

３Ｒでイニシアティヴをとれるか日本Ñ,,


横

田

勇

Isamu Yokotaの６

アメリカにおいてされた８シーアイランドサミットにおいてはでの３イニシアティヴ
2005

４!"#を$%し&の"'を(てされることとなりました028から30の３)*+で&の,-が./して123な45の6/と789:の;,に<い=>の?@ABCのDEは6,のFGをHっております078のグローバルIによってJKのみならずGLにおいてもMNIのKOによるPQRのSTのUVやそのWXYZ[によって\E]^が_IしP[UVABCが`aされる
ようになりました0bc12においてABCdefgのためのhXfがijされております0３
イニシアティヴ!"はがklmのnoにpけてqKしようとしているABCのX

YZ[や３イニシアティヴのr]とこれまでのstをuvならびにwxyにz{していただ
く|}のxであります0わがの~は

にするとしてのしお

こう し

よびEごみの\E3P[をとしてやABCのP[がされて.りました0よりなので,E,?@されたプラスチックABCやA¡¢が£¤¥¦の§く¨の©ª«¬を­い®¯を°としたP[の±Iを²³なくさせたことが´µ3にごみ®¯¶や`ガスP[·の¸¹3なDOをもたらしました0
どんなCºであれそれがエネルギーに»¼されない½りCºW¾の¿ÀがありますのでAB
CdeはÁÂCºがÃÄするÅ)スペースのSTというÆeにつきÇたります0しかしこれからJABCのÈしいPQRÁをSTすることはほとんどÉるところUVとÊってよいでしょう0
ËされたÌÍはÎÏのÐÑÒのÓりÔこしによってÓりaされたもののから=>IできるものをÌÕしてÖ=>Iし×IによってEじたスペースをÈたなABCのTZRÁとしてÖØÙする
ことです0そのTZもhÚのÛ¿によってÜわれなければなりません0?@ÝもÜ~も«¬ÝもÞがßをàÄしáâをaし"うãであります0らなくなったらäてるというFÛp3ÐめÑてåÏlABCPQ#のãæはbやçをえklABCZ[#のãæにりつつあります0
ABCのDEをするリデュースÙGを;,してÖÙするリユースk=>としてÖEØ
きっきん

Ùするリサイクルの３のはでこそのÆeであります0Fしてい¢ºと

をÄする

をN

に$してこられたソリューションの

これまでのみはのdefgへpけてのりみのそのものでもあります01æ
をえた

なmDOのとなるEのためのベストソリューションをこれからもソリューション #がmにくD しけられることをjしてみません0
Vol. 1 No. 220052

ソリューション

1

中空糸膜をもちいた膜分離活性汚泥処理システム
Hollow Fiber Membrane Bio-Reactor System p ¡C¢-z pC£¤¥Akira Ishiyamat§¨
Yuichi Nakashimalのm&にnoすべく`aのpBにqrんでいる/そのひとつがPVDF sのtuvをもちいたwx42y-zシステムである/{|はN
もちいたパイロットプラントN~Nで１¦&に}けN.を

にわたるデータをqしてきた/その^をじWフラックス0.6m /m /d でしたをするとともに６aのい
32で`aiSS１mg/L10 mg/Lkをしさらに-zを60 にまでLYすることができた/
A PVDF hollow fiber membrane bio-reactoriMBRksystem has been developed to comply with thestringent regulation of treated water from the wastewater treatment plant. A pilot test plant was
operated using actual sewage water for about one and a half year for practical use. The test proved
gradual increase of transmembrane pressures at membrane flux of 0.6 m3/m2/d. For all seasons, the higheffluent quality was maintained; SS less than 1 mg/L and nitrogen less than 10 mg/L, for example, ina short HRT of about 6 hours with the minimized bio-reactor. In addition, the sludge reduction rate
was maintained at 60 .

Key Words2y-z
t u v ` a  - z Y 6 &ス ペ ー ス &Membrane bio-reactor
Hollow fiber membrane
Advanced wastewater treatment
Sludge reduction
Area minimization.では;<=>がきくなるためコ

まえがきにおける

の

は

し

スト?に@であるとのAえからこれまで

いものがありをはじめとして



かった/しかしながらGHしたIにおける

し!

はBCのD

EF1では#$が5んでいな"で をもちいたが#$されており



また%

ことにより.のように6の:い+,では&'()*+,"ののJKにともないコストがL.してきた-+,にくわえ.+,においても#においても の#$がMN?なOPQとなっ$されてきている/01においてもにおてきている/ける

の#$が2

であり

3+,の

4&が5んでいる/%RSTUやVろW+,"が@<になるなどの+,のXYとそれにともなう;<Z[=>のXYによる

6の7ない+,&'()*+,"と89して6が:い
2のへの#$により

コスト\Y]^の_`aなbがえられるな
どの:くのメリットがcdできる/

efgソリューションhVol. 1 No. 2i2005j2k

このようなからでは1999よりシステムはSSfgのにてをとした

ためのtuvwxtyvwxrろsz{が|Sとのシステムのを!"している#となりその}~としてタンクNに
0.1$0.4 m

1999$2002の%&はとして'をのろs7MF *ををおこない+システムの!,zしZ4なcを!Vする

を!-した#2003からはさらに./0がシステムである#に+システムのTAをUす#

1く2345に6れた PVDF7ポリフッ8ビニリ



１*
２*

もちいた()

tuvwxtyvwxrろsz{が|Sとなりプロセスが8されスペース8が

デン*9の:;<を=,し!->?をおこなっ

となる#

３*

ている#



+@ではPVDF 9:;<をもちいた  タ ン ク N の MLSS 7       * をシステムについてA%にわたる

10 000 mg/L

と1にできb

BCDEデータをFGし=,HIのJKをLMしnとの[4&7

たのでそのNOについてPQする#

HRT*でJ2のみならずe]fgをも!Vで
テムの

シス

きる#


0.1$0.4 m の MF にてcするた システムのめSS を99 fgできる#+システムのRSとTAを１にUす#
VWXではBOD7YZ[4\]S^

SRT7&*をAくとることができる

ための¡\8¢,による£_8が¤¥める#_`J2Z_のab*SS7cdZ*e]のfg¦

をとしたhなプロセスとしてijkl8me

によるZ4なcのためvwxにおnがoげられる#またさらなる1としてSS

けるc§¨の©ªとなる«87バルキ

fgのためpqにrろsをつけたプロセスがある#

ング*がYしてもへの¬­がない# モジュールのと

+システムに=,している:;<モジュールの




 

RSを２にhな®¯を１にUす#














１

:;<モジュールのh®¯d³:;< MF 


 !"#
$%&'

サイズ

:;<システムのRS
とTA

¹º



 








１



!"









25 m2

'¸

0.1 mPVDF7ポリフッ8ビニリデン*










#$%






２

JKµ¶·

















150 mm´H2 160 mm
7JKA 2 000 mm*






&'(



:;<モジュールのRS

Vol. 1 No. 272005°2*

±j²ソリューションHP3システムのは１mm の


のであり

い

がとなっているのはがくにれたPVDFで
には

あり

!0.1 m の"な#のあいた$%となっているモジュールはcdにい$%となっているそのefをgかしh^のijサイクルにおいて'kCに１lm
bからncをかけにろ5LをnにoTしp.したqrsをtuするこれをvnUwという

このを&'(ね(の)*を+,により-.しさらにのがにれた PVDF であるため

xyz{|ソーダをもちいたvインラ

その/0のの*を12させた$%となっているその120から

インnUw<モジュールを}~タンクにABした

34ポンプにより34することでままでのnU?をに１lmすることで"の#によりろ5がおこなわれるしくみとなっているモジュールは6スペースな789でありの;きさは

150 mm

１:

さ2 160 mm<=>

2 000 mm? =>@は25 m2 であるAB9CDEFGHIシステムでは5NOとなるこれをPQするため

ろ

@がく

をもUVすることがである


2003４2005３<?

LセンターbRLHIへのをしたAB9<h HI?b

モジュールR

からエアをSTしてをUVしながら34ろ5をおこなうモジュールW

Uではtできずににしつこくp.したqrs およびEFGJKLを34していくとにFGがM@しそのため１:YたりのZ[なエア\が



プラント

CDEFGHIシステムのが789なのでのX プラントの

3



および

パイロットプラント<HIL\30 m3 /d?の¡¢0.08 m /min と]^に_なくて`む
またnはaが7Wのため

bからの£な¤¥を２にを１に



フローシートを３に¦す

２

１

«

プラント

!"



«

プラントの£¤¥}~タンクW<１¬­Yたり?

W1.0 m®L1.0 m®H5.8 m=>L¯ 4.0 m}~タンク¬­'

２¬­<°|{タンクおよび±²タンク?

モジュール

２:を±²タンクにAB³HIスクリーン´µ¶·¸" ¹スクリーン<¹º 1 mm?

»²¼½<|{¾¿?

>À9Á"



²Â¶»²¼½

#&'(

$%















)%*+



３
4

«

フローシート§ソリューション¨©

Vol. 1 No. 2<2005ª2?

には

がであるの
に

するの



0.6 m3/m2/d とした(R3hiはdjQklm3と

1-nolm3とのトータルで9に:し15
p20hとした(をもちい１mm のスクリーンでのに &'タンクに

の

していない

!"を#$りした% のさせた( )*ではところでdqrstuシステムではd

BODSS の+に,-の./をおこなうため&'モジュールBvの@AwとともにろEされやす

タンクを01-タンクと23タンクとで45し6

いrstusxのyzが{|となる(そのため&789に:する;<=679の8'タンク}のrstuのろEs~としてろろを２とした67;<>,?で@Aした(はBCE9５に5C ろをBeEする=9

CDポンプによりCDろEするFとしGH

ちいた(またd"

9IJをおこなった(なおPAC のKLMはN

ゲルxの"Oしていない(SMPSoluble Microbial Products をもちいた(SMPをもについては"の+にのがきく その~としてをもちいたPQはRSの@Aサイクルにとはdにするsの`"9をしおいて10で１TのPQUVCD９WX５Y

たものでの４ ５ においてdの

PQ50YWX５Y

であるとされているものである(

でZした(また[\]-1ソーダによるインラインPQは１ヶ^に１TV_)パイロット*の@Aは)にd`a]-b_0.5 cでZした(deEfdフをもちいたでした@Aw~２３

ラックスにづいている(GはPQによる9のロスをgめてに

と MLSS b_がGHとすればrstuのsxは¡および
３

HRT にきく¢£される(これらが¤¥な¦§で

dの@Aw~

MLSS

あれば¨|©なªがなされろEしやすい

8 000p12 000 mg/L

rstuとなる(しかし¡が«い¬­に HRT

23タンク DOß1-b_1.5p4.0 mg/Lが®い¯はが°©となる±²sがありG

BOD-MLSS àá

0.05p0.10 kgBOD/kgMLSS/dF¡が³い¬­に HRT が´い¯はEµとなりrstuの¶v·という¸¹がºこりやす４

くなる(いずれの¯もrstusxが»<しâな*ãäろEsが»くなる(

³¡­

«¡­

25.7p33.5 Ô

13.3p20.6 Ô)パイロット*では１¼½¾¿にわたっ9

15 m3/d30 m3/dて@AをÀÁしておりÂなデータを$ÃしていHRT

12.8 h6.4 hる()では４にÄすようにとくに³¡dモジュールÙ１¡dフラックス­と«¡­の¯のs²ÅÆをÇÈにする(

２
3



2

0.6 m /m /d

R3hi

20h

;<=678２

djQklå1-nol

および    ³¡­«¡­それぞれのおよびのÉÊを５にÄす(いずれのËÌにおいてもÍ2ながなされていた(`"9の~であ
５



ÉÊ
³

¡
­
¡Ó25.7p33.5 Ô


BOD
SS
COD
Õ,NH4-N
Õりん
Ö×ØÙ

mg/L
mg/L
mg/L
mg/L
mg/L
mg/L
Ú/100 mL

Vol. 1 No. 22005Î2


185
219
107
37.4
Û
7.6
Û





«

¡
­
¡Ó13.3p20.6 Ô


1.6
Ü 1.0
5.6
7.2
Û
1.7
ÝÞされず

ÏÐ7ÑソリューションÒ




254
320
161
53.1
34.0
10.2
Û







Ü 1.0
Ü 1.0
6.5
6.7
0.28
0.7
ÝÞされず
5

４

1!J9とM!J9におけるUVNWとろXNのW

る BODCOD

SS

や

るとeえられる'そこでfにUVがgha<iのがにおこなわれているとともに

になるようjkl:を,l:12.8hにしてもサイズがよりもきく ３のmnoでにされるため!の"#は$に=Iし

pqの rsにおいてtu となる

BOD-SSvw0.05 kgBOD/kgSS/dにxいyzでm%&であった'すなわち()*の+,を-にnをおこなった'しかしながら{|の}な~

./するデータをえることができた'はなく4Iしたmnができた'ろろX

10 mg/L 56にてもc<タンクの DO が1.5 mg/L $となる9:されていた'なお789:がかったにもかかわらずおおむね10 mL/5 minにおいては;<タンクを=けておらずまた

