会場 F
領域 7, 8, 9絶縁体組成 Bi2212 の誘電特性と不純物置換効果
佐賀大院工系 A , 東北大金研 B

雪竹央乃A , 真木一 A , 西嵜照和 B , 小林典男 B

銅酸化物高温超伝導体はモット絶縁体にキャ的な誘電カタストロフィや不均一空間電荷分布リアをドープした系である。このとき、モットが連想され、たいへん興味深い。当日は、印加転移近傍でどのように金属的性質が現れるか電圧依存性や不純物置換効果などの詳細を報告は未解明である。複素誘電率は絶縁体金属転する。1 M. Maki et al., JPSJ 76 (2007) 044711.

移近傍の電気的性質の変化を検知できるので、モット転移の特徴を調べる有効な手段だと考え

5[·10 ] 1られる。そこで、我々は Bi2212 の絶縁体組成0.8域 Bi2 Sr2 DyCu2 O8 (Dy-Bi2212) の単結晶試料

i ' abを作製し、複素誘電率測定を行っている。図は

CuO2 面内と面間 (c 軸) のそれぞれの方向で測定した誘電率 (実部) の温度依存性である。面間方向の誘電率は、230 K 程度以上の高温で0.620040 Hz
400 Hz
4 kHz
40 kHz1000.40.2

電荷キャリアの動きを反映して増大する 1 。一00方、CuO2 面内では低温から 104 もの巨大な誘電率を観測した。この誘電異方性からは 2 次元

100200T(K)450300i 'cF-1

F-2Nax CoO2 の電気抵抗率と熱起電力
佐賀大理工 A

高倉将一A , 雪竹央乃 A , 真木一 A

式価数が３価と４価の間で変化し、系には多彩の量が異なるにもかかわらず、同程度の値をで興味深い物性が現れる。x が大きい領域では示すことが分かる。当日は現在測定している高い熱起電力が報告されており、熱電材料としゼーベック係数の結果も含めて詳細を報告する。

40

して CoO2 の積層状態が変わり、x=0.9〜1 で(m cm)

はα相、x=0.55〜0.67 ではβ相、x=0.3〜0.5及び 0.7〜0.74 ではγ相と呼ばれる構造が現れることが知られている。特定の濃度では、Na原子が規則的に配列する可能性も指摘されており、結晶構造が電子状態に及ぼす影響には興30(004)ての期待も高まっている。一方、x の値に依存

x=0.45(102)(103)(104),(006)気抵抗率は共に金属的であり、電子ドーピング(002)

結果は両者がγ相であることを示している。電Intensity(arb units)

Nax CoO2 は、CoO2 層と Na 層を積み上げた結晶構造をもつ。x の値を変えると Co の形

x=0.7520 0 10 20 30 40 50 60
𦣪10味がもたれる。そこで本研究では、同一の結晶

x=0.75構造をもつ試料を作製し、その電気的性質を比較することにした。図は x=0.45, 0.75 の電気0抵抗率ρの温度依存性である。挿入図の XRD

F-3

x=0.45

100T(K)200

V2 O3 ナノ結晶の金属絶縁体転移
佐賀大院工 A , 九大総理工 B , 台湾 NSRRCC , 弘前大院理工 D , 九大院工 E
糸山真央A , 白石達也 A , 末廣智 A , 木田徹也 B , 石井啓文 C , 手塚泰久 D , 稲垣祐次 E , 河江達也 E , 石渡洋一 A

図1V2O3 ナノ結晶の金属絶縁体転移（MIT）と化学ドーピングの関係を調べるために、サイズが約 20 nm のノンドープナノ結晶と Cr を

O 1s XAS

1 ％ドープしたナノ結晶を液相合成して、その180 K
60 Kに、V2O3 バルクについても測定した。図 1 はKEK-PF-BL2C で測定した酸素 1s 励起軟 X 線吸収（XAS）スペクトルである。バルクではMIT 前後の温度で測定したときに、吸収端のシフトが見られる。同様のシフトは、ノンドープナノ結晶と Cr ドープナノ結晶にも見られる。
これは、ノンドープナノ結晶と Cr ドープナノ結晶における MIT の発現を示す。一方、ノンIntensity (arb. units)構造・電子状態・磁性を調べた。比較のため

