第 41 回電子材料シンポジウム

41st Electronic Materials
Symposium
EMS-41ADVANCE PROGRAM

Oct. 19th (Wed.) – 21st (Fri.), 2022

THE KASHIHARA
Oct. 19th, Wednesday

https://ems.jpn.org/

Oct. 20th, Thursday

Oct. 21st, Friday

8:30

8:30

9:00

Session Th1(8:30 - 10:03)

Session Fr1(8:30 - 9:33)

9:00

Break (9:33 - 9:45)
10:00

Industrial Session 3(10:03 - 10:23)
Break (10:23 - 10:33)

11:00

Poster Session II(Session Th1)
(10:33 - 12:00)

Session Fr2(9:45 - 10:48)

10:00

Break (10:48 - 10:58)

12:00

11:00
Poster Session IV(Session Fr1, Fr2)
(10:58 - 12:30)

12:00

Lunch
(12:00 - 13:00)
13:00

Plenary Session(13:10 - 14:00)
14:00
Session We1(14:00 - 15:00)
15:00

16:00

17:00

18:00

19:00

Lunch
(12:30 - 13:30)

Opening Session (13:00 - 13:10)

Industrial Session 1(15:00 - 15:20)
Break (15:20 - 15:30)
Session We2(15:30 - 16:33)
Industrial Session 2(16:33 - 16:53)
Break (16:53 - 17:03)

Poster Session I(Session We1, We2)
(17:03 - 18:30)

Dinner
(18:30 - 20:00)

13:00

Session Th2(13:00 - 14:00)
Industrial Session 4(14:00 - 14:20)
Break (14:20 - 14:30)
Session Th3(14:30 - 15:33)

Special Lecture(13:30 - 14:20)

Break (14:50 - 15:00)
Special Session(14:20 - 16:00)

Industrial Session 5(15:33 - 15:53)
Break (15:53 - 16:03)
Closing Session (16:00 - 16:20)
Poster Session III(Session Th2, Th3)
(16:03 - 17:30)

Free Time(17:30 - 18:30)

Dinner & Speech(18:30 - 20:00)

14:00

15:00

16:00

17:00

18:00

19:00

20:00

20:00
Rump Session(20:00 - 21:30)
21:00

21:00

【October 19th, Wednesday】

Opening Session (13:00-13:10)

Plenary Session (13:10-14:00)
Chair: Y. Otoki (Sciocs Ltd.)Plenary 13:10 (50 min)Control of GaN interfaces for power transistor application
パワートランジスタ向け GaN 界面の制御
T. Hashizume
Hokkaido University

Session We1 (14:00-15:00)
Chair: H. Murakami (Tokyo University of Agriculture and Technology)
We1-1 [Invited] 14:00 (30 min)Recent progress in crystal growth and power device application of Ga2O3
β-Ga2O3 の結晶成長とパワーデバイス応用の最新動向
K. Sasaki, and A. Kuramata
Novel Crystal Technology Inc.
We1-2
14:30 (3 min + poster)Face-Selective Crystal Growth of Hydrothermal Tungsten Oxide Nanowires for Sensing Volatile Molecules
水熱合成 WO3 ナノワイヤの結晶面選択成長と分子認識センサ
K. Nagashima*,** S. Nekita***, G. Zhang*, T. Hosomi*,**, T. Takahashi*,**, M. Kanai***, T.
Okuyama****, and T. Yanagida*,****University of Tokyo, **JST PRESTO, ***Kyushu University, ****Kurume College
We1-3
14:33 (3 min + poster)
Investigation of Li-Doped NiO Thin Films for Visible-Light-Transparent Device by Spray Pyrolysis Method
可視光透過型デバイスに向けたスプレー熱分解法による Li ドープ NiO 薄膜の検討
K. Tomono, and M. Sugiyama
Tokyo University of Science
We1-4
14:36 (3 min + poster)
Epitaxial growth of AlxGa1-x)2O3 thin films on (010) -Ga2O3 substrates by mist CVD
ミスト CVD 法を用いたAlxGa1-x)2O3 薄膜のエピタキシャル成長
M. Kaneko, H. Nishinaka, K. Kanegae, and M. Yoshimoto
Kyoto Institute of Technology
We1-5
14:39 (3 min + poster)
Fabrication of single oriented VO2 thin films via topotactic oxidation
トポタクティック酸化を利用した単一配向 VO2 薄膜の作製
H. Nishii, Y. Matamura, T. Ikenoue, M. Miyake, and T. Hirato
Kyoto UniversityWe1-6
14:42 (3 min + poster)Preparation of MA3Bi2I9 Thick Films via Mist Deposition Method for X-Ray Detection
ミストデポジション法で作製した MA3Bi2I9 厚膜による X 線検出
M. Kawakami, Y. Haruta, T. Ikenoue, M. Miyake, and T. Hirato
Kyoto University
We1-7
14:45
(3 min + poster)
Estimation of optimal conditions for semiconductor nanowires by MBE growth using machine learning
機械学習を用いた MBE 成長による半導体ナノワイヤの最適条件推定
T. Hara*, Y. Maeda*, A. Kusaba***, Y. Kangawa***, F. Ishikawa****,**, and T. Okuyama**NIT, Kurume College, **Ehime University, ***Kyushu University, ****Hokkaido University
We1-8
14:48
(3 min + poster)In situ X-ray observation of graphene precipitation from crystallized Ni catalyst ---Cooling rate dependence--結晶化 Ni 触媒からのグラフェン析出その場 X 線観察 ---冷却速度依存性--Ryosuke Achiwa*, Tomoaki Murahashi*, Shigeya Naritsuka*, Takahiro Maruyama*, Takuo Sasaki**, andSeiji Fujikawa***Meijo University, **National Institutes for Quantum Science and Technology
We1-9
14:51
(3 min + poster)Development of a novel rutile-type SnO2-GeO2-SiO2 alloy system
新規ルチル型 SnO2-GeO2-SiO2 混晶系の開発
H. Takane*, Y. Ota**, T. Wakamatsu*, T. Araki***, K. Tanaka*, and K. Kaneko*,****Kyoto University, **Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute, ***Ritsumeikan
University
We1-10
14:54(3 min + poster)Temperature dependence of carrier concentration and Hall mobility in alpha-In2O3 films grown by mist CVD
methodMist CVD 成長 α-In2O3 薄膜におけるキャリア濃度とホール移動度の温度依存性
A. Taguchi*, T. Onuma*, K. Goto**, K. Kaneko***, Y. Kumagai**, T. Honda*, S. Fujita****, and T.
Yamaguchi**Kogakuin University, **Tokyo University of Agriculture and Technology, ***Ritsumeikan University,****Kyoto University
We1-11
14:57(3 min + poster)Analyses of Band Alignment in Rocksalt-structured MgZnO/MgO Interface Grown by Mist CVD
ミスト CVD 成長岩塩構造 MgZnO/MgO 界面におけるバンドアライメント解析
M. Matsuda*, K. Ogawa**, Y. Ota***, T. Yamaguchi*, K. Kaneko****, S. Fujita*****, T. Honda*, and T.
Onuma**Kogakuin University, **ORC Manufacturing Co. Ltd., ***TIRI, ****Ritsumeikan University, *****Kyoto
University