5のbcなろXNをYした'

PAC >の?@AのBCもおこなっていない'DE



りん12

にし

の34であるさらに0にしても12

のためにはPAC BCでFGしていくHIである'

M!J9
M!J9では\]>のU^_が`(に(aされずろXNのいUVになるとeえられる'そこなお1!J9とKLするとM!J9のりん

でさらにjkl:を6.4h に

し３のmnNOが1かった'これはPりんにQoなR!の BOD が1かったためとSTされる'

0.10 kgBOD/kgSS/dにxいきなvwをかけた' ろの

そのろろXがおおむね10 mL56に４に1!J9とM!J9のUVNWとろXN
OをYす' とろのZ[1!J9では\]>のU^_が`(に(aされろXNのbcなUVフロックが6したものの1!J9とKLしてもほぼの{|をYし4IしたmnがOであった'

1!J9



pqのrsにおいてtとなる BOD-SS vw

dされ<にするPである SMP は.GタンクのaN TOC X!のaN

ソリューションVol. 1 No. 220052

６

のFjk
Ç"FÈÉ

r

s

t

u

v

9

ÊËl9

ベルトプレスYpqrst 0.75?;/TS
ポリw 14?;/TSxYpqrst 0.75?;/TS

84?;
82?;

スクリュープレス

Ypqrst 0.75?;/TS
ポリw 14?;/TSxYpqrst 0.75?;/TS

85?;
84?;

５

６

SMP とろろとの7

/0 SS とJKとの7

TOCですことができる５に SMP とろろ`aが~^で56のdeFが'(であること

のをがわかった

す
SMP のがのろ

をさせていることがされたSMP をく

この

より

む

す

び

PVDF をもちいたp

のろRSシステムのTにけがく!"しパイロットプラントTUTiにおいてこれまで１た#$を%&することが'(になると)えられる

にわたってjkしてきたそのYXAの のにされたでも!"したp#$することにより

などがするにおいて



６に*+#$,に-.タンクに/0した12
SS と
を

-.タンクから34いた56の7すこの:60 ;でありから/0 SS の$89は<=>?100 ;@A B

を%&するとともにTをもちいたbスペースされた-.タン

クにおいてを[じてYAなRSをえることができ

のにもしたf さらなるなコストダウンをgとして

CDEFG>?80 ;@A オキシデーションディッ

p#$および>をしチ>?75 ;@AとHIして56JKがL

ラッシュアップをっている

なくCMNOがLないPQにやさしいRSシステ

VTiにしのブ¡¢`£の¤¥にはTi

ムであることがTUされた

¦§および¨©なごª«をご¬­®きましたここ のに¯く°±²しVシステムでは-.タンクWの MLSS XAを

10 000 mg/L @AとYXAにZ&できるため[\のRSプロセスで]^なX_`aをbcできる'(があるそこで56のdeFがTf'(かのgRをえるため

ビーカーhiにてのdeFをjkしたなお
9はFケーキのg<lmnのRSプロセスのFケーキl9をo)に82 ;とした
jkの

を

６に

Ypqrs

すその

tuv90.75 ;もしくは

ポリw14 ;xYpqr

st0.75 ;のyzにてl982{85 ;のFケー
キがえられることを|}したすなわちVol. 1 No. 2?2005Ä2

X_

げます


１W³´ほかµ¶38·¸¹ºJ»¼½s, p.619¾
621?2001
２ ³ ¿ À ほ か µ ¶ 40 ·   ¸ ¹ º J  » ¼ ½ s ,p.706¾708?2003
３ÁÂÃほかµ¶41·¸¹ºJ»¼½s, p.756¾
758?2004
４ Namkung, E., Rittmann, B.E.: Soluble microbial products?SMPformation kinetics by biofilm, Water Scienceand Technology, 20, 795{806?1986.
５Rittmann, B.E., Bae, W., Namkung, E., Lu, C-j.:
Acritical evaluation of microbial product formation in
biological processes, Water Ccience and Technology,
19 517{528?1987.

ÅCMソリューションÆ

7

汚泥減量化システム―レセルシステム ―"RESER System" for Sludge Volume Reductionxlm¥¦xlm¦¨©
ª
Nobuyuki Tateko¬­
Akira Saitoh}~vwのOやのが;きなSとしてクローズアップされている\4

T§

«
®

sごみ

Qの> = のM.やエネルギがvbにけ;きなRSとなっ$xにとgている!そのRSZ[のためcdのWをhわせたレセルシステムをlmした!
Wの2834
&にZプロセスでされる

Tにおいてをし?52 のがえられた!またの$%な¡¢が78ないこともN£した!

Reduction and recycle of the organic waste with high moisture content is the main theme in these days
when conservation of global environment and depletion of resources are public concern. The system,
designed for the solution, is the combination of the conventional sludge digestion system and thesludge solubilization system composed of a thickened sludge concentrator and the hydrolysis unit. The
result on the demonstration test, using sewage sludge confirmed the steady operation for 283 days andsludge reduction rate of 52 . The test also proved that simply adding the sludge solubilization system
could retrofit the conventional sludge digestion system without special reconstruction.

Key Words¤

W
$

  




Sludge reduction
Solubilization
Digestion

HけるためIJKLが;きくM.のNOがまえがき１10 の


である



ものによりがしておりのがくめられている!この"#として$%&で'のを

メタンガスとして()した*+をそのままP<であることQのRSがある!ただし$%&TでUVエネルギ()WXな%&でありは6YのRSがZ[できれば\*]^が_`できる!

レセルシステム

abではcd$TにおけるRSをZ[するた,-しての.などが/められている!しかしなめノルウェーの Cambi bよりefしたg

がら$%&は0123が2045678であるたプロセスをhiんだ=

テムkをlmした!

め%&789:が;きいこと$であるため>が<+?が@できず;AなができないことメタンガスのBC$がDEのFGを
8

Z

Tシステムjレセルシス

１にレセルシステムのnopなフローをqす!
cdの$Tは

tuvwソリューションxy

TのTrからms

Vol. 1 No. 2z2005{2|

)3
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012

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
9:

１

5

2

5

レセルシステムフロー
 =






% 





 !"






% 



２







% 







#$



１

フロー

というフローするを

でをおこなうがレセルシステムはのプロセス２で

つわせて!と"す#を$

する%この






$




8の

し=>をもちいてをことででのZ5[がまり\]

にくらべガス^Z_が`えるとともに

aのb*5_がcdし345_がcdする%
*では+e,をfげればfげるほどgまたをすべて&んだ'(をレセルシステ

くhることができ

ムと"している%iは65 7kまでjcできる% 





この

のフローを２に)す%

は*パルパーリアクタフ

DEにする&iをjcでき&*での&iでの345_jc

jcの２つのlmにより
えて\]

_がncできる%

ではF/をopにラッシュタンクの+,-./をコントロー

qつため

/rボイラーstとルするスラッジクーラで0に12される%

してurしているがvwそのur_は>/のxy

ガスを

ここでは*でを345615を9け>/のいz{にはdなく>/のjい|7までした8パルパーでその

{には}くなるといった{~のxyをきく9

を9け:れリアクタの;<=>により6100 ?まけpしてblrできる

で@Aをおこなう%Bにリアクタで=>をもちいoガス_がられる%レセルシステムは

ガスをプて/C+のDEでFのGHIをJKし

ロセスの/C+rのボイラーstとしてurすをる%したがいなものを/することA

DEにするこのを

!と"す#

１#%フラッシュタンクはリ

アクタよりLMされる

をNOする%ここ

ではP+にQるため6100 ?の/となるがス
ラッジクーラでARS8
345610 7でにTUな/にしてへVWする%

 の




をXY

Vol. 1 No. 220052#

する-.がさいことから

ガスur_がをしてpする%これにより

ガス^Z_が`することとur_がpしていることから;<ガスによる^のblrがやりやすく
pしてblrできる

ガス_は\]

にくらべ1.4fになる%のとしてまた は345が6107となりソリューション9とすると３のへ

でをすることになるしたがいも３の

の
もになることとわって

の３のとしてなくが!であるしたがい"じ#$であればでも]1.3 kgVS/m3 d `らべて*+,
より-iにより#$が85]66#cdへjkEとしてリアクタlとくさせたときのをXす\a

ガスqr\Eについてはsl

にが165 tuvまではSwするがそれをxえると

012を

=のたんぱくyDがspzしr,67しにくが３になるがはほぼ"じであり./の\は}がるこの

そのまま34できる

い{67z,yが|くなり プロセスの

165 tで\が60]70 ^となり

て~なl

となる

567プロセスの%&

_2,を"Da

を3い

mnoをp
は

の89f5

レセルシステムでは[と"じ%&が1'3に()するこの#$b30]23#cdE

g5\が80 ^とhUしているこれにYしとが!であるなおaとしてはeの

89はすでに$9ヨー

Vf5のg5\についてはsl

ロッパで:2;<=の:>からえられた?@やA
１E

にとっ

のBCD をFGとし:HにIJち:KLレベ

をSげればSげるほどのルで89MNのOPQKを:RしたSでTUしていがSするf52の2にもよるがslる230 tでg5\50 ^も!である

その 89について ３にVWをもちいてXす
この３の89としてはYZとなる

[の\が50]55 ^で_2,が1.0

がみf5z

このレセルシステムではもっともエネルギ
\がガスqrが|いE=の_2

くa,*+,を)できの(いa{67z , y  の  な い E 165 t a     n o 0.6
MpaagEEというl







/012
 


456789
:;89









!"#$%&'(

にもよるがもっともnoのいスクリュープ

567プロセス

89

４

レセルシステム:HQKフロー











と2002７に "¡¢£を¤¥のうえ¦§}¨¨©}5ªk«¬

センターにおいて¨}520 000 m /d の­®¯な:HQKを:Rし3)*+,-.

３

10

したこのf5g5\はf52の2



 

89として

レスf52で65 ^まで()することができる
3

anoEを

た




４にk«¬

²³ソリューション´@

センターの°±フローおよび:H

Vol. 1 No. 2a2005'2Eフローをすは
れており

がさ

は

からされ２でされているこの
の１への!を"#$!し

2003U３VからWX/IYZを[\し'への]^_`を7.9 aからbcの10 aへ

dげ

eもfgeのh33 aから%&の'と(を)し*+,の-.を/

h50 aへijをdげた８Vkに

0し12$3とした4２5eが':;1 590 m の３lになる4 770 m3 に'は２２6'41 590 m35のみを7し89':;の1<3で=>をおこなっ
た'?@(ABC

3

BCポンプ,は%&の$3mnしたことで'が/IのpわりシステムとしてのMNができる>qになった4

５5

MNrsについてはシステムtちdげuvwのを7し(は%&のベルトプレス(を7
した

にほぼoれ

2003U９Vx12Vとした

これにより894DEF89GとH
す5とレセルシステム4DEF/IGとHす5

１/I/2QR

をわけることができJをKLしてにMNをおこなった

A )oe 
OPの/I12QRを

8 9 
4m /d53/IYZrs１にす

またS/I/2のTを２にす

2003U９Vx12V4４ヶVs5e 

4m /d580x12080x1204m /d580x120

30x45

':;

4m 5

4 730

1 590

'`

45



4d5

'o

e 

3

3

3



'(_ij4kg-VS/m d5
3

２


５



/I$34#プロセス5



35x3845 35x3845
39x59

35x53

0.6x0.9

1.9x2.7/I/2TT

WXbYZ

２

40 0002003U１Vx2004U３V

MNrs


/ I 

e

T  

T



WXbYZ `<#プロセス
30 Dd
ポンプ,(のb  e  50x60 aeの]^_`と';BCeのVol. 1 No. 242005<25

yz{|ソリューション}~11６にのをす


の

の

は3.9 t/d ととなったがの!が"しくては80#120 m3/d とかなりとし!したが$%は&'(できほぼ)*の+を,-でき



た
.

