シリーズ判決紹介
− 平成
− 29
平成年度第
24 年度第4 四半期
3 四半期の判決について（ 1 月〜3 月 ）の判決から
− −

事例①

0.004％を含有し，残部が Fe 及び不可避的不純物か

平成 29 年（ 行ケ ）第 10042 号（ 熱間プレス部材 ）らなる成分組成を有する鋼板の表面に亜鉛− 12％（ 無効 2013-800226，特許第 5348431 号 ）ニッケルめっきを 50g/m2 施しためっき鋼板を，大気平成 30 年 3 月 12 日判決言渡，

炉で 850℃，3 分間加熱した後，熱間プレスを行っ

知的財産高等裁判所第 4 部

た，酸化皮膜が形成され，塗膜密着性と塗装後耐食性を有する熱間プレス成形品。」（ 以下，「 引用発明 」という。）が記載されていると認められる。

審決概要（ 表現ぶりを判決に合わせた箇所がある。）
1

3

本件発明 1（ 請求項 1 ）対比「 質 量 ％ で，C：0.15〜0.5％，Si：0.05〜2.0％，

一致点

Mn：0.5〜3％，P：0.1％ 以 下，S：0.05％ 以 下，

「 質量％で，C：0.2％，Si：0.3％，Mn：1.3％，P：

Al：0.1％以下，N：0.01％以下を含有し， 残部が0.01％，S：0.002％，Al：0.05％，N：0.004％，Fe

Fe および不可避的不純物からなる成分組成を有す

及び不可避的不純物を含有する成分組成を有する部

る部材を構成する鋼板の表層に，Ni 拡散領域が存材を構成する鋼板の表層に ZnO 層を有し，塗装密着在し，前記 Ni 拡散領域上に，順に，Zn − Ni 合金の性と塗装後耐食性を有する熱間プレス部材。」

平衡状態図に存在するγ相に相当する金属間化合物

相違点（ 1 ）層，および ZnO 層を有し，かつ 25℃± 5℃の空気飽

部 材 を 構 成 する 鋼 板 が， 引 用 発 明 では「 Ti：

和した 0.5MNaCl 水溶液中で示す自然浸漬電位が標

0.02％を含有 」するのに対し，本件発明 1 では，Ti

準水素電極基準で -600〜-360mV であり，優れた塗を含有しない点。

装密着性と塗装後耐食性を有するとともに，腐食に相違点（ 2 ）本件発明 1 では，「 部材を構成する鋼板の表層に，伴う鋼中への水素侵入が抑制されることを特徴とす

Ni 拡散領域が存在し，前記 Ni 拡散領域上に，順に，る熱間プレス部材。」

Zn − Ni 合金の平衡状態図に存在するγ相に相当す
引用発明る 金 属 間 化 合 物 層， および ZnO 層 を 有 し， かつ

上記記載事項……および鋼には何らかの不可避的

25℃± 5℃の空気飽和した 0.5MNaCl 水溶液中で示

不純物が含有されるとの技術常識によれば，引用例

す 自 然 浸 漬 電 位 が 標 準 水 素 電 極 基 準 で -600〜

1 には，表 1 における鋼種 A（ mass％で，C：0.2％，-360mV である 」のに対し，引用発明では，それがSi：0.3％，Mn：1.3％，P：0.01％，S：0.002％，

明らかではない点。

Al：0.05％，Ti：0.02％，N：0.004％， 残 部 Fe 及

相違点（ 3 ）2

び不可避的不純物からなる成分組成を有する ）の鋼本件発明 1 では，「 優れた塗装密着性と塗装後耐食板表面に，亜鉛− 12％ニッケル電気めっき（ 表 5 に性を有するとともに，腐食に伴う鋼中への水素侵入

おける No.2 ）を 50g/m 施すこと，そして，該めっきが抑制される 」のに対し，引用発明では，「 塗装密着鋼 板 は， 熱 間 プ レ ス 成 形 に 先 立 ち， 大 気 炉 で性と塗装後耐食性を有する 」ものの，「 腐食に伴う鋼

850℃，3 分間加熱されること，……これらにより，中への水素侵入が抑制される 」ことについては明らすぐれた塗膜密着性および塗装後耐食性を示すプレかではない点。

2

ス成形品が得られることが記載されている。
4 相違点の判断（ 相違点（1）と（ 3 ）については省略 ）よって，引用例 1 には，「 mass％で，C：0.2％，Si：0.3％，Mn：1.3％，P：

