高垂直磁気異方性 L10 規則合金を用いた
スピンダイナミクス
永沼博

き，電流密度を一定とすると強磁性体の磁化は磁化反転せず

.

は じ

め

に

に等しい大きさのスピントルクを受け続ける(3)．そのスピン
トルクと反対方向に材料固有の磁気摩擦トルクが働き，両方

1995 年頃にスピン偏極した高密度電流を微小磁性体に流が釣り合うとき歳差トルク方向へ磁化の定常的な歳差運動がすとスピントランスファートルクが発生することが理論的に励起されることになる．実際に 2003 年に強磁性/非磁性/強 /非磁性/強磁性◯
 の三予測(1)(2)され，注目された．強磁性◯

磁性の 3 層構造の巨大磁気抵抗素子に直流電流を流して磁層構造の面直方向から電流を流す系では，ランダムな電子ス

化の歳差運動を観測することに成功した(7)．1 つの強磁性層

 を通過すると，電子スピンが強磁性
ピンが片方の強磁性層◯にのみ歳差運動を励起させると，もう 1 方の強磁性層との体の up と down スピンの分極率および磁化方向により異な磁化の相対角は時間と共に振動することになる．これは，素るポテンシャルを受けることで偏極され，スピン偏極電流が子の電気抵抗(電圧)が時間と共に振動する，いわゆる発振現生成される．非磁性層が薄い場合，スピン偏極の情報を保持象である．また， 2005 年には交流電流を強磁性トンネル接 の磁化方向が角度(u )だけ傾したまま通過する．強磁性層◯合素子に流すことによりマイクロ波を整流(検波)することに

 を通過する間いていると，スピン偏極した電子が強磁性層◯も成功した(8)．このように磁気抵抗を用いたスピントルク発に s d 交換相互作用によって up と down スピンが異なる位

振・検波が報告されてから，研究の方向性は大きく分類され相変化を受け，伝導電子のスピン角運動量の横成分が失われた．( 1 )位相ノイズを減らし高い Q 値，検波感度を得るこる．一連の伝導現象においてスピン角運動量の保存則を満たと，( 2 )入力に対する高出力化，( 3 )無磁場の発振・検波，さなければならないため，伝導電子の失ったスピン角運動量( 4 )高周波数化などが挙げられる．これまで，( 1 )について

は強磁性層の局在スピンにトルクとして受け渡されることには位相同期現象の導入(9)(10) ，磁気渦構造の利用(11)(12) ，接なる．この現象がスピントランスファーであり，強磁性層◯

合形状の工夫と垂直磁場の利用(13)(14)，もしくは垂直磁化材に励起されたトルクをスピントルクとよぶ．実験としては，料をもちいて歳差時の反磁界の影響の低減，大角による歳差

1998年に微小接合を有する Co/Cu 多層構造の巨大磁気抵抗

運動(15)(18) などの様々な工夫により Q 値については高くな素子を用いてスピントルクによる強磁性層の励起状態(電気ってきた．(2)についてはトンネル障壁を用いた強磁性トン

抵抗変化)がはじめて観測された(3)．また，1999年頃には強ネル接合素子の利用(19) ，ハーフメタル強磁性電極を用いた

磁性/非磁性/強磁性の 3 層構造の巨大磁気抵抗素子に流れ

磁気抵抗比の増大(20)などの工夫により出力が高くなってき

る電流を増大させると，ある閾値電流のきスピントルクによた．(3)については歳差運動の励起を担う 2 つの強磁性層とる磁化反転現象が実験的に観測された(4)(6) ．磁気抵抗素子

その歳差運動を磁気抵抗比として検出する強磁性層を分けたの接合をナノサイズまで微小化することにより流す電流を低3 層構造により無磁場で の発振が報告(15) されている ．まく抑えても磁化反転に必要な閾値電流が得られることから，

た，(4)の高周波化については数テスラという強い垂直磁場

不揮発性磁気メモリの書き換え方法にスピントルクを利用すにより面内磁化膜を垂直方向へ傾けることによりミリ波帯域

る研究が盛んになった．一方，磁化反転の閾値電流以下のとの発振を報告(21)(22)している．このように，各項目の目的に東北大学助教大学院工学研究科応用物理学専攻(〒980
8579 仙台市青葉区荒巻字青葉)
Spindynamics Using L10ordered Alloy with Highperpendicular Magnetic Anisotropy; Hiroshi Naganuma (Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai)
Keywords: L10ordered alloy, perpendicular magnetic anistropy, high frequency spin dynamics, FePd, magnetic tunnel junction
2015年 3 月 5 日受理[doi:10.2320/materia.54.383]

