日本表面科学会
主催：日本表面科学会

第一回関東支部講演大会

関東支部

日時：2016 年 4 月 9 日（土）10 時～
会場：東京大学化学本館５階講堂
ポスター会場：５階講堂前および脇スペース－講演プログラム－
10:00 招待講演 1「金属酸化物表面研究：その基礎から最前線まで」
福谷克之（東京大学）
11:00 企画セッション「企業ニーズと研究シーズ：表面科学による課題解決の構図」
企画講演 1「TOF-SIMS 分析を実用的に使いこなすための取り組みとその応用例」
小林大介(旭硝子株式会社中央研究所)
11:20

企画講演 2「製品開発現場における微小角入射 X 線回折法の利用」
本谷宗 (三菱電機(株) 先端技術総合研究所)

11:40 企画講演 3「耐原子状酸素性熱制御フィルムの開発」
後藤亜希(宇宙航空研究開発機構)

12:00 総会
13:00 昼休み
13:45 ポスター発表
15:00 招待講演 2「社会イノベーションを支え続ける構造材料であるために」
本間穂高 (新日鐵住金)
15:30 招待講演 3「Charge density wave transition in single-layer titanium diselenide」
Tai C. Chiang (Univ. of Illinois, USA)
16:00 招待講演 4「表面一分子系の構造と電気輸送特性」
藤井慎太郎 (東京工業大学)
16:30 招待講演 5「電子分光法を用いた実際の材料分析と表面科学の視点」
佐藤誓
17:00 交流会

(日産アーク, 表面科学専門技術者)

－ポスター発表－

講演題目

番号

講演者（所属）◯Baojie Feng(Univ. of Tokyo), Jin Zhang(CAS, China), Ro-Ya
Metallic

Liu(Univ. of Tokyo), Takushi Iimori(Univ. of Tokyo), Chao

Bands in a Monolayer Boron

Lian(CAS, China), Hui Li(CAS, China), Lan Chen(CAS, China),

Sheet

Kehui Wu(CAS, China), Sheng Meng(CAS, China), Fumio

DirectP001YEvidenceofKomori(Univ. of Tokyo), Iwao Matsuda(Univ. of Tokyo)〇遠藤由大（東大理）、 一ノ倉聖（東大理）、 鈴木克郷（東その場４端子電気伝導測定によP002S

る SiC 上２層グラフェンの輸送
特性

北大院理）、 菅原克明（東北大 WPI）、 秋山了太（東大理）、
高山あかり（東大理）、 高橋隆（東北大院理、東北大 WPI）、
長谷川修司（東大理）

実寸大のカーボンナノチューブ

P003Sの量子輸送シミュレーション◯石関圭輔（東理大・工）、笹岡健二（神戸大・工）、山本～量子抵抗からオームの法則ま貴博（東理大・工）で～◯染谷隆史（東大物性研）、吹留博一（東北大通研）、渡邉

P004S

グラフェンにおける二次元

浩（阪大・理）、岡田大（東大物性研）、小川優（東大物性Dirac-Fermion の超高速キャリア研）、飯盛拓嗣（東大物性研）、田島圭佑（東北大通研）、

ダイナミクス

山本達（東大物性研）、小森文夫（東大物性研）、岡崎浩三（東大物性研）、辛埴（東大物性研）、松田巌（東大物性研）

P005Y

カルシウムをインターカレート◯一ノ倉聖(東大・理)、菅原克明(東北大 WPI-AIMR), 高山あ

した２層グラフェンにおけるかり(東大・理)、高橋隆(東北大院・理、東北大 WPI-AIMR)、

超伝導

長谷川修司(東大・理)

液滴法により作製した単層およP006S

び多層グラフェンの光学顕微◯高木優香、山崎詩郎、中辻寛、平山博之（東工大総理工）

鏡・SEM・AFM 観察
Advanced In Situ Multi-scale◯Hongxin Wang (NIMS), Hideki Masuda (NIMS), Hideaki

Characterization of Mechanical

P007Y

Kitazawa (NIMS), Masamichi Kawai(Univ. of Tsukuba), andProperties of
Daisuke Fujita (NIMS)
Carbon-fiber-reinforced Plastic◯小川 亮太(電通大院先進理工),今村 祥(成蹊大理工),本

P008S

ナノカーボン界面の超潤滑・エ

橋 雅章(成蹊大理工 ),板村 賢明(成蹊大理工 ),三浦 浩

ネルギー散逸治(愛教大物理),鈴木 勝(電通大院先進理工), 佐々木 成朗(電通大院先進理工)

Self-Assembled Monolayer(SAM)

P009

の電子物性

◯曽越宣仁(電気通信大学)

〇前田慎一郎（横浜国大・理工）、萩原健太（横浜国大・理TiO2(110)表面上での有機分子薄P010S工）、相川和幸（横浜国大・理工）、大野真也（横浜国大院・膜の光学測定工）、田中正俊（横浜国大院・工）Ar クラスターイオンを用いた深

P011S

さ方向分析における有機物積層
膜のマトリックス効果の評価◯高橋一真(成蹊大・理工)、A.G.Shard(NPL)、横山有太(成蹊・理工)、青柳 里果(成蹊・理工)

荒らしたPd(111)表面上のCOと

P012S

P013S

◯田邊紘基、林和毅、細井駿、渡辺量朗(東理大院・総化研)
O 2 の吸着状態
炭素に担持された Pt の電子状態◯小林達也、長塚直樹、大野哲、小倉正平、福谷克之(東京と水素吸着特性

大学生産技術研究所)

Pd(111)表面に吸着した CO 及び

P014S◯細井駿、林和毅、田邊紘基、渡辺量朗（東理大院・総化研）

O2 の光反応性◯小川新(横国大・理工)、田中博也(横国大・理工)、大野真也
STM による Si(113)表面酸化プロ

P015(横国大・理工)、三木一司(物材機構)、田中正俊 (横国大・理

セスの解析

工)
◯中辻寛(東工大・総理工)、宍倉一輝(東工大・総理工)、吉池雄作(東工大・総理工)、鈴木順也(東工大・総理工)、山崎詩郎
Si(111)√3×√3-B 表面上に成長し

P016(東工大・総理工)、渡辺義夫(あいち SR)、仲武昌史(あいちた Bi(110)薄膜の電子状態

SR)、伊藤孝寛(名大・SR セ，名大・院工)、間瀬一彦(KEK-PF)、
平山博之(東工大・総理工)◯伊藤俊（東大物性研）、染谷隆史（東大物性研）、B.-J. Feng
（東大物性研）、W.-C. Chen（NSRRC）、C.-M. Cheng（NSRRC）、

P017S

Bi 薄膜へのアルカリ金属吸着に

有田将司（広大放射光）、高山あかり（東大・理）、C.-H. Lin

よる電子ドープと表面ポテンシ（Nat’l Tsing Hua Univ.）、飯盛拓嗣（東大物性研）、山本達

ャル変形（東大物性研）、生天目博文（広大放射光）、谷口雅樹（広大放射光）、小森文夫（東大物性研）、S.-J. Tang（Nat’l Tsing
Hua Univ.）、松田巌（東大物性研）◯Di Fan (Univ. of Tokyo), Hirotaka Ishihara (Univ. of Tokyo),Photogalvanic

effecton
Ryota Akiyama (Univ. of Tokyo), Rei Hobara (Univ. of Tokyo),

P018S

spin-splitting surface states in Bi
Akari Takayama (Univ. of Tokyo) and Shuji Hasegawa (Univ. ofand Bi/Ag Thin Films
Tokyo)
Si(111)√3x√3-B 基板表面上の Ag

P019S

造の STM/XRD 測定

P020S◯吉池雄作(東工大総理工)、山崎詩郎(東工大総理工)、中辻寛

超薄膜における埋もれた界面構(東工大総理工)、平山博之(東工大総理工)

SrTiO3 基板上の FeSe 薄膜の作◯田中友晃(東工大・理),芳野諒(東工大・理),平原徹(東工大・成と構造評価理)◯久保田雄也（東大物性研）、 村田晃一（Engineering, UCLA）、
宮脇淳（東大物性研）、小澤健一（東工大理工）、白澤徹郎
トポロジカル絶縁体及びフェリP021S

磁性体界面におけるスピン・電子状態の研究（東大物性研）、山本真吾（東大物性研）、Ro-Ya Liu（東大物性研）、Baojie Feng（東大物性研）、山本達（東大物性研）、
菅滋正（阪大産研）、原田慈久（東大物性研）、Kang L. Wang
（Engineering, UCLA）、松田巌（東大物性研）

P022S

P023S

P024Y

P025S

P026

Bi 2 Te 3 基板上のTe薄膜の成長と〇奥山裕磨(東工大・理)、杉山裕弥(東工大・理)、平原徹(東

電子状態

工大・理)

アナターゼ型TiO 2 (101)表面のN◯長塚直樹(東大生研),浅川寛太(東大生研),小倉正平(東大生

ドープ誘起電子状態研)，福谷克之(東大生研)

TiO 2 (110)表面のsub-surface Tiサ〇清水亮太(東工大院理工), 神坂英幸(東大院理), 岩谷克也

イトにおける余剰電子の強い局(理研), 大澤健男(物財機構), 白木将(東北大 AIMR), 長谷川在化

哲也(東大院理), 一杉太郎(東工大院理工, 東北大 AIMR)

終端面を制御したSrTiO 3 表面に◯小川翔平（東大・生研）、長塚直樹（東大・生研）、小倉

おける電子状態の観測

正平（東大・生研）、福谷克之（東大・生研）

新機能を持った透明導電膜の開◯中尾祥一郎（KAST）、廣瀬靖（東大院・理、KAST）、長発：酸化スズと酸化チタン

谷川哲也（東大院・理、KAST）

Experimental Determination of

P027

Effective Attenuation Length of◯Motoyasu IMAMURA (AIST)

Photoelectrons in SiO 2 Thin Film

P028S

高移動度SnO 2 エピタキシャル薄〇福本通孝(東大院 ・理)、中尾祥一郎(KAST)、重松圭(KAST)、

膜の合成

廣瀬靖(KAST、東大院・理)、長谷川哲也(KAST、東大院・理)
◯酒井

P029

智香子（物材機構

ナノ材料科学環境拠点）、石田

ヘリウムイオン顕微鏡を用いた

暢之（物材機構

ナノ材料科学環境拠点、環境・エネルギー

積層型セラミックコンデンサ断

材料部門）、増田

面のアクティブ電圧コントラス

永野

トの画像化

郎（太陽誘電株式会社）、 藤田

秀樹（物材機構

聖子（物材機構

先端的共通技術部門）、

先端的共通技術部門）、小形
大介（物材機構曜一

ナノ材

料科学環境拠点、先端的共通技術部門）
SPM インデンテーションを用い

P030Y

たナノメートルサイズの硬度評◯増田秀樹（NIMS・先端）、藤田大介（NIMS・先端）

価試験
電位依存二重共鳴和周波発生分

P031

光法による界面電子構造のプロ◯野口秀典、Shuo Yang、魚崎浩平(物質・材料研究機構)

ーブ

P032S

連続イオンビームを用いた◯中野秀亮（成蹊大・理工）, 横山有太（成蹊大・理工）, 青

ToF-SIMS によるラットの脳組

柳里果（成蹊大・理工）, 氷見直之（川崎医科大）, John SFletcher

織における生体分子の分布評価（ヨテボリ大）, Nicholas P Locker（マンチェスター大）, Alex
Henderson（マンチェスター大）, John C Vickerman（マンチェスター大）〇伊藤 和希、小川 裕太、横田 圭司（横国大院工）、松村 幸

