シンポジウム / Symposium

シンポジウム（ノンテクニカル）/ Symposium (non-technical)

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
13 半導体 / Semiconductors
T4 次世代テラヘルツ通信に向けた無線・光融合のデバイス・材料技術 / Device and material technologies based on wireless and optics convergence toward next-generation THzcommunication
9/20(Tue.) 13:30 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) C200 会場（Room C200）
13:30		 20p-C200-1 オープニング〇林 喜宏 1
1. 慶應義塾大13:40
招 20p-C200-2 無線・光融合基盤技術の研究開発強化に向けて〇曽根 純一 1
1. 科学技術振興機構
14:10
招 20p-C200-3 Beyond 5G/6G のビジョンとシステム・デバイスへの要 〇下西 英之 1, 2
1. 阪大 , 2.NEC
求
1
14:40
招 20p-C200-4 6G に向けた移動通信システムの進化の方向性と技術コン 〇須山 聡
1.NTT ドコモ
セプト
15:10
招 20p-C200-5 5G・6G を支える光ネットワーク技術の展望と課題〇並木 周 1
1. 産業技術総合研究所
15:40		休憩 /Break1
2
15:50
招 20p-C200-6 低雑音 THz 波検出器：フェルミレベル制御バリアダイ〇伊藤 弘 , 石橋 忠夫
1. 北里大 , 2.Wavepackets
オード
16:20
招 20p-C200-7 テラヘルツシステムの集積化に向けたデバイス回路技術 〇冨士田 誠之 1
1. 阪大基礎工16:50
招 20p-C200-8 メタサーフェスによる極限屈折率材料の発見とテラヘル 〇鈴木 健仁 1
1. 農工大ツフラットオプティクスへの応用
1
17:20
招 20p-C200-9 300 GHz 帯 CMOS トランシーバーとフェイズドアレーア 〇藤島 実
1. 広島大先進理工
ンテナ
17:50
招 20p-C200-10 半導体異種材料集積技術とデバイス応用〇西山 伸彦 1
1. 東工大工18:20		 20p-C200-11 クロージング〇片山 郁文 1, 遠藤 和彦 2
1. 横国大 , 2. 産総研
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials
T5 最先端で活躍するガラスとガラス状態～2022 年国際ガラス年 IYOG 記念シンポジウム～ / New Frontiers on Glasses and Glassy states ~2022 International Glass Year IYOG Memorial
Symposium~
9/20(Tue.) 9:00 - 11:10 口頭講演 (Oral Presentation) B200 会場（Room B200）
9:00		 20a-B200-1 応用物理学会からの挨拶〇平本 俊郎 1
1. 東京大学生産技術研究所
9:10		 20a-B200-2 国際ガラス年 IYOG2022 の紹介〇岸 哲生 1
1. 東京工業大学
9:20		 20a-B200-3 冒頭趣旨説明〇早川 知克 1
1. 名古屋工業大学
9:25
招 20a-B200-4 ガラス転移の理論研究の最近の話題～非線形レオロジー 〇宮崎 州正 1
1. 名古屋大物理を中心にして～1
9:55
招 20a-B200-5 【注目講演】スピングラスから量子アニーリングへ〇西森 秀稔1. 東工大 IRFI
10:40 招 E 20a-B200-6 Quantum critical dynamics in a 5000-qubit〇 Andrew D. King1
1.D-Wave Systems
programmable spin glass using a D-Wave quantum
annealer
9/20(Tue.) 13:30 - 17:35 口頭講演 (Oral Presentation) B200 会場（Room B200）
13:30
招 20p-B200-1 【注目講演】ガラスが織りなす光ネットワーク ー社会課 〇中沢 正隆 1
1. 東北大学 災害研
題と今後の展望・期待ー
14:15
招 20p-B200-2 フォトニックナノ構造で拓く光学の新しい展開〇雨宮 智宏 1, 2, 各務 響 2, 岡田 祥 2, 王 雅慧 2, 西山 伸 1. 東工大未来研 , 2. 東工大院工 , 3. 物材機構
彦 1, 2, 胡 暁 3
14:45
招 20p-B200-3 ナノ多孔質ガラスデバイスの開発と超早期がん診断への 〇湯川 博 1, 2
1. 名大未来社会 , 2.QST 量子生命研
応用
15:30		休憩 /Break
15:45
招 20p-B200-4 レーザーを用いたガラス加工と応用〇杉岡 幸次 1
1. 理研光量子
16:15
招 20p-B200-5 ガラス 3 Ｄプリンティングの進展〇丸尾 昭二 1
1. 横国大院工16:45
招 20p-B200-6 【注目講演】アモルファス酸化物の半導体とその社会実装 〇細野 秀雄 1, 2
1. 東工大元素センター, 2.NIMS MANA
17:30		 20p-B200-7 閉会挨拶
〇早川 知克 1
1. 名古屋工業大学
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
T14 次世代 ICT と未来医療を支える神経科学・神経工学・脳型コンピューティング / Neuroscience, neuroengineering, and neurocomputing for next-generation ICT and medicine
9/20(Tue.) 13:30 - 17:40 口頭講演 (Oral Presentation) A401 会場（Room A401）
13:30		 20p-A401-1 趣旨説明
〇山本 英明 1
1. 東北大通研13:35
招 20p-A401-2 脳 AI 融合プロジェクト〇池谷 裕二 1
1. 東大薬
14:05
招 20p-A401-3 大脳ネットワークの自発的活動とその時空間構造〇松井 鉄平 1, 2
1. 岡大理 , 2.JST さきがけ
1
14:35
招 20p-A401-4 大脳皮質に倣った動的予測符号化ネットワークモデル〇香取 勇一1. 公立はこだて未来大学
15:05		休憩 /Break
15:20
招 20p-A401-5 in vitro 神経活動に基づく化合物の毒性評価〇鈴木 郁郎 1
1. 東北工大
15:50		 20p-A401-6 レーザー摂動による神経細胞ネットワークの操作〇細川 千絵 1
1. 阪公大院理シンポジウム / Symposium

シンポジウム（テクニカル）/ Symposium (technical)

﻿【一般公開】NT2 就活生必見！私は応物で就職を決めました ～ 急成長する半導体業界で働く我々からのメッセージ ～ / Must-see for job hunting students! I have been an engineer thanks to
JSAP - Message from us working in rapidly growing semiconductor industry 9/22(Thu.) 9:40 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A200 会場（Room A200）
9:40		 22a-A200-1 はじめに
〇辰巳 哲也 1, 2, 3
1. 応物 , 2. ソニー, 3. 東工大
9:45
招 22a-A200-2 成長を続ける半導体産業 ー そこで働く意義を考える〇青砥 なほみ 1
1. マイクロンメモリ ジャパン株式会社
10:45
招 22a-A200-3 半導体デバイスメーカーに就職したきっかけ〇西尾 賢哉 1
1. ソニーセミコンダクタソリューションズ
1
10:55
招 22a-A200-4 多様化する半導体プロセス開発と DX（Digital〇横山 喬大1. 東京エレクトロン宮城
Transformation）への取り組み
11:05
招 22a-A200-5 露光ソリューション開発に活きる応物の知恵〇茂泉 純 1
1. キヤノン
11:15
招 22a-A200-6 “なぜ？なに？少年” が歩んだ半導体業界への道〇名和 遼祐 1
1. 日立ハイテク
11:25
招 22a-A200-7 急成長する半導体産業とはかる技術〇浅海 裕一郎 1
1. 堀場エステック
1
11:35
招 22a-A200-8 応物の肩に乗って〇山口 貴大1. ㈱ SCREEN セミコンダクターソリューションズ～応物に導かれた技術者人生、そしてこれから～
11:45
招 22a-A200-9 応物で出会った半導体 ～未知の分野に飛び込んだ私の体 〇中岡 聡 1
1. キオクシア
験談～
1, 2, 3
11:55		 22a-A200-10 閉会挨拶
〇渡部 潔
1.SEAJ, 2. 応物学会 , 3. 実装学会
【一般公開】NT1 人を拡張する新しいインターフェースの最前線 / New Interfaces for Human Augmentation
9/23(Fri.) 13:30 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) A200 会場（Room A200）
13:30		 23p-A200-1 シンポジウムの概要と狙い〇佐竹 徹也 1
1. 三菱電機先端総研
13:40
招 23p-A200-2 ウェルビーイングを支える人間拡張〇持丸 正明 1
1. 産総研1
14:20
招 23p-A200-3 サイバネティック・アバターによる身体経験の共有と拡 〇南澤 孝太
1. 慶大 KMD
張14:50
招 23p-A200-4 人を目指す触覚センサの研究動向〇野間 春生 1
1. 立命館大学
15:20		休憩 /Break1
15:30
招 23p-A200-5 味覚の共有 (TBD)〇榊 良祐
1.OPEN MEALS
16:00
招 23p-A200-6 錯覚と身体性がもたらす身体意識の境界線〇前田 太郎 1, 2
1. 阪大情報科学 , 2.CiNet, NICT

シンポジウム / Symposium
16:05		 20p-A401-7

スパイキングニューラルネットワークへの応用に向けた
不揮発性トンネル FET メモリによるスパイクタイミング
依存シナプス可塑性の実現
16:20		休憩 /Break
16:35		 20p-A401-8 【注目講演】脳表血流・蛍光観察用ヘッドマウント
CMOS イメージングデバイス
16:50
招 20p-A401-9 神経回路を創出するための基盤技術開発

シンポジウム / Symposium﻿

17:20		 20p-A401-10 モジュール構造型人工神経細胞回路の摂動応答特性〇木野 久志 1, 福島 誉史 1, 2, 田中 徹 1, 2

1. 東北大院医工 , 2. 東北大院工〇春田 牧人 1, Guinto Mark1, 太田 安美 1, 河原 麻実

1. 奈良先端大 , 2. 九大
子 1, 竹原 浩成 1, 田代 洋行 1, 2, 笹川 清隆 1, 太田 淳 1〇正水 芳人 1, 蝦名 鉄平 2, 田中 康裕 3, 根岸 みどり 4, 1. 同志社大・院脳研 , 2. 東京大・院医 , 3. 玉川大・院脳研 ,尾上 弘晃 5, 竹内 昌治 6, 松崎 政紀 2, 7
4. 武蔵野大・薬 , 5. 慶応大・院理工 , 6. 東京大・院情報
理工 , 7. 理研・CBS
1
1, 2
1, 2
3
〇山本 英明 , 竹室 汰貴 , 住 拓磨 , 金野 智浩 ,1. 東北大通研 , 2. 東北大院医工 , 3. 東北大院薬 , 4. バルセ
Soriano Jordi4, 平野 愛弓 1, 2, 5
ロナ大 , 5. 東北大 AIMR
〇細川 千絵 1
1. 阪公大院理17:35		 20p-A401-11 閉会挨拶
13 半導体 / Semiconductors【現地会場のみでの開催】T15 ヘテロ材料が拓く新機能 / Innovative Properties Brought by Hetero-structure Materials
9/20(Tue.) 10:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
10:00		 20a-A307-1 ヘテロ材料が拓く新機能 はじめに
〇今泉 充 1
1. 宇宙機構
10:15
招 20a-A307-2 Ge 基板上３接合型太陽電池におけるヘテロ材料技術〇高本 達也 1, 今泉 充 2, 山口 真史 3
1. シャープ , 2.JAXA, 3. 豊田工大
10:45		 20a-A307-3 ヘテロ pn 接合による太陽電池効率と耐放射線性の向上〇中村 徹哉 1, 今泉 充 1, 浅見 明太 2, ヤンワチラーク 1. 宇宙機構 , 2. 東大工 , 3. 東大先端研 , 4. 東大物性研 ,2
34, 5
ン ワラーコン , 杉山 正和 , 秋山 英文 , 岡田 至
5.OPERANDO-OIL, 6. 量研
崇 3, 佐藤 真一郎 6, 大島 武 6
11:00
招 20a-A307-4 スマートスタックによる異種材料接合技術の開発〇牧田 紀久夫 1, 水野 英範 1, 上川 由紀子 1, 大島 隆
1. 産総研治 1, 庄司 靖 1, 石塚 尚吾 1, 菅谷 武芳 1
9/20(Tue.) 13:00 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
13:00
招 20p-A307-1 磁性体ヘテロ構造の創製と機能探索〇三谷 誠司 1
1. 物材機構
13:30
招 20p-A307-2 磁性材料薄膜ヘテロ接合：超薄膜ヘテロ接合と磁気輸送 〇葛西 伸哉 1
1. 物材機構
物性14:00
招 20p-A307-3 金属―誘電体積層構造を用いた高温フォトニクス技術〇清水 信 1, 湯上 浩雄 1
1. 東北大工14:30
E 20p-A307-4 Design of Metal-Insulator-Metal Diodes for Optical〇 (DC)Zhen Liu1, Makoto Shimizu1, Kazuma
1.Tohoku Univ.
Rectennas Operating at Various Wavelengths
Kakuta1, Hiroo Yugami1
14:45		休憩 /Break
15:00
招 20p-A307-5 希薄窒化物半導体を用いた格子整合系 III-V/Si ヘテロエピ 〇山根 啓輔 1, 若原 昭浩 1
1. 豊橋技科大工
タキシーと太陽電池応用
11
12
15:30		 20p-A307-6 【注目講演】希薄窒化物結晶の結合状態制御に向けた〇平井 健登 , 山根 啓輔 , 若原 昭浩 , 大島 武 , 中村 1. 豊橋技科大 , 2. 量研 , 3. 宇宙研
GaPN 混晶への電子線照射試験
徹哉 3, 今泉 充 3
15:45		 20p-A307-7 Ⅲ -V/Si 太陽電池応用に向けた GaPN 混晶のアンチモン 〇彦坂 昌志 1, 若原 昭浩 1, 山根 啓輔 1
1. 豊橋技科大工
サーファクタント媒介成長
1
16:00
招 20p-A307-8 多接合太陽電池を用いた集光発電のマイクロ化と多機能 〇山田 昇
1. 長岡技術科学大学
化
16:30
奨 20p-A307-9 自動車搭載向け LCPV/LSC-PV スタック太陽電池の開発 〇佐藤 大輔 1, 富澤 亮太 2, 増田 泰造 2, 3, 奥村 健一 2, 1. 長岡技科大 , 2. トヨタ自動車 , 3. 電通大
山田 昇 116 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials
T20 エネルギーハーベスティングの新展開 / Recent Progress of Energy Harvesting
9/20(Tue.) 9:45 - 12:05 口頭講演 (Oral Presentation) B102 会場（Room B102）
9:45		 20a-B102-1 オープニング〇鈴木 雄二 1
1. 東大工9:50
招 20a-B102-2 セラミックエレクトレットの創成そのデバイス応用〇田中 優実 1, 加納 一彦 2
1. 東理大工 , 2.（株）デンソー
11
1
10:20		 20a-B102-3 負の復元力による手首装着用回転型エレクトレット発電 〇三好 智也 , 森 拓真 , 鈴木 雄二
1. 東京大学
機の広帯域化
10:35
E 20a-B102-4 Investigation of piezoelectric vibration energy harvesting 〇 (D)Aphayvong Sengsavang1, Shuichi Murakami2, 1.Osaka Met. Univ, 2.ORISTwith an auxiliary bistable oscillator under impulsive force Norifumi Fujimura1, Takeshi Yoshimura1
10:50		休憩 /Break11:05
招 20a-B102-5 スマートメカトロニクスを利用した振動発電素子の開発 〇小野 新平 1, 山根 大輔 2, 矢嶋 赳彬 3, 中嶋 宇史 4, 田 1. 電中研 , 2. 立命館大 , 3. 九大 , 4. 東理大 , 5. 群馬大
中 有弥 5
11:35		 20a-B102-6 磁歪材料の磁化状態変化に伴う磁歪式振動発電素子の共 〇伊藤 雅彦 1, 小野 新平 1
1. 電中研
振周波数変化1
1
1
11:50
奨 20a-B102-7 絶縁体挿入による自己組織化エレクトレット型振動発電 〇 (M1) 栗原 啓輔 , 栢口 英之 , 松浦 寛恭 , 石井 久 1. 千葉大院融合 , 2. 千葉大先進 , 3. 千葉大 MCRC, 4. 群馬
素子の光照射に対する安定性の向上
夫 1, 2, 3, 田中 有弥 4
大院理工9/20(Tue.) 13:30 - 16:50 口頭講演 (Oral Presentation) B102 会場（Room B102）
13:30
招 20p-B102-1 スピンカロリトロニクスによるエネルギーハーベスティ 〇内田 健一 1, 2
1. 物材機構 , 2. 東北大金研
ング
1, 2
14:00
招 20p-B102-2 バンド伝導性有機半導体の熱電特性〇岡本 敏宏1. 東大院新領域 , 2.SU-CREST, JST
14:30
招 20p-B102-3 低熱伝導率材料を用いた熱電モジュール〇李 哲虎 1
1. 産総研15:00		休憩 /Break
15:15
招 20p-B102-4 フレキシブル熱電発電モジュール「フレキーナⓇ」搭載 〇南部 修太郎 1, 岡嶋 道生 1
1.E サーモ
自立電源の開発例と将来展望
15:45
招 20p-B102-5 固体型色素増感太陽電池の環境センシングデバイス電源 〇田中 裕二 1
1. ㈱リコー RFS EH 事 C
への応用
16:15
招 20p-B102-6 RF エネルギーハーベスティング技術と IoT 応用の新展開 〇石橋 孝一郎 1, 井田 次郎 2, 柳谷 隆彦 3, 平山 裕 4, 伊 1. 電通大 , 2. 金沢工大 , 3. 早大 , 4. 名工大東 健治 2, 牧野 滋 2, 石川 亮 1, 範 公可 1, 石橋 功至 1
16:45		 20p-B102-7 クロージング：エネルギーハーベスティングと社会的選 〇秋永 広幸 1
1. 産総研択
17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology
T22 六方晶窒化ホウ素の新機能の発見から現在まで～研究の現状と展望、応用可能性～ / Past, current, and future of hexagonal BN
9/20(Tue.) 13:30 - 18:10 口頭講演 (Oral Presentation) A200 会場（Room A200）
13:30		 20p-A200-1 オープニング〇守谷 頼 1
1. 東大生研
13:35
招 20p-A200-2 六方晶窒化ホウ素のバルク結晶成長〇谷口 尚 1
1. 物質・材料研究機構
14:05
招 20p-A200-3 六方晶窒化ホウ素の高電界下における電気伝導と絶縁破 〇服部 吉晃 1
1. 神戸大院工壊
1
2
11
14:35		 20p-A200-4 グラフェン量子輸送特性を通した h-BN 結晶評価
〇小野寺 桃子 , 渡邊 賢司 , 諫山 都子 , 増渕 覚 , 守 1. 東大生研 , 2. 物材機構 , 3. 東工大
谷 頼 1, 芳賀 太史 3, 谷口 尚 2, 1, 斎藤 晋 3, 町田 友樹 1
14:50		休憩 /Break
15:05
招 20p-A200-5 六方晶窒化ホウ素のダイヤモンド電界効果トランジスタ 〇山口 尚秀 1, 2
1. 物材機構 , 2. 筑波大
への応用
15:35
招 20p-A200-6 2.5 次元物質科学に向けた六方晶窒化ホウ素の光学特性と 〇渡邊 賢司 1, 谷口 尚 2
1. 物材機構 , 2. 物材機構 MANA
その応用
16:05
招 20p-A200-7 六方晶窒化ホウ素欠陥中心の単一光子源応用髙島 秀聡 1, 田嶌 俊之 1, Schell W. Andreas2, 3, Tran 1. 京大院工 , 2. ハノーファー大 , 3. 独国物理工学研究所 ,T. Toan4, Aharonovich Igor4, 〇竹内 繁樹 1
4. シドニー工科大16:35		休憩 /Breakシンポジウム / Symposium
16:50
招 20p-A200-8
17:20		 20p-A200-9﻿
シンポジウム / SymposiumhBN/ グラフェンモアレ超格子の量子輸送〇岩﨑 拓哉 1
1. 物材機構
グラフェン /C-doped h-BN 接合での欠陥アシストトンネ 〇瀬尾 優太 1, 辻 悠基 1, 小野寺 桃子 1, 張 奕勁 1, 増渕 1. 東大生研 , 2. 物材機構 , 3.CREST-JSTル
覚 1, 守谷 頼 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 1, 2, 町田 友樹 1, 3
17:35
招 20p-A200-10 半導体二層モアレ格子系における hBN を活用した物性探 〇島崎 佑也 1
1. 理研 CEMS
索1
18:05		 20p-A200-11 クロージング〇森山 悟士
1. 東京電機大工
フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」/ Focused Session "AI Electronics"
T25 インマテリアル AI コンピューティング / In-materio AI computing
9/20(Tue.) 13:30 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) M206 会場（Room M206）
13:30		 20p-M206-1 イントロダクトリートーク：インマテリアル AI コン〇松本 卓也 1
1. 阪大理ピューティング
13:45		 20p-M206-2 分子ネットワークに内在する電子物性を用いた神経型計 〇松本 卓也 1
1. 阪大理算
14:00
招 20p-M206-3 マルチダイナミクスを用いた脳型情報処理〇長谷川 剛 1
1. 早大先進理工
14:30		 20p-M206-4 アモルファス TaOx が示す抵抗変化現象の確率過程性に対 〇福地 厚 1, 片瀬 貴義 2, 太田 裕道 3, 有田 正志 1, 高橋 1. 北大院情報 , 2. 東工大フロ研 , 3. 北大電子研する相構造の影響の観測
庸夫 1
14:45
招 20p-M206-5 イオニクス応答を利用した有機ニューロモルフィックデ 〇赤井 恵 1, 2
1. 阪大理 , 2. 北大情
バイス
1
15:15
招 20p-M206-6 生体の神経ネットワークを用いるリザバー計算〇高橋 宏知1. 東大情理
15:45		休憩 /Break
16:00
招 20p-M206-7 電子アメーバにみる身体ダイナミクスと計算能力の関係 〇葛西 誠也 1
1. 北大量集センタ
16:30
招 20p-M206-8 物理リザバー計算のための新しい学習手法について〇中嶋 浩平 1
1. 東京大学大学院情報理工学系研究科
17:00
招 20p-M206-9 カオスニューラルネットワークリザバー: ダイナミクス、 〇堀尾 喜彦 1
1. 東北大実装、応用
17:30
招 20p-M206-10 化学ダイナミクスを持つナノ粒子のランダムネットワー 〇田中 啓文 1, 2
1. 九工大生命体工 , 2. 九工大 Neumorph センター
クを用いたリザバー演算とロボット応用
18:00		 20p-M206-11 クロージングリマーク：インマテリアル AI コンピュー〇田中 啓文 1, 2
1. 九工大生命体工 , 2. 九工大 Neumorph センターティング
1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology
T1 未利用エネルギーと応用物理への期待 / Expectations for applied physics for the utilization of unused energy
9/21(Wed.) 13:30 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) C200 会場（Room C200）
13:30
招 21p-C200-1 コージェネレーションと熱駆動ヒートポンプによる排熱 〇秋澤 淳 1
1. 東京農工大
利用
14:00
招 21p-C200-2 熱音響現象の概要と工場廃熱を利用した熱動作・熱音響 〇長谷川 真也 1, 千賀 麻利子 1, 深谷 典之 2
1. 東海大 , 2. 中央精機㈱
冷却機の紹介14:30
招 21p-C200-3 200℃以下の未利用熱の利用法：半導体増感型熱利用発 〇松下 祥子 1
1. 東工大物質
電
15:00		休憩 /Break
15:15
招 21p-C200-4 海洋深層水の冷熱・性状の複合利用：沖縄県久米島の事 〇岡村 盡 1, 2
1.( 一社）国際海洋資源エネルギー利活用推進コンソー
例から
シアム , 2.（株）ゼネシス
15:45
招 21p-C200-5 壱岐島で取組む RE 水素システム実証事業〇青野 文昭 1, 小林 遼平 1, 後藤 秀樹 2, 池田 剛 2, 杉山 1. エノア , 2. エーディーエス , 3. 東大先端研
3正和
2 放射線 / Ionizing Radiation
T3 コロナ禍における放射線計測技術の最新動向 / Recent trends in radiation detection and measurements and impact of new CORONA infections on Related Research
9/21(Wed.) 9:00 - 12:10 口頭講演 (Oral Presentation) B103 会場（Room B103）
9:00
招 21a-B103-1 多結晶シンチレータの発展と展望〇武正 知久 1, 村松 克洋 1, 柳谷 高公 1
1. 神島化学工業
9:30
招 21a-B103-2 PET 業界における検出器の高時間分解能化の動向〇大田 良亮 1
1. 浜ホト中研-100 ps 装置分解能を目指して 10:00
招 21a-B103-3 近回折限界分解能レンズ結像型 X 線画像検出器の開発〇亀島 敬 1, 2
1. 高輝度光セ , 2. 理研
10:30		休憩 /Break
1, 2
3
3
10:40
招 21a-B103-4 宇宙放射線線量実測器開発の現状と今後〇寺沢 和洋 , 佐々木 慎一 , 岸本 祐二 , 高橋 一
1. 慶大医 , 2. 宇宙機構 , 3. 高エネ研 , 4. 神戸大院 , 5. 量子～コロナ禍と疑似宇宙生活～
智 3, 永松 愛子 2, 身内 賢太朗 4, 小平 聡 5
機構
11:10
招 21a-B103-5 硬 X 線・ガンマ線イメージング研究 at Kavli IPMU
〇武田 伸一郎 1, 柳下 淳 1, 織田 忠 1, 桂川 美穂 1, 梅田 1. 東大カブリ IPMU
泉 1, 高橋 忠幸 1
11:40 招 E 21a-B103-6 Commissioning and Deployment of the BµNID for〇 Joseph Don Parker1, Hirotoshi Hayashida1,
1.CROSS, 2.JAEA, 3.Kyoto Univ., 4.Hokkaido Univ.
Energy-Resolved Neutron Imaging at J-PARC
Tetsuya Kai2, Yoshihiro Matsumoto1, Takenao
Shinohara2, Yuhua Su2, Atsushi Takada3, Yusuke
Tsuchikawa2, Toru Tanimori3, Yoshiaki Kiyanagi4
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
T6 羽ばたくベンチャーとそれを支える仕組み ～フォトニクスが生み出すイノベーションと新産業創出 V～ / Future-oriented ventures and their support system ~Innovation and developmentof new business created by photonics V~
9/21(Wed.) 13:00 - 17:50 口頭講演 (Oral Presentation) B102 会場（Room B102）
13:00		 21p-B102-1 オープニング〇西澤 典彦 1, 辰巳 哲也 2, 栗村 直 3
1. 名大院工 , 2. ソニーセミコンダクタソリューション
ズ , 3.NIMS
13:10
招 21p-B102-2 ３０年後からのバックキャスティングと光ベンチャー〇瀧口 義浩 1
1. 光産業創成大学院大学
13:55
招 21p-B102-3 機動的研究を可能にする研究開発シェアリング
〇古谷 優貴 1
1. 株式会社 Co-LABO MAKER「Co-LABO MAKER」- 研究開発が滑らかに循環する仕組みを目指して 14:25
招 21p-B102-4 大学発スタートアップ創出とスタートアップ・エコシス 〇石倉 慎也 1
1. 東北大学スタートアップ事業化センター
テム形成〜東北大学の取組～
14:55
招 21p-B102-5 ソニーを飛び出て２５年、ベンチャー今昔物語〇堀米 秀嘉 1
1. 有限会社ホーリーマイン
15:25		休憩 /Break1
15:45
招 21p-B102-6 高速イメージング技術による細胞解析イノベーション〇新田 尚
1.CYBO
16:15
招 21p-B102-7 PLC を用いた超小型 RGB 光学エンジンの応用と実用化〇亀井 洋次郎 1
1. セーレン KST 株式会社
16:45
招 21p-B102-8 乳がんの早期発見を実現する身体にやさしい超音波画像 〇東 志保 1
1. 株式会社 Lily MedTech
診断装置
17:15
招 21p-B102-9 AI とリキッドバイオプシーで拓く新たな予防医療の世界 〇江川 尚人 1
1. フォーネスライフ
17:45		 21p-B102-10 クロージング〇石井 雄三 1
1.NTT
8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics
T9 細胞運命を制御する応用物理：プラズマ・バイオ研究の融合による革新 / Applied Physics to controll cell fate: Innovation by plasma science and biotechnology
9/21(Wed.) 13:15 - 18:45 口頭講演 (Oral Presentation) B200 会場（Room B200）
13:15		 21p-B200-1 - イントロダクトリートーク 〇熊谷 慎也 1
1. 名城大学
細胞運命を制御する応用物理 : プラズマ・バイオ研究の融合による革新13:20
招 21p-B200-2 多能性幹細胞の運命制御〇友田 紀一郎 1, 2
1.Gladstone Institutes, 2. 京大 iPS 細胞研究所
13:50
招 21p-B200-3 プラズマ複合刺激により惹起された細胞の自発的膜動輸 〇神野 雅文 1, 3, 池田 善久 1, 本村 英樹 1, 木戸 祐吾 2, 1. 愛媛大工 , 2. パール工業 , 3. アイジーン
1, 3
送による遺伝子・分子導入佐藤 晋

シンポジウム / Symposium
14:20

招 21p-B200-4

14:50		15:05招 21p-B200-5電子線励起バーチャル電極ディスプレイを用いた生細胞への電気刺激と生体計測制御
16:05
招 21p-B200-7 力学環境に対する細胞の形態的・機能的応答とそのメカ
ニズム
16:35		休憩 /Break
16:50
招 21p-B200-8 低温大気圧プラズマ照射による細胞運命の制御―創傷処置の臨床試験から
17:20
招 21p-B200-9 細胞用ナノ注射器の開発と医療応用
17:50		 21p-B200-10 プラズマ活性種による細胞運命決定の数理モデリング18:05		 21p-B200-11 プラスマ刺激によるヒト iPS 細胞の分化制御
18:20		 21p-B200-12 パネルディスカッション

シンポジウム / Symposium

﻿

15:35

招 21p-B200-6

ゲノム安定維持機構の分子メカニズムとその破綻により 〇荻 朋男 1
1. 名大環研
発症する疾患の病態解明
休憩 /Break
プラズマ活性溶液による細胞運命の制御〇田中 宏昌 1, 水野 正明 1, 石川 健治 1, 梶山 広明 1, 豊 1. 名古屋大
國 伸哉 1, 吉川 史隆 1, 堀 勝 1〇星野 隆行 1

1. 弘前大院理工〇大橋 俊朗 1

1. 北大工〇清水 鉄司 1

1. 産総研〇三宅 丈雄 1
1. 早大 IPS〇村上 朝之 1
1. 成蹊大学1〇小林 未明1. 大阪医薬大医〇熊谷 慎也 1, 友田 紀一郎 2, 3, 荻 朋男 4, 大橋 俊朗 5, 1. 名城大 , 2.Gladstone Institutes, 3. 京大 iPS 細胞研究
神野 雅文 6, 田中 宏昌 7, 星野 隆行 8, 三宅 丈雄 9, 清水 所 , 4. 名古屋大 環研 , 5. 北海道大 , 6. 愛媛大 , 7. 名古屋
鉄司 10
大 , 8. 弘前大 , 9. 早稲田大 , 10. 産総研〇熊谷 慎也 1
1. 名城大学

18:40		 21p-B200-13 クロージング
9 応用物性 / Applied Materials Science
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
T11 人工嗅覚エレクトロニクス・インフォマティクスの研究最前線と展望 / Cutting-edge Research and Perspectives of Artificial Odor (Smell) Electronics and Informatics
9/21(Wed.) 10:00 - 12:05 口頭講演 (Oral Presentation) A401 会場（Room A401）
10:00		 21a-A401-1 オープニング〇高橋 綱己 1
1. 東大院工10:05
招 21a-A401-2 小型・低エネルギーの低分子センサ：集積化と応用の可 〇内田 建 1, 田中 貴久 1
1. 東大工能性
1
10:35
招 21a-A401-3 嗅覚センサの研究・開発・実証・実装〇吉川 元起1. 物材機構
11:05
招 21a-A401-4 頑強な人工嗅覚機能を実現する “堅い” 分子認識ナノ界 〇柳田 剛 1, 2
1. 東大院工 , 2. 九大先導研
面材料
11:35
招 21a-A401-5 イメージセンサ技術を応用した CMOS アレイセンサによ 〇野田 俊彦 1, 澤田 和明 1
1. 豊橋技科大るマルチガスセンシングと においセンシングシステムへの展開
9/21(Wed.) 13:30 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) A401 会場（Room A401）
13:30
招 21p-A401-1 生体ガス情報化を先導するバイオ蛍光式ガスセンサとイ 飯谷 健太 1, 當麻 浩司 1, 荒川 貴博 1, 〇三林 浩二 1
1. 医科歯科大生材研メージング装置
1
14:00
招 21p-A401-2 単層グラフェン表面を用いた化学・バイオセンサ〇上野 祐子
1. 中大理工14:30
招 21p-A401-3 バイオハイブリッドセンサによる高感度検出〇竹内 昌治 1, 2
1. 東大情理・知能機械 , 2.KISTEC
15:00		休憩 /Break15:10
招 21p-A401-4 計測インフォマティクスによる人工嗅覚の革新に向けて 〇鷲尾 隆 1
1. 阪大産研
15:40
招 21p-A401-5 人工嗅覚用分子センサのアナログフロントエンド回路と 〇石黒 仁揮 1
1. 慶應義塾大学
システム
16:10		 21p-A401-6 クロージング〇長島 一樹 1
1. 東大院工10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics
T12 スピントロニクス研究のトレンドと今後の展望 ～スピントロニクス研究会 20 周年記念シンポジウム～ / Future perspectives in Spintronics "Memorial symposium of 20th anniversary of
JSAP Spintronics professional group"
9/21(Wed.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A200 会場（Room A200）
13:30
招 21p-A200-1 スピントロニクス：省エネルギー、そして新たなコン〇大野 英男 1
1. 東北大ピューティングへ
14:00
招 21p-A200-2 半導体スピントロニクス材料とデバイス研究の新展開〇田中 雅明 1, 2, 3
1. 東大工 CSRN, 2. 東大工電気系 , 3. 東大 NanoQuine
14:30
招 21p-A200-3 金属スピントロニクスの発展と高感度磁気センサへの応 〇安藤 康夫 1
1. 東北大院工用
15:00
招 21p-A200-4 スピン軌道相互作用とスピントロニクスへの展望〇新田 淳作 1, 2
1. 東北大学 , 2.NTT 物性科学基礎研究所
15:30		休憩 /Break
1, 2, 3
15:45
招 21p-A200-5 エピタキシャル磁性薄膜の発展〇鈴木 義茂1. 阪大基礎工 , 2. 阪大 CSRN, 3. 産総研
16:15
招 21p-A200-6 スピンフォトニクス
〇宗片 比呂夫 1
1. 東工大16:45
招 21p-A200-7 強磁性スピントロニクスから X- スピントロニクスへ〇小野 輝男 1, 2
1. 京大化研 , 2. 京大 CSRN
17:15
招 21p-A200-8 スピントロニクス研究会の 20 年とこれから〇佐藤 勝昭 1
1. 農工大12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics【現地会場のみでの開催】T13 ペロブスカイトによる次世代材料の創成と応用展開 / Creation and application of perovskite as a next-generation materials
9/21(Wed.) 9:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B101 会場（Room B101）
9:30		 21a-B101-1 オープニング〇千葉 貴之 1
1. 山形大院有機
9:35
招 21a-B101-2 【注目講演】無機ペロブスカイト半導体の光電変換におけ 〇宮坂 力 1, 2
1. 桐蔭横浜大医用工 , 2. 東大先端研
る高電圧発電特性の開発
1
1
10:20
招 21a-B101-3 ペロブスカイト太陽電池の長寿命化をもたらすイオン液 〇當摩 哲也 , Shahiduzzaman Md.
1. 金沢大体添加技術と CsI インターカレーション技術
10:50		休憩 /Break11:00
招 21a-B101-4 ​ペロブスカイト薄膜の表面構造と界面電子準位接続〇吉田 弘幸 1, 2
1. 千葉大院工 , 2. 千葉大分子キ
11:30
招 21a-B101-5 半導体光学冷却に向けたペロブスカイト複合ナノ構造の 〇山田 泰裕 1
1. 千葉大院理光物性9/21(Wed.) 13:30 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) B101 会場（Room B101）
13:30
招 21p-B101-1 ペロブスカイトナノ結晶のサイズと単一光子発生挙動の 〇増尾 貞弘 1
1. 関西学院大生命環境
相関
1, 2
14:00
招 21p-B101-2 フェムト秒顕微過渡吸収測定法を用いた有機無機ハロゲ 〇片山 哲郎
1. 徳島大学 pLED 研 , 2. 徳島大理工光
ン化鉛ペロブスカイト単一微結晶中の自然放出光増幅ダ
イナミクスの解明
14:30
奨 21p-B101-3 立方晶 CsPbI3 量子ドットの相安定化および高性能 LED 〇江部 日南子 1, 鈴木 陸央 2, 隅越 俊介 2, 上野 瑞穂 2, 1. 山形大理 , 2. 山形大院有機の開発
森山 玲音 2, 千葉 貴之 2, 城戸 淳二 2
14:45
奨 21p-B101-4 アルカリ金属含有配位子によるペロブスカイト量子ドッ 〇森川 結策 1, 佐藤 亮太 1, 浅倉 聡 2, 千葉 貴之 3, 4, 増 1. 山形大院理工 , 2. 伊勢化学 , 3. 山形大院有機シス , 4. 山トの作製とそのデバイス化
原 陽人 1, 4
形大有機材料シスセ
15:00
奨 21p-B101-5 バンドエンジニアリングに基づくペロブスカイト量子〇佐藤 亮太 1, 森川 結策 1, 浅倉 聡 2, 千葉 貴之 3, 4, 増 1. 山形大院理工 , 2. 伊勢化学 , 3. 山形大院有機シス , 4. 山
1, 4
ドットの発光波長制御とその応用
原 陽人
形大有機材料シスセ
15:15		休憩 /Break
15:25
招 21p-B101-6 CsPbX3 ペロブスカイト量子ドットの光劣化と自己回復の 〇磯 由樹 1, 磯部 徹彦 1
1. 慶大理工探究
15:55
招 21p-B101-7 ハロゲン化ペロブスカイト膜の光物性及びレーザー発振 〇松島 敏則 1, 奈須 龍太郎 1, 安達 千波矢 1
1. 九大 I2CNER
特性

シンポジウム / Symposium﻿
シンポジウム / Symposium

16:25		 21p-B101-8 クロージング〇増原 陽人 1
1. 山形大院理工13 半導体 / Semiconductors
T16 ワイドバンドギャップ半導体 MOS 界面科学の最前線 / Forefront of interface science and technology of wide bandgap semiconductor MOS devices
9/21(Wed.) 13:30 - 17:35 口頭講演 (Oral Presentation) M206 会場（Room M206）
13:30
招 21p-M206-1 文科省「革新的パワーエレクトロニクス」の紹介と基礎 〇大森 達夫 1
1. 三菱電機 開発本部
科学への期待13:50
招 21p-M206-2 SiC パワーMOSFET の課題と MOS 界面高品質化の進展 〇木本 恒暢 1, 立木 馨大 1, 伊藤 滉二 1, 三上 杏太 1, 金 1. 京大工子 光顕 1
14:20		 21p-M206-3 SiC MOS 反転層移動度の支配的散乱要因に関する考察〇畠山 哲夫 1, 平井 悠久 2, 染谷 満 2, 岡本 大 1, 岡本 光 1. 富山県立大工 , 2. 産総研
央 2, 原田 信介 2
14:35
招 21p-M206-4 GaN MOS 界面制御とパワートランジスタ応用〇橋詰 保 1, 赤澤 正道 1
1. 北大量エレ研
15:05
招 21p-M206-5 絶縁膜 /GaN 界面の化学・電子状態評価－光電子分光分 〇宮崎 誠一 1, 大田 晁生 1
1. 名大院工析からの知見
15:35		休憩 /Break
15:50
招 21p-M206-6 計算科学で見るワイドギャップ半導体 MOSFET 界面〇白石 賢二 1, 押山 淳 1
1. 名大未来研
16:20
招 21p-M206-7 SiO2/ β -Ga2O3 MOS 特性とその熱処理による変化〇喜多 浩之 1
1. 東大新領域
16:50		 21p-M206-8 1 kV 耐圧 窒素、シリコン、ダブルイオン注入β -Ga2O3 〇宮本 広信 1, 小石川 結樹 1, 脇本 大樹 1, 佐々木 公
1. ノベルクリスタルテクノロジー
MOS トランジスタ
平 1, 倉又 朗人 1
1
17:05
招 21p-M206-9 ダイヤモンド MOS 界面の原子レベル制御 - 反転層ダイヤ 〇徳田 規夫
1. 金沢大モンド MOSFET の実現に向けて T19 グリーン化に挑戦する半導体製造・プロセス技術 / Semiconductor Manufacturing and Process Technologies for Green Transformation
9/21(Wed.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) B104 会場（Room B104）
13:30
招 21p-B104-1 半導体産業におけるグリーン化戦略の重要性について述 〇益 一哉 1
1. 東工大べる。
13:40
招 21p-B104-2 ナノインプリント技術による省電力半導体製造〇市村 公二 1, 栗原 正彰 1
1. 大日本印刷株式会社
14:10
招 21p-B104-3 ウエハプロセスのグリーン化イノベーションに向けた戦 〇堀 勝 1, 関根 誠 1, 石川 健治 1
1. 名大低温プラズマ
略的挑戦
1
14:40
招 21p-B104-4 半導体製造装置の LCCO2 算定・削減への挑戦〇渋川 潤
1. ㈱ SCREEN セミコンダクターソリューションズ
15:10		休憩 /Break
15:15
招 21p-B104-5 拡張知識による半導体産業の技術革新〇石田 真彦 1, 2
1.NEC SSPF 研 , 2.AIST NEC- 産総研量子連携ラボ
15:45
招 21p-B104-6 グリーン化に資する半導体後工程とパッケージ技術〇井上 史大 1
1. 横浜国大
16:15
招 21p-B104-7 pn 積層 Gate-All-Around (GAA) 2D FETs によるグリーン 〇若林 整 1
1. 東工大化の可能性
16:45		 21p-B104-8 パネルディスカッション〇金山 敏彦 1, 市村 公二 2, 渋川 潤 3, 瀬川 澄江 4, 石田 1. 産総研 , 2. 大日本印刷 , 3.SCREEN, 4. 東京エレクトロ
真彦 5, 若林 整 6, 堀 勝 7, 井上 史大 8
ン , 5. 日本電気 , 6. 東工大 , 7. 名大 , 8. 横国大
16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials
T21 ガラス系イオン伝導体の最前線 ～2022 年国際ガラス年 IYOG 記念シンポジウム～ / State of the art of glass materials for solid electrolytes ~2022 International Glass Year IYOG Memorial
Symposium~
9/21(Wed.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) B103 会場（Room B103）
13:30
招 21p-B103-1 硫化物系ガラス電解質を用いた全固体電池の固体界面形 〇作田 敦 1, 本橋 宏大 1, 辰巳砂 昌弘 1, 林 晃敏 1
1. 大阪公立大
成1
14:00
招 21p-B103-2 ガラスを用いた酸化物固体電解質材料開発〇小笠 和仁1. オハラ
14:30
招 21p-B103-3 金属－有機構造体：MOF のガラス相を用いたイオニクス 〇堀毛 悟史 1
1. 京大高等研究院
機能
15:00
招 21p-B103-4 ヨウ化銀と銀のオキソ酸塩からなる化合物の室温超イオ 〇松嶋 雄太 1
1. 山形大院理工
ン伝導性
15:30		休憩 /Break
15:45
招 21p-B103-5 第一原理計算による全固体電池固体電解質のイオン伝導 〇館山 佳尚 1, JALEM Randy1, GAO Bo1, 佐々木 遼 1. 物材機構 GREEN, 2. 東工大物質理工解析
馬 1, 2
16:15
招 21p-B103-6 分子シミュレーションによるリチウムボロシリケートガ 〇浦田 新吾 1
1.AGC（株）
ラスのモデリング16:45
招 21p-B103-7 硫化物ガラスの分子振動に基づくイオン輸送解明〇尾原 幸治 1
1. 高輝度セ
17:15
招 21p-B103-8 液相法による硫化物系固体電解質の合成と全固体リチウ 〇忠永 清治 1
1. 北大院工
ム電池への応用
合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"
T23 トポロジカルフォノニクス / メカニクスとその周辺科学の展開 / Recent Advances in Topological Phononics/Mechanics and Related Science
9/21(Wed.) 13:30 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
13:30		 21p-A307-1 オープニング
野村 政宏 1, 〇鶴田 健二 2
1. 東大生研 , 2. 岡山大自然
13:40
招 21p-A307-2 バルクエッジ対応の科学：古典力学系への期待〇初貝 安弘 1
1. 筑波大物理1
14:10
招 21p-A307-3 1 次元力学系メタマテリアルによるバンドギャップ形成 〇友田 基信
1. 北大工とトポロジカルな境界モードの演示
14:40
招 21p-A307-4 電気機械共振器アレイにおけるトポロジカルソリトン〇山口 浩司 1, 畑中 大樹 1, Houri Samer1
1.NTT 物性基礎研
15:10		休憩 /Break
15:25
招 21p-A307-5 フォトニクスの視点で眺めるトポロジカルフォノニクス 〇岩本 敏 1, 2
1. 東大先端研 , 2. 東大生研
15:55
招 21p-A307-6 スピントロニクスとフォノニクス
〇林 将光 1
1. 東大理16:25
招 21p-A307-7 非一様系の局所角運動量に由来する磁気回転効果を用い 〇能崎 幸雄 1, 2
1. 慶大理工 , 2. 慶大 CSRN
たスピントロニクス
16:55		 21p-A307-8 極超音波バレー型トポロジカルフォノニック結晶〇畑中 大樹 1, 竹下 弘朗 2, 片岡 源樹 2, 三沢 賢明 2, 岡 1.NTT 物性研 , 2. 岡山大自然科学研究科
本 創 1, 山口 浩司 1, 鶴田 健二 2
17:10		 21p-A307-9 クロージング〇畑中 大樹 1
1.NTT 物性研
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
T7 群知能の新展開：生物・ロボット・材料の創発が生み出す知 / Swarm Intelligence: Emergent intelligence in a swarm of creatures, robots, or materials
9/22(Thu.) 13:30 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) A401 会場（Room A401）
13:30		 22p-A401-1 オープニング〇土屋 敬志 1
1. 物材機構
13:35
招 22p-A401-2 知の源泉はどこにあるのでしょう？ー現象学的アプロー 〇大須賀 公一 1
1. 阪大
チー
14:20
招 22p-A401-3 アクティブマター “群” のタスク遂行能力〇角五 彰 1
1. 北大院理15:05
招 22p-A401-4 群れの自己組織化を促す相互予期〇村上 久 1
1. 京工繊大
15:50		休憩 /Break16:10
招 22p-A401-5 群行動の理解から群知能の創出をめざして〇松野 文俊 1
1. 京大工機械理工
16:55
招 22p-A401-6 アメーバ集団による細胞外建築〇澤井 哲 1
1. 東大総合文化
17:40
招 22p-A401-7 創発を活用する群知能型システムへの期待〇栗原 聡 1
1. 慶應義塾大学理工学部
1
18:25		 22p-A401-8 クロージング〇神吉 輝夫
1. 阪大産研シンポジウム / Symposium﻿

シンポジウム / Symposium
T8 先端計測と機能性酸化物研究の共進化 / Co-evolution of advanced analysis and functional oxide research
9/22(Thu.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) B101 会場（Room B101）
13:30
招 22p-B101-1 強相関酸化物スピントロニクスの実現に向けて：放射光 〇大矢 忍 1, 2
1. 東大院工 , 2. 東大 CSRN
の役割
14:00
招 22p-B101-2 コランダム類縁構造酸化物の薄膜物質開発と物性評価〇藤原 宏平 1, 塚﨑 敦 1, 2
1. 東北大金研 , 2. 東北大 CSIS
14:30
招 22p-B101-3 スピネル型ハーフメタル薄膜の開発と磁性制御〇菅 大介 1
1. 京大化研
15:00
招 22p-B101-4 放射光を利用した酸化物反強磁性体薄膜材料の開発〇野崎 友大 1
1. 産総研15:30		休憩 /Break
15:45
招 22p-B101-5 放射光時間分解 XRD による強誘電体ナノ構造の電場応答 〇山田 智明 1, 舟窪 浩 2, 坂田 修身 3
1. 名大工 , 2. 東工大 , 3.JASRIの解明と制御1
16:15
招 22p-B101-6 共鳴非弾性 X 線散乱による酸化物研究の新展開〇鈴木 博人1. 東北大学際研
16:45
招 22p-B101-7 放射光とレーザーを駆使した酸化物磁性のスピンダイナ 〇和達 大樹 1
1. 兵県大理
ミクス観測
17:15
招 22p-B101-8 HAXPES を用いた酸化物薄膜評価〇田口 宗孝 1, 水谷 天勇 1, 佐瀬 輝彦 1, 田中 哲 1, 松岡 1. 東芝ナノアナリシス , 2. 東大院工 , 3. 兵庫県立大物質
秀樹 2, 中野 匡規 2, 和達 大樹 3, 4, 堀場 弘司 5, 北村 未 理 , 4. 阪大レーザー研 , 5. 高エ研物構研 , 6. 東北大学多元歩 5, 岩佐 義宏 2, 組頭 広志 5, 6, 藤井 景子 7, 吉木 昌彦 7 研 , 7. 東芝 研究開発センター
9 応用物性 / Applied Materials Science
T10 アカデミア・企業から見た熱電研究の最前線 (MI 駆動型研究から IoT 応用まで ) / Cutting edge of Thermoelectric Researches in Industry and Academia: from Materials Informatics to IoTapplications
9/22(Thu.) 9:00 - 11:55 口頭講演 (Oral Presentation) B200 会場（Room B200）
9:00		 22a-B200-1 オープニング〇鵜殿 治彦 1
1. 茨城大学
9:10
招 22a-B200-2 革新的熱利用材料・素子の開発〇竹内 恒博 1, 2
1. 豊田工業大学 , 2.JST CREST〜熱ダイオード，熱流スイッチング素子，熱電発電素子〜
1
9:40
招 22a-B200-3 メカノ・サーマル機能化による革新的熱電デバイス〇塩見 淳一郎
1. 東大工10:10		休憩 /Break10:25
招 22a-B200-4 実験 MI と新材料探索〇熊谷 将也 1, 2, 3, 安藤 有希 4, 田中 敦美 5, 津田 宏
1. さくらインターネット , 2. 京大 , 3. 理研 , 4. 物材機構 ,治 3, 4, 5, 桂 ゆかり 3, 4, 5, 黒崎 健 2
5. 東大新領域
1
10:55
招 22a-B200-5 新規材料探索に向けた欠陥、微細組織、組成デザイン〇今里 和樹1. 産総研1
11:25
招 22a-B200-6 ブロッホ軌道エンジニアリングに基づいた高性能熱電材 〇岩﨑 祐昂
1. 物材研料設計
9/22(Thu.) 13:30 - 17:35 口頭講演 (Oral Presentation) B200 会場（Room B200）
13:30
招 22p-B200-1 IoT 機器駆動用の高性能熱電材料・発電モジュール〇森 孝雄 1, 2
1. 物質・材料研究機構 , 2. 筑波大学
14:00
招 22p-B200-2 次世代 IoT 社会に資するフレキシブル熱電変換デバイス 〇菅原 徹 1, 2, 4, 和泉 慎太郎 3, 4, 伊庭野 健造 2, 4
1. 京工繊 , 2. 阪大 , 3. 神戸大 , 4. 大阪ヒートクール
の開発
14:30
招 22p-B200-3 有機系熱電技術の現状と IoT 応用等への課題〇石田 敬雄 1
1. 産総研ゼロエミ RC
15:00
招 22p-B200-4 実用熱電モジュールのための Mg3Sb2 系熱電材料の高性 〇菅野 勉 1
1. パナソニック
能化
15:30		休憩 /Break
15:45
招 22p-B200-5 熱電発電の展望と課題〇小島 宏康 1
1. 株式会社アイシン
16:15
招 22p-B200-6 磁性体における熱電効果の最適化と産業応用の可能性〇石田 真彦 1, 2
1.NEC SSPF 研 , 2.AIST NEC‐産総研量子連携ラボ
16:45		 22p-B200-7 パネルディスカッション〇桂 ゆかり 1, 森 孝雄 1, 竹内 恒博 2, 熊谷 将也 3, 4, 今 1. 物材機構 , 2. 豊田工大 , 3. 京大 , 4. さくらインターネッ
5567
里 和樹 , 石田 敬雄 , 菅野 勉 , 小島 宏康 , 石田 真 ト , 5. 産総研 , 6. パナソニック , 7. アイシン , 8.NEC彦8
17:30		 22p-B200-8 閉会の挨拶〇高際 良樹 1
1. 物材機構
13 半導体 / Semiconductors
T17 特色ある分光評価法による半導体発光材料・光物性再訪：新しい展開を目指して / Revisiting semiconductor light-emitting materials and optical characterization by unique spectroscopic
approaches
9/22(Thu.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) B102 会場（Room B102）
13:30		 22p-B102-1 オープニング〇小島 一信 1
1. 阪大
13:35
招 22p-B102-2 窒化物半導体の多波長発光機構の解明と制御〇川上 養一 1, 松田 祥伸 1, 石井 良太 1, 船戸 充 1
1. 京大院工- 発光シンセサイザー創製を目指して 14:05
奨 22p-B102-3 自在な構造制御による多波長発光を目指した GaN マイク 〇松田 祥伸 1, 船戸 充 1, 川上 養一 1
1. 京大院工
ロレンズ構造上 InGaN LED
14:20
招 22p-B102-4 ダイヤモンドの光物性〇中 暢子 1
1. 京大理14:50		休憩 /Break1
15:00
招 22p-B102-5 ハライドペロブスカイトの光物性と光機能〇金光 義彦1. 京大化研
15:30		 22p-B102-6 偏光分解ポンプ・プローブ顕微鏡を用いた二次元層状ハ 〇湯本 郷 1, 関口 文哉 1, 橋本 塁人 1, 中村 智也 1, 若宮 1. 京大化研
ライドペロブスカイトにおける励起子スピンイメージン 淳志 1, 金光 義彦 1
グ
15:45
招 22p-B102-7 時間分解 2 光子光電子分光法を用いた表面再結合寿命の 〇市川 修平 1, 2, 毎田 修 1, 小島 一信 1
1. 阪大院工 , 2. 阪大電顕センター
直接評価
16:15		休憩 /Break16:25
招 22p-B102-8 テラヘルツ時間領域分光・エリプソメトリによる光物性 〇中嶋 誠 1, Agulto Verdad1, 岩本 敏志 1, 2
1. 阪大レーザー, 2. 日邦プレシジョン
16:55
招 22p-B102-9 時間・空間分解分光による量子ホール系の探索〇遊佐 剛 1
1. 東北大理
1
17:25		 22p-B102-10 クロージング〇山田 泰裕
1. 千葉大T18 半導体を用いた量子情報技術の最前線 / Latest trend of quantum information technology based on semiconductors
9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A200 会場（Room A200）
13:30
招 22p-A200-1 シリコン量子ビット素子の集積デバイス工学最前線〇森 貴洋 1
1. 産総研14:00
招 22p-A200-2 半導体スピン量子ビットに基づく光子―スピン量子イン 〇大岩 顕 1
1. 阪大産研
ターフェース
14:30
招 22p-A200-3 炭化ケイ素（SiC）の量子技術応用の可能性 － スピン欠 〇大島 武 1
1. 量研
陥形成と量子センシング応用 －15:00		休憩 /Break
15:15
招 22p-A200-4 シリコン量子ビットの高忠実度性能実証〇米田 淳 1
1. 東工大15:45
招 22p-A200-5 ダイヤモンドにおける幾何学的スピン制御と量子中継へ 〇関口 雄平 1
1. 横国大 IASの応用
16:15		休憩 /Break
16:30
招 22p-A200-6 連続量光量子コンピュータに向けた光源技術開発〇柏崎 貴大 1
1.NTT
17:00
招 22p-A200-7 窒化物半導体結晶成長技術を駆使した量子光源の開発〇正直 花奈子 1, 2, 本田 啓人 2, 上杉 謙次郎 3, 4, 肖 世 1. 三重大院工 , 2. 阪大院工 , 3. 三重大共創機構 , 4. 三重大
玉 1, 谷川 智之 2, 片山 竜二 2, 三宅 秀人 1
院地域イノベ
17:30
招 22p-A200-8 半導体光回路を用いた量子情報技術〇松田 信幸 1
1. 東北大院工フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」/ Focused Session "AI Electronics"

フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」/ Focused Session "AI Electronics"

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」/ Focused Session "AI Electronics"
9/20(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M206 会場（Room M206）
9:00
招 20a-M206-1 「分科内招待講演」〇深見 俊輔 1
スピントロニクスによる新概念コンピューティング
9:30		 20a-M206-2 スピントルク発振素子を用いた連想記憶装置〇常木 澄人 1, 2, 谷口 知大 1, 薬師寺 啓 1, 湯浅 新治 1,

1. 東北大通研

1. 産総研 , 2. さきがけ
久保田 均 1
9:45		 20a-M206-3 Hyperdimensional Computing を高速演算する FeFET を 〇松井 千尋 1, 小林 英太郎 1, トープラサートポン カ 1. 東大工
用いた電圧センス CiM
シディット 1, 高木 信一 1, 竹内 健 1
10:00		 20a-M206-4 ReRAM デバイスと SNN アルゴリズムにより最適化され 〇越能 俊介 1, 三澤 奈央子 1, 松井 千尋 1, 竹内 健 1
1. 東大工たイベントベースビジョンセンサーのための小面積 CiM
10:15		休憩 /Break
10:30 奨 E 20a-M206-5 Folded-in-time deep neural networks: Emulating deep
〇 (P)Andre Roehm1, 2, Florian Stelzer3, 4, Raul
1.Univ. of Tokyo, 2.IFISC, CSIC-UIB, 3.Univ. of Tartu,
neural networks via delay dynamics
Vicente3, Ingo Fischer2, Serhiy Yanchuk4, Satoshi
4.TU Berlin, 5.Kanazawa Univ.
5
5
1
Sunada , Tomoaki Niiyama , Ryoichi Horisaki ,Makoto Naruse1
10:45
奨 20a-M206-6 デバイスエラーを補償するエッジ FeFET CiM の再学習 〇吉清 秦生 1, 三澤 奈央子 1, トープラサートポン カ 1. 東大工
シディット 1, 高木 信一 1, 松井 千尋 1, 竹内 健 1
11:00		 20a-M206-7 エッジデバイス Computation-in-Memory(CiM) での 知 〇吉清 秦生 1, 三澤 奈央子 1, 松井 千尋 1, 竹内 健 1
1. 東大工識の蒸留を用いたクラス増分学習
11:15
奨 20a-M206-8 量子誤り訂正に向けた不均一量子化を適用した不揮発性 〇 (M1) 市川 裕也 1, 合田 晃 1, 松井 千尋 1, 竹内 健 1
1. 東大工メモリによる Computation-in-Memory(CiM)
11:30		 20a-M206-9 書き込みエラー率分布を考慮した不揮発メインメモリシ 〇荒井 礼子 1, 斉藤 大貴 2, 佐藤 幸紀 2, 広渕 崇宏 3, 今 1. 産総研新原理 , 2. 豊橋技科大 情報・知能工学 , 3. 産総ステムによるビット化け発生数の評価
村 裕志 1
研デジアキ
11:45
奨 20a-M206-10 温度ダイナミクスに基づくスピントロニクス素子のトン 〇 (D) 菊地 優志 1, 堀尾 喜彦 1, 深見 俊輔 1, 2, 安東 弘 1. 東北大学電気通信研究所 , 2. 東北大学材料科学研究所
ネルコンダクタンスモデル
泰2
9/21(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C201 会場（Room C201）
9:00		 21a-C201-1 確率的 2 値 /3 値シナプスを用いたニューラルネットワー 〇丸亀 孝生 1, 野村 久美子 1, 水島 公一 1, 西 義史 1
1. 東芝研開セ
クの学習の解析
9:15		 21a-C201-2 Computation-in-Memory を用いたニューラルネットワー 〇樋口 和英 1, 松井 千尋 1, 竹内 健 1
1. 東大工クの推論における不揮発性メモリアレイ構成要素の非理想性に関する検討
9:30		 21a-C201-3 Au ナノワイヤにおける量子化コンダクタンスの Echo
〇島田 有希 1, 島田 萌絵 1, 三木 司 1, 平井 佳菜子 1, 白 1. 東京農工大院工State Network を用いたリアルタイム予測システム
樫 淳一 1
9:45		 21a-C201-4 Variational Mode Decomposition に基づいた Echo State〇島田 有希 1, 三木 司 1, 島田 萌絵 1, 萩原 大貴 1, 白樫 1. 東京農工大院工Network による Au ナノワイヤの量子化コンダクタンス予 淳一 1
測
10:00		 21a-C201-5 スイッチング面積縮小による銀イオン制御 - 分子膜〇谷本 直柔 1, 長谷川 剛 1
1. 早大先進理工ギャップ型原子スイッチの安定的多値抵抗変化の実現
10:15		休憩 /Break
10:30		 21a-C201-6 【注目講演】超伝導磁束量子ビットを用いたアニーリング 〇才田 大輔 1, 2, 日高 睦夫 1, 平山 文紀 1, 山梨 裕希 3
1. 産総研 , 2. 富士通 , 3. 横国大方式の 4-bit 因数分解回路の検討
10:45		 21a-C201-7 アナログメモリの非線形書き込み特性を考慮したリザ〇 (M2) 玉井 克典 1, 田向 権 1, 2, 香取 勇一 3, 野村
1. 九工大・生命体工 , 2. ニューロモルフィック AI ハー
バー強化学習モデルの性能評価
修 1, 2, 森江 隆 1, 2
ドウェアセンター, 3. はこだて未来大11:00		 21a-C201-8 高分子シナプス素子の生理食塩水中における導電性評価 〇渡部 誠也 1, 萩原 成基 2, 柴北 洋明 3, 赤井 恵 1, 2
1. 阪大院理 , 2. 北大院情報 , 3. 阪大理
1
1
11:15		 21a-C201-9 充足可能性問題を解く電子アメーバのバウンスバック〇重松 陽子 , 葛西 誠也
1. 北大量集センター
ルール圧縮
11:30		 21a-C201-10 組合せ最適化問題のドメインに応じた ReRAM を用いた 〇三澤 奈央子 1, 松井 千尋 1, 竹内 健 1
1. 東大工コンピュテーション・イン・メモリのデザイン
1
1
1
11:45
E 21a-C201-11 A Simple Nonbistable Architecture for Realizing Ising〇 Zhiqiang Liao , Kaijie Ma , Siyi Tang , Hiroyasu
1.Univ. of Tokyo
Machine with Stochastic Resonance Phenomenon
Yamahara1, Munetoshi Seki1, Hitoshi Tabata1

フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」/ Focused Session "AI Electronics"

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology
T2 科学教育の人材育成および教育の取り組みとその活性化ー東北地区ー / Human Resource Development and Education Initiatives in Science Education and itsr Revitalization -Tohoku
Region9/23(Fri.) 13:30 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
13:30
招 23p-A307-1 『学都「仙台・宮城」サイエンス・デイ』が目指すもの 〇大草 芳江 1
1.natural science～知的好奇心がもたらす心豊かな社会の創造にむけて～
14:00
招 23p-A307-2 サイエンスデイでの出展事例 ～水ファイバーで光の伝送 〇佐藤 篤 1
1. 東北工大工実験～
14:30
招 23p-A307-3 東北大学「科学者の卵養成講座」を通じた「科学の眼」 〇安藤 晃 1, 渡辺 正夫 2, 伊藤 幸博 3, 下山 武文 1
1. 東北大工 , 2. 東北大生命科学 , 3. 東北大農育成
15:00
招 23p-A307-4 初等教育専攻に課す理科実験授業と新制教職大学院の取 〇内山 哲治 1
1. 宮教大院り組み
合同セッション N「インフォマティクス応用」/ Joint Session N "Informatics"
T24 計測インフォマティクスの革新と応用 / Innovation and application of measurement informatics
9/23(Fri.) 10:00 - 11:50 口頭講演 (Oral Presentation) B200 会場（Room B200）
10:00		 23a-B200-1 オープニング：計測インフォマティクスの革新と応用〇小嗣 真人 1, 沓掛 健太朗 2, 冨谷 茂隆 3, 知京 豊裕 4 1. 東理大先進工 , 2. 理化学研究所 , 3. ソニー, 4. 物質材料
研究機構
10:05
招 23a-B200-2 計測インフォマティクスの発展と展開 －情報計測から革 〇鷲尾 隆 1
1. 阪大産研
新的計測解析へ－
11:05
招 23a-B200-3 イジングマシンを用いた材料設計〇津田 宏治 1, 2, 3
1. 東大新領域 , 2. 理研 AIP, 3. 物材機構
9/23(Fri.) 13:00 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) B200 会場（Room B200）
13:00
招 23p-B200-1 量子ビーム計測のための計測インフォマティクス〇小野 寛太 1
1. 阪大院工13:45 招 E 23p-B200-2 Investigation of magnetic properties using an〇 Alexandre Lira Foggiatto1, Sotaro Kunii1,1.Tokyo Univ. of Sci., 2.NIMS
11explainable machine learning outputted energy
Mayuko Okada , Ken Masuzawa , Chiharu
landscape model
Mitsumata1, 2, Masato Kotsugi1
14:30
招 23p-B200-3 薄膜科学へのインフォマティクス活用～成膜から分光分 〇永村 直佳 1, 2, 3
1. 物材機構 , 2.JST さきがけ , 3. 東京理科大
析まで～
15:15		休憩 /Break
15:30
招 23p-B200-4 データ洪水時代を迎える放射光科学と SPring-8 の取り組 〇初井 宇記 1
1. 理研 RSCみ
16:15
招 23p-B200-5 先端半導体産業からの計測インフォマティクスの価値と 〇岡本 和也 1
1. 山口大院技術経営
期待フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」/ Focused Session "AI Electronics"

フォーカストセッション「AI エレクトロニクス」/ Focused Session "AI Electronics"

9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P13-1
フィラメント形成領域を制限した分子膜ギャップ型原子スイッチの作製			 21p-P13-2
NiO を用いたクロスバー型抵抗変化型メモリが示す量子化コンダクタンス			 21p-P13-3
PTCDI-Ag2S 分子膜ギャップ型原子スイッチを用いた深層学習実験
			 21p-P13-4
分子膜ギャップ型原子スイッチにおける分子膜の役割〇石嶋 陽樹 1, 谷本 直柔 1, 長谷川 剛 1

1. 早大先進理工〇 (M1) 高木 陸 1, 長谷川 剛 1

1. 早大先進理工〇 (M1) 松尾 理沙 , 長谷川 剛
11〇 (B) 水野 敦浩 1, 大野 悠生 1, 菅 美沙季 1, 早川 勝 1,

1. 早大先進理工

1. 早大先進理工吉村 海輝 1, 長谷川 剛 1
1
1
1
			 21p-P13-5
ディフラクティブディープニューラルネットワークのシ 〇 (M2) 赤池 拓郎 , 藤田 拓実 , 坂口 穂貴 , 野中 尋 1. 長岡技科大工 , 2. 愛知工大 , 3. 豊田工大
ミュレーション
史 2, 鷲見 聡 3, 粟野 博之 3, 石橋 隆幸 1
			 21p-P13-6
フィラメント成長速度を考慮した原子スイッチネット〇 (M1) 村瀬 友佑 1, 長谷川 剛 1
1. 早大先進理工
ワークリザバー動作のシミュレーション
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B101 会場（Room B101）
9:00		 22a-B101-1 量子古典ハイブリッドニューラルネットワークの量子化 〇西田 靖孝 1, 相賀 史彦 1
1. 東芝研開セ
学計算への応用
9:15		 22a-B101-2 量子古典ハイブリッドリザバーにおけるハミルトニアン 〇萩原 大貴 1, 三木 司 1, 白樫 淳一 1
1. 東京農工大院工と情報処理容量の検討
1
1
1
1
9:30		 22a-B101-3 量子アニーリングマシンを用いたリアルタイム追従制御 〇平井 佳菜子 , 島田 萌絵 , 吉田 朝輝 , 米田 優里 , 1. 東京農工大院工
白樫 淳一 1
9:45		 22a-B101-4 量子インスパイアードイジングマシンにおけるスピン判 〇島田 萌絵 1, 吉田 朝輝 1, 三木 司 1, 白樫 淳一 1
1. 東京農工大院工定論理とアニーリング手法の検討
1
1
1
1
10:00		 22a-B101-5 抽出型多数決論理を用いたイジングマシンにおけるス〇吉田 朝輝 , 三木 司 , 島田 萌絵 , 米田 優里 , 白樫 1. 東京農工大院工パーススケジュールの最適化
淳一 1
10:15		休憩 /Break
10:30
奨 22a-B101-6 【注目講演】変分量子計算での測定状態のフィルタリング 〇三木 司 1, 津嘉山 大輔 1, 沖田 涼 1, 白樫 淳一 1, 今井 1. 東京農工大 , 2. 東京大による並列量子演算の加速計算法
浩2
10:45
奨 22a-B101-7 Quantum Noies-Induced Reservoir の情報処理容量〇窪田 智之 1, 鈴木 雄大 2, 小林 俊平 1, Tran Quoc
1. 東大情理 , 2. 慶応機械
Hoan1, 山本 直樹 2, 中嶋 浩平 1
11:00
奨 22a-B101-8 高速スペックル投影系と光リザバー計算を用いた高速物 〇 (M1) 山口 智也 1, 荒井 航平 1, 新山 友暁 2, 砂田
1. 金沢大自研 , 2. 金沢大理工 , 3.JST さきがけ
体認識システム哲 2, 3
1
1
2
1
11:15
奨 22a-B101-9 戻り光を有する半導体レーザを用いた光リザーバコン〇酒巻 里衣 , 菅野 円隆 , 犬伏 正信 , 内田 淳史
1. 埼玉大 , 2. 東京理科大
ピューティングによる転移学習
11:30
奨 22a-B101-10 半導体レーザのリザーバコンピューティングを用いた非 〇川上 敦也 1, 菅野 円隆 1, 内田 淳史 1
1. 埼玉大線形ダイナミクスの複製
11:45
奨 22a-B101-11 最適制御に基づく物理深層学習の電気光遅延システムに 〇野上 倫 1, 菅野 円隆 1, 砂田 哲 2, 内田 淳史 1
1. 埼玉大学 , 2. 金沢大学
よる実験実装9/23(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) M206 会場（Room M206）
9:00
招 23a-M206-1 「分科内招待講演」〇砂田 哲 1, 2
1. 金沢大理工 , 2.JST さきがけ
光ニューラルフィールドダイナミクス：リザバー計算とセンシングへの展開
9:30		 23a-M206-2 磁気光学効果を利用した光回折型ディープニューラル〇 (M2) 藤田 拓実 1, 坂口 穂貴 1, 張 健 1, 野中 尋史 2, 1. 長岡技科大 , 2. 愛知工大 , 3. 豊田工大
ネットワーク
鷲見 聡 3, 粟野 博之 3, 石橋 隆幸 1
9:45		 23a-M206-3 磁気光学効果を利用した光回折型ディープニューラル〇坂口 穂貴 1, 藤田 拓実 1, 張 健 1, 鷲見 聡 2, 粟野 博 1. 長岡技科大 , 2. 豊田工大 , 3. 愛知工大
ネットワークの物理実装に向けた隠れ層の作製と評価
之 2, 野中 尋史 3, 石橋 隆幸 1
10:00
奨 23a-M206-4 量子干渉による非対等な集団的意思決定〇白鳥 帆香 1, 新川 浩彬 1, André Röhm1, Nicolas
1. 東京大情報理工 , 2. グルノーブルアルプス大Chauvet1, Guillaume Bachelier2, Jonathan Laurent2,
巳鼻 孝朋 1, 堀﨑 遼一 1, 成瀬 誠 1
10:15		休憩 /Break
10:30
奨 23a-M206-5 高精度時刻同期に基づく遅延保証光ネットワークの基礎 〇 (M1) 服部 嗣生 1, 志賀 信泰 2, 安田 哲 2, 滝沢 賢一 2, 1. 東大情理 , 2. 情通機構
実験
巳鼻 孝朋 1, 堀崎 遼一 1, 成瀬 誠 1
10:45
奨 23a-M206-6 選好性充足を行う選択競合のない量子干渉サンプリング 〇 (M2) 新川 浩彬 1, 白鳥 帆香 1, ショヴェ ニコラ 1,
1. 東大情理 , 2. グルノーブルアルプス大バシェリエ ギヨム 2, レーム アンドレ 1, 巳鼻 孝朋 1,
1
1
堀﨑 遼一 , 成瀬 誠
11:00
奨 23a-M206-7 イベントデータを処理するリザバーコンピューティング 〇越能 俊介 1, 松井 千尋 1, 竹内 健 1
1. 東京大工向け不揮発性メモリと SRAM を用いたハイブリッド
Computation-in-Memory
11:15
奨 23a-M206-8 リザバーコンピューティングによるカオス時系列の自律 〇 (M1) 土山 晃平 1, レーム アンドレ 1, 巳鼻 孝朋 1,
1. 東大情理的再生におけるサンプリング頻度の影響
堀崎 遼一 1, 成瀬 誠 1
11:30		 23a-M206-9 グラフェン／ダイヤモンド光メモリスタを用いたリザ
伊藤 悠河 1, 中水流 秋穂 1, 〇植田 研二 1, 2
1. 名大院工 , 2. 早大情シス
バー計算
11:45		 23a-M206-10 CNT/ 分子ネットワークによる物理リザーバの構築とそ 〇 (M2) 五十嵐 健人 1, 浅井 哲也 1, 赤井 恵 1, 2
1. 北大情科院 , 2. 阪大院理研の評価
9/23(Fri.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) M206 会場（Room M206）
13:30
招 23p-M206-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇名幸 瑛心 1, トープラサートポン カシディット 1, 1. 東大工
強誘電体 MFM キャパシタを用いたリザバーコンピュー 王 澤宇 1, 中根 了昌 1, 竹中 充 1, 高木 信一 1
ティング
13:45
奨 23p-M206-2 ソフトマテリアルと機械学習を用いた Optical skin ソフト 〇 (M1C) 北川 慧 1, 提橋 昂洋 1, 新山 友暁 2, 砂田
1. 金沢大自研 , 2. 金沢大理工 , 3.JST さきがけ
インターフェース
哲 2, 3
14:00
奨 23p-M206-3 スピン波の非線形干渉を利用したリザバーコンピュー〇 (P) 並木 航 1, 西岡 大貴 1, 2, 山口 優 1, 2, 土屋 敬志 1, 1. 物材機構 , 2. 東理大
ティングの実証樋口 透 2, 寺部 一弥 1
14:15		 23p-M206-4 硫化銀アイランドネットワークを用いた光センシングリ 〇清水 陽介 1, 峯岸 和輝 1, 長谷川 剛 1
1. 早大先進理工ザバー
14:30		 23p-M206-5 硫化銀アイランドを用いたリザバー動作の周波数依存性 〇峯岸 和輝 1, 清水 陽介 1, 長谷川 剛 1
1. 早大先進理工
14:45
奨 23p-M206-6 ITO/Nb:SrTiO3 接合の光応答特性を利用したリザバーコ 〇 (M1) 山崎 悠太郎 1, 甲斐 洋行 1, 木下 健太郎 1
1. 東理大理
ンピューティング
15:00
奨 23p-M206-7 イオン液体供給型物理リザバーデバイスにおけるイオン 〇米澤 雅陽 1, 2, 島 久 2, 松尾 拓真 1, 2, 内藤 泰久 2, 秋永 1. 東理大理 , 2. 産総研 , 3. 豊田理研 , 4. 鳥取大工 , 5. 長瀬
液体の脱水による省電力性及び学習精度向上
広幸 2, 伊藤 敏幸 3, 野上 敏材 4, 小林 正和 1, 5, 木下 健 産業
太郎 1
15:15		休憩 /Break
15:30		 23p-M206-8 リザバー計算手法を用いた表面筋電信号解析と随意運動 〇吉田 聖 1, 葛西 誠也 1
1. 北大 量集センターの読出し
15:45		 23p-M206-9 電気化学ダイナミクスリザバーを用いた分類用データ拡 〇宇佐美 雄生 1, 2, 田中 悠一朗 1, 2, 琴岡 匠 1, 田向
1. 九工大生命体工 , 2. 九工大 Neumorph センター
張
権 1, 2, 田中 啓文 1, 2
1
1
1
1
16:00		 23p-M206-10 イオン液体物理リザバーの温度変化による短期記憶特性 〇荒井 朝陽 , 高 相圭 , 小出 太貴 , 甲斐 洋行 , 木下 1. 東京理大
の最適化
健太郎 1

1.1 応用物理一般・学際領域 / Interdisciplinary and General Physics
16:15		 23p-M206-11 音声認識に向けた並列処理 FeFET リザバーコンピュー
ティングの提案と認識性能の検証
16:30		 23p-M206-12 音声認識に向けた並列処理 FeFET リザバーコンピュー
ティングの認識性能向上手法
16:45		 23p-M206-13 多端子カーボンナノチューブ薄膜トランジスタを用いた物理リザバーコンピューティング〇名幸 瑛心 1, トープラサートポン カシディット 1,
中根 了昌 1, 竹中 充 1, 高木 信一 1
〇名幸 瑛心 1, トープラサートポン カシディット 1,
中根 了昌 1, 竹中 充 1, 高木 信一 1
〇 (M1) 渡邉 丈士 1, 内山 晴貴 1, 大野 雄高 1, 2

1. 東大工1. 東大工1. 名大工 , 2. 名大未来研

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
1.1 応用物理一般・学際領域 / Interdisciplinary and General Physics
9/20(Tue.) 13:00 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) A302 会場（Room A302）
13:00		 20p-A302-1 マイクロ流体技術を用いたコンパクト免疫測定システム 〇赤阪 勇紀 1, 白井 亮洋 1, 吉田 和代 1, 中本 俊 1, 干川 1. シスメックス株式会社
13:15		 20p-A302-2
13:30		 20p-A302-3
13:45

奨 20p-A302-4

14:00		 20p-A302-5
14:15		14:30 奨 E 20p-A302-6

14:45

奨 20p-A302-7

15:00
奨 20p-A302-8
15:15
奨 20p-A302-9
1.2 教育 / Education
9/22(Thu.) 9:30 - 11:30
			 22a-P01-1
			 22a-P01-2

金の酸化還元反応を利用した電気化学リザバー素子の開発統計干渉法 (SIT) を用いた遠赤色光の植物成長への影響
評価
水膜上のフェムト秒レーザー励起 2 次元光源を用いたイ
メージングV 字振り子を用いたヴィオラの周波数応答の測定
休憩 /BreakAssessment of aquatic plant (Myriophyllum) activity byelectric potential and enzymatic activity under heavy
metal copper exposure
誘起電荷界面導電現象を用いた流体の方向制御の実験検証
ICEO を用いたベクターセパレーションの実験検証
AC，DC 電源を用いた炭素構造体の構造制御

晃生 1, 狭間 俊介 1, 堀井 和由 1
〇渡邉 柊人 1, 福岡 拓海 2, 山田 亮 1, 夛田 博一 1

1. 阪大院基礎工 , 2. 阪大基礎工〇矢吹 海 1, 山口 暁久 1, 門野 博史 1

1. 埼大理工研〇熊谷 幸汰 , 黄 心慧 , 畑中 耕治 , 早崎 芳夫
1

2

2〇松谷 晃宏 11

1. 宇都宮大オプティクス , 2. 中央研究院
1. 東工大〇 (D)Maimaiti Zulupuhaer

11.Saitama Univ.

〇高橋 駿介 1, 杉岡 秀行 1

1. 信州大工〇武田 良 , 杉岡 秀行〇中村 浩也 1, 杉岡 秀行 1

1. 信州大工1. 信州大工1

1

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology

ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
手回し発電機の LED ライトとしての実用的な利用法〇山口 静夫 1
1. 九共大手回し発電機における LED ライトの取り付けおよび固定 〇山口 静夫 1
1. 九共大法			 22a-P01-3
授業改善のためのリアルタイム感情測定システムの開発 〇羽渕 仁恵 1, 山田 博文 1, 曽江 久美 2, 伊藤 大幸 2, 今 1. 岐阜高専 , 2. お茶の水女子大
泉 修2
			 22a-P01-4
ウィズコロナ時代の電気・電子系学生実験の提案〇平谷 雄二 1, 大塩 祐雅 1
1. 公立諏訪東京理科大工
			 22a-P01-5
VR 技術を用いた VR 物理実験室の開発 4〇 (M2) 田村 友也 1, 藤城 武彦 1
1. 東海大理			 22a-P01-6
放電ランプ陰極中ユウロピウム原子の仕事関数測定〇大向 隆三 1, 武山 尚豊 2, 窪田 陽 1, 杉山 侑厘奈 1
1. 埼玉大教育 , 2. ナリカ
			 22a-P01-7
地磁気逆転現象の展示実験その３〇石井 義哲 1, 広田 恵 1
1. 艦磁研1
1
1
2
			 22a-P01-8
MR(Mixed Reality) を利用した磁界可視化システムの検 〇 (B) 瀬野 涼太 , 眞鍋 知久 , 松友 真哉 , 日高 勇気 1. 新居浜高専 , 2. 長岡技科大討
			 22a-P01-9
没入型デバイスを利用した荷電粒子シミュレーション教 〇 (B) 小林 幸太郎 1, 渡辺 唯斗 1, 浅地 豊久 1, 眞鍋 知 1. 新居浜高専
材の開発
久 1, 松友 真哉 1
			 22a-P01-10 シングルボードコンピュータを用いた非接触型温度計測 〇黒星 こころ 1, 井上 天翔 1, 郷司 悠斗 1, 福田 京也 1 1. 新居浜高専
器に関する教材開発
			 22a-P01-11 各種センサを用いた温度計測演習〇板東 能生 1
1. 呉高専			 22a-P01-12 高専における半導体人材育成教育の取り組み（1）〇大島 多美子 1, 猪原 武士 1, 日比野 祐介 1, 城野 祐
1. 佐世保高専
生 1, 前田 貴信 1, 渡辺 哲也 1, 中島 寛 1
1
			 22a-P01-13 高校生を対象とした蛍光体の作製・利用に関する簡易教 〇岡田 豪
1. 金沢工大材
9/22(Thu.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) C101 会場（Room C101）
13:30
奨 22p-C101-1 多量の LED 光センサ信号を活用した統計教材の開発〇 (B) 高田 崇天 1, 河野 託也 1, 久芳 友宏 1
1. 岐阜高専専攻科
13:45
奨 22p-C101-2 LED 光センサの特徴を生かしたデータ解析教材の開発〇 (B) 久芳 友宏 1, 河野 託也 1, 髙田 崇天 1
1. 岐阜高専専攻科
1
14:00		 22p-C101-3 振動をテーマとした応用物理学の教育教材づくり〇山田 健二1. 石川高専
14:15		 22p-C101-4 電気二重層コンデンサーを用いた RC 直列回路の時定数 〇西川 浩之 1, 西村 太樹 1
1. 都市大測定実験
14:30		休憩 /Break
14:45
E 22p-C101-5 New Models in Teaching Materials, Physics and〇 Wen Zhao1, Nicolas Martin1
1.Ansys Inc.
Engineering
15:00		 22p-C101-6 長期間航走水中無人航走体の動力検索（２）〇廣田 惠 11. 艦磁研15:15		 22p-C101-7 中部大学工学部創造理工学実験における新型コロナ対応 〇伊藤 智幹 1, 鈴木 建司 1, 田畑 孝幸 1, 井筒 潤 1, 伊藤 1. 中部大工の授業運営
響 1, 大嶋 晃敏 1, 岡田 信二 1, 久保 伸 1, 柴田 祥一 1, 中
山 和也 1, 橋本 真一 1, 浜辺 誠 1, 廣岡 慶彦 1, 山崎 勝
也 1, 山本 則正 1
15:30		 22p-C101-8 遠隔地と現地の双方で行う汎用型遠近融合実験の構築〇大塩 祐雅 1, 平谷 雄二 1
1. 諏訪理科
15:45		休憩 /Break1
16:00		 22p-C101-9 グループ討論を含む大人数オンデマンド初年次教育〇葛生 伸
1. 福井大工16:15		 22p-C101-10 複数科目で利用可能な情報カードの教材開発〇服部 彩乃 1, 吉原 夕貴 1, 小栗 和也 1
1. 東海大教養
16:30		 22p-C101-11 学生を中心としたイノベーションプラットフォーム活動 〇為近 恵美 1, 青砥 陸 1, 安田 周世 1, 布施 虎太郎 1, 盛 1. 横国大 , 2. パーソル P&T, 3.HYPER CUBE
～キャンパスマップの VR 化～
一 志仁 1, 西川 功佑 2, 前田 俊太朗 3
16:45		 22p-C101-12 中高一貫校サイエンス部の支援活動〇栗原 一嘉 1, 大河原 詩織 1
1. 福井大教
1.3 新技術・複合新領域 / Novel technologies and interdisciplinary engineering
9/20(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20a-P01-1
Si 異方性エッチングによる超高周波デュアルチャンネル 〇篠原 淳希 1, 吉野 学 1, 加藤 史仁 1
1. 日工大無線 QCM 製作プロセスの基礎検討
			 20a-P01-2
PDMS 微細流路を有する水晶振動子水素センサ〇阿藤 大輝 1, 青木 智也 1, 加藤 史仁 1
1. 日工大			 20a-P01-3
稲作農事暦に合わせたジャンボタニシの工学的防除対策 〇柳生 義人 1, 吉田 和弘 2, 遊佐 陽一 2
1. 佐世保高専 , 2. 奈良女子大
モデルの構築および効果検証
			 20a-P01-4
電気誘引特性を用いたジャンボタニシの密度推定および 〇柳生 義人 1, 大島 多美子 1, 猪原 武士 1, 日比野 祐
1. 佐世保高専
発生予察技術介 1, 川崎 仁晴 1
11
12
			 20a-P01-5
ポジ型電子線レジスト SML1000 をマスクとして用いた 〇松谷 晃宏 , 遠西 美重 , 藤本 美穂 , 松下 祥子
1. 東工大 OFC, 2. 東工大物質理工学院
SF6-RIE による Ge のドライエッチング
9/21(Wed.) 13:00 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) A301 会場（Room A301）
13:00		 21p-A301-1 表面＆界面偏析の予測システム SurfSeg〇吉武 道子 1
1. 物材機構
13:15		 21p-A301-2 金属 - 酸化物界面の結合予測システム InterChemBond〇吉武 道子 1
1. 物材機構
1
1〇 Wen Zhao , David Mercier
13:30
E 21p-A301-3 Development of A Multi-scale Material Properties and1.Ansys Inc.
Research Data Management Workflow forSuperconducting Materials

1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境 / Energy conversion, storage, resources and environment
13:45

E 21p-A301-4

14:00

奨 E 21p-A301-5

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology

14:15		14:30奨 21p-A301-6

Enhancement in energy density of electroactive polymerbased wearable devices using silicone rubber and carbon
nanotube based composite dielectric film
Design of RV32E RISC-V CPU for Biomedical and IoTApplications
休憩 /Break
MOD 法によるガラス基板への VO2 薄膜成長と特性評価〇 (D)Nitin Kumar Singh1, Kazuto Takashima1,
Shyam S. Pandey1

1.Kyushu Institute of Technology, Japan〇 (M2C)Panithan Srisinsuphya1, Yasufumi

1.Tokyo Inst. of Tech.

Yokoshiki1, Takashi Tokuda1〇 (M1) 扶川 泰斗 1, 豊田 和晃 1, 小山 政俊 1, 廣芝 伸 1. 大工大 ナノ材研哉 1, 小池 一歩 1, 和田 英男 1
14:45		 21p-A301-7 ALD 法による Al2O3 ナノ構造を利用した白金ナノ構造の 〇禹 泰圭 1, 辻 祐樹 1, 林 翔平 1, 前田 讓治 1, 板谷 太 1. 東理大 理工 , 2. 産総研
試作と評価
郎 2, 天野 建 2
15:00		 21p-A301-8 半導体レーザの薄膜化プロセスの開発〇 (M1) 辻 祐樹 1, 禹 泰圭 1, 林 翔平 1, 前田 讓治 1, 板 1. 東理大 理工 , 2. 産総研
谷 太郎 2, 天野 健 2
15:15		 21p-A301-9 研削技術を用いたポリマー光導波路の精密クラッド形成 〇林 翔平 1, 辻 祐樹 1, 禹 泰圭 1, 前田 讓治 1, 板谷 太 1. 東理大 理工 , 2. 産総研
プロセスの検討郎 2, 天野 健 2
15:30		休憩 /Break
15:45		 21p-A301-10 ガスセンサ測定における繰り返し測定による SN 比の向 〇今村 岳 1, 2, 吉川 元起 1, 3, 南 皓輔 1
1. 物材研 , 2. 阪大院 , 3. 筑波大院
上
16:00		 21p-A301-11 人工嗅覚システムを用いた鉱油の異臭検知〇多中 優 1, 劉 元昌 1, 矢田部 塁 1, 小野寺 武 1, 藤原 伸 1. 九大シス情 , 2. 明電舎 , 3. 九大五感研究セ , 4. 九大高等行 2, 武田 秀一 2, 都甲 潔 3, 4
研
16:15		 21p-A301-12 酸化スズナノ粒子を含むミストによるガスセンサー膜形 〇本田 光裕 1, 坂井 孝基 1, 中島 慎太朗 1, 市川 洋 1
1. 名工大応物
成16:30
E 21p-A301-13 Up-Photon (From Photons to Electrons)〇 Gh. Saleh1
1.Saleh Research Centre
1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境 / Energy conversion, storage, resources and environment
9/20(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20a-P02-1
回転永久磁石を用いた磁気浮上推進システムの推進力特 〇佐伯 拓 1, 森 慶一 1, 稲田 貢 1
1. 関西大学システム理工性			 20a-P02-2
ハルバッハ配列回転永久磁石を用いた磁気車輪の浮上力 〇佐伯 拓 1, 稲田 貢 1
1. 関西大学システム理工特性			 20a-P02-3
磁気車輪回転速度 PID 制御での機械学習ゲインパラメー 〇 (M1C)LI JIZHAO1, 上原 裕貴 1, 稲田 貢 1, 佐伯 拓 1 1. 関西大学システム理工
タ自動生成			 20a-P02-4
磁気浮上推進システムにおける磁気車輪の回転速度 PID 〇 (M1C) 上原 裕貴 1, リ サイショウ 1, 佐伯 拓 1, 稲田 1. 関西大学システム理工制御
貢1
			 20a-P02-5
β -FeSi2/TiO2 複合粒子の光触媒効果に及ぼす還元反応助 〇秋山 賢輔 1, 奥田 徹也 1, 伊藤 裕子 1, 牛島 幹夫 1, 長 1. 神奈川産技総研 , 2. 山梨大学
触媒及び CrOx 被覆層の影響
沼 康弘 1, 入江 寛 2
		
E 20a-P02-6
Improvement of Photoelectrochemical Water Splitting by 〇 (D)Lingga Ghufira Oktariza1, Namiki Uezono1,
1.University of Tsukuba, 2.Konan University
Bridging Strategy of P-N Heterojunction Using CoJiaqi Liu1, Shukur Gofurov1, Sachin A. Pawar1,
1
2
catalyst
Muhammad Monirul Islam , Shigeru Ikeda , Takeaki
Sakurai1
			 20a-P02-7
水素雰囲気下における CaCO3 からのメタン生成に La 添 〇 (M2) 吉田 有章 1, 源馬 龍太 1
1. 東海大院工加が与える影響
1
1
			 20a-P02-8
LaNi5/V 薄膜上における CO2 のメタン化〇 (M1) 金田 修一 , 源馬 龍太
1. 東海大院工			 20a-P02-9
Pd で表面修飾した La-Ni 系薄膜上における CO2 メタン化 〇 (M1) 馬場 晴也 1, 源馬 龍太 1
1. 東海大院工反応
			 20a-P02-10 資源量豊富な元素から構成される人工光合成システム〇西 哲平 1, 佐藤 俊介 1, 関澤 佳太 1, 鈴木 登美子 1, 大 1. 豊田中研
- カーボンナノホーン担体効果による CO2 還元触媒活性 石 敬一郎 1, 高橋 直子 1, 松岡 世里子 1, 森川 健志 1
向上 			 20a-P02-11 蓄熱性アゾ色素分子の冷結晶化の熱分析および結晶構造 〇本田 暁紀 1, 河合 将斗 1, 宮村 一夫 1
1. 東理大理
解析
1
1
1
1
			 20a-P02-12 高容量・高速充放電可能にする Fe-Mn プルシアンブルー 〇寺島 僚 , 朝比奈 悠太 , 石崎 学 , 栗原 正人
1. 山形大院理工類似体とカーボンナノチューブからなるバインダーフ
リー正極			 20a-P02-13 超高速充放電を可能にする Fe-Zn プルシアンブルー類似 〇 (M1) 朝比奈 悠太 1, 寺島 僚 1, 石崎 学 1, 栗原 正人 1 1. 山形大院理工体と単層カーボンナノチューブからなるバインダーフ
リー正極			 20a-P02-14 Metal-N-C 結合を有するマクロポーラスカーボン系触媒 〇 (M1C) 山本 海輝 1, 田中 健一 1, 福島 魁人 1, 石崎
1. 芝浦工大院理工 , 2. 芝浦工大工
材料の合成およびリチウム空気電池への応用
貴裕 2
		E 20a-P02-15 The Effect of Microwave on Catalytic deconstruction of〇 IPutu Abdi Karya1, Nakagawa Kohei1, Asano
1.FIR, Univ. of Fukui, 2.Univ. of Fukui, 3.HISAC, Univ.
HDPE (high-density polyethylene) and FeAlOx
Takayuki2, Nishimura Fumihiro3, Nishiumiof FukuiToyohiko2, Mitsudo Seitaro2
			 20a-P02-16 核融合ダイバータ用複合材料における重水素プラズマの 〇後藤 直樹 1, 鷲平 拓也 1, 林 俊輔 2, 松村 義人 1, 利根 1. 東海大工院 , 2. 東海大理院
反応
川 昭 2, 源馬 龍太 1
			 20a-P02-17 ローカル電源網〇吉川 隆 1
1. 近畿大学工業高専
9/23(Fri.) 9:00 - 11:00 口頭講演 (Oral Presentation) A306 会場（Room A306）
9:00		 23a-A306-1 超高圧処理ナノポーラスカーボンのガス種による細孔構 〇前田 光 1, 李 恒 1, 和田 一真 1, 津田 欣範 1, 2, 小松 啓 1. 長岡技大 , 2. ヒューズテクノネット
造の変化
志 1, 齋藤 秀俊 1
9:15		 23a-A306-2 高温水素加圧処理を行った炭酸カルシウムの構造変化〇阿部 大和 1, 李 恒 1, 前田 光 1, 渡辺 悠雅 1, 吉田 梨花 1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト , 3. アッチェ
子 1, 和田 一真 1, 中村 淳 2, 1, 伊藤 治 2, 南部 景樹 3, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
9:30		 23a-A306-3 異なる炭素系原料を用いたアルカリ賦活 法によるナノ〇和田 一真 1, 前田 光 1, 津田 欣範 1, 2, 小松 啓志 1, 齋 1. 長岡技科大 , 2. ヒューズ・テクノネット
ポーラスカーボンの調製
藤 秀俊 1
9:45		
休憩 /Break
10:00		 23a-A306-4 固体高分子形燃料電池カソード Pt/C 触媒粒子表面の吸着 〇宇留賀 朋哉 1, 2, 三輪 寛子 2, 吉田 健文 2, 金子 拓
1. 高輝度セ , 2. 電通大情報 , 3. 東大新 , 4. 名大理 , 5. 北大
酸素種 / 硫黄種の in situ 硬 X 線発光分光計測
真 1, 佐々木 岳彦 3, 東 晃太朗 1, 坂田 智裕 2, 関澤 央
触研
輝 1, 2, 松井 公祐 4, 朝倉 清高 5, 唯 美津木 4, 岩澤 康裕 2
1, 3
1, 3
3
10:15		 23a-A306-5 微生物燃料電池の長期安定性と浄化能力の評価〇山本 彩果 , 櫻井 健司 , 本田 杏奈 , カートハウ 1. 阪公大院工 , 2. 阪公大院理 , 3. 阪公大 LAC-SYS 研究所 ,ス オラフ 4, 飯田 琢也 2, 3, 床波 志保 1, 3
4. 千歳科技大
10:30
奨 23a-A306-6 スーパーキャパシタ電極用 Ni ナノ粒子 - 炭素ナノ複合材 〇秋山 達也 1, 石井 陽祐 2, 川崎 晋司 2, 種村 眞幸 2,
1.FCC, 2. 名工大 , 3. マレーシアプトラ大の合成
Yazid Yaakob3
10:45 奨 E 23a-A306-7 Reproducibility and Stability of Pb-free CsBi3I10 based〇 (D)Md Abdul Karim1, 2, Kiyoto Matsuishi2,
1.NIMS, 2.Tsukuba Univ., 3.Purdue Univ.
Perovskite Solar Cells Improved by Bathocuproine
Towhid H. Chowdhury1, Wasif Islam Chowdhury3,Interfacial Layer
Muhammad Abdel-shakour1, 2, Ashraful Islam1
9/23(Fri.) 13:00 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) A306 会場（Room A306）
13:00		 23p-A306-1 電気化学及びガス水素を用いた Pd の水素吸放出反応にお 〇伊比井 亜弥音 1, 石田 素子 1, 原田 亮 亮 1, 内田 ヘ 1. 東海大院工ける熱力学的特性の評価
ルムート 貴大 1
13:15
奨 23p-A306-2 福島風化黒雲母を対象とした熱伝導特性の温度依存性〇早川 虹雪 1, 梅田 海人 1, 村口 正和 1, 木村 尚仁 1, 小 1. 北科大工 , 2. 和大シス工 , 3. 筑波大物工 , 4. 原子力機構
田 将人 2, 飯野 千秋 2, 石井 宏幸 3, 本田 充紀 4

1.5 計測技術・計測標準 / Instrumentation, measurement and Metrology
13:30		 23p-A306-3

海水溶存金属資源吸着のためのアガロースゲルの研究

1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology〇 (M2) 元満 弘貴 1, 原 一広 1, 岡部 広高 1, 河野 真也 1, 1. 九大院工日高 芳樹 1
13:45
奨 23p-A306-4 レーザによるプラスチックごみ処理の検討Ⅱ〇 (M2) 高橋 雅希 1, 大木 治弥 1, 庄司 一郎 1
1. 中央大理工14:00		 23p-A306-5 海洋 CO2 モニタリングに向けた PDMS マイクロ流路デバ 〇 Pham Duc Nhan1, 中野 善之 2, 三輪 哲也 2, 栁田 保 1. 東京工業大学 , 2. 国立研究開発法人海洋研究開発機構
イス
子1
14:15		 23p-A306-6 熱駆動型マイクロエンジンの基礎から応用への展開〇杉岡 秀行 1
1. 信州大工14:30		休憩 /Break
14:45		 23p-A306-7 自己組織化によるカーボンヒータと対流ポンプへの応用 〇吉嶋 大貴 1, 山本 幸汰 1, 杉岡 秀行 1
1. 信州大工
15:00
奨 23p-A306-8 光駆動型対流ポンプによる水の汲み上げ実験〇吉嶋 大貴 1, 杉岡 秀行 1
1. 信州大工1
1
15:15
奨 23p-A306-9 熱界面型振り子の流体力学的相互作用の研究〇冨田 航 , 杉岡 秀行
1. 信州大工1
1
15:30
奨 23p-A306-10 放電現象を用いたサイドシューターの提案〇村多 桂明 , 杉岡 秀行
1. 信州大工
15:45
奨 23p-A306-11 熱伝達の非対称性を用いた回転式熱機関のスクリューポ 〇荒井 裕貴 1, 田中 光弘 1, 杉岡 秀行 1
1. 信州大工ンプ
16:00
奨 23p-A306-12 核沸騰を用いた固定斜め構造型ポンプの提案とメカニズ 〇宮内 惇 1, 杉岡 秀行 1
1. 信州大工ム検証
1.5 計測技術・計測標準 / Instrumentation, measurement and Metrology
9/20(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20a-P03-1
異なる自由発展時間を用いた Ramsey-CPT 共鳴のライト 〇蒲生 宏之 1, 福岡 政大 1, 五箇 繁善 1
1. 東京都立大学
シフト除去法11
11
			 20a-P03-2
がん灼熱療法における磁性材料の発熱特性評価法の検討 〇若山 ことみ , 松本 怜佳 , 松友 真哉 , 平澤 英之
1. 新居浜高専
			 20a-P03-3
多種ガス用微量水分発生装置におけるガス流量の不確か 〇天野 みなみ 1, 阿部 恒 1
1. 産総研さ評価			 20a-P03-4
ラマン散乱を利用した魚類の栄養成分の分布測定〇 (B) 堀内 そら 1, 大前 洸斗 1
1. 釧路高専
9/20(Tue.) 13:15 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) A301 会場（Room A301）
13:15		 20p-A301-1 サファイア隔膜真空計の半導体製造プロセスにおける耐 〇石原 卓也 1, 添田 将 1
1. アズビル
デポ対策
13:30		 20p-A301-2 光ファイバー結合レーザー吸収分光法を用いた露点計〇阿部 恒 1
1. 産総研13:45		 20p-A301-3 高速スキャン CRDS 微量水分計の開発〇天野 みなみ 1, 西澤 典彦 2, 富田 英生 2, 阿部 恒 1
1. 産総研 , 2. 名大1
1
14:00		 20p-A301-4 水銀フリー温度目盛におけるノンユニークネスの評価〇河村 泰樹 , 中野 享
1. 産総研14:15
奨 20p-A301-5 超伝導状態を用いない絶対熱電能測定法の提案〇阿部 航佑 1, 中津川 博 1, 宮﨑 尚 2, 北原 功一 2, 岡本 1. 横国大理工 , 2. 防衛大材料
庸一 2
14:30
奨 20p-A301-6 高湿度発生での発生露点の精度向上に向けた能動的露点 〇石渡 尚也 1, 阿部 恒 1
1. 産総研
制御法の開発14:45		 20p-A301-7 汎用ポリマーの Cryo-STEM-EELS 解析〇八瀬 清志 1, 花田 剛 1, 山平 尚廣 1, 堀内 伸 1
1. 産総研・ナノ材料
15:00		休憩 /Break
15:15		 20p-A301-8 中間圏界面の金属原子層観測を目的とする注入同期ナノ 〇橋本 彩香 1, 音瀬 めぐみ 1, 小林 蒼汰 2, 大饗 千
1. 電通大・基盤理工 , 2. 電通大・情報理工 , 3. 電通大・秒パルスチタンサファイアレーザーの開発
彰 1, 3, 桂川 眞幸 1, 3, 江尻 省 4, 中村 卓司 4, 西山 尚典 4 量子センター, 4. 極地研
11, 21
15:30		 20p-A301-9 蛍光体の表面加工による C 波紫外線検出器の高感度化〇 (M1) 人見 杏実 , 勝亦 徹 , 相沢 宏明
1. 東洋大理工 , 2. 東洋大工技研
15:45
E 20p-A301-10 Photons can have a constant rest-mass〇 Gh. Saleh1
1.Saleh Research Centre
16:00		 20p-A301-11 【注目講演】見えない静電気分布を発光可視化する静電気 〇寺崎 正 1, 菊永 和也 1
1. 産総研 SSRC
発光センシング材料の発見
1
2
2
2
16:15		 20p-A301-12 ハウス栽培内潅水制御に用いる日射センサの開発〇岩田 史郎 , 藤江 亮太 , 田部 翼 , 内田 博隆 , 中澤 1. 島根県産技センター, 2. 株式会社ニッポー
耕一郎 1, 今若 直人 1
16:30		 20p-A301-13 全印刷型フレキシブル触覚センサの作製とロボットグ〇竹田 泰典 1, Wang Yi-Fei1, 関根 智仁 1, 熊木 大介 1, 1.ROEL, 山形大学
リッパー応用時任 静士 1
1.6 超音波 / Ultrasonics
9/20(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20a-P04-1
100MHzSC-cut QCM 法における Drop Method の適用に 〇孫 英博 1, 丸山 悠大 1, 青木 佑太 1, 原 健悟 1, 渡部 泰 1. 東都大ついて明1
			 20a-P04-2
弾性表面波による液滴搬送と局在表面プラズモン共鳴セ 笠井 航平 1, 長尾 匠真 2, 〇近藤 淳 1, 2
1. 静岡大総合院工 , 2. 静岡大工ンサによる液滴計測
9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C105 会場（Room C105）
13:30
奨 22p-C105-1 筋組織の音響誘起電気分極〇 (B) 菊地 純奈 1, 坂倉 佑紀 1, 生嶋 健司 1
1. 農工大院工13:45		 22p-C105-2 多数の超音波造影気泡を含む液体の非線形音響特性を記 〇金川 哲也 1, 本多 満洋 2, 川畠 稜輝 2, Quoc Nguyen 1. 筑波大シス情 , 2. 筑波大院シス情 , 3. 筑波大理工
述する新たな数理モデル
Nam3, 菊地 勇成 2
14:00		 22p-C105-3 レーザ超音波法による物質推定技術の検討〇李 英根 1, 北澤 聡 1
1. 日立研開
14:15		 22p-C105-4 ボール SAW ガスクロマトグラフによる麦酒の香気成分分 〇赤尾 慎吾 1, 岩谷 隆光 1, 岡野 達広 1, 竹田 宣生 1, 塚 1. ボールウェーブ , 2. 東北大工析と定量化
原 祐輔 1, 大泉 透 1, 福士 秀幸 1, 田中 智樹 1, 菅原 真
希 1, 辻 俊宏 2, 1, 武田 昭信 1, 山中 一司 1, 2
14:30		 22p-C105-5 可搬型ボール SAW ガスクロマトグラフを用いた食品香気 〇岩谷 隆光 1, 赤尾 慎吾 1, 岡野 達広 1, 竹田 宣生 1, 塚 1. ボールウェーブ , 2. 東北大工
成分のヘッドスペース分析法の検討
原 祐輔 1, 大泉 透 1, 福士 秀幸 1, 田中 智樹 1, 菅原 真
希 1, 辻 俊宏 2, 1, 武田 昭信 1, 山中 一司 1, 2
14:45
奨 22p-C105-6 GHz 帯パルスエコー法による音響多層膜単体の機械特性 〇鈴木 基嗣 1, 2, 石井 直輝 1, 2, 近藤 圭太 1, 2, 柳谷 隆
1. 早大先進理工 , 2. 材研 , 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST
評価
彦 1, 2, 3, 4
12
31
15:00		 22p-C105-7 有限要素法による水晶二層構造厚みすべり振動子の粒子 〇 (M2) 野口 太生 , 大橋 雄二 , 面 政也 , 横田 有為 , 1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3.XMAT
変位分布の評価
村上 力輝斗 1, 黒澤 俊介 2, 鎌田 圭 2, 佐藤 浩樹 2, 豊田
智史 2, 堀合 毅彦 2, 山路 晃広 2, 吉野 将生 2, 花田 貴 1,
吉川 彰 1, 2
15:15
奨 22p-C105-8 基板付き薄膜構造からの圧電薄膜の Q 値抽出における横 〇清水 祐樹 1, 2, 柳谷 隆彦 1, 2, 3, 4
1. 早大先進理工 , 2. 材研 , 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST
方向伝搬の影響
15:30
招 22p-C105-9 「講演奨励賞受賞記念講演」〇関本 淳 1, 鈴木 雅視 1, 垣尾 省司 1
1. 山梨大学
高周波フィルタ応用に向けた高次モード極性反転 Ge(Si)
AlN/AlN 多層膜共振子
15:45		休憩 /Break
16:00
奨 22p-C105-10 SRO/Pt/Si 基板上の Ta2O5 圧電薄膜の低レートにおける 〇 (M2) 松浦 佳祐 1, 鈴木 雅視 1, 垣尾 省司 1, 小寺 正 1. 山梨大 , 2. 東工大
成膜と評価
徳 2, 舟窪 浩 2
16:15
奨 22p-C105-11 ScAlN 圧電薄膜を装荷した水晶同種材料接合構造におけ 〇藤井 雄大 1, 鈴木 雅視 1, 垣尾 省司 1
1. 山梨大工る縦型リーキーSAW の伝搬・共振特性
16:30
奨 22p-C105-12 圧電薄板 / ダイヤモンド基板構造上の縦型漏洩弾性表面 〇 (M1) 原 尚斗 1, 鈴木 雅視 1, 垣尾 省司 1, 山本 泰司 2 1. 山梨大 , 2. 山本エイデック
波共振特性の解析
16:45		 22p-C105-13 LiTaO3 薄板と SiC-on-Si 基板の接合構造における漏洩弾 〇渡邉 紀之 1, 垣尾 省司 1
1. 山梨大工性表面波の解析
17:00
奨 22p-C105-14 周期的空隙を有する圧電基板上の弾性表面波共振特性の 〇 (M1) 鈴木 渉志 1, 鈴木 雅視 1, 垣尾 省司 1
1. 山梨大解析
17:15
奨 22p-C105-15 LiNbO3/ 水晶接合構造のリーキーSAW 五次高調波の共振 〇 (M1) 森田 響生 1, 鈴木 雅視 1, 垣尾 省司 1, 水野 潤 2 1. 山梨大 , 2. 早稲田大特性

2 放射線 / Ionizing Radiation
17:30

奨 22p-C105-16 Ca3TaGa3Si2O14 ラブ波型 SH 波の高温下における共振特 〇 (M2) 鈴木 涼人 1, 鈴木 雅視 1, 垣尾 省司 1, 木村 悟
性利2
17:45		 22p-C105-17 インピーダンス負荷弾性表面波センサ応答の教師なし機 橋本 直樹 1, 馬場 信爾 1, 〇近藤 淳 1
械学習による両端固定梁の損傷評価

1. 山梨大学 , 2.Piezo Studio
1. 静岡大2 放射線 / Ionizing Radiation

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
9/21(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P14-1
TlBr の結晶育成方向の結晶方位分布の観察
			 21p-P14-2
			 21p-P14-3
			 21p-P14-4
			 21p-P14-5

			 21p-P14-6

			 21p-P14-7
			 21p-P14-8
			 21p-P14-9
			 21p-P14-10
			 21p-P14-11

2 放射線 / Ionizing Radiation

			 21p-P14-12
		

E 21p-P14-13

			 21p-P14-14

			 21p-P14-15
			 21p-P14-16

9/22(Thu.) 9:30 - 11:30
			 22a-P02-1
			 22a-P02-2
			 22a-P02-3
			 22a-P02-4
			 22a-P02-5
			 22a-P02-6
			 22a-P02-7
			 22a-P02-8
			 22a-P02-9
			 22a-P02-10
			 22a-P02-11
			 22a-P02-12
			 22a-P02-13
			 22a-P02-14
			 22a-P02-15
			 22a-P02-16
			 22a-P02-17
			 22a-P02-18
			 22a-P02-19
			 22a-P02-20
			 22a-P02-21
			 22a-P02-22
			 22a-P02-23〇渡辺 賢一 1, 人見 啓太朗 2, 野上 光博 2, 前田 茂貴 3, 1. 九大工 , 2. 東北大工 , 3.JAEA, 4. レイテック
尾鍋 秀明 4
臭化タリウム結晶の電気特性評価〇肥田 康佑 1, 西澤 潤一 2, 田端 健人 3, 都木 克之 3, 大 1. 静大院情 , 2. 静大光医工 , 3. 静大電研 , 4. 静大情
野 周 1, 長沼 皓大 4, 青木 徹 1, 2, 3, 4
CdTe へのレーザードーピング法におけるドーピング濃度 〇大野 周 1, 西澤 潤一 2, 都木 克之 3, 田端 健人 3, 伊藤 1. 静大院情 , 2. 静大光医工 , 3. 静大電研
コントロール精度向上に向けた検討
哲 3, 青木 徹 1, 2, 3
キャリア注入が CdTe 半導体検出器のスペクトルに与え 〇齋藤 寛希 1, 西井 健介 1, 青木 徹 1, 2, 伊藤 哲 1, 2
1. 静岡大院 , 2. 静大電研
る影響
集束陽子マイクロビームによる銀 , ユーロピウム共添加リ 〇加田 渉 1, 佐々木 愛加 1, 織茂 颯汰 1, 小菅 臨 1, 秋山 1. 群馬大理工 , 2. 量研機構
ン酸塩ガラス線量計の蛍光飛跡検出器としての応答評価 駿 1, 木村 成孝 1, 飯塚 和也 1, 赤上 友基 1, 山田 尚人 2,佐藤 隆博 2, 花泉 修 1, 石井 保行 2
粒子線の精密な線エネルギー付与の測定を目的とした薄 〇新井 優大 1, 2, 窪寺 敬 1, 山口 皐平 1, 横田 凌 1, 松本 1. 群馬大理工 , 2. 量研 , 3. 群馬大重粒子 , 4. 電中研
膜化型 SiC 検出器の開発
卓己 1, 大島 武 2, 牧野 高紘 2, 酒井 真理 3, 松村 彰彦 3,
加田 渉 1, 星乃 紀博 4, 土田 秀一 4
放射線検出器作製のためのペロブスカイト半導体膜の厚 〇佐藤 敏幸 1
1. 京都医療科学大学
膜化
超重核実験用ピクセル型大面積半導体検出器の性能評価 〇倉本 幸作 1, 森本 幸司 2, 加治 大哉 2, 武山 美麗 3, 門 1. 山形大理工 , 2. 理研仁科加速器研究センター, 3. 山形
叶 冬樹 3
大理
X 線撮像に向けた (CH3NH3)3Bi2I9 膜の表面パッシベー〇 (M2) 川上 未央子 1, 春田 優貴 1, 池之上 卓己 1, 三 1. 京大院エネ科
ション処理による高抵抗化
宅 正男 1, 平藤 哲司 1
ミストデポジション法による (CH3NH3)3Bi2I9 大面積膜の 〇中野 佑宇唯 1, 川上 未央子 1, 池之上 卓己 1, 三宅 正 1. 京大院エネ科
作製
男 1, 平藤 哲司 1
可搬型アクティブ中性子法装置による核物質検知に関す 〇田辺 鴻典 1, 2, 米田 政夫 3, 藤 暢輔 3, 土屋 兼一 1, 秋 1. 科警研 , 2. 東工大 , 3.JAEAる研究
葉 教充 1, 角田 英俊 1, 相楽 洋 2
Geant4 を用いた並列 X 線線量計算アプリケーションの開 〇 (M2) 吉田 順一 1, 村上 晃一 2, 岡田 勝吾 2, 尼子 勝 1. 総研大 , 2. 高エネ研発と評価
哉 2, 佐々木 節 2Mili-second 4D X-ray tomography using a multibeam〇 Xiaoyu Liang1, Wolfgang Voegeli2, Etsuo
1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.Tokyo Gakugei Univ., 3.
X-ray imaging system
Arakawa2, Koh Hashimoto3, Kentaro Kajiwara4,
Tohoku Univ. Kn. Ca., 4.JASIR, 5.Univ. of Tsukuba,
Katsuya Fujii5, Hiroyuki Kudo5, Tadashi Abukawa1, 6, 6.SRIS, Tohoku Univ., 7.Univ. of Tokyo
Wataru Yashiro1, 6, 7
粒子線がん治療時のシンチレーター型リアルタイム線モ 〇神長 摩菜美 1, 高橋 貫太 1, 森本 幸司 3, 岩井 岳夫 5, 1. 山形大大学院理工 , 2. 山形大理 , 3. 山形大医 , 4. 東北大ニタの開発：飛程検証のためのファイバー検出器の基礎 黒澤 俊介 4, 6, 門叶 冬樹 2
NICHe/ 金研 , 5. 理研 , 6. 阪大レーザー研
特性と陽子線のトラッキングについて
大面積 Al ₂ O ₃ :Cr,Si,Mn TLD を用いた X 線の 2 次元線量 〇 (M1) 近江 和希 1, 杉岡 菜津美 1, 張 維珊 1, 眞正 浄 1. 都立大院人
分布測定の検討
光1
核医学施設における高感度回転型コンプトンカメラを用 〇村石 浩 1, 石川 咲貴 1, 6, 榎本 良治 2, 片桐 秀明 3, 加 1. 北里大医衛 , 2. 東大宇宙線研 , 3. 茨城大理 , 4. 仙台高
いた測定
賀谷 美佳 4, 渡辺 宝 5, 加納 大輔 5, 塚本 ひかり 1, 7
専 , 5. 国がん研セ東病院 , 6. ハヤシレピック（株）, 7. 東海大病院
ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
1
2
3
1
Sm による RPL を呈するフルオロフォスフェートガラス 〇岡田 豪 , 篠崎 健二 , 柳田 健之 , 南戸 秀仁
1. 金沢工大 , 2. 産総研 , 3. 奈良先端大の軽元素化
Ag 添加リン酸塩ガラスを用いた放射線イメージング〇南戸 秀仁 1, 2, 岡田 豪 1, 小口 靖弘 2, 黒堀 利夫 2
1. 金沢工大 , 2. 千代田テクノル
放射線線量計への応用を目的とした Li2CaSiO4:Eu の RPL 〇竹林 文夫 1, 岡田 豪 1, 南戸 秀仁 1
1. 金沢工大
特性
1
1
1
1
MAl2O4:Eu (M= Mg, Ca, Sr, Ba) の放射線誘起蛍光特性〇小原 優斗 , 岡田 豪 , 露本 伊佐男 , 南戸 秀仁
1. 金沢工大
ピコ秒からマイクロ秒に至る TlBr の電荷再結合ダイナミ 〇越水 正典 1, 野上 光博 2, 人見 啓太朗 2, 室屋 裕佐 3 1. 静大電子研 , 2. 東北大院工 , 3. 阪大産研
クス
Ce 添加 Y3Al5O12（YAG）の過渡吸収分光〇越水 正典 1, 室屋 裕佐 2
1. 静大電子研 , 2. 阪大産研
CaF2:Eu の熱蛍光の LET 依存性〇越水 正典 1, 古場 裕介 2, 柳田 健之 3
1. 静大電子研 , 2. 量研機構 , 3. 奈良先端大
赤色発光 GAGG ナノ粒子シンチレータの開発〇棚橋 和基 1, 藤本 裕 2, 浅井 圭介 2, 越水 正典 1
1. 静岡大 , 2. 東北大院工
無機層を多層とした有機無機ペロブスカイト化合物を利 〇磯崎 泰斗 1, 藤本 裕 2, 浅井 圭介 2, 越水 正典 1
1. 静岡大 , 2. 東北大院工用したシンチレータ開発
12
2
2
X 線照射後の BCNO の熱蛍光
〇大場 康平 , 山口 寛人 , 藤本 裕 , 浅井 圭介 , 越水 1. 静岡大 , 2. 東北大院工正典 1
LiAlO2 添加プラスチックシンチレータのシンチレーショ 〇塚原 悠久 1, 佐藤 敦史 2, 藤本 裕 2, 浅井 圭介 2, 越水 1. 静岡大 , 2. 東北大院工ン特性
正典 1
TlCdCl3 結晶シンチレータにおける発光起源の調査〇藤本 裕 1, 石田 未夢 1, 渡邊 晶斗 1, 浅井 圭介 1
1. 東北大院工Sr 吸着後の銀交換ゼオライトへの X 線照射による蛍光特 〇 (DC) 川本 弘樹 1, 越水 正典 2, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1 1. 東北大院工 , 2. 静岡大性変化
重粒子線照射による 2'-anilino-6'-pentylamino-3'〇 (DC) 川本 弘樹 1, 河村 一朗 1, 越水 正典 2, 古場 裕 1. 東北大院工 , 2. 静岡大 , 3. 量研機構
methylfluoran のラジオクロミズム
介 3, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
液体シンチレータへの高濃度装荷を企図した二種分子修 〇渡邊 晶斗 1, 越水 正典 2, 横 哲 1, 成 基明 1, 笘居 高 1. 東北大 , 2. 静岡大電子研
飾 ZrO2 ナノ粒子の合成および修飾分子の探索
明 1, 阿尻 雅文 1, 林 大和 1, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
ゾルゲル法による Ce–Si 複合酸化物粒子添加プラスチッ 〇佐藤 敦史 1, 越水 正典 2, 藤本 裕 1, 小松崎 崇介 1, 岸 1. 東北大院工 , 2. 静岡大電子研 , 3.KEK 物構研
クシンチレータの開発
本 俊二 3, 浅井 圭介 1
機能性色素添加プラスチック膜の炭素線照射によるラジ 〇遠藤 寿弥 1, 川本 弘樹 1, 越水 正典 2, 古場 裕介 3, 藤 1. 東北大院工 , 2. 静岡大 , 3. 量研機構
オクロミズム本 裕 1, 浅井 圭介 1
中性子線照射による Sm3+ 添加 Li2O–CaO–P2O5 ガラスの 〇 (M1) 山口 寛人 1, 川本 弘樹 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 2, 1. 東北大院工 , 2. 静岡大 , 3. 近大原研
熱蛍光若林 源一郎 3, 浅井 圭介 1
Al(PO3)3–NaPO3–CeCl3 ガラスシンチレータの改良〇中林 優輔 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 2, 浅井 圭介 1
1. 東北大院工 , 2. 静岡大
Sb3+ 添加 TlCdCl3 結晶のシンチレーション特性〇石田 未夢 1, 渡邊 晶斗 1, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
1. 東北大工
中性子検出用 LiPO3­­‒Al(PO3)3­­‒CeCl3 ガラスシンチレータ 〇長谷川 洸 1, 中林 優輔 1, 渡邊 晶斗 1, 藤本 裕 1, 浅井 1. 東北大工の開発
圭介 1
溶媒蒸発法により合成した KH2PO4 結晶の光学及びシン 〇宮田 大壽 1, 佐藤 敦史 1, 川本 弘樹 1, 藤本 裕 1, 浅井 1. 東北大工
チレーション特性
圭介 1
Tm 添加 BaF2 透明セラミックスのドシメータ及びシンチ 〇河野 直樹 1, 加藤 匠 2, 中内 大介 2, 福嶋 宏之 2, 竹渕 1. 秋田大院理工 , 2. 奈良先端大 , 3. クレムゾン大レーション特性優馬 2, Luiz Jacobsohn3, 柳田 健之 2

2.1 検出器デバイス開発 / Detection Devices
			 22a-P02-24

Tb3+ 添加 Gd2O3–Sb2O3–Nb2O5–TeO2 ガラスの放射線応
答特性

2 放射線 / Ionizing Radiation〇中森 亮吾 1, 河野 直樹 1, 中内 大介 2, 加藤 匠 2, 白鳥 1. 秋田大院理工 , 2. 奈良先端大 , 3. 産総研
大毅 2, 福嶋 宏之 2, 竹渕 優馬 2, 篠崎 健二 3, 柳田 健
之2
			 22a-P02-25 Eu2O3 添加 SrO–Nb2O5–TeO2 ガラスの作製及びシンチ〇宗田 駿太朗 1, 中森 亮吾 1, 河野 直樹 1, 中内 大介 2, 1. 秋田大 , 2. 奈良先端大 , 3. 産総研
レーション特性評価
加藤 匠 2, 白鳥 大毅 2, 福嶋 宏之 2, 竹渕 優馬 2, 篠崎 健
二 3, 柳田 健之 2
			 22a-P02-26 Tb:Sr2Gd8(SiO4)6O2 シンチレータのα / β 評価
〇渡辺 賢一 1, 柳田 健之 2, 中内 大介 2, 河口 範明 2
1. 九州大 , 2. 奈良先端大
			 22a-P02-27 B2O3-CaO-SiO2-La2O3:Tb3+ ガラスのシンチレーション特 〇柳田 健之 1, 渡辺 賢一 2, 加藤 匠 1, 中内 大介 1, 河口 1. 奈良先端大 , 2. 九大工性範明 1			 22a-P02-28 中性子検出と X 線線量計測に利用可能な多機能型 LiF/
〇河口 範明 1, 加藤 匠 1, 中内 大介 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大CaF2:Gd 共晶材料
			 22a-P02-29 Ce 添加 LiAl5O8 単結晶の放射線誘起特性〇加藤 匠 1, 竹渕 優馬 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 1. 奈良先端大
健之 1
			 22a-P02-30 Sm 添加 AECl2 (AE=Ca, Sr, Ba) 単結晶シンチレータの評 〇中内 大介 1, 加藤 匠 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大価			 22a-P02-31 Mn 添加 Ca3Al2Ge3O12 のラジオフォトルミネッセンス特 〇福嶋 宏之 1, 加藤 匠 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 1. 奈良先端大性評価
健之 1
			 22a-P02-32 Ce:HfO2-Al2O3-SiO2 三元系重元素ガラスの放射線誘起蛍 〇 (DC) 白鳥 大毅 1, 中内 大介 1, 加藤 匠 1, 河口 範
1. 奈良先端大
光特性
明 1, 柳田 健之 1		E 22a-P02-33 Scintillation properties of Tb-doped rare-earth〇 (DC)Prom Kantuptim1, Takumi Kato1, Daisuke
1.NAIST, 2.Kyushu Univ.
pyrosilicate single crystal
Nakauchi1, Kenichi Watanabe2, Noriaki Kawaguchi1,
Takayuki Yanagida1
			 22a-P02-34 MgGa2O4 単結晶のドシメータ特性における Ti 濃度依存 〇竹渕 優馬 1, 加藤 匠 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 1. 奈良先端大
性の評価
健之 1
			 22a-P02-35 Eu 添加 KBr 透光性セラミックスの光刺激蛍光特性〇木村 大海 1, 竹渕 優馬 2, 藤原 健 1, 田中 真人 1, 加藤 1. 産総研 , 2. 奈良先端大
匠 2, 中内 大介 2, 河口 範明 2, 柳田 健之 2
			 22a-P02-36 Al ₂ O ₃ :Cr セラミックス板と Al ₂ O ₃ :Cr,Si,Mg セラミックス 〇 (M2) 杉岡 菜津美 1, 佐々木 瑛麻 1, 永坂 光正 2, 吉 1. 東京都立大学 , 2. 名大院工 , 3. 九大院工 , 4. 金沢工大
板の精密昇温速度法を用いたグロー曲線解析
橋 幸子 2, 瓜谷 章 2, 渡辺 賢一 3, 岡田 豪 4, 松本 真之
介 1, 眞正 浄光 1
			 22a-P02-37 再捕獲を考慮した BeO セラミックス板のグロー曲線解析 〇 (M1) 佐々木 瑛麻 1, 松本 真之介 1, 杉岡 菜津美 1,
1. 都立大 , 2. 名大院工 , 3. 九大院工 , 4. 金沢工大
永坂 光正 2, 吉橋 幸子 2, 瓜谷 章 2, 渡辺 賢一 3, 岡田
4
1
豪 , 眞正 浄光
2.1 検出器デバイス開発 / Detection Devices
9/20(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A102 会場（Room A102）
9:00
招 20a-A102-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇矢島 隆雅 1, 2, 鎌田 圭 3, 4, 沓澤 直子 4, 吉野 将生 3, 4, 1. 東北大工 , 2. 東北大金研 , 3. 東北大 NICHe, 4.C&A,
高分解能及び高感度放射線イメージングに向けた光導波 堀合 毅彦 3, 4, 村上 力輝斗 2, 4, Kim Kyoung3, 4, 山路 晃 5. 早稲田大型シンチレータ 結晶プレートの開発
広 2, 3, 黒澤 俊介 3, 横田 有為 2, 佐藤 浩樹 3, 豊田 智
史 3, 大橋 雄二 3, 花田 貴 2, Kochurikhin Vladimir4, 山
本 誠一 5, 吉川 彰 2, 3, 4
9:15		 20a-A102-2 中性子検出用 Ce1%LaCl3/6LiCl と Ce1%LaCl3/6LiCl /〇 (M1) 佐々木 玲 1, 2, 鎌田 圭 2, 3, 4, 矢島 隆雅 1, 2, 吉野 1. 東北大工 , 2. 東北大金研 , 3. 東北大 NICHe, 4.C&A
SrCl2 シンチレータの育成と特性評価
将生 2, 3, 堀合 毅彦 2, 3, 村上 力輝斗 2, Kyoung Jin
Kim2, 3, 山路 晃広 2, 3, 黒澤 俊介 2, 3, 横田 有為 2, 3, 佐藤浩樹 2, 3, 豊田 智史 2, 3, 大橋 雄二 2, 3, 花田 貴 2, 吉川彰 2, 3, 4
9:30		 20a-A102-3 Eu 添加 (Ca,Li)I2 の作製とシンチレーション評価及び n/ 〇吉野 将生 1, 3, 飯田 崇史 4, 鎌田 圭 1, 3, 矢島 隆雅 2,
1. 東北大 NICHe, 2. 東北大金研 , 3. ㈱ C&A, 4. 筑波大理
γ波形弁別能佐々木 玲 2, 吉川 彰 1, 2, 3
9:45		 20a-A102-4 SAC-PET/SPECT に向けたモノリシック GAGG イメー 〇吉野 将生 1, 3, 島添 健次 4, 鎌田 圭 1, 3, 吉川 彰 1, 2, 3
1. 東北大 NICHe, 2. 東北大金研 , 3. ㈱ C&A, 4. 東大工
ジング検出器の開発
1, 2
2, 3, 410:00		 20a-A102-5 廃炉作業におけるガンマ線検出に向けた Nd 添加 Y3Al5O12 〇 (M1C) 松倉 大佑 , 黒澤 俊介, Kochurikhin 1. 東北大工学研究科 , 2. 東北大金研 , 3. 東北大 NICHe,
シンチレータの開発
Vladimir5, 小玉 翔平 6, 藤原 千隼 1, 2, 山路 晃広 2, 3, 大 4. 大阪大レーザー研 , 5.C&A, 6. 埼玉大理工
橋 雄二 2, 3, 横田 有為 2, 鎌田 圭 2, 3, 佐藤 浩樹 2, 3, 豊田
智史 2, 3, 吉野 将生 2, 3, 花田 貴 2, 村上 力輝斗 2, 堀合 毅
彦 2, 3, 吉川 彰 2, 3, 5
10:15		休憩 /Break
10:30		 20a-A102-6 高阻止能セラミクスシンチレータの探索〇黒澤 俊介 1, 2, 3, 原田 晃一 2, 藤岡 加奈 3, 曽根 宏 4, 氏 1. 東北大 NICHe, 2. 東北大金研 , 3. 阪大レーザー研 , 4. 宮家 博輝 4, 藤原 千隼 2, 5, 松倉 大佑 2, 5, 山路 晃広 1, 2
城県産業技術総合セ , 5. 東北大工10:45
奨 20a-A102-7 中性子・ガンマ線両検出用の新規赤色発光 Li2Hf(Br,I)6 シ 〇藤原 千隼 1, 2, 黒澤 俊介 2, 3, 4, 山路 晃広 2, 3, 大橋 雄 1. 東北大院工 , 2. 東北大金研 , 3. 東北大 NICHe, 4. 大阪
ンチレータの発光特性
二 2, 3, 横田 有為 2, 鎌田 圭 2, 3, 5, 佐藤 浩樹 2, 3, 豊田 智 大レーザー研 , 5.( 株 )C&A
史 2, 3, 吉野 将生 2, 3, 村上 力輝斗 2, 堀合 毅彦 2, 3, 花田
貴 2, 吉川 彰 2, 5
11:00
奨 20a-A102-8 ガンマ線三次元影を用いた全方向イメージング技術の検 〇 (D) 北山 佳治 1, 2, 野上 光博 2, 人見 啓太朗 2
1. 原子力機構 , 2. 東北大工討
11:15		 20a-A102-9 光学分離ピクセルコリメータを用いた高解像度シンチ〇田端 健人 1, 西澤 潤一 2, 3, 都木 克之 1, 3, 加瀬 裕
1. 静岡大電研 , 2. 静大光医工 , 3. 株式会社 ANSeeN
レータ型 X 線画像検出器の開発
貴 2, 1, 小池 昭史 3, 青木 徹 1, 2, 3
11:30		 20a-A102-10 改良型ポータブルミュオグラフィ検出器による地中構造 〇 (M2) 関口 恒 1, 金 政浩 1, 岡本 直也 1, 三谷 泰浩 2, 1. 九大総理工 , 2. 九大工探査
本田 博之 2
11:45
招 20a-A102-11 「放射線奨励賞受賞記念講演」〇畠山 修一 1, 上野 雄一郎 1, 田所 孝広 1, 上野 克宜 1, 1. 日立研開 , 2. 日立大甕 , 3. 東北大
単一光子測定法を用いた高感度光ファイバ型放射線モニ 岡田 耕一 1, 佐々木 敬介 2, 渋谷 徹 2, 鎌田 圭 3, 村上タ
力輝斗 3, 吉川 彰 3
9/20(Tue.) 13:00 - 16:00 口頭講演 (Oral Presentation) A102 会場（Room A102）
13:00
招 20p-A102-1 「放射線賞受賞記念講演」〇高橋 浩之 1
1. 東大工マイクロパターンガス検出器及び信号処理回路技術の開発13:30		 20p-A102-2 電荷別宇宙線ミュオン粒子束の計測に向けた検出器の開 〇亀井 智子 1, 川瀬 頌一郎 1, 佐藤 朗 2, 中上 直人 1, 中 1. 九大総理工 , 2. 阪大理
発 1) ドリフトチェンバーの製作および予備実験
谷 聡江 1, 渡辺 幸信 1
13:45		 20p-A102-3 電荷別宇宙線ミュオン粒子束の計測に向けた検出器の開 〇 (M1) 中上 直人 1, 亀井 智子 1, 川瀬 頌一郎 1, 佐藤 1. 九大総理工 , 2. 阪大理
発朗 2, 中谷 聡江 1, 渡辺 幸信 1
２）飛跡再構成に用いるアルゴリズムの開発
14:00		 20p-A102-4 有機半導体と酸化ガドリニウムを用いた新型放射線検出 〇 (DC) 深澤 永里香 1, 宮田 等 1, 宮田 恵理 2, 勝亦 正 1. 新大自 , 2. 足利大 , 3. 神奈川県衛生研 , 4. 日本歯科大 ,器の開発
明 3, 佐藤 隼人 1, 小野 裕明 4, 渡辺 みのり 4, 斎藤 栄
5. 長野高専 , 6. 日本カーリット ( 株 )輔 5, 清野 義敬 1, 梅山 晃典 6, 佐藤 誠 6, 田村 正明 6, 鈴
木 崇民 6
14:15		 20p-A102-5 新規核計装システムにむけた高耐圧 BGaN 中性子検出器 〇 (M2) 中村 大輔 1, 林 幸佑 1, 夏目 朋幸 1, 川崎 晟也 2, 1. 静大院工 , 2. 名大院工 , 3. 近大原研 , 4. 名大 IMaSS,の開発
若林 源一郎 3, 本田 善央 4, 天野 浩 4, 井上 翼 1, 青木
5. 静大電研
徹 5, 中野 貴之 1, 5
14:30		休憩 /Break2.2 放射線物理一般・放射線応用・発生装置・新技術 / Radiation physics fundamentals & applications, radiation generators, new technology

2 放射線 / Ionizing Radiation

14:45		 20p-A102-6

ピクセル型臭化タリウム半導体検出器の有感体積評価〇長谷川 創大 1, 渡辺 賢一 1, 人見 啓太朗 2, 野上 光
1. 九州大工 , 2. 東北大工博2
15:00		 20p-A102-7 TlBr 検出器の連続動作特性評価〇人見 啓太朗 1, 野上 光博 1, 渡辺 賢一 2, 前田 茂貴 3, 1. 東北大 , 2. 九州大 , 3.JAEA, 4. 東北工大
小野寺 敏幸 4, 石井 慶造 1
15:15
奨 20p-A102-8 ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の作製 〇 (M1) 入江 優雅 1, 人見 啓太朗 2, 野上 光博 2, 中山 1. 佐賀大院工 , 2. 東北大院工 , 3. アダマンド並木精密宝
隼 1, 金 聖祐 3, 小山 浩司 3, サハ ニロイチャンドラ 1, 石 ( 株 )嘉数 誠 1
15:30		 20p-A102-9 ガンマ線位置検出型 TES 型マイクロカロリメータの位置 〇仲野 圭祐 1, 伊予本 直子 1, 執行 信寛 1, 鶴田 哲也 1, 1. 九大院工 , 2. 帝京大学 , 3. 宇宙科学研究所 , 4. 国立天文検出性能の評価森 匠平 1, 松田 隼輔 1, 松見 勇輔 1, 前畑 京介 2, 山崎 典 台
子 3, 林 佑 3, 八木 雄大 3, 田中 圭太 3, 宮川 陸太 3, 満田
和久 4
15:45		 20p-A102-10 ガンマ線用 TES 型マイクロカロリメータの熱リンクにお 〇松田 隼輔 1, 伊豫本 直子 1, 鶴田 哲也 1, 仲野 圭佑 1, 1. 九大工 , 2. 宇宙研 , 3. 国立天文台 , 4. 帝京医
ける熱伝導の研究
森 匠平 1, 山﨑 典子 2, 林 佑 2, 八木 雄太 2, 田中 圭太 2,
宮川 陸大 2, 満田 和久 3, 前畑 京介 4
9/21(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B201 会場（Room B201）
9:00		 21a-B201-1 Li ガラス透明コンポジットシンチレータの粒径依存性〇 (M1) 大島 裕也 1, 渡辺 賢一 1, 石川 諒尚 2, 瓜谷 章 2 1. 九大工 , 2. 名大工
9:15
E 21a-B201-2 Development of Time-over-Threshold readout system〇 Zeyu Wang1, Kenji Shimazoe1, Hiroyuki
1.The Univ. of Tokyo
used in 1.36mm PET detector
Takahashi111
11
9:30		 21a-B201-3 超高線量環境下でのガンマイメージャーの開発と性能評 〇水野 睦也 , 有元 誠 , 澤野 達哉 , 佐藤 大地 , 片岡 1. 金大 , 2. 早大理工 , 3. 日立金属
価
淳 2, 塩田 諭 3, 寺澤 慎祐 3
9:45		 21a-B201-4 原子核乳剤による暗黒物質検出のための事象分析〇谷 忠昭 1, 中 竜大 2
1. 日本写真学会フェロー, 2. 東邦大理
10:00		 21a-B201-5 【注目講演】3 次元サブミクロントラッキング可能な超微 〇赤松 咲耶 1, 白石 卓也 1, 中 竜大 1, 浅田 貴志 3, 小林 1. 東邦大理 , 2. 名大理 , 3. ナポリ大学 , 4. 千葉大アイソ
24
粒子原子核乾板を用いた反跳陽子飛跡検出による中性子 龍太 , 久下 謙一
トープ
スペクトル測定法及びイメージング技術の開発
10:15		 21a-B201-6 酸化ビスマス・ナノ粒子充填プラスチックシンチレータ 〇岸本 俊二 1, 戸田 明宏 2
1.KEK 物構研 , 2. 東京インキ㈱の発光減衰時間測定
10:30		休憩 /Break
10:45		 21a-B201-7 クラスターターゲットと高強度レーザーの相互作用によ 〇金崎 真聡 1, 浅井 孝文 1, 鍛治 賢志 1, 田邉 寛之 1, 井 1. 神戸大院海事 , 2. 阪大工 , 3. 阪大核物 , 4. 東北大電子光る MeV 級イオンの繰り返し発生
上 千裕 1, 望月 政一郎 1, 南 卓海 2, 境 健太郎 2, 姫野 公 理学研究センター, 5. 青学理工 , 6. 阪大先導的学際研究
輔 2, 田口 智也 2, 小田 和昌 2, 鈴木 蒼一朗 2, 安倍 勇
機構 , 7. 名大理 , 8. 量研放医研 , 9. 量研関西研
輝 2, 郡 英輝 3, 時安 敦史 4, 田中 周太 5, Pikuz Tatiana6,
7
7
8
9
9
北川 暢子 , 森島 邦博 , 小平 聡 , 今 亮 , Huang Kai ,中新 信彦 9, 近藤 康太郎 9, 神門 正城 9, 真柴 雄司 9, 宮
坂 泰弘 9, 小倉 浩一 9, 匂坂 明人 9, 桐山 博光 9, 山内 知也 ヤマウチ トモヤ Yamauchi Tomoya 1、蔵満 康浩
クラミツ ヤスヒロ Kuramitsu Yasuhiro 2、福田 祐仁
フクダ ユウジ Fukuda Yuji 9
11:00		 21a-B201-8 レーザー駆動イオン加速用クラスターターゲットのサイ 〇鍛治 賢志 1, 浅井 孝文 1, 神野 智史 2, 山内 知也 1, 福 1. 神戸大院海事 , 2. 東大院工 , 3. 量研関西研
ズ評価
田 祐仁 3, 金崎 真聡 1
11:15		 21a-B201-9 CR-39(TechnoTrak) に対する陽子及び重陽子の応答特性 〇望月 政一郎 1, 浅井 孝文 1, 鍛冶 賢志 1, 田邊 寛之 1, 1. 神大院海事 , 2. 量研関西研井上 千裕 1, 山内 知也 1, 福田 祐仁 2, 金崎 真聡 1
11:30		 21a-B201-10 リアルタイムエッチピット判別アプリケーション開発〇田邉 寛之 1, 浅井 孝文 1, 山内 知也 1, 金崎 真聡 1
1. 神戸大院海事11:45		 21a-B201-11 放射線検出器用大面積ハロゲン化鉛ペロブスカイト単結 〇高木 優貴 1, 奥村 瞭 1, ニラウラ マダン 1
1. 名工大工晶の育成
2.2 放射線物理一般・放射線応用・発生装置・新技術 / Radiation physics fundamentals & applications, radiation generators, new technology
9/20(Tue.) 9:30 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) C201 会場（Room C201）
9:30		 20a-C201-1 半導体シンチレータ型 Compton-PET ハイブリッドカメ 〇上ノ町 水紀 1, Zhu Qinghong2, 島添 健次 2, 高橋 浩 1. 京大 , 2. 東大 , 3. 宮大ラの開発
之 2, 眞方 恒陽 3, 川島 陸斗 3, 武田 彩希 3, 森 浩二 3, 鶴
剛1
9:45
E 20a-C201-2 Improvement of double photon emission Compton〇 (D)Donghwan Kim1, Taisei Ueki1, Agus Nur
1.Tokyo Univ., 2.Kyoto Univ.
imaging using angular correlation of cascade photons
Rahman1, Linlin Yan1, Mizuki Uenomachi2, Kenji
Shimazoe1, Hiroyuki Takahashi1
10:00		 20a-C201-3 ２光子ガンマ線の多次元空間の相関を用いた高次イメー 〇高橋 浩之 1, 島添 健次 1, 関野 正樹 1, 鎌田 圭 2, 羽場 1. 東大工 , 2. 東北大学 , 3. 理研 , 4. 国際医療福祉大学
ジング法の研究宏光 3, 百瀬 敏光 4
10:15		休憩 /Break10:30
招 20a-C201-4 「分科内招待講演」〇片岡 淳 1
1. 早大理工
ガンマ線イメージングが拓く近未来：宇宙から医療・大気・
資源探査へ
11:00
奨 20a-C201-5 全方向コンプトンカメラによる放射性物質探知手法の開 〇 (DC) 向 篤志 1, 原 真太朗 1, 海老 英虎 1, 石田 文
1. 名大 , 2. 富山高専 , 3. 東大 , 4. 東北大 , 5. 工学院大 , 6. 東発
彦 2, 杉林 亨紀 2, 高田 英治 2, 島添 健次 3, 田村 雄介 4, 京都市大 , 7. 科警研(9) ランダムフォレスト解析に基づく検出器移動経路決定 禹 ハンウル 5, 高橋 浩之 3, 浅間 一 3, 河原林 順 6, 田辺
システムの構築鴻典 7, 土屋 兼一 7, 鎌田 圭 4, 富田 英生 1
11:15		 20a-C201-6 電子飛跡検出型コンプトンカメラを用いた KUR 炉建屋内 〇 (PC) 園田 真也 1, 高田 淳史 1, 谷森 達 1, 津田 雅弥 1, 1. 京大理 , 2. 京大複合研 , 3. 原研の 3 次元ガンマ線分布イメージング試験
田原 圭祐 1, 小林 滉一郎 1, 谷垣 実 2, 谷口 秋洋 2, 永井晴康 3, 中山 浩成 3, 佐藤 大樹 3
9/20(Tue.) 13:30 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) C201 会場（Room C201）
13:30		 20p-C201-1 ガス制動放射線の強度計算における実効原子番号の導出 〇竹内 章博 1, 萩原 雅之 1, 松田 洋樹 1, 糸賀 俊朗 2, 小 1. 量研 , 2.JASRI
西 啓之 1
13:45		 20p-C201-2 光読み出し Glass GEM によるα線の単イベントトラッキ 〇藤原 健 1, 佐藤 泰 1, 三津谷 有貴 2, 木村 大海 1, 前畑 1. 産総研 , 2. 東大工 , 3. 帝京大
ング
京介 3
14:00		 20p-C201-3 CIGS 太陽電池を応用した原子力電池の放射性物質を用 〇奥野 泰希 1, 上川 由紀子 2, 秋吉 優史 3
1. 京大 , 2. 産総研 , 3. 大阪公大
いない発電特性の解明
14:15		 20p-C201-4 速中性子イメージャーの角度分解能と検出感度一様性の 〇松村 徹 1, 野村 正 2, 塩見 公志 2
1. 防衛大応物 , 2.KEK 素核研
評価14:30		休憩 /Break
14:45
奨 20p-C201-5 ミュオグラフィによる地中空洞探査手法〇芝 洋斗 1, 川瀬 頌一郎 1, 岡本 直也 1, 奥田 歩夢 1, 渡 1. 九大総理工
辺 幸信 1
15:00		 20p-C201-6 ミュオグラフィによる地中空洞探査手法〇奥田 歩夢 1, 川瀬 頌一郎 1, 岡本 直也 1, 芝 洋斗 1, 渡 1. 九大総理工(2) 試作検出器の開発・基礎性能調査
辺 幸信 1
15:15		 20p-C201-7 ミュオグラフィによる地中空洞探査手法 (3) 試作検出器 〇岡本 直也 1, 川瀬 頌一郎 1, 芝 洋斗 1, 奥田 歩夢 1, 渡 1. 九州大学総合理工学府による宇宙線ミュオン計測
辺 幸信 1
15:30		 20p-C201-8 宇宙線イメージングによる地下構造探査技術の開発〇森島 邦博 1, 北川 暢子 1, 今西 智也 1, 森井 健登 1, 中 1. 名古屋大学
野 健斗 1

【CS.1】2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析 、7.5 イオンビーム一般のコードシェア / Code-sharing Session of 2.3 & 7.5

2 放射線 / Ionizing Radiation【CS.1】2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析 、7.5 イオンビーム一般のコードシェア / Code-sharing Session of 2.3 & 7.5
9/22(Thu.) 9:15 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
9:15		 22a-C205-1 人為起源放射性核種ヨウ素 129 および塩素 36 の両極への 〇松崎 浩之 1, 戸谷 美和子 1, 堀内 一穂 2, 本山 秀明 3, 1. 東大 MALT, 2. 弘前大理工 , 3. 国立極地研 , 4. 北大低温移行過程
飯塚 芳徳 4, バウディスタ エンジェル 5
研 , 5. フィリピン原研
9:30		 22a-C205-2 海水中の無機ヨウ素同位体のスペシエーション分析
チ ユアンジュ1, 〇松崎 浩之 1
1. 東大 MALT
1
1
2
3
9:45		 22a-C205-3 ハイマツ試料中放射性炭素濃度の年変動に関する研究 IV 〇武山 美麗 , 森谷 透 , 櫻井 敬久 , 宮原 ひろ子 , 門 1. 山形大 AMS センター, 2. 山形大理 , 3. 武蔵美叶 冬樹 1, 2
10:00		 22a-C205-4 過去の太陽活動研究に必要な 14C － AMS 測定精度の評価 〇森谷 透 1, 武山 美麗 1, 門叶 冬樹 1, 2
1. 山形大 AMS センター, 2. 山形大理
10:15		 22a-C205-5 同重体干渉抑制のためのイオンファネル反応セルの開発 〇神野 智史 1, 藤田 奈津子 1, 田沼 肇 2
1. 原子力機構 , 2. 都立大
10:30		休憩 /Break
1
2
1
10:45
奨 22a-C205-6 V 字型共振器光フィードバックを用いたキャビティリン 〇齊藤 圭亮 , 寺林 稜平 , Sonnenschein Volker , 岩 1. 名古屋大 , 2. 東京大 , 3. 島津製作所 , 4. 積水メディカ
グダウン分光による放射性炭素分析の高感度化
元 一輝 1, 鈴木 勇太 1, 真野 和音 3, 川嶋 悠太 3, 古宮 哲 ル , 5.JST さきがけ
夫 3, 東條 公資 3, 二宮 真一 3, 吉田 賢二 4, 富田 英生 1, 5
11:00
奨 22a-C205-7 トリチウム分析に向けた赤外キャビティーリングダウン 〇岩元 一輝 1, 齊藤 圭亮 1, 鈴木 勇太 1, 植村 立 1, 阿部 1. 名古屋大 , 2.JST さきがけ
分光システムの開発
理 1, 富田 英生 1, 2
11:15		 22a-C205-8 東京大学 MALT の現状 - 2022 年秋 〇山形 武靖 1, Zheng Li2, 徳山 裕憲 1, 土屋 陽子 1, 戸 1. 東大 MALT, 2. 東大院・工
谷 美和子 1, 松崎 浩之 1, 2
11:30		 22a-C205-9 都市大タンデムの現状 ～教育利用の状況と波長分散型〇羽倉 尚人 1, 渡部 創 2
1. 都市大 , 2. 原子力機構
PIXE システムの構築～
11:45		 22a-C205-10 量子ビームを用いた火山堆積物の成分分析〇 (M2) 村田 英慎 1, ゴメス クリストファー1, ブラ
1. 神戸大院海事 , 2. 大阪公立大理
ダック バラージュ1, 谷池 晃 1, 瀬戸 雄介 2, 金崎 真
聡1
9/22(Thu.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
13:30		 22p-C205-1 リチウムイオン二次電池分析のための TOF-ERDA 装置 〇長谷川 千華 1, 操谷 佳奈 1, 谷本 和樹 1, 安田 啓介 1, 1. 京府大生命環境 , 2. 京大院工の開発 ( Ⅱ )小倉 弓枝 2, 間嶋 拓也 2
13:45
奨 22p-C205-2 高速イオンビーム照射による自立グラフェン膜からの二 〇 (M1) 宇野 鳴記 1, 間嶋 拓也 1, 斉藤 学 1, 土田 秀次 1 1. 京都大院工次電子放出
14:00		 22p-C205-3 PHITS を用いたイオンビームと液相水との相互作用にお 〇土田 秀次 1, 手塚 智哉 1, 甲斐 健師 2, 松谷 悠佑 2, 間 1. 京大院工 , 2. 原子力機構
けるトラック内反応の解析
嶋 拓也 1, 斉藤 学 1
14:15		 22p-C205-4 クラスターイオンビーム照射による有機高分子イオン化 〇藤井 麻樹子 1, 吉澤 迅風 1
1. 横浜国大院環境情報における非芳香族有機酸添加の影響評価
1
1
1
14:30		 22p-C205-5 ニトロベンジルピリジニウムのエネルギー依存 SIMS ス 〇盛谷 浩右 , 水畑 健 , 乾 徳夫
1. 兵庫県立大工ペクトルデータ の解析
14:45		休憩 /Break
15:00
招 22p-C205-6 「講演奨励賞受賞記念講演」〇竹内 雅耶 1, 藤原 怜輝 1, 豊田 紀章 1
1. 兵県大工
窒化シリコン膜の低損傷かつ原子層制御を実現する GCIB
エッチングプロセスの検討
15:15		 22p-C205-7 窒化シリコン膜への GCIB 照射による低損傷照射効果の 〇竹内 雅耶 1, 藤原 怜輝 1, 豊田 紀章 1
1. 兵県大工検討
15:30		 22p-C205-8 反応性ガス雰囲気下 GCIB 照射を用いた表面活性化接合 〇花原 総一 1, 竹内 雅耶 1, 豊田 紀章 1
1. 兵庫県立大工の接合状態
15:45		 22p-C205-9 位置制御と GCIB-ALE を用いた高精度形状加工技術の検 〇藤原 怜輝 1, 竹内 雅耶 1, 豊田 紀章 1
1. 兵庫県大工討
16:00		 22p-C205-10 O2-GCIB と acac 吸着による Ni パターンのエッチング〇作田 昂大 1, 竹内 雅耶 1, 豊田 紀章 1
1. 兵庫県立大工16:15		休憩 /Break1
1
1
16:30		 22p-C205-11 中性クラスタービーム照射を用いた金属膜の ALE と評価 〇田中 秀幸 , 竹内 雅耶 , 豊田 紀章
1. 兵庫県大工
16:45		 22p-C205-12 反応性ガスクラスターインジェクションによる GaN エッ 〇瀬木 利夫 1, 山本 洋揮 2, 小池 国彦 3, 青木 学聡 4, 松 1. 京大院工 , 2. 量研高崎 , 3. 岩谷産業 , 4. 名大チング
尾 二郎 1
17:00		 22p-C205-13 真空エレクトロスプレー液滴イオンビームによるスパッ 〇常木 誠之助 1
1. 山梨大工
タ体積とスプレー電圧の関係
17:15
奨 22p-C205-14 Si スパッタ蒸着基板への Au 蒸着による Au ナノワイヤ低 〇水谷 仁美 1, 山本 春也 2, 高廣 克己 1
1. 京工繊大 , 2. 量研機構高崎
温気相成長
17:30		 22p-C205-15 イオン照射による銀ナノ粒子凝集体の低密度化〇 (M1) 渡邉 謙吾 1, 水谷 仁美 1, 高廣 克己 1
1. 京工繊大
2.4 医用応用 / Medical application
9/22(Thu.) 13:00 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A102 会場（Room A102）
13:00
奨 22p-A102-1 低雑音電流プリアンプ VIEC を用いた低管電圧・低管電 〇西川 潤一郎 1, 神野 郁夫 1, 霜村 康平 2
1. 京大工 , 2. 京都医療科学大学
流におけるコンピューター断層撮影
13:15		 22p-A102-2 X 線線減弱係数スペクトルの解析による軽元素の定量分 〇白戸 陽大 1, 櫻井 浩 1, 取越 正巳 2, 高橋 学 1, 鈴木 宏 1. 群大理工 , 2. 量研
析法の開発
輔 1, 星 和志 1, 森本 一成 1
13:30		 22p-A102-3 スペクトラル X 線 CT 情報の複合現実化に向けた表現方 〇加瀬 裕貴 1, 2, 西澤 潤一 1, 田端 健人 2, 都木 克之 2, 1. 静岡大院光医工 , 2. 静岡大電研法の提案
青木 徹 1, 2
13:45
奨 22p-A102-4 放射化イメージングによる高感度薬剤可視化の実証〇越川 七星 1, 増渕 美穂 1, 片岡 淳 1, 床井 健運 2, 中川 1. 早大理工 , 2. 阪大 , 3. 京大 , 4. 岡山大
創太 2, 今田 彩香 2, 松永 恵子 2, 加藤 弘樹 2, 角永 悠一
郎 2, 豊嶋 厚史 2, 高宮 幸一 3, 上田 真史 4
14:00		 22p-A102-5 X 線 CT と陽子線ラジオグラフィを用いた陽子線治療にお 〇片浦 隆介 1, 川崎 健夫 2, 今野 智之 2, 泉川 卓司 3, 岩 1. 住友重機械 , 2. 北里大理 , 3. 新潟大 , 4. 都立産技高専
ける阻止能測定田 修一 4
14:15		 22p-A102-6 小動物を用いた臨床前陽子線治療研究のための水相対阻 〇寺川 貴樹 1, 細川 響 2, 鴫原 健太 2, 梶山 愛 2, 藤瀬 慶 1. 東北大サイクロ , 2. 東北大工 , 3. 北里大獣医
止能導出精度に関する低エネルギー陽子線 CT と X 線 CT 彦 2, 長尾 理那 2, 鳴海 慶一郎 2, 細川 裕之 2, 野上 光の比較
博 2, 藤原 充啓 2, 和田 成一 3, 長野 宣道 2, 人見 啓太
朗2
14:30		休憩 /Break
14:45		 22p-A102-7 未来 PET 創造研究ユニットが推進する B-to-C 研究：頭 〇山谷 泰賀 1, 高橋 美和子 1, 田島 英朗 1, 赤松 剛 1, 田 1.QST 未来 PET 創造研究ユニット , 2. 東北大 , 3. 千葉大 ,部から全身へ
久 創大 1, 吉田 英治 1, 黒澤 俊介 2, 鎌田 圭 2, 吉川 彰 2, 4. 日本医科大 , 5. 獨協医科大羽石 秀昭 3, 菅 幹生 3, 川村 和也 3, 石橋 真理子 4, 今井
陽一 5
15:00		 22p-A102-8 医用コンプトンカメラ標準性能評価法開発とフルリング 〇田島 英朗 1, 赤松 剛 1, 田久 創大 1, 錦戸 文彦 1, 吉田 1.QST, 2. 群馬大 , 3. 東北大 , 4. 東京大型装置への適用
英治 1, 高橋 美和子 1, 山口 充孝 1, 河地 有木 1, 酒井 真
理 2, 黒澤 俊介 3, 島添 健次 4, 武田 伸一郎 4, 山谷 泰
賀1
15:15		 22p-A102-9 医用コンプトンカメラ標準性能評価法の ASTROCAM へ 〇酒井 真理 1, 山口 充孝 2, 長尾 悠人 2, 赤松 剛 2, 田島 1. 群馬大 , 2.QSTの適用
英朗 2, 山谷 泰賀 2, 河地 有木 2
15:30		 22p-A102-10 重陽子加速器中性子源を用いた医療用 RI 製造量増加を目 〇 (M1) 木原 隆弘 1, 金 政浩 1, 青木 勝海 1, Mikhail
1. 九大総理工的とした C/Be 複合コンバータの設計
Mary1
15:45
E 22p-A102-11 Feasibility study of chemical separation technique of〇 (D)Mary Mikhail1, Tadahiro Kin1, Kihara
1.Kyushu Univ.
medical radioisotope, copper-64 produced by accelerator Takahiro1
neutrons.

