目次
第 1 章 序論 ................................................................................................................................... 3
1-1

背景 ...................................................................................................................................... 3

1-2

研究目的 .............................................................................................................................. 4

第 2 章 中和器の原理 ................................................................................................................... 72-1

イオンエンジンの作動原理............................................................................................... 72-2

中和器 .................................................................................................................................. 82-2-1

中和器の概念 ............................................................................................................... 8

2-2-2

ホローカソード ..........................................................................................................112-3マイクロ波放電型中和器................................................................................................. 13

2-4

ECR プラズマの原理 ........................................................................................................ 142-5イオン飽和電流、熱拡散電子電流の算出..................................................................... 17

第 3 章 レーザートムソン散乱 .................................................................................................. 18
3-1

レーザートムソン散乱の原理......................................................................................... 18

3-2 電子温度と電子密度の算出方法........................................................................................ 21
3-2-1

電子温度の算出 ......................................................................................................... 21

3-2-2

電子密度の算出 ......................................................................................................... 22

第 4 章 実験装置及び実験方法 ................................................................................................. 24
4-1

真空排気系 ........................................................................................................................ 24

4-1-1

小型真空容器 ............................................................................................................. 24

4-1-2

大型真空容器 ............................................................................................................. 25

4-2

マイクロ波伝送系............................................................................................................. 25

4-3 中和器 ................................................................................................................................... 26
4-3-1 中和器本体 .................................................................................................................... 26
4-3-2 レーザートムソン散乱測定に用いた中和器 ............................................................ 30
4-3 -3 電子引出し部 ............................................................................................................... 33
4-4

レーザートムソン散乱計測システム............................................................................. 34

第 5 章 実験結果及び考察 .......................................................................................................... 39
5-1

オリフィスプレート－フロントヨーク間距離依存性 ................................................. 39

5-2

電力依存性 ........................................................................................................................ 40

5-3

放電室内圧力依存性......................................................................................................... 45

5-4

磁場依存性 ........................................................................................................................ 49

第 5 章 結論 ................................................................................................................................. 53
参考文献.......................................................................................................................................... 55
謝辞.................................................................................................................................................. 56

第1 章

序論

1-1 背景(1)~(3)半世紀前、人類初の人工衛星スプートニクが旧ソ連より打ち上げられ、国の威信をかけた宇宙開発が活発に行われるようになった。有人宇宙飛行、惑星探査、宇宙
ステーションなど様々な国家的プロジェクトが行われ、今日の科学技術の進歩に大きく貢献した。しかしながらこのような大型プロジェクトは冷戦終結後、衰退し限られたものしか行われなくなってきた。国家予算の縮小、長期的な開発期間や失敗時の多大な損失などが原因である。そこで、これまでの大型プロジェクトとは別に、
民間・大学レベルでも参入可能な小型衛星プロジェクトへの取組みが活発化してきた。小型衛星とは、明確な定義はないが一般的に質量が数百 kg のものを指す。この小型衛星のメリットとして、開発期間の短縮や開発コストの削減が挙げられる。
大型衛星では、開発期間が 5 ~10 年以上、打ち上げコストが数百億~ 数千億であったが、小型衛星では開発期間 3 年、コスト数億~ 数十億が可能である。開発サイ
クルの短縮により、近年の急速な民生技術開発に対応でき、その時の社会情勢にあった宇宙開発が可能である。また、開発にかかる費用が安価なため、斬新なプロジ
ェクトにチャレンジすることも可能である。また小型衛星を用いることで、情報関連など商業的利用価値の高いプロジェクトにはその優位性が発揮できる。このような魅力的な小型衛星の開発は、現在様々な研究機関で行われている。しかしながら、小型衛星は小型である故に搭載できる燃料が限られ、様々なミッションに対応しようとする。燃費が良いスラスタが必要不可欠である。そこで、近年注目を集めているのが電気推進機の小型衛星への応用である。
電気推進システムは、太陽電池や原子炉などで発電された電気エネルギを用いて、推進剤を電離した後、電場や磁場によってイオンを加速し、推力を発生させる。電気推進システムはこの推進剤噴出速度が大きいため、尐ない推進剤で推力を得ることができる。電気推進システムは、重力の影響をほとんど受けず、大きな推力を必要としない宇宙空間での長期ミッションに特に適しており、衛星の軌道維持、姿勢制御などに期待されている。
電気推進の一つであるイオンスラスタは MUSES-C 計画で用いられている。このイオンスラスタはグリッドによりイオンビームを抽出するため、スラスタとビームとの間に生じる電位差による引き出し効率の低下及びイオンビームの逆流によるスラスタの損耗を起こす。この逆流を回避するためイオンビームに電子を噴出することで中和を行い、電位差を取り除く「中和器」が必要である。中和器は使用目的
がイオンビームの中和であるため、推力に直接寄与しない。そのため推進剤、消費電力、重量などの消費資源がなるべく尐ないことが望ましい。既に開発されている
ホローカソードでは、推進剤流量 0.5 sccm 以下、電力 5 W 以下で作動できる。しかし、繰り返し温度衝撃によるヒーター断線故障や熱電子放出電極の消耗、大気暴
露や推進剤含有不純物による性能の劣化等の問題が挙げられている。(4)
近年開発が行われているマイクロ波放電式中和器は、MUSES-C 計画において要求される性能は達成したものの、放電室内部の物理現象は完全に解明されていない。
将来の新たな電気推進ミッションを開拓するためには、マイクロ波放電式中和器の設計指針の確立及び作動パラメータの最適化が不可欠であり、耐久性や性能のパラメータ依存性を予測できる物理モデルの構築が必要である。(5)1-2 研究目的
本研究グループでは、予てから小型衛星への搭載を目指して小型マイクロ波放電
式イオンエンジンの開発を行ってきた。(6)(7) (8)今までに研究で得られている推進性
能として投入電力 8 W、推進剤流量 0.2 mg/s において、イオンビーム電流 12 mA、推力 0.79 mN、比推力 4100 sec、推進剤利用効率 0.91、イオン生成コスト 610 W/A、
推進効率 0.57 という高い推進性能が達成された。ここで、推力、推進剤利用効率、イオン生成コスト、比推力、推進効率は以下のように定義されている。

推力：イオンビーム噴出により発生する推進力
比推力：単位推進剤利用効率での推力発生時間
推進剤利用効率：供給推進剤流量とイオンビーム流量の割合
イオン生成コスト：イオンビームとなる 1 粒子を生成するのに要するエネルギ
推進効率：投入した電力のうち推力発生の運動エネルギに変換した割合

以前より当研究室のイオンエンジンに対応した中和器の開発を行ってきた。(9)開発にあたって MUSES-C 計画で使用されたマイクロ波放電式イオンエンジンとその中和器の関係から目標性能は設定した。MUSES-C で開発されたイオンエンジンは、投入電力 32 W、推進剤に用いたキセノンの流量 2.35 sccm で、イオンビーム電流を143 mA 引き出し、中和器は作動ガス流量 0.5 sccm、投入電力 8 W でビームを中和する。このエンジン本体と中和器のスケールを本研究室のイオンエンジンとそれに対応する中和器に当てはめると、目標性能は、投入電力 2 W で、作動ガス流量 0.05
sccm で 12 mA のイオンビーム電流を中和しなければならない。今まで本研究室で開発してきた中和器を図 1-1 に、その性能を図 1-2 に示す。条件は作動ガスにキセノンを用い、流量 0.05sccm である。図 1-2 からわかるように、目標性能を達成することができなかった。そこで本研究では、本研究室で高い性能を示しているイオンエンジンの体系を中和器に適用し、その内部測定を用いて性能評価し、性能向上の指針を得ることを目的とする。

第 1 章では、本研究の背景及び目的について述べた。第 2 章では、マイクロ波放電式中和器の研究開発の背景をして、イオンエンジン及び中和器の動作原理について述べる。第 3 章では中和器内部のプラズマ測定を行ったトムソン散乱法について述べる。第 4 章には、中和器の性能評価及び内部測定に用いたトムソン散乱法のシステムの実験装置について述べる。第 5 章に、実験結果を示し、それに対しての考察を行う。

