SID Japan Chapter Newsletter No.53(2013.05.19)(1)Newsletter日本支部

発 行 元 ： SID日本支部
発行責任者 ： 辻村 隆俊
発 行 日 ： 2013年 5月19日

第53号

支部HP URL： http://www.sidchapters.org/japan/index.html

Increasing SID Activities in Asia
Baoping Wang, SID Regional Vice-President, Asia
I feel very honored to be

development in order to help this dynamic industry toelected as Vice President ofgrow and thrive.

the SID, to be in charge of
SID Asian affairs,
announced at the Board ofDirector Meeting held

The most important action points of the SID Beijing
chapter are:✦conference every year. Cooperating with SEMI,during Display Week 2012

China Display/AsiaDisplay was held in November

on the 3rd of June. Before

2011 and FPD China/AsiaDisplay, has been

this election I have beensuccessfully held two times: in March 2012 andDirector of the SID Beijing chapter for almost 10 years.
I still remember very well the first time that I attended

The SID Beijing chapter will organize at least 1

March 2013.
✦

Actively promoting the growth of the number ofthe SID conference in Boston in 2002. At that time themembers of the SID Beijing chapter. Originally thedisplay industry was blooming in various regions of thetarget for 2015 was set to 500 (before 2011 justworld, notably Europe, North America and Asia. Thearound 250), but that target was already reached in

number of attendees was more than 5,000; CRT was still

November 2011.

the dominant display technology but LCD, PDP and✦The SID Beijing chapter will organize seminars toother new flat panel displays have been emerging on thetrain local engineers. A tutorial was supported andmarket place. By 2010 the display industries and markets

arranged for Touch Screen in FPD China/situation have completely changed. The Asian region isAsiaDisplay 2013.

now leading in display technology and industry, while✦

The SID Beijing chapter will push its members tothe largest growth of the SID is established in Asia as

attend conferences and symposiums organized bywell.

SID. Moreover, Chinese Display companies and

As Brian Berkeley, SID President pointed out: Asia isuniversities will be stimulated to send staff tothe world’s foremost region for display research,conferences and symposiums organized by SID.

development, and mass production. In terms ofIn the coming three years as VP of SID’s Asian affairsmembership, the Japan Chapter has been SID’s largest

I like to focus my efforts in realizing goals formulated bychapter for many years, and it remains the largest chapter

the former SID President, Dr. M. Anandan and Dr. Brianfor SID today.

Berkeley, SID President. The most important tasks are:Several important international SID conferences/1.

workshops such as IDW, IMID, IDMC, Asia Display andASID are held every year in Asia.
Since the 1990s, the Chinese display industry has

branch of SID2.

Supporting the build-up of the India SID branch

3.

Improving the cooperation and coordination
between the various SID branches in Asia

developed quite quickly. It is expected that its growthrate can be maintained in the next decade. The central
task of SID's Beijing chapter is to support research andExtending the work and organization of the Beijing

4.

Enhancing SID and IEC, SEMI and otherinternational organizations

SID Japan Chapter Newsletter No.53(2013.05.19)(2)酸化物半導体TFTが拓く新しいディスプレイの世界
東工大 雲見 日出也
その薄膜トランジスタ

10.1016/0022-3093(96)00367-5)でした。この作業仮(TFT)の電流−電圧特性デー説に基づく材料探索の結果、有望な材料として見出タを、東京工業大学は細野されたのがa-IGZOです。

秀雄教授の研究室で初めてでは、何故a-IGZOがSi系TFTに替わって製品化す

見た瞬間、「これはモノにることができたのでしょうか。それは、a-IGZOをなる」と直感しました。後代表とするAOS TFTの特長が、AM-FPDの進化すべにNature誌論文 (http://き姿が要求する性能や機能に合致していたからで

dx.doi.org/10.1038/す。AOS はイオン結合性の多元材料で、金属原子nature03090) で2004年に初のs軌道電子が主たる電荷伝導を担います。共有結めて発表された、非晶質酸化物半導体(AOS)のIn-合性のSiの指向性が高いsp 3 軌道とは異なり、AOSGa-Zn-Oをチャネルの材料に用いるa-IGZO TFTでのs軌道は波動関数が空間的に球対称かつ大きく広す。ワイドバンドギャップ(~3.1 eV)で透明なa-IGZOがっています。非晶質のように原子配列が崩れてもは、プラスチック基板上に室温で堆積した非晶質半電荷の伝導経路に大きな影響がないため、バンドギ導体にもかかわらず、水素化非晶質シリコン(a-ャップ中の電荷トラップ準位の密度がa-Si:Hより2-3Si:H) TFTの10倍以上の電界効果移動度(µ FE )を示

桁も低く、僅かな電界で誘起された電子でこれを埋し、世界中に衝撃が走りました。その後間もなく、めることができます。さらにフェルミ準位は容易くa-IGZO TFTの数々の優れた特長が明らかとなり、伝導帯下端を超えて、結晶半導体のバンド伝導のよ

