会場 C
領域 3

C-1

新奇な横型スピンバルブを用いた縦・横スピン緩和長の評価
九大理 A , 九大スピンセ B

小川俊幸A , 植松銀河 A , 野村竜也 A , 木村崇 A,B

高機能なスピンデバイスを実現するためにに減少した。この抵抗変化は、チャネル層の強る。スピン流の制御技術の一つとして、スピ吸収状態へと変化したことに起因すると定性磁性細線が縦スピン吸収状態から、横スピンスピン流の伝播機構の制御は重要なものであ的に解釈できる。講演では、他の強磁性体におン吸収効果が挙げられる。本研究では、このけるスピン吸収効果の結果についても報告する。

吸収効果が強磁性体のスピン緩和長の大きさに依存することに着目し、強磁性体中の縦・横スピン緩和長を評価するために、スピン吸収効率が制御可能な横型スピンバルブ素子を開発した。図 1 に実験の概念図を示す。この素子は、明瞭なスピン信号を検出するために、スピン注入・検出端子にスピン注入効率の大きいCoFeAl を用いている。また、その二端子間のスピン流チャネル層は、Cu と、吸収体としての役割を担う強磁性体の二層膜となっている。
図 2 に、吸収体として CoFeAl を用いた素子におけるスピン信号を示す。高磁場からゼロ磁場への減磁過程において、スピン信号が滑らか

21

C-2

磁性多層膜におけるコヒーレント磁気共鳴の実現
九大理 A , 福工大 B , 九大スピンセ C

小澤孝拓A , 日高洋平 A , 中野陽介 A , 岡出康

太朗 , 山野井一人 , 岡部京太 , 横谷有紀 A , 家形諭 B , 木村崇 A,CA

A

A

異なる磁気特性を持つ磁性体を積層した磁性た２つの共鳴信号が観測されたが、アニール有気的な結合から人工的な磁性制御が可能となる。

鳴周波数もそれぞれの中間値を取った。この結多層膜においては、様々な相互作用を介した磁更に、スピン共鳴運動の励起等によりスピン流が生成されると、磁性体間でのスピントルクがの試料では、共鳴信号は１つになり、更に、共果は層間結合により、２つの磁性層がコヒーレントに共鳴していることを示唆している。

発生する。その結果、層間相互作用の影響がより顕著に表れ、多層膜特有のスピンダイナミクスが期待できる。

本研究では、軟磁性体として代表的な CoFeBと NiFe を用い、反強磁性体 NiO をサンドイッチした積層構造を作製し、そのダイナミクスを強磁性共鳴 (FMR) スペクトルから評価した。

図に、アニール無、及びアニール有の多層膜の FMR スペクトルを示す。アニール無の試料
では、NiFe、CoFeB それぞれの共鳴に対応しC-3フォノン振動制御によるギルバート緩和項の変調
九大理 A , 九大スピンセ B , 福工大工 C

家形諭 C , 木村崇 A,B

岡出康太朗A , 山野井一人 A , 横谷有紀 A ,磁性体に対する熱の影響として熱擾乱によるた信号は観測できなかった。一方で、導波路かンの相互作用に注目が集まっている。これらは、共鳴を観測した。このスペクトルの直流電流交換結合の低下が代表的であるが、熱流とスピ近年創成されたスピンカロリトロニクス分野の発展によるものであり、磁性体中において、熱ら交流磁界を発生させることで明瞭な強磁性依存性を調べたところ、図に示すように明瞭な周波数の増大を観測した。この起源についとスピンが絡み合った様々な新現象が発見されて、熱や静磁気的効果などを考慮して議論する。ている。一方で、熱は実験的に制御し難い物理量であるため、それらの現象の理論的解釈は複0まれている。これらの観点から、今回我々は、­10雑化しており、より信頼性のある実験研究が望ミクスにどのように影響するかを実験的に調べ

