第 章

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半導体産業計画総覧 2020-2021 年度版

5G 関連製品の需要増で GaNデバイスなど増強

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住友電気工業㈱【本社】〒541-0041 大阪市中央区北浜 4-5-33 Tel.06-6220-4141【代表者】井上 治【資本金】997 億 3700 万円

5G関連需要立ち上がりで第GaNデバイスなど好調

どが好調に推移して増収となった。

しだ。ウエハーサイズは無線が 4 ／ 6インチで後者がメーン、オプトが 3 ／ 4化合物半導体は従来エレクトロニクがることから、生産能力の増強と拡販／ 6 インチを供給し、メーンは 3 ／ 4 でス事業セグメントに置かれていたが、を進める。好調なデータセンター関連ある。

17 年度から光・通信デバイスを含む情製品なども販売に注力する。

章

InP は、PON、データセンター、通信第 章

基地局のバックボーン向けなどに展開

報通信事業にセグメントを変更した。

GaNはLD、LED向け中心

19 年度の売上高は、化合物半導体が前しており、売り上げ比率は約 30％程度。
5G 関連で高速通信デバイス用に需要年度比 9.3％減の 118 億円、光・通信デバイスが同 14.7％増の 784 億円だった。

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5は 20 年度に向け拡大基調が続く見通

20 年度は 5G 市場が本格的に立ち上

34ー関連や海底用ファイバー・増幅器な同社の化合物半導体事業は、GaAs、が高まっており、好調に推移している。

化合物半導体は 5G 関連が拡大しつつInP、GaN をラインアップする。売上

ウエハーサイズは2 ／ 3 ／ 4 ／ 6インチあるものの、主力のGaAsが中国市場の高の約 60％以上を占める GaAs は、オをラインアップし、3 ／ 4 がメーンであ低調を受けて落ち込んだため減収だっプトデバイス向けの導電性と無線デバる。

た。一方、光・通信デバイスは基地局用イス向けの半絶縁性の双方を展開す

GaN は、① LD ② LED ③電子デバイ

GaN デバイスを中心に、データセンタる。導電性タイプは高輝度 LED や LDスの3分野向けに展開する。LD向けはなどに供給しているが、 2 インチ、LED 向けは 4 インチを中心
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6

住友電気工業・半導体製品売上高億円

1,000
800848735813813902600

7200章

第4000第 章

815年度

161720計画て伸び悩んでいる。一ーを中心に、需要が拡大している。一方、無線デバイス向け

方、LED 向けは汎用品の競争激化によ

はPAやRFアンテナスり、一部の車載や特殊照明用などを除イッチで 5G 関連需要いて苦戦している。電子デバイス向けが増えてきており、一はパワーデバイス開発用に 4 インチを時シリコンに押されて供給している。

いたが再度 GaAs が盛生産拠点は国内が伊丹製作所と住電り返している。5G関連

半導体材料㈱（神戸）の 2 カ所で、結晶住友電気工業・製品構成比率（推定）400GaN
293287241GaAS／InP

240

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100010%

光・通信デバイス 80%

15年度

1617181920計画※光ファイバー、ケーブルなどを含む

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12610%

187

200

1019に出荷している。LD はプロジェクタ

化合物半導体と光・通信デバイスの合計

住友電気工業・情報通信 設備投資億円

300

918

中国市場の悪化を受け

第 4 章 日本企業の事業戦略

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半導体産業計画総覧 2020-2021 年度版

ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング㈱ 白石蔵王テクノロジーセンター
第〒 989-0734.宮城県白石市白鳥 3-53-2..Tel.0224-22-1111
1969章

21113100

15 450 2869 1102

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産していたが、1986 年から半導体レーザー（LD）、89 年かり、12 年には住友電工と共同で波長 530nm ／出力 100mW

らレーザーカプラの生産を開始し、98 年には MOCVD ～組の緑色 LD を開発した。出力 1W 強を達成済みで、さらなる立までを集約し、ソニーにおける光デバイスの研究開発～長波長化を進めつつ事業化時期を見極め中。今後はVCSEL一貫生産拠点となった。東日本大震災で被害を受けたが、の量産拡大に注力する。
光通信用の高速化対応に加えて、新2011 年 4 月に組立工程、同年 5 月に全工程を再開し、同年たにセンシング用の量産を本格的に立ち上げ、イメージセ11 月にソニーセミコンダクタに統合されて現名称になっンサーとの相乗効果を狙う。センシング用はスマートフォ

