QS5U16࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲

2.5V 㚟േ࠲ࠗࡊ Nch+SBD MOS FETQS5U16z৓ഈ̠ҩӜҥӥ N ҳӕҿӝMOS ङใ‫ވ‬ল‫ݐ‬ҺӛӥҪҫұ̠ҩәҵҺҟ̶ӂӜҔҲҖҜ̶һz‫ޒ‬छోၓన (Unit : mm)
TSMT51.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
(5)

(4)

(2)

(3)

0.7

1.62.8zຟෙ
1) TSMT5 Ӄҵң̶Ҫџ Nch MOS FET ќҩәҵҺҟ̶ӂӜҔҲҖҜ̶һ҆຾ആ̝2) ৸ഒҫҖҵҳӥҢ̜ฃҜӥฑ৉̝3) ฃใ‫࣪ٽ‬ຌ (2.5V ࣪ຌ) ̝4) ฃ VF ҩәҵҺҟ̶ӂӜҔҲҖҜ̶һ҆຾ആ̝

0.85

0~0.1

0.3~0.6(1)0.160.4

Each lead has same dimensions
標印略記号 : U16zᄿ๑ӟ̶һҫҖҵҳ̜DC / DC ҥӥӂ̶ұz၅೻ગᄻTypez຾࿪‫ݷ‬ᇓన
包装名テーピング記号TR

基本発注単位（個）3000(5)(4)QS5U16∗2∗1(1)(2)(3)∗1 静電気保護用ダイオード∗2 内部ダイオード

Rev.A(1) ゲート(2) ソース(3) アノード(4) カソード(5) ドレイン

1/4

QS5U16࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
zಌഴ਻ോชެ (Ta=25qC)<MOSFET>
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
直流
パルス
直流
ソース電流（内部ダイオード）
パルス
チャネル部温度
許容損失<Di>
尖頭逆方向電圧
逆電圧
順方向電流
尖頭順サージ電流
接合部温度
許容損失<MOSFET AND Di>
全許容損失
保存温度
ドレイン電流∗1 Pw≦10μs, Duty cycle≦1% ∗2 60Hz •1cyc.

SymbolVDSS
VGSSID
IDP ∗1IS
ISP ∗1Tch
PD ∗3Limits30
12±2.0±8.00.8
3.2
1500.9Unit
VVAAAA°C
W / 素子VRMVRIFIFSM ∗2Tj
PD ∗330200.5
2.01500.7VVAA°C
W / 素子PD ∗3Tstg

1.25−55~+150

W / トータル°C∗3 セラミック基板実装時zใࡂศຟౕ (Ta=25qC)<MOSFET>
Parameter
ゲート漏れ電流ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧

SymbolIGSS
V(BR) DSSIDSS
VGS (th)

ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on) ∗順伝達アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量

Yfs ∗Ciss
CossCrss
td (on) ∗tr ∗td (off) ∗tf ∗Qg ∗Qgs ∗Qgd ∗Min.
−30−0.5−−−
1.5−−−−−−−−−−

Typ.
−−−−
71
76
110−17550258102182.80.6
0.8Max.
10−11.5100107
154−−−−−−−−
3.9−−Conditions
VGS=12V / VDS=0V
ID=1mA, / VGS=0V
VDS=30V / VGS=0V
VDS=10V / ID=1mA
ID=2.0A, VGS=4.5V
ID=2.0A, VGS=4V
ID=2.0A, VGS=2.5V
VDS=10V, ID=2.0A
VDS=10V
VGS=0V
f=1MHzID=1.0A
VDD 15V
VGS=4.5V
RL=15Ω
RG=10Ω
VDD 15V
VGS=4.5V
ID=2.0A

Unit
μAV
μA
V
mΩmΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
nsns
ns
nsnC
nCnC

