インフィニオン テクノロジーズ新製品のご案内
2024年6月

1 600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETファミリー

2 CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2、Thin-TOLL 8 x 8 パッケージ
3 CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2、TOLTパッケージ

4 62 mm CoolSiC™ 62 mm CoolSiC™ MOSFET 1.2 kV M1H – ポートフォリオ拡張
5 62 mm CoolSiC™ MOSFET 2 kV M1H – ポートフォリオ拡張

6 太陽光発電ハイブリッドインバータ (最大12 kW) 向けEasyモジュール
7 ヒートポンプ アプリケーション用Easyモジュール

8 650 V高速ハーフブリッジ ゲートドライバー2ED2388S06F

9 TO-247-3-HCCパッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFET 1700 V G1

10 EconoDUAL™ 3 FF900R17ME7W_B11

11 BGT24ATR22 24 GHz パルスドップラー方式レーダーセンサー

12 評価ボード EVAL_TDA38812_1VOUT、EVAL_TDA38812_3.3VOUT、
EVAL_TDA38812_5VOUT

13 評価ボード EVAL_TDA38813_1VOUT

14 評価ボード EVAL_TDA38825_1VOUT、EVAL_TDA38825_3.3VOUT、
EVAL_TDA38825_5VOUT

15 評価ボード EVAL_TDA38826_1VOUT

16 XDP700-002 EVAL_XDP700用評価ボード
17 40 W 補助電源 REF_5QR0680BG_40W1

18 インバーターおよびゲートドライバー ボード REF-DR3KIMBGSIC2MA

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETファミリー
インフィニオンの600 Vの最新CoolMOS™ 8は、世界最先端の高耐圧スーパージャンクションMOSFET技術です。技術と価格性能の両方の世界標準を確立しています。本シリーズは高速ボディダイオードを内蔵しており、幅広いアプリケーシ
ョンに適しています。P7、S7、CFD7、C7、G7、PFD7などの600V CoolMOS™

7 MOSFETファミリーの後継製品であり、インフィニオンのワイドバンドギャッ
プ (WBG) 製品群を補完します。
主な特長

主な利点

> 世界最高クラスのRDS(on)*A> P7に比べて効率が0.1%、C7に比べて0.17%向上> 優れたハードコミュテーション耐性> リンギングの発生を低減> 高速ボディダイオード内蔵> 使いやすく、短時間で設計が可能> 先進の相互接合技術> 7 mΩから段階的に取り揃えた製品ラインナップ> 上面放熱パッケージ

製品関連情報/オンライン サポート

> Rthを14～42%低減> シンプルな製品ラインナップ> システムレベルでのイノベーション
対象アプリケーション

製品ファミリーページ> サーバー、テレコム> スーパーソリッドステート ソリューション (リレー、サーキット
ブレーカー)> EV充電、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム> UPS> 産業用SMPS> 照明機器> 住居用エアコンPFC、冷蔵システム - コンプレッサ

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号> アダプターおよび充電器
SP 番号

パッケージ

IPAN60R180CM8XKSA1

SP005591315

PG-TO220-2

IPD60R180CM8XTMA1

SP005578057

PG-TO252-3

IPD60R600CM8XTMA1

SP005578056

PG-TO252-3

IPDD60R037CM8XTMA1

SP005578052

PG-HDSOP-10

IPDD60R180CM8XTMA1

SP005578049

PG-HDSOP-10

IPDQ60R007CM8XTMA1

SP005856994

PG-HDSOP-22

IPDQ60R016CM8XTMA1

SP005578048

PG-HDSOP-22

IPDQ60R037CM8XTMA1

SP005578047

PG-HDSOP-22

IPP60R016CM8XKSA1

SP005982765

PG-TO220-3

IPP60R037CM8XKSA1

SP005982778

PG-TO220-3

IPP60R180CM8XKSA1

SP005578058

PG-TO252-3

IPT60R016CM8XTMA1

SP005578055

PG-HSOF-8

IPT60R037CM8XTMA1

SP005578054

PG-HSOF-8

IPT60R180CM8XTMA1

SP005578053

PG-HSOF-8

IPTA60R180CM8XTMA1

SP005728611

PG-LHSOF-4

IPW60R016CM8XKSA1

SP005591305

PG-TO247-3

IPW60R037CM8XKSA1

SP005591298

PG-TO247-3

IPZA60R016CM8XKSA1

SP005591312

PG-TO247-4

IPZA60R037CM8XKSA1

SP005591309

PG-TO247-4

【600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFETファミリー】
FAQ
1

How the CoolMOS™ 8 will be price positioned?

2

Does the CoolMOS™ 8 compatible with CoolMOS™ 7 technology?