Non-doped NC

Cr-doped NC
180 K
100 K

300 K
65 K

ドープナノ結晶と Cr ドープナノ結晶では、吸収端の直上付近に温度依存性がない成分も見Bulkられる。この成分はノンドープナノ結晶に、より多く含まれる。詳細については当日報告する。

52846530532534
Photon Energy (eV)

536

F-4

導電性高分子ポリアニリンの抵抗率・キャリア数の温度依存性 II
九州大学大学院理学府 A , 出光興産株式会社 先進技術研究所 B , 九州大学理学部 C成清敬史A , 花田智紀 C , 山田和正 A , 篠崎文重 A , 板東徹 B , 黒田憲寛 B , 中村浩昭 B

高分子ポリアニリンはスルホコハク酸エステ

ρ−Ｔを示したものである。同じドーパント

ルをドープすることによりキャリアが生成され濃度でもρ−Ｔの振舞いが異なっていること導電性を示す。更に第 2 ドーパントを加えるこが分かる。本発表ではこれら第 2 ドーパンとにより大きく伝導率を変化させることがでトの異なる 3 種類の試料について比較をし、きる。これまで我々は第 2 ドーパントとしてそれぞれのドーパント濃度依存性について測

m-cresol を選び、濃度を 0 ％〜50 ％までを変化させ低効率ρのドーパント濃度依存性の電気定結果及び考察について述べる予定である。
0.04
4IPP
4EtoPhmCR0.035

測定を行ってきた。第 2 ドーパントの濃度が 10.03〜10 ％の間で抵抗率は約 4 桁と大きく変化す0.025ρ [Ωm]る。この一連の試料についてホール係数を測定しキャリア密度 n、移動度μについて調べてき0.020.015た。

0.01

今回は異なるドーパントによる効果を調べ0.005

る目的で 4EtoPh と 4IPP を選び実験を行っ0-200-150-100-50た。図は各第 2 ドーパントの 5 ％におけるF-5050T [oC]

導電性高分子膜におけるゼーベック係数のドーパント依存性
九州大学理学部 A , 九州大学大学院理学府 B , 出光興産株式会社 先進技術研究所 C花田智紀A , 成清敬史 B , 山田和正 B , 篠崎文重 B , 坂東徹 C , 黒田憲寛 C , 中村浩昭 C

ポリアニンはスルホコハク酸エステルをドーの変化を示すかどうかは不明である。今回のプすることで導電性を持つ。さらに第 2 ドー講演では前回測定した m-CR と 4EtoPh,4IPP

パントとして m-CR をドープしその量を変えを比較し、キャリア密度とゼーベック係数のることでポリアニンは異なった導電率を示す関係などについて報告する。

ようになることをこれまで報告してきた。さらに、これらをドープした試料に対しゼーベッ
ク係数 S を測定した。S は ∆V/∆T で定義さ

棡鴈

れ、試料の温度差を変えることでその両端の140E+0.

20E+0.

00E+

08.

00E+

006.

00E+

004.

00E+

002.

00E+

000.

00E+

001䅏籞笽穖祲逃豬1.

1)K

電圧が変化する。S を測定することでキャリア/11VmCR(の種類とキャリア密度に関する情報が得られ、その電気伝導について解明することができるためである。グラフは導電率とゼーベック係数の関係を表したもので、今回新たに測定した䅏籞笽穖祲逃豬

S447IEPP

41.

00E011.

00E+

001.

00E+01棡鴈4EtoPh は m-CR とは逆に導電率σに比例してS が増加しているようであるが、4IPP が一定

1.

