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第5巻 第2号
目 次
季村峯生さんの訃報に接して(松澤 通生)… 3

解説 「強光子場下における有機分子のイオン化」 (八ッ橋知幸，中島信昭)… 5

第 15 回原子衝突セミナーのご案内 (行事委員会)

…22

(庶務)

…22

国際会議発表奨励事業に関するお知らせ…23

今月のユーザー名とパスワード
編集委員会事務局の移転について(編集委員会)1…23

強光子場下における有機分子のイオン化
八ッ橋知幸，中島信昭
大阪市立大学 大学院理学研究科
tomo@sci.osaka-cu.ac.jp
平成 20 年 2 月 13 日原稿受付と異なり，比較的低強度（1013 Wcm-2）のフェムト

１.はじめに秒パルスを用いると有機分子の分子（親）イオン
高強度フェムト秒レーザーの出現は光化学のが主に生成するというものであった．同様な結果

領域をはるかに越えた強度の光電場と分子の相は同年に Aicher ら[8]や Ledingham ら[9]によっ互作用の研究を可能にした[1]．現在の最高到ても報告されている．ちなみに分子イオンは長ら

21-2

達集光強度は実に 10 Wcm である[2]．一方，

く親イオンと呼ばれていたが，ジェンダーの問題

水素原子核と電子の間に働いている電場は 1から最近では分子イオンと呼ぶようにしている．

16

また，ここでは分子イオンが解離した２原子以上

Wcm に相当する．高強度レーザーと分子の相で構成されるイオンを分子解離イオンと呼び原

cm あたり約 50 億ボルトである．これは 3.5×10-2

互作用により 10

13-2

Wcm 付近では非共鳴多光子イオンと区別する．フラグメントイオンは分子解離イオンと原子イオンであるとする．

子イオン化が生じ，さらに強度を上げると光電場
によるイオン化が始まる．図 1 に強光子場（強光電場）を印加したときの水素原子のポテンシャルを示した．横軸を原子核から電子の距離とし，交番電場が最大になった時を図示してある．レーザー電場の反転がイオン化に対して遅い場合（断熱）は電子がレーザー電場によって歪められたポテンシャル障壁を透過するトンネルイオン化，
そして電子が障壁を越えて飛び出す障壁越えイオン化が起こる．

図 1: 強光子場により変形を受けた水素原子のポテンシャル

1995 年頃まで高強度レーザー科学研究の主たる対象はヘリウム，キセノンなどの希ガスや酸素，窒素に代表されるような２原子分子であった．

希ガスと有機分子の大きな違いはまずイオン

希ガスでは ADK (Ammosov-Delone-Krainov)

化ポテンシャルである．希ガスの場合はキセノン

理論[3]，PPT (Perelomov-Popov-Terentev) 理論の 12.13 eV が最小であるが，有機分子において[4]，KFR (Keldysh-Faisal-Reiss) 理論[5]などを

は 5.95 eV から 16.2 eV までの範囲（垂直イオン

初めとするイオン化理論との比較が議論されて化ポテンシャル）のものが市販で入手できる．そいた[6]．一方，有機分子を対象とした研究はして最大の違いは解離過程の存在である．この1995 年の Dewitt と Levis による芳香族化合物の存在が有機分子イオン化の最大の興味であり，イオン化が最初であろう [7]．彼らの発見はそれ複雑な点である[10]．フラグメントイオンを伴わなまでのナノ秒，ピコ秒のレーザーによるイオン化

い分子イオン生成という発見以後様々な有機分
5

子が試みられた．しかし，フェムト秒パルスを用

分析への応用」に関して６で，有機分子の超高いても必ずしも分子イオンを生成しないことが明

速分光に用いた例として「超高速光誘起過程のらかとなり，なぜ分子イオンが解離するかの議論

観測：分子内電荷移動励起状態の観測」についが盛んとなった．これらの研究において重要なて７で述べる．

点の一つに集光強度の決定がある．希ガスの場
合はヘリウムのイオン化を ADK 理論で評価する
２．集光強度の決定

ことにより集光強度を推定出来るが，有機分子の場合はイオン化強度領域がヘリウムと大きく異ａ）実験なるため困難さを伴う．「集光強度の決定」及び
我々の実験系に関しては２で述べ，「フェムト秒

我々はイオン化の実験（図 2）に半導体レーザ

パルスによる分子イオンの生成」に関しては３でー励起チャープパルス増幅チタンサファイアレ

述べる．

ーザー（図 3，Thales Laser Alpha100/XS, 0.8 µm,

一方，イオン化機構に関して抑制イオン化< 30 fs, > 15 mJ, 100 Hz, RMS stability ～1 %）（suppressed ionization）という問題がある．これはと 光 パ ラ メ ト リ ッ ク 発 振 ･ 増 幅 器 (Quantronix,

イオン化速度がイオン化ポテンシャルによって一Topas)を用いた．

義的に決まらないという発見に発端がある．ほぼイオンの分析には反射型飛行時間質量分析

同じイオン化ポテンシャルを有する希ガスと２原計（図 4，Toyama, KNTOF-1800, m/ Δm > 2500）

子分子であってもイオン化速度に違いが見られ，を用いた．サンプルは気化して導入し，空間電例えば窒素とアルゴンではほぼ同等なのに対し荷効果を避けるため圧力を 10-5 Pa 台として実験て酸素とキセノンでは酸素の方がイオン化速度を行った（背景圧力は 5×10-7 Pa 以下）．加速電が小さい．有機分子では Hankin らが種々の有極には 1 mmφのピンホールあるいは 500 μm の機分子のイオン化を試み，希ガスで予想される

