V

-18

18

V

-12

12

V

-0.3

VDD+0.3

V

-0.3

5.6

V

,2
02
4

ov

表5

値に付いては、5V モ
ードでは表 8 のVDDA5 を、3.3V モード
では表 7 の VDDA3 を参照してくださいV

静電気放電 (ESD)

パラメータ

条件

最小

VESD

ESD tolerance for all pins: Human Body Model(HBM) 100pF/ 1.5kΩ

According to AEC-Q100-002
classification H2±2kV

VESD,OUT

ESD tolerance for pins with potential externalcable connection: SIN_SCL, COS_SDA, SINN,
COSN, ADR_IRQN, VDD (HBM 100pF / 1.5kΩ)

According to AEC-Q100-002
classification H3A

±4

kV

VCDM

ESD tolerance for all pins: Charged-Device
Model (CDM)

According to AEC-Q100-011
classification C3B

±500

V

VCDM,C

ESD tolerance for corner pins ADR_IRQN, SDA,
VDDA, GND (CDM)

According to AEC-Q100-011
classification C3B

±750

V

R

en

記号

単位

VDDA is internally regulated withexternal capacitor to GND. No otherconnection to external voltages.

as
N

VDDA internal LDO output

es

VVDDAmax

最大

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

VVDDmax

最小

en
tia
l

表4

© 2022 Renesas Electronics Corporation

9

標準

最大

単位

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

5. 動作条件
条件: 特に断りのない限り、VDD = 3.3V±0.3V または 5.0V±0.5V、TAMB = -40℃ ～+160℃
表6
パラメータ
Ambient temperature

TJ

Junction temperature

TSTOR

Storage temperature

16-TSSOP package with
exposed pad
Unmounted units must be limited
to 10 hours at temperatures
above 125°C

単位

-40

1601

ºC

-40

165

ºC

-55

160

ºC

Copper ground planes under
exposed pad on 4 layer PCB, 3x3
thermal vias between layers.

35.48

Copper ground planes under
exposed pad on 2 layer PCB, 3x3
thermal vias between layers.

39.96

Without PCB ground plane under
exposed pad.

61.26

Thermal resistance junction to caseJunction to bottom of package

6.42

tpup

Start-up timePower-on reset (POR) to valid
output signal

VEL

Input rotational velocity, Electrical
speed; sine or cosine periods

Electrical revolutions per minute

VVDDA_TH_L:

IVDDA

K/W
ms

600 000rpm

Input frequency

10

kHz

The device is activated when
VDDA increases above thisthreshold

2.49

V

ov

Power-on reset, low threshold

The device is deactivated when
VDDA decreases below thisthresholdPower-on reset hysteresis

At VDDA pins

VDDA short circuit current limitation

VDDA must be connected to acapacitor CVA. No other externalload allowed at this pin.

40

85

mA

Without coils, no load

5

12

mA

R

VDDAPOR_HYSTPower-on reset (POR), highthreshold

K/W

5

as
N

VVDDA_TH_H

en

RTHJC_TSSOP

1

最大

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Thermal resistance junction toambient: 16-TSSOP package with
exposed pad.
Velocity = 0m/s
JEDEC MO-153.

標準

es

RTHJA_TSSOP

最小

en
tia
l

TAMB_TSSOP

条件

,2
02
4

記号

動作条件

ICC

Current consumption

CVA

Capacitor from VDDA pin to GND

2.08

V
110

Programmable transmitter coildrive current (depending on
inductance of the transmitter
coil)

mV

値については、表 9 を参照してく
ださい

mA

100

nF

: 周囲温度が 155℃を超える動作は、デバイス寿命にわたり 120 時間に制限されます。

© 2022 Renesas Electronics Corporation

10

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

記号

パラメータ

条件

CVDD

Capacitor from VDD pin to GND

INLuv3V

Accuracy, 3.3V Mode, VDD=
under-voltage alarm level to 3.0V

INL3V

Accuracy, 3.3V Mode,VDD= 3.0 to 3.6V

INLov3V

Accuracy, 3.3V Mode, VDD=
3.6V to over-voltage alarm level

INLuv5V

Accuracy, 5V Mode, VDD=
under-voltage alarm level to 4.5V

INL5V

Accuracy, 5.0V Mode,VDD= 4.5 to 5.5V

INLov5V

Accuracy, 5.0V Mode, VDD=
5.5V to over-voltage alarm level

最小

Nominal value

標準

最大

70

nF
±0.2

% FS [a]

±0.1

% FS

±0.2

% FS

±0.2

% FS

±0.1

% FS

±0.2

% FS

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

en
tia
l

With ideal sinusoidal input
signals, 150mVpk-pk
Differential output mode,
Transmitter frequency = 3.5MHz
AGC = onChannel swapping = 0ff

単位

,2
02
4

[a] % FS = フルスケールのパーセント= 周期あたりの精度 (%) で、100%は 1 電気周期の角度範囲です。
回転式多周期設計の場合、1 電気周期= 360°(1 フルターン) を 1 回転あたりの周期数で割ったものです。セクション 20 の例を参照してください。

6. 使用温度範囲

as
N

IPS2550 の最低周囲温度は-40℃です。

最高周囲温度は、以下の要素に依存します:▪ 最大ジャンクション温度: 詳細は表 6 を参照してください。

oves▪ 電源電流: チップの総消費電力は、電源電圧、内部電源電流、およびユーザがプログラム可能な送信コイル電流に依存します。プログラム可能な送信コイル電流を表 9 に、内部回路の消費電流を表 6 に示します。

R

en▪ 使用条件でのコイル電流: 一般的には、小さなコイルは多くの送信コイル電流を必要とし、大きなコイルは少ないコイル電流で動作することができます。コイルの直径が 25mm から 30mm の範囲の標準的なコイル設計では、コイル電流は約3mA から 5mA、電源電流はそれぞれ約 12mA から 14mA を必要とします。IPS2550 は、送信コイル電流を 20mA まで駆動する事ができます。
▪ 部品の使用温度範囲: IPS2550 は、-40℃～+160℃の周囲温度で認定されています。
▪ PCB 上のグランドプレーンと組み合わせたパッケージの熱抵抗

VDD = 5.5V での、最大電源電流と、気流冷却が無い場合の異なる層数の PCB の周囲温度の関係を
図 4 の丸囲みに示します。例えば、エクスポーズドパッド下にグランドプレーンがある PCB の場合、Tambient = 160℃での最大電源電流 (内部電流+送信コイル電流) は、4 層 PCB で 25.6mA、2 層 PCB で 22.8mA です。グランドプレーンは、エクスポー
ズドパッドと同じ面積で、全層に配置され 3x3 個のビアで接続されていると想定しています。
Ｎｏｔｅ: パッケージ外形図に示されているエクスポーズドパッド両側にある凸部はグランドプレーンとして配置する必要は有りません。
エクスポーズドパッド下にグランドプレーンがない場合、周囲温度 160℃での最大消費電流は 14.8mA となります。最高周囲
温度が 155℃よりも低い場合や最大消費電流が 29.7mA より低い場合は PCB のグランドプレーンは必要有りません。最大消費電流が 18mA より低い場合は周囲温度が 159℃まで PCB のグランドプレーンは必要ありません。

© 2022 Renesas Electronics Corporation

11

July 22, 2022

,2
02
4

図4

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

en
tia
l

IPS2550 Datasheet

最大消費電流-周囲温度特性 (グランドプレーン有・無)7. 電気特性

es

表7

記号

V3OVR

条件

最小

標準

最大

単位

3.0

3.3

3.6

V

Over-voltage detection, VDD rising

An over-voltage alarm is created if
VDD rises above this limit

3.7

3.86

4.1

V

Over-voltage detection, VDD falling

An over-voltage alarm is cleared if
VDD falls below this limit

3.65

3.79

4.0

V

R

V3OVF

Supply voltage

en

VDD3

パラメータ

IPS2550 電気的特性、3.3V モード

ov

as
N

以下の電気的仕様は、表 6 に規定されている動作条件下で有効です。(TAMB は-40℃～160℃です)

V3OVH

Over-voltage detection hysteresis

V3UVR

Under-voltage detection, VDD falling

An under-voltage alarm is created if
VDD falls below this limit

2.65

2.75

2.90

V

V3UVF

Under-voltage detection, VDD rising

An under-voltage alarm is cleared if
VDD rises above this limit

2.70

2.85

3.00

V

V3UVH

Under-voltage detection hysteresis

VDDA3

Analog supply voltage

Internallyregulated.
Connect
capacitor CVA = 100nF between
VDDA and GND (表 6 参照)

2.85

VDDA under-voltage detection

An under-voltage alarm is created if
VDDA falls below these limits.

2.59

V3VDDAUVF© 2022 Renesas Electronics Corporation

70

mV

100

12

3.0

mV
3.1

V

2.80

V

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

パラメータ

V3VDDAUVRr

VDDA under-voltage detection

V3VDDAUVH

VDDA
Under-voltage
hysteresis

条件

最小

An under-voltage alarm is cleared if
VDDA rises above these limits.

2.63

detection

最大

単位

2.85

V

45

表8
記号

標準

mV

IPS2550 電気的特性、5.0V モード

パラメータ

条件

en
tia
l

記号

最小

標準

最大

単位

4.5

5.0

5.5

V

Supply voltage

V5OVR

Over-voltage detection, VDD rising

An over-voltage alarm is created if
VDD rises above this limit

5.60

5.84

6.10

V

V5OVF

Over-voltage detection, VDD falling

An over-voltage alarm is cleared if
VDD falls below this limit

5.55

5.76

6.05

V

V5OVH

Over-voltage detection hysteresis

V5UVR

Under-voltage detection, VDD falling

An under-voltage alarm is created
if VDD falls below this limit

4.10

4.33

4.45

V

V5UVF

Under-voltage detection, VDD rising

An under-voltage alarm is cleared
if VDD rises above this limit

4.20

4.40

4.49

V

V5UVH

Under-voltage detection hysteresis

VDDA5

Analog supply voltage

V5VDDAUVRr

VDDA under-voltage detection

en

,2
02
4

80

3.9

A VDDA under-voltage alarm istriggered when VDDA falls below
these limits.
A VDDA under-voltage alarm iscleared if VDDA rises above theselimits.

4.0

mV
4.1

V

3.50

3.79

V

3.60

3.87

V

VDDA Under-voltage detection
hysteresis

R

65

表9

mV

LC 発振回路の仕様

記号

パラメータ

RPeq

Equivalent parallel resistanceof the LC resonant circuit

式 4 参照250

fLC

Excitation frequency

LC oscillator frequency is determinedby external components L and C.

2.0

VTX_P

LC oscillator amplitude

Peak-to-peak voltage; pins TX1 vs.
TX2; all modes. Adjustable by coilcurrent.

© 2022 Renesas Electronics Corporation

mV

70

Internally regulated. Connect a
capacitor CVA = 100nF between
VDDA and GND (表 6 参照)

ov

as
N

VDDA under-voltage detectiones

V5VDDAUVF

V5VDDAUVH

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

VDD5

条件

13

最小

標準

最大

単位
Ω

6

5.6

MHz

11

Vpp

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

記号

パラメータ

ILC

Programmable transmittercoil drive current

Equivalent DC current.
Programmable, depending ontransmitter coil inductance.

TX Series resistor

For reduced EMC emission

V

C

L
RPeq

V

C

最大

単位

0

3

20

mA

V

L

RPeq

CTX1

Ω

L

CTX2

並列共振回路

,2
02
4

図5

標準

22

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

RS

最小

en
tia
l

RTx1,RTx2

条件

LC 発振回路の等価並列抵抗 RPeq は、式 4 を使用して計算できます。安定な動作のために発振回路が駆動できる最小損失
抵抗を定義します。

RS

×

L
C

ここで：

式4

ov

1

es

RPeq =

asN

Note: EMC を改善するため、2 つの C の 2 倍の容量値の容量 (CTX1 = CTX2 = 2C.) を GND に対して並列に接続する事を推奨します。詳細に付いては図 2 と図 3 も参照してください。

en

RPeq LC 発振回路の等価並列抵抗。

送信機周波数における送信コイルの直列抵抗。

L

共振周波数におけるコイルのリアクタンス。

C

並列コンデンサの静電容量。

R

RS

C0G、NP0 セラミックコンデンサの場合、コンデンサ損失は無視できるため、式には含まれませんのでご注意ください。

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14

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

表 10

Maximum amplitude
mismatch correction

ΑIN_mmAmplitude mismatch step size
Maximum positive input offset
correction.

AIN_OFFSET_NEG%

Maximum negative input
offset correction.

AIN_OFFSET_mV

Input offset correction range
at typical oscillator amplitude(表 9 参照).