Industrial Session 1 (15:00 - 15:20)

Break (15:20 - 15:30)

Session We2 (15:30 - 16:33)
Chair: R. Miyagawa (Nagoya Institute of Technology)
We2-1 [Invited] 15:30 (30 min)Development of Light Emitting Synthesizer Based on Nitride Semiconductors
窒化物半導体を用いた発光シンセサイザーの開発
Y. Kawakami, Y. Matsuda, R. Ishii, and M. Funato
Kyoto University
We2-2
16:00 (3 min + poster)Surface Potential Measurement of MoS2 on Ga-face and N-face GaN substrates by KFM
KFM による Ga 面 GaN 基板と N 面 GaN 基板上の MoS2 の表面電位測定
K. Rong, T. Araki, and S. Mouri
Ritsumeikan University
We2-3
16:03 (3 min + poster)Temperature dependence of interlayer exciton emission intensity from MoS2/WSe2 heterobilayers
MoS2/WSe2 ヘテロバイレイヤーからの層間励起子発光強度の温度依存性
K. Yamase*, N. Horikawa*, K. Watanabe**, T. Taniguchi**, and Y. Hoshi**Tokyo City University, **National Institute for Materials Science
We2-4
16:06 (3 min + poster)
Chirped-pulse up-conversion spectroscopy with dispersion compensation applicable to terahertz waveform
detection on a single-shot basis
分散補償チャープパルス分光法によるシングルショットテラヘルツ時間領域分光
R. Tamaki*,**, M. Suzuki**, J. Takeda**, and I. Katayama***KISTEC, **Yokohama National University
We2-5
16:09 (3 min + poster)
Post Deposition Annealing of Atomic-Layer-Deposited AlSiO/GaN MOS Structures Under Ultra-HighPressure Nitrogen Ambient
ALD により成膜した AlSiO/GaN MOS 構造における超高圧窒素 PDA の適用
T. Tokozumi, M. Kanechika, T. Kachi, and J. Suda
Nagoya University
We2-6
16:12 (3 min + poster)
SiGe Optical Waveguide for Photonic Integration with Ge Photonic Devices on a Bulk Si Platform
Ge 光デバイスとの一体集積に向けたバルク Si プラットフォーム上 SiGe 光導波路
M. Sato, T. Fukushima, A. Nishiyori, J. A. Piedra-Lorenzana, T. Hizawa, and Y. Ishikawa
Toyohashi University of Technology
We2-7
16:15 (3 min + poster)
1.3 μm-Wavelength Lasers with Type-II GaInAs/GaAsSb/GaInAs "W"-Quantum Wells on GaAs Substrate
GaAs 基板上 1.3 μm 帯 GaInAs/GaAsSb/GaInAs “W”型 Type-II 量子井戸レーザ
T. Fuyuki*, T. Go*, D. Inoue*, H. Yoshinaga*, M. Ekawa*, T. Ishizuka*, S. Yoshimoto*, P. Ludewig**, A.
Baumner**, A. R. Perez**, and W. Stolz***Transmission Devices Laboratory, Sumitomo Electric Industries Ltd., **NAsP III/V GmbH
We2-8
16:18 (3 min + poster)Wurtzite InP nanowire light-emitting diodes with Different pn-Junction Structures toward Alternative Nano
Light Source
代替ナノ光源に向けた異なる pn 接合構造を持つウルツ鉱 InP ナノワイヤ発光ダイオード
S. Kimura, H. Gamo, Y. Katsumi, J. Motohisa, and K. Tomioka
Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University

We2-916:21 (3 min + poster)Polarization States of Vector Beams Obtained from Core-Multishell Nanowires
コアマルチシェルナノワイヤより得られたベクトルビームの偏光状態
T. Kunimoto*,**, S. Hara**,*, and J. Motohisa*,***Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, **Research Center for
Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
We2-10
16:24 (3 min + poster)Ozone water concentration measurement using boron doped diamond electrodes
ダイヤモンド電極を用いた溶存オゾン濃度センサ
K. Kurihara*, K. Akai**, and Y. Einaga***Sciocs Corporation, **Department of Chemistry, Keio University
We2-11
16:27 (3 min + poster)Control of the structure of SnO2 thin films for enhanced sensitivity of visible-light-transparent CO2 sensors
through reactive sputtering
可視光透過型 CO2 センサの感度向上に向けたリアクティブスパッタによる SnO2 薄膜構造制御
T. Maeda, and M. Sugiyama
Tokyo University of ScienceWe2-12
16:30 (3 min + poster)
Mechanism of NO2 detection of ambipolar carbon nanotube field-effect transistors fabricated bydielectrophoretic assembly
誘電泳動集積法を用いて作製したカーボンナノチューブ電界効果トランジスタの NO2 応答メカニ
ズム
S. Nakahara, K. Yagi, H. Omachi*, M. Inaba, M. Nakano, and J. Suehiro*Kyushu University, **Nagoya University

Industrial Session 2 (16:33 - 16:53)

Break (16:53 – 17:03)

Poster Session 1 (17:03 - 18:30)

Free Time (Dinner) (18:30 - 20:00)

Rump Session (20:00 - 21:30)“Crystal growth and artificial intelligence: New tool to advance research”「結晶成長と AI 技術 ~新しい道具を使って効率よく研究をしよう~」
Organizers: J. Nishinaga (AIST)
Y. Kangawa (Kyushu University)
Panelists: H. Kaneko
K. Kutsukake
R. Shimizu
Y. Takenaga(Meiji University)(RIKEN)(Tokyo Tech)(Tokyo Electron Ltd.)