/0123から45する/0は
ほぼ6しておりの78に9:をきた;0<も=>382 ?に'してさなかった

123で@70 ?と6してABすることができたC

DEガスDEガスの45はFGのHI


JのKL

EMび78NOJにPQされるため12RのDEガス45がややASであったが１RにGり@2 200 m3/d で6してきた

TUでのでは@2 000 m /d で6しており3
N

またメタン

もほぼ60 ?で6してした
このVWXYNOのもとZである30[\]の^-78を_きく]`る122[Uの^-78がabできた

なおcち]げTUも;めたde78[fはgh283[Uとなった 
６の７

jk9VW12

2003i９R#12Rの^-678TUでのjk
9をlmしたnopqソリューションrs

jk9VWを７にす

Vol. 1 No. 2t2005u2v

3bhipqT

３

hipqTÛÜ

3ガスメタンv
55C65'H) Þß60'H)
3 pH
7.2C8.2
Þß7.5
3 VFA v Ý3 000'mg/L) Þß500'mg/L)
3 N-NH4 v Ý4 000'mg/L) Þß3 200'mg/L)[のうち\]を^して_#Y2できる4`
で800 m N /d
3

８

は

では1 127 m N /d で3

がにくらべてa1.4Dとなった,Z['6789#:;,)

LMの
dを1

:;ではレセルシステムの3bc

3にしたefgなhiであるにもかかわらず

エネルギMjのklでもmれたシステムであることがnoできた 

スペース3bにおけるhipqTとそのを３に-すレセルシステムのrst]uにおいてhipqTである3ガスメタンv3 pH９3w?X0xv3アンモニア

3ガスXY2

vはいずれもhipqTをyzしほぼ_#してZ[した

このより
でしているので
る


のほぼ1

す

gのa60 Hでありの{|0とほぼ~じf

をしたgであることの3とvがほぼ~じはとしての

また3b{|0についても./{|0#}f

とからをし

する

2を

よりであること'R139 mPaS/レセルシステをすものであり

ムR142 mPaS)からレセルシステム2にに!の"で#$するすることなく./2JKであることがわかった

%&
'




(





*+100

) 

ここで,については８に-すようしたがって3bcd1

fga3にしたX0

３Dのefgでも3を_#してhiできた

む

す

び

3

LMの

:;によりシステムの_#hに45な678を9#する:;をおこなった:i?とするのをnoすることが;にはメーカの<なる４=の678を12した

できたまた3ガスXY2に./ベルトプレス0を12し

この678 C は>と?@が<なりABも>の1.5C2.0DEFとなったが,スペースのなについてもnoでき
システムののNOには678 C を
より

はR10.5 t/dする

R5.1 t/d であり

は52 Hとなった

0としてしていただきやすい/にげていく
4にレセルシステムの~をめるにあた

P2したQのの,をP2した
したがい

2にほぼSがたった

Lはとコストダウンにめ

はG３=にくらべ２HI げることがJKであった
よってLMの

3b

の

り

¡なご¢£ご¤¥をいただいた¦§¨©ª«¬­®

¯°±²³センターの´µ¶·に¸

く¹ºの»をします&'10.5(5.1) 10.5*+100%52 H
このよりSTである

50C60 Hは

ほぼUVできたとWえる ガス
９にXY2ガス
Vol. 1 No. 2'2005

2)のZ[を-すこれらのZ

１)¼½¾¿ÀUÁRÂÃÄÅ?のÆÇ?3にÈぼすÉÊおよびËÌÍ]のÎÏÐÑÒÓ12Ô２Õ'1989)

Ö×ØÙソリューションÚ

13

ビニループプロセスによる塩ビ系廃棄物のマテリアルリサイクルと適用用途
Material Recycling of Wasted Polyvinylchloride by
VinyLoop Process and Case Study for Applications

j:oepプロセスj:opqrプロセスstu
Shoaki Ide>v

xypビニループ>z{
Takashi Hoshino

においてビニルシートビw|

sをビニループプロセスによりしたビのをおこなっためて

でもを!"する#$%の&'が(められな

いことバージンビと)*して+%の,で-.がないことそして/0123に456であることを7した8
20069%より:;するビの<=>そして@A

Gに4に?ち@AビのBおよびCDEF

するためのBHIJKをLMしたいずれのビもBN

OきなPQはなくCDEFもRSのCDTでUCD56であることをV(した8またWきX
きYZむべき[Qとして\]のさらなる&^があることおよび_`_aのbあるいは^]がOきなcdニーズであることをV(した8e7では@AビのBfgならびにh をiるうえでのj[Qとklm
そして@A

Gへの4

LMについてまとめた8

Evaluation was made on basic property of different kinds of regenerated PVC compoundsR-PVCs
recovered by VinyLoop Process from Noubi sheets, the mixture of Noubi and wallpaper discards, andwasted cables to find possible technical problems and their countermeasures for practicable applicationsin preparation for the launch of recycling process with annual R-PVC production of 18 thousand tons.
With no problem concerning quality of respective R-PVCs, among which the detail evaluation of Noubi
R-PVC was reported in the previous issue, conventional molding machines can be used for fabrication.
Reduction of foreign particles and removal of lead stabilizer were confirmed to be critical. In the caseof Noubi R-PVC, for example, reduction of mud and sand for application to flooring material, andincrease of insularity for application to cable sheath can be solved respectively by gravitational separation and by addition of functional filler. In the case of wasted cable R-PVC, lead stabilizer can beremoved with combined treatments for application to cable sheath.

Key Wordsn
ビニループプロセス
ポリビニルリ サ イ ク ル

14

Vinyloop process
PolyvinylchloridePVC
RecyclingソリューションVol. 1 No. 220052みビZ[の/0ならびにNビのf

まえがき
のビリサイクルのは

120

みビがされそのうちトンのすでにビおよびビ£¤<)については

30

トンがパイプにされているといわれているそのはや!"#みフィルムや$%ビなどのビニルハウスののをユーザ ¡を¢ぎながらdめている&'なビ()が*+であり,-の./01¥¦シートメーカホースメーカなど¡をえているまた

を§¨に©vWとのについてもªo«¬<pqセンターとの­®¯°のなかで

vWの±がえられている

の23やや45シートなどに67されるガ

²³ではNビのラス89や:のプラスチックとの;<()はとなるµ¶N)の)%·¸

することが=しいためそれらの>くは?め@てあにeするためのユーザ

るいはABCされているしかしながら?め@の»と¼+_な½¾¿1のTÀÁにつてもごみのDECFのGHIJをKえておいて²³するりまたL&ABではダイオキシンのMNやOのPQIJがMNするRSABOやガスTOのようなのマテリアルリサイクルプロセスとビニループプロセスのUVWABOやケミカルリサイクルではX

１にÂÃのビZ[のマテリアルリサイクみビZ

ルpqの·ÄとºJを»したビZ

[のリサイクルは\]のV^_`aによるマテリ[としてビÅÆÇÈがマテリアルリ

アルリサイクルbcにはdeしておらずfgな

サイクルされているがビは`aÆÉÊ1あhiがjまれているこのようなklmにおいて

るいはËÌにはÍおよびナゲット1

noがソルベイoよりpqrsしたビニループプロ.やビbÌのÎCをÏ´CÐした1やにされているまたÅÆÇÈもÑ[ÒÓ1ペみビZ[のをvWとすることからリ

レットTしてÔÕÅのÕにされているこサイクルwのxcのみならず[yの,zや{れらt]のマテリアルリサイクルはÖ×ソースは|IJの}~にもできるものとしている

U&なビ()が*+でありは,)ØÙ

がUYしてしまうしたがって

セスはt]の?@てC)をuむほとんどのnoは2006

めよりビニループプロセスに

Øあるいは()に

Tにおいて´¡ならびにµ¶¡を¹としたpqºJされるケースが>いビbÌのÑ¶×と¤<された;<×についてはÚ

にむことを~した

ÙでビをÑ¶×ともどもÛÜaした1すにるÝÞがされているもののほとんどはß=とよる

みビZ[のとNビの
２

６トンのWをもつプラントを!するためのをdめているがしてビなっている

などnのとしている*な１ÂÃマテリアルリサイクルpqの·Äおよびこれらのマテリアルリサイクルプロセスにして

¡

リサイクル
p
q

ビ ニ ル ー プ

ビリサイクルリサイクルビÅÆÇÈリサイクルみビ23ビ

ビ

23

ビÅÆÇぎÈ

ビâ
ªã«

85

70ªäりはåおよび5«50æ100ほぼ100

ビコンパウンドNç)
フレキシブルホース
トンネル5シート)%¡

ビコンパウンドビコンパウンドペレットªフラフグラッシュ ビコンパウンドペレット
NビÅ
ペレット«23ÔÕÅコア
ªコアÕ«)%eが

Vol. 1 No. 2ª2005£2«


¸
が

い
されている¸が.¡

àá{|ソリューションp²

にÃ

けsれのÑ[あり15ビニループプロセスはをもちいたみビ

opにqIPQさせRSする2RS8Oではlmさせたをrstuさせプロセスでありのにのがない２にすようでビおよび

する2

がにするのでがすること$ビの%&'(ができること

のでKLMxyの-.はz{のとおりである2

で!"#などをできる

プロセスの

|

ほとんどのビB
@し

など)*+

/0&のビとはなる,くの-.をし~もともとのに_まれていた!"や^のもビとともに

プ+をもちいた345の6789であるソルベイ:

するため

フェラーラ89をす2;:では<に=>から?

をできる2$を&@したAのBプラスチックからのビをCDEFしているが すでにトンネルGHシー
ト

ガーデンホースインナーチューブなど,くのに6Iされている2１に=>をJにKプ

からビのみを&マテリアルリサイクルを6}できる2RSされたビはすることが!1である2１はビニルーを8Oでvw

する9Bに!"やのビRS]`8Oにおいて

にじて!"やなどをして%&'(すロセスのLMフローをす2KプロセスはNLM
8O

8O &@8O そしてPQ#R
S8Oの４つの8Oから%りTっている2NLM8
Oでは

=>UVWをX>LM

さらにはYZな/きさに[\LMする28Oではビ]!"
^を_む`をabcにするをもちいビのみをさせてポリエチレンdefなどにgなそのh%&と&@する2PQ8O
ではにしたビiからスチーム#ス

トリッピングjkによりをlmさせ

ビをn

１

ソルベイ:フェラーラ89ビニルー
ププラント








'()*+,




'(
'/0









$
#-









.

!"#

１

ビニループプロセスフロー

２

ビニループプロセスと)*のマテリアルリサイクルxyの





ビ

ニ

ル

ー

プ

%&

+

)

*

 り  い  oがのためpのが/きいためやや



,い
¡`



 ない

のバラツキ にビおよびがにするため
$の'(

16

プロセスの

でをれ¥¦などを'(!1

が,いと

+
なケースあり$を¢£せざるを¤ない9Bがある

Wのバラツキがそのままg$のバラツキとなるために§¨なLMのみ!1

wソリューションx

Vol. 1 No. 2]20052`

VプラスチックガラスWXYZなど[\ることもである

ビはバージン

とくらべ

に



のUV

れたまたbのcd

もバージン

j:はやkl

e6fghかさi

がなくまたやのゲルとほぼじあるいはするをすことから!と"な#$%をもちいて&'がである

のによってmn[なるものの&'するoのBおよび#dbのはpqVおよびrstVをuつバージンビとないことをOPした

これまでに(プロセスをもちいて)*+,した'.みビ/01とそれらの)*2のビお

よび345

6789

<=>?0

@ABCD:を３にす;ビEFシートなどのG

H/ビのIプラスチックサッシフレームJKビのおよびのためのとビのbHv

４に;ビ;ビと@AwVbそして0<=かLぎMなどNH/ビも)*できることをOP.みら9したbのbH eおよびxyであるQRのようにSTな0ビのみならずUz３-'.みビ/01

ビ/01

§

]と

についても^'_`がaきいことがOPさ





b

ビ

{|においてビのの)*+,のp¼

]

;

をす

を}tするqV

を~した-'.み;ビは-'に345

なくqVはPめられないことそしてをKkしバージンビとptVでしたCV

@ABCD

ない

をす

ることを|した9は#dによる#dBの~および\'に^'するためのbH%のをおこなった２は;ビ½ Q E Fシート

¾¿'ワイヤーハーネス

0

<

=
２

４

;ビからのビの SEM ÀÁ

\ビのx(v§+ , ¡ ¢

i

かさi
©ªf
«
e F
¬­4®
¯°
q V 

£¤

+,¥¦
3

Kg/m JIS K7112
²
Kg/m3
²
m
JIS K7251
±
GC %
ppm
GC %
±
JIS K6720²

N
ShoreA JIS K6253´µ¶
MPa JIS K6723±
JIS K6723
xy ·¸¹び 6º200 »: h²
6コンゴーレッドh
JIS K6723+,º180 »:Vol. 1 No. 2620052:

;

ビ

]

;ビ@AwVb

0 < =バージンビ6;ビtV:

75¨25

50¨50

1.30
0.57
390
³0.1
³1.0
31
1 300

1.30
0.64
350
0.13
³1.0
25
1 200

1.42
0.63
²
²
³1.0
24
1 100

1.31
0.67
350
²
²
27
1 200

²
0.51
140
³0.1
²
²
1 300

84
23
320
13

86
20
248
26

85
14
220
38

91
22
293

88
20
344

4

²

²

ソリューション

|

²
2.5

²
4

17

SEM

を+す7ビから8)したビはバージンによるであるはにからのビ１のビにくらべて9:トルク;がさくゲル1も

やや<いが=>の?@AでBC?@"Dなレベル

よりえられたビとしておりの!である２はビに"#$を%&した'の"#$()*を+すがとくに,きな-であることをE/したF

7ビGHIJK.は/められていないさらには３に&0'

４に7ビGHIJKの GPC によるCL

のゲル12をバージンビと3456した

を+すMNのOは7ビが1 300HIが800でありJPによってえられるビのC*CQはRなるもののいずれもSTU?









