4V 駆動タイプ Pch+Pch MOSFET
SH8J65
構造
シリコン P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ

外形寸法図 (Unit : mm)
SOP8特長1) 新ライン採用により、従来品よりオン抵抗大幅低減。
2) ゲート保護ダイオード内蔵。
3) 小型面実装パッケージ(SOP8)で省スペース。
用途スイッチング

Each lead has same dimensions

包装仕様

内部回路図包装名

Type(8)

テーピング

記号

TB

基本発注単位（個）

2500

(7)

(6)

(5)

SH8J65∗2∗2

絶対最大定格 (Ta=25C)∗1∗1<Tr1, 2 共通>
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
直流
パルス
直流
ソース電流（内部ダイオード）
パルス
ドレイン電流SymbolVDSS
VGSSID
IDP ∗1ISISP ∗1

全許容損失

PD

チャネル部温度
保存温度TchTstg∗2Limits−30±20±7.0±28−1.6−282.0
1.4
150−55~+150

Unit
VVAAA
A
W / トータル
W / 素子°C°C

(1)

(2)

(3)

∗1 静電気保護用ダイオード∗2 内部ダイオード(4)(1) Tr1 ソース(2) Tr1 ゲート(3) Tr2 ソース(4) Tr2 ゲート(5) Tr2 ドレイン
(6) Tr2 ドレイン
(7) Tr1 ドレイン
(8) Tr1 ドレイン

∗1 Pw≦10μs, Duty cycle≦1%∗2 セラミック基板実装時

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Data Sheet電気的特性 (Ta=25C)<Tr1, 2 共通>
Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

ゲート漏れ電流ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流ゲートしきい値電圧

IGSS−−30−−1.0−−−6.0−−−−−−−−−−−−−
−
21.5
29.0
31.0−
1200
170
170
124080
65
183.5
6.5

±10−
−1−2.5
29.0
39.0
40.8
−
−
−
−
−−−−−−−

V(BR) DSSIDSSVGS (th)∗ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)順方向アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
降下時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量

∗

Yfs
Ciss
Coss
Crss
td (on) ∗tr ∗td (off) ∗tf ∗Qg ∗Qgs ∗Qgd ∗UnitμA
VμA
VmΩ
mΩ
mΩ
SpFpF
pF
nsnsnsnsnC
nCnC

Conditions
VGS=±20V, VDS=0V
ID= −1mA, VGS=0V
VDS= −30V, VGS=0V
VDS= −10V, ID= −1mA
ID= −7A, VGS= −10V
ID= −3.5A, VGS= −4.5V
ID= −3.5A, VGS= −4.0V
VDS= −10V, ID= −7A
VDS= −10V
VGS=0V
f=1MHzVDD −15V
ID= −3.5A
VGS= −10V
RL=4.3Ω
RG=10Ω
VDD −15V
ID= −7A
VGS= −5V
RL=2.1Ω / RG=10Ω∗∗∗∗パルス

内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta=25C)<Tr1, 2 共通>
Parameter
順方向電圧

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

VSD ∗−−−1.2

VConditions
IS= −7A, VGS=0V∗ パルス

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Data Sheet電気的特性曲線

VGS= -10V
VGS= -4.5V
VGS= -4.0V
VGS= -3.5V

14121086

VGS= -3.0V

4

VGS= -2.5V

108400.4

0.6

0.8

1.0

VDS= -10V
PulsedTa= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= - 25°C

10.1

VGS= -2.2V
0.01024681.0

101.5

2.02.53.0

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V]Fig.1 Typical Output Characteristics(Ⅰ)

Fig.2 Typical Output Characteristics(Ⅱ)

Fig.3 Typical Transfer Characteristics

100

VGS= -4.0V
VGS= -4.5V
VGS= -10V

10.1

1

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

10

1

100.1

1

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

1010.110110DRAIN-CURRENT : -ID[A]DRAIN-CURRENT : -ID[A]DRAIN-CURRENT : -ID[A]Fig.5 Static Drain-Source On-StateResistance vs. Drain Current(Ⅱ)

Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅲ)

100100VDS= -10V
Pulsed

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C

110

Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C

100.1

VGS= -4.5V
PulsedFig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅰ)

VGS= -4.0V
Pulsed10

STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(ON)[mΩ]

10100
VGS= -10V
PulsedSTATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(ON)[mΩ]

Ta=25°C
Pulsed100

VGS= -2.5V

620.2

VGS= -10V
VGS= -4.0V
VGS= -3.0V

12FORWARD TRANSFERADMITTANCE : |Yfs| [S]

STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(ON)[mΩ]

140100STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(ON)[mΩ]

1620.0

Ta=25°C
Pulsed18REVERSE DRAIN CURRENT : -Is [A]DRAIN CURRENT : -ID[A]161020DRAIN CURRENT : -ID[A]Ta=25°C
Pulsed18DRAIN CURRENT : -ID[A]20110DRAIN-CURRENT : -ID[A]Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)

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○0.1

1.010.0

VGS=0V
Pulsed101

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C

0.1

0.01
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

DRAIN-CURRENT : -ID[A]

SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V]

Fig.8 Forward Transfer Admittancevs. Drain Current

Fig.9 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage

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Data Sheet

ID = -7.0A

60

ID = -3.5A

504030

Ta=25°C
VDD = -15V
VGS=-10V
RG=10ΩPulsed

td(off)

1000tfGATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS [V]80701010000

Ta=25°C
Pulsed90

SWITCHING TIME : t [ns]STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(ON)[mΩ]

1001001020td(on)tr10510156Ta=25°C
VDD = -15V
ID = -7.0A
RG=10ΩPulsed

4201080.01

0.11100102030

GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V]DRAIN-CURRENT : -ID [A]

TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage

Fig.11 Switching Characteristics

Fig.12 Dynamic Input Characteristics

10000401000
Operation in this area is limited by RDS(ON)DRAIN CURRENT : -ID (A)CAPACITANCE : C [pF]

(V GS=-10V)

Ciss
1000

Crss100
Coss

Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V100
PW =100us

10PW =1ms1
PW = 10ms

0.1

Ta = 25°C

DCSingle Pulse

operation

MOUNTED ON SERAMIC BOARD

100.01

0.1

110

100

0.01
0.1

1GATE-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]100

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]Fig.13 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

Fig.14 Maximum Safe Operating Aera

10RESISTANCE : r (t)NORMARIZED TRANSIENT THERMAL

1010.1T a = 25°C
Single Pulse : 1Unit
Rth(ch-a)(t) = r(t)×Rth(ch-a)0.01

Rth(ch-a) = 89.3 °C/W
<Mounted on a SERAMIC board>

0.001
0.001

0.01

0.1

1101001000

PULSE WIDTH : Pw(s)Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Widthwww.rohm.com
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Data Sheet測定回路図Pulse Width

VGSID

VDS

VGS

10%
50%

90%

RL
D.U.T.

50%

10%

10%

RG
VDD

VDS

90%
td(on)

90%
td(off)trton

Fig.16 Switching Time Test Circuit

tftoffFig.17 Switching Time Waveforms

VGVGSID

VDS

Qg

RL

VGS

IG(Const.)
D.U.T.

Qgs

RG

Qgd

VDD

ChargeFig.18 Gate Charge Test Circuit

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○

Fig.19 Gate Charge Waveform

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R1120A