大 学 院 工 学 研 究 院 附 属 エ ネ ル ギ ー・マ テ リ ア ル 融 合 領 域 研 究 セ ン タ ー超高H i g hC e n t e r

圧

V o l t a g e
f o r

電

子

E l e c t r o n

A d v a n c e d

顕

M i c r o s c o p e

R e s e a r c ho f

Hokkaido University

微鏡

L a b o r a t o r y

E n e r g y

a n d

室
a t

M a t e r i a l s

超高圧電子顕微鏡室
The Laboratory of High-Voltage Electron Microscope
全学共同研究・教育施設として、北海道大学超高圧電子顕微鏡研究室には2台の超高圧電子顕微鏡ならびに各種の顕微鏡を常設し、材料の表面と内部構造のナノ解析による研究サポートが行えるように体制を整えております。1998年に導入した、世界でも比類のないイオン加速器2基を敷設したマルチビーム超高圧電子顕微鏡（ A R M - 1 3 0 0 ）に加え、2 0 0 7 年にはパルスレー ザ ー 発 振 器を追 設したレー ザ ー 超 高 圧 電 子 顕 微 鏡（Laser-HVEM）の開発、
また、2014年にはマルチビーム超高圧電子顕微鏡にレーザー照射機能を付加し、複合
量子ビーム超高圧電子顕微鏡を開発し、
イオン、電子、光の各種量子ビームの複合化の観点から極めてユニーク
な先端研究展開に期待がもたれています。
これらの装置を利用して、現在は、「ナノテクノロジープラットフォーム/微細構造解析プラットフォーム」事業、並びに、「大学間連携共同利用設備群

超高圧電子顕微鏡連携ステーション第II期」事業による共同利用装置として、

グリーン・ナノ・ライフ科学に関わる年間100件以上の環境、エネルギー、生命科学の研究者の方々への研究サ
ポートを行っております。
本施設がその使命を果たし、共有設備として今後さらに発展するには、各方面からのご協力が必要です。世界に誇るこれらの設備と研究支援体制を十分にご活用頂きますとともに、今後とも御指導、御鞭撻のほどお願い申し上げます。

As a collaborative research and educational facility, a couple of high-voltage electron microscopes (hereinafterreferred to as HVEM) and various microscopes have been established at the Laboratory of HVEM of Hokkaido
University. Since then, we have been supporting nano-analytical studies on surface and microstructure of materials.
First, early in 1998, we introduced a multi-beam HVEM equipped with a double high-energy ion accelerator unlike
any other in the world (ARM-1300), then developed an advanced laser HVEM integrated with a pulsed-laser oscillator(Laser-HVEM) in 2007, and ﬁnally appended a laser irradiation device on a multi-beam HVEM to develop amulti-quantum beam HVEM in 2014. Therefore, we expect that our facilities will contribute to extremely unique andadvanced research from the viewpoint of quantum beams of ion, electron and various optical quantum beams.
For the 2 research support projects, “Nanotechnology Platform/Microstructural Analysis Platform” and “The Phase
II of Inter-University Joint Research Centers of HVEM”, we provide support services by using the above mentioned
equipment to more than 100 researchers per year now in environment, energy and life-science relating togreen-nano-life science.
In order to achieve our facilities’ mission and further development, we still need broad public support. We hopethat you take advantage of our world-leading facilities and research supporting systems, and greatly appreciate yourfurther guidance and encouragement in the future.

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全学共同利用施設
A Common Facility for All Departments of the University
マルチビーム超高圧電子顕微鏡は、300kV、400kVイオン加速器２台と1300ｋＶの超高分解能電子顕微鏡（点分解能 0.117nm）を連結したシステムです。
これにより、異種原子をイオン化し加速させ、単独原子あるいは複合原子を同時に材料に注入し、またその様子を原子レベルの分解能でその場観察することが世界で初めて可能となりました。

The multi-beam HVEM is a system consisting of 2 ion accelerators (300kV and 400kV) and a 1300kV
high-resolution electron microscope with a point resolution of 0.117nm. Thus, we are now able to ionize andaccelerate diﬀerent ion species, to implant single or complex atoms simultaneously into materials and even to observein situ their resolution at atomic level for the ﬁrst time in the world.