図 1-1

当研究で開発した中和器の写真

Extracted electron current, mA

30
25
20
15
10
5
0

0

図 1-2

5
10
Incident microwave power, W

15

当研究室で開発した中和器の性能

第2 章

中和器の原理2-1 イオンエンジンの作動原理
イオンエンジンの概念図を Fig.2-1 に示す。イオンスラスタはマイクロ波やアー
ク放電などで推進剤を加熱・電離させてプラズマを生成し、グリッドと呼ばれる 2枚ないし 3 枚からなる多孔状の電極間に 1000 V 程度の高電圧を印加させてイオンを加速する静電加速型の推進装置である。イオンエンジンは主に 3 つの領域から構成されている。

① 推進剤をプラズマ化するイオン生成部② 生成されたイオンを静電的に加速して推力を得る加速部③ 放出されたイオンビームを電気的に中和する中和部

これらの各過程はそれぞれイオン源、加速電極、中和器によって行われる。

Fig.2-1 イオンエンジンの概念図

2-2 中和器
2-2-1

中和器の概念推力を得るために、イオンスラスタは数百 mA にも及ぶ正電荷のイオン電流を放出する。しかしながら典型的な宇宙船の電気容量は 10-9 F 以下であるので、イオ
ンビームの中和がなされなければ人工衛星は単位時間に次のような負電位を負荷される。
ここで VS は宇宙機電位 [V] 、CS は人工衛星の総電気容量 [F]、及び QS は宇宙機が帯びる電荷量 [C]で、その時間変化はほぼ放出イオンビーム電流 Ib [mA]に等しい。具体例として、Cs=10 [pF] 、Ib=100 [mA]を考えると、宇宙機は 1 msec の短時間に－10 kV も帯電してしまう。このような高いポテンシャルの帯電は、人工衛星内部での局所的な絶縁破壊や、イオンビームと中性粒子が同時に噴出され電荷交換で生成される低速のイオンが人工衛星の電位に引き戻され、表面を直撃・損傷す
る等といった悪影響を及ぼす。そのためイオンビーム電流と等価な電子電流を放出することで、中和し防ぐことが出来る。
このような目的で設けられた電子放射源を中和器と呼ぶ。一般的にイオンビーム
がそれ自身の正の空間によって減速したり反射・逆流しないように、中和器は加速電極からあまり離れてしまわない適当な位置に置かれる。噴射したイオンと同数の電子を放出する必要があるが、その電流量は中和器やビームプラズマの電位のわず
かな高低の変化によって、自動的かつ自然に行われ、特に積極的な制御を必要としない。
中和電子はイオンビーム電流と等価になるために十分な密度や速度で供給されなければならない。中和電子の供給方法には実用されてきたものとして図 2-3 に示
すような４つの種類がある(10)。
図 2-3 (a)は電子源がビームの外側に置かれるもので、電子はビームと電子源の電位差によって引き出される。この方法では、与えられた電位差で十分な電子が供給されたときのみ効果がある。電位差はイオンがスパッタを起こさないように 20 V程度に保たなければならない。またフィラメントの寿命が問題となってくる(10)。
図 2-3 (b) はイオンビームの濃い位置にフィラメントを挿入するもので、この場合与えられた中和器の負バイアスでも十分な電位抽出が可能である。しかしながら、フィラメントはイオンビームの直撃を受けるため、スパッタ損耗を避けられない。

初期のイオンスラスタではこれらのフィラメントカソードが用いられてきたが、度重なる熱サイクルによって劣化が起き、フィラメントの寿命が運転時間を制限してしまう問題があった(10)。
フィラメントカソード以外の別の方法として、図 2-3 (c) のような電子銃を用いて適当な速度で電子を打ち出すというものがある。この方法では物理的な利点が尐ないのに反して、推進機の構造や電力の要求が大きくなる等の負荷的な複雑さが生じやすい(10)。
図 2-3 (d) は現在最も盛んに用いられている「プラズマブリッジ」を利用する方法であり、後述のホローカソードや本研究で用いるマイクロ波放電型中和器はこのタイプである。この場合、中和電子は予め中和器内部の放電によって生成されたプ
ラズマとイオンビーム間の電位差によって抽出され、プラズマブリッジを形成する。
なお、このようなプラズマブリッジを利用した電子放出源はイオンビームの中和だ
けでなく、直流放電型イオンエンジンの主放電陰極としても用いられ、プラズマコ
ンダクタとしては衛星の帯電中和やテザー衛星のプラズマブラシ等で幅広く応用されている (10)。

図 2-2マイクロ波放電型イオンスラスタの概念図

図 2-3 中和電子の供給方法(a) ビーム外からの熱電子放出(c) 電子銃による電子放出(b) ビーム中からの熱電子放出(d)プラズマブリッジを利用した電子放出

2-2-2

ホローカソード

図 2-4 にホローカソードの概念図を示す。従来のイオンエンジンでは、主放電室
内のイオン生成用放電陰極及び中和器としてホローカソードを使用している。既に開発されているホローカソードでは、推進剤流量 0.2 sccm 以下、電力 10 W 程度
で 1A 程度の電子放出が可能である 2-10)。ホローカソードは直径φ10 mm 程度の筒状の形態をしており、φ1.0 mm 程度の微細オリフィスを介して内部電子を放出する。オリフィスはガス消費を小さくしてかつホローカソード内部のガス圧力（数Torr）を維持する目的を担う。熱電子放出電極には仕事関数の低いバリウムなどを含有する化学物質を使用し、900 ~ 1000 ℃程度の高温に維持して初めて熱電子を放出する。作動前には、外部ヒーターによって加熱されるが、いったん作動されると自己発熱に委ねられる。作動が長時間にわたるとオリフィスが損耗し、カソード内部上流にできるバリウム化合物の堆積層が電極を覆うために熱電子放出能力が落ちてくる。一方、作動中に堆積するバリウム化合物のため、スラスタの ON/OFF サ
イクルによって度重なる熱衝撃が加わるとヒーターの断線故障が起こりうる。また、バリウム化合物電極は大気暴露や推進剤含有不純物により性能が損なわれるため、取り扱いに問題を伴う。

図 2-4 ホローカソードの概念図

2-3 マイクロ波放電型中和器
マイクロ波放電型中和器は、マイクロ波放電型イオンスラスタを用いる上で、マ
イクロ波電源が共有化でき、また大気暴露の制限がない、待機時間を必要としない等の利点を持つ。ISAS/JAXA においては、ハヤブサの中和器として、ホローカソ
ードと同等の作動ガス消費量、機器サイズを開発目的として実験的研究が繰り返され (11), (12)、図 2-5 に示すような形状のものが開発された。
中和器では外部へ放出される電子電流に対して内部壁面において電荷の補充がなされている。ホローカソードの場合、積極的な熱電子放出によって電荷の補充が行われている。一方、マイクロ波放電型中和器においてはその動作温度が低く
70 ℃程度であるため熱電子放出は起こらず、主に内部壁面でのイオン収集によって電荷の供給が行われていると考えられているがその詳細は未だ解明されていな
い。

図 2-5 マイクロ波放電型中和器の概念図

2-4 ECR プラズマの原理
ECR の原理と概念図を図 2-6 と図 2-7 に示す。真空中に存在する荷電粒子は磁場中でローレンツ力を受ける。この向心力のために磁力線に巻きつくようなサイクロ
トロン運動と呼ばれる回転運動が現れる。磁界における電子の運動方程式は次式で
表される。

m

dv
 ev  B
dt

(2.1)

ここで m は電子の質量、v は速度ベクトル、e は電荷量、B は磁束密度である。このときの円軌道の半径 rL はラーマ半径と呼ばれ

rL 

mv
eB

(2.2)

で与えられる。ここで v⊥は電子の B に対する垂直な速度成分の大きさである。
プラズマを構成している荷電粒子は全て反磁性体である。そのためサイクロトロン
運動の回転の方向は、外部磁場の向きに対して荷電粒子の回転によってできる磁場が常に逆を向く方向である。つまり電子は磁場に対して右回りの回転運動を行う。
この回転運動の角周波数はサイクロトロン角周波数と呼ばれ

c 

eB
m

(2.3)

