RQ5E025AT
Datasheet

Pch -30V -2.5A Middle Power MOSFET
l外 形 図

VDSS-30V

RDS(on)(Max.)

91mΩ

ID

±2.5A

PD

1W

TSMT3

l内 部 回 路 図l特 長1) 低オン抵抗2) 小型面実装パッケージ(TSMT3)で省スペース
3) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

l包 装 仕 様
包装形態
リールサイズ (mm)l用 途タイプ テープ幅 (mm)
基本発注単位(個)スイッチングテーピングコード標印

Embossed
Tape
180
83000
TCL
JS

l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)

Parameter

SymbolVDSSID
ID,pulse*2
VGSS
EAS*3
IAS*3
PD*4
Tj
Tstg

ドレイン・ソース間電圧
ドレイン電流 (直流)
ドレイン電流 (パルス)ゲート・ソース間電圧
アバランシェエネルギー (単発)
アバランシェ電流許容損失
ジャンクション温度
保存温度

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Value

Unit

-30±2.5±12±20
4.5-2.5
1150-55～ +150

VAAVmJA
W℃℃

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Datasheetl熱 抵 抗Parameter

Symbol

熱抵抗 (ジャンクション・外気間)RthJA*4

Values
Min.

Typ.

Max.

-125-

Unit℃/Wl 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)

Parameter

SymbolConditions

Values

Unit

Min.

Typ.

Max.

VGS = 0V, ID = -1mA

-30--V

ドレイン・ソース降伏電圧 ΔV(BR)DSS ID = -1mA
温度係数
ΔTj
referenced to 25℃--22-mV/℃

ドレイン遮断電流

IDSS

VDS = -30V, VGS = 0V---1μA

ゲート漏れ電流IGSS

VGS = ±20V, VDS = 0V--±100nA

ゲートしきい値電圧

VGS(th)VDS = VGS, ID = -1mA-1.0--2.5

V

ゲートしきい値電圧
温度係数

ΔVGS(th)ID = -1mA-

2.9-mV/℃

VGS = -10V, ID = -2.5A-7091

VGS = -4.5V, ID = -2.5A

-104

135

VDS = -5V, ID = -2.5A

2.1--

ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS

ΔTj

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(on)*5

伝達コンダクタンス

gfs*5

referenced to 25℃mΩS*1 チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用下さい。
*2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%
*3 L ⋍ 1mH, VDD = -15V, RG = 25Ω, 開始温度 Tch = 25℃ Fig.3-1,3-2参照*4 セラミック基板実装時 (30×30×0.8mm)*5 パルス

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Datasheetl 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)

Parameter

SymbolConditions

Values
Min.

Typ.

Max.

入力容量

Ciss

VGS = 0V-220-

出力容量

Coss

VDS = -15V-45-

帰還容量Crssf = 1MHz-35-

ターンオン遅延時間td(on)*5VDD ⋍ -15V,VGS = -10V-

6.5-

上昇時間

tr*5

ID = -1.25A

-

8.5-

ターンオフ遅延時間td(off)*5

RL = 12Ω

-22-

下降時間

tf*5

RG = 10Ω

-

5.5-

UnitpFnsl ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C)

Parameter

Symbolゲート総電荷量

Qg*5

ゲート･ソース間電荷量

Qgs*5

ゲート･ドレイン間電荷量

Qgd*5

Conditions
VGS = -10V

VDD ⋍ -15V
ID = -2.5A

VGS = -4.5V

Values
Min.

Typ.

Max.

-

5.4--

2.7--

0.8--

1.0-

Unit

nCl 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース･ドレイン間) (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

ソース電流(直流)IS*1

ソース電流(パルス)

ISP*2

順方向電圧

VSD*5

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Conditions
Ta = 25℃
VGS = 0V, IS = -0.8A

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Values
Min.

Typ.

Max.

---0.8---12---1.2

Unit

A
V

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve

Fig.2 Maximum Safe Operating Area

Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width

Fig.4 Single Pulse Maximum Powerdissipationwww.rohm.com© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.5 Typical Output Characteristics(I)Fig.6 Typical Output Characteristics(II)Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction
Temperaturewww.rohm.com© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.8 Typical Transfer Characteristics

Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature

Fig.10 Transconductance vs. Drain Current

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.11 Drain Current Derating Curve

Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage

Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperaturewww.rohm.com© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)www.rohm.com© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage

Fig.18 Switching Characteristics

Fig.19 Dynamic Input Characteristics

Fig.20 Source Current vs. Source DrainVoltage

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Datasheetl測 定 回 路 図
Fig.1-1 スイッチング時間測定回路

Fig.1-2 スイッチング波形

Fig.2-1 ゲート電荷量測定回路

Fig.2-2 ゲート電荷量波形

Fig.3-1 L負荷測定回路

Fig.3-2 アバランシェ波形

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Datasheetl外 形 寸 法 図

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