ナノプラットフォーム事業
Nanoplatform Project
北海道大学超高圧電子顕微鏡室は文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業に参画し、共同利用体制のより一層の充実、強化を図るとともに、相互のネットワーク化を促進し、超高圧電子顕微鏡等を用いたナノテクノ
ロジー研究支援を実施していきます。

The Laboratory of HVEM participates in "Nanotechnology Platform"(project No.12024046) of the Ministry of
Education,Culture,Sports,Science and Technology(MEXT), and we will improve the joint-use system of the facilities,
promote mutual network systems and support nanotechnology research involving high-voltage electron microscopy.

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研究設備
マルチビーム超高圧電子顕微鏡

JEM-ARM1300

Multi-beam Ultra-High Voltage Electron Microscope▶スペック Speciﬁcation
加速電圧

Accelerating voltage : 1250kV (max 1300kV)

粒子分解能

Point-to-point resolution : 0.118nm▶付属機器

Attachment

二軸傾斜ホルダー
加熱ホルダー

Double tilt holder

Double tilt heating holder

液体窒素冷却ホルダー

Double tilt liquid nitrogen cooling holder

300kV イオン加速器

Ion accelerator(H+, He+, Ar+, Ne+)

400kV イオン加速器

Ion accelerator(Ti+, Ni+, Fe+, Ag+)レーザー
（HeCd / YAG / フェムト秒）
Laser equipment (Continuous Wave He-Cd laser/Nanosecond pulsed
YAG laser/Femtosecond pulsed laser)▶主な用途

Primary use

超高分解能構造像・格子像の観察
Observation of ultra-high resolution structure image and lattice image

厚膜試料の観察
Observation of thick ﬁlm sample

試料加熱・冷却過程その場観察
In-situ observation of microstructural change during heating/cooling processes

イオン・レーザー・電子線照射その場観察
In-situ observation of ion implantation/radiation damage behaviors

4Research Facilities

レーザー照射装置

フェムト秒レーザー/ナノ秒パルスレーザー/He-Cd レーザー

Additional laser irradiation equipment

Femtosecond pulsed laser/Nanosecond pulsed laser/CW He-Cd laser

イオン/レーザービーム偏向ポート
Ion beam/laser beam deﬂecting port

レーザー照射装置
Drawing of newly installed Laser irradiation equipment

High resolution TEM image of Si single crystal

High resolution TEM image of Au single crystal

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研究設備
レーザー超高圧電子顕微鏡

H-1300

Pulsed-Laser Equipped High-Voltage Electron Microscope▶スペック Speciﬁcation
加速電圧

Accelerating voltage : 1000kV (max 1300kV)粒

子分解能

Resolution : 0.20nm (side entry)▶付属機器

Available attachment

二軸傾斜ホルダー

加熱ホルダー

Double tilt heating holder

引張試験用ホルダー
YAGレーザー▶主な用途

Double tilt holder
Piezo driven indentation holder

Nanosecond pulse YAG laser

Primary use

厚膜試料の観察

Observation of thick ﬁlm samples

試料加熱過程その場観察
In-situ observation of microstructural change during heating processes

電子線照射損傷過程その場観察
In-situ observation of electron irradiation eﬀect

オペレーションスペース
Operation space

応力下変形挙動その場観察
In-situ observation of deformation behavior under applied stress

レーザー照射システム
Laser irradiation system

6Research Facilities
収差補正走査透過型電子顕微鏡

Titan G2 60-300

Cs-corrected Scanning Transmission Electron Microscope※ナノテクノロジープラットフォーム事業により導入▶スペック Speciﬁcation
加速電圧

Accelerating voltage : 60kV, 80kV, 200kV, 300kV

TEM分解能STEM分解能Resolution : 70pm
（加速電圧300kV）
Resolution : 70pm
（加速電圧300kV）

XFEG電子銃（高輝度FE電子源） Field Emission Gun▶付属機器

Attachment

二軸傾斜ホルダー

double tilt holder

トモグラフィー用ホルダー

tomography holder

ウィーンフィルター型モノクロメーター

monochromator

照射系・結像系球面収差補正器
Double spherical aberration corrector

Super-X EDS system (4 separated SDDs)
GIF QuantumER▶主な用途

Primary use

高分解能像の観察

Observation of high-resolution lattice images

CBED、
ナノビーム回折
CBED and NBD analysis

EDSによる組成分析・マッピング
1D/2D EDS mapping

EELSによる電子状態測定
Measurement of electronic state by EELS

エネルギーフィルタによる元素マッピング
Elemental mapping by energy ﬁlter (GIF)

