（第１9 回 SPring-8 産業利用報告会）

第２２回サンビーム研究発表会
口頭発表予稿集

日 時
口頭発表：2022 年 8 月 31 日(水) 12:50～14:45

ポスター発表 ：2022 年 9 月 1 日(木) 9:30～10:25 および 13:30～14:25
場 所
口頭発表：神戸国際会議場 1 階メインホール

ポスター発表 ：神戸国際会議場 1 階ロビー(ホワイエ)および地下フロア"サンビーム"とは？
1999 年、日本企業 13 社は共同体を結成し、（財）高輝度光科学研究センターの協力の下、2 本のビームライン（BL16XU、BL16B2）を SPring-8 に建設しました。
"サンビーム"はそれらの 2 本のビームラインの通称です。
サンビームホームページ https://sunbeam.spring8.or.jp/

2022 年 8 月 31 日(水) 12:50～14:45
サンビーム共同体 口頭発表一覧
12:50－13:05
13:05－13:20

SO-0(S-25)
SO-1(S-07)

サンビーム共同体趣旨説明

株式会社神戸製鋼所

林 和志

化合物半導体デバイス開発における放射光分析の活用

住友電気工業株式会社

斎藤 吉広

13:20－13:35

SO-2(S-04)

先進鋼材開発に向けた鋼材表面皮膜の高温反応
挙動の in-situ 解析

株式会社神戸製鋼所

大友 亮介

13:35－13:50

SO-3(S-19)

パナソニック HD のサンビーム活用事例

パナソニック HD 株式会社

黒岡 和巳

13:50－14:00－休憩－

14:00－14:15

SO-04(S-24)

SiC パワーデバイス電極用 Ni シリサイド膜の XAFS
解析

三菱電機株式会社

今澤 貴史

14:15－14:30

SO-5(S-16)

反射 X 線トポグラフを用いた GaN 基板の評価

名古屋大学
株式会社豊田中央研究所

兼近 将一

14:30－14:45

SO-6(S-05)

温水間等方圧処理された全固体リチウムイオン用正極の X 線 CT による評価

株式会社神戸製鋼所

林 和志

口頭で発表した成果はポスターでも発表します。（ ）内はポスター発表番号を示します。

ポスター発表：2022 年 9 月 1 日(木) 9:30～10:25 および 13:30～14:25
サンビーム共同体ポスター発表一覧
S-01/P31

ハイブリッドナノシート自己修復触媒における電気化学的触媒層形成プロセスの検討

谷口 達也

川崎重工業(株)S-02/P07

ステンレス鋼の溶接残留応力評価

水間 秀一

川崎重工業(株)S-03/P60

マイクロスリットパターンを介したXRD分析による皮膜の深さ方向応力分布評価の検討

日野 綾(株)神戸製鋼所

S-04(SO-02)/P09

先進鋼材開発に向けた鋼材表面皮膜の高温反応挙動のin-situ解析

大友 亮介(株)神戸製鋼所

S-05(SO-06)/P18

温水間等方圧処理された全固体リチウムイオン用正極のX線CTによる評価

林 和志(株)神戸製鋼所

放射光を用いた無電解銅めっき析出挙動解析

髙橋 美郷

住友電気工業(株)化合物半導体デバイス開発における放射光分析の活用

斎藤 吉広

住友電気工業(株)S-08/P44

硬X線光電子分光法によるInPのイオン注入ダメージの評価

新井 龍志

ソニーグループ(株)S-09/P45

逆格子マップ法を用いたSi基板上トレンチ構造の解析

稲葉 雄大

ソニーグループ(株)S-10/P17

XAFSを用いた銅系吸収剤によるガス状微量金属の除去特性評価

秋保 広幸（一財）電力中央研究所

S-11/P10

Al2 (SO4 )3 含有樹脂被覆炭素鋼における鉄さびの構造と還元挙動

出口 博史

関西電力(株)

