会場 C
領域 3

C-1

Cu2 O(SO4 ) の構造と磁気的性質
九大院理 A , 九大院工 B , 東大物性研 C

川見洋一郎A , 福井博章 A , 浅野貴行 A , 和田裕文 , 稲垣祐次 , 河江達也 , 松尾晶 C , 金道浩一 CABB

フラストレーションを伴う磁性体に関して、理想的なモデル物質を探索することが目的のかを考察する。詳細は当日の講演で報告する。

1 つとなっている。これまでに四面体を基本単位とする辺共有と頂点共有が共存する二次元の kagomé 格子のモデルは、まだ報告されていない (右図)。鉱物の一種である Cu2 O(SO4 )は、上記の理想的な結晶構造を持つ。そこで我々は良質な Cu2 O(SO4 ) の試料を作製し、XRD、磁化 · 磁化率測定および比熱の測定を 行った 。実 験 結 果 か ら 、Cu2 O(SO4 ) に フラストレーションの効果が存在するのか、ならびにどのような磁気秩序が起こっているの :"

20  kagomé"C-2

孤立した Cu2+ 四面体スピン構造を持つ物質 K4 Cu4 OBr10 の低温磁場中比熱測定
九大院工 A , 佐賀大理工 B
光B

諸冨大樹A , 稲垣祐次 A , 河江達也 A , 藤原理賀 B , 鄭旭

K4 Cu4 X10 O(X=Cl,Br) は Cu2+ が孤立四面いが見られ、特に H=1T で最も大きく現れて系はこれまで報告例が少なく興味深い物質であ予定しており当日に結果を発表する予定である。

いる。詳細に調査するために極低温比熱測定を体系と呼ばれる独特の構造を取っており、このる。これまでに K4 Cu4 Cl10 O の磁性研究を行い

0.5四面体内と外での相互作用の競合による incom-0.5mensurate な磁気秩序を示唆する振舞いが見ら

0.3C/T (J /K mol)れている。今回は Cu2+ が正四面体に近い構造

0.20.30.12である K4 Cu4 Br10 O の磁性に注目し、磁場中比熱測定を行った。図 1 にその比熱結果を示している。ゼロ磁場では T=1K までに異常は見ら0120.2

30T
1T
1.5T

0.1

れなかったが、H ≧ 1.5T の外部磁場が掛かると

2T
3T
6T

T=2K 近傍にブロードな比熱異常が見られ孤立四面体に関系する相転移と考えられる。また低00.5

11.5

22.5

33.5

4T (K)
ᅗ

温側では、温度降下に伴い比熱が上昇する振舞

C-30.40.4☢ሙ୰ẚ⇕

Pd ナノコンタクトにおける近藤効果
九大院 工 A , 金沢大 教 B , 九大院 理 C 家永紘一郎A , 高田弘樹 A , 大西雄貴 A ,稲垣祐次 A , 辻井宏之 B , 木村崇 C , 河江達也 A

強磁性金属 (Fe,Co,Ni) を単原子サイズまで定結果を示し、Pd における近藤効果を議論する。

微小化することで近藤効果が報告され、注目さ[1]M. Reyes Calvo et al ., Nature 458, 1150(2009)

れている [1]。一般的に近藤効果は不純物系で[2]K. Ienaga et al ., Phys. Rev. B 86, 064404(2012)[3]K. Ienaga et al ., Appl. Phys. Lett. 101, 123114(2012)

観測され、強磁性と共存しないため、その起源を追求する必要がある。前回までの講演において、強磁性金属 Ni における近藤効果に対して、ナノサイズから単原子サイズまでのサイズ依存性を測定し、近藤効果出現の起源を探究してきた [2]。今回は、微小化によって非磁性―強磁性転移を生じる Pd に着目し [3]、近藤効果の起源と強磁性の関連性を追求した。図は T ∼ 5K で測定された Pd 原子サイズ接点の微分伝導度であり、近藤効果を示唆するゼロバイアス異常が観測されている。さらに本講演では、ゼロバイアス異常の接点サイズ依存、温度依存測21C-4Nb/Cu/Py 三層構造における純スピン流輸送特性
九州大学 理学部 物理 A , 九州大学大学院究センター

