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太陽光水素製造の実現に向けた可視光応答型光触媒・電極系の開発〈阿部竜〉

特別寄稿 1

太陽光水素製造の実現に向けた可視光応答型
光触媒・電極系の開発
京都大学

大学院工学研究科

1. はじめに：研究の歴史

教授

あ べ

阿部

りゅう

竜

先駆的な研究成果が認識されるとともに、近年の太陽光
水素製造への期待の高まりから、世界中で多くの研究者が新規参入し、その研究開発競争が再び激化している状

化石燃料に代わるクリーンなエネルギー源およびエネル

況にある。

ギーキャリアの開発は、我々人類にとって不可避の最重要課題となり、半導体光触媒および光電極を用いて太陽

本稿では、可視光利用のための半導体のバンドエンジ

光下で効率的に水を分解する技術が、クリーンな水素製

ニアリングを、オキシナイトライド、オキシハライド、カルコ

造法の 1 つとして期待されている。1972 年に、単結晶のハライドを例に解説するとともに、これらを二段階励起型

ルチル型酸化チタン（TiO2）を光アノード、白金（Pt）をカ

水分解系や光電極系に適用した研究例を紹介する。

ソードとする「光電 極 系（図 1-a）」による水の光分 解がNature 誌に発表され 1）、これが半導体を用いる水の光分
解が世界中で研究される大きな契機となった。当初は、光電極系の研究が主に進められていたが、早々に光電極系を簡略化した「光触媒系（図 1-b）」の開発も始まった。光
触媒系とは、半導体粒子上に水素（H 2）生成サイトとなる
Pt などの金属微粒子を直接接合させたものであり、外部回路等が不要でシンプルという特徴を有するが、「逆反応」の進行という本質的な課題がすぐに表面化した。Pt などの貴金属助触媒は半導体上において水の還元（H 2 生成）

図 1（a）光電極系および（b）光触媒系における水の分解を促進するが、一方で生成した H 2 と酸素（O2）を触媒的に水へと戻す「逆反応」も促進する。このため、せっかく光2. なぜ可視光利用が必要なのか？なぜ困難なのか？

触媒反応が進行しても、生成した H 2 と O2 が液相から気相へと脱離する前に H 2O へと容易に戻ってしまい、初期のPt-TiO2 光触媒では水の完全分解（H 2 と O2 の同時生成）

コストを度外視して、ただ太陽光水素製造を実証するのの実証は困難を極めた。この課題に対し堂免らは、H 2 生

であれば、既存の「太陽電池」と「水電解」を組み合わせ

成活性を維持しながら「逆反応」を抑制した「NiOx 助触媒」て、太陽光エネルギー変換効率 10％を越える水素製造をを新たに開発し、これをチタン酸ストロンチウム（S rTiO3）

実現することは、技術的には何ら問題ない。しかし、太陽粒子の表面に担持させて用い、紫外光下における光触媒

電池の価格が大幅に低下しない限り、コスト的に見合う水2）

水分解を 1982 年に初めて実証した 。この NiOx 助触媒

素製造を実現することは困難である。よって、本研究分野の内部は金属種であり、一方の表面は酸化物、いわゆる「コの目指すところは「安価な半導体」を「低コストで光触媒・ア・シェル構造」となっており、現在でも多くの半導体光光電極化」し、「簡易なシステム」で「コストと効率のバラン触媒に用いられる汎用性の高い助触媒である。

スがとれた水素製造を実証する」ことになる。目標とすべ

しかし、実用的な水素製造効率の実現には、太陽光ス

き変換効率はコストとの兼ね合いから、光触媒系で 1 〜

ペクトルの大部分を占める可視光の利用が不可欠であり、5％、光電極系では 5 〜 10％程度となろう。光触媒系の多くの研究者が「可視光水分解」の実証に挑戦したが、そ特徴は、光触媒粒子を水に分散させて光を当てれば水がの本質的な困難さが明らかになるにつれ、世界的には研分解する「シンプルさ」、それゆえ期待できる「低コスト」と究が一時下火となった。このような状況下においても、我「スケーラビリティ（拡張性）」である。しかし適用できる半が国では精力的かつ地道な研究が続けられ、数多くの新導体材料に制限があり、その太陽光エネルギー変換効率

規光触媒系が創出され、最重要課題であった可視光水分も現状 0.1％程度である。一方の光電極系は、適用できる

3）

解も世界に先駆けて実証された 。我が国におけるこれら

半導体材料系も多く、また外部バイアス印加やタンデム化−7−

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太陽光水素製造の実現に向けた可視光応答型光触媒・電極系の開発〈阿部竜〉