スリットをあけ，レーザーの集光部分で生成したイオン化速度より有機分子の方が遅いことを示しイオンのみを検出するようにしてある．クーロン爆ている[11]．「有機分子の抑制イオン化」に関しては４にて述べる．
通常の電子衝撃法を用いた質量分析でも２価イオンの生成と解離（電荷分離）が観測されるが，レーザー強度が 1015 Wcm-2 に達すると価数の大
きい分子イオンが生じるためクーロン反発により分子イオンは解離する．これを利用した共分散相関図 (covariance mapping) [12]によるクラスタ
ーの解離過程の同定や，質量選別運動量画像

図 2: 大阪市立大学に設置したレーザー装置

法による詳細な２体，３体解離過程が検討されている[13]．1016 Wcm-2 を越える電場イオン化領域
では大多数の電子が飛び出し，残った多価の炭素イオンが互いのクーロン反発により解裂する．
この現象はクーロン爆発と呼ばれている[14]．
「有機分子のクーロン爆発」については５にて述べる．
最後に高強度レーザーによるイオン化を有機

図 3: 半導体レーザー励起チャープパルス増幅 Ti:Sapphire レ

ハロゲン化合物の検出に用いた例として「微量ーザー（100 Hz, 15 mJ, 30 fs）の構成図

6

した実験パラメーターから得られた値とは２倍以下の精度で合致する．

３．フェムト秒パルスによる分子イオンの生成 [10]有機分子の定義を紐解くと CO，CO2，炭酸塩，
シアン化合物などの簡単な炭素化合物を除いて，
図 4: 反射型飛行時間質量分析計の構成図

炭素原子を含む化合物が有機化合物に分類されている．前述したようにフェムト秒レーザーによ発の実験では質量分析計を直線型として用いる有機分子のイオン化の特筆すべき点の一つは，た．

レーザー強度が 1013 Wcm-2 程度の領域においｂ）集光強度て分子イオンのみが観測され，分子イオンが解

高強度レーザーを用いる場合は集光強度の離したフラグメントイオンが非常に少ない例が見見積もりが極めて重要である．通常はレーザー

つかったことである[7]．この結果はナノ秒およびのパルスあたりのエネルギー，集光断面積，パ

ピコ秒レーザーをイオン化に用いた結果と対照

ルス幅から算出する，あるいは光電子スペクトル的で，フェムト秒レーザーを用いたイオン化法は[15]からもとめる方法があるが，真空槽内での集分子イオンの検出法として期待された．しかしな

光断面積を定常的に測定することは困難である．

がら，その後波長 0.8 µm のパルスではフラグメ

また，いずれにせよ体積効果を取り除くことは困

ントイオンが主に観測される事例が数多く見つか難である[16]．一つの簡便な相対的方法として，った．むろん解離を決める第一の要因は分子イ

希ガスのイオン収量から集光強度を見積もる方

オンの安定性であるが，様々な要因がこれまで法がある[11]．全イオン収量を縦軸に，強度の対提案されてきた．例えば分子の大きさ，分極率，数を横軸にし，高強度側からイオン収量を外挿

σ結合，π結合の数などである．また，解離機して強度軸と交差した点が飽和イオン化強度

構に関しては内殻励起，電場変調ポテンシャル，（Isat ）である．これにより集光強度の絶対値を得

白色光，電子再衝突などの寄与が提案された．

る(図 5)．この値はトンネルイオン化速度を求める

他にも実験上の問題点，例えば強度の見積もり

ADK 理論[3]から算出した値で再現出来，前述の不具合（レーザー強度が実際より小さく見積もられている）やイオン光学系の問題（集光点で生成したイオン以外も観測している）が指摘されている．
一般にカチオンラジカルは中性分子に比べて長波長側に吸収を有する．それ故たとえ中性分子が非共鳴イオン化されたとしても，生じたラジカルは吸収を有する可能性がある．一例として
図 6 にポリマー中に固化したアミンにレーザー照
射し，中性からカチオン状態に変化させたときの着色の様子を示した．我々は生じた分子イオンがレーザー光(0.8 µm)と共鳴する場合には解離

図 5: 飽和レーザー強度(Isat) の決定方法：キセノン(●) およびしたイオンが多く生じること[17]，共鳴を避けた長ナフタレン(○) 全イオン収量のレーザー強度依存性

波長パルス照射では波長が 0.8 µm や短波長の7状態を経てイオン化，さらにはイオンの励起状態も同様に連続的になるため非断熱遷移が起こり励起状態生成を経て解離する機構が提案されている．実験的には非共鳴多光子励起による励起状態生成との区別が出来るかどうかはわからないが，解離イオンの収率については計算結果と実験結果の合致が得られている[21]．ただし，この機構ではある特定の波長により解離が起こる事については説明が出来ない．事実 Trushin
らは金属カルボニル錯体を検討し，ニッケルテト
図 6: イオン化による N, N, N’, N’-tetramethyl-1,

ラカルボニルでは短波長（0.81 μm）励起で分子4-phenylenediamine の着色（ポリマー中）

イオンが，長波長（1.35 μm）励起でフラグメントイ
オンが生成することを見出している．これは単に長波長のレーザー光を用いれば解離が抑えられるというわけではなく，波長が 0.81 μm の場合はイオンと非共鳴，1.35 μm ではイオンと共鳴の波長であることにより生じた結果である[22]．つまり，依然として state-to-state の概念は有効であっ