C

理学研究院 B , 稲盛フロンティア研

小野雄馬 , 大西紘平 , 川北直史 A , 野村竜也 C , 木村崇 B,CA

B

近年、スピン流の伝導に超伝導特性を絡めた新奇な量子伝導現象に関する理論研究が報告されているが、熱や電流などの外的要因のため、明瞭な実証実験の報告が無いのが現状である。そこで本研究では、図１に示すようなピラー型強磁性体を有する Nb/Cu/Py 三層構造を用いて高効率な純スピン流生成を実現し、超伝導体に対する純スピン流の伝導特性を実験的に調べた。図において、左側の Py とCu の接合部分に電流を流すことで、非磁性体中に生成された純スピン流は、右側の Py でスピン信号として検出される。測定の結果、Nbの超伝導転移に伴い、スピン信号が急激に増大した。これは、Nb が超伝導状態となることで純スピン流の吸収を遮断したためと考えられる。発表では、超伝導転移温度前後も含め、スピン信号の温度依存性について議論する。
!" #$%!"#&'()*%+,%-.!

C-5

スピン注入による GdOx 薄膜の電子相転移制御の試み
九州大学理学部物理学科 A , 九州大学理学研究院物理学部門 B , 九州大学稲盛フロ
ンティア研究センター C , 福岡工業大学工学部電子情報工学科 D
西紘平 , 家形諭 , 木村崇BD

川北直史A , 大B,C

電圧誘起金属-絶縁体転移現象は、次世代のの有効性が確認できた。講演では、磁場印加時るため、国際的に精力的な研究が行われている電極を用いた場合の特性等についても報告する。

ナノ電子デバイスとしての可能性も秘めていの I-V 特性の変化、GdOx の磁性、スピン偏極が、相転移メカニズムの詳細等、未解明な点も多く残されている。また、相転移を起こす物質は、Mn 酸化物、Gd 酸化物、Co ドープ Ti 酸化物など、磁性を持つ原子を含んだ物質で構成されている場合が多いが、相転移に伴う磁化状態の変化などは、全く調べられていない。そこで、これらを系統的に調べるために、今回、GdOx をベースにした横型の相転移デバイスの新奇な作製手法を開発し、電極材料におけるスピンの役割、及び磁界の効果等について、実験的に調べた。図 1 に示すように、ブレークジャンクション法により、金属電極のナノギャップを作製し、その I-V 特性を評価した。

Pt 電極の場合、電圧誘起相転移に伴う明瞭な抵抗変化を観測することに成功し、本作製手法

22! 1)" #$%& Pt/GdOx/Pt '() SEM *+C-6

強磁性金属 Fe3Si/半導体 FeSi2 人工格子における磁気層間結合の温度変調効果
九工大工 A , 久留米高専 B , 福岡工業大学 C , 九大総合理工 D

宮園 飛鳥A , 針本 純

大 A , 佐々木 悠太 A , 出口 博之 A , 美藤 正樹 A , 堺 研一郎 B , 武田 薫 C , 吉武 剛 D
近年の GMR 効果、TMR 効果の発見によにより磁気抵抗が変化していると考えられる。

した。我々は、強磁性層 Fe3 Si に半導体 NC-での非結合（反強磁性結合）状態における抵り、スピントロニクス分野の研究が著しく進展

その他、低温での強磁性結合状態および高温

FeSi2 をスペーサ層として使用した人工格子系抗の磁場依存についても測定したので報告する。

Fe3 Si/FeSi2 が温度変調により層間結合が変化することに着目して、電気抵抗の温度依存性及び磁場依存性について測定した。図は、強磁性層厚 25 Å、スペーサ層厚を 7.5 Åで 20 層ずつ積層した CPP 素子について、磁化（H=100Oe）及び電気抵抗（H=0 Oe, I=5 mA）の温度依存性を測定した結果である。直流磁化測定より 50K 付近を境に、低温で層間が強磁性結合から高温で非結合（反強磁性結合）状態に変化する様子が見られた。電気抵抗については、強磁性結合状態の低温ではほぼ一定であるが、高温の非結合状態では抵抗が増加し温度変調

