Internet 版

2022/10/4

第 10 章 半導体デバイス評価方法
筆者が半導体デバイスの要点をインターネットで公開して 10 年になるが、ありがたいことにたくさんの読者から反響をいただき、それが励ましとなった。この第 10 章も読者の要望を多数受けていたものである。鋭意執筆中とし公開に時間がかかってしまったのはただお詫びするだけであるが、筆が進まなかったのは、評価というだけで軽く 100 ページは書けてしまうほど内容が多岐にわたり、そのどれも重要ですべてを伝えたい葛藤があったことが理由である。早期にこの宿題を解決したく、本書は要点の把握、そしてコンサイスに徹することをコンセプトとしていることから、あえて内容を絞らせていただいた。今後も加筆の可能性を残しなら、ここでは電流、抵抗、移動度、温度、そしてキャリア寿命の計測法、デバイスの電気特性の計測について説明する。筆者が長い間、研究テーマとしてきた半導体表面の観察については別の機会にゆだねたい。

1．電流の計測し、針が触れたときに、振動しないように最1)針式直流電流計

短で安定するよう調整されており、これを測定器のデジタル化が進み、針式電流計臨界制動という。磁石の振れ角をθとし、Iは見ることが少なくなったかもしれないが、を回転体の回転モーメント、N を制動係数、学校の現場ではまだまだ現役である。針式

S は単位当たりの制御トルク、F は駆動トの電流計は精度が低く見られがちであるが、ルクとすると、半導体評価に使えないことはない。図 1 に𝐼𝐼

針式の電流計の模式図を示す。

𝑑𝑑 2 𝜃𝜃
𝑑𝑑𝑡𝑡 2+ 𝑁𝑁

𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑑𝑑𝑑𝑑+ 𝑆𝑆𝑆𝑆 = 𝐹𝐹(１)の関係がある。I は回転体の重さと形状で決まり、N は針の振れる速度に応じた抵抗力、例えば空気抵抗、S は巻ばねによって戻ろ巻ばねNうとするトルク、F は電流で比例して針がS触れようとするトルクである。これは二階微分方程式であり、ステップ電流をいれて+ −トルクを回転子に加えたときに、これら係数によってθは振動波形になったり、ゆっ

図１ 可動鉄片式電流計の模式図

くり増加する波形になったりするが、振動磁石により一様磁場に置かれた電磁石が電しないようできるだけ速い速度で安定を得流によるトルクと巻ばねよる制動トルクとるための条件が臨界制動であり、（１）式をの釣り合いから電流の強さに応じた回転角次のような二次方程式に置き換えて、𝐼𝐼𝜔𝜔2 + 𝑁𝑁𝑁𝑁 + 𝑆𝑆 = 0を示すことを原理としている。知っておい(２)

判別式がゼロになる条件となる。て損はない知識として、臨界制動について

𝑁𝑁 2 − 4𝐼𝐼𝐼𝐼 = 0解説する。電流計の針の触れる速度である(３)

針式電流計はこの条件を満たすように製造が、電流計にステップ（階段状の）電流を流136Internet 版

2022/10/4のときであり、LF356 などの OP アンプを調整されている。
針式の電流計は様々なものがあるが、見使う場合、10mA 以下となる。出力電圧はたいレンジによって交換する手間があり、抵抗 R と計測電流 I の積にマイナスした値

電子的な電流計に置き換えがされている。となる。筆者の経験ではこの回路で 100pA

針式電流計に限らず、電流計には内部抵程度までの計測ができる。
使用できる OP ア抗があることを理解しておかなければなら

ンプは JFET 入力の計測用のものを用いるない。電気回路学では、電流計は抵抗ゼロオとよく、筆者がよく使うのは LF356、LF411、ームとみなすが、実際の電流計はそれぞれ

AD8610 などがある。

内部抵抗を持っている。特に、測定する電流レンジが小さくなるほど、鉄片を動かすト

2. 抵抗・抵抗率の計測

ルクを稼ぐため、回転子の電磁石の巻き数

1) 二端子計測と四端子計測を増やす必要があり、内部抵抗は高くなる。

抵抗の測定は、簡単には二端子に電流をµA 計では、100Ω近くなることもあり、微流して、その二端子間の電圧を測り、オーム小電流を測る場合には、内部抵抗への注意の法則で抵抗を計算すればよい。テスターが必要である。