P033S

ホスト細胞同定に向けたエクソ

子、 南澤 宝美后、菅 加奈子、芝 清隆（がん研）、木村 康

ソーム基板吸着様態の特徴抽出

男（東京工科大）、 平野 愛弓（東北大院医工）、荻野 俊郎（横国大院工）望月出海(高エネ機構物構研), 有賀寛子(北大触媒研), 深谷有

全 反 射 高 速 陽 電 子 回 折喜(原子力機構先端基礎), 和田健(高エネ機構物構研),, 一宮

P034(TRHEPD) に よ る rutile-TiO 2(110) (1×2)表面構造の決定

彪彦(高エネ機構物構研),, 朝倉清高(北大触媒研), ○兵頭俊夫(高エネ機構物構研),

―招待講演１―
金属酸化物表面研究：その基礎から最前線まで
Metal oxide surfaces: Fundamentals and forefronts
東大生産研
福谷克之
Inst. Ind. Sci., University of Tokyo, Katsuyuki Fukutani
金属表面を大気中に置くと，ほとんどの金属は酸化され表面は酸化膜で覆われる．表面の保護膜としても利用されことがあり応用上も重要である．一方，遷移金属酸化物は典型的な強相関物質として知られる．その表面（あるいは界面）に着目すると，空間的な局在性が増すことからより相関の強い電子系が実現すると考えられ，バルクとは異なる新規物性が期待される．さらに表面では，異種原子の吸着や置換，ヘテロ界面形成などにより電子系の変調が可能である．ZnO1)や SrTiO32-4),アナターゼ型 TiO25)の表面では，表面に水素を吸着させたり酸素欠損を導入したりすることで金属的な電子状態が実現することが知られている．これに対してルチル型 TiO25,6)では金属的にはならない．不純物による電子ドープと電子相関，スピン状態，ポーラロ
ンの安定性等が鍵となる．一方，化学的な側面に着目すると，金属酸化物は(光)触媒，あるいは触媒担体として利用される．分子や電子との相互作用を考える上でも，表面の電子状態（エネルギー状態と空間的な局在性）は重要である．本講演では，TiO2 と SrTiO3，Fe3O4 などを中心に研究例を紹介し，酸化物表面の物理と化学を議論したい．
参考文献
1) K. Ozawa and K. Mase, PRB 81 (2010) 205322; ibid 83 (2011) 125406.
2) A.F. Santander-Syro et al., Nature 469, 189 (2011); W. Meevasana et al.: Nat. Mater. 10 (2011) 114.
3) M. D’Angelo et al., PRL 108 (2012) 116802.
4) K. Takeyasu et al., JPCM 25 (2013) 162202; JCP 140 (2014) 084703.
5) S. Moser et al., PRL 110 (2013) 196403; M. Setvin et al., PRL 113 (2014) 086402.
6) K. Fukada et al., JPSJ 84 (2015) 064716.

―招待講演２―
社会イノベーションを支える構造材料であるためにStructual Material, as being the Fundamental Technology to Realize the Social Innovations
新日鉄住金株式会社技術開発企画部 1,基盤メタラジー研究部 2 ○本間穂高 1,2,土井教史 2,松本圭司 2
Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp R&D Planning Div 1, Fundamental Metallurgy research Lab. 2○Hotaka HOMMA1,2, Takashi DOI2, Keiji MATSUMOTO2形あるものは全て構造材料である。物質研究を材料研究に展開すれば、用途を踏まえた形状付与は必然であり、機能材料であっても、成形性、靭性、潤滑性や、膜の密着性など、構造材料としての性能は必ず求められる。形状はその輪郭となる表面によって付与される。表面物性はバルク物性から際立った特徴を持つ独自のものである一方で、材料開発の視点から見ると、バルクからシームレスにつながる性能設計がなされている必要がある。
構造材料の主要機能である靭性においては、その限界性能となる「破断」によって、本来の形状が損なわれる。ここで破断とは、外部応力への応答による新しい表面の生成に他ならない。破断過程におけるマクロ、ミクロレベルでの現象解析には膨大な蓄積があるが、ナノ、原子レベルでの表面解析は余り進んでいない。
鉄鋼でとりわけ顕著に現れる表面化学反応に「腐食」がある。電位という環境の中で分子のレベルである OH-、Cl-、
SO4-等のイオンが鉄と反応して腐食生成物をバルクとして形成し、一方で鉄や合金成分がイオンとして環境中に溶出する。異物形成や溶出を抑制するのが材料開発であるが、その素過程は分子とバルクの形態移行である。
「摩擦」も構造材料の表面が関わる現象である。微細な凹凸の削り合いや荷重による変形といった機械的なプロセスに加えて、原子レベルで平滑な表面同士であっても Van der Waals 力的な相互作用が働く事は良く認知されている。
潤滑を施せば、相対する表面の間の力を潤滑分子が媒介する事になり、更には分子同士の粘性等も課題となる。
物性研究がバルクを対象としがちな中で、表面研究はもしかすると、基礎から応用の間に横たわる障壁と思われてしまう側面もある。しかし材料開発の立場から見れば極めて魅力的な分野であり、まさに研究課題の宝庫である。
特に構造材料の分野において、「形」を生む表面という視点からの基礎研究のアプローチには手付かずの分野が多い。昨今の社会イノベーションの議論の中で、これを支えるべき構造材料に様々な革新的機能付与が要請されており、それに応えるためにも今後さらに表面科学との連携をお願いしたい。

―招待講演３―

Charge density wave transition in single-layer titanium
diselenide
T.-C. Chiang
Department of Physics and Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois
at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois, USA
Titanium diselenide (TiSe2) is a member of a vast family of transitional metal dichalcogenides,
many of which show charge density wave (CDW) transitions at low temperatures leading toperiodic modulations of the electronic charge density. The CDW order can compete or entangle
with other transitions such as superconductivity and antiferromagnetism, and it is a phenomenonof great interest in solid state physics. Specifically, TiSe2, with a simple (2x2x2) CDW transitionat ~205 K in the bulk, remains an intensely debated case. The transition has been attributed
variably to excitonic interaction, band-type Jahn-Teller effects, etc. A detailed investigation of
the electronic structure is complicated by the three-dimensional nature of the CDW order. The
perpendicular electronic momentum is not necessarily conserved in angle-resolved
photoemission spectroscopy (ARPES) measurements, making it difficult to pinpoint the gap
locations in the Brillouin zone. A single layer of TiSe2, by contrast, has a much simpler wodimensional electronic band structure; it exhibits a (2x2) CDW transition at critical temperature
TC = 232 ± 5 K, which is higher than the bulk TC. The experimental results reveal a small
absolute band gap at room temperature, which grows wider with decreasing temperature T below
TC in conjunction with the emergence of (2x2) ordering. The results are rationalized in terms offirst-principles calculations, symmetry breaking, and phonon entropy effects. The gap evolution
as a function of temperature follows a BCS-type mean field behavior. Comparison with the bulk
case suggests an anisotropic CDW order in the bulk with intricate details never realized before.

In collaboration with P. Chen, Y.-H. Chan, X.-Y. Fang, Y. Zhang, M. Y.Chou, S.-K. Mo, Z.
Hussain, and A.-V. Fedorov

―招待講演４―
表面一分子系の構造と電気輸送特性
Charge transport properties though single molecules on surface○藤井慎太郎
東京工業大学 1，
1
Tokyo Inst. of Tech. ， ○Shintaro Fujii1
一分子を介した電気輸送は分子エレクトロニクスへの応用が期待され注目を集めている。個々の分子に、
例えば、ダイオードやトランジスタなどの機能を持たせることができれば微小サイズの電子素子が作製できる．まず我々は、かご状分子に内包されたπ分子の入れ替えと、それに応じた電子機能の発現に着目し、自在に調節可能な電子機能について検討を行った（図１）．ブレイクジャンクション法を用いて、伝導度および電流電圧特性計測を行った結果、カゴ状分子に内包させるπ分子を入れ替えることで、絶縁性、伝導性、ダイオード特性の発現に成功した。従来の分子設計に基づいた機能化に加えて、非共有結合から成るπスタック構造を組み替えることで、機能の調整可能な分子接合の設計指針を見出した．また、ボウル状π共役分子であるスマネン分
子のボウル構造反転に基づいた、伝導度スイッチについても検討行った。プローブ顕微鏡を用いた表面観察から、金属表面上のスマネン分子は探針による外力に応答してボウル反転を引き起こし、微弱な外部摂動により伝導度スイ
図１．かご状内包されたπ分子の入れ替え
ッチを誘起できることが分かった。
参考文献
1) S. Fujii, T. Tada, Y. Komoto, T. Osuga, T. Murase, M. Fujita, M. Kiguchi : J. Am. Chem. Soc., 137, (2015) 5939.
2) S. Fujii, M. Kiguchi : 表面科学 36 (2015) 129.

―招待講演５―
電子分光法を用いた実際の材料分析と表面科学の視点
Practical Material Analysis by Electron Spectroscopy and Surface Science○佐藤 誓 1，馬場輝久 1
日産アーク 1，NISSAN ARC,Ltd 1，○Chikai Sato1, Teruhisa Baba1
電子分光は基礎研究に限らず、実際の材料分析に活用の幅が広がり、分析分野においては、正確かつ迅
速に結果を導出するという観点で装置開発・測定法研究が進められている。例えば、紫外線光電子分光（UPS）
は、材料の価電子帯の詳細な電子状態を解析できる手法として知られているが、分析では電極の仕事関数や、
有機 EL 材等のイオン化ポテンシャルといったパラメータ測定に用いられることが多い。X 線光電子分光分析（XPS）も、材料表面を構成する元素の組成や価数の評価に用いられることが多く、装置の操作はもとよりデータ解析は簡便に行われる傾向にある。ただ、得られたスペクトルが正しいかの判断は勿論、スペクトルからいかに多くの情報を引き出すかは、
実務経験に加えて、表面科学の知見が関係してくる。電子分光は、表面敏感な手法のため、実際の材料分析では、切断・洗浄といった前処理ノ
ウハウも測定成否を大いに左右する。
本講演では、主に UPS による仕事関数測定に対し、測定手法の確立
過程を紹介する。この過程において基礎とした科学のバックグランドにも触れる。なお、右図は、銅板の温度変化に伴う UPS スペクトルの変化である。温度変化に伴い、運動エネルギー0{Ek(0)}を示す電子の立ち上がりエネルギーがシフトし、仕事関数の変化が観測されている。
参考文献
1) 吉武道子： 表面科学, 28 (2007) 397.
2) 塚田 捷: 物理学 One Point 仕事関数 (1983)

―企画講演１―
TOF-SIMS 分析を実用的に使いこなすための取り組みとその応用例
Efforts for the practical utilization of TOF-SIMS and some applications
旭硝子（株）先端技術研究所○小林大介
Asahi Glass Co., LTD., Innovative Technology Center， ○Daisuke Kobayashi
飛行時間型二次イオン質量分析法（time-of-flight secondary ion mass spectrometry, TOF-SIMS)を実用的に使いこなすには課題も多い。今回、2 つの課題を解決するための取り組み内容および応用例を報告する。
TOF-SIMS は、製品表面でしばしば問題となる極薄および極小の有機物汚染の成分特定ツールとして期待されている 1)。しかし、低質量側の CXHY フラグメントイオンに頼る従来の質量軸較正法では、高質量側の質量軸の精度が落ちる。このため、精密質量からのピークの帰属は難しく、未知成分特定は困難となる。そこで、内部添加剤を用いた質量軸較正法を考案した 2)3)。モデル試料を用いた検証の結果、内部添加剤由来の高質量ピークを質量軸較正に用いることで、従来法よりも質量軸の精度が向上することが確認された。
TOF-SIMS は、プローブ径が 100 nmφ以下であること、イオンスパッタリングの併用により深さ方向分析ができることから、三次元マッピング分析が可能である。しかし、ガラス試料ではイオンスパッタリング起因の組成変化が懸念されるため、正確なマッピング分析は困難である。今回、C60 イオンスパッタリングを用いることで組成変化が起こらないことを確認した 4)。この方法を適用し、アゾベンゼンパターン膜とコロナ放電処理によりガラス表層に形成された三次元組成分布を取得することに成功した 5)。
参考文献
1) A. Hattori : J. Non-Cryst. Solids, 218 (1997) 196.
2) D. Kobayashi, S. Otomo, S. Aoyagi, H. Itoh : Surf. Interface Anal., 46 (2014) 229.
3) D. Kobayashi, S. Otomo, H. Itoh : J. Surf. Anal., 20 (2014) 187.
4) D. Kobayashi, Y. Yamamoto, T. Isemura : Surf. Interface Anal., 45 (2013) 113.
5) D. Kobayashi, Y. Yamamoto, K. Yamamoto, S. Funatsu, K. Harada, J. Nishii : J. Surf. Anal., 20 (2014) 226.