C-8

Nd-Fe-B 系磁石の保磁場に対する圧力効果
九工大院生命体工学 A , 九工大工 B , 愛媛大院理工 C
藤正樹 B , 出口博之 B , 内藤正路 A , 小西健介 C

後藤弘樹A , 鶴田一樹 B , 美

Nd-Fe-B 系磁石は、永久磁石の中で最も高を印加することで 4 kOe 程度の保磁場の上昇に使用されている。室温で保磁場が十数 kOe

細と Co をドープした系についても報告する。

い保磁場を持ち、モータ、アクチュエータなどが観測された。当日は、上記の磁化測定の詳程であるが、駆動モータの使用環境のような150〜200 ℃では数 kOe まで減磁する。この対策として Nd の一部を Dy で置換して高温度域での保磁場を向上させる方法がある。しかし、Dy のクラーク数は Nd の 10 分の 1 程しかな
く、特定国に偏在しているために、供給の不安定等が問題となっている。そのため Dy 添加無しでの保磁場向上方法が現在研究されている。そこで我々は Nd-Fe-B 系磁石を高圧力下におく事による保磁場の向上を目指した。高圧
力下磁化測定は、新しく開発した Ti 合金製のDAC を用いた。図 1. に常圧時と最大圧力時での Nd-Fe-B の磁化曲線を示す。6 GPa の圧力

23

C-9

Ru2 Cr1−x TixSi の物性
鹿児島大院 A佐野紘晃A , 重田出 A , 伊藤昌和 A , 廣井政彦 A

我々は、Ru ベースのホイスラー化合物の物性について研究してきた。Ru2 CrSi は反強磁Magnetization (PB/f.u.)

性だが、一般的な反強磁性相が壊れる推定磁場よりはるかに高い磁場まで崩壊しないことが報告されている [1]。この現象を理解するためには Cr を他元素で置換することによって磁気相互作用が変化すると考えられるので、その物性

0.005

x=0x=0.1
x=0.5
x=0.8
x=10.004
0.003
0.0020.001を調べるのが有効であると考えられる。従って

00

今回は Ru2 Cr1−x Tix Si の作成を試み、磁化について測定を行った。Fig.1 に 1T での磁化の温100200Temparature (K)300

Fig1㸸1T ࡛ࡢ Ru2Cr1-xTixSi ࡢ☢໬ࡢᗘ౫Ꮡᛶ

度依存性を、Fig.2 に 5K での磁化の磁場依存0.02
Magnetization (PB/f.u.)性を示す。置換すると x = 0.1 で反強磁性転移は存在するが、x = 0.5 では存在しない。また、磁化が x = 0.8 で上昇する原因については現在検討中である。

0.01

*参考文献

00[1] M. Hiroi et al: J. Korean Phy. Soc. 62x=0x=0.1
x=0.5
x=0.8
x=1

10000 20000 30000 40000 50000
Magnetic field (Oe)Fig.2㸸5K ࡛ࡢ Ru2Cr1-xTixSi ࡢ☢໬ࡢ☢ሙ౫Ꮡᛶ(2013) 2068

C-10

Ru2−x Fex CrSi の高磁場磁化
鹿児島大院理工 A , 東大物性研 B 西井上創羅A , 重田出 A , 廣井政彦 A , 小山佳一 A ,近藤晃弘 B , 金道浩一 B

我々は, ホイスラー化合物 Ru2−x Fex CrSi の物性について研究してきた. Fe-rich ではハー0.5

フメタル的な強磁性と考えられるが, Ru-rich

0.4
M(µµB/f.u.)の Ru1.9 Fe0.1 CrSi では長距離秩序を示さずス

ピングラス的な磁性を示し, x = 0 の Ru2 CrSi

では TN = 14 K で反強磁性転移をすることがわかった. また, Ru2 CrSi の TN は 〜 15 T のRu1.9Fe0.1CrSi
Ru2CrSi

0.3
0.20.1

高磁場でもあまり変化しないこともわかった.

