特別シンポジウム / Special Symposium

特別シンポジウム / Special Symposium﻿
特別シンポジウム / Special Symposium

国公私大の地域を超えた役割と連携：未来社会と応用物理 / Roles and Collaboration between National-Public-Private Universities across Nations
3/9(Sat.) 9:50 - 12:20
口頭講演 (Oral Presentation) W922 会場 (Room W922)
9:50		 9a-W922-1
開会の辞〇財満 鎭明 1, 2
1. 名大 , 2. 応用物理学会 会長
9:55		 9a-W922-2
企画の意図〇松尾 由賀利 1
1. 法政大10:00
招 9a-W922-3
国大・私大連携の道：私立の立場から、国公立の立場か 〇榊 裕之 1
1. 豊田工大ら
1
10:35
招 9a-W922-4
地方国立大学のこれからの役割〇渡辺 敦司
1. 教育ジャーナリスト
11:10		休憩 /Break
11:20		 9a-W922-5
総合討論〇松尾 由賀利 1, 榊 裕之 2, 渡辺 敦司 3, 奥村 次徳 4, 為 1. 法政大 , 2. 豊田工業大 , 3. 教育ジャーナリスト , 4. 東京
近 恵美 5, 喜多 隆 6
都立産業技術研究センター, 5. 横浜国立大 , 6. 神戸大
12:15		 9a-W922-6
閉会の辞〇中野 義昭 1
1. 東大
研究者を幸せにする環境とは―日本の研究力を最大化するために― / System and Environment to Make Researchers Happier3/9(Sat.) 13:20 - 17:20 口頭講演 (Oral Presentation) W922 会場 (Room W922)
13:20		 9p-W922-1
開会の挨拶〇馬場 俊彦 1, 2
1. 応用物理学会副会長 , 2. 横国大
13:25		 9p-W922-2
趣旨説明〇堂免 恵 1
1. 湧志創造1
13:35
招 9p-W922-3
何故青色 LED は日本で生まれたか
〇天野 浩
1. 名大
1, 2
14:05
招 9p-W922-4
アメリカの強み、日本の強み〇村山 斉
1.UC バークレー校 , 2. 東大カブリ数物
14:35
招 9p-W922-5
大学の研究力と研究環境〇大野 英男 1
1. 東北大15:05		休憩 /Break
15:20
招 9p-W922-6
日本の研究力向上について〇磯谷 桂介 1
1. 文科省15:50		休憩 /Break
1
2
3, 4
1
15:55		 9p-W922-7
パネルディスカッション〇末光 眞希 , 天野 浩 , 村山 斉 , 大野 英男 , 磯谷 1. 東北大 , 2. 名大 , 3.UC バークレー校 , 4. 東大カブリ数
桂介 5
物 , 5. 文科省
17:10		 9p-W922-8
パネルディスカッションまとめ〇末光 眞希 1
1. 東北大17:15		 9p-W922-9
閉会の挨拶〇堂免 恵 1
1. 湧志創造
異種領域融合のイノベーションを探る、国際システムデバイス技術ロードマップ (2019) / International Roadmaps on Systems and Devices 2019, Searching xenogeneic technology innovations
3/9(Sat.) 9:00 - 12:00
口頭講演 (Oral Presentation) W521 会場 (Room W521)
9:00
招 9a-W521-1
国際システムデバイス技術ロードマップ活動の概要〇林 喜宏 1
1. ルネサス
9:10
招 9a-W521-2
最新・次世代計算機を活用する高性能計算アルゴリズム 〇岩下 武史 1
1. 北大情基センター－計算電磁気学を例にー
1
9:30
招 9a-W521-3
コネクティビティ技術〇石黒 仁揮1. 慶應義塾大学
9:50
招 9a-W521-4 「特別招待講演」〇折井 靖光 1
1. 長瀬産業 ＮＶＣ室
脳型デバイスにおける次世代パッケージング技術
10:10
招 9a-W521-5
リソグラフィー技術〇石内 秀美 1
1.EIDEC
10:30
招 9a-W521-6
デバイスの微細高性能化〇福崎 勇三 1
1. ソニーセミコンダクタソリューションズ
10:50		休憩 /Break
11:00 招 E 9a-W521-7[Keynote Talk] 2D Materials and Devices for Smart Life 〇 Kaustav Banerjee1
1.Univ. of California, Santa Barbara
11:20
招 9a-W521-8
新デバイス・新材料〇秋永 広幸 1
1. 産総研ナノエレ部門
11:30
招 9a-W521-9
解析技術〇瀬島 幸一 1
1. ソニーセミコンダクタソリューションズ
1
11:40
招 9a-W521-10 高歩留り化技術〇嵯峨 幸一郎
1. ソニーセミコンダクタソリューションズ
11:50
招 9a-W521-11 ファクトリーインテグレーション〇真白 すぴか 1
1. 東京エレクトロン
急加速する “クルマの電動化” ～電池・パワー半導体・モータとシステムの協調開発～ / Accelerating Trend to Electrification of Vehicles - Concerned Development of Battery, Power
Semiconductor, Motor and System 3/9(Sat.) 13:00 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) 70A 会場 (Room 70A)
13:00		 9p-70A-1
趣旨説明〇財満 鎭明 1
1. 応用物理学会会長
13:10		 9p-70A-2
エレクトロニクス実装学会の紹介〇益 一哉 1
1. エレクトロニクス実装学会会長
13:20
招 9p-70A-3車の電動化・知能化に向けた実装技術動向と品質課題〇堀井 良和 1
1. 日産自動車
14:10
招 9p-70A-4
デンソーにおける車両の電動化技術〇田中 政一 1
1. デンソー1
14:40
招 9p-70A-5
電動車に向けた全固体電池の開発動向〇高田 和典1. 物材機構
1
15:10
招 9p-70A-6
クルマの電動化で求められるパワーデバイス性能と SiC 〇寺島 知秀
1. 三菱電機デバイスによる性能向上への期待
15:40		休憩 /Break16:00
招 9p-70A-7
電動車向けパワーモジュールの実装技術〇門口 卓矢 1
1. トヨタ自動車
16:30
招 9p-70A-8
SiC インバータを用いた機電一体インホイールモータ〇赤津 観 1
1. 芝浦工大
17:00
招 9p-70A-9
シミュレーションドリブンによる EV の電源系，駆動系に 〇白石 洋一 1, 茂木 和弘 1
1. 群馬大学
おける制御システムの設計
インフォマティクス活用の時代 / Present and future on imfomatics technologies
3/10(Sun.) 13:00 - 17:20 口頭講演 (Oral Presentation) 70A 会場 (Room 70A)
13:00		 10p-70A-1
趣旨説明〇西川 恒一 1
1. 豊田中央研究所
13:05
招 10p-70A-2
富士フイルムにおけるインフォマティクスを用いた材料 〇井野 雄介 1
1. 富士フイルム
開発
13:35
招 10p-70A-3
材料開発における AI 戦略とスピントロニクスへの応用〇澤田 亮人 1, 岩崎 悠真 1, 石田 真彦 1
1.NEC 中央研
14:05
招 10p-70A-4
ハイスループット実験と機械学習を活用した蓄光材の長 〇間 広文 1, 祖父江 進 2, 田島 伸 1, 旭 良司 1
1. 豊田中研 , 2. デンソー
寿命化検討
14:35		休憩 /Break
14:50
招 10p-70A-5
マテリアルズ・インフォマティクスを適用した低熱伝導 〇高橋 憲彦 1, 劉 宇 1, 金田 千穂子 1
1. 富士通研
率 Si/Ge 積層構造の探索
1
2
1
1
15:20
招 10p-70A-6
統計的機械学習を活用した酸化物薄膜の材料探索～実験 〇若林 勇希 , 大塚 琢馬 , 谷保 芳孝 , 山本 秀樹 , 澤 1.NTT 物性研 , 2.NTTCS 研
家によるインフォマティクスの活用体験～
田 宏2
15:50
招 10p-70A-7
統計的機械学習による製造プロセスの高度化〇髙田 正彬 1
1.( 株 ) 東芝
16:20		 10p-70A-8
パネルディスカッション〇児玉 聡 1, 井野 雄介 2, 澤田 亮人 3, 間 広文 4, 高橋 憲 1.NTT 先端集積デバイス研 , 2. 富士フイルム , 3.NEC 中
567
彦 , 若林 勇希 , 髙田 正彬
央研 , 4. 豊田中研 , 5. 富士通研 , 6.NTT 物性研 , 7. 東芝
ここが変だよ，日本の研究環境 / How can we improve our research environment?
3/10(Sun.) 13:00 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) W242 会場 (Room W242)
13:00		 10p-W242-1 はじめに
〇小川 賀代 1
1. 男女共同参画委員会委員長
13:05		 10p-W242-2 会長挨拶
〇財満 鎭明 1
1. 応用物理学会会長
1
13:10
招 10p-W242-3 「基調講演」〇高橋 雅英1. 名大医名古屋大学における女性研究者活躍推進に向けた取り組
みと課題
13:55
招 10p-W242-4 「基調講演」〇加藤 一実 1
1. 産総研私の歩んだ道、溶液化学を基軸にしたナノ強誘電体の開発
14:40
招 10p-W242-5 日本とフィンランドにおける『働き方』の違い ～ 社会 〇坂根 シルック 1
1. 東京農工大学の背景や価値観から考える
1
15:10
招 10p-W242-6 海外へ⾏くと研究が捗る︖ 〜研究の効率を上げる環境と 〇根本 香絵
1. 国情研は〜シンポジウム / Symposium
15:40		16:10		 10p-W242-7

休憩 /Break
パネルディスカッション〇小川 賀代 1, 財満 鎭明 2, 高橋 雅英 3, 加藤 一実 4, 坂 1. 男女共同参画委員会委員長 , 2. 応用物理学会会長 ,根 シルック 5, 根本 香絵 6
3. 名大医 , 4. 産総研 , 5. 東京農工大 , 6. 国情研
就活生必見！知ってますか？エレクトロニクス産業が拡大し続けていることを！ ～日本が支える世界のスマート化社会と若手エンジニアが語る「やりがい」～ /Growing Japanese Electronics Industry – Take A Look at Motivated Engineers to Make A Smart Society!
3/11(Mon.) 10:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W241 会場 (Room W241)
10:00		 11a-W241-1 開催の挨拶〇財満 鎭明 1, 2
1. 応用物理学会会長 , 2. 名大10:05
招 11a-W241-2 「基調講演」〇西山 彰 1
1. 東芝メモリ
社会を支える半導体、これからの進化
1
10:30
招 11a-W241-3 「基調講演」〇関口 章久
1. 東京エレクトロン
最先端技術 AI を可能にした半導体装置
10:55
招 11a-W241-4 異分野から半導体業界へのチャレンジ〇平田 瑛子 1
1. ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
11:05
招 11a-W241-5 学生時代の研究活動から現在までの経験談〇福田 真大 1
1. 日立ハイテクノロジーズ
11:15
招 11a-W241-6 半導体市場における計測・制御機器メーカの役割と私の 〇中井 淳也 1
1. 堀場エステック
仕事
11:25
招 11a-W241-7 " まず 3 年働け " ？半導体の業界で働いた 3 年間を振り返 〇秋元 一志 1
1. テラダイン株式会社
る
11:35
招 11a-W241-8 大学・企業での面白さ〇上野 智大 1
1. アドバンテスト
11:45
招 11a-W241-9 半導体業界で働くということ - 入社 5 年目の女性研究員 〇山口 まりな 1
1. 東芝メモリが感じるやりがい、そして夢
11:55		 11a-W241-10 閉会の挨拶〇渡部 潔 1
1.SEAJ 専務理事

シンポジウム / Symposium﻿

シンポジウム / Symposium

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology
S1 環境・エネルギーを意識した物理教育を考える / Physics education on environment and energy
3/10(Sun.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W935 会場 (Room W935)
9:30
招 10a-W935-1 Society5.0 を意識したエネルギー・環境学習の多相・多 〇高木 浩一 1
域展開
10:00
招 10a-W935-2 工業高校の課題研究における水素エネルギーを利用した 〇雨貝 健一 1
物理教育の実践
10:30		休憩 /Break10:45
招 10a-W935-3 宮古島における環境・エネルギー教育〇儀間 朝宜 1
11:15
招 10a-W935-4 沖縄島嶼地域におけるエネルギー理科教育の在り方〇中川 鉄水 1, 福本 晃造 2, 小池 佳代 3, 藤井 克司 3
～高等教育機関の立場から～
11:45
招 10a-W935-5 物理に苦手意識を持つ人達への物理現象の説明〇葛生 伸 1～ エネルギー環境教育・啓発活動を通じた物理現象理解促進の試み ～
2 放射線 / Ionizing Radiation
S2 計測標準から見る計測・測定技術 / Recent topics in measurement standards
3/10(Sun.) 13:45 - 16:55 口頭講演 (Oral Presentation) S011 会場 (Room S011)
13:45
招 10p-S011-1 温度の標準と精密計測への応用〇中野 享 1
14:20
招 10p-S011-2 産総研における線量標準の現状〇黒澤 忠弘 1
14:55
招 10p-S011-3 プランク定数にもとづくキログラムの新しい定義〇藤井 賢一 1

1. 岩手大理工
1. 川越工高

1. 宮古高校
1. 琉球大理 , 2. 琉球大教 , 3. 理研光量子
1. 福井大院工1. 産業技術総合研究所
1. 産総研1. 産業技術総合研究所 計量標準総合センター 工学計測標準研究部門

15:30		休憩 /Break
15:45
招 10p-S011-4 測光・放射標準（光の標準）―精密計測と関連技術〇雨宮 邦招 1
1. 産総研16:20
招 10p-S011-5 光周波数コムの国際単位系（SI）への応用〇稲場 肇 1
1. 産総研3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
S3 多様な光ファイバセンシング技術 / Various Applications of Fiber-optic Sensing Technology
3/10(Sun.) 13:30 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) M135 会場 (Room M135)
13:30
招 10p-M135-1 光周波数領域反射計を用いた分布型光ファイバセンサと 〇村山 英晶 1, 井川 寛隆 2, 和田 大地 2
1. 東大新領域 , 2.JAXA
その応用
14:00
招 10p-M135-2 建設分野における分布型光ファイバセンサの活用〇今井 道男 1, 曽我部 直樹 1, 早坂 洋太 2
1. 鹿島技術研究所 , 2. リテック
14:30
招 10p-M135-3 光ファイバセンサの社会実装とヘテロコア技術の展開〇渡辺 一弘 1, 関 篤志 1, 山崎 大志 1, 小山 勇也 1, 西山 1. 創価大理工 , 2. コアシステムジャパン
1
2
道子 , 佐々木 博幸
15:00
招 10p-M135-4 JAXA 研究開発部門の光ファイバジャイロに関わる研究開 〇水谷 忠均 1, 巳谷 真司 1, 児子 健一郎 1
1.JAXA発活動
15:30		休憩 /Break
15:45
招 10p-M135-5 誘導ブリルアン散乱を用いた数モードファイバ評価技術 〇小田 友和 1, 中村 篤志 1, 飯田 大輔 1, 押田 博之 1
1.NTT
16:15
招 10p-M135-6 膨潤性ポリマーを用いたリーキー・導波変換型 POF セン 〇鈴木 裕 1, 森澤 正之 1
1. 山梨工情メカ
サの開発
16:45
招 10p-M135-7 Frequency measurement using optical frequency comb 〇 Tomoyuki Uehara1, 2, Kenichiro Tsuji1
1.Nat. Def. Acad., 2.Univ. Florida
and HCN stabilized laser
S4 光プロセスの基礎過程に迫る計測・モニタリング技術の進展 / Progress of characterization and monitoring techniques that reveal fundamental of light process
3/10(Sun.) 13:30 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) M114 会場 (Room M114)
13:30
招 10p-M114-1 355 nm レーザーと高速 FT-IR を組み合わせたステレオリ 〇瀧 健太郎 1
1. 金沢大学機械
ソグラフィー用 UV 硬化樹脂の硬化挙動の解析
1
1
14:00
招 10p-M114-2 レーザープロセスの基礎過程解明にむけた大規模データ 〇谷 峻太郎 , 小林 洋平
1. 東大物性研
解析
14:30
招 10p-M114-3 高輝度 X 線を用いたレーザー照射時の粉末粒子の溶融挙 〇佐藤 雄二 1, 塚本 雅裕 2, 菖蒲 敬久 1, 村松 壽晴 1
1. 日本原子力機構 , 2. 阪大接合研
動観察とスパッタレス SLM 法の開発
15:00		休憩 /Break
15:15
招 10p-M114-4 フェムト秒レーザー生成現象の時間分解ディジタルホロ 〇早崎 芳夫 1
1. 宇大オプティクス
グラフィ
15:45
招 10p-M114-5 レーザーアブレーション現象の短パルスレーザー照明を 〇山岸 里枝 1
1. 福岡工大
用いた可視化観察
1, 3
1
1
1
16:15		 10p-M114-6 時間分解解析を用いたレーザー照射によるレジスト剥離 〇 (B) 西岡 直樹 , 梅田 悠史 , 船本 祐介 , 島 大地 , 1. 大阪工業大学 , 2. 大阪市立大学 , 3. 大阪大学
現象の解明 II
神村 共住 1, 堀邊 英夫 2, 吉村 政志 3, 中村 亮介 3
16:30		 10p-M114-7 波長掃引光源を用いた光干渉断層法によるフェムト秒〇長谷川 智士 1, 藤本 正俊 2, 早崎 芳夫 1
1. 宇都宮大 , 2. 浜松ホトニクス
レーザー加工の穴深度のインプロセス計測
16:45		休憩 /Break
17:00
奨 10p-M114-8 高電子密度領域への選択的光吸収によるガラスの超高速 〇伊藤 佑介 1, 吉﨑 れいな 1, 宮本 直之 1, 柴田 章広 2, 1. 東大院工 , 2.AGC 株式会社
微細精密レーザ加工
長澤 郁夫 2, 長藤 圭介 1, 杉田 直彦 1
17:15		 10p-M114-9 任意波形ナノ秒パルスレーザー加工系の開発〇 (M1) 遠藤 翼 1, 谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
1. 東大物性研
17:30		 10p-M114-10 レーザー照射によるガラス破壊現象の多変量パルス毎イ 〇 (M1) 島原 光平 1, 谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
1. 東大物性研
メージング
17:45		 10p-M114-11 金属におけるフェムト秒レーザーアブレーションの二温 〇田中 悠太 1, 常行 真司 1, 2
1. 東大院理 , 2. 東大物性研度モデル分子動力学計算

シンポジウム / Symposium
18:00		 10p-M114-12 光渦パルスによる Si ドロップレット飛翔の挙動観察﻿
シンポジウム / Symposium〇 (M1) 大島 広暉 1, 脇山 祐一朗 1, 川本 実季 1, 東畠 1. 九大シス情三洋 1, 池上 浩 1, 中村 大輔 1
S5 ナノ物質光マニピュレーションが拓く新奇現象・機能・技術 / Nano-Material optical-manipulations open up novel phenomena, functions and technologies
3/11(Mon.) 13:30 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) M135 会場 (Room M135)
13:30
招 11p-M135-1 共鳴非線形光学応答によるナノ微粒子の光圧スイッチ〇石原 一 1
1. 阪大基工 / 阪府大工14:00
招 11p-M135-2 テーパーファイバーを用いたナノ粒子操作〇藤原 英樹 1, 笹木 敬司 1
1. 北大電子研
14:30
招 11p-M135-3 光波の強度・偏光・位相の空間分布制御と光マニピュレー 〇小澤 祐市 1, 2, 佐藤 俊一 1
1. 東北大多元研 , 2.JST さきがけ
ション応用
15:00
招 11p-M135-4 近接場光と単一分子の相互作用の原子スケール解析：〇今田 裕 1, 2
1. 理研 , 2.JST さきがけ
単一分子の光マニピュレーションに向けて
1
1, 2
1
15:30
奨 11p-M135-5 金属ナノ構造による第二高調波の一方向放射制御と非線 〇木村 友哉 , 田中 嘉人 , 志村 努
1. 東大生研 , 2.JST さきがけ
形光圧への展開
15:45		 11p-M135-6 広域な光捕捉ナノ粒子集団における円偏光に起因した粒 〇垰 幸宏 1, 松浦 朋輝 2, 横山 知大 1, 石原 一 1, 2
1. 阪大院基礎工 , 2. 大阪府大院工
子の回転運動1
16:00		 11p-M135-7 光の Liouville-Neumann 方程式〇 (D) 大上 能悟
1. インペリアル・カレッジ・ロンドン
16:15		休憩 /Break
16:30
招 11p-M135-8 角運動量を持つ光波による物質操作〇尾松 孝茂 1
1. 千葉大院工17:00
招 11p-M135-9 プラズモントラッピングによるキラル結晶化とキラリ〇杉山 輝樹 1, 2
1. 国立交通大理 , 2. 奈良先端大物質
ティーの制御1
17:30
招 11p-M135-10 ナノ物質操作を実現するノンプラズモニック NASSCA 光 〇坪井 泰之
1. 大阪市大院理
ピンセット
18:00
招 11p-M135-11 光熱変換によって局所加熱された気液界面の力学〇名村 今日子 1, 鈴木 基史 1
1. 京大院・工18:30		 11p-M135-12 レーザー誘起マイクロバブル近傍における反応場の評価 〇藤井 翔 1, 2, 山田 真司 2, 喜多村 曻 1, 2
1. 北大院理 , 2. 北大総化
1, 2
2
18:45		 11p-M135-13 界面での光捕捉によるハロゲン化鉛ペロブスカイトの合 〇柚山 健一 , イスラム ジャヒダル , ビジュ バス 1. 北大電子研 , 2. 北大環境科学
成と改変
デバンピライ 1, 2
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
11 超伝導 / Superconductivity
S6 量子センシング ～ 究極の感度を求めて ～ / Quantum sensing toward ultimate sensitivity
3/9(Sat.) 13:30 - 18:35 口頭講演 (Oral Presentation) M111 会場 (Room M111)
13:30
招 9p-M111-1 超伝導量子回路を用いた表面弾性波の超高感度検出〇野口 篤史 1, 2
1. 東大 , 2.JST さきがけ
14:00
招 9p-M111-2 超伝導量子テクノロジーを用いた超高感度スピン共鳴〇久保 結丸 1, 2, ビアンフェ オードレー3, プラ ジャ 1. 沖縄科技大 , 2.JST さきがけ , 3. サクレー研 , 4. ロンド
リード 4, モルトン ジョン 4, ベルテ パトリス 3
ン大14:30
招 9p-M111-3 超伝導量子回路によるスピンセンシング〇樋田 啓 1, P. Budoyo Rangga1, 松崎 雄一郎 1, 角柳 1.NTT 物性基礎研
孝輔 1, J. Munro William1, 山口 浩司 1, 齊藤 志郎 1
15:00
招 9p-M111-4 ワイドギャップ半導体を用いた固体量子センサの可能性 〇波多野 睦子 1, 岩崎 孝之 1
1. 東工大15:30 奨 E 9p-M111-5
Best magnetic-field sensitivities with single NV centres at 〇 Ernst David Herbschleb1, Hiromitsu Kato2, Yuichi 1.Kyoto Univ., 2.AIST
1
1
2
room temperature
Maruyama , Takuya Danjo , Toshiharu Makino ,Satoshi Yamasaki2, Izuru Ohki1, Kan Hayashi1, Hiroki
Morishita1, Masanori Fujiwara1, Norikazu Mizuochi1
15:45
奨 9p-M111-6
ダイヤモンド NV 中心による量子情報デバイスの実現に 〇田宮 志郎 1, 倉見谷 航洋 1, 古賀 悠太 1, 石坂 泰一 1, 1. 横浜国大院理工向けたハミルトニアンラーニング
松田 一泰 1, 小坂 英男 1
16:00		休憩 /Break16:20
招 9p-M111-7 半導体量子状態を用いた核スピン計測〇平山 祥郎 1, 2, 3
1. 東北大理 , 2. 東北大 CSIS（Core Research Cluster）,
3. 東北大 CSRN
16:50
招 9p-M111-8 歪を介したメカニカル素子と核スピンの動的結合と計測 〇岡崎 雄馬 1
1. 産総研応用
17:20
招 9p-M111-9 スピン集団におけるマクロな量子もつれ状態の生成と精 〇湯川 英美 1
1. 理研
密測定への応用
17:50
招 9p-M111-10 ナノギャップ電極を用いた単一分子・単一原子のテラヘ 〇平川 一彦 1, 杜 少卿 1, 吉田 健治 1, 張 亜 1, 2, 唐 九
1. 東大生研・ナノ量子機構 , 2. 東京農工大
ルツ極限センシング
君 1, 鶴谷 拓磨 1
1, 2
1
1
1
18:20		 9p-M111-11 超伝導 NbTiN ナノワイヤを用いた単一光子検出技術の開 〇三木 茂人 , 宮嶋 茂之 , 藪野 正裕 , 知名 史博 , 1. 情通機構 , 2. 神戸大 , 3. 名大 , 4.JST さきがけ発
山下 太郎 3, 4, 寺井 弘高 1
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
S7 陽電子回折による表面科学の新展開と高速化データ駆動科学 / Surface Science Innovation by Positron Diffraction and High Performance Data Driven Science
3/9(Sat.) 13:30 - 17:55 口頭講演 (Oral Presentation) W833 会場 (Room W833)
13:30
招 9p-W833-1
KEK 物構研低速陽電子実験施設の陽電子回折ステーショ 〇兵頭 俊夫 1
1.KEK 物構研
ン
14:00
招 9p-W833-2
陽電⼦回折における⾼速化データ駆動科学〇星 健夫 1
1. 鳥取大学院工14:30
招 9p-W833-3
全反射高速陽電子回折（TRHEPD）方位角プロット法に 〇望月 出海 1, 深谷 有喜 2, 一宮 彪彦 1, 兵頭 俊夫 1
1.KEK 物構研 , 2. 原子力機構先端基礎よるチタニア表面構造解析
15:00		 9p-W833-4
InP(111)A-(1 × 1) の圧縮表面二重層に対する RHEED 波 〇堀尾 吉已 1, 柚原 淳司 2, 高桑 雄二 3
1. 大同大工 , 2. 名大院工 , 3. 東北大多元研動場
15:15
招 9p-W833-5
低速陽電⼦回折法の特徴と新規開発装置によるイニシャ 〇和田 健 1
1. 量研高崎
ルデータの解析
15:45		休憩 /Break
15:55
招 9p-W833-6
ベイズ推論が繋ぐ陽電子回折と表面構造解析〇中西（大野）義典 1, 2
1. 東大総文 , 2.JST さきがけ
16:25
招 9p-W833-7
全反射高速陽電子回折による 2 次元物質の構造決定〇深谷 有喜 1
1. 原子力機構先端基礎研
1
2
3
4
16:55
招 9p-W833-8
全反射高速陽電子回折による 2 層グラフェン層間化合物 〇高山 あかり , 遠藤 由大 , 深谷 有喜 , 望月 出海 , 1. 早大先進理工 , 2. 東大理 , 3. 原子力機構先端基礎研 ,
4
2
の構造解析
兵頭 俊夫 , 長谷川 修司
4.KEK 物構研
17:25
招 9p-W833-9
固体表面上単原子層におけるディラック電子系の進化〇松田 巌 1
1. 東大物性研
S8 新デバイス・材料開発のためのナノスケール 2 次元 /3 次元分析 (II) / Nanoscale 2D/3D analyses for new device and materials development II
3/10(Sun.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) W933 会場 (Room W933)
13:30
招 10p-W933-1 デバイスから見た 2D/3D ナノ計測の必要性〇臼田 宏治 1
1. 東芝メモリ
14:00		 10p-W933-2 周波数変調走査型容量原子間力顕微鏡 (FM-SCFM) によ 〇横町 伝 1, 院南 晧一 1, 小林 圭 1, 山田 啓文 1
1. 京大工る有機薄膜トランジスタのキャリアダイナミクス評価
14:15
招 10p-W933-3 原子間力顕微鏡によるナノスケール表面下構造イメージ 戸野 博史 1, 木村 邦子 1, 小林 圭 1, 〇山田 啓文 1
1. 京大院工ング
1
14:45
招 10p-W933-4 超音波原子間力顕微鏡によるナノ領域弾性特性評価法〇辻 俊宏
1. 東北大15:15
奨 10p-W933-5 イオン散乱分光法 (CAICISS) を用いた LaAlO3(001) 基板 〇李 智蓮 1, Kim Jeong Rae2, 3, Mun Junsik2, 4, Kim
1. 東大物性研 , 2.CCES, IBS, 3. ソウル大物理天文学部 ,の終端面解析
Yoonkoo2, 4, Shin Yeong Jae2, 3, Kim Bongju2, 3, Das
4. ソウル大新素材研 , 5. 蔚山大Saikat2, 3, Wang Lingfei2, 3, Kim Miyoung2, 4, Kim Tae
52, 31
Heon , Noh Tae Won , リップマー ミック
15:30		休憩 /Break
15:45
招 10p-W933-6 ミラー電子顕微鏡による SiC ウェハ表面微小欠陥検出〇長谷川 正樹 1, 小林 健二 1, 兼岡 則幸 1, 尾方 智彦 1, 1. 日立ハイテク
大平 健太郎 1, 川上 和弘 1, 郡司 毅志 1, 小貫 勝則 1

シンポジウム / Symposium

シンポジウム / Symposium

﻿

16:15

招 10p-W933-7 光電子ホログラフィーによる半導体中の不純物の 3 Ｄ原子イメージング〇筒井 一生 1, 松下 智裕 2, 名取 鼓太郞 1, 小川 達博 1, 1. 東工大 , 2. 高輝度光科学研究センター, 3. 阪大 , 4. 名工
室 隆桂之 2, 森川 良忠 3, 星井 拓也 1, 角嶋 邦之 1, 若林 大 , 5. 分子研
整 1, 林 好一 4, 松井 文彦 5, 木下 豊彦 2
16:45
招 10p-W933-8 硬 X 線 XPS によるオペランド分析〇山下 良之 1
1. 物材件17:15
招 10p-W933-9 X 線によるデバイス構造および格子欠陥の三次元観察〇表 和彦 1, 伊藤 義泰 1
1. リガク X 線研究所
S9 計算機による物性予測と酸化物機能の開拓 / Frontier in oxide materials with predictive materials design
3/11(Mon.) 13:30 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) W241 会場 (Room W241)
13:30
招 11p-W241-1 第一原理計算と機械学習〇小口 多美夫 1
1. 阪大産研
14:00
招 11p-W241-2 第一原理計算によるトポロジカル物性予測〇是常 隆 1
1. 東北大理
1, 2
14:30
招 11p-W241-3 酸化物物性の系統的計算〇熊谷 悠
1. 京大工 , 2.JST さきがけ
15:00		休憩 /Break
15:15
招 11p-W241-4 新半導体物質の探索研究における実験現場での計算科学 〇平松 秀典 1, 2, 飯村 壮史 1, 神谷 利夫 1, 2, 細野 秀
1. 東工大フロンティア研 , 2. 東工大元素戦略セの活用
雄 1, 2
15:45
招 11p-W241-5 ナノ界面構造のフォノン輸送物性の予測、評価、制御〇塩見 淳一郎 1
1. 東大工16:15
招 11p-W241-6 産業分野における計算科学技術を駆使した酸化物材料の 〇檜貝 信一 1, 2, 3, 4
1. 村田製作所 , 2.CAMM フォーラム , 3.AIMaP, 4.
機能物性の理解、予測、設計
ADMAT
16:45
招 11p-W241-7 マテリアルズインフォマティクスに基づく物質合成〇後藤 真宏 1
1. 物材機構
8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
S10 カーボン系材料プラズマプロセスの現状と課題 / Carbon related materials and plasma processing; state of the art and subjects
3/10(Sun.) 13:30 - 16:25 口頭講演 (Oral Presentation) M103 会場 (Room M103)
13:30		 10p-M103-1 はじめに
〇山田 英明 1
1. 産総研13:35
招 10p-M103-2 DLC 成膜技術の最新事情と今後の展望〇平塚 傑工 1
1. ナノテック株式会社
1
14:05
招 10p-M103-3 高 AR 孔 / 溝絶縁膜加工を実現するカーボン材料への期待 〇渡邉 桂
1. 東芝メモリ
1
1
1, 2
14:35
招 10p-M103-4 炭素材料のプラズマ反応素過程の分子シミュレーション 〇伊藤 篤史 , 高山 有道 , 中村 浩章
1. 核融合研 , 2. 名大院工15:05		休憩 /Break
15:10
招 10p-M103-5 グラフェンナノリボンの集積化合成と不揮発性メモリ応 〇加藤 俊顕 1, 2, 鈴木 弘朗 1, 金子 俊郎 1
1. 東北大院工 , 2.JST さきがけ用に向けたプラズマプロセス
1
1
2
2
15:40
奨 10p-M103-6 リモート酸素プラズマ照射によるグラフェンの〇杉浦 啓嗣 , 近藤 博基 , 樋口 公孝 , 荒井 重勇 , 堤 1. 名大院工 , 2. 名大未来材料・システム研究所 , 3. 名大layer-by-layer エッチング過程のその場透過電子顕微鏡観 隆嘉 1, 石川 健治 1, 堀 勝 3
未来社会創造機構
察15:55
招 10p-M103-7 ダイヤモンドエレクトロニクスにおけるプラズマプロセ 〇波多野 睦子 1, 岩崎 孝之 1
1. 東工大スの重要性
10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics
S11 IoT/IoH 時代にむけたスピンデバイス / Spin Devices for the IoT/IoH Era
3/10(Sun.) 13:30 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
13:30
招 10p-M101-1 TMR 効果を応用した生体用高感度磁気センサ技術〇熊谷 静似 1
1. スピンセンシングファクトリー株式会社
14:00
招 10p-M101-2 スピントロ二クス技術を用いた高感度ひずみ検知素子の 〇藤 慶彦 1, 東 祥弘 1, 岡本 和晃 1, 馬場 祥太郎 1, 増西 1. 東芝
開発と IoT センサデバイスへの展開
桂 1, 永田 友彦 1, 加治 志織 1, 湯澤 亜希子 1, 小野 富
男 1, 原 通子 1
14:30
招 10p-M101-3 フレキシブルスピントロニクスを基軸とした IoT/IoH 展 〇千葉 大地 1
1. 東大物工開に向けた取り組み
15:00		休憩 /Break
15:15
招 10p-M101-4 超低エネルギー駆動光ルータ〇庄司 雄哉 1, 水本 哲弥 1
1. 東工大15:45 招 E 10p-M101-5 Device Oscillation and Media AC-field Response of〇 Thao A Nguyen1, Ian McFadyen1, Zheng Gao1,
1.Western Digital Corp
MAMR
Terence Lam1, Daniel Bai1, Masato Shiimoto1,
1
1
1
Mrugesh Desai , Terry Olson , Prakash Manu ,Paul Dorsey1
16:15
招 10p-M101-6 超省電力スピントロニクスデバイスの開発：安全・安心・ 〇佐橋 政司 1, 2, 遠藤 哲郎 2, 湯浅 新治 3, 與田 博明 4, 5, 1. 科学技術振興機構 , 2. 東北大 , 3. 産総研 , 4. 東芝
持続可能な高度知的エコ社会の実現に向けて藤田 忍 4, 深見 俊輔 2, 大野 英男 2
R&DC, 5.S.O.T., Inc.
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
S12 コロイド量子ドット研究の現状と展望 / Colloidal Quantum Dots: Fundamentals and Applications
3/10(Sun.) 13:30 - 17:40 口頭講演 (Oral Presentation) M111 会場 (Room M111)
13:30
招 10p-M111-1 量子ドットの低欠陥化と光励起キャリアダイナミクスお 〇沈 青 1
1. 電通大情報理工
よび光電変換デバイスへの応用
1
1
1, 2
14:00
招 10p-M111-2 コロイド量子ドットを用いた赤外光電変換と超高効率太 〇久保 貴哉 , 王 海濱 , 瀬川 浩司
1. 東大先端研 , 2. 東大院総合文化
陽電池への可能性
14:30 奨 E 10p-M111-3 Lead Selenide Colloidal Quantum Dot Solar Cells〇 (P)Yaohong Zhang1, Guohua Wu2, Chao Ding1,
1.Univ. of Electro-Commun., 2.Shaanxi Normal Univ.,
Achieving High Open-Circuit Voltage with One-Step
Feng Liu1, Zhigang Zou3, Shuzi Hayase4, Qing Shen1 3.Nanjing Univ., 4.Kyushu Inst. Tech.
Deposition Strategy
14:45 招 E 10p-M111-4 Carrier Doping and Assembly Control of Colloidal〇 Satria Zulkarnaen Bisri1, 2
1.RIKEN - CEMS, 2.Tokyo Inst. of Tech.
Quantum Dot Solids for Energy Harvesting Devices
15:15 奨 E 10p-M111-5 Optical and Electronic Transport Properties of Solvent〇 (DC)Liming Liu1, 2, Satria Bisri1, Yasuhiro Ishida1, 1.RIKEN, 2.The Univ. of TokyoMediated Self-Assembly of Lead Sulfide Nanocrystals
Yoshihiro Iwasa1, 2, Takuzo Aida1, 2
15:30		休憩 /Break
15:40
招 10p-M111-6 異なる TiO2 結晶面に吸着した半導体量子ドットの光吸収 〇豊田 太郎 1, 沈 青 1, 神山 慶太 2, 早瀬 修二 3
1. 電通大基盤理工 , 2. 分光計器（株）, 3. 九工大と Urbach 則ー光熱変換法と吸光度法による評価ー
16:10
招 10p-M111-7 コロイダル量子ドットの光物性と今後の展開〇金 大貴 1
1. 大阪市大院工16:40
招 10p-M111-8 発光特性改善のための量子ドット表面修飾〇上松 太郎 1
1. 阪大院工17:10
招 10p-M111-9 アニオン・配位子置換によるペロブスカイト量子ドット 〇千葉 貴之 1, 林 幸宏 1, 保志 圭吾 1, 城戸 淳二 1
1. 山形大院有機シス
LED の高性能化
S13 物質に内在する学習・最適化能力を活用するマテリアル知能科学 / Science of the Material Intelligence: Bringing out the Intrinsic Learning and Optimization Capabilities of Materials
3/10(Sun.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) W810 会場 (Room W810)
13:30		 10p-W810-1 マテリアル知能科学：物質に内在する学習・最適化機能 〇松本 卓也 1
1. 阪大の発現を目指して
13:45
招 10p-W810-2 ニューロモルフィック工学とマテリアル〇浅井 哲也 1
1. 北大情科研
14:15
招 10p-W810-3 シナプス・ニューロン模倣素子用新材料技術の開発〇長谷川 剛 1
1. 早大先進理工
14:45		休憩 /Break
15:00		 10p-W810-4 SWNT/ ポリ酸ランダムネットワークによる脳型パルス 〇田中 啓文 1
1. 九州工業大学
発生
15:15
招 10p-W810-5 学習するマテリアル ～ニューラルネットワーク構築～〇赤井 恵 1, 2
1. 阪大院工 , 2.JST さきがけ
15:45
招 10p-W810-6 粘菌アメーバに学ぶヤワラカいコンピューティングとロ 〇青野 真士 1, 2
1. 慶大環境情報 , 2.Amoeba Energy（株）
ボット
16:15		休憩 /Break
16:30
招 10p-W810-7 最適化問題を解く電子アメーバとその応用〇葛西 誠也 1, 青野 真士 2, 斉藤 健太 1, 末藤 直樹 1
1. 北大量子集積センター, 2. 慶大環境情報
17:00
招 10p-W810-8 脳組織に内在する知能の源泉〇高橋 宏知 1
1. 東大先端研
1
17:30
招 10p-W810-9 脳の情報処理メカニズムを応用した情報通信システム〇若宮 直紀1. 阪大

シンポジウム / Symposium﻿
シンポジウム / Symposium

S14 ナノバイオ分野での実験と計算の連携・融合：脂質膜と膜タンパク質 / Interplay and integration of experiments and calculations in nanobiotechnology: lipid membrane and membraneproteins
3/11(Mon.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) M121 会場 (Room M121)
13:30
招 11p-M121-1 FMO-DPD 手法の開発と脂質・タンパク質への応用〇望月 祐志 1, 2, 奥脇 弘次 1, 土居 英男 3, 小沢 拓 4, 福 1. 立教大 , 2. 東大生研 , 3. 産総研 , 4.( 株 )JSOL, 5. 星薬科
澤 薫 2, 5, 泰岡 顕治 6
大 , 6. 慶応大
14:00
招 11p-M121-2 脂質二重膜と膜タンパク質の分子動力学シミュレーショ 〇泰岡 顕治 1, 山本 詠士 1
1. 慶應大理工ン
14:30
招 11p-M121-3 3 次元フォースマッピング法による生体分子間相互作用 杉本 千奈 1, 木南 裕陽 1, 小林 圭 1, 〇山田 啓文 1
1. 京大院工力の可視化
1
2
15:00		 11p-M121-4 膜融合の直接可視化
山田 雅人 , 〇渡邉 力也
1. 東大 工 , 2. 理研 CPR
15:15		 11p-M121-5 表面修飾基板上での脂質二分子膜形成と膜タンパク質再 〇茂木 俊憲 1, 2, 星野 弘行 1, 坂本 広太 3, 林 史夫 3, 園 1. 群馬大院理工 , 2. 群馬大食健康科学セ , 3. 群馬大機器
構成系への応用山 正史 1, 2
分析セ
15:30		休憩 /Break
1
1
1
1
15:45
招 11p-M121-6 脂質二重膜での分子間相互作用とドメイン形成〇村田 道雄 , 矢野 陽 , 安田 智一 , 土川 博史 , 花島 1. 阪大院理 , 2.Stony Brook 大学 , 3.Åbo Akademi 大学
慎弥 1, London Erwin2, Slotte J. Peter3
16:15
招 11p-M121-7 定量的粗視化分子シミュレーション：脂質膜の相分離 / 〇篠田 渉 1
1. 名大院工形態変化の分子論
16:45
招 11p-M121-8 マイクロウエル架橋膜における脂質分子の側方拡散と相 〇住友 弘二 1, 大嶋 梓 2, 中島 寛 2, 乾 徳夫 1
1. 兵庫県大工 , 2.NTT 物性基礎研
分離
17:15		 11p-M121-9 高速イオン伝導顕微鏡による脂質膜のナノ計測〇渡辺 信嗣 2, 開発 秀星 1, 北澤 怜子 1, 田嶋 将 1, Sun 1. 金沢大理工 , 2. 金沢大 WPI-NanoLSI
Linhao2, 芳坂 綾子 2, 執行 航希 2, 安藤 敏夫 2
17:30		 11p-M121-10 完全混合する脂質二重膜中でコレステロールが誘起する 〇 (M2) ゴー ウェイ シェン メルヴィン 1, 平野 愛 1. 豊橋技科大 , 2. 東北大 , 3. 東北福祉大
マイクロドメイン形成
弓 2, 庭野 道夫 3, 手老 龍吾 1
13 半導体 / Semiconductors
S15 多元化合物材料研究の動向・趨勢〜物性制御と応用展開〜 / New trend of multinary compound research ~ control of physical properties, new application~
3/9(Sat.) 13:15 - 17:35 口頭講演 (Oral Presentation) W933 会場 (Room W933)
13:15		 9p-W933-1
はじめに〇櫻井 岳暁 1, 野瀬 嘉太郎 2, 池田 茂 3, 荒木 秀明 4
1. 筑波大数理 , 2. 京大院工 , 3. 甲南大理工 , 4. 長岡高専
13:20
招 9p-W933-2
多元系物質のバルク・薄膜合成と光電子物性〇平松 秀典 1, 2, 神谷 利夫 1, 2, 細野 秀雄 1, 2
1. 東工大フロンティア研 , 2. 東工大元素戦略セ13:50
招 9p-W933-3
新規な磁性半導体熱電材料を用いた熱電発電デバイスの 〇森 孝雄 1, 2
1. 物材機構 , 2. 筑波大
研究開発
14:20
奨 9p-W933-4
ZnSnP2 吸収層 /Cu 電極界面への Cu3P 層の導入による直 〇桑野 太郎 1, 勝部 涼司 1, 野瀬 嘉太郎 1
1. 京大院工
列抵抗の低減1
14:35
E 9p-W933-5
Relationship between synthesis temperature and the〇 (D)ABDELLAOUI imane IMANE , Kazuya
1.Univ.Tsukuba, 2.Konan Univ.
photocatalytic activity of BiVO4
Tajima1, Mikas Remeika1, Shigeru Ikeda2, Takato
Kawaguchi2, Muhamed Islam Monirul1, Takeaki
Sakurai1
14:50
招 9p-W933-6
⽔分解光電極へのカルコパイライト半導体の適⽤〇嶺岸 耕 1, 2
1. 東大院工 , 2.JST さきがけ
15:20		休憩 /Break15:35
招 9p-W933-7
車載用フレキシブル CIGS 太陽電池
〇増田 泰造 1, 井上 幹也 2, 西村 昂人 2, ジャカパン
1. トヨタ自動車 , 2. 立命館大
チャンタナ 2, 工藤 由貴 1, 峯元 高志 2
1
16:05
招 9p-W933-8
化合物半導体 Cu(In,Ga)Se2 を用いた新規磁気トンネル接 〇葛⻄ 伸哉
1. 物材機構
合の創製
16:35
奨 9p-W933-9
太陽電池を応用した廃炉用高レベル放射線線量計の開発 〇 (PC) 奥野 泰希 1, 岡本 保 2, 後藤 康仁 3, 秋吉 優史 4, 1. 原子力機構 , 2. 木更津高専 , 3. 京都大 , 4. 大阪府大 ,今泉 充 5, 小林 智洋 6
5. 宇宙機構 , 6. 理研
16:50
奨 9p-W933-10 分光感度計算による Cu2Zn(Sn,Ge)Se4 系半導体の再結合 〇西垣 之徳 1, 反保 衆志 2, 藤本 祥平 1, 金 信浩 2, 柴田 1. 岐大工 , 2. 産総研
21
損失解析：Ge 導入によるキャリア収集長の低下
肇 , 藤原 裕之
17:05
招 9p-W933-11 カルコパイライト太陽電池のアルカリ金属効果〇石塚 尚吾 1, 田口 昇 2, 金 信浩 1, 西永 慈郎 1, 上川
1. 産総研太陽光 , 2. 産総研電池技術
由紀子 1, 永井 武彦 1, 反保 衆志 1, 柴田 肇 1
S16 IoT の発展を支える集積化システム / Integrated Systems for Developing IoT
3/10(Sun.) 13:30 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) M121 会場 (Room M121)
13:30
招 10p-M121-1 先端 CMOS デバイスの技術動向と IoT〇平本 俊郎 1
1. 東大生研
14:00
招 10p-M121-2 EnOcean エネルギーハーベスタ無線スイッチ・センサと 〇板垣 一美 1
1.EnOcean GmbH今後の IoT の展望について
14:30
招 10p-M121-3 コネクテッド バッテリーで広がる IoT の社会〇岡部 顕宏 1
1. ノバルス株式会社
15:00		休憩 /Break
15:15
招 10p-M121-4 小電力デバイスへの給電を目指したシート状熱電モ〇武田 雅敏 1
1. 長岡技科大工
ジュールの開発
15:45
招 10p-M121-5 電池交換不要の LPWA 対応小型センサデバイスの開発と 〇中本 裕之 1, 高 虹 1, 佐藤 弘幸 1
1. 富士通研
応用
16:15
招 10p-M121-6 微小エネルギーマネジメント技術で実現した電池不要な 〇藤森 司 1
1. 日立
環境発電型センシングシステムの開発と実証
S17 先端イオン顕微鏡技術のナノスケール材料・デバイスへの展開 / Advanced ion microscopy for future nano scale materials and devices
3/11(Mon.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) W934 会場 (Room W934)
13:30 招 E 11p-W934-1 New routes and paradigms in Device Engineering for〇 Simon Deleonibus1
1.Past Chief Scientist, CEA, LETI
Nanoelectronics and Nanosystems
14:00 招 E 11p-W934-2 NanoFabrication of Thin Films with Light Ions Beams〇 John Notte1, Brett Lewis1, Deying Xia1
1.Carl Zeiss SMT, Inc
14:30 招 E 11p-W934-3 Realization of nanophotonic quantum devices using a 〇 Hideaki Takashima1, Atsushi Fukuda1, Toshiyuki 1.Kyoto Univ.
1
1
1
He ion microscope
Tashima , Kazuki Fukushige , Shigeki Takeuchi
15:00 招 E 11p-W934-4 Design and fabrication of single-nanometer-scale〇 Hiroshi Mizuta1, 3, Mayeesha Haque1, Seiya
1.JAIST, 2.AIST, 3.Hitachi Cam Lab
graphene phononic crystals for thermal engineering by Kubo1, Yoshifumi Oshima1, Shinichi Ogawa2,
using focused helium ion beam
Manoharan Muruganathan1
15:30		休憩 /Break
15:45 招 E 11p-W934-5 Study on magnetoresistance and carrier localization in 〇 Takuya Iwasaki1, Shu Nakamura2,
1.NIMS, 2.JAIST, 3.Gunma Univ., 4.AIST, 5.Hitachigraphene with defects induced by helium ion
Muruganathan Manoharan2, Masashi Akabori2,
Camb. Lab
microscopy
Yoshifumi Morita3, Satoshi Moriyama1, Shinichi
Ogawa4, Yutaka Wakayama1, Hiroshi Mizuta2, 5,
Shu Nakaharai1
16:15 招 E 11p-W934-6 YBa2Cu3O7 nano SQUIDs fabricated with a focused〇 Shane Andrew Cybart1, Hao Li1, Ethan Cho1
1.UC Riverside
helium ion beam
16:45 招 E 11p-W934-7 Current Status of High Resolution In Situ and〇 Robert Sinclair1, Yunzhi Liu1, Ai Leen Koh1
1.Stanford Univ.
Environmental TEM Studies of Material Reactions
17:15 招 E 11p-W934-8 Electron microscopy of samples in liquid and ice, and〇 Chikara Sato1, Mari Sato1, Shinichi Ogawa2
1.AIST bmd, 2.AIST nericorrelated Helium ion microscopyシンポジウム / Symposium﻿

シンポジウム / Symposium
15 結晶工学 / Crystal Engineering
S18 窒化物半導体特異構造の科学 ナノ物性評価技術の進展と物性制御 / Science created by singularity in nitride-semiconductors; Development of nano-characterization and control ofmaterial properties
3/9(Sat.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) W541 会場 (Room W541)
13:30
招 9p-W541-1
多光子励起 PL マッピングによる GaN 結晶中の特異構造 〇谷川 智之 1, 松岡 隆志 1
1. 東北大金研の三次元観察14:00
招 9p-W541-2
顕微ラマン分光法による GaN 中の転位欠陥解析と機械学 〇宇治原 徹 1, 2, 3, 小久保 信彦 2, 3, 角岡 洋介 2, 3, 藤榮 1. 名大未来研 , 2. 名大院工 , 3. 産総研
習の活用
文博 2, 井爪 将 2, 3, 恩田 正一 1, 山田 永 3, 清水 三聡 3,
原田 俊太 1, 2, 田川 美穂 1, 2
14:30
招 9p-W541-3
窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネッ 〇秩父 重英 1, 2, 3, 嶋 紘平 1, 小島 一信 1
1. 東北大多元研 , 2. 名大未来研 , 3. 北大量エレ研
センス評価
15:00
招 9p-W541-4
近接場光学顕微分光法による InGaN 量子井戸構造におけ 倉井 聡 1, 岡田 成仁 1, 只友 一行 1, 〇山田 陽一 1
1. 山口大院・創成科学
る V ピット近傍の特異構造 PL マッピング
15:30		休憩 /Break16:00
招 9p-W541-5
深紫外近接場光学顕微鏡の開発と Al リッチ AlGaN 系特異 〇石井 良太 1, 船戸 充 1, 川上 養一 1
1. 京大院工構造の PL マッピング評価
16:30
招 9p-W541-6
レーザーTHz 放射顕微鏡による窒化物半導体特異構造の 〇川山 巌 1
1. 阪大レーザー研
分極マッピング
1
1
1, 2
1
17:00
招 9p-W541-7
AlGaN ドーピング技術と紫外光デバイスへの応用〇岩谷 素顕 , 川瀬 雄太 , 佐藤 恒輔 , 安江 信次 , 1. 名城大理工 , 2. 旭化成（株）, 3. 名大・赤﨑記念研究
荻野 雄矢 1, 岩山 章 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1, 赤崎
センター
勇 1, 3
17:30
招 9p-W541-8
組成傾斜 AlGaN 超格子を用いたドーピング技術と紫外〇江端 一晃 1, 谷保 芳孝 1, 熊倉 一英 1
1.NTT 物性基礎研
LED への応用
S19 イオン注入技術の進展 〜 Si、GaAs から最先端 WBG 半導体まで〜 / Progress in ion implantation for semiconductor devices -Si, GaAs and WBG materials3/10(Sun.) 13:30 - 17:50 口頭講演 (Oral Presentation) W922 会場 (Room W922)
13:30
招 10p-W922-1 イオン注入技術 – 温故知新 〇江龍 修 1
1. 名工大14:00
招 10p-W922-2 新規縦構造を用いた高いダイナミックな耐久性を持つ先 〇中村 勝光 1, 鈴木 健司 1, 西 康一 1
1. 三菱電機 ( 株 ) パワーデバイス製作所
進 Si パワー半導体
14:30
招 10p-W922-3 SiC へのイオン注入技術とデバイス応用〇木本 恒暢 1
1. 京大工15:00
招 10p-W922-4 3 次元 SiC － MOSFET における不純物層設計技術〇久本 大 1, 手賀 直樹 1, 谷 和樹 1, 須藤 建瑠 1, 毛利
1. 日立研開
友紀 1
15:30		休憩 /Break
15:50
招 10p-W922-5 GaAs へのイオン注入技術－ LSI 実現をめざして－〇葛原 正明 1
1. 福井大院工16:20
招 10p-W922-6 GaN へのイオン注入技術〇加地 徹 1
1. 名大未来研
16:50
招 10p-W922-7 Ga2O3 イオン注入技術の進展とデバイスプロセスへの適 〇東脇 正高 1, ワン マンホイ 1, 林 家弘 1, 佐々木 公
1. 情通機構 , 2. ノベルクリスタルテクノロジー, 3. 東京
用平 2, 後藤 健 2, 3, 4, 倉又 朗人 2, 山腰 茂伸 2, 4, 村上 尚 3, 農工大院工 , 4. タムラ製作所
3
熊谷 義直
17:20
招 10p-W922-8 イオン注入による単一不純物欠陥の規則的配列形成とそ 〇谷井 孝至 1, 品田 高弘 2, 寺地 徳之 3, 小野田 忍 4, 大 1. 早大理工 , 2. 東北大 , 3. 物材機構 , 4. 量研 , 5. ウルム大 ,の応用
島 武 4, McGuinness Liam5, Jelezko Fedor5, Liu
6. 華東師範大 , 7. 群大 , 8. 筑波大－ダイヤモンド中浅い単一 NV センターの配列形成－
Yan6, Wu E6, 加田 渉 7, 花泉 修 7, 川原田 洋 1, 磯谷 順
8一S20 結晶工学×放射光シンポジウム / Symposium on Crystal Science with Synchrotron Radiation
3/11(Mon.) 13:30 - 18:45 口頭講演 (Oral Presentation) W933 会場 (Room W933)
13:30
招 11p-W933-1 エネルギーデバイスの放射光解析〇尾嶋 正治 1, 2
1. 東大物性研 , 2. 東京都市大総合研
14:00
招 11p-W933-2 RF-MBE 法 GaInN ヘテロエピタキシャル成長における放 〇山口 智広 1, 佐々木 拓生 2, 高橋 正光 2, 尾沼 猛儀 1, 1. 工学院大 , 2. 量研 , 3. 立命館大
1
3
3
射光その場 X 線回折測定
本田 徹 , 荒木 努 , 名西 やすし
14:30
招 11p-W933-3 放射光光電子分光による III-V 族窒化物半導体の価電子帯 〇角谷 正友 1, 上田 茂典 1, 吉越 章隆 2, 隅田 真人 3
1. 物材機構 , 2. 原子力機構 , 3. 理研
構造と表面酸化プロセスの評価
15:00		 11p-W933-4 N 極性 GaN 上の液体 Ga 層のその場 X 線構造解析〇佐々木 拓生 1, 高橋 正光 1
1. 量研
15:15		 11p-W933-5 透過 X 線回折によるシリコン上のビスマス薄膜成長と界 〇田尻 寛男 1
1. 高輝度セ
面構造のリアルタイム観察
15:30
E 11p-W933-6 Characterization of a 4-inch GaN wafer by X-ray〇 (PC)Jaemyung Kim1, Okkyun Seo1, Chulho Song1, 1.NIMS
diffraction topography
Yanna Chen1, Satoshi Hiroi1, Yoshihiro Irokawa1,
Toshihide Nabatame1, Yasuo Koide1, Osami Sakata1
15:45		休憩 /Break16:15
招 11p-W933-7 放射光を使った GaN 系混晶半導体と GaN 系量子殻の局 〇宮嶋 孝夫 1, 清木 良麻 1, 近藤 剣 1, 市川 貴登 1, 伊奈 1. 名城大理工 , 2.JASRI, 3. 名工大所構造評価
稔哲 2, 新田 清文 2, 宇留賀 朋哉 2, 鶴田 一樹 2, 隅谷 和
嗣 2, 今井 康彦 2, 木村 滋 2, 安田 伸広 2, 三好 実人 3, 今
井 大地 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1
16:45
招 11p-W933-8 放射光ナノビーム X 線回折を用いた半導体材料・デバイ 〇酒井 朗 1, 志田 和己 1, 植田 瑛 1, 藤平 哲也 1, 今井
1. 阪大院基礎工 , 2.JASRI
スの構造解析
康彦 2, 隅谷 和嗣 2, 木村 滋 2
17:15
招 11p-W933-9 車載 GaN パワーデバイスに向けた硬 X 線光電子分光法に 〇片岡 恵太 1, 成田 哲生 1, 菊田 大悟 1, 伊藤 健治 1, 田 1. 豊田中研
よるエネルギーバンドダイアグラム測定
島 伸 1, 梅原 密太郎 1, 高橋 直子 1, 磯村 典武 1
17:45
招 11p-W933-10 その場放射光 X 線回折による結晶成長研究の進展〇高橋 正光 1
1. 量研
18:15		 11p-W933-11 総合討論
〇高橋 正光 1, 尾嶋 正治 2, 3, 山口 智広 4, 角谷 正友 5, 1. 量研 , 2. 東大物性研 , 3. 東京都市大総合研 , 4. 工学院
宮嶋 孝夫 6, 酒井 朗 7, 片岡 恵太 8
大 , 5. 物材機構 , 6. 名城大理工 , 7. 阪大院基礎工 , 8. 豊田
中研
16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials
S21 エネルギーハーベスティングの新展開 / Recent Progress of Energy Harvesting
3/11(Mon.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W242 会場 (Room W242)
9:00		 11a-W242-1 シンポジウム開催趣旨〇鈴木 雄二 1, 野村 政宏 1, 秋永 広幸 2
1. 東大 , 2. 産総研
9:05
招 11a-W242-2 メカノ・サーマル機能化による熱電変換材料の開発〇塩見 淳一郎 1
1. 東大工9:35
招 11a-W242-3 圧電薄膜を用いた振動発電技術〇神野 伊策 1
1. 神戸大工
10:05
招 11a-W242-4 フォノンエンジニアリングによるシリコン薄膜熱電発電 〇野村 政宏 1, 柳澤 亮人 1, Paul Oliver2
1. 東大生研 , 2. フライブルク大デバイス開発10:35		休憩 /Break10:45
招 11a-W242-5 低周波数・広帯域対応を指向したポリマーMEMS 振動発 〇鈴木 孝明 1, 2
1. 群馬大 , 2.JST さきがけ
電デバイス
11:15
招 11a-W242-6 熱電発電材料開発と高性能デバイスへの展望〇菅野 勉 1, 玉置 洋正 1, 佐藤 弘樹 1
1. パナソニック
11:45
招 11a-W242-7 ＭＥＭＳエレクトレット振動発電デバイスの産業化〇三屋 裕幸 1, 芦澤 久幸 1, 本間 浩章 2, 藤田 博之 2, 橋 1. 鷺宮製作所 , 2. 東大生研 , 3. 静大工
32
口 原 , 年吉 洋
3/11(Mon.) 13:45 - 15:15 口頭講演 (Oral Presentation) W242 会場 (Room W242)
13:45		 11p-W242-1 エネルギーハーベスティングデバイスに用いるカリウム 〇宮島 岳史 1, 洗平 昌晃 2, 1, 白石 賢二 2, 1
1. 名大院工 , 2. 名大未来・シス研
イオンエレクトレットにおける電荷蓄積機構の理論的研
究14:00		 11p-W242-2 量子化学計算を用いた高電子親和力官能基を持つアモル 〇金 善右 1, 鈴木 邦子 1, 鈴木 雄二 1
1. 東京大学
ファスフッ素ポリマーエレクトレットの開発

シンポジウム / Symposium
14:15		 11p-W242-3

接地電極の不要なカーボンナノチューブ摩擦帯電型発電 〇松永 正広 1, 廣谷 潤 2, 岸本 茂 2, 大野 雄高 2, 3
1. 名大 VBL, 2. 名大工 , 3. 名大未来研
シート
14:30		 11p-W242-4 ナノインプリントによるシリコン薄膜熱電ハーベスタの 〇柳澤 亮人 1, Ruther Patrick2, Paul Oliver2, 野村 政 1. 東大生研 , 2. フライブルク大 , 3.JST さきがけ
作製と性能評価
宏 1, 3
14:45		 11p-W242-5 ウエアラブル応用のための回転型エレクトレットエネル 〇三好 智也 1, 田中 佑樹 1, 柳 依然 1, 鈴木 雄二 1
1. 東大
ギーハーベスタの開発
15:00		 11p-W242-6 2 自由度構造を有する圧電 MEMS 振動発電素子の電気機 〇 (D) 荒牧 正明 1, 吉村 武 1, 村上 修一 2, 佐藤 和郎 2, 1. 大阪府大工 , 2. 大阪技術研 , 3. 兵庫県立大械特性
神田 健介 3, 藤村 紀文 1
合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"
S22 金属酸化物による新技術の開拓Ⅰ～薄膜形成からデバイス創出に至るまで～ / Pioneering of Frontier technology for metal oxide novel device I -from thin film fabrication to device creation 3/10(Sun.) 13:30 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) W241 会場 (Room W241)
13:30
招 10p-W241-1 金属酸化物薄膜トランジスタの信頼性劣化現象〇浦岡 行治 1, パオロ ベルムンド 1, 藤井 茉美 1, 上沼 1. 奈良先端大
睦典 1, 石河 泰明 1
14:15
招 10p-W241-2 ヘテロ接合チャネルによる In–Ga–Zn–O 薄膜トランジス 〇古田 守 1, 2, 是友 大地 1, アマン メハディ1, 曲 勇作 1 1. 高知工大 , 2. 高知工大 総研
タの高移動度・高信頼性化
14:45		 10p-W241-3 結晶性酸化物半導体の組成評価と FET 特性〇岡崎 健一 1, 生内 俊光 1, 保坂 泰靖 1, 山﨑 舜平 1
1. 半エネ研
15:00		 10p-W241-4 反応性プラズマ蒸着法による Ga 添加 ZnO 薄膜における 〇山本 哲也 1, 古林 寛 1, 牧野 久雄 1
1. 高知工科大総研
成長速度とキャリア密度の支配因子
15:15		休憩 /Break
15:30
招 10p-W241-5 酸化物半導体・デバイスの電子構造、材料設計と成膜条 〇神谷 利夫 1,2, 細野 秀雄 1,2
1. 東工大フロンティア研 , 2. 東工大元素セ件
16:00
招 10p-W241-6 有機 EL 応用を目指したアモルファス酸化物半導体〇細野 秀雄 1
1. 東工大元素センター
16:45		 10p-W241-7 ミスト CVD における薄膜成長メカニズム〇川原村 敏幸 1, 2, 西 美咲 1, 刘 丽 1, 坂本 雅仁 1, ルト 1. 高知工大 シス工 , 2. 高知工大 総研
1
1
1
ンジャン ピモンパン , 佐藤 翔太 , 上田 真理子 , 安
岡 達也 1, 長谷川 諒 1, 田頭 侑貴 1, 尾崎 珠子 1, 鄧 太
江1
17:00		 10p-W241-8 PdCoO2/ β -Ga2O3 エピタキシャルショットキー接合〇原田 尚之 1, 伊藤 俊 1, 塚﨑 敦 1
1. 東北大金研

31 フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」/ Focused Session "AI Electronics"

31 フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」/ Focused Session "AI Electronics"

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
31.1 フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」/ Focused Session "AI Electornics"
3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) W810 会場 (Room W810)
9:00		 11a-W810-1 フォーカストセッション「ＡＩエレクトロニクス」始動 〇西山 彰 1
1. 東芝メモリ
にあたり
9:15
招 11a-W810-2 「フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」 分科 〇合原 一幸 1
1. 東大生研
内招待講演」AI エレクトロニクスの基盤としての数理脳科学
9:45		 11a-W810-3 マイクロパターン培養細胞を用いた神経回路応答の構成 〇早川 岳志 1, 山本 英明 2, 平野 愛弓 1, 2
1. 東北大通研 , 2. 東北大 AIMR
論的解析
1
1
2
2
10:00
奨 11a-W810-4 放射光ナノトモグラフィ法によるヒト脳神経ネットワー 〇佐藤 夏菜 , 刀 さくら , 竹腰 進 , 井野元 智恵 , 中 1. 東海大工 , 2. 東海大医 , 3. 都医学総合研 , 4. 名大院医 ,クの三次元解析
村 直哉 2, 新井 誠 3, 大島 健一 3, 糸川 昌成 3, 鳥居 洋 5.JASRI/SPring-8, 6. 東大院新領域 , 7.Argonne Nat'l
太 4, 久島 周 4, 入谷 修司 4, 尾崎 紀夫 4, 竹内 晃久 5, 上 Lab.
杉 健太朗 5, 寺田 靖子 5, 鈴木 芳生 6, De Andrade,
Vincent7, De Carlo, Francesco7, 雑賀 里乃 1, 水谷 隆
太1
10:15
奨 11a-W810-5 線形および非線形システムを用いた時系列データの予測 〇鹿子田 嵩大 1, 櫛谷 優希 1, 白樫 淳一 1
1. 東京農工大院工10:30		 11a-W810-6 生体データ推定に適用した Recurrent Neural Networks に 〇櫛谷 優希 1, 鹿子田 嵩大 1, 白樫 淳一 1
1. 東京農工大院工おける学習パラメータの検討
1
2
1
10:45
奨 11a-W810-7 二状態確率遷移モデルによる人工ニューロンの基礎理論 〇片山 春菜 , 藤井 敏之 , 畠中 憲之
1. 広大総科 , 2. 旭川医大物理
11:00		 11a-W810-8 隣接レプリカ間の協調的スピン操作による量子アニーリ 〇吉澤 明男 1
1. 産総研ング的群知能11:15 奨 E 11a-W810-9 Generative adversarial network for robust Raman spectra 〇 (M2)HSUNWEN FANG1, CHUNHWAY
1.National Taiwan Univ.
identification
HSUEH1
11:30		 11a-W810-10 カオス時系列を用いた敵対的生成ネットワーク（CHAOS 〇成瀬 誠 1, 巳鼻 孝朋 2, 菅野 円隆 2, 内田 淳史 2
1. 情通機構 , 2. 埼玉大
GAN）
3/11(Mon.) 13:15 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) W810 会場 (Room W810)
13:15
招 11p-W810-1 「フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」 分科 〇森江 隆 1, 立野 勝巳 1, 高田 健介 1, 川内 聖士 1, 下留 1. 九工大生命体工内招待講演」
諒 1, 田向 権 1
次世代 AI のための脳型記憶処理モデルと新デバイス技術への期待
13:45 奨 E 11p-W810-2 Characterization and Modeling of FTJ Memristive〇(P)Radu M Berdan1, Takao Marukame1, Yoshifumi 1.TOSHIBA, 2.TOSHIBA MEMORY CORPORATION
Devices for in-Memory Computing
Nishi1, Kensuke Ota2, Masumi Saito2, Shosuke Fujii2
14:00
奨 11p-W810-3 高抵抗動作を目指した Cu 上部電極型 Ta2O5- δ抵抗変化多 〇李 遠霖 1, 福地 厚 1, 有田 正志 1, 高橋 庸夫 1, 森江
1. 北大・院情報 , 2. 九工大・生命体工
値メモリ
隆2
14:15
奨 11p-W810-4 電圧記録型メモリで観測されるシナプス的挙動〇 (M1) 渡邊 佑紀 1, 小林 成 1, 清水 亮太 1, 2, 西尾 和 1. 東工大物質理工 , 2.JST さきがけ , 3. 東大工記 1, リウ ウェイ 3, 渡邉 聡 3, 一杉 太郎 1
14:30
奨 11p-W810-5 ドナー密度分布制御型メモリスタ素子における抵抗変化 〇永田 善也 1, 藤平 哲也 1, 酒井 朗 1
1. 阪大院基礎工機構の有限要素法シミュレーション
14:45
奨 11p-W810-6 ナノギャップアレイにおけるシナプス動作を利用したパ 〇佐藤 友美 1, 坂井 奎太 1, 南 浩二 1, 谷 創貴 1, 伊藤 光 1. 東京農工大院工 , 2. 一関高専
ターン記憶の検討
樹 1, 八木 麻実子 2, 白樫 淳一 1
15:00		 11p-W810-7 集積化 Au ナノギャップにおける脳型演算特性〇坂井 奎太 1, 佐藤 友美 1, 南 浩二 1, 谷 創貴 1, 伊藤 光 1. 東京農工大院工 , 2. 一関高専
樹 1, 八木 麻実子 2, 白樫 淳一 1
15:15 奨 E 11p-W810-8 Spin wave detection by CPW with additional electrodes〇 (M1)shamim sarker1, Hiroyasu Yamahara1,
1.University of Tokyo
for external field modulation for neuromorphic application Munetoshi Seki1, Hitoshi Tabata1
15:30		休憩 /Break
15:45		 11p-W810-9 導電性高分子ワイヤーを用いた機械学習システムの作製 〇岡田 将 1, 杉戸 泰雅 1, 萩原 成基 1, 浅井 哲也 2, 桑原 1. 阪大院工 , 2. 北大院情報 , 3.JST さきがけ
裕司 1, 赤井 恵 1, 3
16:00		 11p-W810-10 フォトクロミック結晶ナノ光異性化と上下プローブ SPM 〇内山 和治 1, 中込 亮 1, 岡村 和弥 2, 内田 欣吾 3, 成瀬 1. 山梨大工 , 2. 名大情報 , 3. 龍谷大理工 , 4. 情通機構
計測にもとづくシューベルト多項式系列の生成
誠 4, 堀 裕和 1
16:15		 11p-W810-11【注目講演】金属酸化物系シナプス素子の STDP 評価と学 〇丸亀 孝生 1, ベルダン ラドゥ1, 野村 久美子 1, 西 義 1. 東芝研開セ
習器への応用検討
史1
16:30		 11p-W810-12 FeFET を用いた時間領域アナログ積和演算回路の特性評 〇原田 將敬 1, 森江 隆 1, 高橋 光恵 2, 酒井 滋樹 2
1. 九工大・生命体工 , 2. 産総研
価
1, 2
1
1
1
16:45		 11p-W810-13 局所学習則と薄膜デバイスを用いるリアルニューロモー 〇木村 睦 , 生島 恵典 , 杉崎 澄生 , 田中 遼 , 山川 1. 龍谷大理工 , 2. 奈良先端大
フィックシステム
大樹 1, 山根 弘樹 2, 池田 裕哉 2, 中島 康彦 2
17:00		 11p-W810-14 非同期 CMOS 論理回路に問題をマッピングしたアメーバ 〇末藤 直樹 1, 斉藤 健太 1, 青野 真士 2, 葛西 誠也 1
1. 北大量集センター, 2. 慶大環情型解探索電子システムの動的挙動

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology

1.1 応用物理一般・学際領域 / Interdisciplinary and General Physics
17:15		 11p-W810-15 革新的コンピューティング（計算ドメイン指向による基 〇馬場 寿夫 1, 河村 誠一郎 1, 嶋田 義皓 1, 永野 智己 1, 1.JST
盤技術の創出）福島 俊一 1, 藤井 新一郎 1, 的場 正憲 1, 勝又 康弘 1, 高
地 伸夫 1, 木村 康則 1
17:30		 11p-W810-16 結晶性酸化物半導体 FET／シリコン FET ハイブリッド構 〇黒川 義元 1, 青木 健 1, 上妻 宗広 1, 木村 肇 1, 山﨑 舜 1. 半エネ研
造の人工ニューラルネットワーク向けアナログ乗算素子 平 1の実測結果
17:45		 11p-W810-17 結晶性酸化物半導体 FET／シリコン FET ハイブリッド構 〇青木 健 1, 上妻 宗広 1, 黒川 義元 1, 木村 肇 1, 山﨑 舜 1. 半エネ研
造の人工ニューラルネットワーク向け積和演算回路のシ 平 1
ミュレーション
3/12(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 12a-PA4-1
酸化マンガンナノ粒子を用いた修復能を持つ抵抗変化素 〇番 貴彦 1, 浦岡 行治 2, 山本 伸一 1
1. 龍谷大理工 , 2. 奈良先端大子の作製と評価
			 12a-PA4-2
非結晶酸化物半導体を記憶素子として用いたニューロモ 〇杉崎 澄生 1, 倉崎 彩太 1, 田中 遼 1, 滝下 雄太 1, 松田 1. 龍谷大学 , 2. 奈良先端大 , 3. 龍谷大革新プロセス研究
ロフィックデバイス
時宜 3, 中島 康彦 2, 木村 睦 1, 2, 3
センター
			 12a-PA4-3
フェロセン修飾高分子電解質超薄膜を用いた抵抗変化ス 〇渡邉 暁斗 1, 山本 俊介 1, 三ツ石 方也 1
1. 東北大多元研
イッチの電流 – 電圧特性
		
E 12a-PA4-4
Analog-cores appropriate to the spiking neural-networks 〇 Rie Sato1, Koichi Mizushima1
1.Toshiba R&D Center			 12a-PA4-5
磁壁移動型メモリスタを応用したニューロモーフィック 〇芦田 拓也 1, 篠原 哲人 1, 大田 実 1, 伊藤 邦恭 1, 山田 1.TDK 技術・知財本部
1
1
1
1
素子の開発
章悟 , 柴田 竜雄 , 寺﨑 幸夫 , 佐々木 智生
			 12a-PA4-6
インビボでの周波数依存性シナプス可塑性の数理的解析 〇羽田 克彦 1, 2, 3, 4, 荒木 修 5, 坂 達也 2, 3, 横井 修 2, 3, 二 1. 国士舘大スポ医 , 2. 国士舘大防災研 , 3. 数理医科研 ,国 徹郎 4
4. 東理大物理 , 5. 東理大応物			 12a-PA4-7
リカレントニューラルネットワークによる Sigmoid 関数 〇小柴 昌隆 1, 榎本 洸一郎 1, 宮城 茂幸 1, 酒井 道 1
1. 滋賀県立大工を用いた関数近似能力の拡張
			 12a-PA4-8
TMS による生体刺激のメカニズム
坂 達也 2, 3, 6, 10, 横井 修 2, 3, 5, 伊藤 挙 1, 7, 窪山 泉 1, 7, 〇 1. 国士舘大スポ医 , 2. 国士舘大防災研 , 3. 数理医科研 ,羽田 克彦 1, 2, 3, 4, 8, 9
4. 東理大物理 , 5. 東理大数学 , 6. コムズ研 , 7. 国士舘大ハ
イテクリサーチセンター, 8. 共済会櫻井病院 , 9. クリ
ニック・ハイジーア , 10. 放送大学
			 12a-PA4-9
粘菌に着想を得た TSP 解探索アルゴリズムの電子回路実 〇斉藤 健太 1, 末藤 直樹 1, 葛西 誠也 1, 青野 真士 2
1. 北大量集センター, 2. 慶大環情装3/12(Tue.) 13:15 - 16:00 口頭講演 (Oral Presentation) W933 会場 (Room W933)
13:15
奨 12p-W933-1 空間光変調器を用いた波長多重光リザーバーコンピュー 〇小仁所 志栞 1, 中島 光雅 1, 田仲 顕示 1, 橋本 俊和 1 1.NTT
ティングの提案
13:30
奨 12p-W933-2 レーザの遅延カオス同期を用いた強化学習と意思決定の 〇巳鼻 孝朋 1, 三井 湧方 1, 菅野 円隆 1, 成瀬 誠 2, 内田 1. 埼玉大 , 2. 情報通信研究機構
性能評価
淳史 1
13:45
奨 12p-W933-3 短い遅延ループを有する半導体レーザを用いたリザーバ 〇菅野 千紘 1, ハヤ アマリナ アフィカ 1, 菅野 円隆 1, 1. 埼玉大学
コンピューティングの並列化
内田 淳史 1
14:00
奨 12p-W933-4 光リザーバコンピューティングにおける戻り光強度変調 〇ハヤ アマリナ アフィカ 1, 菅野 千紘 1, 菅野 円隆 1, 1. 埼玉大学と位相変調の比較実験
内田 淳史 1
14:15
奨 12p-W933-5 光多層リザーバコンピューティング〇中島 光雅 1, 小仁所 志織 1, 田仲 顕至 1, 橋本 俊和 1 1.NTT 先デ研
14:30		 12p-W933-6 光微小共振器によるリザバー計算：大規模光ネットワー 〇砂田 哲 1, 新山 友暁 1, 内田 淳史 2, 新井 賢一 3
1. 金沢大理工 , 2. 埼玉大 , 3.NTT CS 研
クとセンシング応用
14:45		 12p-W933-7 分子ネットワークによる神経型情報デバイスの構築
宇佐美 雄生 1, 斉藤 明弘 1, 阪本 怜央 1, 福丸 知世 1, 村 1. 阪大理 , 2. 産総研
松 巧実 1, オーデ・グルート・ビーバーボルグ ハンス 1,
内藤 泰久 2, 〇松本 卓也 1
15:00
奨 12p-W933-8 カーボンナノチューブ / ポリ酸分子ネットワークを用い 〇竹嶌 勇樹 1, ゴー キアン リアン 1, 岡田 将 1, 桑原
1. 阪大院工 , 2. 北大院情 , 3.JST さきがけ
たリザーバコンピューティング
裕二 1, 浅井 哲也 2, 赤井 恵 1, 3
15:15
E 12p-W933-9 Two-bit input binary task with reservoir computing using 〇 Kazuki Tsujimoto1, Hikaru Nomura1, Taishi
1.Osaka Univ.
nanomagnet array
Furuta1, Yuki Kuwabiraki1, Ryoichi Nakatani1,
1
Yoshishige Suzuki
15:30		 12p-W933-10 スピン波リザバーコンピューティングチップデバイス〇中根 了昌 1, 2, 田中 剛平 1, 2, 廣瀬 明 2, 1
1. 東大工学系国推教 , 2. 東大工学系電気系
15:45		 12p-W933-11 スピントルク発振素子の短時間記憶容量〇常木 澄人 1, 谷口 知大 1, 三輪 真嗣 2, 中嶋 浩平 3, 4, 1. 産総研 , 2. 東大物性研 , 3. 東京大学 , 4.JST さきがけ
薬師寺 啓 1, 福島 章雄 1, 湯浅 新治 1, 久保田 均 1

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
1.1 応用物理一般・学際領域 / Interdisciplinary and General Physics
3/11(Mon.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11p-PA1-1
液体金属の形態制御および電気伝導特性評価
			 11p-PA1-2
ペーパーエレクトロニクスに向けた液体金属配線技術
			 11p-PA1-3
低温における塩化ナトリウムへのパルス大強度相対論的
電子ビーム照射と色中心検出装置の開発〇 (B) 山田 祐 1, 本庄 一希 1, 谷口 淳 1, 生野 孝 1〇 (B) 城市 啓太 1, 生野 孝 1〇 (M1) 黒崎 大聖 1, 末松 久幸 1, 菊池 崇志 2, 中山 忠
親 1, 新原 晧一 1, Gordon Thorogood4, 今田 剛 3

			 11p-PA1-4
			 11p-PA1-5
			 11p-PA1-6〇菊永 和也 1, 寺崎 正 1〇田川 夏希 1, 佐々木 祥 1, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
〇廣 和樹 1, 勝間 大知 2, 福岡 寛 1, 中村 篤人 1

		
奨 11p-PA1-7
			 11p-PA1-8
		

奨 11p-PA1-9

			 11p-PA1-10

静電界を用いた複合材料内部の評価に関する研究
発電検出のための IoT デバイスの研究
ベルセロ法により生成された負圧の汚染布に対する洗浄効果
ベルセロ法を用いた負圧の殺菌作用
ダイヤモンドアンビルセルを用いた超高圧力下におけるp 型伝導性 SrCuSeF，BaCuSeF の電気伝導度測定
チョコレート用油脂の材料組織の研究

Ag/TiO ₂ /Pt 接合型原子スイッチ動作の SET 電圧 ,TiO ₂
膜厚 , 温度依存性測定
			 11p-PA1-11 機械学習によるバンドギャップの予測			 11p-PA1-12 陽極酸化法による酸化タンタルナノ構造の作製
			 11p-PA1-13 高濃度スラリーにおける粒子間隙パラメータを用いた粘弾性の測定
		
奨 11p-PA1-14 放物面鏡対を使用した像浮上型の体積型立体表示 - 像照
射系の配置最適化 		奨 11p-PA1-15 地平の月が巨大に見える錯視のメカニズムの検証
3/12(Tue.) 10:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W833 会場 (Room W833)
10:00		 12a-W833-1 粉体用絶縁性フレキシブルコンテナの静電気帯電特性‐相対湿度が表面帯電電位に及ぼす影響‐
10:15		 12a-W833-2 新型静電界測定器の基礎特性
10:30		 12a-W833-3 浅い水面上を駆動するライデンフラストグライダー
10:45		 12a-W833-4 ライデンフロスト現象を用いた回転ミキサー

1. 東理大1. 東理大1. 極限エネルギー密度工学研究センター, 2. 長岡技術科
学大学 , 3. 新潟工科大学 , 4.Australian Nuclear Scienceand Technology Organization
1. 産総研1. 龍谷大理工
1. 奈良高専 , 2. 豊橋技科大〇松内 秀直 1, 福岡 寛 1, 中村 篤人 1, 廣 和樹 1
1. 奈良高専〇奥田 善之 1, 山田 明 2, 太田 健二 1, 前田 毅 3, 和田 隆 1. 東工大理地惑 , 2. 東工大工学院 , 3. 龍谷大理工 , 4. 東工
博 3, 廣瀬 敬 4, 5
〇 (M1) 藤田 尚也 1, 大西 清美 2, 上原 秀隆 2, 葛原 大
軌 , 吉本 則之〇三上 舞子 1, 長谷川 剛 1
1

1

大 ELSI, 5. 東大理地惑
1. 岩手大理工 , 2. 日清オイリオグループ ( 株 )1. 早稲田大応物〇瀬川 正仁 1, 森 一樹 1
〇餅越 葵 1, 関山 早紀 1, 伊東 千尋 1
〇 (B) 竹下 雅人 1, 村田 駿介 1, 寺嶋 寛成 2, 岩崎 祥
大 3, 羽生 宏人 3, 山口 聡一朗 1〇稲 義実 1, 面谷 信 1, 藤川 知栄美 1

1. 伊藤忠テクノソリューションズ
1. 和歌山大システム工1. 関西大シス理 , 2. 関西院シス理 , 3. 宇宙研〇倉田 一輝 , 面谷 信

1. 東海大工1

1

1. 東海大工〇崔 光石 1, 遠藤 雄大 1, 長田 裕生 2, 鈴木 輝夫 2

1. 安衛研 , 2. 春日電機

〇崔 光石 , 長田 裕生 , 鈴木 輝夫〇 (M2) 瀬川 慧 1, 杉岡 秀行 1
〇久保田 眞子 1, 瀬川 慧 1, 杉岡 秀行 1

1. 春日電機 , 2. 安衛研
1. 信州大工1. 信州大工2

1

1

1.2 教育 / Education
11:00		 12a-W833-5

量子コンピュータによる量子化学計算 - 教育ツールとしての可能性 11:15		 12a-W833-6 音響ゴーストイメージング
11:30		 12a-W833-7 ファゴットのリード材質に対する音色の変化
11:45		 12a-W833-8 ヴァイオリン演奏における擦弦位置及び弓の傾斜と音色の関係について3/12(Tue.) 13:15 - 15:00 口頭講演 (Oral Presentation) W833 会場 (Room W833)
13:15		 12p-W833-1 ラチェット電極を用いた AC 電気浸透ポンプ
13:30
奨 12p-W833-2 ゲル表面に着弾した微小液滴の濡れダイナミクス解析
13:45		 12p-W833-3 23Na-MRI による生体内 Sodium の腎臨床適用に向けた可視化検討
14:00		 12p-W833-4 リアル分子と情報世界を繋ぐバーチャル電極ディスプレ
イの提案
14:15 奨 E 12p-W833-5 Connectivity memory in Ag@TiO2 nanowire network
14:30		 12p-W833-6
14:45		 12p-W833-7

渕 蒼起 1, 加藤 拓己 2, 奥脇 弘次 1, 山崎 清仁 3, 〇望月 1. 立教大 , 2.( 株 )MDR, 3.OpenQL プロジェクト , 4. 東
祐志 1, 4, 湊 雄一郎 2
大生研〇大岡 佳生 1, 深津 晋 1
1. 東大院総合〇井手 利英 1
1. 産総研 電子光〇松谷 晃宏 1
1. 東工大〇瀬川 慧 1, 杉岡 秀行 1
〇横田 涼輔 1, 平野 太一 1, 美谷 周二朗 1, 酒井 啓司 1
〇拝師 智之 1, 4, 忰田 亮平 2, 4, 成田 一衛 2, 4, 佐々木進 3, 4〇星野 隆行 1

1. 信州大工1. 東大生研
1.( 株 ) エム・アール・テクノロジー, 2. 新潟大院医歯学
内科 , 3. 新潟大工 , 4.AMED 先端 H30 佐々木 T
1. 弘前大院理工〇 (DC)QIAO LI1, 2, Yoshitaka Shingaya2, Tomonobu 1.Univ. of Tsukuba, 2.WPI-MANA,NIMS
Nakayama1, 2
放電衝撃破砕における埋込式カートリッジを用いた亀裂 〇村山 浩一 1, 平岡 謙人 1, 田川 恭平 1, 竹井 祐樹 1, 西 1. 熊本高専
制御工法の開発雅俊 1
スポーツビジョンにおけるソフトテニス選手とスポーツ 〇浅間 浩太朗 1, 室谷 裕志 1
1. 東海大院工未経験者との比較

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology

1.2 教育 / Education
3/11(Mon.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11p-PA7-1
教員免許状更新講習「目で見てわかる物理学」の 10 年を 〇栗原 一嘉 1
1. 福井大教育
振り返って
1
1
1
1
			 11p-PA7-2
系統的なキャリア教育システムの PROG テストによる検 〇羽渕 仁恵 , 稲葉 成基 , 所 哲郎 , 田島 孝治
1. 岐阜高専証
			 11p-PA7-3
CDIO アプローチを用いた英語による工学教育〇秋山 正弘 1, 淀 優介 1, 苅米 志帆乃 1, 百瀬 成空 1, 春 1. 長野高専
日 貴志 1, 渡辺 誠一 1, 柄澤 孝一 1, 古川 万寿夫 1, 鈴木
宏 1, 大澤 幸造 1, 宮嵜 敬 1
			 11p-PA7-4
Audience Response System を導入した講義の試み〇寺田 貢 1
1. 福岡大理			 11p-PA7-5
エレクトロニクス系科目へのアクティブラーニング導入 〇平谷 雄二 1
1. 帝京大 理工の試み
1
			 11p-PA7-6
電子回路演習の取り組み ～グループワークの実践～〇名和 靖彦1. 愛知工科大工			 11p-PA7-7
Moodle を用いた実験レポートの Online 相互査読〇山本 和貫 1, 藤本 茂雄 1
1. 千葉大 ALC
			 11p-PA7-8
非理工系学部における物理実験授業の試み〇西脇 洋一 1, 赤羽 明 1, 加藤 徹也 2
1. 埼玉医大 , 2. 千葉大教育			 11p-PA7-9
プラズマに関する学生実験が受講者の動機付けに与える 〇鎌滝 晋礼 1, 大友 洋 1, 山下 大輔 1, 板垣 奈穂 1, 古閑 1. 九大シス情影響
一憲 1, 白谷 正治 1
			 11p-PA7-10 混色教育のためのカラーミキサの教育効果の検証〇中楯 末三 1, 徳山 喜政 1, 久米 祐一郎 1, 渋谷 眞人 1, 1. 工芸大陳 軍 1, 東 吉彦 1, 森山 剛 1
			 11p-PA7-11 ぶどう色素増感型太陽電池の教材開発〇 (B) 米山 瑠華 1, 佐藤 哲也 1
1. 山梨大工			 11p-PA7-12 雷の原理に関する理科教材の開発〇山本 卓 1, 加藤 謙太郎 1, 下田 大空 1, 小栗 和也
1. 東海大教養1
			 11p-PA7-13 渦電流による磁気浮上のデモンストレーション実験なら 〇加藤 徹也
1. 千葉大教育
びに FEM シミュレーション
			 11p-PA7-14 マイコンを使用した低学年学生の情報基礎総合演習〇清水 幹郎 1
1. 福井工業高等専門学校
			 11p-PA7-15 大学 1・2 年次文理混合クラスにおけるプログラミング学 〇熊野 英和 1, 鳴海 敬倫 1
1. 新潟大創生
修111
			 11p-PA7-16 工学系の全学科を対象とした IoT 導入教育用システムの 〇今村 成明 , 須田 隆夫 , 前薗 正宜
1. 鹿児島高専
開発
			 11p-PA7-17 機械学習ワークショップ設計に向けた高専生の意識調査 〇高木 聡太 1, 北原 廉 1, 松浦 賢太朗 2, 鷲尾 拓哉 2, 西 1. 長野高専 , 2. 東工大
條 美紀 2, 大橋 匠 2
			 11p-PA7-18 次世代 AI 人材育成に向けた機械学習ワークショップデザ 〇北原 廉 1, 髙木 聡太 1, 松浦 賢太朗 2, 鷲尾 拓哉 2, 西 1. 長野高専 , 2. 東工大イン條 美紀 2, 大橋 匠 2
			 11p-PA7-19 中部大学工学部創造理工学実験における「デジタル」概 〇伊藤 智幹 1, 鈴木 建司 1, 柴田 祥一 1, 井筒 潤 1, 浜辺 1. 中部大工
念理解のための A/D‐D/A 変換回路を用いた実験装置の 誠 1, 伊藤 響 1, 橋本 真一 1, 廣岡 慶彦 1, 中山 和也 1, 大開発
嶋 晃敏 1, 山本 則正 1, 高橋 博之 1, 岡島 茂樹 1
			 11p-PA7-20 専門課程につなぐ基礎物理実験 －弦の振動―〇渡部 智希 1, 小城 勇人 1, 村田 龍太郎 1, 内田 尚志 1 1. 北科大			 11p-PA7-21 Bi 人工結晶作製をテーマにした 4 年間の研究アウトリー 〇 (DC) 大塚 美緒子 1, 2, 山下 大輔 1, 篠崎 諒 1, 有坂
1. 埼玉大 , 2. 学振 DC1
チ活動報告
太一 1, 長谷川 靖洋 1
			 11p-PA7-22 Si バンドギャップを推定する STEM 教育教材と国際交流 〇山田 健二 1, 蘇 炯武 2
1. 石川高専 , 2. 嘉義大学
			 11p-PA7-23 学生実験用シリコン太陽電池のフィンガー電極の検討
笠岡 奎冶 1, 〇内海 淳志 1
1. 舞鶴高専
1, 2
1
1, 2
1, 2
			 11p-PA7-24 アクリル板を用いた可視光領域での光学実験教材の製作 〇浜辺 誠 , 鈴木 建司 , 伊藤 智幹 , 柴田 祥一 , 1. 中部大工 , 2. 中部大天文台
大嶋 晃敏 1, 2, 伊藤 響 1, 2, 井筒 潤 1, 2, 山本 則正 1, 2, 高
橋 博之 1, 中山 和也 1, 橋本 真一 1, 廣岡 慶彦 1, 岡島 茂
樹1
			 11p-PA7-25 小型フーリエ変換赤外分光装置の製作と測定法の確立〇中山 政裕 1, 菅野 裕吾 1, 石谷 善博 1, 北田 貴弘 2, 森 1. 千葉大工 , 2. 徳島大院
田 健1
			 11p-PA7-26 カメラ付き IT 端末を活用したミリカンの実験Ⅱ〇鈴木 三男 1, 和賀 宗仙 1, 増田 健二 2
1. 福島高専 , 2. 静岡大工			 11p-PA7-27 解析技能向上のための簡易センシング教材の試作〇角田 直輝 1
1. 米子高専
1
2			 11p-PA7-28 小型光ファイバ分光器を用いた食品の品質検査〇松元 健 , 勝亦 徹
1. マツモト精密工業 , 2. 東洋大理工			 11p-PA7-29 顕微分光法を用いた変形菌子実体の構造色解析〇田所 利康 1, 高野 丈 2
1. テクノシナジー, 2. 変形菌研究会
			 11p-PA7-30 三角プリズムと透過型回折格子を使った直視型分光器の 〇高和 宏行 1, 3, 阿部 昌浩 1, 田所 利康 2
1. 麻布実験教室 , 2. テクノシナジー, 3. ユニオプト
試作			 11p-PA7-31 ジュール熱による迷路の経路探索の低電圧化〇上月 具挙 1, 小林 寛 1, 寺重 隆視 1
1. 広島国際大学
			 11p-PA7-32 半導体製造装置やフッ酸を使用しないシリコン太陽電池 〇安森 偉郎 1, 岡田 工 2, 崔 一煐 3
1. 東海大教開研セ , 2. 東海大現代教養セ , 3. 東海大高輪
の製作
教養教育セ
			 11p-PA7-33 圧電素子を用いた振動による発電の教材への応用Ⅱ〇山口 静夫 1
1. 九共大			 11p-PA7-34 超小型 BLE センサを用いた気温・気圧測定〇板東 能生 1
1. 呉高専1
			 11p-PA7-35 ISS を利用した光の波動・粒子の判定〇土田 成能1. ダビンチ研
1.3 新技術・複合新領域 / Novel technologies and interdisciplinary engineering
3/10(Sun.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) S321 会場 (Room S321)
9:00		 10a-S321-1
マテリアルキュレーションⓇ用関係性データベース作成： 〇吉武 道子 1
1. 物材機構
後処理
Ⓡ
1
2
2
2
9:15		 10a-S321-2
マテリアルキュレーション 支援システムの開発〇吉武 道子 , 佐藤 文孝 , 矢野 貴之 , 河野 洋行 , 萩 1. 物材機構 , 2. 富士通総研 , 3. 富士通
原 稔3
9:30		 10a-S321-3
炭素熱還元を用いた MOD 法による Ti-doped VO2 薄膜の 〇ヴァンニュ ハイ 1, 河原 正美 2, 佐村 剛 2, 立木 隆 1, 1. 防大 , 2. 高純度化学研究所
作製内田 貴司 1
9:45		 10a-S321-4
急速乾燥技術によるウェット洗浄後パターン閉塞抑制プ 〇松下 淳 1, 長嶋 裕次 1, 林 航之介 1, 永原 聖万 1, 宮崎 1. 芝浦メカトロニクス
ロセスの開発
邦浩 1

1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境 / Energy conversion, storage, resources and environment
10:00

奨 10a-S321-5

10:15

奨 10a-S321-6

10:30		10:45		 10a-S321-7
11:00
奨 10a-S321-8

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology

11:15		 10a-S321-9

広域プラズモン増強電場形成能を有する MIM ドットアレイの設計と作製
超高感度 DNA 検出を指向した先端開口型プラズモニッ
ク結晶の作製
休憩 /Break
背面影響を低減したレーダー反射型水分検知センサ
金属マトリクスパターンを用いたレーダー反射型水分検
知センサ
膜型表面応力センサを用いた水素検出法の開発〇山田 大空 1, 川﨑 大輝 1, 井上 千種 1, 前野 権一 1, 久 1. 大阪府立大学大学院 , 2.JST さきがけ
本 秀明 1, 末吉 健志 1, 遠藤 達郎 1, 2
〇井上 千種 1, 川﨑 大輝 1, 山田 大空 1, 前野 権一 1, 志 1. 阪府大院工 , 2.JST さきがけ
水 友哉 1, 末吉 健志 1, 久本 秀明 1, 遠藤 達郎 1, 2
〇道坂 岳央 1, 出口 裕 1, 菰田 夏樹 1, 近藤 正俊 1
出口 裕 1, 道坂 岳央 1, 〇菰田 夏樹 1, 近藤 正俊 1
〇矢ケ部 太郎 1, 今村 岳 2, 吉川 元起 3, 板倉 明子 1

1. トッパン・フォームズ
1. トッパン・フォームズ

1. 物材機構 RCAMC, 2. 物材機構 MANA, 3. 物材機構
RCSF
11:30		 10a-S321-10 Pt-MOS キャパシタを用いたアセトンセンサ〇萩原 一樹 1, 祖父江 琢哉 1, 田中 貴久 1, 内田 建 1
1. 慶應大理工11:45		 10a-S321-11 シアノバクテリアの高密度集積と電気化学的応用〇吉川 諒 1, 山本 靖之 2, Karthaus Olaf3, 飯田 琢也 2, 4, 1. 阪府大院工 , 2. 阪府大院理 , 3. 千歳科技大 , 4. 阪府大床波 志保 1, 4
LAC-SYS 研究所
12:00		 10a-S321-12 近赤外応力発光体を利用した生体内力学情報のセンシン 〇 Zhang Lu1, 2, 川崎 悦子 1, 兵藤 行志 1, 上野 直広 3, 1. 産総研 , 2. 九州大学 , 3. 佐賀大学
1, 2
グ
徐 超男
12:15		 10a-S321-13 PLS 回帰分析によるトナー粒子間の顔料含有量分布の評 〇亀井 未亜 1, 松田 将稀 2
1. 株式会社リコー 研究開発本部 , 2. 株式会社リコー
価
CT&P 本部
3/11(Mon.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)11
1
1
			 11p-PA2-1
切り紙と弾性体を使った液滴アレイとその応用〇武居 淳 , 塚本 志帆 , 駒﨑 友亮 , 吉田 学
1. 産総研			 11p-PA2-2
導電性酸化物 CaCu3Ru4O12 が示す小さな熱膨張係数〇鶴田 彰宏 1, 野村 勝裕 1, 三上 祐史 1, 杵鞭 義明 1, 寺 1. 産総研 , 2. 名大理
崎 一郎 1, 2, 村山 宣光 1, 申 ウソク 1		E 11p-PA2-3
Design and fabrication of mechanical metamaterials for〇 Bongkyun Jang1, Kwang-Seop Kim1, Byung-Ik
1.KIMMflexible electronic devices
Choi1, Jae-Hyun Kim1, Hak-Joo Lee111
1
1
			 11p-PA2-4
PDMS-QCM チップとの集積を想定した磁性流体シール 〇押田 直也 , 増本 憲泰 , 加藤 史仁 , 張 暁友
1. 日工大型電磁駆動ポンプの開発
			 11p-PA2-5
口腔内カルシウムイオン測定のためのイオン選択電極の 〇齊藤 滉佑 1, 石原 昇 1, 柳田 保子 1
1. 東工大未来研
作製
1
1
1
1
		
奨 11p-PA2-6
フォトニック / プラズモニックナノデバイスのための〇前野 権一 , 山田 大空 , 志水 友哉 , 川﨑 大輝 , 末 1. 阪府大院工 , 2.JST さきがけ
モールド形状制御技術の開発
吉 健志 1, 久本 秀明 1, 遠藤 達郎 1, 2
			 11p-PA2-7
TiN- 金属 / コア - シェルナノコーンアレイ：LSPR 特性制 〇川崎 大輝 1, 前野 権一 1, 山田 大空 1, 末吉 健志 1, 久 1. 大阪府立大学大学院 , 2.JST さきがけ
御によるセンサ性能向上
本 秀明 1, 遠藤 達郎 1, 2
			 11p-PA2-8高周波誘導熱プラズマ法を用いた Ti の球状化粉末生成〇小牧 久
			 11p-PA2-9
カソード加熱型 RIE 装置により窒素プラズマ処理した Ti 〇長谷部 浩一 1, 佐藤 美那 1, 松谷 晃宏 1, 竹島 利彦 2, 1. 東工大マイクロプロセス , 2. 東工大物質理工学院
薄膜およびバルク TiO2 の透過率測定
磯部 敏宏 2, 中島 章 2, 松下 祥子 2
			 11p-PA2-10 Si マイクロ凹面鏡とケーラー照明光による酵母細胞の捕 〇松谷 晃宏 1, 佐藤 美那 1, 長谷部 浩一 1, 髙田 綾子 2 1. 東工大マイクロプロセス , 2. 東工大バイオ
獲1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境 / Energy conversion, storage, resources and environment
3/9(Sat.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) S321 会場 (Room S321)
13:45		 9p-S321-1
炭酸塩水素吸蔵材料の開発〇 (M2) 李 恒 1, 小松 啓志 1, 中村 淳 2, 1, 伊藤 治 2, 南部 1. 長岡技術科学大学 , 2. 中部キレスト , 3. アッチェ
景樹 3, 齋藤 秀俊 1
14:00		 9p-S321-2
水素吸着を用いた真珠層粉末の比表面積測定〇高徳 祐之輔 1, 李 恒 1, 小松 啓志 1, 中村 淳 2, 1, 伊藤 1. 長岡技科大工 , 2. 中部キレスト , 3. アッチェ
治 2, 南部 景樹 3, 齋藤 秀俊 1
14:15		 9p-S321-3
水素吸蔵高機能化に向けた重イオン照射と表面化学処理 〇阿部 浩之 1, 青根 茂雄 2, 森本 亮 2, 内田 裕久 2
1. 量研高崎 , 2. 東海大学院応理の相乗効果
14:30		 9p-S321-4
H Adsorption on Cs/W(110): H-induced Cs Desorption Allan Abraham Bustria Padama1, 〇 Wilson Agerico 1.IMSP-UPLB, 2.AP Osaka Univ., 3.CAMT Osaka
Tan Dino2, 3, Motoi Wada4, Katsuyoshi Tsumori5,
Univ., 4.GSE Doshisha Univ., 5.NIFS, 6.NITAC, 7.R&D
Masashi Kisaki5, Hideaki Kasai6, Hiroshi Nakanishi6, Doshisha Univ., 8.ILE Osaka Univ.
Mamiko Sasao7, Nozomi Tanaka8
14:45
E 9p-S321-5
Radiation graft copolymerization of phosphorous〇 (D)Tran Thu Hong1, Okabe Hirotaka1, Hidaka
1.Kyushu University
containing monomer on CMC-based hydrogel for metal
Yoshiki1, Hara Kazuhiro1
adsorption
15:00		休憩 /Break
15:15		 9p-S321-6
Au-Pd 合金の水素吸蔵メカニズムと水素センサへの応用 〇黒津 拓馬 1, 山作 直貴 1, 岡崎 慎司 1, 荒川 太郎 1, 西 1. 横国大院工 , 2. スインバーン工大
島 喜明 1, Armandas Balcytis2, Saulius Juodkazis2
15:30
E 9p-S321-7
Hydrogen generation by water splitting using TiO2 and〇 (M1)Zhenhang Liu1, Masashi Kato1
1.NITech
3C-SiC in tandem structure
15:45
E 9p-S321-8
Electrodeposition of nanostructured Si-layer on graphite 〇 Muhammad Monirul Islam1, Hajer Said1, 2,
1.Tsukuba Univ., 2.Univ. Tunis-El-Mann., 3.NIMS
substrate for application as anode-materials in lithiumKatsuhiro Akimoto1, Hichem Hamzaoui Ahmed2,
1, 3
1
ion-battery
Naoki Fukata , Takeaki Sakurai
16:00
奨 9p-S321-9
近接場光援用光学禁制遷移励起による二酸化炭素還元の 〇中村 勇生 1, 森本 樹 2, 加藤 由真 3, 吉田 朋子 3, 清水 1. 東大院工 , 2. 東京工科大 , 3. 大阪市立大 , 4. 東京理科
高効率化
暢之 4, 藏重 亘 4, 根岸 雄一 4, 飯田 健二 5, 八井 崇 1
大 , 5. 分子研
16:15		 9p-S321-10 光触媒効果による水分解に向けた SiC とβ -FeSi2 半導体 〇秋山 賢輔 1, 2, 野島 咲子 1, 高橋 亮 1, 舟窪 浩 2, 入江 1. 神奈川産技総研 , 2. 東工大院・物質理工 , 3. 山梨大ク
3との複合粒子合成
寛
リーンエネ研16:30		休憩 /Break
16:45		 9p-S321-11 グルコース駆動 O2 加給装置を実装した空気バイオ電池に 〇ハオ ザイチェン 1, 瀬島 史也 1, 杉山 武 1, 當麻 浩
1. 医科歯科大関する研究司 1, 荒川 貴博 1, 三林 浩二 1
1
1
17:00		 9p-S321-12 全固体電気化学エネルギー変換デバイスにおける電極過 〇小林 清 , 鈴木 達
1. 物材機構
電圧理論
17:15		 9p-S321-13 フッ化物シャトル二次電池で用いるフッ化ビスマス電極 〇湊 丈俊 1, 小西 宏明 1, 大西 洋 2, 安部 武志 3, 小久見 1. 京大産官学 , 2. 神戸大院理 , 3. 京大地環堂
の反応解析
善八 1
17:30		 9p-S321-14 量子井戸構造を有する半導体固体電池の作製と充放電特 〇佐々木 敦也 1, 佐々木 亮人 1, 片岡 好則 1, 伊東 孝
1. 東芝マテ , 2. ジオマテック
性の評価
洋 2, 平林 英明 1
17:45		 9p-S321-15 リチウムイオン電池用 SiOx 負極の酸素量に依存した形態 〇春田 正和 1, 土井 貴之 1, 稲葉 稔 1
1. 同志社大変化
3/11(Mon.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11p-PA3-1
WO3/FTO コアシース型ナノファイバの光充放電特性〇 (M1) 隈元 大登 1, 松田 拓也 1, 小牧 平知 1, 庄崎 ま 1. 鹿児島大院 理工
こと 1, 野見山 輝明 1, 堀江 雄二 1
			 11p-PA3-2
Ce ドープ BiFeO3 薄膜の光蓄電池の光電変換層への応用 〇 (M1) 上野 清雅 1, 的場 浩樹 1, 野見山 輝明 1, 堀江 1. 鹿児島大院 理工
雄二 1
			 11p-PA3-3
光誘起対流を用いた細菌の集積と微生物燃料電池への応 〇櫻井 健司 1, 3, 吉川 諒 1, 3, 末廣 泰地 2, 3, 山本 靖之 2, 3, 1. 阪府大院工 , 2. 阪府大院理 , 3. 阪府大 LAC-SYS 研究所 ,用Olaf Karthaus4, 飯田 琢也 2, 3, 床波 志保 1, 3
4. 千歳科技大		E 11p-PA3-4
Lithium, Sodium and Magnesium Insertion in Brookite
Daniel Koch1, 〇 Sergei Manzhos1
1.Ntl Uni of Singapore
TiO2: a Comparative Computational Study
			 11p-PA3-5
金属 / 絶縁体複合熱伝導層を載せたナノワイヤ型シリコ 〇平尾 修平 1, 大和 亮 1, 詹 天卓 1, 徐 茂 1, 武澤 宏樹 1, 1. 早大理工 , 2. 物材研
ン熱電デバイスの評価
目﨑 航平 1, 富田 基裕 1, 徐 一斌 2, 渡邉 孝信 1
			 11p-PA3-6
自立型 Si 被覆高配向 CNT シートを用いたリチウムイオ 〇後藤 良輔 1, 浅生 智也 1, 苅田 基志 1, 中野 貴之 1, 田 1. 静大院工ン電池負極
中 康隆 1, 井上 翼 1

1.5 計測技術・計測標準 / Instrumentation, measurement and Metrology			 11p-PA3-7

高活性 Pt ナノポーラス触媒の開発Ⅱ

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology〇墻内 孝祐 1, 関 翔太 1, 野稲 啓二 1, 朝倉 典昭 1, 定塚 1. 株式会社 KRI
哲也 1, 松田 敏彦 1
			 11p-PA3-8
マグネシウム空気電池を電源とする電気自動車の運用試 〇斉藤 純 1, 小原 宏之 2
1. 玉川大工 , 2. 玉川大 TSCP験		
E 11p-PA3-9
Electric-Field Assisted Perovskite Crystallization for High- 〇 (D)CONGCONG ZHANG1, Hiroyuki Okada1
1.Univ. of Toyama
Performance Solar Cells
			 11p-PA3-10 メカニカルアロイングを用いたβ -FeSi2 の合成と評価に 〇長田 興 1, 佐藤 祐喜 1, 吉門 進三 1
1. 同志社大院理工関する研究
1.5 計測技術・計測標準 / Instrumentation, measurement and Metrology
3/11(Mon.) 13:15 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) M116 会場 (Room M116)
13:15		 11p-M116-1 【注目講演】ナノ材料の熱物性の計測に向けたマイクロス 〇花村 友喜 1, 山田 亮 1, 夛田 博一 1
1. 阪大院基礎工
ケール熱電対の開発
13:30		 11p-M116-2 波長可変半導体レーザー分光法を用いた露点計の開発
本田 真一 1, 板橋 健一 1, 橋口 幸治 2, 〇阿部 恒 2
1. 神栄テクノロジー( 株 ), 2. 産総研
13:45		 11p-M116-3 酸素・ヘリウム中微量水分の一次標準の確立〇天野 みなみ 1, 阿部 恒 1
1. 産総研1
1
1
14:00		 11p-M116-4 バイオ医薬品向けタンパク質凝集体の光計測方法〇安齋 由美子 , 大澤 賢太郎 , 峯邑 浩行 , 梅田 麻理 1. 日立研開
子 1, 塩澤 学 1
14:15		 11p-M116-5 バイオ医薬品開発向け蛋白質凝集体の電子顕微鏡計測〇甕 久実 1, 大嶋 卓 1
1. 日立研開
14:30		 11p-M116-6 質量測定式液中粒子計数装置を用いた液中粒子数濃度一 〇坂口 孝幸 1, 車 裕輝 1, 桜井 博 1
1. 産総研計量標準
次標準の開発14:45		 11p-M116-7 液中 AFM を用いた半導体ウェーハ洗浄用 PVA ブラシ表 〇五十嵐 陽彦 1, 吉野 巧 1, 宮田 一輝 1, 2, 宮澤 佳甫 2, 1. 金大理工 , 2. 金大 NanoLSI, 3. 荏原製作所
面の吸着力計測宇野 恵 3, 高東 智佳子 3, 福間 剛士 1, 2
15:00		 11p-M116-8 AFM による Bi4NbO8Br 光触媒結晶表面のナノレベル分極 〇水島 大地 1, 平田 海斗 2, 鐘 承超 3, 宮田 一輝 2, 4, 宮 1. 金大理工 , 2. 金大院 , 3. 京大院 , 4. 金大 NanoLSI
ドメイン分布解析
澤 佳甫 4, 陰山 洋 3, 福間 剛士 2, 4
15:15		 11p-M116-9 有機チオール分子の真空紫外一光子イオン化計測〇鈴木 淳 1, 永井 秀和 1, 中村 健 1, 藤原 幸雄 1
1. 産総研分析計測ＲＩ
15:30		 11p-M116-10 超解像光熱顕微イメージングの画像解析法の開発〇小林 孝嘉 1, 2, 中田 和明 1, 2, 鶴井 博理 3
1. 電通大脳科学 , 2. 東京理科大理 , 3. 順天堂大医
15:45		 11p-M116-11 原子間力顕微鏡法における薄膜破壊プロセスの解析 ( Ⅱ ) 石原 浩行 1, 2, 〇若家 冨士男 1, 村上 勝久 2, 長尾 昌
1. 阪大院基礎工 , 2. 産総研 , 3.JST さきがけ
善 2, 宮戸 祐治 1, 山下 隼人 1, 3, 阿保 智 1, 阿部 真之 1
1
2
16:00
E 11p-M116-12 Determination of thermodynamic properties using ab〇 (D)Adie Tri Hanindriyo , Soumya Sridar , K. C.
1.Grad. Sch. Adv. Sci. Tech., JAIST, 2.Dept. Metal.
initio methods for the intermetallic compounds inHari Kumar2, Kenta Hongo3, 4, 5, Ryo Maezono3
Mater. Eng.,IITM, 3.Sch. Info. Sci., JAIST, 4.NIMS,
Nd-Fe-B system
5.PRESTO,JST
16:15
奨 11p-M116-13 超高感度磁気計測および画像再構成理論に基づく埋め込 〇 (D) 鈴木 章吾 1, 松田 聖樹 1, 木村 建次郎 1, 3, 美馬 1. 神大数理データサイエンスセンター, 2.Integral
22
み型防犯ゲートシステムの開発
勇輝 , 木村 憲明
Geometry Science, 3.JST-MIRAI
16:30		 11p-M116-14 応力発光による「構造最適化の見える化」〇寺崎 正 1, 藤尾 侑輝 1, 加藤 正樹 2, 近藤 光一郎 3
1. 産総研 , 2. あいち産業科学技術総合センター, 3. 名古屋市工研究所
16:45		 11p-M116-15 テラヘルツ波３次元イメージング技術を用いた壁面内部 〇椴山 誉 1, 2, 3, 佐々木 芳彰 2, 吉峯 功 2, 永野 繁憲 1, 湯 1. トプコン , 2. 理研 光量子工学研究センター, 3. 山形
欠陥診断に関する研究
浅 哲也 3, 大谷 知行 2大3/12(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 12a-PA1-1
CaMnO3 の Ru 部分置換と熱電特性〇 (BC) 上田 智 1, 板東 能生 1
1. 呉高専			 12a-PA1-2
高湿度標準発生装置の圧力制御に関する研究〇石渡 尚也 1, 丹羽 民夫 1, 阿部 恒 1
1. 産総研 計量標準総合センター
			 12a-PA1-3
確率共鳴現象を活用した微小信号の新たな検出方法の考 〇高木 義徳 1, 中島 駿 1, 田村 祐一 1, 宮本 泰治 1, 清水 1.SCREEN ホールディングス
1
案大介
			 12a-PA1-4
光散乱測定によるオレンジジュース、トマトジュースお 〇勝亦 徹 1, 相沢 宏明 1, 小室 修二 1, 伊藤 繁夫 1, 松元 1. 東洋大学理工 , 2. ㈱マツモト精密工業
よびトマトの品質検査
健2
			 12a-PA1-5
光散乱を用いた牛乳の品質検査〇勝亦 徹 1, 相沢 宏明 1, 小室 修二 1, 伊藤 繁夫 1, 松元 1. 東洋大学理工 , 2. ㈱マツモト精密工業
健2
			 12a-PA1-6蛍光を利用した牛乳の品質検査〇勝亦 徹 1, 相沢 宏明 1, 小室 修二 1, 伊藤 繁夫 1, 松元 1. 東洋大理工 , 2. ㈱マツモト精密工業
健2
		
奨 12a-PA1-7
薄膜厚さ計測に向けた光ファイバプローブの最適設計〇 (B) 下林 紀幸 1, 渡邉 潤 1, 水谷 浩也 1, 齋藤 隆之 1 1. 静岡大工			 12a-PA1-8
多点計測マイクロ波 CT システムにおける高精度位相較 〇 (BC) 上野 あきほ 1, 山口 聡一朗 1, 中山 遥香 1
1. 関西大学正			 12a-PA1-9
食品検査マイクロ波 CT システムによる 3 次元撮像
〇 (B) 長谷川 実里 1
1. 関大
			 12a-PA1-10 48 ∼ 54GHz 帯 256ch ミリ波ホログラフィーシステム〇 (BC) 山本 修史 1, 山下 大輝 1, 土屋 隼人 2, 長山 好 1. 関西大シス理 , 2. 核融合研 , 3. 日大理工夫 3, 山口 聡一朗 1
			 12a-PA1-11 円偏光変調法を用いた磁気光学スペクトロメーターの開 〇王 世浩 1, 西川 雅美 1, 石橋 隆幸 1
1. 長岡技科大発			 12a-PA1-12 MO イメージングによる 3 次元磁場分布の測定〇高橋 知之 1, 佐々木 教真 2, 西川 雅美 1, 石橋 隆幸 1 1. 長岡技科大工 , 2. オフダイアゴナル
1.6 超音波 / Ultrasonics
3/9(Sat.) 13:15 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) W834 会場 (Room W834)
13:15
招 9p-W834-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇波切 堅太郎 1, 鈴木 雅視 1, 垣尾 省司 1
1. 山梨大学
縦型リーキーSAW を用いたチャネル光導波路型音響光学
変調素子
13:30		 9p-W834-2
水負荷 LiTaO3/ 水晶接合構造上の漏洩弾性表面波の伝搬 〇垣尾 省司 1, 加藤 良基 1, 末永 凌大 1, 鈴木 雅視 1, 手 1. 山梨大 , 2. 早稲田大 , 3. 日本製鋼所
特性
塚 彩水 2, 桑江 博之 2, 横田 裕章 3, 米内 敏文 3, 岸田 和
人 3, 水野 潤 2
13:45		 9p-W834-3
ボール SAW センサによる微量水分の高速・定量分析〇赤尾 慎吾 1, 岡野 達広 1, 竹田 宣生 1, 辻 俊宏 2, 1, 大 1. ボールウェーブ , 2. 東北大学
泉 透 1, 福士 秀幸 1, 菅原 真希 1, 塚原 祐輔 1, 山中 一
司 1, 2
14:00
奨 9p-W834-4
GHz 表面弾性波を用いた超音波トモグラフィーによる画 〇武田 颯 1, Otsuka Paul1, 友田 基信 1, Wright Oliver 1. 北大工
像再構成
B.1
14:15		 9p-W834-5
積層型 PVDF/TrFE 振動子を用いた高周波超音波の発生 〇松田 洋一 1
1. 産総研14:30
奨 9p-W834-6
ScAlN 自立薄板を用いた 30-40MHz 帯振動子
〇 (M1) 正宗 千明 1, 2, 唐澤 嶺 1, 2, 柳谷 隆彦 1, 2, 3
1. 早大院・先進理工 , 2. 材研 , 3.JST さきがけ
1, 2
1, 2
4
5
14:45
奨 9p-W834-7
溶融および焼結 ScAl 合金ターゲットを用いた高品質な〇白 寧蕊 , 唐澤 嶺 , 高柳 真司 , 今川 誠 , 森坂 1. 早稲田大学 , 2. 材研 , 3.JST さきがけ , 4. 名古屋工業大ScAlN 薄膜の作製
啓介 5, 鈴木 雄 5, 柳谷 隆彦 1, 2, 3
学 , 5. 株式会社フルヤ金属
15:00		休憩 /Break
15:15		 9p-W834-8
スペックルナイフエッジ光検出器を用いたレーザ超音波 〇李 英根 1, 北澤 聡 1, リケッシュ パテル 2, ロジャー 1. 日立研開 , 2. ノッティンガム大技術による内部欠陥検出
ライト 2
15:30		 9p-W834-9
音響誘起電磁法を用いた溶接鋼材における残留応力分布 〇鈴木 優平 1, 2, 市川 裕一 1, 山田 尚人 1, 生嶋 健司 1
1. 農工大院工 , 2. ＩＨＩ検査計測
の評価
15:45
奨 9p-W834-10 完全バンドギャップを有する音響メタマテリアル梁の設 〇藤田 健太郎 1, 友田 基信 1, 松田 理 1, Wright Oliver 1. 北大工
計
B.1
16:00
奨 9p-W834-11 ソノルミネセンス気泡の帯電〇李 香福 1, 崔 博坤 1
1. 明大理工16:15
奨 9p-W834-12 超音波によって誘起される生体組織の電気分極〇 (B) 熊本 貴司 1, 伊藤 賢四郎 1, 生嶋 健司 1
1. 農工大院工3/10(Sun.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
		奨 10p-PB1-1
128Y-X LiNbO3 上の金ナノ粒子による局在表面プラズモ 〇佐野 弘典 1, 近藤 淳 1
1. 静岡大学
ン共鳴と弾性表面波の間における影響
1
1
			 10p-PB1-2
弾性表面波の液滴依存応答を用いた液滴の位置計測法
角ヶ谷 草汰 , 〇近藤 淳
1. 静岡大院総合			 10p-PB1-3
弾性表面波を用いた液体縦波音速の新しい計測法
池田 廉 1, 角ヶ谷 草汰 2, 〇近藤 淳 2
1. 静岡大工 , 2. 静岡大院総合

2 放射線 / Ionizing Radiation
			 10p-PB1-4
			 10p-PB1-5

			 10p-PB1-6
			 10p-PB1-7
			 10p-PB1-8
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			 10p-PB1-10
			 10p-PB1-11

ScAlN 薄膜 / 水晶基板上縦型リーキーSAW の伝搬減衰に速い横波，遅い横波成分が及ぼす影響の理論的検討
LiNbO3/ アモルファス層 / 水晶構造における縦型リー
キーSAW の解析

1. 山梨大〇 (B) 浅川 詩織 1, 林 純貴 1, 鈴木 雅視 1, 垣尾 省司 1, 1. 山梨大 , 2. 早稲田大 , 3. 日本製鋼所
手塚 彩水 2, 桑江 博之 2, 横田 裕章 3, 米内 敏文 3, 岸田和人 3, 水野 潤 2
Laser Speckle 干渉計によるレーザ光に対する絶対応答に 王 景 1, 〇渡部 泰明 1, 馬 昀灏 1, 辛 宇風 1, 佐藤 隆幸 1 1. 首都大
ついてバトラ水晶発振器の位相雑音におけるコレクターフィル 〇辛 宇風 1, 渡部 泰明 1, 馬 昀灏 1, 王 景 1, 佐藤 隆幸 1 1. 首都大
タの影響
同軸型熱音響システムにおける局所的な断面積変化が共 〇武山 幸浩 1, 坂本 眞一 2, 白木 一希 1, 黒木 大地 1, 渡 1. 同志社大 , 2. 滋賀県立大鳴モード制御に与える影響
辺 好章 1
熱音響システムの低温駆動に向けた検討 - 水分添加とス 〇黒木 大地 1, 武山 幸浩 1, 大西 陸 1, 渡辺 好章 1
1. 同志社大
タック内部温度推移の関係 1
1
1
1
UVC 法を用いた拍動下における頸動脈ファントム中の脂 〇犬塚 裕哉 , 亀田 雅伸 , 坪井 新 , 松山 哲也 , 和田 1. 阪府大院工 , 2.TU 技術研究所
肪領域の検出健司 1, 岡本 晃一 1, 松中 敏行 2, 堀中 博道 1
左室補助人工心臓で発生する血栓と気泡の超音波による 〇 (M1) 北村 公汰 1, 秋山 いわき 1, 斎藤 こずえ 2
1. 同志社大 , 2. 奈良県立医大
識別 : Sonazoid® と Dextran を用いた模擬実験

2 放射線 / Ionizing Radiation

2 放射線 / Ionizing Radiation〇鈴木 雅視 1, 垣尾 省司 1

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
3/11(Mon.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 11p-PB4-1
TlBr 結晶の低温での発光特性〇越水 正典 1, 人見 啓太朗 1, 野上 光博 1, 柳田 健之 2, 1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
			 11p-PB4-2
プラスチックシンチレータの過渡吸収分光〇越水 正典 1, 室屋 裕佐 2, 加賀美 佳 1, 間木 ありさ 1, 1. 東北大院工 , 2. 阪大産研
藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
			 11p-PB4-3
YAlO3:Pr の高エネルギーＸ線検出特性〇越水 正典 1, 岸本 俊二 2, 春木 理恵 2, 錦戸 文彦 3, 柳 1. 東北大院工 , 2.KEK, 3. 量研機構 , 4. 奈良先端大
田 健之 4, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
			 11p-PB4-4
NaCl:Yb 結晶における X 線照射誘起発光〇藤本 裕 1, 岡田 豪 2, 関根 大 1, 柳田 健之 3, 越水 正 1. 東北大院工 , 2. 金沢工業大 , 3. 奈良先端大
典 1, 川本 弘樹 1, 浅井 圭介 1
			 11p-PB4-5
希土類シリケートシンチレータの光音響分光〇藤本 裕 1, 柳田 健之 2, 越水 正典 1, 深田 晴己 3, 長田 1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大 , 3. 金沢工業大 , 4. オキサイ
隼弥 4, 長尾 勝彦 4, 浅井 圭介 1
ド			 11p-PB4-6
Cs3PrCl6 結晶の蛍光及びシンチレーション特性〇藤本 裕 1, 中内 大介 2, 柳田 健之 2, 越水 正典 1, 浅井 1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
圭介 1
			 11p-PB4-7
Ce ドープ TlCl-SrCl2 系結晶のシンチレーション特性〇荒井 美紀 1, 高橋 佳亮 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 柳田 1. 東北大 , 2. 奈良先端大
健之 2, 浅井 圭介 1
			 11p-PB4-8
CsI(Na) 結晶シンチレータの NaI 濃度特性
〇荒井 美紀 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 柳田 健之 2, 浅井 1. 東北大 , 2. 奈良先端大
圭介 1
			 11p-PB4-9
Yb 添加 KSr2X5(X = Cl, Br) 結晶の発光およびシンチレー 〇 (M2) 関根 大 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 中内 大介 2, 1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
ション特性柳田 健之 2, 浅井 圭介 1
			 11p-PB4-10 Yb2+ 添加 BaX2(X = Cl, Br) 結晶の発光特性の温度依存性 〇 (M2) 関根 大 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 中内 大介 2, 1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
柳田 健之 2, 浅井 圭介 1
			 11p-PB4-11 Cs(Ca1-xMgx)Cl3 のオージェフリー発光〇高橋 佳亮 1, 越水 正典 1, 柳田 健之 2, 藤本 裕 1, 浅井 1. 東北大 , 2. 奈良先端大
圭介 1
			 11p-PB4-12 Cs2BaCl4 の発光特性〇高橋 佳亮 1, 越水 正典 1, 柳田 健之 2, 藤本 裕 1, 浅井 1. 東北大 , 2. 奈良先端大
圭介 1
			 11p-PB4-13 真空蒸発法を用いて創成した Bi 添加プラスチックシンチ 〇加賀美 佳 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 岸本 俊二 2, 春木 1. 東北大学院工 , 2. 高エネルギー加速器研究機構 , 3. 量
レータお X 線検出特性
理恵 2, 錦戸 文彦 3, 浅井 圭介 1
子科学技術研究開発機構
			 11p-PB4-14 溶媒蒸発法を用いた Hf 添加プラスチックシンチレータの 〇加賀美 佳 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 岸本 俊二 2, 春木 1. 東北大学院工 , 2. 高エネルギー加速器研究機構 , 3. 量
合成とその X 線検出特性評価
理恵 2, 錦戸 文彦 3, 浅井 圭介 1
子科学技術研究開発機構
			 11p-PB4-15 有機修飾 Bi2O3 ナノ粒子の合成および X 線検出プラス〇間木 ありさ 1, 加賀美 佳 1, 荒井 紗瑛 1, 横 哲 1, 成 基 1. 東北大工 , 2. 高エネ研 , 3. 量研機構
チックシンチレータへの応用
明 1, 笘居 高明 1, 阿尻 雅文 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 岸
本 俊二 2, 春木 理恵 2, 錦戸 文彦 3, 浅井 圭介 1
			 11p-PB4-16 Bi(Ph)3 を含有した液体シンチレータの蛍光体種類の探索 〇間木 ありさ 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 柳田 健之 2, 浅 1. 東北大工 , 2. 奈良先端大
井 圭介 1
			 11p-PB4-17 中性子検出を企図した 6- リチウム含有液体シンチレータ 〇荒井 紗瑛 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 柳田 健之 2, 浅井 1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大に用いる混合溶媒の検討
圭介 1
			 11p-PB4-18 ニュートリノレス二重β崩壊検出用液体シンチレータに 〇荒井 紗瑛 1, 横 哲 2, 成 基明 2, 笘居 高明 3, 阿尻 雅 1. 東北大院工 , 2. 東北大 WPI-AIMR, 3. 東北大 IMRAM
装荷する有機修飾 SrMoO4 ナノ粒子合成に及ぼす pH の影 文 2, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
響			 11p-PB4-19 X 線照射によるジアリールエテンの異性化挙動〇 (B) 河村 一朗 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 川本 弘樹 1, 1. 東北大院工浅井 圭介 1
			 11p-PB4-20 ラジオクロミック材料の 3D 造形〇 (B) 河村 一朗 1, 藤原 健 2, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 浅 1. 東北大院工 , 2. 産総研
井 圭介 1
			 11p-PB4-21 中性子線照射による Tb3+ ドープ CaO–Al2O3–B2O3 ガラス 〇 (B) 河村 一朗 1, 川本 弘樹 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 1. 東北大院工 , 2. 金沢工大 , 3. 奈良先端大 , 4. 量研機構の熱蛍光特性岡田 豪 2, 古場 裕介 4, 小川原 亮 4, 柳田 健之 3, 浅井 圭介1
			 11p-PB4-22 2，3- ジヒドロ -2- スピロ -4’ -[8’ - アミノナフタレン〇 (M1) 川本 弘樹 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1 1. 東北大院工―1’ (4’ h)- オン ] ペリミジンの X 線に対する応答への蛍光体添加の影響			 11p-PB4-23 1,3,3- トリメチルインドリノ -6’ - ニトロベンゾピリロス 〇 (M1) 川本 弘樹 1, 越水 正典 1, 古馬 裕介 2, 藤本 裕 1, 1. 東北大院工 , 2. 量研機構
ピランの He イオン線によるフォトクロミズム
浅井 圭介 1
			 11p-PB4-24 銀添加リン酸塩ガラスにおける銀の価数変化の組成依存 〇 (M1) 川本 弘樹 1, 越水 正典 1, 正井 博和 2, 藤本 裕 1, 1. 東北大院工 , 2. 産総研性浅井 圭介 1
			 11p-PB4-25 石炭灰を原料に用いたガラスの X 線照射量と着色の関係 〇二見 能資 1, 河口 範明 2, 柳田 健之 2
1. 熊本高専 , 2. 奈良先端大
			 11p-PB4-26 ZnO-P2O5 ガラスにおけるＸ線照射による欠陥生成と熱 〇正井 博和 1, 岡田 豪 2, 河口 範明 3, 柳田 健之 3
1. 産総研 , 2. 金沢工大 , 3. 奈良先端大
刺激蛍光との相関			 11p-PB4-27 Eu 添加 LiF-CaF2-AlF3-P2O5 ガラスのシンチレーション特 〇篠崎 健二 1, 岡田 豪 2, 河口 範明 3, 柳田 健之 3
1. 産総研 , 2. 金沢工大 , 3. 奈良先端大
性
1
2
1
2
			 11p-PB4-28 RPL 特性を有する Sm 添加 LiCaAlF6〇岡田 豪 , 河口 範明 , 南戸 秀仁 , 柳田 健之
1. 金沢工業大学 , 2. 奈良先端大
			 11p-PB4-29 BeO セラミックスの放射線誘起発光特性〇岡田 豪 1, 小口 靖弘 2, 越水 正典 3, 古場 裕介 4, 平澤 1. 金沢工大 , 2. 千代田テクノル , 3. 東北大 , 4. 量研機構 ,一樹 1, 柳田 健之 5, 南戸 秀仁 1
5. 奈良先端大			 11p-PB4-30 Tb3+ ドープ BABF ガラスおよび結晶化ガラスにおける発 〇岡田 豪 1, 篠崎 健二 2, 河口 範明 3, 小松 高行 4, 柳田 1. 金沢工大 , 2. 産総研 , 3. 奈良先端大 , 4. 長岡技科大3
光特性の比較
健之
			 11p-PB4-31 SPS 法により作製した Eu 添加 Al2O3 透明セラミックスの 〇河野 直樹 1, 加藤 匠 2, 岡田 豪 3, 河口 範明 2, 柳田 健 1. 秋田大 , 2. 奈良先端大 , 3. 金沢工業大
熱蛍光特性之2
			 11p-PB4-32 Tb 添加 B2O3-Al2O3-SrO ガラスの放射線検出特性〇河野 直樹 1, 河口 範明 2, 岡田 豪 3, 藤本 裕 4, 柳田 健 1. 秋田大 , 2. 奈良先端大 , 3. 金沢工業大 , 4. 東北大之2

2 放射線 / Ionizing Radiation
			 11p-PB4-33
			 11p-PB4-34
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奨 11p-PB4-73

			 11p-PB4-74
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2 放射線 / Ionizing Radiation

			 11p-PB4-54
			 11p-PB4-55
			 11p-PB4-56

Mn 添加有機無機ペロブスカイト型化合物のシンチレー 〇河野 直樹 1, 高橋 光輔 1, 木村 大海 2, 河口 範明 2, 柳 1. 秋田大 , 2. 奈良先端大
ション特性
田 健之 2フルオロフェネチルアミン含有有機無機ペロブスカイト 〇堀本 篤史 1, 河野 直樹 1, 木村 大海 2, 河口 範明 2, 柳 1. 秋田大 , 2. 奈良先端大型化合物の放射線検出特性
田 健之 2二次元量子閉じ込め型シンチレータ (C6H5C2H4NH3)2Pb1- 〇赤塚 雅紀 1, 河野 直樹 2, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大 , 2. 秋田大理工
xMgxBr4 の開発
Ce 添加 Gd(Ga,Al)O3 単結晶のシンチレーション特性〇赤塚 雅紀 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大Nd 添加 RESiO3(RE = Ca, Sr, Ba) 単結晶の近赤外シンチ 〇赤塚 雅紀 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大レーション特性1211Sm 添加 SrCl2 単結晶シンチレータの開発〇 (D) 中内 大介 , 藤本 裕 , 河口 範明 , 柳田 健之
1. 奈良先端大 , 2. 東北大
Eu 添加 BaSi2O5 結晶化ガラスの放射線発光特性〇 (D) 中内 大介 1, 篠崎 健二 2, 柳田 健之 1, 河口 範
1. 奈良先端大 , 2. 産総研
明1
酸化ハフニウム結晶のシンチレーション特性〇 (D) 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大Ce 添加 SrHfO3 結晶のシンチレーション特性評価〇福嶋 宏之 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大1111Ti 添加 CaHfO3 結晶シンチレータの開発〇福嶋 宏之 , 中内 大介 , 河口 範明 , 柳田 健之
1. 奈良先端大Ce 添加 CaZrO3 結晶のシンチレーション特性〇福嶋 宏之 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大FZ 法で作製した Eu 添加 Sr2MgSi2O7 単結晶のフォトルミ 〇小川 泰輝 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大ネッセンスおよびシンチレーション特性評価
11
1
1
FZ 法により作製した Ce 添加 AESiO3（AE = Ca, Sr, Ba） 〇小川 泰輝 , 中内 大介 , 河口 範明 , 柳田 健之
1. 奈良先端大単結晶の放射線誘起蛍光特性
Ce 添加 CaO-Al2O3-SiO2 ガラスの放射線励起蛍光特性評 〇小川 泰輝 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大価
Ce 添加 BaO-P2O5-SiO2 ガラスの光学及びシンチレーショ 〇佐溝 隼大 1, 加藤 匠 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大ン特性
La 含有ケイ酸塩ガラスの放射線誘起発光特性〇佐溝 隼大 1, 加藤 匠 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大SPS 法を用いた Eu 添加 SiO2 ガラスの作製および放射線 〇磯川 裕哉 1, 木村 大海 1, 加藤 匠 1, 河口 範明 1, 柳田 1. 奈良先端大
誘起蛍光特性健之 1
Ag 添加 Li2O-B2O3 系ガラスのラジオフォトルミネッセン 〇磯川 裕哉 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大ス特性
Pr 添加 GdTaO4 単結晶のシンチレーション特性〇磯川 裕哉 1, 中内 大介 1, 赤塚 雅紀 1, 河口 範明 1, 柳 1. 奈良先端大
田 健之 1
Pr 添加 :Gd4Al2O9 単結晶のシンチレーション特性〇吉田 容輝 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大0.1-2.0% Pr 添加 :Lu4Al2O9 単結晶のシンチレーション特 〇吉田 容輝 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大性
希土類全添加 :Yb3Al5O12 単結晶のシンチレーション特性 〇吉田 容輝 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大ラジオフォトルミネッセンス特性を示す Eu 添加 KCaPO4 〇浅田 将太 1, 岡田 豪 2, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大 , 2. 金沢工大
11
2
1Ag 添加 CsCl 透明セラミックスの RPL 特性〇木村 大海 , 加藤 匠 , 岡田 豪 , 河口 範明 , 柳田 健 1. 奈良先端大 , 2. 金沢工大之1
Cs(Cl,Br) 透光性セラミックの放射線誘起蛍光特性〇木村 大海 1, 加藤 匠 1, 越水 正典 2, 河口 範明 1, 柳田 1. 奈良先端大 , 2. 東北大院工健之 1
Ce 添加 La2O3-Al(PO3)3 ガラスのシンチレーション特性 〇木村 大海 1, 佐溝 隼大 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大Eu 添加 Li3PO­4-B2O3 ガラスにおける放射線蛍光特性〇 (M1) 白鳥 大毅 1, 磯川 裕哉 1, 河口 範明 1, 柳田 健 1. 奈良先端大
之1
Rb2O-BaO-P2O5 ガラスの作製と放射線誘起蛍光特性及び 〇 (M1) 白鳥 大毅 1, 佐溝 隼大 1, 河口 範明 1, 柳田 健 1. 奈良先端大
光学特性
之1
放電プラズマ焼結法により作製した Sn 添加シリカガラス 〇 (M1) 白鳥 大毅 1, 木村 大海 1, 河口 範明 1, 柳田 健 1. 奈良先端大の放射線応答特性之1
Sb 添加 Ca3(PO4)2 透明セラミックスの放射線誘起発光特 〇加藤 匠 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大性111
無添加及び Tb 添加 MgAl2O4 透明セラミックスのドシ〇加藤 匠 , 河口 範明 , 柳田 健之
1. 奈良先端大
メータ特性
Al2O3 のドシメータ特性における比較研究〇加藤 匠 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大Nd 添加 YAlO3 単結晶のシンチレーション特性〇柳田 健之 1, 赤塚 雅紀 1, 河口 範明 1
1. 奈良先端大
無添加 LiAlO2 および LiGaO2 における n-g 波形弁別の検 〇柳田 健之 1, 渡辺 賢一 2, 河口 範明 1
1. 奈良先端大 , 2. 名大工討
30BaO–(70-x)TiO2–xGeO2 (x = 50, 55, 60) 結晶化ガラス 〇柳田 健之 1, 正井 博和 2, 河口 範明 1
1. 奈良先端大 , 2. 産総研のシンチレーション特性
Ce 添加 YBO3 のシンチレーション特性〇河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大Nd, Tm 共添加フッ化バリウムの VUV シンチレーション 〇河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大特性
Zn4B6O13 のシンチレーション及びドシメーター特性〇河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大Czochralski 法による Ce:GPS 単結晶の育成と評価〇長尾 勝彦 1, 竹川 俊二 1, 石橋 浩之 1
1.( 株 ) オキサイド
p-terphenyl 結晶の作製とシンチレーション特性評価〇山路 晃広 1, 大和 慎之介 1, 黒澤 俊介 1, 3, 吉野 将
1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3. 山形大
1
2
2
2
1, 2
生 , 大橋 雄二 , 横田 有為 , 鎌田 圭 , 吉川 彰
パルス変調レーザーを用いた CdTe 検出器におけるキャ 〇坂井田 晃平 1, 中川 央也 1, 増澤 智昭 1, 2, 伊藤 哲 1, 2, 1. 静岡大院 , 2. 静大電研
リア移動特性の時間経過依存性の評価
青木 徹 1, 2
1 cm 厚ピクセル型 TlBr 放射線検出器の製作と評価〇野上 光博 1, 人見 啓太朗 1, 小野寺 敏幸 2, 渡辺 賢
1. 東北大学 , 2. 東北工業大学 , 3. 名古屋大学
一 3, 松本 伎朗 3, 伊藤 辰也 1, 金 聖潤 1, 石井 慶造 1
電荷注入型読み出し回路による X 線透過像撮影〇都木 克之 1, 2, 都木 利之 1, 寺尾 剛 1, 2, 森井 久史 2, 小 1. 静岡大電子研 , 2. 株式会社 ANSeeN
池 昭史 1, 2, 青木 徹 1, 2
粒子線治療への応用にむけた電子飛跡型コンプトンカメ 〇沼倉 隼人 1, 黒澤 俊介 1, 2, 門叶 冬樹 1, 園田 真也 3, 1. 山形大 , 2. 東北大 , 3. 京都スペースガンマ , 4. 京大ラの開発 I Ⅴ
水本 哲矢 3, 谷森 達 3, 4, 高田 淳史 3, 4, 吉野 将生 2, 山路
晃広 2, 岩井 岳夫 1, 根本 建二 1
放射線治療中の患部周辺線量を評価するための放射線誘 〇 (DC) 平田 悠歩 1, 渡辺 賢一 1, 山﨑 淳 1, 吉橋 幸
1. 名大工 , 2. 量研機構放医研 , 3. 奈良先端大
起蛍光体と光ファイバーを用いた小型線量計の開発
子 1, 瓜谷 章 1, 古場 裕介 2, 松藤 成弘 2, 加藤 匠 3, 河口範明 3, 柳田 健之 3
中性子ブラッグエッジ解析コード RITS におけるシング 大前 良磨 1, 〇渡辺 賢一 1, 瓜谷 章 1, 山﨑 淳 1, 吉橋 幸 1. 名古屋大学 , 2. 北海道大学
ルエッジフィッティングの改良
子 1, 鬼柳 善明 1, 佐藤 博隆 2
山形大学に導入した高感度加速器質量分析報告 II〇武山 美麗 1, 森谷 透 1, 櫻井 敬久 2, 宮原 ひろ子 3, 大 1. 山形大 AMS センター, 2. 山形大理 , 3. 武蔵美 , 4. 東北
山 幹成 4, 斉藤 久子 5, 岡田 靖 6, 門叶 冬樹 1, 2
大植物園 , 5. 千葉大法医 , 6. 木文研
マイクロカロリーメーターEDS 搭載走査型電子顕微鏡に 〇中村 吏一朗 1, 平野 健太郎 1, 前畑 京介 1, 安田 和
1. 九州大学院工 , 2. 九州大学超顕センター, 3. 京大原子よるホウ素元素マッピング (1)弘 1, 福永 裕美 2, 工藤 昌輝 2, 田中 浩基 3
力研

2 放射線 / Ionizing Radiation

2.1 放射線物理一般・検出器基礎 / Radiation physics and Detector fundamentals
2.1 放射線物理一般・検出器基礎 / Radiation physics and Detector fundamentals
3/11(Mon.) 10:45 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) S622 会場 (Room S622)
10:45		 11a-S622-5
ESR 法を用いたガンマ線照射による PADC 検出器中の損 〇大谷 拓也 1, 楠本 多聞 2, 千葉 昌寛 1, 濱野 拳 1, 金崎 1. 神大院海事 , 2. 量研機構 , 3. 阪大産研
傷評価 (2)
真聡 1, 小林 一雄 3, 譽田 義英 3, 藤乗 幸子 3
11:00		 11a-S622-6
検出閾値周辺におけるポリエチレンテレフタレート中イ 〇千葉 昌寛 1, 楠本 多聞 2, 東 和樹 1, 大谷 拓也 1, 酒井 1. 神大院海事 , 2. 量研機構
オントラック構造の研究
盛寿 1, 金崎 真聡 1, 小田 啓二 1, 小平 聡 2, 山内 知也 1
11:15		 11a-S622-7
重イオンを照射したポリカーボネート薄膜中放射線損傷 〇浜野 拳 1, 楠本 多聞 2, 東 和樹 1, 大谷 拓也 1, 酒井 盛 1. 神大院海事 , 2. 放医研の面分布
和 1, 金崎 真聡 1, 小田 啓二 1, 小平 聡 2, 山内 知也 1
11:30		 11a-S622-8
ポリカプロラクタムとポリヘキサメチレンアジパミド中 〇 (M2) 酒井 盛寿 1, 千葉 昌寛 1, 濵野 拳 1, 楠本 多聞 2, 1. 神大院海事 , 2. 量研機構
カルボニル基に見られるイオン照射下の放射線感受性の 小平 聡 2, 金崎 真聡 1, 小田 啓二 1, 山内 知也 1相違
3/11(Mon.) 13:00 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) S622 会場 (Room S622)
13:00
E 11p-S622-1 The Lu for La substitution effects on the single crystal〇 (P)Karol Bartosiewicz1, Akira Yoshikawa1, 2,
1.IMR, Tohoku University, 2.NICHe, Tohoku University,
growth and luminescence properties in Lu3Shunsuke Kurosawa2, 3, Akihiro Yamaji1, Martin
3.FS, Yamagata University, 4.IP, AS CR, 5.IP, UKW
3+
4
5
scintillators
Nikl , Yuriy Zorenko
xLaxGa3Al2O12:Ce
13:15
E 11p-S622-2 Growth and scintillation properties of Ce and Mo〇 KYOUNGJIN KIM1, Kei Kamada2, 3, Masao
1.IMR, Tohoku Univ., 2.NICHe, Tohoku Univ., 3.C&A
co-doped RE3Al5O12 (RE = Y, Lu) single crystal
Yoshino1, Yasuhiro Shoji3, 1, Vladimir V.
Corp., 4.Yamagata Univ.
scintillators
Kochurikhin3, Akihiro Yamaji1, Shunsuke
2, 42
2
Kurosawa , Yuui Yokota , Yuji Ohashi , Akira
Yoshikawa1, 2, 3
13:30		 11p-S622-3 W6+ イオン共添加 Ce:Gd3Ga3Al2O12 についてシンチレー 〇 (M1) 上野 睦実 1, 金 敬鎭 1, 鎌田 圭 2, 3, 二瓶 貴之 3, 1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3. ㈱ C&A, 4. 山形大理
タ特性の添加濃度依存性および 1 インチサイズ単結晶作 吉野 将生 1, 山路 晃広 1, 佐藤 浩樹 2, 黒澤 俊介 2, 4, 横製
田 有為 2, 大橋 雄二 2, 吉川 彰 1, 2, 3
13:45		 11p-S622-4 新型プラスチックシンチレータの実用化を目指した長期 〇 (D) 斎藤 栄輔 1, 宮田 等 1, 小池 拓郎 1, 柄沢 優典 1, 1. 新潟大 , 2. 日本歯科大 , 3. カーリットホールディング
安定性の改善小野 裕明 2, 渡辺 みのり 2, 佐藤 誠 3, 梅山 晃典 3, 田村 ス ( 株 )正明 3, 鈴木 崇民 3
14:00		 11p-S622-5 プロトンビームで銀活性ガラスと LiF 結晶中に書き込ん 〇黒堀 利夫 1, 加田 渉 2, 柳田 由香 3, 小口 靖弘 3, Ivan 1. 金沢大学院 , 2. 群馬大理工 , 3. 千代田テクノル , 4. ジェだマイクロパターンの多光子顕微鏡による特性比較（Ⅲ）Sudic4, Natko Skukan4, Milko Jaksic4
ルボスコビッチ
14:15		 11p-S622-6 ミストデポジション法による CsPbBr3 厚膜の作製〇春田 優貴 1, 池之上 卓己 1, 三宅 正男 1, 平藤 哲司 1 1. 京大院エネ科
14:30
奨 11p-S622-7 SOI 技術を用いた SiPM の開発〇 (M1) 金 正勲 1, 小山 晃広 1, 島添 健次 1, 高橋 浩之 1, 1. 東大工 , 2.KEK新井 康夫 2
14:45		 11p-S622-8 中性子イメージングセンサーに向けた BGaN 半導体検出 〇高橋 祐吏 1, 丸山 貴之 1, 山田 夏暉 1, 江原 一司 1, 太 1. 静大院 , 2. 名大院 , 3. 名大 IMaSS, 4. 赤﨑リサーチセン器の開発
田 悠人 1, 中川 央也 1, 宇佐美 茂佳 2, 本田 善央 3, 天野 ター, 5. 東北大多元研 , 6. 北大量積セ , 7. 静大電研
浩 3, 4, 小島 一信 5, 秩父 重英 3, 5, 6, 井上 翼 1, 青木 徹 7,
15:00		 11p-S622-9

ヘリウムの電離収量に対する純化と不純物の効果

15:15		 11p-S622-10 PHITS におけるイオンの飛跡構造計算機能の開発

中野 貴之 1
〇竹内 章博 1, 齋藤 究 1, 2, 岸本 祐二 1, 2, 大山 隆弘 2, 佐 1. 総合研究大学院大学 , 2. 高エネルギー加速器研究機構

波 俊哉 1, 2〇甲斐 健師 1, 佐藤 達彦 1, Liamsuwan Thiansin2,
Nikjoo Hooshang3

1. 原子力機構 , 2.Princess Chulabhorn College, 3.
Karolinska Institutet

2.2 検出器開発 / Detection systems
3/11(Mon.) 9:45 - 10:45 口頭講演 (Oral Presentation) S622 会場 (Room S622)
9:45		 11a-S622-1
PADC 固体飛跡検出器の製造工程変更による形質改良の 〇石川 一平 1, 清原 修二 1
1. 舞鶴高専
試み
10:00		 11a-S622-2
原子核乾板を用いた 100 MeV 級レーザー加速陽子線計測 〇 (M1) 浅井 孝文 1, 金崎 真聡 1, 森島 邦博 2, 神野 智 1. 神大院海事 , 2. 名大院理 , 3. 東大院工 , 4. 量研放医研 ,手法の開発
史 3, 小平 聡 4, 首藤 信通 1, 小田 啓二 1, 山内 知也 1, 桐 5. 量研関西研
山 博光 5, 福田 祐仁 5
10:15		 11a-S622-3
固体飛跡検出器 CR-39 を用いたレーザー加速陽子線エネ 〇 (M1) 坂本 渓太 1, 金崎 真聡 1, 森井 厚作 1, 神野 智 1. 神大院海事 , 2. 東大院工 , 3. 放医研 , 4. 量研機構関西
ルギースペクトル計測の高精度化
史 2, 小平 聡 3, 山内 知也 1, 小田 啓二 1, 福田 祐仁 4
10:30		 11a-S622-4
レーザー加速イオン計測用リアルタイムトムソンパラボ 〇清水 和輝 1, 金崎 真聡 1, 神野 智史 2, 浅井 孝文 1, 坂 1. 神大院海事 , 2. 東大院工 , 3. 量研関西研
ラスペクトロメータの特性評価
本 渓太 1, 小田 啓二 1, 山内 知也 1, 古山 雄一 1, 谷池晃 1, 福田 祐仁 3
3/12(Tue.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) M103 会場 (Room M103)
9:00		 12a-M103-1 導電性高分子を用いた新型半導体放射線検出器の開発〇 (D) 宮田 恵理 1, 宮田 等 1, 柿崎 和貴 1, 深沢 永里
1. 新潟大 , 2. カーリットホールディングス ( 株 )香 1, 梅山 晃典 2, 佐藤 誠 2, 鈴木 祟民 2, 田村 正明 2
9:15		 12a-M103-2 重粒子線がん治療場での線量評価を目的とした SiC 半導 〇加田 渉 1, 大木 佑哉 1, 2, 大崎 晃平 3, 山﨑 雄一 2, 牧 1. 群馬大 , 2. 量研 , 3. 群馬大重粒子体検出器の開発
野 高紘 2, 大島 武 2, 松村 彰彦 3, 酒井 真理 3, 花泉 修 1
9:30		 12a-M103-3 多波長弁別型 CdTe ピクセル検出器開発と放射光応用〇豊川 秀訓 1, 田尻 寛男 1, 佐治 超爾 1, 川瀬 守弘 1, 尾 1.JASRI/SPring-8, 2.量研機構 , 3.原子力機構 , 4.新潟大,
原 幸治 1, 城 鮎美 2, 菖蒲 敬久 3, 鈴木 賢治 4, 岡田 純 5. 東北大 , 6. 東京大 , 7. 新日鐵住金
平 5, 渡辺 康裕 6, 米村 光治 7
9:45		 12a-M103-4 高分解能ガンマ線 3 次元イメージングを目指した CdTe
〇薮 悟郎 1, 河村 天陽 1, 古川 健人 1, 織田 忠 1, 武田 伸 1. 東大理 , 2. 宇宙科学研究所 , 3. 国立がん研究センター
SPECT 装置の検出器応答の研究
一郎 1, 渡辺 伸 2, 高橋 忠幸 1, 大貫 和信 3, 藤井 博史 3
10:00		 12a-M103-5 CeBr3 シンチレータ単結晶の大型化とアッセンブリ技術 〇鎌田 圭 1, 2, 吉野 将生 3, 庄子 育宏 2, 山路 晃弘 3, 黒 1. 東北大 NICHe, 2.C&A, 3. 東北大金研 , 4. 東大工 , 5. 量の開発
澤 俊介 1, 横田 有為 1, 大橋 雄二 1, 島添 健次 4, 高橋 美 研 , 6. 理研 , 7. 国際医療福祉大
和子 5, 羽場 宏光 6, 百瀬 敏光 7, 高橋 浩之 4, 吉川彰 1, 2, 3
10:15		 12a-M103-6 多光子イメージング用カリウム 43 の製造技術開発〇羽場 宏光 1, 小森 有希子 1, 横北 卓也 1, 森 大輝 1, 高 1. 理研 , 2. 東大 , 3. 東北大 , 4. 国際医療福祉大 , 5. 量研機
橋 浩之 2, 島添 健次 2, 鎌田 圭 3, 百瀬 敏光 4, 高橋 美和 構
子5
10:30		 12a-M103-7 多光子多分子核医学イメージング技術の研究開発〇島添 健次 1, 上ノ町 水紀 1, 高橋 浩之 1, 鎌田 圭 2, 高 1. 東京大 , 2. 東北大 , 3. 量研機構 , 4. 理研 , 5. 国際医療福橋 美和子 3, 羽場 宏光 4, 百瀬 敏光 5
祉大
10:45		 12a-M103-8 多核種同時核医学イメージング技術の開発と検証〇高橋 美和子 1, 島添 健次 2, 大島 佑介 2, 高橋 浩之 2, 1. 量研機構放医研 , 2. 東京大学 , 3. 東北大学 , 4. 理研 ,鎌田 圭 3, 羽場 宏光 4, 百瀬 敏光 5
5. 国際医療福祉大学
11:00		 12a-M103-9 MeV ガンマ線コンプトンカメラの最適化および性能評価 〇細越 裕希 1, 片岡 淳 1, 望月 早駆 1, 米山 昌樹 1, 棚田 1. 早大理工 , 2. 兵庫県立大和玖 1, 藤枝 和也 1, 伊藤 颯一郎 1, 木地 浩章 1, 西 郁
也 1, 宮本 修治 2
11:15		 12a-M103-10 回転機能付き全方向γ線コンプトンカメラの開発〇近藤 亮太郎 1, 村石 浩 1, 榎本 良治 2, 片桐 秀明 3, 加 1. 北里大医衛 , 2. 東大宇宙線研 , 3. 茨城大理 , 4. 仙台高
賀谷 美佳 4, 成田 尚史 3, 渡辺 宝 5, 加納 大輔 5, 武田
専 , 5. 国立がん研究センター東病院 , 6. 高エネルギー加
徹 1, 内田 智久 6, 田中 真伸 6
速器研究機構 (KEK)
1, 2
3
2
3
11:30		 12a-M103-11 粒子線治療への応用にむけた電子飛跡型コンプトンカメ 〇黒澤 俊介 , 園田 真也 , 沼倉 隼人 , 水本 哲矢 , 1. 東北大 NICHe, 2. 山形大理 , 3. 京都スペースガンマ ,ラの開発 III
谷森 達 3, 4, 高田 淳史 4, 吉野 将生 5, 山路 晃広 5, 大橋 4. 京大理 , 5. 東北大金研 , 6. 山形大医雄二 1, 鎌田 圭 1, 横田 有為 1, 吉川 彰 1, 5, 門叶 冬樹 2,
岩井 岳夫 6, 根本 建二 6