2.5 放射線誘起蛍光体 / Radiation-induced phosphors

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

16:00

E 22p-A102-12 Double Photon Coincidence Imaging with Parallel andSlit Collimators in vivo

〇 (D)Linlin YAN1, Mizuki Uenomachi2, Taisei
Ueki1, Donghwan Kim1, Kenji Shimazoe1, Hiroyuki
Takahashi1

1.The Univ. of Tokyo, 2.The Univ. of Kotyo

16:15		休憩 /Break
16:30		 22p-A102-13 放射線治療中イメージングにおける時間変化画像収集と 〇山本 誠一 1, 矢部 卓也 2, 山口 充孝 2, 河地 有木 2, 鎌 1. 早稲田大理工 , 2.QST 高崎 , 3. 東北大金研 , 4. 名大病利用
田 圭 3, 吉川 彰 3, 奥平 訓康 4, 永田 珠羅 5, 喜多野 真 院 , 5. 名大医 , 6. 兵庫粒子線
紀 5, 余語 克紀 5, 赤城 卓 6, 片岡 淳 1
16:45		 22p-A102-14 陽子線 FLASH 照射による水の発光のイメージング〇余語 克紀 1, 小平 聡 2, 楠本 多聞 2, 北村 尚 2, 歳藤 利 1. 名大保健 , 2. 量研 , 3. 名市大医 , 4. 北里大医 , 5. 広大原
行 3, 岩田 宏満 3, 石山 博條 4, 小森 雅孝 1, 保田 浩志 5, 医研 , 6. 早大理工山本 誠一 617:00		 22p-A102-15 ルテチウムオキソドトレオチド (177Lu) 注射液を用いる核 〇渡辺 宝 1, 加納 大輔 1, 村石 浩 2, 榎本 良治 3, 片桐 秀 1. 国がん東 , 2. 北里大医衛 , 3. 東大宇宙線研 , 4. 茨城大
医学治療における放射能汚染の可視化
明 4, 加賀谷 美佳 5, 中神 佳宏 1, 6
理 , 5. 仙台高専 , 6. 獨協医科大17:15		 22p-A102-16 次世代 X 線 CT を用いた複数造影剤の生体内イメージン 〇佐藤 大地 1, 有元 誠 1, 水野 睦也 1, 石黒 海里 1, 供田 1. 金沢大 , 2. 早大理工 , 3. 日立金属
1
1
1
1
グ
崇弘 , 川嶋 広貴 , 小林 聡 , 村上 和弘 , 奥村 健一郎 1, 片岡 淳 2, 匂坂 真結 2, 寺澤 慎祐 3, 塩田 諭 3
17:30		 22p-A102-17 3 列マルチピンホールコリメータカメラによる RI の 3 次 〇三浦 敦生 1, 河原林 順 1, 羽倉 尚人 1
1. 都市大共同原子力
元位置測定
2.5 放射線誘起蛍光体 / Radiation-induced phosphors
9/23(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A102 会場（Room A102）
9:00
奨 23a-A102-1 中性子検出用 6Li 装荷液体シンチレータの開発〇渡邊 晶斗 1, 越水 正典 2, 渡辺 賢一 3, 佐藤 敦史 1, 藤 1. 東北大院工 , 2. 静岡大電子研 , 3. 九大院工本 裕 1, 浅井 圭介 1
9:15		 23a-A102-2 Nd 添加 CaWO4 単結晶のシンチレーション特性〇岡崎 魁 1, 中内 大介 1, 福嶋 宏之 1, 加藤 匠 1, 河口 範 1. 奈良先端大
明 1, 柳田 健之 1
9:30		 23a-A102-3 Eu:Y3Al5O12 単結晶のシンチレーション特性の Eu 濃度依 〇國方 俊彰 1, Prom Kantuptim1, 白鳥 大毅 1, 加藤
1. 奈良先端大存性
匠 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
9:45		 23a-A102-4 Tb 添加 CaYAlO4 単結晶の X 線誘起発光特性評価〇青木 瑞晃 1, 竹渕 優馬 1, 中内 大介 1, 加藤 匠 1, 河口 1. 奈良先端大
範明 1, 柳田 健之 1
10:00		 23a-A102-5 Tb 添加 Na3AlF6 透明セラミックスドシメータの開発〇坂口 大貴 1, 福嶋 宏之 1, 加藤 匠 1, 中内 大介 1, 河口 1. 奈良先端大
範明 1, 柳田 健之 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 23a-A102-6 Sm 添加 Al4SiO8 単結晶のラジオフォトルミネッセンス特 〇 (M2) 市場 賢政 1, 岡田 豪 2, 竹渕 優馬 1, 白鳥 大毅 1, 1. 奈良先端大 , 2. 金沢工大性加藤 匠 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
10:45		 23a-A102-7 銀添加 Cs2O-SrO-Al2O3-P2O5 ガラスの X 線誘起ラジオ〇西川 晃弘 1, 白鳥 大毅 1, 加藤 匠 1, 中内 大介 1, 河口 1. 奈良先端大
フォトルミネッセンス現象
範明 1, 柳田 健之 1
11:00		 23a-A102-8 有機無機ペロブスカイト型化合物〇松澤 隼 1, 岡崎 魁 1, 中内 大介 1, 河野 直樹 2, 須藤
1. 奈良先端大 , 2. 秋田大理工(FC6H4C2H4NH3)2PbCl4 の光学及びシンチレーション特 健 2, 加藤 匠 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
性11:15		 23a-A102-9 Tl 添加 RbI 単結晶のシンチレーション特性における Tl 濃 〇宮崎 慧一郎 1, 中内 大介 1, 加藤 匠 1, 河口 範明 1, 柳 1. 奈良先端大
度依存性田 健之 1
11:30		 23a-A102-10 NaI 透明セラミックスのシンチレーション特性〇吉川 裕太 1, 加藤 匠 1, 中内 大介 1, 河口 範明 1, 柳田 1. 奈良先端大
健之 1
11:45		 23a-A102-11 Mg4(Ta,Nb)2O9 単結晶のシンチレーション特性〇 (M1) 林 泰世 1, 市場 賢政 1, 中内 大介 1, 渡辺 賢一 2, 1. 奈良先端大 , 2. 九州大
加藤 匠 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
9/23(Fri.) 13:00 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) A102 会場（Room A102）
13:00		 23p-A102-1 重合度を調整した PADC 検出器の重イオンに対する感度 〇 (M2) 伊藤 大洋 1, 宗 晃汰 1, 保田 賢 1, 石原 文太 1, 1. 神大院海事 , 2. 量研機構 , 3. 舞鶴高専
評価 3
楠本 多聞 2, 金崎 真聡 1, 小平 聡 2, 石川 一平 3, 山内 知也1
13:15		 23p-A102-2 二酸化炭素処理による PADC 検出器の重イオンに対する 〇宗 晃汰 1, 伊藤 大洋 1, 保田 賢 1, 石原 文太 1, 楠本 多 1. 神大院海事 , 2. 量研機構
応答特性の向上 3
聞 2, 金崎 真聡 1, 小平 聡 2, 山内 知也 1
13:30		 23p-A102-3 モノアミン含有有機無機塩化鉛ペロブスカイト型化合物 〇 (M1C) 須藤 健 1, 河野 直樹 1, 竹渕 優馬 2, 白鳥 大 1. 秋田大院理工 , 2. 奈良先端大の放射線応用性
毅 2, 福嶋 宏之 2, 加藤 匠 2, 中内 大介 2, 柳田 健之 2
13:45		 23p-A102-4 (H3NCnH2nNH3)PbBr4 (n = 8,10,12) のシンチレーション 〇長岡 亮 1, 河野 直樹 1, 竹渕 優馬 2, 福嶋 宏之 2, 白鳥 1. 秋田大院理工 , 2. 奈良先端大特性
大毅 2, 中内 大介 2, 加藤 匠 2, 柳田 健之 2
14:00		 23p-A102-5 Eu 添加 Ca2BO3Cl のドシメータ特性〇 (M1) 和宇慶 朝陽 1, 河野 直樹 1, 加藤 匠 2, 福嶋 宏 1. 秋田大院理工 , 2. 奈良先端大 , 3. 金工大之 2, 竹渕 優馬 2, 岡田 豪 3, 柳田 健之 2
14:15		 23p-A102-6 Eu2O3–BaO–TeO2 透明結晶化ガラスのシンチレーション 〇中森 亮吾 1, 河野 直樹 1, 中内 大介 2, 加藤 匠 2, 白鳥 1. 秋田大院理工 , 2. 奈良先端大 , 3. 産総研
特性評価
大毅 2, 福嶋 宏之 2, 竹渕 優馬 2, 篠崎 健二 3, 柳田 健
之2
14:30		 23p-A102-7 Tb 添加 K2O–La2O3–Ga2O3 ガラスの X 線応答性
〇河野 直樹 1, 篠崎 健二 2, 福嶋 宏之 3, 竹渕 優馬 3, 加 1. 秋田大院理工 , 2. 産総研 , 3. 奈良先端大
藤 匠 3, 中内 大介 3, 柳田 健之 3
14:45		休憩 /Break
15:00		 23p-A102-8 ヨウ化物半導体の格子欠陥発光を利用した赤色発光シン 〇藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
1. 東北大院工チレータ
15:15		 23p-A102-9 Al(PO3)3–RbPO3–RbX–CeX3 (X = Cl, Br) ガラスシンチ 〇中林 優輔 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 2, 浅井 圭介 1
1. 東北大院工 , 2. 静岡大レータの開発
15:30		 23p-A102-10 発光量向上を企図した熱活性化遅延蛍光分子添加プラス 〇佐藤 敦史 1, 越水 正典 2, 北本 雄一 1, 渡邊 晶斗 1, 渡 1. 東北大院工 , 2. 静岡大電子研 , 3. 九州大院工 , 4. 奈良先チックシンチレータの開発
辺 賢一 3, 柳田 健之 4, 服部 徹太郎 1, 大井 秀一 1, 藤本 端大
裕 1, 浅井 圭介 1
15:45		 23p-A102-11 表面修飾 CeO2 ナノ粒子添加プラスチックシンチレータ 〇小松崎 崇介 1, 越水 正典 2, 藤本 裕 1, 渡邊 晶斗 1, 佐 1. 東北大院工 , 2. 静岡大電子研 , 3. 高エネ研の作製と高エネルギーX 線検出特性
藤 敦史 1, 横 哲 1, 成 基明 1, 笘居 高明 1, 阿尻 雅文 1, 岸
本 俊二 3, 浅井 圭介 1
16:00		 23p-A102-12 増感剤添加による Black100 含有 PMMA 膜の放射線感受 〇遠藤 寿弥 1, 越水 正典 2, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
1. 東北大院工 , 2. 静岡大性向上
16:15		 23p-A102-13 中性子線照射による希土類添加 Li2O–CaO–P2O5 ガラス 〇 (M1) 山口 寛人 1, 川本 弘樹 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 2, 1. 東北大院工 , 2. 静岡大 , 3. 近大原研の熱蛍光若林 源一郎 3, 浅井 圭介 1
16:30		 23p-A102-14 含有カチオンが異なる銀添加リン酸塩ガラスにおけるラ 〇 (DC) 川本 弘樹 1, 越水 正典 2, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1 1. 東北大院工 , 2. 静岡大ジオフォトルミネッセンス中心形成量

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
3.1 光学基礎・光学新領域（旧 3.2「材料・機器光学」と統合）/ Basic optics and frontier of optics (merged with formerly 3.2 Equipment optics and materials)
9/20(Tue.) 9:00 - 11:00 口頭講演 (Oral Presentation) A202 会場（Room A202）
9:00		 20a-A202-1 ノッチを有する球状シリコンナノ粒子の横方向散乱〇松森 陽 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
9:15		 20a-A202-2 シリコンナノ粒子による円偏光保存光散乱〇根来 英利 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1
1. 神戸大工 , 2.JST さきがけ
9:30		 20a-A202-3 1 分割リング型共振器を用いた局所光磁界分布の検出〇高畠 和起 1, 岡本 敏弘 2, 山口 堅三 2, 原口 雅宣 2
1. 徳島大理工 , 2. 徳島大ポスト LED
9:45		 20a-A202-4 InN における光誘起ブリーチング現象の機序〇賈 軍軍 1, 八木 貴志 2, 水谷 真梨 3, 山田 直臣 3, 牧本 1. 早大国際理工 , 2. 産総研 , 3. 中部大院工 , 4. 早大先進理俊樹 4
工3.1 光学基礎・光学新領域（旧 3.2「材料・機器光学」と統合）/ Basic optics and frontier of optics (merged with formerly 3.2 Equipment optics and materials)
10:00

奨 20a-A202-5

10:15
奨 20a-A202-6
10:30		 20a-A202-7

光子相関マッピングを用いた InGaN 量子井戸のトレンチ欠陥における発光劣化機構の解析
ジャイロフォトンを用いた冷却原子渦の生成
クロスハイブリッド偏光回折格子によるベクトルビーム
モード検出 ( Ⅱ )10:45
E 20a-A202-8 New Explanation for Light Emission in Lamps
9/20(Tue.) 13:00 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A202 会場（Room A202）
13:00		 20p-A202-1 集光レーザー型光ピンセットによる温度応答性イオン液体の液滴形成13:15		 20p-A202-2 レーザー支援電気泳動堆積法におけるインプロセスでの
局所熱処理の効果
13:30
E 20p-A202-3 Optically Reconfigurable Random Laser using Optically
Evolved Assembling of Polystyrene Microparticles
13:45

E 20p-A202-4

14:00

E 20p-A202-5

14:15

奨 20p-A202-6

Guiding the Expanding Direction of Optically Evolved
Swarming of Gold Nanoparticles by LithographicallyFabricated Gold Nanodisks
Cooperative Optical Trapping Dynamics of Two Proteinsat Solution Surface〇柳本 宗達 1, 山本 直紀 1, 三宮 工 1, 秋葉 圭一郎 1, 2

1. 東京工業大学 , 2. 量子科学技術研究開発機構〇外山 遥也 1, 伊藤 治彦 1
〇 (M2) 掛戸 優志 1, 坂本 盛嗣 1, 野田 浩平 1, 佐々木

1. 東工大工学院
1. 長岡技大 , 2. オプトゲート ( 株 ), 3. 林テレンプ ( 株 ),4. 兵庫県立大友之 1, 田中 雅之 2, 酒井 丈也 3, 服部 幸年 4, 小野 浩
司1〇 Gh. Saleh1

1.Saleh Research Centre〇柚山 健一 1, 田中 真穂 1, 坪井 泰之 1

1. 大阪公大理〇吉元 裕貴 1, 中澤 謙太 1, 小野 篤史 2, 岩田 太 2

1. 静大院工 , 2. 静大電研

〇 Shuichi Toyouchi1, 2, Hsuan-Yin Wang1, ChingYang Lin1, Masatoshi Kanoda2, 3, 4, Shiho
Tokonami2, 4, Takuya Iida2, 3, Hiroshi Masuhara1〇 (D)Chih-Hao Huang1, Ya-Chiao Lee1, Teruki
Sugiyama1, Tetsuhiro Kudo2, Xu Shi3, Kosei Ueno3,
Hiroaki Misawa1, 3, Hiroshi Masuhara1〇 (M2)Wei-Hsiang Chiu, Po-Wei Yi1, 2, Shuichi
Toyouchi3, Roger Bresoli-Obach4, Johan Hofkens4,
Eri Chatani5, Hiroshi Masuhara1〇林 康太 1, 2, 3, 田村 守 2, 4, 藤原 正澄 2, 5, 床波 志保 2, 3,
飯田 琢也 1, 2
〇 (M2) 角田 涼 1, パン クリストフ 1, 笹木 敬司 1
〇植野 昂 1, 増井 恭子 1, 細川 千絵 1
〇蓬莱 貴大 1, 石原 一 1

1.NYCU, 2.RILACS, Osaka Metro. Univ., 3.Grad. Sch.
Sci., Osaka Metro. Univ., 4.Grad. Sch. Eng., Osaka
Metro. Univ.
1.National Yang Ming Chiao Tung Univ., Taiwan,
2.Toyota Tech. Inst., 3.Hokkaido Univ.
1.National Yang Ming Chiao Tung Univ.,Taiwan, 2.
NAIST, Japan, 3.Osaka Metropolitan Univ., Japan, 4.KU
Leuven, Belgium, 5.Kobe Univ., Japan
1. 大阪公大院理 , 2. 大阪公大 LAC-SYS 研 , 3. 大阪公大院
工 , 4. 阪大院基礎工 , 5. 岡山大自然
1. 北大電子研
1. 阪公大院理1. 阪大院基礎工

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

ファイバー型モジュールによる界面近傍での非従来型光濃縮14:30
奨 20p-A202-7 光渦による VO2 ナノ粒子の光トラッピングと操作
14:45		 20p-A202-8 光捕捉された単一色素含有ナノ粒子の共鳴光波長依存性
15:00		 20p-A202-9 微視的モデルによるキラル分子に働く光圧と現象論的キ
ラル感受率による光圧の比較
15:15		休憩 /Break
15:30		 20p-A202-10 RGB カラーイメージの解析による表面微細加工の複屈折 〇劉 芽久哉 1, Tolenis Tomas2, 西島 喜明 4, Juodkazis 1. 産総研 , 2.Center for Physical Sciences andイメージング
Saulius3, 森川 淳子 5
Technology, 3. スウィンバーン工科大学 , 4. 横国大 , 5. 東工大
1
1
15:45		 20p-A202-11 遠赤外光の植物への影響評価におけるレーザーバイオス 〇五十嵐 響 , ラジャゴパラン ウママへスワリ , 河 1. 芝浦工大 , 2. 埼玉大学
ペックルの応用
野 貴裕 1, 門野 博史 2, 山田 純 1
16:00		 20p-A202-12 時空間偏光 Hopfion アレイビームの生成に関する提案〇林 文博 1, 太田 泰友 2, 岩本 敏 1, 3
1. 東大先端研 , 2. 慶應大 , 3. 東大生研
16:15
奨 20p-A202-13 定量位相顕微鏡を用いたマイクロバブル周辺温度分布の 〇安田 直記 1, 藤井 恵介 2, 名村 今日子 1, 鈴木 基史 1 1. 京大院工 , 2. オークリッジ国研
測定
16:30
奨 20p-A202-14 引出電極を有する液晶レンズの光学位相差特性 ( Ⅱ )〇 (M1) 檜山 日和 1, 河村 希典 1
1. 秋田大理工
16:45
奨 20p-A202-15 GaN 結晶内転位の高速 3 次元計測を目指した球面収差補 〇三浦 祐樹 1, 土屋 裕祐 1, 小澤 祐市 1, 上杉 祐貴 1, 佐 1. 東北大多元研
正の検討
藤 俊一 1
17:00 奨 E 20p-A202-16 Plasma and impurity induced surface-modified GaN and 〇 (PC)Quan Shi1, Hideki Fujiwara2, Shin Kajita3,
1.NIFS, 2.Hokkai-Gakuen Univ., 3.Univ. of Tokyo,
its random lasing performance
Ryo Yasuhara1, Hirohiko Tanaka4, Noriyasu Ohno4, 4.Nagoya Univ.
Hiyori Uehara1
17:15
E 20p-A202-17 Numerical Analysis of Unidirectional Lasing Conditions 〇 (D)ZHIWEI DAI1, WENBO LIN1, SATOSHI
1.RCAST, Univ. of Tokyo, 2.IIS, Univ. of Tokyoin Ring Resonators towards Active Skyrmion Lasers
IWAMOTO1, 2
1
17:30
E 20p-A202-18 Optical vortex pair detection using a triangle aperture〇 (D)Dina Grace Calbero Banguilan , Nathaniel
1.UP Diliman
Hermosa1
17:45
E 20p-A202-19 Generation of first order Lissajous Singularity〇 (P)SUSHANTA KUMAR PAL1, Ady Arie1
1.School of Electrical Engineering, Fleischman Facultyof Engineering, Tel Aviv University, Tel Aviv 69978,
Israel9/21(Wed.) 9:00 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
9:00		 21a-A307-1 UV-NIR デュアルビーム光ピンセットで固定したシリカ 〇岸 哲生 1, 唐 恒傑 1, 鍾 逸夫 1, 周 咸亨 1, 矢野 哲司 1 1. 東京工業大学
微小球スペーサーによるテルライトガラス球状光共振器 平面導波路間のギャップ制御
9:15		 21a-A307-2 アゾ微粒子を用いたマイクロ液滴の動的・光変形過程の 〇 (M2) 平島 駿一 1, 新保 一成 1, 岡 寿樹 2, 大平 泰生 1 1. 新潟大学 , 2. 北里大学
評価
9:30		 21a-A307-3 正方形コアマルチモードファイバの空間対称性を用いた 〇覚野 貴之 1, 四竈 泰一 1, 蓮尾 昌裕 1
1. 京大院工
出射光強度分布制御の効率化
11
12
9:45		 21a-A307-4 10cm 基板での液晶ホログラフィック光学素子の試作と 〇吉田 浩之 , 阿部 祐大 , 中谷 誠和 , 井桁 幸一 , 樋 1. 阪大院工 , 2.（株）ジャパンディスプレイ
シースルー光学系への応用
口 絢香 2, 金城 拓海 2, 小橋 淳二 2, 冨岡 安 2, 岡 真一
郎2
10:00		 21a-A307-5 相変化材料とコロイド粒子を用いたアリ群フェロモン相 〇 (DC) 中山 牧水 1, 高橋 廣守 1, 長瀬 輝 1, 齊藤 雄
1. 慶大理工 , 2. 産総研
互作用の模倣太 2, 畑山 祥吾 2, 山本 詠士 1, 斎木 敏治 1
1, 3
1
1, 3
10:15		 21a-A307-6 複数の液晶偏光回折格子を利用した４方位直線偏光成分 〇坂本 盛嗣 , 百﨑 龍成 , 野田 浩平 , 佐々木 友 1. 長岡技科大 , 2. 兵庫県立大 , 3.CREST, JSTの同時検出
之 1, 3, 川月 喜弘 2, 3, 小野 浩司 1, 3
10:30		 21a-A307-7 3D プリンターにより作製するフレクシャ式構造化照明顕 〇松井 龍之介 1, 藤原 大悟 1
1. 三重大院工
微鏡
1
1
2
10:45
E 21a-A307-8 Laser-induced hydrothermal synthesis of VO2 on gold thin 〇 Pin Christophe , Ryo Kakuta , Hideki Fujiwara , 1.RIES, Hokkaido Univ., 2.Hokkai-gakuen Univ.
film and in solution
Keiji Sasaki1
11:00		 21a-A307-9 光制御マイクロ液滴ロボットの基礎検討 - Ⅲ〇納谷 昌之 1, 2, 山戸 千鶴 1, 佐藤 守 1, 斎木 敏治 1
1. 慶應理工 , 2. 納谷ラボ
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
1
1
1
2
			 21p-P01-1
ナミアゲハの羽に見られる 3 種類の回折パターン〇野中 俊宏 , 濱野 奏 , 杉山 葵 , 北脇 大靖 , 山本 伸 1. 豊田高専 , 2. 龍谷大理工一2
			 21p-P01-2
キューブマップとブルーム効果を利用した真珠のコン〇 (M2) 丸飯 虎太朗 1, 弓達 新治 1, 尾崎 良太郎 1, 門 1. 愛媛大学院理工ピュータグラフィックス作成
脇 一則 1
			 21p-P01-3
CW レーザーを用いた光硬化樹脂に対する３次元微細加 〇 (M1) 西尾 雅也 1, 江上 力 1
1. 静岡大院総合科学
工			 21p-P01-4
偏光干渉非線形共焦点顕微鏡を用いた DDS 微粒子解析の 〇 (M1) 大野 裕貴 1, 江上 力 1
1. 静岡大学院総合科学実証			 21p-P01-5
3 次元配列型色素ドープ微小球を利用した多層・多重化 〇竹内 望 1, 江上 力 1
1. 静岡大院総合科学
マイクロホログラム記録
			 21p-P01-6
ブラックシリコン光ピンセットによる鎖状高分子の光捕 〇草野 葉月 1, 高尾 亮太 1, 柚山 健一 1, 東海林 竜也 2, 1. 阪公大院理 , 2. 神奈川大理
捉と蛍光色変調
坪井 泰之 1
			 21p-P01-7
光誘起マイクロバブルによるリポソームの融合・チュー 〇 (M1) 野口 明美 1, 小島 千昌 1, 柚山 健一 1, 小山田 1. 阪公大院理 , 2. 神大院理 , 3. 北大院理ブ化
伸明 3, 村越 敬 3, 東海林 竜也 2, 坪井 泰之 1
			 21p-P01-8
光渦レーザーによる固体ナノ構造上での微粒子の捕捉〇 (M1) 西口 真帆 1, 柚山 健一 1, 坪井 泰之 1
1. 阪公大			 21p-P01-9
マイクロフロー光濃縮による細胞外小胞の表面状態の高 〇藤原 佳奈 1, 2, 3, 高木 裕美子 1, 2, 田村 守 2, 4, 中瀬 生 1. 大阪公立大院理 , 2. 大阪公立大 LAC-SYS 研 (RILACS),
感度検出
彦 1, 2, 床波 志保 2, 3, 飯田 琢也 1, 2
3. 大阪公立大院工 , 4. 阪大院基礎工3.2 情報フォトニクス・画像工学（旧 3.3）/ Information photonics and image engineering (formerly 3.3)

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

			 21p-P01-10

Si ナノ球鎖からの円偏光放射〇 (M2) 小倉 慎太郎 1, 根来 英利 2, 杉本 泰 2, 藤井 稔 2, 1. 東工大物質理工 , 2. 神戸大院工
三宮 工 1
			 21p-P01-11 異なるプレチルト角を有する液晶レンズの光学位相差特 〇 (M1) 今井 優希 1, 河村 希典 1
1. 秋田大理工性
3.2 情報フォトニクス・画像工学（旧 3.3）/ Information photonics and image engineering (formerly 3.3)
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P02-1
屈折率楕円体を用いた偏光色の理論計算〇大竹 達也 1, 酒井 大輔 1, 原田 建治 1
1. 北見工大
			 21p-P02-2
物体のスパース性を利用したホログラム高速計算法の〇山東 悠介 1, 茨田 大輔 2, 3, 谷田貝 豊彦 2
1. 大阪技術研 , 2. 宇大 CORE, 3. 宇大院工
GPU 化
1
1
1
			 21p-P02-3
電圧印加によるガラスへのホログラム転写 - 電圧印加時 〇福井 彩 , 酒井 大輔 , 原田 建治
1. 北見工大の温度依存性 9/21(Wed.) 15:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
15:45		 21p-C205-1 拡散板を介したカラー物体のモノクロカメラとディープ 〇塚田 拓海 1, 渡邉 歴 1
1. 立命館大理工
ラーニングを用いた画像再構成
1
2
2
2, 3
16:00		 21p-C205-2 散乱場における TIE 蛍光波面計測による集光性能向上〇松田 汐利 , 正田 茉鈴 , 米田 成 , 全 香玉 , 的場 1. 立命館大院理工 , 2. 神戸大院シス情報 , 3. 神戸大
修 2, 3, 渡邉 歴 1
OaSIS
16:15		 21p-C205-3 エネルギー伝送のための大気擾乱シミュレーションと〇落合 夏葉 1, 秋山 一也 1
1.NTT 宇宙環境研
ビーム伝搬実験1, 2
16:30		 21p-C205-4 縞パターンをもつ平面マーカーを用いたモーションキャ 〇茨田 大輔
1. 宇大光工学 , 2. 宇大 CORE
プチャリング
16:45		 21p-C205-5 量子ドットネットワークを用いた多重リザバーモデルの 〇阿部 駿吾 1, 下村 優 1, 小倉 裕介 1, 谷田 純 1
1. 阪大院情
性能評価
1
1
1
1
17:00		 21p-C205-6 光路長が再帰反射による空中結像 (AIRR) の変調伝達関数 〇滝山 和晃 , 八杉 公基 , 陶山 史朗 , 山本 裕紹
1. 宇都宮大学（MTF）に及ぼす影響
17:15		休憩 /Break
17:30		 21p-C205-7 超解像性を有した直方体型球面波体積ホログラフィック 〇山本 優樹 1, 茨田 大輔 1, 2
1. 宇大光工学 , 2. 宇大 CORE
光学素子
1
1
17:45		 21p-C205-8 空間光位相変調器 (LCOS-SLM) によるビーム振幅の変調 〇施 濶 , 張 公儉
1. 公立千歳科学技術大学についての研究18:00		 21p-C205-9 予兆検出指標を用いたブルー相液晶の相転移可視化〇松井 崇行 1, 松森 唯益 1, 伊藤 優司 1, 長谷 陽子 1, 吉 1. 豊田中研 , 2. 阪大院工田 浩之 2
18:15		 21p-C205-10 シンチレータ樹脂複合材の組織特徴の検討〇常田 るり子 1, 塩田 諭 2
1. 日立製作所 , 2. 日立金属
【CS.2】3.2 情報フォトニクス・画像工学（旧 3.3）、4.4 Information Photonics のコードシェア / Code-sharing Session of 3.2 & 4.49/20(Tue.) 13:30 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
13:30 招 E 20p-C205-1 [INVITED]〇 Wonshik Choi1, 2
1.Inst. for Basic Sci., 2.Korea Univ.
Deep optical imaging within complex scattering media
1
2
14:00
E 20p-C205-2 Digital Optical Phase Conjugation with Incoherent Light 〇 Ryoichi Horisaki , Yohei Nishizaki , Makoto
1.UTokyo, 2.ORIST, 3.Osaka Univ.
Naruse1, Jun Tanida3
14:15
E 20p-C205-3 LC-SLM based Polarization Driven Coded Apertures〇 (DC)Vipin Tiwari1, Nandan Bisht2
1.Department of Physics, Kumaun University, SSJ
campus Almora-263601, Uttarakhand (India), 2.
Department of Physics, Soban Singh Jeena University,
Almora-263601, Uttarakhand (India)
14:30
E 20p-C205-4 Automatic door locking and hand sanitization system〇 (B)PRIYANKA M1, Dakshitha M1, Bhukya
1.DEPT. OF ECE, SNIST, Hyderabad, INDIA
based on face mask detection
Manichandana1, Vikram Palodiya1, Syed Jahangir
1
Badashah
14:45
E 20p-C205-5 A machine learning approach for simultaneous〇 (D)KOUSTAV DEY1, Vangety Nikhil1, Anirban
1.Nat. Inst. of Tech. WLmeasurement of temperature and strain using MSM
Majee1, Sourabh Roy1
15:00 招 E 20p-C205-6 [INVITED]〇 Yuichi Kozawa1, Tomoya Nakamura2, Yuuki
1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.SANKEN, Osaka Univ.
Wavefront Engineered Light-Needle Microscopy
Uesugi1, Shunichi Sato1
Utilizing Multiplexed Computer-Generated Holograms
15:30		休憩 /Break
15:45
招 20p-C205-7 「講演奨励賞受賞記念講演」〇小林 史英 1, 宮田 将司 1, 曽我部 陽光 2, 橋本 俊和 1 1.NTT 先端集積デバイス研 , 2.NTT コンピュータ & デー
End-to-end 最適化したメタレンズを用いた圧縮スペクト
タサイエンス研
ル撮像系
16:00
奨 20p-C205-8 参照光パルスがイメージセンサーを照明する時間に基づ 〇 (M1) 山口 隆貴 1, 井上 智好 1, 2, 西尾 健三 3, 久保田 1. 京工繊大院工 , 2.( 独 ) 日本学術振興会 , 3. 京工繊大高
くディジタル light-in-flight ホログラフィーの時間分解能 敏弘 4, 粟辻 安浩 5度技術支援センター, 4.( 株 ) 久保田ホログラム工房 ,5. 京工繊大電気電子工学系
1
1
1
1
16:15
奨 20p-C205-9 TV ドラマの AR シーン撮影における光学シースルー型〇岸波 康平 , 藤井 賢吾 , 八杉 公基 , 陶山 史朗 , 原 1. 宇都宮大学 , 2. 宇都宮大学ものづくり創成工学セン
AIRR の活用
紳 2, 池澤 辰也 3, 山本 裕紹 1
ター, 3. 株式会社テレパック
16:30		 20p-C205-10 スペクトル符号化単一ファイバイメージングの空間分解 〇小池 亮 1, 大嶋 佑介 1, 片桐 崇史 1
1. 富山大理工
能限界
16:45		 20p-C205-11 単一アーム上の位相回復にもとづく散乱耐性ゴーストイ 〇槻 凌多 1, 深津 晋 1
1. 東京大院総合文化
メージング
17:00		 20p-C205-12 光回折トモグラフィによる三次元屈折率分布の定量測定 〇小松 智昭 1, 吉田 周平 1
1. 近畿大の検討
9/21(Wed.) 10:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
10:00 招 E 21a-C205-1 [INVITED]〇 Wen Qiao1
1.Soochow Univ.
Planar optics enables next-generation 3D displays
10:30 奨 E 21a-C205-2 Complex Amplitude Demodulation Based on Deep
〇 (D)Jianying Hao1, 2, Xiao Lin1, Ryushi Fujimura3, 1.Fujian Normal Univ., 2.Tokyo Univ., 3.Utsunomiya
Learning in Holographic Data Storage
Yoshito Tanaka2, Soki Hirayama2, Xiaodi Tan1,
Univ.
Tsutomu Shimura2
1
1
10:45
E 21a-C205-3 Reduction of Periodic Noise Superimposed on the Surface 〇 Hikaru Hamada , Masayuki Yokota
1.Shimane Univ.
Profile Obtained by Two-Wavelength FMCW-Digital
Holography
11:00
E 21a-C205-4 Multiplane Two-photon Imaging using Diffractive Optical 〇 Xiangyu Quan1, Osamu Matoba1
1.Kobe Univ.
Elements
11:15
E 21a-C205-5 The bounds of geometric phase in an achromatic phase〇 Luis Garza-Soto1, Nathan Hagen1, Yukitoshi
1.Utsunomiya Univ
shifter
Otani1
11:30 招 E 21a-C205-6 [INVITED]〇 Naru Yoneda1, Osamu Matoba1, Yusuke Saita2, 1.Kobe Univ., 2.Wakayama Univ.
Recent Progress of Motionless Optical Scanning
Takanori Nomura2
Holography

3.3 生体・医用光学（旧 3.4）/ Biomedical optics (formerly 3.4)

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

3.3 生体・医用光学（旧 3.4）/ Biomedical optics (formerly 3.4)
9/20(Tue.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場（Room C301）
9:00
招 20a-C301-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇石金 元気 1, 戸田 圭一郎 1, 玉光 未侑 1, 島田 紘行 1, 1. 東大理
中赤外フォトサーマル定量位相顕微鏡によるビデオレー 井手口 拓郎 1
ト生細胞分子振動イメージング
9:15		 20a-C301-2 単一生細胞計測に向けた FTIR 分光器の開発〇 (D) 影山 豪大 1, 橋本 和樹 1, 中村 卓磨 1, 石金 元
1. 東大理気 1, 島田 紘行 1, 井手口 拓郎 1
9:30		 20a-C301-3 生細胞への青色レーザー光照射により生じる光毒性の定 〇大坂 昇 1, 松山 哲也 1, 和田 健司 1, 岡本 晃一 1, 川喜 1. 阪公大工 , 2. 阪公大生環
量評価
多 愛 2, 村田 香織 2, 杉本 憲治 2
9:45		 20a-C301-4 マイクロ流体デバイス内の NV 中心の蛍光スペクトル測 〇 (M1) 舌 雅也 1, 渡辺 嵩都 1, 四竈 泰一 1, 亀井 謙一 1. 京大院工 , 2. 京大 iCeMS, 3. 京都先端科学大定郎 2, 土屋 智由 1, 田畑 修 3, 平井 義和 1
10:00		 20a-C301-5 極微弱生化学発光による植物種子根の低温ストレスの研 〇 (M2) 松鶴 大暉 1, 河野 真也 1, 日高 芳樹 1, 原 一広 1, 1. 九大院工究
岡部 弘高 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 20a-C301-6 多波長逆伝搬 SD-OCT による測定物体内層間干渉と位相 〇 (M2) 高畑 拓也 1, 齋藤 達己 1, 崔 森悦 1, 鈴木 孝昌 1 1. 新潟大院自然研
共役像の除去10:45		 20a-C301-7 ニワトリ胚心臓の発生に外的要因が与える影響の〇山岡 喬志 1, 古田 太一 1, 森山 裕大 1, 三井 敏之 1
1. 青学大SS-OCT 観測1
1
11:00
E 20a-C301-8 Application of bio-speckle on micro-bioassay with〇 (D)Devi Arti Devi , Hirohumi Kaodono , R.Uma 1.Saitama Univ., 2.Shibaura Inst.
plankton III.
Maheswari2
11:15
E 20a-C301-9 Nanometer accuracy statistical interferometric technique 〇 (D)Danyang Danyang Li1, UMAMAHESWARI
1.Saitama Univ., 2.Shibaura Inst., 3.Ruhuna Univ.
in monitoring the effect of Acid mine drainage (AMD) on RAJAGOPALAN2, Hirofumi Kadono1, Y. Sanath K.
1, 3
rice seedling
De Silva
11:30		 20a-C301-10 スペクトル符号化単一ファイバイメージングの被写界深 〇 (M1C) 石川 真太郎 1, 大嶋 佑介 1, 片桐 崇史 1
1. 富山大医薬理工度
9/20(Tue.) 13:30 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場（Room C301）
13:30		 20p-C301-1 レーザ誘起衝撃波を用いた層状媒質の光吸収計測〇 (M1) 鈴木 雄大 1, 大嶋 佑介 1, 片桐 崇史 1
1. 富山大理工
13:45
奨 20p-C301-2 整形外科インプラントレーザー設置強度診断の機械学習 〇 (M1) 石野田 明弘 1, 三上 勝大 2, 根本 充貴 2, 名倉 1. 近大院生物理工 , 2. 近大生物理工 , 3. 慶大医
予測精度の改善
武雄 3, 中島 大輔 3
14:00
奨 20p-C301-3 シャントシステムにおける脳脊髄液流速光計測システム 〇 (M1) 菊池 駿希 1, 庄司 一郎 1, 藍原 康雄 2
1. 中央大理工 , 2. 東京女子医大
の開発Ⅱ
1
1
2
14:15		 20p-C301-4 光散乱スペクトル測定による細胞内構造の評価〇 (M2) 大西 里沙 , 細川 陽一郎 , 伊藤 彰彦 , 安國 1. 奈良先端大物質 , 2. 近大医 , 3. 大工大院工良平 3
14:30		 20p-C301-5 各種紫外光源の発光スペクトルに基づく殺菌効果推定手 〇 (M1) 北濱 弘暉 1, 江本 顕雄 2, 鈴木 昭浩 2, 越智 厚 1. 徳島大院創成 , 2. 徳島大 pLED, 3. 徳島県工技センター
順の検討
雄 2, 南川 丈夫 2, 中村 怜 3, 安井 武史 2
14:45		休憩 /Break
15:00
奨 20p-C301-6 脂肪酸投与により細胞内に形成された脂肪滴のラマン分 〇忠政 飛太 1, 南川 丈夫 2, 鈴木 昭弘 2, 安井 武史 2
1. 徳島大院創成 , 2. 徳島大 pLED
光解析
15:15
奨 20p-C301-7 SVM を用いたラマンスペクトル解析法による末梢神経の 〇堀 広志郎 1, 南川 丈夫 1, 2, 寺尾 圭貴 1, 獅々堀 正
1. 徳島大院創成 , 2. 徳島大 pLED
選択的判別と判別根拠解明
幹 1, 安井 武史 1, 2
1
1, 2
1
15:30		 20p-C301-8 ラマン顕微鏡を用いた非アルコール性脂肪性肝疾患にお 〇大西 湧太郎 , 南川 丈夫 , 是澤 秀紀 , 忠政 飛
1. 徳島大院創成 , 2. 徳島大 pLED, 3. 徳島大院医歯薬病理
ける脂肪滴サイズと脂質分子物性の関係解析
太 1, 清水 真祐子 3, 森本 友樹 3, 長谷 栄治 2, 安井 武
史 1, 2, 常山 幸一 2, 3
15:45		 20p-C301-9 シリカ柱上構造を介したリモートプラズモニック光増強 〇南川 丈夫 1, 2, 原田 義規 2, 高松 哲郎 2, 森本 幸裕 3, 4, 1. 徳島大 , 2. 京都府立医大 , 3. ウシオ電機 , 4. 大阪大 ,効果を援用した生体組織の高感度ラマンイメージング
川崎 昌博 5, 川崎 三津夫 5
5. 京都大16:00		 20p-C301-10 誘導ラマン散乱によるヒト皮膚の水動態 3D イメージン 〇 (P) 水口 高翔 1, ナイト クリストファ鷹也 2, 後藤 1. 東大院工 , 2. 資生堂
グ
真紀子 2, 二宮 真人 2, 江川 麻里子 2, 小関 泰之 1
16:15
E 20p-C301-11 Probing Methionine Uptake in Live Cells and Tissue by〇 Spencer John Spratt1, Kenichi Oguchi1, Hina
1.Tokyo Univ., 2.RIKEN BDR
Deuterium Labelling and Stimulated Raman Scattering
Kosakamoto2, Fumiaki Obata2, Yasuyuki Ozeki1
1
1
1, 2
16:30		 20p-C301-12 AL アミロイドーシス無染色標本のラマン分光顕微観察〇谷口 元基 , 本田 剛士 , 柳谷 伸一郎 , 髙成 広
1. 徳島大理工 , 2. 徳島大 pLED, 3. 徳島大医 , 4. 徳島大学
起 2, 南 康夫 1, 2, 中村 信元 3, 三木 浩和 4, 安倍 正博 4, 病院
坂東 良美 4, 常山 幸一 4
16:45		休憩 /Break
17:00
奨 20p-C301-13 生体測定のための中赤外光熱偏向分光法の検討〇 (M1) 伊藤 大登 1, 木野 彩子 1, 松浦 祐司 1
1. 東北大医工17:15
奨 20p-C301-14 中赤外光音響分光法による非侵襲生体成分分析〇 (M2) 前野 雅信 1, 松浦 祐司 1, 木野 彩子 1
1. 東北大工
17:30
奨 20p-C301-15 中赤外光超音波分光法による生体分析における感度向上 〇 (M2) 佐々木 亮太 1, 木野 彩子 1, 松浦 祐司 1
1. 東北大院医工
の検討
1
1
17:45
奨 20p-C301-16 超音波トランスデューサを用いた光音響分光法による生 〇 (M1) 田中 望実 , 松浦 祐司
1. 東北大工
体成分イメージングの試み
18:00
奨 20p-C301-17 ライトシートブリルアン散乱顕微法の提案と実証〇 (PC) 石島 歩 1, 2, 岡部 真我 1, 佐久間 一郎 1, 中川 桂 1. 東大院工 , 2.JST さきがけ
一1
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P03-1
時間多重化時空間集光を用いた３次元多光子パターン照 〇磯部 圭佑 1, 2, 道川 貴章 1, 3, 並木 香奈 3, 宮脇 敦
1. 理研光量子 , 2. 京大生命 , 3. 理研脳神経科学
明技術
史 1, 3, 緑川 克美 1
			 21p-P03-2
532 nm パルスレーザを用いた潜在指紋の蛍光寿命イメー 〇角田 英俊 1, 秋葉 教充 1, 日比野 和人 2, 土屋 兼一 1, 1. 科警研 , 2. 警察庁
ジングの検討田辺 鴻典 1
			 21p-P03-3
ナノホール構造を持つ Ag/ マイカ基板の表面増強ラマン 〇 (B) 衡 彦君 1, 斉藤 紫音 1, 平井 龍太朗 1, 吹留 博
1. 東北工大工 , 2. 東北大通研
散乱
一 2, 佐藤 昭 2, 尾辻 泰一 2, 内野 俊 1
			 21p-P03-4
表面増強ラマン分光法を用いたペプチドーRNA の相分離 〇 (M2) 山崎 唯衣 1, 藤原 將行 2, 加藤 遼 2, 金蔵 孝介 3, 1. 東工大物質理工 , 2. 徳島大 pLED, 3. 東京医科大
液滴の計測
矢野 隆章 2, 早水 裕平 1
			 21p-P03-5
ブリルアン・ラマン散乱顕微鏡を用いた非アルコール性 〇長谷 栄治 1, 南川 丈夫 1, 時実 悠 1, 安井 武史 1
1. 徳島大学 pLED
脂肪性肝疾患における脂質の分子物性解析 (1)〜ブリルアン散乱顕微鏡の構築と肝組織のブリルアンイ
メージング〜
3.4 レーザー装置・材料（旧 3.5）/ Laser system and materials (formerly 3.5)9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P04-1
縦続接続された双方向テーパファイバによる広帯域光発 〇吉田 風亜 1, 久保田 竜二 1, 木戸 翼 1, 古瀬 裕章 1, 中 1. 北見工大 , 2. 茨城大工生の数値解析
村 真毅 2, 曽根 宏靖 1
			 21p-P04-2
軸方向放電励起 CO2 レーザーにおける He ガスフリー動 〇 (B) 大川 亮 1, 宇野 和行 1, 児玉 康司 1, 2, 米谷 和幸 2 1. 山梨大 , 2. 精電舎電子工業
作			 21p-P04-3
軸方向放電励起 CO2 レーザーによる増幅特性〇宮川 大吉 1, 宇野 和行 1, 児玉 康司 1, 2, 米谷 和幸 2
1. 山梨大 , 2. 精電舎電子工業
			 21p-P04-4
2 波長バンドパスフィルタを用いたシングルゲイン 8 の字 〇影山 稜 1, 西浦 匡則 1, 2, 謝 宜達 1, 塩田 達俊 2, 中村 1. セブンシックス（株）, 2. 埼玉大学
型ファイバレーザー亮介 1, 2
		
E 21p-P04-5
Investigations of wavelength-tunable nanosecond laser〇 Haik Chosrowjan1, Toshihiro Somekawa1, Seiji
1.ILT
pulse compression characteristics by SBS techniqueTaniguchi1
			 21p-P04-6
放電プラズマ焼結法による透光性 CaF2 セラミックスの開 〇黒沢 将平 1, 藤岡 加奈 2, 古瀬 裕章 1
1. 北見工大 , 2. 阪大レーザー研発【CS.3】3.4 レーザー装置・材料（旧 3.5）、3.13 光制御デバイス・光ファイバー（旧 3.14）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.4 & 3.13
		

E 21p-P04-7

9/22(Thu.) 9:00 - 11:30
9:00		 22a-A402-1

9:15		 22a-A402-2
9:30
奨 22a-A402-3

尾 登 1, 松本 景子 1, 藤岡 加奈 1, 時田 茂樹 3, 宮永 憲
明 1, 2, 植田 憲一 1, 4, 兒玉 了祐 1, 余語 覚文 1
〇北島 将太朗 1, 西澤 典彦 1
〇植松 祐季 1, 小倉 康平 1, 小林 逸人 1, 庄司 一郎 1

大レーザー研9:45		 22a-A402-4

高出力 Yb:KLuW 薄ディスクレーザー
常温接合を用いた複合構造 Yb:YAG マイクロチップレー
ザの開発
Φ 50mm 単結晶 Nd:YAG/YAG 接合レーザー素子の開発

10:00		 22a-A402-5

TSMG 法による大型 YAG 単結晶の開発

10:15		10:30 奨 E 22a-A402-6

休憩 /BreakHigh-power, single-longitudinal-mode Fe:ZnSe laser〇 (D)Enhao Li1, Hiyori Uehara1, 2, Shigeki Tokita3, 1.SOKENDAI, 2.NIFS, 3.Kyoto Univ.
amplifier injection-seeded by a DFB-QCL at 4.3 μ m
Ryo Yasuhara1, 2Czochralski 法による Tm 添加混晶 sesquioxide 結晶の育成 〇鈴木 杏奈 1, 2, 3, Kalusniak Sascha3, 田中 裕樹 3,
1. 電通大レーザー研 , 2. 電通大脳医工研 , 3.IKZ
及び特性評価Brützam Mario3, Ganschow Steffen3, 戸倉川 正樹 1, 2,

10:45		 22a-A402-7

1. 名大院工
1. 中央大理工〇川嶋 一裕 1, 浅賀 翔平 1, 川南 修一 1, 望月 圭介 1, 則 1.（株）信光社 , 2. 三菱重工業（株）, 3.SCT（株）
武 卓也 2, 西方 伸吾 2, 醍醐 浩之 2, 篠崎 琢也 3, 羽田
肇 3, 鯉沼 秀臣 3
〇高橋 真紀 1, 木下 智嗣 1, 浅賀 翔平 1, 清水 彩子 1, 川 1.( 株 ) 信光社 , 2.SCT( 株 )嶋 一裕 1, 望月 圭介 1, 鯉沼 秀臣 2

Kränkel Christian3
PLD による Nd:YAG 薄膜のストイキオメトリーとアンチ 〇川嶋 一裕 1, 高橋 健一郎 2, 羽田 肇 3, 鯉沼 秀臣 3
1.（株）信光社 , 2.（株）コメット , 3.SCT（株）
サイト生成
11:15		 22a-A402-9 高濃度添加 Yb:S-FAP 透光性セラミックスの開発〇望月 友輝 1, 加藤 大地 1, 森田 孝治 2, 鈴木 達 2, 金 炳 1. 北見工大 , 2. 物材機構
男 2, 古瀬 裕章 1
9/22(Thu.) 13:00 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) A402 会場（Room A402）
13:00		 22p-A402-1 Yb 添加ダブルクラッドファイバを用いた Mamyshev 発振 〇 (M1) 桂山 景伍 1, 戸田 裕之 1, 鈴木 将之 1
1. 同志社大学
器の特性評価13:15		 22p-A402-2 Yb ダブルクラッドファイバを用いたワット級非線形増幅 〇 (M2) 吉村 駿佑 1, 横上 樹 1, 戸田 裕之 1, 鈴木 将之 1 1. 同志社大学大学院
システム
13:30		 22p-A402-3 高出力・超短パルス生成を目指した Yb ファイバ利得管理 〇 (M1) 横上 樹 1, 吉村 駿佑 1, 戸田 裕之 1, 鈴木 将之 1 1. 同大理工
非線形増幅の開発
13:45
奨 22p-A402-4 超短尺 (5 mm) 高濃度 Yb-Mg 共添加シリカファイバにお 〇 (D) 松井 裕生 1, 藤本 靖 1, 小山 勇也 1
1. 千葉工大
ける増幅特性14:00		 22p-A402-5 マルチモードファイバーにおける能動モード同期時間領 〇大西 志晶 1, 白川 晃 1
1. 電通大レーザー研
域モード選択のリング型共振器の検討
14:15		 22p-A402-6 ブリルアン散乱フィードバックを利用した波長 2 μ m 帯 矢津田 匠海 1, 2, 〇戸倉川 正樹 1, 2
1. 電通大レーザーセンター, 2. 電通大脳医工学研究セン
数ナノ秒 Q スイッチ Tm ファイバーレーザー
タ－
14:30		 22p-A402-7 波長 2 μ m 帯ナノ秒 Tm ファイバーレーザの開発と加工 矢津田 匠海 1, 2, 〇戸倉川 正樹 1, 2
1. 電通大レーザーセンター, 2. 電通大脳医工学研究セン
応用ター
14:45		休憩 /Break
15:00		 22p-A402-8 光パルスの時間波形測定による自然放射増幅光 (ASE) ノ 〇安食 聡一郎 1, 崔 鈺雯 2, 山田 博仁 1, 2, 3, 横山 弘
1. 東北大工 , 2. 東北大院工 , 3. 東北大未来研
イズ成分の評価之 2, 3
15:15		 22p-A402-9 スーパーコンティニュウム光からの 905nm ピコ秒光パル 〇 (M1)Cui Yuwen1, 安食 聡一郎 3, 山田 博仁 1, 2, 3, 横 1. 東北大院工 , 2. 東北大 NICHe, 3. 東北大工スの抽出と増幅における ASE 成分の評価
山 弘之 1, 2
15:30		 22p-A402-10 水蒸気計測に向けた波長安定化に関する検討〇原口 英介 1, 藤江 彰裕 1, 辻 秀伸 1, 今城 勝治 1
1. 三菱電機15:45		 22p-A402-11 ローカル光の空間合成を用いないコヒーレントビーム結 〇秋山 智浩 1, 藤江 彰裕 1, 竹本 裕太 1, 尾野 仁深 1, 原 1. 三菱電機
合口 英介 1, 安藤 俊行 1, 秋野 陽介 1, 落水 秀晃 1
16:00		 22p-A402-12 イッテルビウム添加フッ化物結晶を用いたレーザー冷却 〇田中 裕樹 1, Püschel Stefan1, Kränkel Christian1
1. ライプニッツ結晶成長研
16:15		 22p-A402-13 CO2 レーザー励起の遠赤外レーザー出力鏡の開発〇中山 和也 1, 安原 亮 2, 田中 謙治 2, 鈴木 正輝 3
1. 中部大工 , 2. 核融合研 , 3. レーザメイト【CS.3】3.4 レーザー装置・材料（旧 3.5）、3.13 光制御デバイス・光ファイバー（旧 3.14）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.4 & 3.13
9/22(Thu.) 16:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) A402 会場（Room A402）
16:45
奨 22p-A402-14 波長変換材料 LaBGeO5 の屈折率温度依存性精密測定〇加賀美 侑希 1, 中川 峻 1, 庄司 一郎 1
1. 中央大理工
17:00		 22p-A402-15 PPLN 導波路デバイスによる高効率波長変換の検討〇岸本 直 1, 逵本 吉朗 1, 和久井 健太郎 1, 藤原 幹生 1, 1. 情通機構
関根 徳彦 1
17:15		 22p-A402-16 擬似位相整合ニオブ酸リチウムを用いた全光学的ゲート 〇阿部 元気 1, 梅本 翔多郎 1, 宮内 亮一 1, 福地 裕 1
1. 東京理科大
スイッチの特性17:30
奨 22p-A402-17 SiC 上高品質グラフェンを用いた全光型超高速光スイッ 〇日下 智貴 1, 古部 昭広 1, 片山 哲郎 1, 岸川 博紀 1, 大 1. 徳島大学
チ
野 恭秀 1, 永瀬 雅夫 1, 藤方 潤一 1
17:45
奨 22p-A402-18 µ-Transfer Printing を用いた Si-SiO2-Si スロット導波路の 〇 (M1) 里 亮介 1, 高 磊 2, 山本 宗継 2, Cong
1. 早大院理工 , 2. 産総研
作製Guangwei2, 山田 浩治 2, 北 智洋 1
18:00		 22p-A402-19 波長 1310nm における EO ポリマーの光安定性評価〇富成 征弘 1, 山田 俊樹 1, 梶 貴博 1, 大友 明 1
1. 情通機構
18:15		 22p-A402-20 電気化学ドープされた酸化インジウムスズの三次非線形 〇犬飼 大樹 1, 岸田 英夫 1
1. 名大院工
感受率
3.5 超高速・高強度レーザー（旧 3.6）/ Ultrashort-pulse and high-intensity lasers (formerly 3.6)
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C206 会場（Room C206）
9:00		 22a-C206-1 二光子誘導放出の観測にむけた Tm­3+:Lu2O3 / Yb3+:Sc2O3 〇三井 崚平 1, 2, 鈴木 杏奈 1, 2, Christian Kränkel3, 戸 1. 電通大レーザー研 , 2. 電通大脳医工研 , 3.Leibniz-IKZ
モード同期レーザー倉川 正樹 1, 2
9:15		 22a-C206-2 人工衛星搭載用 figure-8 型光周波数コムの開発〇栗原 大周 1, 竹内 裕一 1, 山田 隆寛 1, 遠藤 駿 1, 武者 1. 電通大レーザー研
満1
9:30		 22a-C206-3 通信波長帯 25 GHz 繰り返しシリコン電気光学変調コム 〇 (M1) 吉川 優剛 1, 2, 石澤 淳 1, 3, 徐 学俊 1, コン グァ 1.NTT 物性研 , 2. 東京電機大 , 3. 日本大 , 4. 産総研
発生ンウェイ 4, 高 磊 4, 吉田 光貴 1, 2, 日達 研一 1, 山本 宗
継 4, 西川 正 2, 山田 浩治 4, 眞田 治樹 1, 小栗 克弥 1
9:45		 22a-C206-4 注入同期によるマイクロコムのコムモードの出力増幅と 〇久世 直也 1, 2, 美濃島 薫 1, 3
1. 徳大 pLED, 2.JST さきがけ , 3. 電通大情報理工
位相雑音転写1, 2
3
1
3
10:00		 22a-C206-5 長尺ファイバーに安定化したマイクロコムによる低位相 〇久世 直也 , 西本 健司 , 時実 悠 , 岡田 昇太 ,1. 徳大 pLED, 2.JST さきがけ , 3. 徳大院 , 4.Ligentec,
雑音 560 GHz 発生
Navickaite Gabriele4, Geiselmann Michael4, 美濃島 5. 電通大情報理工
薫 1, 5, 安井 武史 1
10:15		 22a-C206-6 利得と非線形損失を有する微小光共振器結合系における 〇今村 陸 1, 藤井 瞬 1, 2, 中島 綾太 1, 田邉 孝純 1
1. 慶大理工 , 2. 理研
モード同期動作に向けた数値解析
10:30		休憩 /Break
10:45		 22a-C206-7 双方向動作型デュアルコムファイバレーザーのパルス幅 窪田 光佑 1, 西宮 友大 1, 内山 竜成 1, 湯本 拓実 1, 〇中 1. 東邦大学
評価
嶋 善晶 1
11:00
奨 22a-C206-8 全偏波保持型デュアルコムファイバレーザーのパルス圧 〇湯本 拓実 1, 時実 悠 2, 安井 武史 2, 3, 松原 伸一 4, 中 1. 東邦大学 , 2. 徳島大学ポスト LED 研究室 , 3. 徳島大学 ,縮
嶋 善晶 1
4. 高輝度光科学研究所
11:00		 22a-A402-8

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

Synthesis of GO and N doped GO by nanosecond pulsed 〇 (D)Rohini Puliyassei1, Dillibabu Sastikumar
1.Puliyasseri Rohini, 2.Dillibabu Sastikumar
Laser ablation of Graphene in Liquid for fibre optic gas
Dillibabu2
sensing
口頭講演 (Oral Presentation) A402 会場（Room A402）
低温伝導冷却アクティブミラー増幅システムの開発〇荻野 純平 1, 椿本 孝治 1, 吉田 英次 1, 本越 伸二 2, 森 1. 阪大レーザー研 , 2. レーザー総研 , 3. 京大化研 , 4. 電通

3.5 超高速・高強度レーザー（旧 3.6）/ Ultrashort-pulse and high-intensity lasers (formerly 3.6)
11:15

単層カーボンナノチューブを用いた全偏波保持散逸性ソ
リトンモード同期 Er 添加デュアルコムファイバレーザー
の開発
11:30
奨 22a-C206-10 機械共有型トライコム光源システムの開発と相対安定性評価
11:45
奨 22a-C206-11 光周波数コムを用いたレーザードップラー振動計の開発
9/22(Thu.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) C206 会場（Room C206）
13:30		 22p-C206-1 オフセット周波数強度変調を用いた光パルスのスペクト
ル位相計測
13:45		 22p-C206-2 光位相の自在な操作を用いたオンデマンドな波長変換
14:00

奨 22a-C206-9

E 22p-C206-3

14:15		 22p-C206-4
14:30		 22p-C206-5
14:45

奨 22p-C206-6

15:00		15:15		 22p-C206-7
15:30		 22p-C206-8
15:45

E 22p-C206-9

16:00		 22p-C206-10
16:15

奨 22p-C206-11

16:30		 22p-C206-12
16:45		 22p-C206-13
9/23(Fri.) 9:00 - 11:00
9:00
奨 23a-C206-1

奨 23a-C206-2

9:30		 23a-C206-3
9:45		 23a-C206-4
10:00		 23a-C206-5
10:15		 23a-C206-6
10:30		 23a-C206-7
10:45		 23a-C206-8
9/23(Fri.) 9:30 - 11:30
			 23a-P01-1
			 23a-P01-2
			 23a-P01-3
9/23(Fri.) 13:30 - 16:45
13:30
奨 23p-C206-1
13:45
14:00

奨 23p-C206-2
奨 23p-C206-3

14:15		 23p-C206-4
14:30		 23p-C206-5
14:45		 23p-C206-6

15:00		15:15		 23p-C206-7

15:30		 23p-C206-8
15:45		 23p-C206-9
16:00		 23p-C206-10
16:15		 23p-C206-11
16:30		 23p-C206-12

1. 名大院工 , 2. 産総研〇 (M2) 遠藤 健 1, 長尾 康生 1, 田 昊晨 1, 2, 浅原 彰文 1, 1. 電通大 , 2.JSPS 外国人特別研究員
美濃島 薫 1
〇 (B) 柴田 理来 1, 前澤 和来 1, 藤井 瞬 1, 渡邉 紳一 1 1. 慶大理工
〇小口 研一 1, 似内 渉 1, 小関 泰之 1

1. 東大工〇 (M2) 佐藤 昂大 , 大饗 千彰 , 劉 衛永 , 鈴木
勝 1, 2, 桂川 眞幸 1, 2
〇 (D)WENQING SONG1, OKAZAKI DAIKI1,
1

1, 2

1

1. 電通大基盤理工 , 2. 電通大量子センター

Vibrational Dispersion Spectroscopy based on Phase1.IIS, The Univ. of Tokyo
Shifting Spectral Interferometry
MORICHIKA IKKI1, ASHIHARA SATOSHI11111
共振器内に気相分子を挿入したモード同期レーザーにお 〇 (D) 岡崎 大樹 , 宋 文清 , 森近 一貴 , 芦原 聡
1. 東大生研
ける狭線幅スペクトルピークの形成
大気中の水分子の吸収を用いたスペクトルピークの生成 〇西澤 典彦 1, 北島 将太朗 1, 深澤 啓介 1, 富田 英生 1, 1. 名大院工 , 2. 産総研
阿部 恒 2
LCOS-SLM によるスペクトルフィルタを用いた〇 (M1) 古畑 早紀子 1, 北島 将太朗 1, 西澤 典彦 1
1. 名大院工スペクトルピ－クの生成と制御 ( Ⅱ )休憩 /Break
利得スイッチ 1270 nm DFB 半導体レーザーによる 5.3ps 〇小林 真隆 1, 中村 考宏 1, 中前 秀一 1, 松井 康浩 2, 秋 1. 東大物性研 , 2.II-VI Inc.
パルス発生
山 英文 1
広帯域波⻑可変ピコ秒ファイバ光パラメトリック発振器 〇高橋 俊 1, 寿 景文 1, 戴 高宇 1, 小関 泰之 1
1. 東大院工の構築
A CEP-stable, one-octave DC-OPA with two kinds of〇 (P)Lu Xu1, 2, Eiji J. Takahashi1, 3
1.UFSXP, RAP, RIKEN, 2.AS, RAP, RIKEN, 3.ELSL,
nonlinear crystals for generating a single-cycle field
CPR, RIKEN
2um 帯における mixed plate パルス圧縮〇栗原 貴之 1, 楊 添淇 1, 水野 智也 1, 金井 輝人 1, 板谷 1. 東大物性研
1
治郎
80W 級 Yb:KGW レーザーを用いた 1.7 サイクル高強度光 〇岡本 拓也 1, 国橋 要司 1, 篠原 康 1, 眞田 治樹 1, 陳 明 1.NTT 物性研 , 2. 清大パルスの 1MHz 繰返し発生
彰 2, 小栗 克弥 1
二次元電子分光のための高繰り返し極短可視光パルス光 〇石井 順久 1, 坪内 雅明 1, 安達 基泰 2, 板倉 隆二 1
1. 量研関西研 , 2. 量研量子生命研
源開発
多層膜鏡を用いた 38.8eV 円偏光光源の開発〇塚田 悠也 1, 渡辺 大雅 1, 関川 太郎 1
1. 北大工
口頭講演 (Oral Presentation) C206 会場（Room C206）
サイズ制御された半導体ナノ粒子からの高次高調波発生： 〇中川 耕太郎 1, 廣理 英基 1, 佐藤 駿丞 2, 田原 弘量 1, 1. 京大化研 , 2. 筑波大計科セ
バンド内遷移の効果
関口 文哉 1, 湯本 郷 1, 猿山 雅亮 1, 佐藤 良太 1, 寺西 利
治 1, 金光 義彦 1
高密度電子励起に伴う MoTe2 の超高速格子ダイナミクス 〇 (D) 福田 拓未 1, 蕪内 涼太 1, 齋藤 雄太 2, 牧野 孝太 1. 筑波大数理 , 2. 産総研 , 3. 慶大電情 , 4. 埼大理工郎 2, フォンス ポール 3, 石川 良 4, 上野 啓司 4, 嵐田 雄
介 1, 吉田 昭二 1, 羽田 真毅 1, 長谷 宗明 1
CdSSe における 20 fs レーザーパルスの自己回折光の時 〇大崎 由 1
1. 東洋大院理工
間分解計測
強相関電子系 1T-TiSe2 におけるコヒーレントフォノンダ 〇 (M1) 水越 優 1, 福田 拓未 1, 小森 雄太 1, 石川 良 2, 1. 筑波大数理 , 2. 埼大理工
イナミクス
上野 啓司 2, 長谷 宗明 1
金薄膜上における NV センター含有ナノダイヤモンドの 〇 (M1) 渡部 愛佳 1, Abulikemu Aizitiaili1, Rao
1. 筑波大数理 , 2. 豊田工大
超高速分光
Vanjarapu2, 吉村 雅満 2, 長谷 宗明 1
VTe2 の超高速光応答と光誘起相転移〇谷村 洋 1, 岡本 範彦 1, 本間 高雄 1, 佐藤 裕介 1, 石井 1. 東北大金研 , 2. 東北大工
暁大 2, 高村 仁 2, 市坪 哲 1
フェムト秒パルスレーザー照射による MnTe 半導体薄膜 〇森 竣祐 1, 谷村 洋 2, 市坪 哲 2, 須藤 祐司 1, 3
1. 東北大工 , 2. 東北大金属材料研究所 , 3. 東北大材料科の光学的変化学高等研究所
非断熱分子ダイナミクスのための時間依存結合クラス〇佐藤 健 1, 石川 顕一 1
1. 東大院工ター法の開発 II
ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
NALM 型ファイバレーザー発振器とプリアンプの統合〇西浦 匡則 1, 2, 影山 陵 2, 塩田 達俊 1
1. 埼玉大学 , 2. セブンシックス
グラファイトのコヒーレント光学フォノンにおけるイオ 〇加藤 太一 1, 2, 高木 一旗 1, 2, 今野 佑磨 1, 2, 木全 哲
1. 東工大フロンティア材料研 , 2. 東工大物質理工 , 3. 量
ン照射効果
也 3, 山本 春也 3, 八巻 徹也 3, 中村 一隆 1, 2
研高崎研
深紫外領域への高効率・高品質な波長変換〇大久保 直幸 1, 豊永 大貴 1, 永野 正統 1, 長谷川 健
1. 電通大基盤理工 , 2. 電通大量子センター
1
2, 1
1, 2
司 , 大饗 千彰 , 桂川 眞幸
口頭講演 (Oral Presentation) C206 会場（Room C206）
非同期パルス列間の和周波発生を用いた周波数スイープ 〇 (M1) 爲本 龍汰 1, 本田 亜沙美 1, 山根 啓作 1, 鈴木 1. 北大工 , 2. 千葉大融合理工 , 3. 千葉大分子キラリ
パルス列の生成雅人 1, 戸田 泰則 1, 尾松 孝茂 2, 3, 森田 隆二 1ティー
赤外フェムト秒パルスによる気相 CO2 の振動回転励起Ⅱ 〇 (D) 津坂 裕己 1, 森近 一貴 1, 芦原 聡 1
1. 東大生研
1
1
1
2
量子コンピュータによる高強度レーザー下の多電子ダイ 〇魏 博紀 , 織茂 悠貴 , 石川 顕一 , 川島 雪生 ,1. 東大院工 , 2.IBM
ナミクスの第一原理シミュレーション
Gujarati Tanvi2, 佐藤 健 1
量子コンピュータによる高強度レーザー下の水素分子イ 〇尾作 知洋 1, 織茂 悠貴 1, 石川 顕一 1, 川島 雪生 2,
1. 東大院工 , 2.IBM
オンの非断熱シミュレーション
Gujarati Tanvi2, 佐藤 健 1
1
1
2
Hardware-efficient ansatz を用いた量子コンピュータによ 〇織茂 悠貴 , 石川 顕一 , 川島 雪生 , Gujarati
1. 東大院工 , 2.IBM
る実時間第一原理計算
Tanvi2, 佐藤 健 1
テラヘルツ波による極短パルス電子線のパルス幅計測〇 (M2) 矢嶋 渉 1, 嵐田 雄介 1, 西森 亮太 1, 江本 悠河 1, 1. 筑波大数理 , 2. 東工大院理山本 祐揮 1, 川崎 康平 1, 齋田 友梨 1, 鄭 サムエル 1, 赤
田 圭史 1, 田久保 耕 2, 重川 秀実 1, 藤田 淳一 1, 腰原 伸
也 2, 吉田 昭二 1, 羽田 真毅 1
休憩 /Break
光剥離する有機分子材料の構造ダイナミクスの相依存性 〇 (M1) 齋田 友梨 1, 小西 智暉 2, 佐藤 竜馬 3, 中池 由 1. 筑波大数理 , 2. 京大院理 , 3. 産総研 , 4. 名大院工
美 2, 矢嶋 渉 1, 四方 諒 1, 山田 洋一 1, 原 光生 4, 齊藤 尚
平 2, 羽田 真毅 1
高次高調波強度の周期的変化をもとにした位相整合条件 〇 (D) 西宮 海人 1, 石川 稜馬 1, 須田 亮 1
1. 東理大院理工の検証
コヒーレントフォノンを利用したヘテロ界面のキャリア 〇石岡 邦江 1, Angerhofer E.2, Stanton C.J.2, Mette
1. 物材機構 , 2. フロリダ大 , 3. マーブルク大ダイナミクス信号分離
G.3, Volz K.3, Stolz W.3, Hoefer U.3
コヒーレント光学フォノン生成に対する初期フォノン分 〇高木 一旗 1, 2, 中村 一隆 1, 2
1. 東工大フロンティア材料研 , 2. 東工大物質理工
布効果の理論計算
ポンプ・プローブ分光法によるカンチレバー表面の光圧・ 〇 (D) 市川 卓人 1, アブリケム アイズティリ 1, 長谷 1. 筑波大数理物質
光熱効果の検出
宗明 1
Cu2S ナノ粒子の光照射による超イオン伝導体相への構造 〇 (M1) 上野 辰 1, 四方 諒 1, 齋田 友梨 1, 坂本 雅典 2, 1. 筑波大数理 , 2. 京大化研
変化羽田 真毅 13 光・フォトニクス / Optics and Photonics

9:15〇 (M2) 水津 慶一郎 1, 北島 将太朗 1, 榊原 陽一 2, 面
田 恵美子 2, 片浦 弘道 2, 西澤 典彦 1

3.6 レーザープロセシング（旧 3.7）/ Laser processing (formerly 3.7)

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

3.6 レーザープロセシング（旧 3.7）/ Laser processing (formerly 3.7)
9/21(Wed.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A306 会場（Room A306）
9:00		 21a-A306-1 銅のナノ秒レーザ加工における表面微細形状の生成過程の高速観察
9:15		 21a-A306-2 フェムト秒レーザーアブレーション加工におけるスペク
トル干渉を用いたパルス毎断面計測
9:30		 21a-A306-3 直線偏光二色レーザーによる絶縁体のイオン化確率の理論的研究
9:45		 21a-A306-4 中赤外 Er:YAP レーザーを用いた樹脂フィルムおよび生体試料の切断加工〇松田 和也 1, 長藤 圭介 1, 伊藤 佑介 1, 鈴木 裕明 1, 陳 1. 東大院工黎玮 1, 服部 隼也 1, 杉田 直彦 1, 中尾 政之 1
〇浅井 岳 1, 熊谷 洸毅 2, 玉置 亮 2, 3, 久保 肇 1, 秦 大
樹 1, 瀧川 雄一 1, 片山 郁文 2
〇谷 水城 1, 石川 顕一 1

1. ニコン , 2. 横浜国大 , 3.KISTEC
1. 東大院工〇上原 日和 1, 安原 亮 1, シー チュエン 1, 村上 政直 2, 1. 核融合研 , 2. 三星ダイヤモンド工業 ( 株 ), 3. 生命創成
小西 大介 2, 大友 康平 3, 4, 5, 渡我部 ゆき 3, 4, 石井 宏
探究センター, 4. 生理研 , 5. 順天堂大
和 3, 4, 堤 元佐 3, 4, 根本 知己 3, 4
10:00		 21a-A306-5 合成石英内部におけるプラズマチャネル形成過程のパル 〇小池 匠 1, 伊藤 佑介 1, 吉﨑 れいな 1, 任 国旗 1, 杉田 1. 東大院工ス幅依存性評価直彦 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 21a-A306-6 サブピコ秒から数ナノ秒時間遅延領域における超短パル 〇 (D) 川野 将太郎 1, 戸田 圭一郎 1, 櫻井 治之 1, 小西 1. 東大院理スレーザー加工の時間分解複素透過率イメージング
邦昭 1, 井手口 拓郎 1
10:45		 21a-A306-7 半導体アブレーション閾値のパルス幅依存性精密測定〇 (M2) 土屋 叡本 1, 遠藤 翼 1, 櫻井 治之 1, 谷 峻太郎 1, 1. 東大物性研
小林 洋平 1
11:00		 21a-A306-8 穴加工におけるフェムト秒レーザー生成超音波を用いた 〇 (M2) 三浦 拓真 1, 熊谷 幸汰 1, 早崎 芳夫 1
1. 宇都宮大オプティクス
対物レンズの位置制御
11:15		 21a-A306-9 オゾン水を用いた高効率レジスト剥離技術〇 (M1) 中尾 友哉 1, 小泉 敦司 1, 安國 良平 1, 神村 共 1. 大阪工大 , 2. 阪大レーザー研 , 3. 大阪公立大住 1, 吉村 政志 2, 堀邉 英夫 3
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P05-1
高強度レーザー光照射によるエタノールの分子変換
石川 和香子 1, 〇佐藤 俊一 1
1. 東北大多元研
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場（Room C301）
9:00		 22a-C301-1 Agn(NO3)n+1 クラスターを用いた電気化学的な CO2 還元 〇西 哲平 1, 佐藤 俊介 1, 森川 健志 1
1. 豊田中研によるギ酸生成- 気‐液界面レーザーアブレーションが誘起する特異的触媒活性 9:15		 22a-C301-2 繰り返し照射によるレーザー誘起グラファイト合成条件 〇藤原 英樹 1, 大黒谷 清吾 1, 林 恭平 2, 海住 英生 2, 3, 1. 北海学園大工 , 2. 慶大理工 , 3. 慶大スピンセンター,の改善
平井 健二 4, 雲林院 宏 4
4. 北大電子研
9:30		 22a-C301-3 室温でのエキシマレーザーアニーリングによる不純物〇 (M1) 沼田 拓実 1, 甲斐 稜也 1, 大賀 友瑛 1, 金子 智 2, 1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川産技総研
ドープβ -Ga2O3 薄膜の固相エピタキシャル成長と特性評 松田 晃史 1, 吉本 護 1
価
9:45		 22a-C301-4 液中レーザー溶融法を用いた CsPbBr3 ナノ粒子の熱安定 〇齋藤 滉一郎 1, 石川 善恵 1
1. 産総研 電子光
性の評価
1
1
1
1
10:00		 22a-C301-5 SiC コロイド溶液へのレーザーアブレーションによる微 〇原口 遼 , 山口 遼介 , 石原 淳 , 宮島 顕祐
1. 東理大院理
粒子の光学特性の変化
10:15		 22a-C301-6 【注目講演】気相レーザーアブレーション法により作製さ 〇山口 遼介 1, 原口 遼 1, 石原 淳 1, 宮島 顕祐 1
1. 東理大院
れた SiC ナノ微粒子の発光特性の雰囲気ガス圧依存性10:30		休憩 /Break
10:45		 22a-C301-7 液中レーザーアブレーションによる CaO 粒子ゲル状凝集 〇辻 剛志 1, 板持 貴大 1, 岩城 颯 1, 新 大軌 1
1. 島根大総理工体の作製
11:00		 22a-C301-8 エクリプス型 PLD 法によるハイドロキシアパタイト結晶 〇屋代 英彦 1, 欠端 雅之 1
1. 産総研 電子光
成膜のラマン分光分析
11:15		 22a-C301-9 ダイヤモンド表面へのフェムト秒レーザ照射とホウ素イ 〇岩浅 郁哉 1, 植木 智之 1, 富田 卓朗 1, 岡田 達也 1
1. 徳島大理工
オン注入
11:30		 22a-C301-10 ArF エキシマレーザーによるシリコーンゴム上へのマイ 〇 (M2) 岩崎 楓 1, 吉田 剛 1, 大越 昌幸 1
1. 防大電気電子
クロカプセル構造形成
11
11:45		 22a-C301-11 F2 レーザーによる大気下における Au 表面への Au2O3 パ 〇吉田 剛 , 大越 昌幸
1. 防大電気電子
ターン形成
9/22(Thu.) 13:30 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場（Room C301）
13:30		 22p-C301-1 リグニン含有ハイドロゲルのレーザー炭化による電気二 〇 (M2) 宮越 陸人 1, 林 秀一郎 1, 寺川 光洋 1, 2
1. 慶大院理工 , 2. 慶大理工
重層キャパシタの作製
13:45		 22p-C301-2 高レーザー耐力化に向けた石英ガラス表面の創製と評価 〇 (M1) 常塚 祐矢 1, 植村 暁斗 1, 丸井 春輝 1, 安國 良 1. 大阪工大 , 2. フロリダ大に関する研究平 1, 神村 共住 1, Julian Long2, Hitomi Yamaguchi2
14:00		 22p-C301-3 F2 レーザーによる Al2O3 薄膜の形成〇 (M1) 奥園 聡史 1, 吉田 剛 1, 大越 昌幸 1
1. 防衛大電気電子
14:15		 22p-C301-4 二光子還元反応を起点としたレーザー集積固化プロセス 〇西山 宏昭 1, 奈良 尚悟 1
1. 山形大院理工における周辺対流の直接観察
14:30		 22p-C301-5 レーザー誘起気泡を用いた熱硬化性ポリマー内部への 3 〇鳥羽 陽一 1, 高橋 涼平 1, 山田 壮平 1, 花田 修賢 1
1. 弘前大理工
次元流体構造作製 (2)14:45		休憩 /Break
15:00 奨 E 22p-C301-6 Nanosecond laser processing of tungsten-rhenium alloys 〇Haotian Yang1, Hiyori Uehara1, 2, Hiroyuki Noto1, 2, 1.SOKENDAI, 2.NIFS
without cracking
Chihiro Suzuki1, 2, Ryo Yasuhara1, 2
15:15
奨 22p-C301-7 非熱的・熱的加工領域におけるレーザーアブレーション 〇遠藤 翼 1, 櫻井 治之 1, 谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
1. 東大物性研
閾値パルス幅依存性の精密測定
1
1
1, 2
1
15:30
奨 22p-C301-8 レーザー加工穴径の定量的予測を可能とする空気中での 〇山田 涼平 , 小松原 航 , 櫻井 治之 , 小西 邦昭 , 1. 東大院理 , 2. 東大物性研
フェムト秒光パルスの非線形伝搬シミュレーション
三尾 典克 1, 湯本 潤司 1, 五神 真 1
15:45
奨 22p-C301-9 干渉パターンを利用したレーザー誘起ドット転写法の開 〇上田 翔平 1, 平川 裕人 1, 椿本 孝治 1, 中田 芳樹 1,
1. 阪大 , 2. ゲッティンゲン大発 II
ジャッケル ヘンドリック 2
16:00
奨 22p-C301-10 パルスレーザーアブレーション過程で形成された サブミ 〇伊東 佑真 1, 吉田 岳人 2, 青木 珠緒 3, 梅津 郁朗 3
1. 甲南大自研 , 2. 阿南高専 , 3. 甲南大理工
クロン球状 Ag 粒子の慣性効果を用いた粒径分布制御
16:15
奨 22p-C301-11 レーザー直接描画による生分解性摩擦帯電型ナノ発電機 〇舩山 怜 1, 林 秀一郎 1, 寺川 光洋 1, 2
1. 慶大院理工 , 2. 慶大理工の作製
16:30		休憩 /Break
16:45
奨 22p-C301-12 隣接する水蒸気マイクロバブルの相互作用と周囲対流〇 (M2) 松尾 竜 1, 名村 今日子 1, 鈴木 基史 1
1. 京大院工17:00
奨 22p-C301-13 金属のレーザー加工表面における超撥水性の構造依存性 〇飯田 一樹 1, 草川 義起 1, 藤本 靖 1, 伊藤 功 2, 小林 洋 1. 千葉工大工 , 2. 東大物性研
平2
17:15
奨 22p-C301-14 GHz バーストモードフェムト秒レーザーによる金属への 〇川端 祥太 1, 2, 小幡 孝太郎 1, 白 石 1, 宮地 悟代 2, 杉 1. 理研 光量子 , 2. 東京農工大学
表面微細周期構造の形成
岡 幸次 1
17:30
奨 22p-C301-15 フェムト秒レーザーによるガラス表面ナノ周期構造形成 〇 (M2) 長井 大輔 1, 2, 高田 英行 2, 奈良崎 愛子 2, 宮地 1. 東京農工大 , 2. 産総研の無反射特性を利用したその場観察
悟代 1
17:45
奨 22p-C301-16 アントラセンのレーザー誘起結晶化における濃度勾配の 〇釣 優香 1, 2, 丸山 美帆子 2, 3, 4, 塚本 勝男 2, 5, 大沼 隼 1. 奈良先端大物質 , 2. 阪大院工 , 3. 阪大高等共創 , 4. 京府
高速度観測
志 6, 島田 竜太郎 6, 立嶋 知彦 6, 高野 和文 4, 細川 陽一 大生命環境 , 5. 東北大院理 , 6. フォトロン , 7. 阪大レー郎 1, 吉村 政志 7, 吉川 洋史 2, 森 勇介 2
ザー研
18:00
奨 22p-C301-17 レーザー加振した細胞シートの振動挙動の解析 2 : AFM 〇井上 一輝 1, Yi Po-Wei1, 釣 優香 1, 細川 陽一郎 1
1. 奈良先端大物
カンチレバーのレーザー加工による検出感度の最適化

3.7 光計測技術・機器（旧 3.8）/ Optical measurement, instrumentation, and sensor (formerly 3.8)
9/23(Fri.) 9:00 - 12:00
9:00		 23a-C301-1
9:15		 23a-C301-2
9:30		 23a-C301-3
9:45		 23a-C301-4

口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場（Room C301）
チタンサファイア結晶におけるレーザーアブレーション率のフルーエンス依存性
Cu のフェムト秒レーザ還元描画における原料 CuO ナノ
粒子サイズの影響
レンズ重畳法を用いて設計された多層集光レンズ
フェムト秒レーザー直描による Er-Yb 増幅器の作製〇宮坂 泰弘 1, 桐山 博光 1

1. 量研関西研〇吉冨 恭平 1, 溝尻 瑞枝 1

1. 長岡技術科学大学〇 (M2) 石田 典也 , 長谷川 智士 , 早崎 芳夫〇 (D) 住谷 大志 1, 谷 峻太郎 1, 櫻井 治之 1, 小林 洋
111

1. 宇都宮大1. 東大物性研

平1
フェムト秒レーザー誘起衝撃力を用いたナノ粒子分取の 〇赤尾 英一 1, 2, 田中 陽 2, Yalikun Yaxiaer1, 2, 細川 陽 1. 奈良先端大物質 , 2. 理研
ためのマイクロ流体チップ開発 2：分取性能向上のため 一郎 1の流路形状の最適化
10:15		 23a-C301-6 光渦光還元によってハイドロゲル中に形成された金粒子 〇豊田 耕平 1, 2, 森井 悠眞 1, 先崎 航 1, 高橋 定洋 1, 宮 1. 千葉大学 , 2. 千葉大学 MCRCのらせん秩序
本 克彦 1, 2, 尾松 孝茂 1, 2
10:30		休憩 /Break
10:45		 23a-C301-7 フェムト秒レーザー二波長ダブルパルス照射によるチタ 〇竹中 啓輔 1, 2, 橋田 昌樹 3, 坂上 仁志 4, 岩森 暁 3, 佐 1. 阪大院工 , 2. 接合研 , 3. 総合科学技術研，東海大 , 4. 核ン基板表面への LIPSS 形成
藤 雄二 2, 塚本 雅裕 2
融合研
11:00		 23a-C301-8 多層集光ビームを用いたガラスの加工〇早崎 芳夫 1, 張 弘昊 1
1. 宇都宮大オプティクス
11:15		 23a-C301-9 強度変調レーザー加工穴の三次元形状の機械学習予測〇吉富 大 1, 高田 英行 1, 小林 洋平 2, 奈良崎 愛子 1
1. 産総研 , 2. 東大物性研
11
11:30		 23a-C301-10 ホログラフィック光学エンジン〇長谷川 智士 , 早崎 芳夫
1. 宇都宮大111
1
11:45		 23a-C301-11 フェムト秒レーザーパルス列からシリコンへのエネル〇堀井 大樹 , 谷 水城 , 加藤 洋生 , 篠原 康 , 石川 顕 1. 東大院工ギー移行の第一原理計算
一19/23(Fri.) 13:30 - 16:00 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場（Room C301）
13:30		 23p-C301-1 透明フッ素樹脂材料 CYTOP のフェムト秒レーザーアブ 〇尾笹 一成 1, 小幡 孝太郎 1, 杉岡 幸次 1
1. 理研 光量子
レーション
13:45		 23p-C301-2 フェムト秒レーザー照射による Al の SiC への局所フルエ 〇亀井 優之 1, 山口 誠 2, 岡田 達也 1, 富田 卓朗 1
1. 徳島大理工 , 2. 秋田大理工ンスに依存した拡散
14:00		 23p-C301-3 銅 / 亜鉛界面へのフェムト秒レーザー照射による新奇金 〇河野 太洋 1, 山口 誠 2, 岡田 達也 1, 富田 卓朗 1
1. 徳島大理工 , 2. 秋田大理工属合金化手法14:15		 23p-C301-4 二波長フェムト秒ダブルパルス照射によるジルコニアセ 〇欠端 雅之 1, 大村 英樹 1, 屋代 英彦 1
1. 産総研 電子光
ラミックスの表面周期構造
14:30		 23p-C301-5 グリオキシル酸 Co 錯体インクからのフェムト秒レーザパ 〇山本 和輝 1, 大石 知司 2, 溝尻 瑞枝 1
1. 長岡技科大 , 2. 芝浦工大
ルス誘起 Co 析出現象観測
14:45		休憩 /Break
15:00		 23p-C301-6 ２光子造形モールドを用いた透明フッ素樹脂材料〇小幡 孝太郎 1, 半澤 未来 1, 2, 尾笹 一成 1, 花田 修
1. 理研 光量子 , 2. 東京農工大 , 3. 弘前大理工
CYTOP の３次元造形
賢 3, 宮地 悟代 2, 杉岡 幸次 1
15:15		 23p-C301-7 超低分散ガラスの群遅延分散測定〇小原 雄介 1, 中野 秀俊 1, 尼子 淳 1
1. 東洋大院理工15:30		 23p-C301-8 ホログラフィックレーザー加工機のためのホログラム計 〇小杉 健文 1, 長谷川 智士 1, 早崎 芳夫 1
1. 宇都宮大算機
15:45		 23p-C301-9 フェムト秒レーザーフォトポレーションによる正常動物 〇丹賀 直美 1, 八田 歩花 1, 細川 陽一郎 1
1. 奈良先端大細胞への遺伝子導入
3.7 光計測技術・機器（旧 3.8）/ Optical measurement, instrumentation, and sensor (formerly 3.8)
9/22(Thu.) 13:30 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
13:30
奨 22p-C302-1 周波数制御された光コムによる背景信号除去手法を用い 〇 (B) 日野 圭人 1, 加藤 峰士 1, 2, 猫島 靖久 1, 美濃島 1. 電通大 , 2.JST, さきがけ
た断層計測
薫1
13:45
奨 22p-C302-2 デュアルコム分光法を用いたコヒーレント制御による円 〇 (M2) 朱 瑞宸 1, 長崎 亮太 1, 加藤 峰士 1, 2, 田 昊
1. 電通大 , 2.JST さきがけ , 3.JSPS 外国人特別研究員
偏光スイッチングの特性評価
晨 1, 3, 浅原 彰文 1, 美濃島 薫 1
14:00		 22p-C302-3 導波路型 PPLN 結晶を用いた広帯域中赤外デュアルコム 〇吉井 一倫 1, 光本 涼 2, 久世 直也 1, 井上 一輝 2, 中嶋 1. 徳島大 pLED, 2. 徳島大 , 3. 東邦大 , 4. 電気通信大
分光計
善晶 3, 安井 武史 1, 2, 美濃島 薫 1, 4
14:15		 22p-C302-4 導波路型 PPLN 結晶を用いた広帯域中赤外コム発生の高 光本 涼 1, 久世 直也 2, 井上 一輝 1, 中嶋 善晶 3, 安井 武 1. 徳島大 , 2. 徳島大 pLED, 3. 東邦大 , 4. 電気通信大
出力化
史 1, 2, 美濃島 薫 2, 4, 〇吉井 一倫 2
14:30
E 22p-C302-5 Single-photon Level Detection of Ultrafast Cross〇 (D)Prasad Koviri1, Masahiro Ishizeki1, Haochen
1.UEC Info. & Eng., 2.UEC IAS
correlation Signal using Asynchronous Optical Sampling Tian1, Hajime Komori1, Akifumi Asahara1, 2, Ryosukewith Two-color Dual-comb System
Shimizu1, 2, Kaoru Minoshima1, 2
14:45		 22p-C302-6 マイクロ光コムのコム周波数と共振周波数の精密同時測 〇安東 亜八香 1, 鐵本 智大 2, 古澤 健太郎 2, 今井 一
1. 株式会社 XTIA, 2.NICT
定宏 1, 関根 徳彦 2
15:00		休憩 /Break
15:15		 22p-C302-7 非対称・両方向チャープのサイドバンドを持つマイクロ 〇西本 健司 1, 木虎 宏輝 1, 安井 武史 2, 美濃島 薫 2, 3, 1. 徳島大院 , 2. 徳島大ポスト LED フォトニクス研究所 ,コムによる並列周波数変調コム LiDAR
久世 直也 2, 4
3. 電通大情報理工 , 4.JST さきがけ
15:30
奨 22p-C302-8 光コムパルスの群と位相関係を用いた単一波長 2 色法に 〇 (M2) 田中 拓帆 1, 阿久澤 寛陽 1, 加藤 峰士 1, 2, 美濃 1. 電通大 , 2.JST さきがけ
よる形状計測島 薫1
15:45
奨 22p-C302-9 チャープした光コムによるハイパースペクトルイメージ 〇猫島 靖久 1, 加藤 峰士 1, 2, 日野 圭人 1, 美濃島 薫 1
1. 電通大 , 2.JST さきがけ
ングを用いたスペクトル情報の空間分布取得
1
2
2
2
16:00
奨 22p-C302-10 光コムを用いた波長走査型デジタル・ホログラフィーに 〇 (M2) 貞廣 知輝 , 時実 悠 , 長谷 栄治 , 南川 丈夫 , 1. 徳島大院創成科学 , 2. 徳島大ポスト LED フォトニク
関する基礎研究 (3)諸橋 功 3, 安井 武史 2ス研究所 (pLED), 3. 情報通信研究機構 (NICT)〜連続モード抽出 10GHz 光コムを用いた段差計測〜
16:15		 22p-C302-11 光周波数コムとヘテロダイン検波を利用したブリュアン 〇 (M2) 小野 拓真 1, 田中 洋介 2, 塩田 達俊 1
1. 埼大理工 , 2. 東京農工大
スペクトル計測
1
2
3
3
16:30
奨 22p-C302-12 波長 / 角度変換光コムを用いた表面プラズモン共鳴法に 〇 (M1) 児玉 裕哉 , 是澤 秀紀 , 長谷 栄治 , 時実 悠 , 1. 徳島大院創生 , 2. 徳島大院先端技術 , 3. 徳島大 pLED
関する検討
南川 丈夫 3, 安井 武史 3
16:45		休憩 /Break
17:00
奨 22p-C302-13 超短パルスにより生成された伝令付き単一光子のファイ 〇石関 政洋 1, 桑名 隆久 1, 浅原 彰文 1, 2, 清水 亮介 1, 2, 1. 電通大 情報理工 , 2. 電通大 量研
バネットワーク伝送実験
美濃島 薫 1, 2
17:15		 22p-C302-14 バーストパルスの帯域 - 時間波形制御用高速・高精度位 〇渡辺 向陽 1, 高橋 永斉 1, 井上 卓 1
1. 浜ホト中研
相設計アルゴリズム
17:30		 22p-C302-15 時間波形制御による色選択ダブルパルスを用いた超高速 〇高橋 永斉 1, 渡辺 向陽 1, 重松 恭平 1, 井上 卓 1, 里園 1. 浜ホト中研
時間応答計測浩1
17:45		 22p-C302-16 2 逓倍変調を用いた周波数領域光相関システムによる超 〇福士 海渡 1, 青山 直樹 1, 鈴木 涼介 1, 塩田 達俊 1
1. 埼大理工高速光波形計測の検討
18:00		 22p-C302-17 光ヘテロダイン干渉法を用いた連続発振超高繰り返し超 〇 (M1) 山地 凌輝 1, 財津 慎一 1, 2, 加地 範匡 1, 2
1. 九大工院 , 2. 九大未来化セ短光パルス列の測定
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P01-1
複数波長を用いた光渦位相計測の検討〇 (M1) 高島 綾人 1, 時実 悠 2, 長谷 英治 2, 安井 武
1. 徳島大創 , 2. 徳島大 pLED
史 1, 2
			 22p-P01-2
波長ずれのあるスペクトルのニューラルネットワークに 〇大場 正規 1
1. 原子力機構
よる解析
11
			 22p-P01-3
レーザ誘起ブレイクダウン分光法及び多変量解析による 〇江藤 修三 , 大塚 拓
1. 電中研
コンクリートに使用する材料の分類
10:00		 23a-C301-5

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

3.8 テラヘルツ全般（旧 3.9）/ Terahertz technologies (formerly 3.9)
			 22p-P01-4
			 22p-P01-5

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

9/23(Fri.) 9:00 - 11:30
9:00
奨 23a-C302-1

光導波路を用いた液体中のマイクロプラスチックの分析 〇小里 優太朗 1, 横井 秀樹 1, 2
に関する研究タンパク質凝集に高感度な前方静的・動的光散乱の同時 〇若松 孝 1, 尾形 慎 2, 植 英規 3
計測技術の開発 (II)
口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
圧縮センシングを用いた高速フーリエ分光イメージング 〇 (D) 滝沢 繁和 1, 平松 光太郎 1, 小野 峻佑 2, 合田 圭

1. 芝浦工大院理工 , 2. グリーンエレクトロニクス国際研
究センター
1. 茨城高専 , 2. 福島大農 , 3. 福島高専

1. 東大理 , 2. 東工大情 , 3.UCLA, 4. 武漢大介 1, 3, 4
9:15
奨 23a-C302-2 フリーランニングパルスレーザーに適応可能な非同期サ 〇 (DC) 中川 真由莉 1, 神田 夏輝 1, 2, 乙津 聡夫 1, 伊藤 1. 東大物性研 , 2.JST さきがけ
ンプリングテラヘルツ時間領域分光のジッター補正
功 1, 小林 洋平 1, 松永 隆佑 1, 2
9:30		 23a-C302-3 共振器増強自発ラマン分光法におけるラマン散乱光の増 〇 (M1) 郷 貴史 1, 財津 慎一 1, 2, 加地 範匡 1, 2
1. 九大工院 , 2. 九大未来化セ
強9:45
奨 23a-C302-4 中赤外 OCT に向けた広帯域差周波発生光源〇八木 智子 1, 中村 卓磨 1, 井手口 拓郎 1
1. 東大理10:00		 23a-C302-5 スーパーコンティニューム光のノイズキャンセルにおけ 〇瀬戸 啓介 1, 小林 孝嘉 2, 徳永 英司 1
1. 東理大 , 2. 電通大るフォトンフラックスの時空間分散によるダイナミック
レンジ向上
10:15		休憩 /Break
10:30		 23a-C302-6 ​窒素ガス中微量水分の吸収スペクトルの圧力依存性測定 〇橋口 幸治 1, 天野 みなみ 1, Cygan Agata2, Lisak
1. 産総研 , 2. ニコラス・コペルニクス大学
Daniel2, Ciuryło Roman2, 阿部 恒 1
1
1
1
1
10:45
奨 23a-C302-7 外部共振器型量子カスケードレーザーを用いた微量同位 〇鈴木 勇太 , 齊藤 圭亮 , 岩元 一輝 , 植村 立 , 阿部 1. 名古屋大 , 2. 産総研
体分子分析のキャビティーリングダウン分光
理 1, 西澤 典彦 1, 阿部 恒 2, 富田 英生 1
11:00		 23a-C302-8 飽和吸収分光を用いた 133Cs D 線の偏光および磁界依存性 〇 (M2) 万 東晟 1, 野村 克貴 1, 西宮 信夫 1
1. 東京工芸大学院
11:15		 23a-C302-9 ライトシフト変化を最小化する Cs 原子 CPT 共鳴検出条 〇藤咲 貴大 1, 2, 松本 健太 1, 2, 各務 惣太 1, 2, 桐原 明
1. 日本電気 , 2.NEC- 産総研量子連携ラボ , 3. 産総研 ,
1, 2
3
4
件の探索
宏 , 柳町 真也 , 盛永 篤郎
4. マイクロマシンセンター
9/23(Fri.) 13:30 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
13:30 奨 E 23p-C302-1 Digital Signal Processing for 1.55 micron All-Fiber〇 (M2)Wolfe David Sean1, Takuma Shirahata1, Sze 1.RCAST Univ. of Tokyo
Coherent Doppler LiDAR
Yun Set1, Shinji Yamashita1
13:45		 23p-C302-2 フラッシュ共鳴ラマンライダーによる SO2 ガスの漏えい 〇染川 智弘 1, 市川 祐嗣 2, 荻田 将一 2, 杉本 幸代 2, ハ 1. レーザー総研 , 2. 四国総研
検知技術の開発
イク コスロービアン 1, 谷口 誠治 1, 朝日 一平 2
14:00		 23p-C302-3 回折格子型光変調素子を用いた周波数変調連続波型測距 〇 (D) 山口 尚紀 1, ション ウルフ 1, 蘆田 雄樹 2, 白畑 1. 東大先端研 , 2.SCREEN
卓磨 1, 山下 真司 1, セット ジイヨン 1
14:15		 23p-C302-4 全 BGS 分布取得型高速 BOCDR の歪精度の評価〇野田 康平 1, 2, 李 ひよん 3, 中村 健太郎 1, 水野 洋輔 2 1. 東工大 , 2. 横浜国大 , 3. 芝浦工大
14:30		 23p-C302-5 低コヒーレンス BOCDR の基本動作の実証〇大坪 謙太 1, 野田 康平 1, 2, 李 ひよん 3, 中村 健太
1. 横浜国大 , 2. 東工大 , 3. 芝浦工大郎 2, 水野 洋輔 1
14:45		 23p-C302-6 低コヒーレンス光源を用いた光ファイバ型温度計測プ〇戸田 歌音 1, 大坪 謙太 1, 野田 康平 1, 2, 李 ひよん 3, 1. 横浜国大 , 2. 東工大 , 3. 芝浦工大
ローブの提案
中村 健太郎 2, 水野 洋輔 1
15:00		 23p-C302-7 局在表面プラズモン共鳴を利用した Ta2O5/Au ナノ粒子 〇桑田 英一 1, 油橋 孝二 2, 渡辺 一弘 1, 西山 道子 1
1. 創大院理工 , 2. 日立ハイテク
ヘテロコア光ファイバ屈折率センサの特性評価
15:15		休憩 /Break
15:30		 23p-C302-8 系外惑星観測のための位相マスクの位相差の測定〇 (M2) 村松 大海 1, 西川 淳 2, 3, 4, 村上 尚史 5, 林 寛
1. 東京農工大工 , 2. 国立天文台 , 3. 総研大物 , 4. アストロ
昭 5, 米田 謙太 2, 淺野 瑞基 5, 田中 洋介 1
バイオロジーセンター, 5. 北大工
12
1
15:45		 23p-C302-9 光マイクロ波の位相検波による屈折率計測の基礎検討〇青山 直樹 , 土屋 直彰 , 塩田 達俊
1. 埼大理工 , 2. 東工大
16:00		 23p-C302-10 高速入射角走査型近赤外表面プラズモン共鳴センサーの 〇是澤 秀紀 1, 関 滉太 2, 長谷 栄治 3, 時実 悠 3, 加治佐 1. 徳島大院先端技術 , 2. 徳島大院創成科学 , 3. 徳島大
高度化
平 3, 4, 南川 丈夫 3, 安井 武史 3
pLED, 4. 東洋大
16:15		 23p-C302-11 共振効果を利用したレーザー誘起熱弾性波の時空間ダイ 〇三上 勝大 1, 名倉 武雄 2, 中島 大輔 2
1. 近大生物理工 , 2. 慶大医
ナミクス
3.8 テラヘルツ全般（旧 3.9）/ Terahertz technologies (formerly 3.9)9/21(Wed.) 9:30 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) A202 会場（Room A202）
9:30		 21a-A202-1 1.5 μ m 帯レーザを用いた高繰り返し光注入型テラヘル 〇西田 美緒 1, 野竹 孝志 2, 廣澤 賢一 1, 大畠 伸夫 1, 瀧 1. 三菱電機 , 2. 理研
ツ波パラメトリック発生
田 佑馬 2, 南出 泰亜 2
9:45		 21a-A202-2 低温成長 GaAs 光伝導アンテナのサブバンド励起波長依 〇北原 英明 1, 友永 景介 1, 古屋 岳 1, メアリー クレ 1. 福井大遠赤センター
存性ア シソン エスカノ 1, 谷 正彦 1
10:00		 21a-A202-3 レーザーアブレーションにおける加工面積と放射 THz 波 〇熊谷 洸毅 1, 笠井 達基 1, 玉置 亮 1, 2, 浅井 岳 3, 秦 大 1. 横浜国大 , 2.KISTEC, 3. ニコンの相関
樹 3, 久保 肇 3, 瀧川 雄一 3, 武田 淳 1, 片山 郁文 1
10:15		 21a-A202-4 偏光変調電気光学サンプリング法によるマルチテラヘル 〇神田 夏輝 1, 2, 中川 真由莉 1, 松永 隆佑 1, 2
1. 東大物性研 , 2.JST さきがけ
ツ電場ベクトルの時間領域計測
10:30		 21a-A202-5 周波数アップコンバージョン・テラヘルツ光検出〇 (M1) 櫻井 稜也 1, 辻 将太 1, アダム ヴァレス 2, 3, 尾 1. 千葉大院工 , 2.ICFO, 3. 千葉大学キラリティー研
松 孝茂 1, 3, 宮本 克彦 1, 3
10:45		 21a-A202-6 電気光学ポリマー積層膜を用いた広帯域テラヘルツ波検 〇山田 俊樹 1, 梶 貴博 1, 山田 千由美 1, 大友 明 1, 中西 1. 情報通信研究機構 , 2. 帝人
出智哉 2, 常守 秀幸 2, 藤丸 滋樹 2
11:00		 21a-A202-7 電気光学ポリマー導波路と上下配置パッチアンテナを用 〇梶 貴博 1, 村上 博紀 2, 久武 信太郎 2, 諸橋 功 1, 富成 1. 情通機構 , 2. 岐阜大
いた W バンド帯アンテナ結合型光変調器の試作と評価
征弘 1, 山田 俊樹 1, 大友 明 1
9/21(Wed.) 13:00 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) A202 会場（Room A202）
13:00
E 21p-A202-1 Oscillation frequency increase in structure-simplified〇 (D)Mai Van Ta1, Yusei Suzuki1, Tetsuyuki
1.TokyoTech
RTD oscillator with array configuration
Namba1, Safumi Suzuki1, Masahiro Asada1
13:15		 21p-A202-2 モード同期共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の 〇有川 敬 1, 2, 大穀 裕介 1, 平岡 友基 1, 猪瀬 裕太 1, 田 1. 京大院理 , 2.JST さきがけ , 3. 京大 iCeMS
周波数制御
中 耕一郎 1, 3
13:30		 21p-A202-3 共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器における周波 〇 (M2) 山崎 星雅 1, 有川 敬 1, 2, 田中 耕一郎 1, 3
1. 京大院理 , 2.JST さきがけ , 3. 京大 iCeMS
数特性の評価13:45		 21p-A202-4 シングルショットテラヘルツ時間領域分光法を用いた連 〇高橋 洸矢 1, 有川 敬 2, 3, 笠井 達基 1, 玉置 亮 1, 4, 片山 1. 横国大 , 2. 京大 , 3.JST さきがけ , 4.KISTEC
続波テラヘルツ光源の電場波形計測
郁文 1
14:00		 21p-A202-5 逆 HEMT 構造導入による非対称二重格子ゲート HEMT 〇 (M1) 成田 健一 1, 根来 拓海 1, 瀧田 佑馬 2, 伊藤 弘 1. 東北大通研 , 2. 理研 RAP
テラヘルツ検出素子のパルス応答におけるテール波形の 昌 2, 南出 泰亜 2, 尾辻 泰一 1, 佐藤 昭 1
解消
14:15		 21p-A202-6 グラフェン FET におけるユニポーラ動作による光熱電型 〇田村 紘一 1, 唐 超 1, 荻浦 大地 1, 諏訪 健斗 1, 吹留 博 1. 東北大通研 , 2. 理研 RAP, 3. 東北大 NICHe
高速テラヘルツ検出の実現
一 1, 佐藤 昭 1, 瀧田 佑馬 2, 南出 泰亜 2, 末光 哲也 3, 尾辻 泰一 1
14:30		休憩 /Break
15:00
奨 21p-A202-7 SOI 微小電気機械システム共振器による室温動作するテ 〇江端 一貴 1, 飯森 未来 1, 諸橋 功 2, 張 亜 1
1. 農工大工 , 2. 情報通信研究機構
ラヘルツ検出器の開発
15:15		 21p-A202-8 P 型 GaAs ヘテロ構造を用いた MEMS ボロメータ構造の 〇 (M2) 小田嶋 修 1, 2, 邱 博奇 2, 牛 天野 1, 2, 渡辺 宣
1. 東大大学院 , 2. 東大生研・ナノ量子機構 , 3. 東京農工
ピエゾ抵抗信号検出と周波数雑音
朗 2, 長井 奈緒美 2, 張 亜 3, 平川 一彦 2
大15:30
奨 21p-A202-9 マイクロ光コム注入同期 CW レーザーを用いたオール光 〇松村 雄大 1, 長谷 栄治 1, 時実 悠 1, 久世 直也 1, 藤方 1. 徳島大 , 2. 情報通信機構 , 3. 岐阜大型 THz 検出（１）
潤一 1, 岸川 博紀 1, 原口 雅宣 1, 岡村 康弘 1, 梶 貴博 2,〜電気光学ポリマー・デバイスを用いた変調サイドバン 大友 明 2, 菅野 敦史 2, 久武 信太郎 3, 安井 武史 1
ドの光スペクトル計測〜
15:45		 21p-A202-10 Demonstration of a real-time terahertz-wave radar based 〇 Adrian Dobroiu1, Jia Ito1, Safumi Suzuki1,
1.Tokyo Tech, 2.Kitasato Univ.
on a resonant-tunneling-diode oscillator
Masahiro Asada1, Hiroshi Ito2

3.9 光量子物理・技術（旧 3.10）/ Optical quantum physics and technologies (formerly 3.10)
16:00

奨 21p-A202-11 固浸レンズを使用した高分解能走査テラヘルツ波点光源 〇 (M1) 坂本 典耶 1, 村上 博成 1, 斗内 政吉 1, 芹田 和 1. 阪大レーザー研
顕微鏡の開発則1
16:15		 21p-A202-12 モアレ型メタ表面のテラヘルツ偏光イメージング〇辻 将太 1, 牧原 颯馬 1, 代市 拓海 1, 三成 剛生 2, 大野 1. 千葉大院工 , 2. 物材機構 , 3. 東北大院理 , 4. 千葉大学分
9/22(Thu.) 9:00 - 11:45
9:00
奨 22a-C201-1
9:15		 22a-C201-2
9:30		 22a-C201-3
9:45

奨 22a-C201-4

10:00

奨 22a-C201-5

10:15		10:30		 22a-C201-6

口頭講演 (Oral Presentation) C201 会場（Room C201）
透過型フォトニック結晶を用いたテラヘルツ OAM 発生器
THz 帯における矩形孔メタマテリアルを含むファブリー
ペロー微小共振器の作製及び透過特性解析
CdZnTe への中間赤外線モスアイ反射防止構造の作製と評価
バビネ相補型二重メタルメッシュ構造とシリコンサブ波長構造によるテラヘルツバンドパスフィルタ
親水化接合を用いたシリコンサブ波長構造の積層

誠吾 3, 尾松 孝茂 1, 4, 宮本 克彦 1, 4

〇畠 廉真 , 岸川 博紀 , 藤方 潤一
1

1

子キラリティー研1

1. 徳島大学〇安西 春樹 1, 東原 奈央 1, 井上 晶太 1, 時実 悠 2, 吉田 1. 香川大工 , 2. 徳島大 pLED

浩子 2, 安井 武史 2, 下川 房男 1, 鶴町 徳昭 1
〇枝 泰希 1, 塚本 慶人 1, 柿原 良多 1, 正光 義則 2, 中岡 1. 上智大理工 , 2.ISAS/JAXA

俊裕 1, 和田 武彦 2, 中川 貴雄 2
〇宮田 香清 1, 豊島 理彩 1, 後藤 優花 1, 鹿島 千晴 1, 飯 1. 上智大学 , 2. 宇宙航空研究開発機構

嶋 航大 1, 田中 海翔 1, 正光 義則 2, 中岡 俊裕 1, 和田 武
彦2〇豊島 理彩 1, 宮田 香清 1, 田中 海翔 1, 飯嶋 航大 1, 後 1. 上智大理工 , 2. 宇宙航空研究開発機構
藤 優花 1, 正光 義則 2, 中岡 俊裕 1, 和田 武彦 2

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

休憩 /BreakTHz 波デバイス用高アスペクト比構造への超臨界流体薄 黄 昱源 1, 小西 邦昭 2, 出浦 桃子 1, 下山 裕介 1, 湯本 潤 1. 東大院工 , 2. 東大院理
膜堆積法による Cu 被覆の検討
司 2, 五神 真 2, 霜垣 幸浩 1, 〇百瀬 健 1
10:45
奨 22a-C201-7 誘電体表裏両面にカット金属ワイヤーを有するテラヘル 〇望月 景太 1, 朝田 晴美 1, 2, 劉 久美子 1, 鈴木 健仁 1
1. 農工大 , 2. 学振 DC
ツ波帯メタサーフェスの分散特性の実験評価
11:00
奨 22a-C201-8 0.3THz 帯メタレンズアンテナを搭載した共鳴トンネルダ 〇 (M2) 浦島 康平 1, 鈴木 健仁 1
1. 農工大イオードによる 30dB 高指向性利得設計
11:15
E 22a-C201-9 Analysis of operating characteristics and fabrication of〇 (D)Mingxi Chen1, 2, Tsung-Tse Lin1, Chiko
1.RAP, 2.Tohoku Univ.
photonic nanostructured surface emitting THz-QCL
Otani1, 2, Hideki Hirayama1
11:30		 22a-C201-10 中赤外光領域におけるマイクロストリップ線路設計指針 〇堀川 隼世 1, 川上 彰 2, 島影 尚 3
1. 福井高専 , 2. 情通機構 , 3. 茨城大学の検討
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P02-1
InGaSb/AlInGaSb 系 THz-QCL 構造の MBE 成長〇安田 浩朗 1, 関根 徳彦 1, 寳迫 巌 1
1. 情報通信研究機構
		
E 22p-P02-2
3~10THz optical gain mappings of ZnO/ZnMgO THz〇 WANG LI1, Tsung-Tse LIN1, Thomas Grange2,
1.RIKEN, 2.nextnano, Germany
quantum cascade laser
Stefan Birner2, Hideki Hirayama1
12
3
4
			 22p-P02-3
高確度テラヘルツ光のための高輝度基準光の発生〇林 伸一郎 , 大野 誠吾 , 宮本 克彦 , 浦田 佳治 , 関 1. 情通機構 , 2. 東北大 , 3. 千葉大 , 4. フラクシ
根 徳彦 1
			 22p-P02-4
1.5 µm レーザーを用いたバックワードテラヘルツ波パラ 〇縄田 耕二 1
1. 東北工業大学
メトリック波長変換の検討
1, 2
3, 4
			 22p-P02-5
テラヘルツ波面・偏光計測装置の構築と 0.5THz ベクト 〇大野 誠吾 , 宮本 克彦
1. 東北大院理 , 2. 東北大高等研究機構 , 3. 千葉大融合理
ルビームの測定工 , 4. 千葉大分子キラリティ
			 22p-P02-6
液晶内包サブ波長メタルメッシュにおける構造とリタ〇原田 真実 1, 坂本 盛嗣 1, 野田 浩平 1, 伊藤 桂一 2, 岡 1. 長岡技術科学大学 , 2. 秋田高専 , 3. 阿南高専
デーションの関係
本 浩行 3, 小野 浩司 1, 佐々木 友之 1
			 22p-P02-7
テラヘルツ時間領域分光法を用いた 4H-SiC 上の単層グ 〇山内 俊 1, 柳谷 伸一郎 1, 大野 恭秀 1, 永瀬 雅夫 1, 南 1. 徳島大学
ラフェンの分光特性の評価
康夫 1
9/22(Thu.) 16:00 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) C201 会場（Room C201）
16:00		 22p-C201-1 連続波長可変テラヘルツ光源を用いた周波数領域反強磁 〇 (D) 小路 悠斗 1, 大道 英二 1, 高橋 英幸 2, 太田 仁 2 1. 神戸大理 , 2. 神戸大分子フォトセ性共鳴分光測定16:15
奨 22p-C201-2 偏光変調ホモダイン検波法を用いた高感度狭線幅テラヘ 〇江口 航平 1, 有川 敬 1, 2, 田中 耕一郎 1, 3
1. 京大院理 , 2.JST さきがけ , 3. 京大 iCeMS
ルツ偏光分解測定系の構築
16:30
奨 22p-C201-3 ディラック電子系トポロジカル絶縁体 (Sb, Bi)2(Te, Se)3 〇杉本 雛乃 1, 西村 佳菜 1, 田畑 仁 1
1. 東大工によるテラヘルツ波表面プラズモン共鳴
16:45		 22p-C201-4 ワイル半金属 WTe2 薄膜およびテラヘルツ波表面プラズ 〇 (M2) 西村 佳菜 1, 杉本 雛乃 1, 木島 健 1, 田畑 仁 1
1. 東大院工モンに関する研究17:00		 22p-C201-5 プロトン伝導形固体電解質の湿潤雰囲気下テラヘルツ伝 〇竹原 輝 1, 永井 正也 1, 今村 遼亮 1, 古谷 祐人 1, 芦田 1. 大阪大基礎工 , 2. 宮崎大工 , 3. パナソニック
導度測定
昌明 1, 奥山 勇治 2, 可児 幸宗 3
17:15		 22p-C201-6 テラヘルツ分光法を用いたリチウムイオン材料の導電率 〇村上 翔真 1, Zuo Anhao2, Li Zhe2, 諸橋 功 3, Zhang 1. 農工大工 , 2. 清華大 , 3. 情報通信研の測定
Ya1
3.9 光量子物理・技術（旧 3.10）/ Optical quantum physics and technologies (formerly 3.10)
9/20(Tue.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
9:00		 20a-A404-1 指紋領域における量子赤外分光〇向井 佑 1, 岡本 亮 1, 竹内 繁樹 1
1. 京大院工9:15		 20a-A404-2 タンデム型 type-II 疑似位相整合 PPLN 導波路による非 〇 (M2) 林 祥吾 1, 村上 翔一 1, 2, 小林 俊輝 1, 2, 知名 史 1. 阪大基 , 2. 阪大 QIQB, 3. 情報通信研究機構 , 4. 神戸大 ,
3
3, 4
3
3, 5
縮退光子対生成博 , 三木 茂人 , 寺井 弘高 , 小玉 剛史 , 澤谷 恒 5. 浜松ホトニクス株式会社
明 5, 大友 昭彦 5, 下井 英樹 5, 生田 力三 1, 2, 山本 俊 1, 2
9:30
奨 20a-A404-3 リッジ導波路型擬似位相整合素子による可視 - 赤外域量 〇 (D) 荒畑 雅也 1, 曹 博 1, 向井 佑 1, 田嶌 俊之 1, 久光 1. 京大院工 , 2. 島津製作所
子もつれ光子対の高効率生成守 2, 徳田 勝彦 2, 岡本 亮 1, 竹内 繁樹 1
9:45
E 20a-A404-4 Highly effective broadband frequency correlated〇 (PC)Bo Cao1, Kyohei Hayama1, Ryo Okamoto1,
1.Kyoto Univ., 2.Shimadzu Corp, 3.NIMS
photon-pair generation using chirped quasi-phase
Mamoru Hisamitsu2, Katsuhiko Tokuda2, Sunaomatching slab waveguide
Kurimura3, Shigeki Takeuchi1
10:00		休憩 /Break
10:15		 20a-A404-5 PPLN 導波路を用いて生成された パルススクイーズド真 〇何 若凡 1, 遠藤 護 1, 3, 園山 樹 1, 高橋 一真 1, 柏崎 貴 1. 東大院工 , 2.NTT 先デ研 , 3. 理研
空場の時間領域ホモダイン測定
大 2, 梅木 毅伺 2, 高瀬 寛 1, 3, アサバナント ワリッ
ト 1, 3, 古澤 明 1, 3
10:30		 20a-A404-6 多光子引き去りによる非ガウス型量子状態の生成〇遠藤 護 1, 2, 何 若凡 1, 園山 樹 1, 高橋 一真 1, 柏崎 貴 1. 東大工 , 2. 理研 , 3.NTT 先デ研 , 4. 産総研 , 5. オペラン
大 3, 梅木 毅伺 3, 鷹巣 幸子 4, 服部 香里 5, 4, 福田 大
ド計測 OIL
治 4, 5, 福井 浩介 1, 高瀬 寬 1, 2, アサバナント ワリッ
ト 1, 2, 古澤 明 1, 2
10:45
奨 20a-A404-7 通信波長における高純度単一光子状態の生成〇 (DC) 川崎 彬斗 1, 高瀬 寛 1, 4, 野村 岳史 1, 三木 茂 1. 東大工 , 2. 情通機構 , 3. 神戸大 , 4. 理研 RQC
人 2, 3, 寺井 弘高 2, 藪野 正裕 2, 知名 史博 2, アサバナ
ント ワリット 1, 4, 遠藤 護 1, 4, 吉川 純一 4, 古澤 明 1, 4
11:00		 20a-A404-8 真空場スクイージングのための光パラメトリック増幅の 〇田口 富隆 1, 小関 泰之 1
1. 東大院工in situ 位相不整合検出法
11:15		 20a-A404-9 機械共振を用いた希土類元素励起準位における不均一広 〇太田 竜一 1, 鳩村 拓矢 1, 2, 平石 真也 1, Bastidas
1.NTT 物性研 , 2.NTT TQP, 3. 日大工
がりの圧搾Victor1, 2, 徐 学俊 1, 俵 毅彦 3, 小栗 克弥 1, Munro
William1, 2, 岡本 創 1
9/20(Tue.) 13:00 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
13:00
招 20p-A404-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇安井 翔一郎 1, 2, 平石 真也 3, 石澤 淳 1, 尾身 博雄 4, 1.NTT 物性基礎研 , 2. 北大院工 , 3.Univ. of Otago, 4. 大Comb Transfer 法による Atomic Frequency Comb 量子 稲葉 智宏 1, Xu Xuejun1, 鍜治 怜奈 2, 足立 智 2, 俵 毅 和大 , 5. 日本大メモリの高効率化
彦5
13:15
奨 20p-A404-2 周波数上方変換単一光子検出器による量子ドット集合体 〇 (M2) 河内 優太 1, 2, 木下 裕太郎 1, 2, 栗村 直 3, 赤羽 1. 慶大理工 , 2. 慶大 CSRN, 3. 物材機構 , 4. 情通機構からのフェムト秒マルチモードフォトンエコー測定
浩一 4, 早瀬 潤子 1, 2

3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）/ Photonic structures and phenomena (formerly 3.11)
13:30		 20p-A404-3
13:45		 20p-A404-4

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

14:00

奨 20p-A404-5

量子中継の構築に向けたダイヤモンド NV 中心の単一光子干渉
ダイヤモンド NV 電子スピンのゼロ磁場動的デカップリ
ング
イオン注入法による単一シリコン欠陥中心内包ナノダイ
ヤモンドの作製
Electromagnetically Induced Transparency in the
Presence of Coupling Ince Gaussian Mode
大規模クラスター状態の生成に向けた
スクイーズド光測定への位相ノイズの影響〇レイエス ラウスティン 1, 毛利 駿介 1, 若松 恵大 1,
加藤 宙光 2, 牧野 俊晴 2, 関口 雄平 3, 小坂 英男 1, 3
〇渡辺 幹成 1, 江川 直也 1, 関口 雄平 2, 小坂 英男 1, 2

1. 横国大院理工 , 2. 産総研 , 3. 横国大 IAS
1. 横国大院理工 , 2. 横国大 IAS〇鈴木 和樹 1, 嶋﨑 幸之介 1, 高島 秀聡 1, 阿部 浩之 2, 1. 京大院工 , 2. 量研
大島 武 2, 竹内 繁樹 1
14:15
E 20p-A404-6〇 (D)Dixith Manchaiah1, Aishi Barua1, Rohit
1.Indian Institute of Technology Patna, Bihta, India
Kumar1, Raghavan K Easwaran1
14:30
奨 20p-A404-7〇野村 岳史 1, 中村 智裕 1, 遠藤 護 1, 2, 阪口 淳史 2, 柏 1. 東大工 , 2. 理研 , 3.NTT 先デ研
崎 貴大 3, 梅木 毅伺 3, 高瀬 寛 1, 2, アサバナント ワ
リット 1, 2, 吉川 純一 2, 古澤 明 1, 2
14:45
奨 20p-A404-8 偏光制御・位相制御の自動化による長時間安定なファイ 〇中村 智裕 1, 野村 岳史 1, 遠藤 護 1, 2, 阪口 淳史 2, 柏 1. 東大院工 , 2. 理研 , 3.NTT 先デ研
バーベース 1 次元クラスター状態生成系の構築 II
崎 貴大 3, 梅木 毅伺 3, 高瀬 寛 1, 2, アサバナント ワ
リット 1, 2, 吉川 純一 2, 古澤 明 1, 2
15:00		休憩 /Break
15:15
奨 20p-A404-9 光スイッチを使わない誤り耐性型光量子計算のアーキテ 〇アサバナント ワリット 1, 2, 福井 浩介 1, 阪口 淳史 2, 1. 東大工 , 2. 理研
クチャ
古澤 明 1, 2
15:30
奨 20p-A404-10 量子テレポーテーションを用いた低ロス高繰り返し光ス 〇 (M1) 井出 竜鳳 1, 川﨑 彬斗 1, 鈴木 拓海 1, 阪口 淳 1. 東大工 , 2. 理研
イッチの研究Ⅰ
史 2, 福井 浩介 1, 高瀬 寛 1, 2, 遠藤 護 1, 2, アサバナント
ワリット 1, 2, 古澤 明 1, 2
15:45		 20p-A404-11 4 値差動位相シフト量子デジタル署名〇井上 恭 1, 本庄 利守 2
1. 阪大工 , 2.NTT 物性基礎研
16:00		 20p-A404-12 差動位相シフトツインフィールド量子鍵配送の提案〇笹原 蒼生 1, 井上 恭 1
1. 阪大工1
1
1
16:15
E 20p-A404-13 Three-photon time-bin Greenberger-Horne-Zeilinger〇 HsinPin Lo , Takuya Ikuta , Koji Azuma ,1.NTT BRL
state generation
Toshimori Honjo1, William J. Munro1, Hiroki
Takesue1
16:30
奨 20p-A404-14 オンチップリング共振器を用いた超広帯域周波数もつれ 〇濱山 友志 1, 杉浦 健太 1, 中村 暖 1, 岡本 亮 1, Little 1. 京大院工 , 2. 中国科学院 , 3. 香港城市大学
光子対の発生Brent E.2, Chu Sai Tak3
16:45
奨 20p-A404-15 赤外上方変換を用いた赤外―可視もつれ光子対の光子数 〇北條 真之 1, 谷 峻太郎 2, 小林 洋平 2, 田中 耕一郎 1 1. 京大理 , 2. 東大物性研
計測
17:00
奨 20p-A404-16 チョークコイルを追加した超伝導ナノストリップ型光子 〇高橋 一真 1, 遠藤 護 1, 4, 園山 樹 1, 三木 茂人 2, 3, 藪野 1. 東大工 , 2. 情通機構 , 3. 神戸大 , 4. 理研
数識別器の評価
正裕 2, 知名 史博 2, 寺井 弘高 2, 高瀬 寛 1, 4, アサバナ
ント ワリット 1, 4, 古澤 明 1, 4
17:15
奨 20p-A404-17 光スイッチ時間ゲート式光子検出法による連続光非ガウ 〇園山 樹 1, 高橋 一真 1, 鷹巣 幸子 2, 服部 香里 2, 3, 福 1. 東大工 , 2. 産総研 , 3. 産総研・東⼤ オペランド計測
ス型状態生成田 大治 2, 3, アサバナント ワリット 1, 4, 高瀬 寛 1, 4, 福 OIL, 4. 理研
井 浩介 1, 4, 吉川 純一 4, 遠藤 護 1, 4, 古澤 明 1, 4
17:30
奨 20p-A404-18 高速光通信技術を適用可能とする前置光位相感応増幅を 〇井上 飛鳥 1, 柏﨑 貴大 1, 山嶋 大地 2, 高梨 直人 2, 風 1.NTT 先デ研 , 2. 東大院工 , 3. 理研用いた連続量光量子情報の広帯域検出手法の実現
間 拓志 1, 圓佛 晃次 1, 渡辺 啓 1, 梅木 毅伺 1, 遠藤
護 2, 3, 古澤 明 2, 3
9/21(Wed.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
9:00		 21a-A404-1 光スパイキングニューラルネットワークにおける定常的 〇稲垣 卓弘 1, 稲葉 謙介 1, アルコ ツミ 1, 2, 山田 康博 1, 1.NTT 物性研 , 2. デルフト工科大 , 3. 東京大学 , 4.NTTなキメラ状態の観測
Leleu Timothée3, 本庄 利守 1, 生田 拓也 1, 圓佛 晃次 4, 先端集積デバイス研究所
梅木 毅伺 4, 笠原 亮一 4, 合原 一幸 3, 武居 弘樹 1
9:15
奨 21a-A404-2 戻り光を有する半導体レーザにおける間欠性カオスの予 〇井上 聡太 1, 菅野 円隆 1, 内田 淳史 1
1. 埼玉大学
測と予防
1
1
1
1
9:30
奨 21a-A404-3 戻り光を有する半導体レーザのカオス的複素電界振動を 〇工藤 翔大 , 沼田 新 , 菅野 円隆 , 内田 淳史
1. 埼玉大用いた乱数生成実験
9:45
奨 21a-A404-4 順序エントロピーによるレーザーカオス時系列の分析〇足助 尚樹 1, 巳鼻 孝朋 1, レーム アンドレ 1, 堀﨑 遼 1. 東大情理
一 1, 成瀬 誠 1
10:00		 21a-A404-5 レーザネットワークのゼロ遅延同期を用いた協調的意思 神徳 駿 1, 〇巳鼻 孝朋 1, Roehm Andre1, 堀﨑 遼一 1, 1. 東大情理 , 2. 埼玉大
決定メカニズム
菅野 円隆 2, 内田 淳史 2, 成瀬 誠 1
10:15		休憩 /Break
10:30
奨 21a-A404-6 マルチモード半導体レーザのカオス的モード競合の制御 〇岩見 龍吾 1, 巳鼻 孝朋 1, 2, 菅野 円隆 1, 成瀬 誠 2, 内 1. 埼玉大 , 2. 東大情理を用いた意思決定実験
田 淳史 1
10:45
奨 21a-A404-7 ２つの異なるダイナミクスを用いたレーザネットワーク 〇佐々木 圭悟 1, 巳鼻 孝朋 1, 2, 菅野 円隆 1, 成瀬 誠 2, 1. 埼玉大 , 2. 東大情理
における意思決定実験
内田 淳史 1
11:00
奨 21a-A404-8 空間光変調器を用いた時空間ダイナミクスによる並列意 〇武塙 賢人 1, 森尻 健正 1, 巳鼻 孝朋 1, 2, 菅野 円隆 1, 1. 埼玉大 , 2. 東大情理
思決定実験
成瀬 誠 2, 内田 淳史 1
11:15		 21a-A404-9 光微小共振器を用いたリザバーコンピューティングの性 〇 (M1) 堀切 裕太 1, 荒井 航平 3, 山口 智也 3, 新山 友 1. 早稲田大理工 , 2. 金沢大学理工 , 3. 金沢大学自研
能評価
暁 2, 原山 卓久 1, 砂田 哲 2
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P06-1
シリコン光量子計算機を用いた量子化学計算の検討〇小田川 朋史 1, 境野 一輝 1, 木村 彰吾 1, 稲垣 拓也 1, 1. 東北大院工 , 2. 広大院先進
村松 悟 2, 井口 佳哉 2, 山田 博仁 1, 松田 信幸 1
			 21p-P06-2
励起子分子発光を利用した共振器ポラリトン増幅に関す 〇 (M2) 井上 大瑠 1, 岡 寿樹 1
1. 北里大院理る理論解析			 21p-P06-3
YIG 媒介による磁束量子ビット− NV センター間量子情 〇 (M1) 星野 巽 1, 岡 寿樹 1
1. 北里大院理
報転送の理論解析
1
1
			 21p-P06-4
デコヒーレンス下におけるコヒーレント制御の最適化の 〇 (M2) 斉藤 裕奎 , 岡 寿樹
1. 北里大院理理論解析
3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）/ Photonic structures and phenomena (formerly 3.11)
9/20(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A101 会場（Room A101）
9:00		 20a-A101-1 有端直交格子導波路を有する CirD レーザの光学特性に関 〇佐田 一生 1, 鶏内 健太 1, 青盛 翔太 1, 森藤 正人 1, 梶 1. 阪大院工する理論的研究井 博武 1, 丸太 章博 1, 近藤 正彦 1
9:15		 20a-A101-2 CirD 共振器と導波路の結合における出力方向性制御の理 〇東 蒼馬 1, 森藤 正人 1, 博武 梶井 1, 章博 丸田 1, 近藤 1. 阪大院工
論的研究
正彦 1
9:30		 20a-A101-3 測定 Q 値 100 万を超える H1 六重極フォトニック結晶ナ 〇高田 健太 1, 2, 倉持 栄一 1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 納富 雅
1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性基礎研 ,ノ共振器
也 1, 2, 3
3. 東工大9:45		 20a-A101-4 フォトニック結晶光ナノ共振器結合系の構造最適化 (II) 〇三橋 凌太 1, 浅野 卓 1, 野田 進 1
1. 京大院工10:00
E 20a-A101-5 Design of a photonic crystal nanobeam cavity in〇 Yeting Yang1, 2, Siyuan Gao1, 2, Feng Tian1, Satoshi 1.RCAST, 2.IIS
AlN-diamond hybrid platform (II): Investigation of the
Iwamoto1, 2
effect of the shape of air holes
10:15 奨 E 20a-A101-6 Demonstration of nanobeam photonic crystal nanocavities 〇 (D)Zhidong Fang1, Jun Tatebayashi1, Hirotake
1.Osaka Univ.
with improved Q-factor based on Er,O-codoped GaAs
Kajii1, Masahiko Kondow1, Yasufumi Fujiwara1
10:30		休憩 /Break
10:45		 20a-A101-7 直交格子導波路を有する半円型出力ポート付 CirD レーザ 〇鶏内 健太 1, 青盛 翔太 1, 佐田 一生 1, 左 如氷 1, 足立 1. 阪大院工の光学特性に関する研究
雄紀 1, 木下 諒成 1, 森藤 正人 1, 梶井 博武 1, 丸田 章
博 1, 近藤 正彦 1

3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）/ Photonic structures and phenomena (formerly 3.11)
11:00		 20a-A101-8

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

直交格子導波路をもつフォトニック結晶レーザの波長帯 〇森田 雅也 1, 平田 翔太郎 1, 鶏内 健太 1, 左 如氷 1, 木 1. 阪大院工域に関する実験的研究
下 諒星 1, 足立 雄紀 1, 森藤 正人 1, 梶井 博武 1, 丸田 章
博 1, 近藤 正彦 1
11:15
E 20a-A101-9 Experimental investigation of two-layered SiC photonic〇(PC)Heungjoon Kim1, Bong-Shik Song1, 2, Takashi 1.Kyoto Univ., 2.Sungkyunkwan Univ.
crystals with a complete photonic bandgap
Asano1, Susumu Noda1
11:30		 20a-A101-10 トポロジカルエッジ伝送路に配置された欠陥の特性評価 〇 (D) 各務 響 1, 雨宮 智宏 1, 2, 岡田 祥 1, 王 雅慧 1, 西 1. 東工大院工 , 2. 東工大未来研 , 3. 物材機構
山 伸彦 1, 2, 胡 暁 3
11:45
E 20a-A101-11 Transmission via 90-degree Sharp Bends in Square-lattice 〇 (D)Wei Dai1, Taiki Yoda2, Yuto Moritake1, Masaya 1.Tokyo Tech, 2.NTT BRL, 3.NTT NPC
Photonic-Crystal Waveguides with Glide Symmetry
Notomi1, 2, 3
9/20(Tue.) 13:15 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A101 会場（Room A101）
13:15		 20p-A101-1 2 つの楕円空孔からなる二重格子フォトニック結晶の複 〇吉田 渓介 1, 吉田 昌宏 1, 井上 卓也 1, 野田 進 1
1. 京大院工素バンドの解析13:30		 20p-A101-2 グラフェン装荷非エルミートフォトニック結晶における 〇 (M1) 鈴木 聡 1, 2, 大塚 秀太郎 1, 2, 上村 高広 1, 2, 養田 1. 東工大理 , 2.NTT 物性研 , 3.NTT ナノフォトニクスセ
バンド測定と例外点の観測
大騎 2, 3, 森竹 勇斗 1, 小野 真証 2, 3, 倉持 栄一 2, 3, 納富 ンタ
雅也 1, 2, 3
13:45		 20p-A101-3 2 つの楕円空孔からなる二重格子フォトニック結晶にお 〇吉田 渓介 1, 吉田 昌宏 1, 井上 卓也 1, 野田 進 1
1. 京大院工ける特異なフォトニックバンド構造の観測
14:00		 20p-A101-4 相変化材料を装荷した結合光共振器における Anti-PT 相 〇 (M1) 堀口 義仁 1, 2, 養田 大騎 2, 森竹 勇斗 1, 納富 雅 1. 東工大理 , 2.NTT 物性研 , 3.NTT ナノフォトニクスセ
転移の制御
也 1, 2, 3
ンタ
14:15		 20p-A101-5 トポロジカル偏光特異点の定在波モードによる円偏光発 〇 (M2) 本多 智貴 1, 2, 養田 大騎 2, 森竹 勇斗 1, 小野 真 1. 東工大理 , 2.NTT 物性研 , 3.NTT ナノフォトニクスセ
生証 2, 倉持 栄一 2, 納富 雅也 1, 2, 3
ンタ
14:30		休憩 /Break1
1
1
14:45		 20p-A101-6 3mm Φフォトニック結晶レーザーによる狭ビーム発散角 〇吉田 昌宏 , 勝野 峻平 , 井上 卓也 , De Zoysa
1. 京大院工
動作の実現
Menaka1, 石﨑 賢司 1, 初田 蘭子 1, 野田 進 1
15:00		 20p-A101-7 フォトニック結晶における K 点ディラックコーンを用い 〇 (M1) 渡邉 祥 1, 2, 川崎 健人 1, 2, 森竹 勇斗 1, 小野 真 1. 東工大理 , 2.NTT 物性研 , 3.NTT ナノフォトニクスセ
たゼロ屈折率状態の実現
証 2, 3, 倉持 栄一 2, 3, 納富 雅也 1, 2, 3
ンタ
15:15		 20p-A101-8 超大面積フォトニック結晶レーザーの発振安定性の理論 〇井上 卓也 1, 勝野 峻平 1, 和泉 孝紀 1, 吉田 昌宏 1, 石 1. 京大院工1
1
1
解析
﨑 賢司 , De Zoysa Menaka , 野田 進
15:30
奨 20p-A101-9 バレーフォトニック結晶 Bearded 界面導波路への高効率 〇吉見 拓展 1, 2, 山口 拓人 1, 2, 石田 悟己 1, 2, 太田 泰
1. 東大先端研 , 2. 東大生研 , 3. 慶應大光カプラー
友 3, 岩本 敏 1, 2
15:45		 20p-A101-10 バレーフォトニック結晶のバンド構造に現れる光スピン 〇吉見 拓展 1, 2, 各務 響 3, 岡田 祥 3, 林 文博 1, 2, 雨宮 1. 東大先端研 , 2. 東大生研 , 3. 東工大院工 , 4. 東工大未来
テクスチャの観測
智宏 3, 4, 太田 泰友 5, 西山 伸彦 3, 4, 岩本 敏 1, 2
研 , 5. 慶應大
16:00		 20p-A101-11 3mm Φフォトニック結晶レーザーの CW 発振特性解析〇勝野 峻平 1, 吉田 昌宏 1, 井上 卓也 1, De Zoysa
1. 京大院工Menaka1, 野田 進 1
16:15		休憩 /Break
16:30
奨 20p-A101-12 大面積フォトニック結晶レーザーへの出射面側分割電極 〇阿部 竜也 1, 吉田 昌宏 1, 勝野 峻平 1, 和泉 孝紀 1,
1. 京大院工の導入の検討De Zoysa Menaka1, 野田 進 1
16:45		 20p-A101-13 Si フォトニクス SSH 構造のトポロジカルバルク / エッジ 〇中間 登惟 1, 中村 玲於奈 1, Balcytis Armandas1, 伊 1. 横国院工 , 2. 東北大 AIMR, 3. 慶大物情 , 4. 東大生研
状態の波動関数観測 (III)
藤 寛之 1, 馬場 俊彦 1, 小澤 知己 2, 太田 泰友 3, 岩本
敏4
17:00		 20p-A101-14 強束縛モデルに基づく 2 層 2 次元正方格子のバンド構造 〇石田 夏子 1, 太田 泰友 2, 3, 林 文博 1, 荒川 泰彦 3, 岩 1. 東大先端研 , 2. 慶應大 , 3. ナノ量子機構 , 4. 東大生研
解析
本 敏 1, 3, 4
17:15
奨 20p-A101-15 大域的バンド端周波数分布と可飽和吸収領域の同時導入 〇森田 遼平 1, 井上 卓也 1, 上田 拓磨 1, 二五 和樹 1, 野 1. 京大院工によるフォトニック結晶レーザーの短パルス・高ピーク 田 進 1
出力動作 (II)
17:30		 20p-A101-16 ハイパースペクトル NIRFIS を用いたフォトニックバン 〇 (D) 岡田 祥 1, 雨宮 智宏 1, 2, 各務 響 1, 王 雅慧 1, 西 1. 東工大院工 , 2. 東工大未来研 , 3. 物材機構
ドイメージング
山 伸彦 1, 2, 胡 暁 3
9/21(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A101 会場（Room A101）
9:00		 21a-A101-1 転写プリント法によるダイヤモンドナノ構造の新規作製 〇鳴瀬 駿 1, 勝見 亮太 1, 飛沢 健 1, 八井 崇 1
1. 豊橋技科大技術の検討
9:15		 21a-A101-2 スズ - 空孔センター- フォトニック結晶共振器結合系の実 〇車 一宏 1, 2, Benjamin Pingault1, 3, Cleaven Chia1,
1.Harvard Univ., 2. 学振 , 3.Delft Univ., 4.Univ. of Jena,
現
Dylan Renaud1, Patrick Hoffmann4, 岩本 敏 5,
5. 東大先端研
Carsten Ronning4, Marko Loncar1
1
1
1
1
9:30		 21a-A101-3 大域的バンド端周波数分布と可飽和吸収領域を導入した 〇上田 拓磨 , 井上 卓也 , 森田 遼平 , 野田 進
1. 京大院工
フォトニック結晶レーザーの構造最適化
9:45		 21a-A101-4 Si フォトニック結晶スローライト導波路のインフォマ〇廣谷 圭祐 1, 岡野 誠 2, Cong Guangwei2, 山本 宗1. 横国大院工 , 2. 産総研
ティクス最適化 ( Ⅱ ) ―実験的検証―
継 2, 山田 浩治 2, 馬場 俊彦 1
1
1
1
10:00		 21a-A101-5 大域的バンド端周波数勾配を導入した短パルスフォト〇二五 和樹 , 森田 遼平 , 井上 卓也 , De Zoysa
1. 京大院工ニック結晶レーザーの高電流注入時の発振特性評価
Menaka1, 野田 進 1
10:15		 21a-A101-6 光量子インターフェース用ダイヤモンドナノビーム共振 〇廣谷 圭祐 1, 国井 昌樹 1, 藤城 龍之介 1, 馬場 俊彦 1 1. 横国大院工器のインフォマティクス最適化
10:30		休憩 /Break
10:45		 21a-A101-7 フォトニック結晶レーザーの単一モード動作のロバスト 〇宮井 英次 1, 2, 國師 渡 1, 2, 井上 卓也 1, 和泉 孝紀 1, 吉 1. 京大院工 , 2. ローム
性向上のための電流分布制御
田 昌宏 1, De Zoysa Menaka1, 石崎 賢司 1, 野田 進 1
11:00
E 21a-A101-8 Investigation of diamond-based air-suspended bull’ s eye 〇 (M2)Jieyu Zhou1, 2, Sangmin Ji1, 2, Satoshi
1.RCAST, 2.IIS
optical cavity
Iwamoto1, 2
1
1
1
11:15		 21a-A101-9 機械学習活用によるビーム形状制御の実現に向けた分割 〇和泉 孝紀 , De Zoysa Menaka , 中川 祐一朗 , 行 1. 京大院工電極フォトニック結晶レーザーの連続・擬似連続動作の 舎 直起 1, 井上 卓也 1, 勝野 峻平 1, 吉田 昌宏 1, 石﨑 賢
実証司 1, 初田 蘭子 1, 野田 進 1
11:30		 21a-A101-10 エアブリッジ型ブルズアイ光共振器を用いた GaAs 量子 〇 JI SANGMIN1, 田尻 武義 2, Liu Xiao-Fei3, 木山 治 1. 東京大学 , 2. 電気通信大学 , 3. 大阪大学 , 4. 九州大学 ,井戸の光吸収増強
樹 3, 4, 大岩 顕 3, Ritzmann Julian5, Ludwig Arne5,
5. ルール大学ボーフム
Wieck Andreas Dirk5, 岩本 敏 1
11:45		 21a-A101-11 量子アニーリングによるフォトニック結晶レーザーの構 〇井上 卓也 1, 関 優也 2, 田中 宗 2, 戸川 望 3, 石﨑 賢 1. 京大院工 , 2. 慶大理工 , 3. 早大理工
造最適化
司 1, 野田 進 1
9/21(Wed.) 13:15 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A101 会場（Room A101）
13:15
招 21p-A101-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇坂田 諒一 1, 石崎 賢司 1, De Zoysa Menaka1, 井上 1. 京大院工複合変調フォトニック結晶レーザーによる様々な形状の 卓也 1, 趙 海如 1, 野田 進 1
ビームの発生とその進展
13:30		 21p-A101-2 複合変調フォトニック結晶レーザーへの二重格子構造導 〇今村 陽 1, 坂田 諒一 1, 石崎 賢司 1, 井上 卓也 1, De 1. 京大院工入の検討（２）
Zoysa Menaka1, 野田 進 1
13:45
奨 21p-A101-3 CMOS 互換プロセスで作製したバレーフォトニック結晶 〇山口 拓人 1, 2, 吉見 拓展 1, 2, 関 三好 3, 大塚 実 3, 横山 1. 東大先端研 , 2. 東大生研 , 3. 産総研 , 4. 慶應大導波路
信幸 3, 太田 泰友 4, 岡野 誠 3, 岩本 敏 1, 2
14:00		 21p-A101-4 高輝度 PCSEL の高い量産性を有する作製法に関する検討 〇國師 渡 1, 2, 宮井 英次 1, 2, De Zoysa Menaka1, 石崎 1. 京大院工 , 2. ローム
賢司 1, 吉田 昌宏 1, 野田 進 1
14:15		 21p-A101-5 HEATE 法による GaN 系メンブレン型トポロジカルフォ 〇工藤 大樹 1, 米田 幸司 1, 高野 大和 1, 倉邉 海史 1, 菊 1. 上智大理工 , 2. 上智大フォトニクス研究センター,
トニック結晶の作製
池 昭彦 1, 2, 3
3. 上智大半導体研究所

【CS.4】3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）、3.11 ナノ領域光科学・近接場光学（旧 3.12）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.10 & 3.11

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

14:30

奨 21p-A101-6

二段階光電気化学エッチングによる GaN 二次元フォト〇 (B) 吉田 理人 1, 惣角 翔 1, 下吉 賢信 1, 内田 和男 1, 1. 電通大
ニック結晶共振器の作製と光学評価
田尻 武義 1
14:45		休憩 /Break
15:00		 21p-A101-7 温度補償構造による GaN 系フォトニック結晶レーザーの 〇十鳥 雅弘 1, 小泉 朋朗 2, 1, 江本 渓 2, 1, 井上 卓也 1, 石 1. 京大院工 , 2. スタンレー電気
低閾値電流化崎 賢司 1, De Zoysa Menaka1, 野田 進 1
15:15		 21p-A101-8 GaN 系トポロジカルフォトニック結晶の導波路構造解析 〇阿部 洸希 1, サトウ ロドリゴ 1, 米田 幸司 1, 菊池 昭 1. 上智大学 , 2. 上智大フォトニクス研究センター, 3. 上彦 1, 2, 3
智大学半導体研究所
15:30		 21p-A101-9 GaN 系可視域トポロジカルフォトニック結晶のフォト〇高野 大和 1, 米田 幸司 1, 阿部 洸希 1, 菊池 昭彦 1, 2, 3 1. 上智大理工 , 2. 上智大フォトニクス研究センター,
ニックバンドの 3D-FDTD 解析
3. 上智大半導体研究室
15:45
E 21p-A101-10 Topological Wave Propagation in 3D Woodpile Photonic 〇 ThanhHuyen Phan1, Shun Takahashi2, Satoshi
1.Kwansei Gakuin Univ., 2.Kyoto Inst. of Technology,
CrystalIwamoto3, Katsunori Wakabayashi1
3.The Univ. of Tokyo
16:00		 21p-A101-11 3 次元ウッドパイル型フォトニック結晶におけるヒンジ 〇 (M2) 芦田 侑也 1, 山下 兼一 1, 上田 哲也 1, 若林 克 1. 京工繊大 , 2. 関西学院大 , 3. 東大先端研 , 4. 東大生研
状態のマイクロ波領域での観測
法 2, 岩本 敏 3, 4, 高橋 駿 1
16:15		休憩 /Break
16:30		 21p-A101-12 歪フォトニック結晶中の新奇光伝搬：すべり歪〇 (M1) 河本 悠暉 1, 橋詰 仁人 1, 北川 均 1, 北村 恭子 1 1. 京都工繊大
16:45		 21p-A101-13 歪フォトニック結晶における歪効果の評価指標の提案： 〇橋詰 仁人 1, 河本 悠暉 1, 北川 均 1, 北村 恭子 1
1. 京都工繊大
ソフトネス
17:00
E 21p-A101-14 Design of a Magneto-Photonic Crystal Exhibiting a Giant 〇 (D)Siyuan Gao1, Yasutomo Ota2, Satoshi
1.RCAST, Univ. Tokyo, 2.Keio Univ.
Faraday Rotation
Iwamoto1
17:15		 21p-A101-15 イプシロンニアゼロ特性を示す Co-ITO ナノグラニュ〇池田 賢司 1, 刘 天際 2, 太田 泰友 3, 岩本 敏 4, 5, 小林 1. 電磁研 , 2. 中科院長春光機所 , 3. 慶応大学 , 4. 東大先端
ラー薄膜の磁気光学効果
伸聖 1
研 , 5. 東大生研
17:30		 21p-A101-16 重力場下の Maxwell 方程式：歪フォトニック結晶の有効 〇北川 均 1, 2, 北村 恭子 1
1. 京都工繊大 , 2.Geometrize
場理論
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P03-1
フォトニック結晶結合共振器系におけるリミットサイク 〇滝口 雅人 1, 2, 武村 尚友 1, 2, 高田 健太 1, 2, 角倉 久
1.NTT NPC, 2.NTT 物性研
ル振動子の同期現象の観測
史 1, 2, 谷山 秀昭 1, 2, 倉持 栄一 1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 納富
雅也 1, 2
		
E 22p-P03-2
Design of a Defect-Based Photonic Crystal Nanobeam〇 Natthajuks Pholsen1, 2, Yasutomo Ota3, Satoshi
1.RCAST, UTokyo, 2.IIS, UTokyo, 3.Keio Univ.
Cavity on a Silicon Nitride Waveguide for Efficient
Iwamoto1, 2Generation of Single Photon by Resonant Excitation
			 22p-P03-3
二次元磁性フォトニック結晶に向けた MOD 法による
〇東海林 篤 1
1. 山梨大Ce:YIG 薄膜の作製
			 22p-P03-4
フェムト秒レーザー励起 PEEM による Au プラズモニッ 〇 (M2) 大島 一真 1, 久保 敦 1, 福本 恵紀 2
1. 筑波大物理 , 2. 高エネ研
ク結晶の観察			 22p-P03-5
マイクロマニピュレーション法による GaN スラブ型光ナ 〇 (B) 惣角 翔 1, 吉田 理人 1, 下吉 賢信 1, 内田 和男 1, 1. 電通大ノ構造の積層
田尻 武義 1
			 22p-P03-6
非エルミート一方向性光放射・反射に基づく光局在現象 〇野口 直哉 1, 井上 卓也 1, 吉田 昌宏 1, 野田 進 1
1. 京大院工の高 Q 値化
			 22p-P03-7
ナノ共振器における大規模な結晶穴径・穴位置の自動最 〇倉持 栄一 1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 納富 雅也 1, 2
1. ＮＴＴ ＮＰＣ , 2. ＮＴＴ物性基礎研
適化
1, 2
3
		
