日本金属学会誌 第 74 巻 第 8 号(2010)485492

高温高湿条件下におけるはんだウィスカの成長機構
野津

敬

古志益雄

山本浩司

増田純也

西村哲郎

株式会社日本スペリア社
J. Japan Inst. Metals, Vol. 74, No. 8 (2010), pp. 485
492
 2010 The Japan Institute of Metals

The Effects of the Soldering Process on Whisker Growth on Solder Alloys
under the Conditions of High Temperature and High Humidity

Takashi Nozu, Masuo Koshi, Hiroshi Yamamoto, Junya Masuda and Tetsuro Nishimura
Nihon Superior Co., Ltd., Suita 5640063

Corrosion is recognized as one of the potential drivers of whisker growth in regards to hightin alloys. In this study, thegrowth of whiskers was observed for a period of 5000 hours on Sn3.0Ag0.5Cu (SAC305) as a function of soldering method underthe environmental conditions of high temperature and humidity of 85°
C/85RH, 60°
C/90RH, and 40°
C/95RH. The soldering methods used were dip soldering, hand soldering with fluxcored wire, and reflow soldering with solder paste with all of themethods using commercially available flux formulations. The test pieces were examined at regular intervals for the onset ofwhisker growth, whisker density and maximum whisker length. In addition, samples were taken periodically for the measurementwith the extent of corrosion and correlations between corrosion and whisker growth being explored.
Findings presented in this paper can be summarized as follows:(1) Whiskers occurs at 85°
C/85RH and the growth rate, is two to four times greater than that at 60°
C/90RH and approximately ten times greater than that at 40°
C/95RH;(2) There is a positive correlation between whisker density and maximum whisker length;(3) For the dip soldering, a positive correlation between the average percentage of the corroded cross－sectioned region and the
maximum whisker length suggests that corrosion is a driving force of whisker growth;(4) Different soldering methods resulted in varying degrees of copper erosion along with different distribution of flux residues,and subsequently different rates and locations of corrosion.
It is concluded from these observations that the soldering method as well as the type of flux gives significant influence on thesubsequent corrosion when exposed to high temperature and humidity conditions. Consequently, this also gives extensive effects
on the onset time of whisker appearance and maximum whisker length.
(Received October 14, 2009; Accepted April 14, 2010)

Keywords: whisker growth, leadfree solder, soldering method, dip soldering, high temperature humidity test, solder corrosion

た．その結果について報告する．

1.

緒

言
実

2.

験

方

法

高温高湿条件下でのウィスカは結晶方位解析などから腐食による Sn の再結晶が原因であると推定され1)，はんだ付さ使用したはんだ材料，基板および実験条件を Table 1 に示れた導体のショルダー部で発生した腐食に基づく発生メカニした．また，はんだ付の方法について，Fig. 1 に模式図を示

ズムが報告されている2) ． Su らは銅箔が露出しているはん

した．

だ界面近傍が腐食の起点であることから， Cu と Sn のガル
バニックセル形成を腐食の主要因として捕らえている3)．ま2.1

ディップはんだ付(静止ディップ)

た， Sn の腐食生成物である SnO2 の体積膨張が内部応力発Sn3.0Ag0.5Cu ( SAC305 )はんだを入れた小型はんだ槽の生の主要因とする，西村4)の報告もある．種々の Pb フリー

温度を 250°
C に設定して溶融状態を保った．Table 1 に示し

はんだ合金が高温高湿条件下で試験され，ウィスカ抑制効果た基板に液状ポストフラックス A または B を塗布した後，などが検討比較されている5,6) ．しかしながら，同じはんだFig. 1 ( a )に示すとおり，垂直にディップしてはんだ付し合金であっても，フラックスや温度などはんだ付条件が異なた．ディップ時間は 5 秒とした．

れば，結果が大きく変わる場合があり7)，単一の実験条件から比較結果を導き出すのは難しい．そこでここでは，特には

2.2

こて付

んだ付工法に着目し，工法の違いがウィスカ発生に及ぼす影

はんだごてのこて先温度を 300 °C に設定し， Fig. 1 ( b )に響について検討した．さらに腐食率との関係について調査示すとおり， SAC305 やに入りはんだ C または D を用いし，環境試験条件による促進加速性についても比較検討して，導体の長手方向に沿って流しはんだ付(はんだごての先

486

第

日 本 金 属 学 会 誌(2010)

Table 1
Methods

74

巻

Test boards and test conditions.