での抵抗がまさにこれである。

2)電流入力アンプを用いた電流計測

抵抗器電流計のもつ内部抵抗をゼロにしたい場合は電流入力アンプを使う。これは OP ア

AVンプ（演算増幅器）で簡単に実現できる。

図 3 二端子計測による抵抗測定
この様子を図 3 に示すが、抵抗器のクリッ

出力プの接触抵抗が無視できる前提の計測である。テスターで抵抗を測る程度ではさしたる問題にはならないが、半導体そのものを測る場合、金属電極をつけてもコンタクト
図 2 電流入力アンプの回路例

抵抗の影響が出てしまい、誤差となる。この接触抵抗の影響をなくすために、図 4 に示

図２にその回路を示す。この回路は OP ア

す四端子計測が使われる。被検素子の両端ンプの反転増幅器を原理としたもので、計から電流を流し、電流の流れる経路に電圧測電流 I の受け側の内部インピーダンスはを測定する接点を設ける。市販の四端子計ゼロとなる。ただそれが成り立つのは、計測測器では、電流を出力する端子を Force と電流Ｉが OP アンプの電流の出力限界以下いい、電圧を計測する端子を Sense（Output）137

Internet 版

2022/10/4と表記している。

する電圧をデジタルオシロスコープで評価する。例えば電界コンデンサで 1000μF をV用意して、10V で充電すると、0.01C の電抵抗器合、333A の電流を取りだせる。また、これ荷がたまる。それを 30μ秒で放電させた場がジュール熱になったとしても、高々50ｍJ である。大電流電源での通電試験をする

Aよりずっと安全である。
図 4 四端子計測による抵抗測定
電圧計は内部インピーダンスが通常１MΩ以上と大きく、接触抵抗の影響を受けにくい。この接続で、電流を流す端子での接触抵抗による電圧測定への影響をなくすことができる。

図 6 パルス法による大電流通電試験
図 6 に示す回路において、左側の電源が

図 5 市販の電圧電流測定ユニットの例
SENSE とあるのが電圧計測端子、OUTPUT とあコンデンサに充電する電源であり、電圧をるのが電流出力端子になる。

調整することで、最大電流を調整できる。充電はスイッで開始でき、100Ωは充電時の突2)大電流を流しての抵抗評価（パルス法）入電流を抑える役割をする。この回路ではパワー半導体の評価では、例えば数十 Aパワートランジスタの 2N3055 を使っていから数百 A といった大電流を流して、抵抗るが、通電電流より大きい余裕のある最大や素子に発生する電圧を評価したい場合がコレクタ電流をもつのトランジスタを使う。

ある。こういった大電流を出せる電源は車

ちなみに 2Ｎ3055 の最大コレクタ電流は一台買えてしまうほど高額である。数百 A

15Ａである。被検素子の電圧降下はデジタを通電すると素子の爆発や火傷の危険性がルオシロスコープで記録する。

あり、避けたいことである。このようなとき

この方法はパワー素子の評価に活用されには、図 6 に示すように、一旦電解コンデるが、安全上の注意として電解コンデンサンサに電荷をためて、トランジスタスイッには極性があり、逆に充電、例えば負極に正チで数十μ秒だけＯＮにして、素子に発生電位を印加すると、素子が爆発することも138

Internet 版2022/10/4あるので、気を付けていただきたい。デジタ

上記の方法のほかに、Van Der Paw 法がルオシロスコープは便利な記録計であるが、活用される。矩形（特に矩形だけに限らない

これは 12bit の AD コンバーターを用いてが）のサンプルを用意して、４隅に電極を形おり、最大レンジの 1/1024 の量子化誤差が成して、そして AB 間に電流を流して、DC 間あることも注意していただきたい。の電圧を測定する。また BC 間に電流を流して、AD 間の電圧を測定する。

3)薄膜の抵抗率の評価
半導体の薄膜の抵抗率の測定には４本のDA針を探針とした４端子測定を行う。図 7 にBその概略を示す。４本の針を距離 s で等間C隔に並べ、内側の２端子が電圧計測、外側が電流を流す端子になっている。仮に、薄膜の