でありJPにVじてWX;にYいOを+すZえば7ビとHIを１[１でJすると












O\1 100のビをえることが"DであるJKのA]^は４に+すようにJPに_>し7ビPが,きいものほど^は`くTa0bcはHIのPが,きいものほどbcにdれることをE/したこのefはghijのhbc$がほとんどklせずにm



２














nしていたものとocしている

pqrstjqrstjより8)したビをもちいてビの"#$()|O

JISK6723にuづいて56したを５に+す









 






















４








7ビビのゲル12５tqからのビのqrsシース}~にuづく56



































7ビGHIJKの GPC CL

３



 

}~

tqビ

2


O
 び 

Mpa


JIS K6723

19.8
257

 11.8
200




&01
100 120 h

Om
びm




JIS K6723

97
91

90
70




h


JIS K6723
JIS K6723

4
17

 2
15




cm
cm

JIS K6723

1.01013
1.41011










JIS K6723

92
92

85
75







JIS K7112
JIS K6253

1.39
96







0bc コンゴーレッド@180 
1O
!

30 
60 

  
70 4 h

Om
びm

3

18


O

vwxyソリューションz{}~

Vol. 1 No. 2

c

2005G2６*ビビのユーザ¼½¾¿

ビ

%$

½



£

¾





¼ ½

_ICにÉれる

とくに\し

Ó



`

"ÇmにÉれCmにも%
­なレベルi4の9:Ó

すそÔりシートÆ*ビグラッシュとBCおよび"ÇyÒ¼½

Æ"とくらべてÕ3なし

とくに\し

Ó

ビ Ö×ガスケットバージン¤¥と`©Ø'で¦Ù_IC¼½

i4がく9Ú¦Ùµ,kÛ
れがÜこる

i4の9:

Ý

Þ ; ß

バージン¤¥にà10 á^_し¦Ù_ICおよび4C¼½

4Cおよび/âがÉれる

とくに\し

Ó

エプロン

バージン¤¥に30 á^_し¦Ù_ICおよび"Ç¼½¦ÙC"Çともにãないレ
ベル

とくに\し

Ó

ä

バージン¤¥にæçá^_し¦Ù_ICおよび"Ç¼½

`

とくに\し

Ó

5}-8

å





いずれのもをたしておりしたビは

から

をT

として

できることをした３!の"を#UVIJに?したためi4Yがくi4tuIJにきながかかっていた
このを:することでtuCがDすることと

¿

ÐÑの*ビグラッシュ"とyÒ
¼½

+

*

¼

ができたためZはナゲットnFとので$に%する&'のおよびを()にまとめた
*ビからの"については+%なyzGHをしていくのへのリサイクルを,-.など/

していくなかでくの}M9~メーカー

0."に%する1の23456や78の9:ならがのDをしていることがしたこ

びに

<=イ

にする&'の;や#れは

してコストをリサイクルオンの>?による@ABCDがであるEFを)げてきたメーカーにはきな¡¢になる

についてはEGHIJであるKLMNOMPQM

ビニループ£はビ¤¥¦tをU§にUVあるいはR;の#IJのSTしにより6や7のUVIJへの¨©tªさせることのできるプロセスであり«¬§WちXみYを9:できるまたZFについては

のをtuすることも­でありソルベイ®では

B[\]フィラーの^_によりバージンビと`a

すでにtuの¯°±²を³えており´を

レベルまでbcできることをしているするµ¶にきている·¸でのの¹きをº»についてはポリエチレンをdeとするそのfプラスチックやgやhYの<=などのi4Yの9:がjkのであるlをするm

しユーザニーズにタイムリーにえていきたいへのBC¼½¾¿をもとにビの#$

でナゲットGHをしているナゲットnFではoへの%についてユーザのoをÀぎながらをのようなビをpqrにsんだはlをtu

Áめている６にしたZに

ビのユーザによる¼½¾¿の©ÃをÄす

をvwMxwyztuGHしてlÂみ*ビからしたÂ

のqrをさらにpめたものをリサイクルに{|しみ*ビからのビについてはくのユーザよているが}M9~をナゲットGHしたZのりÅ­との¼½をえたとくにÆリサイクルの.tはvwMxwyztuGHではリサ
イクル

がえられないためGHのままめてされているのビニループGHではこのGHのVol. 1 No. 252005Ê28

されているグラッシュ"にくらべて"Çや4CのÈでÉれているとのpい¼½をえているまたからしたビをËÌÍÎソリューションÏ

へのを
19

７

からの4ビのシースへの!

JIS C3605600V EV ビニルシース







コンパウンド- .

4ビ A4ビ B

IGV9929Ql
び100 モジュラス

Mpa

MPa

10
120


18.1
288
11.5

20.9
310
11.7

23.1
306
13.6

59
100 48_

l
び
100 モジュラス





85
80


110
113
102

97
107
103

98
100
106


IRM-902
70 ４_lび
100 モジュラス





80
60


106
97
111

84
98
112

100
97
115

5A  120 １_

9l
F50
5 ¡
120 5N30 min

ヒビQワレ¢きこと
£¤15
£¤15
£50

)¥なし
OK
¤27
9.0

)¥なし
OK
¤30
9.7

)¥なし
OK
¤40
7.3

したを７にすを

し







XYZ

としては[\み]ビを^_１`３>トを JISC3605EV ビニルシースにてしたンab6Iからのc

そのにすようにからのはす



べての

をたし

に!"#であることを$めて%&した'(について
も)*の+,により-.

と/0な1がえらZが/３>トン[\みが/８>トンそのd２>トンでこれらから4ビとして^_１`８>トンをef

するghである;^３iに6IJKにjkし2006^lmめには

n=をopするTDである

れることを%&した234ビの56についてユーザのを7ぎながら89を:す

む

す

び

;<=は>?@のABCエコタウン:DEF
GH-を6IJKLMEとしNOPQ>?@からエコタウンMRをSけるTDであるUVなW

20
１qrstuvwxyNOソリューションz{Vol|112004
２ tuvwqrs3}~と6<２i2005

xyNOソリューションz{

Vol. 1 No. 220052

PCB 汚染物等のプラズマ溶融分解技術
Plasma Melting Technology of
PCB-contaminated Wastes
fg"hプロセスfghij(klmnJShigeyoshi Tagashirafg"hプロセスfghoWプロセスkpqr
Masamitsu Takahashios"tuv
プラントwxGh PCB Eyzy{|lr
Mitsuya Murata}os"tuv
プラントwxGhソリューションxGセンター~lMorihiro Osadaが

くにな PCB のとしてプラズマをここにする!"はプラズマを#$としたプラズマ%に PCB &'()を*+しプラズマ
アークおよびスラグ,の-./0により/1よく PCB &'()を23ごとできるである!45の6789にてPCB &'()を:;<=>?で@AB+した@A89とそれぞれ
CDでB+したCD89を6Eした!これによりしたFGができること23Hごとプラズ
マがIJなことスラグがKLでリサイクルがIJな

MであることがNOできた!

またプラズマ%からPQされるスラグバグフィルタRS(およびPTUのダイオキ
シンVおよび PCB がWXYをZ5ることをNOした!これらよりプラズマは
[\が]くかつ^G_の PCB &'を`abにcえることができる:なであることがわかった!
Plasma Melting Technology, as the thermal destruction method of PCBspolychlorinated biphenyl
that are highly toxic and chemically stable, enables effective melting of PCB-contaminated wastes
together with their container drums at one time by using plasma arc and molten slag bath in theplasma melting furnace with plasma heat source. Two sorts of verification test were executed; one wasa mixed treatment test, mixing PCB-contaminated wastes based on the average components of theirstockpile in Japan, and the other was a test treating waste without mixing. These results offered astable operation and discharge of homogeneous slag to be recyclable. And furthermore, the contents of
Dioxins and PCBs in the slag, fly ash and flue gas from plasma melting furnace were substantially lessthan the Japanese regulations. It is proved that the Plasma Melting Technology could not only treat
various PCB-contaminated wastes but also minimize the PCB contamination on environment and field
workers.

Key Wordsd
PCBポリeビフェニル
PCB & ' ( )プラズマ
ダイオキシンV
Vol. 1 No. 220052

PCBPolychlorinated Biphenyl
PCB-contaminated Wastes
Plasma Melting Technology
DXNs

ソリューション21

>¨をde.>©@deª.>?

まえがき
PCBポリビフェニルはでがしている+２

いくでしにくい

zPCB に¡づく PCB lmnのBNことなどのによりのトラン

および PCB *"7«の*"の¬け`のª5­®

をしかつがスやコンデンサのの!"

#$ノンカーボン%&'(な")に*"され¯2001,７15@°を１に±す+３
１の [１]²トランス[２]²コンデンサ[３] ³²トランス[４] ³²コンデンサおよび

てきた+しかし1968,のカネミ-./により PCB の[７] PCB[８] PCB を´むはdeª.

0が1234し1972,には56の PCB の7>?がª5にトランスコンデンサの¥µ[8が9:となった+;<=>?@A?カGH£を¶£してk·までに PCB GHをM

EF!GHをする$¸を¦えつつある+¥µ[GH£ではおこなったがそれIJはGHにKらず*"がL

PCB が¹ºした»などは PCB を¼½¾しMしたPCBはBNがOPづけられた+¿Àされたl PCBDはGHでする

ネカBのCD PCB5 500 tは

１

PCB はしにくいことからQ9やRSをことで PCB をÁÂする+

TUしVけWXYなど PCB を*"していないZ

１の [５] ÃhトランスはÄÅ21がBN

[の\(の]^からも PCB が_`されるなどのZ*"していることよりÆ1GHのÇÈでGHの®

abcのdefgが34になっているなかこの30

Éがしている+ただしÊき`したl PCB ,IhにもiぶjkBNでの PCB lmnのop

のËÌは¥µ[GH£でGHする+４q`によるdefgがrsされるDtとなっている+わがの のµ[GH£でGH[９] Ï²ÐÑ%[10] ウエ

PCB &によるZadefgを5uにvwしてlxyをおこなうためz{|１の{りの[６] １Í３Îは¥ス[11] fÒ[12] そのÓ&およびそれfgn}

らをBNしていたピット»&の PCB fgn&に~するストックホルムPOPs が

はGHでは PCB GHがÔÕであったりされ

5が50カ5にしたことから2004,５

にがした+Ö×にØになることがある+またGHのÙÚでÛする PCB ÜÝfgn&のGHもÞもこれをしており2001,７にzポリ

いGH

なßµ

Åがàまれる+ビフェニルlmnのなGHのに~する

このようなáâのなかでGHとはのÇIzPCB というとして
zプラズマãäåæをç7
?

がされ2016,までに PCB GHをMすることしたのでここにする+とがめられるとともに9>のGH"yのためのzポリビフェニルlmnGH¡¢が£¤された+また¥なGH£¦§GH.

