文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム「平成 30 年度」

１．微細構造解析プラットフォーム：東京大学「ジルコニアセラミックスの力学特性劣化機構の解明」
ユーザー氏名：松井光二 1，吉田英弘 2，斉藤光浩 3（1 東ソー株式会社，2 物質・材料研究機構，3 東京大学）
実施機関担当者：押川浩之，熊本明仁，幾原雄一（東京大学）

２．微細構造解析プラットフォーム：名古屋大学「次世代半導体用配線接合材料の高機能材料開発」
ユーザー氏名：関根重信（有限会社ナプラ）
実施機関担当者：中尾知代，榎本早希子，中野美恵子，荒井重勇，山本剛久（名古屋大学）

３．微細加工プラットフォーム：北海道大学「巨大誘電率を実現する Al2O3/TiO2 積層膜の検討」
ユーザー氏名：辻田卓司 1，森田幸弘 1,2，西谷幹彦 2，北川雅俊 2（1 パナソニック株式会社，2 大阪大学）
実施機関担当者：大西広，中野和佳子，平井直美，松尾保孝（北海道大学）

４．微細加工プラットフォーム：東北大学（最優秀賞）「広帯域波長掃引パルス量子カスケードレーザの開発」
ユーザー氏名：杉山厚志，大河原悟（浜松ホトニクス株式会社）
実施機関担当者：戸津健太郎，森山雅昭，江刺正喜（東北大学）

５．分子・物質合成プラットフォーム：名古屋大学「ナノワイヤを用いた尿中細胞外小胞体捕捉」
ユーザー氏名：柳田剛 1，川合知二 2，落谷孝広 3（1 九州大学，2 大阪大学，3 国立がん研究センター）
実施機関担当者：安井隆雄，馬場嘉信（名古屋大学）

平成 30 年度「秀でた利用成果」－ 1

東京大学
微細構造解析プラットフォーム

ジルコニアセラミックスの力学特性劣化機構の解明
Analysis on degradation of mechanical property of Ceramics Zirconia

ユ ー ザ ー 氏 名：松井光二 / Koji Matsui（東ソー株式会社 / TOSOH）， 吉田英弘 / Hidehiro Yoshida（物質・材料研究機構/NIMS），斎藤光浩 / Mitsuhiro Saito（東京大学 / The University of Tokyo）
実施機関担当者：押川浩之 / Oshikawa Hiroyuki，熊本明仁 / Akihito Kumamoto，幾原雄一 / Yuichi Ikuhara（東京大学 / The University of Tokyo）

㚔 Key words

Ceramics Zirconia, mechanical property, phase transition

概要 / Overview
Y2O3添加によって構造安定化された正方晶ZrO2多結晶体（Y-TZP）は、高強度・高靭性を持つ材料として利用されている。しかし高温や熱水中では正方晶→単斜晶相変態に起因する強度劣化が発生するため常温使用に制限されている。
我々は「Y3+の不均一分布が、正方晶→単斜晶相変態を促進させる」との仮説をたてて、Y3+が均質分布するY-TZPを実現し、超高耐久性化に成功した。また、不均一なY-TZPの劣化初期の微細組織解析を行った結果、均質単相の超高耐久性化仮説の妥当性の裏付を得た。
Y2O3-stabilized tetragonal ZrO2 polycrystal (Y-TZP) has excellent mechanical properties. However, it has been used only at room
temperatures, because the degradation on mechanical properties caused by phase transition from tetragonal to monoclinic phasetakes place at high-temperature or in hot water. Based on the assumption that the inhomogeneous distribution of Y3+ ions accelerates
the phase transition, we have successfully developed Y-TZP with homogeneous Y3+-ion-distribution. The nanostructure observations
confirmed the mechanism of the degradation in hot water in conventional TZP and the origin of the high resistance against the degradation in the developed Y-TZP.

