生産と技術

第62巻第３号（2010）

モバイル機器向け液晶ディスプレイの超低消費電力化技術
久保田企業リポート＊靖

Ultra-Low Power Consumption LCD Technology Suitable for Mobile Equipment
Key Words：LCD, Power Consumption, Memory

角度によって異なる画像を表示できる「デュアルビ

１．はじめに近年、インターネットの普及やライフスタイルのュー液晶」、三次元画像を表示できる「3D 液晶」、変化により、携帯電話を始めとし、PDA、携帯音駆動回路などを一体形成した「ドライバ・モノリシ

楽プレーヤ、ゲームなどのモバイル機器の高性能化

ック液晶」、表示機能に加えて入力機能を備えた「光や多機能化が進んでいる。これに伴い、モバイル機センサ内蔵タッチパネル一体型液晶」など、革新的器に搭載されるディスプレイに要求される性能も、な液晶ディスプレイを次々と製品化してきた。

大画面化、高精細化、薄型軽量化、狭額縁化、低消特に、CG Silicon（Continuous Grain Silicon：注）

費電力化、高輝度化、広視野角化、高速応答化など技術をベースとする「システム液晶」は、300dpi多岐にわたり、かつ、益々高くなってきている。デを超える高解像度化や、駆動回路や電源回路の一ィスプレイの種類としては、液晶ディスプレイ、有体化、光センサ方式タッチパネルの内蔵化など様々

機 EL（OLED）、電子ペーパー（電気泳動ディスプな性能・機能を実現することで、新たな応用機器のレイ）など様々なものが存在し、機器の用途に応じ創出に貢献してきた。本稿で解説するメモリ内蔵液て最適な性能と価格のものが搭載されるが、その中晶ディスプレイは、こうした液晶ディスプレイの技

でも液晶ディスプレイは殆どのモバイル機器に採用

術開発の中で、バッテリーで駆動されるモバイル機されている主要な表示デバイスである。

器をターゲットとし、これに相応しいディスプレイ

当社は、1973 年に電子式卓上計算機に搭載するとして新たに開発したものである。

形で、世界に先駆けて液晶ディスプレイを実用化しモバイル機器の多くはバッテリー（１次電池またた。その後、セットメーカーあるいはエンドユーザは２次電池）で駆動され、システムの消費電力とバーからの要求に応えるべく、次々と新しい技術を取ッテリー容量によって使用時間が決定される。そのり入れたディスプレイを市場に送り出してきた。例

ため、使用時間の長期化やバッテリーの小型軽量化

えば、モバイル機器向けに適した反射型液晶ディスに寄与するディスプレイの消費電力低減は、モバイプレイである「スーパーモバイル液晶」、透過型とル機器の製品コンセプトに極めて重要な意味をもつ。

反射型の両方の特徴を備えた「アドバンスト液晶」、

例えば、使用者の立場からは、情報表示手段として広い視野角を有する「ASV 液晶」、ASV 液晶をモバのディスプレイは常に表示されている方が望ましい

イル向けに発展させた「モバイル ASV 液晶」、見るが、電池使用時間を長くするために一定時間が経つと表示が消えるように設定されている場合が多い。

＊Yasushi KUBOTA

1959年9月生
京都大学大学院理学研究科化学専攻 修士課程（1984年）
現在、シャープ株式会社 液晶事業本部
パネル設計センター 副所長 修士 化学
TEL：0598-38-8588
FAX：0598-38-8579
E-mail：kubota.yasushi@sharp.co.jp

ここで、ディスプレイの消費電力を飛躍的に低減することができれば、常時表示を可能にすることができる。更に低消費電力化が進めば、数年と想定される製品寿命（使用期間）において、電池交換／充電の必要の無い機器を提供することも可能となるであろう。
このような常時表示を可能とするのが、今回開発した「メモリ内蔵反射型液晶ディスプレイ」であり、− 37 −

生産と技術第62巻第３号（2010）

これを構成する技術が、CG Silicon 技術をベースとが実現可能な CG Silicon 技術を用いており、さらに、したメモリ内蔵技術（Memory in Pixel 技術）と、TFT の閾値電圧安定とリーク電流抑制に最適化しバックライト無し（反射モード）での視認性を大幅た製造プロセスにより、上記の超低消費電力化が実に向上したポリマー分散型液晶モード（PNLC 技術）現できた。
表１のメモリ液晶ディスプレイはいずれもバックである。

