電気・電子工学専攻■電気・電子工学専攻 業績一覧 2017年〔査読付学術原著論文〕 22件
題目

著者

掲載誌,巻,号(出版年月)頁

A Study of Impact on Power System Stability Originatedfrom New Islanding Detection Method in PV Systems

Motoki Sano, Ryo Kimura, Hirotaka Takano, Hisao Taoka,
Kensuke Tsutsum

Journal of International Council on ElectricalEngineering,7,1 (2017.07)214-221

共振器内に非線形媒質を挿入したモード同期レーザのパルス出力に対するモード同期条件の影響

中島直哉, 佐藤 徹, 林啓佑, 角谷宏樹, 金武知樹, 杉木史
弘, 川戸栄電子情報通信学会論文誌C,Vol.J100-C,No.8(2017.07)pp.357-pp358

系統情報の不確実性を考慮した配電ネットワーク事故復旧
高野 浩貴;村田 純一;菅原 明徳;田岡 久雄
に関する研究電気学会論文誌． Ｃ,137,8 (2017.08)1052-1061

Band structure and photoconductivity of blue-green lightabsorbing AlTiN films

Nobuyuki Tatemizo, Yoshio Miura, Koji Nishio, Shun Hirata,
Fumihiro Sawa, Kazutoshi Fukui, Toshiyuki Isshiki and Saki J. Mater. Chem. A,5 (2017.09)20824-20832
Imada

Analytical derivation of interface state density from subthreshold swing in AlGaN/GaN metal-insulatorsemiconductor high-electron-mobility transistors

H. Tokuda, J. T. Asubar, M. Kuzuhara

Jpn. J. Appl. Phys.,56 (2017.09)104101

Mapping of ion-implanted n-SiC schottky contacts using
scanning internal photoemission microscopy

Shingo Murase, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura,
Kenji Shiojima

Materials Science in Semiconductor Processing,70(2017.11)86-91

Displacement current of Au/p-diamond Schottky contacts

Toshichika Aoki, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, Kenji
Shiojima

Materials Science in Semiconductor Processing,70(2017.11)207-212

Mapping etching induced damages on GaN surfaces using
AkihisaTerano, Hiroyoshi Imadate, Kenji Shiojima
scanning internal photoemission microscopy

Materials Science in Semiconductor Processing,70(2017.11)92-98

Mapping of n-GaN Schottky contacts with wavy surface
morphology using scanning internal photoemission
microscopy

Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Fumimasa Horikiri,
Takeshi Tanaka, and Tomoyoshi Mishma

physica status solidi B,255,5 (2017.11)1700480

Conformal Flattening for Deformed Information
Geometries on the Probability Simplex

Atsumi Ohara

Entropy,20,3 (2018)186-(13)Temperature induced anomalous exciton localization in
InGaN/GaN and GaN/AlInN quantum wells

Md. Sherajul Islam and T. Makino

J. Computational Electronics,17 (2018.01)373-381

A Pseudorandom-Function Mode Based on Lesamnta-LW
Shoichi Hirose, Hidenori Kuwakado and Hirotaka Yoshida
and the MDP Domain Extension and Its Applications

IEICE Transactions on Fundamentals,E101-A,1(2018.01)110-118

Effect of 10B isotope and vacancy defects on the phonon Md. S. Islam, K. N. Anindya, A. G. Bhuiyan, S. Tanaka, T.
modes of two-dimensional hexagonal boron nitride
Makino, and A. Hashimoto

Jpn. J. Appl. Phys. Special Issue.,57,2S2(2018.01)02CB04-(4)Transport characteristics of minority electrons acrosssurface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC
heterointerfaces

Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato
Shingo, Kenji Shiojima, and Manabu AraiJapanese Journal of Applied Physics,57 (2018.01)02BE041-02BE04-5

Correlation of AlGaN/GaN HEMTs electroluminescencecharacteristics with current collapse