S11 (dB)x10­3ナノ磁性体における発熱効果が、スピンダイナ

0 mA­20たので報告する。

­30たもので、Cu 細線に大電流を流すことで NiFe

­40

試料は、Cu 導波路直下に NiFe 細線を配置し50 mA

100 mA

0.01細線を加熱した。まず、細線方向に磁場を印加­505した状態で直流電流のみを流して、導波路間の電圧をスペクトラムアナライザーで測定した

6f (GHz)
978x10!!"""#$%&'()*+,#$-./0$"

red:0mA
yellow:50mA
blue:100mA

ところ、マグノイズのような歳差運動に起因し22C-4結合型磁性円盤列における非線形磁気渦共鳴の検出
九大理 A , 九大スピンセ B
村崇

日高洋平A , 山野井一人 A , 横谷有紀 A , 野村竜也 A , 木

A,B

微小強磁性体円盤は、磁気渦と呼ばれる特た。また今回、直流電流印加電極を強磁性円盤究から工学的応用まで幅広く注目されている。

軸上に配置した試料と比較し、より高感度に異な磁区構造が安定化し、その特性は基礎研
今回、我々は、磁気渦の動的特性を高感度に検出する手法を開発し、更にその手法を用いの中心軸からずらして配置することで、中心検出できることが分かった。さらに検出感度上昇に伴い、高強度な交流磁場を照射することて、非線形な共鳴特性現象を観測することにで、非線形磁気渦共鳴の観察に成功した (図２)。

成功したので報告する。我々の試料は、複数の微小 NiFe 円盤上に接合した直流電流印加電極と、絶縁層を介して作製した交流磁場印加電極からなる (図１)。NiFe 円盤へ直流電流を印加し、交流磁場の照射によって励起した磁気渦の共振運動をロックイン検波法により観察しC-5

磁性酸化物への多方向電場印加効果と伝導特性の制御
九大理 A , 九大スピンセ B

中野陽介A , 岡部京太 A , 川北直史 A , 木村崇 A,B

近年、高速作動性の高さや高集積化への高い細化し、更にサイドゲートを設け、ゲート電圧期待から、従来のメモリに代わる可能性を秘め制御によるスイッチング特性の制御を試みた。

た新型デバイスとして、ReRAM(抵抗値変化型

図 2 に、今回の素子の典型的な抵抗スイッチメモリ) が注目されている。ReRAM はトランング特性を示す。本素子に、横方向に電界を印ジスタに匹敵するほどの大きな抵抗変化を示す

加して、閾値電圧や抵抗値のゲート電圧依存性が、その微視的な抵抗変化の機構は十分には解を調べた。図 2 に示すように、ゲート電圧に応明されていない。我々は ReRAM で用いられるじてスイッチング電圧が変化した。これはゲー

金属酸化物が、磁性をもつ原子を含む場合が多ト電圧によって金属酸化物界面における電子状いことに着目し、磁場によって抵抗変化特性を態が変化したことを示唆する。

制御することを試みている。

一方で、一部の金属酸化物で構成される素子

では、金属イオンがフィラメント的なチャネル層を形成し、そのフィラメントと電極との接触状態に依存して抵抗が変化すると理解されている。そこで、今回我々は、フィラメント型のReRAM 素子をサブミクロンサイズ以下に極微23

遍歴電子磁性体 Co2 TiGa1−x Snx の磁気特性

C-6

鹿大院理工 A , 東北大金研 B , 東北学院大院工 C , 東大物性研 D

藤本祐太郎A , 西迫裕也 , 重田出 , 梅津理恵 , 野村明子 , 湯葢邦夫 , 鹿又武 C , 山内徹 D , 真AABBB

中浩貴 A , 寺田教男 A , 廣井政彦 A
近年，第一原理バンド計算からハーフメタル組成に近づくにつれて増加し，x = 1.0 のとき特性をもつ Co 基ホイスラー合金が多数予想されており，スピントロニクス分野において盛TC = 366.6 K の最大値を示した。
[1] T. Sasaki et al., J. Alloys Compd. 317(2001) 406.

性体であることが報告されている [1]。一方で，Co2 TiSn は，ハーフメタル性を有する強磁性体[2] S. C. Lee et al., J. Appl. Phys. 97 (2005)
10C307.

んに研究されている。Co2 TiGa は，遍歴強磁であると予測されている [2]。さらに，遍歴強磁性体ではあるものの，Co2 TiGa よりは局在性がM ( B/f.u.)強い系であると考えられる。本研究では，強磁性ホイスラー合金 Co2 TiGa1−x Snx (0 ≤ x ≤ 1)の磁気特性に関して，Takahashi のスピン揺らぎ理論による解析を行い，遍歴強磁性体の観点から Co2 TiGa1−x Snx の磁気特性の系統的な変化を議論する。