2.3 放射線応用・発生装置・新技術 / Application, radiation generators, new technology

2 放射線 / Ionizing Radiation

3/12(Tue.) 13:15 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) M103 会場 (Room M103)
13:15		 12p-M103-1 CeBr3 アレーを用いたコンプトン PET ハイブリッドカメ 〇大島 佑介 1, Foon Wei Seng1, 島添 健次 1, 高橋 美和 1. 東大 , 2. 量研機構放医研 , 3. 東北大ラの開発
子 2, 大鐘 健一郎 1, 織田 忠 1, 吉野 将生 3, 鎌田 圭 3, 吉
川 彰 3, 高橋 浩之 1
13:30 奨 E 12p-M103-2 Four-layer DOI PET detector with 1 mm crystal pitch〇 (P)HanGyu Kang1, Sodai Takyu1, Fujino Obata1, 1.NIRS-QST
Fumihiko Nishikido1, Eiji Yoshida1, Taiga Yamaya1
13:45
奨 12p-M103-3 地表における宇宙線ミュオン二重微分エネルギースペク 〇佐藤 光流 1, 金 政浩 1, 渡辺 幸信 1
1. 九大総理工
トルの系統的な測定
14:00
奨 12p-M103-4 光ファイバーと赤色発光シンチレータを用いたガンマ線 〇 (D) 小玉 翔平 1, 黒澤 俊介 1, 2, 森下 祐樹 3, 宇佐美 1. 東北大 , 2. 山形大 , 3. 日本原子力研究開発機構 , 4. 三菱
検出器の開発博士 3, 林 真照 4, 田中 浩基 5, 山路 晃広 1, 吉野 将生 1, 電機株式会社 , 5. 京都大 , 6. 株式会社 C&A
大橋 雄二 1, 鎌田 圭 1, 6, 横田 有為 1, 吉川 彰 1, 鳥居 建
男3
14:15
奨 12p-M103-5 光ファイバ型中性子検出器を用いた BNCT 中性子場の計 〇 (M1) 石川 諒尚 1, 山﨑 淳 1, 渡辺 賢一 1, 吉橋 幸子 1, 1. 名古屋大学大学院工学研究科
測
瓜谷 章 1, 釣田 幸雄 1, 土田 一輝 1, 鬼柳 善明 1
14:30		休憩 /Break
14:45		 12p-M103-6 TRUST Eu:LiCAF を用いた小型中性子回折装置の応答評 〇 (M1) 今井 頌 1, 渡辺 賢一 1, 山﨑 淳 1, 吉橋 幸子 1, 1. 名古屋大 , 2. 京都大 , 3. 高エネ研
価試験
瓜谷 章 1, 田崎 誠司 2, 佐藤 節夫 3
15:00		 12p-M103-7 原子力プラント運転中の通常時から DBA 時適用に向けた 〇畠山 修一 1, 上野 克宜 1, 上野 雄一郎 1, 田所 孝広 1, 1. 日立研開 , 2. 東北大未来科学技術共同研究センター,
高感度光ファイバ型放射線モニタ
鎌田 圭 2, 村上 力輝斗 3, 吉川 彰 2, 3
3. 東北大金研
15:15		 12p-M103-8 ガンマ線検出用位置検出型 TES 型マイクロカロリーメー 〇久留米 勇太 1, 伊豫本 直子 1, 浅川 真矢 1, 鶴田 哲
1. 九大 , 2. 宇宙科学研究所
タの開発（4）
也 1, 西田 佳樹 1, 濱村 雪乃 1, 黒岩 健宏 1, 前畑 京介 1,
満田 和久 2, 林 佑 2, 村松 はるか 2, 前久 景星 2, 紺野 良
平2
15:30		 12p-M103-9 人工知能によるガンマ線分析のためのスペクトル認識〇金 政浩 1, 後藤 淳 2, 大島 真澄 3
1. 九大総理工 , 2. 新潟大 , 3. 日本分析センター
15:45		 12p-M103-10 チェレンコフ光検出型 MeV ガンマ線偏光計の提案と実証 〇 (M2) 米山 昌樹 1, 片岡 淳 1, 望月 早駆 1, 伊藤 颯一 1. 早大応物 , 2. 兵庫県立大学
郎 1, 木地 浩章 1, 西 郁也 1, 細越 裕希 1, 宮本 修治 2
16:00		 12p-M103-11 波形解析による放射線種類弁別可能な高分解能放射線位 〇山本 誠一 1, 鎌田 圭 2, 吉川 彰 2
1. 名古屋大学 , 2. 東北大学
置検出器の開発
2.3 放射線応用・発生装置・新技術 / Application, radiation generators, new technology
3/9(Sat.) 10:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) M103 会場 (Room M103)
10:00		 9a-M103-1
X 線 CT と 3D プリンティング技術によるテーラーメイド 〇藤原 健 1, 河村 一朗 2, 藤本 裕 2, 越水 正典 2, 浅井 圭 1. 産総研 , 2. 東北大院工線量計介2
10:15		 9a-M103-2
次世代カラーX 線 CT に向けた複数造影剤イメージングの 〇木地 浩章 1, 丸橋 拓也 1, 片岡 淳 1, 有元 誠 2, 寺澤 慎 1. 早大理工 , 2. 金沢大 , 3. 日立金属 , 4.JAXA
実証
祐 3, 塩田 諭 3, 池田 博一 4
10:30		 9a-M103-3transXend 検出器を用いたエネルギー分解 CT の撮影数に 〇山下 良樹 1, 濵口 拓 2, 神野 郁夫 2
1. 府大高専 , 2. 京大院工
関する研究
1
1
10:45		 9a-M103-4
平面型 transXend 検出器を用いた低被ばく物質分解撮影 〇戸城 聡太 , 神野 郁夫
1. 京大院工法の研究
11:00		 9a-M103-5
エネルギー分解 CT を用いた糖度計測法の研究〇 (M1) 黒山 貴裕 1, 神野 郁夫 1
1. 京大院工11:15		 9a-M103-6
エネルギー分解Ｘ線ＣＴ測定を用いた金属容器中の物質 〇 (M2) 石川 翔太 1, 濵口 拓 1, 神野 郁夫 1
1. 京大院工識別法の研究3/9(Sat.) 13:15 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) M103 会場 (Room M103)
13:15		 9p-M103-1
側面励起によるレーザーコンプトンガンマ線高出力化の 吉川 大久 1, 〇天野 壯 1
1. 兵庫県大高度研
検討
1
1
1
2
13:30		 9p-M103-2
焦電結晶による X 線発生強度のガス種依存性〇内藤 雅之 , 氣賀 信太郎 , 長谷部 信行 , 長岡 央
1. 早大先進理工 , 2.ISAS/JAXA
13:45		 9p-M103-3
LiTaO3 単結晶による発生 X 線の結晶表面 - ターゲット間 〇花元 克巳 1, 片岡 隆浩 1, 山岡 聖典 1
1. 岡山大院保距離依存性Ⅱ
14:00		 9p-M103-4
パワー半導体デバイスの放射線応答〇笹野 理 1, 林 真照 1, 東 哲史 1, 澤 良次 1
1. 三菱電機株式会社
14:15
奨 9p-M103-5
ヒト脳 PET 画像における DOI 検出器効果の客観的評価 〇大東 尚真 1, 岩男 悠真 2, 高橋 美和子 2, 山谷 泰賀 1, 2 1. 千葉大工 , 2. 量研機構放医研の試み
14:30		 9p-M103-6長体軸視野超高感度 DOI-PET のシミュレーション検討 〇田島 英朗 1, カン ハンギュ1, 吉田 英治 1, 樋口 隆
1. 量研放医研 , 2. 岡山大
弘 2, 高橋 美和子 1, 山谷 泰賀 1
14:45		 9p-M103-7
全方向コンプトンカメラによる放射性物質探知手法の開 〇金森 滉太朗 1, 富田 英生 1, 向 篤志 1, 上間 康平 1, 井 1. 名古屋大学
発
口 哲夫 1(3) 修正一般化螺旋集合を用いた投影球面のピクセル化
15:00		 9p-M103-8
全方向コンプトンカメラによる放射性物質探知手法の開 〇向 篤志 1, 金森 滉太朗 1, 上間 康平 1, 富田 英生 1, 井 1. 名古屋大学
発
口 哲夫 1(4) リアルタイムイメージングのための画像再構成の高速化
15:15		休憩 /Break
15:30		 9p-M103-9
RI 内用療法に向けたコンプトンカメラによる 223Ra イメー 〇藤枝 和也 1, 片岡 淳 1, 望月 早駆 1, 田川 怜央 1, 佐藤 1. 早大理工 , 2. 阪大医 , 3. 浜松ホトニクス
ジングの実証将吾 1, 田中 稜 1, 松永 恵子 2, 神谷 貴史 2, 渡部 直史 2,
下瀬川 恵久 2, 畑澤 順 2, 大須賀 慎二 3
15:45		 9p-M103-10 RI 内用療法に向けた大面積コンプトンカメラの最適化検 〇田中 稜 1, 片岡 淳 1, 望月 早駆 1, 田川 怜央 1, 藤枝 和 1. 早大理工 , 2. 東北大金研 , 3. 東北大 NICHe, 4.（株）証也 1, 佐藤 将吾 1, 吉野 将生 2, 鎌田 圭 3, 4, 吉川 彰 2, 3, 4 C&A
16:00		 9p-M103-11 CeBr3 を用いた高エネルギー分解能 1mm ピクセルアレイ 〇吉野 将生 1, 金 敬鎭 1, 鎌田 圭 2, 3, 横田 有為 2, 黒澤 1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3.（株）C&A, 4. 山形の開発
俊介 2, 4, 山路 晃広 1, 大橋 雄二 2, 佐藤 浩樹 2, 藤枝 和 大理 , 5. 早大理工
也 5, 田中 稜 5, 片岡 淳 5, 吉川 彰 1, 2, 3
16:15
E 9p-M103-12 A direct diode pumped continuous wave Ti:Sapphire laser 〇 (PC)Volker Thomas Sonnenschein1, 2, Masaya
1.Nagoya Univ., 2.RIKEN
seeding a pulsed amplifier for high resolution Resonance Ohashi1, 2, Hideki Tomita1, 2, Tetsuo Iguchi1
Ionization Spectroscopy
16:30
奨 9p-M103-13 生体・環境トレーサー応用のための中赤外キャビティリ 〇 (DC) 寺林 稜平 1, 2, ゾンネンシャイン フォルカ 1, 1. 名古屋大学 , 2. 学振特別研究員 , 3. 積水メディカル
ングダウン分光に基づく放射性炭素分析システムの開発 富田 英生 1, 仲田（狩野）麻奈 1, 加藤 修介 1, 武田 晨 1,（株）, 4. 島津製作所（株）
齊藤 圭亮 1, 山中 真仁 1, 西澤 典彦 1, 吉田 賢二 3, 神谷
直浩 4, 井口 哲夫 1
16:45
E 9p-M103-14 A 14CO2 cavity ring-down analyzer using a frequency〇 (PC)Volker Thomas Sonnenschein1, Ryohei
1.Nagoya Univ., 2.Sekisui Medical Co. Ltd., 3.Shimadzu
comb referenced and stabilized quantum cascade laser
Terabayashi1, Hideki Tomita1, Shusuke Kato1, Shin
Corp.
Takeda1, Keisuke Saito1, Masahito Yamanaka1,
systemNorihiko Nishizawa1, Kenji Yoshida2, Naohiro
Kamiya3, Tetsuo Iguchi1
17:00		 9p-M103-15 大強度中性子用 BSS の開発と加速器 BNCT 施設での測定 〇増田 明彦 1, 松本 哲郎 1, 熊田 博明 2, 高田 健太 3, 2, 1. 産総研分析計測標準 , 2. 筑波大医 , 3. 群馬健科大 , 4. 京
田中 進 2, 南 雄己 2, 堀 順一 4, 櫻井 良憲 4, 佐野 忠史 4, 大複合研
原野 英樹 1, 榮 武二 2
17:15
奨 9p-M103-16 加速器中性子源による 64Cu のキレート滴定法及び薄層ク 〇吉浪 皓亮 1, 金 政浩 1, 荒木 直人 1, 青木 勝海 1,
1. 九大総理工 , 2. 東北大 CYRIC
ロマトグラフィー法による同位体純度導出
M.K.A Patwary1, 山口 真矢 1, 渡辺 幸信 1, 伊藤 正俊 2

3.1 光学基礎・光学新領域 / Basic optics and frontier of optics
3/10(Sun.) 10:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) M112 会場 (Room M112)
10:00		 10a-M112-1 福島県浪江におけるガンマ線スペクトルの高度変化測定 〇栗原 拓也 1, 片岡 淳 1, 棚田 和玖 1, 望月 早駆 1, 田川 1. 早大理工

10:15		 10a-M112-2
10:30		 10a-M112-3

10:45		 10a-M112-4

11:00		 10a-M112-5
11:15		 10a-M112-6

怜央 1, 丸橋 拓也 1, 細越 裕希 1, 大河内 博 1, 後藤 友里
絵1
月面における放射線量と防護〇内藤 雅之 1, 敷島 真奈 1, 石 智成 1, 長谷部 信行 1
1. 早大先進理工
化学機械研磨を用いた MEMS X 線光学系の鏡形状改善〇福島 碧都 1, 藤谷 麻衣子 1, 石川 久美 2, 沼澤 正樹 1, 1. 首都大 , 2. 宇宙研
伊師 大貴 1, 大坪 亮太 1, 鈴木 光 1, 永利 光 1, 湯浅 辰
哉 1, 大橋 隆哉 1, 満田 和久 2, 江副 祐一郎 1
超長時間アニール後の Si 微細穴 X 線光学系の鏡形状評 〇伊師 大貴 1, 江副 祐一郎 1, 石川 久美 2, 沼澤 正樹 1, 1. 首都大 , 2.JAXA 宇宙研 , 3. 東北大価
藤谷 麻衣子 1, 大坪 亮太 1, 福島 碧都 1, 鈴木 光 1, 永利
光 1, 湯浅 辰哉 1, 金森 義明 3, 大橋 隆哉 1, 満田 和久 2
KUR 低速陽電子ビームラインの開発：高輝度化及びパル 葛谷 佳広 1, 大島 永康 2, 中島 諒 1, 田口 遼 1, 薮内 敦 1, 1. 京大複合研 , 2. 産総研
ス化の状況〇木野村 淳 1
二次電子制動輻射計測により得られる陽子線画像を用い 〇山口 充孝 1, 長尾 悠人 1, 河地 有木 1
1. 量研高崎研
た機械学習によるブラッグピークのずれの推定

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
3.1 光学基礎・光学新領域 / Basic optics and frontier of optics
3/9(Sat.) 9:00 - 11:15
口頭講演 (Oral Presentation) M116 会場 (Room M116)
9:00		 9a-M116-1
光学的非線形性を有する 1 軸配向液晶中を伝搬する光渦の自己位相変調効果
9:15
奨 9a-M116-2
バクテリオロドプシン溶液中を伝播する光渦の空間対称
性の破れ
9:30

奨 9a-M116-3

9:45		 9a-M116-4
10:00		10:15		 9a-M116-5

10:30		 9a-M116-6

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

10:45		 9a-M116-7
11:00		 9a-M116-8
3/9(Sat.) 13:15 - 17:00
13:15		 9p-M116-1
13:30		 9p-M116-2

13:45		 9p-M116-3
14:00		 9p-M116-4
14:15

E 9p-M116-5

14:30

E 9p-M116-6

14:45		15:00奨 9p-M116-7
15:15

奨 9p-M116-8

15:30		 9p-M116-9
15:45		 9p-M116-10

16:00		16:15		 9p-M116-11
16:30		 9p-M116-12
16:45		 9p-M116-13
3/10(Sun.) 9:00 - 11:15
9:00		 10a-M116-1
9:15		 10a-M116-2
9:30		 10a-M116-3
9:45		 10a-M116-4
10:00		10:15		 10a-M116-5
10:30		 10a-M116-6
10:45		 10a-M116-7
11:00		 10a-M116-8〇松尾 直人 1, 坂本 盛嗣 1, 野田 浩平 1, 佐々木 友之 1, 1. 長岡技科大 , 2. 兵庫県立大川月 喜弘 2, 小野 浩司 1
〇増田 圭吾 1, 吉澤 太貴 1, 秋山 友希 1, 岡田 ( 首藤 ) 佳 1. 千葉大院融合理工学府 , 2. 電気通信大学基盤理工 ,子 2, 村田 武士 1, 豊田 耕平 1, 3, 宮本 克彦 1, 3, 尾松 孝 3. 千葉大分子キラリティー研
茂 1, 3二光子吸収誘起表面レリーフ形成過程におけるスピン軌 〇篠崎 諒 1, 増田 圭吾 1, 杵塚 義典 1, 一條 瑞樹 1, 倉元 1. 千葉大院融合理工 , 2. 千葉大分子キラリティ研究セン
道相互作用
佑樹 1, 山根 啓作 3, 宮本 克彦 1, 2, 尾松 孝茂 1, 2
ター, 3. 北大工研究院
高次ベッセルビームが創る長尺ポリマーファイバー〇 (D) 李 俊亨 1, 有田 佳彦 2, 3, 松尾 怜門 1, 川口 晴生 1, 1. 千葉大学院融合理工 , 2. 千葉大学分子キラリティー
宮本 克彦 1, 2, Dholakia Kishan2, 3, 尾松 孝茂 1, 2
研 , 3. セントアンドリュース大学
休憩 /Break
1
1
1, 2
ラゲールガウシアンビームを用いたレーザートラップ支 〇大澤 俊哉 , 中澤 謙太 , 岩田 太
1. 静岡大院工 , 2. 静大電研
援電気泳動堆積によるチューブ形状微細立体構造物の作
製
広帯域ベクトルビームの幾何学的位相の制御〇若山 俊隆 1, 篠崎 夏美 2, 庄司 美咲 2, 石山 貴之 1, 坂 1. 埼玉医大 , 2. 宇都宮大院工 , 3. 東大光量子科学研 , 4. 東
上 和之 3, 江島 丈雄 4, 東口 武史 2
北大多元研
光複素振幅の幾何学変換による光の軌道角運動量の逓倍 〇小林 弘和 1, 高嶋 悟 1, 岩下 克 1
1. 高知工大操作
径偏光ビームの集光特性を利用したプラズモニックレー 〇尾淵 浩也 1, 北村 恭子 1
1. 京都工繊大
ザの検討 II
口頭講演 (Oral Presentation) M116 会場 (Room M116)
光圧と熱泳動によるプラズモニックナノ粒子のマニピュ 〇瀬戸浦 健仁 1, 2, 辻 徹郎 1, 伊都 将司 1, 川野 聡恭 1, 1. 阪大基礎工 , 2. 北大電子研
レーション
宮坂 博 1
光化学反応による光圧の可逆的スイッチング
〇伊都 将司 1, 瀬戸浦 健仁 1, 光石 杜朗 1, メモン アッ 1. 阪大院基礎工 , 2. 立教大理 , 3. 青学大理工
サン 1, 田中 景士 1, 森本 正和 2, 入江 正浩 2, 稲垣 佑
樹 3, 武藤 克也 3, 阿部 二朗 3, 宮坂 博 1
ポインティングベクトル制御による光ナノ粒子操作〇相川 大貴 1, 藤原 英樹 1, 笹木 敬司 1
1. 北大電子研
光渦の下での複数ナノ粒子の軌道運動の偏光依存性〇田村 守 1, 2, 尾松 孝茂 3, 4, 飯田 琢也 1, 2
1. 阪府大院理 , 2. 阪府大 LAC-SYS 研 , 3. 千葉大院融合科
学 , 4. 千葉大分子キラリティー研
1, 2
1Fluorescence Characterization of Strongly Packed〇 (P)Wei-Yi Chiang , Jim Jui-Kai Chen , Anwar
1.NCTU, 2.KU Leuven, 3.UBD, 4.NAIST
Assembly of Silica Nanoparticles Formed under
Usman3, Tetsuhiro Kudo1, Teruki Sugiyama1, 4, Johan
Femtosecond Laser Trapping
Hofkens2, Hiroshi Masuhara1
Correlated Dynamic Arrangement of Gold Nanoparticles 〇 (M2)Chih-Hao Huang1, Boris Louis2, Rafael
1.Department of Applied Chemistry, College of Science,in Laser Trapping at Glass/Solution Interface
Camacho2, Tetsuhiro Kudo1, Johan Hofkens2, Hiroshi National Chiao Tung Univ. Taiwan, 2.Department of
Masuhara1, 3Chemistry, KU Leuven, Belgium, 3.Center for Emergent
Functional Matter Science, National Chiao Tung Univ.
Taiwan
休憩 /Break
ナノ粒子に働く光圧の精密測定に向けた光駆動マイクロ 〇福原 竜馬 1, 田中 嘉人 1, 2, Vantasin Sanpon1, 志村 1. 東大生研 , 2.JST さきがけ
マシンの開発努1
ナノ粒子に働く光圧の精密測定に向けた捕捉ポテンシャ 〇 (M1) 坂間 俊亮 1, 田中 嘉人 1, 2, 杉浦 忠男 3, 志村
1. 東大生研 , 2.JST さきがけ , 3. 崇城大学
ル制御法の開発
努1
1
1
1, 2
原子間力顕微鏡を用いたナノ粒子に働く光圧測定の理論 〇山根 秀勝 , 余越 伸彦 , 石原 一
1. 阪府大院工 , 2. 阪大基礎工
解析
溶液中ナノ粒子の光捕捉過程における共鳴レーザー照射 〇 (DC) 岸本 龍典 1, 2, 工藤 卓 2, 田口 隆久 3, 細川 千 1. 産総研バイオメディカル , 2. 関西学院大理工 , 3. 情通
効果
絵 1, 2, 4, 5
機構 , 4. 産総研・阪大先端フォトバイオ , 5. 大阪市大院理
休憩 /Break
レーザー干渉加工による位相ホログラフィック回折格子 〇福島 涼太 1, 上杉 祐貴 1, 齋藤 晃 2, 佐藤 俊一 1
1. 東北大多元研 , 2. 名大未来研の作製と電子渦ビームの生成
1, 2, 31
3
形状パラメータ付き転送行列法を用いた回折光学素子の 〇茨田 大輔, 永山 博士 , 福田 隆史
1. 宇大院工 , 2. 宇大 CORE, 3. 産総研電子光技術
設計
有限フレネル変換による固有ベクトル展開〇青柳 智裕 1, 大坪 紘一 1, 青柳 宣生 1
1. 東洋大総合情報
口頭講演 (Oral Presentation) M116 会場 (Room M116)
1
モンテカルロ顕微鏡：提案と実証〇河田 聡
1. ナノフォトン（株）
高次ベクトルビームを用いた差引イメージングの生体試 吉田 実生 1, 〇小澤 祐市 1, 佐藤 俊一 1
1. 東北大多元研
料への適用
マイクロガラスファイバー探針を用いる珪藻被殻の顕微 〇宇佐美 久尚 1, 米田 智士 1, 伊藤 吹夕 1, 山中 茂 1
1. 信大繊維分光11
11
外部磁場に依存したランダムレーザー発振特性の解析〇藤原 英樹 , 海住 英生 , 西井 準治 , 笹木 敬司
1. 北大電子研
休憩 /Break
ランダムゼロ屈折率媒体による入射側での再集光〇田渕 智也 1, 大坊 真洋 1
1. 岩手大院理工
酸化亜鉛ナノ発光体のプラズモンアシスト水熱合成〇鈴木 達朗 1, 藤原 英樹 1, 笹木 敬司 1
1. 北大電子研
酸素濃度を制御した水中で局所加熱によって生成された 岡井 俊介 1, 〇名村 今日子 1, 鈴木 基史 1
1. 京大院・工
マイクロバブルの自励振動
異なる相転移温度をもつサーモクロミック薄膜を用いた 高島 直之 1, 〇名村 今日子 1, 鈴木 基史 1
1. 京大院・工水蒸気バブル周辺の温度分布の可視化

3.2 材料・機器光学 / Equipment optics and materials
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30
			 11a-PA1-1
			 11a-PA1-2

ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
多光子還元を起点とした光誘起バブル生成と階層的ナノ粒子集積体の形成
サブミリバブル模倣型基板を用いた低ダメージ光誘起集
合法の開拓
環境温度制御下における光誘起集合の解析〇西山 宏昭 1, 小川 雄也 1, 木村 開登 1

1. 山形大院工3 光・フォトニクス / Optics and Photonics〇 (B) 林 康太 1, 2, 3, 4, 山本 靖之 2, 3, 4, 大橋 かるな 2, 3, 4, 1. 大阪府大生命環境 , 2. 大阪府大院理 , 3. 大阪府大院工 ,田村 守 2, 4, 床波 志保 3, 4, 飯田 琢也 1, 2, 4
4. 大阪府大 LAC-SYS 研
			 11a-PA1-3〇奥井 悠河 1, 2, 3, 4, 山本 靖之 2, 3, 4, 田村 守 2, 4, 床波 志 1. 阪府大生命環境 , 2. 阪府大院理 , 3. 阪府大院工 , 4. 阪府
保 3, 4, 飯田 琢也 1, 2, 4
大 LAC-SYS 研究所
		
E 11a-PA1-4
Laser Trapping Dynamics of Polystyrene Assembly at〇 (M1)Abdullah Kamit1, Tetsuhiro Kudo1, Hiroshi 1.Dept. of Appl. Chem., National Chiao Tung Univ.,
Glass/Solution Interface Observed by a Dual-Objective
Masuhara1, 2
Taiwan, 2.Center for Emergent Functional Matter
Lens Microscope
Science, National Chiao Tung Univ. Taiwan
		
E 11a-PA1-5
Laser trapping of 20 μ m polystyrene particles at solution 〇 (M2)Jia-Syun Lu1, Tetsuhiro Kudo1, Hiroshi
1.Dept. of Appl. Chem., National Chiao Tung Univ.
surface leading to necklace-like pattern of 1 μ m particles Masuhara1, 2
Taiwan, 2.Center for Emergent Functional Matter
Science, National Chiao Tung Univ. Taiwan
11
1
1
			 11a-PA1-6
プラズモニックビーズをプローブとする原子間力顕微鏡 〇坂東 祐介 , 関本 直也 , 柳谷 伸一郎 , 古部 昭広
1. 徳島大学
用カンチレバーの作製
			 11a-PA1-7
微小構造間に働く極微弱力計測システムの開発〇 (D) 紫垣 政信 1, 田中 嘉人 1, 2, 志村 努 1
1. 東大生研 , 2.JST さきがけ
3.2 材料・機器光学 / Equipment optics and materials
3/10(Sun.) 13:45 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) S321 会場 (Room S321)
13:45		 10p-S321-1 発電機能を有するカラープロジェクタのクロストークの 〇藤枝 一郎 1, 柚木 康平 1, 高本 享昌 1, 繁田 光浩 1, 堤 1. 立命館大理工評価
康宏 1
14:00		 10p-S321-2 蛍光色素を用いた液晶ディスプレイの外光の下でのコン 〇福本 禄寿 1, 太田 正倫 1, 繁田 光浩 1, 堤 康宏 1, 藤枝 1. 立命館大理工
トラスト比
一郎 1
14:15		 10p-S321-3 ナノダイヤモンド分散コンポジットホログラフィック格 〇 (M1) 影山 明久 1, 富田 康生 1, 梅本 浩一 2, Klepp
1. 電通大 , 2. ダイセル , 3. ウィーン大 , 4. ザルツブルグ大子
Jürgen3, Pruner Chrinstian4, Fally Martin3
14:30		 10p-S321-4 粒度分布が狭小な中空シリカナノ粒子を 1 段配列させた 〇二神 渉 1, 熊澤 光章 1, 眞田 夕子 1, 村口 良 1
1. 日揮触媒化成 ( 株 )反射防止膜の特性について
14:45		休憩 /Break
15:00		 10p-S321-5 ビート構造を有する液晶回折光学素子の回折特性〇 (M1) 百崎 龍成 1, 河合 孝太郎 2, 坂本 盛嗣 1, 野田 1. 長岡技科大 , 2. 神戸高専 , 3. 兵庫県立大浩平 1, 佐々木 友之 1, 川月 喜弘 3, 小野 浩司 1
15:15		 10p-S321-6 テラヘルツ波光源用 OH1 単結晶薄膜の気相成長条件最適 〇 (M1) 王 培ヒン 1, 竹家 啓 1, 川瀬 晃道 1, 内田 裕
1. 名古屋大学 , 2. アークレイ ( 株 )化
久 1, 21
1
15:30		 10p-S321-7 Cs0.33WO3 の近赤外線吸収特性の第一原理計算〇吉尾 里司 , 足立 健治
1. 住友金属鉱山
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11a-PA2-1
一様な蛍光体層を含む導光体の端面での光パワーの回収 〇山田 啓貴 1, 平井 雄貴 1, 太田 正倫 1, 堤 康宏 1, 藤枝 1. 立命館大理工一郎 1
			 11a-PA2-2
蛍光のスペクトル変化に基づく位置検出器の検出範囲の 〇松村 燎 1, 堤 康宏 1, 藤枝 一郎 1
1. 立命館大理工
拡大			 11a-PA2-3
固体光源プロジェクターの高輝度化に向けた光強度分布 〇堤 太郎 1, 片山 龍一 1
1. 福岡工大工
制御素子の設計			 11a-PA2-4
パルス幅可変・KrF ランプの開発〇 (M2) 吉田 大海 1, 宇野 和行 1, 實野 孝久 2
1. 山梨大工 , 2. 阪大レーザー研
			 11a-PA2-5
レーザアブレーションによる透明導電膜の配線描画
五十嵐 亮太 1, 〇斉藤 光徳 1
1. 龍谷大理工1122
			 11a-PA2-6
深層強化学習を利用したマルチレベル異方性回折格子構 〇岡本 浩行 , 古川 寛大 , 野田 浩平 , 坂本 盛嗣 ,1. 阿南高専 , 2. 長岡技大造設計
佐々木 友之 2, 小野 浩司 2
			 11a-PA2-7
段差付テーパー形状を有する反射防止表面：最適化計算 〇大 紘太郎 1, 沈 凌峰 1, 篠塚 啓 1
1. 王子ホールディングスと大面積加工11
1
2
			 11a-PA2-8
磁性積層膜における磁気光学キャビティ効果と化学セン 〇山根 治起 , 高橋 慎吾 , 山川 清志 , 高橋 幸希 , 世 1. 秋田産技センター, 2. Ｔｉａｎｍａ
サへの応用
古 暢哉 2, 住吉 研 2, 重村 幸治 2, 三浦 聡 2
			 11a-PA2-9
ナノ周期溝構造上の溶液掃引で形成された二色性染料結 〇柴田 陽生 1, 石鍋 隆宏 1, 藤掛 英夫 1
1. 東北大院工晶の塗布型偏光子11
1
1
			 11a-PA2-10 アゾポリマー上の表面レリーフホログラムへの直流電圧 〇酒井 大輔 , 山本 拓実 , 垣見 美里 , 原田 建治 , 柴 1. 北見工大
パターン印加田 浩行 1
			 11a-PA2-11 熱応答型 PDLC 作製におけるレーザ散乱光の照射条件の 〇荻原 昭文 1, 植田 航輔 1, 垣内田 洋 2
1. 神戸高専 , 2. 産総研
効果
1
1, 2
			 11a-PA2-12 ガラス基板での焦点制御型レンズの作製とその光学特性 〇松尾 和樹 , 元垣内 敦司
1. 三重大院工 , 2. 三重大伊賀サテライト
			 11a-PA2-13 湾曲した高精細ディスプレイ上に配置したシリンドリカ 〇 (M2) 藤野 友輝 1, 石橋 隆幸 1
1. 長岡技科大工
ルレンズの光学設計
			 11a-PA2-14 液晶レンズを用いる中心窩結像システム
王 思聰 1, 陳 曉西 1, 楊 芸佳 1, 〇葉 茂 1
1. 電科大			 11a-PA2-15 コレステリック液晶ポリマー微粒子における分子配向制 〇茂山 友樹 1, 久野 恭平 1, 堤 治 1
1. 立命館大生命
御と光学特性評価
			 11a-PA2-16 円錐状レンズ特性を有する液晶レンズの球面収差〇河村 希典 1, 菅原 朋樹 1
1. 秋田大院理工			 11a-PA2-17 液晶光拡散デバイスにおける偏光依存性〇梁瀬 智 1, 内田 勝 1
1. 秋田産技センター【CS.1】3.2 材料・機器光学、12.3 機能材料・萌芽的デバイスのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.2 & 12.3
3/10(Sun.) 9:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M136 会場 (Room M136)
9:30		 10a-M136-1 液晶リニアフレネルレンズを用いた配光可変デバイス〇樋口 隆信 1, 岩脇 圭介 1, 橋川 広和 1, 吉澤 達矢 1, 吉 1. パイオニア , 2. パイオニア OLED ライティングデバイ
川 高正 1, 三森 歩美 1, 奥山 賢一 2, 梁瀬 智 3, 内田 勝 3 ス , 3. 秋田産技センター
9:45
奨 10a-M136-2 円錐状レンズ特性を有する液晶レンズの光学位相差分布 〇菅原 朋樹 1, 河村 希典 1
1. 秋田大学院理工
(Ⅰ)
1
1
1
10:00
奨 10a-M136-3 宙吊り構造を導入した高分子ベース空間光変調器の大変 〇英 祐輝 , 生田 昂 , 前橋 兼三
1. 農工大院工位・高速動作制御
10:15
奨 10a-M136-4 キラルπ共役ポリマーマイクロ球体共振器からの円偏光 〇大木 理 1, Kulkarni Chidambar2, Meskers Stefan C. 1. 筑波大数理物質 , 2. アンイントホーフェン工科大 ,発光
J2, Meijer E. W2, 佐々木 史雄 3, Lin Zhan-Hong4,
3. 産総研 , 4. ライプニッツ光技術研究所
Huang Jer-Shing4, 山本 洋平 1
1
10:30		 10a-M136-5 発光性液晶の相転移挙動と光学特性〇江良 正直1. 佐大理工10:45		休憩 /Break
11:00		 10a-M136-6 各種液晶におけるフレクソエレクトリック分極の第 2 高 〇城田 幸一郎 1, 荒岡 史人 2, 山形 豊 1, Chen Hui-Yu3 1. 理研光量子 , 2. 理研創発物性 , 3. 国立中興大調波イメージング
11:15		 10a-M136-7 液晶／配向ナノファイバー複合素子を用いた NRD ガイ 〇森武 洋 1, ブイ バン バオ 1, 井上 曜 1
1. 防衛大ド型テラヘルツ波移相器
11:30		 10a-M136-8 高分子分散型液晶を用いた高速スイッチング可能なテラ 〇井上 曜 1, 久保 等 2, 鹿田 建普 1, 森武 洋 1
1. 防衛大学校 , 2. 阪大院工ヘルツ移相器11
1
1
11:45		 10a-M136-9 コレステリック Bragg-Berry 偏向素子のストップバンド 〇尾崎 良太郎 , 橋村 俊祐 , 弓達 新治 , 門脇 一則 , 1. 愛媛大院理工 , 2. 阪大院工の解析
吉田 浩之 2, 尾崎 雅則 2

3.3 情報フォトニクス・画像工学 / Information photonics and image engineering
3.3 情報フォトニクス・画像工学 / Information photonics and image engineering
3/10(Sun.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10a-PA1-1
ディジタルホログラフィック顕微鏡を用いた血液凝固構造のトモグラフィック位相イメージングにおける角度補正			 10a-PA1-2
伝搬距離を用いたディジタルホログラフィのノイズ低減法におけるオフアクシス角の影響			 10a-PA1-3
位相多値ホログラフィーメモリにおける 3 ビットデジタ
ルデータ記録・再生への位相光波の 1 設計
			 10a-PA1-4
パターン加工を行った再帰反射シートを用いたシース
ルー型空中表示3/10(Sun.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) W331 会場 (Room W331)
13:45		 10p-W331-1 サブ回折限界スポット照明によるバイオイメージング
スペックル照明内視鏡用ファイバ光学プローブの検討
波長依存ファイバスペックル照明を用いた反射イメージ
再構成
14:30
奨 10p-W331-4 スーパーコンピュータを用いた光線 - 波面変換に基づく
大規模ホログラフィック・ディスプレイの並列計算
14:45
奨 10p-W331-5 ホログラム光学素子と分散補償投影系を用いたフルカ
ラー虚像表示15:00
奨 10p-W331-6 位相変調時系列信号方式角度多重ホログラフィックメモ
リーの記録密度の見積
15:15		休憩 /Break
15:30
招 10p-W331-7 「第２回光工学功績賞（高野榮一賞）受賞記念講演」
画像情報システムの先駆的開発研究
16:00		 10p-W331-8 複眼同軸落射偏光イメージングによるプリンタ画線の観察
16:15		 10p-W331-9 空中像を映像刺激として提示する動物実験用装置
16:30		休憩 /Break
16:45		 10p-W331-10 表面型ホログラフィックメモリー

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

14:00
14:15

奨 10p-W331-2
奨 10p-W331-3

渡辺 俊樹 1, 〇船水 英希 1, 相津 佳永 1

1. 室工大院

菅田 滉太 1, 坂爪 良樹 1, 〇船水 英希 1, 魚住 純 2, 相津 1. 室工大院 , 2. 北海学園大学
佳永 1〇歸山 敏之〇柿沼 遼太 1, 山本 裕紹 1, 2

1. 宇都宮大 , 2.JST ACCEL〇新川 大生 1, 西村 隆宏 2, 小倉 裕介 1, 玉田 洋介 3, 谷 1. 阪大院情 , 2. 阪大院工 , 3. 基生研
田 純1〇 (M1) 大久保 享一 1, 片桐 崇史 1, 松浦 祐司 2〇久保田 達也 1, 片桐 崇史 1, 松浦 祐司 2

1. 東北大工 , 2. 東北大医工
1. 東北大学大学院工 , 2. 東北大学大学院医工〇 (B) 柿沼 建太郎 1, 五十嵐 俊亮 1, 中村 友哉 1, 2, 松島 1. 東工大工 , 2.JST さきがけ , 3. 関西大
恭治 3, 山口 雅浩 1
〇 (M1) 渡辺 史顕 1, 中村 友哉 1, 2, 虎島 史歩 1, 五十嵐 1. 東工大工 , 2.JST

さきがけ , 3.NTT

俊亮 1, 木村 真治 1, 3, 油川 雄司 3, 山口 雅浩 1
〇 (M2)Luo Xin1, 田中 嘉人 1, 藤村 隆史 2, 遠藤 政

1. 東大生研 , 2. 宇都宮大

〇一岡 芳樹 1

1. 大阪大学名誉教授〇赤尾 佳則 1

1. 科警研〇 (PC) 八杉 公基 1, 2, 山本 裕紹 1, 2

1. 宇大 , 2.JST, ACCEL

男 1, 志村 努 1〇平山 颯紀 1, 藤村 隆史 2, 遠藤 政男 1, 田中 嘉人 1, 志 1. 東大生研 , 2. 宇都宮大

ドコモ

村 努1
17:00		 10p-W331-11 空間周波数分割多重によるコアキシャルホログラフィッ 吉満 優貴 1, 〇最田 裕介 1, 野村 孝徳 1
1. 和歌山大システム工
クメモリの複数ページデータ同時記録・再生法における入力データ変調による再生像品質向上
17:15		 10p-W331-12 バースト撮影法を用いた位相シフトディジタルホログラ 〇 (B) 氏家 拓海 1, 早崎 芳夫 1
1. 宇都宮大学 オプティクス教育研究センター
フィ
17:30		 10p-W331-13 チャープパルスディジタルホログラフィーの原理検証〇唐澤 直樹 1, 平山 愛梨 1
1. 千歳科技大17:45		 10p-W331-14 モード操作光コムを用いたカスケードリンク型マルチ合 〇 (PC) 山際 将具 1, 2, 南川 丈夫 1, 2, 諸橋 功 3, 山本 裕 1. 徳島大 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサイザ ,成波長デジタル・ホログラフィの高速化（4）紹 4, 安井 武史 1, 2
3. 情報通信研究機構 , 4. 宇都宮大
〜高精度形状計測〜
3/11(Mon.) 10:30 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) M114 会場 (Room M114)
10:30		 11a-M114-1 凸型放物面鏡を用いた広視域ホログラフィック 3D ディ 〇山東 悠介 1, 茨田 大輔 2, 3, 谷田貝 豊彦 2
1. 大阪技術研 , 2. 宇大 CORE, 3. 宇大院工スプレイにおける再生可能像空間
1
1
1
10:45		 11a-M114-2 空中プラズマの投影を用いたボリュメトリックディスプ 〇熊谷 幸汰 , 三浦 駿 , 早崎 芳夫
1. 宇大工レイ
11:00		 11a-M114-3 透明球を組み合わせた AIRR における再帰反射素子の面 〇藤井 賢吾 1, 山本 裕紹 1, 2
1. 宇都宮大 , 2.JST ACCEL
積の削減
11:15		 11a-M114-4 高速 LED パネルを用いた主観的な超解像表示のメカニズ 〇時本 豊太郎 1, 2, 藤井 賢吾 1, 森田 渉吾 1, 山本 裕
1. 宇都宮大院工 , 2.DaoApp Technology, 3.JST ACCEL
ムの検討
紹 1, 3―疑似固視微動関数による知覚画像の再構成―
11:30		 11a-M114-5 自己符号化器を利用したデータ変換法による汎用的光検 〇鈴木 秀典 1, 池田 佳奈美 2, 渡邉 恵理子 1
1. 電気通信大学 , 2. 大阪府立大学
索システム
3.4 生体・医用光学 / Biomedical optics
3/9(Sat.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) W641 会場 (Room W641)
9:00		 9a-W641-1
狭帯域・低波数分解能ラマン顕微鏡法による細胞分析の 〇熊本 康昭 1, 2, 望月 健太郎 1, 橋本 剛佑 2, 原田 義
1. 阪大院工 , 2. 京府医大病理
高効率化
規 2, 田中 秀央 2, 藤田 克昌 1, 2
9:15		 9a-W641-2
多焦点ラマン分光装置による高速ラマンスクリーニング 〇川越 寛之 1, 安藤 潤 2, 闐闐 孝介 3, 袖岡 幹子 3, 藤田 1. 阪大院工 , 2. 分子研 , 3. 理研 , 4. 産総研 PhotoBIO克昌 1, 4, 5
OIL, 5. 阪大 OTRI
9:30
奨 9a-W641-3
楕円スポットを用いたスリット走査型マルチプレックス 〇 (M1) 木澤 駿 1, 橋本 守 1
1. 北大院情科研
コヒーレントアンチストークスラマン散乱分光顕微鏡の開発
9:45
奨 9a-W641-4
中赤外フォトサーマル位相差顕微鏡〇戸田 圭一郎 1, 玉光 未侑 1, 堀崎 遼一 2, 3, 井手口 拓 1. 東大理 , 2. 阪大院情 , 3.JST さきがけ郎 1, 3
10:00
奨 9a-W641-5
周波数分割多重による超高速蛍光寿命イメージング〇 (M1) 菅野 寛志 1, 三上 秀治 1, 合田 圭介 1
1. 東大理10:15		 9a-W641-6
ホウ素クラスター化合物の生細胞への取り込みの誘導ラ 〇 (M2) 浅井 卓也 1, 劉 寒沁 1, 小関 泰之 1, 林 智広 2, 1. 東大院工 , 2. 東工大
22
マンイメージング
佐藤 伸一 , 中村 浩之
10:30		休憩 /Break
10:45		 9a-W641-7
低損失顕微光学系のためのアキシコンを用いたビーム整 〇落合 夏葉 1, 寿 景文 1, 小関 泰之 1
1. 東大工形法
11:00		 9a-W641-8
マルチチャネル誘導ラマン顕微法のためのロックインア 〇 (M2) 田中 駿士 1, 鈴木 祐太 1, 小関 泰之 1
1. 東大院工ンプアレイ
11:15		 9a-W641-9
インテリジェント画像活性化細胞選抜法：基本原理と応 〇小関 泰之 1, 三上 秀治 1, 新田 尚 1, 2, 杉村 武昭 1, 2, 磯 1. 東京大学 , 2. 科学技術振興機構 , 3.UCLA, 4. 奈良先端
用展開
崎 瑛宏 1, Di Carlo Dino3, 細川 陽一郎 4, 上村 想太
科技大郎 1, 合田 圭介 1, 2, 3
1
1
2
1, 3
11:30		 9a-W641-10 疑似停止蛍光撮像法による高感度フローサイトメトリー 〇三上 秀治 , 川口 誠 , 小関 泰之 , 合田 圭介
1. 東大理 , 2. 東大工 , 3.JST
11:45		 9a-W641-11 金ナノ粒子を用いた生体分子モーターの高速・高精度１ 〇安藤 潤 1, 2, 中村 彰彦 1, 2, Visootsat Akasit1, 2, 山本 1. 分子研 , 2. 総研大 , 3. 生理研
真由子 1, Song Chihong3, 村田 和義 3, 飯野 亮太 1, 2
分子イメージング
12:00		 9a-W641-12 光熱変換顕微鏡によるミトコンドリアダイナミクスの無 〇宮崎 淳 1, 東門 泰伸 1
1. 和大シス工
標識イメージング
3/9(Sat.) 13:45 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) W641 会場 (Room W641)
13:45
奨 9p-W641-1
高速連続偏光分解 SHG 顕微鏡を用いた in situ 真皮コラー 〇長谷 栄治 1, 2, 南川 丈夫 2, 水野 孝彦 2, 小倉 有紀 2, 1.JASRI/SPring-8, 2. 徳島大理工
ゲン配向解析
安井 武史 2
14:00		 9p-W641-2
空間 / 波長変換を用いたワンショット共焦点顕微鏡によ 〇福池 悠人 1, 南川 丈夫 1, 2, 3, 中野 翔太 1, 2, 塩見 涼
1. 徳島大 , 2.JST-ERATO, 3.JST さきがけ , 4. 宇都宮大 ,る生体組織観察への応用
介 1, 長谷 栄治 1, 2, 5, 山本 裕紹 2, 4, 安井 武史 1, 2
5. 高輝度光科学研究センター

3.5 レーザー装置・材料 / Laser system and materials
14:15

E 9p-W641-3

14:30		 9p-W641-4

3D Fluorescence Imaging of Plant Cells by using Off-axis 〇 (P)Manoj Kumar1, Xiangyu Quan1, Yasuhiro
Incoherent Digital Holographic Microscope
Awatsuji2, Yosuke Tamada3, Osamu Matoba1

1.Kobe University, Kobe 657-8501, Japan, 2.Kyoto
Institute of Technology, Kyoto 606-8585, Japan, 3.
National Institute for Basic Biology, Okazaki, Japan
Naoki Hayakawa1, 〇 Masahito Yamanaka1, Norihiko 1.Nagoya Univ.
1
Nishizawa

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

Comparison of imaging properties in spectral domain
optical coherence microscopy at 1300 and 1700 nm
spectral region
14:45		 9p-W641-5
バイオスペックル OCT 法によるアブシジン酸影響下での 〇船田 昂佑 1, Yiheng Lim1, 門野 博史 1
1. 埼玉大種子の発芽活性の計測
15:00		休憩 /Break
15:15		 9p-W641-6
マイクロ波加熱による極微弱生化学発光古賀 大樹 1, 日高 芳樹 1, 原 一広 1, 〇岡部 弘高 1
1. 九大院工15:30		 9p-W641-7
A Study from Optical Aspect on the Relation Between the 〇 (D)Shigeki Kudo1, Seiji Takagi2, 3, Masahiro
1.Cloud-Based Eye Disease for Cloud-Based Eye
M-charts and deviation of Refraction Light by Wrinkle
Ishida2, Hideo Yokota6, Masahiro Akiba1, 5, Midori
Disease Diagnosis Joint Research Team, RIKEN Center
Wall on Internal Limiting Membrane around macular
Yamamoto3, Yasuhiko Hirami3, 4, Michiko Mandai3, 4, for Advanced Photonics, 2.Teikyo for Department of
3, 4
3, 4
Masayo Takahashi , Yasuo Kurimoto , Gaungzhou Ophthalmology, Teikyo University, University Hospital
An1, 5Mizonokuchi, 3.Kobe for Department ofOphthalmology, Kobe City Eye Hospital, 4.Kobe RIKEN
for Laboratory for Retinal Regeneration, RIKEN Center
for Biosystems Dynamics Research, 5.TOPCON for
R&D Division, Topcon Corporation, 6.IP RIKEN for
Image Processing Research Team, RIKEN Center for
Advanced Photonics
1
1
1
15:45
奨 9p-W641-8
量子カスケードレーザを用いた非侵襲血糖値測定システ 〇 (D) 小山 卓耶 , 木野 彩子 , 松浦 祐司
1. 東北大医工ム―プリズムへの光入射法改善による測定精度の向上―
16:00
E 9p-W641-9
Investigation of ambiguity in measuring of skin
Kaustav Das1, Yuta Kobori1, Tomoki Hashisaka1,
1.Muroran Inst. Tech.
parameters from spectral reflectance curves
Takehiro Ohya1, Tomonori Yuasa1, Hideki
Funamizu1, 〇 Yoshihisa Aizu1
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11a-PA3-1
ロボットアーム型皮膚血流計測のための画像解析高速化 中山 颯太 1, 〇湯浅 友典 1, 船水 英希 1, 横井 直倫 2, 相 1. 室工大院 , 2. 旭川高専の試み
津 佳永 1
			 11a-PA3-2
バイオフィルムの画像計測における形成手法の検討
落合 貴士 1, 〇湯浅 友典 1, 横井 直倫 2, 船水 英希 1, 相 1. 室工大院 , 2. 旭川高専
津 佳永 1
			 11a-PA3-3
真皮の変性を考慮したヒト皮膚分光反射率データベース 大箭 武寛 1, 〇湯浅 友典 1, 船水 英希 1, 相津 佳永 1
1. 室工大院の検討
			 11a-PA3-4
近赤外領域におけるヒト皮膚の反射吸光度シミュレー
岡田 和朗 1, 小堀 優太 1, 桑原 照 1, 湯浅 友典 1, 大谷 和 1. 室工大 , 2. 東海理化 , 3. 電通大ション
也 2, 岩下 明暁 2, 山田 幸生 3, 〇相津 佳永 1
			 11a-PA3-5
生体組織中における円偏光の散乱経路及び偏光状態のシ 〇濱田 敦志 1, 高橋 一真 1, 口丸 高弘 2, 宗片 比呂夫 1, 1. 東工大未来研 , 2. 自治医大
ミュレーション
西沢 望 1
			 11a-PA3-6
近赤外レーザ光を用いた心筋焼灼の基礎的検討〇水崎 裕太郎 1, 清水 一夫 2, 松浦 祐司 1
1. 東北大工 , 2. 東北大医研			 11a-PA3-7
SS-OCT による E4～E10 の鶏心臓のイメージング〇 (M1) 万本 和輝 1, 崔 東学 2, 吉村 玲子 2, 大林 康二 2, 1. 青学大理工 , 2. 北里大1
三井 敏之
			 11a-PA3-8
増殖細胞核抗原の観察によるレーザー光の光毒性評価〇金丸 直弘 1, 高橋 圭介 1, 松山 哲也 1, 和田 健司 1, 岡 1. 阪府大工 , 2. 阪府大生環
本 晃一 1, 川喜多 愛 2, 村田 香織 2, 杉本 憲治 2
			 11a-PA3-9円偏波送受信アンテナを用いた脳マイクロ波 CT 画像診 〇 (BC) 福島 一輝 1, 湯村 七海 1, 聡一朗 山口 1
1. 関大断装置の開発
3.5 レーザー装置・材料 / Laser system and materials
3/10(Sun.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W834 会場 (Room W834)
9:00
招 10a-W834-1 「第 9 回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）〇鄭 宇進 1
1. 浜松ホトニクス
受賞記念講演」
外部共振器を用いた安定な狭帯域高出力半導体レーザーに関する研究9:30
E 10a-W834-2 Generation of pulse duration-tunable optical pulses from 〇 (M2)Hejie Yan1, 2, Gao Yuan1, 2, Jui-Hung Hung2, 1.Tohoku univ., 2.NICHe, Tohoku univ.
an injection-locked gain-switched laser diodeKazuo Sato2, Hirohito Yamada2, 1, Hiroyuki
Yokoyama1, 2
9:45
E 10a-W834-3 High-peak-power narrow-bandwidth optical pulse〇 Yuan Gao1, Jui-Hung Hung2, He-Jie Yan1, Kazuo 1.Tohoku Univ., 2.NICHe,Tohoku Univ.
generation by controlling the gain-switching operation of Sato2, Hirohito Yamada1, 2, Hiroyuki Yokoyama1, 2
a semiconductor laser
10:00		 10a-W834-4 SHG 発生用 FBG 型 1064 nm CW ファイバレーザの高出 〇土橋 一磨 1, 星 正幸 1, 今井 浩一 1, 廣橋 淳二 1, 牧尾 1. オキサイド
力化
諭1
10:15
E 10a-W834-5 Q-switched Fiber Laser Using Synthetic Single-crystal〇 (D)Zheyuan Zhang1, Yuanjun Zhu1, Pengtao
1.Tokyo Univ.
Diamond Saturable AbsorberYuan1, Hongbo Jiang1, Zihao Zhao1, Fulin Xiang1, Lei
11
1
Jin , Sze Yun Set , Shinji Yamashita
10:30		休憩 /Break
10:45		 10a-W834-6 回折格子対による全正常分散 Tm:ZBLAN ファイバーレー 〇戸倉川 正樹 1, 相楽 啓 1
1. 電通大、レーザー研
ザーのパルス圧縮特性
11:00
奨 10a-W834-7 SWNT を用いた Tm 添加超短パルスファイバレーザの分 〇渡邉 建太 1, 周 英 2, 斎藤 毅 2, 榊原 陽一 2, 西澤 典 1. 名大院工 , 2. 産総研
散制御による高出力化
彦1
11:15		 10a-W834-8 高出力安定動作可能な Tm3+:ZBLAN ファイバーMOPA〇梶川 詠司 1, 石井 知広 1, 久保 貴志 1, 武者 満 1, 小川 1. 電通大レーザー研 , 2. ファイバーラボ
和彦 2
11:30
奨 10a-W834-9 全偏波保持 Figure 9 型 Er 添加受動モード同期超短パルス 〇菅 颯人 1, 山中 真仁 1, 西澤 典彦 1
1. 名大院工ファイバーレーザーの共振器分散制御と特性解析
11:45
奨 10a-W834-10 高出力・高安定な連続波 2.8µm Er:ZBLAN ファイバー〇合谷 賢治 1, 上原 日和 1, 小西 大介 2, 村上 政直 2, 時 1. 阪大レーザー研 , 2. 三星ダイヤモンド工業 ( 株 )レーザー
田 茂樹 1
12:00		 10a-W834-11 ファイバーレーザー励起 4 μ m 帯 Fe:ZnSe レーザーの開 〇上原 日和 1, 合谷 賢治 1, 時田 茂樹 1, 韓 冰羽 1,
1. 阪大レーザー研 , 2. モスクワ大発
Andrey Pushkin2, Migal Ekaterina2, Fedor Potemkin2
3/10(Sun.) 13:15 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) W834 会場 (Room W834)
13:15
招 10p-W834-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇木村 祥太 1, 谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
1. 東大物性研
誘導ラマン散乱を用いた広帯域モード同期レーザーの開発
13:30		 10p-W834-2 分散補償鏡を用いたカーレンズモード同期 Tm:Sc2O3 レー 〇 (M1) 鈴木 杏奈 1, 2, クランケル クリスティアン 3, 1. 電通大 , 2. レーザー研 , 3.ZLM
ザーの開発
戸倉川 正樹 1, 2
13:45		 10p-W834-3 モード同期 Yb ファイバーレーザーパルス形成過程におけ 〇鈴木 将之 1, 黒田 寛人 1
1. 愛知医大
る Soliton Molecules の動的観測
1
1
1
1
14:00		 10p-W834-4 小型モード同期レーザに向けたエルビウム添加微小光共 〇今村 陸 , 鈴木 智生 , 石田 蘭丸 , 鈴木 良 , 藤井
1. 慶應大理工 , 2. ワシントン大 , 3.JST さきがけ
振器の作製
瞬 1, 伊藤 瑞生 1, 牧 英之 1, 3, ヤン リャン 2, 田邉 孝純 1
14:15		 10p-W834-5 Cr4+:YAG セラミックスの可飽和吸収特性〇佐藤 庸一 1, 平等 拓範 1, 2
1. 分子研 , 2. 理研

【CS.2】3.5 レーザー装置・材料と 3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.5 & 3.14

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

14:30

E 10p-W834-6

Passively Q-switched 25 MW peak power doughnut mode 〇 Hwan Hong Lim1, Takunori Taira1, 2
1.IMS, 2.RIKEN SPring-8
laser using Nd:YAG ceramic microchip
14:45		 10p-W834-7 Er,Yb リン酸ガラスを用いた平面導波路による 15.8 mJ パ 〇廣澤 賢一 1, 鮫島 成人 1, 崎村 武司 1, 柳澤 隆行 1, 宇 1. 三菱電機
ルス増幅
藤 健一 1
15:00		休憩 /Break
15:15
奨 10p-W834-8 InGaN-LD 励起 640-nm ピコ秒パルス Pr:YLF 再生増幅器 〇 (M1) 藤田 将吾 1, 杉山 直仁 1, 神成 文彦 1
1. 慶大理工15:30
E 10p-W834-9 Direct generation of visible vortex beams from a〇 (D)Yuanyuan Ma1, Jung-Chen Tung2, Yung-Fu
1.Chiba Univ., 2.National Chiao Tung Univ.,
diode-pumped Pr3+:YLF laser
Chen2, Katsuhiko Miyamoto1, 3, Takashige Omatsu1, 3 3.Molecular Chirality Research Center
15:45 奨 E 10p-W834-10 Multiple OAM states generation from a tunable optical〇 (DC)Roukuya Mamuti1, Shigeki Nishida1,
1.Chiba University, 2.Molecular Chirality Researchvortex parametric laser
Shunsuke Goto1, Katsuhiko Miamoto1, 2, Takashige
CenterOmatsu1, 2
16:00		 10p-W834-11 誘導ブリルアン散乱位相共役波発生における軌道角運動 〇佐々木 俊 1, 白石 朋 1, 豊田 耕平 1, 2, 宮本 克彦 1, 2, 尾 1. 千葉大工 , 2. 千葉大分子キラリティ研
量保存則
松 孝茂 1, 2
16:15		 10p-W834-12 高平均出力レーザー用大口径 TGG ファラデー回転子の 〇吉田 英次 1, 時田 茂樹 1, 椿本 孝治 1, 河仲 準二 1
1. 阪大レーザー研
開発
16:30		 10p-W834-13 水衝突噴流冷却を用いた Yb:YAG TRAM レーザーの出力 〇谷口 誠治 1, コスロービアン ハイク 1, 李 大治 1, 本 1. レーザー総研 , 2. 三菱重工業
特性
越 伸二 1, 藤田 雅之 1, 井澤 靖和 1, 西方 伸吾 2, 森岡 朋
也 2, 濱本 浩一 2, 池淵 博 2, 大谷 雄一 2, 金子 毅 2, 醍醐
浩之 2
16:45		 10p-W834-14 コヒーレントビーム結合を利用した高平均出力レーザー 〇椿本 孝治 1, 福石 航 1, 吉田 英次 1, 宮永 憲明 1, 2
1. 阪大レーザー研 , 2. レーザー総研のパルス列整形3/11(Mon.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11a-PA4-1
太陽光励起によるエルビウム添加光ファイバーの蛍光特 〇 (M1C) 小田 真暉 1, 馬場 直人 1, 曽根 宏靖 1, 古瀬
1. 北見工大 , 2. 茨城大工
性裕章 1, 中村 真毅 2
			 11a-PA4-2
Pr ドープ耐候性フッ化物ファイバーにおけるの小信号利 〇 (B) 池田 匠 1, 伊東 速斗 1, 福田 優希 1, 梶川 翔太 2, 1. 千葉工大 , 2. 近大
得の計測
吉田 実 2, 藤本 靖 1
			 11a-PA4-3
伸縮自在のリングレーザによる誘導放出発光の特性
久保田 淳史 1, 〇斉藤 光徳 1
1. 龍谷大理工			 11a-PA4-4
コーナーキューブおよびアキシコンレトロリフレクタ共 〇コスロービアン ハイク 1, 誠治 谷口 1, 憲明 宮永 2 1. レーザー総研 , 2. レーザー研
振器のレーザー発振特性とその温度効果
			 11a-PA4-5
フォトニック結晶素子によるマイクロチップレーザーの 〇荒木 隼悟 1, 鈴木 淳 1, 足立 宗之 1, 吉田 直樹 1, 小嶋 1. ニデック
短パルス化および直線偏光制御
和伸 1, 羽根渕 昌明 1
【CS.2】3.5 レーザー装置・材料と 3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.5 & 3.14
3/10(Sun.) 17:15 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) W834 会場 (Room W834)
17:15		 10p-W834-15 引き上げ法育成β -BaB2O4 単結晶の 266nm 光レーザ照射 〇松倉 誠 1, 田子 毅 1, 笹浦 正弘 1, 廣橋 淳二 1, 古川 保 1. オキサイド
後の透過率評価
典1
17:30		 10p-W834-16 AgGaS2 の高精度セルマイヤー方程式及び熱光学分散式 〇梅村 信弘 1, 岡本 隆幸 2, 三上 拓哉 2, 加藤 洌 1, 2
1. 千歳科技大理工 , 2. 岡本光学加工所
17:45		 10p-W834-17 周期分極反転 LaBGeO5 の擬似位相整合特性
中原 康裕 1, 廣橋 淳二 2, 古川 保典 2, 小田 久哉 1, 〇梅 1. 千歳科技大理工 , 2. 株式会社オキサイド
村 信弘 1
18:00
奨 10p-W834-18 フェムト秒レーザー直描導波路型 PPMgSLT 波長変換素 〇渡邉 俊介 1, 廣橋 淳二 1, 今井 浩一 1, 星 正幸 1, 牧尾 1. 株式会社オキサイド
子開発
諭1
18:15		 10p-W834-19 段差低減 GaAs/AlGaAs 周期空間反転導波路における差周 〇 (M2)WANG SHUMIN1, 松下 智紀 1, 2, 近藤 高
1. 東大工 , 2. 東大先端研
波発生
志 1, 2
3.6 超高速・高強度レーザー / Ultrashort-pulse and high-intensity lasers
3/9(Sat.) 9:00 - 11:30
口頭講演 (Oral Presentation) M135 会場 (Room M135)
9:00
招 9a-M135-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇吉岡 克将 1, 片山 郁文 1, 嵐田 雄介 1, 伴 篤彦 1, 河田 1. 横浜国大院工 , 2. 浜松ホトニクス , 3. 東大院理位相制御 THz-STM によるトンネル電子のナノ空間超高 陽一 2, 小西 邦昭 3, 高橋 宏典 2, 武田 淳 1
速サブサイクル制御
9:15		 9a-M135-2
高密度励起されたダイヤモンド超格子の時間分解 PL 測定 〇小野 百合子 1, 嵐田 雄介 1, 南 不二雄 1, 2, 中村 一
1. 横国大院理工 , 2. 東工大院理工 , 3. 産総研
隆 2, 渡邊 幸志 3, 片山 郁文 1, 武田 淳 111
11
9:30		 9a-M135-3
超格子 GaAs/AlAs における電子フォノン結合系の量子コ 〇三島 遊 , 北島 誉士 , 松本 啓 , 南 不二雄 , 萱沼 洋 1. 東工大 , 2. 大府大ヒーレンス計測輔 1, 2, 中村 一隆 1
9:45		 9a-M135-4
コヒーレントフォノンとプローブ光シグナルの位相差の 〇山田 篤志 1, 矢花 一浩 1
1. 筑波大・計科セ
理論解析およびシミュレーションによる検証
10:00		休憩 /Break10:15
奨 9a-M135-5
表面フォノンポラリトンの超高速非線形応答の観測〇北出 修大 1, 森近 一貴 1, 芦原 聡 1
1. 東大生研
10:30		 9a-M135-6
赤外フェムト秒プラズモニック増強場による化学反応制 〇 (D) 森近 一貴 1, 櫻井 敦教 1, 芦原 聡 1
1. 東大生研
御 (II)
10:45
奨 9a-M135-7
波長掃引超高速レーザパルス列を用いた透明固体材料中 〇 (B) 松下 一輝 1, 鈴木 敬和 1, 山口 勇輝 1, 根本 寛
1. 慶應大のレーザ誘起応力波ダイナミクスのシングルショット 2 史 1, 神成 文彦 1
次元バーストイメージング
11:00		 9a-M135-8
貴金属のフェムト秒赤外発光に対する表面形状の効果〇末元 徹 1
1. 豊田理研
11:15		 9a-M135-9
高強度レーザー場中にある ZnS におけるアト秒光学電気 〇乙部 智仁 1
1. 量研
応答
3/9(Sat.) 13:15 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) M135 会場 (Room M135)
13:15
招 9p-M135-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇浅原 彰文 1, 2, 足立 拓斗 1, 王 月 1, 2, 美濃島 薫 1, 2
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイザ
軌道角運動量分解デュアル光渦コム分光法の開発
1
1
2
1
13:30		 9p-M135-2
OAM モード分解精度向上のための低損失ビーム整形素 渡辺 悠歩 , 〇山根 啓作 , 岡 和彦 , 戸田 泰則 , 森田 1. 北大院工 , 2. 弘前大
子の開発
隆二 1
13:45		 9p-M135-3
高効率な時空間制御光波発生装置の開発
岩佐 康平 1, 佐々木 凜 1, 〇山根 啓作 1, 岡 和彦 2, 戸田 1. 北大院工 , 2. 弘前大泰則 1, 森田 隆二 1
14:00		 9p-M135-4天体の視線速度観測用高分散分光器の波長校正用光周波 〇稲場 肇 1, 中村 圭佑 1, 大久保 章 1, 柏木 謙 1, シュラ 1. 産総研 , 2. 国立天文台 , 3. 横国大 , 4. 電通大
数コムの開発Ⅳ
ム マルテ 1, 2, 洪 鋒雷 3, 美濃島 薫 4, 筒井 寬典 2, 神戸-1 号機の結果概要と 2 号機の開発状況 栄治 2, 泉浦 秀行 2
14:15		 9p-M135-5
複数のファブリペロー共振器を用いた光コムモード間隔 〇大久保 章 1, 中村 圭佑 1, 柏木 謙 1, 稲場 肇 1
1. 産総研の拡大
14:30		休憩 /Break
14:45		 9p-M135-6
繰り返し 24 GHz 近赤外広帯域光コムの発生〇 (P) 中村 圭佑 1, 2, 大久保 章 1, 2, 柏木 謙 1, 2, 稲場
1. 産総研 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイザ
肇 1, 2
15:00		 9p-M135-7
20 GHz 繰り返しカーレンズモード同期レーザー〇 (D) 木村 祥太 1, 谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
1. 東大物性研
15:15		 9p-M135-8通信波長帯変調器に基づく高繰り返し可視光コム発生〇柏木 謙 1, 2, 大久保 章 1, 2, 稲場 肇 1, 2
1. 産総研 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイザ
1, 2
1
1
2
15:30		 9p-M135-9
電気光学変調コムの CEO 信号の高 SNR 検出〇人見 賢弥 , 石澤 淳 , 日達 研一 , 西川 正 , 後藤 1.NTT 物性研 , 2. 東京電機大
秀樹 1
15:45		 9p-M135-10 中赤外光コムと高分解能分散素子を用いた高分解能分光 〇杉山 慶 1, 谷 峻太郎 1, 米田 修 2, 須藤 裕之 2, 小林 洋 1. 東大物性研 , 2. トヨタ自動車
システムの構築平1
16:00		 9p-M135-11 偏波保持ファイバを用いたデュアルコム分光器の開発〇入松川 知也 1, 清水 祐公子 1, 大久保 章 1, 柏木 謙 1, 1. 産総研
中村 圭佑 1, 稲場 肇 1
16:15		休憩 /Break3.7 レーザープロセシング / Laser processing
16:30		 9p-M135-12

fceo の制御が可能なデュアルコムファイバレーザー

1. 電通大 , 2.JST ERATO 美濃島知的光シンセサイザプ
ロジェクト
16:45
奨 9p-M135-13 単層カーボンナノチューブフィルムを用いた全偏波保持 〇齋藤 秀人 1, 山中 真仁 1, 榊原 陽一 2, 面田 恵美子 2, 1. 名大院工 , 2. 産総研
双方向デュアルコムファイバレーザー
片浦 弘道 2, 西澤 典彦 1
17:00
奨 9p-M135-14 単層カーボンナノチューブフィルムを用いた Cr2+:ZnS 中 〇 (M2) 岡崎 大樹 1, 荒井 隼人 2, Kauppinen Esko3, 千 1. 東大生研 , 2. 東大工 , 3.Aalto Univ., 4. 産総研
赤外モード同期レーザー
足 昇平 2, 丸山 茂夫 2, 4, 芦原 聡 1
17:15		 9p-M135-15 誘導ラマン顕微鏡のための 9 の 字型ピコ秒 Er ファイバ
〇浅井 翼 1, 住村 和彦 2, 小関 泰之 1
1. 東大工 , 2. 光響
レーザの長波長発振17:30		 9p-M135-16 固体のサブサイクル分光に向けての 3.5 µm 帯 CEP 安定 〇夏 沛宇 1, Lu Faming1, 金島 圭佑 1, 石井 順久 1, 金 1. 東大物性研
中赤外パルスの電気光学サンプリング
井 輝人 1, 板谷 治郎 1
17:45
奨 9p-M135-17 液膜プラズマミラーを用いた周波数分解光ゲート計測法 〇 (P) 遠藤 友随 1, 坪内 雅明 1, 板倉 隆二 1
1. 量研関西研の開発
3/10(Sun.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M135 会場 (Room M135)
9:00		 10a-M135-1 アト秒位相干渉分光に向けた極端紫外干渉光学系の構築 〇増子 拓紀 1, 千菅 雄太 1, 2, 浅賀 浩司 1, 3, 西川 正 3, 片 1.NTT 物性基礎研 , 2. 横浜国立大 , 3. 東京電機大
山 郁文 2, 武田 淳 2, 小栗 克弥 1, 後藤 秀樹 1
9:15		 10a-M135-2 直線偏光及び楕円偏光した２波長レーザー電場を用いた ホサイン モハンマド マルフ 1, 〇酒井 広文 1
1. 東大院理
気体分子の全光学的３次元配向制御
9:30		 10a-M135-3 高次高調波を用いた 400 eV における窒素分子の時間分解 〇齋藤 成之 1, 三戸 宏樹 1, 石井 順久 1, 金井 輝人 1, 板 1. 東大物性研
軟 X 線吸収分光
谷 治郎 1
9:45		 10a-M135-4 高次高調波発生における原子間距離の効果についての理 〇 (B) 谷 水城 1, 篠原 康 2, 佐藤 健 2, 石川 顕一 2
1. 東大工 , 2. 東大院工
論的研究
10:00
奨 10a-M135-5 核の運動を考慮した多原子分子のための第一原理シミュ 〇 (DC) 織茂 悠貴 1, 佐藤 健 1, 石川 顕一 1
1. 東大院工レータの開発10:15		休憩 /Break
10:30		 10a-M135-6 時間分解高次高調波分光による 1,3,5- シクロヘプタトリ 〇金島 圭佑 1, 二ノ田 有輝 1, 関川 太郎 1
1. 北大工エンの内部転換過程の観測
10:45		 10a-M135-7 ベンゼンの励起状態ダイナミクス：メチル基付与の影響 〇足立 俊輔 1, 鈴木 拓弥 1, 工藤 章太郎 1, 鈴木 俊法 1 1. 京大理
11:00		 10a-M135-8 偏光カメラを用いたマルチフラグメント運動量画像法の 〇沖野 友哉 1, 2, 緑川 克美 1
1. 理研 , 2.JST さきがけ開発
11:15		 10a-M135-9 アブレーションによる反射率変化を用いた真空紫外パル 〇板倉 隆二 1, 赤木 浩 1, 乙部 智仁 1
1. 量研関西研
ス波形計測
1
1
11:30
E 10a-M135-10 BISER control at 150 TW: keV photons and microjoule〇 Alexander S Pirozhkov , Timur Zh. Esirkepov ,1.QST, 2.Osaka Univ., 3.Strathclyde Univ., 4.IPM RAS,
pulses in the 60-100 eV range
Bruno Gonzalez-Izquierdo1, Akito Sagisaka1, Tatiana 5.CLF RAL, 6.LPI RAS, 7.JIHT RAS, 8.Hiroshima Univ.
A. Pikuz2, 7, Zoe E. Davidson3, Koichi Ogura1,

3/12(Tue.) 9:30 - 11:30
			 12a-PA2-1
		

E 12a-PA2-2

ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
8 の字型レーザにおける非線形増幅ループミラーの変調
強度依存性
All-fiber dual-wavelength mode-locked laser by using
low-birefringence Lyot-filter

Andreas Bierwage1, Kai Huang1, Nobuhiko Nakanii1,
James K. Koga1, Alexey Ya. Lopatin4, Yuji Fukuda1,
David Neely5, 3, Paul McKenna3, Eugene N. Ragozin6,
Sergey A. Pikuz7, Nikolay I. Chkhalo4, Nikolay N.
Salashchenko4, Shinichi Namba8, Hiromitsu
Kiriyama1, Masato Koike1, Kiminori Kondo1, Tetsuya
Kawachi1, Masaki Kando1〇 (M1) 田原 壮馬 1, 大饗 千彰 1, Liu Weiyong1, 桂川 1. 電通大基盤理工
眞幸 1〇溝口 慧 1, 白畑 卓磨 1, 金 磊 1, セット ジイヨン 1, 山 1. 東大先端研

下 真司 1〇 (M1)YUANJUN ZHU1, FULIN XIANG1,

1.Tokyo Univ.
PENGTAO YUAN1, CHAO ZHANG1, NEISEI
1
1
1
HAYASHI , LEI JIN , SZEYUN SET , SHINJI
YAMASHITA1
			 12a-PA2-3
超高 Q 値フッ化マグネシウム微小光共振器の精密分散測 〇田中 脩矢 1, 藤井 瞬 1, 渕田 美夏 1, 天野 光 1, 久保田 1. 慶大理工定啓寛 1, 鈴木 良 1, 柿沼 康弘 1, 田邉 孝純 1
			 12a-PA2-4
InP/InGaAsP 量子井戸における音響フォノン周波数シフ 〇 (B) 校條 健太 1, 2, 日達 研一 1, 石澤 淳 1, 西川 正 2,
1.NTT 物性研 , 2. 東京電機大
トの観測
後藤 秀樹 1
		E 12a-PA2-5
Dynamical multielectron correlation in high harmonic〇 (P)Yang Li1, Takeshi Sato1, 2, 3, Kenichi
1.Dept. of Nuclear Engineering and Management,
generation
Ishikawa1, 2, 3
Graduate School of Engineering, The Univ. of Tokyo,
2.Photon Science Center, Graduate School ofEngineering, The Univ. of Tokyo, 3.Research Inst. forPhoton Science and Laser Technology, The Univ. ofTokyo
1
1, 2, 3
		奨 E 12a-PA2-6
Time-Dependent First-Principle Simulations on the〇(D)Imam Setiawan Wahyutama , Takeshi Sato
, 1.Dept. of Nuclear Eng. and Management, School of
1, 2, 3
Resonant High-Harmonic Generation from Transition
Kenichi Ishikawa
Eng. The Univ. of Tokyo, 2.Photon Science Center,
Metal Plasma
School of Eng., The Univ.of Tokyo, 3.Research Inst. forPhoton Science and Laser Technology, The Univ. ofTokyo
3.7 レーザープロセシング / Laser processing
3/9(Sat.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
9:00		 9a-W631-1
フェムト秒レーザーによる SiOx 上へのナノ構造生成過程 〇宮地 悟代 1, 髙谷 竜禎 1, Ihlemann Jürgen2
1. 東京農工大 , 2.Laser-Lab. Göttingen
9:15		 9a-W631-2
超短パルスレーザー照射による LIPSS 形成のパルス幅依 〇 (M1C) 吉川 秀亮 1, 宮川 鈴衣奈 1, Lim Hwan
1. 名工大 . 院 , 2. 分子研 , 3. 理研 RSC
2
2, 3
1
存性
Hong , 平等 拓範 , 江龍 修
9:30		 9a-W631-3
GaAs 基板に形成する LIPSS 周期のレーザースキャン速度 〇 (B) 松浦 英徳 1, 宮川 鈴衣奈 1, 江龍 修 1
1. 名工大依存性
9:45		 9a-W631-4
薄膜堆積によるサファイア基板の LIPSS 周期制御
〇後藤 兼三 1, 宮川 鈴衣奈 1, 江龍 修 1
1. 名古屋工業大学
10:00
E 9a-W631-5
Hierarchical microstructures with high spatial frequency 〇 (P)Dongshi Zhang1, Koji Sugioka1
1.RIKEN, RIKEN Center for Advanced Photonics (RAP)
laser induced periodic surface structures (HSFLs)
possessing different orientations created by high-fluence
femtosecond laser ablation of silicon in liquids
10:15
E 9a-W631-6
Broadband Ultraviolet-to-Mid-Infrared Anti-Reflective〇 (P)Dongshi Zhang1, Bikas Ranjan1, 2, Takuo
1.RIKEN, RIKEN Center for Advanced Photonics
Substrates Developed by Femtosecond Laser Ablation in Tanaka1, 2, Koji Sugioka1(RAP), 2.Metamaterials Laboratory, RIKEN Cluster for
Organic Solvents
Pioneering Research
10:30		休憩 /Break
10:45		 9a-W631-7
短波長フェムト秒レーザーによる合成石英のアブレー〇 (M1) 寺澤 英知 1, 2, 佐藤 大輔 2, 澁谷 達則 2, 盛合 靖 1. 早大理工総研 , 2. 産総研 , 3. 東大光量子セション閾値のパルス幅依存性
章 2, 黒田 隆之助 2, 田中 真人 2, 坂上 和之 3, 鷲尾 方
一1
11:00		 9a-W631-8 【注目講演】フェムト秒レーザー微細穴あけ加工における 〇場本 圭一 1, 谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
1. 東大物性研
ビームモードの最適化

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

11:45		 10a-M135-11 高ビーム品質高効率光パラメトリック増幅器の開発〇中嶋 善晶 1, 2, 秦 祐也 1, 2, 楠美 友悟 1, 美濃島 薫 1, 2

3.7 レーザープロセシング / Laser processing
11:15		 9a-W631-9

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

11:30		 9a-W631-10

ダブルパルスレーザーアブレーションに対するレーザー 〇肥後 輝 1, 片山 慶太 1, 中村 亘 1, 福岡 寛 2, 吉田 岳
照射遅延効果人 3, 青木 珠緒 1, 梅津 郁朗 1
レーザー加工した CFRP のラマン分光による化学分析〇森山 匡洋 1, 5, 水谷 彬 2, 谷 峻太郎 3, 中村 亮介 2, 小

1. 甲南大理工 , 2. 奈良高専 , 3. 阿南高専

1. 東大院理 , 2. 東大院工 , 3. 東大物性研 , 4. 東大光量子機
菅 淳 3, 伊藤 功 3, 趙 智剛 3, 平 敬 1, 小林 洋平 3, 4, 田丸 構 , 5. 東レ
博晴 1, 4, 三尾 典克 2, 4, 五神 真 1, 湯本 潤司 1, 4
11:45		 9a-W631-11 多光子重合による複合ハイドロゲル微細構造の作製〇佐野 諒 1, 片山 暁人 2, 町田 茉南 2, 尾上 弘晃 1, 2, 寺 1. 慶大理工 , 2. 慶大院理工川 光洋 1, 2
12:00		 9a-W631-12 鉄砲エビが生成する衝撃波発生過程の解明にむけたフェ 〇山本 将也 1, 中村 篤人 1, 廣 和樹 1, 矢尾 匡永 1, 安國 1. 奈良高専 , 2. 奈良先端大物質
ムト秒レーザー誘起キャビテーションバブルの数値解析 良平 2, 細川 陽一郎 2, 福岡 寛 1
3/9(Sat.) 13:45 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
13:45 奨 E 9p-W631-1
Feature Size Analysis of Pure Proteinaceous〇 (P)Daniela Serien1, Koji Sugioka1
1.RIKEN RAP
Microstructures Fabricated by Femtosecond Laser Direct
Write
14:00
奨 9p-W631-2
フェムト秒レーザ照射誘起改質を応用した Ni/SiC 界面に 〇 (B) 水尾 優作 1, 渕上 裕暉 2, 富田 卓朗 3, 久澤 大
1. 徳島大・工・学部生 , 2. 徳島大・院生 , 3. 徳島大・理おける電極形成夢 3, 岡田 達也 3
工
14:15
奨 9p-W631-3
極端紫外線フェムト秒パルスによる誘電体のレーザー加 〇 (PC) 澁谷 達則 1, 坂上 和之 2, ヂン タンフン 3, 高 1. 産総研 , 2. 東大 , 3. 量研 , 4. 宇大 , 5. 早大工
橋 孝 1, 2, 石野 雅彦 3, 東口 武史 4, 鷲尾 方一 5, 田中 真
人 1, 小川 博嗣 1, 錦野 将元 3, 小林 洋平 2, 黒田 隆之
助1
14:30
奨 9p-W631-4
局所的電子励起領域へのレーザ光吸収によるガラスの超 〇 (M1) 宮本 直之 1, 伊藤 佑介 1, 吉﨑 れいな 1, 魏 超 1. 東大院工 , 2.AGC 株式会社
高速内部加工然 1, 柴田 章広 2, 長澤 郁夫 2, 長藤 圭介 1, 杉田 直彦 1
14:45
奨 9p-W631-5
フェムト秒レーザーダブルパルス照射による金属表面へ 〇西野 将伍 1, 2, 橋田 昌樹 1, 2, 清水 雅弘 3, 古川 雄
1. 京大院理 , 2. 京大化研 , 3. 京大院工 , 4. 阪大院工 , 5. 阪の酸化膜形成によるドット着色
規 1, 2, 小島 完興 2, 井上 峻介 1, 2, 竹中 啓輔 4, 塚本 雅 大接合研
裕 5, 阪部 周二 1, 2
15:00
奨 9p-W631-6
エキシマレーザーを用いた Al2O3 膜アブレーションによ 〇 (B) 鎌田 晃生 1, 菊地 俊文 1, 2, 中村 大輔 1, 池上
1. 九大 , 2. 九大ギガフォトン共同部門
る 4H-SiC への Al ドーピング
浩 1, 2
15:15		休憩 /Break
15:30
奨 9p-W631-7
液中レーザー溶融法を利用した球状窒化ガリウム粒子の 〇 (M1) 児玉 裕美 1, 和田 裕之 1
1. 東工大作製と特性評価
15:45
奨 9p-W631-8
ナフタロシアニン誘導体ナノ粒子の作製と特性評価〇 (M1) 大村 景太 1, 和田 裕之 1
1. 東工大16:00
奨 9p-W631-9
ダブルパルスレーザーアブレーションにおけるプルーム 〇片山 慶太 1, 中村 亘 1, 福岡 寛 2, 吉田 岳人 3, 青木 珠 1. 甲南大学 , 2. 奈良工業高等専門学校 , 3. 阿南工業高等1
1
ダイナミクスと堆積構造の相関
緒 , 梅津 郁朗
専門学校
16:15
奨 9p-W631-10 液中レーザー溶融法による Ag サブミクロン球状粒子作製 〇吉原 拓輝 1, 越崎 直人 1, 石川 善恵 2
1. 北大院工 , 2. 産総研
におけるグリセリンの効果
16:30
奨 9p-W631-11 液中レーザー溶融法におけるサブミクロン球状粒子生成 〇榊 祥太 1, 石川 善恵 2, 越崎 直人 1
1. 北大工 , 2. 産総研
プロセスに及ぼすパルス幅の効果
3/9(Sat.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
		
E 9p-PB2-1
Ultrasonic Assisted Fabrication of Metal Nanoparticles by 〇 (M1)XIN HU1, Mardiansyan Mardis1, Wahyu
1.Nagoya Univ.
Laser Ablation in Liquid
Diono1, Noriharu Takada1, Hideki Kanda1,
1Motonobu Goto
			 9p-PB2-2
プラズモニックめっき法による酸化物半導体薄膜表面へ 〇池田 佳奈子 1, 大西 有佳里 1, 吉川 裕之 1, 民谷 栄
1. 阪大院工の銀ナノ構造作製
一1
			 9p-PB2-3
球面収差を利用したレーザ加工による半導体ナノ構造形 鈴木 智貴 1, 〇斉藤 光徳 1
1. 龍谷大理工
成1
12
			 9p-PB2-4
木材（杉）の CO2 レーザー加工におけるレーザーパルス 〇 (M2) 後藤 勇人 , 宇野 和行 , 實野 孝久
1. 山梨大工 , 2. 阪大レーザー研
波形の影響			 9p-PB2-5
高繰り返しフェムト秒レーザーを用いた紫外透過性ポリ 〇尾崎 諒 1, 花田 修賢 1
1. 弘前大理工
マーの回折格子作製11
11
			 9p-PB2-6
セラミックスの超短パルスレーザー加工における非熱的 〇奈良崎 愛子 , 高田 英行 , 吉富 大 , 鳥塚 健二 , 小 1. 産総研 , 2. 東大物性研/ 熱的加工境界
林 洋平 2
			 9p-PB2-7
フェムト秒レーザー誘起表面周期構造が形成されたジル 〇欠端 雅之 1, 屋代 英彦 1, 大矢根 綾子 2, 伊藤 敦夫 3, 1. 産総研 電子光技術 , 2. 産総研 ナノ材料 , 3. 産総研
コニアセラミックスの透過電子顕微鏡観察
鳥塚 健二 1
健康工学
			 9p-PB2-8
高強度レーザー光照射によるアルカンの分子変換におけ 石川 和香子 1, 〇佐藤 俊一 1
1. 東北大多元研
る構造異性体の生成			 9p-PB2-9
フェムト秒パルスレーザの３次元強度分布とフェムト秒 〇 (B) 西村 拓己 1, 下林 紀幸 1, 水谷 浩也 1, 齋藤 隆之 1 1. 静大工
パルスレーザ照射により形成された気泡の形状との関係
		E 9p-PB2-10
X-ray, Terahertz Wave, and Sound Emission from Water〇 Hsin-hui Huang1, Takeshi Nagashima2, Saulius
1.Academia Sinica, 2.Setsunan Univ, 3.Swinburne Univ.
Flow Irradiated by Intense Femtosecond Laser Pulses in Juodkazis3, Koji Hatanaka1of Tech.
Air			 9p-PB2-11
共焦点表面位置検出を用いた細胞のフェムト秒レーザー 〇 (M1) 三浦 誠 1, 長谷川 智士 1, 岩永 将司 2, 早崎 芳 1. 宇都宮大オプティクス , 2. 宇都宮大農
加工
夫1
			 9p-PB2-12
CFRP 付着シリコーンオイルの LIBS 法による検出〇佐藤 正健 1, 田代 賢一 1, 川口 喜三 1, 大村 英樹 1, 秋 1. 産総研
山 陽久 1
3/10(Sun.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
9:00		 10a-W631-1 Cu 含有クラスターを前駆体とした水の酸化触媒〇西 哲平 1, 佐藤 俊介 1, 荒井 健男 1, 森川 健志 1
1. 豊田中研- 中性付近の電解質水溶液中における電気化学触媒活性 1
2
9:15		 10a-W631-2 液中レーザー溶融法による球状粒子連続合成における分 〇石川 善恵 , 越崎 直人
1. 産総研 , 2. 北大工
散液粘性が及ぼす効果
9:30		 10a-W631-3 気相パルスレーザーアブレーション法による Ag ナノ粒子 〇 (B) 荒木 崇志 1, 今井 武史 1, 吉田 岳人 1, 梅津 郁
1. 阿南高専 , 2. 甲南大理工 , 3. 徳島大理工
内包担持型 TiO2 複合ナノ構造の創製と可視光励起触媒活 朗 2, 原口 雅宣 3
性9:45		 10a-W631-4 CeF3 薄膜を用いた紫外光センサの真空中アニール処理に 〇加藤 誠也 1, 鈴木 健太郎 1, 大谷 潤 1, 加瀬 征彦 2, 小 1. 名工大 , 2. ウシオ電機
よる欠陥制御野 晋吾 1
10:00		 10a-W631-5 CO2 レーザー照射と高分子膜被覆で作成した Ag/PMMA 〇石松 勇樹 1, 西川 隼人 1, 中嶋 隆 1
1. 京大エネ研
ナノ構造のプラズモン共鳴波長チューニング
10:15		 10a-W631-6 近接して生成したレーザーアブレーションバブルの融合 〇安東 航太 1, 石松 勇樹 1, 中嶋 隆 1
1. 京大エネ研過程
10:30		休憩 /Break
10:45		 10a-W631-7 レーザー直接描画による酸化グラフェンー酸化チタンナ 〇渡辺 明 1, 蔡 金光 2, 小川 沙也加 1, 青柳 英二 3, 伊藤 1. 東北大多元研 , 2.Inst. Mat., China Acad. Eng. Phys.,
ノ粒子ハイブリッド膜への微細構造形成
俊3
3. 東北大金研
11:00		 10a-W631-8 光渦同軸干渉光を利用したレーザー描画露光法による〇 (M1) 膝附 拓也 1, 坂本 盛嗣 1, 野田 浩平 1, 佐々木 1. 長岡技科大 , 2. 兵庫県立大 , 3. 日産化学 ( 株 )フォトレジストへの回折限界を超えた曲線パターンの形 友之 1, 川月 喜弘 2, 後藤 耕平 3, 小野 浩司 1
成
11:15		 10a-W631-9 Cu メッシュ電極のフレキシブル基板上へのレーザ直接描 〇溝尻 瑞枝 1, Nam Ha Phuong1, 伊藤 恭章 2, 秦 誠
1. 長岡技科大 , 2. 名大院工画と温度センサ作製
一2
11:30		 10a-W631-10 レーザー誘起気泡を用いた PDMS ポリマーの特殊加工〇石戸谷 悠治 1, 成瀬 智哉 1, 花田 修賢 1
1. 弘前大理工(2)

3.8 光計測技術・機器 / Optical measurement, instrumentation, and sensor

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

11:45		 10a-W631-11 パルスレーザーメルティング法 (PLM) によって硫黄を過 〇川本 兼司 1, 早瀬 弘基 1, 青木 珠緒 1, 梅津 郁朗 1
1. 甲南大飽和ドープした Si 単結晶の pn 接合特性
12:00		 10a-W631-12 フェムト秒レーザー照射による結晶改質が p-GaN への〇 (M1) 片山 裕之 1, 直井 美貴 1, 岡田 達也 1, 田中 康 1. 徳島大工 , 2. 香川大工
オーミックコンタクトに与える影響
弘 2, 富田 卓朗 1
3.8 光計測技術・機器 / Optical measurement, instrumentation, and sensor
3/9(Sat.) 13:15 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) W935 会場 (Room W935)
13:15
招 9p-W935-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇生澤 佳久 1, 2, 中嶋 善晶 1, 2, 吴 冠豪 3, 美濃島 薫 1, 2 1. 電通大 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサイザ ,合成波長光コム２色干渉計によるリアルタイム空気ゆら
3. 清華大ぎ補正形状計測法の開発
1, 2, 3
1, 3
1, 3
1
13:30
奨 9p-W935-2
光ファイバ遅延線干渉計を用いたモード同期レーザの周 〇和田 雅人, 大久保 章 , 柏木 謙 , 穀山 渉 , 1. 産総研 , 2. 横国大院理工 , 3.JST, ERATO 美濃島知的光
波数雑音測定中村 圭佑 1, 3, 洪 鋒雷 2, 3, 稲場 肇 1, 3
シンセサイザ
13:45		 9p-W935-3
レーザー走査型光コム分光顕微鏡による偏光計測〇中野 祥汰 1, 2, 南川 丈夫 1, 2, 3, 長谷 栄治 1, 2, 4, 浅原 彰 1. 徳島大 , 2.JST-ERATO, 3.JST さきがけ , 4.JASRI, 5. 電
文 2, 5, 水野 孝彦 1, 2, 山本 裕紹 2, 6, 美濃島 薫 2, 5, 安井 通大 , 6. 宇都宮大武史 1, 2
14:00
奨 9p-W935-4
デュアルコム分光法によるファラデー回転測定〇 (B) 足立 拓斗 1, 浅原 彰文 1, 2, 小田切 雄介 1, 2, 3, 白 1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイザ ,川 正之 4, 王 月 1, 2, 石橋 爾子 2, 3, 波多野 智 2, 3, 徳永 英 3. ネオアーク株式会社 , 4. 東京理科大学
司 4, 美濃島 薫 1, 2
14:15		 9p-W935-5
光コムによる全光ヒルベルト変換を用いた 3 次元形状の 〇 (P) 加藤 峰士 1, 2, 内田 めぐみ 1, 2, 田中 優理奈 1, 2,
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイザ
高解像連続計測美濃島 薫 1, 2
14:30		休憩 /Break
14:45		 9p-W935-6
外部変調方式に基づくブリルアン光相関領域反射計の動 〇野田 康平 1, 李 煕永 1, 水野 洋輔 1, 中村 健太郎 1
1. 東京工業大学
作検証
1
1
2
2
15:00		 9p-W935-7
時間伸張フーリエ変換を用いた高繰返し低コヒーレンス 星川 雅春 , 〇石井 勝弘 , 牧野 健 , 橋本 崇弘 , 古川 1. 光産創大 , 2. 情報通信研究機構
干渉計
英昭 2, 和田 尚也 2
15:15		 9p-W935-8
偏光 OCT による植物塩害の定量的測定〇 (M1) 安田 博哉 1, 椎名 達雄 1
1. 千葉大理工
15:30		 9p-W935-9
長深度 OCT による溶液光学特性変化の為の基礎測定〇 (M2) 三輪 瞭佑 1, 椎名 達雄 1
1. 千葉大理工
1
1
15:45		 9p-W935-10 Circularly Polarized Luminescence Measurement Using〇 (PC)Kotaro Okamura , Izumi Iwakura
1.Kanagawa University
Pair of Quarter Wave-plates
16:00		休憩 /Break
16:15		 9p-W935-11 リモートセンシングによる広域の植物蛍光強度分布画像 〇栗山 健二 1, 眞子 直弘 2, 久世 宏明 3
1. 静大工 , 2.JAXA, 3. 千葉大 CEReS
取得の提案
1
1
1
1
16:30		 9p-W935-12 LIDAR 計測用二波長注入同期パルスレーザー〇渡邊 哲人 , 長谷川 健司 , 隈元 清哉 , 大饗 千彰 , 1. 電通大 基盤理工桂川 眞幸 1
16:45		 9p-W935-13 ライダーによる CO2 と水蒸気の鉛直分布同時観測〇柴田 泰邦 1, 阿保 真 1, 長澤 親生 1
1. 首都大シスデザ
17:00		 9p-W935-14 共鳴ラマンライダーに向けた深紫外波長可変光源の評価 〇染川 智弘 1, ハイク コスロービアン 1, 谷口 誠治 1, 1. レーザー総研
1
李 大治
3/10(Sun.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10a-PA2-1
液晶位相子を用いたミューラー偏光顕微鏡の開発〇大久保 進也 1
1. 沼津高専
			 10a-PA2-2
一光束干渉計による三次元屈折率分布計測のための位相 〇 (M1) 柳瀬 佳亮 1, 富岡 智 1, 貫洞 大地 1
1. 北大工変化計測
1
1
2
2
			 10a-PA2-3
可視光 OCT による半導体薄膜構造の非破壊内部観察〇石田 一将 , 尾崎 信彦 , 池田 直樹 , 杉本 喜正
1. 和歌山大シス工 , 2. 物材機構
			 10a-PA2-4
位相子回転型イメージングエリプソメータのデータ処理 〇飯塚 祐基 1, 金 蓮花 1, 近藤 英一 1, ジェローズ ベル 1. 山梨大学工 , 2. 名古屋大工 , 3. 目白 67
ナール 2, 上原 誠 3
			 10a-PA2-5
低コヒーレンス干渉計によるトモグラフィック屈折率計 〇 (M1) 唐澤 悠太朗 1, 郡司 翔平 1, 塩田 達俊 1
1. 埼大理工測1
1
1
1
			 10a-PA2-6
D1 及び D2 遷移を併用したセシウム原子の CPT 共鳴観測 〇福田 京也 , 佐藤 達輝 , 松木 亮磨 , 曾我部 一貴
1. 新居浜高専		
奨 10a-PA2-7
熱的異方性検出光熱顕微鏡の開発〇櫻内 衛 1, 瀬戸 啓介 1, 中田 和明 2, 小林 孝嘉 3, 徳永 1. 東理大 , 2. 明海大 , 3. 電通大英司 1		奨 10a-PA2-8
電極界面の水により誘起されたバルク水におけるポッケ 〇千万 大道 1, 羽山 大介 1, 山下 恭平 1, 瀬戸 啓介 1, 小 1. 東理大理 , 2. 電通大
ルス効果
林 孝嘉 2, 徳永 英司 1
			 10a-PA2-9
単一光ファイバー式分光器を用いた凹面楕円リフレク〇室 幸市 1, 坂井 正幸 1, 永渕 雄希 1
1. 朝日分光（株）
ターの反射率計測
		
E 10a-PA2-10 Twist dependence of strain sensitivity of perfluorinated〇 (M2)Tianyi Ma1, Ryo Ishikawa1, Heeyoung Lee1, 1.Tokyo Institute of Technology, 2.Cyprus University ofgraded-index plastic FBGs
Antreas Theodosiou2, Kyriacos Kalli2, Yosuke
Technology
Mizuno1, Kentaro Nakamura1
		
奨 10a-PA2-11 コヒーレントライダを用いた波長 1.5 μ m での水面反射 〇伊藤 優佑 1, 今城 勝治 1, 吉岐 航 1, 柳澤 隆行 1, 勝又 1. 三菱電機（株）
信号の分析
徳也 1
3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) W935 会場 (Room W935)
9:00
奨 11a-W935-1 機械学習を用いた光共振器のアライメント自動化システ 〇 (M2) 田原 寛之 1, 三尾 典克 1, 2
1. 東大工 , 2. 東大理
ムの開発
9:15
E 11a-W935-2 Optical Wireless Power Transmission to Multiple Moving 〇 (M2)Hendra Adinanta1, Alexander William
1.Kanazawa Univ.
Objects Using Computer Vision
Setiawan Putra1, Hirotaka Kato1, Takeo Maruyama1
11
1
1
9:30		 11a-W935-3 高分解能量子ＯＣＴの横方向分解能の向上〇川口 蓉子 , 曹 博 , 羽山 恭平 , 岡本 亮 , 竹内 繁 1. 京大院工樹1
9:45 奨 E 11a-W935-4 Proposal of Two Tangent Hole Structure for Higher〇 (D)ZANHUI CHEN1, Wenying Li1, Yu Han1,
1.Kyushu Univ.
Sensitivity Gas Sensor
Haisong Jiang1, Kiichi Hamamoto1
1
1
1
10:00 奨 E 11a-W935-5 Amplifier Assisted CRDS (Cavity Ring-down〇 (D)Wenying Li , Yu Han , Zanhui Chen , Haisong 1.Kyushu Univ.
Spectroscopy) toward Compact Breath Sensing
Jiang1, Kiichi Hamamoto1
10:15		休憩 /Break
10:30		 11a-W935-6 レーザーバイオスペックルによる連続および周期的照明 エナリ シンタロ 1, ヒライ ミノル 1, 〇ラジャゴパラ 1. 芝浦工業大 , 2. 埼玉大時の植物活動への影響モニター
ン ウママヘスワリ 1, ヤマダ ジュン 1, カドノ ヒロフ
ミ2
10:45		 11a-W935-7 超高分解能を有する光増幅帰還型光検出器〇増田 浩次 1, 北村 心 1, イスラム シフル 1, ビスワス 1. 島根大総理
ビスワジット 1, 加納 拓人 1
11:00		 11a-W935-8 包絡線再建のための周波数選択に周波数ペアモデルの適 〇韋 冬 1, 明田川 正人 1
1. 長岡技大機
用
11:15		 11a-W935-9 屈折率センシング光コムを用いた液体サンプルの温度 • 〇 (M2) 麻植 凌 1, 2, 南川 丈夫 1, 2, 田上 周路 3, 深野 秀 1. 徳島大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイザ ,濃度同時計測 (2) 〜スペクトル計測による温度 • 濃度の算 樹 4, 中嶋 善晶 2, 5, 美濃島 薫 2, 5, 安井 武史 1, 2
3. 高知工科大 , 4. 岡山大 , 5. 電通大
出〜
1, 2
1, 2
3
11:30		 11a-W935-10 可飽和吸収ミラー型モード同期ファイバー光コム共振器 〇 (M2) 麻植 凌 , 南川 丈夫 , 田上 周路 , 深野 秀 1. 徳島大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイザ ,による 屈折率センシング
樹 4, 中嶋 善晶 2, 5, 美濃島 薫 2, 5, 安井 武史 1, 2
3. 高知工科大 , 4. 岡山大 , 5. 電通大
3/11(Mon.) 13:15 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) W935 会場 (Room W935)
13:15
招 11p-W935-1 「第 9 回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）〇西山 明子 1
1. 電通大受賞記念講演」
光周波数コムを用いた高分解能・高感度分子分光の研究
13:45
奨 11p-W935-2 デュアルコム分光を用いた高速偏光計測〇是澤 秀紀 1, 2, グライェブ マーク 1, 3, 澁谷 九輝 1, 2, 1. 徳島大院 , 2.JST ERATO 美濃島知的光シンセサイザ ,南川 丈夫 1, 2, 安井 武史 1, 2
3. ボルドー大学

3.9 テラヘルツ全般 / Terahertz technologies

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

14:00		 11p-W935-3

次元変換光コムを用いたスキャンレス・フルフィールド 〇 (M1) 津田 卓哉 1, 2, 水野 孝彦 1, 2, 長谷 栄治 1, 2, 3, 南 1. 徳島大学 , 2.JST ERATO 美濃島 ISO, 3.Spring-8, 4. 宇共焦点顕微鏡の開発（6）〜ポスト光増幅によるイメージ 川 丈夫 1, 2, 山本 裕紹 2, 4, 安井 武史 1, 2
都宮大学
SN 比の向上〜
14:15		 11p-W935-4 デュアル光コム顕微鏡によるスキャンレス蛍光イメージ 〇 (P) 水野 孝彦 1, 2, 長谷 栄治 1, 2, 南川 丈夫 1, 2, 山本 1. 徳島大 , 2.JST ERATO 美濃島 IOS, 3. 宇都宮大
ング (3) ～ 蛍光イメージング SNR の改善 ～裕紹 2, 3, 安井 武史 1, 2
14:30
奨 11p-W935-5 ナイキスト限界の高速広帯域フーリエ分光法〇橋本 和樹 1, 2, 井手口 拓郎 1, 3
1. 東大理 , 2.JAXA, 3.JST さきがけ
14:45		休憩 /Break
15:00		 11p-W935-6 ポンプ・プローブ分光計測のための雑音打消し位相検波 〇瀬戸 啓介 1, 小林 孝嘉 2, 徳永 英司 1
1. 東理大 , 2. 電通大法におけるブートストラップ法によるフォトダイオードの接合容量打消しの効果
15:15		 11p-W935-7 光定常状態間遷移を用いた過渡吸収分光法の開発および 荒井 仁美 1, 〇和田 昭英 1
1. 神戸大院理
アゾ系色素の異性化反応への応用
15:30
奨 11p-W935-8 多色レーザー励起下における過渡吸収の励起波長選択的 〇岸 佑弥 1, 和田 昭英 1
1. 神戸大院理観測および交差項の観測
1
1
15:45
E 11p-W935-9 Time-Domain Raman Spectroscopy using a Sagnac〇 (M2)Jorgen Walker Peterson , Kotaro Hiramatsu , 1.The Univ. of Tokyo, 2.JSTInterferometer
Keisuke Goda1, 2
16:00		 11p-W935-10 波長計制御型 CRDS を用いた高感度・高分解能スペクト 〇橋口 幸治 1, Cygan Agata2, Lisak Daniel2, 阿部 恒 1 1. 産総研 , 2. ニコラス・コペルニクス大学
ル測定
16:15		 11p-W935-11 ジルコニウム原子の同位体スペクトルの測定〇榎本 瑛夫 1, 西宮 信夫 1
1. 東京工芸工
3.9 テラヘルツ全般 / Terahertz technologies
3/10(Sun.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 10p-PB2-1
室温動作差周波発生テラヘルツ量子カスケードレーザー 〇中西 篤司 1, 藤田 和上 1, 堀田 和希 1, 高橋 宏典 1
1. 浜松ホトニクス中研によるイメージング11
1
2
			 10p-PB2-2
直列接続共鳴トンネルダイオードにおける発振とドメイ 〇安田 浩朗 , 関根 徳彦 , 寳迫 巌 , 平岡 友基 , 猪瀬 1. 情報通信研究機構 , 2. 京大院理 , 3. 京大 iCeMS
ン形成
裕太 2, 有川 敬 2, 田中 耕一郎 2, 3
			 10p-PB2-3
共鳴トンネルダイオードによるピコ秒テラヘルツパルス 〇土田 洸志郎 1, 平岡 友基 1, 有川 敬 1, 田中 耕一郎 1, 2 1. 京大院理 , 2. 京大 iCeMS
検出			 10p-PB2-4
テラヘルツ波電気光学サンプリングの偏光フィルタリン 〇北原 英明 1, 加藤 博之 1, 椎原 正基 1, 江崎 晃弘 1, 山 1. 福井大遠赤センター, 2. フィリピン大 , 3. ニジーニノ
グによるダイナミックレンジの改善
本 晃司 1, 古屋 岳 1, エスタシオ エルマー2, バクノフ ブゴロド大マイケル 3, 谷 正彦 1
			 10p-PB2-5
OH1 を用いたテラヘルツ波発生直後の波形計測〇横山 啓一 1, 松田 晶平 1
1. 原子力機構
			 10p-PB2-6
フェムト秒パルス励起による傾斜構造 PPLN からの側面 〇浜崎 淳一 1, 小川 洋 1, 関根 徳彦 1, 笠松 章史 1, 寳迫 1. 情通機構
THz 波発生
巌1
			 10p-PB2-7
モアレ型メタ表面における異常屈折現象観測のための〇大野 誠吾 1, 石原 照也 1
1. 東北大院理THz 時間領域分光イメージング系の構築
1
1
			 10p-PB2-8
実効屈折率可変メタマテリアルによるテラヘルツビーム 渡邉 裕貴 , 〇松井 龍之介
1. 三重大院工ステアリング			 10p-PB2-9
2 段メタルスリットアレイ構造における誘電体の挿入効 〇坂口 浩一郎 1, 加藤 康作 2, 高野 恵介 3, 渡辺 将伍 1, 1. 岡山県立大 , 2. 阪大レーザ研 , 3. 信大環エネ研
果
中嶋 誠 2, 徳田 安紀 1
			 10p-PB2-10 光伝導アンテナ - 自由空間結合器としての Si レンズと〇森川 治 1, 川野 克利 1, 山本 晃司 2, 栗原 一嘉 2, 桒島 1. 海保大 , 2. 福井大 , 3. 福井工大
テーパ付き伝送線路の比較―照射光源とアラインメント 史欣 3, 谷 正彦 2の改善―
		奨 10p-PB2-11 短焦点 0.3THz 帯両面構造ペアカットワイヤーアレーア 〇遠藤 孝太 1, 金 在瑛 2, 鈴木 健仁 1, 3
1. 農工大 , 2. ローム , 3.JST さきがけ
ンテナによる共鳴トンネルダイオードからの放射位相の制御
			 10p-PB2-12 1.5 μ m 励起テラへルツ波発生における DAST 結晶の熱 〇戸部 雄輝 1, 宮川 貴博 1, 何 家歓 1, 鶴丸 将平 1, 内田 1. 千葉大工 , 2. アークレイ株式会社 , 3. 千葉大分子キラ
レンズ効果
裕久 2, 宮本 克彦 1, 3, 尾松 孝茂 1, 3
リティー研			 10p-PB2-13 反射型テラヘルツ偏光分光装置を用いた黒色ゴム複合材 〇岡野 真人 1, 渡邉 紳一 1
1. 慶大理工料の内部フィラー配向状態の観測
3/11(Mon.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) S421 会場 (Room S421)
9:00		 11a-S421-1
光伝導アンテナにおける雑音の定量評価〇 (B) 中村 亮太 1, 新田 真大 1, 角屋 豊 1
1. 広大院先端
9:15		 11a-S421-2
共鳴トンネルダイオード検出器のテラヘルツ波パルスに 〇瀧田 佑馬 1, 鈴木 左文 2, 浅田 雅洋 2, 南出 泰亜 1
1. 理研 , 2. 東工大
対する感度評価1
1
2
1
9:30		 11a-S421-3
共鳴トンネルダイオードにおける狭帯域テラヘルツ光を 〇 (D) 平岡 友基 , 有川 敬 , 伊藤 弘 , 田中 耕一郎
1. 京大理 , 2. 北里大用いた注入同期
9:45		 11a-S421-4
注入同期した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器 〇有川 敬 1, 金 在瑛 2, 向井 俊和 2, 西上 直毅 3, 冨士田 1. 京大院理 , 2. ローム , 3. 阪大基礎工 , 4. 京大 iCeMSの電場波形測定誠之 3, 永妻 忠夫 3, 田中 耕一郎 1, 4
10:00		 11a-S421-5
矩形空洞共振器とボウタイアンテナを集積した高出力共 〇田中 大基 1, 小林 和憲 1, 泉 龍之介 1, 鈴木 左文 1, 浅 1. 東工大鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の作製
田 雅洋 1
10:15
E 11a-S421-6
Effect of Joule Heating on Titanium Wires for Terahertz 〇 (D)DURGADEVI ELAMARAN1, KO AKIBA2,
1.GSST, 2.GSIST, 3.RIE
Antenna-Coupled Bolometer
HIROAKI SATOH3, NORIHISA HIROMOTO2,HIROSHI INOKAWA3
10:30		休憩 /Break
10:45		 11a-S421-7
二次元プラズモンを用いたテラヘルツ帯光 - 無線周波数 〇 (M1) 眞鍋 颯也 1, 尾辻 泰一 1, 佐藤 昭 1
1. 東北大通研
下方変換の理論解析
11:00		 11a-S421-8
二次元ナノアンテナ導入による格子ゲート構造〇齋藤 琢 1, 鈴木 雅也 1, 細谷 友崇 1, 末光 哲也 2, 瀧田 1. 東北大通研 , 2. 東北大 CIES, 3. 理研光量子
プラズモニック THz ディテクタの偏光特性制御
佑馬 3, 伊藤 弘昌 3, 南出 泰亜 3, 尾辻 泰一 1, 佐藤 昭 1
11:15		 11a-S421-9
有機電気光学ポリマー光導波路を用いたテラヘルツ波検 〇梶 貴博 1, 諸橋 功 1, 富成 征弘 1, 小川 洋 1, 山田 俊 1. 情通機構
出デバイスの試作
樹 1, 大友 明 1
11:30
E 11a-S421-10 Spintronic CW THz Generation Using an Optimized Fe/ 〇 (P)Valynn Katrine Magusara1, Fumiyoshi
1.Univ. of Fukui, 2.Fukui Univ. of Tech., 3.Photonic
Pt Metallic Bilayer
Kuwashima2, Miezel Talara1, Garik Torosyan3,Center Kaiserslautern, 4.Univ. of Kaiserslautern
Hideaki Kitahara1, Sascha Keller4, Laura Scheuer4,
Johannes L'huillier3, Evangelos Th. Papaioannou4,
Rene Beigang4, Masahiko Tani1
11:45		 11a-S421-11 フェムト秒パルスレーザー励起テラヘルツパルス照射に 〇上田 誠一郎 1, 加藤 康作 1, Phan Khoa1, 清水 智貴 1, 1. 阪大レーザー研 , 2. 福井大遠赤センター
よる高調波の観測
谷 正彦 2, 吉村 政志 1, 中嶋 誠 1
12:00		 11a-S421-12 AR コート DAST 結晶の THz 時間領域分光法を用いた評 〇北岸 恵子 1, 芹田 和則 1, 内田 裕久 2, 3, 小山 千瑳 3, 1. 大阪大学 , 2. 名古屋大学 , 3. アークレイ（株）
価高木 毅 3, 斗内 政吉 1
3/11(Mon.) 13:45 - 18:45 口頭講演 (Oral Presentation) S421 会場 (Room S421)
13:45
奨 11p-S421-1 多段テラヘルツパラメトリック検出器による極微弱テラ 〇村手 宏輔 1, 阪井 ひかる 1, 郭 昀倬 1, 川瀬 晃道 1
1. 名大院工
ヘルツ波検出
14:00		 11p-S421-2 チャープパルスを用いたテラヘルツ波の非共軸シングル 〇泉 健一 1, 嵐田 雄介 1, 武田 淳 1, 片山 郁文 1
1. 横浜国大院理工ショット検出11
1
1
14:15		 11p-S421-3 変調器型光コム発生器を用いた電気光学サンプリング法 〇諸橋 功 , 関根 徳彦 , 笠松 章史 , 寳迫 巌
1. 情通機構によるテラヘルツ周波数計測における測定帯域の評価
14:30
奨 11p-S421-4 SF-STAMP を用いた超高速シングルショットテラヘルツ 〇 (B) 高澤 一輝 1, 鈴木 敬和 1, 山口 勇輝 1, 根本 寛
1. 慶大理工 , 2. 福井大遠赤センター, 3. 東北大学大学院
イメージング
史 1, 北原 英明 2, 谷 正彦 2, 松浦 裕司 3, 神成 文彦 1
工学研究科

3.10 光量子物理・技術 / Optical quantum physics and technologies
14:45		 11p-S421-5

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

GPU を用いたホログラフィック網膜投影型ディスプレイ 〇長浜 佑樹 1, 藤本 直大 1, 高木 康博 1
1. 東京農工大のリアルタイム表示
15:00
E 11p-S421-6 An algorithm for CGH using gradient descent method〇 (M2)Shujian Liu1, Yuki Nagahama1, Yasuhiro
1.Tokyo Univ. of Agri. and Tech.
Takaki1
15:15		 11p-S421-7 Terahertz-Wave Amplitude-Modulated Radar Based on a 〇 Adrian Dobroiu1, Ryotaka Wakasugi1, Yusuke
1.Tokyo Tech
Resonant-Tunneling-Diode Oscillator
Shirakawa1, Safumi Suzuki1, Masahiro Asada1
15:30		 11p-S421-8 共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツファイバ伝 〇小幡 一智 1, 兪 熊斌 2, 金 在瑛 3, 冨士田 誠之 2, 永妻 1. パイオニア , 2. 阪大基礎工 , 3. ローム
送 (1)忠夫 2, 宮本 知幸 1, 細田 康雄 1
－テラヘルツファイバの検討－
15:45
奨 11p-S421-9 共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツファイバ伝 〇 (DC) 兪 熊斌 1, 小幡 一智 2, 宮本 知幸 2, 細田 康
1. 阪大 , 2. パイオニア ( 株 ), 3. ローム ( 株 )送 (2)雄 2, 金 在瑛 3, 冨士田 誠之 1, 永妻 忠夫 1
－フォトニック結晶インターフェースの導入－
16:00 奨 E 11p-S421-10 Sensing ultrafast motion of a single atom encapsulated in 〇 Shaoqing Du1, Ya Zhang1, Kenji Yoshida1,
1.IIS,Univ. of Tokyo, 2.INQIE,Univ. of Tokyoa cage molecule by terahertz spectroscopy
Kazuhiko Hirakawa1, 2
16:15		休憩 /Break
16:30 奨 E 11p-S421-11 Control of absorption properties of MEMS terahertz〇 Tianye Niu1, Boqi Qiu1, Ya Zhang2, Kazuhiko
1.IIS/INQIE Univ. of Tokyo, 2.TUAT
bolometers using metamaterials
Hirakawa1
16:45
奨 11p-S421-12 両面構造ペアカットワイヤーアレーアンテナによる〇関谷 允志 1, 金 在瑛 2, 鈴木 健仁 1, 3
1. 農工大 , 2. ローム , 3.JST さきがけ
0.3THz 帯共鳴トンネルダイオードの指向性の向上と制御
17:00		 11p-S421-13 テラヘルツ波帯における Metal hole array によるアンテナ 〇 (B) 田中 雄介 1, 久武 信太郎 1
1. 岐阜大工
利得向上
17:15		 11p-S421-14 テラヘルツ領域におけるシリコンナノ粒子を用いた屈折 〇添田 淳史 1, 河田 陽一 2, 里園 浩 2, 高橋 宏典 2, 池田 1. 帝人 , 2. 浜松ホトニクス
率制御と広帯域反射防止膜への応用
吉紀 1
17:30		 11p-S421-15 フォトニック結晶 - 金属ワイヤー融合型テラヘルツ導波 〇宮浦 潤 1, 田邉 匡生 1, 小山 裕 1
1. 東北大院工路の作製と評価
17:45
E 11p-S421-16 Miniature terahertz waveguides and the molecular sensing 〇 Borwen You1, Ja-Yu Lu2, Chin-Ping Yu3, Toshiaki 1.Univ. of Tsukuba, 2.Cheng Kung Univ., 3.Sun Yat-Sen
application in a microfluidic channel
Hattori1
Univ.
18:00
奨 11p-S421-17 スーパーインクジェットプリンタで試作した 3.0THz 帯 〇朝田 晴美 1, 鈴木 健仁 1, 2
1. 農工大 , 2.JST さきがけ
高屈折率低反射メタサーフェスの実験評価
18:15		 11p-S421-18 ウッズアノマリーとは異なる新しいアノマリー〇北中 宏明 1, 湯本 潤司 1
1. 東大理物
18:30		 11p-S421-19 液晶を内包するサブ波長メタルメッシュ構造によるテラ 〇 (M2) 西江 裕基 1, 神林 正篤 1, 坂本 盛嗣 1, 野田 浩 1. 長岡技科大 , 2. 阿南高専
1
2
1
1
ヘルツ帯での偏波変換素子に関する研究
平 , 岡本 浩行 , 小野 浩司 , 佐々木 友之
3/12(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) S421 会場 (Room S421)
9:00
奨 12a-S421-1
2 波長モード同期ファイバーレーザーとアダプティブ・ 〇 (M1) 新田 一樹 1, 2, 陈 杰 1, 3, 南川 丈夫 1, 2, 郑 铮 3, 1. 徳島大 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサイザ ,サンプリング式デュアル THz コム分光法を用いた低圧ガ 安井 武史 1, 2
3. 北京航空航天大ス計測
9:15		 12a-S421-2
非対称メタアトムアレイ型テラヘルツチップによる微量 〇芹田 和則 1, 村上 博成 1, 川山 巌 1, 斗内 政吉 1
1. 阪大レーザー研
溶液測定
9:30		 12a-S421-3
反射型レーザー走査近接場テラヘルツイメージングシス 岡田 航介 1, 〇芹田 和則 1, Zang Zirui1, 2, 村上 博成 1, 1. 阪大レーザー研 , 2.Univ. of Rochester, 3.Univ. of
テムの開発
川山 巌 1, Cassar Quentin4, MacGrogan Gaëtan4,
Bordeaux, 4.Bergonié Inst.
Zimmer Thomas3, Guillet Jean-Paul3, Mounaix
Patrick3, 斗内 政吉 1
9:45
奨 12a-S421-4
広帯域振動分光によるイオン性分子・水溶性高分子化合 〇 (M2) 川上 大貴 1, 清水 悠斗 2, 佐々木 謙介 2, 田畑 1. 東大院工 , 2. 情報通信研究機構
物の水和状態の直接測定
仁1
10:00
E 12a-S421-5
Functional assessment of water sorption–desorption for〇 Borwen You1, Ja-Yu Lu2, Chin-Ping Yu3, Pei-Hwa 1.Univ. of Tsukuba, 2.Cheng Kung Univ., 3.Sun Yat-Sen
frequency-dependent skin penetration depth of terahertz Wang4
Univ., 4.Taiwan Univ.
radiation
10:15		休憩 /Break
10:30		 12a-S421-6
円偏光テラヘルツ光を用いた磁場変調時間領域分光法
中根 淳志 1, 鈴川 浩康 1, 森本 智英 1, 〇永井 正也 1, 芦 1. 阪大院基礎工田 昌明 1
10:45		 12a-S421-7
プロトン伝導型固体電解質のテラヘルツ分光〇竹原 輝 1, 森本 智英 1, 永井 正也 1, 可児 幸宗 2, 奥山 1. 大阪大基礎工 , 2. パナソニック , 3. 宮崎大工勇治 3
11:00		 12a-S421-8
鉄系腐食生成物 FeOOH のテラヘルツ分光分析〇田邉 匡生 1, 長谷川 涼 1, 塩田 晃央 1, 小山 裕 1
1. 東北大院工11:15		 12a-S421-9
Bi2Te3/Te ストライプ構造を有する試料からのテラヘルツ 〇 (B) 村上 史和 1, 芹田 和則 1, 村上 博成 1, Dalipi
1. 阪大レーザー研 , 2.AFRL, USA, 3.IEMT, Poland
放射特性
Rea1, Urbas A.2, Materna A.3, Buza M.3, Pawlak D.3,
斗内 政吉 1, 川山 巌 1
11:30
奨 12a-S421-10 Sm0.7Er0.3FeO3 における室温近傍に制御されたスピン再配 〇小池 遥平 1, 弘田 和將 1, 邱 紅松 1, 木本 翔大 1, 加藤 1. 阪大レーザー研
列転移の観測康作 1, 吉村 政志 1, 中嶋 誠 1
11:45		 12a-S421-11 ナノ磁性体 ( ε -Fe2O3) におけるテラヘルツ波パルスによ 〇木本 翔大 1, Qiu Hongsong1, 加藤 康作 1, 小池 遥
1. 阪大レーザー研 , 2. 東大院理る超高速スピン応答
平 1, 井元 健太 2, 吉清 まりえ 2, 生井 飛鳥 2, 大越 慎
一 2, 宮下 精二 2, 吉村 政志 1, 中嶋 誠 1
3.10 光量子物理・技術 / Optical quantum physics and technologies
3/9(Sat.) 9:30 - 11:30
ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 9a-PB1-1
バクテリオロドプシン中のレチナール分子の光異性化に 〇辻野 賢治 1, 山口 俊夫 1, 松本 みどり 1, 木下 順二 1 1. 東京女子医大対するインコヒーレント制御の検討
			 9a-PB1-2
動的磁化を有する量子ドットを介したスピン流制御の理 古屋 雄涼 1, 〇橋本 一成 1, 内山 智香子 1, 2
1. 山梨大院 , 2. 国立情報学研究所
論3/10(Sun.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) S422 会場 (Room S422)
13:45
招 10p-S422-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇菅野 円隆 1, 成瀬 誠 2, 内田 淳史 1
1. 埼玉大 , 2. 情報通信研究機構
光リザーバコンピューティングにおける意思決定手法を用いたモデル選択
14:00		 10p-S422-2 戻り光のある半導体レーザーにおけるスケール不変性を 〇新山 友暁 1, 砂田 哲 1
1. 金沢大理工持つ発振挙動14:15
招 10p-S422-3 「講演奨励賞受賞記念講演」〇新城 亜美 1, 片山 拓哉 1, 衞藤 雄二郎 2, 平野 琢也 1 1. 学習院大理 , 2. 産総研
波形整形した局部発振光を用いた パルス光連続変数エンタングルメントの時間領域測定
14:30		 10p-S422-4 LED 励起によるパラメトリック下方変換光子対発生〇西井 大生 1, 大岡 佳生 1, 深津 晋 1
1. 東大院総合14:45		 10p-S422-5 単共鳴共振器型 PPLN 導波路による光子対生成〇生田 力三 1, 谷 亮矢 1, 石崎 理裕 1, 三木 茂人 2, 藪野 1. 阪大 , 2. 情通機構
正裕 2, 寺井 弘高 2, 山本 俊 1, 井元 信之 1
15:00		 10p-S422-6 Type-II 光導波路を用いた量子揺らぎの制御〇波多腰 紗英 1, 遠山 俊介 1, 平野 琢也 1
1. 学習院大15:15
奨 10p-S422-7 波形成形された超短単一光子パルスを用いた周波数域線 〇保坂 有杜 1, 富田 雅也 1, 逵本 吉朗 2, 新村 星太郎 1, 1. 慶大理工 , 2. 情報通信研 , 3. 慶應量子コンピューティ
形光量子回路の実現
大見 聡仁 1, 和久井 健太郎 2, 藤原 幹生 2, 鹿野 豊 3, 4, ングセンター, 4. チャップマン大武岡 正裕 2, 神成 文彦 1, 3
15:30		休憩 /Break
15:45
招 10p-S422-8 「第 3 回フォトニクス奨励賞受賞記念講演」〇清原 孝行 1, 岡本 亮 1, 2, 竹内 繁樹 1
1. 京大院工 , 2.JST さきがけ
伝令信号を用いた単一光子列のシリアルパラレル変換

3.11 フォトニック構造・現象 / Photonic structures and phenomena
量子ウォークシミュレーターのための長距離伝搬型表面
プラズモンポラリトンカプラの評価
16:15 奨 E 10p-S422-10 BB84 experiment using one polarization-insensitive
measurement setup with a countermeasure against
blinding and controlling attack
16:30		 10p-S422-11 ASE 光源を利用した連続値乱数発生器
16:45		 10p-S422-12 時空間相関を有する環境揺動によるエネルギー流制御
3.11 フォトニック構造・現象 / Photonic structures and phenomena
3/10(Sun.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 10p-PB3-1
ジグザグ鎖構造における光トポロジカルエッジ状態に関する数値解析
			 10p-PB3-2
ハイパボリックメタマテリアル光共振器における共振モードの X 型空間分布
			 10p-PB3-3
ナノ共振器の Q 値向上に向けた機械学習による構造最適化 (2)			 10p-PB3-4
誘電率テンソル非対角成分が実部の二次元磁性フォトニック結晶のバンド構造
			 10p-PB3-5
透明電極を用いたフォトニック結晶集積型ナノワイヤ受
光器

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

16:00		 10p-S422-9〇小林 稜 1, 2, 中 拓也 1, 多田 彬子 1, 行方 直人 1, 福田
大治 1, 2, 井上 修一郎 1〇 (DC)Muataz Alhussein1, Kyo Inoue1, Toshimori

1. 日大量科研 , 2. 産総研〇戸丸 辰也 1〇内山 智香子 1, 2, 根本 香絵 2

1. 日立研開
1. 山梨大院 , 2. 国立情報学研究所〇森竹 勇斗 1, 納富 雅也 1, 2, 3
〇相良 潤 1, 高原 淳一 1, 2

1. 東工大理 , 2.NTT ナノフォトニクスセンタ , 3.NTT 物
性研
1. 阪大院工 , 2. 阪大フォトニクスセ〇 (B) 柴田 武志 1, 浅野 卓 1, 野田 進 1

1. 京大院工〇東海林 篤 1, 上條 陽太朗 2, 福島 宏一 3, 石原 一 4

1. 山梨大クリスタル , 2. 山梨大工 , 3. 阪府大院工 , 4. 阪大
院基工
1.NTT NPC, 2.NTT 物性研

Honjo2

1.Osaka University, 2.NTTBRL〇滝口 雅人 1, 2, 佐々木 智 2, 舘野 功太 1, 2, Chen
Edward2, 野崎 謙悟 1, 2, Sergent Sylvain1, 2, 倉持 栄
一 1, 2, Zhang Guoqiang1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 納富 雅也 1, 2
			 10p-PB3-6
ヒーター及び p-i-n 構造を同時集積したフォトニック結晶 〇仲代 匡宏 1, 2, 浅野 卓 1, 野田 進 1
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員
共振器の作製
11
1
			 10p-PB3-7
フォトニック結晶レーザーの電流注入分布制御による〇 (M1) 深谷 昌弘 , De Zoysa Menaka , 吉田 昌宏 , 1. 京大院工ビーム形状制御福原 真 1, 野田 進 1
			 10p-PB3-8
微小円孔で構成された GaInAsP 蜂の巣構造型フォトニッ 〇渡邊 敬介 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大院工
ク結晶レーザにおける pH 感度増大
			 10p-PB3-9電圧制御型 GaN/AlGaN フォトニック結晶熱輻射光源の 〇 (PC)Kang Daniel Dongyeon1, 井上 卓也 1, 浅野
1. 京大院工変調度向上
卓 1, 野田 進 1
			 10p-PB3-10 機械学習を利用した Si 熱輻射光源の温度推定〇池田 圭佑 1, 井上 卓也 1, 浅野 卓 1, 渡辺 晃平 1, 古山 1. 京都大工隆章 1, 野田 進 1
			 10p-PB3-11 透明磁性誘電体 Ce:YIG 製二次元フォトニック結晶にお 〇 (M1) 上條 陽太朗 1, 東海林 篤 2
1. 山梨大工 , 2. 山梨大クリスタル
ける磁場反転による散乱光の変化
			 10p-PB3-12 差周波テラヘルツ光源への応用に向けた低群速度・低分 〇中濱 照之 1, 尾崎 信彦 1, 小田 久哉 2, 池田 直樹 3, 杉 1. 和歌山大シス工 , 2. 千歳科技大 , 3. 物材機構
散 2 次元 AlGaAs フォトニック結晶導波路の作製および光 本 喜正 3
学評価
3/11(Mon.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
9:30		 11a-W631-1 相変化材料を用いた光トポロジカル相転移の検討〇上村 高広 1, 2, 千葉 永 1, 2, 養田 大騎 1, 2, 森竹 勇斗 1, 1. 東工大理 , 2.NTT 物性研 , 3.NTT NPC
田中 祐輔 2, 納富 雅也 1, 2, 3
9:45		 11a-W631-2 トポロジカルコーナー状態によるフォトニック結晶ナノ 〇太田 泰友 1, Feng Liu2, 勝見 亮太 3, 渡邉 克之 1, 若 1. 東大ナノ量子 , 2. 関西学院大 , 3. 東大生研 , 4.NIMS
共振器の実現林 克法 2, 4, 荒川 泰彦 1, 岩本 敏 1, 3
10:00
奨 11a-W631-3 反転対称性の破れたフォトニック結晶におけるトポロ〇 (D) 養田 大騎 1, 2, 納富 雅也 1, 2, 3
1. 東工大理 , 2.NTT 物性基礎研 , 3.NTT NPC
ジーに保護された円偏光放射10:15		 11a-W631-4 トポロジカルエッジ伝送路におけるカプラ構造の提案〇齋藤 孝一 1, 雨宮 智宏 1, 各務 響 1, 鄭 叙 1, 中村 なぎ 1. 東工大 , 2. 物材機構
さ 1, 西山 伸彦 1, 胡 暁 2, 荒井 滋久 1
10:30		 11a-W631-5 バレーフォトニック結晶低群速度エッジ状態における分 〇吉見 拓展 1, 山口 拓人 1, 太田 泰友 2, 荒川 泰彦 2, 岩 1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
散制御の検討本 敏 1, 2
10:45		休憩 /Break
11:00		 11a-W631-6 Si 系トポロジカルフォトニクス伝送路における導波モー 〇 (M1) 各務 響 1, 雨宮 智宏 1, 2, 齋藤 孝一 1, 田中 真 1. 東工大工 , 2. 東工大未来研 , 3. 物材機構
ド解析
琴 1, 増田 佳祐 1, 西山 伸彦 1, 2, 胡 暁 3, 荒井 滋久 1, 2
11:15		 11a-W631-7 Si 系トポロジカルエッジ伝送路における光渦状態の制御 〇雨宮 智宏 1, 各務 響 1, 齋藤 孝一 1, 田中 真琴 1, 増田 1. 東工大未来研 , 2. 物材機構
佳祐 1, 西山 伸彦 1, 胡 暁 2, 荒井 滋久 1
11:30
奨 11a-W631-8 フォトニックトポロジカル絶縁体を用いたテラヘルツ導 〇山神 雄一郎 1, Yang Yihao2, 兪 熊斌 1, 冨士田 誠
1. 阪大基礎工 , 2.Nanyang Tech. Univ.
波路の実現
之 1, 永妻 忠夫 1, Singh Ranjan2
1
2
2
3
11:45		 11a-W631-9 異なるカイラリティを有する半導体三次元フォトニック 〇高橋 駿 , 大野 修平 , 初貝 安弘 , 荒川 泰彦 , 岩本 1. 京工繊大 , 2. 筑波大院数理 , 3. 東大ナノ量子機構 , 4. 東結晶の界面におけるトポロジカルエッジ状態の検討
敏 3, 4
大生研
12:00		 11a-W631-10 全誘電体三次元カイラルフォトニック結晶におけるマイ 〇 (B) 玉置 爽真 1, 高橋 駿 1, 山下 兼一 1, 山口 拓也 1, 1. 京工繊大 , 2. 筑波大院数理 , 3. 東大ナノ量子機構 , 4. 東
クロ波領域トポロジカルエッジ状態の観測
上田 哲也 1, 初貝 安弘 2, 荒川 泰彦 3, 岩本 敏 3, 4
大生研
3/11(Mon.) 13:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
1, 2
1
1
1
13:45
招 11p-W631-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇末光 真大 , 浅野 卓 , 井上 卓也 , 野田 進
1. 京大院工 , 2. 大阪ガス
高変換効率熱光発電システムの構築
14:00		 11p-W631-2 【注目講演】熱輻射光源・中間基板・太陽電池一体型近接 〇井上 卓也 1, 古山 隆章 1, Kang Dongyeon1, 浅野
1. 京大院工場熱光発電デバイスの提案
卓 1, 野田 進 11
1
1
14:15		 11p-W631-3 一体型近接場熱光発電デバイスを用いた近接場熱輻射伝 〇 (M1) 古山 隆章 , 井上 卓也 , Kang Dongyeon , 浅 1. 京大院工達の実証
野 卓 1, 野田 進 1
14:30		 11p-W631-4 電圧変調型バンドパスフィルタの作製・評価〇粟根 悠介 1, 井上 卓也 2, 野田 進 2
1. 堀場製作所 , 2. 京大院工14:45
奨 11p-W631-5 メタマテリアル光導波路におけるスローライト効果の光 〇 (M1) 田中 真琴 1, 雨宮 智宏 1, 2, 各務 響 1, 増田 佳 1. 東工大工 , 2. 東工大未来研
1
1, 2
1, 2
制御法
祐 , 西山 伸彦 , 荒井 滋久
15:00		 11p-W631-6 Si フォトニック結晶ナノ共振器の Q 値向上の検討〇田中 建悟 1, 浅野 卓 1, 高橋 和 2, 野田 進 1
1. 京大院工 , 2. 大阪府大院工15:15		休憩 /Break
15:30		 11p-W631-7 H1 フォトニック結晶共振器における六重極モードの高 Q 〇高田 健太 1, 2, 倉持 栄一 1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 谷山 秀
1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性基礎研
設計
昭 1, 2, 北 翔太 1, 2, 納富 雅也 1, 2
1, 2
2
1, 2
15:45		 11p-W631-8 大規模な多数穴変調による H1 スロットナノ共振器の水 〇倉持 栄一 , Martel Theo , 北 翔太 , 谷山 秀
1. ＮＴＴ ＮＰＣ , 2. ＮＴＴ物性基礎研
中での高 Q/V 化
昭 1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 納富 雅也 1, 2
16:00		 11p-W631-9 二重格子フォトニック結晶レーザーの発振特性に与える 〇吉田 昌宏 1, De Zoysa Menaka1, 石﨑 賢司 1, 田中 1. 京大院工格子点構造の影響
良典 1, 初田 蘭子 1, 和泉 孝紀 1, 榎 健太郎 1, 野田 進 1
16:15
奨 11p-W631-10 二重格子フォトニック結晶レーザ―の大面積・高輝度化 〇吉田 昌宏 1, 和泉 孝紀 1, De Zoysa Menaka1, 石﨑 1. 京大院工のための格子点構造の設計
賢司 1, 田中 良典 1, 初田 蘭子 1, 野田 進 1
16:30
奨 11p-W631-11 GaInAsP フォトニック結晶ナノレーザのイオントロニク 〇西條 義人 1, 渡邉 敬介 1, 渡部 工 1, 西島 喜明 1, 馬場 1. 横国大院工ス制御
俊彦 1
16:45		 11p-W631-12 面内ヘテロ構造を導入したフォトニック結晶レーザー〇井上 卓也 1, 吉田 昌宏 1, 田中 良典 1, De Zoysa
1. 京大院工（PCSEL）の解析
Menaka1, 石崎 賢司 1, 野田 進 1
17:00		休憩 /Break
17:15		 11p-W631-13 5mm Φサイズのフォトニック結晶レーザーの動作特性解 〇田中 良典 1, 吉田 昌宏 1, De Zoysa Menaka1, 石崎 1. 京大院工析
賢司 1, 野田 進 1
17:30
奨 11p-W631-14 フォトニック結晶レーザーの自励パルス発振の高出力化 〇森田 遼平 1, 井上 卓也 1, De Zoysa Menaka1, 石崎 1. 京大院工に向けた検討 (II)
賢司 1, 田中 良典 1, 野田 進 1

【CS.3】3.11 フォトニック構造・現象、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.11 & 13.6
17:45		 11p-W631-15 ニューラルネットワークを用いたフォトニック結晶ナノレーザの構造最適化
18:00		 11p-W631-16 GaN 系フォトニック結晶レーザーの低閾値電流密度動作の実現
18:15		 11p-W631-17 GaN 系フォトニック結晶レーザーの高出力動作
3/12(Tue.) 13:45 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
13:45		 12p-W631-1 変調フォトニック結晶レーザーの発振安定化のための格子点および電極形状
14:00		 12p-W631-2 埋め込み再成長法による変調フォトニック結晶レーザーの発振特性評価
14:15		 12p-W631-3 Si フォトニック結晶光偏向器のビームコリメート用プリ
ズムレンズ (I)― 原理と基本設計 ―14:30		 12p-W631-4 Si フォトニック結晶光偏向器のビームコリメート用プリ
ズムレンズ (II)―― 詳細な光線追跡 ――
14:45
奨 12p-W631-5 変調フォトニック結晶レーザーにおける変調方式の検討(Ⅱ)
15:00		15:15		 12p-W631-6
15:30		 12p-W631-7〇阿部 遼太郎 1, 武田 太一 1, 白鳥 遼 1, 白川 真一 2, 斉 1. 横国大院工 , 2. 横国大院環情藤 翔汰 2, 馬場 俊彦 1
〇小泉 朋朗 1, 2, 江本 渓 1, 2, 日比野 拳三 2, 石崎 賢司 2, 1. スタンレー電気 , 2. 京大院工De Zoysa Menaka2, 田中 良典 2, 野田 進 2〇江本 渓 1, 2, 小泉 朋朗 1, 2, 日比野 拳三 2, 石崎 賢司 2, 1. スタンレー電気 , 2. 京大院工De Zoysa Menaka2, 田中 良典 2, 野田 進 2〇田中 良典 1, 坂田 諒一 1, 石崎 賢司 1, De Zoysa

1. 京大院工Menaka1, 岩田 錦太郎 1, 井上 卓也 1, 野田 進 111
11〇石崎 賢司 , 坂田 諒一 , 岩田 錦太郎 , 田中 良典 , 1. 京大院工De Zoysa Menaka1, 初田 蘭子 1, 吉田 昌宏 1, 野田 進 1〇秋山 大地 1, 前田 惇 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大院工〇前田 惇 1, 秋山 大地 1, 阿部 紘士 1, 馬場 俊彦 1

1. 横国大院工〇 (D) 坂田 諒一 1, 田中 良典 1, 石崎 賢司 1, 岩田 錦太 1. 京大院工 , 2. 京都工繊大郎 1, 深谷 昌弘 1, 井上 卓也 1, De Zoysa Menaka1, 北村恭子 1, 2, 野田 進 1

休憩 /Break
縦列アレイ型 Si フォトニック結晶光偏向器の送受信効率 〇鉄矢 諒 1, 阿部 紘士 1, 伊藤 寛之 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大院工Si フォトニック結晶 I-Q 光変調器を用いた搬送波抑制片 〇鎌田 幹也 1, 雛倉 陽介 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大側波信号による FMCW LiDAR のビートスペクトル生成
15:45		 12p-W631-8 変調フォトニック結晶レーザーの２次元マトリックスア 〇福原 真 1, De Zoysa Menaka1, 石崎 賢司 1, 坂田 諒 1. 京大院工レイ化
一 1, 初田 蘭子 1, 田中 良典 1, 野田 進 1
16:00		 12p-W631-9 Si フォトニック結晶スローライト光偏向器の一方向性光 〇伊藤 寛之 1, 楠 侑真 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大院工放射の観測 (II)【CS.3】3.11 フォトニック構造・現象、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.11 & 13.6
3/12(Tue.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
9:00
招 12a-W631-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇太田 竜一 1, 岡本 創 1, 俵 毅彦 1, 2, 後藤 秀樹 1, 山口 1.NTT 物性基礎研 , 2.NTT ナノフォトニクスセンタ
GaAs 機械振動子における束縛励起子の寿命変調
浩司 1
9:15
E 12a-W631-2 Kilohertz coupling rate between mechanical oscillators via 〇 (PC)Feng Tian1, 3, Masato Takiguchi1, 2, Eiichi
1.NTT BRL, 2.NTT NPC, 3.Tokyo Tech
optical cavity resonance
Kuramochi1, 2, Hisashi Sumikura1, 2, Akihiko

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

Shinya1, 2, Masaya Notomi1, 2, 3ナノワイヤ誘起シリコンフォトニック結晶ナノ共振器を 〇滝口 雅人 1, 2, 横尾 篤 1, 2, 舘野 功太 1, 2, 野崎 謙悟 1, 2, 1.NTT NPC, 2.NTT 物性研
使った全光スイッチ佐々木 智 2, Sergent Sylvain1, 2, 倉持 栄一 1, 2, Zhang
Guoqiang1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 納富 雅也 1, 2
9:45
E 12a-W631-4 Dependence of second-harmonic generation efficiency on 〇 (D)Heungjoon Kim1, 2, Takahashi Asano1,
1.Kyoto Univ., 2.Sungkyunkwan Univ.
the Q factor of SiC photonic crystal nanocavities
Bong-Shik Song1, 2, Susumu Noda1
11
2
2
10:00		 12a-W631-5 ゲート制御量子ドット形成用電極を有するフォトニック 〇田尻 武義 , 車 一宏 , 酒井 裕司 , 木山 治樹 , 大岩 1. 東大生研 , 2. 阪大産研 , 3. ルール大ボーフム , 4. ナノ量
結晶ナノ共振器の作製
顕 2, Ritzmann Julian3, Ludwig Arne3, Wieck Andreas 子機構
D.3, 太田 泰友 4, 荒川 泰彦 4, 岩本 敏 1, 4
10:15
奨 12a-W631-6 シリコン光回路上に集積された複数量子ドット光源の局 〇 (D) 勝見 亮太 1, 3, 太田 泰友 2, 長田 有登 2, 山口 拓 1. 生産研 , 2. ナノ量子 , 3. 物性研
所発光波長制御人 1, 田尻 武義 1, 車 一宏 1, 角田 雅弘 2, 岩本 敏 1, 2, 秋
山 英文 3, 荒川 泰彦 2
10:30		 12a-W631-7 メタマテリアルとシリカコート PbS 量子ドットを組み合 〇 (M1) 杉本 卓也 1, 杉崎 俊太 2, 渡辺 彗 3, 向井 剛
1. 横浜国大院理工 , 2. 横浜国大理工 , 3. 横浜国大院工
わせた光子発生素子
輝 1, 2, 3
10:45		休憩 /Break
11:00
E 12a-W631-8 Spectroscopy of Andreev bound states using microwave〇 Russell Stewart Deacon1, 2, Patrick Zellekens3, Hui 1.Advanced Device Laboratory, RIKEN, 2.CEMS,
resonators
Wang1, Thomas Schapers3, Koji Ishibashi1, 2
RIKEN, 3.Julich, Germany
11:15		 12a-W631-9 GaAs/AlAs 多重量子井戸の励起子ダイナミクスと二次の 〇小島 磨 1, 喜多 隆 1, Hogg Richard2
1. 神戸大院工 , 2. グラスゴー大
非線形光学効果との関係
1
1
1
11:30		 12a-W631-10 GaAs ナノ構造膜における内蔵電場に起因した二種テラヘ 〇長谷川 尊之 , 奥島 雄大 , 田中 義人
1. 兵庫県立大院物質理
ルツ波放射の共存ダイナミクス
11:45
奨 12a-W631-11 リング光共振器を用いた高次ポアンカレビーム生成手法 〇林 文博 1, 太田 泰友 2, 荒川 泰彦 2, 岩本 敏 1, 2
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
の提案
1
2
2
1, 2
12:00		 12a-W631-12 フルポアンカレ共振器モードとその光力場の解析〇林 文博 , 太田 泰友 , 荒川 泰彦 , 岩本 敏
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
12:15		 12a-W631-13 Maxwell-Chern-Simons ゲージ理論における Casimir 効果 〇北川 均 1
1. 無所属3.12 ナノ領域光科学・近接場光学 / Nanoscale optical science and near-field optics
3/9(Sat.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) W621 会場 (Room W621)
9:00 奨 E 9a-W621-1
Plasmon-induced Photocurrent Generation on Ga2O3〇 (D)Yaguang Wang1, Xu Shi1, Tomoya Oshikiri1,
1.RIES-Hokkaido Univ., 2.National Chiao Tung Univ.
Loaded with Gold Nanoparticles
Kosei Ueno1, Hiroaki Misawa1, 2
9:15
奨 9a-W621-2
完全吸収メタマテリアル太陽電池の光吸収特性と発電特 〇 (M1) 伊勢川 知久 1, 勝俣 翔平 1, 岡本 隆之 2, 久保 1. 農工大工 , 2. 理研
性の相関
若奈 1
9:30
奨 9a-W621-3
プラズモニック光電変換を利用した可視光誘起水素発生 〇南本 大穂 1, 佐藤 大樹 1, 村越 敬 1
1. 北大院理系の構築
9:45		 9a-W621-4
非対称カップリングによるプラズモン誘起電荷分離の効 〇石田 拓也 1, 立間 徹 1
1. 東大生研率改善
10:00		 9a-W621-5
表面格子共鳴を用いた高効率光エネルギー集約系構築の 〇及川 隼平 1, 南本 大穂 1, 村越 敬 1
1. 北大院理試み
1
1
1
1
10:15		 9a-W621-6
近接場光援用光吸収によるシリコン受光感度の高効率化 〇竹森 達也 , 齋地 康太 , 佐藤 匠 , 大鋸本 達郎 , 千 1. 東大院工 , 2. 産総研 , 3. 筑波大学 , 4. 分子研
足 昇平 1, 丸山 茂夫 1, 2, 野田 真史 3, 矢花 一浩 3, 飯田
健二 4, 信定 克幸 4, 八井 崇 1
10:30		休憩 /Break
10:45		 9a-W621-7
プラズモニックアレイによる蛍光増強と指向性白色生成 鎌倉 涼介 1, 〇村井 俊介 1, 2, 藤田 晃司 1, 田中 勝久 1
1. 京大院 工 , 2.JST さきがけ
11:00
奨 9a-W621-8
プラズモニックおよび非プラズモニックナノシリンダー 〇 (M1) 野口 和希 1, 村井 俊介 1, 2, 田中 勝久 1
1. 京大院工 , 2.JST さきがけ
アレイの発光増強効果の比較
11:15		 9a-W621-9
局在プラズモン－ナノ共振器強結合場における蛍光分子 〇 (B) 大西 梓 1, Zu Shuai1, 石 旭 1, 孫 泉 1, 押切 友也 1, 1. 北大電子研 , 2. 台湾国立交通大学の発光特性
上野 貢生 1, 三澤 弘明 1, 2
11:30
奨 9a-W621-10 熱プラズモニックマランゴニ効果を用いたマイクロ混合 〇 (M2) 阿川 裕晃 1, 松谷 晃宏 2, 長谷部 浩一 2, 磯部 1. 東工大材料 , 2. 東工大技術部マイクロプロセス部門
流の形成
敏宏 1, 中島 章 1, 松下 祥子 1
11:45		 9a-W621-11 局所光熱変換部の in-situ 温度測定の試み〇 (B) 竹島 利彦 1, 松谷 晃宏 2, 佐藤 美那 2, 長谷部 浩 1. 東工大材料 , 2. 東工大技術部マイクロプロセス部門
一 2, 磯部 敏宏 1, 中島 章 1, 松下 祥子 1
12:00		 9a-W621-12 窒化チタンナノ構造の光熱変換による水の温度一定過熱 〇石井 智 1, 2, 村井 俊介 3, 鎌倉 涼介 3, 阪本 浩之 3, 呉 1. 物材機構 , 2. 筑波大院数理物質 , 3. 京大院工 , 4. 北大院
屋 伸哉 3, ダオ タン 1, シンデ サティシュ1, 名村 今日 理
子 3, 鈴木 基文 3, 長尾 忠昭 1, 4, 田中 勝久 3
9:30		 12a-W631-3

3.12 ナノ領域光科学・近接場光学 / Nanoscale optical science and near-field optics
3/9(Sat.) 13:30 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) W621 会場 (Room W621)
13:30
招 9p-W621-1 「第２回光工学業績賞（高野榮一賞）受賞記念講演」
光を用いた革新的非接触サブナノ平滑化技術の開発
14:00		 9p-W621-2
機能性光メタ表面の機械探索
14:15		 9p-W621-3
誘電体メタサーフェスによる高感度分光イメージング
14:30		 9p-W621-4
PVA 犠牲層を利用した転写プロセスによる伸縮性プラズ
モニックカラーフィルタの作製
14:45
E 9p-W621-5
Phase jumping in multilayer metamaterials
15:00

E 9p-W621-6

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

15:15		15:30奨 9p-W621-7
15:45
奨 9p-W621-8
16:00
奨 9p-W621-9

Enhancement of optical scattering by using metamaterial
structures
休憩 /Break
光学領域における不可視な誘電体円柱
2 次元金属ロッドアレイの赤外異常透過のメカニズム
金銀銅合金ナノ粒子の光学特性〇八井 崇 1

1. 東大

〇岩長 祐伸 1〇宮田 将司 1, 中島 光雅 1, 橋本 俊和 1
〇熊谷 隼人 1, 高橋 功 2, 武岡 真司 2, 4, 澤田 和明 1, 藤
枝 俊宣 2, 3, 4, 髙橋 一浩 1, 4
〇 (PC)Zhengli Han1, Seigo Ohno2, Hiroaki
Minamide1〇 (DC)RAHUL KUMAR1, KOTARO KAJIKAWA1

1. 物材機構
1.NTT 先端集積デバイス研
1. 豊橋技科大 , 2. 早大 , 3. 東工大 , 4.JST さきがけ
1.Riken, 2.Tohoku university
1.Tokyo Tech