プラズマåæはプラズマをとしたプラズマãäに PCB fgn&をÀしプラズマアークお１

PCB lmnのBNDtおよび PCB *"7«*"Dtの­®¯
7«の

B N 

* " 

[１]
²トランス
[２]
²コンデンサ[３] ³²トランス[４] ³²コンデンサ[５] Ãhトランス[６] 
[７] PCB[８] PCB を´む[９] Ï²ÐÑ%[10] ウエス[11] fÒ
[12] そのÓの&

16 496
220 345
30 412
1 146 383
1 713 291
4 170 83912 955 t
142 261 t
679 t
215 t
17 698 t
199 873

1 689
30 502
616
17 510
1 967 000
868 256
55 kg
3 kg



42 067

22

よびãäスラグの¯によりよく PCB
fgn&をドラムごとãäできるåæである+
PCB fgn&を¿したドラムはプラズマãäにÀされる+ドラムhÌの PCB f
gn&はプラズマをしãäする+ドラムÌの PCB fgn&はãäスラグにかり1 400 IhのEによりãäする+

ãäがみドラムがãäしたにおいては
スラグよりの いfÒコンクリートウエスÏ²ÐÑ%&はãäスラグにするので
プラズマのによりãäする+スラグよりのいはみãäスラグのEによりãäする+deソリューションåVol. 1 No. 220052プラズマのを１に

 

す

 フロー
２に

フローを

をtuとする

すはドラムにされプラズ

PCBマにされる

vwのxyzは{Bのとおりである
１cノントランスファープラズマトーチの|}にプラズマへのはドラムのままより~いR%の.に.し`をおこないドラムごとをおこなうが45である
２cPCB のR5がくすぐれた(Rをしているプラズマへされたドラムはプラズマアークおよびスラグsによる

カメラで!"しながらプラズマトーチを#$してをおこなう

ハン

３cドラムごとが45で１に%ドリング-の

をXできる&を す ドラム１ごと'(にした)

４cがに7である*のドラムをするのでに PCB

５cスラグjkはで`である

が+,されることなくトラブル-の./が01６c*

がしない'のである

であると2-に!3なが45となる
プラズマでPCB や46はCO2

H2O まで'(にされ76はスラグと

PCB



Vの3のために3

なる
89は:;<で200 =まで>?@により;AをBげ バグフィルタでCDEをFきGみ HClSOx をHIする

JKL/<でアンモニアをFきGみNOx をHIする

89MのダイオキシンN

はバグフィルタでOPQRSをFきGみTUH
IするとともにJKL/<のJKによりHIする89VのセーフティネットとしてQ

RSWをX)YにZするスラグはプラズマから[い\し]^_`aPCB がbまれていないことを!"cdeの!")fに8\しリサイクルもしくはXgする

バグフィルタでhiしたjkも１プラズマの]^_`deの!")lmn\opのqrをおこないfに\しXgする






#



&'()

$%



&'()
* +,-



!"

./0)

１

%&

Vol. 1 No. 2a20052c

２

フロー

ソリューションv

23

をした3の/をおこない    した４*#12したabでプラズマYZ[\cの

は

１t/d

である

^_.#`にペール3を/

にdまったスラグをefしのを２にす

gる４*#を

その+$hに12した    

[\YZiのjWは1 400 k^lとし

はそれぞれの PCB をからemがnoにpfしないように

で

したとそれぞれでqをr:となるようstした

したの２ケースについてした
は!５"#$%&'でしたは それぞれ１"ずつしたは２ ３のとお

す




YZijW

emと\c:qのv*wxのHyzとして３にの RUN4の{|をす８*#に}る12~

りである

[\c:

にもちいた PCB を３u６に()10*から(+６*までの８*#,-した８*#あたりの PCB ./は12

YZijWは1 400 k

0は 12でのドラム3を 4した20リッ
トル56のペール3に7めたこのとき

１D

Eでペール3にしたPCB .をしているコンクリート5AならびにFG5AのHI
JKのコンクリートブロックならびにFG

ペレットLプラスチックMをし12NO

4したまた

ではそれぞれに@>A

;<=

8

なお

このP

Ekg

RUN1 RUN2 RUN3 RUN4 RUN5
@
>
A
96
96
96
96
96
9:;<=
4.5
4.3
4.3
4.4
4.3
ウ
エ
ス
1.3
1.3
1.3
1.3
1.3

8
116
116
116
116 116
コンクリートブロック 67
68
68
64
65
プラスチック
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
ペ ー ル 3
32
32
32
32
32


9:

ウエスをペール3に7めた

３

319

320

320

@ > A
9:;<=

8
ウ エ ス
ペール3

２

の３

PCB り@>A

RUN3

RUN4

315
140
208
18

52

56

130
52
























３

４

RUN2









 つプラズマYZ[\へ/した()10*に]%

318

Ekg

RUN1

PCB .はされたペール3ごと１3ず

317

をおこなったPCB.のと/

スラグQRをSTするためのUV

WSTXをした

24

?



を

をおこなったPCB.のと/

9:;<=は>を?しな

ウエス

がらペール3にした@>AはBCせず

として

２



では8

















 



 



 



 



 



 

 





~のYZijW*wxLRUN4M

PCB り9:;<= ５

PCB 8

ソリューション

em

６

\c:qのv

PCB ウエス

Vol. 1 No. 2L2005 2M

?@の PCB 

４

RUN1

RUN2

RUN3

RUN4

RUN5

K> PCB 89

#$L
PCB !"

kg/8h


319
1.3

320
1.3

320
1.3

317
1.3

318
1.3

スラグ

N O L
PCB !"

kg/h
mg/kg

30.25
0.00002727.75
0.000023

29.75
0.000025

39.25
0.0001928.5
0.0000072

No.1 バグフィルタ

N O L
PCB !"

kg/h
mg/kg

9.68
0.000168.32
0.000044

9.13
0.0000043

7.50
0.000197.34
0.0000049

No.2 バグフィルタ

N O L
PCB !"

kg/h
mg/kg

11.41
0.000069

8.88
0.000049

9.68
0.000017

8.13
0.00020

7.49
N.D.

PQRSTMUVガスL
PCB !"

m3N/h
g /m3N

1 790
0.0051

1 860
0.00381 790
0.0016

1 780
0.019

1 820
0.0016

M

PCB 
５



99.999998 99.999998 99.999999 99.999991 99.999999

WXの PCB 
RUN1
Y

RUN2
Z[\]

RUN3
8 ^

RUN4
ウエス

K> PCB 89

#$L
PCB !"

kg/8h


333
1.5

196
0.65

260
27

182
21

スラグ

N O L
PCB !"

kg/h
mg/kg

63
N.D.

5.5
0.0000028

5.8
0.000017

3.8
0.0000092

No.1 バグフィルタ

N O L
PCB !"

kg/h
mg/kg

5.7
0.00089

6.1
0.00715.5
0.000747.5
0.0025No.2 バグフィルタ

N O L
PCB !"

kg/h
mg/kg

5.2
0.00018

6.2
0.000955.3
0.00135.8
0.0082PQRSTMUVガスL
PCB !"

m3N/h
g /m3N

1 450
0.019

1 640
0.023

1 620
0.012

1 700
0.024



99.9999944

99.999945

99.99999965

99.9999978

RUN1

RUN2

RUN3

RUN4

RUN5

0
0.000031
0.00000020
0.0002900.00000018
0.00000016
0.0000061

0000.0000056

0.00000071
0.0000011
0.00000079
0.00460000.0000043

M

PCB 
６?@のダイオキシンB

スラグ
No.1 バグフィルタNo.2 バグフィルタ
PQSTRMU
７

ng-TEQ/gng-TEQ/gng-TEQ/gng-TEQ/m3N

WXのダイオキシンB

スラグ
ng-TEQ/g
No.1 バグフィルタ ng-TEQ/g
No.2 バグフィルタ ng-TEQ/g
PQSTRMU
ng-TEQ/m3N

はが
がわかる

この

して

RUN1
Y

RUN2
Z[\]

RUN3
8 ^

RUN4
ウエス

0
0.00360.00190.041

00.00380.00000072
0.044

0
0.10
0.016
0.00023

0
0.068
0.093
0.068

たれていること

はすべてのにおいてである
PCB は すべての RUN において

99.9999 を'(-スラグ.0.01 mg/kg150 g /m N/を01った
3

この23より プラズマ45#$67でPCB を４５に PCB とともに
する

()*+,

した

またスラグ

のすべてについてPCB !"は#$%&'

Vol. 1 No. 2)2005E2/

PCB 89:が;に#$できることが<でき=>した PCB 89:をそのまま?@などのA#$なしに#$できることが<できた
ダイオキシンBのC23を６７にDす

FGHIソリューション6Jス
25

ラグバグフィルタおよびにまれるダスラグ

イオキシンはすべて

３ng-TEQ/g0.1 ng-TEQ/m N をってい3る
これよりプラズマで PCB を
にできることが!"できたプラズマ#から$されたスラグを
７に%す&'()*+のため,-./0した12のものであるがけ3りなどなく45な
61であることがわかる
またスラグ7の8はそのほとんどがプラズ
マにより9されスラグと:;8の<は=られない>スラグとしてリサイクルが?@である

む

す

７

,-./0したスラグびAのBC(DにてPCB EFGをHIJしたBC(DでありB

にけたなデータ>KでLMNOしたLM(DとそれぞれPQでNがOできたものとえるこのをもちいてOしたPQ(DをBRしたこれによりSTした

PCB をUVができることドラムWごとプラズマていきたい

が?@なことスラグが4Xでリサイクルが?
@な61であることが!"できたまたプラズマ
#から$されるスラグバグフィルタ
および7のダイオキシンおよび PCBがYZをることを!"したこれらよりプ

ラズマは[\の]'^_が`aにbくかつcVdの PCB EFをefgにhえることができるSなであることがわかった
iについてはjkVlmnVop
jqの PCB Grstuvdwによる
xyをz{しているAのtuはPCB EFGの|}を~T26

させることでIにし
１ホームページPCBとは
http://www.env.go.jp/recycle/poly/trans/ref̲pcb.pdf
２パンフレットポリ ビフェニルPCB
lmの]なにけて 2004
http://www.env.go.jp/recycle/poly/pcb-pamph/３ lmリサイクル[ )PCBに づく PCB lmのIJGの$のH
 ¡について200210¢
http://www.env.go.jp/recycle/poly/hokan/ref01.html
４£iSnV¤
ホームページポリ ビフェニルlmnV i¥
http://www.jesconet.co.jp/p-htm/jigyokihonkeikaku-honbun.pdf¦§ソリューション¨Vol. 1 No. 22005©2ガス化溶融施設の連続安定運転
Stable Operation of MSW Gasification and Melting Plant

yZ[プラントy
Yoshikazu Sato?0yプロセス?0yR`

¡¢
Hiroyuki Hosoda

ごみのガスは1990に£をむ20をえるくのによりそののをえijでは(kで50をえるlおよびmnoをpするqrsのスタンダード
tuのひとつにvwしたでは2000

10xの4y,z{|センターの}~にまりqまでに７をし５を}~している}~のなかで
ンターにおいては97というwAmnをvしまたであるクリーンセ

:32472003

8と280をきく,SるmnoをえているThe development of MSW gasification and melting technique was started by over twenty companies
including our company in the later half of the 1990s. MSW gasification and melting plant has grown
up to a standard type after construction of over fifty plants in Japan. Our company has accepted sevenorders and completed five plants including Chubu-kamikita plant in October 2000. Ishinomaki plant,
largest in scale, has been successful in achieving continuous operation of 97 days, resulting in annual
operation days of 324 in 2003.