Dip soldering

Hand soldering

Reflow soldering

3.0Ag
0.5Cu (SAC305)
Sn

Solder alloy
Fluxes (Halide activated)

Liquid fluxes A, B

Wire core fluxes C, D

Solder paste flux mediums E, F

Bare copper interdigitated comb pattern(Line spacing: 0.15 mm, 0.3 mm, Thickness: 35 mm, Number: 25, Test pattern dimensions: 15 mm×20 mm)

Test boards

Test boards

Soldering tool tip temp.: 300°
C.
Traces soldered consecutively

Soldering processparameters

C, Contact time: 5 s
Soldering temp.: 250°

Inspection times(40°
C/95RH, 60°
C/90RH)500, 1000, 2000, 3000, 5000 h(85°
C/85RH) 500, 1000, 2000, 3000 h

Observations recorded

1.
2.

Maximum whisker length at the time of inspection
Fraction of cross
sectional area of solder that had corroded at 1000, 2000, 3000 h

Measurement methods

1.
2.

N34MD×200
Whisker length: Metaloscope, Olympus BX51
Solder corrosion: SEM
Edge of traces: ×2300, Top of traces: ×200

Fig. 1

Linear profile
C/s, Peak temp. 240°
C
Ramp rate 1.5°
C Liquidus: 50 s
Time above 227°

Schematic diagram of soldering methods, (a) dip soldering, (b) hand soldering, and (c) reflow soldering.

を導体から離さないように水平に動かして，フラックスとはんだウィスカの試験法として推奨している(55±3)°
C/(85±

んだを広げながら導体に沿ってはんだ付する方法)を行った．

3 ) RH の条件8) の上限と，同じく JEITA によるウィスカ

2.3

リフローはんだ付防止技術開発プロジェクトの目標である「 85°C /85 RH 保
持で 1000 時間まで 50 mm 以下に Sn ウィスカ発生を抑制9)」

専用のメタルマスクを Fig. 1(c )に示すように基板に重ねから，それぞれ 60°
C / 90 RH, 85 °C /85 RH の環境条件を合わせ， SAC305 ソルダーペースト E または F を手刷りに用いることとした．また，40°
C/95RH は，85°
C/85RHより印刷し，リフロー炉で Table 1 の条件ではんだ付を行っと同様に JIS のはんだの信頼性試験10)などに用いられる条件

た．

で，はんだ付された電子機器等の実使用環境に近いと考えら

2.4

環境試験

環境条件としては，電子情報技術産業協会( JEITA )がはれたので用いた．絶対湿度は 85°
C /85 RH, 60°
C/ 90 RH,
C / 95  RH でそれぞれ，ほぼ 6.1 : 2.4 : 1.0 の関係にあ40 °り，湿度と温度による影響が相乗的に作用するものと思われ

8

第

号

487

高温高湿条件下におけるはんだウィスカの成長機構

る．
はんだ付した基板をそれぞれ 85 °C / 85  RH, 60 °C / 90 2.7

腐食率の測定RH, 40°C/95RH に設定した恒温恒湿槽に投入し，試験開ウィスカ観察用とは別に準備して環境試験にかけた基板

始後 500, 1000, 2000, 3000, 5000 時間毎に取り出し，ウィスを，導体に対して垂直方向に切断し樹脂埋め研磨した．金属

カ観察に供した．試験中はいずれも通電なしとした．

顕微鏡および X 線分析装置付電子顕微鏡( SEM EDX )を用

2.5

ウィスカの観察いて，断面を観察，分析することにより導体側面の腐食部位を特定した．

Table 1 に示す金属顕微鏡を用いて垂直方向から基板を観Fig. 3 ( a )に断面の金属顕微鏡像の一例を示す．やや解像察，ウィスカが検出された場合はその位置と長さを記録し度が低いが，銅箔の側面に紡錘形のはんだが存在しているのた．長さは平面投影長とし，屈曲している場合はそれぞれのがわかる．はんだと銅箔は金属光沢を放っていたが，紡錘形