で与えられる。電子は電場と逆向きに加速されるため、磁場中の電子の回転方向と逆向きに、回転する速さが等しい電場をかけると電子は連続的に加速され、電場から効率的にエネルギーを受けとることができる。これが電子サイクロトロン共鳴現象である。
ECR プラズマ発生装置では、同軸ケーブルを通して角周波数ωrf のマイクロ波を入射し、プラズマを生成する。生成されたプラズマ中の電子はサイクロトロン角周
波数ωce に従って、磁力線方向に向かって右回りの旋回運動を行う。一方で、強磁場側から入射したマイクロ波はプラズマ中を浸透し、電子サイクロトロン波と呼ばれる右回りの円偏波を励起する。この波は弱磁場側へ伝播し、角周波数が電子サイ
クロトロン角周波数と一致する層で急速に減尐してマイクロ波から電子にエネル
ギーが吸収される、つまり、ωce ＝ ωrf の関係が成り立つときに ECR が生じる。
また逆に、ECR を起こすときに必要な磁束密度の大きさを Bres とすれば

(2.3)

式より

Bres 

m rf
(2.4)

q

となる。
ECR によってエネルギーを増大させた電子は磁力線に拘束されながら次々と効率よく周辺の中性粒子と衝突電離を繰り返す。このようにして生成されたプラ
ズマが ECR プラズマである。

E

電子

E

B

電子

電子
B

E
B

電子

図 2-6

ECR の原理E

図 2-6

ECR の概念図

2-5 イオン飽和電流、熱拡散電子電流の算出
前述のように、内部壁面でのイオン収集によって電荷の供給が行われていると考えられているため、イオン収集が不十分であれば、中和器からの引き出し電流を制限する要因となりうる。また、引き出しを制限する要因としてもう一つ、オリフィ
ス部で十分な電子電流が得られるか否かということも問題になる。オリフィス部では熱拡散によって、電子が流れるとすると、オリフィス部での最大許容電流値は、
熱拡散電子電流の式より、

I e0 

8kTe
1
npe
S
4
πme

(2-5)

である。ここで、e は素電荷、np はプラズマ密度、k は Boltzman 定数 1.3807×10-23
J・K-1、Te は電子温度、me は電子の質量である。
一方、中和器内壁に流れるイオン電流は、イオン飽和電流は等しく次式で表される。
1

 kT  2
 1
I pi  en p  e  exp    S
 2
 mi 
e、np、k、Te、は上記と同様で、mi はイオンの質量である。

(2-6)

第3章

レーザートムソン散乱

3-1 レーザートムソン散乱の原理
プラズマ中にレーザー光を入射させた時、プラズマ中の自由電子は、レーザー光の電場で強制振動させられる。その強制振動の結果、二次的な光が放射される。これが本研究で用いるレーザー光のトムソン散乱である。図 3-1 の配置において、入射レーザー光の波長をiとした時、レーザー波長からの差波長において、
の微小波長幅に散乱される光の強度 IT () [W/m2] は、IT ()ne Vd



(3-1)

と表せる。ここで、I0 [W/m2] は入射レーザー光の強度、ne [m-3] は電子密度、V[m3] は散乱体積、 [rad] は入射レーザー進行方向からの散乱角、[sr]は受光立体角を表している。比例係数 d [m2/sr] は、自由電子が 方向の単位立体
角内で、差波長での単位波長幅に散乱する断面積の次元を持つ量で、トムソン
散乱の微分散乱断面積と呼ばれ、次式で与えられる。

d T ( Δλ,θ )r0 2 1  sin 2 θcos2ξ   S ( Δλ,θ )(3-2)

ここで、r0 は電子の古典半径、は入射レーザー光の波数ベクトル ki と散乱光の波数ベクトル ks のなす角、は波数ベクトル ks を x-z 平面に投影したベクトルと y 軸のなす角である。また、S () は動的形状因子とよばれ、分光スペクトルの形を表す。
式(2-2) より、直線偏光したレーザー光の電子による散乱光強度の角度分布は、
図 3-11 のような入射レーザー光の電界 Ei を軸方向とした異方性を示す。特に Ei 方向の散乱光強度は 0 になる。
等方的なプラズマにレーザー光を入射して、その中の電子により散乱される場合、散乱光強度は単純に 1 個の電子による散乱光強度を、散乱に寄与する電子数倍したものとしては表されない。もし、電子が空間的に完全に一様に分布するならば、個々の電子による散乱波は、それらと  だけ位相の異なる同じ強度の散乱光の存在により打ち消されてしまう。実際のプラズマにおいて、平均電子密度分布は空間的に一様であっても熱揺動等の電子密度の揺動が存在し、散乱光は完全には打ち消されず、その観測が可能である。散乱光の電界の振幅は密度揺動の大きさに比例し、熱平衡にある系では密度揺動の大きさの 2 乗が平均電子密度に比例するため、散乱光強度は平均電子密度に比例する。
電子の熱的密度揺動は、二つの部分に分けて考えられる。一つは電子自身の熱運動によるもの、もう一つは個々のイオンがデバイ遮蔽により電子群に遮蔽された状
態で熱運動し、それに追従する電子群の密度揺動によるものである。前者の微分散
乱断面積を電子項（de ）と呼び、後者をイオン項（di ）と呼ぶ。
すなわち、
dT ()= de di 





(3-3)

と書き表すことができる。de、di はプラズマ条件（電子密度、電子
温度、イオン温度などの値）と、散乱条件（使用レーザー波長と散乱角）によって決定される。
このとき、deと di との大小関係によって散乱スペクトルが大きく異なる。そこで、次式で定義する散乱パラメータ を導入し、の値による散乱スペクトルの変化について考える。


1
k D


4
θ 
sin 
 k  ks ki 
λ
2
i


(3-4)

ここで、D はプラズマのデバイ長である。

 « 1 ではデバイ長が散乱に関係する波長（ 1/|k| ）よりも長くなるので、個々の電子が独立に散乱に寄与する。その結果、電子の熱運動の影響が強く反映され、電子項が優勢でイオン項は無視できる。この場合、プラズマによる散乱断面積は電子の個々の熱運動によって決まるので、これを非協同的散乱（incoherent Thomson
scattering）という。また、 ≳ 1 では電子の集団的な運動の影響が現れ、イオン項が支配的になる。これを、イオンを遮蔽する電子群の協同的運動による散乱という意味で協同的散乱（collective Thomson scattering）という。
本研究で用いたレーザー（波長 532 nm）、散乱角（90°）およびプラズマの典型的な電子温度 Te = 0.1~ 10 eV、電子密度 ne = 1018 ~ 1019 m-3 では  « 1 となり、散乱は非協同的散乱領域にある。

プラズマ
入射レーザービーム

散乱体積 V

散乱角 
受光立体角 

r
z

散乱光

y
x
図 3-1

プラズマによるレーザー光の散乱の概念図

z

z

散乱光の
波数ベクトル k s

入射レーザー光の偏光方向 E i
Ei

ks
k



k
y
入射レーザー光の波数ベクトル k i

y
ki
x
x
y - z 平面上での散乱光の強度分布

図 3-2

散乱光強度の角度分布

3-2 電子温度と電子密度の算出方法
3-2-1

電子温度の算出

前節で述べたように、マイクロ放電からのトムソン散乱は非協同的散乱によって生じる。この時、プラズマ中の自由電子は熱運動をしているため、トムソン散乱ス
ペクトルはドップラー広がりを持つ。
ここで、熱速度 v を持った電子が位置 r に存在しているとする。その電子に波
長i のレーザー光が照射され、レーザー光が散乱される場合を考える。このときのドップラーシフトは、

Δλ  2 v sin(θ / 2) λi / c

(3-5)

となる。
非協同的散乱の場合、前述のように、電子群による散乱は個々の電子による散乱の重ね合わせとして表すことができるので、式(3-5) の関係を電子群に拡張することができる。
式(3-5) より、散乱光のドップラーシフト と電子の熱速度 v は比例関係にある。したがって、トムソン散乱の分光スペクトル形状は、一次元の電子速度分布関数を表す。トムソ
ン散乱スペクトルがガウス型分布している時、電子の速度分布はマックスウェル分布となる。このとき、そのスペクトル幅の広がりを特徴づけるパラメータとして、電子温度が定義できる。
一次元の Maxwell 分布は、電子温度を Te [eV]、電子の質量を me [kg]、素電荷を eとすると、次式で表される。
1/ 2

 m 
f v dv   e  2eTe  m v2 exp  e dv
 2eTe (3-6)

