東京大学生産技術研究所 光電子融合研究センター公開シンポジウム
ポスター発表リスト
ポスター番号

発表タイトル

著者

所属

1

A MEMS Reconfigurable Metamaterial for
Terahertz Filter Applications

Zhengli Han, Kenta Kohno, Hiroyuki Fujita,
Kazuhiko Hirakawa, and Hiroshi Toshiyoshi

東大生研

2

三次元半導体キラルフォトニック結晶における円偏光操作

高橋駿(1)、田尻武義(2)、太田泰友(1)、館林潤(1)、岩本敏(1,2,3)、荒川泰彦(1,2,3)(１)東大ナノ量子機構、(2)東大生研、(3)東大生研・光電子融合研究センター

3

励起子キラリティーを示す有機化合物の磁気光学 服部伸吾（1）、赤川賢吾（2）、工藤一秋(2)、効果
石井和之(1)(1) 東大生研・光電子融合研究セン
ター、(2) 東大生研

4

フォトニック・アモルファス構造体における光禁制帯形成

東大生研

5

太田泰友(1)、高宮大策(2)、太田竜一(2)、熊 (1)東大ナノ量子機構、(２)東大生
H0型フォトニック結晶ナノ共振器－単一量子ドット
谷直人(1)、石田悟己(2)、岩本敏(1,2,3)、荒川 研、(３)東大生研・光電子融合研究
結合系を用いた共振器量子電磁力学センター
泰彦（１,2,3)

6

Spin wave emission in rare-earth iron garnet bylinearly polarized light pulses

7

眞田治樹（１)、国橋要司(1)、後藤秀樹(1)、小(1) NTT物性基礎研、(2) 東北大工、
表面弾性波を用いた電子スピン輸送と無磁場ESR 野満恒二(1)、好田誠(2)、新田淳作(2)、Paulo(3) Paul Drude Institute
V. Santos(3)、寒川哲臣(1)8単一分子トランジスタにおける量子輸送現象とその外場応答

9

Sei Morikawa(1), Satoru Masubuchi(1,2), Rai
Quantum interference in a ballistic graphene n-pMoriya(1),n junction: from Fabry-Perot to edge channel
Kenji Watanabe(3), Takashi Taniguchi(3),interference
Tomoki Machida(1,2)(１)東大生研、(2)東大ナノ量子機
構、 (3)NIMS

10

単一プラズモニック粒子の光誘起マルチカラー変齋藤滉一郎、田邉一郎、立間徹
化

東大生研・光電子融合研究センター

11

銀薄膜上GaAsナノワイヤにおける表面プラズモン J. F. Ho (1),館林潤(1),S. Sergent(1),C.F.
ポラリトンのファブリ・ペローモードの観測
Fong(1),岩本敏(1,2),荒川泰彦(1,2)(1)東大ナノ量子機構、(2)東大生研

12金属クラスターを用いた光機能素子

東大生研・光電子融合研究センター

13

自己触媒法によるInP/InAsヘテロナノワイヤの作 Guoqiang Zhang (1),舘野功太 (1)、納富雅也
製及び光特性(1,2)、寒川哲臣 (1)、後藤秀樹 (1)(1)NTT物性基礎研、(2)NTT NPC

14

量子ドットナノワイヤ構造を用いた単一光子源の実現

權晋寛(1),太田泰友(2),渡邉克之(2),岩本敏(1,2),荒川泰彦(1,2)(1)東大生研、(2)東大ナノ量子機構

15

室温動作GaNナノワイヤ量子ドット単一光子源

マークホームズ(1)、崔琦鉉(1)、加古敏(2)、有(1)東大ナノ量子機構、(2)東大生研
田宗貴(1)、 荒川泰彦(1,2)

16GaN界面ゆらぎ量子ドットの形成と光電子物性

有田宗貴(1)、壹岐太一(2)、加古敏(2)、荒川泰彦(1,2)

17

光照射KFMによるCIGS太陽電池における光励起龍顯得(1)、峯元高志(3)、高橋琢二(1,2)
キャリア再結合プロセスの評価(1)東大生研、(2)東大ナノ量子機
構、(3)立命館大理工

18

中間バンド型量子ドット太陽電池の理論解析とその特性評価(1)東大ナノ量子機構、(2)東大生研、(3)シャープ19

ケルビンプローブフォース顕微鏡によるCIGS太陽石井智章(1)、峯元高志(3)、高橋琢二(1,2)
電池の物性評価

小見山雄一郎、阿部紘之、枝川圭一

吉峯功、佐藤琢哉、志村努

吉田健治(1)、坂田修一(1)、岡村直柔(1)、北川裕一(1)、石井和之(1)、平川一彦(1,2)

