共同利用機器 List of collaborative use equipment
利用の認定基準

A：使用許可認定者のみ利用可能 B：利用グループの中に使用許可認定者を含むこと Ｃ：特に制限なし

Equipment are classified intothree categories of the case of handling
A: For authorized person only, B: At least one authorized person must present, C: Not specified
全ての機器について、利用内容などを機器担当者と相談した上で実験計画書を作成してください。
Please consult with the equipment personnel regarding usage details for all devices and then submit the experimental plan.

研究棟 K-Build.

ID 機器名 Name

使用目的 Purpose of use

備考 Details

場所

第１電子顕微鏡室

K1

収差補正透過電子顕微鏡（ACTEM)

AC-TEM、WB-STEM、EDS、EELS

JEM-ARM200F、球面収差補正付、加速電圧：200kV、 分解能：0.12nm(TEM), 0.14nm(STEM)

K1

Transmission type electron
microscope（FE-TEM）

HRTEM, WB-STEM, STEM-EDS

JEM-ARM 200F, Accelerating voltage:200kV
resolution:0.10nm(TEM) 0.14nm (STEM)

K2 透過型電子顕微鏡 (LaB6-TEM) 組織観察、HRTEM、WB-STEM

K2

Transmission type electron
microscope（LaB6-TEM）

Metallographic observation,
STEM

走査型電子顕微鏡(電界放出型)付
K3 FIB
試料の微細加工、EBSD分析(FE-SEM付FIB)

担当者
person incharge

認定
基準 特記事項 RemarksClass吉田AYoshidaA

吉田AYoshidaA

井上A

FEI Helios 600i, with a scanning type electron
microscope

InoueAJEM-2100plus、加速電圧：200kV 、分解能：0.14nm(TEM)、1.0nm(STEM)

第１電子顕微鏡室

JEMー2100plus, Accelerating voltage:200kV
resolution:0.19nm(TEM)
FEI Helios 600i、電子ビーム分解能：
1.0nm@15kV、イオンビーム分解能：4.5nm@30kV

第２化学実験室

K3

FIB with a scanning type electron
microscope(Dual beam)

K4

走査型電子顕微鏡(熱電子放出型)
試料の微細加工付FIB（TE-SEM付FIB）FEI Quanta 200 3D、電子ビーム分解能：
第２化学実験室
3.0nm@30kV、イオンビーム分解能：9.0nm@30kV

井上A

K4

FIB with a scanning type electron
microscope(Dual beam)

Microfabrication of the sample

FEI Quanta 200 3D, with a scanning typeelectron microscope

InoueAK5 プラズマクリーナー

TEM試料の表面清浄

Fischione Plasma Cleaner Model 1020

吉田B

K5 Plasma cleaner

Surface cleaning of the samplefor TEM

Fischione Plasma Cleaner Model 1020

YoshidaB

K6 電解研磨装置

TEM試料の電解研磨

Tenupol-3、5

吉田

B

K6 Electrolytic polishing apparatus

Electrolytic polishing of themetal sample for TEM

Tenupol-3,5Voltage:5 - 120V, Electric current:5- 16A

YoshidaB

K7 ジェントルミル

TEM試料の表面研磨

GENTLE MILL IV5、加速電圧200V～2kV吉田A

K7 Gentle MillSurface cleaning of the sample
for TEMGENTLE MILL IV, Accelerating voltage:200V120kV,

YoshidaAK8 ３次元アトムプローブ

原子の３次元マッピング

CAMECA LEAP-4000XHR、レーザーパルス補助
第２化学実験室
付、局所電極型

井上A

K8 Three dimensional atom probe

Three dimensional mapping ofatom

CAMECA LEAP-4000XHR, with Laser pulse
auxiliary, Local electrode type

Inoue

A

3D-AP用金属試料の電解研磨

直流電源（0-20V)

外山

C

Sample preparation electrolytic
K9 polishing apparatus for Three
dimensional atom probe

Electrolytic polishing of themetal sample for 3D-AP

DC power supply(0-20V)