図 7: 波長 0.8 μm (130 fs) レーザー照射により分子イオンを与て，Stark シフトによる吸収スペクトルのブロードえる分子（上段）と解離イオンを与える分子（下段）

ニングにより波長依存性が無くなるとは言えな
い．

パルスを用いた場合と比べてフラグメントイオン

また，イオンの共鳴があっても分子イオンを生の生成が劇的に抑制されることを見いだし[18]，成するという報告があるが[23]，吸収の結果，解カチオンの励起状態が解離に関わっていること

離ポテンシャルに達しない限り解離は付与エネを明らかにした．

ルギー，分子の振動モードや解離エネルギーが

図 7 に示した化合物はそれぞれ構造が類似し関わってくる RRKM（統計）的問題であり，レーているが，波長 0.8 μm パルスによるイオン化をザー強度やパルス幅そして構造に対する定量行うと上段の分子では分子イオンが主に得られ，的な考察がないことには議論出来ない．もちろ

下段の分子ではフラグメントイオンが主に生じる．

んレーザー強度が大きければ全ての分子は多これらの分子は全て 0.8 μm にイオンの吸収がな

価イオンとなりクーロン爆発により解離に至る．

いか，あるかで分別出来る．

図 8 にはナフタレンの結果を示した．ナフタレ

他方，強光子場による励起状態生成の可能

ンカチオンラジカルの吸収のない 1.4 µm イオン性が Markevitch らにより提案されている[19]．イ

化ではほぼ分子イオン（Mz+）のみが生じ，さらにオン化領域以下の強度において，レーザー電分子イオンは 3 価まで観測できている．この結果

場による揺動により電子が振盪され，非断熱遷は解離が少なく，多価のイオンが生成するという移により励起状態が生成することが理論計算に意味で原子様といえ，これまで波長 0.8 µm によより示されている[20]．イオンの解離については

るイオン化では分解が多いために解析や理論と強光子場印加による Stark シフトの結果，離散しの比較が困難であった分子のトンネルイオン化ていた励起状態が連続状態的になり（吸収スペの研究がようやく可能になったといえる．但し，クトルの白色化），結果レーザー電場が励起状

1.7×1014 Wcm-2 と強度が比較的大きいためクー

態と結合し，非断熱遷移によって生成した励起

ロン反発により解離が生じている（m/z = 26, 51）．
8

電場により加速され，電場の反転により再びイオンに衝突して分解を引き起こすというものである．
事実，電子再衝突が原子や二原子分子での多価イオンの生成（電子再散乱）[27]や高次高調波発生（電子再衝突）[28]に大きく寄与していることが知られているが，有機分子ではほとんど検討されていない．1.4 µm では 0.8 µｍに比べて同じ強度でも電場による動重力エネルギーが大きい（3.1 倍）ことから，衝突のエネルギーが大きく（1014 Wcm-2 で最大 58 eV），この効果がより大きく現れると期待できる．円偏光を用いた場合は放出された電子の軌道が電場により歪められ，再衝突の確率はほぼ零となるはずであり，電子再図 8: ナフタレンの質量スペクトル (a) 1.4 μm (130 fs) イオン化．

衝突の効果が検証できる．

(b) 0.8 μm (45 fs) イオン化．レーザー強度は共にここで，イオン化においては強度の定義も重

1.7×1014 Wcm-2. MZ+ は Z 価の分子イオンを表す

要であることを述べておく．前述したように集光強度はレーザーのパルス当たりのエネルギー，

種々の検討により，イオンの吸収スペクトルと集光断面積，パルス幅から算出するが（平均強分解には明確な相関があることが分かった．

度：時間平均），この場合強度は直線偏光でも我々は光吸収によりイオンの励起状態が生成し，円偏光でも変わらない．しかしながら，実際には

その後高速な内部転換（ic）を経ることにより励起

直線偏光と円偏光ではイオンの収量が異なる

エネルギーが振動エネルギーとして蓄積される，（円偏光の方が小さい）．これはイオン化では電いわゆるホット分子機構[24]で分解が生じると解場の振幅の大きさ，有効強度を反映するからで釈した（図 9）．励起―内部転換過程をパルス幅ある．このことは実験的には知られていたが，内で繰り返すことで内部エネルギーは増大し，Suresh らによってスケーリングファクターが提案さ

分解速度は飛躍的に増大する．故に波長をイオれたのは最近である[29]．有効強度は直線偏光

ンと非共鳴にする，あるいはパルス幅を短くするの強度を基準にし，希ガス（キセノン）のイオン収ことにより分解を抑えることが出来ると期待できる

量が円偏光と直線偏光で同じになるように円偏[25]．実際 15 fs パルスを用いると解離イオンの光の強度を合わせたものである．図 10 に ADK割合が減少することを見出している[26]．

理論で求めたキセノンのイオン収量を示した．円

イオンの共鳴以外に分子イオン分解の有力な

偏光の強度を 1.3 倍すると直線偏光とイオン収原因として電子の再衝突機構が提案されている．

量がほぼ同じになることが分かる．

これはイオン化により放出された電子がレーザー

ナフタレンにおいて有効強度に対し多価イオンの生成比率とフラグメントイオンの生成を比較した場合は図 11a から明らかなように，低強度において２価イオン生成は円偏光（●）を用いた場
合に比べて直線偏光（□）で増大が見られ，これは電子再散乱の影響であると言える．一方，図 11bから分かるとおり 7×1013 Wcm-2（最大衝突エネル
ギーは 13 eV）まで分解は生じず，さらに高強度でも直線，円偏光で分解に差は見られない．こ図 9: 提案した分子イオン解離機構の模式図．文献 17b より転載