電子線トモグラフィーによる三次元画像構築
3D image reconstruction using electron tomography

オペレーションスペース
Operation space

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研究設備
汎用 200kV 透過型電子顕微鏡

JEM-2000FX

200kV Transmission Electron Microscope▶スペック Speciﬁcation
加速電圧

Accelerating voltage : 200kV

粒子分解能

Point-to-point resolution limit : 0.28nm

格子分解能

Lattice resolution limit : 0.20nm▶付属機器

Attachment

エネルギー分散型X線分光器
Energy-dispersive X-ray spectrometer (EDS)

CCDカメラCamera▶主な用途

Primary use

明視野・暗視野像観察

Observation of bright-ﬁeld and dark-ﬁeld images

高分解能格子像の観察
Observation of high-resolution lattice image

EDSによる微小領域組成分析
Compositional analysis by EDS

FIB 加工装置

JEM-9320FIB

Focused Ion Beam System▶スペック Speciﬁcation
Ga液体金属イオン源

加速電圧
倍率

Ga liquid-metal ion source

Ion Accelerating voltage : 5~30kV

Magniﬁcation : x50 (Low mg mode), x150~x300,000

像分解能

SIM resolution limit : 6nm (@30kV)

最大ビーム電流

Beam max. current : 30nA (@30kV)

ＴＥＭ試料サイドエントリーゴニオメータステージ
Tip-on (TEM compatible) side entry holder

バルク試料オータステージ
Bulk sample holder▶主な用途

Primary use

透過型電子顕微鏡観察用薄膜試料制作
Preparation of thin ﬁlm sample for transmission electron microscopy

SIM像観察Observation of SIM image

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Research Facilities
電界放射型 200kV 透過型電子顕微鏡

JEM-2010F

200kV Field-Emission Transmission Electron Microscope▶スペック Speciﬁcation
加速電圧

電子銃

Accelerating voltage : 200kV

Illumination system : ZrO/W FEG

粒子分解能

Point-to-point resolution limit : 0.19nm

格子分解能

Lattice resolution limit : 0.10nm▶付属機器

Attachment

二軸傾斜分析ホルダー

Double tilt analytical holder

エネルギー分散型X線分光器
Energy-dispersive X-ray spectrometer (EDS)

電子エネルギー損失分光器
Electron energy-loss spectrometer (EELS)

高角度環状暗視野検出器
High-angle annular dark-ﬁeld (HAADF) detector for STEM

▶主な用途

Primary use

高分解能像の観察

Observation of high-resolution lattice image

CBED、
ナノビーム回折

CBED and NBD analysis

EDSによる極微小領域組成分析・マッピング
EELSによる極微小領域電子状態測定

1D/2D EDS mapping

Measurement of electronic state by EELS

エネルギーフィルタによる元素マッピング

Elemental mapping by energy ﬁlter (GIF)

HAADFを用いたZコントラスト像の取得

Z-contrast imageing by STEM-HAADF

電界放射走査型電子顕微鏡
Scanning Electron Microscope

JSM-7001FA▶スペック Speciﬁcation
加速電圧

▶主な用途

Accelerating voltage : 30kV

Primary use

二次電子・反射電子による表面観察

Surface observation by secondary electrons and backscattered electrons

EDSによる微小領域組成分析
1D/2D EDS analysis

EBSDによる結晶方位解析
Crystallographic orientation analysis by EBSD system9研 究・観 察 例
イオン注入を利用した高強度材料製作手法の確立
Fabrication of high strength materials using ion irradiation

Precipitate

Matrix
FFT, Filtering, FFT

020

2nm

200

非平衡析出相の高分解能TEM像とフィルター像
HR-TEM and ﬁltered image of non-equilibrium precipitate/matrix interface

Reversible Phase Change
electron
Amorphousheating

Phase

593K

irradiation
Crystal

110K

Amorphous
Phase

Irradiation time
0 min

3min

8min

20min

電子線照射による非平衡析出相のアモルファス化
Eﬀect of electron irradiation on amorphization of non-equilibrium precipitated phase10Research Progress