3

Will we do 650 V version as well?

It is positioned as best price performance product family and will have significant price reduction compering
CoolMOS™ 7 family
Yes, it is and a simple device replacement should be enoughYes, we plan to do a small industrial focused 650V portfolio as well.

CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2、Thin-TOLL 8x8パッケージ
Thin-TOLL 8x8のCoolSiC™ MOSFETディスクリート650 V G2は、CoolSiC™ G2のような高性能技術を活用する8x8オプションとして最適です。本製品は、標準的な8x8パッケージののサーマルサイクルにおける性能限界を克服し、.XTインターコネクト技術により熱抵抗を低減しています。その結果として、SiCの特性を最大限に活かしながら、小さなフット

プリントを維持し、電力密度を次の次元へと引き上げることが可能です。
主な特長

主な利点

> 優れた性能指数 (FOM)> 部品点数の削減> 高い堅牢性と総合的な品質> きわめて高い信頼性、長い製品寿命> 同クラスで最も低いRDS(on)> システムのコストパフォーマンスを最大化> 広い駆動電圧範囲> 高い効率と電力密度を実現> ユニポーラ駆動に対応 VGS(off) = 0> 小型フットプリントで高い電力密度を実現> すべての8x8 FET製品とピン互換> .XT相互接合技術によるパッケージの改善> きわめてコンパクトなドーターカード設計> 熱サイクル (TCoB) ４倍向上
対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> スイッチング電源 (SMPS)> CoolSiC™ MOSFET 650 V G2、Thin-TOLL 8x8パッケージは、> マイクロインバーター

CoolSiC™ Generation 2技術を使用して構築されており、優れた性> 家電機器能指数 (FOM)、信頼性、使いやすさを特長としています。

> スマートTV> Thin-TOLL 8x8パッケージは、同様の8x8パッケージと互換性があ> HVAC

り、且つ、大電力パッケージに近い優れたTCoB (オンボード熱サイクル) 性能を誇ります。

ブロック図

製品関連情報/オンライン サポート
製品ファミリーページ

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号

SP 番号

パッケージ

IMTA65R020M2HXTMA1

SP005954481

PG-LHSOF-4

IMTA65R040M2HXTMA1

SP005954482

PG-LHSOF-4

IMTA65R050M2HXTMA1

SP005954483

PG-LHSOF-4

IMTA65R060M2HXTMA1

SP005954484

PG-LHSOF-4

【CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2、Thin-TOLL、8x8パッケージ】
FAQ
1
2
3

4

How does CoolSiC G2 650V perform compared to other vendors and G1?
Generally, G2 performs very well if benchmarked with other vendors, thanks especially to very good FOMs
(figures of merit). G2 also improves G1 performance, especially in switching capabilities

What are the unique selling points of CoolSiC G2 650V?
Outstanding FOMs, unparalleled GOX reliability, driving voltage flexibility, .XT interconnect, granular portfolio
and robust roadmap

Which topologies can be addressed with CoolSiC G2 650V?
In general, SiC G2 performs very well both in hard and soft switching topologies, like PFC totem pole, LLC,HERIC, Vienna PFC…It is also recommended for multilevel topologies to address high power systems, wherehigh efficiency targets need to be achieved
What are the advantages of top side cooling?
Reduction of assembly cost and assembly automation, reduction of BOM cost, more thermal performance,
longer system lifetime

CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2、TOLTパッケージ
TOLLパッケージのCoolSiC™ MOSFETディスクリート650 V G2は、CoolSiC™

Generation 2の最高クラスのスイッチング性能を活かし、さらに上面放熱のあらゆる利点も備えています。今回、CoolSiC™およびCoolMOS™ですでに利用可能な

QDPAKを加えて、完全なディスクリート上面放熱ソリューションが実装可能になったことにより、さらに優れた放熱性を備え、システムコストの削減と簡素化、アセンブリコストの低減を実現します。

主な特長

主な利点

> 優れた性能指数 (FOM)> 部品点数の削減> 広い駆動電圧範囲> きわめて高い信頼性> 高い堅牢性と総合的な品質> システムコストパフォーマンスを最大化> ユニポーラ駆動に対応 VGS(off) = 0> 高い効率と電力密度を実現> すべての8x8 FET製品とピン互換> 組み立てと冷却の簡素化> .XT相互接合技術によるパッケージの改善> 水冷”ready”> 熱サイクル (TCoB) ４倍向上

> ファンやヒートシンクを使用せずに設計可能> 低い浮遊インダクタンス> 優れたゲート制御

対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> スイッチング電源 (SMPS)> CoolSiC™ MOSFET 650 V G2、TOLTパッケージは、CoolSiC™

> ソリッドステートサーキットブレーカー (SSCB)