9

の結果は振動モードの少ないベンゼン[30]や不ベンゼン[33]，アルコール[34]などが試みられ，安定な多価（3，4 価）の C60 [31]の場合と異なり，直線偏光と円偏光の差が議論されているが，前分解に再衝突機構の大きな寄与はないことを意述の有効強度は考慮しておらず，電子再衝突の味する．電子衝突のエネルギーが振動モードに効果なのか，有効強度の違いによるものなのか分配された場合，ナフタレン程度の分子になるとはわからない．

一つのモードあたりに分配されるエネルギーが一方，有効強度で比較した場合，波長 0.8 µm

小さくなるため分解には至らないのだと言えるのパルスを用いると直線偏光よりも円偏光の方[32]．

がアントラセンの解離が促進されることが分かっ

15

16

-2

10 ～10 Wcm の領域では Mathur らによりた[35]．図 12 には全イオン収量と分子イオン収量の有効レーザー強度依存性を示した．全イオ
ン収量は直線，円偏光で変わらないが，分子イオン収量は直線偏光を用いた場合の方が多い．
図 13 には分子イオンに対する水素脱離イオンの比率のレーザー強度依存性を示した．ここでは比較のために下軸には直線偏光の強度（有効強度），上軸には円偏光の強度を示してある．

図 10: ADK 理論により得られたキセノン１価イオン収量の強度依存性

図 12: 直線偏光(☆, ■) および円偏光 (★, □)の波長 0.8 µｍ(40 fs)パルスによりイオン化したアントラセンの全イオン(星)および分子イオン（四角）収量．

図 11: a) 有効レーザー強度（1.4 µm，130 fs）に対するナフタ
レン多価イオンの生成比率．１価対２価 (●, □) および２価対３価 (○, ■) ．円及び四角はそれぞれ円偏光，図 13: 直線(■) および円偏光(□) の 0.8 μm (40 fs) パルスによ

直線偏光を表す．b) 全イオン収量 (T) に対する分子り生じたアントラセンのイオン収量比(C14H9-6+/ C14H10+)．

（全ての価数の合計，M）イオン収量の比率．円偏光

円偏光のレーザー強度軸は同収量のキセノンイオンを(○)および直線偏光 (■)．文献 32 より転載

与える直線偏光の強度に合わせてある10

2×1013 Wcm-2 を越えると円偏光を用いた方が軌道の対称性から議論が進み，抑制イオン化の解離が増していることがわかる．これは電子再衝

原因として HOMO からの異方的な電子放出に突による解離機構では理解できない．

起因する干渉効果が議論されている．さらに分図 14 にイオン化ならびにイオンの励起過程を子版 ADK 理論である MO-ADK[39]が提唱され図示した．飽和強度以上ではレーザーの集光体ており，時間依存密度汎関数法(TD-DFT)でも積にある分子はレーザーの偏光方向と分子軸議論されている[40]．しかしながら，いずれも複方向に関わらずイオン化される．つまりイオン化

雑な非対称性分子に関しては軌道が複雑になされた分子は多価となったり解離したりするが，るため議論の対象となっていない．また，イオン

最初に出来る分子イオンの総量は偏光に関わら化機構が非共鳴多光子イオン化であるかトンネ

ず同じである．しかしながら，イオンの励起はレルイオン化であるかの議論も尽きない．分子のイーザーの偏光方向がイオンの遷移モーメントとオン化が起こる強度領域はおよそ 1013 Wcm-2 程

揃わなくてはならない．つまり，円偏光の方が直度からであるが，原子のイオン化機構を判断す

線偏光を用いるより励起出来るイオンが多く，分る際によく用いられる Keldysh のγ因子[5a]の値解に至る確率が大きいといえる．

は例えばベンゼンの場合，波長 0.8 µm，3×1013

以上，解離とイオンの吸収スペクトルとの関係，

Wcm-2 で 1.61 であり，非共鳴多光子領域にある．

パルス幅効果，偏光の影響を考慮すると，イオン

一方障壁越えイオン化[41]の値は 2.92×1013の励起状態が解離に関わっていることは間違い

Wcm-2 であり，矛盾が生じる．光電子スペクトルないといえる．励起状態がどうやって生成するのに現れる超閾イオン化特有の周期的なピークをか，つまりレーザーパルス後半で光吸収により生観察することによりイオン化機構を判断している成するのか，電場による振盪で生成するのかは例があるが[42]，いずれにせよ分子がイオン化

まだ議論されているが，近年では我々の提案しする強度は非共鳴多光子あるいはトンネルイオ

たイオンの光吸収による励起状態生成が解離にン化どちらかとは非常に判断しづらい領域にあ結びつく事を支持する結果が種々報告されている．

る[36]．

また，近年 ADK 理論を代表とする一電子近似のモデルが適当ではない事例が議論されており[43]，例えば金属のイオン化においても顕著な結果が報告されている[44]．原因は多電子が関与した電子相関の結果であるとされているが，いずれにせよ（計算化学的に）比較的大きな分子の場合，最高被占軌道の対称性やその他の要因により抑制イオン化を解釈することは難しい．