S. Ohi, T. Yamazaki, J. T. Asubar, H. Tokuda, M. KuzuharaAppl. Phys. Express,11,2 (2018.01)024101

ニードル式マイクロディスペンサを用いたナノインク描画と柏木行康, 斉藤大志, 長谷川貴洋, 千金正也, 塩島謙次, 垣 第24回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シ
焼結により形成された銀電極の各種基板上での電気的特
内宏之
ンポジウム論文集（Mate2018）,24 (2018.01)159-162
性の評価
Defect observations of Ni/AlGaN/GaN Schottky contacts
Kenji Shiojima, Hiroaki Konishi, Hiroyoshi Imadate, Yuya
on Si substrates using scanning internal photoemission
Yamaoka, Kou Matsumoto, and Takashi Egawa
microscopy

Japanese Journal of Applied Physics,57(2018.02)04FG07-1-04FG07-5

Observations of inhomogeneity of 3C-SiC layers grown on
Kenji Shiojima, Naoki Mishina, Naoto Ichikawa, and Masashi Japanese Journal of Applied Physics,57 (2018.02)04FR066H-SiC substrates by using scanning internal
Kato
1-04FR06-4
photoemission microscopy
AlGaN/GaN heterostructures with an AlGaN layer grown
directly on reactive-ion-etched GaN showing a highelectron mobility (>1300 cm2/Vs)

Akio Yamamoto, Shinya Makino, Keito Kanatani, Masaaki
Kuzuhara

Jpn. J. Appl. Phys.,57,3 (2018.03)045502

Electrical characteristics of n-GaN Schottky contacts on
Japanese Journal of Applied Physics,57
cleaved surfaces of free-standing substrates: Metal work Hiroyoshi Imadate, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima(2018.03)04FG13-1-04FG13-5
function dependence of Schottky barrier height
Quasi-linear score for capturing heterogeneous structureOmae, K., Komori, O. and Eguchi, S.
in biomarkers

BMC Bioinformatics 18,308 (2017)

Robust bias correction model for estimation of global
trend in marine populations.

Ecosphere, 8, 1-9 (2017).

〔査読付国際会議論文〕 16件
題目
Laser efficiency improvement by high intensity pumping
Security Analysis of a Design Variant of Randomized
Hashing

Komori, O., Eguchi, S., Saigusa, Y., Okamura, S. andIchinokawa, M.

著者
S. Kawato, H. Kadoya, K. Hayashi, T. Sato, M. Wang, F.
Sugiki, T. Kanetake, N. Nakajima
Praveen Gauravaram, Shoichi Hirose and Douglas Stebila

掲載誌,巻,号(出版年月)頁
EMN Optelectronics 2017, (2017.04)
ATIS 2017, Communications in Computer and Information
Science (CCIS) 719 (2017.06)14-22

A Study on Service Restoration Problems Based on Two- Akinori Sugawara, Hirotaka Takano, Junichi Murata, Hisao Proc. of the International Conference on ElectricalStage Stochastic Programming
Taoka
Engineering 2017, (2017.07)

ページ 1

電気・電子工学専攻
A Study on Optimization of Supply-Demand Balancing
Operation Plan for Microgrids

Ryuhei Shiomi, Hirotaka Takano, Takashi Ueda, THIN ZAR Proc. of the International Conference on Electrical
SOE, Hisao Taoka
Engineering 2017, (2017.07)

A Basic Study on Incentive Pricing in Demand Response
Programs based on Consumer’s Surplus

Asuka Okumura, Hirotaka Takano, Hisao Taoka, Atsumi
Ohara

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2017, (2017.07)

Determination Method for Optimal Cooperative Operation
THIN ZAR SOE, Hirotaka Takano, Ryuhei Shiomi, Hisao
Plan of both Controllable Generators and Batteries in
Taoka
Microgrids Considering Operational Benefits

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2017, (2017.07)

Evaluation of Impacts on Transient Stability by Installation
Kensuke Tsutsumi, Motoki Sano, Hiroaki Komatsu,
of PVs Equipped with FRT, DVS and New Islanding
Hirotaka Takano, Hisao Taoka
Detection Function

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2017, (2017.07)

A Study on Pitch Angle Control of Wind Turbine Systems Shunya TANAKA, Hirotaka TAKANO, Hisao TAOKA, Yuta
Equipped with Frequency Control System
SAKAI, and Fumiya KAWAKAMI

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2017, (2017.07)

Quasi-linear score for capturing heterogeneous structureOmae, K., Komori, O. and Eguchi, S.
in biomarkers