オーガナイザ 西永慈郎
寒川義裕

(産総研)
(九大)

パネラ

(明治大)
(理研)
(東工大)
(東京エレクトロン)

金子弘昌
沓掛健太朗
清水亮太
竹永裕一

【October 20th, Thursday】

Session Th1 (8:30 - 10:03)
Chair: M. Iwaya (Meijo Univesrsity)Th1-1 [Invited] 8:30 (30 min)Wavelength Conversion Device Application of Widegap Semiconductors: Far-UV Light Sources andQuantum Computers
ワイドギャップ半導体の波長変換デバイス応用：遠紫外光源と量子コンピュータ
R. Katayama, and T. Tanikawa
Osaka University
Th1-2
9:00 (3 min + poster)In situ observation of heteroepitaxial growth of InGaN on GaN/graphene template
GaN/グラフェンテンプレート上での InGaN ヘテロエピタキシャル成長のその場観察
M. Nonogaki*, Y. Kato*, K. Osamura*, R. Yokoi*, S. Naritsuka*, T. Maruyama*, T. Sasaki**, and S.
Fujikawa***Meijo University, **National Institutes for Quantum Science and Technology Japan
Th1-3
9:03 (3 min + poster)Electronic and structural properties of Li-doped NiO epilayers by RF magnetron sputtering
RF マグネトロンスパッタ法によるエピタキシャル NiO:Li 薄膜の電気特性及び構造物性
Y. Hashimoto, and M. Sugiyama
Tokyo University of Science
Th1-4
9:06 (3 min + poster)
Evaluation of electrical properties in anodized n-GaN in two-step wet etching method
2 段階ウェットエッチング法における陽極酸化 n-GaN の電気伝導特性評価
G. Kamio*, H. Fujioka**, and N. Maeda**Tokyo University of Technology, **Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
Th1-5
9:09 (3 min + poster)
Dependence of optical signal response time on Bi content in low-temperature-grown GaAs1-xBix
低温成長 GaAs1-xBix の光信号応答時間の Bi 組成依存性
S. Saito*, T. Umenishi*, M. Harada*, Y. Kozai*, Y. Tominaga*, M. Yukimune**, F. Ishikawa**,***, and O.
Kojima*****Hiroshima University, **Ehime University, ***Hokkaido University, ****Chiba Institute of Technology
Th1-6
9:12 (3 min + poster)
Water-Selective Nanostructured Dehumidifier for Molecular Sensing Space
分子センシング環境の水分子選択的除湿を可能にするナノデバイス
K. Nagashima*,**, J. Liu*, T. Hosomi*,**, T. Takahashi*,**, Y. Hanai***, A. Nakao***, M. Nakatani***,W. Tanaka*, M. Kanai****, and T. Yanagida*,*****The University of Tokyo, **JST PRESTO, ***Panasonic Industry Corp., ****IMCE, Kyushu University
Th1-7
9:15 (3 min + poster)
Detection of carrier nonradiative recombination in dislocation glide planes of InGaAs solar cells by a laser
heterodyne photothermal displacement method
光ヘテロダイン光熱変位法による InGaAs 太陽電池の転位すべり面におけるキャリア非発光再結合の検出
S. Harada*, T. Harada*,**, J. Okubo*, H. Suzuki*, A. Ogura***, T. Ikari*, and A. Fukuyama**University of Miyazaki, **Research Fellow of Japan Society for the Promotion of Science, ***Universityof Tsukuba

Th1-8
9:18 (3 min + poster)Formation technology of SiO2 layer in fluid channel for realization of optical stimulation and chemical
injection neural probe
光刺激・薬液投与を可能とする神経プローブのための流路内 SiO2 形成技術
G. Shinohara*, K. Oya*, A. Nishikawa**, A. Loesing**, and H. Sekiguchi**Toyohashi Tech, **ALLOS
Th1-9
9:21 (3 min + poster)
Deep-Ultraviolet Second-Harmonic Generation from Microcavity Structure with SrB4O7 Nonlinear Optical
CrystalSrB4O7 非線形光学結晶を用いたマイクロ共振器構造による深紫外第二高調波発生
T. Nakahara*, T. Nambu*, Y. Mori*, M. Yoshimura**, S. Ichikawa*, Y. Fujiwara*, R. Ishii***, Y.
Kawakami*, M. Uemukai*, T. Tanikawa*, and R. Katayama**Graduate School of Engineering, Osaka University, **Institute of Laser Engineering, Osaka University,***Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
Th1-10
9:24 (3 min + poster)
Fabrication of GaN transverse quasi phase matching photon pair generation device using MOVPE-based
epitaxial polarity inversion technology
MOVPE エピタキシャル極性反転技術を用いた GaN 横型擬似位相整合 光子対発生デバイスの作製
K. Ikeda, T. Murata, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
Osaka University
Th1-11
9:27 (3 min + poster)
Enhanced red luminescence from Eu-doped GaN RCLED using a conductive HfO2/TiO2 DBR
導電性 HfO2/TiO2 DBR を用いた Eu 添加 GaN 共振器 LED による高輝度赤色発光の実現
W. Ichimiya*, S. Ichikawa*,**, S. Kobayashi*, J. Tatebayashi*, and Y. Fujiwara**Graduate School of Engineering, Osaka University, **Research Center for UHVEM, Osaka University
Th1-12
9:30 (3 min + poster)
Increasing the optical output performance of UV-B laser diodes
UV-B レーザダイオードの光出力特性の向上
R. Kondo, R. Hasegawa, A. Yabutani, E. Matsubara, S. Iwayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and
H. Miyake
Meijo University, Mie University
Th1-13
9:33 (3 min + poster)
Demonstration of 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation from HfO2/AlN Transverse Quasi-PhaseMatched Channel WaveguideHfO2/AlN 横型擬似位相整合チャネル導波路による 230nm 遠紫外第二高調波発生の実証
Y. Furukawa*, H. Honda*, K. Shojiki*,**, K. Uesugi***,****, H. Miyake**,****, K. Serita*****, H.
Murakami*****, M. Tonouchi*****, M. Uemukai*, T. Tanikawa*, and R. Katayama**Graduate School of Engineering, Osaka University, **Graduate School of Engineering, Mie University,***Strategic Planning Office for Regional Revitalization, Mie University, ****Graduate School of Regional
Innovation Studies, Mie University, *****Institute of Laser Engineering, Osaka University
Th1-14
9:36 (3 min + poster)
Image Processing and Machine Leaning for Automated Identification of Chemo-/Biomarker Features in 2D
Sensor Signal Map
イメージプロセッシングと機械学習を利用した 2D センサシグナルマップからの化学・バイオマ
ーカーサインの抽出
K. Nagashima*,**, C. Jirayupat*, T. Hosomi*,**, T. Takahashi*,**, M. Kanai***, and T. Yanagida*,****The University of Tokyo, **JST PRESTO, ***IMCE, Kyushu UniversityTh1-15
9:39 (3 min + poster)
Breath Odor-Based Individual Authentication by An Artificial Olfactory Sensor System and Machine
Learning
人工嗅覚センサシステムと機械学習に基づく呼気生体認証
K. Nagashima*,**, C. Jirayupat* T. Hosomi*,**, T. Takahashi*,**, Y. Hanai***, A. Nakao***, M.
Nakatani***, W. Tanaka*, M. Kanai****, and T. Yanagida*,*****The University of Tokyo, **JST PRESTO, ***Panasonic Industry Corp., ****IMCE Kyushu University
Th1-16
9:42 (3 min + poster)
Diamond-based electronic tongues: Portable chemical sensors for discriminating a fingerprint of solutions
ダイヤモンド電子舌：各種溶液の指紋情報を取得するポータブル型化学センサ
S. Ohmagari, H. Nakahara, N. Morita, K. Takemura, and W. Iwasaki
Sensing System Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
Th1-17
9:45 (3 min + poster)In plane uniformity control of Al composition and thickness for AlGaN based Far UVC LEDs growth
AlGaN 系遠紫外 LED 成長における Al 組成および膜厚の面内均一性制御
J. Yoshinaga*, K. Ikejiri*, H. Tokunaga*, S. Koseki*, M. Jo**, and H. Hirayama***Taiyo Nippon Sanso Corporation, **RIKEN
Th1-189:48 (3 min + poster)
Reuse of 50 mm and 65 mm in diameter ScAlMgO4 (SAM) substrates utilized for free-standing GaN
substrates by HVPE (1)HVPE 成長による自立 GaN 基板作製のための 50mm 及び 65mm 径 ScAlMgO4 (SAM) 基板の再利用 (1)
S. Seiryu*, K. Tadatomo**, R. Inomoto**, M. Deura***, T. Fujii***, T. Araki***, Y. Shiraishi****, T.
Kumagai****, and T. Fukuda*****OTASJAPAN, **Creators of New Value, ***Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan
University, ****Fukuda Crystal Laboratory
Th1-199:51 (3 min + poster)
Reuse of 50 mm and 65 mm in diameter ScAlMgO4 (SAM) substrates utilized for free-standing GaN
substrates by HVPE (2)HVPE 成長による自立 GaN 基板作製のための 50mm 及び 65mm 径 ScAlMgO4 (SAM) 基板の再利用 (2)K. Tadatomo*, R. Inomoto*, S. Seiryu**, G. Piao***, H. Tokunaga***, S. Koseki***, A. Ubukata***, M.
Deura****, T. Fujii****, T. Araki****, Y. Shiraishi*****, T. Kumagai*****, and T. Fukuda******Creators of New Value, **OTASJAPAN, ***TAIYO NIPPON SANSO, ****Ritsumeikan University,*****Fukuda Crystal Laboratory
Th1-20
9:54 (3 min + poster)
Modelling interlayer diffusion in III-nitride hetero interface
窒化物半導体ヘテロ界面における相互拡散の物理モデル構築
K. Miyamoto*, A. Kusaba**, and Y. Kangawa*,***Department of Aeronautics and Astronautics, **RIAM, Kyushu University
Th1-21
9:57 (3 min + poster)Growth of InGaN Film on ScAlMgO4 Substrate by RF-MBE
RF-MBE 法を用いた ScAlMgO4 基板上 InGaN エピタキシャル成長
N. Goto*, Y. Kuroda*, Y. Wada*, T. Fujii*,***, S. Mouri*, M. Deura**, Y. Shiraishi***, T. Fukuda***, andT. Araki**Graduate School of Science and Engineering, **R-GIRO, Ritsumeikan University, ***Fukuda Crystak
Laboratory Co.
Th1-22
10:00 (3 min + poster)Preparation of AlN Vertical Polarity Inverted Structure Using Sputtering and Face-to-Face Annealing
スパッタアニール法による AlN 垂直方向極性反転構造の作製
K. Shojiki*,**, K. Uesugi*, S. Xiao*, and H. Miyake**Mie University, **Osaka University