Generation 2技術を使用して構築されており、優れた性能指数> EV充電(FOM)、信頼性、使いやすさを特長としています。

> 太陽光発電インバーター> TOLTは上面放熱ディスクリートパッケージで、すでに750Vの> エネルギー貯蔵システム

CoolSiC™およびCoolMOS™で提供されているQDPAKを最適に補完> マイクロインバーター

し、自動組立の実現とシステム設計の簡素化 (IMSボードの廃止など) により、放熱性能の向上、低寄生素子、システムコストの削ブロック図減を実現します。

製品関連情報/オンライン サポート
製品ファミリーページ

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号

SP 番号

パッケージ

IMLT65R015M2HXTMA1

SP005968251

PG-HDSOP-16

IMLT65R020M2HXTMA1

SP005970056

PG-HDSOP-16

IMLT65R040M2HXTMA1

SP005970057

PG-HDSOP-16

IMLT65R050M2HXTMA1

SP005968254

PG-HDSOP-16

IMLT65R060M2HXTMA1

SP005970060

PG-HDSOP-16

【CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2、TOLTパッケージ】
FAQ
1
2
3

4

How does CoolSiC G2 650V perform compared to other vendors and G1?
Generally, G2 performs very well if benchmarked with other vendors, thanks especially to very good FOMs
(figures of merit). G2 also improves G1 performance, especially in switching capabilities

What are the unique selling points of CoolSiC G2 650V?
Outstanding FOMs, unparalleled GOX reliability, driving voltage flexibility, .XT interconnect, granular portfolio
and robust roadmap

Which topologies can be addressed with CoolSiC G2 650V?
In general, SiC G2 performs very well both in hard and soft switching topologies, like PFC totem pole, LLC,HERIC, Vienna PFC…It is also recommended for multilevel topologies to address high power systems, wherehigh efficiency targets need to be achieved
What are the advantages of top side cooling?
Reduction of assembly cost and assembly automation, reduction of BOM cost, more thermal performance,
longer system lifetime

62 mm CoolSiC™ MOSFET 1.2 kV M1H – ポートフォリオ拡張
1200 V CoolSiC™ MOSFET搭載 62 mmハーフブリッジモジュールは、
M1H技術により、VGS(th) および RDS(on) ドリフト、ゲート駆動電圧ウィ
ンドウに対するチップ性能を向上させており、2.9 mΩで熱伝導材料(TIM) 塗布オプションを選択できます。

主な特長

主な利点

> 堅牢なボディダイオードを内蔵し、最適な温度条件を実現> 厳しい条件下での使用に最適化> 宇宙線に対する高い堅牢性> 導通損失の最小化> ゲート酸化膜の高い信頼性> 電圧オーバーシュートの低減> 高速スイッチングできわめて低い損失> 上段と下段のスイッチが同じ動作をするような対称的なモジュール設計> 標準的なモジュール構造技術により、高い信頼性を確保> 62mmの量産ラインで生産
対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> 蓄電システム> SiCによる成熟した62mmパッケージ技術の拡張により、高速スイ> 太陽光発電> 高い電流密度と耐湿性> EV充電ッチングと低損失ともに要求されるアプリケーションに対応> 無停電電源装置 (UPS)
ブロック図

製品関連情報/オンライン サポート
製品ページ FF3MR12KM1H

製品ページ FF3MR12KM1HP

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号

SP 番号

パッケージ

FF3MR12KM1HHPSA1

SP005976718

AG-62MMHB-3111

FF3MR12KM1HPHPSA1

SP005745149

AG-62MMHB-3111

【62 mm CoolSiC™ MOSFET 1.2 kV M1H – ポートフォリオ拡張】

FAQ
1 Why Infineon offers new CoolSiC™ technology in 62mm housing?
62mm modules are widely used in different application and system designs
2 What are the main system requirements to use new CoolSiC™ technology?
Low inductive DC link construction to minimize overvoltage and oscillations
3 Are the modules available with TIM?
All modules are available with or without TIM

62 mm CoolSiC™ MOSFET 2 kV M1H – ポートフォリオ拡張
62 mm CoolSiC™ MOSFET 2000 V/5.2 mΩ M1Hチップ技術搭載、62mmハーフブリッジモジュール。本モジュールは熱伝導材料 (TIM)
塗布オプションを選択できます。