相違点（ 2 ）について
甲 2 は， 引 用 発 明 に 係 る Zn − 12％Ni 合 金 電 気

0.01％，S：0.002％，Al：0.05％，Ti：0.02％，N：

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（ 2 ）相違点（ 1 ）について（ 省略 ）3582504 号の明細書（ 引用例 1 ）の【 0050 】，【 0064 】に記載される鋼種 A の化学成分を狙い値として製造（ 3 ）相違点（ 2 ）についてされた鋼種（ 甲 2 鋼種 A ）に対し，引用例 1……に記

ア 引用例 1 の記載

載される方法に準じて実験を行うとともに，本件特……引用例 1 には，引用発明が相違点（ 2 ）に係る許の請求項 1，4 及び 5 に記載の鋼板表面の皮膜状構成，すなわち，引用発明の鋼板表面の皮膜状態の態に関する項目の調査を行った調査報告書であり，構造が，Ni 拡散領域上に，順にγ相に相当する金また，同報告書には甲 2 鋼種 A に近い成分に Cr，B

属間化合物層及び ZnO 層を有しており，かつ，25℃を加えて製造した鋼種 X についても同様の実験が行± 5℃の空気飽和した 0.5MNaCl 水溶液中で示す自われている。 ……

然浸漬電位が標準水素電極基準で -600〜-360mV でそして，同報告書によれば，……甲 2 の再現実験あることを示す記載はなく，このことを示唆する記に相当するもの（ A1-A4,B1，B11 及び B12 ），及び載もない。

そこから鋼板の鋼種，めっき中の Ni 含有量等の条イ 技術常識件を変更した合計 16 の試料において，本件請求項……本件優先日以前に頒布された刊行物……に

1，4 及び 5 に記載される発明特定事項を備えること

は，Zn − Ni めっき鋼板の熱間プレス部材の表面構（「 Ni 拡散領域の存在 」すること，「 前記 Ni 拡散領域

造に関する記載はない。したがって，これらの記載

上に，順にγ相に相当する金属間化合物層，およびから，熱間プレス部材である引用発明の鋼板表面のZnO 層 を 有 し， か つ 25℃ ± 5℃ の 空 気 飽 和 し た

皮膜状態の構造が，Ni 拡散領域上に，順にγ相に0.5MNaCl 水溶液中で示す自然浸漬電位が標準水素相当する金属間化合物層及び ZnO 層を有しており，電極基準で -600〜-360mV であるを満たすこと 」）が25℃± 5℃の空気飽和した 0.5MNaCl 水溶液中で示確認される。

す 自 然 浸 漬 電 位 が 標 準 水 素 電 極 基 準 で -600〜

また，これらの結果から，下地鋼板の成分組成の-360mV であることが技術常識であったと認めるこ

若干の相違（ 甲 2 鋼種 A と鋼種 X 程度の相違 ）が，とはできない。また，本件特許の優先日時点の当業

熱間プレス後の鋼板表面の構成に影響していないこ

者において，技術常識に基づき，引用発明の鋼板表とがわかる。

面の皮膜状態の構造が，Ni 拡散領域上に，順にγ

そうすると，この点は実質的な相違点とはいえない。

相に相当する金属間化合物層及び ZnO 層を有しており，かつ，25℃± 5℃の空気飽和した 0.5MNaCl

5

まとめ水溶液中で示す自然浸漬電位が標準水素電極基準でよって，本件発明 1 は，引用発明……に基いて，-600〜-360mV であることを認識することができたも当業者が容易に発明をすることができたものである。

のとも認められない。
ウ よって，相違点（ 2 ）は実質的な相違点ではない

取消事由とはいえないし，相違点（ 2 ）につき，引用発明及び取消事由 1：本件発明 1 の進歩性判断に係る判断の技術常識に基づいて当業者が容易に想到できたもの

誤り（ 理由あり ）ということもできない。

（ 取消事由 2 と 3 は省略 ）エ 原告の主張について
原告は，Zn − Ni めっき鋼板に熱間プレスを施した場合，Ni 拡散領域，γ相，ZnO 層が，下から上

判示事項（ 下線は筆者による。以下同様。）にこの順番で形成され，そのような表面構造を有す

3

取消事由 1（ 本件発明 1 の進歩性に係る判断の誤るめっき部材が本件発明 1 の自然浸漬電位を有するり ）についてことは，当業者の技術常識に基づいて容易に予測さ（ 1 ）本件発明 1 と引用発明との一致点及び相違点がれるものであり，甲 2 による引用発明の再現実験に