Feイオン注入

Arイオン注入Fe ion irradiation

Ar ion irradiation

TEM bright ﬁeld image

TEM bright ﬁeld image

TEM dark ﬁeld imageα

TEM dark ﬁeld imageαγ Matrix

200nm

γ Matrix

500nm

Fe及びArイオン注入した301ステンレス鋼に形成された微細マルテンサイト相
Microscopic martensitic phase on SUS301 induced by Fe and Ar ions irradiation

マルチビーム超高圧電子顕微鏡に付属したイオン加速器を活用することで、既存の手法では得られないような相組織・原子構造をもった材料を創製することが可能となります。例えば、アルミ合金に種々の金属元素をイオン注入することで、非平衡な析出α

相を微細分散させることによりイオン注入層のみを高強度化することができます。

surface

また、構造材料用ステンレス鋼についても、
イオン注入を利用することで表層のみに硬いマルテンサイ
ト相を形成させることが出来るため、新しい表面改

50nm

W depo質技術として今後の応用が期待されます。
Now it is possible to manufacture materials with
diﬀerent structures of phases and atoms by using the ion
accelerator equipped on multi-beam HVEMs, while it is
not obtainable by existing techniques. For example,
implanting various metallic elements to aluminum alloys
by ion implantation disperses nonequilibrium phase
deposition ﬁnely, and thus it can fortify only the ion
implanted layer.
Also, it enables to form a hard martensitic phase on
the stainless steel for the construction industry.
Therefore, we expect that this new surface modiﬁcation
technology will create further applications in the future.

Matrix

変態相の断面 TEM 像
Cross-sectional TEM image of phase transformationt

H. kinoshita et al., Mater. Chem. Phys., 81 (2003)
Dwi Gushiono et al., Mater. Trans., 45 (2004)11研 究・観 察 例
高分解能TEM/STEM観察とEELSを用いた材料開発
HRTEM/STEM observation and EELS for material development

Pd/ZnO界面の高分解能TEM像と原子構造モデル
HRTEM and atomic model of Pd/ZnO interface

Zn終端界面における原子構造の解析例
Atomic structure of Zn-terminated interface

EELSと第一原理電子状態計算に基づく界面結合状態解析
Interfacial chemical bonding state analysis based on ab-initio calculation and EELS

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Research Progress

Caをドープしたα-SiAlONの高分解能HAADF像と構造モデル
HR-HAADF and atomic model of Ca-doped α-SiAlON

α-SiAlON中での電子線伝播挙動のシミュレーション結果
Multi-slice simulation electron propagation behavior in α-SiAlON

近年のデバイスの微小化に伴い、先進材料の研究開発に向けてはサブナノスケールでの材料の構造評価と状態分析が必須となりつつあります。
マルチビーム超高圧電子顕微鏡ならびに各種分析電子顕微鏡の組み合
わせにより、先進デバイス材料の解析を実施しております。
例えば、金属/セラミックス界面の原子構造をマルチビーム超高圧電子顕微鏡で直視するとともに、界面における特異な電子状態を電子エネルギー損失分光法 (EELS) と第一原理電子状態の組み合わせにより解明しました。
また、最新の球面収差補正STEMを用いて先進セラミックス材料の原子構造を明らかにするとともに、材料中での電子線伝播挙動をシミュレーション計算により評価し、ドーパント分布の定量化に向けた研究を行っております。
Due to the miniaturization of devices in recent years, it is essential to carry out research and development ofadvanced materials for their atomic structural evaluation and chemical bonding state analysis at sub-nanometer scale.
For this purpose, we carry out analysis of advanced device materials by combining a multi-beam HVEM and various
analytical electron microscopes.
For example we have observed directly atomic structures of metal/ceramic interface under multi-beam HVEM andalso found out speciﬁc electronic states at the interface by a combination of electron energy-loss spectroscopy (EELS)
and ﬁrst-principle electronic structure calculations. In addition, we have clariﬁed the dopant distribution of advanced
ceramic materials by using the spherical aberration corrected STEM and the multi-slice simulation technique.

N. Sakaguchi et al., Phil. Mag. (2008)13研 究・観 察 例
マルチ量子ビーム環境を模擬したシミュレーション照射実験
Simulation irradiation experiment in multi-quantum beam environment

レーザー・電子線照射のボイド形成写真 (a) 電子線のみ
照射のみ（b）レーザー（c,d）レーザー照射の後に続いて電子線照射（e）レーステンレス鋼中の空孔集合体のレーザー照射による成長
Growth of holes aggregation by laser irradiation in stainless steel

ザー・電子線同時照射：時間及び温度は下図に記入（RT は室温）
Void formation under laser-electron irradiation. (a) electron irradiation. (b) laser
irradiation. (c,d) laser irradiation followed by electron irr. (e) simultaneous laserand electron dual-beam irradiation.