00E+

j0(

121/.

00籗mE+)

03

1.

00E+

041.

00E+

05toPhF-6RPt2 Si2 (R=Y,La,Lu) の超伝導と構造転移
九大院理 A , 東大物性研 B
B永野雄太郎A , 和田裕文 A , 光田暁弘 A , 荒岡信隆 A , 市B原正樹 , 礒部正彦 , 上田寛 B
正方晶 CaBe2 Ge2 型構造 (空間群 P 4/nmm) を[1] R. Ballestracci and G. Astier, C.R. Acad.
Sci. Paris 286(1978) 109.

持つYPt2 Si2 ,LaPt2 Si2 は T c 〜2K 付近で超伝導を示す [1,2]。我々は同構造をもつ LuPt2 Si2 で[2] D.Gignoux et al, Phys. Lett. A 117 (1986)
145も新たに超伝導を観測した。図は我々が測定したLaPt2 Si2 の電気抵抗の温度依存性を示したものである。

LaPt2 Si2 の電気抵抗は基本的には金属的に振る舞うが、T ∗ 〜100K で低温に向うにつれて僅かな電気抵抗の上昇が見られる。これは電荷密度波 (CDW) 転移の可能性が考えられる。電子 − 格子相互作用により格子歪がおこりCDWが形成される。その歪を観測するため、低温における粉末 X 線回折と電子線回折を行った。
低温における粉末 X 線回折では、T ∗ 以下において格子が斜方晶に歪むことを示唆するピークの分裂を観測した。また電子線回折にでは T ∗以下でのみ超格子反射のスポットが観測された。当日は、これらの結果からCaBe2 Ge2 型構造におけるCDW と超伝導との関係を議論する。

F-7元素置換による新しい Eu 系価数揺動物質の探索
九州大学理学研究院物理学部門物性物理学 A , 九州大学理学研究院物理学部門物性物理学講 B , 九州大学理学部物理学科磁性物理学研究室 C
B弘 , 合木悠佑

和田裕文 A , 光田暁

C

価数揺動を示す金属を適切に混合することによって、価数揺動状態の様子が大きく影響を受けることがあり、さらに希土類元素 Sm、Eu、Yb を含む化合物の中には温度、圧力、磁場などの外場に影響されるものがあることが知られている。

Eu は一般に化合物中で 4f 電子数が 7 個（Eu2+ :2 価）の状態と 6 個（Eu3+ :3 価）の状態で存在しており、ある種の化合物中では Eu の価数がこの 2 価と 3 価の間で移り変わり、2 価と 3 価の間の価数状態（価数揺動状態）をとる場合があり、価数揺動を示す金属である。
この Eu 系化合物における価数揺動は強い温度依存性を示すことが特徴であり、また Eu 自体はその磁気モーメントが Eu2+ 、Eu3+ それぞれで 7μB 、0μB となっており、価数揺動状態が磁場の影響を受ける化合物が中にはある。
その Eu 系化合物の一つとして価数揺動状態をもつ系である EuPd2 Si2 （正方晶、CeAl2 Ga2 型構造）が挙げられ、この系では Pd を Au（〜15 ％）で置換、または Si を Sn（〜4 ％）で置換することにより価数揺動状態に大きな変化が生じることが報告されている。
そこで、EuPd2 Si2 と同型構造で価数揺動状態をもつ系である EuCu2 Si2 に注目し、この系の Cuを Au（0, 5, 10, 15, 20 ％）で置換し、それによる価数揺動状態への影響を調べた。
当日の発表ではその結果内容について詳しく述べる。