ライトが不要な全反射型ディスプレイであり、後述
２．超低消費電力化技術

する PNLC 技術と組み合わせることにより、約 50１）メモリ内蔵反射型液晶ディスプレイ％と非常に高い反射率を実現している。そのため、メモリ内蔵反射型液晶ディスプレイは、各画素電従来の全反射型液晶ディスプレイであれば周囲の明極の下に埋め込まれているメモリ回路とそれを制御るさが数ルクスになると画面が見づらくなるのに対する駆動回路、及び、透明電極と反射画素電極とのし、本液晶ディスプレイは、周囲の明るさが 0.5 ル間に形成された PNLC 層等とにより構成されている。

クス以上あれば文字を読むことができるレベルの視表１に、当社にて生産中のメモリ内蔵反射型液晶認性を実現している。

ディスプレイの中で代表的なものの仕様を示す。

図１に 1.3 型 96 × 96 および 2.7 型 400 × 240 パ

1.3 型 96 × 96 および 2.7 型 400 × 240 は、いずれもネルの表示例を示す。白表示では新聞紙と同等の白モノクロ２値表示のディスプレイである。電源電圧さが得られている。

は５ V 単一、入力信号電圧は３ V であり、パネル内には、独自の３線シリアルインターフェイスを備

２） 各画素に内蔵されたメモリ回路
一般に消費電流はＩ＝ f・Ｃ・Ｖの式で表される（f：えたタイミングジェネレータ回路、ゲートドライバ回路、データドライバ回路、VCOM ドライバ回路

駆動周波数、Ｃ：負荷容量、Ｖ：駆動電圧）が、メを内蔵している。表示部を構成する各画素部には、モリ内蔵液晶ディスプレイでは、駆動周波数と駆動画像データを保持する１ビットのメモリ回路が設け電圧をそれぞれ下げることにより、超低消費電力化られている。メモリ回路による画像データの保持と、を達成した。

液晶の極性反転の低周波数化（1Hz）により、静止メモリ内蔵液晶ディスプレイの各画素の構成、お画表示時（表示データ更新なし時）の消費電力は、よび、一般的なアクティブマトリクス液晶の画素構

1.3 型 96 × 96 パネルで 10 μ W、2.7 型 400 × 240

成を図２に示す。一般的なアクティブマトリクス液パネルで 50 μ W と非常に小さな値を実現している。

晶の画素部は図２(a) の構成をとっており、画素ト

上記メモリ回路および周辺回路をガラス基板上にランジスタの ON ／ OFF により、ソースバスライ形成するために、高性能 TFT（薄膜トランジスタ）ンのデータを CS 容量および液晶容量に書き込み、表１

メモリ内蔵液晶ディスプレイの仕様

画面サイズ

1 .3型

2.7型

ドット数

96 × 96

400 × 240

表示領域24.1mm × 24.1m m

58.8m m × 35.3m m

ドットピッチ

252μｍ × 252μｍ

147μｍ × 147μｍ

表示色

モノクロ２値

モノクロ２値

表示モード

反 射 型（ノーマリーホワイト）

反 射 型（ノーマリーホワイト）

反射率

50%

47%

対向反転周期

1 Hz

1Hz

インターフェース

３線シリアルＩＦ

３線シリアルＩＦ

電源電圧

5 .0V

5.0V

入力信号電圧

3 .0V

3.0V

消費電力（静止画表示時）

10μW

50μW

消費電力（1Hz画像更新時）

30μW

175μW
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生産と技術

図２
図１

メモリ内蔵液晶ディスプレイ表示例(a) 1.3 型 96 × 96 メモリ内蔵液晶ディスプレイ

図１

メモリ内蔵液晶ディスプレイの表示例(b) 2.7 型 400 × 240 メモリ内蔵液晶ディスプレイ

図２

第62巻第３号（2010）

メモリ内蔵液晶ディスプレイと一般的なディスプレイの画素構成(a) 一般的なアクティブマトリクス液晶ディスプレイの画素部

メモリ内蔵液晶ディスプレイと一般的なディスプレイの画素構成(b) メモリ内蔵液晶ディスプレイの画素部

対向電極と画素電極の間の液晶に電圧を印加するこ回路より画素電極に表示電圧が供給されているので、とで表示を行う。画素トランジスタのリーク電流に低周波駆動においても電圧保持率の低下が起きず、よる画素電極の電位変動の影響を避けるため、通常、表示品位への影響は生じない。表示データを書き換