次世代アクティブマトリクス型平面ディスプレイ

うな伝導特性を示します（「非晶質半導体がバンド(AM-FPD)のバックプレーン技術を担う、と確信す伝導などする訳がない」と仰る頑迷な結晶半導体屋るには時間はかかりませんでした。そしてSi系TFTさんもいらっしゃいますが）。その結果、実用的なから改宗し、他の半導体材料、とくにSi等の共有結印 可 電 圧 で ホ ール 移 動 度 と 違 わ な い 1 0 〜 数 十合半導体屋さんから見ればゲテモノにしか見えないcm2V-1s-1という大きなµFEが得られます。このµFEのAOSの普及（布教）に努めて参りました。知的財産

値は低温多結晶Si (LTPS) TFTには及びませんが、ちリスクおよび参入障壁の低減と仲間作りに力点をおょうどOLEDや電界放出ディスプレイのような電流いた戦略が功を奏し、また、果敢にもゲテモノに挑駆動型素子の駆動トランジスタの要求性能を満たし戦してくれた各界関係者の懸命な努力のおかげで、ます。また、高リフレッシュレート(≥240 Hz)の大型当初想定したシナリオでは最も早い、2012年にシャパネル(≥50 inch)を、分割駆動せずに済むバスライープ社が中小型液晶ディスプレイ(LCD)で、2013年ンの遅延時間も満たしています。画素中でTFTの占にはLGエレクトロニクス社が大型有機EL (OLED)有面積を小さくすることもできるため、透過型AM-テレビで、製品化を果たしています。

FPDの画素開口効率を損なわず、高精細化することAOSの特長の前に、酸化物半導体TFTの歴史をも可能です。さらに、AM-FPDの周辺回路をモノリ少々紹介させてください。余り知られていないかもシックに実装する場合、a-Si:H TFTよりその実装面知れませんが、酸化物半導体TFTの起源はa-Si:H積を小さくして狭額縁化することもできます。

TFTより古く、半世紀近く前に遡ります。1961年に原子配列の平均構造が均一な非晶質であることはCdSで初めてTFTの動作が実証されて直ぐ、1964年様々な特長をもたらします。まず多結晶では避けらにはSnO2やIn2O3といった多結晶酸化物TFTが発表れない結晶粒界の悪影響とは無縁です。TFT特性のされました。しかし、1970年代後半に出現したa-近距離不均一性に悩まされるLTPS TFTのようなバ

Si:Hに、物性物理学分野も巻き込んで研究人口が集ラツキ補正は必要ありません。多結晶酸化物TFTな中し、その後の多結晶Siを含めたSi系TFTが最近ま

どは、ガスセンサーとして機能できるほど結晶粒界で唯一の実用材料として君臨したため、酸化物半導が極性分子に活性ですが、そのような心配も無用で体のTFT応用は長らく幽閉することになります。そす。スパッタ法で均一に製膜できるなら、a-Si:Hとんな酸化物半導体TFTに再び光をあてたのは、前出同様にTFT特性が長距離に亘って均一となり、LTPSの細野教授が1995年に発表した高移動度AOSの候補

TFTでは困難な大面積パネルへの応用にも適しま材料に関する作業仮説(http://dx.doi.org/

す。低温で堆積できるため、プラスチックなど基板

SID Japan Chapter Newsletter No.53(2013.05.19)(3)の耐熱性に関する選択の幅も広がります。また、バ以上のように、酸化物半導体TFTは、その特長をンドオフセットが既存のSi系TFTで使われている絶活かしてAM-FPDの高精細化・高速化・高機能化・縁層や金属層材料の何れにも適合し、それらをその大型化・低消費電力化・OLED化・低コスト化を図まま流用することが可能です。理論的には、既存のり、実用化の端緒を開くことができました。本稿でTFT製造ラインのうち、半導体活性層の成膜工程だ

は紙面の制限で触れられなかった安定性に関する幾けをAOSのスパッタで置き換えれば済むことにな

つかの技術課題もありましたが、勇敢な挑戦者諸氏り、新規の設備投資を最小限に抑えることができまの努力によって解決に至っています。今なお残る製す。

造技術上の課題や、更なる高移動度化、低温化、pさらに、殆どのAOSはワイドバンドギャップのn型化、液相（印刷）形成化などの将来的課題に取り型半導体なので、ホールの密度は極めて低く反転動組むことにより、酸化物半導体TFTはAM-FPDを一作しないため、LTPS TFTの難点であるキンク効果層進化させ、新しいディスプレイの世界を拓くに違も現れません。同時にオフ電流が極めて小さいたいありません。最後に、これから参入される皆様もめ、リーク電流を低く保つことができます。既に商含め、関係各位におかれましては、道義と正しい歴品化されているLCDパネルでは、低リーク電流を活

史認識を踏まえて先人挑戦者の貢献を尊重し、公正かして画面静止時のリフレッシュレートを落とすこな競争の下、酸化物半導体TFT技術とそのディスプとによりパネルの消費電力を抑え、スマートフォンレイ技術の発展にご尽力賜りたい、と切に願い筆をの連続使用時間を延ばすことに成功しています。