屈曲部位の長さを測定し，合算した．

のはんだの上下端部に黒色の部分が見えた． Fig. 3 ( b )は同

2.6

ウィスカ発生率の測定

Fig. 2(a)～(c)に示すように，導体の重ね代に 24 行 40 列

じ視野の SEM 像である．十字で示した各ポイントを EDX
により半定量分析した．結果を Table 2 に示し，表の右列には推定される構造を示した．分析結果から， Fig. 3 ( c )中にのマトリックスを仮想的に描き，各マトリックス中に 1 本示す A の領域(分析ポイント 3)ははんだで，B の領域(分析でもウィスカが検出されればカウント 1 とし，1 マス中に何ポイント 4, 5, 6)は酸化スズと同定され，この部分を腐食部

本ウィスカを検出してもカウントは 1 とした．マス目は 24と考えた． B には色の濃い部分と薄い部分が認められ(それ行× 40 列＝ 960 マスある．基板上には導体間隔 0.15 mm とぞれ分析ポイント 5, 6)，組成には大差がないが，色の濃い

0.30 mm の 2 種のくし形電極があるので，1 枚の基板上のマ部分では表面粗度が大きくなっていた．銅箔とはんだとの界

ス目は合計 960 マス× 2 ＝ 1920 マスとなる．よって，例え面に存在する層 C (分析ポイント 2 )は Cu と Sn の金属間化

ばウィスカ検出 1 マス(カウント 1)の場合は，ウィスカ発生

合物(IMC)であり，その元素組成比から Cu6Sn5 と推定され

率＝1 マス/1920 マス＝0.05と計算される．

る． D (分析ポイント 7 )の微小粒の主成分は Sn と Ag であり，これも Ag3Sn 等の IMC であると考えられた．このような EDX 分析を都度行い，はんだの全面積から IMC を除い

Table 2 EDX analytical result for each point indicated on the
SEM image of Fig. 2 (b), mol.
AnalyticalpointsFig. 2 Measurement of whisker density (a) virtual matrix of
24 lines×40 rows, (b) the virtual matrix on test board, (c)closed up corners of test board.

Elements, mol

Estimatedstructure

Sn

Cu

Ag

O

C

1

0.2

79.3

0.1

0.9

19.6

Cu

2

33.5

42.4

0.8

4.9

18.4

Cu6Sn5

3

71.9

1.4

1.8

5.3

19.7

Sn

4

25.2

2.6

1.8

57.4

12.9

SnO2

5

24.2

2.4

1.9

58.1

13.4

SnO2

6

23.8

1.4

0.5

58.9

15.4

SnO2

7

65.4

2.7

10.3

7.3

14.3

Ag3Sn

Stoichiometry of Sn and Ag is not 13 due to high background intensity ofbulk Sn.

Fig. 3 Examples of SEM images (×2300) of solder applied by dip soldering with liquid flux A after 1000 h of exposure to the condiC/85RH.
tion of 85°(a) An image by optical microscope ×200, (b) An image by SEM ×2300, and (c) Identified composition domains, A, B, C and D by
EDX.

488

第

日 本 金 属 学 会 誌(2010)74巻

た面積と腐食部分の面積を求め，下式により腐食率を計算ししており，直線状のウィスカの他，ノジュールも多数観察さた．

れた．ウィスカの観察結果を Table 3 に示す．表中の数値ははんだの腐食率＝腐食面積/(はんだの全面積－IMC の面積)

各観察時間に検出されたウィスカの最大長(mm)である．ま

この計測を 1 条件当たり 10 本の導体について行った．

た，数値に(T)の表記があるものは，ウイスカが上面から発生したことを示している．この表から，環境試験条件による

3.

結 果 と 考 察

3.1

ウィスカの発生時間違い，はんだ付工法による違い，フラックスによる違いが比較できる．まず，環境試験条件については， 85 °C / 85  RH
で，早いものは 500 h でウィスカが発生しているのに対し，

ポストフラックス A を塗布後ディップはんだ付した基板

60 °C / 90  RH では 1000 h までウィスカが検出されなかっの 85 °
C / 85  RH, 3000 時間後の SEM 観察例を Fig. 4 に示た．さらに，40°
C/95RH の条件では，5000 h を経過してす．Fig. 4 において，ウィスカは導体の側面と上面から発生もウィスカは全く検出されなかった．次にはんだ付工法につFig. 4 SEM image of whiskers on solder applied by dip soldering with liquid flux A, after exposure 85°
C/85RH for 3000 h,(a) ×500, (b) ×1000, and (c) schematic representation of crosssection of soldered trace.