OFFCORR_RES

Input offset correction step
size

es

Coil receiver DC input
resistance

CRX1

R

CRX2

en

RRx

CRX3

Input signal full range to maintain AGC
target levels: 3.0V p-p AGC target, gain
boost bit disabled

25

1500

Input signal full range to maintain AGC
target levels: 3.0V p-p AGC target, gain
boost bit enabled

13

780

Receiver input filter
capacitors

最大

単位

mVpp

Input signal full range to maintain AGC
target levels: 1.8V p-p AGC target, gain
boost bit disabled

15

920

Input signal full range to maintain AGC
target levels: 1.8V p-p AGC target, gain
boost bit enabled

8

470

13

20

%

0.1

0.15

%

+0.17

+0.23

%

-0.25

-0.17

%

-7.5

7.5

mV

Programmable individual gain
mismatch correction of Receiver coilsignals (SIN and COS)

Differential input offsets of sine orcosine signal, percentage of transmittercoil amplitude.

asN

AIN_OFFSET_POS%

標準

,2
02
4

Receiver coil amplitude.

最小

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

VRX

条件

en
tia
l

パラメータ

0.0015%ov

記号コイルレシーバフロントエンド仕様

Common mode to GND

20kΩ

Differential

100

kΩ

For improved EMC immunity

100

pF

CRX4

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15

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

自動ゲインコントロール (AGC)

記号

パラメータ

条件

最小

標準

最大

単位

VOUTAGC1

Output signal amplitude,
single ended, AGC enabled

Program option1, for 3.3V Mode and
5V mode (default)

1.4

1.8

2.2

VPP

VMAGC1W

AGC1, no-switching window

AGC1 signal magnitude window, inwhich gain setting is not changed

200

207

218

mV

VOUTAGC2

Output signal amplitude,
single ended, AGC enabled

Program option2, for 5V mode

2.6

3.0

3.4

VPP

VMAGC2W

AGC2, no-switching window

AGC2 signal magnitude window, inwhich gain setting is not changed

195

201

208

mV

Overall gain adjustment
range, sine and cosine signal
channelDefault setting

2

120

GAINAFE

en
tia
l

表 11

4

240

AGCAttack

AGC attack time,increase/decrease in same
direction

,2
02
4

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Channel swapping functional safety
feature enabled, programmablecadence time

V/V

10

µs

0
30
100
300

ms

10
50
100
200

µs

R

ov

Channel swapping cadence

en

tswap

AGC reversing direction,
programmable decay timeasN

AGC decay timees

AGCDecay

With gain boost bit set© 2022 Renesas Electronics Corporation

16

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

表 12

条件

最小

標準

最大

単位

500

µs

Chip internal diagnostic
checks

Debounce time for switching off theanalog output amplifiers in case ofovercurrent

Load current on any analog
output exceeding the current
limit (IOVL); all four analog
outputs are switched off (tristate) after this time.[a]

135

tfail

µs

tcm_assert

Debounce time for switching off theanalog output amplifiers in case of output
common mode failure

If the common mode voltage
on any analog output
exceeds the VCM limit(DCOFF_AL); all four analog
outputs are switched off (tristate) after this time.[b]

40

tfail

µs

toc_deassert

Debounce time for temporary release ofanalog outputs after overcurrent failure

Following an overcurrent
switch-off condition, alloutputs are turned on again
after this time

4.61

4.75

ms

tcm_deassert

Debounce time for temporary release ofanalog outputs after output common
mode failure

Following an output common
mode switch-off condition, alloutputs are turned on again
after this time

R_open_th

Resistance of Rx coil, open coil detection

Rx coil error flag activated

91

154

kΩ

R_short_GND

External resistance from any coil input to
GND, short-to-ground detection

Rx coil error flag activated

68

117

kΩ

R_short_VDD

External resistance from any coil input to
VDD, short to VDD detection

Rx coil error flag activated;
VDD = 3.0 to 5.5V

14

233

kΩ

R_short_th

Rx coil error flag cleared

Rx coil error flag cleared

50

130

kΩ

Absolute value relative to
VDD/2. Output offset alarm
flag activated.

75

195

mV

最大

単位

VDD - 0.4

V

35

mV

50

μV/°C

DCOFF_AL

,2
02
4

ov

as
N

es

toc_assert

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Failure reaction time, (time to flag anerror condition at the ADR_IRQN pin)

en

tfail

パラメータ

en
tia
l

記号

診断チェックDC common mode output offset alarm
limits4.68

toc_deassert 参照

msR[a]: このリミット値より短い時間の過電流は無視されます[b]: このリミット値より短い時間のコモン電圧異常は無視されます

表 13
記号

バックエンド仕様、アナログ出力 SIN_SCL、SINN、COS_SDA、COSN
パラメータ

条件

最小

V3OUT

Analog output range, 3.3V option-1.5mA ≤ IOUT ≤ 1.5mA

V5OUT

Analog output range, 5V option-2.5mA ≤ IOUT ≤ 2.5mA

VDDOUT_CM

Output DC offset voltage, common
mode voltage

All modes,
Deviation from VDD/2-35

DCOFFDRIFT

DC offset voltage drift

Over temperature range-50© 2022 Renesas Electronics Corporation17

標準

GND + 0.4
0July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

条件

最小

IOUT3

Output current; 3.3V option

Voltage change ±6mV
relative to no load

IOUT5

Output current; 5V option

IOVL
Noise

最大

単位

-3

+3

mA

Voltage change ±10mV
relative to no load

-5

+5

mA

Output overload current

Short circuit current limit

15

30

mA

Device output noise

Maximum gain, no output
filtering, shorted coilinputs5mVrms

Output filter capacitors

For improved EMC
immunity, placed close to
IC output

47

nF

最大

単位

0.7VDD

VDD+0.3

V-0.3

0.3VDDV

VDD = 0V to 5.5V

-8

1.5

µA

SCL clock input

0.1

COUT1
COUT2
COUT3

記号

パラメータ

VIH

High level input voltage, all modes

VIL

Low level input voltage, all modes

ILEAK

Input leakage current

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

COUT4

表 14

標準

2

en
tia
l

パラメータ

デジタル I2C 制御インタフェース、SDA、SCL ピン
条件

,2
02
4

記号

IRQN address select input,
SCL clock input,
SDA data input

最小標準

Hysteresis of Schmitt trigger input

VOL_SDA

SDA low level output voltage open drain

3mA sink current

0

IOL_SDA

Low level output current

VOL = 0.4V, VDD=5.5V, RP=2kΩ

3

CIN

Capacitance of SDA/SCL pin

fSCL

SCL clock frequencytLOW

LOW period of SCL clock

4.7

µs

tHIGH

HIGH period of SCL clock

4.0

µs

tF

ov

es

en

R

tR

as
N

VI_STR_hyst

V
0.4

V
mA

Pad and ESD protection
0

10

pF

100

kHz

Rise time SDA/SCL

VIHmin to VILmax

1µs

Fall time SDA/SCL

VIHmax to VILmin

0.3

µs

400

pF

CB

External capacitive load for each bus line

RSDA,
RSCL

External pull-up resistor at pins SDA and
SCL

Resistor value and capacitive loadon these pins are limiting the
maximum clock frequency

1.8

4.7

kΩ

RADR

External resistor at pin ADR_IRQN for I2C
address selection

Pull-up or pull-down, dependingon I2C address setting.

1.8

4.7

kΩ

© 2022 Renesas Electronics Corporation

18

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

表 15
記号

アナログ出力経由の I2C インタフェース

パラメータ

条件

最小

最大

単位

0.7VDD

VDD+0.3

V

0.3VDDV

SIN_SCL/COS_SDA Highlevel input voltage

VIL

SIN_SCL/COS_SDA Low level
input voltage-0.3

VI_STR_hyst

Hysteresis of Schmitt trigger
inputs, SIN_SCL and
COS_SDA

0.1

VOL_COS_SDA

COS_SDA low level output
voltage, open-drain

3mA sink current

IOL_COS_SDA

COS_SDA Low level output
current

VOL = 0.4V, VDD=5.5V,
RP=1.8kΩ

IIN

SIN_SCL/COS_SDA input
leakage current

VDD = 0V to 5.5V

CIN

Capacitance of SCL and SDA
pins

fSCL

SCL clock frequencytLOW

LOW period of SCL clocktHIGH

HIGH period of SCL clock

tF

Fall time SIN_SCL/COS_SDA

CB

External capacitive load for
SIN_SCL and COS_SDA

tPEU

Program Entry window after
POR

tPW

Program Start window after
Unlock

RPD

0

External pull-up resistors

External pull-down resistors© 2022 Renesas Electronics Corporation

4

25

kHz

20

125

µs

20

125

µs

1.2

µs

47

nF

5

ｓ

75

ｓ

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

pF

,2
02
4
0.8

ov

Second time window tocomplete firstprogramming command
Optional; for diagnostic
indication

19

mA

10

1.5

Optional; for diagnostic
indication

VµA

VIHmin to VILmax

Optional; during
programming on pins
SIN_SCL and
COS_SDA

0.4

8

Pad and ESD protection

First time window tostart sending unlock
command

V

3

-1.5

as
N

es

en

R

RPU

en
tia
l

VIH

標準

表 24 参照

1.8

kΩ

kΩ

表 25 参照kΩ

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

表 16
記号

デジタル I2C 制御インタフェース、ピン ADR_IRQN

パラメータ

条件

最小

最大

単位

0.7VDD

VDD+0.3

V

0.3VDDV

ADR_IRQN High level
input voltage

VIL

ADR_IRQN Low level input
voltage-0.3

VI_STR_hyst

Hysteresis Schmitt trigger
input

0.1

Input leakage current
ADR_IRQN high level
output voltage

VOL

ADR_IRQN low level
output voltage

ADR_IRQN configured
as interrupt pin

表 17

記号
DRNVM

パラメータ

µA

0.8VDD

VDD+0.3

V-0.3

0.2VDDV

不揮発性メモリ

条件

According to AEC Q100

tWr_NVM

Write temperaturetRd_NVM

Read temperature

Allowed ambient
temperature range for read
and write access

CWr_NVM

Endurance[a]CRd_NVM

Read Cycles

最小

as
N

Data retention

Over product lifetime

標準

最大> 100 at 25°C
>15 at 100°C

単位
Years

-40

135

°C

-40

160

°C

1000

NVM Write Cycles

5x 1011

1x 1012

NVM Read events

ov

es

1.5

,2
02
4

VOH

-8

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

ILEAK

V

en
tia
l

VIH

標準

R

en

[a] 検証済みのプログラム/消去サイクル数。2000 サイクルで認定© 2022 Renesas Electronics Corporation

20

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

8. 回路説明IPS2550 センサ回路は、1 つの送信コイルと 2 つの受信コイルで構成され、通常はプリント回路基板上の薄膜配線として設計されています。2 つの受信コイルはサイン波形状を有し、互いに 90°ずれています。標準的なコイル形状については、図7 および図 8 を参照してください。金属ターゲットがコイルの上方に配置されます。
回路信号の流れ:IPS2550 は、交流電流で送信コイルを駆動し、交流磁界を生成します。

2.

磁場は受信コイルに電圧を誘起します。金属ターゲットが無い場合、コイルの各セグメントが逆相接続されているために、受信コイル端子での電圧はゼロになります。

3.

コイルの上に金属ターゲットが配置されている場合:

en
tia
l

1.

a. 磁場は金属ターゲットの表面に渦電流を誘起します

b. 渦電流は逆磁場を発生させ、ターゲット下の全磁束密度を減少させます

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

c. ターゲット下の受信コイル領域に誘起される電圧が減少し、逆相接続されたコイルのセグメントの電圧に不均衡が生じます
d. 受信コイル端子に、ターゲット位置に対して振幅と極性が変化する出力電圧が発生します4.

IPS2550 IC は、受信信号の同期復調を行い、その後、フィルタリングして外部信号処理用に出力します。

en
R

ov

概要

es

8.1

Vsin
)
Vcos

as
N

Position = arctan (

,2
02
4

2 つの受信コイルが 90°位相シフトしているため、出力信号もターゲット位置に応じて 90°の位相差が有る送信信号に比例したサイン及びコサイン信号を生成します。受信信号は、例えば、Vsin と Vcos の Arctangent 演算を行うことによって、絶対位置に変換することができます。

VDD
VDDA
GND

Power
SupplyTx

ADR_IRQN
SDA
SCL

式5

Digital Interface for
Diagnostics andProgramming

CT
Transmitter

Rx
(cos)

ReceiverCoil 1

COS_SDA

Rx(sin)

ReceiverCoil 2

SIN_SCL

図6

Analog Output
for Programming,
Position andDiagnostics

SINN

IPS2550

Position, Rotation Angle© 2022 Renesas Electronics Corporation

COSN

Position, Rotation Angle

IPS2550 の応答

21

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

図 7 に 1 つの送信コイル (送信ループ) と下記の 2 つの受信コイルからなる直線運動センサの例を示します。
1.