BMC Bioinformatics,18,308 (2017.07)1-15

Theoretical Investigation of Blue-laser-diode-pumped
High Efficiency CW Ti:sapphire Laser by High Intensity
Pumping

Tomoki Kanetake, Sakae Kawato

Frontiers in Optics + Laser Science, (2017.09)

Theoretical Analysis of Efficiency in a Mode-locked Laser
Naoya Nakajima, Sakae Kawato
with an Intra-Cavity Nonlinear Medium

Frontiers in Optics + Laser Science, (2017.09)

Efficient ultrashort pulse generation by high-intensity
pumping from the mode-locked lasers with an intracavity
highly nonlinear medium

S. Kawato, N. Nakajima, T. Sato, H. Kadoya, K. Hayashi, T.
Kanetake, F. Sugiki, M. Onishi, T. Nishi, S. Kataoka, R.
Kobayashi

EMN Photonics 2017, (2017.09)

Rate-One AE with Security Under RUP

Shoichi Hirose, Yu Sasaki and Kan Yasuda

ISC 2017, Lecture Notes in Computer Science,10599(2017.10)3-20

Laser efficiency improvement on hemispherical shortcavity lasers by high intensity pumping

Sakae Kawato, H. Kadoya, F. Sugiki, R. Kobayashi, T.
Kanetake, N. Nakajima, S. Kataoka

EMN Optoelectronics 2018, (2018.03)

On affine immersions of probability simplex and theirconformal flattening

Atsumi Ohara

Geometric Science of Information (Frank Nielsen andFrederic Barbaresco eds.) Springer Lecture Notes in
Computer Science,10589 (2017)247-254

Generalization of BJMM-ISD Using May-Ozerov Nearest
Neighbor Algorithm over an Arbitrary Finite Field Fq

Cheikh Thiécoumba Gueye, Jean Belo Klamti and Shoichi
Hirose

C2SI2017, Lecture Notes in Computer Science 10194(2017.03)96-109

〔講 演〕

62件
題目

発表者

会議名,発表番号記号,開催地,抄録集等名（開催年月）

Analysis of Influence of the Pump Beam Quality for the
Hiroki Kadoya, Motoki Morioka, Keisuke Hayashi, Sinichi
Optical-to-optical Conversion Efficiency of Laser-diodeInayoshi, Toru Sato, Tomoki,Kanetake, Humihiro Sugiki,
pumped Continuous-wave Yb:YAG Laser with a V-shaped
Naoya Nakajima, Sakae Kawato
CavityThe 6th Advanced Lasers and Photon Sources (2017.04)

Keisuke Hayashi, Motoki Morioka, Hiroki Kadoya, Sinichi
Theoretical Analysis of Influence of Beam Propagation for
Inayoshi, Toru Sato, Tomoki,Kanetake, Humihiro Sugiki,
Efficiency of Laser-Diode-Pumped ti:sapphire Lasers
Naoya Nakajima, Sakae Kawato

The 6th Advanced Lasers and Photon Sources (2017.04)

非線形波動伝播シミュレーションを用いたモード同期レー
ザーの効率に関する理論解析

中島 直哉, 川戸 栄

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2017 (2017.05)

励起光のビーム品質の影響を考慮した青色レーザーダイ
オード励起連続波Ti:sapphireレーザーの効率に関する理論 金武 知樹, 川戸 栄
解析光・量子ビーム科学合同シンポジウム2017 (2017.05)

連続波Yb:YAGレーザーの光光変換効率に対する励起光のビーム品質の影響

杉木 史弘, 川戸 栄

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2017 (2017.05)

Transport characteristics of minority electrons acrosssurface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC
heterointerfaces

Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato
Shingo, Kenji Shiojima, and Manabu Arai2017 5th International Workshop on Low Temperature
Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2017),17GO-17,東京
都 (2017.05)

Transport Characteristics of Optically-Excited andElectrically-Injected Minority Electrons Across p-Si/nSiC Hetero-Interfaces

N. Shigekawa, S. Shimizu, J. Liang, M. Shingo, K. Shiojima,
and M. Arai2017 5th International Workshop on Low Temperature
Bonding for 3D Integration,東京都 (2017.05)