48

F-8

Eu-T-P(T=Ni,Pd,Pt) 系の試料作製と磁性
九大理 A

梅田真史A , 杉島正樹 A , 光田暁弘 A , 和田裕文 A

EuMP(M=Ni,Pd,Pt) は層状六方晶 Ni2 In 型い。一方、ネール点は TN =4.8K に低下する。

構造をもち、いずれも価数転移を示す。M=Pt

講演では更に置換した試料の結果も報告する。の場合、T1 =246K と T2 =200K で一次の価数転移を、TN =8K で反強磁性転移を示す。我々の研究で価数転移に伴い Eu2+及び Eu3+の層が規則的に積層する価数秩序を示すことが明らかになってきた。今回は、EuPtP の Pt サ
イトに Pd または Ni を置換した試料の作製を試み、この物性に対する化学的圧力効果を調べることにした。現在のところ、Pd 置換の試料作製に成功している。SEM-EDX による組成分析から見積もられる Pd 置換量は 1〜3%である。図に磁化率の温度依存性を示す。2つの価数転移が観測されるがややブロードになっており、転移温度はあまり変化していな

F-9四極子秩序物質 PrPb3 の磁場温度相図
九大院工 A , 物材機構 B , 広大院先端 C

牧山駿A , 佐藤由昌 A , 稲垣祐次 A , 河江達也 A , 鈴木博之 B , 鬼丸孝博 C

AuCu3 型の立方晶構造を持つ PrPb3 は非磁性 Γ3 ２重項の結晶場基底状態を持ち、TQ =0.4K で反強四極子秩序することが知られている。この四極子転移温度 TQ は磁気異方性を示し、その磁気相図は [100], [110], [111] の３つの結晶軸方向において大きく異なる。特に [110] 磁場方向 H=6T 以上において、低磁場相と異なる秩序パラメータをもつ高磁場秩序相が存在することが知られている[1]。また最近、[100] 磁場方向で磁場中比熱測定を行った結果、[110] 方向だけでなく [100] 方向においても高磁場秩序相の存在を示唆する結果を得た [2]。
我々は今回、純良単結晶 PrPb3 の [110] 磁場方向で磁場中比熱測定を行い、[110] 結晶軸方向における磁気相図を調べた。TQ の磁場依存性はリエントラントな振る舞いを示し、H=6T 以上で高磁場秩序相が出現することを確認した。また H=0T において、TQ =0.43K よりも低温の T ∗ =0.25Kで比熱異常が見られた。この T ∗ での異常は大きな磁気異方性を示し、[100] 方向では H=1T まで、[110] 方向では H=2.5T まで確認できるが、それ以上の磁場領域では 1 次転移と重なっていく。この異常の原因は分かっていないが、各結晶軸方向で異方性があることから四極子の異方性に起因するのではないかと考えている。
[1] T. Onimaru, et al., J. Phys. Chem. Solids 68 (2007), 2091.
[2] Y. Sato, et al., J. Phys. Soc. Jpn. 79 (2010), 093708.

49

F-10

四極子秩序物質 PrB6 の多重極限環境下比熱測定
九大工 A , 九大院工 B , 広大先端 CB也 , 世良正文

前場貞徳A , 諸富大樹 B , 稲垣祐次 B , 河江達C

PrB6 は約 8K 以下の低温領域で、温度、磁場、圧力、結晶方位に依存して多彩な秩序状態を示すことが、世良グループによる電気抵抗測定等の結果から明らかになっている [1][2]。常圧下では整合相と 2 種類の不整合相が温度―磁場相図10に見られ、さらに両相互作用のバランスに直接8TN, TIC (K)関わる Pr − Pr 間距離に変化をもたらす圧力下においては、常圧下では見られない新しい正体不明の相（A 相）も観測されている。そこで本研
究では圧力下磁場中比熱測定により A 相の同定も含めた PrB6 の物性解明を目指す。図 1 はゼロ642

磁場における PrB6 の温度―圧力相図であり赤00.0

丸は我々の比熱測定の結果である。当日はより高圧の結果を加えて詳細な報告をする予定である。

0.51.0P (GPa)1.52.0

図１ 常圧下におけるPrB_{6}の温度―圧力相図。

[1] S. Kobayashi et al. J. Phys. Soc. Jpn. 70 (2001) 1721.
[2] H. Iwakubo et al. Phys. Rev. B78 (2008) 12409.