ToyamaCK10 ３次元アトムプローブデータ解析PC

３次元アトムプローブ結果の解析

CAMECA IVAS3.6

井上C

K10 PC for 3D-AP data analysis

Data analysis of 3D-AP
measurements

DellInoueC

K11 陽電子寿命測定装置

微小欠陥・微小析出物の観察

外山CToyama

C

K9K11

３次元アトムプローブ用試料作製
電解研磨装置Positron lifetime measurement
deviceMicrofabrication of the sample

Observation of Microdefect/Micro precipitates

電圧：5～120V、電流：5～16A

第１電子顕微鏡室

第１化学実験室

第２化学実験室

第１化学実験室

研究室２ポジトロン室K12

陽電子消滅ドップラー広がり測定装置

微小欠陥・微小析出物の観察

同時計数式

K12

Positron annihilation Doppler
broadening measuring device

Observation of Microdefect/Micro precipitates

Coincidence formulaK13 低速陽電子ビーム

試料表面近傍の微小欠陥の観察

ドップラー広がり測定のみ（寿命測定は不可）K13 Slow positron beam

Observation of Micro defect inthe vicinity of the sample
surface

Only Doppler broadening measurements (lifetimemeasurement is not allowed)

K14 昇温脱離試験装置（TDS）

材料中の水素同位体、He等放出挙動、吸収量の評価

試験温度：室温～1000℃、Qmass：MKS
Microvision2 1-6

K14

Temperature-programmed
desorption test equipment

K15 ビッカース微小硬さ試験機

ポジトロン室加速器室

第１化学実験室

Hydrogen isotopes in a
Test temperature, room temperature:-1000℃,materials, release behavior of He
Qmass:MKS Microvision2 1-6etc., Evaluation of absorption
材料の硬さ測定島津製作所

Hardness measurement ofmaterial and fuelShimadzu Corporation

K16 ナノインデンター

微小領域(サブ～数百μm)
硬さ測定システム(株)エリオニクス ENT-1100a

K16 Nanoindenter

Micro region(sub - Several
hundred μm)Hardness
measurement system

Elionix ENT-1100a

ID 機器名 Name

使用目的 Purpose of use

備考 Details

場所

H1 計装化シャルピー衝撃試験機

延性-脆性遷移温度の測定

テークスグルーフ ﾟ1.0m/s～5.0m/s、(1.010.0)mm角試料

No,4セルMeasurements of the ductile brittle transition temperature

Takes Group 1.0m/s～5.0m/s, (1.0-10.0)mm,
Square sample

H2 疲労試験機

疲労試験-5
インテスコ 200kgf 7×10 Pa 室温～700℃

H2 Fatigue testing machineFatigue test-5
INTESCO 200kgf 7x10 Pa, room temperature 700℃

H3 引張試験機

ミニサイズ専用引張インテスコ 真空高温(～700℃)、最大：200kg

H3 Tensile testing machine

Mini size only tensile

IINTESCO Vacuum high temperature(- 700℃),
Max:200kg

H4 引張圧縮試験機

ミニサイズ専用引張圧縮

インテスコ 低温～常温、最大：200kg

Mini size only tension andcompression

INTESCO Low-Normal temperature, Max:200kg

材料、燃料の硬さ測定

マツザワ MMT-X 試験荷重(5～1000gf)

K15Vickers micro hardness testingmachine

第２電子顕微鏡室

第２電子顕微鏡室外山

CToyama

C井上AInoueA

外山AToyamaA外山

CToyamaC鈴木A

SuzukiAホットラボ棟

H1

H4

Instrumented Charpy impact test
machineTension and compression testingmachineH5 ビッカース微小硬さ試験機

H5Vickers micro-hardness testingmachineH6 ビッカース微小硬さ試験機

島津製作所 HMV-G31DT (9.8 mN - 19.6 N)

Hardness measurement ofmaterial and fuelShimadzu Corporation HMV-G31DT (9.8 mN 19.6 N)