た。青色 LD、赤色と赤外の Low ／ Low 2 波長 LD、プリンンなど民生用に展開する考えで、ToF（Time of Flight）セターなどに使用される赤色LDや赤外LDなどを生産していンサーの光源として940nm品を商品化。将来は車載用へのるほか、10 年から光通信用に赤外 850nm の VCSEL（垂直共展開も考えられる。このほか、Crystal LEDディスプレーシ振器面発光レーザー）も事業化した。現在は光ディスク用とステムに搭載されているウルトラファイン LED チップ（マプリンター用が全生産量の半分、残りを光通信用 VCSEL がイクロ LED）も白石蔵王テックで製造しているとみられる。

ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング㈱ 長崎テクノロジーセンター■ ソニーグループ〒 854-0065.長崎県諫早市津久葉町 1883-43..Tel.0957-22-7111
121619 4000 2869 1102

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1812300
224000 1124000 2096 292 6111

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もとは米フェアチャイルドの工場だったが、ソニーが買収末までにほぼ全量をCISにシフトした。11年秋に300mm裏した。2010 年 12 月以降、累計で 3110 億円を投入し、モバイ面工程を立ち上げた Fab4 では、13 年度に遊休スペースへ裏ル用積層型 CMOS イメージセンサー（CIS）の大規模量産体面工程用設備を追加導入した。14 年度に 30 億円、15 年度に制を構築。12 年 6 月に Fab2、3、4 で増強投資を行い、12 ～1280億円を投資し、1280億円のうち1020億円は貼り合わせ13 年度上期に総額 800 億円を充てた。一部に経済産業省の工程とマスター工程の増強に充てた。主力プロセスは 90 ～補助金を活用し、12 年度は 800 億円のうち 450 億円を投じた。

65nm だが、部分的に 40nm も導入している。15 年夏に生産

Fab2 では 200mm の裏面工程を 300mm に切り替え、13 年 4設備トラブルで出荷できない時期があり、影響が通期で残っ～ 6月期から量産に寄与させた。13年度は、12年度からの残た。16 年の熊本地震で被害はなかった。17 年度は半導体事り350億円で300mmマスター工程のFab3を強化した。Fab3

業全体で 1281 億円を投資し、大分、山形、熊本のマスター工は 10 年末に東芝から買い戻したラインで、従来生産してき程、熊本の貼り合わせ工程を強化。19 年には CIS 新工場を長たシステム LSI を外部委託に切り替え、段階的に CIS へ転換。

崎テック内に建設することを決定した。規模や生産能力、稼

この時点で 300mm 月産能力約 1.2 万枚を確保し、13 年 9 月

働時期は未公表だが、21 年度早々に立ち上げるとみられる。

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101000 2096 292 6111

占める。緑色LDの量産化に向けた取り組みにも注力してお7

924000 1

創業当時はパワートランジスタやハイブリッド IC を生1987

8■ ソニーグループ

222

第 5 章 日本国内の工場別設備計画

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半導体産業計画総覧 2020-2021 年度版

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CXMT

第合肥の先端 DRAM 国産化プロジェクト【本社】中国安徽省合肥市経済技術開発区翠微路 6 号 Tel.+86-551-6264-7739

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長芯存儲技術有限公司

提携で DRAM 工場の建設を検討した。

章

直近の展開置メーカー営業）。
イ ノ ト ロ ン は 18 年 11 月、CXMT

中国の新興メモリー企業のチャンは中国の中央政府の投資認可を得るこ（Chang Xin Memory Technology、長第シン（CXMT、旧名称はイノトロン）はとができず、このプロジェクトは実現