S-12/P61

環境規制に対応したアンチモン価数評価技術の開発

沖 充浩

(株)東芝

S-13/P19

硬X線光電子分光法による高容量リチウムイオン電池正極の劣化原因の解明

吉木 昌彦

(株)東芝

S-14/P62

エネルギー損失オージェ電子検出による深さ分解XAFS法

磯村 典武(株)豊田中央研究所

S-15/P33

月面ローバトランスミッションオイル被膜のHAXPES分析

高橋 直子(株)豊田中央研究所

S-16(SO-05)/P46

反射X線トポグラフを用いたGaN基板の評価

兼近 将一

S-17/P65

日亜化学工業におけるサンビーム活用事例

小林 裕

日亜化学工業(株)S-18/P66

日産自動車グループにおけるサンビーム活用事例

稲葉 雅之(株)日産アーク

パナソニックHDのサンビーム活用事例

黒岡 和巳

パナソニックHD(株)S-20/P42

HAXPESによるNiメッキ表面におけるUV照射効果の解析

山田 周吾

パナソニックHD(株)S-21/P20

リチウムイオン電池用正極材料の XAFS 解析

吉川 住和

パナソニックHD(株)S-22/P63

マイクロCTを用いた各種材料の非破壊観察

米山 明男(株)日立製作所

S-23/P64

インフォマティクスを活用した放射光データの解析(2)土井 修一

富士通(株)

S-24(SO-04)/P47

SiCパワーデバイス電極用Ni シリサイド膜のXAFS 解析

今澤 貴史

三菱電機(株)

S-25(SO-00)/P68

サンビーム共同体趣旨説明

林 和志(株)神戸製鋼所

S-06/P41
S-07(SO-01)/P43S-19(SO-03)/P67

名古屋大学(株)豊田中央研究所

第 19 回 SPring-8 産業利用報告会

第 22 回サンビーム研究発表会

S-25 (SO-00)
BL16XU、BL16B2

サンビーム共同体趣旨説明
産業用専用ビームライン建設利用共同体 林 和志（株式会社神戸製鋼所)
産業用専用ビームライン建設利用共同体（略称：サンビーム共同体）は、企業 12 社と 1 グループからなる共同体で、放射光分析技術の産業利用を目的として 1996 年に発足した。1998 年には、専用ビームライン BL16XU およびBL16B2 の設置契約を締結し、1999 年より運用を開始した。2018 年 4 月に第Ⅲ期（6 年）の契約更新を行って、現在各社利用を行うとともに、第Ⅲ期終了後の取り組みについて共同体内で議論を進めている。
両 BL とも、参加企業の幅広いニーズに応えるため、複数の実験装置を配置している。ビームライン建設以降も、中間評価や再契約などの節目に大型設備投資を行って、ニーズの変化に対応したあらたな技術と設備を導入している。2019 年度以降は大型設備の導入はなく、既設装置の機能向上や老朽化装置の更新・整備を実施しており、現在では、図 1 に示す BL 装置構成となっている。

図 1. サンビーム（BL16XU および BL16B2）の装置構成
2021 年度における測定対象別利用割合を図2 に示す。BL16XU の測定対象としては素材が多く、半導体となっている。BL16B2 では、電池に加え触媒・燃料電池も多くなっている。これは、BL16XU の分析手法として 2014 年導のHAXPES と X 線回折が多くを占めている一方で、BL16B2 では XAFS 利用がメインであることに起因している。2020年からはイメージングの利用が増えており、成果が出始めている。
2019 年度以降は大型設備の投資を行っていないが、これまでに導入した装置を最大限有効活用するとともに、各社のニーズ変化に応じた装置の機能向上や装置更新等をタイムリーに実施しながら、各社利用に活用していく。
触媒・燃料電池 その他
6%
6%

半導体
28%

その他
8%
触媒・燃料電池
9%40%

21%BL16B2

BL16XU
素材

半導体

2021
電池
20%

素材
29%

2021
電池
33%

図 2. 2021 年度における測定対象別利用割合
研究分野： （産業利用）その他）
技術分野： その他

第 19 回 SPring-8 産業利用報告会

第 22 回サンビーム研究発表会

S-07 (SO-01)
2019B5030
BL16XU

化合物半導体デバイス開発における放射光分析の活用
住友電気工業(株)