Development of dual-focus scanning internal
photoemission microscopy for mapping of both top andrear surfaces of 3C-SiC layers

K. Shiojima, N. Ichikawa, and M. Kato

CSW 2017,B5.7,Berlin (Germany) (2017.05)

界面顕微光応答法による金属/半導体, 半導体/半導体界
塩島 謙次
面の2次元評価

応用物理学会結晶工学分科会第147回研究会,大阪府豊中市, 大阪大学 (2017.06)

A Control System of Normalization for Photoreflectance
Optical Intensity with Microcomputer

小林英一, 牧野哲征, 橋本明弘

EM-Nano2017,PO03-45,福井市 (2017.06)

Temperature Induced Anomalous Photoluminescence ofHybrid Organometal Halide (CH3NH3PbI3) Perovskite

M. Rana, Sherajul Islam, A. Bhuiyan, 牧野哲征

EM-Nano2017,福井市 (2017.06)

Electronic Structures in Oxide- and Halide-BasedNatural Superlattice Structures

渡辺貴洋, 牧野哲征

EM-Nano2017,P03-17,福井市,JJAP Supplement (to be
published) (2017.06)

Time-Resolved Differential Transmissivity in
CH3NH3PbI3 and CH3NH3Pb(I, Cl)3 Thin Films

伊藤竜一, 山崎裕斗, 牧野哲征

EM-NANO 2017,PO2-45,福井市,Supplement, Japanese
Journal of Applied Physics (forthcoming) (2017.06)

Study on high frequency loss in coplanar waveguides
fabricated on Si substrate

K. Suzuki, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara

EMNANO2017,PO1-4,福井 (2017.06)

Investigation of dynamic on-resistance of multi-mesachannel AlGaN/GaN HEMTs

J. T. Asubar, H. Tokuda, T. Hashizume, and M. Kuzuhara

EMNANO2017,PO3-10,福井 (2017.06)

Effect of substrate thermal resistivity on breakdown
voltage of AlGaN/GaN HEMTs

T. Yamazaki, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara

EMNANO2017,PO3-48,福井 (2017.06)

Enhancement mode AlGaN/GaN MISHEMTs withrecessed-gate structures exhibiting high thresholdvoltage

W. Gamachi, K. Ishii, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M.
Kuzuhara

EMNANO2017,PA3-1-3,福井 (2017.06)

ページ 2

電気・電子工学専攻
Characterization of AlGaN/GaN HEMTs with directlyregrown AlGaN barrier layer

K. Kanatani, S. Yoshida, A. Yamamoto, and M. Kuzuhara

IMFEDK2017,京都,Digest IMFEDK2017 (2017.06)

Comparison of Ni/Au and Pd/Au ohmic contacts to pGaN

M. Sasada, A. Sasakura, N. Takashima, H. Tokuda, and M.
Kuzuhara

IMFEDK2017,京都市,Digest IMFEDK2017 (2017.06)

Reduced current collapse in multi-fingered AlGaN/GaN
MOS-HEMTs with dual field plate

R. Yamaguchi, Y. Suzuki, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M.
Kuzuhara

IMFEDK2017,B-5,Digest IMFEDK2017 (2017.06)

Effect of reverse bias annealing on the properties of
AlGaN/GaN MIS-HEMTs with recessed-gate structure

S. Gamachi, K. Ishii, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M.
Kuzuhara

IMFEDK2017,B-3,Kyoto,Digest IMFEDK2017 (2017.06)

Mapping of n-GaN Schottky contacts with wavy surface
morphology using scanning internal photoemission
microscopy

K. Shiojima, T. Hashizume, F. Horikiri, T. Tanaka, and T.
MishmaICNS12,C02.12,ストラスブルグ(フランス) (2017.07)

A high electron mobility (≳1300 cm2/Vs) in AlGaN/GaN
heterostructures prepared by direct AlGaN regrowth onreactive-ion-etched GaN surface without regrown GaN
interlayers,

A. Yamamoto, S. Yoshida, K. Kanatani, and M. Kuzuhara

ICNS 2017,France (2017.07)

Collaboration of next generation in ICEE

Yutaka Sasaki, Hirotaka Takano

The International Conference on Electrical Engineering
2017 (2017.07)