00

我々は, 東京大学物性研究所において, パルス磁場による磁化測定と磁気抵抗効果の測定を行っ20Fig.1

40
B(T)

60

Ru2CrSi ࡜ Ru1.9Fe0.1CrSi ࡢ☢໬ࡢ☢ሙ౫Ꮡᛶた. Fig.1 に T = 4.2 K での Ru2−x Fex CrSi (x= 0, 0.1) の磁化の磁場変化を示す. x = 0 に20

おいては反強磁性相からの転移を示すような異∆ρ/ρρ0(%)

常は見られなかった. Fig.2 に Ru2−x Fex CrSi

(x = 0, 0.1) の磁気抵抗比を示す. x = 0 は正, x = 0.1 は負の磁気抵抗効果を示している.

Ru2CrSi

0-20

Ru1.9Fe0.1CrSi-400Fig.2

24102030B(T)4050

Ru2CrSi ࡜ Ru1.9Fe0.1CrSi ࡢ☢Ẽ᢬ᢠẚ

60

ホイスラー化合物 Mn2 V2−x Alx の物性測定
鹿児島大院理工 A , 東京大物性研 B
山内徹 , 寺田教男 , 廣井政彦
BA

西迫裕也A , 新村徹 A , 重田出 A , 伊藤昌和 A ,A

ホイスラー化合物 Mn2 VAl は，キュリー温望であることを実証できた．

度 TC が室温よりも十分に高く，第一原理バン[1] R. Weht and W. E. Pickett: Phys. Rev.

ド計算からハーフメタルであることが予測されB. 60 (1999) 13006.
[2] C. Jiang, M. Venkatesan and J. M. D.
Coey: Solid State Commun. 118 (2001) 513.ている [1]．我々は，多結晶試料 Mn2 V2−x Alxを作製し，磁化，電気抵抗測定を行い，次いで微分コンダクタンス測定の解析からスピン分極!

率を求めた．図 1 に Mn2 V2−x Alx の磁化曲線を示す．Mn2 VAl の飽和磁化は 1.92 µB /f.u. で

x = 1.63x = 1.4あり，過去に報告された 1.94 µB /f.u. に近い値

M (µB/f.u.)則から飽和磁化が 2.0 µB /f.u. となることが予想されるため，Mn2 VAl がハーフメタルである可能性を示唆している．また，微分コンダクタ

x = 1.02!になった [2]．ハーフメタルでは Slater-Paulingx = 0.81ンス測定の解析から Mn2 VAl のスピン分極率

P は，T = 4.2 K で P = 70.5 %という値を得

x = 0.4た．この値は，アンドレーエフ反射法で報告さ0れたスピン分極率と比較してもきわめて高い値であり，スピントロニクスの電極材料として有C-12x = 0.00

123B (T)4567"1! ! T = 5.0 K#$%&Mn2V2-xAlx'()*+半ホイスラー型化合物 CoTiSb の物性
鹿児島大院理工 A

諏訪秀和A , 西井上創羅 A , 重田出 A , 伊藤昌和 A , 廣井政彦 A

この研究では Co 過剰での CoTiSb の物性ににおいて、特にアニールした時に見られる強ついて調べた。結果として Co 過剰のCo1+δ TiSb

磁性的成分などにも関係していると思われる。

は超常磁性を示すことがわかった。またEPMAと磁化の解析の結果より、この超常磁性は結G=0.9晶粒界に存在するCo 微粒子によるものであ

G=0.8Intensityると推測される。X 線回折の結果では δ=0.9まで C1b 型構造を保っておりCo単体のピークは観測できていないが、これはCo微粒子の大きさが十分に小さいため、X 線回折のピー