図8

厚さδが s に対して十分小さい場合(δ≪s)、

Van Der Paw 法

そして次の式から導電率σ（抵抗率の逆数）は

𝑉𝑉 −𝑉𝑉𝑐𝑐

𝑅𝑅𝐴𝐴𝐴𝐴 = 𝐷𝐷𝐼𝐼

𝐴𝐴𝐴𝐴

𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼2𝜎𝜎 = 𝑉𝑉𝑉𝑉𝛿𝛿,𝑅𝑅𝐴𝐴𝐴𝐴 、𝑅𝑅𝐵𝐵𝐵𝐵 が計測でき、

（4）

𝐼𝐼

𝑉𝑉𝐴𝐴 −𝑉𝑉𝐷𝐷𝐼𝐼𝐵𝐵𝐵𝐵exp(−𝜋𝜋𝜋𝜋𝑅𝑅𝐴𝐴𝐴𝐴 𝜎𝜎) + exp(−𝜋𝜋𝜋𝜋𝑅𝑅𝐵𝐵𝐵𝐵 𝜎𝜎) = 1 (6)δ≫s の条件であれば𝜎𝜎 = 2𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋𝑅𝑅𝐵𝐵𝐵𝐵 =を満たすようなσを数値計算で推定する。

(5)

例えば二分法やニュートン法などの解の推と近似できる。

定アルゴリズムを使うとよい。Van Der Paw法では、形状による誤差を抑えた導電率（抵A抗率の逆数）の推定が可能になる。

V4)半導体と電極とのコンタクト抵抗評価
半導体上の金属電極において。金属膜かsら半導体に垂直に電流が流れるときに、金δ属と半導体界面での抵抗、コンタクト抵抗が問題になることがある。

図 7 半導体薄膜の四端子抵抗率測定
金属接触界面にできるのがコンタクト抵抗半導体

筆者の経験であるが、いくら四端子測定は電極の接触抵抗の影響は受けにくいとは

図9

金属・半導体界面でのコンタクト抵抗

言っても、良好な計測を得るには、金属探針
このコンタクト抵抗を測定する方法としと半導体との接触抵抗を十分減らす努力はて、TLM 法（Transfer Line Method）が用い必要である。
139

Internet 版

2022/10/4

られる。これは、図 10 に示すように、半導数用意する。図 11 のように電極対の抵抗のRC

測定値を縦軸に、電極間距離を横軸に散布

図 12体薄膜で、電極間距離を変えた電極対を複R film (𝐿𝐿)RC

TLM 法での抵抗モデル

図を書き、電極距離がゼロのところを外挿3. Hall 効果測定し、これがコンタクト抵抗の２倍になると半導体のキャリアの移動度は高速半導体考えて、一電極当たりのコンタクト抵抗を材料の開発過程で重要な評価項目である。

計算する。

キャリア移動度は一般に Hall 効果で評価される。正確に表現すると、Hall 効果で半導体中のキャリア密度 n を求め、Van derPaw 法により導電率σを評価し、σ＝neμ の関係から、移動度 μ を計算する。図 13 にHall 効果測定の説明図を示す。素子の寸法

図 10 TLM 法で使うサンプル
距離を変えた電極対を複数用意して、電極対の抵抗を測定する。基板は薄膜で、その厚みは電極間距離に対して薄いほうがよい。

は、長さ L、幅 W、厚みは t とする。両端に電圧 VB がかけられていて、電流 I が流れ電極間抵抗ている。電流のキャリアは電子とし、マイナスの電荷（－e）がドリフト速度 vd で左からY 軸との切片が2Rc となる右に走行しているとする。

BVHvd

電極間距離

図 11WtTLM 法での解析事例

L
二電極間の抵抗 Rｍは、薄膜の距離を L、VB

薄膜の抵抗を Rfilm、コンタクト抵抗 Rc とす
ると、図 13R m = R film (𝐿𝐿) + 2𝑅𝑅𝑐𝑐 (7)IHall 効果の説明図

試料に対して、下から上へ磁束密度 B がで表される。薄膜抵抗は電極間距離 L がゼかけられていたとする。電子はローレンツロになると０になると考えられ、距離Ｌが力（evdB）によって、手前から奥に押しやらゼロでの外挿値が２倍のコンタクト抵抗にれる。そうすると、試料の前後で電荷に偏りなると仮定している。なおコンタクト抵抗ができ、奥がマイナス、手前が＋に帯電し、率にするには、コンタクト抵抗を電極面積矢印の方向にホール電圧 VH が発生する。こで割ればよい。
140