図 14: 波長 0.8 µm パルスによるアントラセンのイオン化および

一方，ADK 理論はイオン化ポテンシャルが第一

後続励起過程の模式図の因子であって計算も容易であり，第一近似としては未だ有用である．
Hankin らは種々の有機分子を試み，飽和イオ

４．有機分子の抑制イオン化 [37]ン化強度（Isat）なる指標を導入してイオン化を定量的に評価することを試みた[11]．試みた有機

ほぼ同じイオン化ポテンシャルを有する希ガス

分子（22 種類）いずれも飽和イオン化強度は実と分子を比較した場合，イオン化速度が同等で験値の方が ADK 理論から得られる値よりも大きあるか，あるいは小さい事が実験，理論から検討

く，原子に比べてイオン化し難いことが示唆されされている[38]．特に２原子分子では最高被占た．しかしながら，分子構造や分子物性との相関11に関する系統だった知見はほとんどない．そこで，これらは全てレーザーの交番電場によるイオ

我々はさらに広い（垂直）イオン化ポテンシャル

ン化の特徴であり，分子構造，電子の属する分の範囲，アミンでは 5.95 eV から 12.1 eV [37]，メ子軌道の性質に大きく影響を受けると予想されタン類では 9.54 eV から 13.60 eV の範囲[45]のもる．これまで試みられた他の分子と異なり，アミンのを対象に系統的なイオン化実験を行い，トンやメタン類では抑制イオン化が比較的小さい，

ネルイオン化理論と比較した．

つまり，多電子系にもかかわらず一電子近似で

Hankin らにより試みられた分子（図 15，○）のある ADK 理論で記述できたことはアミンやメタン

Isat はトンネルイオン化速度を記述する ADK 理

類の電子放出に特徴があり，原子（希ガス）様の論[3]により得られた値（図 15 実線）から大きく外イオン化様式であることを意味している．アミンやれているのに対して，アミンやメタン類はほぼ同

ハロゲン化メタン類の電子放出は窒素上，ハロ等であることがわかる．

ゲン上の非共有電子を含むπ電子からである．
局在化した非共有電子は電場に断熱的に追随しやすく，また，ベンゼン環のπ電子による遮蔽効果が小さいと期待できる．これは非局在化したπ電子のイオン化とは対照的であり，アミンやハ
ロゲン化メタン類の特徴的な原子様のイオン化
は分子軌道に強く依存した高強度レーザー電場イオン化の特徴を明確に示した結果だと言える．

５．有機分子のクーロン爆発 [46]図 15: 波長 0.8 µm (45 fs)のパルスにより得られたアミン(●)およびメタン類(●)の飽和イオン化強度の実験値(Isat exp)とイ
オン化ポテンシャルの関係 [37, 45]．Hankin らによっ

クーロン爆発としては原子まで還元される超高て得られた有機分子および希ガスの Isat exp (○, 0.8 µm,

強度領域（> 1016 Wcm-2）での研究と分子解離イ

44 fs [11])も示してある．実線は ADK 理論によって得オンが主に見られる強度領域の研究に分かれる．

られた飽和レーザー強度(Isat ADK)

前者では 1995 年に 1015 Wcm-2 領域において
Cornaggia によりアセチレン系分子のクーロン爆

イオン化に関わらないとされてきた電子の関与

発過程が共分散相関図を用いて検討された[47]．

が抑制イオン化の要因として近年注目されていまた，比較的対称性の良いフラーレンやベンゼ

る．HOMO 以外からのイオン化と電子相関によンなどが 1016 Wcm-2 を越える強度領域で江[48]るレーザー電場の遮蔽である．後者はポテンシ

や清水[49]らによって研究された．その結果，ャルの深い位置にいる電子が 1014 Wcm-2 程度

charge-hopping 過程によるレーザーの偏光方向のレーザー電場でも分極（局在化）するため，結への多価原子イオンの異方的爆発と分子変形

果トンネル障壁が増加してレーザー電場を実効の関係，運動エネルギーと価数の関係，運動エ

的に遮蔽し，イオン化しにくくなることで説明されネルギーと分子の大きさの関係，重原子によるる[40]．これまでイオン化では単一電子のみが爆発の阻害効果など興味深い結果が得られた

考慮されてきたが，多電子系ではむしろこれらの[50]．

考え方が自然であると思われる．また，トンネル

一方，分子解離イオンについての報告例はそイオン化ではイオン化する電子がレーザー電場れほど多くない．分子解離イオンに着目したものに断熱的に追随出来るかどうかが重要である．

としてはハロゲン化メタン[51]やヘテロ環を有す
12

る分子[52]，アルコール[53]等々の研究がある．

方的に放出されているのに対し，重水素イオン

特にアルコールに関しては質量選別運動量画の放出はほぼ完全にレーザーの偏光方向に放像法により詳細な２体，３体解離過程が検討され出されていることが分かる．また，CD が得られるている[53]．

ということは結合解離エネルギーの大きい三重多原子分子における解離に際して２つの結合結合が切断されている．このような過程はが切断される場合や，放出源が確定出来ない分

