复合沟道 MOSFET
ELM56332CESA-S■概要

http://www.elm-tech.com■特点

ELM56332CESA-S 是低输入电容、N 沟道P 沟道低工作电压、低导通电阻的大电流
MOSFET。同时内藏有 N 沟道和 P 沟·Vds=20V·Id=1.2A·Vds=-20V·Id=-1.0A

道的复合产品。另外，此芯片还内

·Rds(on) = 320mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) = 580mΩ(Vgs=-4.5V)

藏 ESD 保护电路。

·Rds(on) = 420mΩ(Vgs=2.5V) ·Rds(on) = 780mΩ(Vgs=-2.5V)·Rds(on) = 580mΩ(Vgs=1.8V) ·Rds(on) = 980mΩ(Vgs=-1.8V)·ESD 保护·ESD 保护■绝对最大额定值项目漏极 - 源极电压记号Vds

栅极 - 源极电压Vgs
Ta=25℃

漏极电流（定常）(Tj=150℃)

Ta=70℃

漏极电流（脉冲）Id
Idm

Tc=25℃
Tc=70℃

容许功耗Pd

如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位
20-20
V
±121.2±12-1.0

0.9-0.7

40.3
0.2-30.30.2

VAAW

结合部温度

Tj

-55 ~ 150

-55 ~ 150℃

保存温度范围

Tstg-55 ~ 150

-55 ~ 150℃

■引脚配置图

■电路图

SC-70-6(俯视图)

引脚编号

引脚名称

5123SOURCE1GATE1DRAIN245SOURCE2
GATE26DRAIN161243·N 沟道·P 沟道D2D1G2G1S1S2

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复合沟道 MOSFET
ELM56332CESA-S

http://www.elm-tech.com■电特性 (N 沟道 )项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性
漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=16V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±12V栅极阈值电压

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA

0.3

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=4.5V, Vds≧5V

1.2

漏极 - 源极导通电阻

Vgs=4.5V, Id=0.7A
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=0.6A230280

320420

Vgs=1.8V, Id=0.5A

400580

Vds=10V, Id=1.0A
Is=1.0A, Vgs=0V

10.65

正向跨导二极管正向压降Gfs
Vsd

寄生二极管最大连续电流
动态特性Is输入电容Ciss输出电容反馈电容开关特性CossCrss总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷Qg
Qgs
Qgd

导通延迟时间导通上升时间关闭延迟时间关闭下降时间

20

V
1Ta=85℃

5Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHzμA

±1mA

1.0V
AmΩ

1.50

SV

0.6

A

70

pF

208pF
pF

1.06
0.18
0.32

1.38

nC
nC
nC

td(on)

1826nstr
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id≡1.2A
td(off) RL=20Ω, Rgen=1Ωtf20
702528110
40nsnsns

Vgs=4.5V, Vds=10V, Id≡1.2A

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Alfa-MOS

20V N & P Pair
Technology复合沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM56332CESA-S

http://www.elm-tech.com■标准特性曲线(N 沟道)
TypicalCharacteristics( N-Channel)©Alfa-MOS Technology Corp.
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20V N & P Pair
TechnologyEnhancement Mode MOSFET复合沟道 MOSFET
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Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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20V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
复合沟道 MOSFET
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Typical■测试电路和波形
Characteristics ((NN-Channel)
沟道 )©Alfa-MOS Technology Corp.
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ELM56332CESA-S

http://www.elm-tech.com■电特性 (P 沟道 )项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性
漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=-16V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±12V栅极阈值电压

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA-0.3

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=-4.5V, Vds≧-5V-0.7

漏极 - 源极导通电阻

Vgs=-4.5V, Id=-0.6A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-0.5A

380
520

580
780

Vgs=-1.8V, Id=-0.4A

690

980

Vds=-10V, Id=-0.4A
Is=-0.15A, Vgs=0V

1-0.65正向跨导
二极管正向压降Gfs
Vsd

寄生二极管最大连续电流
动态特性Is输入电容Ciss输出电容反馈电容
开关特性CossCrss总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷Qg
Qgs
Qgd

导通延迟时间td(on)导通上升时间
关闭延迟时间关闭下降时间tr
Id≡-0.2A, RL=30Ω
td(off)Rgen=10Ω
tf

-20

V-1

Ta=85℃-5

Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id≡-0.25A
Vgs=-4.5V, Vds=-10V±1mA-1.0VA

70
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHzμAmΩ

-1.50

SV-0.6A

100

pF

2010pFpF

1.00.10.3

1.3nCnCnC

1015ns104030156050nsnsns

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20V N & P Pair
Technology复合沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
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http://www.elm-tech.com■标准特性曲线(P 沟道)
TypicalCharacteristics( P-Channel)©Alfa-MOS Technology Corp.
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20V N & P Pair
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Enhancement Mode MOSFET
复合沟道 MOSFET
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Typical Characteristics ( P-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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20V N & P Pair
TechnologyEnhancement Mode MOSFET
复合沟道 MOSFET
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TypicalCharacteristics
P-Channel)■测试电路和波形(P (沟道)©Alfa-MOS Technology Corp.
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