H7 熱処理炉

試験片の真空熱処理～1000℃、2×10-4 Pa

H7 Heat treating furnace

Vacuum heat treatment of thesample piece～1000℃、2×10-4 Pa

Vickers micro hardness testingmachine

測定室

測定室

測定室

Material, hardness measurement
Matsuzawa MMT-X test load (5 ~ 1000gf)
of fuel

材料、燃料の硬さ測定

H6No,6セル

測定室

測定室

担当者
person incharge

認定
基準 特記事項 Remarks
Class山崎A

YamazakiA山崎A

YamazakiA

山崎

B

YamazakiB

山崎

B

YamazakiB

山崎

B

YamazakiB山崎

B

YamazakiB

山崎

B

YamazakiBH8 ワイヤ放電加工機

放電加工による試料作製

ブラザー工業 HS-300 水中切断

H8 Wire electric discharge machine

Sample created by electricaldischarge machining

H9 超臨界水腐食試験装置

超臨界水ループ中の試験

H9Supercritical water corrosion test
Test in supercritical water loopequipment

H10 超伝導特性評価システム

化学実験室

鈴木A

Brother Industries HS-300, Underwater cutting

SuzukiA(株)東伸工業 最高圧：25MPa 最高温度：600℃ ホット実験室

山崎

B

機器担当者と要相談

YamazakiB

Please contact the PIC before
submitting the experiment plan.

山崎A

機器担当者と要相談

YamazakiA

Please contact the PIC before
submitting the experiment plan.

鈴木

BSuzukiB

鈴木

A

SuzukiATOSHIN KOGYO CO., LTD. Highest
pressure:25Mpa, Max temperature:600℃

高磁場、極低温下での電気特性
JASTEC製 最大磁場：15.5T
試験

ホット実験室Electrical characteristics test
under high magnetic field andcryogenic

JASTEC Max magnetic field:15.5T

H11 分光光度計

透過率・反射率測定

HITACHI U-3900 波長範囲：190～900nm

H11 Spectrophotometer

Measurements of transmittance HITACHI U-3900, Wavelength range:190 and reflectance
900nm

H12 走査型電子顕微鏡（W銃）

組織・破面観察、EDX分析

JEOL JSM-6010

Observation of texture andfracture surface, EDX analysis,EBSD analysis

JEOL JSM-6010

使用目的 Purpose of use

備考 Details

場所

C1 陽電子消滅２次元角相関測定装置 微小欠陥・微小析出物の観察

アンガーカメラ式

角相関室

Two-dimensional angular
Observation of (sub)nanoC1 correlation of positron annihilation
defects and precipitatesradiation

Anger camera type

H10

H12

Superconducting properties
evaluation system

Scanning electron microscope(Wgun)

検査室

物理実験室

セラミックス棟

ID 機器名 Name

C2 サーボ・パルサー

静的及び動的引張試験(引張・3点曲げ試験・破壊靱性試験（K,J 島津製作所 容量：5トン、77～1000K試験）

C2 Servo pulsar

Static and daynamic tensile test
(Tensile, Three point bending
Shimadzu Corporation, Capacity:5t, 77 - 100K
test, Fracture toughness
test(K,J test))

C3 超高温材料試験機・熱処理装置

超高温領域の静的引張・圧縮
3点曲げ試験、真空熱処理

インストロン：10トン、高周波加熱：2000℃まで
2x10-4Pa

Ultra high temperature material
C3 testing machine / heat treatment
equipment

Static tensile and compression
three point bending test in Ultrahigh temperature region, Vacuum
heat treatment

Instron:10t, High frequency heating:2000℃,
2x10-4Pa

C4 高速自動精密研磨機

試料の高速研磨

リファインテック DPO-128F

High speed polishing of thesample

Refinetec DPO-128F

C4High speed automatic precision
polishing machine

実験室１

実験室１

実験室２

認定
基準 特記事項 Remarks
Class井上A

機器担当者と要相談

Inoue

A

Please contact the PIC before
submitting the experiment plan.

