半導体・磁性体・電池の固/固界面制御と接合・積層技術
S&T出版 A149

2024年6月19日

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A4判 並製本 241頁

価格：本体 65,000円＋税（STbook会員：61,750円＋税）

ISBN：978-4-911146-04-0 C3050
喜多浩之 / 東京大学
谷田部然治 / 熊本大学
佐藤威友 / 北海道大学
藤井茉美 / 近畿大学
水野潤 / 成功大学
松下智裕 / 奈良先端科学技術大学院大学
中塚理 / 名古屋大学
大澤健男 / 物質・材料研究機構
田辺克明 / 京都大学
後藤和泰 / 新潟大学
伊澤誠一郎 / 東京工業大学

冨岡克広 / 北海道大学
脇坂聖憲 / 公立千歳科学技術大学
高石慎也 / 東北大学
山下正廣 / 東北大学
垣尾省司 / 山梨大学
谷川兼一 / 沖電気工業(株)三谷誠司 / 物質・材料研究機構
レ デゥックアイン / 東京大学
浜屋宏平 / 大阪大学
谷山智康 / 名古屋大学
村上修一 / 東京工業大学

第1章 パワー半導体の界面現象と制御技術
第1節 SiCパワー半導体の界面現象と制御
1. はじめに
2. 高効率パワーデバイスのためのワイドギャップ半導体材料
3. SiC MOSFET形成技術に残された課題 4. まとめ
第2節 GaN半導体デバイスのMIS界面評価と制御
1. はじめに 2. GaN系MISデバイスのゲート絶縁膜
3. ワイドギャップ半導体のMIS界面評価
4. ヘテロ構造MIS界面の評価
5. GaN系半導体のMIS界面向上プロセス 6. 課題と展望
第3節 ダイヤモンド絶縁膜の界面欠陥の原子イメージング

7. おわりに第6節 化合物半導体ナノワイヤ異種集積技術
1. はじめに 2. 半導体異種集積技術の重要性
3. Si基板上のIII-V族化合物半導体ヘテロエピタキシャル成長技術
4. Si基板上のIII-V族化合物半導体ナノ構造の異種集積技術
5. Si基板上のIII-Vナノワイヤ異種集積技術
第7節 ハロゲン架橋金属錯体の一次元ヘテロ接合
1. はじめに 2. ハロゲン架橋金属錯体(MX錯体)の概要
3. MX錯体ヘテロ結晶の作製
4. 一次元ヘテロ接合の原子分解能観察
5. まとめと展望
第8節 異種材料接合による弾性波デバイスの高性能化
1. はじめに第2章 半導体界面の制御と半導体異種集積・接合技術
2. 弾性波デバイスの動作原理と要求される特性
第1節 金属/半導体界面の現象と電子物性制御
3. 異種材料接合技術の弾性波デバイスへの適用例
1. はじめに 2. 金属/半導体界面の電子物性
4. 水晶支持基板との異種材料接合によるSAWデバイス
3. 金属シリサイド/シリコン接合形成プロセス
4. 金属/半導体接合の界面構造および電気伝導特性制御 の高性能化 5. おわりに第9節 半導体異種材料接合技術：CFB(クリスタル・フィ
5. まとめルム・ボンディング）
第2節 酸化物界面構造の機能と制御
1. はじめに
1. 研究の背景 2. 界面で起こっている現象
2. 半導体デバイスの付加価値を向上するCFBソリューシ
3. 界面形成と計測方法
ョンの特長
4. 酸化物界面構造の原子レベル制御5. 原子レベル制御した界面電子機能の創出 6. まとめ 3. 応用事例1：フルカラーマイクロLEDディスプレイ
4. 応用事例2：MEMS超音波センサー
第3節 半導体ウェハ接合技術の太陽電池応用
5. 応用事例3：縦型GaNパワーデバイスの社会実装に向1. はじめに 2. 背景 3. 半導体ウェハ接合技術
けた新技術 6. あとがき
4. ウェハ接合による太陽電池
5. 太陽電池用途のウェハ接合技術
第3章 強磁性体・強磁性半導体の界面現象と制御技術
6. その他のウェハ接合の太陽電池応用 7. まとめ
第1節 強磁性金属/酸化物の界面現象と制御
第4節 Si太陽電池の高性能化に向けたヘテロ界面制御
1. はじめに 2. 太陽電池の高性能化のキーテクノロジー 1. はじめに 2. 強磁性トンネル接合の界面物性
3. 強磁性金属/酸化物界面の評価・解析
3. ヘテロ接合型シリコン太陽電池における界面制御技術
4. 課題と展望
4. むすび
第5節 有機半導体の界面における光アップコンバージョン 第2節 非磁性/強磁性半導体の二層ヘテロ接合の電子伝導現象とその制御
1. はじめに 2. 用いた材料系の特徴とサンプル作製
1. はじめに
3. アップコンバージョン発光の効率の算出
2. 強磁性半導体：磁性不純物を添加する半導体の研究
4. 有機半導体界面でのアップコンバージョン発光
3. 近接効果を利用した強磁性半導体の実現
5. アップコンバージョン発光のメカニズム
6. 有機半導体界面近傍での三重項励起状態の拡散挙動 4. おわりに