レーザー光と電子線 Laser and Electron Beam
1998年、
イオン加速器2台を連結したマルチビーム超高圧電子顕微鏡を開発、2007年には短パルスレー
ザーを敷設したレーザー超高圧電子顕微鏡（L-HVEM）
を開発、さらに2009年には、イオン加速器（試料照射真空チャンバー部）に短パルスレーザー装置を備えたイオン・レーザー照射単独装置の開発を実施してきました。現在は未踏であるレーザー・電子線・イオンの3種量子ビームのマルチビーム超高圧電子顕微鏡の実現に向け準備を進めています。
これによりフォトン（レーザー光）、
レプトン
（電子）、
ハドロン
（イオン）
という
すべての素粒子系の代表が揃います。
これにより、
これまで行えなかったガンマ線（電磁波）、
ベータ線、
中性
子・イオンの量子ビームが共存・競合する核融合炉環境の高温プラズマに曝される材料損傷模擬なども可能であります。電子顕微鏡機能としてのナノ領域観察によるその場実験が同時に行えるため、高時間・高空間
分解能解析によるグリーンナノテク・エネルギーの研究推進が期待されます。
We developed a multi-beam HVEM connected with 2 ion accelerators in 1998. Subsequently we developed another
HVEM with an integrated short-pulsed laser in 2007, then developed a single ion laser radiation device equipped with
an ion accelerator whose vacuum chamber had a short-pulse laser unit in 2009. Currently we have accomplished to
install a multi-beam HVEM applied to the 3 quantum beams (laser, electron and ion). When we operate it, all the
representative elementary particles, namely photon (laser beam), lepton (electron) and hadron (ion) will become acomplete set. Thus, we will be able to implement simulation experiments, which we could not do before, such as
dealing with damage materials exposed to high temperature plasma in a nuclear fusion reactor where gamma rays
(electromagnetic radiation), beta ray and neutron/ion beams are coexisting and competing. Since it makes us possible
to conduct a nano-region observation and an in situ observation simultaneously under electron microscope, we can
expect further research promotion on high time and high spatial resolution analysis for green-nanotech-energies.

Z. Yang et al., Sci. Rep., 1 (2011), Sci. Rep., 3 (2013)14

Research Progress
真空チャンバVacuum chamber

磁場型四重曲レンズ

X軸
x-axisビューポートY軸

Target stage

φ=0 ～ 90°
（Y 軸中心）高電圧ターミナル
質量分離マグネット

High voltage terminal

Mass-separator magnet

View port

y-axis

ターゲット台Quadraple magnet lens

スリット

φ

Slit

X-Y スキャナ

Z軸

X-Y Scanner

z-axis

パワーメーターθ

Power meter（着脱可）

ビューポート
偏光子
Polarizer

加速管※イオンビーム入射軸は、Z 軸。

View port（鉛ガラス着脱式）

Accelerating tube

イオン源
Ion source

レーザー入射軸は、Y 軸を中心にθ=45 ～ 90°

レーザー源
Laser

※Ion beam incident axis; z-axis

イオン加速器Laser incident axis; θ=45 ～ 90° of center y-axis

Ion Accelerator

イオン・レーザーマルチ照射装置
Ion and Laser multi-irradiation system

照射前後の表面SEM像(a)未照射(b)イオンのみ照射後(c)レーザーのみ照射後(d)同時照射後照射領域の吸収スペクトル
Absorption spectrum of irradiated specimen

SEM images of before and after irradiation. (a) non-irradiated. (b) After ionirradiation (c) After laser irradiation (d) After ion and laser co-irradiation.

イオンと光 Ion and Laser Beam
イオン照射と短パルスレーザー照射を組み合わせることにより、ガラス基板表面にレーザーの波長や電場ベクトルに依存した貴金属ナノ粒子を周期的に配列させたナノ構造を作成できることが明らかになってきました。
そこで、超高圧電子顕微鏡室ではイオン加速器と短パルスレーザーを組み合わせて超高圧電子顕微鏡に連結し、ナノ構造形成の機構解明とその応用について研究開発を進めています。
It has become clear that simultaneous irradiation with ion and short-pulse laser can be applied to create
nanoparticles of noble metals. Therefore, our HVEM laboratory proceeds to investigate the mechanism of new
nanostructure formations by a combination of the ion accelerator and the short-pulse laser.