式(3-5) と式(3-6) より、トムソン散乱の動的形状因子 S (, ) は、
1/ 2

 me S ( ,  )d ( )  
 2eTe 

2
 m 


 
c
c

e

 expd ( )
2eTe  2i sin( / 2)   2i sin ( / 2) 




(3-7)

となる。よって、トムソン散乱スペクトルの半値半幅T,1/2 は、電子温度 Te、入射レーザーの波長i を用いて次のように表される。

ΔλT ,1/ 2 

2i sin(θ / 2) 2eTe ln 2
c
me

(3-8)

しかし、実際に観測されるスペクトル G(, ) は、真のトムソン散乱スペクト
ル S(, ) と分光器の装置関数 FI ( ) とのコンボリューションとなり、次式で表される。

G  Δλ, θ   S Δλ , θ   F λ  λdλ 


l

I

l

(3-9)

l

特に、FI ( ) がガウス分布の場合、G (, ) も次式のようなガウス分布となる。
G( λ, θ ) ( λI ,1/ 2 )( λT ,1/ 2 ) 2  ( λI ,1/ 2 ) 2(  λ) 2
exp ln 222( λT ,1/ 2 )  ( λI ,1/ 2 ) (3-10)

ただし、I,1/2 は装置関数の半値半幅である。したがって、測定スペクトル G (, ) がガウス分布ならば、そのスペクトル幅から式(3-10) を用いて装置関数幅を差し引くことで、
トムソン散乱スペクトルの半値半幅が求まる。さらに、式(3-8) より電子温度が算出できる。

3-2-2

電子密度の算出

電子密度 ne [m-3] のプラズマからのトムソン散乱光強度 IT (,) は、式(3-1) において、電子密度以外の値が既知であれば、トムソン散乱光強度から電子密度が算出できる。しかし、I0、V、dの絶対値を精度よく測定することは困難である。
そこで、トムソン散乱実験と同様の実験配置下で、レイリー散乱断面積が既知の窒素によるレイリー散乱光強度を観測して、受光系の絶対校正を行う。
中性粒子密度 n0 [m-3] の気体からのレイリー散乱光強度 IR , は、IR ,n0 V dR ,



(3-11)

で表される。ここで、dR , はレイリー散乱の微分散乱断面積である。
よって、式(3-2)、(3-12) を ne について解くとne  n0 n0

dσ R  Δλ, θ  I T ( Δλ, θ )dσ T  Δλ, θ  I R ( Δλ, θ )dσ R  Δλ  0, θ (3-12)I T ( Δλ, θ )1IRG ( Δλ ,θ)r0 [1  sin θ cos ξ ]222を得る。ただし、IR はレーザー波長でのレイリー散乱信号強度である。レイリー
散乱光のドップラー拡がりは、トムソン散乱光のドップラー拡がりに比べて無視できるため、レーザー波長での散乱光強度を測定することで全散乱波長をカバーすることになる。
式(3-12) において、アルゴンや酸素、窒素などのレ－リー散乱の微分断面積と、トムソン散乱の微分断面積の比は既知である。したがって、密度が既知の中性粒子からのレーリー散乱信号を観測した後、トムソン散乱信号強度を測定することで電子密度が求まる。本研究では、空気（窒素、酸素）によるレーリー散乱を計測しているが、ルビーレーザー（波長 694.3 nm）で計測された窒素と酸素の散乱断面積の比（  T /  R ）はそれぞれ 380 と 462 であった。この結果を波長 532 nm での微分断面積の比に換算すると、それぞれ 131 と 159 となる。この値を用いて電子密度を算出することができる。

第4 章

実験装置及び実験方法

4-1 真空排気系
4-1-1

小型真空容器トムソン散乱測定に使用した小型真空容器の写真を図 4-1 に示す。小型真空容器
はステンレス製で内径 267 mm、長さ 400 mm の円筒型である。容器側面及び容器上部に計 6 ヶ所の観測窓を設置している。レーザートムソン散乱測定の際、容器側面の窓から、レーザーを入射し、容器上部の窓から散乱光を観測した。容器下側には真空排気用のフランジと散乱光を観測する軸を調節するためのアライメント
レーザーを通す窓が設置されている。以下に使用した真空排気装置を示す。
真空排気に油回転ポンプ（Rotary pump）及びターボ分子ポンプ（Turbo molecularpump）を用いる。油回転ポンプは粗排気用として用いられ、排気速度は 5.2 l/sec
である。油回転ポンプによって 100 Pa 以下まで粗排気が行われた後、排気速度 150
l/sec のターボ分子ポンプで本引きを行う。排気口は油回転ポンプによって、常時は背圧が下げられている。到達圧力はガス未流入時には 9.3×10-5 Pa で、クリプトン
ガス 0.05 mg/s 流入時には 1.3×10-2 Pa である。

図 4-1

実験装置写真（小型真空容器）

4-1-2大型真空容器

大型真空容器の写真を図 4-2 に示す。大型真空容器はステンレス製で内径 600
mm、長さ 1000 mm の円筒型である。真空容器に 11 ヵ所の穴が設けられており、スラスタ設置用や真空排気用、内部の観測用などになっている。
真空排気に油回転ポンプ（Rotary pump）、ターボ分子ポンプ（Turbo molecularpump）クライオポンプ（Cryo pump）の 3 つの真空ポンプを用いる。排気速度は5.2 l/sec の油回転ポンプは粗排気用に 2 台用いる。高真空用には、排気速度 300 l/secのターボ分子ポンプと排気速度 2000 l/sec のクライオポンプを使用する。到達圧力
はガス未流入時には 9.3×10-5 Pa で、クリプトンガス 0.2 sccm 流入時には 1.6 ×10-3
Pa である。

図 4-2

実験装置写真（大型真空容器）

4-2 マイクロ波伝送系
本研究で使用したマイクロ波信号源と増幅器の周波数は 2.45 GHz である。一般
的に 2.45 GHz の発振に使用されるマグネトロン管のマイクロ波電源の場合、低電力領域では発振が不安定であるという特性を持つ。そのため本研究では固体発振器
により発振されたマイクロ波をアンプにより増幅する体系を採用した。
マイクロ波伝送系のフローチャートを図 4-3 に示すマイクロ波は発振器から発振された後、フィルタを経てアンプによって増幅される。そしてアイソレータ、方向性結合器を通り特性インピーダンス 50 ΩのＮ型ケーブルより出力される。投入