86による効率向上も可能で、2% 程度の比較的高い太陽光エ（CB）に励起電子（e–）
、価電子帯（VB）に正孔（h+）が生じ

ネルギー変換効率が報告されている。しかし課題は、導る。半導体上で水の分解が進行するためには「CB 下端が電性基板・対極・外部回路等のコストであり、特に材料系

水の還元電位よりも負」かつ「VB 上端が水の酸化電位よや電極の作製法が太陽電池に近づくと「太陽電池 - 水電

りも正」であることが熱力学的な必要条件となる。さらに、解」との差別化が難しくなる。

半導体自身が光照射下において安定でなくてはならない。

「光電極系」と「光触媒系」いずれにおいても、実用化

光触媒材料として良く知られている TiO2 などの金属酸化に向けた共通の課題は太陽光エネルギー変換効率の向上

物は一般的に安定性に優れるが、通常その VB は酸素アであり、太陽光に豊富に含まれる「可視光」の利用が鍵とニオン（O2–）の O-2p 軌道から形成されるため、図 3 中のなる。図 2 は、地表における代表的な太陽光スペクトル（縦（a）、（b）に示すようにその VB 上端レベルは水の還元電位

軸は光子数）と、水分解で得られる最大の太陽光エネル（SHE）に対して約 3 V ほどの正の深い位置に固定される。

ギー変換効率を示す。ここで「太陽光エネルギー変換効率」

このことは、1980 年に Scaife が発表した論文 4）によって（以後「変換効率」）とは、単位面積に降り注いだ太陽光エ

明らかにされている。Scaife は当時知られている金属酸化2

ネルギー（約 100 mW/cm ）のうち、H 2 のエネルギー（237

物を多種合成し、それらの BG とフラットバンド（FB）電kJ/mol）へ変換された割合を表す。一方で「量子収率」は、位の間に比例関係が成り立つことを報告した（なお、n 型

各波長において「吸収された光子」のうち、実際に「反応半導体の FB は、通常その CB 下端レベルの少し低いレに寄与した光子」の割合を表す。両者を混同しないよう注

ベルにあるため、FB 電位によってその材料の還元力を評意が必要である。さて、紫外光 領域（300 〜 400nm）の価しても問題は無い）。図 4 には、Scaife の論文中に示さ

全光子を吸収可能な光触媒系を仮定し、これが全波長にれているデータを、横軸に BG、縦軸には SHE に対する

おいて量子収率 100% で水を分解できるとしても、その変FB 電位として再度プロットしたものを示す。d 電子が一部

換効率は最大でも約 2％にとどまり、植物のそれを大きく埋まっている化合物（▼印）を除くと、BG と FB 電位の間超えるには至らない。しかし、可視光領域の 600nm までに良い比例関係がある。この比例関係は、金属酸化物の利用波長が拡大できると、太陽光中の光子数の増加に伴っ

VB は主に O-2p 軌道から形成されるため、その上端は 3Vて最大変換効率は約 16％まで大幅に向上する。仮に平均（vs. SHE）付近に固定されて大きく変化せず、カチオン種の量子収率を 30%（70％は電荷の再結合等で消失）としてを変えると CB の下端レベルが主に変化し、それに比例

も、変換効率は約 5% と計算され、実用化への 1 つの目

して BG が変化することを明確に示している。このプロッ標値となる。しかし光触媒系でこれを実現することは容易

トは、半導体光触媒の研究者にとって、ある意味の悪夢ではない。600nm の光子は約 2.0eV（E（eV）= 1240 / λである。紫外光と可視光の境界となる波長は約 400nm で（nm）より）のエネルギーを有し、水分 解の理論値（1.23あり、これに相当する光子のエネルギーが約 3eV である。

eV）と過電圧を考慮しても十分な値と思えるが、なぜ難ししたがって、3.0 eV 以下の BG を持ち、可視光を吸収できいのか？主な原因は、以下に示すように、水の還元・酸化

る金属酸化物（WO3 等）の CB 下端は、必然的に水の還ポテンシャルと半導体のバンドレベルとの間のミスマッチで

元電位より正となり、H 2 生成が不可能となる。つまり、可ある。

視光に応答する金属酸化物半導体は単独では水を分解できないのである。
ただし「光電極系」においては、たとえ CB 下端が水の還元電位より正であっても、そのポテンシャル不足を「外部バイアス（電圧）」で補えば、対極で H 2 生成が可能となる。ただし後述するように、外部から投入する電力が大きくなれば、系全体の変換効率が低下するため、やはり CB
下端が水の還元電位より負、もしくは正であってもそれに近い半導体材料の使用が好ましい。
また、水の酸化が進行するためにはある程度の「過電圧」
が必要ではあるが、一般的な酸化物の VB 上端と水の酸化電位の差（〜 1.7 eV）は必要以上に大きく、この差分は光エネルギー変換時に失われる。したがって、光触媒水分解系における変換効率の向上を実現するためには、い図 2 地表における太陽光スペクトル（縦軸：光子数）と水分解で得られる最大の太陽光エネルギー変換効率