Ruixuan Yu et al., J. Appl. Phys., 115 (2014)15

研 究・観 察 例
複合材料やオプトデバイスの研究開発

Research and Development for Composite Materials and Opto-Devices
近年、結晶のナノサイズ化やナノスケールで微細組織を制御することにより、これまでにない機能や強度を発現することが明らかになりつつあります。
しかしながら、
その強度の発現機構は未だ不明なところが多く、試験後の微細組織観察では試料作成時のartifactの問題があります。
そのため、超高圧電子顕微鏡内でその場破壊
挙動の観察とそのサブマイクロの荷重/変異曲線を取得できるその場観察ホルダーを開発し、複合材料やオプ
トデバイスの研究開発を推進しています。
In recent years, it has become possible to obtain new functions and strength of materials by nano-sizing of theircrystals and controlling their microstructure at nano-scale level. However, the mechanism of the strength is still mostly
unknown, and after the specimen test, we still have artifact problems on the specimen resulted during its preparation.
Due to this, we promote research and development of composite and opto devices; e.g. we have developed a holder for
an in situ breakdown behavior observation and in order to acquire its sub-micro loads or dislocation curves.

T. Shibayama et al., IOP Conf. Ser.: Mater. Sci.

新しく開発したその場観察ホルダー（左） FIBによるミニチュアDNS型ナノメカニクス評価試験片（右）Custom built nano-mechanics piezo driven holder for in-situ indentation testing (Left),
FIB processed miniature sized DNS type testing pieces for shear strength evaluation of ﬁber reinforced composites (Right)

新しく開発したその場観察グラフィックユーザーインターフェース
その場試験開始後TEM像（左） その場TEM観察像と同期した荷重/変位曲線（右）Graphical user interface for in-situ observation TEM image of after in-situ test (Left),
TEM image of in-situ observation and synchronized load/displacement curve (Right)

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Research Progress
超高圧電子顕微鏡のバイオマテリアルへの応用
Application of Multi-Beam HVEM for Biomaterial Science

マルチビーム超高圧電子顕微鏡の超高電圧により加速された電子の波長は非常に短いため、高い分解能が得られると同時に、電子線は物質を透過しやすくなります。特に、生体材料等の電子線照射に弱い物質を高分解能で観察する場合、通常の電子顕微鏡（加速電圧200kV）を用いると電子ビームによる熱ダメージにより試料は大きく損傷されてしまいます。
マルチビーム超高圧電子顕微鏡を用いることで熱ダメージを抑えつつ原子レベルでの物質の構造を観察することが可能となり、バイオマテリアルの微細構造解析に威力を発揮しています。
Since the multi-beam HVEM accelerates electrons, the wavelength of electron is very short. Consequently it gives highresolution images and makes electron beams transmit easily through the sample. In particular, when we observe
materials that are weak against irradiation of electron beams, such as biological materials at high resolution under aconventional electron microscope (accelerating voltage 200kV), the sample is damaged by electron beam heatings. On
the contrary, we can observe such materials at atomic level without heating by using the multi-beam HVEM.

N. Sakaguchi et al., J. Elec. Microsc.. (2008)

A
B

tooth enamel(97% hydroxyapatite)

B

A

10nm

人歯エナメル質の微細組織と各方向から見た高分解能TEM像
Microstructure and HR-TEM image of human-tooth enamel

200nm

2nm

2nm

生体組織に包埋されたカーボンナノチューブの明視野像と高分解能TEM像
Bright-ﬁeld and high-resolution TEM images of carbon nanotubes embedded in subcataneous tissue

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利用案内
ナノテクプラットフォーム事業／Usage guide for the use of the laboratory (Nanotechnology Platform Project)
ナノテクノロジープラットフォーム事業を利用し、当施設の設備をご利用希望される方は、以下の手順でお申し込み頂きますようお願いいたします。
Any personnel intending to use the equipment in our facilities for Nanotechnology Platform Project must follow the following procedure:1.