前記……のとおりであることは，当事者間に争いがより，確かにこの表面構造が生成することが確認さない。

れている旨主張する。

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事例①

めっ き 鋼 板 につき， その 再 現 実 験 として， 特 許事例①

しかし，前記アにおいて認定したことに照らすと，

験の結果は，優先日時点の当業者において，引用発当業者が，本件特許の優先日時点において，引用発明が当該皮膜状態の構造等を備えることを認識する

明の鋼板表面の皮膜状態の構造が，Ni 拡散領域上ことができたことを裏付けるものでない旨を判示しに，順にγ相に相当する金属間化合物層及び ZnOたものと解される。

層を有しており，かつ，25℃± 5℃の空気飽和した
0.5MNaCl 水溶液中で示す自然浸漬電位が標準水素3電極基準で -600〜-360mV であることを引用発明がは，「 刊行物に記載された発明 」とは，刊行物に記載

本来有する特性として把握していたと認めることはされている事項，及び当該事項から本願の出願時にできない。

おける技術常識を参酌することにより当業者が導きまた，甲 2 は，……原告従業員作成の実験結果の審査基準（ 第 III 部第 2 章第 3 節

3.1.1（ 1 ）a ）に出せる事項から把握される発明をいう旨が記載さ報告書である……。

れ， ま た， 審 査 ハ ン ド ブ ッ ク（ 第 III 部 第 2 章

しかし，甲 2 の記載は，あくまで，原告が本件各3218 ）によれば，再現実験により確認された「 刊行

発明を認識した上で本件特許の優先日後に行った実物に記載された発明 」に内在する物性等も含めて，験の結果を示すものであり，本件特許の優先日時点

発明の同一性（ 新規性 ）を検討できるとされており，において，当業者が，引用発明の鋼板表面の皮膜状

これは，多くの裁判例でも支持されているところで態の構造が上記のとおりであることを認識できたこある。

とを裏付けるものとはいえない。

審決の相違点（ 2 ）に関する判断は，新規性の判断における上記の手法を，進歩性の判断において適用（ 4 ）相違点（ 3 ）について（ 省略 ）したものといえる。

（ 5 ）小括4

しかし，進歩性の判断における，主引用発明に以上によれば，当業者が，引用発明に基づいて，内在する物性等についての再現実験の採否に関して相違点（ 1 ）ないし（ 3 ）に係る本件発明 1 の構成を容は，審査基準や審査ハンドブックに記載されておら易に想到できるということはできないから，本件審ず，これについての裁判例も少ない。

決の前記判断には誤りがあり，その誤りは本件審決参考となる裁判例として，進歩性の判断において，の結論に影響を及ぼすものである。よって，取消事

再現実験により確認される属性を含めた「 広義の刊

由 1 は理由がある。

行物記載発明 」を肯定した次のものが挙げられる。
（ 平成 25 年（ 行ケ ）第 10324 号判決の抜粋 ）「 審決は，甲 1 発明の試料 No.35 から相違点 1 は容易

所 感
本件は，審決が，進歩性の判断において，再現想到であるとし，その上で，相違点 2 は同試料の再実験の結果に基づいて引用発明が備える皮膜状態の

現実験の結果，その結晶構造が甲 4 報告書に示され構造等を認定し，相違点（ 2 ）は実質的な相違点ではていることから，相違点 2 も甲 1 公報に明示的に示ないとしたのに対し，判決は，本件特許の優先日時されている場合と同視できるか，あるいは甲 1 公報

点の当業者の認識を裏付けるものとはいえないとしから容易に想到し得る構成であることを前提として，再現実験の結果を採用しなかった事例である。

て，選択発明としての進歩性の検討に移っているも1のと解される。
判決は，進歩性の判断において，引用発明が，しかしながら，選択発明としての進歩性を判断す

相違点（ 2 ）に係る本件発明 1 の鋼板表面の皮膜状態

る前にまず検討すべきことは，甲 4 報告書や甲 35 報の構造等を備えるというためには，本件特許の優先

告書の実験の結果により，甲 1 発明に加えて，甲 4日時点の当業者において，技術常識に基づいて，引報告書や甲 35 報告書に記載された結晶構造等の属用発明が当該皮膜状態の構造等を備えることを認識

性も，甲 1 公報に「 記載された発明 」（ 特許法 29 条 1

することができたことが必要であって，本件発明 1

項 3 号 ）となると解してよいのか，また，このようなを認識した上で本件特許の優先日後に行った再現実

理解を前提として，相違点に係る構成も容易に想到

2

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前記 PN 接合ダイオードのアノードを前記ショッ……当業者の技術常識を参酌しても，その特定の構トキーバリアダイオードのアノードに接続する第 1成（ 結晶構造等の属性 ）まで明らかではない場合にのワイヤ（ 31 ）と，おいても，当業者が甲 1 公報記載の実施例を再現実