E 22p-P03-8
Fabrication of Quadrupole Topological Photonic Crystal 〇 (M2)Guangtai Lu , Yasutomo Ota , Satoshi
1.RCAST, Univ. Tokyo, 2.IIS, Univ. Tokyo, 3.Keio Univ.
Slabs
Iwamoto1, 2【CS.4】3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）、3.11 ナノ領域光科学・近接場光学（旧 3.12）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.10 & 3.11
9/22(Thu.) 15:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) A101 会場（Room A101）
15:45
奨 22p-A101-1 放射冷却素材を用いて過冷却度を増大させた蒸気圧縮冷 〇大杉 亮輔 1, 2, 若林 努 1, 甲坂 朋也 2, 杉本 雅行 1, 末 1. 大阪ガス , 2.SPACECOOL
凍サイクルの検討
光 真大 1, 2
16:00		 22p-A101-2 光誘起力顕微鏡による有機薄膜 pn 接合の光誘起力と光起 〇 (M2) 斎藤 一貴 1, 山本 達也 1, 山田 喬昭 1, 菅原 康 1. 阪大院工電力の同時測定弘1
16:15		 22p-A101-3 電圧変調型中赤外バンドパスフィルタの波長重畳動作の 〇粟根 悠介 1, 2, 井上 卓也 2, 野田 進 2
1. 堀場製作所 , 2. 京都大学
実験的検討
16:30		 22p-A101-4 ビスマステルル薄膜光検出器の光応答性に対するホール 〇 (M1) 小高 敏斉 1, 久保 若奈 1
1. 東京農工大
周期の効果
16:45 奨 E 22p-A101-5 Autonomously Switchable Filter Realized by Thermal〇 (M2)Zeng Zhaodong1, Taiyu Okatani1, Yoshiaki
1.Tohoku Univ.
Driven Bimetal Actuators
Kanamori1
17:00		休憩 /Break
17:15		 22p-A101-6 二量化プラズモニック格子を用いた電気光学ポリマー垂 〇 (M2) 宮野 広基 1, 福井 太一郎 1, 相馬 豪 1, 大友 明 2, 1. 東大院工 , 2.NICT
直入射型変調器の提案
種村 拓夫 1, 中野 義昭 1
17:30
奨 22p-A101-7 電気光学ポリマーを用いた裏面垂直入射型プラズモニッ 〇蟻生 高人 1, 宮野 広基 1, 福井 太一郎 1, 野本 佳朗 2, 1. 東大院・工 , 2. 浜松ホトニクス（株）
ク光変調器の提案と解析
中野 義昭 1, 種村 拓夫 1
17:45
奨 22p-A101-8 メタマテリアルを用いたキラル分子構造の高感度センシ 〇松内 健晋 1, 木原 淳 1, 三澤 賢明 1, 田中 拓男 2, 3, 鶴 1. 岡大自然 , 2. 理研 , 3. 徳島大
ング
田 健二 1
18:00		 22p-A101-9 表面プラズモン共鳴デバイスを用いた近接場光による光 〇楊 港 1, 鄭 サムエル 1, 嵐田 雄介 1, 赤田 圭史 1, 伊藤 1. 筑波大学数理触媒反応
良一 1, 藤田 淳一 1
18:15		 22p-A101-10 非ブラベ格子による近赤外領域での BIC モード制御〇村井 俊介 1, Abujetas Diego R.2, Liu Libei1,
1. 京大院工 , 2.Fribourg U., 3.Eindhoven U.Tech., 4.
Castellanos Gabriel W.3, Giannini Vincenzo4,
IEM-CSIC
Sánchez-Gil José A4, 田中 勝久 1, Gómez Rivas Jaime3【CS.5】3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）、3.12 半導体光デバイス（旧 3.13）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.10 & 3.12
9/22(Thu.) 9:15 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C101 会場（Room C101）
9:15
奨 22a-C101-1 InGaN 円偏光素子の実現に向けた Si3N4 メタサーフェス 〇村田 雄生 1, 戸田 晋太郎 3, 1, 藤原 康文 1, 中川 貴 1, 1. 阪大院工 , 2. 阪大電顕センター, 3. アルバック協働研の設計と作製市川 修平 1, 2
9:30		 22a-C101-2 フォトニック結晶レーザーの正弦波直接変調による短パ 〇森田 遼平 1, 井上 卓也 1, 石村 昇太 2, 西村 公佐 2, 鈴 1. 京大院工 , 2.KDDI 総合研究所 , 3. 早大理工ルス列発生
木 正敏 2, 3, De Zoysa Menaka1, 野田 進 1
9:45
奨 22a-C101-3 楕円空孔を有する InP 系二重格子フォトニック結晶レー 〇伊藤 友樹 1, 2, 河野 直哉 1, 2, 藤井 康祐 1, 2, 吉永 弘
1. 住友電工 , 2. 京大院工ザーの高出力動作
幸 1, 2, 藤原 直樹 1, 小笠原 誠 1, 田中 礼 1, 八木 英樹 1,
柳沢 昌輝 1, 吉田 昌宏 2, 井上 卓也 2, メーナカ デゾイ
サ 2, 石崎 賢司 2, 野田 進 2
10:00		 22a-C101-4 InP 高屈折率差格子と電気光学ポリマーを用いた垂直入 〇 (D) 福井 太一郎 1, 隅田 圭 1, 竹中 充 1, 高木 信一 1, 1. 東大院工射型光変調器の提案と数値解析
中野 義昭 1, 種村 拓夫 1
10:15		 22a-C101-5 UV-C 光検出センサ用の蛍光体含有ガラスの開発〇岩越 智也 1, 上田 直輝 1
1. 日本電気硝子株式会社
10:30		休憩 /Break
1
1
1
10:45
奨 22a-C101-6 多波長スローライト面発光レーザアレイを用いた非機械 〇冠者 駿助 , 顧 暁冬 , 小山 二三夫
1. 東工大未来研式光偏向器
11:00		 22a-C101-7 Si フォトニック結晶放射一方向性スローライトビームス 〇陶山 実之 1, 岡野 誠 2, Cong Guangwei2, 山本 宗1. 横国院工 , 2. 産総研
キャナの観測継 2, 山田 浩治 2, 馬場 俊彦 1
1
1
1
11:15		 22a-C101-8 フラッシュ照射およびビーム走査可能な複合変調フォト 〇 De Zoysa Menaka , 坂田 諒一 , 石崎 賢司 , 井上 1. 京大院工 , 2. ブルックマンテクノロジ , 3. スペースニック結晶レーザーを搭載した非機械式小型 3 次元
卓也 1, 峯山 佳之 3, 赤堀 知行 2, 青山 聡 2, 野田 進 1
ビュー
LiDAR の開発 (II)

3.11 ナノ領域光科学・近接場光学（旧 3.12）/ Nanoscale optical science and near-field optics (formerly 3.12)
11:30		 22a-C101-9

熱光学制御 SLG 光ビームスキャナのドーピング濃度依存性
11:45		 22a-C101-10 多点ビーム同時出射可能な複合変調フォトニック結晶
レーザーの広 FOV・高効率動作の検討
12:00〇山本 航平 1, 鉃矢 諒 1, 岡野 誠 2, Cong Guangwei2,
山本 宗継 2, 山田 浩治 2, 馬場 俊彦 1
〇石崎 賢司 1, 坂田 諒一 1, 井上 卓也 1, De Zoysa

Menaka1, 今村 陽 1, 小松原 望 1, 2, 前田 修 2, 山田 和
義 2, 中村 仁 2, 山口 圭治 2, 初田 蘭子 1, 野田 進 1〇 Chang Ge1, Xiaodong Gu1, Fumio Koyama1

1. 横国大院工 , 2. 産総研
1. 京大院工 , 2. ソニーセミコンダクタソリューションズ

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

E 22a-C101-11 Modeling of Surface Grating-loaded VCSEL for Vertical
1.Tokyo Tech.
Emission
3.11 ナノ領域光科学・近接場光学（旧 3.12）/ Nanoscale optical science and near-field optics (formerly 3.12)9/21(Wed.) 13:00 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
13:00
招 21p-A404-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇佐久間 涼子 1, 林 冠廷 2, 木村 文信 1, 2, 梶原 優
1. 東大工 , 2. 東大生研 , 3.JST さきがけ
GaN 上近接場減衰曲線に基づくパッシブ近接場散乱モデ 介 1, 2, 3
ル
13:15
E 21p-A404-2 Observation of energy dissipation in biased graphene via 〇 KuanTing Lin1, Masaki Shinomiya1, Ryoko
1.Univ. Tokyo
passive type near-field optical microscopy
Sakuma1, Yusuke Kajihara1
1
1
2
1, 2
13:30		 21p-A404-3 テラヘルツ帯におけるブルズアイアンテナ – シリコン導 〇岡谷 泰佑 , 今井 薫 , 瀧田 佑馬 , 大野 誠吾 , 南 1. 東北大 , 2. 理研
波路結合デバイス
出 泰亜 2, 金森 義明 1
13:45
奨 21p-A404-4 高感度分子検出のための金ナノ微粒子を用いた金属 - 誘 〇 (M1) 阿部 浩幸 1, 2, 田中 拓男 2, 3, 1
1. 学習院大自然科学 , 2. 理研 , 3. 徳島大 pLED
電体 - 金属構造の自己組織化
1
1
3, 4
14:00		 21p-A404-5 固体系 TTA-UC におけるプラズモニックホットスポット 〇段吉 宇大 , 原田 直幸 , 中野 健央 , 楊井 伸
1. 九大院工 , 2. 九大 CMS, 3. 九大 WPI-I2CNER, 4. 九大の増強効果
浩 1, 2, 4, 藤川 茂紀 1, 2, 3, 4, 君塚 信夫 1, 2, 4
K-NETs14:15		 21p-A404-6 深紫外表面プラズモン励起のためのナノホールアレイ構 〇 (D) 森澤 洋文 1, 小野 篤史 1, 居波 渉 1, 川田 善正 1 1. 静岡大学
造の最適化および光電子放出への応用
14:30		休憩 /Break
14:45		 21p-A404-7 Diffraction free space-time SPP wave の励起及び観測〇伊知地 直樹 1, 菊池 陽々紀 1, Murat Yessenov2,
1. 筑波大物理 , 2. セントラルフロリダ大Kenneth Schepler2, Ayman Abouraddy2, 久保 敦 1
15:00		 21p-A404-8 光渦励起 LPR によりサブ シェル構造に誘起される回転 〇藤田 悠斗 1, 田中 大輔 1
1. 大分高専
トルク1
1
15:15		 21p-A404-9 非対称 Al ナノロッド二量体構造における二重共鳴 SP 増 〇 (M2) 保 蒼大 , 杉田 篤史
1. 静岡大工強 SHG 現象
15:30		 21p-A404-10 ドルマン型金ナノ粒子三量体における SHG 現象の二量体 〇 (M1) 室井 堅森 1, 中塚 庸靖 1, 杉田 篤史 1
1. 静岡大工
粒子間隔依存性
1
1
15:45		 21p-A404-11 第一原理計算による固体物質の非線形光学効果のシミュ 〇木原 康輝 , 植本 光治
1. 神戸大工レーション
16:00		休憩 /Break
16:15		 21p-A404-12 近接場光に基づくシリコン光センサーの高効率化に向け 〇内野 晟 1, 飛沢 健 1, 勝見 亮太 1, 藤原 弘康 2, 飯田 健 1. 豊橋技科大 , 2. 浜松ホトニクス , 3. 北海道大
た検討
二 3, 八井 崇 1
16:30		 21p-A404-13 近接場光を利用した可視光ウイルス不活性化の実証〇高木 雄斗 1, 勝見 亮太 1, 日下部 守昭 2, 桑波田 晃
1. 豊橋技科大 , 2. 東大院農 , 3. 東北大 , 4. 東京理科大 ,弘 3, 川脇 徳久 4, 五十嵐 龍治 5, 根岸 雄一 4, 関野 正
5. 量研機構 , 6. 東大院工樹 6, 八井 崇 1
16:45 奨 E 21p-A404-14 Inverse Analysis of Near-Field Light Generated on a
〇 Sa Syou1, Haruhiko Ito1
1.Tokyo Inst.
Plasmonic Nanoslit with Yukawa Potential
17:00		 21p-A404-15 AgInS2 量子ドットの光学利得に関する励起密度依存性〇佐藤 文哉 1, 石原 淳 1, 古海 誠一 1, 宮島 顕祐 1
1. 東理大理
17:15
奨 21p-A404-16 2 次元半導体のメゾスコピック領域における走査型近接 〇櫻井 杏梨 1, 岩本 亘平 1, 三輪 嘉彦 1, 石川 陽 1, 堀 裕 1. 山梨大 , 2. 東洋大 , 3. 上智大
場光分光とキャリア輸送に基づく解析
和 1, 内山 和治 1, 小林 潔 2, 岸野 克巳 3, 酒井 優 1
17:30		 21p-A404-17 フォトクロミック単結晶におけるナノ光異性化経路の消 〇 (M2) 荒川 侑司 1, 内山 和治 1, 橋本 祐希 2, 内田 欣 1. 山梨大工 , 2. 龍谷大理工 , 3. 東大情報理工
去特性観測
吾 2, 成瀬 誠 3, 堀 裕和 1
9/22(Thu.) 9:00 - 10:45 口頭講演 (Oral Presentation) A101 会場（Room A101）
9:00		 22a-A101-1 最小作用の原理で達成される内在電磁場を伴う散逸構造 〇坂野 斎 1
1. 山梨大院の理論
1
9:15		 22a-A101-2 ドレスト光子研究が拓く” オフシェル科学”：一具体例の 〇佐久間 弘文
1. ドレスト光子研考察
9:30		 22a-A101-3 オフシェル科学への圏代数アプローチ〇西郷 甲矢人 1
1. 長浜バイオ大学
9:45		 22a-A101-4 ドレスト光子の量子ウォークモデル : 1 次元の場合〇齋藤 正顕 1, 瀬川 悦生 2
1. 工学院大 , 2. 横国大
1
10:00		 22a-A101-5 量子ウォークの収束の速さの評価〇瀬川 悦生
1. 横浜国立大学環境
10:15		 22a-A101-6 量子ウォークモデルによるドレスト光子エネルギー移動 〇大津 元一 1, 瀬川 悦生 2, 結城 謙太 3
1. ドレスト光子研究起点 , 2. 横浜国大 , 3.Middeniiの数値計算
10:30		 22a-A101-7 不純物を含む系におけるドレスト光子の振る舞い〇三宮 俊 1, 西郷 甲矢人 2, 大津 元一 3
1.( 株 ) リコー, 2. 長浜バイオ大 , 3. ドレスト光子研究起点
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P04-1
Space-time SPP の顕微観察と光学系開発〇 (M1) 菊池 陽々紀 1, 伊知地 直樹 1, Yessenov
1. 筑波大物理 , 2. セントラルフロリダ大学 CREOL
Murat2, Schepler Kenneth2, Abouraddy Ayman2, 久
保 敦1
			 22p-P04-2
球状 C1-PtIn2 規則合金ナノ粒子の可視領域における表面 〇竹熊 晴香 1, 佐藤 良太 1, 飯田 健二 2, 川脇 徳久 3, 治 1. 京大化研 , 2. 北大触媒科学研 , 3. 東理大理 , 4. 分子研
プラズモン特性田 充貴 1, 倉田 博基 1, 信定 克幸 4, 寺西 利治 1
			 22p-P04-3
Ag-Nano Disk on Mirror 構造を用いたプラズモニック比 〇 (M2) 前田 早郁子 1, 仁熊 嶺 1, 大坂 昇 1, 松山 哲也 1, 1. 阪公大院工色センサ
和田 健司 1, 岡本 晃一 1
			 22p-P04-4
トレンチ型プラズモニック導波路を用いたハイブリッド 〇岡本 浩行 1, 鎌田 隼 2, 山口 堅三 3, 原口 雅宣 3, 岡本 1. 阿南高専 , 2. 情報通信機構 , 3. 徳島大 pLED
プラズモニックデバイスの特性評価
敏弘 3
			 22p-P04-5
相分離したプラズモニックナノ粒子の六角配列構造〇林 隆之介 1, 三宮 工 1
1. 東工大物質理工			 22p-P04-6
キラルな特性をもつプラズモニックナノホール〇 (M2) 吉村 克徳 1, 三宮 工 1
1. 東工大物質理工			 22p-P04-7
円偏光照射によるキラル Ag ナノ構造の作製〇石田 拓也 1, 井澤 哲舜 1, 黒木 秀起 1, 立間 徹 1
1. 東大生研11
1
1
			 22p-P04-8
ランダムに発生する金属ナノ粒子の拡散方程式に基づく 〇垣内 晴也 , 松山 哲也 , 和田 健司 , 岡本 晃一
1. 阪公大院工
配置パターン予測			 22p-P04-9
磁気カイラルメタ分子の回路モデル〇黒澤 裕之 1, 澤田 桂 2, 中西 俊博 3, 冨田 知志 4, 上田 1. 京都工繊大電子 , 2. 理研 , 3. 京大工 , 4. 東北大理・高教
哲也 1
機構			 22p-P04-10 時間変調メタマテリアルに向けた磁性体の透磁率制御〇児玉 俊之 1, 黒澤 裕之 2, 大野 誠吾 3, 菊池 伸明 4, 畑 1. 東北大高教機構 , 2. 京都工繊大電子 , 3. 東北大院理 ,山 正寿 4, 岡本 聡 4, 5, 冨田 知志 1, 3
4. 東北大多元研 , 5. 東北大 CSIS
			 22p-P04-11 広帯域吸収を有する積層型メタマテリアル〇朝倉 拓也 1, 久保 若奈 1
1. 東京農工大			 22p-P04-12 3D-DBSCAN によるクリスタルバイオレット水溶液の〇 (M1) 内山 高汰 1, 近藤 崇博 1, 齊藤 結花 1
1. 学習院大SERS スペクトルのゆらぎ解析
1
1
1
			 22p-P04-13 Si ナノ粒子―Au ナノラインハイブリッド構造における非 〇四方田 真輝 , 長谷川 誠樹 , 井村 考平
1. 早大院先進理工
線形光学特性			 22p-P04-14 立方晶 GaN マイクロディスクにおける WGM 発振〇岩本 優歌 1, 東海林 篤 1, 光野 徹也 2, 菊池 昭彦 3, 岸 1. 山梨大工 , 2. 静岡大工 , 3. 上智大理工
野 克巳 3, 酒井 優 1
			 22p-P04-15 近接場光学顕微鏡による単層 WSe2 の分光評価〇 (M1) 中山 都嵩 1, 酒井 優 1, 松田 一成 2
1. 山梨大工 , 2. 京大エネ研

【CS.4】3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）、3.11 ナノ領域光科学・近接場光学（旧 3.12）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.10 & 3.11
9/23(Fri.) 9:00 - 11:30
9:00		 23a-A101-1
9:15		 23a-A101-2
9:30		 23a-A101-3
9:45

奨 23a-A101-4

10:00

奨 23a-A101-5

10:15		10:30		 23a-A101-6
10:45		 23a-A101-7
11:00

奨 23a-A101-8

11:15		 23a-A101-9
9/23(Fri.) 13:00 - 16:30
13:00		 23p-A101-1
13:15		 23p-A101-2
13:30		 23p-A101-3

13:45

E 23p-A101-4

14:00

奨 23p-A101-5

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

14:15		 23p-A101-6
14:30
奨 23p-A101-7
14:45		15:00		 23p-A101-8
15:15

奨 E 23p-A101-9

15:30

奨 E 23p-A101-10

15:45

奨 23p-A101-11

16:00		 23p-A101-12
16:15		 23p-A101-13

口頭講演 (Oral Presentation) A101 会場（Room A101）
金属回折格子における非伝搬モードを用いた表面プラズ
モンセンサーの作製
表面プラズモン共鳴センサの信号の最大化とエタノール
ガスの試験的検出
くさび型表面プラズモン共鳴センサと PEI 塗布によるサ
リチル酸メチルの検出
金ナノ粒子 - 金ナノホール型ハイブリッド構造のプラズ
モン共鳴特性と デジタル比色センシング応用
1500nm 波長帯における金ナノ微粒子を用いた先端テー
パファイバ型プラズモンセンサの高感度特性
休憩 /Break
シリコンナノアンテナ - 遷移金属ダイカルコゲナイドヘ
テロ構造の光学特性
Mie 共鳴を示すシリコンナノ粒子の単層膜形成と光学特性評価
レーザーアニーリングを用いた Mie 共鳴ナノ構造の作製と蛍光増強分光への応用
GaP ナノ粒子の高次 Mie 共鳴による蛍光増強
口頭講演 (Oral Presentation) A101 会場（Room A101）SERS 測定のための粒子間制御アルキル鎖金ナノ粒子二量体の融合機構
双極子・四重極子結合型プラズモン Fano 共鳴による
SERS 増強機構
シリカ柱状構造を介したプラズモン - 分子リモートカッ
プリングによるリモートプラズモニック光増強ラマン分
光法
2D MoO3 Nanowires for Surface-Enhanced Raman
Spectroscopy
分子リソグラフィー法を利用したナノギャップデバイス
による表面増強ラマン散乱素子の開発
トロイダルダイポールによるシリコン完全吸収体メタサーフェス
機械学習を用いたメタマテリアル吸収体の構造設計
休憩 /Break
ナノギャップを有するメタサーフェスの準 BIC 磁気双極子モード観測Terahertz reflective metamaterials for flexible strain
sensing
An H-shaped metamaterial-based MEMS device with ahigh mechanical resonant frequency for THz waves
分割リング共振器を内包する等方性 3 次元バルクメタマ
テリアル
遺伝的アルゴリズムを用いた多層円筒構造の広帯域な光学クローキング設計
光学クローキングによる銀ナノワイヤの不可視化の実証〇原田 旺尭 1, 平松 和政 1, 元垣内 敦司 1

1. 三重大院工〇川口 諒 1, 小倉 嵩寛 1, 田中 淳大 1, 池袋 一典 1, 清水 1. 農工大工
大雅 1
〇田中 淳大 1, 小倉 嵩寛 1, 川口 諒 1, 清水 大雅 1

1. 農工大工〇 (M2) 藤原 將行 1, 宮坂 禎也 2, 小野 雅之 2, 加藤

1. 徳島大 pLED, 2.JVC ケンウッド , 3. 理研
遼 1, 3, 加治佐 平 1, 安井 武史 1, 田中 拓男 1, 3, 齋藤 敦 2,
2
2
1, 3
長谷川 祐一 , 糸長 誠 , 矢野 隆章〇 (M2) 山本 将大 1, 季 天鵬 1, 松島 裕一 1, 石川 浩 1, 1. 早大理工
宇髙 勝之 1
〇四宮 裕人 1, 雛本 樹生 1, Yea-shine Lee2, Vinayak P. 1. 神戸大院工 , 2. ノースウェスタン大学 , 3.JST さきがDravid2, 杉本 泰 1, 3, 藤井 稔 1〇田中 悠暉 1, 堀田 慎之介 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1け
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ

〇 (B) 福田 龍弥 1, 加藤 遼 1, 2, 田中 拓男 1, 2, 矢野 隆

1. 徳島大 pLED, 2. 理研章 1, 2〇志摩 大輔 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1

1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ

〇江刺家 恵子 1, 三友 秀之 2, 斎木 敏治 1

1. 慶大理工 , 2. 北大電子科学研〇伊藤 民武 , 山本 裕子

1. 産総研健医工 , 2. 北陸先端大

12〇南川 丈夫 1, 森本 幸裕 2, 3, 川崎 昌博 4, 川崎 三津夫 4 1. 徳島大 , 2. ウシオ電機 , 3. 大阪大 , 4. 京都大〇 (M2)Jiaqi YANG1, Tang DANG1, Hitoshi
TABATA1, Hiroaki MATSUI1〇 (M1) 細井 李香 1, 加藤 祐基 1, 鵜飼 智文 2, 黒須 俊
治 2, 花尻 達郎 2, 前川 透 2, 根岸 良太 1, 2
〇 (M2) 酒井 隆司 1, Rongyang Xu1, 高原 淳一 1, 2

1.Univ. of Tokyo〇 (M1) 伊藤 昴 1, 2, 田中 拓男 1, 2, 3

1. 学習院大自然科学 , 2. 理研 , 3. 徳島大 pLED

〇渡邊 敬介 , 岩長 祐伸

1. 物材機構1

1〇 (M1C)MunkhOrgil Dashdeleg1, Taiyu Okatani1,
Yoshiaki Kanamori1〇 (D)Ying Huang1, Taiyu Okatani1, Yoshiaki

Kanamori1〇岡谷 泰佑 1, 砂田 悠斗 1, 羽根 一博 1, 金森 義明 1
〇百瀬 智也 , 當麻 真奈 , 梶川 浩太郎
11

1

1. 東洋大 , 2. バイオナノセンター
1. 阪大院工 , 2. 阪大フォトニクスセ

1.Tohoku Univ.
1.Tohoku Univ.
1. 東北大工1. 東工大工碇 真一 1, 當麻 真奈 1, 陳 誠 2, 下条 雅幸 2, 〇梶川 浩太 1. 東工大工 , 2. 芝浦工大工郎1【CS.4】3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）、3.11 ナノ領域光科学・近接場光学（旧 3.12）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.10 & 3.11
9/22(Thu.) 15:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) A101 会場（Room A101）
15:45
奨 22p-A101-1 放射冷却素材を用いて過冷却度を増大させた蒸気圧縮冷 〇大杉 亮輔 1, 2, 若林 努 1, 甲坂 朋也 2, 杉本 雅行 1, 末 1. 大阪ガス , 2.SPACECOOL
凍サイクルの検討
光 真大 1, 2
16:00		 22p-A101-2 光誘起力顕微鏡による有機薄膜 pn 接合の光誘起力と光起 〇 (M2) 斎藤 一貴 1, 山本 達也 1, 山田 喬昭 1, 菅原 康 1. 阪大院工電力の同時測定弘1
16:15		 22p-A101-3 電圧変調型中赤外バンドパスフィルタの波長重畳動作の 〇粟根 悠介 1, 2, 井上 卓也 2, 野田 進 2
1. 堀場製作所 , 2. 京都大学
実験的検討
16:30		 22p-A101-4 ビスマステルル薄膜光検出器の光応答性に対するホール 〇 (M1) 小高 敏斉 1, 久保 若奈 1
1. 東京農工大
周期の効果
11
16:45 奨 E 22p-A101-5 Autonomously Switchable Filter Realized by Thermal〇 (M2)Zeng Zhaodong , Taiyu Okatani , Yoshiaki
1.Tohoku Univ.
Driven Bimetal Actuators
Kanamori1
17:00		休憩 /Break
17:15		 22p-A101-6 二量化プラズモニック格子を用いた電気光学ポリマー垂 〇 (M2) 宮野 広基 1, 福井 太一郎 1, 相馬 豪 1, 大友 明 2, 1. 東大院工 , 2.NICT
直入射型変調器の提案
種村 拓夫 1, 中野 義昭 1
17:30
奨 22p-A101-7 電気光学ポリマーを用いた裏面垂直入射型プラズモニッ 〇蟻生 高人 1, 宮野 広基 1, 福井 太一郎 1, 野本 佳朗 2, 1. 東大院・工 , 2. 浜松ホトニクス（株）
ク光変調器の提案と解析
中野 義昭 1, 種村 拓夫 1
17:45
奨 22p-A101-8 メタマテリアルを用いたキラル分子構造の高感度センシ 〇松内 健晋 1, 木原 淳 1, 三澤 賢明 1, 田中 拓男 2, 3, 鶴 1. 岡大自然 , 2. 理研 , 3. 徳島大
ング
田 健二 1
18:00		 22p-A101-9 表面プラズモン共鳴デバイスを用いた近接場光による光 〇楊 港 1, 鄭 サムエル 1, 嵐田 雄介 1, 赤田 圭史 1, 伊藤 1. 筑波大学数理触媒反応
良一 1, 藤田 淳一 1
18:15		 22p-A101-10 非ブラベ格子による近赤外領域での BIC モード制御〇村井 俊介 1, Abujetas Diego R.2, Liu Libei1,
1. 京大院工 , 2.Fribourg U., 3.Eindhoven U.Tech., 4.
Castellanos Gabriel W.3, Giannini Vincenzo4,
IEM-CSIC
4
1
3
Sánchez-Gil José A , 田中 勝久 , Gómez Rivas Jaime
3.12 半導体光デバイス（旧 3.13）/ Semiconductor optical devices (formerly 3.13)
9/21(Wed.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場（Room C301）
9:00		 21a-C301-1 InP(311)B 基板を用いた低閾値 1.55 um 帯量子ドット〇松本 敦 1, 赤羽 浩一 1, 中島 慎也 1, 梅沢 俊匡 1, 山本 1. 情通機構
レーザ
直克 1, 菅野 敦史 1
9:15		 21a-C301-2 GaAs 基板上 1.3 μ m 帯 GaInAs/GaAsSb/GaInAs ” W”
〇冬木 琢真 1, 呉 剛志 1, 井上 大輔 1, 吉永 弘幸 1, 江川 1. 住友電工 伝送デバイス研 , 2.NAsP III/V GmbH型 Type-II 量子井戸レーザ
満 1, 石塚 貴司 1, 吉本 晋 1, Peter Ludewig2, Ada
Bäumner2, Antje Ruiz Perez2, Wolfgang Stolz2
9:30		 21a-C301-3 直接貼付 InP/Si 基板上 GaInAsP SCHーMQW レーザの井 〇矢田 涼介 1, 阿形 幸二 1, 伊藤 慎吾 1, 趙 亮 1, 青木 彩 1. 上智大工
戸層厚と閾値電流密度に関する検討
絵 1, 下村 和彦 1
9:45		 21a-C301-4 直接貼付 InP/Si 基板のボイドによる導波損失の数値計算 〇 (M2) 趙 亮 1, 阿形 幸二 1, 伊藤 慎吾 1, 矢田 涼介 1, 1. 上智大学
下村 和彦 1
10:00		 21a-C301-5 MOVPE 法で作製した InAs/GaSb 超格子の中赤外領域に 〇岩切 優人 1, 荒井 昌和 1, 藤澤 剛 2, 前田 幸治 1
1. 宮崎大工 , 2. 北大情報科学研
おける広域発光10:15		休憩 /Break【CS.5】3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）、3.12 半導体光デバイス（旧 3.13）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.10 & 3.12
10:30		 21a-C301-6

10:45

E 21a-C301-7

DFB 及び DBR レーザ用回折格子の深堀エッチングの検討〇 (M2) 勝原 龍海 1, 矢吹 諒太 1, へインサル シーム 1, 1. 早稲田大基幹理工 , 2. 情報通信研究機構
葛 治平 1, 松本 敦 2, 赤羽 浩一 2, 松島 祐一 1, 石川 浩 1,
宇高 勝之 1〇(DC)Liang Dong1, Xiaodong Gu1, Fumio Koyama1 1.Tokyo Tech

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

1060nm Single-mode Bottom Emitting VCSEL Array for
Multi-core Fiber Co-packaged Optics Transceivers
11:00
E 21a-C301-8 Characteristic Analysis of Isolation of Lateral-Electric〇 (M2)Pengjun Yu1, Kairi Atsugi1, Jinkwan Kwoen2, 1.Waseda Univ, 2.Univ. of Tokyo
Field Electro-Absorption Modulator in GaAs by Proton
Yuichi MATSUSHIMA1, kou Ishikawa1, Yasuhiko
Bombardment
Arakawa2, Katsuyuki Utaka1
11:15		 21a-C301-9 InP 系マイクロリングレーザにおける結合長と発振特性 〇綱島 健太 1, 川原井 カノン 1, 清水 大雅 1
1. 農工大の関係の評価11:30		 21a-C301-10 カオス共振器の変形が共振周波数の統計分布に与える影 〇福嶋 丈浩 1
1. 岡山県立大情報工響
9/21(Wed.) 13:30 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場（Room C301）
13:30		 21p-C301-1 InAs/GaSb 超格子の PL 法と PR 法を用いた遷移エネル〇矢田部 龍彦 1, 迫田 理久 1, 荒井 昌和 1, 碇 哲雄 1, 福 1. 宮崎大
ギー評価
山 敦彦 1
13:45
奨 21p-C301-2 近赤外域透明導電性酸化膜電極を用いた Ge ショットキー 〇 (DC) 石井 寛仁 1, 2, 張 文馨 2, 石井 裕之 2, 鯉田 崇 2, 1. 東理大 , 2. 産総研
フォトダイオードの光応答特性
藤代 博記 1, 前田 辰郎 1, 2
14:00		 21p-C301-3 長方格子金属ホールアレイ付 SOI フォトダイオードの分 〇山本 竜爾 1, 佐藤 弘明 1, 2, 髙根 亮 1, 猪川 洋 1, 2
1. 静岡大院総合科学技術 , 2. 静岡大電子研
光感度特性における入射偏光依存性
14:15
E 21p-C301-4 Valley-selective excitations in TMD monolayer by ω +2 ω 〇 (PC)Arqum Hashmi1, Shunsuke Yamada1,
1.Kansai Photon Science Institute, National Institutes
pulsesKazuhiro Yabana2, Tomohito Otobe1
for Quantum Science and Technology (QST), Kizugawa,
Kyoto 619-0215, Japan, 2.Center for Computational
Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba 305-8577,
Japan
14:30
E 21p-C301-5 Design of LED based optical wireless power transmission 〇 (M2)Mingzhi Zhao1, Tomoyuki Miyamoto1
1.Tokyo Institute of Technology
system for increased transmission distance
14:45		休憩 /Break
15:00		 21p-C301-6 光無線給電向け CIGS 太陽電池の変換効率のレーザ照射 〇 (M1) 渋井 駿昌 1, 古賀 誠啓 1, 前田 太輝 1, 小牧 弘 1. 千葉工大 , 2. 出光興産
面積依存性
典 2, 冨田 仁 2, 中村 元志 2, 内田 史朗 1
15:15		 21p-C301-7 電解めっき白金黒触媒を担持した 3 接合Ⅲ -V 族太陽電池 〇 (M1) 高田 悠史 1, 藤田 凌太朗 1, 渋谷 大河 1, 太田 1. 千葉工大の水素生成反応
恵介 1, 内田 史朗 1
15:30		 21p-C301-8 Si 太陽電池に対する高光学密度半導体ナノ粒子膜の堆積 〇粟井 啓伍 1, 井筒 由紀 2, 梁 剣波 1, 2, 西村 悠陽 1, 金 1. 大阪市大工 , 2. 大阪公大工効果
大貴 1, 2, 沈 用球 2, 重川 直輝 1, 2
15:45		 21p-C301-9 円形外周電極をつけたレーザ受光用 InGaAsP 光電変換素 〇荒井 昌和 1, 櫛山 爽 1, 本村 優芽 1, 西岡 賢祐 1
1. 宮崎大工
子の評価
1
1
1
1
16:00		 21p-C301-10 GaInP/InGaAs/Ge 3 接合集光型太陽電池を用いた水分解 〇藤田 凌太朗 , 高田 悠史 , 渋谷 大河 , 升岡 礼人 , 1. 千葉工大
反応
内田 史朗 1
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P05-1
Si/CaF2 ヘテロ構造を用いた波長 1.6 µm 帯量子カスケー 〇鄭 源宰 1, 劉 龍 1, 齊藤 雅高 1, 松浦 耕洋 1, 杉山 裕 1. 東工大工学院
ドレーザの理論解析
汰 1, 渡辺 正裕 1
			 22p-P05-2
単結晶酸化ガリウム基板を正孔注入阻止層として用いた 〇峰尾 圭忠 1, 為村 成亨 1, 宮川 和典 1, 相原 聡 1, 杉山 1.NHK 技研 , 2. 東理大
電荷増倍膜接合型撮像デバイスにおける高感度撮像の実 睦 2, 難波 正和 1
現			 22p-P05-3
SiO2 膜形成時の Mg2Si-PD の分光感度特性〇今泉 尚己 1, 吉田 美沙 2, 津谷 大樹 2, 鵜殿 治彦 1
1. 茨城大学 , 2.NIMS【CS.5】3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）、3.12 半導体光デバイス（旧 3.13）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.10 & 3.12
9/22(Thu.) 9:15 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C101 会場（Room C101）
9:15
奨 22a-C101-1 InGaN 円偏光素子の実現に向けた Si3N4 メタサーフェス 〇村田 雄生 1, 戸田 晋太郎 3, 1, 藤原 康文 1, 中川 貴 1, 1. 阪大院工 , 2. 阪大電顕センター, 3. アルバック協働研の設計と作製市川 修平 1, 2
9:30		 22a-C101-2 フォトニック結晶レーザーの正弦波直接変調による短パ 〇森田 遼平 1, 井上 卓也 1, 石村 昇太 2, 西村 公佐 2, 鈴 1. 京大院工 , 2.KDDI 総合研究所 , 3. 早大理工ルス列発生
木 正敏 2, 3, De Zoysa Menaka1, 野田 進 1
9:45
奨 22a-C101-3 楕円空孔を有する InP 系二重格子フォトニック結晶レー 〇伊藤 友樹 1, 2, 河野 直哉 1, 2, 藤井 康祐 1, 2, 吉永 弘
1. 住友電工 , 2. 京大院工ザーの高出力動作
幸 1, 2, 藤原 直樹 1, 小笠原 誠 1, 田中 礼 1, 八木 英樹 1,
柳沢 昌輝 1, 吉田 昌宏 2, 井上 卓也 2, メーナカ デゾイ
サ 2, 石崎 賢司 2, 野田 進 2
10:00		 22a-C101-4 InP 高屈折率差格子と電気光学ポリマーを用いた垂直入 〇 (D) 福井 太一郎 1, 隅田 圭 1, 竹中 充 1, 高木 信一 1, 1. 東大院工射型光変調器の提案と数値解析
中野 義昭 1, 種村 拓夫 1
10:15		 22a-C101-5 UV-C 光検出センサ用の蛍光体含有ガラスの開発〇岩越 智也 1, 上田 直輝 1
1. 日本電気硝子株式会社
10:30		休憩 /Break
10:45
奨 22a-C101-6 多波長スローライト面発光レーザアレイを用いた非機械 〇冠者 駿助 1, 顧 暁冬 1, 小山 二三夫 1
1. 東工大未来研式光偏向器
11:00		 22a-C101-7 Si フォトニック結晶放射一方向性スローライトビームス 〇陶山 実之 1, 岡野 誠 2, Cong Guangwei2, 山本 宗1. 横国院工 , 2. 産総研
キャナの観測継 2, 山田 浩治 2, 馬場 俊彦 1
1
1
1
11:15		 22a-C101-8 フラッシュ照射およびビーム走査可能な複合変調フォト 〇 De Zoysa Menaka , 坂田 諒一 , 石崎 賢司 , 井上 1. 京大院工 , 2. ブルックマンテクノロジ , 3. スペースニック結晶レーザーを搭載した非機械式小型 3 次元
卓也 1, 峯山 佳之 3, 赤堀 知行 2, 青山 聡 2, 野田 進 1
ビュー
LiDAR の開発 (II)11:30		 22a-C101-9 熱光学制御 SLG 光ビームスキャナのドーピング濃度依存 〇山本 航平 1, 鉃矢 諒 1, 岡野 誠 2, Cong Guangwei2, 1. 横国大院工 , 2. 産総研性山本 宗継 2, 山田 浩治 2, 馬場 俊彦 1
11:45		 22a-C101-10 多点ビーム同時出射可能な複合変調フォトニック結晶〇石崎 賢司 1, 坂田 諒一 1, 井上 卓也 1, De Zoysa
1. 京大院工 , 2. ソニーセミコンダクタソリューションズ
レーザーの広 FOV・高効率動作の検討
Menaka1, 今村 陽 1, 小松原 望 1, 2, 前田 修 2, 山田 和
義 2, 中村 仁 2, 山口 圭治 2, 初田 蘭子 1, 野田 進 1
12:00
E 22a-C101-11 Modeling of Surface Grating-loaded VCSEL for Vertical〇 Chang Ge1, Xiaodong Gu1, Fumio Koyama1
1.Tokyo Tech.
Emission
3.13 光制御デバイス・光ファイバー（旧 3.14）/ Optical control devices and optical fibers (formerly 3.14)
9/21(Wed.) 15:00 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) A406 会場（Room A406）
15:00		 21p-A406-1 ヘテロダイン検出時間分割多重 FBG センサーの自動計測 〇黒田 圭司 1
1. 北里大理
15:15		 21p-A406-2 多モード FBG におけるスペクトルパワーの温度依存変動 〇岸澤 知也 1, 野田 康平 1, 2, 李 ひよん 3, 中村 健太
1. 横浜国大 , 2. 東工大 , 3. 芝浦工大の抑制郎 2, 水野 洋輔 1
15:30
E 21p-A406-3 Analysis of a Quasi-periodic Bragg fiber having nonlinear 〇 (D)Chandan Singh Yadav1, Vivek Singh1
1.Dept. of Phys., Banaras Hindu Univ., Varanasi, UP,
material in Fibonacci Sequence
INDIA
1
1
1
1
15:45		 21p-A406-4 折り返しカスケード型チャープ長周期光ファイバグレー 〇福嶋 匡謙 , 岡野 真人 , 和田 篤 , 田中 哲 , 伊藤 文 1. 防衛大 , 2. 島根大
ティングを用いた EDF σレーザ型センサの偏波保持型共 彦 2
振器適用による特性改善
16:00
E 21p-A406-5 Development of Novel Active GRIN Fiber for Photonic〇(DC)Nilotpal Choudhury1, 2, Ranjan Sen1, Anirban 1.CSIR-CGCRI, 2.ACSIRApplications
Dhar1, 2
16:15		休憩 /Break
16:30		 21p-A406-6 光ファイバ中のモード間干渉に基づくリアルタイム温度 〇佐野 元基 1, 野田 康平 1, 2, 李 ひよん 3, 中村 健太
1. 横浜国大 , 2. 東工大 , 3. 芝浦工大
センシングの実証郎 2, 水野 洋輔 1

【CS.3】3.4 レーザー装置・材料（旧 3.5）、3.13 光制御デバイス・光ファイバー（旧 3.14）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.4 & 3.13

3 光・フォトニクス / Optics and Photonics

16:45

E 21p-A406-7

Characteristics of a Multimode-Single-mode-Multimode 〇 (D)Protik Roy1, Partha Roy Chaudhuri1
1.IIT Kharagpur
Fiber Concatenated Structure as Host of a Few All-fiber
Devices
17:00		 21p-A406-8 ブリルアン散乱光を用いた分布型光ファイバセンサにお 〇 (M1) 山田 圭吾 1, 齋藤 和也 1, 是枝 聡肇 2, 熊谷 芳 1. 豊田工大 , 2. 立命館大 , 3. 横河電機
ける構造緩和および応力緩和の影響
宏 3, 手塚 信一郎 3, 松浦 聡 3
17:15		 21p-A406-9 DSA-BOCDR による光損失の影響を受けない歪分布測定 〇 (B) 鈴木 之大 1, 捧 治紀 1, 野田 康平 2, 3, 中村 健太 1. 芝浦工大 , 2. 東工大 , 3. 横浜国大の実証郎 2, 水野 洋輔 3, 李 ひよん 1
9/23(Fri.) 9:00 - 10:15 口頭講演 (Oral Presentation) A406 会場（Room A406）
9:00		 23a-A406-1 中空コア非対称ビームコンバイナの設計〇山川 涼 1, 大嶋 佑介 1, 片桐 崇史 1
1. 富山大理工9:15		 23a-A406-2 kW クラスレーザーに使用する透過型液晶位相・偏光変 山本 武司 1, 〇 (PC) 吉木 啓介 2
1. オオアサ電子 , 2. 兵県大
換器の開発
9:30
奨 23a-A406-3 ガウシアンビーム反射のための共振器集積導波モード共 〇 (DC) 渡邉 明理 1, 小澤 桂介 1, 寺西 俊佑 1, 谷口 愛 1. 京都工繊大 , 2. 産総研
鳴ミラー
佳 1, 井上 純一 1, 金高 健二 2, 裏 升吾 1
9:45
奨 23a-A406-4 コプレーナ線路による磁気光学スイッチの高速スイッチ 〇矢島 駿 1, 西山 伸彦 1, 2, 3, 庄司 雄哉 1, 2
1. 東工大 , 2. 東工大 未来研 , 3.PETRA
ング
10:00		 23a-A406-5 光ビート法と半導体光増幅器の相互位相変調を用いたマ 〇林 駿弥 1, 上原 知幸 1, 辻 健一郎 1
1. 防衛大イクロ波信号生成と遠隔位相制御の偏光無依存化
9/23(Fri.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 23a-P02-1
DFB レーザーによる時間分割多重二波長差動検波 FBG〇 (M1C) 稲葉 初 1, 黒田 圭司 1
1. 北里大理
センシング
			 23a-P02-2
分散補償光ファイバにおけるラマン利得スペクトルの温 〇三田 幸輝 1, 中澤 克一郎 1, 野田 康平 1, 2, 李 ひよ
1. 横浜国大 , 2. 東工大 , 3. 芝浦工大
度依存性の解明ん 3, 中村 健太郎 2, 水野 洋輔 1
1
1
1, 2
3
			 23a-P02-3
比較的広い線幅を有する光源を用いた低コスト BOCDR: 〇尾崎 滉太 , 越智 星河 , 野田 康平 , 李 ひよん , 1. 横浜国大 , 2. 東工大 , 3. 芝浦工大
基礎検討中村 健太郎 2, 水野 洋輔 1
			 23a-P02-4
直接変調方式の BOCDR における空間分解能向上に関す 〇越智 星河 1, 尾崎 滉太 1, 野田 康平 1, 2, 李 ひよん 3, 1. 横浜国大 , 2. 東工大 , 3. 芝浦工大
る検討中村 健太郎 2, 水野 洋輔 1
			 23a-P02-5
反射率可変ミラーを用いたブリルアン散乱観測系の簡素 〇捧 治紀 1, 石田 玲奈 1, 野田 康平 2, 3, 中村 健太郎 2, 1. 芝浦工大 , 2. 東工大 , 3. 横浜国大化
水野 洋輔 3, 李 ひよん 1
			 23a-P02-6
感度領域制御可能なインライン Mach-Zehnder 干渉型温 〇趙 晨旭 1, 加藤 昭仁 1, 田川 拓夢 1, 中村 健太郎 2, 水 1. 芝浦工大 , 2. 東工大 , 3. 横浜国大
度センサの基本特性評価
野 洋輔 3, 李 ひよん 1
9/23(Fri.) 13:00 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) A406 会場（Room A406）
13:00		 23p-A406-1 光造形方式の 3D プリンタを用いたマルチコアプラス〇 (M2) 岡村 卓将 1, 二瓶 栄輔 1
1. 慶大院理工チック光ファイバの作製
13:15		 23p-A406-2 2 波長式色素ドープ膨潤性クラッド型 POF 湿度センサの 〇平井 佑人 1, 鈴木 裕 2, 森澤 正之 1
1. 山梨大院工 , 2. 東洋大理工
検討
1
2
1
13:30		 23p-A406-3 色素ドープ PVP クラッドを用いた漏れ導波路型 POF 湿 〇志村 優太 , 鈴木 裕 , 森澤 正之
1. 山梨大院工 , 2. 東洋大理工
度センサ
13:45
E 23p-A406-4 Hollow Core Photonic Crystal Fiber Sensor for Sensing
Wridheeman Bhattacharya1, 〇 (BC)Devansh
1.Indian Institute of Information Technology, Ranchi,
Hemoglobin and Water Component in Blood
Srivastava1, Ritu Raj Singh2, Nishit Malviya1
2.Netaji Subhas University of Technology, Delhi
14:00
E 23p-A406-5 Pseudo-disordered tellurite-based oxide fiber〇 (P)Jonathan deClermontGallerande1, Takenobu
1.TTI
1
1
1
Suzuki , Asuka Nakatani , Tong Hoan Tuan ,Yasutake Ohishi1
14:15		休憩 /Break
14:30		 23p-A406-6 二重変調法を用いた光相関領域反射計の測定レンジ延伸 〇 (M1) 坂本 真菜 1, 2, 宮前 知弥 1, 野田 康平 1, 3, 中村 1. 横浜国大 , 2. 芝浦工大 , 3. 東工大
健太郎 3, 李 ひよん 2, 水野 洋輔 1
14:45		 23p-A406-7 簡素化 OCDR におけるピーク分裂現象の解明〇清住 空樹 1, 宮前 知弥 1, 野田 康平 1, 2, 李 ひよん 3, 1. 横浜国大 , 2. 東工大 , 3. 芝浦工大
中村 健太郎 2, 水野 洋輔 1
15:00
E 23p-A406-8 Observation of Rayleigh scattering signal in AOM-free
Tomoya Miyamae1, 〇 (M2)Guangtao Zhu1, Kohei
1.YNU, 2.Tokyo Tech, 3.SIT
OCDR
Noda1, 2, Heeyoung Lee3, Kentaro Nakamura2,
1
Yosuke Mizuno
15:15
E 23p-A406-9 Demonstration of Electric Field Sensing using Fiber〇 (D)Isha Sharma1, Partha Roy Chaudhuri1
1.IIT Kharagpur
Cantilever Beam Deflection Configuration in Fiber Ring
Resonator Host
15:30		 23p-A406-10 2 連結ボトル共振器用いた液中オプトメカニカルプロー 〇浅野 元紀 1, 山口 浩司 1, 岡本 創 1
1.NTT 物性基礎研
バ【CS.3】3.4 レーザー装置・材料（旧 3.5）、3.13 光制御デバイス・光ファイバー（旧 3.14）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.4 & 3.13
9/22(Thu.) 16:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) A402 会場（Room A402）
16:45
奨 22p-A402-14 波長変換材料 LaBGeO5 の屈折率温度依存性精密測定〇加賀美 侑希 1, 中川 峻 1, 庄司 一郎 1
1. 中央大理工
17:00		 22p-A402-15 PPLN 導波路デバイスによる高効率波長変換の検討〇岸本 直 1, 逵本 吉朗 1, 和久井 健太郎 1, 藤原 幹生 1, 1. 情通機構
関根 徳彦 1
17:15		 22p-A402-16 擬似位相整合ニオブ酸リチウムを用いた全光学的ゲート 〇阿部 元気 1, 梅本 翔多郎 1, 宮内 亮一 1, 福地 裕 1
1. 東京理科大
スイッチの特性
1
1
1
1
17:30
奨 22p-A402-17 SiC 上高品質グラフェンを用いた全光型超高速光スイッ 〇日下 智貴 , 古部 昭広 , 片山 哲郎 , 岸川 博紀 , 大 1. 徳島大学
チ
野 恭秀 1, 永瀬 雅夫 1, 藤方 潤一 1
17:45
奨 22p-A402-18 µ-Transfer Printing を用いた Si-SiO2-Si スロット導波路の 〇 (M1) 里 亮介 1, 高 磊 2, 山本 宗継 2, Cong
1. 早大院理工 , 2. 産総研
作製Guangwei2, 山田 浩治 2, 北 智洋 1
1
1
1
1
18:00		 22p-A402-19 波長 1310nm における EO ポリマーの光安定性評価〇富成 征弘 , 山田 俊樹 , 梶 貴博 , 大友 明
1. 情通機構
18:15		 22p-A402-20 電気化学ドープされた酸化インジウムスズの三次非線形 〇犬飼 大樹 1, 岸田 英夫 1
1. 名大院工感受率3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧 3.15）/ Silicon photonics and integrated photonics (formerly 3.15)
9/21(Wed.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A205 会場（Room A205）
9:00
奨 21a-A205-1 集光共振器集積導波モード共鳴フィルタのレーザミラー 〇 (M2) 小澤 桂介 1, 上田 凌平 1, 谷口 愛佳 1, 渡邉 明 1. 京都工繊大 , 2. 産総研
兼入力結合機能
理 1, 寺西 俊佑 1, 井上 純一 1, 金高 健二 2, 裏 升吾 1
9:15		 21a-A205-2 BPCW 回折格子を用いた高効率なファイバカプラの検討 〇平 陸人 1, 伊藤 寛之 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大院工9:30		 21a-A205-3 Q 値 350 万をもつ CMOS 互換プロセスで作製されたナノ 〇 (M1) 桂 正晃 1, 太田 雄士 1, 三橋 凌太 2, 岡野 誠 3, 1. 大阪公大院工 , 2. 京都大院工 , 3. 産総研
3
3
3
2
2
共振器
大塚 実 , 関 三好 , 横山 信幸 , 浅野 卓 , 野田 進 , 高
橋 和1
9:45		 21a-A205-4 ナノピクセル構造を集積したハイメサ導波路の形成〇嶋村 雄太 1, 桒畑 亮太 1, 山内 健生 1, 田部井 哲夫 2, 1. 九州大総合理工 , 2. 広島大ナノデバイス研姜 海松 1, 浜本 貴一 1
10:00		 21a-A205-5 1 次元トポロジカルフォトニック結晶構造をベースとし 〇岡山 秀彰 1, 太縄 陽介 1, 志村 大輔 1
1. 沖電気た屈折率光センサの検討
10:15		休憩 /Break
10:30		 21a-A205-6 シリコンフォトニクス光相関器を用いたパルス振幅・位 〇近藤 圭祐 1, 大嶋 広樹 1, 杉原 興浩 1
1. 宇大院
相再生デバイス1
1
1
10:45		 21a-A205-7 シリコンフォトニクス光相関器を用いたパルス振幅・位 〇大嶋 広樹 , 近藤 圭祐 , 杉原 興浩
1. 宇大院
相再生の動作実証4.8 Optica Special Lecture
11:00

奨 21a-A205-8

シリカトロイド微小共振器と結合したカーボンナノ
チューブの超狭線幅フォトルミネッセンス
CAM-ES に基づく小型低損失 2 × 2 カプラの設計

4 JSAP-Optica-SPP Joint Symposia 2022

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
4.8 Optica Special Lecture
9/21(Wed.) 13:30 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
13:30 招 E 21p-C302-1 [Optica President Special Lecture]
Unsupervised learning of optical and spectroscopicdata
14:30		休憩 /Break
14:45 招 E 21p-C302-2 [Optica Vice President Special Lecture]
Squeezed light and interferometric sensitivity
4.1 Plasmonics and Nanophotonics
9/20(Tue.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C304 会場（Room C304）
9:00 招 E 20a-C304-1 [INVITED]
Atomic-Scale Optical Spectroscopy at Surfaces
9:30 招 E 20a-C304-2 [INVITED]
Accelerating spontaneous Raman microscopy
10:00
E 20a-C304-3 Analyzing Strain and Doping in Monolayer Graphene
Wrinkles by Tip-Enhanced Raman Spectroscopy
10:15 奨 E 20a-C304-4 Facile fabrication of Aluminum-black silicon nano-eggs
structure over large area for deep-UV surface-enhanced
resonance Raman spectroscopy〇 Satoshi Kawata1, 2

1.President, Optica, 2.Nanophoton, Founder andChairman〇 Gerd Leuchs1, 2

1.Vice President, Optica, 2.Max Planck Institute for
the Science of Light in Erlangen〇 Takashi Kumagai1〇 Yasuaki Kumamoto

1.IMS
1

1.Osaka Univ.

〇 (PC)Maria Balois1, Norihiko Hayazawa1, 2, Satoshi 1.Photon Team, RIKEN, 2.SISL, RIKEN, 3.JAEA,
Yasuda3, Takuo Tanaka1, 4
4.Mets Lab., RIKEN〇 (M2)Bowei Lin1, Yi-Hsin Tai1, Yang-Chun Lee1, 1.The Univ. of Tokyo
Di Xing1, Hsin-Chang Lin1, Hiroyasu Yamahara1,
Ya-Lun Ho1, Hitoshi Tabata1, Hirofumi Daiguji1,
Jean-Jacques Delaunay1

4 JSAP-Optica-SPP Joint Symposia 2022

〇 (M1) 木下 琴美 1, 徳永 怜 1, 今村 陸 1, 長島 圭吾 1, 1. 慶大理工 , 2. 慶大スピン研
今福 諒平 1, 中川 鉄馬 1, 田邊 考鈍 1, 牧 英之 1, 2
11:15
奨 21a-A205-9〇 (D) 宮武 悠人 1, トープラサートポン カシディッ 1. 東大院工ト 1, 高木 信一 1, 竹中 充 1
11:30
奨 21a-A205-10 曲がり方向性結合器を用いた量子ドットハイブリッド波 〇岩永 吉祥 1, 益田 航 1, 松本 敦 2, 山本 直克 2, 北 智 1. 早大理工 , 2. 情報通信研究機構
長可変レーザ洋1
9/21(Wed.) 13:00 - 18:45 口頭講演 (Oral Presentation) A205 会場（Room A205）
13:00
招 21p-A205-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇相馬 豪 1, 野本 佳朗 2, 梅沢 俊匡 3, 吉田 悠来 3, 中野 1. 東大院工 , 2. 浜松ホトニクス , 3. 情報通信研究機構
メタサーフェスを用いたストークスベクトル受信器の実 義昭 1, 種村 拓夫 1
証
13:15		 21p-A205-2 Si フォトニクスフル集積 FMCW LiDAR チップの環境光 〇鎌田 幹也 1, 玉貫 岳正 1, 鉄矢 諒 1, 伊藤 寛之 1, 阿部 1. 横国大院工耐性
紘士 1, 倉橋 諒 1, 馬場 俊彦 1
13:30		 21p-A205-3 Si フォトニック結晶光偏向器のビームコリメート用プリ 〇窪田 陸 1, 鎌田 幹也 1, 鉄矢 諒 1, 玉貫 岳正 1, 馬場 俊 1. 横国大理工
ズムレンズ ( Ⅶ )彦1--- 高 NA・薄型 設計 と 2 枚 組設計 --13:45		 21p-A205-4 ラダースロット導波路型 Si 有機ポリマハイブリッド高速 〇阿部 峻佑 1, 2, 原 英生 2, 増田 伸 2, 山田 博仁 1
1. 東北大院工 , 2. アドバンテスト研
変調器の設計14:00 奨 E 21p-A205-5 Numerical analysis of III-V MOS optical modulator with 〇 (D)Tipat Piyapatarakul1, Hanzhi Tang1, Kasidit
1.Univ. of Tokyo
graphene transparent electrode for efficient phase
Toprasertpong1, Shinichi Takagi1, Mitsuru Takenaka1
modulation
14:15
奨 21p-A205-6 64 Gbps Si フォトニック結晶光変調器の変調効率改善〇川原 啓輔 1, 鎌田 幹也 1, 雛倉 陽介 1, 岡野 誠 2,
1. 横国大院工 , 2. 産総研
Cong Guangwei2, 山本 宗継 2, 山田 浩治 2, 馬場 俊彦 1
1
1
1
1
14:30		 21p-A205-7 マッハ・ツェンダ型シリコン光変調器の個別アーム吸収 〇村尾 覚志 , 牛田 淳 , 高橋 博之 , 徳島 正敏 , 椎名 1.PETRA
損失測定手法に対するアーム間分岐比ずれの影響検討
明美 1, 堀川 剛 1
14:45		休憩 /Break
15:00
奨 21p-A205-8 光行列 - 行列演算回路の提案〇唐 睿 1, 岡野 誠 2, トープラサートポン カシディッ 1. 東大院工 , 2. 産総研
ト 1, 高木 信一 1, 竹中 充 1
15:15		 21p-A205-9 光ニューラルネットワークに向けた III-V 族半導体薄膜〇高橋 直樹 1, 方 偉成 1, 岡田 祥 1, 大礒 義孝 1, 雨宮 智 1. 東工大工 , 2. 科技創研
レーザを用いた光活性化関数 (ReLU) の提案
宏 1, 2, 西山 伸彦 1, 2
15:30		 21p-A205-10 Clements 型光行列演算回路による手書き数字認識〇池田 幸平 1, 2, 北 翔太 1, 2, 野崎 謙悟 1, 2, 高田 健太 1, 2, 1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性研 , 3.
青山 一生 3, 鈴木 恵治郎 4, 前神 有里子 4, 大野 守史 4, NTT CS 研 , 4. 産総研
コン グアンウェイ 4, 山本 宗継 4, 山田 浩治 4, 新家 昭
彦 1, 2, 澤田 宏 3, 納富 雅也 1, 2
15:45		 21p-A205-11 光行列演算回路の移相器におけるクロストークの解析〇北 翔太 1, 2, 池田 幸平 1, 2, 野崎 謙悟 1, 2, 高田 健太 1, 2, 1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性研
北林 博人 1, 2, 新家 昭彦 1, 2, 納富 雅也 1, 2
16:00
奨 21p-A205-12 プラズモン導波路受光器のための Au-InGaAs 合金の光学 〇 (M2) 中山 武壽 1, カシディット トープラサートポ 1. 東大工
特性評価
ン 1, 高木 信一 1, 竹中 充 1
16:15
奨 21p-A205-13 極薄 InGaAs を用いた高感度・低容量 Si スロットハイブ 〇赤澤 智熙 1, 呉 冬睿 1, 隅田 圭 1, 関根 尚希 1, 岡野
1. 東大院工 , 2. 産総研
リッド導波路受光器の実証
誠 2, トープラサートポン カシディット 1, 高木 信一 1,
1
竹中 充
16:30
奨 21p-A205-14 印加磁界極性反転による Ce:YIG 装荷非対称 MZI 形シリ 〇竹下 樹 1, 勝俣 直也 1, 沢柳 直希 1, 端山 喜紀 1, 中津 1. 神奈川工科大
コン細線導波路の波長特性シフト動作
原 克己 1, 武田 正行 1
16:45		休憩 /Break
17:00
奨 21p-A205-15 強誘電性液晶と Si リブ導波路を用いた MZI 形光スイッチ 〇内橋 一貴 1, 端山 喜紀 1, 中津原 克己 1, 武田 正行 1 1. 神奈川工科大の製作
17:15		 21p-A205-16 シリコンフォトニクス用 AlN 膜の低温反応性スパッタリ 〇 (M2) 福島 孝晃 1, Piedra Lorenzana Jose A.1, 飛沢 1. 豊橋技科大ング
健 1, 石川 靖彦 1
17:30
奨 21p-A205-17 導波路に向けた屈折率自由度を持つ SiON の成膜条件の 〇 (M2) 山口 圭太 1, Eissa Moataz1, 大礒 義孝 1, 雨宮 1. 東工大工 , 2. 東工大未来研 , 3.PETRA
検討
智宏 1, 2, 西山 伸彦 1, 2, 3
17:45		 21p-A205-18 異種材料集積光回路に向けた大気圧プラズマによる半導 〇日原 弘喜 1, Moataz Eissa1, 山口 圭太 1, 小野寺 広 1. 東工大工 , 2. 東工大科学技術創成研 , 3. 技術研究組合
体親水化の検討
夢 1, 大磯 義孝 1, 雨宮 智宏 1, 2, 沖野 晃俊 1, 2, 西山 伸 光電子融合基盤技研
彦 1, 2, 3
18:00		 21p-A205-19 Si 導波路ヒータにおける光照射時間と温度上昇の関係〇篠原 宏太 1, 太田 那菜 1, 清水 大雅 1
1. 東京農工大工
18:15		 21p-A205-20 リング共振器に作製した Si 導波路ヒータの共振特性と上 〇太田 那菜 1, 篠原 宏太 1, 清水 大雅 1
1. 東京農工大工
昇温度の考察18:30		 21p-A205-21 電気を一切使わない Si フォトニクス光－光制御デバイス 〇李 リュウ村 1, 玉貫 岳正 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大院工（III）
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P06-1
Ge-on-SOI 上のマイクロブリッジの作製と強い共振発光 〇小田島 綾華 1, 井上 貴裕 1, 我妻 勇哉 1, 池ヶ谷 玲
1. 都市大総研の観測
雄 1, 長尾 優希 1, 澤野 憲太郎 1
		E 22p-P06-2
Simulation of wavelength switching performance of〇 (M2)Han Zhou1, Siim Heinsalu1, Toju Sawa1,
1.Faculty of Science and Engineering for Waseda
arrayed-waveguide grating wavelength selective reflector Yuichi Matsushima1, Hiroshi Ishikawa1, Katsuyuki
University
on SOI platform
Utaka1

4.2 Photonics Devices, Photonic Integrated Circuit and Silicon Photonics
10:30

奨 E 20a-C304-5

ZnO: Ga Microdots Arrays for Mid-IR Plasmonic
Biosensing Platforms

10:45		11:00 招 E 20a-C304-6

休憩 /Break[INVITED]
Plasmonic waveguiding single-cell endoscopy

11:30

E 20a-C304-7

Narrowband absorption enhancement by bound states in
the continuum in silicon nanodisk array for NIR
photodetection
11:45
E 20a-C304-8 Towards diabetes detection from topography of driedsaliva drop with phase shifting interferometry
12:00
E 20a-C304-9 Development of enzyme based plasmonic optical fiber
biosensor for detection of pesticide
9/20(Tue.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) C304 会場（Room C304）
13:30 招 E 20p-C304-1 [INVITED]
Emerging Materials for Plasmonics in the Visible
Region: From Discovery to Application
14:00
E 20p-C304-2 Photoenergy Conversion of Graphene in Plasmonic
Nanocircuits Optoelectronic Systems
14:15
14:30

E 20p-C304-3
E 20p-C304-4

Dielectric Metalens with Trifocal Property
On-Chip Perovskite Nanocrystal Laser Integrated with
Long-Range Surface Plasmon Polariton Waveguide by
Etching-Free Lithographic Patterning

14:45

奨 E 20p-C304-5

Low threshold plasmonic lattice laser based on CsPbBr3
quantum dots with directional emission

15:00		15:15E 20p-C304-6
15:30

4 JSAP-Optica-SPP Joint Symposia 2022

15:45
16:00
16:15
16:30

16:45

17:00
17:15

休憩 /BreakEffect of Nanohole Periodicty on Responsivity of BiTe
Thin-film Photodetector
奨 E 20p-C304-7 Loss control with annealing and lattice Kerker effect insilicon metasurfaces
奨 E 20p-C304-8 High-Sensitivity Silicon Mie Resonators for
Refractometric Sensing
奨 E 20p-C304-9 Enhancement of photosensitizing activity of ruthenium
complex by resonant dielectric nanodisk array
E 20p-C304-10 Refractive index sensing via bound states in thecontinuum laser
E 20p-C304-11 Nonlinear Optical Response Analysis of Metallic
Nanostructures - A Relationship between Electron
Spill-out and 3rd-order Optical Nonlinearity-

E 20p-C304-12 Enhancement of Polar Kerr Magneto-Optical Effect inwide wavelength region using TiO2/Fe/Ag multilayer

system
E 20p-C304-13 Poynting Vector Analysis of SoI based Hybrid Plasmonic
Rectangular WaveguideE 20p-C304-14 Tailoring bound states in the continuum with Bravais/
non-Bravais lattices〇 (D)Shuting Ma1, Ikuya Ando1, Yuta Shimoda1,
1.The Univ. of Tokyo, 2.Utsunomiya Univ., 3.AIST
Hidehiko Yoda2, Yuya Sato1, Yuji Teramura3, Hitoshi
Tabata1, Hiroaki Matsui1
Qiang Zhang1, Wen Han1, Kenji Hirai1, Farsai

Taemaitree1, Tomoko Inose2, Wannes Peters3,
Beatrice Fortuni3, Susana Rocha3, Shuichi
Toyouchi4, Yasuhiko Fujira5, James Hutchison6, 〇Hiroshi Uji-i1, 2, 3
〇 Keisuke Moriasa1, Hiroaki Hasebe1, Hiroshi
Sugimoto1, 2, Minoru Fujii1

1.RIES, Hokkaido University, 2.iCeMS, Kyoto
University, 3.KU Leuven, 4.LAC-SYS, Osaka
Metropolitan University, 5.Toray Research Center,
Inc., 6.Melbourne University
1.Kobe Univ., 2.JST-PRESTO〇 (PC)Ipsita Chakraborty1, Hiroshi Kano1

1.Muroran IT〇 (DC)Tathagata Pal1, Ashish Shukla1, Soumyo

1.Indian Institute of Technology Bombay〇 Yu-Jung Lu1, 2

1.Academia Sinica, 2.National Taiwan Univ.

Mukherji1〇 (D)CHIA-HUNG WU1, 3, KUO-PING CHEN1, 2, 3 1.National Yang Ming Chiao Tung Univ., 2.Inst. of
Imaging and Biomedical Photonics, 3.College of
Photonics〇 (D)Chih-Chung Wang1, Jia-Han Li1
1.National Taiwan Univ.
〇 (P)Yangchun Lee1, Hsinchang Lin1, 2, Chengchieh 1.The Univ. of Tokyo, 2.Natl. Sun Yat-sen Univ., 3.Natl.
Lin3, 4, Yalun Ho1, Di Xing1, Muhsin Chen1, Bowei
Taiwan Univ., 4.Academia Sinica, 5.Natl. Yang Ming
Lin1, Liyin Chen5, Chunwei Chen3, 4, Jeanjacques
Chiao Tung Univ.
Delaunay1
Di Xing1, Cheng-Chieh Lin2, 3, 4, Ya-Lun Ho1,
1.The Univ. of Tokyo, 2.NTU-MST, 3.NTU-MSE,
Yang-Chun Lee1, 〇 (M2)MuHsin Chen1, Bo-Wei
4.Academia Sinica-TIGP, 5.NTU-AI-MAT
1
2, 3, 5
1
Lin , Chun-Wei Chen
, Jean-Jacques Delaunay〇 (M1)Toshinari Odaka1, Wakana Kubo1

1.Tokyo Univ. of Agri. and Technol.

〇 Liu Libei1, Feifei Zhang1, Shunsuke Murai1,

1.Kyoto Univ.

Katsuhisa Tanaka1〇 (D)Rongyang Xu1, Takahara Junichi1

1.Osaka Univ.

〇 (D)Hiroaki Hasebe1, Hiroshi Sugimoto1, 2, Minoru 1.Kobe Univ., 2.JST PRESTO
Fujii1〇 (M1)Chi-Wen Chen1, Kuo-Ping Chen1

1.NYCU, TAIWAN〇 Takashi Takeuchi1, Kazuhiro Yabana2, Yuki
Takeuchi1, 3, 4, Takuo Tanaka1, 5, 6

〇 Yuusuke Takashima1, 2, Masanobu Haraguchi2, 1,
Yoshiki Naoi1, 2〇 (D)Shalini Vardhan1, Ritu Raj Singh1

1.RIKEN Cluster for Pioneering Research, 2.Cent. forComp. Sci., Univ. of Tsukuba, 3.Grad. Sch. of Nat. Sci.
and Tech., Okayama Univ., 4.JSPS Research Fellow,
5.RIKEN Center for Advanced Photonics, 6.Institute of
Post-LED Photonics, Tokushima Univ.
1.Tokushima Univ., 2.pLED, Tokushima Univ.

1.Netaji Subhas University of Technology, Delhi〇 Shunsuke Murai , Diego R Abujetas , Libei Liu ,1.Kyoto Univ., 2.Fribourg U., 3.Eindhoven U.Tech.,Gabriel W. Castellanos3, Vincenzo Giannini4, Jose A 4.IEM-CSIC
Sanchez-Gil4, Katsuhisa Tanaka1, Jaime Gomez
Rivas31

2

1

4.2 Photonics Devices, Photonic Integrated Circuit and Silicon Photonics
9/21(Wed.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) C304 会場（Room C304）
9:00 招 E 21a-C304-1 [INVITED]〇 Ranjan Singh1
1.Nanyang Technological Univ.
Silicon Terahertz Topological Photonic Devices for 6G
communications
9:30
E 21a-C304-2 Formation of heterocavity by deposition of hexagonal〇 (P)CheeFai Fong1, 2, Daiki Yamashita2, Nan Fang1, 1.CPR, RIKEN, 2.RAP, RIKEN, 3.MANA, NIMS,
boron nitride flake on photonic crystal waveguide
Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe4, Yuichiro
4.RCFM, NIMS
Kato1, 2
9:45
E 21a-C304-3 Optical Properties of Glass Governed by the Topological 〇 (D)Katelyn Alyssa Kirchner1, 2, Yongjian Yang1,
1.Penn State Univ., 2.Hokkaido Univ. RIES, 3.JASRI,
Fluctuations
Yasuhito Tanabe2, Masaya Fujioka2, Hiroaki
4.NIMS, 5.AGC Inc.
Yamada3, Koji Ohara3, Shinji Kohara4, Junji Nishii2,
John C. Mauro1, Madoka Ono2, 5
10:00
E 21a-C304-4 TE-mode Magneto-optical Isolator Based on An〇 (D)Shuyuan Liu1, Yuya Shoji1
1.Tokyo Tech.
Asymmetric Microring
10:15
E 21a-C304-5 Tailorability of Power Splitting Ratio in a Cuboidal〇 (BC)Devansh Srivastava1, Wridheeman
1.Indian Institute of Information Technology, Ranchi,
Silicon-on-Insulator based Power Splitter
Bhattacharya1, Ritu Raj Singh2, Nishit Malviya1
2.Netaji Subhas University of Technology, Delhi
10:30		休憩 /Break1
2
10:45
E 21a-C304-6 Comparative Analysis of Optimized SoI rectangular andVineet Tiwari , Devansh Srivastava , 〇 (D)Shalini
1.Netaji Subhas University of Technology, Delhi, 2.
slot waveguide based Phase Modulator
Vardhan1, Ritu Raj Singh1
Indian Institute of Information Technology, Ranchi
11:00
E 21a-C304-7 Oscillating optical fiber speckle patterns〇 Eric Fujiwara1, Carlos Suzuki1
1.UNICAMP
11:15
E 21a-C304-8 Amplification of Picosecond Pulses in Erbium-doped〇 (D)AASHISH KUMAR1, MOHD REHAN2,
1.IIT ROORKEE, INDIA, 2.IIT KHARAGPUR, INDIA
Tapered Fiber
VIPUL RASTOGI1
1
1
11:30
E 21a-C304-9 Cascaded Raman Scattering and Intermodal Four Wave
〇 (DC)Rudranil Chowdhury , Mohd Rehan ,1.IIT Kharagpur, India
Mixing in Graded-index Fiber Pumped in Normal
Shailendra Kumar Varshney1
Dispersion Regime

4.3 Lasers and laser materials processing
9/21(Wed.) 13:30 - 15:15 口頭講演 (Oral Presentation) C304 会場（Room C304）
13:30 招 E 21p-C304-1 [INVITED]
High-speed dynamic-single-mode-operation of
hybrid-modulation semiconductor lasers
14:00
E 21p-C304-2 Epitaxial Electro-optical Thin Film and Fabrication of EO
Waveguide Modulator
14:15
E 21p-C304-3 A strong electro-optically active ferroelectric thin-film
integrated on silicon
14:30
E 21p-C304-4 Room-temperature Electroluminescence from
Germanium-on-Insulator Edge-Emitting Waveguide
Diodes
14:45
E 21p-C304-5 Electrically-Injected Mid-infrared GeSn Edge-Emitting
Waveguide Diodes
15:00
E 21p-C304-6 Increasing Photoluminescence from GeSn alloys using
Microwave Annealing
4.3 Lasers and laser materials processing
9/23(Fri.) 9:30 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
9:30 招 E 23a-C205-1 High Power, High Brightness Microchip Lasers andTheir Applications
10:00
E 23a-C205-2 Temporal characterization of gigawatt isolated attosecond
pulses with the overall all-optical FROG-CRAB
10:15
E 23a-C205-3 Numerical simulation on diffraction imaging withattosecond sources

10:30

E 23a-C205-4

10:45

E 23a-C205-5

Dynamics of all-optical three-dimensional molecularorientation with a linearly polarized fundamental pulse
and an elliptically polarized second harmonic pulse
Development of optical clock with low timing jitter forphotonic ADC〇 Hiroshi Yasaka1, Kaori Uchiyama1, 2, Takumi
Shima1, 2, Nobuhide Yokota1〇 (M1C)Futa Uemura1, Jiawei Mao1, Shiyoshi
Yokoyama1〇 (DC)Mao Jiawei1, Futa Uemura1, Shiyoshi1

Yokoyama1〇 (M1)Bo-Rui Wu1, Po-Lun Yeh1, Guo-En Chang1

1.Research Institute of Electrical Communication(RIEC), Tohoku University, 2.Graduate School ofEngineering, Tohoku University
1.Kyushu University IGSES
1.Kyushu Univ.
1.National Chung Cheng Univ.

〇 (M1)Lung-Yi Hsu1, Yi-Wei Peng1, Chen-Wei Wu1, 1.National Chung Cheng Univ.
Guo-En Chang1〇 (M2)Yue-Tong Jheng1, Guo-En Chang1
1.National Chung Cheng Univ.

〇 Takunori Taira1, 2

1.RIKEN, 2.IMS〇 Bing Xue1, Katsumi Midorikawa1, Eiji J.

1.RIKEN

Takahashi1〇 Giang Nhan Tran1, 2, Bing Xue1, 2, Katsumi

Midorikawa2, Eiji J. Takahashi1, 3〇 Maruf Hossain1, 2, Nanse Esaki1, Hirofumi Sakai1〇 (M2)Siva Subramaniyam Chandrasekar
Natarajan1, Karamdeep Singh1, Balaji Srinivasan1,

1.Ultrafast Coherent Soft X-ray Photonics Research
Team, RIKEN Center for Advanced Photonics, RIKEN,
2.Attosecond Science Research Team, RIKEN Center for
Advanced Photonics, RIKEN, 3.Extreme Laser Science
Laboratory, RIKEN Cluster for Pioneering Research,
RIKEN
1.Univ. Tokyo, 2.IBM Res. Tokyo

1.IIT Madras

Deepa Venkitesh1
Single Event Upset Induced by Femtosecond Pulse Laser Pei-Kai Liao1, Yu-Lin Chen1, 〇 (M1)Shih-Bo Yu1,
1.Nat'l Taiwan Univ.
on Digital Circuits
Hsin-Shu Chen1, Jia-Han Li1
9/23(Fri.) 13:15 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
13:15 招 E 23p-C205-1 [INVITED]〇 Keiichi Nakagawa1
1.Tokyo Univ.
Single-shot imaging technique for monitoring ultrafast
laser-matter interactions
13:45 奨 E 23p-C205-2 Parametric dependence of laser induced damage threshold 〇 (P)Prachi Venkat1, Tomohito Otobe1, 2
1.KPSI (QST), 2.UT-PSC
in silicon
14:00
E 23p-C205-3 Laser Near-Field Reduction of Metallic Ions for the〇 (P)Shi Bai1, Kotaro Obata1, Koji Sugioka1
1.RAP, RIKEN
Fabrication of Plasmonic Superstructure Arra
14:15 奨 E 23p-C205-4 Ultrahigh-definition microdot printing of gold
〇 Haruki Kawaguchi1, Kanta Takahashi1, Rong Wei1, 1.Chiba Univ., 2.Hokkaido Univ., 3.Osaka Metropol.
nanoparticles with optical vortex induced forward transfer Keisaku Yamane2, Ryuji Morita2, Ken-ichi Yuyama3, Univ., 4.Osaka Univ., 5.MCRC, Chiba Univ.
Satoyuki Kawano4, Katsuhiko Miyamoto1, 5, Nobuyuki
Aoki1, 5, Takashige Omatsu1, 5
14:30
E 23p-C205-5 Fabrication of twisted microstructures and microparticles 〇 Daisuke Nakamura1, Tsubasa Fujimoto1, Syungo 1.Kyushu Univ.
by optical vortex pulse
Yazutsu1, Kazutaka Horinouchi1, Mitsuhiro
Higashihata1, Hiroshi Ikenoue1
14:45		休憩 /Break
15:00 招 E 23p-C205-6 [INVITED]〇 Francois Courvoisier1, 2, Benoit Morel1, 2,
1.CNRS FEMTO-ST, 2.Univ. Bourgogne Franche
Generation of high-aspect ratio, dense nano-plasmas Pierre-Jean Charpin1, 2, Mostafa Hassan1, 2, Kazem Comtein solid dielectrics with femtosecond Bessel beams
Ardaneh1, 2, Valeria Viviana Belloni1, 2, Remi
Meyer1, 2, Luca Furfaro1, 2, Luc Froehly1, 2, Remo
Giust1, 2
15:30
E 23p-C205-7 Relationship of Pulse Energy and Number of Scans on〇 Daniela Serien1, Koji Sugioka2, Aiko Narazaki1
1.AIST, 2.RIKEN
Line Segment Length for Protein Printing by
Femtosecond Laser Direct Write
15:45
E 23p-C205-8 AFM Detection of Vibration Propagation in a Protein〇 (D)Po-Wei Yi1, 2, Yuka Tsuri1, Kazuki Inoue1,
1.NARA Inst. of Sci. and Tech., 2.National Yang Ming
Microcrystal Triggered by Femtosecond Laser Impulse
Teruki Sugiyama1, 2, Hiroshi Masuhara2, Yoichiroh
Chiao Tung Univ.
1
Hosokawa
16:00
E 23p-C205-9 Refractive index and aberration measurement of the〇 (M2C)Yu-Chi Ma1, Chia-Yu Chang1, Jia-Han Li1 1.National Taiwan Univ.
hydrogel biomaterials for artificial cornea and intraocular
lens
16:15
E 23p-C205-10 Multiple time-scales observation of femtosecond laser〇 (P)Yanming Zhang1, Yusuke Ito1, Huijie Sun1,
1.UTokyodrilling of zirconia ceramics
Naohiko Sugita1
16:30 招 E 23p-C205-11 The Recent Progress in High Power Fibre Lasers〇 Johan Nilsson1
1.Southampton Univ.
【CS.2】3.2 情報フォトニクス・画像工学（旧 3.3）、4.4 Information Photonics のコードシェア / Code-sharing Session of 3.2 & 4.49/20(Tue.) 13:30 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
13:30 招 E 20p-C205-1 [INVITED]〇 Wonshik Choi1, 2
1.Inst. for Basic Sci., 2.Korea Univ.
Deep optical imaging within complex scattering media
14:00
E 20p-C205-2 Digital Optical Phase Conjugation with Incoherent Light 〇 Ryoichi Horisaki1, Yohei Nishizaki2, Makoto
1.UTokyo, 2.ORIST, 3.Osaka Univ.
Naruse1, Jun Tanida3
1
2
14:15
E 20p-C205-3 LC-SLM based Polarization Driven Coded Apertures〇 (DC)Vipin Tiwari , Nandan Bisht
1.Department of Physics, Kumaun University, SSJ
campus Almora-263601, Uttarakhand (India), 2.
Department of Physics, Soban Singh Jeena University,
Almora-263601, Uttarakhand (India)
1
1
14:30
E 20p-C205-4 Automatic door locking and hand sanitization system〇 (B)PRIYANKA M , Dakshitha M , Bhukya
1.DEPT. OF ECE, SNIST, Hyderabad, INDIA
based on face mask detection
Manichandana1, Vikram Palodiya1, Syed Jahangir
Badashah1
14:45
E 20p-C205-5 A machine learning approach for simultaneous〇 (D)KOUSTAV DEY1, Vangety Nikhil1, Anirban
1.Nat. Inst. of Tech. WLmeasurement of temperature and strain using MSM
Majee1, Sourabh Roy1
15:00 招 E 20p-C205-6 [INVITED]〇 Yuichi Kozawa1, Tomoya Nakamura2, Yuuki
1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.SANKEN, Osaka Univ.
Wavefront Engineered Light-Needle Microscopy
Uesugi1, Shunichi Sato1
Utilizing Multiplexed Computer-Generated Holograms
11:00

E 23a-C205-6

4 JSAP-Optica-SPP Joint Symposia 2022

4 JSAP-Optica-SPP Joint Symposia 2022

【CS.6】Code-sharing Session of 4.5 Nanocarbon and 2D Materials & 17 Nanocarbon Technology
15:30		休憩 /Break
15:45
招 20p-C205-7 「講演奨励賞受賞記念講演」〇小林 史英 1, 宮田 将司 1, 曽我部 陽光 2, 橋本 俊和 1 1.NTT 先端集積デバイス研 , 2.NTT コンピュータ & デー
End-to-end 最適化したメタレンズを用いた圧縮スペクト
タサイエンス研
ル撮像系
16:00
奨 20p-C205-8 参照光パルスがイメージセンサーを照明する時間に基づ 〇 (M1) 山口 隆貴 1, 井上 智好 1, 2, 西尾 健三 3, 久保田 1. 京工繊大院工 , 2.( 独 ) 日本学術振興会 , 3. 京工繊大高
くディジタル light-in-flight ホログラフィーの時間分解能 敏弘 4, 粟辻 安浩 5度技術支援センター, 4.( 株 ) 久保田ホログラム工房 ,5. 京工繊大電気電子工学系
16:15
奨 20p-C205-9 TV ドラマの AR シーン撮影における光学シースルー型〇岸波 康平 1, 藤井 賢吾 1, 八杉 公基 1, 陶山 史朗 1, 原 1. 宇都宮大学 , 2. 宇都宮大学ものづくり創成工学セン
AIRR の活用
紳 2, 池澤 辰也 3, 山本 裕紹 1
ター, 3. 株式会社テレパック
16:30		 20p-C205-10 スペクトル符号化単一ファイバイメージングの空間分解 〇小池 亮 1, 大嶋 佑介 1, 片桐 崇史 1
1. 富山大理工
能限界
16:45		 20p-C205-11 単一アーム上の位相回復にもとづく散乱耐性ゴーストイ 〇槻 凌多 1, 深津 晋 1
1. 東京大院総合文化
メージング11
17:00		 20p-C205-12 光回折トモグラフィによる三次元屈折率分布の定量測定 〇小松 智昭 , 吉田 周平
1. 近畿大の検討
9/21(Wed.) 10:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
10:00 招 E 21a-C205-1 [INVITED]〇 Wen Qiao1
1.Soochow Univ.
Planar optics enables next-generation 3D displays
1, 2
1
3
10:30 奨 E 21a-C205-2 Complex Amplitude Demodulation Based on Deep
〇 (D)Jianying Hao , Xiao Lin , Ryushi Fujimura , 1.Fujian Normal Univ., 2.Tokyo Univ., 3.Utsunomiya
Learning in Holographic Data Storage
Yoshito Tanaka2, Soki Hirayama2, Xiaodi Tan1,
Univ.
Tsutomu Shimura2
10:45
E 21a-C205-3 Reduction of Periodic Noise Superimposed on the Surface 〇 Hikaru Hamada1, Masayuki Yokota1
1.Shimane Univ.
Profile Obtained by Two-Wavelength FMCW-Digital
Holography
11:00
E 21a-C205-4 Multiplane Two-photon Imaging using Diffractive Optical 〇 Xiangyu Quan1, Osamu Matoba1
1.Kobe Univ.
Elements
1
1
11:15
E 21a-C205-5 The bounds of geometric phase in an achromatic phase〇 Luis Garza-Soto , Nathan Hagen , Yukitoshi
1.Utsunomiya Univ
shifter
Otani1
11:30 招 E 21a-C205-6 [INVITED]〇 Naru Yoneda1, Osamu Matoba1, Yusuke Saita2, 1.Kobe Univ., 2.Wakayama Univ.
Recent Progress of Motionless Optical Scanning
Takanori Nomura2
Holography【CS.6】Code-sharing Session of 4.5 Nanocarbon and 2D Materials & 17 Nanocarbon Technology
9/21(Wed.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
9:00 招 E 21a-C302-1 [INVITED]〇 Xuedan Ma1
1.Center for Nanoscale Materials, Argonne National
Developing Quantum Photon Sources from LowLaboratory, USA
dimensional Semiconductor Materials
9:30 奨 E 21a-C302-2 Polarized Thermal Emission from an Electrically Driven〇 Shinichiro Matano1, Hidenori Takahashi1,
1.Keio Univ., 2.Rice Univ., 3.Center for Spintronics
Aligned Carbon Nanotube Film
Natsumi Komatsu2, Yui Shimura1, Kenta Nakagawa1, Research Network, Keio Univ.
Junichiro Kono2, Hideyuki Maki1, 3
9:45 招 E 21a-C302-3 [INVITED]〇 Daichi Kozawa1, Xiaojian Wu2, Akihiro Ishii1, 3,
1.RIKEN RAP, 2.UMD, College Park, 3.RIKEN CPR,
Formation of Organic Color Centers in Air-Suspended Jacob Fortner2, Keigo Otsuka3, Rong Xiang4, 5, Taiki 4.Univ. Tokyo, 5.Zhejiang Univ., 6.Osaka Univ.
Carbon Nanotubes Using Vapor-Phase Reaction
Inoue4, 6, Shigeo Maruyama4, YuHuang Wang2,
Yuichiro K. Kato1, 3
10:15
E 21a-C302-4 Higher Moiré Excitonic States and its Dynamics in〇 (DC)Heejun Kim1, Kumpei Anio1, Keisuke
1.Inst of Advanced Energy, Kyoto Univ, 2.Research
Twisted MoSe2/WSe2 Heterostructure
Shinokita1, Wenjin Zhang1, Kenji Watanabe2, Takashi Center for Functional Materials, National Inst For
Taniguchi3, Kazunari Matsuda1
Materials Science, 3.International Center for Materials
Nanoarchitectonics, National Inst For Materials Science
10:30		休憩 /Break
1, 2
10:45 招 E 21a-C302-5 [INVITED]〇 Ryo Kitaura
1.NIMS, 2.Nagoya Univ.
Optical properties of lateral/vertical van der Waals
heterostructures
11:15
E 21a-C302-6 Quantization of mode shifts in nanocavities integrated〇 Daiki Yamashita1, Fang Nan1, Shun Fujii1, Keigo 1.RIKEN, 2.Univ. of Tokyo, 3.NIMS
with atomically thin sheets
Otsuka1, 2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3,
Kosuke Nagashio2, Yuichiro Kato1
11:30 招 E 21a-C302-7 [INVITED]〇 Il Jeon1, Han Young Woo2, Kyusun Kim1, Ziang
1.Sungkyunkwan Univ., 2.Korea Univ.
Homogeneously Miscible Fullerene inducing VerticalWu2, Jiye Han1
Gradient in Perovskite Thin-Film towards Highly
Efficient Solar Cells
12:00
E 21a-C302-8 Development of Tunable Nitrogen-Doped Single-Wall〇 (DC)Zhikai Li1, Toshihiko Fujimori1, 2, Hirotaka
1.Univ. of Tsukuba, 2.Sumitomo Electric Inst, Ltd
Carbon Nanotube Fibers
Inoue2, Momoko Sakai1, Samuel Jeong1, Takamasa
222
Onoki , Takeshi Hikata , Soichiro Okubo , Keishi
Akada1, Yoshikazu Ito1, Jun-ichi Fujita1
12:15
E 21a-C302-9 Zinc oxide on Silicon Wafer / Glass Slide Electrode〇 (M2)Melanie Cancino Merciales1, 2, 3
1.UP Visayas, 2.DLSU - Manila, 3.UP - Baguio
Deposited via Spray Pyrolysis for Glucose Sensing
Application
4.6 Terahertz Photonics
9/23(Fri.) 10:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C202 会場（Room C202）
10:00 招 E 23a-C202-1 [INVITED]〇 Elbert Chia1
1.Nanyang Technological Univ.
Controlling THz emission in topological materials
1, 2
10:30 招 E 23a-C202-2 [INVITED]〇 Keiichiro Shiraga
1.Kyoto Univ., 2.JST PRESTO
Water Dynamics in Cells Based on DielectricResponses in the Terahertz Region
11:00		休憩 /Break
11:15
E 23a-C202-3 Carrier dynamics in semi-insulating and low-temperature- 〇 (PC)Alexander Escobar De Los Reyes1, Jairrus
1.NIP, UP Diliman, 2.MSEP, UP Diliman
grown gallium arsenide photoconductive antenna devices Publico2, Ivan Cedric Verona1, John Paul Ferrolino2,
under above-bandgap and below-bandgap photoexcitation Vince Paul Juguilon1, Lourdes Nicole Dela Rosa1,
Hannah Bardolaza1, Neil Irvin Cabello1, Elmer
Estacio1
11:30 奨 E 23a-C202-4 Interfacial electric field and bandgap estimation on〇 Fumikazu Murakami1, Atsushi Takeo2, Abdul
1.ILE, Osaka Univ., 2.GSE, Osaka Univ.
GaN:Eu using laser terahertz emission microscopy
Mannan1, Yasufumi Fujiwara2, Masayoshi Tonouchi1
11:45
E 23a-C202-5 Sensitive terahertz emission response from the Si surface 〇 (D)Dongxun Yang1, Abdul Mannan1, Fumikazu
1.Osaka Univ.
with buffered hydrogen fluoride treatment by terahertz
Murakami1, Masayoshi Tonouchi1
emission spectroscopy (TES)4.7 Quantum Optics and Nonlinear Optics
9/23(Fri.) 13:30 - 16:00
13:30 招 E 23p-C202-1

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
6.1 強誘電体薄膜 / Ferroelectric thin films
9/20(Tue.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B103 会場（Room B103）
9:00
E 20a-B103-1 Dielectric Properties of BaxSr1 − xTiO3 (x = 0.5) Epilayer
Transferred on PET Substrate
9:15
奨 20a-B103-2 水溶性犠牲層を用いた SrTiO3 (001) 基板上エピタキシャ
ル Pb(Zr,Ti)O3 膜の剥離
9:30 奨 E 20a-B103-3 Enhanced extrinsic contribution in the piezoelectric
response of epitaxial (K, Na)NbO3 films〇 (M2)RUI YU1, Lizhikun Gong1, Hiromichi Ohta2, 1.IST- Hokkaido Univ, 2.RIES-Hokkaido Univ, 3.
Tsukasa Katayama2, 3
JST-PRESTO〇 (M1C) 高橋 和大 1, 吉野 正人 1, 長﨑 正雅 1, 安井
1. 名大工 , 2. 東工大
伸太郎 2, 安原 颯 2, 山田 智明 1
〇 Xueyou Yuan1, Kazuki Okamoto1, Mitsuki
1.Nagoya Univ., 2.JASRI
Kawano1, Masahito Yoshino1, Takanori Nagasaki1,
Yasuhiko Imai2, Osami Sakata2, Tomoaki Yamada1
9:45		 20a-B103-4 エピタキシャル菱面体晶 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜における電気 〇近藤 真矢 1, 宇都宮 達基 1, 寺西 貴志 1, 2, 藤井 達
1. 岡大院 , 2. 東工大 , 3. 名大工
光学効果の組成依存性
生 1, 山田 智明 3, 岸本 昭 1
1, 2
1, 2
1, 2, 3, 4
10:00
奨 20a-B103-5 PZT エピタキシャル薄膜の Zr/Ti 比における機械的品質 〇國信 聡太 , 清水 祐樹 , 柳谷 隆彦
1. 早大先進理工 , 2. 材研 , 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST
Qm の依存性
10:15		 20a-B103-6 チタン酸バリウム微小粒子合成に与える原料濃度の影響 〇山口 正樹 1, 齋藤 敦史 1, 山本 孝 2
1. 芝浦工大 , 2. 大阪公立大10:30		休憩 /Break1
1
1
1
10:45		 20a-B103-7 (100)MgO 基板上に製膜した Ba(ZrxTi1-x)O3 の結晶構造と 〇高橋 良 , 江原 祥隆 , 濵嵜 容丞 , 澤井 眞也 , 安井 1. 防衛大 , 2. 東工大
誘電特性
伸太郎 2, 安岡 慎之介 2, 舟窪 浩 2, 西田 謙 1
11:00		 20a-B103-8 ガラス基板上における一軸配向 PZT 薄膜の組成制御によ 〇山崎 佑介 1, 横田 幸恵 1, 島 宏美 2, 舟窪 浩 3, 内田
1. 上智大 , 2. 防衛大 , 3. 東工大
る分極特性の改善
寛1
11:15		 20a-B103-9 水熱合成法で作製した PbTiO3 基エピタキシャル膜の結 〇 (M2) 胡 雨弦 1, 岡本 一輝 1, 舟窪 浩 1
1. 東工大晶構造及び特性評価
11:30		 20a-B103-10 局所 C-V マッピング法による強誘電体薄膜のナノスケー 〇平永 良臣 1, 三村 和仙 2, 清水 荘雄 2, 舟窪 浩 2, 長 康 1. 東北大 , 2. 東工大ル分極反転ダイナミクスのクラスタ解析
雄1
11:45		 20a-B103-11 スパッタ法による Si 基板上エピタキシャル PZT 薄膜のア 〇原田 絃暉 1, 木村 剛基 1, 田中 清高 1, 權 相曉 1, 神野 1. 神戸大工
ニール効果
伊策 1
12:00		 20a-B103-12 In-situ XRD によるエピタキシャル (K,Na)NbO3 薄膜の圧 〇小川 零 1, 田中 清高 1, 權 相暁 1, 神野 伊策 1, 譚 賡 2, 1. 神戸大工 , 2. 大阪公立大 , 3. 高輝度光科学研究セン
電ひずみ観察
小金澤 智之 3
ター(JASRI)

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

口頭講演 (Oral Presentation) C202 会場（Room C202）[INVITED]〇 DaiSik Kim1, 2, Bamadev Das1, Mahsa Haddadi. 1.UNIST, 2.Seoul Nat'l Univ.
Waferlength sub-nanometer control of electromagnetic M1, Sunghwan Kim1
waves and quantum conductances
14:00 招 E 23p-C202-2 [INVITED]〇 Chiko Otani1, 2, Tomofumi Ikari1, 3, Yoshiaki
1.RAP, RIKEN, 2.Tohoku Univ., 3.Spectra Design
Development of 300 GHz Walk-through Body Scanner Sasaki1for Security Gate Applications using THz Radar
Technology
14:30		休憩 /Break
14:45
E 23p-C202-3 Experimental Observation of Relativistic Electron Impact 〇 Masato Ota1, Koichi Kan2, Verdad Agulto1,
1.ILE, Osaka Univ., 2.ISIR (SANKEN), Osaka Univ.
Ionization of a ZnTe Crystal
Mag-usara Valynn1, Wang Youwei1, Yasunobu
Arikawa1, Makoto Nakajima1
15:00 奨 E 23p-C202-4 Faster visualization of spatial distribution of reagents by〇 Kosuke Murate1, Yuki Torii1, Kodo Kawase1
1.Nagoya Univ.
multi-wavelength terahertz parametric generator
1
1
1
15:15 奨 E 23p-C202-5 Development of Efficient Terahertz Parametric Generator 〇 (D)Sota Mine , Mitsuki Abe , Kodo Kawase ,1.Nagoya Univ.
using Flat Pump beam
Kosuke Murate1
15:30 奨 E 23p-C202-6 Terahertz-range applications based on an asymmetric gate 〇 Chao Tang1, Koichi Tamura1, Akira Satou1, Victor 1.Tohoku Univ.
graphene field-effect transistor
Ryzhii1, Taiichi Otsuji1
15:45
E 23p-C202-7 Terahertz Wave Emission from Fe/Pt Spintronic Bilayer 〇(P)Miezel Legurpa Talara1, Dmitry Bulgarevich2, 1, 1.Res. Ctr. for Dev't. of Far-Infrared Region, Univ. ofwith Diabolo and Rectangular Antenna Structures
Kana Kobayashi1, Hideaki Kitahara1, Takashi
Fukui, Jpn, 2.Res. Ctr. for Structural Materials, NIMS,
Furuya1, Mary Clare Escano1, Makoto Watanabe2,
Tsukuba, Jpn
Masahiko Tani1
4.7 Quantum Optics and Nonlinear Optics
9/21(Wed.) 16:15 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
16:15 招 E 21p-C302-3 [INVITED]〇Ryuji Morita1, Keisaku Yamane1, Masato Suzuki1 1.Hokkaido Univ.
Ultrafast spatial mode modulation by using chirped
pulses of structured light
16:45
E 21p-C302-4 Direct generation of vector vortex modes from Pr3+: YLF 〇 Takuya Morohashi1, Srinivasa Rao Allam1, 2,
1.Chiba Univ., 2.MCRC
laser
Miyamoto Katsuhiko1, 2, Takashige omatsu1, 2
17:00 奨 E 21p-C302-5 Watt-level bottle beam generation from a self-Raman〇 (M1)Haruna Sugahara1, Yuanyuan Ma1, Andrew J 1.Graduate School of Engineering, Chiba Univ., 2.MQ
Nd:GdVO4 laser
Lee2, Helen M Pask2, Katsuhiko Miyamoto1, 3,
Photonics Research Centre, Macquarie Univ., 3.
Takashige Omatsu1, 3
Molecular Chirality Research Center
17:15 奨 E 21p-C302-6 Visible vortex Pr3+: water-proof fluoro-aluminate glass〇 yuto Yoneda1, Srinvasa Rao Allam2, Yasushi
1.CIT, 2.Chiba Univ.
fiber laser
Fujimoto1, Katsuhiko Miyamoto2, Takashige Omatsu2
17:30		休憩 /Break
17:45 奨 E 21p-C302-7 Galaxy surface relief formation in azo-polymers by petal〇 Arata Tomita1, Adam Valles1, 2, Katsuhiko
1.Chiba Univ., 2.ICFO
beams without orbital angular momentum
Miyamoto1, Takashige Omatsu1
18:00
E 21p-C302-8 Investigation and Optimisation of High Harmonics from 〇 (DC)Katarzyna Kowalczyk1, Hortense Allegre1,
1.ICL, UK
Wide Bandgap Dielectrics
Mary Matthews1
1
18:15 招 E 21p-C302-9 [INVITED]〇 Andrew Shields
1.Toshiba Europe Ltd
Integrated Photonics for Quantum Communications
18:45
E 21p-C302-10 Fundamental Study on Two-Photon Photoacoustic〇 (M2)Satoshi Hayashi1, Yoshihisa Yamaoka1
1.Saga Univ.
Microscopy with Spatial Overlap Modulation
9/22(Thu.) 9:00 - 10:30 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
9:00 招 E 22a-C302-1 [INVITED]〇 Yung-Fu Chen1, J. C. Tung1, H. C. Liang1, K. F.
1.Natl. Yang Ming Chiao Tung Univ.
Lasing modes for emulating quantum Green’ s
Huang1functions: Maximum entropy states
9:30 招 E 22a-C302-2 [INVITED]〇 Nobuyuki Matsuda1
1.Tohoku Univ.
Silicon photonics for quantum information andcommunication technologies
10:00 奨 E 22a-C302-3 Improvement of Squeezing using a Spatial Phase〇 Jorge Amari1, Junnosuke Takai1, Takuya Hirano1 1.Gakushuin Univ.
Modulator and Machine Learning
10:15
E 22a-C302-4 Quantum-enhanced stimulated Raman scattering imaging 〇 (D)Zicong Xu1, Kenichi Oguchi1, Yoshitaka
1.Univ. of Tokyoin a high-power regime
Taguchi1, Shun Takahashi1, Yuki Sano1, Takaha
Mizuguchi1, Kazuhiro Katoh1, Yasuyuki Ozeki1

【CS.7】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
9/20(Tue.) 13:30 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) B103 会場（Room B103）
13:30		 20p-B103-1 スパッタ法による Si 基板上への BiFeO3 エピタキシャル膜 〇高木 昂平 1, 藤村 紀文 1, 吉村 武 1

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfacesの作製Ⅱ
13:45		 20p-B103-2 Co 置換 BiFeO3 上への InSb 磁気センサ薄膜の製作
14:00
奨 20p-B103-3 マロン酸陽極酸化アルミナマスクを用いた BiFe0.9Co0.1O3
ナノドットの作製
14:15
奨 20p-B103-4 (110) 配向マルチフェロイック BiFe0.9Co0.1O3 薄膜の面内電場印加による強誘電性・強磁性ドメイン構造変化
14:30		 20p-B103-5 Mn ドープ BiFeO3 薄膜における膜厚方光起電力効果の温度依存性
14:45		休憩 /Break
15:00
招 20p-B103-6 「講演奨励賞受賞記念講演」
メモリ応用に向けた (Al, Sc)N 膜の薄膜化の検討

1. 阪公大院工〇 (D) 李 邱穆 1, 重松 圭 1, 2, 東 正樹 1, 2
〇 (M2) 長瀬 泰仁 1, 伊藤 拓真 1, 重松 圭 1, 2, 東 正
樹 1, 2〇伊藤 拓真 1, 重松 圭 1, 2, 東 正樹 1, 2

1. 東工大 フロンティア材料研 , 2.KISTEC
1. 東工大フロンティア材料研 , 2.KISTEC〇中嶋 誠二 1, 白根 僚人 1, 藤沢 浩訓 1

1. 兵庫県立大工1. 東工大フロンティア材料研 , 2. 神奈川県立産業総合研〇安岡 慎之介 1, 大田 怜佳 1, 岡本 一輝 1, 石濱 圭佑 1, 1. 東工大 , 2. 物材研 , 3.JST さきがけ , 4. 産総研 , 5.JASRI
清水 荘雄 2, 3, 角嶋 邦之 1, 上原 雅人 4, 山田 浩志 4, 秋
山 守人 4, 小金澤 智之 5, L. S. R. Kumara5, Okkyun
Seo5, 坂田 修身 5, 舟窪 浩 1
15:15		 20p-B103-7 スパッタ法で作製した (Al,Sc)N 薄膜中の不純物酸素の検 〇長谷川 浩太 1, 2, 清水 荘雄 2, 大澤 健男 2, 坂口 勲 1, 2, 1. 九大院総理工 , 2. 物材機構 , 3. 東工大
討
大橋 直樹 1, 2, 3
15:30
奨 20p-B103-8 水素ガス熱処理が (Al,Sc)N 薄膜の強誘電特性へ及ぼす影 〇 (PC) 岡本 一輝 1, 安岡 慎之介 1, 大田 怜佳 1, 舟窪 1. 東工大 物質理工学院 , 2. キャノンアネルバ株式会社
響
浩 1, 松井 尚子 2, 入澤 寿和 2, 恒川 孝二 2
15:45		 20p-B103-9 プラズマ酸化が AlScN/Si に及ぼす影響の AR-HAXPES に 〇堤 智也 1, 中田 弦 1, 桐原 芳治 1, 岡崎 樹 2, 保井 晃 3, 1. 都市大 , 2. 都市大総研 , 3. 高輝度光科学研究センター,
よる評価
角嶋 邦之 4, 三谷 祐一郎 1, 2, 野平 博司 1
4. 東工大16:00
奨 20p-B103-10 (Al1-x-yGaxScy)N 薄膜の結晶構造および強誘電性〇 (M2) 大田 怜佳 1, 安岡 慎之介 1, 岡本 一輝 1, 上岡 1. 東工大 , 2. 東ソー株式会社
2
2
2
1
義弘 , 楠瀬 好郎 , 召田 雅実 , 舟窪 浩
16:15		休憩 /Break
16:30
奨 20p-B103-11 ウルツ鉱型強誘電体薄膜における GHz 帯 kt2-E ヒステリ 〇石井 直輝 1, 2, 小林 栞 1, 2, 柳谷 隆彦 1, 2, 3, 4
1. 早稲田大 , 2. 材研 , 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST
シス特性
16:45
奨 20p-B103-12 基板付きの圧電薄膜と自立構造の圧電薄膜に対する 各種 〇関 崚 1, 2, 清水 祐樹 1, 2, 柳谷 隆彦 1, 2, 3, 4
1. 早大先進理工 , 2. 材研 , 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST
kt2 値評価法の比較
17:00
奨 20p-B103-13 20% を超える高い kt2 値の c 軸配向 Sc0.4Al0.6N 薄膜および 〇内田 拓希 1, 2, 清水 祐樹 1, 2, 鈴木 雅視 3, 高柳 真司 4, 1. 早大先進理工 , 2. 材研 , 3. 山梨大工 , 4. 同志社大生命医
高い k´352 値の c 軸傾斜配向 Sc0.4Al0.6N 薄膜
柳谷 隆彦 1, 2, 5, 6
科 , 5.JST-CREST, 6.JST-FOREST
17:15
奨 20p-B103-14 耐電力性向上を目的とした分極反転 ScAlN 薄膜ブラッグ 〇 (M1) 柴田 真之 1, 2, 柳谷 隆彦 1, 2, 3, 4
1. 早大先進理工 , 2. 材研 , 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST
反射共振子
17:30
奨 20p-B103-15 c 軸 10°傾斜配向 ZnO エピタキシャル薄膜の成長と擬似 〇岸 大貴 1, 2, 柳谷 隆彦 1, 2, 3, 4
1. 早大先進理工 , 2. 材研 , 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST
横波励振特性17:45		休憩 /Break
18:00
奨 20p-B103-16 (10-12)LiNbO3 スパッタエピ薄膜の GHz 帯擬似横波励振 〇工藤 慎也 1, 2, 柳谷 隆彦 1, 2, 3, 4
1. 早大先進理工 , 2. 材研 , 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST
特性
18:15
奨 20p-B103-17 【注目講演】柔粘性強誘電体ドメイン構造の電界変調イ 〇 (M1) 宮本 樹 1, 松岡 悟志 1, 原田 潤 2, 堤 潤也 3, 荒 1. 東大院工 , 2. 北大院理 , 3. 産総研
メージングと分極スイッチングのその場観察
井 俊人 1, 井上 悟 1, 長谷川 達生 1
18:30
奨 20p-B103-18 分極反転多層デバイスに向けた極性制御 MgZnO 圧電薄 〇島野 耀康 1, 2, 高柳 真司 3, 柳谷 隆彦 1, 2, 4, 5
1. 早大先進理工 , 2. 材研 , 3. 同志社大生命医科 , 4.
膜の作製
JST-CREST, 5.JST-FOREST
18:45
奨 20p-B103-19 (100)AgNbO3 エピタキシャル薄膜 /(100)STO 基板の〇浴田 航平 1, 2, 大森 拳 1, 2, 工藤 慎也 1, 2, 柳谷 隆
1. 早大先進理工 , 2. 材研 , 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST
GHz 帯超音波励振特性
彦 1, 2, 3, 4
9/21(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P15-1
希土類酸化物キャッピングによる Y:HfO2 キャパシタの信 〇水谷 一翔 1, 星井 拓也 1, 川那子 高暢 2, 宗田 伊理
1. 東京工業大学工学院 , 2. 東京工業大学 科学技術創成研
頼性改善也 1, 若林 整 1, 筒井 一生 2, 角嶋 邦之 1
究院 未来産業技術研究所
			 21p-P15-2
スパッタ条件が Al1-xScxN の格子歪や電気特性に及ぼす影 〇宮地 航平 1, 吉村 武 1, 萩原 拓永 1, 藤村 紀文 1
1. 阪公大院工響			 21p-P15-3
ALD 法により Ga2O3 基板上に作製した HfxZr1-xO2 薄膜の 〇内藤 圭吾 1, 山口 晃一 2, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1
1. 阪公大工院 , 2. 阪府大工
結晶化過程
			 21p-P15-4
P(VDF-TrFE) 薄膜による超音波センシングの検討〇平塚 一暉 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1
1. 阪公大院工			 21p-P15-5
Sc 添加 Ga Ｎ薄膜の強誘電性への Sc 濃度と温度の影響〇上原 雅人 1, 水谷 涼一 2, 安岡 慎之介 2, 清水 荘
1. 産総研 , 2. 東工大 , 3. 物材機構 , 4. さきがけ
雄 3, 4, 山田 浩志 1, 秋山 守人 1, 舟窪 浩 2
1
1
1
			 21p-P15-6
異なる結晶配向性を有する (K,Na)NbO3 膜のマイクロ波 〇酒井 利晋 , 横田 幸恵 , 内田 寛
1. 上智大加熱式水熱堆積【CS.7】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
13:30 奨 E 22p-A307-1 A Vertical Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET 〇 Zhuo Li1, Jixuan Wu1, Xiaoran Mei1, Xingyu
1.IIS., Univ. of Tokyo, 2.NAIST, 3.d.lab, Univ. of Tokyo
with ALD InOx
Huang1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1,
Takanori Takahashi2, Mutsunori Uenuma2, Yukiharu
Uraoka2, Masaharu Kobayashi1, 3
13:45		 22p-A307-2 Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density 〇李 卓 1, 武 继璇 1, 梅 潇然 1, 黄 星宇 1, 更屋 拓哉 1, 平 1. 東大生産研 , 2. 奈良先端 , 3. 東大システムデザインセ
Memory本 俊朗 1, 髙橋 崇典 2, 上沼 睦典 2, 浦岡 行治 2, 小林 正 ンター
治 1, 3
14:00		 22p-A307-3 異なる酸化剤を用いた原子層堆積法により作製した強誘 〇 (P) 女屋 崇 1, 2, 3, 生田目 俊秀 2, 長田 貴弘 2, 上田 茂 1. 産総研 , 2. 物材機構 , 3. 学振 PD, 4.UT Dallas, 5.
電体 HfxZr1 − xO2/TiN の構造評価
典 2, Jung Yong Chan4, Hernandez-Arriaga Heber4,
Brookhaven Nat. Lab., 6. 東大Mohan Jaidah4, Kim Jiyoung4, Nam Chang-Yong5,
Tsai Esther H. R.5, 喜多 浩之 6, 右田 真司 1, 太田 裕
之 1, 森田 行則 1
14:15		 22p-A307-4 HfO2-ZrO2 Laminate 構造が強誘電相生成をアシストする 〇右田 真司 1, 森田 行則 1, 浅沼 周太郎 1, 太田 裕之 1, 1. 産総研
メカニズム齊藤 雄太 1
14:30		 22p-A307-5 強誘電体キャパシタを用いた “負性容量” に関する考察 〇鳥海 明 1, 右田 真司 2
1. 自由業 , 2. 産総研
14:45		 22p-A307-6 “負性容量” を利用した FET の S ファクタ改善に関する考 〇鳥海 明 1, 右田 真司 2
1. 自由業 , 2. 産総研
察
15:00		 22p-A307-7 スパッタリング時の圧力による AlScN 膜への影響〇 (B) 時田 幸村 1, Tsai Sung-Lin1, 星井 拓也 1, 若林 1. 東工大工 , 2. 東工大科技創研
整 1, 筒井 一生 2, 角嶋 邦之 1
15:15		休憩 /Break
15:30		 22p-A307-8 強誘電性ノンドープ HfO2 薄膜形成における界面層厚の 〇田沼 将一 1, Joong-Won Shin1, 大見 俊一郎 1
1. 東工大院工低減と MFSFET の動作特性に関する検討
1
1
1
1
15:45		 22p-A307-9 強誘電性 HfNx 薄膜の形成と MFSFET の動作特性に関す 〇井出 明徳 , 田沼 将一 , 井原 爽生 , 大見 俊一郎
1. 東工大院工る検討
16:00 奨 E 22p-A307-10 Investigation of the etching process for Pt gate electrode 〇 (DC)JoongWon Shin1, Masakazu Tanuma1,1.Tokyo Inst. of Technol.
on the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped
Shun-ichiro Ohmi1
HfO2 thin films
16:15 奨 E 22p-A307-11 Demonstration of Ferroelectricity of 10 nm YHO7 Thin
〇 (D)ZHONGZHENG SUN1, Shurong Miao1,
1.Tokyo Tech
Film through Piezoelectric Force Microscopy
Hiroshi Funakubo1, Yutaka Majima1

6.2 カーボン系薄膜 / Carbon-based thin films
16:30

奨 22p-A307-12 HfO2-CeO2 膜の強誘電性の膜厚依存性

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces〇平井 浩司 1, 白石 貴久 1, 2, 山岡 和希子 3, 鶴丸 理沙 1. 東工大 , 2. 熊本大 , 3.TDK 株式会社
子 3, 井上 ゆか梨 3, 舟窪 浩 1
16:45		 22p-A307-13 アモルファス Hf1-xZrxO2/Si(001) の熱処理に伴う結晶化 〇高瀬 慶人 1, 藤尾 亮汰 1, 石丸 学 1, 右田 真司 2, 内田 1. 九工大 , 2. 産総研
と結晶構造
紀行 2
17:00		 22p-A307-14 正圧電応答顕微鏡法による HfO2 薄膜の分極ドメイン構 〇萩原 拓永 1, トープラサートポン カシディット 2, 1. 阪公大院工 , 2. 東大院工造の観察 Ⅱ高木 信一 2, 藤村 紀文 1, 吉村 武 1
17:15		 22p-A307-15 HfO2 系強誘電体キャパシタにおける絶縁破壊過程の非破 〇藤原 弘和 1, 糸矢 祐喜 2, 小林 正治 3, Bareille
1. 東大物性研 , 2. 東大生産研 , 3. 東大 d.lab, 4. 東大新領
壊観察 : オペランドレーザー励起光電子顕微鏡
Cédric4, 5, 辛 埴 5, 6, 谷内 敏之 4, 5
域 , 5. 東大 MIRC, 6. 東大特別教授室
17:30		 22p-A307-16 ITO 上部電極の堆積が (Hf,Zr)O ₂薄膜の結晶化へ及ぼす 〇 (M2) 尾内 惇平 1, 藤沢 浩訓 1, 中嶋 誠二 1
1. 兵庫県立大工影響
17:45		 22p-A307-17 アニール時電界印加が Hf0.5Zr0.5O2 強誘電体薄膜に与える 〇 (M1) 田中 将 1, 野田 実 1
1. 京工繊大影響
6.2 カーボン系薄膜 / Carbon-based thin films
9/21(Wed.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21a-P01-1
多結晶ダイヤモンドへのアルファ線照射による信号評価 〇増澤 智昭 1, 三宅 拓 1, 山田 貴壽 2, 中野 貴之 1, 都木 1. 静岡大 , 2. 産総研 , 3.ANSeeN
克之 3, 青木 徹 1, 3, 三村 秀典 1
			 21a-P01-2
ラマン分光法を用いた Si 基板上孤立ダイヤモンド単結晶 〇山崎 翔平 1, 萩原 大智 1, 塚本 貴広 1, 一色 秀夫 1
1. 電通大上の二次核評価1, 2
1
1
		E 21a-P01-3
Air damping effect on the quality factor of single-crystal
Yinling Chen , Liwen Sang , Yasuo Koide , Koizumi 1.National Institute for Material Science, 2.Shinshu
diamond MEMS resonators
Satoshi1, Xiaoxi Liu2, 〇 Meiyong Liao1
University		
E 21a-P01-4
Resistance clarification in hydrogen-terminated diamond 〇 Jiangwei LIU1, Hirotaka Oosato1, Bo Da1, Yasuo
1.NIMSMOSFETs
Koide11
11
			 21a-P01-5
NV センターを用いた有機シラン単分子膜中の核スピン 〇 (B) 三宅 悠斗 , 上田 優樹 , 大谷 和毅 , 津川 雅
1. 早大理工 , 2. 東北大 CIES
検出
人 1, 斎藤 大樹 1, 臼井 俊太郎 1, 品田 高宏 2, 谷井 孝
至1
			 21a-P01-6
水素終端ナノダイヤモンド中の NV センターの荷電状態 〇朴 相みん 1, 山口 陽大 1, 大島 武 2, 小野田 忍 2, 谷井 1. 早大理工 , 2. 量研
変化を介した水溶液中電位計測
孝至 1
			 21a-P01-7
水素フリーダイヤモンドライクカーボン薄膜に対する原 〇春山 雄一 1, 森本 大貴 1, 部家 彰 2, 住友 弘二 2, 豊田 1. 兵県大高度研 , 2. 兵県大工
子状水素照射量依存性
紀章 2, 伊藤 省吾 2
			 21a-P01-8
光誘起変形能を有するアモルファス窒化炭素薄膜の下野 眞裕 1, 〇青野 祐美 1, 神田 一浩 2
1. 鹿児島大工 , 2. 兵庫県大NEXAFS スペクトル解析
11
1
			 21a-P01-9
窒素混合による DLC の水素発生反応抑制〇 (M1) 松崎 充晃 , 長谷部 伸一 , 向山 義治 , 平栗 1. 東京電機大学
健二 1, 大越 康晴 1
			 21a-P01-10 膜質の異なる DLC 膜の酸溶液に対する耐食性〇海老原 匠 1, 平塚 傑工 2, アリ アルアナジ 3, 平栗 健 1. 電機大工 , 2. ナノテック , 3. キングサウード大二1
			 21a-P01-11 機械部材への低摩擦 DLC コーティング〇中村 優翔 1, 海老原 匠 1, 鈴木 健吾 2, 飯田 勝之 2, 大 1. 電機大工 , 2. 三共製作所
石 貴司 2, 平栗 健二 1
			 21a-P01-12 DLC 膜の膜厚に対する骨芽細胞増殖性〇江口 広晃 1, 金杉 和弥 1, 馬目 佳信 2, アルアナジ ア 1. 電機大院工 , 2. 慈恵医大 , 3. キングサウード大リ 3, 大越 康晴 1, 平栗 健二 1
			 21a-P01-13 光学定数に基づいて分類した DLC 膜の骨芽細胞増殖性〇有村 景太 1, 金杉 和弥 1, 大越 康晴 1, 馬目 佳信 2, 平 1. 東電大工 , 2. 慈恵医大 , 3. ナノテック（株）
塚 傑工 3, 平栗 健二 1
			 21a-P01-14 銅導入 DLC の抗ウイルス性評価〇熊谷 颯天 1, 平塚 傑工 2, 平栗 健二 1
1. 電機大院工 , 2. ナノテック
			 21a-P01-15 非晶質金属への電気絶縁性 DLC コーティング〇桑山 創太 1, 桒原 大樹 2, 安中 茂 2, 林 俊郎 3, 平栗 健 1. 東京電機大学 , 2. 株式会社仲代金属 , 3. エムスリー・
二1
コンサルティング
			 21a-P01-16 PIG-PECVD 法で作製した a-C:H 膜による赤外帯域除去 〇近藤 裕佑 1, 松村 直巳 1
1. 大阪技術研
フィルター設計
9/22(Thu.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A202 会場（Room A202）
9:00		 22a-A202-1 パルスレーザ照射によるアモルファス炭素膜の形状変化 〇原田 大 1, Tunmee Sarayut2, 青野 祐子 1,
1. 東工大 , 2. タイ放射光研
Euaruksakun Chanan2, Rittihong Ukit2, 平田 祐樹 1,
1
1
大竹 尚登 , 赤坂 大樹
9:15		 22a-A202-2 水素化アモルファス炭素膜の摺動による構造変化の逐次 〇法月 奏太 1, 平田 祐樹 1, 大竹 尚登 1, 赤坂 大樹 1
1. 東工大工評価
9:30
奨 22a-A202-3 高水素化 DLC 膜の熱分解過程〇丹羽 大輔 1, 三嶋 友博 1, 中西 康次 1, 神田 一浩 1, 竹 1. 兵県大高度研 , 2. 兵県大工
内 雅耶 2, 福室 直樹 2
9:45		 22a-A202-4 熱処理した a-C:H 膜の陽電子消滅測定〇中尾 節男 1, 木野村 淳 2, 薮内 敦 2, 鈴木 耕拓 3
1. 産総研 , 2. 京大複合研 , 3. 若狭湾エネ研
10:00
奨 22a-A202-5 Si 含有 DLC 膜の軟 X 線照射による化学状態変化〇 (M1) 三嶋 友博 1, 中西 康次 1, 新部 正人 1, 春山 雄 1. 兵県大高度研
一 1, 神田 一浩 1
10:15		休憩 /Break
10:30
奨 22a-A202-6 Al2O3 表面上に非晶質炭素成長への分子動力学シミュ〇 YUE QIANG1, 金山 大志 1, 松尾 航太 1, 西川 僚
1. 岡山大自然科学研究科 , 2. 岡山大基礎研
レーション
馬 1, 中本 歴 1, 横谷 尚睦 2, 村岡 祐治 2
10:45		 22a-A202-7 サファイア基板上に作製した非晶質カーボン膜における 〇村岡 祐治 1, 金山 大志 2, 岳 強 2, 脇田 高徳 1, 横谷 尚 1. 岡山大基礎研 , 2. 岡山大院自然科学
膜厚と sp3 割合の関係
睦1
11:00
奨 22a-A202-8 ガスインジェクションパルスプラズマ CVD 法における導 〇大浦 曜 1, 長田 直人 1, 坂東 隆宏 1, 滝川 浩史 1, 針谷 1. 豊橋技科大 , 2. 岡山工技 , 3. オーエスジー
入ガスと DLC 成膜速度の関係
達 1, 國次 真輔 2, 権田 英修 3
11:15		 22a-A202-9 大電力パルススパッタを用いた DLC 成膜における投入電 〇太田 貴之 1, 松島 丈 1, 小田 昭紀 2, 上坂 裕之 3
1. 名城大理工 , 2. 千葉工大 , 3. 岐阜大工
力密度の効果9/22(Thu.) 13:00 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) A202 会場（Room A202）
13:00		 22p-A202-1 プラズマ CVD 法による Si および N 添加 DLC 膜の電気 〇佐々木 祐弥 1, 長内 公哉 1, 室野 優太 1, 佐藤 聖能 1, 1. 弘前大院理工
特性に及ぼす H2 および Ar 希釈の効果
小林 康之 1, 遠田 義晴 1, 鈴木 裕史 1, 中澤 日出樹 1
13:15		 22p-A202-2 四面対向式スパッタリング法による撥水性水素フリー〇小林 風太 1, 猿渡 哲也 1
1. 京浜ラムテック
DLC の評価1
1
1
1
13:30		 22p-A202-3 C2H2/N2 混合気体に対するマイクロ波プラズマ CVD で生 〇伊藤 治彦 , 佐藤 悠雅 , 鈴木 常生 , 斎藤 秀俊
1. 長岡技科大（工）成した高窒素含有 a-CNx:H 薄膜の形成 ¾ [N]/([N]+[C])>0.5 は達成できるか？
13:45		 22p-A202-4 マグネトロンスパッタ法により作製した炭化ホウ素膜特 〇西田 竜也 1, 谷口 颯 1, 佐藤 聖能 1, 小林 康之 1, 遠田 1. 弘前大 , 2. 東北大性に及ぼす水素の効果
義晴 1, 鈴木鈴木 裕史 1, 吹留 博一 2, 中澤 日出樹 1
14:00		 22p-A202-5 熱 CVD による層状窒化炭素薄膜の合成圧力依存性〇高間 滋己 1, 羽渕 仁恵 1, 青木 颯 1, 飯田 民夫 1
1. 岐阜高専
14:15		 22p-A202-6 Ni 箔上に背面から拡散成長させた h-BN の PEEM 観察
遊佐 龍之介 1, 青山 大晃 1, Li Boxuan1, 小川 修一 1, 2, 1. 東北大多元研 , 2. 東北大国際放射光セ〇虻川 匡司 1, 2
14:30		 22p-A202-7 層状窒化炭素膜による電界効果素子の作製〇橘 昌希 1, 樋口 航太 1, 浦上 法之 1, 2, 橋本 佳男 1, 2
1. 信州大工 , 2. 信州大 先鋭材料研
14:45		 22p-A202-8 n 型グラファイト状窒化炭素と縦型電子素子の検討〇樋口 航太 1, 橘 昌希 1, 浦上 法之 1, 2, 橋本 佳男 1, 2
1. 信州大工 , 2. 信州大 先鋭材料研
15:00		休憩 /Break
15:15
奨 22p-A202-9 同軸型アークプラズマ成膜法による導電性超ナノ微結晶 〇橋口 寛生 1, 長野 里基 1, 楢木野 宏 1, 吉武 剛 1
1. 九大院総理工ダイヤモンド薄膜の電気化学特性
1
1, 2
3
15:30		 22p-A202-10 CAPD 法によって成膜されたナノダイヤモンド混相膜の 〇 (M2) 齊藤 誠志郎 , アリ モハメド , 村澤 功基 , 1. 九大総理工 , 2. アル＝アズハル大学 , 3. オーエスジー
構造的・機械的特性に対する負バイアス周波数の影響
楢木野 宏 1, 吉武 剛 1
株式会社

6.2 カーボン系薄膜 / Carbon-based thin films
15:45		 22p-A202-11 ホウ素ドープダイヤモンド陰極を用いた直流グロープラ
ズマ源
16:00		 22p-A202-12 HF-CVD によるダイヤモンド膜形成における未処理超硬基板の Co 挙動観察
16:15		 22p-A202-13 バイアス変化によるシリコン上配向ダイヤモンド核の選
択形成
16:30
奨 22p-A202-14 水素プラズマエッチングのダイヤモンド結晶配向依存性
評価
16:45		 22p-A202-15 Mn ドープダイヤモンド（111）薄膜中の積層欠陥形成
17:00		休憩 /Break
17:15		 22p-A202-16 核種変換による Li ドープダイヤモンドの製作
17:30		 22p-A202-17 高温・高圧処理した B イオン注入ダイヤモンドの構造評
価17:45		 22p-A202-18 （111）ダイヤモンド基板上 CVD 合成における合成速度と完全配向 NV センタの特性のオフ角依存性
18:00
奨 22p-A202-19 高濃度ホウ素ドープラテラル成長技術を用いた原子的に平坦な窒素ドープダイヤモンド（111）への p+ 膜埋込成〇宮崎 久生 1, 吉田 学史 1, 木村 重哉 1

〇税木 善則 1, 坂東 隆宏 1, 針谷 達 1, 滝川 浩史 1, 服部 1. 豊橋技科大 , 2. オーエスジーコーティングサービス
貴大 2, 杉田 博昭 2, 河原 夏江 3, 田中 久仁彦 3（株）, 3. 長岡技科大〇 (M2) 有路 颯樹 1, 森田 豪 1, 吉田 あかり 1, 一色 秀 1. 電通大

夫1〇吉井 大陸 1, 藤井 茉美 2, 上沼 睦典 1, 浦岡 行治 1

1. 奈良先端大 , 2. 近畿大〇河野 慎 1, 平間 一行 1, 谷保 芳孝 1, 熊倉 一英 1

1.NTT 物性研

〇三宅 泰斗 1, 奥野 広樹 1, 渡邊 幸志 2
1. 理研 , 2. 産総研〇鳥生 大樹 1, 東浦 健人 1, 福田 玲 1, 石川 史太郎 2, 新 1. 愛媛大工 , 2. 北大 量集センター, 3. 愛媛大 GRC
名 亨 3, 入舩 徹男 3
〇 (D) 辻 赳行 1, 岩﨑 孝之 1, 波多野 睦子 16 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

1. 東工大工〇 (D) 小林 和樹 1, 張 旭芳 1, 牧野 俊晴 2, 松本 翼 1, 猪 1. 金沢大 , 2. 産総研 , 3.Diacara
熊 孝夫 1, 山崎 聡 1, C.E. Nebel1, 3, 徳田 規夫 1

長奨 22p-A202-20 インチ径高品質 CVD ダイヤモンドエピ膜の格子歪のメカ 〇 (M2) 真崎 瞭 1, 高谷 亮太 1, 小山 浩司 2, 嘉数 誠 1,
ニズム－サファイア基板と MgO 基板の比較－
金 聖祐 2
18:30		 22p-A202-21 インチ径高品質 CVD ダイヤモンドエピ膜の成長初期過程 〇 (M2) 真崎 瞭 1, 高谷 亮太 1, 小山 浩司 2, 嘉数 誠 1,
－サファイア基板と MgO 基板の比較－
金 聖祐 2
18:45 奨 E 22p-A202-22 Improved Crystal Quality of Diamond Grown on〇 (M1)JACQUES DAGBETO1, Koji Koyama2,c-Direction Misoriented Sapphire Substrate
Makoto Kasu1, Seongwoo Kim2
9/23(Fri.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A202 会場（Room A202）
9:00		 23a-A202-1 n+-Si/p- ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評 〇 (D) 上東 洋太 1, 大曲 新矢 2, 梅沢 仁 2, 山田 英明 2,価
梁 剣波 1, 3, 重川 直輝 1, 3
9:15 奨 E 23a-A202-2 Alternative Carbon-based Ohmic Electrodes for〇 (D)Sreenath Mylo Valappil1, 2, Shinya
Phosphorus-doped Diamond-electronics Applications
Ohmagari2, 3, Abdelrahman Zkria1, Phongsaphak
Sittimart1, 2, Eslam Abubakr1, Hiromitsu Kato3,
Tsuyoshi Yoshitake1
18:15

1. 東芝 RDC

1. 佐賀大院工 , 2. アダマンド並木精密宝石（株）
1. 佐賀大院工 , 2. アダマンド並木精密宝石（株）
1.Saga Univ., 2.Adamant Namiki Precision Jewel Co.,Ltd
1. 大阪市大院工 , 2. 産総研 , 3. 大阪公大院工1.Dept. Of Applied Science for Electronics andMaterials, Kyushu Univ., Fukuoka 816-8580, Japan,
2.Sensing System Research Center, AIST, 807-1
Shuku-machi, Tosu, Saga 841-0052, Japan., 3.Advanced
Power Electronics Research Center, AIST, 1-1-1
Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan.
9:30		 23a-A202-3 ダイヤモンド横型 PIN ダイオードの NEA 表面からの電 〇 (M2) 山川 翔也 1, 2, 加藤 宙光 2, 小倉 政彦 2, 加藤 有 1. 中央大 , 2. 産総研
子放出
香子 2, 牧野 俊晴 2, 塚本 涼太 1, 2, 竹内 大輔 2, 1, 庄司 一
郎1
9:45
奨 23a-A202-4 マルチフィンガー構造の導入による 2DHG ダイヤモンド 〇 (B) 長 幸宏 1, 荒井 雅一 1, 高橋 輝 1, 浅井 風雅 1, 鈴 1. 早大理工 , 2. 早大材研
MOSFETs ゲート幅拡大と高周波特性の改善
木 優紀子 1, 平岩 篤 1, 川原田 洋 1, 2
10:00
奨 23a-A202-5 C-Si-O 側壁チャネルによる縦型ダイヤモンド MOSFET 〇 (B) 成田 憲人 1, 太田 康介 1, 付 裕 1, 若林 千幸 1, 平 1. 早大理工 , 2. 早大材研のノーマリーオフ動作
岩 篤 1, 川原田 洋 1, 2
10:15
奨 23a-A202-6 P++ ソース・ドレイン層を導入した 2DHG ダイヤモンド 〇 (B) 賈 学テイ 1, 鈴木 優紀子 1, 出口 祐靖 2, 浅井 風 1. 早大理工 , 2. 北大工 , 3. 早大材研
MOSFETs の放射線照射効果
雅 1, 高橋 輝 1, 太田 康介 1, 平岩 篤 1, 金子 純一 2, 川原
田 洋 1, 3
10:30 奨 E 23a-A202-7 Electrical characterization of Al2O3/diamond MOS〇 Xufang Zhang1, Tsubasa Matsumoto1, Mitsuru
1.Kanazawa University, 2.AIST, 3.Diacarainterface under various wet-annealing times
Sometani2, Masahiko Ogura2, Toshiharu Makino2,
Daisuke Takeuchi2, Christoph.E Nebel1, 3, Takao
Inokuma1, Satoshi Yamasaki1, Norio Tokuda1
10:45 奨 E 23a-A202-8 Ab-initio study of defects states in diamond/Al2O3〇 YAOTANG ZHANG1, NAOYA YAMAGUCHI2,
1.Kanazawa Univ., 2.NanoMari.
interface
XUNFANG ZHANG2, NORIO TOKUDA2,FUMIYUKI ISHII2
11:00
奨 23a-A202-9 超伝導ソース・ドレイン間のチャネル微細化と極低温 (1.6 〇 (B) 竹内 雅治 1, 若林 千幸 1, 高橋 康裕 1, 太田 康
1. 早大理工 , 2. 産業技術総合研究所 , 3. 物質・材料研究
K) でのドレイン電流変調
介 1, 蔭浦 泰資 1, 2, 高野 義彦 3, 立木 実 3, 大井 修一 3, 機構 , 4. 早大材研3
1, 4
有沢 俊一 , 川原田 洋
11:15
奨 23a-A202-10 稜線伝導構造ジョセフソン接合によるダイヤモンド〇 (B) 橋本 裕太郎 1, 若林 千幸 1, 高橋 泰裕 1, 蔭浦 泰 1. 早大 , 2. 産総研 , 3. 物材研 , 4. 早大材研
SQUID の作製
資 1, 2, 高野 義彦 3, 立木 実 3, 大井 修一 3, 有沢 俊一 3,
川原田 洋 1, 4
9/23(Fri.) 13:00 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) A202 会場（Room A202）
13:00		 23p-A202-1 生体ナノ量子センサに向けた蛍光ナノダイヤモンドの高 〇阿部 浩之 1, 2, 佐伯 誠一 1, 神長 輝一 2, 五十嵐 龍
1. 量研 量子ビーム科学 , 2. 量研 量子生命・医学
輝度化
治 2, 大島 武 1, 2
13:15
奨 23p-A202-2 NV 量子センサ高感度化のための tert-butylphosphine を 〇 (M2) 川瀬 凜久 1, 川島 宏幸 1, 2, 加藤 宙光 2, 徳田 規 1. 京大化研 , 2. 産総研 , 3. 金沢大 , 4. 京大 CSRN
用いた n 型ダイヤモンド合成
夫 3, 窪田 幹大 1, 小倉 政彦 2, 牧野 俊晴 2, 水落 憲和 1, 4
13:30
奨 23p-A202-3 (100) ダイヤモンド基板に形成した {111} 面逆ピラミッド 〇 (M2) 及川 耀平 1, 2, 中野 裕太 3, 長井 雅嗣 3, 徳田 規 1. 慶大理工 , 2. 慶大 CSRN, 3. 金沢大型構造内の高配向 NV 中心層の成長メカニズム
夫 3, 早瀬 潤子 1, 2
13:45
奨 23p-A202-4 超高濃度窒素ドープ CVD ダイヤモンドに作製した NV ア 〇淺野 雄大 1, 上田 真由 1, 早坂 京祐 1, 金久 京太郎 1, 1. 早大 , 2. 量研 , 3.NIMS, 4. 早大材研
ンサンブルのスピン特性評価
蔭浦 泰資 1, 3, 谷井 孝至 1, 小野田 忍 2, 榎本 心平 4, 河
野 省三 4, 川原田 洋 1, 4
14:00		 23p-A202-5 窒素ドープによる NV センターの電子スピン特性への影 〇 (D) 木村 晃介 1, 2, 小野田 忍 2, Sailer Roberto3, Joas 1. 群馬大 , 2. 量研 , 3. ウルム大 , 4. 物材機構 , 5. 筑波大
響Timo3, Said Ressa3, 山田 圭介 2, 加田 渉 1, 寺地 徳之 4,
磯谷 順一 5, 小菅 臨 1, 2, 馬場 智也 1, 2, Jelezko Fedor3,
花泉 修 1, 大島 武 2
14:15		 23p-A202-6 アンサンブル NV- センターのデコヒーレンス源の探索〇真栄 力 1, 増山 雄太 2, 宮川 仁 1, 阿部 浩之 2, 石井 秀 1. 物材機構 , 2. 量研
弥 2, 佐伯 誠一 2, 小野田 忍 2, 谷口 尚 1, 大島 武 2, 寺地
徳之 1
14:30		 23p-A202-7 共鳴・非共鳴レーザの同時照射によるスズ - 空孔センター 〇 (M1) 池田 啓太 1, 成田 泰之 1, Wang Peng1, 宮本 良 1. 東工大 , 2.AIST, 3.NIMS, 4.QSTの電荷制御
之 2, 谷口 尚 3, 小野田 忍 4, 波多野 睦子 1, 岩崎 孝之 1
14:45		 23p-A202-8 磁場印加時におけるダイヤモンド中のスズー空孔セン〇 (M1) 大羽 一輝 1, Wang Peng1, 成田 泰之 1, 谷口
1. 東工大 , 2.NIMS, 3.QST
ターの共鳴励起測定
尚 2, 小野田 忍 3, 波多野 睦子 1, 岩崎 孝之 1
15:00
奨 23p-A202-9 ダイヤモンド中のスズ - 空孔センターの狭い不均一分布 〇 (M2) 成田 泰之 1, Wang Peng1, 宮本 良之 2, 谷口
1. 東工大 , 2.AIST, 3.NIMS, 4.QST
および同位体シフトの観測
尚 3, 小野田 忍 4, 波多野 睦子 1, 岩崎 孝之 1
15:15
招 23p-A202-10 「講演奨励賞受賞記念講演」〇永田 俊典 1, 北川 涼太 1, 浦下 宗輝 1, 荒井 慧悟 1, 2, 1. 東工大 , 2.PRESTO
磁歪材料を用いたダイヤモンド量子センサの応力感度の 水野 皓介 1, 高村 陽太 1, 岩崎 孝之 1, 中川 茂樹 1, 波多
向上
野 睦子 1
15:30
奨 23p-A202-11 ダイヤモンド中 NV 中心の電子スピン三重共鳴現象を用 〇 (M1) 岡庭 龍聖 1, 2, 松崎 雄一郎 3, 山口 達万 1, 渡邉 1. 慶大理工 , 2. 慶大 CSRN, 3. 産総研 , 4. 京大化研 , 5. 金
いた周波数可変な交流磁場センサ
幸志 3, 水落 憲和 4, 中野 裕太 5, 徳田 規夫 5, 佐々木 健 沢大 , 6. 東大理
人 6, 小林 研介 6, 早瀬 潤子 1, 2

6.3 酸化物エレクトロニクス / Oxide electronics
15:45

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

奨 23p-A202-12 ダイヤモンド中 NV 中心の RF ドレスド状態を用いた高感 〇 (M2) 田淵 響 1, 2, 松崎 雄一郎 3, 古谷 登 1, 中野 裕 1. 慶大理工 , 2. 慶大 CSRN, 3. 産総研 , 4. 金沢大 , 5. 京大度温度測定
太 4, 渡邊 幸志 3, 徳田 規夫 4, 水落 憲和 5, 早瀬 潤子 1, 2 化研
16:00
奨 23p-A202-13 小型・高感度量子センサへ向けたスピンバスドライブ効 〇藤崎 伊久哉 1, 荒木 裕太 1, 波多野 雄治 1, 関口 武
1. 東工大果の検証
治 1, 岩崎 孝之 1, 波多野 睦子 1
16:15
奨 23p-A202-14 ダイヤモンド量子センサの DC 磁場感度向上に向けたパ 〇 (M2) 土屋 勢那 1, 西谷 大祐 1, 青木 優征 1, 関口 武 1. 東工大
ルス励起ロックイン検出 Ramsey 法の開発
治 1, 岩崎 孝之 1, 波多野 睦子 1
16:30		 23p-A202-15 生体内リアルタイム温度計測のための Wide-field 蛍光顕 〇 (M2) 井門 勇太 1, 押味 佳裕 1, Yajuan Zou1, 藤原 正 1. 岡山大院自然
微鏡の開発
澄1
16:45
奨 23p-A202-16 マイクロ波アンテナの設計と生体内ダイヤモンド ODMR 〇 (D) 押味 佳裕 1, 藤原 正澄 1
1. 岡山大院自然信号定量予測6.3 酸化物エレクトロニクス / Oxide electronics
9/20(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B204 会場（Room B204）
9:00
奨 20a-B204-1 第一原理計算によるルチル型 TiO2 中の剪断面構造及び酸 〇 (M2) 二宮 雅輝 1, 藤平 哲也 1, 林 侑介 1, 酒井 朗 1
1. 阪大基礎工
素空孔挙動の解析
1
1
1
1
9:15
奨 20a-B204-2 ペロブスカイト型抵抗変化メモリの抵抗緩和現象の機構 〇中村 駿斗 , 青木 裕雅 , 甲斐 洋行 , 木下 健太郎
1. 東理大理解明
9:30
奨 20a-B204-3 ヒドリドイオンの電気的脱挿入を用いた酸水素化物の抵 〇山崎 智之 1, 高岡 遼生 2, 飯村 壮史 1, 3, 金 正煥 1, 平 1. 東工大元素 , 2. 東工大フロンティア , 3.NIMS
抗変化と抵抗変化メモリへの応用
松 秀典 2, 細野 秀雄 1, 3
9:45
奨 20a-B204-4 イオンゲーティングリザバーを利用する高性能リザバー 〇 (D) 西岡 大貴 1, 2, 土屋 敬志 1, 2, 並木 航 1, 髙栁
1. 物材機構 , 2. 東理大理
コンピューティング
真 1, 2, 井村 将隆 1, 小出 康夫 1, 樋口 透 2, 寺部 一弥 1
10:00
奨 20a-B204-5 リチウム固体電解質を用いる酸化還元型イオンゲーティ 〇和田 友紀 1, 2, 西岡 大貴 1, 2, 並木 航 1, 土屋 敬志 1, 2, 1. 物材機構 , 2. 東理大理
ングリザバー
樋口 透 2, 寺部 一弥 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 20a-B204-6 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシ 西河 秀平 1, 柏木 誠 1, 賈 軍軍 2, 小口 有希 1, 中村 明 3, 1. 青学大理工 , 2. 早大国際理工学セ , 3. ミネベアミツミ
ング ( １)；〇重里 有三 1（株）
Pt ナノ粒子担持 SnO2 薄膜による室温センシング
10:45
奨 20a-B204-7 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシ 〇大舘 啓太 1, 柏木 誠 1, 小口 有希 1, 中村 明 2, 山本 晴 1. 青学大 理工 , 2. ミネベアミツミ , 3. 日本電子
ング ( ２)；
香 3, 重里 有三 1
SnO2 薄膜のスパッタ成膜条件とガス検知特性
11:00
奨 20a-B204-8 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシ 〇遠藤 雅之 1, 曽根 大希 1, 柏木 誠 1, 賈 軍軍 2, 小口 有 1. 青学大理工 , 2. 早大国際理工 , 3. ミネベアミツミ（株）
ング ( ３)；
希 1, 中村 明 3, 重里 有三 1
Pt あるいは Pd ナノ粒子担持 Al:ZnO 薄膜による ガスセ
ンシング
11:15
奨 20a-B204-9 酸化鉄光電極のミスト CVD 成長とその評価〇 (DC) 島添 和樹 1, 西中 浩之 1, 谷口 陽子 1, 鐘ケ江 1. 京都工繊大電子
一考 1, 吉本 昌広 1
11:30
奨 20a-B204-10 ポリエチレングリコールドーピングによるアナターゼ / 〇 (M1) 松本 拓海 1, 川上 烈生 1, 柳谷 伸一郎 1, 2, 新部 1. 徳島大理工 , 2. 徳島大 pLED, 3. 兵庫県立大 , 4. 中部大 ,ルチル混晶型酸化チタンナノ粒子の光触媒活性増強効果 正人 3, 中野 由祟 4, 向井 孝志 5
5. 日亜化学
11:45
奨 20a-B204-11 反応性スパッタリング法を用いて作製した酸化タングス 〇 (M1) 桂 哲範 1, 和所 慶将 1, 金 敬鎬 1, 阿部 良夫 1
1. 北見工業大学
テン薄膜の熱処理効果
9/20(Tue.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) B204 会場（Room B204）
13:30
奨 20p-B204-1 溶液処理による超伝導 Li1–xNbO2 薄膜の Li 組成制御
〇 (M2) 佐藤 礼 1, 相馬 拓人 1, 組頭 広志 2, 3, 大友 明 1 1. 東工大物質理工 , 2. 高エネ研 , 3. 東北大多元研
13:45
奨 20p-B204-2 擬岩塩型 Nb3O3 エピタキシャル薄膜の超伝導〇 (M1) 木村 凜太郎 1, 長 泰亨 1, 神永 健一 1, 丸山 伸 1. 東北大院工伍 1, 松本 祐司 1
14:00
奨 20p-B204-3 分子線エピタキシー法による高品質 Sr3Ru2O7 薄膜の作製 〇 (M1) 大城 蓮 1, 西早 辰一 1, 藤田 貴啓 2, 川﨑 雅
1. 東工大理 , 2. 東大工 , 3. 理研 CEMSと評価
司 2, 3, 打田 正輝 1
14:15 奨 E 20p-B204-4 Deep-UV transparent conducting SrSnO3 freestanding〇 (D)Lizhikun Gong1, Mian Wei1, Rui Yu1,
1.IST, Hokkaido Univ., 2.RIES, Hokkaido Univ., 3.
sheet using Al2O3 protection layer
Hiromichi Ohta2, Katayama Tsukasa2, 3
JST-PRESTO
14:30
奨 20p-B204-5 分極界面を有する SrFeO3/LaNiO3 ヘテロ構造の作製と伝 〇 (M1) 本田 裕貴 1, 相馬 拓人 1, 大友 明 1
1. 東工大
導特性
1
1
1
14:45
奨 20p-B204-6 パルスレーザ堆積法による GdMnO3/LaNiO3 超格子構造 〇山岸 祐太 , サフー ラムチャンドラ , 相馬 拓人 , 1. 東工大物質理工の作製
大友 明 1
15:00		休憩 /Break
15:15		 20p-B204-7 密度汎関数法による Ti2O3 の金属絶縁体転移〇吉松 公平 1, 長谷川 直人 1, 組頭 広志 1
1. 東北大多元研
15:30
奨 20p-B204-8 角度分解光電子分光による Ti2O3 薄膜のフェルミオロ
〇 (D) 長谷川 直人 1, 吉松 公平 1, 志賀 大亮 1, 神田 龍 1. 東北大多元研 , 2.KEK 物構研
ジー
彦 1, 宮崎 悟 1, 北村 未歩 2, 堀場 弘司 2, 組頭 広志 1, 2
15:45 奨 E 20p-B204-9 AMoO2 (A = Li, Na, K): Two-dimensional Mott insulators 〇 (D)Shuxin Zhang1, Takuto Soma1, Akira Ohtomo1 1.Tokyo Tech.
with tunable MoO2 interlayer distance
16:00
奨 20p-B204-10 MBE と固相エピタキシーを用いた Pr2Ir2O7 薄膜の作製お 〇 (M1) 大石 舜士 1, 横倉 聖也 2, 島田 敏宏 2, 長浜 太 1. 北大院総化 , 2. 北大院工よび物性評価郎2
16:15
奨 20p-B204-11 トポタクティック酸化を利用した単一配向 VO2 薄膜の作 〇西井 飛智 1, 股村 雄也 1, 池之上 卓己 1, 三宅 正男 1, 1. 京大院エネ科
製
平藤 哲司 1
16:30
奨 20p-B204-12 一軸圧縮熱処理による VxOy エピタキシャル薄膜のトポケ 〇庄司 拓貴 1, 加藤 礼雄 1, 金子 健太 1, 金子 智 2, 1, 吉 1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川産技総研
ミカル還元合成
本 護 1, 松田 晃史 1
16:45
奨 20p-B204-13 真空紫外光照射によるエピタキシャル酸化コバルト薄膜 〇金子 健太 1, 庄司 拓貴 1, 喬 宇馳 1, 大賀 友瑛 1, 金子 1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川産技総研の結晶相変化智 2, 1, 吉本 護 1, 松田 晃史 1
9/21(Wed.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) B204 会場（Room B204）
9:00		 21a-B204-1 NdNiO3 電界効果トランジスタの巨大抵抗変調とそのサ 〇 (M2) 小泉 遼太 1, 服部 梓 1, 李 好博 1, 田中 秀和 1
1. 阪大産研
イズ効果
9:15		 21a-B204-2 ナノギャップソース - ドレイン電極を具えた電界効果ト 〇伊勢 柾希 1, 甲斐 洋行 1, 木下 健太郎 1
1. 東理大理
ランジスタ構造を用いた HxWO3- δ薄膜のゲート電圧応答
評価
9:30		 21a-B204-3 プロトンドープ EuNiO3 薄膜を用いた ReRAM のメモリ効 〇谷口 勇貴 1, 李 好博 1, 服部 梓 1, 田中 秀和 1
1. 阪大産研果の評価
9:45
E 21a-B204-4 Ultra-sharp conductance change with proton potential in 〇 SatyaPrakash Pati1, Satoshi Hamasuna1, Takeaki 1.Kyushu Univ.
WO3 heterostructure
Yajima1
10:00		 21a-B204-5 TiO2 結晶への酸素空孔の電界注入と (001）表面の特異性 〇鈴木 拓 1, 坂口 勲 1
1. 物材機構
10:15		休憩 /Break
10:30		 21a-B204-6 Pt/Ti0.99Sc0.01O2- δ /Pt 多層膜のキャリア密度と脳型的忘却 〇 (M2) 谷口 充樹 1, 高田 文朝 1, 冨吉 希彩良 1, 谷古 1. 東理大理 , 2. 東北大特性の電流応答宇 海斗 1, 前川 愛里 1, 志賀 大亮 2, 組頭 広志 2, 樋口透1
10:45		 21a-B204-7 ショットキー界面を制御した Pt/Ti0.99Fe0.01O2- δ /Pt デバ 〇冨吉 希彩良 1, 谷口 充樹 1, 高田 文朝 1, 谷古宇 海
1. 東理大理 , 2. 東北大
イスの脳型特性
斗 1, 樋口 透 1, 志賀 大亮 2, 組頭 広志 2
11:00		 21a-B204-8 Au/MgOx/Au/Ti-ReRAM における電圧スイープ下での 〇木村 洸希 1, 清水 智弘 1, 伊藤 健 1, 新宮原 正三 1
1. 関西大理工
抵抗変化挙動11
1
1
11:15		 21a-B204-9 ReRAM 素子の RESET 時抵抗変化の直流パルス間隔の影 〇黄 川洋 , 田中 正和 , 岡安 眞治 , 清水 智弘 , 伊藤 1. 関西大シス理工響
健 1, 新宮原 正三 1

