Global Design Infrastructure Innovation

Model On! RANK説明

http://www.modech.com/2021.07.26 Rev.5
2021.07.16 Rev.4
2021.07.15 Rev.3
2021.07.14 Rev.2
2021.07.08 Rev.1

目次
 はじめに（RANKの説明）
 Diode IGBT RF MOSFET OpAmp Power Amp
 Driver、IPD
 DCDC Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ スイッチングレギュレータ
 LDO
 ロジック基本ゲート
 複合IC
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はじめに Model On!サービスのご活用拡大に伴い、モデルの品質へのご要求も高度化し、今回代表的なデバイスのモデル搭載特性の仕様を見直すとともに、ランク付けを行いました。
RANK

仕様

説明

すべてのデバイスに搭載します

リクエストカウント

備考

１

データシートに掲載がある場合

１

標準仕様

２

特性の模擬，調整，検証に時間拡張仕様 がかかりRANK=1の2倍以上の工数が掛かる物

２３Model On!リクエストのリソースで受託仕様 は賄いきれないため、受託と致します。

ーMODECH Confidential3

DiodeDiode

Small Signal,Rectification,

IF-VF(Temp)

1

1

Fast Recovery,

IR-VR(Temp)

11

Schottky ,Zener ,容量特性

11LED , Photo Diode,

逆回復特性

1

1

Bridge , SiC

整流特性（Bridge)

1

1

TVS（Transient Voltage Suppressor）

サージ電圧―時間特性

22

TVS：トランジェントボルテージサプレッサー
サージ電流吸収とクランプ電圧の特性は印加条件による調整，他特性との親和性，収束性を検討する必要があるためRANK＝2と定義されます。

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation「TVS ダイオード（ESD 保護ダイオード）とは」 より

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4

IGBT
IGBT

DC特性（温度特性有り）

11

容量特性

11

ゲートチャージ特性

11

逆回復特性

11

スイッチング特性 Typ、L負荷

22

Infineon IKD15N60RC2 データシートより

IGBT本体のモデリングパラメータの再調整、寄生成分のモデリン
グ、測定系（テストサーキット）の考慮なども必要となるため、
RANK＝2と定義されます。

Copyright © 2021 MoDeCH All Rights Reserved5RF MOSFET
RF MOSFET

DC特性（温度特性有り）

11

容量特性

1

1

周波数特性（指定ＴＢが明確な場合）

1

1

P1dB,P3dB（指定TBが明確な場合）

22

Toshiba 2SK3078A データシートより

MOSFET単体のモデリングの再調整、RF用途に対応した寄生成分のモデリング、測定回路（サブサーキット）の考慮やモデリングも必要となるため、
RANK＝2と定義されます。

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6

OpAmp
OpAmp

オープンループゲイン

11ユニティゲイン周波数

11

位相余裕

11

入力オフセット電圧11

入力オフセット電流

11バイアス電流11最大出力振幅電圧

11スルーレート11

入力換算ノイズ電圧22

入力換算ノイズ電流

22

フリッカーノイズ、熱ノイズなどを検討しながらの調整が複雑なため
RANK＝2と定義されます。

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7Power Amp
PowerAmp

Gain-Freq特性

11電源電流11出力電力ー負荷特性

11出力電力ー消費電力12

データシートだけでは出力段のトランジスタ特性が明確ではないため、消費電力を試行錯誤で決定する必要があります。
また歪(THD)を検討する必要がありモデリングも煩雑であるため、RANK＝2と定義されます。

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8Driver、IPD
Driver, IPD

真理値表

11

オン抵抗

11スイッチング特性（Typ.）

11

UVLO

11

VH/VIL-VDD

11

ClampVoltage

11

伝搬遅延

1

1

過電流保護

22

過電圧保護

22infineon PROFET カタログより

外付けデバイスの特性に影響されることがあり
また、電流，電圧の判定の他、検出マスク時間などの時間での制御も必要なため調整が煩雑となり、
RANK＝2と定義されます。

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9

DCDC Converter
DCDC Converter

制御方式（PWM, PFMなど）

1

1

昇圧／降圧／反転

イネーブル機能1

1

ソフトスタート1

1

ラインレギュレーション

1

1

ロードレギュレーション

11

ライントランジェント

22

ロードトランジェント

22

外部クロック同期

11

UVLO

11

RICHTEK資料より
https://www.richtek.com/Design%20Support/Tec
hnical%20Document/AN038

軽負荷電流モード

22

Spread Spectrum（EMC対策機能）

22

過電流保護

22過電圧保護22

ライン／ロードトランジェントに関しては、誤差アンプの周波数特性やスイッチングトランジスタの特性などデータシートに無い特性を試行錯誤で調整する必要があるため、軽負荷電流モードは、各社独自の機能を搭載しておりその機能モデリングが煩雑なため、Spread Spectrumは、ランダムジッタ―などのタイミング情報がデータシートに記載されていないことが多くノイズエネルギーの分散を、FFT解析結果を見ながら調整する必要があるため、過電流／過電圧保護については、保護モードのラッチ、自動復帰モードなどのモデリングが煩雑なため、RANK＝2と定義されます。

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10スイッチングレギュレータ
フォワード／フライバック

DS基本機能11

SEPIC , 疑似共振,

テストベンチにトランス、PhotoCoupler,Shunyreg、MOSなどある場合

22

PFC , PWM Controller,Swicher

トランス

IC

フォトカプラシャントレギュレータ
テストベンチにトランスやフォトカプラ，シャントレギュレータなどが必要なスイッチングレギュレータでは、ICのモデリング以外にテストベンチ上のデバイスのモデリング，調整，設計が必要になるため、RANK＝2と定義されます。

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11

LDO
LDO

入出力電圧特性1

1

ドロップアウト電圧

11

ラインレギュレーション

1

1

ロードレギュレーション

1

1

ライントランジェント

22

ロードトランジェント

12

リップルリジェクション

23

イネーブル機能

11

UVLO

11

電流制限

1

1

オートディスチャージ

1

1

ライン／ロードトランジェントに関しては、誤差アンプの周波数特性やパストランジスタの特性などデータシートに無い特性を試行錯誤で調整する必要があるため、RANK＝2と定義されます。
リップルリジェクションも、誤差アンプ，パストランジスタの調整が必要ですが特にパストランジスタの調整は他の特性に大きく影響を与えるため煩雑な試行錯誤が必要になるため、RANK＝3と定義されます。
東芝アプリケーションノートより

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12ロジック基本ゲート
ロジック基本ゲート

真理値表

11

伝搬遅延

1

1

CMOS出力、オープンドレイン出力11Schmitt trigger

11

タイミングチャート

11

入力保護

22

出力保護

22

電源電流逆流保護

22

電源電流

22

入出力保護については、DC、TRAN特性への影響が大きいため、電源電流逆流保護については、出力特性への影響が大きいため、電源電流については、出力段のトランジスタのモデリング精度を上げる必要があるため、
RANK＝2と定義されます。

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13

複合ICLDOWith reset/VoltageDetect

入出力電圧特性11

ドロップアウト電圧

11

ラインレギュレーション

11

ロードレギュレーション

11

リップルリジェクション

11

イネーブル機能

11UVLO

11

オートディスチャージ

11

検知電圧

22

検知遅延時間22

BlnkingTime

22

タイミングチャート

22

LDO

Voltage
Detector

LDO部

複合ICのため、基本機能に追加された機能についてはRANK＝2と定義されます。
上記はLDOに電圧検知機能が付いた複合ICの例ですが、その他、DCDC-Converter ,Gate Driverなどの複合ICも同等です。

Watch Dog Timer部

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