斎藤 吉広

緒言：
窒化ガリウム(GaN)やリン化インジウム(InP)などの化合物半導体は、Si にはない材料的な特長を有しており、無線通信や光通信用のデバイスとして広く用いられている。一方、表面の組成ずれなど化合物特有の難しさも抱えており、表面あるいは界面の状態を定量的に把握できる分析技術が重要となる。本件では、軟X 線及び硬X 線の光電子分光(XPS)を活用し、各種の化合物半導体デバイスの製造プロセス条件の最適化を図った事例を報告する。
実験と結果：
無線通信用の高出力GaN 高電子移動度トランジスタ(GaN-HEMT)では、プラズマ加工プロセスでチャネル領域にダメージが生じると、トランジスタの性能が低下すると言われている (1)。本研究では O2 プラズマの影響に着目し、GaN表面を XPS で分析した (cf. Ｘ線エネルギー600 eV を使用し、N1s 分析深さを約 2 nm に限定)。その結果、N1s/Ga3dピーク強度比(＝N 抜けの指標)と Ga3d ピーク半値幅(＝酸化量の指標)がフォトルミネッセンス(PL)分析で得られた欠陥量と高い相関にあることを見出し、低ダメージプロセスの条件探索に有用であることなどを確認した(図 1)。
また、光通信の受光素子に用いられる InP 系フォトダイオード(InP-PD)では、受光感度劣化をもたらす絶縁膜/InP界面のリーク電流をできるだけ低減する必要がある。そこで絶縁膜に被覆された InP 表面電位のシフトを硬 X 線光電子分光(HAXPES)で分析し、リーク電流低減できる製膜条件の探索に成功した(図 2)。メカニズムとしては、今回の試料のうち製膜レートが大きい条件では、InP 表面の欠陥が増大し、リーク電流増加につながったと考えられる。
(1) 館野他： 第 8 回 SPring-8 産業利用報告会

研究分野： 半導体・電子材料

技術分野： 光電子分光

第 19 回 SPring-8 産業利用報告会

第 22 回サンビーム研究発表会

S-04/SO-02

2016A5020, 2016A5320, 2019B5020, 2020A5020
BL16XU, BL16B2

先進鋼材開発に向けた鋼材表面の高温皮膜反応挙動の in-situ 解析株式会社 神戸製鋼所

大友 亮介、前川修也、山田遥平

はじめに：鉄鋼材料の性能向上のために鋼材中には種々の化学成分が添加され、また意図せず不純物が混入する場合もある。鋼中の元素はその適正な製造プロセス条件や表面品質に影響を及ぼす場合があるが、特に高温プロセスにおいて鋼材表面の反応速度が速く、時々刻々と変化する挙動はブラックボックスである。材料表面の薄膜領域における短時間の反応挙動を解明するには、高輝度 X 線を用いたその場観察が有効であり、本稿では、鋼材製造下工程における高温プロセスである熱間圧延、焼鈍熱処理、溶融めっきに関わる表面挙動解明を目的として当社が実施した特に Si 添加鋼に関する高温 in-situ 解析の取組みを紹介する。
実験：① 高温酸化皮膜の微細構造解析： Si 添加鋼（0.1 wt%C-1.0 wt%Si-Fe）に 900℃および 1000℃で生成させた酸化皮膜試料について、X 線走査型顕微鏡装置を利用したマイクロビーム走査による X 線吸収微細構造（XAFS）解析を実施し、酸化皮膜内の結合状態マッピングを取得することで微細構造を調査した。
② 熱間プロセスにおけるスケール皮膜内応力挙動の解析： 純鉄、および Si 添加鋼（1.0 wt%Si-Fe）に 900℃で生成した酸化皮膜について、その後の冷却工程における相変態・応力変化を XRD その場測定により調査した。
③ 亜鉛めっき層／地鉄界面の合金化反応解析： 純鉄、および 1.0 wt%Si-Fe の鋼片に電気亜鉛めっき処理で同一膜厚の亜鉛めっき層を付与した試験片を作製、Ar ガス中 450℃の加熱処理中のめっき組成を高温 XRD で測定した。合金相（ζ、δ1k、Γ）に対応するピーク強度の時間変化から各相の発生・成長挙動を解析した。
結果：① 高温酸化皮膜の微細構造解析： 水蒸気含有雰囲気で生成した酸化皮膜内のボイド周辺で酸化数の大きい FeO相が存在することを把握（図１の赤色部）。水蒸気によるボイドの安定化と酸素進入が皮膜成長を加速させる機構が示唆された。
② 熱間プロセスにおけるスケール皮膜内応力挙動の解析： 生成した FeO 皮膜が冷却に伴って Fe3O4 に変態するとともに内部応力が発生、変化する挙動を把握した（図２）。
③ 亜鉛めっき層／地鉄界面の合金化反応解析： 合金相（ζ、δ1k、Γ）に対応するピーク挙動の変化から素地鋼板中の Si の存在とその状態（固溶／酸化）による影響を解析し、固溶 Si による遅延が生じる素過程を明らかにした（図３）。

