KR1210
反射型フォトセンサ

Photo Reflector

KR1210Dimension(Unit:mm)

5.5(3.4)

11(7.8)

Plastic Filter

概要Description
8

KR1210 は、高出力の赤・赤外のＬＥＤとフォトトランジスタを組み合わせた反射型フォトセンサです。

9min.

2-Φ0.9±0.1

Application

10±0.15

1

Peak wavelength

2655 nm(1)(2.54)

3SHINKOHELECS.

ピーク波長 λp
R RedIR Infrared

（2.4）
(0.7)

4-□0.5(4.2)

・ 印刷物の色判別センサ
・ 紙幣のパターン読みとり用
・ Scanning for Color-discrimination.
・ Scanning for Bill Pattern.

品名 ModelKR1210-AA04
KR1210-AA05

LED Mark

1.75±0.1

用途※70.7

Model KR1210 series consist of Red or Infrared LED and a Photo transistor
reflection Photo sensor.

Collector: 1

3 ：Anode

Emitter: 24 ：Cathode※ 指示無き寸法公差は下記の通りとする
General tolerance unless otherwise noted
less than 5.0±0.2
5.0 to less than 15.0±0.3
15.0 or over±0.5※（ ）内寸法は参考値とする（ ）value means for reference only
※7.寸法は代表値です。個別寸法はお問い合わせください。
The dimensions are representative values.
Please contact us if youʼd like further information.

4940 nm

最大定格 Maximum Ratings [Ta=25℃ **]SymbolI tem順

電流 Forward Current

発 光 側 パ ル ス 順 電 流 Pulse Forward Current
Emitter逆許電容損※1RatingUnit

RIRIF

3050mA

IFP

0.51A

圧 Reverse Voltage

VR45V

失 Power Dissipation

P75150mW

コレクタ･エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage

VCEO

35VEmitter-Collector Voltage
受 光 側 エミッタ･コレクタ間電圧

VECO

5V

コ レ ク タ 電 流 Collector Current

Ic

20mA

コ レ ク タ 損 失 Collector Power Dissipation

Pc

50mW

作

Topr

-20 ～ +75℃Tstg-30 ～ +80℃

Tsol

330℃Detector

動保半温存度 Operating Temperature

温田付度 Storage Temperature
温度 Soldering Temperature※21mm 以上 / min. 1mm
半田領域
Solder Area半田付け取扱注意※ 1．パルス幅 tw ≦ 100μs Duty 比 =0.01※ 2．パッケージ下面より 1mm 以上の位置で 2 秒以内 ( 上図参照）
手半田付けのみ可 ( フロー半田付け不可 )※ 3．90％反射紙 d=6.5mm※ 4．反射物無し、暗黒中※ 1．Pulse width tw ≦ 100μs Duty ratio=0.01※ 2．Soldering condition less than 2s. at 1mm over from body.
Flow Soldering unsupported.
※ 3．90% Reflective paper d=6.5mm※ 4．No Object, in Dark

電気的光学的特性 Electro-Optical Characteristics [Ta=25℃ **]
Item
順

電圧

逆電流

Forward Volt age

発 光 側EmitterR everse Current

ピ ー ク 発 光 波 長Peak Wavelength受 光 側Detector

暗電

光電

Dark Current

流流※3Light Current

伝達特性
Coupled漏れ

Leak Current

電流

※4

min.

R
typ.

max.

min.

IRtyp.

max.

IF=20mA

－

1.85

2.5－

1.2

1.5V

IR

VR=3V－

－

100－

－

10μA

λp

IF=20mA

－

655－

－

940－

nm

ICEO

VCE=20V, 0 lx

－

－

0.2－

－

0.2μA

IC

VCE=5V, IF=20mA

4080－

40400－μA

ILEAK

VCE=5V, IF=20mA

－－

5－

－

5μA

－

18－

－22－－18－－22－

SymbolConditionVF

応 答 時 間上昇
Rise Time

trResponseTime下降Fall Timetf

VCC=5V, IC=0.2mA
RL=1kΩ, d=6.5mm

Unitμs** : Ta=25℃ unless otherwise noted

24.03-1A

KR1210※注意

最大定格を超えないようにご使用ください

Characteristics 		Note: Operation never exceeds each value of Maximum Ratings.

順電流低減曲線

コレクタ損失低減曲線

0530
2004

100-20020408060

Ambient Temperature

100T a（℃）

12004

10005

8060
40

VCE=5VIF=20mA
d=6.5mm※Ａ

200-2502550

Ambient Temperature

75IC（%）
Relative Light Current

40200510Detecting Position

3020100-20020406080

Ambient Temperature10020020100054020600

700

0405105211.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.55.0Forward Voltage V F （V）

10060

50050

分光感度特性（代表例）040400100T a（℃）

Ta=25℃

80

Ta=25℃

800

900

1000

Wavelength λp（nm）

Ta=25℃

8060
40200400 500 600 700 800 900 1000 1100

Wavelength λp（nm）

検出位置特性（代表例）60040

T a（℃）

VCE=5V
IF=20mA※Ａ
Ta=25℃

80

50100

検出距離特性 (代表例)10060

スペクトル分布（代表例）
Relative Radiant Intensity（％）

Relative Light Current

IC（%）

光電流−周囲温度特性（代表例）

500IF（mA）

4070

Forward Current50

順電流−順電圧特性（代表例）

Relative Sensitivity（％）

601520d（mm）

Relative Light Current IC（%）

Forward CurrentIF（mA）

70Collector Power Dissipation Pc (mW）

定格・特性曲線

X

10050

Y

VCE=5V
IF=20mA
Ta=25℃
d=6.5mm※Ａ d1

VCE=5V
IF=20mA
Ta=25℃
d=6.5mm
※Ａ d1

dd04

05

04,05

0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

0 1 2 3 4 5 6 7

Detecting Positiond1（mm）※Ａ 90% Reﬂective Paper

・カスタマイズも承ります。お気軽にお問合せください ・この仕様は改良のため予告なく変更する場合があります
・A Customized design available on request.

お問合せ先：新光電子株式会社

for inquiry : Shinkoh Electronics Co., Ltd.

24.03-1A・Specifications are subject to change without notice.

www.shinkoh-elecs.jp