5040040311306042220331420

粒子が、Co1+δ TiSbの物性の大きな影響を及

222の結果は X 線回折では検知できない Co 微

220111クがブロードになったためだと思われる。こ200

G=0.570802T (degree)

ぼすことを示している。このことは、CoTiSb

Co1-įTiSb䛾X⥺ᅇᢡ

25G=0511

C-1190C-13

スピネル FeCr2 (S1−x Sex )4 の磁性
鹿児島大学理工学研究科 A , 東京大学物性研 B弘 , 金道浩一 , 伊藤昌和
BB

山下敏広A , 小川拓郎 A , 近藤晃

A

スピネル化合物である FeCr2 S4 はフェリ磁性

転移温度 TN =180K をもち、TOO =9K において結晶構造の変化を伴う軌道秩序相転移を起こすことが知られている。我々はこれまで磁化の温度依存性 M (T ) と磁場依存性 M (B) を測定し、9K 以下、5.5T 付近において新しい相境界が存在することを見出した。本研究ではこの新しい䢹䢲䢲䢲䢸䢷䢲䢲䣏䢢䢪䢢䣧䣯䣷䢱䣯䣱䣮䢢䢫䢢

相転移が軌道秩序相にのみ存在するものであるか確認するため FeCr2 S4 の S サイトを Se で少量置換した試料を作成した。系にランダムネスを導入することで軌道秩序相が消失することが期待できる。図に示すように Se を置換した系

では軌道秩序にともなう磁化異常が見られない。

䣈䣧䣅䣴䢴䢪䣕䢲䢰䢻䣕䣧䢲䢰䢳䢫䢶䢸䢲䢲䢲䢷䢷䢲䢲䢷䢲䢲䢲䣈䣧䣅䣴䢴䣕䢶䢶䢷䢲䢲䣖䣑䣑䢶䢲䢲䢲䢲䢳䢲䢴䢲䢵䢲䢶䢲䢷䢲䢸䢲䣖䢢䢢䢪䢢䣍 )䣈䣧䣅䣴䢴䢪䣕䢳䢯䣺䣕䣧䣺䢫䢶ࡢ☢໬ࡢ ᗘ౫ᏑᛶC-14

狭バンドギャップ半導体 FeSb2 の高圧下磁化測定
鹿児島大学理工学研究科 A , 東京大学物性研究所 B , 兵庫県立大学大学院物質理学研究科, 京都大学大学院工学研究科 D 出口拓也A , 松林和幸 B , 上床美也 B ,小山岳秀 , 小原孝夫 C , 中村裕之 D , 小山佳一 ACCFeSb2 は狭いバンドギャップを持つ半導体で、特異な常磁性を示す。[1] 最近小山らが純良なFeSb2 単結晶を用いて磁化測定を行い、FeSb2の磁性が高橋のスピン揺らぎ理論で説明できることを示し、0.1MPa におけるスピン揺らぎにパラメータ等を見積もった。[1]しかし、FeSb2の圧力下の磁気特性についての報告はない。それは、磁化率χの大きさが 10−6 emu/g オーダーで小さく測定が難しいためである。今回我々は、非磁性小型圧力セルと SQU ID 磁束計を用いてFeSb2 単結晶試料（12.0mg）の磁化測定を行った。図は磁化曲線のアロットプロットから求めた圧力 0.1MPa と 1.0GPa 下でのスピンゆらぎパラメータγの温度変化である。今回の結果よりγは、1.0GPa の圧力により 101 オーダーの上昇がみられた。

[1] T. Koyama et al.:JPSJ 79 (2010).093704.