図１．FeO 皮膜の状態マッピングの

図２．酸化皮膜の冷却中の相変態

図３．亜鉛めっき／地鉄界面にお例 (純鉄①、および酸化状態②～と皮膜内応力の温度変化の例

ける合金相のピーク強度変化の例⑤に分離)

研究分野： 金属・構造材料

技術分野： X 線回折, X 線・軟 X 線吸収分光

第 19 回 SPring-8 産業利用報告会

第 22 回サンビーム研究発表会

S-19 (SO-03)
BL16XU、BL16B2

パナソニック HD のサンビーム活用事例の紹介
パナソニック HD(株) 黒岡 和巳【概要】
パナソニックは、産業用専用ビームライン建設利用共同体（略称：サンビーム共同体）に、発足当時から参画し、1999 年より BL16XU および BL16B2 の利用を開始し、パナソニックグループ内の多種にわたる測定ニーズの調整のため、サンビームユーザー委員会を設置して、スケジュール調整などを行っている。
測定対象物は、太陽電池、リチウムイオン電池などエネルギー材料などがその利用の大半を占めている。
活用事例として、第 3 期に実施した事例について紹介する。
【体制の紹介】社内組織のサンビームユーザー委員会が、パナソニックグループ内の放射光分析の測定ニーズの技術的相談、スケジュール調整、放射線作業従事者の教育訓練、現地での測定支援、などを行い、サンビーム利用の円滑化と成果の最大化を目指している。

図１ パナソニックグループ HD のサンビーム活動体制イメージ【活用事例の紹介】
ペロブスカイト太陽電池の光劣化メカニズムの解析
ペロブスカイト太陽電池は、シリコン太陽電池とは異なり安価な塗布工程で作製できるというメリットがある一方、光照射により劣化が進むため、光耐久性を確保することが実用化への課題となっていた。
HAXPES 法を用いて、光照射前後のペロブスカイト太陽電池の接合界面の解析を行い劣化メカニズムを調べた。
長時間の光照射により、電子輸送層（ETL）、正孔輸送層（HTL）とペロブスカイト層（pvsk）の界面近傍に反応生成物が増加していることを明らかにした。このような界面反応を抑制することが、“光劣化の改善”につながるという重要な指針を得ることができた。

図 2 HAXPES 測定の結果

図3 光劣化メカニズム

SPring-8 での産業利用成果（http://www.jasri.jp/business/gijutsusienn/Industrial/）に掲載（本研究の一部は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 NEDO の委託を受け実施したものである）
研究分野： （産業利用）その他

技術分野： その他

第 19 回 SPring-8 産業利用報告会

第 22 回サンビーム研究発表会

S-24 （SO-04）

2018B5430
BL16B2

SiC パワーデバイス電極用 Ni シリサイド膜の XAFS 解析
三菱電機株式会社 今澤 貴史、岡部 博明
はじめに： 当社ではカーボンニュートラル実現に向けた取組みの一つとして、SiC パワーデバイスの研究・開発を行っている。SiC には、Ni 等の金属とシリサイドを形成した際に密着性が低くなる等のデバイス利用時の課題がある。
ここでは、SiC パワーデバイスのシリサイド電極形成条件最適化に活用できる知見を得るために、シリサイド形成のためにウエハに照射するレーザーのパワーを変化させた際の、Ni 周りの構造変化を調査した[1]。
実験： 試料には、SiC ウエハ上にスパッタ法にて厚さ 100 nm の Ni 膜を成膜した後に、波長 355 nm のパルスレー
ザーをガルバノミラーで走査しながら照射し加熱することで形成した Ni シリサイド膜を用いた。レーザーパワーは、1.4～2.0 J/cm2 の範囲で振り分けた。Ni-K 吸収端の XAFS スペクトルを、SPring-8 BL16B2 の XAFS 装置を用いて、蛍光収量法により取得した。検出器には CANBERRA 社製19 素子Ge 半導体検出器を用いた。FEFF を用いたスペクトル計算では、空間群 P63/mmc、格子定数 a = b = 3.90430 Å、c = 4.97687 Å の SiNi2 の結晶構造を用いた。計算時の R 範囲は 1～3 Å とし、多体効果の大きさが不明であったため、配位数を固定して計算を行った。
結果と考察： Ni シリサイド膜から得られた XANES を図 11.2に示す。XANES では、as-depo.試料を除いたレーザー加1に伴って 2 つの化学状態の存在比が変化していることが分0.4ィッティングの結果、多体効果による減衰因子の大きさに差

k3χ (k) (Å-3)-50

8340836083800as-depo.
1.4 J/cm²301.6 J/cm²1.8 J/cm²2.0 J/cm²2010ー範囲では特異な傾向はなく、レーザーパワーに応じてシリサイド化反応が進むことが明らかとなった。
[1] 今澤, 岡部, 阿部, SPring-8/SACLA利用研究成果集,

