复合沟道 MOSFET
ELM54569CWSA-N■概要

http://www.elm-tech.com■特点

ELM54569CWSA-N 是低输入电容、N 沟道P 沟道低工作电压、低导通电阻的大电流
MOSFET。同时内藏有 N 沟道和 P 沟·Vds=60V·Id=8.0A·Vds=-60V·Id=-8.0A

道的复合产品。

·Rds(on) = 36mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) = 60mΩ(Vgs=-10V)·Rds(on) = 40mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) = 72mΩ(Vgs=-4.5V)■绝对最大额定值项目漏极 - 源极电压记号Vds

栅极 - 源极电压

Vgs

漏极电流（定常）(Tj=150℃)

Ta=25℃

如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位60-60V

Id

Ta=70℃

漏极电流（脉冲）Idm
Tc=25℃

容许功耗

Pd

Tc=70℃

结合部温度
保存温度范围

Tj
Tstg

±20
8.0±20-8.0

V

6.0
20-6.0
-20

2.8

2.8

1.8150-55 ~ 150

1.8150-55 ~ 150℃℃

最大值
62.5

单位
℃/W

62.5℃/W

AA
W

■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻最大结合部 - 环境热阻

记号
Rθja

沟道
N

Rθja

P

■引脚配置图

典型值■电路图

SOP-8(俯视图)
182

73645

引脚编号

引脚名称

12

SOURCE1
GATE1345

SOURCE2
GATE2DRAIN2678DRAIN2DRAIN1DRAIN1·N 沟道·P 沟道

D1G1

D2G2S1S2

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复合沟道 MOSFET
ELM54569CWSA-N

http://www.elm-tech.com■电特性 (N 沟道 )项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性
漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=48V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V栅极阈值电压

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA

1.0

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=10V, Vds≧5V

20

漏极 - 源极导通电阻

Rds(on)Vgs=10V, Id=8.0A
Vgs=4.5V, Id=6.0A

2832

正向跨导

Gfs

Vds=15V, Id=15.0A

20二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流

Vsd
IsIs=2.0A, Vgs=0V0.8

动态特性输入电容Ciss输出电容Coss反馈电容开关特性总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷导通延迟时间导通上升时间关闭延迟时间关闭下降时间60

V
1Ta=85℃

5μA±100nA

2.0VA

36
40mΩ
S

1.3
1.5

V
A

680

pF

150

pF

Crss

60

pF

Qg

6.5

Qgs Vgs=4.5V, Vds=30V, Id≡8.0A
Qgd
td(on)
tr

Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz

Vgs=10V, Vds=30V, Id≡8.0A

td(off) RL=1.3Ω, Rgen=6.0Ω
tf

13.0nC

3.03.0815nCnCns1530ns302560
50nsnsRev.1.08-2
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Alfa-MOS

60V N & P Pair
Technology复合沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM54569CWSA-N

http://www.elm-tech.com■标准特性曲线(N (沟道)TypicalCharacteristicsN-Channel)©Alfa-MOS Technology Corp.
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60V N & P Pair
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Technology

复合沟道 MOSFET
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Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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http://www.elm-tech.com■电特性 (P 沟道 )项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性
漏极 - 源极击穿电压BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=-48V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V栅极阈值电压Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA-1.0

导通时漏极电流Id(on) Vgs=-10V, Vds≧-5V-20

漏极 - 源极导通电阻

Rds(on)Vgs=-10V, Id=-8.0A
Vgs=-4.5V, Id=-6.0A

52
61

正向跨导Gfs

Vds=-15V, Id=-3.2A

12二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流

Vsd
IsIs=-3A, Vgs=0V-0.8-1.3-1.7

VA

动态特性输入电容Ciss

1200

2000

pF

输出电容Coss反馈电容开关特性总栅极电荷栅极 - 源极电荷

CrssQg栅极 - 漏极电荷导通延迟时间Qgs
Qgd
td(on)

导通上升时间tr关闭延迟时间关闭下降时间-60

V-1

Ta=85℃-20

Vgs=0V, Vds=-25V, f=1MHz

Vgs=-10V, Vds=-30V
Id≡-8.0A
Vgs=-10V, Vds=-30V
Id≡-8.0A, RL=3.0Ω

td(off)Rgen=2.5Ωtf

μA±100nA-2.5VA

60
72mΩ
S

140pF

90pF

2540nC581020nCnC
ns

1020ns45258040nsns

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Enhancement Mode MOSFET
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P-Channel)■标准特性曲线(P(沟道)©Alfa-MOS Technology Corp.
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Typical Characteristics ( P-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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Typical ■测试电路和波形
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