26

C-15

Mn2 Sb0.5 As0.5 の電子構造と磁性
鹿児島大学大学院理工学研究科 A一

柿本貴俊A , 後藤純哉 A , 藤井伸平 A , 小山佳A

近年、一次磁気相転移を磁場により制御する

謝辞
本研究を進めるにあたって、石田名誉教授（鹿児島大学）から多くの助言をいただいている。本研究は科研費 24560855 の助成を受けて行っている。

機能性材料の研究や開発が盛んに行われている。正方晶 Cu2 Sb 型の結晶構造をとる Mn2 Sb（図 1）は古くから研究されており、低温でフェリ参考文献[1] M. K. Wilkinson, et.al. : J. Phys. : Chem. Solids. 2 (1957) 289.
[2] K. Shirakawa and H. Ido : J. Phys. Soc. Jpn 40 (1976) 666.

磁性 (FR) を示す [1]。Mn2 Sb の Sb を As で置換した Mn2 Sb1−x Asx (x ≠ 0) の基底状態は反強磁性（AF）であり、0 < x < 0.4 の範囲では昇温により AF から FR へ一次磁気相転移が起こる [2]。Mn2 Sb の Sb を As で半分置換した Mn2 Sb0.5 As0.5 についてモデル構造を仮定し第一原理計算を行ったが、AF のエネルギーは FR より高くなり、実験事実とは矛盾する結果となった。そこで、どうすれば AF が安定化するのかということに焦点をあて調査した。その結果 Mn 原子のまわりの環境が強く影響することを見出した。

C-16(MnFeRu)2P0.45Si0.55 化合物の磁性と磁気熱量効果に及ぼす非化学量論組成の効果
九州大学
文理学府

物理学専攻

磁性物理学 A

布川敬志A , 片桐高大 A , 和田裕A

近年、新しい冷凍技術として磁気熱量効果をで減少すること、磁気エントロピー変化の値が巨大磁気熱量効果を示す物質の一つとして、一作機に搭載された 2 次転移を示す Gd のもつ値原理とする磁気冷凍が注目されている。我々は最大で約 13(J/kgK) をとり、磁気冷凍機の試次転移を示す (Mn,Fe) 2 (P, Si) に注目し研究をの約 3 倍になることである。

進めてきた。

図 は (Mn1.25 Fe0.75−x Rux )y P0.45 Si0.55 の 磁

この化合物に関して様々な組成の下で研究が

気 エ ン ト ロ ピ ー 変 化 の グ ラ フ で あ る 。よ り

行われてきたが、今回の発表では (Mn, Fe) 部分

細かい組成依存性や考察等は会場で述べる。の組成比を 2.05 から 1.90 まで変化させた非化学(Mn 1.25Fe0.75-xRu x)yP 0.45Si0.55

量論組成化合物をベースに、P : Si と Mn : Fe の比率は固定し、Fe の代わりに遷移金属の Ru を微量置換した化合物の物性を報告する予定である。

熱処理に関しては、すべての組成に関して化学量論組成に基づいた化合物を作製した際の温度シーケンスを施している。現在分かっていることは、Ru を置換する割合を増やしていけば転移点が緩やかに下降していくこと、組成をいじることで温度ヒステリシスの値が〜2(K) まT (K)

27

C-17

Co(S1−x Sex )2 の Hall 効果
九大院理 A

前川佳朗A , 和田裕文 A , 川﨑大地 A

パイライト型化合物 CoS2 、及びその Se 置換物 Co(S1−x Sex )2 の磁化及び電気抵抗について

は過去に様々な研究が行われてきた。この物質は電気抵抗がキュリー点付近で異常な増大を見せ、Co(S1−x Sex )2 は外部磁場に対して遍歴電子メタ磁性を示すことが知られている。電気抵抗の急激な増大については、常磁性から強磁性へのメタ磁性転移することでフェルミ面におけるダウンスピンの状態密度が減少する影響によるものと考えている。

我々はこの興味深い現象について磁場中での伝導現象に注目し、Hall 抵抗を測定することで伝導電子のキャリア数の面から明らかにすることを目的として研究を行った。右の

図は x=0.08 の組成で作製した試料を 4.2K-100K までの温度領域で測定した Hall 抵抗の結果である。当日はこの Hall 効果の結果を、一定の温度下で磁場を変化させて測定した磁化の磁場依存性の結果と合わせて述べる。