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

6.3 酸化物エレクトロニクス / Oxide electronics
11:30		 21a-B204-10 電気化学堆積による Ni(OH)2/NiO ヘテロダイオードの 〇志村 政英 1, 安部 功二 1
1. 名古屋工業大学
作製
9/21(Wed.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B204 会場（Room B204）
13:30		 21p-B204-1 Si 基板上の VO2 マイクロワイヤの相分離現象による非線 〇大坂 藍 1, 永井 正也 2, 玄地 真悟 1, 任 慧 1, 田中 秀 1. 阪大産研 , 2. 阪大基礎工
形伝導が導く特異な THz 電場増強
和 1, 服部 梓 1
13:45		 21p-B204-2 ミスト CVD 法を用いた m 面サファイア基板上 VO2 薄膜 〇 (M1) 潮田 和季 1, 松浦 直毅 1, 久保 理 1, 田畑 博史 1, 1. 阪大院工の作製と構造転移片山 光浩 1
14:00		 21p-B204-3 放射光電子分光による CrxV1-xO2 エピタキシャル薄膜の電 〇志賀 大亮 1, 2, 程 详遴 1, 金 兌炫 1, 神田 龍彦 1, 長谷 1. 東北大多元研 , 2.KEK 物構研
子状態
川 直人 1, 北村 未歩 2, 吉松 公平 1, 組頭 広志 1, 2
14:15		 21p-B204-4 硬 X 線光電子分光法を用いたペロブスカイト／Si タンデ 〇浅見 真崇 1, 桐原 芳治 1, 家城 大輔 2, 1, 保井 晃 3, 石 1. 東京都市大学 , 2. 都市大総研 , 3. 高輝度光科学研究セム太陽電池応用に向けた ALD-TiO2 層の角度分解評価
川 亮佑 1, 2, 野平 博司 1
ンター
14:30		 21p-B204-5 二次元 NbO2 層における超伝導ドームと磁気量子臨界挙 〇相馬 拓人 1, 吉松 公平 1, 大友 明 1
1. 東工大物質理工
動
1
1
1
1
14:45		 21p-B204-6 重希土類単酸化物強磁性半導体：DyO・ErO エピタキ
〇佐々木 智視 , 岡 大地 , 齋藤 大地 , 清水 宙一 , 福 1. 東北大院理 , 2. 東北大 WPI-AIMR&CRC, 3. 東北大
シャル薄膜
村 知昭 1, 2, 3
CSIS・CSRN
15:00		 21p-B204-7 結晶場狭ギャップ半導体 Pd 酸化物の薄膜作製〇小塚 裕介 1, 藤岡 淳 2, 佐々木 泰祐 1, 只野 央将 1
1. 物材機構 , 2. 筑波大
15:15		 21p-B204-8 顕微ラマン分光法による多層電極付 n 型β -Ga2O3 結晶の 〇各務 良哉 1, 須田 潤 1
1. 中京大工
高温電子物性15:30		休憩 /Break
15:45		 21p-B204-9 有機金属分解 (MOD) 法を用いて作製した La1-xSrxMnO3 〇川口 紗良 1
1. 甲南大理工
薄膜の電気および磁気伝導特性
16:00		 21p-B204-10 傾斜組成 Ru 置換 (La,Sr)MnO3 エピタキシャル薄膜の磁 〇 (M1) 佐藤 岳 1, 神永 健一 1, 永沼 博 2, 丸山 伸伍 1, 1. 東北大院工 , 2. 東北大 CSIS
性松本 裕司 1
16:15
E 21p-B204-11 Tunable exchange bias effect in manganese- and〇 (PC)Ramchandra Sahoo1, R Nanno1, Y
1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng.
nickel-based artificial perovskite superlattice structures
Yamagishi1, Takuto Soma1, Akira Ohtomo1
16:30		 21p-B204-12 ハイスループット物質合成のための実験失敗を伴うベイ 〇若林 勇希 1, 大塚 琢馬 2, ヨシハル クロッケンバー 1.NTT 物性研 , 2.NTTCS 研
ズ最適化
ガー1, 澤田 宏 2, 谷保 芳孝 1, 山本 秀樹 1
16:45		 21p-B204-13 磁気異方性を持つ SrRuO3 薄膜における等方的な軌道磁 〇若林 勇希 1, 小林 正起 2, 竹田 幸治 3, 北村 未歩 4, 武 1.NTT 物性研 , 2. 東大工 , 3. 原研 , 4. 高エネ研
気モーメント田 崇仁 2, 岡野 諒 2, ヨシハル クロッケンバーガー1,
谷保 芳孝 1, 山本 秀樹 1
17:00		 21p-B204-14 SrTaO3 エピタキシャル薄膜の輸送特性〇片山 裕美子 1, 大熊 光 1, 門脇 福延 1, 徳本 有紀 2, 上 1. 東大院総合 , 2. 東大生研
野 和紀 1
17:15
E 21p-B204-15 Annealing effect on electrical conductivity in Sr3Cr2O7〇 (M2)Zhaochen MA1, Daichi Oka1, Tomoteru
1.Tohoku Univ.
epitaxial thin films
Fukumura1
17:30		 21p-B204-16 Electrochemical Redox Treatment and Heat-Electron〇 (D) 卞 志平 1, 楊 倩 2, 吉村 充生 3, ジョ ヘジュン 4, 1. 北大院情報 , 2. 中国・江蘇大 , 3. 北大工 , 4. 北大電子研
Transport Properties of SrCoOx-SrFeOx Solid Solution
太田 裕道 4Films
17:45		 21p-B204-17 自己配向 LaNiO3 薄膜上へのペロブスカイト酸化物多層 〇芦原 凜太郎 1, 河原 正美 2, 川江 健 1
1. 金沢大理工 , 2.( 株 ) 高純度化学研究所
膜の気相合成9/22(Thu.) 10:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A401 会場（Room A401）
10:00		 22a-A401-1 YOxHy 薄膜の電気化学的金属 - 絶縁体転移における溶液 〇小松 遊矢 1, 清水 亮太 1, ビルデ マーカス 2, 西尾 和 1. 東京工業大学 , 2. 東大生産研 , 3. 原子力機構 , 4. 東大院の寄与
記 1, 福谷 克之 2, 3, 一杉 太郎 1, 4
理
10:15		 22a-A401-2 プロトン - 正孔共伝導性を持つジルコン酸バリウムの〇今村 遼亮 1, 永井 正也 1, 竹原 輝 1, 芦田 昌明 1, 奥山 1. 大阪大基礎工 , 2. 宮崎大工 , 3. パナソニックTHz 伝導度測定
勇治 2, 可児 幸宗 3
10:30		 22a-A401-3 Si 保護層によるアモルファス薄膜電池のサイクル特性向 〇松田 菜月 1, 辻 健太 1, 神野 伊策 1
1. 神戸大工上
10:45		 22a-A401-4 正極集電体として Cu を用いた全固体 Li イオン電池の検 〇川山 巌 1, 石田 祐樹 1, 小出 健太郎 1, 嶋 瑞生 1, 片岡 1. 京大院エネ科 , 2. 産総研電池技術
討
理樹 2, 橘田 晃宜 2, 前田 泰 2, 土井 俊哉 1
11:00		 22a-A401-5 角度分解光電子分光による固体電解質 LixLa(1-x)/3NbO3 バ 〇伊藤 孝寛 1, 2, 山本 凌 2, 小山 正太郎 2, 仲武 昌史 3, 1. 名大 SR セ , 2. 名大院工 , 3. あいち SR, 4. 分子研
ルク単結晶の電子状態の研究
高倉 将一 3, 出田 真一郎 4, 田中 清尚 4, 藤原 靖幸 5, 森 UVSOR, 5. 信州大 , 6. ファインセラミックスセンター分 博紀 6, 入山 恭寿 2
11:15		 22a-A401-6 コバルトプルシアンブルー類似体薄膜中の Na イオン拡散 〇 (DC) 岩泉 滉樹 1, 柴田 恭幸 2, 守友 浩 1, 3, 4
1. 筑波大数理 , 2. 海洋大海洋工 , 3. 筑波大数物系 , 4. 筑波の可視化
大 TREMS
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P07-1
膜中残留炭素と酸素分圧制御による VO2 膜の作製と特性 〇山田 知紀 1, 田橋 正浩 1, 高橋 誠 1, 後藤 英雄 1
1. 中部大評価
			 22p-P07-2
半導体 - 絶縁体転移を示す VO2/Nb-TiO2 多層膜の電子構 谷古宇 海斗 1, 西 翔平 1, 2, 伊藤 宏樹 1, 谷口 充樹 1, 冨 1. 東理大理 , 2. 東北大造とキャリアー密度
吉 希彩良 1, 高田 文朝 1, 志賀 大亮 2, 組頭 広志 2, 〇樋口 透1
			 22p-P07-3
放射光電子分光による SrTi1-xVxO3 量子井戸の量子化状態 〇 (DC) 神田 龍彦 1, 志賀 大亮 1, 和田 亜里斗 1, 長谷 1. 東北大多元研 , 2.KEK 物構研
解析
川 直人 1, 程 詳遴 1, 金 兌炫 1, 早坂 亮太朗 1, 北村 未
歩 2, 吉松 公平 1, 組頭 広志 1, 2
			 22p-P07-4
電子強誘電体 YbFe2O4 薄膜の相形成におよぼす照射レー 〇 (D) 嶋本 健人 1, 五十嵐 悠生 1, 葉山 琢充 1, 吉村
1. 阪公大院工ザーの影響
武 1, 藤村 紀文 1
			 22p-P07-5
Pt/Ti0.96Co0.04O2- δ /Pt 薄膜の抵抗変化メカニズムと脳型 〇 (M2) 高田 文朝 1, 山口 優 1, 谷口 充樹 1, 冨吉 希彩 1. 東理大理 , 2. 東北大
特性の強化
良 1, 谷古宇 海斗 1, 金子 理久 1, 志賀 大亮 2, 組頭 広
志 2, 樋口 透 1
			 22p-P07-6
NiO を用いたセルフパワーCO2 センサの試作
濱田 知宏 1, 〇大久保 慶人 1, 杉山 睦 1, 2
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
			 22p-P07-7
光蓄電池における光電変換層構造の光充放電特性への影 〇永渕 佑太郎 1, 碇 朋樹 1, 堀江 雄二 1, 野見山 輝明 1 1. 鹿児島大院 理工響			 22p-P07-8
酸素空孔欠陥を導入したヘマタイト：光触媒活性の向上 〇 (B) 藤田 涼雅 1, 坂本 全教 1
1. 新居浜高専 環材
			 22p-P07-9
アップコンバージョン蛍光体 MoVOx の光触媒効果〇 (B) 西田 智哉 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大学
			 22p-P07-10 チタニア多孔体ペレットへの熱 CVD による導電性酸化物 〇 (M2) 北山 公貴 1, 北沢 雄大 1, 野見山 輝明 1, 堀江 1. 鹿児島大学院 理工 , 2. ジョイソン・セイフティ・シ
FTO 層の形成と光蓄電池への応用
雄二 1, 三原 千都世 2
ステムズ・ジャパン 株式会社
			 22p-P07-11 Na3OBr の結晶構造の変化がもたらすイオン伝導率の向 浅川 寛明 1, 〇大崎 祐揮 1, 石 維 1, 村山 真理子 1, 2, 趙 1. 東理大理 , 2. 東洋大工業技術研
1
上新為
			 22p-P07-12 永久磁石を用いた二交流ホール効果測定装置の構築と酸 〇吉松 公平 1, 成田 千春 1, 組頭 広志 1
1. 東北大多元研
化物半導体の電子物性評価
			 22p-P07-13 放射光電子分光による SrVO3/LaAlO3/SrVO3 二重量子井 〇 (M2) 和田 亜里斗 1, 神田 龍彦 1, 志賀 大亮 1, 程 詳 1. 東北大多元研 , 2.KEK 物構研
戸構造の電子状態
遴 1, 金 兌炫 1, 北村 未歩 2, 吉松 公平 1, 組頭 広志 1, 2
			 22p-P07-14 透明アンテナ用 ITO 導電膜のアニール処理によるシート 〇山田 友里 1, 越地 福朗 1, 安田 洋司 1, 山田 勝実 1, 内 1. 東京工芸大学大学院
抵抗の低減とアンテナの放射効率改善
田 孝幸 1
			 22p-P07-15 三層膜 MgO/CoFeB/IrO ₂における磁気異方性の磁性層膜 〇 (M1) 沖本 稜弥 1, 上田 浩平 1, 2, 木田 孝則 3, 萩原 政 1. 阪大理 , 2. 阪大 CSRN, 3. 阪大先端強磁場厚とアニール温度依存性
幸 3, 松野 丈夫 1, 2

6.4 薄膜新材料 / Thin films and New materials
9/23(Fri.) 10:00 - 11:30
10:00		 23a-A401-1

口頭講演 (Oral Presentation) A401 会場（Room A401）
In2O3 結晶相転移による TFT 型 CO2 ガスセンサーの特性向上
10:15		 23a-A401-2 酸化タングステンナノロッド内部でのヘテロ接合形成と酸化還元面制御10:30		 23a-A401-3 NaOH 処理グラファイト状窒化炭素の光触媒性能改善
10:45		 23a-A401-4 新規液体原料（Zn(Cppm)2）による ZnO 薄膜の原子層堆積
11:00		 23a-A401-5 静電噴霧法による酸化ガリウム薄膜の作製
11:15		 23a-A401-6 BHF 処理を施した SrTiO3 基板に対する水リフトオフプ
ロセスの検討6.4 薄膜新材料 / Thin films and New materials
9/20(Tue.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
9:00		 20a-C302-1 異なるガス種でスパッタした Hf 薄膜の特性
9:15		 20a-C302-2 Au 薄膜の抵抗率におけるスパッタガス種の影響〇 (M1) 野寺 歩夢 1, 森 峻 1, 永井 裕己 1, 相川 慎也 1

1. 工学院大〇 (M1) 内田 涼太 1, 伊藤 皇聖 1, 野田 啓 1

1. 慶應大理〇栗田 雄平 , 大谷 直毅
1. 同志社大理工〇水谷 文一 1, 水井 誠 1, 高橋 伸尚 1, 井上 万里 2, 生田 1. 高純度化学研究所 , 2.NIMS
目 俊秀 2〇 (M1) 芝原 拓哉 1, 李 陳毅展 1, 大谷 直毅 1
1. 同志社大理工〇梶谷 亮介 1, 川江 健 1
1. 金沢大理工
1

1〇鈴木 和寿 1, 川村 みどり 1, 木場 隆之 1, 阿部 良夫 1
〇早坂 楓光斗 1, 川村 みどり 1, 木場 隆之 1, 阿部 良

1. 北見工大工1. 北見工大工

夫1
銀系多層 Low-E 膜のブロッカー層の最適化〇水越 光司 1, 2, 山村 剛史 3, 冨岡 泰宏 3, 川村 みどり 1 1. 北見工大 , 2.YKK AP, 3.YKK
金属ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法 〇田中 聖 1, 石井 暁大 1, 山口 実奈 1, 及川 格 1, 山崎 雄 1. 東北大院工 , 2. 日本電気硝子による Ag-Fe2O3 系黒色絶縁膜の作製
亮 2, 伊村 正明 2, 高村 仁 1
10:00		休憩 /Break
10:15		 20a-C302-5 スピノーダル分解によるガラス基板上への TiO2-VO2 多 〇村岡 祐治 1, 竹田 一匡 2, 脇田 高徳 1, 横谷 尚睦 1, 竹 1. 岡山大基礎研 , 2. 岡山大院自然科学
層膜の形成
元 嘉利 2
10:30
E 20a-C302-6 Stepwise Insulator-to-Metal Transition of VO2/TiO2〇 (D)Binjie Chen1, Hiromichi Ohta2
1.IST, Hokkaido Univ, 2.RIES, Hokkaido Univ
Multilayer Films
10:45		 20a-C302-7 WO3/NiO 積層膜を用いたエレクトロクロミック素子の 〇阿部 良夫 1, 門脇 唯 1, 川村 みどり 1, 金 敬鎬 1, 木場 1. 北見工大
光学特性
隆之 1
11:00		 20a-C302-8 PET 基板上に成膜した ITO および B ドープ In2O3 のフレ 〇 (M2) 森 峻 1, 木菱 完太 1, 山寺 真理 1, 野寺 歩夢 1, 1. 工学院大
キシブル透明導電膜としての特性比較
渡辺 幸太郎 1, 鷹野 一朗 1, 相川 慎也 1
11:15		 20a-C302-9 【注目講演】微細線セラミックサーミスタ〇中島 智彦 1, 土屋 哲男 1
1. 産総研9/20(Tue.) 13:30 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
13:30		 20p-C302-1 微粒子層の導入による高ヘイズ TCO 膜を利用した色素増 〇山根 知幸 1, 新野 萌 1, 奥谷 昌之 1
1. 静岡大院工感太陽電池の作製
1
1
1
1
13:45		 20p-C302-2 非平衡二次元プラズマを利用した積層型 TiO2 層の作製と 〇西川 大輔 , 長尾 優輝 , 棟近 健 , 奥谷 昌之
1. 静岡大院工色素増感太陽電池への応用
14:00		 20p-C302-3 雰囲気制御下のマイクロ波加熱法を利用した ITO 膜の作 〇戸田 恭輔 1, 小西 直磨 1, 内藤 貫太 1, 奥谷 昌之 1
1. 静岡大院工製と色素増感太陽電池への応用
1
1, 2
1
14:15		 20p-C302-4 多層膜固相エピタキシー法で合成した LaBi 薄膜の電気輸 〇吉川 賢伸 , 河底 秀幸 , 福村 知昭
1. 東北大理 , 2.JST さきがけ
送特性
14:30		 20p-C302-5 高移動度岩塩型 (Sn,Ca)Se 準安定相のエピタキシャル薄 〇片瀬 貴義 1, ホ シンイ 1, チェン ジンシュアイ 1, 井 1. 東工大フロ研 , 2. 東工大元素セ
膜成長とキャリア輸送特性
手 啓介 1, 平松 秀典 1, 細野 秀雄 2, 神谷 利夫 1
14:45		 20p-C302-6 配向制御した CuI 薄膜における歪み誘起バンド構造変化 〇中村 優男 1, 稲垣 宗太朗 2, 岡村 嘉大 2, 荻野 槙子 2, 1. 理研 CEMS, 2. 東大院工 , 3. 東京カレッジ
高橋 陽太郎 1, 2, 足立 精宏 1, 橋爪 大輔 1, 十倉 好
紀 1, 2, 3, 川﨑 雅司 1, 2
15:00		休憩 /Break
15:15		 20p-C302-7 パルスレーザ堆積法による (111) 配向 LaHx 薄膜の作製と 〇 (D) 曹 子陽 1, 相馬 拓人 1, 大友 明 1
1. 東工大物質理工
水素量制御
15:30		 20p-C302-8 活性水素発生効率の向上による LiH エピタキシャル薄膜 〇 (M1) 宗房 幸太 1, 八田 李咲子 1, 大口 裕之 1
1. 芝浦工大理工の単相化
15:45		 20p-C302-9 バルク試料との比較に基づく BaH2 薄膜のヒドリド伝導実 〇 (M1) 福士 英里香 1, 市岡 俊樹 1, 風間 敦夫 1, 森 史 1. 芝浦工大理工証
弥 1, 唐 昊喆 1, 大口 裕之 1
16:00		 20p-C302-10 ペロブスカイト水素化物 BaLiH3 薄膜の高品質化とヒドリ 〇 (M1) 福士 英里香 1, 森 史弥 1, 大口 裕之 1
1. 芝浦工大理工
ド伝導性評価16:15		 20p-C302-11 NaBH4 エピタキシャル薄膜の合成と成長方位制御〇中山 亮 1, 河口 祐飛 1, 清水 亮太 1, 西尾 和記 1, 大口 1. 東工大物質理工 , 2. 芝浦工大工 , 3.GIST, 4. 東北大裕之 2, 金 相侖 3, 4, 5, 折茂 慎一 4, 5, 一杉 太郎 1, 6
WPI-AIMR, 5. 東北大金研 , 6. 東大院理16:30		 20p-C302-12 イオン液体アシスト法における成膜中イオン液体蒸発を 〇戸澤 拓海 1, 丸山 伸伍 2, 松本 祐司 2, 大口 裕之 1
1. 芝浦工大工 , 2. 東北大院工利用した LiBH4 膜の膜質制御
9/21(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P16-1
Mn3CuxSn1-xN 薄膜の作製と 119Sn メスバウアー分光法に 〇 (M1) 貞島 幹大 1, 竹原 玄貴 1, 大谷 千花 1, 田中 雅 1. 名工大工よる磁性評価章 1, 壬生 攻 1
			 21p-P16-2
UHV スパッタエピタキシー法による ZnSnN2 層の成長
〇水内 颯太郎 1, 吉田 圭佑 1, 篠田 宏之 1, 六倉 信喜 1 1. 東京電機大工（II）
			 21p-P16-3
銀マイクロプレート分散液を用いた濾過転写法による導 〇 Jang Jeongmin1, 古澤 匠海 1, 石崎 学 1, 栗原 正人 1 1. 山形大院理工
電薄膜の作製
			 21p-P16-4
アニール処理による金属 / 誘電体 / 金属ナノ光共振器構造 〇高橋 優介 1, 木場 隆之 1, 川村 みどり 1, 阿部 良夫 1 1. 北見工大の作製
			 21p-P16-5
単層グラフェン膜のフェムト秒レーザー加工と表面洗浄 〇門口 尚広 1, 2, 小林 哲郎 1, 2, 上杉 祐貴 1, 3, 小澤 祐
1. 東北大多元研 , 2. 東北大工院 , 3.JST さきがけ
市 1, 佐藤 俊一 1
11
1
1
			 21p-P16-6
アモルファス IZO ナノファイバを用いたフレキシブル導 〇大木下 潤 , 小川 裕貴 , 野見山 輝明 , 堀江 雄二
1. 鹿児島大院 理工
電不織布基板の作製
			 21p-P16-7
ポリイミド膜上への相転移 VO ₂薄膜成長と電気的・光学 〇 (M1) 小澤 雪斗 1, 宮武 佑多 1, 沖村 邦雄 1, 中西 俊 1. 東海大院工 , 2. 京都大院工的特性評価
博2
			 21p-P16-8
GST/VO ₂積層構造において GST の結晶化が VO ₂の転移 〇 (M1) 大貫 卓斗 1, 沖村 邦雄 1, 坂井 穣 2, 桑原 正史 3 1. 東海大院工 , 2. 豊島製作所 , 3. 産業技術総合研究所
特性に及ぼす影響			 21p-P16-9
PLD 合成したアモルファス酸化バナジウム系薄膜の紫外 〇 (M1) 大澤 樹 1, 庄司 拓貴 1, 金子 健太 1, 金子 智 2, 1, 1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川産技総研
光照射及び一軸圧縮熱処理による電気特性制御
松田 晃史 1, 吉本 護 1
			 21p-P16-10 酸化スズ薄膜の室温 PLD 合成と一軸圧縮熱処理による 〇加藤 礼雄 1, 庄司 拓貴 1, 金子 健太 1, 金子 智 2, 1, 吉 1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川産技総研
固相結晶化
本 護 1, 松田 晃史 1
			 21p-P16-11 反応性スパッタ法により低温堆積した YSZ 薄膜の結晶性 〇 (M2) 周 景堯 1, 堀田 將 1
1. 北陸先端大への基板温度の影響
			 21p-P16-12 Ga ベース液体金属合金から転写した Ga 酸化膜の観察と 〇前田 直輝 1, 永井 慈 1, 今井 崇人 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大理工評価			 21p-P16-13 Ga 液体金属の表面酸化膜の多層化検討〇永井 慈 1, 前田 直輝 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大院理工			 21p-P16-14 一価銅化合物ナノ粒子分散液を用いた抗ウイルス蒸着膜 〇猪俣 崇 1, 澤田 正貴 2, 三屋 昌幸 2, 濱野 剛 3, 木本
1. 稀産金属 , 2. エツミ光学 , 3. テクノアソシエ , 4.NBCの作製
学 3, 高森 万悠子 4, 長尾 朋和 4
メッシュテック1
1
1
1
			 21p-P16-15 溶液塗布型太陽電池における溶液調整条件と発電特性の 〇加藤 泰成 , 内山 直美 , 柴田 陽生 , 山田 博仁
1. 東北大院工関係
9:30		 20a-C302-3
9:45		 20a-C302-4

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces

6.5 表面物理・真空 / Surface Physics, Vacuum
9/22(Thu.) 9:30 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) C202 会場（Room C202）
9:30
招 22a-C202-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇藤澤 唯太 1, Mohamed Atwa1, Pardo-Almanza
1. 沖縄科技大 , 2. 高輝度光科学研究センター
Cr1+ δ Te2 薄膜におけおける変調可能なフラストレート
Markel1, 山神 光平 1, 2, 岡田 佳憲 1
フェリ磁性とスカーミオン形成
9:45		 22a-C202-2 フラストレート Y3Fe5-2xCoxSixO12 薄膜におけるスピン波 〇寺尾 健裕 1, Sarker Md Shamim1, 山原 弘靖 1, 関 宗 1. 東大院工伝搬
俊 1, 田畑 仁 1
10:00		 22a-C202-3 Ag/Mn-Zn フェライト薄膜を用いた磁気表面プラズモン 〇石橋 佳大 1, 黒岩 海斗 1, 芦澤 好人 1, 中川 活二 1
1. 日大理工
効果の高感度化
10:15		 22a-C202-4 PLD 法を用いた逆ペロブスカイト窒化物 Mn3(Sn,Bi)N エ 〇川口 昂彦 1, 白井 友晴 1, 坂元 尚紀 1, 鈴木 久男 1, 脇 1. 静大院工ピタキシャル薄膜の作製
谷 尚樹 1
10:30		休憩 /Break
10:45		 22a-C202-5 Na+ 脱離による Na1-xCrO2 エピタキシャル薄膜の電気抵〇 (M1) 前田 慶 1, 笹原 悠輝 1, 2, 遊馬 博明 1, 小林 成 1, 1. 東工大物質理工 , 2. 京大院工 , 3. 東大院理抗・光学特性変化
西尾 和記 1, 清水 亮太 1, 一杉 太郎 1, 3
11:00		 22a-C202-6 パルスレーザー堆積法により作製された Bi-Rh-O 新物質 〇 (DC) 大野 瑞貴 1, 藤田 貴啓 1, 川﨑 雅司 1, 2
1. 東大院工 , 2. 理研 CEMS
薄膜における p 型導電性
11:15		 22a-C202-7 TFET 用 TixZn1-xO1+x/Si 界面の熱処理による欠陥制御〇 (M2) 大門 祐貴 1, 2, 知京 豊裕 2, 小椋 厚志 1, 3, 長田 1. 明大理工 , 2. 物質・材料研究機構 , 3. 明大 MREL
貴弘 2
9/22(Thu.) 13:00 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) C202 会場（Room C202）
13:00		 22p-C202-1 擬岩塩型 NbN エピタキシャル薄膜の超伝導〇長 泰亨 1, 木村 凛太郎 1, 神永 健一 1, 丸山 伸伍 1, 松 1. 東北大工本 裕司 1
13:15
奨 22p-C202-2 強磁性 Fe4N/ 超伝導 NbN 接合のエピタキシーと伝導特性 〇 (M1) 吉田 悠真 1, 相馬 拓人 1, 大友 明 1
1. 東工大物質理工
13:30
奨 22p-C202-3 高圧相岩塩型構造 MgSnN2 の薄膜化
〇牧内 楓 1, 川村 史朗 2, 矢田 舜一郎 1, ソン イェリ
1. 中部大院工 , 2. 物材機構 , 3. 産総研 , 4. 大阪公立大 ,
2
3
4
5
1
ン , 反保 衆志 , 村田 秀信 , 賈 軍軍 , 山田 直臣
5. 早大国際理工
1
1
1
2
13:45
奨 22p-C202-4 p-CuI:Zn/n-MgSnN2 ヘテロ接合とダイオード〇矢田 舜一郎 , 牧内 楓 , 小林 海斗 , 川村 史朗 , 井 1. 中部大院工 , 2. 物材機構 , 3. 大阪公立大院工 , 4. 早大国
村 将隆 2, 村田 秀信 3, 賈 軍軍 4, 山田 直臣 1
際理工
14:00
奨 22p-C202-5 p-CuI:Zn/n-ZnO ヘテロ接合の形成とダイオード特性評 〇小林 海斗 1, 矢田 舜一郎 1, 山田 直臣 1
1. 中部大院工
価
1
1
1
14:15
奨 22p-C202-6 EuCd2 薄膜における巨大なトポロジカルホール効果の観 〇 (M1) 渡辺 悠斗 , 西早 辰一 , 中村 彩乃 , 打田 正 1. 東工大理
測輝1
14:30		休憩 /Break
14:45
奨 22p-C202-7 La3Ni2O7 薄膜のエピタキシャル成長と還元アニールによ 〇後藤 祐己 1, 河村 和哉 1, 金子 健太 1, 金子 智 2, 1, 吉 1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川産技総研
る層状構造制御本 護 1, 松田 晃史 1
15:00
奨 22p-C202-8 マグネトロンスパッタ法を用いた KCoF3 エピタキシャル 〇 (M2) 邱 天裕 1, 清水 亮太 1, 小松 遊矢 1, 深津 圭佑 1, 1. 東工大物質理工 , 2. 東大院理薄膜成長
西尾 和記 1, 一杉 太郎 1, 2
15:15
奨 22p-C202-9 複合成膜手法により作成された TiO2 薄膜におけるスパッ 〇 (M1) 遠藤 孝祐 1, 室谷 裕志 1, 松平 学幸 2
1. 東海大院工 , 2.( 株 ) シンクロン
タリングの影響1
2
1
15:30
奨 22p-C202-10 複合成膜手法により成膜された低屈折率 SiO2 光学薄膜の 〇 (M2) 伊藤 睦記 , 松平 学幸 , 室谷 裕志
1. 東海大院工 , 2.( 株 ) シンクロン
親水性評価 [4]15:45
奨 22p-C202-11 Mn ドープ ITO エピタキシャル成長膜における Mn ドー 〇北川 彩貴 1, 中村 敏浩 1, 2
1. 京大院人環 , 2. 京大国際高等教育院
プ量が物性に与える影響の評価
1
1
1
1, 2
16:00		 22p-C202-12 RF マグネトロンスパッタリング法によって作製した Mn 〇川村 亮人 , 北川 彩貴 , 武久 進太郎 , 中村 敏浩
1. 京大院人環 , 2. 京大国際高等教育院
ドープ ITO 多結晶膜の物性に及ぼす基板温度の影響
6.5 表面物理・真空 / Surface Physics, Vacuum
9/20(Tue.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20p-P01-1
二酸化チタン表面の酸素欠損配列の第一原理計算〇河野 翔也 1, 坪倉 奏太 2, 日置 尋久 3, 野間 春生 2, 湊 1. 九工大 , 2. 立命館大 , 3. 京大 , 4. 分子研
丈俊 4
			 20p-P01-2
マイクロ液滴の自発的運動探索のための表面エネルギー 〇鈴木 将太 1, 八田 英嗣 1, Subagyo Agus1, 末岡 和久 1 1. 北大院情報
勾配を有する化学的修飾基板の作製
			 20p-P01-3
Zr 系金属ガラスの低圧酸素加熱による深さ方向元素組成 鷺 拓未 1, 増田 悠右 1, 〇遠田 義晴 1, 富樫 望 2
1. 弘大院理工 , 2. アダマンド並木変化
9/21(Wed.) 13:30 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) C106 会場（Room C106）
13:30 招 E 21p-C106-1 [INVITED]〇 Sylvia Yuk Yee Chung1, Motohiro Tomita1, 2,
1.Waseda Univ., 2.Comprehensive Research Org.,
Identifying an anomalous phonon mode in SiGe alloy
Junya Takizawa1, Ryo Yokogawa3, 4, Atsushi
Waseda Univ., 3.Meiji Univ., 4.Meiji Renewable Lab.,
3, 4
5
1, 2
using Molecular Dynamics Simulation
Ogura , Haidong Wang , Takanobu Watanabe
5.Key Lab. Thermal Sci. Power Eng. Tsinghua Univ.
1
1
1
13:45
E 21p-C106-2 Comparison of Astatine and Iodine Adsorption on Gold〇 Jeffrey Tanudji , Hideaki Kasai , Michio Okada , 1.Osaka Univ., 2.NIT, Akashi College(111) Surface
Tetsuo Ogawa1, Susan Menez Aspera2, Hiroshi
Nakanishi2
14:00		 21p-C106-3 n-GaAs 表面における光励起キャリアの第一原理計算理 〇大内 涼雅 1, 草部 浩一 2, 北谷 基治 2, 福本 恵紀 3, 石 1. 阪大院基礎工 , 2. 兵県大理 , 3. 高エネ研 , 4. 宇都宮大工論
田 邦夫 4
14:15		 21p-C106-4 異なる熱処理条件で形成した NEA-GaAs 表面における量 〇小林 大地 1, 佐田 雄飛 1, 石谷 宇織 1, 目黒 多加志 1 1. 東京理科大
子効率の時間変化
14:30		休憩 /Break
14:45
奨 21p-C106-5 ガラス表面のヤケの評価方法の検討〇 (M1) 山口 麻人 1, 室谷 裕志 1
1. 東海大院工15:00		 21p-C106-6 グラフェン表面に形成した Pt 単原子分散体の加熱による 〇山崎 憲慈 1, 守屋 理 1, 杉本 崚 1
1. 北大院工
結晶化
15:15		 21p-C106-7 局在プラズモンにおける量子効果の数値解析による検討 〇市川 昌和 1
1. 東大院工15:30		 21p-C106-8 イオンミリングした酸化亜鉛表面のカソードルミネセン 〇細見 圭 1, 2, 居波 渉 1, 2, 川田 善正 1, 2
1. 静大 , 2.CREST
ス特性
15:45		 21p-C106-9 金属製膜後の TiOx/SiOy/ 結晶 Si ヘテロ構造のパッシベー 〇 (M2) 深谷 昌平 1, 後藤 和泰 1, 松井 卓矢 2, 齋 均 2, 1. 名大院工 , 2. 産総研 GZR
ション性能における LiF 中間層の導入による影響
黒川 康良 1, 宇佐美 徳隆 1
16:00		 21p-C106-10 Au/brookite TiO2 界面相互作用に関する研究〇多田 幸平 1, 日沼 洋陽 1, 市川 聡 1, 2, 田中 真悟 1
1. 産業技術総合研究所 , 2. 大阪大
16:15		 21p-C106-11 光励起によるルチル TiO2 表面での水素ガス生成率 – 零点 〇加藤 弘一 1, 福谷 克之 1
1. 東大生研
振動も考慮【CS.8】6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェア / Code-sharing Session of 6.5 & 7.6
9/22(Thu.) 10:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
10:00		 22a-A404-3 電界電子放出機構によるドライエッチング装置用電子放 〇下位 法弘 1, 寺嶋 亮 2, 檜森 慎司 2
1. 東北工大工 , 2. 東京エレクトロン宮城㈱出源の開発
10:15		 22a-A404-4 電子線ホログラフィーによるイオン液体の分極ダイナミ 〇岩崎 洋 1, 嶌田 惠子 1, 赤瀬 善太郎 2, 原田 研 1, 進藤 1. 理研 CEMS, 2. 東北大多元研
クス観測
大輔 1
10:30 奨 E 22a-A404-5 Direct Observation of Atomic Structures and Chemical〇 (DC)JINGMIIN TANG1, 2, Yusuke Hashimoto3,
1.National institute for materials science, 2.Kyushu
States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped Tomohiro Matsushita3, 4, Yoshiyuki YAMASHITA1, 2 University, 3.Nara Institute of Science and Technology,
GaN (0001)
4.Japan Synchrotron Radiation Research Institute
10:45
奨 22a-A404-6 極低濃度 HF 水溶液を用いて作製した Si 陽極酸化膜の原 〇 (M1) 新井 太貴 1, 喬 楊木易 1, 鈴木 俊明 1, 𠮷越  章 1. 東京電機大工 , 2. 原子力機構物質科学研究センター
子結合状態
隆 2, 丹羽 雅昭 1, 本橋 光也 1
11:00
奨 22a-A404-7 分子状吸着 O2 による SiO2/Si(001) 界面酸化反応過程の分 〇 (P) 津田 泰孝 1, 吉越 章隆 1, 小川 修一 2, 3, 坂本 徹 1. 原子力機構 MSR, 2. 東北大 SRIS, 3. 東北大 IMRAM,岐
哉 1, 髙桑 雄二 1, 4
4. 東北大μ SIC
11:15		 22a-A404-8 放射光照射によるミラー表面上炭素物質の電子状態分析 〇滝沢 優 1, 光原 圭 1
1. 立命館大6.6 プローブ顕微鏡 / Probe Microscopy
6.6 プローブ顕微鏡 / Probe Microscopy
9/20(Tue.) 13:00 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) A205 会場（Room A205）
13:00		 20p-A205-1 qPlus AFM を用いたイオン液体 / アルカリハライド極性
面界面構造の高分解能分析
13:15		 20p-A205-2 液中局所電位分布計測技術を用いた Ti 合金表面におけるナノスケールカソード反応解析
13:30		 20p-A205-3
13:45		 20p-A205-4
14:00		 20p-A205-5
14:15		 20p-A205-6
14:30		 20p-A205-7
14:45		15:00		 20p-A205-8
15:15		 20p-A205-9

15:30		 20p-A205-10
15:45		 20p-A205-11
16:00		 20p-A205-12
16:15		 20p-A205-13
9/21(Wed.) 13:30 - 16:30
13:30
奨 21p-C201-1
13:45

奨 21p-C201-2

14:00

奨 21p-C201-3

14:15

奨 21p-C201-4

14:30		 21p-C201-5

15:00		15:15		 21p-C201-7
15:30		 21p-C201-8
15:45		 21p-C201-9
16:00		 21p-C201-10
16:15		 21p-C201-11
9/22(Thu.) 9:30 - 11:30
			 22a-P03-1
			 22a-P03-2
			 22a-P03-3
			 22a-P03-4
			 22a-P03-5
			 22a-P03-6
			 22a-P03-7
			 22a-P03-8
			 22a-P03-9
			 22a-P03-10
			 22a-P03-11

杉村 博之 1
〇 (M1) 小西 沙和 1, 近江 純一 1, 谷口 大騎 1, 山本 伸

1. 京大院工1. 金大 , 2.JAMSTEC之介 1, 平田 海斗 1, 水島 大地 1, 伊藤 元雄 2, 福間 剛士1Sn 系合金融液 /Au 界面の AFM 構造分析
〇安部 耀介 1, 一井 崇 1, 宇都宮 徹 1, 杉村 博之 1
1. 京大院工
平行配向したスルホ基末端 SAM／水界面に局在する可逆 〇森本 将行 1, 淺川 雅 1
1. 金沢大構造の 3 次元走査型 AFM 計測
qPlus センサを用いた濃厚水溶液 /LTO 界面の AFM 分析 〇津吉 順平 1, 一井 崇 1, 宇都宮 徹 1, 杉村 博之 1
1. 京大院工
テトラポッド有機分子 / 水界面に存在するナノ引力分布 〇小笠原 萌 1, 森本 将行 1, 淺川 雅 1
1. 金大
の解明
液中における光熱励振法によるカンチレバー励振特性の 〇中川 智貴 1, 足立 康輔 1, 長谷 一輝 1, 宮田 一輝 1, 2, 1. 金大院 , 2. 金大 NanoLSI
レーザ波長依存性
福間 剛士 1, 2
休憩 /Break
ダブルバレルナノピペットを用いた静電容量補償による 〇福澤 直人 1, 中澤 謙太 1, 河崎 秀陽 2, 岩田 太 1, 3
1. 静岡大院工 , 2. 浜松医科大学 , 3. 静岡大電研
走査型イオン伝導顕微鏡の検出信号応答性の改善
11, 2
細胞核内部の 3 次元構造を可視化する 3D-AFM の開発〇児島 亮平 , 宮澤 佳甫 , Alam Mohammad
1. 金沢大 , 2.WPI-NanoLSI, 3.JST-PRESTO
Shahidul1, Kundan Sivashanmugan2, 炭竈 享司 3, 太
村 理沙 2, 福間 剛士 1, 2
ナノ内視鏡による細胞内計測用ニードル探針のヤング率 〇奥西 昴 1, 宮澤 佳甫 1, 2, 工藤 麻希子 2, 寺前 奎吾 1, 1. 金大院 , 2. 金大 WPI-NanoLSI
計測手法の確立太村 理沙 2, 福間 剛士 1, 2
走査型プローブエレクトロスプレーイオン化法を用いた 〇大塚 洋一 1, 孫 夢沢 1, 岡田 茉樹 1, 豊田 岐聡 1
1. 阪大院理高空間分解能質量分析イメージング
特徴空間フィルタによる走査型プローブ顕微鏡計測の信 〇辰田 貴哉 1, 渡邉 信嗣 2
1. 金沢大・数物 , 2. 金沢大・WPI-NanoLSI
号雑音比の改善
12帯域増幅機構を用いた逆伝達補償法によるスキャナ応答 〇金田 駿哉 , 渡邉 信嗣
1. 金沢大・数物 , 2. 金沢大・WPI-NanoLSIの改善
口頭講演 (Oral Presentation) C201 会場（Room C201）
KBr 超薄膜上に吸着したフタロシアニン単一分子の STM 〇近藤 魁人 1, 2, 木村 謙介 1, 今田 裕 1, 片山 郁文 1, 武 1. 理化学研究所 SISL, 2. 横浜国立大理工発光測定
田 淳 1, 2, 金 有洙 1
光誘起力顕微鏡によるキラル光場の可視化〇山西 絢介 1, Ahn Hyo-Yong1, 成島 哲也 1, 岡本 裕
1. 分子研巳1
3 次元走査型力顕微鏡による DEME-TFSI と BMI-TFSI 〇張 皓輝 1, 五十嵐 陽彦 1, 榊原 涼 1, 炭竈 享司 1, 宮田 1. 金沢大 , 2. 電中研 , 3. 東大工 , 4. 理研 CEMS
イオン液体 / 金 (111) 電極界面構造のバイアス依存性の比 一輝 1, 宮澤 佳甫 1, 清水 直 2, 岩佐 義宏 3, 4, 福間 剛士 1較グラファイト / マイカ表面上のシリコーンオイルのバイ 〇山田 祐也 1, 一井 崇 1, 宇都宮 徹 1, 杉村 博之 1
1. 京大院工モーダル qPlus AFM 分析
ケルビン・プローブ・フォース法を併用した時間分解静 〇佐藤 捷 1, 高橋 琢二 1, 2
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
電引力顕微鏡時間分解走査トンネル分光法の開発〇武内 修 1, 木榑 太一 1, 藤巻 慶大 1, 茂木 裕幸 1, 嵐田 1. 筑波大学数理物質
雄介 1, 谷中 淳 1, 吉田 昭二 1, 重川 秀実 1
休憩 /Break
真空劈開 2H-NbSe ２表面の STM/STS 観察と電荷密度波 〇市川 稜 1, 山田 豊和 1
1. 千葉大院工の磁場依存性
周波数変調 AFM による Ru 錯体の LUMO を介した共鳴ト 〇中山 優弘 1, 梶本 健太郎 1, 山田 剛司 1, 大山 浩 1, 松 1. 阪大院理ンネリングの観測
本 卓也 1
表面活性化接合法で作製した n-Si/n-Si および p-Si/p-Si 〇小林 大地 1, 梁 剣波 3, 重川 直輝 3, 高橋 琢二 1, 2
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構 , 3. 大阪公大工
接合の二重バイアス変調静電引力顕微鏡による評価
金微粒子 /TiO2 界面におけるプラズモン誘起電荷分離の 〇三坂 朝基 1, 大山 浩 1, 松本 卓也 1
1. 阪大院理
サイドバンド EFM,KPFM 測定
交番磁気力顕微鏡を用いた磁場の定量イメージング法の 江原 廉 1, 三浦 健太 1, 園部 博 1, 松村 透 1, 〇斉藤 準 1 1. 秋田大理工
提案
ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
大気中・液中で動作する探針増強ラマン分光 AFM 装置 〇郎 朗 1, 松浦 智彦 1, 木南 裕陽 1, 張 開鋒 1, 2, 渡辺 正 1. 京大工 , 2. 日立製作所の開発
浩 2, 小林 圭 1
フェーズロックループを用いた走査型トンネル顕微鏡の 〇阿部 真之 1, 山下 隼人 1, 神野 崇馬 1, 土岐 博 1
1. 阪大基礎工
ノイズ低減手法
フレキシブル基板上スピントロニクス素子のための磁気 〇 (M1) 森 謙介 1, 安倍 祥太 1, 後藤 穣 1, 2, 鈴木 義
1. 阪大基工 , 2. 阪大 CSRN
間力顕微鏡の開発
茂 1, 2, 野村 光 1, 2
STM 探針光電子放出を利用した局所ポテンシャルダイナ 〇茂木 裕幸 1, 若林 凜 1, 嵐田 雄介 1, 吉田 昭二 1, 武内 1. 筑波大数理ミクス評価
修 1, 重川 秀実 1
シータ管マイクロピペットを用いた周波数変調原子間力 〇米田 里緒 1, 阿久津 祐介 2, 金子 直暉 2, 山崎 詩郎 3, 1. 工学院大院化応 , 2. 工学院大先進工 , 3. 東工大理物 ,顕微鏡の開発高見 知秀 4
4. 工学院大基礎教養
交流電圧制御法 KPFM と EFM の複合による光起電力・ 〇宮崎 雅大 1, 能登 健太 1, 菅原 康弘 1, 李 艶君 1
1. 阪大院工
接触電位差・静電容量の同時測定
電圧パルス走査プローブ顕微鏡を用いた局所仕事関数の 〇日笠 響貴 1, 村田 笑子 1, 勝部 大樹 2, 阿部 真之 3, 稲 1. 高知工大院工 , 2. 理研 , 3. 阪大院基礎工計測
見 栄一 1多孔質分子膜への磁性金属原子吸着の STM 研究〇 (B) 石井 榛 1, 山田 豊和 1
1. 千葉大工
高性能探針増強ラマン分光用プローブの開発〇張 開鋒 1, 2, 包 一凡 3, 曹 茂豊 3, 王 翔 3, 吉村 雅満 4, 1. 日立研開 , 2. 京大工 , 3. 厦門大 , 4. 豊田工大
21
3
2
山田 啓文 , 渡辺 正浩 , 任 斌 , 小林 圭
二層グラフェン上に成長した VTe2 薄膜の走査トンネル顕 〇道祖尾 恭之 1, 伊藤 拓馬 2, Zhipeng Wang2, 米田 忠 1. 東北大学・多元研 , 2. 東北大理化 , 3. 東北大理物
微鏡による構造観察
弘 1, 2, 川上 竜平 3, 佐藤 宇史 3
液中 FM-AFM によるコラーゲンマイクロリボンの高分解 〇 (M1) 高嶋 智哉 1, 木南 裕陽 1, 熊谷 隼太朗 1, 小林 1. 京都大工
能観察
圭1

7 ビーム応用 / Beam Technology and Nanofabrication

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
9/23(Fri.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 23a-P03-1
ECR イオン源による外付けの蒸発源を用いた金属イオン
生成の検証
			 23a-P03-2
ナノインプリント法を用いたポリマー基板表面の薄膜周期パターン形成			 23a-P03-3
熱ナノインプリントによるポリ乳酸シート表面の形状制
御と超平坦化			 23a-P03-4
サンドブラストしたグラファイト表面からの電界放射〇小野坂 成龍 1, 中村 翼 1, 浅地 豊久 2

1. 大島商船高専 , 2. 新居浜高専〇 (M1) 島田 侑果 1, 前田 優斗 1, 大賀 友瑛 1, 金子
智 2, 1, 吉本 護 1, 松田 晃史 1
〇梅本 琉花 1, 前田 優斗 1, 大賀 友瑛 1, 金子 智 2, 1, 吉

1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川産技総研

本 護 1, 松田 晃史 1
〇 (M1) 蛯名 太雅 1, 吉本 智巳 1, 2, 岩田 達夫 2, 3

1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川産技総研
1. 東洋大院理工 , 2. 東洋大工技研 , 3. 三重大

7 ビーム応用 / Beam Technology and Nanofabrication

14:45		 21p-C201-6〇 (DC) 鮑 一帆 1, 河野 冬馬 1, 一井 崇 1, 宇都宮 徹 1,

7.1 X 線技術 / X-ray technologies
7.1 X 線技術 / X-ray technologies
9/21(Wed.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) C206 会場（Room C206）
13:30		 21p-C206-1 2～4 keV 領域高回折効率高分解能軟 X 線ラミナー型多層
膜回折格子の設計 (II)13:45		 21p-C206-2 強度モニターを備えた軟 X 線レーザー照射ビームラインの構築
14:00		 21p-C206-3 レーザープラズマ EUV 反射率計の絶対値補正
14:15		 21p-C206-4 極紫外顕微鏡用の高倍率対物ミラ - で生じるコマ収差の
精密補正
14:30
E 21p-C206-5 Characteristics of the extreme ultraviolet spectrum from alaser produced plasma

14:45

奨 E 21p-C206-6

A high-transmittance Schwarzschild objective (SO) tofocus high-intensity EUV-VUV light from laser-plasma
light source

15:00		 21p-C206-7

EUV 光源コレクタミラーの長寿命化に向けた Sn イオン
エネルギー計測
休憩 /Break
宇宙軟 X 線観測に向けた pnCCD カメラの基礎性能評価

7 ビーム応用 / Beam Technology and Nanofabrication

15:15		15:30		 21p-C206-8〇小池 雅人 1, 2, 3, 羽多野 忠 2, ピロジコフ アレキサン 1. 量研量子ビーム , 2. 東北大多元研 , 3. 大阪公大院工 ,

ダー1, 上野 良弘 4, 寺内 正己 2
〇石野 雅彦 1, ヂン タンフン 1, 羽多野 忠 2, 長谷川

4. 島津製作所基盤研
1. 量研 , 2. 東北大

登 , 錦野 将元〇 (D) 脇 俊太郎 1, 津久井 雄祐 1, 陳 軍 1, 豊田 光紀 1 1. 東京工芸大学院工〇津久井 雄祐 1, 脇 俊太郎 1, 増根 伊織 1, 陳 軍 1, 豊田 1. 東京工芸大学
光紀 1〇 Nozomi Tanaka1, Yubo Wang1, Katsunobu
1.ILE, Osaka Univ., 2.Purdue Univ., 3.Hiroshima Univ.,
Nishihara1, Shinsuke Fujioka1, Atsushi Sunahara1, 2, 4.Samsung MR, 5.Samsung R&D Inst.
Tomoyuki Johzaki1, 3, Kyung Sik Kang4, Youngduk
Suh4, Jeong-Gil Kim4, Shinji Ueyama5, Ken Ozawa5〇 (M2)Yubo Wang1, Tanaka Nozomi1, Katsunobu
1.ILE Osaka Univ., 2.Purdue University, 3.Hiroshima
Nishihara1, Shinsuke Fujioka1, Atsushi Sunahara1, 2, University, 4.Samsung MR, 5.Samsung R&D InstituteTomoyuki Johzaki1, 3, Kyung Sik Kang4, YoungdukJapanSuh4, Jeong-Gil Kim4, Shinji Ueyama5, Ken Ozawa5〇本田 能之 1, 永井 伸治 1, 細田 裕計 1, 中山 勇冬 2, 新 1. ギガフォトン株式会社 , 2. 宇都宮大学
沼 大登 2, 久米 真樹 2, 東口 武史 2
1

1

〇 (M2) 吉田 明弘 1, 平賀 純子 1, 藤本 健二郎 1, 有本 1. 関西学院大学理工 , 2. 金沢大宇宙物理 , 3. 青山学院大
誠 2, 米徳 大輔 2, 荻野 直樹 2, 坂本 貴紀 3
理工
15:45		 21p-C206-9 佐賀 LS における形状可変結晶を用いた DXAFS の試み〇米山 明男 1, 瀬戸山 寛之 1, 河本 正秀 1, 一井 愛雄 2 1. 佐賀 LS, 2.JTEC Corp.
16:00		 21p-C206-10 弾性率を画像化する 3 次元動的 X 線エラストグラフィの 〇 (PC) 亀沢 知夏 1, 梁 暁宇 2, 米山 明男 1, 3, 兵藤 一
1.KEK 物構研 , 2. 東北大多元研 , 3. 佐賀 LS, 4. 東北大国
基礎的検討
行 1, 矢代 航 2, 4, 5
際放射光 , 5. 東大物工
16:15		 21p-C206-11 高角散乱 X 線を用いたライトシート 3D イメージング〇志村 考功 1, 梶原 堅太郎 2, 辻 成希 2, 小林 拓真 1, 渡 1. 阪大院工 , 2.JASRI
1
部 平司
16:30		 21p-C206-12 Talbot 干渉計を用いた 4DCT によるポリマー材料に対す 〇上田 亮介 1, 關 義親 1, 星野 真人 2, 百生 敦 1
1. 東北大 多元研 , 2.JASRI
るレーザー接合の観察
16:45		 21p-C206-13 三角位相格子を用いたピクセル超解像 X 線位相イメージ 〇上田 亮介 1, 蔡 銘鍳 1, 百生 敦 1, 川上 博己 2, Pouria 1. 東北大 多元研 , 2. 浜松ホトニクス , 3. カールスルーエ
ングのシミュレーションによる検討
Zangi3, Martin Börner3, Otto Markus4, Joachim
工科大 , 4. マイクロワークス
Schulz4
7.2 電子ビーム応用 / Applications and technologies of electron beams
9/21(Wed.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) C306 会場（Room C306）
9:00
奨 21a-C306-1 超高感度走査透過電子顕微鏡法 OBF STEM の開発による 〇大江 耕介 1, 2, 関 岳人 2, 3, 吉田 要 1, 河野 祐二 4, 幾原 1.JFCC, 2. 東大 , 3.JST さきがけ , 4. 日本電子
電子線敏感材料の原子構造直接観察
雄一 1, 2, 柴田 直哉 1, 2
9:15		 21a-C306-2 同期露光式の電子線ホログラフィーによる周期的変動電 〇岩崎 洋 1, 赤瀬 善太郎 2, 嶌田 惠子 1, 原田 研 1, 進藤 1. 理研 CEMS, 2. 東北大多元研
場の観測
大輔 1
9:30		 21a-C306-3 超高速時間分解 SEM を用いたデバイス電位の過渡応答イ 〇川崎 康平 1, 江本 悠河 1, 山本 祐揮 1, 鄭 サムエル 1, 1. 筑波大数理メージング
嵐田 雄介 1, 吉田 昭二 1, 赤田 圭史 1, 藤田 淳一 1
9:45		 21a-C306-4 低加速 SEM を用いた硫化物系全固体電池電極の合材分 〇橘田 晃宜 1, 田口 昇 1, 倉谷 健太郎 1, 栄部 比夏里 1 1. 産総研
布の可視化
10:00		 21a-C306-5 電子線誘起蒸着法による酸化ハフニウムの堆積〇小林 俊介 1
1.JFCC
10:15		休憩 /Break1
1
1
1
10:30		 21a-C306-6 飽和磁性体を含む系の磁界計算を行うための境界磁荷法 〇杉浦 元哉 , 村田 英一 , 田中 崇之 , 六田 英治
1. 名城大理工の開発
10:45		 21a-C306-7 通常より低い加熱温度での LaB6 熱電子放出の仕事関数評 〇梶田 寵太郎 1, 岡田 風杜 1, 田中 崇之 1, 村田 英一 1, 1. 名城大理工価
六田 英治 1
11:00		 21a-C306-8 極低バイアス電子放出の再現〇 (M1) 稲葉 雪乃 1, 壁谷 桜 1, 森岡 咲帆 1, 脇 彩花 1, 1. 名城大理工
吉田 真子 1, 國枝 夕夏 1, 六田 英治 1, 村田 英一 1
11:15		 21a-C306-9 電界放射顕微鏡（FEM）における分子パターンの起源に 〇 (B) 山本 勇帆 1, 鶴田 諒平 1, 佐々木 正洋 1, 山田 洋 1. 筑波大学数理関する研究一1
11:30		 21a-C306-10 CeB6 単結晶表面の電子状態評価〇鶴田 諒平 1, 佐々木 正洋 1, 山田 洋一 1
1. 筑波大数理
9/21(Wed.) 13:30 - 14:45 口頭講演 (Oral Presentation) C306 会場（Room C306）
13:30		 21p-C306-1 反応性スパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の 〇大住 知暉 1, 2, 長尾 昌善 2, 後藤 康仁 1
1. 京大院工 , 2. 産総研
仕事関数の窒素組成依存性
13:45		 21p-C306-2 深紫外線蛍光体を用いたフィールドエミッションランプ 〇 (M2) 橋本 凱 1, 2, 根尾 陽一郎 1, 2, 松本 貴裕 3
1. 静岡大院工 , 2. 静岡大電研 , 3. 名古屋市立大
の開発
1, 2
14:00
奨 21p-C306-3 Si 基板上 h-BN 直接成膜技術と graphene/h-BN/Si 積層型 〇山本 将也
1. 静大電研 , 2. 産総研
平面電子源の開発
14:15		 21p-C306-4 ナノ結晶シリコンを用いた平面型電子放出素子の低真空 〇嶋脇 秀隆 1, 長尾 昌善 2, 村上 勝久 2
1. 八戸工大 , 2. 産総研
下での動作
1
1
1
14:30		 21p-C306-5 グラフェン平面電子源のエタノール中動作による水素発 〇村上 勝久 , 村田 博雅 , 長尾 昌善
1. 産総研生
7.3 微細パターン・微細構造形成技術 / Micro/Nano patterning and fabrication
9/20(Tue.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) C101 会場（Room C101）
9:00		 20a-C101-1 アモルファス薄膜の電子線照射による局所結晶化〇 (M2) 棚橋 俊介 1, 徳永 智春 1, 山本 剛久 1
1. 名大工9:15		 20a-C101-2 極端紫外光（EUV）リソグラフィ用のマスク作製〇山本 洋揮 1, 古澤 孝弘 2
1. 量研高崎 , 2. 阪大産研
9:30
奨 20a-C101-3 銀細線レーザーパターニングによるフレキシブル透明電 〇隼瀬 真衣 1, 住吉 真聡 1, 瀧下 真一 1, ミゼイキス ビ 1. 静大院工極の開発
ガンタス 1, 小野 篤史 1
9:45		 20a-C101-4 青色発光ダイオードでコリメート照明した対向放物面鏡 〇堀内 敏行 1, 小林 宏史 1
1. 東京電機大工
立体投影リソグラフィによるスプーン面へのパターン形
成の実証
10:00		 20a-C101-5 分子シミュレーションと深層学習による電子線リソグラ 〇井上 文太 1, 平井 義彦 2, 安田 雅昭 2
1. 阪府大院工 , 2. 阪公大院工フィのパターン形状予測システム
1
1
1
10:15		 20a-C101-6 電子ビームリソグラフィにおけるレジスト帯電の分析〇 (M2) 河野 由伸 , 西口 彰夫 , 小寺 正敏
1. 大工大工10:30		 20a-C101-7 ネガ型レジストを対象とした電子線リソグラフィの分子 〇山田 絵斗 1, 平井 義彦 2, 安田 雅昭 2
1. 阪府大院工 , 2. 阪公大院工動力学解析
10:45		休憩 /Break
11:00		 20a-C101-8 ディープラーニングのための熱ナノインプリント用樹脂 〇亀山 開 2, 國籐 裕成 1, 川田 博昭 1, 安田 雅昭 1, 平井 1. 阪公大院工 , 2. 阪府大院工の熱特性の検証義彦 1
11:15		 20a-C101-9 ディープラーニングを利用した熱ナノインプリントのプ 〇 (M1C) 國藤 裕成 1, 山村 龍平 2, 亀山 開 2, 安田 雅 1. 阪公大院工 , 2. 阪府大院工
ロセス設計
昭 1, 平井 義彦 1
11:30		 20a-C101-10 熱インプリントとフォトリソ併用による貫通孔付き自立 〇川田 博昭 1, 安田 雅昭 1, 平井 義彦 1
1. 大阪公立大
樹脂薄膜の作製
11:45		 20a-C101-11 ポリマー製ナノピラーの作製と抗菌材料への応用〇 (M1C) 新家谷 一生 1, 小川 夏輝 1, 伊藤 健 1, 清水
1. 関西大理工研
智弘 1, 新宮原 正三 1

7.4 量子ビーム界面構造計測 / Buried interface sciences with quantum beam

8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
9/22(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22a-P04-1
直列共振型メタマテリアル構造による マルチバンド化設
計および周波数特性診断
		
E 22a-P04-2
Decomposition experiments of toluene in humidified air
using intermittent pulse barrier discharge
			 22a-P04-3
イグニッションコイルを用いた水中放電の放電特性に関する研究〇 (M1) 佐波 陽平 1, 水富 拓弥 1, 宮城 茂幸 1, 酒井 道 1 1. 滋賀県立大工〇 Mao Xu1, Yohei Fukuyama1, Zhizhi Liu1, Akitoshi
Okino1〇向井 鴻 1, 向笠 忍 1, 環 颯 1, 野村 信福 1

1.Tokyo Tech, FIRST
1. 愛媛大工8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics

12:00		 20a-C101-12 モスアイ構造とマイクロ構造形成による付着性撥水フィ 〇 (M1) 荒井 樺月 1, 谷口 淳 1, 菅原 浩幸 2
1. 東理大先工 , 2. ジオマテック
ルムの作製
12:15		 20a-C101-13 ナノインプリントと銀インクを用いた 2 種類のパターン 〇 (M1) 榎本 圭祐 1, 谷口 淳 1
1. 東理大先工
転写
7.4 量子ビーム界面構造計測 / Buried interface sciences with quantum beam
9/22(Thu.) 9:00 - 9:30 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
9:00		 22a-A404-1 III-V 族化合物半導体 InSb 極薄膜における価電子帯の低次 〇武田 崇仁 1, 高瀬 健吾 1, Strocov V. N.2, 田中 雅
1. 東大工 , 2.Swiss Light Source, 3. 東大スピンセンター
元化
明 1, 3, 小林 正起 1, 3
9:15		 22a-A404-2 4D-XPS 計測ビッグデータの逆解析による多層積層膜に 〇豊田 智史 1, 吉村 真史 2, 住田 弘祐 3, 三根生 晋 3, 町 1. 東北大 , 2.SP8 サービス , 3. マツダ , 4. シエンタオミク
埋もれた界面の高解像度可視化 (II)田 雅武 4, 吉越 章隆 5, 吉川 彰 1, 鈴木 哲 6, 横山 和司 6 ロン , 5. 原子力機構 , 6. 兵庫県大【CS.1】2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析 、7.5 イオンビーム一般のコードシェア / Code-sharing Session of 2.3 & 7.5
9/22(Thu.) 9:15 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
9:15		 22a-C205-1 人為起源放射性核種ヨウ素 129 および塩素 36 の両極への 〇松崎 浩之 1, 戸谷 美和子 1, 堀内 一穂 2, 本山 秀明 3, 1. 東大 MALT, 2. 弘前大理工 , 3. 国立極地研 , 4. 北大低温移行過程
飯塚 芳徳 4, バウディスタ エンジェル 5
研 , 5. フィリピン原研
9:30		 22a-C205-2 海水中の無機ヨウ素同位体のスペシエーション分析
チ ユアンジュ1, 〇松崎 浩之 1
1. 東大 MALT
9:45		 22a-C205-3 ハイマツ試料中放射性炭素濃度の年変動に関する研究 IV 〇武山 美麗 1, 森谷 透 1, 櫻井 敬久 2, 宮原 ひろ子 3, 門 1. 山形大 AMS センター, 2. 山形大理 , 3. 武蔵美叶 冬樹 1, 2
10:00		 22a-C205-4 過去の太陽活動研究に必要な 14C － AMS 測定精度の評価 〇森谷 透 1, 武山 美麗 1, 門叶 冬樹 1, 2
1. 山形大 AMS センター, 2. 山形大理
10:15		 22a-C205-5 同重体干渉抑制のためのイオンファネル反応セルの開発 〇神野 智史 1, 藤田 奈津子 1, 田沼 肇 2
1. 原子力機構 , 2. 都立大
10:30		休憩 /Break
10:45
奨 22a-C205-6 V 字型共振器光フィードバックを用いたキャビティリン 〇齊藤 圭亮 1, 寺林 稜平 2, Sonnenschein Volker1, 岩 1. 名古屋大 , 2. 東京大 , 3. 島津製作所 , 4. 積水メディカ
グダウン分光による放射性炭素分析の高感度化
元 一輝 1, 鈴木 勇太 1, 真野 和音 3, 川嶋 悠太 3, 古宮 哲 ル , 5.JST さきがけ
夫 3, 東條 公資 3, 二宮 真一 3, 吉田 賢二 4, 富田 英生 1, 5
11:00
奨 22a-C205-7 トリチウム分析に向けた赤外キャビティーリングダウン 〇岩元 一輝 1, 齊藤 圭亮 1, 鈴木 勇太 1, 植村 立 1, 阿部 1. 名古屋大 , 2.JST さきがけ
分光システムの開発
理 1, 富田 英生 1, 2
11:15		 22a-C205-8 東京大学 MALT の現状 - 2022 年秋 〇山形 武靖 1, Zheng Li2, 徳山 裕憲 1, 土屋 陽子 1, 戸 1. 東大 MALT, 2. 東大院・工
谷 美和子 1, 松崎 浩之 1, 2
11:30		 22a-C205-9 都市大タンデムの現状 ～教育利用の状況と波長分散型〇羽倉 尚人 1, 渡部 創 2
1. 都市大 , 2. 原子力機構
PIXE システムの構築～
11:45		 22a-C205-10 量子ビームを用いた火山堆積物の成分分析〇 (M2) 村田 英慎 1, ゴメス クリストファー1, ブラ
1. 神戸大院海事 , 2. 大阪公立大理
ダック バラージュ1, 谷池 晃 1, 瀬戸 雄介 2, 金崎 真
1
聡
9/22(Thu.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
13:30		 22p-C205-1 リチウムイオン二次電池分析のための TOF-ERDA 装置 〇長谷川 千華 1, 操谷 佳奈 1, 谷本 和樹 1, 安田 啓介 1, 1. 京府大生命環境 , 2. 京大院工の開発 ( Ⅱ )小倉 弓枝 2, 間嶋 拓也 2
13:45
奨 22p-C205-2 高速イオンビーム照射による自立グラフェン膜からの二 〇 (M1) 宇野 鳴記 1, 間嶋 拓也 1, 斉藤 学 1, 土田 秀次 1 1. 京都大院工次電子放出
14:00		 22p-C205-3 PHITS を用いたイオンビームと液相水との相互作用にお 〇土田 秀次 1, 手塚 智哉 1, 甲斐 健師 2, 松谷 悠佑 2, 間 1. 京大院工 , 2. 原子力機構
けるトラック内反応の解析
嶋 拓也 1, 斉藤 学 1
14:15		 22p-C205-4 クラスターイオンビーム照射による有機高分子イオン化 〇藤井 麻樹子 1, 吉澤 迅風 1
1. 横浜国大院環境情報における非芳香族有機酸添加の影響評価
14:30		 22p-C205-5 ニトロベンジルピリジニウムのエネルギー依存 SIMS ス 〇盛谷 浩右 1, 水畑 健 1, 乾 徳夫 1
1. 兵庫県立大工ペクトルデータ の解析
14:45		休憩 /Break
15:00
招 22p-C205-6 「講演奨励賞受賞記念講演」〇竹内 雅耶 1, 藤原 怜輝 1, 豊田 紀章 1
1. 兵県大工
窒化シリコン膜の低損傷かつ原子層制御を実現する GCIB
エッチングプロセスの検討
15:15		 22p-C205-7 窒化シリコン膜への GCIB 照射による低損傷照射効果の 〇竹内 雅耶 1, 藤原 怜輝 1, 豊田 紀章 1
1. 兵県大工検討
1
1
1
15:30		 22p-C205-8 反応性ガス雰囲気下 GCIB 照射を用いた表面活性化接合 〇花原 総一 , 竹内 雅耶 , 豊田 紀章
1. 兵庫県立大工の接合状態
15:45		 22p-C205-9 位置制御と GCIB-ALE を用いた高精度形状加工技術の検 〇藤原 怜輝 1, 竹内 雅耶 1, 豊田 紀章 1
1. 兵庫県大工討
1
1
1
16:00		 22p-C205-10 O2-GCIB と acac 吸着による Ni パターンのエッチング〇作田 昂大 , 竹内 雅耶 , 豊田 紀章
1. 兵庫県立大工16:15		休憩 /Break
16:30		 22p-C205-11 中性クラスタービーム照射を用いた金属膜の ALE と評価 〇田中 秀幸 1, 竹内 雅耶 1, 豊田 紀章 1
1. 兵庫県大工
16:45		 22p-C205-12 反応性ガスクラスターインジェクションによる GaN エッ 〇瀬木 利夫 1, 山本 洋揮 2, 小池 国彦 3, 青木 学聡 4, 松 1. 京大院工 , 2. 量研高崎 , 3. 岩谷産業 , 4. 名大チング
尾 二郎 1
17:00		 22p-C205-13 真空エレクトロスプレー液滴イオンビームによるスパッ 〇常木 誠之助 1
1. 山梨大工
タ体積とスプレー電圧の関係
17:15
奨 22p-C205-14 Si スパッタ蒸着基板への Au 蒸着による Au ナノワイヤ低 〇水谷 仁美 1, 山本 春也 2, 高廣 克己 1
1. 京工繊大 , 2. 量研機構高崎
温気相成長
1
1
1
17:30		 22p-C205-15 イオン照射による銀ナノ粒子凝集体の低密度化〇 (M1) 渡邉 謙吾 , 水谷 仁美 , 高廣 克己
1. 京工繊大【CS.8】6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェア / Code-sharing Session of 6.5 & 7.6
9/22(Thu.) 10:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
10:00		 22a-A404-3 電界電子放出機構によるドライエッチング装置用電子放 〇下位 法弘 1, 寺嶋 亮 2, 檜森 慎司 2
1. 東北工大工 , 2. 東京エレクトロン宮城㈱
出源の開発
1
1
2
1
10:15		 22a-A404-4 電子線ホログラフィーによるイオン液体の分極ダイナミ 〇岩崎 洋 , 嶌田 惠子 , 赤瀬 善太郎 , 原田 研 , 進藤 1. 理研 CEMS, 2. 東北大多元研
クス観測
大輔 1
10:30 奨 E 22a-A404-5 Direct Observation of Atomic Structures and Chemical〇 (DC)JINGMIIN TANG1, 2, Yusuke Hashimoto3,
1.National institute for materials science, 2.Kyushu
States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped Tomohiro Matsushita3, 4, Yoshiyuki YAMASHITA1, 2 University, 3.Nara Institute of Science and Technology,
GaN (0001)
4.Japan Synchrotron Radiation Research Institute
10:45
奨 22a-A404-6 極低濃度 HF 水溶液を用いて作製した Si 陽極酸化膜の原 〇 (M1) 新井 太貴 1, 喬 楊木易 1, 鈴木 俊明 1, 𠮷越  章 1. 東京電機大工 , 2. 原子力機構物質科学研究センター
子結合状態
隆 2, 丹羽 雅昭 1, 本橋 光也 1
11:00
奨 22a-A404-7 分子状吸着 O2 による SiO2/Si(001) 界面酸化反応過程の分 〇 (P) 津田 泰孝 1, 吉越 章隆 1, 小川 修一 2, 3, 坂本 徹 1. 原子力機構 MSR, 2. 東北大 SRIS, 3. 東北大 IMRAM,岐
哉 1, 髙桑 雄二 1, 4
4. 東北大μ SIC
11:15		 22a-A404-8 放射光照射によるミラー表面上炭素物質の電子状態分析 〇滝沢 優 1, 光原 圭 1
1. 立命館大8.1 プラズマ生成・診断 / Plasma production and diagnostics

8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics

			 22a-P04-4

セシウムと酸素で交互被覆した AlGaN 表面の熱電子放出 〇 (M1) 名村 海 1, 木村 重哉 2, 吉田 学史 2, 宮崎 久生 2, 1. 静大院工 , 2.( 株 ) 東芝 研究開発センター
特性
荻野 明久 1
			 22a-P04-5
プラズマ支援ミスト CVD による３次元ナノ構造酸化亜鉛 〇竹中 弘祐 1, 都甲 将 1, 節原 裕一 1
1. 阪大接合研
薄膜形成に向けたプラズマ中の液滴蒸発挙動の解析
			 22a-P04-6
低圧 Ar/CH4 プラズマの排気ガス組成の数値解析〇佐々木 瞬 1, 上坂 裕之 2, 小田 昭紀 1
1. 千葉工大 , 2. 岐阜大
			 22a-P04-7
負荷インピーダンス計測によるプラズマエッチング中の 〇笠嶋 悠司 1, 田原 竜夫 1, 池田 隆志 2
1. 産総研 , 2. 日本タングステン
パーティクル発生傾向モニタリングの検討
			 22a-P04-8
ビニル基含有原料で作製した SiO:CH 微粒子堆積膜の成 〇中泉 有稀 1, 井上 泰志 1, 高井 治 2
1. 千葉工大院工 , 2. 関東学院大材料表面研
膜時間依存性112			 22a-P04-9
斜入射スパッタリング法により作製した SnO2 薄膜のガス 〇亀田 悠真 , 井上 泰志 , 高井 治
1. 千葉工大工 , 2. 関東学院大材料表面研
センシング特性			 22a-P04-10 InN 薄膜の EC 耐久性に対する大気プラズマ照射の影響 〇渡部 陽葵 1, 宮坂 慶太 2, 井上 泰志 1, 2, 高井 治 3
1. 千葉工大工 , 2. 千葉工大院工 , 3. 関東学院大材料表面
研
1
1
1
2
			 22a-P04-11 In を変色層とする全固体型 EC セル形成プロセス条件の 〇曽根原 千香 , 村田 和也 , 井上 泰志 , 高井 治
1. 千葉工大工 , 2. 関東学院大材料表面研
探索			 22a-P04-12 沿面放電型遺伝子導入法による大量一括処理〇黒木 悠汰 1, 佐藤 晋 1, 2, 池田 善久 1, 本村 英樹 1, 木 1. 愛媛大学 , 2. アイジーン , 3. パール工業
戸 祐吾 3, 神野 雅文 1, 2
			 22a-P04-13 植物カルス細胞への遺伝子導入における繰り返しプラズ 〇濱田 侑希 1, 上嶋 涼介 1, 池田 善久 1, 木戸 祐吾 2, 賀 1. 愛大院理工 , 2. パール工業
マ処理の重要性屋 秀隆 1, 神野 雅文 1
			 22a-P04-14 プラズマ処理によるオオムギ成長点への分子導入〇 (B) 上嶋 涼介 1, 濱田 侑希 1, 池田 善久 1, 木戸 祐
1. 愛媛大学 , 2. パール工業
吾 2, 八丈野 孝 1, 神野 雅文 1
8.1 プラズマ生成・診断 / Plasma production and diagnostics
9/20(Tue.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A105 会場（Room A105）
9:00		 20a-A105-1 イリジウム・セリウム化合物を用いた宇宙用電子源の特 〇渡邊 裕樹 1, 張 科寅 1, 松永 芳樹 1, 大川 恭志 1, 田尾 1. 宇宙航空研究開発機構 , 2. コベルコ科研性評価
幸樹 2, 平野 貴之 2
9:15
奨 20a-A105-2 高密度窒素中におけるカーボンナノチューブ電極を用い 〇 (M2) 黒田 知暉 1, 宗岡 均 1, 伊藤 剛仁 1, 寺嶋 和夫 1 1. 東大院新領域
た放電現象の発光分光計測
9:30		 20a-A105-3 化学プローブを用いた長尺大気圧プラズマ生成活性ラジ 〇松浦 寛人 1, トラン トラングエン 2, 胡 敏 2, 仲野
1. 大阪公大 , 2. 大阪府大 , 3. 名大カルの可視化匠 1, 岩田 悠揮 3, 鈴木 陽香 3, 豊田 浩孝 3
9:45		 20a-A105-4 負コロナ放電を伴うエレクトロスプレーの基礎特性と制 〇杤久保 文嘉 1, Most Tauhida Tabassum1, 勝野 聡
1. 都立大システムデザイン
御人 1, 中川 雄介 1
10:00		休憩 /Break10:15
招 20a-A105-5 「分科内招待講演」〇稲田 優貴 1, 2
1. 埼玉大工 , 2.JST さきがけ
時空間制御された大気中シングルフィラメントストリー
マ放電の電子密度・電界測定
10:45
奨 20a-A105-6 空気ストリーマ放電の電子密度・電子エネルギー分布関 〇 (M2) 宮澤 冬馬 1, 富田 健太郎 1, 小室 淳史 2, 小野 1. 北大工 , 2. 東大工
数の軸方向計測亮2
11:00		 20a-A105-7 面発射型プラズマ弾丸伝播特性の電圧波形依存性〇白藤 立 1, 呉 準席 1
1. 大阪公大工
11:15
奨 20a-A105-8 マルチピンホールカメラを用いた高温プラズマの三次元 〇 (M2) 稲垣 秦一郎 1, 三瓶 明希夫 1, 比村 治彦 1, 井 1. 京都工芸繊維大学
トモグラフィ法
上 孟流 1, 小嶋 夏葵 1, 高岡 亮太 1, 佐々木 貴弘 1, 芦田
有司 1
9/20(Tue.) 14:00 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) A105 会場（Room A105）
14:00
奨 20p-A105-1 プラズマ CVD/ALD 実機に取り付ける一様性診断システ 〇 (M2) 二宮 貴哉 1, 比村 治彦 1, 三瓶 明希夫 1, 新元 1. 京都工芸繊維大学
ムの開発研究美晴 1, 稲垣 秦一郎 1
14:15
奨 20p-A105-2 プラズマ CVD/ALD 用 860MHz 表面波プラズマにおける 〇新元 美晴 1, 三瓶 明希夫 1, 比村 治彦 1, 二宮 貴哉 1, 1. 京工繊大
特定粒子種の受動的モニタリング
稲垣 秦一郎 1
14:30		 20p-A105-3 真空紫外吸収分光法を用いた誘導結合型リモート水素プ 〇 (M2) 増田 和史 1, 竹田 圭吾 1, 平松 美根男 1
1. 名城大理工
ラズマにおける SUS ステージ表面上の水素原子の空間分
布計測
14:45
奨 20p-A105-4 高調波プローブ法を用いたプラズマ曝露環境下の材料表 〇両角 潤樹 1, 江利口 浩二 1, 占部 継一郎 1
1. 京大院工面状態モニタリング
15:00		 20p-A105-5 対向円筒型 AZO ターゲットを用いた高周波リング状ホ〇井本 将真 1, 康徳 大津 1
1. 佐賀大院理工
ロー磁化プラズマの空間分布と AZO 薄膜合成
11
15:15		 20p-A105-6 ターゲット有効利用のための小型マグネトロンプラズマ 〇 (M1) 升永 龍之介 , 大津 康徳
1. 佐大院理工のアレー状配置型高周波マグネトロンスパッタ源の開発
15:30		休憩 /Break
15:45		 20p-A105-7 ダブルカーリングプローブによる電子密度と堆積膜厚の 〇 (M1) 加藤 翔太 1, 中村 圭二 1, 小川 大輔 1
1. 中部大工
その場同時計測のためのマイクロ波共振スペクトルの調査
16:00		 20p-A105-8 カーリングプローブの電極埋設の可能性の調査〇 (M1) 紀平 侑樹 1, 中村 圭二 1, 小川 大輔 1
1. 中部大工16:15		 20p-A105-9 メタマテリアルの共振特性を利用した高密度プラズマの 〇 (M2) 水富 拓弥 1, 佐波 陽平 1, 宮城 茂幸 1, 酒井 道 1 1. 滋賀県大工生成とプラズマパラメータの空間分布計測
16:30		 20p-A105-10 高密度水素プラズマ生成のための永久磁石を用いた高周 〇内田 武志 1, 大津 康徳 1
1. 佐大院理工
波磁化ホロー陰極放電装置の開発
16:45
奨 20p-A105-11 低温プラズマから反応性イオンのみを引き出す小型選別 〇西尾 昴 1, 比村 治彦 1, 岡田 敏和 1, 中島 雄太郎 1, 稲 1. 京工繊大 , 2. 海保大器の開発研究垣 秦一郎 1, 神吉 隆司 2, 三瓶 明希夫 1
8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理 / Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment
9/22(Thu.) 13:00 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) A406 会場（Room A406）
13:00		 22p-A406-1 プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～水素終端 Si 表面に及ぼ 〇布村 正太 1, 坂田 功 1, 古閑 一憲 2, 白谷 正治 2
1. 産総研 , 2. 九大
す Ar プラズマの効果～
13:15
奨 22p-A406-2 プラズマ曝露による欠陥構造がシリコン窒化膜の機械特 〇郷矢 崇浩 1, 占部 継一郎 1, 江利口 浩二 1
1. 京大院工性変化に及ぼす影響
13:30
奨 22p-A406-3 【注目講演】高スループット SiN ALE を実現する表面反 〇平田 瑛子 1, 深沢 正永 1, J. U. Tercero2, 釘宮 克尚 1, 1. ソニーセミコンダクタソリューションズ ( 株 ), 2. 阪大
応メカニズムの解明
萩本 賢哉 1, 唐橋 一浩 2, 浜口 智志 2, 岩元 勇人 1
院工13:45		 22p-A406-4 プラズマアシスト熱サイクル法を用いた SiGe のセルフリ 〇篠田 和典 1, 三浦 勝哉 1, 前田 賢治 2, 伊澤 勝 2,
1. 日立研開 , 2. 日立ハイテク , 3. 名大3
3
3
ミティング性サイクルエッチング
NGUYEN Thi-Thuy-Nga , 石川 健治 , 堀 勝
14:00		 22p-A406-5 フルオロカーボンプラズマにおける GaN のエッチング特 〇窪田 康生 1, 高橋 和生 1
1. 京工繊大性
14:15		 22p-A406-6 反応性大気圧熱プラズマジェットを用いたフォトレジス 〇 (M2) 加藤 響 1, 花房 宏明 1, 佐藤 拓磨 1, 東 清一郎 1 1. 広島大先進理工
トの超高速エッチング
14:30		 22p-A406-7 二周波容量結合型 Ar/C4F8/O2 プラズマのパルス運転がイ 〇関 悠斗 1, 加藤 閣人 1, 久保井 宗一 1, 鈴木 陽香 1, 2, 1. 名大工 , 2. 名大低温プラズマ , 3. 核融合研
オン組成に及ぼす影響
豊田 浩孝 1, 2, 3
14:45
招 22p-A406-8 「講演奨励賞受賞記念講演」〇市川 景太 1, 鈴木 陽香 1, 飯野 大輝 2, 福水 裕之 2, 栗 1. 名古屋大工 , 2. キオクシア , 3. 核融合研
二周波重畳容量結合型プラズマから RF 電極へ入射する高 原 一彰 2, 豊田 浩孝 1, 3
速粒子入射角度分布のイメージング計測
15:00		休憩 /Break8.3 プラズマナノテクノロジー / Plasma nanotechnology
15:15		 22p-A406-9

反応性プラズマプロセスを用いた高性能 IGZO 薄膜トランジスタの低温形成
15:30		 22p-A406-10 中性粒子ビーム原子層堆積法による室温成長 HfO2/SiO2膜の電気特性
15:45
奨 22p-A406-11 フルオロカーボン薄膜の結合状態と物性評価
16:00
奨 22p-A406-12 振幅変調放電法を用いた TEOS プラズマ CVD への効果

〇竹中 弘祐 1, 林 祐仁 1, 都甲 将 1, 江部 明憲 2, 節原 裕 1. 阪大接合研 , 2. イー・エム・ディー
一1〇大堀 大介 1, Chen Yi-Ho2, 尾崎 卓哉 1, 遠藤 和彦 3, 1. 東北大流体研 , 2.NYCU, 3. 産総研 , 4. 東北大 AIMR
Li Yiming2, 寒川 誠二 2, 1, 4
〇竹谷 透 1, 岡田 健 1
1. 東北大院工〇山本 晃大 1, 長尾 伊織 1, 山本 祐馬 1, 大高 真寛 1, 山 1. 九大シス情 , 2. 自然科学研究機構
下 大輔 1, 鎌滝 晋礼 1, 奥村 賢直 1, 山下 尚人 1, 板垣 奈
穂 1, 古閑 一憲 1, 2, 白谷 正治 1
16:15
奨 22p-A406-13 ハイパワーパルスマグネトロンスパッタリングを用いた 〇 (M1C) 西村 美優紀 1, 太田 貴之 1
1. 名城大理工
ルチル型酸化チタンの成膜
16:30		 22p-A406-14 プラズマスパッタリング法を用いた LiTiO 膜の結晶性制 〇木賀 海青 1, 山田 輝也 1, 花井 稜 1, 益本 幸泰 1, 内田 1. 名城大理工 , 2. 名城大エネセンター
御と Li イオン電池負極への応用
儀一郎 1, 2
16:45		 22p-A406-15 粉体ターゲットプロセスによる Fe, Ti 混合傾斜機能性膜 〇川崎 仁晴 1, 大島 多美子 1, 柳生 義人 1, 猪原 武士 1, 1. 佐世保高専 , 2. 崇城大の作製
日比野 祐介 1, 佐竹 卓彦 1, 2, 青木 振一 2
9/23(Fri.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) B101 会場（Room B101）
9:00		 23a-B101-1 PTFE スパッタ膜のフリップフロップ特性と OH 基の関 〇田口 貢士 1, 富川 弥奈 1, 箕浦 晧 1, 山原 基裕 1, 登尾 1. 株式会社魁半導体係
一幸 1
9:15		 23a-B101-2 一価のアルコールの構造の影響を受けるプラズマポリ〇田口 貢士 1, 柏木 大樹 1, 山原 基裕 1, 登尾 一幸 1
1. 株式会社魁半導体
マー
9:30		 23a-B101-3 水素化アモルファスカーボン薄膜の合成機構における活 〇近藤 博基 1, 黒川 純平 2, 堤 隆嘉 1, 関根 誠 1, 石川 健 1. 名大低温プラズマ , 2. 名大工
性種の寄与度の機械学習を用いた解析
治 1, 堀 勝 1
9:45
奨 23a-B101-4 結合状態を制御した窒化ホウ素膜の高速堆積に向けた窒 〇朝本 雄也 1, 5, 濱野 誉 1, 5, 松田 崇行 1, 野間 正男 2, 長 1. 京大院工 , 2. 神港精機 , 3. 阪大産研 , 4. 兵庫県立工技セ素ラジカルフラックス最大化に関する研究
谷川 繁彦 3, 山下 満 4, 占部 継一郎 1, 江利口 浩二 1
ンター, 5. 学振特別研究員 DC
10:00
奨 23a-B101-5 ドロップレットフィルタ兼用陽極を用いた直流フィル〇鬼頭 純平 1, 橋本 侑樹 1, 税木 善則 1, 坂東 隆宏 1, 針 1. 豊橋技科大 , 2. オーエスジーコーティングサービス
タードアーク蒸着による TiN 膜形成
谷 達 1, 滝川 浩史 1, 儀間 弘樹 2
10:15		休憩 /Break
10:30
奨 23a-B101-6 紫外 / 赤外線 - プラズマ同時処理に向けた透明電極誘電体 〇劉 智志 1, 山内 素明 1, 徐 茂 1, 大澤 泰樹 1, 沖野 晃 1. 東工大未来研
バリア放電装置の開発と基礎特性評価
俊1
10:45
奨 23a-B101-7 白金ドープしたルチル型酸化チタンナノ粒子への大気圧 〇 (M1) 牧野 祐大 1, 川上 烈生 1, 柳谷 伸一郎 1, 2, 新部 1. 徳島大理工 , 2. 徳島大 pLED, 3. 兵庫県立大 , 4. 中部大 ,低温酸素プラズマ支援アニーリング効果
正人 3, 中野 由崇 4, 向井 孝志 5
5. 日亜化学11:00		 23a-B101-8 ミスト CVD 法で合成した金属酸化物薄膜への大気圧プラ 〇 (M2) 小林 滉弥 1, 竹田 圭吾 1, 平松 美根男 1
1. 名城大学
ズマによる後処理効果
11:15		 23a-B101-9 低温原子層堆積法による積層 AlN、Al2O3 ガスバリアの試 〇 (D) 齋藤 健太郎 1, 吉田 一樹 1, 三浦 正範 2, 鹿又 健 1. 山形大院理工 , 2. 山形大院有機
作と評価
作 2, 有馬 ボシールアハンマド 1, 久保田 繁 1, 廣瀬 文

彦1
E 23a-B101-10 Effect of the surface engineered silicon quantum dots in〇 Svrcek Vladimir1, Calum McDonald1, Takuya
1.National Institute of Advanced Industrial Science andhybrid perovskite solar cells
Matsui1
Technology (AIST)
8.3 プラズマナノテクノロジー / Plasma nanotechnology
9/23(Fri.) 13:30 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) B102 会場（Room B102）
13:30		 23p-B102-1 ナノ粒子生成用変調誘導熱プラズマに導入する原料粒子 〇田中 康規 1, 古川 颯大 1, 長瀬 有理奈 1, 中野 裕介 1, 1. 金沢大理工 , 2. 日清製粉 Gr 本社の荷電効果とそれによる原料加熱への影響
石島 達夫 1, 末安 志織 2, 渡邉 周 2, 中村 圭太郎 2
13:45		 23p-B102-2 RF スパッタリング Si / C 複合膜の堆積と高容量 Li イオン 〇山田 輝也 1, 木賀 海青 1, 花井 稜 1, 益本 幸泰 1, 内田 1. 名城大学理工 , 2. 名城大エネセンター
電池負極への応用
儀一郎 1, 2
14:00
奨 23p-B102-3 プラズマスプレー共凝縮による Si-Fe 系ナノ粒子の構造特 〇 (M2) 三木 理太郎 1, 太田 遼至 1, 2, 道垣内 将司 3, 福 1. 東大院工 , 2. 阪大院工 , 3. 島根県産業技術センター
徴とリチウムイオン電池特性への影響
田 健一 3, 神原 淳 1, 2
14:15
奨 23p-B102-4 全固体 LiB 特性の高容量と高サイクル性を両立しうる Si 〇平岡 健央 1, 神原 淳 1, 2, 太田 遼至 1, 2, 田中 暁巳 3, 竹 1. 東大院工 , 2. 阪大院工 , 3. 竹内電機株式会社 , 4. 島根県
ナノ粒子の最適構造
内 啓 3, 道垣内 将司 4, 福田 健一 4
産業技術センター
14:30		休憩 /Break
1
2
2
14:45
奨 23p-B102-5 イオン照射角制御によるカーボンナノウォールの配向成 〇 (M2) 射場 信太朗 , 近藤 博基 , 石川 健治 , 堤 隆 1. 名大院工 , 2. 名大低温プラズマ科学研究センター,
長
嘉 2, 平松 美根男 3, 関根 誠 2, 堀 勝 2
3. 名城大理工
15:00		 23p-B102-6 光ピンセットによる捕捉微粒子を用いた Ar プラズマ中の 〇鎌滝 晋礼 1, 佐藤 斗真 1, 富田 健太郎 2, Pan
1. 九大シス情 , 2. 北大院工 , 3. 九大総理工 , 4. 自然科学研
電場強度分布及び電場揺動計測 (2)Yiming3, 山下 大輔 1, 山下 尚人 1, 奥村 賢直 1, 板垣 奈 究機構
穂 1, 古閑 一憲 1, 4, 白谷 正治 1
15:15		 23p-B102-7 TiPS/Ar/H2 系を用いたダイヤモンド・ナノパウダーの直 〇 (M2) 森田 豪 1, 森 敏洋 1, 有路 颯樹 1, 一色 秀夫 1
1. 電通大情工
噴化学気相合成におけるプロセス圧力依存性
15:30		 23p-B102-8 h-BN 成膜用 Ar 希釈アンモニアボランプラズマの質量分 〇北嶋 武 1, 森表 拓哉 1, 中野 俊樹 1
1. 防大電気析【CS.9】8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェア / Code-sharing Session of 8.3 & 9.2 & 13.6
9/23(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B102 会場（Room B102）
9:00
招 23a-B102-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇張 健一 1, 山田 琢允 1, 田原 弘量 1, 只野 央将 2, 鈴浦 1. 京大化研 , 2. 物材研 , 3. 北大工
ペロブスカイトナノ粒子のエキシトン - フォノン相互作 秀勝 3, 猿山 雅亮 1, 佐藤 良太 1, 寺西 利治 1, 金光 義
用
彦1
9:15
奨 23a-B102-2 GaAs/InGaAs/GaAs コアマルチシェルナノワイヤ共振器 〇 (M2) 国本 大雅 1, 2, 原 真二郎 1, 2, 本久 順一 1, 2
1. 北大情報科学院 , 2. 量子集積センター
における中空ビームの生成
9:30 招 E 23a-B102-3 【注目講演】[Fellow International 2022 Special Lecture] 〇 Hongqi Xu1
1.Peking Univ.
Semiconductor-Superconductor Hybrids for TopologicalSuperconductivity
10:15		休憩 /Break
10:30
E 23a-B102-4 Delocalized Charge Carrier Transport in Epitaxially〇 Satria Zulkarnaen Bisri1, 2, Ricky Dwi Septianto1, 2, 1.RIKEN CEMS, 2.Tokyo Inst. Tech., 3.RIKEN SPring8
Connected Semiconductor Quantum Dot Superlattices
Retno Miranti1, Takaaki Hikima3, Nobuhiro
Center, 4.Univ. Tokyo
Matsushita2, Yoshihiro Iwasa1, 4
1, 2
10:45 奨 E 23a-B102-5 Nano-Porous Assemblies of Colloidal Quantum Dots for 〇 (DC)Muhammad Alief Irham , Ricky Dwi
1.RIKEN CEMS, 2.Inst. Tekno. Bandung, 3.Univ. Tokyo
High-Performance Electric-Double Layer Supercapacitors Septianto1, Ferry Iskandar2, Yoshihiro Iwasa1, 3, Satria
Zulkarnaen Bisri1
11:00		 23a-B102-6 Mie 共鳴により発色するナノ粒子インクを用いた着色技 〇井上 新司 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ術(Ⅱ)
11:15		 23a-B102-7 シングルナノメーターサイズシリコンナノ粒子によるリ 〇吉川 洋輝 1, 植嶋 大樹 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
チウムイオン電池電極の形成
11:30		 23a-B102-8 Si ナノワイヤー /Si ナノ粒子ポーラス膜の堆積と Li イオ 〇益本 幸泰 1, 木賀 海青 1, 山田 輝也 1, 花井 稜 1, 内田 1. 名城大学理工 , 2. 名城大エネセンター
ン電池負極への応用
儀一郎 1, 2
11:45		 23a-B102-9 Ge ナノ粒子薄膜の粒径制御と Li イオン電池負極への応 〇花井 稜 1, 山田 輝也 1, 木賀 海青 1, 益本 幸泰 1, 内田 1. 名城大学理工 , 2. 名城大エネセンター
用儀一郎 1, 2
11:30

8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics

8.4 プラズマライフサイエンス / Plasma life sciences
8.4 プラズマライフサイエンス / Plasma life sciences
9/20(Tue.) 9:00 - 11:00 口頭講演 (Oral Presentation) A106 会場（Room A106）
9:00
奨 20a-A106-1 非平衡大気圧ラジカル源で生成されたオゾンの気相および液相の時空間分布測定
9:15		 20a-A106-2 メチレンブル水溶液を用いたプラズマ由来の単寿命活性
酸素の評価
9:30
奨 20a-A106-3 低温大気圧プラズマの照射によるマウス皮膚表面への熱的影響
9:45		
休憩 /Break
10:00
E 20a-A106-4 Nanoscale imaging of plasma-exposed cell membraneusing scanning probe microscopy
10:15
奨 20a-A106-5 裂酵母を用いたプラズマ合成五酸化二窒素の生物への作用機序探索
10:30		 20a-A106-6 大気圧酸素プラズマによる T 細胞の増殖と分化特性

アルウィ1, 堀 勝 2, 伊藤 昌文 1 1. 名城大 , 2. 名古屋大

〇呉 準席 1, 2, 松本 雄太 1, 橋本 駿哉 2, 白藤 立 1, 2

1. 阪公大工 , 2. 阪市大工〇 (M2) 橋本 駿哉 1, 松本 雄太 2, 白藤 立 1, 2, 呉 準

1. 大阪市大工 , 2. 大阪公大工 , 3. 高知大医

〇 (M2)Nguyen Gia Han1, Linhao Sun2, Tatsuya
Kitazaki3, Shinya Kumagai3, Shinji Watanabe2〇岩本 拡仁 1, 大学 保一 2, 3, 佐々木 渉太 1, 高島 圭

1.Grad. Sch. Nano Life Sci., Kanazawa Univ., 2.
WPI-NanoLSI, Kanazawa Univ., 3.Meijo Univ.
1. 東北大院工 , 2. 東北大学際研 , 3. 東北大院生命席 1, 2, 福原 秀雄 3, 川田 千明 3, 津田 雅之 3, 井上 啓史 3

介 1, 東谷 篤志 3, 金子 俊郎 1
〇林 信哉 1, 森山 幹大 1, 植松 陽香 1, 合島 怜央奈 2, 山 1. 九大総理工 , 2. 佐賀大医下 佳雄 2
プラズマ活性乳酸リンゲル液によるマクロファージの形 〇 (M1) 出野 雄大 1, 柏倉 慧史 1, 田中 宏昌 2, 3, 石川 健 1. 名大院工 , 2. 名大低温プラズマセンター, 3. 名大病院 ,質発現誘導
治 2, 橋爪 博司 2, 中村 香江 2, 4, 豊國 伸哉 2, 4, 水野 正 4. 名大院医明 3, 梶山 広明 4, 堀 勝 2
9/20(Tue.) 14:00 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) A106 会場（Room A106）
14:00
奨 20p-A106-2 一酸化窒素ラジカル照射されたマウス胎児線維芽細胞増 〇森 康雅 1, 岩田 直幸 2, 村田 富保 1, 堀 勝 2, 3, 伊藤 昌 1. 名城大 , 2. 名古屋大 , 3. 低温プラズマ科学技術セン
殖の液中距離依存性
文1
ター
14:15
奨 20p-A106-3 ラジカル活性 L- フェニルアラニン溶液と線維芽細胞の相 〇 (M1) 石川 雄太 1, 岩田 直幸 2, 村田 富保 1, 堀 勝 2, 1. 名城大理工 , 2. 名大工
1
互作用
伊藤 昌文
14:30
奨 20p-A106-4 酸化窒素ラジカル活性化乳酸リンゲル液の乳がん細胞に 〇西田 大河 1, 岩田 直幸 2, 村田 富保 1, 田中 宏昌 2, 堀 1. 名城大 , 2. 名古屋大
対する選択的不活性化効果
勝 2, 伊藤 昌文 1
14:45
奨 20p-A106-5 酸素ラジカル処理 L- トリプトファン溶液の成長促進生成 〇荒木 祥多 1, 太田 智通 1, 塚越 啓央 1, 岩田 直幸 2, 堀 1. 名城大 , 2. 名大物の評価
勝 2, 伊藤 昌文 1
15:00
奨 20p-A106-6 リグニンモデル化合物への大気圧グロープラズマ処理時 〇大橋 龍一 1, 岩田 直幸 2, 加藤 大志 1, 志水 元亨 1, 加 1. 名城大 , 2. 名大間依存性
藤 雅士 1, 堀 勝 2, 伊藤 昌文 1
15:15
奨 20p-A106-7 大気圧空気グロープラズマ処理カルボキシメチルセル〇岡本 和真 1, 前林 正弘 1, 元享 志水 1, 雅士 加藤 1, 勝 1. 名城大 , 2. 名大ロース溶液粘度のぜん動ポンプ送液速度依存性
堀 2, 昌文 伊藤 1
15:30		休憩 /Break
15:45		 20p-A106-8 休眠状態を考慮したレタス種子発芽へのプラズマ照射効 〇奥村 賢直 1, 阿南 輝樹 1, アタリ パンカジ 1, 山下 大 1. 九大 , 2. 自然科学研究機構
果輔 1, 鎌滝 晋礼 1, 山下 尚人 1, 板垣 奈穂 1, 古閑 一憲 1, 2,
白谷 正治 1, 石橋 勇志 1
16:00		 20p-A106-9 モデル植物ゼニゴケの成長に対する低温プラズマ照射解 〇 (P) 坪山 祥子 1, 奥村 賢直 2, 古閑 一憲 2, 3, 白谷 正 1. 東京理科大・理工 , 2. 九大・シス情 , 3. 自然科学研究
析実験系の確立と初発反応の解析
治 2, 朽津 和幸 1
機構
16:15		 20p-A106-10 大気圧空気プラズマを用いた肥料への窒素固定と圃場試 〇中尾 匠 1, 奥村 賢直 1, パンカジ アトリ 1, 山下 大
1. 九大シス情 , 2. 自然科学研究機構
験輔 1, 鎌滝 晋礼 1, 山下 尚人 1, 板垣 奈穂 1, 古閑 一憲 1, 2,
白谷 正治 1
16:30
奨 20p-A106-11 植物養液への大気圧低温空気プラズマジェットによるダ 〇 (B) 野本 和希 1, 泉 匠人 1, 粟飯原 睦美 1, 高木 皓
1. 徳島大理工 , 2. 日亜化学
メージレス微生物不活化効果
介 1, 鈴木 美里 1, 松村 拓海 1, 白井 昭博 1, 向井 孝志 2,
川上 烈生 1
16:45
奨 20p-A106-12 準大気圧低温空気プラズマジェット照射による食品機能 〇 (B) 松村 拓海 1, 十川 竜太朗 2, 橋村 寧々2, 大橋 孝 1. 徳島大理工 , 2. 徳島大生物資源
性成分増量効果
一 1, 向井 理恵 2, 川上 烈生 1
17:00		 20p-A106-13 非平衡大気圧プラズマを用いた陸上養殖実現に向けた基 〇紅林 佑弥 1, 石川 健治 1, 田中 宏昌 1, 秋山 真一 1, 橋 1. 名古屋大学
礎的研究
爪 博司 1, 堀 勝 1
8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野 / Plasma phenomena, emerging area of plasmas and their new applications
9/22(Thu.) 13:00 - 15:00 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
13:00		 22p-A404-1 Ar 雰囲気における水上パルス放電照射に伴う水中の流速 〇高橋 一弘 1, 晴山 知哉 1, 佐藤 孝紀 1
1. 室蘭工大
分布測定
13:15		 22p-A404-2 大気圧アルゴンプラズマジェット照射によるアルミニウ 〇平島 伊織 1, 桑畑 周司 1
1. 東海大院工ム表面でのマイクロパーティクルの形成 (II)
1
1
1
13:30
奨 22p-A404-3 大気圧プラズマを用いた鉄フタロシアニン / 酸化グラ
〇 (M1C) 早川 風花 , 大澤 郁実 , 才田 隆広 , 太田
1. 名城大理工
フェン複合材料の還元
貴之 1
13:45
奨 22p-A404-4 大気圧直流駆動プラズマにおける自己組織化した発光模 〇 (M2) 宮崎 俊明 1, 白井 直機 1, 佐々木 浩一 1
1. 北大工様形成への陽極構造の影響
1
1
1
14:00
奨 22p-A404-5 ヘリウムガス流を用いた大気圧誘電体バリア放電の大型 〇 (M1) 曽我 悠太 , 白井 直機 , 佐々木 浩一
1. 北大工化
14:15
奨 22p-A404-6 水和電子のレーザー誘起脱溶媒和により生じる水ジェッ 〇 (DC) 稲垣 慶修 1, 佐々木 浩一 1
1. 北大工ト / 低ガス圧プラズマ間のパルス電流に対する印加電圧
の影響
14:30
奨 22p-A404-7 液体電極を用いた大気圧直流グロー放電における液体の 〇高村 祐仁 1, 白井 直機 1, 佐々木 浩一 1
1. 北大工物性値と液滴放出の関連性
14:45
奨 22p-A404-8 ルミノールケミルミネッセンスを用いた液中短寿命活性 〇 (M1) 植林 彰吾 1, 宮崎 俊明 1, 稲垣 慶修 1, 白井 直 1. 北大工
種の絶対密度推定の可能性
機 1, 佐々木 浩一 1
9/22(Thu.) 16:30 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
16:30		 22p-A404-11 データ駆動による電子数連続の式の探索と電子輸送係数 〇川口 悟 1, 髙橋 一弘 1, 佐藤 孝紀 1
1. 室蘭工大
測定への応用16:45		 22p-A404-12 水中放電衝撃波による木材糖化前処理における放電条件 〇中川 雄介 1, 上田 航 1, 杤久保 文嘉 1
1. 都立大院システムデザインの影響
1
1
17:00		 22p-A404-13 パターン比較を用いたプラズマメタマテリアル層による 〇 (M2) 野寄 陽太 , 井波 柱偉 , バンビーナ アレク 1. 滋賀県立大学工マイクロ波伝搬制御評価
サンドレ 1, 宮城 茂幸 1, 酒井 道 1
17:15
奨 22p-A404-14 プラズマ触媒作用を用いた CO2 メタネーションのための 〇都甲 将 1, 長谷川 大樹 2, 奥村 賢直 2, 鎌滝 晋礼 2, 竹 1. 阪大接合研 , 2. 九大シス情
ゼロ次元シミュレーション
中 弘祐 1, 古閑 一憲 2, 白谷 正治 2, 節原 裕一 1
17:30
奨 22p-A404-15 光ポンピング磁気センサへの応用に向けた準安定励起ヘ 〇 (M1) 日高 颯哉 1, 伊藤 陽介 1, 占部 継一郎 1
1. 京大院工
リウム原子の密度及び寿命に関する検討
17:45
奨 22p-A404-16 誘導結合プラズマと液体ガリウムの相互作用における液 〇濱名 優輝 1, 白井 直機 1, 佐々木 浩一 1
1. 北大工滴放出メカニズムに対する溶存ガスの影響
1
1
18:00
奨 22p-A404-17 窒素／水蒸気および窒素／水素誘導結合プラズマにおけ 〇 (M1) 高橋 仁 , 佐々木 浩一
1. 北海道大学
るアンモニアの合成レートおよび損失周波数9/23(Fri.) 9:30 - 10:45 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
9:30		 23a-A307-1 蛍光微粒子を用いた放電プラズマシース構造の観測〇高山 大輔 1, 廣 大輔 1, 朴 商云 1, 唐木 裕馬 2, 井上 雅 1. 摂南大理工 , 2. 奈良先端大 , 3. 日本原研
彦 1, 田口 俊弘 3
9:45		 23a-A307-2 粒子シミュレーションを用いた放電シースプラズマの解 〇 (M2C) 廣 大輔 1, 田口 俊弘 2, 高山 大輔 1, 井上 雅 1. 摂南大理工 , 2. 日本原研
析とその中で発生するダブルレイヤーの生成
彦1
10:45

8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics〇 (M1) 山本 ヒロミ

奨 20a-A106-7

8.6 Plasma Electronics English Session
10:00		 23a-A307-3

深振動マグネトロンスパッタリングのパルス設計とプラ 〇横山 英佐 1, 永井 友樹 1, 筒井 海太 1, 西宮 信夫 1, 實 1. 東京工芸大工 , 2. ㈱アヤボ , 3. 神戸大 , 4. 東北大院理
ズマ発光分光計測方 真臣 1, 戸名 正英 2, 山本 宏晃 2, 塚本 恵三 2, 冨宅 喜
代一 3, 大下 慶次郎 4, 美齊津 文典 4
10:15		 23a-A307-4 高周波プラズマによる有機物からの水素抽出特性〇大宅 諒 1, 片山 一成 1, 林 信哉 1
1. 九大総理工10:30		 23a-A307-5 空間・磁場閉じ込め CO2-LIBS による粘土元素分析〇栗原 一嘉 1, 酒井 雄平 1, 石原 瑠也 1, 大友 香奈 1, 新 1. 福井大教
11
宮 要 , ウスマワンダ チョ ニア
8.6 Plasma Electronics English Session
9/22(Thu.) 15:15 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
15:15
E 22p-A404-9 Role of plasma treatment on radish seeds affects〇 (PC)Pankaj Attri1, Takamasa Okumura1, Kazunori 1.Kyushu University, 2.Nat. Inst. Nat. Sci.
germination, morphology, and biochemical responses
Koga1, 2, Kunihiro Kamataki1, N. Yamashita1, Yuichi
Tsukada1, Naho Itagaki1, Masaharu Shiratani1
8.7 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演 / Plasma Electronics Invited Talk
9/20(Tue.) 13:00 - 13:45 口頭講演 (Oral Presentation) A106 会場（Room A106）
13:00 招 E 20p-A106-1 [INVITED]〇 Hae June Lee1
1.Pusan National Univ.
Analysis of two-dimensional RF sheath dynamics incapacitively coupled Ar plasmas using a highperformance particle-in-cell simulation
9/21(Wed.) 10:15 - 11:00 口頭講演 (Oral Presentation) B200 会場（Room B200）
10:15
招 21a-B200-3 「分科内招待講演」〇瀬川 澄江 1
1. 東京エレクトロン株式会社
持続可能な社会を実現するプラズマプロセスの課題と展望
9/22(Thu.) 15:30 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
15:30 招 E 22p-A404-10 [INVITED]〇 Annemie Bogaerts1
1.UAntwerp
Towards a sustainable future: Plasma-based CO2, CH4
and N2 conversion into value-added compounds orrenewable fuels
8.8 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演 / Plasma Electronics Division Award Speech
9/21(Wed.) 9:00 - 10:00 口頭講演 (Oral Presentation) B200 会場（Room B200）
9:00
招 21a-B200-1 「プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演」〇佐々木 渉太 1, 高島 圭介 1, 金子 俊郎 1
1. 東北大院工大気圧プラズマを用いた五酸化二窒素のその場合成とそ
の応用展開
9:30
招 21a-B200-2 「プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演」
大西 広 1, 山崎 文徳 1, 箱崎 喜郎 1, 竹村 将沙樹 1, 根津 1. 東工大
連続スペクトル計測による大気圧非平衡 Ar プラズマ電子 篤 1, 〇赤塚 洋 1
温度密度診断9 応用物性 / Applied Materials Science

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
9.1 誘電材料・誘電体 / Dielectrics, ferroelectrics
9/20(Tue.) 13:00 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) A304 会場（Room A304）
13:00
招 20p-A304-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇福島 凪世 1
1. 広島大Ｘ線回折によるチタン酸バリウムナノ粒子ひとつぶのマ
ルチスケール構造可視化への挑戦
13:15
奨 20p-A304-2 コヒーレント X 線回折による数 100 nm 級強誘電体一粒子 〇押目 典宏 1, 大和田 謙二 1, 町田 晃彦 1, 福島 凪世 2, 1. 量研 , 2. 広大院先進理工 , 3. 山梨大院工 , 4.JASRI, 5. 科の内部歪観察上野 慎太郎 3, 藤井 一郎 3, 和田 智志 3, 菅原 健人 1, 島 博 , 6. 島根大教育

9 応用物性 / Applied Materials Science

田 歩 1, 上野 哲朗 1, 綿貫 徹 1, 石井 賢司 1, 豊川 秀
訓 1, 4, 門馬 綱一 5, Kim Sangwook2, 塚田 真也 6, 黒岩
芳弘 2
13:30		 20p-A304-3 (K,Na)NbO3 単結晶の高速固相成長における CuO 添加の 〇森本 貴明 1, 下野 聖矢 1, 笹島 宏青 1, 石井 啓介 1
1. 防衛大学校
役割
13:45		 20p-A304-4 角度分解偏光ラマンマッピングで観た濃度傾斜 (1-x)
〇塚田 真也 1, 藤井 康裕 2, 大和田 謙二 3
1. 島根大教育 , 2. 立命館大理工 , 3. 量研
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 結晶 II11
14:00		 20p-A304-5 BiFeO3 の強誘電性—BiFeO3-BaTiO3 超格子の DFT 計算 〇野口 祐二 , 松尾 拓紀
1. 熊本大学からのアプローチ—
14:15		 20p-A304-6 強誘電体 BaTiO3 における 90°ドメイン壁の構造と移動 〇吾妻 真光 1, 尾形 修司 1, 小林 亮 1, 浦長瀬 正幸 1, 都 1. 名工大工 , 2.FAU Erlangen-Nurnberg
に関する分子動力学シミュレーション解析
築 貴寛 1, 下井 聖也 1, Frank Wendler2, Dilshod
Durdiev2
14:30		休憩 /Break
14:45
E 20p-A304-7 Solvothermal synthesis of BaTiO3 nanocubes and the〇 (P)HyunWook Nam1, Piyush Sapkota1, Hinata
1.Univ. of Yamanashi
dielectric properties of their assembly
Shimizu1, Namami Noritake1, Ichiro Fujii1, Satoshi
Wada1, Shintaro Ueno1
15:00
E 20p-A304-8 Size control of NaNbO3 Nanocubes and the Dielectric〇 (P)Piyush Sapkota1, Hyunwook Nam1, Kazuki
1.Univ. of Yamanashi
Properties of their Assembly
Osada1, Ichiro Fujii1, Satoshi Wada1, Shintaro Ueno1
15:15		 20p-A304-9 ソルボサーマル固化法による温度依存性を低減した〇宮沢 健史 1, 上野 慎太郎 1, 藤井 一郎 1, 和田 智志 1 1. 山梨大工KNbO3/BaTiO3 コアシェルセラミックスの作製と誘電特性
15:30		 20p-A304-10 TiN を原料とした緻密な BaTiO3 セラミックスの低温作製 〇 (M1C) 服部 雅輝 1, 上野 慎太郎 1, 藤井 一郎 1, 和田 1. 山梨大と誘電特性評価智志 1
15:45		 20p-A304-11 成長方向の異なるメタルフリーペロブスカイト型化合物 〇森山 拓真 1, 安藤 駿佑 1, 上野 慎太郎 1, 藤井 一郎 1, 1. 山梨大 , 2. 兵庫県立大 , 3. 高エネ研
MDABCONH4I3 結晶の合成と強誘電性に関する調査桑原 哲夫 1, 和田 智志 1, 河智 史朗 2, 山浦 淳一 3
16:00		休憩 /Break
16:15 奨 E 20p-A304-12 Electrocaloric Effect in Nematic Liquid Crystal〇 (D)Tianrui Deng1, Tomoya Miyoshi1, Yuji Suzuki1 1.The Univ. of Tokyo
16:30
奨 20p-A304-13 酸素雰囲気で焼成した (Bi0.5Na0.5)TiO3 セラミックスの電 〇 (M1) 刑 佳禾 1, 高木 優香 1, 永田 肇 1, 坂口 勲 2
1. 東理大 , 2.NIMS
気的諸特性
1, 2
2
1
1
16:45		 20p-A304-14 TiNb2O7 単結晶の合成と電気的特性評価
今野 成人 , 鈴木 宗泰 , 小玉 翔平 , 柳瀬 郁夫 , 〇 1. 埼玉大院理工 , 2. 産総研
武田 博明 1
17:00		 20p-A304-15 K(Ta,Nb)O3 結晶の電気機械特性〇真岩 宏司 1
1. 湘南工大工
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P07-1
強誘電体 KH2PO4 の複屈折イメージング測定による強誘 〇豊田 健晟 1, 三浦 陽子 2, 真中 浩貴 1
1. 鹿児大院理工 , 2. 鈴鹿高専
電相転移機構の検証
9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート / Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P08-1
自己触媒 VLS 法を用いた再成長 InP コアシェルナノワイ 〇香取 祐太 1, 陳 琛 1, 下村 和彦 1
1. 上智大理工
ヤのフォトルミネッセンス特性
1
1
			 21p-P08-2
ナノワイヤー高分子複合材料によるテラヘルツ遮蔽材料 〇竹田 裕孝 , 三代 真澄
1. ユニチカ中研の開発
			 21p-P08-3
配位子を使った AgInS ₂ナノ粒子の表面改質と発光機構の 〇 (M1) 瀬戸 貴大 1, 中 智也 1, 鈴木 孝一朗 1, 濱中 泰 1, 1. 名工大 , 2. 室工大
転換
葛谷 俊博 2

【CS.9】8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェア / Code-sharing Session of 8.3 & 9.2 & 13.6

9 応用物性 / Applied Materials Science			 21p-P08-4

Cu ナノ粒子液相合成プロセスに不純物が及ぼす影響につ 〇塩見 昌平 1
1. 京都市産技研
いて			 21p-P08-5
アークプラズマ蒸着装置による鉄ナノ粒子作製と粒子解 〇 (M1) 川端 航遥 1
1. 関西大院理工析
9/23(Fri.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) B101 会場（Room B101）
13:30
招 23p-B101-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇殿元 裕介 1, 長島 一樹 1, 2, 劉 江洋 1, 細見 拓郎 1, 2,
1. 東大院工 , 2.JST さきがけ , 3. 九大先導研
単結晶 ZnO ナノワイヤ m 面上における炭素鎖 - 固体相互 高橋 綱己 1, 2, 田中 航 1, 金井 真樹 3, 柳田 剛 1, 3作用を介した揮発性脂肪族カルボン酸混合物の分子輸送制御
13:45
E 23p-B101-2 Energy Transfer Performances of Nanocrystal Quantum- 〇 Wipakorn Jevasuwan1, Mohammed
1.NIMS
Dots for Si Nanowire-based Photovoltaic Applications
Abdelhameed1, Mostafa F. Abdelbar1, Naoki Fukata1
14:00		 23p-B101-3 白色蛍光体 AlGaOx ナノワイヤのラビング処理及びその 〇谷川 武瑠 1, 岡野 昂輝 1, 石川 史太郎 2
1. 愛媛大工 , 2. 北大量集セ
特性評価
1
1
1
14:15
奨 23p-B101-4 水熱合成 (NH4)xWO3 を用いた低消費エネルギーアセトン 〇 (M1) 成田 雄紀 , 田中 貴久 , 内田 建
1. 東大工センサ
14:30
奨 23p-B101-5 SnO2 単一結晶粒ナノシート分子センサ〇 (M1) 壇 宏樹 1, 長島 一樹 1, 2, Benjarong
1. 東京大工 , 2.JST さきがけ , 3. 九大先導研
Samransuksamer1, 細見 拓郎 1, 2, 高橋 綱己 1, 2, 田中
航 1, 金井 真樹 3, 柳田 剛 1, 3
14:45		 23p-B101-6 Au ナノシートを用いた低エネルギー・長寿命な硫化水素 〇 (D) 加藤 太朗 1, 田中 貴久 1, 内田 建 1
1. 東大工センサ
15:00		休憩 /Break
15:15
E 23p-B101-7 Electron Emission Proprties of Multiple-Stacked〇 Shi Qiu1, Katsunori Makihara1, Noriyuki Taoka1, 1.Nagoya Univ.
SiGe-Nanodots/Si Structures
Akio Ohta1, Seiichi Miyazaki1
15:30		 23p-B101-8 コロイド SiO2 ナノ粒子多積層膜の作製と光学定数評価〇大月 宥輝 1, 沈 用球 1, 2
1. 大阪府大院工 , 2. 大阪公大院工15:45
奨 23p-B101-9 ゾルゲル法で作製した TiO2 ナノ粒子の電子状態へのア 〇 (M2) 渡邉 海杜 1, 奥平 幸司 1, 小林 英一 2
1. 千葉大院融理工 , 2. 九州光研究センター
ニーリング効果1
2
16:00 奨 E 23p-B101-10 Theoretical and experimental study of Lanthanum-doped 〇 (DC)Kamaljeet Singh , S. Harish , Masaru
1.Shizu Univ, 2.SRM Univ
TiO2 mesoporous spheres as photoanode for DSSC
Shimomura1
applications
16:15
奨 23p-B101-11 生体適合性を持つ超常磁性 NiFe2O4 ナノ微粒子のがん細 〇小原 健太郎 1, 阿部 真之 3, 中澤 健太 2, 坂本 壮 1, 新 1. 横国大院理工 , 2. 横国大院環情 , 3. 大阪大院基礎工
胞抑制効果と ZVS 回路を用いた発熱効果
居 和音 1, 森脇 智将 2, 一柳 優子 1
16:30		 23p-B101-12 竹葉を原材料とした蛍光 Si ナノ粒子の作製〇 (M1) 坂野 瑛 1, 松本 公久 1, 神谷 和秀 1, 伊東 聡 1
1. 富山県立大工
16:45		 23p-B101-13 アンチモンドープ酸化スズナノ粒子の可視光透過性及び 〇中村 知亜梨 1, 前田 秀一 1
1. 東海大工
近赤外吸収性【CS.9】8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェア / Code-sharing Session of 8.3 & 9.2 & 13.6
9/23(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B102 会場（Room B102）
9:00
招 23a-B102-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇張 健一 1, 山田 琢允 1, 田原 弘量 1, 只野 央将 2, 鈴浦 1. 京大化研 , 2. 物材研 , 3. 北大工
ペロブスカイトナノ粒子のエキシトン - フォノン相互作 秀勝 3, 猿山 雅亮 1, 佐藤 良太 1, 寺西 利治 1, 金光 義
用
彦1
9:15
奨 23a-B102-2 GaAs/InGaAs/GaAs コアマルチシェルナノワイヤ共振器 〇 (M2) 国本 大雅 1, 2, 原 真二郎 1, 2, 本久 順一 1, 2
1. 北大情報科学院 , 2. 量子集積センター
における中空ビームの生成
9:30 招 E 23a-B102-3 【注目講演】[Fellow International 2022 Special Lecture] 〇 Hongqi Xu1
1.Peking Univ.
Semiconductor-Superconductor Hybrids for TopologicalSuperconductivity
10:15		休憩 /Break
10:30
E 23a-B102-4 Delocalized Charge Carrier Transport in Epitaxially〇 Satria Zulkarnaen Bisri1, 2, Ricky Dwi Septianto1, 2, 1.RIKEN CEMS, 2.Tokyo Inst. Tech., 3.RIKEN SPring8
Connected Semiconductor Quantum Dot Superlattices
Retno Miranti1, Takaaki Hikima3, Nobuhiro
Center, 4.Univ. Tokyo
Matsushita2, Yoshihiro Iwasa1, 4
1, 2
10:45 奨 E 23a-B102-5 Nano-Porous Assemblies of Colloidal Quantum Dots for 〇 (DC)Muhammad Alief Irham , Ricky Dwi
1.RIKEN CEMS, 2.Inst. Tekno. Bandung, 3.Univ. Tokyo
High-Performance Electric-Double Layer Supercapacitors Septianto1, Ferry Iskandar2, Yoshihiro Iwasa1, 3, Satria
Zulkarnaen Bisri1
11:00		 23a-B102-6 Mie 共鳴により発色するナノ粒子インクを用いた着色技 〇井上 新司 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
術(Ⅱ)
1
1
1, 2
1
11:15		 23a-B102-7 シングルナノメーターサイズシリコンナノ粒子によるリ 〇吉川 洋輝 , 植嶋 大樹 , 杉本 泰 , 藤井 稔
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
チウムイオン電池電極の形成
11:30		 23a-B102-8 Si ナノワイヤー /Si ナノ粒子ポーラス膜の堆積と Li イオ 〇益本 幸泰 1, 木賀 海青 1, 山田 輝也 1, 花井 稜 1, 内田 1. 名城大学理工 , 2. 名城大エネセンター
ン電池負極への応用
儀一郎 1, 2
11:45		 23a-B102-9 Ge ナノ粒子薄膜の粒径制御と Li イオン電池負極への応 〇花井 稜 1, 山田 輝也 1, 木賀 海青 1, 益本 幸泰 1, 内田 1. 名城大学理工 , 2. 名城大エネセンター
用儀一郎 1, 2
9.3 ナノエレクトロニクス / Nanoelectronics
9/20(Tue.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20p-P03-1
単電子 NAND 回路の入出力特性〇南川 航二 1, 今井 茂 1
1. 立命館大理工
			 20p-P03-2
共通ゲート 4 重ドット単電子デバイスにおけるポンプ動 〇辻本 洸希 1, 今井 茂 1
1. 立命館大理工
作可能なゲート容量比			 20p-P03-3
物理リザバーを目指した炭素被覆 Co ナノ粒子集合体での 〇 (M2) 藤倉 健太 1, 浦江 哲也 1, 守屋 雅隆 1, 島田 宏 1, 1. 電通大院
非線形信号変換水柿 義直 1
9/21(Wed.) 9:30 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) A102 会場（Room A102）
9:30
奨 21a-A102-1 熱酸化・スパッタ成膜 SiO2 上に形成した金属ナノドット 〇瘧師 貴幸 1, 天野 郁馬 1, 福地 厚 1, 有田 正志 1, 高橋 1. 北大院情報
アレイの特性
庸夫 1
9:45
奨 21a-A102-2 原子層堆積絶縁膜の被覆による金属単電子トランジスタ 〇岩田 賢明 1, 坂本 剛 2, アルカ シン 3, 佐藤 弘明 4, 猪 1. 静岡大院・総合科学技術 , 2. 静岡大・工 , 3. 静岡大院・の安定性改善川 洋4
創造科学技術 , 4. 静岡大・電子研
10:00		 21a-A102-3 Si-2x2 誘導体単分子トランジスタの室温動作 Si-2x2 誘導 〇石塚 風羽 1, 新谷 亮 2, 真島 豊 1
1. 東工大フロンティア研 , 2. 阪大基礎工学研
体単分子トランジスタの室温動作
10:15		 21a-A102-4 誘電泳動による金ナノ粒子配列形成時の電極間インピー 浦江 哲也 1, 島田 宏 1, 〇水柿 義直 1
1. 電通大院情報理工
ダンス測定
1, 2
1
2
2
10:30
奨 21a-A102-5 エレクトロマイグレーション法によるナノギャップ形成 〇本山 弘之 , 菅 洋志 , 島 久 , 秋永 広幸 , 内藤 泰 1. 千葉工大 , 2. 産総研
に対する電界効果の検証 II
久2
10:45		 21a-A102-6 白金 / 酸化チタンナノ接合を用いた水素センサー〇内藤 泰久 1, 角谷 透 1, 島 久 1, 秋永 広幸 1
1. 産総研11:00		 21a-A102-7 フッ素イオンセンサの高性能化に向けた多結晶と単結晶 〇 (M2) 神田 海都 1, 山田 哲也 1, 柳田 保子 1, 真柳 弦 2, 1. 東工大科学技術創成研究院 , 2. 東北大歯内歯周治療学2
LaF3 の電気特性比較
高橋 真博
分野
9/21(Wed.) 13:00 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) A102 会場（Room A102）
13:00		 21p-A102-1 金属有機構造体への閉じ込めによるイオン液体の熱的物 〇大平 一路 1, 高 相圭 1, 小出 太貴 1, 荒井 朝陽 1, 糸井 1. 東理大 , 2. 日大性変化
充穂 2, 横田 麻莉佳 2, 甲斐 洋行 1, 木下 健太郎 1
13:15		 21p-A102-2 aF キャパシタ DRAM でのノイズ - エネルギー変換〇知田 健作 1, 藤原 聡 1, 西口 克彦 1
1.NTT 物性研
13:30		 21p-A102-3 ナノ凸構造埋込み Si MOSFET におけるナノ構造と電気 〇三ツ谷 拓真 1, 水野 慎太郎 1, 葛西 誠也 1
1. 北大 量集センター
特性の対応9.4 熱電変換 / Thermoelectric conversion
13:45		 21p-A102-4アリの挙動に学ぶ単電子情報処理回路における要素回路の熱応答性評価
14:00		 21p-A102-5 熱雑音を味方につける単電子シナプス回路の開拓
14:15		休憩 /Break
14:30		 21p-A102-6 単電子リザーバコンピューティング回路でのオンライン
学習機能の実装
14:45		 21p-A102-7 分子コンピューティングの原理に学ぶ単電子回路のための反応方向決定回路
15:00		 21p-A102-8 平行波発生・進行を表現する単電子反応拡散回路の性能向上検討
15:15		 21p-A102-9 オオカミの群れ挙動に学ぶ単電子回路向け追跡挙動回路の改善検討
15:30		 21p-A102-10 オイラーグラフの一筆書き動作のための単電子回路の設
計
9.4 熱電変換 / Thermoelectric conversion
9/20(Tue.) 13:00 - 14:30 口頭講演 (Oral Presentation) A402 会場（Room A402）
13:00		 20p-A402-1 水の吸着・脱離を利用した熱電デバイスのパッシブ放熱器の開発
13:15		 20p-A402-2 Fe2+/Fe3+ 酸化還元対を活用した熱電変換
13:30		 20p-A402-3 アセトン - メタノール混合溶液中の Fe2+/Fe3+ の電気化学
ゼーベック係数13:45		 20p-A402-4 鉄イオンの配位状態の溶媒依存性〇岡田 壮一 1, 大矢 剛嗣 1

1. 横国大院理工〇小林 拓史 1, 大矢 剛嗣 1

1. 横国大理工〇渡邉 隼弥 1, 大矢 剛嗣 1

1. 横国大院理工〇横山 海里 1, 大矢 剛嗣 1

1. 横国大院理工〇 (B) 田村 啓一朗 1, 中森 唯斗 1, 大矢 剛嗣 1

1. 横国大理工〇小川 陸 1, 大矢 剛嗣 1

1. 横国大院理工〇塚田 聖司 1, 大矢 剛嗣 1

1. 横国大院理工〇 (M1) 鬼頭 壮平 1, 須賀本 侑太 1, Sivasankaran

1. 東京大工Harish1, 秋元 文 1, 榎本 孝文 1, 李 禮林 1, 塩見 淳一郎 1
1
1
1, 2, 3
〇和氣 暁大 , 井上 大 , 守友 浩
1. 筑波大数物群 , 2. 筑波大数物系 , 3. 筑波大 TREMS〇小松 俊輝 1, 井上 大 1, 守友 浩 1, 2, 3
1. 筑波大学数物群 , 2. 筑波大学数物系 , 3. 筑波大 TREMS〇 (D) 井上 大 1, 小松 俊輝 1, 丹羽 秀治 1, 2, 3, 仁谷 浩

9 応用物性 / Applied Materials Science

1. 筑波大数物群 , 2. 筑波大数物系 , 3. 筑波大 TREMS,
明 4, 5, 阿部 仁 4, 5, 6, 守友 浩 1, 2, 3
4. 高エネ研 , 5. 総研大 , 6. 茨城大
1
1
1
1
14:00
奨 20p-A402-5 Ge 増感型熱利用電池における発電温度の電極間距離依存 〇木幡 春輝 , 望月 泰英 , 磯部 敏宏 , 中島 章 , 松下 1. 東工大物質
性
祥子 1
14:15
奨 20p-A402-6 Ag2S 増感型熱利用電池におけるフェロセン系電解質の検 〇樋田 圭晴 1, 望月 泰英 1, 磯部 敏宏 1, 中島 章 1, 松下 1. 東工大物質
討
祥子 1
9/21(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C102 会場（Room C102）
9:00		 21a-C102-1 フォノニック結晶ナノ構造シリコン薄膜を用いた平面型 〇柳澤 亮人 1, 古澤 健太郎 2, Ruther Patrick3, Paul
1. 東大生研 , 2. 情報通信機構 , 3. フライブルク大
ダブルキャビティ熱電発電素子の開発
Oliver3, 野村 政宏 1
9:15		 21a-C102-2 Fe2V0.8W0.2Al/Si 界面のショットキー障壁が熱電特性に与 〇前田 俊光 1, 上沼 睦典 1, 石田 翔麻 1, 榎本 康生 1, 浦 1. 奈良先端大える影響
岡 行治 1
9:30
E 21a-C102-3 Role of contact pad on the local heating during〇 (P)Anoop Mampazhasseri Divakaran1, Gareoung 1.Toyota TI, Nagoya, 2.CREST, JST, 3.MIRAI, JSTthermoelectric power measurements of Silver
Kim1, 2, 3, Koki Murase1, Masaharu Matsunami1, 2, 3,
Chalcogenide subjected to unusual heating
Tsunehiro Takeuchi1, 2, 3
9:45		 21a-C102-4 極細シリコンナノワイヤーの熱電効果に関する理論解析 〇 (P) 掘井 耀 1, 植田 暁子 1, 今村 裕志 1
1. 産業技術総合研究所
10:00		 21a-C102-5 多結晶 SiGe 薄膜を用いた平面型熱電素子の作製と評価 〇小池 壮太 1, 柳澤 亮人 1, 黒澤 昌志 2, Jha Rajveer3, 1. 東大生研 , 2. 名古屋大 , 3. 物材機構
辻井 直人 3, 森 孝雄 3, 野村 政宏 1
10:15
奨 21a-C102-6 【注目講演】高効率 p 型 GeTe/n 型 Mg3Sb2 熱発電モジュー 〇安藤 冬希 1, 玉置 洋正 1, 松村 葉子 2, 浦田 友幸 2, 河 1. パナソニック ホールディングス , 2. 産総研
ルの開発
辺 健志 1, 山村 諒祐 1, 金子 由利子 1, 舟橋 良次 2, 菅野
勉1
10:30		休憩 /Break
10:45		 21a-C102-7 3d 遷移金属化合物の熱電変換特性の電子状態パラメータ 〇大久保 勇男 1, 森 孝雄 1
1. 物材機構を用いた俯瞰的分析の試み
1
1
1
11:00		 21a-C102-8 クラスレート半導体のバンド構造とワニア関数表示〇仙田 康浩 , 岸本 堅剛 , 赤井 光治
1. 山口大院創成科学
11:15		 21a-C102-9 リン化物熱電材料 Ag6Ge10P12 の状態密度有効質量とキャ 〇並木 宏允 1, 小林 真大 1, 永田 晃基 1, 齋藤 庸賀 1, 立 1. 都立産技研
リア密度の関係
花 直樹 1, 太田 優一 1
11:30		 21a-C102-10 密度汎関数理論による遷移金属ダイカルコゲナイド・ナ 〇 (M1) 吉田 大貴 1, 橋國 克明 1, 阿武 宏明 1
1. 山陽小野田市立山口東理大工
ノシートの熱電特性のエネルギー依存性
1
1
1
2
11:45		 21a-C102-11 熱電材料 Bi2Te3 焼結体のトムソン係数の測定〇天谷 康孝 , 島崎 毅 , 大川 顕次郎 , 河江 達也 , 坂 1. 産総研 , 2. 九州大学
本 憲彦 1, 藤木 弘之 1, 金子 晋久 1
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P09-1
CNT 膜を用いたデュアル型フレキシブル熱電発電デバイ 〇 (M2) 小長谷 遼太 1, 高尻 雅之 1
1. 東海大院工スの作製と評価1
1
2
2
			 21p-P09-2
キャリア濃度を変化させた Si 単結晶のフォノン平均自由 〇長谷 匡高 , 谷澤 大樹 , 工藤 直人 , 永田 將 , 西 剛 1. 東海大学院工 , 2. 茨城大学院理工 , 3. 神戸高専
行程の評価とフォノンドラッグ効果が寄与するゼーベッ 史 2, 三宅 修吾 3, 高尻 雅之 1
ク係数の導出			 21p-P09-3
フレキシブル熱電発電デバイスのための ZnO ナノ結晶 / 〇池田 浩也 1, 藤原 直樹 1, 川瀬 暢大 1, 加藤 晃基 1,
1. 静岡大 , 2.SRM 科技大 , 3. 熊本大 , 4. 奈良先端大
導電性布材料の開発
V.S. バルマ 1, C.S. プラサナ 1, 2, M. ナバニーザン 2, 早
川 泰弘 1, 下村 勝 1, 山川 俊貴 3, 池田 和司 4
			 21p-P09-4
酢酸塩ゲルから合成した Ca3Co4O9 の作製条件と熱電特 〇小嶋 大貴 1, 竹内 恒博 2, 田橋 正浩 1, 高橋 誠 1, 後藤 1. 中部大工 , 2. 豊田工大
性の関係
英雄 1
			 21p-P09-5
高温部電極を有しない高耐久性 SiGe 熱電モジュールの開 〇大島 博典 1, 藤本 慎一 2, 長瀬 和夫 1, 村田 正行 1, 山 1. 産総研 , 2.KELK
発
本 淳 1, 李 哲虎 1
			 21p-P09-6
元素置換した AlMgB14-zXz (X = C, N) 系熱電ホウ化物の創 〇野村 知司 1, 平井 凌 1, 西村 聡之 2, 丸山 恵史 1
1. 東京都市大学 , 2. 物材機構
成
1
1
1
1
			 21p-P09-7
Fe2VWAl 薄膜 /Si 基板複合構造の界面特性評価〇榎本 康生 , 上沼 睦典 , 前田 俊光 , 浦岡 行治
1. 奈良先端大			 21p-P09-8
マイクロ波加熱を用いた Bi2Te3 薄膜に及ぼす熱処理の影 〇仲川 晃平 1, アブディカルヤ イプトゥ1, 浅野 貴
1. 福井大遠赤セ , 2. 福井大 , 3. 東海大
響
行 2, 小森 貴文 3, 高尻 雅之 3, 光藤 誠太郎 2
			 21p-P09-9
Cu7TixV1 − xSnS8 の熱的安定性と熱電物性〇香西 秀哉 1, 末國 晃一郎 1, 高橋 聖弥 2, 西堀 英治 2, 1. 九大院総理工 , 2. 筑波大数理 , 3. 産総研 GZRSAUERSCHNIG Philipp3, 太田 道広 3, 大瀧 倫卓 1
			 21p-P09-10 乱れた原子配置を有する Cu3.1Ti0.25Sn0.9S4 の硫黄欠損と熱 〇平山 翔大 1, 末國 晃一郎 1, SAUERSCHNIG
1. 九大院総理工 , 2. 産総研 GZR
電特性
Philipp2, 太田 道広 2, 大瀧 倫卓 1
9/21(Wed.) 13:30 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) C102 会場（Room C102）
13:30		 21p-C102-1 熱処理したカーボンナノチューブ薄膜の熱電特性〇 (M1) 井上 竜 1, 橋國 克明 1, 阿武 宏明 1
1. 山陽小野田市立山口東理大工
13:45		 21p-C102-2 SWCNT を用いたフレキシブル熱電デバイスの接触熱抵 〇元祐 昌廣 1, 神成 勇希 1, 中嶋 宇史 2, 山本 貴博 2, 内 1. 東理大工 , 2. 東理大理 , 3. 日本ゼオン
抗評価
田 秀樹 3
14:00		 21p-C102-3 Si 電気二重層トランジスタにおけるキャリア注入量改善 〇 (M1) 入江 航平 1, 石部 貴史 1, 中村 芳明 1
1. 阪大院基礎工とその熱電特性14:15
奨 21p-C102-4 Al doped ZnO 透明薄膜 /Al2O3 のゼーベック係数増大と 〇小松原 祐樹 1, 石部 貴史 1, 大江 純一郎 2, 中村 芳
1. 阪大院基礎工 , 2. 東邦大
その機構
明1
14:30		 21p-C102-5 Si 基板上エピタキシャル BaSi2 薄膜における欠陥導入によ 〇石部 貴史 1, 谷内 卓 2, 山下 雄大 2, 佐藤 拓磨 2, 3, 末 1. 阪大院基礎工 , 2. 筑波大院 , 3. 広島大院
る低熱伝導率化益 崇 2, 中村 芳明 1
14:45		休憩 /Break
15:00		 21p-C102-6 コルーサイト Cu26T2M3Sb3S32 (T = V, Nb, Ta; M = Ge,〇末國 晃一郎 1, 萩原 岳志 1, 高橋 聖弥 2, 西堀 英治 2, 1. 九大院総理工 , 2. 筑波大数理 , 3. 産総研 GZRSn) の結晶構造と熱電物性
SAUERSCHNIG Philipp3, 太田 道広 3, 大瀧 倫卓 1

9.5 新機能材料・新物性 / New functional materials and new phenomena
15:15		 21p-C102-7

延性を有する化合物半導体 Ag2-xCuxS0.7Te0.3 の熱電物性

15:30

奨 21p-C102-8

143 系 Zintl 相化合物 RbZn4As3 の熱電特性

15:45

奨 E 21p-C102-99 応用物性 / Applied Materials Science

Degenerated hole doping and enhanced thermoelectric
figure-of-merit ZT in layered SnSe by isovalent Te ion
substitution
16:00		 21p-C102-10 遊星ボールミルによる Ge/Ba8Ga16Si30 コンポジットの熱電特性
16:15		 21p-C102-11 準安定 (Pb1-xSnx)Se 固溶体の 2 次元 -3 次元構造転移に伴う熱伝導率変調〇 (D) 佐藤 紅介 1, 平田 圭佑 1, シン サウラブ 1, 松波
雅治 1, 竹内 恒博 1
〇 (M2) 小野 圭吾 1, 2, 木方 邦宏 1, 坂上 良介 1, 飯田
努 2, 李 哲虎 1
〇 XINYI HE1, Haoyun ZHANG1, Takumi NOSE1,
Takayoshi KATSE1, Terumasa TADANO2, Keisuke
IDE1, Hideo HOSONO3, Toshio KAMIYA1〇 (M1) 石津 博隆 1, 橋國 克明 1, 阿武 宏明 1

1. 豊田工大
1. 産総研 , 2. 東理大先進工
1.MSL, Tokyo Tech, 2.NIMS, 3.MCES, Tokyo Tech

1. 山陽小野田市立山口東理大工〇片瀬 貴義 , 西村 優作 , ホ シンイ , 只野 央将 , 井 1. 東工大フロ研 , 2. 物材機構 , 3. 東工大元素セ
手 啓介 1, 気谷 卓 1, 半沢 幸太 1, 平松 秀典 1, 川路 均 1,
細野 秀雄 3, 神谷 利夫 1
1

1

1

2

16:30		休憩 /Break
16:45		 21p-C102-12 Ag2Te における巨大な磁気抵抗の磁場依存性〇 (DC) 大根 誓哉 1, 宮田 全展 1, 小矢野 幹夫 1
1. 北陸先端大17:00		 21p-C102-13 ボールミル装置を用いた NiSi3P4 の合成とフォノン輸送特 〇宮田 全展 1, 小矢野 幹夫 1
1. 北陸先端大性の解析
17:15
E 21p-C102-14 Optimization of Ni doping to improve thermoelectric〇 Sopheap Sam1, Hiroshi Nakatsugawa1, Yoichi
1.Yokohama National Univ., 2.National Defense
properties of β -Fe1-xNixSi2
Okamoto2
Academy1
1
2
3
3
17:30		 21p-C102-15 Ba1/3CoO2: 空気中，600 °C で信頼できる ZT ~0.55 を示 張 習 , 張 雨橋 , 呉 礼奥 , 鶴田 彰宏 , 三上 祐史 ,1. 北大電子研 , 2. 北大院情報 , 3. 産総研中部セ
す熱電酸化物ジョ ヘジュン 1, 〇太田 裕道 1
17:45		 21p-C102-16 Nd1-xSrxFeO3- δ (0.1 ≦ x ≦ 0.9) の結晶・磁気構造と熱電特 〇鎌谷 雄大 1, 中津川 博 1, 岡本 庸一 2, Charles H.
1. 横浜国大理工 , 2. 防衛大材料 , 3.Nuclear Physics Inst.
性
Hervoches3
1
1
2
18:00		 21p-C102-17 Sb 置換されたハーフ・ホイスラー合金 TiNiSn の電子構 〇阿部 航佑 , 中津川 博 , 岡本 庸一
1. 横国大理工 , 2. 防衛大材料
造と熱電特性9.5 新機能材料・新物性 / New functional materials and new phenomena
9/20(Tue.) 9:45 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) C102 会場（Room C102）
9:45		 20a-C102-1 Ti ナノアレイ系を用いた赤外吸収増大に関する研究〇棟方 聡一朗 1, 水戸部 大地 1, 鈴木 裕史 1
1. 弘前大学大学院理工学研究科
10:00		 20a-C102-2 銀形水素型ゼオライト Y における PL の置換溶液量依存性 〇佐藤 大和 1, 冨岡 凌輔 1, 鳴海 旬哉 1, 宮永 祟史 1, 鈴 1. 弘前大院理工木 裕史 1
10:15		 20a-C102-3 Ag-HY 型ゼオライトの PL 挙動と XAFS 測定〇冨岡 凌輔 1, 鳴海 旬哉 1, 佐藤 大和 1, 目黒 晴輝 1, 宮 1. 弘前大学大学院理工学研究科
永 崇史 1, 鈴木 裕史 1
10:30		 20a-C102-4 Ag/Co 形ゼオライト、Ag/Cu 形ゼオライトの PL 挙動〇鳴海 旬哉 1, 冨岡 凌輔 1, 目黒 晴輝 1, 佐藤 大和 1, 宮 1. 弘前大学大学院理工学研究科
永 崇史 1, 鈴木 裕史 1
10:45		 20a-C102-5 d 0 強磁性を有する TiO2 ナノ粒子の磁気特性〇山之内 大河 1, 中澤 拓斗 1, 府川 明弘 1, 田村 丈介 1, 1. 日大院理工 , 2. 日大理工高瀬 浩一 2
11:00		 20a-C102-6 ZnO ナノ粒子の室温強磁性〇 (M1) 田村 丈介 1, 中澤 拓斗 1, 府川 明弘 1, 山之内 1. 日大院理工 , 2. 日大理工 , 3. 関大システム理工
大河 1, 清水 智弘 3, 高瀬 浩一 2
11:15		 20a-C102-7 酸化クロムナノ粒子の室温強磁性的振る舞い 2〇 (M2) 中澤 拓斗 1, 府川 明弘 1, 田村 丈介 1, 山之内 1. 日大院理工 , 2. 日大理工 , 3. 関大システム理工 , 4. 北陸
大河 1, 村田 恭輔 3, 清水 智弘 3, 宮田 全展 4, 小矢野 幹 先端大夫 4, 高瀬 浩一 2
11:30		 20a-C102-8 遊星型ボールミルで粉砕した VO2 ナノ粒子の磁気特性 2 〇 (M2) 府川 明弘 1, 中澤 拓斗 1, 山之内 大河 1, 田村 1. 日大院理工 , 2. 日大理工 , 3. 北陸先端大丈介 1, 宮田 全展 3, 小谷野 幹夫 3, 高瀬 浩一 2
9/20(Tue.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) C102 会場（Room C102）
13:30
招 20p-C102-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇琴岡 匠 1, Lilak Sam2, Stieg A. Z.2, Gimzewski J. 1. 九工大院生命体 , 2.UCLA, 3. 九工大 Neumorph セン
Ag2Se ナノワイヤネットワークインマテリオリザバーデ K.2, 3, 田中 悠一朗 1, 3, 田向 権 1, 3, 宇佐美 雄生 1, 3, 田 ター
バイスの音声分類
中 啓文 1, 3
13:45		 20p-C102-2 光照射によるノイズ制御を利用したリザバー性能評価〇 (M1) 箱嶋 将弥 1, 宇佐美 雄生 1, 2, 琴岡 匠 1, 田中 啓 1. 九工大院生命体 , 2. 九工大 Neumorph センター
文 1, 2
14:00
E 20p-C102-3 In-materio demonstration of reservoir computing using a 〇 (P)Deep Banerjee1, 2, Yuki Usami1, 2, Hirofumi
1.KYUTECH, 2.Neuromorphic AI Research Center
random network of single-walled carbon nanotube/
Tanaka1, 2
Ag-Ag2S nanoparticle device
14:15 奨 E 20p-C102-4 Synaptic Plasticity in a Diffusive Memristor-Based〇 (D)Oradee Srikimkaew1, Saman Azhari2, 3, Deep 1.LSSE, Kyushu Inst. Technol.(Kyutech), 2.Waseda
Networked Ag/Ag2S Nanoparticles
Banerjee1, 3, Yuki Usami1, 3, Hirofumi Tanaka1, 3
University, 3.Neuromorphic Center, Kyutech
14:30
奨 20p-C102-5 CNT-PDMS ナノ複合体を用いたインセンサー演算素子 〇 (M2) 君塚 紘喜 1, サマン アズハリ 1, 2, 池本 周
1. 九工大院生命体 , 2. 九工大 Neumorph センター
による重量・位置検出
平 1, 2, 宇佐美 雄生 1, 2, 田中 啓文 1, 2
14:45
奨 20p-C102-6 高圧下における Eu1 − xSrxVO2H の異方的格子圧縮〇 (D) 難波 杜人 1, 高津 浩 1, 村山 寛太郎 1, 柴崎 裕
1. 京大工 , 2.KEK, 3. 京大理
樹 2, 寺嶋 孝仁 3, 陰山 洋 1
1
1
15:00
奨 20p-C102-7 NbTe2 単結晶の構造相転移と超伝導〇福岡 諒 , 笹川 崇男
1. 東工大15:15
奨 20p-C102-8 ワイル反強磁性体 Mn3Sn における巨大異常ホール効果の 〇松田 拓也 1, 肥後 友也 2, 3, 是常 隆 4, 神田 夏輝 1, 5, 平 1. 東大物性研 , 2. 東大理 , 3.JST-CREST, 4. 東北大理 ,超高速非平衡ダイナミクス
井 誉主在 2, Hanyi Peng2, 松尾 拓海 2, 吉川 尚孝 2, 島 5.JST さきがけ , 6. 東大低セ , 7. ジョンズ・ホプキンス大野 亮 2, 6, 中辻 知 1, 2, 3, 7, 8, 松永 隆佑 1, 5, 8
学 , 8. 東大トランススケール
15:30		休憩 /Break1
1
1
15:45		 20p-C102-9 有機無機ペロブスカイトを用いた分極軸外方向のシフト 〇 (P) 野間 大史 , 荒岡 史人 , 宮島 大吾
1. 理研創発物性
電流の評価
16:00		 20p-C102-10 擬一次元物質 La2NiSb 多結晶の合成と磁気抵抗効果〇西村 花奈 1, 河底 秀幸 1, 2, 福村 知昭 1, 3
1. 東北大理 , 2.JST さきがけ , 3. 東北大 WPI-AIMR &Core Research Cluster
11
1
1
16:15		 20p-C102-11 強磁性体 CoFeB とトポロジカル絶縁体 Sb2Te3 の界面反応 〇諸田 美砂子 , 齊藤 雄太 , 畑山 祥吾 , 内田 紀行
1. 産総研挙動
16:30		 20p-C102-12 2D/3D コアシェル構造を用いた高性能 p チャンネルペロ 〇金 正煥 1, 3, Shiah Yu-Shien1, 細野 秀雄 1, 2
1. 東工大元素戦略研 , 2.NIMS, 3. さきがけ
ブスカイト TFT
1
1
1
1
16:45		 20p-C102-13 遊星ボールミルによるメカニカルアロイングを用いた二 〇河野 真明 , 薗田 郁弥 , 佐藤 祐喜 , 吉門 進三
1. 同志社大院理工
珪化モリブデンの合成と評価に関する研究
17:00		 20p-C102-14 積層欠陥を含む六方晶 TmFeO3 ナノ粒子の結晶構造と室 〇神野 宏太 1, Kim You Jin1, 小西 伸弥 1, 早坂 祐一
1. 京大院工 , 2. 東北大先端電子顕微鏡セ , 3. 北大院工 ,温における磁気秩序の発現
郎 2, 大多 亮 3, 大畑 宙生 4, 田中 勝久 1
4.（株）高純度化学研究所
17:15		 20p-C102-15 アニオン欠損秩序を持つ二次元構造 15R-SrVO2.2N0.6 に対 〇 (M2) 村山 寛太郎 1, 高津 浩 1, 越智 正之 2, 3, 難波 杜 1. 京大工 , 2. 阪大フォアフロント研 , 3. 阪大理
131する化学圧力の影響
人 , 黒木 和彦 , 陰山 洋
17:30		 20p-C102-16 イオン液体ゲート (ILG) を用いた YBa2Cu3O7-x 薄膜への 〇寺田 凌 1, 難波 杜人 1, 村山 寛太郎 1, 高津 浩 1, 寺嶋 1. 京大工 , 2. 京大理
フッ素挿入
孝仁 2, 陰山 洋 1
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P10-1
化学的合成法により作製した Y3Fe5O12 微粒子の交流磁場 〇 (B) 松本 怜佳 1, 若山 ことみ 1, 平澤 英之 1, 松友 真 1. 新居浜工業高等専門学校 , 2. 愛媛大学
中での発熱特性哉 1, 田頭 歩佳 1, 坂本 全教 1, 青野 宏通 2
			 21p-P10-2
酢酸塩ゲルから作製した (Pr1-yYy)1-xCaxCo3​の電気特性を 〇太田 侑希 1, 田橋 正浩 1, 高橋 誠 1, 後藤 英雄 1, 船木 1. 中部大 , 2. 島根大 , 3. 愛工大 , 4. 名古屋大
およぼす組成の影響
修平 2, 一野 祐亮 3, 吉田 隆 4
			 21p-P10-3
TlGaSe2 の光誘起変形におけるポンプパルス光周波数特 〇岡野 晃典 1, 沈 用球 1, 2, Mamedov Nazim3
1. 大阪府大院工 , 2. 大阪公大院工 , 3. アゼルバイジャン
性
科学アカデミー10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
9/21(Wed.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21a-P02-1
Magnetic levitation of liquid and solid by permanent
magnets
			 21a-P02-2
Co 添加 ZnO における酸素欠損と添加濃度が強磁性に与える影響
			 21a-P02-3
MBE により成長した Cr 添加 NiAs 型 MnTe 薄膜への成長
温度とアニール処理の影響		
E 21a-P02-4
Tunable Optical Properties in MoS2/WS2 Heterostructure
by External Electric Field
			 21a-P02-5
伝導性酸化物 SrNbO3 極薄膜の巨大ラシュバパラメータ			 21a-P02-6
Cr を添加した CdTe 自己形成ドットの ESR 測定		

E 21a-P02-7

			 21a-P02-8

			 21a-P02-9
			 21a-P02-10
			 21a-P02-11
		

E 21a-P02-12

		

E 21a-P02-13

		

E 21a-P02-14

			 21a-P02-15
		

E 21a-P02-16

			 21a-P02-17

		

E 21a-P02-18

		

E 21a-P02-19

			 21a-P02-20

			 21a-P02-22
			 21a-P02-23
			 21a-P02-24
			 21a-P02-25
		

E 21a-P02-26

		

E 21a-P02-27

		

