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MPPTと充電管理機能付き
超低消費電力昇圧レギュレータ

ADP5090

データシート

代表的なアプリケーション回路

特長

ADP5090

PIN

PSYS

SW
VIN

COLD-STARTCHARGE PUMP

SYS

MPPT
BAT
CBP

MPPT
CONTROL

BOOSTREGULATOR

MINOP

PGOOD

+ RECHARGEABLEBATTERY OR– SUPERCAPTO MCUREF
DIS_SW

FROM MCUOPTIONAL
PRIMARYBATTERYBACK_UPCHARGE CONTROLAND
POWER PATH
MANAGEMENT

SETSD
SETPG

+
–

TERM
AGND PGND
12263-001

最大電力点追従 (MPPT)を採用した昇圧レギュレータ
極めて軽い負荷で最適効率を可能にするヒステリック・コン
トローラ
320 nA の超低静止電流 (CBP ≥ MINOP)
260 nA の超低静止電流 (CBP < MINOP)
動作入力電圧範囲: 80 mV～3.3 V
内蔵チャージ・ポンプ回路による 380 mV (typ)からのコールド・スタートMPPT 用の開放回路電圧 (OCV) 検出機能
光発電 (PV)または熱電発電 (TEG) による発電向けに MPPT
比が設定可能シャットダウン・ポイントを MINOP ピンで設定可能
電池管理機能充電制御、および過充電または過放電を防止する設定可能な
電圧監視 (2.2 V～5.2 V)
BACK_UP ピンに接続された予備電池のコントロール機能
RF 伝送回路向け機能
マイクロコントローラ (MCU) 通信により昇圧レギュレータ
を一時的にシャットダウン

図 1.

アプリケーション
PV セル・エネルギー・ハーベスティング
TEG エネルギー・ハーベスティング
太陽光パネルを電源とするバッテリ・レギュレータ
工業用モニタリング
セルフパワード・ワイヤレス・センサー・デバイス
エネルギー・ハーベスティングによるポータブル機器とウェア
ラブル機器

概要
ADP5090 は、PV セルまたは TEG からの DC 電力を変換する昇圧レギュレータです。このデバイスは、充電可能リチウムイオン電池、薄膜電池、スーパーキャパシタ、従来型のコンデンサなどの電池を充電し、小型の電子機器や電池なしのシステムを起動させます。
ADP5090 は 16 µW～200 mW の範囲の収集した限られた電力を低い損失で効率よく変換します。内蔵のコールド・スタート回
路を使い、レギュレータは最小 380 mV の入力電圧で動作を開始することができます。コールド・スタートアップの後、レギュ
レータは 80 mV～3.3 V の入力電圧範囲で動作します。
VIN ピンで入力電圧を検出して、制御ループにより入力電圧リ
ップルを固定範囲内で安定した DC/DC 昇圧変換を維持します。
VIN OCV 検出機能と入力電圧の動作電圧の設定により、PV セルまたは TEG ハーベスタから最大のエネルギーを取り出すことができます。設定可能な最小動作閾値 (MINOP)により、光が少ない状態で昇圧をシャットダウンすることができます。さらに、

DIS_SW ピンを使うと、一時的に昇圧レギュレータをシャットダウンさせて、RF 伝送を容易にします。
ADP5090 の充電制御機能は充電可能電池を保護します。この機能は、設定可能な充電終了電圧とシャットダウン放電電圧を使って電池の電圧をモニタすることにより実現されています。さらに、設定可能な PGOOD 出力で SYS 電圧を監視します。
オプションの予備電池を接続することができ、内蔵の電力経路制御回路により管理することができます。この電力経路制御回
路は、エネルギー・ハーベスタ、充電可能な電池、予備電池からの電源を自動的に切り替えます。
ADP5090 は 3 mm × 3 mm の 16 ピン LFCSP パッケージを採用し、−40°C～+125°C のジャンクション温度範囲で仕様が規定されています。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示
的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、それぞれの所有者の財産です。※日本語版資料は REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。

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ADP5090

データシート目次
特長 ..................................................................................................... 1

MINOP 機能 ................................................................................. 12

アプリケーション ............................................................................. 1

昇圧動作の強制オフ機能 ........................................................... 12

代表的なアプリケーション回路 ..................................................... 1

電池過充電防止機能 ................................................................... 12

概要 ..................................................................................................... 1

電池過放電防止機能 ................................................................... 12

改訂履歴 ............................................................................................. 2

パワーグッド (PGOOD) .............................................................. 13

仕様 ..................................................................................................... 3

電力経路制御回路の動作フロー ............................................... 14

絶対最大定格 ..................................................................................... 4電流制限機能と短絡保護機能 ................................................... 14

熱抵抗............................................................................................. 4

サーマル・シャットダウン ....................................................... 14

ESD の注意 .................................................................................... 4

アプリケーション情報 ................................................................... 15

ピン配置およびピン機能説明 ......................................................... 5エネルギー・ハーベスタの選択 ............................................... 15

代表的な性能特性 ............................................................................. 6

電池の選択 ................................................................................... 15

詳細機能ブロック図 ....................................................................... 10

インダクタの選択 ....................................................................... 15

動作原理 ............................................................................................ 11

コンデンサの選択 ....................................................................... 15

コールド・スタートアップ (VSYS < VSYS_TH、VIn > VIN_COLD) .. 11

レイアウトと組み立てについての考慮事項 ............................ 16

昇圧レギュレータ (VBAT_TERM > VSYS ≥ VSYS_TH) ........................ 11

代表的なアプリケーション回路.................................................... 17

VIN 開放電圧と MPPT ................................................................ 11

外形寸法 ........................................................................................... 19

電池充電管理 ................................................................................ 11

オーダー・ガイド ....................................................................... 19

予備電池と電力経路 ................................................................... 12

改訂履歴11/14—Rev. 0 to Rev. A
Changes to Figure 25 .......................................................................... 10
Changes to Battery Discharging Protection Section ........................... 12
Changes to Power Good (PGOOD) Section and Table 5
Column Headings ............................................................................... 13
Changes to CBP Capacitor Section..................................................... 16
Change to Figure 32 ........................................................................... 18
9/14—Revision 0: Initial Version

Rev. A－ 2/19 －ADP5090

データシート仕様

特に指定がない限り、VIN = 1.2 V、VSYS = VBAT = 3 V、最小／最大仕様では TJ = -40°C～125°C 、typ 仕様では TA = 25°C。外付け部品およびインダクタ (L) = 22 μH、CIN = 4.7 μF、CSYS = 4.7 μF。
表 1.
Parameter

SymbolTest Conditions/Comments

COLD-START CIRCUIT
Minimum Input Voltage for Cold-Start
Minimum Input Power for Cold-Start
End of Cold-Start Operation ThresholdEnd of Cold-Start Operation Hysteresis

