复合沟道 MOSFET
ELM54539CWSA-N■概要

http://www.elm-tech.com■特点

ELM54539CWSA-N 是低输入电容、N 沟道P 沟道

低 工 作 电 压、 低 导 通 电 阻 的 大 电 流
MOSFET。同时内藏有 N 沟道和 P 沟道·Vds=30V·Id=5.4A·Vds=-30V·Id=-5.4A

的复合产品。

·Rds(on) = 36mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) = 62mΩ(Vgs=-10V)·Rds(on) = 46mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) = 90mΩ(Vgs=-4.5V)■绝对最大额定值项目漏极 - 源极电压记号Vds

栅极 - 源极电压

Vgs

漏极电流（定常）(Tj=150℃)

Ta=25℃

如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位30-30V

Id

Ta=70℃

漏极电流（脉冲）Idm
Tc=25℃

容许功耗

Pd

Tc=70℃

结合部温度
保存温度范围

Tj
Tstg

±20
5.4±20-5.4

V

4.0
20-4.2-30

2.8

2.8

1.8
150
-55 ~ 1501.8
150
-55 ~ 150℃℃

最大值62.5单位℃/W

62.5℃/W

AAW

■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻最大结合部 - 环境热阻

记号
Rθja

沟道
N

Rθja

P

■引脚配置图

典型值■电路图

SOP-8(俯视图)18273645

引脚编号

引脚名称

12SOURCE1
GATE1345SOURCE2
GATE2DRAIN2678

DRAIN2DRAIN1DRAIN1·N 沟道·P 沟道

D1G1D2G2S1S2Rev.1.08-1
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ELM54539CWSA-N■电特性 (N 沟道 )项目记号

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如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件

静态特性漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=24V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V栅极阈值电压
导通时漏极电流

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds≧5V

漏极 - 源极导通电阻Rds(on)正向跨导Gfs

二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流VsdIs30V
1Ta=85℃301.3
10μA±100nA

2.1

VA

Vgs=10V, Id=5.0A
Vgs=4.5V, Id=4.7A
Vds=15V, Id=5.2A

30
40
1336
46

Is=1.6A, Vgs=0V

0.8

1.3
1.5

Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz

7007545mΩ
S
VA

动态特性
输入电容
输出电容反馈电容Ciss
Coss
Crss

开关特性总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷Qg
Qgs

Vgs=4.5V, Vds=20V, Id≡5.2A

8.0
1.6

pF
pFpF
12.0nCnC导通延迟时间Qgd
td(on)

2.4
812nCns导通上升时间关闭延迟时间关闭下降时间tr
Vgs=10V, Vds=15V, Id≡1.0A
td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ωtf1228
10184018nsnsns

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AFC4539WS

Alfa-MOS

30V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
复合沟道 MOSFET
ELM54539CWSA-N

http://www.elm-tech.com■标准特性曲线(N 沟道)
TypicalCharacteristics( N-Channel)©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A July 2010www.alfa-mos.com
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Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件

静态特性漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=-24V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V栅极阈值电压导通时漏极电流

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds≧-5V

漏极 - 源极导通电阻

Rds(on)正向跨导Gfs

二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流

Vsd
Is-30V-1Ta=85℃-30-1.0-25μA±100nA-2.5VA

Vgs=-10V, Id=-5.4A
Vgs=-4.5V, Id=-4.2A
Vds=-10V, Id=-4.9A

52
70
1062
90

Is=-1.7A, Vgs=0V-0.8-1.3-1.7

Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz

500
10055mΩ
SVA

动态特性
输入电容
输出电容反馈电容Ciss
CossCrss

开关特性总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷Qg
Qgs

Vgs=-10V, Vds=-15V, Id≡-5A导通延迟时间Qgdtd(on)导通上升时间关闭延迟时间关闭下降时间trId≡-1.0A, RL=15Ωtd(off)Rgen=6Ωtf

Vgs=-10V, Vds=-15V

10.0
1.6

pF
pF
pF
18.0

nCnC

3.0
818nC
ns

82525

1850
35

nsns
ns

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