主な特長

主な利点

> ゲート酸化膜の高い信頼性> 厳しい条件下での使用に最適化> 宇宙線に対する高い堅牢性> 導通損失の最小化> 堅牢なボディダイオードを内蔵し、最適な温度条件を実現> 電圧オーバーシュートの低減> 高速スイッチングできわめて低い損失> 上段と下段のスイッチが同じ動作をするような対称的なモジュー
ル設計> 標準的なモジュール構造技術により、高い信頼性を確保> 62mmの量産ラインで生産
対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> 蓄電システム> SiCによる成熟した62mmパッケージ技術の拡張により、高速ス> 太陽光発電> 高い電流密度と耐湿性> EV充電イッチングと低損失ともに要求されるアプリケーションに対応> トラクション> 無停電電源装置 (UPS)
製品関連情報/オンライン サポート

ブロック図

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号

製品ページ FF5MR20KM1H

製品ページ FF5MR20KM1HP

SP 番号

パッケージ

FF5MR20KM1HHPSA1

SP005861795

AG-62MMHB-3111

FF5MR20KM1HPHPSA1

SP005855004

AG-62MMHB-3111

【62 mm CoolSiC™ MOSFET 2 kV M1H – ポートフォリオ拡張】

FAQ
1 Why Infineon offers new CoolSiC™ technology in 62mm housing?
62mm modules are widely used in different application and system designs
2 What are the main system requirements to use new CoolSiC™ technology?
Low inductive DC link construction to minimize overvoltage and oscillations
3 Are the modules available with TIM?
All modules are available with or without TIM

太陽光発電ハイブリッドインバータ (最大12 kW) 向けEasyモジュール
CoolSiC™ MOSFETと高性能AlN (窒化アルミニウム) セラミックを使用した太陽光発電ハイブリッドインバータ (最大12 kW) 向けEasyモジュール

主な特長

主な利点

> FS3L40R07W2H5F_B70> 高周波動作が可能> CoolSiC™ ショットキダイオード Gen 5> 優れたモジュール効率> 耐圧650 V> システム効率向上> AlN (窒化アルミニウム) DCB材料による熱伝導性の向上> システムコストの優位性を実現> FS33MR12W1M1H_B70> 冷却システムの小型化> 進化したCoolSiC™ MOSFET MH1技術> 長い製品寿命および/または高電力密度> きわめて低い浮遊インダクタンス> AlN (窒化アルミニウム) DCB材料による熱伝導性の向上
対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> 太陽光発電 (PV)> 12 kWまでのPVハイブリッドインバータ向けの完全な> 蓄電システム

ソリューション

製品関連情報/オンライン サポート

製品ページ FS3L40R07W2H5F_B70
製品ページ FS33MR12W1M1H_B70

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号

SP 番号

パッケージ

FS3L40R07W2H5FB70BPSA1

SP005926813

AG-EASY2B-7011

FS33MR12W1M1HB70BPSA1

SP005634675

AG-EASY1B-3111

【太陽光発電ハイブリッドインバータ (最大12 kW) 向けEasyモジュール】

FAQ
1 When are these parts available?
Parts can be ordered and shipped according to lead-time
2 Are these parts available with Al2O3 substrates?
Yes, please get in touch with the respective IFX counterpart to avail modules with Al2O3 substrates
3 Do you offer module solutions for PV Inverters larger than 12kW?
Yes, we offer a complete portfolio for >350kW in different Easy packages. Please contact your Sales
representative.

ヒートポンプ アプリケーション用Easyモジュール
ヒートポンプ/HVACアプリケーション用の2チャンネル インターリー

ブ型PFCステージとインバーターステージを備えたEasyPIM™ 2B統合
モジュール

主な特長

主な利点

> 整流器、PFC、インバーターステージを１モジュール化> 小型設計> PFCステージ用高速H5テクノロジー> 高周波動作が可能> 低浮遊インダクタンス> 最高の価格性能比> PFCステージ用最大50 kHz高スイッチング周波数> 冷却コストの低減

対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> HVAC/ヒートポンプ> オールインワン モジュール(整流器、PFC、インバーターステージ)> PressFIT端子、ハンダ端子から選択可能> システムコスト削減> 製品の設計が簡単
ブロック図

製品関連情報/オンライン サポート
製品ページ FB50R07W2E3_B23
製品ページ FB50R07W2E3_C36

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号

SP 番号

パッケージ

FB50R07W2E3B23BOMA1

SP005341840

AG-EASY2B-311

FB50R07W2E3C36BPSA1

SP005572078

AG-EASY2B-311

【ヒートポンプ アプリケーション用Easyモジュール】

FAQ
1 When are these parts available?
can be immediately availed
2 Are these parts available with TIM?
Yes, please get in touch with the respective IFX counterpart to avail modules with TIM
3 Allocation related: When is the best time to order for the next year?
We suggest every customer to go in contact with their respective salesperson in due time and as early as
possible that Infineon can consider their demand for the next calendar year650 V高速ハーフブリッジ ゲートドライバー3ED2388S06F
パワーMOSFETやIGBTを駆動用の650 V 高速ハーフブリッジ ゲートドライバーは、
DSO-8パッケージを採用し、ソース電流は0.29 A (typical)、 シンク電流は0.7 A(typical) です。