Internet 版

2022/10/4の静電気によるクーロン力とローレンツ力したときに、接合部と電線端との間の温度が釣り合うため、次の式が成り立つ。

差に応じた熱起電力が二線間に生じ、それ𝑉𝑉𝑒𝑒 𝑊𝑊𝐻𝐻 = 𝑒𝑒𝑣𝑣𝑑𝑑 𝐵𝐵

を計測して温度に換算する。最も広く使わ(8)れているものがクロメル・アルメルで、K タ

この式で e は電子電荷（素電荷）である。

イプと称される。-200～1000 ℃の範囲で利一方、電流 I と𝑣𝑣𝑑𝑑 の関係は、用可能である。高温環境では、高額である

𝐼𝐼 = 𝑊𝑊𝑊𝑊 ∙ 𝑛𝑛𝑛𝑛𝑣𝑣𝑑𝑑(9)が、白金ロジウム（R 型）が利用される。銅で与えられる。この式において、𝑊𝑊𝑊𝑊は試料

コンスタンタンは 0℃付近での精度が高い。の断面積、𝑛𝑛𝑛𝑛𝑣𝑣𝑑𝑑 は電流密度に相当する。さN タイプのニクロシルニシルは K タイプに比らに、次の関係が求められる。
1 𝐵𝐵

1𝑛𝑛𝑛𝑛

𝐵𝐵

𝑉𝑉𝐻𝐻 = 𝑛𝑛𝑛𝑛 𝑡𝑡 𝐼𝐼 = 𝑅𝑅𝐻𝐻 𝑡𝑡 𝐼𝐼

べて、対酸化性、長期安定性に優れる。

(10)
接合点 TC

線端 T０(Tc-T０)に比例した起電力が出る。

はホール係数𝑅𝑅𝐻𝐻 と呼ばれる。この係数が分かれば、キャリア密度𝑛𝑛が求められる。一図 14

熱電対の説明図方、Pan Der Paw 法などにより、精密に導電表１ 主な熱電対の起電力係数率σが得られているなら、移動度𝜇𝜇は𝜎𝜎

𝜇𝜇 = 𝑛𝑛𝑛𝑛

熱電対の種類（タイプ） 起電力係数（μV/℃）
但し 0℃のとき
クロメルアルメル（K）
39.7
銅コンスタンタン（T）
39.1
白金・白金ロジウム（R）
5.4
ニクロシルニシル（N）
26.1

(11)

から求めることができる。
上記の説明はキャリアが電子の場合であるが、p 型半導体のように正孔であれば、ホール電圧はマイナスになる。またこの計算(２)赤外線を使う方法の前提として電子がすべて同じドリフト速デバイスの表面温度を測るには、赤外線度で動いているとしているが、実際には結の放射強度を測ることを原理とする、放射晶格子などの散乱を受けるため、速度に分温度計やサーモグラフィが活用される。サ布がある。そのため、キャリア密度を求める

ーモグラフィは以前大変高額であったが、にあたって、ホール散乱因子𝑟𝑟𝐻𝐻 をかけて補低価格品としてアンドロイド端末に USB 接正することも行われる。
𝑟𝑟

𝑅𝑅𝐻𝐻 = 𝑛𝑛𝑛𝑛𝐻𝐻

続で温度画像を出力する製品も発売されている。放射温度計は様々な資料が公開され(12)ているが、簡単にはフォトダイオードと短波長フィルター、多少の集光レンズがあれ4. 温度の測定ば自作することは容易である。
（詳しく知り(１)熱電対たい方は著書にお問合せ下さい。）

もっとも広く用いられている測定子は熱電対である。熱電対は二種類の金属を接合
141

Internet 版

2022/10/4（3）半導体デバイスの発熱箇所を特定するが物質固有の定数になることはないからで方法

ある

温度はわからなくてもよいが、デバイス太陽電池ではマイクロ波反射法が一般的にリーク電流があって、発熱部位からそのに使われている。しかし、簡単な実験である個所を見つけたいという場面に威力を発揮が、図 15 のような２端子電極を形成し、電する方法がある。それはロウソクのロウを圧をかけながら、ＬＥＤでパルス光を当て使う。ロウソクの端をデバイスにこすりつて、光吸収でできるキャリアの減衰曲線をけてロウをデバイスに塗布する。ロウは白ドリフト電流の変化でみることで、おおよ濁しており、顕微鏡で見るとデバイス面がそのキャリア寿命の評価は可能である。こ白濁して見える。デバイスに少しの時間だ