E 21a-P02-28

			 21a-P02-29
			 21a-P02-30
			 21a-P02-31
			 21a-P02-32
			 21a-P02-33
		

E 21a-P02-34

			 21a-P02-35
		
E 21a-P02-36
		

E 21a-P02-37

			 21a-P02-38
			 21a-P02-39
			 21a-P02-40

1. 日工大院工〇宇田川 浩太 1, 村山 真理子 1, 2, 趙 新為 1
〇 (M2) 矢加部 哲徳 , 金澤 研 , 黒田 眞司
11

1. 東理大理 , 2. 東洋大理工
1

1. 筑波大院数物〇 (DC)Dian Putri Hastuti1, Kenji Nawa1, 2, Kohji
1.Mie Univ., 2.NIMS
Nakamura1
1
1
1〇大熊 光 , 片山 裕美子 , 上野 和紀
1. 東大院総合〇井上 智貴 1, 安藤 瞬 1, 稲井 聡志 1, 塩川 凛人 1, 丸本 1. 筑波大数理物質 , 2.CNRS ネール研
一弘 1, ボウカリ エルベ 2, ビソンブ ルシアン 2, 黒田
眞司 1
Characteristic Investigation of Spin Gapless〇(D)Juncheng Wang1, Mikihiko Oogane1, Masakiyo 1.Tohoku Univ.
Semiconductor CoFeMnSi Thin Films for Spin Injection Tsunoda1, Takafumi Nakano1
第一原理計算によるねじれた L10-FePd/ グラフェン界面 〇永沼 博 1, 2, 3, 植本 光治 4, 安達 隼人 4, 新屋 ひかり 5, 1. 東北大 CIES, 2. 東北大 CSIS, 3. 東北大工 , 4. 神戸大工 ,における XAS および XMCD スペクトルの解釈
望月 出海 6, 平田 秋彦 7, Bruno Dlubak8, 小野 倫也 4, 5. 東北大通研 , 6. 高エネ研物工 , 7. 早稲田理工 , 8.CNRS/
Pierre Seneor8, 9, 2, 雨宮 健太 6
Thales, 9.Univ.Paris-Sac.
スピンポンピングを用いたナフチルジアミン薄膜のスピ 大西 裕一郎 1, 手木 芳男 2, 3, 〇仕幸 英治 1, 3
1. 大阪市大院工 , 2. 大阪市大院理 , 3. 大阪公大院工ン輸送特性
ペンタセン /PTCDA 二層膜における動力学的スピン輸送 〇 (M1) 脇 主助 1, 手木 芳男 1, 2, 仕幸 英治 1
1. 大阪公大院工 , 2. 大阪市大院理
歳差キャップ層を備えた X nm 世代の L10-FePd/ グラフェ 〇永沼 博 1
1. 東北大ン記録層のマイクロマグネティクスシミュレーション
12
1
Large magnetocapacitance beyond 420% in epitaxial〇 Kenta Sato , Hiroaki Sukegawa , Kentaro Ogata , 1.Keio Univ., 2.NIMS, 3.Brown Univ., 4.CSRN, Keiomagnetic tunnel junctions with an MgAl2O4 barrier
Gang Xiao3, Hideo Kaiju1, 4
Univ.
Observation of emergent giant magneto-inductance effect 〇 Yu Matsushima1, Yuri Ohashi1, Zijing Zhang1,
1.Keio Univ., 2.Brown univ., 3.CSRN, Keio Univ.
at room temperature
Kazuhiro Yamauchi1, Gang Xiao2, Hideo Kaiju1, 3
1
2
Observation of magnetoresistance in Ni78Fe22/C8-BTBT/ 〇 Mizuki Matsuzaka , Yuma Sasaki , Kyohei
1.Keio Univ., 2.RIES, Hokkaido Univ., 3.Ibaraki Univ.,
Ni78Fe22 nanojunctions at room temperature
Hayashi1, Takahiro Misawa2, Takashi Komine3,
4.IMRAM, Tohoku Univ., 5.CSRN, Keio Univ.
Tomoyuki Akutagawa4, Masaya Fujioka2, Junji
Nishii2, Hideo Kaiju1, 5
Fe3O4 を用いたトンネル磁気抵抗接合への反強磁性ピン 〇草田 正汰朗 1, 島田 敏宏 1, 長浜 太郎 1, 横倉 聖也 1 1. 北海道大学
留め層の導入Effect of insertion layer to the MnGa/CoMn interface on 〇 Kazuya Suzuki1, 2, Shigemi Mizukami2
1.ASRC, JAEA, 2.AIMR, Tohoku Univ.
tunnel magnetoresistance11
1
1
The effect of fine pattern on the magnetization process in 〇久保田 均 , 薬師寺 啓 , 谷口 知大 , 田丸 慎吾 , 山 1. 産総研 , 2. 阪大 , 3. 阪大スピントロニクスセンター
in-plain magnetized forromagnets
本 竜也 1, 常木 澄人 1, 杉原 敦 1, 野村 光 2, 3, 鈴木 義
茂 1, 2, 3
Control of the exchange bias by electric current in a giant 〇 (M2)Ryo Genta1, Kento Hasegawa2, 1, Tomohiro 1.SANKEN, Osaka Univ, 2.The Univ. of Tokyo, 3.CSRN,
magnetoresistive device formed on a flexible substrate
Koyama1, 3, 4, Daichi Chiba1, 3, 4
Osaka Univ, 4.OTRI, Osaka Univ
Fabrication and evaluation of Ni78Fe22 thin films on〇 Yuri Ohashi1, Yu Matsushima1, Hideo Kaiju1, 2
1.Keio Univ., 2.CSRN, Keio Univ.
polycarbonate for flexible magnetic sensors
TbCo 薄膜 / プラスチック基板へのレーザー照射による 〇 (B) 鈴木 紀行 1, 明瀬 大和 1, 神戸 崇太 1, 鷲見 聡 1, 1. 豊田工大
基板形状変化と磁気特性の関係
田辺 賢士 1, 粟野 博之 1
並列磁性細線における一定長磁区の記録および駆動の検 〇高橋 真央 1, 中谷 真規 1, 加藤 大典 1, 小倉 渓 1, 井口 1.NHK 技研
証義則 1, 宮本 泰敬 1
磁壁移動型 MO 光変調素子のノッチ構造を用いた初期磁 〇 (M1) 保坂 千都 1, 青島 賢一 2, 川那 真弓 2, 船橋 信 1. 東京電機大学 , 2.NHK 放送技術研究所
区制御
彦 2, 本橋 光也 1, 町田 賢司 2
磁壁移動型 MO 光変調素子の開口率向上に向けた磁化挙 〇川那 真弓 1, 船橋 信彦 1, 青島 賢一 1, 町田 賢司 1
1.NHK 技研
動シミュレーション
相似重力を用いたスピン波増幅〇中山 和之 1, 笠原 健司 1, 稲田 聡明 2, 冨田 知志 3
1. 福岡大学理 , 2. 東大素セ , 3. 東北大高教機構
スピン波によるダイヤモンド島中の NV 中心の状態操作 〇 (M2) 蔭山 隆史 1, 貝沼 雄太 1, 出口 碧惟 1, 林 都隆 1, 1. 北陸先端大
Dwi Prananto1, 安 東秀 1
Role of magnetocrystalline anisotropy and magnetic〇 (M2)Andi Gumarilang Ahmadi1, Kenji Nawa1,
1.Mie Univ.
dipole-dipole interaction in spin Seebeck effect at NiO/Pt Kohji Nakamura1
Gilbert damping in Pt/Co/X (X=Pt, Au) films with〇 (M2)Yusuke Ichinohe1, 2, Satoshi Iihama2, 3, Ruma 1.Dept. of Appl. Physics, Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR,
perpendicular magnetic anisotropy
Mandal2, Shigemi Mizukami2, 4
Tohoku Univ., 3.FRIS, Tohoku Univ., 4.CSIS, Tohoku
Univ.
Low magnetic Gilbert damping in epitaxial films of〇 Zaizhou Jin1, Mandal Ruma1, 2, Shigemi
1.Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.CSRN,
FexCo1-x alloys
Mizukami1, 2, 3
Tohoku Univ.
Pt(O) 膜の作製と強磁性共鳴評価〇中村 潤之介 1, 伊津野 光 1, シャシャンク ウトラッ 1. 山口大 , 2. 九工大
22
2
1
シュ , 友田 好郁 , 福間 康裕 , 浅田 裕法
磁性体におけるスピン・軌道輸送特性に関するハイスルー 〇矢作 裕太 1, 2, Zelezny Jakub3
1. 東北大 , 2.NEC, 3. チェコ科学アカデミー
プット計算
異常ネルンスト効果を利用した熱流センサの高感度化〇 (B) 今枝 寛人 1, 神戸 崇太 1, 小田切 美穂 1, 鷲見
1. 豊田工大
聡 1, 粟野 博之 1, 田辺 賢士 111
1
非磁性重金属層と強磁性層の界面状態がスピン注入効率 〇 (M2) 阿部 大悟 , 新實 史也 , 杉野 真健 , 田中 雅 1. 名工大工 , 2. 関西大システム理工 , 3. 豊工大工に与える影響章 1, 本多 周太 2, 粟野 博之 3, 壬生 攻 1
Observation of Self-Induced Spin-Orbit Torque via〇日比野 有岐 1, 谷口 知大 1, 田丸 慎吾 1, 薬師寺 啓 1, 1. 産総研
Vertical Composition Gradient久保田 均 1, 湯浅 新治 1
Optical spin generation using Bi/Ag interface〇 Satoshi Iihama1, 3, Michel Hehn2, Kazuaki
1.FRIS, Tohoku Univ., 2.IJL, Univ. Lorraine, 3.AIMR,
Ishibashi3, 4, Stephane Mangin2, Shigemi Mizukami3, 5 Tohoku Univ., 4.Tohoku Univ., 5.CSIS, Tohoku Univ.
Pt/aC/CoFeAl 膜によるスピン熱電変換〇山田 和正 1, 井上 建吾 1, 木村 崇 1
1. 九大理Annealing-Induced Evolution of L21-type crystalline〇 Kohei Fujiwara1, Koya Shibata1, Shunsuke
1.IMR, Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ.
ordering in Co2FeSn Thin Films
Nishimura1, Junichi Shiogai1, Atsushi Tsukazaki1, 2
1, 2
1, 3
Single-material-based anomalous Nernst thermopile〇 (M2)Naoki Chiba , Satoshi Ishii , Rajkumar
1.NIMS, 2.Univ. of Tokyo, 3.JST PRESTO, 4.IMR
driven by solar heating and radiative cooling
Modak1, Ken-ichi Uchida1, 2, 4
Tohoku Univ.
２層膜 Co/5d 重金属におけるスピン・異常ホール伝導度 〇福谷 真奈 1, 名和 憲嗣 1, 中村 浩次 1
1. 三重大院工と結晶磁気異方性の第一原理計算
112
強磁性金属／電子 - 正孔補償金属接合におけるスピン蓄 〇酒井 政道 , 吉住 年弘 , 長谷川 繁彦
1. 埼大院理工 , 2. 阪大産研
積I
TbCo、GdFeCo/Pt 積層膜の補償温度近傍磁気光学特性 〇鷲見 聡 1, Ranjbar Sina1, 田辺 賢士 1, 粟野 博之 1
1. 豊田工大

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

			 21a-P02-21〇鈴木 智明 1, 菅谷 将之 1, 池添 泰弘 1

10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）/ Emerging materials in spintronics and magnetics (including fabrication and characterization methodologies)			 21a-P02-41

非対称 Hall-bar 素子を用いた電子正孔補償金属 YH2 におけるスピン拡散長評価		

E 21a-P02-42

Magneto-optical Kerr effect of a L12-ordered Mn3Ir film

			 21a-P02-43

Pt/CoFe2O4 二層膜の界面形成プロセスと異常 Hall 効果

			 21a-P02-44

フェリ磁性 Mn4N 薄膜の垂直磁気異方性に及ぼす磁気構
造と窒素の影響
LSMO/YBCO/LSMO 超伝導スピンバルブにおける 2 つの対破壊効果YBCO/LSMO/PMN-PT ヘテロ構造における超伝導転移
温度の電界制御
Anomalous Ettingshausen effect in Fe-C alloys

			 21a-P02-45
			 21a-P02-46

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

		E 21a-P02-47〇 (M1) 伊東 輝大 1, 佐藤 圭 1, 酒井 政道 1, 吉住 年弘 1, 1. 埼大院理工 , 2. 東洋大 , 3. 岡山理大 , 4. 豊田工大 , 5. 阪
花尻 達郎 2, 清水 正章 2, 中村 修 3, 鷲見 聡 4, 粟野 博 大産研
之 4, 長谷川 繁彦 5
〇 Kihiro Yamada1, Kotarou Yamaguchi1, Yuta
1.Tokyo Tech, 2.ICR, Kyoto Univ.
Kobayashi2, Teruo Ono2, Takahiro Moriyama2,
1
Takuya Satoh〇大掛 祐輝 1, 野土 翔登 1, 横倉 聖也 2, 島田 敏宏 2, 長 1. 北大院総化 , 2. 北大院工浜 太郎 2〇磯上 慎二 1, 増田 啓介 1, 三浦 良雄 1
1. 物材機構〇 (M1) 鈴木 聡悟 1, 小森 祥央 1, 井村 敬一郎 1, 谷山
智康 1〇 (M1) 菊田 智弘 1, 小森 祥央 1, 井村 敬一郎 1, 谷山
智康 1〇 Ren Nagasawa1, 2, 3, Koichi Oyanagi3, Takamasa

1. 名大理1. 名大理1.Tsukuba Univ., 2.NIMS, 3.Iwate Univ., 4.IMR, Tohoku
Hirai2, Rajkumar Modak2, Satoru Kobayashi3,
Univ.
Ken-ichi Uchida1, 2, 4
1
1
1
			 21a-P02-48 機械学習を用いた磁気光学顕微鏡画像からパラメータ推 〇久野 栞 , 粟野 博之 , 田辺 賢士
1. 豊田工大定			 21a-P02-49 L10 型合金の角度依存Ｘ線磁気円二色性と電子構造の第 〇牛田 真由美 1, 名和 憲嗣 1, 中村 浩次 1
1. 三重院工一原理計算
			 21a-P02-50 カチオンドープした NiO における交換相互作用と結晶磁 〇尾崎 涼佑 1, 名和 憲嗣 1, 中村 浩次 1
1. 三重大院工気異方性、磁気双極子双極子相互作用の第一原理計算
10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）/ Emerging materials in spintronics and magnetics (including fabrication and characterization methodologies)
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B201 会場（Room B201）
9:00		 22a-B201-1 Au/Co/Au 表面プラズモン共鳴の磁気的変調度を最適化 〇扇野 瞭虎 1, 清水 大雅 1
1. 農工大工する構造の検討
1, 2
1
9:15 奨 E 22a-B201-2 Materials exploration using ensemble machine learning〇 Kenji Nawa , Katsuyuki Hagiwara , Yoshio
1.Mie Univ., 2.NIMS
with small dataset
Miura2, Kohji Nakamura1
9:30		 22a-B201-3 電界効果による Pt/CFO の強磁性に由来した AHE ヒステ 〇榊原 烈桜 1, 片山 裕美子 1, 小山 知弘 2, 3, 千葉 大
1. 東大総合院 , 2. 阪大産研 , 3. 阪大 CSRN
リシスの変調地 2, 3, 上野 和紀 1
1
1
9:45
E 22a-B201-4 The anomalous Hall effect of MBE-grown van der Waals 〇 Yujun Wang , Masashi Kawaguchi , Masamitsu
1.The University of Tokyo
ferromagnet CrTe2
Hayashi1
10:00 奨 E 22a-B201-5 Epitaxial growth of tetragonal Mn-based ultrathin films on 〇 (M1C)Naoki Kamata1, 2, Shigemi Mizukami2, 3,
1.Dept. Appl Phys, Touoku Univ., 2.WPI-AIMR, Tohoku
highly mismatched substrate
Kazuya Suzuki4, 2
Univ., 3.CSIS, Tohoku Univ., 4.ASRC, JAEA
1
1
10:15
E 22a-B201-6 Autonomous material search for highly spin-polarized〇 (P)Varun Kumar Kushwaha , Y. Iwasaki , T.
1.NIMS
disordered material: Enhanced spin-polarization of CoFe Nakatani1, T. Sasaki1, S. Kasai1, K. Uchida1, Y.
upon Ag substitution
Sakuraba1
10:30		休憩 /Break
10:45
E 22a-B201-7 Machine Learning Study of Highly Spin-Polarized Heusler 〇 (D)Ivan Kurniawan1, 2, Yoshio Miura1, 3, Kazuhiro 1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba, 3.Osaka Univ.
Alloys at Finite Temperature
Hono1, 2
11:00
E 22a-B201-8 Operando XMCD and EXAFS spectroscopies for orbital〇 Jun Okabayashi1, Takamasa Usami2, Yu
1.UTokyo, 2.CSRN, Osaka Univ., 3.Osaka Univ., 4.
control by reversible strain at Co2FeSi/PMN-PT interface Shiratsuchi3, 2, Ryoichi Nakatani3, 2, Kohei
OTRI, Osaka Univ.
Hamaya3, 2, 4
1
1
2
11:15
E 22a-B201-9 Spin-orbit torque switching study on a ferrimagnetic〇 Ye Du , Songtian Li , Shinji Isogami , Phillip
1.QST, 2.NIMS, 3.Tohoku Univ.
Heusler alloy thin film Mn-Fe-Ga
Bentley1, Junsaku Nitta3, Seiji Sakai1
11:30 奨 E 22a-B201-10 Revealing the local magnetic properties of cubic〇 (P)Phillip David Bentley1, Songtian Li1, Tengyu
1.QST Takasaki, 2.Songshan Lake Mater., 3.Beijing Nat.
ferrimagnetic full-Heusler alloys using synchrotron
Guo2, Guoqiang Yu2, 3, Takaya Mitsui4, YasuhiroLab., 4.QST Sayo, 5.IIRNS Kyoto Kumatori
5
41
Mössbauer spectroscopy
Kobayashi , Kosuke Fujiwara , Seiji Sakai
11:45
E 22a-B201-11 Prediction of half-metallic gap formation and Fermi level 〇 (P)Varun Kumar Kushwaha1, S. Kokado2, S.
1.NIMS, 2.Shizuoka Univ., 3.JASRI
position in Co-based Heusler alloy epitaxial thin films
Kasai1, Y. Miura1, T. Nakatani1, R. Kumara3, H.
through anisotropic magnetoresistance effectTajiri3, T. Furubayashi1, K. Hono1, Y. Sakuraba1
9/22(Thu.) 13:30 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) B201 会場（Room B201）
13:30
E 22p-B201-1 Anomalous Nernst effect in Fe4-xNixN and Fe4-xCoxN films 〇 Weida Yin1, Keita Ito1, Yusuke Tsubowa2,
1.IMR, Tohoku Univ., 2.RIEC, Tohoku Univ., 3.ASRC,
grown by molecular beam epitaxy
Masahito Tsujikawa2, Masafumi Shirai2, Koki
JAEA
Takanashi1, 3
13:45
E 22p-B201-2 Fabrication of Mn4N ultrathin epitaxial films on〇 Taku Hirose1, Taro Komori1, Tomohiro Yasuda1,
1.Tsukuba Univ.
SrTiO3(001) substrates and evaluation of their roughness Takumi Horiuchi1, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1
and magneto-transport properties
14:00
E 22p-B201-3 Anomalous Hall and Nernst effects in antiperovskite〇 Shinji Isogami1, Keisuke Masuda1, Yoshio Miura1, 1.NIMS
Mn4N films
Nagalingam Rajamanickam1, Yuya Sakuraba1
14:15
E 22p-B201-4 Growth and characterization of magneto-transport〇 Takumi Horiuchi1, Taro Komori1, Taku Hirose1,
1.Univ. of Tsukuba, 2.KEK
properties of Mn4-xAuxN epitaxial films grown by
Tomohiro Yasuda1, Kenta Amemiya2, Kaoru Toko1,
molecular beam epitaxy
Takashi Suemasu1
14:30
E 22p-B201-5 Reversal of domain wall motion at the angular momentum 〇 Taro Komori1, 2, Ghosh Sambit1, 2, Hallal Alli2,
1.Univ. Tsukuba, 2.SPINTEC, 3.Inst. Neel,compensation point in ferrimagnetic Mn4-xNixN
Pena Garcia Jose3, Gushi Toshiki1, 2, Hirose Taku1,
4.IRIGMEM, 5.Inst. Univ. France
Mitarai Haruka1, Okuno Hanako4, Vogel Jan3,
Chshiev Mairbek2, 5, Vila Laurent2, Suemasu
Takashi1, Pizzini Stefania3, Attane Jean-Philippe2
14:45		休憩 /Break
15:00 奨 E 22p-B201-6 Magnetic phase-transition-induced giant Thomson effect 〇 (P)Rajkumar Modak1, Masayuki Murata2, Dazhi 1.NIMS, 2.AIST, 3.ICQD, USTC, 4.The Univ. of Tokyo,
for thermoelectric cooling
Hou3, Asuka Miura1, 8, Ryo Iguchi1, Bin Xu4, Rulei
5.PRESTO, JST, 6.IMR, Tohoku Univ., 7.CSRN, Tohoku
Guo4, Junichiro Shiomi4, Yuya Sakuraba1, 5, Ken-ichi Univ., 8.Present-IREEAT, Kyushu Inst. Tech.
Uchida1, 4, 6, 7
15:15		 22p-B201-7 カイラル反強磁性 Co2-xPdxMo3N 薄膜の磁気状態と輸送特 〇強 博文 1, 深澤 健留 1, 羽尻 哲也 1, 伊藤 孝寛 1, 日原 1. 名古屋大学 , 2. 名古屋工業大学
性
岳彦 2, 浅野 秀文 1
15:30		 22p-B201-8 ノンコリニア磁気抵抗効果による磁気スキルミオンの電 〇森 一将 1, 強 博文 1, 深澤 健留 1, 羽尻 哲也 1, 伊藤 考 1. 名大院工
気的検出
寛 1, 田渕 雅夫 1, 浅野 秀文 1
15:45
E 22p-B201-9 Electric field modulation of interfacial spin reversal field〇 Kakeru Ujimoto1, Wang Xinrui1, Toyoki Kentaro1, 1.Osaka univ.
in Pt/Cr2O3/Pt trilayer
Nakatani Ryoichi1, Shiratsuchi Yu1
16:00
E 22p-B201-10 Preparation and spin-orbit torque measurement of RuO2/ 〇 Anh ThiVan Nguyen1, 2, Samik DuttaGupta1, 3,
1.CSIS, Tohoku Univ., 2.CIES, Tohoku Univ., 3.RIEC,
Co-Fe-B bilayer
Yoshiaki Saito2, Shunsuke Fukami1, 2, 3, 4, 5, Duong Vu6, Tohoku Univ., 4.ECEI, Tohohu Univ., 5.WPI1, 2
1, 2
Hiroshi Naganuma , Shoji Ikeda , Tetsuo
AIMR,Tohoku Univ, 6.IOP, VAST
Endoh1, 2, 3, 4, Yasushi Endo1, 4

10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術 / Fundamental and exploratory device technologies for spin

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術 / Fundamental and exploratory device technologies for spin
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A205 会場（Room A205）
9:00
E 22a-A205-1 Detection of thermal magnon current mediated by〇 Dwi Prananto1, Yuta Kainuma1, Kunitaka
1.JAIST, 2.Kyoto Univ., 3.NIMS, 4.IMR Tohoku Univ.
coherent magnon via spin qubits in diamond
Hayashi1, Norikazu Mizuochi2, Ken-ichi Uchida3, 4,
Toshu An1
9:15		 22a-A205-2 スピン波検出時における蛇行アンテナの誘導電流〇 (M2) 原 大賀 1, 笠原 健司 1, 眞砂 卓史 1
1. 福岡大理
9:30		 22a-A205-3 Cu キャップ層による MSSW の緩和長の増大〇 (M2) 薗畠 和真 1, 笠原 健司 1, 眞砂 卓史 1
1. 福岡大理
9:45 奨 E 22a-A205-4 Observation of nonlinear spin-wave dynamics by〇 Kosuke Umemura1, Tomosato Hioki2, Koujirou
1.Dept. Appl. Phys., Univ. Tokyo, 2.AIMR, Tohoku
magneto-optical imaging
Hoshi1, 3, Eiji Saitoh1, 2, 3
Univ., 3.Inst. AI and Beyond, Univ. Tokyo
1
1
1
10:00
奨 22a-A205-5 波数空間におけるマグノン凝縮体の生成過程〇 (M2) 根津 昇輝 , 小田 鴻志 , 関口 康爾
1. 横浜国大院
1
2
2
10:15
奨 22a-A205-6 立方異方性材料を用いたマグノン量子凝縮の生成過程の 〇 (M2) 小田 鴻志 , Scheike Thomas , 介川 裕章 , 関 1. 横浜国大院 , 2. 物材機構
研究
口 康爾 1
10:30		休憩 /Break
10:45
奨 22a-A205-7 自己変調不安定性によるスピン波ソリトントレインの生 〇 (M2) 江口 拓朗 1, 関口 康爾 1
1. 横浜国大院
成
11:00		 22a-A205-8 空間構造を持つ電磁場と結合した 強磁性体薄膜中スピン 〇堀井 光輝 1, 加藤 健太 2, 横山 知大 2, 石原 一 2
1. 大阪府大院工 , 2. 大阪大院基礎工
波による和周波発生の理論
11:15		 22a-A205-9 Evaluation of local magnetization precession and〇神田 哲典 1, 室賀 翔 2, 遠藤 恭 3
1. 大島商船高専 , 2. 秋田大理工 , 3. 東北大工
spin-wave interaction using ST-FMR
11:30
E 22a-A205-10 Magnonic cross-bar interference-based reconfigurable〇 (DC)shamim sarker1, Lihao Yao1, Kaijie Ma1,
1.Tokyo Univ
logic gate
Hiroyasu Yamahara1, Siyi Tang1, Kenyu Terao1,
Zhiqiang Liao1, Munetoshi Seki1, Hitoshi Tabata1
11:45 奨 E 22a-A205-11 Implementation of a highly sensitive magnetic sensor〇 (DC)shamim sarker1, Hiroyasu Yamahara1, Lihao 1.Tokyo Univ
using CoFeB/Y3Fe5O12 bilayer magnonic resonator
Yao1, Siyi Tang1, Zhiqiang Liao1, Munetoshi Seki1,
Hitoshi Tabata1
9/22(Thu.) 13:30 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) A205 会場（Room A205）
13:30
E 22p-A205-1 Magnetoacoustic resonance in RE-TM ferrimagnets〇 Hiroki Matsumoto1, Kay Yakushiji2, Takuya
1.The Univ. of Tokyo, 2.AIST
Kawada1, Masashi Kawaguchi1, Masamitsu Hayashi1
13:45
E 22p-A205-2 Acoustic spin Hall effect in heavy metal/ferrimagnetic〇 Takuya Kawada1, Hiroki Matsumoto1, Masashi
1.The Univ. of Tokyo, 2.AIST, 3.Nagoya Univ.
metal bilayers
Kawaguchi1, Kay Yakushiji2, Hiroshi Kohno3,
Masamitsu Hayashi1
14:00 奨 E 22p-A205-3 Spin-torque FMR induced by acoustic spin Hall effect〇 Takuya Kawada1, Hiroki Matsumoto1, Masashi
1.The Univ. of Tokyo
Kawaguchi1, Masamitsu Hayashi1
14:15
E 22p-A205-4 Modulation of resonance spectra of a YIG sphere by a
〇 Tatsushi Uno1, Ei Shigematsu1, Ryo Ohshima1,
1.Kyoto Univ., 2.PRESTO
circular metal band
Yuichiro Ando1, 2, Masashi Shiraishi1
1
1
1
14:30
E 22p-A205-5 Demonstration of tuning the Hanle magnetoresistance in 〇 Yuu Maruyama , Ryo Ohshima , Ei Shigematsu , 1.Kyoto Univ.
an ultrathin platinum film by ionic gate.
Yuichiro Ando1, Masashi Shiraishi1
14:45		 22p-A205-6 組成勾配を有する強磁性体における自己誘発スピン軌道 〇谷口 知大 1, 日比野 有岐 1, 田丸 慎吾 1, 薬師寺 啓 1, 1. 産総研
トルクの現象論
久保田 均 1, 湯浅 新治 1
15:00		休憩 /Break
15:15
奨 22p-A205-7 Enhancement of spin-orbit torque in W/CoFeB/MgO by 〇千葉 峻也 1, 2, 竹内 祐太朗 3, De Zoysa K.
1. 東北大通研ナノ・スピン実験施設 , 2. 東北大工学研究
oxidation of W
Vihanga1, 2, 大野 英男 1, 3, 4, 5, 深見 俊輔 1, 2, 3, 4, 5, 6
科 , 3. 東北大 AIMR, 4. 東北大 CSIS, 5. 東北大 CIES, 6. 稲盛科学研究機構 InaRIS
15:30 奨 E 22p-A205-8 Spin-orbit torque induced magnetization switching using 〇 Daimu Morita1, Takuya Hara1, Michihiko
1.IST, Hokudai Univ.
1
1
Co2MnAl spin source
Yamanouchi , Tetsuya Uemura
15:45
奨 22p-A205-9 Substrate Dependence of NiO Insertion Effect on〇森田 利明 1, 長谷川 顕登 1, 2, 小山 知弘 1, 3, 4, 5, 千葉 1. 阪大産研 , 2. 東大工 , 3. 阪大 CSRN, 4. 阪大 OTRI,
Spin-Orbit Torque in Pt/Co System
大地 1, 3, 4
5.JST PRESTO
16:00
E 22p-A205-10 Giant spin-charge interconversion efficiency originated〇 Naoki Fukumoto1, Motomi Aoki1, Yuki Fuseya2,
1.Kyoto Univ., 2.Univ. of Electro-Communications,1
11from the large g-factor in single crystal bismuth(110)Ryo Ohshima , Ei Shigematsu , Teruya Shinjo ,3.PRESTO, JST, 4.ISSP, Univ. Tokyo, 5.Kyushu Univ.
1, 3
4
Yuichiro Ando , Syoya Sakamoto , Masanobu
Shiga5, Shinji Miwa4, Masashi Shiraishi1
16:15 奨 E 22p-A205-11 Laser pulse-induced THz emission in Bi/Co structure〇 Kazuaki Ishibashi1, 2, Satoshi Iihama3, 2, Shigemi
1.Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.FRIS, Tohoku
Mizukami2, 4Univ., 4.CSIS, Tohoku Univ.
1, 2
1
16:30
E 22p-A205-12 Selective damping modulation in synthetic〇 Shutaro Karube , Takumi Hoshika , Makoto
1.Eng. Tohoku Univ., 2.CSRN Tohoku Univ., 3.CSIS
antiferromagnet induced by spin-orbit torqueKohda1, 2, 3, Junsaku Nitta1, 2, 3, 4, 5
Tohoku Univ., 4.FRiD Tohoku Univ., 5.QUARC QST
16:45		休憩 /Break
17:00
E 22p-A205-13 Polarization selective excitation of antiferromagnetic〇 Yoichi Shiota1, 2, Tomonori Arakawa3, Ryusuke
1.ICR, Kyoto Univ., 2.CSRN, Kyoto Univ., 3.AIST, NMIJ
resonance in perpendicularly magnetized synthetic
Hisatomi1, 2, Takahiro Moriyama1, 2, Teruo Ono1, 2
antiferromagnets
17:15
E 22p-A205-14 Domain structure imaging of current-induced〇 Hiroto Masuda1, 2, Yuta Yamane3, 4, Takeshi Seki1, 5, 1.IMR, Tohoku Univ., 2.Grad. Sch. Eng., Tohoku Univ.,
magnetization switching process in a synthetic
Raab Klaus6, Takaaki Dohi6, Rajkumar Modak5,
3.FRIS, Tohoku Univ., 4.RIEC, Tohoku Univ., 5.NIMS,
antiferromagnet
Ken-ichi Uchida1, 5, Jun'ichi Ieda7, Klaui Mathias6,
6.Institute of Physics, Johannes Gutenberg Univ. Mainz,
Koki Takanashi1, 7
7.ASRC, JAEA
17:30 奨 E 22p-A205-15 Time resolved state tomography for time evolution of〇 Hiroki Shimizu1, Tomosato Hioki2, 1, Eiji Saitoh1, 2 1.Dept. Appl. Phys. Univ. Tokyo, 2.AIMR Tohoku Univ.
parametric oscillation of magnetization
17:45 奨 E 22p-A205-16 Observation of persistent coherence in Y3Fe5O12〇 Takahiko Makiuchi1, Tomosato Hioki2, 1, Hiroki
1.Dept. Appl. Phys., UTokyo, 2.AIMR, Tohoku Univ.,
Shimizu1, Koujiro Hoshi1, 3, Mehrdad Elyasi2, Kei
3.Beyond AI, UTokyo, 4.JAEA
Yamamoto4, Naoto Yokoi1, 3, Gerrit E. W. Bauer2, Eiji
Saitoh1, 2, 3, 4
18:00
E 22p-A205-17 Time resolved state tomography for persistent coherence 〇 Tomosato Hioki1, 2, Takahiko Makiuchi2, Hiroki
1.AIMR, Tohoku Univ., 2.Dept. Appl. Phys., UTokyo,
in Y3Fe5O12
Shimizu2, Koujiro Hoshi2, 3, Mehrdad Elyasi1, Kei
3.Inst. AI and Beyond, UTokyo, 4.JAEA
Yamamoto4, Naoto Yokoi2, 3, Gerrit E.W. Bauer1, Eiji
Saitoh2, 1, 3, 4
18:15
E 22p-A205-18 Theory of persistent coherence in excited magnetic〇 (P)Mehrdad Elyasi1, Kei Yamamoto4, Tomosato
1.AIMR Tohoku Univ., 2.Dept. Appl. Phys., Univ.
particles
Hioki1, 2, Takahiko Makiuchi2, Hiroki Shimizu2,
Tokyo, 3.Inst. AI and Beyond, Univ. Tokyo, 4.JAEA
Koujiro Hoshi2, 3, Naoto Yokoi2, 3, Gerrit E. W.
Bauer1, Eiji Saitoh1, 2, 3, 4
9/23(Fri.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) A205 会場（Room A205）
9:00
E 23a-A205-1 Current-induced bifurcation of a three-dimensional〇 (P)Jing XIA1, X. Zhang1, O. A. Tretiakov2, H. T.
1.Shinshu Univ., 2.UNSW Sydney, 3.CY Cergy Paris
topological skyrmion string
Diep3, J. Yang4, G. P. Zhao5, M. Ezawa6, Y. Zhou7, X. Univ., 4.Peking Univ., 5.Sichuan Normal Univ., 6.Univ.
Liu1
of Tokyo, 7.CUHKSZ
9:15 奨 E 23a-A205-2 Double heterostructure introduction in Pt/Ni/Co system 〇 (M2)Lin Zhang1, Ryuta Satone1, Xiaorui Ya1,
1.Kyushu Univ.
1
1
for skyrmion with small size and fast transport
Yuichiro Kurokawa , Takehiro Tamaoka , Yuto
1
1
1
Tomita , Hongye Gao , Satoshi Hata , Yasukazu
Murakami1, Terumitsu Tanaka1, Hiromi Yuasa1
9:30
奨 23a-A205-3 楕円形スカーミオンのダイナミクス〇高橋 一仁 1, 成瀬 貴彦 1, 近藤 憲治 1
1. 北大電子研

10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術 / Spin devices, magnetic memories and storages

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

9:45

奨 E 23a-A205-4

Passage control of the skyrmion by a gate electrode〇 (M2)Ken Hashimoto1, Ryo Ishikawa3, Minori
1.Osaka Univ., 2.CSRN-Osaka., 3.ULVAC inc.
Goto1, 2, Hikaru Nomura1, 2, Yoshishige Suzuki1, 2
10:00 奨 E 23a-A205-5 Evaluation of stochastic process of skyrmion using transfer 〇 (M2)Hiroki Mori1, Minori Goto1, 2, Ryo Ishikawa3, 1.Osaka Univ., 2.CSRN-Osaka, 3.ULVAC, Inc.
entropy
Soma Miki1, Hikaru Nomura1, 2, Yoshishige Suzuki1, 2
10:15
奨 23a-A205-6 反強磁性体中のスカーミオンを用いた論理ゲートの提案 〇成瀬 貴彦 1, 近藤 憲治 1
1. 北大電子研
10:30		休憩 /Break
10:45		 23a-A205-7 超高速磁化ダイナミクスにおける非マルコフ緩和の効果 〇今村 裕志 1, 荒井 礼子 1, 松本 利映 1, 山路 俊樹 1, 塚 1. 産総研 , 2. 大阪大
原 宙 1, 2
11:00 奨 E 23a-A205-8 Magnetic damping in Cu2Sb-type MnCrAlGe thin film
〇 Yuta Sasaki1, Ryoya Hiramatsu2, Yohei Kota3,
1.NIMS, 2.Tohoku Univ., 3.NIT Fukushima Col., 4.
investigated by all-optical pump-probe method
Takahide Kubota2, Yoshiaki Sonobe1, Akimasa
JAEA
Sakuma2, Koki Takanashi2, 4, Shinya Kasai1, Yukiko
Takahashi1
11:15		 23a-A205-9 Fe/Co0.75Fe2.25O4 界面における磁気層間結合の電圧制御〇日高 温志 1, 柳原 英人 1
1. 筑波大11:30
奨 23a-A205-10 二重磁気異方性変調界面を有する Pt/Co 系におけるカイ 〇 (M1) 米田 滉史 1, 千葉 大地 1, 2, 3, 小山 知弘 1, 2, 3, 4
1. 阪大産研 , 2. 阪大 CSRN, 3. 阪大 OTRI, 4.JST さきがラリティ誘起磁化制御
け
11:45		 23a-A205-11 GdFeCo 磁性二層膜における合成磁気モーメント量低減 〇北澤 楓太 1, 吉川 大貴 2, 塚本 新 2
1. 日大院理工 , 2. 日大理工の検討
12:00		 23a-A205-12 FePt ナノ構造の帯磁特性評価〇武 嘉麟 1, 牧原 克典 1, 田岡 紀之 1, 大田 晃生 1, 宮崎 1. 名大院工誠一 1
12:15 奨 E 23a-A205-13 Dot size dependence of thermal stability in non-collinear 〇 (M1)Yuma Sato1, 2, Takeuchi Yutaro3, Yuta
1.Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC,
antiferromagnet Mn3Sn
Yamane1, 4, Yoon Ju-Youg1, 2, Shun Kanai1, 2, 5, Ieda
Tohoku Univ., 2.Graduate School of Engineering,
Jun'ichi6, Ohno Hideo1, 2, 3, 5, 7, Shunsuke
Tohoku Univ., 3.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 4.FRIS,
1, 2, 3, 5, 7, 8
FukamiTohoku Univ., 5.CSIS, Tohoku Univ, 6.ASRC, JAEA,
7.CIES, Tohoku Univ, 8.Inamori Research Institute for
Science10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術 / Spin devices, magnetic memories and storages
9/20(Tue.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B101 会場（Room B101）
9:30 奨 E 20a-B101-1 Giant inverse spin Hall effect in BiSb topological〇 (M2)HOANGHUY HO1, SASAKI J.1, KHANG N. 1.Tokyo Tech., 2.Western Digital Inc.
insulator-based SOT reader
H. D.1, NAMHAI Pham1, Q. LE2, B. YORK2, X.
LIU2, M. GRIBELYUK2, X. XU2, S. LE2, M. HO2, H.
TAKANO2
9:45 奨 E 20a-B101-2 Large linear sensitivity of CoFe based CIP-GMR magnetic 〇 Dolly Taparia1, Kresna Bondan Fathoni1, 3,
1.Res. Cen. for Mag. and Spint. Matr., Nat. Inst. forsensor using metastable bcc Cu spacer and auxiliary
Prabhanjan Dilip Kulkarni1, Srinivasan
Matr. Sc., Tsuku., 305-0047, Japan, 2.Dept. of Phys.,biquadratic coupling through Rh spacer
Ananthakrishnan2, Perumal Alagarsamy1, 2, Sakuraba Indian Inst. of Tech. Guwahati, Guwahati, 781-039,
India., 3.Grad. Sch. of Pure and Appl. Sc., Univ. of
Yuya1, 2, Nakatani Tomoya1, Sasaki Taisuke1, Hono
Tsuku., Tsuku., 305-8571, Japan
Kazuhiro1, 3
10:00		 20a-B101-3 TMR センサ出力の周波数特性評価〇 (M2C) 伊藤 淳 1, 濵﨑 宏海 1, アルマダウィ ミフ
1. 東北大院工
タ 1, 大兼 幹彦 1
10:15 奨 E 20a-B101-4 Film-type strain gauge using CoFeB/MgO-based〇 (M2)Kenta Saito1, Akiko Imai1, Shinya Ota1, 2,
1.SANKEN, Osaka Univ., 2.The Univ. of Tokyo, 3.
magnetic tunnel junction
Akira Ando1, Tomohiro Koyama1, 3, 4, Daichi
CSRN, Osaka Univ., 4.OTRI, Osaka Univ.
Chiba1, 3, 4
10:30 奨 E 20a-B101-5 TMR properties in MTJs with epitaxial FeAlSi free layer 〇 (DC)Shoma Akamatsu1, Takafumi Nakano1,
1.Tohoku Univ.
Masakiyo Tsunoda1, Yasuo Ando1, Mikihiko Oogane1
10:45		休憩 /Break
11:00		 20a-B101-6 Fe2CoAl ホイスラー電極を用いた磁気トンネル接合〇 (M1) 鈴木 健矢 1, 2, Roy Tufan3, 辻川 雅人 3, 白井
1. 東北大工 , 2. 東北大 AIMR, 3. 東北大 RIEC, 4. 東北大
正文 3, 4, 水上 成美 2, 4
CSIS
11:15
E 20a-B101-7 Giant magnetoresistance and interlayer exchange coupling 〇 (P)Prabhanjan Dilip Kulkarni1, Tomoya
1.NIMSin [FeCoNi/Cu] multilayers with NiFeCr seed layer
Nakatani1, Zehao Li1, Taisuke Sasaki1, Yuya
1
Sakuraba
11:30
E 20a-B101-8 Enhancement in perpendicular magnetic anisotropy at the 〇 Takayuki Nozaki1, Tomohiro Nozaki1, Tatsuya
1.AIST
Fe/MgO interface by an ultrathin LiF layer insertion
Yamamoto1, Makoto Konoto1, Atsushi Sugihara1, Kay
Yakushiji1, Hitoshi Kubota1, Akio Fukushima1, Shinji
Yuasa1
11:45 奨 E 20a-B101-9 Strain induced modulation of perpendicular magnetic〇 Takeaki Gokita1, Tomohiro Koyama1, 2, 3, Daichi
1.SANKEN, Osaka Univ., 2.CSRN, Osaka Univ., 3.
anisotropy in CoFeB/MgO structure
Chiba1, 2, 3
OTRI, Osaka Univ.
12:00 招 E 20a-B101-10 [Young Scientist Presentation Award Speech]〇 Jieyuan Song1, 2, Thomas Scheike2, Cong He2,
1.Tsukuba Univ., 2.NIMS
2
2
Fcc(111) epitaxial magnetic tunnel junctions with a
Zhenchao Wen , Hiroaki Sukegawa , Tadakatsu
Co90Fe10/Mg-Al-O/Co90Fe10 structure
Ohkubo2, Kazuhiro Hono2, Seiji Mitani1, 2
9/20(Tue.) 13:45 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) B101 会場（Room B101）
13:45 招 E 20p-B101-1 [Fellow International 2022 Special Lecture]〇 Stuart Parkin1
1.Max Planck Inst. of Microstructure Physics
Chiral spin textures on the racetrack
1
1
14:30
E 20p-B101-2 Evaluation of spin-transfer-torque efficiency of FeCr with 〇 Hirofumi Suto , Nakatani Tomoya , Asam
1.NIMS
negative spin polarization using magnetization reversal
Nagarjuna1, Iwasaki Hitoshi1, Sakuraba Yuya1
against a magnetic field
14:45		 20p-B101-3 Prospect of pitch scaling for highly dense STT-MRAM〇篠田 峻伸 1, 2, 五十嵐 純太 1, 2, 3, 陣内 佛霖 4, 深見 俊 1. 東北大学 電気通信研究所 , 2. 東北大工 , 3. ロレーヌ大with ultra-small magnetic tunnel junctions
輔 1, 2, 4, 5, 6, 7, 大野 英男 1, 4, 5, 6
学 Jean Lamour 研究所 , 4. 東北大学材料科学高等研究
所 , 5. 東北大学 先端スピントロニクス研究開発セン
ター, 6. 東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 7. 稲盛科学研究機構
1, 2
1, 2
15:00 奨 E 20p-B101-4 Stochastic magnetic tunnel junctions with double free
〇 Rikuto Ota , Keito Kobayashi , Keisuke
1.LNS, RIEC, Tohoku Univ., 2.Grad. School Eng.,
layers
Hayakawa1, Shun Kanai1, 3, 4, 5, Kerem Camsari6,
Tohoku Univ., 3.PRESTO, JST, 4.DEFS, Tohoku Univ.,
Hideo Ohno1, 5, 7, 8, Shunsuke Fukami1, 2, 5, 7, 8, 9
5.CSIS, Tohoku Univ., 6.Dept. Elec. and Comp. Eng.,UCSB., 7.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 8.CIES, Tohoku
Univ., 9.Inamori Research Institute for Science
15:15
E 20p-B101-5 Reduction of Write Error Rate in Voltage-Induced〇 Rie Matsumoto1, Shinji Yuasa1, Hiroshi Imamura1 1.AIST RCECT
Heavily-Damped Precessional Switching by Elliptic
Cylinder Shaped Recording Layer
15:30		休憩 /Break
15:45
奨 20p-B101-6 フェリ磁性スピンシフトレジスタのエラーレート評価〇石橋 未央 1, 薬師寺 啓 2, 河口 真志 1, 塚本 新 3, 中辻 1. 東大理 , 2. 産総研 , 3. 日大 , 4.JST-CREST, 5. 東大トラ
知 1, 4, 5, 6, 林 将光 1, 5
ンス量子科学 , 6. ジョンズホプキンス大
16:00
E 20p-B101-7 3D racetrack memory devices formed from freestanding〇 (D)Ke Gu1, Yicheng Guan1, Binoy Krishna
1.Max Planck Inst.
magnetic heterostructures
Hazra1, Hakan Deniz1, Andrea Migliorini1, Wenjie
11Zhang , Stuart Parkin10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス / Spintronics in semiconductor, topological material, superconductor, and multiferroics
16:15

奨 E 20p-B101-8

10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics

Spin-orbit Torque Switching in Nanocomposite CoPtCrB 〇 (D)Vihanga De Zoysa K1, Samik DuttaGupta1, 2, 3, 1.Lab. for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC,
Butsurin Jinnai5, Hideo Ohno1, 2, 3, 4, 5, Shunsuke
Tohoku Univ., 2.CSIS (Core Research Cluster), Tohoku
Fukami1, 2, 3, 4, 5, 6
Univ., 3.CSRN, Tohoku Univ., 4.CIES, Tohoku Univ.,
5.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 6.Inamori ResearchInstitute for Science.
1
1
16:30 奨 E 20p-B101-9 Fabrication and evaluation of BiSb topological insulator / 〇 (D)Ruixian Zhang , Shirokura Takanori , Tuo
1.Tokyo Tech., 2.Univ. Tokyo
perpendicular magnetization CoFeB multilayer film for
Fan1, Pham Nam Hai1, 2
SOT-MRAM application
16:45
奨 20p-B101-10 帰還構造におけるスピン波の空間分布〇岩場 雅司 1, 林 龍之介 1, 根津 昇輝 1, 関口 康爾 1
1. 横浜国大院
17:00		 20p-B101-11 面内磁気異方性をもつナノ磁性体におけるバリスティッ 〇山路 俊樹 1, 今村 裕志 1
1. 産総研ク磁化反転領域の物質パラメータ依存性に関する理論解
析
17:15
E 20p-B101-12 Magnetic recording read sensors using anomalous Hall
〇 Tomoya Nakatani1, Prabhanjan Kulkarni1, Hitoshi 1.NIMS
effectIwasaki1, Hirofumi Suto1, Yuya Sakuraba1
10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス / Spintronics in semiconductor, topological material, superconductor, and multiferroics
9/23(Fri.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B201 会場（Room B201）
9:00 奨 E 23a-B201-1 Anisotropic magnetocaloric effect of CrI3
〇 (P)Hung Ba Tran1, 2, Yu-ichiro Matsushita1, 2
1.Tokyo Tech., 2.Quemix Inc.
9:15 奨 E 23a-B201-2 Effect of Bi doping on the magnetic properties of (In,Fe) 〇 (M2)Yota Endo1, Masaaki Tanaka2, Pham
1.Tokyo Tech., 2.Univ. Tokyo1, 2
Sb ferromagnetic semiconductor
NamHai9:30
E 23a-B201-3 Epitaxial growth and characterization of superconductor 〇 (M2)Yooho Choi1, Keita Ishihara1, Le Duc
1.EEIS, Tokyo Univ., 2.PRESTO, JST., 3.CSRN, Tokyo
Al/Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductor hybrid
Anh1, 2, 3, Masaaki Tanaka1, 3
Univ.
structures on GaAs substrates
1
1, 2, 39:45
E 23a-B201-4 Structure and magnetic properties of Fe-As films grown〇 (M2)Seiji Aota , Le Duc Anh, Masaaki
1.EEIS, Tokyo Univ., 2.PRESTO, JST, 3.CSRN, Tokyoon GaAs (111)B substrates
Tanaka1, 3
Univ
10:00 奨 E 23a-B201-5 Circularly polarized electroluminescence properties of〇 (D)Kohei Eto1, Satoshi Hiura1, Soyoung Park1,
1.IST, Hokkaido Univ.
quantum dot spin-polarized light-emitting diodes using
Junichi Takayama1, Agus Subagyo1, Kazuhisa
1
1
GaNAs spin filter
Sueoka , Akihiro Murayama
10:15
E 23a-B201-6 Pulsed Laser Induced Chirality Switching in Tellurium〇 (M1)Haruo Kondo1, Makoto Shoshin1, Masashi
1.The Univ. of Tokyo
Thin Films
Kawaguchi1, Masamitsu Hayashi1
10:30		休憩 /Break
10:45 奨 E 23a-B201-7 Efficient spin current source using a half-Heusler alloy〇 Takanori Shirokura1, Tuo Fan1, Nguyen Huynh
1.Tokyo Tech.
topological semimetal with Back-End-of-Line
Duy Khang1, Pham Nam Hai1
compatibility
11:00
E 23a-B201-8 Observation of spin polarization of Weyl semimetal, WTe2, 〇 (M2)Kosuke Ohnishi1, Motomi Aoki1, Ei
1.Kyoto Univ., 2.PRESTO, JST, 3.Nagoya Univ.
at room temperature
Shigematsu1, Ryo Ohshima1, Yuichiro Ando1, 2, Taishi
3
1
Takenobu , Masashi Shiraishi
11:15		 23a-B201-9 BiSb トポロジカル絶縁体 /NiO/Co 接合における NiO 障 〇南波 章太 1, 高橋 茂樹 2, 平山 義幸 2, ファム ナムハ 1. 東工大 , 2. サムスン日本
壁高さの評価イ1
11:30
E 23a-B201-10 Perpendicular and 100% switching of noncollinear〇 Tomoya Higo1, 2, 3, Kouta Kondou3, 4, Takuya
1.Dept. of Phys., UTokyo, 2.ISSP, UTokyo, 3.JST
antiferromagnetic order in the chiral antiferromagnet
Nomoto5, 6, Masanobu Shiga2, Shoya Sakamoto2,
CREST, 4.RIKEN CEMS, 5.RCAST, UTokyo, 6.JST
Mn3Sn by electric current
Xianzhe Chen2, Daisuke Nishio-Hamane2, Ryotaro PREST, 7.TSQSI, UTokyo, 8.Johns Hopkins Univ.
Arita3, 4, 5, Yoshichika Otani2, 3, 4, 7, Shinji Miwa2, 3, 7,
Satoru Nakatsuji1, 2, 3, 7, 8
11:45 奨 E 23a-B201-11 Signatures of two-dimensional topological insulator phase 〇 Yuki Osada1, Takanori Shirokura1, Nam Hai
1.Tokyo Tech.
in BiSb ultrathin films
Pham1
12:00 奨 E 23a-B201-12 Fabrication and characterization of polycrystalline Mn3Sn/ 〇 (D)Takumi Matsuo1, Tomoya Higo1, 2, 3, 4, Hanshen 1.Dept. of Phys., Univ. of Tokyo, 2.ISSP, Univ. of Tokyo,
Ta structures
Tsai1, 2, 3, Daisuke Nishio-Hamane2, Satoru
3.JST-CREST, 4.Trans-Quantum Sci. Inst., 5.Johns
Nakatsuji1, 2, 3, 4, 5
Hopkins U.
9/23(Fri.) 13:45 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) B201 会場（Room B201）
13:45
招 23p-B201-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇成田 秀樹 1, 石塚 淳 2, 河原崎 諒 1, 菅 大介 1, 3, 塩田 1. 京大化研 , 2.ETH Zurich, 3. 京大化研 CSRN, 4.Far
強磁性ドーピングした超伝導多層膜における非相反臨界 陽一 1, 3, 森山 貴広 1, 3, 島川 祐一 1, 3, A. V. Ognev4, A. Eastern Federal Univ., 5. 京大院理 , 6. 分子研 , 7. 阪大
電流
S. Samardak4, 柳瀨 陽一 5, 6, 小野 輝男 1, 3, 4, 7
CSRN
14:00
E 23p-B201-2 Alternation of Magnetic Anisotropy Accompanied by〇 MASAKI KOBAYASHI1, 2, Le Duc And1, 2, 3,
1.Grad. Sch. Eng., Univ. of Tokyo, 2.CSRN, Univ. of
Metal-Insulator Transition in Strained Ultrathin
Masahiro Suzuki4, Shingo Kaneta1, Yukiharu
Tokyo, 3.JST-PRESTO, 4.Dep. of Phys. Univ. of Tokyo,
Manganite Heterostructures
Takeda5, Shin-ichi Fujimori5, Goro Shibata5, 6, Arata 5.JAEA, 6.Tokyo Univ. Sci., 7.Hiroshima Univ.
Tanaka7, Masaaki Tanaka1, 2, Shinobu Ohya1, 2,Atsushi Fujimori4, 5
14:15 奨 E 23p-B201-3 “Ferron” excitations of the ferroelectric order〇 (P)Ping Tang1, Ryo Iguchi2, Ken-ichi Uchida2, 3,
1.AIMR, Tohoku Univ., 2.NIMS, Tsukuba, 3.IMR,
Gerrit E.W. Bauer1, 3, 4, 5, 6
Tohoku Univ., 4.CSRN, Tohoku Univ., 5.ZIAM, Univ. of
Groningen, 6.KITS, Univ. of the Chinese Academy of
Sciences
14:30
奨 23p-B201-4 Giant voltage-controllable magnetoresistance switching in 〇鶴岡 駿 1, Tadano Yuriko1, Le Duc Ahn1, Tanaka
1. 東大院工 , 2. 東大院工 CSRN
Ge short-channel devices with epitaxial ultra-thin Fe
masaaki1, 2, Ohya Shinobu1, 2
electrodes
14:45
奨 23p-B201-5 Giant spin-valve effect in oxide-based lateral nano-scale〇 (M2) 遠藤 達朗 1, Tsuruoka Shun1, Kaneta-Takada 1. 東大院工 , 2. 東大院工 CSRN
channel devices
Shingo1, Anh Le Duc1, Tanaka Masaaki1, 2, Ohya
Shinobu1, 2
15:00		 23p-B201-6 低接合抵抗を持つ Fe/Mg/SiN/n+-Si(001) 磁性トンネル 〇 (M2) 赤木 巌 1, 佐藤 彰一 1, 2, 田中 雅明 1, 2, 中根 了 1. 東大工電気系 , 2. 東大 CSRN
接合の作製と Si へのスピン注入
昌1
15:15		休憩 /Break
15:30
E 23p-B201-7 Estimation of spin drift velocity considering effective〇 Hajime Inoue1, Masashi Shiraishi1, Yuichiro
1.Kyoto Univ., 2.TDK corp.
magnetic field due to Rashba SOI in silicon spin MOSFET Ando1, Ryo Ohshima1, Ei Shigematsu1, Hayato
Koike2
15:45
奨 23p-B201-8 Spin diffusion coefficient dependence of time evolution of 〇森 貴親 1, Ishihara Jun1, Tokimitsu Ryo1, Ohno
1.Tokyo Univ. of Sci., 2.Univ. of Tsukuba
persistent spin helix modes in (001) GaAs/AlGaAs
Yuzo2, Miyajima Kensuke1
quantum well
16:00
奨 23p-B201-9 Persistent spin helix state in a (113) quantum well: Direct 〇時光 遼 1, Jun Ishihara1, Junsei Kitazawa2, Michael 1.Tokyo Univ. of Sci., 2.Dept. of Mat. Sci., Tohoku
imaging of spatiotemporal spin evolution in (113) GaAs/ Prager3, Daisuke Iizasa2, Takachika Mori1, Kensuke Univ., 3.Dept. of Phys., Univ. Regensburg., 4.FRIS,AlGaAs quantum well
Miyajima1, Shutaro Karube4, Chaoliang Zhang4,
Tohoku Univ., 5.Dept. of Chem. Phys. Sci., Victoria
Michael Kammermeier5, Dieter Schuh3, Dominique Univ. of Wellington., 6.CSIS, Tohoku Univ., 7.FRiD,
Bougeard3, Junsaku Nitta2, 6, Makoto Kohda2, 6, 7, 8
Tohoku Univ., 8.QUARC, QST

10.5 磁場応用 / Application of magnetic field
16:15

16:30

奨 E 23p-B201-10 Persistent spin helix state in a (113) quantum well:
Contrast spin dynamics between (001) and (113) GaAs/
AlGaAs two-dimensional electron gas〇 Junsei Kitagawa1, Daisuke Iizasa1, Michael
Prager2, Ryo Tokimitsu3, Jun Ishihara3, Takachika
Mori3, Shutaro Karube1, Chaoliang Zhang4, Michael
Kammermeier5, Uli Zuelicke5, Dieter Schuh2,
Dominique Bougeard2, Junsaku Nitta1, 6, Makoto
Kohda1, 6, 7, 8
奨 E 23p-B201-11 Emergence of multiple electron spin waves by in-plane〇 Keito Kikuchi1, Junpei Sonehara1, Jun Ishihara2,
magnetic field in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron Shutaro Karube1, Chaoliang Zhang3, Yuzo Ohno4,
gas
Hideo Ohno5, 6, 7, Junsaku Nitta1, 6, Makoto
Kohda1, 6, 8, 9

16:45

1.Grad. Sch. of Eng., Tohoku Univ., 2.Dept. of Phys.
Univ. Regensburg, 3.Dep. of Appl. Phys., Tokyo Univ. of
Sci., 4.FRIS, Tohoku Univ., 5.Dept. of Chem. Phys. Sci
Victoria Univ of Wellington, 6.CSIS, Tohoku Univ.,
7.FRiD, Tohoku Univ., 8.QUARC, QST
1.Grad. Sch. of Eng., Tohoku Univ., 2.Dep. of Appl.
Phys., Tokyo Univ. of Sci., 3.FRIS, Tohoku Univ., 4.Univ.
of Tsukuba, 5.RIEC, Tohoku Univ., 6.CSIS, Tohoku
Univ., 7.CIES, Tohoku Univ., 8.FRiD, Tohoku Univ.,
9.QUARC, QST
1.IST, Hokkaido Univ.

E 23p-B201-12 Bias dependence of electron spin polarization in GaNAs 〇 Hiroto Kise1, Soyoung Park1, Satoshi Hiura1,
quantum well-InAs quantum dot tunnel-coupled
Junichi Takayama1, Kazuhisa Sueoka1, Akihiro
structures
Murayama1
10.5 磁場応用 / Application of magnetic field
9/21(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B104 会場（Room B104）
9:00		 21a-B104-1 ピロリン酸カルシウム結晶の磁気配向と生体内微結晶識 〇武内 裕香 1, 三井 好古 2, 浜崎 亜富 3, 松田 瑞史 1
1. 室蘭工大 , 2. 鹿児島大 , 3. 信州大
別への応用
9:15		 21a-B104-2 鉄心入り四重極電磁石内の磁束分布の計算と磁束方位の 〇浜崎 亜富 1, 柳井 秀太 2, 武内 裕香 2, 松田 瑞史 2, 川 1. 信州大理 , 2. 室蘭工大
変調
口 秀樹 2
9:30		 21a-B104-3 磁気電析における奇のキラリティの破れ〇茂木 巖 1, 青柿 良一 2, 高橋 弘紀 1
1. 東北大金研 , 2. 職業大9:45		 21a-B104-4 Fe 基アモルファス合金の低温熱処理における強磁場効果 〇小野寺 礼尚 1, 廣原 明 1, 高橋 弘紀 2
1. 茨城高専 , 2. 東北大金研
1
1
1
10:00		 21a-B104-5 磁気異方性の電圧制御に向けた Fe/NiO(001) 薄膜の作製 〇嶋山 潤 , 日高 温志 , 柳原 英人
1. 筑波大10:15		休憩 /Break
10:30 奨 E 21a-B104-6 Mechanical Properties of Magnetically Oriented Cellulose 〇 Asahi Maeda1, Kayoko Kobayashi1, Ryosuke
1.Kyoto Univ.
II Microcrystals Film
Kusumi1, Masahisa Wada1
1
1
1
10:45 奨 E 21a-B104-7 Magnetic Condensation of Rare Earth Ions Ⅳ〇 Haruto Horii , Miona Ikeda , Ayato Saito , Isao
1.Yokohama Nat'l Univ.
Yamamoto1
11:00
E 21a-B104-8 Highly oriented hydroxyapatite sintered bodies prepared 〇 Yuki Otsuka1, Isao Yamamoto1, Motoyuki Iijima1, 1.Yokohana National Univ.
by both wet-jet milling and high magnetic field
Junichi Tatami1
11:15
奨 21a-B104-9 磁場中熱処理した Ni2MnAl の L21+B2 二相共存状態〇小林 領太 1, 三井 好古 1, 梅津 理恵 2, 高橋 弘紀 2, 小 1. 鹿児島大院理工 , 2. 東北大金研
山 佳一 1
11:30		 21a-B104-10 磁場印加 in-situX 線回折法による DyBa2Cu3O7-d 粉末の結 〇木村 史子 1, 足立 伸太郎 1, ワリド ビン アリ 1, 堀井 1. 京都先端科学大 , 2. 福井工大
晶系の決定 II
滋 1, 木村 恒久 2
11:45		 21a-B104-11 擬単結晶法のトリプレット DNP への応用展開〇久住 亮介 1, 香川 晃徳 2, 長瀬 倫太郎 2, 森下 裕貴 2, 1. 京都大農 , 2. 大阪大工 , 3. 京都大理
宮西 孝一郎 2, 武田 和行 3, 北川 勝浩 2, 根来 誠 2

11 超伝導 / Superconductivity

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
9/21(Wed.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21a-P03-1
熱分析による Bi-Sr-Ca-Cu 酸化物高温超伝導体の反応プ
ロセスに関する研究			 21a-P03-2
ミリ波加熱による YBCO 高密度多結晶バルク体の作製

11 超伝導 / Superconductivity

			 21a-P03-3〇青木 草生 1, 鄭 雨萌 1, 佐藤 祐喜 1, 吉門 進三 1

1. 同志社大院理工〇仲川 晃平 1, アブディカルヤ イプトゥ1, 浅野 貴

1. 福井大遠赤セ , 2. 福井大

行 2, 菊池 彦光 1, 光藤 誠太郎 2〇松井 浩明 1, 山口 巖 1

イオン照射による Y 系高温超伝導膜の自己磁場中臨界電
1. 産業技術総合研究所
流密度制御
			 21a-P03-4
超伝導浮上搬送装置のレール磁石配置〇二村 宗男 1, 大畑 翔 1, 佐藤 明 1
1. 秋田県立大			 21a-P03-5
時間反転対称性の破れた超伝導から発生する磁場の空間 〇勅使河原 充洋 1, 馬渡 康徳 2, 山森 弘毅 2, 矢野 力
1. 名大工 , 2. 産総研
分布三 1, 柏谷 聡 1
			 21a-P03-6
超伝導力学インダクタンス進行波型パラメトリック増幅 〇 (M1) 加藤 光一 1, 武田 正典 1, 寺井 弘高 2, 沓間 弘 1. 静大院総合 , 2. 情通機構 , 3. 理研 , 4. 東大工
器の マイクロ波表面抵抗を考慮した利得解析
樹 3, Chang C.W.Sandbo3, 4, 中村 泰信 3, 4
			 21a-P03-7
高密度な直線的 BaHfO3 ナノロッドを目指した〇橋本 満敏 1, 清家 善之 1, 森 竜雄 1, 一野 祐亮 1
1. 愛工大Nd:YAG-PLD 法による YBCO 薄膜作製プロセスの開発
			 21a-P03-8
複数種類の REBCO で構成された Nd:YAG レーザー法に 〇 (M1) 坂倉 忠大 1, 清家 善之 1, 森 竜雄 1, 一野 祐亮 1 1. 愛工大
よる超伝導薄膜の作製と超伝導特性の評価
			 21a-P03-9
Nd:YAG レーザーを用いた金属テープ上への YBCO 超伝 〇 (M1) 大山 航平 1, 石塚 敬太 1, 一野 祐亮 1, 清家 善 1. 愛工大
導エピタキシャル膜の作製に関する研究
之 1, 森 竜雄 1
			 21a-P03-10 溶融 KOH 中の H2O 制御による RE–Ba–Cu–O 相形成の安 〇鷦鷯 瑛介 1, 河田 浩一郎 1, 山田 容士 1, 舩木 修平 1 1. 島根大自然定化			 21a-P03-11 La(O,F)Bi(S,Se)2 におけるウェットエッチングの検討〇淵上 良輝 1, 斉藤 光史 1
1. 都立大システムデザイン
			 21a-P03-12 基板加熱スパッタによる Nb3Al 薄膜の作製と超伝導特性 〇辻本 学 1, 高島 浩 1, 吉田 良行 1, 古瀬 充穂 1, 浦出 芳 1. 産総研
1
1
1
1
の評価
郎 , 山田 隆宏 , 猪股 邦宏 , 水林 亘
11.1 基礎物性 / Fundamental properties
9/21(Wed.) 13:00 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) A302 会場（Room A302）
13:00		 21p-A302-1 外部磁場中の高温超伝導体－強磁性体二層膜におけるテ 〇西村 太一 1, 中村 公大 1, 小森 祥央 2, 3, J. ロビンソ 1. 京大院工 , 2. 名大院理 , 3. ケンブリッジ大学 , 4. パリ
ラヘルツ時間領域分光法による複素伝導度解析
ン 3, J. マンジュネ 4, J. ティノン 4, S. ディロン 4, 掛谷 ENS
一弘 1
13:15		 21p-A302-2 パルス電流を印加した Bi2212 メサアレイからの THz 波 〇菊池 隆太 1, 南 英俊 1, 齋藤 佑真 1, 中川 駿吾 1, 2, 山 1. 筑波大学数理物質 , 2. 産総研
放射口 啄弥 1, 山田 将太郎 1, 榎本 裕樹 1, 鈴木 祥平 1, 辻本
学 1, 2, 柏木 隆成 1
13:30		 21p-A302-3 誘電体共振器による Bi2212-THz 波発振器の高出力化の 〇齋藤 佑真 1, 南 英俊 1, 菊池 隆太 1, 中川 駿吾 1, 2, 山 1. 筑波大数理物質 , 2. 産総研
検討
口 啄弥 1, 山田 将太郎 1, 榎本 裕樹 1, 鈴木 祥平 1, 辻本
学 1, 2, 柏木 隆成 1
13:45		 21p-A302-4 多メサ同期制御のためのジョセフソンプラズマ発振器の 〇 (M1) 柳生 望光 1, 小林 亮太 1, 掛谷 一弘 1
1. 京大院工開発
14:00		休憩 /Break
14:15
奨 21p-A302-5 Bi2212 からのテラヘルツ放射に関する高バイアス領域に 〇 (M2) 小林 亮太 1, 巴山 顕 1, 掛谷 一弘 1
1. 京大院工
おける電気回路モデル
1, 2
3
1, 2
14:30
奨 21p-A302-6 Bi-2212 ウィスカー固有接合テラヘルツ放射素子の電磁 〇齋藤 嘉人 , 掛谷 一弘 , 高野 義彦
1. 物質材料研究機構 , 2. 筑波大学 , 3. 京大院工界シミュレーション
14:45
奨 21p-A302-7 アルカリエッチングを用いた銅酸化物超伝導体 Bi2212 の 〇中川 駿吾 1, 2, 山口 啄弥 1, 山田 将太郎 1, 榎本 裕
1. 筑波大数理物質 , 2. 産総研
デバイス加工Ⅱ
樹 1, 鈴木 祥平 1, 齋藤 佑真 1, 菊池 隆太 1, 辻本 学 1, 2,
12
2
1
南 英俊 , 石田 茂之 , 永崎 洋 , 柏木 隆成
15:00		 21p-A302-8 Bi2212-THz 波発振器の材料と発振特性に関する研究〇柏木 隆成 1, 中川 駿吾 1, 3, 山口 啄弥 1, 山田 将太
1. 筑波大数理物質 , 2.KEK 物構研 PF, 3. 産総研 , 4.NIMS
郎 1, 榎本 祐樹 1, 齋藤 佑真 1, 鈴木 祥平 1, 菊池 隆太 1,
中尾 裕則 2, 石田 茂之 3, 永崎 洋 3, 茂筑 高士 4, 辻本
学 1, 3, 南 英俊 1

11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長 / Thin and thick superconducting films, coated conductors and film crystal growth
15:15		 21p-A302-9

x

KxFe2As2 Tapes

11 超伝導 / Superconductivity

高温超伝導体を用いた小型 THz 波発振システムの開発 Ⅱ 〇山口 啄弥 1, 柏木 隆成 1, 山田 将太朗 1, 中川 駿
1. 筑波大数理物質 , 2. 富士電機株式会社 , 3. 産総研
吾 1, 3, 榎本 裕樹 1, 齋藤 佑真 1, 鈴木 祥平 1, 菊池 隆太 1,
辻本 学 1, 3, 南 英俊 1, 柴田 將史 2, 豊崎 次郎 2, 竹内 孝
行 2, 永崎 洋 3, 馬渡 康徳 3
9/22(Thu.) 9:15 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A302 会場（Room A302）
9:15		 22a-A302-1 組成情報と Tc 予測マップに基づく新超伝導物質の ML 探 〇松本 要 1, 堀出 朋哉 1
1. 九工大索9:30		 22a-A302-2 SuperCon データに基づく機械学習モデルを用いた超伝 〇 (M1) 董 拓 1, 2, 寺嶋 健成 1, Baptista de Castro
1. 物材機構 , 2. 東京理科大 , 3. 筑波大
導物質の合成探索
Pedro1, 3, 竹屋 浩幸 1, 高野 義彦 1, 3
1
2
1
1, 3
9:45		 22a-A302-3 ThCr2Si2 型化合物群を対象とする第一原理計算による〇奥村 健司 , 本郷 研太 , 前園 涼 , 中野 晃佑
1. 北陸先端大情報 , 2. 北陸先端大情報基盤 , 3. イタリア
BCS 型超伝導体の探索
先端大
10:00
E 22a-A302-4 Potential high-Tc superconductivity in YCeH20 and〇 HOU SOU1, Kousuke Nakano1, Kenta Hongo2,
1.Inf. Sci. JAIST, 2.RCACI. JAIST
LaCeH20 under pressure
Ryo Maezono1
10:15		休憩 /Break
10:30
奨 22a-A302-5 SAW デバイスによる表面伝導測定〇 (M1) 小谷 真弘 1, 前川 創 1, 竹下 尚希 1, 孫 勇 1
1. 九工大10:45
奨 22a-A302-6 CeO(Bi,Sb)S2 単結晶における Sb 置換量と超伝導転移温 〇 (M1) 鈴木 達哉 1, 花田 祐二 1, 長尾 雅則 1, 丸山 祐 1. 山梨大
度の関係
樹 1, 綿打 敏司 1, 田中 功 1
11:00
奨 22a-A302-7 ミスフィット層状化合物 [(SnSe)1+ δ ]m(NbSe2) の単結晶 〇 (M1) 周 日発 1, 長尾 雅則 1, 山本 千綾 1, 山中 淳二 1, 1. 山梨大
育成と評価
丸山 祐樹 1, 綿打 敏司 1, 田中 功 1
11:15		 22a-A302-8 ペロブスカイトブロック層を持つ鉄系超伝導体の単結晶 〇谷津 雄大 1, 3, パバン クマー ナイク スガリ 4, 志 1. 芝浦工大理工 , 2. 芝浦工大 , 3. 産総研電子光 , 4. 東理大
作製と物性評価
村 玲子 5, 石田 茂之 3, 坂井 直道 2, 岡 徹雄 2, 村上 雅 理 , 5. 東北大多元研
人 2, 荻野 拓 3
9/22(Thu.) 13:00 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) A302 会場（Room A302）
13:00		 22p-A302-1 PLD 法 で作製した極薄膜 FeSe/SrTiO3 における保護層 〇 (D) 小林 友輝 1, 小川 浩生 1, 中川 大輝 1, 鍋島 冬
1. 東大院総合の効果
樹 1, 前田 京剛 1
13:15		 22p-A302-2 Fe(Se,Te) 薄膜の作製評価および [010]-tilt バイクリスタ 〇 (M2) 山内 慶洋 1, 飯田 和昌 2, 5, 畑野 敬史 1, 5, 郭 子 1. 名古屋大工 , 2. 日本大 , 3. 九州大 , 4. 東京農工大 , 5.JSTル化
萌 3, 5, 高 紅叶 3, 德田 進之介 4, 5, 波多 聰 3, 5, 山本 明
CREST
保 4, 5, 生田 博志 1
13:30		 22p-A302-3 鉄系超伝導体 NdFeAs(O,H) 細線の作製と輸送特性評価 〇 (M2) 吉川 淳朗 1, 今中 宏哉 1, 日比野 絢斗 1, 浦田 1. 名大工隆広 1, 畑野 敬史 1, 生田 博志 1
13:45		 22p-A302-4 放電プラズマ焼結法 Ba122 多結晶バルクの Jc における高 〇 (M2) 長谷川 友大 1, 石渡 翔大 1, 菊池 慎次郎 1, 嶋 1. 東京農工大 , 2. 東北大 , 3. 九州大 , 4.JST-CREST
エネルギー混合効果
田 雄介 2, 4, 波多 聰 3, 4, 山本 明保 1, 4
14:00		休憩 /Break
14:15		 22p-A302-5 Mg 気相輸送 (MVT) 法による MgB2 超伝導バルク大型化 〇 (M1) 白旗 知暉 1, 川﨑 玲 1, 山本 明保 1
1. 農工大工に向けた検討1
2
1
14:30		 22p-A302-6 酸素量を制御した DyBa2Cu3Oy の二軸磁場配向と双晶組 〇足立 伸太郎 , 一瀬 中 , 木村 史子 , アリ ワリド
1. 京都先端科学大 , 2. 電中研 , 3. 青学大
織 III
ビン 1, 下山 淳一 3, 堀井 滋 1
14:45		 22p-A302-7 c 軸配向 Bi2212 焼結体における Pb ドープ効果〇佐藤 修平 1, 宮本 能伸 1, 元木 貴則 1, 下山 淳一 1
1. 青学大理工
15:00		 22p-A302-8 REBCO 溶融凝固バルクの捕捉磁場特性におよぼすポス 〇元木 貴則 1, 三輪 将也 1, 仙波 実怜 1, 近藤 莉帆 1, 中 1. 青山学院大学 , 2.TEP
トアニール効果
村 新一 2, 下山 淳一 1
15:15		休憩 /Break
15:30
奨 22p-A302-9 希土類元素サイトをハイエントロピー化した〇 (M2) 鈴木 康修 1, 長尾 雅則 1, 丸山 祐樹 1, 綿打 敏 1. 山梨大
REBa2Cu3Ox(RE: 希土類元素 ) 針状単結晶の育成と超伝導 司 1, 田中 功 1
特性評価
15:45
奨 22p-A302-10 (Pb0.5Co0.5)(Sr0.75La0.25)2CuOz（z~5）の合成と評価〇中野 匠 1, 藤田 武志 1, 前田 敏彦 1
1. 高知工科大16:00		 22p-A302-11 (Pb,M,Cu)(Sr,La)2CuOz（z ≈ 5；M: Mo, W, Nb, Ta）の 〇 (M1) 入江 航平 1, 前田 敏彦 1
1. 高知工科大
合成と評価
16:15		 22p-A302-12 (Pb,Cu)Sr2(Y,Ca)Cu2Oz（z ≈ 7）における超伝導と酸素不 〇 (M1) 佐光 大門 1
1. 高知工科大
定比性
11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長 / Thin and thick superconducting films, coated conductors and film crystal growth9/21(Wed.) 13:00 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) A304 会場（Room A304）
13:00
招 21p-A304-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇武田 泰明 1, 西島 元 1, 北口 仁 1
1. 物材機構
Bi-2223 超伝導接合作製における一軸プレス圧力の効果
1
1
1
13:15		 21p-A304-2 仕込金属組成を変えた Bi2223 線材の相生成と臨界電流特 〇宮本 能伸 , 公平 龍之介 , 元木 貴則 , 武田 宗一
1. 青学大理工 , 2. 住友電工
性郎 2, 中島 隆芳 2, 山出 哲 2, 下山 淳一 1
13:30		 21p-A304-3 様々な不純物金属添加による FF-MOD 法 Y123 薄膜の超 〇小澤 美弥子 1, 元木 貴則 1, 大崎 瑛介 1, 下山 淳一 1 1. 青学大理工
伝導特性制御13:45		 21p-A304-4 CuO 二重鎖層を含む銅酸化物超伝導薄膜の新しい作製法 〇大崎 瑛介 1, 元木 貴則 1, 小澤 美弥子 1, 下山 淳一 1 1. 青学大理工
14:00		休憩 /Break
14:15		 21p-A304-5 BHO 添加による GdBCO 薄膜中でのナノロッド - 層状構 〇松本 要 1, 栗林 晃宏 1, 園田 優斗 1, 堀出 朋哉 1, 一瀬 1. 九工大 , 2. 電中研
造転移中2
14:30		 21p-A304-6 透過電子顕微鏡法による Ba2YbNbO6 ドープ YBa2Cu3O7-x 〇黒木 優成 1, 石丸 学 1, 堀出 朋哉 1, 松本 要 1, 喜多 隆 1. 九工大工 , 2. 静岡大工
薄膜の構造解析介2
14:45		 21p-A304-7 浸漬法による溶融水酸化物法 RE–Ba–Cu–O 膜の連続成長 〇舩木 修平 1, 河田 浩一郎 1, 豊嶋 健瑠 1, 山田 容士 1 1. 島根大自然15:00		 21p-A304-8 1.5 MeV プロトン照射した FeSe0.5Te0.5 薄膜の Jc の磁場角 〇尾崎 壽紀 1, 山下 朔 1, 柏原 卓弥 1, 掛谷 一弘 2, 石神 1. 関学大工 , 2. 京大工 , 3. 若狭湾エネ研 , 4. 東北大
度依存性
龍哉 3, 岡田 達典 4, 淡路 智 4
15:15		 21p-A304-9 FeSe0.5Te0.5 超伝導薄膜への 190 keV プロトン照射効果〇 (M2) 山下 朔 1, 柏原 卓弥 1, 掛谷 一弘 2, 岡崎 宏之 3, 1. 関学大工 , 2. 京都大工 , 3. 量研機構
越川 博 3, 山本 春也 3, 八巻 徹也 3, 尾崎 壽紀 1
15:30		休憩 /Break
15:45
奨 21p-A304-10 高速 Vapor Liquid Solid 成長法により作製した YBa2Cu3Oy 〇美和 虎之介 1, 吉田 隆 1
1. 名大工膜の表面形態と成長速度
1
2
1
16:00		 21p-A304-11 パルスレーザー堆積法におけるレーザーアブレーション 〇長田 智樹 , 一野 祐亮 , 吉田 隆
1. 名大工 , 2. 愛工大
プルームの形状測定
16:15		 21p-A304-12 VLS 成長法における REBCO 薄膜の成長形態のシミュ〇有田 知徳 1, 一野 祐亮 2, 吉田 隆 1
1. 名大工 , 2. 愛工大
レーション
1
1
1
2
16:30		 21p-A304-13 フォトリソグラフィー法を用いた YBCO マルチフィラメ 〇松本 明善 , 立木 実 , 大井 修一 , 寺西 亮
1. 物材機構 , 2. 九大
ント薄膜の開発
11.3 臨界電流，超伝導パワー応用 / Critical Current, Superconducting Power Applications
9/22(Thu.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A304 会場（Room A304）
9:00		 22a-A304-1 高温超伝導薄膜中の形状の異なる柱状欠陥のピン止め特 〇末吉 哲郎 1, 千星 聡 2, 尾崎 壽紀 3, 坂根 仁 4, 西嵜 照 1. 九産大 , 2. 東北大 , 3. 関学大 , 4. 住重アテックス , 5. 原性
和 1, 石川 法人 5
子力機構
9:15		 22a-A304-2 【注目講演】高温超伝導ダイオードを用いたマイクロ波信 〇土屋 雄司 1, 水野 彰人 2, 鶴田 彰宏 3, 尾崎 壽紀 4, 吉 1. 東北大金研 , 2. 名大工 , 3. 産総研 , 4. 関学大工
号の整流
田 隆2
9:30		 22a-A304-3 Magnetic Field and Angular Hysteresis Behaviors of〇羅 くんい 1, 岡田 達典 1, 淡路 智 1, 劉 聡 2, 馬 衍偉 2 1. 東北大金研 , 2. 中科院電工所
Critical Current in the Multifilamentary Cu/Ag-Ba1-

11.4 アナログ応用および関連技術 / Analog applications and their related technologies
9:45

奨 22a-A304-4

10:00		 22a-A304-5
10:15		10:30		 22a-A304-6
10:45		 22a-A304-7

11 超伝導 / Superconductivity

11:00		 22a-A304-8

REBCO 高温超伝導テープ線材の 4.2 K 高磁界中の連続 Ic
測定
深層学習を用いた磁気顕微画像解析による高温超伝導
テープ線材の電流阻害因子の可視化
休憩 /Break
直流送電用超伝導ケーブルコアの自己磁界分布測定
直接拡散接合法による REBCO 線材の低抵抗接続法の検討貼り合わせ REBCO 線材の機械強度評価〇呉 澤宇 1, 田中 佑斗 1, 東川 甲平 1, 木須 隆暢 1

1. 九大

〇木須 隆暢 1, Somjaijaroen Natthawirot1, 呉 澤宇 1,

1. 九大院シス情

寺崎 拓也 1, 今村 和孝 1, 東川 甲平 1

〇筑本 知子 2, 大倉 大佑 1, 山口 作太郎 2, シュシキン 1. 中部大工 , 2. 中部大超伝導センター, 3.IPP-CAS
オレグ 3〇筑本 知子 1, 加藤 誠士郎 2
1. 中部大超伝導センター, 2. 中部大工〇町 敬人 1, 和泉 輝郎 1, 中村 美幸 2, 蓮尾 信哉 2,

1. 産総研 , 2.SuperOx Japan
Sergey Lee2
11:15		 22a-A304-9 超伝導線材を用いた磁気浮上工具の性能向上に関する研 〇岩崎 慎也 1, 石井 皓也 1, 木下 雄士 1, 小田部 荘司 1, 1. 九工大情工究
中﨑 達也 1, 鈴木 恵友 1
11.4 アナログ応用および関連技術 / Analog applications and their related technologies
9/21(Wed.) 13:00 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) A306 会場（Room A306）
13:00		 21p-A306-1 単一光子検出器アレーのマイクロ波多重読み出し回路の 〇山森 弘毅 1, 早川 亮大 2, 平山 文紀 1, 佐藤 昭 1, 神代 1. 産総研 , 2. 立教大 , 3. 東大オペランド計測 OIL, 4.KEK
開発
暁 1, 服部 香里 1, 3, 4, 福田 大治 1, 3
QUP
13:15		 21p-A306-2 スパイラル型 NbTiN 超伝導マイクロ線路単一光子検出器 〇藪野 正裕 1, 知名 史博 1, 三木 茂人 1, 2, 寺井 弘高 1
1. 情通機構 , 2. 神戸大の評価
13:30		 21p-A306-3 中赤外域超伝導ナノワイヤ単一光子検出器の評価〇美馬 覚 1, 知名 史博 1, 藪野 正裕 1, 宮嶋 茂之 1, 三木 1. 情通機構 , 2. 神戸大 , 3. 京大院工茂人 1, 2, 蒲 優樹 3, 田嶌 俊之 3, 荒畑 雅也 3, 向井 佑 3,
岡本 亮 3, 竹内 繁樹 3, 寺井 弘高 1
13:45		 21p-A306-4 超伝導ナノストリップ単一光子検出器の矩形波バイアス 〇三木 茂人 1, 2, 知名 史博 1, 藪野 正裕 1, 寺井 弘高 1
1. 情通機構 , 2. 神戸大によるゲーテッドモード動作
14:00
奨 21p-A306-5 波長 2 um 帯用超伝導ナノストリップ単一光子検出器〇 (P) 知名 史博 1, 美馬 覚 1, 三木 茂人 1, 2, 藪野 正裕 1, 1. 情通機構 , 2. 神戸大
宮嶋 茂之 1, 寺井 弘高 1
14:15		休憩 /Break
14:30		 21p-A306-6 超伝導ホットエレクトロンボロメータによる中赤外光子 〇川上 彰 1, 島影 尚 2, 堀川 隼世 3, 齋藤 伸吾 1, 田中 秀 1. 情通機構 , 2. 茨城大院 , 3. 福井高専
検出器
吉1
14:45
奨 21p-A306-7 超高 Q 値の薄膜超伝導共振器〇 (M2) 村山 亮介 1, 4, 美馬 覚 2, 4, 野口 卓 3, 4, 田井野 1. 埼玉大 , 2.NICT, 3. 天文台 , 4. 理研 , 5. 東北大
徹 1, 4, 大谷 知行 4, 5
15:00
奨 21p-A306-8 周波数コンバータを用いたマイクロ波帯アイソレータの 〇 (D) 増井 翔 1, 2, 小嶋 崇文 2, 牧瀬 圭正 2, 小川 英夫 1, 1. 大阪公大 , 2. 国立天文台
原理確認実験
大西 利和 1, 鵜澤 佳徳 2
15:15		 21p-A306-9 Xe を用いた表面活性化接合の中間層抑制に対する効果〇 (M1) 工藤 篤 1, 藤野 真久 2, 松前 貴司 2, 仲川 博 2, 1. 埼玉大院 , 2. 産総研
菊地 克弥 2, 田井野 徹 1, 高橋 悠太 1
15:30		 21p-A306-10 エッジシールドを有した STJ を用いた材料分析に関する 〇 (M1) 野口 剛志 1, 藤井 剛 2, 志岐 成友 2, 中島 昭 2, 1. 埼玉大院 , 2. 産総研
研究田井野 徹 1
15:45		休憩 /Break
16:00		 21p-A306-11 エアブリッジ構造を有する力学インダクタンス検出器に 〇 (M1) 五十嵐 洋介 1, 成瀬 雅人 1, 田井野 徹 1, 明連 1. 埼玉大院
よるアルファ線検出広昭 1
16:15		 21p-A306-12 高エネルギー粒子検出のための 1000 素子 LEKID アレイ 〇成瀬 雅人 1, 二宮 夏子 1, 田井野 徹 1, 明連 広昭 1
1. 埼玉大院の開発
16:30		 21p-A306-13 イリジウムを用いた極小ピクセル超伝導転移端センサの 〇 (M2) 上土井 猛 1, 三津谷 有貴 1, スミス ライアン 1, 1. 東大工
開発
高橋 浩之 1
16:45		 21p-A306-14 二次電子検出のための TES の開発〇 (D) スミス ライアン 1, 三津谷 有貴 1, 上土井 猛 1, 1. 東京大工高橋 浩之 1
17:00		 21p-A306-15 TES 型マイクロカロリメータの温度、電流感度を考慮し 〇田中 圭太 1, 林 佑 2, 4, 森 匠平 3, 八木 雄大 1, 宮川 陸 1. 宇宙研 , 2.KEK, 3. 九大 , 4. 国立天文台
た電熱シミュレーション
大 1, 伊予本 直子 3, 満田 和久 4, 山崎 典子 1, 2
17:15		 21p-A306-16 有限要素法を用いた太陽アクシオン用 TES 型マイクロカ 〇森 匠平 1, 伊豫本 直子 1, 鶴田 哲也 1, 仲野 圭祐 1, 松 1. 九大院工 , 2. 宇宙研 , 3. 国立天文台 , 4. 早稲田大
ロリメータの電熱シミュレーション
田 隼輔 1, 松見 勇輔 1, 山崎 典子 2, 林 佑 2, 八木 雄大 2,
田中 圭太 2, 宮川 陸大 2, 太田 瞭 2, 満田 和久 3, 本間 敬
之 4, 齋藤 美紀子 4, 吉田 奈央 4
9/22(Thu.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A306 会場（Room A306）
9:00		 22a-A306-1 ナノ加工に向けた HoBa2Cu3O7- δ高温超伝導薄膜の成膜 〇鳥取 優樹 1, 林 幹二 1, 大谷 涼 1, 有吉 誠一郎 1, 田中 1. 豊橋技術科学大学
条件の検討
三郎 1
9:15
奨 22a-A306-2 走査型トンネル顕微鏡用超伝導プローブの特性評価〇江畑 敦志 1, 大西 漠 1, 大西 理志 1, 金田 隆文 1, 林 幹 1. 豊橋技科大 , 2. 龍谷大 , 3. 大工大二 1, 宮戸 祐治 2, 田中 三郎 1, 廣芝 伸哉 3, 有吉 誠一
郎1
9:30
奨 22a-A306-3 HTS-SQUID 磁気免疫計測のためのフェムト秒レーザー 〇 (M1) 山本 泰起 1, 守屋 列神 1, 岸本 航平 1, 黒田 滉 1. 岡大を用いた磁気ナノ粒子分散法の開発 (II)人 1, 山下 慶 1, 王 璡 1, 堺 健司 1, 紀和 利彦 1
9:45		 22a-A306-4 2 台の SQUID 磁力計を用いた自然電磁波の高感度比較計 〇河合 淳 1, 河端 美樹 1, 宮本 政和 1
1. 金沢工大電子研
測10:00		休憩 /Break10:15
奨 22a-A306-5 強磁場環境下におけるジョセフソン電圧標準素子動作に 〇松丸 大樹 1, 中村 秀司 1, 丸山 道隆 1, 金子 普久 1
1. 産総研向けた磁気シールドの設計
10:30
奨 22a-A306-6 超伝導細線クライオトロンのパルス波応答に関するシ〇 (M1) 安川 直輝 1, 西尾 太一郎 1, 馬渡 康徳 2
1. 東理大理 , 2. 産総研
ミュレーション
10:45
奨 22a-A306-7 高 Q 値超伝導バルクコイルの開発とそれを用いた高効率 〇 (M1) 押本 夏佳 1, 作間 啓太 1, 關谷 尚人 1
1. 山梨大無線電力伝送の研究
11:00		 22a-A306-8 積層型 AlOx キャパシタを用いた進行波型ジョセフソンパ 〇山田 隆宏 1, 浦出 芳郎 1, 石川 豊史 1, 辻本 学 1, 藤井 1. 産総研
ラメトリック増幅器の評価
剛 1, 永澤 秀一 1, 水林 亘 1, 猪股 邦宏 1
11:15		 22a-A306-9 ニオブ材を用いた超伝導矩形導波管の 100 GHz 帯におけ 〇中島 拓 1, 鈴木 和司 1, 小嶋 崇文 2, 鵜澤 佳徳 2, 石野 1. 名大 , 2. 国立天文台 , 3. 川島製作所 , 4. 情通機構
る損失評価
雅之 3, 渡邊 一世 4
11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用 / Junction and circuit fabrication process, digital applications
9/22(Thu.) 13:00 - 14:45 口頭講演 (Oral Presentation) A306 会場（Room A306）
13:00		 22p-A306-1 周波数同期された単一磁束量子発振回路の出力タイミン 〇山梨 裕希 1, 2, 金城 来哉 1, 吉川 信行 1, 2
1. 横国大院理工 , 2. 横国大 IAS
グ同期の検討13:15		 22p-A306-2 正負の SFQ パルスを用いたマイクロ波ジェネレータの設 〇 (D) 沈 泓翔 1, 山梨 裕希 1, 2, 吉川 信行 1, 2
1. 横浜国立大学 , 2. 先端科学高等研究院
計1
1
1
13:30		 22p-A306-3 NbN ベース半磁束量子回路の実現に向けたトグルフリッ 〇大場 絢次郎 , Pham Duong , 田中 雅光 , 山下 太 1. 名大院工 , 2. 東北大院工プフロップ回路の作製
郎 2, 藤巻 朗 1
13:45
E 22p-A306-4 Un-shunted SFQ Circuits Based on SFIS Ferromagnetic 〇 (PC)Feng Li1, Lei Yuan1, Yuto Takeshita1,
1.Nagoya Univ.
π Junctions
Masayuki Higashi1, Masamitsu Tanaka1, Akira
Fujimaki1
14:00		 22p-A306-5 磁束ストレージループを用いたストカスティックメモリ 〇 (D) 羅 文輝 1, 竹内 尚輝 2, 陳 オリビア 3, 吉川 信
1. 横国大院理工 , 2. 産総研 RCECT, 3. 東京都市大院理の動作実証
行 1, 4
工 , 4. 横国大 IAS

12.1 作製・構造制御 / Fabrications and Structure Controls
14:15		 22p-A306-6

14:30

奨 22p-A306-7

Si(100) 基板上に成長した TiN 薄膜の均一性評価〇寺井 弘高 1, 猪股 邦宏 2, 小林 篤 3, 藤岡 洋 3, 芳中 大 1. 情通機構 , 2. 産総研 , 3. 東大生研 , 4. 浜松ホトニクス ,樹 4, 小玉 剛史 4, 菱田 有二 1, 金 鮮美 1, 山下 太郎 5, 布 5. 東北大院工 , 6. 東理大理 , 7. 東大院理施 智子 1, 吉原 文樹 1, 6, 仙場 浩一 1, 7
超伝導非線形非対称誘導素子を用いた擬似的ホーキング 〇片山 春菜 1, 2, 畠中 憲之 1, 藤井 敏之 3, Miles P.
1. 広大院先進理工 , 2. ダートマス大物理 , 3. 旭川医大物
輻射の理論的研究
Blencowe2
理

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
12.1 作製・構造制御 / Fabrications and Structure Controls
9/20(Tue.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) C106 会場（Room C106）
9:00		 20a-C106-1 多孔性を有する混合伝導性高分子ナノ粒子膜の電気化学
特性評価
9:15		 20a-C106-2 管状炉熱 CVD で作製した酸化チタンナノチューブアレ
イ / 窒化炭素複合体の光触媒活性評価
9:30		 20a-C106-3 熱化学気相成長で合成した二次元窒化炭素膜の可視光応
答光触媒活性9:45
E 20a-C106-4 Cathode Catalysts for Efficient ORR Electrochemistryfrom Cellulose Nanofibers from Ascidian Tunicates〇阿部 克海 1, 金田一 修平 1, 山本 俊介 1, 三ツ石 方也1〇 (M1) 米山 翔 1, 伊藤 皇聖 1, 柵木 光 1, 野田 啓 1

1. 東北大院工〇五藤 隼登 1, 一方井 遼佑 1, 野田 啓 1

1. 慶應大理工

1. 慶應大理工12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics〇 Manjit Singh Grewal1, Yasutaka Matsuo3, Hiroshi 1.WPI-AIMR, Tohoku University, Sendai, Japan, 2.IMR,
Yabu1, 2
Tohoku University, Sendai, Japan, 3.RIES, Hokkaido
University, Sapporo, Japan
10:00		 20a-C106-5 イオン液体を介した真空蒸着法による有機イオン性柔粘 〇松岡 陽太 1, 丸山 伸伍 1, 松本 祐司 1, 神永 健一 1
1. 東北大院工性結晶の成長10:15		休憩 /Break
10:30		 20a-C106-6 交互蒸着重合法を用いて作製した共有結合性有機構造体 〇 (D) 加藤 将貴 1, 柳瀬 隆 2, 横倉 聖也 3, 長浜 太郎 3, 1. 北大院総化 , 2. 東邦大理 , 3. 北大院工膜への溶媒アニールの効果
島田 敏宏 3
10:45		 20a-C106-7 プロリン含有テトラペプチドの結晶および共結晶の作製 〇 (M1) 林 奨剛 1, 茂田井 和紀 1, 早水 裕平 1
1. 東工大物質理工
11:00		 20a-C106-8 マクロ環状分子の自己組織化周期ナノ空間を利用した孤 〇中谷 真人 1, 河野 慎一郎 2, 田中 健太郎 2, 尾上 順 1 1. 名大院工 , 2. 名大院理立 C60 分子の二次元配列化
11:15		 20a-C106-9 含窒素芳香族分子の単結晶作製〇結城 拓真 1, 田野口 丈彦 1, 横倉 聖也 2, 島田 敏宏 2, 1. 北大院総化 , 2. 北大院工
長浜 太郎 2
9/20(Tue.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) C106 会場（Room C106）
13:30
招 20p-C106-1 「有機分子・バイオエレクトロニクス分科会業績賞受賞記 〇臼井 博明 1
1. 東京農工大工
念講演」
物理蒸着法を用いた高分子薄膜作製技術
14:00		 20p-C106-2 低速蒸着法によるジナフトチエノチオフェン（DNTT） 〇廣芝 伸哉 1, 2, 河野 裕太 1, 塩見 天利 1, オンコ リ
1. 大阪工大・工 , 2. 大阪工大・ナノ材研 , 3. 静岡大・院
薄膜の成長過程
チャード 1, 2, 松原 亮介 3, 久保野 敦史 3, 小池 一歩 1, 2 工
1
14:15		 20p-C106-3 基板表面に寝て吸着したペンタセン分子が立ち上がる配 〇池田 進
1. 東北大 WPI-AIMR
向変化の分子動力学シミュレーションによる再現
14:30		休憩 /Break
14:45		 20p-C106-4 位相シフトイメージングエリプソメトリーを用いた〇 (M2) 辻田 香奈瑛 1, 斎藤 大河 1, 星野 瑛 1, 庄司 衛 1. 東北大院工C8-BTBT の液晶状態における先行薄膜の成長挙動観察 太 1, 丸山 伸伍 1, 松本 祐司 1
15:00
奨 20p-C106-5 液晶性バッファ層がアモルファスルブレンの結晶化挙動 〇板垣 拓歩 1, 佐藤 優之介 1, 丸山 伸伍 1, 神永 健一 1, 1. 東北大工に及ぼす影響
松本 祐司 1
15:15
奨 20p-C106-6 自己組織化による一軸配向カーボンナノチューブ - 高分 〇 (M1) 土江 由高 1, 入澤 寿平 2, 野々口 斐之 1
1. 京工繊大院工芸 , 2. 岐阜大工
子超構造の開発
15:30		休憩 /Break
15:45
奨 20p-C106-8 10,12- ノナコサジイン酸を用いたポリジアセチレンナノ 〇服部 康平 1, 西原 禎文 2, 3, 岡田 修司 4, 帯刀 陽子 1
1. 東京農工大学 , 2. 広島大学先進理工 , 3.JST さきがけ ,結晶の作成と光特性評価
4. 山形大学
16:00		休憩 /Break
1
1
1
2
16:15
奨 20p-C106-9 Smart Skin Display 用マイクロ LED の Cu めっき直接接合 〇煤孫 祐樹 , 星 匡朗 , 劉 暢 , 篠田 敦志 , 木野 久 1. 東北大院工 , 2. 東北大工 , 3. 東北大院医工
技術 : 不良解析と歩留り強化
志 3, 田中 徹 1, 3, 福島 誉史 1, 3
16:30
奨 20p-C106-10 ハイドロゲルを用いたフォトバイオモジュレーション創 〇 (M1) 星 匡朗 1, 煤孫 祐樹 1, 劉 暢 1, 篠田 敦志 2, 木 1. 東北大院工 , 2. 東北大工 , 3. 東北大院医工
傷治癒 FHE の作製
野 久志 3, 田中 徹 1, 3, 福島 誉史 1, 3
16:45		 20p-C106-11 UFTM 法によるドナー‐アクセプター型共役高分子の配 〇 Jumpei Toyoda1, Pandey Manish1, 趙 ヨンユン 1, 1. 奈良先端大
向膜作製
辨天 宏明 1, 中村 雅一 1
17:00		 20p-C106-12 浮遊薄膜転写法による積層型両極性高分子トランジスタ 〇古賀 和樹 1, シャム パンディ2, 永松 秀一 1
1. 九工大情工院 , 2. 九工大生命体
の作製
1
1
2
17:15		 20p-C106-13 浮遊薄膜転写法による P3HT ナノフィブリル薄膜の作成 徳地 雄也 , 國弘 光希 , シャム パンディ , 〇永松 秀 1. 九工大情工 , 2. 九工大生命体
一1
9/21(Wed.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) C106 会場（Room C106）
9:00		 21a-C106-1 エポキシ接着剤／アルミニウム界面における化学状態〇赤池 幸紀 1, 下位 幸弘 1, 三浦 俊明 1, 森田 裕史 1, 秋 1. 産総研
山 陽久 1, 堀内 伸 1
9:15		 21a-C106-2 LB 法とインターカレーション法を用いるハロゲン化鉛系 〇三浦 康弘 1, 赤城 嘉也 1, 田中 利彦 1, 青山 哲也 2, 菱 1. 浜松医大医 , 2. 理研 RAP, 3. 上智大理工
有機無機層状ハイブリッドペロブスカイト超薄膜の作製 田 大蔵 3, 竹岡 裕子 3(II)
9:30		 21a-C106-3 ナノダイヤモンドの水性コロイド溶液から生じるヒドロ 〇田中 利彦 1, 2, 3, 矢吹 将也 2, 山口 和也 2, 青山 哲也 3, 1. 浜松医大医 , 2. 福島高専 , 3. 理研光量子工研 , 4. ナノ炭ゲルとその電気伝導三浦 康弘 1, 赤城 嘉也 1, 大澤 映二 4
素研究所
9:45		 21a-C106-4 光酸化ナノ多孔質 SiO2 膜を用いた薄膜イオンダイオード 〇 (M1) 熊倉 成水 1, 石﨑 裕也 1, 2, 山本 俊介 1, 三ツ石 1. 東北大院工 , 2. 立教大理の作製
方也 1
10:00		 21a-C106-5 親撥パターニング可能な高分子ハイブリッド膜の作製と 〇山本 俊介 1, 甲斐 洋行 2, 3
1. 東北大院工 , 2. 東北大 AIMR, 3. 東理大理
デバイス応用
10:15		休憩 /Break
10:30		 21a-C106-6 静電スプレー堆積法を用いた親撥パターニングによる有 〇小林 雅季 1, 金子 蒼 1, 蛭田 紗佳 1, 溝口 嶺 1, 松本 崚 1. 山梨大工
機半導体結晶のオンデマンド形成
誠 1, 小野島 紀夫 1
10:45		 21a-C106-7 PMMA 保護膜の堆積による有機太陽電池への影響〇北河 大樹 1, 西田 翔 1, 遠藤 大貴 1, 井脇 悠太 1, 小野 1. 山梨大工
島 紀夫 1
11:00		 21a-C106-8 アプリケーターを用いた活性層の膜厚化によるウルトラ 〇森 一馬 1, 染谷 隆夫 1, 横田 知之 1
1. 東京大工
フレキシブル有機フォトダイオードの低暗電流化
11:15		 21a-C106-9 プッシュコート製膜を用いた全塗布多層型逆構造発光ダ 〇伊東 栄次 1, 関野 太介 1, 加藤 正都 1
1. 信州大工イオードの作製1
1
11:30		 21a-C106-10 可溶性ポリマーと有機半導体のブレンド膜の相分離と濡 〇陳 博駿 , 伊東 栄次
1. 信州大工れ性を利用した S-DNTT-10 FET の高速作製法と高性能化に関する研究9/22(Thu.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P13-1
バクテリオロドプシン Gabor フィルタを用いた画像認識 〇 (M2) 坂本 海里 1, 2, 長谷川 裕之 1, 2, 笠井 克幸 2, 山 1. 島根大院自然 , 2. 情報通信研究機構 , 3. 電通大院情報田 俊樹 2, 田中 秀吉 2, 大友 明 2, 岡田 佳子 3
理工			 22p-P13-2
不織布を基材としたタッチセンサの作製〇二谷 真司 1, 中山 健吾 1
1. 大阪技術研

12.2 評価・基礎物性 / Characterization and Materials Physics

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

		E 22p-P13-3

Investigating the role of hole doping in a p-type〇 (D)Shubham Sharma1, Subhajeet Jana2, Rajiv
1.LSSE Kyutech, 2.IIT BHU
semiconducting polymer towards enhancing the
Prakash2, Shyam S. Pandey1
field-effect mobility and photosensitivity		
E 22p-P13-4
Investing the vertical distribution of orientation in the〇 (M1)Harshita Rai1, Kumar Vivek Gaurav1,
1.LSSE, Kyutech, 2.CSE, Kyutech
thin films of NR-P3HT prepared by the floating film
Shubham Sharma1, Shuichi Nagamatsu2, Shyam S.
1transfer method
Pandey			 22p-P13-5
溶液中の凝集体形成と高速バーコートに基づく D–A 型π 〇蓑輪 裕 1, 籔内 湧太 1, 永野 修作 2, 永松 秀一 3, 藤井 1. 阪大院工 , 2. 立教大理 , 3. 九工大情報工共役高分子の高配向薄膜の作製
彰彦 1, 尾﨑 雅則 1
			 22p-P13-6
両親媒性溶媒を用いた PVDF 薄膜の構造制御〇菅 咲来 1, 小柴 康子 1, 堀家 匠平 1, 2, 石田 謙司 1
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
			 22p-P13-7
ゲル状態を介して液晶ポリマーの膜質制御と電荷保持特 〇斧原 誠司 1, 小柴 康子 1, 堀家 匠平 1, 2, 田口 吉昭 3, 1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ , 3. ポリプラスチックス
性石田 謙司 1(株)			 22p-P13-8
CNT 紡糸プロセスの各過程における配向度の変化〇山本 隼平 1, 趙 ヨンユン 1, 岡本 尚文 1, 阿部 竜 1,
1. 奈良先端大Manish Pandey1, 辨天 宏明 1, 中村 雅一 1
1
2
		E 22p-P13-9
Investigation of charge transport properties in a
〇 (D)Xuelong Liu , Kamatham Narayanaswamy ,1.Kyushu Univ., 2.Sorbonne Univ.
Dion-Jacobson-type 2D organicinorganic perovskite
Keher David2, Mathevet Fabrice2, Chihaya Adachi1
			 22p-P13-10 液相レーザーアブレーションによる 2D 有機無機ハイブ 福田 賀優 1, 宮田 匠 1, 〇濱中 泰 1
1. 名工大リッドハロゲン化鉛ペロブスカイトの合成と周期制御
			 22p-P13-11 LB 法を用いて作製するハロゲン化鉛系有機無機層状ハイ 〇赤城 嘉也 1, 三浦 康弘 1, 田中 利彦 1, 青山 哲也 2, 菱 1. 浜松医大医 , 2. 理研 RAP, 3. 上智大理工
ブリッドペロブスカイト超薄膜の元素置換効果
田 大蔵 3, 竹岡 裕子 3
			 22p-P13-12 半透明ペロブスカイト太陽電池の効率向上に向けた誘電 〇 (M1) 五十川 裕哉 1, 一野 裕亮 1, 森 竜雄 1, 清家 善 1. 愛知工大
体ミラーの作製之1
			 22p-P13-13 多重π共役フェニルコアチオフェンデンドリマーにおけ 〇山岸 瑞歩 1, 堀家 匠平 1, 2, 小柴 康子 1, 森 敦紀 1, 石 1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
る広帯域光吸収と分子内エネルギー移動
田 謙司 1
			 22p-P13-14 電気化学的手法による新規フタロシアニン系単結晶の作 〇 (M1) 織部 太智 1, 2, 長谷川 裕之 1, 2, 大友 明 2, 芥川 1. 島根大院自然 , 2. 情報通信研究機構 , 3. 東北大多元研
製と電子物性智行 3
			 22p-P13-15 トリアシルグリセロールの単結晶育成と構造評価〇工藤 光貴 1, 齊藤 圭紀 1, 藤田 尚也 2, 大西 清美 2, 佐 1. 岩手大院総合 , 2. 日清オイリオグループ , 3. リガク
藤 寛泰 3, 武田 洋一 1, 藤崎 聡美 1, 芝 陽子 1, 吉本 則
之1
			 22p-P13-16 ナノメートルオーダの 2 元系低分子相分離構造の OsO4 染 〇村上 洋介 1, 菅野 雅人 1, 坪井 亜美 1, 永井 さえ 1, 栗 1. ソニーグループ
色による形態観察
林 美樹 1, 西田 康代 1, 西 寿朗 1, 工藤 喜弘 1
			 22p-P13-17 自己組織化膜表面に吸着したダイヤモンドナノ粒子薄膜 〇小熊 涼太 1, 田中 邦明 1, 臼井 博明 1, 大石 不二夫 2 1. 農工大院工 , 2. 神奈川大理の TEM 観察			 22p-P13-18 X 線小角散乱法による油脂の材料組織の評価〇根本 大地 1, 石塚 一吹 1, 藤崎 聡美 1, 田沼 萌 1, 藤田 1. 岩手大院総合 , 2. 日清オイリオグループ , 3. 九州シン尚也 2, 大西 清美 2, 廣沢 一郎 1, 3, 吉本 則之 1
クロトロン光研究セ			 22p-P13-19 高分解逆格子マッピングによる DNTT 薄膜成長に関する 〇塩谷 暢貴 1, 下赤 卓史 1, 長谷川 健 1
1. 京大化研
研究			 22p-P13-20 Ph-BTBT-Cn 薄膜の分子パッキングおよびコンフォメー 〇岡 昂徹 1, 塩谷 暢貴 1, 下赤 卓史 1, 長谷川 健 1
1. 京大化研
ション解析
			 22p-P13-21 真空蒸着による n-Alkane 薄膜形成過程の鎖長依存性〇間瀬 悠太 1, 中澤 魁人 1, 松原 亮介 1, 久保野 敦史 1 1. 静大院総合			 22p-P13-22 液晶蒸着薄膜における凝集構造の蒸着速度依存性〇 (M1) 水野 拓海 1, 松原 亮介 1, 久保野 敦史 1
1. 静大院総合			 22p-P13-23 偏光 UV アシスト蒸着重合法による面内配向ポリアゾメ 〇村下 聖佳 1, 曇 艶 2, 松原 亮介 1, 久保野 敦史 1
1. 静岡大院総科 , 2. 銅仁学院
チン薄膜の分子配向の成膜条件依存性
			 22p-P13-24 熱化学気相成長法による垂直配向芳香族ポリエステル薄 〇藍田 秀一郎 1, 斧原 誠司 2, 松原 亮介 1, 小柴 康子 2, 1. 静大院総合 , 2. 神大院工 , 3.JST さきがけ
膜の作製
堀家 匠平 2, 3, 石田 謙司 2, 久保野 敦史 1
			 22p-P13-25 PEG 終端ポリ尿素薄膜の作製および PEG 反応点密度の 〇田畑 諒 1, 松原 亮介 2, 久保野 敦史 2
1. 静岡大学院自然科学 , 2. 静岡大工評価			 22p-P13-26 p- ヘキサデシルスチレンのイオンアシスト蒸着重合〇佐々木 青葉 1, 大山 敦史 1, 北澤 悠人 2, 臼井 聡 2, 臼 1. 農工大工 , 2. 新潟大理
井 博明 1
			 22p-P13-27 電子アシスト蒸着によるフッ素系シラン薄膜の強度改善 〇児嶋 宏紀 1, 田中 邦明 1, 臼井 博明 1
1. 農工大院工			 22p-P13-28 フッ素系高分子を用いた電子線アシスト蒸着法による低 〇安井 爽眞 1, 大石 不二夫 2, 臼井 博明 1
1. 農工大院工 , 2. 神奈川大理
屈折率反射防止薄膜の作製
12.2 評価・基礎物性 / Characterization and Materials Physics
9/21(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P17-1
ケルビンプローブフォース顕微鏡によるπ共役系高分子 〇田渊 大地 1, 正能 拓馬 1, 藤井 彰彦 1, 尾﨑 雅則 1
1. 阪大院工／フラーレン界面の電子物性評価
			 21p-P17-2
ケルビンプローブ原子間力顕微鏡によるペロブスカイト 〇沖野 翔太郎 1, 山下 兼一 2, 小林 圭 1
1. 京大工 , 2. 京都工繊大工芸
太陽電池の光起電力測定
112
1			 21p-P17-3
単分子接合中における酸化還元反応の SERS 計測〇小林 柊司 , 金子 哲 , 塚越 一仁 , 西野 智昭
1. 東工大 , 2. 物材研 MANA
			 21p-P17-4
分極エネルギーによる摩擦発電の等価回路モデルと I-V 永渕 晶大 1, 〇田口 大 1, 間中 孝彰 1, 岩本 光正 1
1. 東工大測定による等価回路評価システムの構築
分極エネルギーによる摩擦発電の等価回路モデルと I-V測定による等価回路評価システムの構築
			 21p-P17-5
絶対 PL 量子収率測定を用いた医薬品評価手法〇藤巻 康人 1, 知久馬 敏幸 2, 坂本 知昭 2
1. 都産技研 , 2. 国立衛研			 21p-P17-6
金属フタロシアニン /C60 積層膜界面における励起子ダイ 〇 (M2) 吉沢 駿人 1, 中谷 真人 1, 岡本 晃一 2, 尾上 順 1 1. 名大院工 , 2. 大阪公大院工ナミクスと電荷分離			 21p-P17-7格子構造銀ナノ粒子薄膜における伝搬・局在型表面プラ 〇加藤 翔 1, 新保 一成 1, 加藤 景三 1, 馬場 暁 1
1. 新潟大ズモン同時励起を利用した光熱特性の向上
		E 21p-P17-8
Fabrication of Dual-mode Miniature Surface Plasmon〇 (D)Wisansaya Jaikeandee1, Supeera Nootchanat2, 1.Niigata Univ., 2.Chulalongkorn Univ.
Resonance Sensor Chips
Chutiparn Lertvachirapaiboon1, Kazunari Shinbo1,
Keizo Kato1, Sanong Ekgasit2, Akira Baba1
			 21p-P17-9
ミスト CVD 法で形成された銀粒子の考察と水質センサー 〇仲林 裕司 1, 山田 悟 2, 酒井 平祐 3, 鈴木 亮一 4
1. 北陸先端大 , 2. 石川高専 , 3. 国士舘大 , 4. 金沢工大への応用
			 21p-P17-10 導電性高分子 DPPT-TT 配向膜への電解質ゲートドーピ 〇山床 凌太郎 1, 金橋 魁利 1, 田中 久暁 1, 竹延 大志 1 1. 名大院工ング		E 21p-P17-11 Magnetoresistance in single-molecule junctions with thiol 〇 (D)Rachmat Andika1, Ryo Yamada1, Hirokazu
1.Osaka University
anchors on gold electrodes
Tada1
			 21p-P17-12 電子状態計算と時間分解分光による P3HT/PCBM の電荷 〇藤田 貴敏 1
1. 量研機構
分離の解析
			 21p-P17-13 機械学習による複注入素子で観測される負の静電容量の 岡田 淳之 1, 〇澤 良貴 1, 永瀬 隆 2, 3, 小林 隆史 2, 3, 内藤 1. 大阪府立大 , 2. 大阪公立大 , 3. 大阪府立大分子エレク
発現因子に関する研究
裕義 2, 3
トロニックデバイス研
			 21p-P17-14 有機発光ダイオードの複素インピーダンスの Cole-Cole 〇伊澤 泰之 1, 永瀬 隆 1, 2, 小林 隆志 1, 2, 内藤 裕義 1, 2 1. 大阪公大工 , 2. 大阪公大分子エレクトロニック研
表示における再結合過程の影響
			 21p-P17-15 ナノエレクトロニクス用分子ワイヤーに向けたコバルト 〇大須田 竜樹 1, 森田 勇人 1, 阪田 知巳 1
1. 城西大学-DNA 複合体の作製
11
1
1
			 21p-P17-16 ホスホン酸およびチオール系自己組織単分子膜の作製と 〇武石 康佑 , 吉川 幸輝 , 大竹 忠 , 山本 伸一
1. 龍谷大理工
特性評価

12.2 評価・基礎物性 / Characterization and Materials Physics
			 21p-P17-17

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

有機アモルファス膜表面に生じるナノ・マランゴニ効果 〇 (B) 山林 恵士 1, 小谷 和馬 1, 辻岡 強 1
1. 大阪教大を用いた表面 Tg 評価
			 21p-P17-18 真空蒸着法におけるフッ素系ポリマー表面からの Ag 脱離 〇 (B) 中尾 有紗 1, 辻岡 強 1
1. 大阪教大性
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C106 会場（Room C106）
9:00		 22a-C106-1 Indigo を用いた有機薄膜トランジスタと膜構造に関する 〇田上 功己 1, 田中 有弥 2, 石井 久夫 1, 宮前 孝行 1
1. 千葉大院融合理工 , 2. 群馬大院融合理工研究
9:15		 22a-C106-2 ジナフトチエノチオフェン単結晶上に C60 を積層したヘ 〇 (M2) 伊藤 航世 1, 竹内 陸 1, 山内 要 1, 中西 優生 1, 1. 東理大院理工 , 2. 分子研 , 3. 高輝度光科学セ
テロ界面の結晶構造評価
伊澤 誠一郎 2, 解良 聡 2, 平本 昌弘 2, クマーラ ロシャ
ンタ 3, 小金澤 智之 3, 中山 泰生 1
9:30		 22a-C106-3 テトラペプチド結晶の配列の順番が与える結晶構造への 〇 (D) 茂田井 和紀 1, 和田 雄貴 2, 河野 正規 2, 早水 裕 1. 東工大院工 , 2. 東工大院理影響と自己組織化過程の理解
平1
9:45		 22a-C106-4 バイオマス由来材料の焼成による多機能電極触媒の開発 〇石橋 孝介 1, グレワール マンジット シン 1, 松尾 保 1. 東北大学 AIMR, 2. 北大電子研 , 3. 宮城大 , 4.AZUL
孝 2, 庄子 真樹 3, 伊藤 晃寿 4, 藪 浩 1, 4, 5
Energy( 株 ), 5. 東北大学多元研
10:00
E 22a-C106-5 Design and photophysical characterization of squaraine〇 (D)Safalmani Pradhan1, Kurokawa Yuki1, Suraya 1.Kyushu Institute of Technology
dyes with electron-withdrawing groups in squaric acid
Shaban1, Shyam S. Pandey1
core for dye-sensitized solar cells
10:15		休憩 /Break
10:30		 22a-C106-6 物理的複製困難関数を用いたフレキシブルひずみセンサ 〇栗原 一徳 1, 渡邉 雄一 1, 植村 聖 1, 武居 淳 1, 吉田
1. 産総研アレイ識別
学1
10:45		 22a-C106-7 表面波観察による有機半導体の溶液内層状結晶成長過程 〇 (M2) 飯塚 太一 1, 井上 悟 1, 荒井 俊人 1, 長谷川 達 1. 東大院工の解析
生1
11:00		 22a-C106-8 単分子膜における分子―金属間の界面構造と熱伝導性〇藤井 慎太郎 1, 庄子 良晃 2, 福島 孝典 2, 西野 智昭 1 1. 東工大院理 , 2. 東工大化生研
11:15		 22a-C106-9 SERS 計測を活用したナフタレンジチオール単分子接合 〇 (M1) 本間 寛治 1, 金子 哲 1, 塚越 一仁 2, 西野 智昭 1 1. 東工大理 , 2. 物材研 MANAの構造解析
11:30		 22a-C106-10 単分子接合におけるプラズモン誘起局所加熱効果の接続 〇金子 哲 1, 西野 智昭 1
1. 東工大理
構造依存性
1
2
2
2
11:45		 22a-C106-11 電気伝導度が有効共役長に依存しない単分子ワイヤ〇 (M2) 本宮 遼河 , 大戸 達彦 , 山田 亮 , 夛田 博一 , 1. 阪大院理 , 2. 阪大院基礎工
谷 洋介 1
9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C106 会場（Room C106）
13:30		 22p-C106-1 電気伝導性高分子による神経型デバイス
川嶋 悠哉 1, 梶本 健太郎 1, 宇佐美 雄生 1, 鮑 建楠 1, 塚 1. 阪大理
原 由裕 1, 木元 克 1, 大山 浩 1, 〇松本 卓也 1
13:45		 22p-C106-2 フッ素置換自己組織化単分子膜での AFM 周波数シフト測 〇三島 直也 1, 山田 剛司 1, 大山 浩 1, 松本 卓也 1
1. 阪大院理定におけるスパイク現象の解析
14:00		 22p-C106-3 3 次元走査型力顕微鏡によるサファイア（0001）表面上 〇五十嵐 陽彦 1, 中山 響介 1, 中嶋 脩貴 1, 宮田 一輝 1, 1. 金大の不凍界面活性剤の分子スケール吸着構造の可視化
宮澤 圭甫 1, 福間 剛士 1
14:15		 22p-C106-4 時間分解ケルビンプローブフォース顕微鏡と静電気力顕 〇河野 祐紀 1, 小林 圭 1
1. 京大工微鏡による有機薄膜トランジスタにおけるキャリアダイ
ナミクスの可視化
14:30		 22p-C106-5 純粋な BTANC 薄膜の作製〇小野 裕太郎 1, 鶴田 諒平 1, 佐々木 正洋 1, 田所 誠 2, 1. 筑波大数理 , 2. 東理大
中山 泰生 2, 山田 洋一 1
14:45		 22p-C106-6 Li@C70 の超原子分子軌道（SAMO) 計測 ー 基板依存性〇山田 洋一 1, 北畠 大樹 2, 延山 知弘 1, 大橋 左和 1, 清 1. 筑波大数理 , 2. 東北大 , 3.( 株）イデア
水 好葉 1, 佐々木 正洋 1, 河地 和彦 3, 笠間 泰彦 3, 美齊
津 文典 2, 上野 裕 2
15:00		休憩 /Break
15:15
奨 22p-C106-7 走査トンネル顕微法 / 分光法による電子線誘起 C60 重合体 〇 (M2) 和泉 竜馬 1, 中谷 真人 1, 尾上 順 1
1. 名大院工の分子スケール評価
15:30
奨 22p-C106-8 角度分解低エネルギー逆光電子分光法による C60 固体の 〇本間 大智 1, 吉田 弘幸 2, 3
1. 千葉大 , 2. 千葉大院工 , 3. 千葉大分子キ
超原子分子軌道のエネルギーバンド構造測定
1
1
1
15:45
奨 22p-C106-9 深紫外光による光電子収量計測を用いた極性有機薄膜の 〇 (M1) 北岡 壮也 , 中澤 遼太郎 , 貝森 亮太 , 栗原 1. 千葉大融合理工 , 2. 千葉大先進 , 3. 千葉大 MCRC
ギャップ準位の観測とその問題点
啓輔 1, 渡邊 研太 1, 石井 久夫 1, 2, 3
16:00
奨 22p-C106-10 光キャリアを利用した有機トランジスタ型オペランド光 〇貝森 亮太 1, 渡邊 研太 1, 須佐 紘子 2, 西 寿朗 2, 田中 1. 千葉大融合理工 , 2. ソニーグループ ( 株 ), 3. 群馬大院
電子収量分光法の提案
有弥 3, 石井 久夫 1, 4, 5
理工 , 4. 千葉大先進 , 5. 千葉大 MCRC
16:15
奨 22p-C106-11 流動帯電を示す絶縁性ポリマーとその添加物の深紫外吸 〇 (M1) 久保 那緒斗 1, 吉澤 雅弘 1, 後田 理央 1, 渡邊 1. 千葉大融合理工 , 2. 千葉大先進 , 3. 千葉大 MCRC, 4. 群
収分光と光電子分光による電子構造観測
研太 1, 田中 有弥 4, 松村 貴弘 5, 石井 久夫 1, 2, 3
馬大院理工 , 5. 東洋紡
16:30		休憩 /Break
16:45		 22p-C106-12 有機分子単結晶ルブレンの異方的多体相互作用〇福谷 圭祐 1, 2, 岡上 大二郎 3, 福井 賢一 3, 1, 石井 宏 1. 分子研 , 2. 総研大 , 3. 阪大院基礎工 , 4. 筑波大数理物質
幸 4, 長谷川 友里 5, 田中 清尚 1, 2, 解良 聡 1, 2
系 , 5. 立命館大
17:00		 22p-C106-13 Cu(110) 上のペンタセンエピタキシャル薄膜の LUMO バ 〇佐藤 晴輝 1, 鈴木 哲成 1, 本間 大智 2, 吉田 弘幸 3, 4
1. 千葉大院融合 , 2. 千葉大工 , 3. 千葉大院工 , 4. 千葉大
ンド構造測定MCRC
17:15		 22p-C106-14 光音響法による MAPbX3(X= Br, I) 単結晶の電子物性と熱 〇劉 東 1, 李 花 1, 李 玉勝 1, 丁 超 1, 豊田 太郎 1, 宮崎 1. 電通大 , 2. 九工大
2
1
1
物性の研究
康次 , 早瀬 修二 , 沈 青
17:30		 22p-C106-15 金属電極近傍の蛍光色素の分光測定 : 蛍光と共鳴ラマン 〇横田 泰之 1, 2, Raymond Wong1, Misun Hong1, 早澤 1. 理研 , 2.JST さきがけ , 3. 東大工の同時計測
紀彦 1, 金 有洙 1, 3
17:45		 22p-C106-16 ペンタセン単結晶の遠赤外から中赤外領域における赤外 〇 (M2) 宮本 淳之介 1, 山内 要 1, 杉山 侑 2, 田中 清尚 3, 1. 東理大院理工 , 2. 東理大理工 , 3. 分子研 UVSOR
吸収分光とその温度依存性
中山 泰生 1
9/23(Fri.) 9:00 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) C106 会場（Room C106）
9:00		 23a-C106-1 DFT 計算を用いた官能基と MgO 表面の相互作用研究〇下位 幸弘 1, 三浦 俊明 1, 森田 裕史 1
1. 産総研 CD-FMat
9:15		 23a-C106-2 密度ベースクラスタリングによる表面増強ラマン分光の 〇近藤 崇博 1, 内山 高汰 1, 齊藤 結花 1
1. 学習院大理
スペクトル処理
1
2, 3
2, 3
2, 3
9:30		 23a-C106-3 機械学習を用いた高分子発光ダイオードの複素インピー 〇岡田 淳之 , 永瀬 隆 , 小林 隆史 , 内藤 裕義
1. 大阪府立大 , 2. 大阪公大 , 3. 大阪公大分子エレクトロ
ダンススペクトルからの電子物性評価
ニック研
9:45		 23a-C106-4 光電子収量分光における閾値の自動推定とその評価〇柳生 進二郎 1, 吉武 道子 1, 知京 豊裕 1, 長田 貴弘 1 1. 物材機構
10:00		休憩 /Break
10:15		 23a-C106-5 機械学習を用いた低エネルギー逆光電子分光スペクトル 〇草野 佑紀 1, 吉田 弘幸 2, 3
1. 千葉大院融合 , 2. 千葉大院工 , 3. 千葉大分子 MCRCの自動解析
10:30		 23a-C106-6 【注目講演】有機半導体の低振動数分子内振動による電子 〇石井 宏幸 1, 吉田 弘幸 2, 3, 小林 伸彦 1
1. 筑波大数物 , 2. 千葉大院工 , 3. 千葉大 MCRC
バンド変調と伝導物性
10:45		 23a-C106-7 オペランド KFM 計測による有機アンチ・アンバイポーラ 〇竹入 聡一郎 1, 2, 早川 竜馬 1, 山田 洋一 2, 若山 裕 1
1. 物材機構 , 2. 筑波大数理
トランジスタのキャリア伝導機構評価
1
1
1, 2
1
11:00		 23a-C106-8 平面基板上での歪み導入による有機単結晶トランジスタ 〇安部 深月 , 古川 友貴 , 山下 侑 , 糟谷 直孝 , 熊 1. 東大院新領域 , 2. 物材機構 , 3.JST CRESTの移動度向上谷 翔平 1, 渡邉 峻一郎 1, 3, 竹谷 純一 1, 2, 3

12.3 機能材料・萌芽的デバイス / Functional Materials and Novel Devices

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

12.3 機能材料・萌芽的デバイス / Functional Materials and Novel Devices
9/20(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C105 会場（Room C105）
9:00		 20a-C105-1 有機半導体単結晶の二次元キャリア輸送と巨大ピエゾ抵
抗効果
9:15		 20a-C105-2 化学ドーピングされた有機半導体単結晶を用いた高精度な歪みセンサの開発
9:30		 20a-C105-3 銀糸刺繍によるフレキシブル歪みセンサ
9:45
奨 20a-C105-4 シアノ基置換（チオフェン / フェニレン）コオリゴマーの分子配列の光学特性への影響
10:00
奨 20a-C105-5 オクタシアノ鉄（Ⅱ）フタロシアニンの合成と物性評価
10:15
奨 20a-C105-6 絶縁性ポリマーブレンドによるポリフルオレン薄膜の構造変化と電気特性への影響
10:30		休憩 /Break
10:45		 20a-C105-7 ホスト－ゲスト型導電性高分子における仕事関数制御と
大気安定性
11:00
奨 20a-C105-8 導電性高分子とレーヨンの複合化による導電性繊維材料
の合成
11:15
奨 20a-C105-9 原子ステップ形状を有する超平坦 PEDOT:PSS 導電性ポ
リマー薄膜の作製と表面特性制御
11:30
E 20a-C105-10 Enhancement of plasmonic gold nanocomposite inself-powered photoelectrochemical sensor for glucose
detection
11:45
奨 20a-C105-11 分子動力学シミュレーションによる有機結晶の構造予測〇渡辺 峻一郎 1, 山下 侑 1, 2, 熊谷 翔平 1, 岡本 敏宏 1, 3, 1. 東大新領域 , 2. 物材機構 , 3.JST CREST

竹谷 純一 1, 2, 3
〇山下 侑 1, 2, 宇佐美 由久 2, 野沢 汎 3, 田嶋 陽子 2, 渡邉 峻一郎 2, 4, 竹谷 純一 1, 2, 3, 4
〇 (B) 近藤 芳樹 1, 竹井 邦晴 1
〇甚上 知美 1, 水野 斎 1, 佐々木 史雄 2, 柳 久雄 1

1. 物材機構 , 2. 東大院新領域 , 3. パイクリスタル , 4.JST
CREST
1. 大阪公立大1. 奈良先端大物質 , 2. 産総研電子光〇中山 頌太 1, 高木 俊輔 1, 金井 要 1〇小林 智裕 1, 秩父 康平 1, 佐藤 友哉 1, 金井 要 1

1. 東理大理工
1. 東理大理工物理〇小林 祐貴 1, 黒澤 忠法 1, 山下 侑 1, 2, 熊谷 翔平 1, 渡邉 峻一郎 1, 3, 岡本 敏宏 1, 3, 竹谷 純一 1, 2, 3
〇 (DC) 駒場 京花 1, 熊井 玲児 2, 後藤 博正 1

1. 東大院新領域 , 2. 物材機構 , 3.JST CREST
1. 筑波大院数理物質 , 2. 高エネ研物構研〇前田 優斗 1, 梅本 琉花 1, 島田 侑果 1, 大賀 友瑛 1, 金 1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川産技総研
子 智 2, 1, 松田 晃史 1, 吉本 護 1〇 Sopit Phetsang1, Naoto Okuuchi2, Chutiparn

1.Nagaoka KOSEN, 2.Niigata Univ.
Lertvachirapaiboon2, Kazunari Shinbo2, Keizo Kato2,
Akira Baba2〇 (D) 佐藤 俊輔 1, Barun Dhara2, 宮島 大吾 2, 渡辺
1. 北里大院理 , 2. 理研 CEMS, 3. 北里大理 , 4. 神奈川県産
豪 3, 4総研

9/20(Tue.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) C105 会場（Room C105）
13:30
奨 20p-C105-1 大気下・水溶液中におけるプロトン共役電子移動を活用 〇 (D) 石井 政輝 1, 2, 山下 侑 1, 3, 渡邉 峻一郎 3, 4, 有賀 1. 物材機構 , 2. 東理大院理工 , 3. 東大院新領域 , 4.JSTした有機半導体の精密な化学ドーピング
克彦 1, 2, 3, 竹谷 純一 1, 3, 4
CREST
13:45
奨 20p-C105-2 自発配向分極を発生する極性分子骨格の探索〇田中 正樹 1
1. 東京農工大院工14:00
奨 20p-C105-3 3 回対称性 TTF 誘導体を用いた電荷移動錯体からなるナ 〇大石 博久 1, 飯田 大雅 1, 西原 禎文 2, 3, 芥川 智行 4, 1. 農工大院工 , 2. 広島大院先進理工 , 3.JST さきがけ ,ノファイバーおよびナノコイルの作成
中村 貴義 5, 帯刀 陽子 1
4. 東北大多元研 , 5. 北大電子研
14:15
奨 20p-C105-4 フレキシブルエレクトロニクスの集積化に向けた柔軟な 〇高桑 聖仁 1, 2, 井ノ上 大嗣 2, 福田 憲二郎 2, 横田 知 1. 早稲田大学 , 2. 理化学研究所 , 3. 東京大学
3
1
2, 3
配線技術
之 , 梅津 信二郎 , 染谷 隆夫
14:30		 20p-C105-5 リザーバ計算に向けた金微粒子架橋による Ru 錯体分子を 〇松尾 将矢 1, 阪本 怜央 1, 川嶋 悠哉 1, 大山 浩 1, 松本 1. 阪大院理用いた架橋アレーの構築
卓也 1
14:45		休憩 /Break
15:00
奨 20p-C105-6 温度応答性を有する界面形成ポリドーパミン膜〇 (M1) 吉原 大智 1, 阿部 博弥 1, 照月 大悟 1, 西澤 松 1. 東北大
彦1
15:15
奨 20p-C105-7 三層構造を有する高分子フィルムの湾曲に伴う表面ひず 〇矢本 卓也 1, 岸野 真之 1, 田口 諒 1, 相沢 美帆 1, 2, 久 1. 東工大化生研 , 2.JST さきがけみ解析
野 恭平 1, 宍戸 厚 1
15:30
奨 20p-C105-8 表面修飾セルロースナノファイバー添加によるウレタン 〇遠藤 崇正 1, 伊藤 桂介 1, 佐久間 華織 1, 曽根 宏 1, 佐 1. 宮城県産技セ , 2. 高輝度光科学研究センター
ゴムの引裂強度向上と凝集構造変化の相関解明
藤 勲征 1, 大坂 恵一 2
15:45		 20p-C105-9 薄膜 / 弾性体を用いたストレッチャブルデバイスのため 〇武居 淳 1, 栗原 一徳 1, 日下 靖之 1, 木村 香織 1, 吉田 1. 産総研のスクロール構造形成技術
学1
16:00		 20p-C105-10 酸化バナジウムナノワイヤネットワーク薄膜を用いた温 〇 (M1) 江崎 遼太 1, 本田 智子 1, 福井 暁人 1, 竹井 邦 1. 大阪公大工
度センサの開発
晴1
16:15		休憩 /Break
16:30		 20p-C105-11 PEDOT:PSS 熱電変換薄膜の伸縮性繊維上への形成〇酒井 晶平 1, 植村 将太 1, 山本 裕也 1, 岸 直希 1
1. 名工大工16:45		 20p-C105-12 PEDOT:PSS 自立膜の熱電特性・機械特性における形成 〇山本 裕也 1, 酒井 昌平 1, 岸 直希 1
1. 名工大工
手法依存性
1
1
17:00
奨 20p-C105-13 クラウンエーテル錯体を修飾した n 型ラダー高分子 BBL 〇由良 涼人 , 野々口 斐之
1. 京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
膜の熱電特性
17:15
奨 20p-C105-14 有機超塩基ドーピングによる大気中高温下で長期安定な 〇堀家 匠平 1, 2, 3, 4, 衛 慶碩 3, 赤池 幸紀 3, 桐原 和大 3, 1. 神戸大院工 , 2. 神戸大先端膜工学研究センター, 3. 産
n 型カーボンナノチューブの創出
向田 雅一 3, 小柴 康子 1, 2, 石田 謙司 1, 2
総研ナノ材 , 4.JST さきがけ
17:30		 20p-C105-15 厚い CNT／高分子複合材料から成るπ構造熱電変換素子 〇末森 浩司 1, 2, 小松 裕一郎 2, 延島 大樹 1, 2, 福田 伸 1. 産総研 , 2.TherMAT
1の作製
子
9/21(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P18-1
分子動力学計算による有機半導体が示す構造相転移の再 〇 (M2) 關 拓和 1, 竹谷 純一 2, 3, 岡本 敏宏 2, 4, 渡辺
1. 北里大院理 , 2. 東大院新領域 , 3. 物材機構 , 4.JST
現
豪 5, 6
CREST, 5. 北里大理 , 6. 神奈川県産総研
111
			 21p-P18-2
有機半導体結晶の高精度な構造予測手法の開発〇 (M1) 伊藤 良将 , 佐藤 俊輔 , 關 拓和 , 竹谷 純
1. 北里大院理 , 2. 東大院新領域 , 3. 物材機構 , 4.JST
一 2, 3, 岡本 敏宏 2, 4, 渡辺 豪 5, 6
CREST, 5. 北里大理 , 6. 神奈川県産総研
			 21p-P18-3
高秩序・高配向性を有するトリプチセン薄膜の分子動力 〇 (M1) 新田 海統 1, 庄子 良晃 2, 福島 孝徳 2, 渡辺
1. 北里大院理 , 2. 東工大科創研 , 3. 北里大理 , 4. 神奈川県
学シミュレーション
豪 3, 4
産総研
1
2
			 21p-P18-4
新規自己推進型イオンゲルの探索〇福田 晴菜 , 古川 一暁
1. 上越教育大院 , 2. 明星大理工
1
1
1
			 21p-P18-5
自己推進運動イオンゲル多体系の統計分布〇増田 諒介 , 五十嵐 研人 , 古川 一暁
1. 明星大理工			 21p-P18-6
界面導電現象を用いた金 - シリカヤヌス粒子の進行方向 〇高橋 廣守 1, 中山 牧水 1, 江刺家 恵子 1, 斎木 敏治 1 1. 慶大理工と進行面の制御			 21p-P18-7
高分岐の開放型マイクロ流路による微小液滴反応器〇甲斐 洋行 1
1. 東京理科大学
			 21p-P18-8
気化熱冷却法を用いた熱化学現象と熱電変換技術による 〇 (M2) 安間 有輝 1, 高尻 雅之 1
1. 東海院大工
発電デバイスの作製と評価
			 21p-P18-9ｎ型単層カーボンナノチューブの大気安定性にみられる 〇 (M1) 吉田 和紘 1, 桒原 有紀 2, 斎藤 毅 2, 野々口 斐 1. 京工繊大院工芸 , 2. 産総研ナノ材料
平均直径の影響之1
			 21p-P18-10 新奇熱電変換材料 BaMgSi の作製と熱電特性評価〇佐々木 元哉 1, 内藤 智之 1
1. 岩手大			 21p-P18-11 ボールミリングで作製した窒化ジルコニウムナノ粒子の 〇 (B) 清水 美紗 1, 坂本 全教 1
1. 新居浜高専 環材
光熱変換特性			 21p-P18-12 LIG からなる薄膜状発熱ユニットの作製および発熱挙動 〇 (M1) 今井 蘭 1, 齋藤 優人 1, 藤枝 俊宣 1
1. 東工大生命理工
の制御
+
1
1
		
E 21p-P18-13 Protonic Field-Effect Transistors (H -FETs)〇 (P)Athchaya Suwansoontorn , Rahul Bhardwaj , 1.JAIST
Measurement of Weak-acid Polymer Thin Film Through Daisuke Hirose1, Yuzuru Takamura1, Yuki Nagao1
Electrochemical Impedance Spectroscopy (EIS)		
E 21p-P18-14 Honeycomb Composite PEG-based Electrolytes〇 Manjit Singh Grewal1, Kazuaki Kisu1, Shin-ichi
1.WPI-AIMR, Tohoku University, Sendai, Japan, 2.IMR,
Applicable for Rechargeable Lithium-ion Batteries
Orimo1, 2, Hiroshi Yabu1, 3
Tohoku University, Sendai, Japan, 3.IMRAM, Tohoku
University, Sendai, Japan
			 21p-P18-15 シリコンナノ多孔粒子負極を用いたリチウムイオンバッ 〇立花 孝通 1, 佐藤 慶介 1, 深田 直樹 2
1. 東京電機大学 , 2. 物質・材料研究機構
テリーのサイクル寿命改善1
			 21p-P18-16 振動強結合による発光性錯体の発光特性の制御〇長橋 篤志1. 北大電子研
			 21p-P18-17 強結合を利用したニトロスチレン誘導体の光環化反応〇 (M1) 佐々木 郁人 1, 2, 雲林院 宏 1, 2, 平井 健二 1, 2
1. 北大院情報 , 2. 北大電子研

12.3 機能材料・萌芽的デバイス / Functional Materials and Novel Devices

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

			 21p-P18-18 （チオフェン / フェニレン）コオリゴマーナノ結晶のカ〇甚上 知美 1, 水野 斎 1, 阪東 一毅 2, 佐々木 史雄 3, 柳 1. 奈良先端大物質 , 2. 静岡大理 , 3. 産総研電子光ソードルミネッセンス特性
久雄 1
			 21p-P18-19 光 WGM 共振器を構成する二成分間の励起子エネルギー 〇三ケ尻 智紀 1, 田島 裕之 1, 山田 順一 1, 小簑 剛 1
1. 兵庫県大院理
移動の評価
			 21p-P18-20 2 次元周期構造による有機ポラリトンモードの分散特性 〇 (M1) 塩冶 卓也 1, 足立 雄志 1, 平尾 司 1, 高橋 駿 1, 1. 京都工繊大電子システム工学専攻
制御
山下 兼一 1
			 21p-P18-21 ペロブスカイト量子ドットを導入した農業用波長変換〇菊池 圭祐 1, 大下 直晃 1, 浅倉 聡 2, 千葉 貴之 3, 4, 増 1. 山形大院理工 , 2. 伊勢化学 , 3. 山形大院有機シス , 4. 山
フィルムの創製
原 陽人 1, 4
形大有機材料シスセ
			 21p-P18-22 シアノ基置換（チオフェン / フェニレン）コオリゴマー 〇 (M2) 門司 悠佑 1, 水野 斎 1, 甚上 知美 1, 山下 兼一 2, 1. 奈良先端物質 , 2. 京工繊大電気電子 , 3. 産総研電子光31を含有するマイクロキャビティの作製とその光学特性
佐々木 史雄 , 柳 久雄
			 21p-P18-23 Grandjean 欠陥を含むコレステリック相からのブルー相 〇三橋 將吾 1, 尾﨑 雅則 1
1. 阪大院工の発現挙動に関する研究			 21p-P18-24 紫外線照射による液晶の極角配向パターニングと回折格 〇上野 佳秋 1, 中島 克也 1, 塚本 脩仁 1, 尾﨑 雅則 1
1. 阪大院工子構造の作製
11
1
			 21p-P18-25 厚い液晶ゲル膜を用いた高速ノンメカニカルビームステ 〇鹿田 建普 , 井上 曜 , 森武 洋
1. 防衛大アリング
			 21p-P18-26 ミリ波透過特性を有するポリフルオレン / 液晶ゲルデバ 〇八木 あすか 1, 本間 道則 1, 伊東 良太 1, 能勢 敏明 1 1. 秋田県立大イスの試作と評価
			 21p-P18-27 ジアリールテンの蒸着選択性に基づく有機パターンのマ 〇 (M1) 西村 明梨 1, 辻岡 強 1
1. 大阪教大
スクレス形成			 21p-P18-28 電気化学光学回転ポリマー〇後藤 博正 1, 駒場 京花 1
1. 筑波大数理			 21p-P18-29 炭素化した微細藻類残渣と導電性高分子とパルプのブレ 〇 (DC) 駒場 京花 1, 渡邉 信 2, 熊井 玲児 3, 後藤 博正 1 1. 筑波大院数理物質 , 2. 筑波大院藻類センター, 3. 高エンドによる電磁波応答シートの作成
ネ研物構研
			 21p-P18-30 大環状キラル物質を用いた液晶のキラル誘起とキラル液 〇 (DC) 駒場 京花 1, 熊井 玲児 2, 後藤 博正 1
1. 筑波大院数理物質 , 2. 高エネ研物構研
晶中での電解重合による構造転写			 21p-P18-31 自己組織化単分子膜を利用した ZnO 抵抗変化型メモリの 〇中野 正浩 1, 中川 采恵 1, 松井 裕輝 1,
1. 金沢大院自 , 2. 金沢大 NanoMaRi, 3. 金沢大 InFiniti
フォーミング電圧制御
Shahiduzzaman Md.2, 3, 辛川 誠 1, 2, 3, 當摩 哲也 1, 2, 3
1
1, 2
1
1
			 21p-P18-32 高速時間分解 FT-IR を用いた P(VDF-TrFE) 薄膜の 誘電 〇畦田 晃希 , 堀家 匠平 , 小柴 康子 , 石田 謙司
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
分極と分子配向変化の相関			 21p-P18-33 医療用マイクロポンプに向けた P(VDF/TrFE) 薄膜の逆 〇紫加田 京瑚 1, 堀家 匠平 1, 2, 小柴 康子 1, 石田 謙司 1 1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
圧電特性評価			 21p-P18-34 複合型強誘電性材料を用いた高性能ソフトアクチュエー 〇庄司 宜徳 1, 伊藤 圭太 1, 関根 智仁 1, 2, Wang
1. 山形大院有機 , 2. 山形大 ROEL, 3.Piezotech, 4. アルケ
タの開発
Yu-Fei2, 竹田 泰典 2, 熊木 大介 2, Fabrice Domingues マ株式会社
Dos Santos3, 宮保 淳 4, 時任 静士 1, 2
			 21p-P18-35 機能性高分子を用いたストレッチャブル加速度センサの 〇伊藤 圭汰 1, 庄司 宣徳 1, 関根 智仁 1, 2, Wang
1. 山形大院有機 , 2. 山形大 ROEL, 3.Piezotech, 4. アルケ
最適化
Yi-Fei2, 竹田 泰典 2, 熊木 大介 2, Fabrice Domingues マ株式会社
Dos Santos3, 宮保 淳 4, 時任 静士 1, 2
			 21p-P18-36 液体金属を用いた印刷型ストレッチャブル触覚センサの 〇 (M1) 兼子 武琉 2, 堀 堀 真由香 1, Wang Yi-Fei3, 関 1. 山形大工 , 2. 山形大院有機 , 3. 山形大 ROEL開発
根 智仁 1, 2, 3, 竹田 泰典 3, 熊木 大介 3, 時任 静士 1, 2, 3
			 21p-P18-37 ステアリルエーテル界面活性剤を用いた薄膜型高感度圧 〇 (B) 董 海韵 1, 奈良 健汰 1, 関根 智仁 1, 2, 3, Wang
1. 山形大工 , 2. 山形大院有機 , 3. 山形大 ROEL
力センサの作製
Yi-Fei3, 熊木 大介 3, 時任 静士 1, 2, 3
			 21p-P18-38 熱膨張性微粒子を用いた印刷型高感度圧力センサの作製 〇 (B) 堀 真由香 1, 兼子 武琉 2, Wang Yi-Fei3, 関根 智 1. 山形大工 , 2. 山形大院有機 , 3. 山形大 ROEL
仁 1, 2, 3, 熊木 大介 3, 時任 静士 1, 2, 3
			 21p-P18-39 動摩擦力制御によるソフトすべり覚センサの高感度化〇 (B) 安達 大空 1, 奈良 健汰 1, 竹田 泰典 2, Wang
1. 山形大 工 , 2. 山形大 ROEL, 3.Piezotech, 4. アルケマ
Yi-Fei2, 関根 智仁 1, 2, 熊木 大介 2, Fabrice Domingues 株式会社Dos Santos3, 宮保 淳 4, 時任 静士 1, 2
		E 21p-P18-40 Influence of Reactant Gases on Ionomer’ s Proton〇 (PC)Rahul Bhardwaj1, Isao Shitanda2, Yuki
1.JAIST, 2.Tokyo Univ. of Sci.
Conductivity on Quartz
Nagao1
9/22(Thu.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) C105 会場（Room C105）
9:00
招 22a-C105-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇松田 倫太郎 1, 筒井 真楠 2, 有馬 祐介 1, 玉田 薫 1, 龍 1. 九大先導研 , 2. 阪大産研 , 3. 北大院理細胞外小胞の表面分子情報に基づくナノバイオセンサー 崎 奏 3の開発
9:15		 22a-C105-2 膜型表面応力センサ (MSS) による有機溶媒中の微量水分 〇 (DC) 村田 朋大 1, 2, 南 晧輔 2, 山崎 智彦 2, 3, 松木 伸 1. 東大院新領域 , 2. 物財機構 , 3. 北大院生命科学 , 4. 神奈
検出
行 4, 吉川 元起 2, 5, 有賀 克彦 1, 2
川大 , 5. 筑波大院数物
9:30		 22a-C105-3 超薄型高分子基板上電極を用いたサイボーグ昆虫の電気 〇片山 俊平 1, 2, 福田 憲二郎 2, 横田 知之 3, 梅津 信二 1. 早大創造理工 , 2. 理研 , 3. 東大工
刺激技術
郎 1, 染谷 隆夫 2, 3
9:45		 22a-C105-4 超薄型高分子薄膜上の銀配線の直接導電接合〇 (M1) 三宅 立馬 1, 2, 高桑 聖仁 1, 2, 福田 憲二郎 2, 梅 1. 早大創造理工 , 2. 理研 , 3. 東大工
津 信二郎 1, 染谷 隆夫 2, 3
10:00		 22a-C105-5 印刷法を用いた自己相分離型ストレッチャブルひずみセ 〇吉田 綾子 1, Wang Yi-Fei1, 関根 智仁 1, 竹田 泰典 1, 1. 山形大 ROEL
ンサの開発
熊木 大介 1, 時任 静士 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 22a-C105-6 皮膚感覚に影響を与えない皮膚貼り付け型圧力センサ〇李 成薫 1, フランクリン さえ 2, 横田 知之 1, レイブ 1. 東大工 , 2. ミュンヘン工科大学
ラズ 2, チエン ゴードン 2, フランクリン デビット 2,
染谷 隆夫 1
10:45
奨 22a-C105-7 高荷重で高感度かつ線形応答可能な熱膨張ポリマー含有 〇多川 友作 1, 染谷 隆夫 1, 横田 知之 1
1. 東大工フレキシブル静電容量型圧力センサ
11
1
11:00 奨 E 22a-C105-8 Printed Flexible Tactile Sensor Array for Robotic〇 Yifei Wang , Yasunori Takeda , Tomohito Sekine , 1.Yamagata Univ. ROEL
Closed-loop Control
Ayako Yoshida1, Daisuke Kumaki1, Shizuo Tokito1
11:15
奨 22a-C105-9 超柔軟な保護回路に向けた極薄メッシュ型高分子サーミ 〇奥谷 智裕 1, 2, 横田 知之 1, 染谷 隆夫 1
1. 東大工 , 2. 信州大工
スタの開発
1
1
1
11:30
奨 22a-C105-10 金ナノメッシュ電極を用いた皮膚インピーダンスの周波 〇 (M1) 海老原 祐輔 , 三室 真帆 , 李 成薫 , 横田 知 1. 東京大工
数特性の計測之 1, 染谷 隆夫 1
9/23(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C105 会場（Room C105）
9:00
奨 23a-C105-1 有機単結晶共振器における分子振動をまとった励起子ポ 〇松尾 匠 1, 上田 悠介 2, 水野 斎 3, 佐々木 史雄 4, 山下 1. 高知工科大環境理工 , 2. 京工繊大院工大 , 3. 奈良先端
ラリトン形成に由来する光励起レーザ発振
兼一 2, 柳 久雄 3
大物質 , 4. 産総研電子光基礎技術
9:15 奨 E 23a-C105-2 Revealing effects of illumination wavelength on the dark 〇 (M2)Theodorus Jonathan Wijaya1, Yokota
1.UTokyo EEIS
current increase of organic photodiodes with ZnOTomoyuki1, Lee Sunghoon1, Okano Ryo1, Kobayashi
electron transport layer
Masaki1, Someya Takao1
9:30		 23a-C105-3 プラズモニックナノ界面上の有機分子層制御による固体 〇松本 昂大 1, 段吉 宇大 1, 近藤 純平 1, 中野 武央 3, 4, 1. 九大院工 , 2. 九大 CMS, 3. 九大 WPI-I2CNER, 4. 九大系 TTA-UC の発光増強
楊井 伸浩 1, 2, 4, 藤川 茂紀 1, 2, 3, 4, 君塚 信夫 1, 2, 4
K-NETs9:45		 23a-C105-4 ゲル材料を用いたフレキシブル自己形成光導波路の小口 〇二渡 亮 1, 寺澤 英孝 1, 杉原 興浩 1
1. 宇大院径化
10:00
奨 23a-C105-5 CsPbBr3 微小共振器の 2 次元波数空間におけるポラリト 〇 (M1) 犬飼 剛也 1, 森山 裕太 1, 上田 悠介 1, 平尾 司 1, 1. 京都工繊大
ン凝縮特性
高橋 駿 1, 山下 兼一 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 23a-C105-6 プラズモニックナノ構造を用いた鉛ハライドペロブスカ 〇梶野 祐人 1, 相田 裕輝子 1, 玉田 薫 1
1. 九大先導研
イトナノ粒子二次元膜の発光増強

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

12.4 有機 EL・トランジスタ / Organic light-emitting devices and organic transistors
10:45

奨 23a-C105-7

11:00

E 23a-C105-8

Ag/ZnS/Ag 陽極を用いた OLED におけるプラズモン - マ 〇増田 侑杜 1, 大原 将 1, 木場 隆之 1, 川村 みどり 1, 阿 1. 北見工大
イクロキャビティモード間の結合に基づく発光波長制御 部 良夫 1
Unusual THz-wave absorptions in δ / α -mixed-phase〇 Min-Cherl Jung1, Inhee Maeng2, Seungjun Lee3, 1.Univ. of Tsukuba, 2.Yonsei Univ., 3.Kyung Hee Univ.,
FAPbI3 single crystals: Interfacial phonon vibration modes E.Q. Han4, Yurou Zhang4, Seung Jae Oh2, Masakazu 4.Univ. of Queensland, 5.NAIST