主な特長

主な利点

> 最大動作電圧 (VSノード) +650 V> ブートストラップダイオード内蔵: 省スペース、BOMコストの> 超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵> レベルシフト損失を50%低減> 100 Vの負のVS過渡電圧耐量削減、よりシンプルな設計による低コストでのPCB小型化> 伝播遅延90 ns> VSピンの負の過渡電圧耐性ノイズ耐性に優れる> 最大電源電圧25 V

対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> IoT用のコネクテッドライティングおよびスマート照明> ブートストラップダイオード内蔵: 省スペース、BOMコストの> LED照明システム> レベルシフト損失を50%低減> 家電機器削減、よりシンプルな設計による低コストでのPCB小型化> モーター制御> VSピンの負の過渡電圧耐性ノイズ耐性に優れる> スマートビル

製品関連情報/オンライン サポート
製品ページ

製品概要およびデータシートリンク

発注可能な部品番号

SP 番号

パッケージ

2ED2388S06FXUMA

SP005571188

PG-DSO-8

TO-247-3-HCCパッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFET 1700 V G1
TO247-3-HCCパッケージに搭載された CoolSiC™ MOSFET 1700 V G1、450 mΩ、
650 mΩ、1000 mΩは、ソーラーインバーター、EV充電器、UPS、一般的なモーター制御など、高効率レベルのシングルエンド フライバック補助電源アプリケー
ションに適しています。主な特長には、フライバックコントローラーを使った直接駆動、ゲートドライバーICが不要、低損失な高電圧遮断、優れた熱性能を実現する.XT相互接合技術、信頼性を高める長い沿面距離と空間距離のパッケージなどが挙げられます。

主な特長

主な利点

> フライバックトポロジー向けに最適化> 補助電源アプリケーション向けの高い効率> 12 V / 0 Vゲートソース電圧> 絶縁設計が容易なTO247パッケージ> きわめて低いスイッチング損失> 優れた放熱性、低い熱抵抗> フライバックコントローラーと互換性あり> ゲート閾値、VGS(th) = 4.5 V> .XT接合技術

対象アプリケーション> 1相ストリングインバーター ソリューション
> EV充電> ゲートドライバーが不要> 高い電力密度

競合製品に対する優位性> D2Pak-7Lに対するTO247-3-HCCパッケージの利点:> 熱抵抗を低減することで出力を向上> 汎用モーター制御: 可変電圧可変周波数制御> 低Rthのため放熱性が向上> 産業用モーター制御> 絶縁設計が容易なTO247パッケージ> 環境汚染に対応した長い沿面距離と空間距離

製品関連情報/オンライン サポート
製品ファミリーページ

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号

SP 番号

パッケージ

IMWH170R1K0M1XKSA1

SP005920420

PG-TO247-3

IMWH170R450M1XKSA1

SP005920422

PG-TO247-3

IMWH170R650M1XKSA1

SP005920424

PG-TO247-3

【TO-247-3-HCCパッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFET 1700 V G1】
FAQ
1 What are unique selling points of Infineon CoolSiC™ MOSFET 1700 V?

A. No gate driver is needed, product can be driven directly with the PWM controller thanks to optimized
gate-source voltage window
A. Lowest switching losses by CoolSiC™ trench technology

A. The new TO and SMD package offer customers different solution with best combination of small footprint and wide creepage and clearance distances on PCB

2

A. Broadest portfolio for auxiliary power supply application: 1000 mΩ, 650 mΩ, 450 mΩ
Why is the body diode not specified in the datasheet?

A. In fly-back converters there is no body diode operation, and also not in two-switch forward topologies
that may be implemented for higher aux power levels  this portfolio is a right-fit product!

EconoDUAL™ 3 FF900R17ME7W_B11
ベースプレートにウェーブ構造を採用したEconoDUAL™ 3 FF900R17ME7W_B11は、オープン水冷ヒートシンクを使用するアプリケーション向けに最適化されており、高い電力密度と長寿命を実現します。現在のEconoDUAL™ 3ウェーブポートフォリオは、
1700 V電圧クラスの900 Aモジュールまで拡張されています。
主な特長

主な利点

> ベースプレートのウェーブ構造> 直接水冷ヒートシンク向けに最適化> 同クラスで最も低いVCEsat> IGBTモジュールの並列化回避> きわめて高い電力密度> 同じフレームサイズでインバーター出力電流が向上> 過負荷時のTvj op =175°C> インバータシステムの簡素化によるシステムコストの削減> NTC温度センサー搭載