外山

AToyamaA

外山

AToyamaA

外山

CToyama

C外山

CToyama

C外山

CToyama

C

C5 小型ディスクカッター

ディスクカッターによる試料作製 リファインテック RCO-971

C5 Cutting machine

Sample preparation

Refinetec RCO-971

C6 ワイヤ放電加工機

放電加工による試料作製

三協エンジニアリング DE50-3T

C6 Cutting machine

Sample preparation

三協エンジニアリング DE50-3T

C7 ワイヤ加工機

ダイヤモンドワイヤーによる試料 ニューメタルス エンド ケミカルス コーポレーショ
実験室１
作製
ン ミレニアムキャプスタンスソー

外山C

C7 Cutting machine

Sample preparation

ToyamaC

New Metals and Chemicals Corporation

実験室２

担当者
person incharge

実験室２C8 スポット溶接機

薄板のスポット溶接

日本アビオニクス NT-5A

C8 Spot welding machine

Spot welding

NIPPON AVIONICS NT-5A

C9 実体顕微鏡付試料研磨機

試料の研磨

ライカ EM TXP

C9 Polish machine

Polishing

Leica EM TXP

C10 デジタルマイクロスコープ

試料の表面観察

キーエンス VHX-2000

C10 Digital microscope

Observation of the sample
surface

Keyence Corporation VHX-2000C11 レーザーマーカー

材料表面への印字

Panasonic LP-RF200P

C11 Laser marker

Marking

Panasonic LP-RF200P

実験室２レーザーマーキング室

レーザーマーキング室

レーザーマーキング
室外山CToyama

C外山CToyama

C鈴木C

SuzukiC鈴木CSuzuki

CIn addition to the above, there※上記以外にも、試料作製に関連
are other devices related toする機器があります。詳細はお問
sample preparation. Please
い合わせ下さい。
inquire for more details.

アクチノイド棟

ID 機器名 Name

使用目的 Purpose of use

A1 アルファ・ガンマ－用鉄セル

Np化合物単結晶育成炉の長期 日立造船エンジニアリング製 マッフル炉 (室温操作室
安定保持～1100℃) 管状炉 遠心分離機

A1 Iron cell for Alpha and Gamma

Stably maintaining for a long
Hitachi Zosen Engineering Ltd. Muffle furnacetime of the Np compound single (room temperature - 1100℃), Tubular furnace,
crystal growth furnace
Centrifuge

A2 希釈冷凍機

ドハース・ファンアルフェン効果
磁気抵抗

最大磁場：15T 温度：30mK

A2 Dilution refrigerator

De Haas-van Alphen effect,
electrical resistivity

Maximum magnetic field:15T, Temperature:30mK

A3 低温用NMR測定装置

NMR/NQR測定

最大磁場：12T 温度：1.4～300K

NMR/NQR Measurement

Max magnetic field:12T, temperature:1.4 - 300K

A4 MPMS磁化測定装置(SQUID)

磁化、帯磁率測定

最大磁場：5.5T 温度：1.8～350K

Superconducting Quantum
A4 Interference Device (SQUID)
Magnetometer

Measurements of magnetization
Max magnetic field:5.5T, temperature:1.8 - 350K
and magnetic susceptibility

A5 α線スペクトロメーター

α線スペクトルの測定、核種の定性、定量

22900mm Si:3台、450mm Si:3台 測定域：4MeV～8MeVのα線

A5 α-ray spectrometer

Measurements of α-rayspectrum, Quantitative andqualitative anlysis of nuclides

900mm2 Si:3units、450mm2 Si:3units
Measurement range of α-ray:4MeV～8MeV

A6 α線スペクトロメーター

α線スペクトルの測定、核種の定性、定量

シングルチャンネルαスペクトロメータ ALPHAホットエリア
ARIA

A6 α-ray spectrometer

Measurements of α-rayspectrum, Quantitative andqualitative anlysis of nuclides

Single channel α spectrometer ALPHA-ARIAA3

NMR measuring device for lowtemperature

A7

γ線スペクトロメーター（Ge半導体 γ線スペクトルの測定、核種の検出器）
定性、定量

A7

γ-ray spectrometer (Gesemiconductor detector)