F-11Prx La1−x InAg2 の極低温帯磁率測定
九大院工 A , 九大院理 B , 物材機構 C , 九工大院工 D

佐藤由昌A , 牧山駿 A , 中村有

花 B , 坂元康剛 A , 蓮尾斎彦 A , 稲垣祐次 A , 河江達也 A , 鈴木博之 C , 美藤正樹 D ,北井哲夫 D
近年，PrInAg2 や PrMg3 などの低温において非フェルミ液体的振る舞いを示す物質に興味が向けられている．
我々は極低温における精密磁化測定を行うため，SQUID 磁束計用の 3 He インサートを製作し，それを用いて Prx La1−x InAg2 (x=1, 0.1)の帯磁率及び磁化測定を T =0.5K まで行った．

x=0.1 における磁化率の温度依存性を図 1 に示す．帯磁率の温度依存性はどちらの濃度でもT =15K 以上で Γ3 基底の下での結晶場スキームでよく再現される．しかし一方で，低磁場のH=0.25T において T =15K 以下では − ln T 依存を示し，非フェルミ液体的振る舞いを示す．また，磁場を印加するにつれて − ln T 依存性が抑図

1

制され，H=7T において −T 2 依存性が現れた．

50の帯磁率温度依存性 挿⼊図は結晶場フィッティングによる計算 実線 との⽐較

F-13

液体 4 He 中における Au 原子サイズギャップ間のトンネル電流測定
九大院工 A , 金沢大教育 B
A

江達也 , 辻井宏之

横田智彦A , 中島尚也 A , 家永紘一郎 A , 稲垣祐次 A , 河B

近年、STM や MCBJ といった単原子接点の制御技術の向上により、分子架橋系に対するスピンと伝導電子の相互作用の研究が盛んに行われている。そこで我々は原子サイズギャップ間に４ He と３ He を介したトンネル電流測定を行うことで、３ He のもつスピンと伝導電子の相互作用についての探求を考案している。今回は装置作製及び予備実験として液体４ He 中での原子サイズギャップにおけるトンネル電流測定について報告する。原子サイズギャップ間に液体４ He を導入する為、下図の装置を作製した。装置は二重断熱管構造となっている。伸縮可能なベローズとピエゾ制御により、液体４ He を導入した内側断熱管内の試料を機械的に破断させ、原子サイズギャップを作製することが可能である (MCBJ 法)。トンネル電流測定の結果、真空環境下と比較して４ He 由来と思われる異常が観測された。

F-14

マルチフェロイック物質 DyMnO3 のナノスケールサイズ効果
九工大工 A , 福岡大理 B

濱本健太A , 安藤祐規 A , 菊池雄介 A , 出口博之 A , 美藤正

樹 A , 高木精志 A , 田尻恭之 B , 香野淳 B
マルチフェロイック物質 DyMnO3 は、磁場にIRM（等温残留磁化）と TRM（熱残留磁化）の磁場依存の実験結果も報告する予定である。

より誘電率が大きく変化する巨大電気磁気効果で注目されている物質である。我々は DyMnO3のナノスケール結晶を作成し、磁性におけるサイズ効果を調べている。

0.006

図１は零磁場冷却における直流磁化の温度依0.005存である。バルク試料においては T ＝５ [K] 付

0.004

M[emu]

TDy =5 [K]