Key Words  R ` 
  ご みガ ス   
  T ダイオキシンD/\H
ス ラ グ  

Waste treatment
Municipal solid waste7MSW8
Gasification and melting
Utility Balance
Total dioxins emission
Effective utilization of slag

まえがきにより+<の=>が?0ごみのガスは1990に

C-.)によるダイオキシンDの01EF=>

をむ20をえるくのによりそののをえたはの!"にくらべおよび5によるGHIJK7スラグ8
L

ガスMNにおける#.)によるOやアルミてごみをより#い$%&で'()することで1 300 *+,の-./ガスを01させごみ

と@よりABされてきた

などのPQRSTおよび56のUPQVごみの)WのSTXY,

23に/ガス4の56を7スラグ8するといCによりZ[4へのダイオキシンDの/\]G=

うものである79:;"およびキルン"8

>と5のスラグによる^_`6abcdGおよVol. 1 No. 272005e28

fgZ[ソリューションh27

びがされにより
を

で

などの

によるにともな

う CO2 がされくの

Rおよび]^)*をえるIJをす$ガスのガス12はメーカSのAがあり

!に"#するものである$また%&'()*によキルンシャフトに:されさらにる+ガスの%は,-のコンパクトをしガスとばれるものもある$はこのなか./012の345,-とすることで67,-にく

でもっともメーカがいガス12

らべその8-9は:;にされごみ<=>?ををしている$ガス12Aはの@うABC4のD?E@のにも"#している$Aにくらべ,-がシンプルでコンパクトにでFGHIJはKLMをNてOPで50をQえる

きるH4にがなく¡3の¢£にも8-および)*RをSするFTUのスタンダード¤ガスの¥¦が§こりにくい

VWのひとつにXYしZは,-[\の]^_0

でありªな[«を¬­としない®

]O_0]`_といったabごみ<=IJとしての±およびアルミ が²³で´µされるといったcdをeうLMにfった$ªYをSする$スラグ¨©がkl
１¯°

abごみ<=IJのcdのghijとしてkl)

の:5¶f,-である·クリーンセ*Gmno)*Gmがpげられるがこれはq^ンターの¸¹およびフローシートを１２にrの<=stuのvfやwなどのBxyrzによる)*{|に}する,-の~_をよくすためである$
にのy:5であるクリーンセ

ンターの)*データを`にガス12,-の














kl¨©

１

２
28

１

ガス12,-の¸¹

ガス12,-のフローシートº»ソリューションI¼

Vol. 1 No. 2®2005½2¯

すはプラットホームやごみピットの




ガス

ガス  ボイラータービン


の



これらのはすでにH5IJをKLしておりで

MNまでOPにをQけているRでのごみ

される

HSを


のおよび

TしたごみをUVしてWXしている ののを１４にすガスはガス!"#&'にて()*

をえる との
Yにで$%であると+,のあるでは３６にすこのようにどのも>Zが30 t/d [\と]>Zの^_`のaがbきいことからcadモデルef?gをもちガス-よりされる./ガレキの()*0を12るは;<=

するプロセスを45して*>?@がAしいでありこ

れにB9するものであるまたダイオキシン0のC
DのEFもGっている'qrstuセンターの

２

j

y

130 t/dh65 t/24 hz２{j|}ごみ ~)bごみ
ピットアンドクレーンガス !"#
ボイラh1 300 kwj!ガスwx.
み!２ バグフィルタ!6789:
.¡¢£クリーンセンターの  > Z  B v *

ガス

ガスwx
ガス
y

230 t/dh115 t/24 hz２{j~)ごみ¤¥¦T~)ごみ
ピットアンドクレーンガス !"#h()*j
ボイラh2 600 kwj!ガスwx.
み!２ バグフィルタ!6789:


Vol. 1 No. 2h2005i2j

klmnソリューションop 
 
 














Uクリーンセンターの  > Z  B v *

ガス

ガスwx
ガス

４

60 t/dh30 t/24 hz２{j|}ごみ
ピットアンドクレーンガス !"#h()*#!ガスwx. み!バグフィルタ

  HSh'qrsj

３mnセンターの  > Z  B v *

ガス

ガスwx
ガス
y

３



60 t/dh30 t/24 hz２{j|}~)ごみ ~)bごみ hしj
ピットアンドクレーンガス !"#
ボイラ!ガスwx. み!バグフィルタ



  > Z  B v *

ガス

ガスwx
ガス
y











  

















HShj４

１















  で6789:の+,のあ

へ3しているまたガス
















          HShUj

５






して
















６











  

















HSh.¡j
29








 



















 

































  

11
























ごみ#f

01%&23.'/4567%&.'/







%& .'/

89:;+,%&.'/







89+,23%&.'/





















 .
/







%&'(トレンド
 !" 
()*+, #$ - %& '




















13



 %&'

 !" 
 #$



12









 








)*+,トレンド

また2003７27には

によりいった

ん

52の

しているが

１

24

２

のみでごみをしているまたごみ
とごみを11にす２１１と!"な#$をしている 

データ

14

ごみ t あたりのPQC

こない;<=>?を@AしているまたEは２

F174 kWh/ごみ t とGいHIとなったJKは

12に%&'( 13に)*+,トレンドをす

プラントBCDEは147 kWh/ごみ t

LMNOBCDEは27 kWh/ごみ t である ごみ t-.したであることを/0できる

あたりのPQCを14にす






123については-45を67してバーナのミニ
マム8である20 L/h9４L/ごみ t:でのをおVol. 1 No. 292005`2:

BCD





RSTUVW2X>?なしのYZで[\]は5.4 ^[_\]は1.2 ^であった

abUcソリューションde

31

６



ダイオキシン

RUN1
cg -TEQ/ごみ te

cng-TEQ/m3Ne
cng-TEQ/ge


ガ

ス

ス ラ グ

&'
¡¢£
¤
７

0.045

１e0.0033
２e0.0078

0.034

0.000099
0.00160.093
0.00560.0032
0.031
1.2
0.042

0.000050
0.00098
0.026
0.011

0.0016
0.019
0.37
0.11

f

1.3

0.53

ガスの¸O2 12 ¹º»

９
１



２

±0.00131
528
70.0069

g/m N
ppm
ppm
ppm
ppm
ng-TEQ/m3N

¥¦



&12

mg/L
mg/L
mg/L
mg/L
mg/L
mg/L

±0.001±0.001±0.02±0.001±0.0005±0.001

±0.01
±0.01
±0.05
±0.01
±0.0005
±0.01



+,12

mg/kg
mg/kg
mg/kg
mg/kg
mg/kg
mg/kg
mg/kg
mg/kg
mg/kg

±5
±6
±1
±1.3
±0.01
±0.5
±1
±114
±35.1

±150
±150
±250
±150
±15
±150
±50
±4 000±4 00010 /0-.
- . ¨ ©

 Æ 

- . ½ !

ふるいÈÉÊË
100 ¹
91.43 ¹Ìh
0.79 ¹

5.0
2.5
0.075

Í¼Î
Ï ¯ Ë
) * B

2.763 g/cm3
0.96 ¹0.09 ¹

むからされるのダイオキシン
ダイオキシン

ふるいのÇ!

 ダイオキシンす¥¦¸+,-.½!は¾¿+,ÀÁにÂるÃ#½!cd^
15_uÄÅ
19eに#める½!による¸&-.½!は¾¿のÓÔにÂるu12についてcd^３_uÕÅ46eに#める½!による

を６に

©

カドミウム
ª
«¬クロム
­ ®
¯°
セレン
シアン
フッ®
ホウ®

¼ガス12



カドミウム
ª
«¬クロム
­ ®
¯°
セレン



±0.00122
527
70.0074()*&-.©

()*+,-.

¨

2003_１§12U

¦
3

ばいじん
¡J¯®
²³´J
µ®´J
¶´J·®
ダイオキシン¨cg -TEQ/ごみ te

cng-TEQ/m3Ne
cng-TEQ/ge

１e0.0069
２e0.0074

¥

８

RUN2

す

JIS A 1102

100 ¹
85100 ¹
010 ¹2.45 g/cm3Ìh
JIS A 1109
3.0 ¹ÌÐJIS A 1109
1.0 ¹ÌÐJIS A 5011 Ñ*Ò２

び

FGごみのHIにガスJ&'をKAし

は0.531.3

のなかでNOPであるQRSTクリーンセンター

g -TEQ/ごみ t とくえられているにおいて 

た_V`aUb324Ucd^15_

ガスのガスを７にれもをしており

すいず

とくにダイオキシン

は!"で#められた0.1 ng-TEQ/m3N の10の１であ
3

オキシン

 スラグ

きたい

す(/0-.を10に

ともに12をしており34なスラグがえられていることがわかる

スラグは56789:に;,<にて=>られ ,?@Aされている BC
アルミもDEに,<>=され ,?@Aされている
32

まeとffgU
またダイ

は0.531.3 g -TEQ/ごみ t とくえられることをlmしたのr$%した&'スラグの()*&を８

97UVというWXYZ[\を]^し

b280UをNきくhiる[\jkをえたる0.01 ng-TEQ/m N をクリアしている)*+,-.を９

LM

をsめて

noもさらなるpq

tuO:9へのvw

をsめてゆ


１exyNz {|}~ほか ガスJ&'プラントにおけるシステムの 23i;$
9 p.228
２exyNz ほか ガスJ&'プラントにおけるaシステムの$9EICA ７R
２ p.79uソリューションp

Vol. 1 No. 2c20052e

ハイブリッド型膜ろ過設備の納入実績(岡山県吉備中央町竹谷浄水場)
Hybrid Water Purification Plant―Combined System of Upflow Bio Contact Filter
and Membrane Filtration―¡¢

¤¥
Mizuki Fujimoto¦§¨
Hironobu Nishio

£

[
©

menopz{14 400zのEはダムをDとしている!ダムにNまれるGH*
J&を^のg[Jろにて0し&および#のれのある+,*,-ク
リプトスポリジウムをろにて0するためにそれぞれをfFわせたハイブリッドろ?eを#した!そのなをえたのでここにする!
Taking its source water from dam reservoir, a water purification plant of a hybrid membrane filtration
system has been satisfactorily serving for a population of 14 400 with quality water. The system is acombination of upflow bio-contact filters and dead-end MF membrane filtration. The former can reduce
iron, manganese, color and organic matters contained in the raw water, while the latter is efficient inremoving Cryptosporidium from source water.

Key Wordsg[Jろろ
クリプトスポリジウム

Upflow bio-contact filter
Membrane filtration
Cryptosporidium

まえがきによるRSのTUが,VとなりWXYのZ[も\]のプロセスのであった

できる!ろではこれらのGH*J&を0ろにわるとしてろできない!

MF ろUF をもちいたろ

そこでこれらのGH*J&を0するための^されている!にろを"#として_`a*bをcとした[Jをd1

することによりのろと$%して&や

しろ?eとfFわせたハイブリッドろ'()*のある+,*,-クリプトスポリジウムなgがhiとされる!

がjklmenopqr16s10tにuvpと1w

どを./に0できる!
1えてろは/2345のため678が9xpはFyしmenopとなったはz{|:であり;スペース<が=れ>?@AがBくな

14 400z}~|269 km2 のpであり

るというメリットもCする!

Eはにきな

ダムなどをDとするEFはGH*のCIJ

xがなくダムをDとしている!

GH*のKLGH*のマンガンアンモニア*M

ではEに2004s３tに#した)などをNむEFがある!さらにダムはOPQ<

g[JろをろMF の^

Vol. 1 No. 220052

ソリューション

33

としてんだハイブリッドろの１*+,-!"./ろ2の*+,-!"./ろ2は}MCDを~とせずおよびについてするハイブリッドろの

EF7のGH"Mやマンガン

はろMF のとしてKL"MなどのPQCDをおこなうものであるにする!"の#$%&'(を)(した*+をcなC}HtをGするろBとすることで,-!"./ろ0-を1(している
これは!"./ろ23のろ45678に!"を9:;<させ=>がろ?を@するA

アンモニア7NO*+,-!"./ろ0-のをGに6(できる*+,-!"./ろ2のを[に|す



*+,0-であるため=>をにろ4と./することでろBではCDできない./させることができるので

EF7のGH" EF7のIJ EF7のマンガンをiなくできる

KL"M*+,-!"./ろとろをRわせたハ
イブリッドろ0-は

STUをV(せずW

XはYZUとして[\]O^ナトリウムを_`するだけであるそのため aよりbcでおいしい>dをえることができmnであるというから

e!fghがiなくjklがをGするろの"o%にWXをV(しないこと
o%p>のqrがstでありとしてのqruをvめることがstである  
ろ

１にcwのフローを１に*+,-!".
/ろ2のxyとz{を|す

１
34

Jで

の

アンモニア7NOなどをPQCDする0

-である

また

い@>

１

*+,-!"./ろ2のxyおよびz{



~

x

y

%>h 900 m /d
- *+,-!"./ろ22 ２2
4M SUS304

B 1.2 mW1.2 mL5.0 mHろ? 5678?
 1.5 m@>,
15 m/hJ 10 1/h
o % 0 B L>o%o %   p>>oL>>@>o%o %  J １q２d3(o%>oフローソリューションVol. 1 No. 220052がないため
がとなる