Industrial Session 3 (10:03 - 10:23)

Break (10:23 – 10:33)

Poster Session 2 (10:33 - 12:00)

Free Time (Lunch) (12:00 - 13:00)

Session Th2 (13:00 - 14:00)
Chair: Y. Otoki (Sciocs Ltd.)
Th2-1 [Invited] 13:00 (30 min)
Decline and Regeneration of Japanese Compound Semiconductor Device
As an example, unraveling the history of RF Device Business「日本の化合物半導体デバイスの繁栄と衰退、そして再生」ＲＦデバイスの歴史を例にとって
S. Yamaga
Nisshinbo Micro Devices Inc.
Th2-2
13:30 (3 min + poster)
Schottky barrier height for Ga2O3 polymorphs: A simple estimation
酸化ガリウム結晶多形のショットーキー障壁：単純な方法
Y. Ota*, K. Kaneko**, T. Onuma***, and S. Fujita*****TIRI, **Ritsumeikan University, ***Kogakuin University, ****Kyoto University
Th2-3
13:33 (3 min + poster)Core-Shell Metal Oxide Nanowire Array to Analyze Adsorption Behaviors of Volatile Molecules
コアシェル型金属酸化物ナノワイヤを用いた分子吸着挙動分析
K. Nagashima*,**, W. Li*, T. Hosomi*,**, T. Takahashi*,**, W. Tanaka*, M. Kanai***, and T.
Yanagida*,****The University of Tokyo, **JST PRESTO, ***IMCE Kyushu University
Th2-4
13:36 (3 min + poster)
Direct detection of surface recombination lifetime of air-exposed GaAs (110) by time-resolved two-photon
photoemission spectroscopy
2 光子光電子分光法による大気暴露した GaAs(110)の表面再結合寿命の直接検出
S. Ichikawa*,**, and K. Kojima**Osaka University, **Research Center for UHVEM Osaka University
Th2-5
13:39 (3 min + poster)
Fabrication of MicroLEDs using isolation technique by B+ implantation
Ｂイオン注入を用いた絶縁層形成によるマイクロ LED の作製
S. Nishigaki, and H. Sekiguchi
Toyohashi Tech