〇小林 佑輔 1, 梶川 浩太郎 1
1. 東工大〇清田 謙吾 1, 梶川 浩太郎 1
1. 東工大工1
1
2〇 (M1) 久保 匡平 , WADELL Carl , 安原 聡 , 三宮 1. 東工大物質理工学院 , 2. 日本電子 , 3.JST さきがけ
工 1, 3
16:15		 9p-W621-10 アルミニウムナノヴォイド構造による深紫外表面プラズ 〇 (B) 島ノ江 考平 1, 村尾 文弥 1, 中村 俊樹 1, 松山 哲 1. 阪府大院工モン共鳴
也 1, 和田 健司 1, 岡本 晃一 1
16:30		 9p-W621-11 金属基板上の高屈折率誘電体ナノワイヤの光学特性 (II) 〇今泉 瞭佑 1, 雛本 樹生 1, 杉本 泰 1, 藤井 稔 1
1. 神戸大工16:45		休憩 /Break
17:00
奨 9p-W621-12 金属グレーティング上グラフェン堆積による表面プラズ 〇若月 楓舞 1, ノートチャナット スペーラ 1, 石川 亮 1. 新潟大院
モン励起電界増強の検討
佑 1, ラートバチラパイボーン チュティパーン 1, 馬場 暁 1, 新保 一成 1, 加藤 景三 1
17:15
奨 9p-W621-13 超高速 SPP ナノ集光を用いたナノグラフェン細線作製〇松田 拓己 1, 富田 恵多 1, 神成 文彦 1
1. 慶大 理工17:30		 9p-W621-14 暗黒物質検出用原子核乾板と銀ナノ粒子のプラズモン共 〇谷 忠昭 1, 内田 孝幸 2, 中 竜大 3
1. 日本写真学会 , 2. 東京工芸大 , 3. 名大鳴
17:45		 9p-W621-15 プラズモン超集束の広帯域性の検証〇田口 剛輝 1, 馬越 貴之 1, バルマ プラブハット 1
1. 阪大院工18:00		 9p-W621-16 導電性ナノ粒子分散体による光吸収の Mie-integration 解 〇町田 佳輔 1, 足立 健治 1
1. 住友金属鉱山
析3/10(Sun.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) W621 会場 (Room W621)
9:00 奨 E 10a-W621-1 Optical coupling of short-range ordered nanopores〇 (M2)Dung Thi VU1, Naoki Yamamoto1, Takumi 1.Tokyo Inst. Techthrough surface plasmons
Sannomiya1
9:15		 10a-W621-2 Cathodoluminescence observation of single Ag〇Takumi Sannomiya1, 2, Taeko Matsukata1, Takayuki 1.Tokyo Tech., 2.JST PRESTO, 3.Riken
nanoparticles coupled to silver substrates
Okamoto3, Naoki Yamamoto1
9:30		 10a-W621-3 プラズモニック結晶における局在モードと格子モードの 〇斉藤 光 1, 吉本 大地 1, 三宮 工 2
1. 九大総理工 , 2. 東工大物質理工
結合
1
2
1
1
9:45		 10a-W621-4 ドルマン型金ナノ粒子複合系の超高速時間分解吸収分光 〇浜田 勝平 , 松井 大海 , 小野 篤史 , 居波 渉 , 川田 1. 静大院工 , 2. 東北大理
善正 1, 吉澤 雅幸 2, 杉田 篤史 1
10:00
奨 10a-W621-5 時間依存密度汎関数法による微小金属周期配列の光物性 〇竹内 嵩 1, 矢花 一浩 1
1. 筑波大計科セ
解析
10:15
奨 10a-W621-6 銀表面上アミノ基終端膜の膜質改善による銀ナノ粒子固 〇時安 広大 1, 鈴木 仁 1, 坂上 弘之 1
1. 広島大先端研
定数密度向上10:30		 10a-W621-7 単一銀ナノ粒子 2 量体間隙に生じたプラズモン・分子エ 〇伊藤 民武 1, 山本 裕子 2, 岡本 隆之 3
1. 産総研健工 , 2. 北陸先端大 , 3. 理研
キシトンの強結合系の吸収断面積分光
10:45		休憩 /Break
11:00		 10a-W621-8 ナノギャップ金ナノ粒子二量体を用いた DNA 塩基表面 〇 (M2) 石井 稜 1, 江刺家 恵子 1, 斎木 敏治 1
1. 慶大理工
増強ラマン散乱11:15		 10a-W621-9 表面プラズモン励起の歪み場制御による応力検出の実証 〇松井 裕章 1, 田畑 仁 1
1. 東京大工11:30		 10a-W621-10 メタマテリアルを用いた液体材料用の広帯域複素屈折率 〇 (M1) 各務 響 1, 雨宮 智宏 1, 2, 増田 佳祐 1, 田中 真 1. 東工大工 , 2. 東工大未来研
1
1, 2
1, 2
計
琴 , 西山 伸彦 , 荒井 滋久
11:45		 10a-W621-11 Au-zeolite ハイブリッド構造を用いた生体ガスセンシン 〇池田 麻友子 1, 松井 裕章 1, 倉永 康博 1, 朴 鐘潤 1, 田 1. 東大院工グ SPR と分子捕集機能マテリアルの融合
畑 仁1
12:00
E 10a-W621-12 Optical sensing platform for colorimetric determination of 〇 Chutiparn Lertvachirapaiboon1, Maruyama
1.Niigata Univ., 2.Chulalongkorn Univ.
silver nanoprisms and its application in hydrogen peroxide Takuya1, Akira Baba1, Sanong Ekgasit2, Kazunari
1
1
and glucose detections using a mobile device camera
Shinbo , Keizo Kato
12:15		 10a-W621-13 アニール処理による Ni ナノ粒子を用いた微小磁場検出〇高島 祐介 1, 原口 雅宣 1, 直井 美貴 1
1. 徳島大3/10(Sun.) 13:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) W621 会場 (Room W621)
13:45		 10p-W621-1 平面多層膜構造における Fano 共鳴の光制御〇本倉 健吾 1, Kang Byungjun1, 藤井 稔 1, 林 真至 1
1. 神戸大院工14:00		 10p-W621-2 Demonstration of Fano resonance in Fluorescence〇 (D)BYUNGJUN KANG1, Minoru Fujii1, Shinji
1.Kobe Univ., 2.MAScIR
1, 2Spectrum
Hayashi
14:15		 10p-W621-3 金属／誘電体／金属ナノ構造の近接場分光特性〇上野 貢生 1, Yang Jinghuan1, 2, 巽 亮太 1, 孫 泉 1, 押 1. 北大電子研 , 2. 北京大学 , 3. 台湾国立交通大学
切 友也 1, 三澤 弘明 1, 3
14:30
奨 10p-W621-4 金属グレーティングによって反交差した誘電体導波路〇 (DC) 吉川 遼 1, 西田 宗弘 1, 角屋 豊 1
1. 広大先端研
モードにおける連続準位中束縛状態：偏光による出現枝
選択
14:45
奨 10p-W621-5 超高真空光誘起力顕微鏡法による高分解能観測〇山西 絢介 1, 内藤 賀公 1, 李 艶君 1, 菅原 康弘 1
1. 阪大院工15:00
奨 10p-W621-6 高速走査型近接場光学顕微鏡の開発〇馬越 貴之 1, 福田 真悟 2, 内橋 貴之 3, バルマ プラブ 1. 阪大院工 , 2. 金沢大 WPI-NanoLSI, 3. 名大院理12
ハット , 安藤 敏夫
15:15		 10p-W621-7 高感度検出器を利用した低温 THz 近接場顕微鏡の開発〇林 冠廷 1, 翁 銭春 1, 金 鮮美 2, 小宮山 進 2, 3, 梶原 優 1. 東大生研 , 2. 情通研 , 3. 東大総文介1
15:30		休憩 /Break
15:45		 10p-W621-8 光近接場の量子化：再訪〇小林 潔 1, 福井 萬壽夫 2, 岡本 敏弘 2, 原口 雅宣 2, 石 1. 山梨大院 , 2. 徳島大院
川 陽1
16:00		 10p-W621-9 ドレスト光子による作用積分の増強とフォトンブリー〇坂野 斎 1, 川添 忠 2, 大津 元一 3
1. 山梨大院 , 2. 東京電機大 , 3. ドレスト光子研究起点
ディング
16:15		 10p-W621-10 クレブシュ双対場の量子化によるドレスト光子モデルの 〇佐久間 弘文 1, 小嶋 泉 1, 大津 元一 1
1. ドレスト光子
導出
16:30		 10p-W621-11 ドレスト光子と量子場〇 (PC) 岡村 和弥 1
1. 名大情報
16:45		 10p-W621-12 Algebraic aspects of free eletromagnetic fields in the〇安藤 浩志 1
1.Chiba Univ
Coulomb gauge
17:00		休憩 /Break
17:15		 10p-W621-13 ドレスト光子と量子ウォーク〇西郷 甲矢人 1
1. 長浜バイオ大学
17:30		 10p-W621-14 ドレスト光子シミュレーションにおけるナノ物質系のモ 〇三宮 俊 1, 西郷 甲矢人 2, 大津 元一 3
1. リコー, 2. 長浜バイオ大 , 3. ドレスト光子研究起点
デル化手法の検討
17:45		 10p-W621-15 ナノドロップレットからのサブミクロンスケールでのブ 〇野村 航 1, 田中 尚裕 1, 川添 忠 1, 田所 貴志 1
1. 電機大リンキングの観測3.13 半導体光デバイス / Semiconductor optical devices
18:00		 10p-W621-16 パルス電流を用いたドレスト光子・フォノンアニールによる Si-LED の作製
18:15		 10p-W621-17 SiC 発光ダイオードの表面電流を使った巨大偏光回転
3/11(Mon.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 11p-PB1-1
プラズモニック光熱電変換現象
			 11p-PB1-2
金属セミシェル構造における熱構造変形特性の評価
			 11p-PB1-3
完全吸収メタマテリアル構造が有機薄膜太陽電池の発電特性に及ぼす効果			 11p-PB1-4
表面プラズモンフィルタを付加したショットキーフォト
ダイオードにおける光電流の電極膜厚依存性
			 11p-PB1-5
プラズモン誘起電荷分離の効率に対する高次モードの影響			 11p-PB1-6
表面プラズモン共鳴による CdSe/ZnS 量子ドット薄膜の発光増強
			 11p-PB1-7
コアの組成制御による量子ドットの発光特性評価
			 11p-PB1-8

InGaN/GaN ナノコラムプラズモニック結晶における発光増強率の分散関係
Cu-In-S2/ZnS 量子ドットの発光特性評価〇川添 忠 1, 門脇 拓也 2, 大津 元一 3
〇門脇 拓也 1, 川添 忠 2, 大津 元一 3

1. 電機大 , 2. 日亜化学工業（株）, 3. ドレスト光子研究起点
1. 日亜化学 , 2. 電機大 , 3. ドレスト光子〇 (B) 三輪 魁斗 1, 久保 若奈 1
〇鈴木 周 1, 藤村 隆史 1, 2
〇 (B) 勝俣 翔平 1, 伊勢川 知久 1, 岡本 隆之 2, 久保 若奈1
〇江湖 俊仁 1, 萩原 隆仁 1, 内海 淳志 1

1. 農工大工1. 宇大院工 , 2. 宇大 CORE
1. 農工大工 , 2. 理研〇西 弘泰 , 立間 徹

1. 東大生研

11

1. 舞鶴工業高等専門学校〇中村 俊樹 1, 村尾 文弥 1, 松山 哲也 1, 和田 健司 1, 岡 1. 阪府大工本 晃一 1〇大菅 健人 1, 伊藤 里早 1, 長久保 準基 2, 番 貴彦 1, 山 1. 龍谷大理 , 2. 株式会社 アルバック

本 伸一 1
菊地 主馬 1, 〇大音 隆男 3, 岡本 晃一 4, 富樫 理恵 1, 岸 1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテク , 3. 山形大院理工 , 4. 阪

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

野 克巳 1, 2
府大院工〇仲田 泰斗 1, 伊藤 里沙 1, 大菅 健人 1, 長久保 準基 2, 1. 龍谷大理工 , 2. 株式会社 アルバック
番 貴彦 1, 山本 伸一 1
			 11p-PB1-10 液滴を利用した量子ドットの緩衝気体中への分散〇馬場 宥太 1, 下村 昂之 1, 浅野 理貴 2, 松永 康平 2, 守 1. 福井大院工 , 2. 福井大工 , 3. 名大院工安 毅 1, 瀧山 貴之 3, 亀山 達矢 3, 鳥本 司 3, 熊倉 光孝 1
			 11p-PB1-11 新規量子ドットのプロセス変更による特性評価〇伊藤 里早 1, 長久保 準基 2, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
1. 龍大理工 , 2.( 株 ) アルバック
			 11p-PB1-12 共振器 QED 系における超蛍光 - レーザークロスオーバー 〇瀬崎 陸 1, 石川 陽 1, 宮島 顕祐 2, 小林 潔 1
1. 山梨大院 , 2. 東理大院の理論Ⅳ - 同期現象としての超蛍光 			 11p-PB1-13 離散時間量子ウォークに基づく量子ダイナミクス〇 (M1) 武井 紗由美 1, 石川 陽 1, 小林 潔 1
1. 山梨大院工			 11p-PB1-14 階層的環境と結合した非平衡開放系の量子散逸ダイナミ 〇 (M1) 秋山 祐樹 1, 石川 陽 1, 小林 潔 1
1. 山梨大院工クス
			 11p-PB1-15 量子熱力学に基づく量子ナノ系の散逸緩和理論 II〇森下 天平 1, 石川 陽 1, 小林 潔 1
1. 山梨大院工			 11p-PB1-16 メモリー項の Markov・non-Markov 性に着目した自然放 〇矢崎 智昌 1, 石川 陽 1, 小林 潔 1
1. 山梨大院工出ダイナミクスの解析
11
1
			 11p-PB1-17 銀のランダムナノ微粒子構造を用いたプラズモニックカ 〇 (B) 長谷川 遼 , 中村 俊樹 , 村尾 文弥 , 松山 哲
1. 阪府大院工ラー
也 1, 和田 健司 1, 岡本 晃一 1
			 11p-PB1-18 Al プラズモニックカラーを示す粉体の作製と評価〇 (M1C) 三田 真衣 1, 岡本 隆之 2, 磯部 敏宏 1, 中島
1. 東工大材料 , 2. 理研章 1, 松下 祥子 1
			 11p-PB1-19 低アスペクト比 Ge サブ波長格子中を用いた可視域偏光 〇高島 祐介 1, 原口 雅宣 1, 直井 美貴 1
1. 徳島大フィルター
			 11p-PB1-20 プラズモニックカラーを示すアルミニウム MIM 構造のボ 〇渡邊 理恵 1, 三田 真衣 1, 岡本 隆之 2, 磯部 敏宏 1, 中 1. 東工大工 , 2. 理研
トムアップ手法による作製
島 章 1, 松下 祥子 1
			 11p-PB1-21 フォトクロミック単結晶薄膜における異性体境界の動的 〇 (M1) 鈴井 洸胤 1, 内山 和治 1, 中込 亮 1, 波多野 絵 1. 山梨大工 , 2. 龍谷大理工 , 3. 情通機構
形成
理 2, 内田 欣吾 2, 成瀬 誠 3, 堀 裕和 1
			 11p-PB1-22 無機ー有機色素ハイブリッドナノ構造体の作製と光学特 〇柳田 拓也 1, 小野寺 恒信 1, サトウ ロドリーゴ 2, 武 1. 東北大多元研 , 2. 物材機構
性
田 良彦 2, 及川 英俊 1
		E 11p-PB1-23 Fabrication and Optical Measurement of Hexagonal〇 Tianshuo Lu1, Takumi Sannomiya1
1.Tokyo Tech
Nanodisk Arrays
1111
			 11p-PB1-24 光異性化ナノ構造により捕捉したグリセリン・ナノ液滴 阿部 敏貴 , 新保 一成 , 岡 寿樹 , 〇大平 泰生
1. 新潟大の温度依存性			 11p-PB1-25 ジアリールエテン結晶の局所光異性化による経路形成〇中込 亮 1, 内山 和治 1, 鈴井 洸胤 1, 波多野 絵理 2, 内 1. 山梨大学工 , 2. 龍谷大学理工 , 3. 情通機構
田 欣吾 2, 成瀬 誠 3, 堀 裕和 1
			 11p-PB1-26 マルチリング・メタレンズによる焦点位置３次元制御〇中村 俊介 1, 馬越 貴之 1, バルマ プラブハット 1
1. 大阪大工			 11p-PB1-27 リソグラフィフリー赤外完全吸収体の設計と評価〇熊谷 拓洋 1, 藤 直毅 1, 西島 喜明 2
1. 横国大理工 , 2. 横国大工			 11p-PB1-28 ワイヤーグリッド構造を用いた可視光吸収体の作製と光 〇田中 凌雅 1, 元垣内 敦司 1, 2
1. 三重大院工 , 2. 伊賀サテライト
学特性評価
1
1
2
			 11p-PB1-29 完全吸収に向けたプラズモンメタ表面の設計〇藤 直毅 , 熊谷 拓洋 , 西島 喜明
1. 横国大理工 , 2. 横国大工			 11p-PB1-30 磁気カイラルメタ表面による光領域での非相反性〇大西 庸嵩 1, 冨田 知志 1, 黒澤 裕之 2, 柳 久雄 1
1. 奈良先端大先端 , 2. 情報通信研究機構
			 11p-PB1-31 長距離伝搬型表面プラズモンポラリトン導波路の液体窒 〇中 拓也 1, 小林 稜 1, 2, 行方 直人 1, 福田 大治 2, 井上 1. 日大量科研 , 2. 産総研
素温度における伝搬損失評価
修一郎 1
			 11p-PB1-32 Al2O3/SiO2/Fe/Au 構造における表面プラズモン共鳴の磁 〇鈴木 翔吾 1, 下平 貴大 1, 貝原 輝則 1, Cebollada
1. 農工大 , 2.IMN-CNM-CSIC
気変調特性の評価
Alfonso2, Armelles Gaspar2, 清水 大雅 1
			 11p-PB1-33 1 次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサの屈 〇鈴木 翔大 1, 元垣内 敦司 1, 2
1. 三重大院工 , 2. 伊賀サテライト
折計応用に向けた分解能評価
			 11p-PB1-34 表面プラズモンセンサの塩分濃度測定と応用例の検討〇小沼 将大 1, 岡村 和哉 1, 松島 裕一 2, 石川 浩 1, 宇髙 1. 早大理工 , 2. 早大 GCS 機構
勝之 1
			 11p-PB1-35 光水素センサにむけた Y および WO3 プラズモン材料の開 〇紅 貴朗 1, 山作 直貴 1, 荒川 太郎 2, 岡崎 慎司 2, 西島 1. 横国大理工 , 2. 横国大工発
喜明 2
			 11p-PB1-36 Au 海と Au 島間に自動形成する高感度 SERS 活性ナノ
〇篠塚 啓 1, 沈 凌峰 1, 大 紘太郎 1, 得能 寿子 1
1. 王子 HD
ギャップ
1
1
1
1
			 11p-PB1-37 走査型近接場光学顕微鏡による単一セレン化ビスマスナ 〇大畑 絢仁郎 , 大隅 優 , 水口 雄紀 , 柳谷 伸一郎 , 1. 徳島大学
ノ結晶の吸光度測定
コインカー パンカジ 1, 古部 昭広 1
			 11p-PB1-38 走査近接場光学顕微鏡を用いたナノダイヤモンド中のダ 〇池田 悠介 1, 成島 哲也 2, 岡本 裕巳 2, 安 東秀 1
1. 北陸先端大 , 2. 分子研
イヤモンド NV 中心の観測1
			 11p-PB1-39 光近接場顕微鏡用金属プローブの伝搬モードについて : 金 〇栗原 一嘉
1. 福井大教育
属円錐モードからの類推			 11p-PB1-40 プラズモニックチップにおけるプラズモンモードの顕微 〇千田 雛子 1, 當麻 真奈 1, 田和 圭子 1
1. 関西学院大学
分光解析
3.13 半導体光デバイス / Semiconductor optical devices
3/10(Sun.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 10p-PB4-1
InAs/GaAs 量子ドット構造における組成混晶化〇 (M2) 白井 智大 1, 平石 優 1, 權 晋寛 2, 松島 裕一 1, 1. 早大理工 , 2. 東大ナノ量子機構
石川 浩 1, 荒川 泰彦 2, 宇髙 勝之 1
			 10p-PB4-2
1550nm 帯量子ドットのウエハ面内におけるイオン注入 〇 (M1) 伊澤 昌平 1, 赤石 陽太 1, 松本 敦 2, 赤羽 浩一 2, 1. 早大理工 , 2. 情通機構 , 3. 早大 GCS 機構
深さ調整による組成混晶化領域分け松島 裕一 3, 石川 浩 1, 宇高 勝之 1
			 10p-PB4-3
SOA キャリア回復時間の活性層構造依存性に関する解析 〇杉中 亮太 1, 何 毅 1, 米倉 央 1, 松島 裕一 2, 石川 浩 1, 1. 早大理工 , 2. 早大 GCS 機構
宇高 勝之 1
			 10p-PB4-4
Study on 2R all-optical regeneration technology based on 〇 (M2)Yi He1, Ryota Suginaka1, Yuichi
1.Waseda Univ., 2.GCS, Waseda Univ.
nonlinear polarization rotation using MQW-SOA
Matsushima2, Hiroshi Ishikawa1, Katsuyuki Utaka1
			 11p-PB1-9

3.13 半導体光デバイス / Semiconductor optical devices
			 10p-PB4-5

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

			 10p-PB4-6

直接貼付 InP/Si 基板上 GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW
レーザ構造の X 線回折評価直接貼付 InP/Si 基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の X 線回折評
価
直接貼付 InP/Si 基板上 GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW
レーザの発振特性〇対馬 幸樹 1, 杉山 滉一 1, 内田 和希 1, 韓 旭 1, 相川 政 1. 上智大理工
輝 1, 早坂 夏樹 1, 松浦 正樹 1, 石崎 隆浩 1, 白井 琢人 1,
下村 和彦 1
〇石崎 隆浩 1, 杉山 滉一 1, 内田 和希 1, 韓 旭 1, 相川 政 1. 上智大理工

輝 1, 早坂 夏樹 1, 松浦 正樹 1, 対馬 幸樹 1, 白井 琢人 1,
下村 和彦 1
			 10p-PB4-7(113)B GaAs ウエハ接合で作製した GaAs/AlGaAs 多層膜 〇盧 翔孟 1, 小楠 洸太郎 1, 高橋 美沙 1, 合田 剛史 1, 熊 1. 徳島大院 , 2. 産総研 , 3. 千葉大院
結合共振器への電流注入によるレーザ発振
谷 直人 2, 森田 健 3, 南 康夫 1, 北田 貴弘 1		
E 10p-PB4-8
Electro-thermally Wavelength Tunable VCSELs for 3D〇 (M2)JIALUN XU1
1.Tokyo Institute of Technology
Imaging			 10p-PB4-9
量子カスケード検出器の高速動作（＞ 10GHz）〇道垣内 龍男 1, 伊藤 昭生 1, 日髙 正洋 1, 藤田 和上 1, 1. 浜ホト
枝村 忠孝 1
			 10p-PB4-10 Hybrid Integration of CMOS Operational Amplifier,〇 Taichi Uruma1, Tetsuo Tabei1, Yoshiteru
1.Res. Int. for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima
Waveguide and Photodetector
Amemiya1, Tadashi Sato1, Shinji Yamada1, Kazushi
Univ
Okada1, Shin Yokoyama1
			 10p-PB4-11 酸化ガリウム / 結晶セレンフォトダイオードの電気特性 〇峰尾 圭忠 1, 為村 成亨 1, 宮川 和典 1, 難波 正和 1, 大 1.NHK 技研
竹 浩 1, 久保田 節 1
			 10p-PB4-12 低電圧化を目的とした NiO:Li LED の作製に関する研究 〇白石 圭汰 1, 依田 健作 1, 小室 修二 2, 趙 新為 1
1. 東理大 , 2. 東洋大
			 10p-PB4-13 イメージングエリプソメトリーによるポーラスシリコン 〇秋山 泰輝 1, 飯塚 祐基 1, 金 蓮花 1, 近藤 英一 1, ジェ 1. 山梨大学 , 2. 名古屋大学の光学定数測定ローズ ベルナール 2			 10p-PB4-14 ジアリールエテン光応答のシミュレーションと実験の比 〇谷本 桂理 1, 河村 智 1, 雨宮 嘉照 1, 横山 新 1
1. 広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
較			 10p-PB4-15 蛍光層の構造変化による分散型無機 EL の特性評価〇福成 由基 1, 藤井 滉貴 1, 中内 宏輔 1, 和迩 浩一 1, 番 1. 龍谷大理工
貴彦 1, 山本 伸一 1
			 10p-PB4-16 分散型無機 EL の蛍光体層の構造変化による輝度特性評価 〇藤井 滉貴 1, 福成 由基 1, 中内 宏輔 1, 和迩 浩一 1, 番 1. 龍谷大理工
貴彦 1, 山本 伸一 1
			 10p-PB4-17 BaTiO3:Yb/Er 蛍光体を複合した分散型無機 EL の発光特 〇中内 宏輔 1, 福成 由基 1, 藤井 滉貴 1, 和迩 浩一 1, 番 1. 龍谷大理工性評価
貴彦 1, 山本 伸一 1
			 10p-PB4-18 グラファイト状窒化炭素の発光特性評価〇阪口 康介 1, 今井 和樹 1, 島田 康平 1, 番 貴彦 1, 山本 1. 龍谷大理工
伸一 1
			 10p-PB4-19 RF 電力変化による CN 薄膜の発光特性評価に関する研究 〇今井 和樹 1, 島田 康平 1, 伊藤 國雄 1, 番 貴彦 1, 山本 1. 龍谷大理工
伸一 1
			 10p-PB4-20 ZnO を下地層に用いた CN 薄膜の特性評価〇島田 康平 1, 今井 和樹 1, 伊藤 國雄 1, 番 貴彦 1, 山本 1. 龍谷大理工
伸一 1
			 10p-PB4-21 Ce3+ を用いたアップコンバージョン蛍光体の発光特性評 〇野々口 達成 1, 池田 樹弥 1, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大理工価			 10p-PB4-22 TiO2 の組成変化によるアップコンバージョン蛍光体の発 〇池田 樹弥 1, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大理工
光特性評価
2+
3+
1
1
1
			 10p-PB4-23 焼成雰囲気の変化における蓄光体 SrAl2O4:Eu ,Dy の特 〇大音 諒弥 , 番 貴彦 , 山本 伸一
1. 龍谷大理工性評価
3/11(Mon.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) W611 会場 (Room W611)
13:45
奨 11p-W611-1 光無線給電高効率化に向けたフライアイレンズ照射面特 〇勝田 優輝 1, 宮本 智之 1
1. 東工大未来研
性の設計と評価1
1
14:00
奨 11p-W611-2 光無線給電の光ビーム方向制御における光照射特性解析 〇 (M2) 松永 一仁 , 宮本 智之
1. 東工大未来研（3）
14:15
奨 11p-W611-3 光無線給電に向けた Depth カメラによる太陽電池位置認 〇高橋 健太 1, 宮本 智之 1
1. 東工大未来研
識手法の検討1
1
14:30
奨 11p-W611-4 低温下光無線給電に向けた半導体レーザの抵抗値・効率 〇 (B) 小原 日向 , 宮本 智之
1. 東工大未来研の温度特性解析
14:45 奨 E 11p-W611-5 LED-based above 200mW Optical Wireless Power〇 (D)Yuhuan Zhou1, Miyamoto Tomoyuki1
1.FIRST, IIR, Tokyo Institute of Technology
Transmission for Compact IoT
1
1
15:00
奨 11p-W611-6 Light Receiving Efficiency of Solar Cell considering〇 (M1)Jiaying Li , Tomoyuki Miyamoto
1.FIRST, IIR, Tokyo Institute of Technology
influence of waves from Air to Underwater OpticalWireless Power Transmission
15:15		休憩 /Break
15:30 奨 E 11p-W611-7 Investigation of cover configuration of solar cells that
〇 Liu Yu1, Miyamoto Tomoyuki1
1.Tokyo Techenhances appearance of OWPT
15:45		 11p-W611-8 光無線給電高効率化のための III-V 族化合物太陽電池の応 〇 (B) 伊藤 真樹 1, 小室 有輝 1, 高橋 直大 1, 田中 文
1. 千葉工大 , 2. 情報通信研究機構 , 3. 蘇州ナノテク研
用（6）
明 1, 赤羽 浩一 2, 松本 敦 2, 陆 书龙 3, 内田 史朗 1
16:00 奨 E 11p-W611-9 Carrier Transport Modeling in Multiple Quantum Well
〇 (D)HsiangHung Huang1, Kasidit Toprasertpong1, 1.Univ. Tokyo, 2.RCAST
Based InGaP Solar Cells
Kentaroh Watanabe2, Delamarre Amaury1, Masakazu
Sugiyama1, 2, Yoshiaki Nakano1
16:15		 11p-W611-10 フォトニック結晶構造を用いた半導体薄膜光検出器にお 〇齋藤 孝一 1, 雨宮 智宏 1, 2, 鄭 叙 1, 中村 なぎさ 1, 西 1. 東工大 , 2. 科学技術創成研究院
けるテーパ構造の検討
山 伸彦 1, 2, 荒井 滋久 1, 2
16:30		 11p-W611-11 ナノ受光器の高インピーダンス終端と熱雑音抑制〇野崎 謙悟 1, 2, 松尾 慎治 1, 3, 藤井 拓郎 1, 3, 武田 浩
1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性基礎研 ,司 1, 3, 新家 昭彦 1, 2, 納富 雅也 1, 2
3.NTT 先端集積デバイス研
16:45
E 11p-W611-12 Mid-infrared GeSn Resonant-cavity-enhanced GeSn
〇 (M1)CHENG-HSUN TSAI1, Bo-Jun Huang1,
1.Nat. Chung Cheng Univ.
Photodetectors
Guo-En Chang1
3/12(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W611 会場 (Room W611)
9:00		 12a-W611-1 複合デューティ比をもつ横方向回折格子を有するリッジ 〇 (M1) 篁 哲太 1, 沼居 貴陽 1
1. 立命館大院理工型半導体レーザー
9:15		 12a-W611-2 サンプルドグレーティングを有する共振点シフト〇 (M1) 尾方 大高 1, 沼居 貴陽 1
1. 立命館大院理工
DFB-LD における前方／後方端面光出力比の向上
119:30		 12a-W611-3 横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおけ 〇 (M1) 長澤 大地 , 沼居 貴陽
1. 立命館大理工るメサと横方向回折格子との間の領域の高さ / 深さの効
果9:45		 12a-W611-4 横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおけ 〇谷口 巧樹 1, 沼居 貴陽 1
1. 立命館大理工る回折格子形成領域の検討
1
1
10:00		 12a-W611-5 共振点シフト DFB-LD におけるレーザー特性の回折格子 〇二河 一太郎 , 沼居 貴陽
1. 立命大理工
形状依存性
10:15		休憩 /Break
10:30		 12a-W611-6 スタジアム形微小共振器のモード損失〇福嶋 丈浩 1, 中原 蕗 1
1. 岡山県立大情報工
10:45		 12a-W611-7 スリット構造導入によるアクティブ MMI レーザ型モード 〇 (M2) 森 智隆 1, 洪 秉宙 1, 村上 槙梧 1, 姜 海松 1, 浜 1. 九大総理工
選択光源のモード間クロストーク抑制
本 貴一 1
11:00		 12a-W611-8 半導体マイクロリングレーザを用いた切り替え可能な全 〇青木 椋祐 1, 荒川 太郎 1, 國分 泰雄 2
1. 横国大院工 , 2. 中部大
光インバータおよびフリップフロップ動作の理論解析

3.14 光制御デバイス・光ファイバー / Optical control devices and optical fibers
11:15		 12a-W611-9

GaInAsP/InP リッジ埋め込み構造による半導体薄膜分布 〇高橋 直樹 1, 2, 中村 なぎさ 1, 2, 吉田 崇将 1, 2, 方 偉
1. 東工大 , 2. 科学技術創成研究院
反射型レーザの微分抵抗
成 1, 2, 雨宮 智宏 1, 2, 西山 伸彦 1, 2, 荒井 滋久 1, 2
11:30
奨 12a-W611-10 SiC 基板上 1.3 µm 帯横注入メンブレンレーザの作製と発 〇山岡 優 1, 中尾 亮 1, 藤井 拓郎 1, 武田 浩司 1, 開 達 1.NTT 先端集積デバイス研
振特性郎 1, 西 英隆 1, 硴塚 孝明 1, 土澤 泰 1, 松尾 慎治 1
11:45		 12a-W611-11 発光波長制御 InAs 量子ドットを用いた 1.1um 帯外部共振 〇尾崎 信彦 1, 2, Childs David2, Boldin Aleksandr2, 生 1. 和歌山大シス工 , 2. グラスゴー大 , 3. 物材機構
器型波長可変レーザー
野 大吾 1, 尾上 克也 1, 大里 啓孝 3, 渡辺 英一郎 3, 池田
3/12(Tue.) 13:45 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) W611 会場 (Room W611)
13:45		 12p-W611-1 塩化ナトリウム (NaCl) 結晶を用いた I-VII 族ダイオードの実現
14:00		 12p-W611-2 カットオフ構造を用いた VCSEL と VCSEL 増幅器の横方
向集積14:15		 12p-W611-3 高出力面発光レーザ増幅器のビーム品質改善の検討

直樹 3, 杉本 喜正 3, Hogg Richard2〇 (M1) 姚 昌平 1, 寺田 利樹 1, 川添 忠 1, 田所 貴志 1

1. 電機大〇鷹箸 雅司 1, 志村 京亮 1, 顧 暁冬 1, 中濱 正統 1, 松谷 1. 東工大未来研 , 2. 東工大技術部
晃宏 2, 坂口 孝浩 1, 小山 二三夫 1〇許 在旭 1, 志村 京亮 1, 顧 暁冬 1, 松谷 晃宏 2, 小山

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

1. 東工大未来研 , 2. 東工大技術部
二三夫 1
1
1
1
2
14:30		 12p-W611-4 【注目講演】3D センシングのための VCSEL 増幅器による 〇森長 瑞 , 顧 暁冬 , 志村 京亮 , 松谷 晃宏 , 小山
1. 東工大未来研 , 2. 東工大技術部
ドットパターン生成
二三夫 1
14:45		 12p-W611-5 カットオフ波長離調構造によるビームスキャナ集積単一 〇志村 京亮 1, 許 在旭 1, 顧 暁冬 1, 中濵 正統 1, 坂口 孝 1. 東工大未来研 , 2. 東工大技術部マイクロプロセス部門
モード面発光レーザ
浩 1, 松谷 晃宏 2, 小山 二三夫 1
15:00		休憩 /Break
15:15		 12p-W611-6 VCSEL ビーム掃引デバイスを用いた LiDAR システムの 〇藤岡 威吹 1, 森長 瑞 1, Li Ruixiao1, 顧 暁冬 1, 小山
1. 東工大工検討
二三夫 1
15:30		 12p-W611-7 MEMS VCSEL 集積 DBR 導波路偏向素子のビーム偏向特 〇旭 利紘 1, 顧 暁冬 1, 坂口 孝弘 1, 小山 二三夫 1
1. 東工大未来研
性15:45		 12p-W611-8 C バンドにおける損失補償特性を持つ InP 系 VCSEL 分波 〇 (M2) 冨樫 良介 1, 顧 暁冬 1, 松谷 晃宏 2, 坂口 孝浩 1, 1. 東工大未来研 , 2. 東工大技術部
器
小山 二三夫 1
16:00		 12p-W611-9 1550nm 帯光集積回路に向けたイオン注入による量子〇松本 敦 1, 赤石 陽太 2, 伊澤 昌平 2, 松島 裕一 2, 宇高 1. 情通機構 , 2. 早大理工
ドット組成混晶化の実験的・数値解析的検討
勝之 2
16:15		 12p-W611-10 Si スロット ErxY2-xSiO5 導波路に形成したグレーティング 〇小澤 正行 1, ガブリエル デルガド 1, 中村 絃人 1, 田 1. 電通大 , 2. シンクロン
カプラの検討中 康仁 2, 一色 秀夫 1
16:30		 12p-W611-11 強結合光導波路構造による高次モード励起抑制効果に関 〇 (M2) 藤本 勘太郎 1, 姜 海松 1, 浜本 貴一 1
1. 九州大学総合理工学府量子プロセス理工学専攻
する基礎検討3.14 光制御デバイス・光ファイバー / Optical control devices and optical fibers
3/11(Mon.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 11p-PB2-1
同種材料接合を用いた LiNbO3 光導波路の作製〇垣尾 省司 1, 望月 翔太 1, 波切 堅太郎 1, 藤巻 貴海 1, 1. 山梨大 , 2. 日本製鋼所
鈴木 雅視 1, 横田 裕章 2, 米内 敏文 2, 岸田 和人 2
			 11p-PB2-2
窓関数を用いたアレイ光導波路型光スイッチのクロス
嶋田 周平 1, 〇渡邉 俊夫 1, 永山 務 1, 福島 誠治 1
1. 鹿児島大工
トーク低減
			 11p-PB2-3
空間光変調器を用いた広帯域近赤外光制御に関する研究 〇 (M1C) 植田 健太 1, 塩口 稜大 1, 曽根 宏靖 1
1. 北見工大
			 11p-PB2-4
Ge2Sb2Te5 の屈折率に対する Se 添加の影響〇坂本 健太 1, 桑原 正史 2, 遠藤 理恵 3, 津田 裕之 1
1. 慶大 , 2. 産総研 , 3. 東工大
			 11p-PB2-5
ポリマーMZI 型４×４光スイッチの作製〇櫻井 匠 1, 石井 隆之 1, 引間 大輔 1, 松島 祐一 2, 石川 1. 早大理工 , 2. 早大 GCS 機構
1
1
浩 , 宇髙 勝之
			 11p-PB2-6
二重テーパー化コアとテーパー化クラッドを有するファ 〇物部 秀二 1, 狩野 知哉 1, 小平 典 1
1. 東洋大理工
イバープローブの作製			 11p-PB2-7
プラスチック光ファイバを用いたブリルアン光相関領域 〇 (D) 李 熙永 1, 野田 康平 1, 水野 洋輔 1, 中村 健太
1. 東工大反射計のノイズ低減法の提案
郎1
1
1
1
			 11p-PB2-8
低反射率偏波保持型ファイバブラッググレーティングで 〇 BUI QUOC HUNG , 和田 篤 , 田中 哲
1. 防衛大学校構成したファブリ・ペロー干渉計の温度依存性測定
			 11p-PB2-9線形相互相関を用いた光ファイバー温度センシングシス 〇徳永 和成 1, 大前 貴寛 1, 松山 哲也 1, 和田 健司 1, 岡 1. 阪府大工
テムの特性
本 晃一 1
3/12(Tue.) 9:15 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) M116 会場 (Room M116)
9:15
奨 12a-M116-1 BDG-BOCDA 歪 / 温度分離・分布測定系における光源強 〇 (P) 大川 洋平 1, 山下 健二 ホドリーゴ 2, 岸 眞人 3, 1. 豊田工大 , 2. 古河電工 , 3. 工学院大学
度変調効果の解析
保立 和夫 1
9:30
奨 12a-M116-2 光源周波数変調波形の工夫による BOCDA 歪分布測定技 〇 (B) 伊東 直紀 1, 岸 眞人 2, 保立 和夫 1
1. 豊田工大 , 2. 工学院大術における背景光雑音の低減
9:45
奨 12a-M116-3 BOCDR 法の背景光雑音低減に用いるフィルタ形状の最 〇 (B) 宇山 康太 1, 清水 龍 2, 岸 眞人 3, 保立 和夫 1
1. 豊田工大 , 2. 東大工 , 3. 工学院大
適化
10:00		 12a-M116-4 多モード誘導ブリルアン散乱による高感度ファイバ歪み 〇遠藤 佑真 1, 長谷川 貴大 1, 尾崎 裕太 1, 田中 洋介 1 1. 東京農工大工
測定
10:15		休憩 /Break
10:30		 12a-M116-5 短いプラスチック光ファイバ中のモード間干渉の観測と 〇萩原 園子 1, 野田 康平 1, 松谷 夏樹 1, 李 熙永 1, 水野 1. 東京工業大学
温度依存性の解明
洋輔 1, 中村 健太郎 1
10:45		 12a-M116-6 カスケード型光ファイバグレーティングを用いた光ファ 〇福嶋 匡謙 1, ブイ クォック ハン 1, 永田 雄一朗 1, 1. 防衛大 , 2. 島根大イバリングレーザの発振動作（1）山田 平八郎 1, 和田 篤 1, 田中 哲 1, 伊藤 文彦 2
11:00		 12a-M116-7 チューナブル MMI フィルタによる Tm/Ho ファイバレー 〇窪田 将成 1, 向坂 風馬 1, 坂田 肇 1
1. 静岡大工ザの発振波長制御
11:15		 12a-M116-8 中空フォトニック結晶ファイバーを用いた超短パルス〇 (M2) 田辺 拓巳 1, 財津 慎一 1, 2, 加地 範匡 1
1. 九大院工 , 2. 九大未来化セ
レーザー分子光変調器の開発
3/12(Tue.) 13:15 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) M116 会場 (Room M116)
13:15		 12p-M116-1 液晶波長可変フィルタの全透過機能実現と最適化方法の 〇菊地 哲 1, 寺島 康平 1, 若生 一広 1
1. 仙台高専
確立
13:30		 12p-M116-2 2 つのベクトル渦ビームによる光機能性液晶へのベクト 〇 (M2) 中元 勇貴 1, 坂本 盛嗣 1, 野田 浩平 1, 佐々木 1. 長岡技大 , 2. 兵庫県立大ルホログラム記録
友之 1, 川月 喜弘 2, 小野 浩司 1
13:45		 12p-M116-3 LCoS-SLM を用いた広角光線走査〇 (M2) 二宮 正篤 1, 津田 裕之 1
1. 慶應理工14:00		 12p-M116-4 Nb2O5 を用いた FLC 装荷導波路形 DBR 共振器のスイッ 〇稲森 翔 1, 端山 喜紀 1, 伊藤 綾馬 1, 武田 正行 1, 西澤 1. 神奈川工科大
チング動作
武志 1, 中津原 克己 1
14:15		 12p-M116-5 FLC 装荷 Nb2O5- フェーズドアレイ型導波路の製作〇内堀 槙太 1, 渋谷 隆延 1, 武田 正行 1, 西澤 武志 1, 中 1. 神奈川工科大
津原 克己 1
14:30		休憩 /Break
14:45		 12p-M116-6 スラブ導波路を用いた位相制御型単一次元空間モード合 〇姜 海松 1, マハムド ナセフ 1, 藤本 勘太郎 1, 浜本 貴 1. 九大総理工
分波器
一1
15:00		 12p-M116-7 ディジタルフィルタ設計手法を用いたマイクロリング共 〇山内 真生 1, 國分 泰雄 2, 荒川 太郎 1
1. 横浜国立大学院理工 , 2. 中部大学
振器チェビシェフ波長フィルタの設計
15:15		 12p-M116-8 超伝導集積回路光インターコネクションのための量子井 〇阪井 康太 1, 加藤 誠二 1, 國分 泰雄 2, 吉川 信行 1, 荒 1. 横国大院理工 , 2. 中部大学
戸光変調器の超低電圧化の検討
川 太郎 1
15:30		 12p-M116-9 マイクロローディング効果を用いた InP 系リング共振器 〇西山 知志 1, 駒込 泰輝 1, 荒 雄也 1, 清水 大雅 1, 清水 1. 農工大工 , 2.GenISysの作製
諭2
15:45		休憩 /Break3 光・フォトニクス / Optics and Photonics【CS.2】3.5 レーザー装置・材料と 3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.5 & 3.14
16:00		 12p-M116-10 超精密切削加工による LNOI 光導波路の作製〇 (M2) 上村 啓悟 1, 多喜川 良 2, 中本 圭一 1
1. 東京農工大工 , 2. 九大
16:15		 12p-M116-11 コングルエント LiNbO3 の高周波電気学係数の波長分散 〇滝澤 國治 1
1. 浜松ホトニクス中研
16:30		 12p-M116-12 コングルエント LiNbO3 の高周波カー係数の波長分散〇滝澤 國治 1
1. 浜松ホトニクス中研【CS.2】3.5 レーザー装置・材料と 3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.5 & 3.14
3/10(Sun.) 17:15 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) W834 会場 (Room W834)
17:15		 10p-W834-15 引き上げ法育成β -BaB2O4 単結晶の 266nm 光レーザ照射 〇松倉 誠 1, 田子 毅 1, 笹浦 正弘 1, 廣橋 淳二 1, 古川 保 1. オキサイド
後の透過率評価
典1
17:30		 10p-W834-16 AgGaS2 の高精度セルマイヤー方程式及び熱光学分散式 〇梅村 信弘 1, 岡本 隆幸 2, 三上 拓哉 2, 加藤 洌 1, 2
1. 千歳科技大理工 , 2. 岡本光学加工所
17:45		 10p-W834-17 周期分極反転 LaBGeO5 の擬似位相整合特性
中原 康裕 1, 廣橋 淳二 2, 古川 保典 2, 小田 久哉 1, 〇梅 1. 千歳科技大理工 , 2. 株式会社オキサイド
1
村 信弘
18:00
奨 10p-W834-18 フェムト秒レーザー直描導波路型 PPMgSLT 波長変換素 〇渡邉 俊介 1, 廣橋 淳二 1, 今井 浩一 1, 星 正幸 1, 牧尾 1. 株式会社オキサイド
子開発
諭1
18:15		 10p-W834-19 段差低減 GaAs/AlGaAs 周期空間反転導波路における差周 〇 (M2)WANG SHUMIN1, 松下 智紀 1, 2, 近藤 高
1. 東大工 , 2. 東大先端研
波発生
志 1, 2
3.15 シリコンフォトニクス / Silicon photonics
3/9(Sat.) 9:30 - 11:30
ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 9a-PB2-1
非対称方向性結合器型偏波変換 Bragg グレーティング〇岡山 秀彰 1, 2, 太縄 陽介 1, 2, 志村 大輔 1, 2, 八重樫 浩 1. 沖電気 , 2.PETRA
樹 1, 2, 佐々木 浩紀 1, 2
			 9a-PB2-2
多モード光導波路における光散乱の数値解析〇臼杵 達哉 1
1.PETRA			 9a-PB2-3
O バンド Si フォトニック結晶変調器の初期的動作〇板垣 健佑 1, 伊藤 寛之 1, 雛倉 陽介 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大院工			 9a-PB2-4
ポリマー層介在チップ接合グレーティングカプラによる 〇水呉 拓也 1, 大岡 史奈 1, 松島 裕一 2, 石川 浩 1, 宇高 1. 早大理工 , 2. 早大 GCS 機構
Si 導波路間光結合の検討
勝之 1
			 9a-PB2-5
局所配向誘引構造を組み込んだ面内電界駆動液晶装荷シ 〇宇田 成孝 1, 2, 渥美 裕樹 2, 三浦 登 1, 榊原 陽一 1, 2
1. 明治大理工 , 2. 産総研
リコン細線 MZ 型光スイッチの作製			 9a-PB2-6
直接貼付 InP/Si 基板上 MQW レーザにおける電流電圧特 〇白井 琢人 1, 早坂 夏樹 1, 相川 政輝 1, 韓 旭 1, 杉山 滉 1. 上智大理工
性の InP 膜厚依存性について
一 1, 内田 和希 1, 松浦 正樹 1, 石崎 隆浩 1, 対馬 幸樹 1,
下村 和彦 1
			 9a-PB2-7
直接貼付 InP/Si 基板上 MQW レーザにおける発振特性の 〇韓 旭 1, 内田 和希 1, 相川 政輝 1, 杉山 滉一 1, 早坂 夏 1. 上智大理工
InP テンプレート膜厚依存性
樹 1, 松浦 正樹 1, 対馬 幸樹 1, 石崎 隆浩 1, 白井 琢人 1,
下村 和彦 1
			 9a-PB2-8
Si プラットフォームへのポリマー介在層を用いた InP〇木下 雄貴 1, 森田 凌介 1, 清水 叶 1, 松島 裕一 2, 石川 1. 早大理工 , 2. 早大 GCS 機構
レーザの接合浩 1, 宇髙 勝之 1
			 9a-PB2-9
直接貼付 InP/Si 基板における発振特性のアニール時間依 〇松浦 正樹 1, 早坂 夏樹 1, 韓 旭 1, 相川 政輝 1, 内田 和 1. 上智大理工存性
希 1, 杉山 滉一 1, 下村 和彦 1, 石崎 隆浩 1, 対馬 幸樹 1,
白井 琢人 1
3/11(Mon.) 9:45 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W331 会場 (Room W331)
9:45		 11a-W331-1 サブ波長構造を用いたシリコン偏光回折格子の作製〇酒井 滋彬 1, 津田 裕之 1
1. 慶應大工10:00		 11a-W331-2 ガスセンサへの応用に向けた Si スロットリング共振器の 〇星 隼人 1, 友野 裕貴 1, 清水 大雅 1
1. 農工大感度向上に関する研究
10:15		 11a-W331-3 Pt-WO3/Si マイクロリング共振器水素ガスセンサの応答 〇松浦 壮佑 1, 山作 直貴 1, 國分 泰雄 2, 西島 喜明 1, 岡 1. 横浜国立大学大学院 , 2. 中部大学
速度および感度改善の検討
崎 慎司 1, 荒川 太郎 1
10:30
奨 11a-W331-4 Si リング共振器上の金属発熱層による光熱変換の評価〇村井 俊哉 1, 庄司 雄哉 1, 水本 哲弥 1
1. 東工大10:45
奨 11a-W331-5 Si 曲げ導波路方向性結合器を用いたループミラーの作製 〇御手洗 拓矢 1, エイッサ モータズ 1, 立花 文人 1, 宮 1. 東工大工 , 2. 東工大未来研と評価嵜 隆之 1, 雨宮 智宏 1, 2, 西山 伸彦 1, 2, 荒井 滋久 1, 2
11:00		休憩 /Break
11:15		 11a-W331-6 チップ上光源に向けた Si 上 inverted-rib Ge 層の発光特性 〇八子 基樹 1, Chan-Hyuck Park2, Donghwan Ahn2, 1. 東大院工 , 2. 国民大学校 , 3. マサチューセッツ工大 ,評価
和田 一実 3, 石川 靖彦 4
4. 豊橋技科大11:30		 11a-W331-7 SOQ 及び SOS 基板上に形成した Ge 層の光吸収特性〇 (M1) 野口 恭甫 1, 西村 道治 2, 松井 純爾 3, 津坂 佳 1. 豊橋技科大 , 2. 東大工 , 3. 兵庫県立大幸 3, 石川 靖彦 1
11:45
奨 11a-W331-8 固相エピタキシー法による SOI 基板上 GeSn MSM ダイ〇岡 博史 1, 水林 亘 1, 石川 由紀 1, 細井 卓治 2, 志村 考 1. 産総研 , 2. 阪大院工オードの作製
功 2, 渡部 平司 2, 前田 辰郎 1, 内田 紀行 1, 遠藤 和彦 1
12:00		 11a-W331-9 横型 PIN 接合構造を用いた導波路型 Ge 受光器の高速動 〇藤方 潤一 1, 小野 英輝 1, 下山 峰史 1, 八重樫 浩樹 1, 1. 光電子融合基盤技術研
作特性の検討鄭 錫煥 1, 中村 隆宏 1
3/11(Mon.) 13:45 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) W331 会場 (Room W331)
13:45
招 11p-W331-1 「第 9 回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）〇前神 有里子 1
1. 産総研受賞記念講演」
CMOS バックエンド互換プロセスを適用したシリコン
フォトニクスの高度化の研究
14:15		 11p-W331-2 超低遅延多ビット演算に向けた多入力 Si 細線Ψゲートの 〇北 翔太 1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 野崎 謙悟 1, 2, 納富 雅也 1, 2 1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性研
検討14:30		 11p-W331-3 リング共振器アレイ型シリコン光回路を用いた深層学習 〇 (B) 大野 修平 1, トープラサートポン カシディッ 1. 東大工の検証
ト 1, 高木 信一 1, 竹中 充 1
14:45		 11p-W331-4 Si プラットフォーム上低消費電力半導体光増幅器〇開 達郎 1, 相原 卓磨 1, 武田 浩司 1, 藤井 拓郎 1, 土澤 1.NTT 先端集積デバイス研
泰 1, 硴塚 孝明 1, 松尾 慎治 1
15:00		 11p-W331-5 RAS 法による (Er,Y)2SiO5 結晶を用いた導波路型増幅器の 〇霞 朋樹 1, 一色 秀夫 1, ガブリエル デルガド 1, 田中 1. 電通大 , 2. シンクロン
作製
康仁 2, 中村 弦人 1
15:15		 11p-W331-6 Si フォトニクス外部共振器波長可変レーザの線幅の狭窄 〇 (B) 岡田 祥 1, 深澤 優希 1, 松本 敦 2, 山本 直克 2, 北 1. 青山学院大学理工 , 2. 情報機構 , 3. 早稲田大学
化
智洋 3, 外林 秀之 1
15:30		休憩 /Break
15:45
招 11p-W331-7 「3. 光・フォトニクス 分科内招待講演」〇鈴木 恵治郎 1, 鴻池 遼太郎 1, 須田 悟史 1, 松浦 裕
1. 産総研シリコンフォトニクスによる低損失・大規模光スイッチ 之 1, 並木 周 1, 河島 整 1, 池田 和浩 1
1
1
1
16:15
奨 11p-W331-8 【注目講演】メアンダライン電極フォトニック結晶光変調 〇雛倉 陽介 , 新井 宏之 , 馬場 俊彦
1. 横国大院工器の 64 Gbps 動作
16:30		 11p-W331-9 シリコン波長選択移相型光スイッチの 2 チャネル動作〇 (M2) 當間 拓矢 1, 庄司 雄哉 1, 水本 哲弥 1
1. 東工大16:45		 11p-W331-10 InP スロット導波路を用いた有機 EO ポリマー光変調器 〇 (D) 関根 尚希 1, 高木 信一 1, 竹中 充 1
1. 東大工の検討
1
2
17:00		 11p-W331-11 進化計算を用いた高効率グレーティングカプラの設計自 〇 (B) 宮武 悠人 , 関根 尚希 , トープラサートポン 1. 東大工 , 2. 東大院工動化
カシディット 1, 2, 高木 信一 1, 2, 竹中 充 1, 2
17:15		 11p-W331-12 送信と受信の両方に Si フォトニック結晶光アンテナを用 〇阿部 紘士 1, 古門 優弥 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大・院工いた疑似 FMCW LiDAR 系のビート信号観測【CS.4】3.15 シリコンフォトニクス、3.16 Optics and Photonics English Session のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.15 & 3.16
3/10(Sun.) 9:15 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W331 会場 (Room W331)
9:15
E 10a-W331-1 Enhanced Ultraviolet Absorption in Graphene based on
Yijun Cai1, Chengying Chen1, 〇 YI CHEN1
1.Xiamen Univ. of technology
Metal-Dielectric-Metal Structure11
9:30
E 10a-W331-2 Numerical analysis of Waveguide coupled graphene〇 (M2)Hanzhi Tang , Shinichi Takagi , Mitsuru
1.Univ. Tokyo
thermal emitter
Takenaka1

3.16 Optics and Photonics English Session
9:45

E 10a-W331-3

10:00

E 10a-W331-4

10:15

奨 E 10a-W331-5

Quantum-Confined Direct-Gap Optical Absorption in
Strained GeSn/Ge Multiple-Quantum-Well on Silicon
Investigation of Si Sidewall Bragg Grating for Hybrid
III-V/SOI DFB Lasers〇 (M1)Kuan-Chih Lin1, Yen-Hsin Lo1, Chi-Wang
Im1, Guo-En Chang1〇 (M2)Moataz Eissa1, Takuya Mitarai1, Fumihitio
Tachibana1, Nobuhiko Nishiyama1, 2, Shigehisa
Arai1, 2〇 (M2)Neranjith RanepuraHewage1, Yuya Shoji1,
Tetsuya Mizumoto1

All-optical serial-to-parallel conversion by nonlinear
carrier-dispersion effects in silicon
10:30		休憩 /Break
10:45 招 E 10a-W331-6 【Highlight】[INVITED] A Versatile Silicon Photonics〇 Frederic Boeuf1
Platform for Integrated Optics Applications
11:15
E 10a-W331-7 Investigation of Franz-Keldysh effect and carrier depletion 〇 (DC)Qiang Li1, Chong Pei Ho1, Shinichi Takagi1,
effect in III-V/Si hybrid MOS optical modulator
Mitsuru Takenaka1
11:30
E 10a-W331-8 Investigation of impact of InGaAsP quantum well on the 〇 (M2)Dongsheng Lyu1, Qiang Li1, Shinichi
modulation efficiency of III-V/Si hybrid MOS optical
Takagi1, Mitsuru Takenaka1
modulator
11:45 奨 E 10a-W331-9 Investigation of stress dependence on bonding strength〇 Liu Bai1, Takehiko Kikuchi1, 3, Takuya Mitarai1,
for III-V/Si chip-on-wafer by plasma activated bonding
Nobuhiko Nishiyama1, 2, Hideki Yagi3, Tomohiro
Amemiya1, 2, Shigehisa Arai1, 2
12:00
E 10a-W331-10 Investigation of InP/Si bonding condition for suppressing 〇 (M2)Yuning Wang1, Takuya Mitarai1, Tomohiro
degradation of Photoluminescence property using Surface Amemiya1, 2, Nobuhiko Nishiyama1, 2, Shigehisa
Activated Bonding
Arai1, 2
3.16 Optics and Photonics English Session
3/9(Sat.) 13:45 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) W331 会場 (Room W331)
13:45
E 9p-W331-1
High peak power pulsed operations of VCSEL amplifier〇 (D)Ahmed MohamedAhmed Hassan1, M.
Nakahama Nakahama1, F. Koyama Kouyama1
14:00
E 9p-W331-2
Accuracy Analysis of Structured-Light Sensor Based on〇 Ruixiao Li1, Zeuku Ho1, Xiaodong Gu1, Fumio
Non-mechanical VCSEL Beam Scanner
Koyama1
14:15 奨 E 9p-W331-3
Analysis of High-speed Double Transverse Coupled〇 (D)Hameeda Ibrahim1, Moustafa Ahmed2, Fumio
Cavity VCSELs
Koyama1

奨 E 9p-W331-4

14:45

E 9p-W331-5

15:00

E 9p-W331-6

15:15		15:30E 9p-W331-7
15:45

E 9p-W331-8

16:00

E 9p-W331-9

16:15

E 9p-W331-10

16:30

E 9p-W331-11

Mode Crosstalk Evaluation in Mode Selective Active
Multimode Interferometer Laser Diode
Based on Wavelength Spectrum Analysis Method Mode
Fabrication and Demonstration of a Surface-Normal
Metasurface Modulator with Electro-Optic Polymer〇 (D)Bingzhou Hong1, Tomotaka Mori1, Shingo
Murakam1, Haisong Jiang1, Kiichi Hamamoto〇 (D)Jiaqi Zhang1, Yuji Kosugi1, Akira Otomo2,
Ya-Lun Ho1, Jean-Jacques Delaunay1, Yoshiaki
Nakano1, Takuo Tanemura1, 3〇 (P)Samir Kumar1, Kyoko Namura1, Motofumi
Suzuki1

Hydrogel based surface enhanced Raman scattering
sensor
休憩 /BreakPlasmon-enhanced hot electron emission at thin-TiO2/Au 〇 Terunori Kaihara1, Alfonso Cebollada2, Gaspar

junction
Strong Coupling between Localized and Propagating
Surface Plasmon Modes Revealed in the Near Field fromSpectral and Temporal Domains
Measurement of the single-photon and two-photon
fluorescence chirality of chiral dye molecules andnanoparticles
Interferometric measurement of a biphoton state with
continuous-variables by homodyne detection
Enhanced Spectroscopic Detection of Molecules
Combining IR Spectroscopy with Signal Processing

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

Armelles2, Hiromasa Shimizu1〇 QUAN SUN1, JINGHUAN YANG1, 2, KOSEI

1.Titech EEE Dept., 2.Titech FIRST

1.Tokyo Tech.

1.STMicroelectronics, Crolles, France
1.Univ. of Tokyo
1.Univ. Tokyo

1.Tokyo Tech, 2.IIR, 3.SEI

1.Tokyo Tech, 2.FIRST

1.Tokyo Tech.
1.TokyoTech
1.Laboratory for Future Interdisciplinary Research of
Science and Technology, Tokyo Institute ofTechnology,Japan, 2.2 Faculty of Science, Minia
University, Egypt
1.Kyushu University

1.Univ of Tokyo, 2.NICT, 3.JST PRESTO

1.Kyoto University

1.Tokyo Univ. of Agri. & Tech., 2.IMN-CNM-CSIC

1.RIES, Hokkaido Univ., 2.Peking Univ., 3.National
UENO1, XU SHI1, TOMOYA OSHIKIRI1, HIROAKI Chiao Tung Univ.
1, 3
MISAWA〇 Pin Christophe1, Genta Takahashi1, Tuyoshi
1.RIES, Hokkaido Univ., 2.Kumamoto Univ.
Fukaminato2, Keiji Sasaki1〇 (P)Yashuai Han1, Daohua Wu1, Katsuyuki Kasai2, 1.The Univ. of Electro-Communications, 2.National
Masayoshi Watanabe1, Yun Zhang1Inst. of Information and Communications Technology
Yong Boon Tan2, Rongde Ian Tay2, Liang Yi Loy3, Ke 1.Ntl Uni of Singapore, 2.Raffles Institution, 3.NUS
Fun Aw3, Zhi Li Ong3, 〇 Sergei Manzhos1
High School

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
6.1 強誘電体薄膜 / Ferroelectric thin films
3/10(Sun.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10a-PA3-1
スパッタ法を用いた Si 基板上への PZT エピタキシャル薄 〇村瀬 幹生 1, 和泉 享兵 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1
1. 大阪府大工
膜の作製
			 10a-PA3-2
正圧電応答顕微鏡による P(VDF-TrFE) 膜の圧電評価〇金川 いづる 1, 松下 裕司 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1
1. 阪府大工			 10a-PA3-3
ショットキー障壁の高さ変化を利用したガスセンシング 〇 (B) 柏原 浩大 1, Julien Schneider2, 押目 典宏 4, 狩 1. 岡山大工 , 2.Institut National Polytechnique,
野 旬3
Toulouse, 3. 岡山大自然 , 4. 産総研
		奨 E 10a-PA3-4
Improvement of BaTa2O6 Thin Films for TFT Gate
〇 Son Tien Bui1, Kenshin Narisawa2, Cuong Duc
1.Hanoi University of Industry, 2.National Institute of
Insulator Applications
Pham1, Kiyoshi Uchiyama2
Technology, Tsuruoka College121
			 10a-PA3-5
反応性スパッタリング法を用いた BaTiO3 膜の作製
〇牧野 碧 , 西出 正道 , 西田 謙
1. 防衛大 , 2. 先導技術研究所
5
1, 2
3
3
			 10a-PA3-6
Lattice mismatch effect on biaxial strain exerted on〇永沼 博 , In-Tae Bae , 安井 伸太郎 , 伊藤 満 , 白 1. ニューヨーク州立大学 S3IP, 2. ニューヨーク州立大
epitaxially-grown BiFeO3
石 貴久 4, 木口 賢紀 4, 一ノ瀬 智浩 5
学 , 3. 東工大フロンティア , 4. 東北大金研 , 5. 東北大工			 10a-PA3-7
圧電高分子膜 (P(VDF-TrFE)) 一体型 ZnO-FET の熱処理 〇岡山 琢哉 1, 松本 周作 1, 古川 昭雄 1
1. 東理大理工前後の評価
1
			 10a-PA3-8
Strain Engineering のツールとしてのナノ細孔誘起歪み〇鈴木 孝宗1. 東理大 総研機構
			 10a-PA3-9
蛍光 X 線ホログラフィを用いた Mn ドープ BiFeO3 薄膜の 〇渕脇 八雲 1, 中嶋 誠二 1, 藤澤 浩訓 1, 黒川 悠太 1, 八 1. 兵庫県立大工 , 2. 広島市立大情報 , 3. 名工大構造物性
局所構造解析
方 直久 2, 林 好一 3, 木村 耕治 3, 山本 裕太 3, 松本 亮
平3
			 10a-PA3-10 強誘電体膜作成基板における残留プロトンの検討〇山口 正樹 1, 2, 増田 陽一郎 3, 山﨑 美沙 1, 平出 惇 1
1. 芝浦工大工 , 2. 芝浦工大 RCGI, 3. 八戸工大工3/11(Mon.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W351 会場 (Room W351)
9:00		 11a-W351-1 スパッタリング法により配向制御した HfO2 基強誘電体 〇 (P) 志村 礼司郎 1, 三村 和仙 1, 清水 荘雄 1, 舟窪 浩 1 1. 東工大物院
厚膜の作製およびその電気特性評価
9:15		 11a-W351-2 ミスト CVD 法による n+-Si(100) 基板上への強誘電体〇 (D) 田原 大祐 1, 西中 浩之 1, 野田 実 1, 佐藤 翔太 2, 1. 京工繊大 , 2. 高知工科大
HfO2 薄膜の作製とその電気特性評価
川原村 敏幸 2, 吉本 昌広 1
9:30
奨 11a-W351-3 強誘電体 (Hf,Ce)O2 薄膜の作製とその結晶構造評価〇白石 貴久 1, Choi Sujin1, 清水 荘雄 2, 木口 賢紀 1, 舟 1. 東北大 , 2. 東工大
窪 浩 2, 今野 豊彦 1
9:45
奨 11a-W351-4 PLD 法を用いた Y, Zr ドープ HfO2 薄膜の作製と評価〇 (M1C) 田代 裕貴 1, 三村 和仙 1, 清水 荘雄 1, 舟窪
1. 東工大浩1
10:00		 11a-W351-5 (K, Na)NbO3 薄膜へのドーピング効果〇譚 ゴオン 1, 藤田 卓也 1, 西岡 慎太郎 1, 神野 伊策 1 1. 神戸大工
10:15 奨 E 11a-W351-6 【Highlight】Theoretical analysis of the influence of aspect 〇 (D)Jundong Song1, Tomoaki Yamada1, 2, Masahito 1.Nagoya Univ., 2.PRESTO
ratio and density of nanorod arrays for piezoelectric
Yoshino1, Takanori Nagasaki1energy harvesting

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

14:30

1.Nat. Chung Cheng Univ.

【CS.5】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

10:30		10:45奨 11a-W351-7

休憩 /Break
極性磁性体 h-ScFeO3 薄膜の強誘電性と界面構造〇浜嵜 容丞 1, 安井 伸太郎 2, 白石 貴久 3, 赤間 章裕 3, 1. 防衛大 , 2. 東工大 , 3. 東北大
木口 賢紀 3, 谷山 智康 2, 伊藤 満 2
11:00
奨 11a-W351-8 電気二重層構造で測定した PbTiO3 極薄膜の強誘電特性 〇西野 隆太郎 1, 藤田 貴啓 1, 賀川 史敬 1, 2, 川﨑 雅
1. 東大院工 , 2. 理研 CEMS
司 1, 21
1
11:15		 11a-W351-9 二重バイアス変調静電引力顕微鏡を用いたポリフッ化ビ 〇平永 良臣 , 長 康雄
1. 東北大通研
ニリデンの誘電緩和測定
11:30		 11a-W351-10 極細導電性探針を用いた高分解能強誘電ドメイン観察〇石田 知嵩 1, 平永 良臣 1, 長 康雄 1
1. 東北大通研11:45
招 11a-W351-11「講演奨励賞受賞記念講演」〇荒牧 正明 1, 吉村 武 1, 村上 修一 2, 佐藤 和郎 2, 藤村 1. 大阪府大工 , 2. 大阪技術研
1
スパッタ BiFeO3 薄膜を用いた圧電 MEMS 振動発電素子 紀文の高効率・高出力化
3/11(Mon.) 13:00 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) W351 会場 (Room W351)
13:00		 11p-W351-1 【注目講演】組成相境界近傍の PZT エピタキシャル薄膜 〇木口 賢紀 1, 清水 匠 1, 白石 貴久 1, 今野 豊彦 1
1. 東北大金研における微細構造
1
1
1
13:15
奨 11p-W351-2 組成相境界近傍組成を有する PZT 膜の電界下 X 線回折測 〇 (M1) 井上 英久 , 一ノ瀬 大地 , 清水 荘雄 , 舟窪 1. 東工大
定
浩1
13:30
奨 11p-W351-3 RF スパッタ法により作製した PZT 系エピタキシャル薄 〇 (M1C) 野田 隆太 1, 2, 清水 貴博 1, 2, 和佐 清孝 4, 柳 1. 早稲田大学 , 2. 材研 , 3.JST さきがけ , 4. 横浜市立大
膜の MPB 特性
谷 隆彦 1, 2, 3
13:45
奨 11p-W351-4 水熱合成法で作製した (K,Na)NbO ３配向膜の圧電定〇 (M2) 舘山 明紀 1, 伊東 良晴 1, 中村 美子 1, 清水 荘 1. 東工大 , 2. 上智大 , 3. 東北大 , 4. 山梨大 , 5. 大阪府立大
数 ,e31,f, の評価
雄 1, 折野 裕一郎 1, 黒澤 実 1, 内田 寛 2, 白石 貴久 3, 木
口 賢紀 3, 今野 豊彦 3, 熊田 伸弘 4, 吉村 武 5, 舟窪 浩 1
14:00		 11p-W351-5 強誘電体キャパシタにおける酸素空孔分布の制御〇野口 祐二 1, 松尾 拓紀 2, 宮山 勝 1
1. 東大院工 , 2. 東大新領域
14:15		休憩 /Break1
1
14:30 奨 E 11p-W351-6 Large Electrocaloric Effect in AlxFe2-xO3 Epitaxial Thin
〇 (P)BadariNarayana Aroor Rao , Shintaro Yasui , 1.Tokyo Inst. of Tech., 2.Univ. of Tokyo
Films
Tsukasa Katayama2, Mitsuru Itoh1
14:45		 11p-W351-7 Nd 添加 BFO 強誘電体膜の抵抗スイッチングにおける上 〇江波 卓弥 1, 金子 真之介 1, 高馬 勇 1, 森本 章治 2
1. 金沢大院自然 , 2. 金沢大理工部電極の影響1
1
15:00		 11p-W351-8 プラズマプロセスを用いた BiFeO3 薄膜の酸素欠損と電気 〇今泉 文伸 , 仲田 陸人
1. 小山高専
的特性
15:15		 11p-W351-9 スパッタ法による Si 基板上への BiFeO3 薄膜のエピタキ 〇岡本 直樹 1, 和泉 享兵 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1
1. 阪府院工
シャル成長
1
1
1
1
15:30		 11p-W351-10 ドットパターンを形成した SrTiO3(001) 基板上への〇木村 伶志 , 黒川 悠太 , 中嶋 誠二 , 藤沢 浩訓
1. 兵庫県立大学工学部
BiFeO3 薄膜の製作
15:45		休憩 /Break
16:00
奨 11p-W351-11 SrTiO3/TiO2 エピタキシャルバッファー層の導入が MgO 〇 (DC) 近藤 真矢 1, 山田 智明 1, 吉野 正人 1, 長崎 正 1. 名大工
基板上 (Ba, Sr)TiO3 薄膜の電気・光学特性に与える影響 雅 1
16:15
奨 11p-W351-12 LiNbO3 の極性と焦電効果がグラフェンの電気特性に及 〇安原 雄大 1, 2, 知京 豊裕 2, 小椋 厚志 1, 長田 貴弘 2
1. 明大理工 , 2. 物材機構
ぼす影響
16:30		 11p-W351-13 P(VDF-TrFE) 薄膜の固体ヒートポンプ応用の検討〇松下 裕司 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1
1. 大阪府大工16:45
奨 11p-W351-14 強誘電体 / 半導体ヘテロ接合における負性容量の発現機 〇高田 賢志 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1
1. 阪府大工
構とその時間発展シミュレーション【CS.5】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
3/10(Sun.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
13:45		 10p-W631-1 HfO2 基強誘電体スパッタ薄膜の成長時の酸素分圧が結晶 〇高田 賢志 1, 佐保 勇樹 1, 桐谷 乃輔 1, 吉村 武 1, 芦田 1. 阪府大工
成長・結晶構造に与える影響
淳 1, 藤村 紀文 1
14:00		 10p-W631-2 HfO2 系強誘電体スパッタ薄膜の成長時の酸素分圧が結晶 〇佐保 勇樹 1, 高田 賢志 1, 桐谷 乃輔 1, 吉村 武 1, 芦田 1. 阪府大工
構造・電気特性におよぼす影響
淳 1, 藤村 紀文 1
14:15
E 10p-W631-3 The influence of sputtering condition for ferroelectric〇 MinGee Kim1, Masakazu Kataoka1, Rengie Mark 1.Tokyo Tech.
HfO2 directly deposited on Si(100) by RF magnetron
D. Mailig1, Shun-ichiro Ohmi1
sputtering
14:30		 10p-W631-4 HfO2 薄膜の強誘電相形成におけるドーパントの役割〇森 優樹 1, 西村 知紀 1, 矢嶋 赳彬 1, 右田 真司 2, 鳥海 1. 東大院工 , 2. 産総研
明1
14:45		 10p-W631-5 酸化熱処理による HfO2 強誘電相消失のメカニズム〇矢嶋 赳彬 1, 森 優樹 1, 西村 知紀 1, 鳥海 明 1
1. 東大マテ
15:00		 10p-W631-6 帯電時の斜方晶・単斜晶 HfO2 の安定性：第一原理計算 〇白石 悠人 1, 長澤 立樹 1, 洗平 昌晃 2, 白石 賢二 2, 中 1. 千葉大理 , 2. 名大未来研による検討
山 隆史 1
15:15		休憩 /Break
15:30
招 10p-W631-7 「講演奨励賞受賞記念講演」〇山口 まりな 1, 藤井 章輔 1, 株柳 翔一 1, 上牟田 雄
1. 東芝メモリ
HfO2 強誘電体トンネル接合メモリのサイクル不良メカニ 一 1, 井野 恒洋 1, 中崎 靖 1, 高石 理一郎 1, 市原 玲華 1,
1
ズムの解明
齋藤 真澄
15:45		 10p-W631-8 300 °C 低温形成した HfxZr1 − xO2 薄膜の強誘電性〇女屋 崇 1, 2, 3, 生田目 俊秀 2, 澤本 直美 1, 大井 暁彦 2, 1. 明大 , 2. 物材機構 , 3. 学振特別研究員 DC
池田 直樹 2, 長田 貴弘 2, 小椋 厚志 1
16:00
奨 10p-W631-9 反強誘電体 ZrO2 を有する MIS 構造のユニポーラスイッ 〇 (M2) 多川 友作 1, 更屋 拓哉 1, 平本 俊郎 1, 小林 正 1. 東大生研
チング特性
治1
16:15		 10p-W631-10 強誘電体トランジスタにおいて観察される急峻スロープ 〇右田 真司 1, 太田 裕之 1, 鳥海 明 2
1. 産総研 , 2. 東大院工の起源
16:30 奨 E 10p-W631-11 Polarization Switching as the Cause of Steep Subthreshold 〇 (D)Chengji Jin1, Takuya Saraya1, Toshiro
1.IIS, Univ. of Tokyo
Slope in Ferroelectric FETs
Hiramoto1, Masaharu Kobayashi111
1
1
16:45		 10p-W631-12 TCAD による強誘電体負性容量分極のコヒーレンシーと 〇太田 裕之 , 池上 努 , 福田 浩一 , 服部 淳一 , 浅井 1. 産総研 , 2. 東大
その時間的発展のシミュレーション
栄大 1, 遠藤 和彦 1, 右田 真司 1, 鳥海 明 2
6.2 カーボン系薄膜 / Carbon-based thin films
3/9(Sat.) 13:30 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) M113 会場 (Room M113)
13:30		 9p-M113-1
中性子反射率法による窒素含有 DLC 薄膜の構造評価〇多積 直之 1, 大越 康晴 1, 宮田 登 2, 宮崎 司 2, 矢口 俊 1. 東京電機大学 , 2.CROSS 中性子科学センター
之 1, 本間 彰彦 1
13:45		 9p-M113-2
軟 X 線発光分光および高輝度赤外分光を用いたアモル〇青野 祐美 1, 岸村 浩明 2, 石井 信伍 3, 佐藤 庸平 3, 寺 1. 鹿児島大工 , 2. 防衛大材料 , 3. 東北大多元研
ファス窒化炭素薄膜の化学結合状態評価
内 正己 3
14:00		 9p-M113-3
結晶性の異なる窒化炭素薄膜の合成とその電子物性〇羽渕 仁恵 1, 小林 涼介 1, 青山 宏明 1, 安田 和史 1
1. 岐阜高専
14:15		 9p-M113-4
窒化炭素合成（大気圧窒素プラズマ法）中のプラズマ発 〇財部 健一 1, 平井 正明 1
1. 岡山理科大
光スぺクトル（水素の寄与）
14:30		 9p-M113-5
Ar のマイクロ波放電フローによる C2H2 の解離励起過程 〇伊藤 治彦 1, 津留 紘樹 1
1. 長岡技科大工ー 超励起状態を経由した解離機構
12
1
14:45		 9p-M113-6
プラズマ利用イオン注入法により作製した a-C:H 膜の微 〇中尾 節男 , 崔 埈豪 , 園田 勉
1. 産総研 , 2. 東大工
細構造への負パルス電圧の影響
15:00		 9p-M113-7
プラズマ CVD で合成される a-C:H 膜の構造に及ぼす高密 〇 (M1) 古橋 未悠 1, 上坂 裕之 2
1. 岐阜大院自然 , 2. 岐阜大工
度プラズマ化の影響
1
1
1
1
15:15		 9p-M113-8
CFRP 加工用切削工具への DLC コーティング〇針谷 達 , 出貝 敏 , 谷本 壮 , 須田 善行 , 滝川 浩 1. 豊橋技科大 , 2. オーエスジーコーティングサービス ,史 1, 権田 英修 2, 神谷 雅男 3, 瀧 真 4
3. 伊藤光学 , 4. オンワード技研

6.2 カーボン系薄膜 / Carbon-based thin films
3/9(Sat.) 16:00 - 18:00
			 9p-PA3-1

ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
Si 含有 DLC 膜の局所構造解析（Ⅱ）
〇神田 一浩 1, 長谷川 孝行 1, 2, 赤坂 大樹 3

			 9p-PA3-2

アモルファス炭素膜の熱分解挙動と構造変化の均一性

1. 兵庫県立大高度研 , 2. シンクロトロンアナリシス
LLC, 3. 東京工業大工
1. 東工大 , 2.SLRI

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces〇赤坂 大樹 1, Sarayut Tunmee2, Chanan
Euaruksakun2, Ukit Rittihong2, Ratchadaporn
Supruangnet2, 平田 祐樹 1, 大竹 尚登 1
			 9p-PA3-3
生体分子由来の炭素質スパッタ膜の有機ガス吸着特性〇大森 達生 1, 杉本 岩雄 1, 須田 順子 1, 高橋 和彦 2
1. 東京工科大 , 2. 同志社大			 9p-PA3-4
水素化アモルファスカーボンと Ag による透明遮熱コー〇近藤 裕佑 1, 筧 芳治 1, 佐藤 和郎 1, 松村 直巳 1, 沈 用 1. 大阪産業技術研究所 , 2. 大阪府大院工ティング
球2
			 9p-PA3-5
PBF 溶液による DLC への簡易的なドープ方法の検討〇 (M1C) 藤本 桂大 1, 大越 康晴 1, 平栗 健二 1, 矢口
1. 東京電機大学
俊之 1, 本間 章彦 1
			 9p-PA3-6
グラファイト状窒化炭素薄膜の合成方法の検討とその性 〇小林 涼介 1, 青山 宏明 1, 安田 和史 1, 羽渕 仁恵 1
1. 岐阜高専質			 9p-PA3-7
静電塗布法によるナノアモルファス層状窒化炭素薄膜の 渡辺 貴大 1, 平井 正明 2, 財部 健一 2, 〇大谷 直毅 1
1. 同志社大理工 , 2. 岡山理大理
作製			 9p-PA3-8
アーク蒸着による荷電変換フォイル用ボロンドープカー 〇伊藤 伸一郎 1, 仁科 暢文 1, 金正 倫計 2, 吉本 政弘 2, 1. 同志社理工 , 2. 原子力機構
ボンフォイルの作製
和田 元 1
			 9p-PA3-9
ダイヤモンド中単一 NV センターのパルス光磁気共鳴測 〇永岡 希朗 1, 畑 雄貴 1, 川勝 一斗 1, 石井 邑 1, 福田 諒 1. 早大理工 , 2. 物材機構 , 3. 量研 , 4. 東北大 , 5. 筑波大
定のためのローエンド FPGA へのフォトンカウンタの実 介 1, 寺地 徳之 2, 小野田 忍 3, 大島 武 3, 品田 高宏 4, 川装
原田 洋 1, 磯谷 順一 5, 谷井 孝至 1
			 9p-PA3-10
XRT を用いた転位解析と各転位がデバイスに与える影響 〇明石 直也 1, 藤巻 菜奈子 1, 鹿田 真一 1
1. 関学大理工			 9p-PA3-11
角度分解硬 X 線光電子分光法によるダイヤモンド半導体 〇和田 励虎 1, 滝沢 耕平 1, 加藤 有香子 2, 小倉 政彦 2, 1. 東京都市大学 , 2. 産総研
221
表面の soft-ICP エッチングダメージ評価
牧野 俊晴 , 山崎 聡 , 野平 博司
			 9p-PA3-12
二光子吸収フォトルミネッセンスによるダイヤモンド結 〇大曲 新矢 1, 山田 英明 1, 坪内 信輝 1, 梅沢 仁 1, 茶谷 1. 産総研先進パワエレ
晶欠陥の可視化
原 昭義 1, 竹内 大輔 1
			 9p-PA3-13
MBE によるダイヤモンド (111) 基板上の電気伝導性〇河野 省三 1, 蔭浦 泰資 2, 河合 空 2, Buendia Jorge
1. 早大ナノ・ライフ , 2. 早大理工
AlGaN 薄膜の成長
J.2, 矢部 太一 2, 川原田 洋 1, 2
1
1
12
			 9p-PA3-14
ダイヤモンド半導体素子に対する水素含有絶縁膜の効果 〇宮越 雄太 , 藤井 茉美 , 石河 泰明 , 高橋 清 , 浦岡 1. 奈良先端大 , 2. 日本アルキルアルミ
行治 1
			 9p-PA3-15
熱処理を施したダイヤモンドウエハの結合状態分析〇 (M1) 松本 啓佑 1, 飯塚 完司 1
1. 日工大			 9p-PA3-16
ScAlN/ 多結晶ダイヤモンド SAW 共振子の作製・評価〇小林 勇介 1, 麻尾 裕己 2, 橋本 研也 2, 鹿田 真一 1
1. 関学大理工 , 2. 千葉大工
1, 2
1
		
奨 E 9p-PA3-17
Spectroscopic study on boron-doped ultrananocrystalline 〇 Naofumi Nishikawa , Satoshi Takeichi , Yuki
1.Kyushu Univ., 2.JAIST, 3.Kyutech
diamond thin films synthesized by coaxial arc plasma:
Katamune3, Koichiro Hoshino1, Keisuke Ohdaira2,
Toward the application to UV photodetector
Tsuyoshi Yoshitake1
		
奨 9p-PA3-18
直接照射型慣性核融合用ダイヤモンドカプセルの高品質 〇 (M1) 岩崎 稔広 1, 加藤 弘樹 1, 山田 英明 2, 大曲 新 1. 阪大レーザー研 , 2. 産総研先進パワエレ
化
矢 2, 竹内 大輔 2, 茶谷原 昭義 2, 杢野 由明 2, 福山 祐
司 1, 藤原 宇央 1, 宮西 宏併 1, 弘中 陽一郎 1, 重森 啓介1
3/10(Sun.) 10:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) M113 会場 (Room M113)
10:00		 10a-M113-1 常温接合による SiC-BOX 層 SOI ウェーハの検討〇古賀 祥泰 1, 栗田 一成 1
1. 株式会社 ＳＵＭＣＯ
10:15		 10a-M113-2 銅合金材料への DLC コーティング〇 (B) 金子 眞生 1, 櫻井 賢吾 1, 並木 和茂 2, 藤井 慎
1. 電機大工 , 2. ナミキ・メディカルインストゥルメンツ ,也 3, 森口 秀樹 3, 辻岡 正憲 3, 平栗 健二 1
3. 日本アイ・ティ・エフ
10:30		 10a-M113-3 生体内における Zn-DLC の Zn 溶出評価
〇 (B) 齋藤 一拓 1, 木寺 俊太 1, 藤岡 宏樹 2, 馬目 佳
1. 東京電機大 , 2. 東京慈恵会医科大学 , 3. ナノテック株
信 2, 平塚 傑工 3, 本田 宏志 4, 大越 康晴 1, 佐藤 慶介 1, 式会社 , 4. 株式会社ニチオン
1
平栗 健二
10:45
奨 10a-M113-4 周期的 N-DLC/WC 積層構造を持つ導電性耐摩耗膜の作 〇爲國 公貴 1, 針谷 達 1, 出貝 敏 1, 谷本 壮 1, 須田 善 1. 豊橋技科大 , 2. 石川工試 , 3. 神奈川県立産総研 , 4. 岡山製
行 1, 滝川 浩史 1, 鷹合 滋樹 2, 安井 治之 2, 金子 智 3, 國 県工技センター, 5. 伊藤光学 , 6. オンワード技研
次 真輔 4, 神谷 雅男 5, 瀧 真 6
11:00
奨 10a-M113-5 フィルタードパルスアーク蒸着法を用いたシリコン含有 〇杉江 侑哉 1, 戸谷 陽文 1, 谷本 壮 1, 針谷 達 1, 須田 善 1. 豊橋技科大 , 2. 伊藤光学 , 3. 岡山県工技セ , 4. 神奈川県
DLC 膜の形成
行 1, 滝川 浩史 1, 神谷 雅男 2, 國次 真輔 3, 金子 智 4, 瀧 立産総研 , 5. オンワード技研
真5
11:15		 10a-M113-6 ホウ素添加によるグラファイト状窒化炭素のワイド
小坂 舞人 1, 〇浦上 法之 1, 2, 橋本 佳男 1, 2
1. 信州大学 , 2. 信州大学カーボン研
ギャップ半導体化
3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) M113 会場 (Room M113)
9:00
招 11a-M113-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇大曲 新矢 1, 山田 英明 1, 坪内 信輝 1, 田中 真悟 2, 茶 1. 産総研先進パワエレ , 2. 産総研電池技術 RI
金属原子添加を伴う熱フィラメント CVD 成長によるダイ 谷原 昭義 1, 梅沢 仁 1, 杢野 由明 1, 竹内 大輔 1
ヤモンド転位密度の低減と SBD 特性改善
9:15
奨 11a-M113-2 EBIC を用いたダイヤモンド pn+ 接合におけるリーク電流 〇室岡 拓也 1, 牧野 俊晴 2, 小倉 政彦 2, 加藤 宙光 2, 山 1. 東工大 , 2. 産総研 , 3.Inst. NEEL/CNRSの評価
崎 聡 2, 岩崎 孝之 1, Julien Pernot3, 波多野 睦子 1
9:30		 11a-M113-3 共焦点ラマン分光マッピングを用いたホモエピタキシャ 〇 (PC) 市川 公善 1, 寺地 徳之 1, 嶋岡 毅紘 1, 加藤 有 1. 物材機構 , 2. 産総研
ルダイヤモンド中の転位の評価
香子 2, 小泉 聡 1
9:45
E 11a-M113-4 Electrical readout of diamond MEMS resonators〇 Meiyong Liao1, Haihua Wu1, Liwen Sang1,
1.NIMS
Masataka Imura1, Satoshi Koizumi1
10:00		 11a-M113-5 炭素同位体（12C）を用いたダイヤモンド SAW デバイス 〇藤井 知 1, 2, 寺地 徳之 3, 嶋岡 毅紘 3, 市川 公善 3, 小 1. 沖縄高専 , 2. 東工大 , 3. 物質材料
泉 聡3
10:15		 11a-M113-6 イオン注入したダイヤモンドの高温高圧処理〇福田 玲 1, 山本 直也 1, 村上 洋平 1, 石川 史太郎 1, 2, 1. 愛媛大工 , 2. 愛媛大 GRC
松下 正史 1, 2, 新名 亨 2, 大藤 弘明 2, 入舩 徹男 2
10:30		 11a-M113-7 イオン注入後に高温高圧処理を施したダイヤモンドの面 〇村上 洋平 1, 福田 玲 1, 山本 直也 1, 石川 史太郎 1, 2, 1. 愛媛大工 , 2. 愛媛大 GRC
内元素分布
松下 正史 1, 2, 新名 亨 2, 大藤 弘明 2, 入舩 徹男 2
10:45		 11a-M113-8 イオン注入単結晶ダイヤモンドの高温アニールによる結 〇関 章憲 1, 蔭浦 泰資 2, 平岩 篤 2, 3, 川原田 洋 2, 3, 4
1. トヨタ自動車株式会社 , 2. 早大理工 , 3. 名大未来研 ,晶性向上
4. 早大材研
11:00		 11a-M113-9 ピコ秒レーザー超音波スペクトロスコピーによる高濃度 〇鹿田 真一 1, 長久保 白 2, 荻 博次 2
1. 関学大 理工 , 2. 大阪大 工
B ドープダイヤモンドの弾性定数測定
11:15
奨 11a-M113-10 液体ヘリウム温度以上で動作可能なボロンドープダイヤ 〇森下 葵 1, 露崎 活人 1, 蔭浦 泰資 1, 天野 勝太郎 1, 高 1. 早大理工 , 2. 物材機構 , 3. 早大材研
モンド超伝導量子干渉計
野 義彦 2, 立木 実 2, 大井 修一 2, 有沢 俊一 2, 川原田
洋 1, 311:30
奨 11a-M113-11 ダイヤモンド電解質溶液ゲート FET を受信器とした海水 〇 (B) 蓼沼 佳斗 1, 井山 裕太郎 1, 梶家 美貴 1, 河下 敦 1. 早稲田大学 , 2. 早大材研内での信号伝送
紀 1, ファリナ シャイリ 1, 張 育豪 1, 新谷 幸弘 1, 川原
田 洋 1, 2
3/11(Mon.) 13:15 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) M113 会場 (Room M113)
13:15
招 11p-M113-1 「第 3 回薄膜・表面物理分科会論文賞受賞記念講演」〇松本 翼 1, 加藤 宙光 2, 小山 和博 3, 牧野 俊晴 2, 小倉 1. 金沢大 , 2. 産総研 , 3. デンソー
反転層チャネルダイヤモンド MOSFET の実証
政彦 2, 竹内 大輔 2, 猪熊 孝夫 1, 山崎 聡 1, 2, 徳田 規
夫 1, 2
13:45
E 11p-M113-2 Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond〇 Niloy Chandra Saha1, Kazutoshi Takahashi2,
1.Saga univ., 2.SL Center, Saga Univ.
heterointerface determined by synchrotron x-ray
Masaki Imamura2, Makoto Kasu1
photoelectron spectroscopy

6.3 酸化物エレクトロニクス / Oxide electronics
14:00

奨 11p-M113-3

14:15

奨 11p-M113-4

14:30		 11p-M113-5
14:45		 11p-M113-6
15:00

E 11p-M113-7

15:15		15:30		 11p-M113-8

縦型 2DHG ダイヤモンド MOSFET ; ゲート幅 10 mm での大電流動作 (~1 A) の達成
相補型高周波増幅器応用に向けた (111) ダイヤモンド
MOSFETs の高周波特性評価
ゲート・オーバーラップ構造の水素終端ダイヤモンド
MOSFET のシミュレーション
メタルマスクを用いた (111) ダイヤモンド選択成長と水素終端ダイヤモンド FET への応用
Development of hydrogenated diamond triple-gate
fin-type MOSFETs
休憩 /Break
ナノダイヤモンド NV 中心のスピン特性と表面酸化〇 (B) 西村 隼 1, 大井 信敬 1, 岩瀧 雅幸 1, 露崎 活人 1,
大久保 智 1, 蔭浦 泰資 1, 平岩 篤 1, 2, 川原田 洋 1, 3
〇 (B) 久樂 顕 1, 今西 祥一朗 1, 大井 信敬 1, 大久保
智 1, 堀川 清貴 1, 蔭浦 泰資 1, 平岩 篤 1, 川原田 洋 1, 2
〇王 聞欣 1, 畢 特 1, 川原田 洋 1

1. 早大理工 , 2. 名大未来研 , 3. 早大材研

〇井村 将隆 1, 大里 啓孝 1, 廖 梅勇 1, 小出 康夫 1

1. 物材機構〇 Jiangwei LIU1, Hirotaka Ohsato1, Bo Da1, Yasuo

1.NIMS

Koide1

1. 早稲田大学 , 2. 早大材研1. 早稲田大学〇藤原 正澄 1, 2, 塚原 隆太 1, 世良 佳彦 1, 西村 勇姿 2, 1. 関学大理工 , 2. 阪市大院理 , 3.Microdiamant 社
須貝 祐子 1, Jentgens Christian3, 手木 芳男 2, 鹿田 真
一 1, 橋本 秀樹 1
15:45		 11p-M113-9 アンテナ集積化細胞培養ディッシュの開発と幹細胞ナノ 〇藤原 正澄 1, 湯川 博 2, 小林 香央里 2, 梅原 有美 1, 公 1. 阪市大院理 , 2. 名大院工 , 3. 東工大院工 , 4. 関学大理工
ダイヤモンド量子温度センシング
文 優花 2, 宮地 冬 2, 岩崎 孝之 3, 波多野 睦子 3, 橋本 秀
樹 4, 馬場 嘉信 2
16:00		 11p-M113-10 細胞内温度イメージングに向けたワイドフィールド光検 〇西村 勇姿 1, 公文 優花 2, 宮地 冬 2, 松原 勤 3, 湯川
1. 阪市大院理 , 2. 名大院工 , 3. 阪市大院医出電子スピン共鳴測定法の構築
博 2, 馬場 嘉信 2, 藤原 正澄 1, 手木 芳男 1
16:15 奨 E 11p-M113-11 Microwave field enhancement at micro-scale and imaging 〇 (D)Giacomo Mariani1, Shuhei Nomoto1, Satoshi 1.Univ. of Tsukuba, 2.Nagoya Univ., 3.AIST
by NV centers in diamond
Kashiwaya2, 3, Shintaro Nomura1
16:30		 11p-M113-12 単一 NV 中心の観測が可能な小型測定装置の開発〇御園生 大器 1, 佐々木 健人 1, 石津 俊太郎 1, 伊藤 公 1. 慶大理工 , 2. 慶大先導研
平 1, 2, 門内 靖明 1, 阿部 英介 2
16:45
奨 11p-M113-13 高被覆率窒素終端 (111) ダイヤモンドの作製〇 (B) 立石 哲也 1, 薗田 隆弘 1, 河合 空 1, 山野 颯 1,
1. 早大理工 , 2. 量研 , 3. 群馬大 , 4. メルボルン大 , 5. 兵庫
Jorge J. Buendia1, 蔭浦 泰資 1, 石井 邑 1, 永岡 希朗 1, 県立大 , 6.SALLC, 7.NIMS, 8. 筑波大 , 9. 早大材研福田 諒介 1, 谷井 孝至 1, 春山 盛善 2, 3, 山田 圭介 2, 小野田 忍 2, 加田 渉 3, 花泉 修 3, Alastair Stacey4, 神田
一浩 5, 上村 雅治 5, 6, 寺地 徳之 7, 磯谷 順一 8, 河野 省
三 9, 川原田 洋 1, 9
17:00		休憩 /Break
17:15		 11p-M113-14 重い IV 族元素を用いたダイヤモンド中のカラーセンター 〇岩崎 孝之 1, 宮本 良之 2, 谷口 尚 3, Petr Siyushev4, 1. 東工大 , 2. 産総研 , 3. 物材機構 , 4. ウルム大Mathias Metsch4, Fedor Jelezko4, 波多野 睦子 1
17:30		 11p-M113-15 ナノダイヤモンド中の NV センター形成のための欠陥エ 〇阿部 浩之 1, 長田 健介 2, 武山 昭憲 1, 寺田 大紀 3, 長 1. 量研高崎 , 2. 量研放医研 , 3. 京都大学 , 4. 群馬大学
ンジニアリング
谷川 伸 1, 吉村 公男 1, 小野田 忍 1, 樋口 康成 1, 4, 加田

渉 4, 花泉 修 4, 白川 昌宏 3, 青木 伊地男 2, 大島 武 1
奨 11p-M113-16 C5N4Hn イオン注入による双極子結合した NV センターの 〇春山 盛善 1, 2, 小野田 忍 2, 樋口 泰成 1, 2, 加田 渉 1, 千 1. 群馬大学 , 2. 量研 , 3. 物材機構 , 4. 早稲田大学 , 5. 筑波形成
葉 敦也 2, 平野 貴美 2, 寺地 徳之 3, 五十嵐 龍治 2, 河合 大学
空 4, 川原田 洋 4, 石井 邑 4, 2, 福田 諒介 4, 2, 谷井 孝至 4,磯谷 順一 5, 大島 武 2, 花泉 修 1
18:00
奨 11p-M113-17 ロックイン検出によるダイヤモンド量子センサの DC 磁 〇鈴木 克 1, 辻 赳行 1, 増山 雄太 1, 岩﨑 孝之 1, 波多野 1. 東工大
気感度向上
睦子 1
18:15
奨 11p-M113-18 ポータブルな量子磁気センサに向けたロックイン検出法 〇増山 雄太 1, 辻 赳行 1, 鈴木 克 1, 岩﨑 孝之 1, 波多野 1. 東工大の検証
睦子 1
18:30		 11p-M113-19 ダイヤモンド NV 量子センサーを用いた交流磁場位相測 〇石川 豊史 1, 吉澤 明男 1, 柏谷 聡 1, 2, 馬渡 康徳 1, 渡 1. 産総研 , 2. 名古屋大工定邊 幸志 1
18:45		 11p-M113-20 NV 中心の電気的磁気共鳴検出における電極構造の最適 〇森下 弘樹 1, 小林 悟士 1, 山崎 聡 2, 水落 憲和 1
1. 京大化研 , 2. 産総研
化
6.3 酸化物エレクトロニクス / Oxide electronics
3/9(Sat.) 9:00 - 11:30
口頭講演 (Oral Presentation) W933 会場 (Room W933)
9:00		 9a-W933-1
モリブデン系酸化物人工超格子による超伝導の理論的検 〇 (M1) 山科 直也 1, 高津 浩 1, 黒木 和彦 2, 越智 正之 2, 1. 京大工 , 2. 阪大理
討
陰山 洋 1
9:15		 9a-W933-2
YbFe2O4 薄膜の化学組成が電気・磁気的特性におよぼす 〇田中 淳平 1, 三浦 光平 1, 桐谷 乃輔 1, 吉村 武 1, 芦田 1. 阪府大工影響Ⅱ
淳 1, 藤村 紀文 1
9:30		 9a-W933-3
岩塩型超伝導 / 強磁性ヘテロエピタキシャル薄膜：LaO/ 〇神永 健一 1, 岡 大地 2, 岡 博文 1, 福村 知昭 1, 2, 3, 4
1. 東北大 WPI-AIMR, 2. 東北大院理 , 3. 東北大 CSIS,
EuO
4. 東北大 CSRN
9:45		 9a-W933-4
Co,Si 置換 Lu3Fe5O12 スピンクラスターグラス薄膜におけ 〇山原 弘靖 1, Sarkar Md Shamim1, 鈴木 雄大 1, 関 宗 1. 東大院工1
1
る低温スローダイナミクスとスピン波励起寿命
俊 , 田畑 仁
10:00		休憩 /Break10:15
招 9a-W933-5 「講演奨励賞受賞記念講演」〇片山 司 1, 真柄 健斗 1, 毛 司辰 1, 倉内 裕史 1, 近松
1. 東大
ダブルペロブスカイト型 GdBaCo2Ox 薄膜 (x = 5.5 − 6) の 彰 1, 長谷川 哲也 1
磁気・輸送特性10:30		 9a-W933-6
PLD 手法を用いた SrTiO3 薄膜の成長における He ガスの 〇高橋 竜太 1, 2, 李 智蓮 1, リップマー ミック 1
1. 東大物性研 , 2.JST さきがけ
効果
10:45		 9a-W933-7
VLS 結晶成長界面に基づいた Sb-SnO2 ナノワイヤの電気 Zetao Zhu1, 高橋 綱己 1, 細見 拓郎 1, 長島 一樹 1, 金井 1. 九大先導研
伝導度制御
真樹 1, 〇柳田 剛 1
11:00		 9a-W933-8
層状 LiNbO2 における p 型透明超伝導 : NbO6 三角柱が創 〇 (DC) 相馬 拓人 1, 吉松 公平 1, 堀場 弘司 2, 3, 組頭
1. 東工大物質理工学院 , 2.KEK-PF, 3. 元素戦略
る新規電子状態
広志 2, 3, 大友 明 1, 3
11:15		 9a-W933-9
NdNiO3 ナノ細線の作製と電子相閉じ込め効果の観測〇山中 天志 1, 服部 梓 1, 2, 服部 賢 3, 大門 寛 3, 田中 秀 1. 阪大産研 , 2.JST さきがけ , 3. 奈良先端大
和1
3/9(Sat.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 9p-PA4-1
単一 VO2 積層デバイスによる協調発振現象〇戸部 龍太 1, 沖村 邦雄 1, ミヤ モハメッド シュル 1. 東海大院工ズ1
			 9p-PA4-2
ペロブスカイト型 BaNbO3 エピタキシャル薄膜の合成と 〇徳永 凌祐 1, 岡 大地 1, 2, 福田 慎太郎 2, 福村 知
1. 東北大理 , 2. 東北大院理 , 3. 東北大 WPI-AIMR, 4. 東電気伝導性
昭 1, 2, 3, 4
北大 Core Research Cluster
1222
			 9p-PA4-3
ZnO ナノロッド /glass 上への VO2 薄膜成長及び光学特性 〇福住 達郎 , 伊藤 大樹 , 児島 永悟 , 陳 飛 , 沖村 邦 1. 東海大院工 , 2. 東海大工 , 3. 産総研(Ⅱ)
雄 1, 山口 巌 3, 土屋 哲男 3		
奨 9p-PA4-4
MoO3 で保護した ReO3 薄膜における超伝導的な振る舞い 〇 (M1) 清宮 健 1, 清水 亮太 1, 2, 西尾 和記 1, 一杉 太 1. 東工大物質理工 , 2.JST さきがけ郎1
			 9p-PA4-5
λ相 Ti3O5 エピタキシャル薄膜におけるシード層からの 〇陳 昊 1, 廣瀬 靖 1, 長谷川 哲也 1
1. 東大院理
Mg 拡散の効果
			 9p-PA4-6
フレキシブル薄膜における VO2 を用いた歪みの光学的測 〇 (M2) 小川 幸大 1, 高橋 竜太 1, 2, リップマー ミッ
1. 東大物性研 , 2.JST さきがけ
定ク1
			 9p-PA4-7
マルチフェロイック酸窒化物 MnTaO2N の磁性の理論計 〇毛 司辰 1, 片山 司 1, 倉内 裕史 1, 廣瀬 靖 1, 長谷川 哲 1. 東大院理算也1
			 9p-PA4-8
SH 型 SAW パイプセンサの作製に向けた石英ガラス管へ 〇 (M2) 篁 佑太 1, 高柳 真司 2, 柳谷 隆彦 3, 松川 真美 1 1. 同志社大 , 2. 名工大 , 3. 早大の c 軸平行配向 ZnO 膜の形成
			 9p-PA4-9
層状 p 型半導体 LiRhO2 の薄膜成長と電気伝導性制御〇 (DC) 相馬 拓人 1, 吉松 公平 1, 大友 明 1, 2
1. 東工大物質理工学院 , 2. 元素戦略

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

17:45

6.3 酸化物エレクトロニクス / Oxide electronics
			 9p-PA4-10

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

トポタクティックフッ素ドープによる La0.1Sr1.9IrO4-xFy 薄 〇丸山 敬裕 1, 近松 彰 1, 片山 司 1, 倉持 建汰 2, 3, 荻野 1. 東大院理 , 2. 産総研 , 3. 東理大 , 4.KEK, 5. 東北大多元膜の作製
拓 2, 北村 未歩 4, 堀場 弘司 4, 組頭 広志 4, 5, 長谷川 哲 研也1
			 9p-PA4-11
Cu と NiSi を用いた抵抗変化型不揮発性メモリ〇仲山 広記 1, 塚本 貴広 2, 雑賀 章浩 3, 加藤 格 3, 鮫島 1. 東京農工大院工 , 2. 電気通信大 , 3. 東京高専
俊之 1, 須田 良幸 1
			 9p-PA4-12
Ga ベース液体金属合金の表面酸化膜制御による抵抗変化 〇 (B) 西郷 太輔 1, 小牧 秀和 1, 馬場 稔也 1, 番 貴彦 1, 1. 龍谷大理工
素子への応用
山本 伸一 1
			 9p-PA4-13
パルス印加による分子膜ギャップ型原子スイッチの動作 〇有馬 知里 1, 鶴岡 徹 2, 内藤 泰久 3, 島 久 3, 秋永 広 1. 早大理工 , 2. 物材機構 , 3. 産総研
確率分布計測幸 3, 長谷川 剛 1
			 9p-PA4-14
ウェットプロセスによる Ta2O5, HfO2 を用いた抵抗変化 〇小牧 秀和 1, 西郷 太輔 1, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大理工型素子の比較
			 9p-PA4-15
Ag/HfO2/Pt 接合型原子スイッチ動作の電圧 , HfO2 膜厚 , 〇 (B) 和田 直也 1, 長谷川 剛 1
1. 早大応物
温度依存性測定11
			 9p-PA4-16
Ag/WOx/Pt 接合型原子スイッチ動作の電圧 / 膜厚 / 温度 〇 (B) 寺村 まどか , 長谷川 剛
1. 早大応物依存性
			 9p-PA4-17
傾斜ミリングによる三端子綱引き素子の作製〇 (M1) 平谷 航 1, 2, 内藤 泰久 2, 島 久 2, 角谷 透 2, 高橋 1. 早大先進理工 , 2. 産総研
慎 2, 秋永 広幸 2, 長谷川 剛 1
			 9p-PA4-18
溶媒供給が導電性ブリッジメモリのフィラメント成長に 〇 (B) 佐藤 洋士 1, 清水 敦史 1, 木下 健太郎 1
1. 東理大理及ぼす影響			 9p-PA4-19
Ni 原子移動制御型分子膜ギャップ型原子スイッチの開発 〇 (B) 甲賀 優希 1, 長谷川 剛 1
1. 早大応物		
奨 9p-PA4-20
マイクロ波加熱を用いた Nb ドープ TiO2 薄膜の固相結晶 〇 (B) 保崎 正道 1, 松久 将之 1, 遊馬 博明 1, 中尾 祥一 1.Tokyo Tech, 2.Univ. of Tokyo, 3.JST-PRESTO
化郎 2, 長谷川 哲也 2, 清水 亮太 1, 3, 西尾 和記 1, 和田 雄
二 1, 一杉 太郎 1
			 9p-PA4-21
縮退した多結晶透明導電性半導体薄膜のキャリア輸送に 〇宮田 俊弘 1, 南 内嗣 1
1. 金沢工大 OEDS R&D センター
対する粒界の影響
			 9p-PA4-22
Al ドープ ZnO 薄膜の電気的特性の径方向分布に及ぼすス 〇諏訪 翁紀 1, 今泉 悟 1, 津田 和希 1, 中村 忠 1, 沖村 邦 1. 東海大院工
パッタ RF 電力及び He 希釈の効果
雄1
		
奨 9p-PA4-23
RHEED 用電子線照射による単結晶β -Ga2O3(010) の青 〇大上 丞 1, 加納 朱杜 1, 武田 さくら 1, 加藤 有香子 2, 1. 奈良先端大 , 2. 産総研
色カソードルミネッセンス
大門 寛 1
			 9p-PA4-24
可視光線下で光触媒反応する BiVO4 の作製及び特性評価 〇加藤 大翼 1, 馬場 稔也 1, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大理工			 9p-PA4-25
化学的剥離による TiO2 ナノチューブアレイと Pd 膜の二 〇鈴木 普仁 1, 野田 啓 1, 浅井 潤樹 1
1. 慶應大理工層メンブレンの作製
			 9p-PA4-26
ペロブスカイト酸窒化物 CaTaO2N のエピタキシャル成長 〇若杉 択人 1, 廣瀬 靖 1, 中尾 祥一朗 1, 原山 勲 2, 杉澤 1. 東大院理 , 2. 筑波大の基板依存性悠紀 2, 菊田 純市 2, 関場 大一郎 2, 長谷川 哲也 1
		奨 E 9p-PA4-27
Microwave-Assisted H2O Oxidation-Derived〇 (D)Christian Ocson Pelicano1, Hisao Yanagi1
1.NAIST
Nanostructured Zinc Oxide Films as ElectronTransporting Layer for Solar Cells
			 9p-PA4-28
モル比変化による BiVO4 粉末の作製と特性評価〇大畑 裕介 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大理工			 9p-PA4-29
充放電サイクル後の「LiCoO2-BaTiO3- 電解液」三相界 〇 (DC) 安原 颯 1, 吉川 裕未 2, 寺西 貴志 2, 坂田 修
1. 東工大 , 2. 岡山大 , 3.NIMS/SPring-8, 4. 名古屋大
3
1
4
1
面の観察
身 , 安井 伸太郎 , 谷山 智康 , 伊藤 満
11
			 9p-PA4-30
MOCVD 法で作製した Garnet 型リチウムイオン導電体 〇浮島 禎之 , 塚原 尚希
1. アルバック未来研
LLZ 膜
3/10(Sun.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) W641 会場 (Room W641)
9:00		 10a-W641-1 高圧相α -PbO2 型 TiO2 エピタキシャル薄膜の平坦化〇 (M2) 笹原 悠輝 1, 金谷 航葵 1, 松久 将之 1, 遊馬 博 1. 東工大物質理工 , 2.JST さきがけ , 3. 東工大フロンティ
明 1, 西尾 和記 1, 清水 亮太 1, 2, 西山 宣正 3, 一杉 太郎 1 ア
9:15		 10a-W641-2 NiO/ZnO ヘテロ界面におけるポストプロセスの影響と 〇加藤 匠秀 1, 竹内 航平 1, 王 澤樺 1, 田沼 涼 1, 杉山
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
劣化メカニズムの検討
睦 1, 2
9:30		 10a-W641-3 HfO2 を用いたチャージトラップメモリのアナログ特性に 〇吉仲 泰萌 1, 榎本 翔汰 1, 畑本 正浩 1, 奈良 安雄 1
1. 兵庫県立大工
対する PDA 条件依存性
1
1
2
9:45		 10a-W641-4 フレキシブル VO2 薄膜を用いた超高感度歪みセンサーの 〇遠藤 史也 , 神吉 輝夫 , Luca Pellegrino , Nicola
1. 阪大産研 , 2.CNR-SPIN, 3.Genova Univ.
創製
Manca3, Daniele Marre2, 3, 田中 秀和 1
10:00		 10a-W641-5 六方晶窒化ホウ素上 VO2 の金属絶縁体相転移に伴う抵抗 〇玄地 真悟 1, 山本 真人 1, 神吉 輝夫 1, 渡邊 賢司 2, 谷 1. 阪大産研 , 2. 物材機構
変化の素子サイズ依存性
口 尚 2, 田中 秀和 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 10a-W641-6 強誘電性 HfO2 ゲート３端子素子による VO2 電気伝導度 〇矢嶋 赳彬 1, 西村 知紀 1, 鳥海 明 1
1. 東大マテの変調
10:45
奨 10a-W641-7 K 蒸着した VO2 薄膜における単斜晶系金属相の出現〇志賀 大亮 1, 2, 簔原 誠人 2, 北村 未歩 2, 湯川 龍 2, 堀 1. 東北大多元研 , 2.KEK 物構研
場 弘司 2, 組頭 広志 1, 2
11:00
奨 10a-W641-8 CeCu3Mn4O12 薄膜への面内圧縮歪みの付与と垂直磁気異 〇山本 一理 1, 清水 啓佑 1, 重松 圭 1, 東 正樹 1
1. 東工大フロンティア材料研
方性11:15 奨 E 10a-W641-9 Nanoscale dynamics of oxygen ions in SrFeO2.5+d epitaxial 〇 (P)Yooun Heo1, Daisuke Kan1, Yuichi Shimakawa1 1.Kyoto Univ.
thin films
11:30
奨 10a-W641-10 SrRuO3 薄膜のトポロジカルホール効果的振舞いの電界変 〇 (M2) 小林 顕斗 1, 菅 大介 1, 島川 祐一 1
1. 京大化研
調とその解釈3/10(Sun.) 13:45 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) W641 会場 (Room W641)
13:45		 10p-W641-1 電子デバイスへの応用に向けた NiO 薄膜および NiO/ 絶 〇岡田 浩明 1, 王 澤樺 1, 田沼 涼 1, 杉山 睦 1, 2
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
縁膜に与えるポストプロセスの影響
14:00		 10p-W641-2 RF スパッタ法で作製した AZO 透明導電膜特性における 〇奥村 英之 1, 濱田 海里 1, 小川 敬也 1, 石原 慶一 1
1. 京大エネ科
基板表面ラフネスの影響
14:15		 10p-W641-3 Ta2O5 原子スイッチにおける水導入効果〇 (D) 相場 諒 1, 木口 学 1, 鶴岡 徹 2, 寺部 一弥 2
1. 東工大院理 , 2. 物材機構
14:30		 10p-W641-4 電気計測に基づく原子スイッチ中における金属フィラメ 〇 (B) 小泉 凌太 1, 相場 諒 1, 金子 哲 1, 木口 学 1
1. 東工大理
ント形成過程の解明
14:45		 10p-W641-5 TaOx 薄膜を用いたアナログ抵抗変化素子中の酸素分布に 〇島 久 1, 高橋 慎 1, 内藤 泰久 1, 秋永 広幸 1
1. 産総研ナノエレクトロニクス研究部門
依存して観測される競合的な抵抗変化
15:00		 10p-W641-6 シリコンナノ結晶塗布薄膜における酸素空孔フィラメン 〇河内 剛史 1, 加納 伸也 1, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工トの形成過程15:15		 10p-W641-7 多結晶 HfO2 における酸素欠陥の拡散・凝集箇所に関す 〇 (M2) 肥田 聡太 1, 2, 3, 森田 巧 1, 山崎 隆浩 3, 奈良
1. 東理大理 , 2. 鳥取大工 , 3. 物材機構
る理論的検討純 3, 大野 隆央 3, 木下 健太郎 1
15:30		 10p-W641-8 多結晶 NiO 薄膜における溶媒供給効果の理論的検討〇 (M2) 肥田 聡太 1, 2, 3, 酒井 貴弘 1, 森田 巧 1, 山崎 隆 1. 東理大理 , 2. 鳥取大工 , 3. 物材機構
浩 3, 奈良 純 3, 大野 隆央 3, 木下 健太郎 1
15:45		休憩 /Break
16:00 奨 E 10p-W641-9 Silicon-doped indium oxide thin-film transistor fabricated 〇 Ha Hoang1, Kazutaka Sasaki1, Tatsuki Hori1,
1.Kwansei Gakuin Univ., 2.NIMS, 3.VNU Hanoi
via spin coating
Kazuhito Tsukagoshi2, Toshihide Nabatame2, Bui
Nguyen Quoc Trinh3, Aikihiko Fujiwara1
16:15		 10p-W641-10 Pt/TaOx/Ta2O5/Pt 素子における準高抵抗状態の発現〇 (M1) 宮谷 俊輝 1, 西 佑介 1, 木本 恒暢 1
1. 京大院工16:30
奨 10p-W641-11 Pt/TaOx/Ta2O5/Pt 素子の直流および交流コンダクタンス 〇 (M1) 宮谷 俊輝 1, 西 佑介 1, 木本 恒暢 1
1. 京大院工の温度依存性の解析

6.4 薄膜新材料 / Thin films and New materials

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

16:45

奨 10p-W641-12 TiO2-x エピタキシャル薄膜を用いた４端子メモリスタ素 〇三宅 亮太郎 1, 藤平 哲也 1, 酒井 朗 1
1. 阪大基礎工
子の抵抗変化特性
17:00
奨 10p-W641-13 Ti/Pr0.7Ca0.3MnOx/Pt 素子における 2 種類の抵抗変化現象 〇金上 尚毅 1, 西 佑介 1, 木本 恒暢 1
1. 京大院工17:15
奨 10p-W641-14 素子領域へのプローブ接触が抵抗スイッチング特性に与 〇落合 克行 1, 2, 木下 健太郎 1, 金子 拓海 1, 上沼 睦
1. 東理大理 , 2. 鳥取大工 , 3. 奈良先端大
える影響
典 3, 浦岡 行治 3
1, 2
1
1
17:30
奨 10p-W641-15 MOF 単結晶の選択成長による微細 CBRAM 素子への導入 〇 (M1) 清水 敦史 , 木下 健太郎 , 中畝 悠介 , 島
1. 東理大理 , 2. 産総研
久 2, 高橋 慎 2, 内藤 泰久 2, 秋永 広幸 2
17:45
奨 10p-W641-16 CBRAM のフォーミング過程における TEM その場観察〇武藤 恵 1, 酒井 慎弥 1, 福地 厚 1, 有田 正志 1, 高橋 庸 1. 北大院情報夫1
18:00
奨 10p-W641-17 低電流動作時の Cu/MoOx/Al2O3 CBRAM における
石川 竜介 1, 〇有馬 克紀 1, 福地 厚 1, 有田 正志 1, 高橋 1. 北大院情報 , 2. 九大超顕微セCu-CF の観察
庸夫 1, 工藤 昌輝 2, 松村 晶 2
3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) W641 会場 (Room W641)
9:00
奨 11a-W641-1 Cu 添加量による NCO 薄膜の物性変化〇 (M1) 平野 雅也 1, 石丸 大智 1, 伊藤 賢哉 1, 森田 廣 1 1. 山口東京理科大工
9:15		 11a-W641-2 電気化学測定による Cu2O 薄膜のパルス電着過程の追跡 〇柵木 光 1, 宮内 勇人 1, Shivaji B. Sadale2, 野田 啓 1 1. 慶應大理工 , 2. シバジ大学
9:30
E 11a-W641-3 Fabrication of p-type CoGa2O4 thin film and its〇 (M1)Jiaxin Chen1, Hang Zhou1, Munetoshi Seki1, 1.University of Tokyo
photoelectrochemical properties
Hitoshi Tabata1
9:45
奨 11a-W641-4 アナターゼ型 Nb ドープ TiO2 エピタキシャル薄膜を用い 〇今関 大輔 1, 西尾 和記 1, 中村 直人 1, 清水 亮太 1, 2, 1. 東京工業大学 , 2.JST さきがけた全固体 Li 電池における固体電解質 / 電極界面研究
一杉 太郎 1
10:00		 11a-W641-5 Li 蒸気結晶成長法による高配向性多孔質コバルト酸リチ 〇橘田 晃宜 1, 倉谷 健太郎 1
1. 産総研ウム結晶膜の作製
10:15		休憩 /Break
10:30
奨 11a-W641-6 5 V 級正極材料 LiCo0.5Mn1.5O4 エピタキシャル薄膜を用い 〇中山 亮 1, 西尾 和記 1, 中村 直人 1, 清水 亮太 1, 2, 一 1. 東工大物質理工 , 2.JST- さきがけた全固体 Li 電池の作製と評価
杉 太郎 1
10:45
奨 11a-W641-7 V2O5 正極を用いた全固体リチウムイオン薄膜電池の作製 〇金澤 翔吾 1, 馬場 友章 1, 神野 伊策 1
1. 神戸大工
11:00
奨 11a-W641-8 Li3PO4/LiCoO2 界面における大きな界面抵抗をアニール 〇小林 成 1, 清水 亮太 1, 2, 渡邊 佑紀 1, 西尾 和記 1, 一 1. 東工大物質理工 , 2.JST さきがけ
により低減する
杉 太郎 1
11:15		 11a-W641-9 全固体 Li 電池の界面抵抗低減：〇西尾 和記 1, 白澤 徹郎 2, 清水 康司 3, 中村 直人 1, 渡 1. 東工大物質理工 , 2. 産総研 , 3. 東大工 , 4. さきがけ
LaAlO3 挿入による LiCoO2 薄膜正極 /Nb:SrTiO3 集電体の 邊 聡 3, 清水 亮太 1, 4, 一杉 太郎 1
バンドオフセット制御
11:30
奨 11a-W641-10 全固体電気二重層をゲートとした InGaZnO トランジスタ 〇渡邉 佳孝 1, 浅野 哲也 1, 藤井 茉美 1, Juan Paolo
1. 奈良先端大の作製と動作検証
Bermundo1, 石河 泰明 1, 浦岡 行治 1, 足立 秀明 1
6.4 薄膜新材料 / Thin films and New materials
3/9(Sat.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) W323 会場 (Room W323)
9:00		 9a-W323-1
ディスコティック液晶の相転移温度と分子配向に及ぼす 衣笠 健太郎 1, 〇小菅 洋輔 1, 水谷 義 1
1. 同志社大理工
置換基効果
9:15		 9a-W323-2
マイクロ波による急速加熱を利用した色素増感太陽電池 〇鈴木 康介 1, 池谷 綾斗 1, 奥谷 昌之 1
1. 静岡大院工の作製
9:30		 9a-W323-3
SnO2 微粒子光散乱層導入による FTO 膜のヘイズ率制御 山下 佑海 1, 佐藤 純 1, 〇奥谷 昌之 1
1. 静岡大院工と色素増感太陽電池の高効率化
9:45		 9a-W323-4
非平衡液中プラズマを利用した新規製膜装置の開発と〇眞弓 慎司 1, 鷺坂 潤平 1, 奥村 亮祐 1, 奥谷 昌之 1
1. 静岡大院工TiO2 膜の作製
10:00		 9a-W323-5
キレートフレーム法によりアルミニウム合金 A5052 上に 〇 (D) 淡 エンキン 1, 中村 淳 2, 1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀 1. 長岡技科大学 , 2. 中部キレスト
作製した酸化物膜の断熱特性
俊1
10:15		 9a-W323-6
アセチルアセトナート錯体を原料とした酸化物フレーム 〇 (B) 郭 振宇 1, 土生 陽一郎 2, 竹内 純一 2, 小松 啓
1. 長岡技科大 , 2. トーカロ株式会社
コーティング法による Y2O3 膜の合成
志 1, 齋藤 秀俊 1
1
2, 1
1
1
10:30		 9a-W323-7
形状の異なる 2 種類の EDTA 錯体を原料とした金属酸化 〇菊池 泰斗 , 中村 淳 , 小松 啓志 , 齋藤 秀俊
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
物膜の合成
10:45		 9a-W323-8
EDTA 金属錯体溶液から合成した酸化物を被覆したモル 〇工藤 拓也 1, 中村 淳 1, 2, 下村 匠 1, 平池 智弘 3, 小松 1. 長岡技術科学大学 , 2. 中部キレスト , 3. 株式会社本間タルの遮水性啓志 1, 齋藤 秀俊 1組
11:00		休憩 /Break
11:15		 9a-W323-9
ウルツ鉱型 (Al,M)N (M= 遷移金属元素 ) の NTC サーミ 〇藤田 利晃 1, 田中 寛 1, 長友 憲昭 1
1. 三菱マテリアル
スタ特性
11:30		 9a-W323-10 Cr 基ひずみセンサ薄膜における横感度とネール温度の関 〇丹羽 英二 1
1. 電磁研係
12
3
2
11:45		 9a-W323-11 Ti0.4V0.6O2/TiO2(100) 膜界面近傍のスピノーダル分解〇村岡 祐治 , 吉井 文哉 , 福田 貴優 , 真部 侑司 , 安 1. 岡山大基礎研 , 2. 岡山大院自然科学 , 3. 岡山大理
野 実希子 2, 竹元 嘉利 2, 寺嶋 健成 1, 脇田 高徳 1, 横谷
尚睦 1
12:00		 9a-W323-12 過酸化相を核とする再結晶を利用した Si 基板上 VO2 薄膜 〇松岡 耕平 1, 沖村 邦雄 1
1. 東海大院工の配向成長 ― 基板バイアス印加スパッタ法による再結
晶化 ―3/9(Sat.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 9p-PA1-1
油滑落性コーティング〇久保田 夏実 1, 吉田 育弘 1, 寺井 護 1
1. 三菱電機（株）
			 9p-PA1-2
ガラスおよび Si 基板上に作製した (001) 配向 CoxFe3-xO4 〇安田 敬太 1, 西川 雅美 1, 石橋 隆幸 1
1. 長岡技大工
薄膜の EBSD による評価
			 9p-PA1-3
多層固相エピタキシー法による La2O2Sb エピタキシャル 〇山本 裕貴 1, 河底 秀幸 1, 福村 知昭 1, 2, 3, 4
1. 東北大理 , 2. 東北大 WPI-AIMR, 3. 東北大 CSIS, 4. 東
薄膜の合成
北大 CSRN
1
1
			 9p-PA1-4
ステップ状分光透過率をもつ光学フィルターの作製〇佐藤 一輝 , 樋口 博明
1. 朝日分光11
			 9p-PA1-5
スパッタリング法を用いて作製したマグネタイト薄膜の 〇伊藤 拓真 , 柳原 英人
1. 筑波大物工
プロセスガス種依存性
			 9p-PA1-6
表面プラズモン共鳴による遷移金属ダイカルコゲナイド 〇鎌田 隼 1, 森下 敦 1, 中河 義典 2, 岡本 敏弘 1, 原口 雅 1. 徳島大学 , 2. 日亜化学工業の光学特性評価
宣1
			 9p-PA1-7
トライオード電極構造による帯電ミスト輸送過程の診断 〇黒木 宇紀 1, 今井 滉貴 1, 原田 大輔 1, 黒須 俊治 2, 中 1. 埼玉大理工研 , 2. 東洋大 BNERC 研
島 義賢 2, 藤井 康彦 2, 徳田 正秀 2, 花尻 達郎 2, 石川良 1, 白井 肇 1
			 9p-PA1-8
静電加速器での 16O( α , α )16O による薄膜試料酸素の高 〇 (M1) 隈元 大輝 1, 水野 遊星 1, 志田 暁雄 1, 鈴木 常 1. 長岡技術科学大学
精度絶対定量生1
			 9p-PA1-9
有機酸を用いた脱合金法によるナノ多孔質 Pd 膜形成〇 (M1) 西 智也 1, 河本 明純 1, 宇部 卓司 1, 石黒 孝 1
1. 東理大基工
			 9p-PA1-10
コールドスプレー法によるチタン - アパタイト複合材料 〇沖村 奈南 1, 阿多 誠久 1, 崔 鐘範 1, 鬼頭 大海 2, 大越 1. 東工大 , 2. 東京電機大
膜の作製
康晴 2, 平田 祐樹 1, 大竹 尚登 1, 赤坂 大樹 1
			 9p-PA1-11
複合成膜による低屈折率光学薄膜の作製の検討〇速水 舞 1, 都野 義樹 1, 室谷 裕志 1, 松本 繁治 2
1. 東海大院工 , 2. ㈱シンクロン
			 9p-PA1-12
Ti, Mg 酸窒化物のエピタキシャル薄膜の成長と電気的特 〇小倉 彩 1, 末益 崇 1, 柳原 英人 1, 斎藤 秀和 2
1. 筑波大物工 , 2. 産総研性		
奨 9p-PA1-13
酸化バナジウム系非晶質薄膜の一軸加圧下熱処理と電気 〇中西 昴 1, 岩佐 健 1, 金子 智 2, 1, 木村 好里 1, 松田 晃 1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川県産技総研
特性評価
史 1, 吉本 護 1
			 9p-PA1-14
プロトン伝導性酸化物薄膜の伝導性評価〇佐藤 和史 1, 成澤 謙真 1, 内山 潔 1
1. 鶴岡高専		E 9p-PA1-15
Epitaxial growth of CaNxHy thin films using reactive〇 Seoungmin Chon1, Shigeru Kobayashi1, Kazunori 1.Tokyo Tech, 2.JST-PRESTO
magnetron sputtering
Nishio1, Ryota Shimizu1, 2, Taro Hitosugi1

6.5 表面物理・真空 / Surface Physics, Vacuum
			 9p-PA1-16

光 MOD 法による Bi 置換磁性ガーネット膜の低温作製

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces〇西川 雅美 1, 河原 正美 2, 中島 智彦 3, 土屋 哲男 3, 石 1. 長岡技大 , 2. 高純度化学 , 3. 産総研
橋 隆幸 1
			 9p-PA1-17
パルスレーザー堆積法による BaF2 薄膜を用いた真空紫外 〇加藤 誠也 1, 鈴木 健太郎 1, 大谷 潤 1, 加瀬 征彦 2, 小 1. 名工大 , 2. ウシオ電機
光センサの開発
野 晋吾 1
			 9p-PA1-18
極薄銀薄膜の光学特性に及ぼすアルミニウム界面層の影 〇平野 琢也 1, 川村 みどり 1, 木場 隆之 1, 阿部 良夫 1, 1. 北見工大
響金 敬鎬 1, 濱野 剛志 1
		E 9p-PA1-19
Electrical and optical properties of Zn3N2 thin films〇Yong WANG1, Takeo OHSAWA1, Naoki OHASHI1 1.NIMS
		
奨 9p-PA1-20
金属酸化物のナノ構造に対するグリシンの吸着挙動〇 (M1) 伊美 拓哉 1, 西川 博昭 2
1. 近大院生物理工 , 2. 近大生物理工			 9p-PA1-21
反応性 CAPD 法により成膜した AlBN 硬質被膜の構造解 〇吉田 智博 1, 田中 佑樹 2, 村澤 功基 3, 工藤 昌輝 4, 鳥 1. 福岡県工技セ , 2. 九大院総理工 , 3. オーエスジー株式
4
2
3
3
析
山 誉亮 , 内田 聖也 , 福井 康雄 , 櫻井 正俊 , 吉武
会社 , 4. 九大超顕微セ
剛2
			 9p-PA1-22
複合成膜による超低屈折率 SiO ₂光学薄膜の応力特性〇吉澤 慶 1, 都野 義樹 2, 呂 翔宇 2, 室谷 裕志 1
1. 東海大工 , 2. 東海大院工			 9p-PA1-23
一酸化スズとリン酸を用いた導電性材料の膜厚による特 〇松崎 礼依未 1, 後藤 英雄 1, 田橋 正浩 1, 高橋 誠 1
1. 中部大工性の変化
1
1
2
			 9p-PA1-24
複合成膜 SiO2 光学薄膜の基板表面粗さの影響〇尾島 匠 , 室谷 裕志 , 都野 義樹
1. 東海大工 , 2. 東海大院工			 9p-PA1-25
赤外吸収分光を用いた樹脂膜上への室温原子層堆積過程 〇鹿又 健作 2, 吉田 一樹 1, 齋藤 健太郎 1, 三浦 正範 2, 1. 山形大院 , 2. 山形大有機材料システムのその場観察有馬 ボシールアハンマド 1, 久保田 繁 1, 平原 和弘 1,
廣瀬 文彦 1
		奨 9p-PA1-26
ミスト CVD 法を用いた VO2 薄膜のエピタキシャル成長 〇木村 信 1, 池之上 卓己 1, 三宅 正男 1, 平藤 哲司 1
1. 京大院エネ科
		
奨 9p-PA1-27
MoO3 粉末の真空物理蒸着による Si(001) 上の MoO3 薄 〇 (M2) 小林 進大 1, 武田 さくら 1, 大門 寛 1
1. 奈良先端大膜作製
			 9p-PA1-28
非平面型サブフタロシアニン単分子膜の作成〇小菅 洋輔 1, 水谷 義 1
1. 同志社大理工3/10(Sun.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W323 会場 (Room W323)
1
1
1
1
9:00		 10a-W323-1 極薄アルミ、チタン層を積層した銀薄膜の高湿度下での 工藤 映太 , 〇川村 みどり , 木場 隆之 , 阿部 良夫 , 1. 北見工大 , 2. 東海大工
安定性
金 敬鎬 1, 速水 舞 2, 室谷 裕志 2
9:15		 10a-W323-2 Pt/SrTiO3(111) エピタキシャル膜の成長温度と格子歪緩 〇葛西 昌弘 1, 土肥 英幸 1
1. 九州大和1
1
1
2
9:30		 10a-W323-3 多結晶性イオン液体薄膜の作製とその固液相転移とイオ 〇松本 祐司 , 吉井 彩 , 丸山 伸伍 , 小金澤 智之 , 鳥 1. 東北大院工 , 2. 高輝度光科学研セン伝導
屋部 果穂 1, 高澤 亮二 1
9:45
E 10a-W323-4 Electrical properties of non-degenerate ZnSnN2 thin films 〇Yong WANG1, Takeo OHSAWA1, Naoki OHASHI1 1.NIMS
grown by non-equilibrium deposition
10:00
E 10a-W323-5 Deposition temperature dependence on N-doped LaB6
〇 (D)KyungEun Park1, Yuki Komatsu1, Yasutaka
1.Tokyo Techthin film utilizing RF sputtering
Maeda1, Shun-ichiro Ohmi1
10:15		 10a-W323-6 高耐熱ふく射光源を目指した六ホウ化ランタン膜の合成 Sugavaneshwar R.P.1, Ngo D.T.1, 2, 古畑 直規 1, 〇長 1. 物材機構 MANA, 2. 北大院理尾 忠昭 1, 2
10:30		 10a-W323-7 STM を用いた窒素添加 LaB6 薄膜の仕事関数・電子状態 〇長岡 克己 1, 大見 俊一郎 2
1. 物材機構 , 2. 東工大工学院
測定10:45		休憩 /Break
11:00		 10a-W323-8 窒化銅薄膜をチャネルに用いたアンバイポーラ型トラン 〇松崎 功佑 1, 片瀬 貴義 2, 細野 秀雄 1, 2
1. 東工大元素セ , 2. 東工大フロ研
ジスタの作製
1
11:15
招 10a-W323-9 「6. 薄膜・表面 分科内招待講演」〇細野 秀雄1. 東工大元素センター
新しい透明半導体物質の設計
3/10(Sun.) 13:45 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) W323 会場 (Room W323)
13:45
招 10p-W323-1 「6. 薄膜・表面 分科内招待講演」〇大家 渓 1
1. 成蹊大理工スパッタによる医療用材料創製
1
1
1
14:15		 10p-W323-2 光の干渉を利用した窒素ドープ TiO2 薄膜の可視光光触媒 〇寺田 海輝 , 名村 今日子 , 鈴木 基史
1. 京大院工
特性の向上
14:30		 10p-W323-3 乱流を用いた CVD 法による MoS2 ナノチューブの合成〇 (B) 後藤 真菜美 1, 柳瀬 隆 2, 長浜 太郎 2, 島田 敏宏 2 1. 北大工 , 2. 北大院工14:45		 10p-W323-4 水溶性 Sr3Al2O6 薄膜を用いたフリースタンディング〇太宰 卓朗 1, 安井 伸太郎 1, 片山 司 2, 谷山 智康 3, 伊 1. 東工大 , 2. 東大 , 3. 名大PSCTO 単結晶薄膜の作製とその蛍光特性
藤 満1
15:00
奨 10p-W323-5 反応性マグネトロンスパッタ法を用いた EuH2 エピタキ 〇 (M1) 小松 遊矢 1, 清水 亮太 1, 2, 小林 成 1, 西尾 和 1. 東工大物質理工 , 2.JST さきがけ
シャル薄膜の作製
記 1, 一杉 太郎 1
15:15
奨 10p-W323-6 不純物ドープ層状 La-Ni-O 系薄膜の PLD 合成および構〇 (M1) 堀松 芳樹 1, 伊藤 翔陽 1, 土嶺 信男 2, 金子
1. 東工大物質理工 , 2.( 株 ) 豊島製作所 , 3. 神奈川県産技造・特性評価智 3, 1, 松田 晃史 1, 吉本 護 1
総研
1
1
1, 2
15:30
奨 10p-W323-7 パルスレーザ堆積法で成長した CrN 薄膜の電子物性〇横山 竜 , 水城 淳 , 大友 明
1. 東工大物質理工 , 2. 元素戦略
15:45
奨 10p-W323-8 異なるガス種でスパッタした Ag 薄膜の特性比較〇相良 僚佑 1, 川村 みどり 1, 木場 隆之 1, 阿部 良夫 1, 1. 北見工大
金 敬鎬 1
16:00
奨 10p-W323-9 パルスレーザ堆積法を用いた ZrH2 薄膜の作製：水素不定 〇西 暁登 1, 吉松 公平 1, 大友 明 1, 2
1. 東工大物質理工 , 2. 元素戦略
比の制御
16:15
奨 10p-W323-10 BaBiO3 薄膜の作製と評価〇 (DC) 牟田 実広 1, 西川 俊 2, 有田 誠 1, 一瀬 中 3, 向 1. 九大院工 , 2. 九大工 , 3. 電中研
田 昌志 1
16:30		休憩 /Break
16:45 奨 E 10p-W323-11 Density functional study on intrinsic and impurity defect 〇 Xinyi He1, Zewen Xiao1, Takayoshi Katase1, 2,
1.MSL, Tokyo Tech, 2.PRESTO, JST, 3.MCES, Tokyo
formation in layered SrTiN2
Keisuke Ide1, Hideo Hosono1, 3, Toshio Kamiya1, 3
Tech
17:00 奨 E 10p-W323-12 Synthesis of Single Crystalline Oxide Sheets〇 (M2)Ke Gu1, Tsukasa Katayama1, Shintaro Yasui2, 1.The Univ. of Tokyo, 2.Tokyo Tech.
Akira Chikamatsu1, Mitsuru Itoh2, Tetsuya
Hasegawa1
17:15 奨 E 10p-W323-13 Fabrication of EuF2 and EuO epitaxial thin films using〇 Xin DAI1, Yuya Komatsu1, Ryota Shimizu1, 2, Taro 1.Tokyo Tech, 2.JST-PRESTO
anion-conducting substrates
Hitosugi1
17:30 奨 E 10p-W323-14 Visible Light Induced Ferroelectric to Paraelectric〇 (D)Viswanath Pamarti1, Yoshimura Masamichi1
1.Toyota Technological Institute
Reversible Phase Transition in Polyvinylidene fluoride
Based Nanocomposites
17:45
E 10p-W323-15 Preparation of TmFe2O4 Thin Films and Their Magnetic 〇 (D)YouJin Kim1, Shinya Konishi1, Yuichiro
1.Kyoto University, 2.Tohoku University
Properties
Hayasaka2, Katsuhisa Tanaka1
18:00
E 10p-W323-16 Buffer layers dependence of magnetic properties for〇 (DC)Mingling Sun1, 2, Takahide Kubota2, 3,
1.Grad. Sch. of Eng, Tohoku Univ., 2.IMR, Tohoku
C38-type MnGaGe films
Yoshiaki Kawato4, Shigeki Takahashi4, Yoshiaki
Univ., 3.CSRN, Tohoku Univ., 4.Samsung R&D Institute
Sonobe4, Koki Takanashi2, 3Japan
6.5 表面物理・真空 / Surface Physics, Vacuum
3/10(Sun.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10p-PA5-1
アルミ部材表面に吸着した臭気成分の評価〇片岸 恵子 1
1. 三菱電機（株）
			 10p-PA5-2酸化物金属薄膜を用いた水素原子検出器の開発〇奥村 友喜 1, 渡邉 幸輝 1, 葛見 竜哉 1, 島袋 祐次 1, 和 1. 同大理工
田 元1
			 10p-PA5-3
Si 基板上 SiO2 薄膜の電子線照射による還元反応：AFM 〇藤森 敬典 1, 千田 陽介 1, 増田 悠右 1, 氏家 夏樹 1, 遠 1. 弘前大院理工および AES 像測定
田 義晴 1
			 10p-PA5-4
MOCVD-NEA 表面作製装置を用いた InGaAsP のフォト 〇 (M1) 出射 幹也 1, 村田 文浩 1, 山下 海人 1, 七井 靖 1, 1. 青学大
カレント特性 ―半導体材料依存性―
渕 真悟 1

【CS.6】6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.5 & 7.6
		

奨 10p-PA5-5

			 10p-PA5-6
			 10p-PA5-7
			 10p-PA5-8
			 10p-PA5-9
			 10p-PA5-10

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces		

E 10p-PA5-11

ZnPc 蒸着した SiC(0001)-(3 × 3) 表面上の電子状態の観察
低ガラス転移点を有する高分子材料を用いた希少金属の集積蒸着
陽極酸化ポーラスアルミナの空孔率変調による多層膜作
製 ～移動電荷量による制御～
多層カーボンナノチューブを用いた熱電素子材料の開発〇 (B) 河村 和哉 1, 山田 稜汰 1, 志賀 大真 1, 村岡 幸
輔 2, 黒木 伸一郎 2, 内藤 正路 3, 碇 智徳 1
〇 (M2) 王 陸 1, 辻岡 強 1

1. 宇部高専 , 2. 広大ナノデバイス , 3. 九工大院工〇小川 真弥 1, 川本 清 1

1. 八戸工大

1. 阪教大院〇 (M1) 阪本 優貴 1, 西川 英一 1, 金 勇一 1, 山田 耕平 1, 1. 東理大工
吉田 泰久 1, 大澤 博紀 1
〇久保 理 1, 木下 盛治朗 1, 佐藤 仁 2, 宮本 幸治 2, 遠藤 1. 阪大院工 , 2. 広大 HiSOR

Al(111)3 × 3 超周期ゲルマネンの角度分解光電子分光計
測聡 1, 菅原 隆志 1, 田畑 博史 1, 奥田 太一 2, 片山 光浩 1
界面の電子状態分析のための深さ分解吸収分光測定法の 〇鶴田 一樹 1, 為則 雄祐 1
開発
Operando SEM observation of corrosion process of Al foil 〇 (M2)Xin Chen1, Gada He1, Masashi Akabori1,

1.JASRI

1.Japan Advanced Institute of Science and Technology
Keisuke Ohdaira1, Masahiko Tomitori1, Yoshifumi
Oshima1
		
奨 10p-PA5-12 全反射高速陽電子回折 (TRHEPD) の大域探索型データ解 〇田中 和幸 1, 星 健夫 1, 望月 出海 2, 一宮 彪彦 2, 兵頭 1. 鳥取大 , 2.KEK 物構研
析
俊夫 2
		
E 10p-PA5-13 Orbital angular momentum transfer in angle resolved
Godeung Park1, 〇 Peter Krueger1
1.Chiba Univ.
resonant Auger electron emission
3/12(Tue.) 9:00 - 10:30 口頭講演 (Oral Presentation) W834 会場 (Room W834)
9:00		 12a-W834-1 Si(001) 基板上のミクロンスケール段差の熱緩和過程〇須藤 孝一 1
1. 阪大産研
9:15		 12a-W834-2 層間水素相互作用を考慮した Pd 表面での水素吸着形態〇加藤 弘一 1, 福谷 克之 1
1. 東大生産研1
9:30		 12a-W834-3 誘電体中の複数金属ナノ構造における局在プラズモンの 〇市川 昌和
1. 東大院工理論
9:45
奨 12a-W834-4 表面化学反応の DFT 計算におけるスピン混入誤差と静的 〇多田 幸平 1, 丸山 智大 2, 古賀 裕明 3, 奥村 光隆 2, 3, 1. 産総研・電池技術 , 2. 阪大院理 , 3. 京大・ESICB
電子相関に関する考察
田中 真悟 1
10:00		 12a-W834-5 窒素暴露した半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表 〇佐藤 大樹 1, 西谷 智博 2, 本田 善央 2, 天野 浩 2
1. 名大院工 , 2. 名大 IMaSS
面機能変化
10:15		 12a-W834-6 ガラスナノピぺットの評価法の検討〇高見 知秀 1, 太田 望月 1, 小野 茉奈美 1, 関口 敦 1, 後 1. 工学院大学 , 2. 東北大多元研
藤 忠彦 2, 真柄 英之 2, 高桑 雄二 2
【CS.6】6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.5 & 7.6
3/11(Mon.) 10:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) S224 会場 (Room S224)
10:30		 11a-S224-1
スピン偏極イオン散乱分光法による Ge/Fe(100) 界面の 〇鈴木 拓 1
1. 物材機構解析
10:45		 11a-S224-2
加熱処理による SrTiO3(001) 表面の電子状態変化〇光原 圭 1, 八木 健 1, 柚山 大地 1, 滝沢 優 1
1. 立命館大理工
11:00		 11a-S224-3
リアルタイム光電子分光による水吸着二酸化チタン表面 高柳 周平 1, 〇大野 真也 1, 勝部 大樹 3, 尾島 章輝 3, 前 1. 横国大院工 , 2. 原子力機構 , 3. 阪大基礎工
3
2
2
3
の評価
田 元康 , 吉田 光 , 西 静佳 , 阿部 真之
11:15		 11a-S224-4
グラフェンを利用した絶縁体試料の X 線吸収分光と光電 〇鈴木 哲 1, 春山 雄一 1
1. 兵庫県立大高度研
子分光
11:30		 11a-S224-5
高エネルギー分解能 REELS 装置を用いた可視から超軟 X 〇原田 善之 1, 達 博 1, 篠塚 寬志 1, 田沼 繁夫 1, 吉川 英 1. 物材機構 , 2. 筑波大線帯の酸化鉄の誘電関数評価
樹 1, 柳原 英人 2
11:45		 11a-S224-6
酸素分子解離吸着の立体化学における合金効果 : Cu(110) 〇津田 泰孝 1, 植田 寛和 2, 倉橋 光紀 3, 岡田 美智雄 1, 4 1. 阪大理 , 2. 原子力機構 , 3. 物材機構 , 4. 阪大放射線機構
vs Cu3Au(110)
6.6 プローブ顕微鏡 / Probe Microscopy
3/9(Sat.) 9:00 - 12:00
口頭講演 (Oral Presentation) M112 会場 (Room M112)
9:00		 9a-M112-1
nc-AFM で取得したエネルギー散逸像による Si/Ge の識 〇藏 大輝 1, 辻 繁樹 1, 富取 正彦 2, 新井 豊子 1
1. 金沢大 , 2. 北陸先端大院
別9:15		 9a-M112-2
プローブ顕微鏡で発生したフォノンのシミュレーション 〇仙田 康浩 1
1. 山口大院創成科学
研究1
1
9:30		 9a-M112-3
原子間力顕微鏡を用いた Ag(111) 表面上の多層シリセン 籔押 慶祐 , 〇杉本 宜昭
1. 東大新領域の構造解析
9:45		 9a-M112-4
室温 FM-AFM によるフラーレン分子の分子内構造観察〇田中 暉之 1, 小林 圭 1, 山田 啓文 1
1. 京大工10:00		 9a-M112-5
NO 修飾探針の作製と STM 像シミュレーション〇 (M1) 尾谷 卓史 1, 塩足 亮隼 1, 杉本 宜昭 1
1. 東大新領域
1
1
1
10:15		 9a-M112-6
斥力誘起による銅表面上の一酸化窒素単分子の配向変化 〇塩足 亮隼 , 尾谷 卓史 , 杉本 宜昭
1. 東大新領域
制御
10:30		 9a-M112-7
TEM- 周波数変調法を用いた Au ナノワイヤのヤング率方 〇小堀 雄稀 1, 石塚 慧介 1, 見寺 悠伽 2, 冨取 正彦 1, 新 1. 北陸先端大先端 , 2. 金大院自然位依存性の測定井 豊子 2, 大島 義文 1
10:45		 9a-M112-8
サブ 10nm スケールにおける金ナノ接点の定量的弾性評 〇石塚 慧介 1, 小堀 雄稀 1, 見寺 悠伽 2, 富取 正彦 1, 新 1. 北陸先端大 , 2. 金沢大院自然価
井 豊子 2, 大島 義文 1
11:00		 9a-M112-9
カルコゲナイド合金 Ge2Sb2Te5 におけるナノスケール光 〇谷口 将太朗 1, 吉岡 克将 1, 片山 郁文 1, 嵐田 雄介 1, 1. 横浜国大院工 , 2. 筑波大数理物 , 3. 産総研
誘起相変化
吉田 昭二 2, 重川 秀実 2, 桑原 正史 3, 武田 淳 1
11:15		 9a-M112-10 光 STM による太陽電池評価におけるトンネル接合特性 篠原 和貴 1, 腰地 空 1, 鈴木 彩 1, 〇武内 修 1, 谷中 淳 1, 1. 筑波大学数理物質吉田 昭二 1, 重川 秀実 1
11:30		 9a-M112-11 ポルフィリン単分子膜への磁性原子吸着の STM/STS 研 〇山田 豊和 1, 山口 昌孝 1, 根本 諒平 1, 稲見 栄一 2
1. 千葉大院工 , 2. 高知工科大シス工究
11:45		 9a-M112-12 Cu(111) 上のラセミ体イリジウム ( Ⅲ ) 錯体の STM 研究 〇横田 健太 1, 根本 諒平 1, 荒本 夏帆 1, 中澤 芳洋 1, ク 1. 千葉大院工リューガー ピーター1, 唐津 孝 1, 山田 豊和 1
3/9(Sat.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 9p-PA5-1
走査トンネル顕微鏡による酸化グラフェンのナノスケー 〇片野 諭 1, 笹嶋 匠 1, 上原 洋一 1
1. 東北大通研
ル発光計測
			 9p-PA5-2
2 次元有機溶媒中の高分子鎖の形状観察〇 (B) 竹林 朋哉 1, 吉田 健太郎 1, 古川 一暁 1
1. 明星大理工		
E 9p-PA5-3
Mechanical properties of Pt nano-contacts measured by〇 (D)Jiaqi Zhang1, Yuki Kobori1, Keisuke Ishizuka1, 1.JAIST, 2.Kanazawa Univ.
TEM combined with a frequency-modulation force
Masahiko Tomitori1, Toyoko Arai2, Yoshifumi
sensing system
Oshima1
			 9p-PA5-4
金属基板上に真空スプレーした蛋白質分子 /GNR の STM 〇安藤 紗絵子 1, 後藤 悠斗 1, 根本 諒平 1, 山田 豊和 1 1. 千葉大院工観察			 9p-PA5-5
局所光励起および検出のための極低温走査型プローブ顕 〇吉野 紘子 1, 2, Liu Shuyi1, Haak Henrik1, Wolf
1. フリッツ・ハーバー研 , 2. 東工大理
微鏡の開発
Martin1, 熊谷 崇 1
			 9p-PA5-6
APT と STM の併用による複合測定手法の高空間分解能 〇梅村 拓実 1, 黒川 修 1
1. 京大工化Ⅱ
1
1
1
1
			 9p-PA5-7
TiO2(110) 表面上に吸着した OHt の異なる吸着状態のイ 〇宮崎 雅大 , 温 煥飛 , 张 全震 , 安達 有輝 , 内藤 賀 1. 阪大院工メージング
公 1, 李 艶君 1, 菅原 康弘 1
			 9p-PA5-8
サンドイッチ凍結乾燥法により基板上成長した NaCl ナノ 〇重藤 知夫 1
1. 産総研 分析計測標準
結晶の AFM 観察1111			 9p-PA5-9
静電気力顕微鏡による探針試料間バイアスの測定とキャ 〇山本 達也 , 和泉 遼 , 内藤 賀公 , 李 艶君 , 菅原 康 1. 阪大院工
リブレーション
弘1

7.1 X 線技術 / X-ray technologies
			 9p-PA5-10
			 9p-PA5-11
			 9p-PA5-12
3/10(Sun.) 9:00 - 11:00
9:00 奨 E 10a-W933-1

マイクロ波を用いた振幅変調静電気力顕微鏡による半導体試料の測定ヘテロダイン FM 方式光誘起力顕微鏡
qPlus センサを用いたイオン液体中 Bimodal AFM
口頭講演 (Oral Presentation) W933 会場 (Room W933)
STM study of soliton waves in a CO monolayer film

〇和泉 遼 1, 内藤 賀公 1, 李 艶君 1, 菅原 康弘 1

1. 大阪大学〇山西 絢介 1, 内藤 賀公 1, 李 艶君 1, 菅原 康弘 1
〇山田 祐也 1, 一井 崇 1, 宇都宮 徹 1, 杉村 博之 1

1. 阪大院工
1. 京大院工〇 (DC)Nazriq Nana1, Peter Krueger1, Toyo Kazu

7 ビーム応用 / Beam Technology and Nanofabrication

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
3/10(Sun.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10p-PA6-1
低エネルギー低衝突径数のクーロン散乱の電子の波跡と古典軌道
			 10p-PA6-2
多孔質様銀パイプと平面形状膜の複素屈折率の測定とSEM 及び TEM 観察			 10p-PA6-3
PEEK 表面における細胞付着性の GCIB 照射角度依存性
			 10p-PA6-4
アセチルアセトンと GCIB 照射を用いた金属膜 ALE の最適化			 10p-PA6-5
レーザーデトネーション超熱分子線の解離抑制
			 10p-PA6-6
表面活性化接合法による Al 箔 /AlN 接合の接合強度評価
7.1 X 線技術 / X-ray technologies
3/10(Sun.) 13:15 - 15:00 口頭講演 (Oral Presentation) M112 会場 (Room M112)
13:15		 10p-M112-1 シンチレータに STED 効果を誘起するための超広帯域光源の開発
13:30		 10p-M112-2 シンチレーターCe:LSO における STED 現象の検証
13:45		 10p-M112-3
14:00		 10p-M112-4

サブナノ秒第 2 高調波レーザーパルスによる水の窓軟 X
線光源の高効率化
200～900 eV 域対応高回折効率軟 X 線Ｗ / Ｃ多層膜ラミ
ナー型回折格子の設計〇西山 善郎 1, 但馬 文昭 1

1. 横国大教〇但馬 文昭 1, 西山 善郎 1

1. 横国大教〇豊田 紀章 1, 平岡 光 1〇豊田 紀章 1, 植松 功多 1

1. 兵庫県立大工1. 兵庫県立大工〇横田 久美子 1, 大倉 僚太 1, 田川 雅人 1
〇堀川 昇太朗 1

1. 神戸大工1. 大阪市大工

篠崎 夏美 1, 庄司 美咲 1, 坂上 和之 2, 若山 俊隆 3, 江島 1. 宇都宮大院工 , 2. 東大光量子 , 3. 埼玉医大 , 4. 東北大多丈雄 4, 〇東口 武史 1
元研
〇江島 丈雄 1, 篠崎 夏美 2, 庄司 美咲 2, 石山 貴之 3, 畑 1. 東北大多元研 , 2. 宇都宮大工 , 3. 埼玉医科大 , 4. 東大光
1432
山 元太 , 坂上 和之 , 若山 敏隆 , 東口 武史
量子センター
島田 悠太 1, 川崎 太夢 1, 庄司 美咲 1, 〇東口 武史 1
1. 宇都宮大院工〇小池 雅人 1, 羽多野 忠 2, アレキサンダー ピロジコ 1. 量研量子ビーム , 2. 東北大多元研 , 3. 島津デバイス
フ 1, 寺内 正己 2, 林 信和 3, 笹井 浩行 3, 長野 哲也 3

7 ビーム応用 / Beam Technology and Nanofabrication

1.Chiba Univ.
Yamada1
9:15 奨 E 10a-W933-2 Multi-channel Characterization and Electrically-driven〇 (D)Quanzhen Zhang1, Huan Fei Wen1, Yuuki
1.Osaka Univ.
Migration of the Subsurface Hydrogen on Rutile
Adachi1, Yoshitaka Naitoh1, Yan Jun Li1, Yasuhiro
1
TiO2(110)-1 × 1 by nc-AFM/STM/KPFM at 78 K
Sugawara
9:30
奨 10a-W933-3 原子間力顕微鏡を用いたルチル型 TiO2(110) 表面上の吸 〇安達 有輝 1, 温 煥飛 1, 張 全震 1, 宮崎 雅人 1, 内藤 賀 1. 阪大院工着酸素単原子の電荷状態の解明
公 1, 李 艶君 1, 菅原 康弘 1
9:45
奨 10a-W933-4 水吸着したアナターゼ型 TiO2(001)(1 × 4) 再構成表面の 〇勝部 大樹 1, 大野 真也 2, 高柳 周平 2, 尾島 章輝 1, 前 1. 阪大院基礎工 , 2. 横国大院工 , 3. 原子力機構
非接触原子間力顕微鏡測定
田 元康 1, 吉田 光 3, 西 静佳 3, 吉越 章隆 3, 阿部 真之 1
10:00
奨 10a-W933-5 水素プラズマにより欠陥導入したグラファイトの TERS 〇 (M2) 甲斐 鈴菜 1, 原 正則 1, 吉村 雅満 1
1. 豊田工大による評価
10:15
奨 10a-W933-6 二重バイアス変調方式静電引力顕微鏡による空乏層容量 〇福澤 亮太 1, 高橋 琢二 1, 2
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構の周波数応答測定
1
1
1
10:30
奨 10a-W933-7 分子修飾 AFM 探針を用いたアミノ酸－鉱物表面間の吸着 〇水野 聡 , 矢野 隆章 , 原 正彦
1. 東工大物質理工
相互作用解析
10:45
奨 10a-W933-8 走査型非線形誘電率顕微鏡による半導体キャリア分布観 〇高野 幸喜 1, 山末 耕平 1, 長 康雄 1
1. 東北大通研
察のための絶縁膜付きカンチレバーの開発 (2)
3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) W933 会場 (Room W933)
9:00		 11a-W933-1 走査型熱振動顕微鏡法における測定時間短縮〇戸野 博史 1, 小林 圭 1, 木村 邦子 1, 山田 啓文 1
1. 京大工9:15		 11a-W933-2 非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる金属 〇山末 耕平 1, 長 康雄 1
1. 東北大通研
表面の双極子誘起電位の観察
9:30		 11a-W933-3 光ポンププローブ STM：光強度を変化させない遅延時間 〇武内 修 1, Wang Zi-Han1, 茂木 裕幸 1, Yoon Cheul 1. 筑波大学数理物質
変調法
Hyun1, 谷中 淳 1, 吉田 昭二 1, 重川 秀実 1
9:45		 11a-W933-4 超常磁性探針を用いた交番磁気力顕微鏡による磁気記録 Kumar Pawan1, 鈴木 雄大 1, 吉村 哲 1, 〇斉藤 準 1
1. 秋田大理工
ヘッドの高空間分解能・磁場エネルギーイメージング
10:00		 11a-W933-5 SSRM 測定の空間分解能の測定荷重依存性〇吉際 潤 1, 嵯峨 幸一郎 1
1. ソニーセミコン
10:15		 11a-W933-6 探針同期による時間分解静電気力顕微鏡の開発
荒木 健人 1, 梶本 健太郎 1, 大山 浩 1, 〇松本 卓也 1
1. 阪大理1
1
1
10:30		 11a-W933-7 静電気力顕微鏡を用いた時間分解鏡面電位測定による有 〇院南 皓一 , 小林 圭 , 山田 啓文
1. 京大院工機薄膜トランジスタのキャリア挙動可視化
10:45		 11a-W933-8 炎エッチングによる nc-AFM/STM 用金属探針の作製と 〇 (B) 笈田 浩平 1, 丸山 天悟 1, 富取 正彦 2, 新井 豊子 1 1. 金沢大 , 2. 北陸先端大
評価
11:00		 11a-W933-9 金属探針を用いた非接触原子間力顕微鏡による試料表面 〇丸山 天悟 1, 笈田 浩平 1, 藏 大輝 1, 富取 正彦 2, 新井 1. 金沢大 , 2. 北陸先端大院
抵抗測定
豊子 1
11:15		 11a-W933-10 温度可変原子間力顕微鏡を用いた臨界カシミール効果の 〇影島 賢巳 1
1. 大阪電通大工
計測
1
1
1
1
11:30		 11a-W933-11 瞬時周波数法 FM-AFM を用いた固液界面水和構造計測〇深澤 直人 , 木南 裕陽 , 寺田 匠吾 , 小林 圭 , 山田 1. 京大工
啓文 1
3/12(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W933 会場 (Room W933)
9:00		 12a-W933-1 エンドサイトーシスを直接可視化する走査型イオンコン 〇高橋 康史 1, 2, 宮本 貴史 1, 井田 大貴 2, 3, 東 宏樹 1, 周 1. 金沢大 WPI NanoLSI, 2.JST さきがけ , 3. 東北大院環
ダクタンス顕微鏡の開発
縁殊 1, 福間 剛士 1
境
9:15		 12a-W933-2 遷移金属ダイカルコゲナイドナノシートの触媒活性イ〇高橋 康史 1, 2, 太田 真登 1, 小林 佑 3, 熊谷 明哉 4, 宮 1. 金沢大 WPI NanoLSI, 2.JST さきがけ , 3. 首都大理 ,メージング
田 耕充 3, 福間 剛士 1
4. 東北大 WPI AIMR
9:30		 12a-W933-3 ナノ電気化学セルを用いたリチウムイオン電池負極の規 〇熊谷 明哉 1, 2, 佐藤 悠人 2, 高橋 康史 3, 4, 珠玖 仁 2, 末 1. 東北大学 AIMR, 2. 東北大学 , 3. 金沢大学 NanoLSI,
定構造領域における SEI 形成過程の検証
永 智一 2
4.JST さきがけ
9:45		 12a-W933-4 表面電位制御下での水和構造計測に向けた液中 AFM 用電 〇藤田 朗人 1, 小林 圭 1, 山田 啓文 1
1. 京大工気化学セルの開発
10:00		 12a-W933-5 走査型プローブエレクトロスプレーイオン化法のサンプ 〇大塚 洋一 1, 上堀内 武尉 1, 竹内 彩 1, 岩田 太 2, 松本 1. 阪大理 , 2. 静大工
リングイオン化過程の可視化
卓也 1
10:15		 12a-W933-6 エネルギー散逸による脂質膜の物性評価〇荒木 優希 1, 小林 圭 1, 山田 啓文 1
1. 京大工10:30		 12a-W933-7 フォースカーブ解析によるタンパク質分子のゆらぎ評価 〇山本 悠樹 1, 木南 裕陽 1, 小林 圭 1, 山田 啓文 1
1. 京大工の検討
10:45		 12a-W933-8 加湿大気中での KBr(001) 上の水膜層の観察〇大江 弘晃 1, 新井 豊子 1
1. 金沢大11:00		 12a-W933-9 氷点下近傍における気相成長氷の FM-AFM による表面構 〇大谷 勝樹 1, 宮戸 祐治 1, 長嶋 剣 2, 阿部 真之 1
1. 阪大院基礎工 , 2. 北大低温研
造観察
11:15		 12a-W933-10 液体 Ga 中 Au-Ga 合金の AFM 構造分析
村田 真 1, 〇一井 崇 1, 宇都宮 徹 1, 杉村 博之 1
1. 京大院工11:30		 12a-W933-11 高速 3D-SFM を用いたカルサイト溶解過程における単分 〇宮田 一輝 1, 足立 康輔 1, 宮澤 佳甫 1, Foster
1. 金沢大 , 2.Aalto 大子ステップ近傍の水和構造のその場観察
Adam1, 2, 福間 剛士 1
1
2, 3
2, 4
11:45		 12a-W933-12 三次元走査型顕微鏡を用いた分子吸着抑制能を有するシ 〇宮澤 佳甫 , Molino Paul , Penna Matthew ,1. 金大 WPI-NanoLSI, 2.ARC, 3.Univ. of Wollongong,
リカナノ粒子の水和構造計測
Knowles Brianna2, 5, MacLaughlin Shane2, 5, 福間 剛 4.RMIT Univ., 5.BlueScope Innovation Lab.
士 1, Yarovsky Irene2, 4, Higgins Michael2, 3