―企画講演２―
製品開発現場における微小角入射 X 線回折(GIXD)法の利用
Utilization of grazing incidence X-ray diffraction in product development
三菱電機 先端総研 ○本谷 宗，倉橋健一郎
Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corp. ○Tsukasa Motoya, Kenichiro Kurahashi[背景]高品質な製品の提供には、設計試作段階での品質の作り込みが極めて重要である。ここでは電力増幅器として用いられる高電子移動度トランジスタ(HEMT)の高出力化開発の中で GIXD を活用した事例を報告する。電子供給層に窒化インジウムアルミニウム(InAlN)を用いることで 2 倍以上の高出力化が期待されるが 1)、
InAlN 層表面を熱処理することで、その後形成する電極との接触抵抗が熱処理温度に伴って最大 2 桁程度変動することが分かっている。製造品質向上のために抵抗変動理由を明らかにする必要がある。
[実験]電子走行層に窒化ガリウム(GaN)を、電子供給層に格子整合系 InAlN を用いた模擬基板を作製し、4 水準の温度で熱処理を行った。SPring-8 BL16XU で GIXD
測定を実施した。X 線エネルギーは Cu Kα相当(8.045 keV)、入射角は臨界角以下
として InAlN(10-10)面を測定した。回折信号の検出には受光側スリットを設けた
0 次元(0D)検出器と、受光側スリットなしの 2D 検出器を併用した。
[結果] 0D 検出器を使用したωH-2θH スキャン結果から熱処理温度上昇に伴う
InAlN(10-10)回折角の低角シフトが確認され、ベガード則から In の高濃度化が予測された。また InAlN(10-10)回折スポットの 2D 検出器による観察・解析から、
2θ増加方向への散乱信号(Fig.1)の変化が認められ、表面形態変化も示唆された。
従って、本接触抵抗変化は表面組成変調と表面形態変化の両方の影響により発生したものと考えられる。
Fig.1. Diff. spot image
1) M. Gonschorek et al., J. Appl. Phys., 103(9), 093714 (2008).

―企画講演３―
耐原子状酸素性熱制御フィルムの開発
Development of Thermal Control Film with Atomic Oxygen Tolerance
国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構○後藤亜希
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)○Aki Goto

地球観測衛星や国際宇宙ステーション (ISS) が周回する高度 200~500 km の軌道では、原子状酸素 (AO) が大気の主成分である。例えば、ISS が周回する
高度約 400 km の軌道では、大気の 80% 以上を AO が占める。高分子材料はAO の衝突により浸食されるため、宇宙機用の高分子材料には耐 AO 性が要求されている。宇宙機の熱制御材として使用されるポリイミドフィルムに耐 AO性を付与する際、宇宙環境曝露面へ ITO (インジウム錫酸化物)、SiO2、シリコー
ンなどをコーティングする手法が採用されてきた。しかし、金属酸化物 (ITO、 図 1 簡易 AO 照射試験結果
SiO2) コーティングは物理的損傷部からの母材の浸食が、シリコーンコーティングは紫外線 (UV) による変色などが懸念されている。
JAXA は、耐環境性に優れる無機シリカ (SiO2) と物理的損傷を受けにくい有機シリコーン (R2SiO) の両特性を兼ね備えたシルセスキオキサン (RSiO3/2) に注目し、耐 AO 性コーティングとしての適用を検討した。
シルセスキオキサン誘導体として、東亞合成（株）製の光硬化型 SQ シリーズを選定した。SQ シリーズをコートしたポリイミドフィルムについて AO または UV 照射試験を行ったところ、優れた耐 AO 性 (図 1)、
耐 UV 性を示した。本コーティングは、ポリイミド以外の材料への適用も可能であり、宇宙ステーション補給機こうのとり (HTV) の機体識別マークの保護材として採用されている (3 号機以降)。また、Roll-to-roll ウェットコーティング工程の確立により、1 m 幅の本コーティングフィルム製造をも実現した。
参考文献
1) 石澤淳一郎, 木本雄吾, 田村高志, 古田尚正, 北村昭憲, 鈴木浩, “耐原子状酸素コーティングの開発状況と材料保護効果” 第 56 回宇宙科学技術連合講演会講演集, 2012-11-20/11-22. 日本航空宇宙学会, 1L09, (2012).
2) Yugo Kimoto, Koichi Suzuki, Takeshi Fujita, Naomasa Furuta, Akinori Kitamura, Hiroshi Suzuki,“Development of space-qualified photocurable-silsesquioxane-coated polimide” 13 th International Symposiu
on Materials in the Space Environment, 2015-w-12, (2015).

P001Y
Direct Evidence of Metallic Bands in a Monolayer Boron Sheet
1〇Baojie Feng , Jin Zhang2, Ro-Ya Liu1, Takushi Iimori1, Chao Lian2, Hui Li2, Lan Chen2, Kehui Wu2,3, Sheng Meng2,3,
Fumio Komori1, Iwao Matsuda1
1Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, Kashiwa-no-ha, Kashiwa, Chiba 2778581, Japan
2

Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China

3

Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100871, China

Monolayer boron, or borophene, is a graphene-like material and has attracted great scientific interests in
the recent years. Theoretically, monolayer boron is metallic, in contrast to the semiconducting behaviors of
its bulk allotropes. Here, we measured the electronic structure of β12-boron sheet using angle resolved
photoemission spectroscopy (ARPES), and observed one electron pocket at the S point and a pair ofelectron pockets near the X point. The calculated band structure agrees well with the experimental results.
Our results confirm β12-boron sheet as the first metallic boron allotrope and enable the realization ofhigh-speed all-boron nano-devices.

P002S
その場４端子電気伝導測定による SiC 上２層グラフェンの輸送特性
Transport property of bilayer graphene studied by in situ four-point probe resistance measurements
東大理 1, 東北大院理 2, 東北大 WPI3
〇遠藤由大 1, 一ノ倉聖 1, 鈴木克郷 2, 菅原克明 3, 秋山了太 1, 高山あかり 1, 高橋隆 2, 3, 長谷川修司 1
Dept of phys, Univ. of Tokyo1, Dept of phys, Tohoku Univ. 2, WPI-AIMR, Tohoku Univ. 3
Y. Endo1, S. Ichinokura1, K. Suzuki2, K. Sugawara3, R. Akiyama1, A. Takayama1,
T. Takahashi2, 3, and S. Hasegawa1
近年、機械的剥離法により得られたグラフェンにおいて、低温領域で不純物散乱に起因した弱局在効果が報告され[1,2]、グラフェンの輸送特性の詳細が解明されつつある。しかし、基板の違いやグラフェンの層数が輸送特性に与える影響を系統的に議論した例はなく、包括的な知見は得られていない。
本研究では、SiC(0001)上において脱離法により作製した 2 層グラフェンについて、極低温領域(0.8～30 K)
における電気伝導度の温度および磁場依存性を測定した。純粋なグラフェン由来の伝導を測定するため、超高真空下でのその場 4 端子電気伝導測定を行った。その結果、極低温・低磁場領域において、弱局在効果に起因すると考えられる電気伝導度の変化を観測した。さらに、この電気伝導度について、輸送特性を記述す
る各散乱の寄与[3]を明らかにするため、磁場依存性のデータについて解析を行った結果、各散乱の寄与がSiC 上の単層グラフェンと類似の傾向を示すことを見出した。
講演では、詳細な実験・解析結果を示し、基板や層数の違いが輸送特性に与える影響について議論する。
参考文献
1) R. V. Gorbachev et al., Phys. Rev. Lett. 98, 176805 (2007).
2) D. W. Horsell et al., Phil. Trans. R. Soc. A 366, 245 (2008).
3) S. Lara-Avila et al., Phys. Rev. Lett. 107, 1666602 (2011).

P003S
実寸大カーボンナノチューブの量子輸送シミュレーション～量子抵抗からオームの法則まで～
東理大・工 1，神戸大・工 2 ○石関圭輔 1，笹岡健二 2，山本貴博 1
Tokyo University of Science1，Kobe University2， ○ K.Ishizeki1, K.Sasaoka2, T.Yamamoto1

Electrical resistance (kΩ)

金属カーボンナノチューブ（CNT）は銅の 1000 倍程度の電流密度耐性を有することから、次世代 LSI の配線材料として期待されている。CNT の LSI 配線の実用化に向けて、広範なチューブ長（数 nm〜数 μm オーダ）の CNT の電気伝導特性の理解が急務の課題となり、理論・シミュレーション研究に期待が懸かっている。しかしながら、技術的な困難や計算コストの限界のため、電気伝導特性の主要因である量子効果とフォノン散乱効果を高精度に取り入れた実用レベルでの大規模量子輸送シミュレーション手法は確立されていなかった。
古典オーミック伝導
本研究では、量子効果とフォノン散乱効果を取り入れた電気伝導特 量子バリスティック伝導性解析が可能で、且つ、実寸大のナノ材料の評価が可能な量子輸送理(3,3)
温度 300 K
2
10(5,5)
論を構築し、それに立脚したシミュレータを開発した。さらに、その(8,8)
シミュレータを用いてアームチェア型 CNT の室温における電気抵抗(10,10)のチューブ長さ依存性を調べた。
1
図 1 に示すように、チューブ長が短いとき、量子バリスティック伝10
導特有の量子抵抗を示すのに対して、チューブ長が長いとき、フォノ
量子抵抗
ン散乱効果が支配的となり、電気抵抗はチューブ長に比例する古典オ
オームの法則1
2
3ーミック伝導を示す。また、量子と古典の中間領域（クロスオーバー領 100
1010
10Nanotube length (nm)域）においては、非オーミック伝導性を定量的に示すことができた。 図1. アームチェア型CNTの電気抵抗のチューブ長依存性
本研究により、ナノ材料の量子輸送から古典輸送までの電気伝導特性をシームレスかつ高精度に解析・予測することが可能になった。

P004S
グラフェンにおける二次元 Dirac-Fermion の超高速キャリアダイナミクス
Ultrafast Carrier Dynamics of Two-dimensional Dirac-Fermion in Graphene
東大物性研 1，東北大通研 2，阪大・理 3
1
2
3
1
1
1
1
2
○染谷隆史 ，吹留博一 ，渡邉浩 , 岡田大 ，小川優 ，山本貴士 , 飯盛拓嗣 ，田島圭佑 ,山本達 1, 小森文夫 1，岡崎浩三 1，辛埴 1, 松田巌 1
1

2

ISSP, The Univ. of Tokyo ，RIEC, Tohoku Univ. ， Dept. of Phys., Osaka Univ.
1

2

3

1

1

1

1

3
2

○T. Someya , H. Fukidome , H. Watanabe , M. Okada , Y. Ogawa , T. Yamamoto , T. Iimori , K. Tashima ,
1
1
1
1
1
S. Yamamoto , F. Komori , K. Okazaki , S. Shin , I. Matsuda	 グラフェンは炭素の二次元蜂の巣構造からなる単層物質であり、線型でギャップレスなバンド分散（ディラックコーン）を有する。そのため、グラフェン中のキャリアは質量のないディラックフェルミオンとして振る舞い、通常の材料に比して優れた電子・光物性を示す。近年、それらの特性を積極的に利用したグラフェンベースの光デバイスが考案されており、その実現に向け、動作の基礎となるキャリアダイナミクスの研究が精力的に行われている。しかし、現在に至るまで数々の実験報告がありながら、グラフェンのキャリア
ダイナミクスに関してはいまだに統一的な理解には至っていない。その要因の一つとして基板や界面、欠陥などの試料の品質に依存した散乱因子がキャリアの緩和に大きな影響を与えることが挙げられる。そこで今
回、我々は高品質化した SiC(000-1)面成長エピタキシャルグラフェンに関して高次高調波レーザーを用いた
時間分解光電子分光実験を行い、欠陥や不純物散乱のない純粋なキャリア緩和の情報を引き出すことを試みた。
本ポスター発表では、観測されたキャリアダイナミクスの結果とその緩和に対する理論モデルを紹介し、グラフェンにおける超高速キャリアダイナミクスに関して議論する。

P005Y
カルシウムをインターカレートした２層グラフェンにおける超伝導Superconductivity in Calcium-Intercalated Bilayer Graphene
東大理 1,WPI-AIMR2,東北大院理 3 ○一ノ倉聖 1,菅原克明 2,高山あかり 1,高橋隆 2,3,長谷川修司 1
1
2
3
1
2
3
University of Tokyo ,WPI-AIMR ,Tohoku University ○S. Ichinokura , K. Sugawara , A. Takayama ,T. Takahashi2,3, S. Hasegawa1
アルカリ(土類)元素をインターカレートしたグラファイトは、超伝導体として長い研究の歴史を持ち、最近はグラフェンにおいても元素ドープによる超伝導化が盛んに研究されるようになった。
２層グラフェン(BLG)の層間化合物に関してはSTM、ARPES、第一原理計算が行われている。
Ca-BLGにおいて超伝導の発現が期待されているが、5K以上の実験では観察されていない。本研究ではBLGに超高真空中でLi, Caをインターカレートし、in situ低温電気伝導測定を行った。
BLGはSiC(0001)面上に脱離法によって作製し、ARPESによるバンド分散の測定から２層と同定した。大気中を輸送した後、RHEED - 電気伝導測定チャンバー内でアニールによって表面を清浄化した。Liを室温蒸着すると図1のようにグラフェン層間にLi原子がインターカレートし、√3x√3の周期でオーダーする(Li-BLG)。さらに、Li-BLGを150℃に加熱しながらCaを蒸着するとLiとCaが置換し、Caがインターカレートする(Ca-BLG)。これらの試料にin situ電気伝導測定を行うと、Li-BLG
が弱局在的な傾向を示した一方でCa-BLGは約2Kで超伝導転移を示した1。この結果はARPES測定、第一原理計算による予測と一致する。講演では超伝導発現機構について議論する。
1) S. Ichinokura et al. ACS Nano 10, 2761–2765 (2016).