Th2-6
13:42 (3 min + poster)Development of flexible MicroLED array film by transfer technology
転写技術によるフレキシブルマイクロ LED アレイフィルの開発
T. Kitade*, H. Matsuhira*, R. Kanda*, A. Nishikawa**, A. Loesing**, S. Setogawa***, I. Fukunaga****,
N. Ohkawa***, and H. Sekiguchi**Toyohashi Tech, **ALLOS, ***Dokkyo, ****OIST
Th2-7
13:45 (3 min + poster)
Fabrication of GaNAsBi/GaAs multi-quantum-well light-emitting-diodes
GaNAsBi/GaAs 多重量子井戸発光ダイオードの製作
R. Aoki, S. Hasegawa, H. Kawata, K. Kanegae, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto
Kyoto Institute of Technology
Th2-8
13:48 (3 min + poster)Size Control and PL Characteristics for InSb Quantum Dots on GaSb Substrates Grown by MBE
MBE によって成長させた GaSb 基板上 InSb 量子ドットのサイズ制御と PL 特性
K. Koseki, K. Yamamoto, E. Kuwabara, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro
Tokyo University of Science, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
Th2-9
13:51 (3 min + poster)
Bio-magnetic sensor utilizing tunnel magneto-resistive device
TMR 素子を利用した生体磁気センサ
M. Oogane*,**,***, K. Fujiwara****, T. Nakano*, S. Kumagai****, H. Matsuzaki****, and Y.
Ando*,**,****Graduate School of Engineering, Tohoku University, **CSIS, Tohoku University, ***CSRN, Tohoku
University, ****Spin Sensing FactoryTh2-10
13:54 (3 min + poster)Size dependence of thermal stability in non-collinear antiferromagnetic Mn3Sn nanodot
ノンコリニア反強磁性 Mn3Sn ナノドットの熱安定性のサイズ依存性
Y. Sato1,2, Y. Takeuchi3, Y. Yamane1,4, J. -Y. Yoon1,2, S. Kanai1,2,5, J. Ieda6, H. Ohno1-3,5,7, and S. Fukami1-3,5,7,8
1
RIEC, Tohoku University, 2Graduate School of Engineering, Tohoku University, 3WPI-AIMR, Tohoku
University, 4FRIS, Tohoku University, 5CSIS, Tohoku University, 6ASRC, JAEA, 7CIES, Tohoku University,
8
Inamori Research Institute for ScienceTh2-11
13:57 (3 min + poster)
Prospect of pitch scaling for high-density STT-MRAM using ultra-small magnetic tunnel junctions
極微細磁気トンネル接合を用いた STT-MRAM の高集積化に関する予測
T. Shinoda1,2, J. Igarashi1-3, B. Jinnai4, S. Fukami1,2,4-7, and H. Ohno1,4-6
1RIEC, Tohoku University, 2Graduate School of Engineering, Tohoku University, 3Institut Jean Lamour JL,
Universite de Lorraine, 4WPI-AIMR, Tohoku University, 5CSIS, Tohoku University, 6CIES, Tohoku
University, 7Inamori Research Institute for Science

Industrial Session 4 (14:00 - 14:20)

Break (14:20 – 14:30)

Session Th3 (14:30 - 15:33)
Chair: Y. Kangawa (Kyushu University)Th3-1 [Invited] 14:30 (30 min)From two-dimensional materials to 2.5-dimensional materials science
二次元物質から２.５次元物質科学研究へ
H. AgoKyushu University
Th3-2
15:00 (3 min + poster)
Designing Long-Term Stability of a Polyethylene Glycol-Carbon Black Nanocomposite Molecular Sensor
高分子・カーボン複合体分子センサの長期安定化へ向けた分子設計
K. Nagashima*,** W. Li*, T. Hosomi*,** Y. Hanai***, A. Nakao***, T. Takahashi*,**, W. Tanaka*, M.
Kanai****, and T. Yanagida*,*****The University of Tokyo, **JST PRESTO, ***Panasonic Industry Corp., ****IMCE Kyushu University
Th3-3
15:03 (3 min + poster)
Effects of Ablation Conditions on Strongly Correlated Ferroelectric YMnO3 Thin Film Growth in PLD
MethodPLD 法におけるアブレーション条件が強相関強誘電体 YMnO3 薄膜の成長に及ぼす影響
Y. Igarashi, K. Shimamoto, T. Yoshimura, and N. Fujimura
Osaka Metropolitan University
Th3-4
15:06 (3 min + poster)
Effects of Laser Irradiation Conditions on Phase Formation of Multiferroic YbFe2O4 Thin Films in PLD
methodPLD 法を用いたマルチフェロイック YbFe2O4 薄膜の相形成におよぼすレーザー照射条件の影響
K. Shimamoto*, Y. Igarashi, T. Hayama, T. Yoshimura, and N. Fujimura
Osaka Metropolitan University
Th3-5
15:09 (3 min + poster)
Epitaxial growth of bixbyite structured delta-Ga2O3 thin films using the same structured beta-Fe2O3 buffer
layers by Mist CVD
ミスト CVD 法による同一構造の β-Fe2O3 バッファ層を用いたビックスバイト構造 δ-Ga2O3 のエピ
タキシャル成長
T. Kato, H. Nishinaka, K. shimaoe, K. Kanegae, and M. Yoshimoto
Kyoto Institute of Technology
Th3-6
15:12 (3 min + poster)
GaAs/GaInNAs Core Multishell Nanowires Arrays Emitting at 1280 nm on Patterned Silicon Grown by
Molecular Beam Epitaxy
MBE 法による加工基板上 GaAs/GaInNAs コアシェルナノワイヤアレイの 1280nm 発光
K. Nakama*, M. Yukimune*, A. Higo**, and F. Ishikawa****Ehime University, **Tokyo University, ***Hokkaido University
Th3-7
15:15 (3 min + poster)
Recovery of In, Ga, and As by marine bacteria
海洋性細菌による In, Ga, As の回収
A. Mukuki, T. Konishi, Y. Okamura, and Y. Tominaga
Hiroshima University
Th3-8
15:18 (3 min + poster)2 inch Wafer Scale GaAs Nanowires Synthesis by Self-Catalyzed Molecular Beam Epitaxy
自己触媒分子線エピタキシー法による 2 インチウェハスケール GaAs 系ナノワイヤの作製
K. Minehisa*, H. Hashimoto*, K. Nakama*, T. Tanigawa*, K. Sakaguchi*, M. Yukimune*, and F.
Ishikawa*,***Ehime University, **Hokkaido University

Th3-915:21 (3 min + poster)
Phase control in MoTe2 crystals by tellurization of thermally oxidized molybdenum thin films
熱酸化モリブデン薄膜のテルル化による MoTe2 結晶の相転移制御
S. Muranaka, Y. Odagiri, and Y. Hoshi
Tokyo City University
Th3-10
15:24 (3 min + poster)
Strain Deformation of GaAs/AlGaOx Core-Shell Nanowires Making Cylindrical Microstructure
円筒形微細構造を作る GaAs/AlGaOx コアシェルナノワイヤの歪変形
H. Hashimoto*, T. Tanigawa*, K. Minehisa*, K. Nakama*, K. Nagashima**, T. Yanagida**, and F.
Ishikawa*,****Ehime University, **The University of Tokyo, ***Hokkaido University
Th3-11
15:27 (3 min + poster)
Raman spectroscopic determination of hole mobility in p-type GaAsBi
ラマン分光法による p 型 GaAsBi の正孔移動度の算出
R. Ueda, S. Hasegawa, K. Kanegae, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto
Kyoto Institute of Technology
Th3-12
15:30 (3 min + poster)
Effect of different dopant elements on the properties of NiO thin films
NiO 薄膜におけるドーパント元素の影響
Y. Ueno, T. Ikenoue, M. Miyake, and T. Hirato
Kyoto University

Industrial Session 5 (15:33 - 15:53)