Sine Loop = Sin Loop 1 + Sin Loop 2

2.

Cosine Loop = Cos Loop 1 + Cos Loop 2
注: Cosine Loop は Sine Loop と相対的にシフトしているので Cos Loop 1 は以下のように 1/2 に分割されています
Cos Loop 1 = Cos Loop 1a + Cos Loop1b

en
tia
l

ループ内の時計回りと反時計回りに接続されたセグメント (例えばコサイン受信コイルでは 時計回りの Cos Loop1 と反時計回りの Cos Loop2) により、各セグメントの誘導電圧は逆極性になります。

VSin Loop1 = -VSin Loop2

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

VCos Loop1 = -VCos Loop2式6式7VSin = VSin Loop1 + VSin Loop2 = 0V
VCos = VCos Loop1 + VCos Loop2 = 0V

,2
02
4

ターゲットが存在しない場合、二次電圧は互いに打ち消し合います:式8式9VSin Loop1 ≠ -VSin Loop2es

VCos Loop1 ≠ -VCos Loop2as
N

コイルの上にターゲットを置くと、カバーされた領域に誘起された二次電圧は、ターゲットが無い場合の二次電圧より低くなり
ます。
式 10
式 11

ov

これにより、二次電圧セグメントの不均衡が発生し、従って、ターゲットの位置に応じて、≠0V の二次電圧が発生します。
式 12

VCos = VCos Loop1 + VCos Loop2 ≠ 0V

式 13

R

en

VSin = VSin Loop1 + VSin Loop2 ≠ 0V

© 2022 Renesas Electronics Corporation

22

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

Sin Loop 1(cw)

Sin Loop 2(ccw)

Tx Loop

RxSin

en
tia
l

Tx
RxCos

Metallic Target

Cos Loop 2
(ccw)

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Cos Loop 1a(cw)

Cos Loop 1b
(cw)

図7

,2
02
4

Cos Loop 1 = Cos Loop1a + Cos Loop 1b

直線運動センサのためのコイル形状

R

en

Cos Loop 1(cw)

Sin Loop 1
(cw)

ov

es

as
N

図 7 で直線運動センサについて示された原理は、図 8 に示されているように、アークまたは回転センサに適用することができます。

Tx Loop

Cos Loop 2
(ccw)

RxSin

Tx

Metallic
TargetRxCos

図8© 2022 Renesas Electronics Corporation

Sin Loop 2(ccw)

360°回転センサ用のコイル形状

23

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

9. サンプリングレート、分解能、出力データレート、および伝搬遅延
IPS2550 はアナログ信号処理 (ADC を使用しません) を行うため、サンプリング・レートはなく、分解能は事実上無限大です。
内部フィルタリングおよび復調工程のため、アナログ入力信号と出力信号の間に短い信号伝搬遅延があります。この遅延は、送信回路の発振周波数とは無関係に、工場出荷時に固定値にトリミングされています。
コイル受信回路は自動的に送信コイル発振器周波数にロックします。これにより、温度変化や、ターゲットとのエアギャップの変化による、LC 発振回路の周波数ドリフトは自動的に補正されます。

パラメータ

条件

tPD_trim

Propagation delay of receiver
input signals 1 and 2 at Sine andCosine outputs.

tPD_tcPropagation delay temperature
drift

単位

Factory trimmed; at room
temperature over specified
supply voltage range

3.8

4

4.2

µs

over specified operating
temperature range

1.8

2.2

2.65

ns/℃

SIN

as
N

VDD

0V

COSN

SINN

ov

es

VDD/2

en

最大

COS

Vout

R

標準

,2
02
4

10. 出力モード

最小

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

記号

伝搬遅延

en
tia
l

表 18

0°

90°

図9

180°

270°

360°

α (el), 1 period

出力信号:サイン-コサインアナログ差動モード
COS

Vout

SIN

COSN

SINN

VDD
VDD/2
0V
0°
図 10

90°

180°

270°

360°

α (el), 1 period

出力信号:サイン-コサインアナログシングルエンドモード© 2022 Renesas Electronics Corporation

24

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

11. 高速での動作
IPS2550 はアナログ信号処理を使用しているため、入力信号を非常に高速に処理できます。入力信号は、600 000 rpm (1 分
間あたりの電気回転数) に相当する最大 10kHz の周波数を処理する事ができます。より高い周波数、すなわち、より高い速度の処理も可能ですが、性能と信号振幅が低下します。
機械回転速度は、式 14 で計算できます:rpm (el)coil periods

式 14

en
tia
l

rpm(mech) =ここで回転数 (mech) ロータ (およびターゲット) の回転速度 (1 分間あたりの回転数)
回転数(el) センサの最大電気入力周波数 (rpm)(電気回転数)

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

= 600000 電気周期/分 (rpm)= 10000 電気周期/秒= 10 kHz

コイル周期 1 ターンあたりの電気的周期数

,2
02
4

= 360°円周あたりのコイル周期数= 金属ターゲットのセグメント数

例えば、図 30 は、3 周期コイル設計を使用する 6 極モータ (極対数 = 3) のための設計を示します。
このモータの最大機械回転速度は、式 15 に従って計算されます。

asN

600krpm (el)= 200krpm (mech)3

出力モードと最高速度
ロータ最大速度

Sine, Cosine Cycles per Revolution

Mechanical Speed1  360°

600krpm

2  180°300krpm

3  120°200krpm

4  (45° / 45°)

4  90°150krpm

6  (30° / 30°)

6 60°

100krpm

8  (22.5° / 22.5°)

8  45°75krpm10  (18° / 18°)

10  36°60krpm1 cycle per target

600 krpm / targets per wheel

es

SIN/COS 出力モード

ov

表 19

式 15

Target Design (metal / no metal)

2  (90° / 90°)R

3  (60° / 60°)en

1  (180° / 180°)…

12. デジタル診断およびプログラミングインタフェース
IPS2550 をプログラムし、アナログ高速信号経路を中断することなく高速診断を可能にするために、追加の I2C デジタルシリ
アルインタフェースが用意されています。
I2C インタフェースは、2 つのモードで動作させることができます:© 2022 Renesas Electronics Corporation

25

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet▪ アドレスセレクト付き I2C インタフェース (デフォルト)▪ 割り込み付き I2C インタフェース (プログラムオプション)

13. ブロック図
図 11 に IPS2550 のブロック図を示します。
VDDA

Power
Management

GND

Voltage monitoring

IPS2550

VDDDigital
Offset Sin
Offset Cos

OffsetControlGain Sin
Gain Cos

Gain
Control

Sin_nRX1
Analog Front-End:
Input Filter,
Offset andGain Setting

RX3
RX4
TX1

Tx

Oscillator

TX2

Time
Continuous
Demodulator

Automatic
Gain
Control

Configuration,
NVM

Cos_n

,2
02
4

Rx
CosineSIN_SCL

SINN

Protection

RX2

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Rx Sine

en
tia
l

VDD

Temperature
Sensor

Programming and Diagnostics
Interface (I2C)

as
N

ASIL-C Diagnostics, Internal Oscillator

図 11

es

主な構成要素には、以下が含まれます:COS_SDA

COSN

SDA
SCL

ADR_IRQN

ブロック図

•

ov

▪ Power Management: パワーオンリセット (POR) 回路。アナログおよびデジタル電源用の低損失型レギュレータ (LDO)

VDD、VDDA、および内部電圧 VDDDigital の過電圧および低電圧監視

en▪ Oscilator: 送信コイル信号の生成▪ Analog Front End: 受信信号の入力フィルタ、オフセット、ゲインコントロール

オフセット制御: レシーバコイル入力 RX1-RX2, RX3-RX4 でのオフセットを補正します•

ゲイン設定: レシーバコイル入力信号 RX1-RX2 と RX3-RX4 の振幅ミスマッチを補正しますR•▪ Time Continuous Demodulator: RF 振幅変調位置信号を LF 復調位置信号に変換します▪ Gain Control: RX1/RX2, RX3/RX4 入力信号からの振幅ミスマッチを補正します▪ Automatic Gain Control: サインおよびコサインチャンネルの全体的ゲインを自動調整します▪ Configuration, NVM: 工場出荷時およびユーザーがプログラム可能な設定の不揮発性メモリ▪ Programing and Diagnostics Interface: サインおよびコサインアナログ出力インタフェース、または、個別の I2C インタフェースを使用できます▪ Temperature Sensor: チップ温度の監視▪ ASIL-C Diagnosis, Internal Oscillator: 機能安全を確保するための重要ブロックの内部診断。工場出荷時にトリミングされた内部オシレータは、チップ内部のタイミングに使用され、送信周波数測定のタイムベースとして使用されます▪ 4 個の過電圧保護および逆極性保護機能付きアナログ/デジタル出力バッファ© 2022 Renesas Electronics Corporation

26

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet▪ SIN_SCL、SINN、COS_SDA、および COSN ピンには、3 つのインタフェースオプションがあります (表 2 参照)•

差動アナログ出力•

リファレンス付きシングルエンドアナログ出力•

プログラム用 I2C インタフェース

14. ブロックの詳細説明

14.1

en
tia
l

以下のブロックの図については、図 11 のブロック図を参照してください。

電源管理

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

IPS2550 は、VDD = 3.3V±0.3V または VDD = 5.0V±0.5V のいずれかの電源で動作させることができます。内部 LDO は、アナログ回路とデジタル回路の電源電圧を生成します。アナログ電源 (VDDA) は、外部コンデンサ CVA によってバッファされます。デジタル電源は内部へのみ接続されています。
VDD は過電圧および逆接続から保護されており、過電圧または低電圧がないか常に監視されています。

LC 発振回路

,2
02
4

14.2

LC 発振回路は、センサの RF 磁界を生成し、2MHz～5MHz の周波数帯域で動作します。周波数は、外付け部品 L (送信コイル) と C (外付けコンデンサ) で調整します。詳細は、表 9 を参照してください。
IPS2550 は広範囲なインダクタンスのコイルが使用可能で、コイル駆動電流はユーザがプログラム可能です。

ov

アナログ信号経路

es

14.3

as
N

LC 発振回路は、周波数の正しさ、またはオープン/ショートや発振回路の故障などの故障がないかどうか、継続的にチェックされます。

14.3.1en

最大速度の場合、IPS2550 は 2 つの並列アナログ信号チャネルを使用します。1 つはサイン用、もう 1 つはコサイン用で、全てアナログ信号処理用です。
Rx コイル診断

R

レシーバ・コイル Rx Sine および Rx Cosine は、グランドへのオープン/ショート、VDD へのショート、および反対側のコイルへのショートがないか、継続的にチェックされます。図 2 および図 3 に示すように、レシーバコイルは次の 2 つの方法で接続できます▪ ASIL C 接続: 隣接する 2 つのピンのショートによるレシーバコイルの短絡の可能性を防止します。
▪ 互換接続: 産業用 IPS2200 とピン間互換性を提供します。

14.3.2

受信信号ローパスフィルタ

受信信号は振幅変調信号であり、キャリア周波数は LC 発振回路の周波数で、信号振幅は目標位置を表します。回転シス
テムでは、LF 信号はサインおよびコサイン形状であり、LF 信号の 1 周期はコイル形状の 1 周期と等価です。コイル設計の例と対応する LF 信号については、セクション 20 を参照してください。
最初に、振幅変調信号を低域通過フィルタリングして、起こり得る RF 電磁擾乱を抑制します。

© 2022 Renesas Electronics Corporation

27

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

14.3.3

オフセットとゲイン整合

RF 信号はフィルタリングされた後、不完全なコイル設計に由来する可能なオフセットおよび振幅ミスマッチを補正します。オ
フセットおよび微小ゲイン補正の量は、NVM でユーザーが固定値にプログラムするか、組み込みアプリケーションで動作中に補正することができます。詳細は、セクション 15.1 を参照してください。
14.3.4復調

連続時間復調器は入力信号から搬送波を除去し、復調された LF 信号を生成します。
自動ゲインコントロール (AGC)

en
tia
l

14.3.5

復調された信号の大きさ M = √Vsin2 + Vcos2 は、常時チェックされ、プログラムにより選択可能な定格レベル (表 11 参照) と比較されます。AGC は出力信号の振幅が “no-switching-zone” に入るように受信ゲインを自動的に調整します。

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

AGC を有効にすることで、ゲインがユーザにプログラムされた範囲を超えた場合、たとえば、入力信号が強すぎるまたは弱すぎる事を示すアラームを生成する事ができます。
Output signal magnitude

no-switching-zone
VMAGCxW,202
4

AGC will decrease gain if signal magnitude is in this zone

14.4

en

(詳細は表 11 参照)

ov

es

as
N

AGC will increase gain if signal magnitude is in this zone

図 12 AGC 振幅レンジ

信号チャンネルの入れ替え

R

内部利得誤差の検出を改善する効果的な方法は、設定オプションとして利用可能なルネサス特許出願中の信号チャネル交
換機能です。これを有効にすると、チップは 2 つのアナログ信号経路間でサインおよびコサイン信号チャネルを周期的に入れ替えます。この方法を適用することで、スタティック (非回転) 動作でも、サイン信号チャネルとコサイン信号チャネル間のゲインミスマッチをアナログ信号出力で即座に検出できます。

14.5

出力バッファ

4 つのアナログ信号 (サイン、反転サイン、コサイン、反転コサイン) は、対応する出力ピンで個別にバッファリングされます。
バッファ出力は過電圧および逆極性が保護されており、グランドへの短絡、VDD への短絡、または同相電圧に問題がないか確認されています。診断状態が有効な場合、バッファがオフになり、外部プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗を介して外部
MCU への診断表示が可能になります。

© 2022 Renesas Electronics Corporation

28

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

14.6

温度センサ

IPS2550 は、チップ内部温度センサを搭載しており、温度超過イベントが発生した場合にアラームを発します。温度センサには 2 レベルのアラームがあります:
ジャンクション温度が警告しきい値を超えた場合: 診断アラームが生成され、SIN_SCL、COS_SDA、SINN、COSN の出力
バッファがオフになり、消費電力が削減されます。

2.