ExperimentalFit
Window
最近接Si
最近接Ni

8765432
10001234506123456Distance (Å)

図 3．動径構造関数
配位数N×多体効果による減衰因子S₀²いくことが示唆された。この結果から、今回のレーザーパワ

159(b)

結果における配位数と多体効果による減衰因子の積の変10

図 2．EXAFS 振動図 1．Ni-K 端 XANES
40

体効果の大きさはほぼ変化しないと考えられるので、解析ーパワーが高くなるにつれて、線形的に Si リッチになって5Wavenumber (Å-1)

Distance (Å)

ーザーパワーに対してプロットした図を図5 に示す。レーザ

as-depo.
1.4 J/cm²
1.6 J/cm²
1.8 J/cm²
2.0 J/cm²-30

Photon energy (eV)が見られた。加熱後試料同士は類似物質であり、本来、多化は、配位数変化を反映したものと考えられる。この積をレ0-10-4008320

Magnitude of Fourier Transform (Å⁻⁴)と、次近接の Ni 原子での散乱ピークの和で再現された。フ

10-200.2ーザーアニールを行った試料では、動径構造関数上で 2 Å数は、前記 SiNi2 の結晶構造から算出した最近接の Si 原子

20as-depo.
1.4 J/cm²
1.6 J/cm²
1.8 J/cm²2.0 J/cm²0.6

EXAFS 振動から算出した動径構造関数を図 3 に示す。レ

径構造関数のフィッティング結果の一例を示す。動径構造関300.8かる。XAFS スペクトルから求めた EXAFS 振動を図 2 に、付近のピークのみが検出された。図 4 に FEFF を用いた動(a)40Magnitude of Fourier Transform (Å⁻⁴)

吸収点が見られた。このことから、レーザーパワーの変化

Normalized absorbance

熱後の 4 つの試料間で 8339 eV、8350 eV、8367 eV に等50(b)図 4．フィッティング結果例(試料：1.4 J/cm2 加熱試料)

6Ni-Si5Ni-Ni
432100123

レーザーパワー (J/cm²)

図 5．配位数のレーザー
パワー依存性10巻, 1号, p86 (2022).

研究分野： 半導体・電子材料

技術分野： X 線・軟 X 線吸収分光

第 19 回 SPring-8 産業利用報告会

第 22 回サンビーム研究発表会

S-16/SO-05

2021A5370、2021B5370、2020B5370
BL16B2

反射 X 線トポグラフを用いた GaN 基板の評価
名古屋大学

兼近将一

（株）豊田中央研究所 山口聡、北住幸介 岸田佳大 木本康司
はじめに：窒化ガリウム(GaN)は、絶縁破壊電界がSiよりも1桁高く(3.3MV/cm)、電子移動度が高い(≧1000cm2/Vs）

ため、カーボンニュートラル社会を支える次世代パワーデバイス用半導体として期待されている。現在、世の中では高耐圧・低損失・大電流用に GaN 基板を用いた縦型デバイスが研究されている。
縦型デバイスの特性向上には，低転位密度のGaN基板が必要である。市販基板の転位密度は～106/cm2 と高く、刃状転位、らせん転位、混合転位が多数含まれている。転位種ごとにデバイス特性への影響は異なるため、非破壊で分類する方法が求められている。そこで今回、転位種の分類技術の確立を目指して、表面反射法の X 線トポグラフで2 つの反射面を用いて、転位観察を行った。
実験：

観察した試料は中国 nanowin 社製の市販の GaN 基板である。本基板は HVPE 法（Hydride Vapor PhaseEpitaxy）により成長されている。使用ビームラインはBL16B2である。高い空間分解能を得るため、入射X線はSｉ（111）モノクロメータで単色化した。反射面は（11-24）と (0008)を用いた。(11-24)では X 線エネルギー9.16keV で入射角θin～3°、2θB=84.6°の条件で、(0008)では X 線エネルギー10.55keV で入射角θin～65°、2θB=130°で評価した（Fig.1）。解像度の高い像を得るため、トポグラフ像は工業用高分解能 X 線フィルムに記録した。
結果：