A8 螢光X線分析

備考 Details

場所

操作室

測定室

測定室

ホットエリア

ORTEC（SEIKO EG＆G)製：1台 相対効率６０
ホットエリア10%(GMX-10P） 分解能 1.80keV@1.33MeV、Co 測定領域：30keV～2,000keVのX線・γ線

Measurements ofγ-ray
spectrum, Quantitative andqualitative anlysis of nuclides

ORTEC（SEIKO EG＆G)：1unit, Relative
efficiency10%(GMX-10P）,
Resolution:1.80keV@1.33MeV、 60Co Measurement
range of X-ray and γ-ray：30keV - 2,000keV

元素分析

X線技術研究所 EDF-05R 測定元素：Cl～U

ホットエリア担当者
person incharge

認定
基準 特記事項 Remarks
Class

渡部

A

登録核種：約300種
Np, U, Th, Am, Pu

WatanabeA

Please contact the PIC before
submitting the experiment plan.

青木仲村

A

Aoki
Nakamura

A

本間

A

Homma

A

李A

Li

A

渡部

B

密閉試料

WatanabeB

For sealed samples

渡部

B

Watanabe

B

渡部

B

密閉試料

WatanabeB

For sealed samples

渡部B

A8 Fluorescent X-ray analysis

Elemental analysis

A9 可視紫外・近赤外吸収分光装置

A9Visible ultraviolet and Nearinfrared absorption spectrometer

X-ray Institute of Technology, EDF-05R,
Measurement element : Cl - U

WatanabeB

アクチノイドイオンの同定、酸化 パーキングエルマー ラムダ750 波長領域：190
物理実験室
状態、濃度の決定～3300nm本間

B

Th, U, Np等

Identification of actinide ions,Oxidation state, Determinationof brightness

Homma

B

Th, U, Np, etc.

本間

B

Homma

B

本間

A

U, Th, Np化合物

Parking Elmer, lambda750, Wavelength region:190- 3300nm

A10 X線回折装置

粉末・バルク材のX線解析、ラウ リガクRINT2500V 回転対陰極(Max＝18k
エ写真(単結晶方位決定)
ｗ,Cu,Mo) IPフィルム読み取り機

A10 X-ray diffractometer

X-ray analysis of Powder andBulk material, Laue photo(Single Rigaku RINT2500V, Rotating anode(Max=18kcrystal orientationｗ,Cu,Mo) IP film readerdetermination)

A11 メスバウアー分光器

Fe-57, Au-197, Eu-151, Np-237,
温度：3.5～300K 最大磁場：1.2T
Sn-119mのメスバウアー分光

A11 Mossbauer spectrometer

Mossbauer spectroscopy of Fe57, Au-197, Eu-151, Np-237,temperature:3.5 - 300K, Max magnetic field:1.2T
Sn-119m

Homma

AU, Th, Np compound

本間

A

Np専用

Homma

A

For only Np.

本間

A

Np専用

Homma

A

For only Np.

李B

U, Th化合物

Li

B

U, Th compound

李B

U, Th化合物

Li

B

U, Th compound

李B

U, Th化合物

LiB

U, Th compound

物理実験室

物理実験室

A12

ネプツニウム用グローブボックス（電気分解用）水溶液電気分解によるNpアマル NpO2の水溶液調製 水銀アマルガム法による電化学実験室
ガムの調製
解 負圧管理：へパフィルター

A12

Glove box for neptunium (Forelectrolysis)

Adjustment of Np amalgam by
Aqueous solution electrolysis

A13

ネプツニウム用グローブボックス（熱分解用）

熱分解によるNp金属の調製、ガ高温電解炉(～1300℃) マントルヒーター(～ス反応法によるNｐ化合物の調600℃) 電子天秤
製A13Glove box for neptunium (Forpyrolysis)