P006S
液滴法により作製した単層および多層グラフェンの光学顕微鏡・SEM・AFM 観察
Observation of Monolayer and Multilayer Graphene Deposited Using a Liquid Droplet Methodwith Optical Microscope, SEM, and AFM
東工大 総理工○高木優香, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之
Dept. of Materials Science and Engineering, TokyoTech○Yuka Takagi, Shiro Yamazaki, Kan Nakatsuji, and Hiroyuki Hirayama

グラフェンを作製する方法は、機械的剥離・CVD・SiC 熱分解等が挙げられるが、これらの方法に並んで液滴法がある。液滴法は、グラフェンを簡便に基板上に作製する方法で 2 段階のプロセスを含む。第 1 に、溶液中でグラファイトを超音波等で劈開し、無数のグラフェンが分散している溶液を生成するプロセス、第 2に、その溶液を基板上に滴下するデポジットプロセスである。グラフェン溶液の生成プロセスには過去に多くの研究が報告されており、グラフェンの大量生産を行う方法として産業応用への期待も大きい。グラフェ
ンを FET 等へ応用するには、基板へのデポジットが必要不可欠である。しかしながら、基板へのデポジットプロセスについて詳細な報告はされていない。
本研究では、液滴法により基板上にデポジットしたグラフェンの個数や分布および形状について、光学顕微鏡、SEM、AFM 観察を用いて定量的に明らかにした。
実験は、平均 500nm 程度のグラフェンがエタノール中に分散しているグラフ
ェン溶液を基板上に滴下した。また、基板には、劈開を行うことにより清浄表面が得られる HOPG を選んだ。エタノール蒸発後、基板に堆積したフレークについて、
光学顕微鏡、SEM、AFM により、600μm×400μm から 5nm×5nm までの範囲で観察した。その結果、膜厚が 100 層以上である凝集した多層グラフェン、及び 10 層以下のシート状グラフェンが観察された。シート状グラフェンには折り畳み構造 図 1：HOPG 表面上に作製したを持つものが観察された（図 1）。実験の詳細については、発表当日に報告する。
数層グラフェンの AFM 像

P007Y
Advanced In Situ Multi-scale Characterization of Mechanical Properties ofCarbon-fiber-reinforced Plastic
National Institute for Materials Science (NIMS) 1, University of Tsukuba 2○ Hongxin Wang 1, Hideki Masuda 1, Hideaki Kitazawa 1, Masamichi Kawai 2, Daisuke Fujita 1
In situ multi-scale characterization of the mechanical properties of carbon-fiber-reinforced plastic (CFRP) is
demonstrated. In particular, the mechanical properties of isolated carbon fibers on the macroscale are weakened by theneighboring plastic matrix. Conversely, packed carbon fibers enhance the strength of CFRP. Due to the microscale
components and nanoscale interfaces of CFRP, the Vickers hardness of CFRP could not be determined by aconventional method. Therefore, an efficient technique for characterizing the true nanoscale mechanical properties of
CFRP was proposed and evaluated. The local mechanical properties of the carbon fibers or plastic matrix on thenanoscale did not vary with nanoindentation location. The Vickers hardnesses of the carbon fiber and plastic matrix
determined by atomic-force-microscope (AFM)-based nanoindentation (Figure.1) were 340 ± 26 kgf/mm2 and40 ± 2 kgf/mm2, respectively. This is the first time to obtain the Vickers hardness of CFRP on the nanoscale.
(a)(b

1.1 μNCF

1.0 μNPM

5.5 μNPM

6.0 μN

0.7 μN

6.5 μN

0.8 μN

0.9 μN

5.0 μNCF

6.9 μNCF

Figure 1. AFM images of cross sections of CFRP. AFM nanoindentation test on (a) plastic matrix (PM), and (b) a carbon fiber (CF).

P008S
ナノカーボン界面の超潤滑・エネルギー散逸
Superlubricity and energy dissipation at nanocarbon interface
電通大院先進理工 1，成蹊大理工 2，愛教大物理 3
Univ.Electro-Commun.1, Seikei Univ.2, Aichi Univ.Educ. 3
1○小川 亮太 , 今村 祥 2, 本橋 雅章 2, 板村 賢明 2, 三浦 浩治 3 , 鈴木 勝 1, 佐々木 成朗 1
○R. Ogawa1, S. Imamura2, M. Motohashi2, N. Itamura2, K. Miura3, M. Suzuki1, N. Sasaki1
C60 分子ベアリング構造[1,2]は、摩擦力顕微鏡測定でピコニュートン(pN)オーダーの超潤滑特性を示すことか
ら、各種の潤滑システムへの応用が期待されている。しかし現在の一般的な摩擦力顕微鏡測定装置の測定精度では、水平力の微小な変化を探針の各走査位置で追跡することは困難である。そこで本研究では、ナノカ
ーボン界面、特にC60 分子ベアリング構造が示す超低摩擦力およびエネルギー散逸量を数値的に評価して、その摩擦機構について議論する。
数値シミュレーションには、グラフェン/C60 /グラフェン界面構造のモデルを用いる。初期構造として上下のグラフェン層にC60 分子の六員環が向いた構造を選ぶ。
ポテンシャル関数として Tersoff ポテンシャルと Lennard-Jones ポテンシャルを用いて全エネルギーを記述し、共役勾配法によって各走査位置でのエネルギーを極小化して準安定構造を求めた。グラフェン層間距離を 13 Åとして、上層グラフェンを、
C60 分子との格子整合性の良い方向に走査させたところ、水平力𝐹𝐿 を走査位置の関数としてプロットした水平力曲線はのこぎり波形を示し、ヒステリシスが現れた(図1)。走査過程での水平力とC60 分子の振る舞いとの関係を本発表で報告する。
参考文献[1] K. Miura, S. Kamiya, and N. Sasaki, Phys. Rev. Lett. 90, 055509 (2003).
[2] N. Sasaki, N. Itamura, H. Asawa, D. Tsuda, and K. Miura, Tribology Online 7, 96 (2012).

P009
Self-Assembled Monolayer(SAM)の電子物性
Electric properties of self-assembled monolayers
電気通信大学 1 ○曽越宣仁 1
The University of Electro-Communications 1， ○Norihito Sogoshi1【はじめに】貴金属表面に形成した Self-Assembled Monolayer(SAM)は容易に作成でき、分子修飾により新
たな化学機能、電子物性を自由にデザインすることができることから，活発な研究対象となっている 1。
本研究では，自己組織単分子膜を積み木のように積み上げて，自由に界面の伝導性や磁性などの電子物性を制御できることを目標としている。分子が貴金属の単結晶表面に規則正しく敷き詰められたとき，金属硫黄界面は原子・分子レベルで急峻な，理想的な界面である。貴金属-硫黄結合(Mδ+-Sδ-; M=Au, Ag, Pt,…)は極性を持ち，M-S 界面を境とする電気二重層が生じ得る。この電場は金属側，分子側の電子の分布や波動関数に変調を及ぼし，電子状態を変化させる。
【実験と結果】本研究では，末端にフェロセンを持つ SAM における電荷移動，およびトリス(ビスビピリジン)
ルテニウム錯体と，その錯体の類縁体の吸着について調べた。右図左は，α-チオグリセロールの SAM で被覆された単結晶金の CV で，右図右はその SAM の上にフェロセンカルボン酸をエステル結合して作った SAM のCV である。左図ではほとんど電流が流れていないことから，α-チオグリセロールが完全に電子移動をブロックしているのに対して，右図ではフェロセンによる可逆な酸化還元のピークが現れた。溶液中の酸化還元
種との電子の授受は起こらないことから，フェロセンの電子授受は化学結合を通り道として，電子移動していると考えられる。
1 Nanotech. Rev. 2015,4(2),193-206.等

P010STiO2(110)表面上での有機分子薄膜の光学測定
Optical measurements of Organic molecule thin film on TiO2(110) surfaces○前田慎一郎 1，萩原健太 1，相川和幸 1，大野真也 2，田中正俊 2
横国大･理工 1，横国大院･工 2
Yokohama National University･College of Engineering Science1，Yokohama National University Graduate
2○Shinichiro Maeda1, Kenta Hagiwara1, Kazuyuki Aikawa1,
Schools･Graduate School of Engineering
2

2

Shinya Ohno , Masatoshi Tanaka

本研究では OFET への応用が期待されるペンタセン，alpha-sexithiophene(α-6T)，鉄フタロシアニン(FePc)を TiO2(110)表面上に室温で薄膜成長させ，反射率差分光法(RDS)と表面差分反射分光法(SDRS)を用いて電子状態および分子配向の解析を行った．また，基板温度を室温から昇温，降温させ，温度変化による有機分子の構造変化についても考察を行った．
本実験により，ペンタセン分子は，短軸を TiO2(110)基板上[001]方向と平行に，flat-lying に配向すること，基板昇温により，flat-lying から upright-standing に変化することが分かった．6T 分子は,長軸を基板
上[001]方向と平行に，flat-lying に配向することが示された．また，基板昇温により，flat-lying から
upright-standing に変化することが分かり，para-sexiphenyl(p-6P)を用いた類似研究 1)と整合する結果が得られた．鉄フタロシアニンは，分子面を基板と平行に配向することが分かった．この結果は，STM を用いた先行研究 2)と整合する．また，基板を降温させると，Soret 域の遷移が強くなることが分かった．これら，電子遷移の由来についても考察して報告する予定である．
参考文献
1) Lidong Sun, et al. : Phys. Chem. Chem. Phys., 12 (2010), 3141–3144.
2) Palmgren, et al. : J. Phys. Chem. C 112,(2008) 5972.

P011S
Ar クラスターイオンを用いた深さ方向分析における有機物積層膜のマトリックス効果の評価
Matrix effects on mixed polymer layer depth profiles
by means of Ar cluster ion beam
○高橋一真 1，A.G.Shard2，横山有太 1，青柳里果 1
成蹊大理工 1，英国物理学研究所（NPL）2
Dept. Life Mater. Sci. Seikei University 1， National Physical Laboratory 2，○Kazuma Takahashi1, Alex.G.Shard2, Yuta Yokoyama1, Satoka Aoyagi1
Abstract: 飛行時間型二次イオン質量分析法（ToF-SIMS）でのナノレベルの深さ方向分析において、正しい深さ方向分布を得るのはマトリックス効果により難しいことも多い。本研究では、有機物の組み合わせによるマトリックス効果の評価を試み、ToF-SIMSスペクト
ルから正負両二次イオンで評価した。二つのモデル試料として、Irganox 1010 と Irganox 1098、Irganox 1010 とFmoc-pentafluoro-L-phenylalanine を含む有機物多層膜をBi3++で測定し、Ar1000+クラスターイオンを用いて深さ方向分析した。多変量解
析では主成分分析と多変量スペクトル分解を用い、各有機物に特有の二次イオンを発見した。結果として、本試料でのマトリックス効
果は、二次イオンの極性によって異なることが分かった。Irg10 と Irg98 の混合試料について、負二次イオンは正しい深さ方向分布を示すが、Irg10に由来する正二次イオンは強度が減少した。Irg10とFmocの混合試料については、Irg10に由来する負二次イオンはFmocとの混合層で減少した。一方、Irg10 に由来する正二次イオンは増加した。さらにマトリックス効果の補正[１]についても試み、二つの有機物試料で、目的物質にのみ特徴的な二次イオンが見つかっている場合に、有効であることが示唆された。
参考文献[1]A. G. Shard, et al., J. Phys. Chem. B., 119(33), 10784-10797 (2015).