対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> 商用車、建設機械、農業用車両 (CAV)> 水冷ヒートシンク向けに最適化されたEconoDUAL™ 3 ウェーブは> 風力発電以下を実現しています：> ドライブ> 放熱性の向上により製品寿命が6倍向上> 言い換えると、同じ製品寿命で出力電流が最大30%増加

製品関連情報/オンライン サポート
製品ページ

ブロック図

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号

FF900R17ME7WB11BPSA1

SP 番号

パッケージ

SP005982831

AG-ECONOD-711

BGT24ATR22 24 GHz パルスドップラー方式レーダーセンサー
BGT24ATR22は、24 GHz レーダーアプリケーション向けのモノリシックマイ

クロ波集積回路 (MMIC) です。本製品は24GHzから24.25GHzの周波数範囲で動作し、アナログ信号の生成/受信用ブロックを提供します。送信チャネル2、受信チャネル2、基本的な電圧制御発振器 (VCO) 、統合アナログ ベース バンド(ABB)、12ビットのADコンバータ (ADC) を備えています。レーダー トランシー
バーには、高速フーリエ変換 (FFT）を備えたデジタル レーダー データ処理(DRDP) ユニットが内蔵されています。
主な特長

主な利点

> 24 GHz レーダーセンサー> 高集積によるコンパクトな基板設計> RX 2チャネル> エントリーレベルのマイクロコントローラーのみを使用し、低シ> TX 2チャネル> 365日24時間使用可能な超低消費電力モード> 自動周波数制御機能を搭載した低位相ノイズVCO> 自動DCオフセット補償を搭載したアナログ ベースバンド> 低消費電力モードのステートマシン> ダイナミック レンジと高い検出性能を実現する12ビット

ステムコストを実現> 自動モーションセンサー> 厳しい環境条件下でも堅牢で信頼性の高い性能が発揮される優れた特性を備えた、世界的に定評のある24GHzレーダー

ADコンバータ> 高速フーリエ変換 (FFT) 機能を搭載したデジタル レーダーデータ プロセッシング ユニット

対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> 車載用短距離レーダー> ハンズフリーの自動トランク/ドア開閉装置> BGT24ATR22パルスドップラーレーダートランシーバーは、高集積度と超低消費電力により、車載用パワークロージャーアプリケーシ> 動体検出ョンにおいて高い性能を発揮すると同時に、エントリーレベルのマ> 非接触スイッチ

イクロコントローラーを使用しているため、低コストでコンパクトなシステム設計が可能です。

ブロック図

製品関連情報/オンライン サポート
製品ページ

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号

BGT24ATR22E6433XUMA1

SP 番号

パッケージ

SP005573958

PG-VQFN-32

【BGT24ATR22 24 GHz パルスドップラー方式レーダーセンサー】

FAQ
1 Can the BGT24ATR22 be used worldwide as radar sensor?
Yes, the 24GHz ISM frequency band is released worldwide for exterior radar w/ a very few exceptions only
(e.g. Hong Kong).
2 What is the average power consumption of BGT24ATR22?
The average power of BGT24ATR22 is less than 1mW. (1 antenna pair, 4 Hz update rate, detect a person in up
to 3 m distance)
3 You mention “segmentation range zoning”; how is this possible?
Range can be measured w/ Frequency Shift Key (FSK) modulation.

評価ボード EVAL_TDA38812_1VOUT、
EVAL_TDA38812_3.3VOUT、EVAL_TDA38812_5VOUT
評価ボードTDA38812は、コンパクトで高汎用性、高性能なTDA38812ポイン

ト オブ ロード (POL) レギュレーターを紹介するのを目的としています。サーバー、AI、データ通信、テレコム、ストレージといった要求の厳しい市場のアプリケーション向けに設計されており、その特長は、VIN = +12 V、Fsw =600 KHz～1000 KHz、出力電流 (Iout) は0～20 Aで、ボードごとに1 V、3.3 V、
5 Vとなっています。

主な特長

主な利点

> 広い入力電圧範囲> 多様なエンドアプリケーションに対応> FCCMおよびDEMモードに対応> 外付け部品不要> 外部補償不要> コンパクト設計> プログラム可能なスイッチング周波数 (Fsw)> ソフトスタート> 過電流保護機能> 保護機能の強化