前記ショットキーバリアダイオードの前記アノー

験して当該物質を作製すれば，その特定の構成（ 結ドを前記出力線に接続する第 2 のワイヤ（ 32 ）とを晶構造等の属性 ）を確認し得るときには，当該物質含み，のその特定の構成については，当業者は，いつでも前記第 1 のワイヤと前記第 2 のワイヤとが連続的

この刊行物記載の実施例と，その再現実験により容に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのな易にこれを知り得るのであるから，このような場合

す角度が鈍角である，半導体デバイス。

は，刊行物の記載と，当該実施例の再現実験により確認される当該属性も含めて，同号の「 刊行物に記載された発明 」と評価し得るものと解される（ 以下，
これを「 広義の刊行物記載発明 」という。）。」
5

再現実験により確認された物性等が当業者であれば通常測定するものであるか等の事例ごとの条件によって，再現実験の採否が異なる可能性も想定され，今後の判決の動向を注視する必要がある。
進歩性の判断における主引用発明に内在する物性等は，本件特許の優先日時点において当業者が技術常識に基づいて認識できる事項に限られる旨が判示【図 1】

された一例として，本判決を紹介する次第である。

事例②
平成 29 年（ 行ケ ）第 10062 号（ 半導体デバイス ）（ 異議 2016-700433，特許第 5818959 号 ）平成 30 年 3 月 26 日判決言渡，
知的財産高等裁判所第 4 部
異議決定概要（ 下線は筆者。以下同様。一部，筆者による表記の補足や変更がある。）【図 2】1

本件発明 1（ 訂正後の請求項 1 に係る発明。括弧書きの参照番

2

号は筆者による。）（ 1 ）引用例の記載（ 甲 1：特開 2010-27814 号公報 ）引用発明等の認定「 図 2 は，図 1 に示す電力用半導体装置においてSiC を主とする半導体材料で作成され，PN 接合

回路基板上にトランスファーモールド樹脂がある状

ダイオード（ 11a ）を含む SiCMOSFET（ 11 ）と，
前記 SiCMOSFET に並列に接続され， 前記 PN

態での A － A 断面の模式図である。……配線パター

接合ダイオードよりも動作電圧が低く，2 つの端子

ン 上 には， 電 力 用 半 導 体 素 子 である，IGBT4 とを有するショットキーバリアダイオード（ 21 ）と，

IGBT4 に逆並列に接続されたダイオード 5 とが搭載され，配線パターンとはんだ 6 等により電気的に接前記 SiCMOSFET および前記ショットキーバリ

続されている。また，IGBT4 とダイオード 5 との上アダイオードに接続された出力線（ 18 ）と，

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事例① ②

し得る構成となると解してよいのかの点である。

事例②面電極は，配線手段であるワイヤーボンド 7 により，

IGBT とダイオードのうち IGBT を MOSFET に置き対応する配線パターンと電気的に接続されている。」

換えたものやダイオードをショットキーダイオード（【 0013 】）に 置 き 換 え た も の を 含 む（ そ し て，IGBT を「 具体的には，主回路である IGBT4 のコレクタ電

MOSFET に置き換えた場合に，ダイオードが接続極とダイオード 5 のアノード電極とに電気的に接続されていないものを含む ）ものと解され，してみるされた第 1 の配線パターン 3a には，第 1 の筒状外部と，IGBT とダイオードの双方を MOSFET とショッ

端子連通部 8a が接合され，主回路である IGBT4 のトキーダイオードに置き換えたものも含むものであ

エミッタ電極とダイオード 5 のカソード電極とに電る（ 前記記載は実施形態を拡張することを意図する

気的に接続された第 2 の配線パターン 3b には，第 2ものであるから双方を置き換えたものを排除する理の筒状外部端子連通部 8b が接続され 」（【 0014 】）

由はない。）から，MOSFET とショットキーダイ「 本 実 施 の 形 態 で は， 電 力 用 半 導 体 素 子 に，オードを用いるものが記載されているに等しい。

IGBT4 とダイオード 5 が用いられているが，電力用

イ すると，前記アより，甲第 1 号証には次の発明

半導体素子は，これに限定されるものではなく，例（ 以下，「 甲 1 発明 」という。）が記載されていると認

えば，MOSFET やショットキーダイオードでもよめられる。

く，また MOSFET の場合は，ダイオードが逆並列「 SiC を 半 導 体 材 料 と す る SiCMOSFET と，に接続されていなくても良い。また，電力用半導体

SiCMOSFET に並列に接続された 2 つの電極を有す素子の材料としては，一般的なシリコンのほかに，る SiC ショットキーダイオードと，SiCMOSFET お