VIN_COLD
PIN_COLD
VSYS_TH
VSYS_HYS

VSYS = 0 V, 0°C < TA < 85°C

BOOST REGULATOR
Input Voltage Operation Range
Input Power Operation Range
Input Peak Current
Low-Side Switch on Resistance
High-Side Switch on Resistance
SYS Switch on ResistanceDIS_SW High Voltage
DIS_SW Low Voltage
DIS_SW Delay

VIN
PIN
IIN_PEAK
RLS_DS_ON
RHS_DS_ON
RSYS_DS_ON
DIS_SWHIGH
DIS_SWLOWtDIS_DELAY

Cold-start completed
Cold-start completed, VIN = 0.5 V

VIN CONTROL AND REGULATIONVIN Open Circuit Voltage Sampling Cycle
VIN Open Circuit Voltage Sampling Time
MINOP Bias Current
MINOP Operation Voltage Range

TVOC_CYCLE
TVOC_SAMPLIMINOP
VMINOPENERGY STORAGE MANAGEMENT
Operating Quiescent Current of SYS Pin
Sleeping Quiescent Current of SYS Pin
Internal Reference Voltage
Battery Stop Discharging Threshold
Battery Stop Discharging Hysteresis Resistor
Battery Terminal Charging Threshold
Battery Terminal Charging Hysteresis
PGOOD Falling Threshold at SYS Pin
PGOOD Hysteresis Resistor at SYS Pin
PGOOD Pull-Up Resistor
PGOOD Pull-Down Resistor
Battery Switch on ResistanceBattery Current Capability
Leakage Current at BAT Pin

IQ_SYS
IIQ_SLEEP_SYS
VREF
VBAT_SD
RBAT_SD_HYS
VBAT_TERM
VBAT_TERM_HYS
VSYS_PG
RSYS_PG_HYS

RBAT_SW_ON
IBAT
IBAT_LEAK

1.8

Typ

Max

Unit

380
16
1.93
125

440

mV
µW
V
mV

0.1
0.01
100
1.25
1.38
0.48

2.03

3.3
200
135
1.71
1.88
0.70

1
0.5
1

1.45

VIN > VCBP ≥ VMINOP, VSYS > VBAT_SD
VCBP < VMINOP, VSYS > VBAT_SD
1.14
2
65
2.2

19
296
2

VBAT = 2 V, VBAT_SD = 2.2 V, VSYS = 2 V
VBAT = 3.3 V, VBAT_SD = 2.2 V, VSYS = 0 V

RBKP_SW_ON
VBKP_OFFSETVBAT_HYS
IBKP
IBKP_LEAK

VSYS = VBACK_UP = 3 V
VSYS ≥ VSYS_TH
VSYS ≥ VSYS_TH
VSYS ≥ VSYS_TH
VBACK_UP = VSYS = VBAT = 3 V

THERMAL SHUTDOWN
Thermal Shutdown Threshold
Thermal Shutdown Hysteresis

TSHDN
THYS

VSYS ≥ VSYS_TH－ 3/19 －

135
55

V
mW
mA
Ω
Ω
Ω
V
V
μs

2.55
1

s
ms
μA
V

15
0.5

580
480
1.28
VBAT_TERM
150
5.2
3.7
VBAT_TERM
150
17
17
0.73
800
50
20

nA
nA
V
V
kΩ
V
%
V
kΩ
kΩ
kΩ
Ω
mA
nA
nA

1.18
185
75
400
6

1.60
250
100
520
18

Ω
mV
mV
mA
nA

320
260
1.21
103.5
3

VBAT_SD
65

BACK_UP POWER PATH
BACK_UP Switches on Resistance
BACK_UP and BAT Comparator Offset
BACK_UP and BAT Comparator Hysteresis
BACK_UP Current Capability
Leakage Current at BACK_UP Pin

Rev. A

Min

103.5
11.8
11.8
0.55

125
15

°C
°C

ADP5090

データシート
絶対最大定格熱抵抗

表 2.
Parameter

Rating

VIN, MPPT, CBP, MINOP−0.3 V to +3.6 V

θJA はワーストケース条件で規定。すなわち表面実装パッケージの場合、デバイスを回路ボードにハンダ付けした状態で規定。

DIS_SW, TERM, SETPG, SETSD, PGOOD, REF to
AGND
SW, SYS, BAT, BACK_UP to PGND
PGND to GND−0.3 V to +6.0 V

表 3.

−2.0 V to +6.0 V−0.3 V to +0.3 V

Package Type

θJA

θJC

Unit

16-Lead LFCSP Package

53.1

4.55

°C/W

上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ
ョンに記載する規定値以上での製品動作を定めたものではありません。製品を長時間絶対最大定格状態に置くと製品の信頼性に影響を与えます。

Rev. AESD の注意－ 4/19 －ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知されないまま放電することがあります。本製品は当社
独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはいますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被った場合、損傷を生じる可能性があります。したがって、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対する適切な予防措置を講じることをお勧めします。

ADP5090
ピン配置およびピン機
能説明

13 PGOOD

SETSD 112 BACK_UPTERM 2

ADP5090

11 SYS

AGND 3

TOP VIEW

10 BAT
9

VIN 7

SW

PGND 8CBP 6MPPT 5

MINOP 4NOTES
1. THE EXPOSED PAD MUST BE CONNECTED TO AGND.

12263-002

14 DIS_SW

16 SETPG

15 REF

データシート

図 2.ピン配置
表 4.ピン機能の説明
ピン番号

記号

説明

1

SETSD

シャットダウン設定。このピンは、BAT ピン電圧の放電シャットダウン電圧を設定します。

2

TERM

充電終了電圧設定。このピンは、BAT ピン電圧の充電終了電圧を設定します。

3

AGND

アナログ・グラウンド。エクスポーズド・パッドをボードのアナログ・グラウンドへ接続してください。

4

MINOP

最小動作入力電圧設定。このピンに抵抗を接続して、最小動作入力電圧を設定します。昇圧レギュレータは、CBP
電圧が MINOP 電圧を超えるとスイッチングを開始します。MINOP 機能をオフするときは、このピンを AGND に接続してください。

5

MPPT

最大電力点追従設定。このピンは、様々なエネルギー・ハーベスタに対して最大電力点追従電圧を設定します。
MPPT をオフするときは、このピンをフローティングにします。

6

CBP

コンデンサ・バイパス。最大電力点電圧をサンプル&ホールドします。このピンと AGND の間に 10 nF のコンデンサを接続します。 MPPT をオフするときは、CBP を VIN より低い外部リファレンスへ接続してください。