RRKM 的な結合解裂ではなくクーロン反発によ子解離イオンの場合は分子構造に由来する爆る解離であることを意味している．同時に C2D+，

発を明確に示すことは困難である．そこで我々

そして C3D+までもが異方性を伴って観測されては擬１次元的自由度を有する三重結合に着目し，おり，エチニル基に関わる部分が全てレーザー

その剛直性に由来する分子構造特異的なクー

偏光方向に沿って爆発していることが分かった．

ロン爆発を明らかとした [46]．

また，爆発した水素，重水素イオンの運動エ

図 16 にレーザーの偏光方向をイオンの飛行

ネルギーは 3.1×1015 Wcm-2 において平均 35 eV，軸に対して平行にした時の ethynylbenzene の結最大 80 eV であり，これだけのエネルギーを得る果を示した．フラグメントイオンのピークが分裂しには隣接炭素原子が少なくとも４価になっていなているのはクーロン爆発によりイオンが飛行軸にければならない．レーザー電場による電子の振対して前後に放出される事に起因している．図盪によって過渡的な電荷の局在化が起こり爆発から三重結合の末端を重水素化することによりするものと考えられる．アントラセンにおける 40

分裂ピークが m/z = 13 から 14 になる事が分かる．

eV の水素イオン放出においても電子―正孔局

これは末端 CD (CH)が運動エネルギー（約 5在化により説明されているが[54]，三重結合の末eV）を伴いレーザーの偏光方向に特異的に異端のみに着目することにより，過渡的な電荷の方的爆発を起こしているためである．図 17 には局在化と異方性放出が明確に示せたと考えていレーザーの偏光方向をイオンの飛行軸に平行にした場合と直交とした場合におけるethynylbenzene-d の水素および重水素イオンの運動エネルギー分布を示した．水素イオンは等

図 17: Ethynylbenzene-d のイオン化で生じた水素および重水素
14

イオンの運動エネルギースペクトル(800 nm, 40 fs,-2

図 16: 波長 800 nm (40 fs, 4.3×10 Wcm )パルスによりイオン化し1.5×1014 Wcm-2)．レーザーの偏光方向はイオンの飛行

た Ethynylbenzene-h (a) および-d (b) の質量スペクトル．

軸に対して平行（太実線）および直交（実線）として測定

レーザーの偏光方向はイオンの飛行軸に対して平行

13

る（図 18）．単一分子からの高エネルギープロト
ン放出は分子内水素移動過程[55]と合わせて非常に興味深い課題であるといえる．

６． 微量分析への応用 [56]テトラクロロダイオキシンを代表とする環境汚染

図 18: レーザー偏光方向に沿って放出されるエチニル基由来物質であるハロゲン化物では，重原子効果によのフラグメントイオンと等方的に放出されるベンゼン環

る系間交差速度の増大のために蛍光による検由来のフラグメントイオン

出が困難な場合がある．特に多ハロゲン化物では励起状態の寿命が短いため共鳴イオン化法も適用しずらい．高強度フェムト秒レーザーによントイオンが多く見られるものの分子イオンは明るイオン化では非共鳴多光子，あるいはトンネル

瞭に観測できた（図 20）．
また，本イオン化法ではフラグメントイオンのイオン化によりイオンが生じるため，あらゆる分子

生成分布が電子衝突イオン化法などの場合と異がイオン化できる．
しかしながら，分子を問わずイオン化できる反なるためこれまでの手法と合わせてより詳細，正面，３で述べた理由で分解も生じてしまう．図 19

確な構造の解析に役立つと考えられる．さらに，には波長 0.8 μm のパルスでイオン化した芳香族

強度や波長を選択すれば分子イオンが生成すハロゲン化物の結果を示した[17b]．イオンの吸るソフトなイオン化（分子量決定），そしてフラグメ

収と分解には明確な相関があり，例えば図中枠

ントイオンを生成するハードなイオン化（単位構で囲った２塩素置換体では置換位置によってイ

造決定）どちらも可能である．REMPI によりダイオンの吸収が異なるためにパラ体では分解が多オキシンを峻別する手法が提案されているがく生じ，オルト，メタ体では分子イオンが生じた．

[57]，極めて選択性が高い一方，分子を極低温

質量分析では同一質量の分子は区別出来ないにする必要がある．

ため，共鳴による分解は異性体の区別にもある

他に爆発物検知の観点からフェムト秒イオン化程度有効であると言える．イオン化波長を選ぶ

法のニトロ化合物への適用を試みているグルー

事によりダイオキシン類の検出に関して有効でプがある[58]．我々もダイオキシンの他に本手法あるという結果を得ている．無置換のダイオキにより環境ホルモンである長鎖アルキル基を有シンの場合，1.4 ・m では分子イオンの生成比

するフェノール類の検出を検討している[59]．

100 %が可能であり，三塩素置換体ではフラグメ

図 20: 1,3,6-Trichlorodibenzo- p-dioxin の質量スペクトル（1.4図 19: 0.8 μm (130 fs) によりイオン化を試みたハロゲン化ベンµm，130 fs，6.6×1013 Wcm-2）．文献 10a より転載

ゼン[17b]14

７.２ コヒーレント振動の検出

７．超高速光誘起過程の観測：分子内電荷移動
励起状態の観測 [60]4-アミノベンゾニトリル類（図 21）の S2 (La 励起)
高強度レーザー場中での分子イオンの吸収からの励起ポテンシャル曲面上の波束の動きの重要性は東京大学の板倉ら[61]，マックス•プ（図 22）を検討した．ベンゾニトリル類を第二励起

ランク量子光学研究所の Fuß ら[62]によっても見状態に励起（270 nm, 75 fs, <109 Wcm-2）した後，いだされた．これをきっかけに共通の研究対象

遅延をつけて種々の波長のパルスでイオン化である分子内電荷移動励起状態[63]の励起ダイ（405 nm – 2.1 µm, 40 – 60 fs, 1013 Wcm-2）した．