置きます。

SID日本支部主催「第9回サマーセミナー」開催のご案内～ 次世代ディスプレイ開発に向けた基礎講座と最新技術トレンドのキャッチアップ ～次世代のディスプレイ開発を担う若手技術者、研究者を対象にしたディスプレイ開発に必要な基礎知識の習得と最新の技術動向のキャッチアップを目的としたサマーセミナーを下記の要領で開催いたします。
本セミナーは2日間の合宿形式で、テレビの基本原理から、液晶や有機ELの基礎、また超解像技術や視覚特性等に関する講座、さらには酸化物半導体、タッチパネルなどに関するトピックスやディスプレイ分野における最新技術動向など、幅広い技術領域にわたる講座で構成されます。本セミナーでは単に講義による基礎知識の習得だけでなく、参加者間ならびに講師の先生方との交流を深める事も大きな意義の一つとなっておりますので、是非この機会にご参加下さい。
なお非会員の学生参加者は自動的にSID入会として取り扱われ、来年3月末までの期間学生会員としての特典が受けられます。お声をお掛け合わせの上、奮ってご参加下さい。
日時：2013年9月2日（月）〜 3日（火）の一泊二日
定員：60名（定員になり次第締め切らせて頂きます）
会場：東レ総合研修センター（http://www.toray.co.jp/location/loc_403.html）〒411-0032

静岡県三島市末広町21番9号（TEL: 055-980-0333）（JR東海道線/新幹線・三島駅より徒歩12分）
会費：学生12,000円

一般会員30,000円

一般非会員40,000円（参加費用には、テキスト・宿泊費・食費が含まれます。）

申し込み方法：SID 日本支部ホームページ（http://www.sidchapters.org/japan/）の学会カレンダーのSID
日本支部サマーセミナーより、氏名、所属、住所、電話、e-mail、生年月日、SID 会員の有無、請求書の必要の有無を明記の上、お申し込み下さい。学生の場合には、学生証のコピーを下記問い合わ
せ先にFAX またはE-mail 添付にてお送り下さい。
申し込み先：SID日本支部主催
担当

E-mail：sid-secretariat@atecs.co.jp

河野株式会社

第9回サマーセミナー事務局

茂原アテックス

Tel：0475-23-1150

オフィスサービス

Fax：0475-25-7703

SID Japan Chapter Newsletter No.53(2013.05.19)(4)

第20回ディスプレイ国際ワークショップ(IDW ’13)開催案内
第20回目となるIDWが以下のように開催されます。今年はSpecial Topics of Interest として 1) Oxide TFT, 2)
Augmented Reality and Virtual Reality, 3) Lighting Technologies の3つにスポットライトを当てた企画を用意しております。 審査論文作成や投稿方法等の詳細はIDW ’13のホームページ

http://www.idw.ne.jp

からFinal Callfor Papers を入手してご覧ください。
主催: Society for Information Display (SID) , 映像情報メディア学会（ITE）
日時: 2013年12月4日（水）〜 6日（金）場所: 札幌コンベンションセンター
主なスケジュール
審査論文投稿期限： 6月 28日

採択通知： 7月 19日

採択論文原稿提出期限： 9月 5日

Late-News論文投稿期限： 9月 27日

割引参加登録期限：11月 1日

SID 2013 報告会開催のお知らせ
5月20日から24日にかけてバンクーバー（カナダ）にて開催されたSID 2013の報告会を開催いたします。
今年も、関東と関西の2会場で開催いたします（両会場で同内容の報告となります）。プログラム等詳細はSID日本支部のホームページにてお知らせします。お声をお掛け合わせの上、奮ってご参加ください。
関東会場: 7月17日(水)10時〜17時

於) 機械振興会館

関西会場: 7月24日(水)10時〜17時

於) ハートピア京都（京都）（東京）

主催：SID日本支部
参加方法：当日に会場にお越しください。（事前申し込みは不要です。）
費用（テキスト代）：1000円程度

2013年主な研究会日程

日程

研究会名

開催地

5月19〜24日

Display Week 2013 (SID 2013)

Vancouver, BC, Canada

7月17日

SID 2013報告会（関東地区）

東京・機械振興会館

7月24日

SID 2013報告会（関西地区）

京都・ハートピア京都

7月25日

情報ディスプレイ研究会

東京・機械振興会館

8月26〜29日

IMID 2013

Daegu, Korea

9月2〜3日SID日本支部サマーセミナー

三島・東レ総合研修センター

10月未定

画像技術・視覚・その他一般研究会

東京・機械振興会館

12月3日

IDW ’13チュートリアル（SID日本支部主催）

12月4日〜7日

IDW ’13（SID, ITE共催）

1月24〜25日

発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会

札幌・札幌コンベンションセンター
新潟・新潟大学

編集後記：今年度のサマーセミナーでは、各種ディスプレイの基礎の他、表示技術の基本となるテレビの原理や視覚特性も取り上げております。多くの方の参加をお待ちしております。
なおSID報告会関西版は昨年までとは異なり京都で行います。ご注意ください。
編集担当：志賀智一（電通大）tomokazu.shiga@uec.ac.jp