鑫存儲科技）に改名した。ミニライン

32018 年前半、安徽省合肥市に 300mmせずに終わった。

（3K ／ワンパスライン）の稼働開始は章

しかし、半導体製造の経験がない BOE

その後、チャンシン IC（長鑫集成電

当初予定の 5 月から 7 月に遅れた。9

4 月、最初に導入する製造装置（月産能路）の DRAM 製造プロジェクトが合肥月にイノテラ出身者中心に 19nm の開力 5000 枚）の立ち上げ作業を完了し、7市で計画され、合肥市政府は15 ～ 16年発に一本化（開発コスト削減のために第月に 19nm ノードの DRAM の試作を始にかけて、エルピーダメモリの元社長サムスン出身者による 17nm の開発をめた。19 年 5 月、CXMT の DRAM 製造の坂本氏が設立したサイノキングの技ストップ）したり、11 月に JHICC 事件

4プロセスは独キマンダベースの独自技術支援を受けて、DRAM 工場を立ち上（米政府による製造装置や材料の禁輸術で開発していると発表。19年7 ～ 9月

げようとした。しかし、サイノキング措置）を受けて 19nm の開発方針を変期に月産能力 1 万枚の製造装置を搬入は先端 DRAM の製造に必要な技術チ更したりと紆余曲折があった。
「D19x」

し、20 年前半に量産体制に入った。20ームを集めることができず、計画途中（19nm） の 開 発 を 中 止 し、「D19y」

年1 ～ 3月期に同2万枚の装置搬入を行でプロジェクトはたち切れになった。

（19nm シュリンク版）の開発に方針転い、月産能力 4 万枚体制とした。21 年

その後、SMIC の総裁やアプライド章対応のDRAM工場を立ち上げた。18年

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5換した。

には同 4 万枚の装置導入計画があるが、 マテリアルズ（AMAT）のトップを勤19年に量産用装置2万枚導入めたデビッド・ワン（David Wang）氏

搬入規模）については確定していないらがイノトロン（睿力集成電路）を設立（20 年 7 月時点）。

し、台湾の DRAM 製造のイノテラ・メ

CXMT は 19 年 5 月 に 上 海 で開催さモリーズ（華亜科技）の技術者を集め、れたメモリーシンポジウム「GSA」で、

17 年春から工場の立ち上げ準備を始

CXMTのDRAM製造プロセスは独キマめた。

ンダベースの独自技術で開発している

18年5月に19nmのDRAM試作開始が発表した。キマンダは過去に先端

7章

中長期発展計画（国家集成電路産業発

第と朱一明 CEO（ギガデバイス創業者）

中国政府は 14 年 6 月、半導体産業の6

章

合肥政府がDRAM工場誘致

第具体的な導入の仕方（時期と段階的なDRAM を製造していたが、メモリー競展推進綱要）を発表し、15 年に半導体イノトロンは 17 年 5 月、杭 100 本を争の激化とともに DRAM 製造から撤（通商は大基金）を設立した。半導体業打設して躯体工事に移り、9 月に工場退している。当時のキマンダが 19nm界に巨額資金が投入されるスキームが建屋を棟上げした。クリーンルーム工レベルの微細化プロセス技術を保有し作られ、中国各地で半導体工場の投資事を経て、18 年 1 月から製造装置の搬ていた訳ではないので、CXMT がキマ計画が相次ぐようになった。

ンダベースの技術で開発しているとい作用ミニライン（月産能力 5000 枚、装うのは、対マイクロンの知的財産権対るプロジェクトが構想されるようにな置台数は計300台）を構築した。当初は策の意味合いがあると考えられる。

ったのは、2015年3月に遡る。中国の液試作ラインを 3 月末までに立ち上げる

19 年 2 月予定だった量産用の月産能晶パネル製造最大手の BOE（京東方科予定だったが、1 カ月遅れて 4 月末に立力2万枚の装置導入は7 ～ 8月に変更さ技、北京市）が台湾ファンドリーのパワち上げを完了した。
「季節外れの降雪でれた。これは予定通り実施された。

ーチップ（PSC、力晶半導体）との技術露光装置などの搬入に遅れが出た」（装8第 章入を開始した。まず 300mm 対応で試

合肥市に先端 DRAM 工場を建設す

第 章

産業を専門とする国家IC産業ファンド

919 年 末 か ら 20 年 初 め に「D19y」
第中国企業の事業戦略

10章

第8章

453

書 名 ..................半導体産業計画総覧 2020-2021 年度版
体裁・頁数 ...........A4 変形判 オフセット刷り 574 頁
定 価 ..................27,000 円＋税
発刊日 ..................2020 年 9 月 14 日

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