均質単相の作製

機械特性劣化初期状態の微細構造解析

Synthesis of homogeneous single phase Y-TZP

Nanostructure observation at the initial stage of the degradation

Y分布の均一化に成功した試料のSTEM-EDSによる結果をFig.1(a)に示す。同時に添加した微量のAl,Geの分布も示している。これらは粒界に微量存在している。
劣化加速試験の結果をFig.1(b)に示す。図の縦軸は単斜晶/正方晶の比率、3YはYのみを添加した不均一試料、3Y-A,3Y-AGはYの他にAl,Geを添加しY原子 の均一化に成功した試料。Yが均一な試料は単斜晶の生成がほぼ無く機械特性の劣化がほぼ無い。
STEM image and corresponding EDS elemental mapping images of Y, Al, Gein the newly developed, Al and Ge-doped Y-TZP are shown in Fig. 1(a).
Change of the monoclinic fraction during the accelerated degradation test in
hot water is shown in Fig. 1(b). In Fig. 1(b), 3Y denotes the conventional
Y-TZP, and 3Y-A and 3Y-AG are the developed Y-TZP doped with Al and
Al-Ge, respectively. Monoclinic phase insignificantly increased in the 3Y-A
and 3Y-AG, resulting in no degradation of mechanical property.
Fig. 1(a)Y3+が不均一な従来のY-TZPのSTEM-EDSの結果をFig.2(a),(b)に示す。劣化加速試
験初期のSTEM像 (c),(d),(e)を示す。結晶粒内に高Y3+ 濃度の領域が観察され、一方で最表面及び粒界近傍の低Y3+ 濃度領域から単斜晶へ変態していることを示している。OH- が最表面や粒界から酸素空孔を介して結晶粒内に拡散侵入して、相安定性の低い低Y3+ 濃度領域から単斜晶へ相変態させていることが考えられる。
STEM image and EDS mapping of Y ions in the conventional Y-TZP are
shown in Figs. 2 (a) and (b). Y3+ ions are non-uniformly distributed. In theearly stage of degradation, the phase transition from tetragonal to the monoclinic phase started from low-Y3+ ion portions in the surface, and proceededfrom intergranular to intragranular regions.
Fig. 2(a)Fig. 2(b)Fig. 1(b)

図など

50 nm
Fig. 2(c)最表面Fig. 2(d)50 nm粒界Fig. 2(e)粒内樹脂部

Fig. 1(a) STEM-EDSによる、均一試料でのZr, Y, Al, Ge原子の分布状態。Fig.1(b) 劣化加速試験下での単斜晶の比率の変化の状態。
3Y-A, 3Y-AGでは変化がない。
Fig. 1(a) STEM image and corresponding EDS elemental mapping
images of Y, Al, Ge in the newly developed, Al and Ge-doped Y-TZP.
Fig. 1(b) Monoclinic fraction as a function of heat-treatment time in
the accelerated degradation test in hot water (140䉝).

㚔Contact

Fig. 2(a) 従来のY不均一試料のSTEM像。 (b) EDSによるYの不均一状態。
Fig. 2(c),(d),(e) 劣化加速試験初期で、Y低濃度部で単斜晶への変態が観察される。変態は最表面、粒界近傍、粒内の順で進行していく。
Fig. 2(a) STEM image and (b) corresponding Y mapping image of the conventional Y-TZP. The transition to monoclinic starts at the low Y3+ ion regions in the early stage (15 min) of the accelerated degradation test.

氏名：松畑洋文（東京大学微細構造解析プラットフォーム）

E-mail : matsuhata@sigma.t.u-tokyo.ac.jp

平成 30 年度「秀でた利用成果」－ 2

名古屋大学
微細構造解析プラットフォーム

次世代半導体用配線接合材料の高機能材料開発
Development of advanced functional materials for next-generation
semiconductor wiring bonding materials
ユ ー ザ ー 氏 名：関根重信 / Shigenobu Sekine（有限会社ナプラ / Napra Co., Ltd.）
実施機関担当者：中尾知代 / Tomoyo Nakao，榎本早希子 / Sakiko Enomoto，中野美恵子 / Mieko Nakano
荒井重勇 / Shigeo Arai，山本剛久 / Takahisa Yamamoto（名古屋大学 / Nagoya University）

㚔 Key words

Lead-free solder, semiconductor, intermetallic compound

概要 / Overview
近年、環境問題から鉛フリーハンダの普及が進められるようになっている。有限会社ナプラは、半導体などの接合材料に用いる新規鉛フリーハンダの開発に成功した。
この材料は、錫（Sn）に一定の割合で銅（Cu）などを混合し、β-Sn中に金属間化合物をコンポジット化した機能性微粒子金属である。従来の鉛ハンダと比較して、耐熱性に優れるとともに、-40〜200℃の過酷な熱履歴サイクルにも耐えることができる。半導体の接合用ハンダ材として、大きく期待されている。
In recent years, the spread of lead-free solder has been promoted from a viewpoint of environmental problems. Napla Co., Ltd. has
succeeded in developing a novel lead-free solder as a bonding material for semiconductors. This material is a functional fine metal
particles produced from alloys of copper (Cu) and tin (Sn), in which an intermetallic compounds are formed in β-Sn. Compared to conventional lead solder, it has excellent heat resistance and can survive severe thermal history cycles of -40 to 200 䉝. It is widely expected as novel soldering material for bonding semiconductors.