60Hz 等の周波数でデータを書き換える必要がある。

える場合にのみ、周辺回路を動作させて画素内のこのデータ書き込みの際に、ゲートバスラインおよ

SRAM のデータを更新する必要があり、この時デびソースバスラインを駆動するための周辺回路が動ータバスライン容量やゲートバスライン容量への充作し、ソースバスライン容量やゲートバスライン容放電電流や各回路部で電流が発生する。しかし、静量への充放電電流や各回路部での動作電流が発生す

止画表示で表示データの書き換えが必要ない場合にるため、電力が消費される。

は、画素電極へは表示電圧供給回路より常に電位供これに対し、メモリ内蔵液晶ディスプレイの画素給が行われるため、一般的なアクティブマトリクス部は図２(b) に構成を示すように、各画素内に 1bit液晶ディスプレイで行われるような一定周期（通常、SRAM と極性反転機能を有する表示電圧供給回路60Hz）でのデータ書き込み動作を行う必要がなくを内蔵している。

なると共に、液晶の極性反転周期を 1Hz という低図２(b) において、ゲートバスラインを選択して周波数に設定することが可能となる。

データバスラインのデータを SRAM に記憶させるが、SRAM に記憶されたデータに応じて表示電圧供給

このように、各画素内にメモリ回路を内蔵することにより、交流駆動の周期を 1Hz まで低減すると− 39 −

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ともに、表示データの書き換えを、表示画像の変化新が可能であることから、電力削減やデータ更新時時にのみ行うことで、駆動周波数（ｆ）の低減を行間の高速化にも有効となる。
このような３線シリアルインターフェイスを採用った。
また、従来の液晶ディスプレイでは、表示データすることで、入力信号本数を削減することができる

として正負両極性のアナログ信号を扱うことから、と共に、CPU と直結した駆動が可能となり、機器最低でも 12 〜 15V の駆動電圧を必要としていたが、のシステム設計が極めて容易となる。

今回開発したメモリ内蔵液晶ディスプレイでは、シ
ステム全体を CMOS デジタル回路化することで、

４）PNLC 技術PNLC（Polymer Network Liquid Crystal）技術の5 V 単一電源での駆動を実現し、駆動電圧（Ｖ）の動作原理を図４に示す。PNLC の表示モードにおい低減を行った。ては、電圧を印加しない時は、液晶分子が不規則に
３）周辺駆動回路並び、外部からパネルに入射した光は液晶層で散乱

メモリ液晶ディスプレイのブロック図を図３に示され白濁状態（白表示）となるものである（図４a）。

す。パネル内には、ゲートドライバ回路、データド

一方、PNLC に電圧を印加することで、不規則に並ライバ回路、3 線シリアルインターフェイスを含むんでいた液晶分子がガラス面に対して垂直に並び透タイミングジェネレータ回路、対向電極反転制御を明状態となるので、パネル外部より入射した光は、含む VCOM ドライバ回路を内蔵している。

液晶層の後ろ側にある反射板で反射し、ミラー表示

３線シリアルインターフェイスでは、SCS（チッまたはミラー感のある黒表示が得られる（図４ｂ）。

プセレクト信号）、SCLK（シリアルクロック信号）、SI（シリアルデータ信号）の３本の入力信号を使用する。表示データ更新時は、シリアルデータ端子に、動作制御フラグ、ゲートラインアドレスデータ、表示データの順に入力を行うことにより、表示データの更新を行うことができる。表示データ更新は、１水平ライン毎にゲートラインアドレスを指定して行う方式となっており、必要なラインのみのデータ更

図４

PNLC の動作原理図(a) 電圧無印加時
（白表示）

図４

PNLC の動作原理図(b) 電圧印加時（ミラー表示）図５は、PNLC の特徴である液晶（LC）とポリマー・ネットワーク（PN）からなるマイクロ相分離構造の電子顕微鏡（SEM）写真である。液晶／モノマー／光開始材の混合液に紫外線を照射して光重合相分離を誘起することで、液晶ドロプレットが分散した三次元網目状のポリマーネットワークが形成されている。この PNLC 層の散乱状態と透明状態の間のスイッチングを利用することで、偏光板を用いることなく表示を制御できるため、約 50％（モノクロ表示の場合）の反射率を有する明るい画像表
図３

メモリ液晶ディスプレイのブロック図示が可能となる。
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生産と技術第62巻第３号（2010）

電子ブック用途を中心に採用されている電気泳動
ディスプレイは、電源を OFF にしても表示を維持することが出来るため、静止画表示を行う場合には、メモリ内蔵液晶ディスプレイに比べて消費電力面で優位性がある。しかし、表示画像を書き換える場合には、高電圧を必要とし大きな電力を消費するため、メモリ内蔵液晶ディスプレイの方が優位となる。消費電力は画像コンテンツ等にも依存するが、モバイ
ル機器での一般的な表示においては、従来型反射ディスプレイの 1/60 以下に低減しており、また、電図５