ずれにしても酸化物にくらべて負の VB 上端レベル（例えば + 2.0 V 程度）を有する半導体が好ましい。

図 3-（a）に示すように、半導体にそのバンドギャップ（BG）
以上のエネルギーを有する光子が吸収されると、伝導帯
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第3号（ 2016 年10月）

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太陽光水素製造の実現に向けた可視光応答型光触媒・電極系の開発〈阿部竜〉

度しか置換されない（いわゆる窒素ドープである）。ここで負電荷の増加を補償するために正電荷も増加させる、例
えば Na+ を Ba 2+ で置き換えたならば、電荷中性を保った
BaTaO2 N という組成が可能となる。実際には、Ba 2 Ta 2O 7の組成を有するアモルファス酸化物の前駆体を高温のアン
モニア（NH 3 ）中で加熱して合成する。適切な合成条件を選べば、ほぼ 量論で N3– が導入され、O-2p 軌 道よりもエネルギーの高い N-2p が混成した形で VB が形成され、その上端が元の酸化物のそれに比べて大きく負側にシフトし、BG が顕著に減少する。例えば、単純な Ta カチオン系で比較すると、Ta 2O 5 および TaON の VB 上端レベル

図 3  半導体光触媒上における水分解機構と各種半導体のバンドレベル

は、それぞれ約 +3.5 および +2.2V（vs. SHE）である一方で、Ta-5d 軌道から主に構成される CB の下端レベルはそれぞれ約 –0.5 および –0.3 V（vs. SHE）でほぼ同等であり、TaON は約 500 nm までの可視光吸収能とともに H 2 生成能を有することになる。また、複合型の BaTaO2 N では H 2
生成能を維持しながら、約 670nm までの可視光を吸収可能である。
同様の VB レベル上昇は、他の O2– より電気陰性度の低い S 2–、N3–、Br–、I– の導入によっても起こり、このようなミックスアニオンの導入は、従来の金属酸化物半導体における限界を打破し、可視光吸収と H 2 生成能を兼ね備えた可視光 水分 解用の光触媒材料の開発指針となる。しかし、同時に新たな課題が生じる。これらのミック
スアニオン化合物は一般的に安定性に乏しく、O2 生成に適さない。たとえ VB 上端レベルが水の酸化電位より正であっても、水の酸化（ 2H 2O + 4h+ → O2 + 4H +）が速やかに起こらない場合には、導入された S 2– や N3– アニオン自図4

Scaife の論文（D. E. Scaife, Solar Energy, 25（1980）41）をトレースした図（●：d 0 または d10 状態のもの、▼：部分的に満たされたd 軌道を有するもの）

身が正孔によって酸化されて溶解または失活するためである（S 2–+nh+ → SO 4 2– etc.; 2N3–+6h+ → N2； I–+ 2h+ → I 2など）。したがって、可視光照射下で水素生成が定常的に進行するためには、正孔と速やかに反応して酸化される「犠
牲還元剤」の存在が不可欠である。要するに、これらの3. 可視光利用のためのミックスアニオン導入：原理と課題

可視光応答型非酸化物系（一部 O2– を含むものも入れて）半導体も単独では水を分解できないのである。

上述のように、通常の金属酸化物では、可視光吸収とH 2 生成能を両立することが本質的に困難である。一方で、
O2– より電気陰性度の低い硫黄、窒素、およびハロゲンア
ニオン（S 2–、N3–、Br–、I– 等）を含む（オキシ）サルファイ
ド、（オキシ）ナイトライド、および（オキシ）ハライド系半導体では、それらアニオンの高エネルギーの p 軌道が VB形成に寄与することにより、対応する酸化物に比べ VB 上
端が大きく負の値となり、可視光吸収と H 2 生成能を兼ね備えた材料が多く存在する（例えば図 3-（c））。これらにおけるバンド形成を、オキシナイトライドを例として図 5 に示す。金属酸化物である NaTaO3 では、カチオンとしてNa+ と Ta 5+、アニオンとして二価の O2– より構成され、全図5体として電荷の中性が保たれている。ここで、単純に二価オキシナイトライドにおけるバンド形成の概略図である O2– の一部を三価の窒素アニオン（N 3–）で置換しようとすれば、電荷の中性が崩れるため、実際には数％程−9−ENEOS Technical Review・第58巻第3号（2016年10月）