炭化珪素（ SiC ）等のワイドバンドギャップ半導体でよび SiC ショットキーダイオードに接続された第 2も良い。」（【 0032 】）の配線パターンと，SiCMOSFET の一の電極と SiC
ショットキーダイオードの一方の電極と第 2 の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドと，SiCMOSFETの一の電極と SiC ショットキーダイオードの一方の電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，SiC ショッ
トキーダイオードの一方の電極と第 2 の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度が平面視において鈍角である，電力用半導体装置。」【図 1】（ 3 ）甲 3 周知技術
次の技術事項は周知技術（ 以下，「 甲 3 周知技術 」という。）と認められる。
「 パワーMOSFET において，ソース電極とゲート電極を上面に設けること。」（ 4 ）甲 4 発明
甲 4 には次の発明（ 以下，「 甲 4 発明 」という。）が【図 2】

記載されていると認められる。
「 SiCMOSFET と SiC ショットキーバリアダイ（ 2 ）引用発明（ 甲 1 発明 ）オードを並列に接続して還流ダイオードとして使用

ア 甲第 1 号証には……（【 0032 】）と記載されておする場合に，SiCMOSFET のソースと SiC ショット

り，IGBT と MOSFET とがスイッチングを行う三端

キーバリアダイオードのアノードを接続すること。」

子素子である点で共通していること，及びダイオー
ドとショットキーダイオードが二端子素子である点（ 5 ）技術常識 1（ 甲 4 及び 6 に基づいて認定 ）次の技術事項は技術常識（ 以下，「 技術常識 1 」とで共通していること， に鑑みれば， 前記記載は，

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術で示されるように周知であるから，前記示唆を考「 SiCMOSFET は PN 接合ダイオードを寄生ダイ

慮して MOSFET のソース電極と SiC ショットキー

オードとして含み，SiCMOSFET のソース電極側がダイオードの一方の電極と第 2 の配線パターンとを

寄生ダイオードのアノードとなること。」

繋ぐことは当業者が容易になしうることである。
すると，技術常識 1 により MOSFET のソース電

3極側が寄生ダイオードのアノードとなり， また，対比（ 本件発明 1。本件発明 3 については省略。）

MOSFET とショットキーバリアダイオードを並列に（ 一致点 ）「 SiC を主とする半導体材料で作成され，PN 接合

接続して還流を流す際に，MOSFET のソースとダイオードを含む SiCMOSFET と，

ショットキーバリアダイオードのアノードを接続す

前記 SiCMOSFET に並列に接続され， 前記 PNることは， 甲 4 発 明 に 示 されており， 甲 1 発 明 の接合ダイオードよりも動作電圧が低く，2 つの端子

SiCMOSFET と SiC ショットキーダイオードも並列を有するショットキーバリアダイオードと，に 接 続 し て 還 流 を 流 す も の で あ る か ら，
SiCMOSFET のソース電極と SiC ショットキーダイ

前記 SiCMOSFET および前記ショットキーバリ

オードのアノードを接続することは，当業者が容易

アダイオードに接続された出力線と，になしうることである。

前記 PN 接合ダイオードの一の電極を前記ショッ

してみれば，「 PN 接合ダイオードのアノードを前

トキーバリアダイオードの一方の電極に接続する第記ショットキーバリアダイオードのアノードに接続 」

1 のワイヤと，
前記ショットキーバリアダイオードの前記一方のし，「 前記ショットキーバリアダイオードのアノード電極を前記出力線に接続する第 2 のワイヤとを含み，を出力線に接続 」することは，容易に導出される。

前記第 1 のワイヤと前記第 2 のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのな取消事由

す角度が鈍角である，半導体デバイス。」

1 本件発明1の容易想到性の判断の誤り（ 理由あり）（ 相違点 1 ）

2 （ 省略 ）本件特許発明 1 においては「 前記 PN 接合ダイオー
ドの一の電極 」がアノードであり，かつ「 前記ショッ判示事項

トキーバリアダイオードの一方の電極 」がアノード第4であるのに対し，甲 1 発明においては「 前記 PN 接合

1ダイオードの一の電極 」及び「 前記ショットキーバ……

リアダイオードの一方の電極 」がアノードかカソー

2

ドか不明である点。

当裁判所の判断

本件発明について
取消事由 1（ 本件発明 1 の容易想到性の判断の誤り ）について（ 1 ）引用発明の認定の誤りについて4

相違点 1 についての判断

ア 引用例の記載

甲 1 発明において SiCMOSFET を用いて電力用半……

導体装置を構成する際に主回路である

イ 引用発明の認定について

SiCMOSFET のソース電極と，ドレイン電極のうち（ ア ）引用例【 0032 】……の記載から，……引用発明

どちらかと，SiC ショットキーダイオードの一方のにおいて，MOSFET とダイオードとが逆並列に接電極と第 2 の配線パターンとをワイヤーボンドで繋続されている構成も許容されると解される。……