PNLC の Polymer Network 形状の断面顕微鏡写真

気泳動ディスプレイと比べても 1/3 程度である。
また、電気泳動ディスプレイは、表示画像を書きPNLC の電気光学特性は、LC 材料と PN 形状に換える場合、画面のリフレッシュに秒単位の時間が強く依存する。そこで、当社は、低電圧で駆動でき、必要となるため、動画表示に課題がある。これに対不純物濃度の少ない PNLC 材料を開発し、更に、しメモリ液晶ディスプレイは、画面のリフレッシュ

PNLC 層形成において特に重要となる UV 露光条件等は必要なく、60Hz の動画表示を行うことも可能を最適化することにより、低周波駆動時に懸念されである。

るフリッカーや残像の発生を抑制することに成功し

更に、表２にも記載されているように、メモリ内蔵ディスプレイでは、動画表示能力や幅広い動作可た。

能温度などの特徴も有している。
以上のように、消費電力や視認性、画像書き換え

３．他のディスプレイとの比較
表 2 にメモリ内蔵液晶ディスプレイと他のディス時間／動画表示性能などの総合性能を見たとき、メプレイ（従来の反射型ディスプレイ、電子ペーパーモリ内蔵液晶ディスプレイは、従来の反射型ディスの１種である電気泳動ディスプレイ）との比較表をプレイや電子ペーパーなどでは実現できない商品の示す。

創出に貢献できるものである。

従来の反射型液晶ディスプレイは、偏光板を持つ構成であることから、必然的に反射率が大きく低下４．おわりにする。開発したメモリ内蔵液晶ディスプレイの反射

上述のように、PNLC 技術と組み合わせたメモリ率は、偏光板を用いた従来の反射型ディスプレイの内蔵液晶ディスプレイは、低消費電力性と高視認性約２倍であり、また、電子ペーパーの１つである電とを両立するディスプレイである。携帯電話のサブ・気泳動ディスプレイに比べても 25％高い。

ディスプレイや携帯音楽端末などのモバイル機器に

表２表示方式
画素数表示方式による特性比較（1.3 型ディスプレイでの比較）

メモリ内 蔵 P NLC液 晶
白黒

カラー

従来型反射液晶
カラー

電気泳動
白黒

96 × 96(96 × 3) ×96(96 × 3) × 96

96 × 96

積分反射率50%

20%

11%

40%

色度（x,y）(0.310, 0.333)( 0.310, 0.335)( 0.308, 0.341)( 0.305, 0.326 )コントラスト

10 : 15 : 1

15 : 1

7 : 1

駆動電圧

5V

5V

12V

15V

消費電力（書き換え周 期）

10μW（1Hz）25μW（1Hz）

2m W（60Hz）

30μW（1/15Hz）

駆動温度範囲-20〜70℃-20〜70℃-20〜70℃

0〜50℃

保存温度範囲-30〜80℃-30〜80℃-30〜80℃-25〜70℃

応答時間

100ms ec

100m sec

50m sec

260m sec− 41 −

生産と技術第62巻第３号（2010）

搭載することにより、常時表示が可能で動画表示にこのような例にもあるように、デバイスと商品とも対応できるため、これまでにない使い方やアプリは互いにニーズとシーズを共有することでスパイラケーションを生み出すことが期待される。図６は、ルに進化することができる。アナログ機器からデジ携帯電話の背面ディスプレイに搭載された商品例（携タル機器へのシフトの過程で技術の差別化が難しく帯電話）であり、３型ディスプレイに多くの情報をなったと言われるが、日本が得意とする「擦り合わ常時表示できることが、商品の特徴の一つとなってせ」に基づくデバイスと商品のスパイラルにより、いる。

国際競争力の高い製品創出に貢献すべく特徴デバイスの開発を今後も推進していきたい。
（注）CG Silicon(Continuous Grain Silicon) 技術は、株式会社半導体エネルギー研究所とシャープ株式会社とが共同開発した技術です。
（参考文献）
１）Yasushi Asaoka et al., Society Information
Display 2009, pp.395-398,
Polarizer-free Reflective LCD Combined with
Ultra Low-power Driving Technology
２）Noboru Matsuda et al., International Display
図６

Workshop 2009, pp.243-246,

メモリ内蔵液晶を搭載した携帯電話

Ultra-Low Power

System-LCDs with Pixel-Memory Circuit− 42 −