太陽光水素製造の実現に向けた可視光応答型光触媒・電極系の開発〈阿部4. オキシナイトライドの二段階励起型水分解への応用

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する。これは式 3 に示した IO3 – の再還元が Pt 上で優先的に進行して、H 2 生成を阻害するためである。
IO3 – + 6H+ + 6e – → I– + 3H 2O （式 3）

著者らは前記の課題を解決するため、植物の光合成を–しかし、ここに酸素生成用光触媒である PtOx-WO（IO
3
3

模倣した「二段階励起型水分 解系」を開発し、世界で初
5）めて可視光水分解を実証した 。本系は、水素（H 2 ）生成の還元サイトとして少量の酸化白金を担持）を共存させて用と酸素（O2）生成用の 2 種類の半導体光触媒を用い、可可視光照射を行うと、水溶液中に拡散した IO3 – が PtOx-

逆的なレドックス（Ox/Red、例えばヨウ素酸とヨウ化物：

WO3 上において速やかに I– へ還元される（式 3）と同時にIO3 –/I– ）によって両者間の電子伝達を行って水を分解する

水の酸化による O2 生成（式 4）が起こり、結果として H 2

ものであり、従来の水分解系と異なり様々な可視光応答型と O2 が長時間にわたって定常的に生成する（図 6）。
2H 2O + 4h+ → O2 + 4H+ （式 4）半導体材料の利用が可能となる。例えば WO3 のような酸化物半導体は H 2 生成能を有さないが、水よりも還元されこの際、PtOx-WO3 上には IO3 – が優先的に吸着して速やすい酸化体（Ox）の還元に励起電子を消費させることにやかに還元されるため、定常状態における IO3 – 濃度が低より、正孔で水を酸化して O2 を生成しうる。一方で O2 生

く保たれ、逆反応が起こりやすい Pt-TaON 上においても成能を有さない非酸化物系や上述のミックスアニオン化合

定常的に H 2 生成が起こる。また、上述のように TaON の物などでも、水よりも酸化されやすい還元体（Red）の酸ようなオキシナイトライド系光触媒では、自己酸化による化に正孔を消費させることにより、励起電子で水を還元し窒素の放出（式 5）と、これにともなう活性の低下がしばして H 2 を生成しうる。筆者らは、クロムをドープしたチタン

ば問題となる。
2N3– + 6h+ → N2 （式 5）酸ストロンチウム（S rTiO3：Cr）を H 2 生成用光触媒，酸化タングステン（WO3 ）を O2 生成用光触媒、IO3 –/I– を電しかし本系では窒素の生成や活性の低下は認められず、

子伝達体として用い、可視光水分解を実証した 6）。さらに、生成した H 2 量（約 0.98mmol）が各触媒のモル数（TaON：

このコンセプトをミックスアニオン化合物や有機化合物など

0.95mmol、WO3：0.86mmol）を超える。各アニオンの吸へ展開し、様々な半導体光触媒の組み合わせで可視光水着実 験の結果から、水溶液中において I −が比較的多く分解を実証してきた。以下に、オキシナイトライドを用い

TaON 表面に吸着することが確認されており、表面に吸着た例を示す。

した I −が正孔を効率良く捕捉して消費することで、上記の図 6 には、TaON 粒子を H 2 生成用光触媒として用いる

自己酸化反応が効果的に抑制されていると考えられる。

6-a, b）。TaON に H 2

各 種 のオキシ ナイトライドの 適 用を検 討した 結 果、生成助触媒として少量の Pt を担持させ、NaI 水溶液中でCaTaO2 N および BaTaO2 N に Pt を担持させた試料が H 2

二段階励起型の可視光 水分 解を示す

可視光照射を行うと、H 2 が気相に生成し、水溶液中には生成に活性を示し、PtOx-WO3 と組み合わせることによIO3 – が生成する。反応としては、次の 2 式の組み合わせり、可視光照射下において H 2 と O2 が定常的に生成した。

に相当する。

特に Pt-BaTaO2 N を用いた系では、その吸収 端（約 660

2H+ + 2e – → H 2（式 1）nm）までの光が H 2 生成に有効に利用されていることが示

I + 3H 2O + 6h → IO3 + 6H （式 2）

され、オキシナイトライド光触媒の二段階励起型水分解系

–

+

–

+

しかし時間経過とともに、H 2 生成速度は著しく低下し、
約 3 時間後にはおよそ 10μmol 程度の H 2 が生成して停止

図6への適用が、長波長利用の有効な手段であることが示された 6-c）。

Ta オキシナイトライド（TaON）を水素生成系として用いた二段階可視光励起型水分解

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太陽光水素製造の実現に向けた可視光応答型光触媒・電極系の開発〈阿部5. オキシナイトライドの高性能光アノード化竜〉