がなければならないところ，制御回路ともワイヤー（ イ ）もっとも，引用例には，IGBT4 とダイオード 5

ボンドで繋ぐ甲 1 の図 1 に開示された結線状態からとの組合せに換えて，SiCMOSFET とショットキー

見て，SiCMOSFET の制御電極であるゲート電極

バリアダイオードとの組合せとする際に，IGBT のと同じ面にある電極をワイヤーボンドで繋ぐことがどの電極と SiCMOSFET のどの電極とを対応付け，

示唆されている。すると，MOSFET においてゲート

ダイオードのどの電極とショットキーバリアダイ

電極とソース電極を上面に設けることは甲 3 周知技

オードのどの電極とを対応付けて置換するかについ2018.9.25. no.290

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事例②いう。）と認められる。

事例②ては明記されていない。

電極と SiC ショットキーダイオードの一方の電極がしかし，引用例における IGBT4 及びダイオード 5

いずれも不明であるとした本件決定の認定には，誤の組合せは，「 IGBT4 のコレクタ電極とダイオード 5

りがあるというべきである。

のアノード電極とに電気的に接続された第 1 の配線
パターン 3a 」が IGBT4 とダイオード 5 の下面にあウ 被告の主張についてり，「 IGBT4 のエミッタ電極とダイオード 5 のカソー

被告は，……【 0014 】……の記載について，一般

ド電極とに電気的に接続された第 2 の配線パターンに IGBT のゲート電極とエミッタ電極は上面に配置

3b 」が，IGBT4 とダイオード 5 の上面をつなぐワイ

されることから，IGBT4 のエミッタ電極を上面電極

ヤー ボンド 7 と 接 続 していることから（【 0013 】，とすることは正しいと考えられる一方，「 ダイオード【 0014 】，図 1，2 ），IGBT の上面に配置される電極

5 のカソード電極 」の「 カソード電極 」は「 アノードがゲート電極とエミッタ電極で，下面に配置される

電極 」の誤記と考えられ，「 カソード電極 」と認定す電極がコレクタ電極であり，上面に配置されるダイることはできず，IGBT4 とダイオード 5 を置き換え

オードの電極がカソード電極で，下面に配置される

た SiCMOSFET とショットキーダイオードの電極の電極がアノード電極であると認められる。

極性は，引用例の記載から特定できない旨主張する。

また， ……エミッタ電極からコレクタ電極に向しかし， ……甲 29……甲 32……の記載にも照らかって電流が流れる IGBT は，p チャネル型の IGBT

すなら，IGBT には，コレクタ電極からエミッタ電であるから， 引用例の IGBT4 は，p チャネル型の極に電流が流れる n チャネル型だけではなく，エミッ

IGBT であると解される。……

タ電極からコレクタ電極に電流が流れる p チャネル……そして，IGBT4 とダイオード 5 との組合せを，型 も 存 在 す る こ と が 認 め ら れ る。 そ う す る と，

SiCMOSFET とショットキーバリアダイオードとのIGBT4 のコレクタ電極とダイオード 5 のアノード電

組合せに置き換える場合に，動作を異ならせる理由

極が接続され IGBT4 のエミッタ電極とダイオード 5はないから，IGBT4 については，上面にゲート電極のカソード電極が接続される構成も存在する以上，とソース電極が配置され，下面にドレイン電極が配「 ダイオード 5 のカソード電極 」（【 0014 】）の「 カソー置される p チャネル型の SiCMOSFET で置き換え，

ド電極 」を「 アノード電極 」の誤記と解することはでダイオード 5 については，上面にカソード電極が配きず，他に誤記と解すべき根拠はない。……

置され，下面にアノード電極が配置されるショット
キーバリアダイオードで置き換えるようにすると考（ 2 ）本件発明 1 と引用発明 A との一致点及び相違点

えられる。

について

……このような置換えが行われる場合，第 1 のワ

本件発明 1 と前記認定の引用発明 A とを対比する

イヤが接続される pn 接合ダイオードの一の電極及びと，本件決定の認定した，本件発明 1 と引用発明とショットキーバリアダイオードの一方の電極はいずの一致点（ 前記第 2 の 3（ 2 ）イ ）と同様の点においてれもカソード電極となると解される。