FIB-SEM (Hitachi:MI-4000L) による連続断面SEM像

1000kV超高圧電子顕微鏡（JEOL:JEM-1000K RS）による結晶粒界像

Continuous section SEM images by FIB-SEM (Hitachi MI-4000L)

Grain boundary images by 1000kV HVEM (JEOL: JEM-1000K RS)(a):Sn-Sn間の粒界

各SEM画像は厚さ1μm毎にFIBで切削した連続断面像
暗い領域はSn, 比較的明るい領域はSn-Cu金属間化合物(b):SnとSn-Cu間の粒界

200kV TEM (JEOL:JEM-2100F/HK)による元素マッピング像)
EDS Mapping images by 200kV TEM (JEOL: JEM-2100F/HK)

1000kV超高圧電子顕微鏡（JEOL:JEM-1000K RS）による加熱実験
Heating by 1000kV HVEM (JEOL: JEM-1000K RS)

STEM ImageSn Image

Cu Image

Sn+Cu Image

200kV JEM-2100F/HKによるSTEM-EDSマッピング像

Cu-Snの金属間化合物（右端の像）は、SnとSnの粒界間に存在し、Sn-Sn粒界間の歪みを緩和（アンカー効果）
The intermetallic compound of Cu-Sn (the image at the right end) exists
between the grain boundaries of Sn and Sn to decrease the strain between Sn-Sn grain boundaries (an anchor effect).

特許（第6029222号）Napra Co. Ltd.

㚔Contact

氏名：山本剛久、荒井重勇（名古屋大学超高圧電子顕微鏡施設）

E-mail : nanoplat@imass.nagoya-u.ac.jp

平成 30 年度「秀でた利用成果」－ 3

北海道大学
微細加工プラットフォーム

巨大誘電率を実現する Al2O3/TiO2 積層膜の検討

Giant Dielectric Constant in Al2O3/TiO2 Multilayer Films Synthesized by ALD
ユ ー ザ ー 氏 名：辻田卓司 Takuji Tsujita1，森田幸弘 Yukihiro Morita1,2，西谷幹彦 Mikihiko Nishitani2，
北川雅俊 Masatoshi Kitagawa2 （1 パナソニック（株）/ Panasonic Corp.，2 大阪大学 / Osaka Univ.）
実施機関担当者：大西広 Ko Ohnishi，中野和佳子 Wakako Nakano，平井直美 Naomi Hirai，
松尾保孝 Yasutaka Matsuo （北海道大学/ Hokkaido Univ.）

Giant Dielectric Constant , Atomic Layer Deposition

㚔 Key words

概要 / Overview
近年、メモリーデバイスやキャパシタへの応用を目的に高誘電率材料の開発が勢力的に行われている。この中で、誘電率（ε）が1000 を超える Al2O3/TiO2 積層膜に注目し、巨大εと電子絶縁性が両立する材料の開発を行った。
酸化膜の組成と誘電率および絶縁特性の関係を考察することで、原子層堆積装置（ALD）を用いて様々な Al2O3/TiO2 積層膜を作製し、これまでにない高抵抗・高誘電率のデバイス作製を試みた。
High-permittivity materials have become the subject of vigorous development in recent years with the promise of applications inmemory devices and capacitors. We focus on a high-permittivity material composed of Al2O3 and TiO2 layers, which exhibited a giant
dielectric constant of about 1,000 due to Maxwell-Wagner relaxation and have assessed the viability of device fabrication using
Atomic Layer Deposition (ALD) to investigate the correlation between electric characteristics of the multilayer materials and the film
formation process.