面組成を光電子分光法で測定したところ、窒素の大幅な減少が確認された。これは上述の式 5 に示した自己酸化

前記のオキシナイトライドは、可視光吸収能と水素生成（2N 3 –+ 6h+ → N2）が進行し、その表面が酸化されて失活能の両方を有するため、光電極系における光アノードとしてしたことを示している。一方で、CoOx ナノ粒子を高分散も有望な半導体材料である。図 1-（a）に示すように、n 型に担持させた電極では、少なくとも 60 分の間は、顕著な半導体を光アノードとして用いる場合には、光を吸収して電流値の減少は見られず、電流値に見合う量の O2 生成が生成した正孔（h+）が半導体表面へと移動し、水を酸化し確認された。また、反応後の窒素の減少もほぼ見られな–て O2 を生成する。一方、励起電子（e ）は、半導体内部かった。TaON に生成した正孔が CoOx に捕捉され、さを通じて導電性基板へ流れ、外部回路を通して対極（Pt

らに CoOx 上で水の酸化が効率良く進行することによって、等）へと導かれ、ここで水の還元（H 2 生成）に消費される。

正孔によるTaON の自己酸化失活が抑制されたことを示し

このような光電極系では、半導体内における電荷分離およている。CoOx-TaON アノードをリン酸緩衝溶液中で反応

びこれに続く電荷移動を効率良く引き起こすため、また場を行うと、CoOx から、より水の酸化に対する触媒能が高合によっては半導体のポテンシャル不足を補うために、光い「コバルト - リン複合助触媒」へと変化することで、さら電極と対極との間に、ある程度の電圧（バイアス）が外部に光電流が増大し、長時間反応時の安定性もさらに向上

から印加される。ここで、光電気化学的水分解系の太陽する 7-c）。また、同様の手法で作成した BaTaO2 N 多孔質

エネルギー変換効率ηの計算には、一般的に下記の式が光アノードでは、CoOx ナノ粒子とともに、RhOx ナノ粒子

用いられる。

を共担持することによって、光電流が大幅に向上することも見出している 7-d）。この際、RhOx は BaTaO2 N に生成し

η = j p（1.23 − Vext）/I0 （式 6）
ここで、j p ＝光照射によって得られた電流密度；Vext ＝
外部バイアス；I0 ＝照射された太陽光の総エネルギー、でた正孔を効率良く捕捉し、CoOx へと伝達する役割をしていると考えられる。

ある。式 6 から明らかなように、外部 バイアス（Vext）が大きくなるほど、太陽エネルギー変換効率は低下する。したがって、高い太陽エネルギー変換効率を得るためには、印加する外部バイアスは可能な限り低いことが求められる。繰り返しになるが、TaON や BaTaO2 N は、可視光を吸収できる小さなバンドギャップと、水の還元・酸化が可能なバンドレベル、この 2 つを両立した半導体材料である。
したがって、これらを薄膜電極化して光アノードとして用いることにより、低い印加バイアスで可視光水分解が進行する可能性がある。
我々は、TaON 粒子を導電性基板上に電気泳動法を用いて積層させ、その後に粒子間の導電性を付与させるためのポストネッキング処理を行うという簡便な手法によって、

図7

高性能な多孔質オキシナイトライド光アノードが得られることを報告した7-a）。本手法は、スパッタや真空系などの特別

多孔質 TaON 光アノードに可視光照射をした際に得られる光電流の経時変化な装置を必要とせず、非常に簡便であるため、我々の研究室を訪問した高校生でも作製可能である。この際、極

さて、ここまでオキシナイトライド半導体におけるバンド

めて重要となるのが、オキシナイトライドの表面修飾であ制御と、二段階励起型水分解系や光電気化学セルへの応る。前述のように、一般的にオキシナイトライドは水の酸用を紹介してきた。しかし光触媒および光電極として用い化の際に、自己酸化も併発し、その活性が失われるといられているオキシナイトライド系材料は、現状では Ta 系

う本質的課題を有する。この課題に対し、我々は、水のおよび Ti 系にほぼ限定されている。この主な原因は、前酸化に触媒活性を有する酸化コバルト（CoOx）などのナノ述のようにオキシナイトライド粒子が、酸化物前駆体を高粒子を、オキシナイトライドの表面に高分散に担持させる