こでは、LED を消灯後、ドリフト電流信号け通電して軽く発熱させると、発熱スポッが 1/e になる時間をキャリア寿命としていトのところのロウがとけて透明になる。太る。この方法は、ドリフト電流の増減が光キ陽電池や MOSFET において、リーク箇所を容ャリアの発生消滅のみで決まり、電極から易に特定できる。これは筆者が学生の頃見のキャリアの掃き出しの影響がない前提につけた方法ではあるが、すでに誰かやって基づいている。

いるかもしれないし、当たり前の技術なのかもしれない。赤外線顕微鏡の代わりとし方形波電流て非常に重宝した覚えがある。

パルス
ジェネレータ(4)IC チップ内のデバイス温度の推定法

LED

ドリフト電流波形

バイポーラトランジスタのベースとエミッタに順バイアスがかかっている場合、VBEと IB が分かれば、そのトランジスタ自体の温度を推定できる。VBE と IB の関係は pn ダ半導体薄膜イオードの整流特性の式で表され、温度に
図 15 LED 光照射による導電率変化を用いた少数キャリア寿命の評価依存する。あらかじめ温度を変えて VBE と IBの関係を取得しておけば、温度推定はたやすい。

6. C-V 特性評価・容量評価
MOS デバイスにおいて、容量と電圧の関5. 半導体の少数キャリア寿命を測定する方法

係、つまり C－V 特性から酸化膜容量、閾値電圧の推定、半導体中のキャリア密度な太陽電池の発電層の評価として、少数キャリア寿命の測定がある。小数キャリア寿

ど様々な情報が取得できる。詳しくは第 6

命自体は、キャリア密度によって変化する

章の MOSFET を読んでいただきたいが、ため、測定方法、条件をきちんと明示して計

ここでは測定回路について説明する。専用

測結果を表示すべきである。得られた数値装置も市販されているが、比較的に低額な
142

Internet 版2022/10/4

7. ＳＭＵを使ったデバイスの電気特性計測測定器の組み合わせで実現できる。
図 10 にその測定系統を示す。PC は DC電源にインターフェースを通じて出力電圧

SMU とは Source Measurement Unit の略でを設定する信号送り、一方 LCR メーターである。コンピューターからの指示で、指定の取得した容量値を取り込む。最近では、測定電圧あるいは電流を出力し、同時に出力電器や DC 電源はインターフェースに USB や圧を計測し、PC に返すものである。SMU のRS-232C を標準搭載しており、多少の勉強中身は、プログラマブルな DC 電源と、電流は必要だが、慣れればプログラムは容易で入力アンプ、そしてインターフェースが内ある。筆者の研究室では、Embarcadero 社蔵されている。現在 SMU は低コストなものの C++Builder を活用している。LCR メーもが市販されており、大学でも比較的入手

ターの出力に 1：1 の高周波トランスを取りしやすくなった。バイポーラトランジスタ付けているが、これは被検サンプルに DC

では、B－E 間と B-C 間を独立してバイアス電源からの直流電圧を重乗させるためであさせるため SMU を２台用意する。例えば太る。1MHz での測定であれば、市販のフェ陽電池や pn ダイオードの場合、SMU は１台ライトトランスで代用が効く。LCR メータでよい。筆者も研究室の予算がなかったこーによっては、DC 電圧を外部から重乗させろは、PIC マイコンで自作したこともあった

る外部入力端子を持っているものもあり、が、あまりお勧めはしていない。短絡保護回

その場合、DC 電圧はその端子につなぎ、被路や AD 変換器の精度の点で市販品と同等検サンプルはそのまま LCR メーターの測を実現するのは困難であるからである

定端子につなげばよい。DC 電源の出力に並列につけられている容量は、DC 電源自体の交流インピーダンスを十分に下げるためであり、１μF 程度で十分である。LCR メータ
ーの設定であるが、直列容量－直列抵抗の等価回路から、並列容量―並列抵抗の等価回路が選べるが、キャパシタンスの漏れ電流が十分低いのであれどちらでもよい。被検サンプルの絶縁性が悪い場合は並列容量