Break (15:53 – 16:03)

Poster Session 3 (16:03 - 17:30)

Break (17:30 - 18:30)

Dinner & Speech (18:30 – 20:00)

【October 21st, Friday】

Session Fr1 (8:30 - 9:33)
Chair: A. Ubukata (Taiyo Nippon Sanso Co. Ltd.)
Fr1-1 [Invited] 8:30 (30 min)Innovation and Commercialization of Printed Electronics Technology as a Startup- Science startup, how to change the world leveraging science and capital スタートアップとして進める、プリンテッド・エレクトロニクスの社会実装
S. Shimizu
Elephantech Inc.
Fr1-2
9:00 (3 min + poster)Thickness dependence of anomalous Hall effect in non-collinear antiferromagnetic Mn3Sn epitaxial film
ノンコリニア反強磁性 Mn3Sn エピタキシャル薄膜の異常ホール効果の膜厚依存性
S. Wakabayashi1,2, Y. Takeuchi3, J. -Y. Yoon1,2, Y. Sato1,2, K. Kishi1,2, T. Uchimura1,2, Y. Yamane1,4, S.
Kanai1,2,5, J. Ieda6, H. Ohno1-3,5,7, and S. Fukami1-3,5,7,8
1
RIEC, Tohoku University, 2Graduate School of Engineering, Tohoku University, 3WPI-AIMR, Tohoku
University, 4FRIS, Tohoku University, 5CSIS, Tohoku University, 6ASRC, JAEA, 7CIES, Tohoku University,
8
Inamori Research Institute for Science
Fr1-3
9:03 (3 min + poster)
Effect of Interface Treatment on Induced Superconductivity in InAs Two-Dimensional Electron Gas
InAs２次元電子ガスにおける界面処理が超伝導の発現に及ぼす影響
M. Otsuru, T. Yamaguchi, M. Hosoda, K. Kawaguchi, S. Sato, K. Kamishima, and K. Ishibashi
RIKEN, Saitama University, Fujitsu
Fr1-4
9:06 (3 min + poster)Annealing temperature dependence of optical properties of Ce doped SiO2
Ce ドープ SiO2 の光学特性における熱処理温度依存性
Y. Abe*, S. Kanai*,**, M. Kawahara*, J. Ishihara***, Y. Narita***, M. Kohda*, S. Fukami*,****, and H.
Ohno**Tohoku University, **JST PRESTO, ***Tokyo University of Science, ****Inamori Research Institute for
ScienceFr1-5
9:09 (3 min + poster)
Voltage dependence of double-free-layer stochastic magnetic tunnel junction
ダブルフリー層超常磁性磁気トンネル接合素子の電圧依存性
R. Ota*, K. Kobayashi*, K. Hayakawa*, S. Kanai*,**, K. Y. Camsari***, H. Ohno*, and S. Fukami*,*****Tohoku University, **JST PRESTO, ***Department of Electronics and Computing Engineering UCSB,****Inamori Research Institute for Science
Fr1-6
9:12 (3 min + poster)Development of MicroLED neural probe for recent neuroscience research
最先端の神経科学研究に活用するマイクロ LED プローブの開発
H. Sekiguchi*, H. Yasunaga*, A. Nishikawa**, A. Loesing**, S. Setogawa***, and N. Ohkawa****Toyohashi Tech, **ALLOS, ***Dokkyo Medical University
Fr1-7
9:15 (3 min + poster)Flexible neural device combined with MicroLEDs and recording electrodes
マイクロ LED と記録電極を備えた生体埋め込みフレキシブルデバイスの開発
R. Kanda*, T. Kitade*, A. Nishikawa**, Alexander Loesing**, I. Fukunaga***, S. Setogawa****, N.
Ohkawa****, and H. Sekiguchi**Toyohashi Tech, **ALLOS, ***OIST, ****Dokkyo Medical UniversityFr1-8
9:18 (3 min + poster)
Effects of excess HCl gas on AlN epitaxial lateral overgrowth by Hydride Vapor Phase Epitaxy
HVPE 法による AlN-ELO 成長における過剰 HCl の効果
Y. Kuboki*, Y. Suzuki*, Y. Kubota**, M. Kawai**, H. Murakami*, and A. Koukitu**Tokyo University of Agriculture and Technology, **Shin-Etsu Chemical Co. Ltd.
Fr1-9
9:21 (3 min + poster)
The suppression of parasitic polycrystal growth around the wall for high-rate growth of the thick OVPE-GaN
crystal
高速 OVPE-GaN 結晶の厚膜化に向けた炉壁多結晶抑制
I. Kawanami*, S. Usami*, A. Shimizu*, M. Imanishi*, M. Maruyama*, M. Yoshimura*, T. Sumi**, J.
Takino**, Y. Okayama**, M. Hata***, M. Isemura****, and Y. Mori**Osaka University, **Panasonic Holdings, ***Itochu Plastics Incorporated, ****Sosho-Ohshin Incorporated
Fr1-10
9:24 (3 min + poster)
Reduction of dislocations in OVPE-GaN by using free-standing substrate with low-dislocation density
低転位密度自立基板を用いた OVPE-GaN 結晶の転位低減
M. Aihara*, S. Usami*, M. Imanishi*, M. Maruyama*, M. Yoshimura**, M. Hata***, M. Isemura****, and
Y. Mori**Graduate School of Engineering, Osaka University, **ILE, Osaka University, ***Itochu Plastics Inc.,****Sosho-Ohshin Inc.
Fr1-11
9:27 (3 min + poster)
The relationship between the composition and lattice constant of MgO-NiO-ZnO semiconductors
酸化マグネシウム－酸化ニッケル－酸化亜鉛半導体における組成と格子定数の関係
S. Iida, T. Ikenoue, M. Miyake, and T. Hirato
Graduate School of Energy Science, Kyoto University
Fr1-12
9:30 (3 min + poster)
Large-area fabrication of MA3Bi2I9 films via mist deposition method
ミストデポジション法による MA3Bi2I9 大面積膜の作製
Y. Nakano, M. Kawakami, Y. Haruta, T. Ikenoue, M. Miyake, and T. Hirato
Kyoto University

Break (9:33 - 9:45)