された電力はパワーモニタにより計測され入射波と反射波の差より算出される。反射波はダミーロードにて熱として外部へ放出される。

図 4-3

マイクロ波伝送系のフローチャート

4-3 中和器
4-3-1 中和器本体
図 4-4 に中和器の写真を、その概念図を図 4-5 に示す。本研究ではアルミニウム
製の長さ 12 mm 内径 21 mm の円筒型放電室を採用している。放電室の周囲に 4× 4
× 12 mm(磁化方向：長手方向)のサマリウムコバルト磁力（Sm-Co 磁石）を複数個配置し、それらをバックヨーク、フロントヨークと呼んでいる軟鉄製部品。50 ×
50 mm の容器に収納し固定する。
放電室内の圧力、すなわち中性粒子密度を調整するために、オリフィスプレートと呼んでいる中心に穴を空けたアルミニウムでできた板を中和器室前方に設置した。実際に使用するときは、作動ガスの流量はあらかじめ決まっているため、最適な放電室内圧力にするため、このオリフィスプレートの穴の径で調整する。オリフィスプレートで放電室内の圧力を変え、放電室内ガス圧力依存性を測定するために、
厚さ 2 mm のアルミニウム板の中心に直径 4 、5、 6、 7 mm の穴をそれぞれ空けたオリフィスプレートを用意した。
Sm-Co 磁石 10 個での中和器の磁場解析結果（QuickField 5.5, Tera Analysis）を図
4-6 にを起こすと考えられる。図 4-6 からわかるように磁力線は湾曲し、オリフィ
スプレートまで達する。そのため磁気チューブでトラップしている電子がオリフィ
スプレートで跳ね返される。もちろんこのプレート上で再結合がおこるため、ロスの要因となりうる。フロントヨークとオリフィスプレートの間にスペーサと呼んでいる中心に大きな穴が空いたプレートを挿入し、オリフィスプレートを離すことによって、密度が高いと思われるプラズマ領域からはなすことで、このロスを減尐させうる。そこで、挟む枚数を変えることでフロントヨークとオリフィスプレートの距離を変えられるようにした。この距離を d と定義する。
図 4-7 に実験に用いたアンテナを示す。アンテナはモリブデンでできており、そのためスパッタに強く損耗しにくい。このアンテナを SMA コネクタ（female）に挿入する。アンテナは周囲の軟鉄製ヨークと絶縁され、さらに接触を防ぐためにセ
ラミック管を挿入されている。アンテナの形状は本研究室で開発されているイオン
スラスタで高い性能を示した星型のアンテナを使用した。なお HAYABUSA に搭載されたマイクロ波放電式中和器には L 字型のアンテナが用いられている。

図 4-4

中和器の写真図 4-5

中和器の概念図spacerdorifice
Magnetic tube
図 4-6

磁石 10 個の磁場配位

9 mm
antenna図 4-7星型アンテナ

4-3-2 レーザートムソン散乱測定に用いた中和器
レーザートムソン散乱測定に用いた中和器の概念図を図 4-8 に、その写真を図4-9 に示す。基本的には節 4-3-1 に示した構造と同じであるが、トムソン散乱法を用いた内部測定で用いた放電室、オリフィスプレート、そして中和器を固定する台を変更した。
放電室にはカーボン製のものを用い、その放電室を図 4-10 に示す。カーボンを採用した理由は、放電室内壁から迷光の影響が大きいため、光の反射率が小さく、また熱膨張係数が小さく、作動時に発生する熱により変形しにくいことであるためである。放電室には、レーザーを入射するためにφ=2 mm の穴を側面に 2 ヶ所、散乱光を測定するために、レーザー光の入射方向と垂直方向にφ=5 mm の穴を空けている。放電室内のプラズマの空間分布をみるために、中和器中心軸上の点、磁気ミラー間の点、放電室壁面付近の点を測定できるようにレーザーを入射する穴の位置を変えた放電室を用意した。図 4-11 に各測定点の位置を示す。
オリフィスプレートは厚さが 10 mm でプレートの中心に直径 8 mm の穴を空けたものを、そして中和器を固定する台には、真鍮製のプレートを使用した。両者とも
図 4-7 からもわかるように側面に 2 つの貫通穴が空いている。これは中和器作動時に発生する熱を逃がすため、真空容器外側から冷却水を流せる構造になっている。

図 4-8

トムソン散乱測定に用いた中和器の概念図

図 4-9

図 4-10トムソン散乱測定に用いた中和器

トムソン散乱測定に用いた放電室

図 4-11

レーザートムソン散乱測定を行った点

4-3 -3 電子引出し部
図 4-12 に中和器より電子を抽出した実験体系を示す。中和器はイオンスラスタ
がイオンビームを排出する際に生じる電位の高低差より、中和器内部で生成したプラズマから電子を引き出し、中和を行う仕組みになっている。
それを模擬し中和器より電子を引き出すために、電子コレクタをオリフィスプレ
ート正面 5 mm に設置した。電子コレクタは中和器と絶縁し、中和器に対して直流電源にて正に印加する。このとき中和器と真空容器は同電位になっている。電子コ
レクタに印加する電圧は＋30 V 一定とする。

図 4-12電子引き出し体系

4-4 レーザートムソン散乱計測システム
図 4-13 にレーザートムソン散乱測定実験装置の概念図を、図 4-14 に測定写真機
器の写真を示す。計測用光源には Nd:YAG レーザーの第 2 高調波（波長 532 nm）を用いた。入射レーザー光強度は 200 mJ、入射間隔 10 Hz、パルス幅は 10 ns、ビーム拡がり角は 0.6 mrad であった。レーザーは集光レンズ（焦点距離 f = 300 mm）
を通過させて放電室内部に入射した。300 Torr の窒素ガスによるレイリー散乱の空間プロファイルから、焦点のサイズは 0.08 mm と見積もられた。プラズマからの散
乱光は f = 350 mm と f = 250 mm の 2 枚のレンズを通すことによって、ダブル分光器入り口のスリットに結像した。散乱体積は分光器の入射スリット幅、スリット高さ、レーザービームサイズから 0.08×0.1×1 mm3 であると求められた。受光立体角は 0.025 Sr である。散乱光は、トリプル分光器を通過させ、光電子増倍管（浜松ホトニクス, R943-02, 量子効率～10%）を用いて検出した。

DoubleTriple-grating
Monochromator
spectrometer

Propellant

Photomultiplier

Microwave

f=f=350mm
250 mmAntenna

Side View

f=f=250mm
350 mmDischarge chamber
f=200mmNd:YAG Laser f= 300 mm(=532 nm)

PIN Photodiode
Vacuum Chamber

図 4-13Beam
Dump

PhotonCounter

レーザートムソン散乱測定の概念図

(a)

(b)
図 4-14

レーザートムソン散乱測定の機器

(a) 光学機器

(b)

真空容器

本実験で得られるトムソン散乱光は、フォトンカウンティングレベルの非常に微弱なものと予想される。そこでまずは、レーザー１ショットあたりに観測可能なト
ムソン散乱信号強度を評価する。
受光系の透過率 η まで考慮して、受光立体角 ΔΩ 内に入ってくる散乱光子数は以下のようなる。

E /S ne S l TN s   L
 h i (4-1)

E L はレーザーのエネルギ、ΔL は散乱光のレーザービームに沿う長さ、 T は全波長領域でのトムソン散乱の微分散乱断面積を積分した値、 E L / h i は入射光子数とす
ると、典型的な実験値（ E L =100 mJ、h i =4×10-19J、λ=532 mm、S’=S、l =0.001 m、

 T =9×10-30 m2/sr、  =10-3 sr、 =0.1）を代入することにより、
Ns=2×10-19 Ne(4-2)

が得られる。
式（4-2）より、電子密度が 1018 m-3 だと仮定すると、検出されるトムソン散乱の光子数は、1 ショット当たり約 0.02 となる。算出されたトムソン散乱光子数が非常に小さいため、レーザーを 5000 ショット入射し、トリプル分光器を透過した光を光電子増倍管（浜松ホトニクス（株）製、R5509、波長 532 nm での量子効率 ε=0.1）
で電気信号に変え、フォトンカウンター（Stanford Research Systems Inc., SR430）を用いて検出した。
トリプル分光器（TGS）の概略図を、図 4-15 に示す。TGS は 3 枚の低迷光回折格子（（株）島津製作所、ローレライ、サイズ 58 mm × mm、刻線本数 1200 本/mm、ブレーズ波長 500 nm）、6 枚のアクロマートレンズ（L1～L5 : f = 220 mm、
直径 50 mm；L6 : f = 600 mm、直径 50 mm）、1 枚のアルミ平面ミラー、レイリー
遮光板及び中間スリットで構成される。
入り口スリット（幅 200 μm、高さ 2 mm）を通して TGS 内に入ってきた光は、レンズ（L1）により平行光となる。その光は、1 枚目の回折格子（G1）で分散される。分散された光は、レンズ（L2）により、レイリー遮光板面上に再び集光される。
レイリー遮光板は、厚さ 0.05 mm のタングステン板に、中央の幅 0.4 mm の部分