7

VIN

エネルギー・ハーベスタ・ソースからの入力電源。最小 4.7 μF のコンデンサをこのピンと PGND の間に、できるだ
け近くに接続してください。

8

PGND

電源グラウンド。

9SW

外付けインダクタを接続する昇圧レギュレータ用のスイッチング・ノード。このピンと VIN の間に 22 μH のインダクタを接続してください。

10

BAT

SYS 出力電源用の電池として、充電可能な電池またはスーパー・キャパシタを接続してください。

11

SYS

電圧出力。最小 4.7 μF のコンデンサをこのピンと PGND の間に、できるだけ近くに接続してください。

12

BACK_UP

予備電池の入力電源。

13

PGOOD

パワーグッド出力。SYS 電圧が SETPG 閾値より高い場合、ロジック・ハイ信号を維持します。

14

DIS_SWMCU または RF トランシーバからのコントロール信号入力。このピンにロジック・ハイを入力して、メイン昇圧ス
イッチングを停止させます。メイン昇圧スイッチングをオンするときは、このピンをローにします。

15

REF

SETSD ピン、TERM ピン、SETPG ピンのバイアス電圧を供給します。抵抗分圧器のハイサイドをこのバイアス電圧に接続します。

16

SETPG

SYS ピン電圧の Power Good 電圧を設定します。

EPAD

エクスポーズド・パッド。エクスポーズド・パッドは AGND に接続する必要があります。

Rev. A－ 5/19 －ADP5090

データシート
代表的な性能特性
100

90

90

80

80

70

70

60
50
SYS = 2V
SYS = 3V
SYS = 5V

50

30

30

20

20

10

10

0
0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0
INPUT VOLTAGE (V)SYS = 2V
SYS = 3V
SYS = 5V4000

図 6.入力電圧対効率、IIN = 100 μA
80

90

70

80

60

EFFICIENCY (%)

100

70
60
SYS = 2V
SYS = 3V
SYS = 5V

50

50
40

20

30

10

20
0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0
INPUT VOLTAGE (V)SYS = 2V
SYS = 3V
SYS = 5V

30

40

0
0.01

12263-004

EFFICIENCY (%)

図 3.入力電圧対効率、IIN = 10 μA

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0
INPUT VOLTAGE (V)

0.1

1

10

INPUT CURRENT (mA)

図 4.入力電圧対効率、IIN = 10 mA

12263-007

40

60

12263-006

EFFICIENCY (%)

100

12263-003

EFFICIENCY (%)

IVIN = 5 mA、VBAT_TERM = 3.5 V、VSYS_PG = 3.0 V、VBAT_SD = 2.4 V、MPPT 比 (OCV) = 80%、L = 22 μH、CIN = CSYS = 4.7 μF、CCBP= 10 nF。

図 7.入力電流対効率、VIN = 0.2 V

90

90
85

80
80
75

EFFICIENCY (%)

EFFICIENCY (%)

70
SYS = 2V
SYS = 3V
SYS = 5V

60
50

SYS = 2V
SYS = 3V
SYS = 5V

70
65
60
55

40

50
30

0.1

1

10

INPUT CURRENT (mA)

100

40
0.01

12263-005

20
0.01

1

10

INPUT CURRENT (mA)

図 5.入力電流対効率、VIN = 0.5 V

Rev. A0.1

図 8.入力電流対効率、VIN = 1 V－ 6/19 －100

12263-008

45

ADP5090

データシート
500

95

450

QUIESCENT CURRENT (nA)

100

SYS = 3V
SYS = 5V

85
80
75
70
65

400
350
300
250
200

0.1

1

10

100

INPUT CURRENT (mA)

100
2.0

12263-009

60
0.01

2.4

3.2
3.6
4.0
SYS VOLTAGE (V)

4.4

4.8

5.2

4.8

5.2

図 12.SYS 電圧対静止電流

図 9.入力電流対効率、VIN = 2 V
830+125°C
+85°C
+25°C
–40°C

25

BACK_UP LEAKAGE CURRENT (nA)

BAT LEAKAGE CURRENT (nA)

2.8

20

15

10

7
6
5
4
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C

3
2

5

1

2.4

2.8

3.2
3.6
4.0
BAT VOLTAGE (V)

4.4

4.8

5.2

0
2.0

12263-109

0
2.0

2.4

2.8

3.2
3.6
4.0
BACK_UP VOLTAGE (V)4.4

図 13.BACK_UP 電圧対 BACK_UP リーク電流

図 10.BAT 電圧対 BAT リーク電流

VIN
VIN
1

1

BAT
BAT
SYS

SYS

2

SW

4

12263-110

4

CH1 1.00V BW
CH3 1.00V BW

CH2 1.00V BW
CH4 2.00V BW

M100msA CH212263-113

2

SW
1.00V B

CH1
W
CH3 1.00V BW

1.02V

CH2 1.00V BW
CH4 2.00V BW

M20.0ms

A CH2

1.02V

図 14.100 μF 電池での起動、VBAT < VBAT_SD

図 11.100 μF 電池での起動、VBAT > VBAT_SD

Rev. A

12263-111

150－ 7/19 －12263-112

EFFICIENCY (%)

90+125°C
+85°C
+25°C
–40°C

ADP5090

データシート

VIN
VIN
1

1

SYS
BAT

SYS
BAT

3

SW
2

CH2 1.00V BW
CH4 2.00V

M40.0ms

A CH212263-117

SW
CH1 1.00V BW
CH3 1.00V BW

412263-114

4

CH1 500mV BW CH2 2.00V BW
CH3 2.00V BW CH4 2.00V

1.02V

図 15.空の 100 μF 電池での起動

M100µs

A CH4

2.20V

図 18.メイン昇圧 PFM 波形、200 μA 負荷

VIN

VIN

1

BAT

1

SYS
BAT

SYS
2

SW
2

PGOOD

CH1 500mV BW CH2 1.00V BW
CH3 1.00V BW CH4 2.00V BW

M200msA CH4

CH1 500mV BW CH2 1.00V BW
CH3 1.00V BW CH4 2.00V

920mV

図 16.PGOOD 機能の波形

M400µs

A CH2

1.88V

図 19.電池保護機能の波形

VIN

112263-118

412263-014

4

VIN

CH2: SYS (AC)