近に Dy の秩序化によるピークが存在している

0.003のに対し、ナノスケール試料においてはピーク0.002が見られず、Dy の秩序化が消失した。

0.00100

この他にも交流磁化率測定、ESR 測定、直流磁化過程の測定を行った。その結果、ナノス

図１

ケール試料において反強磁性転移温度の低下、磁気相互作用の変化、超常磁性による常磁性成分の増大というサイズ効果が見られた。当日は

51

バルク
ナノ粒子

204060T[K]80100

DyMnO 3のバルクおよびナノ粒子の直流磁化の温度依存（ZFC）

F-15

YBCO 超伝導セラミクスのカイラルグラス転移における臨界指数
九工大工 A , 京都工繊大基盤科学 B , 徳島大総合科学 C
AAA

加藤康大A , 吉田英志 A ,A

木太久遼 , 出口博之 , 美藤正樹 , 高木精志 , 萩原亮 B , 小山晋之 C
銅酸化物超伝導体のサブミクロンサイズの指数 zv の値は，6.2 となりカイラルグラスのグレインの焼結体は，0 結合とπ 結合がラン理論値 7〜8 と比較してやや小さい．この他にダムに配列したジョセフソン結合ネットワークも Tc2 の磁場振幅依存や I − V 測定より導出し系とみなすことができる．この系のπ 結合をた抵抗率から求めた臨界指数の値についても予奇数個含むπ-リングによる超伝導ループ電流想される理論値との比較を行ったので報告する．と XY スピン系のカイラリティが対応するこ61とにより，グレイン間において超伝導ループ電60

流の向きがランダムに凍結するカイラルグラ

59

TC2[K]ス転移が予想されている．我々は YBa2 Cu4 O858

セラミクス試料についてグラス転移近傍での温度・磁場・周波数依存より静的および動的臨界57指数を実験的に導出し，川村らの理論と比較検56討を行った．交流磁化率測定より非線形磁化率55を導出し，極大値を示す温度をカイラルグラス
転移温度 Tc2 とした．Tc2 の交流磁場の周波数

図12ω1/zν34

転移温度TC2の交流磁場周波数依存依存を図に示す．図のように周波数依存はベキ乗則に従い，フィッテングより求められた臨界F-1630GPa を超える高圧領域での YBa2 Cu3 O7 の交流磁化率測定
九工大工 A

庄司和平A , 今給黎匠 A , 長井宏輔 A , 美藤正樹 A , 出口博之 A , 高木精志A
銅酸化物超伝導体の高圧力実験には非常に0 [GPa]in-phase of AC susceptibility [emu]多くの研究報告がある。しかし超伝導転移を消失させるまで高圧力下での研究は、2011 年

YBa2 Cu3 O7 における Muramatsu らの電気抵抗測定が初めてであった。彼らは 29 GPa まで圧力をかけ 25 GPa 付近で超伝導体から半導体的になったと報告している1 。我々は同様の研究を磁気測定の側面から実施しており、その途中経過を報告する。具体的には SQUID
磁束計 MPMS（Quantum Design 社製）と超4.1[GPa]7.2[GPa]
10.5[GPa]19.0[GPa]23.0[GPa]

小型 DAC（ダイヤモンドアンビルセル）を組み合わせた交流磁化率測定でマイスナー効果を追跡した。図 1 に各圧力下での交流磁化60率の温度依存性を示す。今のところわずかな超伝導転移の減少が見られているだけである。

労1708090100
Temperature [K]

YBa2Cu3O7 貢㔾椀陪真行抗杭鵠誓╂1 T. Muramatsu, D. Pham, and C. W. Chu, Appl. Phys. Lett. 99, 052508 (2011)

52110120泌伹貢繫柤属岼淤

F-17

銅酸化物超伝導体 YBa2 Cu4 O8 の高圧力下交流磁化率測定
九工大工 A , 物材機構 B , 名大院エネルギー理工 C , 東北大金研 DAA

AA

今給黎匠A , 長B井宏輔 , 庄司和平 , 美藤正樹 , 出口博之 , 高野義彦 , 吉田隆 C , 淡路智 D ,松本要 A
銅酸化物超伝導体の転移温度 T c は、CuO2 面に加えた荷重をロードセルで読みとったものでが積層構造を有していることから異方的な圧力ある。約 1.5 [GPa] までの領域で Tc の上昇率効果が期待される。しかし、これまで行われてきは 5.5 [K/GPa] を上回る 6.4 [K/GPa] を得た。