一致するとともに，以下の点において，相違する。

（ ウ ） 以 上 に よ れ ば， 引 用 例 に は，
「 ……

本件発明 1 においては，「 前記 PN 接合ダイオード

SiCMOSFET のソース電極と SiC ショットキーダイの一の電極 」がアノードであり，かつ「 前記ショッ

オードのカソード電極と第 2 の配線パターンとを繋トキーバリアダイオードの一方の電極 」がアノード

くワイヤーボンドとを含み，SiCMOSFET のソースであるのに対し， 引用発明 A においては「 前記 PN

電極と SiC ショットキーダイオードのカソード電極

接合ダイオードの一の電極 」及び「 前記ショットキー

とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，SiC ショット

バリアダイオードの一方の電極 」がカソードである

キーダイオードのカソード電極と第 2 の配線パター点（ 相違点 1 ’）。

ンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度が平面視において鈍角である，電力用半導体装置。」との（ 3 ）本件発明 1 の容易想到性について

発明（ 以下「 引用発明 A 」という。）が記載されていア 容易想到性の判断るものと認められる。よって，SiCMOSFET の一の（ ア ）引用発明 A では，第 1 のワイヤが接続される pn

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ド 5 とが並列接続された回路が示されているところ，

ダイオードの一方の電極は，いずれもカソード電極

両 者 の 接 続 関 係 についての 記 載 が 存 在 しているとなる。

（【 0014 】）。また，当該回路中の IGBT とダイオー

そして，引用例には，IGBT4 とダイオード 5 とのドに関して，「 電力用半導体素子は……MOSFET や組合せを，SiCMOSFET とショットキーバリアダイ

ショットキーダイオードでもよく 」との記載があり，オードとの組合せに置き換える場合，置換えの前後

さらに，「 電力用半導体素子の材料としては，一般的で動作を異ならせる旨の記載や示唆はない。

なシリコンのほかに，炭化珪素（ SiC ）等のワイドバ

また，引用発明 A は，……「 ……主回路に接続さンドギャ ッ プ 半 導 体 でも 良 い 」との 記 載 もある

れる主端子に大電流を流すことのできる外部配線を（【 0032 】）。

接続しても，外部配線の接続により主端子部に発生

ところが，引用例には，上記「 実施の形態 1 」に関する不良を低減でき，歩留まりが高く生産性に優れ

し，IGBT4 が n チャネル型，p チャネル型のいずれるとともに，信頼性の高い電力用半導体装置を提供であるのかは，明記されていない。そして，上記のすること 」を目的とする発明であって（【 0007 】，

接続関係についての記載は，p チャネル型の IGBT

【 0008 】）， こ の 目 的 を 達 成 す る こ と と，を想定した場合は矛盾なく理解できるが，n チャネ

SiCMOSFET の型や並列接続するショットキーバリ

ル型の IGBT を想定した場合は， 矛盾するものとアダイオードの接続方向を変更することは，無関係なっている。さらに，「 実施の形態 4 」には，n チャネ

である。

ル型の IGBT が示されている。

したがって，当業者が，引用発明 A において，上記目的を達成するために，「 前記 PN 接合ダイオード

3の一の電極 」及び「 前記ショットキーバリアダイオー

用発明の認定を，上記「 実施の形態 1 」の回路におドの一方の電極 」をカソード電極からアノード電極

ける IGBT4 を SiCMOSFET で置き換えるともに，に変更する動機付けがあるとはいえないから，相違

ダイオード 5 を SiC ショットキーダイオードで置き

点 1 ’に係る本件発明 1 の構成を当事者が容易に想換えたものに基づいて行い，その際，上記「 実施の到できたものであるとは認められない。

形態 4 」や，IGBT は n チャネル型のものが一般的で（ イ ）……引用例に接した当業者が，引用発明 A にあることを考慮すると，上記「 実施の形態 1 」の接続

本件発明の作用効果が期待されることを予想できた関係についての記載が誤記である可能性が高いと考とはいえない。

えられるが，誤記と断定するまでには至らないとの（ ウ ）以上によれば，本件発明 1 を当業者が容易に認識に立って，回路の電極の種類を特定しないもの想到できたとは認められない。

とした（ 誤記と断定した場合，本件発明 1 との相違

そこで，審判合議体は，異議の決定における引点 は 存 在 しなくなる。）。 認 定 した 引 用 発 明 に，
「 SiCMOSFET の一の電極と SiC ショットキーダイ