ま て り あ 第54巻 第 8 号(2015)
Materia Japan

沿って着実に発振・検波素子の実用化に必要な研究が進んでを示す．原子間力顕微鏡により 1×1 mm2 領域を 5 ヶ所観察いる．しかし，4 つを同時に満たすスピントルク発振・検波して，その平均値を Ra とした．いずれの FePd 膜厚におい素子の研究はそれほど多くない．特に高周波化と(1)(3)のても CoFeB を挿入した試料の方が膜表面が平坦となること

条件を満たすような研究は殆どない．以上の背景から，本研がわかった．

究では(2)(4)を満たすことを目的として，結晶磁気異方性

図  に 種 々 の FePd 膜 厚 を 有 す る FePd お よ び FePd /の高い L10 規則合金を励起層として，面内磁化の固定層か

CoFeB 試 料 の ( a ) ， ( b ) 磁 化 曲 線 ( M H ) ， ( c ) 飽 和 磁 化

ら面内スピン偏極電子を注入する強磁性トンネル接合素子を( Ms)，および( d )異方性磁界(Hk )を示す． CoFeB 挿入の有無に因らず， FePd の膜厚に対して Ms はバルク値とほぼ一作製し，高周波スピンダイナミクス特性を評価した．

致した．CoFeB を挿入しない場合，FePd を薄くしていくと

.

実 験

方

法

4.0 nm を境に垂直磁化膜から面内磁化膜となった． CoFeB

を挿入すると， FePd の膜厚を 3.0 nm まで薄くしても垂直MgO ( 001 )基板/ Cr ( 40 )/ Pd ( 10 )/ Fe50Pd50 ( tFePd )/[ Co40

磁化膜となった．図 1(c)と比較すると，FePd の垂直磁気異Fe40B20 ( 0.5 )]/ MgO ( tMgO )/ Co40Fe40B20 ( 2 )/ Ru ( 0.85 )/ Co75

方性は L10 規則度と対応していることがわかる．強磁性ト

Fe25( 2 )/ IrMn ( 10 )/ Ta ( 3 )/ Ru ( 2 )( 1.5  tFePd  5.0,

0.75 

ンネル接合の下部電極は平坦( Ra  0.4 nm )，かつミリ波のtMgO  2.5 )[単位は nm ]多層膜試料は 10－7 Pa 以下まで排気周波数に到達するためにはおよそ 8000 kA/m 以上の異方性された超高真空 r.f. マグネトロンスパッタ装置を用いて作製磁界が必要となる．CoFeB を挿入すると FePd の膜厚が 3.0

した．MgO 基板を700°Cで加熱し，その後に室温にて Cr 層

nm のときに上記の条件を満たすことになるが，閾値付近のを製膜してから 700 °C まで基板温度を上昇させる． 350 °Cま作製条件は磁気特性が安定しないことが懸念される．そのたで基板温度を下げてから Pd 層を製膜して，種々の温度にてめ本研究では， FePd を 3.5 nm として強磁性トンネル接合

FePd 層を製膜した．CoFeB より上の層は全て室温で製膜し素子を作製した．

た．製膜時の Ar ガス圧は各層で最適化された条件を用い

図にトンネル接合素子用の多層膜の(a)透過型電子顕微た．例えば， FePd 層は 0.6 Pa のガス圧で製膜したとき，

鏡( TEM )および( b )走査透過型電子顕微鏡( STEM )の断面

Fe と Pd の合金組成が 1 1 となり， L10 規則度が最も高く観察像を示す．TEM 像から上部固定層まで各層が平滑な界なった．試料の膜構造は X 線回折および走査透過型電子顕面を形成していることがわかる． FePd 層付近を拡大した

微鏡( JEOL: ARM200F )および透過型電子顕微鏡観察( FEI

STEM 像から Fe と Pd が垂直方向に交互に配列されており，Tecnai G2 F20)，磁気特性は超電導量子干渉磁束計(Quan-

L10 規則構造に起因した明瞭な原子コントラストが観察され

tum Design: MPMS )および振動試料型磁力計により評価した． FePd 層の STEM 像を高速フーリエ変換すると L10 のた．

(001)超格子反射が確認され，STEM 観察領域の L10 規則度
は比較的高いことがわかる．また， FePd の組成比は殆ど

.