P012S
荒らした Pd(111)表面上の CO と O2 の吸着状態
Adsorption states of CO and O2 on roughened Pd(111)
東理大院・総化研 ○田邊紘基，林和毅，細井駿，渡辺量朗
Graduate School of Chem. Sci. and Tech., Tokyo Univ. of Sci., ○Hiroki TANABE, Kazutaka HAYASHI, Shun HOSOI,

Saturated CO/roughened Pd
Saturated CO/Pd(111)

100

200

300

400

500

Temperature (K)Fig.1 CO 飽和吸着面からの TPD スペクトルQMS signal at m/e=32 (arb.units)

金属表面に光を照射するとバルクからの電子あるいは正孔の付着により吸着分子が励起される。また、ナノスケールの貴金属では局在表面プラ
ズモン共鳴により電場増強が起こる。従って、貴金属表面にナノ微細構造を持たせたることで吸着種の光励起効率を高めることができると期待される。しかしながら、そのような表面での分子の吸着状態についてはまだ十分には研究されていない。そこで本研究では Ar+スパッタリングにより荒らしマウンド状のナノ構造を形成した Pd(111)表面 1)における CO 及び O2の吸着状態について昇温脱離法(TPD)により調べた。荒らした表面と平坦な Pd(111)表面それぞれに CO 及び O2 を飽和吸着させて TPD スペクトルを比較した結果をそれぞれ Fig.1、2 として示した。CO については、248 Kに新しいピークが出現し総ピーク面積が増加した。一方 O2 では、90～200 Kの分子状脱離ピークが形状変化し面積が減少、更に 780 K の再結合脱離ピークが消失した。これらの変化は、スパッタリングにより別の方位指数面が現れ新たな吸着サイトが生じたこと、および元々の(111)面の割合が減
少しアンサンブル効果が起き難くなったことに起因すると考えられる。
参考文献
1) D. Vogel, et al., J. Phys. Chem. C 117 (2013) 12054.

QMS signal at m/e=28 (arb.units)

Kazuo WATANABE

Saturated O2/Pd(111)Saturated O2/roughened Pd

×10

100

200

600

700

800

900

1000

Temperature (K)Fig.2 O2 飽和吸着面からの TPD スペクトルP013S
炭素に担持された Pt の電子状態と水素吸着特性
Electronic state and hydrogen adsorption characteristic on Pt supported on carbon surfaces
東京大学生産技術研究所 ○小林達也，長塚直樹，大野哲，小倉正平，福谷克之
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo ○T.Kobayashi, N.Nagatsuka, S.Ohno, S.Ogura, K.Fukutani

Pt は燃料電池触媒として用いられているが、希少金属であるため高効率化や白金代替材料の開発が課題となっている。近年 、グラフェン上に Pt を担持することで、触媒としての反応性が向上することが発見された。
1)
これは Pt の d バンドセンターが下がり、水素、酸素の吸着エネルギーが小さくなることで、律速していた
酸素還元反応が進むと考えられる。我々は異なる炭素材料に担持された Pt の電子状態と水素、酸素吸着特性明らかにすることを目的として研究を行っている。今回の実験では、担体としてカーボンブラック(CB)を用い、その担持された Pt の電子状態と、その結果引き起こされる水素吸着特性の変化を測定した。
試料として、質量％濃度が 20 の Pt 担持カーボンブラックを用いた。XPS で Pt4f 準位を測定したところ 71.3eV にピークが見られた。
この試料に重水素を曝露し TDS をとったものが右の図である。300K
付近に単一のピークが見られた。Pt(111)面では、300K 付近のピー
クに加えて低温側に脱離ピークが観測されている。2)今回の実験では、Pt(111)のような低温側のピークは確認できなかった。
参考文献
1) T. Kondo, et al., J. Phys. Chem. C, Vol. 112, No. 40 (2008).
2) S. K. Jo, et al., Surf Sci 635 (2015) 99-107.

図

Pt 担持カーボンでの TDS

P014S
Pd(111)表面に吸着した CO 及び O2 の光反応性
Photoreactivities of CO and O2 adsorbed on Pd(111)
東理大院・総化研 ○細井駿, 田邊紘基, 林和毅, 渡辺量朗
Graduate School of Chem. Sci. and Tech., Tokyo Univ. of Sci., ○Shun HOSOI, Hiroki TANABE, Kazutaka HAYASHI,
Kazuo WATANABE

近年、ナノスケール構造をもつ金属で起こる表面プラズモン共鳴(SPR)の電場増強効果に関する研究が数多くなされており、化学センサーや太陽電池、光触媒などへの応用が期待されている。しかし、これまでの報
告は貴金属である金や銀を用いたものがほとんどであった。我々は、高い触媒活性を持つ遷移金属であるパラジウム(Pd)の表面プラズモンに注目し、ナノスケール構造を持つ Pd 表面に吸着した分子の光反応におけるSPR の効果を探索している。本研究では、SPR 効果を評価するための基準データを得る目的で、SPR の生じな
い平坦な Pd(111)表面における吸着分子の光反応性の測定を行った。吸着分子として CO および O2 を選び、それらの紫外レーザー光(波長 266 nm)照射前後の状態を昇温脱離法(TPD)で観測した。ピーク強度の変化から
光反応断面積(PCS)を算出したところ、CO では 10-22 cm2、O2 では 10-19 cm2 のオーダーであることが分かった。
文献値の存在しない CO については、その PCS は観測限界に近い極めて小さな値であり、一方、O2 の PCS は文献値とほぼ一致する結果となった。これらの結果を基準として用い、今後、ナノスケール構造を作成した Pd
表面における分子の光反応に対する SPR 励起効果の探索を行う。

P015
STM による Si(113)表面熱酸化プロセスの解析
Analysis of thermal oxidation process of Si(113) sufaces using scanning tunneling microscopy
横浜国立大学 1，物質材料研究機構 2 ○小川新 1，田中博也 1，大野真也 1，三木一司 2，田中正俊 1
1
2
Yokohama National University , National Institute for Materials Science○Arata Ogawa1, Hiroya Tanaka1, Shinya Ohno1, Kazushi Miki2, Masatoshi Tanaka1

近年、立体構造トランジスタの開発により、MOS 界面に使用されるシリコン高指数面上に形成される酸化膜の詳細な理解が求められている。本研究では、高指数面の中で平坦で安定な構造を持つ Si(113)面に着目した。Si(113)面の酸化過程に関しては、Müssig らによる STM の報告があるが[1]、原子レベルでの表面構造の詳細は未だ明らかにされていない。本研究では、高分解能の STM 像に基づいて Müssig らが提案した酸化モデルの妥当性を確かめること、バイアス依存性の検討に基づいてより詳細の酸化モデルを構築することを目的として実験を行った。また、Si(113)3×1 表面の構造モデルについても再検討を行った。
実験は走査型トンネル顕微鏡 (JEOL 社製 JSTM-4500XT)を用い、ベース圧力 2×10-8 Pa の超高真空漕にて行った。STM の探針として、室温観察で PtIn または Nb、高温 観察で W(直径 0.3 mm)を用い、試料は Si(113)
基板(B-doped p-type 1～10 Ω∙cm)を用いた。熱酸化の実験では、酸素ガスをバリアブルリークバルブを用
いて 1.3×10−5 Pa から 1.3×10−3 Pa までの圧力、曝露量 1～5 L の条件で Si(113)試料に曝露した。
高温で現れる Si(113)3×1 構造について、STM 像で観測された輝点と酸素の吸着サイトとを対応づけることにより、Ranke3×1 構造と呼ばれる構造が妥当であることを確認した。また、熱酸化を行った Si(113)酸化表面についてバイアス依存性の測定を行った。準安定サイトに吸着した酸素分子が解離吸着により安定構造を形成し、主に 5 員環とアドアトムのバックボンドに吸着すること、およびこれと同時に酸化による歪みを緩和するため 5 員環を構成する Si 原子の表面拡散が起こることが分かった。
参考文献
1) H. -J. Müssing, J. Dabrowski and S. Hinrich, Solid-State Electronics 45 (2001) 1219.

P016
Si(111) √3×√3-B 表面上に成長した Bi(110)薄膜の電子状態

Electronic structure of Bi(110) thin films grown on a Si(111) √3×√3-B surface
東工大総理工 1，あいち SR2，名大 SR セ 3，名大院工 4，KEK-PF5 ○中辻寬 1，宍倉一輝 1，吉池雄作 1，鈴木順也 1，山崎詩郎 1，渡辺義夫 2，仲武昌史 2，伊藤孝寛 3,4，間瀬一彦 5，平山博之 1
1
2
3
Dept. of Materials Science and Engineering, Tokyo Tech. , Aichi SR , NUSR , Grad. School of Engineering, Nagoya
2
5
Univ. , KEK-PF○K. Nakatsuji1, K. Shishikura1, Y. Yoshiike1, J. Suzuki1, S. Yamazaki1, Y. Watanabe2, M. Nakatake2,
T. Itoh3,4, K. Mase5, H. Hirayama1

Bi(111)薄膜は，その表面電子状態がラシュバ効果によるスピン分裂を示すなどの興味深い性質をもつことが知られている．一方(110)薄膜の場合には，バルク(A7)構造以外に，2 原子層が対になった黒リン(BP)構造
が安定となりえて電子状態も大きく違うことが予想され 1)，さらに BP 構造は 2 次元トポロジカル絶縁体相となりうることも指摘され 2)，その電子状態は非常に興味深い．今回我々は，Si(111) √3×√3-B 表面を基板に用いて Bi(110)超薄膜を作製し 3)，室温での角度分解光電子分光(ARPES)測定によって電子状態を調べた．
実験はあいち SR BL7U 及び KEK-PF BL13B にて，約 12 ML と 25 ML の 2 種類の膜厚の試料について行った．hν=70 eV での ARPES 測定から得られたフェルミ面を右に示す．Γ点の周囲にみられる円形のフェルミ面は Bi 由来のもので，先行研究での報告と良い一致を示している．またこのとき M 点付近にはバンドギャップが存在することが明らかとなり，先行研究のバンド計算における BP 構造の特徴と一致した．
参考文献
1) G. Bian et al., PRB 90 (2014) 195409.
2) Y. Lu et al., Nano Lett. 15 (2015) 80.
3) I. Kokubo et al., PRB 91 (2015) 075429.