3

1

SYS
CH3: BAT (AC)
2

3

SW

B CH2 50.0mV B
CH1 1.00VW M20.0ms A CH3
W
T 30.40%
CH3 50.0mV BW CH4 2.00V

12263-119

CH1 500mV BW CH2 2.00V BW
CH3 2.00V BW CH4 5.00V

5.00mV

図 17.TERM 機能の出力リップル、100 μA 負荷

Rev. ASW

412263-022

4BAT

M4.00s

A CH2

1.04V

図 20.MPPT サンプリング・サイクル波形－ 8/19 －ADP5090

データシート

1

VIN

VIN
1

BAT

BAT

BACK_UPBACK_UPSYS

CH1 500mV BW CH2 1.00V BW
CH3 1.00V BW CH4 1.00V BW

M2.00sA CH212263-018

212263-021

2

SYS
CH1 500mV BW CH2 1.00V BW
CH3 1.00V BW CH4 1.00V BW

1.90V

図 21.予備電池(バックアップ)機能、VBACK_UP < VBAT

M2.00s

A CH2

1.90V

図 23.予備電池(バックアップ)機能、VBACK_UP > VBAT

VIN
VIN
SYS
1

1

SYS
MINOP

DIS_SW
3

3

2

SW

SW
4
12263-020

4

CH1 1.00V BW CH2 1.00V BW
CH3 1.00V BW CH4 2.00V BW

M100msT 20.20%

A CH1

CH1 500mV BW CH2 1.00V BW
CH3 2.00V BW CH4 2.00V BW

1.26V

M100msT 20.20%

A CH3

図 24.DIS_SW 機能の波形

図 22.MINOP 機能の波形

Rev. A

12263-023

2－ 9/19 －1.00VADP5090

データシート
詳細機能ブロック図
BACK_UP_M1
BACK_UPADP5090SYS

BACK_UP_M2

CSYS

RSYS

SYS SWITCHPHOTOVOLTAIC
CELL

SW

–

BAT
+

BAT SWITCH

BSTO

SDB

HS

+

–

CIN
VIN

BAT
COLD-STARTCHARGE PUMP

PG
REF

SYS

ROC2
MPPT

MPPT
CONTROLLER

TERM_REF

ROC1

EN_BST
CBP

BOOST
CONTROLLER

SETSD

SDB
BATTERYBOOSTCONTROL

PGOOD

MINOP

SETPG

SYS

DIS_SW

CLK

PG
VREF
TERM_REF

TRM

BIAS REFERENCEAND OSCILLATORTERMCONTROL

TERM

2R
R
AGND

図 25.詳細機能ブロック図

Rev. A－ 10/19 －BAT12263-024

PGND

ADP5090

データシート
動作原理
ADP5090 は、低電力で動作する昇圧レギュレータと電池管理コントローラを組み合わせたものです。このデバイスは、PV セル、
TEG、圧電モジュールのような低電圧高インピーダンス DC 電
源からの電力を変換します。このデバイスは、電池保護機能付
きの充電可能な電池またはコンデンサに電力を保存し、負荷に電力を供給します。また、予備電池を使用した、追加の電力経路を制御することもできます。
ADP5090 は、コールド・スタートアップ回路、MOSFET 付きの
同期整流昇圧コントローラ、スイッチ付きの充電制御回路、予備電池の電力経路制御用のスイッチを内蔵しています。また、
外部信号を使って、昇圧動作を一時的に停止させて、RF 伝送との干渉を防止することができます。

コールド・スタートアップ (VSYS < VSYS_TH、VIn >VIN_COLD)
VIN ピンが VIN_COLD を上回り、かつ SYS ピンの電池電圧がVSYS_TH を下回るときに、コールド・スタートアップ回路が必要になります。VSYS_TH より高い電圧の状態では、昇圧レギュレー
タと電池コントローラが動作を開始します。チャージ・ポンプが内蔵されたコールド・スタートアップ回路は、VIN ピンに存在するエネルギーを取り出して、SYS ピンと BAT ピンのコンデ
ンサを VSYS_TH まで充電します。エネルギー・ハーベスタは、コールド・スタートアップを完了するため十分な電力を供給する必要があります (詳細については、エネルギー・ハーベスタの選
択のセクション参照)。コールド・スタート回路では昇圧レギュ
レータに比べて効率は低いですが、スタートアップ時間が短くすることができるため、低いシャットダウン電流のシステム負荷を構成することができます。このシステム負荷は PGOOD 信
号でオンされます。 コールド・スタートアップをバイパスする
ときは、BACK_UP ピンに予備電池を接続します (詳細について
は、予備電池と電力経路のセクション参照)。

昇圧レギュレータ (VBAT_TERM > VSYS ≥ VSYS_TH)
VIN ピンと SW ピンの間に外付けインダクタを接続したスイッ
チング・モード同期整流昇圧レギュレータは、パルス周波数モード (PFM)で動作し、入力コンデンサに保存されたエネルギー
を BAT ピンに接続された電池とシステム負荷 (SYS)へ転送します。昇圧制御ループは VIN 電圧を MPPT ピンでサンプルし、CBP ピンに接続されたコンデンサに保持し、その電圧に応じて整流します。広い入力電力範囲で高い効率を維持するため、電流検出回路では内部ピーク電流制限値によって、インダクタ電流を制御します。
BAT ピン電圧が SETSD ピンで設定された電池放電保護閾値を下回る場合には電池コントローラから、非同期整流モードとして昇圧レギュレータ動作は SYS スイッチと BAT スイッチをオフさせます。あるいは BAT ピン電圧が TERM ピンに設定された電池過充電閾値を上回る場合には、スイッチングを停止させます。CBP ピンの電圧が MINOP ピンの抵抗で設定された閾値まで低下すると、昇圧レギュレータがオフされます。さらに、
開放電圧サンプリング回路により昇圧が周期的に停止され、また DIS_SW ピンをハイ・レベルにして、一時的にオフすることもできます。

Rev. A

VIN 開放電圧と MPPT
昇圧レギュレーションのリファレンス電圧は、MPPT ピンの抵抗分圧器により設定される比でスケールされる VIN ピンの開放電圧になります。この電圧は周期的にサンプルされて、CBP ピ
ンに接続されたコンデンサに保持されます。このコンデンサは、
ADP5090 入力でエネルギー・ハーベスタから得られる最大電力
点電圧で動作するように VIN 電圧を維持します。19 sec ごとにリファレンス電圧を再取得する際、昇圧レギュレータを 296 ms
間オフし、開放電圧をサンプリングします。
リファレンス電圧は次式で設定されます。



ROC1

VMPPT = VIN (開放電圧)
 ROC1 + ROC2 (1)

MPPT 比 (typ) は、ハーベスタのタイプに依存します。例えば、
PV セルの場合約 0.8 に、TEG の場合約 0.5 に、それぞれなります。また、MPPT をオフし、フローティングにすることができます。CBP ピンを VIN 電圧より低い電圧に設定してください。
入力ソースが理想的な電圧源の場合は、MPPT ピンと CBP ピンを
グラウンドに接続します。