7.2 電子ビーム応用 / Applications and technologies of electron beams
14:15		 10p-M112-5
14:30		 10p-M112-6

2 面斜入射対物ミラー設計解の大域的探索 (2)フーコーナイフエッジと拡散板を用いた X 線微分位相結像
14:45		 10p-M112-7 中性子位相イメージング用大面積蒸着 Gd 吸収格子の作
製
7.2 電子ビーム応用 / Applications and technologies of electron beams
3/9(Sat.) 9:30 - 12:00
口頭講演 (Oral Presentation) S223 会場 (Room S223)
9:30		 9a-S223-1
Fe2O3 とシリコンを使ってのシリサイド生成過程のその場観察
9:45
E 9a-S223-2
Electro-plating and stripping of lead dendrites observedby operando scanning electron microscopy with anelectrochemical cell
10:00		 9a-S223-3
静電同軸円筒型分析器の収差特性の計算
10:15

奨 9a-S223-4

10:30		 9a-S223-5

7 ビーム応用 / Beam Technology and Nanofabrication

10:45		11:00奨 9a-S223-6

量子電子光学テストベッドの基本特性の計測
極低温量子電子光学テストベッドの冷却性能測定〇 (B) 山下 正汰 1, 陳 軍 1, 豊田 光紀 1
〇渡辺 紀生 1, 青木 貞雄 2, 1

1. 東京工芸大工
1. 筑波大数物 , 2. 総合科学研究機構〇佐本 哲雄 1, 高野 秀和 1, 百生 敦 1

1. 東北大多元研〇石川 信博 1, 三井 正 1, 竹口 雅樹 1, 三石 和貴 1

1. 物材機構〇 Gada He , Yoshifumi Oshima , Masahiko

1.JAIST

1

1

Tomitori1

渡邉 誠司 1, 〇村田 英一 1, 浅井 泰尊 1, 六田 英治 1, 下 1. 名城大理工

山 宏1〇 (M1C) 奥田 優樹 1, 高山 幸宏 1, 三浦 茂男 1, 岡本
洋1〇 (M1C) 高山 幸宏 1, 奥田 優樹 1, 三浦 茂男 1, 岡本洋1

1. 秋田県大シ
1. 秋田県大シ

休憩 /Break
フェムト秒レーザーで駆動するチップ陰極型電子源の開 〇上杉 祐貴 1, 渡辺 和樹 1, 佐藤 俊一 1
1. 東北大多元研発
11:15
奨 9a-S223-7
小型イオンエンジン用平面型グラフェン電子源の電子電 〇 (M1) 古家 遼 1, 2, 村上 勝久 2, 長尾 昌善 2, 鷹尾 祥 1. 横国大 , 2. 産総研
流特性評価
典1
11:30		 9a-S223-8
液体 Ga 被覆 W(011) 電界放射陰極の表面清浄処理〇高藤 祐太 1, 2, 根尾 陽一郎 1, 2, 三村 秀典 1, 2
1. 静岡大院工 , 2. 静岡大電研
11:45		 9a-S223-9
リン添加ダイヤモンド酸素終端表面からの放出電子のエ 〇増澤 智昭 1, 根尾 陽一郎 1, 三村 秀典 1, 岡野 健 2, 山 1. 静岡大 , 2. 国際基督教大 , 3. 産総研
ネルギー分析
田 貴壽 3
7.3 微細パターン・微細構造形成技術 / Micro/Nano patterning and fabrication
3/9(Sat.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) S223 会場 (Room S223)
13:45		 9p-S223-1
マスクレス内面リソグラフィ用大パターン露光光学系の 〇堀内 敏行 1, 秋谷 甲輔 1, 今橋 和巳 1, 鈴木 佑汰 1, 岩 1. 東京電機大検討
崎 順哉 1, 柳田 明 1, 小林 宏史 1
14:00		 9p-S223-2
DTCO としての進化的 OPC：
〇門田 和也 1
1. ナノサイエンスラボ
Fin-Tr SRAM の SNM 特性に及ぼすラインエッジラフネ
スとスリミング効果の計算機予測
14:15		 9p-S223-3
EUV リソグラフィにおけるレジスト露光・現像過程のモ 〇佐々木 明 1, 石野 雅彦 1, 錦野 将元 1, 前川 康成 1
1. 量研
デリング
14:30		 9p-S223-4
電子線誘起による高分子薄膜における金属ナノ粒子の合 〇山本 洋揮 1, 古澤 孝弘 2, 田川 精一 2, マリグリナー 1. 量研 , 2. 阪大産研 , 3. パリ南大学
成とパターニングに関する研究
ジャンルイ 3, モスタファビ メラン 3, ベローニ
ジャックリン 3
14:45
奨 9p-S223-5
電子線照射による直接的金属ナノパターニング〇 (M2) 水野 敬太 1, 小南 裕子 1, 小野 篤史 1
1. 静大院工15:00		 9p-S223-6
化学増幅型電子線レジストのパターン形成の確率論的シ 〇 (D) 香山 真範 1, 白井 正充 1, 川田 博昭 1, 平井 義
1. 大阪府大院工11
ミュレーション
彦 , 安田 雅昭
15:15		休憩 /Break
15:30		 9p-S223-7
粗視化分子動力学シミュレーションによるブロック共重 〇山口 徹 1, 田中 弘隆 1, 藤原 聡 1
1.NTT 物性基礎研
合体ラメラ相のグラフォエピタキシ
11
1
15:45		 9p-S223-8
力学高強度な複製モールドを目指した有機－無機ハイブ 〇伊東 駿也 , 中村 貴宏 , 中川 勝
1. 東北大多元研
リッド材料の開発
16:00		 9p-S223-9
ナノインプリントにおけるレジスト収縮の補正 (3D 形状 渡辺 謙太 1, 〇砂川 弘樹 1, 山下 龍之介 2, 安田 雅昭 1, 1. 阪府大院工 , 2. 東工大院工補正 )大西 有希 2, 川田 博昭 1, 平井 義彦 1
16:15		 9p-S223-10 モールドと基板間から生じる蛍光角度モアレの観察〇吉田 拓真 1, 落合 研斗 1, 大沼 晶子 1, 須藤 和恵 1, 伊 1. 東北大多元研
東 駿也 1, 中村 貴宏 1, 中川 勝 1
16:30		 9p-S223-11 ポーラスアルミナを用いたナノインプリントプロセスに 〇柳下 崇 1, 白野 直斗 1, 益田 秀樹 1
1. 首都大都市環境よる撥水・撥油表面の形成と評価
16:45		 9p-S223-12 無電解 Ni メッキを用いた石英ガラス深掘りエッチング用 大音 竜一郎 1, 〇川田 博昭 1, 安田 雅昭 1, 平井 義彦 1 1. 大府大工
マスクの作製【CS.7】7.4 量子ビーム界面構造計測、9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 7.4 & 9.5
3/10(Sun.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) S423 会場 (Room S423)
9:00		 10a-S423-1
ラボラトリー軟 X 線 XAFS による MgB2 薄膜中の Mg の化 〇柏倉 隆之 1
1. 宇大院工学状態分析
12
9:15		 10a-S423-2
Au アレイ上増大場の RCWA によるシミュレーション〇鈴木 裕史 , 工藤 蓮太郎
1. 弘前大院 , 2. 弘前大
9:30
奨 10a-S423-3
Ag 形ゼオライトの PL におけるクラスター崩壊時間〇岡 良樹 1, 山内 一真 2, 鈴木 裕史 2, 米谷 陸杜 2, 宮永 1. 弘前大 , 2. 弘前大院
崇史 2
9:45
奨 10a-S423-4
Ag 形ゼオライトの Ag クラスター崩壊過程におけるその 〇 (M1) 山内 一真 1, 鈴木 裕史 1, 米谷 陸人 1, 宮永 崇 1. 弘前大院理工場 PL・XAFS 測定
史1
10:00
奨 10a-S423-5
X 線自由電子レーザーによる時間分解共鳴磁気光学カー 〇山本 航平 1, 2, El Moussaoui Souliman1, 平田 靖
1. 東大物性研 , 2. 東大理 , 3.JASRI, 4. 理研 , 5. 東北大金研
効果測定でみる Co/Pt 薄膜の磁化ダイナミクス
透 1, 2, 山本 達 1, 2, 久保田 雄也 3, 4, 大和田 成起 3, 4, 矢橋
牧名 3, 4, 松田 巌 1, 2, 関 剛斎 5, 高梨 弘毅 5, 和達 大
樹 1, 2
10:15		 10a-S423-6
コバルトフタロシアニンシートの合成と構造〇大倉 秀亮 1, 萩原 政幸 2, 木田 孝則 2, 澤田 祐也 2, 鎌 1. 埼玉大院理工 , 2. 阪大先端強磁場田 憲彦 1, 本多 善太郎 1
10:30		休憩 /Break
10:45		 10a-S423-7
リチウムを挿入した多孔質鉄化合物の磁性〇藤田 恵理子 1, 萩原 政幸 2, 木田 孝則 2, 澤田 祐也 2, 1. 埼玉大院理工 , 2. 阪大先端強磁場
鎌田 憲彦 1, 本多 善太郎 1
11:00		 10a-S423-8
金属ナノ構造担持プロトン伝導体の光応答〇福島 知宏 1, 村越 敬 1
1. 北大院理
11:15		 10a-S423-9
酸化物粒子と EDTA 錯体水溶液スラリー由来の酸化物納 〇齊藤 篤弘 1, 中村 淳 2, 1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
豆型構造体の形態
11
11:30
E 10a-S423-10 Characteristic Properties of Macrocyclic Functional〇 (DC)Brian Adala Omondi , Hirotaka Okabe ,1.Kyushu Univ.
Hydrogels for Selective Heavy Metal Adsorption
Yoshiki Hidaka1, Kazuhiro Hara1
11:45 奨 E 10a-S423-11 X-ray Standing Wave Imaging and Its Application in〇 (D)Wenyang Zhao1, 2, Kenji Sakurai2, 1
1.Tsukuba Univ., 2.NIMS
Langmuir-Blodgett Films
3/10(Sun.) 13:30 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) S423 会場 (Room S423)
13:30
招 10p-S423-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇横山 智康 1, 大内 暁 1, 井垣 恵美子 1, 笹川 崇男 2
1. パナソニック ( 株 ), 2. 東工大
第一原理計算と遺伝的アルゴリズムによる有機－無機ハ
イブリッド材料の状態図予測
13:45		 10p-S423-2 第一原理計算による合金 Ge-Sb-Te 相変化メモリの解析〇野原 弘晶 1, 白川 裕規 1, 洗平 昌晃 1, 2, 白石 賢二 1, 2 1. 名大院工 , 2. 名大未来研
14:00		 10p-S423-3 XANAM で観測した Ge 表面上 X 線誘起力場変化の解析〇鈴木 秀士 1, 向井 慎吾 2, 田 旺帝 3, 野村 昌治 4, 朝倉 1. 名大院工 , 2. 北大触媒研 , 3.ICU, 4.KEK-PF
清高 2

7.5 イオンビーム一般 / Ion beams
14:15		 10p-S423-4
14:30		 10p-S423-5
14:45		15:00		 10p-S423-6
15:15		 10p-S423-7

STEM モアレフリンジ法による InP/InGaAs 界面歪み分
布計測
可搬型中性子反射率イメージャーの開発
休憩 /Break
逆光電子ホログラフィーを用いた強誘電体酸窒化物の局所構造解析
X 線光電子分光における時空間計測・解析手法の開発〇陳 桐民 1, 大島 義文 1, 赤堀 誠志 1

1. 北陸先端大〇桜井 健次 1, 水沢 まり 2, 1, 岩元 めぐみ 1

1. 物材機構 , 2.CROSS〇山本 裕太 1, 木村 耕治 1, Artoni Ang1, 松下 智裕 2, 1. 名古屋工業大学 , 2. 高輝度光科学研究センター, 3. 東
廣瀬 靖 3, 林 好一 1
京大学
〇豊田 智史 1, 梶野 雄太 2, 山本 知樹 2, 首藤 大器 3, 野 1. 京都大学 , 2. 兵庫県大 , 3.SP8 サービス , 4. マツダ ,8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
8.1 プラズマ生成・診断 / Plasma production and diagnostics
3/9(Sat.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) W323 会場 (Room W323)
13:30		 9p-W323-1
衝突輻射モデルに基づく発光分光計測による低気圧マイ 〇山崎 文徳 1, 根津 篤 1, 赤塚 洋 1
1. 東京工業大学
クロ波放電 Ar プラズマの電子温度・密度診断
13:45		 9p-W323-2
発光分光計測よる大気圧非平衡 Ar プラズマの電子温度・ 〇大西 広 1, 根津 篤 2, 赤塚 洋 3
1. 東工大工 , 2. 東工大技術部 , 3. 東工大研究院
電子密度の導出と比較
1
1
2
14:00		 9p-W323-3
In-situ Measurements of Electron Density and Film
Mizuki Hanajima , Keiji Nakamura , Hideo Sugai ,1.Chubu University, 2.Nagoya Industrial Sci. Res. Inst.
Thickness by Curling Probe〇 (B)DAISUKE OGAWA1
14:15		 9p-W323-4
高電圧直流パルス大気圧プラズマジェットを用いたプラ 〇呉 準席 1, 白藤 立 1, 八田 章光 2, 伊藤 昌文 3
1. 大阪市大工 , 2. 高知工大工 , 3. 名城大理工
ズマ活性水作製
14:30		 9p-W323-5
NaCl 水溶液を電極とした大気中ヘリウム直流グロー放 細田 崚平 1, 白井 直機 1, 杤久保 文嘉 2, 〇佐々木 浩
1. 北大工 , 2. 首都大システムデザイン
電における負イオン種
一1
14:45
奨 9p-W323-6
窒素シースガス流への微量酸素添加による RONS 生成制 〇 (M2) 小川 広太郎 1, 矢島 英樹 2, 古田 寛 1, 八田 章 1. 高知工科大学 , 2. オーク製作所
御
光1
15:00
奨 9p-W323-7
大気圧プラズマの空間アフターグローと相互作用する気 〇 (M1) 金子 拓真 1, 白井 直機 1, 佐々木 浩一 1
1. 北大工液界面における表面張力の計測
15:15
奨 9p-W323-8
二周波重畳容量結合プラズマ基本特性の実験的評価〇 (M1) 三矢 晶洋 1, 森山 誠 1, 鈴木 陽香 1, 豊田 浩孝 1 1. 名大工
15:30		休憩 /Break
15:45
奨 9p-W323-9
スロット型大気圧マイクロ波プラズマの時空間分解計測 〇 (M1) 馬場 賀己 1, 鈴木 陽香 1, 豊田 浩孝 1
1. 名大工16:00
奨 9p-W323-10 シミュレーションによる二周波重畳容量結合プラズマの 〇 (D) 森山 誠 1, 三矢 晶洋 1, 中原 尚哉 1, 鈴木 陽香 1, 1. 名大工1
基本特性解析
豊田 浩孝
16:15		 9p-W323-11 反応性プラズマにおける相互作用揺らぎの時空間構造の 〇鎌滝 晋礼 1, 周 靭 1, 大友 洋 1, 山下 大輔 1, 板垣 奈 1. 九大シス情
周波数依存性穂 1, 古閑 一憲 1, 白谷 正治 1
16:30		 9p-W323-12 【注目講演】Ar プラズマ中の光捕捉微粒子を用いたシー 〇富田 健太郎 1, 大友 洋 2, 鎌滝 晋礼 2, 板垣 奈穂 2, 古 1. 九大総理工 , 2. 九大シス情ス近傍電界計測法の開発
閑 一憲 2, 白谷 正治 2
16:45		 9p-W323-13 窒素雰囲気下の直流アークにおけるタングステン陰極の 〇田中 学 1, 吉田 匡希 1, 渡辺 隆行 1, 清水 誠一郎 2, 藤 1. 九大院工 , 2. 日本タングステン
消耗加速機構井 浩二 2
17:00		 9p-W323-14 鉄とフラーレンのイオンが共存する ECR プラズマの生成 〇加藤 裕史 1, 大西 広司 1, 濱田 滉太 1, 竹田 樹人 1, 奥 1. 阪大院工と経緯 / 装置改良
村 一起 1, 大森 貴之 1
17:15		 9p-W323-15 鉄内包フラーレン気相実験時の極低パワーマイクロ波条 〇大西 広司 1, 濱田 滉太 1, 竹田 樹人 1, 大森 貴之 1, 奥 1. 阪大院工件でのプラズマパラメータ測定と装置改良
村 一起 1, 加藤 裕史 1

8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics

瀬 惣市 3, 吉村 真史 3, 住田 弘祐 4, 三根生 晋 4, 町田 雅 5. シエンタオミクロン , 6. 原子力機構
武 5, 吉越 章隆 6, 横山 和司 2
15:30
奨 10p-S423-8 室温ハーフメタル Co2TiSn の単結晶育成と物性評価〇小柳 海人 1, 村瀬 正恭 1, 笹川 崇男 1
1. 東工大フロンティア研
15:45		 10p-S423-9 強いスピン軌道相互作用を持つミスフィット層状 Bi 化合 〇 (M2) 竹田 駿 1, 笹川 崇男 1
1. 東工大フロンティア研
物の単結晶育成と超伝導特性評価
16:00		休憩 /Break
16:15		 10p-S423-10 超伝導体 Y2O2Bi における元素置換効果
寺門 恭兵 1, 〇河底 秀幸 1, 松本 倖汰 1, 福村 知昭 1, 2
1. 東北大理 , 2. 東北大 WPI-AIMR & Core Research
Cluster
16:30
奨 10p-S423-11 過剰酸素導入による層状オキシニクタイド化合物〇松本 倖汰 1, 河底 秀幸 1, 福村 知昭 1, 2
1. 東北大理 , 2. 東北大 WPI-AIMR & Core Research
La2O2Bi の高移動度 p 型伝導
Cluster
16:45
奨 10p-S423-12 2 種類の原子を加えた Honeycomb ナノリボンにおける 2 〇伊藤 蓮 1, 近藤 憲治 1
1. 北大電子研
次元量子スピンホール相の研究
17:00		 10p-S423-13 スピン液体候補物質 OsCl3 の合成と粉末 X 線回折プロ〇高瀬 浩一 1, 出村 郷志 1, 中川 広野 2, 山崎 篤志 2, 森 1. 日大理工 , 2. 甲南大理工 , 3. 広大院理ファイルのその場観察
吉 千佳子 3, 黒岩 芳弘 3
7.5 イオンビーム一般 / Ion beams
3/10(Sun.) 9:30 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) S224 会場 (Room S224)
9:30		 10a-S224-1
伝統的イオン衝突シミュレーションプログラムの改善手 〇青木 学聡 1
1. 京都大法の検討
9:45		 10a-S224-2
高エネルギーイオン入射による Si での生成電荷分布計測 〇阿保 智 1, 谷 健一 1, 若家 冨士男 1, 小野田 忍 2, 山下 1. 阪大院基礎工 , 2. 量研機構 , 3.JST さきがけ(II)
隼人 1, 3, 宮戸 祐治 1, 阿部 真之 1
10:00		 10a-S224-3
Au-Si 共晶合金イオン源を用いたイオン注入によるシリ 〇岡西 裕太 1, 一宮 正義 1, 柳沢 淳一 1
1. 滋賀県立大工
コン酸化膜内での金ナノ粒子の形成と評価
10:15		 10a-S224-4
ビームプラズマが低エネルギーイオンビームの発散角へ 〇早川 太朗 1, 永尾 友一 1, 井内 裕 1, 三上 隆司 1
1. 日新イオン
与える影響
1
2
3
4
10:30		 10a-S224-5
反応性ガスクラスターインジェクションを用いた斜め 2 〇瀬木 利夫 , 山本 洋揮 , 古澤 孝弘 , 荘所 正 , 小池 1. 京大院工 , 2. 量研 , 3. 阪大産研 , 4. 岩谷産業 , 5. 京大メ
方向エッチングによる 3D 構造の作成 (II)
国彦 4, 青木 学聡 5, 松尾 二郎 1
ディアセンター10:45		 10a-S224-6
Laser-SNMS を用いたバナジウムの共鳴イオン化に関す 〇清川 圭 1, 2, 森田 真人 2, 趙 越 2, 柴田 祐樹 1, 田口 宗 1. 東芝ナノアナリシス , 2. 工学院大学
る研究孝 1, 坂本 哲夫 2
11:00		 10a-S224-7高分子の SIMS 分析に向けたエレクトロスプレーイオン 〇 (M2) 山田 周平 1, 瀬木 利夫 1, 青木 学聡 2, 松尾 二 1. 京大院工 , 2. 京大メディアセンター
源の開発
郎1
11:15		 10a-S224-8
ミストの付加によるポリマーのイメージング分解能の向 〇松田 大輝 1, 瀬木 利夫 2, 青木 学聡 1, 松尾 二郎 1
1. 京大院工 , 2. 京大メディア
上【CS.6】6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.5 & 7.6
3/11(Mon.) 10:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) S224 会場 (Room S224)
10:30		 11a-S224-1
スピン偏極イオン散乱分光法による Ge/Fe(100) 界面の 〇鈴木 拓 1
1. 物材機構解析
10:45		 11a-S224-2
加熱処理による SrTiO3(001) 表面の電子状態変化〇光原 圭 1, 八木 健 1, 柚山 大地 1, 滝沢 優 1
1. 立命館大理工
11:00		 11a-S224-3
リアルタイム光電子分光による水吸着二酸化チタン表面 高柳 周平 1, 〇大野 真也 1, 勝部 大樹 3, 尾島 章輝 3, 前 1. 横国大院工 , 2. 原子力機構 , 3. 阪大基礎工
3
2
2
3
の評価
田 元康 , 吉田 光 , 西 静佳 , 阿部 真之
11:15		 11a-S224-4
グラフェンを利用した絶縁体試料の X 線吸収分光と光電 〇鈴木 哲 1, 春山 雄一 1
1. 兵庫県立大高度研
子分光
11:30		 11a-S224-5
高エネルギー分解能 REELS 装置を用いた可視から超軟 X 〇原田 善之 1, 達 博 1, 篠塚 寬志 1, 田沼 繁夫 1, 吉川 英 1. 物材機構 , 2. 筑波大線帯の酸化鉄の誘電関数評価
樹 1, 柳原 英人 2
11:45		 11a-S224-6
酸素分子解離吸着の立体化学における合金効果 : Cu(110) 〇津田 泰孝 1, 植田 寛和 2, 倉橋 光紀 3, 岡田 美智雄 1, 4 1. 阪大理 , 2. 原子力機構 , 3. 物材機構 , 4. 阪大放射線機構
vs Cu3Au(110)8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理 / Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics

17:30		 9p-W323-16

2.45GHz ECR プラズマへの 4-6GHz X モード導入実験の 〇濱田 滉太 1, 大西 広司 1, 竹田 樹人 1, 大森 貴之 1, 奥 1. 阪大院工最適化
村 一起 1, 加藤 裕史 1
17:45		 9p-W323-17 低エネルギーXe イオンビーム照射による衛星材料の損傷 〇竹田 樹人 1, 大西 広司 1, 濱田 滉太 1, 奥村 一起 1, 大 1. 阪大院工評価のための引き出し電極・ビームラインの改良
森 貴之 1, 加藤 裕史 1
3/12(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 12a-PB1-1
マイクロ波アンテナへの DC パルス電圧印加による絶縁 〇福田 奨 1, 宇田川 洸 1, 鈴木 陽香 1, 田内 裕基 2, 豊田 1. 名大工 , 2. 神戸製鋼所
表面へのイオン衝撃浩孝 1
			 12a-PB1-2
鉄内包フラーレン気層合成のための誘導加熱鉄蒸発源に 〇大森 貴之 1, 大西 広司 1, 竹田 樹人 1, 濱田 滉太 1, 奥 1. 阪大院工おける鉄蒸発量制御の改良
村 一起 1, 加藤 裕史 1
			 12a-PB1-3
ECRIS プラズマの多極磁場と引き出し電極の位置の最適 〇奥村 一起 1, 竹田 樹人 1, 大西 広司 1, 濱田 滉太 1, 大 1. 阪大院工化に向けた予備実験
森 貴之 1, 加藤 裕史 1
			 12a-PB1-4
細径ノズルから噴射される大気圧μプラズマの流体解析 〇吉木 宏之 1, 乙坂 謙次 1, 佐藤 岳彦 2, 中嶋 智樹 2, 上 1. 鶴岡高専 , 2. 東北大
原 聡司 2
			 12a-PB1-5
Ar 流量制御による高出力パルスマグネトロンスパッタの 〇 (M1) 西田 寛 1, 平井 芳拓 1, 中込 雄基 1, 西宮 信夫 1, 1. 東京工芸大工 , 2.（株）アヤボ , 3. 東北大院理
遅延放電およびプラズマ発光特性
實方 真臣 1, 山本 宏晃 2, 戸名 正英 2, 塚本 恵三 2, 大下
慶次郎 3, 美齊津 文典 3
			 12a-PB1-6
高出力パルスマグネトロンスパッタのマイクロ／マクロ 〇中込 雄基 1, 平井 芳拓 1, 西田 寛 1, 西宮 信夫 1, 實方 1. 東京工芸大工 , 2.（株）アヤボ , 3. 東北大院理パルス設計とプラズマ発光分光計測
真臣 1, 山本 宏晃 2, 戸名 正英 2, 塚本 恵三 2, 大下 慶次
郎 3, 美齊津 文典 3
			 12a-PB1-7
低温大気圧プラズマジェットの発光伝播現象計測〇山田 大将 1, 荻原 康太 1, 篠原 誠 1, 宮下 涼 1, 村石 圭 1. 長野高専
哉 1, 田中 秀登 1
			 12a-PB1-8ポリビニルアルコール - ヨウ化カリウムを用いた活性酸 〇松浦 寛人 1, 松井 良樹 1, オウアンサビンサ ブニャ 1. 大阪府大素ラジカルの計測
ン 1, トラン トラングエン 1, 坂元 仁 1
			 12a-PB1-9
Si 含有 DLC 成膜用テトラメチルシランプラズマ特性の計 〇大野 祐也 1, 永井 雅之 1, 鈴木 駿 1, 小田 昭紀 1, 太田 1. 千葉工大 , 2. 名城大 , 3. 岐阜大
測 - プラズマ基礎特性のガス流量依存性 貴之 2, 上坂 裕之 3
8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理 / Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11a-PA5-1
粉体ターゲットによる２次元薄膜の作製 I〇川崎 仁晴 1, 大島 多美子 1, 柳生 義人 1, 猪原 武士 1, 1. 佐世保高専
篠原 正典 1
			 11a-PA5-2
低ガス圧力運転を可能にする磁気ミラー型マグネトロン 〇川戸 勇人 1, 本村 大成 2, 梶原 みなみ 1, 田原 竜夫 2, 1. 久留米高専 , 2. 産総研
スパッタリングカソード
上原 雅人 2, 奥山 哲也 1		
E 11a-PA5-3
Morphological Characterization of RF Magnetron〇 (M2)Edrick Abu Saidu1, AKIO SANPEI1,
1.KYOTO INST. OF TECH.
Sputtered Zinc Oxide Thin Films-Laser Assisted.
WATARU WAKAKI1, YASUAKI HAYASHI1
			 11a-PA5-4
c-C4F8/SiF4 混合凝縮層の電子励起による a-C:F の低温合 〇 (M1) 三谷 隼弘 1, 佐藤 哲也 1, 塩澤 佑一朗 2, 上垣 1. 山梨大・院 , 2. 山梨県産技セ
成と物性評価 c-C4F8/SiF4 混合凝縮層の電子励起による
良信 2
a-C:F の低温合成と物性評価			 11a-PA5-5
アクティブスクリーンプラズマによる窒化とその評価Ⅲ 〇 (PC) 市村 進 1, 水流 一平 2, 大久保 大地 2, 松尾 英 1. 名古屋産業振興公社 , 2. 中日本炉工業 株式会社
明 2, 後藤 峰男 2
			 11a-PA5-6
室温原子層堆積法の開発とガスバリア応用〇廣瀬 文彦 1
1. 山形大院理工			 11a-PA5-7
窒化物半導体の熱電子放出特性におけるアルカリ金属吸 〇内田 翔太 1, 安原 弘一郎 1, 木村 重哉 2, 吉田 学史 2, 1. 静大院工 , 2.( 株 ) 東芝
1
着の影響
荻野 明久
			 11a-PA5-8
プラズマ支援ミスト CVD におけるプラズマ中の液滴蒸発 〇竹中 弘祐 1, 節原 裕一 1
1. 阪大接合研
挙動			 11a-PA5-9
大気開放型プラズマジェットを利用した Au-ZnO ナノコ 〇清水 禎樹 1, 2, 石川 善恵 1, 畠山 一翔 1, 2, 伯田 幸
1. 産総研ナノ材料 RI, 2. 産総研東大 OIL
ンポジット薄膜の作製とその光触媒特性
也 2, 1
			 11a-PA5-10 NF3 凝縮 SiO2 基板への DC 放電生起電子照射によるシリ 〇熊谷 仁志 1
1. 山梨大工
コン酸化膜のクライオエッチング		E 11a-PA5-11 BCl3-based plasma etching of (010) β -Ga2O3 substrates 〇 (M1C)Yohan DOUEST1, 3, Cedric1.Tsukuba Univ., 2.AIST, 3.Grenoble-Alpes Univ.
MANNEQUIN1, Toshimitsu ITO2, Christophe
VALLEE1, 3, Etienne GHEERAERT1, 3, Masahiro
SASAKI1
			 11a-PA5-12 低圧 RF 容量結合型炭化水素プラズマによる DLC 膜堆積 〇 (M1) 小川 慎 1, 小田 昭紀 1, 太田 貴之 2, 上坂 裕之 3 1. 千葉工大 , 2. 名城大 , 3. 岐阜大モデルの構築3/11(Mon.) 13:45 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) W641 会場 (Room W641)
13:45
奨 11p-W641-1 Si 基板内部に形成されるプラズマ誘起ダメージの電気的 〇濱野 誉 1, 占部 継一郎 1, 江利口 浩二 1
1. 京大院工
欠陥プロファイル解析手法の最適化
14:00
奨 11p-W641-2 コンダクタンス法を用いたシリコン窒化膜表面近傍のプ 〇久山 智弘 1, 占部 継一郎 1, 江利口 浩二 1
1. 京大院工
ラズマ誘起ダメージ構造の解析
14:15		 11p-W641-3 【注目講演】プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～結晶シリ 〇布村 正太 1, 坂田 功 1, 松原 浩司 1
1. 産総研太陽光発電研究センター
コン内の水素と欠陥～
14:30
奨 11p-W641-4 軽元素のⅢ -V 族半導体中への侵入メカニズム〇小玉 欣典 1, 財前 義史 1, 深沢 正永 1, 釘宮 克尚 1, 長 1. ソニーセミコンダクタソリューションズ
岡 弘二郎 1
14:45 奨 E 11p-W641-5 Molecular Dynamics Simulation of SiO2 Etching by〇 (M2)Charisse Cagomoc1, Michiro Isobe1, Satoshi 1.Osaka University
Energetic Fluorocarbon Ions
Hamaguchi1
15:00		 11p-W641-6 機械学習を用いたスパッタ率予測〇幾世 和将 1, 木野 日織 2, 浜口 智志 1
1. 阪大工 , 2. 物材機構
15:15		 11p-W641-7 BF3 及び BCl3 化合物の電子物性と解離〇林 俊雄 1, 関根 誠 1, 石川 健治 1, 堀 勝 1
1. 名大工15:30		休憩 /Break
15:45		 11p-W641-8 ヘキサフルオロアセチルアセトンによる遷移金属 (Ni,〇伊藤 智子 1, 唐橋 一浩 1, 浜口 智志 1
1. 阪大院工Co) におけるサーマルエッチング反応解析
16:00		 11p-W641-9 フッ素原子を含むイオンによるエッチング反応〇唐橋 一浩 1, 伊藤 智子 1, 橋本 惇一 2, 大村 光広 2, 林 1. 阪大院工 , 2. 東芝メモリ（株）
久貴 2, 浜口 智志 1
16:15
奨 11p-W641-10 水蒸気添加水素プラズマによる金属銅のドライエッチン 〇白數 佳紀 1, 安東 卓洋 1, 垣内 弘章 1, 安武 潔 1, 大参 1. 阪大院工グ
宏昌 1
16:30 奨 E 11p-W641-11 Etching reactions of Si, SiO2, and SiN films using with〇 (M1)Jiawei Ni1, Toshio Hayashi1, Kenji Ishikawa1, 1.Nagoya University
hydrofluorocarbon compounds
Takayoshi Tsutsumi1, Hiroki Kondo1, Makoto
Sekine1, Masaru Hori1
16:45
奨 11p-W641-12 Y-O-F 系セラミックスの CHF3 および O2 プラズマによる 〇宮下 健司 1, 津之浦 徹 1, 吉田 克己 1, 矢野 豊彦 1
1. 東工大工腐食挙動
17:00		 11p-W641-13 中性粒子ビームによる Ge Fin 構造の側壁エッチング特性 〇 (PC) 大堀 大介 1, 野田 周一 2, 藤井 卓也 1, 水林 亘 2, 1. 東北大流体研 , 2. 産総研 , 3.NCTU, 4.NDL, 5. 東北大の検討
遠藤 和彦 1, 2, Lee En-Tzu1, Li Yiming3, Lee Yao-Jen4, AIMR
尾崎 卓哉 1, 寒川 誠二 1, 2, 5
17:15		 11p-W641-14 エッチングレート面内分布に対する誘導結合型小径アン 〇杉本 雄太 1, 山華 雅司 1, 岡本 芳枝 2, 吉森 大晃 2, 東 1. 東芝 , 2. 芝浦メカトロニクス
テナ形状の影響
野 秀史 2

8.3 プラズマナノテクノロジー / Plasma nanotechnology
3/12(Tue.) 9:00 - 12:45
9:00		 12a-W641-1

口頭講演 (Oral Presentation) W641 会場 (Room W641)
プラズマ励起ラジカルの強制対流による高品質グラフェ
ンの低温合成9:15		 12a-W641-2 高ガス流速下におけるシランプラズマ中で発生した粒子の堆積とその膜質への影響
9:30
奨 12a-W641-3 プラズマ球状化処理による水アトマイズステンレス粉末の流動特性改善9:45		 12a-W641-4 光学応答デバイスに向けたプラズマによる銀ナノ粒子改質
10:00
奨 12a-W641-5 Ar/ 水エタノール混合蒸気大気圧プラズマによるポリテトラフルオロエチレンの表面改質
10:15
奨 12a-W641-6 大気圧長尺マイクロ波プラズマによる大面積高速表面処理10:30
奨 12a-W641-7 電磁界シミュレーョンを用いたスロットアンテナ励起によるマイクロ波プラズマの均一生成法の検討
10:45		 12a-W641-8 熱電対を用いた裏面温度測定によるシリコンウェハ非接
触温度測定の絶対温度の検証
11:00		休憩 /Break11:15
招 12a-W641-9 「講演奨励賞受賞記念講演」
スパッタエピタキシーによるサファイア基板上 (ZnO)〇金 載浩 1, 榊田 創 1, 板垣 宏知 1

1. 産総研田中 和真 1, 石 榴 1, 原 尚志 1, 永石 翔大 1, 山下 大輔 1, 1. 九大シス情 , 2. 自然科学研究機構
鎌滝 晋礼 1, 板垣 奈穂 1, 〇古閑 一憲 1, 2, 白谷 正治 1
〇板垣 宏知 1, 花田 幸太郎 1, 廣瀬 伸吾 1
1. 産総研〇 (D) 細見 圭 1, 尾崎 孝一 1, 高廣 克己 1, 西山 文隆 2,

横山 新 2〇 (B) 谷 雅彦 1, 矢島 英樹 2, 古田 寛 1, 八田 章光 1

1. 京都工繊大 , 2. 広島大1. 高知工科大学 , 2. オーク製作所〇小間 浩嗣 1, 杉山 敦士 1, 鈴木 陽香 1, 本田 剛 2, 豊田 1. 名大工 , 2. ニッシン
浩孝 1
〇島田 大伸 1, 相澤 洸 1, 石島 達夫 1, 田中 康規 1, 上杉 1. 金沢大自然
喜彦 1〇 (M1) 亀田 朝輝 1, 花房 宏明 1, 東 清一郎 1

1. 広大院先端研〇宮原 奈乃華 1, 浦川 聖市 1, 山下 大輔 1, 鎌滝 晋礼 1, 1. 九大シス情
古閑 一憲 1, 白谷 正治 1, 板垣 奈穂 1

8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics

x(InN)1-x 薄膜の 2 段階成長
11:30		 12a-W641-10 RF-DC 結合電源を用いたハイブリッド対向スパッタによ 〇諸橋 信一 1
1. 山口大学
る ITO 薄膜作製 II- スパッタ電圧の可動棒磁石移動距離依存性 11:45		 12a-W641-11 MgF2-Ar-CF4 および Mg-Ar-CF4 スパッタリングにおける 〇草野 英二 1
1. 金沢工大バイオ・化学
阻止電極をもちいた薄膜再スパッタリングの抑制
12:00
奨 12a-W641-12 ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリングを用 〇 (M1) 中村 将之 1, 竹田 圭吾 1, 太田 貴之 1
1. 名城大理工
いた TiN 成膜プロセスにおける基底状態の窒素原子密度計測
12:15		 12a-W641-13 プラズマ支援反応性プロセスを用いた大面積基板への節原 裕一 1, 〇竹中 弘祐 1, 吉谷 友希 1, 平山 裕之 1, 遠 1. 阪大接合研 , 2. イー・エム・ディー
IGZO 薄膜トランジスタの形成
藤 雅 1, 内田 儀一郎 1, 江部 明憲 2
12:30		 12a-W641-14 プログラマブル RAS の開発〇田中 康仁 1, 2, 一色 秀夫 2, 税所 慎一郎 1
1. シンクロン , 2. 電通大
8.3 プラズマナノテクノロジー / Plasma nanotechnology
3/10(Sun.) 9:00 - 10:45 口頭講演 (Oral Presentation) W241 会場 (Room W241)
9:00		 10a-W241-1 金ナノ粒子触媒被覆シリコンの低ダメージラジカル窒化 〇三宅 万智子 1, 本田 昂平 1, 北嶋 武 1, 中野 俊樹 1
1. 防衛大9:15		 10a-W241-2 金ナノ粒子触媒被覆グラフェン / グラファイトの低ダ〇北嶋 武 1, 加藤 涼 1, 三宅 万智子 1, 中野 俊樹 1
1. 防衛大メージラジカル窒化
9:30
E 10a-W241-3 In-liquid plasma formation at low temperature for in-situ 〇 (DC)Ranjit Borude1, Hirotsugu Sugiura1, Kenji
1.Nagoya Univ.
binding of SnO2/Graphene
Ishikawa1, Takayoshi Tsutsumi1, Hiroki Kondo1,
Nobuyuki Ikarashi1, Masaru Hori1
9:45
奨 10a-W241-4 カーボンナノウォール足場上での電気刺激印加細胞培養 〇市川 知範 1, 近藤 博基 1, 橋爪 博司 1, 田中 宏昌 1, 堤 1. 名大院工における負荷率の効果
隆嘉 1, 石川 健治 1, 堀 勝 1
10:00
奨 10a-W241-5 sPFE によるシリコンナノロッド連続生成と LIB 負極特性 〇田中 章裕 1, 太田 遼至 1, 道垣内 将司 2, 神原 淳 1
1. 東大院工 , 2. 島根産技センター
10:15
奨 10a-W241-6 斜め堆積法を適用した反応性スパッタリング法による〇中山 佳之 1, 細谷 昌史 1, 井上 泰志 1, 高井 治 2
1. 千葉工大 , 2. 関東学院
InAlN 膜の作製
1
1
10:30		 10a-W241-7 マグネトロンスパッタリングダストプラズマを用いたス 小山 寛 , 〇佐々木 浩一
1. 北大工ズ液滴をコアとするコアシェル微粒子の作成プロセス
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11a-PA6-1
吸着誘起型エレクトロクロミック現象に対する溶液温度 〇本間 雅大 1, 泉澤 宏樹 1, 川堀 悠樹 1, 井上 泰志 1, 高 1. 千葉工業大学 , 2. 関東学院大学の影響
井 治2
			 11a-PA6-2
液体流形マイクロ波プラズマによるナノ粒子の高速合成 〇楊 少菲
8.4 プラズマライフサイエンス / Plasma life sciences
3/9(Sat.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) W241 会場 (Room W241)
13:45		 9p-W241-1
プラズマ照射溶液で培養した HeLa 細胞の観察
前田 昌吾 1, 細井 祐吾 1, 〇石川 健治 1, 橋爪 博司 1, 田 1. 名大工中 宏昌 1, 堀 勝 1
14:00		 9p-W241-2
プラズマ照射培養液を用いた皮膚がん細胞と皮膚正常細 〇室 鴻之介 1, 本橋 健次 1, 2, 加藤 和則 1, 2, 薄井 雄大 2, 1. 東洋大院理工 , 2. 東洋大理工
胞の不活化効果の比較
小野 達也 2
14:15		 9p-W241-3
プラズマ活性乳酸のがん細胞の選択的殺傷効果を有する 細井 祐吾 1, 前田 昌吾 1, 〇石川 健治 1, 吉武 淳 2, 柴田 1. 名大工 , 2. 名大農 , 3. 名大医分子
貴広 2, 田中 宏昌 1, 橋爪 博司 1, 吉川 史隆 3, 水野 正
明 3, 堀 勝 1
14:30
奨 9p-W241-4
酸素・窒素ラジカル活性培養液の抗腫瘍効果〇 (M1) 小川 和馬 1, 水野 貴仁 1, 村田 富保 1, 堀 勝 2, 1. 名城大 , 2. 名古屋大
伊藤 昌文 1
14:45
奨 9p-W241-5
電気的要因の数値解析を用いた沿面放電による遺伝子導 〇 (M1) 平重 寛子 1, 平松 達弥 1, 木戸 祐吾 1, 2, 佐藤
1. 愛媛大院理工 , 2. パール工業 , 3. ワイ’ ズ
入機序の探索晋 1, 3, 神野 雅文 1
15:00
奨 9p-W241-6
細胞 - 導入分子間の衝突周波数から見た沿面放電法にお 〇 (M1) 平松 達弥 1, 平重 寛子 1, 木戸 祐吾 1, 2, 佐藤
1. 愛媛大工 , 2. パール工業 , 3. ワイ’ ズ
ける遺伝子導入効率の分子量依存性
晋 1, 3, 神野 雅文 1
15:15		休憩 /Break
15:30
奨 9p-W241-7
大気圧加湿ヘリウムプラズマ照射によって液底へ供給さ 〇赤澤 拓斗 1, 佐々木 渉太 1, 本田 竜介 1, 金子 俊郎 1 1. 東北大工れる OH ラジカルの径方向分布測定
15:45 奨 E 9p-W241-8
Development of rotating ambient-air arc jet for low〇 (PC)Vladislav Anatolyevich Gamaleev1, Naoyuki 1.Meijo Univ., 2.Osaka City Univ.
temperature treatment
Iwata1, Jun-Seok Oh2, Mineo Hiramatsu1, Masafumi
Ito1
16:00 奨 E 9p-W241-9
The Amino Group Effect of Plasma Irradiation for Surface 〇 (M2)Anjar Anggraini Harumningtyas1, Tomoko
1.Osaka Univ., 2.Aimedic MMT, 3.Masaryk Univ., 4.
Treatment on Hydroxyapatite (HA) Artificial Bone
Ito1, Satoshi Sugimoto1, Joe Kodama1, Takashi Kaito1, CEITEC
Chieko Asamori2, Miroslav Michlicek3, 4, David
Necas4, Lenka Zajickova3, 4, Satoshi Hamaguchi1
16:15		 9p-W241-10 プラズマ活性溶液がコレステロール含有脂質二重膜の形 〇山岡 壮太郎 1, 近藤 博基 1, 橋爪 博司 2, 石川 健治 1, 1. 名大院工 , 2. 名大未来社会創造機構
状に及ぼす効果
田中 宏昌 2, 堀 勝 2
16:30		 9p-W241-11 プラズマ殺菌のメカニズム解析を目的とした過硝酸とア 〇横山 高史 1, 宮崎 慎也 1, 井川 聡 2, 北野 勝久 1
1. 阪大工 , 2. 大阪技術研
ミノ酸の反応性の評価
1
1
1
1
16:45		 9p-W241-12 大気圧低温プラズマが誘発する核酸塩基修飾の解析〇栗田 弘史 , 春田 夏輝 , 内橋 義人 , 高島 和則
1. 豊橋技科大3/11(Mon.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W611 会場 (Room W611)
9:00		 11a-W611-1 分裂酵母へのガス温度制御ヘリウムプラズマジェット照 〇吉村 信次 1, 2, 大坪 瑶子 1, 2, 3, 山下 朗 2, 3, 中出 敦子 3, 1. 核融合研 , 2.NINS 新分野創成セ , 3. 基生研 , 4. 日大生射
荒巻 光利 4, 古閑 一憲 5
産工 , 5. 九大シス情9:15
奨 11a-W611-2 酸素ラジカル処理芳香族化合物による中性 pH 領域にお 〇 (M1) 岩田 直幸 1, ガマリェエフ ウラディスラフ 1, 1. 名城大学 , 2. 大阪市立大学 , 3. 名古屋大学
ける細菌不活性化と植物の生長促進
呉 準席 2, 橋爪 博司 3, 太田 貴之 1, 石川 健治 3, 堀 勝 3,
伊藤 昌文 1

8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野 / Plasma phenomena, emerging area of plasmas and their new applications
酸素ラジカルまたは酸化窒素ラジカルで処理した滅菌水を用いた緑膿菌の不活性化
9:45
奨 11a-W611-4 空気プラズマ活性ガスを用いた精製水直接噴霧装置によるイチゴ炭疽病菌分生子発芽抑制効果
10:00
奨 11a-W611-5 気液界面プラズマ生成 OH ラジカルによるプラズマ照射
溶液のイチゴ炭疽病菌分生子発芽抑制効果の向上
10:15		休憩 /Break10:30
招 11a-W611-6 「講演奨励賞受賞記念講演」
アーク放電生成気体の供給による養殖魚の成長促進効果
10:45		 11a-W611-7 イネ圃場における定期的な低温プラズマ処理による生育や収穫に対する検討

8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics

9:30

奨 11a-W611-3〇 (M1) 長瀬 智之 1, 小森 由美子 1, 堀 勝 2, 伊藤 昌文 1 1. 名城大学 , 2. 名古屋大学〇 (M1)HU YUE1, 二瓶 健司 1, 髙島 圭介 1, 金子 俊郎1
〇 (M2) 二瓶 健司 1, 髙島 圭介 1, 金子 俊郎 1

1. 東北大工1. 東北大院工〇福島 諒 1, Nasuha Izyan1, 池田 善久 1, 神野 雅文 1

1. 愛媛大理工〇橋爪 博司 , 北野 英己 , 湯浅 元気 , 東野 里江 , 水 1. 名古屋大学 , 2. 富士通クライアントコンピューティン
1

1

2

2

野 寛子 1, 田中 宏昌 1, 石川 健治 1, 松本 省吾 1, 榊原
グ株式会社
均 1, 仁川 進 2, 前島 正義 1, 水野 正明 1, 堀 勝 1
11:00		 11a-W611-8 イネ種子への低温プラズマ照射による成長促進効果〇橋爪 博司 1, 北野 英己 1, 水野 寛子 1, 木下 悟 1, 湯浅 1. 名古屋大学 , 2. 富士通クライアントコンピューティン
元気 2, 東野 里江 2, 田中 宏昌 1, 石川 健治 1, 松本 省
グ株式会社
吾 1, 榊原 均 1, 仁川 進 2, 前島 正義 1, 水野 正明 1, 堀
勝1
11:15		 11a-W611-9 種子へ低温プラズマ照射したイネ苗の環境制御下におけ 〇橋爪 博司 1, 北野 英己 1, 湯浅 元気 2, 東野 里江 2, 水 1. 名古屋大学 , 2. 富士通クライアントコンピューティン
る栽培
野 寛子 1, 木下 悟 1, 田中 宏昌 1, 石川 健治 1, 松本 省 グ株式会社
吾 1, 榊原 均 1, 仁川 進 2, 前島 正義 1, 水野 正明 1, 堀
勝1
11:30		 11a-W611-10 青果物栽培における低温プラズマ処理の品質への効果〇堀 勝 1, 橋爪 博司 1, 松本 省吾 1, 坪田 憲紀 1, 伊藤 昌 1. 名古屋大学 , 2. 名城大学 , 3. 富士通クライアントコン
文 2, 湯浅 元気 3, 東野 里江 3, 田中 宏昌 1, 石川 健治 1, ピューティング株式会社 , 4. 幸田町企画部企業立地課
北野 英己 1, 榊原 均 1, 仁川 進 3, 前島 正義 1, 水野 正
明 1, 大熊 隆之 4
11:45		 11a-W611-11 プラズマを用いた植物細胞への分子導入のエンドサイ〇池田 善久 1, 西 雅明 1, 宮本 聡一朗 1, 木戸 祐吾 2, 1, 1. 愛大院理工 , 2. パール工業 , 3. ワイ’ ズ , 4. 愛大院農
トーシス依存性の役割
佐藤 晋 3, 1, 小林 括平 4, 神野 雅文 1
3/12(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 12a-PB2-1
低温大気圧プラズマ照射溶液中の活性種分布〇清水 鉄司 1
1. 産総研			 12a-PB2-2
大気圧アルゴンプラズマで生成する気相活性種と液中活 〇長門 研吉 1, 瀬戸 貴仁 2, 水田 成水 1, 宮本 潤一郎 2, 1. 高知高専 , 2. 豊橋技科大
性種の相関
栗田 弘史 2, 高島 和則 2
			 12a-PB2-3
量子化学計算を用いた放電活性種と膜構成分子の反応解 〇戸田 和希 1, 内田 諭 1, 栃久保 文嘉 1
1. 首都大シスデザ析			 12a-PB2-4
細胞膜内における活性酸素種輸送の分子動力学解析〇 (M2) 太田 隼人 1, 内田 諭 1, 杤久保 文嘉 1
1. 首都大理工‐アンブレラサンプリングにおけるウィンドウ幅の影響‐			 12a-PB2-5
プラズマ誘起液中化学反応場の反応速度論的な理解〇北野 勝久 1, 井川 聡 2, 中島 陽一 2, 横山 高史 1, 谷 篤 1. 阪大工 , 2. 大阪技術研 , 3. 神戸大史3
			 12a-PB2-6
酸素ラジカル照射リン酸緩衝生理食塩中に生成した過酸 〇久米 寛 1, 手老 龍吾 2, 橋爪 博司 3, 近藤 博基 3, 堀
1. 名城大 , 2. 豊橋技科大 , 3. 名大化水素と次亜塩素酸による支持脂質二重膜の側方拡散性 勝 3, 伊藤 昌文 1への影響
			 12a-PB2-7紅色光合成細菌増殖における酸化窒素ラジカル照射量依 〇嶽野 正和 1, 橋爪 博司 2, 堀 勝 2, 伊藤 昌文 1
1. 名城大学 , 2. 名古屋大学存性			 12a-PB2-8
酸素ラジカル照射されたコウジカビ胞子のα - アミラー 〇後藤 拓也 1, 志水 元亨 1, 加藤 雅士 1, 橋爪 博司 2, 堀 1. 名城大学 , 2. 名古屋大学
ゼ活性化
勝 2, 伊藤 昌文 1
			 12a-PB2-9
シロイヌナズナの葉への大気圧プラズマ照射の影響
山本 恭太郎 1, 〇林 信哉 2
1. 九大工 , 2. 九大総理工
8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野 / Plasma phenomena, emerging area of plasmas and their new applications
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11a-PA7-1
大気圧プラズマジェット照射された蒸留水中でのアンモ 〇辻 拓 1, 松木 優哉 1, 桑畑 周司 1, 三上 一行 2
1. 東海大工 , 2. 東海大理
ニアの生成 (2)1231
			 11a-PA7-2
大気圧プラズマジェット照射によるコンクリートの表面 〇羽田 清貴 , 冨田 恒之 , 笠井 哲郎 , 桑畑 周司
1. 東海大工電電 , 2. 東海大理化学 , 3. 東海大工土木
改質 (2)
			 11a-PA7-3
大気圧プラズマジェットを用いた混合有色水溶液の脱色 〇佐藤 大輔 1, 毛塚 祐輔 1, 小田 慶喜 2, 桑畑 周司 1
1. 東海大工 , 2. 東海大研推
(2)
1
1
2
			 11a-PA7-4
気液界面におけるジニトロフェノールのプラズマ分解〇大川 博司 , 黒田 弘輝 , 秋津 哲也
1.HSU, 2. 山梨大学
			 11a-PA7-5
メタノール中のパルス放電による銅ナノ粒子の合成〇菊池 亮太 1, 向笠 忍 1, 増田 拓矢 1, 山田 陸 1, 野村 信 1. 愛媛大福1
			 11a-PA7-6
超低電子温度再結合 H2/CO2 プラズマにおける反応生成 〇山崎 方弘 1, 西山 修輔 1, 佐々木 浩一 1
1. 北大工物の分析
1
1
2
1
			 11a-PA7-7
水素 - 炭化水素混合ガスプラズマによるメタほう酸ナト 〇高橋 卓也 , 前田 尚希 , 長坂 政彦 , 荻野 明久
1. 静大工 , 2. 新東工業株式会社
リウムの水素化ホウ素ナトリウムへの再生			 11a-PA7-8
プラズマ・メタマテリアル構造でのマイクロ波迂回によ 〇井波 柱偉 1, 嘉部 裕樹 1, 岩井 亮憲 2, Alexandre
1. 滋賀県立大工 , 2. 京都大院工る回折損補償の一様化
Bambina1, 榎本 洸一郎 1, 宮城 茂幸 1, 酒井 道 1
1
1, 2
1
1
			 11a-PA7-9
パルス放電照射による液中生成種のレート方程式解析 (3) 〇高橋 一弘 , 川口 悟 , 佐藤 孝紀 , 川口 秀樹 ,1. 室蘭工大 , 2. 学振特別研究員 , 3. ストラスクライド大Timoshkin Igor3, Given Martin3, MacGregor Scott3
3/11(Mon.) 13:45 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) W323 会場 (Room W323)
13:45		 11p-W323-1 Cl2 ガスの電子衝突断面積〇川口 悟 1, 2, 高橋 一弘 1, 佐藤 孝紀 1
1. 室蘭工大 , 2. 学振特別研究員
14:00
奨 11p-W323-2 低電子温度再結合 H2 プラズマによる CO2 分解効率の評価 〇山崎 方弘 1, 西山 修輔 1, 佐々木 浩一 1
1. 北大工11
1
2
14:15		 11p-W323-3 光触媒および大気圧プラズマの組み合わせによるアセト 〇大脇 健史 , 瀧下 智美 , 飯干 智哉 , 渡邉 茂樹
1. 名城大理工 , 2. トヨタ紡織
アルデヒド分解14:30		 11p-W323-4 負透磁率共振型メタマテリアルによるオーバーデンスプ 〇岩井 亮憲 1, 中村 嘉浩 1, 酒井 道 2
1. 京都大院工 , 2. 滋賀県立大工
ラズマへの効率的なマイクロ波注入
11
1
1
14:45		 11p-W323-5 RF プラズマ中の微生物浮遊実験〇三瓶 明希夫 , 木上 智仁 , 米田 至 , 川出 恭隆 , 林 1. 京都工繊大 , 2. 個人
康明 1, 比村 治彦 1, 政宗 貞男 1, 三瓶 舞 2
15:00
奨 11p-W323-6 プラズマ－氷界面を用いたプラズマ支援凍結テンプレー 〇 (D) 榊原 教貴 1, 伊藤 剛仁 1, 寺嶋 和夫 1
1. 東大新領域
ト法の開発
15:15
奨 11p-W323-7 活性化水相を形成した相界面反応によるアンモニア生成 〇酒倉 辰弥 1, 村上 直也 1, 高辻 義行 1, 春山 哲也 1
1. 九工大速度の増加
15:30		休憩 /Break
15:45
奨 11p-W323-8 アルゴンおよび窒素プラズマが照射されたイオン液体に 〇稲垣 慶修 1, 佐々木 浩一 1
1. 北大工おける溶媒和電子の反応周波数および可視・紫外吸収ス
ペクトル変化
16:00		 11p-W323-9 ルミノール化学発光とプラズマによって誘起される OH 〇白井 直機 1, 大和田 裕樹 1, 菅 剛珠 1, 佐々木 浩一 1 1. 北大工
ラジカルの相関16:15
奨 11p-W323-10 Ar 雰囲気における水上パルス放電により水中に生成され 〇津田 倖司 1, 高橋 一弘 1, 佐藤 孝紀 1
1. 室蘭工大
る H+ の挙動
1
1
1
1
16:30		 11p-W323-11 界面の密度変化を考慮した水面にプラズマ中の電子を入 〇秋山 直輝 , 中川 雄介 , 内田 諭 , 杤久保 文嘉
1. 首都大シスデザ射させたときのモンテカルロシミュレーションによる挙動解析

8.6 Plasma Electronics English Session
16:45		 11p-W323-12 テイラーコーン先端の先鋭化に伴う液滴放出とコロナ放電電流の関係17:00
奨 11p-W323-13 誘導結合アルゴンプラズマと相互作用する液体金属からの液滴放出：ガリウムとスズの比較
17:15		 11p-W323-14 プラズマ支援エレクトロスプレー堆積法によるシリコン
ポリマー薄膜の作製
17:30		 11p-W323-15 第三電極を有するエレクトロスプレー堆積装置の特性評
価8.6 Plasma Electronics English Session
3/10(Sun.) 9:00 - 10:45 口頭講演 (Oral Presentation) M103 会場 (Room M103)
9:00
E 10a-M103-1 Visualization of complex chemical reaction networks inweakly ionized plasmas (II)9:15 奨 E 10a-M103-2 Oxygen Radical Measurement of Atmospheric Pressure
Microwave Line Plasma by Vacuum Ultraviolet
Absorption Spectroscopy
9:30 奨 E 10a-M103-3 Determination of the EEDF by Continuum Emission
Spectrum Analysis: Preliminary Results
9:45 奨 E 10a-M103-4 Deposition Control of Carbon Nanoparticles Synthesized
Using Ar + CH4 Multi-Hollow Discharges
10:00 奨 E 10a-M103-5 RF Sputtering Pressure Controlled Switching
Characteristics of ZnO-based Flexible-Transparent
Resistive Memory Devices
10:15
E 10a-M103-6 Size Selectivity of Plasma Functionalization to Multiwalled Carbon Nanotubes
10:30
E 10a-M103-7 Effect of electrolyte volume on the synthesis of copperoxide nanoparticles by atmospheric-pressure plasma
electrolysis
8.7 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演 / Plasma Electronics Invited Talk
3/10(Sun.) 11:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) W241 会場 (Room W241)
11:00
招 10a-W241-8 「8. プラズマエレクトロニクス 分科内招待講演」
最先端エッチング技術の動向と将来の展望
8.8 プラズマエレクトロニクス賞表彰式 / Plasma Electronics Award Ceremony
3/10(Sun.) 11:30 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) W241 会場 (Room W241)
11:30		 10a-W241-9 プラズマエレクトロニクス賞表彰式

9 応用物性 / Applied Materials Science〇長尾 圭祐 1, 中川 雄介 1, 内田 諭 1, 杤久保 文嘉 1

1. 首都大院 SD〇濱名 優輝 1, 白井 直機 1, 佐々木 浩一 1

1. 北大工〇 (M2) 橋本 光平 1, 桑畑 湧太 1, 竹原 宏明 1, 2, 一木 隆 1. 東大工 , 2. ナノ医療イノベーションセンター
範 1, 2〇 (B) 桑畑 湧太 1, 橋本 光平 1, 竹原 宏明 1, 2, 一木 隆

1. 東大工 , 2. ナノ医療イノベーションセンター〇 Osamu Sakai1, Yasutaka Mizui1, Masataka

1.Univ. Shiga Pref.

範 1, 2

Koshiba1, Koichiro Enomoto1, Shigeyuki Miyagi1〇 (M2)Hansin BAE1, Koike Yosuke1, Hirotsugu

Koma1, Haruka Suzuki1, Seigo Takashima3, Hirotaka
Toyoda1, 2〇 (M2)Thijs Van Der Gaag1, Hiroshi Onishi1,
Hiroshi Akatsuka1〇 SungHwa Hwang1, Kunihiro Kamataki1, Naho
Itagaki1, Kazunori Koga1, Masaharu Shiratani1〇 (PC)FIRMAN MANGASA SIMANJUNTAK1,
TAKEO OHNO2, SEIJI SAMUKAWA1, 3〇 DAISUKE OGAWA1, Kazuki Michiya1, Hideo
Uchida1, Keiji Nakamura1〇 (D)Jiandi Liu1, Naoki Shirai1, Koichi Sasaki1

1.Nagoya Univ., 2.PLANT, Nagoya Univ., 3.Industries
Promotion Corporation, Nagoya
1.Tokyo Tech
1.Kyushu Univ. for Kyushu University
1.AIMR, Tohoku Univ., 2.IE, Oita Univ., 3.IFS, Tohoku
Univ.
1.Chubu University
1.Hokkaido Univ.

〇本田 昌伸 1, 勝沼 隆幸 1, 久松 亨 1, 木原 嘉英 1

1. 東京エレクトロン宮城〇平松 美根男 1

1. プラズマエレクトロニクス分科会〇 (M1C) 臼井 晴紀 1, 保科 拓也 1, 鶴見 敬章 1, 武田
博明 1
14:30
奨 10p-M116-7 K(Ta, Nb)Si2O7 単結晶の作製と誘電特性の評価〇 (M1C) 大沼 美穂 1, 武田 博明 1, 鶴見 敬章 1, 保科
拓也 1
14:45		 10p-M116-8 圧電特性向上のための欠陥制御 BiFeO3 系セラミックスの 〇 (M2) 相澤 朋弥 1, 藤井 一郎 1, 上野 慎太郎 1, 鈴木
開発
達 2, 和田 智志 1
15:00		休憩 /Break
15:15
E 10p-M116-9 Preparation of para electric Barium Titanate ceramics by 〇 (M2)Piyush Sapkota1, Ichiro Fujii1, Shintaro
Mn-Nb co-doping for DC-bias free dielectrics
Ueno1, Satoshi Wada1
15:30 奨 E 10p-M116-10 Development of BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3〇 (M2)HyunWook Nam1, Ichiro Fujii1, Sangwook
ceramics by various ceramic processing for enhanced
Kim1, Tomoya Aizawa1, Shintaro Ueno1, Satoshi
piezoelectric properties
Wada1
14:15

奨 10p-M116-6

ランガサイト型結晶 Ba3TaGa3Si2O14 の圧電特性評価

1. 東工大物質理工
1. 東工大物質理工
1. 山梨大院 , 2. 物材機構

1.Univ. of Yamanashi
1.University of Yamanashi

9 応用物性 / Applied Materials Science

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
9.1 誘電材料・誘電体 / Dielectrics, ferroelectrics
3/10(Sun.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10a-PA4-1
プロトン伝導体 CsHSO4 のラマン分光から見た転移機構 〇松本 芳幸 1, 寺西 亮太朗 1
1. 近畿大院総理研
		
奨 10a-PA4-2(K, Na)NbO3-BiAlO3 系強誘電体の強誘電特性、結晶・電 〇平沢 良明 1, 石田 直哉 1, 北村 尚斗 1, 井手本 康 1
1. 東理大理工子構造の組成依存		
奨 E 10a-PA4-3
Fabrication of textured BNT-based green body with high 〇 (P)MinSu Kim1, Ichiro Fujii1, Shintaro Ueno1,
1.Univ. of Yamanashi, 2.NIMS
magnetic field electrophoretic deposition (HM-EPD)
Tohru S. Suzuki2, Tetsuo Uchikoshi2, Satoshi Wada1
1
1
		
奨 E 10a-PA4-4
Fabrication of textured (Bi0.5K0.5)TiO3 piezoelectric〇 (D)Gopal Prasad Khanal , Ichiro Fujii , Sangwook 1.Univ. of Yamanashi, 2.NIMS
ceramics via conventional sintering method
Kim1, Shintaro Ueno1, Tohru S. Suzuki2, Satoshi
Wada1		E 10a-PA4-5
Material design direction using materials softening for〇 (D)Sangwook Kim1, Gopal Prasad Khanal1,
1.University of Yamanashi, 2.Hiroshima University
high performance piezoelectric ceramics
Hyunwook Nam1, Ichiro Fujii1, Shintaro Ueno1,
Chikako Moriyoshi2, Yoshihiro Kuroiwa2, Satoshi
Wada1
			 10a-PA4-6
第一原理計算による窒化物圧電体 Mg,Nb 共添加 AlN の物 〇森 雄登 1, 平田 研二 2, Anggraini Sri Ayu2, 秋山 守 1. 九大総理工 , 2. 産総研
性評価
人 2, 上原 雅人 2, 1, 山田 浩志 2, 1
			 10a-PA4-7
第一原理計算による Zr 添加 AlN の圧電性に関する研究〇江藤 和也 1, 2, 平田 研二 2, Anggraini Sri Ayu2, 秋山 1. 九大総理工 , 2. 産総研
守人 2, 上原 雅人 1, 2, 山田 浩志 1, 2
			 10a-PA4-8
Yb 添加による AlN 薄膜の圧電性の向上〇 (M1C) 天野 雄貴 1, 上原 雅人 1, 2, Anggraini Sri
1. 九大総理工 , 2. 産総研
Ayu2, 平田 研二 2, 山田 浩志 1, 2, 秋山 守人 2
1
1
1
			 10a-PA4-9
COHP 解析による Mg+X(X=Ti,Zr,Hf,Nb) 添加 AlN の原 〇平田 研二 , 山田 浩志 , Anggraini Sri Ayu , 上原 1. 産総研
子間結合性の評価
雅人 1, 秋山 守人 1
		E 10a-PA4-10 Effect of different divalent cations on the piezoelectric and 〇Sri Ayu Anggraini1, Masato Uehara1, Kenji Hirata1, 1.AIST
mechanical properties of MTiAlN-based thin films (M = Hiroshi Yamada1, Morito Akiyama1
Mg or Zn)
3/10(Sun.) 13:00 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) M116 会場 (Room M116)
13:00		 10p-M116-1 溶液法 IGZO 中の酸素空孔密度の組成比依存性および深 〇森本 貴明 1, 3, 楊 宜橙 1, 3, 福田 伸子 3, 大木 義路 1, 2 1. 早大 先進理工 , 2. 早大 材研 , 3. 産総研 FLEC
さ分布
13:15		 10p-M116-2 角度分解偏光ラマン分光法で観た Pb(In1/2Nb1/2)O3 の In/ 〇塚田 真也 1, 大和田 謙二 2, 藤井 康裕 3, 森 茂生 4, 大 1. 島根大教育 , 2. 量研 , 3. 立命館大理工 , 4. 大阪府大工 ,Nb 配列と不均一性
和 英弘 5, 秋重 幸邦 1
5. 岐阜大工13:30		 10p-M116-3 プローブ後方の共振現象を利用した 300 GHz 帯での材料 〇坂巻 亮 1, 2, 堀部 雅弘 1, 鶴見 敬章 2
1. 産業技術総合研究所 , 2. 東工大
計測技術
1
1
1
1
13:45		 10p-M116-4 高温用コンデンサ材料の新規高耐電圧化理論の発見とそ 〇軽部 允也 , 保科 拓也 , 武田 博明 , 鶴見 敬章
1. 東工大物質理工の解釈
14:00		 10p-M116-5 高温用マイクロバランス応用に向けたゲーレナイト結晶 〇大島 拓人 1, 保科 拓也 1, 鶴見 敬章 1, 武田 博明 1
1. 東工大物質理工の厚みすべり振動評価

9 応用物性 / Applied Materials Science

9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート / Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets
15:45		 10p-M116-11 100oC 以下での BaTiO3 セラミックスの作製と誘電特性評 〇 (M2) 村上 涼子 1, 上野 慎太郎 1, 藤井 一郎 1, 和田 1. 山梨大院
価
智志 1
16:00		 10p-M116-12 高圧反応焼結を用いた Rb 含有ペロブスカイト型酸化物の 〇安江 祐亮 1, 上野 慎太郎 1, 藤井 一郎 1, 村場 善行 2, 1. 山梨大院 , 2. 東工大元素 , 3. 東工大フロ研
作製
細野 秀雄 2, 3, 和田 智志 1
16:15		 10p-M116-13 高性能キャパシタのためのエピタキシャル界面を有する 〇服部 優哉 1, 上野 慎太郎 1, 藤井 一郎 1, 和田 智志 1 1. 山梨大院
絶縁性 / 導電性酸化物複合セラミックスの作製
16:30		 10p-M116-14 二液相分離を利用した KNbO3 ナノキューブ集積体の作製 〇 (M2) 國定 諒一 1, 近田 司 1, 上野 慎太郎 1, 藤井 一 1. 山梨大院郎 1, 和田 智志 1
16:45		 10p-M116-15 (Bi0.5Na0.5)TiO3-(Bi0.5Li0.5)TiO3-(Bi0.5K0.5)TiO3 系セラ〇高木 優香 1, 三浦 樹生 1, 永田 肇 1, 竹中 正 1
1. 東理大理工
ミックスにおける脱分極温度と急冷による格子歪みの関係
17:00		休憩 /Break
17:15
招 10p-M116-16「講演奨励賞受賞記念講演」〇上村 洋平 1, 荒井 俊人 1, 堤 潤也 2, 松岡 悟志 1, 熊井 1. 東大院工 , 2. 産総研 , 3. 高エネ研
有機強誘電薄膜の３次元ドメイン壁可視化技術
玲児 3, 堀内 佐智雄 2, 長谷川 達生 1, 2
17:30
奨 10p-M116-17 0.4Bi0.5K0.5TiO3-0.6BiFeO3 系強誘電体の強誘電特性、結 〇真家 純一郎 1, 石田 直哉 1, 北村 尚斗 1, 井手本 康 1 1. 東理大理工
晶・電子構造に及ぼす他元素置換の効果
17:45		 10p-M116-18 電子構造を制御したチタン酸バリウム強誘電体単結晶の 〇 (M1) 谷口 勇樹 1, 2, 野口 祐二 1, 2, 宮山 勝 1, 2, 井上 1. 東大工 , 2. 宮山研 , 3. 日大医
光起電力効果亮太郎 3
18:00		 10p-M116-19 アクセプタドープ BaTiO3 セラミックスの電気熱量効果 〇 (M1) 塩野 翼 1, 野口 祐二 1, 宮山 勝 1
1. 東京大工直接測定
18:15
奨 10p-M116-20 (Bi, Na)TiO3 系ペロブスカイトの不定比性と電場誘起相 〇 (M1) 野元 颯 1, 北中 佑樹 1, 野口 祐二 1, 宮山 勝 1
1. 東大院工転移12
1
18:30		 10p-M116-21 強誘電体における酸素空孔分布制御―遷移金属イオンと 〇野口 祐二 , 松尾 拓紀 , 宮山 勝
1. 東大院工 , 2. 東大新領域の相互作用を利用した欠陥設計
18:45		 10p-M116-22 反強誘電体 (Pb,La)(Zr,Ti)O3 セラミックスの電気機械特 〇真岩 宏司 1
1. 湘南工大工
性と電気熱量効果
9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート / Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets
3/10(Sun.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10p-PA1-1
自己触媒 VLS 法による再成長 InP/GaInAs コアマルチ〇石原 理暉 1, 善村 聡志 1, 石田 勝晃 1, 下村 和彦 1
1. 上智大理工
シェルナノワイヤの作製
		E 10p-PA1-2
Growth direction, Sn content and crystallinity of Au-Sn〇 Yonglie Sun1, 2, Ryo Matsumura1, Wipakorn
1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba
catalyzed Ge1-xSnx nanowires
Jevasuwan1, Naoki Fukata1, 2
		E 10p-PA1-3
The Effects of B Doping on Al-Catalyzed Si Nanowire〇 Wipakorn Jevasuwan1, Xiaolong Zhang1, Thiyagu 1.NIMS
Formation and Their p-Si/i-Ge Core-Shell Nanowire
Subramani1, Ken C. Pradel1, Ryo Matsumura1, Naoki
Structures
Fukata1
		
E 10p-PA1-4
Towards highly stable and low-temperature hybrid
Thiyagu Subramani1, Junyi Chen1, 2, 〇 Wipakorn
1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba
nanostructure Si solar cells
Jevasuwan1, Yuka Kobayashi1, Naoki Fukata1, 2
			 10p-PA1-5
VLS 法により成長した Si ナノワイヤの構造評価〇 (M1) 北澤 佑記 1, 小平 竜太郎 1, 堀口 竜麻 1, ジェ 1. 北大量集センター, 2.NIMS
バスワン ウイパコーン 2, 深田 直樹 2, 原 真二郎 1
			 10p-PA1-6
VLS 法ナノワイヤ結晶成長界面設計による単結晶金属酸 〇安西 宇宙 1, 高橋 綱己 2, 細見 拓郎 2, 金井 真樹 2,
1. 九大総理工 , 2. 九大先導研
化物ナノ構造体の表面特性制御
Zhang Guozhu2, 長島 一樹 1, 2, 柳田 剛 1, 2
		E 10p-PA1-7
Solution grown ZnO Nanowire Films for Bipolar〇(PC)Ken Charles Pradel1, Yunfang Wang1, 2, Naoki 1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba
Transistors
Fukata1
		
E 10p-PA1-8
Si nanotubes fabricated by wet etching of ZnO/Silicon〇 Xiangdong Zheng1, 2, Yonglie Sun1, 2, Wipakorn
1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba
Core-Shell nanowires
Jevasuwan1, Ken C. Pradel1, Naoki Fukata1, 2
			 10p-PA1-9
水熱合成酸化タングステンナノワイヤの形態制御〇根北 翔 1, 長島 一樹 2, Zhang Guozhu2, 柳田 剛 2, 奥 1. 久留米高専 , 2. 九大先導研
山 哲也 1
		
E 10p-PA1-10 Gas Sensors Based on Laser-Ablated Nanomaterials
Prabakaran Shankar1, 〇 Sergei Kulinich1, Satoru
1.Tokai University
Iwamori1
1, 2
3
		E 10p-PA1-11 On-Demand Electrical Properties of Building-Block〇 (D)Ricky Dwi Septianto , Liming Liu , Satria
1.RIKEN CEMS, 2.Tokyo Inst. Tech., 3.Univ. Tokyo,
Quantum Dots Solid by Assembly Control
Zulkarnaen Bisri1, 2, Yasuhiro Ishida1, Ferry Iskandar4, 4.Inst. Tech. Bandung, 5.QPEC Univ. Tokyo
Nobuhiro Matsushita2, Yoshihiro Iwasa1, 5
			 10p-PA1-12 水熱合成法によって作製した CdSe ナノ粒子の光学特性 〇西村 悠陽 1, 李 太起 1, 野口 雅斗 1, 金 大貴 1
1. 大阪市立大院工			 10p-PA1-13 CuxS ナノ粒子の近赤外局在プラズモン共鳴励起下の光触 〇宮川 和樹 1, 犬飼 英嵩 1, 濱中 泰 1, 葛谷 俊博 2
1. 名工大 , 2. 室工大
媒活性3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) W833 会場 (Room W833)
9:00		 11a-W833-1 規則ナノ細孔を有する多孔質アルミナ薄膜を用いたナノ 〇庭野 道夫 1, 馬 騰 2, 但木 大介 3, 平野 愛弓 2, 3
1. 東北福祉大 感研 , 2. 東北大 AIMR, 3. 東北大通研
バブル発生
9:15		 11a-W833-2 水熱合成 ZnO ナノワイヤ結晶成長における油水混合溶媒 秋廣 侑哉 1, 長島 一樹 1, 高橋 綱己 1, 細見 拓郎 1, 金井 1. 九大先導研の役割
真樹 1, 〇柳田 剛 1
9:30
奨 11a-W833-3 大気中分子－ ZnO ナノワイヤ /Pt 界面間相互作用の解明 〇中村 健太郎 1, 高橋 綱己 2, 金井 真樹 2, Zhang
1. 九大総理工 , 2. 九大先導研に基づくデバイス特性の高信頼化
Guozhu2, 細見 拓郎 2, 長島 一樹 1, 2, 柳田 剛 1, 2
1
2
2
9:45
奨 11a-W833-4 セルロースナノペーパーを誘電層として用いたコンデン 〇 (M2) 春日 貴章 , 上谷 幸治郎 , 古賀 大尚 , 能木 1. 阪大院工 , 2. 阪大産研
サの特性評価及び無線発信デバイスへの応用
雅也 2
10:00 奨 E 11a-W833-5 Formation of Graphitic Carbon Layers on SiO2 Surfaces of 〇 (D)Steaphan Mark Wallace1, 2, Thiyagu
1.Tsukuba Univ., 2.NIMS
Silicon Nanowires
Subramani2, Naoki Fukata1, 2
10:15		休憩 /Break
10:30 奨 E 11a-W833-6 Catalyst-free formation of Si/Ge core-shell nanowire〇 (D)Xiaolong Zhang1, 2, Wipakorn Jevasuwan1,
1.NIMS., 2.Tsukuba Univ.
arraysNaoki Fukata1, 2
10:45
奨 11a-W833-7 GaAs/GaNAs/GaAs コア－マルチシェルナノワイヤの結 〇行宗 詳規 1, 藤原 亮 1, 石川 史太郎 1
1. 愛媛大工晶構造解析
1
1
1
11:00		 11a-W833-8 Ge(111) 上 GaAs/AlGaAs/GaAs コアシェルナノワイヤの 〇南 祐輔 , 本久 順一 , 冨岡 克広
1. 北大院情報科学および量子集積センター
電気特性
11:15		 11a-W833-9 InP ナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジス 〇 (B) 勝見 悠 1, 蒲生 浩憲 2, 佐々木 正尋 2, 本久 順
1. 北大工 , 2. 量子集積センター
タの作製
一 2, 冨岡 克広 2
1
1
1
11:30		 11a-W833-10 InAs/InP コアシェルナノワイヤ /Si 接合界面による縦型 〇蒲生 浩憲 , 本久 順一 , 冨岡 克広
1. 北大量子集積センター
トンネル FET の作製
3/11(Mon.) 13:15 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) W833 会場 (Room W833)
13:15		 11p-W833-1 【注目講演】不純物をドープした単分散シリコン量子ドッ 〇杉本 泰 1, 藤井 陸 1, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工トの発光特性（II）
13:30		 11p-W833-2 シリコン量子ドット supraparticle の開発〇藤井 陸 1, 高田 三穂 1, 杉本 泰 1, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工13:45		 11p-W833-3 酸素雰囲気中におけるシリコン量子ドット塗布膜の電気 〇外薗 星也 1, 加納 伸也 1, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工伝導特性
14:00		 11p-W833-4 １- ヘキセン分子を用いたポーラスシリコンの圧力制御ヒ 〇入山 拓未 1, 金 蓮花 1, 近藤 英一 1, ジェローズ ベル 1. 山梨大工 , 2. 名古屋大工
ドロシリル化と発光安定性
ナール 2
14:15		 11p-W833-5 レーザーアブレーション法にて作製した SiC ナノ微粒子 〇宮島 顕祐 1, 荒木 郁哲 1, 落合 真太郎 1, 石原 淳 1
1. 東理大院理の構造解析

9.3 ナノエレクトロニクス / Nanoelectronics
14:30

E 11p-W833-6

14:45		15:00 奨 E 11p-W833-7

Hydrogen Generation from Si-based Agent by Reaction
with Buffer Solutions
休憩 /BreakEnhanced Electron Transport in Core@Shell Colloidal
Quantum Dot Assemblies〇 (M2C)Chao Sun1, Yuki Kobayashi1, Hikaru
Kobayashi1

1.ISIR, Osaka Univ.

〇 (D)Retno Miranti1, Satria Zulkarnaen Bisri2, 1,

			 9a-PA1-4
			 9a-PA1-5
			 9a-PA1-6
		

奨 9a-PA1-7

ズ 4, 池田 浩也 1
極薄ペルチェモジュール及び精密温度制御システムの提 〇篠崎 諒 1, 長谷川 靖洋 1, 大塚 美緒子 1, 2, 有坂 太一 1 1. 埼玉大 , 2. 学振 DC1
案と実証
めっき法と転写法を組み合わせた傾斜型薄膜熱電ジェネ 山室 大樹 1, 〇山口 将輝 1, 高尻 雅之 1
1. 東海大院工レータの作製と性能評価
pn 接合を有する熱電薄膜の熱起電力評価〇村川 星斗 1, 上沼 睦典 1, 梅田 鉄馬 1, Jenichi
1. 奈良先端大Felizco1, 石河 泰明 1, 浦岡 行治 1
ソルボサーマル法による (Bi2Se3)x(Bi2Te3)1-x ナノプレート 〇木村 勇輝 1, 津田 駿 1, 中里 暢宏 2, 並木 宏允 3, 太田 1. 東海大院工 , 2. 東海大院理 , 3. 都産技研
薄膜の作製及び第一原理計算による物性評価
優一 3, 富田 恒之 2, 高尻 雅之 1

9 応用物性 / Applied Materials Science

1.Tokyo Inst. Tech, 2.RIKEN CEMS, 3.ETH Zurich,
Maria Ibanez3, Maksym V. Kovalenko3, Yoshihiro
4.Univ. of Tokyo
2, 4
Iwasa
15:15
E 11p-W833-8 The Roles of Crosslinking Ligands on Charge Carrier
Ibuki Watanabe1, Liming Liu1, 〇 Satria Zulkarnaen 1.University of Tokyo, 2.RIKEN - CEMS, 3.CDT
Transport in PbS Colloidal Quantum Dot Assemblies
Bisri2, Ian Johnson3, Yasuhiro Ishida2, Jeremy
Burroughes3, Yoshihiro Iwasa1, 2
15:30		 11p-W833-9 水溶性 CdS ナノ粒子の表面改質効果と光学特性〇李 太起 1, 志村 邦夫 1, 金 大貴 1
1. 大阪市大院工15:45		 11p-W833-10 リモート O2 プラズマ支援 MOCVD による Hf 酸化物ナノ 〇長谷川 遼介 1, 牧原 克典 1, 大田 晃生 1, 池田 弥央 1, 1. 名大院工ドットの高密度・一括形成
宮崎 誠一 1
16:00		 11p-W833-11 ZnO/Zn1-xMgxO ナノ粒子の作製〇後藤 直輝 1, 神谷 格 1
1. 豊田工大
16:15		 11p-W833-12 X 線全散乱による Rh ナノ粒子の局所構造解析〇 (PC) 廣井 慧 1, 坂田 修身 1
1. 物材機構
9.3 ナノエレクトロニクス / Nanoelectronics
3/11(Mon.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11p-PA8-1
共通ゲート型と非共通ゲート型の単電子ターンスタイル 〇安田 実可 1, 今井 茂 1
1. 立命理工の消費エネルギーの比較
1
1
			 11p-PA8-2
ゲート容量が不均一な共通ゲート三重ドット単電子デバ 〇渡辺 雄介 , 今井 茂
1. 立命大理工研
イスの安定領域の解析
			 11p-PA8-3
シャボン膜の挙動を模倣した単電子デバイスの設計〇倉田 信彦 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院理工			 11p-PA8-4
単一電子素子応用を目指した誘電泳動による金ナノ粒子 〇森林 誠 1, 谷貝 知起 1, 守屋 雅隆 1, 島田 宏 1, 平野 愛 1. 電通大 , 2. 東北大 , 3. 山形大
2
3
1
整列の統計調査
弓 , 廣瀬 文彦 , 水柿 義直
		奨 E 11p-PA8-5
Modulation of the resistance switching behavior of〇 (B)Bruno Kenichi Saika1, Ryota Negishi1,
1.Osaka University
Ag2S-based switches using graphene oxide layer
Yoshihiro Kobayashi1
3/12(Tue.) 9:15 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) W934 会場 (Room W934)
9:15		 12a-W934-1 単電子トランジスタの超短パルス応答に関する検討〇 (M1) 西村 智紀 1, Alka Singh1, 木村 安希 1, 佐藤 弘 1. 静岡大 , 2. 静岡大電研
明 2, 猪川 洋 2
9:30		 12a-W934-2 非対称性が大きい共通ゲート三重ドット単電子デバイス 〇坂井 俊太 1, 今井 茂 1
1. 立命館大学
がポンプ動作する条件の周期性
9:45		 12a-W934-3 魚群に学ぶ単電子情報処理〇山下 秀人 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大理工
10:00		 12a-W934-4 学習機能を実装した単電子ニューラルネットワーク〇上野 正暉 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大理工
1
1
10:15		 12a-W934-5 熱雑音を利用する単電子メモリ対回路の設計と多数決論 〇開出 理砂 , 大矢 剛嗣
1. 横国大理工
理ゲート応用
10:30		休憩 /Break
10:45		 12a-W934-6 2D イジングマシンの演算特性にかかる Simulated〇島田 萌絵 1, 伊藤 光樹 1, 平田 鷹介 1, 三木 司 1, 白樫 1. 東京農工大院工
Quantum Annealing の効果
淳一 1
11:00		 12a-W934-7 ビット間結合が高階調化された論理ゲートイジング計算 〇三木 司 1, 伊藤 光樹 1, 平田 鷹介 1, 島田 萌絵 1, 白樫 1. 東京農工大院工機による組合せ最適化問題の検討
淳一 1
11:15		 12a-W934-8 FPGA に実装されたイジングマシンでの実験パラメータ 〇平田 鷹介 1, 櫻井 拓哉 1, 竹林 敬太 1, 酒井 正太郎 1, 1. 東京農工大院工決定システムの構築と Au 原子接合の自動作製
白樫 淳一 1
11:30		 12a-W934-9 FPGA 上の遺伝的アルゴリズムを用いた実験パラメータ 〇竹林 敬太 1, 櫻井 拓哉 1, 平田 鷹介 1, 岩田 侑馬 1, 白 1. 東京農工大院工進化手法による Au 原子接合の作製樫 淳一 1
3/12(Tue.) 13:15 - 16:00 口頭講演 (Oral Presentation) W934 会場 (Room W934)
13:15		 12p-W934-1 化学的手法により組み立てた金ナノ粒子単電子トランジ 〇西崎 雄太 1, Younsu Jung1, Seoungjoo Lee1, Pipit
1. 東工大フロンティア研 , 2. 京大化研
スタにおける配位子構造依存性
Uky Vivitasari1, Yoon Young Choi1, 坂本 雅典 2, 寺西
利治 2, 真島 豊 1
13:30		 12p-W934-2 炭素架橋オリゴフェニレンビニレン 6(COPV6) 単分子共 〇入江 力也 1, Chun Ouyang1, 居藤 悠馬 1, 橋本 康
1. 東工大フロンティア研 , 2. 東大理 , 3. 神奈川大理
鳴トンネルトランジスタ
平 2, 辻 勇人 3, 中村 栄一 2, 真島 豊 1211
13:45 奨 E 12p-W934-3 Single Molecular Resonant-Tunneling Transistor (SMRT ) 〇 (D)SeungJoo Lee , Jaeyeon Kim , Tomohiro
1.Tokyo Institute of Technology, 2.Osaka University,
based on Quinoidal Fused Oligosilole Derivative (Si-2*2) Tsuda2, Ryo Shintani2, Kyoko Nozaki3, Yutaka
3.University of Tokyo
bridged between H-ELGP Pt-based Nanogap Electrodes Majima1
14:00		 12p-W934-4 一般的なπ共役分子を用いた分子トランジスタ〇 (B) 大勝 賢樹 1, 辻 勇人 2, 真島 豊 1
1. 東京工業大学 , 2. 神奈川大学
14:15		 12p-W934-5 電極金属原子の電界移動を用いた能動的な分子架橋法の 〇内藤 泰久 1, 谷 洋介 2, 小山 恵美子 1, 中村 徹 1, 角谷 1. 産総研 , 2. 阪大
1
2検証
透 , 小川 琢治
14:30		 12p-W934-6 Au ナノギャップ狭窄化における通電手法の検討と単一電 〇谷 創貴 1, 南 浩二 1, 坂井 奎太 1, 佐藤 友美 1, 島田 萌 1. 東京農工大院工 , 2. 一関高専
子帯電特性
絵 1, 伊藤 光樹 1, 八木 麻実子 2, 白樫 淳一 1
14:45		休憩 /Break
15:00
奨 12p-W934-7 単層 Fe-MgF2 グラニュラー薄膜単電子トランジスタにお 〇瘧師 貴幸 1, 浅井 佑基 1, 福地 厚 1, 有田 正志 1, 高橋 1. 北大院情報
ける
庸夫 1
等周期クーロン振動特性の解析
15:15
奨 12p-W934-8 HPPMS を用いた Spindt 型エミッタ作製におけるキャビ 〇谷口 日向 1, 中野 武雄 1, 大家 渓 1, 長尾 昌善 2, 大崎 1. 成蹊大理工 , 2. 産総研
ティ構造の影響
壽 2, 村上 勝久 2
15:30		 12p-W934-9 ナノ人工物メトリクスのためレジスト倒壊ランダムパ〇呂 任鵬 1, 清水 克真 1, 殷 翔 1, 上羽 陽介 2, 石川 幹 1. 北大 量子集積センター, 2. 大日本印刷
ターン形成と評価
雄 2, 北村 満 2, 葛西 誠也 1
15:45
E 12p-W934-10 Short-term and long-term memory of random aggregation 〇 (D)Hadiyawarman Hadiyawarman1, Masanori
1.Kyushu Inst. of Tech., 2.Kure Nat. Col. of Tech.
device using Ag-Ag2S nanoparticles
Eguchi2, Hirofumi Tanaka1
9.4 熱電変換 / Thermoelectric conversion
3/9(Sat.) 9:30 - 11:30
ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)		
奨 9a-PA1-1
3 ω法（熱伝導率測定）における polyimide 絶縁膜の有効 〇森 凌太郎 1, 黒川 拓也 1, 田中 三郎 2, 宮崎 康次 3, 高 1. 東海大院工 , 2. 日大工 , 3. 九州工大工
性と界面熱抵抗の評価
尻 雅之 1
			 9a-PA1-2
表面電位顕微鏡による Si ワイヤのゼーベック係数評価〇鈴木 悠平 1, 岡 晃人 1, 川合 健斗 1, 姫田 悠矢 2, 武澤 1. 静大 , 2. 早大 , 3. 産総研 , 4. マラヤ大宏樹 2, 富田 基裕 2, 立岡 浩一 1, 松川 貴 3, 松木 武雄 2, 3,
渡邉 孝信 2, 猪川 洋 1, 下村 勝 1, 村上 健司 1, サレ ファ
イズ 4, 池田 浩也 1
			 9a-PA1-3
COMSOL を用いた表面電位顕微鏡による電位測定のモ 〇鈴木 悠平 1, 川合 健斗 1, 岡 晃人 1, 熊田 剛大 2, 島 圭 1. 静大 , 2. 早大 , 3. 産総研 , 4. マラヤ大デリング
佑 2, 富田 基裕 2, 立岡 浩一 1, 松川 貴 3, 松木 武雄 3, 渡
邉 孝信 2, 猪川 洋 1, 下村 勝 1, 村上 健司 1, サレ ファイ

【CS.8】9.4 熱電変換、12.3 機能材料・萌芽的デバイス、合同セッションＭ「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 9.4 & 12.3 & Joint Session M			 9a-PA1-8
			 9a-PA1-9
			 9a-PA1-10
			 9a-PA1-11
		
E 9a-PA1-12

9 応用物性 / Applied Materials Science			 9a-PA1-13
3/9(Sat.) 13:45 - 17:00
13:45		 9p-W351-1

非平衡グリーン関数法による Si クラスレートの輸送特性 〇阿武 宏明 1, 岡本 和也 1の計算
化学量論組成フルホイスラー合金 Fe2TiSn 焼結体の p 型 〇 (M1) 尾崎 寿樹 1, 中津川 博 1, 岡本 庸一 2, 3
熱電特性
単結晶作製時の圧力変化による Mg2Sn の格子欠陥制御〇齋籐 亘 1, 林 慶 1, 宮﨑 讓 1
Ag クラスター構造を有する Ag6Ge10-xSnxP12 の熱電特性〇並木 宏允 1, 太田 優一 1
Electronic structure modification of BaSbxSn1-xO3 materials 〇 (D)Rajasekaran Palani1, Yuki Kumaki1,
thermoelectric application
Arivanandhan Mukannan2, Jayavel Ramasamy2,
Masaru Shimomura1
CePd3 の熱電特性における元素置換効果〇 (B) 尾川 史武 1, 松波 雅治 1, 竹内 恒博 1
口頭講演 (Oral Presentation) W351 会場 (Room W351)
高分子材料の電気化学特性〇守友 浩 1, 2, 4, 菅野 友嗣 2, 福住 勇矢 1, 安田 剛 3

1. 市立山口東理大工
1. 横国大理工 , 2. 防衛大材料 , 3.NIMS
1. 東北大院工1. 都産技研
1.Shizuoka University, 2.Anna University

1. 豊田工大

1. 筑波大数理 , 2. 筑波大理工学群 , 3. 物材機構 , 4. 筑波大
数理物質系
14:00		 9p-W351-2
高分子の酸化還元ポテンシャルの温度係数〇岩泉 滉樹 1, 菅野 友嗣 2, 安田 剛 4, 下位 幸弘 5, 小林 1. 筑波大数物科 , 2. 筑波大理工学群 , 3. 筑波大数物系 ,1, 2, 3
1, 2, 3航, 守友 浩4. 物材機構 , 5. 産総研
14:15		 9p-W351-3
P2-NaxCoO2 における酸化還元電の温度係数の x 依存性〇福住 勇矢 1, 日沼 洋陽 2, 守友 浩 1, 3, 4
1. 筑波大数物科 , 2. 千葉大先進科学セ , 3. 筑波大数物系 ,4. 筑波大 TREMS
14:30		 9p-W351-4
NaxNi[Fe(CN)6]y /NaxCo[Fe(CN)6]y 三次電池
〇柴田 恭幸 1, 高原 泉 1, 福住 勇矢 2, 守友 浩 2, 3
1. 群馬高専 , 2. 筑波大数理 , 3. 筑波大 TREMS
1
1
1
1
14:45		 9p-W351-5
薄膜π型マイクロ TEG モジュールの最適設計における熱 〇熊谷 颯人 , 塩津 勇作 , 大久保 岳 , 菅原 聡
1. 東工大未来研
電材料膜厚の影響
15:00		 9p-W351-6
表面電位顕微鏡によるシリコン系クラスレートの仕事関 〇岡本 和也 1, 阿武 宏明 1
1. 山陽小野田市立山口東理大
数測定
1
2
1
15:15		 9p-W351-7
高温高圧下における熱電性能測定装置の開発〇森 嘉久 , 芳野 極 , 財部 健一
1. 岡理大理 , 2. 岡大惑星研
15:30		休憩 /Break
15:45		 9p-W351-8
高輝度放射光を用いた Mg2Si の電子状態及び局所構造解 〇 (B) 角野 知之 1, 西尾 直 1, 山澤 真吾 1, 沖 直人 1, 高 1. 東理大基礎工 , 2.SPring-8/JASRI析
橋 良暢 1, 滝川 夏海 1, 保井 晃 2, 新田 清文 2, 関澤 央
輝 2, 徳村 真子 1, 竹本 将司 1, 飯田 努 1, 小嗣 真人 1
16:00		 9p-W351-9
放電プラズマ焼結法で合成した Y および Te ドープ Mg3Sb2 〇谷 淳一 1, 品川 勉 1, 千金 正也 1
1. 大阪技術研の熱電特性
16:15		 9p-W351-10 安四面銅鉱型リン化物 Ag3P6Si3Sn2 の熱電物性と第一原理 〇宮田 全展 1, 小矢野 幹夫 1
1. 北陸先端大電子状態計算1
1
16:30		 9p-W351-11 Large evolution of ZT in p-type nanocrystalline bulk
オムプラカシ ムスサミー , ゴドケ スワプニル , デ 1. 豊田工業大学 , 2. 住友電機工業
Si-Ge
リムコドリー ケビン 1, 足立 真寛 2, 山本 喜之 2, 〇竹
内 恒博 1
16:45
奨 9p-W351-12 ZT >1 を示す環境調和型熱電変換材料 Cu2ZnSnS4 バルク 〇永岡 章 1, 吉野 賢二 1, 増田 泰造 2, Scarpulla
1. 宮崎大工 , 2. トヨタ自動車 , 3. ユタ大材料工
単結晶の開発Michael3, 西岡 賢祐 1
3/10(Sun.) 10:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W351 会場 (Room W351)
10:30		 10a-W351-1 Bi ナノワイヤーにおける格子圧縮が量子効果に及ぼす影 〇小峰 啓史 1, 青野 友祐 1, 村田 正行 2, 長谷川 靖洋 3 1. 茨城大学 , 2. 産総研 , 3. 埼玉大学
響
10:45		 10a-W351-2 Au と B を共添加した Si-Ge 系薄膜の熱電特性〇廣瀬 光太郎 1, 足立 真寬 1, 西野 俊佑 1, 山本 喜之 1, 1. 住友電工 , 2. 豊田工大
竹内 恒博 2
11:00		 10a-W351-3 多層シリセン積層構造を有するエピタキシャル CaSi2 薄 〇寺田 吏 1, 上松 悠人 1, 石部 貴史 1, 中村 芳明 1
1. 阪大院基礎工
膜の熱電特性11:15		 10a-W351-4 高出力因子 Si-rich SiGe/Si 超格子における更なる低熱伝 〇 (D) 谷口 達彦 1, 石部 貴史 1, Md. Mahfuz Alam2,
1. 阪大院基礎工 , 2. 東京都市大
導率化
澤野 憲太郎 2, 中村 芳明 1
1
1
2
2
11:30		 10a-W351-5 複雑結晶構造を有する Si 基板上 BaSi2 薄膜の熱電性能評 〇石部 貴史 , 近田 尋一郎 , 谷内 卓 , 山下 雄大 , 末 1. 阪大院基礎工 , 2. 筑波大院
価
益 崇 2, 中村 芳明 1
11:45		 10a-W351-6 共スパッタ法で作製した BaxSr1-xSi2 膜の熱電特性〇 (M1C) 青山 航大 1, 清水 荘雄 1, 倉持 豪人 2, 召田
1. 東工大 , 2. 東ソー株式会社
雅実 2, 秋池 良 2, 井出 啓介 1, 片瀬 貴義 1, 神谷 利夫 1,
1
1
木村 好里 , 舟窪 浩
【CS.8】9.4 熱電変換、12.3 機能材料・萌芽的デバイス、合同セッションＭ「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 9.4 & 12.3 & Joint Session M
3/10(Sun.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) W351 会場 (Room W351)
13:45
招 10p-W351-1 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇小矢野 幹夫 1, 浅井 渉 1, 宮田 全展 1, Pham Xuan 1. 北陸先端大「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション Thi1
招待講演」
ナノ構造体におけるフォノン緩和過程と微小熱電発電デ
バイスへの応用
14:30		 10p-W351-2 Si 置換した Fe2VAl エピタキシャル薄膜の熱伝導率〇 (D) 工藤 康平 1, 山田 晋也 1, 2, 近田 尋一朗 1, 嶋貫 1. 阪大基礎工 , 2. 阪大基礎工 CSRN, 3. 名工大雄太 1, 石部 貴史 1, 阿保 智 1, 宮崎 秀俊 3, 西野 洋一 3,
中村 芳明 1, 浜屋 宏平 1, 2
14:45		 10p-W351-3 B ドープ Al 誘起層交換による p 型 Si1-xGex 熱電薄膜の性能 〇辻 美紀江 1, 草野 欽太 1, 末益 崇 1, 都甲 薫 1, 2
1. 筑波大 , 2.JST さきがけ
向上
15:00		休憩 /Break
15:15
招 10p-W351-4 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇宇治原 徹 1, 2
1. 名大未来研 , 2.U-MAP「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション
招待講演」
高熱伝導樹脂を実現する AlN ウィスカーフィラーの開発とベンチャー
16:00		 10p-W351-5 ナノ構造化によるシリコン薄膜の ZT 増強と平面型熱電 〇柳澤 亮人 1, Ruther Patrick2, Paul Oliver2, 野村 政 1. 東大生研 , 2. フライブルク大 , 3.JST さきがけ
デバイス開発宏 1, 3
16:15
奨 10p-W351-6 横型 Si ナノワイヤ熱電変換デバイスにおける SiO2 絶縁膜 〇富田 基裕 1, 松川 貴 2, 松木 武雄 1, 2, 渡邉 孝信 1
1. 早大理工 , 2. 産総研/Si 基板の最適厚さ設計
16:30		休憩 /Break
16:45
招 10p-W351-7 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇竹延 大志 1
1. 名大工「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション
招待講演」
Van der Waals 材料における熱電特性
17:30		 10p-W351-8 有機フォトクロミック分子を用いた高機能太陽光熱貯蓄 〇朝戸 良輔 1, 2, Jan Patrick D C Calupitan3, 中嶋 琢 1. 奈良先端大 , 2.Toulouse Univ., 3.Paris-Saclay Univ.,
燃料の検討
也 1, Jyh-Chiang Jiang4, 河合 壯 1
4. 台湾科技大17:45		 10p-W351-9 セルロースナノペーパーにおける熱拡散性の応力応答〇上谷 幸治郎 1, 井櫻 勝悟 2, 古賀 大尚 1, 能木 雅也 1 1. 阪大産研 , 2. 阪大院工9.5 新機能材料・新物性 / New functional materials and new phenomena
3/10(Sun.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10p-PA7-1
層状 TlGaSe2 における光誘起変形のミリ秒過渡応答特性 〇北野 稜汰 1, 沈 用球 1, 脇田 和樹 2, Nazim
1. 阪府大院工 , 2. 千葉工大工 , 3. アゼルバイジャン科学
評価Ⅱ
Mamedov3
アカデミー
1
1
2
3
			 10p-PA7-2
第一原理計算を用いた TlInS2 におけるドープによる電子 〇石川 真人 , 中山 隆史 , 脇田 和樹 , 沈 用球 ,1. 千葉大理 , 2. 千葉工大工 , 3. 大阪府大工 , 4. アゼルバイ
状態解析
Nazim Mamedov4
ジャン科学アカデミー

【CS.7】7.4 量子ビーム界面構造計測、9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 7.4 & 9.5
			 10p-PA7-3
			 10p-PA7-4

マルチフェロイック 0.7BaTiO3-0.3Pr0.65Ca0.35MnO3 コア
シェルの外場に対する応答
自己組織化テンプレートを用いた MoS2 ナノ構造の形成

			 10p-PA7-5

シュウ酸溶液中のアルミニウムの磁場印加陽極酸化Ⅱ			 10p-PA7-6

ポーラスアルミナ上への低抵抗 ZnO 膜の作製

			 10p-PA7-7〇柳沢 修実 1, 藤本 隆士 2, 北村 一浩 3

1. 弓削商船高専商船 , 2. 弓削商船高専電子機械 , 3. 愛教
大技術教育〇岡本 幸樹 1, 清水 智弘 1, 阿久津 里奈 2, 高瀬 浩一 2, 1. 関西大理工 , 2. 日本大理工伊藤 健 1, 新宮原 正三 1
〇 (M1) 石原 憲吾 1, 須田 貴之 1, 陶山 輝巳 1, 森下 義 1. 東京農工大隆1〇 (M1) 山下 翔暉 1, 奥木 丈生 1, 常盤 貴允 1, 森下 義 1. 農工大工
隆1
〇 (BC) 荒本 真也 1, 板東 能生 1
1. 呉高専専攻科

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
3/9(Sat.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 9p-PB1-1
Co2MnGa エピタキシャル薄膜の異方性磁気抵抗効果〇佐藤 岳 1, 古門 聡士 2, 小坂 悟 1, 石川 剛 1, 小川 智 1. 豊田中研 , 2. 静岡大 , 3. 東北大之 3, 角田 匡清 3
		
奨 E 9p-PB1-2
Magneto-transport Properties of (Mn1-xCox)2VAl Heusler 〇 (DC)Kenji Fukuda1, Mikihiko Oogane1, 2, 3,
1.Tohoku Univ., 2.CSRN, Tohoku Univ., 3.CSIS, Tohoku
Alloy Films
Masakiyo Tsunoda1, 2, Yasuo Ando1, 2, 3
Univ.
			 9p-PB1-3
Co2TiSi ワイルセミメタルホイスラー合金のエピタキ〇 (M1) 劉 みん 1, 大兼 幹彦 1, 角田 匡清 1, 安藤 康夫 1 1. 東北大
シャル薄膜作製			 9p-PB1-4
スパッタによる a- 面配向の Mn3Sn 薄膜〇呉 承俊 1, 森田 正 1, 池田 智紀 2, 大兼 幹彦 2, 角田 匡 1. アルバック未来研 , 2. 東北大
清 2, 安藤 康夫 2
		E 9p-PB1-5
Growth of Fe4N/Cu/Fe4N tri-layer structure for〇 Keita Ito1, 2, Takahide Kubota1, 2, Koki Takanashi1, 2 1.IMR, Tohoku Univ., 2.CSRN, Tohoku Univ.
current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistancedevices		
奨 E 9p-PB1-6
Investigation of composition dependence on the exchange 〇 SINA RANJBAR1, Masakiyo Tsunoda2, Mikihiko 1.Department of Applied Physics, Tohoku University,
anisotropy in PtxMn1-x/Co70Fe30 Films
Oogane1, Yasuo Ando1, 3Sendai 980-8579, Japan, 2.Department of Electronic
Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579,
Japan, 3.Center for Science and Innovation in
Spintronics (Core Research Cluster) Organization for
Advanced Studies

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

ペロブスカイト化合物 CaRuO3 の Mn 部分置換による強磁性誘起		
奨 10p-PA7-8
スパッタリングで形成した Ta 薄膜における電気抵抗率の 〇 (B) 上杉 良太 1, 小峰 啓史 1, 水野 将臣 1, 安藤 亮 2, 1. 茨城大学 , 2.ITIC 茨城
歪み誘起 1/f 雑音
赤羽 秀郎 1
【CS.7】7.4 量子ビーム界面構造計測、9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 7.4 & 9.5
3/10(Sun.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) S423 会場 (Room S423)
9:00		 10a-S423-1
ラボラトリー軟 X 線 XAFS による MgB2 薄膜中の Mg の化 〇柏倉 隆之 1
1. 宇大院工学状態分析
9:15		 10a-S423-2
Au アレイ上増大場の RCWA によるシミュレーション〇鈴木 裕史 1, 工藤 蓮太郎 2
1. 弘前大院 , 2. 弘前大
9:30
奨 10a-S423-3
Ag 形ゼオライトの PL におけるクラスター崩壊時間〇岡 良樹 1, 山内 一真 2, 鈴木 裕史 2, 米谷 陸杜 2, 宮永 1. 弘前大 , 2. 弘前大院
2
崇史
9:45
奨 10a-S423-4
Ag 形ゼオライトの Ag クラスター崩壊過程におけるその 〇 (M1) 山内 一真 1, 鈴木 裕史 1, 米谷 陸人 1, 宮永 崇 1. 弘前大院理工場 PL・XAFS 測定
史1
10:00
奨 10a-S423-5
X 線自由電子レーザーによる時間分解共鳴磁気光学カー 〇山本 航平 1, 2, El Moussaoui Souliman1, 平田 靖
1. 東大物性研 , 2. 東大理 , 3.JASRI, 4. 理研 , 5. 東北大金研
効果測定でみる Co/Pt 薄膜の磁化ダイナミクス
透 1, 2, 山本 達 1, 2, 久保田 雄也 3, 4, 大和田 成起 3, 4, 矢橋
牧名 3, 4, 松田 巌 1, 2, 関 剛斎 5, 高梨 弘毅 5, 和達 大
樹 1, 2
10:15		 10a-S423-6
コバルトフタロシアニンシートの合成と構造〇大倉 秀亮 1, 萩原 政幸 2, 木田 孝則 2, 澤田 祐也 2, 鎌 1. 埼玉大院理工 , 2. 阪大先端強磁場田 憲彦 1, 本多 善太郎 1
10:30		休憩 /Break
10:45		 10a-S423-7
リチウムを挿入した多孔質鉄化合物の磁性〇藤田 恵理子 1, 萩原 政幸 2, 木田 孝則 2, 澤田 祐也 2, 1. 埼玉大院理工 , 2. 阪大先端強磁場
鎌田 憲彦 1, 本多 善太郎 1
11:00		 10a-S423-8
金属ナノ構造担持プロトン伝導体の光応答〇福島 知宏 1, 村越 敬 1
1. 北大院理
11:15		 10a-S423-9
酸化物粒子と EDTA 錯体水溶液スラリー由来の酸化物納 〇齊藤 篤弘 1, 中村 淳 2, 1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
豆型構造体の形態
11:30
E 10a-S423-10 Characteristic Properties of Macrocyclic Functional〇 (DC)Brian Adala Omondi1, Hirotaka Okabe1,
1.Kyushu Univ.
Hydrogels for Selective Heavy Metal Adsorption
Yoshiki Hidaka1, Kazuhiro Hara1
1, 2
2, 1
11:45 奨 E 10a-S423-11 X-ray Standing Wave Imaging and Its Application in〇 (D)Wenyang Zhao , Kenji Sakurai
1.Tsukuba Univ., 2.NIMS
Langmuir-Blodgett Films
3/10(Sun.) 13:30 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) S423 会場 (Room S423)
13:30
招 10p-S423-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇横山 智康 1, 大内 暁 1, 井垣 恵美子 1, 笹川 崇男 2
1. パナソニック ( 株 ), 2. 東工大
第一原理計算と遺伝的アルゴリズムによる有機－無機ハ
イブリッド材料の状態図予測
13:45		 10p-S423-2 第一原理計算による合金 Ge-Sb-Te 相変化メモリの解析〇野原 弘晶 1, 白川 裕規 1, 洗平 昌晃 1, 2, 白石 賢二 1, 2 1. 名大院工 , 2. 名大未来研
14:00		 10p-S423-3 XANAM で観測した Ge 表面上 X 線誘起力場変化の解析〇鈴木 秀士 1, 向井 慎吾 2, 田 旺帝 3, 野村 昌治 4, 朝倉 1. 名大院工 , 2. 北大触媒研 , 3.ICU, 4.KEK-PF
清高 2
14:15		 10p-S423-4 STEM モアレフリンジ法による InP/InGaAs 界面歪み分 〇陳 桐民 1, 大島 義文 1, 赤堀 誠志 1
1. 北陸先端大布計測
14:30		 10p-S423-5 可搬型中性子反射率イメージャーの開発〇桜井 健次 1, 水沢 まり 2, 1, 岩元 めぐみ 1
1. 物材機構 , 2.CROSS
14:45		休憩 /Break
15:00		 10p-S423-6 逆光電子ホログラフィーを用いた強誘電体酸窒化物の局 〇山本 裕太 1, 木村 耕治 1, Artoni Ang1, 松下 智裕 2, 1. 名古屋工業大学 , 2. 高輝度光科学研究センター, 3. 東所構造解析
廣瀬 靖 3, 林 好一 1
京大学
15:15		 10p-S423-7 X 線光電子分光における時空間計測・解析手法の開発〇豊田 智史 1, 梶野 雄太 2, 山本 知樹 2, 首藤 大器 3, 野 1. 京都大学 , 2. 兵庫県大 , 3.SP8 サービス , 4. マツダ ,瀬 惣市 3, 吉村 真史 3, 住田 弘祐 4, 三根生 晋 4, 町田 雅 5. シエンタオミクロン , 6. 原子力機構
武 5, 吉越 章隆 6, 横山 和司 2
15:30
奨 10p-S423-8 室温ハーフメタル Co2TiSn の単結晶育成と物性評価〇小柳 海人 1, 村瀬 正恭 1, 笹川 崇男 1
1. 東工大フロンティア研
15:45		 10p-S423-9 強いスピン軌道相互作用を持つミスフィット層状 Bi 化合 〇 (M2) 竹田 駿 1, 笹川 崇男 1
1. 東工大フロンティア研
物の単結晶育成と超伝導特性評価
16:00		休憩 /Break
16:15		 10p-S423-10 超伝導体 Y2O2Bi における元素置換効果
寺門 恭兵 1, 〇河底 秀幸 1, 松本 倖汰 1, 福村 知昭 1, 2
1. 東北大理 , 2. 東北大 WPI-AIMR & Core Research
Cluster
16:30
奨 10p-S423-11 過剰酸素導入による層状オキシニクタイド化合物〇松本 倖汰 1, 河底 秀幸 1, 福村 知昭 1, 2
1. 東北大理 , 2. 東北大 WPI-AIMR & Core Research
La2O2Bi の高移動度 p 型伝導
Cluster
16:45
奨 10p-S423-12 2 種類の原子を加えた Honeycomb ナノリボンにおける 2 〇伊藤 蓮 1, 近藤 憲治 1
1. 北大電子研
次元量子スピンホール相の研究
17:00		 10p-S423-13 スピン液体候補物質 OsCl3 の合成と粉末 X 線回折プロ〇高瀬 浩一 1, 出村 郷志 1, 中川 広野 2, 山崎 篤志 2, 森 1. 日大理工 , 2. 甲南大理工 , 3. 広大院理ファイルのその場観察
吉 千佳子 3, 黒岩 芳弘 3

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics
			 9p-PB1-7
			 9p-PB1-8
			 9p-PB1-9
		

E 9p-PB1-10

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E 9p-PB1-15

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10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

		

奨 9p-PB1-28

			 9p-PB1-29
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			 9p-PB1-31
		

奨 9p-PB1-32

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Co/Pd 多層積層膜の光パルス励起を経由するパーマロイ 〇小野寺 蓮太 1, 西沢 望 1, 宗片 比呂夫 1
1. 東工大・未来研のスピン波生成磁化の光励起才差運動が極めて大きな多層積層 Co/Pd 構 〇小川 竣太 1, 西沢 望 1, 宗片 比呂夫 1
1. 東工大・未来研
造の作製
窒素吸着 Cu(001) 表面上での FeNi 原子層成長における作 〇 (M1C) 高橋 優樹 1, 2, 川口 海周 2, 服部 卓磨 2, 飯盛 1. 東理大基礎工 , 2. 東大物性研
製条件の最適化
拓嗣 2, 宮町 俊生 2, 小嗣 真人 1, 小森 文夫 2
Magnetic damping in Pt/Co/Cr2O3/Pt stack films with
〇 Anh ThiVan Nguyen1, 2, 3, 4, Yu Shiratsuchi5, Hideo 1.CSRN, Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ., 3.CIES,
perpendicular magnetic anisotropy
Sato1, 2, 3, Shoji Ikeda1, 2, 3, Tetsuo Endoh1, 2, 3, 4, Yasushi Tohoku Univ., 4.ECEI, Tohoku Univ., 5.G.S.Eng. Osaka
Endo1, 2, 4Univ.
磁性層 / 重金属層ヘテロ構造の磁気光学効果〇松本 憩 1, 鷲見 聡 1, 田辺 賢士 1, 粟野 博之 1
1. 豊田工大
X 線磁気円二色性による f c c - C o N i 多層膜の結晶磁気 〇 (DC) 池田 啓祐 1, 伊藤 啓太 2, 関 剛斎 2, 芝田 悟
1. 東大物性研 , 2. 東北大金研 , 3. 東大理 , 4.KEK-PF
異方性の研究朗 3, 坂本 祥哉 3, 野中 洋亮 3, 池 震棟 3, 万 宇軒 3, 鈴木
雅弘 3, 酒巻 真粧子 4, 雨宮 健太 4, 高梨 弘毅 2, 和達 大
樹 1, 藤森 淳 3
パルスレーザー蒸着法を用いた FeCo 多層膜の作製およ 〇伊藤 久晃 1, 宮下 拓也 1, 熊谷 卓也 1, 宮町 俊夫 2, 小 1. 東京理科大 , 2. 東大物性研 , 3.JASRI
び解析
森 文夫 2, 大河内 拓雄 3, 小嗣 真人 1
L11-FeNi の創製に向けた基板の検討〇宮下 拓也 1, 伊藤 久晃 1, 熊谷 卓也 1, 宮町 俊夫 2, 小 1. 東京理科大 , 2. 東大物性研
森 文夫 2, 小嗣 真人 1
Structural and magnetic properties of β -Mn-type〇 Ryo Ishikawa1, Seungjun Oh1, Tadashi Morita1,
1.ULVAC, 2.NIMS
CoZnMn alloy thin films fabricated by DC-sputtering
Shinya Kasai2, Yukiko Takahashi2
D019 型 X3Sn(X=Fe,Mn) 薄膜の作製とその磁気伝導特性 〇 (B) 前野 央 1, 柳瀬 隆 1, 島田 敏宏 1, 辻川 雅人 2, 3,
1. 北大工 , 2. 東北大通研 , 3. 東北大 CSRN
白井 正文 2, 3, 長浜 太郎 1
1, 2
3, 4
Annealing effects of exchange bias properties for Co-Mn/ 〇 Tomoki Tsuchiya , Kazuma Kunimatsu ,1.CSIS(CRC), Tohoku Univ., 2.CSRN, Tohoku Univ.,
Ir-Mn bilayers
Shigemi Mizukami4, 1, 2
3.Tohoku Univ., 4.WPI-AIMR, Tohoku Univ.
ワイル磁性体 Mn3Sn のエピタキシャル薄膜作製と評価〇安藤 優介 1, 羽尻 哲也 1, 植田 研二 1, 浅野 秀文 1
1. 名大工Atomic-layer alignment dependence of spin-orbit included 〇 Kohji Nakamura1, Yuna Kato1, A.-M. Pradipto1,
1.Mie Univ., 2.Osaka Univ.
112
magnetism in thin films
Toru Akiyama , Tomonori Ito , Tamio Oguchi
111
軌道フェリ磁性体 CoMnO3 における磁気異方性定数の温 〇小泉 洸生 , 井上 順一郎 , 柳原 英人
1. 筑波大学度変化
有機金属分解法による Nd2BiFe4GaO12 薄膜作製における 〇 (M2) 趙 嘉欣 1, 西川 雅美 1, 石橋 隆幸 1, 河原 正美 2 1. 長岡技術科学大学 , 2. 高純度化学研究所
仮焼成条件の検討
電子線照射 MOD 法を用いた SiO2 上への Ga:YIG サブミ 〇坂木 翔太 1, 笠原 健司 1, 眞砂 卓史 1
1. 福岡大理
クロンパターンの作製
Sign reversal of current-induced effective magnetic field 〇 Michihiko Yamanouchi1, 2, Tatsuro Oyamada2,
1.RIES Hokkaido Univ., 2.IST Hokkaido Univ.
in La0.67Sr0.33MnO3 heterostructures
Hiromichi Ohta1, 2
1
1
スパッタリング法による窒化 Fe,Co 薄膜の作製〇小野里 尚紀 , 柳原 英人
1. 筑波大物工First-principles study on magnetism and magneto-optical 〇中島 弘貴 1, プラディプト アブドゥルムィッツ 1, 1. 三重大院工properties of yttrium iron garnet
秋山 亨 1, 伊藤 智徳 1, 中村 浩次 1
反強磁性スピントロニクスに向けたノンコリニア反強磁 〇尹 智誠 1, 棚橋 直也 1, 羽尻 哲也 1, 浅野 秀文 1
1. 名大院工性絶縁体 SmFeO3 トンネル接合の作製と評価
1
1
Strain mediated magnetic properties in thin Fe4N pseudo 鈴木 一平 , 〇磯上 慎二
1. 物材機構
single-crystal films
ノンコリニア型反強磁性体 SmFeO ₃のスピンホール磁気 〇八田 隼之介 1, 棚橋 直也 1, 松浦 健人 1, 羽尻 哲也 1, 1. 名大工
抵抗効果
浅野 秀文 1
[GeTe/Sb2Te3] 超格子 /Py 積層膜のスピンホール効果〇鷲見 聡 1, 平野 友市郎 1, 粟野 博之 1, 富永 淳二 2
1. 豊田工業大学 , 2. 産業技術総合研究所
90 度磁気結合膜の X 線反射率による構造解析〇 (M1) 鍾 永師 1, 永島 玄 1, 堀池 周 1, 花島 隆泰 2, 黒 1. 九州大シス情 , 2. 中性子科学センター
川 雄一郎 1, 湯浅 裕美 1
Zn ドープマグネタイトナノ微粒子の温熱効果と T2 緩和 〇一柳 優子 1, 2, 神田 康平 3, 臼井 章仁 4, 井手 太星 1, 1. 横国大院工 , 2. 大阪大院理 , 3. 横国大院環情 , 4. 東北大効果
大嶋 晃人 1, 藤原 康暉 1, 細貝 良行 5
院医 , 5. 国際医療福祉大院保アクティブターゲティングを目指した磁気ナノ微粒子の 〇井手 太星 1, 藤原 康暉 1, 大嶋 晃人 2, 神田 康平 3, 阿 1. 横国大院工 , 2. 横国大院理工 , 3. 横国大環情 , 4. 大阪大
ハイパーサーミア効果と血液脳関門通過
部 真之 4, 田中 秀吉 5, 一柳 優子 1, 2, 6
院基礎工 , 5. 情報通信研究機構 , 6. 構造熱科学研究セン
ター
電流磁壁駆動磁性細線の温度分布測定〇澤 拓哉 1, 鷲見 聡 1, 田辺 賢士 1, 粟野 博之 1
1. 豊工大1
Excitation Wavelength and Pump Power Dependence of 〇 (D)Miezel Legurpa Talara , Valynn Katrine
1.Research Center for Development of Far-Infrared
Terahertz Emission of Fe/Pt Spintronic Bilayer Structure Mag-usara1, Yoshinori Oda1, Hideaki Kitahara1,
Region, Univ. of Fukui, Japan, 2.Photonic Center
Jessica Afalla1, Garik Torosyan2, 3, Sascha Keller3, 4,
Kaiserslautern, 3.Univ. of Kaiserslautern, Research
Laura Scheuer3, 4, Johannes Lhuillier2, 3, Rene
Center OPTIMAS, 4.Univ. of Kaiserslautern,
3, 4
3, 4
Beigang , Evangelos Th Papaioannou , Masahiko Department of Physics
Tani1
GaN/TbN短周期超格子形成とその磁気光学特性評価 (そ 〇藤森 三志朗 1, 長谷川 繁彦 1
1. 阪大産研の 2)- TbN 井戸層幅依存性 CdTe 自己形成ドットにおける Cr の電荷揺らぎによる発 〇牧田 憲治 1, 有野 雅史 1, 須永 雅弘 1, 黒田 眞司 1, ラ 1. 筑波大数理物質 , 2.CNRS ネール研
光スペクトルの分裂
ファンテ - サンピエトロ アルバン 2, ボウカリ エル
ベ 2, ビソンブ ルシアン 2
Superlattice-periods dependence on spin relaxation time 〇 Yuichi Nakamura1, Xiuguang Jin2, Shunsuke
1.Waseda Univ., 2.KEK
in GaAs/GaAsP strained-compensated superlattice
Ohki1, Daisuke Tanaka1, Atsushi Tackeuchi1
Co/BiFeO3/LaSrMnO3 トンネル接合構造における〇永沼 博 1, 一ノ瀬 智浩 1
1. 東北大BiFeO3 の Fe モーメントの増大
Tb26Fe66Co8 を電極に用いた両極性伝導体 YH ２における 〇伊勢 健冬 1, 藤井 大樹 1, 酒井 政道 1, 樋口 宏二 2, 北 1. 埼大院理工 , 2. 阪大産研 , 3. 豊田工大
ホール抵抗及び横磁気抵抗の印加磁場角度依存性
島 彰 2, 長谷川 繁彦 2, 黒川 雄一郎 3, 粟野 博之 3
Tb33Fe67 電極から YH2 へのスピン注入及び電極－チャネ 〇高橋 侑太郎 1, 秋里 宗次郎 1, 菅沼 奈央 1, 三上 亮
1. 埼大院理工 , 2. 東洋大学 , 3. 豊田工大
ル間 Ti 膜の影響
太 1, 芦沢 優吾 1, 川口 颯天 1, 酒井 政道 1, 花尻 達郎 2,
中島 義賢 2, 徳田 正秀 2, 藤井 泰彦 2, 粟野 博之 3
Tb33Fe67 を電極に用いた Y のホール効果における電極〇三上 亮太 1, 秋里 宗次郎 1, 菅沼 奈央 1, 高橋 侑太
1. 埼大理工 , 2. 東洋大 , 3. 豊田工大
－チャネル間 Ti 膜厚依存性
郎 1, 芦沢 優吾 1, 川口 颯天 1, 酒井 政道 1, 花尻 達郎 2,
中島 義賢 2, 徳田 正秀 2, 藤井 泰彦 2, 粟野 博之 3
スピンゼーベック素子にタングステンと白金を金属膜と 〇 (B) 松崎 貴広 1, 山本 篤 1, 伊藤 勝利 1, 柯 夢南 1, 河 1. 東京理科大工
して使用した場合の起電力の比較・検討
原 尊之 1
STM/STS によるα -Sn/InSb(001) 電子状態の膜厚特性 〇樋渡 功太 1, 加来 滋 1, 吉野 淳二 1
1. 東工大理の測定
マイクロマグネティックシミュレーションを用いたスピ 〇赤松 竜成 1, 柴田 晃治 1, 笠原 健司 1, 眞砂 卓史 1
1. 福岡大理
ン波の伝搬特性における強磁性導波路幅依存性の検証
1111
フェリ磁性体 GdFeCo の磁性共鳴によるスピン起電力〇 (B) 福田 舜 , 高橋 晨 , 鷲見 聡 , 田辺 賢士 , 粟野 1. 豊田工大
博之 1
厚膜 GdFeCo 磁性細線における電流誘起磁壁移動〇高橋 晨 1, 黒川 雄一郎 2, 鷲見 聡 1, 田辺 賢士 1, 粟野 1. 豊田工大 , 2. 九大シス情博之 1

【CS.9】10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術 , 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術 ,10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 10.1, 10.2, 10.3 & 10.4
		

E 9p-PB1-47

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

The effect of voltage on reservoir computing performance 〇 Sumito Tsunegi1, Tomohiro Taniguchi1, Shinji
1.AIST, 2.ISSP, The Univ. of Tokyo, 3.The Univ. ofof a spin torque oscillator
Miwa2, Kohei Nakajima3, 4, Kay Yakushiji1, Akio
Tokyo, 4.JST PRESTO
Fukushima1, Shinji Yuasa1, Hitoshi Kubota1
			 9p-PB1-48
Fe1-xRhx 規則合金薄膜におけるダンピング定数評価〇宇佐見 喬政 1, 2, 伊藤 満 2, 谷山 智康 1
1. 名大理物 , 2. 東工大フロンティア研
			 9p-PB1-49
コプレーナ線路を用いた Py/Ag/Bi 三層膜の強磁性共鳴 〇川崎 連 1, 妹尾 駿一 1, 岡本 聡 2, 菊池 伸明 2, 北上
1. 奈良先端大物質 , 2. 東北大多元研
2
1
1
1
修 , 冨田 知志 , 細糸 信好 , 柳 久雄
		
E 9p-PB1-50
Ru insertion effect on spin Seebeck effect of YIG/Ta or Pt 〇 (M1)Houlin Li1, Takumi Niimura1, Fumiya
1.Kyushu Univ., 2.JST PRESTO
Nakata1, Yuichiro Kurokawa1, Hiromi Yuasa1, 2
			 9p-PB1-51
TbFeCo 磁性薄膜における輸送特性の組成依存性〇安藤 亮 1, 小峰 啓史 2
1.ITIC 茨城 , 2. 茨城大学
		
E 9p-PB1-52
Spin Hall magnetoresistance of YIG / Pt with magnetic〇 (M1)Takumi Niimura1, Fumiya Nakata1, Houlin
1.Kyushu Univ., 2.JST,PRESTO
layer inserted into the interface
Li1, Yuichiro Kurokawa1, Hiromi Yuasa1, 2
		E 9p-PB1-53
Antiferromagnetic coupling and spin Hall effect in Co /〇 (M1)Hiroto Masuda1, Takeshi Seki1, 2, Takahide
1.IMR, Tohoku Univ., 2.CSRN, Tohoku Univ.
Ir-doped Cu / Co layers
Kubota1, 2, Koki Takanashi1, 2
1
1, 2
		
E 9p-PB1-54
Systematic investigation of anomalous Hall effect in〇 (M1)Qiang Wang , Zhen Chao Wen , Takeshi
1.IMR, Tohoku Univ., 2.CSRN, Tohoku Univ.
Co2(Fe, Mn)Si Heusler alloy films with various
Seki1, 2, Koki Takanashi1, 2
compositions
		
奨 9p-PB1-55
磁区構造形成のフェーズフィールドモデリング〇 (M1) 阿波 龍一郎 1, 山中 晃徳 1, 末廣 龍一 2
1. 東京農工大 , 2.JFE スチール研		
奨 E 9p-PB1-56
Enhancement of spin-orbit torque in W/CoFeB/MgO by 〇 Kaito Furuya1, Yutaro Takeuchi1, Yu Takahashi1,
1.RIEC, Tohoku Univ., 2.FRIS, 3.CSIS, 4.CIES, 5.CSRN,
1, 2, 3, 4
3
controlling W resistivity
Chaoliang Zhang, Buturin Jinnai , Syunsuke
6.CSIS (CRN), 7.WPI-AIMR
Fukami1, 3, 4, 5, 6, 7, Hideo Ohno1, 3, 4, 5, 6, 7
		E 9p-PB1-57
Magnetoresistance in bilayers of heavy metal and〇 Kento Oda1, Takahiro Moriyama1, 2, Teruo Ono1, 2 1.ICR Kyoto Univ., 2.CSRN Osaka Univ.
non-collinear antiferromagnet
			 9p-PB1-58
スピン注入に向けた GaAs 基板上への Co2Fe0.4Mn0.6Si 薄 〇 (M1) 王 君成 1, 小池 剛央 1, 大兼 幹彦 1, 角田 匡清 1, 1. 東北大院工膜の作製
安藤 康夫 1
			 9p-PB1-59
脳底部を標的にした磁気刺激用口腔内コイルの開発〇 (M2) 野崎 利博 1, 備前 岳 1, 安藤 努 1
1. 日大生産工
			 9p-PB1-60
強磁場材料プロセスにおける変調回転が誘起する流動と 影山 正典 1, 〇安藤 努 1, 廣田 憲之 2, 堀井 滋 3
1. 日大生産工 , 2. 物材機構 , 3. 京大院エネ科
その影響
1
1
1
2
			 9p-PB1-61
GdCl3 水溶液中で磁気浮上した球状蓄光材料の非接触光 〇岡野 佑亮 , 種部 千遥 , 大澤 正久 , 廣田 憲之 , 池 1. 日本工大 , 2. 物質・材料研究機構
回転操作
添 泰弘 1
			 9p-PB1-62
磁気アルキメデス浮上状態で光操作された物体の運動の 〇種部 千遥 1, 岡野 佑亮 1, 大澤 正久 1, 廣田 憲之 2, 池 1. 日工大 , 2. 物質・材料研究機構
解析
添 泰弘 1
		E 9p-PB1-63
Higher Magnetoresistance Sensitivity Of Magnetic〇 Sabri Cakir1, Kosuke Fujiwara1, Mahiro Sato1, Seiji 1.Spin Sensing Factory, 2.Tohoku University
Sensors With Closer Junctions
Kumagai1, Mikihiko Oogane2, Yasuo Ando2
		
E 9p-PB1-64
High TMR Ratio and High Signal Output of Array TMR 〇 Kousuke Fujiwara1, Mahiro Sato1, Sabri Cakir1,
1.Spin Sensing Factory Corp., 2.Tohoku Univ.
Sensor Deposited on Chemical-Mechanical Polishing Cu Seiji Kumagai1, Mikihiko Oogane2, Yasuo Ando2
Buffer Layer		
E 9p-PB1-65
Effect of second order magnetic anisotropy on linear〇 Takahiro Ogasawara1, Mikihiko Oogane1, 2, 3,
1.Tohoku Univ., 2.CSIS, 3.CSRN
response of magnetic sensors with CoFeB/MgO/CoFeB Masakiyo Tsunoda1, 3, Yasuo Ando1, 2, 3
based magnetic tunnel junctions
		奨 E 9p-PB1-66
Detection of the weak magnetic field by serial MTJs with 〇 Zhenhu Jin1, Yupeng Wang1, Kousuke Fujiwara1, 1.Tohoku Univvarious aspect ratio free layers
Mikihiko Oogane1, Yasuo Ando1
		
奨 E 9p-PB1-67
Radio-frequency magnetic field sensitivity of magnetic〇 Ryota Okuno1, Minori Goto1, 2, Sumito Tsunegi3, 1.Osaka Univ., 2.CSRN-Osaka, 3.AIST
vortex in magnetic tunnel junctions
Kei Yakushiji3, Hitoshi Kubota3, Akio Fukushima3,
Shinji Yuasa3, Hikaru Nomura1, 2, Yoshishige
Suzuki1, 2, 3
			 9p-PB1-68
2 回酸化法による高品位 MgAl2O4 バリア強磁性トンネル 〇市川 心人 1, Chang P.-H.2, 3, 介川 裕章 2, 三谷 誠
1.TDK, 2. 物材機構 , 3. 筑波大接合
司 2, 3, 大久保 忠勝 2, 宝野 和博 2, 3, 中田 勝之 1
		
E 9p-PB1-69
Voltage control of magnetic anisotropy in Mn inserted〇 (M1)Tsubasa Watakabe1, Goto MInori1, Miwa
1.Osaka Univ., 2.Univ. of Tokyo, 3.CSRN-Osaka
Magnetic tunnel junction
Shinji2, Suzuki Yoshishige1, 3
		E 9p-PB1-70
Observation of spin-orbit torque magnetization switching 〇 (M1)Masakazu Wakae1, Masahiro Itoh1, Yuichiro 1.Grad. Sch. & Fac. of Info. Sci. & Elec. Eng., Kyushu
in Gd-Fe perpendicular magnetized wire with IrMn cap
Kurokawa1, Kohei Ohnishi2, 3, Hiromi Yuasa1
Univ., 2.Dept. of Phys., Kyushu Univ., 3.Res. Ctr. forlayer
Quant. Nano-Spin Sci., Kyushu Univ11
		E 9p-PB1-71
Fabrication of L10 (MnCo)Al thin film with high〇 (M1)LONGJIE YU , Mikihiko Oogane , Masakiyo 1.Tohoku Univ.
perpendicular magnetic anisotropy on Pt seed layer
Tsunoda1, Yasuo Ando1
			 9p-PB1-72
積層軟磁性薄膜の高周波磁化応答に関する印加磁界角度 〇高村 綾平 1, 土田 洋介 1, 鶴岡 誠 1
1. 東京工科大工
依存性
			 9p-PB1-73
軟磁性三層薄膜の磁気シミュレーション〇坂 尚樹 1, 土田 洋介 1, 鶴岡 誠 1
1. 東京工科大院
		
E 9p-PB1-74
Magnetic tunnel junction array for physical reservoir〇 Hitoshi Kubota1, Kay Yakushiji1, Akio Fukushima1, 1.AIST, 2.Osaka Univ., 3.CSRN-Osaka
Sumito Tsunegi1, Tomohiro Taniguchi1, Atsushi
Sugihara1, Minori Goto2, 3, Kazuki Takahashi2, Hikaru
Nomura2, 3, Yoshishige Suzuki1, 2, 3
		奨 E 9p-PB1-75
Demonstration of spin xor operation with Si spin channel 〇 (M1)Ryoma Ishihara1, Soobeom Lee1, Yuichiro
1.Kyoto Univ., 2.Osaka Univ., 3.Corp.
Ando1, Ryo Ohshima1, Yoshishige Suzuki2, Hayato
Koike3, Masashi Shiraishi1		
E 9p-PB1-76
Investigation of Y-shaped magnetic wire logic device by〇 Yuichiro Kurokawa1, Masakazu Wakae1, Masahiro 1.Kyushu Univ., 2.Toyota Tech. Inst, 3.Kyushu Univ,
current-induced domain wall motion
Itoh1, Satoshi Sumi2, Hiroyuki Awano2, Kohei
4.Res. Ctr. for Quant. Nano-Spin Sci
Ohnishi3, 4, Hiromi Yuasa1
			 9p-PB1-77
Initial magnetic domain nucleation of a MO light〇 Kenichi Aoshima1, Nobuhiko Funabashi1, Ryo
1.NHK STRL
modulator driven by domain wall
Higashida1, Kenji Machida112			 9p-PB1-78
IZO/Bi 置換磁性ガーネット膜における磁気光学効果シ〇田中 和総 , イェセンスカー エヴァ , ヴェイス
1. 長岡技科大工 , 2. チャールズ大
ミュレーション
マーティン 2, 西川 雅美 1, 石橋 孝幸 1
		E 9p-PB1-79
Nearly pure circular polarization electroluminescence〇 Nozomi Nishizawa1, Hiro Munekata1
1.FIRST, TITECH
from spin-LED with significantly reduced current
densities
			 9p-PB1-80
Mn3Sn 多結晶薄膜における異常 Hall 効果の組成依存性〇 (M1) 池田 智紀 1, 角田 匡清 1, 大兼 幹彦 1, 呉 承俊 2, 1. 東北大工 , 2.ULVAC 未来研
森田 正 2, 安藤 康夫 1
【CS.9】10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術 , 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術 ,10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 10.1, 10.2, 10.3 & 10.4
3/11(Mon.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
9:00
E 11a-M101-1 Resistive detection of the Néel temperature of Cr2O3 thin 〇 (M2)Tatsuya Iino1, Takahiro Moriyama1, Hiroyuki 1.ICR, Kyoto Univ., 2.Osaka Univ.
films
Iwaki1, Hikaru Aono2, Yu Shiratsuchi2, Teruo Ono1
9:15
E 11a-M101-2 Spin Hall magnetoresistance in amorphous tungsten/iron- Lukasz Pawliszak1, 2, 〇 Seiji Mitani2, 3, Shinji
1.Warsaw Univ. Tech., 2.NIMS, 3.Univ. Tsukuba, 4.Univ.
silicon alloy bilayers
Isogami2, Masamitsu Hayashi2, 4, Tadeusz Kulik1
Tokyo
1
2
3
9:30
E 11a-M101-3 Spin torque induced by orbital conversion at Cu/Al2O3〇 Junyeon Kim , Dongwook Go , Hanshen Tsai ,1.RIKEN-CEMS, 2.Postech, 3.ISSP, Univ. Tokyo
interface
Kouta Kondou1, Hyun-Woo Lee2, YoshiChika
Otani1, 3

10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）/ Emerging materials in spintronics and magnetics (including fabrication and charactrization methodologies)
9:45

奨 E 11a-M101-4

Spin-charge conversion in highly oriented bismuth using
spin-torque ferromagnetic resonance

10:00		 11a-M101-5

高周波誘導起電力測定による半導体 / 磁性体界面におけるスピン流電流変換物性測定

10:15

奨 E 11a-M101-6

An investigation of gate-induced modulation of theinverse spin Hall effect in ultrathin Cu.

10:30

奨 E 11a-M101-7

Efficient spin-to-charge current conversion in aLa0.67Sr0.33MnO3/LaAlO3/SrTiO3 epitaxial single-crystal

10:45		11:00E 11a-M101-8

11:15

奨 E 11a-M101-9

11:30

奨 E 11a-M101-10 Temperature dependence of spin-orbit torques in an
antiferromagnet/ferromagnet heterostructure

11:45

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

heterostructure
休憩 /Break
Determination of spin-orbit torque by spin-torqueferromagnetic resonance free from spin-pumping

Observation of memristive domain patterns duringspin-orbit torque switching in antiferromagnet/
ferromagnet heterostructures〇 Masayuki Matsushima1, Yuichiro Ando1, Ryo
Ohshima1, Sergey Dushenko1, Ei Shigematsu1,
Takeshi Kawabe2, 3, Teruya Shinjo1, Shinji Miwa2, 3,
Masashi Shiraishi1〇重松 英 1, Lukas Liensberger2, Mathias Weiler2, 大
島 諒 1, 安藤 裕一郎 1, 新庄 輝也 1, Hans Huebl2, 白石
誠司 1〇 Shinichiro Yoshitake1, Masaya Hokazono1, Teruya
Shinjo1, Ryo Oshima1, Yuichiro Ando1, Masashi
Shiraishi1〇 Daisei Araki1, Anh Le Duc1, 2, Shingo Kaneta1,
Masaaki Tanaka1, 3, Ohya Shinobu1, 2, 3

1.Kyoto Univ., 2.The Univ. of Tokyo, 3.Osaka Univ.

Atsushi Okada1, 〇 (D)Yutaro Takeuchi1, Kaito
Furuya1, Chaoliang Zhang1, 2, 3, 4, Hideo Sato1, 3, 4, 5, 6,
Shunsuke Fukami1, 3, 4, 5, 6, 7, Hideo Ohno1, 3, 4, 5, 6, 7

1.Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC,
Tohoku Univ., 2.FRIS, Tohoku Univ., 3.CSIS, Tohoku
Univ., 4.CIES, Tohoku Univ., 5.CSRN, Tohoku Univ.,
6.CSIS (CRC), Tohoku Univ., 7.WPI-AIMR, Tohoku
Univ.
1.RIEC, Tohoku Univ., 2.ETH Zurich, 3.Diamond Light
Source, 4.CSIS, Tohoku Univ., 5.CSRN, Tohoku Univ.,
6.CIES, Tohoku Univ., 7.WPI-AIMR, TU〇 (P)Aleksandr Kurenkov1, 4, 5, ManuelBaumgartner2, Giacomo Sala2, Gunasheel
Krishnaswamy2, Francesco Maccherozzi3, Shunsuke
Fukami1, 4, 5, 6, 7, Pietro Gambardella2, Hideo
Ohno1, 4, 5, 6, 7
〇 (M2)Ryuichi Itoh1, Yutaro Takeuchi1, SamikDuttaGupta1, 2, 3, 4, Shunsuke Fukami1, 2, 3, 4, 5, 6, Hideo
Ohno1, 2, 3, 4, 5, 6

1. 京大院工 , 2.Walther Meissner Institute

1.Kyoto Univ.