Session Fr2 (9:45 - 10:48)
Chair: S. Naritsuka (Meijo University)
Fr2-1 [Invited] 9:45 (30 min)X-on-Diamond Structures on Bonding-First Concept and Their Application to Advanced Devices
ボンディングファーストによる X-on-diamond 構造及び素子応用
N. Shigekawa*, J. Liang*, and Y. Ohno***Osaka Metropolitan University, **Tohoku University
Fr2-2
10:15 (3 min + poster)
Ab Initio Studies on TMA and TMI Decomposition during MOVPE Growth
MOVPE 成長過程における TMA と TMI 分解に関する第一原理計算
Y. Nagashima*, D. Akaishi*, S. Nitta**, A. Kusaba***, Y. Kangawa***, and K. Shiraishi*,***Graduate School of Engineering, Nagoya University, **Imass, Nagoya University, ***RIAM, Kyusyu
UniversityFr2-3
10:18 (3 min + poster)Growth Simulation of GaN MOVPE Based on Rate Equation Analysis
レート方程式による GaN MOVPE の成長シミュレーション
M. Sano*, Y. Nagashima*, A. Kusaba**, Y. Kangawa**, and K. Shiraishi***,**Graduate School of Engineering, Nagoya University, **RIAM, Kyushu University, ***IMass, Nagoya
University
Fr2-4
10:21 (3 min + poster)
Effect of Lattice Strain on Bandgaps of Beta-Ga2O3
β 酸化ガリウムのバンドギャップに対する格子歪みの影響
R. Ito, T. Yasuda, T. Kawamura, and T. Akiyama
Graduate School of Engineering, Mie University
Fr2-5
10:24 (3 min + poster)
Visible-light responsive photocatalyst of Bismuth incorporation into In2O3 thin films by mist CVD
ミスト CVD 法による Bi 添加 In2O3 薄膜の可視光応用型光触媒
Y. Taniguchi*, H. Nishinaka*, K. Shimazoe*, T. Kawaharamura**, K. Kanegae*, and M. Yoshimoto**Kyoto Institute of Technology, **Kochi University of Technology
Fr2-6
10:27 (3 min + poster)
Fabrication and electrical characterization of n+-Si/p-diamond heterojunction diodes
n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価
Y. Uehigashi*, S. Ohmagari**, H. Umezawa**, H. Yamada**, J. Liang*,***, and N. Shigekawa*,****Osaka City University (present Osaka Metropolitan University), **National Institute of Advanced Industrial
Science and Technology, ***Osaka Metropolitan University
Fr2-7
10:30 (3 min + poster)
Thermal activation process at the heterointerface in photon up-conversion solar cells using hole upconversion
正孔のアップコンバージョンを用いた二段階フォトンアップコンバージョン太陽電池のヘテロ界面における熱活性化過程
Y. Toyo, S. Asahi, H. Mahamu, and T. Kita
Kobe University
Fr2-8
10:33 (3 min + poster)
Evaluation of GaN bulks by photothermal deflection spectroscopy
光熱偏向分光法による GaN バルク評価
M. Sumiya*, Y. Nakano**, Y. Koide*, and T. Honda****NIMS, **Chubu University, ***Kogakuin University
Fr2-9
10:36 (3 min + poster)Development of non-contact and non-destructive electrical property measurement technology of GaN thinfilm on ScAlMgO4 substrate using THz-TDSE
ScAlMgO4 基板上 GaN 薄膜の THz-TDSE による非接触・非破壊電気特性評価技術の開発
H. Watanabe*, D. Wang*, Y. Kuroda*, N. Goto*, T. Fujii*,***, T. Iwamoto***, M. Deura**, S. Mouri*, andT. Araki**College of Science & Engineering, Ritsumeikan University, **R-GIRO, Ritsumeikan University,***NIPPO PRECISION Co. Ltd.
Fr2-10
10:39 (3 min + poster)
Intraband transition in two-step photon up-conversion solar cells
2 段階フォトンアップコンバージョン太陽電池におけるバンド内遷移
Y. Harada, S. Asahi, and T. Kita
Kobe University
Fr2-11
10:42 (3 min + poster)
Demonstration of GaN:Eu/GaN nanowire LEDs towards realization of flexible light-emitting devices
フレキシブル光デバイス実現に向けた GaN:Eu ナノワイヤ発光ダイオードの実現
T. Otabara, J. Tatebayashi, T. Yoshimura, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara

Osaka University
Fr2-12
10:45 (3 min + poster)Highly efficient linear-to-circular polarization converter using Si3N4 metasurfaces for application in InGaNbased emitters
InGaN 発光素子への応用を目指した Si3N4 メタサーフェスによる高効率円偏光変換の実証
Y. Murata*, S. Toda*,***, Y. Fujiwara*, T. Nakagawa*, and S. Ichikawa*,***Graduate School of Engineering, Osaka University, **Research Center for UHVEM, Osaka University,***ULVAC-Osaka University Joint Research Laboratory for Future Technology

Break (10:48 - 10:58)

Poster Session 4 (10:58 - 12:30)

Free Time (Lunch) (12:30 - 13:30)

Special Lecture (13:30 - 14:20)
Chair: Y. Fujiwara (Osaka University)
Special Lecture
13:30 (50 min)Potential of diamond solid-state quantum sensors
未来社会を拓く量子技術：ダイヤモンド量子センサの可能性
M. Hatano
Tokyo Institute of Technology

Special Session (14:20 - 16:00)
Session Theme: “Sterilization and semiconductors contributing to the age of "with Coronavirus"”
セッションテーマ：「殺菌と半導体 −with コロナの時代に貢献する−」
Chairs: K. Kurihara (Sciocs Ltd.), and T. Araki (Ritsumeikan University)
Special Session-1 14:20 (30 min)Recent Progress of UVC LEDs -- Increase of Efficiency in 230 nm Far-UVC LEDs for Application to
Human-Safe Virus Inactivation -深紫外 LED の最近の進展 －人体無害 230nm ウイルス不活化 LED の高効率化とパネルの開発－
H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, and Y. Kashima
Institute of Physical and Chemical Research, RIKEN
Break (14:50 - 15:00)
Special Session-2 15:00 (30 min)Electrochemical application of boron-doped diamond electrodes
ダイヤモンド電極の環境改善・医療への応用展開
Y. Einaga
Keio University

Special Session-3 15:30 (30 min)Current status of pathogen inactivation by ultraviolet and prospects for UV-LED application
紫外線による病原体不活化の現況と UV-LED 適用の展望
N. Kamiko
Ritsumeikan University

Closing Session (16:00 - 16:20)

【講演者へのご案内】【会場】（プレナリー講演，招待講演，スペシャルセッション）
プレナリー講演，招待講演，スペシャルセッション(チュートリアルを含む)は口頭講演です．PC をご持参いただくか，会場に用意いたします
PC をご利用下さい．