電池充電管理電池を BAT ピンに接続します。電池は、充電可能な電池、スーパー・キャパシタ、または 100 μF 以上のコンデンサが接続可能です。電池コントローラは充放電動作を管理し、SYS ピン電圧を監視して、この電圧が SETPG ピンで設定された閾値を超えた
とき PGOOD ピンがロジック・ハイ信号を出力します。
BAT ピン電圧が TERM ピンで設定した充電保護閾値を超えると、昇圧動作を停止して、電池の過充電を防止します。過充電保護
閾値は、2.2 V～5.2 V の範囲に設定することができます。 BAT
電圧が SETSD ピンで設定された放電保護閾値電圧を下回ると、
BAT ピンと SYS ピンの間のスイッチがオープンとなり、破壊に至る深い電池の放電を防止し、昇圧動作は非同期モードになります。SYS ピンと BAT ピンには電流制限値はありませんが、シ
ステム負荷電流を最大 800 mA に制限することが推奨されます。
システム負荷電流が大きくなると、SYS スイッチ、BAT スイッ
チ、接続された電池の内部抵抗により、SYS ピンと BAT ピンに接続した電池との間で電圧低下が発生します。
入力ソースが接続されていない場合、電池を BAT ピンに接続する前に SYS ピンをグラウンドへ放電させてください。充電済み
電池を接続した後に、SYS ピンを解放してください。これは、SYS 電圧が VSYS_TH を下回る場合、BAT スイッチがオープン状態を保持し、SYS 電圧が VSYS_TH に到達するまで電池を保護するためです。これは、BAT ピンの電池を放電させることなく長時間保存を可能にする最小リーク (typ 値 0.5 nA)の状態である保存モードと呼ぶことができます。

－ 11/19 －データシート

ADP5090

予備電池と電力経路

過電圧下降閾値は VBAT_TERM_HYS で与えられ、内部で過電圧閾値
から VBAT_TERM_HYS で表される内部ヒステリシス電圧を減算した値に設定されます。電池電圧が VBAT_TERM 閾値を超えると、メインの昇圧レギュレータがオフされます。電池の電圧がVBAT_TERM_HYS 電圧を下回ると、メイン昇圧動作が再開します。
入力エネルギーが大きい場合、VBAT ピン電圧は VBAT_TERM 電圧と VBAT_TERM_HYS 電圧の間で変動します。

ADP5090 は、予備電池の電力経路と予備電池コントローラ、
BACK_UP ピンと SYS ピンの間の互いに逆向きの 2 個のパワー・スイッチが内蔵されています。収集および保存した電力が周期的に不足する状態でシステムが動作する場合、予備の電池
を BACK_UP ピンに接続することができます。SYS 電圧が 1.5 V(typ) を 超 え る と 、 予 備 電 池 コ ン ト ロ ー ラ が オ ン し ま す 。
BACK_UP ピン電圧が BAT ピン電圧を超えると、BACK_UP ピ
ンと SYS ピンの間の内蔵パワー・スイッチがオンします。
BACK_UP ピン電圧が BAT ピン電圧を下回ると、内蔵パワー・
スイッチがオフします。BAT ピンの 185 mV (typ) コンパレータ
入 力 オ フ セ ッ ト に よ り 、 入 力 ソ ー ス と BAT ピ ン か ら の
BACK_UP ピンの予備電池への充電が防止されます (図 28 参照)。

TERMS
TERM_REF
SDB

SDS

BAT
RE

RBAT_SD_HYS

さらに、予備電池は突入電流保護回路としてコールド・スター
トアップをバイパスさせることができます。システム電流が400 mA (typ)の内部電流制限値を超えると、BACK_UP スイッチがオフします。表 6 に、パワー・パス動作状態を示します。長
時間保存させる場合は、予備電池を切り離して、SYS をグラウ
ンドへ放電させてください。

PG

REF

PGS

SYS
RSYS_PG_HYS

RSD1

RPG1

RTERM1RSD2RPG2RTERM2

SETSD

SDB

STEPG

MINOP 機能PG

ハーベスタから発生されるエネルギーが安定動作状態を維持できない場合は、MINOP 機能が昇圧レギュレータをオフさせて、電池の放電を防止することができます。MINOP 機能が MPPT 機
能をオフさせることで 260 nA (typ)の最小静止電流を実現させます。CBP ピンの電圧が MINOP ピンの抵抗で設定された閾値まで低下すると、昇圧レギュレータはスイッチングを停止します。
MINOP を AGND へ接続すると、この機能がオフされます。
MINOP バイアス電流は 2 μA (typ)です。

VREF
TERM_REF
TRM

TERM

TERM
CONTROL

2R

12263-025

RBAT

図 26.ADP5090 設定パラメータの設定

昇圧動作の強制オフ機能
ノイズまたは EMI に敏感なアプリケーションの場合、DIS_SW
ピンをロジック・ハイにして、昇圧動作を一時的に停止させてRF 回路との干渉を防止することができます。 DIS_SW ピンをロ
ジック・ローにすると、昇圧スイッチングが再開されます。移
行遅延は 1 μs (typ)以下です。

電池の過放電防止機能
充電可能な電池が過放電して損傷するのを防止するため、外付
け抵抗を使って電池放電シャットダウン電圧 (VBAT_SD) を設定する必要があります。図 26 に、式 3 で与えられる VBAT_SD 下降閾
値電圧を示します。

 R VBAT _ SD = VREF 1 + SD1  RSD2 

電池の過充電防止機能
充電可能な電池が過充電されて損傷するのを防止するため、外付け抵抗を使って電池終了電圧 (VBAT_TERM) を設定する必要があります。図 26 に、式 2 で与えられる VBAT_TERM 上昇閾値電圧を
示します。



R
3
VBAT _TERM = VREF 1 + TERM1 
2
RTERM2 

RTERM1 + RTERM2 ≥ 6 MΩADP5090 は、式 4 で与えられるヒステリシスを設定する抵抗
RBAT_SD_HYS = 103.5 kΩ (typ)を内蔵しています。

VBAT _ SD _ HYS = VBAT _ SD ×(2)

静止消費電流を考慮すると、抵抗の和は 6 MΩ を超える必要があります。すなわち、(3)

RBAT _ SD _ HYS
RE(4)

ここで、VBAT_SD_HYS はヒステリシスを設定する内部抵抗を含みます。
静止消費電流を考慮すると、抵抗分圧器 (RBAT_SD_HYS 、RSD1 、
RSD2)を構成する抵抗の和は 6 MΩ を超える必要があります。
すなわち、
RBAT_SD_HYS + RSD1 + RSD2 ≥ 6 MΩ
外付けの 3 個の設定用抵抗分圧器の等価抵抗 RE は、3 個の抵抗分圧器の並列接続と等価です。

Rev. A－ 12/19 －ADP5090

データシートるために負荷の接続／切り離しのタイミングを決めるようにする必要があります (図 32 参照)。システム負荷をオフできない場合、
コールド・スタートアップを完了させる必要があります。

パワーグッド (PGOOD)
ADP5090 では、SYS 電圧が許容レベルにあることを表示する設
定可能な PGOOD 電圧 (VPGOOD) 閾値をユーザーが設定することができます。外付け抵抗を使う必要があります。 図 26 に、式 4で与えられる VPGOOD 下降閾値電圧を示します。