ジャンクション温度がクリティカルアラームレベルを超えた場合: さらに、プログラムオプションとして、LC 発振回路をオフにして、消費電力をさらに削減することができます。
表 20
記号

内部チップ温度センサ特性

パラメータ

条件

Over-temperature warning threshold

TOVT_ERR

Over-temperature error threshold

ACCTS

Temperature sensor absolute accuracy

THYST

Temperature hysteresis

最小

標準

最大

単位

175

180

185

℃

180

185

190

℃

+10

℃

12

℃

-10
8

10

,2
02
4

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

TOVT_WARN

en
tia
l

1.

15. ECU 接続オプション

注:図 13、図 14、および図 15 では、IPS2550 と電気制御ユニット (ECU) 間のさまざまな接続オプションが示されています。

15.1

as
N

IPS2550 は、正しい VDD 電圧供給レベル (3.3V または 5.0V) に適合するように適切にプログラムする必要があります。

エンベデッド vs. リモート接続

en

ov

es

エンベデッド接続では、センサとマイクロコントローラ (MCU) の両方が同じプリント基板基板 (PCB) に配置されます。これらのアプリケーションでは、2 つのチップ間の接続数は重要ではありません。MCU は、個別のデジタル I2C インタフェースを利用して、アナログ信号の流れを中断することなく診断レジスタを常時監視したり、オフセットやゲインを動作中に変更したりすることができます。
ADR_IRQ 端子は、IRQ モードで診断に使用されます。

R

デジタルインタフェースフェイスピン、SDA および SCL を使用する場合、IPS2550 および ECU は、デジタルのハイおよびロー
信号レベルを一致させるために、同じ VDD 電圧供給レベルを共有する必要があります。
図 13 に示す回路図には、エンベデッド動作で EMC 性能を向上させるために必要な外付け部品が含まれています。
注記: COut1～COut4 の容量値は、接続されているマイコンの ADC 入力規格によって異なります。

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29

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

VDD

RSDA

RSCL

4
Rx

5

CRx3
Tx

CTx1

CRx4

RX3
RX4

RTx1 6

TX1

RTx2 7

TX2

CTx2

8

SINN

VDDA

COSN
VDD

DigitalInterface

I/O

14
COut1
13
12

ADC
inputs

COut3

11

COut4

10

VDD

VDD

CVDD_ECU

CVDD

9

Sensor module

図 13

I/O

COut2

COS_SDA

GND

CVA

SCL

MCU

CRx1

SIN_SCL

RX2

I/O

en
tia
l

3

15

SDA

GND

,2
02
4

CRx2

RX1

SCL

I/O

16

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Rx

SDA

IPS2550

2

ADR_IRQN

Connector

IRQ input
1

エンベデッドアプリケーション: センサと MCU は同じ PCB 上に配置されます

ov

es

as
N

リモートアプリケーションでは、センサモジュールは ECU とは別個になっており、ケーブルで接続されています。コスト効率のために、ケーブル上のワイヤの数とコネクタピンの数はできるだけ少なく保つ必要があります。通常、シングルエンド構成の場合は 4 本のワイヤ (VDD、GND、サイン、コサイン)、差動構成の場合は 6 本のワイヤ (VDD、GND、サイン、反転サイン、コ
サイン、反転コサイン) が必要です。

en

エラーの場合、アナログ出力はトライステートモードに切り替わります。診断状態は、プルアップ抵抗を使用して出力電圧を
VDD にプルアップするか 図 14 に示すように)、プルダウン抵抗を使用して出力電圧をグランドにプルダウンすることによって示されます (図 15 に示します)。
診断表示の詳細については、セクション 18.2 を参照してください。

R

図 14 および図 15 に示す回路図には、リモート操作で EMC 性能を向上させるために必要な外付け部品が含まれています。

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30

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

RIRQ

RSDA

1

16

CRx4

Tx

CTx1

RTx1 6

TX1

RTx2 7

TX2

CTx2

8

SINN

COut2

COut4
VDD

10

VDD

VDDA

Connector

図 14

VDD

RIRQ

RSDA

1

16

4
Rx

CTx1

RX4

en

Tx

CRx4

RTx1 6

TX1

RTx2 7

TX2

CTx2

R

CRx3

5

RX3

8

SINN

COS_SDA

COSN

VDD

VDDA

GND

CVA

14

COut2

12

11

15.2

I/O
I/O
I/O

ADC
inputs

Cable

COut3

COut4
10
9

Sensor module

図 15

I/O

COut1

13

RP1

RP2

RP3 RP4
VDD

VDD

VDD

CVDD

GND

Connector

CRx1

SIN_SCL

RX2

15

RSCL

as
N

3

es

CRx2

SDA
SCL

IPS2550

Rx

DigitalInterface

Electric Control Unit (ECU)

診断用プルアップ抵抗付きリモートアプリケーション

VDD

RX1

VDD

CVDD_ECU

GND

Sensor module

2

VDD

CVDD

9

GND

ADR_IRQN

Cable

COut3

11

COSN

CVA

ADC
inputs12

COS_SDA

MCU

CRx3

RX4

COut1

MCU

5

DigitalInterface

13

en
tia
l

Rx

RX3

I/O

,2
02
4

4

I/O

RP3 RP4

I/O

Connector

CRx1

RP2

14

SIN_SCL

RX2

RP1

15

Connector

3

SCL

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

CRx2

RX1

I/O

ov

Rx

SDA

IPS2550

2

ADR_IRQN

VDD

RSCL

Connector

VDD

Connector

VDD

CVDD_ECU

Electric Control Unit (ECU)

診断用プルダウン抵抗付きリモートアプリケーション

電源電圧動作: 3.3V または 5V

IPS2550 は、3.3V±0.3V または 5.0V±0.5V の電源電圧のいずれかで動作するようにプログラムできます。デフォルトは 5Vです。デフォルトの電源電圧の変更については、セクション 17.1 を参照してください。

© 2022 Renesas Electronics Corporation

31

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

15.3

I2C インタフェース

IPS2550 には I2C インタフェースが含まれています。I2C アドレスはプログラム可能です。さらに、ADR_IRQN ピンは、I2C イン
タフェースを使用するときに、I2C アドレス選択ピンまたは割り込み出力 (IRQN) ピンのいずれかとしてプログラムできます (表3 参照)。IPS2550 は I2C スレーブとして構成されています。いくつかのスレーブを I2C バス上で並列接続することができます。
プログラム機能の詳細説明は、IPS2550 ユーザープログラミングマニュアルに記載されています。

en
tia
l

シリアルデータ (SDA、16 ピン) とシリアルクロック (SCL、15 ピン) の 2 本の配線で、バスに接続されたデバイス間で情報を伝達します。SDA と SCL の両方は、外部プルアップ抵抗を介して正の電源電圧 VDD に接続されます。バスがフリーのときは、両方のラインが High になります。ワイヤード AND 機能を使用するには、バスに接続されているデバイスの出力段はオー
プンドレインまたはオープンコレクタである必要があります。
外部マスタ (ホストコントローラ) が転送を開始し、クロック信号を生成し、転送を終了します。実装は、マスタによってアドレス指定され、I2C バス仕様バージョン 2.1 をサポートする I2C スレーブ機能をサポートします。

15.3.1

アドレス選択付き I2C (デフォルト)

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

アナログ出力にはパッシブ・フィルタまたは EMC コンデンサが含まれている場合があるため、個別のデジタル I2C インタフェースに比べて立ち上がりおよび立ち下がり時間が長くなることがあります。したがって、アナログ出力で IPS2550 のプログラムを行う場合には I2C クロックレートを調整する必要があります。

,2
02
4

IPS2550 がアドレス選択付き I2C インタフェースを使用するようにプログラムされている場合、ADR_IRQN ピンはハードウェア
によって I2C スレーブアドレスを選択するために使用されます。
デフォルトでは ADR_IRQN ピンは IPS2550 の I2C スレーブアドレスをハードウエアピン固定によって定義するために用いられます。このピンの状態は 7bit の I2C アドレスの A3 Bit に反映され、状態の反転が I2C アドレスの A0 Bit に反映されます(図 16 を参照してください)。

asN

デフォルトの I2C アドレス設定では A4 は 1 に設定されています。ADR_IRQN を GND に固定した場合、IPS2550 のデフォル
トスレーブアドレスは 0010001 (Binary) = 0x11 (Hex) に、VDD に接続した場合は I2C アドレスは 0011000 (Binary) = 0x18
(Hex) になります。

oves

ハードウエアピン固定による I2C アドレス選択を無効として NVM アドレスビット A6～A3 で固定の I2C アドレスを定義できます (詳細は 『IPS2550 Programming Guide』 を参照してください)。

en

表 21 にそれぞれのアドレス選択オプションでのアドレス選択ピンと NVM アドレス設定の組み合わせを示します。

R

I2C アドレスビット A3 から A6 は個別の I2C アドレスとして NVM で設定でき、最大 14 デバイスをアドレス指定できます (詳細は当社から入手可能な 『IPS2550 Programming Guide』 を参照してください)。
表 21

NVM でのアドレス選択オプション

I2C Address Selection Mode

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

Default setting

0

0

1

Pin#1

0

0

Pin#1 inverted

User programmable range, with I2C address selection by pin #1

001 to 110 (binary)

Pin#1

0

0

Pin#1 inverted

0

0

0

User programmable range, with fixed I2C address

A60001 to 1110 (binary)

A5

A4

A3

A2

ADDR

A1

A0
INV_
ADDR

RnW

I2C Slave Address© 2022 Renesas Electronics Corporation

32

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

図 16

I2C アドレス選択ビット

VDD
RSDA
SDA

Data In/Out

SDA

SCL

Clock

SCL

ADR_IRQN

RADR

VDD

SDA

IPS2550#2SCL
ADR_IRQN

RADR

アドレス選択付き I2C インタフェース

,2
02
4

15.3.2

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

GND

図 17

MCU

en
tia
l

IPS2550#1RSCL

GND 喪失または VDD 喪失中の ADR_IRQN ピンを介した寄生パスの回避

asN

安全上重要なアプリケーションでは、グランドまたは VDD の喪失を監視し、故障が発生した場合に対応する必要があります。リモートアプリケーションでの GND または VDD ワイヤの喪失およびそれらの適切な診断構成の場合を図 25 に示します。

en
R

VDD

IPS2550

RSDA

ov

es

ハードウェアピン固定によって I2C アドレスを選択するために ADR_IRQN ピンを使用する場合は、VDD または GND に直接接続しないことを推奨します。チップが不定状態になる可能性のある GND または VDD 配線が断線した場合に、ADR_IRQN
ピン流れる寄生電流を避けるために、RADR を介して VDD または GND に接続して下さい (図 18 と表 14 参照)。

RSCL

SDA

Data In/Out

SDA

SCL

Clock

SCL

ADR_IRQN

VDD
MCU

RADR

GND

RADR

VDD

IPS2550

GND

15.3.3RSCL
VDD

ADR_IRQN

SDA

Data In/Out

SDA

SCL

Clock

SCL

GND

図 18

RSDA

MCU

GND

ADR_IRQN ピン用いたハードウェアピン固定によるアドレス選択付き I2C インタフェース

割り込み付き I2C インタフェース (プログラミングオプション)

IPS2550 は、割込み機能付きの I2C インタフェースを使用するようにプログラムされている場合、I2C 規格のインタフェースとして動作します。I2C アドレスはプログラム可能です。また、ADR_IRQN 端子は、診断イベントの高速信号伝達用の割り込み出力として使用されます。

© 2022 Renesas Electronics Corporation

33

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

VDD

RSDA
SDA

Data In/Out

SDA

SCL

Clock

SCL

ADR_IRQN

IRQInterrupt

1 つのスレーブでの割り込みを使用した I2C インタフェース設定

VDD

RSCL

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

RSDA

SDA

Data In/Out

SDA

SCL

Clock

SCL

ADR_IRQN

Interrupt

IPS2550#1SDA

IPS2550
#2

,2
02
4

図 19

MCU

en
tia
l

IPS2550

RSCL

MCU

IRQ1
IRQ2

as
N

SCL

ADR_IRQN

Interrupt

en

図 20

ov

es

注: このモードでは、いくつかの I2C スレーブが並列に接続されます。各 I2C スレーブには個別の I2C アドレスが必要です。

マルチスレーブ割込みによる I2C インタフェースの構成

R

I2C インタフェースの詳細説明については、『IPS2550 Programming Guide』を参照してください。

16. 過電圧保護
16.1

入出力保護

出力ピンと電源ピンの両方で過電圧保護と逆極性保護の車載要件を満たすために、IPS2550 にはいくつかの保護と診断機能が含まれています:1.