対象アプリケーション> データセンターとコンピューティング・ソリューション
> サーバー電源> 通信インフラ

製品関連情報/オンライン サポート
ボードページ TDA38812_1VOUT

ボードページTDA38812_3.3VOUT
ボードページTDA38812_5VOUT

製品概要およびデータシートリンク
発注可能な部品番号

SP 番号

EVALTDA388121VOUTTOBO1

SP005957442

EVALTDA3881233VOUTTOBO1

SP006011990

EVALTDA388125VOUTTOBO1

SP006011991> 軽負荷/全負荷時で高い効率を実現> 堅牢な設計と信頼性

評価ボード EVAL_TDA38813_1VOUT
評価ボードEVAL_TDA38813_1VOUTは、サーバー、AI、データ通信、テレコム、ス
トレージといった要求の厳しい市場のアプリケーションに要求される高速過渡応答に対応する独自のCOTを使用した、コンパクトで高汎用性、高性能なTDA38813 ポ

イント オブ ロード (POL) レギュレーターの性能を実証します。評価ボードの特長は、
VIN = +12 V、VOUT = 1 V、Fsw = 600 KHz～1000 KHz、Iout 0～20 Aです。

主な特長

主な利点

> 広い入力電圧範囲> 多様なエンドアプリケーションに対応> FCCMおよびDEMモードに対応> 外付け部品不要> 外部補償不要> コンパクト設計> プログラム可能なスイッチング周波数 (Fsw)> ソフトスタート> 過電流保護機能> 保護機能の強化

対象アプリケーション> データセンターとコンピューティング ソリューション
> サーバー電源> 通信インフラ

製品関連情報/オンライン サポート
ボードページ

製品概要およびユーザーマニュアルへのリンク
発注可能な部品番号

EVALTDA388131VOUTTOBO1

SP 番号

SP005962844> 軽負荷/全負荷時で高い効率を実現> 堅牢な設計と信頼性

評価ボード EVAL_TDA38825_1VOUT、EVAL_TDA38825_3.3VOUT、EVAL_TDA38825_5VOUT
EVAL_TDA38825シリーズは、サーバー、AI、データ通信、テレコム、ストレージといった要求の厳しい市場のアプリケーション向けに設計された、コンパクト
で汎用性の高いポイント オブ ロード (POL) レギュレーターです。各評価ボード

はVIN = +12 V、Fsw = 600 KHz～1000 KHz、出力電流 (Iout) 0～20 Aとなっており、それぞれ特定の出力電圧 (VOUT) (1 V、3.3 V、5 V) をテストできます。

主な特長

主な利点

> 広い入力電圧範囲> 多様なエンドアプリケーションに対応> FCCMおよびDEMモードに対応> 外付け部品不要> 外部補償不要> コンパクト設計> プログラム可能なスイッチング周波数 (Fsw)> ソフトスタート> 過電流保護機能> 保護機能の強化

対象アプリケーション> データセンターとコンピューティング・ソリューション
> サーバー電源> 通信インフラ

製品関連情報/オンライン サポート
ボードページ TDA38825_1VOUT

ボードページTDA38825_3.3VOUT
ボードページTDA38825_5VOUT

製品概要およびユーザーマニュアルへのリンク
発注可能な部品番号

SP 番号

EVALTDA388251VOUTTOBO1

SP005957441

EVALTDA3882533VOUTTOBO1

SP006011992

EVALTDA388255VOUTTOBO1

SP006011993> 軽負荷/全負荷時で高い効率を実現> 堅牢な設計と信頼性

評価ボード EVAL_TDA38826_1VOUT
評価ボードEVAL_TDA38826_1VOUTは、サーバー、AI、データ通信、テレコム、ス
トレージといった要求の厳しい市場のアプリケーションに要求される高速過渡応答に対応する独自のCOTを使用した、コンパクトで高汎用性、高性能なTDA38826ポ
イント オブ ロード (POL) レギュレーターの性能を実証します。評価ボードの特長
は、VIN = +12 V、VOUT = 1 V、Fsw = 600 KHz～1000 KHz、Iout 0～20 Aです

主な特長

主な利点

> 広い入力電圧範囲> 多様なエンドアプリケーションに対応> FCCMおよびDEMモードに対応> 外付け部品不要> 外部補償不要> コンパクト設計> プログラム可能なスイッチング周波数 (Fsw)> ソフトスタート> 過電流保護機能> 保護機能の強化

対象アプリケーション> データセンターとコンピューティング ソリューション
> サーバー電源> 通信インフラ

製品関連情報/オンライン サポート
ボードページ

製品概要およびユーザーマニュアルへのリンク
発注可能な部品番号

EVALTDA388261VOUTTOBO1

SP 番号

SP005962845> 軽負荷/全負荷時で高い効率を実現> 堅牢な設計と信頼性

XDP700-002 EVAL_XDP700用評価ボード
本評価ボードはXDP710-002を搭載しています。XDP710-002は広い入力電圧範囲 (−6.5 V～ −80 V)を備えたホットスワップコントローラーで、FETのターンオンを制御して容量性負荷の突入電流を低減します。本評価ボードは高い電力レベルに向け複数のFETを並列に追加するオプションと共にさまざまなフットプ
リントのNチャネルMOSFETの制御ターンオンのテストができます。