がない

がなくい

にともなう
で

の

できるためができる

２にろ%のおよび+でき,-./*0がよい

１Jろ%のG
0.2 m の]ろ%gMF Jでありろ%は'ろ%である234の567を+することでろ8の9:;が<きくとれ,-の=>が?く,-.

vろ%のGをにWす

'6を

/*@をAめられる
B

をWすvろ%のはポリプロピレンの^4

!"であるため#$ろ%&'(を)*に1 ろ

したろ%システムである¡¢Mによる¢£6に¤んだであるため¥ろ8である567(がCDした,-により¦が§こりにくいさらに¥¦に¨する©ªE,するとFえられるため567としての*システムとして«#Mと#Mを¬し­®

@がGHにわたりHIできるの'¨¯を~している«#MとはモジューM

２JK,-#$ろ%Lの
NOダムよりP

したQ

はQ

ルのろ%°に±²³£Zg100 kPaJを´え

RSTにて２てµにおける³¶の·{を¸¹する

Lの,-#$ろ%LへRSされる,-#$ろ%L

ことによりの¥¦を©ªするである

UVを１にWす#Mとはろ%QしたQ[\]?^_よりL`へabRc

はZ



GH¹な

がおこなえるの6g¢£6Jにより³£Zg600

されdef+&ろ&g,-567&JのhにKでれるこのi,-#$ろ%L`のj{を{ºにより»¼½し¥¦を#wに©ªするMである

は,-#$ろ%LのXよりYするY

トラ

kPaJでの¾³Z[\をおこなっているこフにて./ をj しいったんQ Tにklする

の¿¶な-/[\ÀÁは[\yÂ6がれてお,-#$ろ%LはKですることによりろ&りGHにわたって¹した がおこなえる

である3m567を!nさせろ&のopをqr

また-/[\にÃÄをÅしないため[\

しつつ3m5679:にs,-を,tさせ,-.
/をおこなっている,-#$ろ%Lの[\はuvÇeÈ/がÉである

wに２xに１yのz{にてg１L|１xJ}~してg'!

なくÍたるÀËはポンプとZ³£ÀのみでJをおこないやCD,-のXを*あるÎÏのÎ:;が2さくなりÇeÈ/が0よく,-#$ろ%LのUへする１yの[
\

は２

である

Éである
1

なお１L[\は,-#$ろ%Lの./がRとなるためQ

ÐÑ6がれている'ろ%をしているためクロスフ

Tは,-#$ろ%Lが１

L[\であってもろ%はとしている

な２

ろ%およびØ１

がであるÁÊÀËがÌ»に[\[\

いる[\はZ[\Z[\

のyÆがである

K,-#$ろ%LUV

Vol. 1 No. 2g2005|2J

Ù







Ú
Û ろ%gMF J8 )ÀgポリプロピレンJ^
4 0.2 mÜ
m U³ÝÞ ６Ýg３Ýá２J
モジュールvÞ 60vg10v/ÝJ) *  : ; 900 m2g15 m2/モジュールJ ろ %  ß 1.0 m3 /m2 /dg\ 900 m3 /d に¨してJ
ろ %   'ろ%
- / [ \   ¾³Z[\- / [ \  à 57 min に１yÃ Ä [ \   eちâり[\ÒÓÔÕソリューションÖ×35

efghiによるモジュールのjkがlmされローろにくらべてがなく
がい

るそこでjkn7opとして２ろの
ろ!

はろ

ポンプにてろに"#されるろ$%を２に&す'はシステムをxしているろはyとしてz{|}~ソーダ-:へられる

６()で*+されているは,()の-.に/けたコントロール0にて12345をおこなっている６()のうち    ハイブリッドろ
３に

２(

)67しても89:3を100 ;<=>に?@でき

!

の





およびろ

ろ!
を&すにおいて
A:であるBCDEA:

がをえておマンガンもくんでいるり

BAポンプおよびDEFのGHCIDEは

のLk

るようになっている'ろのv4ろJwをおこなうのhiをtuするとにされたqrsにgT2ろによりやxrJ600 kPaをKしておこなっている60Lをろ

JTOC UV260などがhされており

モニア}などのもfqできるT2

A:の１サイクルとしており

１サイクルのな

かで57LMろ ３LM A:をおこなっている

A:をおこなってもNCはOPのQ

１YZ[A:をおこなう\]がある
にろはのを>としたもの

であり

VWX１WにとともにRSにTUするそのため'ろのZ[A:は



その

ろ!

がえられているにおいてはLにを'でなするがえられたこれらより

モジュールを^_!

がえられることがわかる ハイブリッドろち`りおこなうA:をaしているbにおいては cM67することもdえられ

さらにアン

の

２にのQO¡¢を&す£¤:_のは¥¦のは10§iで








































２

３

ろ/¯$%

２

のQO¡¢

と:のLk
°





pH
xrJTOC
UV260
およびその¢±
マンガンおよびその¢±マンガンアンモニア}
36



 


 


 






J
J
J²
Jmg/L
J²
Jmg/L
Jmg/L
Jmg/L
Jmg/L


5.4
24
7.5
1.2
0.032
0.250
0.039
0.001
0.02


ろ! 


!

4.9
16
7.3
1.0
0.025
0.236
0.031
0.001³
0.01³

0.1³
2
7.4
0.9
0.015
0.027
0.001³
0.001³
0.01³¨©ª«ソリューション¬­ろVol. 1 No. 2J2005®2






















  

４あるがのをうけ2060といったいろのをよりすろは２ともより７カ$%したがは&４kPaという'い(で)*してを+#している

このことは,-が./0におこなわれろ1および2
3451への 6の78が9ないことを している
４に:ろ;<の:をろにより'OHIし

6やPQRST

で"#をおこなったびCは2004D４$にEをしFGも)*したを+#している:ろではHIJKなLMN6は20052{

る
するだけでありダム

fにハイブリッドg:ろhをijしkより)Yでよりおいしいlをえられることがわかった
Chはm3noがpqでありの<rsyzされるA&７カ$B)*にできたVol. 1 No. 2

6がえられ

ろ;<によりXYにHIしZ[なtOなどのメリットもuくvAますますのwxがす:ろは=>?すべて:ろ@1.1 m3/m2/d

す:ろ;<の:

\]は^_`としてabSTcナトリウムをde!15 m/h で"#をおこなったむ



NのあるUVNVWクリプトスポリジウムなどを:

す

３に


 
 
    ろの

を


 



 
 

 










３
















１{|}~ほかパンテツクVol.46No.1
20028{p.3233
２ {        パ ン テ ツ ク    Vol.38  No.3
199412{p.28

ソリューション

37

静電気障害を防止する導電性グラスライニング"ECOGL-Electrically Conductive Glass Lining"Z[\
プロセスZ\]^プロセス_`ab
Atsusi Tada

プロセス

de\f\gI_hijHirotaka Miyauchi

グラスライニングのkにしたによるグラスのをするため

グラスライニングECOGL-Electrically Conductive GLcをしたECOGL はしたを!に"#することでグラスへの$をしグラスのをぐことを%&とするグラスであるECOGL の'()は106*7 /+$,-./は1.0 sec01と2れた$34を5えているうえに67についても89の:67;<グラス# 9 000

と=

>である
またグラスはそれ?@がをAすため:,ピンホールBCがDできないというEFがあったがECOGL は89G?のHIによりノーピンホールがJKLMであるため
NOかつJPにノーピンホールQRをSTできるといった%&を5え:QRなグラスラ
イニング

をUVしてユーザへWXできるようになった

The electrically conductive glass liningECOGL was developed to prevent breakage of glass layer bystatic charge generated in the operation of glass lined equipments. The ECOGL has two layers of glass
over the substrate; conductive surface layer over an ordinary non-conductive layer. The static charge,
if generated, is introduced to the earth along the surface layer. With the surface resistivity and static
charge half-life period respectively 106 to 107 ohms per square and less than 1.0 sec., the ECOGL has
high antistatic effect. Moreover, the corrosion resistance of the ECOGL fairly compares with that ofour high corrosion resistance standard glass# 9 000 .
The high voltage pinhole test cannot be applicable to the conductive glass lining for its electricalconduction. The ECOGL, however, can be easily controlled to no-pinhole grade by the test because of
the characteristic 2-layer structure. Stable supply is assured for the reliable, quality-controlled
conductive glass lined equipments.

Key WordsYグラスライニング  ' ( )$  - .  /$    3 4
ノーピンホール:,ピンホールBC

38

Electrically conductive glass lining
Static charge
Surface resistivity
Static charge half-life period
Antistatic effectNo-pinhole gradeHigh voltage pinhole testソリューションVol. 1 No. 220052

r s456の78を]^t

まえがき
グラスライニングとはに
ラスのをライニングしたもので


ガラスの

という２つのvwがある
rのvwは 456xの78を_`するvwで

グラスライニングの!"#が10 cm $とい%&'(10)*などのを+,した-

やとをねえたであるグラス

はであるため
で

u s78した456を:;t

のグ

+,や.

/0の12によって3きな456が78し8じる95した456はグラス

95がyzの{|vwを}~して456の7

これまで8を_`する0のみがなされている３G しかし{|vwはユーザのプロセスにされるため
56CDをQに]ぐことはdに
uのvwはがであるために:;されない95が<=$になると>?

して@5が78しのうちグラスがABするという45



4

である

yzにそれぞれ[5を78した456を:;するvwである
への[5

のは

ユーザの

6CDがEFされている１G ２GこのHIはJに&`があるため

AKにとどまるものではなくした ECOGL では yzに[5 をするvw

がL7するMN@5によってPQの3きなHIでをOめたあるユーザからのいRSのTもあり

このHIのUVはグラスライニング&にとって3きなWI

つまりiであるグラス グラスライニング
グラス\ECOGLGは

このHIをUVするものでへの45695を]^しラス

グラスライニング[5のAKを]^するまたニングでありながら

グラスライ

ライニング&をcdにefすることができるとい[5

グラスライニングnECOGL\Electrically Conductive GLGoのpについてEFする

Qが[5

グラス

であるた

5ピンホールによりノーピンホールのめ

abをcできないというがあるス２
bのように

のみに[5

をして



のグラ

?vに95を:;させるvであるこのvではにので%¡である

¢vには

の
１にqすように£があり１にqすようにそれぞれh£ECOGL は?vに:;する

¤

２
b

のvを¥¦している
¬456の78を]^




















¬78した456の:;{|vwの}~\­|®¯の°± 0G

１¢:;vのh£と¤£g¸

の}~\95]^²の³´ 0G
より:;:;v

95]^²の³´
イオナイザーのµ¶yzより:; [5 グラス\ECOGL 0G

グラスライニングyzにおける95]^·








[5 b³´¹:;º»[5 のアース
ノーピンホール

 v
への:;

?v
への:;


い
¤
い
¼½み


¾ な い
h
い
¿À¼ÁRÂ




２

Qに[5

グラス

vに95を:;させるvであるこのvはab

456CDを]^するためには

１

95を:;させるv

ノーピンホールのabをcすることがpでありの
 



もう１つは

2004k10lにmされた

からの

をし

２
aのようにをしてうghもえている
ijでは

をし

２にqすような２りのvがある

１つはグ

ノーピンホールabのグラス

に[5

wには

グラス

@5の78を_`に[578した456を:;させているてのひとつであった
XYがZ7した[5pな-がいXYのZ7









グラスライニング&からの456の:;vVol. 1 No. 2\2005§2G¨©ªソリューション«E39のECD]^HECOGL は のグラスであるグラスのに

# 9 000グラス
として
グラス

 GLECOGL で @サンプルを%&した

グラス

I?100 mm_t1 mm
I100 L `a

をしているそののにおいてCD

ガスケットをもちいてにアースすることでをす

ECD,-H

となっている

る



の

３にJK,-を.すグラスの)89:

グラスが1014 /?とのfきさが１g10 kV hPであるはグラスに!"を#$して%&される

'では

グラス

３の()*+,-に.すように!"が

/0をしておりこの/0によって

をのに]しECOGL の)89:はどのiにおいても106j7 /?

@のためが0.1 kV@hPとklにmさいことがnoされた 

えている


の


pにqrに ECOGL をさせsがtXに

するまでに<するuv

ECOGL は12した34を)56にする
57のため

のグラスが;<となる=>によると
)89:が1010 /?