GaN HEMTs on highly-resistive GaN substrates

M. Kuzuhara, J. -H. Ng., T. Yamazaki, J. T. Asubar, and H.
TokudaTopical Workshop on Heterostructure Microelectronics,霧
島市（鹿児島） (2017.08)

A Study on Optimization of Cooperative Operation ofControllable Generators and Batteries in Mictogrids
Considering Operational Benefits

Thin Zar Soe, Hirotaka TAKANO, Ryuhei SHIOMI, Hisao
TAOKA

平成29年電気学会電力・エネルギー部門大会,164,東京都(2017.09)

マイクログリッドシミュレータを用いた需給運用計画の再現 塩見 竜平, 高野 浩貴, 伊藤 大智, 松田 翔, THIN ZARに関する一考察SOE, 田岡 久雄, 本堂 義記

平成29年電気学会電力・エネルギー部門大会,P22,東京都(2017.09)

実機との比較検討に基づく自家用電気設備の構成要素の 矢渡 遼, 片山 明彦, 高野 浩貴, 田岡 久雄, 本堂 義記, 平成29年電気学会電力・エネルギー部門大会,P70,東京都
モデル設計
谷口 和彦, 森田 祐志(2017.09)
PV導入拡大を想定した過渡安定度評価手法の基礎検討

小松 宏旭，堤 謙，田岡 久雄，高野 浩貴

平成29年電気学会電力・エネルギー部門大会,P69,東京都(2017.09)

p型GaNにおける深い準位を介した発光特性の解析

庄司 凌, 上原 大侑, 馬 蓓, 森田 健, 石谷 善博, 塩島 謙次

応用物理学会秋季学術講演会,5a-A301-2,福岡市（福岡国際会議場） (2017.09)

自立GaN基板上p+-nダイオードのエピ層表面モフォロジー 林 賢太郎, 太田 博, 堀切 文正, 成田 好伸, 吉田 丈洋, 藤 応用物理学会秋季学術講演会,5p-C17-16,福岡市（福岡国による不均一な電流密度分布
倉 序章, 塩島 謙次, 中村 徹, 三島 友義
際会議場） (2017.09)
応用物理学会秋季学術講演会,5p-C17-7,福岡市（福岡国際会議場） (2017.09)

n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定

前田 昌嵩, 三島 友義, 塩島 謙次

界面顕微光応答法によるα-Ga2O3ショットキー接触の界面反応の2次元評価

今立 宏美, 神原 仁志, 徳田 梨絵, 松田 時宜, 四戸 孝, 塩 応用物理学会秋季学術講演会,5a-C17-9,福岡市（福岡国
島 謙次
際会議場） (2017.09)

水素イオン注入n-GaNの逆バイアス熱処理効果

伊豫田 健, 徳田 豊, 塩島 謙次, 伊藤 成志, 八木 孝秀

応用物理学会秋季学術講演会,6p-PA8-27,福岡市（福岡国際会議場） (2017.09)

生態デ－タのためのポアソン点過程モデル-準線形モデリ
小森 理
ング-

統計関連学会連合大会, 南山大学 (2017.09)

弱励起ポンプ・プローブ法を用いたCH3NH3PbI3Cl3-x混晶
伊藤 竜一, 吉田 清孝, 山崎 裕斗, 牧野 哲征
における時間分解ダイナミクス

第７８回応用物理学会秋季学術講演会,8p-A414-5,福岡市,
応用物理学会学術講演会予稿集 (2017.09)

電力分野における人材育成と技術倫理「電力分野の研究
動向と人材育成」

高野 浩貴

平成29年電気関係学会東海支部連合大会 (2017.09)

An Alternative Selection in Optimization of Cooperative
Operation of Controllable Generators and Batteries for
Microgrids Operators Addressing with Operational
Benefits

Thin Zar Soe, 高野 浩貴, 塩見 竜平, 田岡 久雄

気学会電力技術／電力系統技術合同研究会,PE-17-080,
PSE-17-080,北見市 (2017.09)

構成機器の特性を踏まえたマイクログリッド向け需給運用計画問題の検討

塩見 竜平, 高野 浩貴, Thin Zar Soe, 伊藤 大智, 松田 翔,
田岡 久雄, 本堂 義記

電気学会電力技術／電力系統技術合同研究会,PE-17092, PSE-17-092,北見市 (2017.09)