Table 3
Test condition

Maximum whisker length at fixed inspection times.
Soldering method

Flux

500 h

1000 h2000 h3000 h5000 h

A

0

6

52

87

―

B

43

57

114

220(T)―

Dip

85°
C/85RH

C

0

0

14

100(T)

―

D

0

0

0

115(T)

―

Hand
E

0

0

0

413(T)

―

F

0

0

20(T)

373(T)

―

A

0

0

0

23

71

B

0

0

14

32

63

Reflow

Dip
Maximum length, mm
60°
C/90RH

C

0

0

0

0

53

D

0

0

0

124

143

Hand
E

0

0

55

71

71

F

0

0

15

37

167

A

0

0

0

0

0

B

0

0

0

0

0

C

0

0

0

0

0

D

0

0

0

0

0

E

0

0

0

0

0

F

0

0

0

0

0

Reflow

Dip

C/95RH
40°

Hand

Reflow(T) indicates the whisker of maximum length occurred on the top surface of the trace rather than the edge.

8

第

号

高温高湿条件下におけるはんだウィスカの成長機構

489

いては，ディップ工法において早いものは 500 h でウィスカ

ニズムを確認するため，腐食率とウィスカとの関係についてが発生しているのに対し，こて付工法，リフロー工法ではい検討した．ここでは，2.7 に示す方法に従って各試験時間でずれも 1000 h までウィスカが検出されなかった．これらにの腐食率を求めた．Fig. 6 に，ディップ工法における平均腐

対し，フラックス材料による差は比較的小さいことがわか

食率とウィスカの最大長との関係を示す．環境試験条件による．これは，ここで用いたフラックスがいずれもハロゲン含って不連続点はあるものの，両者はほぼ比例しており，はん有タイプであり，活性力に大きな差がないためと思われる．

だの腐食が，ウィスカの発生・成長に寄与していることが裏

よって，これ以後は環境条件の違いによる促進加速性と，は付けられた．さらに，Fig. 7 には最大腐食率とウィスカ最大

んだ付工法とウィスカ発生の関係について考察する．

長との関係を示した．ここで，最大腐食率とは計測している

3.2

環境条件によるウィスカ発生の加速性

10 箇所の導体の腐食率の中で最も高いものをいう．この図から，はんだの最大腐食率が 80を超えるとウィスカが発

3 つの環境条件におけるウィスカの発生開始時間を，最も生し，腐食率の増加とともに成長していることがわかった．

発生が早かったディップ工法について比較すると， 85 °C/

これまでも，高温高湿下でのはんだウィスカは発生までに潜85  RH に対し， 60 °C / 90  RH が 2 ～ 4 倍， 40 °C / 95  RH

伏期間があるとの報告があった5)が，ここでは，腐食率とのでは 10 倍以上長いことがわかった．

関係がより明確になった．このことから，はんだウィスカに

3.3

ウィスカの最大長と発生率

Table 3 では各試験時間におけるウィスカの最大長を示したが， 2.6 に示す方法によりウィスカの発生率(ウィスカの発生頻度)も計測している． Fig. 5 にウィスカ最大長とウィ
スカ発生率との関係を示す．両者はほぼ正の相関を有しており，合金種が同じであれば，ウィスカが長いものは発生率も高いことがわかる．
3.4

腐食とウィスカの関係

ついて，直接観察を行わなくても，はんだの腐食状態を調べることによって，ウィスカの発生時期などがある程度予測可能といえる．ただし，はんだ合金やフラックス材料及びはんだ付状態などによって相関関係を検討する必要がある．
3.5

