（１） 原著論文(accept)を含む ／ Original Papers
1. 平山秀樹：“AlGaN 紫外 LED の進展と展望”，照明学会誌，Vol. 100, No.3, pp.
115-118, 2016.
2. M. Jo, N. Maeda and H. Hirayama: “Enhanced light extraction in 260 nm
light-emitting diode with a highly transparent p-AlGaN layer”, Applied
Physics Express, Vol. 9, No. 1, pp. 012102-1-3, 2016.
3. 平山秀樹，寺嶋亘，林宗澤，佐々木美穂：“テラヘルツ量子カスケードレーザーの進展と今後の展望”，応用物理，Vol. 84, No. 10, pp. 918-923, 2015.
4. M. Jo and H. Hirayama: “Growth of non-polar a-plane AlN on r-planesapphire”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, No. 5S, pp.
05FA02-1-3, 2015.
5. B. T. Tran, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, S. Toyoda and N. Kamata: “Directgrowth and controlled coalescence of thick AlN template on micro-circle
patterned Si substrate”, Scientific Report, Vol. 5, pp. 14734, 2015.
（２） 著書・解説など ／ Book Editions, Review Papers
1. H. Hirayama: “Growth techniques of AlN/AlGaN and development ofhigh-efficiency deep-ultraviolet light-emitting diodes”, III-Nitride
Ultraviolet Emitters -Technology and Applications-, Springer Series inMaterial Science, Vol. 227, Chapter 4, pp. 75-113, 2015.
2. 林宗澤，平山秀樹：“モジュレーションバリア AlGaAs/GaAs 量子カスケードレー
ザの 3.7 THz 発振”，信学技報，Vol. 115, No. 387, pp. 37-40, 2015.
3. 寺嶋亘，平山秀樹：“GaN 系未開拓波長 QCL の進展”
，信学技報，Vol. 115, No. 387,pp. 31-35, 2015.
4. 寺嶋亘，平山秀樹：“GaN 系 THz-QCL の最近の進展”，信学技報，Vol. 115, No. 331,pp. 81-84, 2015.
5. 定昌史，平山秀樹：“無極性 a 面 AlGaN/AlN の高温成長と深紫外発光特性”，信学技報，Vol. 115, No. 329, pp. 85, 2015.
6. 平山秀樹：“AlGaN 深紫外 LED の進展と今後の展望”，クリーンテクノロジー，Vol.
25, No. 8, pp.56-60，2015.
7. 平山秀樹：“深紫外 LED の効率向上と市場展開への期待”，月刊 OPTRONICS，Vol.
34, No. 407, pp. 90-91，2015.
8. 平山秀樹，定昌史，前田哲利，鹿嶋行雄，鎌田憲彦：“深紫外 LED の光取出し効率の向上に向けて”，月刊 OPTRONICS，Vol. 34, No. 407, pp. 101-105，2015.
（３） 招待講演 ／ Invited Talks
1. 平山秀樹，寺嶋亘，林宗澤：“テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望”，第 63 回応用物理学会春期学術講演会シンポジウム「社会実装を見据えたテラヘルツ新技術の展開」，東工大大岡山キャンパス，2016 年 3 月 21 日.

