チーム名： テラヘルツ量子素子研究チーム（１）

原著論文 (accept) を含む ／ Original Papers
記載例： T.Riken, H.Wako, and K.Midorikawa: “Title”, Phys.Rev.Lett.112, 093001, (2014).
＊RAP の所属が含まれている論文のみ記載ください。
1.

J. Yun and H. Hirayama: “Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AlGaN-based
light-emitting diodes having a highly transparent p-AlGaN contact layer”, Journal of Applied Physics,
Vol. 121, No. 1, 013105-1-9, (2017).

2.

B. T. Tran, H. Hirayama, M. Jo, N. Maeda, D. Inoue, T. Kikitsu: “High-Quality AlN Template Grown
on a Patterned Si (111) Substrate”, Journal of Crystal Growth,3.

B. T. Tran, N. Maeda, M. Jo, D. Inoue, T. Kikitsu, H. Hirayama: “Performance improvement of AlN
crystal quality grown on patterned Si (111) substrate for deep UV-LED applications”, Scientific
Reports, Vol. 6, Article number. 35681, (2016).

4.

平山秀樹：“テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展”，レーザー研究，Vol. 44, No. 8, pp. 520-526,(2016).

（２）

著書・解説など ／ Book Editions, Review Papers
1.

H. Hirayama, “Growth of high-quality AlN on sapphire and development of AlGaN-based
deep-ultraviolet light-emitting diodes”, SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS [III-NitrideSemiconductor Optoelectronics], Vol. 96, pp. 85-120, ISBN: 9780128095843, 5 January, (2017).

2.

美濃卓哉，平山秀樹，高野隆好，後藤浩嗣，植田充彦，椿健治，“殺菌用途，高効率深紫外 LEDの開発 紫外透明コンタクト層を用いた高光取出し技術”，月刊オプトロニクス，Vol. 36, No. 421, pp.
36-40，12 月 27 日，(2016).

3.

平山秀樹，“AlGaN 紫外 LED の進展と展望”，太陽紫外線防御研究委員会学術報告，Vol. 26, No.
1, pp. 9-16, (2016).

4.

美濃卓哉，平山秀樹，高野隆好，後藤浩嗣，植田充彦，椿健治，“紫外透明 p 型 AlGaN コンタクト層を用いた高効率深紫外 LED の開発”，信学技報，Vol. 116，No. 356, pp. 75-78, (2016).

5.

大島一晟、定昌史、前田哲利、鎌田憲彦、平山秀樹，“m 面サファイア基板上半極性 AlGaN/AlN の結晶成長と量子井戸発光特性”，信学技報，Vol. 116，No. 356, pp. 61-66, (2016).

（３）

招待講演 ／ Invited Talks1.

平山秀樹，“深紫外線 LED の開発”，第４回皮膚科光線療法推進の会セミナー「光の応用セミナー」，
お茶の水，3 月 19 日，(2017).

2.

H. Hirayama, “Over 10% EQE AlGaN deep-UV LED developed by using transparent p-AlGaN
contact layer”, 2017 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonic and Electronic
Materials and Devices (GJS 2017), Mallorca, Spain, 7 March, (2017).

3.

平山秀樹，“AlGaN 系深紫外 LED、LD 開発の最近の動向－国際会議報告などから”，日本学術振興会第 162 委員会「第 102 回研究会」，上智大学，3 月 2 日，(2017).

4.

H. Hirayama, T. Takano, Jun. Sakai, T. Mino, K. Tsubaki, N. Maeda, M. Jo, I. Ohshima, T. Matsumotoand N. Kamata, “Over 10 % EQE AlGaN deep-UV LED developed by using transparent p-AlGaN
contact layer”, SPIE Photonic West, Gallium Nitride Materials and Devices XII (OE107), SanFrancisco, USA., 2nd February, (2017).
5.

平山秀樹，寺嶋亘，林宗澤，“テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と展望”，レーザー学会，徳島大学，1 月 7 日，(2017).

6.

H. Hirayama, “Future of III-Nitrides - efficient UVC emitter and terahertz QCLs.”, Phtonics
Conferense 2016, Phoenix Park, Korea, 1st December, (2016).

7.

平山秀樹，“光取出し効率の向上による高出力 UVCLED の実現”，オプトロニクス社「光とレーザーの科学技術フェア 2016「紫外線セミナー」」，科学技術館，11 月 16 日，(2016).

8.

平山秀樹，“半導体発光デバイス未踏領域の進展と展望”，第 13 回エクストリーム・フォトニクス「理研・分子研合同研究会」，分子研，11 月 15 日，(2016).

9.

W. Terashima, T. T. Lin and Hideki Hirayama, “Recent progress of GaN-based terahertz quantum
cascade lasers”, 5th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of
Terahertz Devices & Technologies (RJUSE TeraTech-2016), Sendai, Japan, 2 November, (2016).