所 感
1 本件は，本件発明 1 の容易想到性の判断に誤りがオードの一方の電極とを繋ぐワイヤーボンドの部あるとして，異議の決定が取り消された事例である。

分 」のような，電極の種類を特定しない表記が存在するのは，そのような事情による。

本件発明 1 は，SiCMOSFET（ PN 接合ダイオー

そして，異議の決定における本件発明 1 の容易想ドを内部に含む。）とショットキーバリアダイオード

到性の判断は，本件発明 1 と，上記のように電極のとが並列接続された回路に係る発明であり，「 前記

種類が特定されていない引用発明との相違点（ 相違PN 接合ダイオードのアノードを前記ショットキー

点 1 ）を認定の上，引用発明に甲 3 周知技術（ n チャ

バリアダイオードのアノードに接続する第 1 のワイ

ネル MOSFET についての記載に基づき認定 ）を適

ヤ 」との記載により，クレーム上，両者の接続関係用することや，技術常識 1（ 甲 4 及び 6。いずれも n

に関して電極の種類が特定されている。

チャネル MOSFET を開示 ）により，電極の種類が2

特定されている本件発明 1 は当業者が容易に想到し一方，引用例は，電力用半導体装置に関するもの得たとするものである。

であり，「 実施の形態 1 」として，IGBT4 とダイオー

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事例②接合ダイオードの一の電極及びショットキーバリア

事例②

4 これに対し，判決は，まず，引用発明の認定に関の記載は誤記の可能性が高いと考えられるが，誤記して，引用例の IGBT4 は p チャネル型の IGBT であと断定するまでには至らないことから，①，②のいると解される旨判示し（ これは，上記「 実施の形態 1 」

ずれも選択せず，電極の種類を特定しない引用発明についての引用例の記載が誤記と解する根拠がないを認定したものである。その裏には，誤記を正しいとの認識に立つものである。），その上で，IGBT4 と記載で置き換えて引用発明を認定して本件発明 1 はダイオード 5との組合せを，SiCMOSFET とショッ

新規性がないと判断するよりも，本件発明 1 から遠トキーバリアダイオードとの組合せに置き換える場合

ざけて引用発明を認定して進歩性がないと判断するに，動作を異ならせる理由はないから，IGBT4 につ方が安全との考え方があり，このような，③誤記のいては，p チャネル型の SiCMOSFET で置き換える可能性がある記載を含めずに（ その記載に対応するようにすると考えられる旨判示して，「 SiCMOSFET

事項は不明として ）引用発明を認定するという選択のソース電極と SiC ショットキーダイオードのカソー

肢も，場合によっては，採り得ると思われる。

ド電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分 」のような電極

しかしながら，判決では，引用例の記載が誤記との種類を特定する表記を含む「 引用発明 A 」を認定解する根拠がないとの認識に立って①が選択され，し，異議の決定が認定した引用発明には誤りがある「 引用発明 A 」が認定し直されて，それに伴い，異とした。

議の決定の相違点 1 が判決の相違点 1 ’に変化する

次に，本件発明 1 の容易想到性については，本件こととなった。相違点 1 よりも相違点 1 ’の方が相違

発明 1 と引用発明 A との相違点 1 ’を認定の上，当の程度が大きいことから，異議の決定は，結果的に，業者が， 引用発明 A において，「 前記 PN 接合ダイ

判決よりも引用発明を本件発明 1 に近づけて認定しオードの一の電極 」及び「 前記ショットキーバリアていたことになり，審判合議体の選択は安全策としダイオードの一方の電極 」をカソード電極からアて十分なものではなかったといえる。

ノード電極に変更する動機付けがあるとはいえない

最も安全なのは，①，②のいずれを選択しても新から，相違点 1 ’に係る本件発明 1 の構成を当事者

規性または進歩性がないといえる場合に，その結論が容易に想到できたものであるとは認められない旨を導くことであろう。裁判で取り消される結果に変判示し，異議の決定を取り消した。

わりはない可能性は否定できないが，本事例では，①を選択しても本件発明 1 が容易想到であることを，

5

異議の決定において説示しておくとよかったかもし

審査・審判において，引用例の記載に基づいてれない。

引用発明を認定する際，引用例に，誤記か否かの判断が難しい記載がある場合では，引用発明をどのように認定するかが問題となるが，そのような場合への対応としては，①誤記の可能性のある記載をその執筆者紹介まま用いて引用発明を認定すること，及び，②誤記

事例 1：平成 29 年（行ケ）第 10042 号（熱間プレスと考えられる記載を正しい記載に置き換えて引用発部材） 藤原浩子（審判部訟務室）明を認定する（ ただし，拒絶理由通知書，審決等に事例 2：平成 29 年（行ケ）第 10062 号（半導体デバ

おいて，その理由を丁寧に説示することが必要であイス） 富澤哲生（審判部訟務室）る。）ことが考えられる。

（特に注が無い限り、括弧内は執筆時点での所属を表しています。）

これに対し，本事例では，審判合議体は，引用例

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