自家用電気設備内で発生する現象の実験的検討

片山 明彦, 矢渡 遼, 高野 浩貴, 田岡 久雄, 本堂 義記, 電気学会電力技術／電力系統技術合同研究会,PE-17谷口 和彦, 森田 祐志
071, PSE-17-071,北見市 (2017.09)

風力発電機の周波数調整能維持に貢献するピッチ角制御
田中 駿也, 高野 浩貴, 田岡 久雄, 安原 崇志の一検討

電気学会電力技術／電力系統技術合同研究会,PE-17098, PSE-17-098,北見市 (2017.09)

MOVPE Growth Behavior of AlGaN/GaN Heterostructureswith AlGaN Directly on RIE-GaN showing a High Electron A. Yamamoto, K. Kanatani, S. Makino, and M. Kuzuhara
Mobility (>1300 cm2/Vs)

SSDM2017,N-4-04,仙台市 (2017.09)

Defect Observations of Ni/AlGaN/GaN Schottky
Contacts on Si Substrates Using Scanning Internal
Photoemission Microscopy

K. Shiojima, H. Konishi, H. Imadate, Y. Yamaoka, K.
Matsumoto, T. Egawa

International conference on Solid State Devices andMaterials 2017 (SSDM2017),PS-6-13,Sendai International
Center, Sendai, Japan (2017.09)

In-Situ Mapping of Degradation of AlGaN/GaN MISHEMTs Using Video-Mode Scanning Internal
Photoemission Microscopy

K. Shiojima, S. Murase, Y. Watamura, T. Suemitsu

International conference on Solid State Devices andMaterials 2017 (SSDM2017),PS-6-14,Sendai International
Center, Sendai, Japan (2017.09)

Observations of Inhomogeneity of 3C-SiC Layers Grown
on 6H-SiC Substrates Using Scanning Internal
Photoemission Microscopy

K. Shiojima, N. Mishina, N. Ichikawa, M. Kato

International conference on Solid State Devices andMaterials 2017 (SSDM2017),PS-14-01,Sendai
International Center, Sendai, Japan (2017.09)

Electrical Characteristics of n-GaN Schottky Contacts on
Cleaved Surfaces of Free-Standing Substrates -- Metal H. Imadate, T. Mishima, K. Shiojima
Work-Function Dependence of Schottky Barrier Height --International conference on Solid State Devices andMaterials 2017 (SSDM2017),,PS-6-04,Sendai International
Center, Sendai, Japan (2017.09)

PV に付与される系統安定化機能が過渡安定度に与える影響の評価方法の検討

堤 謙介, 小松 宏旭, 田岡 久雄, 高野 浩貴

電気学会電力技術／電力系統技術合同研究会,PE-17147, PSE-17-147,北見市 (2017.09)

Advanced breakdown characteristics of AlGaN/GaN
HEMTs fabricated on free-standing GaN substrates

M. Kuzuhara

Asia-Pacific Workshop on Widegap
Semiconductors,Qingdao(China) (2017.09)

GaN-based HEMTs for high-voltage operation

M. Kuzuhara

Int’l. Conf. on Materials and Systems for Sustainability(ICMaSS),01-Nitride-1,名古屋市 (2017.10)

ページ 3

電気・電子工学専攻
Kenji Shiojima, Tasuku Shigemune, Atsushi Koizumi,
Effect of Surface Treatment in Printed Ag Schottky
Takanori Kojima, Yukiyasu Kashiwagi, Masashi Saitoh,
Contacts on n-GaN Epitaxial Layers by Using Ag Nanoink Takahiro Hasegawa, Masaya Chigane, and Yasufumi
Fujiwara

Advanced Metallization Coference 2017,7-4,東京都(2017.10)

Numerical Analysis on Fast Saturable-Absorber Effects in
Toru Sato, Naoya Nakajima, Hiroki Kadoya, Keisukea Mode-Locked Laser with an Intra-Cavity Nonlinear
IONS Okinawa 2017 (2017.10)
Hayashi, Tomoki Kanatake, Fumihiro Sugiki, Sakae Kawato
MediumHigh efficient continuous-wave Ti:sapphire laser