CoFeB 挿入による格子ミスフィットの緩和

11 であることを ICP 発光分析により明らかとなっている．
Fe と Pd の二元系状態図曲線から L10 規則合金の200°Cでのbcc 構造の強磁性体と MgO 障壁が接するとトンネル伝導

固溶範囲は 50 ～ 615 at Pd と広がりをもつため 1  1 組成

は D1 電子が支配的となり，高い磁気抵抗比が得られるため

比の FePd が Pd と界面を形成すると Pd 過剰側固溶する可強磁性トンネル接合素子の障壁材料として広く利用されてい能性があるが， STEM 像から原子の相互拡散は確認されなる．しかし，L10 規則合金系との格子ミスフィットは約10

かった．また， CoFeB と FePd 層の界面にも原子拡散によと大きく，界面に多くのミスフィット転移および c 軸が面内る界面の乱れは観察されなかった．一方， Cr と Pd 層の界に向くような構造となり高い磁気抵抗比が得られない問題が面の STEM 像は不明瞭であることから原子相互拡散が生じある．これまでに Fe 層を L10 規則合金と MgO トンネル障ていることが考えられる．ナノビームを用いた組成分析を壁の間に挿入すると磁気抵抗比が高くなることが報告されてFePd 界面に近い Pd 層の局所領域で行ったところ，Cr 原子いる．そこで本研究では格子ミスフィットを段階的に緩和すは検出されなかったことから Cr の拡散は Pd との界面付近るため CoFeB を L10 FePd と MgO 障壁の間に挿入した．

で収まっていると考えられる． STEM 観察の結果，原子拡

比較のため CoFeB を挿入してない試料も作製した．図に散の影響は各層により異なるが，励起層である FePd には原種々の FePd 膜厚の MgO ( 001 )基板/ Cr / Pd / FePd ( tFePd )/子拡散は生じていないことが明らかとなった．

[CoFeB(0.5)]/MgO/Ta の u2uX 線回折プロファイルを示す．図 1(a)は FePd 単層膜，1(b)は FePd/CoFeB 二層膜を

.

L10
FePd/CoFeB 二層膜の磁気摩擦示す． FePd の膜厚が 2.0 nm より厚くなると L10 の超格子
反射の(001)回折ピークが観測された．図 1(c)に L10 規則度

磁気摩擦定数が小さいと少ない電流でスピントルクを励起と FePd 膜厚との関係を示す． CoFeB を挿入した試料の方することができるため，低消費電力の観点から磁気摩擦定数がいずれの FePd 膜厚においても L10 規則度が高くなることは重要なパラメーターである． L10FePd(23)は L10FePt(24)がわかった．図 1 ( d )に表面平坦性( Ra )と FePd 膜厚の関係

および L10CoPt に比べて磁気摩擦定数が小さくなる傾向に




最近の研究

図1

種々の FePd 膜厚の( a ) FePd 単層膜および( b ) FePd / CoFeB 二層膜の X 線回折プロファイル．試料構造は
MgO(001)基板/Cr(40)/Pd(10)/FePd(tFePd)/[CoFeB(0.5)]/MgO(2)/Ta(3)である．

図2

種々の FePd 膜厚(tFePd)の(a)FePd 単層膜および(b)FePd/CoFeB 二層膜の(a)，(b)磁化曲線，(c)飽和磁化(Ms)，および(d)異方性磁界(Hk)．

あり，スピントルク素子に適した材料である．しかし，これ一 致 し た ． フ ィ ッ テ ィ ン グ に よ り 得 ら れ た H eff
k は 約 800までに FePd / CoFeB の磁気摩擦定数を調べた報告は無い．

kA / m であり磁化曲線から見積もった 700 kA / m と近くな

そこで MgO 基板/Cr/Pd/FePd(3.5)/CoFeB(0.5)/MgO/Taった．

の磁気摩擦定数をポンプ・プローブ法により評価した．図( a )に種々の外部磁場方向に対する MOKE 信号の遅延時間

()

f＝

g
2p

eff
2
2
([H cos(uH－u )＋H eff(1)
k cos u ][H cos(uH－u )＋H k cos u ]を示す．図 4 ( b )に示すように，周波数( f )と uH を LLG 方