P017S
Bi 薄膜へのアルカリ金属吸着による電子ドープと表面ポテンシャル変形
Electron doping and surface potential deformation caused byalkali-metal adsorption on Bi thin films
1
2
東大物性研 ，NSRRC ，広大放射光 3, Nat’l Tsing Hua Univ.4，東大理 5 ○伊藤俊 1，染谷隆史 1，
Feng B.-J.1 Chen W.-C.2，Cheng C.-M.2，有田将司 3, 高山あかり 5，Lin C.-H.4，飯盛拓嗣 1, 山本
達 1, 生天目博文 3, 谷口雅樹 3, 小森文夫 1，Tang S.-J.4，松田巌 1
ISSP1，NSRRC2，Hiroshima Univ. Synch. Rad. Center3, Nat’l Tsing Hua Univ.4，Sch. Sci., Univ. of Tokyo5○S. Ito1,
1
1
2
2
3
5
4
1
T. Someya , B.-J. Feng , W.-C. Chen ，C.-M. Cheng , M. Arita , A. Takayama , C.-H. Lin , T. Iimori , S. Yamamoto1,
H. Namatame3, M. Taniguchi3, F. Komori1, S.-J. Tang4, I. Matsuda1
物質表面にアルカリ金属を吸着させると、吸着子から基板への電子ドープとそれに伴う表面ポテンシャルの変形が生じる。前者の効果は、光電子分光によるバンド測定を通して調べられ、近年では新物質に対する
電子ドープ手法として盛んに応用されている[1,2,3]。しかし、後者の表面ポテンシャルの効果を実験的に直接捉えた報告は少なく、電子状態に対する詳細な影響は未だ未解明である。我々は、Bi 薄膜中に形成される
表面バンドと量子井戸バンドをモデル系として、その上に K（カリウム）と Cs（セシウム）を吸着させたときの影響を角度分解光電子分光によって調べた。電子ドープにより表面バンドが波数に依存してシフトする
ことが初めて観測され、Bi 薄膜中の電荷密度分布に対応していることが分かった。さらに、吸着量が小さい
領域で電子ドープと逆向きのシフトが観測され、表面ポテンシャル変形の効果が競合していることが分かった。講演では、これらのデータから明らかになったアルカリ金属吸着の描像を議論する。
参考文献[1] T. Ohta et al., Science 313, 951 (2006). [2] Z. –H. Zhu et al., PRL 107. 186405 (2011). [3]J. Kim et al., Science 349, 723 (2015).

P018S
Photogalvanic Effect on Spin-splitting Surface States in Bi and Bi/Ag Thin Films◯Di Fan, Hirotaka Ishihara, Rei Hobara, Akari Takayama, Ryota Akiyama and Shuji Hasegawa
Department of Physics, University of Tokyo, JapanThe Rashba effect induced by the spin-orbit coupling at the surface or the interface is one of the mostimportant physical phenomena which has abundant possibilities for spintronic devices, since it allows us tomanipulate spin without the help of the magnetic field. Recently, the photogalvanic effect has been reported
in the spin-splitting materials such as topological insulator Bi2Se3[1], transition metal dichalcogenides
WSe2[2]. In this study, we use circular polarized light to make an in situ investigation on two dimensional
Rashba system, thin films of Bi(111) and Bi/Ag(111), with semiconductor lasers (λ=405 and 635 nm). The
photo-voltage of samples was measured by rotating the 1/4λ plate to change the light polarization. We
clearly observed the voltages generate by different polarized lights, in both Bi and Bi/Ag thin films.
Furthermore, the sign of voltage induced by circular polarized would reverse when the angle of incidence
was reversed with respect to the surface-normal. These results indicate the spin-momentum locking in the
Rashba system. In our presentation, we will report the details of the origin of the each component, anddiscuss the results.
Reference[1] J. W. McIver et al., nature nanotechnology 7, 96 (2012).
[2] H. Yuan et al., nature nanotechnology 9, 851 (2014).

P019S
Si(111) √3x√3-B 基板表面上の Ag 超薄膜における埋もれた界面構造の STM/XRD 測定
An STM/XRD measurement of the buried interface structure for Ag/Si(111)√3x√3-B system
東工大・総理工○吉池雄作，山崎詩郎，中辻寛, 平山博之
Tokyo Institute of Technology○Yusaku Yoshiike, Shiro Yamazaki, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama
金属/半導体基板界面の構造を知る事は、ショットキーデバイスなどによる電子素材の性能を向上させる上で不可欠である。従って、金属薄膜下に埋もれた基板表面との界面構造を理解する事は重要である。これまでの先行研究では、STM(走査トンネル顕微鏡)を用いて Pb/Si(111)7x7 表面上で界面と思われる周期的なパターンを観察したことに成功している。しかしながら、そのパターンが QWS(量子井戸準位)による共鳴で現れているのか、それとも界面での Pb と Si 原子の格子整合によるものなのか特定できていない。そこで、本研
究では Si(111)√3x√3-B 基板表面上に成長した、Ag 超薄膜表面との界面構造を、STM を用いて表面から薄膜越しに界面構造を原子スケールで観察する事を試みた。
Si(111)√3x√3-B 基板
Ag超薄膜表面FIG.1(a)は Si(111)√3x√3-B 基板表面の STM 像を示している。この
V
=
+2.0
V
Vs = −0.4 Vs(b)
基板表面に対して Ag 超薄膜を成長させ、表面 の STM 観察を行った (a)結果、FIG.1(b)に示す様な基板表面の√3x√3 の周期性とは異なる 3x3の周期的な構造が現れていた 1)。この構造は、現段階では Ag と Si原子による格子整合が生じた topographic なものと考えられる。更に、Spring-8(BL13XU)にて表面 X 線回折によるロッキングカーブ測定を行った結果、Ag/Si(111)√3x√3-B 界面では基板表面の周期性が保持されている事が明らかとなった。当日は実験の詳細について議論する。 FIG.1.(a) Si(111) √3x√3-B 基板表面の STM 像
参考文献
1) Y. Yoshiike et.al. Appl. Phys. Lett. 104 191605 (2014).

(b)Ag 超薄膜表面の STM 像

P020S
SrTiO3 基板上の FeSe 薄膜の作成と構造評価
Growth and structure of FeSe films on SrTiO3
東工大・理○田中友晃，芳野諒，平原徹
Department of Physics,Tokyo Institute of Technology○Tomoaki Tanaka, Ryo Yoshino, Toru Hirahara
1. はじめに超伝導は応用上重要であるとともに、量子力学の性質が巨視的に現れる現象であり、基礎科学としても興味深い。最近鉄系超伝導体が BCS 理論で記述されない高温超伝導体として注目されている。その中でも FeSe
は単純な結晶構造を持ち超伝導発生メカニズムを探る上で有用と考えられている。2012 年に SrTiO3 基板上に
1 ユニットセルの FeSe 薄膜を蒸着させることで、60 K という高い転移温度を持つことが発見された 1)。これはバルク FeSe の転移温度が 8 K2)であることを考えると特異である。しかし超伝導転移温度が高い理由、さらにこれを高める研究がなされているものの、その成長様式などの基礎的な研究はあまりなされていない。
そこで本研究では SrTiO3 基板上の FeSe 薄膜の成長様式を詳細に調べることを目的とした。
2. 実験方法
SrTiO3(001)上に FeSe 薄膜を作成し、構造評価を行った。FeSe 薄膜の成長には、分子線エピタキシー法を用いて反射高速電子線回折(RHEED)観察により薄膜成長の様子をリアルタイムで測定した。また作成した薄膜を走査トンネル顕微鏡(STM)により表面観察をして薄膜の平坦性や高さ分布を測定した。さらに試料の作成条
件(蒸着時間や基板の温度)を変え、薄膜成長の様子を STM で評価した。
3. 実験結果
基板の温度の上昇により FeSe の成長様式が 2 次元島状成長からステップフロー成長へと変化した。また、薄膜成長時の高さについての情報も得られた。
1) Wang Qing-Yan et al., Chin. Phys.Lett. 29, 037402 (2012).
2) Fong-Chi Hsu et al., Proc.Natl.Acad.Sci. 105, 38 14262 (2008).

P021S
トポロジカル絶縁体及びフェリ磁性体界面におけるスピン・電子状態の研究
Study of the spin and electron state at the interface
between topological insulator and ferrimagnet
東大物性研 1，Engineering, UCLA2，東工大理工 3，阪大産研 4○久保田雄也 1，村田晃一 2，宮脇 淳 1，小澤健一 3，白澤徹郎 1，山本真吾 1，Ro-Ya Liu1，Baojie Feng1，
山本達 1，菅滋正 4，原田慈久 1，Kang L. Wang2，松田巌 1
1
2
3
4
ISSP, the Univ. of Tokyo ，Engineering, UCLA ，Tokyo Tech. ，ISIR, Osaka Univ.
1

2

1

3

1

1

1

1

○Y. Kubota , K. Murata , J. Miyawaki , K. Ozawa , T. Shirasawa , Sh. Yamamoto , R.-Y. Liu , B. Feng ,
1
4
1
2
1
S. Yamamoto , S. Suga , Y. Harada , K. L. Wang , I. Matsuda

トポロジカル絶縁体（TI）[1]と磁性体を組み合わせた物質では、その界面で特異な強磁性が発現することが知られている。フェリ磁性絶縁体であるイットリウム鉄ガーネット（YIG）上に TI である Bi2Se3 を成長させると TI の強磁性発現温度は 130 K にも達し、新デバイスへの実用化に向けて大きな期待が寄せられている[2]。しかし、その磁性のメカニズムは解明されていない。そこで本研究では、Bi2Se3/YIG ヘテ
ロ接合に対して角度分解光電子分光（ARPES）と Fe L 端の X 線磁
気円二色性（XMCD）測定を行い、磁性発現機構を検証した。図 1に室温（RT）と T = 30 K で測定した 6 QL-Bi2Se3/YIG の ARPES ス
ペクトルを示す。本講演ではさらに XMCD 測定結果も加え、界面におけるスピン・電子状態について考察する。
参考文献
1) X.–L. Qi et al., Rev. Mod. Phys. 83, 1057 (2011).
図 1 : 6 QL-Bi2Se3/YIG の ARPES 結果
2) M. Lang et al., Nano Lett. 14, 3459 (2014).

P022S
Bi2Te3 基板上の Te 薄膜の成長と電子状態
Growth and Electronic Structure of a tellurium Thin Film on Bi2Te3
東工大・理○奥山裕磨，杉山裕弥，平原徹
Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, ○Yuma Okuyama1, Yuya Sugiyama, Toru Hirahara
近年トポロジカル絶縁体に次ぐ新たなトポロジカル物質として、ワイル半金属が注目を集めている。ワイル半金属はバルクに 3 次元のディラックコーンを持ち、低温で相対論におけるワイル粒子のように振る舞うという特徴がある。また、このディラックコーンの交点(ワイル点)はトポロジカルな性質を持ち、摂動によるバンド構造の変化に対して安定に保たれる[1]。最近 TaAs などの化合物がワイル半金属であると理論・実験両面から実証された[2]。
2015 年に高圧下における三方晶 Te 単結晶が単元素ワイル半金属であると提案された[3]。しかし、高圧下の Te のバンド構造を直接測定しディラックコーンを確認するのは困難である。そこで、本研究では Te 薄膜
を格子定数がわずかに異なる Bi2Te3(111)基板の上にエピタキシャル成長させ、高圧下における歪みを再現することを試みた。薄膜作成は反射高速電子線回折(RHEED)を用いて成長の様子をリアルタイムにモニターした。
結晶構造解析の結果、Bi2Te3 上の Te 薄膜は(10-10)面に配向した 6 ドメイン構造をしていることが分かった。
また角度分解光電子分光(ARPES)を用いて作成した Te 薄膜のバンド分散測定を行った結果、理論的にワイル点の存在が予測されている H 点のフェルミ準位付近に状態があることが確認できた。当日はその詳細を報告する。
参考文献
1) 村上修一, 表面科学 Vol. 36. No.3, pp. 135-140, (2015). 2) B. Q. Lv et al., Phys. Rev. X 5, 031013 (2015); B. Q.
Lv et al., Nat. Phys. 11, 3426 (2015); L. X. Yang et al., Nat. Phys. 11, 3425 (2015). 3) M. Hirayamara et al., Phys. Rev.
Lett. 114, 206401 (2015).

P023S
アナターゼ型 TiO2(101)表面の N ドープ誘起電子状態
Electronic states derived by N-doping on Anatase TiO2 (101) surfaces
東京大学生産技術研究所○長塚直樹，浅川寛太，福谷克之
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo ○Naoki Nagatsuka, Kanta Asakawa, Katsuyuki Fukutani
TiO2 は,ワイドギャップの半導体であり，光触媒のモデル物質として知られ，さらにガスセンサーや透明導電膜への応用が期待されている．アナターゼ型はルチル型と比べて良好な電気伝導を示し 1)，さらに光触媒活性も高いことが知られているが 2)，その起源は長年未解明である．物質の電子状態は，キャリアの生成過程や寿命に大きく影響を与えるが，欠陥のないルチル型とアナターゼ型 TiO2 の電子状態は，ほぼ一致している 3)．
本研究では，アナターゼ型 TiO2(101)表面上の N ドープ
誘起電子状態を X 線光電子分光法と紫外光電子分光法により測定した．図 1 に N をドープした時の UPS の変化を示す．
N をドープした表面では，試料加熱前後で，それぞれフェ
ルミレベル下 3.0 eV と 2.3 eV にギャップ中準位を観測した．このときの，仕事関数や表面の電気双極子の変化とあわせて，ギャップ中の準位の起源を議論する．
参考文献
1) Y. Furubayashi et al., Thin Solid Films 496 (2006) 157.
2) K. Ozawa et al, J. Phys. Chem. Lett. 5 (2014).
3) A. G. Thomas et al, Phys. Rev. B 75 (2007) 035105.