主な特長

主な利点

> 入出力の接続が容易> 多様なMOSFETパッケージから選択可能> ピンごとに診断を実施> XDP Designer ドングル用ポート> PMBus™ インターフェースを搭載> MOSFETの並列化が容易> 広い入力電圧範囲> 簡単なデバイスアドレス選択> オンボード容量性負荷> バイアス3.3 V> 故障、警告、パワーグッドLED> オンボードI2Cプルアップ

対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> 通信機器> フル デジタル インターフェースのためPMBusを介した柔軟な設定> スイッチモード電源 (SMPS)> MOSFETの並列数を柔軟に調整でき、高出力/低出力評価共に最適> 配電システムが可能> 通信およびデジタル信号用のデジタル絶縁内蔵> 銅バーを介したヒートシンクにより、大電力試験の実施が可能
製品関連情報/オンライン サポート
ボードページブロック図

製品概要およびユーザーマニュアルへのリンク
発注可能な部品番号

EVALXDP700TOBO1

SP 番号

SP006009892

40 W 補助電源 REF_5QR0680BG_40W1
インフィニオンの第 5 世代擬似共振 (QR) CoolSET™ ICE5QR0680BG を搭載
した、冷蔵庫用 40W 補助スイッチング電源 (SMPS) は、一般的な家電製品に採用されるユニバーサル入力と 3 出力 (絶縁型 12 V/3.1 A、5 V/0.2 A、非絶縁型 15 V/0.15 A) で設計されています。
主な特長

主な利点

> ユニバーサル入力 85~265 VAC> 低待機電力> 全負荷効率 88% 以上@230 VAC> マルチ出力に対応> 絶縁型 12 V/3.1 A, 5 V /0.2 A> 高効率> 800VのMOSFETを内蔵し、堅牢な動作を実現

対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> 大型家電製品> IPMゲートドライバー、リレー、MCU、その他のバイアスニーズに対応するマルチ出力対応> 二次側で同期整流とDC-DCを行う高効率設計> ACゼロクロス検出回路を搭載したACモーターのインターフェース、制御の容易さ> 一次側のLDOをOFFにする機能で低待機電流を実現> 800VのMOSFETを内蔵し、堅牢な動作を実現
ブロック図
製品関連情報/オンライン サポート
ボードページ

製品概要およびユーザーマニュアルへのリンク
発注可能な部品番号

REF5QR0680BG40W1TOBO1

SP 番号

SP006041487

インバーターおよびゲートドライバー ボード REF-DR3KIMBGSIC2MA
REF-DR3KIMBGSIC2MA は、サーボモーターとドライブアプリケーシ
ョン用に開発、アップグレードされたインバーターおよびゲートドラ
イバー用ボードです。TO-263-7パッケージのCoolSiC™ MOSFET

1200 V Generation 2の評価用に設計され、3相インバーターボードの主要部品としてIMBG120R040M2Hを搭載しています。ドライバー回路には、ミラークランプ機能を備えたEiceDRIVER™小型の1チャンネ
ル絶縁ゲートドライバー、1ED3122MC12Hが組み込まれています。
主な特長

主な利点

> 駆動回路一体型三相サーボモーター> インフィニオンの最先端テクノロジー> EiceDRIVER™ Compact, 10 A, 5.7 kV (rms)> 高熱伝導性基板> CoolSiC™ MOSFET 1200 V, 40 mΩ G2> 小型設計> プリント基板直径110mm> 絶縁金属基板 (IMS: Insulated Metallic Substrate)> 入力電圧 DC350 V～DC800 V> 出力電圧 AC220 V～AC480 V> 冷却ファン不要の自然空冷を実現> 過電流検出回路> 絶縁アンプを使った電流サンプリング> 出力4.2 kW

対象アプリケーション

競合製品に対する優位性> モーター制御>> サーボモーター制御

REF-DR3KIMBGSIC2MA は、サーボモーターとドライブアプリケー
ション用に開発、アップグレードされたインバーターおよびゲー
トドライバー用ボードです。駆動回路一体型サーボモーター開発のためのリファレンスとして使用できます。CoolSiC™ MOSFET

1200 V G2やEiceDRIVER™ Compactシングル チャネルなど、インフィニオンの最先端部品が組み込まれています。

ブロック図

製品関連情報/オンライン サポート
ボードページ

製品概要およびユーザーマニュアルへのリンク
発注可能な部品番号

REFDR3KIMBGSIC2MATOBO1

SP 番号

SP005990399