EMS-41 会場 THE KASHIHARA〒634-0063 奈良県橿原市久米町 652 番地の 2
TEL：0744-28-6636，FAX：0744-28-6644
https://www.daiwaresort.jp/kashihara/index.html
橿原神宮前駅東出口→THE KASHIHARA 徒歩約 1 分（一般講演）
一般講演は， 3 分間のショートプレゼンテーション(交代時間含む)と，ポスター発表からなります．
［ショートプレゼンテーション］
視認性向上，講演者交代の迅速化を目的として液晶プロジェクターにより実施します．講演時間 3 分は交代時間を含むため，ベルの鳴るタ
イミングを第１鈴: 2 分，第 2 鈴: 2 分 50 秒とし，第 2 鈴で速やかに終了，とさせて頂きますので，ご協力をお願いいたします．
交代時間節約のため，事前に，EMS ホームページにて，講演スライドを PDF 形式にて提出して頂きます．詳細は EMS ホームページをご覧ください．（https://ems.jpn.org/）［ポスターセッション］
1. ショートプレゼンテーションの番号に対応するポスターセッションでご発表をお願いします．著者の方は，指定された時間中はポスター掲
示場所でご説明をお願い致します．
2. 来場次第，講演番号で指定された場所に掲示をお願いします．ポス
ターは会期中を通じ掲示して下さい．
84.1 cm
3. 掲示スペースは A0 サイズ（縦 118.4
cm×横 84.1 cm ）が 1 枚です．
ポスター会場は会期中を通してオープン
118.4cm
にしていますので，ポスター発表が同じ時間帯の方との討論などにご活用下さい．

【EMS 賞】［電車でお越しの方］［車でお越しの方］

本シンポジウムでは，第 16 回(平成 9 年開催)以降，優れた研究発表をなされた，あるいは討論等によりこの会議を盛り上げていただいた，原則として 35 才以下の若手研究者を対象として EMS 賞を授与しています．資格などの詳しい内容は会議初日にアナウンスし，受賞者の発表
および授与式は最終日に行います．論文発表に加えて，formal あるいは informal な討論の場にも是非，積極的に参加して頂き，大いに会議を盛り上げて頂けますようお願い申し上げます．

新企画！【Ugly Picture Contest】
結晶成長や，プロセスのあと・・・ありゃー，しまった，こりゃまずい!と叫
んで，お蔵入りしちゃった写真，結構ありませんか?そこには，見た目面
白いものあるでしょう，結構学ぶこともあるかもです．それ，披露しちゃいましょう．ぶっちゃけ話そうぜ!の EMS ならでの新規イベント，応募あれ!
優秀作品には賞品でます!
[募集要項]
1.
写真サイズ： A4(紙質自由)2.
エントリ期限： 10/18 正午
3.
エントリ先： https://forms.gle/XADFozNjnVYi2q4C64.
注意事項： 掲示する写真は各自印刷し現地で受付の指示に従って所定の掲示場所に貼付け
5.
問い合わせ先： ems41-query@ems.jpn.org［THE KASHIHARA 交通案内図］

【問い合わせ先】
論文・プログラム関係〒319-1418 茨城県日立市砂沢町880番地
株式会社サイオクス 事業開拓室
乙木 洋平（論文委員長）
TEL：078-990-1370
e-mail：yohei-otoki1@ya.sumitomo-chem.co.jp
参加および宿泊の申込みと支払い〒604-0031 京都市中京区新町通二条下る頭町21-5㈱アートツーリスト EMS-41係
TEL：075-252-2234，FAX：075-252-2244
e-mail：ems@art-tourist.co.jp
その他シンポジウム全般（事務局）〒113-8656 東京都文京区本郷7-3-1
東京大学 工学系研究科
長島 一樹（総務委員）
TEL：03-5841-3840
e-mail：ems41-query@ems.jpn.org
各種情報は，EMSホームページをご覧下さい．
https://ems.jpn.org/

電子材料シンポジウム委員会
運営委員長
藤原 康文
（阪大）
運営委員
朝日 一
（阪大）
荒川 泰彦
上田 哲三
（パナソニック）
上野 昌紀
小田 克矢
（日立製作所）
尾鍋 研太郎
河口 研一（富士通研）
喜多 隆
纐纈 明伯（東京農工大）熊倉 一英
竹田 美和（科学技術交流財団） 手塚 勉
冨谷 茂隆
（ソニー）
名西 憓之
藤田 静雄
（京大）
藤村 紀文
松本 功
（大陽日酸）
三宅 秀人
本久 順一
（北大）
吉野 淳二
若原 昭浩
（豊橋技科大）実行委員長
若原 昭浩（豊橋技術大）実行副委員長
冨谷 茂隆
（ソニー）
本久 順一
総務委員
池之上 卓己
（京大）
市川 修平
金井 駿
（東北大）
河村 貴宏
玉置 亮
（KISTEC/横国大） 出来 真斗
長島 一樹
（東大）
情報セキュリティ委員
宇野 和行（和歌山大）
会計委員
出浦 桃子(立命館大)
舘野 功太
会場委員
稲葉 優文
（九大）
宇佐美 茂佳太田 優一（都産技研）
金子 光顕
正直 花奈子 （三重大）
屋山 巴
企業展示委員
池之上 卓己
（京大）
河村 貴宏
出来 真斗
（名大）
論文委員長
乙木 洋平
（サイオクス）
論文副委員長荒木 努（立命館大）
寒川 義裕
栗原 香（サイオクス）
論文委員
秋田 勝史（住友電工）
石川 史太郎
石川 靖彦（豊橋技科大）
一色 秀夫
今林 弘毅
（福井大）
岩谷 素顕
牛田 泰久
（豊田合成）
生方 映徳
大兼 幹彦
（東北大）
大野 雄高
片岡 恵太
（豊田中研）
片山 竜二
金村 雅仁（ﾄﾗﾝｽﾌｫｰﾑ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ） 北村 雅季
蔵口 雅彦
（東芝）
小島 一信
笹倉 弘理
（北大）
徐
学俊
末益 崇
（筑波大）
杉山 正和
滝澤 俊行
（パナソニック）
竹見 政義
俵
毅彦
（日大）
寺井 慶和
成塚 重弥
（名城大）
西永 慈郎
西中 浩之
（京都工繊大）冨士田 誠之藤村 紀文（大阪府大）
船戸 充
宮川 鈴衣奈 （名工大）
村上 尚
山田 明
森
勇介
（阪大）
屋山 巴
（工学院大）
分島 彰男
渡邊 賢司（物材機構）（東大）（住友電工）（東大）（神戸大）（日本電信電話）（キオクシア）（立命館大）（大阪府大）
（三重大）
（東工大）

（北大）
（阪大）
（三重大）
（名大）

（日本電信電話）（阪大）（京都大学）（工学院大）
（三重大）

（九大）
（北大)
（電通大）
（名城大）
（大陽日酸）
（名大）
（阪大）
（東大）
（阪大）
（日本電信電話）（東大）（三菱電機）
（九工大）
（産総研）
（阪大）
（京大）
（東京農工大）
（東工大）
（名工大）

シンポジウム運営にかかる費用の一部は公益社団法人応用物理学会「高野榮一光科学基金」にご支援いただいております．