Nakamura5, Jung-Ho Yun4, Lianzhou Wang4,
Young-Kyun Kwon3
11:15		 23a-C105-9 電荷移動錯体を用いた MISIM 型光電変換セル〇横倉 聖也 1, 富松 明宏 2, 長浜 太郎 1, 島田 敏宏 1, 阿 1. 北大工 , 2. 名大理
波賀 邦夫 2
11:30		 23a-C105-10 貼り付け型電極を用いた有機フォトディテクタの印加圧 〇佐々木 光生 1, 李 成薫 1, 染谷 隆夫 1, 横田 知之 1
1. 東大工力依存性の評価
11:45 奨 E 23a-C105-11 Small biomolecule detection based on small-signal〇 (P)Alex ChiWei Tseng1, Toshiya Sakata1
1.Univ. of Tokyo
transconductance of suspended double-network hydrogels
as organic electrochemical transistors
9/23(Fri.) 13:30 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) C105 会場（Room C105）
13:30
招 23p-C105-1 「有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 奨励賞受賞 〇横田 知之 1
1. 東大工
記念講演」
シート型イメージセンサを用いた生体信号計測
14:00
奨 23p-C105-2 ZnO ナノ粒子を用いた光安定な有機フォトダイオードの 〇加藤 由太郎 1, 染谷 隆夫 1, 横田 知之 1
1. 東大院工開発
14:15		 23p-C105-3 ゾルゲル法およびラジカル反応により作製した 有機無機 〇 (M2) 橘 美里 1, 福井 宏志朗 1, 大谷 直毅 1
1. 同志社大理
ハイブリッド蛍光薄膜の蛍光寿命の評価
14:30 奨 E 23p-C105-4 Evaluation for Affecting Factors of Chiral Perovskite’ s〇 Feng Wei1, Dai Taguchi1, Takaaki Manaka1
1.Tokyo Tech.
Chirality
14:45		 23p-C105-5 メタルフリー強誘電ハライドペロブスカイトにおける局 〇半田 岳人 1, 橋本 塁人 1, 湯本 郷 1, 中村 智也 1, 若宮 1. 京大化研
所的な強誘電性と相関した可視光発光の観測
淳志 1, 金光 義彦 1
15:00		休憩 /Break
15:15
奨 23p-C105-6 近紫外発光材料 Melem の発光機構の解明〇 (M1) 木内 大貴 1, 園田 与理子 2, 三宅 優斗 1, 小林 1. 東理大 , 2. 産総研
文也 1, 堤 潤也 2, 佐藤 友哉 1, 田所 誠 1, 金井 要 1
15:30
奨 23p-C105-7 オリゴチオフェン色素ドープ液晶の非線形光配向におけ 〇北野 智大 1, 横田 純輝 1, 松本 浩輔 1, 2, 相沢 美帆 1, 3, 1. 東工大化生研 , 2. 分子研 , 3.JST さきがけ , 4. 秋田大院
る入射光波長の影響
久野 恭平 1, 久保 祥一 1, 山口 留美子 4, 宍戸 厚 1
理工
15:45		 23p-C105-8 集束イオンビームとプラズマエッチングで有機単結晶に 〇 (M2) 勝村 健司 1, 山雄 健史 1, 稲田 雄飛 1, 堀田 収 1 1. 京工繊大
回折格子を加工した分布帰還型レーザー
16:00		 23p-C105-9 テラヘルツ波領域における配向マイクロファイバー／液 〇 Lang Trong Nghia1, 井上 曜 1, 森武 洋 1
1. 防衛大晶複合体の特性評価
16:15		 23p-C105-10 二スリット Young の実験系を持つ自己整合液晶光制御素 〇渡邉 智也 1
1. 富山大院理工子
16:30
奨 23p-C105-11 競合する配向パターンにより誘起されるコレステリック 〇 (M1) 仲嶋 一真 1, 塚本 脩仁 1, 三橋 將吾 1, 尾﨑 雅 1. 阪大院工ブルー相Ⅱの格子配向特性
則112.4 有機 EL・トランジスタ / Organic light-emitting devices and organic transistors
9/20(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B104 会場（Room B104）
9:00		 20a-B104-1 層状有機半導体 mono-Cn-BTNT 系におけるキャリア輸送 〇井上 悟 1, 東野 寿樹 2, 田中 睦生 3, 村田 啓人 1, 宮田 1. 東大院工 , 2. 産総研 , 3. 埼工大
性能の長鎖アルキル置換効果
稜 1, 荒井 俊人 1, 都築 誠二 1, 堀内 佐智雄 2, 長谷川 達
生1
9:15
奨 20a-B104-2 モノアルキル BTNT／絶縁ポリマー混合系による多結晶 〇宮田 稜 1, 井上 悟 1, 中嶋 健 2, 長谷川 達生 1
1. 東京大学 , 2. 東京工業大学
TFT の高性能化とその起源
9:30
奨 20a-B104-3 分子動力学計算によるパラ / メタトリル BTBT-C10 の構 〇 (DC) 鈴木 朝香 1, 井上 悟 2, 長谷川 達生 2, 松井 弘 1. 山形大 ROEL, 2. 東大工
造差異が熱物性に与える影響の解明
之1
9:45
奨 20a-B104-4 原子間移動積分に基づく高移動度π共役コアの探索〇 (B) 尾沢 昂輝 1, 岡田 智悠 1, 松井 弘之 1
1. 山形大 ROEL
10:00
奨 20a-B104-5 浮遊延長ゲート型有機電界効果トランジスタアレイによ 〇 (M2) 逸見 悠大 1, 宇都 滉大 1, 庄司 樹 1, 和田 英樹 1, 1. 山形大 ROEL
る静電気イメージング
松井 弘之 1
10:15
奨 20a-B104-6 層状有機半導体 pTol-BTBT-Cn 系における分子混合によ 〇 (D) 二階堂 圭 1, 井上 悟 1, 都築 誠二 1, 熊井 玲児 2, 1. 東大院工 , 2.KEK 物構研
る結晶多形制御と薄膜トランジスタ特性
荒井 俊人 1, 長谷川 達生 1
10:30		休憩 /Break
10:45
奨 20a-B104-7 高急峻スイッチング有機単結晶 TFT における半導体・電 〇 (M2) 村田 啓人 1, 北原 暁 1, 東野 寿樹 2, 井上 悟 1, 1. 東大院工 , 2. 産総研
極界面の安定性と材料依存性
松岡 悟志 1, 荒井 俊人 1, 長谷川 達生 1
11:00
奨 20a-B104-8 有機単結晶トランジスタにおける高効率な励起子分離と 〇 (D) 刑部 永祥 1, 牧田 龍幸 2, 糟谷 直孝 1, 岡本 敏
1. 東大新領域 , 2. パイクリスタル , 3.JST CREST, 4. 物材
超長寿命フォトキャリア生成メカニズムの解明
宏 1, 3, 渡邉 峻一郎 1, 竹谷 純一 1, 2, 3, 4
機構
1
1
1
1
11:15
奨 20a-B104-9 ナノフィルム上への有機トランジスタの作製〇奥田 知華 , 李 成薫 , 染谷 隆夫 , 横田 知之
1. 東大工11:30
奨 20a-B104-10 圧電材料と EDLT を用いたバイオミメティックタッチセ 〇 (M1) 井上 航太 1, 三輪 一元 2, 小野 新平 2, 太田 裕 1. 横国大院工 , 2. 電中研
ンサの開発
貴1
11:45 奨 E 20a-B104-11 Ar/N2-plasma nitridation process for the gate stack〇 (D)EUNKI HONG1, Shun-ichiro Ohmi1
1.Tokyo Inst. of Technology
isolation to realize pentacene-based floating-gate memory
utilizing N-doped LaB6 metal and high-k LaBxNy insulator
9/20(Tue.) 13:30 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) B104 会場（Room B104）
13:30
招 20p-B104-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇松久 直司 1, 2, 3, 志村 宗彦 2, 冨永 泰三 2, 阿部 秀真 2, 1. 東大生研 , 2. 慶大理工 , 3. スタンフォード大 , 4. 理研 ,柔らかい電子材料による全伸縮性エレクトロニクス
ニウ シミャオ 3, オネイル スティーブン 3, 落合 優
5. 東工大物質理工
登 4, 芦沢 実 5, バオ ジェナン 3
13:45		 20p-B104-2 高分子半導体の状態密度分布が FET 特性へ与える影響 〇中野 恭兵 1, 加地 由美子 1, 但馬 敬介 1
1. 理研 CEMS
14:00		 20p-B104-3 層状有機半導体 pTol-BTBT-Cn の極性型分子配列様式の 〇荒井 俊人 1, 吉田 海琉 1, 井上 悟 1, 関根 大輝 2, 小柳 1. 東大工 , 2. 東北大理
評価と制御
恭徳 2, 松原 正和 2, 長谷川 達生 1
14:15
E 20p-B104-4 Charge Transport Anisotropy in Large-Area Oriented〇 MANISH PANDEY1, Heriyanto Syafutra1, Jumpei 1.NAIST
Floating Films of Semiconducting Polymers
Toyoda1, Masakazu Nakamura1
14:30		 20p-B104-5 カーボン電極を有する有機トランジスタからなる相補型 〇渡辺 和誉 1, 三浦 直樹 2, 田口 博章 2, 小松 武志 2, 野 1. 東大院新領域 , 2.NTT 先端集積デバイス研
回路
坂 秀之 2, 岡本 敏宏 1, 渡邉 峻一郎 1, 竹谷 純一 1
14:45		 20p-B104-6 膜厚変化によるペンタセン膜中キャリアレスポンスの調 〇入江 祐太朗 1, 後藤 直樹 1, 岩崎 好孝 1, 上野 智雄 1 1. 農工大院工査
15:00		休憩 /Break
15:15		 20p-B104-7 分子内プロトン移動性を有する有機半導体中の電荷輸送 中野 恭兵 1, 梁 逸偉 2, 西山 裕介 3, 4, 魚返 祐太朗 3, 4, 山 1. 理研 CEMS, 2. 阪大産研 , 3. 理研 -JEOL 連携セ , 4.
崎 俊夫 5, 橋爪 大輔 1, 〇但馬 敬介 1
JEOL RESONANCE, 5. 理研 BDR
15:30		 20p-B104-8 頭尾型ナフタレンジイミド誘導体の真空蒸着による薄膜 〇福田 尚輝 1, 阿知葉 駿介 1, 市川 結 1
1. 信州大繊維形成の最適化とトランジスタへの応用
15:45		 20p-B104-9 層状結晶性有機半導体の層内分子間相互作用：〇都築 誠二 1, 井上 悟 1, 大野 亮汰 1, 東野 寿樹 2, 荒井 1. 東京大物工 , 2. 産総研
芳香環とアルキル鎖の影響
俊人 1, 長谷川 達生 1
16:00		 20p-B104-10 ポリアセンの段階的結晶構造予測：結晶対称性・長軸捩 〇 (M1) 大野 亮汰 1, 小山 奏汰 1, 都築 誠二 1, 井上 悟 1, 1. 東大院工れ角の縮環数による変化の起源
荒井 俊人 1, 長谷川 達生 1
16:15		 20p-B104-11 BTBTT 系有機半導体へのトリル基導入による層状分子 〇東野 寿樹 1, 井上 悟 2, 荒井 俊人 2, 都築 誠二 2, 長谷 1. 産総研 , 2. 東大工
配列の制御
川 達生 2

12.4 有機 EL・トランジスタ / Organic light-emitting devices and organic transistors
16:30		 20p-B104-12 In-silico crystallization: メチルカルコゲノピレンのbrickwork 型構造の計算による再現
16:45		 20p-B104-13 ジアミノナフタレンのハロゲン化 p- ベンゾキノン錯体における正孔優勢の電荷輸送
17:00
E 20p-B104-14 Transistor Properties and Charge Polarity of ChargeTransfer Complexes of Fluorene Analogs
17:15		 20p-B104-15 n 型有機半導体 BQQDI 単結晶における電子輸送異方性

17:30		休憩 /Break
17:45		 20p-B104-16 反転オフセット印刷を用いた短チャネルトップコンタク
ト型 OTFT
18:00		 20p-B104-17 トナー型印刷による様々な電子材料の高精細かつ高稠密
な現像
18:15		 20p-B104-18 トナー型プリンテッドエレクトロニクスに向けた金属粒
子配線パターンの低温焼結
18:30		 20p-B104-19 有機単結晶膜の転写パターニングを用いた大面積高速
CMOS 集積回路
18:45		 20p-B104-20 有機単結晶トランジスタを用いたフレキシブル大面積ア
クティブマトリクスディスプレイ
9/21(Wed.) 9:30 - 11:30
			 21a-P04-1〇 Bulgarevich Dmitrievich Kirill1, 瀧宮 和男 1, 2, 3

1. 理研 , 2. 東北大 , 3. 東北大 AIMR

〇マレラ ニキルラオ 1, 森 武彦 1

1. 東工大物質理工〇 Baiyan Liu1, Shuxiang Fan1, Ruoxi Huang1,
1.Tokyo Tech
Tadashi Kawamoto1, Takehiko Mori1〇熊谷 翔平 1, 荒井 勇太郎 1, 糟谷 直孝 1, 石井 宏幸 2, 1. 東大院新領域 , 2. 筑波大数物 , 3. 北里大理 , 4. リガク ,渡辺 豪 3, 佐藤 寛泰 4, 渡邉 峻一郎 1, 竹谷 純一 1, 5, 岡 5.JST-CREST
本 敏宏 1, 5〇 (M1) 鈴木 岳斗 1, 堀米 駿介 2, 吉岡 俊樹 1, 関根 智 1. 山形大院有機 , 2. 山形大工 , 3. 山形大 ROEL
仁 1, 2, 3, 竹田 泰典 3, 熊木 大介 3, 時任 静士 1, 2, 3
〇澤村 史也 1, 花崎 来希 1, ウ チェンイ 1, 酒井 正俊 1, 1. 千葉大院工工藤 一浩 1
唐澤 幸一 1, 澤村 史也 1, ウ チェンイ 1, 花崎 来希 1, 〇 1. 千葉大院工酒井 正俊 1, 工藤 一浩 1
〇臼井 大登 1, 牧田 龍幸 2, 澤田 大輝 1, 熊谷 翔平 1, 山 1. 東大院新領域 , 2. パイクリスタル , 3. 物材機構 , 4.JST下 侑 1, 3, 岡本 敏宏 1, 4, 渡邉 峻一郎 1, 竹谷 純一 1, 2, 3, 4 CREST〇森田 湧也 1, 牧田 龍幸 2, 渡辺 和誉 1, 鶴見 淳人 2, 熊 1. 東大院新領域 , 2. パイクリスタル , 3.JST CREST, 4. 物
谷 翔平 1, 岡本 敏宏 1, 3, 渡邉 峻一郎 1, 3, 竹谷 純
材機構 , 5. オルガノサーキット
一 1, 2, 3, 4, 5

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
CsPbBr3 薄膜の結晶性と光学特性に及ぼす CsBr 下地層の 〇太宰 卓朗 1, 鯉沼 秀臣 2, 加藤 隆二 1, 高橋 竜太 1
1. 日大工 , 2.SCT 株式会社影響
			 21a-P04-2
インクジェット法を用いた新奇構造を有する LEC の作製 〇福井 遼太郎 1, 田中 友規 1, 蒲 江 1, 竹延 大志 1
1. 名大院工			 21a-P04-3
自己組織化法による CsPbI3 ナノ結晶超格子の作製Ⅱ〇 (M2) 増田 拓真 1, 濱中 泰 1, 葛谷 俊博 2, 武田 圭生 2 1. 名工大院 , 2. 室工大
1
2
3
4, 5
			 21a-P04-4
高性能赤色発光ペロブスカイト量子ドットの室温合成と 〇 (B) 吉田 謙伸 , 大下 直晃 , 浅倉 聡 , 千葉 貴之 , 1. 山形大工 , 2. 山形大院理工 , 3. 伊勢化学 , 4. 山形大院有波長変換フィルムの創製
増原 陽人 2, 5
機シス , 5. 山形大有機材料シスセ
			 21a-P04-5
高耐熱性を有する亜鉛含有ペロブスカイト量子ドットの 〇大場 瞭 1, 佐藤 亮太 2, 浅倉 聡 3, 千葉 貴之 4, 5, 増原 1. 山形大工 , 2. 山形大院理工 , 3. 伊勢化学 , 4. 山形大院有作製
陽人 2, 5機シス , 5. 山形大有機材料シスセ
			 21a-P04-6
機械学習による CdSe 系量子ドット発光ダイオードの効 〇 (M1) 木下 喬之 1, 永瀬 隆 1, 2, 小林 隆史 1, 2, 内藤 裕 1. 大阪公立大学院 , 2. 大阪公立大分子エレクトロニック
1, 2
率支配因子に関する研究義
デバイス研
			 21a-P04-7
塗布型有機薄膜トランジスタのための UV/ オゾン処理に 〇井上 聡 1, 服部 吉晃 1, 北村 雅季 1
1. 神戸大院工よる有機単分子膜の改質
			 21a-P04-8
PMA 混合銀ナノ粒子インクを用いた有機トランジスタの 〇 (M1) 吉岡 俊樹 1, 鈴木 岳斗 1, 堀米 駿介 2, 関根 智 1. 山形大院有機 , 2. 山形大工 , 3. 山形大 ROEL
接触抵抗低減仁 1, 2, 3, 竹田 泰典 3, 熊木 大介 3, 時任 静士 1, 2, 3
			 21a-P04-9
塗布型イメージセンサの高機能化に向けた有機フロー〇森川 和慶 1, 中川 和紀 1, 西田 直之 1, 永瀬 隆 1, 2, 小 1. 大阪公大工 , 2. 大阪府立大学 21 世紀科学研究センタ
ティングゲートメモリのシナプス特性の評価
林 隆史 1, 2, 内藤 裕義 1, 2
―分子エレクトロニックデバイス研究所
			 21a-P04-10 バイアス変調吸収分光法による TADF 型 OLED の動作過 〇 (M2) 舘 亮太 1, 鐘本 勝一 1, 2
1. 阪公大院理 , 2. 南部研
程モニタリング112
1
			 21a-P04-11 （チオフェン / フェニレン）コオリゴマーナノ結晶を用い 〇水野 斎 , 甚上 知美 , 佐々木 史雄 , 柳 久雄
1. 奈良先端大物質 , 2. 産総研電子光た有機 EL 素子の作製とその評価
9/22(Thu.) 9:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B104 会場（Room B104）
9:30		 22a-B104-1 有機無機ハロゲン化スズペロブスカイト量子ドットの合 〇矢嶋 祥太 1, 丁 超 1, 李 玉胜 1, 李 花 1, 豊田 太郎 1, 早 1. 電通大基盤理工
成と光物性
瀬 修二 1, 沈 青 1
9:45		 22a-B104-2 青色発光ペロブスカイト量子ドットの合成と光物性〇淵本 秋人 1, 丁 超 1, 矢嶋 祥太 1, 豊田 太郎 1, 早瀬 修 1. 電通大基盤理工 , 2. トヨタ自動車
二 1, 増田 泰造 1, 2, 沈 青 1
10:00		 22a-B104-3 塩化ゲルマニウム前駆体を用いた Cs2NaInCl6 ペロブスカ 〇戸佐 圭汰 1, 丁 超 1, 早瀬 修二 1, 沈 青 1
1. 電気通信大学基盤理工
イト量子ドットの作製と光物性
1
11, 2, 3
10:15		 22a-B104-4 ペロブスカイト配位子で不動態化された PbS 量子ドット 〇熊倉 健太 , 坂本 克好 , 曽我部 東馬
1. 電通大基盤理工 , 2.( 株 ) グリッド , 3. 東大先端研の電子的および光学的特性と移動度シミュレーションの分析
10:30		 22a-B104-5 ペロブスカイト膜における低温レーザー発振特性〇奈須 龍太郎 1, 2, 松島 敏則 1, 3, 安達 千波矢 1, 2, 3
1. 九大 応用化 , 2. 九大・OPERA, 3. 九大・WPII2CNER
10:45		休憩 /Break
11:00		 22a-B104-6 近赤外発光を示すペロブスカイト量子ドット FAPbI3 の 〇上野 瑞穂 1, 江部 日南子 2, 隅越 俊介 1, 千葉 貴
1. 山形大院有機 , 2. 山形大院理工学 , 3. 山形大有機エレ
開発と LED 応用
之 1, 3, 4, 城戸 淳二 1, 3, 4
研セ , 4. 山形大有機材料セ
1
1, 2, 3
1, 2, 3
11:15		 22a-B104-7 第一原理計算による鉛ハロゲンペロブスカイトの正確な 〇鈴木 陸央 , 千葉 貴之, 城戸 淳二
1. 山形大院有機 , 2. 山形大有機エレ研セ , 3. 山形大有機
バンドギャップ算出
材料セ
11:30		 22a-B104-8 シェル厚の制御による緑色 InP 量子ドットの光学特性改 〇土江 貴洋 1, 有田 宗貴 2, 岩田 昇 1, 和泉 真 1, 荒川 泰 1. シャープ , 2. 東大ナノ量子機構
善彦2
11:45		 22a-B104-9 シェル厚の異なる緑色 InP 量子ドットの光学特性〇有田 宗貴 1, 土江 貴洋 2, 岩田 昇 2, 和泉 真 2, 荒川 泰 1. 東大ナノ量子機構 , 2. シャープ
彦1
9/22(Thu.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) B104 会場（Room B104）
13:30
奨 22p-B104-1 微小正弦波重畳型変位電流評価法による Alq3MIS 型素子 〇 (M1) 阿部 直矢 1, 篠原 真 1, 石井 久夫 1, 2, 3, 田中 有 1. 千葉大 , 2. 千葉大先進 , 3. 千葉大 MCRC, 4. 群馬大の電子注入・輸送過程の評価
弥4
13:45		 22p-B104-2 回転型 Kelvin Probe を用いた極性有機分子膜における配 〇 (DC) 大原 正裕 1, 田中 有弥 4, 石井 久夫 1, 2, 3
1. 千葉大院融合 , 2. 千葉大先進 , 3. 千葉大 MCRC, 4. 群
向緩和のリアルタイム測定
馬大院理工
14:00		 22p-B104-3 変位電流測定法を用いた有機蒸着薄膜中のイオン性不純 〇 (M2) 岩田 拓朗 1, 井上 勝 2, 大籔 範昭 3, 大平 圭介 1, 1. 北陸先端大 , 2.TOYOTech, 3. 東陽テクニカ
物検出
村田 英幸 1
14:15		 22p-B104-4 双極子ドープ正孔輸送層による界面蓄積電荷特性の制御 〇野口 裕 1, Hofmann Alexander2, Brütting
1. 明治大学 , 2. アウクスブルク大学
Wolfgang2
14:30		 22p-B104-5 変位電流と PL 強度の同時測定による電荷蓄積挙動および 二宮 海斗 1, 佐藤 克哉 2, 〇野口 裕 1, 2
1. 明治大院理工 , 2. 明治大理工
励起子消光特性評価
14:45		 22p-B104-6 溶液キャスト法による有機半導体微小結晶共振器の pn 接 〇佐々木 史雄 1, 松尾 匠 1, 高田 徳幸 1, 椋橋 奈穂 2, 水 1. 産総研電子光 , 2. 奈良先端大物質
合と EL 発光野 斎 2, 柳 久雄 2
15:00		休憩 /Break
15:15		 22p-B104-7 多重共鳴 TADF メカニズムの解明に関する理論研究〇志津 功将 1, 梶 弘典 1
1. 京大化研
15:30
奨 22p-B104-8 熱活性化遅延蛍光を示す単核アルミニウム錯体と高効率 〇松家 実咲 1, 星 京吾 1, 熊田 健吾 1, 佐藤 龍磨 1, 笹部 1. 山形大院有機 , 2. 山形大有機エレ研セ , 3. 山形大有機
1, 2, 3
1, 2, 3
塗布型有機 EL久宏
, 城戸 淳二
材料セ
15:45
奨 22p-B104-9 りん光アシストドーパントを用いた高効率・長寿命近赤 〇花山 貴則 1, 佐野 健志 2, 齋藤 優 1, 高下 太一 1, 笹部 1. 山形大院有機 , 2. 山形大 INOEL, 3. 山形大 FROM
外有機 EL久宏 1, 3, 城戸 淳二 1, 2, 3
16:00
奨 22p-B104-10 TADF 分子を増感剤に用いた狭半値幅緑色有機 EL の高 〇中村 剛瑠 1, 阿部 翔希 1, 熊田 健吾 1, 𠮷田  波音 1, 笹 1. 山形大院有機 , 2. 山形大有機エレ研セ , 3. 山形大有機
効率・長寿命化部 久宏 1, 2, 3, 城戸 淳二 1, 2, 3
材料セ
16:15		休憩 /Break
16:30		 22p-B104-11 シアノフェニル基を導入したカルボリンを基盤とする新 〇恒川 脩崇 1, 平井 大貴 2, 富樫 和法 2, 北原 秀良 2, 市 1. 信州大繊維 , 2. 保土谷化学工業
規有機 EL 材料
川 結1

12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells
16:45
17:00

城戸 淳二 1, 2, 3
材料セ
奨 22p-B104-14 ガラス並みの高バリア性能を有する塗布型 PHPS バリア 〇佐々木 樹 1, 吉田 麗娜 2, 黒澤 優 2, 高橋 辰宏 1, 硯里 1. 山形大院有機材料シス , 2. 山形大 INOEL
2
膜の開発
善幸
12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells
9/20(Tue.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20p-P02-1
可視光領域で選択的光透過性を示す有機薄膜太陽電池の 〇任 和 1, 2, 山本 晃平 2, 宮寺 哲彦 2, 橘 浩昭 2, 村上 拓 1. 筑波大数理物質 , 2. 産総研
正孔輸送層検討郎 2, 近松 真之 2, 吉田 郵司 1, 2
			 20p-P02-2
ITIC 系非フラーレン型有機薄膜太陽電池のフッ素置換の 〇峰下 恵 1, 村岡 梓 1
1. 日女大理
影響についての理論的研究
			 20p-P02-3
光架橋反応による有機薄膜太陽電池の構造制御〇 (M1) 鈴木 遼 1, 2, 宮坂 誠 1, 中野 恭兵 2, 落合 優登 2, 1. 東京電機大工 , 2. 理研 CEMS
加地 由美子 2, 但馬 敬介 2
			 20p-P02-4
全高分子ブレンド薄膜太陽電池の電荷輸送特性と曲線因 〇梁 志遠 1, 萩尾 蓮 1, CHO Yongyoon1, PANDEY
1. 奈良先端大子
Manish1, 中村 雅一 1, 辨天 宏明 1
			 20p-P02-5
光照射強度と有機半導体薄膜表面の酸化電位変化〇臼田 航志 1, 坂田 和弥 3, 中野 正浩 1, 當摩 哲也 1, 2, 3, 1. 金大理工 , 2. 金大ナノマリ , 3. 金大新学術
辛川 誠 1, 2, 3
			 20p-P02-6
エレクトロスピニング法へのフェムトリアクターの適用 〇江頭 雅之 1, 前田 昇吾 1, 山口 大貴 1, 平井 紅陽 1, 松 1. 諏訪東理大 , 2. 日大 , 3. 電機大に関する研究浦 竜一 1, 矢澤 翔大 2, 工藤 祐輔 2, 山内 博 3, 田所 貴
志 3, 渡邊 康之 1
			 20p-P02-7
色素増感太陽電池用の電解重合高分子対極の最適化〇 (D) 黒川 侑暉 1, 加藤 岳仁 2, パンディ シャム ス
1. 九工大院生命体 , 2. 小山高専
ディル 1
			 20p-P02-8
細孔制御したシリコンナノ多孔粒子 /PEDOT:PSS 太陽電 〇小出 希 1, 佐藤 慶介 1
1. 東京電機大学
池の性能評価			 20p-P02-9
In situ 赤外 MAIRS- 蒸着複合装置を用いた二層膜からの 〇 (M2) 島田 一輝 1, 丸山 伸伍 1, 宮寺 哲彦 2, 神永 健 1. 東北大院工 , 2. 産総研
GASnI3 生成過程の観察
一 1, 松本 祐司 1
			 20p-P02-10 空間制限結晶化法によるメチルアンモニウムヨウ化ビス 〇 (M1) 加藤 泰人 1, 加藤 慎也 1, 岸 直樹 1, 曽我 哲夫 1 1. 名古屋工業大工
マス薄膜の評価
			 20p-P02-11 UV オゾン処理による Spiro-OMeTAD ホール輸送層の酸 〇 (M1) 林 亮太朗 1, 室田 絢音 1, 岡 憲吾 1, 山下 兼一 1 1. 京都工繊大
化反応促進			 20p-P02-12 低照度条件下におけるペロブスカイト太陽電池のヒステ 〇鳥居 燿司 1, 來福 至 1, ハリョリーナ マイケル 1, 田 1. 奈良先端大
リシスの軽減中 浩之 1, 浦岡 行治 1
			 20p-P02-13 複素インピーダンス測定による CH3NH3PbI3 単結晶のイ 〇 (M1) 谷口 陸 1, 山田 泰裕 1, 音 賢一 1
1. 千葉大院理
オン移動の評価1
1
1
1
			 20p-P02-14 スプレートリートメントを用いたペロブスカイト太陽電 〇田中 一成 , 一野 祐亮 , 森 竜雄 , 清家 善之
1. 愛知工大
池への後処理の検討
			 20p-P02-15 PbI2 を真空アニール処理により変化させたペロブスカイ 高瀨 賢希 1, 岡田 昂大 1, 白田 裕也 1, 橋本 茉侑 1, 〇飯 1. 岐阜高専
ト膜の物性評価
田 民夫 1
		
E 20p-P02-16 Highly Stable Perovskite Solar Cells utilizing Intercalation 〇 Yue Feng1, M. Shahinuzzaman1, G. Munkhtuul1, 1.Kanazawa Univ.
Control of Cesium Halides into MAPbI3 Framework
M. Nakano1, M. Karakawa1, J.M. Nunzi1, T. Taima1
			 20p-P02-17 n 型半導体上に堆積した層状ペロブスカイト薄膜の 熱処 〇二村 有哉 1, 佐野 文哉 1, 安田 春輝 1, 傍島 靖 1, 吉田 1. 岐阜大工理による配向制御に関する研究
憲充 1
			 20p-P02-18 ハロゲン混合型ペロブスカイト MAPbI3-xBrx のエネル〇鶉野 弦也 1, 阿部 健太郎 1, 齋藤 智樹 1, 藤井 彰彦 1, 1. 阪大院工ギーバンド構造と結晶方位の Br 混合比率依存性
尾﨑 雅則 1
			 20p-P02-19 空間制御逆温度結晶化法によるハロゲン化鉛ペロブスカ 〇綿貫 友大 1, 菊池 慶太郎 1, 松井 優樹 1, 緒方 啓
1. 法大理工 , 2. 法大生命 , 3. 法政大マイクロ・ナノ研
イト単結晶薄膜の物性評価 (II)
典 1, 2, 3
9/22(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B103 会場（Room B103）
9:00 奨 E 22a-B103-1 Lead-based perovskite solar cells that are highly efficient 〇 (D)BI Huan1, Shuzi Hayase1, Qing Shen1
1.The Univ. of Electro-Commun.
and environmentally friendly with lead recycled
9:15
奨 22a-B103-2 二面性 D －π－ D 型分子を用いた表面パッシベーション 〇箕井 七希 1, 石割 文崇 1, 室谷 一晴 1, 西久保 綾佑 1, 1. 阪大院工による鉛ペロブスカイト太陽電池の高性能化
佐伯 昭紀 1
9:30
奨 22a-B103-3 ペロブスカイト太陽電池の高温保存安定性の向上〇 (M1) 藤田 悠希 1, 松島 敏則 2, 3, 安達 千波矢 1, 2, 3
1. 九大応化 , 2.OPERA, 3.WPI-I2CNER
9:45		 22a-B103-4 CuSCN 正孔輸送膜の高湿度エイジングによるペロブスカ 〇古郷 敦史 1, 村上 拓郎 1
1. 産業技術総合研究所
イト太陽電池の高性能化
10:00		 22a-B103-5 ハロゲン化鉛系ペロブスカイトの新しい作製法と太陽電 〇江良 正直 1, 仮屋 陽平 1
1. 佐大理工
池への応用
1
1
1
1
10:15		 22a-B103-6 電子輸送層界面処理したペロブスカイト太陽電池のイン 〇太野垣 健 , 山本 晃平 , 村上 拓郎 , 吉田 正裕
1. 産総研ピーダンス分析
10:30		休憩 /Break
10:45
奨 22a-B103-7 2 次元ペロブスカイト太陽電池の添加剤が光伝導度異方 〇下野 麗 1, 西久保 綾佑 1, 石割 文崇 1, 佐伯 昭紀 1
1. 阪大院工性と素子性能に与える効果
1
1
2
1
11:00
奨 22a-B103-8 ペロブスカイト /Si 系 2 接合およびペロブスカイト / ペロ 〇近田 陽佑 , 加藤 義経 , 片山 博貴 , 小林 倫也 , 小 1. 岐阜大 , 2. パナソニック（株）, 3. パナソニックホー
ブスカイト /Si 系 3 接合型太陽電池モジュールの年間発電 沢 将征 1, 西垣 之徳 1, 小林 智尚 1, 松下 明生 3, 追分 康 ルディングス（株）
量予測
平 1, 石原 龍 1, 松井 太佑 3, 綾 洋一郎 2, 兼松 大二 2, 寺
川 朗 2, 藤原 裕之 1
11:15
奨 22a-B103-9 ハイブリッドペロブスカイトの高精度光学特性解析：分 〇前田 紗良 1, 宮寺 哲彦 2, 近松 真之 2, 藤原 裕之 1
1. 岐阜大学 , 2. 産業技術総合研究所
光エリプソメトリーによる完全自動解析
11:30		 22a-B103-10 二次元ペロブスカイト化合物に及ぼすアミノ基の数およ 〇 (M2C) 菱田 大蔵 1, 藤田 正博 1, 竹岡 裕子 1, 陸川
1. 上智大理工び等級の影響
政弘 1
1
1, 4
2
2
11:45		 22a-B103-11 ペロブスカイト /Si タンデム太陽電池における電流マッ 〇平野 樹 , 塩川 美雪 , 陳 蒙蒙 , 早瀬 修二 , 齋
1. 東芝エネルギーシステムズ , 2. 電通大 , 3. 産総研 , 4. 東
チングの検討均 3, 松井 卓矢 3, 戸張 智博 1, 齊田 穣 1, 五反田 武志 1, 4 芝
12:00		 22a-B103-12 有機薄膜結晶上でヘテロエピタキシャル成長したハロゲ 〇神川 郁海 1, 山本 晃平 2, 宮寺 哲彦 2, 吉田 郵司 2, 野 1. 慶應大理工 , 2. 産総研
ン化鉛ペロブスカイトの太陽電池特性評価
田 啓1
9/22(Thu.) 13:30 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) B103 会場（Room B103）
13:30
招 22p-B103-1 「有機分子・バイオエレクトロニクス分科会論文賞受賞記 〇宮寺 哲彦 1
1. 産総研念講演」
リアルタイム X 線回折によるペロブスカイト太陽電池の成膜プロセス解析
14:00
奨 22p-B103-2 CuSCN 正孔輸送層へのオレイルアミン処理によるペロブ 〇駒澤 雄飛 1, 内田 史朗 1, 村上 拓郎 2, 古郷 敦史 2
1. 千葉工大 , 2. 産総研
スカイト太陽電池の性能改善
14:15
奨 22p-B103-3 ペロブスカイト太陽電池におけるホール輸送層としての 〇 (M2) 千明 拓馬 1, 2, 舩木 敬 2, 矢口 裕之 1, 古郷 敦 1. 埼玉大院理工 , 2. 産総研
自己組織化界面修飾材料（SAM）の検討
史 2, 近松 真之 2, 村上 拓郎 2
14:30		 22p-B103-4 Cat-CVD SiNx ガスバリア膜によるペロブスカイト層の 〇曹 文博 1, 劉 鹏 2, Tu Thi Cam Huynh1, Md.
1. 北陸先端大 , 2. 金沢大
保護効果
Shahiduzzaman2, 當摩 哲也 2, 大平 圭介 1
17:15

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

奨 22p-B104-12 低消費電力・長寿命な緑色リン光有機 EL を実現するテ 〇河野 朝哉 1, 齋藤 優 1, 郡 悠真 1, 丸山 朋洋 1, 笹部 久 1. 山形大院有機 , 2. 山形大有機エレ研セ , 3. 山形大学有トラピリジン含有電子輸送材料群
宏 1, 2, 3, 城戸 淳二 1, 2, 3
機材料セ
奨 22p-B104-13 カルバゾール誘導体ホスト中での TADF 分子の分子配向 〇吉田 波音 1, 荒井 博貴 1, 中村 剛瑠 1, 笹部 久宏 1, 2, 3, 1. 山形大院有機 , 2. 山形大有機エレ研セ , 3. 山形大有機

12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells
14:45		 22p-B103-5

Degradation Evaluation of CsFAMAPbIBr/Carrier
Transport Layer Stacks Capped by a Cat-CVD SiNx Thin
Film by µ-PCD Measurement
15:00		休憩 /Break
15:15		 22p-B103-6 ペロブスカイト太陽電池の光過渡電流測定によるキャリ
ア輸送特性評価
15:30
E 22p-B103-7 Reduction of voltage loss and halide segregation inwide-bandgap perovskite is key to improve theperformance of all perovskite tandem solar cells
15:45		 22p-B103-8 ペロブスカイト太陽電池の光励起キャリアダイナミクスと光電変換特性に及ぼすペロブスカイト量子ドットの効果
16:00		 22p-B103-9 PFN/ 酸化スズ二層構造を電子輸送層とするペロブスカ
イト太陽電池16:15		 22p-B103-10 CsPbI3 薄膜作製における Cl 添加の影響

16:30		 22p-B103-11
16:45		17:00		 22p-B103-12
17:15		 22p-B103-13
17:30		 22p-B103-14
17:45		 22p-B103-15
18:00		 22p-B103-16
18:15		 22p-B103-17
9/23(Fri.) 9:00 - 12:15
9:00 奨 E 23a-B103-1
9:15

奨 E 23a-B103-2

9:30

奨 23a-B103-3

9:45

E 23a-B103-4

10:00

E 23a-B103-5

10:15		 23a-B103-6
10:30		10:45E 23a-B103-7
11:00

E 23a-B103-8

11:15

E 23a-B103-9

11:45		 23a-B103-11
12:00		 23a-B103-12
9/23(Fri.) 13:30 - 17:00
13:30		 23p-B103-1
13:45		 23p-B103-2
14:00		 23p-B103-3
14:15		 23p-B103-4
14:30

奨 23p-B103-5

14:45

奨 E 23p-B103-6

15:00

奨 E 23p-B103-7

15:15		15:30E 23p-B103-8
15:45		 23p-B103-9
16:00		 23p-B103-10
16:15		 23p-B103-11
16:30		 23p-B103-12

1.JAIST, 2.Kyoto Univ.

〇瀬戸 悟 1, 鈴木 和彦 2

1. 石川高専 , 2. 北海道科学大学〇 (P)Gaurav Kapil1, 2, Takeru Bessho2, Qing Shen1,

1.Uni. of Electr-Comm., 2.Uni. of Tokyo

Hiroshi Segawa2, Shuzi Hayase1〇長内 亮太 1, 丁 超 1, 李 花 1, 李 玉勝 1, 早瀬 修二 1, 沈 1. 電通大

青1〇石川 良 1, 白井 肇 1

1. 埼玉大院理工〇長谷川 峻也 1, 河野 悠 1, 根上 卓之 1, Abdurashid
1. 立命館大Mavlonov1, 菱川 善博 1, Jakapan Chantana1, 峯元 高
志1
溶液ベースで成膜する表面がパッシベートされた逆型ト 〇望月 敏光 1, 荒木 祥太 1, 高遠 秀尚 1, 棚橋 克人 1, 奥 1. 産総研 , 2. 山形大有機イノベ
リプルカチオンペロブスカイト太陽電池
山 豊 2, 佐野 健志 2
休憩 /Break
臭素豊富組成ペロブスカイトの光相分離に対する添加剤 〇沼田 陽平 1, 柴山 直之 2, 宮坂 力 1, 2
1. 東大先端研 , 2. 桐蔭大院工を用いた安定化に関する検討
1
1
CsPbBr3 蒸着時のランタノイド添加の影響〇麻生 直暉 , 宮島 晋介
1. 東工大工
ペロブスカイト太陽電池の all-in-one-chamber プロセス 礒部 礼雄 1, 後藤 卓巳 1, 嶋田 貴大 1, 佐藤 知正 1, 〇松 1. 神奈川大工開発
木 伸行 1CH3NH3PbBr3 の光誘起構造相転移のダイナミクス〇岩崎 悠 1, 神野 莉衣奈 1, 田中 陽 1, 安武 裕輔 1, 深津 1. 東大院総合
晋1
CuInS2/ZnS 量子ドットの合成と新規リガンド交換法〇小安 智士 1, 池田 晴奈 1, 石垣 隆正 1
1. 法政大生命
Si ナノワイヤ間への PEDOT:PSS の密着性向上による太 〇氷室 槙一 1, 佐藤 慶介 1
1. 東京電機大学
陽電池性能の改善
口頭講演 (Oral Presentation) B103 会場（Room B103）
Monolayer engineering for wide bandgap Lead-free〇 (D)Chen Mengmeng1, Qing Shen1, Shuzi Hayase1 1.Univ. Elec.-Communi.
perovskite solar cells
Vapor phase deposition of lead-free halide perovskite alloy 〇 (D)Hanbo Jung1, Zihao Liu1, Masato Sotome2,
1.Tokyo Univ., 2.RCAST Tokyo Univ.
Cs(SnZn)Br3
Takashi Kondo1, 2
1123 元共蒸着法によるハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導 〇 (M2) 中村 大介 , 劉 子豪 , 五月女 真人 , 松下 智 1. 東大工 , 2. 東大先端研
体の導電性制御
紀 2, 近藤 高志 1, 2
Vapor-phase deposition of all-inorganic tin-lead halide〇 (D)Zihao Liu1, Naoki Maekawa1, Hanbo Jung1,
1.School of Eng., Univ. of Tokyo, 2.RCAST, Univ. of
perovskite heterostructures
Masato Sotome2, Tomonori Matsushita2, Takashi
Tokyo
Kondo1, 2
1
1
A-site cationic doping for thermal stability enhancement 〇 (P)Shahrir Razey Sahamir , Qing Shen , Shuzi
1.Univ. of Electro-Comin tin-lead based perovskite solar cells
Hayase1
機械学習による Sn 系ペロブスカイト太陽電池材料の発見 〇 (M2) 大森 鈴音 1, 畑中 ひなこ 1, 金子 正徳 2, 山下 1. 日女大院・理 , 2. 横市大院・生命ナノを目指した起因子の探索
晃一 2, 村岡 梓 1
休憩 /BreakElucidating the reason behind the low efficiency of n-i-p 〇 (PC)Ajay Kumar Baranwal1, Tomohide Yabuki2,
1.Electro-Comm. Univ., 2.Kyushu Inst Tech.
based tin perovskite solar cells
Qing Shen1, Koji Miyazaki2, Shuzi Hayase1
Indent free vapor assisted surface passivation strategy〇 (DC)Zheng Zhang1, Qing Shen1, Shuzi Hayase1
1.University of Electro-Communication
towards tin halide perovskite solar cells
111
Inorganic hole extraction layer enables highly efficient〇 (P)Liang Wang , Qing Shen , Shuzi Hayase
1.The Univ. of Electro-Communications
Sn-based Perovskite Solar Cells
コンビナトリアル合成による Bi,Sb 系非鉛太陽電池材料 〇西川 知里 1, 西久保 綾佑 1, 石割 文崇 1, 佐伯 昭紀 1 1. 阪大院工の探索
ハロゲン化銀ビスマスを用いた鉛フリーペロブスカイト 〇實平 義隆 1, 宮坂 力 2, 早瀬 修二 1
1. 電通大 , 2. 桐蔭横浜大学
太陽電池における銀 - ビスマス比の影響
ペロブスカイト薄膜 CsBi3I10 における溶液濃度依存性〇相田 景悟 1, 相葉 俊甫 1, 加藤 慎也 1, 岸 直希 1, 曽我 1. 名工大工哲夫 1
口頭講演 (Oral Presentation) B103 会場（Room B103）
浸漬によるポリエチレンイミン層作製の最適化と有機薄 〇小河 孝太朗 1, 市川 結 1
1. 信州大繊維膜太陽電池への応用
還元型酸化グラフェン膜を用いた分子配向制御による有 〇坂本 昂哉 1, Qiao Kun1, 相澤 直矢 1, 鈴木 充朗 1, 中 1. 阪大院工機薄膜太陽電池の性能向上
山 健一 1
ドナーポリマーとアクセプター材料の凝集特性が発電層 〇 (D) 山中 滉大 1, 斎藤 慎彦 1, 尾坂 格 1
1. 広島大先進理工における結晶構造と有機太陽電池特性に与える影響
ベンズイミダゾール部位を有する新規非フラーレンアク 〇 (M1) 大野 翔平 1, 三木江 翼 1, 尾坂 格 1
1. 広大院先進理工セプターの開発
11
1
1
チアゾールを有する平面剛直なπ共役系ポリマーの開発 〇 (D) 手島 慶和 , 斎藤 慎彦 , 三木江 翼 , 尾坂 格
1. 広大院先進理工と非フラーレン型有機薄膜太陽電池への応用
Unravelling complex performance-limiting factors of〇 (D)Shaoxian Li1, Ryosuke Nishikubo1, Tatsuho
1.Osaka Univ., 2.Hyogo Univ., 3.Kyoto Univ.
brominated ITIC-derivatives:PM6 organic solar cells by
Wada2, Tomokazu Umeyama2, Hiroshi Imahori3,
1
using time-resolved measurements
Akinori Saeki
Neutral Beam Oxide Interfacial Layer for Reliable〇 (D)Aditya Saha1, Daisuke Ohori1, Ryuji Oshima2, 1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIST, 3.IMR, Tohoku Univ.,
Silicon-Organic Back-Contact Solar Cell Applications
Takeyoshi Sugaya2, Kazuhiko Endo2, Takahiko
4.ITIM, 5.Yamanashi Univ., 6.NYCU, 7.AIMR, Tohoku
Sasaki3, Keisuke Itoh4, Hidenori Okuzaki5, Seiji
Univ.
6, 1, 7
Samukawa
休憩 /Break
Doped Lateral Organic Solar Cells〇 (D)Jaseela Palasheriithikkal1, 2, Seiichiro Izawa1, 2, 1.Institute for Molecular Science, 2.The graduate
Masahiro Hiramoto1, 2
university for advanced studies, SOKENDAI
機械学習による太陽電池の等価回路定数の決定〇 (M2) 奥野 友基 1, 永瀬 隆 2, 3, 小林 隆史 2, 3, 内藤 裕 1. 大阪府立大 , 2. 大阪公立大 , 3. 大阪府立大分子エレク
2, 3
義トロニックデバイス研
種々の高分子太陽電池における界面電荷移動状態と開放 〇石川 巧 1, 井手 拓弥 1, キム ヒョンド 1, 大北 英生 1 1. 京大院工
電圧の関係
非晶性高分子太陽電池における電荷移動状態からの電荷 〇齊藤 隼人 1, 北尾 陽輝 1, 奥山 拓夢 1, 玉井 康成 1, 2, 1. 京大院工 , 2.JST さきがけ生成
大北 英生 1
非フラーレン系高分子太陽電池における高効率電荷生成 〇城内 嶺 1, 齋藤 俊晴 1, 夏田 慎一郎 1, 玉井 康成 1, 2, 1. 京大工 , 2.JST さきがけとエネルギー損失の関係
大北 英生 1

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

11:30		 23a-B103-10〇 Tu ThiCam Huynh1, Ai Shimazaki2, Ryuji
Kaneko2, Atsushi Wakamiya2, Keisuke Ohdaira112.6 ナノバイオテクノロジー / Nanobiotechnology

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

16:45		 23p-B103-13 光タイムドメインリフレクトメトリによる積層型有機太陽電池の光電変換過程の時間分解解析
12.6 ナノバイオテクノロジー / Nanobiotechnology
9/20(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20a-P05-1
分子インプリント空間の部位選択的修飾による抗生物質
蛍光センサの構築
			 20a-P05-2
人工脂質膜で架橋した微小井戸のシール特性に及ぼすイ
オン液体の効果			 20a-P05-3
自己組織型ナノボウル基板によるウイルスの 2 ステップ
光濃縮法の開発
			 20a-P05-4
パルスフォース原子間力顕微鏡による上皮細胞シートの力学特性の測定			 20a-P05-5
単層構造・3D 構造を有する上皮細胞の走電性の観察〇益子 朋晃 1, 酒井 正俊 1, 戒能 智 1, 黒政 颯 1, 工藤 一 1. 千葉大院工 , 2. 千葉大院国際
浩 1, 三野 弘文 2

〇砂山 博文 1, 大下 梓紗 1, 太田 壮雄 1, 竹内 俊文 2

1. 神戸大院工 , 2. 神戸大産官学連携本部〇樫村 吉晃 1, 古川 一暁 2, 山口 真澄 1

1.NTT 物性基礎研・BMC, 2. 明星大〇叶田 雅俊 1, 2, 3, 林 康太 1, 2, 3, 高木 裕美子 2, 田村 守 4, 1. 大阪公大院理 , 2. 大阪公大 LAC-SYS 研 (RILACS),
床波 志保 2, 3, 飯田 琢也 1, 2
3. 大阪公大院工 , 4. 阪大院基礎工〇 (M2) 垣内 琢規 1, 土生 飛翔 1, 岡嶋 孝治 1
1. 北大情報科学〇 (M2) 小野 実央 1, 小川 美優 1, 永野 真尭 1, 岡嶋 孝 1. 北大情報科学
治1
			 20a-P05-6
固定化金属サレン錯体が持つ分子認識機能の分子スケー 〇泉 遼承 1, Ikbal Sk Asif1, 秋根 茂久 1, 森本 将行 1, 淺 1. 金沢大ル FM-AFM 評価
川 雅1
			 20a-P05-7
高効率なプラズマ物質導入のための細胞膜相状態の測定 〇 (M2) 安東 優人 1, 北崎 竜也 1, 熊谷 慎也 1
1. 名城大理工			 20a-P05-8
ナノギャップの分子修飾と機械学習によるアスパラギン 〇 (D) 柳 智浩 1, 小本 祐貴 1, 大城 敬人 1, 谷口 正輝 1 1. 阪大産研
酸とロイシンの単分子分類
			 20a-P05-9
局在する親水性―疎水性構造近傍に存在する可逆構造の 〇森本 将行 1, 淺川 雅 1
1. 金沢大液中 AFM 計測
			 20a-P05-10 脂質二分子膜内部に閉じ込められた単一高分子鎖の AFM 〇今村 颯 1, 古川 一暁 1
1. 明星大理工
観察1
1
			 20a-P05-11 電気化学処理におけるグラファイト表面ペプチド自己組 〇 (B) 上ノ段 新菜 , 早水 裕平
1. 東京工業大学
織化膜の安定性評価
			 20a-P05-12 (XH)4 ペプチドの金属イオン存在下での自己組織化〇杉山 茉莉絵 1, Vanessa Seudo Dimo1, Wei Luo1, 早 1. 東京工業大学
水 裕平 1
			 20a-P05-13 Thioflavin-T を用いた窒化ホウ素表面におけるペプチド 〇 (B) 前田 宙希 1, 早水 裕平 1
1. 東工大物質理工
自己組織化の蛍光観察
			 20a-P05-14 直流電界を用いた DNA ランダムネットワーク構造の形 〇日野 萌咲 1, 氷室 貴大 1
1. 呉工業高等専門学校
成
1
1
1
		
E 20a-P05-15 Structural stability of surface self-assembly of histidine〇 (M2)Mao Yuxiang , Luo Wei , Yuhei Hayamizu
1.Tokyo Techcontaining peptides at high temperature			 20a-P05-16 クラウンエーテル錯体における固体ナノポアのイオン輸 〇 (D) 梁 逸偉 1, 筒井 真楠 1, 谷口 正輝 1
1. 阪大産研送特性1
1
1
			 20a-P05-17 プロリンとアルギニンを含む自己組織化ペプチドによる 〇 (M1) 菊地 幹太郎 , 山崎 唯衣 , 早水 裕平
1. 東工大物質理工
RNA のグラファイト表面吸着			 20a-P05-18 チトクロム c 水溶液への紫外レーザー照射による凝集体 〇宮崎 麻衣 1, 柚山 健一 1, 坪井 泰之 1
1. 阪公大理形成			 20a-P05-19 バイオハイブリッド膜の光応答メカニズムの解明〇渡部 開登 1, フェン シンヤオ 1, 馬 騰 1, 但木 大介 1, 1. 東北大 , 2. 山形大理工
鹿又 健作 1, 廣瀬 文彦 2, 平野 愛弓 1
			 20a-P05-20 磁場印加下におけるナノコイルスキャホールドを用いた 〇前園 宜孝 1, 松本 知夏 1, 松本 彬 2, 西原 禎文 3, 4, 芥 1. 農工大院工 , 2. 東大生研 , 3. 広島大院工 , 4.JST さき
Saos-2 細胞培養評価
川 智行 5, 中村 貴義 6, 南 豪 2, 帯刀 陽子 1
がけ , 5. 東北大多元研 , 6. 北大電子研
			 20a-P05-21 機械学習の単分子計測への適用による神経伝達物質検出 〇小本 祐貴 1, 大城 敬人 1, 吉田 剛 1, 足澤 悦子 2, 八木 1. 阪大産研 , 2. 阪大院生命機能
2
1
1
手法の開発
健 , 鷲尾 隆 , 谷口 正輝
9/22(Thu.) 9:00 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) A106 会場（Room A106）
9:00		 22a-A106-1 量子コンピュータを用いた 1 分子識別法の開発〇谷口 正輝 1, 大城 敬人 1, 多田 朋史 2
1. 阪大産研 , 2. 九大エネ機構
9:15		 22a-A106-2 １分子量子計測をもちいた１分子 DNA メモリの開発〇大城 敬人 1, 小本 祐貴 1, 谷口 正輝 1
1. 阪大産研
9:30		 22a-A106-3 マイクロポアデバイスを用いた酵母検出と識別〇横田 一道 1, 竹尾 麻恵 2, 安部 博子 1, 黒川 雄司 2, 橋 1. 産総研 , 2. キリンＨＤ , 3. 阪大産研
1
1
1
3
本 宗明 , 梶本 和昭 , 田中 正人 , 村山 さなえ , 中島芳浩 1, 谷口 正輝 3, 片岡 正俊 1
9:45		 22a-A106-4 ナノポア DNA シーケンサに向けた TMAH によるメンブ 〇青島 健人 1, 大勝 賢樹 1, 賀 智凱 1, 島田 郁子 1, 真島 1. 東工大フロンティア研
レン構造の作製
豊1
10:00		 22a-A106-5 アスペクト比の異なる四角形のナノポア近傍における〇山岸 聖和 1, 藤 悠之介 1, 長井 新 1, 高野 辰 1, 守山 裕 1. 青学大理工
DNA の泳動
大 1, 三井 敏之 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 22a-A106-6 グラフェン上に吸着した PASE の理論的構造評価〇大石 泰弘 1, 荻 博次 2, 萩原 聡 3, 大谷 実 3, 草部 浩 1. 阪大院基礎工 , 2. 阪大院工 , 3. 筑波大計算セ , 4. 兵県大
一4
院理
10:45
奨 22a-A106-7 結合エントロピーによる神経細胞間の結合強度解析〇箕嶋 渉 1, 2, 瀬川 夕海 1, 細川 千絵 1
1. 阪公大院理 , 2. 情通研
11:00		 22a-A106-8 フェムト秒レーザーを用いた力学刺激に対する細胞クラ 〇小谷 健太朗 1, 宇野 花香 1, 丹賀 直美 1, 岡野 和宣 1, 1. 奈良先端大物質 , 2. 大工大院工スターのカルシウム応答解析
安國 良平 2, 細川 陽一郎 1
9/22(Thu.) 13:00 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A106 会場（Room A106）
13:00
招 22p-A106-1 「有機分子・バイオエレクトロニクス分科会業績賞受賞記 〇玉田 薫 1
1. 九大先導研念講演」
プラズモニックメタ表面上での高時空間分解能ライブセ
ルイメージング
13:30		 22p-A106-2 プラズモニックセンサーチップによるカンジダマンナン 〇 (M1) 八子 将也 1, 志水 星歌 1, 田和 圭子 1, 栗田 浩 2 1. 関西学院大理工 , 2. 信州大医
検出：捕捉抗体の固定化法の検討
13:45		 22p-A106-3 透過型蛍光顕微鏡下のプラズモニックチップによる２種 〇 (M2) 福富 一真 1, 田和 圭子 1
1. 関西学院大理工の膜タンパク質をターゲットとした単一エキソソーム検出14:00		休憩 /Break
14:15		 22p-A106-4 モデル細胞膜を用いた細胞間接着における分子間相互作 〇大野 友輔 1, 玉田 薫 1, 有馬 祐介 1
1. 九大先導研用の影響
14:30		 22p-A106-5 フラグメント分子軌道計算に基づく有効パラメータを用 長田 優志 1, 太刀野 雄介 1, 奥脇 弘次 1, 〇土居 英男 1, 1. 立教大理 , 2. 豊橋技科大 , 3. 東大生研
いる脂質膜中の微小ドメインの粗視化シミュレーション メルヴィン ゴー2, 手老 龍吾 2, 望月 祐志 1, 3の試み
14:45		 22p-A106-6 ペプトイドナノシートに関する FMO、DPD 計算の試み 〇太刀野 雄介 1, 土居 英男 1, 奥脇 弘次 1, 望月 祐志 1, 2 1. 立教大理 , 2. 東大生研-#3
15:00		 22p-A106-7 インフルエンザウイルス HA と Fab 抗体の複合体に関す 〇北原 駿 1, 秋澤 和輝 1, 奥脇 弘次 1, 土居 英男 1, 山本 1. 立教大理 , 2. 慶應大理工 , 3. 神戸大院シス情 , 4. 東大生
る MD-FMO 連携計算による解析 #2
詠士 2, 平野 秀典 2, 泰岡 顕治 2, 森 義治 3, 田中 成典 3, 研
望月 祐志 1, 4
15:15		休憩 /Break
15:30		 22p-A106-8 Biotin-Streptavidin 相互作用を用いた人工脂質二重膜へ 〇門林 大矢 1, 大嶋 梓 2, 山口 真澄 2, 部家 彰 1, 住友 弘 1. 兵庫県大工 , 2.NTT 物性基礎研・BMCの物質導入
二1
15:45		 22p-A106-9 脂質二分子膜 / 基板界面水層における Ca2 ＋イオンの拡散 〇吉水 寛人 1, 大嶋 梓 2, 山口 真澄 2, 部家 彰 1, 住友 弘 1. 兵庫県大工 , 2.NTT 物性基礎研・BMC
挙動の解析
二1

【CS.10】12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェア / Code-sharing Session of 12.6 & 12.7

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

16:00		 22p-A106-10 streptavidin-biotin 間の特異結合寿命の評価〇合原 岳 1, 木南 裕陽 1, 小林 圭 1
1. 京大工16:15		 22p-A106-11 【注目講演】液中 FM-AFM による脂質膜 – マイカ界面に 〇木南 裕陽 1, 山田 啓文 1, 小林 圭 1
1. 京大工おける水和層の直接可視化
16:30		休憩 /Break
16:45
奨 22p-A106-12 蛍光一分子観察法の固体 - 有機溶媒界面における分子挙 〇 (M1) 松下 結依 1, 窪田 智樹 2, 松本 拓也 2, 大西 洋 2, 1. 豊橋技科大 , 2. 神戸大 , 3. 名城大 , 4. 京都大動観察への応用天野 健一 3, 平山 朋子 4, 手老 龍吾 1
17:00		 22p-A106-13 炭化水素 – 水界面に形成したリン脂質単分子膜への炭化 〇片岡 知歩 1, 川上 亘作 1, 2
1. 物材機構 , 2. 筑波大院
水素の侵入
17:15
奨 22p-A106-14 水中 X 線吸収分光法による脂質二重膜へのイオン配位構 〇 (M1) 金城 ゆう 1, ゴー ウェイジェン 1, 長坂 将成 2, 1. 豊橋技科大 , 2. 分子研造の解明
手老 龍吾 1
17:30		 22p-A106-15 自立型脂質二分子膜における親水性高分子鎖脂質の局在 〇大嶋 梓 1, Pui Joanne2, Lau Jocelyn2, 山口 真澄 1, 手 1.NTT 物性基礎研・BMC, 2. 豊橋技科大と脂質相分離形成への影響
老 龍吾 2【CS.10】12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェア / Code-sharing Session of 12.6 & 12.7
9/21(Wed.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) A200 会場（Room A200）
9:00		 21a-A200-1 比色型プラズモニックセンサによる神経特異エノラーゼ 並原 慎之輔 1, 梶川 浩太郎 1, 〇當麻 真奈 1
1. 東工大工の検出
9:15
奨 21a-A200-2 Fano 共鳴を用いた高感度表面プラズモンセンサー〇石津 知哲 1, 櫻井 一輝 2, 田中 宏知 2, 3, 石飛 秀
1. 阪大院生命機能 , 2. 阪大院工 , 3. 阪大 OIL, 4.MAScIR,
和 1, 2, 3, Sekkat Zouheir4, 5, 井上 康志 1, 2, 3
5.Mohammed V Univ.
1
1
1
1, 2
9:30		 21a-A200-3 治療薬物バンコマイシンの血中濃度モニタリングのため 〇田口 結彩 , 里村 結衣 , 飯谷 健太 , 當麻 浩司 , 1. 医科歯科大 , 2. 芝浦工大 , 3. 東京工科大の表面プラズモンアプタセンサの開発
荒川 貴博 1, 3, 三林 浩二 1
9:45		 21a-A200-4 新型コロナウイルス N タンパク抗原のデュアル光コム・ 宮村 祥吾 1, 麻植 凌 1, 仲原 拓弥 1, 岡田 昇太 1, 加治佐 1. 徳島大 pLED, 2. 東洋大 , 3. 高知工科大 , 4. 徳島大院医バイオセンシング
平 1, 2, 時実 悠 1, 南川 丈夫 1, 矢野 隆章 1, 田上 周路 3, 歯薬
大塚 邦紘 1, 4, 坂根 亜由子 1, 4, 佐々木 卓也 1, 4, 安友 康
二 1, 4, 〇安井 武史 1
10:00		 21a-A200-5 多粒子格納デジタルアッセイによる超高感度ウイルス検 〇芦葉 裕樹 1, 安浦 雅人 1, 福田 隆史 1, 藤巻 真 1
1. 産総研出
10:15		 21a-A200-6 グラフェン FET を用いたヘマグルチニン検出における〇 (M1) 中村 日向子 1, 生田 昂 1, 北川 雄大 1, 塚越 か 1. 農工大工
DNA アプタマーの立体構造依存性
おり 1, 池袋 一典 1, 前橋 兼三 1
10:30		 21a-A200-7 酵素固相化基板投入型 FET イムノアッセイの動作検証〇宮川 成人 1, 牛場 翔太 1, 品川 歩 1, 中野 友美 1, 谷 晋 1.（株）村田製作所 , 2. 阪大産研 , 3.JST さきがけ
輔 1, 小野 尭生 2, 3, 金井 康 2, 松本 和彦 2
10:45		休憩 /Break11:00
招 21a-A200-8 「講演奨励賞受賞記念講演」〇檜森 匠吾 1, 坂田 利弥 1
1. 東大院工
自律移動型バイオセンサに向けた酵素駆動ゲルモータのワイヤレスセンシング
11:15		 21a-A200-9 電気化学的手法による低分子バイオマーカーの選択的検 〇 (M2) 中島 重良 1, 檜森 匠吾 1, 坂田 利弥 1
1. 東大院工出に向けたアプタマーナノフィルター界面の設計・創製
1
1
1
1
11:30		 21a-A200-10 ナノポア計測における電極界面抵抗の影響〇筒井 真楠 , Iat Wai Leong , 岸本 匠平 , 谷口 正輝 1. 阪大産研
11:45		 21a-A200-11 CNT を混合した自立型脂質二分子膜で観測される交流イ 〇平松 大樹 1, 佐藤 陸 1, 守屋 雅隆 1, 島田 宏 1, 但木 大 1. 電通大 , 2. 東北大
ンピーダンス繰り返し増減の等価回路解析
介 2, 平野 愛弓 2, 水柿 義直 1
12:00		 21a-A200-12 自己組織化ペプチドが担持する補因子による電気化学的 Luo Wei1, Chen Chen1, 本間 千柊 1, Zozulia Oleksii2, 1. 東工大・物質理工 , 2. シラキュース大
触媒反応
Korendovych Ivan2, 〇早水 裕平 1
12:15
E 21a-A200-13 Measurement of Anomalous Charge Transfer〇 Huanwen Han1, Ting-Chieh Chu1, Yuri Shimizu1, 1.Osaka Univ.
Enhancement by Ru Complex Ion in the EIS for dsDNA Ichiro Yamashita1
Detection
12.7 医用工学・バイオチップ / Biomedical Engineering and Biochips
9/20(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20a-P06-1
ニワトリ初期胚の各ステージにおける心筋細胞の力学的 〇城所 龍 1, 野﨑 庄太 1, 小島 快斗 1, 佐々木 亜優 1, 長 1. 青学大理工刺激への応答の違い
井 新 1, 守山 裕大 1, 三井 敏之 1
			 20a-P06-2
フィードバック制御した機械的刺激が及ぼす心臓細胞集 〇野崎 庄太 1, 城所 龍 1, 小島 快斗 1, 佐々木 亜優 1, 長 1. 青学大理工合体の拍動伝播への影響
井 新 1, 守山 裕大 1, 三井 敏之 1
			 20a-P06-3
細胞医療への応用に向けた安全性の高い沿面放電を用い 〇大西 謙二朗 1, 田村 亮太 1, 庵原 聖未 3, 池田 善久 1, 1. 愛媛大学大学院工 , 2. アイジーン株式会社 , 3. パール
た遺伝子導入法の効率改善
佐藤 晋 1, 2, 神野 雅文 1, 2
工業
			 20a-P06-4
生体のインピーダンス測定に向けたアルミニウム箔を用 〇内田 悠登 1, 岡嶋 真由 1, 杉山 睦 1, 2
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
いた電極の検討			 20a-P06-5
唾液中コルチゾールを検出するＥＩＳ型バイオセンサの 〇森 慶太郎 1, 柴田 恭幸 1, 呉 海伝 1, 遠藤 英明 1, 津谷 1. 東京海洋大 , 2.NIMS, 3. ライオン
短時間計測
大樹 2, 丸山 由貴 3, 大貫 等 1
			 20a-P06-6
水晶振動子バイオセンサー上での PCR 反応プロセスのモ 〇 (B) 熊谷 英度 1, 古澤 宏幸 2, 時任 静士 1
1. 山形大工 , 2. 山形大院機構
ニタリング
1
1
1
1
			 20a-P06-7
感染性ウイルス検出のための検討 - 不活化処理の核酸検 〇安浦 雅人 , 芦葉 裕樹 , 堀口 諭吉 , 福田 隆史
1. 産総研出への影響 			 20a-P06-8
新型コロナウイルスのプラークアッセイの高性能化と微 〇河原 敏男 1, 林 京子 1, 浅井 さとみ 2, 梅澤 和夫 2, 柿 1. 中部大生命 , 2. 東海大医 , 3. 東北大医 , 4. デンソー
細藻類の殺ウイルス効果の評価への応用
添 英文 2, 宮地 勇人 2, 守田 匡伸 3, 赤池 孝章 3, 久野
斉 4, 小松 さと子 4, 渡邉 卓巳 1
		E 20a-P06-9
Geometric optimization of Pt catalyst array for the〇 Ang Li1, Xuesi Li1, Reo Kometani1, Ichiro
1.Univ. of Tokyo, 2.Shindengen Co., Ltd.
sensitivity enhancement of SnO2-based gas sensor
Yamada2, Makiko Noma2, Katsufumi Nakanishi2,
Yusuke Fukuda2, Kazuyuki Sashida2, Toshiyuki
Takemori2, Kenichi Maehara2, Katsuya Ikeda2,
Kenichi Yoshida2, Yoshio Mita1, Shin'ichi Warisawa1
			 20a-P06-10 血流感染症向け迅速多項目遺伝子検出技術の開発〇清水 沙彩 1, 柳川 善光 1, 今井 亮 1, 坂井 友幸 1
1. 株式会社 日立製作所
			 20a-P06-11 唾液のモニタリングに向けた全固体イオン選択電極のマ 〇大関 祥久 1, 山田 哲也 1, 石原 昇 1, 栁田 保子 1, 真柳 1. 東工大未来研 , 2. 東北大歯学口腔生化学 , 3. 東北大国
2, 322
イクロ流路への統合
弦 , 鷲尾 純平 , 高橋 信博
際連携歯学
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A105 会場（Room A105）
9:00		 22a-A105-1 植物病原菌の multiplex PCR 検出における目視判定手法 〇中野 道彦 1, 稲葉 優文 1, 末廣 純也 1
1. 九大シス情の検討
9:15		 22a-A105-2 生体分子の選択的検出に向けたナノ分子鋳型ポリマー粒 〇 (D) 満 又源 1, 西谷 象一 2, 坂田 利弥 1
1. 東大院工 , 2. カリフォルニア大バークレー校
子の創製と電気化学バイオセンサ応用
9:30 奨 E 22a-A105-3 Facile Fabrication of Carbon Electrodes on Flexible〇(D)VirgilChristian Garcia Castillo1, Yasumi Ohta1, 1.NAIST
Subtrate for In Vivo Sensing of Dopamine
Nicha Sato1, Hiroyuki Tashiro1, Hironari Takehara1,
Makito Haruta1, Kiyotaka Sasagawa1, Jun Ohta1
9:45		 22a-A105-4 グラフェン FET を用いた新型コロナウイルスの検出〇山本 佳織 1, 小野 尭生 1, 2, 金井 康 1, 牛場 翔太 3, 宮 1. 阪大産研 , 2.JST さきがけ , 3. 村田製作所 , 4. 京都府立川 成人 3, 品川 歩 3, 谷 晋輔 3, 木村 雅彦 3, 渡邊 洋平 4, 医 , 5. 香川大 , 6. 中部大
中北 愼一 5, 河原 敏男 6, 鈴木 康夫 6, 井上 恒一 1, 松本
和彦 1
10:00
奨 22a-A105-5 Indium Tin Oxide 薄膜をチャネルとする溶液ゲート電界 〇 (M1) 片山 律 1, 坂田 利弥 1
1. 東大院工効果トランジスタの作製方法と電気特性評価
10:15
奨 22a-A105-6 拡張ゲート電界効果トランジスターを用いたクレアチニ 〇 (M1) 道端 涼 1, 牧野 賀成 1, 楯 凱貴 1, 広藤 裕一 1, 1. 大阪工大 ナノ材研
ンセンサーの作製（Ⅱ）
廣芝 伸哉 1, 小池 一歩 1

12.7 医用工学・バイオチップ / Biomedical Engineering and Biochips

12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics

10:30		10:45		 22a-A105-7

休憩 /Break
微小電極を用いた単一細胞インピーダンス解析での細胞 〇 (M1C) 菅原 悠介 1, 宇野 重康 1
1. 立命館大理工
位置依存性
11:00
奨 22a-A105-8 導電性ポリアニリン電極の機能化とインピーダンス角に 〇岸 龍治郎 1, 西谷 象一 2, 坂田 利弥 1
1. 東大院工 , 2. カルフォルニア大バークレー校
よる乳酸の選択的検出
1
1
1
11:15
奨 22a-A105-9 走査型バイオセンシングに向けた電気化学インピーダン 〇 (M2) 栩木 有理沙 , 高橋 青 , 近藤 みずき , 桑原 1. 長岡技科大院工ス測定へのバイポーラ現象の適用
敬司 1
11:30
奨 22a-A105-10 電気化学バイオセンサ応用に向けたナノ多孔質金電極の 〇野口 大河 1, 西谷 象一 2, 坂田 利弥 1
1. 東大院工 , 2. カリフォルニア大バークレー校
作製方法とアンチファウリング特性の評価
1
2
2
11:45
奨 22a-A105-11 塩添加による血清中αシヌクレイン重合体のリポソーム 〇 (M2) 紙谷 虎太郎 , 澤村 正典 , 山門 穂高 , 高橋 1. 京工繊大 , 2. 京都大
固定化センサにおける検出能力向上の検討
悠矢 1, Werner Carl Frederik1, 野田 実 1
9/22(Thu.) 13:00 - 18:45 口頭講演 (Oral Presentation) A105 会場（Room A105）
13:00
招 22p-A105-1 「有機分子・バイオエレクトロニクス分科会論文賞受賞記 〇山本 英明 1
1. 東北大通研
念講演」
マイクロパターン基板を用いた神経回路機能の実細胞再構成
13:30
奨 22p-A105-2 集光フェムト秒レーザーに誘発された神経活動のパッチ 〇瀬川 夕海 1, 増井 恭子 1, 細川 千絵 1
1. 阪公大院理
クランプ計測
1, 2
1, 3
4
5
13:45		 22p-A105-3 高密度多点電極アレイ上への神経細胞回路のパターニン 〇佐藤 有弥 , 山本 英明 , 加藤 秀行 , 谷井 孝至 , 1. 東北大通研 , 2. 東北大院医工 , 3. 東北大院工 , 4. 大分大グと構造機能相関の解析
佐藤 茂雄 1, 3, 平野 愛弓 1, 2, 3, 6
理工 , 5. 早大理工 , 6. 東北大 AIMR
14:00		 22p-A105-4 誘電泳動セルマニピュレータを目的とした電圧可変平面 〇須田 隆夫 1, 小沼 清 2
1. 熊本高専 , 2. 長岡技科大型八重極電極による電界分布の検討
11
1
1
14:15		 22p-A105-5 PDMS 上の心筋細胞と線維芽細胞の共培養下におけるダ 〇小島 快斗 , 長井 新 , 城所 龍 , 野﨑 庄太 , 佐々木 1. 青学大
イナミクス
亜優 1, 守山 裕大 1, 三井 敏之 1
14:30
奨 22p-A105-6 バイオセンサ集積化に向けたマイクロ流体デバイス内の 〇 (M2) 高橋 悠矢 1, 紙谷 虎太郎 1, Werner Carl
1. 京工繊大
流れの検討
Frederik1, 野田 実 1
1, 2
1, 2
2
1, 2, 3
14:45		 22p-A105-7 モジュール間結合に指向性を有する人工神経細胞回路の 〇門間 信明 , 山本 英明 , 守谷 哲 , 平野 愛弓, 1. 東北大院工 , 2. 東北大通研 , 3. 東北大 AIMR
作製と自発活動解析
佐藤 茂雄 1, 2
15:00		休憩 /Break
15:15
奨 22p-A105-8 希少糖脂質ミセル形成がおよぼす細胞毒性についての定 〇齋藤 里花子 1, 加治佐 平 1, 2, シェイク モハメッド 1. 東洋大学際・融合科学研究科 , 2. 徳島大ポスト LED
量的解析
モハメッド 1, 3, 矢野 隆章 2, 中島 義賢 4, 前川 透 1, 3, 水 フォトニクス研究所 , 3. 東洋大学 バイオ・ナノエレク
木 徹 1, 3
トロニクス研究センター, 4. 大阪大学エマージングサイ
エンス R3 センター
15:30		 22p-A105-9 電解質溶液中で機能する生体吸収性電極の作製と評価〇島田 一輝 1, 竹原 宏明 1, 2, 一木 隆範 1, 2
1. 東大工 , 2. ナノ医療イノベーションセンター
15:45
E 22p-A105-10 Measurement of adsorption of CNT-bound peptides on〇 TINGCHIEH CHU1, Huanwen Han1, Yuko
1.Osaka Univ., 2.NAIST
12
2
carbonaceous electrode.
Kitamura , Naofumi Okamto , Masakazu Nakamura ,Ichiro Yamashita1
16:00		 22p-A105-11 光誘起対流による迅速かつ高感度な細菌検出〇渡邊 翔太 1, 3, 本田 杏奈 1, 3, 田村 守 3, Olaf
1. 阪公大院工 , 2. 阪公大院理 , 3. 阪公大 LAC-SYS 研究所 ,Karthaus4, 飯田 琢也 2, 3, 床波 志保 1, 3
4. 千歳科技大1
1
1
16:15		 22p-A105-12 唾液夾雑物質の影響を抑制したマウスガード型グルコー 〇 (M2) 川瀬 源太郎 , 石川 竜也 , 飯谷 健太 , 當麻 1. 医科歯科大 , 2. 芝浦工大 , 3. 東京工科大
1, 2
1, 3
1
スセンサ
浩司 , 荒川 貴博 , 三林 浩二
16:30		 22p-A105-13 酵素カスケード反応を用いたバイオ蛍光式メタノールセ 〇 (M2) 堀口 勇貴 1, 岩崎 芳菜子 1, 飯谷 健太 1, 當麻 1. 医科歯科大 , 2. 芝浦工大 , 3. 東京工科大
ンサの開発
浩司 1, 2, 荒川 貴博 1, 3, 三林 浩二 1
16:45		休憩 /Break
17:00		 22p-A105-14 無線 CMOS カメラを用いたバイオ蛍光法による外耳道経 〇 (M2) 三浦 凜太朗 1, 石川 力 1, 張 耿 1, 飯谷 健太 1, 1. 医科歯科大 , 2. 芝浦工大 , 3. 東京工科大
皮ガス計測
當麻 浩司 1, 2, 荒川 貴博 1, 3, 三林 浩二 1
17:15		 22p-A105-15 機能性多孔質材料およびナノ構造制御酸化物半導体複合 〇 (M2) 山田 侑佳 1, 田畑 仁 1
1. 東大院工型ガスセンサ研究1
17:30 奨 E 22p-A105-16 Breath odor-based Individual Authentication by An〇 (P)Chaiyanut jirayupat Jirayupat , Kazuki
1.The Univ. of Tokyo, 2.JST PRESTO, 3.IMCE, Kyushu
Artificial Olfactory Sensor System and Machine Learning Nagashima1, 2, Takuro Hosomi1, 2, Tsunaki
Univ.
Takahashi1, 2, Wataru Tanaka1, Masaki Kanai3,
Takeshi Yanagida1, 3
17:45
奨 22p-A105-17 混合分子群中のバイオマーカー識別に向けた金属酸化物 〇 (M2) 長田 紳太郎 1, 高橋 綱己 1, 2, 本田 陽翔 1, 伊達 1. 東大工 , 2.JST さきがけ , 3. 慶大理工 , 4. 九大先導研
センサアレイの時空間熱制御
基起 1, 椎木 陽介 3, 細見 拓郎 1, 2, 田中 航 1, 金井 真樹 4,
長島 一樹 1, 2, 石黒 仁揮 3, 柳田 剛 1, 4
18:00
奨 22p-A105-18 生体機能を模したにおいセンシングのための CMOS ガス 〇和田 武 1, 崔 容俊 1, 高橋 一浩 1, 澤田 和明 1, 野田 俊 1. 豊橋技科大センサ基礎特性の検証
彦1
18:15		 22p-A105-19 イオンゲル / 多電極構造を用いたマルチガスセンシング 〇田中 貴久 1, 濱中 悠輔 1, 加藤 太朗 1, 内田 建 1
1. 東大工18:30
奨 22p-A105-20 CMOS 集積回路と CVD 成長グラフェンの接続特性評価 〇光石 幹 1, 横式 康史 1, 德田 崇 1, 永田 駿一郎 2, 渡辺 1. 東京工業大工 , 2. 青山学院大理工
剛志 2, 黄 晋二 2
9/23(Fri.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) A105 会場（Room A105）
9:00
奨 23a-A105-1 環境光駆動 IoT エッジ向け光エナジーハーベスティング 〇竹内 瑞希 1, 深町 賢人 1, 横式 康史 1, 徳田 崇 1
1. 東工大回路の小電流化
9:15
奨 23a-A105-2 0.18 µm 標準 CMOS 回路による生体埋め込みマイクロデ 〇深町 賢人 1, 竹内 瑞希 1, 横式 康史 1, 德田 崇 1
1. 東工大バイス向け光電力伝送回路の評価
9:30 奨 E 23a-A105-3 Functional Circuit Design and Measurement for Optical 〇 (M2)Reyhan Ramadhan1, Kosuke Takamatsu1,
1.Tokyo Tech
Power Transfer-based Biomedical and Internet-of-Things Yasufumi Yokoshiki1, Takashi Tokuda1
Devices
9:45
奨 23a-A105-4 光駆動ウェアラブルセンサ向け RF 送信回路の駆動検証 〇山中 風葵 1, 清水 尭之 1, 横式 康史 1, 德田 崇 1
1. 東工大工
10:00
奨 23a-A105-5 CMOS 制御光駆動による超小型連続血糖測定センサ〇清水 尭之 1, 深町 賢人 1, 横式 康史 1, 德田 崇 1
1. 東工大1
1
1
10:15
奨 23a-A105-6 分散型光電気 BMI デバイス向け 0.18 μ m CMOS チップ 〇高松 洸佑 , 横式 康史 , 徳田 崇
1. 東工大の評価
10:30		休憩 /Break10:45
奨 23a-A105-7 人工網膜の高性能化に向けた三次元積層人工網膜チップ 〇大西 青葉 1, 番場 崚太郎 1, 田中 文悟 1, 岸本 凌平 2, 1. 東北大院医工 , 2. 東北大院工の作製
木野 久志 1, 福島 誉史 1, 2, 田中 徹 1, 2
11:00
奨 23a-A105-8 人工視覚用 CMOS スマート電極搭載フレキシブルアレイ 〇萩原 隆仁 1, 潘 愷鴿 1, 春田 牧人 1, 高野 拓郎 2, 中野 1. 奈良先端大 , 2. 株式会社ニデック , 3. 九州大学
デバイスの in vivo 機能検証
由香梨 2, 寺澤 靖雄 2, 竹原 浩成 1, 田代 洋行 1, 3, 笹川清隆 1, 太田 淳 1
11:15
奨 23a-A105-9 高 QOL 人工視覚チップのための明暗順応機能の設計と 〇 (D) 中村 皓平 1, 梁 耀淦 1, 杜 邦 1, 王 勝瑋 1, 有賀 優 1. 東北大院工 , 2. 東北大院医工 , 3. 長崎総科大評価
太 1, 井上 文太 1, 木野 久志 2, 福島 誉史 1, 清山 浩司 3,
田中 徹 2
11:30
奨 23a-A105-10 波長情報を可視化するフィルタフリー波長センサのアレ 〇井出 智也 1, 崔 容俊 1, 仲野 翔 1, 坂江 亜弥 1, 松原 稜 1. 豊橋技科大イ化に向けた製作と実証
弥 1, 木村 安行 1, 飛沢 健 1, 高橋 一浩 1, 石井 仁 1, 野田
俊彦 1, 澤田 和明 1
11:45
奨 23a-A105-11 PVC 膜型非標識カリウムイオンイメージセンサの開発と 〇土井 英生 1, 堀尾 智子 1, Parajuli Bijay2, 繁冨 英治 2, 1. 豊橋技科大 , 2. 山梨大学
急性脳スライス標本を用いた細胞外応答の時空間イメー 篠﨑 陽一 2, 崔 容俊 1, 服部 敏明 1, 高橋 一浩 1, 野田 俊
ジング
彦 1, 小泉 修一 2, 澤田 和明 1

【CS.10】12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェア / Code-sharing Session of 12.6 & 12.7
12:00

13 半導体 / Semiconductors

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
13.1 Si 系基礎物性・表面界面・シミュレーション / Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials
9/20(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20a-P07-1
湿式法による Si(111) 表面の原子ステップに沿ったナノ 〇竹内 鉄朗 1, 馬 智達 1, 橋本 龍人 1, 孫 栄硯 1, 山村 和 1. 大阪大学
溝構造の形成と制御
也 1, 有馬 健太 1
			 20a-P07-2
二次元半導体を用いたトンネル電界効果トランジスタの 〇山口 航輔 1, 相馬 聡文 1
1. 神戸大院工ための低計算負荷シミュレーションモデルの開発及び回路シミュレーションとの連携
			 20a-P07-3
ナノワイヤ p-n 接合構造におけるポアソン方程式の数値 〇松尾 信吾 1, 相馬 聡文 1
1. 神戸大院工解法のためのゲート型量子コンピューティングアルゴリ
ズムの提案
9/21(Wed.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) C206 会場（Room C206）
9:00		 21a-C206-1 壁面排出孔によるシリコンウエハ湿式洗浄槽の水流単純 土田 透子 1, 高橋 俊範 1, 〇羽深 等 1, 後藤 昭広 2
1. 横国大院理工 , 2. プレテック
化
9:15
奨 21a-C206-2 マイクロコンタクトプリンティングを併用したシリコン 〇窪田 航 1, 山岡 遼也 1, 宇都宮 徹 1, 一井 崇 1, 杉村 博 1. 京大院工の気相中酸化グラフェンアシストエッチング之1

13 半導体 / Semiconductors

奨 23a-A105-12 非拘束自由行動実験に向けた in vivo イメージングシステ 〇 (M2) 間所 麻衣 1, 堀内 浩 2, 小林 知子 2, 木村 安行 1, 1. 豊橋技術科学大学 , 2. 生理学研究所
ムの構築と実証堀尾 智子 1, 土井 英夫 1, 崔 容俊 1, 高橋 一浩 1, 野田 俊
彦 1, 鍋倉 淳一 2, 澤田 和明 1
12:15
奨 23a-A105-13 腹側被蓋野内の 2 領域の神経活動の蛍光イメージングの 〇藤田 敦士 1, Castillo Virgil Christian1, Rebusi
1. 奈良先端大同時計測
Romeo Brioso1, 太田 安美 1, 河原 麻実子 1, 竹原 浩
1
1
1
1
1
成 , 春田 牧人 , 田代 洋行 , 笹川 清隆 , 太田 淳
9/23(Fri.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) A105 会場（Room A105）
13:30
奨 23p-A105-1 長時間計測が可能な植物体内イオンイメージングシステ 〇吉田 太一 1, 松下 優介 1, 泉保 賢汰 1, 坂口 直己 1, 戸 1. 豊橋技科大ムの構築
田 清太郎 1, 高山 弘太郎 1, 崔 容俊 1, 高橋 一浩 1, 澤田
和明 1, 野田 俊彦 1
13:45
奨 23p-A105-2 無線給電式薄膜状発光デバイスの開発と局所的光増感作 〇 (D) 齋藤 優人 1, 野本 貴大 2, 横式 康史 3, 徳田 崇 3, 1. 東工大生命理工 , 2. 東工大化生研 , 3. 東工大工用の検証
藤枝 俊宣 1
14:00
奨 23p-A105-3 脳皮質電位記録と刺激のためのフレキシブル薄膜電極の 〇今井 綾乃 1, 古林 捷 1, 高橋 俊太 1, 水野 陽介 1, 宮下 1. 東工大生命理工開発
英三 1, 藤枝 俊宣 1
14:15
奨 23p-A105-4 低損傷マウス長期脳計測のためのフローティング 5 µm
〇山下 幸司 1, 澤畑 博人 2, 山際 翔太 1, 横山 翔平 3, 沼 1. 豊橋技術科学大学 , 2. 茨城工業高等専門学校 , 3. テク
直径ニードル電極
野 利佳 1, 鯉田 孝和 1, 河野 剛士 1
ノプロ R&D
14:30		 23p-A105-5 Si マイクロニードル電極のマウス脊髄後角ニューロン計 〇清水 快季 1
1. 豊橋技科大
測への応用
1
1
2
1
14:45		 23p-A105-6 フレキシブル基板マイクロニードル電極による低組織損 〇坂本 兼盛 , 山下 幸司 , 鈴木 巧 , 沼野 利佳 , 鯉田 1. 豊橋技科大 , 2. テクノプロ R&D
傷ニューロン計測
孝和 1, 河野 剛士 1
15:00		 23p-A105-7 フレキシブル心電図センサとリザバー解析による咳検知 〇松村 紅怜 1, 本田 智子 1, 有江 隆之 1, 秋田 成司 1, 中 1. 大阪公大 , 2. 東大システムの開発
嶋 浩平 2, 竹井 邦晴 1
15:15		休憩 /Break
15:30
E 23p-A105-8 A breathable and stretchable sensor sheet design for〇 (D)YAN XUAN1, Hyuga Hara1, Satoko Honda1,
1.Osaka Metropolitan Univ.
wearable device
Yanpeng Li1, Takayuki Arie1, Seiji Akita1, Kuniharu
Takei1
15:45		 23p-A105-9 蛍光発光の偏光解析によるバイオチップ内の温度測定〇山口 玲輔 1, 栗原 慧 1, 市川 賀康 1, 元祐 昌廣 1
1. 東理大16:00		 23p-A105-10 光圧による生細菌集積法の開発〇光木 遥平 1, 3, 本田 杏奈 1, 3, 勝間田 麻美 2, 3, 飯田 琢 1. 阪公大院工 , 2. 阪公大院理 , 3. 阪府大 LAC-SYS 研
也 1, 3, 床波 志保 2, 3
（RILACS）
16:15
奨 23p-A105-11 経爪型集積化光電容積脈波計測システムにおけるスイッ 〇井上 文太 1, 梁 耀淦 1, 杜 邦 1, 中村 皓平 1, 王 勝瑋 1, 1. 東北大院工 , 2. 東北大院医工 , 3. 長崎総科大チドキャパシタ CDS 型バックグラウンドノイズキャンセ 有賀 優太 1, 木野 久志 2, 福島 誉史 2, 清山 浩司 3, 田中ル回路
徹 1, 2
16:30
奨 23p-A105-12 臓器治療用 UCNP ディスクデバイスのための UC 発光強 〇 (M2) 鈴木 志門 1, 木野 久志 2, 福島 誉史 1, 田中
1. 東北大学院工 , 2. 東北大学院医工度評価
徹 1, 2
16:45
奨 23p-A105-13 高精細スマートスキンディスプレイ用微小ピクセル回路 〇 (M2) 有賀 優太 1, 杜 邦 1, 梁 耀淦 1, 中村 浩平 1, 王 1. 東北大学院工 , 2. 東北大学院医工 , 3. 長崎総合科学大の開発
勝瑋 1, 井上 文太 1, 木野 久志 2, 福島 誉史 1, 清山 浩
院工司 3, 田中 徹 1, 2
【CS.10】12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェア / Code-sharing Session of 12.6 & 12.7
9/21(Wed.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) A200 会場（Room A200）
9:00		 21a-A200-1 比色型プラズモニックセンサによる神経特異エノラーゼ 並原 慎之輔 1, 梶川 浩太郎 1, 〇當麻 真奈 1
1. 東工大工の検出
9:15
奨 21a-A200-2 Fano 共鳴を用いた高感度表面プラズモンセンサー〇石津 知哲 1, 櫻井 一輝 2, 田中 宏知 2, 3, 石飛 秀
1. 阪大院生命機能 , 2. 阪大院工 , 3. 阪大 OIL, 4.MAScIR,
和 1, 2, 3, Sekkat Zouheir4, 5, 井上 康志 1, 2, 3
5.Mohammed V Univ.
9:30		 21a-A200-3 治療薬物バンコマイシンの血中濃度モニタリングのため 〇田口 結彩 1, 里村 結衣 1, 飯谷 健太 1, 當麻 浩司 1, 2, 1. 医科歯科大 , 2. 芝浦工大 , 3. 東京工科大
1, 3
1の表面プラズモンアプタセンサの開発
荒川 貴博 , 三林 浩二
9:45		 21a-A200-4 新型コロナウイルス N タンパク抗原のデュアル光コム・ 宮村 祥吾 1, 麻植 凌 1, 仲原 拓弥 1, 岡田 昇太 1, 加治佐 1. 徳島大 pLED, 2. 東洋大 , 3. 高知工科大 , 4. 徳島大院医バイオセンシング
平 1, 2, 時実 悠 1, 南川 丈夫 1, 矢野 隆章 1, 田上 周路 3, 歯薬
大塚 邦紘 1, 4, 坂根 亜由子 1, 4, 佐々木 卓也 1, 4, 安友 康
二 1, 4, 〇安井 武史 1
10:00		 21a-A200-5 多粒子格納デジタルアッセイによる超高感度ウイルス検 〇芦葉 裕樹 1, 安浦 雅人 1, 福田 隆史 1, 藤巻 真 1
1. 産総研出
10:15		 21a-A200-6 グラフェン FET を用いたヘマグルチニン検出における〇 (M1) 中村 日向子 1, 生田 昂 1, 北川 雄大 1, 塚越 か 1. 農工大工
DNA アプタマーの立体構造依存性
おり 1, 池袋 一典 1, 前橋 兼三 1
10:30		 21a-A200-7 酵素固相化基板投入型 FET イムノアッセイの動作検証〇宮川 成人 1, 牛場 翔太 1, 品川 歩 1, 中野 友美 1, 谷 晋 1.（株）村田製作所 , 2. 阪大産研 , 3.JST さきがけ
輔 1, 小野 尭生 2, 3, 金井 康 2, 松本 和彦 2
10:45		休憩 /Break11:00
招 21a-A200-8 「講演奨励賞受賞記念講演」〇檜森 匠吾 1, 坂田 利弥 1
1. 東大院工
自律移動型バイオセンサに向けた酵素駆動ゲルモータのワイヤレスセンシング
11:15		 21a-A200-9 電気化学的手法による低分子バイオマーカーの選択的検 〇 (M2) 中島 重良 1, 檜森 匠吾 1, 坂田 利弥 1
1. 東大院工出に向けたアプタマーナノフィルター界面の設計・創製
1
1
1
1
11:30		 21a-A200-10 ナノポア計測における電極界面抵抗の影響〇筒井 真楠 , Iat Wai Leong , 岸本 匠平 , 谷口 正輝 1. 阪大産研
11:45		 21a-A200-11 CNT を混合した自立型脂質二分子膜で観測される交流イ 〇平松 大樹 1, 佐藤 陸 1, 守屋 雅隆 1, 島田 宏 1, 但木 大 1. 電通大 , 2. 東北大
ンピーダンス繰り返し増減の等価回路解析
介 2, 平野 愛弓 2, 水柿 義直 1
12:00		 21a-A200-12 自己組織化ペプチドが担持する補因子による電気化学的 Luo Wei1, Chen Chen1, 本間 千柊 1, Zozulia Oleksii2, 1. 東工大・物質理工 , 2. シラキュース大
触媒反応
Korendovych Ivan2, 〇早水 裕平 1
12:15
E 21a-A200-13 Measurement of Anomalous Charge Transfer〇 Huanwen Han1, Ting-Chieh Chu1, Yuri Shimizu1, 1.Osaka Univ.
Enhancement by Ru Complex Ion in the EIS for dsDNA Ichiro Yamashita1
Detection

13.2 探索的材料物性・基礎物性 / Exploratory Materials, Physical Properties, Devices
9:30		 21a-C206-3

ナノスケール領域のウェットエッチング現象におけるイ
オン拡散・水和挙動の影響
9:45		 21a-C206-4 pH 変化による極微量金属のウエーハ付着挙動
10:00		 21a-C206-5 制御した水分子吸着の履歴を持つ GeO2/Ge 型 MOS 構造の作製と評価10:15		 21a-C206-6 高温短時間熱処理による極薄 SiO2 上に形成した a-Si 膜の結晶化
10:30		休憩 /Break
10:45		 21a-C206-7 乱れた InP 量子ドットのエネルギー分布解析
11:00		 21a-C206-8 Ru 配線の原子論的輸送計算に向けた反応力場構築
11:15
奨 21a-C206-9 SiC 結晶表面におけるステップ・テラス構造による電子散乱の理論解析
11:30		 21a-C206-10 MOS 界面電荷クーロン遮蔽のシミュレーション〇 Lim JIN HYONG1, 森 伸也 1
〇田中 貴久 1, 内田 建 1〇内海 慶祐 1, 田中 一 1, 森 伸也 1

1. 阪大院工1. 東大工1. 阪大院工〇福田 浩一 1, 岡 博史 1, 服部 淳一 1, 浅井 栄大 1, 飯塚 1. 産総研

将太 1, 太田 裕之 1, 森 貴洋 1
奨 21a-C206-11 リカレントニューラルネットワークを用いたランダム不 〇小林 祐貴 1, 原田 和輝 1, 伊藤 佳卓 1, 須子 統太 2, 村 1. 北科大工 , 2. 早大
純物分布を有するナノワイヤ中での電子密度分布の時間 口 正和 1
発展予測モデル
12:00
奨 21a-C206-12 フォノン散乱により生じるテール状態の輸送特性の非平 〇田中 一 1, 森 伸也 1
1. 阪大院工
衡グリーン関数解析
12:15		 21a-C206-13 Si と Ge のナノシートを用いた相補型電界効果トランジス 〇服部 淳一 1, 福田 浩一 1, 池上 努 1, 張 文馨 1
1. 産総研タの温度依存性
13.2 探索的材料物性・基礎物性 / Exploratory Materials, Physical Properties, Devices
9/20(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20a-P08-1
パルスレーザー堆積法を用いて作製した CrSi2 薄膜の光 〇 (M2) 田崎 海地 1, 林 慶 1, 髙松 智寿 1, 李 敬鋒 1, 2, 宮 1. 東北大院工 , 2. 清華大学特性
﨑 讓1
			 20a-P08-2(FA)PbI3 に対するチオシアン酸アニオンの置換効果〇 (D) 大見 拓也 1, 西久保 匠 2, 1, 東 正樹 1, 2, 山本 隆 1. 東工大 フロンティア研 , 2. 神奈川産技総研
文1
9/23(Fri.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C101 会場（Room C101）
9:00		 23a-C101-1 BaSi2 膜へのポストアニールの条件最適化〇成田 隼翼 1, 青貫 翔 1, 高柳 香織 1, 都甲 薫 1, 末益
1. 筑波大崇1
9:15
奨 23a-C101-2 熱電素子応用に向けた Si3N4 絶縁膜上 BaSi2 膜の作製およ 〇木戸 一輝 1, 長谷部 隼 1, 幸田 陽一朗 2, 召田 雅実 2, 1. 筑波大学 , 2. 東ソー株式会社び評価
都甲 薫 1, 末益 崇 1
9:30
E 23a-C101-3 Synthesis of Fe-silicides from Fe and CaSi2 powders in
Jilani Ansari1, Fumio Komeda1, Yosuke Shimura1, 2,
1.Grad. Sch. Integr. Sci. & Technol. Shizuoka Univ.,
NaCl molten salt
〇 Hirokazu Tatsuoka1
2.RIE, Shizuoka Univ.
9:45		 23a-C101-4 真空蒸着法により作製した BaSi2 膜におけるクラックの 〇西野 克志 1, 森 俊之輔 1, 山下 颯乃佳 1, 于 京芳 1
1. 徳島大理工低減および厚膜化の試み
1
1
1
2
10:00		 23a-C101-5 スパッタ法による高ホール密度 p 型 B-doped BaSi2 膜の作 〇長谷部 隼 , 木戸 一輝 , 竹中 晴紀 , 召田 雅実 , 都 1. 筑波大学 , 2. 東ソー株式会社
製
甲 薫 1, 末益 崇 1
10:15		 23a-C101-6 BaSi2 中膜の特性に対する酸素の影響〇岩井 藍 1, 青貫 翔 1, 成田 隼翼 1, 髙柳 香織 1, 都甲
1. 筑波大学
薫 1, 末益 崇 1
10:30		休憩 /Break
10:45		 23a-C101-7 SiO2/ β -FeSi2/SiO2 積層構造における 1.5 μ m 発光の評 〇吉原 怜 1, 大石 結也 1, 寺井 慶和 1
1. 九工大情報工価
11:00		 23a-C101-8 Si/ β -(Fe1-xRux)Si2/Si 積層構造における 1.5 µm 発光強度 〇大石 結也 1, 吉原 怜 1, 寺井 慶和 1
1. 九工大情報工の温度依存性1
1
1
1
11:15		 23a-C101-9 BaSi2 太陽電池における Zn1-xGexOy 界面層の堆積条件が及 〇高柳 香織 , 山下 雄大 , 都甲 薫 , 末益 崇
1. 筑波大学
ぼす影響
11:30		 23a-C101-10 ガラス基板上 p-NiO/n-BaSi2 ヘテロ接合型太陽電池の作 〇竹中 晴紀 1, 長谷部 隼 1, 木戸 一輝 1, 召田 雅実 2, 都 1. 筑波大学 , 2. 東ソー株式会社
製と特性評価甲 薫 1, 末益 崇 1
11:45		 23a-C101-11 Ni/Mg2Si ショットキーダイオードの J-V, C-V 特性の温度 〇千葉 諒 1, 鵜殿 治彦 1
1. 茨城大院
依存性
12:00		 23a-C101-12 表面及び裏面入射型 Mg2Si フォトダイオードの受光感度 〇中村 陸斗 1, 津谷 大樹 2, 吉田 美沙 2, 鵜殿 治彦 1
1. 茨城大院 , 2.NIMSの評価
9/23(Fri.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) C101 会場（Room C101）
13:45		 23p-C101-1 薄膜太陽電池材料 BaSi2 の電子状態〇今井 基晴 1
1. 物材機構
14:00
E 23p-C101-2 Study of discriminating between boron related defects in 〇 (D)Yuguang Cao1, 2, Jean-Marie Mouesca2, Serge 1.Tsukuba Univ., 2.Grenoble Alpes Univ., CNRS, CEA,BaSi2 by density functional theory approach
Gambarelli2, Takashi Suemasu1
INAC-SyMMES
14:15
E 23p-C101-3 Structural design of high-efficiency BaSi2 solar cells using 〇 (DC)Rui Du1, Sho Aonuki1, Hayato Hasebe1,
1.Tsukuba Univ., 2.Tosoh Corp.
1
1
2
ETL and HTL
Kazuki Kido , Haruki Takenaka , Masami Mesuda ,Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1
14:30
奨 23p-C101-4 B-ion-implanted p-BaSi2 膜の伝導型制御および太陽電池 〇青貫 翔 1, 都甲 薫 1, 末益 崇 1
1. 筑波大応用
1
1
2
14:45		 23p-C101-5 多結晶 Mg2Si 組織の結晶粒成長挙動の解析〇弟子丸 拓巳 , 山腰 健太 , 沓掛 健太朗 , 小島 拓
1. 名大院工 , 2. 理研 AIP, 3. 名大院情報 , 4. 茨城大院理工人 3, 梅原 翼 4, 鵜殿 治彦 4, 宇佐美 徳隆 1
15:00		 23p-C101-6 Si 濃度 55 at.% 以上での Sr-Si 系の相関係〇今井 基晴 1
1. 物材機構
15:15		休憩 /Break1
2
3
15:30		 23p-C101-7 NaAlGe 単結晶の合成と物性特性評価〇山田 高広 , 平井 大悟郎 , 小口 多美夫 , 山根 久
1. 東北大多元研 , 2. 名大工 , 3. 阪大 CSRN, 4. 東大物性研
典 1, 広井 善二 4
15:45 奨 E 23p-C101-8 Optical and Electronic Properties of the Type II Ge〇 Rahul Kumar1, Shiori Kurita2, Tun Naing Aye2,
1.National Inst. of Technology, Gifu College, 2.Graduate
Clathrate Film and Effects of Si/Al Doping
Tamio Iida1, Hitoe Habuchi1, Fumitaka Ohashi3,
School of Natural Science and Technology, Gifu Univ.,
Himanshu S. Jha3, Tetsuji Kume2, 3
3.Faculty of Engineering, Gifu Univ.
1
1
2
3
16:00
奨 23p-C101-9 2 層カーボンコンポジット高熱伝導材による GaN デバイ 〇大崎 賢司 , 齊藤 裕人 , 田中 敦之 , 須賀 唯知 , 竹 1. 名古屋工業大学 , 2. 名古屋大学 , 3. 明星大学
スの低熱抵抗化内 魁 3, 分島 彰男 1
16:15
奨 23p-C101-10 Zn 置換による CuI のホール濃度低下とそのメカニズム〇辻 昌武 1, 飯村 壮史 1, 2, 3, 金 正煥 1, 3, 細野 秀雄 1, 2
1. 東工大 元素戦略研 , 2.NIMS, 3. さきがけ
16:30		 23p-C101-11 高い正孔移動度を持つゲルマナン薄膜の輸送特性〇 (M2) 小林 大輝 1, 片山 裕美子 1, 安武 裕輔 1, 深津 1. 東大院総合1
1
晋 , 上野 和紀
16:45
奨 23p-C101-12 X 線逆格子マッピングによる不純物ドープ GaAsN の評価 〇井上 洸 1, 角田 拓優 1, 塚崎 貴司 1, 藤田 実樹 2, 牧本 1. 早大理工 , 2. 一関高専
俊樹 1
13.3 絶縁膜技術 / Insulator technology
9/23(Fri.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 23a-P04-1
Si3N4 膜と SiO2 膜中のハロゲンイオンの安定位置での生 〇奥 友希 1, 戸塚 正裕 1, 佐々木 肇 1
1. 三菱電機成エネルギー			 23a-P04-2
FT-IR 微分スペクトルによる低温酸化 Si 膜中の残留 OH 〇普 迪 1, 堀田 將 1
1. 北陸先端大
基量の評価
11:45

13 半導体 / Semiconductors〇塙 洋祐 1, 上田 大 1, 春本 晶子 1, 田邉 一郎 2, 福井 賢 1.SCREEN ホールディングス , 2. 立教大学理学部化学一3
科 , 3. 大阪大学大学院基礎工〇中津 正人 1
1. ユナイテッドセミコンダクタージャパン ( 株 )〇 (M1) 佐野 修斗 1, 和田 陽平 1, 川合 健太郎 1, 孫 栄 1. 阪大院工硯 1, 山村 和也 1, 有馬 健太 1
〇 (D) 今井 友貴 1, 牧原 克典 1, 田岡 紀之 1, 大田 晃
1. 名大院工
生 1, 宮﨑 誠一 1

【CS.7】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
9/23(Fri.) 13:15 - 17:00
13:15		 23p-C102-1

口頭講演 (Oral Presentation) C102 会場（Room C102）
低加速・単色化 STEM を用いた価電子 EELS によるβ
〇浅野 孝典 1, 手面 学 1, 齋藤 真澄 1, 田中 洋毅 1, 吉川 1. キオクシア , 2.NIMS-Si3N4 中のサブギャップ励起のナノスケール分布観察
純 2, 木本 浩司 2
13:30		 23p-C102-2 LPCVD SiN 膜の絶縁破壊特性に及ぼす下地 Si アニール 〇宮川 勇人 1, 文谷 公亮 1, 栗田 久嗣 2, 中村 真貴 2, 神 1. 香川大創造工 , 2. ローム浜松 , 3.EBLの影響
垣 良昭 3
13:45		 23p-C102-3 MONOS 型不揮発性メモリ素子の電荷捕獲膜に注入され 〇松本 明莉 1, 小林 清輝 1
1. 東海大院工
た電子と正孔のチャージセントロイドの決定（Ⅲ）
14:00
奨 23p-C102-4 フッ化グラフェンを用いた不揮発性メモリの電荷捕獲特 〇 (M1) 川島 理乃 1, 野平 博司 1, 石川 亮佑 1, 三谷 祐 1. 東京都市大学
性一郎 1
14:15		 23p-C102-5 硬 X 線光電子分光法を用いた SiO2/TiOx/HfO2 MIM 構造 〇桐原 芳治 1, 伊藤 俊一 1, 保井 晃 2, 宮田 典幸 3, 野平 1. 都市大 , 2. 高輝度光科学研究センター, 3. 産総研
における界面ダイポール変調の発生位置の特定
博司 1
14:30		 23p-C102-6 硬 X 線光電子分光法を用いた Al2O3/TiOx/SiO2 MOS 構造 〇桐原 芳治 1, 伊藤 俊一 1, 保井 晃 2, 宮田 典幸 3, 野平 1. 都市大 , 2. 高輝度光科学研究センター, 3. 産総研
における界面ダイポール変調起源の解明
博司 1
14:45
奨 23p-C102-7 ペロブスカイト酸化物界面におけるダイポール層 LaAlO3 〇田村 敦史 1, 喜多 浩之 1, 2
1. 東大院工 , 2. 東大院新領域の原子層積層順序とダイポール方向の相関の水平力顕微鏡による検証
15:00		休憩 /Break
15:15		 23p-C102-8 高純度オゾンを用いた ALD による Al2O3 膜の膜応力〇萩原 崇之 1, 元田 総一郎 1, 亀田 直人 1, 中村 健 2, 野 1. 明電 NPI, 2. 産総研
中 秀彦 2
15:30
E 23p-C102-9 (100) and (111) n-Ge/ GeOx/ Al2O3 MOS Interface〇 Xueyang Han1, Chia Tsong Chen1, Mengnan Ke2, 1.Univ. Tokyo, 2.Chiba Univ.
Properties with Different Annealing Temperature andZiqiang Zhao1, Kasidit Toprasertpong1, Mitsuru
Atmosphere
Takenaka1, Shinichi Takagi1
15:45		 23p-C102-10 GeO2 膜質及び GeO2/Ge 界面特性改善に有効な PMA 金 〇結解 あかり 1, 菅野 航太 1, 松浦 空吾 1, 岩崎 好孝 1, 1. 農工大院工属種の検討
上野 智雄 1
16:00		 23p-C102-11 GeO2/Ge 界面における Post Metallization Annealing の導 〇松浦 空吾 1, 菅野 航太 1, 結解 あかり 1, 岩崎 好孝 1, 1. 農工大院工入
上野 智雄 1
16:15		 23p-C102-12 2 段階酸化による GeO2 膜の作製と評価〇斉藤 基 1, 土屋 雄太 1, 岩崎 好孝 1, 上野 智雄 1
1. 農工大院工16:30		 23p-C102-13 GeO2 膜の耐水性についての検証〇澁谷 岳人 1, 石塚 啓太 1, 岩崎 好孝 1, 上野 智雄 1
1. 農工大院工16:45		 23p-C102-14 化学溶液を用いた Si 基盤の低温酸化の検討〇高橋 陽輝 1, 清水 玄 1, 岩崎 好孝 1, 上野 智雄 1
1. 農工大院工【CS.7】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
13:30 奨 E 22p-A307-1 A Vertical Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET 〇 Zhuo Li1, Jixuan Wu1, Xiaoran Mei1, Xingyu
1.IIS., Univ. of Tokyo, 2.NAIST, 3.d.lab, Univ. of Tokyo
with ALD InOx
Huang1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1,
Takanori Takahashi2, Mutsunori Uenuma2, Yukiharu
13:45		 22p-A307-2

Uraoka2, Masaharu Kobayashi1, 3
Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density 〇李 卓 1, 武 继璇 1, 梅 潇然 1, 黄 星宇 1, 更屋 拓哉 1, 平 1. 東大生産研 , 2. 奈良先端 , 3. 東大システムデザインセ
Memory本 俊朗 1, 髙橋 崇典 2, 上沼 睦典 2, 浦岡 行治 2, 小林 正 ンター

治 1, 3異なる酸化剤を用いた原子層堆積法により作製した強誘 〇 (P) 女屋 崇 1, 2, 3, 生田目 俊秀 2, 長田 貴弘 2, 上田 茂 1. 産総研 , 2. 物材機構 , 3. 学振 PD, 4.UT Dallas, 5.
電体 HfxZr1 − xO2/TiN の構造評価
典 2, Jung Yong Chan4, Hernandez-Arriaga Heber4,
Brookhaven Nat. Lab., 6. 東大Mohan Jaidah4, Kim Jiyoung4, Nam Chang-Yong5,
Tsai Esther H. R.5, 喜多 浩之 6, 右田 真司 1, 太田 裕
之 1, 森田 行則 1
14:15		 22p-A307-4 HfO2-ZrO2 Laminate 構造が強誘電相生成をアシストする 〇右田 真司 1, 森田 行則 1, 浅沼 周太郎 1, 太田 裕之 1, 1. 産総研
メカニズム齊藤 雄太 1
14:30		 22p-A307-5 強誘電体キャパシタを用いた “負性容量” に関する考察 〇鳥海 明 1, 右田 真司 2
1. 自由業 , 2. 産総研
14:45		 22p-A307-6 “負性容量” を利用した FET の S ファクタ改善に関する考 〇鳥海 明 1, 右田 真司 2
1. 自由業 , 2. 産総研
察
1
1
1
15:00		 22p-A307-7 スパッタリング時の圧力による AlScN 膜への影響〇 (B) 時田 幸村 , Tsai Sung-Lin , 星井 拓也 , 若林 1. 東工大工 , 2. 東工大科技創研
整 1, 筒井 一生 2, 角嶋 邦之 1
15:15		休憩 /Break
15:30		 22p-A307-8 強誘電性ノンドープ HfO2 薄膜形成における界面層厚の 〇田沼 将一 1, Joong-Won Shin1, 大見 俊一郎 1
1. 東工大院工低減と MFSFET の動作特性に関する検討
1
1
1
1
15:45		 22p-A307-9 強誘電性 HfNx 薄膜の形成と MFSFET の動作特性に関す 〇井出 明徳 , 田沼 将一 , 井原 爽生 , 大見 俊一郎
1. 東工大院工る検討
16:00 奨 E 22p-A307-10 Investigation of the etching process for Pt gate electrode 〇 (DC)JoongWon Shin1, Masakazu Tanuma1,1.Tokyo Inst. of Technol.
on the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped
Shun-ichiro Ohmi1
HfO2 thin films
16:15 奨 E 22p-A307-11 Demonstration of Ferroelectricity of 10 nm YHO7 Thin
〇 (D)ZHONGZHENG SUN1, Shurong Miao1,
1.Tokyo Tech
Film through Piezoelectric Force Microscopy
Hiroshi Funakubo1, Yutaka Majima1
16:30
奨 22p-A307-12 HfO2-CeO2 膜の強誘電性の膜厚依存性〇平井 浩司 1, 白石 貴久 1, 2, 山岡 和希子 3, 鶴丸 理沙 1. 東工大 , 2. 熊本大 , 3.TDK 株式会社
子 3, 井上 ゆか梨 3, 舟窪 浩 1
16:45		 22p-A307-13 アモルファス Hf1-xZrxO2/Si(001) の熱処理に伴う結晶化 〇高瀬 慶人 1, 藤尾 亮汰 1, 石丸 学 1, 右田 真司 2, 内田 1. 九工大 , 2. 産総研
と結晶構造
紀行 2
17:00		 22p-A307-14 正圧電応答顕微鏡法による HfO2 薄膜の分極ドメイン構 〇萩原 拓永 1, トープラサートポン カシディット 2, 1. 阪公大院工 , 2. 東大院工造の観察 Ⅱ高木 信一 2, 藤村 紀文 1, 吉村 武 1
17:15		 22p-A307-15 HfO2 系強誘電体キャパシタにおける絶縁破壊過程の非破 〇藤原 弘和 1, 糸矢 祐喜 2, 小林 正治 3, Bareille
1. 東大物性研 , 2. 東大生産研 , 3. 東大 d.lab, 4. 東大新領
壊観察 : オペランドレーザー励起光電子顕微鏡
Cédric4, 5, 辛 埴 5, 6, 谷内 敏之 4, 5
域 , 5. 東大 MIRC, 6. 東大特別教授室
17:30		 22p-A307-16 ITO 上部電極の堆積が (Hf,Zr)O ₂薄膜の結晶化へ及ぼす 〇 (M2) 尾内 惇平 1, 藤沢 浩訓 1, 中嶋 誠二 1
1. 兵庫県立大工影響
1
1
17:45		 22p-A307-17 アニール時電界印加が Hf0.5Zr0.5O2 強誘電体薄膜に与える 〇 (M1) 田中 将 , 野田 実
1. 京工繊大影響
13.4 Si 系プロセス・Si 系薄膜・MEMS・装置技術 / Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology
9/20(Tue.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A406 会場（Room A406）
9:00		 20a-A406-1 Fe シリサイドドットの室温 PL 特性―ドットサイズ依存 〇斎藤 陽斗 1, 牧原 克典 1, 田岡 紀之 1, 大田 晃生 1, 宮 1. 名大院工性﨑 誠一 1
9:15
E 20a-A406-2 Dissociation Reaction of Si2Cl6 on Si(100): the Scanning 〇 Leonid Bolotov1, Hidetoshi Mimura2, Yunosuke
1.AIST-DTech, 2.Kokusai Elec. Co.
Tunneling Spectroscopy Study
Sakai2, Tetsuo Yamamoto2, Takafumi Sasaki2,
Noriyuki Uchida1
9:30		 20a-A406-3 機械学習によるクロロシラン系プリカーサ分子の Si 表面 〇三村 英俊 1, Leonid Bolotov2, 坂井 佑之輔 1, 山本
1.( 株 )KOKUSAI ELECTRIC, 2. 産総研デバイス技術研
反応の分類
哲夫 1, 佐々木 隆史 1, 内田 紀行 2
9:45		 20a-A406-4 パラジウムによる非晶質シリコンの金属誘起結晶化メカ 〇早川 紘生 1, 星野 健 1, 森 勇介 1, 越智 孝光 1, 永井 圭 1. キオクシア
ニズム
希 1, 藤原 実 1
10:00		 20a-A406-5 CW レーザー結晶化 Si 薄膜上発生ピットの評価〇 (M2) 高山 智之 1, 佐々木 伸夫 1, 2, 浦岡 行治 1
1. 奈良先端大 , 2.Sasaki Consulting
10:15		休憩 /Break
10:30		 20a-A406-6 低温スパッタ SiO2 ゲート絶縁膜を用いた FD-SOI〇葉 文昌 1, 大矢 雅人 1, 曲 勇作 1
1. 島根大MOSFET の特性
14:00		 22p-A307-3

13 半導体 / Semiconductors

13.5 デバイス／配線／集積化技術 / Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

13 半導体 / Semiconductors

10:45		 20a-A406-7

ガラス基板上の多結晶シリコンゲルマニウム薄膜トラン 〇佐川 達哉 1, 楠 浩太朗 1, 原 明人 1
1. 東北学院大工ジスタの特性11:00		 20a-A406-8 ガラス基板上の high-k 4 端子 poly-Si TFT から形成された 〇永吉 輝央 1, 野村 海成 1, 原 明人 1
1. 東北学院大工CMOS インバータ
11:15		 20a-A406-9 リセスチャネル化によるメタル S/D 型 Ge n-MOSFET の 〇 (M2) 那須 新悟 1, 王 冬 1, 山本 圭介 1
1. 九大院 総理工
電流駆動力向上 (II)
9/20(Tue.) 13:00 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) A406 会場（Room A406）
13:00		 20p-A406-1 ミニマルファブ装置の自動化処理におけるエラー解析〇本郷 仁啓 2, クンプアン ソマワン 2, 1, 原 史朗 2, 1
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ推進機構
13:15		 20p-A406-2 ウェハ裏面洗浄を可能にするスピンドロップレット洗浄 〇根本 一正 1, 谷島 孝 1, 三浦 典子 2, 佐藤 和重 2, クン 1. 産総研 , 2. ミニマルファブ
1, 2
1, 2
技術の開発 ( Ⅱ )プアン ソマワン , 原 史朗
13:30		 20p-A406-3 ミニマルファブ における CV 特性モニタリングによる製 〇佐藤 和重 1, クンプアン ソマワン 1, 2, 原 史朗 1, 2
1. ミニマルファブ推進機構 , 2. 産総研
造工程管理
13:45		 20p-A406-4 ミニマル表面異物測定器の測定誤差要因〇谷島 孝 1, クンプアン ソマワン 1, 2, 原 史朗 1, 2
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ推進機構
14:00		 20p-A406-5 ミニマル AlN 反応性スパッタ装置の成膜特性 (3)〇野田 周一 1, 薮田 勇気 3, 山本 直子 3, 亀井 龍一郎 3, 1. 産総研 , 2. ミニマルファブ , 3. 誠南工業
1, 2
1, 2
クンプアン ソマワン , 原 史朗
14:15		 20p-A406-6 ミニマルシリコン CVD における三塩化ホウ素によるホウ 加持 裕生 1, 〇羽深 等 1, 池田 伸一 2, 3, 石田 夕起 2, 3, 原 1. 横国大院理工 , 2. ミニマルファブ推進機構 , 3. 産総研
素ドーピング
史朗 2, 3
14:30		 20p-A406-7 ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いた nMOSFET 〇中道 修平 1, 田中 宏幸 2, 居村 史人 2, クンプアン ソ 1. ミニマルファブ , 2. 産総研のシート抵抗のばらつき評価２
マワン 1, 2, 原 史朗 1, 2
14:45		休憩 /Break
15:00		 20p-A406-8 トリシランを用いたミニマルファブ向けポリシリコン〇後藤 哲也 1, 小林 誠二 2, クオン タイクオック 2, 薮 1. 東北大未来研 , 2. コーテック , 3. 誠南工業 , 4. 産総研 ,ゲート電極の CVD 成膜に関する検討
田 勇気 3, 須川 成利 1, 原 史朗 4, 5
5. ミニマル15:15		 20p-A406-9 ミニマルファブ多層配線プロセスの Al 配線寸法改善の検 〇加瀬 雅 1, クンプアン ソマワン 1, 2, 原 史郎 1, 2
1. 産総研 , 2. ミニマル
討
15:30		 20p-A406-10 Bosch Process における RF バイアスのパルス周波数依存 〇田中 宏幸 1, 野沢 善幸 2, 速水 利泰 2, クンプアン ソ 1. 産総研 , 2.SPP テクノロジーズ , 3. ミニマルファブの研究
マワン 1, 3, 原 史朗 1, 3
15:45		 20p-A406-11 ミニマルファブによるシリコン貫通電極のプロセス開発 〇居村 史人 1, 田中 宏幸 1, 大澤 孝治 2, 髙野 拓郎 2, 鐘 1. 産総研 , 2. ニデック , 3. ミニマルファブ(II)
堂 健三 2, 寺澤 靖雄 2, クンプアン ソマワン 1, 3, 原 史
朗 1, 3
16:00		 20p-A406-12 ミニマルファブ SOI CMOS における完全空乏型と部分空 〇浜本 毅司 1, 浦 伸吾 3, 松田 誠宙 3, 北山 侑司 4, 丸山 1. ミニマルファブ推進機構 , 2. 産総研 , 3. ロジック・リ
乏型デバイスの特性比較
智史 4, クンプアン ソマワン 2, 柴 育成 4, 土屋 忠明 3, サーチ , 4. 横河ソリューションサービス
原 史朗 2
16:15		 20p-A406-13 ミニマルファブを用いた３軸ピエゾ抵抗型加速度センサ 〇小粥 敬成 1, 田中 宏幸 2, 居村 史人 2, クンプアン ソ 1. ミニマルファブ , 2. 産総研の開発
マワン 1, 2, 原 史朗 1, 2
9/21(Wed.) 9:00 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) A406 会場（Room A406）
9:00		 21a-A406-1 Al-Ge 合金ペーストのパルスレーザー熱処理による Si 基 〇佐藤 剛志 1, 宮本 聡 1, 鈴木 紹太 2, 3, ダムリン マル 1. 名大院工 , 2. 東洋アルミ , 3. 阪大院工板上への SiGe 薄膜成長
ワン 2, 3, 宇佐美 徳隆 1
9:15
奨 21a-A406-2 アモルファス Ge における爆発的結晶化過程の定圧分子動 〇長岡 駿弥 1, 石丸 学 1
1. 九州工大
力学法による解析
9:30		 21a-A406-3 Ge/SiO2 及び Si/Ge/SiO2 の低温成長とその TEM 観察〇近藤 弘人 1, 有元 圭介 1, 原 康祐 1, 山中 淳二 1
1. 山梨大9:45
奨 21a-A406-4 Ge/Si 積層構造の結晶化プロセスとその課題〇 (M2) 坂根 健斗 1, 野秋 元 1, 三谷 祐一郎 1
1. 都市大理工
10:00		休憩 /Break
10:15		 21a-A406-5 電子・光デバイス応用に向けた Pt/GeSn 接合のショット 〇清水 昇 1, 王 一 1, 山本 圭介 1, 張 師宇 2, 柴山 茂久 2, 1. 九大・総理工 , 2. 名大・院工 , 3. 名大・未来研
キー特性調査中塚 理 2, 3, 王 冬 1
10:30		 21a-A406-6 多結晶 p 型 Ge 上におけるショットキー整流性コンタクト 〇茂藤 健太 1, 2, 都甲 薫 3, 高山 智成 1, 今城 利文 3, 山 1. 九大院 総理工 , 2. 学振特別研究員 , 3. 筑波大院 数理物の形成
本 圭介 1
質
10:45		 21a-A406-7 金属 / 多結晶 Ge 界面におけるフェルミレベルピニングの 〇 (M2) 高山 智成 1, 茂藤 健太 1, 2, 都甲 薫 3, 王 冬 1, 山 1. 九大院 総理工 , 2. 学振特別研究員 , 3. 筑波大院 数理物
緩和とショットキー障壁制御
本 圭介 1
質
11:00		 21a-A406-8 Ge 薄膜の固相成長における n 型ドーパント添加効果〇野沢 公暉 1, 西田 竹志 1, 2, 末益 崇 1, 都甲 薫 1
1. 筑波大院 , 2. 学振特別研究員
9/22(Thu.) 9:00 - 10:15 口頭講演 (Oral Presentation) A406 会場（Room A406）
9:00
奨 22a-A406-1 Au 錘 1 軸 MEMS センサモジュールのノイズフロアの評価 〇大西 哲 1, 御宿 希祐 1, Tenneti Devi Srujana1,
1. 東工大Chakraborty Parthojit1, 町田 克之 1, 緒方 大樹 1, 内富寛隆 1, Chang Tso-Fu Mark1, 曽根 正人 1, 三宅 美博 1,
伊藤 浩之 1
9:15
奨 22a-A406-2 エッチホールを有する Au 錘構造の MEMS 加速度センサ 〇御宿 希祐 1, 大西 哲 1, Tenneti Devi Srujana1,
1. 東工大 , 2.NTT-ATの減衰定数簡易解析モデルの検討
Chakraborty Parthojit1, 町田 克之 1, 飯田 慎一 2, 小西
敏文 2, 曽根 正人 1, 三宅 美博 1, 伊藤 浩之 1
9:30
奨 22a-A406-3 電極間の容量変化による液体検出センサシステムの開発 〇鈴木 結以 1, 今泉 文伸 1
1. 小山高専
9:45
E 22a-A406-4 Tailoring of Magnetic Sensing Performances of Single〇 (P)Zilong Zhang1, Liwen Sang1, Yasuo Koide1,
1.NIMS
crystal Diamond MEMS Magnetic Sensors via Interlayers Satoshi Koizumi1, Meiyong Liao1
10:00
奨 22a-A406-5 MEMS 振動発電応用に向けた自己組織化エレクトレット 〇 (B) 李 睿宸 1, 杉本 澪貴 2, 川島 康介 2, 田中 有弥 3, 1. 立命館大 , 2. 立命館大院理工 , 3. 群馬大院理工の 電気特性に関する検討
山根 大輔 1, 2
9/23(Fri.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 23a-P05-1
NEMS 極狭域真空封止に向けた気相エッチング透過膜の 〇三浦 篤志 1, 島岡 敬一 1, 舟山 啓太 1, 田中 宏哉 1, 田 1. 豊田中研
検討
所 幸浩 113.5 デバイス／配線／集積化技術 / Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies
9/21(Wed.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C105 会場（Room C105）
9:00
奨 21a-C105-1 PCM/ セレクタ積層メモリにおけるリセット電流の〇松澤 雄矢 1, 上遠野 一広 1, 藤井 章輔 1, 藤巻 剛 1
1. キオクシア
GeSbTe 組成依存性
9:15		 21a-C105-2 磁気トンネル接合内の Fe/MgO/Fe 構造内の水素不純物 〇名和 卓哉 1, 森下 佳祐 1, 洗平 昌晃 1, 2, 遠藤 哲
1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 東北大国際集積センター,が界面磁気異方性に与える影響
朗 3, 4, 5, 白石 賢二 1, 2, 3
4. 東北大院工 , 5. 東北大通研
1
1
1
1
9:30		 21a-C105-3 電気化学的酸化法による Ta 酸化膜の形成と ReRAM への 〇宮田 直仁 , 末木 学 , 石井 晶芳 , 高橋 昌男 , 茂庭 1. 東京工科大工
適用：酸化膜形成時の純水滴下効果
昌弘 1
9:45		 21a-C105-4 FinFET を用いた低電圧駆動不揮発性 SRAM (NV-SRAM) 〇山崎 修 1, 塩津 勇作 1, 山本 修一郎 1, 菅原 聡 1
1. 東工大未来研
の設計
1
1
1
1
10:00		 21a-C105-5 新型超低電圧リテンション SRAM (ULVR-SRAM) セルの 〇伊藤 克俊 , 塩津 勇作 , 山本 修一郎 , 菅原 聡
1. 東工大未来研
提案
10:15		 21a-C105-6 ニアスレッショルド電圧駆動 ULVR-SRAM のパワーゲー 〇加藤 豪人 1, 塩津 勇作 1, 山本 修一郎 1, 菅原 聡 1
1. 東工大未来研
ティング性能10:30		休憩 /Break
10:45		 21a-C105-7 ヨウ化銅 ( Ⅰ ) を用いた選択 CVD 法による低抵抗率な銅 〇豊田 絃人 1, 山内 智 1
1. 茨城大院
層の形成
11:00
奨 21a-C105-8 金属間化合物 CuAl2 におけるエレクトロマイグレーショ 〇久家 俊洋 1, 2, 矢作 政隆 1, 2, 小池 淳一 1
1. 東北大工 , 2.JX 金属 ( 株 )
ン
1
1
1
1
11:15		 21a-C105-9 無電解めっきによる微細配線応用に向けた Ru 膜の形成と 〇齊田 亮太 , 清水 智弘 , 伊藤 健 , 新宮原 正三
1. 関西大シス理工評価【CS.7】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
11:30		 21a-C105-10 KrF レーザーアニールによる微細配線の低抵抗化

13 半導体 / Semiconductors

宇佐見 康継 1, 〇妹川 要 1, 納富 良一 1, 柿崎 弘司 1, 溝 1. ギガフォトン（株）
口 計1
11:45		 21a-C105-11 選択的中性無電解銅めっきでポリイミドフィルム上に形 〇平野 雄大 1, 杉浦 修 1
1. 千葉工大工成した金属パターン12:00		 21a-C105-12 異種材料・デバイス集積に向けた Wafer Level Package の 〇荒木 友輔 1, 白鳥 悠太 1, 中島 史人 1
1.NTT 先端集積デバイス研
ウェハ反り抑制9/21(Wed.) 13:30 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) C105 会場（Room C105）
13:30		 21p-C105-1 表面ラフネス散乱の非線形モデルにより決定された Si〇隅田 圭 1, 姜 旼秀 1, トープラサートポン カシ
1. 東大院工nMOSFET の電子移動度の極低温下での妥当性
ディット 1, 竹中 充 1, 高木 信一 1
1
1
1
1
13:45
奨 21p-C105-2 極低温動作 MOSFET における電子移動度の面方位依存 〇岡 博史 , 稲葉 工 , 飯塚 将太 , 浅井 栄大 , 福田 浩 1. 産総研
性一 1, 加藤 公彦 1, 森 貴洋 1
14:00
奨 21p-C105-3 65-nm CMOS の 4.2 K 動作における過渡特性〇 (M1) 宮尾 知寿 1, 田中 貴久 1, 今西 創生 1, 市川 雅 1. 東大工 , 2. 慶大理工 , 3. ナノブリッジ・セミコンダク
幸 2, 中川 修哉 2, 石黒 仁揮 2, 阪本 利司 3, 多田 宗弘 3, ター
内田 建 1
14:15		 21p-C105-4 Pocket 構造によるトンネル FET の出力特性改善に関する 〇 (M1) 大西 尚征 1, 藤井 陸功 1, 遠藤 孔輝 1, 呉 研 1, 1. 日大理工検討
高橋 芳浩 1
14:30
奨 21p-C105-5 Steep SS "Dual Gate 型 PN-Body Tied SOI-FET" の N/
〇 (M1) 米崎 晴貴 1, 井田 次郎 1, 森 貴之 1
1. 金沢工大
PMOS 特性確認
1
1
14:45		 21p-C105-6 “PN-Body Tied SOI-FET” による単一デバイスニューロ 〇森 貴之 , 井田 次郎
1. 金沢工大ン動作
15:00		休憩 /Break
15:15		 21p-C105-7 転写技術による異種面方位 Ge (111)/Ge (100) CFET
〇張 文馨 1, 余 心仁 2, 3, 吳 文發 2, 李 耀仁 2, 王 永和 3, 1. 産総研 , 2. 台湾半導体研 , 3. 台湾成功大前田 辰郎 1
15:30
E 21p-C105-8 Highly-asymmetric-strain (110) SiGe-on-insulator〇 CHIATSONG CHEN1, Xueyang Han1, Kasidit
1.Univ. of Tokyo
pMOSFETs with extremely-thin body channels down toToprasertpong1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1
3.2 nm fabricated by using Ge condensation technique
15:45		 21p-C105-9 低温下での C-V 測定による InAs MOS 界面の界面準位密 〇 (M2) 吉津 遼平 1, 隅田 圭 1, トープラサートポン
1. 東大院工度の評価
カシディット 1, 竹中 充 1, 高木 信一 1
16:00
奨 21p-C105-10 VO2 三端子素子における絶縁転移の速度の研究〇浜砂 智 1, パティ サトウヤ プラカシュ1, 矢嶋 赳
1. 九州大学
彬1
16:15		 21p-C105-11 積層 Si ナノシート熱電発電デバイスの最適設計〇三宅 由馬 1, 安部 克基 1, 富田 基祐 1, 松木 武雄 2, 渡 1. 早大理工 , 2. 産総研
邉 孝信 1
9/22(Thu.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A102 会場（Room A102）
9:00		 22a-A102-1 MOS 界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能と 〇土屋 敏章 1, 堀 匡寛 1, 小野 行徳 1
1. 静大電研なった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (4)- 欠陥構造緩和 9:15		 22a-A102-2 MOS 界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能と 〇土屋 敏章 1, 堀 匡寛 1, 小野 行徳 1
1. 静大電研なった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (5)– タイプ 4 と 5 の識別 9:30		 22a-A102-3 Si ナノエサキダイオードの空乏層におけるエネルギー準 〇田村 悠太 1, モラル ダニエル 1
1. 静大電研
位を介したトンネル電流の研究
9:45		 22a-A102-4 共ドープ Si ナノトランジスタの単一電子トンネリングに 〇金子 義 1, ジュパリ タルナ テジャ1, モラル ダニ 1. 静大電研
対するバックゲート電圧の効果の研究
エル 1
10:00
奨 22a-A102-5 pMOS シリコン量子ドットにおける電荷ノイズの温度依 〇中越 一真 1, 土屋 龍太 2, 峰 利之 2, 久元 大 2, 水野 弘 1. 東工大 , 2. 日立研開
存性評価
之 2, 溝口 来成 1, 米田 淳 1, 小寺 哲夫 1
10:15		 22a-A102-6 物理形成量子ドット中のシリコン正孔スピンの時間制御 〇吉川 拓弥 1, 鈴木 優作 1, Ibad Sayyid1, 西山 伸平 1, 2, 1. 東工大工 , 2. 産総研
操作と 動作温度の向上
加藤 公彦 2, 柳 永勛 2, 村上 重則 2, 森 貴洋 2, 溝口 来
成 1, 米田 淳 1, 小寺 哲夫 1
10:30
奨 22a-A102-7 RF 反射測定の性能向上に向けた量子ドットの S パラメー 〇 (M1) 松田 凌 1, 神岡 純 1, 溝口 来成 1, 米田 淳 1, 小 1. 東工大工
タ測定と整合回路の設計
寺 哲夫 1
10:45		 22a-A102-8 オンチップマイクロ波クロストークの低減に向けた半導 〇泊 開人 1, 2, 米田 淳 1, 小寺 哲夫 1
1. 東工大 , 2. ニコン
体量子ビットデバイスのコンタクトパッドデザイン
1
1
1
1
11:00
奨 22a-A102-9 スピン量子ビット読み出し回路高密度化に向けた極低温 〇二谷 時緒 , 溝口 来成 , 神岡 純 , 米田 淳 , 小寺 哲 1. 東工大工
アクティブインダクタに関する研究
夫1
11:15		 22a-A102-10 一次元集積したシリコン量子ビットに対する埋込微小磁 〇飯塚 将太 1, 加藤 公彦 1, 八木下 淳史 1, 浅井 栄大 1, 1. 産総研
石技術の効果
上田 哲也 1, 岡 博史 1, 服部 淳一 1, 池上 努 1, 福田 浩
一 1, 森 貴洋 1
11:30
奨 22a-A102-11 表面弾性波パルスを用いた量子電流源の実現〇太田 俊輔 1, 2, Junliangn Wang3, Hermann
1. 東工大 , 2. 産総研 , 3.Inst. Néel, 4.UGA, 5.RUB
Edlbauer3, Baptiste Jadot3, Pierre-André
Mortemousque3, 4, Aymeric Richard3, 岡崎 雄馬 2, 中
村 秀司 2, Arne Ludwig5, Andreas D. Wieck5, Matias
Urdampilleta3, Tristan Meunier3, 小寺 哲夫 1, 金子 晋
久 2, Christopher Bäuerle3, 高田 真太郎 2【CS.7】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
13:30 奨 E 22p-A307-1 A Vertical Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET 〇 Zhuo Li1, Jixuan Wu1, Xiaoran Mei1, Xingyu
1.IIS., Univ. of Tokyo, 2.NAIST, 3.d.lab, Univ. of Tokyo
with ALD InOx
Huang1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1,
Takanori Takahashi2, Mutsunori Uenuma2, Yukiharu
Uraoka2, Masaharu Kobayashi1, 3
13:45		 22p-A307-2 Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density 〇李 卓 1, 武 继璇 1, 梅 潇然 1, 黄 星宇 1, 更屋 拓哉 1, 平 1. 東大生産研 , 2. 奈良先端 , 3. 東大システムデザインセ
Memory本 俊朗 1, 髙橋 崇典 2, 上沼 睦典 2, 浦岡 行治 2, 小林 正 ンター
治 1, 3
14:00		 22p-A307-3 異なる酸化剤を用いた原子層堆積法により作製した強誘 〇 (P) 女屋 崇 1, 2, 3, 生田目 俊秀 2, 長田 貴弘 2, 上田 茂 1. 産総研 , 2. 物材機構 , 3. 学振 PD, 4.UT Dallas, 5.
電体 HfxZr1 − xO2/TiN の構造評価
典 2, Jung Yong Chan4, Hernandez-Arriaga Heber4,
Brookhaven Nat. Lab., 6. 東大Mohan Jaidah4, Kim Jiyoung4, Nam Chang-Yong5,
Tsai Esther H. R.5, 喜多 浩之 6, 右田 真司 1, 太田 裕
之 1, 森田 行則 1
14:15		 22p-A307-4 HfO2-ZrO2 Laminate 構造が強誘電相生成をアシストする 〇右田 真司 1, 森田 行則 1, 浅沼 周太郎 1, 太田 裕之 1, 1. 産総研
メカニズム齊藤 雄太 1
14:30		 22p-A307-5 強誘電体キャパシタを用いた “負性容量” に関する考察 〇鳥海 明 1, 右田 真司 2
1. 自由業 , 2. 産総研
14:45		 22p-A307-6 “負性容量” を利用した FET の S ファクタ改善に関する考 〇鳥海 明 1, 右田 真司 2
1. 自由業 , 2. 産総研
察
1
1
1
15:00		 22p-A307-7 スパッタリング時の圧力による AlScN 膜への影響〇 (B) 時田 幸村 , Tsai Sung-Lin , 星井 拓也 , 若林 1. 東工大工 , 2. 東工大科技創研
整 1, 筒井 一生 2, 角嶋 邦之 1
15:15		休憩 /Break13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス / Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices
強誘電性ノンドープ HfO2 薄膜形成における界面層厚の低減と MFSFET の動作特性に関する検討
15:45		 22p-A307-9 強誘電性 HfNx 薄膜の形成と MFSFET の動作特性に関する検討
16:00 奨 E 22p-A307-10 Investigation of the etching process for Pt gate electrodeon the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped
HfO2 thin films
16:15 奨 E 22p-A307-11 Demonstration of Ferroelectricity of 10 nm YHO7 Thin
Film through Piezoelectric Force Microscopy
16:30
奨 22p-A307-12 HfO2-CeO2 膜の強誘電性の膜厚依存性

13 半導体 / Semiconductors

15:30		 22p-A307-8〇田沼 将一 1, Joong-Won Shin1, 大見 俊一郎 1

1. 東工大院工〇井出 明徳 1, 田沼 将一 1, 井原 爽生 1, 大見 俊一郎 1

1. 東工大院工〇 (DC)JoongWon Shin1, Masakazu Tanuma1,
Shun-ichiro Ohmi1

1.Tokyo Inst. of Technol.