1.Univ. Tokyo EEIS, 2.Univ. Tokyo IEI, 3.CSRN

1.RIEC, Tohoku Univ., 2.CSIS(Core Research Cluster),
Tohoku Univ., 3.CSRN, Tohoku Univ., 4.CSIS, Tohoku
Univ., 5.CIES, Tohoku Univ., 6.WPI-AIMR, Tohoku
Univ.
1.The Univ. of Tokyo, 2.NIMS

E 11a-M101-11 Giant spin-orbit torque and magnetothermal effects in〇 Zhendong Chi1, 2, YongChang Lau1, 2, Masamitsu
sputtered BiSb/CoFeB bilayers
Hayashi1, 2
3/11(Mon.) 13:15 - 15:00 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
13:15 招 E 11p-M101-1 [Young Scientist Presentation Award Speech]〇 Yuki Hibino1, Tomohiro Koyama1, Daichi Chiba1 1.Univ. of Tokyo
Observation of unconventional spin-orbit torque in Py/
Pt/Co tri-layer structure
13:30
E 11p-M101-2 Spin-orbit torque strength and efficiency in a
〇 (D)Miao JIANG1, Hirokatsu Asahara1, Shoichi
1.Univ. of Tokyo, 2.CSRN, 3.Inst. of Engineering
perpendicularly-magnetized ferromagnetic semiconductor Sato1, Toshiki Kanaki1, Hiroki Yamasaki1, Shinobu
Innovation
GaMnAs single thin film
Ohya1, 2, 3, Masaaki Tanaka1, 2
13:45
E 11p-M101-3 Spin-orbit torque in ionic crystal ReOX
〇 Shutaro Karube1, 2, Daichi Sugawara1, Makoto
1.Tohoku Univ. Eng., 2.Tohoku Univ. CSRN, 3.Tohoku
Kohda1, 2, 3, Junsaku Nitta1, 2, 3
Univ. CSIS
1
1
1
1
14:00		 11p-M101-4 64 素子スピン流型磁気メモリアレイにおける Write〇石谷 優剛 , 塩川 陽平 , 小村 英嗣 , 積田 淳史 , 須 1.TDK( 株 )Endurance 試験
田 慶太 1, 柿沼 裕二 1, 佐々木 智生 1
14:15
E 11p-M101-5 Material dependence of the effect of SOT-MRAM read〇 (M1)Keisuke Tabata1, Takayuki Kawahara1
1.Tokyo University of science
disturb reduction method
1
1
14:30 奨 E 11p-M101-6 Study on current-induced domain-wall motions of〇 Musashi Shimazaki , Tatsuro Ohmasa , Tomoya
1.Nagoya Inst. Tech., 2.Kansai Univ., 3.Toyota Tech.
antiferromagnetically coupled layered magnetic wires with Sakata1, Masaaki Tanaka1, Syuta Honda2, Hiroyuki
Inst.
various interlayer thickness
Awano3, Ko Mibu1
14:45 奨 E 11p-M101-7 Static interaction of Skyrmions in magnetic thin-film〇 Chaozhe Liu1, Yuma Jibiki1, Soma Miki1, Jaehun
1.Osaka Univ., 2.CSRN-Osaka, 3.KRISS
circuits patterned by anisotropy undulations
Cho3, Eiichi Tamura1, Minori Goto1, 2, Hikaru
Nomura1, 2, Yoshishige Suzuki1, 2, Ryoichi Nakatani1
10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）/ Emerging materials in spintronics and magnetics (including fabrication and charactrization methodologies)
3/9(Sat.) 16:00 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
16:00
E 9p-M101-1
Ab-initio search for half-metal Co-based full Heusler alloy 〇 Kenji Nawa1, Yoshio Miura1
1.NIMS
16:15
E 9p-M101-2
Optimization of substrate temperature of Mn4N thin films 〇 (B)Taku Hirose1, Taro Komori1, Akihito Anzai1,
1.Tsukuba Univ.
on STO(001) by molecular beam epitaxy
Gushi Toshiki1, Takashi Suemasu1
16:30 奨 E 9p-M101-3
Perpendicular magnetic anisotropy in Mn2-δ CoGa1+δ films 〇 Daichi Takano1, Takahide Kubota1, 2, Koki
1.IMR, Tohoku Univ., 2.CSRN, Tohoku Univ
Takanashi1, 2
16:45		休憩 /Break
17:00
E 9p-M101-4
Quadrupole moment in Mn3-xGa detected by x-ray〇 Jun Okabayashi1, Kazuya Suzuki2, Shigemi
1.The Univ. of Tokyo, 2.Tohoku Univ.
magnetic linear dichroism
Mizukami2
17:15 奨 E 9p-M101-5
Electrical spin injection in Co2MnGa based all-metallic〇 (D)LIVIO LEIVA1, Simon Granville2, Teruya
1.Kyoto Univ., 2.VUW
lateral spin valves
Shinjo1, Ryo Ohshima1, Yuichiro Ando1, Masashi
Shiraishi1
17:30
E 9p-M101-6
Electronic and magnetic properties of graphene/〇 (P)Songtian Li1, Konstantin V. Larionov2, Zakhar 1.QST, 2.NUST MISiS, 3.Univ. of Tsukuba, 4.KEK,
Co2Fe(Ge0.5Ga0.5) Heusler alloy heterostructure
I. Popv2, Yoichi Yamada3, Kenta Amemiya4, Shiro
5.NIMS
Entani1, Yuya Sakuraba5, Hiroshi Naramto1, Pavel B.
2
1
Sorokin , Seiji Sakai
17:45
E 9p-M101-7
Temperature dependence of magneto-transport properties 〇 Taro Komori1, Toshiki Gushi1, 2, Akihito Anzai1,
1.Univ. of Tsukuba, 2.SPINTEC, 3.NIMS
of Mn4-xNixN thin films
Taku Hirose1, Kaoru Toko1, Shinji Isogami3, Takashi
Suemasu1
3/10(Sun.) 9:00 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
9:00
奨 10a-M101-1 Ferromagnetic layer thickness dependent domain wall
〇 (DC) 土肥 昂尭 1, DuttaGupta Samik1, 2, 3, 4, 深見 俊 1. 東北大 , 電気通信研究所 , 2. 東北大 , 省エネルギー・ス
chirality and sign of effective Dzyaloshinskii-Moriya field 輔 1, 2, 3, 4, 5, 6, 大野 英男 1, 2, 3, 4, 5, 6
ピントロニクス集積化システムセンター, 3. 東北大 , ス
in W/(Co)FeB/MgO systems
ピントロニクス学術連携研究教育センター, 4. 東北大 ,先端スピントロニクス研究開発センター, 5. 東北大 , 国
際集積エレクトロニクス研究開発センター, 6. 東北大 ,原子分子材料科学高等研究機構
9:15
E 10a-M101-2 Anatomy of Large Perpendicular Magnetic Anisotropy〇 (D)Indra Pardede1, Tomosato Kanagawa1, Nurul 1.Kanazawa Univ.
1
1
1
Energy in Co/Ni (111) Multilayer
Ikhsan , Itsuki Murata , Daiki Yoshikawa , Masao
Obata1, Tatsuki Oda1
9:30
E 10a-M101-3 Magnetic and structural analysis of Pt/Co thin films〇 Ryo Toyama1, Shiro Kawachi1, 2, Soshi Iimura1,
1.Tokyo Institute of Technology, 2.KEK
deposited on Si/SiO2 substrates annealed by RTA
Jun-ichi Yamaura1, 2, Youichi Murakami1, 2, Hideo
1
1
Hosono , Yutaka Majima
9:45 奨 E 10a-M101-4 Jeff= 3/2 ferromagnetic insulating state above 1000 K in a 〇 Yuuki Wakabayashi1, Yoshiharu Krockenberger1, 1.NTT BRL, 2.The Univ. of Tokyo
double perovskite osmate synthesized by molecular beam Naoto Tsujimoto2, Tommy Boykin1, Shinji
epitaxy
Tsuneyuki2, Yoshitaka Taniyasu1, Hideki Yamamoto1
10:00		休憩 /Break10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術 / Fundamental and exploratory device technologies for spin
10:15

E 10a-M101-5

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

Entropy production by thermodynamic currents in〇 (D)Mst Sanjida Aktar1, Masamichi Sakai1, Osamu 1.Saitama Univ., 2.Okayama Univ. of Science, 3.ISIR
ambipolar conductors; the case of antiparallel spin
Nakamura2, Shigehiko Hasegawa3, Hiroyuki Awano4 Osaka Univ., 4.Toyota Tech. Inst.
polarization for hole and electron
10:30
E 10a-M101-6 Ultra-low power bias-driven magnetization switching by 〇 Anh Duc Le1, Takashi Yamashita1, Hiroki
1.Tokyo Univ., 2.CSRN, Tokyo Univ.
quasi-Fermi level control at an interface of a
Yamasaki1, Daisei Araki1, Munetoshi Seki1, 2, Hitoshi
1, 2
1, 2
1, 2
La0.67Sr0.33MnO3-based magnetic tunnel junction
Tabata , Masaaki Tanaka , Shinobu Ohya
10:45
E 10a-M101-7 Enhanced effective damping constant in Mn based nitride 〇 Shinji Isogami1, Akihito Anzai2, Toshiki Gushi2,
1.NIMS, 2.Tsukuba Univ.
compounds
Taro Komori2, Yukiko Takahashi1, Takashi Suemasu2
11:00		 10a-M101-8 原子層レベルで平滑な界面を有する EuO(111)/Si(111)〇大杉 廉人 1, 尾身 博雄 1, 2, クロッケンバーガー ヨ 1.NTT 物性研 , 2.NTT ナノフォトニクスセンタ
スピンフィルター構造のスピン分裂
シハル 1, 藤原 聡 1
10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術 / Fundamental and exploratory device technologies for spin
3/10(Sun.) 11:30 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
11:30 奨 E 10a-M101-9 Lock-in thermoreflectance as a tool for investigating spin 〇 (D)Takumi Yamazaki1, Ryo Iguchi2, Hosei
1.Nagoya Univ., 2.NIMS, 3.The Univ. of Tokyo, 4.CSRN
caloritronics
Nagano1, Ken-ichi Uchida2, 3, 4
Tohoku Univ.
1
1
11:45 奨 E 10a-M101-10 First-principles calculation of Seebeck coefficients for Fe/ 〇 Kaoru Yamamoto , Keisuke Masuda , Ken-ichi
1.NIMS, 2.The Univ. of Tokyo, 3.CSRN Tohoku Univ.
MgO/Fe and Fe/MgAl2O4/Fe magnetic tunneling
Uchida1, 2, 3, Yoshio Miura1
junctions
12:00
E 10a-M101-11 Spin thermoelectric microscopy of magnetic skyrmions〇Ryo Iguchi1, Shinya Kasai1, 2, Kazunari Koshikawa3, 1.NIMS, 2.JST-PRESTO, 3.Hamamatsu Photonics,
Naomichi Chinone3, Shinsuke Suzuki3, Ken-ichi
4.Tokyo Univ., 5.CSRN, Tohoku Univ.
Uchida1, 4, 5
12:15
E 10a-M101-12 Anomalous Ettingshausen Effect in Ferrimagnetic Co-Gd 〇 Takeshi Seki1, 2, 3, Asuka Miura2, Ken-ichi
1.IMR, Tohoku Univ., 2.NIMS, 3.CSRN, Tohoku Univ.,
Uchida2, 3, 4, Takahide Kubota1, 3, Koki Takanashi1, 3
4.Univ. Tokyo
3/11(Mon.) 15:15 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
15:15
E 11p-M101-8 Influence of conductivity on magnetostatic surface spin
〇 Takashi Manago1, Kenji Kasahara1, Aziz Mustafa2, 1.Fukuoka Univ., 2.Univ. Exeter
waves
Ogrin Feodor2, Volodymyr Kruglyak2
15:30
E 11p-M101-9 Choking nonlocal magnetic damping in exchange-biased 〇 Takahiro Moriyama1, Kent Oda1, Teruo Ono1
1.ICR, Kyoto Univ.
ferromagnets
1
1
1
15:45
奨 11p-M101-10 パーマロイマグノニック結晶中を用いたアンテナ法によ 〇 (M2) 柴田 晃治 , 笠原 健司 , 眞砂 卓史
1. 福岡大理
るマグノニックバンドギャップの電気的観測
16:00
E 11p-M101-11 Magnetization compensation temperature and field-driven 〇 Yoichi Shiota1, Yushou Hirata1, Takaya Okuno1,
1.ICR Kyoto Univ.
domain wall creep motion in ferrimagnetic Tb/CoFeB/
Duck-Ho Kim1, Takahiro Moriyama1, Teruo Ono1
MgO layer
16:15
E 11p-M101-12 Thickness dependence of time-resolved anomalous Nernst 〇 (M2)Masahiro Saito1, 2, Satoshi Iihama3,
1.IMR Tohoku Univ., 2.Tokyo Univ. of Sci., 3.WPIeffect for L10-FePt thin films
Himanshu Sharma1, 5, Shigemi Mizukami3, 4, 6, Masato AIMR Tohoku univ., 4.CSIS (CRS) Tohoku univ., 5.
Kotsugi2, Masaki Mizuguchi1, 5, 6
JST-CREST, 6.CSRN Tohoku Univ.
16:30
E 11p-M101-13 Modulation of Nuclear Quadrupole Effect by a
〇 Souta Yamamoto1, Takuya Arakawa1, Ryousuke
1.Hokkaido Univ.
Longitudinal Magnetic Field in Anomalous Hanle Curves Matsusaki1, Reina Kaji1, Satoru Adachi1
16:45
E 11p-M101-14 Theoretical study of spin accumulation and domain wall〇 (M1)Sehoon Kim1, Daichi Kurebayashi2, Kentaro 1.IMR, Tohoku Univ., 2.RIKEN CEMS
motion in two-dimensional magnetic kagome lattice
Nomura1
10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術 / Spin devices, magnetic memories and storages
3/11(Mon.) 17:15 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
17:15 奨 E 11p-M101-15 Giant spin-torque diode effect induced by heat induced〇 Minori Goto1, 2, Yuma Yamada1, Atsushi Shimura3, 1.Osaka Univ., 2.CSRN-Osaka, 3.TDK Corporation
magnetic anisotropy change
Tsuyoshi Suzuki3, Naomichi Degawa3, Takekazu
Yamane3, Susumu Aoki3, Junichiro Urabe3, Shinji
Hara3, Yoshishige Suzuki1, 2
17:30 奨 E 11p-M101-16 Microwave emission from magnoise in heat-driven〇 (M1)Yuma Yamada1, Minori Goto1, 4, Takekazu
1.Osaka Univ., 2.TDK, 3.Univ. of Tokyo., 4.CSRNmagnetic tunnel junction
Yamane2, Naomichi Degawa2, Tsuyoshi Suzuki2,
Osakawith feedback loop circuit
Atsushi Shimura2, Susumu Aoki2, Junichiro Urabe2,
2
1, 3, 41, 4
Shinji Hara , Shinji Miwa
, Yoshishige Suzuki
17:45
E 11p-M101-17 Spin-dependent diode performance in fully epitaxial〇 Hidekazu Saito1, Shintaro Kon1, 2, Sai Krishna
1.AIST, 2.Chiba Inst. Tech., 3.NIMS
magnetic tunnel junctions with bilayer tunnel barrier
Narayananellore3, Norihiro Matsuo1, 2, Naoki
Doko1, 2, Yukiko Yasukawa2, Hiroshi Imamura1, Shinji
Yuasa1
18:00 奨 E 11p-M101-18 Giant MR Ratio by Using Metastable bcc-Cu Spacer Layer 〇 (M2)Kresna Bondan Fathoni1, 2, Yuya Sakuraba1, 1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba
in Epitaxial Current In-Plane Giant MagnetoresistanceTaisuke Sasaki1, Yoshio Miura1, Jinwon Jung1,
DevicesTomoya Nakatani1, Kazuhiro Hono1
18:15
E 11p-M101-19 Enhancement of CPP-GMR ratio by Ag-In-Zn-O〇 Tomoya Nakatani1, Taisuke Sasaki1, Yuya
1.NIMSprecursor for spacer layer
Sakuraba1, Kazuhiro Hono1
18:30
E 11p-M101-20 In-plane Magnetoresistance of Graphene in Ni/〇(M2)Yusuf Wicaksono1, Halimah Harfah1, 2, Koichi 1.Osaka Univ., 2.Univ. of Indonesia
Graphene/Ni Spin-valve-like Structure: A New
Kusakabe1
Prospective of Spin-logic Device
18:45
E 11p-M101-21 Influence of Stacking Arrangement of the 2D Materials- 〇 (M2)Halimah Harfah2, 1, Yusuf Wicaksono1,
1.Osaka Univ., 2.Univ. of Indonesia
Based Spin Valve on Magnetoresistance Performance: A Muhammad Aziz Majidi2, Koichi Kusakabe1
First Principles Study of Ni/hBN/Ni Spin Valve
3/12(Tue.) 9:00 - 10:30 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
9:00
E 12a-M101-1 Perpendicular magnetic anisotropy and tunnel〇 Kazuya Suzuki1, 2, Shojiro Kimura3, Hitoshi
1.Tohoku Univ, AIMR, 2.Tohoku Univ. CSRN, 3.Tohoku
magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with a
Kubota4, Shigemi Mizukami1, 2, 5
Univ. IMR, 4.AIST, 5.Tohoku Univ. CSIS
Mn nano-layer electrode9:15 奨 E 12a-M101-2 Spin dependent transport in Co2FeAl/MgAl2O4/CoFe〇 Thomas Scheike1, Hiroaki Sukegawa1, Tadakatsu 1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba
epitaxial magnetic tunnel junctions with and without
Ohkubo1, Kazuhiro Hono1, 2, Seiji Mitani1, 2
CoFe insertion
9:30		 12a-M101-3 高磁気異方性材料の異方性磁界の分散〇五十嵐 太一 1, 大坊 忠臣 1, 中山 昌彦 1, 甲斐 正 1, 伊 1. 東芝メモリ
藤 順一 1
9:45		 12a-M101-4 MRAM array における単 bit ⊿ E 測定と retention 特性の相 〇都甲 大 1, 中山 昌彦 1
1. 東芝メモリ
関解析
10:00 奨 E 12a-M101-5 Edge state of nanoscale magnetic tunnel junctions〇Motoya Shinozaki1, Takaaki Dohi1, Junta Igarashi1, 1.RIEC, Tohoku Univ., 2.CSRN, Tohoku Univ., 3.
investigated by spin-wave resonance
Justin Llandro1, 2, 3, Shun Kanai1, 2, 4, Shunsuke
CSIS(CRC), Tohoku Univ., 4.CSIS, Tohoku Univ., 5.
Fukami1, 2, 3, 4, 5, 6, Hideo Sato1, 2, 3, 4, 5, Hideo
CIES, Tohoku Univ., 6.WPI-AIMR, Tohoku Univ.
1, 2, 3, 4, 5, 6
Ohno
10:15 奨 E 12a-M101-6 Effect of Magnetic Domain Structure on Noise Property 〇 (M1C)Shunsuke Komori1, Kosuke Fujiwara2,
1.Tohoku Univ., 2.SSF
in Magnetic Tunnel Junction Based Sensor
Mikihiko Oogane1, Masakiyo Tsunoda1, Seiji
Kumagai2, Yasuo Ando1

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関 / Semiconductor spintronics, superconductor, multiferroics
10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関 / Semiconductor spintronics, superconductor, multiferroics
3/12(Tue.) 10:45 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
10:45
E 12a-M101-7 Spin manipulation by spin-momentum locking in an〇 Makoto Kohda1, 2, 3, Takanori Okayasu1, Junsaku
1.Tohoku Univ., 2.Tohoku Univ. CSRN, 3.Tohoku Univ.
InGaAs-based two-dimensional electron gas
Nitta1, 2, 3
CSIS
11:00		 12a-M101-8 空間スキャン法による InGaAs 量子井戸スピン軌道相互 〇 (B) 志田 博貴 1, 川口 晃平 1, 高澤 一朗太 1, 齋藤 康 1. 千葉大工 , 2. 東北大 , 3. 徳島大
1
3
2
1
1
作用係数の導出人 , 北田 貴弘 , 好田 誠 , 石谷 善博 , 森田 健
11:15 奨 E 12a-M101-9 Large Unidirectional Magnetoresistance in GaMnAs/BiSb 〇 (DC)Nguyen HuynhDuy Khang1, Pham Nam
1.Tokyo Tech., 2.Univ. Tokyo, 3.CREST
bilayers
Hai1, 2, 3
11:30
奨 12a-M101-10 GaAs/AlGaAs 量子井戸における高移動度二次元電子スピ 〇北澤 豪 1, 古庄 裕也 1, 宮島 顕祐 1, 大野 裕三 2, 大野 1. 東理大院理 , 2. 筑波大 , 3. 東北大通研
ンのゼロ磁場歳差運動の励起密度依存性
英男 3, 石原 淳 1
11:45
E 12a-M101-11 Phase velocity of drifting spin wave packets in GaAs
〇 Yusuke Tanaka1, Yoji Kunihashi1, Haruki Sanada1, 1.NTT BRL, 2.Tohoku Univ.
quantum well
Hideki Gotoh1, Koji Onomitsu1, Makoto Kohda2,
Junsaku Nitta2, Tetsuomi Sogawa1
3/12(Tue.) 13:00 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
13:00 招 E 12p-M101-1 [Young Scientist Presentation Award Speech] Optically 〇 Hana Hirose1, Naoto Ito1, Masashi Kawaguchi1, 1.The Univ. of Tokyo, 2.National Inst. for Materials
induced spin transport in semi-metal heterostructures Masamitsu Hayashi1, 2
Science
13:15
E 12p-M101-2 Experimental evidence for non-thermal aspect of〇 Hiro Munekata1, Takashi Matsuda1
1.FIRST, Tokyo Tech
photo-excited precession of magnetization in (Ga,Mn)As
1
2
13:30
E 12p-M101-3 Imaging in-plane 90° magnetization switching in〇 Bassam MN Qadi , Yuya Sakatoku , Nozomi
1.Palestine Tech. Univ, 2.Tokyo Inst. of Tech
(Ga,Mn)As
Nishizawa2, Hiro Munekata2
13:45		 12p-M101-4 GaSb 中の Mn においての正孔状態の三角形の STM/STS 〇辰巳 尭 1, 安藤 美幸 1, 加来 滋 1, 吉野 淳二 1
1. 東工大理測定及び TB 計算を用いた考察
1, 2
1, 2
14:00
E 12p-M101-5 Inter-valence Charge Transfer in a Ru-doped Cobalt〇 MASAKI KOBAYASHI , MUNETOSHI SEKI , 1.Univ. of Tokyo, 2.CSRN, Univ. of Tokyo, 3.Dep. Phys.,
Ferrite CoFe2O4 Thin Film
MASAHIRO SUZUKI3, MIHO KITAMURA4,
Univ. of Tokyo, 4.KEK-IMSS
ATSUSHI FUJIMORI3, KOJI HORIBA4, HIROSHIKUMIGASHIRA4, MASAAKI TANAKA1, 2,
HITOSHI TABATA1, 2
14:15		 12p-M101-6 希薄磁性半導体超格子 GaGdAs:Si/GaAs の PL 測定によ 〇高藤 誠 1, 加藤 昇 1, 船曳 晃弘 1, 吉田 萌 1, 宮川 勇 1. 香川大工 , 2. 東京大物性研
るフェルミ面位置の推定と磁気特性
人 1, 狭間 優治 2, 秋山 英文 2
14:30		休憩 /Break
14:45
E 12p-M101-7 Heavily Fe-doped n-type ferromagnetic semiconductor〇 Tu Thanh Nguyen1, 2, Nam Hai Pham3, 4, Duc Anh 1.Tokyo Univ., 2.HCMC Pedagogy Univ., 3.Tokyo Tech.
(In,Fe)Sb with high Curie temperature and large magnetic Le1, Masaaki Tanaka1, 4Inst., 4.CSRN Tokyo Univ.
anisotropy
15:00
E 12p-M101-8 Magnetic anisotropy switching in heavily-Fe-doped〇 (DC)Shobhit Goel1, Le Duc Anh1, Shinobu
1.The Univ. of Tokyo, 2.CSRN
high-Curie-temperature ferromagnetic semiconductor
Ohya1, 2, Masaaki Tanaka1, 2(Ga0.7,Fe0.3)Sb with a critical thickness
15:15
E 12p-M101-9 Electronic structure of p-type ferromagnetic〇 Takahito Takeda1, Masahiro Suzuki2, Le Duc
1.Grad. Sch. Eng., Univ. of Tokyo, 2.Dep. Phys., Univ. ofsemiconductor (Ga,Fe)Sb: Valence band and impurity
Anh1, 3, Yosuke Nonaka2, Thorsten Schmitt4, Satoshi Tokyo, 3.CSRN, Univ. of Tokyo, 4.Swiss Light Source,band
Yoshida5, Masato Sakano5, Kyoko Ishizaka5, Yukiharu 5.QPEC, Grad. Sch. Eng., Univ. of Tokyo, 6.JAEA/
Takeda6, Shin-ichi Fujimori6, Munetoshi Seki1, 3,
SPring-8
Hitoshi Tabata1, 3, Atsushi Fujimori2, Masaaki
Tanaka1, 3, Vladimir N. Strocov4, Masaki Kobayashi1, 3
15:30 奨 E 12p-M101-10 Giant magnetoresistance in ferromagnetic semiconductor 〇 Kengo Takase1, Le Duc Anh1, 2, Kosuke
1.Tokyo Univ. Eng., 2.Tokyo Univ. Inst. of Eng. Innov.,(Ga,Fe)Sb heterostructures with high Curie temperature Takiguchi1, Nguyen Thanh Tu1, Masaaki Tanaka1, 3
3.CSRN
15:45		休憩 /Break
16:00 奨 E 12p-M101-11 Large spin-dependent magnetoresistance and output〇 (D)Dinhhiep Duong1, Masaaki Tanaka2, Namhai 1.Tokyo Inst. Tech., 2.Univ. of Tokyo
voltage in the nanoscale Si spin-valve devices
Pham1, 2
16:15
E 12p-M101-12 Fabrication and evaluation of lateral spin-valve devices〇 Keita Yamane1, Kenichiro Yao1, Masaaki Tanaka2, 1.Tokyo Inst., 2.Tokyo Univ.
using MnAs spin injector
Pham Nam Hai1, 2
16:30
E 12p-M101-13 Large spin-valve effect in a lateral spin-valve device with 〇 Koki Chonan1, Nguyen Huynh Duy Khang1,
1.Tokyo Tech., 2.Univ. Tokyo
MnGa electrodes
Masaaki Tanaka2, Pham Nam Hai1, 2
16:45		 12p-M101-14 As2 を用いた (110)GaAs/AlGaAs 量子井戸の MBE 成長及 〇岡本 亮吾 1, 揖場 聡 2, 齋藤 秀和 2, 湯浅 新治 2, 大野 1. 筑波大 , 2. 産総研
び再結合寿命・スピン緩和時間の測定
裕三 1
10.5 磁場応用 / Application of magnetic field
3/10(Sun.) 13:15 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) M113 会場 (Room M113)
13:15		 10p-M113-1 金属中の拡散現象に対する強磁場効果〇小野寺 礼尚 1, 戸崎 烈 1, 飯村 奨太 1, 長谷川 勇治 1, 1. 茨城高専 , 2. 東北大金研
高橋 弘紀 2
13:30 奨 E 10p-M113-2 Magnetic Condensation of Rare Earth Ion〇 Kyohei Hagita1, Isao Yamamoto1
1.Yokohama Nat'l Univ.
13:45 奨 E 10p-M113-3 Detection of magnetic nanoparticles in deep position by 〇 Mikihide Hirota1, Ryota Motoki1, Isao Yamamoto1 1.Yokohama Nat'l Univ.
using pulsed magnetic field Ⅲ
14:00
奨 10p-M113-4 NIPAm 修飾クレイ分散液における in-situ 磁気複屈折〇宮崎 貴大 1, 山登 正文 1, 川上 浩良 1, 廣田 憲之 2
1. 首都大院都市環境 , 2.NIMS
14:15 奨 E 10p-M113-5 Decrease of Concentration Boundary Layer Thickness by 〇 Guangye Xu1, Kazuhiko Iwai1
1.Hokudai Univ.
Imposing Magnetic Field
14:30
E 10p-M113-6 X-ray Structural Analysis of Crystallized Lysozyme under 〇 Isao Yamamoto1, Okabe Toshiya1
1.Yokohama Nat'l Univ.
Magnetic Field by LLIP Method
14:45		休憩 /Break
15:00
E 10p-M113-7 Magnetic Alignment of Hexagonal Boron Nitride and Its 〇 Isao Yamamoto1, Kotaro Nakada1, Tomoyuki
1.Yokohama Nat'l Univ.
Magnetic Susceptibility II
Katsumata1
15:15		 10p-M113-8 ヘリカル構造に基づく Magnetoelectricity によるキラル認 〇木村 恒久 1, 木村 史子 1, 岩坂 正和 2
1. 京大 , 2. 広大
識1
2
1
15:30		 10p-M113-9 磁気電析におけるキラリティの磁場依存性の破れ〇茂木 巖 , 青柿 良一 , 高橋 弘紀
1. 東北大金研 , 2. 職業大15:45		 10p-M113-10 高温超伝導粒子の磁化率異方性に関する研究〇木村 史子 1, 堀井 滋 1, 野津 乃祐 1, 柏木 勇人 1, 土井 1. 京大院エネ科 , 2. 京大院農俊哉 1, 和田 昌久 2, 木村 恒久 2
16:00		 10p-M113-11 永久磁石の不均一磁場を利用したグアニン結晶の配向制 〇長井 涼輔 1, 出口 昂樹 1, 十亀 友仁 1, 宗山 悦博 1, 倉 1. 山口大 , 2. 広島大
御橋 優 1, 浅田 裕法 1, 岩坂 正和 2
16:15		 10p-M113-12 尿素の磁場中溶融凝固過程その場観察〇高橋 弘紀 1, 茂木 巖 1, 淡路 智 1
1. 東北大金研
16:30		休憩 /Break
16:45		 10p-M113-13 τ相の相安定に対する磁場効果〇 (DC) 小林 領太 1, 三井 好古 1, 及川 勝成 2, 小野寺 1. 鹿児島大院理工 , 2. 東北大院工 , 3. 茨城高専 , 4. 東北大
礼尚 3, 高橋 弘紀 4, 小山 佳一 1
金研
17:00		 10p-M113-14 hcp-MnAl の相安定性に対する C 添加効果
〇三井 好古 1, 高永 悠大 1, 小林 領太 1, 小山 佳一 1
1. 鹿児島大院理工
17:15		 10p-M113-15 超伝導磁気分離による火力発電所給水中からのスケール 〇廣田 憲之 1, 岡田 秀彦 1, 三島 史人 2, 西嶋 茂宏 2, 山 1. 物材機構 , 2. 福井工大 , 3. 阪大 , 4. 四国総研 , 5. 荏原工除去に関する検討
本 隼也 3, 平松 まみ 3, 秋山 庸子 3, 松浦 英樹 4, 難波 正 業洗浄
徳 4, 関根 智一 5
17:30		 10p-M113-16 海水電気分解反応電位に及ぼす磁場の影響〇青木 誠 1, 武田 実 1
1. 神戸大17:45		 10p-M113-17 磁場アセンブリ法で形成した 2 次元および 3 次元マイク 〇青木 画奈 1, 瀧谷 昇哉 2, 山本 琢磨 2, 藤井 稔 2
1.NICT, 2. 神戸大院工
ロ構造体の微細構造制御

11.1 基礎物性 / Fundamental properties

11 超伝導 / Superconductivity

11 超伝導 / Superconductivity

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
3/10(Sun.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10a-PA5-1
Nb / Al / AlOx-Al / Nb 接合におけるリーク電流抑制への 〇高木 一成 1, 宮地 晃平 2, Wenlei Shan2, 江崎 翔平 2, 1. 電通大 , 2. 国立天文台
取り組み
酒井 剛 1
			 10a-PA5-2
超伝導ペルチェ冷却素子に向けた新しい二次元超伝導〇相川 夕美花 1, 横山 恵 1, 萩元 恵理 1, 高柳 英明 2, 石 1. 日女大理 , 2. 東理大総研院
MoS2 接合の評価
黒 亮輔 1
		
E 10a-PA5-3
Improvement of epitaxial NbN tunnel junction quality〇 Wei Qiu1, Hirotaka Terai1
1.NICTdeveloped on Si-substrate		
E 10a-PA5-4
Niobium Based SIS Junctions with Aluminum Nitride〇 Matthias Kroug1, Shohei Ezaki1, Akihira Miyachi1, 1.National Astronomical Observatory of Japan
Barrier
Wenlei Shan1
		
奨 10a-PA5-5
BiS2 系超伝導体 (Ce,Nd)OBiS2 単結晶の育成と Nd 置換効 〇 (M1C) 花田 祐二 1, 長尾 雅則 1, 丸山 祐樹 1, 綿打
1. 山梨大 , 2. 物材機構
果の調査
敏司 1, 高野 義彦 2, 田中 功 1
		E 10a-PA5-6
Pressure-induced superconductivity in SnSb2Te4〇 (M1)Peng Song1, 2, Ryo Matsumoto1, 2, Zhufeng
1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba
Hou1, Shintaro Adachi1, Hiroshi Hara1, 2, Yoshito
Saito1, 2, P.B Castro1, 2, Takeya Hiroyuki1, Yoshihiko
Takano1, 2			 10a-PA5-7
Nb をドープした Bi2Se3 の結晶育成〇大槻 祥馬 1, 柏木 隆成 1, 村山 一哉 1, 志津 友幸 1, 中 1. 筑波大数理物質
川 駿吾 1, 辻本 学 1, 南 英俊 1, 門脇 和男 1
			 10a-PA5-8
電界効果機能を付加したダイヤモンドアンビルセルの開 〇足立 伸太郎 1, 松本 凌 1, 2, 齋藤 嘉人 1, 2, 原 裕 1, 2, 竹 1. 物材機構 MANA, 2. 筑波大発
屋 浩幸 1, 高野 義彦 1, 2
			 10a-PA5-9
MgxVx-1Oy (x = 3, 4) 酸化物の合成と導電特性および結晶 〇粟津 慶彦 1, 石田 直哉 1, 北村 尚斗 1, 井手本 康 1
1. 東理大理工
構造解析
			 10a-PA5-10 永久磁石による銅酸化物超伝導体の c 軸配向挙動〇武田 泰明 1, 齋藤 雄仁 2, 岩見 壮徒 2, 近藤 真吏 2, 田 1. 東大院工 , 2. 青学大理工
中 智之 2, 元木 貴則 2, 下山 淳一 2
			 10a-PA5-11 MOPAC による Sr2CaCu2Oy 派生相の水分子侵入シミュ〇河合 健勝 1, 末松 久幸 1, 藤本 晶 2, 中山 忠親 1, 新原 1. 長岡技科大 , 2. 沼津高専
レーション
晧一 1
			 10a-PA5-12 多点抵抗測定による超伝導バルク内部不均一性の非破壊 〇 (B) 磯 孝斉 1, 小原 拓也 1, 山本 明保 1
1. 農工大工
検出手法の検討12
1
1
			 10a-PA5-13 フラックス法により育成された Bi2212 単結晶の融剤添加 〇及川 大 , 田中 博美 , 三井 俊樹 , 水谷 有希 , 都築 1. 豊田高専 , 2. 米子高専
効果
啓太 1, 安藤 浩哉 1, 杉浦 藤虎 1, 塚本 武彦 1
			 10a-PA5-14 磁性超伝導体 RuGd-1212 単結晶の超伝導性に関する検討 船橋 周悟 1, 〇八巻 和宏 1, 茂筑 高士 2, 松下 能孝 2, 入 1. 宇都宮大工 , 2.NIMS
江 晃亘 1
			 10a-PA5-15 RuEu-1212 の単結晶育成とその特性評価〇北川 尚樹 1, 船橋 周悟 1, 八巻 和宏 1, 入江 晃亘 1
1. 宇都宮大工
			 10a-PA5-16 NbN/Mn3GaN ヘテロ積層構造の作製と評価〇中村 俊平 1, 強 博文 1, 石野 直 1, 羽尻 哲也 1, 浅野 秀 1. 名大院工文1
			 10a-PA5-17 電気二重層トランジスタ構造における金属電極と酸化亜 〇 (M1) 坂本 千尋 1, 相川 夕美花 1, 成田 智絵 1, 高柳 1. 日女大院理 , 2. 東理大 総研院
鉛の接合における超伝導状態についての研究
英明 2, 石黒 亮輔 1
			 10a-PA5-18 高温超伝導体を用いた円盤型テラヘルツ波発振素子の〇田邊 祐希 1, 柏木 隆成 1, 今井 貴之 1, 村山 一哉 1, 太 1. 筑波大数理物質 , 2. デルフト工科大 , 3. 筑波大 ABES
ウェットエッチング法による作製手法の改善と特性評価 田 隆晟 1, 桑野 玄気 1, 中村 健人 1, 大野 雪乃 1, 金子 陽 センター
太 1, 楠瀬 慎二 1, 中川 駿吾 1, 山本 卓 2, 辻本 学 1, 南 英
俊 1, 門脇 和男 3
			 10a-PA5-19 ab 面に複数の角度で傾斜した柱状欠陥を含む YBCO 薄膜 〇末吉 哲郎 1, 榎畑 龍星 1, 山口 裕志 1, 藤吉 孝則 1, 喜 1. 熊大工 , 2. 原子力機構のピン止め特性多村 茜 2, 奥野 泰希 2, 石川 法人 2		
奨 10a-PA5-20 磁気顕微法によるホットプレス (Ba, K)Fe2As2 銀シース線 〇呉 澤宇 1, 東川 甲平 1, 井上 昌睦 2, 黄 河 3, 姚 超 3, 馬 1. 九大 , 2. 福工大 , 3. 中国科学院
材の磁束クリープ特性評価
衍偉 3, 木須 隆暢 1
			 10a-PA5-21 長尺銅合金補強 Bi-2223 線材の臨界電流分布の統計性解 〇呂 琳 1, 熊谷 征久 1, 鈴木 匠 1, 東川 甲平 1, 木須 隆 1. 九州大学
析
暢1
			 10a-PA5-22 超伝導線材中の 3 次元量子磁束構造のシミュレーション 米塚 里奈 1, 〇小田部 荘司 1, 濱田 雄成 1, 上地 和典 1, 1. 九工大情報工 , 2. 産総研 , 3. 有明高専
馬渡 康徳 2, 松野 哲也 3
			 10a-PA5-23 集中定数型力学インダクタンス検出器のクロストーク低 桒田 正博 1, 〇成瀬 雅人 1, 田井野 徹 1, 明連 広昭 1
1. 埼玉大院減			 10a-PA5-24 超伝導パラメトリック増幅器応用に向けた Fishbone 型伝 〇中川 洸希 1, 武田 正典 1
1. 静大工送線路の解析
			 10a-PA5-25 MgO 基板上の窒化ニオブチタン薄膜カイネティックイン 〇小松 源 1, 竹下 啓太 1, 齊藤 敦 2, 島影 尚 3, 寺井 弘 1. 静大工 , 2. 山大理工 , 3. 茨城大工 , 4. 情報機構
ダクタンスの電流非線形性
高 4, 武田 正典 1
			 10a-PA5-26 高温超伝導磁束トランスの作製と静磁場伝達特性の評価 〇小森 和範 1, 2, 有沢 俊一 1, 遠藤 和弘 2
1. 物材機構 , 2. 金沢工大
			 10a-PA5-27 REBCO 薄膜線材の導電性中間層に適する La214 材料の 〇元木 貴則 1, 石森 道登 1, 松野 歩 1, 中村 新一 2, 土井 1. 青学大理工 , 2.TEP, 3. 京大院エネ科
開発
俊哉 3, 下山 淳一 1
			 10a-PA5-28 REBCO 線材の低コスト化に向けた導電性 Nb–TiO2 中間 〇長瀬 侑弥 1, 舩木 修平 1, 山田 容士 1, 土井 俊哉 2
1. 島根大総理工 , 2. 京大院エネ科層の酸素耐性			 10a-PA5-29 Bi2223 線材と NbTi 線材の Bi-Pb-Sn はんだによる超伝導 〇井上 和朗 1, 渋谷 直哉 1, 松本 凌 1, 2, 小林 賢介 1, 内 1. 物材機構 , 2. 筑波大接合
田 公 1, 西島 元 1, 竹屋 浩幸 1, 北口 仁 1, 高野 義彦 1, 2
11.1 基礎物性 / Fundamental properties
3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) S423 会場 (Room S423)
9:00		 11a-S423-1
第 19 回業績賞（研究業績）授賞式（中村泰信様）〇財満 鎭明 1
1. 応用物理学会会長
9:15
招 11a-S423-2 「第 19 回業績賞（研究業績）受賞記念講演」〇中村 泰信 1
1. 東大
超伝導量子ビット―20 年とこれから
10:00		休憩 /Break10:15
奨 11a-S423-3
磁気光学法による駆動力下の磁束量子イメージング〇黒川 穂高 1, 木下 雄斗 2, 鍋島 冬樹 1, 徳永 将史 2, 前 1. 東大院総合 , 2. 東大物性研
田 京剛 1
10:30		 11a-S423-4
Growth and Properties of NbN/Cu3PdN Epitaxial〇 (M1)Hirobumi Kyo1, Hidefumi Asano1, Tetsuya
1.Nagoya Univ.
Heterostructures
Hajiri1, Shumpei Nakamura1
1
1
10:45		 11a-S423-5
化学量論比調整による MgB2 SIN 接合の最適化〇中島 捷 , 内藤 方夫
1. 農工大工11:00		 11a-S423-6
固有ジョセフソン接合を用いたテラヘルツ波発振素子の 〇江口 哲平 1, 立木 隆 1, 内田 貴司 1
1. 防衛大アレー化に向けた Bi-2212 メサのキャビティモードの検討
11:15		 11a-S423-7 【注目講演】小さな接合面積の Bi2212 固有ジョセフソン 〇大野 雪乃 1, 南 英俊 1, 桑野 玄気 1, 田邊 祐希 1, 村山 1. 筑波大数理物質
接合系からのテラヘルツ波放射
一哉 1, 楠瀬 慎二 1, 中村 健人 1, 太田 隆晟 1, 今井 貴
之 1, 金子 陽太 1, 中川 駿吾 1, 柏木 隆成 1, 辻本 学 1, 門
脇 和男 1
11:30
奨 11a-S423-8
高温超伝導体メサ構造アレイからのテラヘルツ放射の偏 〇藤田 秀眞 1, 前田 慶一郎 1, アセム エララビ 1, 掛谷 1. 京大院工
光特性
一弘 1

11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長 / Thin and thick superconducting films, coated conductors and film crystal growth
3/11(Mon.) 12:45 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) S423 会場 (Room S423)
12:45		 11p-S423-1 高 Tc 物質予測のための機械学習モデリング
13:00		 11p-S423-2 c 軸配向銅酸化物超伝導材料の新規作製方法

中 智之 1, 武田 泰明 2, 元木 貴則 1
リニア駆動型回転変調磁場を用いた RE123 粒子の 2 軸磁 〇堀井 滋 1, 柏木 勇人 1, 野津 乃祐 1, 木村 史子 1, 土井 1. 京大院エネ科
場配向
俊哉 1
13:30
E 11p-S423-4 Formation Morphology of YBa2Cu3O7- δ〇 (D)William Dee Rieken1, Atit Bhargarva1, 2, Rie
1.NAIST Univ., 2.Scotch College, 3.Okayama Uni.
Horie3, Jun Akimitsu3, Hiroshi Daimon1
13:45		 11p-S423-5 Bi-2223 単結晶と intergrowth Bi-2212 の Tc における圧力 〇足立 伸太郎 1, 松本 凌 1, 2, 原 裕 1, 2, 齋藤 嘉人 1, 2, 宋 1. 物材機構 , 2. 筑波大 , 3. 弘前大
効果
鵬 1, 2, 竹屋 浩幸 1, 渡辺 孝夫 3, 高野 義彦 1, 2
14:00		 11p-S423-6 過剰ドープ銅酸化物高温超伝導体の高圧合成と高圧下輸 吉田 雄一 1, 〇山本 文子 1, 竹下 直 2, 伊豫 彰 2
1. 芝浦工大 , 2. 産総研
送特性14:15		休憩 /Break
14:30		 11p-S423-7 Nd2CuO4 における 3d/4f 局在電子軌道の第一原理有効ハ 〇玉垣 侑也 1, 草部 浩一 1, 寺西 慎吾 1, 西口 和孝 2
1. 阪大基礎工 , 2. 神大イノ研
ミルトニアンの理論的評価
14:45
奨 11p-S423-8 (RE,Ca)(Ba,Sr)2Cu3O6.0 における超伝導転移温度の向上 〇仲川 晃平 1, 住野 義樹 1, 野地 尚 1, 川股 隆行 1, 小池 1. 東北大工洋二 1, 加藤 雅恒 1
15:00		 11p-S423-9 MBE 法による T'-Pr2CuO4 への Ca、Sr ドーピング〇稲葉 颯人 1, 七尾 美子 1, 内藤 方夫 1
1. 農工大工15:15		 11p-S423-10 FeSe1-xSx 薄膜の作製および輸送特性の評価〇色摩 直樹 1, 石川 智也 1, 鍋島 冬樹 1, 前田 京剛 1
1. 東大総合文化1
1
1
1
15:30		 11p-S423-11 鉄カルコゲナイド超伝導体 FeSe の磁気輸送特性ーTe 置 〇鍋島 冬樹 , 石川 智也 , 色摩 直樹 , 前田 京剛
1. 東大総合文化
換と S 置換の比較ー
15:45		 11p-S423-12 超伝導体共振器による FeSe1-xTex 超伝導体薄膜の磁場侵 〇 (M1) 中村 奏太 1, 黒川 穂高 1, 中島 直哉 1, 石川 智 1. 東大院総合入長測定
也 1, 色摩 直樹 1, 小川 亮 1, 荒木 友輔 1, 鍋島 冬樹 1, 上野 和紀 1, 前田 京剛 1
16:00		休憩 /Break
16:15		 11p-S423-13 鉄ニクタイド系多結晶体における輸送機構のパーコレー 〇 (B) 小原 拓也 1, 2, 磯 孝斉 1, 2, 山本 明保 1, 2
1. 農工大工 , 2.JST-CREST
ションモデリング1
1
1
2
2
16:30		 11p-S423-14 FeTexSe1-x 単結晶への微細加工素子を用いた対破壊電流密 大沼 遥 , 孫 悦 , 峯 直輝 , 野地 尚 , 小池 洋二 , 為ヶ 1. 青学大理工 , 2. 東北大工 , 3. 東大院工 , 4. 岡山大理
度測定
井 強 3, 鮎川 晋也 4, 〇北野 晴久 1
16:45		 11p-S423-15 Nb-Bi-Se 系化合物の単結晶育成とその超伝導特性の評価 〇長尾 雅則 1, 田中 将嗣 2, 堀部 陽一 2, 三浦 章 3, 丸山 1. 山梨大 , 2. 九工大 , 3. 北大 , 4. 物材機構
祐樹 1, 綿打 敏司 1, 高野 義彦 4, 田中 功 1
17:00		 11p-S423-16 硫化スズ SnS の圧力誘起超伝導〇 (DC) 松本 凌 1, 2, Song Peng1, 2, 斎藤 嘉人 1, 2, 原
1. 物材機構 , 2. 筑波大 , 3. 米子高専 , 4. 愛媛大裕 1, 2, 足立 伸太郎 1, 山本 紗矢香 3, 田中 博美 3, 入舩
徹男 4, 竹屋 浩幸 1, 高野 義彦 1, 2
17:15
奨 11p-S423-17 TG-DSC による Co ドープ BaFe2As2 の熱分析
〇 (M2) 徳田 進之介 1, 2, 山本 明保 1, 2
1. 農工大工 , 2.JST-CREST
17:30		 11p-S423-18 固相焼結における粒界形成機構のフェーズフィールドモ 〇 (B) 岡田 雄輝 1, 2, 山中 晃徳 1, 2, 山本 明保 1, 2
1. 農工大工 , 2.JST-CREST
デリング
11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長 / Thin and thick superconducting films, coated conductors and film crystal growth
3/11(Mon.) 9:00 - 10:15 口頭講演 (Oral Presentation) S321 会場 (Room S321)
9:00		 11a-S321-1
MOD 法による導電性中間層に適する LaMO3 酸化物薄膜 〇元木 貴則 1, 池田 周平 1, 権藤 紳吉 1, 中村 新一 2, 本 1. 青学大理工 , 2.TEP, 3. 住友電工 , 4. 京大院エネ科の作製と物性田 元気 3, 永石 竜起 3, 土井 俊哉 4, 下山 淳一 1
9:15		 11a-S321-2
SmBCO 超伝導薄膜への新規機能性付与に向けた自立薄 〇一野 祐亮 1, 伊東 佑馬 1, 三浦 正志 2, 土屋 雄司 1, 吉 1. 名大工 , 2. 成蹊大
膜作製の検討田 隆1
9:30
奨 11a-S321-3
Vapor-Liquid-Solid 成長法を用いて作製した BaHfO3 添加 〇伊東 智寛 1, 土屋 雄司 1, 一野 祐亮 1, 吉田 隆 1
1. 名大院工YBa2Cu3Oy 線材の成膜速度と磁場中超伝導特性
12349:45		 11a-S321-4
高 IC 化に向けた Coated Conductors の微細組織〇一瀬 中 , 土屋 清澄 , 菊池 章弘 , 小黒 英俊
1. 電中研 , 2. 高エネ研 , 3. 物材研 , 4. 東海大工
10:00
奨 11a-S321-5
超伝導接合機構解明にむけた Bi2223 多結晶バルク間の接 〇武田 泰明 1, 元木 貴則 2, 中村 新一 3, 中島 隆芳 4, 小 1. 東大院工 , 2. 青学大理工 , 3.TEP, 4. 住友電工
合林 慎一 4, 加藤 武志 4, 下山 淳一 2
11.3 臨界電流，超伝導パワー応用 / Critical Current, Superconducting Power Applications
3/10(Sun.) 13:45 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) S224 会場 (Room S224)
13:45		 10p-S224-1 ナノロッド導入 (RE)BCO 薄膜の低温 Jc( θ ) 特性につい 〇山崎 裕文 1
1. 産総研ての新解釈
14:00
奨 10p-S224-2 BaHfO3 添加 SmBa2Cu3Oy 多層薄膜における縦磁場中磁束 〇杉原 和樹 1, 一野 祐亮 1, 土屋 雄司 1, 一瀬 中 2, 吉田 1. 名大工 , 2. 電中研
ピンニング機構隆1
14:15		 10p-S224-3 BaHfO3 添加 SmBa2Cu3Oy 薄膜における非対称臨界電流特 〇土屋 雄司 1, 鈴木 啓介 1, 一野 祐介 1, 吉田 隆 1
1. 名大工性
14:30
奨 10p-S224-4 Ba/Y 組成比が TFA-MOD 法 (Y,Gd)Ba2Cu3Oy+BaHfO3 線 〇清水 一輝 1, 川浪 隼也 1, 三浦 正志 1, 佐藤 迪夫 2, 中 1. 成蹊大 , 2.AIST
材の超伝導特性に及ぼす影響
岡 晃一 2, 和泉 輝郎 2
14:45
奨 10p-S224-5 BaHfO3 ナノロッドが PLD 法 EuBa2Cu3Oy 線材の磁場中 Jc 〇安野 秀治 1, 宮田 健司 1, 三浦 正志 1, 衣斐 顕 2, 和泉 1. 成蹊大学 , 2. 産総研
特性に及ぼす影響輝郎 2
15:00
奨 10p-S224-6 BaHfO3 ナノロッドが PLD 法 EuBa2Cu3Oy 線材の縦磁場 〇西村 隼 1, 宮田 健司 1, 佐藤 慶一 1, 平井 康太 1, 三浦 1. 成蹊大 , 2. 産総研 , 3. 九工大
中超伝導特性に及ぼす影響
正志 1, 衣斐 顕 1, 2, 和泉 輝郎 2, 木内 勝 3, 松下 照男 3
15:15		 10p-S224-7 BHO 添加 EuBCO テープの低温強磁場 Jc 特性〇淡路 智 1, 岡田 達典 1, 藤田 真司 1, 2, 平田 渉 2, 飯島 1. 東北大金研 , 2. フジクラ
康裕 2, 大保 雅載 2
15:30		 10p-S224-8 高温曲げアニールによりドメイン制御した REBa2Cu3O7- δ 〇岡田 達典 1, 美齊津 英典 1, 淡路 智 1
1. 東北大金研
コート線材の臨界電流特性
15:45		休憩 /Break
16:00		 10p-S224-9 超伝導体の対破壊電流密度に関する理論的考察〇木内 勝 1, 松下 照男 1
1. 九工大情工
16:15		 10p-S224-10 複素時定数 TDGL 方程式に基づく第２種超伝導体におけ 〇松野 哲也 1, 馬渡 康徳 2
1. 有明高専 , 2. 産総研
るホール効果のシミュレーション
16:30
奨 10p-S224-11 掃引磁場中の細線化螺旋巻き超伝導テープの電磁結合 :〇 (P) 東 陽一 1, 馬渡 康徳 1
1. 産総研円芯半径依存性
1
1
1
2
16:45		 10p-S224-12 有限要素法を用いた超伝導線材接合の電気的・機械的特 〇木下 雄士 , 張 睿哲 , 小田部 荘司 , 赤坂 友幸 , 石 1. 九工大情 , 2. 鉄道総研
性の評価
原 篤 2, 富田 優 2
17:00		 10p-S224-13 QMG® リングマグネットの 15T 着磁とクエンチ〇森田 充 1, 淡路 智 2
1. 新日鐵住金 , 2. 東北大金研
17:15		 10p-S224-14 Mg 気相輸送 (MVT) 法により作製した大型 MgB2 バルク 〇 (B) 斎藤 三樹彦 1, 佐野川 悠 1, 山本 明保 1
1. 東京農工大学の微細組織・組成の評価
17:30
奨 10p-S224-15 Mg 気相輸送 (MVT) 法による高密度 MgB2 バルク磁石の 〇 (M2) 佐野川 悠 1, 山本 明保 1, 2
1. 東京農工大学 , 2.JST-CREST
捕捉磁場特性17:45		 10p-S224-16 傾斜基板上に成長した NdFeAs(O,F) 薄膜の臨界電流特性 〇 Iida Kazumasa1, 2, 松本 拓也 1, 近藤 圭祐 1, 畑野 敬 1. 名大工 , 2.JST CREST
史 1, 生田 博志 1
18:00		 10p-S224-17 高温超伝導線材技術の船舶脱磁への応用（５）- 価格低減 〇廣田 惠 1
1.NPO 艦磁研
13:15		 11p-S423-3

11 超伝導 / Superconductivity〇松本 要 1, 堀出 朋哉 1
1. 九工大〇下山 淳一 1, 齋藤 雄仁 1, 近藤 真吏 1, 岩見 壮徒 1, 田 1. 青学大理工 , 2. 東大院工

11.4 アナログ応用および関連技術 / Analog applications and their related technologies

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
12.1 作製・構造制御 / Fabrications and Structure Controls
3/9(Sat.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
		奨 9p-PB3-1
2D-GIXD によるエピタキシャル薄膜の構造評価〇照井 大貴 1, 小金澤 智之 2, 廣沢 一郎 2, 葛原 大軌 1, 1. 岩手大院総合 , 2. 高輝度光科学研究セ吉本 則之 1
		奨 9p-PB3-2
バーコート法による tert-butyl 置換フタロシアニン配向薄 〇鶉野 弦也 1, 籔内 湧太 1, 米谷 慎 2, 藤井 彰彦 1, 尾﨑 1. 大阪大工 , 2. 産総研
膜の作製
雅則 1
		
奨 9p-PB3-3
ナノ構造制御された多孔質ジルコニアの作製と光学特性 〇 (M1) 櫻山 友香莉 1, 小野寺 恒信 1, 及川 英俊 1
1. 東北大多元研		
奨 9p-PB3-4
Two-step reprecipitation method による電荷移動結晶の 〇 (D) 武田 将貴 1, 兎澤 啓太郎 2, 松井 淳 3, 増原 陽
1. 山形大院理工 , 2. 山形大工 , 3. 山形大理 , 4. 山形大有機
形状変化と生成プロセス
人 1, 4
エレ研
			 9p-PB3-5
気相中での原子状水素とペンタセン分子との反応〇部家 彰 1, 新部 正人 2, 松尾 直人 1
1. 兵庫県立大工 , 2. 兵庫県立大高度研
			 9p-PB3-6
ナフタレンジイミド誘導体蒸着膜の I － V 特性評価
〇泉 拓矢 1, 齋藤 隆喜 2, 臼井 博明 2, 臼井 聡 3
1. 農工大工 , 2. 農工大院工 , 3. 新潟大理
			 9p-PB3-7
アクリル高分子薄膜によるドライ接着表面の形成〇小室 雄司 1, 田中 邦明 1, 臼井 博明 1
1. 農工大院工111
			 9p-PB3-8
蒸着重合法を用いたポリウレタン薄膜の作製〇 (M1) 橋詰 朋季 , 松原 亮介 , 久保野 敦史
1. 静大院総合			 9p-PB3-9
チエノキノイド半導体薄膜におけるラビング温度制御に 〇青山 哲也 1, 田中 利彦 1, 2, Heinrich Benoît3,
1. 理研 CPR, 2. 福島高専 , 3.Univ. Strasbourg, 4.
よる分子配向度の増大
Mathevet Fabrice4, 松島 敏則 5, 高石 和人 1, 松本 真 Sorbonne Univ., 5. 九大 OPERA, 6. 横国大院環情 , 7. 東哉 1, 6, 内山 真伸 1, 7, 安達 千波矢 5, Ribierre Jean大院薬 , 8.Zhejiang Univ.
Charles8
			 9p-PB3-10
バナジン酸ビスマス光触媒の作製と評価〇馬場 稔也 1, 大畑 裕介 1, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大理工			 9p-PB3-11
ホスホン酸系自己組織化単分子膜の作製と特性評価〇馬場 稔也 1, 宮嶋 航平 1, 登内 萌香 1, 大竹 忠 1, Nie 1. 龍谷大理工 , 2.Univ. of Western Ontario
Heng-Yong2, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
			 9p-PB3-12
オクタデシルホスホン酸自己組織化単分子膜の特性評価 〇登内 萌日 1, 馬場 稔也 1, 大竹 忠 1, 番 貴彦 1, 山本 伸 1. 龍谷大理工一1
			 9p-PB3-13
ポリマーブレンド溶液を用いた静電スプレー堆積法によ 〇 (B) 森 悠記 1, 小幡 俊輔 1, 小澤 巧実 1, 須貝 拓弥 1, 1. 山梨大工るフレキシブル OFET の作製
小野島 紀夫 1
			 9p-PB3-14
ホスホン酸 SAM の溶液耐性評価〇 (M1) 日和佐 登 1, 宇都宮 徹 1, 一井 崇 1, 杉村 博之 1 1. 京大院工12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

11.4 アナログ応用および関連技術 / Analog applications and their related technologies
3/11(Mon.) 13:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) S321 会場 (Room S321)
13:45		 11p-S321-1 磁性薄膜を用いたホットエレクトロンボロメータミキサ 〇川上 彰 1, 入交 芳久 1, 鵜澤 佳徳 2
1. 情通機構 , 2. 国立天文台の評価
14:00		 11p-S321-2 Nb3Ge 超伝導薄膜の作製〇川上 彰 1, 寺井 弘高 1, 鵜澤 佳徳 2
1. 情通機構 , 2. 国立天文台
14:15		 11p-S321-3 SFQ 信号処理回路を搭載した Row-column 読出し型 16 ピ 〇藪野 正裕 1, 宮嶋 茂之 1, 三木 茂人 1, 2, 寺井 弘高 1
1. 情通機構 , 2. 神戸大
クセル SSPD アレイシステムの動作実証
14:30		 11p-S321-4 64 ch イベント駆動型 SFQ エンコーダを用いた 64 pixel〇宮嶋 茂之 1, 藪野 正裕 1, 三木 茂人 1, 2, 寺井 弘高 1
1. 情通機構 , 2. 神戸大
SSPD アレイによる光子イメージング原理実証
11
1
1
14:45		 11p-S321-5 Ti 抵抗でシャントした NbN ナノワイヤ直列アレイを用い 傳田 哲史 , 成瀬 雅人 , 田井野 徹 , 〇明連 広昭
1. 埼玉大院理工た光子数検出器
15:00		 11p-S321-6 冷却 AWG 付 Si 導波路結合型 SSPD の開発
新居 広道 1, 境 健斗 1, 開 達郎 2, 3, 土澤 泰 2, 3, 山田 浩 1. 北見工大 , 2.NTT 先端集積デバイス研 , 3.NTT ナノ
治 2, 3, 松尾 慎治 2, 3, 酒井 大輔 1, 〇柴田 浩行 1
フォトニクスセンタ
15:15		休憩 /Break1
2
2
15:30		 11p-S321-7 機械学習に適した量子ビット構成の基礎検討〇才田 大輔 , 有吉 勇人 , 山梨 裕希
1.MDR 株式会社 , 2. 横浜国立大学
15:45		 11p-S321-8 可視光用超伝導転移端センサの評価〇服部 香里 1, 小林 稜 1, 2, 鷹巣 幸子 1, 井上 修一郎 2, 1. 産総研 , 2. 日大
福田 大治 1, 2
16:00		 11p-S321-9 多素子化超伝導転移端センサによる光子撮像デバイスの 〇 (PC) 今野 俊生 1, 鷹巣 幸子 1, 小林 稜 1, 2, 服部 香
1. 産総研 , 2. 日大院理工開発
里 1, 井上 修一郎 2, 福田 大治 1, 2
16:15		 11p-S321-10 マイクロ波 SQUID マルチプレクサを用いた可視光用超 〇中田 直樹 1, 2, 服部 香里 1, 中島 裕貴 1, 2, 山本 亮 1, 平 1. 産総研 , 2. 東大工
伝導転移端センサの読出し評価 (2)山 文紀 1, 山森 弘毅 1, 神代 暁 1, 高橋 浩之 2, 福田 大治1
16:30		 11p-S321-11 検出器との結合強化によるマイクロ波多重読出回路の低 中島 裕貴 1, 2, 〇神代 暁 1, 平山 文紀 1, 山森 弘毅 1, 永 1. 産総研 , 2. 宇宙航空研
雑音化
沢 秀一 1, 山崎 典子 2, 満田 和久 2
16:45		休憩 /Break
17:00		 11p-S321-12 超伝導トンネル接合重イオン検出器のイオン検出特性評 志岐 成友 1, 藤井 剛 1, 〇浮辺 雅宏 1, 岩井 雄佑 2, 菅沼 1. 産総研 ナノエレ , 2. 筑波大
価
瑠里 2, 冨田 成夫 2
17:15		 11p-S321-13 ニオブ超伝導共振器による放射線検出実験〇安藤 友彦 1, 明連 広昭 1, 成瀬 雅人 1, 田井野 徹 1
1. 埼玉大17:30		 11p-S321-14 準粒子散乱機構の超伝導共振器の特性への影響について 〇野口 卓 1, 2, Kroug Matthias2, 美馬 覚 1, 大谷 知行 1 1. 理研 , 2. 国立天文台
17:45		 11p-S321-15 超音波ガイド波と HTS-SQUID を組み合わせたリモート 東 雄貴 1, 横内 祐紀 1, 窪田 章吾 1, 寺若 友博 1, 〇廿日 1. 近大工
非破壊試験技術の開発‐その 4‐
出 好1
18:00		 11p-S321-16 完全非接触での SQUID 式超音波ガイド波検査技術の開 横内 祐紀 1, 東 雄貴 1, 窪田 章吾 1, 寺若 友博 1, 植田 浩 1. 近大工 , 2. 岡大発‐その 1‐
史 2, 金 錫範 2, 〇廿日出 好 1
18:15		 11p-S321-17 3ch SQUID アレイを用いた磁性ナノ粒子検出手法の検討 〇 (M2) 樺澤 守力 1, 井藤 龍亮 1, 田中 三郎 1
1. 豊橋技科大11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用 / Junction and circuit fabrication process, digital applications
3/10(Sun.) 13:45 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) S223 会場 (Room S223)
13:45
招 10p-S223-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇山栄 大樹 1, 竹内 尚輝 2, 3, 山梨 裕希 1, 2, 吉川 信
1. 横国大院理工 , 2. 横国大 IAS, 3.JST さきがけ
可逆量子磁束パラメトロン回路を用いた D ラッチの動作 行 1, 2
実証
14:00		 10p-S223-2 SFQ パルス駆動マトリクスメモリの実現に向けた動作解 〇竹下 雄登 1, 神谷 智大 1, 佐野 京佑 1, 田中 雅光 1, 山 1. 名大院工 , 2.JST さきがけ析下 太郎 1, 2, 藤巻 朗 1
14:15
奨 10p-S223-3 断熱型量子磁束パラメトロン回路を用いた 32-word by〇 (M1) 田村 智大 1, 竹内 尚輝 2, 3, Christopher Ayala2, 1. 横国大院理工 , 2. 横国大 IAS, 3.JST さきがけ
1-bit レジスタファイルの設計と評価
山梨 裕希 1, 2, 吉川 信行 1, 2
14:30
奨 10p-S223-4 断熱型量子磁束パラメトロン回路を用いた 5 入力
〇 (B) 山崎 祐一 1, 山栄 大樹 1, 竹内 尚輝 2, 3, 山梨 裕 1. 横国大理工 , 2. 横国大 IAS, 3.JST さきがけ
Majority ゲートの設計と評価
希 1, 2, 吉川 信行 1, 2
14:45		 10p-S223-5 量子磁束パラメトロンを用いた超伝導ニューラルネット 〇 (B) 山口 大貴 1, 山梨 裕希 1, 2, 竹内 尚輝 2, 吉川 信 1. 横国大理工 , 2. 横国大 IAS
ワークによる任意出力可能な論理ゲートの設計と評価
行 1, 2
15:00		 10p-S223-6 熱雑音を考慮した AQFP 回路の BER 評価〇伊東 大樹 1, 竹内 尚輝 2, 3, 山梨 裕希 1, 2, 吉川 信
1. 横国大理工 , 2. 横国大 IAS, 3.JST さきがけ
行 1, 2
15:15		休憩 /Break
15:30		 10p-S223-7 1-Gb Josephson-CMOS ハイブリッドメモリに向けた超 〇佐野 京佑 1, 丸山 晃平 1, 田中 雅光 1, 山下 太郎 1, 2, 1. 名大工 , 2.JST さきがけ , 3. 名城大理工
伝導ナノ構造ラインドライバの検討
井上 真澄 3, 藤巻 朗 1
15:45		 10p-S223-8 局地磁束バイアスを用いた超伝導単一磁束量子回路の設 〇浅田 峻汰 1, 山梨 裕希 1, 吉川 信行 1
1. 横国大理工
計と評価
1
1
2
3
16:00		 10p-S223-9 人工多バンド超伝導体における分数磁束量子の観測〇山森 弘毅 , 田中 康資 , 有沢 俊一 , 西尾 太一郎 , 1. 産総研 , 2. 物材研 , 3. 東京理科大柳澤 孝 1
16:15		 10p-S223-10 超伝導量子ビットに向けた強磁性ジョセフソン接合にお 〇加藤 悠輝 1, 神谷 智大 1, 金 鮮美 2, 丘 偉 2, 寺井 弘 1. 名大院工 , 2. 情通機構 , 3.JST さきがけ
ける臨界電流密度の障壁層膜厚依存性の評価
高 2, 仙場 浩一 2, 山下 太郎 1, 3, 藤巻 朗 1
16:30		 10p-S223-11 Nb4 層超伝導集積回路上の磁性ジョセフソン接合作製プ 〇長谷川 大輝 1, 竹下 雄登 1, 神谷 智大 1, 佐野 京佑 1, 1. 名大工 , 2.JST さきがけ
ロセスの検討田中 雅光 1, 山下 太郎 1, 2, 藤巻 朗 1

12.1 作製・構造制御 / Fabrications and Structure Controls
			 9p-PB3-15
			 9p-PB3-16
			 9p-PB3-17
			 9p-PB3-18〇杉本 有莉子 1, 大石 不二夫 2, 田中 邦明 1, 臼井 博
1. 農工大院工 , 2. 神奈川大理
明1〇金岡 祐介 1, 山東 悠介 1, 佐藤 和郎 1, 中山 健吾 1, 村 1. 大阪技術研

上 修一 1, 櫻井 芳昭 1
〇 (B) 甚上 知美 1, 水野 斎 1, 廣光 一郎 1
1. 島根大総合理工〇宮嶋 航平 1, 馬場 稔也 1, Nie Heng Yong2, 大竹 忠 1, 1. 龍谷大理工 , 2.Univ. of Western Ontario

番 貴彦 1, 山本 伸一 1
マイクロコンタクトプリント法による導電性高分子微細 〇 (B) 大澤 徹 1, 友山 幸洋 1, 野田 啓 1
1. 慶應大理工
パターンの作製と制御
1
2, 3
2, 3
			 9p-PB3-20
シュウ酸架橋銀アミン錯体のナノ粒子化における粒子形 〇 (B) 谷口 大雅 , 関根 智仁 , 竹田 泰典 , 泉 小
1. 山形工 , 2. 山形大院有機材料シ , 3. 山形大 ROEL
成過程の解析
波 2, 3, 熊木 大介 2, 3, 時任 静士 2, 3
			 9p-PB3-21
酸化亜鉛ナノ粒子の作成溶媒による光学特性変化
飯塚 真理 1, 〇藤井 政俊 1
1. 島根大医			 9p-PB3-22
ポリジアセチレンナノファイバーと金ナノ粒子とのハイ 〇 (M1) 國久 夏夕 1, 小野寺 恒信 1, Sato Rodrigo2, 武 1. 東北大多元研 , 2. 物材機構2
1
ブリッド化とその構造制御
田 良彦 , 及川 英俊
			 9p-PB3-23
ドープされた Cu-TCNQ ナノ結晶の作製と光・電子物性 〇松下 史佳 1, 小野寺 恒信 1, 及川 英俊 1
1. 東北大学多元研
			 9p-PB3-24
半導体量子ドットを含む有機膜を用いた双安定素子の動 〇楠葉 大記 1, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
1. 龍大理工作特性
			 9p-PB3-25
真空蒸着法による pn 接合フタロシアニンナノロッドの作 杉本 伊央理 1, 〇小柴 康子 1, 堀家 匠平 1, 福島 達也 1, 1. 神戸大院工製と評価Ⅱ
石田 謙司 1
			 9p-PB3-26
BP2T ナノ粒子薄膜を含有するマイクロキャビティの作 〇水野 斎 1, 渡邊 瑞生 1, 廣光 一郎 1, 柳 久雄 2
1. 島根大総合理工 , 2. 奈良先端大物質製とその評価			 9p-PB3-27
シルセスキオキサン含有高分子ナノシートを利用した多 〇石崎 裕也 1, 山本 俊介 1, 宮下 徳治 1, 三ツ石 方也 1 1. 東北大多元研
孔性 SiO2 超薄膜の細孔径制御
			 9p-PB3-28
熱圧着を用いた PEDOT:PSS 薄膜の接合〇前田 和紀 1, 二谷 真司 1, 宇野 真由美 1
1. 大阪技術研
3/10(Sun.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) M111 会場 (Room M111)
9:00		 10a-M111-1 銀ナノコロイドの特異な分散安定性における脱離性アル 〇 (M2) 平川 友也 1, 林 太一 1, 松岡 悟志 1, 荒井 俊人 1, 1. 東大院工 , 2. 産総研
キルアミン基の役割
長谷川 達生 1, 2
9:15		 10a-M111-2 金箔製の導電性インク用金消粉の分散性と表面エネル〇並川 直樹 1, 酒井 平祐 1, 村田 英幸 1
1. 北陸先端科学技術大学院大学
ギーの関係性9:30		 10a-M111-3 反転オフセット印刷における歪近接効果〇日下 靖之 1, 牛島 洋史 1
1. 産総研9:45		 10a-M111-4 延伸 PVA フィルムによる空気中でのアップコンバージョ 〇森 智博 1, 森 岳志 1, 齋藤 茜 1, 藤井 亮 1, 竿本 仁志 1 1. 和歌山工技セン発光の増強
10:00		 10a-M111-5 アシストドーパントを用いた分子ドーピング有機単結晶 〇渡辺 航介 1, 竹内 啓太 1, 安部 僚吾 1, 鈴木 明日香 1, 1. 上智大理工 , 2. 上智ナノテクセンターの光学特性評価
菊池 昭彦 1, 2
10:15		休憩 /Break
10:30		 10a-M111-6 静電塗布と低蒸気圧液体薄膜を用いた共ドープ有機単結 〇鈴木 明日香 1, 竹内 啓太 1, 安部 僚吾 1, 渡辺 航介 1, 1. 上智大理工 , 2. 上智ナノテクセンター
晶の成長とアシストドーパントによる増感蛍光菊池 昭彦 1, 2
10:45		 10a-M111-7 静電スプレー堆積法による親撥処理した基板上への低分 〇須貝 拓弥 1, 小澤 巧実 1, 小幡 俊輔 1, 秋山 直輝 1, 森 1. 山梨大工
子 / ポリマーブレンドの成膜
悠記 1, 小野島 紀夫 1
11:00		 10a-M111-8 低環境負荷溶媒を用いた静電スプレー堆積法によるポリ 〇小幡 俊輔 1, 須貝 拓弥 1, 秋山 直輝 1, 森 悠記 1, 小野 1. 山梨大工
マーブレンド OFET の作製
島 紀夫 1
11:15
招 10a-M111-9 「第 9 回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）〇朱 慧娥 1
1. 東北大受賞記念講演」
強誘電性高分子の超薄膜化と電子デバイス応用に関する研究
3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) M111 会場 (Room M111)
9:00		 11a-M111-1 Mixed 3D–2D Passivation Treatment for Mixed-Cation〇 (D)YONGYOON CHO1, Arman Mahboubi
1.UNSW SPREE, 2.UNSW school of mat. sci. and eng.
Lead Mixed-Halide Perovskite Solar Cells for Higher
Soufiani1, Jae Sung Yun1, Jincheol Kim1, Da Seul
Efficiency and Better Stability
Lee1, Jan Seidel2, Xiaofan Deng1, Martin A. Green1,
Shujuan Huang1, Anita W.Y. Ho-Baillie1
9:15		 11a-M111-2 イオン液体ゲルを用いた強誘電性液晶垂直配向表示デバ 〇高西 陽一 1, 3, 西山 伊佐 2, 3, 山本 潤 1, 3
1. 京大院理 , 2.DIC, 3.JST-CREST
イスの低電圧駆動
9:30		 11a-M111-3 高分子安定化 SSFLC の電気光学特性〇宮崎 徹 1, 八木 靖貴 1, 古江 広和 1
1. 東理大院基工9:45		 11a-M111-4 電場印加した固化ブルー相の硬さ評価〇荒内 美沙子 1, 蛭町 颯太 1, 古江 広和 1
1. 東理大院基工
10:00		 11a-M111-5 蒸着法により作製した液晶 - 配向膜界面における液晶薄 〇高橋 亮太 1, 松原 亮介 1, 久保野 敦史 1
1. 静大院総合
膜作成過程の粘弾性変化
10:15		休憩 /Break
10:30		 11a-M111-6 有機半導体薄膜成長の分子動力学シミュレーション〇池田 進 1
1. 東北大 WPI-AIMR- 立った分子からなる核の安定性と成長 10:45		 11a-M111-7 真空蒸着法における DNTT とその誘導体の核形成機構〇服部 吉晃 1, 木村 由斉 1, 吉岡 巧 1, 北村 雅季 1
1. 神戸大工11:00		 11a-M111-8 ペリレン誘導体薄膜におけるグレインサイズのアルキル 〇丸山 伸伍 1, 高川 佑輔 1, 小金澤 智之 2, 松本 祐司 1 1. 東北大院工 , 2. 高輝度光科学研セ
鎖長依存性
11:15		 11a-M111-9 水晶振動子マイクロバランスを用いた有機半導体サブモ 〇松原 亮介 1, 2, 関戸 和也 2, 羽生 大亮 1, 久保野 敦
1. 静大院総合 , 2. 静大工
ノレイヤー薄膜の昇温脱離スペクトルの測定
史 1, 2
11:30		 11a-M111-10 大面積高速成膜に向けた線形高速分子線セルの開発〇荻野 孝太 1, 松原 亮介 2, 鄭 敏喆 1, 小島 広孝 1, 辨天 1. 奈良先端大物質 , 2. 静岡大院工宏明 1, 中村 雅一 1
3/11(Mon.) 13:15 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) M111 会場 (Room M111)
13:15
招 11p-M111-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇冨田 和孝 1, 塩谷 暢貴 1, 下赤 卓史 1, 長谷川 健 1
1. 京大化研
テトラフェニルポルフィリンが塗布膜中で示すポリモル
フィズムの解明
13:30		 11p-M111-2 ペンタセンが薄膜中で示す段階的な結晶成長〇塩谷 暢貴 1, 藤原 龍以 1, 冨田 和孝 1, 下赤 卓史 1, 長 1. 京大化研
谷川 健 1
13:45
奨 11p-M111-3 pMAIRS-CLS 法を用いたペンタセン前駆体薄膜の熱転化 〇藤原 龍以 1, 塩谷 暢貴 1, 冨田 和孝 1, 下赤 卓史 1, 長 1. 京大化研
反応の定量的解析
谷川 健 1
14:00
奨 11p-M111-4 バーコート法により作製したπ共役系高分子一軸配向薄 〇籔内 湧太 1, 鶉野 弦也 1, 中谷 光宏 1, 藤井 彰彦 1, 尾 1. 阪大工
膜における光学的・電気的異方性の評価
﨑 雅則 1
14:15
奨 11p-M111-5 塗布グラフェン膜を用いた有機半導体膜の分子配向制御 〇山田 啓太郎 1, 小金澤 智之 2, 鈴木 充朗 1, 末延 知
1. 阪大院工 , 2. 高輝度光科学研究セと縦方向移動度評価
義 1, 中山 健一 1
14:30
奨 11p-M111-6 分子歪みに支配されるカロテノイド色素ナノ粒子の光学 〇鈴木 龍樹 1, 安原 主馬 2, 岡田 賢 1, 出口 茂 1
1. 海洋機構 , 2. 奈良先端大
特性
14:45		休憩 /Break
15:00
奨 11p-M111-7 高分子薄膜上での金属有機構造体薄膜の結晶成長解析〇 (D) 大原 浩明 1, 山本 俊介 1, 及川 英俊 1, 三ツ石 方 1. 東北大多元研
也1
15:15
奨 11p-M111-8 セルロースナノ結晶充填プロトン伝導性固体高分子電解 〇 (M1) 野原 智裕 1, 小関 和喜 2, 田端 恵介 2, 有田 稔 1. 山形大院理工 , 2. 山形大工 , 3. 東北大多元研 , 4. 有機エ
質膜の創製
彦 3, 増原 陽人 1, 4
レクトロニクス研究センター
15:30
奨 11p-M111-9 チップ内蔵フレキシブル・ハイブリッド・エレクトロニ 〇煤孫 祐樹 1, 銭 正阳 1, 高橋 則之 2, 木野 久志 3, 田中 1. 東北大院工 , 2. 東北大工 , 3. 東北大学際研 , 4. 東北大院
クスの電気特性評価
徹 1, 4, 福島 誉史 1
医工			 9p-PB3-19

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

吸着法で形成したダイヤモンドナノ粒子による電子注入層
フォトレジストを用いた電着カラーマイクロレンズアレ
イの作製
低分子有機薄膜太陽電池の素子構造最適化の検討
ホスホン酸系自己組織化単分子膜の特性評価

12.2 評価・基礎物性 / Characterization and Materials Physics
15:45

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

奨 11p-M111-10 ハイドロゲルを用いたフレキシブル・ハイブリッド・エ 〇高橋 則之 1, 煤孫 祐樹 2, 木野 久志 3, 福島 誉史 2, 田 1. 東北大工 , 2. 東北大学院工 , 3. 東北大学際研 , 4. 東北大
レクトロニクス作製
中 徹 2, 4
院医工
16:00
奨 11p-M111-11 マイクロ波 TM110 モードを用いた磁場加熱によるチッ 〇金澤 賢司 1, 渡邉 雄一 1, 中村 考志 2, 西岡 将輝 2, 植 1. 産総研 FLEC, 2. 産総研化プロ
プの実装技術の開発
村 聖1
16:15		休憩 /Break
16:30		 11p-M111-12 ナフタレンジイミド含有デンドリマーナノシートの精密 〇山本 俊介 1, 平嶋 奎一郎 1, 塩谷 暢貴 2, 下赤 卓史 2, 1. 東北大多元研 , 2. 京大化研 , 3. 山形大理
集積長谷川 健 2, 松井 淳 3, 宮下 徳治 1, 三ツ石 方也 1
16:45		 11p-M111-13 pMAIRS 法によるジテトラデシルジデシルアンモニウム 〇三浦 康弘 1, 赤城 嘉也 1, 塩谷 暢貴 2, 下赤 卓史 2, 長 1. 浜松医大医 , 2. 京大化研
-Au(dmit)2 塩に基づく高導電性 LB 膜の評価
谷川 健 2
17:00
E 11p-M111-14 Preparation of Relaxor Ferroelectric Polymer Langmuir- 〇 Chang Fu1, Huie Zhu1, Tokuji Miyashita1, Masaya 1.IMRAM, Tohoku Univ.
Blodgett Films Assisted by Polymer Nanosheets
Mitsuishi1
17:15		 11p-M111-15 有機焦電型赤外線センサの光学設計に向けた中赤外線領 〇磯村 拓海 1, 福島 達也 1, 小柴 康子 1, 堀家 匠平 1, 石 1. 神戸大院工域における P(VDF-TrFE) 薄膜の光学定数算出
田 謙司 1
17:30		 11p-M111-16 基板温度による尿素オリゴマー蒸着膜の凝集構造変化と 坂倉 悠介 1, 〇福島 達也 1, 森本 勝大 1, 2, 小柴 康子 1, 1. 神戸大院工 , 2. 富山大院理工
分子間水素結合堀家 匠平 1, 石田 謙司 1
17:45		 11p-M111-17 接種凍結法によるテトラベンゾトリアザポルフィリン誘 北川 貴大 1, 藤﨑 雅隆 1, 永野 修作 2, 〇藤井 彰彦 1, 尾 1. 阪大院工 , 2. 名大院工導体の配向薄膜作製における種結晶添加効果
﨑 雅則 1
18:00		 11p-M111-18 電荷移動錯体からなる分子集合体ナノコイルの創成と電 〇 (M1) 岩田 浩輝 1, 岩本 健太郎 1, 西原 禎文 2, 帯刀 1. 農工大院工 , 2. 広島大院理気特性
陽子 1
18:15		 11p-M111-19 Brush-printing 法を用いた F8BT 配向膜の作製：偏光度と 〇坂田 俊樹 1, 加治屋 大介 1, 2, 齋藤 健一 1, 2
1. 広島大院理 , 2. 広島大自然セ
膜厚の相関
12.2 評価・基礎物性 / Characterization and Materials Physics
3/9(Sat.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 9p-PA6-1
Measurement of the Mechanical Strength of Single- and 〇王 胖胖 1, 玉田 薫 2, 山田 淳 1
1. 九州先端研 , 2. 九州大
Multi-layered Metal Nanoparticle Sheets on Soft Polymer
Substrates by Nano-indentation
			 9p-PA6-2
電界誘起光第 2 次高調波発生法によるトライボ発電層（カ 〇田口 大 1, 間中 孝彰 1, 岩本 光正 1
1. 東工大プトン型ポリイミド）の摩擦電気発生の時間分解測定
			 9p-PA6-3
過剰量 Sr が SrTiO3 の過渡複素光伝導度と光触媒活性に 〇山田 研人 1, 鈴木 肇 1, 佐伯 昭紀 1, 2
1. 阪大院工 , 2.JST さきがけ
及ぼす影響			 9p-PA6-4
有機無機複合系 Cd カルコゲナイド半導体ナノシート超格 〇 (M2) 高橋 史裕 1, 湯浅 晃正 1, 松石 清人 1
1. 筑波大数物
子の光物性における温度・圧力依存性
			 9p-PA6-5
表面プラズモンポラリトンと有機結晶薄膜導波路モード 〇井箟 郁美 1, 藤本 誠都 1, 近藤 秋洋 1, 寺平 成希 1, 阪 1. 静岡大理の相互作用
東 一毅 1
			 9p-PA6-6
PTAA オリゴマーポリマーブレンドの光導電性に及ぼす 〇光富 菜那 1, 2, 王 国隆 3, 堀江 正樹 1, 3, 藤原 隆 4, 佐々 1. 理研・光量子 , 2. 東京理科大 , 3. 台湾国立精華大 , 4. 九オリゴマー長の効果
木 健夫 1, 2, 和田 智之 1, 佐々 高史 1
州先端研
			 9p-PA6-7
光導電性オリゴマー/ 絶縁性ポリマーブレンドのキャリ 〇陳 チェンル 1, 2, 王 国隆 3, 堀江 正樹 1, 3, 藤原 隆 4,
1. 理研・光量子 , 2. 東京理科大 , 3. 台湾国立精華大 , 4. 九ア輸送に及ぼすフラーレン誘導体の影響
佐々木 健夫 1, 2, 和田 智之 1, 佐々 高史 1
州先端研		E 9p-PA6-8
Single Molecule Conductance Measurements under High 〇 (D)Bo Liu1, Makusu Tsutsui1, Masateru
1.Osaka Univ. ISIR
Temperature in Vacuum
Taniguchi1
11
1
			 9p-PA6-9
α -NPD 非晶質薄膜の結晶化機構〇 (M1) 金原 東徹 , 勝野 弘康 , 中田 俊隆
1. 立命館大学理工研3/10(Sun.) 9:15 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W810 会場 (Room W810)
9:15		 10a-W810-1 GISAXS によるペンタセン製膜中の表面形態評価（III） 〇広沢 一郎 1, 渡辺 剛 1, 小金澤 智之 1, 菊池 護 2, 吉本 1. 高輝度光科学研究セ , 2. 岩手大理工
則之 2
9:30
奨 10a-W810-2 非対称側鎖を有するオリゴチオフェンの結晶構造〇大場 涼矢 1, 葛原 大軌 1, 吉本 則之 1
1. 岩手大院総合
9:45
奨 10a-W810-3 低ガラス転移点を有するアモルファス・ジアリールエテ 〇竹本 育未 1, 辻岡 強 1
1. 大阪教育大
ン表面における金属蒸気原子の核形成メカニズム
10:00 奨 E 10a-W810-4 In-situ Investigation of Surface Plasmon Resonance〇 (D)Patrawadee Yaiwong1, 2, Chutiparn
1.Niigata University, 2.Chiang Mai University
Enhanced Fluorescence Property during Deposition of
Lertvachirapaiboon1, Kazunari Shinbo1, Keizo Kato1,
2
1Gold Quantum Dots on Polyelectrolyte Multilayers
Kontad Ounnunkad , Akira Baba
10:15		休憩 /Break
10:30		 10a-W810-5 機械学習支援による有機半導体結晶構造解析〇新津 直幸 1, 沢辺 千鶴 1, 三谷 真人 1, 石井 宏幸 2, 小 1. 東大新領域 , 2. 筑波大数物 , 3. 豊橋技科大 , 4.NEC,
林 伸彦 2, 後藤 仁志 3, 広瀬 賢二 4, 小畑 繁昭 5, 中山 尚 5.CONFLEX
史 5, 渡邉 峻一郎 1, 岡本 敏宏 1, 竹谷 純一 1
10:45		 10a-W810-6 フタロシアニンとそのフッ素置換体混合膜における分子 〇植村 悠紀 1, Syed Abdullah1, 奥平 幸司 1, 吉田 弘
1. 千葉大学院工 , 2. 千葉大分子キ
配向と結晶構造
幸 1, 2
11:00		 10a-W810-7 MIS-CELIV 法によるアルキルフタロシアニン塗布薄膜の 西川 裕己 1, 金 宇鎮 1, 中山 祐介 1, 北川 貴大 1, 〇藤井 1. 阪大院工
両極性キャリア移動度評価
彰彦 1, 尾﨑 雅則 1
11:15		 10a-W810-8 自己ドープ型ポリアニリンネットワークの非線形プロト 〇宇佐美 雄生 1, Bram van de Ven2, Dilu Mathew2,
1. 阪大院理 , 2. トゥウェンテ大ナノテク研
ン伝導特性
Tao Chen2, 大塚 洋一 1, Wilfred van der Wiel2, 松本
卓也 1
11:30		 10a-W810-9 核トンネリングを考慮した有機半導体における移動度の 〇大野 玲 1, 高屋敷 由紀子 1, 新田 武父 1, 半那 純一 1, 1. 東工大
負の温度依存性の起源
飯野 裕明 1
11:45		 10a-W810-10 有機金属ポリイン分子ワイヤーの単分子電気伝導度計測 〇田中 裕也 1, 加藤 佑弥 1, 多田 朋史 2, 藤井 慎太郎 3, 1. 東工大化生研 , 2. 東工大元素セ , 3. 東工大理
木口 学 3, 穐田 宗隆 1
3/11(Mon.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M112 会場 (Room M112)
9:00
招 11a-M112-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇山下 侑 1, 鶴見 淳人 2, 大野 雅央 1, 藤本 亮 1, 熊谷
1. 東大院新領域 , 2. 物材機構 , 3.JST さきがけ
アニオン交換を用いた新規ドーピング手法による高分子 翔平 1, 黒澤 忠法 1, 岡本 敏宏 1, 3, 渡邉 峻一郎 1, 3, 竹谷
半導体の伝導特性と熱耐久性の向上
純一 1, 2
9:15		 11a-M112-2 走査型アトムプローブによるポリエチレングリコールの 荒井 大翔 1, 谷口 昌宏 1, 〇西川 治 1
1. 金沢工大
原子レベルでの解析（2）11
11
9:30		 11a-M112-3 金属酸化物を化学ドープした C60 薄膜の STM/STS 評価
河合 拓哉 , 〇中谷 真人 , 渡邊 真太 , 尾上 順
1. 名大院工9:45		 11a-M112-4 塗布型および蒸着型 C8-BTBT 有機薄膜トランジスタ評 〇呂 楚陽 1, 院南 皓一 1, 横町 伝 1, 小林 圭 1, 山田 啓 1. 京大工価
文1
10:00		 11a-M112-5 ケルビンプローブ原子間力顕微鏡による高分子有機薄膜 〇武下 将大 1, 院南 皓一 1, 横町 伝 1, 小林 圭 1, 山田 啓 1. 京大工
トランジスタの局所電気特性評価
文1
10:15		休憩 /Break
10:30
奨 11a-M112-6 AFM を用いた導電性高分子ワイヤー電解重合の液中観察 〇岡田 将 1, 中山 知信 2, 新ヶ谷 義隆 2, 桑原 裕司 1, 赤 1. 阪大院工 , 2. 物材機構 , 3.JST さきがけ
井 恵 1, 3
10:45
奨 11a-M112-7 有機ヘテロ界面における局所的無秩序化に関する STM 解 〇大西 瞭 1, 赤池 幸紀 2, 若山 裕 3, 金井 要 1
1. 東理大 , 2. 産総研 , 3. 物材機構 MANA析
11:00
奨 11a-M112-8 Au(111) 基板上 C60・PCBM 共存系の安定構造〇軸屋 天彬 1, 坂上 弘之 1, 鈴木 仁 1
1. 広島大先端研
11:15
奨 11a-M112-9 Cu(111) 基板上のヘキサブロモトリフェニレン分子が形 〇 (M1) 長友 裕太 1, 坂上 弘之 1, 富成 征弘 2, 田中 秀 1. 広島大先端研 , 2. 情通研機構
成する構造
吉 2, 鈴木 仁 1
11:30		 11a-M112-10 CuPc, F16CuPc 吸着した Si(111)-( √ 7 ×√ 3)-In 表面の構 〇角 直也 1, 山田 洋一 1, 佐々木 正洋 1, 吉澤 俊介 2, 荒 1. 筑波大 数物 , 2. 物質・材料研究機構
造、電子状態、超電導状態計測
船 竜一 2, 内橋 隆 2

12.3 機能材料・萌芽的デバイス / Functional Materials and Novel Devices
E 11a-M112-11 Core levels and frontier orbitals of K-doped sumanenemonolayer
3/11(Mon.) 13:15 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) M112 会場 (Room M112)
13:15
招 11p-M112-1 「12. 有機分子・バイオエレクトロニクス 分科内招待講
演」
結晶中で動くロタキサン分子機械
13:45
E 11p-M112-2 Study of local structure in rubrene thin films by Scanning
Transmission X-ray Microscopy

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

11:45〇 (D)Chunyang Zhang1, Naoya Sumi1, Masahiro
Sasaki1, Yoichi Yamada1

1.Tsukuba Univ.

〇堀江 正樹 1

1. 台湾清華大化工〇 (D)Alexandre Foggiatto1, Yasuo Takeichi2, Kanta

1.Univ. Tsukuba, 2.KEK IMSS, 3.Univ.Tokyo,
Ono2, Hiroki Suga3, Yoshio Takahashi3, Michael A.
4.Princeton Univ., 5.RIKEN
Fusella4, Jordan T. Dull4, Barry P. Rand4, Kentaro
51
Kutsukake , Takeaki Sakurai
14:00		 11p-M112-3 表面ドープルブレン単結晶のキャリア生成における低活 〇菊地 満 1, 伊澤 誠一郎 1, 2, 平本 昌宏 1, 2
1. 分子研 , 2. 総研大性化エネルギー
14:15		 11p-M112-4 第一原理計算による有機半導体の電子励起状態の解析 : 分 〇藤田 貴敏 1
1. 分子研子間相互作用の影響
14:30		休憩 /Break
14:45		 11p-M112-5 波長掃引型低エネルギー高感度光電子スペクトルの解釈 〇石井 久夫 1, 3, 4, 木全 俊輔 2, 濱田 北斗 2, 菊池 武文 2, 1. 千葉大先進 , 2. 千葉大工 , 3. 千葉大院融合理工 , 4. 千葉（１）
井手 一郎 3, 佐野 大輔 3, 丸山 泰一 3, 山口 雄生 3, 松﨑 大 MCRC
厚志 3, 清水 康平 3, 田中 有弥 1, 3
15:00		 11p-M112-6 低エネルギー逆光電子分光による強いアクセプター性有 小松原 崇弘 1, 〇吉田 弘幸 2, 3
1. 千葉大工 , 2. 千葉大院工 , 3. 千葉大分子キ
機半導体の電子親和力の決定
15:15		 11p-M112-7 ペンタセン単結晶上にエピタキシャル成長したパーフル 〇中山 泰生 1, 守屋 直紀 1, 日笠 正隆 1, マイスナー マ 1. 東理大理工 , 2. 分子研
オロペンタセンの価電子バンド構造
ティアス 2, 山口 拓真 2, 鈴木 敏泰 2, 上羽 貴大 2, 解良
聡2
15:30		 11p-M112-8 有機単結晶 P-N 接合界面における超高速キャリアダイナ 〇岩澤 柾人 1, 福本 恵紀 2, 鶴田 諒平 3, 中山 泰生 3,
1. 筑波大数理 , 2. 高エネ研 , 3. 東理大院理工ミクス計測
佐々木 正洋 1, 山田 洋一 1
15:45
E 11p-M112-9 Raman spectroscopic investigation of〇 (DC)Bishwajeet Singh Bhardwaj1, Takeshi
1.Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2.The
Dinaphthothienothiophene in a transistor device
Sugiyama1, Naoko Namba2, Takayuki Umakoshi1,
Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka
Takafumi Uemura2, Tsuyoshi Sekitani2, Prabhat
Univ.
Verma1
16:00		休憩 /Break
16:15		 11p-M112-10 Comparison of excited state dynamics of reduced
バマレ ヤーティン 1, コインカー パンカジ 1, 〇古部 1. 徳島大graphene oxide decorated with Au, Pd, and Pt for昭広 1
photocatalytic degradation
16:30		 11p-M112-11 加熱処理された硫化亜鉛 / 酸化チタンのキャリア寿命と 〇小原 知也 1, 古部 昭広 1, コインカー パンカジ 1,
1. 徳島大学 , 2.C-MET
光触媒活性の評価
ディーパク パティ2
1, 2
16:45
E 11p-M112-12 Time-Resolved Photoluminescence Measurement of One- 〇 (D)Huong Mai Duongthi, Eiichi Matsubara ,1.Osaka Univ., 2.Osaka Dental Univ.
Dimensional Lead Bromide Organic-Inorganic Hybrid
Masaaki Ashida1, Hirokazu Tada1
Perovskites
17:00		 11p-M112-13 逐次蒸着法により製膜した FAPbI3 薄膜による強い THz 〇 (M1) 松山 明日 1, 小堀 天 1, 鄭 敏喆 1, 小島 広孝 1, 1. 奈良先端大
波吸収辨天 宏明 1, 中村 雅一 1
17:15		 11p-M112-14 ハロゲン化鉛ペロブスカイト単結晶への Bi ドーピング〇佐伯 凌 1, Thi-Mai Huong Duong1, 夛田 博一 1
1. 大阪大学大学院基礎工17:30		 11p-M112-15 電気化学環境下におけるイオン液体の電子励起スペクト 〇田邉 一郎 1, 寿山 安紀 1, 佐藤 大輝 1, 今井 雅也 1, 福 1. 阪大院基礎工ル
井 賢一 1
12.3 機能材料・萌芽的デバイス / Functional Materials and Novel Devices
3/9(Sat.) 9:30 - 11:30
ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 9a-PA2-1
液晶セルにおける横ずれ特性と微分干渉観察応用の検討 〇能勢 敏明 1, 石坂 尚聖 1, 本間 道則 1, 伊東 良太 1, 岡 1. 秋田県大システム , 2. 秋田県大生物
野 桂樹 2, 藤田 直子 2, 村田 純 2, 村口 元 2, 尾崎 紀昭 2
			 9a-PA2-2
スプレー法による多孔質 PMMA 材料の超厚膜化の検討 〇渡邉 義晃 1, 伊東 良太 1, 本間 道則 1, 能勢 敏明 1
1. 秋田県大システム
			 9a-PA2-3
アニソメトリック型メソゲンを用いた側鎖型液晶エラス 〇平岡 一幸 1, 平 汐莉 1, 星野 優香 1, 大嶋 正人 1
1. 東京工芸大工
トマーのフレクソエレクトリック効果
			 9a-PA2-4
平板回路を用いた液晶ミリ波位相変調器における磁界印 〇飯山 響介 1, 伊東 良太 1, 本間 道則 1, 真坂 護 2, 伊藤 1. 秋田県大 , 2. 由利工業株加の効果
謙二 2, 能勢 敏明 1
			 9a-PA2-5
DMOAP と PI 系配向膜による HAN セルの残留 DC 的効 〇 (B) 相馬 悠人 1, 齊藤 雄介 1, 工藤 幸寛 1, 高橋 泰樹 1 1. 工学院大工果を応用した長期メモリ性を有する液晶素子の検討
		
E 9a-PA2-6
Development and characterization of biocompatible〇 Sven Stauss1, Ryuichi Miyazaki1, Yoshiyuki
1.Tohoku Univ.
microbatteries for powering ingestible sensors
Gambe1, Itaru Honma1
			 9a-PA2-7
CBRAM 高性能化に向けたイオン液体の電気化学的特性 〇 (M1) 川並 将太朗 1, 木下 健太郎 1
1. 東理大理評価			 9a-PA2-8
デバイス応用のための金属有機構造体の電子物性評価〇 (M1) 中畝 悠介 1, 清水 敦史 1, 木下 健太郎 1
1. 東理大理
			 9a-PA2-9
微細構造白金マイクロ電極を用いた溶存酸素の検出〇池上 真志樹 1, 平野 悠 1, 三重 安弘 1
1. 産総研			 9a-PA2-10
高分子トランジスタの伝達特性と確率共鳴現象〇鈴木 喜晴 1, 浅川 直紀 1
1. 群大院理工1
1, 2
			 9a-PA2-11
高分子ドープ型 pn 接合ダイオードの熱特性の解明と安定 〇 (M2) 原田 敏彰 , 藤田 克彦
1. 九大総理工 , 2. 九大先導研性の向上
			 9a-PA2-12
キャリアドーピング層を持った OLED の作製〇 (M2) 江良 洋 1, 藤田 克彦 1, 2
1. 九州大総理工 , 2. 九州大先導研
			 9a-PA2-13
スピンコートにより堆積したポリマー多層膜の熱伝導率 〇 (M1) 伊藤 豪規 1, 野田 啓 1
1. 慶応大理工
測定11
11
			 9a-PA2-14
液晶エラストマーを用いた力学センシング〇湯浅 杏子 , 木村 聖哉 , 具 教先 , 久野 恭平 , 堤
1. 立命館大生命 , 2. 東工大化生研
治 1, 赤松 範久 2, 宍戸 厚 2
			 9a-PA2-15
自己推進型イオンゲルの直線流路中の往復運動と壁の濡 〇山内 貫司 1, 古川 一暁 1
1. 明星大理工
れ性との相関1
1
1
			 9a-PA2-16
自己推進型イオンゲル回転運動の外力に対する履歴応答 〇倉持 美怜 , 山田 拓人 , 古川 一暁
1. 明星大理工			 9a-PA2-17
トリフルオロメチル基を有するビススチリルベンゼン誘 〇望月 博孝 1
1. 産総研太陽光
導体からの低閾値自然放射増幅光
			 9a-PA2-18
アルキル鎖を持たない液晶性ビススチリルベンゼン誘導 〇望月 博孝 1, 宮寺 哲彦 1
1. 産総研太陽光
体11
11
			 9a-PA2-19
ジチオフェン－フェニレン共重合体（DTB）の光電物性 〇橘 浩昭 , 戸田 直也 , 高田 徳幸 , 近松 真之 , 阿澄 1. 産総研
玲子 1
			 9a-PA2-20
アモルファス・アゾベンゼン膜表面における高い異性化 〇竹本 育未 1, 石井 貴大 1, 中野 英之 2, 辻岡 強 1
1. 大阪教育大 , 2. 室蘭工大
反応感度11
			 9a-PA2-21
薄膜プロセスに利用可能な超平坦・極薄・大面積セルロー 〇 (B) 畑山 亮 , 生野 孝
1. 東理大スナノファイバーフィルムの創製
			 9a-PA2-22
圧力マッピングへの応用を指向した金属細線包埋型〇但木 大介 1, 山宮 慎 1, 馬 騰 2, 今井 裕司 3, 平野 愛 1. 東北大通研 , 2. 東北大 WPI-AIMR, 3. 仙台高専 , 4. 東北
PVDF 薄膜センサの作製
弓 1, 2, 庭野 道夫 4
福祉大			 9a-PA2-23
無線汗センシングのための皮膚上共振回路〇松川 遼太郎 1, 宮本 明人 1, 横田 知之 1, 染谷 隆夫 1 1. 東大工
11
11
			 9a-PA2-24
フレキシブルエレクトロニクスを志向した低接圧電気接 〇松尾 幸祐 , 大西 賢 , 稲吉 真一 , 吉良 敦史 , 中島 1. 日本航空電子工業
続機構の開発
伸一郎 1

12.3 機能材料・萌芽的デバイス / Functional Materials and Novel Devices
			 9a-PA2-25

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

強誘電体高分子を用いた全印刷型すべり覚センサの作製 〇 (B) 宮澤 航平 1, 関根 智仁 1, 佐藤 純 1, 竹田 泰典 1, 1. 山形大学工 , 2. ピエゾテック , 3. アルケマ
熊木 大輔 1, Fabrice Domingues Dos Santos2, 宮保
淳 3, 時任 静士 1
			 9a-PA2-26
応力印加下におけるストレッチャブル配線の抵抗経時変 〇 (B) 村木 公亮 1, Wang Yi-Fei1, 関根 智仁 1, 竹田 泰 1. 山形大工化の抑制
典 1, 熊木 大介 1, 時任 静士 1
			 9a-PA2-27
印刷型マルチセンサを実装したソフトロボットハンドに 〇関根 智仁 1, Wang Yi-Fei1, 宮澤 航平 1, 竹田 泰典 1, 1. 山形大 ROEL, 2.Piezotech, 3. アルケマ株式会社
よる触覚信号の検出
松井 弘之 1, 熊木 大介 1, Fabrice Domingues Dos
Santos2, 宮保 淳 3, 時任 静士 1
			 9a-PA2-28
新規有機半導体薄膜を用いた近赤外センサの開発〇藤岡 僚太 1, 福島 達也 1, 小柴 康子 1, 堀家 匠平 1, 石 1. 神戸大院工田 謙司 1
			 9a-PA2-29
有機圧電エナジーハーベスターにおける振動発電特性の 小林 晃子 1, 〇堀家 匠平 1, 小柴 康子 1, 福島 達也 1, 神 1. 神戸大院工
膜厚依存性
野 伊策 1, 石田 謙司 1
			 9a-PA2-30
ゴム包埋した有機強誘電体薄膜の圧電特性とセンサ応用 藤原 圭佑 1, 福島 達也 1, 小柴 康子 1, 堀家 匠平 1, 〇石 1. 神戸大院工田 謙司 1
			 9a-PA2-31
ウェアラブル湿度センサに向けた CaCl2-PDMS 複合材料 〇駒崎 友亮 1, 植村 聖 1
1. 産総研の創製
			 9a-PA2-32
レーザー走査と金属蒸着選択性で作成したジアリールエ 〇星本 寛栄 1, 辻岡 強 1
1. 阪教大教育
テン -Cu 複合膜を有する微細有機メモリ特性の素子面積依存性
			 9a-PA2-33
赤外プラズモン共鳴からみた CNT 薄膜におけるトンネリ 大井 かなえ 1, 河合 壯 1, 〇野々口 斐之 1, 2
1. 奈良先端大物質 , 2.JST さきがけ
ング伝導の検証		
奨 9a-PA2-34
マイクロキャピラリ内に成長した有機金属ハライドペロ 〇椋橋 奈穂 1, 佐々木 史雄 2, 柳 久雄 1
1. 奈良先端大物質 , 2. 産総研電子光技術
ブスカイト /PEO 複合体における共振器量子電磁気学効果			 9a-PA2-35
フジツボ状多孔質膜の作製とセンシング応用の検討〇安藤 潤 1, 福田 隆史 2, 江本 顕雄 1
1. 同志社大理工 , 2. 産総研
			 9a-PA2-36
銀コートされたポリスチレン微粒子の反射および散乱特 〇吉永 武真志 1, 福田 隆史 2, 江本 顕雄 1
1. 同志社大理工 , 2. 産総研電子光性			 9a-PA2-37
フォトポリマーの重合時交差拡散を利用したマイクロ流 〇木本 匠 1, 福田 隆史 2, 江本 顕雄 1
1. 同志社大理工 , 2. 産総研電子光路作製技術 (3)			 9a-PA2-38
アニール処理による臭化銅 (I) 錯体の可逆的メカノクロミ 〇 (M1) 南山 知花 1, 髙澤 頼昌 1, 阪田 知巳 1
1. 城西大理ズム
11
11
			 9a-PA2-39
金属薄膜を用いた発光性イリジウム錯体 LB 膜の発光増 〇尾崎 良太郎 , 山田 達也 , 弓達 新治 , 門脇 一則 , 1. 愛媛大院理工
強と発光色の制御
佐藤 久子 1
			 9a-PA2-40
ジケトピロロピロール骨格含有オリゴチオフェンの液晶 〇木下 基 1, 2, 小野 峻弥 1, 古川 元行 2, 佐藤 悠貴 1
1. 埼工大工 , 2. 埼工大院工中における光配向挙動
3/9(Sat.) 13:30 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) M136 会場 (Room M136)
13:30
E 9p-M136-1
Computational Molecular Design of NIR Dyes with〇 SHYAM SUDHIR PANDEY1, Ajendra Kumar
1.Graduate School of LSSE, Kyutech
Varying Anchoring Groups for Dye-Sensitized Solar Cells Vats1, Anusha Pradhan1, Shuzi Hayase1
13:45		 9p-M136-2
Sr カチオン置換による PbBr 系ペロブスカイト薄膜での 〇江良 正直 1
1. 佐賀大学
発光増強効果1
2
3
4
14:00		 9p-M136-3
組織接着性発光デバイスを用いた体内埋め込み型光がん 〇 (PC) 山岸 健人 , 桐野 泉 , 高橋 功 , 天野 日出 , 1. 早大ナノライフ機構 , 2. 京大院医 , 3. 早大院先進理工 ,治療システム武岡 真司 3, 守本 祐司 5, 藤枝 俊宣 6, 7, 8
4. 東大院医 , 5. 防医大生理学 , 6. 早大高等研 , 7.JST さき
がけ , 8. 東工大生命理工
14:15		 9p-M136-4
有機半導体結晶を用いた分布帰還型構造の実効屈折率〇山雄 健史 1, 東原 翔平 1, 稲田 雄飛 1, 山下 兼一 1, 裏 1. 京工繊大
1
1
升吾 , 堀田 収
14:30		休憩 /Break
14:45		 9p-M136-5
鉛ハライドペロブスカイト CH3NH3PbCl3 の熱光学応答 〇半田 岳人 1, 田原 弘量 1, 阿波連 知子 1, 金光 義彦 1 1. 京大化研
15:00		 9p-M136-6溶液法で成長した分子ドープ有機単結晶からのナノ秒〇安部 僚吾 1, 竹内 啓太 1, 鈴木 明日香 1, 渡辺 航介 1, 1. 上智大学理工 , 2. 上智ナノテクセンター
レーザ励起による青色域誘導放出の観測
菊池 昭彦 1, 2
15:15		 9p-M136-7
集光型 SERS 基板の作製と評価〇松田 倫太郎 1, 有馬 祐介 1, 玉田 薫 1, 筒井 真楠 2, 谷 1. 九大先導研 , 2. 阪大産研
口 正輝 2, 龍崎 奏 1
3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) M136 会場 (Room M136)
9:00		 11a-M136-1 注射針から射出後に自己展開可能なポリウレタン系形状 〇 (PC) 山岸 健人 1, 野尻 晃宏 2, 岩瀬 英治 2, 橋本 道 1.DManD, SUTD, 2. 早大院基幹理工 , 3.EPD, SUTD
記憶ポリマーからなるナノ薄膜
尚 1, 3
9:15		 11a-M136-2 ナノ粒子多孔質エレクトロクロミック電極内部の電気化 〇渡邉 雄一 1, 植村 聖 1
1. 産総研学反応解析
9:30		 11a-M136-3 有機無機ペロブスカイトと金属錯体を用いた高感度光検 〇石井 あゆみ 1, 2, 宮坂 力 1
1. 桐蔭横浜大院工 , 2.JST さきがけ
出素子の開発9:45		 11a-M136-4 Dual-gate OFET 型フレキシブルひずみセンサ〇竹内 滉生 1, 酒井 平祐 1, 村田 英幸 1
1. 北陸先端大10:00		 11a-M136-5 セルロースナノファイバを感応膜に用いた温湿度センサ 〇渡部 善幸 1, 矢作 徹 1, 村山 裕紀 1, 加藤 雅哉 2, 日比 1. 山形工技セ , 2. 太陽機械
野 秀昭 2, 川口 真平 2
10:15		休憩 /Break
10:30
奨 11a-M136-6 エレクトロスピニング法を用いた高分子アクチュエータ 〇木田 一肇 1, 加藤 勇斗 1, 佐藤 健介 1, 串田 正人 1
1. 千葉大院融の作製と評価10:45
奨 11a-M136-7 熱圧着処理による皮膚貼り付けナノメッシュ電極配線の 〇 (DC) 奥谷 智裕 1, 横田 知之 1, 染谷 隆夫 1
1. 東大工導電性向上
1
1
11:00 奨 E 11a-M136-8 Fast and Sensitive Near Infra-Red Photodetector Based〇 (M1)Shahriar Kabir , Yukiko Takayashiki ,1.Tokyo Techon a Liquid Crystalline Phthalocyanine DerivativeJun-ichi Hanna1, Hiroaki Iino1
11:15
奨 11a-M136-9 低電圧駆動かつ伸縮可能なカーボンナノチューブ集積回 〇西尾 祐哉 1, 鹿嶋 大雅 1, 廣谷 潤 1, 岸本 茂 1, 大野 雄 1. 名大工 , 2. 名大未来研
路
高 1, 2
11:30
奨 11a-M136-10 多層グラフェンフレークの剥離を利用した有機高分子基 〇 (D) 鉄 祐磨 1, 武岡 真司 1, 藤枝 俊宣 2, 3, 4
1. 早大院先進理工 , 2. 東工大生命理工 , 3. 早大ナノ・ラ材からなる薄膜状アンテナコイルの開発
イフ , 4.JST さきがけ
3/11(Mon.) 13:45 - 15:15 口頭講演 (Oral Presentation) S224 会場 (Room S224)
13:45 奨 E 11p-S224-1 Self-assembled Lipid Membranes Doped by Organic〇 (DC)Xingyao Feng1, Teng Ma2, Takafumi
1.RIEC, Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR, Tohoku Univ
Molecules
Deguchi1, Ayumi Hirano-Iwata1, 2
1
1
1
14:00
奨 11p-S224-2 PEDOT:PSS の合成と酸処理による高導電化〇勝山 直哉 , 小澤 巧実 , 奥崎 秀典
1. 山梨大院
14:15
奨 11p-S224-3 導電性高分子 PEDOT:PSS におけるメゾスコピック構造 〇伊藤 桂介 1, 本間 優太 1, 加藤 悦久 1, 増永 啓康 2, 井 1. 東北大金研 , 2.JASRI/SPring-8と電子状態
口 敏 1, 佐々木 孝彦 1
14:30		 11p-S224-4 新規自己ドープ型 PEDOT の合成と高導電化〇工藤 一希 1, 丸茂 和将 1, 箭野 裕一 1, 2, 奥崎 秀典 1
1. 山梨大院 , 2. 東ソー
14:45		 11p-S224-5 金箔と金蒸着膜を原料とした金微粒子の結晶構造が導電 〇山下 紗也加 1, 仲林 裕司 2, 酒井 平祐 1, 村田 英幸 1 1. 北陸先端大 先端科学技術 , 2. 北陸先端大 ナノセン性インクの性能に及ぼす影響
ター
15:00		 11p-S224-6 カルシウム蛍光プローブによるアルギン酸カルシウムゲ 〇青柳 稔 1
1. 日工大ル構造の観察12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics【CS.1】3.2 材料・機器光学、12.3 機能材料・萌芽的デバイスのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.2 & 12.3
【CS.1】3.2 材料・機器光学、12.3 機能材料・萌芽的デバイスのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.2 & 12.3
3/10(Sun.) 9:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M136 会場 (Room M136)
9:30		 10a-M136-1 液晶リニアフレネルレンズを用いた配光可変デバイス〇樋口 隆信 1, 岩脇 圭介 1, 橋川 広和 1, 吉澤 達矢 1, 吉 1. パイオニア , 2. パイオニア OLED ライティングデバイ
川 高正 1, 三森 歩美 1, 奥山 賢一 2, 梁瀬 智 3, 内田 勝 3 ス , 3. 秋田産技センター
9:45
奨 10a-M136-2 円錐状レンズ特性を有する液晶レンズの光学位相差分布 〇菅原 朋樹 1, 河村 希典 1
1. 秋田大学院理工
(Ⅰ)
10:00
奨 10a-M136-3 宙吊り構造を導入した高分子ベース空間光変調器の大変 〇英 祐輝 1, 生田 昂 1, 前橋 兼三 1
1. 農工大院工位・高速動作制御
10:15
奨 10a-M136-4 キラルπ共役ポリマーマイクロ球体共振器からの円偏光 〇大木 理 1, Kulkarni Chidambar2, Meskers Stefan C. 1. 筑波大数理物質 , 2. アンイントホーフェン工科大 ,発光
J2, Meijer E. W2, 佐々木 史雄 3, Lin Zhan-Hong4,
3. 産総研 , 4. ライプニッツ光技術研究所
Huang Jer-Shing4, 山本 洋平 1
10:30		 10a-M136-5 発光性液晶の相転移挙動と光学特性〇江良 正直 1
1. 佐大理工10:45		休憩 /Break1
2
1
3
11:00		 10a-M136-6 各種液晶におけるフレクソエレクトリック分極の第 2 高 〇城田 幸一郎 , 荒岡 史人 , 山形 豊 , Chen Hui-Yu 1. 理研光量子 , 2. 理研創発物性 , 3. 国立中興大調波イメージング
11:15		 10a-M136-7 液晶／配向ナノファイバー複合素子を用いた NRD ガイ 〇森武 洋 1, ブイ バン バオ 1, 井上 曜 1
1. 防衛大ド型テラヘルツ波移相器
11:30		 10a-M136-8 高分子分散型液晶を用いた高速スイッチング可能なテラ 〇井上 曜 1, 久保 等 2, 鹿田 建普 1, 森武 洋 1
1. 防衛大学校 , 2. 阪大院工ヘルツ移相器11:45		 10a-M136-9 コレステリック Bragg-Berry 偏向素子のストップバンド 〇尾崎 良太郎 1, 橋村 俊祐 1, 弓達 新治 1, 門脇 一則 1, 1. 愛媛大院理工 , 2. 阪大院工の解析
吉田 浩之 2, 尾崎 雅則 2
【CS.8】9.4 熱電変換、12.3 機能材料・萌芽的デバイス、合同セッションＭ「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 9.4 & 12.3 & Joint Session M
3/10(Sun.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) W351 会場 (Room W351)
13:45
招 10p-W351-1 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇小矢野 幹夫 1, 浅井 渉 1, 宮田 全展 1, Pham Xuan 1. 北陸先端大「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション Thi1
招待講演」
ナノ構造体におけるフォノン緩和過程と微小熱電発電デ
バイスへの応用
14:30		 10p-W351-2 Si 置換した Fe2VAl エピタキシャル薄膜の熱伝導率〇 (D) 工藤 康平 1, 山田 晋也 1, 2, 近田 尋一朗 1, 嶋貫 1. 阪大基礎工 , 2. 阪大基礎工 CSRN, 3. 名工大雄太 1, 石部 貴史 1, 阿保 智 1, 宮崎 秀俊 3, 西野 洋一 3,
中村 芳明 1, 浜屋 宏平 1, 2
14:45		 10p-W351-3 B ドープ Al 誘起層交換による p 型 Si1-xGex 熱電薄膜の性能 〇辻 美紀江 1, 草野 欽太 1, 末益 崇 1, 都甲 薫 1, 2
1. 筑波大 , 2.JST さきがけ
向上
15:00		休憩 /Break
15:15
招 10p-W351-4 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇宇治原 徹 1, 2
1. 名大未来研 , 2.U-MAP「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション
招待講演」
高熱伝導樹脂を実現する AlN ウィスカーフィラーの開発とベンチャー
16:00		 10p-W351-5 ナノ構造化によるシリコン薄膜の ZT 増強と平面型熱電 〇柳澤 亮人 1, Ruther Patrick2, Paul Oliver2, 野村 政 1. 東大生研 , 2. フライブルク大 , 3.JST さきがけ
デバイス開発宏 1, 3
16:15
奨 10p-W351-6 横型 Si ナノワイヤ熱電変換デバイスにおける SiO2 絶縁膜 〇富田 基裕 1, 松川 貴 2, 松木 武雄 1, 2, 渡邉 孝信 1
1. 早大理工 , 2. 産総研/Si 基板の最適厚さ設計
16:30		休憩 /Break
16:45
招 10p-W351-7 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇竹延 大志 1
1. 名大工「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション
招待講演」
Van der Waals 材料における熱電特性
17:30		 10p-W351-8 有機フォトクロミック分子を用いた高機能太陽光熱貯蓄 〇朝戸 良輔 1, 2, Jan Patrick D C Calupitan3, 中嶋 琢 1. 奈良先端大 , 2.Toulouse Univ., 3.Paris-Saclay Univ.,
燃料の検討
也 1, Jyh-Chiang Jiang4, 河合 壯 1
4. 台湾科技大17:45		 10p-W351-9 セルロースナノペーパーにおける熱拡散性の応力応答〇上谷 幸治郎 1, 井櫻 勝悟 2, 古賀 大尚 1, 能木 雅也 1 1. 阪大産研 , 2. 阪大院工12.4 有機 EL・トランジスタ / Organic light-emitting devices and organic transistors
3/9(Sat.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 9p-PA2-1
p/n 積層構造を持つ縦型有機トランジスタの動作機構〇森下 諒子 1, 中山 健一 1, 末延 知義 1, 鈴木 充朗 1
1. 阪大院工			 9p-PA2-2
反転オフセット印刷電極を用いた高分子有機半導体トラ 〇 (B) 山崎 錬 1, 竹田 泰典 1, 圓岡 岳 1, 村瀬 友英 2, 熊 1. 山形大 ROEL, 2. 三菱ケミカル
ンジスタの四端子コンタクト抵抗測定
木 大介 1, 松井 弘之 1, 時任 静士 1
			 9p-PA2-3
短チャネルトップゲート有機トランジスタの電界効果移 〇田津原 汐音 1, 饗庭 智也 1, 永瀬 隆 1, 2, 小林 隆史 1, 2, 1. 大阪府大 , 2. 大阪府大分子エレクトロニックデバイス
動度に対する接触抵抗の影響
貞光 雄一 3, 内藤 裕義 1, 2
研 , 3. 日本化薬 ( 株 )			 9p-PA2-4
酸素プラズマ処理によるボトムコンタクト型有機トラン 〇藤田 宏樹 1, 吉岡 巧 1, 木村 由斉 1, 服部 吉晃 1, 北村 1. 神戸大院工
ジスタの閾値電圧制御
雅季 1
		
E 9p-PA2-5
Effects of Silver Source-Derain Electrodes on Liquid〇 (M2)Sabina Kang1, Jun-ichi Hanna1, Hiroaki Iino1 1.Tokyo Tech.
Crystalline Organic Semiconductor and its OFET
performance			 9p-PA2-6長鎖アルキル基を有する層状結晶性 BBBT 系有機半導体 〇東野 寿樹 1, 荒井 俊人 2, 長谷川 達生 2
1. 産総研 , 2. 東大院工の開発
			 9p-PA2-7
Pyromellitic Dianhydride 錯体を用いた有機トランジスタ 〇植草 友輝 1, 佐藤 諒之介 1, 森 健彦 1
1. 東工大物質理工学院
			 9p-PA2-8
液晶性ナフタレンジイミド誘導体を用いた有機 n チャネ 〇 (M2) 横山 正太朗 1, 臼井 孝之 1, 半那 純一 1, 飯野 1. 東工大未来研
ルトランジスタ裕明 1
			 9p-PA2-9
PEDOT:PSS を活性層とする全印刷型電気化学トランジ 〇 (M2) 植松 真由 1, 松井 弘之 1, 土屋 和彦 1, 長峯 邦 1. 山形大 ROEL
スタの回路応用
明 1, 時任 静士 1
			 9p-PA2-10
トナー型プリンテッドエレクトロニクスに向けたカーボ 〇鈴木 雅士 1, 堀内 友暉 1, 石田 将也 1, 酒井 正俊 1, 岡 1. 千葉大院工 , 2. 千葉大先進科学センター, 3. 日本化薬
ン系導電性材料の静電転写
田 悠悟 2, 貞光 雄一 3, 橋本 雄太 3, 小野寺 希望 3, 工藤 株式会社一浩 1
			 9p-PA2-11
有機薄膜トランジスタのゲート絶縁膜に対するプラズマ 〇松下 晟士 1, 水口 慶一郎 1, 堀 加太斗 1, 岩崎 好孝 1, 1. 東京農工大学
窒化処理の影響の調査
上野 智雄 1
			 9p-PA2-12
有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート 〇 (M1) 秦野 航輔 1, 中原 佳夫 1, 宇野 和行 1, 田中 一 1. 和歌大シス工
絶縁膜の光重合開始剤検討郎1
			 9p-PA2-13
2C4-BDT-dimer を用いた有機薄膜トランジスタにおける 〇 (M2) 森 慎吾 1, 大須賀 秀次 1, 宇野 和行 1, 田中 一 1. 和歌山大システム工
基板加熱フローコート法の改善郎1
			 9p-PA2-14
オールトナープリントテッドエレクトロニクスに向けた 〇堀内 友暉 1, 鈴木 雅士 1, 石田 将也 1, 酒井 正俊 1, 岡 1. 千葉大院工 , 2. 千葉大先進科学センター, 3. 日本化薬
金属粒子パターニングと超音波焼結プロセス
田 悠悟 2, 貞光 雄一 3, 橋本 雄太 3, 小野寺 希望 3, 工藤
一浩 1
			 9p-PA2-15
ドナーアクセプタ型高分子半導体を用いた塗布型有機ト 〇東中屋 美帆 1, 阿部 駿人 1, 永瀬 隆 1, 2, 小林 隆史 1, 2, 1. 大阪府大 , 2. 大阪府大 RIMED
ランジスタメモリのデバイス特性
内藤 裕義 1, 2
			 9p-PA2-16
塗布型有機フローティングゲートメモリの光メモリ特性 〇阿部 駿人 1, 永瀬 隆 1, 2, 石原 良晃 1, 野内 亮 1, 3, 小林 1. 大阪府大 , 2. 大阪府大分子エレクトロニックデバイスの波長依存性隆史 1, 2, 内藤 裕義 1, 2
研 , 3.JST さきがけ

12.4 有機 EL・トランジスタ / Organic light-emitting devices and organic transistors
			 9p-PA2-17
		

奨 9p-PA2-18

		

奨 9p-PA2-19

			 9p-PA2-20
			 9p-PA2-21
			 9p-PA2-22
			 9p-PA2-23

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			 9p-PA2-25
			 9p-PA2-26
			 9p-PA2-27
			 9p-PA2-28
			 9p-PA2-29
3/10(Sun.) 9:00 - 12:15
9:00		 10a-S222-1
9:15		 10a-S222-2
9:30		 10a-S222-3
9:45

奨 10a-S222-4

10:00

奨 10a-S222-5

10:15

奨 E 10a-S222-6

10:30		10:45		 10a-S222-7

11:00		 10a-S222-8

11:30		 10a-S222-10

11:45		 10a-S222-11
12:00

E 10a-S222-12

3/10(Sun.) 13:45 - 18:00
13:45		 10p-S222-1
14:00

E 10p-S222-2

14:15

奨 10p-S222-3

14:30

奨 10p-S222-4

14:45

奨 10p-S222-5

15:00

奨 10p-S222-6

15:15		15:30		 10p-S222-7
15:45		 10p-S222-8
16:00		 10p-S222-9
16:15		 10p-S222-10
16:30		 10p-S222-11
16:45		 10p-S222-12
17:00		

〇 (B) 晝間 悠生 1, 吉橋 裕二 1, 上辺 将士 2, 松原 雅
幸 2, 伊藤 彰浩 2, 野田 啓 1〇伊藤 達哉 1, Jeong Eunjeong1, 鈴木 充朗 2, 山田 容

1. 慶應大理工 , 2. 京大工

1. 奈良先端大物質 , 2. 阪大院工子1
〇 (M1) 手塚 優樹 1, 梅本 和輝 1, 武田 将貴 1, 呂 伯璋 1, 1. 山形大院理工 , 2. 山形大院有機シス , 3. 伊勢化工 , 4. 有
高橋 佳人 2, 千葉 貴之 2, 4, 浅倉 聡 3, 増原 陽人 1, 4
機エレ研

光学特性評価第一生体窓における有機半導体材料の近赤外発光特性評 〇森本 勝大 1, 中 茂樹 1
1. 富山大院理工価
1
1
1
プラズマ重合法による有機 EL 素子用アントラセン高分子 〇 (M1) 竹内 雅人 , 佐藤 祐喜 , 吉門 進三
1. 同志社大院理工
薄膜の作製と評価
アダマンチル基が有機 EL 素子寿命に与える影響〇伊藤 寛知 1, 清水 貴央 2, 深川 弘彦 1, 2
1. 東理大理 , 2.NHK 技研
酸素濃度を変えた 4CzIPN 溶液試料における発光減衰曲 川手 大輔 1, 〇萱苗 淳美 1, 石井 智也 1, 丹羽 顕嗣 1, 小 1. 大阪府大工 , 2. 大阪府大 RIMED, 3. 九大 OPERA,
1, 2
1, 2
3, 4, 5線
林 隆史 , 永瀬 隆 , 合志 憲一, 安達 千波
4. 九大 JST-ERATO, 5. 九大 WPI-I2CNER
矢 3, 4, 5, 内藤 裕義 1, 2
臭素置換された熱活性化遅延蛍光材料の光物性評価〇石井 智也 1, 川手 大輔 1, 小林 隆史 1, 2, 永瀬 隆 1, 2, 合 1. 大阪府大工 , 2. 大阪府大 RIMED, 3. 九大 OPERA, 4. 九志 憲一 3, 4, 5, 中野谷 一 3, 4, 5, 安達 千波矢 3, 4, 5, 内藤 裕 大 JST-ERATO 安達分子エキシトン工学プロジェクト ,義 1, 2
5. 九大 WPI-I2CNER異なる発光層を有する有機発光ダイオードの電荷輸送特 〇冨士本 直起 1, 高田 誠 1, 永瀬 隆 1, 2, 小林 隆史 1, 2, 内 1. 阪府大工 , 2. 阪府大分子エレクトロニックデバイス研
性、デバイス特性に関する研究
藤 裕義 1, 2
陰極に異なる透明導電膜を用いた逆構造有機発光ダイ〇上山 颯斗 1, 高田 誠 1, 永瀬 隆 1, 2, 小林 隆史 1, 2, 内藤 1. 大阪府立大工 , 2. 大阪府立大 - 分子エレクトロニック
オードの特性評価
裕義 1, 2
デバイス研
HAT-CN/ Ag/ HAT-CN を透明陽極に用いた有機 EL 素子 〇 (B) 稲留 亮祐 1, 谷 忠昭 2, 内田 孝幸 1
1. 東京工芸大 , 2. 日本写真学会の作製と評価光電流分布測定による二層有機 EL 素子の界面電荷トラッ 塚本 一樹 1, 山副 正顕 1, 〇貞方 敦雄 1
1. 九州産業大学
プ解析
1
1
1
正孔注入層の違いにおける Alq3 ベース逆構造有機 EL 素 〇 (M1) 青山 悟 , 清家 善之 , 森 竜雄
1. 愛知工大子の特性と評価
口頭講演 (Oral Presentation) S222 会場 (Room S222)
電荷移動錯体を用いた有機トランジスタ〇佐藤 諒之介 1, 劉 東昊 1, 東野 寿樹 2, 角屋 智史 3, 川 1. 東工大物質理工学院 , 2. 産総研 FLEC, 3. 兵庫県立大物
本 正 1, 森 健彦 1
質理
キノイド構造を有するビスチエノイサチン誘導体の合成 〇小原 章宏 1, 長谷川 司 1, 芦沢 実 1, 松本 英俊 1
1. 東工大物質理工と物性
液晶性有機半導体 Ph-BTBT-10 の多結晶薄膜におけるコ 〇油田 海維 1, 半那 純一 1, 飯野 裕明 1
1. 東工大未来研
ンタクト特性1231
ビチオフェンジオンを基調としたπ共役系ポリマーにお 〇 (P) 三木江 翼 , 深澤 愛子 , 山口 茂弘 , 尾坂 格
1. 広大院工 , 2. 京大 iCeMS, 3. 名大院理ける構造異性体が電荷輸送特性に及ぼす影響
ビロダニン誘導体をアクセプターに用いた電荷移動錯体 〇樊 書翔 1, 清田 泰裕 1, 飯嶋 広大 1, 梁 秀鎬 1, 川本
1. 東工大物質理工 , 2. レンヌ第一大学のトランジスタ特性
正 1, Gal Yann Le2, Lorcy Dominique2, 森 健彦 1
1
1
Improvement in the Performance of Organic Schottky〇 (D)Nikita Kumari , Manish Pandey , Suichi
1.Kyushu Inst. of Tech
Diodes through Combined Effect of Charge Double Layer Nagamatsu1, Shuzi Hayase1, Shyam S Pandey1
and Oxide Interlayer
休憩 /Break
有機半導体の結晶構造とキャリア移動度の予測：結晶構 〇小畑 繁昭 1, 2, 石井 宏幸 3, 新津 直幸 4, 渡邉 峻一
1. コンフレックス , 2. 豊橋技科大 , 3. 筑波大数物 , 4. 東大造予測シミュレーション
郎 4, 後藤 仁志 2, 広瀬 賢二 5, 小林 伸彦 3, 岡本 敏宏 4, 新領域 , 5. ＮＥＣ
竹谷 純一 4有機半導体の結晶構造とキャリア移動度の予測：移動度 〇石井 宏幸 1, 小畑 繁昭 2, 3, 新津 直幸 4, 渡邉 峻一
1. 筑波大数物 , 2. コンフレックス , 3. 豊橋技科大 , 4. 東大予測シミュレーション
郎 4, 後藤 仁志 3, 広瀬 賢二 5, 小林 伸彦 1, 岡本 敏宏 4, 新領域 , 5.NEC
4
竹谷 純一
ｐ型有機半導体 TMTES-pentacene 薄膜相の単結晶 X 線 〇 (M2) 圓岡 岳 1, 松井 弘之 1, 片桐 洋史 1, 藤原 渉 1, 1. 山形大院
構造解析とバンド計算およびトランジスタ特性
竹田 泰典 1, 時任 静士 1
半導体型カーボンナノチューブ高純度化による TFT 特性 〇平井 孝佳 1, 浅野 敏 2, 田中 丈士 2, 片浦 弘道 2, 磯貝 1. 東レ , 2. 産総研
向上
和生 1, 小林 康宏 1, 岡本 尚代 1, 西野 秀和 1, 村瀬 清一
郎1
均一なチャネル長を有する印刷電極を用いた塗布型有機 〇竹田 泰典 1, 逸見 悠大 1, 山崎 錬 1, 圓岡 岳 1, 村瀬 友 1. 山形大 ROEL, 2. 三菱ケミカル株式会社
トランジスタの特性ばらつき評価
英 2, 関根 智仁 1, 松井 弘之 1, 熊木 大介 1, 時任 静士 1
Investigation of the Sensing Mechanism of Dual-gate〇 (D)Olamikunle Osinimu Ogunleye1, Heisuke
1.Japan Advanced Institute of Science and Technology,
Low-voltage Organic transistor for Pressure Sensing by
Sakai1, Yuya Ishii2, Hideyuki Murata1
2.Kyoto Institute of Technology
Quantitative Analysis
口頭講演 (Oral Presentation) S222 会場 (Room S222)
２分子膜構造を持つ有機トランジスタにおけるバンド伝 〇 (D) 浜井 貴将 1, 荒井 俊人 1, 井上 悟 2, 3, 長谷川 達 1. 東京大学 , 2. 産総研 FLEC, 3. 日本化薬
導生 1, 2Melt-processing of highly crystalline organic〇 JeanCharles Maurice Ribierre1, 2, Zhao Li1, 2,
1.OPERA, Kyushu Univ., 2.JST-ERATO, 3.University ofsemiconducting layers for organic optoelectronics
Masanobu Uchiyama3, 4, Tetsuya Aoyama4, Anthony Tokyo, 4.RIKEN, 5.CNRS-UMI, 6.Sorbonne University
D'Aleo5, Fabrice Mathevet6, Chihaya Adachi1, 2
塗布型有機半導体単結晶薄膜の高撥水性基板への転写と 〇牧田 龍幸 1, 2, 熊谷 翔平 1, 佐々木 真理 1, 渡邉 峻一 1. 東大院新領域 , 2.OPERANDO-OIL, 3.JST さきがけ ,電界効果トランジスタへの応用
郎 1, 2, 3, 岡本 敏宏 1, 2, 3, 竹谷 純一 1, 2, 4
4. 物材機構高撥水性キャリア輸送界面を用いた塗布型有機トランジ 〇 (D) 北原 暁 1, 浜井 貴将 1, 松岡 悟志 1, 荒井 俊人 1, 1. 東大院工 , 2. 産総研 FLEC
スタの低電圧・安定駆動
長谷川 達生 1, 2
窒素添加 LaB6 界面制御層によるしきい値電圧制御型ペン 〇 (D) 前田 康貴 1, 朴 鏡恩 1, 小松 勇貴 1, 大見 俊一
1. 東工大工学院
タセン Pseudo-CMOS の低電圧動作
郎1
ダメージフリーリソグラフィを用いた高速有機単結晶ト 〇 (DC) 山村 祥史 1, 2, 左近 崇晃 1, 佐々木 真理 1, 渡邉 1. 東大新領域 , 2.OPERANDO-OIL, 3.JST さきがけ ,ランジスタ峻一郎 1, 2, 3, 岡本 敏宏 1, 2, 3, 竹谷 純一 1, 2, 4, 5
4. 物材機構 , 5. パイクリスタル
休憩 /Break1
1
1
1
フレキシブル基板上の有機物理複製困難関数の安定性評 〇栗原 一徳 , 延島 大樹 , 武居 淳 , 植村 聖 , 吉田
1. 産総研価学1
ESR 分光を用いた有機トランジスタの両極性電荷状態と 〇山添 昌人 1, 井口 翔平 1, 常友 菜穂 1, 丸本 一弘 1, 2
1. 筑波大数物 , 2. 筑波大エネ物質科学セ
分子配向の研究
1, 2324
層状結晶性有機半導体の固相 - 固相転移とアルキル鎖秩 〇荒井 俊人 , 井上 悟 , 東野 寿樹 , 田中 睦生 , 長 1. 東大院工 , 2. 産総研 , 3. 日本化薬 , 4. 埼工大生命
序化の役割
谷川 達生 1, 2
トランスダイオードモードにおける有機トランジスタの 〇末永 悠 1, 永瀬 隆 1, 2, 小林 隆史 1, 2, 内藤 裕義 1, 2
1. 大阪府大工 , 2. 大阪府大分子エレクトロニックデバイ
周波数特性ス研
有機 MOS キャパシタの電圧・周波数特性解析〇木村 由斉 1, 服部 吉晃 1, 北村 雅季 1
1. 神戸大院工111
低電圧駆動有機電界効果トランジスタメモリにおける〇阿部 泰之 , 酒井 平祐 , 村田 英幸
1. 北陸先端大ホールトラップ容量の解析
休憩 /Break

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

11:15		 10a-S222-9

メチル基置換イミダゾール誘導体を用いたフラーレン誘導体薄膜への電子ドーピング
効率的な電荷キャリア輸送に向けた
テトラベンゾポルフィリンの分子エンジニアリング
発光デバイスを指向した添加アミン種による
CH3NH3PbBr3 ペロブスカイトナノ結晶のサイズ制御と12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

17:15

E 10p-S222-13 Magnetophotocurrent of Field Effect Transistors Based on 〇 Nguyen Quang Loc1, Toan Pham-song1, Hirokazu 1.Osaka Univ.
Ternary Device of Tetracene/Pentacene/Fullerene
Tada1
17:30		 10p-S222-14 製造工程簡略化を指向して電子吸引性 SAM 材料を混合し 〇中原 勝正 1, 山梨 裕介 1, 小池 俊弘 1
1.JNC 石油化学（株）
た有機半導体インク
17:45		 10p-S222-15 SAM 膜中での金属原子のクラスタリングと拡散：第一原 〇渡邊 駿汰 1, 中山 隆史 1
1. 千葉大学
理計算による検討
3/11(Mon.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) S222 会場 (Room S222)
9:00		 11a-S222-1
有機半導体レーザ発振における電流励起と光励起の相関 〇谷垣 勝己 1, 2, カナガセカラン サンガベル 1, 下谷
1. 東北大 AIMR, 2. 東北大院理秀和 2, 小貫 駿 2, 三浦 大輝 2
12
9:15		 11a-S222-2
FET 構造による電流注入型有機半導体 DFB レーザー〇下谷 秀和 , カナガセカラン サンガベル , 小貫
1. 東北大理 , 2. 東北大 AIMR
駿 1, 三浦 大輝 1, 谷垣 勝己 1, 2
9:30
E 11a-S222-3
Organic semiconductor distributed feedback (DFB) laser 〇 SANGARANGE DONATULA
1.OPERA, Kyushu Univ, 2.JST/ERATO, 3.I2CNER,SANDANAYAKA1, 2, Toshinori Matsushima1, 2, 3,
Kyushu Univ., 4.ISIT4
1, 2
1, 2
Fatima Bencheikh , Shinobu Terakawa , William
Potscavage1, 2, Chuanjiang Qin1, 2, Takashi Fujihara4,
Kenichi Goushi1, 2, 3, Jean-Charles Ribierrea1, 2,
Chihaya Adachi1, 2, 3, 4
9:45		 11a-S222-4
三重項失活剤の導入による有機薄膜の励起状態安定性の 〇松島 敏則 1, 2, 3, 吉田 誠矢 2, 3, 稲田 工 2, 3, 江崎 有 2, 3, 1. 九大 I2CNER, 2. 九大 OPERA, 3.JST・ERATO
向上
福永 利哉 2, 3, 三重野 寛之 2, 3, 中村 望 2, 3, Bencheikh
Fatima2, 3, Leyden Matthew R.2, 3, 小松 龍太郎 2, 3, Qin
Chuanjiang2, 3, Sandanayaka Atula S. D.2, 3, 安達 千波
矢 1, 2, 3
10:00		 11a-S222-5
機械学習を用いた量子ドット発光ダイオードの効率支配 〇佐野 翔一 1, 高田 誠 1, 永瀬 隆 1, 2, 小林 隆史 1, 2, 内藤 1. 阪府大工 , 2. 阪府大分子エレクトロニックデバイス研
因子の解明とデバイス作製
裕義 1, 2
10:15		 11a-S222-6長鎖アルキルカチオン - ケイ素含有アニオンイオン液体 〇平松 考樹 1, 鈴木 貴斗 1, 酒井 平祐 1, 村田 英幸 1
1. 北陸先端大 先端科学技術を用いた高効率電気化学発光セル
10:30		休憩 /Break
10:45		 11a-S222-7
塗布法により作製した誘電体ミラーを内包した絶縁型交 〇梶井 博武 1, 唐木 達矢 1, 森藤 正人 1, 近藤 正彦 1
1. 阪大院工
流駆動有機 EL 素子の発光スペクトル狭帯域化
11:00		 11a-S222-8
塗布形成したナノハイブリッド電子バッファー層による 〇伊東 栄次 1, 田口 玲央 1, 福田 勝利 2
1. 信大工 , 2. 京大
逆構造青色 / 白色 OLED の高効率化に向けた検討
1
1
1, 2, 3
11:15		 11a-S222-9
ヘキサフェニルベンゼン誘導体ホール輸送材料を用いた 〇鎌田 嵩弘 , 伊藤 望 , 笹部 久宏, 五十嵐 正1. 山形大院有機シス , 2. 山形大有機エレ研セ , 3. 山形大
緑・水色熱活性化遅延蛍光有機 EL 素子の長寿命化
拓 2, 3, 城戸 淳二 1, 2, 3
有機シスフロセ
11:30		 11a-S222-10 クリセン誘導体電子輸送材料群の開発と有機 EL 素子への 〇 (M1) 大和田 宰 1, 笹部 久宏 1, 2, 3, 渡邊 大貴 1, 丸山 1. 山形大学大学院 , 2. 山形大有機エレ研セ , 3. 山形大有
応用朋洋 1, 渡邊 雄一郎 2, 片桐 洋史 1, 2, 3, 城戸 淳二 1, 2, 3
機材料セ
11:45		 11a-S222-11 フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴イメージング質 〇武井 美久 1, 宮里 朗夫 2, 酒井 平祐 1, 村田 英幸 1
1. 北陸先端大 先端科学技術 , 2. 北陸先端大 ナノセン
量分析法を用いたりん光有機 EL 素子の劣化解析
ター
12:00
E 11a-S222-12 Twofold enhancement in reliability of organic light〇 (D)Duy Cong Le1, Li Yining1, Heisuke Sakai1,
1.Japan Advanced Inst. of Science and Technology
emitting diodes with thermally-induced morphological
Hideyuki Murata1
change of organic layer
3/11(Mon.) 13:45 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) S222 会場 (Room S222)
13:45		 11p-S222-1 ペロブスカイト系半導体と ( チオフェン / フェニレン ) コ 〇佐々木 史雄 1, 椋橋 奈穂 2, 柳 久雄 2
1. 産総研電子光技術 , 2. 奈良先端大物質
オリゴマーとのダブルヘテロ構造
1
2
3, 4
5
14:00
奨 11p-S222-2 超音波ビーズミルによる CH3NH3PbBr3 ペロブスカイト 〇梅本 和輝 , 佐々木 大輝 , 千葉 貴之 , 浅倉 聡 , 1. 山形大院理工 , 2. 山形大工 , 3. 山形大院有機シス , 4. 有ナノ結晶の作製
増原 陽人 1, 4
機エレ研 , 5. 伊勢化工
14:15
奨 11p-S222-3 多階層計算によるホスト – ゲスト系有機 EL 発光層の電荷 〇森脇 千騎 1, 久保 勝誠 1, 梶 弘典 1
1. 京大化研
輸送解析
14:30
奨 11p-S222-4 多階層計算によるシクロパラフェニレン非晶薄膜の凝集 〇澤田 彩日 1, 久保 勝誠 1, 茅原 栄一 1, 山子 茂 1, 梶 弘 1. 京大化研
構造および電荷輸送解析
典1
14:45 奨 E 11p-S222-5 Design of OLED glass patterns for enhanced outcoupling 〇 (M2)Savanna Rae Lloyd1, Tatsuya Tanigawa2,
1.JAIST, 2.IMRA America Inc.
efficiency and good colour stability
Hideyuki Murata1
15:00
奨 11p-S222-6 PHPS を用いた有機 EL の塗布型 TFE 封止構造の開発〇上村 佳歩 1, 吉田 麗娜 2, 飯田 真一 3, 高橋 辰宏 1, 硯 1. 山形大院有機シス , 2. 山形大有機イノベ , 3. アルバッ
里 善幸 2
ク・ファイ
15:15		休憩 /Break
15:30		 11p-S222-7 高純度オゾン由来の活性種を用いた Al2O3 バリア膜の室 〇亀田 直人 1, 三浦 敏徳 1, 森川 良樹 1, 花倉 満 1, 中村 1. 明電舎 , 2. 産総研
温 ALD 成膜
健 2, 野中 秀彦 2
15:45		 11p-S222-8 アルミキノリノール錯体の電子電流成分の評価とデバイ 〇森 竜雄 1, 神谷 涼平 1, 前原 良亮 1, 青山 悟 1, 清家 善 1. 愛知工大工
ス特性との相関性
之1
16:00		 11p-S222-9 駆動中有機 EL 内部のキャリア挙動解析：高効率青色発光 〇佐藤 友哉 1, 宮前 孝行 1, 大畑 浩 2, 筒井 哲夫 2
1. 産総研 , 2. 次世代化学材料評価技術組合素子に対する電界誘起 2 重共鳴 SFG 分光の適用
16:15		 11p-S222-10 オペランド時間分解電界誘起 2 重共鳴 SFG による青色発 〇宮前 孝行 1, 佐藤 友哉 1, 大畑 浩 2, 筒井 哲夫 2
1. 産総研 , 2. 次世代化学材料評価技術組合
光有機 EL 素子駆動時の電荷挙動
16:30		 11p-S222-11 熱活性化遅延蛍光発光ダイオードの電荷状態のオペラン 〇祐本 晋太郎 1, 勝俣 潤哉 1, 大澤 文也 1, 和田 啓幹 2, 1. 筑波大数物 , 2. 京大化研 , 3. 筑波大エネ物質化学セド ESR 分光研究
鈴木 克明 2, 梶 弘典 2, 丸本 一弘 1, 3
16:45		 11p-S222-12 有機 LED 中の電子正孔対に対する電流検出及び EL 検出 〇鐘本 勝一 1, 2, 畑中 秀人 1, 岩本 晃典 1, 鈴木 貴之 3
1. 阪市大院理 , 2. 南部研 , 3.( 株 ) JEOL RESONANCE
磁気共鳴
1
2
1
17:00		 11p-S222-13 有機共蒸着膜における巨大表面電位
長田 航平 , 石井 久夫 , 〇野口 裕
1. 明治大 , 2. 千葉大
12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells
3/9(Sat.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) S222 会場 (Room S222)
9:00		 9a-S222-1
フッ化アミン処理によるペロブスカイト太陽電池の高性 〇石川 良 1, 上野 啓司 1, 白井 肇 1
1. 埼玉大院理工能化
9:15		 9a-S222-2
フッ素系ポリマー混成ペロブスカイト太陽電池の作成と 〇 (M1) 守屋 佑馬 1, 石川 良 1, 上野 啓司 1, 白井 肇 1
1. 埼玉大院理工評価
9:30		 9a-S222-3
過酸化物沈殿法により作製した Ba1-xLaxSnO3 の作製及び 〇 (M1) 石川 弘記 1, 石川 良 1, 白井 肇 1
1. 埼大院理工
評価
1, 2
3
3
2
9:45		 9a-S222-4
X 線回折法を用いた FA0.85Cs0.15PbI3 分解過程の評価〇小薗江 幹太 , 池上 和志 , 宮坂 力 , 小林 大輔 , 1. 早大理工 , 2. 宇宙研 , 3. 桐蔭横浜大学
山本 知之 1, 廣瀬 和之 1, 2
10:00		 9a-S222-5
ルビジウムドープ高耐熱型ペロブスカイト太陽電池〇沼田 陽平 1, 實平 義隆 2, 石川 良 3, 白井 肇 3, 宮坂
1. 東大先端研 , 2. 桐蔭大院工 , 3. 埼玉大院理工
力2
1
2
2
1
10:15		 9a-S222-6
バンドギャップのチューニングによる Nb ドープ酸化チ 〇實平 義隆 , 柴山 直之 , 沼田 陽平 , 池上 和志 , 宮 1. 桐蔭横浜大学 , 2. 東大先端研
タン／ペロブスカイト太陽電池の高効率化
坂 力1
10:30		休憩 /Break10:45
招 9a-S222-7 「第 19 回業績賞（研究業績）受賞記念講演」〇宮坂 力 1
1. 桐蔭横浜大有機無機ペロブスカイト太陽電池の創製と高効率化
11:30		 9a-S222-8
APbX3 ハロゲン化鉛ペロブスカイト単結晶における不純 〇山田 泰裕 1, 保屋野 瑞希 1, 音 賢一 1, 金光 義彦 2
1. 千葉大院理 , 2. 京大化研
物ドーピング効果

12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells
11:45		 9a-S222-9

レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたペロブスカイト太陽電池の劣化評価
12:00		 9a-S222-10逆構造ペロブスカイト太陽電池材料の積層膜界面における電荷移動の ESR 分光研究
3/9(Sat.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) S222 会場 (Room S222)
13:45
招 9p-S222-1 「講演奨励賞受賞記念講演」
ハロゲン化金属ペロブスカイトにおける光位相シフトと可変波長板への応用
14:00
奨 9p-S222-2
有機鉛ペロブスカイト製膜過程リアルタイム観察
14:15

奨 9p-S222-3

14:30

奨 9p-S222-4

14:45

奨 9p-S222-5

15:00

奨 E 9p-S222-6

15:15		15:30 奨 E 9p-S222-7

15:45

奨 E 9p-S222-8

16:00		 9p-S222-9
16:15		 9p-S222-10
16:30

E 9p-S222-11

16:45

E 9p-S222-12

3/10(Sun.) 9:30 - 11:30
			 10a-PB1-1
		

E 10a-PB1-2

			 10a-PB1-3
		

E 10a-PB1-4

			 10a-PB1-5
			 10a-PB1-6
		
E 10a-PB1-7

			 10a-PB1-9

			 10a-PB1-10
			 10a-PB1-11
			 10a-PB1-12
		

E 10a-PB1-13

			 10a-PB1-14

			 10a-PB1-15
			 10a-PB1-16
		

E 10a-PB1-17

			 10a-PB1-18

			 10a-PB1-19
		

E 10a-PB1-20

			 10a-PB1-21
			 10a-PB1-22
			 10a-PB1-23〇田原 弘量 1, 半田 岳人 1, 阿波連 知子 1, 若宮 淳志 1, 1. 京大化研
金光 義彦 1
〇阿内 悠人 1, 2, 宮寺 哲彦 2, 山本 晃平 2, 小金澤 智

1. 埼玉大 , 2.AIST, 3.JASRI之 3, 近松 真之 2, 吉田 郵司 2, 矢口 裕之 1
放射光を用いた CsPbI3 蒸着過程の 2 次元 X 線回折による 〇山本 晃平 1, 宮寺 哲彦 1, 阿内 悠人 1, 2, 小金澤 智
1. 産総研 , 2. 埼玉大 , 3.JASRI
その場観察
之 3, 近松 真之 1
CH3NH3PbBr3 単結晶基板上 CH3NH3Pb(BrCl)3 混晶ヘテ 〇 (M2) 木村 浩平 1, 松下 智紀 1, 2, 近藤 高志 1, 2
1. 東大工 , 2. 東大先端研
ロエピタキシャル膜の形成
111ハロゲン化鉛ペロブスカイトのアンチストークス発光と 〇山田 琢允 , 阿波連 知子 , 金光 義彦
1. 京大化研
レーザー冷却Trap Landscape and Carrier Dynamics of SnGe Perovskite 〇 (P)Chi Huey Ng1, Kengo Hamada1, Daisuke
1.Kyushu Inst. of Tech, 2.Univ. of Electro-Com, 3.Univ.
Solar Cell
Hirotani1, Satoshi Iikubo1, Qing Shen2, Kenji
of Miyazaki, 4.Ritsumeikan Univ.
3
4
1
Yoshino , Takashi Minemoto , Shuzi Hayase
休憩 /Break
Toward High performance and stable perovskite solar cells 〇 (PC)GyuMin Kim1, Tsutomu Miyasaka1
1.Toin Univ. Yokohama
by the process from regulation of solvent evaporation to
the Ge-doping in B site
Application of nanoporous Au film as electrodes for high 〇 (D)Yang Fengjiu1, Keisuke Shinokita1, Yuhei
1.Inst. Adv. Energy Kyoto Univ., 2.Inst. Chem. Res.
efficient perovskite solar cells
Miyauchi1, Atsushi Wakamiya2, Luyang Chen3,
Kyoto Univ., 3.East China Univ. Sci. and Tec.
Kazunari Matsuda111
鉛系ペロブスカイト太陽電池における曲線因子の支配要 〇 Kim HyungDo , 大北 英生
1. 京大院工因
ヨウ化メチルアンモニウム処理によるペロブスカイト結 〇古郷 敦史 1, 村上 拓郎 1, 近松 真之 1
1. 産総研晶の組成制御と高効率太陽電池の開発
Blade coating 2D/3D Perovskites films for high efficiency 〇 (M2)MinYao Hou1, KunMu Lee1
1.Chang Gung Univ.
and stable Perovskites solar cells
Low defect density of Perovskites films for high efficiency 〇 (M2)ChangChieh Ting1, KunMu Lee2
1.National Central Univ., 2.Chang Gung Univ.
Perovskites solar cells
ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
ナノ高分散 C60 を用いたバルクヘテロ薄膜太陽電池の高 〇加藤 岳仁 1, 黒川 侑暉 1, 東 昇馬 1, Ruheine Naidu 1. 小山高専 , 2. アシザワ・ファインテック（株）
効率化
Chandren1, 舩山 智信 2, 石井 利博 2, 石川 剛 2Material investigation for efficient organic pn〇 (D)JiHyun Lee1, 2, Seiichiro Izawa1, 2, Masahiro
1.IMS, 2.SOKENDAI
homojunction solar cell
Hiramoto1, 2123分子配向が制御された有機半導体分子の結晶相転移〇堀川 孝史 , 山本 晃平 , Md Shahiduzzaman , 辛川 1. 金大電化研 , 2. 産総研 , 3.NanoMari, 4.InFiniti, 5.
誠 1, 3, 4, 5, 高橋 光信 1, 5, 當摩 哲也 1, 3, 5
RSET
Air-processed ternary active layers for neutral color
Takashi Sano1, Shusei Inaba1, 〇 Varun Vohra1
1.Univ. Electro-Comm.
transparent polymer solar cells
機械学習による逆構造有機薄膜太陽電池の効率予測〇中嶋 悠翔 1, 永瀬 隆 1, 2, 小林 隆史 1, 2, 内藤 裕義 1, 2 1. 大阪府大工 , 2. 大阪府大分子エレクトロニックデバイ
ス研
屋内 LED 光照射下における有機薄膜太陽電池の特性評価 〇近松 真之 1, 堤 若菜 1, 望月 博孝 1, 吉田 郵司 1
1. 産総研Surface plasmonic effect of hybrid Au nanoparticles〇(D)Siriporn Anuthum1, 2, Sopit Phetsang2, Apichat 1.Niigata Univ., 2.Chiang Mai Univ., 3.Prince of Songkla
incorporating with metallic grating enhanced organic
Pangdam3, Pitchaya Mungkornasawakul2, Chutiparn Univ.
thin-film solar cells
Lertvachirapaiboon1, Ryousuke Ishikawa1, Kazunari
Shinbo1, Keizo Kato1, Futao Kaneko1, Kontad
Ounnunkad2, Akira Baba1
コンタクトレンズ上への有機薄膜太陽電池の製膜技術〇丹菊 大輝 1, 小林 大輝 1, 羽谷 大輔 1, 三宅 脩馬 1, 稲 1. 愛知工大
垣 奈々1, 森 竜雄 1, 清家 善之 1
4 つの DPP テトラエチニル基で架橋されたマグネシウム 〇中川 貴文 1, 王 歓 2, 岳 启慧 3, Zieleniewska Anna4, 1. 東大院工 , 2. 中国科技大 , 3. 中国科学院 , 4.FAU, 5. 都
ポルフィリンの合成とその太陽電池特性
岡田 洋史 1, 小汲 佳祐 5, 上野 裕 6, Guldi Dirk4, 朱 晓 産技研 , 6. 東北師大张 3, 松尾 豊 1, 2
白色 LED 光源対応型高電圧タンデム DSC の提案〇小久保 裕貴 1, 藤本 康平 1, 金子 恵太 1, 生野 孝 1
1. 東理大Polypyrrole 複合電極の I3- に対する還元作用の評価〇 (M1) 高見 慧 1, 大谷 優太 1, 星 肇 1
1. 山口東京理科大工
ダウン／アップコンバージョンナノ粒子を用いた色素増 Chawarambwa Fadzai1, 張 博辰 1, 鎌滝 晋礼 1, 板垣 奈 1. 九大シス情 , 2.Inje Univ., Korea
感太陽電池の特性改善
穂 1, 〇古閑 一憲 1, 白谷 正治 1, 徐 鉉雄 2
Control Properties of TiO2 Electron Transport Layer for 〇 Lee KunMu1, Lin WeiJhih1
1.Chang-Gung Univ.
High Efficiency Perovskite Solar Cells
p-i-n 逆構造 MAPbI3 ペロブスカイト太陽電池における〇藤原 隆 1, 2, 菅原 峻 3, 前田 真一 3, 下位 祐子 1, 王 胖 1. 九州先端研 , 2. 有機光エレ実用化開発セ , 3. 株式会社
PEDOT:PSS のエネルギーシフト抑制による開放端電圧 胖 1, 小林 慎一郎 2, シン センコウ 4, 松島 敏則 4, 伊左 日産化学 , 4. 九大 OPERAの向上
治 忠之 3, 河西 容督 3, 八尋 正幸 1, 2, 安達 千波矢 1, 2, 4
有機無機ハイブリッドペロブスカイト太陽電池における 〇 (M1) 松山 明日 1, 小堀 天 1, 鄭 敏喆 1, 小島 広孝 1, 1. 奈良先端大
超薄型正孔輸送層としての P3 ポリマーの評価
辨天 宏明 1, 中村 雅一 1
バーコート法による FA0.76Cs0.19PEA0.05PbI3 薄膜の作製と 〇 (M2) 高橋 浩太郎 1, 石川 良 1, 白井 肇 1
1. 埼玉大院理工太陽電池
Effect of TiCl4 Treatment on Low-Temperature Processed 〇(M2)Visal Sem1, Shahiduzzaman Md2, 1, Kuniyoshi 1.Tokai Univ., 2.Kanazawa Univ.
Brookite TiO2 Nanoparticle Layers for Electron Transport Mizuki1, Kaneko Tetsuya1, Katsumata Tetsuhiro1,
Layer of Efficient Planar Perovskite Solar Cells
Iwamori Satoru1, Tomita Koji1, Isomura Masao1
ペロブスカイト構造結晶に対する光伝導性測定〇河根 拓哉 1, Matt Gebhard2, Osvet Andres2,
1.名工大, 2.FAU, 3.Yuriy Fedkovych Chernivtsi National
Shrestha Shreetu2, Jevgen Levchuk2, Brabec
University
2
3
3
Christoph , Kanak Andrii , Fochuk Petro , 加藤 正
史1
PbI2 下層と 1 ステップ法を組み合わせた有機ペロブスカ 〇近藤 良紀 1, 岡田 紘幸 1, エゼ ビンセント オビオ 1. 愛知工大
イト太陽電池の作製と評価
ゾ 1, 清家 善之 1, 森 竜雄 1
One-pot synthesis of D–p–D–p–D type holetransporting 〇 (M2)ChangChieh Ting1, KunMu Lee2, KuanMing 1.National Central Univ., 2.Chang Gung Univ.
materials for perovskite solar cells by sequential C–H
Lu1, Ching-Yuan Liu1
(hetero)arylations
ペロブスカイト太陽電池における酸化チタン (IV) 薄膜の 〇竹内 大将 1, 木内 宏弥 1, 伊東 和範 1, 牛膓 雅人 1, 小 1. 法政大院 , 2. 法政大生命科学 , 3. 法政大マイクロ・ナ
作製法が太陽電池特性に及ぼす効果
林 敏弥 1, 深澤 祐輝 1, 梅田 龍介 2, 緒方 啓典 1, 2, 3
ノ研
ペロブスカイト太陽電池を構成する電子輸送層の表面処 〇伊東 和範 1, 木内 宏弥 1, 竹内 大将 1, 牛膓 雅人 1, 小 1. 法大院理工 , 2. 法大生命 , 3. 法大ナノ研
理が電子輸送特性に及ぼす影響
林 敏弥 1, 深澤 祐輝 1, 梅田 龍介 2, 緒方 啓典 1, 2, 3
ハロゲン化鉛ペロブスカイトナノ結晶の作成および物性 〇牛膓 雅人 1, 木内 宏哉 1, 竹内 大将 1, 伊東 和範 1, 小 1. 法大院理工 , 2. 法大生命 , 3. 法大ナノ研
評価
林 敏弥 1, 深澤 祐輝 1, 梅田 龍介 2, 緒方 啓典 1, 2, 3

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

			 10a-PB1-8〇伊藤 明 1, 望月 敏光 3, 高遠 秀尚 3, 中西 英俊 1, 川山 1.SCREEN, 2. 阪大レーザー研 , 3. 産総研 FREA, 4. 産総
巌 2, 斗内 政吉 2, 西原 佳彦 4, 近松 真之 4, 吉田 郵司 3, 4 研〇木全 晴 1, 五反田 武志 1, 薛 冬 1, 浅井 遥香 1, 嶋﨑
1. 筑波大数物 , 2. 京大化研 , 3. 筑波大エネ物質科学セ
愛 2, 若宮 淳志 2, 丸本 一弘 1, 3