を残して、その両端に高さ 10 mm、幅 5mm の 2 つの四角い穴を開けた逆スリット型の構造をしている。この幅 0.4 mm の板でレーザー波長を遮光するものである。
入り口スリット（幅 200 μm、高さ 2 mm）を通して TGS 内に入ってきた光は、レンズ（L1）により平行光となる。その光は、1 枚目の回折格子（G1）で分散される。分散された光は、レンズ（L2）により、レイリー遮光板面上に再び集光される。
レイリー遮光板は、厚さ 0.05 mm のタングステン板に、中央の幅 0.4 mm の部分を残して、その両端に高さ 10 mm、幅 5mm の 2 つの四角い穴を開けた逆スリット型の構造をしている。この幅 0.4 mm の板でレーザー波長を遮光するものである。
1 段目の分光部の逆線分散は、(4.4) 式より 3.8 nm/mm となる。 f はレンズ（L2）の焦点距離 220 mm、格子定数 d は 1/1.2×106、回折角  は 4.3°、回折次数 m は１である。遮光の波長幅は、上記の逆線分散 3.8 nm/mm と遮光部の幅 0.4 mm で決まり、レーザー波長からの差波長  0.76nm 以内の光が完全に遮断される。

差波長   0.76 nm より広がった光は、レイリー遮光板を通過し、レンズ（L3）
で平行光となった後、２枚目の回折格子でその分散が打ち消される。その後、レンズ（L4）で集光され、中間スリット（幅 200 μm、高さ制限なし）を通過する。
レンズ（L5）によって平行光となった光は、3 枚目の回折格子（G3）で再び分散される。中間スリット後の 2 枚のレンズ（L5 , L6）は焦点距離 f に 2.7 倍の差があるため、中間スリットの 2.7 倍の像が、波長分解され、観測面上に結像される。

G1

S1

G3

L1
L5

L2

L6
mirrorRayleigh
block
L3

S2

L4

S3

Optical
fiber
(×2)
Photo
Multiplier
(×2)

G2

S1～3：スリット
G1～3：回折格子
L1～6 ：レンズ

図 4-15

トリプル分光器の概念図

第5章

実験結果及び考察

5-1 オリフィスプレート－フロントヨーク間距離依存性
図 4-6 からわかるように、ヨーク間を結ぶ磁力線は湾曲し、ヨークより下流にのびている。オリフィスプレートとフロントヨーク間の長さを離し、ヨークとヨークの間に結ばれる磁力線を避け、プラズマ密度の高い領域から遠い位置にオリフィス
プレートを設置した。そしてこの距離が性能にどう影響するか調査した。
測定条件は、作動ガスにキセノンガスを用い、磁石個数 10 個、投入電力 2、4 W
で、放電室内圧力 0.08 Pa 一定とする。図 5-1 に引き出し電子電流のオリフィスプ
レート－フロントヨーク間距離依存性を示す。図 4-6 で定義したようにオリフィス
プレートとフロントヨークの距離を d とする。投入電力が 4 W では、d が 4 mm のとき電子電流 28.1 mA、投入電力が 2 W では、d が 2 mm とき電子電流 9.7 mA でピークが現れた。電子電流が増加した理由は、オリフィスプレートをプラズマ密度の高いところから離すことで、オリフィスプレート上でのプラズマの損失が減ったからだと考えられる。
この中和器の作動条件は、投入電力 2 W なので、2 W でもっとも引き出し電流の高かったオリフィスプレート－フロントヨーク間距離 2 mm を最適値とする。これ
以降 2 mm のスペーサを用いて測定を行った。
.

P=4 W, m=0.005 mg/s.

P=2 W, m=0.005 mg/s

Extracted electron current, mA

35
30
25
20
15
10
5
0

0

2

4

6

8

d, mm

図 5-1

オリフィスプレート－フロントヨーク間距離依存性

5-2 電力依存性
図 5-2 に、磁石 10 個、放電室内圧力 0.08 Pa、作動ガスにキセノンガスで、投入
電力を 2 W から 8 W まで変化させたときの電子電流の電力依存性を示す。2 W では 0.8 mA だったのに対し、8 W では 18.6 mA と引き出し電流も増加した。
投入電力と電子電流の関係を解明するためにレーザートムソン散乱法を用いて、内部のプラズマ状態の測定を行った。測定にはレーザートムソン散乱用の中和器を用いた。磁石 12 個、作動ガスにクリプトンガス、放電室内圧力 0.28 Pa で、投入電力が 4、8、12、16 W と変化させて測定を行った。図 5-3、5-4 に中和器中心軸の点と磁気ミラー間の点での電子温度、電子密度の結果を示す。また壁面付近のプラ
ズマの内部測定を行ったが、プラズマ密度が低く、圧力、投入電力が 0.37 Pa、16 Wとともに高い値でしか測定が行えなかった。そのときの電子温度と電子密度は、1.8eV と 0.4×1018 m-3 であった。
図 5-3、5-4 からわかるように、中和器中心軸上の点と磁気ミラー間上の点の電子密度は、同じように投入電力 4 W から 8 W まで増加し、8 W からほぼ一定になっている。電子温度では、中和器中心軸上の点で投入電力 4 W から 8 W まで減尐が見られたものの、それ以降は上昇している。
磁気ミラー間上の点では電子温度は、電子密度と同様に、投入電力が 4 W から 8
W まで増加し、それ以降は一定となっている。また中和器中心軸上の点と磁気ミラー間上の点で比較すると、電子温度は磁気ミラー間が高く、電子密度は中和器中心軸上の点が高いことが分かった。これは、磁気ミラー間で電子がヨーク間を何度も往復する間に ECR 層を通過しエネルギを得ることを裏付ける結果である。中心軸上の点では、マイクロ波から直接エネルギーを得ているというよりはむしろ、磁気ミラー間の電子が拡散してきたため、電子温度は磁気ミラー間の領域よりも低くなったと考えられる。
電子密度は中和器中心軸上の点が高い理由としては、プラズマの生成は磁気ミラー間の領域のみで行われているのではなく、放電室全体でプラズマが生成されているため、必然的に壁面に近い磁気ミラー間ではプラズマ密度が低く、中和器中心軸上では、プラズマ密度が高くなったと考えられる。
中和器中心軸上の点と磁気ミラー間の点の電子密度、電子温度を用いてイオン飽和電流と熱拡散電子電流を算出した。
イオン飽和電流を算出するのに壁面付近の測定点を用いる予定だったが、上記に記したよう 1 点のみしか測定できなかった。この点の代わりに磁気ミラー間の点でイオン飽和電流を算出する。シースの面積 S は、図 5-5 に示すように下流側のヨーク淵の面積と磁気ミラー間のプラズマが接するオリフィスプレートの面積の一部の和の 2.0×10-4 m-3 を代入した。
熱拡散電子電流は、オリフィスを通過する電子を評価するもので、代入するプラ
ズマパラメータは中和器中心軸の点の電子温度、電子密度を用いた。この式の Sはオリフィスプレートの穴の径である。
これらの結果を表 5-1 に示す。イオン飽和電流と熱拡散電子電流は不確定性を含んでいるため、最大値で規格化し、測定値とともに図 5-6 に示す。表 5-1 から分かるように熱拡散電子電流がかなり大きくなる。オリフィスプレートの穴は電子電流を引き出す際にボトルネックになっていないことが分かる。そのためこれ以降熱拡散電子電流は置いておく。
図 5-6 より、測定値では投入電力 4 W では 18.3 mA、8 W では 27.7 mA、16 W では 34.3 mA と電力の増加とともに電子電流の増加が見られた。しかし図からもわかるように傾きが緩やかになっている。
算出値では、投入電力が増加に伴って電子電流が増加する傾向が見える。イオン
飽和電流では、8 W 以降は飽和している。これは図 5-4 の電子密度、電子温度が飽和しているのが原因だと考えられる。
電子電流の測定値で傾きが減尐しているのは、プラズマパラメータの、特に電子密度の飽和が原因で、さらに電力をあげると電子電流が飽和すると考えられる。

Extracted electron current, mA

20

15

10

5

0

2
4
6
8
Incident microwave power, W

10

2.5

10

2

8

1.5

6

1

4

0.5

2
Electron density
Electron temperature

0

0

5

10

15

20

0

Incident microwave power [W]
図 5-3

中和器中心軸上の点における電力依存性

Electron temperature [eV]

キセノンを用いた引き出し電流の電力依存性

18Electron density [10 m-3]