図 1 N ドープをしたアナターゼ型 TiO2(101)表面の UPS の変化

P024YTiO2(110)表面の sub-surface Ti サイトにおける余剰電子の強い局在化

Strong electron localization at sub-surface Ti sites in a rutile TiO2(110) surface
東工大院理工 1，東大院理 2，理研 CEMS3，物材機構 4，東北大 AIMR5○清水亮太 1，神坂英幸 2，岩谷克也 3，大澤健男 4，白木将 5，長谷川哲也 2，一杉太郎 1,5Tokyo Tech. 1, Univ. Tokyo 2，RIKEN3, NIMS4, Tohoku Univ.5
1○R. Shimizu , H. Kamisaka2, K. Iwaya3, T. Ohsawa4, S. Shiraki5, T. Hasegawa2, and T. Hitosugi1,5[序] 二酸化チタン(TiO2)の電子輸送や光触媒反応においては，バンドギャップ内に生成する欠陥準位の関与が議論されている．さらに，欠陥準位にトラップされた電子の空間分布も微視的なメカニズム解明にむけて重要な情報である．従来 TiO2 表面では，酸素欠損で生じる余剰電子が，バルク内部同様に隣接した Ti 原子に局在すると考えられてきた[1]．しかし，近年の走査型トンネル顕微鏡/分光法(STM/STS)によれば，表面酸素欠損近傍における余剰電子は隣接する Ti 数原子に渡って広がっており[2]，その空間分布はバルク内部と異なると報告された．そこで本研
究では，原子スケールでの構造・電子状態評価が可能な STM/STS を用いて，ルチル型 TiO2(110)清浄表面の第 2 層目
Ti(Tisub)サイト上に存在する欠陥の電子状態を調べ，表面からの深さに依存した余剰電子の空間分布を検討した．
[実験と結果] 信光社製のルチル型 TiO2(110)単結晶基板を用い，20％フッ化水素酸による化学エッチングを施した．
超高真空内において，サンプル裏面に蒸着した Pt 薄膜を通じて直流通電加熱を行い，500oC にて脱ガス後に 1050oC
にて 5 分の加熱処理した後，78 K において STM/STS 測定を行った．
非占有状態の STM 像では，従来から知られている最表面の酸素欠損(VO)と残留水分子の解離吸着による水酸基(-OH)の他に，5 配位 Ti 列上に緩やかな凸構造をもつ欠陥を確認した．単位格子を重ねたところ，この欠陥中心は最表面原子サイトではなく，表面第 2 層目の Tisub サイト直上と特定された．また，欠陥準位の局所状態密度マップにおいては，この Tisub サイト直上でのみ余剰電子が強く局在していた．第一原理計算を行った結果，この欠陥は Tisub
サイトに余剰電子が局在したポーラロンで説明され，表面第 2 層目からバルク同様の局在性を示すことがわかった．
[参考文献]

1) U. Diebold, Surf. Sci. Rep. 48, 53 (2003).

2) T. Minato et al., J. Chem. Phys. 130, 124502 (2009).

P025S
終端面を制御した SrTiO3 表面における電子状態の観測
Electronic States of Termination-Controlled Surfaces of SrTiO3(001)
東大生研 ○小川翔平, 長塚直樹, 小倉正平, 福谷克之
Inst. of Ind. Sci., The Univ. of Tokyo ○S. Ogawa, N. Nagatsuka, S. Ogura and K. Fukutani
SrTiO3 (001)は TiO2 層と SrO 層が交互に積層した構造となっており、結晶学的に 2 つの異なる終端面を持つ。化学エッチング処理による TiO2 終端面の制御 1)が確立したことを契機に、TiO2 終端をもつ SrTiO3 に関する研究が詳細に進められてきた。一方で、SrO 終端をもつ表面では，特有の表面電子状態が理論的に予測されているものの 2)、実験的な理解はほとんど進んでいない。本研究では、加熱処理による SrTiO3(001)の終端面制御を行い、光電子分光法
を用いてその表面電子状態を測定した。
先行研究 3)を基に、未処理の SrTiO3(001)を空気中にて電気炉を用
いて加熱処理を行った。1275℃で 72 時間加熱することにより平坦な表面が得られ、SrO 終端>85％の表面が得られたことを、原子間力顕
σ π
微鏡及びオージェ電子分光法により明らかにした。また、HeI 光源を用いた光電子スペクトルを測定したところ、図 1 のように O2p バンドにおいて TiO2 終端の試料との違いが見られた。これは、最表面における配位子場の相違に起因したバンド構造の変化であると考えられる。
参考文献
1) M. Kawasaki et al., Science 266, 1540 (1994).
図 1 異なる終端面に対する光電子ス
2) P. Delugas et al., Phys. Rev. B 91, 115315 (2015).
ペクトル。TiO2 終端のπバンドがよりブ
3) R. Bachelet et al., Appl. Phys. Lett. 95, 141915 (2009).
ロードになっている。

P026
新機能を持った透明導電膜の開発：酸化スズと酸化チタン
Development of transparent conductive thin films with novel functions: SnO2 and TiO2
KAST 1，東大院理 2○中尾祥一郎 1，廣瀬靖 1,2，長谷川哲也 1,2
1
2
1
1,2
1,2
KAST ，The Univ. of Tokyo ○Shoichiro Nakao , Yasushi Hirose , Tetsuya Hasegawa

Transmittance (%)

透明導電性酸化物(transparent conductive oxide, TCO)は可視光透明性と高い電気伝導性を併せ持つ材料である。近年、薄膜(透明導電膜)の形で太陽電池や液晶ディスプレイ等の透明電極として幅広く使われている。我々は従来材料(Sn:In2O3(ITO)や F:SnO2(FTO)など)にない新機能を持つ TCO の開発に取り組んできた。
酸化スズ(SnO2)は古くから知られている TCO であるが、成長制御(シード層)により従来の方法に比べて移動度を 3 倍近く向上させる事に成功 1)している。その結果、従来材料では不可能な赤外透明性(図)を達成しており、赤外光を利用する太陽電池等への応用が期待されている。
100
TTO
酸化チタン(TiO2)系は我々が 2005 年に発見した TCO である。スパッタ
80法による成膜の最適化の結果、殆どの応用に充分な基礎特性(シート抵ITO
抗 30 Ω/□、可視光吸収率 5%)が得られている。本材料は TiO2 の物性を60反映して従来材料に無い特徴を示す。例えば UV オゾン処理によって低
40
ITO
TTO
キャリア表面層を意図的に形成する事が可能である。この特徴を用いてthickness (nm) 200
280
ρ (x10 Ωcm) 2.0
2.8
2)
20
有機薄膜太陽電池の透明電極と電子輸送層を一体化 する事に成功した。
2.8
n (x10 cm ) 8.8µ (cm V s )3881
これらの TCO は従来材料に無い新機能を通じて新たなオプトエレクト
0
400
800
1200
1600
ロニクスの創生につながる可能性を秘めている。
Wavelength (nm)
謝辞：本研究は、JST、CRESTの支援を受けたものである。
謝辞
Fig. Transmittance of typical ITO and
参考文献
high mobility Ta:SnO2 (TTO) films.
1) S. Nakao, et al. : Appl. Phys. Express, 3 (2010) 031102.
2) I. Jeon, S. Nakao, et al. : Adv. Electron. Mater. in press. [DOI: 10.1002/aelm.201500341]
-4

20

-3

2 -1 -1

P027
Experimental Determination of Effective Attenuation Length (EAL)of Photoelectrons in SiO2 Thin Film
Motoyasu IMAMURA
National Metrology Institute of Japan, AISTThe attenuation length (AL) of the photoelectron have been an important problem in the quantitative measurementsof x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Auger electron spectroscopy (AES). For a long time, inelastic mean freepath (IMFP) have been used as the AL in the solid samples under an assumption that the photoelectron signals decrease
following a exponential function when moving in the solid matrix to the surface. That is because IMFPs can be calculate
easily using a predictive formula TPP-2M [1]. Recently, effective attenuation length (EAL) is proposed as a proper
alternative of AL by Jablonski and Powell [2]. Several studies have shown the values of EALs for different film thickness
on the overlayer measurements of some solid samples, however most ofthem are based on the theoretical calculations.
In this study, I determined EALs of the ultrathin silicon oxide layer in a wide energy range of 100–1000 eV usingsynchrotron radiation and discussed the dependence on the thicknesses of the thin film used for the determination of the
EALs.
References[1] S. Tanuma, el al. : Surf. Interface Anal., 17 (1991) 927; ibid., 20 (1991) 927.
[2] A. Jablonski and C. Powell. Surface Science Reports, 47 (2002) 33.

P028S
高移動度 SnO2 エピタキシャル薄膜の合成
Fabrication of high-mobility SnO2 epitaxial thin film
1
2
東大院・理 , KAST
○福本通孝 1, 中尾祥一郎 2, 重松圭 2, 廣瀬靖 1,2, 長谷川哲也 1,2
The Univ. of Tokyo1, KAST2 ○Michitaka Fukumoto1, Shoichiro Nakao2,
Kei Shigematsu2, Yasushi Hirose1,2, Tetsuya Hasegawa1,2【背景】ZnO、In2O3、SnO2 に代表されるワイドギャップ酸化物半導体は太陽電池や液晶ディスプレイなどの透明電極として重要である。このうち ZnO と In2O3 薄膜の高品質化は精力的に行われており、バルク単結晶を超える移動度(H)が報告されている。しかしながら SnO2 ではそのような高品質薄膜の報告は無かった。
【実験】パルスレーザー堆積法により TiO2(001)基板上に SnO2 薄膜を成長させた。キャリア濃度(ne)は Ta 置換によって制御した。
【結果と考察】様々な条件で薄膜成長を試みた結果、基板温度
600 °C、酸素分圧 10 mTorr において、結晶性の良い 001 配向 SnO2
エピタキシャル薄膜が得られた。図に得られた薄膜の輸送特性(室温)と過去の文献値の比較を示す。ne = 11020 cm-3 付近で非常に高いH = 126 cm2V-1s-１が得られた。この値は SnO2 薄膜のH としては過去最高であり、バルク単結晶の値にも肉薄している。本試料のH の温度依存性は負であり、室温付近の主な散乱機構がフォノン散乱である事が分かった。その一方、ne の減少と共にH は単調に減少した。この振る舞いは粒界散乱や転位散乱が低 ne 薄膜のH を制限している事を示唆している。従って、バッファー層等によっ Fig. Hall mobility of SnO2 single crystals(triangles) and epitaxial thin films (circles).
てこれらの散乱を抑制できれば、更なる高H 化が期待出来る。
Open symbols are literature data.
謝辞：本研究は、JST、CREST の支援を受けたものである。

P029
ヘリウムイオン顕微鏡を用いた積層型セラミックコンデンサ断面の
アクティブ電圧コントラストの画像化
Active Voltage Contrast Imaging of Cross-sectional Surface ofMultilayer Ceramic Capacitor using Helium Ion Microscopy
物材機構 1, 太陽誘電株式会社 2 ○酒井 智香子 1, 石田 暢之 1
増田 秀樹 1, 永野 聖子 1, 小形 曜一郎 2, 藤田 大介 1
National Institute for Materials Science (NIMS), Japan1, TAIYO YUDEN CO., LTD., Japan2○Chikako Sakai1, Nobuyuki Ishida1, Hideki Masuda1, Shoko Nagano1, Yoichiro Ogata2, and Daisuke Fujita1
様々なデバイス(リチウムイオン二次電池等)の電位分布計測からデバイス性能向上のための設計指針を得ることができる。これまでに、走査電子顕微鏡やケルビンプローブフォース顕微鏡を用いて半導体等の試料
表面の静電ポテンシャル分布を測定する試みがいくつか報告されている[1, 2]。我々は新しいナノスケール
電位分布計測技術の開発を目的とし、高空間分解能(0.35 nm)を有するヘリウムイオン顕微鏡(HIM)を用いた、
アクティブ電圧コントラストの画像化法による、積層型セラミックコンデンサ(MLCC)の電位分布計測を試みた。市販の MLCC を切断、機械研磨し、断面に現れた内部電極及び電極間（誘電体領域）の電位分布を測定するために、外部電極に電圧印加し HIM 観察を行った。電圧印加を行わなかった場合、二次電子(SE)像に MLCC
断面のニッケル内部電極領域とチタン酸バリウム誘電体領域間の物質コントラストを反映した像を得た。電圧印加を行った場合、接地した内部電極と正にバイアスされた内部電極間の電位差はコントラストに影響を与え、電圧コントラストとして観察された。さらに、誘電体領域では、接地した内部電極から正にバイアスされた内部電極にかけて電極間電位に影響を受けた SE 強度の減衰が観察された。
この研究は主に文部科学省の委託事業「ナノテクノロジーを活用した環境技術開発プログラム」により実施された。
1) B. Kaestner et al., Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2109. 2) K. Suzuki et al., J. Appl. Phys. 113 (2013) 064103.

