RRH090P03
Datasheet

Pch -30V -9A Power MOSFET

l外 形 図

VDSS-30V

RDS(on)(Max.)

15.4mΩ

ID±9A

PD2W

SOP8

l内 部 回 路 図l特 長1) 低オン抵抗
2) ゲート保護ダイオード内蔵
3) 小型面実装パッケージ(SOP8)で省スペース
4) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

l包 装 仕 様

Embossed
Tape

包装形態
リールサイズ (mm)l用 途タイプ テープ幅 (mm)
基本発注単位(個)DC/DC コンバータ

テーピングコード標印

330
122500
TB1
RRH090P03

l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)

Parameter

SymbolValue

Unit-30V

ドレイン電流 (直流)

VDSS
ID*1

ドレイン電流 (パルス)ID,pulse*2

ゲート・ソース間電圧

AA
VmJ
W
W

ジャンクション温度VGSSEAS*3
PD*4PD*5Tj

保存温度

Tstg

±9±36±200.6
20.65
150-55 ～ +150

ドレイン・ソース間電圧

アバランシェエネルギー(単発)
許容損失

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1/11℃℃

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Datasheetl熱 抵 抗Parameter

Symbol

熱抵抗 (ジャンクション・外気間)

Values

Unit

Min.

Typ.

Max.

RthJA*4--62.5℃/W

RthJA*5--192℃/W

l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)

Parameter

SymbolConditions

Values

Unit

Min.

Typ.

Max.

VGS = 0V, ID = -1mA-30--V

ドレイン・ソース降伏電圧 ΔV(BR)DSS ID = -1mA
温度係数
ΔTj
referenced to 25℃--25-mV/℃

ドレイン遮断電流

IDSS

VDS = -30V, VGS = 0V---1μA

ゲート漏れ電流IGSS

VGS = ±20V, VDS = 0V--±10μA

ゲートしきい値電圧

VGS(th)VDS = -10V, ID = -1mA-1.0--2.5

V

ゲートしきい値電圧
温度係数

ΔVGS(th)ID = -1mA-

3.9-mV/℃

VGS = -10V, ID = -9A-

1115.4

VGS = -4.5V, ID = -4.5A-1521

VGS = -4V, ID = -4.5A-1724

VGS = , ID =---

ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS

ドレイン・ソース間オン抵抗

ΔTjRDS(on)*6

referenced to 25℃mΩ

ゲート抵抗RG

f = 1MHz, open drain

-3.0-

Ω

順伝達アドミタンス|Yfs| *6

VDS = -10V, ID = -9A

1020-S*1 チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用下さい。
*2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%
*3 L ⋍ 10μH, VDD = -15V, RG = 25Ω, 開始温度 Tj = 25℃*4 セラミック基板実装時 (30×30×0.8mm)*5 ガラエポ基板(FR4) 実装時 (20×20×0.8mm)*6 パルス負荷

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Datasheetl 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)

Parameter

SymbolConditions

Values
Min.

Typ.

Max.

入力容量

Ciss

VGS = 0V-

3000-

出力容量

Coss

VDS = -10V-360-

帰還容量

Crss

f = 1MHz-360-

ターンオン遅延時間td(on)*6VDD ⋍ -15V,VGS = -10V-

20-上昇時間

tr*6

ID = -4.5A-30-

ターンオフ遅延時間td(off)*6RL ⋍ 3.3Ω

-135-

下降時間

tf*6

RG = 10Ω

-80-

Unit

pF

nsl ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C)

Parameter

Symbolゲート総電荷量

Qg*6

ゲート･ソース間電荷量

Qgs*6

ゲート･ドレイン間電荷量

Qgd*6Conditions
V GS = -10V

VDD ⋍ -15V
ID = -9A

V GS = -5V

Values
Min.

Typ.

Max.

-56--30--7--11-

Unit

nCl 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース･ドレイン間) (Ta = 25°C)

Parameter

SymbolConditions

Values
Min.

Typ.

Max.

Unit

ソース電流(直流)IS*1

Ta = 25℃---1.6

A

順方向電圧

VSD*6

VGS = 0V, IS = -9A---1.2

V

逆回復時間

trr*6-

3570ns

逆回復電荷量Qrr*6

IS = -9A, VGS=0V
di/dt = 100A/μs-3060μC

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve

Fig.2 Maximum Safe Operating Area

Fig.3 Normalized Transient ThermalResistance vs. Pulse Width

Fig.4 Single Pulse Maximum Powerdissipationwww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.5 Avalanche Current vs. Inductive Load

Fig.6 Avalanche Energy Derating Curve
vs. Junction Temperature

Fig.7 Typical Output Characteristics(I)Fig.8 Typical Output Characteristics(II)www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.9 Breakdown Voltage vs. Junction
Temperature

Fig.10 Typical Transfer Characteristics

Fig.11 Gate Threshold Voltage vs.
Junction Temperature

Fig.12 Transconductance vs. Drain Current

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.13 Drain Current Derating Curve

Fig.14 Static Drain - Source On - StateResistance vs. Gate Source Voltage

Fig.15 Static Drain - Source On - StateResistance vs. Junction Temperature

Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)Fig.18 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)Fig.19 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.20 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage

Fig.21 Switching Characteristics

Fig.22 Dynamic Input Characteristics

Fig.23 Source Current vs. Source Drain
Voltagewww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl測 定 回 路 図
Fig.1-1 スイッチング時間測定回路

Fig.1-2 スイッチング波形

Fig.2-1 ゲート電荷量測定回路

Fig.2-2 ゲート電荷量波形

Fig.3-1 アバランシェ測定回路

Fig.3-2 アバランシェ波形

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Datasheetl外 形 寸 法 図

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