C-18

5GPa 以上の磁気測定のための酸素封入技術の開発
九工大工 A , 阪大リノベ B
守B

針尾健介A , 鶴田一樹 A , 美藤正樹 A , 出口博之 A , 石塚

酸素分子の磁化率測定は、1910 年に Kamerlingh Onnes によって初めて行われた。高圧力下における固体酸素の研究は、今なお盛んに行われており、8 つの固体相を有していることが報告されている。このように、固体酸素の相転移現象を研究する上で圧力は重要なパラメータの一つである。
高圧力下における磁化率測定の直近の学術論文としては、1982 年の Meier らの 0.8GPa までの報告がある。最近、我々は、CuBe 製の超小型ダイヤモンド・アンビル・セル (DAC) を用いて、3.3GPaまでの固体酸素の磁化率測定に成功したが、さらなる圧力領域の拡大を目指している。我々は、より高圧力下での磁気測定を可能にするため、CuBe 製のガスケットを Re 製に変更した。CuBe 製の DAC と Re のガスケットの熱収縮の違いによりダイヤモンドとガスケットの間に隙間が発生し、磁気測定中に酸素が抜けてしまうため、Re ガスケットをただ単に使用していては、3.3GPa を超える磁気測定は技術的に困難であることが経験的に確認できている。そこで本研究では、当面の目標として、5GPa 以上での磁化率測定を可能にするための新たな酸素封入技術の開発に挑戦した。

具体的には、ガスケットとダイヤモンドの間に金属箔を挟み、薄膜の厚さを調整することにより、この問題を解決しようとした。現状、最大で 6.4GPa まで圧力を印加することに成功している。

28

C-19

EuCo2 P2 の一軸圧力効果
九大院理 A

安永良子A , 和田裕文 A , 光田暁弘 A

正方晶 ThCr2 Si2 型構造を持つ RT2 P2 化合物

図に一軸圧力下における磁化の温度依存性を示の磁気モーメントにより様々な磁性を示す。こで強磁性的な振舞が出現している。これらの結（R: 希土類、T: 遷移金属）では、4f や 3d 電子す。圧力の増加に伴い磁化が増大し、250K 付近

れらの化合物では c 軸方向に隣り合う P 同士が果から一軸圧力が物性に及ぼす影響を議論する。

非結合や結合状態を形成する。EuCo2 P2 はネー
ル温度 TN = 66.5K 以下で Eu2+ の磁気モーメントが反強磁性秩序する。Coは磁気モーメン

トを持たない。しかし加圧に伴いPC 〜3.1GPa付近で Eu2+ から Eu3+ への価数転移が起こり、  

Euの磁性が消失するのと同時に Co が反強磁性秩序（TN = 260K ）を示すことが報告されている。今回我々は EuCo2 P2 の単結晶に対し
c 軸方向に一軸圧力を印加することで、P と P



が非結合から結合状態に転じることを予想し、それに伴う磁性への影響を調べることにした。

C-20                

  

強磁性体 EuRhIn の高圧下物性
九大院理 A藤本巧A , 光田暁弘 A , 和田裕文 A

TiNiSi 型の斜方晶構造を持つ EuRhIn は、

TC = 27K で強磁性転移を示す。先行研究の151
Eu メスバウアー効果から Eu は 2 価であるが、3 価方向へ少しシフトしていることが報告されている。我々は、圧力を加えることで、体積の大きな 2 価から 3 価への価数転移を起こす可能性があると予想した。現在見つかっている Eu 系の価数転移を起こす物質はすべて 2 価反強磁性から 3 価への価数転移であり、強磁性からの価数転移が観測されれば興味深い。本研究では圧力下の磁化および電気抵抗を測定した。右図は、圧力下における磁化率の温度依存性を示す。1.35GPa までの圧力下で、いずれも強磁性的な振る舞いを示し、価数転移は観測されなかった。本講演では 2.5GPa29までの電気抵抗の結果もあわせて報告する。