Preparation of Np metal by
Thermal decomposition,High temperature electrolysis furnace(- 1300℃),
Preparation of Np compounds by Mantle heater(- 600℃) , Electronic balanceGas reaction method

Aqueous preparation of NpO2, Electrolytic byMercury amalgam method Negative pressure
management:HEPA filter
化学実験室

A14 テトラ・アーク炉

U化合物の溶解と単結晶の育成 到達真空度：7x10-4Pa 試料総重量：10ｇ以下

A14 Tetra arc furnace

Melting of U compound andsingle crystal growth

Ultimate vacuum: 7x10-4 Pa sample total
weight: 10g or less

A15 横型高温管状炉

ガス中高温焼結法で試料合成㈱扇谷製 到達真空度：～5x10 Torr 最高使
用温度：1500℃ 定常使用温度：1400℃以下 フ 試料作製室
ランジ冷却：水冷

試料作製室

-3

A15Horizontal high temperature tube
furnace

OHGITANI Corporation, Ultimate vacuum: Sample synthesis by high
5x10-7Torr, Max operating temperature:1500℃temperature sintering method in
Steady state operating temperature:1400℃,various atomsphere
Flange Cooling: water cooled-A16 縦型高温管状炉

A16

Vertical high temperature tube
furnace㈱クリスタルシステム製 到達真空度：～2x10
ブリッジマン法・フラックス法によ 3Torr 最高使用温度：1600℃ ガス充填もしくは 試料作製室る単結晶育成
フロー可能 フランジ冷却：水冷
Crystal system Ltd. , Ultimate vacuum:- 2x10Single crystal growth by7Torr, Max operating temperature:1600℃ Gas
Bridgman method and Flux
filling or flow is possible, Flange Cooling: watermethodcooled
試料の高温合成と熱処理

アドバンテック東洋㈱製 ガスフロー機能あり 最高使用温度：1700℃ 定常使用温度：1600℃以 試料作製室
下 炉体冷却：空冷式

青木李

BU, Th化合物

High temperature synthesis of
the sample and heat treatment

Advantech Toyo Ltd. , gas flow function,
maximum operating temperature : 1700℃,
normal operating temperature: 1600 ℃ or below

Aoki
LiB

U, Th compound

A18 マイクロカッター

U・Th金属の切断

リファインテック社製 砥石替刃 ダイヤモンド替
試料作製室
刃李

CU, Th金属

A18 Micro cutter

Cutting of U and Th metals

Refine Tech, Grindstone blade, Diamond blade

LiCU, Th, etc.

A19 物理特性測定装置

物理特性の測定

電気抵抗オプション、比熱オプション、電気伝導オプション(ETO)、試料回転オプション、He3オプション

仲村
本間

A

Nakamura
HommaA清水青木A

Shimizu
Aoki

A青木A

Aoki

A

A17 マッフル高温電気炉

A17

A19

Muffle high temperature electricfurnace

Physical characteristic measureing Physical characteristic
devicemeasurements

測定室Electrical resistance option, specific heat option,
electrical conduction option (ETO), sample
rotation option, He3 option

A20 小型冷凍機

試料冷却

最低温度80mK、伝導測定

A20 Compact freezre

Sample cooling< 80mK, conduction measurement

A21 小型冷凍機

試料冷却3.5 - 300K、電気抵抗、NQR

A21 Compact freezre

Sample cooling

3.5 - 300 K, ER, NQR

測定室

操作室

A22

誘導結合プラズマ質量分析装置(ICP-MS/MS)

溶液中の微量元素分析

Agelent 8900

A22

Inductively coupled plasma mass
spectrometer

Trace analysis of elements
contained in solution samples

Agilent8900

In addition to the above, there※上記以外にも、試料作製に関連
are other devices related toする機器があります。詳細はお問
sample preparation. Please
い合わせ下さい。
inquire for more details.

ホットエリア

阿部B

核燃料物質の使用不可

AbeB

Nuclear fuel substrances
cannot be used.