書籍申込用紙

日暮栄治 / 東北大学
重川直輝 / 大阪公立大学
梁剣波 / 大阪公立大学
松前貴司 / 産業技術総合研究所
梅沢仁 / 産業技術総合研究所
倉島優一 / 産業技術総合研究所
高木秀樹 / 産業技術総合研究所
庄司一郎 / 中央大学
高燕林 / 筑波大学
丸山実那 / 筑波大学
岡田晋 / 筑波大学

岩﨑拓哉 / 物質・材料研究機構
山本真人 / 関西大学
坂井伸行 / 物質・材料研究機構
佐々木高義 / 物質・材料研究機構
西尾和記 / 東京工業大学
一杉太郎 / 東京大学,東京工業大学
土屋敬志 / 物質・材料研究機構
高柳真 / 東京理科大学（現在三菱ケミカル(株)）樋口透 / 東京理科大学
寺部一弥 / 物質・材料研究機構

第3節 スピントロニクス材料と半導体の超高品質接合
2. 2層ヤヌスTMDの積層配向による電子物性制御
1. はじめに 2. 半導体スピントロニクスデバイス
3. 2層TMD系における電界効果キャリア蓄積 4. まとめ
3. 強磁性ホイスラー合金と半導体ゲルマニウムの超高品質界 第2節 グラフェン/hBN構造の作製と物性制御面の作製
1. はじめに 2. 積層構造作製技術
4. ゲルマニウムスピントロニクスデバイスの室温動作
3. 素子作製プロセス
5. まとめ4. グラフェン/hBNモアレ超格子の量子輸送 5. まとめ
第4節 界面マルチフェロイク材料
第3節 2次元半導体応用のための界面・表面制御
1. はじめに 2. 電気-磁気結合とその物理起源
1. 2次元半導体の集積回路実装における期待と課題
3. 電気-磁気結合の特徴
2. 表面電荷移送ドーピングによる2次元半導体のキャリア制御
4. 界面マルチフェロイク材料の例 5. 将来展望3. ノンドープWSe2 FETの基本特性
第5節 トポロジカル材料の表面・界面の物理
4. 分子吸着によるWSe2の電子ドーピング
1. はじめに 2. トポロジカル絶縁体
5. 表面酸化によるWSe2のホールドーピング 6. まとめ
3. トポロジカル結晶絶縁体 4. まとめ
第4節 酸化物ナノシートの階層的集積による機能性ナノ構造材
料の創製
第4章 常温・低温・大気中直接接合技術
1. はじめに 2. ソフト化学プロセスによる酸化物ナノシートの合成
第1節 低温・常温接合技術の技術動向と高熱伝導率材料の 3. 酸化物ナノシートの階層的集積と機能 4. おわりに異種材料集積
1. はじめに 2. さまざまな接合技術
第6章 全固体電池の界面現象と制御技術
3. 表面活性化接合技術
第1節 全固体リチウム電池における界面抵抗の解明と低減
4. 高熱伝導率材料の集積化による高放熱構造 5. まとめ 1. 全固体電池における界面抵抗の低減の重要性
第2節 高耐熱性ダイヤモンド/異種材料接合の素子応用―ダ 2. 清浄な界面を有する薄膜型電池を活用した界面の定量的な研究
3. 固体電解質－正極間の界面抵抗の起源を定量的に理解する
イヤモンド上低熱抵抗GaNトランジスタ
4. Li3PO4酸化物固体電解質－正極間における抵抗起源の定量的
1. はじめに 2. 高耐熱性ダイヤモンド/異種材料接合な研究
3. GaN-on-diamond HEM
5. 硫化物固体電解質－正極間の界面抵抗の起源解明に向けて
4. まとめ・将来展望
第3節 酸化ガリウム/ダイヤモンドおよび酸化ガリウム/炭素ケイ 6. Li3PS4固体電解質をLiCoO2正極上に堆積した場合の電池動作
7. Li3PO4緩衝層の導入による電池動作の改善
素の接合技術8. 界面抵抗の定量的な研究を通して今後の展望
1. 概要 2. 序論 3. Ga2O3/ダイヤモンドの接合
第2節 リチウム固体電解質界面における電気二重層効果の制御
4. Ga2O3/SiC基板の直接接合 5. まとめと今後の展望
1. はじめに第4節 常温接合によるレーザーの作製とその応用
2. 電界効果トランジスタを用いたホール測定に基づくリチウム固1. はじめに 2. 常温接合プロセス
体電解質/ダイヤモンド界面の電気二重層効果の調査
3. 複合構造レーザーの作製
3. リチウム固体電解質/ダイヤモンド界面への中間層挿入による4. 波長変換デバイスの作製 5. まとめと今後の展望
充放電応答速度の制御 4. 終わりに第5章 2次元原子層物質の積層・集積と界面現象および制御技術
第1節 2次元原子層物質の積層と物性制御
1. はじめに注文数

A149（半導体・磁性体・電池の固/固界面制御と接合・積層技術）

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