はんだ付工法の違いによるはんだの腐食への影響

ここで実験した 3 つのはんだ付工法は，それぞれ，銅食
われやフラックス残渣量などに違いがある．
3.5.1

ショルダー部の銅食われTable 4 に， 3 つのはんだ付工法により得られた銅箔側面

緒言で述べた通り，はんだウィスカの発生は，腐食によりの断面 SEM 写真を示した．特に，銅箔のショルダー部分

酸化スズが生成しはんだ中の内部応力を高めた結果，スズの(破線で囲った部分)に注目すると，ディップ工法では銅食わ再結晶化が起こるのが原因といわれているが1,7) ，そのメカれのため，銅箔の露出が大きいことがわかる．Table 5 で，ディップ工法における銅食われの様子をさらに詳しく検証した．ここでは，ディップ時間を 2 秒と 5 秒として比較した
ところ，銅食われに大きな差が認められた．さらに，噴流ディップ槽を用いてはんだ付を行ったところ，浸食がさらに大きく，銅箔が大きく露出した．また， EDX による Sn マッ
ピングでも，ショルダー付近には Sn が検出されず，IMC 層が存在しないか，非常に薄いことがわかる．
このような銅箔の露出による電極面積の増大は，Cu と Snの異種金属による局部電池作用を加速するものと思われる．
3.5.2

フラックス残渣量

2.1 で述べた通り，ディップはんだ付ではフラックスを塗Fig. 5 Maximum whisker length until 3000 h as a function of
population density on the edge of soldered traces.

Fig. 6 Maximum whisker length on the edges of copper traces
dip soldered with flux A as a function of extent of solder corrosion after 1000 h.

Fig. 7 Maximum whisker length as a function of maximum
percentage of solder crosssection corroded by dip solderingwith flux A.

490

第

日 本 金 属 学 会 誌(2010)

Table 4Thickness of the intermetallic layer at the corner of traces as a function of soldering methods.

Soldering method

Dip

Hand

Reflow

IMC on corner of trace

Very thin

Thin and variable

Thick

SEM×2300

Table 5Thickness of the intermetallic layer on the corners of copper traces as a function of dip soldering conditions.
EDX element map
SEM image×5000
Sn

Cu

Static dip (2 s)Static dip (5 s)

Miniwave soldering (5 s)Table 6

Distribution of flux residue as a function of soldering and examples of SEM image of solder coating crosssection.

Soldering method

Dip

Hand

Reflow

Amount of flux residue

Very little

From very little to very much(highly variable)

Very much

Example of SEM
observation (×200)

Arrows are pointing at where flux residue remaining.

74

巻

第

8

号

491

高温高湿条件下におけるはんだウィスカの成長機構

布後，はんだ槽に基板を垂直にディップしているため，塗布っているためか，Fig. 9 に示すように腐食は表層部全体に膜したフラックスの多くがはんだ槽に流れ落ちているものと思を張るように発生し，内奥部に向かって均一に進行した(以われる．これに対し，こて付やリフローでは，基板上にはん

後，このような腐食の進み方を均一腐食と称する)．ここ

だと共に供給されたフラックスの残渣量が多い．ただし，フで，表層部の膜の厚みは平均で 1.06 mm であった．こて付

ラックス含有量は，こて付に用いたやに入りはんだでは約工法の場合は，フラックス残渣が少ないところでは Fig. 83であるのに対し，ソルダーペーストでは約 11と多いた(b)に示すように局部腐食が，多いところでは Fig. 8(a)に示め，フラックス残渣量は，リフロー＞こて付＞ディップの順

すように均一腐食が見られた． Fig. 8 ( a )では，表層部の膜に多い．Table 6 に各はんだ付工法におけるフラックス残渣が Fig. 9 よりもはっきりと認められた．ここでの膜厚は平量を 1 条件につき 25 本の導体の断面 SEM により比較した均で 0.96 mm と， Fig. 9 とほぼ同等であった．また，フラ

結果とその観察例を示す．ここで，フラックス残渣は Fig. 4(c)に示すような状態で存在しており，Table 6 の SEM 像中にも矢印でその位置を示した．ディップ工法ではフラックス
残渣が極めて少なく，残渣がはんだ側面にほとんど確認できなかったのに対し，リフロー工法ではフラックス残渣が非常に多く，導体の頂部を含む全体が残渣で覆われていた．一方，こて付工法では，流しはんだを行っているためフラック
スがこての動きとともに流動し，基板上にフラックスの多い部分と少ない部分ができた．結果として，導体側面がフラックス残渣で覆われいる部分もあれば，ディップ工法と同様に全く覆われていない部分もあった．
Table 7 に各はんだ付工法において得られた 85 °C / 85 
RH, 1000 時間後の腐食の状態と平均腐食率を示す．それぞれの断面 SEM 写真の一例を Fig. 3(b), Fig. 8(a)～(c)および Fig. 9 に示した．ディップ工法では Fig. 3(b)に示すように，腐食が側面の両端部から生じ，中央に向かって進行していた(以後，このような腐食の進み方を局部腐食と称する)．
一方，リフロー工法では，フラックス残渣がはんだ全体を覆Fig. 9 An example of SEM image (×2300) of solder paste(with flux E) applied by reflow soldering after 1000 h of
exposure to the condition of 85°
C/85RH. Crosssection of
conductor with large amount of flux residue.