〇 (D)ZHONGZHENG SUN1, Shurong Miao1,

1.Tokyo Tech
Hiroshi Funakubo1, Yutaka Majima1
1
1, 2
3〇平井 浩司 , 白石 貴久 , 山岡 和希子 , 鶴丸 理沙 1. 東工大 , 2. 熊本大 , 3.TDK 株式会社
子 3, 井上 ゆか梨 3, 舟窪 浩 1
16:45		 22p-A307-13 アモルファス Hf1-xZrxO2/Si(001) の熱処理に伴う結晶化 〇高瀬 慶人 1, 藤尾 亮汰 1, 石丸 学 1, 右田 真司 2, 内田 1. 九工大 , 2. 産総研
と結晶構造
紀行 2
17:00		 22p-A307-14 正圧電応答顕微鏡法による HfO2 薄膜の分極ドメイン構 〇萩原 拓永 1, トープラサートポン カシディット 2, 1. 阪公大院工 , 2. 東大院工造の観察 Ⅱ高木 信一 2, 藤村 紀文 1, 吉村 武 1
17:15		 22p-A307-15 HfO2 系強誘電体キャパシタにおける絶縁破壊過程の非破 〇藤原 弘和 1, 糸矢 祐喜 2, 小林 正治 3, Bareille
1. 東大物性研 , 2. 東大生産研 , 3. 東大 d.lab, 4. 東大新領
壊観察 : オペランドレーザー励起光電子顕微鏡
Cédric4, 5, 辛 埴 5, 6, 谷内 敏之 4, 5
域 , 5. 東大 MIRC, 6. 東大特別教授室
17:30		 22p-A307-16 ITO 上部電極の堆積が (Hf,Zr)O ₂薄膜の結晶化へ及ぼす 〇 (M2) 尾内 惇平 1, 藤沢 浩訓 1, 中嶋 誠二 1
1. 兵庫県立大工影響
17:45		 22p-A307-17 アニール時電界印加が Hf0.5Zr0.5O2 強誘電体薄膜に与える 〇 (M1) 田中 将 1, 野田 実 1
1. 京工繊大影響
13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス / Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices
9/20(Tue.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C401 会場（Room C401）
13:30		 20p-C401-1 InGaN / GaN 量子ドットのキャリア緩和ダイナミクス〇長谷川 孝太 1, 中村 雄一 1, 北見 和希 1, 平野 裕哉 1, 1. 早大理工 , 2. 蘇州ナノテク研究所
竹内 淳 1, Shulong Lu2, Xue Zhang2, Wenxian Yang2
13:45		 20p-C401-2 Type-II トンネル量子井戸におけるトンネル効果のスピン 〇中村 雄一 1, 北見 和希 1, 長谷川 孝太 1, 平野 裕哉 1, 1. 早大先進理工緩和機構への影響
竹内 淳 1
14:00
奨 20p-C401-3 希薄窒化 GaNAs 量子井戸と InAs 量子ドットのトンネル 〇佐藤 紫乃 1, 樋浦 諭志 1, 髙山 純一 1, 村山 明宏 1
1. 北大院情報科学
結合における電子スピン増幅ダイナミクス；GaNAs 井戸
配置の影響
14:15
奨 20p-C401-4 チャープパルスを用いた共振器付き量子ドット集合体の 〇宮内 虎大郎 1, 2, 木下 裕太郎 1, 2, 高橋 雄士朗 1, 2, 赤 1. 慶大理工 , 2. 慶大 CSRN, 3. 情報通信研究機構
ポピュレーション操作
羽 浩一 3, 早瀬 潤子 1, 2
14:30		 20p-C401-5 p ドープ 1550nm 帯 InAs/InGaAlAs 量子ドットレーザの 〇矢吹 諒太 1, 松本 敦 2, 勝原 龍海 1, 高橋 巧 1, 赤羽 浩 1. 早稲田大学 , 2.NICT
温度特性評価一 2, ヘインサル シーム 1, 松島 裕一 1, 石川 浩 1, 宇高
勝之 1
14:45
E 20p-C401-6 PL enhancement of InAs surface quantum dots by ex situ 〇 (D)Hanif Mohammadi1, Ronel Roca1, Yuwei
1.Toyota tech. inst.
DEZ/ZnO passivation/capping
Zhang1, Hyunju Lee1, Naotaka Iwata1, Yoshio
Ohshita1, Itaru Kamiya1
15:00		休憩 /Break
15:15
E 20p-C401-7 Electron temperature in semiconductor double barrier〇 Xiangyu Zhu1, Marc Bescond2, Gerald Bastard3,
1.IIS/INQIE,Univ. of Tokyo, 2.LIMMS-CNRS, 3.Ecolethermionic cooling heterostructures
Naomi Nagai1, Kazuhiko Hirakawa1, 2
Normale Superieure
15:30
E 20p-C401-8 Direct observation of coherent energy exchange induced 〇 Tianye Niu1, Naomi Nagai1, Ya Zhang3, Kazuhiko 1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.INQIE, Univ. of Tokyo, 3.TUAT
by the internal mode-coupling effect in MEMS beam
Hirakawa1, 2
resonators
15:45
E 20p-C401-9 Elementary process of electromigration at metal〇 Tian Yue1, Shaoqing Du3, Kazuhiko Hirakawa1, 2
1.IIS, Univ.of Tokyo, 2.INQIE,Univ.of Tokyo, 3.SIMIT,
nanocontacts:CAS- Joule heating vs kinetic energy transfer 16:00
E 20p-C401-10 Clarified scheme for obtaining 350K optical gain in〇 WANG LI1, Tsung-Tse LIN1, Thomas Grange2,
1.RIKEN, 2.nextnano, Germany, 3.Nanjing University,
3~4THz GaAs/AlGaAs quantum cascade laser
Stefan Birner2, Ke Wang1, 3, Hideki Hirayama1
China
16:15		 20p-C401-11 nextnano.NEGF ソフトウェアによるバンド間カスケード 〇 (D) 佐藤 拓磨 1, 2, Birner Stefan1, Jirauschek
1.nextnano GmbH, 2. ミュンヘン工科大 , 3.nextnano
レーザーの非平衡グリーン関数法シミュレーションに向 Christian2, Grange Thomas3
Lab
けた取り組み16:30		休憩 /Break
16:45		 20p-C401-12 GaAs/AlAs 非対称 2 重量子井戸超格子の発光特性の電界 〇室原 隆人 1, 西山 清流 1, 大谷 直毅 1, 細田 誠 2, 赤羽 1. 同志社大理工 , 2. 静岡大電研 , 3. 情報通信研究機構
依存性とキャリア輸送の解析
浩一 3
17:00		 20p-C401-13 ダブルパルス - ポンプ - プローブ法による GaAs/AlAs 多重 〇小島 磨 1, 2, 田町 郁夫 2, 喜多 隆 2
1. 千葉工大工 , 2. 神戸大工
量子井戸における超高速応答の評価
+
+
1
1
2
1
17:15
奨 20p-C401-14 Si 酸化膜中へのダブル Si /Ge ホットイオン注入による 〇村川 洸紀 , 青木 孝 , 鮫島 俊之 , 水野 智久
1. 神奈川大理 , 2. 東京農工大工
SiGe 量子ドットの形成
17:30		 20p-C401-15 深い不純物準位を導入した Si トンネル FET における室温 〇 (PC) 伴 芳祐 1, 加藤 公彦 2, 飯塚 将太 2, 村上 重則 2, 1. 理研 , 2. 産総研 , 3. 東電院工でのスピンブロッケード
石橋 幸治 1, 森山 悟士 3, 森 貴洋 2, 大野 圭司 1
17:45		 20p-C401-16 表面弾性波を用いた Er 光励起の制御〇太田 竜一 1, 徐 学俊 1, 稲葉 智宏 1, 眞田 治樹 1, 石澤 1.NTT 物性研 , 2. 日大工
淳 1, 俵 毅彦 2, 小栗 克弥 1, 岡本 創 1
9/22(Thu.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P14-1
CaF2 埋め込み構造による Si/CaF2 p 型共鳴トンネルダイ 〇伊藤 滉悟 1, 鈴木 優輔 1, 星野 麻衣子 1, 宇佐見 遼
1. 東工大工オードのリーク電流低減
也 1, 村上 寛太 1, 渡辺 正裕 111
1
1
			 22p-P14-2
サーファクタントエピタキシー法により形成した Si/〇鈴木 優輔 , 伊藤 滉悟 , 齊藤 雅高 , 星野 麻衣子 , 1. 東工大工学院
CaF2 二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵 宇佐見 遼也 1, 村上 寛太 1, 渡辺 正裕 1
抗特性			 22p-P14-3
InP 単結晶におけるテラヘルツ波放射の励起光強度依存 〇長谷川 尊之 1, 増田 快晴 1, 藤元 章 1, 小山 政俊 1,
1. 大阪工大工性
佐々 誠彦 1
			 22p-P14-4
超短パルスレーザーを使ったしきい値近傍アブレーショ 〇上杉 祐貴 1, 2, 三輪 泰斗 1, 門口 尚広 1, 小林 哲郎 1, 1. 東北大 , 2.JST さきがけ , 3. 名古屋大ンによる薄膜微細加工と表面洗浄技術
小澤 祐市 1, 佐藤 俊一 1, 齋藤 晃 3【CS.9】8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェア / Code-sharing Session of 8.3 & 9.2 & 13.6
9/23(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B102 会場（Room B102）
9:00
招 23a-B102-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇張 健一 1, 山田 琢允 1, 田原 弘量 1, 只野 央将 2, 鈴浦 1. 京大化研 , 2. 物材研 , 3. 北大工
ペロブスカイトナノ粒子のエキシトン - フォノン相互作 秀勝 3, 猿山 雅亮 1, 佐藤 良太 1, 寺西 利治 1, 金光 義
用
彦1
9:15
奨 23a-B102-2 GaAs/InGaAs/GaAs コアマルチシェルナノワイヤ共振器 〇 (M2) 国本 大雅 1, 2, 原 真二郎 1, 2, 本久 順一 1, 2
1. 北大情報科学院 , 2. 量子集積センター
における中空ビームの生成
9:30 招 E 23a-B102-3 【注目講演】[Fellow International 2022 Special Lecture] 〇 Hongqi Xu1
1.Peking Univ.
Semiconductor-Superconductor Hybrids for TopologicalSuperconductivity
10:15		休憩 /Break
10:30
E 23a-B102-4 Delocalized Charge Carrier Transport in Epitaxially〇 Satria Zulkarnaen Bisri1, 2, Ricky Dwi Septianto1, 2, 1.RIKEN CEMS, 2.Tokyo Inst. Tech., 3.RIKEN SPring8
Connected Semiconductor Quantum Dot Superlattices
Retno Miranti1, Takaaki Hikima3, Nobuhiro
Center, 4.Univ. Tokyo
Matsushita2, Yoshihiro Iwasa1, 4

13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 / Compound and power devices, process technology and characterization
10:45

奨 E 23a-B102-5

13 半導体 / Semiconductors

Nano-Porous Assemblies of Colloidal Quantum Dots for 〇 (DC)Muhammad Alief Irham1, 2, Ricky Dwi
1.RIKEN CEMS, 2.Inst. Tekno. Bandung, 3.Univ. Tokyo
High-Performance Electric-Double Layer Supercapacitors Septianto1, Ferry Iskandar2, Yoshihiro Iwasa1, 3, Satria
Zulkarnaen Bisri1
11:00		 23a-B102-6 Mie 共鳴により発色するナノ粒子インクを用いた着色技 〇井上 新司 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
術(Ⅱ)
1
1
1, 2
1
11:15		 23a-B102-7 シングルナノメーターサイズシリコンナノ粒子によるリ 〇吉川 洋輝 , 植嶋 大樹 , 杉本 泰 , 藤井 稔
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
チウムイオン電池電極の形成
11:30		 23a-B102-8 Si ナノワイヤー /Si ナノ粒子ポーラス膜の堆積と Li イオ 〇益本 幸泰 1, 木賀 海青 1, 山田 輝也 1, 花井 稜 1, 内田 1. 名城大学理工 , 2. 名城大エネセンター
ン電池負極への応用
儀一郎 1, 2
11:45		 23a-B102-9 Ge ナノ粒子薄膜の粒径制御と Li イオン電池負極への応 〇花井 稜 1, 山田 輝也 1, 木賀 海青 1, 益本 幸泰 1, 内田 1. 名城大学理工 , 2. 名城大エネセンター
用儀一郎 1, 2
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 / Compound and power devices, process technology and characterization
9/20(Tue.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20p-P04-1
4H-SiC CMOS UVイメージセンサ 画素デバイスの200℃ 〇堤 将之 1, 目黒 達也 1, 武山 昭憲 2, 大島 武 2, 田中 保 1. 広島大ナノデバイス , 2. 量研 , 3. 産総研
高温動作
宣 3, 黒木 伸一郎 1
			 20p-P04-2
4H-SiC 半絶縁基板を用いた Well-less MOSFET の p/n 〇甲斐 陶弥 1, 児島 一聡 2, 大島 武 3, 田中 保宣 2, 黒木 1. 広島大ナノデバイス , 2. 産総研 , 3. 量研機構
channel 動作
伸一郎 1
			 20p-P04-3
耐圧 650V パワーデバイスのスイッチング特性の比較〇服部 佳晋 1, 加地 徹 2
1. 大同大学 , 2. 名古屋大学
			 20p-P04-4
ニッケルナノ粒子 - アルミニウムマイクロ粒子接合材を 〇 (DC) 小柴 佳子 1, 2, 田中 康紀 2, 飯塚 智徳 2, 巽 宏 1. 早大院情シス , 2. 早大情シス研究センター
用いたパワーデバイス向け高耐熱実装
平 1, 2
		
E 20p-P04-5
Design of Depletion Mode Ga2O3 MOSFET for e-vehicles 〇 (PC)SYED SADIQUE ANWER ASKARI1,
1.Dept. of Electronics Engineering, IIT (ISM) Dhanbad,
and other power device applications
GUFRAN AHMAD2
2.Dept. of Electrical Engineering, Daalbagh Educational
Institute (Deemed University), Agra			 20p-P04-6
Si(111) 基板上に作製した GaN/AlN 共鳴トンネルダイ〇永瀬 成範 1, 高橋 言緒 1, 清水 三聡 1
1. 産総研オードの不揮発メモリ特性の評価
			 20p-P04-7
Mg ドープ p-GaN を用いた MOS 構造の C-V 特性に対する 〇 (M2) 玉村 祐也 1, 忽滑谷 崇秀 1, 赤澤 正道 1
1. 北大量集センター
GaN 表面近傍欠陥準位の影響 (2)11
			 20p-P04-8
低濃度 Mg イオン注入後高温キャップアニールした GaN 〇畠山 優希 , 赤澤 正道
1. 北大量集センター
における伝導帯付近界面準位の n-GaN MOS 構造を利用した評価
			 20p-P04-9
Mg ドープ p-GaN を用いた MOS 構造の C-V 特性に対する 〇 (M1) 忽滑谷 崇秀 1, 玉村 祐也 1, 久保 広大 1, 佐藤 1. 北大量集センター
光電気化学エッチングの効果
威友 1, 赤澤 正道 1
			 20p-P04-10 光電気化学 (PEC) エッチングの自己停止と AlGaN/GaN 〇富樫 拓也 1, 伊藤 滉朔 1, 越智 亮太 1, 佐藤 威友 1
1. 北大量集センター
HEMT のゲートリセス加工
			 20p-P04-11 n 型及び p 型 GaN 表面の電気化学的評価〇高津 海 1, 久保 広太 1, 佐藤 威友 1
1. 北大量集センター
			 20p-P04-12 ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いたＧａＮ薄膜の作製 〇桑原 翔太 1, 佐藤 裕喜 1, 大鉢 忠 1, 吉門 進三 1
1. 同志社大院理工と評価に関する研究			 20p-P04-13 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜 〇尾内 亮太 1, 山形 翔 1, 古川 雅一 2, 若原 昭浩 1, 岡田 1. 豊橋技科大 , 2. アリエースリサーチ ( 有 )の形成及び評価
浩1
			 20p-P04-14 n-GaN 加工表面に対するコンタクトレス光電気化学〇大澤 由斗 1, 大神 洸貴 1, 越智 亮太 1, 堀切 文正 2, 福 1. 北大量集センター, 2. サイオクス(CL-PEC) エッチング (2)原 昇 2, 佐藤 威友 1
			 20p-P04-15 光電子ホログラフィーによる Mg-doped GaN 中の Mg〇桑原田 進吾 1, 上沼 睦典 1, 富田 広人 1, 田中 晶貴 1, 1. 奈良先端大
ドーパント局所構造解析
孫 澤旭 1, 橋本 由介 1, 松下 智裕 1, 浦岡 行治 1
			 20p-P04-16 プロセスインフォマティクスに基づく GaN-MOS 構造作 〇 (M2) 原田 卓門 1, 原田 慎太郎 1, 上沼 睦典 1, 宮尾 1. 奈良先端大
製プロセスの改善
知幸 1, 浦岡 行治 1
			 20p-P04-17 バックゲート電圧印加による GaN エピ基板中の欠陥抽出 〇西田 きさら 1, 星井 拓也 1, 若林 整 1, 筒井 一生 2, 角 1. 東工大工学院 , 2. 東工大科学技術創成研究院
嶋 邦之 1
			 20p-P04-18 XPS 及び走査型オージェ電子分光による SiC 基板上 SiO ２ 〇佐藤 聖能 1, 室野 優太 1, 遠田 義晴 1
1. 弘大院理工
薄膜の熱分解脱離1
1
			 20p-P04-19 a-Si:H 膜を用いた SiC へのシリコンキャップアニールと 〇花房 宏明 , 東 清一郎
1. 広大院先進理工
Si ドット形成の低温化
			 20p-P04-20 界面顕微光応答法による超高圧アニール n-GaN ショット 〇今林 弘毅 1, 塩島 謙次 1, 加地 徹 2
1. 福井大院工 , 2. 名大未来研
キー接触の二次元評価
1
1
2
2
			 20p-P04-21 マイクロ波磁場による窒化ガリウム基板の急速アニーリ 〇中村 考志 , 西岡 将輝 , 鄭 恵貞 , 田中 敦之 , 天野 1. 産総研 , 2. 名大ング技術の開発と基板の特性評価
浩2
9/21(Wed.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) M206 会場（Room M206）
9:00
奨 21a-M206-1 CO2 雰囲気下での SiC 表面酸化反応〇 (B) 出口 竜大 1, 細井 卓治 1
1. 関学大理工
9:15
奨 21a-M206-2 熱酸化 SiO2/SiC 界面近傍に形成される SiC 中の深い準位 〇藤井 開 1, 鐘ヶ江 一孝 1, 金子 光顕 1, 木本 恒暢 1
1. 京大院工
1
1
1
1
9:30
奨 21a-M206-3 酸化抑制プロセスによって形成した高品質〇三上 杏太 , 立木 馨大 , 金子 光顕 , 木本 恒暢
1. 京大院工4H-SiC(1120)/SiO2 界面の低温特性評価
9:45
奨 21a-M206-4 窒化後 CO2 熱処理による 4H-SiC(0001) CMOS デバイス 〇國吉 望月 1, 2, Kidist Moges1, 小林 拓真 1, 細井 卓
1. 阪大院工 , 2. アルバック協働研 , 3. 関学大工 , 4. 京大院の性能向上
治 3, 志村 考功 1, 立木 馨大 4, 木本 恒暢 4, 渡部 平司 1 工
1
1
10:00		 21a-M206-5 3 レベルチャージポンピング法を用いた 4H-SiC〇 (M2) 秋葉 淳宏 , 矢野 裕司
1. 筑波大学
MOSFET の界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布
の検討
10:15
奨 21a-M206-6 AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値 〇 (M1) 円城寺 佑哉 1, 岩室 憲幸 1, 矢野 裕司 1
1. 筑波大電圧変動評価10:30		 21a-M206-7 NO アニールした SiC/SiO2 界面原子構造の第一原理計算 〇大本 瑞穂 1, 小松 直貴 1, 植本 光治 1, 小野 倫也 1
1. 神戸大工10:45		休憩 /Break11:00
招 21a-M206-8 「講演奨励賞受賞記念講演」〇伊藤 滉二 1, 田中 一 1, 2, 堀田 昌宏 1, 3, 須田 淳 1, 3, 木 1. 京大院工 , 2. 阪大院工 , 3. 名大院工SiC (0001), (11-20), (1-100) MOSFET における Hall 移動 本 恒暢 1
度のボディ層濃度依存性
11:15
奨 21a-M206-9 NO 窒化処理を施した SiC(1-100) MOS デバイスのリー 〇鈴木 亜沙人 1, 小林 拓真 1, 染谷 満 2, 岡本 光央 2, 志 1. 阪大院工 , 2. 産総研
ク電流特性
村 考功 1, 渡部 平司 1
11:30
奨 21a-M206-10 NO 窒化を施した非基底面上 SiO2/SiC 構造のバンドアラ 〇中沼 貴澄 1, 小林 拓真 1, 染谷 満 2, 岡本 光央 2, 吉越 1. 阪大院工 , 2. 産総研 , 3. 原子力機構
イメント評価章隆 3, 志村 考功 1, 渡部 平司 1
11:45
奨 21a-M206-11 紫外光照射による NO 窒化 4H-SiC(11-20) MOS デバイス 〇藤本 博貴 1, 小林 拓真 1, 染谷 満 2, 岡本 光央 2, 志村 1. 阪大院工 , 2. 産総研の電気特性劣化孝功 1, 渡部 平司 1
12:00		 21a-M206-12 セルフアラインリセスゲート Ga2O3 MOSFET 作製に向 〇上村 崇史 1, 東脇 正高 1, 2
1. 情通機構 , 2. 大阪公立大院工けたエッチングプロセスの開発
12:15		 21a-M206-13 3659 V, 0.37 A /mm 微傾斜ダイヤモンド上に作製した
サハ ニロイ チャンドラ 1, 金 聖祐 2, 小山 浩司 2, 大石 1. 佐賀大院工 , 2. アダマンド並木精密宝石 ( 株 )NO2 ドープ ダイヤモンド MOSFET
敏之 1, 〇嘉数 誠 1
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B204 会場（Room B204）
9:00
奨 22a-B204-1 TCAD デバイスシミュレーションによる SiC サイドゲー 〇前田 憲幸 1, 金子 光顕 1, 木本 恒暢 1
1. 京大院工ト JFET における短チャネル効果の解析
9:15
奨 22a-B204-2 半絶縁性 SiC 基板へのイオン注入によるボトムゲート〇柴田 峻弥 1, 松岡 大雅 1, 金子 光顕 1, 木本 恒暢 1
1. 京大院工
JFET の作製

13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 / Compound and power devices, process technology and characterization
9:30		 22a-B204-3

ゲート付き SiCpn ダイオードの電気的特性評価

9:45		 22a-B204-4

高濃度 P イオン注入 SiC 上ショットキー障壁におけるトラップアシストトンネル電流の解析
4H-SiC ショットキー障壁ダイオードにおけるトンネル電 〇村上 勇徳 1, 永溝 幸周 1, 田中 一 1, 森 伸也 1
1. 阪大院工流の理論解析
金属 / 高濃度ドープ p 型 SiC ショットキー界面におけるト 〇北脇 武晃 1, 原 征大 1, 田中 一 1, 2, 金子 光顕 1, 木本 1. 京大院工 , 2. 阪大院工ンネル電流に対するスプリットオフバンドの影響
恒暢 1
休憩 /Break
SiC への MeV-Al イオンチャネリング注入における臨界角 〇井上 瑛 1, 金子 光顕 1, 米澤 喜幸 2, 木本 恒暢 1
1. 京大院工 , 2. 産総研の決定
KrF レーザードーピングによる SiC への窒素拡散〇妹川 要 1, 納富 良一 1, 宇佐見 康継 1
1. ギガフォトン（株）―レーザードーピングメカニズムの研究（その４）―
1
1
顕微ラマン分光法による多層電極付 n 形 4H-SiC 結晶の高 〇近藤 聖也 , 須田 潤
1. 中京大工
温電子物性の熱応力効果
光学干渉非接触温度測定法 (OICT) を基盤とした SiC ウ 〇 Yu Jiawen1, 松口 康太郎 1, 佐藤 拓磨 1, 花房 宏明 1, 1. 広島大学
エハの高速熱処理時のリアルタイム温度測定技術の開発 東 清一郎 1
通電過熱時におけるシリコンウェハ内の過渡的温度分布 〇 (M2) 松口 康太郎 1, Yu Jiawen1, 花房 宏明 1, 佐藤 1. 広大院先進理工の 3 次元イメージング
拓磨 1, 東 清一郎 1
口頭講演 (Oral Presentation) B204 会場（Room B204）
スパッタ SiO2 成膜による SiO2/GaN MOS 界面の GaOx 層 〇 (B) 大西 健太郎 1, 小林 拓真 1, 溝端 秀聡 1, 野﨑 幹 1. 大阪大学 , 2. 原子力機構
抑制
人 1, 吉越 章隆 2, 志村 考功 1, 渡部 平司 1
スパッタ成膜 SiO2/GaN 構造における Ga 拡散抑制効果 〇 (B) 大西 健太郎 1, 小林 拓真 1, 溝端 秀聡 1, 野﨑 幹 1. 大阪大学 , 2. 原子力機構
人 1, 吉越 章隆 2, 志村 考功 1, 渡部 平司 1
第一原理計算による SiO2/GaN 界面の中間層の研究〇 (M1) 服部 柊人 1, 押山 淳 2, 白石 賢二 2, 1, 宮崎 誠 1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 阪大院工 , 4. 富士電機
一 1, 渡部 平司 3, 上野 勝典 4, 田中 亮 4, 近藤 剣 4, 高島
信也 4, 江戸 雅晴 4
GaN への浅い Mg、N 連続注入による p 型高濃度領域の 〇田中 亮 1, 高島 信也 1, 江戸 雅晴 1, 埋橋 淳 2, 大久保 1. 富士電機 , 2.NIMS
形成検討
忠勝 2, Jun Chen2, 関口 隆史 2
Mg チャネリング注入による GaN 縦型パワーデバイス〇北川 和輝 1, Maciej Matys2, 加地 徹 2, 須田 淳 1, 2
1. 名大院工 , 2. 名大未来研
JTE 構造の最適ドーズ幅拡大効果
1
2
1
1
Mg イオン注入 GaN の正孔濃度の活性化アニール温度依 〇大森 雅登 , 渡邉 健太 , 坪井 辰哉 , 日高 昭日 , 大 1. 大分大 , 2. ミライズ
存性
川 峰司 2超高圧アニールによる Mg イオン注入 p 型 GaN のルミ〇嶋 紘平 1, 櫻井 秀樹 2, 3, 4, 石橋 章司 5, 上殿 明良 6,
1. 東北大多元研 , 2. 名大 IMaSS, 3. 名大工 , 4. アルバック
ネッセンス評価
Bockowski Michal2, 7, 須田 淳 2, 3, 加地 徹 2, 秩父 重英 1 先進研 , 5. 産総研 CD-FMat, 6. 筑波大数物系 , 7.IHPP
PAS
Mg 熱拡散法を用いた縦型 GaN p-n 接合ダイオードの作 〇伊藤 佑太 1, 川崎 晟也 1, 権 熊 1, 島村 健矢 1, 成田 周 1. 名大院工 , 2. 名大 IMaSS, 3. 名大 VBL, 4. 名大 ARC
製
平 1, 渡邉 浩崇 2, 出来 真斗 3, 新田 州吾 2, 本田 善央 2,
田中 敦之 2, 天野 浩 2, 3, 4
熱拡散法を用いて形成された p-GaN 中の Mg の拡散〇島村 健矢 1, 伊藤 佑太 1, 隈部 岳瑠 1, 川崎 晟也 1, 渡 1. 名大院工 , 2. 名大 IMaSS, 3. 名大 VBL, 4. 名大 ARC
邉 浩崇 2, 出来 真斗 3, 新田 州吾 2, 田中 敦之 2, 本田 善
央 2, 天野 浩 2, 3, 4
様々なドーピング密度を有する GaN p+-n および p-n+ 接 〇前田 拓也 1, 成田 哲生 2, 山田 真嗣 3, 4, 加地 徹 3, 木 1. 京大院工 , 2. 豊田中研 , 3. 名大未来材料・システム研
合ダイオードの絶縁破壊電界
本 恒暢 1, 堀田 昌宏 1, 3, 5, 須田 淳 1, 3, 5
究所 , 4. アルバック先進研 , 5. 名大院工
休憩 /Break
HVPE 法成長 GaN 縦型 p-n 接合ダイオードにおける逆方 〇田中 大貴 1, 大西 一生 2, 川崎 晟也 1, 新田 州吾 2, 藤 1. 名大院工 , 2. 名大 IMaSS, 3. 名大 ARC, 4. 名大 VBL
向リーク源の探索
元 直樹 2, 渡邉 浩崇 2, 田中 敦之 2, 本田 善央 2, 天野浩 2, 3, 4
OVPE-GaN 基板上 pn ダイオードにおける伝導度変調の 〇宇佐美 茂佳 1, 太田 博 2, 滝野 淳一 3, 渡邉 浩崇 4, 隅 1. 阪大院工 , 2. 法政大学 , 3. パナソニックホールディン解析
智亮 3, 今西 正幸 1, 新田 州吾 4, 本田 善央 4, 森 勇介 1, グス ( 株 ), 4. 名大未来研
三島 友義 2, 岡山 芳央 3, 天野 浩 4
マイクロ波無線電力伝送用 AlGaN/GaN HEMT〇岸本 尚也 1, 土屋 洋一 1, Debaleen Biswas1, 馬 強 1, 1. 名工大 , 2. 名大Gated-Anode ダイオードの 2.4 GHz 整流特性
安藤 裕二 2, 高橋 英匡 2, 分島 彰男 1
p 型分極ドープ AlGaN 層中の Shockley-Read-Hall 寿命〇隈部 岳瑠 1, 川崎 晟也 1, 渡邉 浩崇 2, 出来 真斗 1, 3, 1. 名大院工 , 2. 名大 IMaSS, 3. 名大 VBL, 4. 名大 ARC
本田 善央 2, 天野 浩 2, 3, 4
電圧印加界面顕微光応答法による Ni/n-GaN ショット
〇今林 弘毅 1, 堀切 文正 2, 成田 好伸 2, 福原 昇 2, 三島 1. 福井大院工 , 2. サイオクス , 3. 法政大
キー接触の電極端面構造の二次元評価
友義 3, 塩島 謙次 1
2.4 A ノーマリーオフβ -Ga2O3 縦型 multi-fin FET〇脇本 大樹 1, 林 家弘 1, ティユ クァン トゥ1, 宮本 広 1. ノベルクリスタルテクノロジー
信 1, 佐々木 公平 1, 倉又 朗人 1
B イオン注入のみで作製したダイヤモンドショットキー 〇関 裕平 1, 重松 誠也 2, 大石 敏之 2, 嘉数 誠 2, 星野
1. 神奈川大理 , 2. 佐賀大理工
バリアダイオード
靖 1, 中田 穣治 1
51
1
耐圧 1651 V, 整流比 3.6 × 10 の全イオン注入法により作 〇 (M1) 入江 優雅 , サハ ニロイチャンドラ , 関 裕 1. 佐賀大院工 , 2. 神奈川大院理 , 3. アダマンド並木精密
製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード
平 2, 中山 隼 1, 金 聖祐 3, 小山 浩司 3, 大石 敏之 1, 嘉数 宝石 ( 株 )10:00

奨 22a-B204-5

10:15

奨 22a-B204-6

10:30		10:45奨 22a-B204-7
11:00		 22a-B204-8
11:15		 22a-B204-9
11:30

奨 22a-B204-10

11:45		 22a-B204-11
9/22(Thu.) 13:30 - 18:15
13:30
奨 22p-B204-1
13:45		 22p-B204-2
14:00

奨 22p-B204-3

14:15		 22p-B204-4
14:30		 22p-B204-5
14:45		 22p-B204-6
15:00		 22p-B204-7

15:15		 22p-B204-8

15:30

奨 22p-B204-9

15:45		 22p-B204-10

13 半導体 / Semiconductors

16:00		16:15奨 22p-B204-11

16:30

奨 22p-B204-12

16:45

奨 22p-B204-13

17:00

奨 22p-B204-14

17:15		 22p-B204-15
17:30		 22p-B204-16
17:45		 22p-B204-17
18:00		 22p-B204-18

9/23(Fri.) 9:00 - 12:00
9:00		 23a-B204-1
9:15		 23a-B204-2
9:30		 23a-B204-3

9:45		 23a-B204-4
10:00		 23a-B204-5
10:15		 23a-B204-6

10:30		10:45		 23a-B204-7
11:00		 23a-B204-8〇阿野 響太郎 1, 角嶋 邦之 1, 筒井 一生 2, 若林 整 1, 星 1. 東工大工 , 2. 東工大 IIP, 3. ニューフレアテクノロジー
井 拓也 1, 依田 孝 2, 3
〇原 征大 1, 金子 光顕 1, 木本 恒暢 1
1. 京大院工

誠 1, 星野 靖 2, 中田 穣治 2
口頭講演 (Oral Presentation) B204 会場（Room B204）
GaN 表面 As 化層を介した p 型 C ドープ GaAsSb の成長〇星 拓也 1, 吉屋 佑樹 1, 杉山 弘樹 1, 中島 史人 1
1.NTT 先端集積デバイス研
i 線ステッパーによる 150 nm 級 Y 型ゲート AlGaN/GaN 〇安藤 裕二 1, 2, 高橋 英匡 1, 牧迫 隆太郎 1, 分島 彰
1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 名工大HEMT の作製
男 3, 須田 淳 1, 2
選択成長法を用いた GaN FinFET の作製：成長窓形成プ 〇久恒 悠介 1, 太田 貴士 1, 佐々木 満孝 1, 高橋 言緒 2, 1. 東京工業大学 , 2. 産業総合技術研究所
ロセス改善
井手 利英 2, 清水 光聡 2, 星井 拓也 1, 角嶋 邦之 1, 若林
Fe，C または Mn を添加した半絶縁性 GaN 基板上に作製した AlGaN/GaN HEMT の室温における電気的特性評価
バックバリア層を有する AlGaN / GaN HEMT のチャネ
ル層厚さ依存性
N 極性面 AlGaN/AlN ヘテロ接合型 FET の性能改善

休憩 /Break
高自発分極 AlScN 膜の導入による GaN HEMT のしきい
値変化
高出力デバイス応用に向けた GaN/3C-SiC on-diamond
HEMT 構造の作製

整 1, 筒井 一生 1
〇田中 大貴 1, 磯 憲司 2, 3, 三浦 輝紀 2, 3, 安藤 裕二 1, 3,

1. 名大院工 , 2. 三菱ケミカル , 3. 名大未来研
須田 淳 1, 3〇伊東 幸風 1, 玉井 晟多 1, 星 拓也 2, 後藤 高寛 1, 宮本 1. 東工大 , 2.NTT 先端集積デバイス研

恭幸 1〇稲原 大輔 1, 松田 駿佑 1, 松村 航 1, 奥野 椋 1, 花咲 光 1. 山口大院・創成科学 , 2. ファインセラミックスセン

基 1, 小脇 岳士 1, 宮本 弥凪 1, 金崎 蓮 1, 齊藤 俊介 1, 藤 ター, 3. 名古屋大学未来材料・システム研究所
井 開 1, 倉井 聡 1, 岡田 成仁 1, 姚 永昭 2, 石川 由加里 2,
田中 敦之 3, 新田 州吾 3, 本田 善央 3, 天野 浩 3, 山田 陽
一1

〇野中 隆聖 1, 星井 拓也 1, 若林 整 1, 筒井 一生 2, 角嶋 1. 東工大工学院 , 2. 東工大科学技術創生研究科

邦之 1〇香川 諒 1, 重川 直輝 2, 梁 剣波 2, 川村 啓介 3, 坂井田 1. 大阪市大工 , 2. 大阪公大工 , 3. エア・ウォーター（株）,

佳紀 3, 大内 澄人 3, 浦谷 泰基 3, 清水 康夫 4, 大野 裕 4, 4. 東北大金研
長井 康介 4

13.8 光物性・発光デバイス / Optical properties and light-emitting devices
11:15		 23a-B204-9

表面活性化接合法による GaN/GaN 接合界面の評価

13 半導体 / Semiconductors〇 (M2) 澤井 一樹 1, 梁 剣波 1, 2, 清水 康雄 3, 大野 裕 3, 1. 大阪市大院工 , 2. 大阪公大院工 , 3. 東北大金研
永井 康介 3, 重川 直輝 1, 2
11:30		 23a-B204-10 AlGaN/GaN MIS-HEMT におけるリセス構造形成後表面 〇 (M2) 戸田 圭太郎 1, 久保 俊晴 1, 江川 孝志 1
1. 名工大処理の効果
11:45		 23a-B204-11 多端子ホール測定および高周波測定によるオーミック金 〇瓜生 和也 1, 2, 鈴木 寿一 1
1. 北陸先端大 , 2. アドバンテスト研属下 AlGaN/GaN ヘテロ構造空乏層幅の解析
9/23(Fri.) 13:30 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) B204 会場（Room B204）
13:30
奨 23p-B204-1 GaN HEMT の過渡温度特性解析〇伊東 俊祐 1, 谷口 悠高 1, 田中 敦之 2, 須賀 唯知 3, 分 1. 名工大 , 2. 名大 , 3. 明星大
島 彰男 1
13:45		 23p-B204-2 N 極性面上低温成膜 Ge 添加 GaN スパッタ膜の電気的特 〇山田 真嗣 1, 白井 雅紀 2, 小林 宏樹 2, 上村 隆一郎 2, 1. 名大 , 2. アルバック
性評価
新井 学 1, 加地 徹 1, 須田 淳 1
14:00		 23p-B204-3 異なるキャリア濃度を有する n 型 GaN に対する多光子励 〇丹羽 ののか 1, 川崎 晟也 1, 隈部 岳瑠 1, 渡邉 浩崇 2, 1. 名大院工 , 2. 名大 IMaSS, 3. 名大 VBL, 4. 名大 ARC
起 PEC エッチングの調査
古澤 優太 2, 田中 敦之 2, 出来 真斗 3, 久志本 真希 1, 新
田 州吾 2, 本田 善央 2, 天野 浩 2, 3, 4
14:15
奨 23p-B204-4 GaN のバンド構造に歪みが与える影響の強束縛近似法に 〇宮崎 航 1, 田中 一 1, 森 伸也 1
1. 阪大院工基づく解析
14:30
奨 23p-B204-5 電子線照射によりホモエピタキシャル成長 n 型 GaN 中に 〇遠藤 彗 1, 堀田 昌宏 1, 2, 須田 淳 1, 2
1. 名大院工 , 2. 名大未来研形成される電子トラップの Si 濃度依存性
1
1, 2
1, 2
14:45
奨 23p-B204-6 高エネルギー粒子線照射により窒化ガリウム中に形成さ 〇青島 慶人 , 堀田 昌宏 , 須田 淳
1. 名大院工 , 2. 名大未来研
れる電子トラップの生成レートと NIEL の相関
15:00		 23p-B204-7 超低濃度 Si イオン注入 GaN におけるトラップ密度深さ方 〇井口 紘子 1, 堀田 昌宏 1, 2, 須田 淳 1, 2
1. 名大院工 , 2. 名大未来研
向分布のアニール温度依存性
11
1
1
15:15		 23p-B204-8 容量過渡応答による n 型 AlN の深い準位の評価〇廣木 正伸 , 佐藤 慶典 , 谷保 芳孝 , 熊倉 一英
1.NTT 物性研
15:30		 23p-B204-9 n 型 GaN 基板・エピタキシャル薄膜の室温フォトルミネッ 〇秩父 重英 1, 嶋 紘平 1, 小島 一信 1, 上殿 明良 2, 石橋 1. 東北大多元研 , 2. 筑波大数物系 , 3. 産総研 CD-FMat,
センス寿命
章司 3, 渡邉 浩崇 4, 田中 敦之 4, 本田 善央 4, 今西 正
4. 名大 IMaSS, 5. 阪大院工 , 6. 物材機構
幸 5, 森 勇介 5, 生田目 俊秀 6, 色川 芳宏 6, 天野 浩 4, 小
6
出 康夫
13.8 光物性・発光デバイス / Optical properties and light-emitting devices
9/21(Wed.) 9:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C101 会場（Room C101）
9:30		 21a-C101-1 希土類錯体の合成と塗布法による発光薄膜の作製〇 (M2) 上田 英明 1, 中野 詠心 1, 大谷 直毅 1
1. 同志社大理工
9:45
奨 21a-C101-2 窒化炭素を母体とした希土類添加赤色蛍光材料の作製〇 (M1) 新美 尚弘 1, 大谷 直毅 1
1. 同志社大理工
1
1
2
3
10:00		 21a-C101-3 Gd2O3 バッファ層導入による SOI 基板上 Er 添加 CeO2 の 〇稲葉 智宏 , 徐 学俊 , 俵 毅彦 , 尾身 博雄 , 山本 秀 1.NTT 物性研 , 2. 日大 , 3. 大和大発光特性改善樹 1, 小栗 克弥 1, 眞田 治樹 1
10:15
奨 21a-C101-4 【注目講演】Eu 添加 GaN 表面平坦化層導入による微傾斜 〇 (M1) 大和 玲雄 1, 市川 修平 1, 2, 竹尾 敦志 1, 館林
1. 阪大院工 , 2. 阪大電顕センター(0001) InGaN 量子井戸発光の均一性向上
潤 1, 藤原 康文 1
1
1
1, 2
10:30
奨 21a-C101-5 Eu 添加 ZnO を活性層に用いた赤色 LED 構造の作製と発 〇 (M2) 西村 和人 , 舘林 潤 , 市川 修平 , 山田 晋 1. 阪大院工 , 2. 阪大超高圧電顕センター, 3. 阪大基礎工
光特性評価
也 3, 浜屋 宏平 3, 藤原 康文 1
10:45		 21a-C101-6 ウルツ鉱構造 InP ナノワイヤ発光ダイオードの電流注入 〇東 佑樹 1, 木村 峻 1, 蒲生 浩憲 1, 本久 順一 1, 冨岡 克 1. 海大情報科学院
特性と発光特性広1
11:00
奨 21a-C101-7 InAs 量子ドットを用いた電界効果型光スピンデバイス特 〇朴 昭暎 1, 樋浦 諭志 1, 高山 純一 1, 末岡 和久 1, 村山 1. 北大院情報科学
性の温度依存性
明宏 1
11:15		 21a-C101-8 半導体量子ドットを用いたスピン受光ダイオードの光電 〇日置 拓実 1, 江藤 亘平 1, 樋浦 諭志 1, 高山 純一 1, ス 1. 北大院情報科学
流特性
バギョ アグス 1, 末岡 和久 1, 村山 明宏 1
11:30
奨 21a-C101-9 フォトルミネッセンス特性を用いた Si ドープ GaAsN にお 〇南 奈津 1, 塚崎 貴司 1, 藤田 実樹 2, 牧本 俊樹 1
1. 早大理工 , 2. 一関高専
ける有効質量の評価
11:45
奨 21a-C101-10 和周波分光法を用いた hBN 封止単層遷移金属ダイカルコ 〇高橋 伸弥 1, 草場 哲 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 柳 和 1. 京大院理 , 2. 物材機構 , 3. 東京都立大院理 , 4. 京大
ゲナイド励起子準位構造の解明
宏 3, 田中 耕一郎 1, 4
iCeMS
9/21(Wed.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) C101 会場（Room C101）
1
1
1
13:30		 21p-C101-1 アオダモに含まれる青色蛍光色素の抽出とホスト材の検 〇尾野 龍也 , 松倉 秀一 , 大谷 直毅
1. 同志社大理工討
13:45		 21p-C101-2 p- フェニレンジアミン誘導カーボンドット分散フッ素樹 〇 (M2) 鷲尾 亘陽 1, 佐藤 康平 1, 磯 由樹 1, 磯部 徹彦 1 1. 慶大理工
脂膜の光安定性
14:00
奨 21p-C101-3 狭帯域蛍光グラフェン量子ドットの大量液相合成〇 (M1) 越智 幸乃 1, 片上 凜香 1, 小椋 章弘 1, 高尾 賢 1. 慶大理工
一 1, 磯 由樹 1, 磯部 徹彦 1
14:15		 21p-C101-4 親水化処理した CuInS2/ZnS 量子ドットの水系電気泳動 〇 (M1) 森本 敦主 1, 磯 由樹 1, 磯部 徹彦 1
1. 慶大理工堆積法による透明蛍光膜の作製
14:30
奨 21p-C101-5 シリコンナノ粒子による蛍光色素の発光スペクトル制御 〇 (M1) 足立 将人 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
14:45		 21p-C101-6 ゲル浸透クロマトグラフィーを用いたサイズ分離による 〇長澤 功樹 1, 中村 俊博 1, 越田 信義 2
1. 法政大院理工 , 2. 東京農工大工
Si ナノ結晶コロイドの発光色制御
15:00		 21p-C101-7 Si 量子ドットコロイドを用いた薄型溶液系 EL デバイスの 〇 (M1) 菅谷 遼太 1, 山本 聖也 1, 中村 俊博 1, 笠原 崇 1. 法政大院理工 , 2. 東京農工大工
発光特性
史 1, 越田 信義 1, 2
15:15		休憩 /Break
15:30
招 21p-C101-8 「講演奨励賞受賞記念講演」〇竹村 翔太 1, 小山 幸典 2, 中西 貴之 2, 舟橋 史朗 2, 広 1. 関西学院大院理工 , 2. 物材機構 , 3. 大阪公立大工
局所構造の非類似度を用いた新規狭帯域蛍光体の発見
崎 尚登 2, 池野 豪一 3, 武田 隆史 2
15:45		 21p-C101-9 β -SiAlON 蛍光体におけるドーパントと空孔型欠陥の相 〇北浦 守 1, 渡邊 真太 2, 正井 博和 3, 平 義隆 4, 高橋 向 1. 山形大 , 2. 東工大 , 3. 産総研 , 4.UVSOR, 5. 物材機構
補性
星 5, 武田 隆史 5, 広崎 尚登 5, 丹所 正孝 5, 出口 健三 5,
大木 忍 5, 大西 彰正 1
16:00
E 21p-C101-10 New (oxy)nitride phosphors discovered by single-particle- 〇 Jian Xu1, Shiro Funahashi1, Kohsei Takahashi1,
1.NIMS
diagnosis approach and time-resolved spectroscopy
Takayuki Nakanishi1, Naoto Hirosaki1, Takashi
Takeda1
16:15		 21p-C101-11 Eu2+ 付活 Sr-B-Al-Si-N 系新規青緑色蛍光体の合成と発光 〇吉村 文孝 1, 山根 久典 2
1. 三菱ケミカル ( 株 ), 2. 東北大多元研
特性
16:30		 21p-C101-12 Eu:Y2(Mg,Ca)Al4SiO12 の合成と発光特性評価〇齋藤 智基 1, 小玉 翔平 1, 柳瀬 郁夫 1, 武田 博明 1
1. 埼玉大16:45		 21p-C101-13 赤色自己発光するヨウ化物のフォトルミネッセンス特性 〇小玉 翔平 1, 黒澤 俊介 2, 3, 吉川 彰 2, 4, 柳瀬 郁夫 1, 武 1. 埼玉大 , 2. 東北大 NICHe, 3. 大阪大レーザー研 , 4. 東
田 博明 1
北大金研
17:00
奨 21p-C101-14 Cu 系発光材料 Cs3Cu2I5 薄膜の Mn2+​ドーピングによる光 〇渡邉 啓佑 1, 西岡 悠哉 1, 西中 浩之 1, 鐘ケ江 一孝 1, 1. 京工繊大
学的特性制御吉本 昌広 1
17:15		 21p-C101-15 第一原理計算を用いた MgO 基板上 SrO の構造予測〇 (M2) 関根 大峰 1, 小松 啓志 1, 山下 智樹 1
1. 長岡技科大9/22(Thu.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
1
1
1
1
			 22p-P15-1
Er:O 共添加 Si ナノピラーからの室温フォトルミネッセン 〇石井 智己 , 高橋 勇磨 , 内田 海成 , 圖師 拓海 , 佐 1. 早大理工 , 2. 量研 , 3. イタリア CNR, 4. 東北大ス計測
藤 真一郎 2, プラティ エンリコ 3, 品田 高宏 4, 谷井 孝 CIES
至1
			 22p-P15-2
Sm 添加 TiO2 薄膜の低抵抗化に向けた結晶性の評価〇石澤 飛鳥 1, 村山 真理子 2, 趙 新為 1
1. 東理大理 , 2. 東洋大工技研
			 22p-P15-3
酸水素炎による強熱プロセスで合成されるモルタル上の 〇小松 啓志 1, 中村 淳 2, 1, 齋藤 秀俊 1
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
Ca-Al-O: (Eu, Nd) 系蛍光体の残光特性			 22p-P15-4
Cr3+ 添加 CaO-GeO2 系ガラス蛍光体の発光特性に対する 〇七井 靖 1, 佐竹 優太郎 1, 北沢 信章 1
1. 防衛大熱処理の影響13.9 化合物太陽電池 / Compound solar cells

13 半導体 / Semiconductors

			 22p-P15-5

CVD 合成により成膜した ZnS:Mn 薄膜蛍光体層の光学 〇 (M2) 北脇 大靖 1, 和迩 浩一 1, 山本 伸一 1
1. 龍谷大院工特性
			 22p-P15-6
真空蒸着法により成膜した Ba2ZnS3:Mn 薄膜の発光特性 〇 (B) 池田 隼人 1, 北脇 大靖 1, 和迩 浩一 1, 山本 伸一 1 1. 龍谷大理工評価
			 22p-P15-7
AgIn(SxSe1-x)2 半導体混晶の育成とバンドギャップエネル 〇河野 弘希 1, 尾崎 俊二 1
1. 群馬大理工ギーの評価
			 22p-P15-8
発光励起分光による Cs4PbBr6 中の CsPbBr3 量子ドットの 〇 (M1) 池野谷 和希 1, 三枝 悦也 1, 新立 周平 1, 梶野 1. 千葉大院理 , 2. 九大先導研 , 3. 京大化研
サイズ推定
祐人 2, 金光 義彦 3, 山田 泰裕 1
			 22p-P15-9
単一 ZnO ナノ粒子のフォトルミネッセンス測定〇 (M1) 外谷 駿介 1, 近藤 崇博 1, 齊藤 結花 1
1. 学習院大化13.9 化合物太陽電池 / Compound solar cells
9/21(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B202 会場（Room B202）
9:00
奨 21a-B202-1 ZnSnP2 バルク結晶の非発光再結合中心の同定〇住吉 壱心 1, 野瀬 嘉太郎 1
1. 京大院工9:15		 21a-B202-2 SnI2 を用いた SnS 単結晶の育成と電気特性〇 (M1) 白鳥 拓郎 1, 柳 博 1, 福井 慧賀 1
1. 山梨大工9:30		 21a-B202-3 真空蒸着法により作製した硫化スズ薄膜に対する基板温 〇 (B) 川端 勇士 1, 村上 渚 1, 大前 洸斗 1
1. 釧路高専
度の影響
9:45		 21a-B202-4 CZTS 太陽電池の発光強度によるポテンシャル評価〇井手 優弥 1, 寺田 教男 1, 永井 武彦 2, 反保 衆志 2
1. 鹿児島大理工 , 2. 産総研
10:00		 21a-B202-5 大気開放型 CVD 法を用いた薄膜太陽電池のバッファ層用 〇栗本 祐司 1, 小林 大輝 1, 金井 綾香 2, 田中 久仁彦 2, 1. 木更津高専 , 2. 長岡技科大 , 3. 長岡高専
ZnS 膜および CdZnS 膜の作製と評価
荒木 秀明 3, 岡本 保 1
10:15		 21a-B202-6 大気中 MOCVD 法による CIGS 太陽電池用 ZnS バッファ 〇 (M1) 古牧 郁弥 1, 船木 顕広 1, 西村 昂人 1, 山田 明 1 1. 東工大
層の作製
10:30		休憩 /Break10:45
奨 21a-B202-7 CIGS 太陽電池モジュールの透明導電膜抵抗の解析〇 (M1) 阿部 鷹介 1, 西村 昂人 1, 山田 明 1
1. 東工大工
11:00
奨 21a-B202-8 CIGS 型両面太陽電池に関する基礎検討〇宗形 総道 1, 一戸 善弘 1, 村口 正和 1, 木村 尚仁 1, 小 1. 北科大1
島 洋一郎
11:15		 21a-B202-9 CIS 太陽電池における CIS/Mo 界面の電子構造〇濱尻 浩平 1, 今西 翼 1, 宮之原 勇 1, 兒島 旺樹 1, 大場 1. 鹿児島大 , 2. 出光興産 , 3. 産総研
幹也 1, 加藤 拓也 2, 木本 祥紀 2, 石塚 尚吾 3, 西永 慈
郎 3, 柴田 肇 3, 上川 由紀子 3, 寺田 教男 1
11:30		 21a-B202-10 EBIC 法を用いた Cu(In,Ga) Se2 太陽電池の評価〇清水 新開 1, 福田 遼太郎 1, 西村 昂人 1, 山田 明 1
1. 東工大工11:45		 21a-B202-11 硫黄粉末を用いた硫化法による Cu(In,Ga)S2 の作製〇 (M1) 柴田 智樹 1, 鈴木 陽太 1, 西村 昂人 1, 山田 明 1 1. 東工大工
9/21(Wed.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) B202 会場（Room B202）
13:30 奨 E 21p-B202-1 Effects of Thin Ag2S Buffer Layers on CuGaS2 Thin Films 〇 (M1C)Abhishek Gupta1, 2, Nazmul Ahsan2,
1.Grad. Arts &Sci. UTokyo, 2.RCAST UTokyo, 3.Grad.
Grown with RF Sputtering
Myeongok Kim2, 3, Yoshitaka Okada2, 3Eng. UTokyo
1, 2
1, 2
13:45 奨 E 21p-B202-2 Investigation on MoS2 Thin-film for Solar Cell
〇 (M2)Danrong Xie , Myeongok Kim , Nazmul 1.Eng. U-Tokyo, 2.RCAST U-Tokyo, 3.Grad. Arts & Sci.
U-TokyoApplications
Ahsan2, Abhishek Gupta3, Yoshitaka Okada1, 2
14:00 奨 E 21p-B202-3 Improved Photovoltaic Properties of Few-layer WS0.3Se1.7/ 〇 (D)Abdul A Kuddus1, Kojun Yokoyama1, Keiji
1.Saitama University
WOx Lateral p+-n Junctions
Ueno1, Hajime Shirai1
11
12
14:15		 21p-B202-4 CdS/Cu2O 界面のバンド接続〇寺田 教男 , 大久保 勝博 , 向井 大輔 , 山本 和重 , 1. 鹿児島大学 , 2. 東芝 , 3. 産総研
中川 直之 2, 永井 武彦 3, 反保 衆志 3
14:30		 21p-B202-5 中間層に水酸化マグネシウム薄膜を用いた酸化鉄薄膜太 〇村上 諒 1, 市村 正也 1
1. 名工大陽電池の作製
11
14:45		 21p-B202-6 ドロップ蒸発堆積 SnO2 および Co3O4/ SnO2 ヘテロ接合 〇リ トウ , 市村 正也
1. 名工大工15:00		 21p-B202-7 RF マグネトロンスパッタリング法による Cu3N 薄膜の作 〇藤中 将人 1, 中村 陽紀 1, 片桐 翔 1, 石川 博康 1, 2
1. 芝浦工大 , 2. グリーンエレクトロニクス国際研究研究
製と n 型伝導の観測センター
15:15		休憩 /Break
15:30		 21p-B202-8 光干渉効果を考慮したシースルー型ペロブスカイト /PbS 〇斯波 廣大 1, 2, 山口 浩一 1, 沈 青 1, 早瀬 修二 1, 岡田 1. 電通大基盤理工 , 2.( 株 ) グリッド , 3. 東大先端研
量子ドット中間バンド太陽電池の逆設計と作製
至崇 3, 曽我部 東馬 1, 2, 3
15:45		 21p-B202-9 Fabry-Pérot 光閉じ込め構造を用いた薄膜量子ドット太陽 〇樗木 悠亮 1, 2, 北原 健渡 1, 2, 宮下 直也 2, 岡田 至
1. 東大院工 , 2. 東大先端研
電池の評価
崇 1, 2
16:00
奨 21p-B202-10 外部量子効率の形状が開放電圧に与える影響と量子構造 〇 (D) 浅見 明太 1, 渡辺 健太郎 2, 中野 義昭 1, 杉山 正 1. 東大工 , 2. 先端研
太陽電池の最適化設計
和 1, 2
16:15		 21p-B202-11 二端子直列太陽電池 - 熱電素子タンデムの出力最大化設 〇佐久間 惇 1, 上出 健仁 2, 望月 敏光 2, 高遠 秀尚 2, 秋 1. 東大物性研 , 2. 産総研
計手法
山 英文 1
16:30		 21p-B202-12 直列 2 端子 PVTE ハイブリッドの普遍的ロスレス結合公 〇上出 健仁 1, 佐久間 惇 2, 望月 敏光 1, 高遠 秀尚 1, 秋 1. 産総研 , 2. 東大物性研式
山 英文 2
16:45 奨 E 21p-B202-13 Electrical Properties of AlGaAs/GaAs-Based Two-Step〇 Hambalee Mahamu1, Shigeo Asahi1, Takashi Kita1 1.Kobe Univ.
Photon Up-Conversion Solar Cells with Doubled
heterointerfaces
9/22(Thu.) 9:00 - 10:45 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
9:00 招 E 22a-A307-1 [Young Scientist Presentation Award Speech]〇 Gan Li1, Hassanet Sodabanlu2, Kentaroh
1.The Univ. of Tokyo, 2.RCAST, the Univ. of Tokyo
Al0.35GaAs / InGaP Heterojunction Solar Cell Based on Watanabe2, Masakazu Sugiyama1, 2, Yoshiaki
Temperature-graded Growth
Nakano1
9:15 奨 E 22a-A307-2 Characterization of III-V Compound Triple Junction Solar 〇 (M2)Thakur Vaishnavi1, 2, Bernice Y. Espaldon3,
1.Eng. UTokyo, 2.RCAST, UTokyo, 3.NIMS
Cells using Laser Beam Induced Current Mapping
Naoya Miyashita2, Nazmul Ahsan2, Yoshitaka
Okada1, 2
9:30		 22a-A307-3 転位すべり面に偏りのある InGaAs 太陽電池の非発光再 〇原田 尚吾 1, 森田 浩右 1, 大山 博暉 1, 原田 知季 1, 2, 1. 宮崎大 , 2. 学振特別研究員 DC, 3. 宇宙航空研究開発機
結合マッピング評価
大窪 純矢 1, 鈴木 秀俊 1, 小倉 暁雄 3, 今泉 充 3, 碇 哲 構
雄 1, 福山 敦彦 1
9:45		 22a-A307-4 常温接合法を用いた同一極性基板の評価〇 (M1) 西舘 優太 1, 久恒 圭人 1, 内田 史朗 1
1. 千葉工大
10:00		 22a-A307-5 常温接合を用いた異極性基板接合の検討〇 (M1) 久恒 圭人 1, 西舘 優太 1, 内田 史朗 1
1. 千葉工大
10:15		 22a-A307-6 III-V 族化合物太陽電池用オーミック電極の検討〇 (M1) 渡邉 康祐 1, 石井原 海斗 1, 若林 勇太 1, 内田 1. 千葉工大
史朗 1
10:30		 22a-A307-7 車載用 Si タンデム太陽電池の損失解析〇山口 真史 1, 中村 京太郎 1, 尾崎 亮 1, 小島 信晃 1, 大 1. 豊田工大 , 2. シャープ , 3. トヨタ自動車
下 祥雄 1, 高本 達也 2, 増田 泰造 3
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P08-1
HVPE で作製した InGaP/GaAs2 接合太陽電池の空間均一 〇 (M2) 南雲 大輔 1, 2, 庄司 靖 1, 太野垣 健 1, 大島 隆 1. 産総研 , 2. 東京都市大性の評価
治 1, 牧田 紀久夫 1, 岡野 好伸 2, 菅谷 武芳 1
		
E 22p-P08-2
Quantifying the influence of band tail recombination and 〇 (D)Hamidou Tangara1, Yulu He1, Guo Junjie1,
1.Univ.Tsukuba, 2.AIST
quasi-fermi level splitting on the open-circuit voltage loss Muhammad Monirul Islam1, Shogo Ishizuka2,
in CIGS solar cells
Takeaki Sakurai1
			 22p-P08-3
In2O3:Ti を裏面電極に用いた両面受光型 Cu(In,Ga)Se2 光 〇岡田 一真 1, 植田 かな 1, 杉山 睦 1, 2
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
電極が水分解に与える影響
			 22p-P08-4
Cu2SnS3 薄膜を光電極に用いた水分解の可能性〇金森 大輝 1, 杉山 睦 1, 2
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
			 22p-P08-5
n-CdS 層成膜時の (NH2)2CS 濃度が Cu2SnS3(CTS) 太陽電 〇金井 綾香 1, 齋藤 聡一郎 2, 荒木 秀明 2, 田中 久仁
1. 長岡技科大 , 2. 長岡高専
池の電気特性に与える影響
彦1
1
1
1
1
			 22p-P08-6
低硫化水素濃度での熱処理による Cu2SnS3 薄膜の作製〇赤木 洋二 , 喜瀬 駆 , 阿部 日向 , 内村 友宏 , 中村 1. 都城高専 , 2. 津山高専 , 3. 長岡高専
重之 2, 荒木 秀明 3

15.1 バルク結晶成長 / Bulk crystal growth			 22p-P08-7
			 22p-P08-8
			 22p-P08-9
			 22p-P08-10
			 22p-P08-11
			 22p-P08-12
			 22p-P08-13
			 22p-P08-14
			 22p-P08-15
			 22p-P08-16

ウェットプロセスで作製した化合物太陽電池光吸収層〇 (B) 五十嵐 優聴 1, 長谷川 覚巳 1, 石田 友紀 1, 田中
Cu2SnS3 薄膜の熱処理条件における保持時間の影響
久仁彦 2, 森谷 克彦 1
ディップコート法による Cu2SnS3(CTS) 光吸収層作製に 〇 (B) 長谷川 覚巳 1, 五十嵐 優聴 1, 石田 友紀 1, 森谷
おける溶液粘度依存性
克彦 1
フォトルミネッセンス観測による Cu2Sn1-xGexS3 の基礎物 〇羽田 涼馬 1, 金井 綾香 1, 杉山 睦 2, 田中 久仁彦 1
性の調査
Cu2Sn1-xSixS3 バルク結晶のフォトルミネッセンス観測〇岩崎 千寛 1, 金井 綾香 1, 田中 久仁彦 1
アモルファス Sn-S プリカーサが硫化処理後の SnS 薄膜 〇庄司 拓真 1, 浦野 悟至 1, 杉山 睦 1, 2に及ぼす影響Sn-S プリカーサへの Sb 添加が硫化処理後の SnS 薄膜に及 〇浦野 悟至 1, 杉山 睦 1, 2
ぼす影響
MoS2 バッファ層導入による SnS 薄膜の結晶性の検討〇松島 聖人 1, 滝沢 康太 1, 杉山 睦 1, 2
ALD 法を用いた ZnO バッファ層が SnS 層の欠陥に及ぼ 〇篠田 倫太郎 1, 浦野 悟至 1, 杉山 睦 1, 2
す影響
真空蒸着法による ZnS:Cl/SnS PN 接合ダイオードの作製 〇 (B) 村上 渚 1, 川端 勇士 1, 大前 洸斗 1
スピンコート法による新規透明 p 型半導体（銅ハライド 〇本間 大祐 1, 村山 堅亮 1, 田中 久仁彦 2, 森谷 克彦 1系薄膜）の作製

1. 鶴岡工業高等専門学校 , 2. 長岡技術科学大学
1. 鶴岡高専
1. 長岡技科大 , 2. 東理大
1. 長岡技科大1. 東理大 理工 , 2. 東理大

総研

1. 東理大総研

理工 , 2. 東理大

1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
1. 釧路高専
1. 鶴岡高専 , 2. 長岡技科大15 結晶工学 / Crystal Engineering

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
15.1 バルク結晶成長 / Bulk crystal growth9/20(Tue.) 9:30 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) C206 会場（Room C206）
9:30		 20a-C206-1 共晶体構造を有する SnSe 熱電バルク結晶の作製と評価〇横田 有為 1, 2, 荻野 拓 3, 佐藤 浩樹 4, 奥野 敦 4, 堀合

15 結晶工学 / Crystal Engineering

1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3. 産総研 , 4. 三幸 , 5. 東
毅彦 2, 林 直志 5, 吉川 彰 1, 2
北大工
9:45
奨 20a-C206-2 層状複合アニオン化合物 Sr2ZnCu2(S1-xSex)2O2 の合成およ 〇加藤 隆寛 1, 2, 岩佐 祐希 1, 横田 有為 3, 堀合 毅彦 3, 1. 産総研 , 2. 東理大理 , 3. 東北大金研
び単結晶育成吉川 彰 3, Sugali Pavan Kumar Naik1, 2, 西尾 太一郎 2,
荻野 拓 1
10:00		 20a-C206-3 Er 添加 La2Hf2O7 の結晶育成と光学特性〇林 直志 1, 2, 横田 有為 2, 3, 堀合 毅彦 2, 3, 山ノ井 航
1. 東北大工 , 2. 東北大金研 , 3. 東北大 NICHe, 4. 阪大レー
平 4, 吉野 将生 2, 3, 山路 晃広 2, 3, 村上 力輝斗 2, 花田
ザー研
貴 2, 佐藤 浩樹 2, 3, 豊田 智史 2, 3, 大橋 雄二 2, 3, 黒澤 俊
2, 3, 42, 3
42, 3, 4介
, 鎌田 圭 , 猿倉 信彦 , 吉川 彰
10:15
奨 20a-C206-4 Ce 添加 (Gd,Y)ScO3 の単結晶育成および光学特性〇堀合 毅彦 1, 2, Guguschev Christo3, Ganschow
1. 東北大 NICHe, 2. 東北大金研 , 3.IKZ
Steffen3, 吉野 将生 1, 2, 横田 有為 1, 2, 吉川 彰 1, 2
10:30		休憩 /Break
10:45		 20a-C206-5 ジベンゾフランの結晶育成と発光特性〇山路 晃広 1, 2, 黒澤 俊介 1, 2, 3, 吉川 彰 1, 2
1. 東北大学 NICHe, 2. 東北大金研 , 3. 大阪大レーザー研
11:00		 20a-C206-6 シンチレータ結晶光ファイバーの材料設計と試作〇鎌田 圭 1, 2, 矢島 隆雅 3, 4, 吉野 将生 1, 2, 佐々木 玲 3, 4, 1. 東北大 NICHe, 2.C&A, 3. 東北大金研 , 4. 東北大工堀合 毅彦 1, 2, 村上 力輝斗 3, 2, 沓澤 直子 2, Kim
Kyoung Jin2, 1, 吉川 彰 1, 2, 3
11:15		 20a-C206-7 Ca0.582Sr0.418F2（CSF）単結晶作製と結晶特性〇高橋 和也 1, 熊谷 毅 1, 川又 透 2, 杉山 和正 2, 石地 耕 1. ㈱福田結晶研 , 2. 東北大金研 , 3. 九州シンクロ , 4. 立命
太朗 3, 藤井 高志 4, 猿倉 信彦 5, 福田 承生 1
館大 , 5. 阪大
11:30
奨 20a-C206-8 ホウ酸系光学材料 SrB4O7 結晶の大型化と高品質化〇関川 康太 1, 村井 良多 2, 高橋 義典 1, 宇佐美 茂佳 1, 1. 阪大院工 , 2. 創晶超光 , 3. 阪大レーザー研
今西 正幸 1, 丸山 美帆子 1, 森 勇介 1, 2, 吉村 政志 2, 3
9/20(Tue.) 13:30 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) C206 会場（Room C206）
13:30
招 20p-C206-1 「分科内招待講演」〇下山 淳一 1
1. 青学大高温超伝導材料における結晶工学
14:15
招 20p-C206-2 「分科内招待講演」〇長尾 雅則 1
1. 山梨大浮遊帯域溶融法 (FZ 法 ) を用いた p 型酸化ガリウム単結晶の育成に向けた研究
15:00		休憩 /Break
15:15		 20p-C206-3 垂直ブリッジマン法による 2 インチ Fe ドープβ‐Ga2O3 〇上田 悠貴 1, 五十嵐 拓也 1, 輿 公祥 1, 山腰 茂伸 1, 倉 1. ノベルクリスタルテクノロジー(010) 基板の作製
又 朗人 1
15:30		 20p-C206-4 ランガサイト型結晶 Ca3Ta(Ga1 － xAlx)3Si2O14 の特異な調 〇宇田 聡 1, 有満 雅人 2, 坂野 修平 2
1. 東北大未セ , 2. 東北大金研
和融解性
15:45		 20p-C206-5 CZ 法 Fe-Ga 合金単結晶作製における融液の過冷却〇熊谷 毅 1, 安藤 宏孝 1, 高橋 和也 1, 渡邊 清和 1, 安達 1. 福田結晶研 , 2. 東北大多元研 , 3. 東北大金研 , 4. 東北大正芳 2, 福山 博之 2, 川又 透 3, 鈴木 茂 4, 福田 承生 1
μ SIC
16:00		 20p-C206-6 VB 法で育成した Fe-Ga 角柱単結晶の磁歪特性向上〇泉 聖志 1, 大久保 和彦 1, 佐藤 昌明 1, 南谷 保 2, 上野 1. 住友金属鉱山 , 2. 金沢大学
2
敏幸
16:15
奨 20p-C206-7 有機 EL 蒸着に用いる新規高抵抗率ルテニウム基合金線 〇村上 力輝斗 1, 2, 鎌田 圭 2, 3, 梅津 健一 4, 糸井 椎香 2, 1. 東北大金研 , 2. ㈱ C&A, 3. 東北大 NICHe, 4. 山形大工 ,材の開発
山口 大聡 2, 吉岡 隆 6, 及川 勝成 5, 城戸 淳二 4, 吉川
5. 東北大工 , 6. ㈱サンリック
彰 1, 2, 3
16:30		 20p-C206-8 直径 2 インチ ScAlMgO4 単結晶ウェハのエッチング評価 〇白石 裕児 1, 南都 十輝 1, 安藤 宏孝 1, 福田 承生 1, 藤 1. ㈱福田結晶研 , 2. 立命館大 , 3. 九州シンクロトロン光
井 高志 2, 1, 石地 耕太朗 3
研究センター
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P09-1
混合溶液から空間分離して結晶が析出する現象の発見〇 (M2) 桐生 みか 1
1. 群馬大院
			 22p-P09-2
タンパク質の金ナノ粒子への吸着及び結晶化における電 〇 (M2) 高須賀 友香 1, 堀内 宏明 1, 奥津 哲夫 1
1. 群大院荷の影響
			 22p-P09-3
タンパク質の光誘起結晶化における熱の効果〇 (M2) 齋藤 文恵 1, 佐藤 友彦 1, 堀内 宏明 1, 奥津 哲 1. 群大院
夫1
			 22p-P09-4
混晶バルク SiGe 結晶の物性計測〇荒井 康智 1, 片野 佳文 2, 椿 浩二 2, 内田 茂樹 2
1. 宇宙機構 , 2.TOPCON
15.2 II-VI 族結晶および多元系結晶 / II-VI and related compounds
9/22(Thu.) 9:00 - 10:30 口頭講演 (Oral Presentation) B102 会場（Room B102）
9:00
E 22a-B102-1 Investigation on threading dislocation reduction in CdTe/ 〇 Bal Singh Chaudhari1, Yutaka Takagi1, Ryo
1.NITech
Si epitaxial layer using post-growth patterning andOkumura1, Madan Niraula1
annealing technique
9:15
奨 22a-B102-2 サファイア基板上 ZnTe(110) 薄膜の高品質化に向けた多 〇 (M2) 小林 昇太郎 1, 川島 勇人 1, 杉本 昂大 1, 蘇 楠 1, 1. 早大先進理工 , 2. 早大材研
サイクルの核形成プロセス導入
小林 正和 1, 2
9:30		 22a-B102-3 MBE 成長 SnTe 薄膜の ZnTe 層の導入による結晶性と表面 〇 (M2) 蘇 楠 1, 小林 昇太郎 1, 小林 正和 1, 2
1. 早大先進理工 , 2. 早大材研
状態の改善
1
1
9:45		 22a-B102-4 InP 基板上 MgSe/ZnCdSe 共鳴トンネルダイオードの理論 〇馬場 一浩 , 野村 一郎
1. 上智大理工
解析と特性向上に向けた検討
10:00		 22a-B102-5 InP 基板上 MgZnCdSe/ZnCdSe 共鳴トンネルダイオード 〇 (M2) 謝 観粲 1, ヨウ バイケツ 1, 野村 一郎 1
1. 上智大学理工学研究科
における非対称二重障壁の検討
10:15
E 22a-B102-6 Interface chemical reaction during MBE growth of MgF2 〇 ZHEFU LIU1, Takuya Hoshii1, Kuniyuki
1.Tokyo Techon Si depending on thermal processes: Towards a new
Kakushima1, Hitoshi Wakabayashi1, Kazuo Tsutsui1
growth technique for epitaxial MgSiN2
9/22(Thu.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P16-1
可視光下光触媒反応に向けたウニ状酸化チタンの作製〇大牟田 悠貴 1, 村山 真理子 2, 趙 新為 1
1. 東理大理 , 2. 東洋大工技研

15 結晶工学 / Crystal Engineering

15.3 III-V 族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎 / III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy
15.3 III-V 族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎 / III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy
9/21(Wed.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A105 会場（Room A105）
9:00		 21a-A105-1 高 Sb ビーム等価圧力による AlInSb 薄膜結晶の高品質化 〇町田 龍人 1, 赤羽 浩一 1, 渡邊 一世 1, 原 紳介 1, 笠松 1. 情報通信研究機構の検討
章史 1
9:15		 21a-A105-2 GaAs 基板上メタモルフィック InAsSb の積み増しアニー 〇中川 翔太 1, 本部 好記 1, 岩切 優人 1, 前田 幸治 1, 荒 1. 宮崎大工
ルによる結晶性改善の検討
井 昌和 1
9:30		 21a-A105-3 InAs 基板上 InAsSb/InAsP 量子井戸の歪補償構造と発光 〇本部 好記 1, 中川 翔太 1, 岩切 優人 1, 前田 幸治 1, 荒 1. 宮崎大工
特性の調査
井 昌和 1
9:45		 21a-A105-4 ラマン分光法による GaAs/GaAsBi 構造中の光励起キャリ 〇長谷川 将 1, 蓮池 紀之 1, 鐘ケ江 一考 1, 西中 浩之 1, 1. 京都工繊大
アの特性評価吉本 昌広 1
10:00		 21a-A105-5 低温成長 GaAs1-xBix のホッピング伝導機構の解析〇 (M2) 原田 南斗 1, 梅西 達哉 1, 香西 優作 1, 富永 依 1. 広大先進理工 , 2. 愛媛大理工 , 3. 北大量子集積 , 4. 島根
里子 1, 行宗 詳規 2, 石川 史太郎 2, 3, 梶川 靖友 4
大総合理工
10:15		休憩 /Break1
1
1
1
10:30		 21a-A105-6 厚さを変えた希薄窒化 GaNAs 量子井戸とトンネル結合し 〇細江 真義 , 佐藤 紫乃 , 樋浦 諭志 , 高山 純一 , 村 1. 北大院情報科学
た InAs 量子ドットの円偏光発光特性
山 明宏 1
10:45		 21a-A105-7 GaAs(001) 微傾斜基板上 InGaAsN のキャリア移動度の温 〇 (M1) 玉城 大天 1, 小島 信晃 1, 大下 祥雄 1
1. 豊田工大
度依存性解析
11:00		 21a-A105-8 Porous Si 基板の孔の深さが GaAs 薄膜成長に与える影響 〇源 龍之介 1, 河野 将大 1, 藤岡 宏輔 1, 鈴木 秀俊 1
1. 宮大工11:15		 21a-A105-9 Si 上 GaAs 成膜において初期成長過程が残留歪の異方性 〇 (M1) 安河内 唯人 1, 小島 信晃 1, 大下 祥雄 1
1. 豊田工業大学に与える影響9/21(Wed.) 13:00 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) A105 会場（Room A105）
13:00
奨 21p-A105-1 多結晶 InxGa1 − xAs 膜のプラスチック上合成と近赤外分光 〇 (D) 西田 竹志 1, 2, 末益 崇 1, 都甲 薫 1
1. 筑波大院 , 2. 学振特別研究員
感度の実証
1
2
13:15
E 21p-A105-2 Surface Stability of reconstructions on BAs (111) surface: 〇 Peiyang Cai , Toru Akiyama , Tomomasa
1.Grad. School of Eng. Nagoya Univ., 2.Grad. School of
An Ab Initio-Based Approach
Kiyozawa1, Takafumi Hatano1, Shunta Harada1, 3,
Eng. Mie Univ., 3.IMaSS Nagoya Univ.
Miho Tagawa1, 3, Hiroshi Ikuta1, Toru Ujihara1, 3
13:30		 21p-A105-3 (110) 歪 InGaAs 量子井戸における構造揺らぎと発光特性 〇揖場 聡 1, 大野 裕三 1, 2
1. 産総研 , 2. 筑波大
の評価
13:45
E 21p-A105-4 Control of the 3D Submonolayer Nanostructure Density 〇 Ronel Intal Roca1, Itaru Kamiya1
1.Toyota Tech. Inst.
by GaAs Spacer Thickness
14:00		 21p-A105-5 サブモノレイヤー成長法による InAs 量子ドットの密度制 〇平墳 直 1, ロカ ロネル 1, 神谷 格 1
1. 豊田大工御14:15		休憩 /Break
14:30		 21p-A105-6 InAs 量子ドット /GaAs(001) 上 GaAs キャッピングの As 〇若原 夏希 1, ロカ ロネル 1, 神谷 格 1
1. 豊田工大
flux の影響
14:45		 21p-A105-7 InP(311)B 基板上における超低密度 InAs 量子ドット形成 〇赤羽 浩一 1, 金木 潔良 2, 松本 敦 1, 梅沢 俊匡 1, 山本 1. 情通機構 , 2. 青学大 , 3. 広島大
直克 1, 前田 智弘 2, 外林 秀之 2, 富永 依里子 3, 菅野 敦
史1
15:00		 21p-A105-8 InP(001) 基板上砒素系 L バンド量子ドットの MBE 成長 〇權 晋寛 1, モレー ナタリア 1, 詹 文博 1, 岩本 敏 1, 2, 1. 東大ナノ量子 , 2. 東大先端研とレーザ作製
荒川 泰彦 1
15:15		 21p-A105-9 InGaP 結晶の成長速度とフォトルミネッセンスの相関〇日野 眞生 1, 浅見 明太 1, 渡辺 健太郎 2, 中野 義昭 1, 1. 東京大学 , 2. 先端研
杉山 正和 1, 2
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P10-1
GaSb 基板上 InSb 量子ドットのサイズ制御と PL 特性〇桑原 笑明 1, 山本 恭輔 1, 小関 敬祐 1, 牛頭 信一郎 2, 1. 東理大先進工 , 2. 産総研
遠藤 聡 1, 藤代 博記 1
			 22p-P10-2
第一原理計算による InSb1-xNx 混晶の電子構造解析〇藤川 紗千恵 1, 藤原 彬嵩 1, 矢口 裕之 1
1. 埼玉大			 22p-P10-3
希薄窒化物への放射線照射効果解明に向けた GaPN 混晶 〇大根 駿 1, 若原 昭浩 1, 山根 啓輔 1
1. 豊橋技科大中の空孔型点欠陥の理論的解析
			 22p-P10-4
GaAs(111)A 上の InAs メタモルフィック成長：成長温度 〇間野 高明 1, 大竹 晃浩 1, 川津 琢也 1, 佐久間 芳樹 1 1. 物材機構
依存性
			 22p-P10-5
1 μ m 帯広帯域高強度発光 InGaAs 薄膜の成長条件の検討 〇祝出 航佑 1, 尾崎 信彦 1, 奥野 光基 1
1. 和歌山大シス工(II)			 22p-P10-6
高速成長 GaAs キャップ層をもつ InGaAs 量子ドットの円 〇和泉 蒼翼 1, 樋浦 諭志 1, 高山 純一 1, 村山 明宏 1
1. 北大院情報科学
偏光発光特性の In 組成依存性
15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals
9/20(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C200 会場（Room C200）
9:00 奨 E 20a-C200-1 【注目講演】Structural analysis of N-polar InGaN layer〇 (DC)Mohammed Ali Najmi1, Martin Velazquez- 1.King Abdullah Univ.
grown on ScAlMgO4 substrate without buffer layer
Rizo1, Daisuke Iida1, Pavel Kirilenko1, Kazuhiro
Ohkawa1
9:15 奨 E 20a-C200-2 Anodic corrosion of n-GaN in non-redox electrolytes〇 (DC)Artem Shushanian1, Daisuke Iida1, Yu Han1, 1.KAUST
Kazuhiro Ohkawa1
9:30		 20a-C200-3 2 インチ ScAlMgO4 基板上への GaN の MOVPE 成長と反 〇福井 崇人 1, 坂口 太郎 1, 松田 祥伸 1, 松倉 誠 2, 小島 1. 京大院工 , 2. オキサイド
り評価
孝広 2, 船戸 充 1, 川上 養一 1
9:45		 20a-C200-4 ScAlMgO4 基板上 InGaN/GaN 超格子構造の設計と作製 〇坂口 太郎 1, 福井 崇人 1, 松田 祥伸 1, 松倉 誠 2, 小島 1. 京大院工 , 2.OXIDE
孝広 2, 船戸 充 1, 川上 養一 1
10:00		 20a-C200-5 RF-MBE 法を用いた ScAlMgO4 基板上 GaN 成長における 〇和田 邑一 1, 黒田 悠弥 1, 後藤 直樹 1, 藤井 高志 1, 毛 1. 立命館大理工 , 2.R-GIRO
成長初期過程の検討
利 真一郎 1, 出浦 桃子 2, 荒木 努 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 20a-C200-6 ScAlMgO4 基板上への GaN の RF-MBE 成長における基板 〇黒田 悠弥 1, 和田 邑一 1, 後藤 直樹 1, 藤井 高志 1, 毛 1. 立命館大理工 , 2.R-GIRO
表面窒化の効果
利 真一郎 1, 出浦 桃子 2, 荒木 努 1
10:45		 20a-C200-7 ScAlMgO4 基板上 GaN 薄膜の THz-TDSE による非接触・ 〇渡邉 迅登 1, 王 丁丁 1, 黒田 悠弥 1, 後藤 直樹 1, 藤井 1. 立命館大理工 , 2.R-GIRO, 3.PNP
非破壊電気特性評価技術の開発
高志 1, 3, 岩本 敏志 3, 出浦 桃子 2, 毛利 真一郎 1, 荒木
努1
11:00		 20a-C200-8 【注目講演】HVPE 法による ScAlMgO4 基板上の高品質
只友 一行 1, 2, 井本 良 1, 岡田 成仁 2, 星生 伸一 3, 出浦 1.CNV 技研, 2.山口大院創成, 3.オータスジャパン, 4.立GaN 基板作成（Ⅲ）MBE により GaN を直接成長したテ 桃子 4, 藤井 高志 4, 荒木 努 4, 石地 耕太朗 5, 白石 裕
命館大 , 5. 九州シンクロ , 6. 福田結晶研
ンプレート
児 6, 〇福田 承生 6
11:15
奨 20a-C200-9 ミスト供給酸化を用いた電流狭窄型青色 LED〇渡邊 琉加 1, 松本 浩輝 1, 長澤 剛 1, 小林 憲汰 1, 竹内 1. 名城大学
哲也 1, 上山 智 1, 岩谷 素顕 1
11:30		 20a-C200-10 スパッタ法を用いた格子緩和した長波長 (>600 nm) 発光 〇高山 明都 1, 上野 耕平 1, 小林 篤 1, 藤岡 洋 1
1. 東大生研
InGaN LED の作製
1
1, 2
1
1
11:45
奨 20a-C200-11 導電性 HfO2/TiO2 DBR を用いた垂直共振器型 Eu 添加〇一宮 亘 , 市川 修平 , 小林 周平 , 舘林 潤 , 藤原 1. 阪大院工 , 2. 阪大超高圧電顕センター
GaN 赤色発光ダイオードの動作実証
康文 1

15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals
9/20(Tue.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B201 会場（Room B201）
13:30		 20p-B201-1 RF-MBE 成長赤色発光 MQW における GaInN 下地層挿入 〇山口 智広 1, 山田 純平 2, 富樫 理恵 2, 田原 開悟 1, 赤 1. 工学院大 , 2. 上智大 , 3. 量研機構 , 4. 東京農工大 , 5. 立の効果
川 広海 1, 佐々木 拓生 3, 村上 尚 4, 尾沼 猛儀 1, 本田
命館大13:45		 20p-B201-2

14:45		15:00		 20p-B201-6

赤色ナノコラム成長における GaInN バッファ層のⅤ / Ⅲ
族比依存性
5 × 5µm 領域内 RGB 集積型 µLED 用ナノコラム結晶の作
製
GaN の RF-MBE 成長における GaN 自立基板の微小オフ
角依存性
極薄 GaN/AlN 超格子構造の作製における GaN 層の膜厚
依存性
休憩 /Break
RF-MBE 成長 DERI 法における InN の初期成長機構

15:15

スパッタ法による AlN/AlxGa1-xN ヘテロ構造への高濃度

14:00

奨 20p-B201-3

14:15		 20p-B201-4
14:30		 20p-B201-5

奨 20p-B201-7

15:30		 20p-B201-8

縮退 n+-AlGaN (d-AlGaN) オーミックコンタクトの形成
スパッタ法で作製した高濃度 Si 添加 AlxGa1-xN 薄膜の光

徹 1, 名西 憓之 5, 岸野 克巳 2
〇赤川 広海 1, 山田 純平 2, 山口 智広 1, 富樫 理恵 2, 3,

尾沼 猛儀 1, 野村 一郎 2, 3, 本田 徹 1, 岸野 克巳 2
〇高橋 昂司 1, 吉村 賢哉 1, 山田 純平 2, 富樫 理恵 1, 2,
野村 一郎 1, 2, 岸野 克巳 2
〇榊原 匠海 1, 出浦 桃子 2, 毛利 真一郎 1, 荒木 努 1

1. 工学院大 , 2. 上智大ナノテク , 3. 上智大理工
1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテク
1. 立命館大理工 , 2.R-GIRO〇杢谷 直哉 1, 和田 邑一 1, 毛利 真一郎 1, 出浦 桃子 2, 1. 立命館大理工 , 2.R-GIRO, 3. 三重大院工
正直 花奈子 3, 三宅 秀人 3, 荒木 努 1〇山田 泰弘 1, 中村 亮佑 1, 後藤 直樹 1, 毛利 真一郎 1, 1. 立命館大理工 , 2.R-GIRO
出浦 桃子 2, 荒木 努 1〇 (D) 前田 亮太 1, 西川 祐人 1, 上野 耕平 1, 小林 篤 1, 1. 東大生研
藤岡 洋 1〇西川 祐人 1, 前田 亮太 1, 上野 耕平 1, 小林 篤 1, 藤岡 1. 東大生研
洋1
〇 (M1) 小川 優輝 1, 渋谷 康太 1, 上杉 謙次郎 2, 3, 肖 世 1. 三重大 院工 , 2. 共創機構 , 3. 院地域イノベ
玉 1, 正直 花奈子 1, 三宅 秀人 1
〇上杉 謙次郎 1, 2, 張 芸賢 3, 正直 花奈子 3, 肖 世玉 3, 1. 三重大共創機構 , 2. 三重大院地域イノベ , 3. 三重大院
三宅 秀人 3
工

15 結晶工学 / Crystal Engineering

学特性評価
スパッタアニール法作製 a 面 AlN における結晶性のス
パッタ温度依存性
16:00		 20p-B201-10 m 面サファイア基板上スパッタアニール AlN の面方位制
御16:15		休憩 /Break
16:30
E 20p-B201-11 Atomic Scale Mechanism of Polarity Control in Molecular 〇 Yusuke Hayashi1, Tetsuya Tohei1, Zexuan Zhang2, 1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.Sch. Elec. Comp.
Beam Homoepitaxy on Sputter-Annealed N-polar AlN
Huili (Grace) Xing2, 3, 4, Debdeep Jena2, 3, 4, Yongjin
Eng., Cornell Univ., 3.Dept. Mater Sci. Eng., Cornell
Templates
Cho2, Hideto Miyake5, Akira Sakai1
Univ., 4.Kavli Inst. Cornell Nano. Sci., 5.Grad. Sch.
Eng., Mie Univ.
16:45		 20p-B201-12 Dislocation Morphologies of Molecular Beam Epitaxy〇林 侑介 1, Tohei Tetsuya1, Zhang Zexuan2, Xing
1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.Sch. Elec. Comp.
Grown AlN on Sputter-Annealed N-polar AlN
Huili (Grace)2, 3, 4, Jena Debdeep2, 3, 4, Cho Yongjin2, Eng., Cornell Univ., 3.Dept. Mater Sci. Eng., Cornell
Miyake Hideto5, Sakai Akira1
Univ., 4.Kavli Inst. Cornell Nano. Sci., 5.Grad. Sch.
Eng., Mie Univ.
17:00		 20p-B201-13 AlN の極性制御と両極性 AlN の結晶成長〇谷川 俊介 1, 迫山 卓哉 1, 倉井 聡 1, 岡田 成仁 1, 中野 1. 山口大院・創成科学 , 2. 静岡大工 , 3. 静大電研
貴之 2, 3, 山田 陽一 1
17:15		 20p-B201-14 微傾斜サファイア基板・極性反転を用いた Al 面・N 面〇奥野 椋 1, 松村 航 1, 花咲 光基 1, 小脇 岳土 1, 宮本 弥 1. 山口大院・創成科学 , 2. ファインセラミックスセン
AlN の結晶性と平坦性の改善
凪 1, 藤井 開 1, 倉井 聡 1, 岡田 成仁 1, 姚 永昭 2, 石川 由 ター
加里 2, 山田 陽一 1
17:30		 20p-B201-15 N 極性面 AlN 上 AlGaN の極性反転と成長条件の関係性〇小脇 岳土 1, 松村 航 1, 奥野 椋 1, 花咲 光基 1, 宮本 弥 1. 山口大院・創成科学 , 2. ファインセラミックスセン
凪 1, 藤井 開 1, 倉井 聡 1, 岡田 成仁 1, 姚 永昭 2, 石川 由 ター
加里 2, 山田 陽一 1
17:45		 20p-B201-16 N 極性 AlGaN/AlN ヘテロ接合型 FET の性能に対する〇花咲 光基 1, 松村 航 1, 小脇 岳土 1, 奥野 椋 1, 松田 駿 1. 山口大院・創成科学 , 2. ファインセラミックスセン
AlGaN チャネル層中の Si ドーピング効果
佑 1, 稲原 大輔 1, 宮本 弥凪 1, 藤井 開 1, 倉井 聡 1, 岡田 ター
成仁 1, 姚 永昭 2, 石川 由加里 2, 山田 陽一 1
9/20(Tue.) 13:30 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) B202 会場（Room B202）
13:30		 20p-B202-1 InGaN 薄膜における界面フォノン輸送に対する In 組成 〇 (M1) 浅地 竜也 1, 中山 朋哉 1, 飯田 大輔 2, Najimi 1. 千葉大院工 , 2.KAUST
依存性の解析
Mohammed A2, 大川 和宏 2, 石谷 善博 1
13:45
奨 20p-B202-2 イオン注入ダメージ量の異なる InGaN 量子井戸の輻射・ 〇森 恵人 1, 森本 悠也 1, 山肥田 涼 1, 今城 大渡 1, 柏木 1. 金沢工大 , 2. ソニーグループ
非輻射再結合寿命の分離評価
咲希 1, 高野 泰雅 1, 石田 悠 1, 山口 敦史 1, 草薙 進 2, 蟹谷 裕也 2, 工藤 喜弘 2, 冨谷 茂隆 2
14:00
E 20p-B202-3 Temperature-dependent microphotoluminescence study 〇 Zhaozong Zhang1, Ryota Ishii1, Mitsuru Funato1, 1.Kyoto Univ.
on green-emitting InGaN/GaN single quantum well
Yoichi Kawakami1grown on epitaxially laterally overgrown GaN
14:15		 20p-B202-4 低圧酸性アモノサーマル成長バルク GaN 結晶のルミネッ 〇嶋 紘平 1, 栗本 浩平 2, 包 全喜 2, 三川 豊 3, 石黒 徹 1, 1. 東北大多元研 , 2. 日本製鋼所 , 3. 三菱ケミカル
センス評価 (2)秩父 重英 1
14:30		 20p-B202-5 GaN に格子整合する c 面 AlInN 薄膜の室温フォトルミ〇李 リヤン 1, 嶋 紘平 1, 山中 瑞樹 2, 江川 孝志 2, 竹内 1. 東北大多元研 , 2. 名工大 , 3. 名城大 , 4. 産総研 , 5. 筑波
ネッセンス寿命哲也 3, 三好 実人 2, 石橋 章司 4, 上殿 明良 5, 秩父 重
大数物系
英1
14:45		休憩 /Break
15:00		 20p-B202-6 半極性面 AlGaN 量子井戸からの波長 250 nm 以下での高 〇 (D) 赤池 良太 1, 船戸 充 1, 川上 養一 1
1. 京大院工効率発光
15:15
奨 20p-B202-7 スパッタ AlN テンプレート上 AlGaN 量子井戸構造におけ 〇藤井 恵 1, 大西 悠太 1, 稲井 滉介 1, 押村 遼太 1, 倉井 1. 山口大院創成科学 , 2. 三重大共創機構 , 3. 三重大院地
る貫通転位近傍の CL 強度ラインプロファイル
聡 1, 岡田 成仁 1, 上杉 謙次郎 2, 3, 三宅 秀人 4, 山田 陽 域イノベ , 4. 三重大院工一1
15:30		 20p-B202-8 230 nm 発光帯 AlGaN 系量子井戸構造の内部量子効率
姫野 邦夫 1, 谷 海智 1, 林 拓誠 1, 〇室谷 英彰 2, 倉井
1. 山口大院・創成科学 , 2. 徳山高専 , 3. 理研
聡 1, 岡田 成仁 1, 前田 哲利 3, 平山 秀樹 3, 山田 陽一 1
1
1
1
2
15:45
奨 20p-B202-9 AlGaN 量子井戸構造における光励起深紫外誘導放出の励 〇姫野 邦夫 , 中生 拓希 , 大河原 颯 , 室谷 英彰 , 倉 1. 山口大院・創成科学 , 2. 徳山高専 , 3. 理研
起波長依存性井 聡 1, 岡田 成仁 1, M.Ajmal Khan3, 前田 哲利 3, 定昌史 3, 平山 秀樹 3, 山田 陽一 1
16:00		 20p-B202-10 ELO 基板上 AlGaN 量子井戸の低温から室温以上におけ 〇田中 志樹 1, 石井 良太 1, Norman Susilo2, Tim
1. 京都大学 , 2. ベルリン工科大
る時間積分・時間分解 PL を用いた光学評価
Wernicke2, Michael Kneissl2, 船戸 充 1, 川上 養一 1
12
2
2
16:15		 20p-B202-11 HVPE 成長 AlN 基板からの誘導放出の観測とその起源に 〇石井 良太 , 人見 達矢 , 永島 徹 , 山本 玲緒 , 船戸 1. 京大院工 , 2. トクヤマ
ついて充 1, 川上 養一 1
9/21(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C200 会場（Room C200）
9:00		 21a-C200-1 GaN (0001) 自立基板上 GaN の HVPE 成長における表面 〇大西 一生 1, 藤元 直樹 1, 新田 州吾 1, 渡邉 浩崇 1, 本 1. 名大 IMaSS, 2. 名大 ARC, 3. 名大 VBL
カイネティクス
田 善央 1, 天野 浩 1, 2, 3
9:15
奨 21a-C200-2 OVPE 法による GaN 結晶成長の熱力学解析〇 (M1) 櫻井 悠貴 1, 宇佐美 茂佳 1, 今西 正幸 1, 隅 智 1. 阪大院工 , 2. パナソニックホールディングス ( 株 ),亮 2, 滝野 淳一 2, 岡山 芳央 2, 丸山 美帆子 1, 吉村 政
3. 阪大レーザー研 , 4. 伊藤忠プラスチックス ( 株 ), 5.
志 3, 秦 雅彦 4, 伊勢村 雅士 5, 森 勇介 1
( 株 ) 創晶應心
1
1
1
9:30
奨 21a-C200-3 高速 OVPE-GaN 結晶の厚膜化に向けた炉壁多結晶抑制 〇川波 一貴 , 宇佐美 茂佳 , 今西 正幸 , 丸山 美帆
1. 阪大院工 , 2. 阪大レーザー研 , 3. パナソニック ホール
子 1, 吉村 政志 2, 隅 智亮 3, 滝野 淳一 3, 岡山 芳央 3, 秦 ディングス , 4. 伊藤忠プラスチック , 5. 創晶慶心
雅彦 4, 伊勢村 雅士 5, 森 勇介 1
9:45		 21a-C200-4 ハライド気相成長法を用いた Mg 添加 p 型 GaN の厚膜成 〇大西 一生 1, 藤元 直樹 1, 新田 州吾 1, 渡邉 浩崇 1, 本 1. 名大 IMaSS, 2. 名大 ARC, 3. 名大 VBL
長
田 善央 1, 天野 浩 1, 2, 3
10:00		 21a-C200-5 THVPE 法における InGaN 薄膜成長の膜厚制御性とヘテ 〇小林 伊織 1, 江間 研太郎 1, 山田 千帆 1, 山口 智広 2, 1. 東京農工大学 , 2. 工学院大学
ロ構造の検討村上 尚 1
10:15		休憩 /Break
15:45		 20p-B201-9

15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals

15 結晶工学 / Crystal Engineering

10:30

奨 21a-C200-6

Na フラックス法における低温成長を用いた GaN 結晶の等方的な六角錐成長と品質の向上〇 (D) 濱田 和真 1, 今西 正幸 1, 垣之内 啓介 1, 奥村 加 1. 阪大院工 , 2. 阪大レーザー研
奈子 1, 山田 拓海 1, 中村 幸介 1, 村上 航介 1, 宇佐美 茂
佳 1, 丸山 美帆子 1, 吉村 政志 1, 2, 森 勇介 1
10:45
奨 21a-C200-7 Na フラックス法における基板表面分解を起因としたファ 〇鷲田 将吾 1, Ricksen Tandryo1, 濱田 和真 1, 中島 達 1. 阪大院工 , 2. 阪大レーザー研
セット成長による転位減少効果
彦 1, 村上 航介 1, 今西 正幸 1, 宇佐美 茂佳 1, 丸山 美帆
子 1, 吉村 政志 2, 森 勇介 1
11:00
奨 21a-C200-8 Na フラックス法を用いた Li 添加による {2021} 面 GaN 単 〇高橋 響 1, Ricksen Tandryo1, 濱田 和真 1, 村上 航
1. 阪大院工 , 2. 阪大レーザー研
結晶の平坦化介 1, 宇佐美 茂佳 1, 今西 正幸 1, 丸山 美帆子 1, 吉村 政
志 1, 2, 森 勇介 1
11:15
奨 21a-C200-9 Na フラックス法における Ga-Na 融液の電気抵抗測定を 〇リクセン タンドリーヨ 1, 糸澤 孝一 1, 村上 航介 1, 1. 阪大院工 , 2. 阪大レーザー研用いた GaN 結晶成長速度のモニタリング
久保 等 1, 今西 正幸 1, 宇佐美 茂佳 1, 丸山 美帆子 1, 吉村 政志 2, 森 勇介 1
11:30		 21a-C200-10 GaN への Mg イオン注入により形成される結晶欠陥の原 〇大築 立旺 1, 狩野 絵美 1, 片岡 恵太 2, 埋橋 淳 3, 櫻井 1. 名古屋大 , 2. 豊田中研 , 3.NIMS, 4. 筑波大 , 5.IHPP
子分解能分析
秀樹 1, 上殿 明良 4, 成田 哲生 2, Sierakowski Kacper5, PAS
Bockowski Michal1, 5, 小林 功季 1, 大久保 忠勝 3, 宝野
和博 3, 加地 徹 1, 五十嵐 信行 1
11:45		 21a-C200-11 GaN への Mg イオン注入により形成される結晶欠陥と Mg 〇狩野 絵美 1, 大築 立旺 1, 片岡 恵太 2, 埋橋 淳 3, 櫻井 1. 名古屋大 , 2. 豊田中研 , 3.NIMS, 4. 筑波大 , 5.IHPP
凝集のアクセプタ形成に与える影響
秀樹 1, 上殿 明良 4, 成田 哲生 2, Sierakowski Kacper5, PAS
Bockowski Michal5, 小林 功季 1, 大久保 忠勝 3, 宝野
和博 3, 加地 徹 1, 五十嵐 信行 1
9/21(Wed.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B201 会場（Room B201）
13:30
招 21p-B201-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇本田 啓人 1, 正直 花奈子 1, 2, 上杉 謙次郎 3, 4, 三宅
1. 阪大院工 , 2. 三重大院工 , 3. 三重大院地域イノベ , 4. 三HfO2/AlN 横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた 230 秀人 2, 芹田 和則 5, 村上 博成 5, 斗内 政吉 5, 上向井 正 重大共創機構 , 5. 阪大レーザー研
nm 遠紫外第二高調波発生
裕 1, 谷川 智之 1, 片山 竜二 1
13:45		 21p-B201-2 2 層極性反転 AlN 横型擬似位相整合チャネル導波路を用 〇本田 啓人 1, 正直 花奈子 1, 2, 上杉 謙次郎 3, 4, 三宅
1. 阪大院工 , 2. 三重大院工 , 3. 三重大共創機構 , 4. 三重大
いた 230 nm 遠紫外第二高調波発生
秀人 2, 芹田 和則 5, 村上 博成 5, 斗内 政吉 5, 上向井 正 院地域イノベ , 5. 阪大レーザー研
1
1
1
裕 , 谷川 智之 , 片山 竜二
14:00		 21p-B201-3 MOVPE エピタキシャル極性反転技術を用いた GaN 横型 〇池田 和久 1, 村田 知駿 1, 市川 修平 1, 藤原 康文 1, 上 1. 阪大院工
擬似位相整合光子対発生デバイスの作製
向井 正裕 1, 谷川 智之 1, 片山 竜二 1
14:15
奨 21p-B201-4 微小共振器構造を用いた面発光型広帯域光子対発生デバ 〇中原 智裕 1, 南部 誠明 1, 安田 悠馬 1, 市川 修平 1, 藤 1. 阪大院工イスの設計
原 康文 1, 上向井 正裕 1, 谷川 智之 1, 片山 竜二 1
14:30
E 21p-B201-5 First-principles insight on the atomic arrangement ofHiroshi Mizuseki1, 〇 Jessiel Siaron Gueriba2, Melvin 1.KIST, 2.Osaka Univ., 3.Tohoku Univ., 4.SRM-IST,
wurtzite (B, Al, In)0.125Ga0.875N and its implications toJohn Fernandez Empizo2, Nobuhiko Sarukura2,
5.SUT, 6.KAUST
crystal stability.
Yoshiyuki Kawazoe3, 4, 5, Kazuhiro Ohkawa6
1, 2
1, 2
1, 3
14:45
E 21p-B201-6 Theoretical Study of Effects of Nitrogen Vacancy on〇 Ying Dou , Koji Shimizu , Hiroshi Fujioka ,1.Tokyo Univ., 2.School of Eng., 3.IIS
Phonon Dispersions of III-Nitride Semiconductors
Satoshi Watanabe1, 2
15:00		休憩 /Break
15:15
奨 21p-B201-7 GaInN 系量子殻の光学特性改善のための n 型 GaInN の成 〇島 綾香 1, 中山 奈々美 1, Weifang Lu2, 勝呂 紗衣 1, 1. 名城大理工 , 2. 厦門大学
長条件の最適化 2
神野 幸美 1, 山村 志織 1, 高橋 美月 1, 山中 優輝 1, 稲葉颯磨 1, 伊井 詩織 1, 竹内 哲也 1, 岩谷 素顕 1, 上山 智 1
15:30
奨 21p-B201-8 量子殻デバイス成長時の選択成長マスク上のピンホール 〇山村 志織 1, 中山 奈々美 1, 神野 幸美 1, 勝呂 紗衣 1, 1. 名城大学
抑制に関する検討高橋 美月 1, 山中 優輝 1, 島 綾香 1, 伊井 詩織 1, 稲葉 颯
磨 1, 竹内 哲也 1, 岩谷 素顕 1, 上山 智 1
15:45
奨 21p-B201-9 量子殻 GaN 系 LD の n-GaN 埋め込み層の 3 段階成長に 〇高橋 美月 1, 山村 志織 1, 神野 幸美 1, 中山 奈々美 1, 1. 名城大理工
関する検討
勝呂 紗衣 1, 山中 優輝 1, 伊井 詩織 1, 島 綾香 1, 稲葉 颯
磨 1, 竹内 哲也 1, 岩谷 素顕 1, 上山 智 1
16:00		 21p-B201-10 トンネル接合を用いた量子殻レーザの実現に向けたス〇神野 幸美 1, 山村 志織 1, 伊井 詩織 1, 高橋 美月 1, 山 1. 名城大理工 , 2. 東ソー株式会社
パッタリング GaN 成長に関する検討
中 優輝 1, 勝呂 紗衣 1, 稲葉 颯磨 1, 中山 奈々美 1, 島 綾
香 1, 飯浜 準也 2, 楠瀬 好郎 2, 召田 雅実 2, 上山 智 1, 竹
内 哲也 1, 岩谷 素顕 1
16:15
奨 21p-B201-11 窒素極性 GaN 基板の低接触抵抗電極の形成と縦伝導 GaN 〇伊井 詩織 1, 神野 幸美 1, 勝呂 紗衣 1, 中山 奈々美 1, 1. 名城大理工
系量子殻デバイスの作製
山村 志織 1, 髙橋 美月 1, 山中 優輝 1, 島 綾香 1, 稲葉 颯
磨 1, 上山 智 1, 竹内 哲也 1, 岩谷 素顕 1
16:30		休憩 /Break
16:45		 21p-B201-12 炭素フリー原料を用いてサファイア基板に CVD 成長させ 〇秩父 重英 1, 嶋 紘平 1, 菊地 清 1, 梅原 直己 2, 瀧口 佳 1. 東北大多元研 , 2. 静大電子研 , 3. 千葉大院・工た多型を含む hBN 薄膜における間接遷移励起子の発光ダ 祐 3, 石谷 善博 3, 原 和彦 2
イナミクス
17:00		 21p-B201-13 サファイア上への MOVPE 法による BN 成長と高温ア〇 (M2) 井谷 彩花 1, 窪谷 茂幸 2, 肖 世玉 1, 正直 花奈 1. 三重大院工 , 2. 三重大地創戦略企 , 3. 三重大共創機構 ,ニール
子 1, 上杉 謙次郎 3, 4, 三宅 秀人 1
4. 三重大院地域イノベ
17:15		 21p-B201-14 AlN に格子整合する六方晶 Nb2N 超伝導体のエピタキ〇小林 篤 1, 紀平 俊矢 1, 武田 崇仁 2, 小林 正起 2, 秋山 1. 東大生研 , 2. 東大院工 , 3. 三重大院工 , 4. 物材機構
3
3
4
1
1
シャル成長
亨 , 河村 貴宏 , 原田 尚之 , 上野 耕平 , 藤岡 洋
17:30
奨 21p-B201-15 Mist CVD 法を用いた Cu3N 成長における安定した原料供 〇 (M1) 吉田 将吾 1, 山田 魁 1, 山口 智広 1, 永井 裕己 1, 1. 工学院大学
給の検討
尾沼 猛儀 1, 本田 徹 1
17:45		 21p-B201-16 N 極性 GaN(000-1) 上金属窒化物エピタキシャルショッ 〇安東 依里奈 1, 上野 耕平 1, 小林 篤 1, 藤岡 洋 1
1. 東大生研
トキー接合の形成
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C200 会場（Room C200）
9:00		 22a-C200-1 半極性 (10-13) 面 AlN エピ膜中の微細構造の評価〇沈 旭強 1, 松畑 洋文 1, 児島 一聡 1
1. 産総研9:15		 22a-C200-2 半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性〇藤澤 孝博 1, 中林 泰希 1, 江川 孝志 1, 三好 実人 1, 竹 1. 名工大 , 2. 名城大 , 3. 山口大
内 哲也 2, 岡田 成仁 3, 只友 一行 3
9:30
奨 22a-C200-3 AlGaN 組成傾斜層を有する n 型導電性 AlInN/GaN DBR 〇小林 憲汰 1, 柴田 夏奈 1, 長澤 剛 1, 渡邊 琉加 1, 臼井 1. 名城大理工
広大 1, 岩山 章 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1, 岩谷 素顕 1
9:45
奨 22a-C200-4 AlN キャップ層を有する高 InN モル分率 GaInN 量子井戸 〇中野 元貴 1, 渡邊 琉加 1, 長澤 剛 1, 竹内 哲也 1, 上山 1. 名城大理工のトレンチ欠陥低減
智 1, 岩谷 素顕 1
10:00		 22a-C200-5 成長後高温熱処理による Eu,O 共添加 GaN の発光中心再 〇岩谷 孟学 1, 市川 修平 1, 2, Dolf Timmerman1, 舘林 1. 阪大院工 , 2. 阪大超高圧電顕センター
構成と Eu 赤色発光の高効率化
潤 1, 藤原 康文 1
10:15		休憩 /Break
10:30		 22a-C200-6 n-SiC 上にエピタキシャル成長した AlN 薄膜による高倍 〇黒子 めぐみ 1, 畑中 大樹 1, 太田 竜一 1, 高瀬 恵子 1, 1.NTT 物性研
音バルク音響共振器の作製と評価
山口 浩司 1, 谷保 芳孝 1, 岡本 創 1
10:45
E 22a-C200-7 Performance improvement of ohmic contacts on p-type〇 Guodong Hao1, Shun Washiyama1, Tomonori
1.NICT
Al-rich AlGaN
Matsushita1, Shin-ichiro Inoue1
11:00		 22a-C200-8 Efficiency and directivity improvements using multi-phase 〇韋 霊傑 1, 井上 振一郎 1
1. 情報通信研究機構
level Fresnel zone plates for deep-ultraviolet lightemitting diodes
11:15		 22a-C200-9 準大気圧プラズマ MOCVD による InN の結晶成長〇熊谷 直人 1, 2, 榊田 創 2, 1, 清水 鉄司 2, 1, 山田 永 2, 1, 1. 産総研 GaN-OIL, 2. 産総研 電子光基礎 , 3. 名大 未来
システム研
山田 寿一 1, 王 学論 1, 2, 3, 阿澄 玲子 1

15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals
11:30

招 22a-C200-10 「INVITED」
Challenges on scaling up to 300 mm GaN-on-Si
epiwafers and their micro LED applications
9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C200 会場（Room C200）
13:30		 22p-C200-1 半極性面上の組成傾斜 AlGaN による分極誘起 p 型伝導層
の検討
13:45
奨 22p-C200-2 p-AlGaN 層コンタクト抵抗の AlN モル分率依存性〇 Atsushi Nishikawa1, Alexander Loesing1,
Burkhard Slischka1

1.ALLOS Semiconductors GmbH〇神谷 君斗 1, 赤池 良太 1, 船戸 充 1, 川上 養一 1

1. 京大工〇 (M1) 高畑 勇汰 1, 可知 朋晃 1, 岩月 梨恵 1, 石黒 永

15 結晶工学 / Crystal Engineering

1. 名城大理工 , 2. 豊田合成
孝 1, 上山 智 1, 竹内 哲也 1, 岩谷 素顕 1, 永田 賢吾 2, 奥
野 浩司 2, 斎藤 義樹 2
14:00		 22p-C200-3 Mg 変調ドープ中間層による 230 nm 帯 AlGaN LED の注 〇前田 哲利 1, 鹿嶋 行雄 1, 松浦 恵理子 1, 祝迫 恭 2, 平 1. 理研 , 2. 日本タングステン
入効率の改善山 秀樹 1
14:15
奨 22p-C200-4 230 nm far-UVC AlGaN LED における分極ドープ透明 p 〇 (M1C) 住司 光 1, 2, 前田 哲利 1, 遠藤 聡 2, 藤代 博
1. 理研 , 2. 東京理科大 , 3. 日本タングステン
型コンタクト層の膜厚依存性
記 2, 祝迫 恭 3, 平山 秀樹 1
1
1
12
14:30		 22p-C200-5 減少傾斜分極ドープ層による 230 nm 帯 AlGaN LED の外 〇前田 哲利 , 鹿嶋 行雄 , 松浦 恵理子 , 祝迫 恭 , 平 1. 理研 , 2. 日本タングステン
部量子効率の改善
山 秀樹 1
14:45		休憩 /Break
15:00
招 22p-C200-6 「分科内招待講演」〇久志本 真希 1, 張 梓懿 2, 3, 吉川 陽 2, 3, 青戸 孝至 2,
1. 名大院工 , 2. 名大 IMaSS, 3. 旭化成
深紫外レーザーダイオードの連続波発振
本田 善央 2, ショーワルター レオ 2, 笹岡 千秋 2, 天野
2
浩
15:30		 22p-C200-7 AlGaN 系深紫外 LD 構造におけるコア層への Mg ドーピ 〇糸数 雄吏 1, 2, 前田 哲利 1, 定 昌史 1, 矢口 裕之 2, 平 1. 理研 , 2. 埼玉大院理工ング効果
山 秀樹 1
15:45		 22p-C200-8 減少傾斜分極ドープ p クラッド層を有する 280nm 帯〇 (M1) 仲元寺 郁弥 2, 1, 前田 哲利 1, 矢口 裕之 2, 平山 1. 理研 , 2. 埼玉大院理工AlGaN LD 構造の作製
秀樹 1
16:00		 22p-C200-9 低閾値化に向けた 290nm 帯 AlGaN LD 構造のドーピング 〇前田 哲利 1, 平山 秀樹 1
1. 理研
マネージメント
16:15		休憩 /Break
16:30
奨 22p-C200-10 AlGaN 系 UV-B 半導体レーザのキャリア注入効率向上に 〇 (M1) 近藤 涼輔 1, 大森 智也 1, 長谷川 亮太 1, 薮谷 1. 名城大・理工 , 2. 三重大・院・工関する検討
歩武 1, 松原 衣里 1, 岩山 章 1, 2, 岩谷 素顕 1, 竹内 哲也 1,
上山 智 1, 三宅 秀人 2
16:45
奨 22p-C200-11 AlGaN 系 UV-B レーザダイオード用誘電体多層膜反射鏡 〇薮谷 歩武 1, 長谷川 亮太 1, 近藤 涼輔 1, 松原 衣里 1, 1. 名城大・理工 , 2. 三重大・院・工学研究科 , 3. 株式会
岩山 章 1, 2, 神 好人 3, 松本 竜弥 3, 寅丸 雅光 3, 鳥居 博 社日本製鋼所 , 4.JSW アフティ株式会社
典 4, 今井 大地 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1, 岩谷 素顕 1, 三
宅 秀人 2
17:00
奨 22p-C200-12 レーザリフトオフ法を用いた UV-B AlGaN 系発光素子の 〇 (M1) 西林 到真 1, 大森 智也 1, 下川 萌葉 1, 薮谷 歩 1. 名城大理工 , 2. 三重大院工 , 3. ウシオ電気 , 4. 西進商事
縦伝導デバイスの作製
武 1, 長谷川 亮太 1, 岩山 章 1, 2, 岩谷 素顕 1, 竹内 哲也 1,
上山 智 1, 三好 晃平 3, 難波江 宏一 3, 山口 顕宏 4, 三宅
秀人 2
17:15
奨 22p-C200-13 AlN ナノピラー上 AlGaN のウェットエッチングによる 〇 (M1) 松原 衣里 1, 西林 到真 1, 長谷川 亮太 1, 近藤 1. 名城大理工 , 2. 三重大院理工サファイア基板剥離の検討
涼輔 1, 井本 圭紀 1, 山田 凌矢 1, 榊間 隆一郎 1, 岩山
章 1, 2, 岩谷 素顕 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1, 三宅 秀人 2
17:30
奨 22p-C200-14 MOVPE 法により作製した下部トンネル接合青色レー〇 (M1) 臼井 広大 1, 稲垣 徹郎 1, 竹内 哲也 1, 岩谷 素 1. 名城大理工
ザーダイオード
顕 1, 上山 智 1
17:45
奨 22p-C200-15 周期的 AlN ナノピラー上に作製した AlGaN の低転位密 〇長谷川 亮太 1, 薮谷 歩武 1, 近藤 涼輔 1, 松原 衣里 1, 1. 名城大学理工 , 2. 三重大院工度化
岩山 章 1, 2, 岩谷 素顕 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1, 三宅 秀
人2
9/22(Thu.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P17-1
その場 Mg 活性化アニールを用いた BGaN 中性子検出器 〇夏目 朋幸 1, 橋本 優作 1, 西川 舜 1, 林 幸佑 1, 川崎 晟 1. 静大院工 , 2. 名大院工 , 3. 近大原研 , 4. 名大 IMaSS,の作製と評価也 2, 若林 源一郎 3, 本田 善央 4, 天野 浩 4, 井上 翼 1, 青 5. 静大電研
木 徹 5, 中野 貴之 1, 5
			 22p-P17-2
YbAlN/GaN ヘテロ構造におけるシートキャリア密度に 〇平田 研二 1, 河野 翔也 2, 山田 浩志 1, 上原 雅人 1, ア 1. 産総研 , 2. 九工大
関する第一原理計算
ンガライニ スリアユ 1, 秋山 守人 1
			 22p-P17-3
多機能 2 次元構造形成過程における AlN 層被覆率の N2 〇犬飼 将成 1, 橋本 明弘 1
1. 福井大院工
ガス流量依存性
			 22p-P17-4
UHV スパッタエピタキシー法による GaN 層の成長メカ 〇齋藤 元希 1, 永山 陸 1, 吉田 圭佑 1, 篠田 宏之 1, 六倉 1. 東京電機大工ニズム ( Ⅲ )信喜 1
			 22p-P17-5
2 段階ウェットエッチング法における陽極酸化 n-GaN の 〇神尾 岳 1, 藤岡 洋 2, 前田 就彦 1
1. 東京工科大工 , 2. 東大生研
高低温ホール効果測定
11
1
1
			 22p-P17-6
自立 GaN 基板上に RF-MBE 法で再成長した GaN の発光 〇 (M2) 中山 大輝 , 今村 涼 , 荒木 努 , 毛利 真一郎 1. 立命館大理工特性
			 22p-P17-7
局在型表面プラズモン共鳴と誘電体薄膜による InGaN/ 〇 (M1C) 亀井 勇希 1, 垣内 晴也 1, 松山 哲也 1, 和田
1. 阪公大工 , 2. 京大院工GaN 量子井戸の高効率緑色発光
健司 1, 船戸 充 2, 川上 養一 2, 岡本 晃一 1
1
2
2
			 22p-P17-8
その場 XRD-RSM を用いた RF-MBE GaInN ヘテロエピ 〇 (M1) 竹内 丈 , 佐々木 拓生 , 藤川 誠司 , 横山 晴 1. 工学院大学 , 2. 量研 , 3. 立命館大学
タキシャル成長における緩和過程観察
香 1, 尾沼 猛儀 1, 本田 徹 1, 山口 智広 1, 名西 憓之 3
			 22p-P17-9
RF-MBE による InN 緩衝層を用いた GaInN の格子緩和制 〇板橋 大樹 1, 吉田 涼介 1, 山口 智広 1, 尾沼 猛儀 1, 本 1. 工学院大学工御田 徹1
			 22p-P17-10 AlGaN/GaN リセス構造形成における電気特性変化〇高橋 智秀 1, 鶴巻 綾 1, 神尾 岳 1, 藤岡 洋 2, 前田 就 1. 東京工科大学 , 2. 東大生研
彦1
			 22p-P17-11 AlGaN/GaN リセス構造形成における高温電気特性〇鶴巻 綾 1, 高橋 智秀 1, 神尾 岳 1, 藤岡 洋 2, 前田 就 1. 東京工科大工 , 2. 東大生研
彦19/23(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C200 会場（Room C200）
9:00		 23a-C200-1 銀プラズモニック結晶を用いたハニカム格子 InGaN ナノ 〇白鳥 遼磨 1, 岡本 晃一 2, 富樫 理恵 3, 4, 岸野 克巳 4, 1. 山形大院理工 , 2. 阪公大院工 , 3. 上智大理工 , 4. 上智大
コラムの赤色発光増強
大音 隆男 1ナノテク
9:15		 23a-C200-2 InGaN ナノピラーアレイへのキラル構造導入と旋光性評 〇浅井 佑太 1, 相川 健喜 2, 倉邉 海史 2, 菊池 昭彦 2, 3, 4, 1. 山形大院理工 , 2. 上智大理工 , 3. 上智大フォトニクス
価
大音 隆男 1
研 , 4. 上智大半導体研
9:30		 23a-C200-3 HEATE 法による InGaN/GaN MQW 極微細ナノピラーア 〇相川 健喜 1, 菊池 昭彦 1, 2, 3
1. 上智大理工 , 2. 上智大フォトニクス研究センター,
レイの作製
3. 上智大半導体研究所
9:45		 23a-C200-4 有機金属気相エピタキシャル法を用いた高アスペクト比 吉村 拓真 1, 〇館林 潤 1, 2, 大田原 崇也 1, Timmerman 1. 阪大院工 , 2. 阪大量子情報・量子生命研究センター,
GaN:Eu/GaN ナノワイヤの成長と光学評価
Dolf1, 市川 修平 1, 3, 藤原 康文 1
3. 阪大電顕センター
10:00		 23a-C200-5 GaN/Au 及び SI-GaN/n++ -GaN マイクロストライプ構 〇林 伯金 1, Hnin Lai Lai aye1, 折戸 春樹 1, 馬 ベイ 1, 1. 千葉大院 , 2. 東京大院 , 3. 三重大院
造による 中赤外熱輻射
上野 耕平 2, 藤岡 洋 2, 三宅 秀人 3, 石谷 善博 1
10:15		休憩 /Break10:30
招 23a-C200-6 「講演奨励賞受賞記念講演」〇岩谷 孟学 1, 市川 修平 1, 2, Dolf Timmerman1, 舘林 1. 阪大院工 , 2. 阪大超高圧電顕センター
可視光域における III 族窒化物系フォトニック結晶共振器 潤 1, 藤原 康文 1の高 Q 値化に向けた 2 次元ヘテロ構造の導入
10:45		 23a-C200-7 InGaN-MQW メソポーラスメンブレンの発光特性解析〇倉邉 海史 1, 山崎 裕貴 1, 米田 幸司 1, 菊池 昭彦 1, 2, 3 1. 上智大理工 , 2. 上智大フォトニクス研究センター,
3. 上智大学半導体研究所

15.5 IV 族結晶，IV-IV 族混晶 / Group IV crystals and alloys
11:00

奨 23a-C200-8

11:15

奨 23a-C200-9

フレキシブル発光デバイス実現に向けた GaN:Eu ナノワ
イヤ LED の作製
ナノコラム形状制御技術を用いた赤色発光ナノコラムμ-LED 構造の成長と作製

11:30		 23a-C200-10 赤色発光（635nm）InGaN 系ナノコラム LED
11:45		 23a-C200-11 ３次元逆格子マップを用いた GaN 基板上単一 GaN 系量子殻における局所歪評価
9/23(Fri.) 13:30 - 16:30
13:30		 23p-C200-1

14:00		 23p-C200-3

口頭講演 (Oral Presentation) C200 会場（Room C200）
発光色純度改善に向けたトップダウンナノテンプレート 〇工藤 駿介 1, 吉村 賢哉 1, 髙橋 昂司 1, 山田 純平 2, 富 1. 上智大理工 , 2. 上智ナノテク
上規則配列 InGaN/GaN ナノコラムにおける発光特性
樫 理恵 1, 2, 野村 一郎 1, 2, 岸野 克巳 2
μ -LED 応用に向けたナノテンプレート選択成長法によ 〇吉村 賢哉 1, 髙橋 昂司 1, 工藤 駿介 1, 山田 純平 2, 水 1. 上智大理工 , 2. 上智ナノテク
る InGaN/GaN ナノコラム赤色発光特性
野 愛 2, 富樫 理恵 1, 2, 野村 一郎 1, 2, 岸野 克巳 2
GaInN 系量子殻・ナノワイヤ LED の c 面発光抑制の検討 〇勝呂 紗衣 1, Lu Weifang2, 中山 奈々美 1, 稲葉 颯
1. 名城大理工 , 2. 厦門大学

14:15

奨 23p-C200-4

GaInN/GaN 量子殻 LED の発光面制御

14:30

奨 23p-C200-5

14:45

奨 23p-C200-6発光波長・発光径の異なる GaInN 系マイクロ LED における外部量子効率の評価
モノリシック型 Micro LED アレイの疑似発光の低減

13:45

奨 23p-C200-2

15:00		15:15奨 23p-C200-7
15:30

奨 23p-C200-8

15:45

奨 E 23p-C200-9

16:15

磨 1, 神野 幸美 1, 山村 志織 1, 島 綾香 1, 伊井 詩織 1, 高橋 美月 1, 山中 優輝 1, 上山 智 1, 竹内 哲也 1, 岩谷 素
顕1
〇 (M1) 稲葉 颯磨 1, Lu Weifang2, 勝呂 紗衣 1, 中山
1. 名城大学 , 2. 廈門大学
奈々美 1, 島 綾香 1, 神野 幸美 1, 山村 志織 1, 伊井 詩
織 1, 高橋 美月 1, 山中 優貴 1, 上山 智 1, 竹内 哲也 1, 岩
谷 素顕 1〇 (M1) 齋藤 竜成 1, 今泉 雄太 1, 長澤 剛 1, 末広 好伸 1, 1. 名城大理工
小出 典克 1, 岩谷 素顕 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1〇今泉 雄太 1, 齋藤 竜成 1, 長澤 剛 1, 末広 好伸 1, 小出 1. 名城大理工
典克 1, 岩谷 素顕 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1

休憩 /BreakEu 添加 GaN 下地層の導入による (20-21)GaN テンプレー 〇竹尾 敦志 1, 市川 修平 1, 2, 舘林 潤 1, 藤原 康文 1
ト上 InGaN 量子井戸の表面平坦化と発光特性評価
InGaN/GaN マイクロ LED のヨウ化水素（HI）中性粒子 〇 (M2) 石原 崇寛 1, 大堀 大介 1, 王 学論 3, 4, 遠藤 和
ビームエッチング
彦 3, 名取 伸浩 5, 谷本 陽祐 5, Li Yiming6, 寒川 誠
二 6, 1, 2
Micro-LED sidewall damage compensation by the〇 (DC)Pavel Sergeyevich Kirilenko1, Daisuke Iida1,hydrogen plasma passivation
Zhe Zhuang2, Kazuhiro Ohkawa1

16:00		 23p-C200-10 高光出力密度 621 nm 赤色 InGaN 系 LED の試作

15 結晶工学 / Crystal Engineering〇大田原 崇也 1, 舘林 潤 1, 2, 吉村 拓真 1, Dolf
1. 阪大院工 , 2. 量子情報・量子生命研究センター, 3. 阪
Timmerman1, 市川 修平 1, 3, 藤原 康文 1
大超高圧電顕センター〇 (PC) 山田 純平 1, 水野 愛 1, 赤川 広海 3, 吉村 賢哉 2, 1. 上智大ナノテク , 2. 上智大理工 , 3. 工学院大工高橋 昂司 2, 富樫 理恵 1, 2, 野村 一郎 1, 2, 山口 智広 3, 本
田 徹 3, 岸野 克巳 1
〇水野 愛 1, 本田 達也 1, 山田 純平 1, 富樫 理恵 1, 2, 野 1. 上智大ナノテク , 2. 上智大理工
村 一郎 1, 2, 岸野 克巳 1
〇太田 翔也 1, 小林 稜汰 1, 安田 伸広 2, 今井 康彦 2, 中 1. 名城大理工 , 2. 高輝度光科学研究センター, 3. 名大未
尾 知代 3, 荒井 重勇 3, 青山 晃己 1, 西村 一輝 1, 上山
来材料・システム研
智 1, 今井 大地 1, 宮嶋 孝夫 1

〇飯田 大輔 1, Kirilenko Pavel1, Velazquez-Rizo

1. 阪大院工 , 2. 阪大超高圧電顕センター
1. 東北大流体研 , 2. 東北大 AIMR, 3. 産総研 , 4. 名大IMaSS, 5. 昭和電工 , 6.NYCU
1.King Abdullah Univ. of Science and Technology,
2.School of Electronic Science and Engineering, Nanjing
Univ.
1.KAUST ( カウスト )Martin1, 庄 喆 1, Najmi Mohammed1, 大川 和宏 1
奨 23p-C200-11 効果的な生体光刺激に向けたマイクロ LED プローブの脳 〇安永 弘樹 1, 竹内 響 1, 水口 公陽 1, 西川 敦 2,
1. 豊技大 , 2.ALLOS, 3. 獨協医大
内温度評価
Alexander Loesing2, 瀬戸川 将 3, 大川 宜昭 3, 関口 寛

人1
15.5 IV 族結晶，IV-IV 族混晶 / Group IV crystals and alloys
9/21(Wed.) 9:00 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) A106 会場（Room A106）
9:00		 21a-A106-1 第一原理計算と遺伝的アルゴリズムによる Ge − Sn 合金 〇野田 祐輔 1, 末岡 浩治 1
1. 岡山県立大情報工の安定構造探索
9:15		 21a-A106-2 多結晶 Ge 薄膜の三元混晶化による熱電性能向上〇前田 真太郎 1, 石山 隆光 1, 末益 崇 1, 都甲 薫 1
1. 筑波大院
9:30		 21a-A106-3 界面変調型固相成長とポストアニールの重畳による Sn 添 〇古賀 泰志郎 1, 永野 貴弥 1, 茂藤 健太 2, 3, 山本 圭
1. 九大シス情 , 2. 九大総理工 , 3. 学振特別研究員
加多結晶 Ge 極薄膜の高キャリア移動度化介 2, 佐道 泰造 1
1
11, 2
9:45		 21a-A106-4 多結晶 SiGeSn の固相結晶化に向けた二元混晶ナノドッ 〇白井 勇聖 , 立岡 浩一 , 志村 洋介
1. 静岡大学 , 2. 静岡電工
トの検討
10:00		 21a-A106-5 Si ナノワイヤを核としたⅣ族三元混晶の固相成長〇元藤 士宗 1, 立岡 浩一 1, 志村 洋介 1, 2
1. 静岡院工 , 2. 静岡電工
10:15 奨 E 21a-A106-6 Effect of CW Laser Annealing on the Optical Properties〇 Rahmat Hadi Saputro1, 2, Ryo Matsumura1,
1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba, 3.AIST
31, 2
of Polycrystalline n-type Ge
Tatsuro Maeda , Naoki Fukata
1
1
1
1
10:30
奨 21a-A106-7 固相成長による多結晶 Yb3Ge5 の薄膜合成と熱電応用〇石山 隆光 , 小澤 知輝 , 末益 崇 , 都甲 薫
1. 筑波大院
10:45		 21a-A106-8 スパッタ成膜法による Ge(100) 基板上の GeSn エピタキ 〇國吉 望月 1, 2, 安部 和弥 2, 田中 信敬 2, 星原 雅生 2, 1. アルバック協働研 , 2. 阪大院工シャル成長
小林 拓真 2, 志村 考功 2, 渡部 平司 2
11:00
奨 21a-A106-9 Ge(100) 基板上にスパッタ成膜したエピタキシャル GeSn 〇田中 信敬 1, 安部 和弥 1, 星原 雅生 1, 國吉 望月 2, 小 1. 阪大院工 , 2. アルバック協働研
層の評価
林 拓真 1, 志村 考功 1, 渡部 平司 1
9/21(Wed.) 13:00 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A106 会場（Room A106）
13:00		 21p-A106-1 InP 基板上の超高 Sn 組成 Ge1-xSnx ヘテロエピタキシャル 〇高木 孝明 1, 柴山 茂久 1, 黒沢 昌志 1, 坂下 満男 1, 中 1. 名大院工 , 2. 名大未来研
層の結晶性改善塚 理 1, 2
13:15		 21p-A106-2 Si(111) 上における直接遷移 Ge1-xSnx ヘテロエピタキシャ 〇森 俊輔 1, 柴山 茂久 1, 坂下 満男 1, 黒澤 昌志 1, 中塚 1. 名大院工 , 2. 名大未来研
ル層の形成
理 1, 2
13:30
奨 21p-A106-3 単結晶歪 Si1-xSnx のバンド構造評価〇佐原 敬太 1, 横川 凌 1, 2, 柴山 裕貴 1, 日比野 祐介 2, 3, 1. 明治大理工 , 2. 明大 MREL, 3. 佐世保高専 , 4. 名大院工黒澤 昌志 4, 小椋 厚志 1, 2
13:45		 21p-A106-4 歪み SiGe/Ge(111) に発生したクラックの TEM 観察〇田島 滉太 1, 山中 淳二 1, 有元 圭介 1, 原 康祐 1, 我妻 1. 山梨大学 , 2. 東京都市大学
勇哉 2, 澤野 憲太郎 2
14:00		 21p-A106-5 歪み SiGe/Ge(111) におけるクラック伝搬に与えるメサ・ 〇我妻 勇哉 1, 金澤 伶奈 1, Md. Mahfuz Alam1, 2, 岡田 1. 東京都市大学 , 2.Univ. of Barishal, 3. 阪大基礎工
エッチング深さの影響
和也 1, 井上 貴裕 1, 山田 道洋 3, 浜屋 宏平 3, 4, 澤野 憲 CSRN, 4. 阪大 OTRI
太郎 1
14:15		 21p-A106-6 Ge-on-Si(111) 上に成長した歪み SiGe 層の電気伝導特性 〇市川 大悟 1, 我妻 勇哉 1, 山田 道洋 2, 浜屋 宏平 2, 3, 1. 東京都市大学 , 2. 阪大基礎工 CSNR, 3. 阪大 OTRIに与えるクラック発生の影響
澤野 憲太郎 1
14:30
奨 21p-A106-7 組成傾斜 SiGe バッファ層を有する歪緩和 SiGe 膜の光学 〇柴山 裕貴 1, 横川 凌 1, 2, 小椋 厚志 1, 2
1. 明治大理工 , 2. 明治大 MREL
特性分布評価111
14:45		 21p-A106-8 Ge-on-Si (110) を用いた枝型マイクロブリッジ作製によ 〇井上 貴裕 , 我妻 勇哉 , 池ヶ谷 玲雄 , 小田島 綾
1. 東京都市大学
る共振発光の観測
華 1, 長尾 優希 1, 澤野 憲太郎 1
15:00		 21p-A106-9 二軸歪み Ge マイクロブリッジの発光特性におけるスリッ 〇駒澤 卓哉 1, 池ヶ谷 玲雄 1, 井上 貴裕 1, 我妻 勇哉 1, 1. 東京都市大学
ト導入の効果澤野 憲太郎 1
15:15		休憩 /Break
15:30		 21p-A106-10 歪み SiGe/Ge-on-Si(111)LED からの強い室温 EL 発光の 〇菊岡 柊也 1, 我妻 勇哉 1, 杉浦 由和 1, 金澤 伶奈 1, 山 1. 東京都市大学 , 2. 阪大基礎工 CSRN, 3. 阪大 OTRI
観測
田 道洋 2, 浜屋 宏平 2, 3, 澤野 憲太郎 1
15:45		 21p-A106-11 Ge-on-Si(100) 上の SiGe/Ge 多重量子井戸の作製とその 〇金澤 伶奈 1, 我妻 勇哉 1, 菊岡 柊也 1, 杉浦 由和 1, 澤 1. 東京都市大学
光学特性
野 憲太郎 1
16:00		 21p-A106-12 熱安定性の高い Ge1–xSnx 量子ドットの自己形成〇橋本 薫 1, 柴山 茂久 1, 安坂 幸師 1, 黒澤 昌志 1, 坂下 1. 名大院工 , 2. 名大未来研
満男 1, 中塚 理 1, 2
16:15
奨 21p-A106-13 X 線逆格子空間マッピングを用いたカーボンドープシリ 〇吉岡 和俊 1, 2, 張 桐永 1, 伊藤 佑太 1, 寿川 尚 1, 廣沢 1. 明治大理工 , 2. 明大 MREL, 3. 九州シンクロトロン光
コンナノワイヤにおける 3 軸歪評価 (III)一郎 2, 3, 渡辺 剛 4, 横川 凌 1, 2, 小椋 厚志 1, 2
研究センター, 4. 高輝度光科学研究センター

15.6 IV 族系化合物（SiC）/ Group IV Compound Semiconductors (SiC)
16:30

奨 21p-A106-14 Al/Ge(111) 構造上に偏析した極薄 Ge 結晶層の転写

10:15		 20a-C202-6

ScAlMgO4 断面ウェハーの欠陥構造の X 線トポグラ

フィー観察

坂 佳幸 1〇石地 耕太朗 1, 藤井 高志 2, 3, 荒木 努 2, 白石 裕児 3,福田 承生 3

1. 九州シンクロ , 2. 立命館大 , 3. 福田結晶研

15 結晶工学 / Crystal Engineering〇松下 圭吾 1, 大田 晃生 1, 柴山 茂久 1, 田岡 紀之 1, 牧 1. 名大院工原 克典 1, 宮﨑 誠一 1
16:45		 21p-A106-15 ニッケルシリサイド超薄膜形成における Si キャップ層の 〇木村 圭佑 1, 田岡 紀之 1, 西村 駿介 1, 大田 晃生 1, 牧 1. 名大院工効果
原 克典 1, 宮﨑 誠一 1
17:00		 21p-A106-16 単一結晶相を有する Ni-Germanide 極薄膜の電気特性お 〇西村 駿介 1, 田岡 紀之 1, 大田 晃生 1, 牧原 克典 1, 宮 1. 名大院工
よび電子状態
﨑 誠一 1
17:15		 21p-A106-17 高抵抗 Si(111) 基板上における多層シリカンナノシート 伊藤 善常 1, 柴山 茂久 1, 坂下 満男 1, 中塚 理 1, 2, 〇黒 1. 名大院工 , 2. 名大未来研の形成
澤 昌志 1
17:30
奨 21p-A106-18 偏析法により合成した Ge ナノシートにおける光電変換の 〇西嶋 泰樹 1, 松下 圭吾 2, 重松 英 1, 大島 諒 1, 大田 晃 1. 京大院工 , 2. 名大院工
偏光依存性
生 2, 安藤 裕一郎 1, 白石 誠司 1
9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P11-1
階層的ナノ多孔層ガラス基板を用いた P ドープ Ge ナノ結 〇長尾 優希 1, 井上 貴裕 1, 小田島 綾華 1, 我妻 勇哉 1, 1. 東京都市大学
晶の形成と発光特性
藤間 卓也 1, 澤野 憲太郎 1
			 22p-P11-2
メッシュ型パッドを有する歪み Ge マイクロブリッジの発 〇池ヶ谷 玲雄 1, 井上 貴裕 1, 駒澤 卓哉 1, 我妻 勇哉 1, 1. 都市大
光特性にホールサイズが与える影響
澤野 憲太郎 1
			 22p-P11-3
Ge-on-Si(111) LED からの室温 EL 発光ピークに注入電 〇杉浦 由和 1, 菊岡 柊也 1, 我妻 勇哉 1, 金澤 玲奈 1, 星 1. 東京都市大学 総合研究所 , 2. 阪大基礎工 CSRN, 3. 阪流が与える影響裕介 1, 山田 道洋 2, 浜屋 宏平 2, 3, 澤野 憲太郎 1
大 OTRI
15.6 IV 族系化合物（SiC）/ Group IV Compound Semiconductors (SiC)
9/20(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C306 会場（Room C306）
9:00		 20a-C306-1 ドーピング濃度の異なる 4H-SiC の電圧制御陽極酸化法 〇 (M2) 小寺 慶太 1, 水野 大誠 1, 秋吉 翔太 1, Lu
1. 名城大理工 , 2.Xianmen Univ, 3.Technical University
によるポーラス結晶化特性
Weifang2, Ou Yiyu3, 岩谷 素顕 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1 Denmark
9:15		 20a-C306-2 高エネルギー電子線照射による 4H-SiC 中シリコン空孔 〇元木 秀 1, 2, 佐藤 真一郎 2, 佐伯 誠一 2, 村田 晃一 3, 1. 埼大院工 , 2. 量研 , 3. 電中研の高濃度形成雄太 増山 2, 山﨑 雄一 2, 土方 泰斗 1, 大島 武 2
9:30		 20a-C306-3 基底・励起準位同時共鳴を用いたシリコン空孔量子セン 〇田中 友晃 1, 山崎 雄一 1, 児島 一聡 2, 大島 武 1
1. 量研 , 2. 産総研
サの磁場・温度同時測定の最適化
9:45
奨 20a-C306-4 4H-SiC 中シリコン空孔を用いた室温下での電気的核スピ 〇 (D) 西川 哲理 1, 森岡 直也 1, 2, 阿部 浩之 3, 森下 弘 1. 京大化研 , 2.CSRN, 3. 量研
ン検出
樹 1, 2, 大島 武 3, 水落 憲和 1, 2
10:00		 20a-C306-5 3C-SiC と 4H-SiC の同時横方向エピタキシャル成長〇長澤 弘幸 1, 櫻庭 政夫 2, 佐藤 茂雄 2
1.CUSIC, 2. 東北大通研
10:15		 20a-C306-6 高温ガス成長法により作製した SiC インゴットの結晶欠 〇堀合 慧祥 1, 上東 秀幸 1, 神田 貴裕 1, 金村 高司 1, 星 1. ミライズテクノロジーズ , 2. 電力中央研究所
陥密度低減
乃 紀博 2, 鎌田 功穂 2, 別役 潔 2, 土田 秀一 2
10:30		休憩 /Break
10:45		 20a-C306-7 大口径 SiC 溶液成長の現状と課題〇宇治原 徹 1, 2, 3, 4, 鈴木 皓己 1, 4, 古庄 智明 1, 4, 沓掛 健 1. 名大未来研 , 2. 名大院工 , 3. 理研 AIP, 4.UJ-Crystal
太朗 1, 3, 黨 一帆 2, 劉 欣博 1, 朱 燦 1, 周 惠琴 2, 深見 勇
馬 2, 太田 壮音 2, 関 翔太 2, 霜田 大貴 2, 中西 祐貴 2, 島颯一 1, 布野 日奈子 1, 4, 上松 浩 4, 原田 俊太 1, 2, 田川 美
穂 1, 2
11:00
E 20a-C306-8 Simulation of Macrosteps Development and Design of〇 Yifan Dang1, Xinbo Liu1, Yuma Fukami1, Shuyang 1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.GaN-OIL,
Control Pattern for Solution Growth of SiC
Ma1, Can Zhu2, Shunta Harada1, 2, Miho Tagawa1, 2, AIST
Toru Ujihara1, 2, 3
11:15 奨 E 20a-C306-9 Analysis of Inclusion Defect Generation in SiC Solution〇 (D)HUIQIN ZHOU1, YUMA FUKAMI1, YIFAN 1.Grad. School of Eng. Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya
Crystal Growth Method Using Phase-Field ModelDANG1, Shunta Harada1, 2, Miho Tagawa1, 2, Toru
Univ.
Ujihara1, 2
11:30		 20a-C306-10 SiC 溶液成長法における中間メルトバックによる表面平 〇 (M2) 馬 叔陽 1, 朱 燦 2, 党 一帆 1, 劉 欣博 2, 原田 俊 1. 名大院工 , 2. 名大未来研
坦性の改善
太 1, 2, 田川 美穂 1, 2, 宇治原 徹 1, 2
11:45		 20a-C306-11 SiC 溶液法における溶媒への添加元素効果の第一原理計 〇関 翔太 1, 河村 貴宏 2, 原田 俊太 1, 3, 田川 美穂 1, 3, 宇 1. 名大院工 , 2. 三重大院工 , 3. 名大未来研算による解析
治原 徹 1, 3
9/20(Tue.) 13:30 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) C306 会場（Room C306）
13:30
招 20p-C306-1 「分科内招待講演」〇木村 友哉 1, 長川 健太 2, 押山 淳 2, 白石 賢二 2, 1
1. 名大院工 , 2. 名大未来研
CVD 成長環境下における SiC 微斜面への水素被覆の理論
研究
13:45		 20p-C306-2 4H-SiC ホモエピタキシャル成長において (0001) オフ表 〇望月 和浩 1, 三島 友義 1
1. 法政大面上ステップに表面吸着窒素原子が取り込まれるときの緩和時間の解析14:00		 20p-C306-3 4H-SiC エピ層のハーフループアレイから拡張する二重菱 〇西尾 譲司 1, 太田 千春 1, 飯島 良介 1
1. 東芝研開センター
形単一ショックレー型積層欠陥の合体
14:15		 20p-C306-4 【注目講演】プロトン注入による SiC エピタキシャル層の 〇原田 俊太 1, 坂根 仁 2, 三井 俊樹 3, 加藤 正史 3
1. 名古屋大 , 2. 住重アテックス , 3. 名工大基底面部分転位の運動抑制
1
1
2
3
14:30
奨 20p-C306-5 H+ 注入による SiC PiN ダイオード内積層欠陥拡張の抑制 〇 (M1) 渡邉 王雅 , 三井 俊樹 , 原田 俊太 , 坂根 仁 , 1. 名工大 , 2. 名大 , 3. 住重アテックス
加藤 正史 1
14:45		 20p-C306-6 酸化処理を施した 4H-SiC の表面再結合速度〇 (M2) 小川 斐士 1, 韓 磊 1, 加藤 智久 2, 加藤 正史 1
1. 名工大 , 2. 産総研
15:00
奨 20p-C306-7 Hall 効果測定による S イオン注入 n 型 SiC 層中の電子移動 〇松岡 大雅 1, 金子 光顕 1, 木本 恒暢 1
1. 京大院工度評価
1
2
2
3
15:15		 20p-C306-8 キトサン / ダイヤモンド複合マイクロビーズによる SiC〇吉田 恭平 , 古賀 正樹 , 清水 隆邦 , 高藤 誠 , 永岡 1. 熊本産技セ , 2. 濱田重工（株）, 3. 熊大院先科研 , 4. 熊
ウェハの One-Step 鏡面化
昭二 1, 4
大創生
15:30		 20p-C306-9 膜脱離による SiC エピ装置クリーニングの最小 ClF3 ガス 滝澤 唯夏 1, 〇羽深 等 1, 石黒 暁夫 2, 石井 成明 2, 渡部 1. 横国大院理工 , 2. ニューフレアテクノロジー, 3. 関東
濃度
亨 2, 森山 義和 2, 醍醐 佳明 2, 水島 一郎 2, 高橋 至直 3 電化工業
9/20(Tue.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20p-P05-1
800℃で堆積させた 3C-SiC 成長モードの MMS 圧力依存 〇 (M2) 宮本 耀 1, 津原 大輝 1, 齊藤 敦 1, 成田 克 1
1. 山形大院理工性			 20p-P05-2
モノメチルシランによる金属触媒上 3C-SiC ワイヤ成長 〇 (M2) 四方 優 1, 亀山 大輔 1, 大音 隆男 1, 齊藤 敦 1, 1. 山形大
成田 克 1
			 20p-P05-3
金属溶媒を用いた SiC 溶液成長における SiC と金属溶媒 〇岩井 智哉 1, 尾関 克哉 1, 太子 敏則 1
1. 信大工間の接触角の測定と成長表面に与える影響
15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥 / Crystal characterization, impurities and crystal defects
9/20(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C202 会場（Room C202）
9:00		 20a-C202-1 高濃度 Cr 添加ルビーからの蛍光の温度変化〇 (M1) 人見 杏実 1, 勝亦 徹 1, 2, 相沢 宏明 1
1. 東洋大理工 , 2. 東洋大工技研
9:15		 20a-C202-2 微傾斜 4H-SiC-m 面の表面構造〇 (M2) 村瀬 慎太郎 1, 福間 洸平 1, アントン ビシコ 1. 九大院工フスキー1, 田中 悟 1
9:30
奨 20a-C202-3 歪み印加半導体薄膜のヘテロ成長におけるクラック発生 〇我妻 勇哉 1, 金澤 伶奈 1, Md. Mahfuz Alam1, 2, 岡田 1. 東京都市大学 , 2.Univ. of Barishal, 3. 阪大基礎工とその抑制メカニズム
和也 1, 井上 貴裕 1, 山田 道洋 3, 浜屋 宏平 3, 4, 澤野 憲 CSRN, 4. 阪大 OTRI
太郎 1
9:45		 20a-C202-4 スーパーボルマン効果を用いた X 線トポグラフィによる 〇伊藤 優輔 1, 高津 健太 1, 津坂 佳幸 1, 松井 純爾 2
1. 兵県大物質理学 , 2. 放射光研究センター
Ge 単結晶基板の転位観察
11
12
10:00		 20a-C202-5 明視野 X 線トポグラフィによる ZnO 基板中転位の同定〇浪岡 祐輔 , 伊藤 優輔 , 早瀬 大貴 , 太田 優一 , 津 1. 兵県大院物質理学 , 2. 都産技研

16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス / Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials
10:30		10:45		 20a-C202-7

休憩 /Break
垂直ブリッジマン成長時における Al2O3 の転位密度解析〇柿本 浩一 1, 高橋 勲 2, 富田 健稔 2, 中野 智 3, 吉川
1. 東北大 NICHe, 2.( 株 )C ＆ A, 3. 九大応力研 , 4. 東北大
彰4
金研
11:00		 20a-C202-8 垂直ブリッジマン成長時におけるβ型酸化ガリウムの転 〇柿本 浩一 1, 高橋 勲 2, 富田 健稔 2, 鎌田 圭 2, 姚 永 1. 東北大 NICHe, 2.( 株 )C ＆ A, 3. ファインセラミック
位密度解析
昭 3, 中野 智 4, 吉川 彰 5スセンター, 4. 九大応力研 , 5. 東北大金研
11:15		 20a-C202-9 キャスト成長シリコンにおけるΣ 3 粒界からの転位発生 〇大野 裕 1, 吉田 秀人 2, 横井 達矢 3, 松永 克志 3, 井上 1. 東北大金研 , 2. 阪大産研 , 3. 名大院工の微視的描像耕治 1, 永井 康介 1, 宇佐美 徳隆 3
11:30		 20a-C202-10 人工粒界を含む多結晶 Si の応力解析と転位クラスター分 〇田近 陽輝 1, 沓掛 健太朗 2, 小島 拓人 3, 劉 鑫 1, 田中 1. 名大院工 , 2. 理研 AIP, 3. 名大院情報布の評価
博之 1, 宇佐美 徳隆 1
11:45		 20a-C202-11 結晶方位分布を用いた多結晶シリコン成長挙動のイン〇 (P) 小島 拓人 1, 原 京花 2, 沓掛 健太朗 3, 松本 哲
1. 名大院情報 , 2. 名大院工 , 3. 理研 AIP
ゴットスケール解析
也 1, 工藤 博章 1, 宇佐美 徳隆 2
9/20(Tue.) 13:30 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) C202 会場（Room C202）
13:30		 20p-C202-1 第一原理計算と機械学習を用いた二元系金属材料の原子 〇宮川 丈瑠 1, 酒井 雄吾 1, 米津 明生 1, 森 一樹 2, 加藤 1. 中央大 , 2.CTC, 3.（株）コメット
間ポテンシャルの開発
信彦 2, 石橋 啓次 3
13:45		 20p-C202-2 CZ-Si 単結晶中の N-V 複合体の安定性とそれに O が与え 〇佐田 晃 1, 野田 祐輔 2, 末岡 浩治 2, 梶原 薫 3, 宝来 正 1. 岡山県大情報系工 , 2. 岡山県大情報工 , 3. 株式会社る影響 (2)
隆3
SUMCO
14:00		 20p-C202-3 Si 結晶中のフランク型積層欠陥における酸素原子の安定 〇神山 栄治 1, 2, 野田 祐輔 2, 末岡 浩治 2
1. グローバルウェーハズ・ジャパン㈱ , 2. 岡山県立大情
性
報工
1, 2
14:15		 20p-C202-4 SCDM 法で求めたワニエ関数を用いたクーロン反発の計 〇稲垣 淳
1.RIXS Sim. Research, 2. 淡江大学理
算14:30		休憩 /Break
14:45		 20p-C202-5 3 次元積層型 CMOS イメージセンサ向け CH4N 分子イオ 〇奥山 亮輔 1, 門野 武 1, 柾田 亜由美 1, 鈴木 陽洋 1, 小 1.SUMCO
ン注入エピタキシャルシリコンウェーハの水素拡散挙動 林 弘治 1, 重松 理史 1, 廣瀬 諒 1, 古賀 祥泰 1, 栗田 一
成1
15:00		 20p-C202-6 シリコン結晶基板の品質と点欠陥 (8) アボガドロ結晶の 〇井上 直久 1, 川又 修一 1, 奥田 修一 1
1. 大阪公立大 放射線センター
格子定数不均一
15:15		 20p-C202-7 シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学 (21) 空 〇井上 直久 1, 川又 修一 1, 奥田 修一 1
1. 大阪公立大放射線センター
孔窒素複合体の熱処理挙動
15:30		 20p-C202-8 シリコン結晶中の低濃度炭素の測定 (25) 濃度 1013/ ㎝ 3 台 〇井上 直久 1, 奥田 修一 1, 川又 修一 1
1. 大阪公立大放射線センターの低温赤外吸収9/22(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 22p-P12-1
数値解析による Cz 法ヘビードープシリコン単結晶成長時 〇向山 裕次 1, 2, 末岡 浩治 3
1. 岡山県立大院情報系工 , 2.STR Japan 株式会社 , 3. 岡山の成長界面における点欠陥生成挙動に関する研究
県立大情報工			 22p-P12-2
レーザー照射による GaPN 混晶の フォトルミネッセン 〇八木橋 善和 1, 高宮 健吾 1, 鎌田 憲彦 1, 八木 修平 1, 1. 埼玉大院理工
ス強度減衰の温度依存性
矢口 裕之 1
			 22p-P12-3
時分解フォトルミネッセンス法を用いた超格子構造導入 〇鎌田 昇平 1, 鎌田 憲彦 1, 八木 修平 1, 矢口 裕之 1
1. 埼玉大院理工による AlGaN 量子井戸からの発光への効果の評価

16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials

16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス / Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials
9/21(Wed.) 9:00 - 11:00 口頭講演 (Oral Presentation) A302 会場（Room A302）
9:00		 21a-A302-1 放電プラズマ焼結法を用いて作製された SiO2 ガラスの構 〇正井 博和 1, 木村 大海 1, 北村 直之 1, 池本 夕佳 2, 小 1. 産総研 , 2.JASRI, 3. 物材機構 , 4. 弘前大 , 5. 立命館大 ,造
原 真司 3, 増野 敦信 4, 藤井 康裕 5, 宮崎 孝道 6, 柳田 健 6. 東北大 , 7. 奈良先端大
之7
9:15		 21a-A302-2 Ti3C2 MXene 分散によるホウケイ酸ガラスの破壊靭性向 〇篠崎 健二 1, 2, 3, Liu Lei1, 4
1. 産総研 , 2. 阪大 , 3.JST さきがけ , 4. 東大上9:30		 21a-A302-3 溶融急冷法による超高ヤング率・低線熱膨張酸化物ガラ 〇斎藤 全 1
1. 愛媛大院理工ス
9:45		 21a-A302-4 化学強化ガラスにおける残留圧縮応力の熱力学的理解〇寺門 信明 1, 佐々木 隆成 1, 江袋 信悟 1, 村井 大地 1, 1. 東北大院工高橋 儀宏 1, 藤原 巧 1
10:00
奨 21a-A302-5 Sn および FeSn2 ナノ粒子複合セラミックス材料からなる 〇佐藤 史隆 1, 本間 剛 1, 小松 高行 1
1. 長岡技大ナトリウムイオン電池負極の創製
10:15		 21a-A302-6 CrySPY を用いた酸化物リチウムイオン伝導体の安定結 〇 (M2) 佐藤 拓海 1, 中森 省吾 1, 宇都野 太 2, 本間 剛 1, 1. 長岡技大 , 2. 出光興産株式会社
晶構造探索
山下 智樹 1
10:30		 21a-A302-7 リン酸塩ガラスのプロトン伝導度の Si，Al 含有量依存性 〇 (M2) 山田 裕也 1, 永島 裕樹 2, 石山 智大 2, 藤岡 正 1. 北大電子研 , 2. 産総研 , 3. 東北大多元研
弥 1, 小野 円佳 1, 小俣 孝久 3, 西井 準治 1
10:45 奨 E 21a-A302-8 Physics-based Modeling of Spatial and Temporal〇 (D)Katelyn Alyssa Kirchner1, Madoka Ono2, 3,
1.Penn State Univ., 2.Hokkaido Univ. RIES, 3.ACG Inc.
Fluctuations in Disordered Materials and its Applications John C. Mauro1
9/22(Thu.) 9:00 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) A301 会場（Room A301）
9:00		 22a-A301-1 超伝導ナノ複合化合物の超伝導特性に及ぼす構造および 〇中明 育 1, 櫻井 敬博 1, 太田 仁 1, 瀬戸 雄介 2, 大井 修 1. 神戸大学 , 2. 大阪公立大学 , 3.NIMS
組成の効果
一 3, 立木 実 3, 有沢 俊一 3, 内野 隆司 1
9:15
奨 22a-A301-2 Mg/MgO/MgB2 ナノ複合体の超伝導特性に及ぼす Si の添 〇 (M2) 橋本 碧維 1, 櫻井 敬博 1, 太田 仁 1, 瀬戸 雄介 2, 1. 神戸大 , 2. 大阪公立大加効果
内野 隆司 1
9:30
奨 22a-A301-3 縮退 Ga ドープ ZnO ナノ薄膜のフェルミエッジ異常の観 〇田代 愛佳 1, 安達 裕 2, 内野 隆司 1
1. 神戸大理 , 2. 物材機構
察
9:45		 22a-A301-4 六方晶窒化ホウ素（h-BN）の単層剥離手法の開発〇 (M1) 三嶋 里奈 1, 内野 隆司 1
1. 神大院理
10:00		 22a-A301-5 四官能ケイ素アルコキシド – 水二成分系からのマクロ多 〇梶原 浩一 1, 後藤 美桜子 1
1. 都立大孔質シリカゲルとシリカガラスの無共溶媒合成
10:15		 22a-A301-6 シリカ− (Gd,Pr)PO4 透明結晶化ガラスの狭帯域 UVB 発 〇中川 慎冴 1, 石島 政直 1, 梶原 浩一 1
1. 都立大光の温度依存性
10:30		 22a-A301-7 LiCl によるシリカガラスの失透と生成する結晶相〇堀井 直宏 1, 林 楓華 1, 奥村 花梨 1, 葛生 伸 2, 堀越 秀 1. 福井高専 , 2. 福井大院工 , 3. 東ソーSGM
春 3, 青山 義弘 1
10:45		 22a-A301-8 光非線形結晶化ガラスにおける未知の Pockels 係数の決定 〇中村 拓真 1, 寺門 信明 1, 高橋 儀宏 1, 藤原 巧 1
1. 東北大院工11:00		 22a-A301-9 高熱伝導性 MgO 飽和析出ガラスの熱的安定性向上に向 〇 (M1) 高橋 和也 1, 寺門 信明 1, 高橋 儀宏 1, 藤原 巧 1 1. 東北大院工けた組成設計9/22(Thu.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A301 会場（Room A301）
13:30 招 E 22p-A301-1 [Young Scientist Presentation Award Speech]〇 Yi Shuang1, Yuji Sutou1, 2
1.Tohoku Univ. (AIMR), 2.Tohoku Univ, (Eng)New Operating Principle: Contact Resistance Change
Memory13:45 奨 E 22p-A301-2 Effect of Se Substitution for Te and N Doping on GeSbTe 〇 Jieqiong Zhang1, Katsuyoshi Komatsu1, Tadaomi 1.KIOXIA Corporation
Based Phase Change Memory
Daibou1, Hiroki Tokuhira1
14:00		 22p-A301-3 相変化物質 Cr2Ge2Te6 における熱的ナノスケール相変化 〇金 唐逸 1, 佐藤 大輝 1, 川村 亮太 1, 玉置 亮 1, 草場
1. 横浜国大院理工 , 2. 東北大工 , 3. 東北大材料科学高等の STM 観測哲 1, 王 吟麗 2, 双 逸 3, 須藤 祐司 2, 3, 片山 郁文 1, 武田 研究所
淳1
14:15		 22p-A301-4 MnTe 多形の相安定性に及ぼす Cr 添加の影響〇金 美賢 1, 双 逸 2, 安藤 大輔 1, 須藤 祐司 1, 2
1. 東北大工 , 2. 東北大材料科学高等研
14:30
奨 22p-A301-5 RF 入力による Ag-GeTe CBRAM のスイッチ電圧変化〇 (DC) 殷 ユウヒ 1, 塚本 慶人 1, 林 等 1, 中岡 俊裕 1
1. 上智理工16.2 エナジーハーベスティング / Energy Harvesting
14:45		15:00		 22p-A301-6

休憩 /Break
アモルファス GeTe6 のセレクタ挙動に及ぼす Al 添加の影 〇畑山 祥吾 1, 齊藤 雄太 1
響
15:15		 22p-A301-7 透過・反射分光法による Ge2Sb2Te5 薄膜の屈折率評価〇後藤 民浩 1
15:30		 22p-A301-8 アモルファスセレン薄膜における光導電率変化の熱処理 〇大嶋 悠太 1, 林 浩司 2
効果
15:45		 22p-A301-9 遷移金属カルコゲナイドの光学応用に向けた材料シミュ 〇牧野 孝太郎 1, 齊藤 雄太 1, 畑山 祥吾 1, フォンス
レーションの検討
ポール 1, 2
16:00		 22p-A301-10 カルコゲナイド系アモルファス薄膜の低温における光誘 〇海田 怜志 1, 林 浩司 2
起変化のその場観察
16:15		休憩 /Break
16:30
E 22p-A301-11 Feasibility analysis of Cr2Ge2Te6 thin film for〇 Yinli Wang1, Yi Shuang2, Mayu Nakajima1,
piezoresistive pressure sensor
Daisuke Ando1, Fumio Narita3, Yuji Sutou1, 2

1. 産総研1. 群馬大理工
1. 岐阜大院自然 , 2. 岐阜大工
1. 産総研 , 2. 慶應大理工
1. 岐阜大院自然 , 2. 岐阜大工

1.School of Engineering, Tohoku Univ., 2.AIMR, 3.
Graduate School of Environmental Studies, Tohoku
Univ.
1. 産総研 , 2. 京都工繊大
1. 島大 , 2. 産総研