MAXIMUM DEVICERATING VOLTAGE(4)TURN OFF MAIN BOOST

ADP5090 は、式 5 で与えられるヒステリシスを設定する抵抗
RSYS_PG_HYS = 103.5 kΩ (typ)を内蔵しています。

RSYS_ PG_ HYS
RE

VBAT_TERM(5)

ここで、VSYS_PGOOD_HYS は PGOOD ヒステリシス電圧です。
3 個の外付け設定用抵抗分圧器の等価抵抗 RE は、抵抗の選択を容易にするため、同じ 3 個の抵抗分圧器で構成することが推奨されます。静止消費電流を考慮すると、パワーグッド抵抗分圧器 (RSYS_PG_HYS、RPG1、RPG2)を構成する抵抗の和は 6 MΩ を超える必要があります。すなわち、
RSYS_PG_HYS + RPG1 + RPG2 ≥ 6 MΩ

VBAT_TERM_HYS

INCREASING SYS VOLTAGE

VSYS_ PGOOD_ HYS = VSYS_ PGOOD ×

MAIN BOOSTCHARGER OFF

PGOOD BECOMES HIGH
VBAT_PG_HYS
VBAT_PG
MAIN BOOST INSYNCHRONOUS MODE
TURN ON SWITCH BETWEEN
BSTO AND BAT

MAIN BOOSTCHARGER ON

VBAT_SD_HYS
VBAT_SD(6)

TURN ON MAIN BOOST IN
ASYNCHRONOUS MODEPGOOD のロジック・ハイ電圧は SYS 電圧で、ロジック・ロー
電圧はグラウンドです。ロジック・ハイ電圧には、電流を制限す
る約 11.8 kΩ (typ)の内部抵抗があります。VPGOOD 閾値は、VBAT_SD
閾値以上である必要があります。システムの最適動作のためには、SYS とシステム負荷の間でインバータを介して外付け
PFET を駆動するように PGOOD を設定し、電池容量を最適化す

VSYS_TH

VSYS_THENABLE CHIP

COLD-STARTUP

0V

12263-026

R 
VSYS_ PGOOD = VREF 1 + PG1 
R
PG2 


表 5 に、10 MΩ 抵抗分圧器による種々の電圧に対応する閾値抵
抗を設定する例を示します。 図 27 に、各閾値電圧の状態を示します。

図 27.様々な閾値電圧の状態

表 5.閾値抵抗の設定
Voltage Threshold (V)RSD1 and RPG1 (MΩ)

RSD2 and RPG2 (MΩ)

RTERM1 (MΩ)

RTERM2 (MΩ)

2

3.92

6.04

N/A

N/A1

2.1

4.22

5.76

N/A1

N/A1

2.2

4.53

5.49

1.74

8.25

2.3

4.75

5.23

2.1

7.87

2.4

4.99

5

2.43

7.5

2.5

5.11

4.87

2.74

7.32

2.6

5.36

4.64

3.01

6.98

2.7

5.49

4.53

3.3

6.65

2.8

5.62

4.32

3.48

6.49

2.9

5.76

4.22

3.74

6.2

3

5.9

4.02

3.92

6.04

3.1

6.04

3.9

4.12

5.9

3.2

6.2

3.74

4.32

5.62

3.3

6.34

3.65

4.53

5.49

3.4

6.49

3.57

4.64

5.36

3.5

6.49

3.48

4.87

5.23

3.6

6.65

3.4

4.99

5

3.7

6.8

3.3

5.1

4.87

3.8

6.81

3.2

5.23

4.75

3.9

6.98

3.09

5.36

4.64

Rev. A－ 13/19 －1

ADP5090

データシートVoltage Threshold (V)RSD1 and RPG1 (MΩ)

RSD2 and RPG2 (MΩ)

RTERM1 (MΩ)

RTERM2 (MΩ)

4

6.98

3.01

5.49

4.53

4.1

6.98

2.94

5.6

4.42

4.2

7.15

2.87

5.62

4.32

4.3

7.15

2.8

5.76

4.22

4.4

7.32

2.74

5.9

4.12

4.5

7.32

2.7

5.9

4.02

4.6

7.32

2.61

6.04

3.92

4.7

7.5

2.55

6.19

3.83

4.8

7.5

2.5

6.2

3.74

4.9

7.5

2.49

6.34

3.74

5

7.5

2.43

6.34

3.65

5.1

7.68

2.37

6.49

3.57

5.2

7.68

2.32

6.49

3.48

1

N/A＝適用なし。

表 6.電力経路の動作状態
Power Condition

Main BoostBAT Switch

SYS Switch

BACK_UP_M1

BACK_UP_M2

Without Backup
Battery

VSYS > VSYS_TH, VBAT_SD > VBATVBAT_TERM > VBAT = VSYS > VBAT_SD
VSYS > VSYS_TH, VBAT > VBAT_TERM

Asynchronous
Synchronous
Disabled

Off
On
On

Off
On
On

Off
Off
Off

Off
Off
Off

With Backup
Battery

VSYS > VSYS_TH, VBACK_UP > VBAT >VBAT_SD
VSYS > VSYS_TH, VBACK_UP > VBAT_SD >VBAT
1.5 V < VSYS < VSYS_TH, VSYS < VBACK_UP
VSYS < 1.5 V

Synchronous

On

Off

On

On

Asynchronous

Off

Off

On

On

Disabled
Disabled

Off
Off

Off
Off

On
Off

On
Off

電力経路制御回路の動作フロー

電流制限機能と短絡保護機能

図 28 に、予備電池を使用する場合のパワー・スイッチ構造を示します。BACK_UP 電圧が BAT 電圧より高い場合、SYS スイッ
チは BACK_UP 予備電池からの BAT ピンの充電を防止します。
一方、BAT オフセットは入力ソースによる BACK_UP 予備電池の充電を回避します。表 6 に、電力経路の動作状態を示します。

ADP5090 の昇圧レギュレータは、ローサイド昇圧スイッチを流れる正電流を制限する電流制限保護回路を内蔵しています。

D1

BACK_UP_M1

BACK_UP+

400 mA (typ)の BACK_UP 電力経路の電流制限値は、予備電池から大きな電流が流れだすのを防止します。BACK_UP ピンの電流が電流制限値を超えると、BACK_UP スイッチがオフします。

–

BACK_UP_M2
SYS

サーマル・シャットダウン

SYS_SWITCH

BAT_SWITCH

HS
BSTO

–

LS
GATE
DRIVERGATE
DRIVER

図 28.パワー・スイッチの構造

Rev. A

BAT+

12263-027

SW

SYS ピンと BAT ピンには電流制限値はありませんが、システム
負荷電流を 800 mA に制限することが推奨されます。SYS スイ
ッチと BAT スイッチ (1.03 Ω、typ)の合計抵抗により、システム
負荷に BAT から大きな電流が流れると電圧降下が生じます。
BAT ピンに接続される電池の内部抵抗を考慮する必要があります。