B = 1 T における Co2 TiGa1−x Snx の磁化の温度依存性を図 1 に示す。磁化の温度依存

2.01.81.6
1.4
1.2
1.00.80.60.40.20.00

B=1Tx = 1.0x = 0.9x = 0.8x = 0.7x = 0.6x = 0.5x = 0.4x = 0.3x = 0.2
x = 0.1
x = 0.0

100 200 300 400 500 600 700

T (K)性は全ての組成において強磁性的な振る舞いを

1 Co2TiGa1-xSnx示した。また，キュリー温度 TC は Sn-rich のホイスラー合金 Fex Co2−x CrAl の磁気輸送特性

C-7

鹿大院理工 A , 東大物性研 B

徹 B , 寺田教男 A , 廣井政彦 A

重松理史A , 重田出 A , 真中浩貴 A , 伊藤昌和 A , 山内

ホイスラー合金 FeCoCrAl は第一原理バンドる予定である。

計算からスピンギャップレス半導体であるとの報告がある

Co2TiGa1-xSnx[1][1] G. Z. Xu et al., Eur. Lett. 102 (2013) 17007.

。また Fe を Co に、Co を Fe に置[2] S. Ishida et al., Mater. Trans. 45 (2004) 1065.

換した Co2 CrAl、Fe2 CrAl も高いスピン分極率が見積もられており[2]−[4][3] Y. Miura et al., Phys. Rev. B 69 (2004) 144413.

、このような物質は[4] S. Ishida et al., Mater. Trans. 47 (2006) 464.

機能性材料として注目されている。我々はスピ[5] I. Galanakis et al., Phys. Rev. B 66 (2002) 174429.

ンギャップレス半導体 FeCoCrAl に注目し、Fe、Co を置換するとどのような物性の変化が現れるかを調べるため Fex Co2−x CrAl を作製し、その磁気輸送特性を調べた。

3.0f.u.

2.5
2.0Ms

B

図 1 に Fex Co2−x CrAl の 100 K での飽和磁化の組成依存性を示す。Galanakis らはハーフメ

1.5

タル特性を持つホイスラー合金の磁気モーメン

1.0FeCoCrAl の磁気モーメントは Slater-Pauling

0.5

おいてハーフメタル特性を持つスピンギャップ0.0

トは Slater-Pauling 則に従うことを示した [5] 。
則によく一致する。この結果は、有限の温度にレス半導体の特徴と一致した。発表当日は、磁FexCo2-xCrAl
at 100 K
0.00.51.01.5x化の温度依存性や電気抵抗率についても議論す1 FexCo2-xCrAl 100 K

242.0

C-8

Fe2 Mn1−x Vx Si の高磁場磁化と磁気相図
鹿児島大学理 A , 東京大学物性研 B 田底知也A , 重田出 A , 伊藤昌和 A , 小山佳一 A ,近藤晃弘 B , 金道浩一 B , 廣井政彦 A

Fe2 MnSi は L21 構造を持つホイスラー化合物で、第一原理計算の結果からハーフメタル

の可能性がある。TC = 250 K で強磁性転移が起き、TA = 60 K で反強磁性的な相が現れる。Fe2 Mn1−x Vx Si で x の増加に伴い TA は減




少し x 〜 0.2 で消滅する。x ＜ 0.2 の範囲で磁場の印加により反強磁性を壊すことでハーフ







メタルとなる可能性があるため、今回我々は、

かにし、高磁場相の性質を調べることを目的!  "#$%&"'()*

パルス磁場を用いて高磁場下での転移を明らとした。図 1 は Fe2 Mn0.95 V0.05 Si の各温度の変化が見られ、図 2 の dM/dB ではより明確に磁化を示す。20〜40 K の曲線は途中で傾きの考えられる。また x の増加によりこの転移はより小さな磁場へ移行することが確認された。

とそれより得られる磁気相図について議論する。

Fe2 Mn1−x Vx Si(x =0 - 2) についての高磁場磁化







現れており、これが磁気相転移を示すものと













!  "#$%&"'("+,C-9NI-Mn-Ga 系ホイスラー化合物の格子欠損効果
鹿児島大学理工学研究科 A藤昌和 A , 平敦志 A

桑原脩人A , 松隈秀憲

Ni2 MnGa は Tm = 200 K 付近でマルテンサイト変態を起こす形状記憶合金として注目されている系である [1]。マルテンサイト変態はバンドヤーンテラー効果に起因するとされており、Ni の 3d バンドが大きくかかわると考えられている。そこで我々は、マルテンサイト変態に与える Ni 欠損効果を調べる事を目的とし測定を行った。図に Ni2−x MnGa(x = 0, 0.1) での熱膨張の温度依存性 (7 ≤ T ≤ 300K) を示す。x=0 では Tm で大きな異常を示しているのに対し、x=0.1 では測定温度範囲内では異常が見られず、Ni を 1 割欠損することで、マルテンサイト変態が抑制されたことが予想される。