た圧力実験のほとんどが静水圧力実験で、一軸-71 10圧力の中でもポアソン効果を許容しない一軸圧c̀P0縮実験は未だ行われていない。J. J. Scholtz ら'[emu]

は YBa2 Cu4 O8 多結晶試料に対して静水圧力実験を行い、そこでの Tc の上昇率は 5.5 [K/GPa]であったと報告している1 。そこで今回、我々はより大きな上昇率を期待し YBa2 Cu4 O8 単結晶

Hac = 4 [Oe]f = 10 [Hz]-1 10-7-2 10-70kgf
500kgf
750kgf
1000kgf
1200kgf
0kgf-return-3 10-7試料を用いて、c 軸に対して平行または垂直方向に圧縮させた一軸圧縮実験を行った。図 1 は、c 軸に対して垂直に圧縮させた際の結果である。
荷重値はピストンシリンダー型クランプセル-4 10-77075808590
Temperature [K]95100溱槏𣝣玢誓╂ 泌伹 eÓ"潙繫柤属岼淤

労1 YBa2Cu4O8潙返

1 J. J. Scholtz et al., Phy. Rev. B. 45 (1992) 3077.

F-18

YBCO 超伝導セラミクスのカイラルグラス相におけるメモリ効果
銅酸化物超伝導体のサブミクロンサイズのグレインの焼結体は，0 結合とπ結合がランダ

九工大工 A , 京都工繊大基盤科学 B , ムに配列したジョセフソン結合ネットワーク系とみなすことができる．このようなセラミ徳島大総合科学 C 芦田拓弥A , 首藤充弘 A ,クスでは、グレイン内超伝導転移，グレイン間グラス転移の２段階の相転移をすると予想

A
B
佐々木悠太 A , 出口博之 A , 美藤正樹 されている．我々は, 高木精志 AYBa, 萩原亮, 小山晋之 C
2Cu4O8 セラミクス試料について磁気測定を行い，グレイン間のカイラルグラス転移について調べている．今回，我々の試料がグラス相を形成していることを確認するため，スピングラス磁性体のスピングラス相で観測される磁気メモリ効果が銅酸化物超伝導体のサブミクロンサイズのグ効果の測定結果を示す．両者ともグラス転移温YBCO 超伝導セラミクスのカイラルグラス相において観測されるか検証を行った．図１にレインの焼結体は，0 結合とπ結合がランダム

Tc2 より磁化のメモリ効果の測定結果を示す．両者ともグラス転移温度
度 ZFC
T c2磁化，TRMより低温の冷却時に停止した温度
Ts 付近に配列したジョセフソン結合ネットワーク系と低温の冷却時に停止した温度 Ts 付近で磁化に変化が現れ，メモリ効果が観測された．
で磁化に変化が現れ，メモリ効果が観測された．

みなすことができる．このようなセラミクスで-6[10 ]は、グレイン内超伝導転移，グレイン間グラス1転移の２段階の相転移をすると予想されている．

ΔM[emu]我々は YBa2 Cu4 O8 セラミクス試料について磁気測定を行い，グレイン間のカイラルグラス転移について調べている．今回，我々の試料がグラス相を形成していることを確認するため，スピ0ングラス磁性体のスピングラス相で観測される磁気メモリ効果が YBCO 超伝導セラミクスのTC2

TS=44[K]-1

H=0.05[G]

30

ΔMZFC
ΔMTRM

TS405060

カイラルグラス相において観測されるか検証をT[K]行った．図１に ZFC 磁化，TRM 磁化のメモリ

図１．TRM, ZFC 磁化のメモリ効果測定

53