一方，緩和時間(t )につて調べたところ，小角での歳差運動

程式によりフィッティングをしたところ，実験データとよくを前提とした LLG 方程式では実験データと一致しなかっ

ま て り あ 第54巻 第 8 号(2015)
Materia Japanた．[図 4 ( c )]図 2 の面内方向の M H 曲線から磁化は緩やFePd の垂直磁気異方性が大きく，磁気異方性分散の絶対量

かに飽和している傾向があり，僅かな面内の磁化成分によりも増大しているためと考えられる．次に，種々の uH に対す

垂直磁気異方性が分散していると考えられる．そこで，磁気る磁気摩擦定数(a eff)を算出した．

異方性分散(DH effk )を加えてフィッティングを行った．

[]

DH effk1
d ( 2p f )＝･tdis
dH eff2ka eff＝(2)

1
2p f t(3)のとき最も小さい aeff＝0.007が得られた．[図 4(d)]uH＝70°

その結果，DH eff
k ＝ 30 kA/m とすると破線で示すように実験

CoFeB を挿入した効果を調べるために，膜厚が 4.0 nm の値とよく一致した．このように DH eff
k が大きくなった原因は，

FePd 膜を同条件で製膜して aeff および H eff
k を評価したところ， 0.015 および 300 kA/ m となった．格子ミスフィットが少なく 20 nm と比較的厚い L10FePd 膜の aeff は0.007(23)であったことから， CoFeB を挿入することにより L10 FePd
極薄膜においても磁気摩擦定数を低下させることができることがわかった．極薄膜における磁気摩擦定数の改善は，
MgO と FePd の格子ミスフィットが CoFeB 挿入により段階的に緩和され，界面での磁気異方性等の分散がある程度抑えられたことが一因として考えられる．以上の比較検討から，高周波スピンダイナミクス応用において CoFeB 挿入の有効性が明らかとなった．

. L10 規則合金薄膜の高周波スピンダイナミクスの
電気的検出
スピントルクにより誘起された CoFeB / FePd 二層膜の歳差運動を電気的に検出すために，強磁性トンネル接合素子を作製した．スピントルクを効率的に得るため，接合サイズを
直径 120 nm まで微小化して，スピン偏極電流密度を高くした．また，歳差運動時の面内方向の反磁界係数を等しくする
ために接合形状を円とした．微小な円形接合を作製するため
図3

図4




( a)透過型電子顕微鏡(TEM )および(b )走査透過型電子顕微鏡(STEM)による多層膜の断面観察像．

の微細化プロセスには，電子線リソグラフィー， Ar イオン
ミリングとリフトオフ法を用いた．さらに，マイクロ波から

種々の外部磁場方向(uH)に対する(a)MOKE 信号スペクトル，(b)周波数，(c)緩和時間，および(d)磁気摩擦
定数．

最近の研究

ミリ波の高周波特性を効率的に測定するためには，測定系のた，トンネル障壁により素子抵抗が高くなるため，MgO 障

特性インピーダンス( Z0 )を 50 Q に整合させる必要がある．

壁層を極薄化して Z0 をなるべく 50 Q に近づけられるように集積回路とは異なり，実際の高周波測定の実験では GSG プ

した．図 5(c)に接合抵抗(RA )の MgO 障壁膜厚依存性を示

ローバを用いて 1 つ 1 つ実験条件の異なる素子と高周波測す． MgO 障壁を 0.85 nm まで薄くすると RA は 1 桁台(実定機器を接続して評価することになる．しかし，トンネル接抵抗約 160 Q ＠無磁場)まで低下した．図 5(d)に固定層を合の直径は 120 nm と微小であり， GSG プローバと直接，面内磁化，励起層を垂直磁化 CoFeB / FePd とした強磁性ト接触させることは難しい．そこで，伝送特性を損なうことな