12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

			 10a-PB1-24

有機 - 無機ペロブスカイト化合物薄膜の耐久性評価Ⅲ〇 (M1) 深澤 祐輝 1, 木内 宏弥 1, 竹内 大将 1, 伊東 和 1. 法大院理工 , 2. 法大生命 , 3. 法大ナノ研
範 1, 牛膓 雅人 1, 小林 敏弥 1, 梅田 龍介 2, 緒方 啓
典 1, 2, 3
			 10a-PB1-25 表面処理を行った酸化ニッケル膜を用いた逆構造型ペロ 〇 (M1) 小林 敏弥 1, 木内 宏弥 1, 竹内 大将 1, 伊東 和 1. 法大院理工 , 2. 法大生命 , 3. 法大ナノ研
ブスカイト太陽電池の作製及び特性評価
範 1, 牛膓 雅人 1, 深澤 祐輝 1, 梅田 龍介 2, 緒方 啓
典 1, 2, 3
			 10a-PB1-26 ハロゲン化セシウム鉛ペロブスカイト薄膜の作製と特性 〇梅田 龍介 1, 木内 宏弥 2, 竹内 大将 2, 伊東 和範 2, 小 1. 法大生命 , 2. 法大院理工 , 3. 法大ナノ研
評価
林 敏弥 2, 牛膓 雅人 2, 深澤 祐輝 2, 緒方 啓典 1, 2, 3
			 10a-PB1-27 逆構造型ペロブスカイト太陽電池におけるヨウ化鉛の純 〇林 亮磨 1, 酒井 涼伍 1, 森 竜雄 1, 清家 善之 1
1. 愛知工大度における影響評価
			 10a-PB1-28 PEDOT:PSS/Si 太陽電池の添加剤による性能向上〇坂田 俊樹 1, 池田 なつみ 1, 加治屋 大介 1, 2, 齋藤 健 1. 広島大院理 , 2. 広島大自然セ
一 1, 2
			 10a-PB1-29 界面パッシベーションによる PbS 量子ドット /ZnO ナノ 〇 (B) 中村 眞子 1, 丁 超 1, 大図 修平 1, 吉田 康二 1, 吉 1. 電通大基盤理工 , 2. 九工大生命体工
ワイヤヘテロ接合太陽電池の開放電圧の向上
原 泰葉 1, 早瀬 修二 2, 豊田 太郎 1, 沈 青 1
			 10a-PB1-30 逆オパール構造 TiO2 光電極を用いた Sb2S3 固体型増感太 〇 (M1) 吉原 泰葉 1, 豊田 太郎 1, 早瀬 修二 2, 沈 青 1
1. 電通大先進理工 , 2. 九工大生命体工
陽電池
			 10a-PB1-31 CsSnxPb1-xBr3 ペロブスカイト量子ドットの合成と光学的 〇川畑 健大朗 1, 劉 峰 1, 安田 寛啓 1, 吉田 康二 1, 豊田 1. 電通大先進理工 , 2. 九工大生命体工特性
太郎 1, 早瀬 修二 2, 沈 青 1
			 10a-PB1-32 変調光電流法による順構造・逆構造 P3HT: PCBM 有機薄 〇森 聖仁 1, 野島 大希 1, 小林 隆史 1, 2, 永瀬 隆 1, 2, 内藤 1. 大阪府大工 , 2. 大阪府大分子エレクトロニックデバイ
膜太陽電池の電荷輸送特性
裕義 1, 2
ス研			 10a-PB1-33 熱前駆体法で作製した有機半導体薄膜における分子の構 〇岡本 直也 1, 鈴木 充朗 2, 山田 容子 1
1. 奈良先端大物質 , 2. 阪大院工造－配向相関1
2
2
			 10a-PB1-34 ビニレンで架橋されたアルコキシフルオロベンゾチアジ 〇浅沼 佑哉 , 森 裕樹 , 西原 康師
1. 岡山大院自然 , 2. 岡山大基礎研
アゾールを主骨格とする半導体ポリマーの開発
3/11(Mon.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) S221 会場 (Room S221)
9:00		 11a-S221-1
ハロゲン化鉛ペロブスカイト化合物薄膜におけるイオン 〇緒方 啓典 1, 2, 3, 4, 西村 智朗 3, 竹内 大将 4, 伊東 和
1. 法政大生命科学 , 2. 法政大マイクロ・ナノ研 , 3. 法政
照射効果 (II)
範 4, 小林 敏弥 4, 牛膓 雅人 4, 深澤 祐輝 4, 梅田 龍介 1 大イオン研 , 4. 法政大院理工研
1
1
2
2
9:15		 11a-S221-2
酸化グラフェンを正孔バッファー層として用いた逆構造 〇尾川 卓 , 伊東 栄次 , 小野 博信 , 郷田 隼
1. 信州大工 , 2. 日本触媒
ペロブスカイト太陽電池
9:30		 11a-S221-3
グラフェン / ペロブスカイト太陽電池のグラフェン層数 〇石川 亮佑 1, 山崎 荘平 1, 渡部 翔 1, 坪井 望 1
1. 新潟大工変化による特性評価
11
1
2
9:45		 11a-S221-4
気相法をベースとしたペロブスカイト太陽電池の作製プ 〇瀬戸 悟 , 有馬 佳宏 , 山田 悟 , 鈴木 和彦
1. 石川高専 , 2. 北海道科学大学
ロセス
10:00		 11a-S221-5
電荷輸送層に非晶質 Si 膜を用いた MAPbI3 太陽電池
〇 (M2) 浜田 啓太郎 1, 桒原 大輝 2, 當摩 哲也 2, 山本 1. 北陸先端大 , 2. 金沢大 , 3. 産総研
晃平 3, 宮寺 哲彦 3, 大平 圭介 1
10:15		 11a-S221-6
同時蒸着法による CsPbBr3 受光器の作製〇村田 歩紀 1, 西村 達矢 1, 宮島 晋介 1
1. 東工大工学院
10:30		休憩 /Break10:45
E 11a-S221-7 【Highlight】Reduced strain by cesium addition leading to 〇 (PC)Gaurav Kapil1, 2, Takeru Bessho1, Chi Huey
1.The Univ. of Tokyo, 2.Kyu. Inst. of Tech., 3.Uni. of
the improvement in the efficiency of tin-lead mixed
Ng2, Kengo Hamada2, Takumi Kinoshita1, Qing
Elec. Comm., 4.AIST
perovskite solar cells
Shen3, Taro Toyoda3, Takurou N. Murakami4,
1
2
Hiroshi Segawa , Shuzi Hayase
11:00
E 11a-S221-8
Surface passivation of tin perovskite solar cells using〇 (P)Akmal Kamarudin1, Daisuke Hirotani1, Kohei 1.Kyushu Inst. of Tech, 2.Univ. of Electro-Com,organic molecule
Nishimura1, Kengo Hamada1, Qing Shen2, Taro
3.Ritsumeikan Univ., 4.Univ. of Miyazaki
Toyoda2, Satoshi Iikubo1, Takashi Minemoto3, Kenji
41
Yoshino , Shuzi Hayase
11:15		 11a-S221-9
A サイト置換による Sn-Perovskite 太陽電池特性と結晶歪 〇西村 滉平 1, 廣谷 太佑 1, Kamarudin Muhammad
1. 九工大生命工 , 2. 電気通信大学 , 3. 立命館大学 , 4. 宮崎
みの相関
Akmal1, 飯久保 智 1, 沈 青 2, 豊田 太郎 2, 峯元 高志 3, 大学
吉野 賢二 4, 早瀬 修二 1
11:30		 11a-S221-10 鉛フリーペロブスカイト表面における 2D 前駆体のパッ 〇廣谷 太佑 1, 西村 滉平 1, Muhammad Akmal
1. 九州工大生命体工 , 2. 電通大情報理工 , 3. 立命館大
シベーション効果
Kamarudin1, 沈 青 2, 峯元 高志 3, 早瀬 修二 1
11:45
E 11a-S221-11 Low-Temperature-Processed Brookite-Based TiO2
〇 Md Shahiduzzaman1, 2, Sem Visal2, Mizuki
1.Kanazawa Univ., 2.Tokai Univ., 3.Waseda Univ.,
Heterophase Junction Electron Transport Layer Boosts
Kuniyoshi2, Tetsuya Kaneko2, Shinjiro Umezu3,
4.Tohoku Univ.
2
2
Performance of Planar Perovskite Solar Cells
Tetsuhiro Katsumata , Satoru Iwamori , Masato
Kakihana4, Tetsuya Taima1, Masao Isomura2, Koji
Tomita2
12:00		 11a-S221-12 イオンブロック層を有する逆型ペロブスカイト太陽電池 〇五反田 武志 1, 2, 森 茂彦 1, 大岡 青日 1, 天野 昌朗 1, 1. 東芝研究開発センター, 2. 東芝エネルギーシステムズの開発
都鳥 顕司 1, 中尾 英之 1, 水口 浩司 1
3/11(Mon.) 13:45 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) S221 会場 (Room S221)
13:45		 11p-S221-1 PEDOT:PSS 対極下の仕事関数が色素増感太陽電池の特 〇安藤 昌也 1, 村田 侑里恵 1, 加藤 慎也 1, 岸 直希 1, 曾 1. 名工大院工性に与える影響
我 哲夫 1
14:00
E 11p-S221-2 Hybrid silicon quantum dots perovskites blended solar〇 (B)Svrcek Vladimir1, Calum McDonald1, Conor
1.AIST Tsukuba, 2.University of Ulster
cells.
Rocks2, Mickael Lozac'h1, Davide Mariotti2, Takuya
Matsui1
14:15		 11p-S221-3 TiO2 単結晶基板上に PbS 量子ドット間距離を制御吸着し 〇豊田 太郎 1, 沈 青 1, 中澤 直樹 1, 吉原 泰葉 1, 神山 慶 1. 電通大基盤理工 , 2. 分光計器（株）, 3. 九工大
た系の光音響法と光電子収量法による評価：量子ドット 太 2, 早瀬 修二 3
増感系
14:30		 11p-S221-4 PbS 量子ドット /ZnO ナノワイヤ太陽電池のヘテロ接合 〇久保 貴哉 1, 王 海濱 1, Gagliardi Cesar1, 岡田 至崇 1, 1. 東大先端研 , 2. 東大院総合文化
界面修飾による開放電圧の向上
瀬川 浩司 1, 2
14:45		 11p-S221-5 PbS 量子ドット薄膜における光励起キャリアダイナミクス 〇 (M2) 北畠 有紀子 1, 2, 大図 修平 2, 丁 超 2, 張 耀紅 2, 1. 中大理工 , 2. 電気通信大学 , 3. 九州工業大学- 量子ドットサイズの依存性 早瀬 修二 3, 豊田 太郎 2, 片山 建二 1, 沈 青 2
15:00		 11p-S221-6 環状 P3HT の合成と有機薄膜太陽電池への応用〇福島 達也 1, 石橋 寛隆 1, 末政 大地 2, 中村 亮介 2, 蓬 1. 京大化研 , 2. 北大院工田 昌伸 2, 磯野 拓也 2, 佐藤 敏文 2, 梶 弘典 1
15:15		休憩 /Break
15:30
奨 11p-S221-7 天然色素βカロテンを電子ドナー材料として用いた透明 〇 (M1) 内山 貴行 1, 佐野 孝 1, Vohra Varun1, 岡田 佳 1. 電通大基盤理工
有機太陽電池子1
15:45
奨 11p-S221-8 有機薄膜太陽電池の電子状態間のエネルギー差と電荷生 〇中野 恭兵 1, Chen Yujiao1, Han Weining2, Huang
1. 理研 CEMS, 2. 千葉大院工成効率の相関Jianming1, 吉田 弘幸 2, 但馬 敬介 1
16:00
奨 11p-S221-9 時間分解光第二次高調波発生法を用いた C60/CuPc 界面に 〇松尾 魁士 1, 田口 大 1, 間中 孝彰 1
1. 東工大工
おける励起子およびキャリアダイナミクス評価
16:15
奨 11p-S221-10 フッ素を導入したナフトビスチアジアゾール系ポリマー 〇 (DC) 福原 友裕 1, 斎藤 慎彦 2, 玉井 康成 1, 3, キム
1. 京大院工 , 2. 広大院工 , 3.JST さきがけを用いた太陽電池における曲線因子の膜厚依存性
ヒョンド 1, 尾坂 格 2, 大北 英生 1
16:30
奨 11p-S221-11 フェナントロジチオフェン系ポリマーを用いた非フラー 〇森 裕樹 1, 渡部 将也 2, 西原 康師 1
1. 岡山大基礎研 , 2. 岡山大院自然レン型太陽電池の特性
1
1, 2
1, 2
1, 2
16:45		 11p-S221-12 光誘起劣化させた PTB7:PC71BM 逆構造有機薄膜太陽電 〇久茂田 耀 , 小林 隆史 , 永瀬 隆 , 内藤 裕義
1. 大阪府大 , 2. 大阪府大分子エレクトロニックデバイス
池の電荷輸送特性研
17:00		 11p-S221-13 pn ホモ接合有機太陽電池〇伊澤 誠一郎 1, 2, Perrot Armand1, 3, Lee Ji-Hyun1, 2, 1. 分子研 , 2. 総研大 , 3.Chimie ParisTech
平本 昌宏 1, 2

12.6 ナノバイオテクノロジー / Nanobiotechnology
3/12(Tue.) 9:00 - 12:15
9:00		 12a-S221-1
9:15		 12a-S221-2

9:30		 12a-S221-3
9:45		 12a-S221-4
10:00		 12a-S221-5
10:15		 12a-S221-6

口頭講演 (Oral Presentation) S221 会場 (Room S221)
非対称ジケトピロロピロールを有する新規共重合体の光
電気物性
トリフェニルアミンとベンゾチアジアゾール部位を含む
ドナー・アクセプター連結分子の単一成分薄膜太陽電池への応用
PTzNTz 高分子太陽電池の長寿命電荷状態のオペランド
光誘起 ESR 分光観測と性能劣化機構の解明
新規イミド系電子欠損性骨格を有する n 型半導体ポリマーの開発
非フラーレン系太陽電池の三元化による電荷解離の促進
有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討

10:30		10:45		 12a-S221-7

休憩 /Break
スクアリリウム誘導体を用いた多色半透明有機薄膜太陽電池
11:00
E 12a-S221-8
Combined Density Functional Tight Binding – Density
Functional Theory Investigation of Effects of Nuclear
Motion on Charge Transport in C60 and C70
11:15
E 12a-S221-9
Preparation of Zinc Doped Tin Oxide as an ElectronTransport Interlayer for Organic Solar Cells
11:30		 12a-S221-10 ホットエレクトロンの理論と TiO2 ナノ粒子の単一クラスターの伝導帯の励起状態の観測
11:45		 12a-S221-11 金ナノ粒子の伝導帯中の励起状態
12:00		 12a-S221-12 過渡的電子親和力とホットエレクトロン〇青島 健太 1, 井出 茉里奈 1, 佐伯 昭紀 1, 2

1. 阪大院工 , 2.JST さきがけ

〇奥田 侑希 1, 末延 知義 1, 鈴木 充朗 1, 中山 健一 1

1. 阪大院工〇薛 冬 1, 神谷 晨平 1, 斎藤 慎彦 2, 尾坂 格 2, 丸本 一

1. 筑波大数物 , 2. 広島大院工 , 3. 筑波大エネ物質科学セ

弘 1, 3〇 (M1) 手島 慶和 1, 米山 公啓 1, 吉田 拡人 1, 三木江

翼 1, 斎藤 慎彦 1, 尾坂 格 1〇尾坂 格 1, 斎藤 慎彦 1, 玉井 康成 2, 大北 英生 2
〇佐藤 梨都子 1, 2, 千葉 恭男 2, 近松 真之 2, 吉田 郵
司 2, 嘉数 誠 1, 2, 當摩 哲也 2, 3, 増田 淳 2, 3

1. 広大院工
1. 広大院工 , 2. 京大院工1. 佐賀大院工 , 2. 産総研 , 3. 金沢大〇佐野 健志 1, 楊 道賓 1, 林 祐弥 1, 笹部 久宏 1, 城戸 淳 1. 山形大二1
Saeid Arabnejad2, Amrita Pal1, Koichi Yamashita2, 〇 1.Ntl Univ Singapore, 2.Univ of Tokyo

Sergei Manzhos1〇 (M2)Mutlu Ege ALTUN1, Kan HACHIYA1,

Takashi SAGAWA1
李 博超 1, 李 浩 1, 楊 暢 1, 季 博宇 1, 林 景全 1, 〇富江

敏尚 1, 2
李 博超 1, 李 浩 1, 楊 暢 1, 季 博宇 1, 林 景全 1, 〇富江

敏尚 1, 2
〇富江 敏尚 1, 2, 石塚 知明 1, 松林 信行 1, 李 博超 2, 林景全 2

1.Kyoto Univ.
1. 長春理工大 , 2. 産総研ナノエレ
1. 長春理工大 , 2. 産総研ナノエレ
1. 産総研ナノエレ , 2. 長春理工大12.6 ナノバイオテクノロジー / Nanobiotechnology
3/9(Sat.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) W242 会場 (Room W242)
9:00
奨 9a-W242-1
Al2O3 成膜によるマイクロポア壁面の表面電荷の調整〇林田 朋樹 1, 筒井 真楠 1, 谷口 正輝 1
1. 阪大産研
9:15
奨 9a-W242-2
MCBJ 法を用いた DNA シーケンシングによる連続塩基数 〇小本 祐貴 1, 大城 敬人 1, 谷口 正輝 1
1. 阪大産研
識別法の開発1
1
2
9:30		 9a-W242-3
機械学習と分子認識ナノポアを用いた 1 ウイルス識別〇筒井 真楠 , 有馬 彰秀 , ハルリサ イルファ , 吉田 1. 阪大産研 , 2. 東工大
剛 1, 田中 祐圭 2, 横田 一道 1, 殿村 渉 1, 鷲尾 隆 1, 大河
9:45		 9a-W242-4
10:00		 9a-W242-5
10:15

E 9a-W242-6

10:30		10:45		 9a-W242-7
11:00		 9a-W242-8

ナノポアトラップ法による単一粒子の捕捉と識別
トンネル電流計測１分子検出法を用いた化学修飾を含む
核酸塩基鎖識別法の開発
Characterization of single nanoparticle shape using solidstate nanopore
休憩 /Break
ナノポアによるメソポーラス・ナノ粒子の計測
ナノポア計測による多項目ウイルス識別

内 美奈 2, 川合 知二 1
〇有馬 彰秀 1, 筒井 真楠 1, 谷口 正輝 1
1. 阪大産研〇大城 敬人 1, 小本 祐貴 1, 浅井 歩 2, 今野 雅允 2, 石井 1. 阪大産研 , 2. 阪大医秀始 2, 谷口 正輝 1〇(M1)Iatwai Leong1, Makusu TSUTSUI1, Masateru 1.ISIR, Osaka Univ.
TANIGUCHI1〇 (DC) 岸本 匠平 1, 筒井 真楠 1, 谷口 正輝 1
1. 阪大産研〇有馬 彰秀 1, 筒井 真楠 1, 殿村 渉 1, 横田 一道 1, 立松 1. 阪大産研

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

健司 1, 山﨑 智子 1, 黒田 俊一 1, 谷口 正輝 1, 鷲尾 隆 1,
川合 知二 1
11:15		 9a-W242-9
マクロファージとがん細胞間相互作用によるがん細胞の 〇 (M1) 石橋 健太 1, 岡田 知子 2, 中村 史 1, 2, 金 賢
1. 東農工大院工 , 2. 産総研
機械的特性変化の計測
徹 1, 2
11:30
奨 9a-W242-10 Annexin A5 2 次元結晶をテンプレートとした streptavidin 〇木南 裕陽 1, 小林 圭 1, 平田 芳樹 2, 山田 啓文 1
1. 京大工 , 2. 産総研
ナノアレイの作製とタンパク質の特異的検出
11
1
1
11:45		 9a-W242-11 streptavidin 2 次元結晶への biotin 修飾分子結合と結晶無 〇前田 祥吾 , 木南 裕陽 , 金澤 昌平 , 小林 圭 , 山田 1. 京大院工秩序化との相関に関する研究
啓文 1
12:00		 9a-W242-12 修飾探針 FM-AFM を用いた streptavidin—biotin 間特異的 〇杉本 千奈 1, 木南 裕陽 1, 小林 圭 1, 山田 啓文 1
1. 京大工
結合測定
3/9(Sat.) 13:45 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) W242 会場 (Room W242)
13:45
招 9p-W242-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇奥脇 弘次 1, 新庄 英治 2, 土居 英男 3, 望月 祐志 1, 4, 1. 立教大理 , 2. 星薬大薬 , 3. 産総研 CD-FMat, 4. 東大生
FMO 計算に基づく脂質二重膜、タンパク質の非経験的粗 福澤 薫 2, 4, 米持 悦生 2
研視化シミュレーションの展開
14:00		 9p-W242-2
天然ゴム中タンパク質とイソプレン鎖ω末端部との〇阿部 鷹也 1, 奥脇 弘次 1, 望月 祐志 1, 2, 福澤 薫 2, 3, 佐 1. 立教大理 , 2. 東大生研 , 3. 星薬科大 , 4.( 株 ) ブリヂスト
FMO 相互作用解析
藤 弘一 4ン
14:15 奨 E 9p-W242-3
Complementary Skin Gas Sensor Based on Hybrid〇 (D)Jongyoon Park1, Hitoshi Tabata1
1.The University of Tokyo
Structure using WO3 nanoparticles and Zeolites
14:30		 9p-W242-4
プラズモニックセンサーチップによるカンジダマンナン 〇志水 星歌 1, 栗田 浩 2, 當麻 真奈 1, 田和 圭子 1
1. 関西学院大理工 , 2. 信州大医の迅速・高感度検出14:45		 9p-W242-5
金ナノギャップ構造を用いた単一生体分子のプラズモ〇森崎 冴香 1, 矢野 隆章 1, 原 正彦 1
1. 東工大物質理工
ニック分光分析
15:00		 9p-W242-6
Sortase を用いたロバストなタンパク質マイクロアレイの 〇白形 優依 1, 若井 涼 1, 上野 真吾 1, 2, 一木 隆範 1, 2
1. 東大院工 , 2. ナノ医療イノベーションセンター
作製
15:15		休憩 /Break
15:30		 9p-W242-7
光受容タンパク質の薄膜パターン形成によるガボール〇笠井 克幸 1, 佐野 由佳 2, 長谷川 裕之 2, 岡田 佳子 3, 1. 情通機構 , 2. 島根大教育 , 3. 電通大情報理工フィルター型光センサーの構築
田中 秀吉 1, 大友 明 1
15:45		 9p-W242-8
微生物外膜タンパク質内の多核ヘム電子移動鎖配向の差 〇 (DC) 徳納 吉秀 1, 2, 岡本 章玄 2
1. 東大工 , 2. 物材研
分円偏光二色性測定を用いた直接追跡
16:00		 9p-W242-9
DNA オリガミナノアレイを用いた癌マーカー検出〇 (DC) 浅井 直人 1, 酒井 雄介 2, Jonathan Heddle2,
1. 関西大院 , 2.Jagiellonian Univ., 3. 阪大院工山下 一郎 3, 清水 智弘 1, 新宮原 正三 1, 伊藤 健 1
16:15		 9p-W242-10 ナノハニカム構造を用いた LSPR センサの開発〇西村 翼 1, 清水 智弘 1, 新宮原 正三 1, 伊藤 健 1
1. 関西大学院理工16:30		 9p-W242-11 ナノハニカム構造を利用した LSPR と QCM-D のハイブ 〇松本 直大 1, 寺沢 秀章 1, 清水 智弘 1, 新宮原 正三 1, 1. 関西大理工
リッドセンサの開発
伊藤 健 1
16:45		休憩 /Break
17:00		 9p-W242-12 脂質膜を用いた味覚センサによる塩味エンハンス効果の 〇 (M1) 家永 知史 1, 中谷 風太 1, 田原 祐助 2, 池崎 秀 1. 九州大学大学院 , 2. 九大五感応用デバイス研究開発セ
数値化
和 3, 佐野 博之 4, 都甲 潔 2, 5
ンター, 3. インテリジェントセンサーテクノロジー,
4. 富士食品工業 , 5. 九州大学高等研究院
17:15		 9p-W242-13 脂質膜を用いた味覚センサによるコーヒーの苦味の数値 〇巫 霄 1, 三宅 一成 2, 田原 祐助 1, 藤本 浩史 3, 岩井 和 1. 九大五感応用デバイス研究開発センター, 2. 九大シス
化也 3, 成田 優作 3, 半澤 拓 3, 小林 司 3, 垣内 美紗子 3, 有 情 , 3.UCC 上島珈琲（株）, 4. インテリジェントセンサー
木 真吾 3, 福永 泰司 3, 池崎 秀和 4, 都甲 潔 1, 5
テクノロジー（株）, 5. 九大高等研究院
17:30		 9p-W242-14 リン脂質リポソーム固定化カンチレバーセンサによる〇小林 亮子 1, 澤村 正典 2, 山門 穂高 2, 寒川 雅之 3, 山 1. 京工繊大 , 2. 京都大医 , 3. 新潟大
パーキンソン病原因物質αシヌクレインの検出
下 馨 1, 野田 実 1

12.7 医用工学・バイオチップ / Biomedical Engineering and Biochips
口頭講演 (Oral Presentation) W242 会場 (Room W242)
電気浸透流が引き起こす DNA の挙動の直接観測
Nicked DNA が引き起こすナノポアとの相互作用
フェリチン分子で作製した磁性体ナノ粒子周期結晶の強磁性共鳴測定9:45		 10a-W242-4 親水化 PDMS 表面上での基板支持型脂質二重膜のパター
ニング
10:00		 10a-W242-5 電圧印加が誘起する固体表面支持膜中のドメイン形成
10:15		 10a-W242-6 シリコン量子ドット - タンパク質間相互作用によるプロ
テインコロナ形成
3/10(Sun.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10p-PA2-1
ナノポアと DNA の相互作用の観測			 10p-PA2-2
ウシ血清アルブミン中における金ナノ粒子を用いた標的
DNA の高感度検出			 10p-PA2-3
金キャップナノピラーLSPR 基板と低分子抗体を利用したイムノアッセイと液中経時計測検討
			 10p-PA2-4蛍光高分子ゲルを用いた細胞牽引力の測定

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

3/10(Sun.) 9:00 - 10:30
9:00		 10a-W242-1
9:15		 10a-W242-2
9:30		 10a-W242-3〇久保田 智也 1, 港 聖也 1, ロイド 賢人 1, 三井 敏之 1
〇ロイド 賢人 1, 久保田 智也 1, 港 聖也 1, 三井 敏之 1
〇奥田 充宏 1, 2, Walther Schwarzacher3〇彭 祖癸 1, 榛葉 健太 2, 宮本 義孝 1, 八木 透 1

1. 青学大理工
1. 青学大院
1.CIC nanoGUNE, 2.IKERBASQUE, 3.University ofBristol
1. 東工大工 , 2. 東大工〇傳刀 賢二 1, 古川 一暁 1
〇井上 飛鳥 1, 杉本 洋蔵 1, 杉本 泰 1, 藤井 稔 1

1. 明星大理工
1. 神戸大院工〇港 聖也 1, 久保田 智也 1, ロイド 賢人 1, 三井 敏之 1
〇池田 拓未 1, 江刺家 恵子 1, 斎木 敏治 1

1. 青学大理工
1. 慶大理工〇明山 剛大 1, 斎藤 真人 1, 2, 羅 希 1, 2, 民谷 栄一 1

1. 阪大院工 , 2. 産総研・先端フォトバイオ

〇 (M1) 松本 悠暉 1, 田中 あや 2, 廣野 航平 1, 藤井 裕 1. 北大情報科学 , 2.NTT 物性基礎研
紀 1, 中島 寛 2, 岡嶋 孝治 1
		
奨 10p-PA2-5
バーチャル電極ディスプレイによる微小管滑走制御の局 〇畑澤 研太 1, 宮廻 裕樹 2, 川村 隆三 3, 星野 隆行 1, 4
1. 弘前大理工 , 2. 東京大院情理 , 3. 京都大理学 , 4. 弘前大
所性評価
院理工
		
E 10p-PA2-6
Modulated 1/fa Noise Behavior by Bias Voltage and〇 (P)Linhao Sun1, Kazuki shigyou1, Toshio Ando1, 1.Nano LSI, Kanazawa Univ
Concentration Gradient in Conically Shaped Quartz
Shinji Watanabe1
Nanopipettes
			 10p-PA2-7
環状ホスト単分子膜が有するゲスト包接能の液中サブナ 〇波多野 尋花 1, 生越 友樹 1, 淺川 雅 1
1. 金沢大学
ノスケール AFM 計測
			 10p-PA2-8
原子間力顕微鏡による単一がん細胞力学診断：細胞形状 〇 (M1) 小倉 花歩 1, 田中 良昌 1, 繁富（栗林）香織 2, 1. 北大情報科学 , 2. 北大高等教育
依存性
スバギョ アグス 1, 末岡 和久 1, 岡嶋 孝治 1
			 10p-PA2-9
グラフェン酸化物上の繋ぎ留め型脂質二重膜内での分子 〇 (M1) 都積 清 1, 斎藤 駿 1, 手老 龍吾 1
1. 豊橋技科大拡散挙動		
奨 10p-PA2-10 新規マグネチックマイクロスターラーバーを用いた鞭毛 〇清水 一郎 1, 山下 恭平 1, 橋本 真史 1, 徳永 英司 1
1. 東理大で駆動するクラミドモナスの公転運動の誘発1
1
1
			 10p-PA2-11 シナプス接着因子を発現した BV システムによる神経細 〇河西 奈保子 , Brockman Elizabeth , 大嶋 梓 , 手島 1.NTT 物性基礎研 , 2. 三重大 , 3. 兵庫県立大胞の制御の試み
哲彦 1, 湊元 幹太 2, 住友 弘二 3, 中島 寛 1
		
奨 10p-PA2-12 流通システム中における酵素カスケード反応のためのガ 〇佐々木 開 1, 2, 吉本 誠 1, 3, Ghéczy Nicolas1, Walde
1.Dept. of Materials, ETH Zurich, 2. 山形大院有機材料
ラス繊維フィルターへの酵素固定化
Peter1
システム , 3. 山口大応用化学
			 10p-PA2-13 ハイドロゲル表面のシワ構造の形状制御〇田中 あや 1, 高橋 陸 1, 上野 祐子 1
1.NTT 物性基礎研
12
1
1
			 10p-PA2-14 硬さパターンゲル上の細胞集団運動〇廣野 航平 , 田中 あや , 藤井 裕紀 , 松本 悠暉 , 中 1. 北大情報科学 , 2.NTT 物性研基礎
島 寛 2, 岡嶋 孝治 1
			 10p-PA2-15 等価回路解析による脂質二分子膜の薄膜化の評価〇 (M1C) 冨岡 康貴 1, 高島 匠吾 1, 守屋 雅隆 1, 島田
1. 電通大 , 2. 山形大 , 3. 東北大
宏 1, 廣瀬 文彦 2, 平野 愛弓 3, 水柿 義直 1
1
1
			 10p-PA2-16 テレフタル酸を含有するゲルを用いた気液界面近傍にお 松井 優作 , 〇熊谷 慎也
1. 名城大学
ける OH ラジカル輸送範囲の測定
12.7 医用工学・バイオチップ / Biomedical Engineering and Biochips
3/9(Sat.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) S421 会場 (Room S421)
9:00
E 9a-S421-1
DNA 3D structure detection by Electrochemical〇 Huanwen Han1, Kazuyuki Nobusawa1, Fumie
1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.NDMC
Impedance Spectroscopy (EIS)
Takei2, Ichiro Yamashita1
9:15		 9a-S421-2
簡易な電気化学計測法での DNA 配列内一塩基差異の検 〇古澤 宏幸 1, 吉嶺 浩司 2, 時任 静士 2
1. 山形大院理工 , 2. 山形大 ROEL
出
9:30		 9a-S421-3
唾液糖の連続計測を目的とした夾雑物質の影響抑制に関 〇大石 琢史 1, 戸本 佳祐 1, 横田 くみ 1, 當麻 浩司 1, 荒 1. 医科歯科大する研究
川 貴博 1, 三林 浩二 1
9:45
E 9a-S421-4
Precipitates-assisted SAW immunosensor for sensitive〇 Sittinadh Wanotayan1, Koki Oishi1, Misato Kato2, 1.Tokyo Medical and Dental Univ., 2.Bunkyo Gakuin
monitoring of mite allergen
Kanako Kurata2, Koji Toma1, Naoyuki Yoshimura3,
Univ., 3.Japan Radio Co. Ltd.
Takahiro Arakawa1, Hiromi Yatsuda3, Kiyoko
2
1
Kanamori , Kohji Mitsubayashi
10:00		 9a-S421-5
飲酒後呼気 2 成分ガス（EtOH, AcH）のバイオ蛍光法に 〇水越 直樹 1, 早川 悠暉 1, 飯谷 健太 1, 當麻 浩司 1, 荒 1. 医科歯科大よる並列可視化計測
川 貴博 1, 三林 浩二 1
10:15		 9a-S421-6
呼気アセトン・イソプロパノールの間欠繰り返し計測用 〇鈴木 翔太 1, 辻井 誠人 1, 當麻 浩司 1, 荒川 貴博 1, 三 1. 医科歯科大バイオスニファ林 浩二 1
10:30		休憩 /Break
10:45
奨 9a-S421-7
DNA 修飾グラフェンにおける塩基配列がガス応答性へ与 〇 (M1) 野崎 諒 1, 生田 昂 1, 上野 絹子 1, 塚越 かおり 1, 1. 東京農工大
える影響評価池袋 一典 1, 前橋 兼三 1
11:00
奨 9a-S421-8
呼気中アンモニア検知のためのコバルトポルフィリン修 〇澤田 圭 1, 横山 誉宗 1, 斎藤 雄太 1, 山知 亮介 1, 田中 1. 慶應大理工 , 2. 東大院総合文化飾グラフェンデバイスの開発
貴久 1, 岡 勇気 2, 千葉 湧介 2, 寺尾 潤 2, 内田 建 1
11:15		 9a-S421-9
超薄膜還元型酸化グラフェンを用いた抵抗式高感度アセ 〇杉浦 弘晃 1, 高野 晃佑 1, 伊東 栄次 1, 小野 博信 2, 郷 1. 信州大工 , 2. 日本触媒
トンセンサ
田 隼2
11:30		 9a-S421-10
PEDOT:PSS を用いた薄型・軽量な有機 CO2 センサの開 〇土屋 和彦 1, 野村 綾子 1, 東海林 純一 1, 奥山 義浩 1, 1. 山形大 ROEL, 2. 山形大院有機材料シ , 3. 山形大院理発
長峯 邦明 1, 2, 古澤 宏幸 3, 時任 静士 1, 2
工11:45
奨 9a-S421-11
溶液プロセスによるバイオセンサ用 Active Matrix 酸化物 〇栗谷川 翔 1, Phan Tue1, 下田 達也 1, 高村 禅 1
1. 北陸先端大TFT アレイの作製
12:00		 9a-S421-12
電子線描画法による高感度シリコンナノワイヤバイオセ 〇張 慧 1, 2, 大嶋 紀安 3, 大嶋 駆 1, 菊池 直樹 1, 加治佐 1. 群馬大院理工 , 2.JSPS 外国人特別研究員 , 3. 群馬大院
ンサの作製およびアトモル濃度の抗原抗体特異結合の検 平 4, 坂田 利弥 5, 和泉 孝志 3, 曾根 逸人 1
医 , 4.PROVIGATE Inc., 5. 東京大院工出3/9(Sat.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) S421 会場 (Room S421)
13:45
奨 9p-S421-1
多段階励起による発光現象を用いた光遺伝学用神経プ〇浦山 翔太 1, 島 智大 2, 張 博文 2, 木野 久志 3, 福島 誉 1. 東北大工 , 2. 東北大院工 , 3. 東北大学際研 , 4. 東北大院
ローブの作製
史 2, 田中 徹 2, 4
医工
14:00
奨 9p-S421-2
サル脳深部用刺入型光利刺激デバイスの作製と評価〇川崎 祐久 1, 長沼 京介 1, 太田 安美 1, 春田 牧人 1, 笹 1. 奈良先端大
川 清隆 1, 徳田 崇 1, 太田 淳 1
14:15
奨 9p-S421-3µLED 埋め込み型フレキシブルオプト神経プローブの開 〇島 智大 1, 煤孫 裕樹 1, 張 博文 1, 浦山 翔太 2, 木野 久 1. 東北大院工 , 2. 東北大工 , 3. 東北大学際研 , 4. 東北大院
発
志 3, 福島 誉史 1, 田中 徹 1, 4
医工
14:30 奨 E 9p-S421-4
Implantable micro-imaging device for visualizing neural〇 (M2)Mark Guinto1, Yasumi Ohta1, Mamiko
1.NAIST, 2.Toyohashi Univ. Tech.
112
activity in regions related to feeding behavior
Kawahara , Makito Haruta , Toshihiko Noda ,Kiyotaka Sasagawa1, Takashi Tokuda1, Jun Ohta1
14:45
奨 9p-S421-5
共培養系における心筋細胞の地形ガイドによる凝集誘導 〇宮廻 裕樹 1, 手島 哲彦 1, 上野 祐子 1
1.NTT 物性基礎研
15:00
奨 9p-S421-6
長期埋め込み可能な人工視覚用ハニカム型 CMOS スマー 〇 (M1) 遠藤 広基 1, 寺田 啓介 1, 野田 俊彦 2, 寺澤 靖 1. 奈良先端大 , 2. 豊橋技科大 , 3. ニデック
3
1
1
1
1
ト電極アレイの開発
雄 , 春田 牧人 , 笹川 清隆 , 徳田 崇 , 太田 淳

12.7 医用工学・バイオチップ / Biomedical Engineering and Biochips
15:15

奨 9p-S421-7

網膜刺激型人工視覚デバイスの AC 駆動化のためのCMOS チップ設計

15:30		 9p-S421-8

心筋細胞への機械的刺激とその制御システム

15:45		16:00		 9p-S421-9

休憩 /Break
生体刺入型 K+ イメージセンサの製作

16:15

奨 9p-S421-10

16:30

奨 9p-S421-11

16:45

奨 E 9p-S421-12

17:00

奨 9p-S421-13

17:15		 9p-S421-14
17:30

奨 9p-S421-15

17:45		 9p-S421-16

3/10(Sun.) 9:00 - 12:15
9:00		 10a-S421-1
9:15		 10a-S421-2
9:30		 10a-S421-3
9:45		 10a-S421-4
10:00

E 10a-S421-5

10:15		 10a-S421-6
10:30		10:45		 10a-S421-7
奨 10a-S421-8

11:15

奨 10a-S421-9

11:30

奨 E 10a-S421-10

11:45

奨 E 10a-S421-11

12:00

奨 10a-S421-12

3/10(Sun.) 13:30 - 15:30
			 10p-PA3-1
			 10p-PA3-2
		

E 10p-PA3-3

			 10p-PA3-4
			 10p-PA3-5
			 10p-PA3-6
			 10p-PA3-7
			 10p-PA3-8
			 10p-PA3-9
			 10p-PA3-10
			 10p-PA3-11
			 10p-PA3-12
			 10p-PA3-13

			 10p-PA3-14
			 10p-PA3-15〇中村 友亮 1, 岩田 達也 1, 2, 高橋 一浩 1, 2, 野田 俊
1. 豊橋技科大 , 2.EIIRIS
彦 1, 2, 澤田 和明 1, 2
入射角度分解画素 CMOS イメージセンサの試作〇杉江 謙治 1, 笹川 清隆 1, ギント マーク 1, 春田 牧
1. 奈良先端大人 1, 徳田 崇 1, 太田 淳 1
H2O2 検出系によるアセチルコリンイメージングの高精細 〇雌熊 宏隆 1, 土井 英生 1, 堀尾 智子 1, 岩田 達哉 1, 2, 1. 豊技大院 , 2. エレクトロニクス先端研究所化に向けたイオンイメージセンサの開発
野田 俊彦 1, 2, 高橋 一浩 1, 2, 服部 敏明 1, 澤田 和明 1, 2
Application of High Performance Hybrid Filter on CMOS 〇 (DC)Wan Shen Hee1, Aiki Kameyama1, Ayaka
1.NAIST
Image Sensor for FRET Imaging
Kimura1, Kiyotaka Sasagawa1, Makito Haruta1,
Takashi Tokuda1, Jun Ohta1
レドックス型非標識乳酸イメージセンサの製作と薬理刺 〇 (D) 土井 英生 1, 堀尾 智子 1, 繁冨 英治 3, 篠崎 陽
1. 豊橋技科大 , 2.EIIRIS, 3. 山梨大学
激による海馬からの乳酸放出の評価
一 3, Lee You-Na1, 吉見 立也 1, 岩田 達哉 1, 2, 野田 俊
彦 1, 2, 高橋 一浩 1, 2, 服部 敏明 1, 小泉 修一 3, 澤田 和
明 1, 2高空間分解能イオンイメージングシステムのセンサー基 〇柴野 暁 1, 川田 善正 1, 居波 渉 1
1. 静岡大学工板の評価
拡散防止構造を一体化した水素イオンイメージセンサに 〇魚返 勇太 1, 川上 千夏 1, 飛沢 健 1, 繁富 英治 3, 篠崎 1. 豊橋技科大 , 2. エレクトロニクス先端融合研究所 ,よる海馬スライスのイメージング
陽一 3, 岩田 達哉 1, 2, 野田 俊彦 1, 2, 高橋 一浩 1, 2, 小泉 3. 山梨大学
修一 3, 澤田 和明 1, 2
マイクロ波マンモグラフィの開発と超早期乳癌検出〇 (DC) 稲垣 明里 1, 木村 建次郎 1, 山本 奈穂 2, 鶴原 1. 神戸大学数理データ , 2. 医療法人社団伍仁会 , 3. 神鋼
知子 2, 渡邊 奈津子 2, 小西 豊 2, 岡本 交二 5, 2, 結縁 幸 病院 , 4.IGS, 5.AMED
子 3, 松本 元 3, 山神 和彦 5, 3, 美馬 勇輝 4, 土井 恭二 4,木村 憲明 4, 5
口頭講演 (Oral Presentation) S421 会場 (Room S421)
外力支援近接場照明バイオセンサによるインフルエンザ 〇柳川 博人 1, 河村 達朗 1, 佐々木 良樹 1, 管野 天 1, 安 1. パナソニック , 2. 産総研
ウイルスの検出浦 雅人 2, 藤巻 真 2
大気捕集デバイスの開発と遠心熱対流チップ PCR を用い 〇 (M2) 前川 拓哉 1, 斉藤 真人 1, 2, ウィルフレッド エ 1. 阪大院工 , 2. 産総研・先端フォトバイオ
た迅速遺伝子検知
スプルガ 1, 民谷 栄一 1
遠心熱対流ＰＣＲの流路集積設計に向けたシミュレー〇後 早希子 1, 齋藤 真人 1, 2, Wilfred Villariza
1. 阪大院工 , 2. 産総研・先端フォトバイオ
ション解析検討
Espulgar1, 民谷 栄一 111非対称電極を用いた誘電泳動力によるマイクロ流路中で 〇須田 隆夫 , 東 貴裕
1. 鹿児島高専の白血球の分離
Single Cell Preparation in a Centrifugal Microfluidic Chip 〇 (P)Wilfred Espulgar1, Masato Saito1, Shohei
1.Osaka Univ.
System with Reflow Capability
Koyama1, Hyota Takamatsu1, Eiichi Tamiya1
1, 2
3
1, 2
3
高性能マイクロ流路バルブシステムの開発〇宇野 秀隆 , 高田 紀子 , 王 志宏 , 近藤 聖彦 , 浮 1. 名大未来社会機構 , 2.JST-CREST, 3. 分子研 , 4. 山梨
田 芳昭 2, 4, 高村 禅 2, 5, 宇理須 恒雄 1, 2
大 , 5. 北陸先端大
休憩 /Break
生体吸収性ポリマー材料の精密成形・加工プロセスの検 〇 (B) 羽田野 雄輝 1, 神田 循大 1, 竹原 宏明 1, 2, 一木 1. 東大工 , 2. ナノ医療イノベーションセンター
討
隆範 1, 2
ポリシラザンを用いた UV 処理によるガラス同士の接合 〇山上 浩平 1, Phan Tue1, 高村 禅 1
1. 北陸先端大に関する研究相変化材料を用いた温度制御による RPA 核酸検出
〇 WU WEIDONG1, Rathore Himankshi1, Phan
1. 北陸先端大Tue1, Biyani Manish1, Takamura Yuzuru1
1
1
Development of automated competitive ELISA paper〇 (M2)Sumamal Charernchai , Miyuki Chikae ,1.Japan Advanced Institue of Science and Technology,
based analytical device using dissolvable sucrose valves for Wanida Wonsawat2, Tue Phan Trong1, Yuzuru
2.Suan Sunadha Rajabhat Univ.
Aflatoxin B1 detection
Takamura1
Adsorption phenomena of nanoliposomes on PDMS
〇 (D)Virendra Majarikar1, Hiroaki Takehara1, 2,
1.Department of Materials Engineering, School ofmicrochannel’ s surface
Takanori Ichiki1, 2Engineering, The University of Tokyo, 2.Innovation
Center of NanoMedicine, Institute of Industry
Promotion-Kawasaki
液体電極プラズマ発光分析法における流路形状に関する 〇渡辺 洋平 1, 山本 保 2, 高村 禅 1
1. 北陸先端大 , 2.（株）マイクロエミッション
研究
ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
インタクトエクソソームの蛍光センシングによるがん診 〇森 貴翔 1, 片山 航 1, 清水 拓 1, 源 和晃 1, 高野 恵里 1, 1. 神戸大院工断を志向した抗体融合分子インプリントポリマーの創製 北山 雄己哉 1, 竹内 俊文 1
エクソソーム高感度検出のための表面修飾の検討〇岩谷 晶子 1, 倉持 宏実 1, 木下 ひろみ 1, 滝口 裕実 1, 1. 東大工 , 2. ナノ医療イノベーションセンター
一木 隆範 1, 2
Gold nanoparticle incorporated polymer nanogels for〇 Aoi Yoshida1, Takuya Yamada1, Kentaro Kiguchi1, 1.Grad. Sch. Eng., Kobe Univ., 2.Grad. Sch. Med., Kobe
radiation therapy
Hiroaki Akasaka2, Ryohei Sasaki2, Yukiya Kitayama1, Univ.
Toshifumi Takeuchi1
ナノ粒子湿度センサのインピーダンス分光解析〇土橋 侑弥 1, 加納 伸也 1, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工プラズモニックバイオセンサにおける金属ナノドームア 〇當麻 真奈 1, 田中 諒 1, 田和 圭子 1
1. 関学大理工
レイ構造のサイズ効果
小型蛍光偏光測定装置の性能評価〇小森 翼 1, 高麗 拓海 1, 佐竹 賢太 1, 市川 泰弘 1, 杉谷 1. 東京工科大工貴子 1, 鶴岡 誠 1
ハイブリッドフィルタを用いた広視野レンズレス蛍光イ 〇笹川 清隆 1, 太田 安美 1, 河原 麻実子 1, 春田 牧人 1, 1. 奈良先端大
メージングデバイス
徳田 崇 1, 太田 淳 1
指尖動脈血圧波形における精神負荷により誘発される拡 〇熊谷 和樹 1, 星野 隆行 2
1. 弘前大理工 , 2. 弘前大院理工張期の反射波の到達時間の変化
1
1
2
1, 3
空間的パターン光刺激のための GaN-µLED アレイの作製 〇増田 海斗 , 安永 弘樹 , 福永 泉美 , 関口 寛人
1. 豊橋技科大 , 2. 沖縄科技大 , 3.JST さきがけ
反射防止膜を付与した Si リング共振器バイオセンサー〇前田 準 1, 2, 舟本 陸 1, 2, 雨宮 嘉照 1, 池田 丈 3, 1, 黒田 1. 広島大ナノデバイス研 , 2. 広島大先端研半導体集積 ,章夫 3, 1, 横山 新 1, 2
3. 広島大先端研分子生命機能
導波モードセンサを用いた C 反応性タンパク質の洗浄レ 〇芦葉 裕樹 1, 小山田 千秋 2, 細川 和也 2, 上野 耕治 3, 1. 産総研 , 2. 藤森工業 , 3. シーアンドアイ
1
ス免疫測定
藤巻 真
生体センサ応用のための光リング共振器の集積化〇雨宮 嘉照 1, 横山 新 1
1. 広島大フラビンアデニンジヌクレオチド依存グルコース脱水素 〇鈴木 敦哉 1, 2, 石田 和也 1, 岩佐 尚徳 2, 平塚 淳典 2, 1. 芝浦工大工 , 2. 産総研 , 3. 東洋紡
酵素と単層カーボンナノチューブ溶液からなる直接電子 辻 勝巳 3, 岸本 高英 3
伝達第四報
櫛型電極ミオグロビンバイオセンサの再生技術の探索〇藤城 志遥 1, 大貫 等 1, 津谷 大樹 2, 呉 海云 1, 遠藤 英 1. 東京海洋大 , 2. 物質・材料機構
明1
カーボンナノチューブ電極を用いる紅茶中のポリフェ〇 (M1) 高橋 翔太 1, 村上 知史 1, 六車 仁志 1, 越阪部 1. 芝浦工大 , 2. 日本資材
ノールの定量奈緒美 1, 井上 均 2, 大澤 達也 2

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

11:00〇 (M1) 秦 真誉 1, 森 康登 1, Chang Chia-Chi1, 遠藤
1. 奈良先端大 , 2. 豊橋技科大 , 3. ニデック
広基 1, 野田 俊彦 2, 鐘堂 健三 3, 寺澤 靖雄 1, 春田 牧
人 1, 笹川 清隆 1, 徳田 崇 1, 太田 淳 1〇宮沢 高司 1, 万本 和輝 1, 新井 晋 1, 上原 貴宏 1, 三井 1. 青学大院理工敏之 1

13.1 Si 系基礎物性・表面界面・シミュレーション / Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials
			 10p-PA3-16
			 10p-PA3-17
			 10p-PA3-18
			 10p-PA3-19
			 10p-PA3-20
			 10p-PA3-21

蛋白質の選択吸着を目指した配向性メゾ多孔質シリカ膜の創製
分子間相互作用並列測定のための抗体修飾基板における架橋剤の検討
電気化学インピーダンスバイオセンサにおける非特異吸着の除去
堰構造フィルターを有する微小流体細胞分離システムの開発
両面成形遠心マイクロ分注機構の開発
白血球遊走評価のためのマイクロ流体デバイスの開発

長谷川 滉太 1, 〇円子 友理 1, 小橋 孝葵 1, 多賀谷 基
博1〇 (M2) 大竹 真央 1, 浮田 芳昭 1

1. 長岡技科大工1. 山梨大〇本田 陽翔 1, 大貫 等 1, 津谷 大樹 2, 呉 海云 1, 遠藤 英 1. 東京海洋大 , 2. 物質・材料研究機構
明1〇小野 剛 1, ウィルフレッド エスプルガー1, 斎藤 真

1. 阪大院工 , 2. 阪大院医 , 3. 産総研
人 3, 1, 小山 正平 2, 高松 漂太 2, 熊ノ郷 敦 2, 民谷 栄一 1
〇 (DC) 岡本 俊哉 1, 浮田 芳昭 1
1. 山梨大院医工農〇當真 嗣尚 1, Espulgar Wilfred1, 齋藤 真人 1, 3, 小山 1. 阪大工 , 2. 阪大医 , 3. 産総研
正平 2, 高松 漂太 2, 熊ノ郷 淳 2, 民谷 栄一 1

3/10(Sun.) 15:45 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) S421 会場 (Room S421)
15:45
E 10p-S421-1 Fluorescent Proteinaceous Microstructures Made by〇 (P)Daniela Serien1, Hiroyuki Kawano2, Atsushi
1.RIKEN RAP, 2.RIKEN CBS
Femtosecond Laser Direct Writing
Miyawaki1, 2, Koji Sugioka1
1
1
16:00		 10p-S421-2 手書き作製したナノ粒子湿度センサによる呼吸数計測〇加納 伸也 , 藤井 稔
1. 神戸大院工16:15		 10p-S421-3 鉛筆描画炭素電極を使用した電位測定型 pH センサーに 〇川原 綾太朗 1, 村瀬 直弥 1, 宇野 重康 1
1. 立命館大よる実サンプル測定
16:30
奨 10p-S421-4 薄膜転写手法を用いた封止キャビティ構造の MEMS 光干 〇高橋 利昌 1, 崔 容俊 1, 丸山 智史 1, 瀧 美樹 1, 澤田 和 1. 豊橋技科大 , 2.JST さきがけ
渉型表面応力センサの作製
明 1, 高橋 一浩 1, 2
16:45		 10p-S421-5 フォトニック結晶ナノレーザバイオセンサのための抗体 〇羽中田 祥司 1, 西條 義人 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大・院工
修飾の電気的制御
17:00		休憩 /Break
17:15		 10p-S421-6 多点認識分子インプリント空間による標的糖タンパク質 〇高野 恵里 1, 砂山 博文 1, 2, 北山 雄己哉 1, 竹内 俊文 1 1. 神戸大工 , 2. 安田女子大薬の特異的検出17:30		 10p-S421-7 VHH 抗体と表面プラズモンを用いたウイルス核タンパク 〇柳川 博人 1, 西尾 和晃 1, 榛葉 教子 1, 池内 江美奈 1, 1. パナソニック株式会社 , 2. 東京大工の高感度検出
河村 達朗 1, 塩井 正彦 1, 津本 浩平 2
17:45		 10p-S421-8 流路構造を有する格子結合型プラズモン共鳴バイオセン 〇管野 天 1, 郡 俊輔 1, 柳川 博人 1, 榛葉 教子 1, 池内 江 1. パナソニック ( 株 ), 2. 東大院工サでのウイルス核タンパク検出
美奈 1, 河村 達朗 1, 塩井 正彦 1, 津本 浩平 2
18:00		 10p-S421-9 超解像顕微鏡による格子結合型プラズモン共鳴バイオセ 脇田 尚英 1, 榛葉 教子 1, 〇管野 天 1, 柳川 博人 1, 池内 1. パナソニック ( 株 ), 2. 東大院工ンサのナノ発光分布解析
江美奈 1, 河村 達朗 1, 塩井 正彦 1, 津本 浩平 2

13 半導体 / Semiconductors

13 半導体 / Semiconductors

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
13.1 Si 系基礎物性・表面界面・シミュレーション / Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials
3/10(Sun.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W934 会場 (Room W934)
9:00		 10a-W934-1 Si(110) 上の還元反応領域〇矢野 雅大 1, 寺澤 知潮 1, 町田 真一 1, 保田 諭 1, 朝岡 1. 原子力機構先端研
秀人 1
9:15
E 10a-W934-2 Oxidation-induced shrink of Si-Si bond〇 ShuJun YE1, Kikuo YAMABE1, Tetsuo ENDOH1 1.Tohoku Univ.
9:30		 10a-W934-3 HfO2 薄膜を用いた MIS ダイオードの Si 基板面方位依存 〇 (M1) 堀内 勇介 1, 工藤 聡也 1, 大見 俊一郎 1
1. 東工大 工学院
性9:45
奨 10a-W934-4 Hf 系 MONOS 型不揮発性メモリの作製条件依存性〇 (P) 工藤 聡也 1, 石松 慎 1, 堀内 勇介 1, 大見 俊一郎 1 1. 東工大
10:00 奨 E 10a-W934-5 Molecular Dynamics Simulation of SiO2 Substrate Etching 〇 (D)ErinJoy Capdos Tinacba1, Michiro Isobe1,
1.Osaka Univ.
by NF2+ and C2F5+ ionsKazuhiro Karahashi1, Satoshi Hamaguchi1
10:15		休憩 /Break10:30
奨 10a-W934-6 Ge コア Si 量子ドット /Si 量子ドット多重連結構造から 〇 (M2) 二村 湧斗 1, 牧原 克典 1, 大田 晃生 1, 池田 弥 1. 名大院工の電界電子放出特性および電子放出エネルギー評価
央 1, 宮崎 誠一 1
10:45		 10a-W934-7 B 添加が Ge コア Si 量子ドットの PL 特性に及ぼす影響〇永井 僚 1, 藤森 俊太郎 1, 前原 拓哉 1, 池田 弥央 1, 大 1. 名大院工田 晃生 1, 牧原 克典 1, 宮崎 誠一 1
11:00
奨 10a-W934-8 Barker-Ferry 方程式を用いた高電界輸送特性解析〇 (M2) 牧平 真太朗 1, 森 伸也 1
1. 阪大院工11:15
招 10a-W934-9 「講演奨励賞受賞記念講演」〇平野 智暉 1, 中田 裕己 1, 山下 裕登 1, 李 韶賢 1, 川合 1. 阪大院工半導体表面におけるグラフェン・アシストエッチングの 健太郎 1, 山村 和也 1, 有馬 健太 1
基礎特性の解明11:30
奨 10a-W934-10 バイオテンプレート極限加工により作製した無欠陥配置 〇 (B) 竹内 聡 1, 大堀 大介 1, 石田 昌久 2, 田中 麻美 2, 1. 東北大流体研 , 2. 長瀬産業 , 3. 東北大 AIMR
制御 Si ナノピラー構造による表面撥水性の制御
曽田 匡洋 2, 寒川 誠二 1, 3
11:45		 10a-W934-11 化学的転写法による固定砥粒多結晶シリコンの低反射化 〇 (D) 國枝 省吾 1, 2, 今村 健太郎 1, 2, 小林 光 1, 2
1. 阪大産研 , 2.CREST-JSTと界面準位密度の低減
3/10(Sun.) 13:30 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) W934 会場 (Room W934)
13:30		 10p-W934-1 パルス光伝導法による超低密度の金属汚染評価〇熊谷 祐希 1, 葛川 翔太郎 1, 松山 浩輝 1, 阿部 成海 1, 1. 熊本大院自 , 2. 熊本大工
島津 裕一郎 1, 永友 航太郎 2, 中山 雄介 2, 中村 駿佑 2,
小林 一博 1, 久保田 弘 1, 橋新 剛 1, 吉岡 昌雄 2
13:45		 10p-W934-2 パルス光伝導法を用いた非接触マルチ測定手法の開発〇葛川 翔太郎 1, 松山 浩輝 1, 阿部 成海 1, 熊谷 祐希 1, 1. 熊大院自 , 2. 熊大工島津 裕一郎 1, 永友 航太郎 2, 中村 駿佑 2, 中山 雄介 2,
小林 一博 1, 久保田 弘 1, 橋新 剛 1, 吉岡 昌雄 2
14:00		 10p-W934-3 パルス光伝導法による非破壊界面準位密度測定の開発〇松山 浩輝 1, 葛川 翔太郎 1, 阿部 成海 1, 熊谷 祐希 1, 1. 熊大院自 , 2. 熊大工中山 雄介 2, 中村 駿佑 2, 永友 航太郎 2, 小林 一博 1, 久
保田 弘 1, 橋新 剛 1, 吉岡 昌雄 2
14:15		 10p-W934-4 非破壊界面準位密度測定の開発〇阿部 成海 1, 葛川 翔太郎 1, 松山 浩輝 1, 熊谷 祐希 1, 1. 熊大院自 , 2. 熊大工中山 雄介 2, 中村 駿佑 2, 永友 航太郎 2, 小林 一博 1, 久
保田 弘 1, 橋新 剛 1, 吉岡 昌雄 2
14:30		休憩 /Break
14:45		 10p-W934-5 Scalability Study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction 〇莫 非 1, 多川 友作 1, 更屋 拓哉 1, 平本 俊郎 1, 小林 正 1. 東大 生研
Memory治1
15:00		 10p-W934-6 有限バイアス下における層間トンネル過程の非平衡グ〇 (M1) 三島 嵩也 1, 田中 一 1, 橋本 風渡 1, 森 伸也 1
1. 阪大工リーン関数解析1
1
1
1, 2
15:15		 10p-W934-7 境界条件変調による領域分割デバイス・シミュレーショ 〇松澤 一也 , 阿部 真利 , 小田 嘉則 , 田中 貴久 , 1. 慶大 TRDEC, 2. 慶大電子工ン
内田 建 1, 2
15:30		 10p-W934-8 PN-Body Tied SOIFET の重イオン照射誘起電流〇古川 遼太 1, 呉 研 1, 高橋 芳浩 1
1. 日大理工15:45
奨 10p-W934-9 TID 影響下における MOSFET の動的特性劣化モデルの 〇大島 佑太 1, 安藤 幹 1, 平川 顕二 1, 岩瀬 正幸 1, 小笠 1. 東工大
1
1
1
1
開発
原 宗博 , 依田 孝 , 石原 昇 , 伊藤 浩之
16:00		 10p-W934-10 1 次元ナノ構造における熱輸送に電子ドラッグ効果が及 〇 (M2C) 梶原 祐磨 1, 森 伸也 1
1. 阪大院工ぼす影響の解析
16:15		 10p-W934-11 有限長シリコン量子細線における弾道的フォノン熱輸送 〇服部 淳一 1
1. 産総研に与えるひずみの影響
1
1
1
2
16:30		 10p-W934-12 クリーンルームの動的シミュレーションとバーチャルメ 〇甲斐 春貴 , 熊谷 祐希 , 阿部 成海 , 岩村 航 , 久保 1. 熊大院自 , 2. 熊大工トロロジーによる温度制御
田 弘 1, 橋新 剛 1, 吉岡 昌雄 2

13.2 探索的材料物性・基礎物性 / Exploratory Materials, Physical Properties, Devices
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30
			 11a-PB1-1

13 半導体 / Semiconductors

ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
Si 量子ドット多重連結構造からの電界電子放出特性 - 積 〇竹本 竜也 1, 二村 湧斗 1, 牧原 克典 1, 大田 晃生 1, 池 1. 名大院工
層数依存性
田 弥央 1, 宮崎 誠一 1
			 11a-PB1-2
分光エリプソメトリーによる結晶 Si/ ペロブスカイト系 〇 (M1) 川村 晃希 1, 那須野 勇樹 1, 石川 良 1, 白井 肇 1 1. 埼玉大理工研
タンデム素子の評価
			 11a-PB1-3
酸化グラフェンアシストエッチングの反応メカニズム解 〇窪田 航 1, 石塚 隆高 1, 宇都宮 徹 1, 一井 崇 1, 杉村 博 1. 京大院工明之1
13.2 探索的材料物性・基礎物性 / Exploratory Materials, Physical Properties, Devices
3/10(Sun.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 10a-PB2-1
C-V 法による n 型 Mg2Si 結晶のキャリア濃度測定〇 (B) 宮内 壮流 1, 新岡 大介 1, 高橋 史也 1, 鵜殿 治
1. 茨城大学 , 2.NIMS
彦 1, 渡辺 英一郎 2, 津谷 大樹 2
			 10a-PB2-2
その場熱処理による Mg2Si 結晶のキャリア濃度の低減〇郷州 桂伍 1, 石川 巧真 1, 布施 雄太郎 1, 鱒渕 稜平 1, 1. 茨城大
矢口 楓子 1, 鵜殿 治彦 1
			 10a-PB2-3
ウエットエッチングによる Mg2Si 結晶欠陥の観察〇鱒渕 稜平 1, 布施 雄太郎 1, 鵜殿 治彦 1
1. 茨城大工			 10a-PB2-4
Si 基板上 CaSi2 薄膜のフッ化処理〇伊藤 健治 1, 大砂 哲 1, 中野 秀之 1
1. 豊田中研
			 10a-PB2-5
カルシウムシリサイドの HF 処理による CaF2 ナノ粒子の 〇小野 祥希 1, 渥美 七虹 2, 伊藤 聖悟 2, 沼澤 有信 2, 黄 1. 静岡工 , 2. 静岡大院工 , 3. 静岡大院創造 , 4. ヤマハ発動作製亜磊 3, 立岡 浩一 2, 高橋 尚久 4機先進材料研			 10a-PB2-6
CaSi2 の MgCl2/Mg 処理による Mg2Si/Si ナノコンポジッ 〇 (M1C) 沼澤 有信 1, 翁 明煒 2, 伊藤 聖悟 2, 渥美 七 1. 静岡大院工 , 2. 静岡工 , 3. 静岡大院創造 , 4. ヤマハ発動
1
2
3
1
4
トの作製
虹 , 小野 祥希 , 黄 亜磊 , 立岡 浩一 , 高橋 尚久
機先進材料研			 10a-PB2-7
CaSi2 の MnCl2/NH4Cl 処理による Si ナノワイヤ / ナノ〇伊藤 聖悟 1, 沼澤 有信 2, 翁 明イ 1, 渥美 七虹 2, 小野 1. 静岡工 , 2. 静岡大院工 , 3. 静岡大院創造 , 4. ヤマハ発動シート複合体の作製
祥希 1, 黄 亜磊 3, 立岡 浩一 2, 高橋 尚久 4機先進材料研			 10a-PB2-8
BaSi2 テンプレート作製法が p-BaSi2/n-Si ヘテロ接合太陽 〇杉山 稜汰 1, 都甲 薫 1, 末益 崇 1
1. 筑波大電池特性に与える影響
1
1
1
1
			 10a-PB2-9
ポストアニール条件が BaSi2 薄膜のキャリア密度に与え 〇木村 裕希 , 藤原 道信 , 中川 慶彦 , 後藤 和泰 , 黒 1. 名大院工る影響
川 康良 1, 宇佐美 徳隆 1		E 10a-PB2-10 Study of the origin of defect levels in undoped-BaSi2〇 Louise Benincasa1, 2, Hirofumi Hoshida3, Tianguo 1.Univ. Tsukuba, 2.Univ. Grenoble Aples, 3.Kyushu Inst.
epitaxial films by PL measurement
Deng1, Takuma Sato1, 2, Kaoru Toko1, Yoshikazu
Tech.
Terai3, Takashi Suemasu1
			 10a-PB2-11 Sb 添加β -FeSi2 エピタキシャル膜におけるドナー活性化 〇 (M2) 江口 元 1, 阿部 光希 1, 木下 涼太 1, 村上 智樹 1, 1. 九工大情報工条件の最適化 (II)
寺井 慶和 1
			 10a-PB2-12 Si/B 添加β -FeSi2/Si 積層構造における 1.5 μ m 発光の活 〇 (M2) 岡 直大 1, 佐藤 隆治 1, 寺井 慶和 1
1. 九工大情報工性層厚依存性1
1
2
1
		奨 10a-PB2-13 SiC における時間分解 PTD 信号測定の励起光強度依存性 〇原田 慎太郎 , 武市 慎矢 , 鎌田 隼 , 徐 微微 , 香西 1. 阿南高専 , 2. 徳島大学
貴典 1, 藤原 健志 1, 鄭 涛 1, 小西 智也 1, 釜野 勝 1
			 10a-PB2-14 II 型 SiGe クラスレートの合成と構造評価
久松 大峰 1, 山田 邦彦 2, Jha Himanshu S.1, 大橋 史
1. 岐阜大工 , 2. 岐阜大院自然研
隆 1, 2, 〇久米 徹二 1, 2
1
2
1
1, 3
			 10a-PB2-15 InGaZnO4 バルク単結晶における格子間水素の電子状態 〇平石 雅俊 , 小嶋 健児 , 岡部 博孝 , 幸田 章宏 , 1.KEK 物構研 , 2.TRIUMF, 3. 総研大 , 4. 東理大理
門野 良典 1, 3, 小林 裕樹 4, 宮川 宣明 4
			 10a-PB2-16 金属溶媒を利用した 第二族元素含有三元リン化物半導体 〇 (PC) 勝部 涼司 1, 原田 航 2, 大場 史康 2, 野瀬 嘉太 1. 京大院工 , 2. 東工大フロンティア研の開拓郎1
			 10a-PB2-17 PA-MBE 法による GaN/GdN 超格子構造形成とその磁気 〇岡本 旭史 1, 長谷川 繁彦 1
1. 阪大産研
光学的特性評価 ( その 1)
ー GdN 井戸層成長方式の検討 ー			 10a-PB2-18 バッファー層を用いた Si 基板上への高品位鉄酸化物薄膜 〇山中 健太 1, 2, 高野 健吾 1, 2, 山口 憲司 2
1. 茨城大 , 2. 量研機構の作製
3/11(Mon.) 13:15 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) W834 会場 (Room W834)
13:15		 11p-W834-1 Mg2Si フォトダイオードの分光感度の接合深さ依存性〇鵜殿 治彦 1, 鬼沢 雄馬 1, 中野 達也 1
1. 茨城大13:30		 11p-W834-2 非金属元素の侵入型ドーピングによる Mg2Si のバンド構 〇今井 庸二 1, 山本 淳 1, 財部 健一 2
1. 産総研 , 2. 岡山理科大
造変化
1
2
2
13:45		 11p-W834-3 Mg2Si(111)//Si(111) 高配向膜における光変調反射率スペ 〇星田 裕文 , S. Alexander , I. Chernev , N.G.
1. 九工大情報工 , 2.FEBRAS
クトルの評価Galkin2, 寺井 慶和 1
14:00		 11p-W834-4 非破壊電気コンタクトプローブの内部光電効果測定への 〇吉武 道子 1, シュリダール ディーパック 1, 柳生 進 1. 物材機構
適用
二郎 1
14:15		休憩 /Break
14:30		 11p-W834-5 近接蒸着による BaSi2 薄膜作製
〇原 康祐 1, 瀧澤 周平 1, 有元 圭介 1, 山中 淳二 1, 中川 1. 山梨大
清和 1
14:45		 11p-W834-6 スパッタリング法による BaSi2 の二段階成長と特性評価 〇根本 泰良 1, 松野 賢司 1, 召田 雅実 2, 倉持 豪人 2, 都 1. 筑波大 , 2. 東ソー
甲 薫 1, 末益 崇 1
15:00
奨 11p-W834-7 三段階成長法による BaSi2 光吸収層の高品位エピタキ〇山下 雄大 1, 佐藤 拓磨 1, 都甲 薫 1, 末益 崇 1
1. 筑波大シャル成長
15:15		 11p-W834-8 Ba/Si 堆積レート比が B-doped BaSi2 膜の少数キャリア寿 〇杉山 周 1, 木村 裕希 2, 山下 雄大 1, 都甲 薫 1, 宇佐美 1. 筑波大 , 2. 名古屋大
命に与える影響徳隆 2, 末益 崇 1
15:30		 11p-W834-9 MBE 法による As-doped BaSi2 膜の作製と評価〇青貫 翔 1, 山下 雄大 1, 都甲 薫 1, 末益 崇 1
1. 筑波大15:45		休憩 /Break
16:00
奨 11p-W834-10 新規 p 型無機半導体の開発およびフレキシブル素子への 〇青山 皓太 1, 全 泰桓 1, 金 正煥 1, 細野 秀雄 1
1. 東工大元素戦略研
応用
16:15 奨 E 11p-W834-11 Synthesis & Characterization of Ge-based Low〇(M2)Vimal Saxena1, Hirokazu Tatsuoka1, Yasuhiro 1.GSIST Shizuoka Univ., 2.RIE Shizuoka Univ., 3.
Dimensional Material from Zintl Phase Compound,
Hayakawa2, Naohisa Takahashi3
Yamaha Ad. Ma. Re. G
CaGe2
16:30		 11p-W834-12 Zintl 相太陽電池材料 BaSi2 の電子構造〇今井 基晴 1
1. 物材機構
16:45		 11p-W834-13 Si 基板上に形成した擬ギャップε -CoSi 薄膜の熱電性能 〇雛川 貴弘 1, 坂根 駿也 1, 石部 貴史 1, 藤田 武志 2, 3, 1. 阪大院基礎工 , 2.CREST-JST, 3. 高知工科大
1, 2
評価
中村 芳明
17:00
E 11p-W834-14 Synthesis of Si-based Nanosheet Bundles using Metal〇 (D)Yalei Huang1, Vimal Saxena2, Kaito Tanaka3, 1.GSST Shizuoka Univ., 2.GSIST Shizuoka Univ., 3.Dpt.
Chlorides in Solutions
Yasuhiro Hayakawa4, Hirokazu Tatsuoka2, Naohisa
Eng. Shiz. Uni., 4.RIE Shizuoka Univ., 5.Yamaha Ad.
Takahashi5
Ma. Re. G
17:15		休憩 /Break1
1
1
2
17:30		 11p-W834-15 イオンビーム合成法で作製したβ -FeSi2 膜中の空孔型欠 〇薮内 敦 , 唐津 拓弥 , 木野村 淳 , 前川 雅樹 , 河裾 1. 京大複合研 , 2. 量研機構
陥評価
厚男 2
17:45		 11p-W834-16 アモルファス Si/ β -FeSi2 複合薄膜の電気伝導機構〇 (M1) 齊藤 佑太 1, 勝俣 裕 1
1. 明大理工18:00 奨 E 11p-W834-17 Significant photoresponsivity enhancement of BaSi2〇 (D)Zhihao Xu1, Tianguo Deng1, Kaoru Toko1,
1.Univ. Tsukuba, 2.Belarusian State Univ.
21epitaxial films by atomic hydrogen passivation
Dmitri Migas , Takashi Suemasu
18:15		 11p-W834-18 電子スピン常磁性共鳴によるバルクおよび薄膜 BaSi2 内 〇佐藤 拓磨 1, 2, Gambarelli Serge2, Barra Anne1. 筑波大 , 2.UGA, CEA, CNRS, INAC-SyMMES,の欠陥の調査Laure3, 末益 崇 1
3.LNCMI-CNRS
13.3 絶縁膜技術 / Insulator technology
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 11a-PB2-1
SiO2，Si3N4 膜への H2O 分子の透過障壁の生成要因〇奥 友希 1, 戸塚 正裕 1, 佐々木 肇 1
1. 三菱電機			 11a-PB2-2
格子定数の変調による SiO2 中の Vo 拡散障壁の変化の研究 〇 (M1) 矢田 航平 1, 影島 博之 1
1. 島根大院自然科学

【CS.5】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

13 半導体 / Semiconductors

			 11a-PB2-3

酸素欠損のある SiO2 の動特性に関する圧力効果と温度効 〇矢島 雄司 1, 白石 賢二 2, 4, 遠藤 哲郎 3, 4, 影島 博
1. 島根大院 , 2. 名古屋大 , 3. 東北大 , 4.JST-ACCEL果の検討
之 1, 4
			 11a-PB2-4
NH3 ガスを用いた酸化 Si 膜残留 OH 成分除去量の低温ア 〇堀田 將 1
1. 北陸先端大ニール条件依存性
			 11a-PB2-5
ハフニウムを添加したシリコン窒化膜の窒素原子空孔の 〇 (M2) 新里 健也 1, 小林 清輝 1
1. 東海大院工欠陥準位
			 11a-PB2-6
トンネル電流解析による MONOS 型不揮発性メモリの捕 〇美濃 暢 1, 小林 清輝 1
1. 東海大院工獲正孔密度の決定			 11a-PB2-7
準安定原子誘起電子分光法による O/Cs/SiC(3 × 3) 表面 〇 (B) 田中 晶貴 1, 飯田 涼 1, 柏谷 拓実 1, 渡邉 拓斗 1, 1. 宇部高専 , 2. 九大院工 , 3. 九工大院工の電子状態測定平山 楓 2, 田中 悟 2, 内藤 正路 3, 碇 智徳 1
		
奨 11a-PB2-8
Si 基板上 SiO2 絶縁膜の角度分解 XPS を用いた深さ分解膜 〇 (M1) 長谷川 菜 1, 武田 さくら 1, 吉栄 佑哉 1, 上沼 1. 奈良先端大
質評価
睦典 1, 石河 泰明 1, 浦岡 行治 1, 大門 寛 1
			 11a-PB2-9
HfO2-ZrO2 系薄膜における反強誘電性の発現過程につい 〇柴山 茂久 1, 坂下 満男 1, 中塚 理 1, 2, 財満 鎭明 3
1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 名大未来社会創造機構
て
1
1
1, 2
			 11a-PB2-10 AlON ゲート絶縁膜への Hf 添加によるホールリーク抑制 〇 (M2) 名倉 拓哉 , 長川 健太 , 洗平 昌晃 , 細井 卓 1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 阪大院工の物理的起源治 3, 渡部 平司 3, 押山 淳 2, 白石 賢二 1, 2
3/11(Mon.) 13:15 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) M136 会場 (Room M136)
13:15		 11p-M136-1 局在キャリアのデトラップの温度依存性に関する考察〇宝玉 充 1, 泉田 貴士 1, 谷本 弘吉 1, 青木 伸俊 1, 尾上 1. 東芝メモリ
誠司 1
13:30
E 11p-M136-2 High quality silicon dioxide by low temperature neutral〇HuaHsuan Chen1, Daisuke Ohori1, Takuya Ozaki1, 1.IFS, Tohoku Univ., 2.ASM Japan K.K., 3.AIMR,
beam enhanced atomic layer deposition
Mitsuya Utsuno2, Tomohiro Kubota2, Toshihisa
Tohoku Univ.
Nozawa2, Seiji Samukawa1, 3
1
1
13:45		 11p-M136-3 Charge trapping characteristics in SiO2 during application 〇 (M2)Takeshi Nanke , Ryu Hasunuma
1.Univ. of Tuskubaof electric stress at high temperature
14:00		 11p-M136-4 Si ピラー酸化における Si ミッシングに関する理論検討 II 〇影島 博之 1, 4, 白石 賢二 2, 4, 遠藤 哲郎 3, 4
1. 島根大 , 2. 名古屋大 , 3. 東北大 , 4.JST ACCEL
14:15		 11p-M136-5 シリコン同位体ナノピラー構造中における酸化増速自己 〇木我 亮太郎 1, 林 彩弥佳 1, 宮本 聡 1, 清水 康雄 2, 永 1. 慶大理工 , 2. 東北大金研 , 3. 東北大 CIES, 4.JST23, 4
1
拡散のアトムプローブ観測
井 康介 , 遠藤 哲郎 , 伊藤 公平
ACCEL
14:30		休憩 /Break
14:45		 11p-M136-6 Si/SiO2 界面解析に向けたニューラルネットワークポテン 〇又賀 誠 1, 名倉 拓哉 1, 洗平 昌晃 1, 2, 白石 賢二 1, 2
1. 名大院工 , 2. 名大未来研
シャルの応用
15:00
奨 11p-M136-7 High-k ゲートスタック界面準位密度のフラッシュランプ 〇首藤 広大 1, 吉仲 泰萌 1, 藤原 広大 1, 河原崎 光 2, 青 1. 兵庫県立大工 , 2.( 株 )SCREEN セミコンダクターソ
アニール温度依存評価
山 敬幸 2, 加藤 慎一 2, 奈良 安雄 1
リューションズ
15:15 奨 E 11p-M136-8 Impact of metal gate electrodes on electrical properties of 〇 (D)TsungEn Lee1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi
1.Univ. of Tokyo
Y2O3/Si0.78Ge0.22 gate stacks
Takagi1
15:30
奨 11p-M136-9 温度変動に伴う酸化膜キャパシタの蓄積電荷量の変動に 〇濱口 高志 1, 喜多 浩之 1
1. 東大院工対する界面ダイポール層の温度依存性の寄与の検証
15:45		休憩 /Break
16:00		 11p-M136-10 GeO2/Ge 界面における GeO 脱離の調査〇渡邉 龍一郎 1, 豊田 健一郎 1, 和知 祥太郎 1, 岩崎 好 1. 東京農工大学院
孝 1, 上野 智雄 1
16:15
E 11p-M136-11 Crystallization of GeO2 on Ge is really triggered by GeO 〇 Min Xie1, Tomonori Nishimura1, Takeaki Yajima1, 1.Univ. Tokyo
desorption?
Akira Toriumi1
16:30		 11p-M136-12 Germanium の高圧酸素熱酸化機構と形成された GeO2 膜 王 旭 1, 西村 知紀 1, 〇鳥海 明 1
1. 東大院工の性質
16:45		 11p-M136-13 CVD 法を用いた GeO2/Ge 構造の作製と評価〇勝野 泰幸 1, 佐藤 亜武 1, 岩崎 好孝 1, 上野 智雄 1
1. 農工大学院工
17:00		 11p-M136-14 Kr/O2 プラズマ酸化法を用いた HfO2/Ge 直接接合構造の 〇所附 武志 1, 岩崎 好考 1, 上野 智雄 1
1. 東京農工大工
作製【CS.5】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
3/10(Sun.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
13:45		 10p-W631-1 HfO2 基強誘電体スパッタ薄膜の成長時の酸素分圧が結晶 〇高田 賢志 1, 佐保 勇樹 1, 桐谷 乃輔 1, 吉村 武 1, 芦田 1. 阪府大工
成長・結晶構造に与える影響
淳 1, 藤村 紀文 1
14:00		 10p-W631-2 HfO2 系強誘電体スパッタ薄膜の成長時の酸素分圧が結晶 〇佐保 勇樹 1, 高田 賢志 1, 桐谷 乃輔 1, 吉村 武 1, 芦田 1. 阪府大工
構造・電気特性におよぼす影響
淳 1, 藤村 紀文 1
14:15
E 10p-W631-3 The influence of sputtering condition for ferroelectric〇 MinGee Kim1, Masakazu Kataoka1, Rengie Mark 1.Tokyo Tech.
HfO2 directly deposited on Si(100) by RF magnetron
D. Mailig1, Shun-ichiro Ohmi1
sputtering
14:30		 10p-W631-4 HfO2 薄膜の強誘電相形成におけるドーパントの役割〇森 優樹 1, 西村 知紀 1, 矢嶋 赳彬 1, 右田 真司 2, 鳥海 1. 東大院工 , 2. 産総研
明1
14:45		 10p-W631-5 酸化熱処理による HfO2 強誘電相消失のメカニズム〇矢嶋 赳彬 1, 森 優樹 1, 西村 知紀 1, 鳥海 明 1
1. 東大マテ
15:00		 10p-W631-6 帯電時の斜方晶・単斜晶 HfO2 の安定性：第一原理計算 〇白石 悠人 1, 長澤 立樹 1, 洗平 昌晃 2, 白石 賢二 2, 中 1. 千葉大理 , 2. 名大未来研による検討
山 隆史 1
15:15		休憩 /Break
15:30
招 10p-W631-7 「講演奨励賞受賞記念講演」〇山口 まりな 1, 藤井 章輔 1, 株柳 翔一 1, 上牟田 雄
1. 東芝メモリ
HfO2 強誘電体トンネル接合メモリのサイクル不良メカニ 一 1, 井野 恒洋 1, 中崎 靖 1, 高石 理一郎 1, 市原 玲華 1,
ズムの解明
齋藤 真澄 1
15:45		 10p-W631-8 300 °C 低温形成した HfxZr1 − xO2 薄膜の強誘電性〇女屋 崇 1, 2, 3, 生田目 俊秀 2, 澤本 直美 1, 大井 暁彦 2, 1. 明大 , 2. 物材機構 , 3. 学振特別研究員 DC
池田 直樹 2, 長田 貴弘 2, 小椋 厚志 1
16:00
奨 10p-W631-9 反強誘電体 ZrO2 を有する MIS 構造のユニポーラスイッ 〇 (M2) 多川 友作 1, 更屋 拓哉 1, 平本 俊郎 1, 小林 正 1. 東大生研
チング特性
治1
16:15		 10p-W631-10 強誘電体トランジスタにおいて観察される急峻スロープ 〇右田 真司 1, 太田 裕之 1, 鳥海 明 2
1. 産総研 , 2. 東大院工の起源
16:30 奨 E 10p-W631-11 Polarization Switching as the Cause of Steep Subthreshold 〇 (D)Chengji Jin1, Takuya Saraya1, Toshiro
1.IIS, Univ. of Tokyo
Slope in Ferroelectric FETs
Hiramoto1, Masaharu Kobayashi1
16:45		 10p-W631-12 TCAD による強誘電体負性容量分極のコヒーレンシーと 〇太田 裕之 1, 池上 努 1, 福田 浩一 1, 服部 淳一 1, 浅井 1. 産総研 , 2. 東大
その時間的発展のシミュレーション
栄大 1, 遠藤 和彦 1, 右田 真司 1, 鳥海 明 2
13.4 Si 系プロセス・Si 系薄膜・MEMS・装置技術 / Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology
3/9(Sat.) 9:00 - 12:00
口頭講演 (Oral Presentation) M114 会場 (Room M114)
9:00		 9a-M114-1
深掘りエッチング時のサイドエッチメカニズムの解析〇田中 宏幸 1, 2, 小木曽 久人 1, 2, 中野 禅 1, 2, 野沢 善
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ推進機構 , 3.SPP テクノロ
幸 2, 3, 速水 利泰 2, 3, クンプアン ソマワン 1, 2, 原 史
ジーズ
朗 1, 2
1, 3
1, 3
1, 3
9:15		 9a-M114-2
ミニマルレーザ加熱装置における高速昇温時の転位制御 〇佐藤 和重 , 千葉 貴史 , 寺田 昌男 , 池田 伸
1. ミニマルファブ推進機構 , 2. 産総研 , 3. 坂口電熱について
一 1, 2, クンプアン ソマワン 1, 2, 原 史朗 1, 2
9:30		 9a-M114-3
ミニマル TiN 反応性スパッタ装置の成膜特性（２）〇野田 周一 1, 古賀 和博 2, 根本 一正 1, 薮田 勇気 3, 山 1. 産総研 , 2. ミニマルファブ推進機構 , 3. 誠南工業（株）
本 直子 3, 亀井 龍一郎 3, クンプアン ソマワン 1, 2, 原史朗 1, 2
9:45		 9a-M114-4
品質工学を用いたミニマルプラズマ TEOS 膜の膜質向上 〇三浦 典子 1, 古賀 和博 1, 田中 宏幸 1, 2, 野沢 善幸 3, 1. ミニマルファブ推進機構 , 2. 産総研 , 3.SPP テクノロの検討
速水 利泰 3, クンプアン ソマワン 1, 2, 原 史朗 1, 2
ジーズ

13.4 Si 系プロセス・Si 系薄膜・MEMS・装置技術 / Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology
10:00		 9a-M114-5

13 半導体 / Semiconductors

ミニマルファブで作成したコンタクト抵抗のばらつき評 〇加瀬 雅 1, 佐藤 和重 2, 3, クンプアン ソマワン 1, 2, 原 1. 産業技術総合研究所 , 2. ミニマルファブ推進機構 ,価
史朗 1, 2
3. 坂口電熱株式会社
10:15		 9a-M114-6
ハーフインチサイズパッケージでの電気的に安定したビ 〇居村 史人 1, 2, 井上 道弘 1, クンプアン ソマワン 1, 2, 1. 産総研 , 2. ミニマルファブ
アコンタクト抵抗の形成
原 史朗 1, 2
10:30		 9a-M114-7
ミニマルファブのゲートファーストプロセスで作製した 〇柳 永シュン 1, 佐藤 和重 2, 田中 宏幸 1, 2, 古賀 和
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ
PVD-TiN メタルゲート SOI-MOSFET 電気特性の RTA 依 博 2, クンプアン ソマワン 1, 2, 長尾 昌善 1, 松川 貴 1,存性
原 史朗 1, 2
10:45		 9a-M114-8
ミニマルファブを用いた TiN ゲート SOI CMOS の電気的 〇古賀 和博 1, 柳 永シュン 2, 居村 史人 2, 1, 加瀬 雅 2, 1. ミニマルファブ推進機構 , 2. 産総研
特性のばらつき評価
野田 周一 2, 根本 一正 2, クンプアン ソマワン 1, 2, 原史朗 1, 2
11:00		 9a-M114-9
ダイヤモンドウェハのミニマルファブへの応用〇根本 一正 1, 田中 宏幸 1, 野田 周一 1, 三浦 典子 2, ク 1. 産総研 , 2. ミニマルファブ
ンプアン ソマワン 1, 2, 原 史朗 1, 2
11:15		 9a-M114-10 水晶振動子によるシリコンミニマルＣＶＤ装置内化学種 高橋 俊範 1, 室井 光子 1, 〇羽深 等 1, 池田 伸一 2, 3, 石 1. 横国大院工 , 2. ミニマルファブ推機 , 3. 産総研
輸送状態観察田 夕起 2, 3, 原 史朗 2, 3
11:30		 9a-M114-11 ウエハ洗浄における超純水使用量最適化に関する検討〇影山 智明 1, 3, 根本 一正 2, クンプワン ソマワン 2, 3, 1. 鳥取大学 , 2. ミニマルファブ推進機構 , 3. 産総研
原 史朗 2, 3, 李 相錫 1
11:45		 9a-M114-12 局所クリーン化ミニマル環境コントロールシステム〇谷島 孝 1, 2, 三浦 典子 1, 安井 政治 1, 2, クンプアン
1. ミニマルファブ技術研究組合 , 2. 産総研-PLAD ( Ⅲ )ソマワン 1, 2, 前川 仁 1, 2, 原 史朗 1, 2
3/9(Sat.) 13:15 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) M114 会場 (Room M114)
13:15		 9p-M114-1
バルク Si 基板へのホット C ＋イオン注入法による SiC ナノ 〇山本 将輝 1, 青木 孝 1, 鮫島 俊之 2, 水野 智久 1
1. 神奈川大理 , 2. 東京農工大工
ドット形成 ( Ⅳ )：面方位依存性
13:30		 9p-M114-2
多結晶 Si とアモルファス Si 基板へのホット C ＋イオン注 〇金澤 力斗 1, 青木 孝 1, 鮫島 俊之 2, 水野 智久 1
1. 神奈川大学理 , 2. 東京農工大工入法による SiC ナノドットの形成 ( Ⅱ ):C+ ドーズ依存性
13:45		 9p-M114-3
高出力サブミリ秒加熱の FLA 装置による浅く高活性な接 上田 晃頌 1, 〇谷村 英昭 1, 河原崎 光 1, 山田 隆泰 1, 布 1.SCREEN セミコンダクターソリューションズ
合の形成
施 和彦 1, 青山 敬幸 1, 加藤 慎一 1, 野崎 仁秀 1
14:00		 9p-M114-4
FLA と Sol-Gel 膜を用いた高濃度不純物導入技術〇谷村 英昭 1, 布施 和彦 1, 青山 敬幸 1, 加藤 慎一 1, 野 1.SCREEN セミコンダクターソリューションズ
崎 仁秀 1
14:15		 9p-M114-5
高調波∂ C/ ∂ z-SNDM 信号を用いた半導体キャリア分 〇平永 良臣 1, 長 康雄 1
1. 東北大通研
布観察14:30		 9p-M114-6
高誘電率絶縁膜を用いた Cu-MIC 4 端子 poly-GexSn1〇宮崎 僚 1, 内海 大樹 1, 原 明人 1
1. 東北学院大工xTFT の開発
14:45		 9p-M114-7中空構造 SOI 層を用いた高効率低温転写技術における転 〇 (B) 河北 竜治 1, 平野 友貴 1, 花房 宏明 1, 東 清一郎 1 1. 広大院先端研
写時間の短縮化
15:00		 9p-M114-8
プラスチック上のフローティングゲートメモリ作製のた 〇 (M2) 近藤 史康 1, 花房 宏明 1, 東 清一郎 1
1. 広大院先端研
めの低温プロセス技術に関する研究
15:15
奨 9p-M114-9
PD の過渡応答を利用したフィルタレス分光方法〇渡邉 信太 1, 野田 俊彦 2, 澤田 和明 2, 秋山 正弘 1
1. 長野工業高等専門学校 , 2. 豊橋技術科学大学
15:30		 9p-M114-10 ラマン分光法を用いたプラズマ CVD 堆積 SiN および a-C 〇小原田 賢聖 1, 横川 凌 1, 2, 小椋 厚志 1
1. 明治大理工 , 2. 学振特別研究員 DC
膜の応力評価3/10(Sun.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M114 会場 (Room M114)
9:00
奨 10a-M114-1 固相成長した高移動度 Ge 薄膜の TFT 動作実証
〇今城 利文 1, 茂藤 健太 1, 山本 圭介 2, 末益 崇 1, 中島 1. 筑波大院 数理物質 , 2. 九大院 総合理工 , 3. 九大 GIC
寛 3, 都甲 薫 1
9:15		 10a-M114-2 高品質 n 型多結晶 Ge 膜の合成に向けた Sb 添加固相成長 〇斎藤 聖也 1, 高原 大地 1, 今城 利文 1, 茂藤 健太 1, 末 1. 筑波大院 数理物質
益 崇 1, 都甲 薫 1
9:30
奨 10a-M114-3 スピンコートによって形成した PI 上のダブルゲート〇 (M2) 内海 大樹 1, 原 明人 1
1. 東北学院大工Cu-MIC poly-Ge TFT
9:45		 10a-M114-4 短時間照射 FLA による Poly-Si の高活性化技術〇繁桝 翔伍 1, 谷村 英昭 1, 布施 和彦 1, 青山 敬幸 1, 加 1.SCREEN セミコンダクターソリューションズ
藤 慎一 1, 野崎 仁秀 1
10:00
奨 10a-M114-5 レーザーアニール法を用いた低温多結晶 Si 薄膜の突起制 〇 (B) 濱野 史暢 1, 妹川 要 1, 2, 中村 大輔 1, 池上 浩 1, 2 1. 九大 , 2. 九大ギガフォトン共同研究部門
御10:15		 10a-M114-6 一括 ELA によるパネル上 a-Si 薄膜の結晶化〇野口 隆 1, 中面 僚介 1, 伊敷 優哉 1, 岡田 竜弥 1, ヒュ 1. 琉球大学工学部 , 2. スクリーンセミコンダクタソ
エット カリム 2リューション
10:30		休憩 /Break
1
1, 2
1
3
10:45
奨 10a-M114-7 局所レーザーアニールによる低温多結晶 Si 薄膜の結晶形 〇 (B) 山田 貴大 , 妹川 要 , 中村 大輔 , 後藤 哲也 , 1. 九大 , 2. 九大ギガフォトン共同部門 , 3. 東北大未来研
状制御
池上 浩 1, 2
11:00		 10a-M114-8 CW レーザー結晶化 Si 薄膜における変形双晶の Schmid 因 〇佐々木 伸夫 1, 2, Arif Muhammad2, 浦岡 行治 2
1.Sasaki Consulting, 2. 奈良先端大
子計算
1
1
1
11:15		 10a-M114-9 大気圧熱プラズマジェット照射中の溶融シリコン内温度 〇水川 友里 , 花房 宏明 , 東 清一郎
1. 広大院先端研
分布解析
11:30		 10a-M114-10 スパッタ Si 薄膜の µCLBS 法による単結晶帯形成〇小柳 樹 1, 白川 俊樹 1, 平末 充紀 1, 葉 文昌 1
1. 島根大総合理工
11:45		 10a-M114-11 µCLBA 誘起 Si ストライプを用いた n 型 TFT の作製〇平末 充紀 1, 葉 文昌 1
1. 島根大3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) W934 会場 (Room W934)
1
1
1
1
9:00
奨 11a-W934-1 積層メタル技術によるピラー型容量検出電極の検討〇 (M1) 渥美 賢 , 乙部 翔太 , 古賀 達也 , 市川 崇志 , 1. 東工大 , 2.NTT アドバンステクノロジ株式会社
山根 大輔 1, 飯田 慎一 2, 伊藤 浩之 1, 石原 昇 1, 曽根 正
人 1, 町田 克之 1, 益 一哉 1
9:15
奨 11a-W934-2 3 軸 Au 錘 MEMS 加速度センサにおける平行平板型電極の 〇市川 崇志 1, 新島 宏文 1, 古賀 達也 1, 山根 大輔 1, 飯 1. 東工大 , 2.NTT-AT
検討
田 慎一 2, 伊藤 浩之 1, 石原 昇 1, 曽根 正人 1, 町田 克
之 1, 益 一哉 1
9:30
奨 11a-W934-3 Ti/Au 微小カンチレバーの温度依存性への積層構造の影 〇渡邊 瞳 1, 鈴木 拓真 1, Chen Chun-Yi1, Chang
1. 東工大 , 2.NTT AT
響
Tso-Fu Mark1, 山根 大輔 1, 小西 敏文 2, 町田 克之 1,
1
1
1
伊藤 浩之 , 益 一哉 , 曽根 正人
9:45		 11a-W934-4 結晶 Si 膜の低温形成に向けた SiH4 ガスのプラズマ改質〇浜中 恵一 1, 垣内 弘章 1, 安武 潔 1, 大参 宏昌 1
1. 阪大院工10:00		 11a-W934-5 単結晶シリコン薄膜のフレキシブル基板上への繰り返し 〇 (M1) 平野 友貴 1, 花房 宏明 1, 東 清一郎 1
1. 広大院先端研
転写プロセスの構築
10:15		 11a-W934-6 波長選択赤外光源のための表面プラズモン励起用格子
矢作 秀賀 1, 熊谷 慎也 2, 桝野 雄矢 3, 石居 真 3, 〇佐々 1. 豊田工大 , 2. 名城大 , 3. 矢崎総業
木 実1
10:30		 11a-W934-7 Silicide/Si 界面における弱い Fermi-level Pinning の起源 〇西村 知紀 1, 羅 璇 1, 矢嶋 赳彬 1, 鳥海 明 1
1. 東大院工10:45		 11a-W934-8 Sn イオン注入による Ge 基板中の P プロファイル制御
和田 涼太 1, 〇鈴木 良守 1, 永山 勉 1, 黒井 隆 1, 池尻 忠 1. 日新イオン機器 , 2.SCREEN セミコンダクターソ
司 1, 谷村 英昭 2, 青山 敬幸 2, 加藤 慎一 2
リューションズ
11:00		 11a-W934-9 金属 /Ge 界面のショットキーバリアに対する偏析層の効 〇 (M2) 西本 俊輝 1, 中山 隆史 1
1. 千葉大理
果：第一原理計算による検討
11:15
奨 11a-W934-10 Si-IGBT プロセスによる FZ-Si の少数キャリアライフタ 〇小林 弘人 1, 横川 凌 1, 2, 木下 晃輔 1, 沼沢 陽一郎 1, 1. 明治大理工 , 2. 学振特別研究員 , 3. 九州大工 , 4. 東京大イムへの影響評価 -III小椋 厚志 1, 西澤 伸一 3, 更屋 拓哉 4, 伊藤 一夫 4, 高倉 工
俊彦 4, 鈴木 慎一 4, 福井 宗利 4, 竹内 潔 4, 平本 俊郎 4
11:30
E 11a-W934-11 The Schottky barrier height modulation of Pd2Si/〇 RengieMark Domincel Mailig1, Min Gee Kim1,
1.Tokyo Institute of Technologyp-Si(100) diodes by dopant segregation process
Shun-ichiro Ohmi1

13.5 デバイス／配線／集積化技術 / Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

13 半導体 / Semiconductors

3/12(Tue.) 9:30 - 11:30
			 12a-PB3-1

ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
レジオネラ属菌の蛍光強度の励起光強度依存性〇田中 佐和子 1, 崔 容俊 1, 石田 誠 1, 澤田 和明 1, 石井 1. 豊橋技科大 , 2. 東工大 , 3. 産業医科大学 , 4. 福岡聖恵病

仁 1, 町田 克之 2, 二階堂 靖彦 3, 齋藤 光正 3, 吉田 眞
院一4
			 12a-PB3-2
低水素 a-Si 膜の低温成膜〇東 大介 1, 瀬戸口 佳孝 1, 安東 靖典 1
1. 日新電機			 12a-PB3-3
水素ラジカル加熱を用いたガラス基板上 Poly-Si 形成技術 〇中家 大希 1, 斎藤 慎吾 1, 荒井 哲司 1, 上村 和貴 1, 有 1. 山梨大 , 2. エス・エス・ティー, 3. 東京都市大学
開発
元 圭介 1, 原 康祐 1, 山中 淳二 1, 中川 清和 1, 高松 利
行 2, 澤野 憲太郎 3
			 12a-PB3-4
ナノデバイスの微細化に伴うカシミール効果の影響〇 (B) 香川 建 1, 河原 尊之 1
1. 東京理科大工
			 12a-PB3-5
ダブルレプリカ法を用いたマイクロ予備濃縮器の作製〇平川 裕基 1, Jeong-O Lee2, 李 相錫 1
1. 鳥取工 , 2. 韓国化学研究院
111
			 12a-PB3-6
Schottky 界面における Two-band MIGS モデル〇西村 知紀 , 矢嶋 赳彬 , 鳥海 明
1. 東大院工			 12a-PB3-7
結晶 Si ナノ領域におけるボロン不純物分布の 1at.% 分解 〇浅野 孝典 1, 高石 理一郎 1, 田中 洋毅 1, 宮川 英典 1, 1. 東芝メモリ（株）
能 STEM-EELS 分析
齋藤 真澄 1
			 12a-PB3-8
TEM-STM ホルダーを用いたシリコンナノワイヤの作製 〇 (M2) 黒田 雄貴 1, 大島 義文 1
1. 北陸先端大		
奨 12a-PB3-9
Au 錘 3 軸 MEMS 加速度センサのための SCD 電極の検討 〇乙部 翔太 1, 渥美 賢 1, 古賀 達也 1, 山根 大輔 1, 飯田 1. 東工大 , 2.NTT-AT
慎一 2, 伊藤 浩之 1, 石原 昇 1, 町田 克之 1, 曽根 正人 1,
益 一哉 1
			 12a-PB3-10 微小曲げ試験による金材料の機械的強度のサンプル形状 〇鈴木 康介 1, Ken Hashigata1, 浅野 啓介 1, Chun-Yi 1. 東工大 , 2. 産総研 , 3.NTT AT
効果
Chen1, 名越 貴志 2, Tso-Fu Mark Chang1, 山根 大輔 1,
小西 敏文 1, 3, 町田 克之 1, 伊藤 浩之 1, 益 一哉 1, 曽根正人 1		奨 12a-PB3-11 電気めっき法による Au-Cu 合金微小カンチレバーの作製 〇新田 京太朗 1, Tang Haochun1, Chen Chun-Yi1,
1. 東工大 , 2.NTT-AT
Chang Tso-Fu Mark1, 山根 大輔 1, 小西 敏文 1, 2, 町田克之 1, 伊藤 浩之 1, 益 一哉 1, 曽根 正人 1
		
奨 12a-PB3-12 超臨界 CO2 を用いた無電解めっきによる Ni/PET ハイブ 〇徳岡 賢一 1, Chiu Wan-Ting1, Chen Chun-Yi1,
1. 東工大 , 2. 奈良女
リッド繊維の創製
Chang Tso-Fu Mark1, 佐治 明子 2, 橋本 朋子 2, 黒子
弘道 2, 曽根 正人 1
		
奨 12a-PB3-13 光干渉型表面応力センサの変位検出下限評価と非標識分 〇丸山 智史 1, 崔 容俊 1, 高橋 一浩 1, 2, 澤田 和明 1
1. 豊技大 , 2.JST さきがけ子検出		
奨 12a-PB3-14 高 pH 分解能を実現する累積機能を持つ拡張ゲート型 pH 〇有見 芳敬 1, 木村 安行 1, 若森 俊樹 3, 山本 洋夫 3, 岩 1. 豊橋技術科学大 , 2. エレクトロニクス先端融合研究
イメージセンサ
田 達哉 1, 2, 高橋 一浩 1, 2, 水野 誠一郎 3, 澤田 和明 1, 2 所 , 3. 浜松ホトニクス株式会社
			 12a-PB3-15 ドライエッチング法を用いた BN 膜のパターニング〇松田 崇行 1, 野間 正男 2, 山下 満 3, 長谷川 繁彦 4, 占 1. 鳥大院工 , 2. 神港精機 , 3. 兵庫県立工業技術センター,
部 継一郎 5, 江利口 浩二 5, 李 相錫 1
4. 阪大産研 , 5. 京大工		E 12a-PB3-16 Fabrication of crystalline silicon solar cells by rapid〇 Toshitaka Kikuchi1, Takashi Sugawara1, Takuma
1.Tokyo University of Agriculture and Technology,
heating with carbon heating tube
Uehara1, Tomoyoshi Miyazaki2, 1, Go Kobayashi3,
2.Techno Research., Ltd., 3.ORC MANUFACTURING
1
1Masahiko Hasumi , Takuji Arima , Toshiyuki
CO.,LTD
Sameshima1
13.5 デバイス／配線／集積化技術 / Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies
3/9(Sat.) 13:45 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) S221 会場 (Room S221)
13:45
招 9p-S221-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇安 大煥 1, 尹 尚希 1, 加藤 公彦 1, 福井 太一郎 1, 竹中 1. 東大院工ZrO2 による EOT スケーリングを用いた Planar-type 量 充 1, 高木 信一 1
子井戸 InGaAs TFET の性能向上
14:00		 9p-S221-2
超平坦 ZnSnO チャネルによる積層型 TFET サブスレショ 〇加藤 公彦 1, 松井 裕章 1, 田畑 仁 1, 竹中 充 1, 高木 信 1. 東大院工
ルド特性の改善一1
14:15		 9p-S221-3
Zn(Sn)O/Si 積層型 TFET 特性の温度依存性と動作機構の 〇加藤 公彦 1, 松井 裕章 1, 田畑 仁 1, 竹中 充 1, 高木 信 1. 東大院工理解
一1
14:30		 9p-S221-4
量子効果の影響を考慮した GaAsSb/InGaAs Double-Gate 〇野上 直哉 1, 福田 浩一 1, 2, 宮本 恭幸 1
1. 東工大工 , 2. 産総研
Tunnel FET の検討
1
1
1
1
14:45		 9p-S221-5
Trap-Assisted Tunneling を活用した Tunnel-FET：〇宝玉 充 , 久木田 健太郎 , 上地 忠良 , 泉田 貴士 , 1. 東芝メモリ“TAT-FET” のデバイス物理
谷本 弘吉 1, 青木 伸俊 1, 尾上 誠司 1
15:00 奨 E 9p-S221-6
Steep Slope (<60mV/dec) and Hysteresis Characteristics 〇 (D)Minju Ahn1, Kiyoshi Takeuchi1, Takuya
1.Institute of Industrial Science, University of Tokyoin Junctionless SOI Transistors
Saraya1, Masaharu Kobayashi1, Toshiro Hiramoto1
at Low Drain Voltage of 50mV
15:15		 9p-S221-7
Si-p/n接合におけるトンネル電流の理論シミュレーション; 〇 (M1) 趙 祥勲 1, 中山 隆史 1
1. 千葉大理
界面ポテンシャル変調の効果
15:30
奨 9p-S221-8
VMCO メモリの動作原理の理論的検討〇中西 徹 1, 長川 健太 2, 洗平 昌晃 3, 中山 隆史 4, 白石 1. 名大工 , 2. 名大院工 , 3. 名大未来研 , 4. 千葉大院理賢二 3
15:45		 9p-S221-9
格子ランダムウォークに基づく ReRAM 信頼性の数値モ 〇松田 慎平 1, 竹内 健 1
1. 中央大理工デル
16:00		休憩 /Break
16:15
E 9p-S221-10 Saturated concentration of activated Sb in Sb-doped Ge〇 (D)Jihee Jeon1, Shigehisa Shibayama1, Osamu
1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.IIFS, Nagoya
epitaxial thin films
Nakatsuka1, 2, Shigeaki Zaima3
Univ.
1
1
1
16:30		 9p-S221-11 Spin on Glass からの固相拡散による Ge 中の n 型不純物拡 〇高口 遼太郎 , 竹中 充 , 高木 信一
1. 東京大学
散挙動
16:45
奨 9p-S221-12 Ge 基板の平坦化 RTA を用いた in-situ Ge MOS 構造の作 〇 (B) 石井 寛仁 1, 2, 石井 裕之 2, 張 文馨 2, 森田 行則 2, 1. 東理大 , 2. 産総研
製遠藤 聡 1, 藤代 博記 1, 前田 辰郎 1, 2
17:00		 9p-S221-13 UTB-GeOI チャネル構造における裏面 Si パッシベー〇張 文馨 1, 入沢 寿史 1, 石井 裕之 1, 内田 紀行 1, 前田 1. 産総研
ションの効果辰郎 1
17:15		 9p-S221-14 F.G. アニールによる MoSi2/ スパッタ MoS2 界面コンタク 〇 (DC) 松浦 賢太朗 1, 濱田 昌也 1, 坂本 拓朗 1, 谷川 1. 東京工業大学 , 2. 明治大学
ト抵抗低減
晴紀 1, 宗田 伊理也 1, 石原 聖也 2, 角嶋 邦之 1, 筒井 一
生 1, 小椋 厚志 2, 若林 整 1
17:30		 9p-S221-15 SAM 修飾 MOSFET 型センサの表面電界が感度に与える 〇藏本 駿介 1, 伊部 徳朗 1, 祖父江 琢哉 1, 萩原 一樹 1, 1. 慶大理工 , 2. 九大先導研
影響田中 貴久 1, 高橋 綱己 2, 柳田 剛 2, 内田 建 1
3/10(Sun.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) S221 会場 (Room S221)
9:00
奨 10a-S221-1
物理的に形成されたシリコン 3 重量子ドットの特性評価 〇溝口 来成 1, 小田 俊理 1, 小寺 哲夫 1
1. 東工大9:15		 10a-S221-2
シリコン３重量子ドットにおける長距離相互作用〇 (B) 太田 俊輔 1, 平岡 宗一郎 1, 溝口 来成 1, 小寺 哲 1. 東工大夫1
9:30		 10a-S221-3
三角形状に並べた三重量子ドットの電流特性の磁場依存 〇田所 雅大 1, 溝口 来成 1, 小寺 哲夫 1
1. 東工大工性
1
1
1
1
9:45		 10a-S221-4
シリコン量子ドットの高帯域測定に向けた極低温アンプ 〇西山 伸平 , 小林 瑞基 , 溝口 来成 , 小寺 哲夫
1. 東京工業大学の評価
10:00		 10a-S221-5
正孔動作シリコン量子ドットデバイス集積化に向けたオ 〇天野 亘 1, 小林 瑞樹 1, 西山 伸平 1, 溝口 聖也 1, 山岡 1. 東工大工
フセットバイアスによるポテンシャル変調技術
裕 1, 溝口 来成 1, 小寺 哲夫 1
10:15
奨 10a-S221-6
p 型シリコン量子ドット中での正孔スピン g 因子の見積も 〇魏 赫男 1, 溝口 聖也 1, 溝口 来成 1, 小寺 哲夫 1
1. 東工大工り
10:30		休憩 /Break【CS.5】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
10:45

奨 10a-S221-7

13 半導体 / Semiconductors

CMOS 互換プロセスによるスケーラブルな積層構造型シ 〇 (M2) 伊藤 優希 1, 小林 正治 1, 平本 俊郎 1
1. 東大生研
リコン量子ビットの提案
11:00		 10a-S221-8
2 トラップ間のチャージポンピング相互作用〇土屋 敏章 1, 堀 匡寛 1, 小野 行徳 1
1. 静大電研
11:15		 10a-S221-9シリコン MOS 界面におけるチャージポンピング EDMR 〇堀 匡寛 1, 土屋 敏章 1, 小野 行徳 1
1. 静大電研
11:30		 10a-S221-10 ドリフト拡散シミュレーションにおける基盤不純物の離 〇 (B) 塚原 浩平 1, 吉田 勝尚 2, 佐野 伸行 2
1. 筑波大応理 , 2. 筑波大数理
散性に伴った分極効果
11:45		 10a-S221-11 酸化膜界面近傍に局在する不純物による散乱ポテンシャ 〇 (B) 菅 吉朗 1, 吉田 勝尚 2, 佐野 伸行 2
1. 筑波大応理 , 2. 筑波大数理
ルの乱雑位相近似
3/10(Sun.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) S221 会場 (Room S221)
13:45		 10p-S221-1 【授賞式】第 10 回シリコンテクノロジー分科会論文賞・ 〇遠藤 哲郎 1
1. シリコンテクノロジー分科会
研究奨励賞
14:00
招 10p-S221-2 「第 10 回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講 〇小林 大輔 1, 廣瀬 和之 1, 伊藤 大智 2, 梯 友哉 2, 川崎 1.JAXA 宇宙研 , 2.JAXA 研開 , 3. 量研 , 4. 三菱重工業 ( 株 )演」
治 2, 牧野 高紘 3, 大島 武 3, 松浦 大介 4, 成田 貴則 4, 加
基板バイアスを印加した薄膜 BOX-SOI SRAM における重 藤 昌浩 4, 石井 茂 4, 益川 一範 4
イオンソフトエラー：線状複数反転により 100 倍になっ
た感受性
14:30
招 10p-S221-3 「第 10 回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講 〇筒井 一生 1, 松下 智裕 2, 名取 鼓太郞 1, 室 隆桂之 2, 1. 東工大 , 2. 高輝度光科学研究センター, 3. 阪大 , 4. 名工演」
森川 良忠 3, 星井 拓也 1, 角嶋 邦之 1, 若林 整 1, 林 好 大 , 5. 分子研
光電子分光ホログラフィーによる As ドープ Si 中のドーパ 一 4, 松井 文彦 5, 木下 豊彦 2
ント複数サイトの原子配列イメージング
15:00
招 10p-S221-4 「第 10 回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記 〇都甲 薫 1, 2, 茂藤 健太 1, 今城 利文 1, 髙原 大地 1, 斎 1. 筑波大院 数理物質 , 2.JST さきがけ
念講演」
藤 聖也 1, 吉峯 遼太 1, 末益 崇 1
IV 族半導体薄膜の固相成長：多結晶でも高移動度
15:15		休憩 /Break
15:30		 10p-S221-5 擬似不揮発性 FF の速度性能優先設計とその回路性能〇北形 大樹 1, 松﨑 翼 1, 山本 修一郎 1, 菅原 聡 1
1. 東工大未来研
15:45		 10p-S221-6 デュアルパワースイッチを用いた擬似不揮発性 SRAM の 〇吉田 隼 1, 北形 大樹 1, 山本 修一郎 1, 菅原 聡 1
1. 東工大未来研
設計と解析
1
1
2
3
16:00		 10p-S221-7 新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの低リーク 〇塩津 勇作 , 山本 修一郎 , 舟窪 浩 , 黒澤 実 , 菅原 1. 東工大未来研 , 2. 東工大材料系 , 3. 東工大電気電子系
設計とその SRAM への応用
聡1
16:15
奨 10p-S221-8 Multichip-to-Wafer 三次元集積化基盤技術の開発 (1)〇李 晟豪 1, 梁 芮 2, 三輪 侑紀 3, 木野 久志 4, 福島 誉 1. 東北大院工 , 2. 東北大院医工 , 3. 東北大工学部 , 4. 東北－テンポラリ接着剤を用いた一括チップ薄化化技術－
史 1, 田中 徹 1, 2
大学際研
16:30 奨 E 10p-S221-9 Technology Platform Development of Multichip-to〇 (M1)Rui Liang1, Sungho Lee2, Yuki Miwa3,
1.Grad. Sch. of Biomedical Engineering, Tohoku Univ.,
Wafer3D Integration (2)Hisashi Kino4, Hisashi Fukushima2, Tetsu Tanaka1, 2 2.Grad. Sch. of Engineering, Tohoku Univ., 3.Sch. of- SiO2LinerTechnology for Low TemperatureTSV Process
Engineering Tohoku Univ., 4.FRIS, Tohoku Univ.
1
2
3
4
16:45
奨 10p-S221-10 Multichip-to-Wafer 三次元集積化基盤技術の開発 (3)〇三輪 侑紀 , 李 晟豪 , 梁 芮 , 木野 久志 , 福島 誉 1. 東北大工 , 2. 東北大院工 , 3. 東北大院医工 , 4. 東北大学
―異種機能集積化に向けたマイクロバンプ接合技術―
史 2, 田中 徹 2, 3
際研
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 11a-PB3-1
非対称な書き込み・読み出しレイテンシを持つ ReRAM 〇安達 優 1, 松井 千尋 2, 竹内 健 1, 2
1. 中央大学理工 , 2. 中央大学研究開発機構を用いた半導体ストレージシステム
1
1
1
			 11a-PB3-2
急峻な SS を持つ “PN-Body-Tied SOI-FET” の TCAD を 〇森 貴之 , 井田 次郎 , 遠藤 大貴
1. 金沢工大
用いた過渡解析			 11a-PB3-3
スパッタエピタキシー法を用いた SiGe HEMT の製造技 〇青柳 耀介 1, 本橋 叡 1, 出蔵 恭平 1, 大久保 克己 1, 広 1. 東京農工大院工 , 2. 情報通信研究機構 , 3. 電気通信大
術と特性制御瀬 信光 2, 笠松 章史 2, 松井 敏明 2, 須田 良幸 1, 塚本 貴
広3
			 11a-PB3-4
P 型表水平配向 Si ナノワイヤのゼーベック係数評価：不 〇 (B) 田邉 咲華 1, 松川 貴 2, 松木 武雄 2, 渡邉 孝信 1, 1. 早大理工 , 2. 産総研
純物濃度依存性と水素アニールの効果
姫田 悠矢 1, 武澤 宏樹 1, 目﨑 航平 1, 平尾 修平 1
			 11a-PB3-5
Bi-Te 系熱電変換デバイスの半導体接合における Ni 拡散 〇恵久春 佑寿夫 1, 菅原 徹 1, 菅沼 克昭 1, 岡嶋 道生 2, 1. 大阪大学産研 , 2.E サーモジェンテック
バリアの信頼性
南部 修太郎 2		
E 11a-PB3-6
Sensing Behavior of Polyaniline Supported Gold Atomic 〇 (M1)Yuan Chien1, Parthojit Chakraborty1,
1.Tokyo Tech, 2.U Tokyo
Clusters Propanol Sensor
Wan-Ting Chiu2, Tso-Fu Mark Chang1, Takamichi
Nakamoto1, Masato Sone1
			 11a-PB3-7
AlGaN を用いたソーラーブラインド光検出器の作製と評 〇奥村 貴大 1, 小室 慎也 1, 鳥羽 隆一 2, 田邉 匡生 1, 大 1. 東北大院工 , 2. 東北大院環価
橋 隆宏 2, 小山 裕 1
		E 11a-PB3-8
A Graphene Hall Element and CMOS monolithic
Chengying Chen1, Yijun Cai1, 〇 YI CHEN1
1.Xiamen Univ of technology
Integrated Circuit
			 11a-PB3-9
ペロブスカイト太陽電池と単結晶シリコン CMOS 論理回 〇 (M2) 長澤 聡 1, 花房 宏明 1, 東 清一郎 1
1. 広大院先端研
路のガラス基板上における集積化			 11a-PB3-10 磁場による中性無電解銅めっき促進効果に対する理論的 〇田邊 怜志 1, 杉浦 修 1
1. 千葉工大工検討
			 11a-PB3-11 アモルファス WSin 膜の実効仕事関数〇岡田 直也 1, 内田 紀行 1, 小川 真一 1, 金山 敏彦 1
1. 産総研【CS.5】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
3/10(Sun.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
13:45		 10p-W631-1 HfO2 基強誘電体スパッタ薄膜の成長時の酸素分圧が結晶 〇高田 賢志 1, 佐保 勇樹 1, 桐谷 乃輔 1, 吉村 武 1, 芦田 1. 阪府大工
成長・結晶構造に与える影響
淳 1, 藤村 紀文 1
14:00		 10p-W631-2 HfO2 系強誘電体スパッタ薄膜の成長時の酸素分圧が結晶 〇佐保 勇樹 1, 高田 賢志 1, 桐谷 乃輔 1, 吉村 武 1, 芦田 1. 阪府大工
構造・電気特性におよぼす影響
淳 1, 藤村 紀文 1
14:15
E 10p-W631-3 The influence of sputtering condition for ferroelectric〇 MinGee Kim1, Masakazu Kataoka1, Rengie Mark 1.Tokyo Tech.
HfO2 directly deposited on Si(100) by RF magnetron
D. Mailig1, Shun-ichiro Ohmi1
sputtering
14:30		 10p-W631-4 HfO2 薄膜の強誘電相形成におけるドーパントの役割〇森 優樹 1, 西村 知紀 1, 矢嶋 赳彬 1, 右田 真司 2, 鳥海 1. 東大院工 , 2. 産総研
明1
14:45		 10p-W631-5 酸化熱処理による HfO2 強誘電相消失のメカニズム〇矢嶋 赳彬 1, 森 優樹 1, 西村 知紀 1, 鳥海 明 1
1. 東大マテ
15:00		 10p-W631-6 帯電時の斜方晶・単斜晶 HfO2 の安定性：第一原理計算 〇白石 悠人 1, 長澤 立樹 1, 洗平 昌晃 2, 白石 賢二 2, 中 1. 千葉大理 , 2. 名大未来研
1
による検討
山 隆史
15:15		休憩 /Break
15:30
招 10p-W631-7 「講演奨励賞受賞記念講演」〇山口 まりな 1, 藤井 章輔 1, 株柳 翔一 1, 上牟田 雄
1. 東芝メモリ
HfO2 強誘電体トンネル接合メモリのサイクル不良メカニ 一 1, 井野 恒洋 1, 中崎 靖 1, 高石 理一郎 1, 市原 玲華 1,
ズムの解明
齋藤 真澄 1
15:45		 10p-W631-8 300 °C 低温形成した HfxZr1 − xO2 薄膜の強誘電性〇女屋 崇 1, 2, 3, 生田目 俊秀 2, 澤本 直美 1, 大井 暁彦 2, 1. 明大 , 2. 物材機構 , 3. 学振特別研究員 DC
池田 直樹 2, 長田 貴弘 2, 小椋 厚志 1
16:00
奨 10p-W631-9 反強誘電体 ZrO2 を有する MIS 構造のユニポーラスイッ 〇 (M2) 多川 友作 1, 更屋 拓哉 1, 平本 俊郎 1, 小林 正 1. 東大生研
チング特性
治1
16:15		 10p-W631-10 強誘電体トランジスタにおいて観察される急峻スロープ 〇右田 真司 1, 太田 裕之 1, 鳥海 明 2
1. 産総研 , 2. 東大院工の起源
16:30 奨 E 10p-W631-11 Polarization Switching as the Cause of Steep Subthreshold 〇 (D)Chengji Jin1, Takuya Saraya1, Toshiro
1.IIS, Univ. of Tokyo
Slope in Ferroelectric FETs
Hiramoto1, Masaharu Kobayashi1

13 半導体 / Semiconductors

13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス / Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices
16:45		 10p-W631-12 TCAD による強誘電体負性容量分極のコヒーレンシーと 〇太田 裕之 1, 池上 努 1, 福田 浩一 1, 服部 淳一 1, 浅井 1. 産総研 , 2. 東大
その時間的発展のシミュレーション
栄大 1, 遠藤 和彦 1, 右田 真司 1, 鳥海 明 2
13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス / Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices
3/10(Sun.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10p-PA4-1
紙基板への多孔質 TiO2 膜の室温転写技術の開発〇大久保 匠 1, 矢野 稔貴 1, 生野 孝 1
1. 東理大基工
			 10p-PA4-2
局在表面プラズモンによる半導体ナノ粒子の発光増強効 〇楢崎 友城 1, 金 大貴 1
1. 大阪市大院工果167
			 10p-PA4-3
Er3+ 添加 Y2SiO5 のフォトンエコーによるコヒーレンス 〇 (M1) 平石 真也 1, 2, IJspeert Mark1, 俵 毅彦 1, 2, 3, 足 1.NTT 物性研 , 2. 東京理科大 , 3.NTT ナノフォトニクス
時間の評価
立 智 4, 尾身 博雄 1, 3, 後藤 秀樹 1
センタ , 4. 北海道大学
			 10p-PA4-4
半導体単一量子ドットの核スピン分極双安定状態下にお 〇 (B) 大宮 寛太 1, 松崎 亮典 2, 藤澤 秀樹 1, 鍜治 怜
1. 北大工 , 2. 北大院工ける光子統計性
奈 2, 足立 智 2, 笹倉 弘理 2
		
E 10p-PA4-5
Dislocation-Driven Growth of CuO Nanowires〇 (D)Lilin Xie1, Xiaona Zhang2, Yoshifumi Oshima1 1.Japan Advanced Institute of Science and Technology,
2.Beijing University of Technology			 10p-PA4-6
金属をエミッタとするシリコン／フッ化物多重障壁共鳴 〇市川 研佑 1, 利根川 啓希 1, 廣瀬 皓大 1, 三上 萌 1, 福 1. 東工大工学院
1
1
1
トンネルダイオードの理論解析
山 聡史 , 熊谷 佳郎 , 渡辺 正裕
			 10p-PA4-7
原子層薄膜 CaF2/Si ヘテロ構造を用いた p 型共鳴トンネル 〇 (M1) 三上 萌 1, 福山 聡史 1, 渡辺 正裕 1
1. 東工大工学院
ダイオードの室温微分負性抵抗特性
3/11(Mon.) 13:15 - 16:00 口頭講演 (Oral Presentation) M103 会場 (Room M103)
13:15
E 11p-M103-1 Multiple exciton generation rate in CsPbI3 quantum dots 〇 Dolf Timmerman1, Eichi Matsubara2, Leyre
1.Osaka Univ., 2.Osaka Dental Univ., 3.Univ. ofGomez3, Masaaki Ahida1, Tom Gregorkiewicz3, 1,
Amsterdam
Yasufumi Fujiwara1
13:30		 11p-M103-2 PbS 量子ドットの多層シェル化と発光強度の改善〇 (B) 池田 航介 1, 渡辺 彗 2, 藤島 将伸 3, 向井 剛
1. 横浜国大理工 , 2. 横浜国大院工 , 3. 横浜国大院理工輝 1, 2, 3
1
1
2
2
13:45		 11p-M103-3 沈降法によって作製したファセット付き PbS 量ドット超 〇木村 亮太 , 杉崎 俊太 , 杉本 卓也 , 藤島 将伸 , 渡 1. 横浜国大理工 , 2. 横浜国大院理工 , 3. 横浜国大院工格子の光学特性辺 彗 3, 向井 剛輝 1, 2, 3
14:00		 11p-M103-4 GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子井戸における低温でのスピン緩和 〇松田 侑己 1, 中村 雄一 1, 孫 啓明 1, 田代 大吾 1, 山内 1. 早大先進理工 , 2. 愛媛大理工
時間の井戸幅依存性
敬仁 1, 下村 哲 2, 竹内 淳 1
14:15		 11p-M103-5 単一量子ドットでの正孔ｇ因子の歪みチューニングに向 〇石田 太郎 1, 松崎 亮典 1, 鍜治 怜奈 1, 小田島 聡 2, 海 1. 北大院工 , 2. 北大創成研究機構 , 3. 北大電子研
けたデバイスの作製と評価
住 英生 3, 西井 準治 3, 足立 智 1
14:30		休憩 /Break
14:45		 11p-M103-6 ノンドープ GaSb 量子井戸における 2 次元ホール系の輸送 〇伊藤 煕 1, 柴田 憲治 1, 2, Karalic Matija2, Mittag
1. 東北工大 , 2.ETH Zurich
特性
Christopher2, Tschirky Thomas2, Reichl Christian2,
Wegscheider Werner2, Ihn Thomas2, Ensslin Klaus2
15:00
E 11p-M103-7 Tunnel barriers and single electron transistors in〇 (D)Norizzawati Mohd Ghazali1, 2, Noriyuki
1.RIKEN, 2.MJIIT, Univ. Teknologi Malaysia, 3.Chiba
suspended multi-wall carbon nanotubes fabricated by Ga Hagiwara1, 3, Katsuya Suzuki1, Hiroshi Tomizawa1,
Univ., 4.Osaka Pref. Univ., 5.RIKEN CEMS
2
1
focused ion beam irradiation
Abdul Manaf Hashim , Tomohiro Yamaguchi , Seiji
Akita4, Koji Ishibashi1, 2, 3, 5
15:15
E 11p-M103-8 Effect of tunnel resistance modulation on single-electron 〇 Adnan Afiff1, 2, 3, Arief Udhiarto3, Harry Sudibyo3, 1.RIE, Shizuoka Univ., 2.GSST, Shizuoka Univ., 3.Univ.
tunneling in selectively-doped Si nano-transistors
Djoko Hartanto3, Michiharu Tabe1, Daniel Moraru1 of Indonesia
15:30
E 11p-M103-9 Effect of dimensionality on the formation of dopant〇 Gaurang Prabhudesai1, 2, Muruganathan
1.RIE, Shizuoka Univ., 2.GSST, Shizuoka Univ., 3.JAIST
induced quantum-dots in heavily doped Si Esaki diodes
Manoharan3, Masahiro Hori1, Yukinori Ono1, Hiroshi
Mizuta3, Michiharu Tabe1, Daniel Moraru1
15:45		 11p-M103-10 第一原理計算を用いた外部電場による Si ナノ構造上の不 〇山口 謙祐 1, ムルガナタン マノハラン 2, 水田 博 2, 1. 静大電研 , 2. 北陸先端大
純物への影響田部 道晴 1, モラル ダニエル 1【CS.3】3.11 フォトニック構造・現象、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.11 & 13.6
3/12(Tue.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
9:00
招 12a-W631-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇太田 竜一 1, 岡本 創 1, 俵 毅彦 1, 2, 後藤 秀樹 1, 山口 1.NTT 物性基礎研 , 2.NTT ナノフォトニクスセンタ
GaAs 機械振動子における束縛励起子の寿命変調
浩司 1
9:15
E 12a-W631-2 Kilohertz coupling rate between mechanical oscillators via 〇 (PC)Feng Tian1, 3, Masato Takiguchi1, 2, Eiichi
1.NTT BRL, 2.NTT NPC, 3.Tokyo Tech
optical cavity resonance
Kuramochi1, 2, Hisashi Sumikura1, 2, Akihiko
Shinya1, 2, Masaya Notomi1, 2, 3
9:30		 12a-W631-3 ナノワイヤ誘起シリコンフォトニック結晶ナノ共振器を 〇滝口 雅人 1, 2, 横尾 篤 1, 2, 舘野 功太 1, 2, 野崎 謙悟 1, 2, 1.NTT NPC, 2.NTT 物性研
使った全光スイッチ佐々木 智 2, Sergent Sylvain1, 2, 倉持 栄一 1, 2, Zhang
Guoqiang1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 納富 雅也 1, 2
9:45
E 12a-W631-4 Dependence of second-harmonic generation efficiency on 〇 (D)Heungjoon Kim1, 2, Takahashi Asano1,
1.Kyoto Univ., 2.Sungkyunkwan Univ.
the Q factor of SiC photonic crystal nanocavities
Bong-Shik Song1, 2, Susumu Noda1
10:00		 12a-W631-5 ゲート制御量子ドット形成用電極を有するフォトニック 〇田尻 武義 1, 車 一宏 1, 酒井 裕司 2, 木山 治樹 2, 大岩 1. 東大生研 , 2. 阪大産研 , 3. ルール大ボーフム , 4. ナノ量
結晶ナノ共振器の作製
顕 2, Ritzmann Julian3, Ludwig Arne3, Wieck Andreas 子機構
D.3, 太田 泰友 4, 荒川 泰彦 4, 岩本 敏 1, 4
10:15
奨 12a-W631-6 シリコン光回路上に集積された複数量子ドット光源の局 〇 (D) 勝見 亮太 1, 3, 太田 泰友 2, 長田 有登 2, 山口 拓 1. 生産研 , 2. ナノ量子 , 3. 物性研
所発光波長制御人 1, 田尻 武義 1, 車 一宏 1, 角田 雅弘 2, 岩本 敏 1, 2, 秋
山 英文 3, 荒川 泰彦 2
10:30		 12a-W631-7 メタマテリアルとシリカコート PbS 量子ドットを組み合 〇 (M1) 杉本 卓也 1, 杉崎 俊太 2, 渡辺 彗 3, 向井 剛
1. 横浜国大院理工 , 2. 横浜国大理工 , 3. 横浜国大院工
わせた光子発生素子
輝 1, 2, 3
10:45		休憩 /Break
11:00
E 12a-W631-8 Spectroscopy of Andreev bound states using microwave〇 Russell Stewart Deacon1, 2, Patrick Zellekens3, Hui 1.Advanced Device Laboratory, RIKEN, 2.CEMS,
resonators
Wang1, Thomas Schapers3, Koji Ishibashi1, 2
RIKEN, 3.Julich, Germany
11:15		 12a-W631-9 GaAs/AlAs 多重量子井戸の励起子ダイナミクスと二次の 〇小島 磨 1, 喜多 隆 1, Hogg Richard2
1. 神戸大院工 , 2. グラスゴー大
非線形光学効果との関係
11:30		 12a-W631-10 GaAs ナノ構造膜における内蔵電場に起因した二種テラヘ 〇長谷川 尊之 1, 奥島 雄大 1, 田中 義人 1
1. 兵庫県立大院物質理
ルツ波放射の共存ダイナミクス
11:45
奨 12a-W631-11 リング光共振器を用いた高次ポアンカレビーム生成手法 〇林 文博 1, 太田 泰友 2, 荒川 泰彦 2, 岩本 敏 1, 2
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構の提案
12:00		 12a-W631-12 フルポアンカレ共振器モードとその光力場の解析〇林 文博 1, 太田 泰友 2, 荒川 泰彦 2, 岩本 敏 1, 2
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
12:15		 12a-W631-13 Maxwell-Chern-Simons ゲージ理論における Casimir 効果 〇北川 均 1
1. 無所属13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術 / Compound and power electron devices and process technology
3/9(Sat.) 9:30 - 12:30
口頭講演 (Oral Presentation) M121 会場 (Room M121)
9:30		 9a-M121-1
過渡光支援容量法による絶縁膜 / ワイドバンドギャップ 〇平岩 篤 1, 2, 大久保 智 3, 堀川 清貴 3, 川原田 洋 1, 2, 3, 4 1. 早大ナノ・ライフ , 2. 名大未来研 , 3. 早大理工 , 4. 早大
半導体界面深い準位の解析
材研
9:45		 9a-M121-2
Hf/(Si+Hf) 組成の異なる HfSiOx/GaN(0001) の光電子分 〇大田 晃生 1, 牧原 克典 1, 生田目 俊秀 2, 塩﨑 宏司 1, 1. 名大 , 2. 物材機構
光分析
宮﨑 誠一 1
10:00		 9a-M121-3
SiO2/GaN 界面の固定電荷に対する GaN 表面状態の影響 〇上沼 睦典 1, 安藤 領汰 1, 古川 暢昭 1, 石河 泰明 1, 浦 1. 奈良先端大
岡 行治 1
10:15		 9a-M121-4
SiO2/GaN MOS デバイスに対するフォーミングガス熱処 〇山田 高寛 1, 和田 悠平 1, 寺島 大貴 1, 野崎 幹人 1, 上 1. 大阪大学 , 2. 富士電機 , 3. 産総研
理の効果
野 勝典 2, 高島 信也 2, 山田 永 3, 高橋 言緒 3, 清水 三
聡 3, 細井 卓治 1, 志村 考功 1, 渡部 平司 1

13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術 / Compound and power electron devices and process technology
10:30		 9a-M121-5

Al2O3/GaN 界面に形成されたチャネル中の電子移動度

10:45
奨 9a-M121-6
11:00		11:15奨 9a-M121-7

n-GaN/Al2O3 界面における Ga2O3 層消失の理論予測
休憩 /Break
ガンマ線照射による Al2O3/GaN MOS ダイオードの容量- 電圧特性の変化
再成長 AlGaN による Al2O3/AlGaN/GaN 構造の絶縁膜 /半導体界面特性の向上
ホモエピタキシャル成長 n 型 GaN ショットキー障壁高さの温度係数の電極金属依存性
Quartz-free-HVPE 成長 n 型 GaN 層における補償アクセ
プタの起源解明〇田岡 紀之 1, グェン フウ チュン 1, 山田 永 1, 高橋
言緒 1, 清水 三聡 1, 2
〇 (D) 長川 健太 1, 白石 賢二 2, 1

1. 産総研 - 名大 GaN-OIL, 2. 名大 IMaSS
1. 名大院工 , 2. 名大未来研

13 半導体 / Semiconductors〇 (M1) 青島 慶人 1, 金木 奨太 2, 堀田 昌宏 1, 3, 須田
1. 名大院工 , 2. 北大量エレ研 , 3. 名大未来研
淳 1, 3, 橋詰 保 2
11:30
奨 9a-M121-8〇 (M1C) 河端 晋作 1, アスバル ジョエル 1, 徳田 博
1. 福井大院工邦 1, 山本 暠勇 1, 葛原 正明 1
11:45		 9a-M121-9〇村瀬 亮介 1, 前田 拓也 2, 鐘ヶ江 一孝 2, 堀田 昌
1. 名大院工 , 2. 京大院工 , 3. 名大未来材料・システム研宏 1, 2, 3, 須田 淳 1, 2, 3
究所
12:00
奨 9a-M121-10〇鐘ヶ江 一孝 1, 藤倉 序章 2, 乙木 洋平 2, 今野 泰一
1. 京大院工 , 2.SCIOCS, 3. 名大未来材料・システム研究
郎 2, 吉田 丈洋 2, 堀田 昌宏 1, 3, 4, 木本 恒暢 1, 須田
所 , 4. 名大院工淳 1, 3, 4
1
2
2, 3
12:15		 9a-M121-11 横型ショットキーダイオード構造の C-V 測定による低〇 (B) 六野 祥平 , 坂尾 佳祐 , 堀田 昌宏 , 須田
1. 名大工 , 2. 名大院工 , 3. 名大未来研
ドープ n 型 GaN の実効ドナー密度の評価の精度に関する 淳 2, 3
検討
3/9(Sat.) 14:00 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) M121 会場 (Room M121)
14:00		 9p-M121-1
両側空乏ベベルメサ構造を有する GaN p-n 接合ダイオー 〇前田 拓也 1, 成田 哲生 2, 上田 博之 2, 兼近 将一 2, 上 1. 京大院工 , 2. 豊田中研 , 3. 名大 未来材料・システム研
ドにおける均一なアバランシェ破壊の実現および平行平 杉 勉 2, 加地 徹 3, 木本 恒暢 1, 堀田 昌宏 1, 3, 4, 須田
究所 , 4. 名大院工板破壊電界の評価
淳 1, 3, 4
14:15		 9p-M121-2
Franz-Keldysh 効果を利用した光電流増倍測定による〇前田 拓也 1, 成田 哲生 2, 上田 博之 2, 兼近 将一 2, 上 1. 京大院工 , 2. 豊田中研 , 3. 名大 未来材料・システム研
GaN におけるキャリアの衝突イオン化係数の推定
杉 勉 2, 加地 徹 3, 木本 恒暢 1, 堀田 昌宏 1, 3, 4, 須田
究所 , 4. 名大院工淳 1, 3, 4
14:30		 9p-M121-3
自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの 2 段メサ構造によ 〇太田 博 1, 浅井 直美 1, 堀切 文正 2, 成田 好伸 2, 吉田 1. 法政大 , 2. サイオクス
る高破壊耐量化
丈洋 2, 三島 友義 1
14:45		 9p-M121-4
ストライプ ELO 自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオード〇太田 博 1, 浅井 直美 1, 堀切 文正 2, 成田 好伸 2, 吉田 1. 法政大 , 2. サイオクス
丈洋 2, 三島 友義 1
15:00		 9p-M121-5
再成長法を用いた Si 基板上縦型 GaN MOSFET の試作〇鳥居 直生 1, Debaleen Biswas1, 山本 圭司 1, 江川 孝 1. 名古屋工業大学
志1
15:15		 9p-M121-6
GaN -MOSFET の Hall 測定〇上野 勝典 1, 松山 秀昭 1, 田中 亮 1, 高島 信也 1, 江戸 1. 富士電機（株）, 2. 名大院工 , 3. 山梨大
雅晴 1, 堀田 昌宏 2, 須田 淳 2, 中川 清和 3
15:30		 9p-M121-7
Mg イオン注入ドーズ量による GaN-DIMOSFET の MOS 〇田中 亮 1, 高島 信也 1, 上野 勝典 1, 松山 秀昭 1, 江戸 1. 富士電機 , 2. 山梨大
チャネル特性制御
雅晴 1, 中川 清和 2
15:45		休憩 /Break
16:00		 9p-M121-8
イオン注入ノーマリーオフ GaN DMOSFET〇吉野 理貴 1, 安藤 悠人 2, 出来 真斗 3, 鳥谷部 達 4, 栗 1. 法政大 , 2. 名大院工 , 3. 名大 IMaSS, 4. 東洋大
山 一男 1, 本田 善央 3, 西村 智朗 1, 天野 浩 2, 3, 加地
徹 3, 中村 徹 1, 3
16:15
奨 9p-M121-9
GaN 横型 MISFET チャネル移動度に対する界面準位の影 〇安藤 悠人 1, 中村 徹 2, 出来 真斗 2, 宇佐美 茂佳 1, 田 1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 物質・材料研究機構 , 4. 名響
中 敦之 2, 3, 渡邉 浩崇 2, 久志本 真希 1, 新田 州吾 2, 本 大 ARC, 5. 名大 VBL
田 善央 2, 天野 浩 2, 3, 4, 5
16:30
奨 9p-M121-10 Al2O3 MOS ゲート FP-HEMT のオン耐圧評価〇 (M1C) 西谷 高至 1, 山口 良太 1, アスバル ジョエ
1. 福井大院工ル 1, 徳田 博邦 1, 葛原 正明 1
16:45
奨 9p-M121-11 AlGaN/GaN HEMT の高周波パワー特性と電流コラプス 〇 (M1C) 小澤 渉至 1, アスバル ジョエル 1, 徳田 博
1. 福井大院工 , 2. 富士通研との関係
邦 1, 八木下 洋平 2, 川野 陽一 2, 葛原 正明 1
1
1
1
17:00
奨 9p-M121-12 GaN 自立基板上に作製した Al2O3/AlGaN/GaN HEMT の 〇金木 奨太 , 安藤 祐次 , 橋詰 保
1. 北大量集セ
評価
17:15		 9p-M121-13 Al2O3 ゲート絶縁膜を持つ N 極性 GaN HEMT
〇早坂 明泰 1, 青沼 遼介 1, 堀田 航史 1, 眞壁 勇夫 2, 吉 1. 東工大工 , 2. 住友電気工業
田 成輝 2, 宮本 恭幸 1
17:30		 9p-M121-14 デバイスシミュレーションによる GaN HEMT のバッ〇大石 敏之 1
1. 佐賀大理工学部
ファトラップが過渡応答とドレインリークに与える影響の検討
3/10(Sun.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) M121 会場 (Room M121)
9:00		 10a-M121-1 KPFM による窒化ガリウム pn 接合の観察〇 (PC) 中村 友謙 1, 石田 暢之 1, 鷺坂 恵介 1
1. 物材研9:15		 10a-M121-2 深堀メサ型 GaN 縦型 pn ダイオード絶縁破壊電界の貫通 〇宇佐美 茂佳 1, 田中 敦之 2, 3, 福島 颯太 1, 安藤 悠
1. 名大院工 , 2. 未来材料・システム研究所 , 3. 物材研 ,
転位密度依存性
人 1, 出来 真斗 2, 新田 州吾 2, 本田 善央 2, 天野 浩 2, 3, 4, 5 4. 赤﨑記念研究センター, 5.VBL
9:30
奨 10a-M121-3 サブバンドギャップ光を用いた GaN 中二次元電界マッピ 〇川崎 晟也 1, 福島 颯太 2, 宇佐美 茂佳 2, 安藤 悠人 2, 1. 名大工 , 2. 名大院工 , 3. 名大未来研 , 4. 物質・材料研究
ング手法の提案田中 敦之 3, 4, 出来 真斗 3, 久志本 真希 2, 新田 州吾 3, 機構 , 5. 赤﨑記念研究センター, 6.VBL
本田 善央 3, 天野 浩 3, 4, 5, 6
9:45
奨 10a-M121-4 ラマン分光法を用いた GaN HEMT の応力温度依存性評 〇内田 智之 1, 杉江 隆一 1
1. 東レリサーチセンター
価
10:00		 10a-M121-5 FinFET 応用に向けた選択成長 GaN チャネルの電気特性 〇濱田 拓也 1, 向井 勇人 1, 高橋 言緒 2, 井手 利英 2, 清 1. 東京工業大学 , 2. 産業技術総合研究所
水 三聡 2, 星井 拓也 1, 角嶋 邦之 1, 若林 整 1, 岩井 洋 1,
筒井 一生 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 10a-M121-6 GaN の光電気化学 (PEC) エッチングが有する可能性〇堀切 文正 1, 福原 昇 1, 太田 博 2, 浅井 直美 2, 成田 好 1. サイオクス , 2. 法政大 , 3. 北大②コンタクトレスでのエッチング
伸 1, 吉田 丈洋 1, 三島 友義 2, 渡久地 政周 3, 三輪 和
希 3, 佐藤 威友 3
10:45		 10a-M121-7 ペルオキソ二硫酸イオン (S2O82-) 含有電解液における〇渡久地 政周 1, 三輪 和希 1, 堀切 文正 2, 福原 昇 2, 成 1. 北大量集センター, 2. サイオクス
GaN の電気化学特性
田 好伸 2, 吉田 丈洋 2, 佐藤 威友 1
11:00		 10a-M121-8 AlGaInN/AlGaN ヘテロ構造の光電気化学エッチング〇小松 祐斗 1, 植村 圭佑 1, 細見 大樹 2, 三好 実人 2, 佐 1. 北大量集セ , 2. 名工大藤 威友 1
11:15		 10a-M121-9 塩素中性粒子ビームによる窒化ガリウム原子層エッチン 〇菅原 健太 1, 大堀 大介 2, 井上 和孝 1, 寒川 誠二 2, 3
1. 住友電工 , 2. 東北大流体研 , 3. 東北大 AIMRグ
11:30
奨 10a-M121-10 NH3/H2 雰囲気下での選択熱分解法の GaN HEMT 電気特 〇吉屋 佑樹 1, 星 拓也 1, 杉山 弘樹 1, 松崎 秀昭 1
1.NTT 先端集積デバイス研性への影響
3/11(Mon.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) M121 会場 (Room M121)
9:00		 11a-M121-1 GaN 中への窒素による Mg のリコイルインプランテー〇山田 寿一 1, 山田 永 1, 長南 紘志 1, 田岡 紀之 1, 高橋 1. 産総研 , 2. 名大工
ションの試み (3)言緒 1, 清水 三聡 1, 2
9:15		 11a-M121-2 パルスレーザによる GaN にイオン注入した Mg アクセプ 〇宮嶋 孝夫 1, 山田 祐輔 1, 市川 貴登 1, 今井 大地 1, 鮫 1. 名城大理工 , 2. 農工大工
ターの活性化島 俊之 2
9:30		 11a-M121-3 大気圧熱プラズマジェット照射後のポストアニールによ 〇花房 宏明 1, 東 清一郎 1, 塩崎 宏司 2
1. 広島大 先端研 , 2. 名大 未来システム研
る Ga 極性面 GaN にイオン注入した Mg の活性化促進
9:45		 11a-M121-4 注入深さ・極性面の異なる Mg イオン注入 GaN のフォト 〇秩父 重英 1, 2, 3, 嶋 紘平 1, 井口 紘子 4, 成田 哲生 4, 片 1. 東北大多元研 , 2. 名大未来研 , 3. 北大量エレ研 , 4. 豊田
ルミネッセンス
岡 恵太 4, 小島 一信 1, 上殿 明良 5
中央研究所 , 5. 筑波大数物
10:00		 11a-M121-5 ホモエピタキシャル成長 n 型 GaN 中に 2 MeV 電子線照射 〇堀田 昌宏 1, 2, 成田 哲生 3, 加地 徹 2, 上杉 勉 3, 須田 1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 豊田中研
により形成される深い準位
淳 1, 2

13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術 / Compound and power electron devices and process technology

13 半導体 / Semiconductors

10:15		 11a-M121-6

電子線照射によりホモエピタキシャル成長 n 型 GaN 中に 〇遠藤 彗 1, 堀田 昌宏 2, 3, 須田 淳 2, 3
1. 名大工 , 2. 名大院工 , 3. 名大未来研形成される深い準位の低温における挙動
10:30		休憩 /Break
10:45		 11a-M121-7 光 DLTS 法による MOVPE n-GaN 正孔トラップ H1 の分 〇 (M1) 伊藤 俊 1, 徳田 豊 1
1. 愛知工大
離評価
1
1
1
2
11:00		 11a-M121-8 水素イオン注入 n-GaN に導入される正孔トラップの評価 〇 (M1) 田村 和也 , 伊豫田 健 , 徳田 豊 , 塩島 謙次 , 1. 愛知工大 , 2. 福井大院 , 3. 住重アテックス
伊藤 成志 3, 八木 孝秀 3
11:15		 11a-M121-9 SiN キャップ層高温熱処理により GaN 中に導入される深 〇古田 悟夢 1, 堀田 昌宏 2, 3, 田中 成明 4, 岡 徹 4, 須田 1. 名大工 , 2. 名大院工 , 3. 名大未来研 , 4. 豊田合成
い準位
淳 2, 3
11:30		 11a-M121-10 原子拡散接合で作製した InGaAs/a-Ge/InGaAs 接合部の 〇山田 友輝 1, 魚本 幸 2, 島津 武仁 2, 名田 允洋 3, 中島 1.NTT 先端集積デバイス研究所 , 2. 東北大学 , 3.NTT デ
バンド構造評価
史人 1, 松崎 秀昭 1
バイスイノベーションセンタ
11:45		 11a-M121-11 HSQ を用いた InGaAs ナノシート構造作製法評価〇 (M1) 北村 稔 1, 金澤 徹 1, 宮本 恭幸 1
1. 東工大工12:00		 11a-M121-12 表面活性化接合による GaAs/GaAs 界面における元素分布 〇清水 康雄 1, 海老澤 直樹 1, 大野 裕 1, 梁 剣波 2, 重川 1. 東北大金研 , 2. 大阪市大院工2
1
1評価
直輝 , 井上 耕治 , 永井 康介
3/11(Mon.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
		奨 E 11p-PB3-1
Trapping reduction of SiO2/GaN MOS structure by high 〇 (DC)LIN TENGDA1, Mutsunori Uenuma1,
1.Nara Institute of Science and Technology
pressure water vapor annealing
Yasuaki Ishikawa1, Yukiharu Uraoka1
			 11p-PB3-2
低バイアスエッチング後の GaN on GaN 表面形態
〇宇崎 滉太 1, 新海 聡子 1
1. 九工大情		E 11p-PB3-3
Study on HCl-based Wet Chemical Cleaning of Epitaxial 〇 (M2)Yue Xu1, Akio Ohta1, Noriyuki Taoka2,
1.Nagoya Univ, 2.AIST GaN-OIL, 3.Toyota Central
GaN(0001) Surfaces
Mitsuhisa Ikeda1, Katsunori Makihara1, Tetsuo
R&D Labs
Narita3, Daigo Kikuta3, Koji Shiozaki1, Tetsu Kachi1,
Seiichi Miyazaki1
			 11p-PB3-4
光電気化学エッチングによる窒化ガリウムの微細加工の 〇島内 道人 1, 2, 三輪 和希 1, 渡久地 政周 1, 佐藤 威
1. 北大 量集センター, 2. 北大 情報科学研究科
検討
友 1, 本久 順一 1, 2
			 11p-PB3-5
界面顕微光応答法による電気化学エッチングした Ni/〇松田 陵 1, 堀切 文正 2, 成田 好伸 2, 吉田 丈洋 2, 三島 1. 福井大院工 , 2. サイオクス , 3. 法政大
n-GaN ショットキーの 2 次元評価
友義 3, 塩島 謙次 1
			 11p-PB3-6
スロープダウンバイアス ICP-RIE による n 型 GaN のエッ 〇山田 真嗣 1, 2, 3, 櫻井 秀樹 1, 2, 3, 大森 雅登 1, 中村 敏 1. 名大未来研 , 2. 名大院工 , 3. アルバック半電研
チングダメージの制御
幸 3, 上村 隆一郎 3, 須田 淳 1, 2, 加地 徹 1
			 11p-PB3-7
GaN on GaN ショットキー障壁ダイオードに対する表面 〇 (M1) 磯部 一輝 1, 赤澤 正道 1
1. 北大量集センター
処理の効果
			 11p-PB3-8
p-GaN/AlGaN/GaN HEMT のガンマ線照射による特性 〇釣本 浩貴 1, 堀田 昌宏 1, 2, 須田 淳 1, 2
1. 名大院工 , 2. 名大未来研
変化の回復過程
			 11p-PB3-9
Al0.05Ga0.95N バックバリアを有する高抵抗 Si 基板上 GaN 〇星 拓也 1, 杉山 弘樹 1, 中島 史人 1, 松崎 秀昭 1
1. 日本電信電話株式会社 NTT 先端集積デバイス研究所
チャネル HEMT			 11p-PB3-10 様々な p 型 GaN ゲート構造をドライエッチングで形成し 〇近藤 孝明 1, 赤澤 良彦 1, 岩田 直高 1
1. 豊田工大
た AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタの特性
1
1
1
			 11p-PB3-11 Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性に及 〇 (M1) 古岡 啓太 , 久保 俊晴 , 江川 考志
1. 名工大ぼすフォーミングガスアニールの効果			 11p-PB3-12 ALD-Al2O3 膜を堆積した AlGaInN/AlGaN ヘテロ構造に 〇 (B) 斉藤 早紀 1, 細見 大樹 1, 古岡 啓太 1, 久保 俊
1. 名工大おける MIS 界面準位の評価
晴 1, 江川 孝志 1, 三好 実人 1
1
1
1
		奨 11p-PB3-13 縦型 AlGaN/GaN トレンチ MOS-HEMT の DC 特性 :〇 (M2) 金谷 彗杜 , 米田 直史 , 山本 暠勇 , 葛原 正 1. 福井大院工p-GaN 層 Mg 添加量の効果
明1
			 11p-PB3-14 ショットキーバリア特性を用いた p-GaN エピ層のキャリ 〇松山 秀昭 1, 上野 勝典 1, 高島 信也 1, 田中 亮 1, 福島 1. 富士電機
ア濃度評価
悠太 1, 江戸 雅晴 1
			 11p-PB3-15 Mg イオン注入後高温熱処理前の GaN の電気的特性に対 〇 (M1) 鴨志田 亮 1, 植竹 啓 1, 村井 駿太 1, 赤澤 正道 1 1. 北大量集センター
するドーズ量の影響 (2)			 11p-PB3-16 容量測定を用いた p-GaN エピへの低濃度 Mg 注入と共注 〇高島 信也 1, 上野 勝典 1, 田中 亮 1, 松山 秀昭 1, 江戸 1. 富士電機 , 2. 東北大 , 3. 名大 IMass, 4. 筑波大
入影響の評価雅晴 1, 嶋 紘平 2, 小島 一信 2, 秩父 重英 2, 3, 上殿 明良 4
			 11p-PB3-17 GaN 基板上 MOVPE p-GaN の浅い準位の評価〇 (B) 吉田 光 1, 小木曽 達也 1, 徳田 豊 1, 成田 哲生 2, 1. 愛知工大 , 2. 豊田中央研究所 , 3. 名古屋大学
冨田 一義 2, 加地 徹 3
			 11p-PB3-18 ベベルメサ構造 GaN p-n 接合ダイオードの電界分布シ〇前田 拓也 1, 成田 哲生 2, 上田 博之 2, 兼近 将一 2, 上 1. 京大院工 , 2. 豊田中研 , 3. 名大 未来材料・システム研
ミュレーション
杉 勉 2, 加地 徹 3, 木本 恒暢 1, 堀田 昌宏 1, 3, 4, 須田
究所 , 4. 名大院工淳 1, 3, 4
1
1
1
2
			 11p-PB3-19 基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法によるシリコ 〇馬場 真人 , 垣内 佑斗 , 岡田 浩 , 古川 雅一 , 山根 1. 豊技大 , 2. アリエースリサーチ
ン酸化膜の窒化物半導体応用
啓輔 1, 関口 寛人 1, 若原 昭浩 1
			 11p-PB3-20 基底状態酸素原子励起化学気相堆積法を用いた絶縁ゲー 〇中村 健人 1, 馬場 真人 1, 岡田 浩 1, 古川 雅一 2, 関口 1. 豊技大 , 2. アリエースリサーチ
ト型 GaN 系トランジスタの検討
寛人 1, 山根 啓輔 1, 若原 昭浩 1
			 11p-PB3-21 GaN スイッチング回路の放射電磁界計測による寄生素子 〇井手 利英 1, 2, 大森 幹夫 2, 清水 三聡 1, 高田 徳幸 2
1. 産総研 GaN-OIL, 2. 産総研 電子光抽出			 11p-PB3-22 3C-SiC/Si 基板上に作製した AlGaN/GaN/GaN:C ヘテロ 〇中野 由崇 1, 北原 功一 2, 大内 澄人 2, 生川 満久 2, 川 1. 中部大 , 2. エア・ウォーター構造のターンオン容量回復特性
村 啓介 2
			 11p-PB3-23 XPS による SiC/Si 接合界面の熱処理効果の評価〇万 澤欣 1, 梁 剣波 1, 重川 直輝 1
1. 大阪市大工			 11p-PB3-24 ドライエッチングによる単結晶β -Ga2O3 の表面粗さ評価 〇 (B) 森山 裕貴 1, 宇﨑 滉太 1, 新海 聡子 2
1. 九工大 , 2. 九工大マイクロ化
			 11p-PB3-25 高出力デバイス応用に向けた GaAs/Diamond 直接接合の 〇中村 祐志 1, 桝谷 聡士 2, 嘉数 誠 2, 重川 直輝 1, 梁 剣 1. 大阪市大院工 , 2. 佐賀大院工作製
波1
			 11p-PB3-26 局所光照射による n-AlGaAs/GaAs ヘテロ接合電界効果ト 〇川津 琢也 1, 野田 武司 1, 佐久間 芳樹 1
1. 物材機構
ランジスタのショットキー光電流増強効果
			 11p-PB3-27 1 対の電子チャネルと正孔チャネルを有する〇尾川 弘明 1, 大保 嵩博 1, 田浦 成幸 1, 櫛田 知義 1, 2, 1. 豊田工大 , 2. トヨタ自動車株式会社
AlGaAs/GaAs/AlGaAs ヘテロ構造ダイオードの耐圧特性 岩田 直高 1
3/12(Tue.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) M121 会場 (Room M121)
9:00		 12a-M121-1 窒素イオン注入を用いて作製したガードリング付き縦型 〇林 家弘 1, 湯田 洋平 2, ワン マンホイ 1, 佐藤 万由
1. 情通機構 , 2. 三菱電機（株）, 3. 東京農工大院工
Ga2O3 ショットキーバリアダイオード (II)子 3, 竹川 直 3, 小西 敬太 3, 綿引 達郎 2, 山向 幹雄 2, 村
上 尚 3, 熊谷 義直 3, 東脇 正高 1
9:15
E 12a-M121-2 Vertical Triple-Ion-Implanted β -Ga2O3 MOSFETs with 〇 ManHoi Wong1, Ken Goto2, 3, Hisashi Murakami2, 1.NICT, 2.Tokyo Univ. Agricul. Technol., 3.Tamura
Nitrogen-Doped Current Blocker
Yoshinao Kumagai2, Masataka Higashiwaki1
Corp.
9:30
E 12a-M121-3 β -Ga2O3 MOSFETs with Nitrogen-Ion-Implanted〇 ManHoi Wong1, Ken Goto2, 3, Hisashi Murakami2, 1.NICT, 2.Tokyo Univ. Agricul. Technol., 3.Tamura
Back-Barrier
Yoshinao Kumagai2, Masataka Higashiwaki1
Corp.
9:45		 12a-M121-4 窒素ドープチャネルを有するノーマリーオフβ -Ga2O3〇上村 崇史 1, 中田 義昭 1, ワン マンホイ 1, タン ホン 1. 情通機構
MOSFETグ フック 1, 東脇 正高 1
10:00
E 12a-M121-5 Reduction of the density of defects at the SiO2/Ga2O3〇 QIN MAO1, Eiki Suzuki1, Atsushi Tamura1, Koji
1.The Univ. of Tokyo
MOS interface by the combination of high-temperature
Kita1
O2 annealing and low-temperature H2 annealing
10:15		休憩 /Break
10:30		 12a-M121-6 β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードを用い 〇有馬 潤 1, 平林 潤 1, 藤田 実 1, 井ノ口 大輔 1, 佐々木 1.TDK, 2. ノベルクリスタルテクノロジー, 3. タムラ製
た PFC 回路のスイッチング特性
作所
公平 2, 倉又 朗人 2, 山腰 茂伸 3, 福光 由章 1
10:45		 12a-M121-7 ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲー 石松 裕真 1, 大石 敏之 1, 鴨川 拓弥 1, サハ ニロイ
1. 佐賀大院工 , 2. アダマンド並木精密宝石
ト MOSFET の高周波特性
チャンドラ 1, 金 聖祐 2, 〇嘉数 誠 1