ナミクスについて，イオン化の波長効果を中心と両者の偏光面は異方性の測定以外はマジック

してマックスプランク量子光学研究所の Fuß，

アングルとした．

Schmid，Trushin との共同研究を行った．

La 上に発生させた波束は円錐型交差（CI）を経て 100 fs 以内に Lb および CT（分子内電荷移
動励起状態）に分岐した．一旦 CT 状態に移っ

７.１ イオン化による検出法

た波束が S1 (Lb)にある波束と交わり合う時間は 2
超高速光反応の観測に高強度レーザーによps 以内であった．イオン化波長を可視部から赤る非共鳴イオン化･質量分析検出を用いた[64]．

外領域まで広い範囲で変化させた結果，長波長

蛍光検出では検出することができない，いわゆるの光でイオン化することでより詳細に反応を観察

Dark State が存在するが，非共鳴イオン化ではすることが可能になった．図 23 ではイオン化波

全ての状態がイオン化検出にかかるため Dark

長を 1.3 µm にすることによりコヒーレント振動にState は存在しない．また，時間原点の決定も容加え初期の減衰が明瞭に観測出来ていることが易である．この手法では分子イオンに加え，フラわかる．

グメントイオンが生じるが，その生成の度合いはNC

ポテンシャル曲面上の位置に依存する．なぜな

N

NC

NMCQ

DMABN

ら，紫外光励起により生じた波束がポテンシャル
曲面を滑り落ちるに従い振動の余剰エネルギー

NC

N

が大きくなり，イオン化された場合はその余剰エ

NC

NC

N

NC

PBN

テンシャル曲面上の場所によりそれぞれの生成N
3,5-PIPBN

PIPBN

ネルギーによりイオンの分解が起きるからである．
いくつかのフラグメント分子が生成する場合，ポ

N

N
PYRBN

図 21: 解離性イオン化法による時間分解測定実験に用いたア比率に違いが出るため時間挙動は異なる．フラミノベンゾニトリル類の構造式

グメントの種類が多ければ多数の速度を正確に求めることが出来る．これまで金属カルボニル錯体[65]，シス-トランス異性化[66]，開環反応[62]などについて成功を収めている．
さらに，２で述べたように生成したイオンが光吸収による分解を起こすことから，異性体の区別，
励起状態間の区別が可能であり，イオン化波長を様々に変えて試みた結果，この手法が下記に示すようにコヒーレント振動の検出や，異なる励起状態の区別などに非常に有用であることを明

図 22: DMABN の励起状態動力学 [67].

らかにした[60]．
15イオン化が効率よく起こるのは Lb 状態とイオン状態のエネルギー差が最も小さい位置であり，エネルギー差が大きい位置ではイオン化の効率は悪い．そのため波束の往復によりイオン化収量にコヒーレントな振動が現れることになる．イオン信号の変調の度合いは図 26 に示すように Lb
状態およびイオンのポテンシャル曲面間のエネ
ルギー差，つまり相対的な形状（位置）の違いにより決まる．
図 23: PIPBN (m/z = 185, (M-H)+)の時間分解質量スペクトル．

PIPBN では arching（ω）のポテンシャル曲面

イオン化波長は図中に明記．実線はコヒーレント振動

はピペリジノ環の立体的な束縛によりイオンと中を考慮したフィッティング結果

性では大きくずれているが，twist（θ）は曲率の違いのみである．一方 DMABN では両者のモー

DMABN について得られたコヒーレント振動

ドとも曲率の違いのみである．その相違が振幅（図 24）を解析した結果，量子化学計算，超音速の変調の大きさ（PIPBN ではωが大きく観測でき，ジェット中での振動分光の結果を基に S1 (Lb)でθはそれに隠れている．一方，DMABN では小の振動がこれまで長年の議論の対象であった
twist （ θ ） お よ びarching / inversion/

pyramidalization/ wagging（ω）の高位の振動モード（図 25）に帰属できた[68]．
一方，PIPBN[69]では後者，PYRBN[70]では前者の振動に帰属できた．帰属には分子軌道法により得られた振動数と実際に得られたコヒー
レント振動を比較することになるが，絶対値を比較して結論することは困難である．そのため
PIPBN と 3,5-PIPBN のように質量効果のみが現れる分子の振動数の相対比を計算値の相対比
図 25: DMABN の分子内電荷移動に伴って起こる構造変化のと比較した．

提案例

図 24: DMABN (m/z =146, M+)イオン信号のコヒーレント振動
部分．イオン化波長は 2.1 µm．挿入図は振動部分をフーリエ変換したもの．実線はコヒーレント振動を考慮

図 26: Arching (ω)および twist (θ)の変位に対する PIPBN の励したフィッテイング結果．文献 68 より転載[71]起状態およびイオン状態のポテンシャルエネルギー曲面

16

さいが両者が観測できた）に関係している．またるイオン化検出パルス間の相対偏光面を変えてPIPBN ではコヒーレント振動が現れる周期ももイオン信号に変化は生じない．一方，波束がarching 軸では波束の 1 往復で 1 回なのに対し異なる励起状態（CT）に移ると，大きな構造変化て twist 軸では 2 回現れる．コヒーレント振動は波を伴うためイオン状態が 0.81 µm に吸収を持ち，束が CI から S1 へのポテンシャル曲面に沿ってその結果解離イオンが生じる．このため解離イオ

加速されることにより励起されることから（図 22），

ンにのみ異方性が現れることになる．これは気相

CI は S1 (Lb)の極小から twist / arching の振動モ中においても過渡的にではあるが CT 状態が生ード軸の方向に変位した位置にあると期待出来