10. H. Hirayama, “Current status and future of III-Nitride ultraviolet and THz emittres”, International
Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016), Orland, USA., 3 October, (2016).
11. 平山秀樹，高野隆好，阪井淳，美濃卓哉，椿健治，定昌史，前田哲利，大島一晟，松本卓磨，鎌田憲彦，鹿嶋行雄，松浦恵里子，“AlGaN 系深紫外 LED の進展と展望”，電子情報通信学会，北海道大学，9 月 20 日，(2016).
12. 平山秀樹，“THz 量子カスケードレーザの進展と展望”，第 140 回微小光学研究会「微小光学から見る「光と電波の教会領域」」，日本女子大学，7 月 19 日，(2016).
13. 平山秀樹，“殺菌、医療用途、深紫外 LED の開発”，三菱東京 UFJ 銀行技術説明会，三菱東京 UFJ銀行 JP タワー，6 月 27 日，(2016).
14. H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata, “Progress of THz quantum cascade laser using
nitride semiconductor”, 74th Device Research Conference (DRC2016), Newark, USA, 21 June,(2016).
15. 平山秀樹，“深紫外 LED の最近の進展と展望”，応用物理学会・応用電子物性分科会 6 月研究例
会「紫外デバイスの最前線」，機械振興会館，6 月 17 日，(2016).
16. 平山秀樹，寺嶋亘，林宗澤，“テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望”，応用物理学会・テラヘルツ電磁波技術究例会，東大生産研，6 月 16 日，(2016).
17. H. Hirayama, M. Jo, N. Maeda, T. Takano, J. Sakai, K. Tsubaki, Y. Kanazawa, I. Ohshima, T.
Matsumoto and N. Kamata, “Recent progress of AlGaN deep-UV LED using transparent contactlayer", 15th Symposium on the Science and Technology of Lighting (LS15), Kyoto, 23-27 May,
(2016).
18. T. T. Lin and H. Hirayama, “Modulation active structure design indirect injection sheme THz QCLs”,
EMN Meeting on Terahertz 2016, San Sebastian, Spain, 16 May, (2016).
19. 寺嶋亘，林宗澤，平山秀樹，“テラヘルツ量子カスケードレーザの最近の進展”，レーザーカオス研究会，和歌山，5 月 14 日，(2016).

20. 平山秀樹，“紫外線 LED の開発と今後の展望”，オプトロニクス社 赤外・紫外特別セミナー「紫外線技術の基礎」，パシフィコ横浜アネックスホール，5 月 18 日，(2016).

（４）

特許出願 ／ Patent Applications
1.

平山秀樹，阪井淳，高野隆好，美濃卓哉，野口憲路，後藤浩嗣，“紫外線発光素子”，2016-225108，
2016 年 11 月 18 日.

2.

平山秀樹，鹿嶋行雄，松浦恵理子，小久保光典，田代貴晴，上村隆一郎，長田大和，森田敏郎，“深紫外ＬＥＤ及びその製造方法”，JP2016/082397，2016 年 11 月 1 日.

3.

平山秀樹，阪井淳，高野隆好，美濃卓哉，野口憲路，“紫外線発光素子”，JP2016/004778，2016 年
11 月 1 日.

4.

平山秀樹，高野隆好，阪井淳，美濃卓哉，野口憲路，高野仁路，椿健治，“紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器”，JP2016/004777，2016 年 11 月 1 日.

5.

平山秀樹，吉本晋，上野昌紀，秋田勝史，山本善之，“半導体積層体、発光素子および発光素子の製造方法”，JP2016/082114，2016 年 10 月 28 日.

6.

平山秀樹，定昌史，美濃卓哉，野口憲路，高野隆好，阪井淳，“紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器”，JP2016/004678，2016 年 10 月 25 日.

7.

平山秀樹，鹿嶋行雄，松浦恵理子，小久保光典，田代貴晴，上村隆一郎，長田大和，森田敏郎，“深紫外ＬＥＤ及びその製造方法”，JP2016/075756（世界知的所有権機関），105128384（台湾），
2016 年 9 月 2 日.

（５）

特筆すべき事項・トピックス（雑誌表紙などの掲載記事）／ Topics
1.

理研プレス発表，“水銀ランプに迫る殺菌用の高効率深紫外 LED を実現、殺菌・浄水、医療で有用な携帯紫外 LED ランプに期待”，2017 年 2 月 27 日.

2.

日韓工業新聞（17 面），“理研、窒化アルミニウム、シリコン上に製膜”，2016 年 12 月 26 日.

3.

理研プレス発表，“シリコン基板上に窒化アルミニウム高品質結晶を製膜、安価で高効率な深紫外LED の実現に大きな一歩”，2016 年 12 月 15 日.