13.8 光物性・発光デバイス / Optical properties and light-emitting devices
11:00		 12a-M121-8

13 半導体 / Semiconductors

パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド /Cu 直接接合 〇梁 剣波 1, 神田 進司 1, 桝谷 聡士 2, 嘉数 誠 2, 重川 直 1. 大阪市大院工 , 2. 佐賀大院工の形成
輝1
11:15		 12a-M121-9 50kW 級高出力ダイスタートランジスタの開発と EV 制御 〇岡本 研正 1, 細川 正美 2, 松下 文夫 2, 中野 逸夫 3
1. 香川大 , 2. 光半導体デバイス技研 , 3. 岡山大への応用
13.8 光物性・発光デバイス / Optical properties and light-emitting devices
3/10(Sun.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) S223 会場 (Room S223)
9:30		 10a-S223-1
熱および光刺激ルミネッセンスによる残光性 ZrO2 の準安 〇岩崎 謙一郎 1, 澤村 健司 1, 中西 貴之 1, 安盛 敦雄 1, 1. 東理大基工 , 2.DKKK
定エネルギー準位評価
岩倉 章貴 2, 中島 靖 2
9:45		 10a-S223-2
酸水素炎による強熱プロセスで合成されるモルタル上の 木村 徹郎 1, 中村 淳 2, 1, 〇小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
Ca-Al-O: (Eu, Nd) 系蛍光体の蛍光特性
10:00		 10a-S223-3
XPS 測定による CaMO3 (M=Ti, Zr, Sn) 中の Pr3+ および 〇山本 稜 1, 植田 和茂 1
1. 九工大院工Tb3+ 4f エネルギーの解析
10:15		 10a-S223-4
ペロブスカイト型 LaLuO3 中にサイト選択添加された〇吉野 卓馬 1, 植田 和茂 1
1. 九工大院工Eu3+ イオンからの発光
12
1
10:30		 10a-S223-5
KSr1-xBaxPO4 混晶系に添加した Eu の熱および光還元のメ 〇蔦 将哉 , 中村 奨 , 加藤 有行
1. 長岡技大 , 2. 長岡高専
カニズム
10:45		休憩 /Break
11:00		 10a-S223-6
アニールによる相転移で作製した正方晶 Mg2TiO4:Mn4+ 〇洲濱 基志 1, 葛川 和樹 1, 上野 雄祐 1, 井上 広夢 1, 石 1. 鳥取大学 , 2. メルク
深赤色蛍光体垣 雅 1, 西原 英治 1, 大倉 央 2, 大観 光徳 1
11:15		 10a-S223-7
生体イメージング用 Mn5+ 付活 (Ca、Ba) リン酸塩近赤外 〇松原 航平 1, 石垣 雅 1, 竹内 遼 1, 財満 祐太郎 1, 田中 1. 鳥取大学
蛍光体
翔人 1, 大観 光徳 1
11:30		 10a-S223-8
生体イメージング用 Ca10-xBax(PO4)6(OH)2:Mn5+ 近赤外ナ 〇財満 祐太郎 1, 石垣 雅 1, 竹内 遼 1, 松原 航平 1, 田中 1. 鳥取大学
ノ蛍光体
翔人 1, 大観 光徳 1
11:45		 10a-S223-9
Er3+, Ni2+ 共添加 Ca3Ga2Ge3O12 ガーネットの広帯域応答 〇竹田 康彦 1, 水野 真太郎 1, ルイテル ホム ナト 1, 谷 1. 豊田中研
アップコンバージョン発光
俊彦 1
12:00		 10a-S223-10 Tm3+, Pr3+ 共添加近赤外超広帯域ガラス蛍光体の開発〇 (D) 西村 政哉 1, 高松 直輝 1, 七井 靖 1, 渕 真悟 1
1. 青学大3/11(Mon.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) S223 会場 (Room S223)
2+
1
2
9:30
奨 11a-S223-1
Sr(Al0.05Si0.95)6N8:Eu の合成，結晶構造と発光特性〇吉村 文孝 , 山根 久典
1. 三菱ケミカル ( 株 ), 2. 東北大多元研
9:45		 11a-S223-2
緑色蛍光体 b-SiAlON:Eu2+ の欠陥発光と Eu2+ 発光特性へ 〇須田 順子 1, 神垣 良昭 2, 宮川 勇人 3, 武田 隆史 4, 髙 1. 東京工科大 , 2.EBL, 3. 香川大 , 4. 物材機構の影響
橋 向星 4, 広崎 尚登 4
10:00		 11a-S223-3
緑色蛍光体 Ba2LiSi7AlN12:Eu2+ の発光特性改善〇加藤 康介 1, 清野 肇 1, 武田 隆史 2, 広崎 尚登 2
1. 芝浦工大院 , 2. 物材機構
10:15		 11a-S223-4
ABC3X4 型狭帯域黄色発光酸窒化物蛍光体の結晶構造と発 豊島 広朗 1, 廣津留 秀樹 1, 〇舟橋 司朗 2, 広崎 尚登 2, 1. デンカ株式会社 , 2. 物材機構
2
光特性
武田 隆史
10:30		 11a-S223-5
NH3 雰囲気中で合成した Y4Si2O7N2:Eu3+ 赤色蛍光体の〇川島 美沙 1, 中本 広大 1, 木下 顕 1, 幡中 悠一郎 1, 石 1. 鳥取大 , 2. 徳島文理大 , 3. 高輝度光科学研究センター
EXAFS 解析垣 雅 1, 國本 崇 2, 本間 徹生 3, 大観 光徳 1
10:45		休憩 /Break
11:00		 11a-S223-6
電子スピン共鳴法とリートベルト法による青色発光蛍光 〇宮川 勇人 1, 小野 綾音 1, 佐藤 まみ 1, 上原 一希 1, 神 1. 香川大学創造工 , 2.EBL, 3. 東京化学研究所
体 Sr3MgSi2O8:Eu2+ の Eu 周りの配位状況
垣 良昭 2, 岡本 慎二 3
11:15		 11a-S223-7
液中レーザアブレーション法により生成した Y3Al5O12:〇小泉 洋 1, 5, 渡部 純也 2, 杉山 伸 2, 平林 英明 3, 徳野 1. 東芝生産技術センター, 2. 根本特殊化学 , 3. 東芝マテ
Ce3+ 蛍光体における白色 LED の発光特性
陽子 1, 和田 裕之 4, 本間 哲哉 5
リアル , 4. 東工大 , 5. 芝工大
11:30		 11a-S223-8(Y:Yb)AG における高温での anti-Stokes 発光増強
〇 (M2) 中山 雄太 1, 安藤 達人 2, 寺田 康太 1, 原田 幸 1. 神戸大学 , 2. パナソニック
弘 1, 喜多 隆 1
11:45
奨 11a-S223-9
1 電子励起によるナノ秒オーダーでのシンチレータ発光 〇高橋 恵理 1, 今村 伸 1
1. 日立研開の応答時間評価法
12:00		 11a-S223-10 WASSR 法による蛍光体の合成〇戸田 健司 1
1. 新潟大院
3/11(Mon.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) S223 会場 (Room S223)
13:45		 11p-S223-1 高熱伝導サブマウントを用いた量子カスケードレーザの 〇角野 努 1, 橋本 玲 1, 金子 桂 1, 斎藤 真司 1, 高木 茂 1. 東芝生産技術センター, 2. 東京工科大
特性評価
行2
14:00		 11p-S223-2 ZnInP 量子ドットを用いた狭発光スペクトル緑色 EL 素子 〇本村 玄一 1, 小倉 渓 1, 長久保 準基 2, 平川 正明 2, 西 1.NHK 技研 , 2. アルバック
橋 勉 2, 都築 俊満 1
14:15		 11p-S223-3 Tm 添加 AlGaN における青色発光遷移過程の光学特性評 〇市川 修平 1, 高津 潤一 1, 藤 諒健 1, Dolf
1. 阪大院工価
Timmerman1, 舘林 潤 1, 藤原 康文 1
14:30		 11p-S223-4 ナノ粒子を出発材料とした ZnS:Cu EL 用蛍光体
〇猿田 航己 1, 田中 聡士 1, 石垣 雅 1, 大観 光徳 1
1. 鳥取大- Cu 溶液中への含浸による PL, EL 特性の改善 1
1
1
14:45		 11p-S223-5 分散型 EL ペーパーデバイスにおける誘電損失の周波数特 〇竹田 直樹 , 常安 翔太 , 佐藤 利文
1. 東京工芸大工性
15:00		 11p-S223-6 直流電圧下における Ca0.6Sr0.4Ti0.9Al0.1O3-d :Pr 薄膜の電流 〇京免 徹 1, 高島 浩 2
1. 群馬大院理工 , 2. 産総研
密度・輝度・発光効率の時間依存性
3+
1
15:15		 11p-S223-7 Er 発光デバイスに向けての Bi2O3 ホスト薄膜の可能性 〇赤沢 方省
1.NTT デバイスイノベーションセンタ
15:30		休憩 /Break
15:45		 11p-S223-8 多孔質ガラス中での有機無機ペロブスカイトナノ粒子の 〇篠崎 健二 1, 河野 直樹 2
1. 産総研 , 2. 秋田大
合成と発光特性
1
1
1
16:00
奨 11p-S223-9 有機 - 無機ハイブリッドペロブスカイト多結晶薄膜形成 〇古橋 知樹 , 椿 俊太郎 , 和田 雄二
1. 東工大院物質理工におけるマイクロ波パルス照射による低温結晶化
16:15
奨 11p-S223-10 MAPbCl3 ペロブスカイト単結晶における非線形光学応答 〇 (M1) 小原 慧一 1, 山田 琢允 1, 田原 弘量 1, 阿波連 1. 京大化研の波長依存性知子 1, 廣理 英基 1, 金光 義彦 1
16:30		 11p-S223-11 ダブルポンプ過渡吸収分光による CsPbBr3 ナノ粒子のイ 〇 (M1) 小原 慧一 1, 中原 聡志 1, 田原 弘量 1, 湯本 郷 1, 1. 京大化研
オン化機構の解明
川脇 徳久 1, 猿山 雅亮 1, 佐藤 良太 1, 寺西 利治 1, 金光
義彦 1
16:45
奨 11p-S223-12 光電子移動を利用したコア / シェル型量子ドット蛍光体 〇笹倉 卓也 1, 上松 太郎 1, 鳥本 司 2, 桑畑 進 1
1. 阪大院工 , 2. 名大院工の励起子閉じ込めに関する評価
1
1
1
1
17:00		 11p-S223-13 イオンビーム堆積法による InP/ZnS CQD 薄膜作製と〇池田 侑矢 , 山口 浩一 , 坂本 克好 , 小林 哲
1. 電通大キャラクタリゼーション
17:15		 11p-S223-14 界面活性剤を用いて分散させた SiC ナノチューブからの 鈴木 樹哉 1, 〇石原 淳 1, 田口 富嗣 2, 宮島 顕祐 1
1. 東理大院理 , 2. 量研
発光の励起密度依存性
1
1
1
1
17:30		 11p-S223-15 シリコン酸化膜中の非晶質・ナノ結晶 SiC の形成と光物 〇 (M1) 成松 伶 , 川村 寿栄 , 森本 一総 , 勝俣 裕
1. 明大理工性評価
17:45		 11p-S223-16 水系および非水系反応場で合成された L- システイン誘導 〇 (D) 慶長 泰周 1, 秋生 萌絵香 1, 磯 由樹 1, 磯部 徹
1. 慶大理工
カーボンドットの蛍光特性の比較
彦13/12(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 12a-PB4-1
亜鉛を含むシリコン硫化物蛍光体膜の作製と評価〇 (M1) 中村 裕貴 1, 奥野 剛史 1
1. 電通情基			 12a-PB4-2
Ⅱ -Y2S4 蛍光体の発光波長制御〇黒川 郁弥 1, 奥野 剛史 1
1. 電通大情報理工			 12a-PB4-3
温度消光を除去した BGE 光による SiAlON 蛍光体の非発 〇田中 雄也 1, 鎌田 憲彦 1
1. 埼玉大院理工
光再結合準位測定1
1
			 12a-PB4-4
青色励起可能な赤色発光リン酸塩蛍光体の発光特性〇 (M1) 久島 大輝 , 奥野 剛史
1. 電通大基盤理工			 12a-PB4-5
希土類賦活銅酸化物蛍光体の作製と発光特性〇山本 篤 1, 有江 奈緒子 1, 遠藤 奈津実 1, 般若 大地 1, 1. 金沢工大
深田 晴己 1, 敦史 山口 1

13.9 化合物太陽電池 / Compound solar cells

13 半導体 / Semiconductors

			 12a-PB4-6

ZnMoO4: Eu3+ と ZnWO4 の蛍光特性に対するインターカ 〇伊井 大介 1, 佐俣 博章 1
1. 神戸大海事
レーションの影響
			 12a-PB4-7
ボールミルを用いた BaMoO4:Eu3+ の作製〇 (M1) 柿野 良太郎 1, 奥野 剛史 1
1. 電通大基盤理工			 12a-PB4-8
MOD 法で作製された BaTiO3 : Yb3+, Er3+ のアップコン〇野中 俊宏 1, 番 貴彦 2, 山本 伸一 2
1. 豊田高専 , 2. 龍谷大理工
バージョン発光11
			 12a-PB4-9
Y0.90-xYbxEr0.10BaZn3AlO7 の波長変換コンポジット膜の作 〇埴岡 正史 , 佐俣 博章
1. 神戸大海事
製と評価
			 12a-PB4-10 YVO4:Yb,Er ナノ蛍光体のアップコンバージョン発光の粒 廣澤 克儀 1, 〇蔦 将哉 1, 加藤 有行 1
1. 長岡技大径依存性
1
1
1
			 12a-PB4-11 ディップコート法により作製した Y2WO6 ナノロッド配向 金井 亮太 , 五十嵐 健太 , 〇加藤 有行
1. 長岡技科大工
膜の偏光特性			 12a-PB4-12 (CaxSr1-x)Ga2S4:Eu, Er 蛍光体に対する残光特性の母体組 根本 泰宏 1, 河上 璃久 1, 〇加藤 有行 1
1. 長岡技科大工
成依存性
1
2
1
			 12a-PB4-13 Pr, Al 共添加 CaTiO3 単結晶の残光特性における添加濃度 〇 (M2) 五十嵐 綾香 , 七井 靖 , 上岡 隼人
1. 日大文理 , 2. 青学大理工依存性			 12a-PB4-14 CaAl2O4:M, Ga3+(M=Ce3+, Eu2+) 蛍光体の発光特性〇 (M1) 渡部 勇太 1, 奥野 剛史 1
1. 電通大基盤理工			 12a-PB4-15 X 線照射したサマリウム添加ストロンチウムホウリン酸 〇尾前 翔太 1, 前田 幸治 1, 横山 宏有 1, 境 健太郎 2
1. 宮崎大工 , 2. 宮崎大産地連セ
蛍光体の発光特性112
			 12a-PB4-16 ZrO2 の残光特性に及ぼす結晶構造と欠陥の影響〇 (M1) 澤村 健司 , 岩﨑 謙一郎 , 岩倉 章貴 , 中島 1. 東理大基工 , 2. 第一稀元素化学工業
靖 2, 中西 貴之 1, 安盛 敦雄 1
			 12a-PB4-17 単斜晶 ZrO2 の励起温度とキャリア蓄積過程の調査〇 (M2) 吉川 晃平 1, 岩﨑 謙一郎 1, 岩倉 章貴 2, 中島 1. 東理大基工 , 2. 第一稀元素化学
靖 2, 中西 貴之 1, 安盛 敦雄 1
			 12a-PB4-18 Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+ の熱蛍光特性と燐光減衰曲線の 〇富田 一光 1, 奥野 剛史 1
1. 電気通信大学
評価			 12a-PB4-19 無機ペロブスカイトナノ粒子の過渡吸収測定によるアセ 〇 (M1) 森 滉騎 1, 古部 昭広 1, Chen Shih-Hsuan2,
1. 徳島大学院工 , 2. 台湾科技大
トン処理の効果と劣化機構の検討
Chen Liang-Yih2
			 12a-PB4-20 DNA 機能化量子ドットの電気泳動分離と一次元配列構造 〇林田 弦樹 1, 佐々野 晃輔 1, 小田 勝 1, 座古 保 2
1. 九工大工 , 2. 愛媛大院理工の作製
			 12a-PB4-21 チューナブルなファブリー・ペロー型光共振器中の二次 片平 博夫 1, 〇久保 直人 1, 寺平 成希 1, 佐久間 芳樹 2, 1. 筑波大物理 , 2. 物材機構
元半導体の光スペクトル
池沢 道男 1
			 12a-PB4-22 CaF2/Si ヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケード 〇 (M1) 鄭 源宰 1, 大野 綜一郎 1, 劉 龍 1, 渡辺 正裕 1
1. 東工大工学院
レーザの理論解析
			 12a-PB4-23 InAs QD/wetting layer/GaAs 構造における SAW 誘起 PL 〇山沢 弘人 1, 松末 俊夫 1, 坂東 弘之 1
1. 千葉大学融合理工
特性 -wettinglayer の特性を中心として
13.9 化合物太陽電池 / Compound solar cells
3/10(Sun.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 10a-PB3-1
III-V/Si 多接合太陽電池の界面特性改善に向けたパター 〇 (M1) 菱田 貴史 1, 梁 剣波 1, 重川 直輝 1
1. 大阪市大院工ニング金属中間層
			 10a-PB3-2
面内超高密度 InAs 量子ドット層を導入した量子ドット太 〇 (B) 戸川 匠 1, 鈴木 亮介 1, 寺田 圭佑 1, 坂本 克好 1, 1. 電通大
陽電池の集光特性（2）
曽我部 東馬 1, 山口 浩一 1		
奨 10a-PB3-3
Optical Properties of Cr doped CuGaS2 Thin Films〇 (M1)Myeongok Kim1, Nazmul Ahsan2, Hiroya
1.Grad. Arts and Sci. UTokyo, 2.RCAST. UTokyo, 3.
Matsubayashi3, Zacharie Li Kao Jehl2, Kalainathan
Elec. Eng. UTokyo, 4.VIT Univ.
Sivaperuman4, Yoshitaka Okada2, 3
			 10a-PB3-4
光電気化学エネルギー変換への応用を目的とする〇 (B) 藤田 わかば 1, 川口 誉人 1, 竹内 麻奈人 2, 吉野 1. 甲南大理工 , 2. 宮崎大工 , 3. 京都大院工 , 4. 大阪大太陽
CuGaSe ２バルク結晶の合成
賢二 2, 野瀬 嘉太郎 3, 原田 隆史 4, 池田 茂 1
エネ研		E 10a-PB3-5
Investigation of performance limiting key parameters in
Vikas Nandal1, 〇 Kazuhiko Seki1, Hiroyuki
1.AIST, 2.Tokyo Univ.
CuIn1-xGaxSe2 photocathodes
Kobayashi2, Kazunari Domen2
			 10a-PB3-6
CIGS 薄膜太陽電池セルの KF-PDT が PID に与える影響 〇 (DC) 山口 世力 1, 西永 慈郎 2, 柴田 肇 2, 大平 圭
1. 北陸先端大 , 2. 産総研
介 1, 増田 淳 2
1
1
			 10a-PB3-7
溶液塗布法による Cu2Sn1-xGexS3 薄膜の作製〇山本 恭平 , 田中 久仁彦
1. 長岡技大			 10a-PB3-8
微粒子塗布法による Ag8SnS6 光電極の作製と評価Ⅱ〇 (M1)LENGUYEN GIAPHUC1, 田中 久仁彦 1
1. 長岡技大
硫化水素雰囲気下でのアニール効果
			 10a-PB3-9
硫化法による (Cu,Ag)2SnS3 薄膜太陽電池の作製条件の検 〇中嶋 崇喜 1, 田中 大地 1, 山口 利幸 1, 荒木 秀明 2, 片 1. 和歌山高専 , 2. 長岡高専 , 3. 豊橋技科大討
桐 裕則 2, 笹野 順司 3, 伊﨑 昌伸 3
			 10a-PB3-10 熱処理プロセスによる Cu2ZnSnSe4 薄膜作製におけるプ 〇中嶋 崇喜 1, 浦山 凌芽 1, 山口 利幸 1, 笹野 順司 2, 伊 1. 和歌山高専 , 2. 豊橋技科大リカーサ構造の影響
﨑 昌伸 2
			 10a-PB3-11 CZTS 薄膜の鉄イオン添加硫酸水溶液での表面処理〇宮崎 尚 1, 青野 祐美 2, 岸村 浩明 1, 遠藤 祐貴 3, 神保 1. 防大材料 , 2. 鹿児島大電気電子 , 3. 長岡高専
和夫 3, 片桐 裕則 3
			 10a-PB3-12 スピンコート Cu-Zn-Sn プリカーサ膜と硫化水素で作製 〇田橋 正浩 1, 高橋 誠 1, 後藤 英雄 1, 中村 重之 2, 神保 1. 中部大 , 2. 津山高専 , 3. 長岡高専 , 4. 大阪大 , 5. 甲南大 ,した Cu2ZnSnS4 太陽電池の変換効率
和夫 3, 片桐 裕則 3, 原田 隆史 4, 池田 茂 5, 吉野 賢二 6 6. 宮崎大
			 10a-PB3-13 テラヘルツ分光法による Cu-Zn-Sn-S(CZTS) および〇友野 巧也 1, 阿部 天音 1, 藤田 俊樹 2, 佐々木 哲郎 3, 1. 鶴岡高専 , 2. 長岡技術大 , 3. 静岡大電研
Cu-Sn-S(CTS) の特性調査
森谷 克彦 1, 田中 久仁彦 2, 安田 新 1
			 10a-PB3-14 CuBr1-xIx / ZnO ナノロッド透明 pn 接合に微細構造が与え 〇手塚 尚人 1, 森 涼太 1, 今村 俊貴 1, 田中 久仁彦 1
1. 長岡技大る効果
3/10(Sun.) 13:15 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) W321 会場 (Room W321)
13:15
E 10p-W321-1 Effect of annealing on CsF-treated CIGS thin film and〇Ishwor Khatri1, Tzu-Ying Lin1, Mutsumi Sugiyma1, 1.TUS
solar cell
Tokio Nakada1
13:30		 10p-W321-2 Epitaxial Cu(In, Ga)Se2 結晶成長における Cu/III 族比依 〇西永 慈郎 1, 菅谷 武芳 1, 柴田 肇 1, 仁木 栄 1
1. 産総研存性
13:45		 10p-W321-3 CdS/ エピタキシャル Cu(In,Ga)Se2 界面の電子構造評価 〇 (M1) 谷川 昂平 1, 岩本 悠矢 1, 髙木 佑誠 1, 西園 由 1. 鹿児島大 , 2. 産総研
朗 1, 西永 慈郎 2, 永井 武彦 2, 仁木 栄 2, 寺田 教男 1, 2
14:00		 10p-W321-4 Se 照射プロセスによる Cu(In,Ga)Se2 表面 Cu-Se 相の変化 〇池 承桓 1, Suyama Naoki1, Nakada Kazuyoshi1,1.Tokyo tech.
Yamada Akira1
14:15		 10p-W321-5 Ga/(Ga+In) 比が三段階法の Cu 過剰段階に与える影響〇小林 拓己 1, 下山 達大 2, 松尾 拳 2, 中田 和吉 1, 山田 1. 東工大工学院 , 2. 東工大工
明1
14:30
E 10p-W321-6 Effect of Annealing Temperature in H2S-free Sulfurization 〇 (M1)Dwinanri Egyna1, Kazuyoshi Nakada1, Akira 1.Tokyo Tech
Method for CIS Fabrication
Yamada1
14:45		 10p-W321-7 ２端子薄膜タンデム太陽電池応用に向けた p 型 CuI によ 千脇 那菜 1, 〇雷 宇晨 1, 中田 和吉 1, 山田 明 1
1. 東工大る貼り合わせ手法の開発
1
2
2
15:00		 10p-W321-8 CIGS 薄膜太陽電池における暗状態での PID および光照 〇櫻井 啓一郎 , 冨田 仁 , シュミッツ ダーシャン , 1. 産総研 , 2. ソーラーフロンティア
射による回復現象
徳田 修二 2, 小川 錦一 1, 柴田 肇 1, 増田 淳 1
15:15		休憩 /Break
15:30		 10p-W321-9 サブストレート型 CdTe 太陽電池における CdS 成膜後の 〇岡本 保 1, 林 優輔 1, 渡辺 大智 1
1. 木更津高専
熱処理の効果11
1
1
15:45		 10p-W321-10 CZTSe 太陽電池への各種アルカリ添加効果〇反保 衆志 , 金 信浩 , 永井 武彦 , 柴田 肇 , 仁木
1. 産総研栄1

15.1 バルク結晶成長 / Bulk crystal growth

15 結晶工学 / Crystal Engineering

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
15.1 バルク結晶成長 / Bulk crystal growth
3/9(Sat.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) S422 会場 (Room S422)
9:00		 9a-S422-1
三次元マイクロ引き下げ法によるスプリング形状サファ 〇横田 有為 1, 高杉 樹 2, 大橋 雄二 1, 3, 井上 憲司 3, 吉 1. 東北大 NICHe, 2. 東北大金研 , 3.Piezo Studio, 4. 山形
イア単結晶の育成技術開発
野 将生 2, 山路 晃広 2, 黒澤 俊介 1, 4, 鎌田 圭 1, 5, 吉川 大理 , 5.C&A
彰 1, 2, 3, 5
9:15		 9a-S422-2
一方向凝固で作製した Co-Cr-Mo 合金線材の組成分布と 〇 (M1) 阿部 翔希 1, 横田 有為 2, 二瓶 貴之 3, 黒澤 俊 1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3.C&A, 4. 山形大理
機械特性介 2, 4, 山路 晃広 1, 吉野 将生 1, 大橋 雄二 2, 鎌田 圭 2, 3,
吉川 彰 1, 2, 3
9:30		 9a-S422-3
Cz 法による 1 インチ径 Li(Ca0.73Sr0.25Eu0.02)AlF6 中性子シ 〇折口 和也 1, 横田 有為 2, 吉野 将生 1, 山路 晃広 1, 大 1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3. 山形大理 , 4.C&A
ンチレータ
橋 雄二 2, 黒澤 俊介 2, 3, 鎌田 圭 2, 4, 吉川 彰 1, 2, 4単結晶の育成とシンチレーション特性
9:45		 9a-S422-4
方向感度シンチレータ開発に向けた Mg 置換 ZnWO4 結晶 〇山路 晃広 1, 黒澤 俊介 2, 3, 堀合 毅彦 1, 関谷 洋之 4, 1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3. 山形大 , 4. 東大の育成
ピーダーセン 珠杏 4, 吉野 将生 1, 大橋 雄二 2, 横田 有
為 2, 鎌田 圭 2, 吉川 彰 1, 2
10:00
E 9a-S422-5
2-inch size Czochralski growth and scintillation properties 〇 KYOUNGJIN KIM1, Kei Kamada2, 3, Yasuhiro
1.IMR, Tohoku Univ., 2.NICHe, Tohoku Univ., 3.C&A
of Mo co-doped Ce:Gd3Ga3Al2O12 (GAGG)
Shoji3, 1, Masao Yoshino1, Vladimir V. Kochurikhin3, Corp., 4.Yamagata Univ.
Akihiro Yamaji1, Shunsuke Kurosawa2, 4, Yuui
Yokota2, Yuji Ohashi2, Akira Yoshikawa1, 2, 3
10:15		 9a-S422-6
非線形光学結晶 CsLiB6O10 の高品質・大型化の検討〇安藤 豪 1, 高橋 義典 1, 村井 良太 1, 加藤 康作 1, 中嶋 1. 阪大レーザー研 , 2. 阪大院工誠 1, 今西 正幸 2, 森 勇介 2, 吉村 政志 1

15 結晶工学 / Crystal Engineering

16:00		 10p-W321-11 Cu2Zn(Sn,Ge)Se4 表面および CdS/Cu2Zn(Sn,Ge)Se4 ヘテ 〇永井 武彦 1, 岩本 悠矢 2, 谷川 昂平 2, 濱田 博也 2, 太 1. 産総研 , 2. 鹿児島大ロ界面の電子状態評価
田 信義 2, 反保 衆志 1, Kim Shinho1, 柴田 肇 1, 松原 浩
司 1, 仁木 栄 1, 寺田 教男 2
16:15		 10p-W321-12 SnS 薄膜の組成比が SnS 太陽電池の変換効率に与える影 〇高江洲 貴斗 1, 船津 岳伸 1, 任介 太一 1, 杉山 睦 1, 2
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
響
1
1
1
1, 2
16:30		 10p-W321-13 SnS 薄膜の SnS 雰囲気熱処理が太陽電池特性に与える影 〇船津 岳伸 , 高江洲 貴斗 , 任介 太一 , 杉山 睦
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
響
16:45		 10p-W321-14 ミスト CVD 法による Cu2SnS3 薄膜の作製〇木幡 真緒 1, 吉久 史貴 1, 田中 久仁彦 1
1. 長岡技大17:00		 10p-W321-15 フォトルミネッセンス法を用いた (NaxCu1-x)ySnS3 の特性 〇前田 隆宏 1, 荒木 秀明 2, 田中 久仁彦 1
1. 長岡技大 , 2. 長岡高専
評価 Ⅱ
17:15		 10p-W321-16 SPS 法で作製した FeS2 の電気伝導特性〇 (B) 金子 駿也 1, 山口 博之 1, 長南 安紀 1, 小谷 光
1. 秋田県立大学システム , 2. 秋田県産業技術センター
司 1, 小宮山 崇夫 1, 杉山 重彰 2, 菅原 靖 2, 関根 崇 2
3/11(Mon.) 9:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W321 会場 (Room W321)
9:30		 11a-W321-1 量子ドット導入による赤外太陽電池の吸収波長領域拡大 〇 (M2) 定免 良太 1, 寺本 英央 1, 本田 真也 1, 赤羽 浩 1. 千葉工大 , 2. 情報通信研究機構
一 2, 松本 敦 2, 内田 史朗 1
9:45		 11a-W321-2 2 段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における 〇絹川 典志 1, 朝日 重雄 1, 喜多 隆 1
1. 神戸大院工輻射再結合と光電流の相反性
10:00		 11a-W321-3 正孔のアップコンバージョンを利用したフォトンアップ 〇朝日 重雄 1, 柴村 和樹 1, 草木 和輝 1, 喜多 隆 1
1. 神戸大院工コンバージョン太陽電池の基礎検討
10:15		 11a-W321-4 高倍集光下における GaSb/GaAs 量子ナノ構造太陽電池の 〇樗木 悠亮 1, 2, 庄司 靖 3, 宮下 直也 2, 何 軼倫 1, 2, 岡田 1. 東大院工 , 2. 東大先端研 , 3. 産総研
特性至崇 1, 2
10:30		 11a-W321-5 熱電変換素子を用いた熱回収型太陽電池の設計と検証実 〇上出 健仁 1, 望月 敏光 1, 秋山 英文 2, 3, 高遠 秀尚 1
1. 産総研 , 2. 東大物性研 , 3.OPERANDO-OIL
験
10:45		休憩 /Break
11:00		 11a-W321-6 InAs/GaAs 量子ドット超格子を用いたホットキャリア型 〇原田 幸弘 1, 岩田 尚之 1, 朝日 重雄 1, 喜多 隆 1
1. 神戸大院工太陽電池における開放電圧の向上
11:15		 11a-W321-7 ホットキャリア太陽電池における中間バンド効果〇竹田 康彦 1
1. 豊田中研
11:30		 11a-W321-8 液相法で作製した PbS 量子ドット / ペロブスカイト中間 〇細川 浩司 1, 玉置 亮 2, 澤田 拓也 1, 小此木 明徳 1, 佐 1. 花王 , 2. 東大先端研 , 3. 九工大生命体工バンド型太陽電池 －（１）設計と作製
藤 治之 1, 尾込 裕平 1, 3, 早瀬 修二 3, 岡田 至崇 2, 矢野
聡宏 1
11:45		 11a-W321-9 液相法で作製した PbS 量子ドット / ペロブスカイト中間 〇玉置 亮 1, 細川 浩司 2, 澤田 拓也 2, 小此木 明徳 2, 佐 1. 東大先端研 , 2. 花王 , 3. 九工大生命体工バンド型太陽電池 － (2) 特性評価
藤 治之 2, 尾込 裕平 2, 3, 早瀬 修二 3, 岡田 至崇 1, 矢野
聡宏 2
3/11(Mon.) 13:45 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) W321 会場 (Room W321)
13:45
招 11p-W321-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇庄司 靖 1, 大島 隆治 1, 牧田 紀久夫 1, 生方 映徳 2, 菅 1. 産総研 , 2. 大陽日酸
HVPE 法における InGaP 結晶の成長速度の高速化
谷 武芳 1
14:00		 11p-W321-2 HVPE 法によるトンネル接合に向けた高濃度ドーピング 〇大島 隆治 1, 庄司 靖 1, 牧田 紀久夫 1, 生方 映徳 2, 菅 1. 産総研 , 2. 大陽日酸の検討
谷 武芳 1
14:15
E 11p-W321-3 High growth rate MOVPE: InGaP growth for low-cost PV 〇 Hassanet Sodabanlu1, Akinori Ubukata2, Kentaroh 1.RCAST, U. of Tokyo, 2.Taiyo Nippon Sanso, 3.AIST,
application
Watanabe1, Takeyoshi Sugaya3, Yoshiaki Nakano4,
4.School of Engineering, U. of Tokyo
Masakazu Sugiyama1, 4
14:30		 11p-W321-4 多光子励起フォトルミネッセンスによる格子不整合系逆 〇小倉 暁雄 1, 谷川 智之 2, 高本 達也 3, 大島 隆治 4, 菅 1. 宇宙機構 , 2. 東北大金研 , 3. シャープ（株）, 4. 産総研
成長 InGaAs 単一接合太陽電池のバッファ層内における 谷 武芳 4, 今泉 充 1
転位の観察
14:45		 11p-W321-5 Templated-Liquid-Phase (TLP) 法による InP 成膜におけ 〇 (PC) 勝部 涼司 1, Yang Yuming1, 野瀬 嘉太郎 1
1. 京大院工るキャップ・下地各層の潜在的機能の解明
15:00		 11p-W321-6 フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導 〇石橋 晃 1, 黄倉 侑人 1, 澤村 信雄 1
1. 北海道大学 電子科学研究所
体太陽電池に向けた離散的併進対称性を有する新しい非対称導波路構造15:15		休憩 /Break
15:30
奨 11p-W321-7 界面に波長変換材料を担持した半導体接合技術の開発〇岸部 航大 1, 平田 桑一郎 1, 田辺 克明 1
1. 京大工15:45		 11p-W321-8 ハイドロジェルを介した半導体接合技術の開発〇岸部 航大 1, 田辺 克明 1
1. 京大工16:00		 11p-W321-9 直接半導体ウェハ接合法によるオーミック特性をもつ〇井上 諒一 1, 田辺 克明 1
1. 京大工InP/Si 界面の形成
16:15		 11p-W321-10 非クリーンルーム環境における直接半導体ウェハ接合法 〇井上 諒一 1, 竹原 凪人 1, 田辺 克明 1
1. 京大工の検討
16:30		 11p-W321-11 液相合成 ZnO 透明導電膜を介した半導体接合技術の開発 〇山下 達之 1, 平田 桑一朗 1, 岸部 航大 1, 井上 諒一 1, 1. 京大工
田辺 克明 1
16:45		 11p-W321-12 表面活性化接合による GaAs//InGaAs 2 接合太陽電池の 〇渡辺 健太郎 1, 福谷 貴史 2, ソダーバンル ハッサ
1. 東大先端研 , 2. 東大工開発
ネット 1, 中野 義昭 1, 2, 杉山 正和 1, 2
17:00		 11p-W321-13 GaAs//Si 系三端子型スマートスタック多接合太陽電池の 〇牧田 紀久夫 1, 太野垣 健 1, 水野 英範 1, 馬場 将亮 2, 1. 産総研 , 2. 長岡技科大検討
中西 明日香 2, 高遠 秀尚 1, 山田 昇 2, 菅谷 武芳 1
17:15
奨 11p-W321-14 三端子スマートスタック多接合太陽電池におけるサブセ 〇中西 明日可 1, 馬場 将亮 1, 太野垣 健 2, 牧田 紀久
1. 長岡技科大 , 2. 産総研
ル面積比の影響
夫 2, 菅谷 武芳 2, 山田 昇 1

15.2 II-VI 族結晶および多元系結晶 / II-VI and related compounds

15 結晶工学 / Crystal Engineering

10:30

奨 9a-S422-7

Ga/Al 比が Ca3Ta(Ga,Al)3Si2O14 の融液構造と結晶成長に与える影響
LiTaO3 結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析（Ⅱ）
Study on the electrical relationship at the interface
between LN melt and LN crystal
垂直ブリッジマン (VB) 法による Fe-Ga 単結晶の育成〇 (M2) 本田 雄生 1, 新家 寛正 1, 野澤 純 1, 岡田 純平 1, 1. 東北大金研
宇田 聡 1
10:45		 9a-S422-8〇梶ヶ谷 富男 1, 大野 裕 2
1. 住金鉱 , 2. 東北大 金研
11:00
E 9a-S422-9〇 (D)Qilin Shi1, Chihiro Koyama2, Jun Nozawa1,
1.IMR, Tohoku Univ., 2.JAXA
Satoshi Uda1
1
1
1
1
11:15		 9a-S422-10〇川村 祥太郎 , 泉 聖志 , 岡野 勝彦 , 西村 英一郎 , 1. 住友金属鉱山 , 2. 信州大学
太子 敏則 2, 干川 圭吾 2
11:30		 9a-S422-11
直径４インチの Fe-Ga 合金単結晶開発と Fe-Ga 磁歪発電 〇志村 玲子 1, 高橋 巧 1, 熊谷 毅 2, 川又 透 3, 藤枝 俊 4, 1. 東北大多元研 , 2.( 株 ) 福田結晶研 , 3. 東北大金研 , 4. 阪の結晶方位依存性
鈴木 茂 1, 福田 承生 2
大工11:45		 9a-S422-12
鉄 - アルミニウム系合金結晶の形状制御作製と磁気特性 〇鎌田 圭 1, 2, 村上 力輝斗 2, 荒川 元孝 4, 南谷 保 5, 上 1. 東北大 NICHe, 2.C&A, 3. 東北大金研 , 4. 東北大医工 ,評価
野 敏幸 5, 庄子 育宏 2, 山路 晃弘 3, 吉野 将生 3, 黒澤 俊 5. 金沢大介 1, 横田 有為 1, 大橋 雄二 1, 吉川 彰 1, 2, 3
12:00		 9a-S422-13
CZ 法による直径 100mm 径金属 Ni 単結晶の育成・加工と 〇藤井 高志 1, 2, 渡邊 清和 1, 高橋 和也 1, 熊谷 毅 1, 福 1.（㈱）福田結晶研 , 2. 桂オプティクス , 3. 東北大金研
評価
田 承生 1, 松岡 隆志 3, 川又 透 3, 杉山 和正 3
3/9(Sat.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) S422 会場 (Room S422)
13:30
招 9p-S422-1 「15. 結晶工学 分科内招待講演」〇柿本 浩一 1
1. 九大応力研
結晶成長における実験とシミュレーションのシナジー効果：
欠陥をどこまで予測可能か
14:15
招 9p-S422-2 「15. 結晶工学 分科内招待講演」〇島村 清史 1, ガルシア ビジョラ 1
1. 物材機構
機能性単結晶材料の開発を目指して
15:00		 9p-S422-3
１Si 融液から切り離した結晶中の点欠陥分布の観察 ( １) 〇阿部 孝夫 1, 高橋 徹 1, 白井 光雲 2
1. 信越半導体 , 2. 阪大産研
－ DLTS による各優位領域の空孔濃度－11215:15		 9p-S422-4
Si 融液からの切り離しによる点欠陥分布の観察 (2) －冷 〇阿部 孝夫 , 高橋 徹 , 白井 光雲
1. 信越半導体 , 2. 阪大産研
却過程で発生する格子間原子の分布－
15:30		 9p-S422-5
TLZ 法によるシリコンゲルマニウム結晶育成における B 川上 こゆき 1, 小川 晃司 1, 菊地 理佳 1, 荒井 康智 2, 〇 1. 信大工 , 2.JAXA
濃度制御方法の検討
太子 敏則 1
15:45		休憩 /Break
16:00		 9p-S422-6
Flux-Film-Coated Na フラックス LPE(FFC-LPE) 法によ 〇川村 史朗 1, 谷口 尚 1
1. 物材機構
る GaN 結晶成長
16:15		 9p-S422-7
In フラックスを用いた温度差法による GaSe 結晶の低温 〇 (D) 佐藤 陽平 1, 唐 超 1, 渡辺 克也 1, 大崎 淳也 1, 山 1. 東北大工 , 2. 東北大環
溶液成長
本 卓也 2, 田邉 匡生 1, 小山 裕 1
16:30
E 9p-S422-8
Low temperature liquid phase growth and terahertz〇 Chao Tang1, Yohei Sato1, Katsuya Watanabe1,
1.Tohoku Univ.
optical properties of 2D chalcogenide InSe crystal
Junya Osaki1, Tadao Tanabe1, Yutaka Oyama1
16:45		 9p-S422-9
数値解析を用いた国際宇宙ステーション内 InGaSb 結晶 〇岡野 泰則 1, JIN Xin1, 山本 卓也 2, 関本 敦 1, 早川 泰 1. 阪大基礎工 , 2. 東北大環境 , 3. 静大電研 , 4.JAXA
成長条件の設定と拡散係数の算出
弘 3, 稲富 裕光 4
17:00		 9p-S422-10 逆解析による RF-TSSG 法による SiC 結晶成長時のるつ 〇岡野 泰則 1, 堀内 鷹之 1, 関本 敦 1, 宇治原 徹 2
1. 阪大基礎工 , 2. 名大院工ぼ温度最適化
17:15		 9p-S422-11 高温ガス成長法による高速レートでのφ４" 長尺 4H-SiC 〇徳田 雄一郎 1, 久野 裕也 1, 上東 秀幸 1, 岡本 武志 1, 1. デンソー, 2. 電力中央研究所
結晶の成長
神田 貴裕 1, 大矢 信之 1, 星乃 紀博 2, 鎌田 功穂 2, 土田
秀一 2
17:30		 9p-S422-12 ２元系コロイド結晶の成長メカニズム〇野澤 純 1, 郭 素霞 1, 新家 寛正 1, 岡田 純平 1, 宇田
1. 東北大金研
聡1
17:45
E 9p-S422-13 The effect of substrate on nucleation rate of two〇 (D)Suxia Guo1, Jun Nozawa1, Hiromasa Niinomi1, 1.IMR, Tohoku Univ.
dimensional colloidal crystals
Junpei Okada1, Satoshi Uda1
15.2 II-VI 族結晶および多元系結晶 / II-VI and related compounds
3/10(Sun.) 9:00 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) W922 会場 (Room W922)
9:00
奨 10a-W922-1 スパッタ法で作製した Ag2Te 中間層を用いた AgGaTe2 薄 〇宇留野 彩 1, 小林 正和 1, 2
1. 早大先進 , 2. 早大材研
膜の作製
1
1
1
2
9:15		 10a-W922-2 スピンコート Cu-Zn-Sn プリカーサ膜とジメチルセレン 〇田橋 正浩 , 高橋 誠 , 後藤 英雄 , 原田 隆史 , 池田 1. 中部大 , 2. 大阪大 , 3. 甲南大 , 4. 宮崎大を用いた Cu2ZnSnSe2 膜の作製
茂 3, 吉野 賢二 4
9:30		 10a-W922-3 MOVPE 法による (211)Si 基板上の n-CdTe 層の厚膜化と 〇鳥居 稜 1, 森 拓郎 1, 田村 怜也 1, 東良 悠喜 1, 安形 保 1. 名古屋工業大学
高電子密度化に関する検討 [ Ⅰ ]則 1, ニラウラ マダン 1, 安田 和人 1
9:45		 10a-W922-4 MOVPE 法による (211)Si 基板上の n-CdTe 層の厚膜化と 〇東良 悠喜 1, 森 拓郎 1, 田村 怜也 1, 鳥居 稜 1, 安形 保 1. 名古屋工業大学の高電子密度化に関する検討 [ Ⅱ ]則 1, ニラウラ マダン 1, 安田 和人 1
10:00 奨 E 10a-W922-5 Growth of Al-doped ZnCdO thin films on MgO substrates 〇 (M2)HyoChang Jang1, Kento Matsuo1, Katsuhiko 1.Saga Univ.
by molecular beam epitaxy
Saito1, Qixin Guo1, Tooru Tanaka1
10:15		 10a-W922-6 MBE による Cl ドープ ZnCdTeO 層の膜特性の組成依存 〇渡辺 裕介 1, 峯 拓郎 1, 松尾 健斗 1, 齊藤 勝彦 1, 郭 其 1. 佐賀大院工性新 1, 田中 徹 1
10:30		 10a-W922-7 InP をドーパント源に用いた P ドープ ZnTe 薄膜の MBE 〇三島 聖也 1, 松尾 健斗 1, 齊藤 勝彦 1, 郭 其新 1, 山根 1. 佐賀大 , 2. 豊橋技科大成長
啓輔 2, 若原 昭浩 2, 田中 徹 1
10:45		 10a-W922-8 InP 基板上 ZnCdSe/MgZnCdSe/MgZnSeTe 黄色レーザダ 〇前田 慶治 1, 石井 健太 1, 小林 穂貴 1, 野村 一郎 1
1. 上智大理工
イオード構造の検討
1
1
2
1
11:00		 10a-W922-9 高利得 ZnSe 系有機ー無機ハイブリッド紫外アバラン〇市川 悠喜 , 田中 圭汰 , 藤井 裕太 , 河原 拓朗 , 中 1. 鳥取大院工 , 2. 鳥取大工
シェ・フォトダイオードの開発
川 和樹 1, 吉田 健太郎 2, 阿部 友紀 1, 笠田 洋文 1, 安東
孝止 1, 市野 邦男 1, 赤岩 和明 1
15.3 III-V 族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎 / III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy
3/11(Mon.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) S422 会場 (Room S422)
9:30		 11a-S422-1
N および Bi を導入した GaAs ナノワイヤの XRD 測定〇美田 貴也 1, 藤原 亮 1, 行宗 詳規 1, 石川 史太郎 1
1. 愛媛大工9:45		 11a-S422-2
Si 及び SOI 上の GaAs/GaNAs コア・マルチシェルナノワ 〇藤原 亮 1, 行宗 詳規 1, 石川 史太郎 1
1. 愛媛大工
イヤの成長
1
1
2
1
10:00		 11a-S422-3
Si ドープ GaAsN における電子活性化エネルギーの Si 不純 〇塚崎 貴司 , 日吉 連 , 藤田 実樹 , 牧本 俊樹
1. 早大理工 , 2. 一関高専
物濃度依存性10:15
奨 11a-S422-4
陽子線照射による III-V-N 混晶中の点欠陥低減効果の検証 〇源常 栄人 1, 山根 啓輔 1, 二村 綾 1, 今泉 充 2, 若原 昭 1. 豊橋技科大 , 2. 宇宙機構
浩1
10:30		 11a-S422-5
モノリシック III-V/Si 多接合太陽電池に向けた GaAsPN 〇 (M1C) 高地 俊貴 1, 山根 啓輔 1, 彦坂 宗 1, 藤本 純 1. 豊橋技科大セルの作製
弥 1, 関口 寛人 1, 岡田 浩 1, 若原 昭浩 1
10:45		休憩 /Break
11:00		 11a-S422-6
ALE 法で意図的に N 分布を変化させた GaAsN 薄膜の電 〇 (D) 河野 将大 1, 上田 大貴 1, 峰松 遼 1, 原口 智宏 1, 1. 宮崎大工
気特性の測定温度依存性
鈴木 秀俊 1
11:15		 11a-S422-7
Bi の単独照射 GaAsBi/GaAs 多重量子井戸の PL 偏光度〇山本 巧 1, 樋口 憧生 1, 神原 誉 1, 下村 哲 1
1. 愛媛大院理工11:30		 11a-S422-8
GaAsBi/GaAs 多重量子井戸の偏光 PL スペクトルの基板 〇神原 誉 1, 樋口 憧生 1, 塚本 晟 1, 山本 巧 1, Patil
1. 愛媛大工
面指数依存性
Pallavi1, 下村 哲 1
11:45		 11a-S422-9
MOVPE 法による InAs/GaSb 超格子成長時の異種 V 族混 〇今村 優希 1, 山形 勇也 1, 中山 優希 1, 若城 玲亮 1, 前 1. 宮崎大工入量の推定
田 幸治 1, 荒井 昌和 1
12:00		 11a-S422-10 InP 基板上引張歪 GaAsSb と InGaAs の膜厚増加による結 〇満原 学 1, 星 拓也 1, 杉山 弘樹 1, 後藤 高寛 2, 竹中
1.NTT 先端集積デバイス研 , 2. 東京大学
晶性劣化の比較
充 2, 高木 信一 2

15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals

15 結晶工学 / Crystal Engineering

3/11(Mon.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11p-PA4-1
第一原理計算を用いた GaPN 混晶中の窒素起因点欠陥の 〇牧 唯人 1, 山根 啓輔 1, 関口 寛人 1, 岡田 浩 1, 若原 昭 1. 豊橋技科大消滅過程に関する考察
浩1
			 11p-PA4-2
GaInSb チャネル HEMT 構造のゲート・チャネル間距離 〇岸本 尚之 1, 遠藤 勇輝 1, 林 拓也 1, 平岡 瑞穂 1, 町田 1. 東理大
パラメータが電気的特性に与える影響
龍人 1, 遠藤 聡 1, 藤代 博記 1
			 11p-PA4-3
面内超高密度 InAs 量子ドット層を導入した量子ドット〇 (M1) 田中 元幸 1, 馬場 慶一郎 1, 山口 浩一 1
1. 電通大基盤理工レーザの作製
			 11p-PA4-4
窒素をデルタドープした GaAs の３パルスフォトンエ〇田久保 悠一 1, 石澤 輝 1, 佐久間 芳樹 2, 池沢 道男 1 1. 筑波大物理 , 2. 物材機構
コー測定
			 11p-PA4-5
高速キャリア緩和 InAs 量子ドット積層構造の面内光電流 〇熊谷 直人 1, 盧 翔孟 2, 南 康夫 2, 北田 貴弘 2
1. 産総研 , 2. 徳島大院
スペクトルの温度依存性
			 11p-PA4-6
InAs サブモノレイヤー構造における光アップコンバー〇水野 皓登 1, Yuwei Zhang1, 神谷 格 1
1. 豊田工業大学
ジョン過程
			 11p-PA4-7
Si(111) 基板上 GaAs/GaAsBi ヘテロ構造ナノワイヤにお 〇松田 晃賢 1, 矢野 康介 1, 高田 恭兵 1, 下村 哲 1, 清水 1. 愛媛大工 , 2. 東レリサーチ
ける Bi 偏析構造 Si(111) 基板上 GaAs/GaAsBi ヘテロ構造 夕美子 2, 石川 史太郎 1
ナノワイヤにおける Bi 偏析構造			 11p-PA4-8
ダイヤモンド基板上に成長した低温 GaAs 層の固相成長 〇鎌田 敏郎 1, 飯塚 完司 1
1. 日工大		
E 11p-PA4-9
Correlation between the surface morphology and diffusion 〇 (DC)Jose Alberto Piedra1, Keisuke Yamane1, Koki 1.Toyohashi Univ. of Tech.
111
lengths of Ga adatom in GaP growth by MBE
Shota , Hiroto Sekiguchi , Hiroshi Okada , Akihiro
Wakahara1
			 11p-PA4-10 分子線堆積法による SiOx 膜上への InAs 量子ドットの自 〇 (B) 佐々木 一夢 1, 馬飼野 彰宜 1, 坂本 克好 1, 山口 1. 電通大基盤理工
己形成 (3)浩一 1
			 11p-PA4-11 DWELL 構造における InAs 量子ドット成長に対する In 偏 〇岡田 直樹 1, 生野 大吾 1, 王 涛 1, 大河内 俊介 2, 尾崎 1. 和歌山大シス工 , 2.NEC
析の影響
信彦 1
			 11p-PA4-12 tBGe を用いた Si(001) 基板上への Ge 薄膜成長における 〇岩本 晃一郎 1, 秋田 裕紀 1, 白倉 翔太郎 1, 河野 将
1. 宮崎大工
成長温度の影響
大 1, 鈴木 秀俊 1
			 11p-PA4-13 ラマン測定を用いた有機金属気相成長法で作製した GaSb 〇浅生 大輝 1, 前田 幸治 1, 荒井 昌和 1, 山形 勇也 1
1. 宮大工厚の異なる InAs/GaSb 超格子結晶の評価
3/11(Mon.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) S422 会場 (Room S422)
13:45
招 11p-S422-1 「第 19 回業績賞（教育業績）受賞記念講演」〇佐々木 昭夫 1
1. 京都大学名誉教授
混晶半導体とは －何が分かっていて、何が分かっていな
いか－14:30		 11p-S422-2 InAs/GaAs 量子ドット赤外線検出器における片側 AlGaAs 〇吉川 弘文 1, 3, 權 晋寛 1, 土江 貴洋 1, 3, 和泉 真 3, 岩本 1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研 , 3. シャープ層の効果
敏 1, 2, 荒川 泰彦 1
14:45		 11p-S422-3 近接積層 InAs/GaAs 量子ドット超格子の 1 次元電子状態 〇海津 利行 1, 2, 喜多 隆 1
1. 神戸大工 , 2. 神戸大研究基盤セ
の測定温度依存性
1
1
1
1, 2
15:00
奨 11p-S422-4 二重層構造を有する InAs/GaAs 長波長量子ドットの成長 〇 ZHAN WENBO , 權 晋寛 , 渡邉 克之 , 岩本 敏 , 1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研
荒川 泰彦 1
15:15		休憩 /Break
15:30		 11p-S422-5 1.5µm 帯メタモルフィック InAs/GaInAs/GaAs 量子ドッ 〇渡邉 克之 1, 詹 文博 1, 角田 雅弘 1, 權 晋寛 1, 荒川 泰 1. 東大ナノ量子機構
トの MBE 成長
彦1
15:45		 11p-S422-6 変調中間層による歪制御積層 InAs 量子ドットの光学特性 〇 (M2) 鈴木 幹人 1, 下村 憲一 1, 神谷 格 1
1. 豊田工大制御
16:00		 11p-S422-7 In フラッシュ法を用いた InAs/GaAs 量子ドットの高体積 〇角田 雅弘 1, 權 晋寛 1, 渡邉 克之 1, 荒川 泰彦 1
1. 東大ナノ量子機構
密度化
16:15		 11p-S422-8 面内超高密度 InAs 量子ドット層の PL マッピング解析 (2) 〇 (M1) 立木 象 1, 杉山 涼 1, 山口 浩一 1
1. 電通大 基盤理工
16:30
奨 11p-S422-9 大粒径 Ge シード層を利用したガラス上 GaAs 膜の合成と 〇西田 竹志 1, 茂藤 健太 1, 末益 崇 1, 都甲 薫 1
1. 筑波大院
分光感度実証16:45
E 11p-S422-10 Below-Bandgap Photoluminescence Emission from SI〇 (P)Ronel Intal Roca1, Hiroto Mizuno1, Mikihito
1.Toyota Technological Inst.
GaAs substrates subjected to pre-MBE-growth annealing Suzuki1, Itaru Kamiya1
15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals
3/9(Sat.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) W541 会場 (Room W541)
9:00
奨 9a-W541-1
極性面フリーな三次元 InGaN-LED 構造の結晶成長と評 〇 (DC) 松田 祥伸 1, 船戸 充 1, 川上 養一 1
1. 京大院工価
9:15
奨 9a-W541-2
MOCVD 法によるナノワイヤ LED 上 n-GaN キャップ層 〇後藤 七美 1, 曽根 直樹 1, 3, 飯田 一喜 1, 4, Lu
1. 名城大学 , 2. 名古屋大・赤﨑記念研究センター, 3.( 株 )成長
Weifang1, 鈴木 敦志 1, 軒村 恭平 1, 竹林 穣 1, 村上 ヒ 小糸製作所 , 4. 豊田合成 ( 株 )デキ 1, 寺澤 美月 1, 大矢 昌輝 1, 4, 上山 智 1, 竹内 哲也 1,
岩谷 素顕 1, 赤﨑 勇 1, 2
9:30
奨 9a-W541-3
トンネル接合を用いた量子殻 LED のデバイス特性〇村上 ヒデキ 1, 鈴木 敦志 1, 軒村 恭平 1, 竹林 穣 1, 後 1. 名城大 , 2. 名大・赤﨑記念研究センター, 3. 小糸製作所 ,藤 七美 1, 寺澤 美月 1, Lu Weifang1, 曽根 直樹 1, 3, 飯 4. 豊田合成
田 一喜 1, 4, 大矢 昌輝 1, 4, 上山 智 1, 竹内 哲也 1, 岩谷素顕 1, 赤﨑 勇 1, 2
9:45		 9a-W541-4
量子殻構造 LED の p 型殻用電極に関する検討〇鈴木 敦志 1, 村上 ヒデキ 1, 軒村 恭平 1, 竹林 穣 1, 後 1. 名城大 理工 , 2. 名古屋大・赤﨑記念研究センター,
藤 七美 1, 寺澤 美月 1, Lu Weifang1, 曽根 直樹 1, 3, 飯 3.（株）小糸製作所 , 4. 豊田合成（株）
田 一喜 1, 4, 大矢 昌輝 1, 4, 上山 智 1, 竹内 哲也 1, 岩谷素顕 1, 赤﨑 勇 1, 2
10:00
E 9a-W541-5
Low-damage Fabrication of InGaN/GaN Nanopillars by 〇 Kexiong Zhang1, T. Takahashi1, N. Kumagai1, G. 1.AIST, 2.Tohoku Univ., 3.Nagoya Univ.
Neutral Beam Etching: Towards Directional Micro-LED W. Cong1, D. Ohori2, K. Endo1, M. Shimizu1, 3, S.
in Top-down Structure
Samukawa2, X. L. Wang1, 3
10:15
奨 9a-W541-6
高効率緑色 LED のための二重金属 Ag/Au ナノ粒子によ 〇真野 稜也 1, ハン ドンピョ1, 山本 賢吾 1, 石本 聖
1. 名城大理工 , 2. 名古屋大・赤崎記念研究センター
る表面プラズモン共鳴波長の制御
治 1, 上山 智 1, 竹内 哲也 1, 岩谷 素顕 1, 赤崎 勇 1, 2
10:30		休憩 /Break
10:45		 9a-W541-7
p-GaN ピラミッド型反転領域への Mg 偏析の原子分解能 〇岩田 研治 1, 成田 哲生 2, 長尾 全寛 1, 3, 冨田 一義 2, 1. 名大院工 , 2. 豊田中研 , 3. 名大未来研
電子顕微鏡観察片岡 恵太 2, 加地 徹 2, 五十嵐 信行 1, 3
11:00		 9a-W541-8
放射光ナノビーム X 線回折による窒化物半導体 HEMT 〇植田 瑛 1, 藤平 哲也 1, 安藤 祐次 2, 橋詰 保 2, 今井 康 1. 阪大院基礎工 , 2. 北大量エレ研 , 3.JASRI
デバイスにおける圧電応答局所格子変形の直接観測
彦 3, 隅谷 和嗣 3, 木村 滋 3, 酒井 朗 1
11:15
奨 9a-W541-9
放射光ナノビーム X 線回折による窒化物半導体 HEMT 〇植田 瑛 1, 藤平 哲也 1, 安藤 祐次 2, 橋詰 保 2, 今井 康 1. 阪大院基礎工 , 2. 北大量エレ研 , 3.JASRI
デバイスにおける 圧電応答局所格子変形ダイナミクスの 彦 3, 隅谷 和嗣 3, 木村 滋 3, 酒井 朗 1
観測
11:30
奨 9a-W541-10 【注目講演】GaN 自立基板上 pn ダイオードの逆方向リー 〇宇佐美 茂佳 1, 田中 敦之 2, 3, 間山 憲仁 4, 戸田 一
1. 名大院工 , 2. 未来材料・システム研究所 , 3. 物材研 ,ク電流と 貫通螺旋転位周りに存在する Mg との関係
也 4, 菅原 義弘 5, 姚 永昭 5, 石川 由加里 5, 安藤 悠人 1, 4. 東芝ナノアナリシス , 5.JFCC, 6. 赤﨑記念研究セン
出来 真斗 2, 新田 州吾 2, 本田 善央 2, 天野 浩 2, 3, 6, 7
ター, 7.VBL
11:45		 9a-W541-11 GaN 自立基板上 pn ダイオードの逆方向リーク電流とナ 〇宇佐美 茂佳 1, 田中 敦之 2, 3, 福島 颯太 1, 安藤 悠
1. 名大院工 , 2. 未来材料・システム研究所 , 3. 物材研 ,12222, 3, 4, 5ノパイプ壁面に存在する不純物との関係
人 , 出来 真斗 , 新田 州吾 , 本田 善央 , 天野 浩
4. 赤﨑記念研究センター, 5.VBL
12:00
奨 9a-W541-12 GaN 薄膜における貫通転位およびナノパイプ m 壁面の第 〇中野 崇志 1, 長川 健太 1, 洗平 昌晃 2, 1, 白石 賢二 2, 1, 1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 九大院工 , 4. 九大応力研
一原理計算に基づく電子状態解析
押山 淳 2, 宇佐美 茂佳 1, 草場 彰 3, 寒川 義裕 4, 2, 田中
敦之 2, 本田 善央 2, 1, 天野 浩 2, 1

15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals

15 結晶工学 / Crystal Engineering

3/10(Sun.) 9:00 - 12:15
9:00		 10a-W541-1

口頭講演 (Oral Presentation) W541 会場 (Room W541)
気相反応から考える GaN MOVPE における炭素混入機構 〇 (M1) 大河内 勇斗 1, 長川 健太 1, 洗平 昌晃 2, 草場

1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 九大応力研
彰 3, 寒川 義裕 3, 2, 柿本 浩一 3, 白石 賢二 2, 1
9:15		 10a-W541-2 飛行時間型質量分析法を用いたトリメチルアルミニウム 〇 (M2) 大山 武浩 1, 叶 正 1, 久志本 真希 1, 新田 州吾 2, 1. 名大院工 , 2. 名大 未来材料・システム研 , 3. 名大 高等とアンモニアの気相反応分析
本田 善央 2, 3, 天野 浩 2
研究院
9:30		 10a-W541-3 MOVPE リアクタ内における Cp2Mg の温度依存性〇佐藤 陽子 1, 林 大介 1, 南 雅和 1, 村松 昇 2, 岩谷 素 1. 堀場エステック , 2. 名城大学
顕2
9:45
奨 10a-W541-4 カーボン添加による AlN 表面における p 型伝導制御〇岸元 克浩 1, 船戸 充 1, 川上 養一 1
1. 京大院工10:00		 10a-W541-5 Si 表面炭化により形成した SiC 薄膜上への窒化物半導体 〇出浦 桃子 1, 朱 逸夫 1, 百瀬 健 1, 霜垣 幸浩 1
1. 東大院工
成長
1
1
1
10:15
E 10a-W541-6 Dependence of TMAl preflow condition on GaN growth 〇Yifu Zhu , Takeshi Momose , Yukihiro Shimogaki , 1.Univ. of Tokyoon surface carbonized Si substrates
Momoko Deura1
10:30		休憩 /Break
10:45		 10a-W541-7 B2H6 原料を用いた BN 薄膜の CVD 成長〇山田 永 1, 井爪 将 1, 2, 山田 寿一 1, 清水 三聡 1, 2
1. 産総研 , 2. 名大
11:00
奨 10a-W541-8 InGaN 量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論 〇 (M1) 藤田 貴志 1, 坂井 繁太 1, 池田 優真 1, 山口 敦 1. 金沢工大 , 2. ソニー
的検討
史 1, 蟹谷 裕也 2, 冨谷 茂隆 2
11:15		 10a-W541-9 中温 GaN 層上 InGaN 多重量子井戸構造における V ピッ 〇倉井 聡 1, 大川 康平 1, 槇尾 凌我 1, 高 俊吉 1, 林 直 1. 山口大院創成科学
ト近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価 (2)矢 1, 岡田 成仁 1, 只友 一行 1, 山田 陽一 1
11:30
E 10a-W541-10 Reduction of the linewidth of the emission lines from a〇 (P)Kang Gao1, Munetaka Arita1, Mark Holmes1, 2, 1.NanoQuine, 2.IIS, Univ. of TokyoGaN interface fluctuation quantum dot
Yasuhiko Arakawa1
11:45
E 10a-W541-11 Measurement of the power dependence of spectral〇 (P)Kang Gao1, Helen Springbett3, Tongtong Zhu3, 1.NanoQuine, 2.IIS, Univ. of Tokyo, 3.Univ. ofdiffusion from a single InGaN quantum dot
Rachel Oliver3, Yasuhiko Arakawa1, Mark Holmes1, 2 Cambridge, UK
12:00		 10a-W541-12 Eu 添加 GaN の強励起条件下における赤色発光強度の増 〇市川 修平 1, 舘林 潤 1, 藤原 康文 1
1. 阪大院工大3/10(Sun.) 13:30 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) W541 会場 (Room W541)
13:30
招 10p-W541-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇塩見 圭史 1, 稲葉 智宏 1, 市川 修平 1, 舘林 潤 1, 藤原 1. 阪大院工
高反射率・導電性 AlInN/GaN DBR を用いた Eu 添加 GaN 康文 1
発光ダイオードの発光強度の増大
13:45
奨 10p-W541-2 ミラー形成に TMAH ウェットエッチングを用いた UV デ 〇安江 信次 1, 佐藤 恒輔 1, 2, 川瀬 雄太 1, 池田 隼也 1, 1. 名城大学 , 2. 旭化成 , 3. 名大・赤﨑記念研究センター
バイスの特性評価
櫻木 勇介 1, 岩山 章 1, 岩谷 素顕 1, 上山 智 1, 竹内 哲
也 1, 赤﨑 勇 1, 3
14:00		 10p-W541-3 組成傾斜 p-AlGaN を用いた紫外発光素子への高電流注入 〇 (D) 佐藤 恒輔 1, 2, 安江 信次 2, 荻野 雄矢 2, 岩谷 素 1. 旭化成 , 2. 名城大 , 3. 名古屋大
顕 2, 竹内 哲也 2, 上山 智 2, 赤﨑 勇 2, 3
14:15
奨 10p-W541-4 紫外発光デバイスにおける p 型 AlGaN 依存性〇荻野 雄矢 1, 佐藤 恒輔 1, 2, 川瀬 雄太 1, 池田 隼也 1, 1. 名城大学 , 2. 旭化成 , 3. 名古屋大学・赤崎記念研究セ
安江 信次 1, 櫻木 勇介 1, 田中 隼也 1, 手良村 昌平 1, 岩 ンター
山 章 1, 岩谷 素顕 1, 上山 智 1, 竹内 哲也 1, 赤崎 勇 1, 3
14:30		 10p-W541-5 Pendeo 成長 GaN を下地とした 3 次表面グレーティングを 〇高木 健太 1, 安藤 壮 1, 森岡 佳紀 2, 上向井 正裕 2, 片 1. 名城大理工 , 2. 阪大院工有する横結合分布帰還型 GaN 系半導体レーザの設計と作 山 竜二 2, 今井 大地 1, 宮嶋 孝夫 1製
14:45		 10p-W541-6 周期的スロット構造を用いた InGaN 単一モードレーザの 〇 (M1) 田附 大貴 1, 楠本 壮 1, 樋口 晃大 1, 田島 純平 2, 1. 阪大院工 , 2. 東芝開発研究センター
作製プロセスの検討
彦坂 年輝 2, 布上 真也 2, 上向井 正裕 1, 片山 竜二 1
15:00		 10p-W541-7 両極性同時成長法を用いた GaN-QPM 結晶の作製および 〇松久 快生 1, 小林 佑斗 1, 杉田 篤 1, 井上 翼 1, 中野 貴 1. 静大院工
光学特性評価之1
15:15		 10p-W541-8 AlN 光導波路型波長変換デバイスのための入力グレー〇 (M1) 森岡 佳紀 1, 山口 修平 1, 正直 花奈子 2, 林 侑 1. 阪大院工 , 2. 三重大院工 , 3. 三重大院地域イノベ
ティング結合器介 3, 三宅 秀人 2, 3, 塩見 圭史 1, 藤原 康文 1, 上向井 正
裕 1, 片山 竜二 1
15:30		休憩 /Break
15:45		 10p-W541-9 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計 〇三輪 純也 1, 紀平 将史 1, 上向井 正裕 1, 彦坂 年輝 2, 1. 阪大院工 , 2.（株）東芝 研究開発センターの開発：GaN ストリップ導波路型方向性結合器の作製
布上 真也 2, 片山 竜二 1
16:00		 10p-W541-10 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計 〇 (M1) 紀平 将史 1, 三輪 純也 1, 小松 天太 1, 上向井 1. 阪大院工の開発：GaN / n-AlGaN 方向性結合器の設計
正裕 1, 片山 竜二 1
16:15		 10p-W541-11 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計 〇小松 天太 1, 紀平 将史 1, 上向井 正裕 1, 片山 竜二 1 1. 阪大院工の開発 : 電界制御型位相変調器の設計
16:30
E 10p-W541-12 Effect of 4 μ m-thick Buffer as well as 50% relaxed〇 Muhammad Ajmal Khan1, Noritoshi Maeda1,
1.RIKEN Center for Advanced Photonics (RAP), 2-1,
n-AlGaN Electron Injection Layer on the Performance of Masafumi Jo1, Yoichi Yamada2, Hideki Hirayama1
Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, Japan, 2.Yamaguchi
308nm UV-B LED
University, 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi,
755-8611, Japan
1
2
1, 3
16:45
奨 10p-W541-13 多点光刺激を可能にする針型 Si 基板上青色μ LED プロー 〇安永 弘樹 , 大澤 匡弘 , 関口 寛人
1. 豊橋技科大・工 , 2. 名市大・院・薬 , 3.JST さきがけ
ブの作製
17:00
奨 10p-W541-14 Si 台座構造上 GaN モノリシック微小二重共振器型第二高 〇 (M2) 南部 誠明 1, 永田 拓実 1, 塩見 圭史 1, 藤原 康 1. 阪大院工 , 2. 東北大金研
調波発生デバイスの作製
文 1, 大西 一生 2, 谷川 智之 2, 上向井 正裕 1, 片山 竜
二1
17:15		 10p-W541-15 GaN の酸化膜形成 2 段階ウェットエッチング法における 〇 (M1C) 清藤 泰旦 1, 牧繪 哲男 1, 藤岡 洋 2, 前田 就 1. 東京工科大学 , 2. 東京大学生産技術研究所
酸化膜の電気的評価
彦1
17:30		休憩 /Break
17:45		 10p-W541-16 第一原理分子動力学法による２次元 GaN の新規構造探索 〇屋山 巴 1, Lu Anh Khoa Augustin2, 森下 徹也 1, 2, 中 1. 産総研、CD-FMat, 2. 産総研、MathAM-OIL
西 毅 1, 2
18:00		 10p-W541-17 GaN(0001) 表面におけるステップ端での吸着・脱離の挙 〇秋山 亨 1, 相可 拓巳 1, 中村 浩次 1, 伊藤 智徳 1
1. 三重大院工動に関する理論的検討
18:15		 10p-W541-18 縦型結晶成長装置における GaN MOVPE シミュレーショ 〇富澤 巧 1, 川上 賢人 2, 櫻井 照夫 2, 草場 彰 3, 岡本 直 1. 名大工 , 2. 名大院工 , 3. 九大応力研 , 4. 名大未来研 ,ン
也 2, 芳松 克則 4, 醍醐 佳明 5, 水島 一郎 5, 6, 依田 孝 5, 6, 5. ニューフレアテクノロジー, 6. 東工大未来研
寒川 義裕 3, 柿本 浩一 3, 白石 賢二 4
18:30		 10p-W541-19 化学反応を含む GaN 結晶成長流体シミュレーション手法 〇榊原 聡真 1, 川上 賢人 2, 高村 昴 2, 洗平 昌晃 4, 草場 1. 名大工 , 2. 名大院工 , 3. 九大応力研 , 4. 名大未来研の開発
彰 3, 岡本 直也 2, 芳松 克則 4, 寒川 義裕 3, 柿本 浩一 3,
白石 賢二 4
18:45		 10p-W541-20 MOVPE 法の GaN 結晶成長 3 次元マルチフィジックスシ 〇川上 賢人 1, 高村 昴 1, 草場 彰 3, 芳松 克則 2, 1, 岡本 1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 九大応力研
ミュレーション
直也 1, 寒川 義裕 3, 2, 柿本 浩一 3, 白石 賢二 2, 1
3/11(Mon.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W541 会場 (Room W541)
9:00		 11a-W541-1 深紫外 AlGaN 発光ダイオードの時間分解エレクトロルミ 〇小島 一信 1, 吉田 悠来 2, 白岩 雅輝 2, 淡路 祥成 2, 菅 1. 東北大 多元研 , 2. 情報通信研究機構 , 3. 創光科学 ( 株 )ネセンス分光野 敦史 2, 山本 直克 2, 平野 光 3, 長澤 陽祐 3, 一本松 正
道 3, 秩父 重英 1
9:15		 11a-W541-2 マクロステップを持つ c 面 AlN/ サファイアテンプレート 〇小島 一信 1, 長澤 陽祐 2, 平野 光 2, 一本松 正道 2, 本 1. 東北大 多元研 , 2. 創光科学 ( 株 ), 3. 名大 未来材料シス上に成長させた AlGaN 量子井戸の構造解析（１）田 善央 3, 天野 浩 3, 4, 5, 赤崎 勇 6, 秩父 重英 1
テム研 , 4. 名大 赤﨑記念研 , 5. 名大 VBL, 6. 名城大 理工
9:30		 11a-W541-3 マクロステップを持つ c 面 AlN/ サファイアテンプレート 〇長澤 陽祐 1, 小島 一信 2, 平野 光 1, 一本松 正道 1, 本 1. 創光科学 , 2. 東北大 -IMRAM, 3. 名大工 -IMaSS, 4. 名
上に成長させた AlGaN 量子井戸の構造解析（２）田 善央 3, 天野 浩 3, 赤﨑 勇 4, 秩父 重英 2
城大理工
9:45
奨 11a-W541-4 有機金属気相成長した GaN/AlN 極薄量子井戸構造の光 〇小林 敬嗣 1, 市川 修平 1, 船戸 充 1, 川上 養一 1
1. 京大院工学的特性

15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals
10:00		 11a-W541-5

Al1-xInxN 混晶におけるバンド端近傍のポテンシャル揺らぎと光学定数の解析
10:15		 11a-W541-6 励起子分子のポピュレーション密度及び発光減衰時間の理論計算
10:30		休憩 /Break
10:45		 11a-W541-7 自立窒化ガリウム結晶の角度分解フォトルミネセンス分
光11:00		 11a-W541-8 自己吸収過程を考慮した発光量子効率の解析式
11:15		 11a-W541-9 圧電素子を用いた光音響分光測定系の構築による
GaN の支配的な非輻射再結合過程の評価
11:30		 11a-W541-10 GaN の深い準位の直接光励起による発光特性の考察〇今井 大地 1, 山路 知明 1, 三好 実人 2, 竹内 哲也 1, 宮 1. 名城大理工 , 2. 名古屋工大
嶋 孝夫 1〇大木 健輔 1, 野町 健太郎 1, 林 伯金 1, 志村 桐門 1, 馬 1. 千葉大工蓓 1, 森田 健 1, 石谷 善博 1
〇小島 一信 1, 池村 賢一郎 2, 秩父 重英 1

1. 東北大 多元研 , 2. 浜松ホトニクス〇浅井 栄大 1, 小島 一信 2, 秩父 重英 2, 福田 浩一 1
〇山崎 一人 1, 石井 良太 1, 船戸 充 1, 川上 養一 1

1. 産総研 , 2. 東北大多元研
1. 京大院工〇 (B) 菊地 萌 1, 上原 大輔 1, 馬 ベイ 1, 森田 健 1, 三宅 1. 千葉大工 , 2. 三重大院地域イノベ
秀人 2, 石谷 善博 1
11:45		 11a-W541-11 高濃度 Si ドープ GaN の深さ方向結晶性の赤外およびラマ 〇 (M2) 湯 明川 1, 馬 ベイ 1, 森田 健 1, 上野 耕平 2, 小 1. 千葉大院工 , 2. 東大生研
ン分光評価
林 篤 2, 藤岡 洋 2, 石谷 善博 1
12:00		 11a-W541-12 ラマン散乱による表面活性化接合前後の GaN 薄膜中の歪 〇 (B) 田辺 凌 1, 小野寺 卓也 1, 上向井 正裕 1, 彦坂 年 1. 阪大院工 , 2.( 株 ) 東芝 , 3. 三重大院工 , 4. 三重大院地域変化の評価
輝 2, 布上 真也 2, 正直 花奈子 3, 三宅 秀人 3, 4, 久志本 イノベ , 5. 名大院工 , 6. 名大未来研
真希 5, 鄭 惠貞 6, 本田 善央 6, 天野 浩 6, 片山 竜二 1
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 11a-PB4-1
AlN 構造体を形成した基板への GaN 結晶成長〇中村 昌幸 1, 小林 貴之 1, 幸 康一郎 2, 井本 良 2, 岡田 1. サムコ株式会社 , 2. 山口大学
成仁 2, 立田 利明 1, 只友 一行 2, 本山 愼一 1
			 11a-PB4-2
グラファイト基板上に作製した単純 P-N 接合 GaN の I-V 〇井上 崇 1, 桟敷 剛 2, 細川 敏弘 1, 武田 章義 1, 岡野
1. 東洋炭素（株）, 2. 香川高専
特性
寛2
1
1
1
1
			 11a-PB4-3
GaN 層の表面汚染に関する検討 ( Ⅱ )〇水野 愛 , 岩元 正紀 , 長田 拓也 , 鈴木 礼央 , 篠田 1. 東京電機大工宏之 1, 六倉 信喜 1
			 11a-PB4-4
RF マグネトロンスパッタ法を用いた GaN 薄膜の作製と 〇仲嶋 徹 1, 齋藤 佑樹 1, 宮本 卓哉 1, 黒田 寛 1, 佐藤 祐 1. 同志社大院理工 , 2. 山中ヒューテック株
評価に関する研究喜 1, 大鉢 忠 1, 吉門 進三 1, 竹本 菊郎 2, 宇野 裕行 2, 木
村 直人 2, 高崎 正規 2
			 11a-PB4-5
熱劣化したエピタキシャルグラフェン上極薄 AlN 中間層 〇佐藤 祐大 1, 寺井 汰至 1, 鎌田 裕太 1, 竹内 智哉 1, 橋 1. 福井大院工の修復
本 明弘 1
			 11a-PB4-6
AlN(0001) 基板上における AlGaN 薄膜の成長様式に関す 〇 (M2) 積木 伸之介 1, プラディプト アブドゥルミッ 1. 三重大院工る理論的検討ツ 1, 秋山 亨 1, 中村 浩次 1, 伊藤 智徳 1
			 11a-PB4-7
RF-MBE より成長した高 In 組成 GaInN の成長温度特性 〇吉田 涼介 1, 中島 裕亮 1, 比留川 大輝 1, 山口 智広 1, 1. 工学院大
尾沼 猛儀 1, 本田 徹 1
			 11a-PB4-8
CVD 成長六方晶窒化ホウ素薄膜の高品質化に向けた基板 〇名嘉眞 朝泰 1, 川原崎 匠 1, 松下 一貴 1, 小南 裕子 1, 1. 静岡大総合研 , 2. 静岡大創科院 , 3. 静岡大電子研
加熱方法の検討
原 和彦 2, 3
Na フラックスサファイア溶解法における溶液 Li 濃度と 〇山田 拓海 1, 今西 正幸 1, 村上 航介 1, 中村 幸介 1, 吉 1. 阪大院工
村 政志 1, 森 勇介 1
GaN 結晶中 Li 濃度の関係
			 11a-PB4-10 InGaN/GaN 多重量子井戸の表面プラズモン侵入長を越 〇村尾 文弥 1, 中村 俊樹 1, 松山 哲也 1, 和田 健司 1, 船 1. 阪府大院工 , 2. 京大院工えた発光増強戸 充 2, 川上 養一 2, 岡本 晃一 1
			 11a-PB4-11 半極性 InGaN/GaN 量子井戸の表面プラズモン共鳴によ 〇亀谷 純 1, 中村 俊樹 1, 村尾 文弥 1, 松山 哲也 1, 和田 1. 阪府大院工 , 2. 山口大院創成る発光増強
健司 1, 岡田 成仁 2, 只友 一行 2, 岡本 晃一 1
			 11a-PB4-12 AlGaN 系量子井戸構造における励起子発光線幅に対する 野坂 峻大 1, 〇室谷 英彰 1, 山田 陽一 2
1. 徳山高専 , 2. 山口大院・創成科学
混晶組成揺らぎおよび界面揺らぎの影響
1, 3
2
3, 1
2
			 11a-PB4-13 NH3 プラズマ照射 GaN 表面の分光エリプソメトリによる 〇熊谷 直人 , 板垣 宏知 , 金 載浩 , 小木曽 久人 , 1. 産総研 GaN-OIL, 2. 産総研 AMRI, 3. 産総研 ESPRIT,
評価
王 学論 1, 3, 4, 廣瀬 伸吾 2, 榊田 創 3, 1, 清水 三聡 1, 4
4. 名大 IMaSS			 11a-PB4-14 4H-SiC, GaN の基底面転位の m 面電子線照射による挙動 〇石川 由加里 1, 2, 須藤 正喜 2, 菅原 義弘 1, 姚 永昭 1, 1.JFCC, 2. 名工大加藤 正史 2, 三好 実人 2, 江川 孝志 2
			 11a-PB4-15 第一原理計算による GaN 表面の電子状態と電界効果〇 (B) 齋藤 雅樹 1, 関川 卓也 2, 佐々木 進 3, 4, 大野 義 1. 新潟大理 , 2. 新潟大自然 , 3. 新潟大工 , 4.AMED 先端
明1
計測		
E 11a-PB4-16 Characterization of a GaN wafer and a homo-epitaxial〇(PC)Okkyun Seo1, Jaemyung Kim1, Satoshi Hiroi1, 1.NIMS
layer by synchrotron X-ray topography techniques
Yoshihiro Irokawa1, Toshihide Nabatame1, Yasuo
Koide1, Osami Sakata1
			 11a-PB4-17 GaN 自発分極の第一原理計算による検討〇関川 卓也 1, 白石 賢二 2, 佐々木 進 3, 4, 大野 義章 5
1. 新潟大自然研 , 2. 名古屋大未来 , 3. 新潟大工 , 4.AMED
先端計測 , 5. 新潟大理
			 11a-PB4-18 NiO/InGaN/n-GaN 光陽極を用いた光水分解の検討〇熊倉 一英 1, 渦巻 裕也 2, 小野 陽子 2, 小松 武志 2
1.NTT 物性研 , 2.NTT 先デ研
3/11(Mon.) 13:30 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) W541 会場 (Room W541)
1
2
3
13:30
招 11p-W541-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇上杉 謙次郎 , 林 侑介 , 正直 花奈子 , 永松 謙太
1. 三重大地域創生戦略企画室 , 2. 三重大院地域イノベ ,深紫外発光素子応用に向けたスパッタ成膜 AlN テンプ
郎 1, 三宅 秀人 2, 3
3. 三重大院工レートの転位密度低減
13:45		 11p-W541-2 ダイヤモンド基板上へのスパッタ AlN 成膜と高温アニー 〇白土 達也 1, 林 侑介 2, 上杉 謙次郎 3, 正直 花奈子 4, 1. 三重大工 , 2. 三重大院地域イノベ , 3. 三重大地域創生
ル
三宅 秀人 2, 4
戦力企画室 , 4. 三重大院工14:00		 11p-W541-3 スパッタ法により形成したサファイア上 Si ドープ AlN の 〇櫻井 悠也 1, 上野 耕平 1, 小林 篤 1, 上杉 謙次郎 2, 三 1. 東大生研 , 2. 三重大 , 3.JST-ACCEL
電気特性
宅 秀人 2, 藤岡 洋 1, 3
14:15
奨 11p-W541-4 反応性スパッタ法を用いた MnS/Si (100) 上への無極性〇立島 滉大 1, 2, 長田 貴弘 2, 石橋 啓次 2, 3, 高橋 健一 1. 明治大 , 2. 物質材料研究機構 , 3. 株式会社コメット
AlN 薄膜作製条件の検討
郎 2, 3, 鈴木 摂 2, 3, 小椋 厚志 1, 知京 豊裕 2
14:30		 11p-W541-5 DC スパッタ AlN テンプレートを用いた AlGaN 深紫外〇最上 耀介 1, 2, 茂手木 省吾 1, 2, 大澤 篤史 3, 尾崎 一 1. 理研 , 2. 埼玉大 , 3.SCREEN ファインテックソリュー
LED の作製人 3, 谷岡 千丈 3, 前岡 淳史 3, 定 昌史 1, 前田 哲利 1, 矢 ションズ
口 裕之 2, 平山 秀樹 1
14:45
招 11p-W541-6 「講演奨励賞受賞記念講演」〇林 侑介 1, 上杉 謙次郎 2, 正直 花奈子 3, 片山 竜二 4, 1. 三重大院地域イノベ , 2. 三重大地域創生戦略企画室 ,波長変換デバイスに向けたスパッタ成膜 AlN の極性制御 三宅 秀人 1, 3
3. 三重大院工 , 4. 阪大院工15:00		 11p-W541-7 スパッタ法と高温アニールによる a 面サファイア上 c 面〇林 侑介 1, 藤川 海人 2, 上杉 謙次郎 3, 正直 花奈子 2, 1. 三重大院地域イノベ , 2. 三重大院工 , 3. 三重大地域創AlN の作製
三宅 秀人 1, 2
生戦略企画室
15:15		休憩 /Break
1
1
1
1, 2
15:30		 11p-W541-8 スパッタリング法により形成した GaN トンネル接合コ 〇筆谷 大河 , 上野 耕平 , 小林 篤 , 藤岡 洋
1. 東大生研 , 2.JST-ACCEL
ンタクトの評価
15:45		 11p-W541-9 スパッタリング法により形成した p 型 GaN 薄膜の深い準 〇柴原 啓太 1, 上野 耕平 1, 小林 篤 1, 藤岡 洋 1, 2
1. 東大生研 , 2.JST-ACCEL
位の評価
16:00		 11p-W541-10 RF-MBE 法を用いた GaN のリモートホモエピタキシャル 〇大江 佑京 1, 毛利 真一郎 1, 名西 憓之 1, 荒木 努 1
1. 立命館大理工成長
16:15		 11p-W541-11 ブランキングを有したピコ秒レーザ PLD 成長 GaN 成膜 〇児玉 和樹 1, 小笠原 直 1, 上田 大助 1
1. 京都工芸繊維大の均一性改善16:30		 11p-W541-12 AlN 系バッファー層上に成長した多結晶 InN の特性〇坂本 真澄 1, 小林 篤 1, 上野 耕平 1, 藤岡 洋 1, 2
1. 東大生研 , 2.JST-ACCEL
16:45
E 11p-W541-13 Characteristics of ultra-thin InN films grown on AlN〇 (M1)Dayeon Jeong1, Atsushi Kobayashi1, Kohei
1.Institute of Industrial Science, The University of1
1, 2
Tokyo, 2.JST-ACCEL
Ueno , Hiroshi Fujioka
17:00
E 11p-W541-14 RF-sputter deposition of h-BN films on Al0.7Ga0.3N〇 GUODONG HAO1, Shin-Ichiro Inoue1
1.NICT
template			 11a-PB4-915 結晶工学 / Crystal Engineering15.5 IV 族結晶，IV-IV 族混晶 / Group IV crystals and alloys
17:15		 11p-W541-15 MBE によるガラス基板上 BN 薄膜成長〇小林 康之 1, 中田 啓一 1, 中澤 日出樹 1, 岡本 浩 1, 廣 1. 弘前大学 , 2.NTT 物性基礎研
木 正伸 2, 熊倉 一英 215 結晶工学 / Crystal Engineering

17:30		休憩 /Break
17:45		 11p-W541-16 MOCVD による高密度 (> 1 × 1011 cm-2)GaN/AlGaN 量子 〇有田 宗貴 1, 梅 洋 1, 2, 荒川 泰彦 1

1. 東大ナノ量子機構 , 2. 厦門大
ドットの形成1
1
1
1
18:00		 11p-W541-17 HEATE 法で作製した InGaN/GaN 極微細ナノピラーに対 〇伊藤 大智 , 生江 祐介 , 松岡 明裕 , 大江 優輝 , 川 1. 上智大・理工 , 2. 上智大ナノテクセンター
する飽和オゾン水処理による表面パッシベーション効果 崎 裕生 1, 森谷 裕太 1, 富樫 理恵 1, 菊池 昭彦 1, 2
18:15		 11p-W541-18 GaN ナノコラム光共振器構造の設計と作製〇 (M1C) 高木 俊裕 1, 関口 寛人 1, 玉井 良和 1, 山根
1. 豊橋技科大 , 2. 上智大
啓輔 1, 岡田 浩 1, 岸野 克巳 2, 若原 昭浩 1
1
1
1
18:30		 11p-W541-19 RF-MBE 法を用いた AlN/Si 基板上への規則配列 Eu 添加 〇 (M1C) 藤原 慎二郎 , 関口 寛人 , 助川 睦 , 玉井
1. 豊橋技科大 , 2. 上智大
GaN ナノコラムの成長
良和 1, 山根 啓輔 1, 岡田 浩 1, 岸野 克巳 2, 若原 昭浩 1
18:45		 11p-W541-20 規則配列 InGaN ナノコラムを用いた赤色発光 LED 結晶 〇滝本 啓司 1, 成田 一貴 1, 吉田 圭吾 3, 大音 隆男 4, 山 1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテク , 3. 工学院大工 , 4. 山形
口 智広 3, 本田 徹 3, 富樫 理恵 1, 野村 一郎 1, 2, 岸野 克 大院理工巳 1, 2
3/12(Tue.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W541 会場 (Room W541)
9:00		 12a-W541-1 HVPE 法による加工サファイア基板上の AlN 成長〇藤倉 序章 1, 今野 泰一郎 1, 木村 健司 1, 三宅 秀人 2 1. サイオクス , 2. 三重大地域イノベ
9:15
奨 12a-W541-2 トリハライド気相成長法による格子緩和した InGaN 厚膜 〇 (M2) 植井 里緒 1, 川邊 充希 1, 江間 研太郎 1, 村上 1. 東京農工大院工成長
尚 1, 熊谷 義直 1, 纐纈 明伯 1
9:30		 12a-W541-3 ハイドライド気相成長法による積層欠陥の少ない高品質 〇新宮 章吾 1, 藤本 怜 2, 岡田 成仁 2, ジェ ソン 3, ジュ 1. 山口大学工学部 , 2. 山口大院・創成科学 , 3. エール大
半極性 {20-21} 面 GaN テンプレート上 GaN の成長
ン ハン 3, 只友 一行 2
学
9:45		 12a-W541-4 HVPE 法におけるマルチストライプマスクを用いた GaN 〇池内 裕紀 1, 金子 拓司 2, 井本 良 1, 岡田 成仁 1, 只友 1. 山口大院・創成科学 , 2. 山口大・工
の高品質化
一行 1
10:00
奨 12a-W541-5 光熱偏向分光法による GaN 自立基板上ホモエピタキシャ 〇福田 清貴 1, 2, 矢代 秀平 1, 2, 藤倉 序章 3, 今野 泰一 1. 物材機構 , 2. 工学院大 , 3. サイオクス
ル層の評価
郎 3, 鈴木 貴征 3, 藤本 哲爾 3, 吉田 丈洋 3, 尾沼 猛儀 2,
山口 智広 2, 本田 徹 2, 角谷 正友 1
10:15		 12a-W541-6 キンクおよびステップ構造を持つ GaN 極性表面における 〇河村 貴宏 1, 2, 竹田 浩基 1, 北本 啓 2, 今西 正幸 2, 吉 1. 三重大院工 , 2. 阪大院工 , 3. 九大応力研
O 不純物の脱離エネルギーの解析
村 政志 2, 森 勇介 2, 森川 良忠 2, 寒川 義裕 3, 柿本 浩
一3
10:30		休憩 /Break
10:45
奨 12a-W541-7 OVPE 法による CH4 を用いた高速成長条件での厚膜・自 〇 (B) 神山 将大 1, 郡司 祥和 1, 小林 大也 1, 大芝 啓
1. 阪大工 , 2. 伊藤忠プラスチック ( 株 ), 3. パナソニック
立 GaN 結晶の作製
嘉 1, 北本 啓 1, 今西 正幸 1, 吉村 政志 1, 伊勢村 雅士 2, ( 株 )
3
1, 3
3
3
隅 智亮 , 滝野 淳一 , 岡山 芳央 , 信岡 政樹 , 森 勇介1
11:00
奨 12a-W541-8 OVPE 法によるホモエピタキシャル GaN 厚膜の欠陥構造 〇真鍋 海希 1, 藤平 哲也 1, 滝野 淳一 2, 3, 隅 智亮 2, 今 1. 阪大院基礎工 , 2. パナソニック , 3. 阪大院工評価
西 正幸 3, 森 勇介 3, 酒井 朗 1
11:15
奨 12a-W541-9 Na フラックス法における Li 添加を用いた微小径ポイン 〇濱田 和真 1, 澤田 友貴 1, 山田 拓海 1, 村上 航介 1, 今 1. 阪大工
トシード GaN 結合成長
西 正幸 1, 吉村 政志 1, 森 勇介 1
11:30
奨 12a-W541-10 Na フラックス GaN バルク単結晶の単独転位における漏 〇濱地 威明 1, 藤平 哲也 1, 今西 正幸 2, 森 勇介 2, 酒井 1. 阪大院基礎工 , 2. 阪大院工れ電流特性とバーガースベクトルの解析
朗1
11:45
奨 12a-W541-11 Na フラックス法における 4 端子法抵抗測定を用いた窒素 〇タンドリーヨ リクセン 1, Murakami Kosuke1,
1.Osaka Univ.
溶解量のモニタリング
Yamada Takumi1, Kitamura Tomoko1, Masayuki
Imanishi1, Yoshimura Masashi1, Mori Yusuke1
12:00		 12a-W541-12 酸性アモノサーマル法による GaN 結晶育成に金属添加が 〇冨田 大輔 1, 包 全喜 1, 3, 斉藤 真 1, 2, 栗本 浩平 3, 佐藤 1. 東北大多元研 , 2. 三菱ケミカル , 3. 日本製鋼所
与える影響
福馬 1, 石黒 徹 1, 秩父 重英 1
3/12(Tue.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) W541 会場 (Room W541)
13:30
招 12p-W541-1 「第 9 回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）〇平山 秀樹 1
1. 理研
受賞記念講演」
Al 系窒化物結晶ヘテロ成長技術とそれを用いた深紫外線
LED の開発
14:00		 12p-W541-2 ナノ PSS 上スパッタ堆積アニール AlN 膜を基板に用いた 〇伊庭 由季乃 1, 正直 花奈子 2, 上杉 謙次郎 3, 肖 世
1. 三重工 , 2. 三重大院工 , 3. 三重大地域創生戦略企画室 ,ホモエピ成長玉 4, 三宅 秀人 2, 4
4. 三重大院地域イノベ
14:15		 12p-W541-3 N 極性 AlN における表面平坦性のサファイア基板オフ角 〇磯野 竜弥 1, 江﨑 建彌 1, 伊藤 忠寿 2, 坂本 凌太 2, 姚 1. 山口大院・創成科学 , 2. 山口大工 , 3. ファインセラミッ
3
3
1
1
依存性
永昭 , 石川 由加里 , 岡田 成仁 , 只友 一行
クス
14:30		 12p-W541-4 高温アニールしたスパッタ成膜 AlN テンプレート上の〇上杉 謙次郎 1, 正直 花奈子 2, 林 侑介 3, 三宅 秀人 2, 3 1. 三重大地域創生戦略企画室 , 2. 三重大院工 , 3. 三重大
AlGaN 成長院地域イノベ
14:45		 12p-W541-5 高温アニール AlN/ サファイア上への AlGaN 成長での歪 〇稲森 崇文 1, 鈴木 涼矢 2, 劉 小桐 3, 上杉 謙次郎 4, 正 1. 三重大工 , 2. 三重大院工 , 3. 三重大院地域イノベ , 4. 三み制御
直 花奈子 2, 三宅 秀人 2, 3
重大地域創生戦略企画室
15:00		 12p-W541-6 無極性 m 面 AlN バルク基板上に成長した m 面 AlGaN の組 〇西中 淳一 1, 谷保 芳孝 1, 熊倉 一英 1
1.NTT 物性研
成変調
15:15		休憩 /Break
15:30		 12p-W541-7 AlInN エピタキシャル膜の Si ドーピングによる導電性制 〇 (M1) 山中 瑞樹 1, 三好 実人 1, 江川 孝志 1, 竹内 哲 1. 名工大 , 2. 名城大
御也2
15:45		 12p-W541-8 GaN に格子整合する組成近傍の四元混晶 AlGaInN エピタ 〇原田 紘希 1, 三好 実人 1, 江川 孝志 1, 竹内 哲也 2
1. 名古屋工業大学 , 2. 名城大学
キシャル膜の成長とその結晶評価
16:00
奨 12p-W541-9 深紫外レーザの Al0.5Ga0.5N ガイド層における不純物濃度 〇 (B) 田中 隼也 1, 川瀬 雄太 1, 佐藤 恒輔 1, 3, 岩谷 素 1. 名城大理工 , 2. 名古屋大・赤崎記念研究センター, 3. 旭と光損失の関係
顕 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1, 赤﨑 勇 1, 2
化成
16:15
奨 12p-W541-10 高品質 AlInN/GaN 多層膜反射鏡のためのその場観察反り 〇 (M1) 平岩 恵 1, 村永 亘 1, 岩山 章 1, 竹内 哲也 1, 上 1. 名城大理工 , 2. 名古屋大・赤﨑記念研究センター
測定
山 智 1, 岩谷 素顕 1, 赤﨑 勇 1, 2
16:30
奨 12p-W541-11 成長モード制御による AlGaN 下地層の高品質化と UV-B 〇 (M2) 川瀬 雄太 1, 池田 隼也 1, 櫻木 勇介 1, 安江 信 1. 名城大理工 , 2. 名古屋大・赤崎記念研究センター, 3. 三レーザへの応用
次 1, 手良村 昌平 1, 田中 隼也 1, 荻野 雄矢 1, 岩谷 素
重大・地域イノベ
顕 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1, 岩山 章 1, 3, 赤﨑 勇 2, 1, 三宅
秀人 3
16:45
奨 12p-W541-12 様々な AlN テンプレート上に形成した緩和 AlGaN 層に作 〇 (B) 手良村 昌平 1, 川瀬 雄太 1, 池田 隼也 1, 櫻木 勇 1. 名城大学理工 , 2. 名古屋大赤﨑記念研究センター,
製した UV-B レーザー介 1, 安江 信次 1, 田中 隼也 1, 荻野 雄矢 1, 岩谷 素顕 1, 3. 三重大地域イノベ
竹内 哲也 1, 上山 智 1, 岩山 章 1, 3, 赤﨑 勇 1, 2, 三宅 秀
人3
15.5 IV 族結晶，IV-IV 族混晶 / Group IV crystals and alloys
3/11(Mon.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11p-PA5-1(110) 面歪み Si 薄膜のラマン分光法による歪み評価〇有元 圭介 1, 各川 敦史 1, 斎藤 慎吾 1, 原 康祐 1, 山中 1. 山梨大
淳二 1, 中川 清和 1
			 11p-PA5-2
スパッタエピタキシー法を用いた完全圧縮歪 SiGe 薄膜形 〇野崎 翔太 1
1. 東京農工大学
成技術			 11p-PA5-3
極薄 AlN 中間層を用いたエピタキシャルグラフェン上 Si 〇寺井 汰至 1, 石丸 大樹 , 鎌田 裕太 1, 竹内 智哉 1, 橋 1. 福井大院工エピタキシャル成長
本 明弘 1

15.6 IV 族系化合物（SiC）/ Group IV Compound Semiconductors (SiC)
3/12(Tue.) 9:30 - 11:30
9:30		 12a-M113-1

15 結晶工学 / Crystal Engineering

口頭講演 (Oral Presentation) M113 会場 (Room M113)
Raman 分光法を用いたイオン注入 Ge 基板表面の結晶損 〇祖父江 秀隆 1, 福田 雅大 1, 柴山 茂久 1, 中塚 理 1, 2, 1. 名大院工 , 2. 名古屋大学 未来研 , 3. 名古屋大学 未来社
傷評価
財満 鎭明 3
会創造機構
9:45
奨 12a-M113-2 逆格子空間マッピングを用いた Ge1-xSnx メサ構造におけ 〇 (M1) 高橋 祐樹 1, 横川 凌 1, 2, 廣沢 一郎 3, 須田 耕 1. 明治大理工 , 2. 学振特別研究員 DC, 3. 高輝度光科学研
る歪緩和評価平 1, 小椋 厚志 1
究センター
10:00		 12a-M113-3 液浸ラマン分光法による組成傾斜 SiGe ワイヤの異方性二 〇横川 凌 1, 2, 高橋 恒太 2, 4, 富田 基裕 1, 3, 黒澤 昌
1. 明治大理工 , 2. 学振特別研究員 DC, 3. 早大理工 , 4. 名
軸応力分布評価
志 4, 5, 6, 渡邉 孝信 3, 小椋 厚志 1
大院工 , 5.JST さきがけ , 6. 名大高等研究院
10:15		 12a-M113-4 SiO2 上 Ge 成長膜の擬誘電応答関数に関するモデルと〇赤沢 方省 1
1.NTT デバイスイノベーションセンタ
フィッテイング
1
1, 2
1
1
10:30
奨 12a-M113-5 水浸ラマン分光法によるパターン加工したカーボンドー 〇吉岡 和俊 , 横川 凌 , 澤本 直美 , 小椋 厚志
1. 明治大学 , 2. 学振特別研究員 DC
プシリコンにおける歪緩和の評価
10:45		 12a-M113-6 ヘテロエピタキシャル Al/Ge(111) 上に偏析した極薄 Ge 〇小林 征登 1, 大田 晃生 1, 黒澤 昌志 1, 洗平 昌晃 1, 田 1. 名大 , 2. 産総研 GaN-OILの化学分析
岡 紀之 2, 池田 弥央 1, 牧原 克典 1, 宮﨑 誠一 1
11:00
奨 12a-M113-7 多層グラフェンの合成に向けた炭素 / 金属固相反応の包 〇中島 義基 1, 村田 博雅 1, 末益 崇 1, 都甲 薫 1
1. 筑波大院
括的研究
11:15		 12a-M113-8 エピタキシャル成長におけるリコン多形の結晶成長の可 〇北 玲男 1, 豊田 雅之 1, 斎藤 晋 1
1. 東工大能性
3/12(Tue.) 13:15 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) M113 会場 (Room M113)
13:15		 12p-M113-1 Ge-Au 同時蒸着膜を用いた金誘起層交換成長法による〇栫 昂輝 1, 笠原 健司 1, 清水 昇 2, 角田 功 2, 眞砂 卓 1. 福岡大理 , 2. 熊本高専
Ge 結晶の低温形成
史1
13:30		 12p-M113-2 金誘起層交換成長法で作製した Ge 薄膜における電気伝導 東 英実 1, 笠原 健司 2, 工藤 康平 1, 山田 晋也 1, 金島
1. 阪大基礎工 , 2. 福大理 , 3. 熊本高専 , 4. 九大 GIC
特性の理解
岳 1, 角田 功 3, 中島 寛 4, 〇浜屋 宏平 1
1
2
3
1
13:45		 12p-M113-3 金誘起層交換成長法で作製した Ge 薄膜を用いた薄膜トラ 東 英実 , 笠原 健司 , 山本 圭介 , 工藤 康平 , 山田 晋 1. 阪大基礎工 , 2. 福大理 , 3. 九大総理工 , 4. 九大 GIC
ンジスタ特性也 1, 金島 岳 1, 中島 寛 4, 〇浜屋 宏平 1
14:00 奨 E 12p-M113-4 Aluminum-induced crystallization of Si (111) on highly〇 (PC)Mel Hainey1, Eddie (Chenhui) Zhou2,
1.Nagoya Univ., 2.UCLA
mismatched crystalline substrates
Noritaka Usami1
14:15		 12p-M113-5 印刷と焼成による Si 基板上への SiGe 層のエピタキシャル 〇 (D) 中原 正博 1, 4, 深見 昌吾 1, Mel F. Hainey, Jr.1, 1. 名大院工 , 2. 山梨大クリスタル研 , 3. 東北大金研 , 4. 東成長における Si 基板方位の影響
中川 慶彦 1, 有元 圭介 2, 後藤 和泰 1, 黒川 康良 1, 前田 洋アルミニウム
健作 3, 藤原 航三 3, Marwan Dhamrin4, 宇佐美 徳隆 1
14:30
奨 12p-M113-6 石英基板上 GeSn 液相成長における GeSn 堆積温度と細線 〇井上 慶太郎 1, 和田 裕希 1, 細井 卓治 1, 志村 考功 1, 1. 阪大院工
形状の効果
渡部 平司 1
14:45		 12p-M113-7 CW レーザーアニール法によるガラス上での Ge および〇松村 亮 1, ジェバスワン ウィパコーン 1, 深田 直樹 1 1. 物材機構・MANA
GeSn 薄膜結晶成長
15:00		 12p-M113-8 c 面サファイア基板上 Ge(111) 薄膜成長における双晶形 〇 (B) 宮崎 滉 1, 大武 史康 2, 岡田 健 2, 川島 知之 2, 鷲 1. 東北大工 , 2. 東北大院工成の抑制
尾 勝由 2
15:15		 12p-M113-9 ガラス上への Ge 貼り合わせにおける界面アモルファス層 〇小野 貴史 1, 高藤 裕 1, 澤野 憲太郎 1
1. 東京都市大
挿入の効果
15.6 IV 族系化合物（SiC）/ Group IV Compound Semiconductors (SiC)
3/9(Sat.) 9:30 - 11:30
ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 9a-PB3-1
Cr-Al 溶媒からの SiC 溶液成長〇鈴木 皓己 1, 太子 敏則 1
1. 信州大工			 9a-PB3-2
4H-SiC C 面 on-axis 基板上の厚膜エピタキシャル成長〇升本 恵子 1, 児島 一聡 1, 奥村 元 1
1. 産総研			 9a-PB3-3
THz-TDSE による 3 層構造 SiC ウエハのバッファ層の電 〇佐藤 希一 1, 藤井 高志 1, 3, 荒木 努 1, 毛利 真一郎 1, 1. 立命館大理工 , 2. 九州シンクロトロン光研究センター,
気特性評価
石地 耕太郎 2, 岩本 敏志 3, 杉江 隆一 4
3. 日邦プレシジョン , 4. 東レリサーチセンター
			 9a-PB3-4
4H-SiC 基板の表面有機物の挙動〇郡山 春人 1, 遠田 義晴 1
1. 弘大院理工12
3
			 9a-PB3-5
同位体酸素を用いた SiC 表面に形成される単一光子源の 〇土方 泰斗 , 松下 雄一郎 , 大島 武
1. 埼玉大院理工研 , 2. 東工大 , 3. 量研
構造推定
			 9a-PB3-6
イオン注入角制御による 4H-SiC 基板へのイオン注入高 〇 (B) 岡田 智徳 1, 井上 純 1, 西山 文隆 1, 瀬崎 洋 2, 黒 1. 広大ナノデバイス , 2. フェニテックセミコン
精度化
木 伸一郎 1
			 9a-PB3-7
4H-SiC CMOS 論理回路作製に向けた BOSCH プロセス 〇 (B) 森本 剣偲郎 1, 村岡 幸輔 1, 児島 一聡 2, 黒木 伸 1. 広大ナノデバイス , 2. 産総研
による SiC ディープエッチング一郎 1
			 9a-PB3-8
X 線吸収分光による SiO2/SiC 界面に導入された窒素の局 〇磯村 典武 1, 朽木 克博 1, 片岡 恵太 1, 渡辺 行彦 1, 木 1. 豊田中研
所構造解析
本 康司 1
			 9a-PB3-9
4H-SiC(1-100)/SiO2 界面と NO のシミュレーションによ 〇小笠原 美紀 1, 広瀬 隆之 1
1. 富士電機る反応解析
11
			 9a-PB3-10
4H-SiC(1-100) 表面での O2 酸化反応シミュレーション〇広瀬 隆之 , 小笠原 美紀
1. 富士電機		E 9a-PB3-11
Influence of biaxial stress on the electron transport〇 (D)WEI FU1, Akiko Ueda2, Hiroshi Yano1,
1.Tsukuba Univ., 2.AIST
properties at SiO2/4H-SiC interfaces
Shinsuke Harada2, Takeaki Sakurai1
			 9a-PB3-12
機械的な一軸応力印加による 4H-SiC(0001) MOSFET に 〇竹内 和歌奈 1, 2, 朽木 克博 3, 籠島 瑛二 4, 大西 徹 4, 1. 愛知工大 , 2. 名古屋大学 , 3.( 株 ) 豊田中研 , 4. トヨタ自
対する移動度への影響
岩崎 真也 4, 坂下 満男 2, 藤原 広和 4, 中塚 理 2動車（株）
			 9a-PB3-13
MGy 領域における 4H-SiC JFET のガンマ線照射効果〇武山 昭憲 1, 清水 奎吾 2, 牧野 高紘 1, 山﨑 雄一 1, 大 1. 量研 , 2. 産総研 , 3. 広島大学ナノデバイス
島 武 1, 黒木 伸一郎 3, 田中 保宣 2
			 9a-PB3-14
高耐圧 4H-SiC ショットキーpn ダイオードの開発〇児島 一聡 1, 奥村 元 1
1.（国）産総研
			 9a-PB3-15
SiC-MOSFET のアニール処理によるパワーサイクル試験 〇鈴木 達広 1, 山下 真理 1, 児嶋 伸夫 1, 谷本 智 1, 2, 赤 1. 日産アーク・パワエレ解析室 , 2. 芝浦工大・SIT 総研
耐性の向上
津 観2
			 9a-PB3-16
トランスファーモールド SiC-MOSFET パワーモジュール 〇谷本 智 1, 3, 山下 真理 1, 児嶋 伸夫 1, 鈴木 広達 1, 荒 1. 日産アーク・パワエレ解析室 , 2. 産総研・ADPERC,の高温スイッチング試験
木 祥和 1, 佐藤 伸二 2, 赤津 観 3
3. 芝浦工大・SIT 総研
			 9a-PB3-17
Cr-Cu/Cu クラッド材を用いたパワーモジュール絶縁基 〇児嶋 伸夫 1, 山下 真理 1, 鈴木 達広 1, 荒木 祥和 1, 谷 1. 日産アーク , 2. 芝浦工大・SIT 総研
1, 2
2
板／ベースプレート構造
本 智 , 赤津 観
			 9a-PB3-18
機電一体インホールモータ搭載 SiC パワーモジュールの 〇山下 真理 1, 児島 伸夫 1, 鈴木 達広 1, 荒木 祥和 1, 谷 1. 株式会社 日産アーク , 2. 芝浦工業大学
加振試験
本 智 1, 赤津 観 2
3/10(Sun.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) 70A 会場 (Room 70A)
9:00		 10a-70A-1
傾斜 SiC 表面の 1 次元周期構造〇香田 稜太 1, 福間 洸平 1, ビシコフスキー アント
1. 九州大学
ン 1, 田中 悟 1
9:15		 10a-70A-2
SiC(0001) 傾斜基板に現れるナノファセット傾斜角度の 〇平山 楓 1, 梶原 隆司 1, ビシコフスキー アントン 1, 1. 九大院工マジックアングル
田中 悟 1
9:30		 10a-70A-3
4H-SiC(0001) 上のエピタキシャル原子層アルミニウム酸 〇尾家 翔太郎 1, 梶原 隆司 1, ビシコフスキー アント 1. 九大院工 , 2. 産総研 , 3. 東大物性研
化膜
ン 1, 白澤 徹郎 2, 飯盛 拓嗣 3, 小森 文夫 3, 田中 悟 1
9:45		 10a-70A-4
レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いた SiO2/ 〇西村 辰彦 1, 中西 英俊 1, 川山 巌 2, 斗内 政吉 2, 細井 1.SCREEN, 2. 阪大レーザー研 , 3. 阪大院工SiC 界面の表面ポテンシャル評価
卓治 3, 志村 考功 3, 渡部 平司 3
10:00		 10a-70A-5
SiC 酸化膜中の窒素関連欠陥の構造とその電子状態〇松下 雄一郎 1, 小林 拓真 1
1. 東工大フロンティア
10:15		休憩 /Break
10:30		 10a-70A-6
CO2 雰囲気下での 4H-SiC 熱酸化の検討〇細井 卓治 1, 大迫 桃恵 1, 志村 考功 1, 渡部 平司 1
1. 阪大工10:45		 10a-70A-7
CO2 アニールによる 4H-SiC(0001) MOS デバイスの特性 〇細井 卓治 1, 大迫 桃恵 1, 志村 考功 1, 渡部 平司 1
1. 阪大工改善
1
1
1
1
11:00		 10a-70A-8
深い準位を有するドナー添加が SiC MOSFET チャネル特 〇野口 宗隆 , 岩松 俊明 , 網城 啓之 , 渡邊 寛 , 喜多 1. 三菱電機 , 2. 東大工性へ及ぼす効果
浩之 2, 三浦 成久 1

15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥 / Crystal characterization, impurities and crystal defects

15 結晶工学 / Crystal Engineering

11:15		 10a-70A-9

SiC-MOSFET ゲートスイッチング動作時の信頼性向上効 福永 玲依 1, 斎藤 兼三 1, 新町 絋司 1, 井上 裕稀 1, 大串 1. 九産大工果
直輝 1, 〇村上 英一 1
11:30		 10a-70A-10 SiC-MOSFET の温度依存（-60-200℃）ドレイン電流モ 鈴木 光明 1, 高橋 陽平 1, 〇村上 英一 1
1. 九産大工デル
11:45		 10a-70A-11 1.7 kV 100 A 4H-SiC V 溝型トレンチ MOSFET〇中村 龍之介 1, 金田 達志 1, 内田 光亮 1, 日吉 透 1, 酒 1. 住友電工
井 光彦 1, 大森 弘貴 1, 築野 孝 1
3/11(Mon.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) 70A 会場 (Room 70A)
9:00
奨 11a-70A-1
高濃度ドープ 4H-SiC ショットキー障壁ダイオードにお 〇原 征大 1, 浅田 聡志 2, 前田 拓也 2, 木本 恒暢 2
1. 京大工 , 2. 京大院工ける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価
1
1
9:15
奨 11a-70A-2
第一原理計算による SiC/SiO2 界面近傍の炭素関連欠陥の 〇 (P) 小林 拓真 , 松下 雄一郎
1. 東工大フロンティア
構造同定9:30		 11a-70A-3
リン処理による SiC/SiO2 界面の炭素関連欠陥の低減機構 〇 (P) 小林 拓真 1, 2, 松下 雄一郎 1, 奥田 貴史 2, 木本
1. 東工大フロンティア , 2. 京大院工 , 3. 名大未来研
恒暢 2, 押山 淳 3
11
9:45 奨 E 11a-70A-4
Similarity and Difference of the Impact of Ion〇 Adhi Dwi Hatmanto , Koji Kita
1.The Univ. of Tokyo
Implantation and Thermal Oxidation on the Lattice
Structure of 4H-SiC Surfaces
10:00
奨 11a-70A-5
Al2O3/SiO2/n 型 4H-SiC MOS キャパシタの高温領域にお 〇田村 敦史 1, 増永 昌弘 2, 佐藤 慎太郎 2, 喜多 浩之 1 1. 東大院工 , 2. 日立研開けるリーク電流の伝導機構の検討
10:15		休憩 /Break
10:30
奨 11a-70A-6
4H-SiC MOS 反転層における Hall 移動度の理論的検討〇田中 一 1, 森 伸也 1
1. 阪大院工10:45
奨 11a-70A-7
SiC MOSFET における界面準位密度分布のボディ層濃度 〇伊藤 滉二 1, 小林 拓真 1, 堀田 昌宏 1, 2, 須田 淳 1, 2, 木 1. 京大院工 , 2. 名大院工依存性本 恒暢 1
11:00 奨 E 11a-70A-8
An anomalous negative shift of flat-band voltage of NO〇 (D)Taehyeon Kil1, Atsushi Tamura1, Koji Kita1
1.Dept. of Materials Engineering, The Univ. of Tokyoannealed SiO2/4H-SiC MOS capacitors
11:15		 11a-70A-9
SiO2 /4H-SiC 界面窒化後の H2O アニールが MOSFET 特 〇 (M2) 西田 水輝 1, 喜多 浩之 1
1. 東大院工性に与える効果
11:30
奨 11a-70A-10 低温 H2O-POA と H2-POA の組合わせによる 4H-SiC p〇小柳 潤 1, 喜多 浩之 1
1. 東京大工チャネル MOSFET の特性向上
3/11(Mon.) 13:00 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) 70A 会場 (Room 70A)
13:00		 11p-70A-1
SiAl 溶媒を用いた p 型 4H-SiC の高温溶液成長における成 〇三谷 武志 1, 小松 直佳 1, 林 雄一郎 1, 加藤 智久 1, 奥 1. 産総研
長不安定化要因の改善
村 元1
13:15		 11p-70A-2
3 インチ 4 度オフ種結晶上への SiC 溶液成長における貫通 〇海野 高天 1, 朱 燦 1, 原田 俊太 1, 小泉 晴比古 1, 田川 1. 名大 , 2. 産総研
転位変換とインクルージョン抑制の両立
美穂 1, 宇治原 徹 1, 2
13:30
奨 11p-70A-3
溶媒インクルージョンフリー溶液法 4H-SiC を用いた超 〇川口 浩太郎 1, 関 和明 2, 楠 一彦 1, 2
1. 東北大院環境 , 2. 新日鉄住金
高品質結晶成長
1, 2, 42, 32
1
13:45		 11p-70A-4
大口径化にむけた機械学習による SiC 溶液成長の最適成 〇宇治原 徹, 角岡 洋介 , 遠藤 友樹 , 朱 燦 , 沓 1. 名大未来研 , 2. 名大院工 , 3. 産総研 , 4. 理研 AIP, 5. 名
長条件の決定掛 健太朗 4, 鳴海 大翔 5, 三谷 武志 3, 加藤 智久 3, 田川 大 VBL
美穂 1, 2, 原田 俊太 1, 2
14:00
奨 11p-70A-5
機械学習を用いた昇華法 SiC 結晶成長シミュレーション 〇 (M1) 江 逸群 1, 2, 角岡 洋介 1, 2, 3, 畑佐 豪記 1, 2, 鳴海 1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 産総研 GaN-OIL, 4. 名大の高速予測
大翔 4, 沓掛 健太朗 5, 原田 俊太 1, 2, 田川 美穂 1, 2, 宇治 VBL, 5. 理研 API
原 徹 1, 2, 3, 4
14:15		 11p-70A-6
高温ガス成長法によるΦ 6inch 4H-SiC 結晶の開発〇神田 貴裕 1, 岡本 武志 1, 徳田 雄一郎 1, 鈴木 玄 1, 大 1. デンソー, 2. 電中研
矢 信之 1, 牧野 英美 1, 上東 秀幸 1, 星乃 紀博 2, 鎌田 功
穂 2, 土田 秀一 2
14:30		 11p-70A-7
ガス法で成長した 4H-SiC バルク結晶における厚さ方向 〇星乃 紀博 1, 鎌田 功穂 1, 徳田 雄一郎 3, 神田 貴裕 3, 1. 電中研 , 2. 産総研 , 3. デンソーの転位密度変化杉山 尚宏 2, 3, 土田 秀一 1
14:45		 11p-70A-8
4H-SiC トレンチの CVD 埋戻し成長の高速化〇紀 世陽 1, 小杉 亮治 1, 児島 一聡 1, 足立 亘平 1, 河田 1. 産総研
泰之 1, 望月 和浩 1, 米澤 喜幸 1, 吉田 貞史 1, 奥村 元 1
15:00		休憩 /Break
15:15		 11p-70A-9
4H-SiC ウェハの表面ラフネス周辺におけるライフタイ 〇長屋 圭祐 1, 平山 貴史 1, 加藤 正史 1
1. 名工大ムマッピング
15:30		 11p-70A-10 4H-SiC 埋め込み N/V コドープによる短ライフタイム層 〇長屋 圭祐 1, 平山 貴史 1, 俵 武志 2, 3, 村田 晃一 4, 土 1. 名工大 , 2. 産総研 , 3. 富士電機 , 4. 電中研の観測
田 秀一 4, 加藤 正史 1
15:45		 11p-70A-11 4H-SiC エピ層中に存在する部分転位の詳細 PL 解析〇西尾 譲司 1, 岡田 葵 1, 太田 千春 1, 櫛部 光弘 1
1.（株）東芝
16:00		 11p-70A-12 4H-SiC PiN ダイオードの順方向通電劣化における基底面 〇林 将平 1, 2, 山下 任 1, 3, 先崎 純寿 1, 中山 浩二 1, 森塚 1. 産総研 , 2. 東レリサーチセンター, 3. 昭和電工
転位深さと積層欠陥拡大電流密度の関係
真由美 1, 米澤 喜幸 1, 加藤 智久 1, 児島 一聡 1, 奥村
元1
16:15		 11p-70A-13 高濃度窒素ドープ 4H-SiC 基板上のエピタキシャル層に 〇寺西 秀明 1, 斎藤 明 1, 林 真吾 1, 宮里 真樹 1, 宮島 将 1. 富士電機
通電によって拡張した積層欠陥の構造評価
昭1
16:30		 11p-70A-14 4H-SiC 中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオン〇 (B) 楢原 拓真 1, 2, 佐藤 真一郎 2, 土方 泰斗 1, 大島 1. 埼玉大工 , 2. 量研
ビーム照射の影響
武2
16:45		 11p-70A-15 γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に 〇山崎 雄一 1, 常見 大貴 1, 2, 佐藤 真一郎 1, 土方 泰
1. 量研 , 2. 埼玉大院理工与える影響
斗 2, 大島 武 1
17:00		 11p-70A-16 4H-SiC MOSFET チャネルの単一光子源のゲート電圧制 〇 (D) 阿部 裕太 1, 2, 梅田 享英 1, 岡本 光央 3, 原田 信 1. 筑波大数物 , 2. 量研 , 3. 産総研
御（II）
介 3, 佐藤 真一郎 2, 山﨑 雄一 2, 大島 武 2
17:15		 11p-70A-17 電場下での金属 /(SiC, GaN) 界面における欠陥の形成 ;〇 (M2) 長澤 立樹 1, 中山 隆史 1
1. 千葉大理
その理論的検討
15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥 / Crystal characterization, impurities and crystal defects
3/11(Mon.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)		
奨 11p-PA6-1
Si ウェーハ表面近傍における金属原子の安定性と拡散障 〇 (M1) 野々田 典敬 1, 末岡 浩治 2
1. 岡山県大院情報系工 , 2. 岡山県大情報工壁に関する第一原理解析
1
12
		奨 11p-PA6-2
パワーデバイス用 Si 結晶中のライフタイム制御欠陥に与 〇 (M1) 土屋 大輝 , 末岡 浩治 , 山本 秀和
1. 岡県大 , 2. 千葉工大
える炭素・酸素不純物の影響
			 11p-PA6-3
菊池線パターン解析による Si 結晶内の欠陥量評価法の開 〇花房 宏明 1, 沖 昴志 1, 東 清一郎 1
1. 広大先端研発11
1
			 11p-PA6-4
マスクを用いたイオン照射によって形成される格子欠陥 〇仲田 有希 , 八木 孝秀 , 曽我部 正嗣
1. 住重アテックス（株）の制御方法
			 11p-PA6-5
PVT 法 AlN 単結晶バルク基板の転位観察〇姚 永昭 1, 菅原 義弘 1, 石川 由加里 1, 岡田 成仁 2, 只 1.JFCC, 2. 山口大
友 一行 2
		奨 11p-PA6-6
Cz 法育成 Tb3Ga5O12 の転位〇渡邉 美紀 1, 牛沢 次三郎 1, 林 武志 1, 安斎 裕 1
1. 株式会社オキサイド
			 11p-PA6-7
人工骨表面コーティングを目指した Hydroxyapatite 結晶 〇久保田 隆文 1, 小田 智也 1, 松川 真美 1
1. 同志社大の配向制御

16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス / Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials
3/12(Tue.) 9:30 - 12:00
9:30		 12a-M111-1

16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス / Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials
3/9(Sat.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 9p-PB4-1
石英ガラスの X 線誘起光吸収帯強度の時間依存〇春木 晶尋 1, 田中 裕規 1, 南保 健斗 1, 葛生 伸 1, 堀越 1. 福井大工 , 2. 東ソー・エスジーエム
秀春 2
			 9p-PB4-2
シリカガラスの X 線誘起光吸収帯強度の X 線透過深さ依 〇田中 裕規 1, 春木 晶尋 1, 南保 健斗 1, 葛生 伸 1, 堀越 1. 福井大工 , 2. 東ソー・エスジーエム
存性秀春 2
			 9p-PB4-3
溶融石英ガラス吸収強度測定値の不規則変動の原因〇南保 健斗 1, 春木 晶尋 1, 田中 裕規 1, 葛生 伸 1, 堀越 1. 福井大工 , 2. 東ソー・エスジーエム
秀春 2
			 9p-PB4-4
Cu 含有シリカガラスにおけるラジオフォトルミネセンス 〇高田 雄矢 1, 橋川 凌 1, 木野村 淳 2, 齋藤 毅 2, 若杉
1. 京工繊大 , 2. 京都大複合研
隆 1, 角野 広平 1
			 9p-PB4-5
BaO-TiO2-GeO2 系完全表面結晶化ガラスの作製と電気光 〇 (B) 岡本 晴樹 1, 大槻 智貴 1, 林原 佑太 1, 寺門 信
1. 東北大 , 2.JST- さきがけ
学効果
明 1, 2, 高橋 儀宏 1, 藤原 巧 1
			 9p-PB4-6
フツホウ酸ガラスの中距離構造が誘起する高速核形成〇篠崎 健二 1, 石井 良樹 2, 尾原 幸治 3
1. 産総研 , 2. 阪大院基礎工 , 3.JASRI
			 9p-PB4-7
アモルファス酸化物薄膜半導体 In-Si-O 薄膜の相安定性 〇堀 龍輝 1, ホアン ハ 1, 生田目 俊秀 2, 塚越 一仁 2, 藤 1. 関学大 , 2. 物質材料研
原 明比古 1
			 9p-PB4-8
フラッシュランプアニールを用いた微結晶 Si 薄膜の結晶 〇家後 和美 1, 大平 圭介 1
1. 北陸先端大化
			 9p-PB4-9
DC スパッタリング法による赤外フィルター用 a-Si:H の 〇川又 由雄 1, 伊藤 浩 1
1. 東京高専
作成と評価
			 9p-PB4-10
印刷技術による Ni-Cr 系抵抗体の作製とヒータ特性の測 〇的場 彰成 1, 奥谷 潤 1, 筒口 善央 1, 上田 芳弘 1, 米澤 1. 石川県工試
定保人 1
			 9p-PB4-11
熱酸化 Si への金属ナノ粒子分散に伴うナノポア形成〇 (M1) 立溝 優羽 1, 内藤 宗幸 1
1. 甲南大理工3/10(Sun.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) W833 会場 (Room W833)
9:00		 10a-W833-1 ZnO-P2O5 ガラスにおける作製条件と構造の相関〇正井 博和 1, 小野寺 陽平 2, 尾原 幸治 3, 大渕 博宣 3, 1. 産総研 , 2. 京大 , 3.SPring-8/JASRI, 4. 千葉大
大窪 貴洋 4
9:15		 10a-W833-2 多元系リン酸塩ガラスの光弾性特性〇冨原 佑介 1, 岸本 薫 1, 武部 博倫 1, 斎藤 全 1
1. 愛媛大学 理工9:30		 10a-W833-3 亜鉛スズリン酸塩ガラスの機械的特性と構造〇斎藤 全 1, 岡本 孟也 1, 武部 博倫 1
1. 愛媛大学 理工9:45		 10a-W833-4 TeO2-Ag2O 系ガラスの構造と３次非線形光学特性〇早川 知克 1, 加藤 健太 1, 村松 廣亮 1, 山本 勝宏 1, 林 1. 名古屋工業大学 , 2. 仏リモージュ大学
好一 1, Duclere J.-R.2, Thomas Philippe2

16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials

口頭講演 (Oral Presentation) M111 会場 (Room M111)
ヴォロンコフモデルへのコメント（５）点欠陥のフラッ 〇末澤 正志 1, 米永 一郎 2
1. 無所属 , 2. 東北大学
クス
9:45
E 12a-M111-2 Numerical analysis of asymmetric three-phase line in the 〇 Xuefeng Han1, Satoshi Nakano1, Xin Liu1,
1.RIAM, Kyushu Univ.
floating zone silicon
Hirofumi Harada1, Yoshiji Miyamura1, Koichi
1
Kakimoto
10:00
E 12a-M111-3 Dynamic global modeling of the oxygen segregation〇 Xin Liu1, Xue-Feng Han1, Satoshi Nakano1,
1.RIAM, Kyushu Univ.
during the pulling process of Czochralski silicon crystal
Hirofumi Harada1, Yoshiji Miyamura1, Koichi
growthKakimoto1
10:15		 12a-M111-4 不均一横磁場下の Si-CZ 結晶成長における酸素移動現象 〇柿本 浩一 1, Liu Xin1, 中野 智 1, 宮村 佳児 1, 原田 博 1. 九大応力研の理解
文 1, 西澤 伸一 1
10:30		 12a-M111-5 CZ 炉内の CO 濃度（III）〇宮村 佳児 1, 原田 博文 1, 中野 智 1, 西澤 伸一 1, 柿本 1. 九大 応力研
浩一 1
10:45		休憩 /Break
11:00		 12a-M111-6 スーパーボルマン効果を利用した CZ- シリコンネッキン 〇 (M1) 藤田 優 1, 鎌本 春花 1, 水落 博之 1, 堀川 智之 2, 1. 兵県大院物質理 , 2. グローバルウェーハズ・ジャパン ,グ部の転位観察津坂 佳幸 1, 3, 松井 純爾 3
3. 兵県大・放射光ナノテクセンター
11:15
奨 12a-M111-7 ハイパフォーマンス多結晶 Si インゴットにおける析出物 〇 (M1C) 上別府 颯一郎 1, Krenckel Patricia2,
1. 名大院工 , 2.Fraunhofer ISE
分布の 3 次元可視化
Troetschler Theresa2, Hess Adam2, Riepe Stephan2,
1
宇佐美 徳隆11:30
E 12a-M111-8 Cathodoluminescence study on InGaN/GaN multiple〇 Wei Yi1, Jun Chen1, Jun Uzuhashi1, Tetsuya
1.NIMS, 2.Meijo Univ., 3.Tsukuba Univ.
quantum shell
Takeuchi2, Satoshi Kamiyama2, Tadakatsu Ohkubo1,
Takashi Sekiguchi1, 3
11:45
E 12a-M111-9 Cathodoluminescence and 3D atom probe study of Mg〇 JUN CHEN1, Wei Yi1, Jun Uzuhashi1, Takashi
1.NIMS, 2.Fuji Electric, 3.Tsukuba Univ.
implanted homoepitaxial GaN
Kimura1, Shinya Takashima2, Masahara Edo2,
Tadakatsu Ohkubo1, Takashi Sekiguchi1, 3
3/12(Tue.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) M111 会場 (Room M111)
13:30		 12p-M111-1 Si 結晶中のドーパント複合体と重金属の相互作用に関す 〇永倉 大樹 1, 2, 末岡 浩治 2
1. ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング , 2. 岡る第一原理解析
山県立大学
13:45		 12p-M111-2 CMOS イメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャ 〇奥山 亮輔 1, 柾田 亜由美 1, 鈴木 陽洋 1, 小林 弘治 1, 1.SUMCO
ルウェーハの製品特性（Ⅰ）
重松 理史 1, 廣瀬 諒 1, 門野 武 1, 古賀 祥泰 1, 栗田 一
- 水素脱離挙動の反応速度論解析 成1
14:00
奨 12p-M111-3 CMOS イメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャ 〇鈴木 陽洋 1, 門野 武 1, 廣瀬 諒 1, 奥山 亮輔 1, 柾田 亜 1. 株式会社 SUMCO
ルウェーハの製品特性（II）
由美 1, 重松 理史 1, 小林 弘治 1, 古賀 祥泰 1, 栗田 一
–CH4N イオン注入エピタキシャルウェーハの基礎特性 – 成 1
14:15		 12p-M111-4 パワーデバイス用 Si 結晶中の欠陥形成に関する第一原理 〇 (M1) 土屋 大輝 1, 末岡 浩治 1, 山本 秀和 2
1. 岡県大 , 2. 千葉工大
解析
14:30		 12p-M111-5 超高温 RTP ウェーハにおける酸素析出モデルの検討 (3) 〇前田 進 1, 中村 浩三 2, 須藤 治生 1, 末岡 浩治 3
1. グローバルウェーハズ・ジャパン ( 株 ) 技術部 , 2. 岡
山県立大 地域共同研究機構 , 3. 岡山県立大 情報工学
部
1, 2
1
3
4
14:45		 12p-M111-6 超高温 RTP による Si ウェーハの酸素析出制御〇須藤 治生 , 前田 進 , 中村 浩三 , 末岡 浩治
1. グローバルウェーハズ・ジャパン , 2. 岡山県大院情報系工 , 3. 岡山県大地域共同研究機構 , 4. 岡山県大情報工15:00		 12p-M111-7 高平行度 X 線散漫散乱法による酸素析出物解析 (2)〇堀川 智之 1, 藤森 洋行 1, 津坂 佳幸 2, 松井 純爾 3
1. グローバルウェーハズ・ジャパン ( 株 ), 2. 兵県大院物
質理学 , 3. 兵県大・放射光ナノテクセンター
15:15
奨 12p-M111-8 電子線照射発光活性化室温 PL 法によるシリコン結晶中の 〇石川 陽一郎 1, 田島 道夫 1, 松岡 竜太郎 1, 小椋 厚
1. 明治大理工
1
炭素定量の誤差要因の検討
志
15:30		休憩 /Break
15:45		 12p-M111-9 シリコン結晶基板の品質と点欠陥（1）4.5 時代の 70 年
〇井上 直久 1, 2
1. 東京農工大工学院 , 2. 大阪府大放射線センター
16:00		 12p-M111-10 シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（14） 〇井上 直久 1, 2, 川又 修一 2, 奥田 修一 2
1. 東京農工大工学院 , 2. 大阪府立大放射線センター
NO 対系の赤外吸収と熱処理挙動
16:15		 12p-M111-11 シリコン結晶中の低濃度炭素の測定 (XV Ⅲ ) 赤外吸収と 〇井上 直久 1, 2, 川又 修一 2, 奥田 修一 2
1. 東京農工大工学院 , 2. 大阪府立大放射線センター
SIMS の相互較正
16:30
奨 12p-M111-12【注目講演】タンパク質結晶における X 線の動力学的回折 〇鈴木 凌 1, 小泉 晴比古 2, 平野 馨一 3, 熊坂 崇 4, 小島 1. 横浜市大生命ナノ , 2. 名大未来研 , 3. 高エネ研 , 4.の初観測
謙一 5, 橘 勝 1
JASRI/SPring-8, 5. 横浜創英大
16:45		 12p-M111-13 第一原理電子構造研究による立方晶窒化ホウ素とダイヤ 〇山下 寛樹 1, 芳賀 太史 1, 藤本 義隆 1, 2, 斎藤 晋 1, 2, 3 1. 東工大理 , 2. 元素戦略センター, 3. 量子物理学・ナノ
モンドの不純物状態の予測
サイエンス先端研究センター

16.2 エナジーハーベスティング / Energy Harvesting

16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials

10:00		 10a-W833-5

個人線量計用 RPL ガラスバッジにおける銀の XANES 解 〇正井 博和 1, 川本 弘樹 2, 越水 正典 2
1. 産総研 , 2. 東北大析
10:15		休憩 /Break
10:30		 10a-W833-6 Mg 添加 ZnO マイクロ薄膜の励起子結合エネルギーの算 〇藤井 柊介 1, 安達 裕 2, 内野 隆司 1
1. 神戸大理 , 2. 物材機構
出と誘導放出利得スペクトルの測定
11
10:45		 10a-W833-7 Ge 含有シリカガラスの三重項励起による誘導放出
辻村 拓哉 , 〇内野 隆司
1. 神戸大理
11:00		 10a-W833-8 光ファイバー作製のための低光弾性ビスマスケイ酸塩ガ 〇林 克樹 1, 武部 博倫 1, 斎藤 全 1
1. 愛媛大 理工ラスの組成最適化
11:15		 10a-W833-9 2.5MeV 電子線または高速中性子線線照射したα - 石英に Skuja Linards1, Ollier Nadège2, 〇梶原 浩一 3, Smits 1.Latvia 大 , 2.Paris-Saclay 大 , 3. 首都大
おける非晶質性点欠陥の形成
Krisjanis1
3/10(Sun.) 13:15 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) W833 会場 (Room W833)
13:15		 10p-W833-1 接合したシリカガラス間の OH 基拡散解析方法の改良〇杉山 雄哉 1, 青木 裕亮 1, 葛生 伸 1, 堀越 秀春 2, 堀井 1. 福井大 , 2. 東ソー, 3. 福井高専
直宏 3
13:30		 10p-W833-2 接合したシリカガラス間の OH 基拡散に対する理論解の 〇 (M1) 青木 裕亮 1, 荒川 優 1, 葛生 伸 1, 堀越 秀春 2, 1. 福井大工 , 2. 東ソー・エスジーエム , 3. 福井高専
実験データへのフィッティングによる拡散係数の決定
杉山 雄哉 1, 堀井 直宏 3
13:45		 10p-W833-3 食塩微粒によるシリカガラスの失透 I ～ 失透過程の解析 〇堀井 直宏 1, 葛生 伸 2, 堀越 秀春 3
1. 福井高専 , 2. 福井大学 , 3. 東ソー・エスジーエム～
14:00		 10p-W833-4 食塩微粒によるシリカガラスの失透 II ～ 失透のモデル〇葛生 伸 1, 堀井 直宏 2, 堀越 秀春 3
1. 福井大院工 , 2. 福井高専 , 3. 東ソー・エスジーエム～
14:15		 10p-W833-5 Na2FexMn1-xP2O7 ガラスのレーザー誘起結晶化〇本間 剛 1, 熊谷 友 1, 小松 高行 1
1. 長岡技科大14:30		 10p-W833-6 ガラス転移とエイジングにおける中距離秩序〇小林 比呂志 1, 高橋 東之 2
1. 元産総研 , 2. 茨城大理工
14:45		 10p-W833-7 表面粗さを変化させたテクスチャガラス基板が電子線蒸 〇倉田 啓佑 1, 大平 圭介 1
1. 北陸先端科学技術大学院大学
着非晶質 Si 膜の FLA での結晶化機構に与える影響
1
2
2
15:00
奨 10p-W833-8 低温イットリア原子層堆積法の開発〇齋藤 健太郎 , 鹿又 健作 , 三浦 正範 , 有馬 ボシー 1. 山形大院理工 , 2. 山形大院有機
ルアハンマド 1, 久保田 繁 1, 廣瀬 文彦 1
15:15
奨 10p-W833-9 室温原子層堆積法を用いた Nb2O5 積層コーティングの耐 〇 (DC) 吉田 一樹 1, 三浦 正範 2, 英 傑 1, 鹿又 健作 2, 1. 山形大院理工 , 2. 山形大有機
腐食特性
廣瀬 文彦 1
15:30		休憩 /Break
15:45
招 10p-W833-10「講演奨励賞受賞記念講演」〇齊藤 雄太 1, 畑山 祥吾 2, 雙 逸 2, 進藤 怜史 2, フォン 1. 産総研ナノエレ , 2. 東北大工 , 3. 原子力機構 , 4. 高知工【注目講演】不揮発性相変化メモリ用遷移金属カルコゲナ ス ポール 1, コロボフ アレクサンダー1, 小林 啓
大 , 5. 名大イド相変化材料の開発
介 3, 4, 5, 須藤 祐司 2
1
1
2
3
16:00
奨 10p-W833-11 Ag/Pt 電極を用いた Ge-(Sb)-Te 薄膜におけるガンマ線照 〇 (B) 渡部 達也 , 朴 孝晟 , 依田 功 , 正光 義則 , 川 1. 上智理工 , 2. 東工大 , 3. 宇宙航空研究開発機構 宇宙
射に対する可逆な抵抗変化
崎 繁男 3, 中岡 俊裕 1
科学研究所
16:15		 10p-W833-12 樹枝状硫化銅の光吸収スペクトル〇後藤 民浩 1, 西川 遼太郎 1
1. 群馬大理工16:30		 10p-W833-13 アモルファス Ge40S60 薄膜の光酸化現象 -X 線・中性子反 〇坂口 佳史 1, 花島 隆泰 1, 青木 裕之 2, アルアミン サ 1.CROSS, 2. 原子力機構 , 3. ボイジー州立大学
射率法による光酸化膜の観測 イモン 3, マリア ミトコバ 3
16:45		 10p-W833-14 100 nm 以下 二端子メモリ評価用素子の作製〇福岡 諒 1, 徳平 弘毅 1, 小松 克伊 1, 松尾 浩司 1, 田中 1. 東芝メモリ
秀 1, 須藤 岳 1, 大内 和也 1
17:00		 10p-W833-15 Ge28Sb12Se60 ガラスの高温クリープ挙動〇北村 直之 1
1. 産業技術総合研究所
17:15
E 10p-W833-16 Contact resistance change memory with N-doped〇 YI SHUANG1, Yuji Sutou1, Shogo Hatayama1,
1.Tohoku Univ., 2.Hanyang Univ.
1
2
1
Cr2Ge2Te6 phase change material
Satoshi Shindo , Song Yunheub , Daisuke Ando ,Junichi Koike1
17:30		 10p-W833-17 低抵抗アモルファス Cr2Ge2Te6 の電気伝導機構〇 (D) 畑山 祥吾 1, 須藤 祐司 1, 安藤 大輔 1, 小池 淳
1. 東北大工 , 2.JASRI, 3. 高知工科大学
一 1, 小林 啓介 2, 3
16.2 エナジーハーベスティング / Energy Harvesting
3/9(Sat.) 9:00 - 10:00
口頭講演 (Oral Presentation) W371 会場 (Room W371)
9:00		 9a-W371-1
スピン熱伝導性 La–Ca–Cu–O 薄膜における電界誘起構造 〇寺門 信明 1, 2, 町田 雄気 1, 高橋 儀宏 1, 藤原 巧 1
1. 東北大院工 , 2.JST- さきがけ変化
9:15
奨 9a-W371-2
有機物添加による微生物燃料電池の効率向上〇 (M1) 古屋 直史 1, 長嶋 哲也 1, 松尾 匠剛 1, 森田 廣 1 1. 山口東京理科大工
9:30
E 9a-W371-3
All Inorganic CsSnI3 Perovskite based Thermoelectric〇 (P)Ajay Kumar Baranwal1, Daisuke Hirotani1,
1.Kyushu Inst. of Tech.
devices for Waste Heat Management
Shrikant Saini1, Tomohide Yabuki1, Koji Miyazaki1,
Shuzi Hayase1
9:45		 9a-W371-4
Nb 非鉛系と鉛系ペロブスカイト圧電材料の振動発電特性 〇齋藤 康善 1, 浅井 満 1, 和田 賢介 1
1. 豊田中研
3/9(Sat.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
1
1
1
1
			 9p-PB5-1
微生物燃料電池の等価回路解析によるモデル化〇森田 廣 , 古屋 直史 , 長嶋 哲也 , 松尾 匠剛
1. 山口東京理科大学工			 9p-PB5-2
La–Ca–Cu–O 系スピン熱伝導薄膜における粒径と物性値 〇奈良 由紀 1, 寺門 信明 1, 2, 高橋 儀宏 1, 藤原 巧 1
1. 東北大院工 , 2.JST- さきがけの関係			 9p-PB5-3
熱のアクティブ制御に向けたスピン熱伝導性薄膜の配向 〇 (B) 渡辺 祥太 1, 寺門 信明 1, 2, 高橋 儀宏 1, 藤原 巧 1 1. 東北大 , 2.JST- さきがけ
制御
16.3 シリコン系太陽電池 / Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells
3/9(Sat.) 9:30 - 11:45
口頭講演 (Oral Presentation) W611 会場 (Room W611)
9:30		 9a-W611-1
3 次元 PL イメージング法で同定したハイパフォーマンス 〇大野 裕 1, 田島 和哉 2, 沓掛 健太朗 3, 清水 康雄 1, 海 1. 東北大金研 , 2. 名大工 , 3. 理研
多結晶シリコンインゴット中の転位発生点近傍の透過電 老澤 直樹 1, 永井 康介 1, 宇佐美 徳隆 2
子顕微鏡解析
9:45		 9a-W611-2
多結晶シリコンインゴット内における転位クラスターの 〇 (M1) 田島 和哉 1, 松本 哲也 2, 沓掛 健太朗 3, 工藤 1. 名大院工 , 2. 名大院情報 , 3. 理研 AIP
サイズと伝搬方向の相関
博章 2, 宇佐美 徳隆 1
10:00		 9a-W611-3
擬単結晶シリコンにおけるΣ 3 結晶粒の発達と転位クラ 〇小島 拓人 1, 田島 和哉 2, 松本 哲也 1, 工藤 博章 1, 宇 1. 名大院情報 , 2. 名大院工スターの生成の関係
佐美 徳隆 2
10:15
奨 9a-W611-4
太陽電池用 Cz-Si における酸素析出が金属ゲッタリング 〇 (M1) 大西 康平 1, 木下 晃輔 1, 大下 祥雄 2, 小椋 厚 1. 明大理工 , 2. 豊田工大に与える影響 (3)志1
10:30		休憩 /Break
10:45		 9a-W611-5
顕微 PL 法と EL 法による PERC 断面の発光観察〇高野 和美 1, 山下 勝 1, 白澤 勝彦 2, 高遠 秀尚 2
1. アイテス , 2. 産業技術総合研究所
11:00 奨 E 9a-W611-6
Study on interface recombination characteristics of〇 (DC)ATM Saiful Islam1, Yuki Nasuno1, Daisuke
1.Saitama University
crystalline-silicon/organic heterojunction solar cells
Harada1, Ryo Ishikawa1, Keiji UENO1, Hajime
Shirai1
11:15
E 9a-W611-7
PEDOT:PSS/n-Si heterojunction solar cells with
〇 Md Enamul Karim1, Tomofumi Ukai2, Daisuke
1.Saitama University, 2.Toyo University
ALD-Al2O3 /n-Si field effect inversion layer
Harada1, A.T.M. Saiful Islam1, Shunji Kurosu2,
Yoshikata Nakajima2, Yasuhiko Fujii2, Masahide
Tokuda2, Tatsuro Hanajiri2, Ryo Ishikawa1, Keiji
Ueno1, Hajime Shirai1
11:30		 9a-W611-8
SiN/AlO/Si 膜の電界効果パッシベーションの LTEM によ 〇望月 敏光 1, 伊藤 明 2, 棚橋 克人 1, 中西 英俊 2, 川山 1. 産総研 , 2.SCREEN, 3. 阪大レーザー研る評価
巌 3, 斗内 政吉 3, 白澤 勝彦 1, 高遠 秀尚 1
3/9(Sat.) 13:30 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) W611 会場 (Room W611)
13:30		 9p-W611-1
超薄型 a-Si:H/c-Si ヘテロ接合太陽電池の温度特性〇齋 均 1, 佐藤 芳樹 1, 奥 登志喜 1, 田辺 まゆみ 1, 松井 1. 産総研
卓矢 1, 松原 浩司 1
13:45		 9p-W611-2
ヘテロ接合太陽電池作製時における界面欠陥のその場評 〇布村 正太 1, 坂田 功 1, 松原 浩司 1
1. 産総研太陽光発電研究センター価16.3 シリコン系太陽電池 / Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells
14:00		 9p-W611-3
14:15		 9p-W611-4

a-SiOx:H 薄膜をパッシベーション層に用いた Si ヘテロ接 〇斉藤 公彦 1, 高村 司 2, 市川 幸美 2, 小長井 誠 2
1. 福島大共生システム , 2. 東京都市大総研
合太陽電池
テクスチャー構造を有する Rib 型 Si 太陽電池
〇高村 司 1, 大谷 俊貴 1, 岩田 龍門 1, 市川 幸美 1, 齊藤 1. 東京都市大総研 , 2. 福島大共生システム理工学類

公彦 2, 小長井 誠 1
休憩 /Break
透明導電膜のスパッタリング堆積による下地へのダメー 〇西原 達平 1, 神岡 武文 1, 金井 皓輝 1, 大下 祥雄 2, 大 1. 明治大 , 2. 豊田工大 , 3. シエンタオミクロン
ジ評価
川 登志郎 3, 小椋 厚志 1
15:00
奨 9p-W611-6
超薄型 a-Si:H/c-Si ヘテロ接合太陽電池の光学損失解析〇今井 友貴 1, 齋 均 2, 小沢 将征 1, 田辺 まゆみ 2, 松井 1. 岐大工 , 2. 産総研
卓矢 2, 藤原 裕之 1
15:15		 9p-W611-7Counter doping of boron doped a-Si by plasma ion〇 (P)Tu ThiCam Huynh1, Koichi Higashimine1,
1.JAIST, 2.ULVAC
implantation—the dependence of passivation quality ofNoboru Yamaguchi2, Hideo Suzuki2, Keisukecounter-doped n-a-Si films on boron concentration—
Ohdaira1, Hideki Matsumura1
15:30		 9p-W611-8
VHF-PECVD を用いて成膜したヘテロ接合太陽電池用 p 〇 (P) 海汐 寛史 1, Chen Pei-Ling1, 松井 卓矢 1, 齋
1. 産総研型ナノ結晶シリコンの評価
均 1, 松原 浩司 1
3/9(Sat.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
		
E 9p-PB6-1
Phosphorus Gettering of Impurities for p-type PERC solar 〇 Supawan Joonwichien1, Yasuhiro Kida1, Masaaki 1.AIST
cells
Moriya1, Satoshi Utsunomiya1, Katsuhiko Shirasawa1,
Hidetaka Takato1
		E 9p-PB6-2
The impact of silicon brick surface finish on the〇 (P)Halubai Sekhar1, Tetsuo Fukuda1, Katsuto
1.National Institute of Advanced Industrial Science andmechanical strength of diamond-wire-sawn thin wafers
Tanahashi1, Hidetaka Takato1
Technology (AIST)(120 µm)
		E 9p-PB6-3
Influence of MoOx hole selective contact thickness on the 〇 Kazuyoshi Nakada1
1.Tokyo Tech.
performance of c-Si heterojunction solar cells
			 9p-PB6-4
シリコンヘテロ接合太陽電池の正孔選択層応用へ向けた 〇白取 優大 1, 中光 豊 2, 門倉 貞夫 3, 宮島 晋介 1
1. 東工大工 , 2. 株式会社 アルバック , 3. 株式会社 エフ・
酸化モリブデンの FTS 法による形成
ティ・エス コーポレション
			 9p-PB6-5
シリコン系太陽電池向け酸化タングステン膜の表面処理 〇安田 洋司 1, 寺田 潤平 1, 松本 和希 1, 内田 孝幸 1, 宮 1. 東京工芸大工 , 2. 東工大工221による仕事関数制御
島 晋介 , 白取 優大 , 星 陽一
			 9p-PB6-6
Cat-CVD 装置での窒化処理による極薄窒化 Si 膜の形成
〇 WEN YULI1, 大平 圭介 1
1. 北陸先端科学技術大学院大学
			 9p-PB6-7
触媒分解で生成した NH3 系ラジカル処理が SiNx 膜のパッ 〇 (M1) 住友 誠明 1, 大平 圭介 1
1. 北陸先端大シベーション性能に与える影響
			 9p-PB6-8
B の Cat ドーピングによる n 型 a-Si の導電率の変化〇鶴飼 太陽 1, 大平 圭介 1
1. 北陸先端大			 9p-PB6-9
ミスト CVD 法により成膜した GaOx 膜のアニール効果〇松田 紘明 1, 森 英喜 1, 新船 幸二 1, 佐藤 真一 1, 吉田 1. 兵庫県立大工晴彦 1
			 9p-PB6-10
SiNx/Si 構造の電気特性におけるファイヤースルー処理 〇高見 建也 1, 堀川 裕貴 1, 森 英喜 1, 吉田 晴彦 1
1. 兵庫県立大工の影響（III)1
1
1
			 9p-PB6-11
非質量分離型イオン注入法を用いた TOPCon 構造の p,n 〇山口 昇 , 鈴木 英夫 , 谷 典明
1. アルバック半電研
層形成
			 9p-PB6-12
Si 基板中に導入される RPD プロセスダメージ層のキャリ 〇神岡 武文 1, 2, 磯貝 勇樹 2, Lee Hyunju2, 脇田 陸 2,
1. 明治大 , 2. 豊田工大
ア再結合特性原 知彦 2, 林 豊 2, 中村 京太郎 2, 大下 祥雄 2, 小椋 厚
志1
			 9p-PB6-13
太陽電池内酢酸検出のための錫薄膜センサの検量線作成 〇浅野 正太 1, 濱岡 遼 1, 岩見 健太郎 1, 梅田 倫弘 1, 城 1. 東京農工大 , 2. 産総研
内 紗千子 2, 山本 千津子 2, 増田 淳 2
			 9p-PB6-14
n 型リアエミッター型結晶 Si 太陽電池モジュールの長時 〇徐 原松 1, 山口 世力 1, 増田 淳 2, 大平 圭介 1
1. 北陸先端 , 2. 産総研
間電圧誘起劣化試験
1111
			 9p-PB6-15
セル・EVA 界面剥離試験による UV+DH 複合試験後モ〇濱岡 遼 , 浅野 正太 , 岩見 健太郎 , 梅田 倫弘 , 秋 1. 東京農工大院工 , 2. 産総研
ジュールの密着性評価
冨 稔 2, 城内 紗千子 2, 山本 千津子 2, 千葉 恭男 2, 増田淳2
3/10(Sun.) 9:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) W611 会場 (Room W611)
9:30		 10a-W611-1 ALD 法で作製した TiOx 電子選択層の積層化による電気 望月 健矢 1, 〇後藤 和泰 1, 黒川 康良 1, 宇佐美 徳隆 1 1. 名大院工的特性の制御9:45		 10a-W611-2 ALD 法で作製した TiOx/SiOx/ 結晶 Si ヘテロ界面のパッ 望月 健矢 1, 〇後藤 和泰 1, 北條 智彦 2, 黒川 康良 1, 秋 1. 名大院工 , 2. 東北大金研
シベーション効果発現メカニズム 〜水素原子脱離の影響 山 英二 2, 宇佐美 徳隆 1〜
10:00		 10a-W611-3 裏面電極型結晶シリコン太陽電池における電気的遮蔽損 〇立花 福久 1, 望月 敏光 1, 白澤 勝彦 1, 高遠 秀尚 1
1. 産総研失の低減
10:15		 10a-W611-4 薄型基板上への Ge ドットマスクを用いた光閉じ込め構造 〇太田 湧士 1, 後藤 和泰 1, 黒川 康良 1, 宇佐美 徳隆 1, 1. 名大院工 , 2. ロシア科学アカデミーの作製と太陽電池への応用
Dmitrij Yurasov2, Alexey Novikov2, Mikhail Shaleev2
10:30
E 10a-W611-5 Formation of fine-textured surface on as-cut crystalline〇 (PC)Cong Thanh Nguyen1, Keisuke Ohdaira1,
1.Japan Advanced Institute of Science and Technology
silicon wafers by microparticle-assisted texturing (MPAT) Hideki Matsumura1(JAIST)
process
10:45		休憩 /Break
11:00		 10a-W611-6 両面受光５接合アモルファス Si 太陽電池の LED 照明下で 〇小長井 誠 1, 佐々木 崚 1
1. 都市大総研の特性
11:15
奨 10a-W611-7 多数キャリア移動度の理論モデルを用いた液相結晶化シ 〇 (P) 海汐 寛史 1, 松井 卓矢 1, 齋 均 1, 櫻井 岳暁 2, 松 1. 産総研 , 2. 筑波大
リコン薄膜の電気特性評価
原 浩司 1
11:30		 10a-W611-8 SiOx を障壁層とした Si 量子ドット太陽電池の作製〇赤石 龍士郎 1, 北沢 宏平 1, 加藤 慎也 2, 後藤 和泰 1, 1. 名大院工 , 2. 名工大院工
宇佐美 徳隆 1, 黒川 康良 1
11:45		 10a-W611-9 接合媒体に銅ナノ粒子配列を用いたスマートスタックセ 〇水野 英範 1, 牧田 紀久夫 1, 菅谷 武芳 1, 高遠 秀尚 1 1. 産総研
ル3/10(Sun.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) W611 会場 (Room W611)
13:30		 10p-W611-1 n 型結晶 Si 太陽電池モジュールの長時間電圧誘起劣化に 〇大平 圭介 1, 小松 豊 1, 鈴木 友康 1, 山口 世力 1, 増田 1. 北陸先端大 , 2. 産総研
おける Na の挙動
淳2
13:45		 10p-W611-2 n 型フロントエミッター型結晶シリコン太陽電池モ〇鈴木 友康 1, 山口 世力 1, 中村 京太郎 2, 3, 増田 淳 4, 1. 北陸先端大 , 2. 豊田工大 , 3. 明治大 , 4. 産総研
ジュールの長時間電圧誘起劣化における SiO2 膜の影響
大平 圭介 1
14:00		 10p-W611-3 結晶 Si 太陽電池モジュールの湿熱ストレス寿命に及ぼす 〇坂元 智成 1, 新楽 浩一郎 1, 黒瀬 卓也 1, 内田 眞輔 1, 1. 京セラ ( 株 ), 2. 産総研
UV 光の影響と添加剤の影響
矢田 伸二 1, 井上 志朗 1, 伊野 裕司 2, 浅尾 秀一 2, 白澤
勝彦 2, 高遠 秀尚 2
14:15		 10p-W611-4 シリコンヘテロ接合太陽電池の PID に及ぼす湿熱負荷の 山本 千津子 1, 山口 世力 2, 大平 圭介 2, 〇増田 淳 1
1. 産総研 , 2. 北陸先端大
影響
14:30		休憩 /Break
14:45		 10p-W611-5 p 型結晶シリコン太陽電池セルの SiNx 反射防止膜が PID 〇城内 紗千子 1, 田中 亜樹 2, 村松 和郎 2, 中村 京太
1. 産総研 , 2. ナミックス , 3. 豊田工大に及ぼす影響郎 3, 大下 祥雄 3, 増田 淳 1
15:00		 10p-W611-6 c-Si PV セル裏面の腐食劣化態様〇棚橋 紀悟 1, 坂本 憲彦 1, 柴田 肇 1, 増田 淳 1
1. 産総研15:15		 10p-W611-7 ガラス膜を形成したカバーガラスを用いた太陽電池モ〇伏屋 亮 1, 大橋 史隆 1, 吉田 弘樹 1, 傍島 靖 1, 亀山 展 1. 岐大工 , 2. 石川県工業試験場 , 3. 産総研
ジュールの電圧誘起劣化抑止効果の評価
和 1, 橘 泰至 2, 増田 淳 3, 野々村 修一 1
15:30		 10p-W611-8 太陽電池モジュール内部の電界および電流分布解析によ 〇橘 泰至 1, 豊田 丈紫 1, 大橋 史隆 2, 吉田 弘樹 2, 傍島 1. 石川工試 , 2. 岐阜大 , 3. 産総研
る高抵抗ガラス層を用いた PID 抑制効果の検証
靖 2, 亀山 展和 2, 増田 淳 3, 野々村 修一 2
14:30		14:45奨 9p-W611-5