ADP5090 ジャンクション温度が 125°C を超えると、サーマル・
シャットダウン (TSD) 回路が BAT ピンと SYS ピンの間のスイッチをターンオフさせて、高い周囲温度での電池の損傷を防止します。昇圧動作も停止します。15°C のヒステリシスがあるため、内部温度が 110°C を下回ると、ADP5090 は動作を再開できます。TSD から抜け出すと、昇圧レギュレータと電池コントロ
ーラは動作を再開します。

－ 14/19 －ADP5090

データシートアプリケーション情報
ADP5090 は、VIN ピンからエネルギーを取り出して SYS ピンとBAT ピンを充電します。これは、コールド・スタート、非同期
整流昇圧、同期整流昇圧の 3 ステージで行われます。このセク
ションでは、エネルギー伝導システムを維持するための外付け部品の選択手順、レイアウトと組み立ての考慮事項について説明します。

エネルギー・ハーベスタの選択
エネルギー・ハーベスタ入力ソースは、コールド・スタート、非同期整流昇圧、同期整流昇圧に対して最小レベルの電力を供給する必要があります。コールド・スタートを完了するために必要な最小入力電力は、次式で計算することができます。
VIN × IIN × ηCOLD > VSYS_TH × (ISTR_LEAK + ISYS_LOAD)
ここで、
VIN は VIN_COLD = 380 mV (typ)にクランプされ、コールド・スタ
ート実入力電力を表します。
IIN は入力電流。
ηCOLD はコールド・スタート効率で、約 5%～7%です。
VSYS_TH はバイアス電圧による電流で、ワースト・ケースの計算
値。
ISTR_LEAK は BAT ピンでの電池のリーク電流。

大きいパルス電流が存在する場合、または電池のインピーダン
スが大きい場合、SYS コンデンサを最小 4.7 μF から大きくする
か、または BAT ピンにコンデンサを追加して、SYS 電圧の低下を防止する必要があります。SYS コンデンサを大きくすると、
昇圧レギュレータはスタートアップ時に、低下した効率のコー
ルド・スタート・ステージで動作する時間が長くなることに注意してください。アプリケーションで、コールド・スタート時
間が長くなることを許容できない場合は、電池と並列にコンデンサを追加してください。詳細については、コンデンサの選択のセクションを参照してください。

インダクタの選択
昇圧レギュレータでは、適切なインダクタが必要です。インダ
クタの飽和電流は、予想ピーク・インダクタ電流より少なくとも 30%大きい必要があります。また、直列抵抗 (DCR) を小さくして高い効率を維持する必要があります。昇圧レギュレータの内部制御回路は、効率を最適化し、22 μH ± 20%の公称インダク
タンスでスイッチング動作を制御するように設計されています。
表 7 に、推奨インダクタを示します。
表 7.推奨インダクタ

ISYS_LOAD は SYS ピンのシステム負荷電流。システム負荷を小さくすると、コールド・スタートが加速されます。PGOOD 閾値を設定してシステム負荷電流をオンすることが推奨されます。

VendorDevice No.

L
(µH)

ISAT
(A)

IRMS
(A)

DCR
(mΩ)

Würth
Elektronik

74437324220
744042220

22
22

2
0.6

1
0.88

470
255

ADP5090 がコールド・スタートを完了した後、MPPT 機能がオンされます。平均システム負荷電流を満たすため、入力ソース
は昇圧レギュレータに十分な電力を供給して、電池をフル充電
すると同時に、システムは低消費電力すなわちスリープ・モー
ドになる必要があります。システムに必要とされる電力は、次式で計算することができます。

Coilcraft

LPS4018-223M

22

0.8

0.65

360

VIN × IIN × ηBOOST > VBAT_TERM × (ISTR_LEAK + ISYS_LOAD)
ここで、
VIN は CBP ピン電圧 (MPPT 比 × OCV)へレギュレーションされます。
IIN は入力電流。
ηBOOST は昇圧レギュレータ効率。詳細については、代表的な性
能特性 のセクションの効率値を参照してください。
VBAT_TERM はバイアス電圧による電流で、ワースト・ケースの計算値。
ISTR_LEAK は BAT ピンでの電池のリーク電流。
ISYS_LOAD は SYS ピンの平均システム負荷電流。

リーク電流に敏感な超低消費電力アプリケーションに対しては、
低リーク・コンデンサが必要です。コンデンサからのリークがあると効率は低下し、静止電流が増加し、MPPT 有効性が低下します。

入力コンデンサ
VIN ピンに接続するコンデンサ CIN と PGND ピンが入力ソース
からのエネルギーを保存します。エネルギー・ハーベスタの場
合、ソース・インピーダンスは容量性動作に支配されます。エネルギー・ハーベスタの出力容量値に従い入力コンデンサの大きさを決めてください。最小 4.7 μF が推奨されます。
予備電池を入力ソースとして使用するアプリケーションの場合、容量が大きいほど、入力電圧リップルを小さくすることに役立ち、電池寿命を長くするためのソース電流安定に役立ちます。

電池の選択

SYS コンデンサ

過充電または過放電から電池を保護するため、電池は BAT ピン
へ、システム負荷は SYS ピンへ、それぞれ接続する必要があります。ADP5090 では、充電可能な電池、スーパー・キャパシタ、
従来型コンデンサのような、多くのタイプの電池をサポートしています。PFM スイッチング・コンバータのパルス電流をフィルタするため、100 μF の等価容量を持つ電池が必要です。入力
ソースが電力を発生しなくなった場合、電池容量は全システム
負荷を供給する必要があります。

Rev. A

コンデンサの選択

ADP5090 では、SYS ピンと PGND ピンの間に 2 個のコンデンサを接続する必要があります。最小 4.7 μF の低 ESR セラミック・
コンデンサと 0.1 μF の高周波バイパス・コンデンサを並列接続
してください。バイパス・コンデンサは、SYS と PGND の間で、できるだけ近づけて接続してください。

－ 15/19 －ADP5090

データシートCBP コンデンサ
MPPT ピンの動作は、OCV のサンプル値に依存します。VIN ピ
ンは、CBP コンデンサに保存された電圧にレギュレーションされます。このコンデンサは、保持時間が約 19 sec であるため、リークに敏感です。コンデンサ電圧がリークのために低下すると、VIN レギュレーション電圧も低下して、MPPT の有効性に影響を与えます。IC ジャンクション温度が 85°C を超えると、
CBP ピンのリーク電流が大幅に増えるため、大きい容量ほど
MPPT の有効性に有利です。図 29 の代表的アプリケーション回
路と同じ MPPT 抵抗と CBP コンデンサ (最大 220 nF)を使う RC
時定数を維持することが推奨されます。MPPT 抵抗分圧器とCBP コンデンサの時定数を考慮すると、低リーク X7R またはC0G 10 nF セラミック・コンデンサが推奨されます。