温の NH 3 気流下で加熱する手法によって合成されているたと、自己酸化による失活が効果的に抑制され、安定な O2めであり、前駆体が還元されやすい金属種（例えば Nb、。図 7 には一例

Sn など）を含む場合は、意図するオキシナイトライドの合として、未修飾の TaON 電極と CoOx ナノ粒子で修飾し成は不可能となる。また、オキシナイトライドでは、含また多孔質 TaON 光アノードに一定電位を印加し可視光照

れる酸素アニオンと窒素アニオンの価数が異なるため、両射を行った際の、光電流の経時変化を示す。未修飾では、者の比率を任意に変化させてバンドを連続的に制御するこ

光照射開始から 10 分程度で光電流が著しく減少し、60とは原理的には困難であり、同時にカチオン側の比率を変分後にはほとんど観測されなくなる。反応後の試料の表えるなどして全体の電荷的中性を保つことが必要となる。

生成が可能になることを初めて実証した

7-b）− 11 −

ENEOS Technical Review・第58巻第3号（2016年10月）

太陽光水素製造の実現に向けた可視光応答型光触媒・電極系の開発〈阿部次章では、この課題が解決可能なオキシハライドおよびカ90

竜〉

原料として用い、アルゴンガスで希釈された硫化水素（H 2 S）
またはセレン化 水素（H 2 Se）の雰囲気下において、150℃

ルコハライド系材料を紹介する。

程度の低温で加熱するだけで、その中に含まれる酸素アニ
6. オキシハライドおよびカルコハライドにおける連続的バンド制御（S 2–）
またはセレンアニオン（Se2–）オン（O2–）が硫黄アニオン
へと完 全に交 換され、 対 応する BiSX または BiSeX へ

化合物中にアニオンとして O と共にハロゲンを含むオと相転移することを見出した 8）。図 8 には固溶 体である

キシハライドは、そのハロゲン比を任意に変化させること

BiOBr1-x I x を H 2 S（5%）の気流下において 1 時間加熱して2–によって、そのバンドレベルをほぼ連続的に制御できるこ得られた BiSBr1-x I x の光吸収スペクトルを示している。相とから、近年、光触媒材料として注目を集めている。例え転移にともない、O-2p よりもエネルギーの高い S-3p 軌道

ば BiOX（X = Cl −、Br −、I −）では、O-2p と混成するハが VB 形成に寄与し、吸収端が最大 800nm 程度まで大ロゲンの原子軌道のエネルギーが、Cl-3p, Br-4p, I-5p ときく長波長化する。さらにオキシハライドと同様にハロゲ上昇するにともなって、VB 上端が負へシフトし BG が減

ン種の比率に応じて吸収波長が連続的に変化することが少する。また、ハロゲンアニオンはいずれも 1 価であるこ分かる。生成物中のハロゲン組成は、原料のそれと完全とから、隣接するハロゲン同士であれば、ほぼ任意の組に一致しており、150℃という低温での相転移においては成比で固溶体を形成可能である。例えば図 8 に示すようハロゲンの揮発が効果的に抑制され、これまで困難であっに、BiOBr と BiOI の吸収端はそれぞれ約 410nm およびたカルコハライドにおける吸収端の連続制御が実現できた

610nm であるが、両者の固溶体である BiOBr1-x I x の吸収と結論できる。また BiOI を H 2 Se で処理すると BiSeI が

端は x の増加、すなわちエネルギーの高い I-5p 軌道の寄得られ、その吸収は約 1000nm の近赤外領域にまで達し与の増大とともに長波長へとシフトする。我々は、BiOBr

た。この新規手法によって合成されたビスマスカルコハライ

が紫外光照射下において Fe 3+ イオンを電子受容体とする

ドは、導電性基板上に塗布するだけでも、比較的高い効

水の酸化（O2 生成）に比較的高い活性を示すこと、さらに率で光を電気へと変換できることを確認している 8）。これ固溶体である BiOBr 0.9I0.1 では可視光照射下でも活性を示

らカルコハライドの VB 上端レベルは水の酸化に対して十すことを見出している。これらのオキシハライドを O2 生成

分とは言えず、たとえ効果的な表面修飾を行っても水の酸用光触媒として用いた際には、前述のオキシナイトライドと化に対する安定性を確保することは困難かもしれないが、同様に、自己酸化反応（Br–+ 2h+ → Br2 など）が併発し、今後さらなる検討を進めることによって、太陽電池などへ