2. 平山秀樹：“半導体光デバイスの基礎と今後－青色 LED から深紫外 LED、LD、QCLへ－”，第 63 回応用物理学会春期学術講演会チュートリアル講演「半導体光デバイスの基礎と今後－青色 LED から深紫外 LED、LD、QCL へ－」，東工大大岡山キャンパス，2016 年 3 月 19 日.
3. H. Hirayama, M. Jo, N. Maeda and N. Kamata: “Recent Progress of AlGaN
Deep-UV LEDs”, 8th International Symposium on Advanced Plasma Science andits Applications for Nitrides and Nano Materials / 9th International
Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IS-Plasma 2016 /IC-PLANTS2016), Nagoya, March 6-10, 2016.
4. 平山秀樹：“AlGaN 系深紫外 LED の進展と展望”，第 26 回太陽紫外線防御研究委員会シンポジウム，グランフロント大阪，2016 年 3 月 4 日.
5. 平山秀樹：“化合物半導体を用いた未開拓波長光デバイス，深紫外 LED 及びTHz-QCL の開発”，産総研シンポジウム，秋葉原 UDX カンファレンス，2016 年 2月 19 日.
6. H. Hirayama and W. Terashima: “Progress of GaN/AlGaN THz-quantum cascadelasers”, 2016 SPIE Photonic West, San Francisco, USA, February 13-18,
2016.
7. W. Terashima and H. Hirayama: “Precise growth control for AlGaN/GaN
Superlattices by MBE and MOCVD for developing GaN-based THz quantum cascadelasers”, Energy Material and Nanotechnology (EMN) 3CG 2015, Hong Kong,China, December 14-17, 2015.
8. W. Terashima: “Development of GaN/AlGaN based terahertz quantum cascadelasers”, Energy Material and Nanotechnology (EMN) Hong Kong Meeting, HongKong, China, December 9-12, 2015.
9. 寺嶋亘：“「未来の光」テラヘルツ光と未開拓領域テラヘルツ量子カスケードレーザの開発”，工学院大学年末講演会 2015，工学院大学，2015 年 12 月 26 日.
10. 平山秀樹：“テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望”，電子情報技術産業協会（JEITA）分科会研究会，東京，2015 年 12 月 7 日.
11. T. T. Lin and H. Hirayama: “Indirect injection scheme THz QCLs with highoperationtemperature”, EMN meeting on Vacuum Electronics, Las Vegas,USA, November 21-24, 2015.
12. 平山秀樹：“殺菌用深紫外 LED の進展と今後の展望”，オプトロニクス社「光とレーザーの科学技術フェア」，科学技術館，2015 年 11 月 19 日.
13. 林宗澤，平山秀樹：“間接注入機構を用いた THz QCL 高温動作の進展”，理研シンポジウム第 3 回「光量子工学研究」，理研和光地区，2015 年 11 月 12-13 日.
14. H. Hirayama and W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata: “Terahertzqunatum-cascade laser based on III-nitride semiconductors”, The 6thInternational Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Hamamatsu,

Japan, November 8-13, 2015.
15. H. Hirayama: “Development of unexplored frequency semiconductor lightsources; deep-UV LEDs and THz-QCLs”, World Premier International ResearchCenter Initiative Advanced Institute for Material Research (WPI-AIMR)
Symposium, Sendai, Japan, October 30, 2015.
16. 平山秀樹：“未踏波長半導体デバイス－深紫外 LED と THz-QCL の進展－”，電気学会パワー光源産業技術調査専門委員会研究会，自動車会館，2015 年 10 月 16日.
17. H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata: “THz quantum cascadelasers using nitirde semiconductors”, VI Workshop on Physics andTechnologies of Semiconductor Lasers, Krakow, Poland, October 11-15, 2015.
18. H. Hirayama: “Recent progress and future prospects of AlGaN deep-UV LEDs”,
International Symposium on Optical Memory 2015 (ISOM’15), Toyama, Japan,October 4-8, 2015.
19. H. Hirayama and W. Terashima: “Progress of THz quantum cascade laser using
nitiride semiconductors”, The 11th International Conference on Nitride
Semiconductors (ICNS-11), Beijing, China, August 30-September 4, 2015.
20. 平山秀樹：“AlGaN 窒化物半導体の結晶品質向上とデバイス化技術，深紫外 LEDの応用展開”，サイエンス＆テクノロジー社セミナー「蛍光・発光・波長変換材料」，大井町きゅりあん，2015 年 8 月 27 日.
21. H. Hirayama and W. Terashima: “Recent progress of THz-QCLs using
nitride-based semiconductors”, SPIE Optics + Photonics 2015, San Diego,U.S.A., August 9-13, 2015.
22. 平山秀樹：“未踏波長光デバイスを目指して－深紫外 LED とテラヘルツ QCL の開発－”，第 38 回光通信研究会，河口湖，2015 年 8 月 8 日.
23. 平山秀樹：“「未来の光」深紫外線、テラヘルツ光の魅力”，理研仙台一般公開セミナー，理研仙台地区，2015 年 8 月 1 日.
24. 平山秀樹：“未踏の光テラヘルツの地形を拓く－テラヘルツ量子カスケードレー
ザの開発－”，平成 27 年度「理研と親しむ会」第 23 回講演会，理研仙台地区，
2015 年 7 月 27 日.
25. H.