図 5-2

0

2

8

1.5

6

1

4

0.5

2
Electron density
Electron temperature

0

0

5

10

15

20

0

Incident microwave power [W]
図 5-4

図 5-5

磁気ミラー間上の点における電力依存性

イオン飽和電流に算出に使用した面Electron temperature [eV]1018Electron density [10 m-3]

2.5

表 5-1

引き出し電子電流の測定値と算出値

4W

8W

12 W

16 W

実験値

18.3 mA

27.7 mA

30.7 mA

34.3 mA

イオン飽和電流23.3 mA

52.0 mA

52.0 mA

46.3 mA

熱拡散電子電流1652 mA

2820 mA

3105 mA

3500 mA

35

1.2

30

1

25
0.8
20
0.6
15

Experimental
Estimation by LTS
E

10

0.4
0.2

5
0

2

4

6

8

10

12

14

16

Incident microwave power [W]図 5-6

電子電流の電力依存性

180

I/IMAX

Extracted electron current, mA

投入電力

5-3 放電室内圧力依存性
プラズマを生成する上で、放電室内の圧力は重要である。それは中性粒子密度を変化させることで、次式に示したように平均自由行程  が変化するからである。



1
n

(5-1)

n は中性粒子密度、  は衝突断面積である。
引き出し電子電流の放電室内圧力依存性を見るため、オリフィスの径を変え、コンダクタンスを調整し、またガスの流量を変えて測定を行った。投入電力 2 、4 W
で、磁石個数 10 個、作動ガスはキセノンを用いた。その結果を図 5-7 に示す。図からわかるように放電室内圧力 0.08 Pa 付近に電子電流のピークがあり、これよりキセノンを用いた中和器では、放電室内圧力 0.08 Pa が最適値であるといえる。
この最適値が存在する理由をトムソン散乱法による内部測定を用い、プラズマパ
ラメータの放電室内圧力依存性より説明する。この測定には投入電力 16 W で、磁石個数 12 個、作動ガスにクリプトンを用いた。図 5-8 にトムソン散乱による内部測定の結果を、図 5-9 に引き出し電流とプラズマパラメータから算出したイオン飽
和電流の値を示す。
図 5-8 では、圧力が高くなると電子温度は低くなっている。この現象を説明する
ために、各放電室内圧力に対する中性粒子密度、平均自由行程と平均獲得エネルギ
Ea を計算し、表 5-2 に示す。以下に電子の平均獲得エネルギの式を示す。

Ea l  0.5L(5-2)

ここで電子が ECR 層を 1 回通過するごとに 0.5 eV エネルギを受け取ると仮定した。クリプトンの衝突断面積(14)は、図 5-10 を用い、磁気ミラー間の長さ L は、磁力線がたわんでいるのも考慮して、1 cm とした。これより圧力が高くなると平均
自由行程が短くなる。電子はエネルギを得るためには、ヨーク間を往復運動し、ECR層を何度も通過しないといけない。(13) 表より 0.09 Pa から 0.19 Pa まで圧力が上がると、平均自由行程が 0.17 m から 0.10 m と短くなり、それによって電子の平均獲得エネルギは 8.3 eV から 4.9 eV と低くなっている。このことより電子温度が減尐したと考えられる。
電子密度では、0.09 Pa から 0.19 Pa までは上昇している。これは表 5-2 からわか

るように、電子の平均自由行程が短くなり、中性粒子との衝突確率が上昇したのが原因だと考えられる。0.19 Pa 以上では一定となり、その後減尐している。これは、
平均自由行程がさらに短くなり、平均獲得エネルギは下がったためだと考えられる。
平均獲得エネルギが下がると、中性粒子を電離させるほどのエネルギをもつ電子が減尐し、電離に寄与しない衝突が増え、電子密度が下がったと考えられる。これより放電室内圧力依存性において、電子密度にはピークが存在する。
図 5-9 に示すように、引き出し電子電流では測定値では圧力 0.09 Pa で 18 mA、0.19. Pa で 34 mA、0.28 Pa で 50 mA、0.37 Pa で 57 mA と、電力増加とともに電子電流の増加が見られた。しかし電子電流の増加分は圧力が高くなると減尐し、飽和する傾向が見られる。また算出値では、0.09 Pa、0.19 Pa まではあまり変化が見られなかったが、0.28 Pa では電子電流が増え、0.37 Pa で減尐している。これは上記で述べたプラズマパラメータの圧力依存性によるものと考えられる。
これより電子密度の圧力依存性には、ピークが存在し、これが図 5-7 のピークの原因だと考えられる。

Extracted electron current [mA]

14

2W
4W

12
10
8
6
4
2
0
0.01

0.1

1

Pressure [Pa]図 5-7

キセノンを用いた電子電流の放電室内圧力依存性

10

2 10

18

8

1.5 10

18

6

1 10

18

4

5 10

17

-3
18

2

Electron density

Electron temperature [eV]18Electron density [10 m ]2.5 10Electron temperature
0
0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0
0.4

0.35

Pressure [Pa]

60

1.2

50

1

40

0.8

30

0.6

20

0.4

I/IMAX

磁気ミラー間上の点における放電室内圧力依存性

Extracted electron current [mA]

図 5-8

Experimental
10
0
0.05

Estimation by LTS
0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.2
0
0.4

Pressure [Pa]図 5-9

クリプトンの引き出し電子電流の放電室内圧力依存性

表 5-2圧力による平均獲得エネルギ

放電室内圧力

[Pa]

0.09

0.19

0.28

0.37

中性粒子密度[m-3]

2.3E+19

4.6E+19

6.9E+19

9.2E+19

平均自由行程

[m]

0.17

0.10

0.06

0.05

平均獲得エネルギ [eV]

8.3

4.9

3.3

2.6

図 5-10

クリプトン、キセノン、アルゴンの衝突断面積[14]5-4 磁場依存性
図 5-11 は、この中和器の体系のモデルである本研究室で開発しているイオンス
ラスタのイオンビームの磁場依存性である。(8)この図からわかるように磁石数を変えるとイオンビーム電流が増加している。このことから磁石数を変えることでこの中和器でも性能が向上することが予想される。
投入電力 16 W で、放電室内圧力 0.19 Pa、スペーサ 2 mm で作動ガスにクリプトンを用い、電子電流の引き出し実験と、レーザートムソン散乱法による内部測定を行った。磁石個数は、8 個から 14 個まで増加させた。しかし 14 個ではプラズマ
はつかなかった。図 5-12 にトムソン散乱法を用いた内部測定の結果を、図 5-13 に電子電流の引き出し電子電流の結果と図 5-10 を用いて算出したイオン飽和電流を示す。
図 5-12 では、8 個から 12 個まで電子密度はほとんど変化なく、電子温度では増加はしているものの 4 eV から 5.2 eV とゆるやかな変化になっている。しかし磁石
個数 12 個から 13 個では、電子密度、電子温度ともに急激に増加している。
この電子温度、電子密度の急激な増加の理由を図 5-14 に示した磁場解析の結果より説明する。図の黒線は ECR 層を表している。図 5-14 からわかるように、磁石
8、10、12 個では、ECR 層とアンテナが重なっており、アンテナ表面での損失が大きい。一方で、13 個では ECR 層がアンテナと重なっておらず、結果として電子温度が増加し、それに伴い電子密度も増加したと考えられる。また 14 個ではプラズマがつかなかった理由としては、図 5-12 から分かるように磁場に垂直方向の成分が小さく効率的に ECR 層でエネルギの授受ができなかったと考えられる。
上記をふまえると図 5-13 では、算出値が磁石 13 個で大幅に増加している原因がわかる。しかし測定値では、算出値のような傾向は見られず、磁石の増加ともに急激な電子電流の増加が確認された。これは今後の課題である。磁石 14 個でプラズ
マがつかなかったため、磁石 13 個がもっとも性能がよかったといえる。

Ion beam current, mA

15

10

5

9

10

11

12

13

Number of magnets
図 5-9

イオンスラスタのイオンビーム電流の磁場依存性

10

2

8

1.5

6

1

4

0.5

2

Electron density

Electron temperature [eV]