長時間の反応では次第に活性が低下する傾向が見られる。

の応用などに繋がることが期待される。

安定した O2 生成を実現するには、今後表面修飾による自己酸化の抑制が必須であるが、これらのオキシハライドの多くが室温でのソフトケミカル手法などで合成可能なことや、前記のように連続的なバンド制御が可能なことから、
水分解用光触媒として注目すべき材料群と言えよう。
ハロゲンを含む他のミックスアニオン化合物として、カルコハライド（サルファハライドおよびセレンハライド）が知られており、その多くが可視光から赤外光領域まで広範囲の光吸収が可能である。特に BiSI や BiSeI などの Bi 系
カルコハライドは、その構成元素に有害あるいは希少（高価）なものを含まないことから、次世代の太陽電池材料として期待されている。しかし、これまでこれら Bi 系カルコ
ハライドの合成例はわずか数例に限定されており、いずれも特殊な反応条件が必要であったため、その応用展開が著しく妨げられてきた。特に、比較的高温の加熱過程を経

図8

る従来の合成法においては、ハロゲンが容易に揮発してしまうため、先のオキシハライドのように化合物内のハロゲンBi 系オキシハライドおよびこれらを原料として合成した Bi 系カルコハライドの光吸収特性比を精密かつ連続的に変化させて光吸収特性を自在に制御することは、原理的に困難であり、報告例が無かった。

7. 安定な新規オキシハライド光触媒

我々は、これまで特殊な合成条件が必須であった金属カ
ルコハライドを、簡便かつ温和な条件で合成すること、さ

さて、ここまでオキシナイトライドやオキシハライドなど

らには合成時におけるハロゲンの揮発という根本的課題をを例に、可視光水分解を目的とした「ミックスアニオン導解決することを目的に、様々な新規合成法を検討した。そ入」によるバンドエンジニアリングについて紹介してきた。

の結果、室温で合成可能な前記のオキシハライド BiOXをいずれの系においても、エネルギーの高いアニオン種の導ENEOS Technical Review・第 58巻

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太陽光水素製造の実現に向けた可視光応答型光触媒・電極系の開発〈阿部竜〉

入により VB 上端レベルが上昇して可視光吸収が実現する
が、同時にその安定性が低下し、自己酸化による失活が起こりやすくなるというジレンマが生じる。これは、VB 上
端付近の状態密度が主にこれらアニオンの p 軌道で占められるため、VB 上端レベルまでエネルギー的に緩和した
h+ がこれらのアニオン上に局在化し、これら不安定なアニオン種の酸化が進行すると考えることで理解ができる（図9-（a））。すなわち、これまでの一般的なミックスアニオン
系半導体では、「酸化物よりも負の VB レベル」と「安定な水の酸化能」を両立することが本質的に困難であった。
我々はごく最近、Sillen-Aurivillius 構造を有するオキシハライド（例えば Bi4 NbO 8 C l ）では、前記のジレンマが特（a）一般的なミックスアニオン
半導体

異的に解消され，可視光を吸収できるバンドギャップ、酸化物に比べて大きく負の VB 上端レベル、そして水の酸化

図9に対する高い安定性の 3 つ全てを兼ね備えることを見出した 9）。図 10 に示すように Bi4 NbO 8 Cl はビスマス - 酸素 - 塩（b）Sillen-Aurivillius
層状酸塩化物

各種ミックスアニオン半導体のバンド構造と水の酸化に対する安定性素（Bi-O-Cl）層とニオブ - 酸素（Nb-O）層が交互に積層した結晶構造を有しており、通常の塩素アニオンを含むオキ
シハライド（BiOCl； 3.5eV）に比べて、特異的に小さなバ
ンドギャップ（2.4eV）を持ち、500nm 程度までの可視光を吸収できる。
水 溶 液（pH2）中 に お ける電 気 化 学 的 手 法 に より、
Bi4 NbO 8 Cl のバンドレベルを推定したところ、CB 下端とVB 上端はそれぞれ –0.3、+ 2.1 V（vs. SHE at pH2）となり、H 2 生成能と O2 生成能の両方を有することが明らかとなった。第一原理計算により Bi4 NbO 8 Cl のバンド構造を調べたところ、VB における O-2p のバンド幅が広く、そのため塩素（Cl-3p）のバンドが VB 内部に位置することが明らかとなった。このバンドの概略を図 9-（b）に示す。この結果は、酸素以外のアニオンが上部を占める非酸化物系
半導体（酸窒化物など）のバンド構造（図 9-（a））とは対