Keisuke Hayashi, Tomoki Kanatake, Hiroki Kadoya, Toru
Sato, Naoya Nakajima, Fumihiro Sugiki, Sakae Kawato

IONS Okinawa 2017 (2017.10)

自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評塩島 謙次, 今立 宏美, 三島 友義
価~金属仕事関数依存性

電子情報通信学会電子デバイス研究会,ED2017-56,名古屋市(名工大) (2017.11)

界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モ
フォロジーの2次元評価

塩島謙次, 橋爪孝典, 堀切文正, 田中丈士, 三島友義

電子情報通信学会電子デバイス研究会,ED2017-55,名古屋市(名工大) (2017.11)

Optical Properties of Perovskite Solar Cells and Magnets

牧野哲征International Conference on Electrical Information andCommunication Technology (EICT 2017),Khulna(Bangladesh) (2017.12)

ニードル式マイクロディスペンサを用いたナノインク描画と柏木行康, 斉藤大志, 長谷川貴洋, 千金正也, 塩島謙次, 垣 第24回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シ
焼結により形成された銀電極の各種基板上での電気的特
内宏之
ンポジウム（Mate2018）,横浜市 (2018.01)
性の評価
GaNショットキー接合の黎明期からのふり返り塩島謙次

日本学術振興会 産学協力研究委員会半導体界面制御技
術第154 委員会第107 回研究会,(3),東京都 (2018.01)

GaN系材料の結晶評価, 電極形成技術のふり返り

塩島 謙次

応用物理学会春季学術講演会,17P-E201-3,東京都(2018.03)

界面顕微光応答法によるNi/SiN/n-SiC MIS構造の２次元
橋爪孝典,佐藤勝, 武山真弓, 塩島謙次
評価

応用物理学会春季学術講演会,18p-P14-8,東京都(2018.03)

多結晶TiO2薄膜のフォトリフレクタンス分光

牧野 哲征, 小林 英一, 伊藤 省吾

第65回応用物理学会春季学術講演会,19p-P9-20,東京都(2018.03)

磁場下赤外反射分光によるInN電子有効質量の解析

松本 大, 馬 蓓, 森田 健, 福井 一俊, 木村 真一, 飯塚 拓也, 第64回応用物理学会春季学術講演会,17p-503-9
石谷 善博(2017.03)

可視-真空紫外エリプソメータによるシンクロトロン放射光
ビームラインのストークス・パラメータ測定福井 一俊, 那須 勇樹, 藤居 佑輔, 山本 晃司, 齋藤 輝文〔著 書〕

第64回応用物理学会春季学術講演会,17a-418-1,横浜市(2017.03)

1件
題目

Semiconductor Process Integration 10〔資料・解説等〕

著者
J. Murota, C. L. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus,
A. Mai, K. Shiojima, P. Chin

出版社(出版年月)Electrochemical Society (2017.08)

3件

題目
共振器内部に非線形材料を挿入したモード同期レーザーの効率に関する理論解析

著者
掲載誌,巻,号,頁(出版年月)
佐藤 徹, 中島 直哉, 稲吉 真一, 角谷 宏樹, 林 啓佑, 金武
電子情報通信学会技術報告 (2017.05)
知樹, 杉木 史弘, 川戸 栄

半導体研究者が取り組んだ枕研究塩島謙次

ライントレースロボットで, じどううんてんを見てみよう

林 啓佑, 三浦柊一郎, 角谷宏樹, 佐藤 徹, 杉木史弘, 中島
青少年のための科学の祭典2017年福井大会実験解説集
直哉, 金武知樹, 片岡俊二, 大西 満也, 小林 亮, 西 達也,(2017.11)
中川 剛志, 川戸 栄

〔学会等の開催〕

応用物理,86,10,913-915 (2017.10)

4件
名称

担当者

開催地(期間始)（社）レーザー学会研究会「固体・半導体レーザー」

川戸 栄

加賀市 (2017.05)

EM-NANO2017

葛原正明

福井市 (2017.06)

232nd The Electrochemical Society Meeting

塩島謙次

Washington DC, USA (2017.10)

応用物理学会春季学術講演会(2018年春季)

塩島謙次

東京都(早稲田大） (2018.03)

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