Hirayama:“Recentprogress

AlGaN

deep-UVLEDs

byimproving

light-extraction efficiency”, 2015 IEEE Photonics Society Summer Topicals
Meeting Series, Nassau, Bahamas, July 13-15, 2015.
26. 平山秀樹：“窒化物を用いた未開拓領域光デバイスの展望”，第 34 回電子材料シンポジウム，ラフォーレ琵琶湖，2015 年 7 月 13-15 日.
27. 平山秀樹：“「未来の光」深紫外線，テラヘルツ光の魅力”，NPO 法人三鷹ネット
ワーク大学推進機構科学宅配塾企画講座，東京，2015 年 6 月 18 日.
28. 平山秀樹，前田哲利，定昌史，鎌田憲彦：“AlGaN 系深紫外 LED 高効率化の進展

と展望”，応用物理学会結晶工学分科会第 143 回研究会，東京都市大学，2015
年 6 月 5 日.
29. 平山秀樹：“UV-LED の技術開発とその課題”，第 33 回 JCIE セミナー，都立産業技術研究センター，2015 年 5 月 27 日.
30. H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata: “Progress of GaN-based
THz quantum cascade lasers”, Asian Pacific Workshop on Nitride
Semiconductors (APWS 2015), Seoul, Korea, May 17-20, 2015.
31. 平山秀樹：“AlGaN 深紫外 LED と THz-QCL の最近の進展”，佐賀大学講演会，佐賀大学，2015 年 5 月 15 日.
32. H. Hirayama and W. Terashima: “First achievement of nitride semiconductor
based THz quantum cascade lasers”, The 4th Advanced Lasers & Photon Source
Conference (ALPS’15), Yokohama, Japan, April 23, 2015.
33. 平山秀樹：“紫外線 LED の開発と今後の展望”，オプトロニクス社赤外・紫外特
別セミナー「紫外線技術の基礎」，パシフィコ横浜，2015 年 4 月 23 日.
34. W. Terashima and H. Hirayama: “GaN-based terahertz quantum cascadelasers”, SPIE-DSS, Baltimore, USA, April 20-24, 2015.
35. 平山秀樹：“未来の光、深紫外光とテラヘルツ光の魅力”，理研一般公開講演会，理研和光地区，2015 年 4 月 18 日.
（４） 特許出願 ／ Patent Applications
1. 平山秀樹，鹿嶋行雄，松浦恵理子，小久保光典，田代貴晴，大川貴史，上村隆一郎，長田大和，嶋谷聡：“発光素子及びその製造方法”，JP2015/084461，2015
年 12 月 9 日.
2. 平山秀樹，吉本晋，上野昌紀，秋田勝史，山本喜之：“半導体積層体、発光素子および発光素子の製造方法”，2015-216005，2015 年 11 月 2 日.
3. 平山秀樹，定昌史，美濃卓哉，野口憲路，高野隆好，阪井淳：“紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器”，2015-214111，2015 年 10 月 30 日.
4. 平山秀樹，鹿嶋行雄，松浦恵里子，小久保光典，田代貴晴，上村隆一郎，長田大和，森田敏郎：“深紫外 LED 及びその製造方法”，2015-173834，2015 年 9 月 3日.
5. 平山秀樹，前田哲利，定昌史，鹿嶋行雄，松浦恵里子，小久保光典，田代貴晴，大川貴史，上村隆一郎，長田大和，嶋谷聡：“深紫外 LED 及びその製造方法”，2015-559356，2015 年 7 月 29 日.
6. 平山秀樹，寺嶋亘：“窒化物半導体量子カスケードレーザー”，2015-148786，2015
年 7 月 28 日.
7. 平山秀樹，森島嘉克：“窒化物半導体テンプレート及び紫外線 LED”
，2015-130442，
2015 年 6 月 29 日.
8. 平山秀樹，鹿嶋行雄，松浦恵理子，小久保光典，田代貴晴，大川貴史，伊成圓，高木秀樹，上村隆一郎，長田大和，嶋谷聡：“フォトニック結晶周期構造のパラメータ計算方法、プログラム及び記録媒体”，2015-119913，2015 年 6 月 15 日.
9. 平山秀樹，前田哲利，定昌史：“紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器”，14/695786，2015 年 4 月 24 日.
（５） 特筆すべき事項・トピックス（雑誌表紙などの掲載記事）／ Topics
1. W. Terashima and H. Hirayama: “Terahertz frequency emission with novel
quantum

cascadelaser

designs”,

SPIE

Newsroom,

URL:

http://spie.org/x115009.xml, August 19, 2015.
2. 日経産業新聞（10 面），“理研「空白波長」に挑む，半導体レーザー，新用途に道，麻薬・爆薬検出や殺菌”，2015 年 6 月 1 日.