図 10

照的である。非常に興味深い点は、酸化物と同様に O-2p
が VB 上端付近を占めているにもかかわらず、そのレベル

Sillen-Aurivillius 層状酸ハロゲン化物（Bi4NbO8Cl）の構造が酸化物（ca. + 3 V）に比べて顕著に高い（+ 2.1 V）ことであり、結果として Bi4 NbO 8 Cl に可視光吸収能とともに、半導体の光吸収によって生成した正孔（h+）は VB 上端

H 2 生成 /O2 生成の両方が可能なバンドレベルを与えていまでエネルギー緩和するため、この h+ が VB 上端を占めることが明らかとなった。実際に、Bi4 NbO 8 Cl はメタノー

るアニオン上に生じやすいと考えると、Bi4 NbO 8 Cl では安ルを電子供与体とする H 2 生成に活性を示し、さらに三価定な O2– の 2p 軌道が VB の上部を占めているため、O2–の鉄イオン（Fe 3+）を電子受容体とする水の酸化反応に対上に h+ が局在化しても自己酸化失活などが進行せず、安しては、助触媒を担持しなくても安定した O2 生成が可能

定的に水を 4 電子酸化して O2 を生成できると考えられる。

であり、その O2 生成速度は WO3 系に匹敵した。さらにその結果、他のミックスアニオン系半導体に比べて極めて重要なことは、長時間の反応後においても、ハロゲンの減高い安定性を示したものと理解できる。これらの結果は、少など組成・構造の変化は全く見られず、これまでミック

特異な結晶構造を有する化合物系を用いることにより、第スアニオン系化合物を O2 生成系として用いる際の最大の2 章において Scaife プロット（図 4）を用いて解説した「可課題であった「自己酸化」が起こっていないことが示され

視光触媒水分解の実証における根本的課題」から解放さた。 この Bi4 NbO 8 Cl を O2 生 成 系、Rh ドープ 型 SrTiO3れる可能性を示唆している。現在、これら一連の Sillen-

を H 2 生成系として用い、鉄レドックス（Fe 3+/Fe2+）の存在

Aurivillius 化合物群において、その特異なバンド構造形

下で可視光を照射すると、長時間に渡って H 2 とO2 が量成をもたらす構造因子等の解明を進めており、得られた知論比で定常的に生成した 9）。

見から新たな可視光水分解用光触媒の設計指針を導き出すことにより、将来の高効率太陽光水素製造の実現に向− 13 −

ENEOS Technical Review・第58巻第3号（2016年10月）

太陽光水素製造の実現に向けた可視光応答型光触媒・電極系の開発〈阿部けたブレークスルーにつながると期待し、研究を推進しているところである。
この特別寄稿は「公益信託 ENEOS 水素基金」の 2014
年度の研究助成対象となられた先生方に寄稿をお願いし、ご快諾いただいたものです。
− 参考文献 −1）A. Fujishima, K. Honda； Nature, 238, 37（1972）.
2）K. Domen et al.； Chem. Phys. Lett., 92, 433（1982）.
3）R . Abe； J. Photochem. Photobiol. C Photochem.
Rev., 11, 179（2010）.
4）D. E. Scaife； Solar Energy, 25, 41（1980）.
5）a）K. Sayama, K. Mukasa, R. Abe, Y. Abe, and H.
Arakawa； Chem. Commun., 2001, 2416（2012）; b）
R. Abe, K. Sayama, H. Sugihara； J. Phys. Chem.
B, 109, 16052（2005）; c）R. Abe； Bull. Chem. Soc.
Jpn.（Award account）, 84, 1000（2011）.
6）a）R. Abe, T. Takata, H. Sugihara, and K. Domen；
Chem. Commun., 2005, 3829（2005）; b）R. Abe,M. Higashi, and K. Domen； ChemSusChem, 4, 228（2011）; c）M. Higashi, R. Abe, T. Takata, and K.
Domen； Chem. Mater., 21, 1543（2009）.
7）a）R. Abe, M. Higashi, and K. Domen； J. Am. Chem.
Soc., 132, 11828（2010）; b）M. Higashi, K. Domen,
and R. Abe； J. Am. Chem. Soc. 134, 6968（2012）;c）M. Higashi, O. Tomita, and R. Abe, Topics inCatalysis, 59, 740（2016）; d）M. Higashi, K. Domen,
and R. Abe； J. Am. Chem. Soc. 135, 10238（2013）;
8）H . Kunioku, M. Higashi, R. Abe； Scientific Reports,
DOI: 10.1038/srep32664.
9）H . Fujito, H.; Kunioku, D. Kato, H. Suzuki, M.
Higashi, H. Kageyama, R. Abe； J. Am. Chem. Soc.,
138, 2082（2016）.

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