2.5

18

-3

Electron density [10 m ]キセノンガス、0.02 mg/s、投入電力 8 W

Electron temperature
0

7

8

9

10

11

12

13

14

0

Number of magnets
図 5-10磁気チューブ上の点における磁場依存性

1.2

50

1

Estimation by LTS
Experimental

40

0.8

30

0.6

20

0.4

10

0.2

0

7

8

9

10

11

12

13

14

Number of magnets

図 5-11 引き出し電流の磁場依存性

0

I/IMAX

Extracted electron current, mA

60

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)
図 5-12

Sm-Co 磁石を変化させたときの放電室内磁場配位(a) 8 個、(b) 10 個、(c) 12 個、(d) 13 個、(e) 14 個

第5 章

結論

本研究ではマイクロ波放電式中和器の性能向上を目標とし、磁場強度、放電室内
圧力、マイクロ波投入電力等の外部パラメータの引き出し電流への依存性を調査した。また、この依存性を説明するために、レーザートムソン散乱法による内部測定を行い、中和器内部の物理現象の解明を試みた。

(1) オリフィスプレート－フロントヨーク間距離依存性
オリフィスプレート－フロントヨーク間距離が性能にどう影響を及ぼすのか調査した。この依存性には、最適値が存在することがわかった。そしてその最適値は、条件によって変わるため、そのときの条件によって距離をかえることが望ましい。
この中和器の体系で、作動条件を投入電力 2 W としているため、この距離を 2 mmにしたときの性能がもっとも良いといえる。

(2) 電力依存性
引き出し電子電流のマイクロ波投入電力への依存性を調査した。その結果、投入電力とともに引き出し電子電流は増加するが、その増加分は減尐し、飽和するような傾向が見られた。これはレーザートムソン散乱法を用いた内部測定より、プラズ
マパラメータの、特に電子密度の飽和が原因で、さらに電力をあげると電子電流が飽和すると考えられる。これより、中和器の作動において、投入電力を必要以上入れても電子電流の増加には限度があることがわかった。

(3) 放電室内圧力依存性
引き出し電流の放電室内圧力への依存性を調査した。キセノンをもちいた中和器の場合は、放電室内圧力 0.08 Pa が最適値だと分かった。
またレーザートムソン散乱法による内部測定より圧力を変化させたとき、電子密度でピークが確認された。そのため引き出し電子電流にもピークが生じたと考えられる。
熱拡散電子電流と測定値との比較で、放電室内の圧力によって性能は変わるが、

オリフィスの穴の大きさによって電子電流は制限されないことがわかった。よってオリフィスプレートはコンダクタンスのみを考えればよい。

(4) 磁場依存性
引き出し電子電流の放電室内磁場強度への依存性を調査した。その結果、磁石個数の増加により電子電流が増加することがわかった。レーザートムソン散乱法による内部測定と磁場解析より、アンテナと ECR 層が重ならず、またアンテナから遠くならないような配置にすることで性能が向上することがわかった。
また電子電流の測定値では、算出値のような傾向は見られず、磁石の増加ともに急激な電子電流の増加が確認された。これは今後の課題である。磁石 14 個でプラズマがつかなかったため、磁石 13 個がもっとも性能がよかったといえる。
投入電力 16 W、放電室内圧力 0.19 Pa、作動ガスにクリプトンの条件で測定した
ところ、磁石個数 13 個がもっとも性能が良かった。

得られた知見をもとに性能向上の指針を立てると、本論文で使用した星型のアンテナを用いると、その周りに ECR 層が形成されるように磁場強度を調整するのが望ましい。フロントヨークとオリフィスプレートの距離は、ヨークとヨークの間に形成される磁力線を避けたほうが性能の向上が期待できる。
以上を考慮し、キセノンガスを 0.005mg/s 流すとき、圧力を 0.08 Pa にするためにはオリフィスが 5 mm で、磁石個数は 13 個で、オリフィスプレートとフロント
ヨークの間隔は 2 mm にすると性能が向上すると思われる。
また放電室壁面より 3 mm 内側の点でプラズマ密度が薄く、磁場閉じ込めが良いことを確認できたため、放電室径をまだ小さくすることができると考えられる。

参考文献(1) 茂原正道,鳥山芳夫,“衛星設計入門”,培風館,2006
Choueiri, E.Y., “A Critical History of Electric Propulsion: The First 50(2)Years(1906-1956)”, Journal of Propulsion and Power, Vol.20, No 2, 2004, pp193-202(3) 栗木恭一, 荒木義博, “電気推進ロケット入門”, 東京大学出版会, 2003
(4) 国中均,“無電極マイクロ波放電式イオンスラスタの研究・開発”,日本航空宇宙学会誌, 46, 423 (1998)(5) 小野寺範義, “マイクロ波放電型中和器の電子放出機構と性能特性”, 東京大学修士論文, (1999)
片原田弘、“小型マイクロ波放電式イオンスラスタにおける推進性能評価”、(6)

九州大学修士論文、( 2004 )(7)

増井博一、“小型マイクロ波放電型イオンエンジンに関する研究”、九州大学

修士論文、（2003）(8) 近岡貴行, “小型衛星用イオンエンジンの開発”,九州大学修士論文、(2007)(9)

谷所正彦, “マイクロ波放電式小型中和器に関する研究”,九州大学修士論

文,(2006)(10) 都木恭一郎, “MUSES-C

イオンエンジンシステムの飛行準備”,平成 15 年

度宇宙学会誌, 46, 423 (1998)(11)

佐鳥新他、「マイクロ波中和器の放電室内部測定」、日本航空宇宙学会誌、

47、197、(1998)(12)

沖中他、「マイクロ波中和器の基礎実験」、宇宙輸送シンポジウム、(1999)(13) 金川隆保,“マイクロ波放電式小型イオンエンジンの数値解析”,平成 19 年九
州大学修士論文, (2007)(14)

V.E.ゴラント・A.P.ジリンスキー・L.E.サハロン, “プラズマ物理学の基礎”,(2000)謝辞
まず初めに、本研究を取り組むにあたって、宇宙やロケットの面白さを教えていただき、また宇宙推進に関する研究の機会を与えてくださった中島秀紀教授に深く感謝します。忘年会などの場で研究に対する姿勢や人生観について熱く教えて頂いた渡辺幸信准教授に感謝します。なかなか上手く物事を運べない私に、根気強く指導し、実験手法、実験結果の議論から論文の添削まで行っていただき、また研究者としての志を教えて下さった山本直嗣助教に深く感謝します。C-cube なで、お会
いしたときにやさしく声をかけていただいた梶村好宏講師に感謝します。レーザー
トムソン散乱測定する機会を与えて頂いた内野喜一郎教授に感謝します。レーザー
トムソン散乱を教えて頂いた富田健太郎助教に感謝します。疲れているときに声をかけて元気付けてくれた大神めぐみ秘書に感謝します。研究室の空気を明るく、和ませてくれた岡安悦子秘書に感謝します。是永技官、蓮尾技官には短い間でしたが指導していただき無事作業をすることができました。

研究室の皆様、2 年間本当にありがとうございました。特に同じ学年で研究をともにしたパソコンに強く、ニュースをチェックしており時事に強い松田伸夫氏、知識量が豊富でいつも興味深い話題をしてくれた本岡親英氏、数学が強く、研究もできる永田英隆氏にはいつもお世話になりました。英語を教えていただき、またやさ
しく接してくれた叶涛氏にはお世話になりました。レーザートムソン散乱で一緒に測定していただいた、真島氏、山崎氏、四郎園氏、那須氏にはお世話になりました。
いつも実験で手伝ってくれた小谷優介氏、江崎徹氏にはお世話になりました。これ
からも事故のないようにがんばってください。2 年間ともに過ごした安部晋一郎のおかげで楽しく研究生活をおくれました。1 年間だけでしたが、大宅将史氏、七村
和彰氏、新谷將氏、前野旭弘氏、内藤有紀氏、平山嵩祐氏、西山貴章氏、花屋倫生
氏、Kadrev Dimtre Nikolov 氏にはお世話になりました。卒業された林真照氏、金川
隆保氏、川渕亮氏，近藤慎哉氏，西嶋康太氏，三好誠氏に深く感謝します。