積層構造の概要と作製方法

構造解析とデバイスの最適化

Concept and Fabrication method of multilayer films

Optimization of the process and structure for high aaaa

高誘電率と絶縁特性を併せ持つデバイス作製を目指し、Fig. 1 に示した簡易構造を持つ Al2O3/TiO2 積層膜を原子層堆積装置（ALD）により作製した。
サブレイヤー膜厚の異なるサンプル（サブレイヤー膜厚：0.3nm 〜 10nm、合計膜厚を 280nm）を作製し、電気特性（誘電率と抵抗値）を測定した。また、
Al2O3 を作製する時に用いる酸化剤を変化させることでデバイス特性が大きく変化することを見いだした（Fig. 2）。

ALD

An ALD was used to fabricate the Al2O3/TiO2 multilayer films
on glass substrate (Fig. 1). We investigated that The electricalcharacteristics of the films were measured to determine themechanism by which both giant permittivity and low dielectricloss could be obtained.

2TiOcerfa
Su

Energy (eV)

400 450 500 550 400 450 500 550

Energy (eV)Dielectric constant

1.E+04

1.E+06
1.E+04
1.E+0210

Sublayer thickness (nm)100

:H2O :O3 :H2O & O3:Reported by Wei Li:Capacitance seriesconnected model

1.E+03
1.E+02
1.E+01
1.E+000.1

110Sublayer thickness (nm)100

Fig. 2 Relationship between electric characteristics and oxidizer
for Al2O3 layers

1100

Dielectric constant

1.E+081Energy (eV)

Additional
Al2O3 layer

Both a high resistance and a high dielectric
constant was achieved with optimizing theoxidizers for Al2O3 layer.

Fig. 1 Device structure and Cross section STEM images of Al2O3 /TiO2 multilayer

Resistance (Ω)

400 450 500 550

構造解析の結果を踏まえ、高誘電率と絶縁特性を併せ持つデバイス構造を検討して作製した結果、Fig. 4 に示すような高い特性を実現した。

（Total thickness: 280 nm, Sublayer: 0.3 nm〜10 nm）
Al2O3(ε=7)/TiO2(ε=80)

Contact

O_K1

Fig. 3 Investigation of the oxidation state of TiO2 layer by using EELS

Sublayer 2nm

㚔O3
Al 2

TEM image of samples for EELSQP䞉䞉䞉Counts (arb. Units)

tetrabsSuPt electrode

1.E+000.1

We investigate the insulation property of Al2O3 by STEM-EELS method. Al 2O3layer (TMA) depletes oxygen from TiO2 layer and O3 compensates the oxygen
defects in TiO2 layer. The oxygen defects in TiO2 layer might be necessary for to
Maxwell-Wagner relaxation.
Oxidizer: H2O

STEM and EDX images

PPAl2O3TiO2デバイス特性を考察するため、Al2O3/TiO2 積層界面の構造を収差補正透過電子顕微鏡（CsSTEM）を持いたエネルギー損失分光法（EELS）により調査した。
その結果、Al2O3 層作製に用いる酸化剤により、TiO2 層の酸素欠損に影響することが解明された（Fig. 3）。

900700500
300100
1.E+05

Optimization of oxidizerand device structure

6nm: poor
2nm: exellent

Dielectric constant: 1140,
Resistance: 1.7E+8 Ω/1mm f @100Hzͤ Individual layer thickness: 0.5nm

2-nm-thick additional Al2O36-nm-thick additional Al2O3
1.E+06

1.E+07

1.E+081.E+09

Resistance (Ω)

Fig. 4 Optimization of the process and structure for high resistance& high dielectric constant氏名：辻田卓司（パナソニック（株）/ Panasonic Corp.）/ 松尾保孝（北海道大学 / Hokkaido Univ.）
E-mail : Tsujita.takuji@jp.panasonic.com / nanoplat@cris.hokudai.ac.jp

平成 30 年度「秀でた利用成果」－ 4

東北大学
微細加工プラットフォーム

CINTS

広帯域波長掃引パルス量子カスケードレーザの開発
Development of broadly wavelength swept pulsed QCL

ユ ー ザ ー 氏 名：杉山厚志，大河原悟 / Atsushi Sugiyama，Satoru Okawara（浜松ホトニクス株式会社 / Hamamatsu Photonics K.K.）
実施機関担当者：戸津健太郎，森山雅昭，江刺正喜 / Kentaro Totsu，Masaaki Moriyama，Masayoshi Esashi（東北大学 / Tohoku University）

㚔 Key words

MEMS gratings, Quantum Cascade Lasers (QCLs)