P030YSPM インデンテーションを用いたナノメートルサイズの硬度評価試験
Harness Test in Nanometer-Scale using SPM indentation○増田秀樹 1，藤田大介 1
物質・材料研究機構 1
1
NIMS○Hideki Masuda1, Daisuke Fujita1
材料硬度試験法は、マイクロメートル・スケールではよく確立されているが、圧子の空間分解能の点から、より小さな構造を直接硬度試験することは困難である。本研究では緻密化した複合材料の機能性発現因子を解析するために、走査型プローブ顕微鏡（SPM）を用いたインデンテーションによるナノ硬度試験を試みた。
球状炭素鋳鉄の棒材（D4-D5 組成相当）を切断・研磨し、マイクロビッカース試験（Shimadzu HMV-G21）
および SPM インデンテーション試験（Bruker multimode8 with ART D300 probe）を行った。この SPM プロー
ブは 15 µN 程度までの力で押しつけ可能である。また、ビッカース圧子に比べ断面形状が円錐で先鋭（開き角 10 度）である。そのため圧子形状と圧痕体積で規格化しビッカース硬度 HV と比較できる硬度を算出した。
球状炭素鋳鉄の Fe-C マトリクス上で行った硬度試験では、HV = 205 および HV(SPM) = 200-250 程度であり、二つの試験の結果は一致した。SPM インデンテーションの圧痕径は 100 nm 程度であり、微小領域の硬度を計測できることを示した。次いで、マトリクス内に析出した球状炭素構造上で硬度試験を実施したところ、球状炭素構造中には HV(SPM) = 200 および 700 という分布があることが示された。後者の値は、良質なグラフ
ァイトというよりは、sp3 結合が多く含まれる硬質な炭素に近く 1)、グラファイトはナノ結晶化していると考えられる。さらにラマン分光により同様の断面を分析すると、球状炭素全体が非常にブロードなピークを示し、これを支持した 2)。このような炭素が鋳鉄中に形成される背景には、溶湯中という高温・陽圧下条件が関連していると考えられる。
参考文献
1) H. Hofsäss, H. Binder, T. Klumpp, E. Recknagel : Diamond Related Mat., 3 (1994) 137.
2) M. S. Dresselhaus, A. Jorio, M. Hofmann, G. Dresselhaus, R. Saito : Nano. Lett. 10 (2010) 751.

P031
電位依存二重共鳴和周波発生分光法による界面電子構造のプローブ
Potential dependent double resonance sum frequency generation spectroscopy to probe electronic structure atelectrochemical interfaces
物質・材料研究機構 ○野口秀典，Shuo Yang，魚崎浩平
NIMS ○Hidenori Noguchi, Shuo Yang, Kohei Uosaki
界面選択性の高い和周波発生（SFG）分光法は、反射赤外吸収分光(IRAS)、表面増強ラマン分光(SERS)等の振動分光法と同様に電気化学の分野でも適用され、界面分子構造の情報を与えてくれる。一方、界面電子構造に関する情報は、電極触媒の性能を決める上でもその重要性が多くの理論計算から指摘されているにも関わらず、乏しいのが現状である。電気化学系では、溶液（主として水）の存在により超高真空系で使用されている光電子をプローブとした手法が適用不可能だからである。溶液中に埋もれた電極界面の電子構造に関する情報を得る手法は非常に限られており、光第二高調波発生分光法[1]や近年当グループで開発した電気
化学その場 XPS 測定装置[2]の適用例が報告されている。
本研究では、電気化学 SFG 分光法を用い、入射する可視光のエネルギーを変えることで、界面分子構造だ
けでなく溶液中の界面電子構造もプローブ可能なシステムを構築し、Pt(111)電極上に吸着した CO 分子へ適用した。入射する可視光のエネルギーおよび電極電位に応じて、SFG 光の増強が観測された。現在のところ観測された SFG 増強は、フェルミ準位から Pt-CO の界面で形成される 5σ の非結合性軌道のエネルギー準位間の共鳴によるものであると考えている。
参考文献
1) Shuo Yang, Hidenori Noguchi, and Kohei Uosaki J. Phys. Chem. C, 119(46), 26056-26063 (2015).

P032S
連続イオンビームを用いた ToF-SIMS によるラットの脳組織における生体分子の分布評価
The Evaluation of Biomolecular Distributions in Rat Brain Tissues
by means of TOF-SIMS Using a Continuous Beam of Ar Clusters
成蹊大・理工 1，2， 3，川崎医科大 4，ヨテボリ大 5，マンチェスター大 6，7，8，○中野秀亮 1，横山有太 2，青柳里果 3，氷見直之 4, John S Fletcher5, Nicholas P Locker6, Alex Henderson7,
John C Vickerman8
微 小 脳 梗 塞 で DNA フ ラ グ メ ン ト で あ る 8-OHdG(8-151hydroxy-20-deoxyguanosine) や 過 酸 化 脂 質
4-hydroxy-2nonenal が検出されることがわかっているが、微小部分であるため分布の検討がほとんどできていない。本研究では ToF-SIMS を用いたこれらの生体分子の分布評価を試みたまた、虚血状態となった脳内
血管周辺の特徴的な生体分子の分布の計測を試み、正常な脳の測定結果と比較した。マイクロ粒子を脳の血管に注入し虚血状態を生じさせた ラットの脳切片試料（MS Rat）を連続イオンビーム（Ar1000+)を一次イオン源とする ToF-SIMS (J105, Ionoptika, UK)を用いて測定したデータを解析した。TOF-SIMS データは主成分分析で解析し、注目部位に由来する物質の検出を試みた。Ar クラスター連続イオンビームを用いた ToF-SIMSによる MS Rat 試料を測定した結果について、主成分分析をおこなったところ、MS Rat データの主成分の中に、虚血部分と一致する部分の特徴を表す成分が得られた（PC2 と 4)。そこで、負荷量から PC2 と４に寄与が高い二次イオンについて調べたところ、標的物質である DNA フラグメントや過酸化脂質に関連するフラグ
メントイオンの存在が示唆された。また、DNA フラグメントに由来する二次イオン（m/z 169.11 と m/z 312.45）に関しては、主成分得点イメージと同様に、MS Rat 試料の虚血部分に強い分布を示すことが確認できた。 このように、一次イオン源に Ar クラスターを用いた TOF-SIMS は微小脳虚血部分において特徴的な二次イオンが検出することができ、分布が明確に示され、主成分分析は、スペクトルを解釈するのに有用であった。

P033S
エクソソームの基板吸着様態を利用した物理的特徴の抽出
Extraction of morphological features of exosomes adsorbed on substrates
横国大院工 1, がん研 2, 東京工科大 3, 東北大院医工 41○伊藤 和希 , 小川 裕太 1, 横田 圭司 1, 松村 幸子 2, 南澤 宝美后 2, 菅 加奈子 2, 芝 清隆 2,
木村 康男 3, 平野 愛弓 4, 荻野 俊郎 1
Yokohama National Univ.1, Cancer Inst.2, Tokyo Univ. Technol.3, Tohoku Univ.4○Kazuki Ito , Yuta Ogawa1, Keiji Yokota1, Sachiko Matsumura2, Tamiko Minamisawa2, Kanako Suga2, Kiyotaka Shiba2,
Yasuo Kimura3, Ayumi Hirano-Iwata4, Toshio Ogino1
1

エクソソームは細胞間情報伝達を担う細胞外小胞として知られ、がん細胞を含むあらゆる細胞から放出され体液中を漂っているため、非侵襲採取可能なバイオマーカーとして注目されている 1)。エクソソームがどの細胞から放出されたものなのかを特定する技術確立に向け、これまで抗原抗体反応といった化学的手法によるアプローチが試みられてきた 2）。その一方でより安価かつ短時間で行える物理的特徴による放出元細胞
特定法が注目を集めている。しかしながらエクソソームのナノスケールという特性上、観察手法が限られてしまい、特徴量として「大きさ」1 変数しか抽出できていないのが現状である 3)。我々は 3 種類のがん由来細胞由来のエクソソームを SiO2/Si 基板に吸着させ液中・大気中でそれぞれ原子間力顕微鏡(AFM)を用いて観察することにより、吸着タイプ（図 1）や直径分布、内包物量、膜強度といった、より明確に放出元細胞を特定するために有用となる複数の特徴量抽出を行ったので報告する。
参考文献
1) A.V. Vlassov et al., Biochim. Biophys. Acta 1820 (2012) 940-948.
2) Y. Yoshioka et al., Nat. Commun. 5 (2014) 3591.
図13) Shivani Sharma et al., Langmuir 27 (2011) 14394-14400.

3 タイプに分類できるエクソソームの基板吸着様態

P034
全反射高速陽電子回折(TRHEPD)による rutile-TiO2 (110) (1×2)表面構造の決定
Determination of rutile-TiO2 (110) (1×2) surface structure by total-reflection high-energy positron
diffraction (TRHEPD)
高エネ機構物構研，北大触媒研A，原子力機構先端基礎B
望月出海, 有賀寛子A, 深谷有喜B, 和田健, 一宮彪彦, 朝倉清高A, ○兵頭俊夫

Rutile-TiO2 (110)表面は、超高真空下のアニーリングによって(1×2)周期構造が現れることが知られているがその詳細な原子配置は 30 年来の研究にもかかわらず決着していなかった 1)。そこで本研究は、最表面および近表面の構造解析にとりわけ威力を発揮する「全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法」を用いて、rutile-TiO2 (110)(1×2)表面の構造決定を試みた。
実験は、KEK-低速陽電子実験施設(SPF)にて行った。ここでは清浄な(1×2)表面からのTRHEPD回折パター
ンを視射角を変化(0~6º)させながら撮影し、00スポット強度の視射角依存性を抽出してロッキング曲線を得た。
さらに過去に提案されている様々な構造モデルから出発して原子配置の微調整を繰り返し、ロッキング曲線の再現計算を行うことで、実験結果を正しく説明できるモデルを探索した。
最近発表されたWangら2)のモデルは、大西・岩澤らが提案したTi2O3モデル3)において最表面のTi-O結合を対称に配置する縛りを排除し、原子配置を最適化させたモデルである。我々もTi2O3モデルの非対称性を許容して原子配置を調整したところ、実験結果を最も良く再現できる配置が得られた4)。また対称性を保存した最適構造と非対称性を許容した最適構造のエネルギーをDFT計算で確かめたところ、明らかに後者が安定であった。従って、Wangらの理論計算結果と我々の構造解析の結果から、非対称Ti2O3モデルこそが、rutile-TiO2 (110)(1×2)構造を正しく説明しているという結論に至った。
1)
2)
3)
4)

U. Diebold, Surf. Sci. Rep. 48 (2003) 53
Q. Wang et al., Phys. Rev. Lett. 113 (2014) 266101
H. Ohnishi and Y. Iwasawa, Surf. Sci. 313 (1994) L783
I. Mochizuki et al., Phys. Chem. Chem. Phys. 18 (2016) 7085