中村英司、古郷敦史、坂井伸行、立間徹

野澤朋宏 (1,2,3)、都木宏之（1,2）、渡邉克之（1）、荒川泰彦（1,2）

東大生研・光電子融合研究センター(１)東大生研・光電子融合研究セン
ター、 (2)東大ナノ量子機構(1)東大ナノ量子機構、(2)東大生産研・光電子融合研究センター(１)東大生研、(2)東大ナノ量子機
構、(3)立命館大理工2014年4月15日

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20

リプロン光散乱法によるソフト界面の分子ダイナミ
古賀俊行、美谷周二朗、酒井啓司
クス計測

東大生研

21

局在プラズモン共鳴による光電流増強東大生研・光電子融合研究センター

22

金属/MoS2/グラフェン縦型FET構造における巨大 守谷頼(1)、山口健洋(1)、井上義久(1)、増渕
電流変調と光-電子変換デバイスへの可能性
覚(1,2)、町田友樹(1,2)(1)東大生研、(2)東大ナノ量子機構

23

フタロシアニン錯体を用いた光電気化学的酸素還松本駿亮、石井和之
元

東大生研・光電子融合研究センター

24

合金ナノ粒子によるプラズモン誘起電荷分離

西弘泰、立間徹

東大生研・光電子融合研究センター

25

Non-radiative Recombination Property in CIGS
Solar Cells Investigated through Photothermal
Atomic Force Microscopy

Srivises Warithapol(1)、Takashi Minemoto(3)、 (1)東大生研、(2)東大ナノ量子機
Takuji Takahashi(1,2)
構、(3)立命館大理工26

Optical measurement of heat transfer in Si
nanostructuresJeremie Maire(1,2)、鹿毛雄太(1)、野村政宏(1,3)(１)東大生研CIRMM、(2)LIMMSCNRS/IIS、(3)東大ナノ量子機構

27

Stimulated Raman scatteringin silicon photonic crystal waveguides withmodified holes

Yi-Hua Hsiao(1), Satoshi Iwamoto(1,2), andYasuhiko Arakawa(1,2)(１)東大生研・光電子融合研究セン
ター、(2)東大ナノ量子機構

28

Si上に直接成長したGeの時間分解発光分光

加古敏(1), 小田克矢(2,3,4), 谷和樹(2,3,4), 井 (1)東大生研、 (2)PETRA、
戸立身(2,3,4), 荒川泰彦(1)(3)PECST、(4)日立中研

29(1)東大生研・光電子融合研究セン
Y. Zhang(1), K. Shibata(1,2), N. Nagai(1), C.
Terahertz response of single self-assembled InAs
Ndebeka-Bandou(1,3), G. Bastard(1,3), and K. ター、(2)東大ナノ量子機構、 (3)quantum dots
Ecole Normale SuperieureHirakawa(1,2)

30Graphene nanoribbon infrared bolometer

Miho Arai(1), Masahiro Onuki(1), Satoru
Masubuchi(1,2), and Tomoki Machida(1,2)(１)東大生研、(2)東大ナノ量子機構

31

ウェハ接合によるSi基板上InAs/GaAs量子ドット
レーザの進展田辺克明（１)、荒川泰彦(1,2)(１)東大ナノ量子機構、(2)東大生研・光電子融合研究センター

32

Electrically Pumped InAs/GaAs Quantum Dot
Lasers on Silicon-on-Insulator Substrate byMetal-Stripe Wafer Bonding

Y. H. Jhang(1), 田辺克明(2),岩本敏(1,2),荒川(1)東大生研、 (2)東大ナノ量子機構
泰彦(1,2)33

国橋要司(1)、眞田治樹（１)、後藤秀樹(1)、小GaAs量子井戸中をドリフトする電子スピンのゲート
野満恒二(1)、好田誠(2)、新田淳作(2)、寒川 (1)NTT物性基礎研、(2)東北大工
電界制御
哲臣(1)

34

アスコルビン酸検出用蛍光プローブの開発:TEMPOラジカル結合型フタロシアニン

横井孝紀、石井和之

東大生研・光電子融合研究センター

35

Growth of InAs/GaAs stacked quantum dots withhigh optical quality on Ge/Si substrate anddemostration of electroluminescence at 1.3 um
for silicon photonics application

Mohan Rajesh (1), Katsuaki Tanabe (1,2),
Satoshi Kako (1,2),
Makoto Miura (2,3), and Yasuhiko Arakawa(1,2,4)(1)東大ナノ量子機構、(2)PECST、(3)PETRA、(4)東大生研

川脇徳久、朝倉彰洋、渡邊智、立間徹

2014年4月15日