概要 / Overview
高感度のガスセンシングや生体計測を実現するため、外部共振器構造を採用した小形の広帯域波長掃引パルス量子カスケードレーザを開発し製品化した。ナノテクノロジープラットフォームにおいては広帯域波長掃引を実現するため、SOIウェハを用いた電磁駆動形MEMSグレーティングを試作した。ブレーズ形状のグレーティング径は5 mmφの大面積で、高速かつ大きな機械傾斜角を実現した。共振周波数はおおよそ1800 Hz、最大機械傾斜全角は9 degを達成した。開発した波長掃引QCLを用いて、非侵襲血糖値計測実験およびメタンの吸収計測に成功した。
The MEMS grating, with a mirror diameter of 5 mm, is fabricated for broadly wavelength swept quantum cascade lasers to realize
high sensitive gas sensing and biosensing. It consists of a Cu damascene coil for the magnetic actuator and a nano-imprinted brazegrating. A resonant frequency reaches approximately 1800 Hz. Despite a large mirror, a mechanical scanning angle of 9 deg is measured. Using a MEMS grating, absorption spectroscopies of blood glucose and CH4 are demonstrated with an external-cavity quantum cascade laser.

MEMSグレーティングの開発

波長掃引パルス量子カスケードレーザ

Development of MEMS grating

Wavelength swept quantum cascade laser

駆動コイルとグレーティングを同一面上に形成することでミラーを薄くすることができ、5 mmφの比較的大きなミラー径にもかかわらず、高い共振周波数と大きな機械傾斜角を両立した。

MEMSグレーティングと広帯域波長発振型の量子カスケードレーザを用いてリトロー型外部共振器を構成し、1.8 kHzのスピードで200cm-1以上の波長範囲を掃引可能な、波長掃引パルス量子カスケードレーザを開発した。





電磁アクチュエータ（1軸走査）Cuダマシンコイル上にグレーティング
グレーティング径 : 5 mm
ナノインプリント法によるブレーズグレーティング 最大機械傾斜全角 : 8.7 度
 共振周波数 : 1795 Hz

FTIRに代わる新しい赤外分光用光源
ビーム指向性による遠隔・非接触計測
高速スキャンによる分析スループット向上
複数成分、複数吸収線の一括検出
グルコース計測（血糖値、食品糖度）

型名 L14890-09 の外観と製品仕様
項目
MEMSグレーティングの構造

プロセス工程（１）ダマシン構造形成（２）層間絶縁、配線形成（３）グレーティング形成（４）深堀、貫通プロセス

9.3 μm

波長掃引幅200 cm-1 ( 8.3~10.3 μm )光パルス出力400 mW

発振線幅

1.5 cm-1

スキャンレート

1.8 kHz

88 mm

112 mm82 mm

仕様値 (typ.)

中心波長分光計測応用
Absorption spectroscopy
MEMSグレーティングを搭載した波長掃引パルス量子カスケードレーザを用いて、生体中の血糖値計測およびメタンガスの吸収分光計測を試みた。血糖値計測では実用上有効な吸収ピークの検出に成功し、非侵襲血糖値計測への可能性を示した。メタンガス計測結果から波長分解能10 nm程度であることが分かった。

FTIR

周期 8.2 μm

波長掃引QCL計測結果□10 mmMEMSグレーティング素子外観

㚔 Contact

ナノインプリントグレーティングSEM像

血糖値の生体計測例（提供）東北大学医工学研究科

医用光工学分野松浦・片桐研究室

杉山厚志（浜松ホトニクス株式会社）／戸津健太郎（東北大学）

E-mail : cintsoffice@rpip.tohoku.ac.jp

メタンガスの吸光分光測定例

平成 30 年度「秀でた利用成果」－ 5

名古屋大学
分子・物質合成プラットフォーム

ナノワイヤを用いた尿中細胞外小胞体捕捉
Collection of Urine Extracellular Vesicles via Nanowires

ユ ー ザ ー 氏 名：柳田剛 / Takeshi Yanagida（九州大学/Kyushu University），川合知二 / Tomoji Kawai（大阪大学 / Osaka University），落谷孝広 / Takahiro ochiya（国立がん研究センター /National Cancer Center Research Institute）
実施機関担当者：安井隆雄 / Takao Yasui，馬場嘉信/Yoshinobu Baba（名古屋大学 / Nagoya University）