[1]P.JWebster, K.R.AZiebecket.al.B49(1984)295

25

A, 重田出 A , 廣井政彦 A , 伊C-10

ホイスラー化合物 Fe2 CoGa の熱測定
鹿児島大学理工学研究科 A

松隈秀憲A , 桑原 A , 平 A , 重田 A , 廣井 A , 伊藤 A

ホイスラー化合物は多彩な物性を示すことから、基磁的、応用的研究から注目されている物質群である。Fe2 CoGa は T c=1165K をもつ強磁性体ホイスラー化合物であり、結晶構造

F4̄3m の空間群を持つと考えられている。一方、Co2 FeGa も T c=1060K をもつ強磁性体ではあるものの、その空間群は Fm3̄m であり、両者の間で異なる。本研究では空間群の違いが物性にどのように関わっているのか調べるため、これらの系の熱測定を行った。図に Fe2 CoGa、

Co2 FeGa、Co1.5 Fe1.5 Ga における熱膨張の温度依存性を示す。Co1.5 Fe1.5 Ga では Fe2 CoGaと定性・定量的に一致している。講演では他の熱力学量を示し議論する。

参考 N.K. JAGGI and K.R.P.M. RAO etal

Hyperfine Interactions 4 (1978) 402-406

C-11

ホイスラー化合物 Ni2 MnAl の磁気・熱特性
鹿児島大学理工学研究科 A , 東京大学物性研 B平敦志A , 桑原脩人 A , 松隈秀憲 A ,松林和幸 B , 上床義也 B , 重田出 A , 廣井政彦 A , 伊藤昌和 A

Ni-Mn-Ga 系および Ni-Mn-Al 系ホイスラー

化合物は組成変化によりマルテンサイト変態を示すことから注目されている物質である [1]。化学量論比組成である Ni2 MnAl は Ni2 MnGa と異なりマルテンサイト転移を起こさないと考えられている。しかし、試料合成の困難さもあり、基礎物性を含めて十分な知見が得られていない。
本研究では、Ni2 MnAl の熱・磁気的性質を調べるため、比熱、熱膨張、そして磁化測定を行った。図に Ni2 MnAl の熱膨張の温度依存性を示す。測定温度領域で温度増加とともに、単調増加しており、マルテンサイト転移のような構造相転移はないことがわかる。[1] S. Morito andK. Otsuka, Mater. Sci. Eng., A 208, 47 1996.

26

C-13Bi-Mn 合金を用いた合成過程の磁場中その場観察
鹿児島大学大学院理工学研究科 A , 東北大学金研 B
弘紀 , 宇田聡 , 渡辺和雄 , 小山佳一
BBB

宮崎泰樹A , 三井好古 A , 高橋A

磁場は反応や相平衡に影響を与えることが報告されている。最近では、Bi-Mn 合金の固相焼結過程に磁場を印加することで強磁性 MnBi 相の合成量が増加することが報告された [1]。しかし磁場による反応促進効果の詳細は明らかにされていない。磁場を利用した材料開発の発展には磁場による反応促進効果の詳細を明らかにすることが重要になる。本研究の目的は、磁場中で材料の合成過程の熱分析とその場観察を同時に行い、材料の合成過程に対する磁場効果を明らかにすることである。Fig. 1 に今回の測定で用いた装置の概略図を示す。我々はBi-Mn 合金を用いて強磁場中における合成過程のその場観察と熱分析を行った。講演では観測結果の詳細について報告する。[1]Y. Mitsuiet al., J. Alloy. Compd. 615, 131-134 (2014)