図 17―並列抵抗を使う。

SMU を使ったトランジスタの出力特性の計測

SMU を使った計測において、大概の装置
では、通電を連続直流で行う方法とパルス波を用いる方法を選ぶことができる。特段理由がなければパルス通電を使う。パルス通電にすることで、デバイスでの発熱を抑図 16 C-V 特性評価系統

え、温度変化での測定への影響を抑えるこ
143

Internet 版

2022/10/4とが可能になる。連続通電を選ぶのは、素子感電とともに重要なことは、半導体素子がインダクタンス性のもの、また非常に微に 10A を超える電流を通電するときには、小な電流（1μA 以下）を計測するときであフェースガードをして、サンプルの爆発飛る。

散に備えるべきである。半導体素子は数ミリ程度の微小片であるが、これに一瞬で数 J

8. 電気計測の安全についてを超えるエネルギーが入ると、エネルギー

これまで述べてきたものは電気計測が中密度が過大になり、破片が飛ぶ可能性があ心であるが、くれぐれも感電には気を付ける。ていただきたい。特に高電圧の測定において、十分な点検をお願いしたい。電気計測の参考

安全マニュアルは、大学、職場、学校、どこ職場のあんぜんサイト：感電[安全衛生キーでも完備してあるものなので、必ず目を通ワード] (mhlw.go.jp)

しておいていただきたい。
閑話休題

意識していただきたいことに、ビニール被覆電線は被覆越しでも感電することがあ筆者の趣味というか楽しみなことに、大るということである。ビニール被覆線の耐学の数学の入試問題を解くことがある。受電圧は 400V のものが多いが、耐電圧は電線

験生でもないのに「大学への数学」誌を愛読の型番を元にインターネットで調べることしている。ボケ防止の体操のようなもので、ができる。テスターで高い電圧を測るとき特に数Ⅰの整数問題、因数分解、漸化式が好も注意していただきたい。テスターの被覆きである。こうなっているのも、数学系測定線も 1000V 程度であることが多い。数YouTuber であるヨビノリさんや鈴木貫太郎

百 V を超える高電圧のラインは被覆線越し氏の影響が多大にある。
複雑な式にどう規則性をみつけ、解き方で決して触ってはいけないと覚えておく
RG58 や 3C2V などの同軸ケーブルは高電を発想できるかに尽きるが、問題に取り組圧で利用できると思われているが、これもみながらいかに知識の引き出しをもっていメーカーによってまちまちである。3000V をるかが重要と感じている。整式を因数分解超える電圧をかける場合は BNC や MHV プラするのに、公式を当てはめるか、次数の小さグも含めて、利用できる耐電圧を調べておい変数に注意して式を整理するか、平方完く。

成して考えるか、それともパッと思い付くか、考えるのは楽しいが、常々自分の引き出未然に事故を防ぐために、筆者の研究室しの少なさを痛感している。

で励行していることに、最初にサンプルに電圧をかけるときは、１秒か 2 秒程度短い

筆者は 50 半ばまでどっぷりと半導体デ時間だけ通電してから、何もないことを確バイスの研究をしてきたが、テーマは CVD、かめてから本格的に通電をする。短時間通パワートランジスタ、光触媒、薄膜トランジ

電だけでも、不具合を検出することは容易

スタ、ダイオードの蓄積電荷理論、ショットである。

キー、色素増感電池、そして原子層堆積、表144

Internet 版

2022/10/4

面反応といささかたくさんのテーマをやりすぎた。本道は何ぞと言われそうだが、それはそれで楽しかった。これが自分の研究の引き出しになっていると勝手に思っている。
大学の先生には、学生の頃にいただいたテーマを大事に続けられている方が少なくはないが、自分には無理かなと思う。
電気系の学生を見ていると、電力系の就職志望者は、電子物性が嫌い、材料系や半導体志望だとプログラミングや電磁気が嫌いと、自分が使わないと思った分野を捨てにかかる傾向が見られる。しかしそれはもったいないことだ。電力や自動車分野でも、半導体や材料工学は多いに役立つ。半導体でも電磁気や制御工学の知識を使うことが多い。捨てにかかることは引き出し貧乏の始まりである。そもそも理系文系にわかれる高校時代の入試戦略が貧困の原因になっていると思う。話は発散しているが、ぜひ皆さんも知識をより豊かなものにして、たくさんの引き出しをもつことで、先の見えない未来を俯瞰していただきたいと感じている。
(2021/3/11)

145