16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials

16:45		 22p-A301-12 xGeS2-(100-x)SbS3/2 ガラスの屈伏点近傍での粘弾性挙動 〇北村 直之 1, 家元 大地 2, 角野 広平 2
17:00
奨 22p-A301-13 機械学習ポテンシャルによる Fe − Si − B 系アモルファス 〇今井 清香 1, 安藤 康伸 2, 平山 尚美 1
形成過程シミュレ−ション
17:15		 22p-A301-14 光電子放出量定量評価のための Bi2Se3 表面計算
〇草部 浩一 1, 山本 陸人 1, 福本 恵紀 2, 石田 邦夫 3
1. 兵県大理 , 2. 高エネ研 , 3. 宇都宮大工
17:30		 22p-A301-15 Cat-CVD 水素化 n-a-Si 膜への FLA により形成した多結晶 〇王 崢 1, Tu Thi Cam Huynh1, 大平 圭介 1
1. 北陸先端大Si の表面パッシベーションと低欠陥化
16.2 エナジーハーベスティング / Energy Harvesting
9/21(Wed.) 9:00 - 11:00 口頭講演 (Oral Presentation) A304 会場（Room A304）
9:00		 21a-A304-1 ボロンドープしたシリコンナノ結晶 / シリコン酸化膜積 〇柴田 啓介 1, 加藤 慎也 2, 黒澤 昌志 1, 後藤 和泰 1, 宮 1. 名大院工 , 2. 名工大院工層構造の作製及び熱電特性評価
本 聡 1, 宇佐美 徳隆 1, 黒川 康良 1
9:15
奨 21a-A304-2 切紙型 SWCNT デバイスの熱電発電特性〇 (M2) 浅倉 健一郎 1, 中嶋 宇史 1, 元祐 昌廣 2, 山本 1. 東理大応物 , 2. 東理大機械 , 3. 東理大物理 , 4. 日本
貴博 3, 内田 秀樹 4
ZEON
9:30		 21a-A304-3 カリウムイオンエレクトレット内での水素原子の拡散経 〇大畑 慶記 1, 洗平 昌晃 2, 1, 石黒 巧真 3, 三屋 裕幸 3, 1. 名大院工 , 2. 未来材料研 , 3. 鷺宮製作所 , 4. 東大生産
4
5
5
2, 1
路
年吉 洋 , 芝田 泰 , 橋口 原 , 白石 賢二
研 , 5. 静大院工9:45
E 21a-A304-4 Boosting the output of droplet-based energy harvester by 〇 (D)HAITAO WANG WANG1, Yasuyoshi
1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Inst. Tech., 3.Gifu Univ.
a CYTOP intermediate layer
Kurokawa1, Kazuhiro Gotoh1, Satoru Miyamoto1,
Shinya Kato2, Shigeru Yamada3, Takashi Itoh3,
Noritaka Usami1
10:00		休憩 /Break10:15
奨 21a-A304-5 振動エネルギーハーベスティングを用いたバッテリーレ 〇 (M1) 佐藤 智浩 1, 中嶋 宇史 1
1. 東理大応物
ス故障診断デバイス
10:30		 21a-A304-6 TiO2 微粒子含有 PDMS フィルムを用いたトライボ発電素 〇 (M1) 周 青陽 1, 滝田 隆仁 1, 生野 孝 1
1. 東理大先進工
子の出力最大化に関する考察
10:45		 21a-A304-7 トライボ発電における漏洩時間変動電磁場の回収〇金 胄男 2, 3, 滝田 隆仁 1, 周 青陽 1, 長澤 倫太郎 1, 原 1. 東理大先工 , 2. 東理大理工 , 3. 総研
航平 1, 生野 孝 1, 3
16.3 シリコン系太陽電池 / Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells
9/20(Tue.) 13:30 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) C101 会場（Room C101）
13:30		 20p-C101-1 両面受光シースルーSi ヘテロ接合太陽電池の試作〇小長井 誠 1, 市川 幸美 1, 石井 大智 1, 石川 亮佑 1
1. 東京都市大総研
13:45		 20p-C101-2 TCO フリーシリコンヘテロ接合太陽電池の可能性検討〇齋 均 1, 松井 卓矢 1
1. 産総研14:00		 20p-C101-3 酸化チタン / 金属積層構造を裏面電極に用いた結晶 Si 太 〇松井 卓矢 1, McNab Shona2, Bonilla Ruy
1. 産総研 , 2.Oxford Univ.
陽電池
Sebastian2, 齋 均 1
1
1
1
14:15		 20p-C101-4 直接窒化の極薄窒化 Si を用いたパッシベーションコンタ 〇 (DC)Wen Yuli , Huynh Thi Cam Tu , 大平 圭介
1. 北陸先端大クトの最適化
14:30
奨 20p-C101-5 硝酸アルミニウム水溶液への浸漬処理により形成した Al 〇 (D) 中島 寛記 1, Huynh Thi Cam Tu1, 大平 圭介 1 1. 北陸先端大
ドープ超極薄 SiOx の Si 表面のパッシベーション機構
14:45		 20p-C101-6 スパッタ法およびイオン注入法にて形成した TOPCon 構 〇 (D) 山口 昇 1, 2, 宮島 晋介 1
1. 東工大工 , 2. アルバック
造の評価
15:00		休憩 /Break
15:15		 20p-C101-7 ペロブスカイトタンデムセル用薄型ヘテロ接合 Si ボトム 〇齊藤 公彦 1, 宍戸 寛崇 1, 石川 亮佑 1
1. 東京都市大総研
セルの作製
1, 2
1, 3, 44, 3
15:30		 20p-C101-8 2 端子型ペロブスカイト / 結晶 Si タンデム太陽電池の中間 〇西原 達平 , Lee Hyunju, 大下 祥雄 , 小椋
1. 明治大学 , 2. 学振特別研究員 DC, 3. 明大 MREL, 4. 豊層としての Zr 添加 In2O3 膜の検討
厚志 1, 3
田工大
15:45
E 20p-C101-9 A Nanocrystalline Silicon Recombination Junction Layer 〇 (P)Calum McDonald1, Hitoshi Sai1, Vladimir
1.AISTfor Perovskite-Silicon Tandem Solar Cells
Svrcek1, Atsushi Kogo1, Tetsuhiko Miyadera1,11
Takurou N. Murakami , Masayuki Chikamatsu , Yuji
Yoshida1, Takuya Matsui1
16:00		 20p-C101-10 異なる基板温度で堆積した Cat-CVD SiNx 膜のファイ〇石川 凌一 1, Huynh Tu Thi Cam1, 大平 圭介 1
1. 北陸先端大ヤースルー前後の膜特性評価
11
1
1
16:15		 20p-C101-11 多結晶 Si 中の粒界上の Ni 関連準位の消滅過程〇寺田 唯人 , 山下 善文 , 鈴木 弘朗 , 西川 亘 , 林 靖 1. 岡山大院自然彦1
16:30		休憩 /Break
16:45		 20p-C101-12 n 型結晶 Si 太陽電池モジュール電圧誘起劣化への高レベ 〇武 徳欽 1, Huynh Tu Thi Cam1, 大平 圭介 1
1. 北陸先端大ル事前逆バイアス印加の影響
1
1
1
17:00		 20p-C101-13 封止材無し p 型結晶 Si 太陽電池モジュールの高温高湿環 〇新保 俊大朗 , Huynh Tu Thi Cam , 大平 圭介
1. 北陸先端大境での電圧誘起劣化
17:15		 20p-C101-14 熱伝導性フィラーMgO による結晶シリコン太陽電池モ 〇傍島 靖 1, 下方 英弘 1, 岩城 幸志郎 1, 前原 勇斗 1, 清 1. 岐阜大工 , 2. 北陸先端大 , 3. 新潟大
ジュール動作時の昇温抑止効果
水 健吾 1, 大平 圭介 2, 増田 淳 3
17:30		 20p-C101-15 降砂試験による太陽電池モジュール表面の防汚コート性 〇小比田 陸 1, 西 俊樹 1, 平井 明仁 2, 増田 淳 1
1. 新潟大学 , 2. 中央自動車工業
能と出力変化の解析
17:45
E 20p-C101-16 Evaluating angular dependence of colored photovoltaic〇 Zhihao Xu1, Takuya Matsui1, Hitoshi Sai1
1.AIST
modules for building-integrated photovoltaics (BIPV)
1
2
2
1, 2
18:00		 20p-C101-17 建材一体型太陽電池における高効率加飾技術 II〇和田 裕之 , 徐 志豪 , 齋 均 , 近藤 道雄
1. 東工大物質 , 2. 産総研
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P11-1
封止材を用いない結晶シリコン太陽電池モジュールの動 〇前原 勇斗 1, 長谷川 雄大 1, 清水 健吾 1, 傍島 靖 1, 大 1. 岐阜大工 , 2. 北陸先端大
作時における MgO/SiOx, C/SiOx 膜による昇温抑止効果 平 圭介 2
			 21p-P11-2
封止材を用いない結晶シリコン太陽電池モジュールに対 〇 (M2) 今城 伸仁 1, 山川 耀 1, 髙橋 宏明 2, 大平 圭介 3, 1. 新潟大 , 2. 京セラ , 3. 北陸先端大
するシングリング接続セルの適用
増田 淳 1
			 21p-P11-3
結晶シリコン太陽電池を用いたフレキシブルモジュール 〇立花 福久 1, 棚橋 克人 1, 伊野 裕司 1, 白澤 勝彦 1
1. 産総研の加速劣化評価17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
9/21(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 21p-P12-1
チタン基板上への導電性超ナノ微結晶ダイヤモンド薄膜 〇楢木野 宏 1, 橋口 寛生 1, 長野 里基 1, 吉武 剛 1
1. 九大院総理工の成膜とその電気化学特性			 21p-P12-2
セルロースを用いた蛍光性カーボン量子ドットの合成と 〇依田 隆暉 1, 緒方 啓典 1, 2, 3
1. 法政大院理工 , 2. 法大生命 , 3. 法大マイクロナノ
物性評価 (II)12
1, 2
			 21p-P12-3
その場 XAFS 測定による単層カーボンナノチューブ 成長 〇柄澤 周作 , サラマ カマル , 才田 隆広 , 成塚 重 1. 名城大理工 , 2. 名城大ナノマテ研
メカニズムの解明 : Fe 触媒と Ni 触媒の比較
弥 1, 丸山 隆浩 1, 2
			 21p-P12-4
SwinIR を用いたカーボンナノチューブ画像の再学習型超 〇各務 嘉記 1, 丸山 隆浩 1, 堀田 一弘 1
1. 名城大理工
解像度化手法11
11
			 21p-P12-5
単層カーボンナノチューブにおけるトリオンの円偏光二 〇細川 裕矢 , 柳 和宏 , 蓬田 陽平 , 上治 寛
1. 都立大理色性			 21p-P12-6
ELF 法で分離した半導体型カーボンナノチューブの抵抗 〇宮本 俊江 1, 2, 田中 朋 1, 2, 宮崎 孝 1, 2, 金折 恵 2, 福田 1.NEC, 2.AIST
温度係数の評価
紀香 1, 弓削 亮太 1, 2
			 21p-P12-7
カーボンナノチューブ薄膜を電極とした正孔輸送層フ〇 (M2) 安藤 凜 1, 石崎 学 1, 栗原 正人 1
1. 山形大院理工リーペロブスカイト太陽電池
			 21p-P12-8
カーボンナノチューブ薄膜をトップコンタクト電極とす 〇 (M1) 大宮司 耀士 1, 安藤 凛 1, 石崎 学 1, 栗原 正人 1 1. 山形大院理工るオール無機ペロブスカイト太陽電池
			 21p-P12-9
溶媒適合濾過転写法により作製した半透明 AgNW〇舟部 未来斗 1, 安藤 凛 1, 佐藤 大輝 1, 石﨑 学 1, 栗原 1. 山形大院理工
SWNT 積層電極 / シリコンヘテロ接合太陽電池
正人 1
			 21p-P12-10 NO2 ガスセンサーの性能向上のための酸化物添加 CNT〇山本 圭佑 1, 村山 真理子 1, 2, 趙 新為 1
1. 東理大理 , 2. 東洋大工研の応用
			 21p-P12-11 レーザ熱転写法を用いたポリプロピレンフィルム上への 〇小松 裕明 1, 杉田 洋介 1, 生野 孝 1
1. 東理大先進工
CNT 均一配線技術の開発
1
1
1
			 21p-P12-12 炭素源を C2H4 とした CVD 法による h-BN/ グラフェン縦 〇 (M2) 中尾 拓登 , 川合 良知 , 友本 巧朗 , 横澤 翔 1. 関学大工型ヘテロ構造作製
太 1, 日比野 浩樹 1
			 21p-P12-13 極微細構造を有する Ni パターンの凝集現象を用いたサ〇加藤 一朗 1, 久保 俊晴 1, 三好 実人 1, 江川 孝志 1
1. 名工大ファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製
1
1, 2
			 21p-P12-14 多層グラフェンの電流印加層交換成長における昇温速度 〇土田 龍太郎 , 上野 和良
1. 芝浦工大 (SIT), 2. グリーンエレクトロニクス国際研
依存性
究センター
			 21p-P12-15 CVD 合成した多層グラフェンからの機械剥離〇林 賢二郎 1, 伏見 直樹 1, 片岡 真紗子 1, 近藤 大雄 1, 1. 富士通株式会社
佐藤 信太郎 1
			 21p-P12-16 機械学習を援用したグラフェンの顕微ラマンデータの自 〇 (B) 杉野 秀明 1, 小濱 路生 1, 山本 うらん 1, 吹留 博 1. 東北大 電通研
動解析法
一1
			 21p-P12-17 in situ ラマン分光法による N ドープグラフェン負極上に Yadav Rohit1, 〇原 正則 1, Joshi Prerna1, 吉村 雅満 1 1. 豊田工大
おける Li イオンの充放電反応挙動の解析
			 21p-P12-18 超音波を用いたグラファイトからの窒化グラフェン一段 窪 優斗 1, 高橋 瑞季 2, 二井 晋 2, 〇青野 祐美 1
1. 鹿児島大工（電気）, 2. 鹿児島大工（化工）
階生成における超音波周波数の影響
			 21p-P12-19 m 面サファイア基板上でのグラフェン減圧 CVD 成長〇 (M1) 柳瀬 優太 1, 三田 和樹 1, 丸山 隆浩 1, 成塚 重 1. 名城大理工－成長圧力依存性ー
弥1
			 21p-P12-20 ｍ面サファイア基板上でのグラフェンの減圧 CVD 成長 〇 (M2) 三田 和輝 1, 福西 康寛 1, 柳瀬 優太 1, 丸山 隆 1. 名城大理工― 成長温度依存性 ―浩 1, 成塚 重弥 1
			 21p-P12-21 CVD 法により各種面方位のサファイア上に成長させたグ 〇 (M2) 川合 良知 1, 中尾 拓登 1, 小田 昂到 1, 日比野 1. 関学大理工
ラフェンの比較
浩樹 1
		E 21p-P12-22 Temperature dependence of CVD graphene〇 (DC)Alexandro Nogueira1, Shohei Enomoto1,
1.JAISTnanomechanical resonator
Manoharan Muruganathan1, Afsal Kareekunnan1,
Masashi Akabori1, Hiroshi Mizuta1
			 21p-P12-23 SiC(0001) 上グラフェンにおける光励起構造変化〇廣末 龍一 1, 堀江 亮介 1, 金﨑 順一 1, 木曽田 賢治 2, 1. 大阪公立大大学院 , 2. 和歌山大学大学院 , 3. 佐賀大シ
山本 勇 3, 東 純平 3, 高橋 和敏 3
ンクロトロン光応用センター
			 21p-P12-24 交互滴下法で堆積した酸化グラフェン・スペーサ材料薄 〇戸田 和輝 1, 比村 優奈 1, 許 梓釗 1, 井ノ上 泰輝 1, 仁 1. 阪大院工 , 2. 岡山大
21
膜の熱処理による 3 次元積層グラフェン形成科 勇太 , 小林 慶裕
			 21p-P12-25 CVD グラフェンの電気特性の h-BN 膜厚依存性〇山田 貴壽 1, 沖川 侑揮 1, 増澤 智昭 2, 小川 修一 3, 谷 1. 産総研 , 2. 静岡大 , 3. 東北大 , 4. 物材機構
口 尚4
			 21p-P12-26 h-BN に埋め込まれたグラフェンナノネットワークの電 〇 (M1) 張 卉 1, 丸山 実那 1, 高 燕林 1, 岡田 晋 1
1. 筑波大数理子物性			 21p-P12-27 グラフェンへの周期ひずみの導入手法の改良〇楠川 将史 1, 神田 晶申 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 友利 1. 筑波大数理物質 , 2. 物材機構
ひかり 1
			 21p-P12-28 グラフェン上の酸素原子の表面拡散および格子欠陥を通 〇河合 孝純 1
1. 都市大総合理工した拡散に関する第一原理電子状態計算
11
2
1			 21p-P12-29 FeCl3 を用いた 3 層積層グラフェンへのインターカレー〇 (M1) 國府 慶 , 畑田 要 , 奥田 崚太 , 渡辺 剛志 , 1. 青山学院大学 , 2.AGC 株式会社ション
黄 晋二 1
			 21p-P12-30 CVD 合成した大面積二層グラフェンへのカルシウムのイ 〇大津 柚紀子 1, Solis-Fernandez Pablo2, Lin
1. 九大院総理工 , 2. 九大 GIC, 3. 産総研 , 4. 東京工芸大 ,ンターカレーション
Yung-Chang3, 松永 貴子 2, 松本 里香 4, 末永 和知 5, 吾 5. 阪大産研
1, 2
郷 浩樹
			 21p-P12-31 自己組織化ペプチド修飾グラフェン電界効果トランジス 〇 (M1) 人見 樹 1, 山崎 唯衣 1, 山田 紘 2, 杉崎 吉昭 2, 1. 東工大物質理工 , 2.( 株 ) 東芝研究開発センター
タの水およびアルコール分子への応答
磯林 厚伸 2, 富澤 英之 2, 早水 裕平 1
			 21p-P12-32 グラフェンデバイスにおける分子吸着による電流の周波 〇生田 昂 1, 桶田 知宏 1, 正井 宏 2, 3, 玉木 孝 4, 寺尾
1. 東京農工大 , 2. 東京大学 , 3.JST さきがけ , 4. 京都大学
数特性変化
潤 2, 前橋 兼三 1
			 21p-P12-33 グラフェン上に作製したコプレーナ導波路を用いたミリ 〇 (M2) 畑田 要 1, 國府 慶 1, 奥田 崚太 2, 庭野 和彦 2, 1. 青学大理工 , 2.AGC 株式会社
波帯における単層及び 3 層グラフェンの伝送損失評価
黄 晋二 1
			 21p-P12-34 遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロナノチューブの合成 〇永野 真衣 1, 蓬田 陽平 1, ムハンマドアシク ラハマ 1. 都立大理 , 2. カミラ理 , 3. 産総研
ン 1, 2, 上治 寛 1, 八木 貴志 3, 中西 勇介 1, 宮田 耕充 1,
柳 和宏 1
			 21p-P12-35 CVD 法を用いた単層 MoS2 合成における添加剤 Na2SO4〇 (M1) 後藤 有生 1, 荻野 明久 1
1. 静大院工の影響
			 21p-P12-36 CVD 成長により作製した多層 MoTe2 の結晶構造評価〇村中 柊都 1, 小田切 優真 1, 星 裕介 1
1. 東京都市大学
			 21p-P12-37 GaAs(111)B 上における MoTe2 エピタキシャル薄膜の配 〇大竹 晃浩 1, 楊 旭 1, 奈良 純 1
1. 物材機構
向性および安定性
			 21p-P12-38 MoSe2 – WSe2 多層積層構造の MBE 成長〇大竹 晃浩 1, 佐久間 芳樹 1
1. 物材機構			 21p-P12-39 物理気相成長によるα -In2Se3 膜の作製
〇尾崎 匠 1, 浦上 法之 1, 2, 橋本 佳男 1, 2
1. 信州大工 , 2. 信州大 先鋭材料研1
1
2
			 21p-P12-40 Graphene/phosphorene van der Waals ヘテロ構造の安定 〇井本 文裕 , 森里 嗣生 , Gavartin Jacob
1. シュレーディンガー( 株 ), 2.Schrodinger Inc.
性と電子状態の第一原理計算による解析
			 21p-P12-41 WS2 微小結晶核の横方向量子サイズ効果〇 (DC) 王 若曦 1, 相原 健人 1, 楊 旭 2, 佐久間 芳樹 2, 1. 筑波大物理 , 2. 物材機構
池沢 道男 1

【CS.6】4.5 Nanocarbon and 2D Materials、17 ナノカーボンのコードシェア / Code-sharing Session of 4.5 & 17
			 21p-P12-42
			 21p-P12-43

AlN 上多層 hBN 膜中の欠陥からの室温における単一光子 〇 (DC) 石田 峻之 1, Yang Xu2, 5, 王 若曦 1, 相原 健人 1, 1. 筑波大物理 , 2. 物材機構 , 3. 名大未来研 , 4. 名大 ARC,発生
佐久間 芳樹 2, 池沢 道男 1, 天野 浩 3, 4, 5
5. 名大 VBL
偏光依存 ARPES を用いた SnS 価電子帯の電子構造の解析 〇鈴木 一誓 1, 川西 咲子 1, 田中 清尚 2, 田中 慎一郎 3, 1. 東北大多元研 , 2.UVSOR, 3. 阪大産研			 21p-P12-44

KFM による +c 面及び -c 面 GaN 基板上 MoS2 の表面電位

			 21p-P12-45
			 21p-P12-46
			 21p-P12-47
			 21p-P12-48

小俣 孝久 1
〇栄 凱蓬 1, 荒木 努 1, 毛利 真一郎 1

1. 立命館大学理工測定
MoS2/WSe2 ヘテロ構造の層間励起子における熱活性化エ 〇山勢 海里 1, 堀川 尚豊 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 星 裕 1. 東京都市大 , 2.NIMS

ネルギーのツイスト角度依存性
走査ゲート顕微法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド
ヘテロ接合における輸送特性の評価
二次元 WOx をトラップ層とする MoS2 電荷トラップメモ
リの作製
コンタクト抵抗の低減および分子ドーピングによる単層
MoS2 ガスセンサの NO2 光活性化応答特性の改善の試み
MoS2-FET 電気特性に対する液相アルコールの効果介1〇酒井 歩峻 1, 渡邊 賢治 2, 谷口 尚 2, 柯 夢南 1, 青木 伸 1. 千葉大物質 , 2. 物材機構

之1
〇 (M1) 野村 尚哉 1, 稲田 貢 1, 上野 啓司 2, 山本 真人 1 1. 関西大院理工 , 2. 埼玉大院理工17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology

奥野 寛照 1, 後藤 大志 2, 〇田畑 博史 2, 久保 理 2, 片山 1. 阪大工 , 2. 阪大院工光浩 2
			 21p-P12-49〇高岡 毅 1, Uddin Nasir2, 和泉 廣樹 2, 道祖尾 恭之 1, 1. 東北大多元研 , 2. 東北大院理 , 3. 産総研
安藤 敦 3, 米田 忠弘 1
			 21p-P12-50 グラファイト /MoTe2/ グラファイト積層構造の作製と電 〇冨塚 祐弥 1, Zulkefli Amir2, 岩﨑 拓哉 2, 渡辺 英一 1. 東京電機大 , 2. 物材機構
気伝導特性評価郎 2, 津谷 大樹 2, 若山 裕 2, 中払 周 2, 森山 悟士 1
			 21p-P12-51 金剝離法で作製した大面積な単層 MoTe ₂構造の光学特性 〇山村 陸斗 1, 山勢 海里 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 星 裕 1. 東京都市大学 , 2.NIMS介1
			 21p-P12-52 HMDS 処理による黒リンの表面安定化の検討〇 (M1) 小田 太一 1, 稲田 貢 1, 山本 真人 1
1. 関西大院理工			 21p-P12-53 二次元 WSe2 電荷トラップメモリにおけるシナプス動作 〇 (M1) 櫛原 快児 1, 稲田 貢 1, 谷口 尚 2, 渡邊 賢司 2, 1. 関西大院理工 , 2. 物材機構 , 3. 埼玉大院理工3
1
上野 啓司 , 山本 真人
			 21p-P12-54 テトラメチルアンモニウム塩基による Al 残存 Ti3C2Tx マ 〇柴田 裕貴 1, 才田 恵美 2, 岩田 将輝 1, 松永 優希 1, 水 1. 名大院理 , 2. 名大院工 , 3. 名大物国センター, 4.JST さ
キシンの剥離と導電膜応用
津 理恵 1, 4, 阿波賀 邦夫 1, 廣谷 潤 4, 5, 大町 遼 1, 3
きがけ , 5. 京大院工【CS.6】4.5 Nanocarbon and 2D Materials、17 ナノカーボンのコードシェア / Code-sharing Session of 4.5 & 17
9/21(Wed.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
9:00 招 E 21a-C302-1 [INVITED]〇 Xuedan Ma1
1.Center for Nanoscale Materials, Argonne National
Developing Quantum Photon Sources from LowLaboratory, USA
dimensional Semiconductor Materials
9:30 奨 E 21a-C302-2 Polarized Thermal Emission from an Electrically Driven〇 Shinichiro Matano1, Hidenori Takahashi1,
1.Keio Univ., 2.Rice Univ., 3.Center for Spintronics
Aligned Carbon Nanotube Film
Natsumi Komatsu2, Yui Shimura1, Kenta Nakagawa1, Research Network, Keio Univ.
Junichiro Kono2, Hideyuki Maki1, 3
9:45 招 E 21a-C302-3 [INVITED]〇 Daichi Kozawa1, Xiaojian Wu2, Akihiro Ishii1, 3,
1.RIKEN RAP, 2.UMD, College Park, 3.RIKEN CPR,
Formation of Organic Color Centers in Air-Suspended Jacob Fortner2, Keigo Otsuka3, Rong Xiang4, 5, Taiki 4.Univ. Tokyo, 5.Zhejiang Univ., 6.Osaka Univ.
4, 6
4
2
Carbon Nanotubes Using Vapor-Phase Reaction
Inoue , Shigeo Maruyama , YuHuang Wang ,Yuichiro K. Kato1, 3
10:15
E 21a-C302-4 Higher Moiré Excitonic States and its Dynamics in〇 (DC)Heejun Kim1, Kumpei Anio1, Keisuke
1.Inst of Advanced Energy, Kyoto Univ, 2.Research
Twisted MoSe2/WSe2 Heterostructure
Shinokita1, Wenjin Zhang1, Kenji Watanabe2, Takashi Center for Functional Materials, National Inst For
3
1
Taniguchi , Kazunari Matsuda
Materials Science, 3.International Center for Materials
Nanoarchitectonics, National Inst For Materials Science
10:30		休憩 /Break
10:45 招 E 21a-C302-5 [INVITED]〇 Ryo Kitaura1, 2
1.NIMS, 2.Nagoya Univ.
Optical properties of lateral/vertical van der Waals
heterostructures
11:15
E 21a-C302-6 Quantization of mode shifts in nanocavities integrated〇 Daiki Yamashita1, Fang Nan1, Shun Fujii1, Keigo 1.RIKEN, 2.Univ. of Tokyo, 3.NIMS
with atomically thin sheets
Otsuka1, 2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3,
Kosuke Nagashio2, Yuichiro Kato1
11:30 招 E 21a-C302-7 [INVITED]〇 Il Jeon1, Han Young Woo2, Kyusun Kim1, Ziang
1.Sungkyunkwan Univ., 2.Korea Univ.
Homogeneously Miscible Fullerene inducing VerticalWu2, Jiye Han1
Gradient in Perovskite Thin-Film towards Highly
Efficient Solar Cells
12:00
E 21a-C302-8 Development of Tunable Nitrogen-Doped Single-Wall〇 (DC)Zhikai Li1, Toshihiko Fujimori1, 2, Hirotaka
1.Univ. of Tsukuba, 2.Sumitomo Electric Inst, Ltd
Carbon Nanotube Fibers
Inoue2, Momoko Sakai1, Samuel Jeong1, Takamasa
Onoki2, Takeshi Hikata2, Soichiro Okubo2, Keishi
Akada1, Yoshikazu Ito1, Jun-ichi Fujita1
12:15
E 21a-C302-9 Zinc oxide on Silicon Wafer / Glass Slide Electrode〇 (M2)Melanie Cancino Merciales1, 2, 3
1.UP Visayas, 2.DLSU - Manila, 3.UP - Baguio
Deposited via Spray Pyrolysis for Glucose Sensing
Application
17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料 / Carbon nanotubes & other nanocarbon materials
9/22(Thu.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) B203 会場（Room B203）
9:00		 22a-B203-1 金属基板上における垂直配向カーボンナノチューブの多 〇 (M2) 阪野 崇 1, 原 正則 1, 吉村 雅満 1
1. 豊田工大
段階合成
9:15		 22a-B203-2 CoFe2O4 ナノ粒子の LB 膜を用いた VA-CNT の構造制御 〇奥貫 航星 1, 櫻井 翔平 1, 飯田 真由 1, 伊藤 圭祐 2, 横 1. 千葉大院融 , 2. 千葉大工 , 3. 千葉大院工山 幸星 2, 串田 正人 3
9:30		 22a-B203-3 NiFe2O4 ナノ粒子 LB 膜を用いた VA-CNT の合成と構造評 〇飯田 真由 1, 櫻井 翔平 1, 奥貫 航星 1, 串田 正人 2
1. 千葉大院融 , 2. 千葉大院工価
9:45		 22a-B203-4 異なる触媒ナノ粒子を混合した LB 膜からの垂直配向〇 (DC) 櫻井 翔平 1, 飯田 真由 1, 奥貫 航星 1, 串田 正 1. 千葉大院融 , 2. 千葉大院工CNT 成長人2
10:00
E 22a-B203-5 O2 promoted growth of small-diameter vertically-aligned 〇 (PC)Kamal Prasad Sharma1, Masaya Kobayashi1, 1.Meijo Univ
SWCNTs using Os catalyst
Takahiro Maruyama1
10:15		休憩 /Break
10:30		 22a-B203-6 金属 - 炭素間結合強度のゴルディロックスゾーン下限近 〇松岡 就 1, サラマ カマル 2, 才田 隆広 1, 2, 丸山 隆
1. 名城大院理工 , 2. 名城大ナノマテ研
傍元素を触媒に用いた SWCNT 成長
浩 1, 2131
1
1
2
10:45		 22a-B203-7
C 同位体標識を用いた長尺 CNT 成長の追跡〇岸部 義也 , 榊 優樹 , 東谷 圭祐 , 井上 寛隆 , 藤森 1. 筑波大数理 , 2. 住友電工
利彦 2, 小野木 伯薫 2, 鄭 サムエル 1, 赤田 圭史 1, 藤田
淳一 1
11:00		 22a-B203-8 配向カーボンナノチューブの微視的解析：非金属成長核 〇 (D) 劉 元嘉 1, 井ノ上 泰輝 1, 有福 達治 2, 清柳 典
1. 阪大院工 , 2. 日本化薬
からのカイト成長の証拠
子 2, 佐竹 正充 2, 小林 慶裕 1
11:15		 22a-B203-9 透過型電子顕微鏡を用いた CNT バンドル破断過程の〇東谷 圭祐 1, 清水 俊樹 2, 鄭 サムエル 1, 岸部 義也 1, 1. 筑波大数理 , 2. 農工大工
in-situ 観察
赤田 圭史 1, 藤田 淳一 1
11:30		 22a-B203-10 XAFS/EELS による CNT 線材中のヨウ素の化学状態評価 〇山崎 悟志 1, 飯泉 陽子 2, 稲葉 工 2, 森本 崇宏 2, 岡崎 1. 古河電工 , 2. 産総研
俊也 2

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology

17.2 グラフェン / Graphene9/22(Thu.) 13:30 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) B203 会場（Room B203）
13:30		 22p-B203-1 加熱・電子線照射処理を施したカーボンナノチューブ・ 〇井上 寛隆 1, 藤森 利彦 1, 2, 小野木 伯薫 1, 谷岡 大
1. 住友電工 , 2. 筑波大数理
ファイバーの構造評価
輔 1, 日方 威 1, 大久保 総一郎 1, 鄭 サムエル 2, 赤田 圭
史 2, 藤田 淳一 2
13:45		 22p-B203-2 単層カーボンナノチューブの大量分散と半導体型分離〇松下 駿 1, 藤井 俊治郎 1, 本多 信一 1, 桒原 有紀 2, 斎 1. 兵庫県立大工 , 2. 産総研ナノ材料
藤 毅2
14:00		 22p-B203-3 複合ナノカーボン担持金属触媒の作製と特性評価〇緒方 啓典 1, 2, 3, 阿部 雄帆 2, 谷口 萌花 1
1. 法政大生命科学 , 2. 法政大院理工学 , 3. 法政大マイクロ・ナノ研
14:15		 22p-B203-4 カーボンナノチューブ複合紙を用いた水素ガスセンサの 〇久保 竣太郎 1, 新井 皓也 2, 矢野 雅大 2, 大矢 剛嗣 1 1. 横国大理工 , 2. 三菱マテリアル開発
14:30		 22p-B203-5 カーボンナノチューブ複合紙アクチュエータのパルプ材 〇豊増 遼大 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大理工
変更による性能向上検討
14:45		 22p-B203-6 カーボンナノチューブ複合布による電磁波シールドの作 〇齋藤 真周 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院理工
製手法改善検討1
2
2
1
15:00		 22p-B203-7 カーボンナノチューブ複合紙を用いた熱電発電素子の性 〇島本 優樹 , 新井 皓也 , 矢野 雅大 , 大矢 剛嗣
1. 横国大院理工 , 2. 三菱マテリアル
能向上検討
15:15		 22p-B203-8 毛細管現象・気化熱を利用する熱電発電紙の開拓〇亀川 雄大 1, 新井 皓也 2, 矢野 雅大 2, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院理工 , 2. 三菱マテリアル
15:30		 22p-B203-9 使用カーボンナノチューブ種を変更した " ペルチェ糸 " の 〇山辺 柾斗 1, 新井 皓也 2, 矢野 雅大 2, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院理工 , 2. 三菱マテリアル
性能評価
15:45		 22p-B203-10 カーボンナノチューブ複合紙を用いたペーパートランジ 〇足立原 海斗 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院理工スタへの新たな絶縁膜の導入による性能向上検討
16:00		休憩 /Break
16:15
E 22p-B203-11 Application of gel electrolyte to paper dye-sensitized solar 〇 (M2)Yi Kou1, Takahide Oya1
1.Yokohama National Univ.
cells using carbon nanotube-composite paper for its
performance improvement
16:30		 22p-B203-12 酸化グラフェンを犠牲層に用いた極薄フレキシブルデバ 〇横田 奈菜花 1, 内山 晴貴 1, 大野 雄高 1, 2
1. 名大工 , 2. 名大未来研
イスの作製
1
1
2
1
16:45
奨 22p-B203-13 CNT-FET 型ガスセンサ応答のゲート電圧スイープ方向 〇中原 正太 , 八木 凱斗 , 大町 遼 , 稲葉 優文 , 中野 1. 九大シス情 , 2. 名大物国センター
依存性
道彦 1, 末廣 純也 1
17:00
奨 22p-B203-14 CNT の半導体・金属比率と CNT-FET の NO2 ガス応答 〇八木 凱斗 1, 中原 正太 1, 大町 遼 2, 稲葉 優文 1, 中野 1. 九大シス情 , 2. 名大物国センターの関係
道彦 1, 末廣 純也 1
17:15		 22p-B203-15 N ドープカーボンナノチューブ膜の熱電特性経年劣化に 〇鈴木 大地 1, 野々口 斐之 2, 島本 一正 3, 寺崎 正 1
1. 産総研 SSRC, 2. 京都工繊大 , 3. 産総研 NMRI
関する研究
17:30		 22p-B203-16 スパッタ成膜された SiO2 上に形成した CNT ネットワー 〇田中 朋 1, 2, 宮本 俊江 1, 2, 金折 恵 2, 福田 紀香 1, 弓削 1. 日本電気 , 2. 産総研
クの電気的特性亮太 1, 2
17:45		 22p-B203-17 インクジェット式全印刷カーボンナノチューブ膜型光熱 〇酒井 大揮 1, 安井 皐 2, 3, 李 恒 2, 3, 河野 行雄 1, 2, 3, 4
1. 中大理工 , 2. 東工大未来研 , 3. 東工大電電 , 4.NII
起電力検出器18:00		 22p-B203-18 カーボンナノチューブ型広帯域光センサによる非破壊シ 〇 (M1) 木下 祐哉 1, 李 恒 2, 3, Zhenyu Zhou4, 佐藤 い 1. 中大理工 , 2. 東工大未来研 , 3. 東工大電電 , 4.NII
ルエット復元まり 4, 河野 行雄 1, 2, 3, 4
18:15		 22p-B203-19 Dip-and-Dry 法による単層カーボンナノチューブインク 〇 (M1) 堀田 唯音 1, 黒松 将 1, 渡辺 剛士 1, 黄 晋二 1
1. 青山学院大学
高導電布の作製
18:30		 22p-B203-20 電解質膜の作製条件模索とそのアクチュエータの特性評 〇蜜田 大雅 1, 宮川 彗 1, 櫻井 翔平 1, 串田 正人 2
1. 千葉大院融 , 2. 千葉大院工価
18:45		 22p-B203-21 Cu 環状物質修飾単層カーボンナノチューブを用いた NH3 〇 (M1) 田中 皓大 2, 中村 友耀 2, 三戸 彩暖 1, 大平 正 1. 阪大工 , 2. 阪大院工 , 3. 京大院人間・環境
ガスの選択的検知
人 2, Cheng Guoqing3, 田畑 博史 2, 久保 理 2, 小松 直
樹 3, 片山 光浩 2
9/23(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B203 会場（Room B203）
9:00		 23a-B203-1 ＣＮＴネットワーク構造における導電機構推定手法につ 〇森本 崇宏 1, 稲葉 工 1, 山崎 悟志 2, 岡崎 俊也 1
1. 産総研 , 2. 古河電工
いて1
1
1
9:15		 23a-B203-2 ベンジルビオロゲン分子を用いた n 型 CNT 薄膜の作製〇田村 圭伍 , 大南 乃綾 , クコバット ラドバン , 浦 1. 信州大
上 法之 1, 曽根原 誠 1, 佐藤 敏郎 1, 金子 克美 1
9:30		 23a-B203-3 中性ホウ素化合物を用いた単層カーボンナノチューブの 〇 (M2) 浜砂 碧 1, 田中 直樹 1, 2, 藤ヶ谷 剛彦 1, 2, 3
1. 九大院工 , 2. 九州大学 WPI-I2CNER, 3. 九大分子シス
ブレンステッド酸ドーピング
テムセ
1
1
1, 2
9:45
奨 23a-B203-4 高分子被覆した化学修飾単層カーボンナノチューブが示 〇新留 嘉彬 , 松本 大夢 , 加藤 幸一郎 , 藤ヶ谷 剛 1. 九大院工 , 2. 九大 CMS, 3. 九大 WPI-I2CNER
す近赤外発光特性変化に基づく被覆高分子の相互作用評 彦 1, 2, 3, 白木 智丈 1, 3
価
10:00
奨 23a-B203-5 クロロスルホン酸処理カーボンナノチューブ紡績糸の熱 〇中堀 慎也 1, 亀高 諄 1, 田中 佑一郎 1, 林 晧鷺 1, 鈴木 1. 岡大院自然
電変換特性
弘朗 1, 西川 亘 1, 林 靖彦 1
10:15
奨 23a-B203-6 その場 XAFS 測定による単層カーボンナノチューブ成長 〇柄澤 周作 1, サラマ カマル 2, 才田 隆広 1, 2, 成塚 重 1. 名城大理工 , 2. 名城大ナノマテ研
中の Co 触媒と Ir 触媒の化学状態の比較
弥 1, 丸山 隆浩 1, 2
10:30		休憩 /Break
10:45		 23a-B203-7 様々なチューブ直径を有する単層 CNT の乾式精製に関す 〇齋藤 毅 1, 桒原 有紀 1, Nasrin Fahmida1, 片浦 弘
1. 産総研 , 2.NEC, 3. 早稲田大る考察
道 1, 弓削 亮太 1, 2, 野田 優 3
11:00		 23a-B203-8 連続湿式法により作製したカーボンナノチューブ・ファ 〇 (M2) 酒井 萌々子 1, 藤森 利彦 1, 2, 井上 寛隆 2, Li
1. 筑波大数理 , 2. 住友電工
イバーの構造評価
Zhikai1, 岸部 義也 1, 小野木 伯薫 2, 日方 威 2, 大久保総一郎 2, 鄭 サムエル 1, 赤田 圭史 1, 藤田 淳一 1
11:15		 23a-B203-9 糸の直径変更によるカーボンナノチューブ複合糸トラン 〇小平 弘樹 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大理工
ジスタの性能向上検討
11:30		 23a-B203-10 カーボンナノチューブ・エラストマー材料からなる軽量・ 〇吉田 尚晃 1, 中野 崇人 1, 曽我 哲夫 1, 岸 直希 1
1. 名工大柔軟な電磁波シールド材料の開発
1
1
1
2
11:45		 23a-B203-11 電界誘起層形成法による SWCNT の半金分離における乾 〇桑原 有紀 , 斎藤 毅 , Nasrin Fahmida , 弓削 亮太 1. 産総研 , 2.NEC式精製の影響17.2 グラフェン / Graphene9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B202 会場（Room B202）
13:30		 22p-B202-1 二次元材料の積層デバイスにおける層間熱輸送〇掛谷 昂平 1, 竹井 邦晴 2, 秋田 成司 2, 有江 隆之 2
1. 大阪府大工 , 2. 大阪公大工13:45		 22p-B202-2 低欠陥、高構造規則性を有する酸化グラフェンの開発〇畠山 一翔 1, 津川 樹 1, 松田 潤子 2, 鯉沼 陸央 1, 伊田 1. 熊本大学 , 2. 九州大学
進太郎 1
14:00
奨 22p-B202-3 界面層の導入によるグラフェン光ゲートダイオード中波 〇嶋谷 政彰 1, 福島 昌一郎 1, 小川 新平 1
1. 三菱電機長赤外線センサの高性能化
12
1
1
14:15		 22p-B202-4 UV 露光でパターン化された酸化グラフェン化学マイク 〇佐野 正人 , 海野 慈歩 , 金澤 克樹 , 米中 佑太 , 阿 1. 山形大有機材料 , 2. 山形大工ロチップ
部 航大 2, 猪瀬 悠貴 2, 菊池 健太 1, 大滝 真裕 1, 阿部 す
み麗 2, 梅津 和已 2, 原 和佐 2, 船木 光新 2
14:30		 22p-B202-5 Type-II 超格子を用いたグラフェン長波長赤外線検出器の 〇福島 昌一郎 1, 嶋谷 政彰 1, 小川 新平 1
1. 三菱電機（株）
開発
1, 2
1
1
1
14:45
奨 22p-B202-6 【注目講演】グラフェン発光素子による高空間分解赤外分 〇中川 鉄馬 , 志村 惟 , 深澤 佑介 , 西崎 亮佑 , 俣 1. 慶大理工 , 2. 早大材研 , 3. 慶大スピン光
野 眞一朗 1, 大矢 秀真 1, 牧 英之 1, 3

17.3 層状物質 / Layered materials
15:00

奨 22p-B202-7

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology

グラフェンナノリボン量子ドット集積化における閉じ込 〇 (M1) 加藤 樹 1, 金子 俊郎 1, 加藤 俊顕 1
1. 東北大工め障壁制御
15:15		 22p-B202-8 有機分子修飾グラフェン電界効果トランジスタの特性評 〇林 雅樹 1, 生田 昂 1, 前橋 兼三 1
1. 農工大工価
15:30		 22p-B202-9 金属フタロシアニン修飾グラフェン FET による二酸化窒 〇矢沢 直輝 1, 生田 昂 1, 前橋 兼三 1
1. 農工大院工素の高感度センシング
15:45		休憩 /Break
16:00		 22p-B202-10 金属ナノ粒子の蒸着による架橋２層グラフェンラマンス 〇河瀬 裕太 1, 多田村 充 1, 荒木 努 1, 毛利 真一郎 1
1. 立命館大理工
ペクトルの変調1
2
1
1
16:15		 22p-B202-11 毛の詳細な動きの検知を目指したフレキシブル触覚圧力 〇中村 悠希 , 若林 聖史 , 本田 智子 , 有江 隆之 , 秋 1. 大阪公大工 , 2. 大阪府大工センサ
田 成司 1, 竹井 邦晴 1
16:30		 22p-B202-12 フレキシブル雨センサとリザバー解析による水滴体積検 〇 (B) 清宮 徳人 1, 若林 聖史 1, 松村 紅怜 1, 中嶋 浩
1. 大阪公大工 , 2. 東京大工知平 2, 竹井 邦晴 1
1
1
2
16:45		 22p-B202-13 グラフェン /h-BN 機械共振器の特異な共振特性〇 (M2) 八十島 和輝 , 大石 竜 , 竹井 邦晴 , 有江 隆 1. 大阪府大工 , 2. 大阪公大工之 2, 秋田 成司 2
17:00		 22p-B202-14 SiC 上に形成したグラフェンおよび Au/Ti から成るコプ 〇石田 智也 1, 佐々木 文憲 1, 渡邊 一世 2, 吹留 博一 1 1. 東北大通研 , 2. 情通機構
レーナ導波路の特性インピーダンスの評価
17:15
奨 22p-B202-15 グラフェン / シリコン太陽電池における熱アニール処理 〇 (M2) 小野 譲暉 1, 任 皓駿 1
1. 弘前大理工の影響
17:30
奨 22p-B202-16 グラフェン / シリコン太陽電池における静電容量 - 電圧特 〇 (M1) 寺岡 真裕 1, 小野 譲暉 1, 任 皓駿 1
1. 弘前大理工性及びインピーダンス分光
17:45
奨 22p-B202-17 グラフェン /Si ショットキー型太陽電池における電極と 〇高橋 尚斗 1, 大田 敦史 1, 片岡 起也 1, 佐藤 真 1, スバ 1. 北大院情報科学
グラフェンの接合に関する研究
ギョ アグス 1, 末岡 和久 1
9/23(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B202 会場（Room B202）
9:00		 23a-B202-1 二酸化炭素を炭素源とする窒化ガリウム上へ のグラフェ 〇浅田 智浩 1, 植野 康大 1, 薮田 翔平 1, 荒木 努 1, 毛利 1. 立命大理工
ン成長へ向けた検討
真一郎 1
9:15		 23a-B202-2 バリア高さ可変型パワーショットキーダイオード作製に 〇 (M2) 中水流 秋穂 1, 畑野 敬史 1, 生田 博志 1, 植田 1. 名大院工 , 2. 早大情シス向けた高品質グラフェン / ダイヤモンド積層構造の作製 研二 1, 2
9:30		 23a-B202-3 パーシステントホモロジーを活用したグラフェンの CVD 〇小川 友以 1, 佐藤 駿丞 2, 高村 真琴 1, 小嗣 真人 2, 谷 1.NTT 物性科学基礎研 , 2. 東理大
成長過程の画像データ解析
保 芳孝 1
9:45
E 23a-B202-4 Single-orientation growth of graphene on large-scale〇 SHENGNAN WANG1, Yoshitaka Taniyasu1
1.NTT Basic Research Labs.
single-crystalline metal catalyst with high index facet
10:00		 23a-B202-5 hBN/ グラフェンヘテロ構造 CVD 成長におけるエッジ終 〇影島 博之 1, Wang Shengnan2, 日比野 浩樹 3
1. 島根大院自然 , 2.NTT 物性科学基礎研 , 3. 関西学院大
端の起源
工
10:15		 23a-B202-6 有機 Cu を用いた r 面サファイア基板上でのグラフェン減 〇福西 康寛 1, 村橋 知明 1, 三田 和輝 1, 柳瀬 優太 1, 丸 1. 名城大理工
1
1
圧 CVD 成長
山 隆浩 , 成塚 重弥
10:30
奨 23a-B202-7 Ni 触媒パターンを用いた転写不要のグラフェン成長に関 〇大田 敦史 1, 高橋 尚斗 1, 片岡 起也 1, 佐藤 真 1, スバ 1. 北大情報科学院
する研究
ギョ アグス 1, 末岡 和久 1
10:45
E 23a-B202-8 Clean environment effect on nucleation of twisted〇 Yao Yao1, Taiki Inoue1, Makoto Takamura2,
1.Osaka Univ., 2.NTT-BRL
graphene islands grown by serial thermal process without Yoshitaka Taniyasu2, Yoshihiro Kobayashi1
air exposure using graphene/SiC template
11:00		 23a-B202-9 グラフェン形成による TaC 薄膜の超伝導転移温度向上と 近藤 大斗 1, 榊原 涼太郎 1, 林 直輝 1, 伊藤 孝寛 2, 遠藤 1. 名大院工 , 2. 名大 SR セ , 3. 東大物性研 , 4. 東北大理
そのメカニズム
彰 3, 鈴木 舞奈佳 4, 石井 祐太 4, 若林 裕助 4, 〇乗松
航1
11:15		 23a-B202-10 SiC 表面における h-BN へのグラフェンヘテロ成長〇小濱 路生 1, 米窪 和輝 1, 杉野 秀明 1, 渡邊 一世 2, 菅 1. 東北大通研 , 2. 情通機構
原 大樹 1, 唐 超 1, 佐藤 昭 1, 尾辻 泰一 1, 吹留 博一 1
11:30
E 23a-B202-11 Discussion on 1D strain field induced flat bands in〇 Anton Visikovskiy1, Satoru Tanaka1
1.Kyushu Univ.
graphene and related pseudomagnetic fields
1
1
2
3
11:45		 23a-B202-12 4H-SiC m 面上のグラフェン周期リップル構造〇今村 均 , 田中 夏帆 , 飯盛 拓嗣 , 中辻 寛 , 宮町 俊 1. 九大院工 , 2. 東大物性研 , 3. 東北大総理工 , 4. 名大未来
生 4, 小森 文夫 3, 4, ビシコフスキー アントン 1, 田中
研
悟1
9/23(Fri.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) B202 会場（Room B202）
13:30		 23p-B202-1 粘着テープ自動剥離装置を用いたグラフェンメカニカル 〇若藤 祐斉 1, 増渕 覚 1, 神谷 啓介 1, 小野寺 桃子 1, 張 1. 東京大学生産技術研究所
劈開条件の最適化
奕勁 1, 守谷 頼 1, 町田 友樹 1
13:45		 23p-B202-2 自動転写による 100 層グラフェンの形成〇川田 和則 1, 中村 孝子 1, 川木 俊輔 1, 古賀 義紀 1, 長 1. エアメンブレン
谷川 雅考 1
14:00		 23p-B202-3 プラズマ CVD による多層グラフェンの合成〇川木 俊輔 1, 川田 和則 1, 中村 孝子 1, 古賀 義紀 1, 長 1.（株）エアメンブレン
谷川 雅考 1
14:15		 23p-B202-4 CVD 法によるランダム多層グラフェン合成とその電気特 〇近藤 大雄 1, 伏見 直樹 1, 片岡 真紗子 1, 乗松 正明 1, 1. 富士通性林 賢二郎 1, 佐藤 信太郎 1
14:30		 23p-B202-5 多層グラフェンの光学特性〇鎌田 雅博 1, 横澤 峻元 1, 越智 太亮 1, 佐々木 健一 2, 1. アンリツ先端研 , 2.NTT 物性研
松井 朋裕 1
14:45		 23p-B202-6 ランダム積層グラフェンのマイクロ波・赤外光吸収特性 〇濱田 智之 1, 大野 隆央 1, 奈良 純 1
1. 物材機構
に関する研究15:00		 23p-B202-7 多層グラフェンの広帯域吸収スペクトルにおける層間相 〇池田 匠吾 1, 菊堂 裕己 1, 水野 琢央 1, アグルート
1. 阪大院工 , 2. 阪大レーザー研
互作用・フェルミレベル制御効果
バーダッド 2, 中島 誠 2, 井ノ上 泰輝 1, 小林 慶裕 1
15:15		休憩 /Break
15:30
奨 23p-B202-8 ナノ酸化グラフェンの誘電特性〇 (M1) 野田 将吾 1, 酒井 啓行 1, 小谷 真弘 1, 南瀬 颯 1, 1. 九工大
清藤 亮 1, 藤本 颯太 1, 安永 光 1, 李 想 1, 孫 勇 1
15:45		 23p-B202-9 ナノ酸化グラフェンの AC 特性評価
〇 (B) 酒井 啓行 1, 野田 将吾 1, 小谷 真弘 1, 南瀬 颯 1, 1. 九州工業大学
清藤 亮 1, 藤本 颯太 1, 安永 光 1, 李 想 1, 孫 勇 1
16:00		 23p-B202-10 窒素ドープ 3D グラフェンの電子状態と電気伝導特性〇田邉 洋一 1, 伊藤 良一 2, 菅原 克明 3, 4, Samuel
1. 岡山理大理 , 2. 筑波大数理物質 , 3. 東北大理 , 4. 東北大Jeong2, 川田 直諒 1, 木村 尚次郎 5, Aleman
AIMR, 5. 東北大金研 , 6. ジョンズホプキンス大Christopher Florencio6, 高橋 隆 4, 陳 明偉 4, 6
1
1, 2
16:15		 23p-B202-11 支持基板表面修飾によるグラフェン上水吸着のカイネ
廣瀬 巧武 , 〇野内 亮
1. 大阪公立大工 , 2.JST さきがけ
ティクス制御16:30		 23p-B202-12 平坦バンドを有するゼロギャップ半導体の物質設計〇岡田 晋 1, 溝口 知成 1, 高 燕林 1, 丸山 実那 1, 初貝 安 1. 筑波大数理
弘1
16:45		 23p-B202-13 FePd/ グラフェンのヘテロ界面の電子・磁気状態の第一 〇植本 光治 1, 安達 隼人 1, 永沼 博 2, 新屋 ひかり 3, 小 1. 神戸大工 , 2. 東北大 CIES・工・CSRN・CSIS, 3. 東北
原理計算
野 倫也 1
大 RIEC17.3 層状物質 / Layered materials
9/20(Tue.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A200 会場（Room A200）
9:00		 20a-A200-1 層状ヒ化ゲルマニウムの二次元材料としての評価〇加々美 朱羽 1, 浦上 法之 1, 2, 橋本 佳男 1, 2
1. 信州大工 , 2. 信州大 先鋭材料研
9:15		 20a-A200-2 二次元材料 MoS2 の結晶粒径拡大に向けた CVD 成長条件 〇藤井 駆 1, 岡部 稔也 1, 渡辺 健太郎 1, 2
1. 信州大 , 2. 信州大 IFESの検討
9:30		 20a-A200-3 湿式剥離転写技術を用いた原子層材料の顕微 CL 分光法 〇岡部 稔也 1, 藤井 駆 1, 渡辺 健太郎 1, 2
1. 信州大 , 2. 信州大 IFESの開発

17.3 層状物質 / Layered materials
9:45		 20a-A200-4
10:00		 20a-A200-5
10:15

奨 20a-A200-6

10:30

奨 20a-A200-7

10:45		 20a-A200-8
11:00		 20a-A200-9
11:15		 20a-A200-10
9/21(Wed.) 9:00 - 12:00
9:00		 21a-C202-1
9:15		 21a-C202-2
9:30		 21a-C202-3
9:45		 21a-C202-4
10:00		 21a-C202-5
10:15
奨 21a-C202-6
10:30

奨 21a-C202-7

10:45

奨 21a-C202-8

11:00

奨 21a-C202-9

11:15		 21a-C202-10
11:30		 21a-C202-11
11:45		 21a-C202-12
9/21(Wed.) 15:45 - 17:45
15:45		 21p-C202-1
16:00

奨 E 21p-C202-2

16:15		 21p-C202-3
16:30		 21p-C202-4
16:45

奨 21p-C202-5

17:00		 21p-C202-6
17:15		 21p-C202-7
17:30		 21p-C202-8
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00
9:00		 22a-B202-1

17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology

9:15		 22a-B202-2
9:30		 22a-B202-3

9:45		 22a-B202-4
10:00		 22a-B202-5
10:15

奨 22a-B202-6

10:30		10:45		 22a-B202-7
11:00		 22a-B202-8
11:15

奨 E 22a-B202-9

11:30		 22a-B202-10
11:45		 22a-B202-11
9/23(Fri.) 13:30 - 17:00
13:30		 23p-B203-1

13:45		 23p-B203-2

CVD 法によって作製した NbS2 薄膜の成長方向の水素流 〇荒沢 奨輝 1, 横倉 聖也 2, 長浜 太郎 2, 島田 敏宏 2
1. 北大院総化 , 2. 北大院工量依存性
Mo 前駆体の膜厚及び配向性が硫化後の MoS2 の配向性に 〇佐藤 公輝 1, 松島 聖人 1, 高橋 和樹 1, 金 冑男 1, 2
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
与える影響の検討
反応性スパッタリングで成膜した MoS2 の基板材料依存 〇 (D) 金 明玉 1, 2, アーサン ナズムル 2, 謝 丹栄 1, 2, グ 1. 東大院工 , 2. 東大先端研 , 3. 東大院総合文化
性
プタ アビシェーク 2, 3, 岡田 至崇 1, 2
コスパッタによるモリブデン添加ホウ化物堆積と窒素還 〇梨本 一樹 1, 堀口 佳子 2, 熊谷 明哉 2, 3, 4, 5, 岡田 健 1 1. 東北大院工 , 2. 東北大 AIMR, 3. 物材機構 WPI-MANA,
元反応
4. 東北大院環境 , 5. 東北大 CSIS
分子接合による単層 MoS2 の自己屈曲現象および自己積 〇四谷 祥太郎 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1, 桐谷 乃輔 2
1. 阪公大院工 , 2. 東大院総合
層化
電気化学的反応を用いた大面積単層様 MoS2 の単離手法 〇望月 陸 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1, 桐谷 乃輔 2
1. 阪公大院工 , 2. 東大院総合の開拓付随するバルクの基板離脱時に面内破断により単層が選 〇 (M2) 中本 竜弥 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1, 桐谷 乃輔 2 1. 阪公大院工 , 2. 東大院総合
択的に残留する現象への考察
口頭講演 (Oral Presentation) C202 会場（Room C202）
化学気相蒸着法による HfS2 薄膜の作製〇柳瀬 隆 1, 馬塲 彩乃 1, 竹並 優児 1, 島田 敏宏 2
1. 東邦大理化 , 2. 北大応化
その場観測 CVD による単層 WS2 成長形態時間変化と構 〇 (M2) 岩本 祐汰 1, 金子 俊郎 1, 加藤 俊顕 1
1. 東北大工
造欠陥導入機構の相関解明
111
オキシクロライド CVD 法によるサファイア基板上 WS2 〇佐久間 芳樹 , 楊 旭 , 池田 直樹
1. 物材機構のリモート触媒成長
ミスト CVD 法による MoS2 の作製と膜特性 2〇 (M1) 小松 正彦 1, 安岡 龍哉 1, 刘 丽 1, 2, 川原村 敏 1. 高知工大シス工 , 2. 高知工大総研
幸 1, 2有機金属気相成長法における GaxSy 薄膜の結晶相制御〇遠藤 由大 1, 関根 佳明 1, 谷保 芳孝 1
1.NTT 物性研
ラマン分光法による有機金属化学気相成長法で作製した 〇西 優貴人 1, 張 桐永 1, 寿川 尚 1, 町田 英明 2, 石川 真 1. 明治大理工 , 2. 気相成長株式会社 , 3. 東工大 , 4. 明大
WS2 薄膜の熱伝導特性評価
人 2, 須藤 弘 2, 若林 整 3, 横川 凌 1, 4, 小椋 厚志 1, 4
MREL
閉じ込め空間による大面積・高品質単層二硫化タングス 〇橋本 龍季 1, 三澤 賢明 1, 鶴田 健二 1, 宮田 耕充 2, 林 1. 岡大院自然 , 2. 都立大理
テンの表面拡散律速成長と光電子デバイス応用
靖彦 1, 鈴木 弘朗 1
プラズマ原子置換法による高品質ヤヌス TMD の合成〇青木 颯馬 1, 岩本 祐汰 1, 何 杏 1, 金子 俊郎 1, 加藤 俊 1. 東北大工顕1
プラズマ処理によるヤーヌス MoSeS の生成ダイナミクス 〇劉 怡君 1, 石村 拳太郎 1, 中野 亮 1, 三澤 賢明 1, 鶴田 1. 岡大院自然と電子状態遷移過程の解明
健二 1, 林 靖彦 1, 鈴木 弘朗 1
ゲルマネンの酸化と超高真空中加熱還元〇鈴木 誠也 1, 勝部 大樹 2, 矢野 雅大 1, 津田 泰孝 1, 寺 1. 原子力機構 , 2. 理研 , 3. 名大院工澤 知潮 1, 朝岡 秀人 1, 柚原 淳司 3, 吉越 章隆 1
MoS2 膜質のスパッタ成膜レート依存性調査〇今井 慎也 1, 小野 凌 1, 宗田 伊理也 1, 角嶋 邦之 1, 辰 1. 東工大工
巳 哲也 1, 冨谷 茂隆 1, 筒井 一生 1, 若林 整 1
微結晶 MoS2 膜への硫黄雰囲気アニールによる結晶性向 〇小野 凌 1, 今井 慎也 1, 宗田 伊理也 1, 角嶋 邦之 1, 筒 1. 東工大工上井 一生 1, 若林 整 1
口頭講演 (Oral Presentation) C202 会場（Room C202）
良質で非中心対称なβ '-SnS の成長及びその評価〇名苗 遼 1, 張 益仁 1, 篠北 啓介 2, 松田 一成 2, 長汐 晃 1. 東京大 , 2. 京大輔1Shift current photovoltaic effect originated from〇 (D)YihRen Chang1, Tomonori Nishimura1,
1.UTokyo, 2.NIMS
non-centrosymmetric β’ -SnS
Takashi Taniguchi2, Kenji Watanabe2, Kosuke
Nagashio1
二次元強誘電体 CuInP2S6 における面直バルク光起電力効 〇張 奕勁 1, 谷口 黎 2, 増渕 覚 1, 守谷 頼 1, 渡邊 賢司 3, 1. 東大生研 , 2. 東工大フロンティア研 , 3. 物材機構
果
谷口 尚 1, 3, 笹川 崇男 2, 町田 友樹 1
メチル化ゲルマナン薄膜トランジスタの電気特性評価〇 (M1) 平岡 佑貴 1, 鈴木 雄大 1, 松浦 直毅 1, 久保 理 1, 1. 阪大院工田畑 博史 1, 片山 光浩 1
酸化タングステン上に成長した二硫化タングステンナノ 〇岸淵 美咲 1, 劉 崢 2, 宮田 耕充 3, 林 靖彦 1, 鈴木 弘 1. 岡大院自然 , 2. 産総研 , 3. 都立大理
リボンの電気特性評価
朗1
セレン化ガリウムを用いた光検出器の配列工程の検討〇中蔵 真也 1, 浦上 法之 1, 2, 橋本 佳男 1, 2
1. 信州大工 , 2. 信州大 先鋭材料研
MoTe2/n++-Si ヘテロ構造を用いた縦型 TFET の研究〇中村 宥雅 1, 柯 梦南 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 青木 伸 1. 千葉大物質 , 2. 物質・材料研究機構
之1
少数層 NbSe2 の非線形光学的ホール伝導度に関する理論 〇 (M2) 羽原 廉 1, 若林 克法 1
1. 関学大理工研究
口頭講演 (Oral Presentation) B202 会場（Room B202）
有機溶液処理による MoS2 への高濃度ドーピング法の開 〇松山 圭吾 1, 藤村 紀文 1, 桐谷 乃輔 2
1. 阪公大院工 , 2. 東大院総合
拓
1
1
1
2
レーザー誘起ドーピング技術を用いて p 型 MoTe2-TFET 〇謝 天順 , 福田 和紀 , 柯 梦南 , 上野 啓司 , 青木 伸 1. 千葉大工 , 2. 埼玉大工の実現
之1
アルミニウムスカンジウム合金 (AlSc) と酸化タングステ 〇川那子 高暢 1, 梶川 亮介 2, 水谷 一翔 2, Tsai
1. 東工大未来研 , 2. 東工大工ン (WOx) をソース / ドレイン電極に用いた WSe2 n/p FET SungLin2, 宗田 伊理也 2, 星井 拓也 2, 角嶋 邦之 2, 筒と CMOS インバータ応用
井 一生 1, 若林 整 2
同一結晶トンネル FET における S.S. 劣化要因の考察〇福井 智博 1, 西村 知紀 1, 長汐 晃輔 1
1. 東大工二次元薄膜材料を用いたアンチ・アンバイポーラトラン 〇新ヶ谷 義隆 1, Amir Zulkefli1, 岩﨑 拓哉 1, 早川 竜 1. 物材機構
ジスタによる論理演算素子の開発
馬 1, 中払 周 1, 渡邊 賢司 1, 谷口 尚 1, 若山 裕 1
極薄 Bi/Au 蒸着が WSe2 に及ぼす影響の XPS による評価 〇 (M2) 中島 隆一 1, 西村 知紀 1, 上野 啓司 2, 長汐 晃 1. 東京大 , 2. 埼玉大輔1
休憩 /BreakDMF 分子センサの開発に向けた MoS2/ アミド系分子間 〇福井 暁人 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1, 桐谷 乃輔 2
1. 大阪公大工 , 2. 東大の相互作用に関する検討
有機単分子膜形成による TMDC-FET へのドーピング効 〇堀場 大輔 1, 坂梨 昂平 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 柯 梦 1. 千葉大物質 , 2. 物質・材料研究機構
果の定量評価南 1, 青木 伸之 1
Ohmic conduction of single-crystalline carbon-doped〇 Supawan Ngamprapawat1, Tomonori Nishimura1, 1.Univ. Tokyo, 2.NIMS
h-BN
Kenji Watanabe2, Takashi Taniguchi2, Kosuke
Nagashio1
アニール処理による WS2-Ni エッジコンタクト特性の向 〇立松 真一 1, 濱田 昌也 1, 濱田 拓也 1, 宗田 伊理也 1, 1. 東工大
上
角嶋 邦之 1, 筒井 一生 1, 若林 整 1
p 型二硫化モリブデン TFT のアニール処理による特性改 〇荒井 大地 1, 清水 耕作 1
1. 日本大生産工
善
口頭講演 (Oral Presentation) B203 会場（Room B203）
トポロジカルジョセフソン接合形成に向けた単層 WTe2/ 〇細田 雅之 1, 2, ディーコン ラッセル 1, ランドル マ 1. 理研 , 2. 富士通 , 3. 東工大 , 4. 物材機構
超伝導デバイスのゲート効果
イケル 1, 岡崎 尚太 3, 笹川 崇男 3, 谷口 尚 4, 渡邊 賢
司 4, 大伴 真名歩 2, 河口 研一 2, 佐藤 信太郎 2, 石橋 幸治1
強磁性を示す二次元多結晶層状物質 MoS2 における非対 〇宗田 伊理也 1, 白倉 孝典 1, ファム ナムハイ 1, 角嶋 1. 東工大
称線形磁気抵抗邦之 1, 筒井 一生 1, 若林 整 1

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

14:15		 23p-B203-4
14:30		 23p-B203-5
14:45		 23p-B203-6
15:00

E 23p-B203-7

15:15		15:30		 23p-B203-8
15:45		 23p-B203-9
16:00		 23p-B203-10

16:15

奨 23p-B203-11

16:30

奨 23p-B203-12

16:45		 23p-B203-13

単層 WSe2 におけるバレー流の観測とトップゲート制御〇福田 和紀 1, 横井 和史 1, 渡邊 賢治 2, 谷口 尚 2, 柯 梦 1. 千葉大物質 , 2. 物財機構
南 1, 青木 伸之 1
3R-TaSe2 を用いた磁性 vdW ヘテロ構造の作製とスピン 〇 (M1) 遠藤 幹大 1, 松岡 秀樹 2, 武藏 摩紀 1, 岩佐 義 1. 東大院工 , 2. 理研 CEMS
物性の開拓
宏 1, 2, 中野 匡規 1, 2
4 層 WSe2 のサブバンド間共鳴トンネルにおけるツイスト 〇木下 圭 1, 守谷 頼 1, 岡崎 尚太 2, 張 奕勁 1, 増渕 覚 1, 1. 東大生研 , 2. 東工大フロンティア研 , 3. 物材機構 ,角度依存性
渡邊 賢司 3, 谷口 尚 3, 1, 笹川 崇男 2, 町田 友樹 1, 4
4.CREST-JST
バルク p+-MoS2/h-BN/ バルク p+-MoS2 トンネル接合にお 〇川崎 盛矢 1, 木下 圭 1, 守谷 頼 1, 張 奕勁 1, 増渕 覚 1, 1. 東大生研 , 2. 物材機構 , 3. 東工大フロンティア研 ,ける負性微分抵抗の観測
渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 1, 笹川 崇男 3, 町田 友樹 1, 4
4.CREST-JST
Charge accumulation in bilayer graphene/WSe2/〇 Sabin Park1, Rai Moriya1, Yijin Zhang1, Satoru
1.IIS Univ. Tokyo, 2.NIMS, 3.CREST-JST
122, 1
monolayer graphene heterostructure
Masubuchi , Kenji Watanabe , Takashi Taniguchi ,Tomoki Machida1, 3
休憩 /Break
ディラック半金属 PtSe2 における偏光依存光応答〇安田 偉 1, 川田 拓弥 1, 河口 真志 1, 林 将光 1
1. 東大院理Energetics and electronic properties of bilayer Janus〇高 燕林 1, 岡田 晋 1
1. 筑波大学
WSSe
原子層 MoT の電子状態 : マイクロ ARPES〇菅原 克明 1, 2, 3, 猿田 康朗 1, 岡 博文 1, 川上 竜平 1, 加 1. 東北大院理 , 2. 東北大 WPI-AIMR, 3.JST-PRESTO,
藤 剛臣 1, 中山 耕輔 1, 3, 相馬 清吾 2, 4, 北村 未歩 5, 堀場 4. 東北大 CSIS, 5. 高エ研物構研 , 6. 量研機構 , 7. 東北大
弘司 6, 組頭 広志 7, 高橋 隆 1, 福村 知昭 1, 4, 佐藤 宇
多元研 , 8. 東北大 SRIS
史 1, 2, 4, 8
マイクロ集光軟 X 線角度分解光電子分光によるワイド〇 (DC) 田中 宏明 1, 小林 賢 2, 福島 優斗 1, 新井 陽
1. 東大物性研 , 2. 東工大フロンティア研 , 3.JASRI, 4. 東
ギャップ半導体 h-BN 薄片のバルク電子状態観測
介 1, 飯盛 拓嗣 1, 山神 光平 3, 小谷 佳範 3, 小森 文夫 4, 大生産研 , 5. 広島大先進理工黒田 健太 5, 近藤 猛 1, 笹川 崇男 2
ツイスト二層 WTe2 の対称性制御とレーザー角度分解光 〇神谷 啓介 1, 張 奕勁 1, 山本 崇人 2, 坂野 昌人 2, 篠北 1. 東大生研 , 2. 東大工 , 3. 京大エネ研 , 4. 東工大フロン
電子分光・SHG 観測
啓介 3, 岡崎 尚太 4, 増渕 覚 1, 渡邊 賢司 5, 谷口 尚 1, 5, ティア研 , 5. 物材機構 , 6. 理研 CEMS, 7.CREST-JST
笹川 崇男 4, 松田 一成 3, 石坂 香子 2, 6, 町田 友樹 1, 7
原子層物質の誘電特性の積層構造依存性〇丸山 実那 1, 岡田 晋 1
1. 筑波大数理

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials anddevices"

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
9/23(Fri.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 23a-P06-1
TEGa と酸素ガスを用いた大気圧 MOVPE によるβ-Ga2O3 薄膜の結晶成長			 23a-P06-2
ミスト化学気相成長法コランダム構造酸化ガリウム薄膜のガス種による双晶形成への影響
			 23a-P06-3
β -Ga2O3(001) 表面のステップ - テラス形成およびエピ
タキシーへの応用
			 23a-P06-4
ScAlMgO4 基板上 Ga2O3 薄膜のアニールによる結晶構造変化の解析
			 23a-P06-5

			 23a-P06-6
			 23a-P06-7
			 23a-P06-8
			 23a-P06-9
			 23a-P06-10
			 23a-P06-11
			 23a-P06-12
			 23a-P06-13

			 23a-P06-14
			 23a-P06-15
			 23a-P06-16
			 23a-P06-17
			 23a-P06-18
			 23a-P06-19
		

E 23a-P06-20

			 23a-P06-21
			 23a-P06-22
			 23a-P06-23

			 23a-P06-24
			 23a-P06-25
			 23a-P06-26〇浮田 駿 1, 中村 海太 1, 田尻 武義 1, 内田 和男 1

1. 電通大〇 (M2) 山田 梨詠 1, 小林 篤 2, 上野 耕平 2, 関口 敦 1,

1. 工学院大 , 2. 東京大尾沼 猛儀 1, 本田 徹 1, 藤岡 洋 2, 山口 智広 1
〇村上 翔平 1, 關 裕介 1, 岡田 有史 1, 角野 広平 1

1. 京工繊大工芸〇山下 修平 1, 和田 邑一 1, 高根 倫史 1, 山藤 祐人 1, 城 1. 立命館大理工 , 2.R-GIRO, 3. 京大 , 4.( 株 ) オキサイド ,川 潤二郎 1, 松倉 誠 4, 小島 孝広 4, 四戸 孝 5, 出浦 桃 5.( 株 )FLOSFIA
子 2, 金子 健太郎 3, 荒木 努 1
異なる Mg 組成を有する単結晶 Zn­­1-xMgxO 膜成長におけ 〇矢高 功太郎 1, 高橋 大智 1, 山下 尚人 1, 山下 大輔 1, 1. 九大シス情 , 2. 自然科学研究機構
る ZnON バッファー層の効果
奥村 賢直 1, 鎌滝 晋礼 1, 古閑 一憲 1, 2, 白谷 正治 1, 板
垣 奈穂 1
格子不整合サファイア基板上への単結晶 ZnO 膜のスパッ 〇三石 遼 1, 矢高 功太郎 1, 山下 尚人 1, 奥村 賢直 1, 鎌 1. 九大シ情 , 2. 自然科学研究機構
タリング成膜 : ZnON バッファー層の効果
滝 晋礼 1, 古閑 一憲 1, 2, 白谷 正治 1, 板垣 奈穂 1
スパッタエピタキシー法による (ZnO)x(InN)1-x 単結晶薄 〇成重 椋太 1, 山下 尚人 1, 鎌滝 晋礼 1, 奥村 賢直 1, 古 1. 九大シス情膜の室温成膜閑 一憲 1, 白谷 正治 1, 板垣 奈穂 1
スパッタエピタキシー法による ZnO 単結晶層の成長（Ⅳ）〇三澤 亮太 1, 木村 日向 1, 吉田 圭佑 1, 篠田 宏之 1, 六 1. 東京電機大工倉 信喜 1
スパッタエピタキシー法による ZnO 単結晶層の成長（Ⅴ）〇木村 日向 1, 三澤 亮太 1, 吉田 圭佑 1, 篠田 宏之 1, 六 1. 東京電機大工倉 信喜 1MOCVD 法による ZnO/ZnO:Ga 超格子の作製〇 (M2) 乗松 賢 1, 吉田 俊幸 1, Jie Lin2, 藤田 恭久 1, 2 1. 島根大院自然科学 , 2.（株）SNCC
ミスト CVD 法による In ドープ MgZnO 薄膜の成長〇松田 真樹 1, 小川 広太郎 2, 太田 優一 3, 山口 智広 1, 1. 工学院大学 , 2. オーク製作所 , 3. 都産技研 , 4. 京大院工金子 健太郎 4, 藤田 静雄 4, 本田 徹 1, 尾沼 猛儀 1
岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛薄膜の真空紫外領域での 〇日下 皓也 1, 高坂 亘 1, 小川 広太郎 2, 1, 金子 健太
1. 工学院大学 , 2. オーク製作所 , 3. 京大院工光電流スペクトル郎 3, 山口 智広 1, 本田 徹 1, 藤田 静雄 3, 尾沼 猛儀 1
1
2, 1
1
1
In ドープ MgO 薄膜の発光特性〇高坂 亘 , 小川 広太郎 , 松田 真樹 , 日下 皓也 , 1. 工学院大 , 2. オーク製作所 , 3. 都産技研 , 4. 京都大太田 優一 3, 金子 健太郎 4, 山口 智広 1, 本田 徹 1, 藤田
静雄 4, 尾沼 猛儀 1
大気中光電子収量分光法による原子比率の異なる〇渡邉 悠太 1, 中野渡 俊喜 1, 服部 吉晃 1, 北村 雅季 1 1. 神戸大院工InGaZnO 薄膜の仕事関数評価
多結晶 ZnGa2O4 膜のゾル－ゲル法による作製と評価〇 (B) 相場 康平 1, 深作 和寿 1, 中根 茂行 2, 大越 康
1. 電機大理工 , 2. 物材機構
晴 1, 名嘉 節 2, 石井 聡 1
プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へ 〇杉山 弘樹 1, 水野 立揮 1, 宮川 敦成 1, 幅田 雅也 1, 村 1. 山梨大工の GZO 透明導電膜の形成と評価（8）中 司 1, 鍋谷 暢一 1, 松本 俊 1
固相結晶化シード層上への ZnO:Al 透明導電膜のスパッ 〇沈 志遠 1, 薮田 久人 2, 山下 尚人 1, 鎌滝 晋礼 1, 奥村 1. 九大シ情 , 2. 九大 CPNE, 3. 自然科学研究機構
タリング成膜：固相結晶化温度の影響
賢直 1, 古閑 一憲 1, 3, 白谷 正治 1, 板垣 奈穂 1
Zn 供給成膜によるスパッタ GZO 膜の低抵抗率化及びフ 〇白數 柊也 1, 玉井 勇伍 1, 山田 容士 1, 舩木 修平 1
1. 島根大自然
レキシブル基板への応用
1
2
3, 1
1
シクロオレフィンポリマー基板への表面修飾が AZO 薄膜 〇 (D) 大賀 友瑛 , 宮﨑 尚 , 金子 智 , 松田 晃史 , 1. 東工大物質理工 , 2. 防大材料 , 3. 神奈川産技総研の電気特性に与える影響
吉本 護 1White light emitting diodes based on ZnO nanoparticles 〇 (D)RAJ DEEP1, Akazawa Takuma1, Toshiyuki
1.Shimane University
using phosphors
Yoshida1, Yasuhisa Fujita1
1
1
1
1
酸化亜鉛ナノ粒子塗布型 LED における窒素ドーパント 〇赤沢 拓真 , Raj Deep , 吉田 俊幸 , 藤田 恭久
1. 島根大院自然科学の役割
無加熱成膜によるスパッタ Cu2O 薄膜の配向制御〇 (M2) 吉田 朱里 1, 阿部 秀悟 1, 舟木 啓真 1, 山田 容 1. 島根大自然士 1, 舩木 修平 1
水系前駆体溶液とエキシマ光を用いた酸化インジウム薄 〇駒井 伯成 1, 大浦 紀頼 1, 和田 英男 1, 小山 政俊 1,
1. 大阪工業大学 , 2. ウシオ電機株式会社
膜の低温形成と薄膜トランジスタの特性評価
佐々 誠彦 1, 前元 利彦 1, 竹添 法隆 2, 清水 昭宏 2, 伊藤
寛泰 2
In5GaZnO10 薄膜トランジスタの特性評価〇中野渡 俊喜 1, 渡邉 悠太 1, 服部 吉晃 1, 北村 雅季 1 1. 神戸大院工ガリウムサブオキサイドを用いた高純度β -Ga2O3 のエピ 〇ティユ クァントゥ1, 佐々木 公平 1, 倉又 朗人 1
1. ノベルクリスタル
タキシャル成長
曲げ応力を印加したβ -Ga2O3(001) バルク基板の顕微ラ 〇前田 一誠 1, 伊佐治 楓 1, 蓮池 紀幸 1, 一色 俊之 1, 小 1. 京工繊大 , 2. 日立ハイテクマン評価
林 健二 2

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

14:00		 23p-B203-3

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"			 23a-P06-27

β -Ga2O3(001) バルク基板中の転位伝搬角度とエッチ
ピット形状の関連性〇伊佐治 颯 1, 前田 一誠 1, 小川 直也 1, 高阪 諒 1, 蓮池 1. 京工繊大 , 2. 日立ハイテク , 3. ファインセラミックス
紀幸 1, 一色 俊之 1, 小林 健二 2, 姚 永昭 3, 石川 由加
センター
里3
			 23a-P06-28 IGZO および GTO-ReRAM におけるフォーミング時の特 〇宮戸 祐治 1, 廣瀬 尊之 1, 片桐 徹也 1, 三上 創太 1, 小 1. 龍谷大先端理工 , 2. 京大院工性変化測定
林 圭 2, 木村 睦 1
合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"9/20(Tue.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) B203 会場（Room B203）
9:00		 20a-B203-1 ミスト CVD 法による CuxO 膜の作製 - 管状炉内のミスト 〇 (M2) 佐藤 亮汰 1, 横山 工純 1, 白井 肇 1
1. 埼玉大理工研
空間分布と膜構造との関連 1
1
1
9:15		 20a-B203-2 ミスト CVD 法による管状炉内での Ti(acac)4 ミスト挙動 〇 (M2) 横山 工純 , アブドゥル クドゥス , 白井 肇 1. 埼玉大理工
9:30		 20a-B203-3 水を溶媒とするミスト CVD 法によるアナターゼ型 TiO2 〇簾 智仁 1, Xu Han1, 三浦 弓恵 1, 中山 亮 1, 清水 亮 1. 東工大物質理工 , 2. 中部大 , 3. 京大院工 , 4. 東大院理化
薄膜の作製
太 1, 山田 直臣 2, 金子 健太郎 3, 一杉 太郎 1, 4
9:45		 20a-B203-4 溶液法 IGZO-TFT のドレイン電流のオゾンによる減少と 〇 (M2) 笹島 宏青 1, 森本 貴明 1, 石井 啓介 1
1. 防衛大光照射による回復
1
1
10:00		 20a-B203-5 原子状酸素処理による非晶質 In-Sn-Zn-O 薄膜トランジス 〇玉井 隆一 , 清水 耕作
1. 日本大生産工
タの信頼性評価
10:15		休憩 /Break
10:30		 20a-B203-6 Ｓｉ添加酸化タングステン薄膜の結晶構造と配向性〇安達 裕 1
1. 物材機構
10:45		 20a-B203-7 W 添加 In203 薄膜における電子弱局在化の電子格子相互 〇山本 哲也 1, 2, Palani Rajasekaran1, 牧野 久雄 2
1. 高知工科大総研 , 2. 高知工科大院工作用への効果
11:00		 20a-B203-8 Bi 添加 In2O3 薄膜による可視光応答型光触媒反応の評価 〇 (M1) 谷口 陽子 1, 島添 和樹 1, 西中 浩之 1, 川原村 1. 京都工繊大電子 , 2. 高知工大
敏幸 2, 鐘ケ江 一孝 1, 吉本 昌広 1
11:15		 20a-B203-9 InGaO3(ZnO)n 単結晶の酸素アニールによる輸送特性の 〇加瀬 直樹 1, 井上 禎人 1, 漆間 由都 1, 河村 優介 1, 川 1. 東理大理
制御
上 冬樹 1, 宮川 宣明 1
11:30		 20a-B203-10 感光性 high-k BTO/PSX ゲート絶縁膜を用いた酸化物半 〇安藤 大晟 1, ベルムンド フアンパオロソリア 1, 山 1. 奈良先端大 , 2. メルクエレクトロニクス
導体の性能評価
本 敦子 2, 田中 浩之 1, 浦岡 行治 1
9/20(Tue.) 13:00 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) B203 会場（Room B203）
13:00
E 20p-B203-1 Impact of Au surfactant on composition and optical〇 (D)Weiqi Zhou1, Takuto Soma1, Akira Ohtomo1
1.Tokyo Techproperties of gallium oxysulfide films
13:15		 20p-B203-2 PLD 法による (IrxGa1-x)2O3 / α -Al2O3(0001) ヘテロ層の 〇 (M2) 三木 隼之介 1, 松田 彪雅 1, 竹田 尚史 1, 堀田 1. 兵庫県立大工 , 2. ノベルクリスタルテクノロジー
成長
育志 1, 唐 佳藝 1, 佐々木 公平 2, 倉又 朗人 2, 三木 一
司1
13:30		 20p-B203-3 Mist CVD 法による (Ga1-xInx)2O3 混晶成長の組成制御に 〇 (M1) 山田 魁 1, 山田 梨詠 1, 田口 義士 1, 高橋 昴 1, 1. 工学院大学
向けた検討
山口 智広 1, 尾沼 猛儀 1, 本田 徹 1
13:45		 20p-B203-4 Mist CVD 法における原料溶液中の反応がα -In2O3 成長 〇山本 拓実 1, 田口 義士 1, 山田 梨詠 1, 永井 裕己 1, 尾 1. 工学院大に与える影響沼 猛儀 1, 本田 徹 1, 山口 智広 1
14:00		 20p-B203-5 直接合成法によるβ -Ga2O3 薄膜成長における高品質化に 〇高田 晃平 1, 西野 克志 1
1. 徳島大理工向けた検討
14:15		 20p-B203-6 【注目講演】酸化ガリウム 100 mm エピウエハの結晶品質 〇林 家弘 1, 江間 研太郎 1, 桝谷 聡士 1, ティユ クァン 1. ノベルクリスタルテクノロジー
改善トゥ1, 阪口 良一 1, 佐々木 公平 1, 倉又 朗人 1
14:30		 20p-B203-7 N イオン注入したβ -Ga2O3(001) 試料の活性化アニール : 〇 (M1) 松田 彪雅 1, 三木 隼之介 1, 飯村 隆介 2, 唐 佳 1. 兵庫県立大工 , 2. ノベルクリスタルテクノロジー
Faceup 配置
藝 1, 佐々木 公平 2, 倉又 朗人 2, 三木 一司 1
14:45		休憩 /Break
15:00		 20p-B203-8 β -Ga2O3 基板上の金属パターンをマスクとした裏面露光 〇大島 孝仁 1
1. 物材研リソグラフィ
1, 2
1
1
15:15		 20p-B203-9 OCCC 法によるβ -Ga2O3 単結晶の育成と成長条件の検 〇高橋 勲 , Kochurikhin Vladimir , 富田 健稔 , 姚 1.C ＆ A, 2. 東北大 , 3. ファインセラミックスセンター討
永昭 3, 佐藤 功二 3, 石川 由加里 3, 菅原 孝昌 2, 庄子 育
宏 1, 鎌田 圭 1, 2, 柿本 浩一 2, 吉川 彰 1, 2
15:30
E 20p-B203-10 Investigation of Capacitance–Voltage Characteristics of〇 Zhenwei Wang1, Daiki Takatsuki2, Jianbo Liang2, 1.NICT, 2.OMU
p-Si/n-Ga2O3 Heterostructures Fabricated by SurfaceTakahiro Kitada1, 2, Naoteru Shigekawa2, Masataka
Activated Bonding
Higashiwaki1, 2
15:45		 20p-B203-11 2 軸歪みによるβ -Ga2O3 のバンドギャップ変化〇河村 貴宏 1, 秋山 亨 1
1. 三重大院工16:00		 20p-B203-12 HCl 支援ハライド気相成長法を用いたβ -Ga2O3 の選択成 〇大島 孝仁 1, 大島 祐一 1
1. 物材研長
16:15		 20p-B203-13 Ga2O3 の構造安定性に対する酸素空孔の影響に関する理 〇秋山 亨 1, 河村 貴宏 1, 伊藤 智徳 1
1. 三重大院工論的検討
16:30		 20p-B203-14 MBE 法によるⅢ族セスキ酸化物結晶成長の熱力学的検討 〇富樫 理恵 1, 石田 遥夏 1, 後藤 健 2, 東脇 正高 3, 4, 熊 1. 上智大理工 , 2. 東京農工大院工 , 3. 大阪公立大 , 4. 情報
谷 義直 2通信研究機構16:45		 20p-B203-15 トリエチルガリウムおよびジエチルガリウムエトキシド 〇後藤 健 1, 西村 太郎 1, 外里 遥 1, 池永 和正 1, 2, 佐々 1. 東京農工大院工 , 2. 大陽日酸 ( 株 ), 3. 東京農工大
をⅢ族原料に用いたβ -Ga2O3 の MOVPE 成長の比較
木 捷悟 3, 石川 真人 4, 町田 英明 4, 熊谷 義直 1, 3
FLOuRISH, 4. 気相成長 ( 株 )17:00		休憩 /Break
17:15		 20p-B203-16 MOVPE 法によるβ -Ga2O3 基板上ホモエピタキシャル成 〇池永 和正 1, 2, 西村 太郎 1, 後藤 健 1, 石川 真人 3, 町 1. 東京農工大院工 , 2. 大陽日酸㈱ , 3. 気相成長㈱長の成長温度依存性
田 英明 3, 上野 智雄 1, 熊谷 義直 1
17:30		 20p-B203-17 β -Ga2O3 HVPE 成長におけるエッチングガス添加効果 〇 (M2) 長野 理紗 1, 江間 研太郎 2, 佐々木 公平 2, 倉 1. 東京農工大院工 , 2.( 株 ) ノベルクリスタルテクノロ
又 朗人 2, 村上 尚 1
ジー
17:45		 20p-B203-18 パワー素子の放熱向上に向けた Ga2O3/3C-SiC 直接接合 〇 (M2) 長井 啓 1, 川村 啓介 2, 浦谷 泰基 2, 坂井田 佳 1. 大阪市大工 , 2. エア・ウォーター, 3. 大阪公大工
2
1, 3
1, 3
の特性評価
紀 , 重川 直輝 , 梁 剣波
18:00		 20p-B203-19 ε -GaFeO3 基板を用いた単一ドメインκ -Ga2O3 の成長 〇西中 浩之 1, 上田 修 2, 迫 秀樹 3, 池永 訓昭 4, 宮戸 祐 1. 京工繊大 , 2. 明治大学 , 3. 東レリサーチセンター, 4. 金
治 5, 蓮池 紀幸 1, 鐘ケ江 一孝 1, 吉本 昌広 1
沢工大 , 5. 龍谷大学
18:15		 20p-B203-20 Al 組成の増加に伴う (AlxGa1-x)2O3 薄膜の欠陥の発達〇大槻 匠 1, 東脇 正高 1, 2
1. 情通機構 , 2. 大阪公立大院工1
1
1
18:30		 20p-B203-21 アセチルアセトナート化した原料水溶液を用いたα 型〇宇野 和行 , 田村 大翔 , 太田 茉莉香
1. 和歌山大システム工(AlGa)2O3 混晶とα 型 Ga2O3 薄膜のミスト CVD 成長
18:45		 20p-B203-22 ミスト CVD 法を用いた Si 基板上 Ga2O3 成長〇 (M2) 菊池 瑛嗣 1, 金子 健太郎 1, 藤田 静雄 1
1. 京大院工9/21(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B203 会場（Room B203）
9:00		 21a-B203-1 赤外線レーザー蒸着装置を用いた酸化亜鉛薄膜の合成〇増田 達也 1, 太宰 卓朗 1, 2, 佐藤 利弘 3, 関根 徳彦 4, 1.SCT, 2. 日大工 , 3. バキュームプロダクツ , 4. 情報通信
寳迫 巌 4, 高橋 竜太 2, 鯉沼 秀臣 1
研究機構
9:15		 21a-B203-2 非極性 p 型 ZnMgO:N 薄膜の MBE 成長〇後藤 憲應 1, 萩原 綱隆 1, 兵頭 歩 1, 込堂 大 1, 阿部 友 1. 鳥取大学
紀 1, 市野 邦男 1, 赤岩 和明 1
9:30		 21a-B203-3 添加剤を用いた溶液成長 ZnO ナノ結晶配列のアスペクト 〇武内 大和 1, 渡辺 健太郎 1, 2
1. 信州大 , 2. 信州大 IFES
比制御とその薄膜化
11, 2
9:45		 21a-B203-4 ZnO ナノ構造の溶液成長における H2O2 添加効果の検討 〇北澤 裕太郎 , 渡辺 健太郎
1. 信州大 , 2. 信州大 IFES
10:00		 21a-B203-5 岩塩型 MgZnO 混晶のドーピング傾向の予測〇太田 優一 1, 金子 健太郎 2, 尾沼 猛儀 3, 藤田 静雄 2 1. 都産技研 , 2. 京都大学 , 3. 工学院大学
10:15		 21a-B203-6 高抵抗 ZnO 基板における吸収端の電界依存性〇遠藤 治之 1, 柏葉 安兵衛 2
1. 岩手県工技センタ , 2. 岩手大
10:30		休憩 /Break1
1
2
10:45		 21a-B203-7 酸化亜鉛ランダムレーザー特性の液晶分子による電気的 〇原 直斗 , 中村 俊博 , 佐々木 友之
1. 法政大院理工 , 2. 長岡技科大制御

合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"
11:00		 21a-B203-8
11:15		 21a-B203-9
11:30		 21a-B203-10
11:45		 21a-B203-11
9/21(Wed.) 13:15 - 18:45
13:15
奨 21p-B203-1
13:30

奨 21p-B203-2

13:45

奨 21p-B203-3

14:00

奨 21p-B203-4

14:15

奨 21p-B203-5

14:30

奨 21p-B203-6

15:15

奨 21p-B203-8

15:30

奨 E 21p-B203-9

15:45

奨 21p-B203-10

16:00

奨 21p-B203-11

16:15

奨 21p-B203-12

16:30

奨 E 21p-B203-13

16:45		17:00奨 21p-B203-14
17:15

奨 21p-B203-15

17:30

奨 21p-B203-16

17:45

奨 E 21p-B203-17

18:00

奨 21p-B203-18

18:15

奨 21p-B203-19

18:30

奨 E 21p-B203-20〇渡辺 幸太郎 1, 川口 拓真 1, 山口 智広 1, 尾沼 猛義 1, 1. 工学院大工本田 徹 1, 相川 慎也 1
Ar/N2 混合雰囲気でスパッタ成膜した部分窒化 SnOx­­­の特 〇 (M1) 川口 拓真 1, 渡辺 幸太郎 1, 山口 智広 1, 尾沼 1. 工学院大工性評価
猛儀 1, 本田 徹 1, 相川 慎也 1
酸化亜鉛基板上に形成したレーザー誘起ラフネス構造か 〇鎌倉 悠暉 1, 中村 俊博 1, 鈴木 涼太 1
1. 法政大院理工らのランダムレーザー発振
ミスト CVD 法により作製された酸化亜鉛薄膜の QCM セ 〇木村 匠 1, 北村 俊喜 1, 仲林 裕司 2, 山田 悟 1
1. 石川高専 , 2. 北陸先端大
ンサ応用
口頭講演 (Oral Presentation) B203 会場（Room B203）
ミスト CVD 法によるβ -(AlxGa1-x)2O3/ β -(InxGa1-x)2O3/ 〇金子 真大 1, 西中 浩之 1, 鐘ケ江 一孝 1, 吉本 昌広 1 1. 京都工繊大
β -Ga2O3 薄膜のヘテロエピタキシャル成長
飛行時間型質量分析によるβ -Ga2O3 の有機金属気相成長 〇 (M1) 外里 遥 1, 西村 太郎 1, 池永 和正 1, 2, 佐々木 捷 1. 東京農工大院工 , 2. 大陽日酸 ( 株 ), 3. 東京農工大の解析
悟 3, 後藤 健 1, 石川 真人 4, 町田 英明 4, 熊谷 義直 1, 3
FLOuRISH, 4. 気相成長 ( 株 )面内圧縮歪みを有するβ -Ga2O3 薄膜のエピタキシャル成 〇是石 和樹 1, 相馬 拓人 1, 加渡 幹尚 2, 大友 明 1
1. 東工大物質理工 , 2. トヨタ自動車
長
室温でのエキシマレーザーアニールにより作製した酸化 〇 (M2) 甲斐 稜也 1, 沼田 拓実 1, 大賀 友瑛 1, 金子
1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川産技総研
物緩衝層付きポリマー基板上のβ -Ga2O3 配向膜の構造及 智 2, 1, 松田 晃史 1, 吉本 護 1
び光学特性の評価
ミスト CVD 法によるβ -Fe2O3 バッファ層を用いたδ
〇加藤 貴大 1, 西中 浩之 1, 島添 和樹 1, 吉本 昌広 1, 鐘 1. 京工大-Ga2O3 のエピタキシャル成長
ケ江 一孝 1
ミスト CVD 法による Ge ドープβ -Ga2O3 薄膜のホモエピ 〇小川 典真 1, 西中 浩之 1, 島添 和樹 1, 鐘ケ江 一孝 1, 1. 京工繊大工
タキシャル成長
吉本 昌広 1
休憩 /Break
サファイア基板上の単結晶 ZnO 薄膜作製におけるバッ〇山下 尚人 1, 中村 優太 1, 鎌滝 晋礼 1, 奥村 賢直 1, 板 1. 九大院シス情 , 2.NINS
ファー層評価指標
垣 奈穂 1, 古閑 一憲 1, 2, 白谷 正治 1
MgO 基板と格子整合する MgO-NiO-ZnO 混晶半導体〇飯田 真太郎 1, 池之上 卓己 1, 三宅 正男 1, 平藤 哲
1. 京大院エネ科
司11
2
Dislocation Responsible for Leakage Current in HVPE
〇 (D)Sayleap Sdoeung , Kohei Sasaki , Katsumi
1.Saga Univ., 2.Novel Crystal Technology, 3.TDK(001) β -Ga2O3 SBD Observed by Emission Microscopy Kawasaki3, Jun Hirabayashi3, Akito Kuramata2,
and Synchrotron X-ray Topography
Makoto Kasu1
加圧式 Optical Floating Zone 法による (InGaO3)1(ZnO)2 〇井上 禎人 1, 河村 優介 1, 加瀬 直樹 1, 宮川 宣明 1
1. 東理大理の大型単結晶育成と性能評価
時間分解フォトルミネッセンスによる ZnO のプロセス誘 〇粕谷 拓生 1, 嶋 紘平 1, 秩父 重英 1
1. 東北大多元研
起欠陥評価(GaxIn1-x)2O3 固溶体によるβ -Ga2O3 構造の電子状態・欠 〇 (M1C) 成 浩 1, 2, 宝賀 剛 3, 上田 茂典 2, 小椋 厚志 1, 4, 1. 明大理工 , 2. 物材機構 , 3. 鶴岡高専 , 4. 明大 MREL
陥制御の検討知京 豊裕 2, 長田 貴弘 2, 1
Improved reliability of InGaZnO Thin Film Transistor by 〇 (D)KuanJu Zhou1, Keisuke Ide2, TingChang
1.National Sun Yat-Sen Univ, 2.MSL Tokyo Tech
Utilizing Low-temperature High-Pressure nitridation
Chang1Treatment
休憩 /BreakMist CVD 法により成長したα -In2O3 薄膜のキャリア濃 〇田口 義士 1, 尾沼 猛儀 1, 後藤 健 2, 金子 健太郎 3, 熊 1. 工学院大 , 2. 東京農工大 , 3. 京都大度とホール移動度の温度依存性
谷 義直 2, 本田 徹 1, 藤田 静雄 3, 山口 智広 1
フリーキャリヤ吸収を有する透明導電膜のエリプソメト 〇谷 勇佑 1, 前田 紗良 1, 片山 博貴 2, 兼松 大二 2, 寺川 1. 岐阜大 , 2. パナソニック
リー完全自動解析手法の確立
朗 2, 藤原 裕之 1
ミスト CVD 法を用いた c 面サファイア基板上の rh-IMO 〇石野 貴之 1, 島添 和樹 1, 鐘ケ江 一孝 1, 西中 浩之 1, 1. 京都工繊大
薄膜のエピタキシャル成長とその評価
吉本 昌広 1Fabrication of conductive anatase Ti1 − xNbxO2 thin films 〇 (D)Han XU1, Tomohito Sudare1, Yumie Miura1,
1.Tokyo Tech., 2.Chubu Univ., 3.Kyoto Univ, 4.Univ.
by mist chemical vapor deposition
Ryo Nakayama1, Ryota Shimizu1, Naoomi Yamada2, Tokyo3
1, 4
Kentaro Kaneko , Taro Hitosugi
原子層堆積法を用いた高移動度 In2O3 薄膜トランジスタ 〇川戸 勇人 1, 髙橋 崇典 1, 上沼 睦典 1, 小林 正治 2, 浦 1. 奈良先端大 , 2. 東大生研の作製
岡 行治 1
三次元集積デバイス応用に向けた非晶質酸化物半導体材 〇高橋 崇典 1, 上沼 睦典 1, 小林 正治 2, 浦岡 行治 1
1. 奈良先端大 , 2. 東京大学
料の開発
1, 2
3
1
Electric Field Thermopower Modulation of High-mobility 〇(D)Hui Yang , Yuqiao Zhang , Yasutaka Matsuo , 1.RIES-Hokkaido Univ., 2.Beijing Jiaotong Univ., 3.
InSnZnOx TFTs
Hiromichi Ohta1
Jiangsu Univ.

合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"
9/22(Thu.) 9:45 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C102 会場（Room C102）
9:45
招 22a-C102-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇髙萩 敦 1, 井口 亮 2, 長野 方星 1, 内田 健一 2, 3, 4
感温塗料を用いたロックインサーモリフレクタンスの高感度化と熱スピン効果測定への適用
10:00
奨 22a-C102-2 Ge-rich SiGe バルク単結晶におけるラマンピークの温度 〇寿川 尚 1, 横川 凌 1, 2, 荒井 康智 3, 米永 一郎 4, 小椋
依存性
厚志 1, 2
10:15		 22a-C102-3 GaN/Au と Sapphire/Au マイクロストライプ構造の赤外 〇林 伯金 1, Hnin Lai Lai aye1, 折戸 春樹 1, 三宅 秀
発光の幅依存性
人 2, 石谷 善博 1
10:30
奨 22a-C102-4 X 線非弾性散乱法によるバルク SiGe のフォノン分散 ( Γ 〇横川 凌 1, 2, 荒井 康智 3, 米永 一郎 4, 富田 基裕 5, 石-K 点 ) 評価
川 大介 6, 7, 内山 裕士 6, Baron Alfred7, 6, 渡邉 孝信 5,
小椋 厚志 1, 2
10:45		休憩 /Break
11:00
奨 22a-C102-5 異なる結晶性シリコンにおけるコヒーレント音響フォノ 〇宮永 惟 1, 張 亜 1ンフェムト秒分光測定
11:15		 22a-C102-6 Si ナノピラー/SiGe 複合膜構造のナノピラー間隔制御に 佐藤 旭 1, 〇大堀 大介 1, Chuang Min-hui3, 村田 正よるフォノン場への影響
行 4, 山本 淳 4, Li Yiming3, 遠藤 和彦 4, 寒川 誠二 3, 1, 2
11:30		 22a-C102-7 Ag4.53Te3 における低熱伝導度の起源解明〇武藤 正憲 1, 平田 圭佑 1, 竹内 恒博 1, 松波 雅治 1
11:45		 22a-C102-8 成膜プロセスの変調を通じたアモルファス膜の熱伝導の 〇 (P) 鎮目 邦彦 1, 永廣 怜平 1, 佐々木 道子 1, 2, 後藤
制御と理解
真宏 2, 塩見 淳一郎 1
9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C102 会場（Room C102）
13:30		 22p-C102-1 sp3 欠陥を有する半導体型単層カーボンナノチューブ薄膜 〇上治 寛 1, 蓬田 陽平 1, 八木 貴志 2, Zaumseil Jana3,の面直方向の熱・電気特性
柳 和宏 1
13:45		 22p-C102-2 クロスジャンクション法による高配向性 CNT リボンの熱 〇阿部 竜 1, Nikita Kumari1, 岡本 尚文 1, Manish
伝導率測定
Pandey1, 中村 雅一 1
14:00 奨 E 22p-C102-3 Direct Ink Writing of Aligned CNT/Polymer Composite 〇 Nikita Kumari1, Ryo Abe1, Naofumi Okamoto1,
Films for Efficient Thermal Management: Experimental
Manish Pandey1, Masakazu Nakamura1
Optimization and Modelling

1. 名大 , 2.NIMS, 3. 東北大金研 , 4. 東北大 CSRN

1. 明治大理工 , 2. 明大 MREL, 3.JAXA, 4. 東北大
1. 千葉大院 , 2. 三重大院
1. 明治大理工 , 2. 明治大 MREL, 3.JAXA, 4. 東北大学 ,5. 早稲田大理工 , 6.JASRI, 7.RIKEN

1. 農工大工1. 東北大流体研 , 2. 東北大 AIMR, 3.NYCU, 4. 産総研
1. 豊田工大
1. 東大院工 , 2. 物材機構

1. 都立大理 , 2. 産総研 , 3. ハイデルベルグ大1. 奈良先端大1.NAIST

合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"

14:45		15:00奨 21p-B203-7

窒素アニール還元反応による SnOx 薄膜の局所結合状態

合同セッション N「インフォマティクス応用」/ Joint Session N "Informatics"
14:15		 22p-C102-4
14:30

奨 E 22p-C102-5

14:45		15:00		 22p-C102-6
15:15

奨 E 22p-C102-7

電子線改質されたグラフェンのフォノン輸送の分子動力学解析Transition from ballistic to hydrodynamic phonontransport regime in submicroscale purified graphiteribbons
休憩 /Break
ラマン分光法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド
MoSe2 の熱輸送解析
Thermal Conductivity Modulation of 2D Periodic MoS2/

MoSe2 Arrayed Heterostructure
15:30		 22p-C102-8 懸架膜型素子を利用した金ナノギャップ電極間の熱輸送の近接場効果の計測
15:45
E 22p-C102-9 Resonant Polariton Thermal Transport along a VacuumGap
16:00 奨 E 22p-C102-10 Length-dependent Surface Phonon-Polaritons thermal
conduction up to 500K

合同セッション N「インフォマティクス応用」/ Joint Session N "Informatics"

16:15

E 22p-C102-11 Effect of Phonon Polariton on LO Emission Spectrum ofMetal- GaAs Surface Micro-Structural Configuration
16:30		休憩 /Break
16:45 奨 E 22p-C102-12 Parabolic thermal lenses for focusing and collimating
ballisic heat fluxes
17:00
E 22p-C102-13 Characterization of LO Radiation Intensity by MetalGaAs Surface Micro-Structural Configuration
17:15
奨 22p-C102-14 ダイアモンド色中心を用いた量子情報転送のためのスピ
ンオプトメカニカル共振器の検討
17:30
奨 22p-C102-15 欠損付 Y 形楕円構造トポロジカルフォノニック結晶を用いた音響導波路設計
17:45		 22p-C102-16 走査型マイクロ波顕微鏡を用いたトポロジカル表面弾性波の観測
9/23(Fri.) 9:45 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C102 会場（Room C102）
9:45
奨 23a-C102-1 銀カルコゲナイドの相変態を利用した高性能熱ダイオー
ドの開発
10:00
奨 23a-C102-2 相変態を用いた熱流スイッチング素子の高性能化
10:15
奨 23a-C102-3
10:30		 23a-C102-4
10:45		11:00E 23a-C102-5

11:15		 23a-C102-6
11:30		 23a-C102-7
11:45		 23a-C102-8〇吉田 健二 1, 植村 拓 1, 安田 雅昭 1

1. 阪公大院工〇 (D)Huang Xin1, Yangyu Guo1, Yunhui Wu1,

1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS, 3.LIMMS〇劉 鋭安 1, 宮田 全展 1, 小矢野 幹夫 1

1. 北陸先端大〇 (P)An Meng , Shiomi Junichiro

1.The University of Tokyo

Satoru Masubuchi1, Kenji Watanabe2, Takashi
Taniguchi1, 2, Zhongwei Zhang1, Sebastian Volz1, 3,
Tomoki Machida1, Masahiro Nomura1

1

1〇花村 友喜 1, 山田 亮 1, 夛田 博一 1

1. 阪大院基礎工〇 Jose OrdonezMiranda , Sebastian Volz ,1.IIS, Univ. Tokyo, 2.LIMMS-Univ. Tokyo
Masahiro Nomura1, 2〇 (P)Yunhui WU1, Jose ORDONEZ-MIRANDA1, 2, 1.IIS Univ. of Tokyo, 2.LIMMS Univ. of Tokyo
Laurent JALABERT1, 2, Roman ANUFRIEV1,
Sebastian VOLZ1, 2, Masahiro NOMURA1, 2〇 (D)Hnin LaiLai Aye1, Bojin Lin1, Haruki Orito1, 1.Chiba Univ.
Ikuya Suzuki1, Bei Ma1, Yoshihiro Ishitani1
1, 2

1, 2

〇 (M2C)Dhanishtha Singh1, Roman Anufriev1,

Masahiro Nomura1〇 (D)Hnin LaiLai Aye1, Bojin Lin1, Haruki Orito1,

Ikuya Suzuki1, Bei Ma1, Yoshihiro Ishitani1〇金 ビョンギ 1, 黒川 穂高 2, 小坂 英男 2, 野村 政宏 1
〇 (M1) 大橋 唯人 , 片岡 源樹 , 竹下 弘明 , 三澤 賢
1

1

1

明 1, 鶴田 健二 1
〇新居 陽一 1, 2, 小野瀬 佳文 1

〇 (M1) 後藤 友輔 1, 平田 圭佑 1, 松波 雅治 1, 竹内 恒
博1
〇 (M2) 丸地 智也 1, 平田 圭佑 1, 松波 雅治 1, 竹内 恒

1.The Univ. of Tokyo
1.Chiba Univ.
1. 東大生研 , 2. 横国大
1. 岡山大自然
1. 東北大金研 , 2.JST さきがけ

1. 豊田工大

1. 豊田工業大学
博1
高速焼結による高性能ナノ結晶シリコン熱電材料の作製 〇許 斌 1, 永廣 怜平 1, 大西 正人 1, 塩見 淳一郎 1
1. 東大工合金ナノ結晶導入による高性能 SiGe 熱電材料の開発〇堀田 亮輔 1, 水田 光星 1, 石部 貴史 1, 藤田 武志 2, 中 1. 阪大院基礎工 , 2. 高知工科大学
村 芳明 1
休憩 /BreakDevelopment of monolithic thermoelectric generators〇(P)Artoni Ang1, Itsuki Yamazaki1, Keisuke Hirata1, 1.Toyota Tech. Inst.
using high performance chalcogenide materials for
Saurabh Singh1, Masaharu Matsunami1, Tsunehiro
ambient temperature applications
Takeuchi1
有限要素法による平面型ダブルキャビティ熱電発電素子 〇柳澤 亮人 1, 野村 政宏 1
1. 東大生研の膜厚最適化キャビティ・フリー多段マイクロ熱電発電デバイスの基 〇新井 崇平 1, 柏崎 翼 1, 保科 拓海 1, 富田 基裕 1, 松木 1. 早大理工 , 2. 産総研
板薄層化による出力向上
武雄 1, 2, 渡邉 孝信 1
短レグ・プレーナ型バイレグ熱電発電デバイスにおける 〇富田 基裕 1, 柏崎 翼 1, 保科 拓海 1, 新井 崇平 1, 松木 1. 早大理工 , 2. 産総研
広がり抵抗効果の実証
武雄 1, 2, 渡邉 孝信 1

合同セッション N「インフォマティクス応用」/ Joint Session N "Informatics"

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
合同セッション N「インフォマティクス応用」/ Joint Session N "Informatics"
9/20(Tue.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P 会場（Room P）
			 20a-P09-1
超伝導材料に関する文献情報抽出と物性及びプロセス予 〇三井 堅斗 1, 佐々木 裕 2, 旭 良司 1
1. 名古屋大工 , 2. 豊田工業大
測モデルの自動構築
1
1
1
			 20a-P09-2
高強度な材料探索を目的としたインデンテーション法に 〇 (M1) 斎藤 耕平 , 宮川 丈瑠 , 酒井 雄吾 , 米津 明 1. 中央大学 , 2. 株式会社コメット
基づく材料探索システムの構築
生 1, 石橋 啓次 2
			 20a-P09-3
Pt/CeO2 ナノ複合体の TEM トモグラフィーデータへの 〇上杉 文彦 1, Wen Yu1, 2, 阿部 英樹 1, 3, 4, 橋本 綾
1. 物材機構 , 2. 筑波大 , 3.JST, 4. 埼玉大
Persistent homology の適用による特性記述子の抽出
子 1, 2, 3, 石井 真史 1
			 20a-P09-4
光電子収量分光 (PYS) データベース構築のためのメタ〇柳生 進二郎 1, 吉武 道子 1, 長田 貴弘 1, 安田 剛 1, 桑 1. 物材機構 , 2. 理研計器
データ整理
島 功 1, 劉 雨彬 2, 中島 嘉之 2
			 20a-P09-5
機械学習による表中のポリマー物性名の認識〇岡 博之 1, 石井 真史 1
1. 物材機構			 20a-P09-6
Starrydata：材料科学論文からの大規模実験データ収集プ 〇桂 ゆかり 1, 2, 熊谷 将也 3, 4, 間藤 智也 1, 田中 敦美 1, 1. 物材機構 , 2. 理研 , 3. さくらインターネット , 4. 京大原
ロジェクト
坂本 吉宏 2, 藤田 絵梨奈 1, Dewi Yana1, 藤本 雅之 1,
研 , 5. 東大新領域
9/22(Thu.) 9:00 - 12:00
9:00
奨 22a-M206-1
9:15

奨 22a-M206-2

9:30

奨 22a-M206-3

9:45
奨 22a-M206-4
10:00		 22a-M206-5
10:15		 22a-M206-6
10:30		10:45		 22a-M206-7
11:00		 22a-M206-8
11:15		 22a-M206-9

細野 史一 1, 木村 薫 1, 津田 宏治 1, 2, 5
口頭講演 (Oral Presentation) M206 会場（Room M206）
Matlantis のニューラルネットワークポテンシャル PFP の 〇高本 聡 1, 品川 幾 1
1.PFN
適用範囲拡張1
2
2
1
ベイズ最適化を用いた Ag-In-Yb 準結晶表面の Bi 原子吸 〇 (M2) 北原 慎平 , 原田 太輔 , 野澤 和生 , 石井 靖 1. 中大理工 , 2. 鹿大理
着エネルギー面計算
第一原理計算と機械学習を用いたドープ型酸化物の物性 〇 (M1) 島野 雄帆 1, 旭 良司 1, Alex Kutana1
1. 名大工予測
機械学習による三元系化合物の合成可能性予測〇稲田 祐樹 1, 木村 薫 2, 桂 ゆかり 2
1. 東大新領域 , 2. 物材機構
材料科学における多次元出力変数の教師あり学習〇 (D) 岩山 めぐみ 1, 2, ウ ステファン 1, 3, 劉 暢 3, 吉田 1. 総研大 , 2.( 株 ) ダイセル , 3. 統数研 , 4. 物材研亮 1, 3, 4
マルチタスク機械学習による高分子溶液相溶性と〇青木 祐太 1, 釣本 輝希 2, ウー ステファン 1, 3, 林 慶 1. 統数研 , 2. 三菱ケミカルグループ , 3. 総研大 , 4. 物材研
Flory-Huggins χ パラメータの予測
浩 1, 3, 南 俊匠 3, 白鳥 和矢 2, 吉田 亮 1, 3, 4
休憩 /Break
機械学習を用いた常誘電ペロブスカイトの温度特性の決 〇尾崎 仁亮 1, 池田 潤 1
1. 村田製作所
定要因探索
量子ドットの光物性における強化学習逆設計手法の応用 〇吉田 響 1, 坂本 克好 1, 山口 浩一 1, 沈 青 1, 岡田 至 1. 電通大 i-PERC& 基盤理工 , 2. 東大先端研 , 3. 株）グ
崇 2, 曽我部 東馬 1, 2, 3
リッド
テキストデータマイニングによる超伝導データベースの 〇 (PC) 酒井 智香子 1, 寺嶋 健成 1, Foppiano Luca1,
1. 物材機構 , 2. 筑波大 , 3. 東京理科大
構築と機械学習Ⅱ
Baptista de Castro Pedro1, 2, 董 拓 1, 3, 松本 凌 1, 東後
篤史 1, 石井 真史 1, 高野 義彦 1, 2

コードシェアセッション / Code-sharing session

コードシェアセッション / Code-sharing session

シンポジウムのプログラムはプログラム冒頭にございます。
【CS.1】2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析 、7.5 イオンビーム一般のコードシェア / Code-sharing Session of 2.3 & 7.5
9/22(Thu.) 9:15 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
9:15		 22a-C205-1 人為起源放射性核種ヨウ素 129 および塩素 36 の両極への 〇松崎 浩之 1, 戸谷 美和子 1, 堀内 一穂 2, 本山 秀明 3, 1. 東大 MALT, 2. 弘前大理工 , 3. 国立極地研 , 4. 北大低温移行過程
飯塚 芳徳 4, バウディスタ エンジェル 5
研 , 5. フィリピン原研
9:30		 22a-C205-2 海水中の無機ヨウ素同位体のスペシエーション分析
チ ユアンジュ1, 〇松崎 浩之 1
1. 東大 MALT
9:45		 22a-C205-3 ハイマツ試料中放射性炭素濃度の年変動に関する研究 IV 〇武山 美麗 1, 森谷 透 1, 櫻井 敬久 2, 宮原 ひろ子 3, 門 1. 山形大 AMS センター, 2. 山形大理 , 3. 武蔵美
1, 2
叶 冬樹
10:00		 22a-C205-4 過去の太陽活動研究に必要な 14C － AMS 測定精度の評価 〇森谷 透 1, 武山 美麗 1, 門叶 冬樹 1, 2
1. 山形大 AMS センター, 2. 山形大理
10:15		 22a-C205-5 同重体干渉抑制のためのイオンファネル反応セルの開発 〇神野 智史 1, 藤田 奈津子 1, 田沼 肇 2
1. 原子力機構 , 2. 都立大
10:30		休憩 /Break
1
2
1
10:45
奨 22a-C205-6 V 字型共振器光フィードバックを用いたキャビティリン 〇齊藤 圭亮 , 寺林 稜平 , Sonnenschein Volker , 岩 1. 名古屋大 , 2. 東京大 , 3. 島津製作所 , 4. 積水メディカ
グダウン分光による放射性炭素分析の高感度化
元 一輝 1, 鈴木 勇太 1, 真野 和音 3, 川嶋 悠太 3, 古宮 哲 ル , 5.JST さきがけ
夫 3, 東條 公資 3, 二宮 真一 3, 吉田 賢二 4, 富田 英生 1, 5
11:00
奨 22a-C205-7 トリチウム分析に向けた赤外キャビティーリングダウン 〇岩元 一輝 1, 齊藤 圭亮 1, 鈴木 勇太 1, 植村 立 1, 阿部 1. 名古屋大 , 2.JST さきがけ
分光システムの開発
理 1, 富田 英生 1, 2
11:15		 22a-C205-8 東京大学 MALT の現状 - 2022 年秋 〇山形 武靖 1, Zheng Li2, 徳山 裕憲 1, 土屋 陽子 1, 戸 1. 東大 MALT, 2. 東大院・工
谷 美和子 1, 松崎 浩之 1, 2
11:30		 22a-C205-9 都市大タンデムの現状 ～教育利用の状況と波長分散型〇羽倉 尚人 1, 渡部 創 2
1. 都市大 , 2. 原子力機構
PIXE システムの構築～
1
1
11:45		 22a-C205-10 量子ビームを用いた火山堆積物の成分分析〇 (M2) 村田 英慎 , ゴメス クリストファー , ブラ
1. 神戸大院海事 , 2. 大阪公立大理
ダック バラージュ1, 谷池 晃 1, 瀬戸 雄介 2, 金崎 真
聡1
9/22(Thu.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
13:30		 22p-C205-1 リチウムイオン二次電池分析のための TOF-ERDA 装置 〇長谷川 千華 1, 操谷 佳奈 1, 谷本 和樹 1, 安田 啓介 1, 1. 京府大生命環境 , 2. 京大院工の開発 ( Ⅱ )小倉 弓枝 2, 間嶋 拓也 2
13:45
奨 22p-C205-2 高速イオンビーム照射による自立グラフェン膜からの二 〇 (M1) 宇野 鳴記 1, 間嶋 拓也 1, 斉藤 学 1, 土田 秀次 1 1. 京都大院工次電子放出
14:00		 22p-C205-3 PHITS を用いたイオンビームと液相水との相互作用にお 〇土田 秀次 1, 手塚 智哉 1, 甲斐 健師 2, 松谷 悠佑 2, 間 1. 京大院工 , 2. 原子力機構
けるトラック内反応の解析
嶋 拓也 1, 斉藤 学 1
14:15		 22p-C205-4 クラスターイオンビーム照射による有機高分子イオン化 〇藤井 麻樹子 1, 吉澤 迅風 1
1. 横浜国大院環境情報における非芳香族有機酸添加の影響評価
14:30		 22p-C205-5 ニトロベンジルピリジニウムのエネルギー依存 SIMS ス 〇盛谷 浩右 1, 水畑 健 1, 乾 徳夫 1
1. 兵庫県立大工ペクトルデータ の解析
14:45		休憩 /Break
15:00
招 22p-C205-6 「講演奨励賞受賞記念講演」〇竹内 雅耶 1, 藤原 怜輝 1, 豊田 紀章 1
1. 兵県大工
窒化シリコン膜の低損傷かつ原子層制御を実現する GCIB
エッチングプロセスの検討
15:15		 22p-C205-7 窒化シリコン膜への GCIB 照射による低損傷照射効果の 〇竹内 雅耶 1, 藤原 怜輝 1, 豊田 紀章 1
1. 兵県大工検討
15:30		 22p-C205-8 反応性ガス雰囲気下 GCIB 照射を用いた表面活性化接合 〇花原 総一 1, 竹内 雅耶 1, 豊田 紀章 1
1. 兵庫県立大工の接合状態

コードシェアセッション / Code-sharing session

11:30		 22a-M206-10 材料辞書データベースを使った論文からの大量データ抽 〇鈴木 晃 1, 石井 真史 1
1. 物材機構
出：体系的自動タグ付け精度向上の検討
11:45
E 22a-M206-11 Improving the language understanding in materials〇 Luca Foppiano1, Pedro Ortiz Suarez2, Masashi
1.MDBG, MaDIS, NIMS, 2.Data and Web Sciencescience: challenges and prospects
Ishii1
Group, University of Mannheim, Mannheim, Germany
9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) M206 会場（Room M206）
1
1
2
2, 3
13:30
招 22p-M206-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇増井 隆治 , Lee Unseo , 中山 亮 , 一杉 太郎
1.HACARUS, 2. 東工大物質理工 , 3. 東大院理スパース推定を用いたベイズ最適化による実験計画アルゴリズムと添加剤最適化に向けた展望
13:45		 22p-M206-2 ベイズ最適化による PL マッピングの高速化〇 (D) 鈴木 静華 1, 太宰 卓朗 1, 山本 幸生 2, 鯉沼 秀
1. 日大工 , 2.SCT
臣 2, 高橋 竜太 1
14:00
奨 22p-M206-3 リチウム二次電池用固体電解質の組成＆プロセス条件最 〇丸尾 昭人 1, 3, 本間 健司 1, 藤原 海都 2, 臼井 祐生 2, 1. 富士通 , 2. 東海大工 , 3. 北大情
適化
吉永 昌史 2, 實宝 秀幸 1
14:15		 22p-M206-4 多段プロセスに対するベイズ最適化の提案 - 太陽電池プ 〇沓掛 健太朗 1, 2, 中野 高志 2, 3, 草川 隼也 4, 竹内 一 1. 理研 AIP, 2. 名大未来研 , 3. 名大院工 , 4. 名工大ロセスを例に 郎 1, 3, 原田 俊太 2, 3, 田川 美穂 2, 3, 宇治原 徹 2, 3
14:30		 22p-M206-5 機械学習を用いた SiC 結晶の転位増殖抑制に向けた降温 〇 (M2) 熊谷 尚純 1, 沓掛 健太朗 2, 3, 原田 俊太 1, 3, 田 1. 名大院工 , 2. 理研 AIP, 3. 名大未来研
条件の探索
川 美穂 1, 3, 宇治原 徹 1, 3
14:45 奨 E 22p-M206-6 Optimal control of growth interface shape through〇 (D)Rachid Ghritli1, Yasunori Okano1, Yuko
1.Osaka Univ., 2.JAXA, 3.SOKENDAI
machine learning in the growth of InGaSb crystal under
Inatomi2, 3
microgravity
15:00		休憩 /Break
15:15
奨 22p-M206-7 【注目講演】PINNs (Physics Informed Neural Networks) 〇 (D) 竹原 悠人 1, 岡野 泰則 1
1. 阪大基工を用いた熱対流解析の高速化
1, 3
2
3, 4
15:30		 22p-M206-8 専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化（i）〇沓掛 健太朗 , 竹野 思温 , 太田 壮音 , 烏山 昌 1. 理研 AIP, 2. 名工大 , 3. 名大未来研 , 4. 名大院工- 手法の提案 幸 2, 竹内 一郎 1, 4, 宇治原 徹 3, 4
15:45		 22p-M206-9 専門家の知識を入れたものづくりのためのデータ同化〇太田 壮音 1, 2, 沓掛 健太朗 1, 3, 竹野 思温 4, 烏山 昌 1. 名大未来研 , 2. 名大院工 , 3. 理研 AIP, 4. 名工大（ii）
幸 4, 竹内 一郎 2, 3, 原田 俊太 1, 2, 田川 美穂 1, 2, 宇治原-SiC 溶液成長シミュレーションへの適用 徹 1, 2
16:00
奨 22p-M206-10 マルチモーダル AI による複雑・複合材料系の仮想実験技 〇室賀 駿 1, 三木 康彰 1, 本田 隆 2, 森田 裕史 1, 岡崎 俊 1. 産総研 , 2.ADMAT術の開発
也 1, 畠 賢治 1
16:15		 22p-M206-11 レポジトリ / 予備物性測定データ効率利用のための〇寺嶋 健成 1, Baptista de Castro Pedro1, 2, Esparza
1. 物材機構 , 2. 筑波大
ニューラルネットワーク学習堅牢化・高速化
Echevarria Miren Garbine1, 2, 松本 凌 1, 山本 貴史 1,
1
1, 2
竹屋 浩幸 , 高野 義彦
16:30		休憩 /Break
16:45		 22p-M206-12 電子直接検出器と機械学習による電子線ホログラフィー 〇穴田 智史 1, 野村 優貴 1, 平山 司 1, 山本 和生 1
1.JFCC
計測精度の向上1
1
1
1
17:00		 22p-M206-13 スパースコーディングを用いた生体試料の電子線ホログ 〇山本 和生 , 穴田 智史 , 高辻 摩希子 , 野村 優貴 , 1.JFCC
ラフィー（計算機シミュレーションによる評価）
平山 司 1
17:15
E 22p-M206-14 XERUS: An open-source python package for automatizing 〇 Pedro Castro1, 2, Kensei Terashima1, Hiroyuki
1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba
the analysis of XRD patterns
Takeya1, Yoshihiko Takano1, 2
1, 2
1
1
1
17:30		 22p-M206-15 並列モンテカルロ法の全反射高速陽電子回折 (TRHEPD) 〇星 健夫 , 岩本 晴道 , 木下 直希 , 寺地 雄真
1. 鳥取大工 , 2.KEK 物構研低速陽電子
実験への適用 - ベイズ事後確率分布の解析 17:45
奨 22p-M206-16 物性の画像情報解析を活用した Beyond 5G デバイスの動 〇山本 うらん 1, 杉野 秀明 1, 佐藤 駿丞 2, 増澤 賢 2, 渡 1. 東北大通研 , 2. 東理大先進工 , 3. 情通機構
作機構解明
邊 一世 3, 小嗣 真人 2, 吹留 博一 1

コードシェアセッション / Code-sharing session

コードシェアセッション / Code-sharing session

15:45		 22p-C205-9

位置制御と GCIB-ALE を用いた高精度形状加工技術の検 〇藤原 怜輝 1, 竹内 雅耶 1, 豊田 紀章 1
1. 兵庫県大工討
16:00		 22p-C205-10 O2-GCIB と acac 吸着による Ni パターンのエッチング〇作田 昂大 1, 竹内 雅耶 1, 豊田 紀章 1
1. 兵庫県立大工16:15		休憩 /Break
16:30		 22p-C205-11 中性クラスタービーム照射を用いた金属膜の ALE と評価 〇田中 秀幸 1, 竹内 雅耶 1, 豊田 紀章 1
1. 兵庫県大工
16:45		 22p-C205-12 反応性ガスクラスターインジェクションによる GaN エッ 〇瀬木 利夫 1, 山本 洋揮 2, 小池 国彦 3, 青木 学聡 4, 松 1. 京大院工 , 2. 量研高崎 , 3. 岩谷産業 , 4. 名大チング
尾 二郎 1
17:00		 22p-C205-13 真空エレクトロスプレー液滴イオンビームによるスパッ 〇常木 誠之助 1
1. 山梨大工
タ体積とスプレー電圧の関係
1
2
1
17:15
奨 22p-C205-14 Si スパッタ蒸着基板への Au 蒸着による Au ナノワイヤ低 〇水谷 仁美 , 山本 春也 , 高廣 克己
1. 京工繊大 , 2. 量研機構高崎
温気相成長
17:30		 22p-C205-15 イオン照射による銀ナノ粒子凝集体の低密度化〇 (M1) 渡邉 謙吾 1, 水谷 仁美 1, 高廣 克己 1
1. 京工繊大【CS.2】3.2 情報フォトニクス・画像工学（旧 3.3）、4.4 Information Photonics のコードシェア / Code-sharing Session of 3.2 & 4.49/20(Tue.) 13:30 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
13:30 招 E 20p-C205-1 [INVITED]〇 Wonshik Choi1, 2
1.Inst. for Basic Sci., 2.Korea Univ.
Deep optical imaging within complex scattering media
14:00
E 20p-C205-2 Digital Optical Phase Conjugation with Incoherent Light 〇 Ryoichi Horisaki1, Yohei Nishizaki2, Makoto
1.UTokyo, 2.ORIST, 3.Osaka Univ.
Naruse1, Jun Tanida3
1
2
14:15
E 20p-C205-3 LC-SLM based Polarization Driven Coded Apertures〇 (DC)Vipin Tiwari , Nandan Bisht
1.Department of Physics, Kumaun University, SSJ
campus Almora-263601, Uttarakhand (India), 2.
Department of Physics, Soban Singh Jeena University,
Almora-263601, Uttarakhand (India)
1
1
14:30
E 20p-C205-4 Automatic door locking and hand sanitization system〇 (B)PRIYANKA M , Dakshitha M , Bhukya
1.DEPT. OF ECE, SNIST, Hyderabad, INDIA
1
1
based on face mask detection
Manichandana , Vikram Palodiya , Syed Jahangir
Badashah1
14:45
E 20p-C205-5 A machine learning approach for simultaneous〇 (D)KOUSTAV DEY1, Vangety Nikhil1, Anirban
1.Nat. Inst. of Tech. WLmeasurement of temperature and strain using MSM
Majee1, Sourabh Roy1
1
2
15:00 招 E 20p-C205-6 [INVITED]〇 Yuichi Kozawa , Tomoya Nakamura , Yuuki
1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.SANKEN, Osaka Univ.
Wavefront Engineered Light-Needle Microscopy
Uesugi1, Shunichi Sato1
Utilizing Multiplexed Computer-Generated Holograms
15:30		休憩 /Break
15:45
招 20p-C205-7 「講演奨励賞受賞記念講演」〇小林 史英 1, 宮田 将司 1, 曽我部 陽光 2, 橋本 俊和 1 1.NTT 先端集積デバイス研 , 2.NTT コンピュータ & デー
End-to-end 最適化したメタレンズを用いた圧縮スペクト
タサイエンス研
ル撮像系
16:00
奨 20p-C205-8 参照光パルスがイメージセンサーを照明する時間に基づ 〇 (M1) 山口 隆貴 1, 井上 智好 1, 2, 西尾 健三 3, 久保田 1. 京工繊大院工 , 2.( 独 ) 日本学術振興会 , 3. 京工繊大高
くディジタル light-in-flight ホログラフィーの時間分解能 敏弘 4, 粟辻 安浩 5度技術支援センター, 4.( 株 ) 久保田ホログラム工房 ,5. 京工繊大電気電子工学系
16:15
奨 20p-C205-9 TV ドラマの AR シーン撮影における光学シースルー型〇岸波 康平 1, 藤井 賢吾 1, 八杉 公基 1, 陶山 史朗 1, 原 1. 宇都宮大学 , 2. 宇都宮大学ものづくり創成工学セン
AIRR の活用
紳 2, 池澤 辰也 3, 山本 裕紹 1
ター, 3. 株式会社テレパック
16:30		 20p-C205-10 スペクトル符号化単一ファイバイメージングの空間分解 〇小池 亮 1, 大嶋 佑介 1, 片桐 崇史 1
1. 富山大理工
能限界
16:45		 20p-C205-11 単一アーム上の位相回復にもとづく散乱耐性ゴーストイ 〇槻 凌多 1, 深津 晋 1
1. 東京大院総合文化
メージング
17:00		 20p-C205-12 光回折トモグラフィによる三次元屈折率分布の定量測定 〇小松 智昭 1, 吉田 周平 1
1. 近畿大の検討
9/21(Wed.) 10:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C205 会場（Room C205）
10:00 招 E 21a-C205-1 [INVITED]〇 Wen Qiao1
1.Soochow Univ.
Planar optics enables next-generation 3D displays
1, 2
1
3
10:30 奨 E 21a-C205-2 Complex Amplitude Demodulation Based on Deep
〇 (D)Jianying Hao , Xiao Lin , Ryushi Fujimura , 1.Fujian Normal Univ., 2.Tokyo Univ., 3.Utsunomiya
Learning in Holographic Data Storage
Yoshito Tanaka2, Soki Hirayama2, Xiaodi Tan1,
Univ.
Tsutomu Shimura2
10:45
E 21a-C205-3 Reduction of Periodic Noise Superimposed on the Surface 〇 Hikaru Hamada1, Masayuki Yokota1
1.Shimane Univ.
Profile Obtained by Two-Wavelength FMCW-Digital
Holography
11:00
E 21a-C205-4 Multiplane Two-photon Imaging using Diffractive Optical 〇 Xiangyu Quan1, Osamu Matoba1
1.Kobe Univ.
Elements
11:15
E 21a-C205-5 The bounds of geometric phase in an achromatic phase〇 Luis Garza-Soto1, Nathan Hagen1, Yukitoshi
1.Utsunomiya Univ
shifter
Otani1
11:30 招 E 21a-C205-6 [INVITED]〇 Naru Yoneda1, Osamu Matoba1, Yusuke Saita2, 1.Kobe Univ., 2.Wakayama Univ.
Recent Progress of Motionless Optical Scanning
Takanori Nomura2
Holography【CS.3】3.4 レーザー装置・材料（旧 3.5）、3.13 光制御デバイス・光ファイバー（旧 3.14）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.4 & 3.13
9/22(Thu.) 16:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) A402 会場（Room A402）
16:45
奨 22p-A402-14 波長変換材料 LaBGeO5 の屈折率温度依存性精密測定〇加賀美 侑希 1, 中川 峻 1, 庄司 一郎 1
1. 中央大理工
17:00		 22p-A402-15 PPLN 導波路デバイスによる高効率波長変換の検討〇岸本 直 1, 逵本 吉朗 1, 和久井 健太郎 1, 藤原 幹生 1, 1. 情通機構
関根 徳彦 1
17:15		 22p-A402-16 擬似位相整合ニオブ酸リチウムを用いた全光学的ゲート 〇阿部 元気 1, 梅本 翔多郎 1, 宮内 亮一 1, 福地 裕 1
1. 東京理科大
スイッチの特性17:30
奨 22p-A402-17 SiC 上高品質グラフェンを用いた全光型超高速光スイッ 〇日下 智貴 1, 古部 昭広 1, 片山 哲郎 1, 岸川 博紀 1, 大 1. 徳島大学
チ
野 恭秀 1, 永瀬 雅夫 1, 藤方 潤一 1
17:45
奨 22p-A402-18 µ-Transfer Printing を用いた Si-SiO2-Si スロット導波路の 〇 (M1) 里 亮介 1, 高 磊 2, 山本 宗継 2, Cong
1. 早大院理工 , 2. 産総研
作製Guangwei2, 山田 浩治 2, 北 智洋 1
18:00		 22p-A402-19 波長 1310nm における EO ポリマーの光安定性評価〇富成 征弘 1, 山田 俊樹 1, 梶 貴博 1, 大友 明 1
1. 情通機構
18:15		 22p-A402-20 電気化学ドープされた酸化インジウムスズの三次非線形 〇犬飼 大樹 1, 岸田 英夫 1
1. 名大院工感受率【CS.4】3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）、3.11 ナノ領域光科学・近接場光学（旧 3.12）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.10 & 3.11
9/22(Thu.) 15:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) A101 会場（Room A101）
15:45
奨 22p-A101-1 放射冷却素材を用いて過冷却度を増大させた蒸気圧縮冷 〇大杉 亮輔 1, 2, 若林 努 1, 甲坂 朋也 2, 杉本 雅行 1, 末 1. 大阪ガス , 2.SPACECOOL
凍サイクルの検討
光 真大 1, 2
16:00		 22p-A101-2 光誘起力顕微鏡による有機薄膜 pn 接合の光誘起力と光起 〇 (M2) 斎藤 一貴 1, 山本 達也 1, 山田 喬昭 1, 菅原 康 1. 阪大院工電力の同時測定弘1
16:15		 22p-A101-3 電圧変調型中赤外バンドパスフィルタの波長重畳動作の 〇粟根 悠介 1, 2, 井上 卓也 2, 野田 進 2
1. 堀場製作所 , 2. 京都大学
実験的検討
16:30		 22p-A101-4 ビスマステルル薄膜光検出器の光応答性に対するホール 〇 (M1) 小高 敏斉 1, 久保 若奈 1
1. 東京農工大
周期の効果
16:45 奨 E 22p-A101-5 Autonomously Switchable Filter Realized by Thermal〇 (M2)Zeng Zhaodong1, Taiyu Okatani1, Yoshiaki
1.Tohoku Univ.
Driven Bimetal Actuators
Kanamori1

コードシェアセッション / Code-sharing session
17:00		17:15		 22p-A101-6

休憩 /Break
二量化プラズモニック格子を用いた電気光学ポリマー垂直入射型変調器の提案
17:30
奨 22p-A101-7 電気光学ポリマーを用いた裏面垂直入射型プラズモニッ
ク光変調器の提案と解析
17:45
奨 22p-A101-8 メタマテリアルを用いたキラル分子構造の高感度センシ
ング
18:00		 22p-A101-9 表面プラズモン共鳴デバイスを用いた近接場光による光触媒反応
18:15		 22p-A101-10 非ブラベ格子による近赤外領域での BIC モード制御〇 (M2) 宮野 広基 1, 福井 太一郎 1, 相馬 豪 1, 大友 明 2, 1. 東大院工 , 2.NICT
種村 拓夫 1, 中野 義昭 1
〇蟻生 高人 1, 宮野 広基 1, 福井 太一郎 1, 野本 佳朗 2, 1. 東大院・工 , 2. 浜松ホトニクス（株）
中野 義昭 1, 種村 拓夫 1
〇松内 健晋 1, 木原 淳 1, 三澤 賢明 1, 田中 拓男 2, 3, 鶴

1. 岡大自然 , 2. 理研 , 3. 徳島大田 健二 1〇楊 港 1, 鄭 サムエル 1, 嵐田 雄介 1, 赤田 圭史 1, 伊藤 1. 筑波大学数理良一 1, 藤田 淳一 1
〇村井 俊介 1, Abujetas Diego R.2, Liu Libei1,

コードシェアセッション / Code-sharing session

1. 京大院工 , 2.Fribourg U., 3.Eindhoven U.Tech., 4.
Castellanos Gabriel W.3, Giannini Vincenzo4,
IEM-CSIC
Sánchez-Gil José A4, 田中 勝久 1, Gómez Rivas Jaime3【CS.5】3.10 フォトニック構造・現象（旧 3.11）、3.12 半導体光デバイス（旧 3.13）のコードシェア / Code-sharing Session of 3.10 & 3.12
9/22(Thu.) 9:15 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C101 会場（Room C101）
9:15
奨 22a-C101-1 InGaN 円偏光素子の実現に向けた Si3N4 メタサーフェス 〇村田 雄生 1, 戸田 晋太郎 3, 1, 藤原 康文 1, 中川 貴 1, 1. 阪大院工 , 2. 阪大電顕センター, 3. アルバック協働研の設計と作製市川 修平 1, 2
9:30		 22a-C101-2 フォトニック結晶レーザーの正弦波直接変調による短パ 〇森田 遼平 1, 井上 卓也 1, 石村 昇太 2, 西村 公佐 2, 鈴 1. 京大院工 , 2.KDDI 総合研究所 , 3. 早大理工ルス列発生
木 正敏 2, 3, De Zoysa Menaka1, 野田 進 1
9:45
奨 22a-C101-3 楕円空孔を有する InP 系二重格子フォトニック結晶レー 〇伊藤 友樹 1, 2, 河野 直哉 1, 2, 藤井 康祐 1, 2, 吉永 弘
1. 住友電工 , 2. 京大院工ザーの高出力動作
幸 1, 2, 藤原 直樹 1, 小笠原 誠 1, 田中 礼 1, 八木 英樹 1,
柳沢 昌輝 1, 吉田 昌宏 2, 井上 卓也 2, メーナカ デゾイ
サ 2, 石崎 賢司 2, 野田 進 2
10:00		 22a-C101-4 InP 高屈折率差格子と電気光学ポリマーを用いた垂直入 〇 (D) 福井 太一郎 1, 隅田 圭 1, 竹中 充 1, 高木 信一 1, 1. 東大院工射型光変調器の提案と数値解析
中野 義昭 1, 種村 拓夫 1
10:15		 22a-C101-5 UV-C 光検出センサ用の蛍光体含有ガラスの開発〇岩越 智也 1, 上田 直輝 1
1. 日本電気硝子株式会社
10:30		休憩 /Break
1
1
1
10:45
奨 22a-C101-6 多波長スローライト面発光レーザアレイを用いた非機械 〇冠者 駿助 , 顧 暁冬 , 小山 二三夫
1. 東工大未来研式光偏向器
11:00		 22a-C101-7 Si フォトニック結晶放射一方向性スローライトビームス 〇陶山 実之 1, 岡野 誠 2, Cong Guangwei2, 山本 宗1. 横国院工 , 2. 産総研
キャナの観測継 2, 山田 浩治 2, 馬場 俊彦 1
11:15		 22a-C101-8 フラッシュ照射およびビーム走査可能な複合変調フォト 〇 De Zoysa Menaka1, 坂田 諒一 1, 石崎 賢司 1, 井上 1. 京大院工 , 2. ブルックマンテクノロジ , 3. スペースニック結晶レーザーを搭載した非機械式小型 3 次元
卓也 1, 峯山 佳之 3, 赤堀 知行 2, 青山 聡 2, 野田 進 1
ビュー
LiDAR の開発 (II)11:30		 22a-C101-9 熱光学制御 SLG 光ビームスキャナのドーピング濃度依存 〇山本 航平 1, 鉃矢 諒 1, 岡野 誠 2, Cong Guangwei2, 1. 横国大院工 , 2. 産総研性山本 宗継 2, 山田 浩治 2, 馬場 俊彦 1
11:45		 22a-C101-10 多点ビーム同時出射可能な複合変調フォトニック結晶〇石崎 賢司 1, 坂田 諒一 1, 井上 卓也 1, De Zoysa
1. 京大院工 , 2. ソニーセミコンダクタソリューションズ
レーザーの広 FOV・高効率動作の検討
Menaka1, 今村 陽 1, 小松原 望 1, 2, 前田 修 2, 山田 和
義 2, 中村 仁 2, 山口 圭治 2, 初田 蘭子 1, 野田 進 1
12:00
E 22a-C101-11 Modeling of Surface Grating-loaded VCSEL for Vertical〇 Chang Ge1, Xiaodong Gu1, Fumio Koyama1
1.Tokyo Tech.
Emission【CS.6】4.5 Nanocarbon and 2D Materials、17 ナノカーボンのコードシェア / Code-sharing Session of 4.5 & 17
9/21(Wed.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場（Room C302）
9:00 招 E 21a-C302-1 [INVITED]〇 Xuedan Ma1
1.Center for Nanoscale Materials, Argonne National
Developing Quantum Photon Sources from LowLaboratory, USA
dimensional Semiconductor Materials
9:30 奨 E 21a-C302-2 Polarized Thermal Emission from an Electrically Driven〇 Shinichiro Matano1, Hidenori Takahashi1,
1.Keio Univ., 2.Rice Univ., 3.Center for Spintronics
Aligned Carbon Nanotube Film
Natsumi Komatsu2, Yui Shimura1, Kenta Nakagawa1, Research Network, Keio Univ.
Junichiro Kono2, Hideyuki Maki1, 3
9:45 招 E 21a-C302-3 [INVITED]〇 Daichi Kozawa1, Xiaojian Wu2, Akihiro Ishii1, 3,
1.RIKEN RAP, 2.UMD, College Park, 3.RIKEN CPR,
Formation of Organic Color Centers in Air-Suspended Jacob Fortner2, Keigo Otsuka3, Rong Xiang4, 5, Taiki 4.Univ. Tokyo, 5.Zhejiang Univ., 6.Osaka Univ.
Carbon Nanotubes Using Vapor-Phase Reaction
Inoue4, 6, Shigeo Maruyama4, YuHuang Wang2,
Yuichiro K. Kato1, 3
10:15
E 21a-C302-4 Higher Moiré Excitonic States and its Dynamics in〇 (DC)Heejun Kim1, Kumpei Anio1, Keisuke
1.Inst of Advanced Energy, Kyoto Univ, 2.Research
Twisted MoSe2/WSe2 Heterostructure
Shinokita1, Wenjin Zhang1, Kenji Watanabe2, Takashi Center for Functional Materials, National Inst For
Taniguchi3, Kazunari Matsuda1
Materials Science, 3.International Center for Materials
Nanoarchitectonics, National Inst For Materials Science
10:30		休憩 /Break
1, 2
10:45 招 E 21a-C302-5 [INVITED]〇 Ryo Kitaura
1.NIMS, 2.Nagoya Univ.
Optical properties of lateral/vertical van der Waals
heterostructures
11:15
E 21a-C302-6 Quantization of mode shifts in nanocavities integrated〇 Daiki Yamashita1, Fang Nan1, Shun Fujii1, Keigo 1.RIKEN, 2.Univ. of Tokyo, 3.NIMS
with atomically thin sheets
Otsuka1, 2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3,
Kosuke Nagashio2, Yuichiro Kato1
11:30 招 E 21a-C302-7 [INVITED]〇 Il Jeon1, Han Young Woo2, Kyusun Kim1, Ziang
1.Sungkyunkwan Univ., 2.Korea Univ.
Homogeneously Miscible Fullerene inducing VerticalWu2, Jiye Han1
Gradient in Perovskite Thin-Film towards Highly
Efficient Solar Cells
12:00
E 21a-C302-8 Development of Tunable Nitrogen-Doped Single-Wall〇 (DC)Zhikai Li1, Toshihiko Fujimori1, 2, Hirotaka
1.Univ. of Tsukuba, 2.Sumitomo Electric Inst, Ltd
Carbon Nanotube Fibers
Inoue2, Momoko Sakai1, Samuel Jeong1, Takamasa
222
Onoki , Takeshi Hikata , Soichiro Okubo , Keishi
Akada1, Yoshikazu Ito1, Jun-ichi Fujita1
12:15
E 21a-C302-9 Zinc oxide on Silicon Wafer / Glass Slide Electrode〇 (M2)Melanie Cancino Merciales1, 2, 3
1.UP Visayas, 2.DLSU - Manila, 3.UP - Baguio
Deposited via Spray Pyrolysis for Glucose Sensing
Application【CS.7】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア / Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5
9/22(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A307 会場（Room A307）
13:30 奨 E 22p-A307-1 A Vertical Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET 〇 Zhuo Li1, Jixuan Wu1, Xiaoran Mei1, Xingyu
1.IIS., Univ. of Tokyo, 2.NAIST, 3.d.lab, Univ. of Tokyo
with ALD InOx
Huang1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1,
2
2
Takanori Takahashi , Mutsunori Uenuma , Yukiharu
Uraoka2, Masaharu Kobayashi1, 3
13:45		 22p-A307-2 Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density 〇李 卓 1, 武 继璇 1, 梅 潇然 1, 黄 星宇 1, 更屋 拓哉 1, 平 1. 東大生産研 , 2. 奈良先端 , 3. 東大システムデザインセ
Memory本 俊朗 1, 髙橋 崇典 2, 上沼 睦典 2, 浦岡 行治 2, 小林 正 ンター
治 1, 3

コードシェアセッション / Code-sharing session

コードシェアセッション / Code-sharing session

14:00		 22p-A307-3

異なる酸化剤を用いた原子層堆積法により作製した強誘 〇 (P) 女屋 崇 1, 2, 3, 生田目 俊秀 2, 長田 貴弘 2, 上田 茂 1. 産総研 , 2. 物材機構 , 3. 学振 PD, 4.UT Dallas, 5.
電体 HfxZr1 − xO2/TiN の構造評価
典 2, Jung Yong Chan4, Hernandez-Arriaga Heber4,
Brookhaven Nat. Lab., 6. 東大Mohan Jaidah4, Kim Jiyoung4, Nam Chang-Yong5,
Tsai Esther H. R.5, 喜多 浩之 6, 右田 真司 1, 太田 裕
之 1, 森田 行則 1
14:15		 22p-A307-4 HfO2-ZrO2 Laminate 構造が強誘電相生成をアシストする 〇右田 真司 1, 森田 行則 1, 浅沼 周太郎 1, 太田 裕之 1, 1. 産総研
メカニズム齊藤 雄太 1
14:30		 22p-A307-5 強誘電体キャパシタを用いた “負性容量” に関する考察 〇鳥海 明 1, 右田 真司 2
1. 自由業 , 2. 産総研
14:45		 22p-A307-6 “負性容量” を利用した FET の S ファクタ改善に関する考 〇鳥海 明 1, 右田 真司 2
1. 自由業 , 2. 産総研
察
15:00		 22p-A307-7 スパッタリング時の圧力による AlScN 膜への影響〇 (B) 時田 幸村 1, Tsai Sung-Lin1, 星井 拓也 1, 若林 1. 東工大工 , 2. 東工大科技創研
整 1, 筒井 一生 2, 角嶋 邦之 1
15:15		休憩 /Break
15:30		 22p-A307-8 強誘電性ノンドープ HfO2 薄膜形成における界面層厚の 〇田沼 将一 1, Joong-Won Shin1, 大見 俊一郎 1
1. 東工大院工低減と MFSFET の動作特性に関する検討
15:45		 22p-A307-9 強誘電性 HfNx 薄膜の形成と MFSFET の動作特性に関す 〇井出 明徳 1, 田沼 将一 1, 井原 爽生 1, 大見 俊一郎 1 1. 東工大院工る検討
16:00 奨 E 22p-A307-10 Investigation of the etching process for Pt gate electrode 〇 (DC)JoongWon Shin1, Masakazu Tanuma1,1.Tokyo Inst. of Technol.
on the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped
Shun-ichiro Ohmi1
HfO2 thin films
16:15 奨 E 22p-A307-11 Demonstration of Ferroelectricity of 10 nm YHO7 Thin
〇 (D)ZHONGZHENG SUN1, Shurong Miao1,
1.Tokyo Tech
Film through Piezoelectric Force Microscopy
Hiroshi Funakubo1, Yutaka Majima1
1
1, 2
3
16:30
奨 22p-A307-12 HfO2-CeO2 膜の強誘電性の膜厚依存性〇平井 浩司 , 白石 貴久 , 山岡 和希子 , 鶴丸 理沙 1. 東工大 , 2. 熊本大 , 3.TDK 株式会社
子 3, 井上 ゆか梨 3, 舟窪 浩 1
16:45		 22p-A307-13 アモルファス Hf1-xZrxO2/Si(001) の熱処理に伴う結晶化 〇高瀬 慶人 1, 藤尾 亮汰 1, 石丸 学 1, 右田 真司 2, 内田 1. 九工大 , 2. 産総研
と結晶構造
紀行 2
17:00		 22p-A307-14 正圧電応答顕微鏡法による HfO2 薄膜の分極ドメイン構 〇萩原 拓永 1, トープラサートポン カシディット 2, 1. 阪公大院工 , 2. 東大院工造の観察 Ⅱ高木 信一 2, 藤村 紀文 1, 吉村 武 1
17:15		 22p-A307-15 HfO2 系強誘電体キャパシタにおける絶縁破壊過程の非破 〇藤原 弘和 1, 糸矢 祐喜 2, 小林 正治 3, Bareille
1. 東大物性研 , 2. 東大生産研 , 3. 東大 d.lab, 4. 東大新領
壊観察 : オペランドレーザー励起光電子顕微鏡
Cédric4, 5, 辛 埴 5, 6, 谷内 敏之 4, 5
域 , 5. 東大 MIRC, 6. 東大特別教授室
17:30		 22p-A307-16 ITO 上部電極の堆積が (Hf,Zr)O ₂薄膜の結晶化へ及ぼす 〇 (M2) 尾内 惇平 1, 藤沢 浩訓 1, 中嶋 誠二 1
1. 兵庫県立大工影響
17:45		 22p-A307-17 アニール時電界印加が Hf0.5Zr0.5O2 強誘電体薄膜に与える 〇 (M1) 田中 将 1, 野田 実 1
1. 京工繊大影響【CS.8】6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェア / Code-sharing Session of 6.5 & 7.6
9/22(Thu.) 10:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A404 会場（Room A404）
10:00		 22a-A404-3 電界電子放出機構によるドライエッチング装置用電子放 〇下位 法弘 1, 寺嶋 亮 2, 檜森 慎司 2
1. 東北工大工 , 2. 東京エレクトロン宮城㈱出源の開発
10:15		 22a-A404-4 電子線ホログラフィーによるイオン液体の分極ダイナミ 〇岩崎 洋 1, 嶌田 惠子 1, 赤瀬 善太郎 2, 原田 研 1, 進藤 1. 理研 CEMS, 2. 東北大多元研
クス観測
大輔 1
10:30 奨 E 22a-A404-5 Direct Observation of Atomic Structures and Chemical〇 (DC)JINGMIIN TANG1, 2, Yusuke Hashimoto3,
1.National institute for materials science, 2.Kyushu
States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped Tomohiro Matsushita3, 4, Yoshiyuki YAMASHITA1, 2 University, 3.Nara Institute of Science and Technology,
GaN (0001)
4.Japan Synchrotron Radiation Research Institute
10:45
奨 22a-A404-6 極低濃度 HF 水溶液を用いて作製した Si 陽極酸化膜の原 〇 (M1) 新井 太貴 1, 喬 楊木易 1, 鈴木 俊明 1, 𠮷越  章 1. 東京電機大工 , 2. 原子力機構物質科学研究センター
2
1
1
子結合状態
隆 , 丹羽 雅昭 , 本橋 光也
11:00
奨 22a-A404-7 分子状吸着 O2 による SiO2/Si(001) 界面酸化反応過程の分 〇 (P) 津田 泰孝 1, 吉越 章隆 1, 小川 修一 2, 3, 坂本 徹 1. 原子力機構 MSR, 2. 東北大 SRIS, 3. 東北大 IMRAM,岐
哉 1, 髙桑 雄二 1, 4
4. 東北大μ SIC
11:15		 22a-A404-8 放射光照射によるミラー表面上炭素物質の電子状態分析 〇滝沢 優 1, 光原 圭 1
1. 立命館大【CS.9】8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェア / Code-sharing Session of 8.3 & 9.2 & 13.6
9/23(Fri.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B102 会場（Room B102）
9:00
招 23a-B102-1 「講演奨励賞受賞記念講演」〇張 健一 1, 山田 琢允 1, 田原 弘量 1, 只野 央将 2, 鈴浦 1. 京大化研 , 2. 物材研 , 3. 北大工
ペロブスカイトナノ粒子のエキシトン - フォノン相互作 秀勝 3, 猿山 雅亮 1, 佐藤 良太 1, 寺西 利治 1, 金光 義
用
彦1
9:15
奨 23a-B102-2 GaAs/InGaAs/GaAs コアマルチシェルナノワイヤ共振器 〇 (M2) 国本 大雅 1, 2, 原 真二郎 1, 2, 本久 順一 1, 2
1. 北大情報科学院 , 2. 量子集積センター
における中空ビームの生成
9:30 招 E 23a-B102-3 【注目講演】[Fellow International 2022 Special Lecture] 〇 Hongqi Xu1
1.Peking Univ.
Semiconductor-Superconductor Hybrids for TopologicalSuperconductivity
10:15		休憩 /Break
10:30
E 23a-B102-4 Delocalized Charge Carrier Transport in Epitaxially〇 Satria Zulkarnaen Bisri1, 2, Ricky Dwi Septianto1, 2, 1.RIKEN CEMS, 2.Tokyo Inst. Tech., 3.RIKEN SPring8
Connected Semiconductor Quantum Dot Superlattices
Retno Miranti1, Takaaki Hikima3, Nobuhiro
Center, 4.Univ. Tokyo
Matsushita2, Yoshihiro Iwasa1, 4
1, 2
10:45 奨 E 23a-B102-5 Nano-Porous Assemblies of Colloidal Quantum Dots for 〇 (DC)Muhammad Alief Irham , Ricky Dwi
1.RIKEN CEMS, 2.Inst. Tekno. Bandung, 3.Univ. Tokyo
High-Performance Electric-Double Layer Supercapacitors Septianto1, Ferry Iskandar2, Yoshihiro Iwasa1, 3, Satria
Zulkarnaen Bisri1
11:00		 23a-B102-6 Mie 共鳴により発色するナノ粒子インクを用いた着色技 〇井上 新司 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ術(Ⅱ)
11:15		 23a-B102-7 シングルナノメーターサイズシリコンナノ粒子によるリ 〇吉川 洋輝 1, 植嶋 大樹 1, 杉本 泰 1, 2, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工 , 2.JST さきがけ
チウムイオン電池電極の形成
11:30		 23a-B102-8 Si ナノワイヤー /Si ナノ粒子ポーラス膜の堆積と Li イオ 〇益本 幸泰 1, 木賀 海青 1, 山田 輝也 1, 花井 稜 1, 内田 1. 名城大学理工 , 2. 名城大エネセンター
ン電池負極への応用
儀一郎 1, 2
11:45		 23a-B102-9 Ge ナノ粒子薄膜の粒径制御と Li イオン電池負極への応 〇花井 稜 1, 山田 輝也 1, 木賀 海青 1, 益本 幸泰 1, 内田 1. 名城大学理工 , 2. 名城大エネセンター
用儀一郎 1, 2【CS.10】12.6 ナノバイオテクノロジー、12.7 医用工学・バイオチップのコードシェア / Code-sharing Session of 12.6 & 12.7
9/21(Wed.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) A200 会場（Room A200）
9:00		 21a-A200-1 比色型プラズモニックセンサによる神経特異エノラーゼ 並原 慎之輔 1, 梶川 浩太郎 1, 〇當麻 真奈 1
1. 東工大工の検出
9:15
奨 21a-A200-2 Fano 共鳴を用いた高感度表面プラズモンセンサー〇石津 知哲 1, 櫻井 一輝 2, 田中 宏知 2, 3, 石飛 秀
1. 阪大院生命機能 , 2. 阪大院工 , 3. 阪大 OIL, 4.MAScIR,
和 1, 2, 3, Sekkat Zouheir4, 5, 井上 康志 1, 2, 3
5.Mohammed V Univ.
1
1
1
1, 2
9:30		 21a-A200-3 治療薬物バンコマイシンの血中濃度モニタリングのため 〇田口 結彩 , 里村 結衣 , 飯谷 健太 , 當麻 浩司 , 1. 医科歯科大 , 2. 芝浦工大 , 3. 東京工科大の表面プラズモンアプタセンサの開発
荒川 貴博 1, 3, 三林 浩二 1
9:45		 21a-A200-4 新型コロナウイルス N タンパク抗原のデュアル光コム・ 宮村 祥吾 1, 麻植 凌 1, 仲原 拓弥 1, 岡田 昇太 1, 加治佐 1. 徳島大 pLED, 2. 東洋大 , 3. 高知工科大 , 4. 徳島大院医バイオセンシング
平 1, 2, 時実 悠 1, 南川 丈夫 1, 矢野 隆章 1, 田上 周路 3, 歯薬
大塚 邦紘 1, 4, 坂根 亜由子 1, 4, 佐々木 卓也 1, 4, 安友 康
二 1, 4, 〇安井 武史 1
10:00		 21a-A200-5 多粒子格納デジタルアッセイによる超高感度ウイルス検 〇芦葉 裕樹 1, 安浦 雅人 1, 福田 隆史 1, 藤巻 真 1
1. 産総研出コードシェアセッション / Code-sharing session
10:15		 21a-A200-6
10:30		 21a-A200-7

グラフェン FET を用いたヘマグルチニン検出における
DNA アプタマーの立体構造依存性
酵素固相化基板投入型 FET イムノアッセイの動作検証〇 (M1) 中村 日向子 1, 生田 昂 1, 北川 雄大 1, 塚越 か 1. 農工大工
おり 1, 池袋 一典 1, 前橋 兼三 1
〇宮川 成人 1, 牛場 翔太 1, 品川 歩 1, 中野 友美 1, 谷 晋 1.（株）村田製作所 , 2. 阪大産研 , 3.JST さきがけ

輔 1, 小野 尭生 2, 3, 金井 康 2, 松本 和彦 2
10:45		休憩 /Break11:00
招 21a-A200-8 「講演奨励賞受賞記念講演」〇檜森 匠吾 1, 坂田 利弥 1
1. 東大院工
自律移動型バイオセンサに向けた酵素駆動ゲルモータのワイヤレスセンシング
11:15		 21a-A200-9 電気化学的手法による低分子バイオマーカーの選択的検 〇 (M2) 中島 重良 1, 檜森 匠吾 1, 坂田 利弥 1
1. 東大院工出に向けたアプタマーナノフィルター界面の設計・創製
11:30		 21a-A200-10 ナノポア計測における電極界面抵抗の影響〇筒井 真楠 1, Iat Wai Leong1, 岸本 匠平 1, 谷口 正輝 1 1. 阪大産研
11:45		 21a-A200-11 CNT を混合した自立型脂質二分子膜で観測される交流イ 〇平松 大樹 1, 佐藤 陸 1, 守屋 雅隆 1, 島田 宏 1, 但木 大 1. 電通大 , 2. 東北大
ンピーダンス繰り返し増減の等価回路解析
介 2, 平野 愛弓 2, 水柿 義直 1
12:00		 21a-A200-12 自己組織化ペプチドが担持する補因子による電気化学的 Luo Wei1, Chen Chen1, 本間 千柊 1, Zozulia Oleksii2, 1. 東工大・物質理工 , 2. シラキュース大
触媒反応
Korendovych Ivan2, 〇早水 裕平 1
12:15
E 21a-A200-13 Measurement of Anomalous Charge Transfer〇 Huanwen Han1, Ting-Chieh Chu1, Yuri Shimizu1, 1.Osaka Univ.
Enhancement by Ru Complex Ion in the EIS for dsDNA Ichiro Yamashita1
Detection

コードシェアセッション / Code-sharing session