ナノテクノロジープラットフォーム利用申請書をナノテク連携推進室にご提出ください。
詳細は下記ナノテクノロジープラットフォームウェブサイトをご参照ください。
Please submit a complete application for the facility usage to The Oﬃce for the Nanotechnology Collaborative Research.
Please see the details on the website: http://www.cris.hokudai.ac.jp/cris/nanoplat/2．利用申請書の提出（はじめて当施設をご利用の方）/ Submission of the form for use of the facilities ( for the ﬁrst-time users)
利用希望者は利用申請書に必要事項を記入の上、超高圧電子顕微鏡室へご提出ください。
（注：申請課題毎に利用申請書のご提出が必要です。
）
Please submit an application form to the Laboratory of HVEM. (NB: the form must be submitted every time prior to usage)

3．設備利用予約 / Booking for the use of the facilities
利用申請後、電話またはメールにて、希望利用設備と日時をお知らせください。
Please inform the person-in charge via phone or e-mail about your booking (which facility to use, date and time) after the submission of the form.

一般利用／Usage guide for the use of the laboratory (general)
一般利用の方が当施設の設備をご利用希望される方は、以下の手順でお申し込み頂きますようお願いいたします。
Anyone intending to use the equipment in our facilities must follow the following procedure:

1．利用申請書の提出（はじめて当施設をご利用の方） / Submission of the form for use of the facilities (for ﬁrst-time users)
利用希望者は利用申請書に必要事項を記入の上、超高圧電子顕微鏡室へご提出ください。
Please submit the application form by e-mail to the Laboratory of HVEM

2．設備利用予約 / Booking for the use of the facilities
利用申請後、電話またはメールにて、希望利用設備と日時をお知らせください。
Please inform the person-in charge via phone or e-mail about your booking ( which facility to use, date and time) after the submission of the form.

利用料金／Fees
超高圧電子顕微鏡室関連装置の利用料金は超高圧電子顕微鏡室 Web サイトを御覧ください。
URL : http://labs.eng.hokudai.ac.jp/labo/HVEM/

Please refer to HVEM website for usage fees for other related facilities.
URL : http://labs.eng.hokudai.ac.jp/labo/HVEM/english/

利用日時／Opening hours
月～金曜日（祝祭日除く）/ Monday to Friday ( except public holidays)

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9：00 - 17：00

User's Guide and Access to the Facilities
アクセスマップ／Access map
SUBWAYstation

エネルギー･マテリアル融合領域

研究センター超高圧電子顕微鏡室
Laboratory of HVEMSUBWAY
Kita 12 jo
station▶空港～JR 利用 / From New Chitose Airport by JR trains
新千歳空港から快速エアポートに乗車し、札幌駅下車。
その後、地下鉄札幌駅から南北線麻生行きに乗車し、北 12 条駅又は北18条駅下車。地下鉄駅より徒歩約10分（ 経路は上図参照 ）Travel to Sapporo Station by Rapid Airport train. Then, travel to Kita 12
Jo or Kita 18 Jo subway station of the Namboku line. It is a 10 min.
walk to the Laboratory of HVEM. (Please see the map.)▶バス利用 / 北都交通（札幌駅南口まで ）又は中央バス（京王プラザ
ホテルまで）

Buses from New Chitose Airport/
By Hokuto Kotsu Bus: Get oﬀ at the South Gate of Sapporo Station.
By Chuo Bus : Get oﬀ at Keio Plaza Hotel.
バス下車後、地下鉄札幌駅から南北線麻生行きに乗車し、北 12 条駅
又は北 18 条駅下車。地下鉄駅より徒歩約 10 分。
After getting oﬀ the bus, take a subway of the Namboku line from
Sapporo subway station to Kita 12 Jo or Kita 18 Jo. It is a 10 min.
walk to th Laboratory of HVEM. (Please see the map.)

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Target chamber
X-Y scanner

View port
Selector Magnet

Deﬂector

Accelerator

Ion source

Magnetic quadrupole Lens
High voltage terminal
Electric quadrupole Lens

High Voltage Electron Microscope

エネルギーマテリアル融合領域研究センター 超高圧電子顕微鏡室
Hokkaido University, Faculty of Engineering Center for Advanced Research of Energy and Materials HVEM laboratory
http://labs.eng.hokudai.ac.jp/labo/HVEM/〒060-8628

北海道札幌市北区北13条西8丁目

Kita 13-jo Nishi 8-chome,

Kita-ku, Sapporo 060-8628, JAPANTEL/FAX:011-706-7300

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