C-14

Bi-Mn 反応焼結に対する磁場効果
鹿児島大学理 A , 東北大学金属材料研究所 B

高木観雄A , 三井好古 A , 平敦志 A ,宮崎泰樹 A , 梅津理恵 B , 高橋弘紀 B , 小山佳一 A

MnBi は c 軸に大きな一軸の磁気異方性を有する六方晶 NiAs 型の強磁性体であり、非調和融解物質のためその単相を得ることが難しい物質である [1]。最近三井らは、Bi の融点 271 ℃以下の温度で、Mn と Bi の粉末原料（Mn:Bi=1:1）から固相焼結の際、外部磁場を加えると MnBi の合成が促進されることを、発見した [2]。本研究の目的は、磁場によって MnBi の合成がどのように促進されるのかを微視的に明らかにすることである。 試料は Mn（3N）と Bi（5N）の粉末原料をBi-rich (Mn:Bi = 1:4) となるように秤量し、混合、プレス器によりペレット状にした後、温度と磁場を変えて熱処理を行った。 ペレット状バルク試料に対する X 線回折の結果は、Bi-rich でも三井らの結果と矛盾しないことを示唆している。

[1] C. Guillaud, J. Phys. Radium. 12, 143 (1951). [2] Y. Mitsui et al.: J. Alloy. Compd.
615,131 (2014).

27

C-15

Au4V の磁気特性
鹿児島大学 A

田中杏菜A

東北学院大学工学部 B , 吉永総志 A , 三井好古 A , 鹿又武 B , 小山佳一 A

Au4 V は、N i4 M o 型の体心正方格子構造を弱い強磁性体である。その自発磁化モーメントは、
PS = 0.83 μB /V 、有効磁気モーメント Pef f = 1.7 μB /V 、キュリー温度 TC = 59K と報告されている [1]。近年、遍歴磁性体の磁気的性質について、スピンの熱的な揺らぎだけでなく、量子揺らぎの重要性が議論されている (高橋理論)[2]。これらのスピン揺らぎの影響を実験的に調べるために、弱い遍歴磁性体として知られる Au4 V について磁化測定を行ったデータを解析した。その結果、PS = 0.28 μB /V 、Pef f = 1.4 μ B/V 、TC = 32.3K が得られた。スピン揺らぎのパラメー

タ T0 = 641K 、TA = 138K が得られた。得られた結果から、弱い遍歴磁性体であることが示唆された。

[1] 近角ほか. 磁性体ハンドブック[2] 高橋・吉村「遍歴磁性とスピンゆらぎ」(内田老鶴圃)C-16

高圧磁気測定用の SQUID-VCM システム
九工大工 A , 阪大リノベ B
正樹 A , 石塚守 B

柿本泰志A , 高木精志 A , 緒方和馬 A , 鶴田一樹 A , 美藤

高圧力下磁気測定は大きく電磁誘導方式とSQUID 方式の二つに分けることができる。高も大きいところに配置する。講演では、Pb お
よび Ho の測定結果を報告する。

周波数域を得意とする電磁誘導方式は広い温度域に対応可能であるが、測定精度の面ではSensitivity
Cur veSQUID 方式には及ばない。現在、我々は超小型 DAC と汎用の SQUID 磁束計を用いて、30Detection
Coil

GPa までの圧力下にて 10−8 emu の測定感度を有する磁化率測定システムを構築している。しGasket

かし、更なる圧力領域の拡大と測定精度の向上

Sampleを目指し、dc-SQUID と検出コイル駆動磁気測定（Vibration Coil Magnetometer）システムを融合した SQUID-VCM システムの構築を目

Diamond Anvil

指している。

1 VCM

図 1 にダイヤモンドアンビル周辺のセットアップの概略を示す。コイルは磁化の変化が最28

C-17attocube 社製位置制御装置を用いた点接合分光実験装置の開発
九州大院工 A , 金沢大教育 B
井宏之 , 河江達也
B

西村直人A , 志賀雅亘 A , 高田弘樹 A , 稲垣祐次 A , 辻A

ハーフメタルは高いスピン分極率を持ってとが可能となっている。図 1 は作製した装置の応用が非常に期待されている。スピン分極カーブを示している。図に示すようにコンタク

おり、それに伴う磁気抵抗効果はデバイスでによって得られた Cr-Nb 間のコンダクタンス率を正確に測定する方法として、アンドレー

トサイズを変化させ実験を行うことが可能とエフ反射を用いた点接合分光実験が挙げられなった。当日は Fe-Nb 間の点接合分光実験にる。この測定法では、強磁性体−超伝導体間よる Fe のスピン分極率測定について発表する。

で様々なサイズのコンタクトを作製し、拡張BTK モデルでフィッティングすることによってスピン分極率を求めることができる。我々はコンタクトのサイズを容易に変化させるため