出力端子 SIN, SINN, COS, COSN-GND 間または VDD 間の短絡保護

2.

過電圧および逆極性保護:a.

電源 VDD を GND 端子に接続b.

アナログ出力端子 SIN、SINN、COS、COSN が GND に短絡© 2022 Renesas Electronics Corporation

34

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

17. プログラムオプション
IPS2550 ファミリには、さまざまなプログラムオプションが用意されています。主なプログラム可能な機能については、表 22 で説明します。
IPS2550 には、次のいずれかの方法でアクセスし、プログラムすることができます:▪ I2C インタフェースフェイスピン SDA と SCL を使用▪ アナログ出力ピン SIN_SCL と COS_SDA を介して

en
tia
l

注記: プログラミングの詳細については要求に応じて当社から入手可能な『IPS2550 Programming Guide』を参照してください。
SDA および SCL ピンで使用可能な I2C インタフェースにより、アナログ出力信号を中断することなく、内部レジスタへのアク
セスと、ゲインおよびオフセット設定の動作中の変更を同時に行うことができます。IPS2550 は、I2C 規格プロトコルを使用して、このインタフェースを介して同様にプログラムすることもできます。図 21 を参照してください。

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

なお、SDA、SCL 端子にはプルアップ抵抗は内蔵されていません。このインタフェースを使用する場合は、センサモジュールまたは外部のいずれかに外付けプルアップ抵抗を取り付ける必要があります。
VDD

CRx2

3

CRx1
4
Rx

Tx

RX4

RTx1 6

TX1

RTx2 7

TX2

CTx2

8

es

CTx1

CRx4

RX3

SCL

SIN_SCL

SINN

VDDA

COSN

VDD

GND

CVA

en

Sensor module

図 21

15

14

COut1

13

SDA

SCL (Master)

COut2

COS_SDA

as
N

CRx3

5

RX2

SDA

12

11

COut3

COut4

10
9

VDD

CVDD

ov

Rx

RX1

RSCL

16

Programmer

2

ADR_IRQN

IPS2550

1

,2
02
4

RSDA

RIRQ

VDD = 5V or
VDD = 3.3V
GND

Connector

VDD

I2C インタフェースを介した IPS2550 のプログラム

R

場合によっては、特にコネクタ・ピンとワイヤの数が最小限に抑えられ、内部レジスタへの恒久的なアクセスが必要ないリモ
ート・アプリケーションでは、2 つのアナログ出力 (SIN_SCL および COS_SDA; 図 22 を参照) を介して IPS2550 をプログラムすることも可能です。
この方法は、通常、デジタルインタフェースピン SDA および SCL にアクセスできなくなった最終的な組み立て済みセンサモジ
ュールのための製造ラインの終了工程でのプログラムに使用されます。
IPS2550 の意図しないプログラムを避けるために、いくつかの安全ロックが実装されています:▪ プログラム有効ウィンドウは、電源投入後、数ミリ秒の間開いています。この時間枠内に外部イネーブルコマンドが送信されない場合、IPS2550 は通常の電源投入動作を再開します。
▪ このプログラムモードをイネーブルにする最初の段階に続いて、プログラムモードをアンロックするために、2 番目の長い
時間枠内に別のパスワードを送信する必要があります。詳細は 『IPS2550 Programming Guide』 を参照してください。
▪ プログラミング後、チップはさらなる書き込みのためにロックすることができ、さらに読み出しのためにロックすることもできます。チップがロックされると、ロックを解除することはできません (サイバーセキュリティ機能)。

© 2022 Renesas Electronics Corporation

35

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

アナログ出力には、データレートを減速させる外部パッシブ EMC フィルタが含まれる可能性があるため、プログラマも低速で書き込みを行う事ができる必要があります。
電源投入後にプログラミング時間枠に当たるためには、プログラマが IPS2550 の VDD の立ち上がりを感知できる必要があります。オプションとして、プログラマは、図 22 に示すように、IPS2550 の電源をアクティブにオン・オフすることができます。
VDD

4
Rx

5

CRx3

CRx4
RTx1 6Tx

RTx2 7
CTx1

CTx2

RX2
RX3
RX4

SINN
COS_SDA

COSN

TX2

VDDA

GND

12

11

COut4

9

es

Sensor module

SDA

COut3

VDD

CVDD

as
N

CVA

図 22

13

10

VDD

RSCL

SCL (Master)

COut1
COut2

TX1

8

RSDA

14

VDD monitoring

,2
02
4

3

CRx1

SIN_SCLVDD = 5V or
VDD = 3.3V

Power on

GND

Connector

CRx2

15

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Rx

SCL

RX1

16

ov

2

SDA

ADR_IRQN

IPS25501RSCL

Programmer

RSDA

RADR

en
tia
l

VDD

アナログ出力を通した IPS2550 の製造最終工程でのプログラム

もう一方の電源電圧オプションを使用するためのプログラミング

R

17.1

en

注: EMC と ESD 保護の理由から、未使用の I2C インタフェース端子はフローティングのままにしないでください。未使用のSCL 端子と SDA 端子は、抵抗 RSDA、RSCL (抵抗の推奨値は表 14 を参照してください) を介して VDD に接続してください。

IPS2550 は、3.3V±0.3V または 5.0V±0.5V の 2 種類の動作電源電圧でプログラムすることができます。
5V 電源用にプログラムされた IPS2550 を 3.3V 電源に接続すると、(5V) 低電圧状態のままで起動しません。ただし、この状態でも、NVM プログラムモードを有効にできるため、チップを 3.3V 電源電圧に再プログラムできます。パワーオンリセット後、IPS2550 は 3.3V デバイスとして再起動し、3.3V 環境で正常に動作します。
3.3V 電源用にプログラムされた IPS2550 が 5V 電源に接続されている場合、起動し、過電圧アラームを生成 (3.3V) し、診断状態になります。ただし、アラームにもかかわらず、プログラムモードを有効にすることができるため、IPS2550 を電源電圧 5Vに再プログラムすることができます。パワーオン・リセット後、IPS2550 は 5V デバイスとして再起動し、5V 環境で正常に動作します。

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36

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

17.2

ロック機能 (サイバーセキュリティ)IPS2550 にはロックビットオプションが含まれており、ユーザーが設定できます。ロック機能は、書き込みロック専用または読
み取り/書き込みロック用にユーザーが選択できます。いったんライトロックビットまたはライト+リードロックビットがセットされると、それ以上 IPS2550 への書き込みはできません。ロックされた IPS2550 はロック解除できません。
注記: 詳細な 『IPS2550 Programming Guide』 は、ご要求に応じて当社より入手できます。

プログラムオプション

en
tia
l

17.3

表 22

プログラムオプションの概要

機能プログラムオプション

3.3V ±0.3V または 5.0V±0.5V、アラームレベル

High speed interface

サイン/コサイン差動またはシングルエンド

Digital diagnostic and programming interface

アドレスセレクト付き I2C または割り込み付き I2C

I2C interface

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Supply voltage range

スレーブアドレス、I2C モード、アドレス選択あり、または割り込みあり
診断状態では、アナログ出力ピンはハイインピーダンスです。(サイン, コサイン) と (反転サイン, 反転コサイン) を別々に有効/無効に設定可能

Security lock function

デバイスの内部レジスタをリードオンリー、R/W ロックに設定可能

Receiver overall gain

全体のゲイン粗調整

Sine, cosine channel gainen

Automatic gain control

入力オフセットの事前調整
バイアス電流、コイル性能の最適化
送信部発振周波数の測定、上下周波数警報

ov

Interrupt

esTransmitter oscillatorasN

振幅ミスマッチ補正、微調整

Sine, cosine offset

Time base counter

,2
02
4

Diagnostic signaling on high speed analog interface

割り込みイベントの有効化/無効化/クリア
ゲイン上下限R

18. 機能安全と診断
18.1

機能安全 ASIL および ISO 準拠

IPS2550 は、内部および外部の安全メカニズムを使用して、シングル IC で ASIL C、デュアル IC で ASIL D までの安全関連システムに実装するためのコンテキスト外安全要素 (SEooC) として ISO26262 に従って開発されています。
IPS2550 を安全関連アプリケーションに統合するには、ユーザーによる安全解析が必要です。
内部安全機構には、以下が含まれますが、これらに限定されません:▪ 受信コイルまたは送信コイルの破損または短絡の検出▪ 低電圧および過電圧検出▪ チップ破損検出▪ データインテグリティチェック (ECC およびパリティ)© 2022 Renesas Electronics Corporation

37

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet▪ シリコンチップ過熱検知▪ 出力バッファ障害の検出

追加の IPS2550 安全機能については、表 26 を参照してください。
外部安全機構は、受信側マイクロコントローラユニット (MCU) で実行する必要があります。以下のものがありますが、これらに限定されません:▪ ケーブルハーネスの点検 (オープン、GND へのショート、VDD へのショート)

en
tia
l

▪ サイン信号とコサイン信号 (オフセット、振幅、位相) の妥当性チェックと故障チェック▪ 位置出力同期 (デュアル IC を使用するシステムの場合)

18.2

アナログ出力による診断モード表示

VOUT

,2
02
4

VDD

as
N

VDD/2
0V

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

IPS2550 は、I2C インタフェースおよび割り込み出力ピンによる診断フラグ表示に加え、診断モードにすることでアナログ出力ピンによる診断表示を提供します。この診断モードは、通常の動作範囲外にある出力電圧によって示されます。図 23 を参照
してください。

0°

90°

180°

270°

Diagnostic high range

Normal operating range

Diagnostic low range

360°

en

ov

es

Position (electrical °)図 23

動作範囲と診断範囲

AGC が有効な場合、通常の動作範囲は:R▪ 5V モードの場合、VDD/2 ±1.5V = 1.0～4.0V▪ 3.3V モードまたは 5V モードの場合、VDD/2 ±900mV = 0.75～2.55V (デフォルト)

AGC が無効の場合、動作出力電圧範囲は制限されず、入力電圧と信号パスの総ゲインを掛けた値で定義されます。ゲイン
を正しく設定する必要があることに注意してください。正しく設定しないと、出力電圧が診断範囲に移動します。
診断範囲の制限は、ユーザーが定義します。一般的な診断範囲は以下のようになります:▪ Diagnostic low ≦ 3～5% VDD▪ Diagnostic high ≧ 95～97% VDD

IPS2550 の場合、診断モードでの出力電圧は、エラー状態と外部プルアップまたはプルダウン抵抗の値によって異なります。
詳細は、表 24 および表 25 を参照してください。
IPS2550 は、アナログ出力を通して診断表示するための以下のオプションを提供します:▪ アナログ出力ピンでの診断表示無効© 2022 Renesas Electronics Corporation

38

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet▪ SIN_SCL, COS_SDA 端子でのみ診断表示▪ SINN、COSN 端子でのみ診断表示▪ 4 つのアナログ出力ピンすべてで診断表示

個々にチェックされたエラーごとに、診断表示の有効/無効を切り替えることができます。

en
tia
l

診断が有効でエラーが発生した場合、選択したアナログ出力はオフになります。外部プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗を接続することで、出力電圧は Diagnostic high 範囲に VDD に向かってプルアップされるか、GND に向かって Diagnostic low
範囲にプルダウンされます。図 24 を参照してください。

VDD

Diagnostic
High

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Outputswitched off
in error case

VDD

Diagnostic
Low

GND

GND

Pull-Down
resistor on
Receiver end

診断範囲の選択

ov

図 24

es

VDD

,2
02
4

Outputswitched off
in error case

GND

GND

VDD

MCU

VDD

MCU

VDD

as
N

IPS2550

IPS2550

Pull-Up
resistor on
Receiver end

Ren

アナログ出力を使用した I2C インタフェースでのプログラム中は、SIN_SCL および COS_SDA ピンを外部プルアップ抵抗に接続する必要があることに注意してください。センサモジュール基板上にプルダウン抵抗が含まれている場合は、プログラミン
グ用の外部プルアップ抵抗を適切に選択して、出力の負荷電流を超えない適切なハイレベルを提供する必要があります。したがって、例えば生産ラインの最終工程でのキャリブレーションなど、IPS2550 をモジュールレベルでプログラミングする場合
は、診断表示のためにプルアップ抵抗を使用することを推奨します。

