单 P 沟道 MOSFET
ELM65103A-S■概要

http://www.elm-tech.com■特点

ELM65103A-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压，·Vds=-30V

低导通电阻的大电流 MOSFET。

·Id=-4.5A (Vgs=-10V)·Rds(on) = 41mΩ (Vgs=-10V)·Rds(on) = 60mΩ (Vgs=-4.5V)■绝对最大额定值

如没有特别注明时, Ta=25℃

项目记号
Vds
Vgs

漏极 - 源极电压栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃

漏极电流（定常）
漏极电流（脉冲）Id
Idm

Tc=25℃
Tc=75℃容许功耗结合部温度及保存温度范围

PdTj, Tstg

规格范围-30±20-4.5-3.5-20
1.38
0.83- 55~+150

单位
VV备注

AA1, 2W

3℃备注：
1. 脉冲宽度受最大结合部温度限制；
2. 脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2％；
3. 安装在表面为 FR-4 板的 1in2 铜垫上时。

■热特性项目最大结合部 - 周围环境记号Rθja典型值
-最大值
90

单位℃/W

备注

备注：安装在表面为 FR-4 板的 1in2 铜垫上时；另外，安装在最小的铜垫上时为 270℃/W。

■引脚配置图

■回路
D

SOT-23(俯视图)312引脚编号

引脚名称

1GATE

23SOURCE
DRAIN

GS

Rev.1.01/7
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单 P 沟道 MOSFET
ELM65103A-S■电特性项目记号条件

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如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位静态特性漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V-30--栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=-24V，Vgs=0V---1

Vds=-24V，Vgs=0V Ta=125℃---10栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V--±100nA

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-4.5A
Rds(on)Vgs=-4.5V, Id=-3.5A
Gfs Vds=-10V, Id=-4.5A
Is-1.2--1.8
41-2.2
50

V-

60
4.3-

70
-4.5---18

A---1.2V栅极阈值电压漏极 - 源极导通电阻（注）正向跨导（注）
寄生二极管最大连续电流（注）VμAmΩ
SA二极管脉冲电流（注）Ism

二极管正向压降（注）

Vsd

动态特性
输入电容Ciss-885-

pF

输出电容反馈电容
开关特性Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Crss-

8681-

pF
pF

总栅极电荷（注）栅极 - 源极电荷（注）栅极 - 漏极电荷（注）

Qg
Qgs
Qgd-

15
37-

nC
nC
nC

导通延迟时间（注）td(on)-

8ns

导通上升时间（注）

tr-

12ns-

30ns-

23
32.0
13.5

ns
nsnC

关闭延迟时间（注）关闭下降时间（注）寄生二极管反向恢复时间（注）寄生二极管反向恢复电荷（注）Is=-1A, Vgs=0V

Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-4.5A
Vgs=-10V, Vds=-15V

Id=-1A, Rd=15Ω
td(off)Rgen=6Ω
tftrr
If=-4.5A, dIf/dt=100A/μs
Qrr-注）脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2％；■参考焊盘图

Recommended Soldering Footprint

Rev.1.02/7
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单 P 沟道 MOSFET
CYStech ELM65103A-S
Electronics Corp.
■标准特性和热特性曲线

Spec. No. : C400N3
Issued Date : 2011.11.28
Revised Date : 2019.03.06
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Page No. : 4/9

Typical Characteristics
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature

Typical Output Characteristics-ID, Drain Current (A)

20

15

10V
9V
8V
7V
6V
5V

-VGS=4.5V-VGS=4V-VGS=3.5V

10-VGS=3V

5-VGS=2.5V

40-BVDSS, Drain-Source Breakdown Voltage
(V)

2538
363432

ID=-250μA,
VGS=0V

300012345678-VDS, Drain-Source Voltage(V)9-75 -50 -25

10Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current

Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2

VGS=-3V-VSD, Source-Drain Voltage(V)R DS(on) , Static Drain-Source On-StateResistance(mΩ)

1000

VGS=-4.5V

VGS=-2.5V

100

VGS=-10V
VGS=-4V

100.001

Tj=25°C

0.8
Tj=150°C

0.60.40.20.01

0.11-ID, Drain Current(A)100100R DS(ON) , Static Drain-Source On-StateResistance(mΩ)

180160140120
100
ID=-4.5A
ID=-3.5A

8060402002468-VGS, Gate-Source Voltage(V)

2468-IDR, Reverse Drain Current (A)

10Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture

200

0VGS=0V

1

Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage

R DS(ON) , Static Drain-Source OnState Resistance(mΩ)

025 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)

908580757065605550454035302520

VGS=-4.5V, ID=-4A

VGS=-10V, ID=-5A-60

10-20

2060
100140Tj, Junction Temperature(°C)

MTP5103N3180

CYStek Product Specification

Rev.1.03/7
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单 P Electronics
沟道 MOSFETCYStechCorp.