∗パルス

<内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間)>
順方向電圧−VSD ∗−1.2V

IS=3.2A / VGS=0V−−−0.36
0.47
100

VV
μA

IF=0.1A
IF=0.5A
VR=20V

∗ パルス

<Di>
順方向電圧

VF

逆方向電流

IR−−−

Rev.A

2/4

QS5U16࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
zใࡂศຟౕࣆದ

1

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

0.1

0.01

0.5

1.0

1.5

2.0

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

100

100.1

2.511000

VGS=4.0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

100100.110110GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)DRAIN CURRENT : ID (A)DRAIN CURRENT : ID (A)Fig.1 Typical Transfer Characteristics

Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current

Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current

VGS=2.5V
Pulsed

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

100

100.1

110300STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)

1000

Ta=25°C
Pulsed

200
ID=2A
ID=1A

100001234567891000
Ta=25°C
Pulsed

VGS=2.5VVGS=4V
VGS=4.5V

100

100.1

10110DRAIN CURRENT : ID (A)GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)DRAIN CURRENT : ID (A)Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current

Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage

Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current

10

VGS=0V
Pulsed

Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C

11000

CAPACITANCE : C (pF)

SOURCE CURRENT : IS (A)VGS=4.5V
Pulsed0.1

Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V

Ciss
100

Coss1000

SWITCHING TIME : t (ns)STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)

0.001
0.01000

STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)

VDS=10V
PulsedSTATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)

DRAIN CURRENT : ID (A)10

STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)<MOSFET>

Ta=25°C
VDD=15V
VGS=4.5V
RG=10Ω
Pulsedtf

100

td (off)
td (on)

10tr

Crss
0.01
0.00.51.0

1.5

100.010.111010010.01

0.1

110SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)DRAIN CURRENT : ID (A)Fig.7 Reverse Drain Current
vs. Source-Drain Current

Fig.8 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

Fig.9 Switching Characteristics

Rev.A

3/4

QS5U16࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲

1000

3210012125°C
75°C
25°C
−25°C

100

1010.1

3100REVERSE CURRENT : IR (mA)

Ta=25°C
VDD=15V
5 ID=2A
RG=10Ω
Pulsed4

FORWARD CURRENT : IF (mA)

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)

600.1

0.2

0.3

0.4

10125°C175°C

0.1
25°C

0.01

0.0001

0.5

−25°C

0.001

010203040

TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)

FORWARD VOLTAGE : VF (V)REVERSE VOLTAGE : VR (V)Fig.10 Dynamic Input Characteristics

Fig.11 Forward Current
vs. Forward Voltage

Fig.12 Reverse Current
vs. Reverse Voltagezഐช‫ݷ‬ᇓనPulse Width
90%

VGS

ID

VDS
RL

50%
10%

VGS

50%

10%

VDS

10%

D.U.T.
RG

90%

90%

VDD
td(on)

trtf

td(off)tontoff

Fig.14 スイッチング波形

Fig.13 スイッチング時間測定回路

VG

VGSID

VDS
RL

IG(Const.)
D.U.T.

Qg
VGS
Qgs

RGQgd

VDD

ChargeFig.15 ゲート電荷量測定回路

Fig.16 ゲート電荷量波形

Rev.A

4/4

Appendix

ご注意● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。
● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ずご請求の上、ご確認下さい。
● 記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。
● ここに記載されております製品に関する応用回路例、情報、諸データは、あくまで一例を示すものであり、これらに関します第三者の工業所有権等の知的財産権、及びその他の権利に対して、権利侵害がないことの保証を示すものではございません。従いまして（1）上記第三者の知的財産権の侵害の責任、又は、（2）これらの製品の使用により発生する責任につきましては弊社は、その責を負いかねますのでご了承ください。
● 本資料に記載されている製品の販売に関し、その製品自体の使用、販売、その他の処分以外には弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利について明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。
● 本品は、特定の機器・装置用として特別に設計された専用品とみなされるため、その機器・装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。
● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。

本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を検討される際は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。
●輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象となりますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。

Appendix1-Rev1.1