Fig.2に、11-24 反射のトポグラフ像（全体）を示す。mmオーダーで現れるような大きな結晶欠陥はなかった。

Fig.3 には、2 つの反射面のトポグラフ像の拡大を示す。白点１つが転位１つに対応している。11-24 反射のほうが白点の数が多く、11-24 反射面でのみ観測される白点は、g・ｂ関係則 （回折ベクトルと転位バーガスベクトルの内積）から、白点 1～5 は刃状転位と考えられる。さらに転位種の分類を行うには、空間分解能の向上が必要である。

回折X線

2θB=84.6°

入射X線
9.16keV
入射角θin～3°

ブラッグ反射角θB

反射面 (1124)

Fig.2

トポグラフ像（連続スキャン）
10mmx10.5mm

回折X線

2θB=130°

入射X線
10.55keV
入射角θin ～65°

ブラッグ反射角θB

反射面 (0008)

Fig.1 反射 X 線トポグラフの測定系の概略図

研究分野： 半導体・電子材料

Fig.3 トポグラフ像（拡大）技術分野： X 線イメージング

第 19 回 SPring-8 産業利用報告会

第 22 回サンビーム研究発表会

S-05/SO-6

2021A5320, 2021B5320
BL16B2

温水間等方圧処理された全固体リチウムイオン電池用正極のX 線 CT による評価（株）神戸製鋼所 林 和志（株）コベルコ科研 森 拓弥、福田 一徳
はじめに：2050 年のカーボンニュートラル達成に向けて、自動車分野においても、電動化の取り組みが進められており、全固体リチウムイオン電池が注目されている。全固体リチウムイオン電池は、電極内すべてが固体材料で構成されるため、材料面の最適化とともに、活物質/電解質界面の制御に課題がある。温水間等方圧処理（WIP：Warm IsotropicPressing）は、ロールプレスに比べ、材料を高圧かつ高温状態で等方圧的に加圧することが可能である。加圧中の加熱は、電解質の流動性を高め、良好な界面形成に有効であることが報告されている[1]が、WIP 処理が全固体電池用電極の構造に与える影響についての報告は多くない[2]。本発表では、X 線 CT を用いて WIP 時の処理圧力・温度が電極構造に与える影響について考察した。
実験：
正極活物質には LiNbO3 を表面コートした Li(Ni1/3Mn1/3Co1/3)O2、導電助剤としてアセチレンブラック、固体電解質(SE)として Li6PS5Cl を使用した。活物質と SE、導電助剤は 57.1：38.1：4.8(wt%)となるように混合し、バインダーと溶剤を加えスラリー化させた後、Al 集電箔に塗工・乾燥させ電極を作製した[3]。WIP 処理にはピストン直圧式縦型高圧処理装置（神戸製鋼所製）を用いた。X 線 CT 測定は、SPring-8 BL16B2 で行った。入射 X 線のエネルギーは 20 keV である。
X 線透過像の取得には Xsight Micron LC を用いた。X 線透過像の実効ピクセルサイズ、および X 線 CT データのボクセルサイズは 1.3 m である。試料は、Ar 雰囲気下のグローブボックス内でガラスキャピラリへ密閉した。得られた CT 像を各構成要素の CT 値をもとにしきい値を決定し、3 値化(活物質、SE、空隙・導電助剤・バインダー)することで構造の差異を評価した。
結果：
図１に、WIP 処理前後の CT 像を 3 値化した結果から作成した 3D ボリュームレンダリング像の比較を示す。処理条
件は、室温、600M Pa である。これより WIP 処理により、厚みが減少するとともに、活物質の体積比率が増加していることが明瞭に観察される。SEM を用いた評価から、CT 像のボクセルサイズに比べて小さな空隙が多く存在すること、また、処理後にそれが消失していることが観察されており、SE 部分に含まれる微細な空隙の減少を活物質の体積比率の変化によって評価できることが確認された。
処理前

処理後

図１. CT 像から作成した 3D ボリュームレンダリング像[1] （白：活物質、灰色：SE をそれぞれ示す）

参考文献 :[1] A. Sakuda et. al., Sci. Rep., 3, 2261 (2013).
[2] 林 和志、他、Spring-8/SACLA 利用研究成果集、掲載決定. [3] 阿知波 敬、他、こべるにくす、51、21 (2020).
研究分野： エネルギー・資源

技術分野： X 線イメージング