复合沟道 MOSFET
ELM51016CA-S■概要

http://www.elm-tech.com■特点

ELM51016CA-S 是低输入电容、N 沟道P 沟道低工作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。同时内藏有 N 沟道·Vds=20V·Id=0.6A·Vds=-20V·Id=-0.4A

和 P 沟道的复合产品。

·Rds(on) = 360mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) = 620mΩ(Vgs=-4.5V)·Rds(on) = 420mΩ(Vgs=2.5V) ·Rds(on) = 860mΩ(Vgs=-2.5V)·Rds(on) = 560mΩ(Vgs=1.8V) ·Rds(on) = 1450mΩ(Vgs=-1.8V)■绝对最大额定值项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位漏极 - 源极电压

Vds

20-20V栅极 - 源极电压Vgs

±120.6±12-0.4

V0.4-0.2

1.00.27-1.00.270.16-55 ~150-55 ~ 150

0.16-55 ~150-55 ~ 150

Ta=25℃

漏极电流（定常）(Tj=150℃)

Id

Ta=70℃

漏极电流（脉冲）Idm
Tc=25℃

容许功耗

Pd

Tc=70℃

结合部温度
保存温度范围

Tj
Tstg■引脚配置图
SOT-563(俯视图)

AA
W℃℃

■电路图
引脚编号
1

引脚名称
SOURCE1

2

GATE1

34

DRAIN2
SOURCE256

GATE2DRAIN1·N 沟道·P 沟道

D1G1

D2G2S1S2

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复合沟道 MOSFET
ELM51016CA-S

http://www.elm-tech.com■电特性 (N 沟道 )项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性
漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=20V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±12V栅极阈值电压

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA

0.4

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=4.5V, Vds≧5V0.7

漏极 - 源极导通电阻

Vgs=4.5V, Id=0.6A
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=0.5A

240300360
420

Vgs=1.8V, Id=0.4A

420560

Vds=10V, Id=0.4AIs=0.15A, Vgs=0V

10.8

正向跨导
二极管正向压降Gfs
Vsd

寄生二极管最大连续电流
动态特性Is输入电容Ciss输出电容反馈电容
开关特性CossCrss总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷Qg
Qgs
Qgd

导通延迟时间导通上升时间关闭延迟时间关闭下降时间20V
1Ta=85℃

5Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHzμA±100nA

1.0VAmΩ

1.2

SV

0.3

A

70pF

20
8pF
pF

1.06
0.18
0.32

1.38

nC
nC
nC

td(on)

1826

nstr
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id≡0.5A
td(off) RL=20Ω, Rgen=1Ωtf

20702528110
40nsnsns

Vgs=4.5V, Vds=10V, Id≡0.6A

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Alfa-MOS

20V N & P Pair
TechnologyEnhancement Mode MOSFET
复合沟道 MOSFET
ELM51016CA-S
Typical Characteristics ( N-Channel )http://www.elm-tech.com■标准特性曲线 (N 沟道 )©Alfa-MOS Technology Corp.
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20V N & P Pair
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Typical Characteristics ( N-Channel )ELM51016CA-S©Alfa-MOS Technology Corp.
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20V N & P Pair
Technology复合沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
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http://www.elm-tech.com■测试电路和波形沟道 )TypicalCharacteristics (N( N-Channel)©Alfa-MOS Technology Corp.
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http://www.elm-tech.com■电特性 (P 沟道 )项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=-20V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±12V栅极阈值电压

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA-0.4

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=-4.5V, Vds≧-5V-0.7

漏极 - 源极导通电阻

Vgs=-4.5V, Id=-0.4A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-0.3A

500
700

620
860

Vgs=-1.8V, Id=-0.2A

1000

1450

Vds=-10V, Id=-0.4A
Is=-0.15A, Vgs=0V

1-0.65

正向跨导二极管正向压降Gfs
Vsd

寄生二极管最大连续电流
动态特性Is输入电容Ciss输出电容反馈电容
开关特性CossCrss总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷Qg
Qgs
Qgd

导通延迟时间td(on)导通上升时间
关闭延迟时间关闭下降时间tr
Id≡-0.2A, RL=30Ω
td(off)Rgen=10Ω
tf-20

V-1

Ta=85℃-5

Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id≡-0.25A
Vgs=-4.5V, Vds=-10V±100

nA-1.0

VA

70
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz

μAmΩ

-1.20

SV-0.3

A

100pF

20
10pF
pF

1.0
0.1
0.3

1.3

nC
nC
nC

1015ns

1040
30

1560
50

nsns
ns

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P-Channel)■测试电路和波形(P (沟道)©Alfa-MOS Technology Corp.
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