ンネル接合素子の電気抵抗(R )－磁場(H )曲線，および面内

くトンネル接合に接続するために GSG コプレーナーウェーと垂直磁化配置の磁気抵抗素子の理想的な R
H 曲線を示す．

ブガイドを用いた．GSG とは 1 本の信号(S)線を等間隔で配CoFeB / FePd は急峻な磁化反転が実現しており，殆ど理想置した 2 本のグラウンド( G )線で挟んだ構造をしており，的な RH 曲線となっていることがわかる．また，面内磁化G S 間を等間隔にして伝送させることにより高周波損失を―垂直磁化構造であるため，TMR 比の角度依存性から垂直抑えながら，異なる大きさの配線・素子を接続させることが磁化―垂直磁化構造の TMR 比を算出(27) したところ約 27 で き る ． GSG コ プ レ ー ナ ー ウ ェ ー ブ ガ イ ド の 設 計 に はであった．図 5(b )に高周波測定の概略図を示す．信号発生

Wadel の式を用いた(25)．

器からは AM 変調された高周波信号を送り，素子にて高周

h0 K(k1)
Z 0＝
4 eeff K(k′1)(4)

波成分が吸収されることによりバイアス T で分岐された直流電圧のみをロックインアンプにて検出した． GS プロー

ここで， h0 (＝ m0 / e0  m0, e0 は真空の透磁率，誘電率)は自ブ，伝送ケーブル，バイアス T，コネクタ類は 40 GHz まで

由空間における Z0 である．K(x )は第一種完全楕円積分であ対応の高周波部品を使用した．尚，外部磁場印加によるプロり，ーブの離反を避けるため GS プローブは非磁性品を用いた．
K(x )＝2()(2n－1)!!
p∑ (2n)!! x 2n2 n＝ 0∞(5)周 波 側 ( 1 ～ 15 GHz ) か ら 5 GHz 付 近 に ピ ー ク が 観 測 さ れと書ける．k1, k′
1 , k 2, k ′2 はそれぞれ以下の通りとなる．
c
k 1＝
b

た．これは，面内磁化の積層フェリ構造を有する固定層から

b 2－ a 2
c 2－ a 2の共鳴ピークであると考えられる．239 kA/m 程度の外部磁2k′1＝ 1－ k 1

k 2＝

図 5(e)に CoFeB/FePd を用いた強磁性トンネル接合素子の高周波特性を示す．外部磁場は膜面垂直方向へ印加した．低場では積層フェリ構造の磁気結合が強いため共鳴ピークは殆

sin h(pc/4h)
sin h(pb/4h)

ど移動しなかった．高周波側(13～ 38 GHz)にもピークが観

sin h2(pb/4h－sin h2(pa/4h)
sin h2(pc/4h)－sin h2(pa/4h)2
k′2＝ 1－ k 2

測され，外部磁場の低下と共に高周波側へ移動した(28) ．
(6)

CoFeB / FePd の垂直磁化方向とは逆向きに外部磁場を印加

ここで，aは S 線幅，b は G 線端の間隔，c は全長，t は S 線

した．つまり，外部磁場を増大させると CoFeB / FePd の異や G 線の膜厚，h は基板の膜厚，er は基板の誘電率である．

方性磁界(H effk )が低下する． Kittel の式によりピーク位置とeeff は以下の通りとなる．

外部磁場のフィッティングをおこなったところ，実験データ

eeff＝1＋×(と良く一致した．このことから，非線形性はなく強磁性共鳴)

er－1 K(k1) K(k′er － 1 K ( k 1 )2)＋) K ( k 2)
K (k ′
2 K(k1′
2
1)

( )

2

(

に基づいたスピントルクを受けていると考えられる．これ2)

K ( k′t
2t K(k1)
t K ( k 1)
2)＋＋
b－a K(k′b－ a K(k ′K ( k2) b － a
1)
1)

(7)

は，信号発生器からの高周波入力電力が－15 dBm とそれほど多くないこと，および接合が円形状であるためと考えられ実際に 120 nm の微小部に接続させることは電子線リソグラ

る．注目すべきは，外部磁場を印加しない状態においてもおフィーの位置精度から難しいため，接合の直上に 10 mm2 のよそミリ波帯域の共鳴ピークが観測されたことである．無磁正方形電極を作製し，GSG コプレーナー電極の G 線と上部