じていることを示す明確な証拠である．

る．また，CI は S1 と CT の間にあることから，同時ｂ）Ｌｂ状態の生成過程 [68]にこれは CT の反応軸（twist，arching）の方向も分子イオンでもイオン化波長を選ぶと異方性が見られる．625 nm でイオン化した場合は初め示していることになる．

から異方性が見られ，これは FC 位置での La 状
７.３ 励起状態間の識別

態が 625 nm に吸収を有しており，励起状態を経てイオン化するからである．

ａ）気相でのＣＴ状態の生成 [67]

一方 2.1 µm でのイオン化では異方性が遅れ

紫外励起パルスとイオン化検出パルスの偏光て生じている (図 28)．これは図 29 によって説明

面を平行および直交状態にしてそれぞれ過渡イ

できる．La 状態に励起された波束はポテンシャ

オン信号 S║（平行），S┴（直交）を測定し，式 1 にル曲面を滑り落ちていくが，より上の励起状態とより異方性を求めることが出来る．異方性の結果

は 2.1 µm の検出パルスでは遷移が生じないためから同一ポテンシャル曲面上での異なる励起状

異方性はない．しかし，円錐型交差(CI)を経て波態（La と CT）の識別が可能である．

束が CT 状態と Lb 状態に分岐した後は Lb と La

anisotropy =S − S⊥
S + 2S⊥間のエネルギー差が 2.1 µm に相当するため共（１）

鳴遷移が起き La を介してイオン化するため，結果として異方性が遅れを伴って現れるのである．

波長 0.81 µm のパルスでイオン化した場合，分子イオン信号に異方性は見られず，解離イオンのみに異方性が見られた．これは図 27 によって説明できる．Franck-Condon (FC) 状態に励起された状態でイオン化するとイオン状態は 0.81
µm に吸収を持たないため，分解せずに分子イオンが生じる．この場合多光子イオン化は分子の配向を問わないので紫外励起パルスに対す

図 28: PIPBN 分子イオン異方性の励起―検出遅延時間依存性．イオン化波長は 625 nm (●)および 2.1 µm (○)

図 29: 波長 2.1 µm パルスによるイオン化において異方性が遅れて発現する起源の概念図

図 27: 異方性発現の概念図

17ｃ）対称性の帰属 [70]により共鳴条件を励起状態やイオン状態で得る

CT 状態の対称性の帰属について PYRBN ではことが出来る．励起状態の動的挙動の観測手段

計算，実験両者で 2A という結果が得られているとしてイオン化による検出法の新たな可能性をが，π電子を PYRBN に比べて４つ多く有する示すことが出来たといえる．

PBN では 1B，2A あるいはその両者という計算結果が出ており，明らかではなかった．しかし，我々の実験では異方性は正となり，これはイオ

８．おわりにンの遷移モーメントの方向が紫外励起パルスと平行（分子軸方向），つまり対称性は 2A であるこ

ここでは強光子場下における有機分子のイオとを示している．図 30 に量子化学計算により得らン化について我々の研究を中心に紹介した．現れた twist 軸に対するイオン状態の準位図とπ

在我々は分子とレーザー場との相互作用につ軌道の準位図を示した．CT 状態の生成がいて基礎的なイオン化過程の検討と，得られたHOMO (a2)から LUMO (b1)への遷移とした場合，知見を基とした微量分析などへの応用を試みてイオンの基底状態は A2 であり，イオンの吸収がいる．本稿の内容は全て気相の分子を対象とし

2A となるのは A2 - A2 の遷移である．他方，CTたものであったが，現在は溶液，そして固体を対状態の生成が HOMO – 1 (b1)から LUMO (b1)へ象とした研究を進めている．

の遷移であればイオンの基底状態は B1 であり，

本研究の一部は文部科学省 科学研究費補イオンの吸収が 2A となるのは PYRBN と同じく

助金 特定領域研究「強レーザー光子場におけB1 - B1 の遷移である．理論計算によると前者はる分子制御／強光子場による有機分子のイオン

twist による構造変化ではエネルギー差の変化

化・クーロン爆発」の一環として行われた．微量はなく，後者ではエネルギー差が小さくなる．以

分析への応用は（財）レーザー技術総合研究所

上のことから PBN でも PYRBN と同様 CT 状態の島田義則氏，溝口竜二氏（現レーザー技術振は La に帰属した．

興センター）との共同研究である．1016 Wcm-2 以

以上のように本手法においては非共鳴イオン

上の高強度領域におけるクーロン爆発の研究は化を用いて検出しているが，波長を選択すること京都大学化学研究所の阪部周二教授，清水政二博士（現 三星ダイヤモンド工業）との共同研究である．超高速光反応観測はドイツ，マックス・
プランク量子光学研究所の Werner Fuß 博士,
Wolfram E. Schmid 博士，Sergei A. Trushin 博士との共同研究であり，マックス・プランク学術協会
研究奨励金，アレクサンダー・フォン・フンボルト財団研究奨励金により行われた．
研究室ホームページ
http://www.sci.osaka-cu.ac.jp/chem/laser/
八ッ橋ホームページ
http://www.laserchem.jp

図 30: （上）イオン状態の準位図．（下）twist 軸に沿ったπ軌
道の準位図．文献 70 より転載[72]

18

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Nakashima, submitted.

[72] [Original citation] Reproduced by[60] W. Fuß, W. E. Schmid, K. K. Pushpa, S. A.

permission of The Royal Society of Chemistry21