Table 7 Solder corrosion on the edge of traces as a function of soldering method and amount of flux residue after exposure to 85°
C/85
RH for 1000 h.

State of corrosion

Soldering method

Dip

IMC on corner of trace

Nonevery thin

Thin

Thick

Large amount of flux residue―

Uniform corrosion
See Fig. 8 (a)Uniform corrosion
See Fig. 9

Small amount of flux residue―

Partial corrosion
See Fig. 8 (b)―Partial corrosion
See Fig. 3 (b)No corrosion
See Fig. 8 (c)

―

54

65

99

Very small amount of flux residue
Average percentage of solder cross
section corroded

Hand

Reflow

Fig. 8 Examples of SEM images (×2,300) of solder applied by hand soldering with (flux C) cored solder wire after 1000 h of
C/85RH.
exposure to the condition of 85°(a) Cross
section of conductor with large amount of flux residue, (b) crosssection of conductor with small amount of flux residue,and (c) crosssection of conductor with very small amount of flux.

492

日 本 金 属 学 会 誌(2010)ックス残渣が非常に少ないところでは， Fig. 8 ( c )のようにはんだ付工法とウィスカの関係

74

巻ものは発生率も高いことがわかった．


全く腐食していない部分も認められた．
3.6

第ディップ工法における腐食率とウィスカの最大長との関係はほぼ比例しており，はんだの腐食がウィスカの発生・成長に寄与していることが裏付けられた．すなわち，はんだ

上記 3.5 の結果から，はんだ付工法の違いは，腐食の進みの腐食状態を調べることによって，ウィスカの発生時期など方に影響を及ぼし，結果としてウィスカの発生成長の仕方にがある程度予測可能といえる．ただし，はんだ合金やフラッ差が生じたものと考察される．Table 7 で，ディップ工法に

クス材料及びはんだ付状態などによって相関関係を検討する

比べリフロー工法の方が 1000 h における腐食率が高く，腐必要がある．

食の進行が早いにもかかわらず，Table 3 に示すようにウィ 導体ショルダー部
はんだ付工法による違いとして，◯

スカの発生開始時間がディップ工法の方が短いのは，ディッ フラックス残渣量の大きなの銅食われによる銅箔の露出，◯プ工法では部分腐食であるため，腐食によって生じた内部応差，が認められた．これらの違いにより，腐食の進み方，内力がはんだ側面の中央部分に集中し5)，ウィスカがはんだの部応力の方向，大きさなどに差を生じ，結果としてウィスカ

表面から発生するのに対し，こて付工法(フラックス残渣量の発生開始時間や長さに影響を与えるものと考えられる．

の多い箇所)やリフロー工法においては，はんだ表面から均一腐食するため，表層部の酸化物層が圧縮応力に及ぼす効果

文

献が少ない，あるいはウィスカの発生・成長を阻害していること4)が理由としてあげられる．
フラックスがはんだを覆っている部分での腐食のメカニズ
ムや，均一腐食における内部応力の作用などについては，未だ不明確な部分も多く，今後さらなる研究が必要である．

結

4.

論

SAC305 はんだを使用し，ディップ，こて付，リフローの各工法によりはんだ付を行った試料を高温高湿試験にかけ，一定時間毎に観察を行った．
その結果を以下に示す．


環境試験条件による違いとして，ウィスカ発生開始時

間は， 85 °C / 85  RH (～ 500 時間)に対して， 60 °C / 90  RH
で 2～4 倍，40°
C/95RH で 10 倍以上長かった．


ウィスカ最大長とウィスカ発生率との関係はほぼ正の相関を有しており，合金種が同じであれば，ウィスカが長い

1) Y. Hirano, T. Nakamoto, S. Matsunaga, K. Ueno and T.
Hayashi: 11th Symposium on Microjoining and AssemblyTechnology in Electronics, (Yokohama, 2005) pp. 363366.
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