© 2022 Renesas Electronics Corporation

39

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

18.2.1

短絡および断線検出

センサがコントロールユニット (MCU や ECU) にケーブルで接続されている場合、断線や短絡による故障が発生する場合があります。
18.2.1.1 配線の短絡
表 23 に示すように、グランド、信号、および電源配線間の短絡を安全に検出できます:

ケーブル接続グランド

電源と出力間の短絡

電源とグランド間の短絡分離された冗長センサ IC の電源にのみ適用されます。センサを駆動する外部電源ユニットで監視および制御する必要があります。

出力電流が過電流しきい値を超えると、出力はオフになります。
診断状態は、レシーバ側にプル
アップ抵抗またはプルダウン抵抗のどちらが取り付けられているか
によって異なります。

電源ラインの過電流。センサを駆動する外部電源ユニットで監視、制御する必要があります。

出力と電源間の短絡

2 本の異なる出力間の短絡

出力とグランド間の短絡

出力電流が過電流しきい値を超えると、出力はオフになります。診断状態は、レシーバ側にプルアップ抵抗またはプルダウ
ン抵抗のどちらが取り付けられているかによって異なります。

出力電流が過電流しきい値を超えると、出力はオフになります。
診断状態は、レシーバ側にプル
アップ抵抗またはプルダウン抵抗のどちらが取り付けられているか
によって異なります。

出力電流が過電流しきい値を超えると、出力はオフになります。診断状態は、レシーバ側にプルアップ抵抗またはプル
ダウン抵抗のどちらが取り付けられているかによって異なります。

グランドと電源間の短絡

グランドと出力間の短絡

2 グランド間の短絡

電源ラインの過電流。センサを駆動する外部電源ユニットで監視、制御する必要があります。

出力電流が過電流しきい値を超えると、出力はオフになります。
診断状態は、レシーバ側にプル
アップ抵抗またはプルダウン抵抗のどちらが取り付けられているか
によって異なります。

分離された冗長センサ IC の電源にのみ適用されます。センサを駆動する外部電源ユニッ
トで監視、制御する必要があり
ます。

,2
02
4

R

en

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

2 電源間の短絡

es

グランド

出力

ov

出力

電源

as
N

電源

配線間のショート検出

en
tia
l

表 23

18.2.1.2 断線
電源、グランド、またはアナログ出力の断線のほとんどはアナログ出力端子の DC 電圧をモニタすることにより容易に検出可能です。図 25 左列の図を参照してください (OUT は SIN_SCL、SINN、COS_SDA または COSN です)。診断エラーまたは信号
線断線の場合、影響を受けた端子の DC 電圧は外付けのプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗により診断範囲 (diagnostic
high または diagnostic low) へ引き込まれます。
以下の場合、IPS2550 内部の寄生電流によって、プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗で大きな電圧降下が生じ、エラー状
態が正しく表示されないことがあります。
▪ 受信側に外付けプルアップ抵抗が有る場合の VDD の断線 (図 25 右上の図参照):
レシーバ側 VDD から流れる寄生電流⇒外付けプルアップ抵抗⇒IPS2550 の出力端子⇒デバイス内部の GND への寄
生電流経路© 2022 Renesas Electronics Corporation

40

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet▪ 受信側に外付けプルダウン抵抗が有る場合のグランド配線の断線 (図 25 右下の図参照):
IPS2550 の VDD から流れる寄生電流⇒デバイス内部の出力端子への寄生電流経路⇒外付けプルダウン抵抗⇒GND

これらの特殊な場合には、外付け抵抗の最大抵抗値を必要な診断範囲に応じて選択する必要があります。表 24 および表25 を参照してください。

OUT

Diagnostic
High?

Parasitic
current

GND

VDD

VDD

MCU

en
tia
l

Sensor IC

Sensor IC

MCU

GND

VDD

Pull-Down
resistor on
Receiver end

en
VDD

R

Sensor IC

GND

VDD

VDD

OUT

VDD

Diagnostic
Low?

Parasitic
current

GND

GND

BrokenGND
Line!

Pull-Down
resistor on
Receiver end

as
N

OUT

BrokenSignal line

esSensor IC

VDD

VDD

OUT

,2
02
4

No current
Broken
GND
Line!

VDD

GND

Diagnostic
High

OUT

GND

MCU

GND

VDD

Pull-Up
resistor on
Receiver end

Pull-Up
resistor on
Receiver end VDD

BrokenSignal line

ovMCU
em

VDD

Pull-Down
resistor on
Receiver end

Pull-Up
resistor on
Receiver end

VDD
Diagnostic
Low

OUT

GND

Sensor IC

No current

C
o
n
be
r1
f
id
2

VDD

BrokenVDD
Line!

Diagnostic
Low

GND

VDD
Diagnostic
High

MCU

Sensor IC

BrokenVDD
Line!

Critical Error cases:

MCU

Uncritical Error cases:

GND

GND

図 25

VDD または GND ラインの断線によるアナログ出力の寄生電流© 2022 Renesas Electronics Corporation

41

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

表 24

プルアップ抵抗付きの診断レベル>95% VDD

診断レベル>96% VDD

単位

≤10

kΩ

Broken GND line

Not critical (図 25 の Uncritical Error cases 参照)kΩBroken VDD line, 5V mode

≤4.7

≤3.82

≤2.84

kΩ

Broken VDD line, 3.3V mode

≤3.96

≤3.2

≤2.4

kΩ

表 25

en
tia
l

Error indication during normal operation>97%VDD

プルダウン抵抗付き診断レベル

診断レベル<3% VDD<4% VDD

単位

≤10

kΩ

Broken VDD line

Not critical (図 25 の Uncritical Error cases 参照)kΩBroken GND line, 5V mode

≤1.48

≤2.56

kΩ

≤1.65

≤2.23

≤2.85

kΩ

,2
02
4

Broken GND line, 3.3V mode

≤2.0

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Error indication during normal operation<5%VDD

Sensor IC

ov

VDD

MCU

Parasitic supply
current!

enSensor IC

ADR_IRQN

esOpen VDD pin

VDD

Avoiding parasitic supply currents:

GND

R

GND

Parasitic supply
current!

Sensor IC

VDD

MCU

Sensor IC

VDD

ADR_IRQN
SDA
SCL

Open VDD pin

VDD

VDD

ADR_IRQN
SDA
SCL

RADR
RSDA
RSCL

No Parasitic
supply current ✓
GND

GND

VDD

VDD

No Parasitic
supply current ✓ADR_IRQN

RADR

GND

GND

MCU

Critical error cases:

MCU

as
N

VDD または GND 端子がオープンの場合、ADR_IRQN または SDA、SCL が VDD または GND に直接接続されている場合に寄生電源電流が流れる可能性があります (図 26 の Critical error cases 参照)。このような寄生電源電流を避けるには、図26 の Avoiding ｐarasitic supply currents に示すように、これらの端子を VDD または GND に抵抗を介して接続します。RADR、
RSDA、RSCL の値は表 14 を参照してください。

GND
Open GND pin

GNDOpen GND pin

図 26© 2022 Renesas Electronics Corporation

ADR_IRQN 端子、SDA 端子、SCL 端子の寄生電流

42

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

18.3

診断機能

表 26 に記載されている診断はチップレベルで実行され、障害を検出した場合は対応するレジスタにフラグが立てられます。
これらの各診断機能は、ADR_IRQN 出力で割り込みイベントを生成するために有効または無効にすることができます。また、診断状態にすることで、高速インタフェース端子 (SIN、SINN、COS、COSN; 表 2 参照) を介して割り込みイベントの信号を送ることもできます。
「Static」とマークされたアラームタイプは、障害が続く間は設定されたままで、パワーオンリセット (POR) によってのみクリアされます。「Temporary」とマークされたアラームタイプは、障害の原因が取り除かれるとクリアされます。

表 26

en
tia
l

「Continuous」とマークされた診断フラグは継続的にテストされ、「Start-up」とマークされた診断フラグは起動時のみチェック
されます。
診断機能

診断フラグ

タイプ

実行

VDD over-voltage

TemporaryContinuous

VDD under-voltage

TemporaryContinuous

外部電源電圧が最小制限値を下回ると、このフラグがセットされます。
フラグのトグルを避けるため、比較器にヒステリシスが付けられています。3.3V モードのアラームレベルについては表 7 を、5V モードのアラー
ムレベルについては表 8 を参照してください

VDDA under-voltage

TemporaryContinuous

VDDA の低電圧検出。3.3V モードのアラームレベルについては表 7
を、5V モードのアラームレベルについては表 8 を参照してください

Data access failure

TemporaryContinuous

チップ内部の故障

Protocol integrity failure

TemporaryContinuous

I2C データ転送の故障

StaticContinuous

シャドウレジスタバンクダブルビットエラー検出 (DED)

TemporaryContinuous

シャドウレジスタバンクシングルビットエラー検出 (SED)。各単ビットエラ
ー検出により、レジスタ出力の単ビット誤差補正 (SEC) がトリガされますNonvolatile memory DED

StaticStart-up

NVM ダブルビットエラー検出。個々のアドレス指定されたワードがチェッ
クされ、ビットエラーのフラグが立てられます

Nonvolatile memory SED

Temporary

Start-up

NVM シングルビットエラー検出。個々のアドレス指定されたワードがチェックされ、ビットエラーのフラグが立てられます

R

,2
02
4

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

外部供給電圧が最大制限値を超えると、このフラグがセットされます。
フラグのトグルを回避するために、比較器にヒステリシスが付けられています。3.3V モードのアラームレベルについては表 7 を、5V モードのア
ラームレベルについては表 8 を参照してください

ov

as
N

en

Shadow register SED

es

Shadow register DED

概要

各単ビットエラー検出は、NVM 出力の単ビット誤差補正 (SEC) を自動的にトリガしますLC oscillator frequency
failureTemporaryContinuous

このフラグは、LC 発振回路の周波数が範囲外のときにセットされます。
周波数範囲はプログラム可能です

LC oscillator general
failureTemporaryContinuous

LC 発振回路の動作が停止すると、このフラグがセットされますInternal oscillator failure

StaticContinuous

チップ内蔵発振回路の故障© 2022 Renesas Electronics Corporation

43

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

タイプ

実行

概要

Internal bus failure

TemporaryContinuous

チップ内部バスの故障

IRQN watchdog failure

StaticContinuous

ウォッチドッグカウンタを起動することにより、周期割り込み要求を発生させることができます。タイマーが期限切れになると、割り込みフラグがセットされ、タイマーが再起動されます。ウォッチドッグ値をゼロにリセッ
トすると、タイマーを停止できます

Mechanical damage

StaticContinuous

チップに機械的損傷 (シリコンチップのクラック )がないかチェックしますTemporary

en
tia
l

診断フラグ

アナログ出力 (SIN+SINN) または (COS+COSN) の平均値が (VDD/2)と規定値 (
表 12 の DCOFF_AL 参照) 以上異なる場合にセットされます。この故障は、
アナログ出力診断モードに関係なく、常にアナログ出力をオフにしますContinuous

Static

一時的なバッファ故障チェックが 8 回以上継続する場合、チップの過熱を避けるため、4 つすべてのアナログ出力は継続的にオフになり static
output buffer failure flag がセットされます

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

Output buffer failure

,2
02
4

この状態は、パワーオンリセットまたは I2C インターフェイスから static
output buffer failure flag をクリアすることによってクリアできます。

Temporary

このフラグは、出力アンプの負荷電流が指定された制限値(IOVL).を超えた場合にセットされます。過負荷状態が指定されたデバウンス時間
toc_assert を超えた場合、全てのアナログ出力をオフにします (Hi-Z 状態)

Output buffer overloadasN

一時的な出力過負荷チェックはデバウンス時間 toc_deassert 後に再度実行されます。出力はオンになり過電流状態は再びチェックされます

Continuousen

この状態は、パワーオンリセットまたは I2C インターフェイスから static
output buffer overload flag をクリアすることによってクリアできます。

TemporaryContinuous

本フラグは、以下のいずれかの受信コイルの故障が発生した場合にセットされます:コイル間短絡、GND 短絡、VDD 短絡、コイル断線

Transmitter coil failure

TemporaryContinuous

このフラグは、送信コイルに故障がある場合にセットされます

Junction temperature
warning/failure

TemporaryContinuous

チップ内部温度センサの過熱警告または故障

Internal supply failure

StaticContinuous

チップ内部の電源電圧異常

AGC error

TemporaryContinuous

このフラグは、AGC のゲインがユーザーがプログラムした制限値に達したときにセットされますInternal digital error

StaticContinuous

内部デジタル回路の故障

BIST diagnostics error

StaticStart-up

自己テストメカニズムの故障

R

Receiver coils failure

一時的な過負荷チェックが 8 回を超えて継続する場合、チップの過熱を避けるため、4 つ全てのアナログ出力は継続的にオフになり static
output buffer overload flag がセットされますoves