レイアウトと組み立てについての考慮事項
スイッチング電源の設計では、特に高ピーク電流と高スイッチ
ング周波数では、プリント回路ボード (PCB) のレイアウトを注意深く行う必要があります。このため、メイン・パワー・パスと電源グラウンド・パスには幅広い短いパターンを使用することが推奨されます。入力コンデンサ、出力コンデンサ、インダ
クタ、電池は、IC のできるだけ近くに配置します。出力からグ
ラウンドまでのパワー・パスを短くすることが昇圧レギュレー
タにとって最も重要です。このため、出力コンデンサは SYS ピ

Rev. A

ンと PGND ピンの間で、できるだけ近くに配置してください。
入力コンデンサからインダクタまで、VIN ピンから PGND ピン
までのパワー・パスを最小に維持してください。入力コンデン
サは VIN ピンと PGND ピンの間のできるだけ近くに配置し、インダクタは VIN ピンと SW ピンの近くに配置します。インダク
タを該当するピンに接続するときは、ビアと裏面パターンの使用が最適です。高インピーダンスの閾値設定ノード (REF、
TERM、SETSD、SETPG)からのノイズ混入を小さくするため、IC の近くに短いパターンで外付け抵抗を接続してください。
CBP コンデンサは MPPT 電圧を 19 sec 間保持するため、リークがあると MPPT の有効性が損なわれます。ボードの組み立てと洗浄では、ハンダ溶剤や残留物のような汚染があると、高速気流がある多湿環境では特に、グラウンドに対する寄生抵抗が形成されることがあります。このために、電圧レギュレーションが大幅に性能低下し、外付け抵抗で設定される閾値電圧が変化します。したがって、CBP コンデンサまたは閾値設定抵抗の近くにグラウンド・プレーンを設けないことが推奨されます。さらに、ボードを注意深く洗浄する必要があります。可能な場合、
CBP コンデンサと閾値設定抵抗は、脱イオン水でイオン汚染を洗浄してください。

－ 16/19 －ADP5090

データシート
代表的なアプリケーション回路
PGOOD

22µH

SOLAR
HARVESTER

SYS
SW

4.7µF

4.7µF

ADP160/
ADP161SENSOR

VIN
6.34MΩ

BAT

+

MPPT
14.7MΩ–
PAS409HR
0.03F
3.3V 12µAh

CBP
10nF

ADP5090

MCU(ALWAYS ON)

REF
BACK_UP
CR2032
3V
225mAhDIS_SW

SETSD

MINOP

SETPG

20kΩ

ADF7xxx

TERM(Rx/Tx)
PGND
12263-028

AGND

図 29.ADP5090 採用のエネルギー・ハーベスタ・ワイヤレス・センサー・アプリケーション
PV セルをハーベスティング・エネルギー・ソース (Trony 0.7 V、60 μA、Alta Devices 0.72 V、42 µA、Gcell 1.1 V、100 μA)として使用、
Shoei Electronics 社のポリアセン・コイン型コンデンサ PAS409HR を収集済みエネルギーの保存に使用、Panasonic 社のプライマリ・リチウムイオン・コイン型セル CR2032 を予備電池として使用

THERMOELECTRIC
GENERATOR

PGOOD

22µH

SYS
SW

+

4.7µF

4.7µF

VIN

10MΩ

BAT
MPPT

10MΩ

+
–
PAS409HR
0.03F
3.3V 12µAh

CBP
10nF

ADP5090
REF
BACK_UP

CR2032
3V
225mAhDIS_SW

SETSD

MINOP

SETPG

20kΩ

TERM

PGND
12263-029

AGND

図 30.ADP5090 採用のエネルギー・ハーベスタ回路
熱電発電をハーベスティング・エネルギー・ソースとして使用
Shoei Electronics 社のポリアセン・コイン型コンデンサ PAS409HR を収集済みエネルギーの保存に使用
Panasonic 社のプライマリ・リチウムイオン・コイン型セル CR2032 を予備電池として使用

Rev. A－ 17/19 －ADP5090

データシートPIEZOELECTRIC
HARVESTER

PGOOD

22µH

SYS
SW
4.7µF

4.7µF

VIN

10MΩ

BAT
MPPT

10MΩ

+
–
PAS409HR
0.03F
3.3V 12µAh

CBP
10nF

ADP5090
REF
BACK_UP

CR2032
3V
225mAhDIS_SW

SETSD

MINOP

SETPG

20kΩ

TERM

PGND
12263-030

AGND

図 31.ADP5090 採用のエネルギー・ハーベスタ回路
圧電素子をハーベスティング・エネルギー・ソースとして使用、
Shoei Electronics 社のポリアセン・コイン型コンデンサ PAS409HR を収集済みエネルギーの保存に使用
Panasonic 社のプライマリ・リチウムイオン・コイン型セル CR2032 を予備電池として使用

22µH

SOLAR
HARVESTERSYSTEM
LOAD

SYS
SW

4.7µF

4.7µF

VIN

SYS

4.7MΩ
PGOOD

MPPT
18MΩ

BAT

CBP
10nF

+
–

ADP5090
REF
BACK_UP

CR2032
3V
225mAh+–DIS_SW

SETSD

MINOP

SETPG

20kΩ

TERM

PGND
12263-131

AGND

図 32.ADP5090 の PGOOD 機能がシステム負荷をオンするタイミングを決定

Rev. A－ 18/19 －ADP5090

データシート
外形寸法
0.30
0.25
0.20
0.50
BSC

13

PIN 1
INDICATOR(0.30)

16
1

12
EXPOSED
PAD

1.80
1.70 SQ
1.60

9TOP VIEW

0.80
0.75
0.70

PKG-004087

SEATING
PLANE

0.45
0.40
0.35

4
5

8

0.20 MIN

BOTTOM VIEW

0.05 MAX
0.02 NOM
COPLANARITY
0.08
0.203 REF

FOR PROPER CONNECTION OF
THE EXPOSED PAD, REFER TO
THE PIN CONFIGURATION AND
FUNCTION DESCRIPTIONSSECTION OF THIS DATA SHEET.
06-10-2013-A

PIN 1
INDICATOR

3.10
3.00 SQ
2.90

COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-WEED-4.

図 33.16 ピン・リードフレーム・チップ・スケール・パッケージ[LFCSP_WQ]
3 mm x 3 mm ボディ、極薄クワッド(CP-16-33)
寸法: mmオーダー・ガイド
Model 1

Temperature Range

Package Description

Package Option

Branding

ADP5090ACPZ-1-R7
ADP5090-1-EVALZ
ADP5090-2-EVALZ−40°C to +125°C

16-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP_WQ]
Evaluation Board
Evaluation Board with Solar Harvester

CP-16-33

LPN

1

Z = RoHS 準拠製品。

Rev. A－ 19/19 －