場において共鳴ピークが現れた理由は，固定層の面内磁化にで接続させた．従って，トンネル接合部は a, b, c, t を 5.2

よりスピン偏極した電子のスピントルクの交流信号をmm, 10 mm, 580 mm および 300 nm とした．また，手動のマ

CoFeB / FePd 垂直磁化が受け続けているためである．外部

ニピュレーターにより GSG プローブの位置合わせを行うた

磁場を印加するためには永久磁石もしくはコイルを配置する

め，150 mm 間隔の GSG プローブとの接触部は a, b, c, t を必要があるため，無磁場動作はデバイスサイズの微小化の観50 mm, 92 mm, 690 mm および 300 nm として，位置合わせ点から重要である．以上に述べたように，強磁性トンネル接の操作がし易い設計とした．これら 2 箇所を 50 mm の長さ合素子に高磁気異方性の L10 規則合金を用いてスピンダイ

で等間隔に保ちつつ緩やかな角度により接続し，伝送損失を

ナミクスをミリ波帯域において電気的に検出した報告は殆ど抑制した(26)．実際の素子の概略および GSG コプレーナー上なく，本報告はスピントルク素子の新たな用途として広がり

部電極の光学顕微鏡写真を図(a)に示す．尚，正方形の上をもたらすことが期待される．半導体の発振・検出素子と比部電極は 10 mm2 と接合サイズ(120 nm)に比べて大きく，層べると，素子サイズはスピントルク素子の方が圧倒的に小さ

間絶縁膜(SiO2)を介した寄生容量が高周波特性に影響を及ぼい．また，半導体素子には時定数の制限があり，ミリ波帯域

すことが考えられるが，定量的な評価は行っていない．までの利用には様々な工夫が必要である．スピントルク素子にま て り あ 第54巻 第 8 号(2015)
Materia Japan




図5

( a )高周波測定用素子の概念図と GSG コプレーナー上部電極の顕微鏡写真，( b )高周波測定の概略図，( c )MgO 障壁厚さと素子抵抗(RA)の関係，(d)RH 曲線，(e)スピンダイナミクスの電気特性．

は時定数の制約がなく，ミリ波のような高い周波数領域におは 0.007と他の垂直磁化材料に比べてかなり低いことが明らいて有利である．スピントルク発振・検波素子の研究は黎明かとなった．高周波の電気的特性について調べたところ，お期であるため明らかになっていないことも多い．将来の電子

よそミリ波帯域においてスピントルクによる強磁性共鳴吸収デバイスとしての有用性を検討するためには，TMR 比の増

ピークが無磁場で観測された．L10 規則合金を有する強磁性

大により検波感度を高める基本的な工夫だけでなく，周波数

トンネル接合素子を用いて無磁場かつミリ波帯域で電気的検変調方法，非線形性の取り扱い，および位相ノイズの対策な出したはじめて報告となり，将来の新しいスピンダイナミク

ど高周波スピントルクデバイス特有の研究課題を幅広く展開

スデバイスへの研究の広がりが期待される．

していく必要がある．
本研究において，主に多層構造の最適化を金国天博士，

.

ま

と

め

K. M. N. Islam 博士，高周波測定系構築と評価・解析を河田祐紀博士，畠山憲三氏，井波暢人先生，薄膜形状の磁気摩擦
L10 規則合金の高周波応用の可能性を検討するために，高評価を飯浜賢志氏，水上成美先生，研究の包括的支援を大兼

い磁気異方性材料による高周波帯域の電気的検出を強磁性ト

幹彦先生，安藤康夫先生により行われました．また，遠藤

ンネル接合素子を用いて試みた． FePd と MgO には 9 も恭先生にコプレーナー上部電極の設計指針について助言をしの大きな格子不整合があり，異方性磁界を低下させないためて頂き，谷口知大博士と垂直磁化膜のスピンダイナミクス現にも CoFeB 挿入層による段階的な格子緩和が必要であるこ象に関して有意義な議論を行いました．紙面をお借りして深とがわかった．また， FePd / CoFeB 二層膜の磁気摩擦定数

く感謝の意を表します．また，本研究は， JST 日独共同研




最近の研究

究(ASPIMATT)，最先端プログラム，NEDO，科研費基盤
S および田中貴金属工業の助成のもと行われました．

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ま て り あ 第54巻 第 8 号(2015)
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Ando: Nano Lett., 15(2015), 623628.
★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★
2004年 大阪大学大学院博士課程修了
2004年 大阪大学産業科学研究所 研究員
2006年 東京理科大学 助教
2008年 現職
専門分野マルチフェロイックス，高周波スピントロ
ニクス◎酸化物，金属材料，磁性，誘電体まで幅広く研究に
従事．

永沼

博

★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★

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