Static

表 12 と表 13 を参照してください© 2022 Renesas Electronics Corporation

44

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

18.4

内部レジスタとメモリエラー

すべてのレジスタ、揮発性メモリ、および不揮発性メモリに対して、エラー訂正コード (ECC) が実装され、2 ビットエラー検出と1 ビットエラー訂正が可能です。ECC エラーが発生すると、アラームフラグがセットされます。

18.5

LC 発振回路の周波数外れ

en
tia
l

送信部 LC 発振回路の代表的な周波数範囲は、2MHz～5MHz で、中波無線帯 (0.52MHz～1.73MHz) と短波無線帯 (5.8MHz～6.3MHz) の間です。外付け部品 (基板のインダクタおよびディスクリートコンデンサ) の使用により、送信部の発振周波数
は、主にディスクリート・コンデンサの温度係数に応じて、温度によって変化します (1 ページの応用回路の CT と図 2 と図 3の CTx1 と CTx2 を参照)。
推奨: 温度係数の低いコンデンサを使用してください。

,2
02
4

19. 冗長化接続

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

発振周波数が特定のアプリケーションの範囲内に収まるようにするために、送信発振回路の発振周波数が内部で測定され、比例値としてレジスタに格納されます。ユーザは、発振周波数が設定範囲外にあるときにアラームフラグを生成するための上限と下限のレジスタ値を設定できます。

拡張信頼性を必要とするアプリケーションでは、図 27 に示すように、2 つの個別の IPS2550 を使用した冗長化設定で使用できます。物理的には、同じターゲットを共有し、同じコイル領域を共有しますが、異なる PCB 層に配置された送信コイルと受信コイルで互いに電気的に絶縁されています。

VDD

RSCL

RSDA

en

16

15

COut1

13

ADR_IRQN

SCL

RX1

SIN_SCL

SINN

COut2
12
COut3

11

COut4
VDD1

10
CVDD

9

COS_SDACOSN

RX2IPS2550

R

14

SDA

RX3
RX4

TX1

VDD

TX2

GND

VDDA

VDD

RADR

Sensor #2:
Supply Voltage VDD2

SharedTarget

1

Rx
(sin)

RADR

RSDA

RSCL

3

4

4
Rx
(cos)

5
6 RTx1

Rx
(cos)

Tx

Tx

7 RTx2CTx2

5
RTx1 6
RTx2 7

CTx1

CTx1

CVA

© 2022 Renesas Electronics Corporation

VDD

2
Rx
(sin)

3

図 27

VDD

1

2

8

VDD

CTx2

8

ADR_IRQN

SDA

RX1

SCL

SIN_SCL

RX2
RX3
RX4

IPS2550

VDD

es

Sensor #1:
Supply Voltage VDD1

ov

as
N

コイルの設計によって、2 つの送信コイルを互いに磁気的に結合することができます。フェイルセーフ動作のためには、2 つの送信コイル間の理想的な結合をそれぞれ評価する必要があります。

TX1
TX2

SINN

15
14
COut1
13

COut2
COS_SDA
COSN
VDD
GND

VDDA

16

12
11

COut3
COut4
VDD2

10
9

CVDD

CVA

アプリケーション図: デュアルセンサ、デュアル電源

45

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

20. 応用例
一般的なコイルとターゲットの配置を図 28 ～図 31 に示します。例として、1 ×360°、2 ×180°、3 ×120°および 4 ×90°のロータリ設計が示されています。他の多くの組み合わせ (本質的には任意の n x 360/n) が可能で、n は整数です。
例えば、ブラシレス DC ロータ位置フィードバックのためのセンサ設計では、n はロータ上の極対の数となります。このような場合、IPS2550 の出力信号は、各極対あたり 1 電気周期になります。

,2
02
4

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

en
tia
l

多重周期設計は、1 周期コイル設計と比較して、機械的精度が向上することに注目してください。4 周期コイル設計(4×90°) は、90°あたり±0.2% = ±0.18°の機械的精度を得られます。

ov

es
R

en

360°回転センサのコイル設計と信号出力

as
N

図 28

図 29

© 2022 Renesas Electronics Corporation

2 ×180°ロータリセンサ用のコイル設計と信号出力

46

July 22, 2022

3 ×120°ロータリセンサ用のコイル設計と信号出力4 ×90°ロータリセンサ用のコイル設計と信号出力

R

en

図 31

ov

es

as
N

,2
02
4

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

図 30

en
tia
l

IPS2550 Datasheet© 2022 Renesas Electronics Corporation

47

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

21. 電磁両立性 (EMC)
EMC 準拠の回路設計に関するガイドラインは、ご要望に応じて「IPS2550 EMC recommendations」として入手できます。

22. 16-TSSOP パッケージ外形図

en
tia
l

パッケージ外形図は本書の最後に添付されており、下のリンクからアクセスできます。パッケージ情報は、入手可能な最新のデータです。

23. マーキング図

,2
02
4

生産部品のマーキング

ライン 1: 一部のコード(IPS)の最初の文字;エンジニアリングサンプリング用に「ES」を追加IPS
2550DELOT
YYWW
R

ライン 2: 部品コード(2550)の次の 4 文字の後にD = 設計改訂

E = 動作温度範囲、拡張自動車

as
N

23.1

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

https://www.renesas.com/sg/en/document/psc/16-tssop-package-outline-drawing-50-x-44-mm-body-epad-27-x-33mm-065mm-pitch-eng16p3

ライン 3: "LOT" = ロット番号

en

YY = 製造年の下 2 桁

oves

ライン 4: "YYWW" = 製造日:
WW =製造週R = RoHS 準拠の表示

R

24. 発注情報

発注部品番号

製品説明とパッケージ

MSL 定格キャリアタイプ

温度

IPS2550DE1R

エクスポーズドパッド 付 16-TSSOP、
4.4 × 5.0 mm

113" リール、4000 パー
ツ / リール-40～+160℃

IPS2550STKITIPS2550 スタータキット (USB 通信基板、IPS2550 センサモジュールおよび接続ケーブルを含む)© 2022 Renesas Electronics Corporation

48

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

25. 改訂履歴
改訂日2022 年 7 月 22 日

変更内容
(英語版 June 20, 2022 の反映)
p.1 概要: 機能安全に関する記述変更
p.1 特徴: 3.3V±10%または 5.0V±10%から、3.3V±0.3V または 5.0V±0.5V に変更

Ren© 2022 Renesas Electronics Corporation

ov

es

as
N

,2
02
4

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

en
tia
l

p.5 表 1: ピン番号 1 プルアップまたはプルダウン抵抗についての表記修正
p.5 表 1: ピン番号 6.7 TX1～GND 間、TX2～GND 間と表記修正
p.6 表 1: ピン番号 8 概要説明の説明追記
p.6 表 1: ピン番号 10 概要説明の表記修正
p.6 表 1: ピン番号 15 プルアップ抵抗の接続時、参照する表の変更、使用しない場合の説明削除
p.6 表 1: ピン番号 16 プルアップ抵抗の接続時、参照する表の変更、使用しない場合の説明削除
p.9 表 4: VVDDAmax 電圧のモードによる参照する表の変更、説明内容の追加
p.10 セクション 5: VDD の条件を 5.0V±10%から、3.3V±0.3V または 5.0V±0.5V に変更
p.10 表 6: RTHJC_TSSOP の条件別記載削除、標準値変更
p.11 表 6: 注記［a］回転式多期間設定を回転式多周期設定に表記変更
p.11 セクション 6: VDD＝5.5V での周囲温度の関係を表 4 のどの部分に示したかを追加表記
p.11 セクション 6: グランドプレーンが不要な場合の範囲を細かく明記
p.16 表 11: VMAGC1W, VMAGC2W 仕様追加
p.17 表 12: toc_assert 最小値・最大値の変更、条件の表記修正、注記の追記
p.17 表 12: tcm_assert 仕様追加
p.17 表 12: toc_deassert 仕様追加
p.17 表 12: tcm_deassert 仕様追加
p.17 表 12: toc_deb 削除
p.17 表 12: 表下部、注記[a],[b]の追加
p.18 表 13: IOL を IOVL に変更
p.18 表 14: VOL を VOL_SDA に変更
p.18 表 14: IOL を IOL_SDA に変更
p.18 表 14: RP を RSDA,RSCL,に変更、標準値追記、RADR 追加
p.19
表 15: VOL を VOL_COS_SDA に変更
p.19
表 15: IOL を IOL_COS_SDA に変更
p.20 表 17: 表 17 に記号を追記
p.21 セクション 8.1: 図 7 の上に、式と説明の表記を追加、式 8, 式 12 の修正、重複していた図の削除
p.23: 図 8: 図の変更
p.24 表 18: tPD を tPD_trim と tPD_tc に細分
p.24 図 9,図 10 反転信号名修正
p.26 セクション 13: 図 11 の上に説明を追加
p27 セク シ ョン 14.1: VDD の 条件を 3.3V± 10%ま た は 5.0V±10%か ら、 3.3V±0.3V ま たは
5.0V±0.5V に変更
p.28 セクション 14.3.5: AGC の動作記述変更
p.28 図 12: AGC 振幅レンジ追加
p.29: セクション 14.6: 端子名の誤記修正 (SIN_SDA → SIN_SCL、COS_SCL → COS_SDA)

49

July 22, 2022

IPS2550 Datasheet

,2
02
4

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

en
tia
l

p.31 図 15,図 14: SCL の接続変更
p.32 セクション 15.2: 電源電圧の表記を 3.3V±10%または 5.0V±10%から、3.3V±0.3V または
5.0V±0.5V に変更
p.32 セクション 15.3.1: 説明と表の追加
p.32 図 17:抵抗と抵抗値の表記変更
p.33 セクション 15.3.2: 参照する図の変更と表の追加
p.17 図 18:抵抗値の表記変更
p.34 図 19: 抵抗値の表記変更
p.34 図 20: 抵抗値の表記変更
p.36 図 22: 抵抗値の表記変更
p.36 セクション 17: 図 22 の下の注記の修正
p.37 セクション 17.1: 動作電源電圧の記載を 3.3V±10%または 5.0V±10%から、3.3V±0.3V または
5.0V±0.5V に変更
p.37 表 22: Supply voltage range のプログラムオプションの記載を 3.3V±10%または 5.0V±10%か
ら、3.3V±0.3V または 5.0V±0.5V に変更
p.40 セクション 18.2.1.2: 説明文の修正、追加
p.41 図 25: タイトル修正
p.42 表 24: 参照する図の明記
p.42 表 25: 参照する図の明記
p.42 セクション 18.2.1.2:説明文修正
p.42 図 26: 対象端子の追加、抵抗値の表記変更
p.44 表 26: Output buffer failure の Temporary タイプの説明修正、Static タイプの追加
p.45 セクション 18.5: CT の参照先追加
p.48 セクション 24: 章名、表内の「注文」を「発注」に変更(英語版 September 14, 2021 の反映)

asN

2021 年 12 月 22 日

P.37: プログラムモードの詳細参照先追記

oves(英語版 December 17, 2021 の反映)

P.20-21 表 14: VIH, VIL の誤記修正 (記号、パラメータと仕様値の不整合)
P.22 表 15: VIH, VIL の誤記修正 (記号、パラメータと仕様値の不整合)

en

P.49-50 図 26-29: 凡例誤記修正 (COSN→COS)
日本語版初版 (英語版 September 8, 2021 を和訳)

R

2021 年 10 月 15 日

© 2022 Renesas Electronics Corporation

50

July 22, 2022

ご注意書き1.

本資料に記載された回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導体製品の動作例、応用例を説明するものです。回路、ソフトウェアおよ
びこれらに関連する情報を使用する場合、お客様の責任において、お客様の機器・システムを設計ください。これらの使用に起因して生じた損害（お客様または第三者いずれに生じた損害も含みます。以下同じです。）に関し、当社は、一切その責任を負いません。

2.

当社製品または本資料に記載された製品デ－タ、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等の情報の使用に起因して発生した第三者の特許権、著作権その他の知的財産権に対する侵害またはこれらに関する紛争について、当社は、何らの保証を行うものではなく、また責任を負うものではありません。

3.

当社は、本資料に基づき当社または第三者の特許権、著作権その他の知的財産権を何ら許諾するものではありません。

4.

当社製品を組み込んだ製品の輸出入、製造、販売、利用、配布その他の行為を行うにあたり、第三者保有の技術の利用に関するライセンスが必要となる場合、当該ライセンス取得の判断および取得はお客様の責任において行ってください。

5.