㚔 Key words

nanowire, urine extracellular vesicle, cancer-related microRNA

概要 / Overview
九大・阪大の半導体ナノワイヤ技術に基づいて、バイオ応用可能な水中で機能する金属半導体ナノワイヤの合成支援により、ナノワイヤをプラスチック基板に強固に固定した尿の高速処理新規デバイスを創出した。本デバイスにより、尿中細胞外小胞体を99％以上捕捉でき、従来技術では300種類しか検出できなかったマイクロRNAを1000種類以上検出できる超高効率抽出を世界で初めて実現した。さらに、肺、肝臓、膀胱、前立腺、膵がん患者で特異的に発現しているマイクロRNAの同定に繋がることを確認し、これらのがん診断が可能になることを実証した。
Microfluidic device composed of nanowires anchored into a substrate for urine-based early diagnoses with short treatment time wasdemonstrated. It enabled collection at high efficiency more than 99% of urine extracellular vesicles and in situ extraction more than
1000 types of microRNA compared to conventional methods identifying around 300 types. Cancer-related microRNAs for lung, liver,
bladder, prostate and pancreas were found from this methodology. This device concept will provide new medical application to perform urinary microRNA-based cancer diagnosis.

ナノワイヤデバイスによる尿中マイクロRNA抽出
Extraction of microRNA via Microfluidic Nanowire Device
九大・阪大の半導体ナノワイヤ技術に基づいて、名大・九大共同でバイオ応用可能な水中で機能する金属酸化物ナノワイヤを合成した。名大の支援により、尿中の細胞外小胞体を捕捉する表面特性を持つナノワイヤの合成と尿を導入してもナノワイヤが剥離しないようにプラスチック基板上に強固に固定することが行われ、尿による高速処理可能な新規デバイス構築技術の創出と、マイクロ流体ナノワイヤデバイスの開発に繋がった。本デバ
イスにより、尿中細胞外小胞体を99％以上捕捉できることを実証した（図1）。さらに、尿中細胞外小胞体内部のマイクロRNAの高効率抽出を実現し、従来は尿中から300種類しか検出できなかったマイクロRNAを1000種類以上検出できることを世界で初めて実証した（図2）。
柳田先生は、半導体ナノワイヤに関するこれまでの優れた研究成果に基づいて、バイオ応用可能であり、細胞外小胞体の捕捉を高効率化できるナノワイヤ材料の探索と設計を担当し、柳田先生の材料設計に基づいて、名古屋大学が、ナノワイヤ材料の合成支援を行った。さらに、柳田先生と名古屋大学が共同で、細胞外小胞体の捕捉効率を最大化できるマイクロ流体デバイスの設計を行い、名古屋大学が、マイクロ流体ナノワイヤデバイスの開発支援を行った。柳田先生が設計したナノワイヤ材料の表面特性およびマイクロ流体デバイスのデザインは、理論的には細胞外小胞体を高効率に捕捉できるものであり、名古屋大学は、柳田先生の設計した材料・デバイスの理論的な特性が実際の実験系で性能を発揮できるかについて、共用装置により捕捉細胞外小胞体の定量を行うことで実証した。その結果、がん患者尿中細胞外小胞体を99％以上捕捉できることを証明した。

検出したマイクロRNAのがん診断への適用
Cancer Diagnosis by the Detection of microRNA
国立がん研センターと共同でがん患者の尿解析を行い、肺、肝臓、膀胱、前立腺、膵臓がん患者で特異的に発現しているマイクロRNAを同定し、採決より低侵襲に１mLの尿があれば5種類のがんが診断できることを実証した（図3）。

図1．マイクロ流体ナノワイヤデバイスの合成・開発による尿中細胞外小胞体捕捉とマイクロRNA抽出
図3．
（左）肺がん患者と健常者のマイクロRNA発現量ヒートマップ（右）膵臓がん患者と健常者のマイクロRNA発現量ヒートマップ

論文発表・プレスリリース
Publication of Paper and Press Release

図2．
（左）ナノワイヤデバイスと従来技術の比較（右）ナノワイヤにより1000種類以上のマイクロRNAを検出

㚔 Contact

本成果は、ナノワイヤの合成から5年以上の支援を行った結果であり、柳田先生と安井先生が責任著者として、T.Yasui*, T.Yanagida*. et al., Science Advances, 3,e1701133（2017）（*Corresponding Author）に掲載されるとともに、朝日、読売、毎日、日経新聞など40紙の新聞、国内外の40件以上のWebニュースなどで報道されるなど社会的注目を集めた。