Cr (tip-Nb) T=6K1.151.1

この装置はピエゾ素子を用いることで探針と(dI/dV)/G(0)に、attocube 社製の位置制御装置に注目した。

G(0)=1720 G

1.05
G(0)=1600 G

01

試料の間を数 nm オーダーで制御可能としてG(0)=1250 G

0.95-10いる。また、探針と試料を容易に交換すること-50V (mV)

5010bができるので、様々な金属間で点接合を作るこ

C-180

点接合分光法を用いた SrRuO3 のスピン分極率測定
九大院工 A , 信州大教育 B

志賀雅亘A , 西村直人 A , 大日方優輝 B , 神原浩 B , 天谷健一 B , 稲垣祐次 A , 河江達也 A

SrRuO3 は強磁性転移温度 Tc = 160K を持からスピン分極率を見積もる方法である。得らり 4d 電子系強磁性体として多くの研究が行わ

分極率 P、界面散乱因子 Z、超伝導エネルギー

ち、飽和磁化が 1.6 μ B であると報告されておれたデータは、拡張 BTK モデルを使いスピンれている。また、フェルミ準位におけるアップギャップΔ (Eg)、温度 T の 4 つの変数を用いスピンとダウンスピンの状態密度の差を表す量てフィッティングを行った。その結果を図１にであるスピン分極率 P は、薄膜の SrRuO3 で T示す。当日は、スピン分極率 P と界面散乱因= 4.21K の時に P=0.51 ± 0.02 であると報告

子 Z の関係を示しながら詳細な説明を行いたい。

されている。しかし、理論計算によるスピン分1.4

極率は P=0.091,0.2 となっており、実験とは大1.2

G(V)/Gnきな違いがありとても興味深い。今回は、バルク多結晶の SrRuO3 のスピン分極率 P の測定方法として点接合アンドレーフ反射法をもちい

1P = 0.53
Z = 0.23Eg = 1.25meV
T = 2K0.8た。この方法は、サンプルと超伝導線を接触さ0.6せることで点接合を形成し、その界面で起こる-3

アンドレーフ反射によるコンダクタンスの変化-2-1012V (mV)!" SrRuO3#$%&'(%)*+

293

C-19

(Mn,Fe,Ru)x(P,Si) の磁性に及ぼす作製プロセスの効果
九州大学理学府理学研究院物理学部門 A

平嶋将大A , 和田裕文 A

不均一性が解消される効果があると考えられる。

MnFeRuPSi 化合物は室温付近で巨大磁気熱量効果を示し、優れた磁気冷凍材料として注目されている。これらの化合物は従来、固相反応法によって作製され、焼結後の試料は多結晶であり、構造はポーラスである。本研究では固相反応法で作製した (Mn0.625 Fe0.35 Ru0.025 )x P0.5 Si0.5(x=1.95,2.00,2.05) をアーク炉を用いて溶解し、緻密な構造を持った試料を作製した。固相反応法で作製した試料が鋭い一次磁気相転移を示していたのに対し、アーク溶解した試料はなだらかな転移を示すという結果が全ての組成において得られた。溶解後の試料を熱処理したところ x=1.95 の試料では目立った効果は無かったが、x=2.00,2.05 の試料では鋭い一次磁気相転移を再び示すという効果が得られた。
これらの結果から、アーク溶解により試料の組成が不均一になるが、熱処理によってそのC-20

超伝導/強磁性複合ナノ構造における磁区構造制御による超伝導近接効果の変調
九大理 A , 九大スピンセ B

石瀧真之A , 小野雄馬 A , 大西紘平 A,B , 木村崇 A,B

近年、超伝導／強磁性複合ナノ構造において、クーパー対が非一様なスピン配列と相互作用す超伝導体により磁壁の漏れ磁場の発生が制限されるため、Nb 細線下で磁壁を安定化できないためと考えられる。

ることにより、トリプレット状態が形成できることが知られている（図 1）。今回、我々は、非当日の講演では、Ni-Fe 細線の抵抗の温度依一様磁区構造として磁壁に着目した。具体的に存性などから考察を進め、クーパー対変調の可は、図 2 に示すように、超伝導体 Nb と強磁性能性について議論する。

体 Ni-Fe を用いて、クーパー対の注入・取出端子に磁壁のピン止めが可能な磁性細線を作製し、トリプレット状態の検出を試みた。

実験の結果、常伝導状態では両方の接合直下に同時に磁壁を安定化させることが可能であったが、超伝導状態では接合直下への磁壁のピン止めが妨げられる様子が観測された。これは、30