当社製品を、全部または一部を問わず、改造、改変、複製、リバースエンジニアリング、その他、不適切に使用しないでください。かかる改造、改変、複製、リバースエンジニアリング等により生じた損害に関し、当社は、一切その責任を負いません。
当社は、当社製品の品質水準を「標準水準」および「高品質水準」に分類しており、各品質水準は、以下に示す用途に製品が使用されることを意図し

en
tia
l

6.

ております。
標準水準：

コンピュータ、OA 機器、通信機器、計測機器、AV 機器、家電、工作機械、パーソナル機器、産業用ロボット等

高品質水準： 輸送機器（自動車、電車、船舶等）、交通制御（信号）、大規模通信機器、金融端末基幹システム、各種安全制御装置等
当社製品は、データシート等により高信頼性、Harsh environment 向け製品と定義しているものを除き、直接生命・身体に危害を及ぼす可能性のある機器・システム（生命維持装置、人体に埋め込み使用するもの等）、もしくは多大な物的損害を発生させるおそれのある機器・システム（宇宙機器と、海底中継器、原子力制御システム、航空機制御システム、プラント基幹システム、軍事機器等）に使用されることを意図しておらず、これらの用途に使用することは想定していません。たとえ、当社が想定していない用途に当社製品を使用したことにより損害が生じても、当社は一切その責任を

C
em
o
n
be
r1
f
id
2

負いません。
7.

あらゆる半導体製品は、外部攻撃からの安全性を 100％保証されているわけではありません。当社ハードウェア／ソフトウェア製品にはセキュリティ対策が組み込まれているものもありますが、これによって、当社は、セキュリティ脆弱性または侵害（当社製品または当社製品が使用されているシス
テムに対する不正アクセス・不正使用を含みますが、これに限りません。）から生じる責任を負うものではありません。当社は、当社製品または当社

,2
02
4

製品が使用されたあらゆるシステムが、不正な改変、攻撃、ウイルス、干渉、ハッキング、データの破壊または窃盗その他の不正な侵入行為（「脆弱性問題」といいます。）によって影響を受けないことを保証しません。当社は、脆弱性問題に起因しまたはこれに関連して生じた損害について、一切責任を負いません。また、法令において認められる限りにおいて、本資料および当社ハードウェア／ソフトウェア製品について、商品性および特定目
的との合致に関する保証ならびに第三者の権利を侵害しないことの保証を含め、明示または黙示のいかなる保証も行いません。
8.

当社製品をご使用の際は、最新の製品情報（データシート、ユーザーズマニュアル、アプリケーションノート、信頼性ハンドブックに記載の「半導体デバイスの使用上の一般的な注意事項」等）をご確認の上、当社が指定する最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性、実装条件その他指定条件の範囲内でご使用ください。指定条件の範囲を超えて当社製品をご使用された場合の故障、誤動作の不具合および事故につきましては、当社は、一切その責任を負いません。

当社は、当社製品の品質および信頼性の向上に努めていますが、半導体製品はある確率で故障が発生したり、使用条件によっては誤動作したりする場

as
N

9.

合があります。また、当社製品は、データシート等において高信頼性、Harsh environment 向け製品と定義しているものを除き、耐放射線設計を行っておりません。仮に当社製品の故障または誤動作が生じた場合であっても、人身事故、火災事故その他社会的損害等を生じさせないよう、お客様の責es

任において、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計およびエージング処理等、お客様の機器・システムとしての出荷保証を行ってくov

ださい。特に、マイコンソフトウェアは、単独での検証は困難なため、お客様の機器・システムとしての安全検証をお客様の責任で行ってください。
10. 当社製品の環境適合性等の詳細につきましては、製品個別に必ず当社営業窓口までお問合せください。ご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令等、適用される環境関連法令を十分調査のうえ、かかる法令に適合するようご使用ください。かかる法令を遵守しないことによりen生じた損害に関して、当社は、一切その責任を負いません。
11. 当社製品および技術を国内外の法令および規則により製造・使用・販売を禁止されている機器・システムに使用することはできません。当社製品および技術を輸出、販売または移転等する場合は、「外国為替及び外国貿易法」その他日本国および適用される外国の輸出管理関連法規を遵守し、それらRの定めるところに従い必要な手続きを行ってください。
12. お客様が当社製品を第三者に転売等される場合には、事前に当該第三者に対して、本ご注意書き記載の諸条件を通知する責任を負うものといたします。
13. 本資料の全部または一部を当社の文書による事前の承諾を得ることなく転載または複製することを禁じます。
14. 本資料に記載されている内容または当社製品についてご不明な点がございましたら、当社の営業担当者までお問合せください。
注 1. 本資料において使用されている「当社」とは、ルネサス エレクトロニクス株式会社およびルネサス エレクトロニクス株式会社が直接的、間接的に支配する会社をいいます。
注 2. 本資料において使用されている「当社製品」とは、注１において定義された当社の開発、製造製品をいいます。
(Rev.5.0-1 2020.10)

本社所在地

お問合せ窓口〒135-0061 東京都江東区豊洲 3-2-24（豊洲フォレシア）弊社の製品や技術、ドキュメントの最新情報、最寄の営業お問合せ窓

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口に関する情報などは、弊社ウェブサイトをご覧ください。
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商標についてルネサスおよびルネサスロゴはルネサス エレクトロニクス株式会社の商標です。すべての商標および登録商標は、それぞれの所有者に帰属します。

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16-TSSOP, Package Outline Drawing

Ren© Renesas Electronics Corporation

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ENG16P3, PSC-4761-03, Rev 03, Page 1

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ENG16P3, PSC-4761-03, Rev 03, Page 2

Package Revision History© Renesas Electronics Corporation

Date Created

Rev No.

Aug 27, 2021

Rev 03

Turn Off AutoCad SHX Software Setting

Aug 13, 2021

Rev 02Update Exposed pad tolerance.

April 2, 2020
Dec 4, 2019

Rev 01
Rev 00Update Epad Shape.
Initial Release

Description

Notice
Descriptions of circuits, software and other related information in this document are provided only to illustrate the operation of semiconductor products
and application examples. You are fully responsible for the incorporation or any other use of the circuits, software, and information in the design of yourproduct or system. Renesas Electronics disclaims any and all liability for any losses and damages incurred by you or third parties arising from the use of
these circuits, software, or information.
2. Renesas Electronics hereby expressly disclaims any warranties against and liability for infringement or any other claims involving patents, copyrights, orother intellectual property rights of third parties, by or arising from the use of Renesas Electronics products or technical information described in thisdocument, including but not limited to, the product data, drawings, charts, programs, algorithms, and application examples.
3. No license, express, implied or otherwise, is granted hereby under any patents, copyrights or other intellectual property rights of Renesas Electronics orothers.
4. You shall be responsible for determining what licenses are required from any third parties, and obtaining such licenses for the lawful import, export,
manufacture, sales, utilization, distribution or other disposal of any products incorporating Renesas Electronics products, if required.
5. You shall not alter, modify, copy, or reverse engineer any Renesas Electronics product, whether in whole or in part. Renesas Electronics disclaims any
and all liability for any losses or damages incurred by you or third parties arising from such alteration, modification, copying or reverse engineering.
6. Renesas Electronics products are classified according to the following two quality grades: “Standard” and “High Quality”. The intended applications foreach Renesas Electronics product depends on the product’s quality grade, as indicated below.
"Standard":
Computers; office equipment; communications equipment; test and measurement equipment; audio and visual equipment; homeelectronic appliances; machine tools; personal electronic equipment; industrial robots; etc.
"High Quality": Transportation equipment (automobiles, trains, ships, etc.); traffic control (traffic lights); large-scale communication equipment; key
financial terminal systems; safety control equipment; etc.
Unless expressly designated as a high reliability product or a product for harsh environments in a Renesas Electronics data sheet or other Renesas
Electronics document, Renesas Electronics products are not intended or authorized for use in products or systems that may pose a direct threat tohuman life or bodily injury (artificial life support devices or systems; surgical implantations; etc.), or may cause serious property damage (space system;
undersea repeaters; nuclear power control systems; aircraft control systems; key plant systems; military equipment; etc.). Renesas Electronics disclaims
any and all liability for any damages or losses incurred by you or any third parties arising from the use of any Renesas Electronics product that isinconsistent with any Renesas Electronics data sheet, user’s manual or other Renesas Electronics document.
7. No semiconductor product is absolutely secure. Notwithstanding any security measures or features that may be implemented in Renesas Electronics
hardware or software products, Renesas Electronics shall have absolutely no liability arising out of any vulnerability or security breach, including but notlimited to any unauthorized access to or use of a Renesas Electronics product or a system that uses a Renesas Electronics product. RENESASELECTRONICS DOES NOT WARRANT OR GUARANTEE THAT RENESAS ELECTRONICS PRODUCTS, OR ANY SYSTEMS CREATED USINGRENESAS ELECTRONICS PRODUCTS WILL BE INVULNERABLE OR FREE FROM CORRUPTION, ATTACK, VIRUSES, INTERFERENCE,
HACKING, DATA LOSS OR THEFT, OR OTHER SECURITY INTRUSION (“Vulnerability Issues”). RENESAS ELECTRONICS DISCLAIMS ANY AND
ALL RESPONSIBILITY OR LIABILITY ARISING FROM OR RELATED TO ANY VULNERABILITY ISSUES. FURTHERMORE, TO THE EXTENTPERMITTED BY APPLICABLE LAW, RENESAS ELECTRONICS DISCLAIMS ANY AND ALL WARRANTIES, EXPRESS OR IMPLIED, WITHRESPECT TO THIS DOCUMENT AND ANY RELATED OR ACCOMPANYING SOFTWARE OR HARDWARE, INCLUDING BUT NOT LIMITED TO
THE IMPLIED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY, OR FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE.
8. When using Renesas Electronics products, refer to the latest product information (data sheets, user’s manuals, application notes, “General Notes for
Handling and Using Semiconductor Devices” in the reliability handbook, etc.), and ensure that usage conditions are within the ranges specified byRenesas Electronics with respect to maximum ratings, operating power supply voltage range, heat dissipation characteristics, installation, etc. Renesas
Electronics disclaims any and all liability for any malfunctions, failure or accident arising out of the use of Renesas Electronics products outside of suchspecified ranges.
9. Although Renesas Electronics endeavors to improve the quality and reliability of Renesas Electronics products, semiconductor products have specificcharacteristics, such as the occurrence of failure at a certain rate and malfunctions under certain use conditions. Unless designated as a high reliability
product or a product for harsh environments in a Renesas Electronics data sheet or other Renesas Electronics document, Renesas Electronics products
are not subject to radiation resistance design. You are responsible for implementing safety measures to guard against the possibility of bodily injury,
injury or damage caused by fire, and/or danger to the public in the event of a failure or malfunction of Renesas Electronics products, such as safety
design for hardware and software, including but not limited to redundancy, fire control and malfunction prevention, appropriate treatment for aging
degradation or any other appropriate measures. Because the evaluation of microcomputer software alone is very difficult and impractical, you areresponsible for evaluating the safety of the final products or systems manufactured by you.
10. Please contact a Renesas Electronics sales office for details as to environmental matters such as the environmental compatibility of each Renesas
Electronics product. You are responsible for carefully and sufficiently investigating applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use ofcontrolled substances, including without limitation, the EU RoHS Directive, and using Renesas Electronics products in compliance with all theseapplicable laws and regulations. Renesas Electronics disclaims any and all liability for damages or losses occurring as a result of your noncompliancewith applicable laws and regulations.
11. Renesas Electronics products and technologies shall not be used for or incorporated into any products or systems whose manufacture, use, or sale isprohibited under any applicable domestic or foreign laws or regulations. You shall comply with any applicable export control laws and regulations
promulgated and administered by the governments of any countries asserting jurisdiction over the parties or transactions.
12. It is the responsibility of the buyer or distributor of Renesas Electronics products, or any other party who distributes, disposes of, or otherwise sells ortransfers the product to a third party, to notify such third party in advance of the contents and conditions set forth in this document.
13. This document shall not be reprinted, reproduced or duplicated in any form, in whole or in part, without prior written consent of Renesas Electronics.
14. Please contact a Renesas Electronics sales office if you have any questions regarding the information contained in this document or Renesas
Electronics products.

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1.

(Note1)(Note2)“Renesas Electronics” as used in this document means Renesas Electronics Corporation and also includes its directly or indirectly controlledsubsidiaries.
“Renesas Electronics product(s)” means any product developed or manufactured by or for Renesas Electronics.
(Disclaimer Rev.5.0-1 October 2020)

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Koto-ku, Tokyo 135-0061, JapanFor further information on a product, technology, the most up-to-dateversion of a document, or your nearest sales office, please visit:www.renesas.com

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