柳田剛（九州大学）／安井隆雄、馬場嘉信（名古屋大学）

E-mail : nano-platform@chembio.nagoya-u.ac.jp

《MEMO》

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム

使えるナノテク装置とエキスパートの全国ネットワーク〜1000台以上の最新機器とノウハウを提供〜๶಍ଡୗੰෲ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈

北海道大学

Hokkaido University：微細構造解析プラットフォーム

Advanced Characterization Nanotechnology Platform：微細加工プラッ卜フォーム

千歳科学技術大学

Nanofabrication Platform਌ਏଢ଼஢ਝ૟Chitose Institute of Science and Technology：分子・物質合成プラットフォーム嵆嵓崩崻嵤嵈தৈಓਗ਼৕ႀ๶ྰ岝ઽ୷ଓਫী
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Molecule & Material Synthesis Platform：各プラッ卜フォームの代表機関
Leading Institute of the Platform

奈良先端科学技術大学院大学
Nara Institute of Scienceand Technology

北陸先端科学技術大学院大学

Japan Advanced Institute ofScience and Technology

東北大学

Tohoku University筑波大学๶಍ਸੵ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈

University of Tsukuba

信州大学

京都大学

Shinshu University

物質・材料研究機構（センター機関）

Kyoto University

National Institute for Materials Science(Platform Center)

大阪大学

Osaka University

産業技術総合研究所

਌ਏଢ଼஢ਝ૟ਗ਼৕崻嵤嵈່୾ಎ઼岝崡崮崫崹嵤岝崡崹崫崧ಎ઼ 岝5,(‫ق‬5HDFWLYH ,RQ (WFKLQJ‫ك‬ಎ઼岝&9'ಎ઼岝ઽ൶崌崒嵛崻嵤嵈ಎ઼岝嵔嵤崞嵤ਸੵಎ઼岝Ⴭ્ਙੑ೾嵣ীෲಎ઼岝஄૾ੑ೾ಎ઼岝਀એੑ೾ಎ઼ 6(0ಉ‫ك‬ী৕嵣੟ସ়ਛ崿嵑崫崰崽崑嵤嵈

National Institute of Advanced Industrial
Science and Technology

広島大学

Hiroshima University

東京大学

The University of Tokyo

東京工業大学Tokyo Institute of Technology

山口大学

名古屋大学

Yamaguchi University

Nagoya University

香川大学

Kagawa University਌ਏଢ଼஢ਝ૟ற ჌ ਞ ુ ๥ ಎ ઼ 岝 ୾ ী ෲ ಎ ઼ 岝 ସ ୤ ীෲ嵣峇峘౎౫મ௬੼岝崸崌崒৷୾৾ႀ๶ྰ岝崸崌崒௬੼岝ઌ૬ਛჍಎ઼峮ුჍ‫ط‬崲崶৹ଲਸੵ岝৲৾౫મ়ਛ嵣ಞ৕੿ਛ岝崸崌崒৹ଲ岝්ૌ஑ਗ਼৕ႀ๶ྰ 7(0 岝਀એীෲ‫ق‬௒ਪਗ਼৕ႀ๶ྰ 6(0 (';(30$岝ਗ਼৕ী୾;36836$(6 ‫ك‬岝‫ۍ‬଍৚ീಎ઼岝௒ਪ஑崰嵛崵嵓ႀ๶ྰ 670 ‫ط‬ਉ৕৑ৡႀ๶ྰ$)0‫ك‬

名古屋工業大学

Nagoya Institute of Technology

早稲田大学Waseda University

自然科学研究機構 分子科学研究所
Institute for Molecular Science

豊田工業大学

Toyota Technological Institute北九州産業学術推進機構
Kitakyushu Foundation for
the Advancement of Industry,
Science and Technology

九州大学

Kyushu University

日本原子力研究開発機構
Japan Atomic Energy Agency

量子科学技術研究開発機構

National Institutes for Quantum andRadiological Sience and Technology㌣崕嵤嵗嵤崱岵峳ർ峃㌣ଢ଼஢ী৙岵峳ർ峃㌣崿嵑崫崰崽崑嵤嵈岵峳ർ峃㌣ଢ଼஢ਃঢ়岵峳ർ峃㌣崐嵒崊‫ق‬৉ୠ‫ك‬岵峳ർ峃㌣ਝ૟ীథ岵峳ർ峃
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平成 31 年 2 月