16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology
15:45		 10p-W611-9

太陽電地モジュールにおける電圧誘起劣化箇所の一検討― フィンガー電極近傍での局所的劣化の可能性 ―
16:00		休憩 /Break
16:15		 10p-W611-10 c-Si 系太陽電池モジュールの劣化モードに及ぼす表電極
ペーストの影響Ⅱ
16:30		 10p-W611-11 導電性フィルムタブ付による結晶シリコン PV モジュー
ルの PCT インターコネクタ沿い劣化の抑制
16:45		 10p-W611-12 佐賀県鳥栖市における太陽電池モジュールの実発電量と推定発電量の比較 (III)
17:00		 10p-W611-13 円筒型および直方体型太陽電池モジュールの屋外発電特性の比較
17:15		 10p-W611-14 高効率結晶シリコン太陽電池の発電性能の経時変化

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology〇吉田 弘樹 1, 大橋 史隆 1, 亀山 展和 1, 傍島 靖 1, 原 由 1. 岐大工 , 2. 産総研
紀子 2, 増田 淳 2, 野々村 修一 1
〇仙波 妙子 1, 嶋田 武夫 1, 白澤 勝彦 2, 高遠 秀尚 2

1. ナミックス , 2. 産総研〇伊野 裕司 , 浅尾 秀一 , 白澤 勝彦 , 高遠 秀尚

1. 産総研1

1

1

1〇千葉 恭男 1, 崔 誠佑 1, 佐藤 梨都子 1, 石井 徹之 2, 増 1. 産総研 , 2. 電中研
田 淳1〇野毛 宏 1, 小長井 誠 1, 増田 泰造 2, 佐藤 彰倫 2

1. 都市大総研 , 2. トヨタ自動車〇石井 徹之 1, 崔 誠佑 2, 佐藤 梨都子 2, 千葉 恭男 2, 増 1. 電中研 , 2. 産総研
田 淳2

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
3/10(Sun.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 10p-PA8-1
アモルファスカーボン薄膜を固体材料として用いたグラ 〇 (M1) ランウィット スピサラ , 前田 文彦
フェン／グラファイトの成長			 10p-PA8-2
銅の再結晶過程における水素の影響とグラフェンの CVD 〇小川 友以 1, 日比野 浩樹 1, 2, 谷保 芳孝 1
1.NTT 物性科学基礎研 , 2. 関西学院大理工成長
1
1
1
			 10p-PA8-3プラズマ CVD アニール法による還元型酸化グラフェンの 〇今井 祐太 , 植田 研二 , 浅野 秀文
1. 名大院工
高品質化
			 10p-PA8-4
グラフェン・ナノリボンのボトムアップ成長過程におけ 〇大伴 真名歩 1, 林 宏暢 2, 林 賢二郎 1, 實宝 秀幸 1, 山 1. 富士通研・富士通 , 2. 奈良先端大
るエッジ修飾基の影響
口 淳一 1, 大淵 真理 1, 山田 容子 2, 佐藤 信太郎 1
			 10p-PA8-5
グラフェン CVD における Ir(111)/ α -Al2O3(0001) 基板 〇櫻井 篤 1, 仁木 雅也 1, 北嵜 仁 1, 渡辺 剛志 1, 澤邊 厚 1. 青学大理工の再利用
仁 1, 黄 晋二 1
		奨 E 10p-PA8-6
Effect of CO2 and O3 treatment on directly Synthesized〇 (P)Riteshkumar Ratneshkumar Vishwakarma1,
1.C`s Techno Inc., 2.Nagoya Industries Promotion Corp
Graphene on Insulating Substrates at low temperature
Zhu Rucheng1, Amr Abuelwafa1, Susumu Ichimura2,
using Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor
Sudip Adhikari1, Masayashi Umeno1
Deposition
			 10p-PA8-7
Cu 蒸気触媒を用いた減圧 CVD による r 面サファイア上 〇上田 悠貴 1, 山田 純平 1, 小野 大志 1, 丸山 隆浩 1, 成 1. 名城大理工のグラフェン直接成長 --- 成長温度依存性 --塚 重弥 1
			 10p-PA8-8
Cu 表面と h-BN/Cu 界面でのグラフェン成長速度の違い 〇牧野 竜市 1, 高田 匡平 1, 日比野 浩樹 1, 2
1. 関西学院大理工 , 2.NTT 物性基礎研			 10p-PA8-9
エタノール水溶液を用いた大気圧 CVD グラフェンにおけ 〇笹嶋 貴雄 1, 伊東 千尋 1
1. 和歌山大 システム工
る水の影響			 10p-PA8-10 プラズマ CVD におけるグラフェン成長初期過程の偏光 〇林 康明 1, 野々村 秋人 1, 川上 栞生 1, 三瓶 明希夫 1, 1. 京都工繊大 , 2. アルバック未来研
解析モニタリング中野 美尚 2, 塚原 尚希 2, 村上 裕彦 2
			 10p-PA8-11 N2 雰囲気中エピタキシャルグラフェン形成〇竹内 智哉 1, 寺井 汰至 1, 鎌田 裕太 1, 佐藤 祐大 1, 橋 1. 福井大院工本 明弘 1
		
E 10p-PA8-12 Effect of the laser irradiation on the doped graphene〇 (P)Amr Attia Abuelwafa1, Riteshkumar
1.C`s Techno, Incgrown by microwave surface wave plasma CVD
Vishwakarma1, Zhu Rucheng1, Yota Mabuchi1, Sudip
Adhikari1, Masayoshi Umeno1
			 10p-PA8-13 c 面サファイア基板上 Ni 薄膜の熱処理結晶化のＸ線回折 〇成塚 重弥 1, 中島 諒人 1, 山田 純平 1, 上田 悠貴 1, 丸 1. 名城大理工測定による評価
山 隆浩 1
			 10p-PA8-14 HF-CVD 法によるシリコン系材料へのグラファイト形成 〇橋爪 瑞葵 1, 高綱 藻 1, 清水 麻希 1, 加藤 大樹 2, 橋本 1. 東理大理 , 2.JEOL巖 1, 本間 芳和 1
			 10p-PA8-15 Ni- グラフェン接合の界面構造と接触抵抗の相関〇殷 翔 1, 葛西 誠也 1
1. 北大量子集積センター
			 10p-PA8-16 探針増強ラマン分光法によるグラフェンナノリボンの構 〇 (M1) 原 慎之助 1, 雲林院 宏 2, 3, 豊内 秀一 3, 猪瀬 朋 1. 九工大院生命体 , 2. 北海道大 , 3.KU Leuven
造評価
子 2, 田中 啓文 1
			 10p-PA8-17 大面積化を指向したグラフェンナノリボンのネットワー 〇青木 佑樹 1, 一宮 永 1, 山田 悠貴 1, 福井 暁人 1, 吉村 1. 阪府大工 , 2.JST さきがけ
ク化
武 1, 芦田 淳 1, 藤村 紀文 1, 桐谷 乃輔 1, 2
			 10p-PA8-18 Ir(111)/ α -Al2O3(0001) 基板上で作製した CVD グラフェ 〇仁木 雅也 1, 櫻井 篤 1, 北嵜 仁 1, 渡辺 剛志 1, 澤邊 厚 1. 青学大理工
ンの電気的特性
仁 1, 黄 晋二 1
			 10p-PA8-19 セルロースナノファイバー添加によるグラフェン積層構 〇石黒 稚可子 1, 許 梓釗 1, 仁科 勇太 2, 小林 慶裕 1
1. 阪大院工 , 2. 岡山大造への影響と熱伝導解析
11
12
			 10p-PA8-20 電気化学用グラフェン電極のエッジ効果の簡便な評価〇 (B) 本間 幸英 , 傳刀 賢二 , 古川 一暁 , 上野 祐子 1. 明星大理工 , 2.NTT 物性基礎研			 10p-PA8-21 酸化グラフェンの電気輸送特性〇服部 速水 1, 依里 忠樹 1, 北村 勇人 2, 孫 勇 1
1. 九工大先端 , 2. 九工大総シス
			 10p-PA8-22 サファイア上グラフェンの抵抗率の非接触・非破壊計測 〇藤井 高志 1, 3, 毛利 真一郎 1, 荒木 努 1, 上田 悠貴 2, 1. 立命館大 , 2. 名城大 , 3. 日邦プレシジョン
成塚 重弥 2, 岩本 敏志 3
			 10p-PA8-23 二層グラフェンにおける電界閉じ込めによる電子波ダイ 〇坂梨 昂平 1, 和田 直人 1, バード ジョナサン 2, キム 1. 千葉大物質 , 2. バッファロー大 , 3. 成均館大学校 , 4. 物
ナミクスの観測ギルホ 3, 渡邉 賢司 4, 谷口 尚 4, 青木 伸之 1
材機構
			 10p-PA8-24 酸化グラフェンに吸着したアルカリ金属の XAFS による 〇圓谷 志郎 1, 本田 充紀 2, 下山 巌 2, 滝沢 優 3, 李 松 1. 量研機構 , 2. 原子力機構 , 3. 立命館大理工研究田 1, 馬場 祐治 2, 楢本 洋 1, 境 誠司 1
		
奨 10p-PA8-25 SiC 上グラフェンの電子物性に対する界面の影響〇 (B) 佐藤 京樹 1, 榊原 涼太郎 1, 河原 憲治 2, 吾郷 浩 1. 名大工 , 2. 九大 GIC, 3. 名大院工 , 4. 名大 SR セ
樹 2, 林 直輝 3, 伊藤 孝寛 4, 乗松 航 3
			 10p-PA8-26 歪み印加による機械剥離グラフェンの熱輸送制御〇中川 魁斗 1, 佐藤 和郎 2, 村上 修一 2, 竹井 邦晴 1, 秋 1. 大阪府大工 , 2. 大阪技術研
田 成司 1, 有江 隆之 1
			 10p-PA8-27 プラズマ CVD グラフェン /h-BN 積層構造の移動度及び 〇沖川 侑揮 1, 山田 貴壽 1, 長谷川 雅考 1, 渡邊 賢司 2, 1. 産総研 , 2. 物材機構
ラマン分光評価
谷口 尚 2
			 10p-PA8-28 垂直電場印加による 2 層グラフェンにおける量子ポイン 〇 (M1) 村瀬 健太郎 1, 荒川 友貴 1, 坂梨 昂平 1, 音 賢 1. 千葉大 , 2. 成均館大学校 , 3. 物材機構
トコンタクトの形成と磁場印加効果
一 1, キム ユンサム 2, キム ギルホ 2, 渡邊 賢司 3, 谷口
尚 3, 青木 伸之 1
			 10p-PA8-29 有害物質の高感度検出に向けた超分子修飾グラフェン〇生田 昂 1, 玉木 孝 2, 正井 宏 2, 前橋 兼三 1
1. 農工大 , 2. 東大FET の開発
			 10p-PA8-30 エネルギーギャップの導入にむけた銀ナノワイヤーによ 〇青木 健輔 1, 青木 伸之 1
1. 千葉大物質
るグラフェンナノリボンの作製		奨 10p-PA8-31 高感度測定へ向けたグラフェン機械共振器の高周波化〇池本 拓史 1, 竹井 邦晴 1, 有江 隆之 1, 秋田 成司 1
1. 大阪府大工			 10p-PA8-32 ヘリウムイオン照射グラフェンにおける磁気抵抗のドー 〇中村 周 1, 岩﨑 拓哉 2, ムルガナタン マノハラン 1, 1. 北陸先端大 , 2. 物材機構 , 3. 群馬大 , 4. 産総研 , 5. 日立
ズ量依存性
赤堀 誠志 1, 守田 佳史 3, 森山 悟士 2, 小川 真一 4, 若山 ケンブリッジ研
裕 2, 水田 博 1, 5, 中払 周 2
		
E 10p-PA8-33 Study on Trapping Condition by Dielectrophoresis to〇 (D)Wahyu Waskito Aji1, Hirofumi Tanaka1
1.Kyushu Inst. of Tech.
Fabricate GNR Devices
11			 10p-PA8-34 新規電極材応用に向けたポーラスエピタキシャルグラ〇竹田 直喜 , 石丸 大樹 , 橋本 明弘
1. 福井大院工フェン上微細孔の制御
			 10p-PA8-35 グラフェントンネル FET における急峻スイッチング特性 〇鈴木 俊英 1, ハマム アーメド 1, ムルガナタン マノ 1. 北陸先端大 , 2. 日立ケンブリッジの解析
ハラン 1, シュミット マレク 1, 水田 博 1, 2

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology		

奨 10p-PA8-36

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology

機能性剝離テープを用いた CVD グラフェンのドライ転写 〇小山 諄 1, 河原 憲治 2, 本田 哲士 3, 小坂 尚史 3, 岡田 1. 九大院総理工 , 2. 九大 GIC, 3. 日東電工 , 4.JST-CREST法の開発
研一 3, 増田 将太郎 3, 保井 淳 3, 吾郷 浩樹 1, 2, 4
			 10p-PA8-37 電気化学発光応用に向けた多層グラフェン透明電極の作 〇岩崎 貴充 1, 渡辺 剛志 1, 原 菜摘 1, 黒木 大地 1, 櫻井 1. 青学大理工
製と評価
篤 1, 黄 晋二 1		
E 10p-PA8-38 The Fabrication of Suspended Graphene Nanoribbon for 〇 (D)Chunmeng LIU1, Ryo Okubo1, Xiaobin
1.JAIST, 2.Hitachi Cambridge Lab.
In-situ Transmission Electron Microscopy Observation
Zhang1, Marek E. Schmidt1, Muruganathan
Manoharan1, Hiroshi Mizuta1, 2, Yoshifumi Oshima1
		
E 10p-PA8-39 Understanding the exfoliated MoS2/GO membrane〇 (M2)Meiqi Zhang1, Boyue Lian2, Gregory Leslie2, 1.Chem, Hokkaido Univ, 2.UNESCO Centre,UNSW,
stability during water filtration
Toshihiro Shimada3
3.Eng, Hokkaido Univ
3/10(Sun.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) PB 会場 (Room PB)
			 10p-PB5-1
孤立単層カーボンナノチューブ上への窒化ホウ素層及び 〇村上 大巧 1, 荒井 隼人 1, 鄭 永嘉 1, 銭 洋 1, 井ノ上 泰 1. 東大工 , 2. 産総研
二硫化モリブデン層の合成と分析
輝 1, 項 栄 1, 千足 昇平 1, 丸山 茂夫 1, 2
			 10p-PB5-2
Co 触媒を用いたカーボンナノ四面体 / リボン構造の高効 〇石田 雅裕 1, 河野 日出夫 1
1. 高知工科大
率生成
1
1
1
1
			 10p-PB5-3
カーボンナノコイルにおける磁石による捕集と疎水性溶 〇松尾 竜世 , 針谷 達 , 谷本 壮 , 滝川 浩史 , 水津 光 1. 豊技大 , 2. 千葉工大 , 3. 日本大媒への分散性の評価
司 2, 松田 健一 3, 須田 善行 1
			 10p-PB5-4
同時 2 色光熱変換顕微イメージングによる単一単層カー 〇 (M1) 石川 祐栽 1, 宮崎 淳 1
1. 和大院シス工
ボンナノチューブの解析
1
2
3
1
			 10p-PB5-5
ホットメッシュ堆積法で作製したナノカーボン膜の分子 〇部家 彰 , 新部 正人 , 山崎 良 , 松尾 直人
1. 兵庫県立大工 , 2. 兵庫県立大高度研 , 3. トーカロ
配向評価
			 10p-PB5-6
欠陥導入カーボンナノチューブ高温処理における炭素同 〇由良 真悟 1, 中村 圭介 1, 有福 達治 2, 清柳 典子 2, 小 1. 大阪大学 , 2. 日本化薬位体導入
林 慶裕 1
			 10p-PB5-7
低速電子線誘起堆積法により低温合成したグラッシー〇 (M1) 赤池 祐輝 1, 佐藤 哲也 1, 山本 千綾 1, 2, 山中 淳 1. 山梨大・院 , 2. 機器分析センター
カーボンのナノ構造制御とＴＥＭ観察二2
		
奨 10p-PB5-8
AlFe2O4 ナノ粒子 LB 膜を用いた垂直配向 CNT の合成と 〇 (M1) 佐藤 健介 1, 多見谷 修平 1, 木田 一肇 1, 中村 1. 千葉大院融構造評価健太郎 1, 串田 正人 1
			 10p-PB5-9
CVD 法による硫黄ドープカーボンナノチューブの作製〇浅田 祥太 1, 伊東 千尋 1
1. 和歌山大			 10p-PB5-10 垂直配向単層カーボンナノチューブの摩擦特性
福田 美実 1, 井上 枝実 2, 四本松 康太 2, 清水 麻希 2, 〇 1. 洗足学園高校 , 2. 東理大理
本間 芳和 2
			 10p-PB5-11 周期加熱法を用いた単層カーボンナノチューブ薄膜の熱 〇松尾 博之 1, 蓬田 陽平 1, 八木 貴志 2, 柳 和宏 1
1. 首都大理 , 2. 産総研
伝導率の温度依存性測定121
			 10p-PB5-12 単層カーボンナノチューブにおける THz 高次高調波発生 〇西留 比呂幸 , 永井 恒平 , 一ノ瀬 遥太 , 福原 健
1. 首都大理 , 2. 京大理 , 3.iCeMSのフェルミレベル依存性
吾 1, 野崎 純司 1, 枝 淳子 1, 蓬田 陽平 1, 田中 耕一郎 2, 3,
柳 和宏 1
			 10p-PB5-13 Mode-locking Fiber Laser Using A High Power Tolerant 〇 (M2C)Pengtao Yuan1, Zheyuan Zhang1, Shoko
1.University of Tokyo
Saturable Absorber Incorporating CNT-BNNT
Yokokawa1, Yongjia Zheng1, Lei Jin1, Sze Yun Set1,
Shigeo Maruyama1, Shinji Yamashita1
			 10p-PB5-14 カーボンナノチューブにおけるラマン散乱強度の環境効 〇 (B) 栃本 祥吾 1, 矢島 史彬 1, 島 龍之介 1, 稲葉 工 1, 1. 東理大理
果
清水 麻希 1, 本間 芳和 1
			 10p-PB5-15 酸素プラズマ処理したカーボンナノウォールの撥水性Ⅱ 〇田邉 耕生 1, 家田 祐輔 1, 山田 繁 1, 伊藤 貴司 1, 野々 1. 岐阜大工
村 修一 1
			 10p-PB5-16 電子供与性分子溶液滴下による単層カーボンナノチュー 〇石原 匡明 1, 伊東 千尋 1
1. 和歌山大シス工
ブの光学スペクトル変化
			 10p-PB5-17 コバルトセン内包カーボンナノチューブにおける内包量 〇小林 昇弥 1, 本田 惇 , 伊東 千尋 1
1. 和歌山大システム工の制御
			 10p-PB5-18 液体金属ドロップレットを用いたフレキシブル MEMS セ 〇 (B) 大塚 誠也 1, 生野 孝 1
1. 東理大基礎工
ンサーの提案			 10p-PB5-19 トリオン発光によるカーボンナノチューブ薄膜高速 EL 素 〇 (B) 高橋 英統 1, 鈴木 裕司 1, 吉田 識人 1, 中川 鉄
1. 慶大理工 , 2.KISTEC, 3.JST さきがけ子
馬 1, 2, 牧 英之 1, 3
			 10p-PB5-20 フラーレン複合紙の作製におけるドーピングの検討〇大西 拓 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院理工			 10p-PB5-21 DNN 微結晶 /CNT 薄膜の作製と硬 X 線電流応答〇 (BC) 鈴木 慧 1, 濱野 毅 2, 石川 剛弘 2, 小西 輝昭 2, 1. 東京電機大理工 , 2. 放医研 , 3. 名大工 , 4. 名大未来研
廣谷 潤 3, 大野 雄高 3, 4, 平尾 敏夫 2, 石井 聡 1
			 10p-PB5-22 フタロシアニン誘導体を用いたカーボンナノチューブ複 〇新垣 諒汰 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院理工
合糸の導電率向上と熱電応用
			 10p-PB5-23 Pt 担持マリモナノカーボンを用いたグルコース燃料電池 〇 (B) 秋山 慎伍 1, 中川 清晴 1, 2
1. 関西大環境都市工 , 2.HRC用電極触媒の開発
			 10p-PB5-24 マリモナノカーボンへの含酸素官能基導入による Ca2+ イ 〇 (B) 西村 佑一郎 1, 中川 清晴 1, 2
1. 関西大環境都市工 , 2.HRC
ンターカレーションの促進効果
			 10p-PB5-25 カーボンナノチューブ複合紙を用いたペーパートランジ 〇飯島 竜児 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院工スタの n 型ドーピング検討
			 10p-PB5-26 電気二重層キャパシタ用カーボンナノチューブ / Cu 電極 〇原 正則 1, 池田 義仁 1, 吉村 雅満 1
1. 豊田工業大学の作製と評価1111
			 10p-PB5-27 一方向配向 CNT/ エポキシ樹脂複合材料の力学・電気特 〇露口 陽平 , 苅田 基志 , 中野 貴之 , 井上 翼
1. 静大院工性における CNT 構造の影響			 10p-PB5-28 超臨界流体エタノールを用いた LSI 配線のための CNM 作 〇萩原 啓斗 1, 佐藤 光 1, 伊藤 勝利 1, 宇原 祥夫 1, 齊藤 1. 東理大工
製
茂1
			 10p-PB5-29 CNT 内包水・外側吸着水の 1H-NMR 測定〇新道 裕介 1, 林 拓斗 1, 橋本 賢太 1, 古川 哲也 1, 本間 1. 東理大理
芳和 1, 伊藤 哲明 1
			 10p-PB5-30 気体放電によるカーボンナノチューブフィラメント形成 〇廣村 雅俊 1, 舩木 星志 1, 佐藤 英樹 1
1. 三重大院工における電極形状の影響
1
1
1
1
			 10p-PB5-31 ＬＳＩ配線のための超臨界二酸化炭素を用いた CNM の 〇寺地 優海 , 山﨑 達也 , 伊藤 勝利 , 宇原 祥夫 , 齊 1. 東理大
作製
藤 茂1―基板温度と圧力依存性―
			 10p-PB5-32 カーボンナノチューブをウレタン樹脂に混合したマイク 〇金 勇一 1, 西川 英一 1, 山田 耕平 1, 吉田 泰久 1, 大澤 1. 東理大工
ロ波帯向け電磁波吸収体の作成と評価
博紀 1
			 10p-PB5-33 ガスソース CVD 成長における WS2 原子層の結晶粒径均 〇岡田 光博 1, 岡田 直也 1, 張 文馨 1, 清水 哲夫 1, 久保 1. 産総研
一化現象
利隆 1, 入沢 寿史 1
			 10p-PB5-34 液体前駆体を用いた ALD 法による二硫化タングステン薄 〇池田 幸弘 1, 上野 啓司 1
1. 埼玉大院理工
膜成長（４）1
1
1
			 10p-PB5-35 微傾斜 c 面サファイア上に成長させた MoS2 の形状異方性 〇 (M2) 高田 匡平 , 牧野 竜市 , 小松 直人 , 水野 将 1. 関西学院大理工 , 2.NTT 物性基礎研
吾 1, 日比野 浩樹 1, 2
			 10p-PB5-36 Bilayer WS2 の CVD 成長の高効率合成とその光学特性〇稲波 伸之介 1, 堀田 貴都 1, 北浦 良 1, 篠原 久典 1
1. 名大理		
奨 10p-PB5-37 サファイア上 GaN 成長に対する単層二硫化モリブデン〇 (B) 小松 直人 1, 高橋 正光 2, 佐々木 拓生 2, 高田 匡 1. 関学大理工 , 2. 量研 , 3.NTT 物性基礎研
1
1
1, 3
バッファ層の影響
平 , 牧野 竜市 , 日比野 浩樹
		奨 10p-PB5-38 水素発生電極に資するエッジリッチ構造を有した〇中安 祐太 1, 小林 弘明 1, 本間 格 1
1. 東北大学多元物質科学研究所
Mo(S,Se)2 と (Mo,W)S2 ナノシートの超臨界水熱合成
			 10p-PB5-39 1T-MoSe2 挿入による 2H-MoSe2 FET のピニング緩和〇堀井 嵩斗 1, 上野 啓司 1
1. 埼玉大院理工17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料 / Carbon nanotubes & other nanocarbon materials
			 10p-PB5-40
			 10p-PB5-41

MoSe2 中の空孔の安定性に対する帯電効果
MoS2 スパッタ膜の硫化処理とラマン評価

			 10p-PB5-42

光電流スペクトルを用いた MoS2 単層膜における誘電遮
蔽効果の解明Optical Spectroscopy of Artificial Hetero-structure ofMonolayer MoSe2 and Manganese Oxide		奨 E 10p-PB5-43

			 10p-PB5-44
			 10p-PB5-45

エピタキシャル成長した 1T-TiSe2 結晶の評価
hBN サンドした TMD 原子層における励起子拡散

			 10p-PB5-46

TaS2 の NCCDW-ICCDW 相転移における層数依存性

			 10p-PB5-47

層状ゲルマナンの電界発光素子

			 10p-PB5-48

アルカリ塩をアシスト剤に用いた気相成長単層 MoS2 及び WS2 の FET 応用
ナノギャップ電極を用いた MoS2 FET の作製
片持ち梁 MoS2 と h-BN の光照射による共振特性比較
高精度光圧測定のための透明ナノ機械共振器の作製
小直径二硫化タングステンナノチューブの合成とトラン
ジスタ特性
ガスセンサ応用に向けた MoS2 トランジスタの作製と電気特性

			 10p-PB5-49
			 10p-PB5-50
			 10p-PB5-51
			 10p-PB5-52
		

奨 10p-PB5-53

			 10p-PB5-54

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology			 10p-PB5-55

Al2O3 ゲート絶縁膜転写法を用いたトップゲート MoS2FET の作製
TMD 材料を用いたトンネル電界効果トランジスタの作
製〇 (M1) 森山 聖矢 1, 影島 博之 1
1. 島根大院自然科学〇山内 翔 1, 関 健太 1, 蓮池 紀幸 1, 西尾 弘司 1, 木曽田 1. 京工繊大 , 2. 和歌山大 , 3. 京都府中小企業技術セン
賢治 2, 鴨井 督 3
ター〇荒居 誠也 1, 梶野 祐人 1, 音 賢一 1, 山田 泰裕 1
1. 千葉大院理〇 (D)Yan Zhang1, Keisuke Shinokita1, Yuhei
Miyauchi1, Yutaka Moritomo2, Kazunari Matsuda1

1.Inst. of Advanced Energy , Kyoto Univ., 2.Tsukuba
Research Center for Energy Materials Science, Univ. of
Tsukuba〇蜂屋 廉 1, 浦上 法之 1, 2, 橋本 佳男 1, 2
1. 信州大工 , 2. 信大カーボン研1
1
1
2〇堀田 貴都 , 樋口 翔平 , 内山 揚介 , 上野 啓司 , 渡 1. 名大理 , 2. 埼玉大理 , 3.NIMS
邊 賢司 3, 谷口 尚 3, 篠原 久典 1, 北浦 良 1〇石黒 康志 1, 児玉 尚子 2, Bogdanov Kirill3, Baranov 1. 法政大生命科学 , 2. 法政大院理工 , 3.ITMO University
Alexander3, 高井 和之 1, 2
〇橘 浩昭 1, 戸田 直也 1, 高田 徳幸 1, 安藤 淳 1, 阿澄 玲 1. 産総研
子1〇五十嵐 玲太 1, 白井 肇 1, 上野 啓司 1
1. 埼玉大院理工〇小倉 匡樹 1, 土田 将平 1, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大理工〇吉川 大貴 1, 竹井 邦晴 1, 有江 隆之 1, 秋田 成司 1
1. 大阪府大工〇 (B) 森本 悠介 1, 竹井 邦晴 1, 有江 隆之 1, 秋田 成司 1 1. 大阪府大工〇蓬田 陽平 1, 柳 和宏 1
1. 首都大物理〇前田 翔児 1, Perini Christopher2, 金子 豊和 1, 寺澤

1. 大工大ナノ材研 , 2. ジョージア工科大学 , 3. 兵庫医大
大樹 3, 福田 昭 3, 小山 政俊 1, 藤元 章 1, 原田 義之 1, 小 物理
池 一歩 1, 矢野 満明 1, Vogel Eric2〇川那子 高暢 1, 大場 智明 1, 小田 俊理 1
1. 東工大量子ナノ研〇大内 秀益 1, 神谷 航太 1, 坂梨 昂平 1, グエヌエ トマ 1. 千葉大物質 , 2. バッファロー大学 , 3. 物材機構
ス 1, クリューガー ピーター1, バード ジョナサン 2,
渡邊 賢司 3, 谷口 尚 3, 青木 伸之 1
17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料 / Carbon nanotubes & other nanocarbon materials
3/11(Mon.) 9:30 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) W621 会場 (Room W621)
9:30		 11a-W621-1 複線撚りカーボンナノチューブ紡績糸中に残留する〇家元 章伍 1, 中川 智広 1, 井上 寛隆 1, 羽田 真毅 1, 2, 1. 岡大院自然 , 2. 筑波大
アモルファスカーボンの通電加熱処理による構造変化
西川 亘 1, 山下 善文 1, 林 靖彦 1
9:45		 11a-W621-2 細径で紡績可能なカーボンナノチューブ一本の機械強度 〇吉山 貴之 1, 井上 寛隆 1, 白須 圭一 2, 羽田 真毅 1, 3, 1. 岡大院自然 , 2. 東北大材強研 , 3. 筑波大
特性
西川 亘 1, 山下 善文 1, 橋田 俊之 2, 林 靖彦 1
10:00		 11a-W621-3 カーボンナノチューブ複合紙によるアクチュエータの開 〇安保 貴大 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大理工発
10:15		 11a-W621-4 カーボンナノチューブ複合紙による “熱電発電紙” の性 〇深山 歩夢 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大理工
能向上の検討10:30		休憩 /Break10:45
奨 11a-W621-5 真空中通電加熱処理による乾式 CNT 紡績糸熱電変換素子 〇大元 一輝 1, 井上 寛隆 1, 羽田 真毅 1, 2, 西川 亘 1, 山 1. 岡大院自然 , 2. 筑波大の物性向上
下 善文 1, 林 靖彦 1
11:00		 11a-W621-6 ポリプロピレン (PP) にカーボンナノチューブ (CNT) 複 〇北野 宏樹 1, 2, 3, 藤井 萌香 3, 小畑 美智子 3, 4, Josue
1. 北川工業株式会社 , 2. 信州大大学院工 , 3. 信州大 COI
合した耐汚染性水用スペーサー
Ortiz-Medina5, Rodolfo Cruz-Silva3, 竹内 健司 2, 3, 4, 拠点 , 4. 信州大カーボン科研 , 5. パン・アメリカ大工山口 晃生 1, 3, 遠藤 守信 3, 4
11:15
奨 11a-W621-7 配向 CNT を用いた導電性と耐摩耗性を有する新奇被膜の 〇池田 義仁 1, 原 正則 1, 吉村 雅満 1
1. 豊田工大院工開発
11:30		 11a-W621-8 車載チップ向けナノチューブ／ナノ粒子ペースト複合材 〇廣瀬 真一 1, 近藤 大雄 1, 小山 優 2, 乗松 正明 1, 鈴木 1. 富士通研 , 2. 協立化学料の開発
幸一 1, 岩井 大介 1, 佐藤 信太郎 1
3/11(Mon.) 13:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) W621 会場 (Room W621)
13:45		 11p-W621-1 2 次元トリプチセン重合体の構造と電子物性〇 (M1) 藤井 康丸 1, 丸山 実那 1, 岡田 晋 1
1. 筑波大数理
14:00		 11p-W621-2 カーボンナノホーンの整流性および光応答性〇 (B) 小原 龍 1, 奥瀬 恭仁 1, 長南 安紀 1, 小宮山 崇
1. 秋田県立大学システム , 2. 桃陽
1
1
1
2
夫 , 小谷 光司 , 山口 博之 , 桃井 優一
14:15		 11p-W621-3 二種混合分子内包による SWCNT の精密キャリア制御〇王 国偉 1, 田中 丈士 1, 平野 篤 1, 片浦 弘道 1
1. 産総研14:30		 11p-W621-4 窒化ホウ素ナノチューブに内包された単層カーボンナノ 〇久間 馨 1, 岡田 晋 2, 千足 昇平 1, 丸山 茂夫 1, 3
1. 東大工 , 2. 筑波大数理 , 3. 産総研
チューブのエネルギー論と電子状態
14:45		 11p-W621-5 XANES 測定による Ir 触媒からの単層カーボンナノチュー 〇 (M2) 岡田 拓也 1, サラマ カマル 1, 才田 隆広 1, 成 1. 名城大理工
ブ成長機構の解明
塚 重弥 1, 丸山 隆広 1
15:00		 11p-W621-6 同位体ラベルによる単層カーボンナノチューブの再成長 〇小矢野 文章 1, 山元 隼 1, 大塚 慶吾 2, 井ノ上 泰輝 1, 1. 東京大工 , 2. 理研 , 3. 産総研の分析
項 栄 1, 千足 昇平 1, 丸山 茂夫 1, 3
15:15		 11p-W621-7 二段階温度成長法によるカーボンナノオニオンからの 極 〇中村 圭介 1, 仙波 弘樹 1, 王 梦玥 1, 有福 達治 2, 清柳 1. 阪大院工 , 2. 日本化薬 ( 株 )低欠陥カーボンナノチューブ成長量増大効果
典子 2, 小林 慶裕 1
15:30		 11p-W621-8 CVD による CNT 成長過程の反応生成物観察〇増田 秀樹 1, 菊池 優 1, 松尾 奏 1, 藤森 利彦 2, 日方
1. 筑波大数理 , 2. 住友電工
威 2, 大久保 総一郎 2, 伊藤 良一 1, 藤田 淳一 1
15:45		 11p-W621-9 電子線蒸着法によって成膜した Ni 触媒層の膜厚が CNT 〇 (M1) 中本 啓志 1, 森 健斗 1, 關 雅志 2, 李 相錫 1
1. 鳥取大工 , 2. 東芝テック株式会社
成長へ及ぼす影響
1
1
1
1
16:00		 11p-W621-10 Li2C2 を原料とする新規ナノカーボンの合成
小谷 直人 , 田村 貴大 , 柳瀬 隆 , 長浜 太郎 , 〇島田 1. 北大院工敏宏 1
16:15		休憩 /Break
16:30
奨 11p-W621-11 様々な C60 ナノウィスカーの育成と力学的性質〇舟守 勇斗 1, 橘 勝 1
1. 横浜市大生命ナノ16:45		 11p-W621-12 Floating-Bridge 法で合成したカーボンナノチューブ・〇藤森 利彦 1, 松尾 奏 2, 増田 秀樹 2, 大塚 順 1, 谷岡 大 1. 住友電工 , 2. 筑波大数理
ファイバーの配向性評価
輔 1, 日方 威 1, 大久保 総一郎 1, 伊藤 良一 2, 藤田 淳
一2
17:00		 11p-W621-13 紡績可能な細径 CNT 合成に向けた初期成長時の触媒粒子 〇 (D) 井上 寛隆 1, 中川 智広 1, 羽田 真毅 1, 2, 西川 亘 1, 1. 岡大院自然 , 2. 筑波大径制御
山下 善文 1, 林 靖彦 1
17:15
奨 11p-W621-14 浮遊触媒 CVD 法による調理用アルミホイル上への紡績性 〇 (D) 木下 聖也 1, 宮本 将 2, 苅田 基志 2, 中野 貴之 2, 1. 静大創造院 , 2. 静大工
CNT フォレスト合成
井上 翼 2
17:30
奨 11p-W621-15 シリカナノ粒子を混合した CoFe2O4 ナノ粒子 Langmuir- 〇多見谷 修平 1, 佐藤 太河 1, 金杉 治 1, 串田 正人 1, 佐 1. 千葉大院工Blodgett 膜を用いた垂直配向カーボンナノチューブの構 藤 健介 1造制御
17:45		 11p-W621-16 カーボンナノブラシの作製条件の検討：触媒依存性〇弓削 亮太 1, 二瓶 史行 1, 當山 清彦 1, 湯田坂 雅子 2 1.NEC, 2.AIST
18:00
奨 11p-W621-17 プラズマ気相状態制御による (6,4) 単層カーボンナノ〇志摩 拓哉 1, 許 斌 1, 金子 俊郎 1, 加藤 俊顕 1, 2
1. 東北大院工 , 2.JST さきがけ
チューブの高純度化
11
1
2
18:15		 11p-W621-18 長尺・高品質 CNT の合成条件最適化とラマン評価〇 (B) 松尾 奏 , 菊池 優 , 増田 秀樹 , 藤森 利彦 , 大 1. 筑波大数理 , 2. 住友電工
久保 総一郎 2, 日方 威 2, 伊藤 良一 1, 藤田 淳一 1

17.2 グラフェン / Graphene

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology

17.2 グラフェン / Graphene
3/9(Sat.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) W521 会場 (Room W521)
13:45		 9p-W521-1
単層および数層グラフェンの軟 X 線吸収／発光スペクト 〇新部 正人 1, 鈴木 哲 1, 本多 信一 2
1. 兵庫県大高度研 , 2. 兵庫県大院工ル
14:00		 9p-W521-2
Hex-Au(100) 再構成表面上でのグラフェンの電子バンド 〇寺澤 知潮 1, 2, 保田 諭 1, 林 直輝 3, 乗松 航 3, 伊藤 孝 1. 原研先端研 , 2. 東大院新領域 , 3. 名大院工 , 4. 名大 SR
構造の変調
寛 4, 町田 真一 1, 矢野 雅大 1, 斉木 幸一朗 2, 朝岡 秀
セ人1
14:15		 9p-W521-3
回転角度制御したモアレ系二層グラフェンの電子状態〇今村 均 1, 魚谷 亮介 1, 梶原 隆司 1, ビシコフスキー 1. 九大院工 , 2. 東大物性研 , 3. 東工大総理工 , 4. 高エネ研
アントン 1, 飯盛 拓嗣 2, 宮町 俊生 2, 中辻 寛 3, 間瀬 一
彦 4, 小森 文夫 2, 田中 悟 1
14:30
奨 9p-W521-4
ランダム積層グラフェンの量子ホール効果とバンド分散 〇村野 裕一 1, 生嶋 健司 1, 生田 昂 1, 前橋 兼三 1
1. 農工大院工14:45		 9p-W521-5
グラフェンの光熱電効果を用いたサイクロトロン共鳴の 〇木下 圭 1, 守谷 頼 1, 荒井 美穂 1, 増渕 覚 1, 渡邊 賢 1. 東大生研 , 2. 物材機構 , 3.CREST-JST
検出
司 2, 谷口 尚 2, 町田 友樹 1, 3
15:00		 9p-W521-6
ファンデルワールスヘテロ構造内で空間的に隔てられた 〇木下 圭 1, 守谷 頼 1, 増渕 覚 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 1. 東大生研 , 2. 物材機構 , 3.CREST-JST
グラフェン間の熱輸送
町田 友樹 1, 3
15:15
奨 9p-W521-7
Polypropylene carbonate(PPC) を用いた原子層 Dry〇木下 圭 1, 守谷 頼 1, 増渕 覚 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 1. 東大生研 , 2. 物材機構 , 3.CREST-JST
release 転写法による高品質グラフェン /h-BN ファンデル 町田 友樹 1, 3
ワールスヘテロ構造の作製
15:30		 9p-W521-8
六方晶窒硼素のグラフェンへのキャリア蓄積に対する電 〇岡田 晋 1
1. 筑波大数理
界遮蔽効果
15:45		休憩 /Break
16:00
E 9p-W521-9
Berry Curvature Study of hBN-Bilayer Graphene〇 (D)Afsal Kareekunnan1, Manoharan
1.JAIST, 2.Hitachi Camb. Lab.
Heterostructure
Muruganathan1, Hiroshi Mizuta1, 2
16:15		 9p-W521-10 グラフェンテンプレート上に合成した多層グラフェンの 〇根岸 良太 1, 魏 超鵬 1, 小川 友以 2, 赤堀 誠志 3, 谷保 1. 阪大院工 , 2.NTT 物性基礎研 , 3. 北陸先端大
キャリア伝導特性
芳孝 2, 小林 慶裕 1
16:30		 9p-W521-11 ロックイン発熱解析法による CVD グラフェン膜の移動度 〇中島 秀朗 1, 沖川 侑揮 1, 森本 崇宏 1, 生田 美植 1, 山 1. 産総研
低減メカニズムに関する考察
田 貴壽 1, 岡崎 俊也 1
16:45		 9p-W521-12 単層グラフェンのプロトン透過能と電気化学的手法を利 〇保田 諭 1, 田村 和久 2, 矢野 雅大 1, 寺澤 知潮 1, 加藤 1. 原子力機構 先端基礎 , 2. 原子力機構 物質 , 3. 北大院環用したグラフェン - 金属界面への水素ナノバブル形成
優 3, 八木 一三 3, 朝岡 秀人 1
境
17:00		 9p-W521-13 ナノオーダーの周期性を有する 4H-SiC-m 面へのグラ〇魚谷 亮介 1, 今村 均 1, 梶原 隆司 1, ビシコフスキー 1. 九大院工 , 2. 東大物性研
フェンの直接転写
アントン 1, 飯森 拓嗣 2, 小森 文夫 2, 田中 悟 1
17:15
E 9p-W521-14 Electrostatic properties of bilayer graphene nanoribbons 〇 (D)YANLIN GAO1, Susumu Okada1
1.Univ. of Tsukuba
under an external electric field
17:30		 9p-W521-15 窒素ドープグラフェンナノリボンにおける酸素還元反応 〇 (DC) 松山 治薫 1, 五味 駿一 1, 中村 淳 1
1. 電通大院情報理工
17:45		 9p-W521-16 グラフェンナノリボンよりカーボンアトミックチェンへ 〇張 暁賓 1, Muruganathan Manoharan1, 岩下 晋也 1, 1. 北陸先端大 , 2. 日立ケンブリッジ研
1
1, 2
1の形成メカニズム
Schmidt Marek , 水田 博 , 大島 義文
3/10(Sun.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W521 会場 (Room W521)
9:00		 10a-W521-1 化学的ドーピングによるグラフェンガスセンサの高感度 〇田中 貴久 1, 澤田 圭 1, 内田 建 1
1. 慶大理工化
9:15
奨 10a-W521-2 グラフェン FET におけるヒト血清中でのオープンサンド 〇金井 康 1, 2, 大室 有紀 2, 谷奥 正巳 1, 牛場 翔太 3, 小 1. 阪大産研 , 2. 東工大化生研 , 3. 村田製作所
イッチ免疫測定法による低分子ペプチドの検出
野 尭生 1, 井上 恒一 1, 木村 雅彦 3, 上田 宏 2, 松本 和
彦1
9:30
奨 10a-W521-3 グラフェンバイオセンサ実用化にむけた FET 特性ドリフ 〇宮川 成人 1, 品川 歩 1, 牛場 翔太 1, 木村 雅彦 1, 小野 1. 村田製作所 , 2. 阪大産研
トの抑制
尭生 2, 金井 康 2, 井上 恒一 2, 松本 和彦 2
9:45
奨 10a-W521-4 グラフェン FET を用いた ppb 領域メタンチオールガスの 〇坂本 優莉 1, 生田 昂 1, 前橋 兼三 1
1. 東京農工大学
検出
10:00
奨 10a-W521-5 チアカリックスアレーン機能化グラフェン FET による重 〇 (M1) 高桐 佑貴 1, 生田 昂 1, 前橋 兼三 1
1. 東京農工大
金属センサの開発
1
2
2
2
10:15		 10a-W521-6 横型グラフェントンネルダイオードにおけるゲート電界 〇志賀 佳菜子 , 菅原 健太 , 佐藤 昭 , 吹留 博一 , 尾 1. 東北工大 , 2. 東北大通研
効果の解析
辻 泰一 2, 内野 俊 1
10:30		休憩 /Break
10:45		 10a-W521-7 デバイス構造制御によるランダム積層グラフェンデバイ 〇山田 直輝 1, 生田 昂 1, 前橋 兼三 1
1. 東京農工大学
スの輸送特性の評価
1
1
11:00		 10a-W521-8 コンダクティブ AFM を用いたグラフェン /SiC 界面特性 〇藤井 健志 , 瀧川 亜樹
1. 富士電機評価
11:15
奨 10a-W521-9 高オンオフ比グラフェンナノリボントランジスタの集積 〇 (M1C) 小倉 士忠 1, 鈴木 弘朗 1, 金子 俊郎 1, 加藤
1. 東北大院工 , 2. さきがけ
化合成
俊顕 1, 21
2
11:30
E 10a-W521-10 Quantum Dot Formation in Locally Doped Graphene〇 WANG Zhongwang , Jian Sun , Manoharan
1.JAIST, 2.Central South Univ., 3.Hitachi Cambridge
Nano Ribbons
Muruganathan1, Hiroshi Mizuta1, 3
Laboratory
11:45 奨 E 10a-W521-11 Evaluation of IrO2 Activity as an Electrocatalyst for〇 (P)Prerna Joshi1, Hsin-Hui Huang1, Masanori
1.Toyota Techno. Inst.
Oxygen Evolution Reaction by Heteroatom doped
Hara1, Masamichi Yoshimura1
Reduced Graphene Oxide
12:00		 10a-W521-12 ナノ粒子の配列を用いたグラフェンのポーラス化〇米津 明生 1, 古谷 拓己 1
1. 中大理工3/10(Sun.) 13:45 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) W521 会場 (Room W521)
13:45
招 10p-W521-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇深澤 佑介 1, 三好 勇輔 1, 中川 鉄馬 1, 2, 天坂 裕也 1, 1. 慶大理工 , 2.KISTEC, 3. アーヘン工科大 , 4. 九大 ,Si チップ上での高速・高集積グラフェン黒体放射発光素 ロビン レックマン 1, 3, 横井 智哉 1, 河原 憲治 4, 吾郷 5.JST さきがけ子
浩樹 4, 牧 英之 1, 5
14:00
奨 10p-W521-2 電荷注入構造を用いたグラフェン中波長赤外光検出器〇福島 昌一郎 1, 嶋谷 政彰 1, 奥田 聡志 1, 小川 新平 1, 1. 三菱電機 , 2. 阪大産研
金井 康 2, 小野 尭生 2, 井上 恒一 2, 松本 和彦 2
14:15
奨 10p-W521-3 【注目講演】乱層積層グラフェンによる光ゲート型高感度 〇嶋谷 政彰 1, 2, 山田 直輝 2, 福島 昌一郎 1, 奥田 聡
1. 三菱電機株式会社 , 2. 東京農工大
光検出器
志 1, 小川 新平 1, 生田 昂 2, 前橋 兼三 2
1
1
14:30
E 10p-W521-4 Ultraviolet Light Induced Electrical Hysteresis Effect in〇 (D)Ajinkya Ranade , Rakesh Mahyavanshi ,1.Nagoya Inst. of Tech
Graphene-GaN Heterojunction
Pradeep Desai1, Masaki Tanemura1, Golap Kalita1
14:45		 10p-W521-5 液中分散グラフェンを可視化するトワイライト蛍光顕微 石川 裕貴 1, 渡辺 優人 1, 〇佐野 正人 1
1. 山形大院有機材料
鏡のコントラスト機構
1
1
1
15:00		 10p-W521-6 トワイライト蛍光顕微鏡による酸化グラフェン単一片の 金澤 克樹 , 佐藤 光 , 〇佐野 正人
1. 山形大院有機材料
還元反応速度論
15:15		 10p-W521-7 h-BN/ グラフェン界面電子状態のオペランド・ナノ光電 〇鴨川 貴優 1, 水崎 裕太郎 1, Wang Shengnan2, 高村 1. 東北大通研 , 2.NTT 物性研 , 3. 物質・材料研究機構 ,子分光解析
真琴 2, 谷保 芳孝 2, 永村 直佳 3, 4, 尾嶋 正治 5, 吹留 博 4.JST さきがけ , 5. 東大物性研
一1
15:30
奨 10p-W521-8 還元型酸化グラフェン / シリコン複合体を負極材料に用 〇行永 滉平 1, 今榮 一郎 1
1. 広島大院工いたリチウムイオン二次電池の充放電特性
3/11(Mon.) 9:00 - 10:00 口頭講演 (Oral Presentation) W521 会場 (Room W521)
9:00
奨 11a-W521-1 4H-SiC(000-1) 上 TaC 薄膜のグラフェン化〇 (B) 清水 一矢 1, 林 直輝 2, 伊藤 孝寛 3, 乗松 航 2
1. 名大工 , 2. 名大院工 , 3. 名大 SR セ
9:15		 11a-W521-2 ガリウムを触媒とするエタノール雰囲気中でのグラフェ 〇辻 友希 1, 有馬 健太 1, 山村 和也 1, 川合 健太郎 1
1. 大阪大ン膜 CVD17.3 層状物質 / Layered materials
9:30		 11a-W521-3

銅上 CVD グラフェンにおける Ta 誘起局所核生成のメカ
ニズム
9:45		 11a-W521-4 酸化グラフェン修復過程における六方晶窒化ホウ素の触媒作用
17.3 層状物質 / Layered materials
3/11(Mon.) 10:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) W521 会場 (Room W521)
10:00
奨 11a-W521-5 集積化二次元 WS2 の層数制御合成
10:15		 11a-W521-6 出発材料比較による高品質 SnS 薄膜の作製

1. 物材機構 , 2. 豊田工大

〇小幡 誠司 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 塚越 一仁 2, 斉木 1. 東大新領域 , 2. 物材機構
幸一朗 1

〇亀山 智矢 1, 李 超 1, 金子 俊郎 1, 加藤 俊顕 1, 2
1. 東北大院工 , 2.JST さきがけ
〇川元 颯巳 1, 東垂水 直樹 1, 中村 優 2, 若林 克法 3, 長 1. 東大マテリアル , 2.NIMS, 3. 関学

汐 晃輔 1
金属原料を用いた二硫化ハフニウム薄膜の作製 (2)〇小澤 拓真 1, 浦上 法之 1, 2, 橋本 佳男 1, 2
1. 信州大工 , 2. 信大カーボン研
DC バイアス印加した共スパッタ法による Mo1-xWxS2 のコ 〇 (B) 橋本 侑祐 1, 石原 聖也 1, 3, 日比野 祐介 1, 3, 小柳 1. 明治大学 , 2. 東京工業大学 , 3. 学振特別研究員
ンビナトリアル成膜
有矢 1, 山﨑 浩多 1, 小椋 厚志 1, 若林 整 2
11:00
奨 11a-W521-9 共スパッタおよび Te 化による MoS2(1-x)Te2x 混晶作製条件 〇日比野 祐介 1, 4, 石原 聖也 1, 4, 山崎 浩多 1, 小柳 有 1. 明治大 , 2. 東工大 , 3. 気相成長 , 4. 学振特別研究員の最適化
矢 1, 橋本 侑祐 1, 澤本 直美 1, 町田 英明 3, 石川 真人 3,
須藤 弘 3, 若林 整 2, 小椋 厚志 1
11:15		 11a-W521-10 Mo 原料に i-Pr2DADMo(CO)3 を用いた MOCVD MoS2 膜 〇 (B) 山崎 浩多 1, 日比野 祐介 1, 4, 石原 聖也 1, 4, 小柳 1. 明治大 , 2. 東工大 , 3. 気相成長 , 4. 学振特別研究員の異なる成膜条件における膜質の評価
有矢 1, 橋本 侑祐 1, 澤本 直美 1, 町田 英明 3, 石川 真
人 3, 須藤 弘 3, 若林 整 2, 小椋 厚志 1
3/11(Mon.) 13:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) W521 会場 (Room W521)
13:45
招 11p-W521-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇井上 太一 1, 望月 裕太 1, 竹井 邦晴 1, 有江 隆之 1, 秋 1. 大阪府大工
原子膜の積層によるナノ機械共振器の振動制御
田 成司 1
14:00
E 11p-W521-2 Quantum-mechanical effects in atomically thin MoS2 FET 〇 Nan Fang1, Kosuke Nagashio1
1.Tokyo Univ.
14:15		 11p-W521-3 p+-WSe2/MoS2 TFET における MoS2 厚さによるバンドア 〇中村 圭吾 1, 永村 直佳 2, 上野 啓司 3, 谷口 尚 2, 渡邊 1. 東大 , 2. 物材機構 , 3. 埼玉大
2
1
ライメント制御健司 , 長汐 晃輔
14:30		 11p-W521-4 UV-O3 表面酸化による HfS2 MOSFET の性能改善〇張 文倫 1, 金澤 徹 1, 北村 稔 1, 宮本 恭幸 1
1. 東工大14:45		 11p-W521-5 MoS2 単原子層膜における Fröhlich フォノン相互作用での 〇 (B) 石黒 裕暉 1, 吉田 勝尚 2, 佐野 伸行 2
1. 筑波大応理 , 2. 筑波大数理
前方散乱に関する考察
1
1
2
15:00
E 11p-W521-6 Large voltage generator from water movement by〇 (P)Adha Sukma Aji , Ryohei Nishi , Hiroki Ago , 1.Nagoya University, 2.Kyushu University
single-layer MoS2
Yutaka Ohno1
15:15		 11p-W521-7 2 次元半導体 / アミド系分子間における特異的相互作用〇福井 暁人 1, 土方 優 2, Jenny Pirillo2, 一宮 永 1, 吉村 1. 大阪府大工 , 2. 名大 WPI-ITbM, 3. 科学技術振興機構
武 1, 芦田 淳 1, 藤村 紀文 1, 桐谷 乃輔 1, 3
さきがけ
15:30		 11p-W521-8 イオン液体ゲートを用いた遷移金属ダイカルコゲナイド 〇植田 暁子 1, 張 奕勁 2, 3, 佐野 伸行 4, 今村 裕志 1, 岩 1. 産総研 , 2. 大阪大工 , 3. マックスプランク研 , 4. 筑波大
トランジスタにおけるデバイスシミュレータの開発
佐 義宏 5
電物 , 5. 東大工
15:45
E 11p-W521-9 Influence of MoS2/Silicon Interface States on Bias
〇 (D)Pradeep Niwas Desai1, Ajinkya K. Ranade1,
1.Nagoya Institute of Technology
Dependent Photoresponse
Rakesh Mahyavanshi1, Masaki Tanemura1, Golap
Kalita1
16:00		 11p-W521-10 MoS2/Si ヘテロ接合の光起電力ガス応答のメカニズム鵜篭 直也 1, 〇田畑 博史 1, 松山 弘明 1, 久保 理 1, 片山 1. 阪大院工光浩 1
16:15		休憩 /Break
16:30
E 11p-W521-11 Electric barrier performance of monolayer hexagonal〇SHENGNAN WANG1, Hiroki Hibino1, 2, Yoshitaka 1.NTT Basic Research Labs., 2.Kwansei Gakuin Univ.
boron nitride
Taniyasu1
16:45		 11p-W521-12 単層 MoS2/h-BN/Graphite への絶縁膜堆積による界面準 〇豊田 哲史 1, 方 楠 1, 谷口 尚 2, 渡邊 健司 2, 長汐 晃 1. 東大工 , 2. 物材機構
位の増加
輔1
17:00
E 11p-W521-13 Sulfur vacancies degrade interface at valence band side in 〇 Nan Fang1, Kosuke Nagashio1
1.Tokyo Univ.
MoS2 FET
1
1
17:15
奨 11p-W521-14 FET 構造下における MoS2/MoSe2 ヘテロ構造体へのキャ 〇丸山 実那 , 岡田 晋
1. 筑波大数理
リア蓄積
17:30
奨 11p-W521-15 数層 WS2 原子層シートを用いた透明太陽電池の大面積化 〇山口 慶樹 1, 何 杏 1, 大北 若菜 1, 李 超 1, 金子 俊郎 1, 1. 東北大院工 , 2.JST-PRESTO
加藤 俊顕 1, 2
17:45		 11p-W521-16 ミスト CVD により作製した硫化スズ薄膜の特性評価〇 (D) 佐藤 翔太 1, 坂本 雅仁 2, 西 美咲 2, 刘 丽 1, ルト 1. 高知工大院 基盤工 , 2. 知能機械シス工 , 3. 総研
ンジャン ピモンパン 1, 鄧 太 江 3, 川原村 敏幸 1, 2, 3
18:00		 11p-W521-17 遷移金属ダイカルコゲナイドナノチューブの構造と電子 〇大島 駿太郎 1, 豊田 雅之 1, 斎藤 晋 1
1. 東工大理
状態
1
1
18:15
E 11p-W521-18 Determination of intercalated Fe atomic arrangement in 〇 (D)Yi Ling Chiew , Satoshi Abe , Masanobu
1.JAIST
TiS2 layers using transmission electron diffraction
Miyata1, Mikio Koyano1, Yoshifumi Oshima1
3/12(Tue.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) W521 会場 (Room W521)
9:00		 12a-W521-1 分子線エピタキシー法で作製した V セレン化物薄膜の磁 〇中野 匡規 1, 吉田 訓 1, Bahramy Mohammad
1. 東大院工 , 2. 理研 CEMS, 3. 東大物性研
気特性Ⅱ
Saeed1, 2, 王 越 1, 松岡 秀樹 1, 真島 裕貴 1, 小濱 芳允 3,
1
1
1
1, 2
大東 祐汰 , 柏原 悠太 , 坂野 昌人 , 石坂 香子 , 岩
佐 義宏 1, 2
9:15
奨 12a-W521-2 ファンデルワールス界面を利用した 2 次元強磁性体の磁 〇松岡 秀樹 1, 中野 匡規 1, 岩佐 義宏 1, 2
1. 東大院工 , 2. 理研 CEMS
気異方性制御11
11, 2
9:30		 12a-W521-3 TaSe2 エピタキシャル薄膜の MBE 成長と輸送特性〇田中 勇貴 , 松岡 秀樹 , 中野 匡規 , 岩佐 義宏
1. 東大院工 , 2. 理研 CEMS
9:45		 12a-W521-4 誘電体基板を用いた WS2 単層膜のクーロンエンジニアリ 〇梶野 祐人 1, 音 賢一 1, 山田 泰裕 1
1. 千葉大院理ング
10:00
奨 12a-W521-5 単層 / 二層 WS2 における水素発生反応のナノスケール電 〇小川 寛人 1, 熊谷 明哉 2, 1, 遠藤 尚彦 3, 小林 佑 3, 井 1. 東北大環境 , 2. 東北大 AIMR, 3. 首都大東京 , 4. 金沢大
気化学イメージング
田 大貴 1, 高橋 康史 4, 5, 末永 智一 1, 宮田 耕充 3, 珠玖 学 , 5.JST さきがけ
仁1
10:15		 12a-W521-6 UV 光照射に伴う超酸分子処理 MoS2 のフォトルミネッセ 〇山田 悠貴 1, 青木 佑樹 1, 福井 暁人 1, 一宮 永 1, 吉村 1. 大阪府大工 , 2. 京大エネ研 , 3. 科学技術振興機構さきンスの連続的上昇
武 1, 芦田 淳 1, 藤村 紀文 1, 篠北 啓介 2, 松田 一成 2, 桐 がけ
谷 乃輔 1, 3
10:30		 12a-W521-7 単層 WS2–WSe2 面内ヘテロ構造の発光特性〇 (DC) 島崎 雅史 1, 和田 尚樹 2, 宮田 耕充 2, 松田 一 1. 京大エネ理 , 2. 首都大院理
成 1, 宮内 雄平 1
10:45		 12a-W521-8 層状反強磁性体を用いた磁性ヘテロ界面における光物性 〇 (D) 恩河 大 1, 杉田 悠介 1, 井手上 敏也 1, 中川 裕
1. 東大院工 , 2. 理研 CEMS
治 1, 鈴木 龍二 1, 求 幸年 1, 岩佐 義宏 1, 2
1
1
11:00
E 12a-W521-9 Stability of monolayer WSe2 and MoS2 in an aqueous〇 (D)Wenjin Zhang , Kazunari Matsuda , Yuhei
1.Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ.
solution under light irradiation
Miyauchi1
11:15
奨 12a-W521-10 単層カーボンナノチューブの表面吸着による二硫化モリ 〇小山 真莉子 1, 矢野 隆章 1, 原 正彦 1
1. 東工大物質理工
ブデン単層膜の発光特性制御
10:30		 11a-W521-7
10:45
奨 11a-W521-8

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology〇鈴木 誠也 1, 原 正則 2, 吉村 雅満 2

21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"3/9(Sat.) 13:45 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) S011 会場 (Room S011)
13:45
招 9p-S011-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇曲 勇作 1, 濵田 賢一朗 1, 増田 健太郎 1, 古田 守 1, 2 1. 高知工大 , 2. 高知工大総研
Ar+O2+H2 スパッタ In­–Ga–Zn­–O による Schottky ダイ
オード特性向上
14:00		 9p-S011-2
第一原理計算を用いた IGZO 結晶領域の安定性に関する 〇中山 智則 1, 高橋 正弘 1, 金川 朋賢 1, 生内 俊光 1, 岡 1. 半エネ研
解析崎 健一 1, 山﨑 舜平 1
14:15		 9p-S011-3
結晶性 IGZO 膜の構造解析と電気特性〇生内 俊光 1, 保坂 泰靖 1, 岡崎 健一 1, 山﨑 舜平 1
1. 半エネ研
14:30		 9p-S011-4
n-Sn-Zn-O の水素化とポストアニールによる TFT 信頼性 〇柳澤 利樹 1, 染谷 優太 1, 清水 耕作 1
1. 日本大学 生産工
の向上
1
1
1
14:45		 9p-S011-5(001) β -Ga2O3 基板上に形成した NiO 薄膜の結晶配向性 〇中込 真二 , 安田 隆 , 國分 義弘
1. 石巻専修大理工
15:00		 9p-S011-6
反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による p 型〇嶋 紘平 1, 小島 一信 1, 秩父 重英 1
1. 東北大多元研
NiO 薄膜の堆積
15:15
E 9p-S011-7
Growth of Tin Oxide Film with Buffer Layer on Sapphire 〇 Thant Zin Win1, Takumi Furukawa1, Yudai
1.GSST, Kumamoto Univ., 2.Fac. of Eng., Kumamoto
Substrate by Mist Chemical Vapor Deposition
Tanaka1, Koshi Okita1, Koji Sue2, Zenji Yatabe1, 3,
Univ., 3.POIE, Kumamoto Univ., 4.FAST, Kumamoto
Yusui Nakamura1, 4, 5
Univ., 5.Kumamoto Phoenics
15:30		休憩 /Break
15:45		 9p-S011-8
結晶性 IGZO を用いた FET の極小オフリーク電流の起源 〇馬場 晴之 1, 水上 翔太 1, 津田 一樹 1, 越田 樹 1, 山﨑 1. 半エネ研
舜平 1
16:00
E 9p-S011-9
Thermopower modulation clarification of the operating〇 (P)ANUPKUMAR VINODRAY SANCHELA1,
1.RIES-Hokkaido Univ., 2.IST-Hokkaido Univ.
mechanism in wide bandgap BaSnO3 − SrSnO3 solidMian Wei2, Hai Jun Cho1, 2, Hiromichi Ohta1, 2
solution based thin film transistors
16:15		 9p-S011-10 X 線トポグラフによるβ -Ga2O3 基板の転位評価〇中居 克彦 1, 野網 健悟 1, 二木 登史郎 1, 大葉 悦子 2, 1. 日鉄住金テクノロジー, 2. 不二越機械工業 , 3. 信州大
干川 圭吾 3
学
16:30		 9p-S011-11 シンクロトロン X 線トポグラフィーによる垂直ブリッジ 〇桝谷 聡士 1, 佐々木 公平 2, 3, 倉又 朗人 2, 3, 小林 拓 1. 佐賀大院工 , 2. ノベルクリスタルテクノロジー, 3. タマン成長β -Ga2O3 単結晶の欠陥の観察
実 4, 干川 圭吾 5, 上田 修 6, 嘉数 誠 1
ムラ製作所 , 4. 不二越機械工業 , 5. 信州大 , 6. 金沢工大
16:45		 9p-S011-12 HVPE (001) β -Ga2O3 ショットキーバリアダイオードの 〇嘉数 誠 1, 片桐 英鉄 1, 佐々木 公平 2, 川崎 克己 3, 平 1. 佐賀大院工 , 2. ノベルクリスタルテクノロジー, 3.
3
4
2
エミッションスポットと逆方向リーク電流の関係
林 潤 , 山腰 茂伸 , 倉又 朗人
TDK, 4. タムラ製作所
17:00		 9p-S011-13 酸素負イオン照射による錫添加 In2O3 薄膜における広範 〇古林 寛 1, 山本 哲也 1
1. 高知工科大総研
囲キャリア密度制御
3/10(Sun.) 9:00 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) S011 会場 (Room S011)
9:00		 10a-S011-1
ZnO 中の Hot exciton による誘導放出
松崎 涼介 1, 藤井 柊介 1, 辻村 拓哉 1, 安達 裕 2, 〇内野 1. 神戸大 , 2. 物材機構
隆司 1
9:15		 10a-S011-2
ZnO/VZO/ZnO 積層膜の固相成長における V 濃度の配向 〇 (B) 松澤 周平 1, 志藤 健太 2, 岡田 健 2, 川島 知之 2, 1. 東北大工 , 2. 東北大院工性への影響
鷲尾 勝由 2
9:30		 10a-S011-3
ZnO 薄膜への V, N 共添加による可視光吸収制御〇 (B) 星野 光太郎 1, 立山 千聡 2, 岡田 健 2, 川島 知
1. 東北大工 , 2. 東北大院工之 2, 鷲尾 勝由 2
9:45		 10a-S011-4
Pt/MgxZn1-xO/n-ZnO ショットキーフォトダイオードに 〇遠藤 治之 1, 高橋 強 1, 柏葉 安兵衛 2
1. 岩手県工技センタ , 2. 岩手大
おける直列抵抗の評価
10:00		休憩 /Break
10:15		 10a-S011-5
ミスト CVD 法による n 型および p 型 ZnO 成膜への挑戦 〇西 美咲 1, 刘 丽 1, ルトンジャン ピモンパン 1, 佐藤 1. 高知工科大
翔太 1, 上田 真理子 1, 安岡 龍也 1, 長谷川 諒 1, 田頭 侑
貴 1, 尾崎 珠子 1, 鄧 太 江 1, 川原村 敏幸 1
10:30		 10a-S011-6
ミスト CVD 法によるサファイア基板上 a 面及び m 面 ZnO 〇永尾 悠生 1, 田中 雄大 1, 須恵 耕二 4, 永岡 昭二 2, 谷 1. 熊大院自然科学 , 2. 熊本産業技術センター, 3. 熊大院
薄膜結晶の品質向上
田部 然治 1, 3, 中村 有水 1, 5
先導機構 , 4. 熊大工学部 , 5. くまもと有機薄膜センター
10:45		 10a-S011-7
RF スパッタ法を用いた MgZnO の熱処理効果〇久志本 真希 1, 酒井 忠慶 1, 出来 真斗 2, 本田 善
1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 名大高等研究院 , 4. 赤﨑記
央 2, 3, 天野 浩 2, 4
念研究センター
11:00		 10a-S011-8
量子相関光子対発生に向けた ZnO/ZnMgO 多重量子井戸 〇矢野 岳人 1, 松井 裕輝 1, 上向井 正裕 1, 片山 竜二 1 1. 阪大院工
微小共振器の設計
3/11(Mon.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) S011 会場 (Room S011)
9:00		 11a-S011-1
コランダム構造を有する酸化物半導体の第一原理計算に 〇宇野 和行 1, 中村 太紀 1, 田中 一郎 1
1. 和歌山大システム工よる評価
9:15		 11a-S011-2
PAMBE による m 面サファイア基板上α -Ga2O3 の成長〇 (DC) 神野 莉衣奈 1, Cho Yongjin1, Lee Kevin1,
1. コーネル大工
Protasenko Vladimir1, Xing Huili1, Jena Debdeep1
11
11
9:30		 11a-S011-3
ゾーンリファイニング法によるβ -Ga2O3 結晶の高純度化 〇伊藤 利充 , 尾崎 康子 , 富岡 泰秀 , 稲葉 英樹 , 渡 1. 産総研
邊 幸志 1
9:45		 11a-S011-4
化学合成による Ga2O3:Cd ナノ結晶の作製とバンド〇船越 拓哉 1, 築野 晃 2, 大谷 裕之 3, 首藤 健一 1, 2, 向 1. 横浜国大院理工 , 2. 横浜国大院工 , 3. 横浜国大院環情ギャップ制御井 剛輝 1, 2
10:00		 11a-S011-5
FZ 法で作製した beta-Ga2O3 単結晶の輸送特性〇富岡 泰秀 1, 尾崎 康子 1, 稲葉 英樹 1, 伊藤 利充 1
1. 産総研10:15		休憩 /Break
10:30		 11a-S011-6
Sn: β型酸化ガリウムのドーパント局所構造〇三木 一司 1, 八方 直久 2, 木村 耕治 3, 佐々木 公平 4, 1. 兵庫県立大学工 , 2. 広島市立大学 , 3. 名工大 , 4. ノベル
唐 佳藝 1, 縄田 皓太郎 1, 北藤 滉 1, 北村 真也 1, 尾崎 ひ クリスタルテクノロジー, 5.JASRI, 6. タムラ製作所
かる 3, 久常 健太郎 2, 山口 亮太 2, 田尻 寛男 5, 山腰 茂
伸 6, 林 好一 3, 倉又 朗人 4
10:45		 11a-S011-7(GaxIn1-x)2O3 固溶体薄膜における結晶・電子構造の組成・ 〇宝賀 剛 1, 2, 知京 豊裕 2, 長田 貴弘 2
1. 鶴岡高専 , 2. 物質・材料研究機構
基板依存性1
11:00		 11a-S011-8
GaON 薄膜の結晶化〇赤沢 方省1.NTT デバイスイノベーションセンタ
11:15		 11a-S011-9 【注目講演】水素雰囲気異方性熱エッチング (HEATE) 法 〇大江 優輝 1, 生江 祐介 1, 松岡 明裕 1, 川崎 祐生 1, 伊 1. 上智大・理工 , 2. 上智大ナノテクセンター
による (010) 面 b-Ga ₂ O ₃の高アスペクト異方性エッチン 藤 大智 1, 森谷 祐太 1, 富樫 理恵 1, 菊池 昭彦 1, 2
グ
3/11(Mon.) 13:45 - 18:45 口頭講演 (Oral Presentation) S011 会場 (Room S011)
13:45
奨 11p-S011-1 GaCl-O2-N2 系および GaCl3-O2-N2 系によるε -Ga2O3 気 〇佐藤 万由子 1, 竹川 直 1, 村上 尚 1, 熊谷 義直 1
1. 東京農工大院工相成長の比較
14:00		 11p-S011-2 THVPE 法を用いた c 面サファイア基板上酸化ガリウム成 〇竹川 直 1, 佐藤 万由子 1, 村上 尚 1, 熊谷 義直 1
1. 東京農工大院工長における準安定相の相制御
1
1
1
14:15
奨 11p-S011-3 ミスト CVD 法を用いた van der Waals epitaxy によるフレ 〇 (M1) 新田 悠汰 , 田原 大祐 , 西中 浩之 , 吉本 昌 1. 京工繊大
キシブルなε -Ga2O3 薄膜のエピタキシャル成長
広1
14:30
奨 11p-S011-4 半絶縁性中間層によるβ -Ga2O3 ホモエピタキシャル層の 〇斉藤 拓海 1, 若林 諒 1, 李 政洙 1, 亀井 海聖 1, 吉松 公 1. 東工大物質理工学院 , 2. トヨタ自動車 , 3. 元素戦略
界面伝導の抑制平 1, 加渡 幹尚 2, 大友 明 1, 3
14:45
奨 11p-S011-5 パルスエキシマレーザー照射によるβ -Ga2O3 薄膜の室温 〇 (M1) 森田 公之 1, 大賀 友瑛 1, 土嶺 信男 2, 金子
1. 東工大物質理工 , 2. 豊島製作所 , 3. 神奈川県産技総研
固相エピタキシーにおける結晶化過程の評価
智 3, 1, 松田 晃史 1, 吉本 護 1
15:00
奨 11p-S011-6 PLD 法による窒素ドープ酸化ガリウム薄膜の成長と電気 〇李 政洙 1, 若林 諒 1, 斉藤 拓海 1, 吉松 公平 1, 加渡 幹 1. 東工大物質理工学院 , 2. トヨタ自動車 , 3. 元素戦略
特性評価
尚 2, 大友 明 1, 3
15:15		休憩 /Break

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"
15:30

奨 11p-S011-7

15:45

奨 11p-S011-8

16:00

奨 11p-S011-9

16:15

奨 11p-S011-10

16:30

奨 11p-S011-11

16:45

奨 11p-S011-12

17:00		17:15奨 11p-S011-13
17:30

奨 11p-S011-14

17:45

奨 11p-S011-15

18:00

奨 11p-S011-16

18:15

奨 11p-S011-17

18:30

奨 11p-S011-18

3/12(Tue.) 9:30 - 11:30
			 12a-PA3-1
		

奨 12a-PA3-2

		

E 12a-PA3-3

			 12a-PA3-4
			 12a-PA3-5
		

奨 12a-PA3-6

			 12a-PA3-7

			 12a-PA3-8
			 12a-PA3-9
			 12a-PA3-10
			 12a-PA3-11
			 12a-PA3-12
			 12a-PA3-13
			 12a-PA3-14
			 12a-PA3-15
		
E 12a-PA3-16

			 12a-PA3-17
		

奨 12a-PA3-18

			 12a-PA3-19
			 12a-PA3-20
			 12a-PA3-21
			 12a-PA3-22
		

奨 12a-PA3-23

			 12a-PA3-24
		

奨 12a-PA3-25

			 12a-PA3-26

酸化ガリウム結晶における電界変調反射スペクトルの観
測
アモルファス酸化ガリウムへの水素ドープ効果とキャリ
ア輸送特性
アモルファス酸化物半導体 a-GaOx をホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の低温作製〇田中 広也 1, 佐々木 公平 2, 山口 智広 1, 本田 徹 1, 倉 1. 工学院大 , 2. ノベルクリスタルテクノロジー, 3. タム
又 朗人 2, 山腰 茂伸 3, 東脇 正高 4, 尾沼 猛儀 1, 4
ラ製作所 , 4. 情通機構
〇笠井 悠莉華 1, 井手 啓介 1, 片瀬 貴義 1, 平松 秀
1. 東工大フロ研 , 2. 東工大元素
典 1, 2, 細野 秀雄 1, 2, 神谷 利夫 1, 2
〇 (D) 渡邉 脩人 1, 井手 啓介 1, 片瀬 貴義 1, 2, 笹瀬 雅 1. 東工大 フロンティア研 , 2.JST さきがけ , 3. 東工大 元
人 3, 戸田 喜丈 3, 金 正煥 3, 上田 茂典 4, 5, 堀場 弘司 6, 素セ , 4. 物質・材料研究機構 , 5.SPring-8, 6.KEK組頭 広志 6, 平松 秀典 1, 3, 細野 秀雄 1, 3, 神谷 利夫 1, 3
ミスト CVD 法によるα -(InxAl1-x)2O3 の混晶薄膜の結晶成 〇 (D) 田原 大祐 1, 西中 浩之 1, 新田 悠汰 1, 吉本 昌
1. 京工繊大
長
広1
1
2
1
1
岩塩構造 MgZnO/MgO 量子井戸における量子閉じ込め 〇工藤 幹太 , 石井 恭平 , 小野 瑞生 , 藤原 有基 , 金 1. 工学院大 , 2. 京大効果
子 健太郎 2, 山口 智広 1, 本田 徹 1, 藤田 静雄 2, 尾沼 猛
儀1
深紫外透明電極応用に向けた MgZnO 薄膜の吸収端制御 〇酒井 忠慶 1, 久志本 真希 1, 出来 真斗 2, 本田 善
1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 名大高等研究院 , 4. 赤崎記
央 2, 3, 天野 浩 2, 4, 5
念研究センター, 5. 名大 VBL
休憩 /Break
水熱合成単結晶 ZnO 基板の薄膜化プロセスと微小共振器 〇嶋 紘平 1, 小島 一信 1, 秩父 重英 1
1. 東北大多元研
構造への応用
酸化物半導体薄膜の成長および特性に及ぼすポリマー基 〇 (M1) 大賀 友瑛 1, 岩佐 健 1, 山田 志織 1, 金子 智 2, 1, 1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川県産技総研
板表面における原子レベルパターンの影響
松田 晃史 1, 吉本 護 1
WZO/VZO 積層蛍光薄膜の発光特性〇岡本 諒 1, 木村 惇志 1, 岡田 健 1, 川島 知之 1, 鷲尾 勝 1. 東北大院工由1
WO3 固体エレクトロクロミックトランジスタの高速動作 〇小野里 尚記 1, 根津 有希央 1, Cho Hai Jun1, 2, 太田 1. 北大院情報科学 , 2. 北大電子研
裕道 1, 2
CuCrO2 薄膜の抗菌効果の検討〇 (M1) 大野 航太朗 1, 岡田 健 1, 川島 知之 1, 神崎 展 1, 1. 東北大院工
鷲尾 勝由 1C-V 法による InGaZnO-TFT の可動電荷評価〇 (M1) 高橋 崇典 1, 宮永 良子 1, 藤井 茉美 1, 田中 淳 2, 1. 奈良先端大 , 2.Tianma Japan竹知 和重 2, 田邉 浩 2, Bermundo Juan Paolo1, 石河 泰
明 1, 浦岡 行治 1
ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
金属薄膜を堆積したサファイア基板上へのミスト CVD 法 木村 泰己 1, 大橋 紘誠 1, 藤原 健八 1, 山本 幹大 1, 原 和 1. 静岡大工による ZnO 結晶の成長
彦 1, 〇光野 徹也 1
ミスト CVD における酸化亜鉛薄膜形成時の水の効果
ルトンジャン ピモンパン 1, 〇西 美咲 1, 川原村 敏
1. 高知工科大
幸 1, 坂本 雅仁 1, 刘 丽 1, 佐藤 翔太 1, 上田 真理子 1, 安
岡 龍哉 1, 長谷川 諒 1, 尾崎 珠子 1, 鄧 太 江 1
Epitaxial growth of β -Bi2O3 thin films with mist CVD〇 (D)Zaichun Sun1, Daichi Oka1, Tomoteru
1.Dept. Chem., Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR, Tohoku
Fukumura1, 2, 3
Univ., 3.Core Research Cluster, Tohoku Univ.
ミスト CVD 法によるアモルファス Al2O3 薄膜の作製と評 〇 (M1) 西村 和樹 1, 西山 光士 1, 藤元 佑紀 2, 谷田部 1. 熊大院自 , 2. 熊大工 , 3. 熊大院先導 , 4. 熊大院先端 ,価
然治 3, 中村 有水 4, 5
5. くまもと有機薄膜セ
ミスト化学気相成長法による YSZ 基板上でのβ〇廣江 翼 1, 長野 望江 1, 赤岩 和明 1, 阿部 友紀 1, 加渡 1. 鳥取大学 , 2. トヨタ自動車
2
1-Ga2(O1-xSx)3 混晶の作製
幹尚 , 市野 邦男
ミスト CVD 法による c 面 Al2O3 基板への〇米谷 怜 1, 池之上 卓己 2, 三宅 正男 2, 平藤 哲司 2
1. 京大工 , 2. 京大院エネ科
Ni1-XMgXO 薄膜のエピタキシャル成長とバンドギャップ
制御
ミスト CVD 法における原料溶媒が薄膜成長に及ぼす影響 〇坂本 雅仁 1, 安岡 龍哉 1, 西 美咲 1, 刘 丽 1, ルトン
1. 高知工大 , 2. 総研
ジャン ピモンパン 1, 佐藤 翔太 1, 上田 真理子 1, 田頭侑貴 1, 長谷川 諒 1, 尾崎 珠子 1, 鄧 太 江 1, 川原村 敏
幸 1, 2
触媒反応支援 CVD 法における ZnO 膜への NO ドーピン 伊庭 竜太 1, 安達 雄大 1, Abdul Manaf2, 〇安井 寛治 1 1. 長岡技科大 , 2.MJIIT
グ特性
Ag/ZnO 接合の加熱処理における界面電子状態の評価〇山形 栄人 1, 2, 大澤 健男 1, 保坂 拓己 1, 2, Herve
1. 物材機構 , 2. 法政大 , 3.Saint-Gobain Recherche
Montigaud3, 石垣 隆正 2, 大橋 直樹 1
ゾル・ゲルディップ法による NiCdO 薄膜の作成〇安田 隆 1, 山田 恭明 1, 梅津 瑠偉 1
1. 石専大理工
水熱合成 ZnO ナノロッドにおける発光特性の評価〇増澤 聡介 1, 鎌田 憲彦 1, 本多 善太郎 1
1. 埼玉大院理工1
2, 1
第一原理計算による Ga2O3 中の複合欠陥の原子構造と電 〇 (D) 長川 健太 , 白石 賢二
1. 名大院工 , 2. 名大未来研
子状態の解明HVPE 法で結晶成長した Si ドープβ -Ga2O3 ホモエピ膜の 〇中野 由崇 1, 豊留 彬 1
1. 中部大工
欠陥準位評価111
β -Ga2O3 粉末の振動メカニカルミリング処理〇岸村 浩明 , 出口 龍 , 松本 仁
1. 防衛大学校材料
α -Ir2O3 のバンド構造〇太田 優一 1
1. 都産技研
Electrical Properties of In2O3 and ITO Thin Films〇 (DC)Puneet Jain1, Ken-ichi Haga1, Eisuke
1.JAIST
Prepared by Solution Process
Tokumitsu1
using In(acac)3 Precursor
デバイスシミュレーションによる In-Ga-Zn-O/AgxO 接合 〇 (M2) 濱田 賢一朗 1, 曲 勇作 1, 是友 大地 1, 増田 健 1. 高知工大 , 2. 高知工大総研型ショットキーダイオードの特性解析
太郎 1, 古田 守 1, 2
自己組織化単分子膜による InGaZnO/ イオン液体界面反 〇石田 翔麻 1, 藤井 茉美 2, 劉 洋 2, 山田 裕久 1, 石河 泰 1. 奈良高専 , 2. 奈良先端
応の保護作用明 2, 藤田 直幸 1, 浦岡 行治 2
ZnO 系膜における電気特性の添加 Ga 量依存性
〇山田 祐美加 1, 杉浦 怜 2, 松原 國喜 2, 伴 勇翔 2, 舩木 1. 島根大自然 , 2. 島根大総理工修平 1, 山田 容士 1
ZnO ナノ粒子層の低抵抗化のための熱拡散型 Ga ドープ 〇吉田 俊幸 1, Islam Md Maruful2, 藤田 恭久 1
1. 島根大院自然科学 , 2. 島根大院総理工における熱処理雰囲気の影響
1
1
2
1
PLD 法により成膜した ITO 薄膜の熱処理による電気特 〇岩名 祥吾 , 関 蘇軍 , 小室 修二 , 趙 新為
1. 東理大理 , 2. 東洋大理性の評価
プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へ 〇村中 司 1, 小野 裕俊 1, 寺田 佳史 1, 渡辺 三志郎 1, 鍋 1. 山梨大工の GZO 透明導電膜の形成と評価 (3)谷 暢一 1, 松本 俊 1
α -Fe2O3 バッファー層を用いた r 面α -Al2O3 基板上の準 〇島添 和樹 1, 西中 浩之 1, 吉本 昌広 1
1. 京都工繊大
安定相 rh-ITO エピタキシャル薄膜の成長と評価
化学溶液析出法による ZnO ナノロッドの成長及び小原 翔平 1, 難波 優 2, 橋国 直人 2, 〇寺迫 智昭 1, 宮田 1. 愛媛大院理工 , 2. 愛媛大工 , 3. 香川高専 , 4. 高知工科大
PEDOT:PSS との無機 - 有機ハイブリッドヘテロ接合 (II) 晃 2, 矢木 正和 3, 野本 淳一 4, 山本 哲也 4
総研
ワイドギャップ p 型 Sn-Nb-O 系の局所構造と正孔生成と 〇 (DC) 三溝 朱音 1, 2, 菊地 直人 1, 相浦 義弘 1, 西尾
1. 産総研 , 2. 東京理科大
2の相関
圭史
Zn—Al LDH (layered double hydroxide) を用いた色素の 南谷 勇樹 1, 〇安部 功二 1
1. 名工大除去

22.1 合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"

合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
22.1 合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"
3/9(Sat.) 9:30 - 11:30
ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 9a-PA3-1
非晶質酸窒化亜鉛 (a-ZnON) 薄膜の熱電特性〇廣瀬 靖 1, 2, 土井 雅人 1, 重松 圭 2, 3, 掛札 洋平 4, 森			 9a-PA3-2

			 9a-PA3-3

1. 東大院理 , 2.KAST, 3. 東工大フロンティア , 4. 物材機
孝雄 4, 長谷川 哲也 1, 2
構
ＳＥＭ／熱画像カメラを用いた熱伝導率測定のための電 〇池田 浩也 1, Ｐ . バスカラン 1, 2, 太田 裕也 1, 七尾
1. 静岡大 , 2.SRM 科技大 , 3. 早稲田大 , 4. 産総研
1
1
1
3
4
子線照射加熱亮 , 秋葉 孔 , 五井 悠仁 , 富田 基裕 , 松川 貴 , 松木武雄 3, 4, 渡邉 孝信 3, 鈴木 悠平 1, Ｋ . Ｄ . ニーシャ2, 猪
川 洋 1, 下村 勝 1, 村上 健司 1
〇織田 海斗 1, 島 圭佑 1, 富田 基裕 1, 松木 武雄 1, 2, 渡 1. 早大理工 , 2. 産総研

合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"Si ナノワイヤを用いたプレーナ型ユニレグ多段熱電発電
デバイス構造の検討
邉 孝信 1
		
E 9a-PA3-4
Detecting sub-terahertz mechanical oscillations by a GaAs 〇 Ya Zhang1, 2, Shaoqing Du2, Boqi Qiu2, Kazuhiko 1.Tokyo University of Agriculture and Technology,
MEMS thermal sensor
Hirakawa2
2.University of Tokyo			 9a-PA3-5
急速溶融成長法で作製された SiGe ワイヤの熱電特性〇 (M2) 熊田 剛大 1, 中村 俊貴 1, 富田 基裕 1, 中田 壮 1. 早大理工 , 2. 名大院工 , 3. 学振特別研究員 , 4.JST さき
哉 2, 高橋 恒太 2, 3, 黒澤 昌志 2, 4, 渡邉 孝信 1
がけ			 9a-PA3-6
直径分布に依存した半導体性カーボンナノチューブ薄膜 〇幸本 洵一 1, 後藤 千草 1, 河合 壯 1, 野々口 斐之 1, 2
1. 奈良先端大物質 , 2.JST さきがけの熱電特性
			 9a-PA3-7
プレーナ型シリコン熱電発電デバイスの出力の熱伝導層 〇野口 生那 1, 目崎 航平 1, 島 圭佑 1, 姫田 悠矢 1, 武澤 1. 早大理工
膜厚依存性
宏樹 1, 平尾 修平 1, 富田 基裕 1, 渡邉 孝信 1
			 9a-PA3-8
Ag2S 増感型熱利用発電の電池特性に及ぼす支持電解質の 〇 (M1C) 稲川 ゆり 1, 磯部 敏宏 1, 中島 章 1, 松下 祥 1. 東工大材料
影響子1
			 9a-PA3-9
CuFeS2 を用いた増感型熱利用発電電池の検討〇 (B) 関谷 颯人 1, 磯部 敏宏 1, 中島 章 1, 松下 祥子 1 1. 東工大材料
			 9a-PA3-10
増感型熱利用発電の熱力学的描像〇管原 星弥 1, 荒木 拓真 1, 磯部 敏宏 1, 中島 章 1, 松下 1. 東工大物質
祥子 1
3/9(Sat.) 13:45 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) W371 会場 (Room W371)
13:45
奨 9p-W371-1
ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ構造が及 〇 (B) 竹内 悠希 1, 横川 凌 1, 2, 高橋 和也 3, 小森 克彦 3, 1. 明治大理工 , 2. 学振特別研究員 DC, 3. 東京エレクトロ
ぼす熱伝導特性評価
森本 保 3, 澤本 直美 1, 小椋 厚志 1ン テクノロジーソリューションズ ( 株 )14:00
奨 9p-W371-2
ラマン分光法による酸化膜を被覆した Si ナノワイヤ界面 〇横川 凌 1, 2, 富田 基裕 1, 3, 渡邉 孝信 3, 小椋 厚志 1
1. 明治大理工 , 2. 学振特別研究員 DC, 3. 早大理工
近傍の熱伝導特性評価
14:15		 9p-W371-3
温度と組成に依存する Si1-xGex ナノワイヤ中の準弾道的熱 〇岡本 昂 1, 柳澤 亮人 1, マハフーズ アラム 2, 澤野 憲 1. 東大生研 , 2. 東京都市大 , 3. 名古屋大 , 4.JST さきがけ
輸送
太郎 2, 黒澤 昌志 3, 4, 野村 政宏 1
14:30		 9p-W371-4
重元素置換 Fe2VAl 系超格子薄膜でのフォノン散乱〇 (PC)Choi Seongho1, 廣井 慧 2, 犬飼 学 3, Byeon
1. 豊工大 , 2. 物質機構 , 3. 名工大 , 4.JST さきかけ
Dogyun1, 松波 雅治 1, 竹内 恒博 1, 4
1
1
1
14:45
奨 9p-W371-5
ダイヤモンド / 銅の界面熱輸送解析と高熱伝導複合材料 〇 (PC) 許 斌 , 黃 仕偉 , 塩見 淳一郎
1. 東京大学の製作
15:00		休憩 /Break
15:15
奨 9p-W371-6
カルコパイライト CuFeS2 のフォノン輸送解析と微細構造 〇 (P) 佐藤 直大 1, Se Gan Pei1, 2, Vijayaraghavan S.
1. 物材機構 , 2. 筑波大制御
N.1, 掛札 洋平 1, 川本 直幸 1, 辻井 直人 1, 森 孝雄 1, 2
15:30
奨 9p-W371-7
Si ナノピラー構造の間隔制御することによる フォノン場 〇 (PC) 大堀 大介 1, 久保山 英哲 4, 村田 正行 3, 山本 1. 東北大流体研 , 2. 東北大 AIMR, 3. 産総研 , 4. 東理大 ,制御とキャリア輸送特性性に与える影響
淳 3, 野村 政宏 5, 遠藤 和彦 1, 3, 寒川 誠二 1, 2, 3
5. 東大生研
15:45
奨 9p-W371-8
SiGe ナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力 〇 (DC) 坂根 駿也 1, 石部 貴史 1, 藤田 武志 2, 池内 賢 1. 阪大院基礎工 , 2. 高知工科大 , 3. アドバンス理工 , 4. 阪
3
4
4
1
因子の増大
朗 , 鎌倉 良成 , 森 伸也 , 中村 芳明
大院工16:00		 9p-W371-9
局所ゼーベック係数分布計測に向けた温度勾配下におけ 〇宮戸 祐治 1, 小松原 祐樹 1, 石部 貴史 1, 中村 芳明 1 1. 阪大院基礎工
る熱電材料の表面電位分布測定
16:15		 9p-W371-10 単結晶 Bi ワイヤーの作製と４端子物性測定〇長谷川 靖洋 1, 大塚 美緒子 1, 2, 有坂 太一 1, 篠崎
1. 埼大院 , 2. 学振 DC1, 3. 埼玉県産業技セ諒 1, 森田 寛之 1, 3
1, 2
11
16:30		 9p-W371-11 単結晶 Bi ワイヤーの移動度温度依存性〇 (DC) 大塚 美緒子 , 有坂 太一 , 篠崎 諒 , 森田
1. 埼玉大 , 2. 学振 DC1, 3. 埼玉県産技総寛之 1, 3, 長谷川 靖洋 1
16:45		休憩 /Break
17:00		 9p-W371-12 酸化物半導体のプラズモンエンジニアリング：透明反射 〇松井 裕章 1, 田畑 仁 1
1. 東京大工
遮熱断熱に向けた熱評価
17:15		 9p-W371-13 ナノ細線の熱起電力、熱抵抗、電気抵抗を評価するテス 〇 (M1) 五井 悠仁 1, 秋葉 孔 1, 寄神 寿明 1, 佐藤 弘明 1, 1. 静岡大 , 2. 早稲田大 , 3. 産総研
トデバイスの検討
富田 基裕 2, 松川 貴 3, 松木 武雄 2, 3, 池田 浩也 1, 渡邉
孝信 2, 猪川 洋 1
17:30		 9p-W371-14 熱伝導率異方性制御 CNT シートを用いたプレナー型熱電 〇 (M2) 島 圭佑 1, 富田 基裕 1, 松本 昌修 2, 藤ヶ谷 剛 1. 早稲田大学 , 2. 九大院工 , 3.JST- さきがけ
発電デバイスの設計
彦 2, 3, 渡邉 孝信 1
17:45
奨 9p-W371-15 外部電場で制御する熱流スイッチング素子の作製〇 (M1) 松永 卓也 1, 平田 圭佑 1, 松波 雅治 1, 竹内 恒 1. 豊田工大
博1
18:00		 9p-W371-16 Li 挿入による WO3 薄膜の構造及び熱伝導率の変化〇 (M2) 小林 竜大 1, 沈 統 1, 中村 彩乃 1, 原田 俊太 1, 1. 名大院工 , 2. 産総研
田川 美穂 1, 宇治原 徹 1, 2
3/10(Sun.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W371 会場 (Room W371)
9:00		 10a-W371-1 導波路を介したフォノニック結晶キャビティの励振とそ 〇畑中 大樹 1, 山口 浩司 1
1.NTT 物性研の振動特性評価1
1
1
1
9:15		 10a-W371-2 ウェーブマシンにおける 1 次元格子振動の制御〇友田 基信 , 猪野 真大 , 藤田 健太郎 , 松田 理 ,1. 北大工Wright Oliver B.1
9:30		 10a-W371-3 中赤外自由電子レーザーによるダイヤモンドにおける選 〇佐藤 央至 1, 吉田 恭平 2, 全 炳俊 1, 蜂谷 寛 1, 後藤 琢 1. 京都大エ , 2. 熊本産セ , 3. 同志大理
択的格子振動励起
也 3, 佐川 尚 1, 大垣 英明 1
9:45		 10a-W371-4 熱励起電荷を利用した増感型熱利用発電の提唱〇松下 祥子 1, 荒木 拓真 1, 管原 聖弥 1, 稲川 ゆり 1, 関 1. 東工大物質理工学院
谷 颯人 1, 磯部 敏宏 1, 中島 章 1
10:00		 10a-W371-5 Ge 半導体を用いた増感型熱利用発電システムの開発〇 (M2) 荒木 拓真 1, 管原 星弥 1, 関谷 颯人 1, 磯部 敏 1. 東工大材料
宏 1, 中島 章 1, 松下 祥子 1
10:15		休憩 /Break
10:30 奨 E 10a-W371-6 Anomalous Change of Heat Transfer in Sr(Ti,Nb)O3 solid 〇 (D)Yuqiao Zhang1, Hai Jun Cho1, 2, Masashi
1.IST-Hokkaido Unv., 2.RIES-Hokkaido Unv., 3.AIST,
solution
Mikami3, Sungmin Woo4, Myung-Chul Jung5,
4.Sungkyunkwan Univ., 5.KAIST
Woosuck Shin3, Woo Seok Choi4, Myung Joon Han5,
Hiromichi Ohta1, 2
10:45
E 10a-W371-7 Heat conduction in silicon thin film with black silicon〇 (M2)Xin Huang1, Sergei Gluchko1, Roman
1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.JST PRESTO
nanostructures
Anufriev1, Masahiro Nomura1, 2
11:00
E 10a-W371-8 Thermal conductivity measurement of suspended〇 (D)Mayeesha Masrura Haque1, Seiya Kubo1,
1.JAIST, 2.AIST, 3.Hitachi Cam. Labgraphene by heat spreader method.
Manoharan Muruganathan1, Shinichi Ogawa2,
1, 3
Hiroshi Mizuta
11:15
奨 10a-W371-9 単層カーボンナノチューブ水平配向膜の熱伝導異方性評 〇山口 信義 1, 小宅 教文 1, 児玉 高志 1, 小松 夏実 2,
1. 東大院工 , 2. ライス大価
Weilu Gao2, 河野 淳一郎 2, 塩見 淳一郎 1
11:30		 10a-W371-10 フォノンのアンダーソン局在にモード変換が及ぼす効果 〇 (D) 吉弘 達矢 1, 2, 西口 規彦 1
1. 北大工 , 2. 富士フイルム

【CS.8】9.4 熱電変換、12.3 機能材料・萌芽的デバイス、合同セッションＭ「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 9.4 & 12.3 & Joint Session M

合同セッション N「インフォマティクス応用」/ Joint Session N "Informatics"

11:45

奨 10a-W371-11 第一原理計算による高熱伝導率高分子の探索〇 (M2) 内村 慶舟 1, 市場 友宏 2, 前園 涼 2, 本郷 研
1. 北陸先端大マテ , 2. 北陸先端大情報 , 3. 北陸先端大情
太 3, 4, 5
報基盤 , 4. 物材機構 , 5.JST さきがけ
12:00
奨 10a-W371-12 クラスレート化合物の熱伝導特性に及ぼす非調和フォノ 〇大西 正人 1, 只野 央将 2, 常行 真司 1, 塩見 淳一郎 1 1. 東大 , 2. 物材機構
ンの影響
【CS.8】9.4 熱電変換、12.3 機能材料・萌芽的デバイス、合同セッションＭ「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 9.4 & 12.3 & Joint Session M
3/10(Sun.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) W351 会場 (Room W351)
13:45
招 10p-W351-1 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇小矢野 幹夫 1, 浅井 渉 1, 宮田 全展 1, Pham Xuan 1. 北陸先端大「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション Thi1
招待講演」
ナノ構造体におけるフォノン緩和過程と微小熱電発電デ
バイスへの応用
14:30		 10p-W351-2 Si 置換した Fe2VAl エピタキシャル薄膜の熱伝導率〇 (D) 工藤 康平 1, 山田 晋也 1, 2, 近田 尋一朗 1, 嶋貫 1. 阪大基礎工 , 2. 阪大基礎工 CSRN, 3. 名工大雄太 1, 石部 貴史 1, 阿保 智 1, 宮崎 秀俊 3, 西野 洋一 3,
中村 芳明 1, 浜屋 宏平 1, 2
14:45		 10p-W351-3 B ドープ Al 誘起層交換による p 型 Si1-xGex 熱電薄膜の性能 〇辻 美紀江 1, 草野 欽太 1, 末益 崇 1, 都甲 薫 1, 2
1. 筑波大 , 2.JST さきがけ
向上
15:00		休憩 /Break
15:15
招 10p-W351-4 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇宇治原 徹 1, 2
1. 名大未来研 , 2.U-MAP「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション
招待講演」
高熱伝導樹脂を実現する AlN ウィスカーフィラーの開発とベンチャー
16:00		 10p-W351-5 ナノ構造化によるシリコン薄膜の ZT 増強と平面型熱電 〇柳澤 亮人 1, Ruther Patrick2, Paul Oliver2, 野村 政 1. 東大生研 , 2. フライブルク大 , 3.JST さきがけ
デバイス開発宏 1, 3
16:15
奨 10p-W351-6 横型 Si ナノワイヤ熱電変換デバイスにおける SiO2 絶縁膜 〇富田 基裕 1, 松川 貴 2, 松木 武雄 1, 2, 渡邉 孝信 1
1. 早大理工 , 2. 産総研/Si 基板の最適厚さ設計
16:30		休憩 /Break
16:45
招 10p-W351-7 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇竹延 大志 1
1. 名大工「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション
招待講演」
Van der Waals 材料における熱電特性
17:30		 10p-W351-8 有機フォトクロミック分子を用いた高機能太陽光熱貯蓄 〇朝戸 良輔 1, 2, Jan Patrick D C Calupitan3, 中嶋 琢 1. 奈良先端大 , 2.Toulouse Univ., 3.Paris-Saclay Univ.,
燃料の検討
也 1, Jyh-Chiang Jiang4, 河合 壯 1
4. 台湾科技大17:45		 10p-W351-9 セルロースナノペーパーにおける熱拡散性の応力応答〇上谷 幸治郎 1, 井櫻 勝悟 2, 古賀 大尚 1, 能木 雅也 1 1. 阪大産研 , 2. 阪大院工合同セッション N「インフォマティクス応用」/ Joint Session N "Informatics"

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
23.1 合同セッション N「インフォマティクス応用」/ Joint Session N "Informatics"
3/9(Sat.) 9:00 - 12:00
口頭講演 (Oral Presentation) W321 会場 (Room W321)
9:00		 9a-W321-1
合同セッション N「インフォマティクス応用」の開設にあたって
9:15		 9a-W321-2
フォノン物性や電場中の原子ダイナミクスの解析に向けたニューラルネットワークポテンシャルの構築
9:30
奨 9a-W321-3
Au(111)/Li_{3}PO_{4} の界面構造探索に向けたニュー
ラルネットワークポテンシャルの構築
9:45		 9a-W321-4
Si 粒界構造の解析に向けた機械学習型原子間ポテンシャ
ル
10:00		 9a-W321-5
ナイーブベイズを用いた結晶構造中の原子配列最適化
10:15		 9a-W321-6
マテリアルズインフォマティクスを活用した長寿命電池
材料の探索
10:30		休憩 /Break
10:45		 9a-W321-7
マテリアルズイオンフォマティクスから見出されたAE(TM)2Bi2O9 (AE: Ca, Sr, Ba, TM: Nb, Ta) 系酸化物イ〇沓掛 健太朗 1, 知京 豊裕 2, 寺崎 正 3, 辻野 賢治 4, 高 1. 理研 , 2. 物材機構 , 3. 産総研 , 4. 東京女子医大 , 5. 東大 ,橋 竜太 5, 小菅 厚子 6, 宮寺 哲彦 3
6. 大阪府大小倉 正義 1, 守屋 孝紀 1, 李 文文 2, 清水 康司 1, 南谷 英 1. 東大工 , 2. 産総研 CD-FMat, 3. 物材機構 MaDIS

美 1, 〇渡邉 聡 1, 3
〇清水 康司 1, Wei Liu1, Wenwen Li2, 安藤 康伸 2, 南
谷 英美 1, 渡邉 聡 1, 3
〇横井 達矢 1, 野田 祐輔 1, 中村 篤智 1, 松永 克志 1
〇野田 祐輔 , 横井 達矢 , 松永 克志〇吉田 智大 1, 本郷 研太 2, 3, 前園 涼 4, 5
1

1

1

1. 東大工 , 2. 産総研 , 3. 物材機構
1. 名大工1. 名大工1. 住友金属鉱山 , 2. 北陸先端大情報基盤 , 3.JST さきがけ , 4. 北陸先端大情報 , 5. 理研〇田島 伸 1, 大庭 伸子 1, 鈴村 彰敏 1, 増岡 優美 1, 旭 良 1. ㈱豊田中研
司1

オン伝導体の合成と評価
Designing Thermal Functional Materials via Materials〇 (PC)Shenghong Ju1, 2, Junichiro Shiomi1, 2, 3
1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS, 3.CREST
Informatics
1
1
1
1
11:15		 9a-W321-9 【注目講演】第一原理計算と機械学習によるペロブスカイ 〇西山 準二 , 高橋 拓也 , 武田 博明 , 鶴見 敬章 , 保 1. 東工大物質理工
ト型酸化物の強誘電性の予測システムの構築と重要な特 科 拓也 1
徴量の探索
11:30		 9a-W321-10 力場の原子・結合タイプをラベルに用いた化学物質グラ 〇實宝 秀幸 1, 菊地 亮太 1, 松尾 達 1, 福田 大輔 1, 松浦 1. 富士通研
フの機械学習力場の原子・結合タイプをラベルに用いた 東 1, 大淵 真理 1
化学物質グラフの機械学習
11:45
奨 9a-W321-11 機械学習を用いた内殻電子励起スペクトルからの物性予 〇清原 慎 1, 椿 真史 2, 溝口 照康 1
1. 東大生研 , 2. 産総研
測3/9(Sat.) 13:45 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) W321 会場 (Room W321)
13:45		 9p-W321-1
データ相互利用を可能とするデータプラットフォーム技 〇谷藤 幹子 1, 吉川 英樹 1
1. 物材機構術
14:00		 9p-W321-2
分析データ収集における構造化ファイルと変換ツールの 〇鈴木 峰晴 1, 長尾 浩子 1, 渡邉 勝己 2, 佐々木 明登 3, 1. 物材機構 , 2. アルバック・ファイ , 3. リガク
公開
松波 成行 1, 吉川 英樹 1
14:15		 9p-W321-3
マテリアルズ・インフォマティクスのための材料辞書群 〇鈴木 晃 1, 高山 英紀 1, 石井 真史 1
1. 物質材料研究機構の構築
14:30		 9p-W321-4
学術論文からのポリマーの溶解性に関わる溶媒名の自動 〇岡 博之 1, 吉澤 篤志 1, 進藤 裕之 2, 3, 松本 裕治 2, 3, 石 1. 物材機構 , 2. 奈良先端大 , 3. 理研 AIP
抽出
井 真史 1
14:45
奨 9p-W321-5
Doc2Vec を用いた学会発表概要集の検索手法の検討〇 (DC) 石川 晃平 1, 沓掛 健太朗 2, 原田 俊太 1, 3, 田川 1. 名大院工 , 2. 理研 AIP, 3. 名大未来研 , 4. 産総研
美穂 1, 3, 宇治原 徹 1, 3, 4
GaN-OIL
15:00		休憩 /Break
15:15		 9p-W321-6
機械学習による結晶成長シミュレーション回帰モデルの 〇宇治原 徹 1, 2, 3, 角岡 洋介 2, 3, 朱 燦 1, 沓掛 健太朗 4, 1. 名大未来研 , 2. 名大院工 , 3. 産総研 , 4. 理研 AIP, 5. 名構築とその応用
鳴海 大翔 5, 田川 美穂 1, 2, 原田 俊太 1, 2
大 VBL
15:30		 9p-W321-7
SiC 結晶成長シミュレーションの機械学習〇小山 幸典 1, 角岡 洋介 2, 沓掛 健太朗 3, 宇治原 徹 4 1. 物材機構 , 2. 名大院工 , 3. 理研 , 4. 名大 IMaSS
15:45
奨 9p-W321-8
機械学習によって構築した温度分布予測モデルによる熱 〇樋口 雄介 1, 角岡 洋介 1, 2, 沓掛 健太朗 3, 鳴海 大
1. 名大院工 , 2. 産総研 GaN-OIL, 3. 理研 AIP, 4. 名大
伝導率推定
翔 4, 原田 俊太 1, 5, 田川 美穂 1, 2, 宇治原 徹 1, 2, 5
VBL, 5. 名大未来研
16:00
E 9p-W321-9
Combination of Simulations and Data Science〇 (P)Abderahmane BOUCETTA1, Kentaro
1.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 2.
23
to Determine Appropriate Thermocouple Positions in a
KUTSUKAKE , Hiroaki KUDO , Tetsuya
Center for Advanced Intelligence Project, RIKEN, 3.
Crystal Growth Furnace
MATSUMOTO3, Noritaka USAMI1
Graduate School of Informatics, Nagoya Univ.
16:15		休憩 /Break
16:30		 9p-W321-10 畳み込みニューラルネットワークによる二次元 X 線回折 〇石井 真史 1, 小澤 哲也 2
1. 物材機構 , 2. リガク
パターンからの結晶配向度予測
11:00

奨 E 9a-W321-8

【CS.1】3.2 材料・機器光学、12.3 機能材料・萌芽的デバイスのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.2 & 12.3
16:45
奨 9p-W321-11
17:00		 9p-W321-12

X 線回折パターンからの結晶構造予測
放射光Ｘ線回折パターンの特徴抽出と空間マッピング

17:15		 9p-W321-13

ベイズ最適化を用いた有機薄膜のマイクロビーム
GI-WAXS マッピング
機械学習を用いた太陽電池用シリコンのレッドゾーンの効率的推定
口頭講演 (Oral Presentation) W321 会場 (Room W321)
ベイズ統計を用いた客観的な電気化学インピーダンスス
ペクトル解析

17:30

奨 9p-W321-14

3/10(Sun.) 9:00 - 11:45
9:00
奨 10a-W321-1〇鈴木 雄太 1, 2, 日野 英逸 3, 小嗣 真人 1, 小野 寛太 2
1. 理科大基礎工 , 2. 高エネ研 , 3. 統数研〇沓掛 健太朗 1, 神岡 武文 2, 井上 憲一 3, 深見 昌吾 4, 1. 理研 AIP, 2. 明治大 , 3. 名大未来機構 , 4. 名大院工 , 5. 東
宇佐美 徳隆 4, 中原 正博 5, ダムリン マルワン 5, 佐々 洋アルミ , 6. 量研
木 拓生 6, 藤川 誠司 6, 高橋 正光 6
〇丸山 伸伍 1, 大内 華奈 1, 小金澤 智之 2, 松本 祐司 1 1. 東北大院工 , 2. 高輝度光科学研セ〇 (M1) 穂積 祥太 1, 沓掛 健太朗 2, 松井 孝太 2, 竹内一郎 1, 2, 3

1. 名工大院情報 , 2. 理研 AIP, 3. 物材研

CS コードシェアセッション / Code-sharing Session

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
【CS.1】3.2 材料・機器光学、12.3 機能材料・萌芽的デバイスのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.2 & 12.3
3/10(Sun.) 9:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M136 会場 (Room M136)
9:30		 10a-M136-1 液晶リニアフレネルレンズを用いた配光可変デバイス〇樋口 隆信 1, 岩脇 圭介 1, 橋川 広和 1, 吉澤 達矢 1, 吉 1. パイオニア , 2. パイオニア OLED ライティングデバイ
川 高正 1, 三森 歩美 1, 奥山 賢一 2, 梁瀬 智 3, 内田 勝 3 ス , 3. 秋田産技センター
9:45
奨 10a-M136-2 円錐状レンズ特性を有する液晶レンズの光学位相差分布 〇菅原 朋樹 1, 河村 希典 1
1. 秋田大学院理工
(Ⅰ)
1
1
1
10:00
奨 10a-M136-3 宙吊り構造を導入した高分子ベース空間光変調器の大変 〇英 祐輝 , 生田 昂 , 前橋 兼三
1. 農工大院工位・高速動作制御
10:15
奨 10a-M136-4 キラルπ共役ポリマーマイクロ球体共振器からの円偏光 〇大木 理 1, Kulkarni Chidambar2, Meskers Stefan C. 1. 筑波大数理物質 , 2. アンイントホーフェン工科大 ,発光
J2, Meijer E. W2, 佐々木 史雄 3, Lin Zhan-Hong4,
3. 産総研 , 4. ライプニッツ光技術研究所
Huang Jer-Shing4, 山本 洋平 1
1
10:30		 10a-M136-5 発光性液晶の相転移挙動と光学特性〇江良 正直1. 佐大理工10:45		休憩 /Break
11:00		 10a-M136-6 各種液晶におけるフレクソエレクトリック分極の第 2 高 〇城田 幸一郎 1, 荒岡 史人 2, 山形 豊 1, Chen Hui-Yu3 1. 理研光量子 , 2. 理研創発物性 , 3. 国立中興大調波イメージング
11:15		 10a-M136-7 液晶／配向ナノファイバー複合素子を用いた NRD ガイ 〇森武 洋 1, ブイ バン バオ 1, 井上 曜 1
1. 防衛大ド型テラヘルツ波移相器
11:30		 10a-M136-8 高分子分散型液晶を用いた高速スイッチング可能なテラ 〇井上 曜 1, 久保 等 2, 鹿田 建普 1, 森武 洋 1
1. 防衛大学校 , 2. 阪大院工ヘルツ移相器11
1
1
11:45		 10a-M136-9 コレステリック Bragg-Berry 偏向素子のストップバンド 〇尾崎 良太郎 , 橋村 俊祐 , 弓達 新治 , 門脇 一則 , 1. 愛媛大院理工 , 2. 阪大院工の解析
吉田 浩之 2, 尾崎 雅則 2
【CS.2】3.5 レーザー装置・材料と 3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.5 & 3.14
3/10(Sun.) 17:15 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) W834 会場 (Room W834)
17:15		 10p-W834-15 引き上げ法育成β -BaB2O4 単結晶の 266nm 光レーザ照射 〇松倉 誠 1, 田子 毅 1, 笹浦 正弘 1, 廣橋 淳二 1, 古川 保 1. オキサイド
後の透過率評価
典1
17:30		 10p-W834-16 AgGaS2 の高精度セルマイヤー方程式及び熱光学分散式 〇梅村 信弘 1, 岡本 隆幸 2, 三上 拓哉 2, 加藤 洌 1, 2
1. 千歳科技大理工 , 2. 岡本光学加工所
17:45		 10p-W834-17 周期分極反転 LaBGeO5 の擬似位相整合特性
中原 康裕 1, 廣橋 淳二 2, 古川 保典 2, 小田 久哉 1, 〇梅 1. 千歳科技大理工 , 2. 株式会社オキサイド
村 信弘 1
18:00
奨 10p-W834-18 フェムト秒レーザー直描導波路型 PPMgSLT 波長変換素 〇渡邉 俊介 1, 廣橋 淳二 1, 今井 浩一 1, 星 正幸 1, 牧尾 1. 株式会社オキサイド
子開発
諭1
18:15		 10p-W834-19 段差低減 GaAs/AlGaAs 周期空間反転導波路における差周 〇 (M2)WANG SHUMIN1, 松下 智紀 1, 2, 近藤 高
1. 東大工 , 2. 東大先端研
波発生
志 1, 2

CS コードシェアセッション / Code-sharing Session〇 (B) 宮崎 優 1, 安尾 信明 2, 渡邊 佑紀 1, 中山 亮 1, 清 1. 東工大物質理工 , 2. 東工大情報理工 , 3.JST さきがけ ,水 亮太 1, 3, 西尾 和記 1, 安藤 康伸 4, 関嶋 政和 2, 5, 一杉 4. 産総研 , 5. 東工大科創院
太郎 1
9:15		 10a-W321-2 多孔性ゲート電極と固定相材料膜からなる電界効果トラ 〇吉住 年弘 1, 合田 達郎 1, 松元 亮 1, 鷲尾 隆 2, 宮原 裕 1. 東京医科歯科大学生材研 , 2. 大阪大学産研
ンジスタ型センサアレイおよび機械学習による揮発性バ 二 1
イオマーカーのインテリジェントセンシング
9:30
奨 10a-W321-3 プラズマ遺伝子導入法における細胞種毎の最適条件への 〇 (M1) 吉武 卓哉 1, 宮本 展寛 1, 木戸 祐吾 1, 2, 佐藤
1. 愛媛大院理工 , 2. パール工業 , 3. ワイ’ ズ
インフォマティックス的アプローチ
晋 1, 3, 神野 雅文 1
9:45		 10a-W321-4 機械学習を活用したフォトニック結晶共振器の 2 つの〇浅野 卓 1, 高橋 和 2, 野田 進 1
1. 京大院工 , 2. 大阪府立大院工モードの同時最適化
10:00		 10a-W321-5 粒子群最適化を用いた Si フォトニック結晶光偏向器の最 〇白鳥 遼 1, 阿部 遼太郎 1, 武田 太一 1, 中田 雅也 1, 白 1. 横国大院工適化
川 真一 1, 斉藤 翔汰 1, 馬場 俊彦 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 10a-W321-6 機械学習を用いたフォトニック結晶ナノレーザの Q 値向 〇武田 太一 1, 阿部 遼太郎 1, 白鳥 遼 1, 白川 真一 1, 斎 1. 横浜国立大学
上藤 翔太 1, 馬場 俊彦 1
10:45
奨 10a-W321-7 制約付きバッチベイズ最適化を用いた SiC 研削条件の探 〇 (M1C) 長田 圭一 1, 2, 角岡 洋介 1, 2, 3, 成田 潔 4, 小泉 1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 産総研 GaN-OIL, 4. ニー索
晴比古 2, 沓掛 健太朗 5, 原田 俊太 1, 2, 田川 美穂 1, 2, 宇 トレックス , 5. 理研 AIP
治原 徹 1, 2, 3
11:00		 10a-W321-8 大気腐食と気象因子との機械学習による解析〇柳生 進二郎 1, 松波 成行 1, 片山 英樹 1, 篠原 正 1
1. 物材機構
11:15		 10a-W321-9 ニューラルネットワークを用いた色彩情報センサーの補 〇植野 伸哉 1, 2, 酒井 道 2
1. ㈱チェッカーズ , 2. 滋賀県立大工正
11:30
奨 10a-W321-10 当たり確率が変化する多本腕バンディット問題における 〇小田 章裕 1, 巳鼻 孝朋 1, 菅野 円隆 1, 成瀬 誠 2, 内田 1. 埼玉大 , 2. 情報通信研究機構
レーザカオスを用いた強化学習と意思決定
淳史 1
3/11(Mon.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) PA 会場 (Room PA)
			 11a-PA8-1
コンビナトリアル手法による Fe-Co-Cr 三元系合金薄膜の 〇 (M1) 西尾 直 1, 山本 雅大 1, 山口 聖矢 1, 角野 知之 1, 1. 東京理大基礎工 , 2.JASRI
作製と解析
大河内 拓雄 2, 小嗣 真人 1
			 11a-PA8-2
磁気ドットのコンビナトリアル合成と解析〇木村 恵太 1, 西尾 直 1, 沖 直人 1, 山本 雅大 1, 角野 知 1. 東理大基礎工 , 2.JASRI
之 1, 大河内 拓雄 2, 小嗣 真人 1
			 11a-PA8-3
パーシステントホモロジーを用いたネオジム磁石におけ 〇 (B) 寺嶋 悠貴 1, 山田 拓洋 1, 大林 一平 2, 4, 赤木 和 1.Tokyo Univ. of Sci. for Tokyo University of Science,
る熱減磁過程の逆解析
人 2, 3, 平岡 裕章 2, 3, 4, 5, 小嗣 真人 1, 3
2.AIMR Tohoku Univ. for AIMR Tohoku University,
3.MI2I-NIMS, 4.AIP center RIKEN, 5.Kyoto Univ. for
Kyoto University
			 11a-PA8-4
パーシステントホモロジーを用いた磁区構造における保 〇小嗣 真人 1, 3, 山田 拓洋 1, 3, 三俣 千春 3, 上野 哲朗 6, 1. 東京理科大 , 2. 東北大学 AIMR, 3.MI2I-NIMS, 4. 理研
磁力支配因子の逆解析
大林 一平 3, 4, 赤木 和人 2, 3, 平岡 裕章 2, 3, 4, 5
AIP センター, 5. 京都大学 , 6. 量研機構
			 11a-PA8-5
パーシステントホモロジーを用いたスピノーダル分解の 〇青木 宏賢 1, 沖 直人 1, 山田 拓洋 1, 3, 大林 一平 2, 4, 赤 1. 東理大基礎工 , 2. 東北大 AIMR, 3.MI2I-NIMS, 4. 理研
2, 3
3, 4, 5
1, 3
特徴量抽出
木 和人 , 平岡 裕章, 小嗣 真人
AIP, 5. 京都大高等研
			 11a-PA8-6
Multi Phase Field 法とパーシステントホモロジー解析に 〇沖 直人 1, 山田 拓洋 1, 山中 晃徳 2, 大林 一平 3, 平岡 1. 東理大基礎工 , 2. 農工大機シス , 3. 理研 AIP, 4. 京大高よる鉄鋼材料組織の特徴抽出
裕章 4, 3, 5, 赤木 和人 6, 小嗣 真人 1, 5
等研 , 5. 物材研 Mi2i, 6. 東北大 AIMR

CS コードシェアセッション / Code-sharing Session【CS.3】3.11 フォトニック構造・現象、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.11 & 13.6
【CS.3】3.11 フォトニック構造・現象、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.11 & 13.6
3/12(Tue.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
9:00
招 12a-W631-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇太田 竜一 1, 岡本 創 1, 俵 毅彦 1, 2, 後藤 秀樹 1, 山口 1.NTT 物性基礎研 , 2.NTT ナノフォトニクスセンタ
GaAs 機械振動子における束縛励起子の寿命変調
浩司 1
9:15
E 12a-W631-2 Kilohertz coupling rate between mechanical oscillators via 〇 (PC)Feng Tian1, 3, Masato Takiguchi1, 2, Eiichi
1.NTT BRL, 2.NTT NPC, 3.Tokyo Tech
optical cavity resonance
Kuramochi1, 2, Hisashi Sumikura1, 2, Akihiko
Shinya1, 2, Masaya Notomi1, 2, 3
9:30		 12a-W631-3 ナノワイヤ誘起シリコンフォトニック結晶ナノ共振器を 〇滝口 雅人 1, 2, 横尾 篤 1, 2, 舘野 功太 1, 2, 野崎 謙悟 1, 2, 1.NTT NPC, 2.NTT 物性研
使った全光スイッチ佐々木 智 2, Sergent Sylvain1, 2, 倉持 栄一 1, 2, Zhang
Guoqiang1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 納富 雅也 1, 2
9:45
E 12a-W631-4 Dependence of second-harmonic generation efficiency on 〇 (D)Heungjoon Kim1, 2, Takahashi Asano1,
1.Kyoto Univ., 2.Sungkyunkwan Univ.
the Q factor of SiC photonic crystal nanocavities
Bong-Shik Song1, 2, Susumu Noda1
10:00		 12a-W631-5 ゲート制御量子ドット形成用電極を有するフォトニック 〇田尻 武義 1, 車 一宏 1, 酒井 裕司 2, 木山 治樹 2, 大岩 1. 東大生研 , 2. 阪大産研 , 3. ルール大ボーフム , 4. ナノ量
結晶ナノ共振器の作製
顕 2, Ritzmann Julian3, Ludwig Arne3, Wieck Andreas 子機構
D.3, 太田 泰友 4, 荒川 泰彦 4, 岩本 敏 1, 4
10:15
奨 12a-W631-6 シリコン光回路上に集積された複数量子ドット光源の局 〇 (D) 勝見 亮太 1, 3, 太田 泰友 2, 長田 有登 2, 山口 拓 1. 生産研 , 2. ナノ量子 , 3. 物性研
所発光波長制御人 1, 田尻 武義 1, 車 一宏 1, 角田 雅弘 2, 岩本 敏 1, 2, 秋
山 英文 3, 荒川 泰彦 2
10:30		 12a-W631-7 メタマテリアルとシリカコート PbS 量子ドットを組み合 〇 (M1) 杉本 卓也 1, 杉崎 俊太 2, 渡辺 彗 3, 向井 剛
1. 横浜国大院理工 , 2. 横浜国大理工 , 3. 横浜国大院工
わせた光子発生素子
輝 1, 2, 3
10:45		休憩 /Break
11:00
E 12a-W631-8 Spectroscopy of Andreev bound states using microwave〇 Russell Stewart Deacon1, 2, Patrick Zellekens3, Hui 1.Advanced Device Laboratory, RIKEN, 2.CEMS,
resonators
Wang1, Thomas Schapers3, Koji Ishibashi1, 2
RIKEN, 3.Julich, Germany
11:15		 12a-W631-9 GaAs/AlAs 多重量子井戸の励起子ダイナミクスと二次の 〇小島 磨 1, 喜多 隆 1, Hogg Richard2
1. 神戸大院工 , 2. グラスゴー大
非線形光学効果との関係
11:30		 12a-W631-10 GaAs ナノ構造膜における内蔵電場に起因した二種テラヘ 〇長谷川 尊之 1, 奥島 雄大 1, 田中 義人 1
1. 兵庫県立大院物質理
ルツ波放射の共存ダイナミクス
1
2
2
1, 2
11:45
奨 12a-W631-11 リング光共振器を用いた高次ポアンカレビーム生成手法 〇林 文博 , 太田 泰友 , 荒川 泰彦 , 岩本 敏
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構の提案
12:00		 12a-W631-12 フルポアンカレ共振器モードとその光力場の解析〇林 文博 1, 太田 泰友 2, 荒川 泰彦 2, 岩本 敏 1, 2
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
12:15		 12a-W631-13 Maxwell-Chern-Simons ゲージ理論における Casimir 効果 〇北川 均 1
1. 無所属【CS.4】3.15 シリコンフォトニクス、3.16 Optics and Photonics English Session のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 3.15 & 3.16
3/10(Sun.) 9:15 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) W331 会場 (Room W331)
9:15
E 10a-W331-1 Enhanced Ultraviolet Absorption in Graphene based on
Yijun Cai1, Chengying Chen1, 〇 YI CHEN1
1.Xiamen Univ. of technology
Metal-Dielectric-Metal Structure11
9:30
E 10a-W331-2 Numerical analysis of Waveguide coupled graphene〇 (M2)Hanzhi Tang , Shinichi Takagi , Mitsuru
1.Univ. Tokyo
thermal emitter
Takenaka1
9:45
E 10a-W331-3 Quantum-Confined Direct-Gap Optical Absorption in〇 (M1)Kuan-Chih Lin1, Yen-Hsin Lo1, Chi-Wang
1.Nat. Chung Cheng Univ.
Strained GeSn/Ge Multiple-Quantum-Well on Silicon
Im1, Guo-En Chang1
10:00
E 10a-W331-4 Investigation of Si Sidewall Bragg Grating for Hybrid〇 (M2)Moataz Eissa1, Takuya Mitarai1, Fumihitio
1.Titech EEE Dept., 2.Titech FIRST
III-V/SOI DFB Lasers
Tachibana1, Nobuhiko Nishiyama1, 2, Shigehisa
Arai1, 2
10:15 奨 E 10a-W331-5 All-optical serial-to-parallel conversion by nonlinear〇 (M2)Neranjith RanepuraHewage1, Yuya Shoji1,
1.Tokyo Tech.
carrier-dispersion effects in silicon
Tetsuya Mizumoto1
10:30		休憩 /Break
10:45 招 E 10a-W331-6 【Highlight】[INVITED] A Versatile Silicon Photonics〇 Frederic Boeuf1
1.STMicroelectronics, Crolles, France
Platform for Integrated Optics Applications
11:15
E 10a-W331-7 Investigation of Franz-Keldysh effect and carrier depletion 〇 (DC)Qiang Li1, Chong Pei Ho1, Shinichi Takagi1, 1.Univ. of Tokyo
effect in III-V/Si hybrid MOS optical modulator
Mitsuru Takenaka1
11:30
E 10a-W331-8 Investigation of impact of InGaAsP quantum well on the 〇 (M2)Dongsheng Lyu1, Qiang Li1, Shinichi
1.Univ. Tokyo
modulation efficiency of III-V/Si hybrid MOS optical
Takagi1, Mitsuru Takenaka1
modulator
11:45 奨 E 10a-W331-9 Investigation of stress dependence on bonding strength〇 Liu Bai1, Takehiko Kikuchi1, 3, Takuya Mitarai1,
1.Tokyo Tech, 2.IIR, 3.SEI
for III-V/Si chip-on-wafer by plasma activated bonding
Nobuhiko Nishiyama1, 2, Hideki Yagi3, Tomohiro
Amemiya1, 2, Shigehisa Arai1, 2
12:00
E 10a-W331-10 Investigation of InP/Si bonding condition for suppressing 〇 (M2)Yuning Wang1, Takuya Mitarai1, Tomohiro
1.Tokyo Tech, 2.FIRST
degradation of Photoluminescence property using Surface Amemiya1, 2, Nobuhiko Nishiyama1, 2, Shigehisa
1, 2Activated Bonding
Arai【CS.5】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
3/10(Sun.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) W631 会場 (Room W631)
13:45		 10p-W631-1 HfO2 基強誘電体スパッタ薄膜の成長時の酸素分圧が結晶 〇高田 賢志 1, 佐保 勇樹 1, 桐谷 乃輔 1, 吉村 武 1, 芦田 1. 阪府大工
成長・結晶構造に与える影響
淳 1, 藤村 紀文 1
14:00		 10p-W631-2 HfO2 系強誘電体スパッタ薄膜の成長時の酸素分圧が結晶 〇佐保 勇樹 1, 高田 賢志 1, 桐谷 乃輔 1, 吉村 武 1, 芦田 1. 阪府大工
構造・電気特性におよぼす影響
淳 1, 藤村 紀文 1
14:15
E 10p-W631-3 The influence of sputtering condition for ferroelectric〇 MinGee Kim1, Masakazu Kataoka1, Rengie Mark 1.Tokyo Tech.
HfO2 directly deposited on Si(100) by RF magnetron
D. Mailig1, Shun-ichiro Ohmi1
sputtering
14:30		 10p-W631-4 HfO2 薄膜の強誘電相形成におけるドーパントの役割〇森 優樹 1, 西村 知紀 1, 矢嶋 赳彬 1, 右田 真司 2, 鳥海 1. 東大院工 , 2. 産総研
明1
14:45		 10p-W631-5 酸化熱処理による HfO2 強誘電相消失のメカニズム〇矢嶋 赳彬 1, 森 優樹 1, 西村 知紀 1, 鳥海 明 1
1. 東大マテ
15:00		 10p-W631-6 帯電時の斜方晶・単斜晶 HfO2 の安定性：第一原理計算 〇白石 悠人 1, 長澤 立樹 1, 洗平 昌晃 2, 白石 賢二 2, 中 1. 千葉大理 , 2. 名大未来研による検討
山 隆史 1
15:15		休憩 /Break
15:30
招 10p-W631-7 「講演奨励賞受賞記念講演」〇山口 まりな 1, 藤井 章輔 1, 株柳 翔一 1, 上牟田 雄
1. 東芝メモリ
HfO2 強誘電体トンネル接合メモリのサイクル不良メカニ 一 1, 井野 恒洋 1, 中崎 靖 1, 高石 理一郎 1, 市原 玲華 1,
1
ズムの解明
齋藤 真澄
15:45		 10p-W631-8 300 °C 低温形成した HfxZr1 − xO2 薄膜の強誘電性〇女屋 崇 1, 2, 3, 生田目 俊秀 2, 澤本 直美 1, 大井 暁彦 2, 1. 明大 , 2. 物材機構 , 3. 学振特別研究員 DC
池田 直樹 2, 長田 貴弘 2, 小椋 厚志 1
16:00
奨 10p-W631-9 反強誘電体 ZrO2 を有する MIS 構造のユニポーラスイッ 〇 (M2) 多川 友作 1, 更屋 拓哉 1, 平本 俊郎 1, 小林 正 1. 東大生研
チング特性
治1
16:15		 10p-W631-10 強誘電体トランジスタにおいて観察される急峻スロープ 〇右田 真司 1, 太田 裕之 1, 鳥海 明 2
1. 産総研 , 2. 東大院工の起源
16:30 奨 E 10p-W631-11 Polarization Switching as the Cause of Steep Subthreshold 〇 (D)Chengji Jin1, Takuya Saraya1, Toshiro
1.IIS, Univ. of Tokyo
Slope in Ferroelectric FETs
Hiramoto1, Masaharu Kobayashi111
1
1
16:45		 10p-W631-12 TCAD による強誘電体負性容量分極のコヒーレンシーと 〇太田 裕之 , 池上 努 , 福田 浩一 , 服部 淳一 , 浅井 1. 産総研 , 2. 東大
その時間的発展のシミュレーション
栄大 1, 遠藤 和彦 1, 右田 真司 1, 鳥海 明 2

【CS.6】6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

CS コードシェアセッション / Code-sharing Session【CS.6】6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 6.5 & 7.6
3/11(Mon.) 10:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) S224 会場 (Room S224)
10:30		 11a-S224-1
スピン偏極イオン散乱分光法による Ge/Fe(100) 界面の 〇鈴木 拓 1
1. 物材機構解析
10:45		 11a-S224-2
加熱処理による SrTiO3(001) 表面の電子状態変化〇光原 圭 1, 八木 健 1, 柚山 大地 1, 滝沢 優 1
1. 立命館大理工
11:00		 11a-S224-3
リアルタイム光電子分光による水吸着二酸化チタン表面 高柳 周平 1, 〇大野 真也 1, 勝部 大樹 3, 尾島 章輝 3, 前 1. 横国大院工 , 2. 原子力機構 , 3. 阪大基礎工の評価
田 元康 3, 吉田 光 2, 西 静佳 2, 阿部 真之 3
11:15		 11a-S224-4
グラフェンを利用した絶縁体試料の X 線吸収分光と光電 〇鈴木 哲 1, 春山 雄一 1
1. 兵庫県立大高度研
子分光
1
1
1
1
11:30		 11a-S224-5
高エネルギー分解能 REELS 装置を用いた可視から超軟 X 〇原田 善之 , 達 博 , 篠塚 寬志 , 田沼 繁夫 , 吉川 英 1. 物材機構 , 2. 筑波大線帯の酸化鉄の誘電関数評価
樹 1, 柳原 英人 2
11:45		 11a-S224-6
酸素分子解離吸着の立体化学における合金効果 : Cu(110) 〇津田 泰孝 1, 植田 寛和 2, 倉橋 光紀 3, 岡田 美智雄 1, 4 1. 阪大理 , 2. 原子力機構 , 3. 物材機構 , 4. 阪大放射線機構
vs Cu3Au(110)【CS.7】7.4 量子ビーム界面構造計測、9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 7.4 & 9.5
3/10(Sun.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) S423 会場 (Room S423)
9:00		 10a-S423-1
ラボラトリー軟 X 線 XAFS による MgB2 薄膜中の Mg の化 〇柏倉 隆之 1
1. 宇大院工学状態分析
9:15		 10a-S423-2
Au アレイ上増大場の RCWA によるシミュレーション〇鈴木 裕史 1, 工藤 蓮太郎 2
1. 弘前大院 , 2. 弘前大
9:30
奨 10a-S423-3
Ag 形ゼオライトの PL におけるクラスター崩壊時間〇岡 良樹 1, 山内 一真 2, 鈴木 裕史 2, 米谷 陸杜 2, 宮永 1. 弘前大 , 2. 弘前大院
崇史 2
9:45
奨 10a-S423-4
Ag 形ゼオライトの Ag クラスター崩壊過程におけるその 〇 (M1) 山内 一真 1, 鈴木 裕史 1, 米谷 陸人 1, 宮永 崇 1. 弘前大院理工場 PL・XAFS 測定
史1
10:00
奨 10a-S423-5
X 線自由電子レーザーによる時間分解共鳴磁気光学カー 〇山本 航平 1, 2, El Moussaoui Souliman1, 平田 靖
1. 東大物性研 , 2. 東大理 , 3.JASRI, 4. 理研 , 5. 東北大金研
効果測定でみる Co/Pt 薄膜の磁化ダイナミクス
透 1, 2, 山本 達 1, 2, 久保田 雄也 3, 4, 大和田 成起 3, 4, 矢橋
牧名 3, 4, 松田 巌 1, 2, 関 剛斎 5, 高梨 弘毅 5, 和達 大
樹 1, 2
10:15		 10a-S423-6
コバルトフタロシアニンシートの合成と構造〇大倉 秀亮 1, 萩原 政幸 2, 木田 孝則 2, 澤田 祐也 2, 鎌 1. 埼玉大院理工 , 2. 阪大先端強磁場田 憲彦 1, 本多 善太郎 1
10:30		休憩 /Break
10:45		 10a-S423-7
リチウムを挿入した多孔質鉄化合物の磁性〇藤田 恵理子 1, 萩原 政幸 2, 木田 孝則 2, 澤田 祐也 2, 1. 埼玉大院理工 , 2. 阪大先端強磁場
鎌田 憲彦 1, 本多 善太郎 1
11:00		 10a-S423-8
金属ナノ構造担持プロトン伝導体の光応答〇福島 知宏 1, 村越 敬 1
1. 北大院理
11:15		 10a-S423-9
酸化物粒子と EDTA 錯体水溶液スラリー由来の酸化物納 〇齊藤 篤弘 1, 中村 淳 2, 1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
豆型構造体の形態
11:30
E 10a-S423-10 Characteristic Properties of Macrocyclic Functional〇 (DC)Brian Adala Omondi1, Hirotaka Okabe1,
1.Kyushu Univ.
Hydrogels for Selective Heavy Metal Adsorption
Yoshiki Hidaka1, Kazuhiro Hara1
1, 2
2, 1
11:45 奨 E 10a-S423-11 X-ray Standing Wave Imaging and Its Application in〇 (D)Wenyang Zhao , Kenji Sakurai
1.Tsukuba Univ., 2.NIMS
Langmuir-Blodgett Films
3/10(Sun.) 13:30 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) S423 会場 (Room S423)
13:30
招 10p-S423-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇横山 智康 1, 大内 暁 1, 井垣 恵美子 1, 笹川 崇男 2
1. パナソニック ( 株 ), 2. 東工大
第一原理計算と遺伝的アルゴリズムによる有機－無機ハ
イブリッド材料の状態図予測
13:45		 10p-S423-2 第一原理計算による合金 Ge-Sb-Te 相変化メモリの解析〇野原 弘晶 1, 白川 裕規 1, 洗平 昌晃 1, 2, 白石 賢二 1, 2 1. 名大院工 , 2. 名大未来研
14:00		 10p-S423-3 XANAM で観測した Ge 表面上 X 線誘起力場変化の解析〇鈴木 秀士 1, 向井 慎吾 2, 田 旺帝 3, 野村 昌治 4, 朝倉 1. 名大院工 , 2. 北大触媒研 , 3.ICU, 4.KEK-PF
清高 2
14:15		 10p-S423-4 STEM モアレフリンジ法による InP/InGaAs 界面歪み分 〇陳 桐民 1, 大島 義文 1, 赤堀 誠志 1
1. 北陸先端大布計測
14:30		 10p-S423-5 可搬型中性子反射率イメージャーの開発〇桜井 健次 1, 水沢 まり 2, 1, 岩元 めぐみ 1
1. 物材機構 , 2.CROSS
14:45		休憩 /Break1
1
1
2
15:00		 10p-S423-6 逆光電子ホログラフィーを用いた強誘電体酸窒化物の局 〇山本 裕太 , 木村 耕治 , Artoni Ang , 松下 智裕 , 1. 名古屋工業大学 , 2. 高輝度光科学研究センター, 3. 東所構造解析
廣瀬 靖 3, 林 好一 1
京大学
15:15		 10p-S423-7 X 線光電子分光における時空間計測・解析手法の開発〇豊田 智史 1, 梶野 雄太 2, 山本 知樹 2, 首藤 大器 3, 野 1. 京都大学 , 2. 兵庫県大 , 3.SP8 サービス , 4. マツダ ,瀬 惣市 3, 吉村 真史 3, 住田 弘祐 4, 三根生 晋 4, 町田 雅 5. シエンタオミクロン , 6. 原子力機構
武 5, 吉越 章隆 6, 横山 和司 2
15:30
奨 10p-S423-8 室温ハーフメタル Co2TiSn の単結晶育成と物性評価〇小柳 海人 1, 村瀬 正恭 1, 笹川 崇男 1
1. 東工大フロンティア研
15:45		 10p-S423-9 強いスピン軌道相互作用を持つミスフィット層状 Bi 化合 〇 (M2) 竹田 駿 1, 笹川 崇男 1
1. 東工大フロンティア研
物の単結晶育成と超伝導特性評価
16:00		休憩 /Break
16:15		 10p-S423-10 超伝導体 Y2O2Bi における元素置換効果
寺門 恭兵 1, 〇河底 秀幸 1, 松本 倖汰 1, 福村 知昭 1, 2
1. 東北大理 , 2. 東北大 WPI-AIMR & Core Research
Cluster
16:30
奨 10p-S423-11 過剰酸素導入による層状オキシニクタイド化合物〇松本 倖汰 1, 河底 秀幸 1, 福村 知昭 1, 2
1. 東北大理 , 2. 東北大 WPI-AIMR & Core Research
La2O2Bi の高移動度 p 型伝導
Cluster
1
1
16:45
奨 10p-S423-12 2 種類の原子を加えた Honeycomb ナノリボンにおける 2 〇伊藤 蓮 , 近藤 憲治
1. 北大電子研
次元量子スピンホール相の研究
17:00		 10p-S423-13 スピン液体候補物質 OsCl3 の合成と粉末 X 線回折プロ〇高瀬 浩一 1, 出村 郷志 1, 中川 広野 2, 山崎 篤志 2, 森 1. 日大理工 , 2. 甲南大理工 , 3. 広大院理ファイルのその場観察
吉 千佳子 3, 黒岩 芳弘 3
【CS.8】9.4 熱電変換、12.3 機能材料・萌芽的デバイス、合同セッションＭ「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 9.4 & 12.3 & Joint Session M
3/10(Sun.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) W351 会場 (Room W351)
13:45
招 10p-W351-1 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇小矢野 幹夫 1, 浅井 渉 1, 宮田 全展 1, Pham Xuan 1. 北陸先端大「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション Thi1
招待講演」
ナノ構造体におけるフォノン緩和過程と微小熱電発電デ
バイスへの応用
14:30		 10p-W351-2 Si 置換した Fe2VAl エピタキシャル薄膜の熱伝導率〇 (D) 工藤 康平 1, 山田 晋也 1, 2, 近田 尋一朗 1, 嶋貫 1. 阪大基礎工 , 2. 阪大基礎工 CSRN, 3. 名工大雄太 1, 石部 貴史 1, 阿保 智 1, 宮崎 秀俊 3, 西野 洋一 3,
中村 芳明 1, 浜屋 宏平 1, 2
14:45		 10p-W351-3 B ドープ Al 誘起層交換による p 型 Si1-xGex 熱電薄膜の性能 〇辻 美紀江 1, 草野 欽太 1, 末益 崇 1, 都甲 薫 1, 2
1. 筑波大 , 2.JST さきがけ
向上
15:00		休憩 /Break
15:15
招 10p-W351-4 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇宇治原 徹 1, 2
1. 名大未来研 , 2.U-MAP「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション
招待講演」
高熱伝導樹脂を実現する AlN ウィスカーフィラーの開発とベンチャー
16:00		 10p-W351-5 ナノ構造化によるシリコン薄膜の ZT 増強と平面型熱電 〇柳澤 亮人 1, Ruther Patrick2, Paul Oliver2, 野村 政 1. 東大生研 , 2. フライブルク大 , 3.JST さきがけ
デバイス開発宏 1, 3

【CS.9】10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術 , 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術 ,10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 10.1, 10.2, 10.3 & 10.4

CS コードシェアセッション / Code-sharing Session

16:15

奨 10p-W351-6

横型 Si ナノワイヤ熱電変換デバイスにおける SiO2 絶縁膜 〇富田 基裕 1, 松川 貴 2, 松木 武雄 1, 2, 渡邉 孝信 1
1. 早大理工 , 2. 産総研/Si 基板の最適厚さ設計
16:30		休憩 /Break
16:45
招 10p-W351-7 「9.4 熱電変換 , 12.3 機能材料・萌芽的デバイス , 合同Ｍ 〇竹延 大志 1
1. 名大工「フォノンエンジニアリング」のコードシェアセッション
招待講演」
Van der Waals 材料における熱電特性
17:30		 10p-W351-8 有機フォトクロミック分子を用いた高機能太陽光熱貯蓄 〇朝戸 良輔 1, 2, Jan Patrick D C Calupitan3, 中嶋 琢 1. 奈良先端大 , 2.Toulouse Univ., 3.Paris-Saclay Univ.,
燃料の検討
也 1, Jyh-Chiang Jiang4, 河合 壯 1
4. 台湾科技大17:45		 10p-W351-9 セルロースナノペーパーにおける熱拡散性の応力応答〇上谷 幸治郎 1, 井櫻 勝悟 2, 古賀 大尚 1, 能木 雅也 1 1. 阪大産研 , 2. 阪大院工【CS.9】10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術 , 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術 ,10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション / Code-sharing Session of 10.1, 10.2, 10.3 & 10.4
3/11(Mon.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
9:00
E 11a-M101-1 Resistive detection of the Néel temperature of Cr2O3 thin 〇 (M2)Tatsuya Iino1, Takahiro Moriyama1, Hiroyuki 1.ICR, Kyoto Univ., 2.Osaka Univ.
films
Iwaki1, Hikaru Aono2, Yu Shiratsuchi2, Teruo Ono1
9:15
E 11a-M101-2 Spin Hall magnetoresistance in amorphous tungsten/iron- Lukasz Pawliszak1, 2, 〇 Seiji Mitani2, 3, Shinji
1.Warsaw Univ. Tech., 2.NIMS, 3.Univ. Tsukuba, 4.Univ.
silicon alloy bilayers
Isogami2, Masamitsu Hayashi2, 4, Tadeusz Kulik1
Tokyo
9:30
E 11a-M101-3 Spin torque induced by orbital conversion at Cu/Al2O3〇 Junyeon Kim1, Dongwook Go2, Hanshen Tsai3,
1.RIKEN-CEMS, 2.Postech, 3.ISSP, Univ. Tokyo1
2
interface
Kouta Kondou , Hyun-Woo Lee , YoshiChika
Otani1, 3
9:45 奨 E 11a-M101-4 Spin-charge conversion in highly oriented bismuth using 〇 Masayuki Matsushima1, Yuichiro Ando1, Ryo
1.Kyoto Univ., 2.The Univ. of Tokyo, 3.Osaka Univ.
spin-torque ferromagnetic resonanceOhshima1, Sergey Dushenko1, Ei Shigematsu1,
2, 3
1
2, 3
Takeshi Kawabe , Teruya Shinjo , Shinji Miwa ,Masashi Shiraishi1
10:00		 11a-M101-5 高周波誘導起電力測定による半導体 / 磁性体界面におけ 〇重松 英 1, Lukas Liensberger2, Mathias Weiler2, 大 1. 京大院工 , 2.Walther Meissner Institute
るスピン流電流変換物性測定
島 諒 1, 安藤 裕一郎 1, 新庄 輝也 1, Hans Huebl2, 白石
誠司 1
10:15 奨 E 11a-M101-6 An investigation of gate-induced modulation of the〇 Shinichiro Yoshitake1, Masaya Hokazono1, Teruya 1.Kyoto Univ.
inverse spin Hall effect in ultrathin Cu.
Shinjo1, Ryo Oshima1, Yuichiro Ando1, Masashi
Shiraishi1
10:30 奨 E 11a-M101-7 Efficient spin-to-charge current conversion in a
〇 Daisei Araki1, Anh Le Duc1, 2, Shingo Kaneta1,
1.Univ. Tokyo EEIS, 2.Univ. Tokyo IEI, 3.CSRN
La0.67Sr0.33MnO3/LaAlO3/SrTiO3 epitaxial single-crystal
Masaaki Tanaka1, 3, Ohya Shinobu1, 2, 3
heterostructure
10:45		休憩 /Break11:00
E 11a-M101-8 Determination of spin-orbit torque by spin-torqueAtsushi Okada1, 〇 (D)Yutaro Takeuchi1, Kaito
1.Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC,
ferromagnetic resonance free from spin-pumping
Furuya1, Chaoliang Zhang1, 2, 3, 4, Hideo Sato1, 3, 4, 5, 6, Tohoku Univ., 2.FRIS, Tohoku Univ., 3.CSIS, Tohoku
Shunsuke Fukami1, 3, 4, 5, 6, 7, Hideo Ohno1, 3, 4, 5, 6, 7
Univ., 4.CIES, Tohoku Univ., 5.CSRN, Tohoku Univ.,
6.CSIS (CRC), Tohoku Univ., 7.WPI-AIMR, Tohoku
Univ.
1, 4, 5
11:15 奨 E 11a-M101-9 Observation of memristive domain patterns during〇 (P)Aleksandr Kurenkov, Manuel
1.RIEC, Tohoku Univ., 2.ETH Zurich, 3.Diamond Light
spin-orbit torque switching in antiferromagnet/
Baumgartner2, Giacomo Sala2, Gunasheel
Source, 4.CSIS, Tohoku Univ., 5.CSRN, Tohoku Univ.,
ferromagnet heterostructures
Krishnaswamy2, Francesco Maccherozzi3, Shunsuke 6.CIES, Tohoku Univ., 7.WPI-AIMR, TU
Fukami1, 4, 5, 6, 7, Pietro Gambardella2, Hideo
Ohno1, 4, 5, 6, 7
11:30 奨 E 11a-M101-10 Temperature dependence of spin-orbit torques in an〇 (M2)Ryuichi Itoh1, Yutaro Takeuchi1, Samik
1.RIEC, Tohoku Univ., 2.CSIS(Core Research Cluster),antiferromagnet/ferromagnet heterostructure
DuttaGupta1, 2, 3, 4, Shunsuke Fukami1, 2, 3, 4, 5, 6, Hideo Tohoku Univ., 3.CSRN, Tohoku Univ., 4.CSIS, Tohoku
Ohno1, 2, 3, 4, 5, 6
Univ., 5.CIES, Tohoku Univ., 6.WPI-AIMR, Tohoku
Univ.
11:45
E 11a-M101-11 Giant spin-orbit torque and magnetothermal effects in〇 Zhendong Chi1, 2, YongChang Lau1, 2, Masamitsu 1.The Univ. of Tokyo, 2.NIMS
sputtered BiSb/CoFeB bilayers
Hayashi1, 2
3/11(Mon.) 13:15 - 15:00 口頭講演 (Oral Presentation) M101 会場 (Room M101)
13:15 招 E 11p-M101-1 [Young Scientist Presentation Award Speech]〇 Yuki Hibino1, Tomohiro Koyama1, Daichi Chiba1 1.Univ. of Tokyo
Observation of unconventional spin-orbit torque in Py/
Pt/Co tri-layer structure
13:30
E 11p-M101-2 Spin-orbit torque strength and efficiency in a
〇 (D)Miao JIANG1, Hirokatsu Asahara1, Shoichi
1.Univ. of Tokyo, 2.CSRN, 3.Inst. of Engineering
perpendicularly-magnetized ferromagnetic semiconductor Sato1, Toshiki Kanaki1, Hiroki Yamasaki1, Shinobu
Innovation
1, 2, 3
1, 2
GaMnAs single thin film
Ohya
, Masaaki Tanaka
13:45
E 11p-M101-3 Spin-orbit torque in ionic crystal ReOX
〇 Shutaro Karube1, 2, Daichi Sugawara1, Makoto
1.Tohoku Univ. Eng., 2.Tohoku Univ. CSRN, 3.Tohoku
Kohda1, 2, 3, Junsaku Nitta1, 2, 3
Univ. CSIS
14:00		 11p-M101-4 64 素子スピン流型磁気メモリアレイにおける Write〇石谷 優剛 1, 塩川 陽平 1, 小村 英嗣 1, 積田 淳史 1, 須 1.TDK( 株 )1
1
1Endurance 試験
田 慶太 , 柿沼 裕二 , 佐々木 智生
14:15
E 11p-M101-5 Material dependence of the effect of SOT-MRAM read〇 (M1)Keisuke Tabata1, Takayuki Kawahara1
1.Tokyo University of science
disturb reduction method
14:30 奨 E 11p-M101-6 Study on current-induced domain-wall motions of〇 Musashi Shimazaki1, Tatsuro Ohmasa1, Tomoya
1.Nagoya Inst. Tech., 2.Kansai Univ., 3.Toyota Tech.
antiferromagnetically coupled layered magnetic wires with Sakata1, Masaaki Tanaka1, Syuta Honda2, Hiroyuki
Inst.
3
1
various interlayer thickness
Awano , Ko Mibu
14:45 奨 E 11p-M101-7 Static interaction of Skyrmions in magnetic thin-film〇 Chaozhe Liu1, Yuma Jibiki1, Soma Miki1, Jaehun
1.Osaka Univ., 2.CSRN-Osaka, 3.KRISS
circuits patterned by anisotropy undulations
Cho3, Eiichi Tamura1, Minori Goto1, 2, Hikaru
Nomura1, 2, Yoshishige Suzuki1, 2, Ryoichi Nakatani1