Spec. No. : C400N3
Issued Date : 2011.11.28
Revised Date : 2019.03.06
Page No. : 5/9

ELM65103A-S

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Typical Characteristics(Cont.)Threshold Voltage vs Junction Tempearture

Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
2.2-VGS(th),Threshold Voltage-(V)Capacitance---(pF)10000

Ciss1000

Coss100

Crss

ID=-250uA

21.8
1.6
1.4
1.2
10.8

100.1

110-VDS, Drain-Source Voltage(V)-60 -40 -201006080 100 120 140 160

Gate Charge Characteristics

1012-VGS, Gate-Source Voltage(V)GFS, Forward Transfer Admittance-(S)20 40

Tj, Junction Temperature(°C)

Forward Transfer Admittance vs Drain Current

10.1

VDS=-10V
PulsedTa=25°C

108

VDS=-15V
ID=-4.5A

642
00.01
0.001

0.01

0.1
1-ID, Drain Current(A)010Maximum Safe Operating Area

24681012Qg, Total Gate Charge(nC)1416Maximum Drain Current vs JunctionTemperature

1006RDS(ON)Limited

10-ID, Maximum Drain Current(A)-ID, Drain Current (A)0100μs
1ms
10ms

1100ms0.1

DC0.015432
1

TA=25°C, VGS=-10V

00.01

0.1
110-VDS, Drain-Source Voltage(V)100255075
100125Tj, Junction Temperature(°C)

MTP5103N3150175

CYStek Product Specification

Rev.1.04/7
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单 P 沟道 MOSFET
CYStech Electronics Corp.
ELM65103A-SSpec. No. : C400N3Issued Date : 2011.11.28
Revised Date : 2019.03.06
Page No. : 6/9
http://www.elm-tech.com

Typical Characteristics(Cont.)
Power Derating Curve
1.6PD, Power Dissipation(W)

1.4

Mounted on FR-4 board
with 1 in² pad area

1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0020

4060
80
100 120
TA, Ambient Temperature(℃)

140160Transient Thermal Response Curves

Normalized Transient Thermal Resistance

1
D=0.5

0.2

0.1

1.RθJA(t)=r(t)*RθJA
2.Duty Factor, D=t 1/t2
3.TJM-TC=PDM*ZθJC(t)4.RθJA=90°C/W

0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse

0.01
1.E-04

1.E-03

1.E-02

1.E-01

1.E+00

1.E+01

1.E+02

t1, Square Wave Pulse Duration(s)MTP5103N3

CYStek Product Specification

Rev.1.05/7
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单 P 沟道 MOSFET
ELM65103A-S

http://www.elm-tech.com■SOT-23 尺寸

SOT-23 Dimension

DIM
AB
CDG
H

Inches
Min.
Max.
0.1102 0.1204
0.0472 0.0669
0.0335 0.0512
0.0118 0.0197
0.0669 0.0910
0.0000 0.0040

Millimeters
Min.
Max.
2.80
3.04
1.20
1.70
0.89
1.30
0.30
0.50
1.70
2.30
0.00
0.10

DIMJKLSVL1InchesMin.
Max.
0.0032 0.0079
0.0118 0.0266
0.0335 0.0453
0.0830 0.1161
0.0098 0.0256
0.0118 0.0197

Millimeters
Min.
Max.
0.08
0.20
0.30
0.67
0.85
1.15
2.10
2.95
0.25
0.65
0.30
0.50

Notes: 1.Controlling dimension: millimeters.

2.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material.
kMaterial: Lead: Pure tin plated.
 Mold Compound: Epoxy resin family, flammability solid burning class: UL94V-0.

Rev.1.06/7如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道 MOSFET
ELM65103A-S

http://www.elm-tech.com■卷带和载带尺寸
Reel Dimension
Dimension
Reel· 卷带Carrier
Tape Dimension
Dimension·载带 Tape
Carrier

Rev.1.0
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