@であればがABできるといわれている ECOGL の)89:をCD
@に.す

した,-を

KしてAB

yzx

JIS L 1094を{した5xでおこなった|しくは４に.すように
グラス)より15 mm の}~にしたに20 kV を$してコロナ
ロナ

ECDFGHstwuvをJをCDした

JK5xは

の)89:

２に.すように４

を12させるコ

によって@のグラス)を30 sec

させた[ちにをさせるそれとuに

IJKLM4NOP10 Q
IJKするグラス@RP20S25 T)のUVWXをYZさせた[にJKするI)89\Nシムコ% ST-3ヒューレットI

２の)89:の ) 8 9 :/?

ほとんどなし0.1 @mさい0.11
110fきい10 

1010 @
10101012
10121014
1014 

#$３!",-"ABCDE"のfきさiのkV

パッカード% HP4339A

グラスの)89:JK,-ABFDE"
GHIJ
@ 
%&

)89:

グラス
サンプル
100 mm_t1 mm サンプル bcdeバッフルを

b

100 L
cde
`a
バッフル

/?

グラス
# 9 000 グラスECOGL

7.5_1014

105j6

12

10



2.5_106
106j7
4.0_106(89#$:; < =>?




 

!"#$ %&234567(+,-./,01

３
40

ECOGL の()













 

!"#$  %&'()*+,-./,01











４

swJK<ソリューションVol. 1 No. 2

20052











４



５























グラスより10 mm でがあった        KSD-0109 

KS-2001の

プローブをさせてグラス

は100 L

!の"#と$%&#において'*へと+,する!1の23を45

10 678に9:し１7;<=してグラス
の>?@AをBCさせてからDとしてE

0.778µ1.078
0.378µ1.078

100 L

"
#
$%&#
バッフル#
６

した

によってえられた ECOGL とF

Gグラス !"#のHIJKを５にLす
このHIJKからえられたMHを４に#!におけるtuvw

RS 10 m3!RS

1.6Å106Ä8.5Å107
1.3Å107Ä3.1Å108
5.5Å106Ä5.0Å108

1.6Ä5.0Å106
1.3Ä2.5Å107
5.5Å106Ä5.0Å107

グラスの¨©[ÀÁFGグラス _[グラス# 9 000ECOGL

した(したグラスから)の./を0なくするため

4.5µ721ÂµÂ

tuvw/Ã#グラスのHIJK
100 L !"#20 kVÂ30 secののを_[グラスECOGLÀÁFGグラス# 9 000

!の

ECOGL

RS

¾¿kVµMHsec

!"#
!$%&

100 L
100 L






におけるHI

GL ¼½








に

#








５



¨@[
Æ@ÇÈ É
mm/Ê

0.01

0.01

¨Ë[
20 6 HClÇÈ É
mm/Ê

0.04

0.04¨アルカリ[
1N-NaOH80 ÌÉ
mm/Ê

0.20

0.20

LすFGグラスのMHが700 sec7;である=してグラスの@AをBCさせたにのにNしてECOGL のMHは1.0 sec78とO
PにQいというRSがえられたこのRSはさするefvw 2406

れるTよりECOGL が+,するTのUが)きいことをLしており"#のみならずVがWXな$~|}N

%&#においてもECOGL のYZ[\がOP100 L!"#$%&#バッフル#~|}RS

に]いことがわかる    

100 L

ECOGL がU^にを+,するには!の#におけるECOGL から#アースまでのtuvwのRSおよびの_[グラスがアースされていることが`aとRSからした10 m

なるアースがbcAなd_がefされた

uvwを５にLすRSは10 m3

gになるためは+,されないさらにその100 L

gでhがijするとhkたであるに-がl*しエネルギーの)きなhとなるためimnのopがijするqr[が]まることとなる
アースがとれているかどうかをLすsFはtuv
wでありxyによるとhがijするzれがある

でのtuvwは10 78にする{aがあると~|}

!と!の#におけるのよりし!においてもGであるtuvw10 78のが\9でありなYZ[をLすものとできるのそのの
ECOGL はなYZ[\をLす7にそ¡によって78のような¢£を¤えているの78ECOGL のtuvwを|}したRSをLす!の#におけるtERSより ECOGL は10 m3 の9いわれている５

3¥¦FGグラスと§nの¨©[¨ª«¬[­ECOGL は¨©[を¤えた_[®¯を_°±

23

4510 678520

!1#を;23

Vol. 1 No. 22005µ2

25 に9:し１7;<として²³するため６にLすようにFGグラスと§nの¨©[を´する¶·¸¹ソリューションº»

41








６










ECOGL でのノーピンホールのPQ

またについてもの
グラス

おり

グラスをしてでがれやれがじることはない

する]^_な`a
ECOGL ではbcdのでなノーピンホール
!"#のグラス

るという&'を

gdhidのにピンホールやクラックの$eをfIするため

eをfIしたjkとlmして

9:のnoがpなくqrであるそのたグラス%がじているとグラスライニングの&'のひとめstZuvへのueのwxがyzできまた`つである(が)われその*+より,-./のa{も^_な`aがえられるという&'を する0(が1してしまうこのため234に5む

6ピ

ンホール78によってグラスのピンホールク

ラック78がおこなわれる5

6ピンホール78とはグラスAB

9:に;<5

6を=>して?@6がCくなっているピンホールやクラック

の$%*を?@ABさせて7Dする78である
Eテストはかつな78FGであるがグラスにHIすると=>した5

6は

|

す

び

}~

をに

グラスライニングECOGLの&'をしたECOGL はstZだ
けでなく

に

がとなるZbkYMCDBNへもHIでありE1によってのであった

をしユーザにTしてよりLなを[\できるようになったとしている

Jしてしまうため$%*で?@ABが1せず
ピンホールそのKの$%の7Dができなくなってしまうそのためグラス

LM２
aNであると5

6ピンホール78が

が

グラス

Oできずグラスライニングのノーピンホール
をPQすることがRSであった
それにTして ECOGL は5

6ピンホール78

によりグラス がU$%であることをVして(をQした#W9

に

グラス

をO

XするM６Nこのため ECOGL はにかつに5なグラスライニングYZを[\でき

42


１N  ¡¢£¤ ¥¦§Vo.12
No.6M1988Np.454¨455
２N ©ªら,«L¬­®¯° RIIS-RR-89M1989N
p.80
３N±²³´パンテツクµ¯Vol.34No.3M1990N
p.22¨27
４N ¥¦¶·¸ ハンドブックM1998N
p.318オーム¹
５Nº» とX¼M と}~T½N
M2001
2Np.50³´¾¿ソリューションµ¯

Vol. 1 No. 2M20052N

グラスライニング製機器用 ｢サンプリングバルブ｣"SAMPLING VALVE" for Glasslined Vessel

プロセス



4




Sumihiro Nagataにおいてのl)やmnのopなどをするためにサンプリングによるがqrとなる=>があるサンプリングの&'としてマンホールを!して"#やチューブなどによりstuvする&'+,の GL サンプリング/0による&'wRでサンプリングからサンプリ
ングxABのCDまでおこなえる/0をする&'などがあるyzほど{|で}~であるが{
9:でありzになるとコストに|となる

たにIした.サンプリングバル

ブ1はeBがにかかわらずバルブ(のみによってにサンプリングがおこな
えxABのCDがcdであるまたこのサンプリングバルブはt]にふっUVWあるいはセラミックをしにれコンパクトでサンプリングがcdであるをもつ
Sampling is often essential to check the end of reaction and the particle size of crystallization madein reactors. The conventional sampling devices used to be inexpensive and simple but not safe or
automatic and cleanable but expensive. The SAMPLING VALVE developed recently realizes samplingwith simple operation of valves regardless of pressurized and depressurized reactors as well as cleaningand sterilization of the sampling pipe. In addition to excellent corrosion resistance with use of using
fluoro-resin or ceramics, the VALVE has such features as low price, compact size and quantitative
sampling.

Key Words
サ ン プ リ ン グ
CDSampling
Cleanability

E8サンプリングFのコンタミネーションとなってまえがき
グラスライニング GL とすはのでされてきたではとくにやファインケミカルのでのがくなってきているこのではのをす

しまう=>があるこのような9:をGHするため.サンプリングバルブ1のIをおこないJKをLしたサンプリングバルブのるためにサンプリングすることがくほとんどのサンプリングバルブのMNOを１にPす

ユーザが のにあるマンホールを !しチュー

QRするセラミックのSTとフッUVWのXY

ブや"#などにより$%す&'をとっているこのとからなりSTのはエアシリンダでおこなう

はケミカルハザードの)からも*ましく

STZFにはSTのテーパとXYの O

ないまた+,-である.サンプリング/01

リングでシールされるO リングとすることで[\23パンテツク45 Vol.43 No.1はその67で]がスラリーでもシールできる^_の`aはこの１8だけのであれば9:ないが;<しておこでも]のbRがcdでありeBとfgされた

なう=>には?@ABのCDがおこなえないため

でサンプリングバルブBのh]CDなどがcdような(Vol. 1 No. 22005i2

23jkソリューション45

43

のがサンプル)*へ>?される>?@そとなる

のバルブをめサンプリングバルブとのシールは V パッ
キンでおこなうこのはにおこなわれるためサンプル)*を2りはずしがプルA2が56する



５0

および

V パッキンでもスラリーにできるBスチームCD

サンプリング56@

にはサンプリングバルブにのI*をJKすのバルブを3けることで

がN

され

がLM

はそれぞれバルブをのバルブを3くことでる

にしておけばサンプル)*を2りはずし&のEFをGHするかたにがするサンプリングバルブのに
しの

サン

!にが"たされることとなる

されるその@サンプリンググバルブとEFのCDをすることもOPである２に$すようなフ

サンプリングバルブは#
バルブがあり

(が



56

６0


ローにて%&されるサンプリングバルブの'にスチームをすことでサンプリン

56@

サンプリングがおこなえる

もう(にはサとなる

がSTあるいはU

このシステムであればンプリング&のサンプル)*が+,するサンプリ

Vであっても)Wにサンプルを2すことがOP

ングの-.を/に$すである

１0サンプリング1
すべてのバルブはとしサンプリングバルブのサンプル)*をサンプルに2+ける

サンプリングバルブのXYを/に$す

２0サンプリング34

１0Zい[\]

サンプリングバルブのをげG^_はフッ`abおよびセラミックのため

サンプリングバルブの!にがする

c\]のある:にも%&できる

３0サンプリング56

２0

を78させることにより!にを9]BdD]

サンプリング@のサンプリングEFはしたまま:とサンプリングバルブが;<される

スチームなどによる#

これでサンプリングが=6する

３0g

h

efB

BCDがOPである

]

サンプリングバルブのにはバルブがつい

４0サンプル>?
サンプル)*が+,するのバルブを3くと!

ており

iがjもれがklしたmnでもghなo







QRの

サンプリング)*を2+け!

 



%&'








"#$



()*+
１
44

サンプリングバルブwxy２











サンプリングz{

pqrsソリューションtu

Vol. 1 No. 2v2005B20

１

サンプリングバルブの'(    [
サンプルe

F.V./0.19 MPa
30 158 ¡u100 mLnにより¢£{|

２ 89テスト¤¥およびOP
7
スラリーZ[ [wt \]
<
O

?¦
テスト
w
/
P
.
/

SS
No.R
No.A
CaCO3
CaCO3
CaCO3
4.5 m 20 m 200 m

0

15

15

15

1 000
§¨
§¨

1 000
§¨
§¨

1 000
§¨
§¨

1 000
§¨
§¨

３

グバルブ

をIJの

サンプル=K_`

にKLM

N.のない

ことを=>した
２にそのOPを)すスラリーとしてはQR
カルシウムを7にSTさせたものをUしたQR
カルシウムはVWのXなるものを３YUしスラ
リーのZ[は15 wt \としたこのOPより1 000?のテストでは]^のないことが=>できたサンプリングテスト
サンプリングをおこなうのに56な_`をabす

１るためにc[のXなる7および CMC 7deにて

サンプリングバルブテスト~

サンプリングテストをおこなった

はfをgJしてhでおこなったそのOPを ３に)すとなっている

サンプリングバルブは50 A と80 A のiYjをUしたサンプリングにかかる_`としてはサンプ

４にかかわらずバルブのだけ

ルを=Kする_`とサンプルをklする_`とにS

でにサンプリングができるまたエアシリンダ

けられるが ３はサンプルを=Kする_`を)す

のによりバルブはするでc[がmくなるほどサンプリングにかかる_`がnをおこないたいにはエアへハンドバル

くなるまたサンプリングバルブのブをすることで!な"#を$さずにのopがqい80 A のGがr_`でstできるちなみに7であできる

れば50 A でu20v80 A でu５vとなったまた   

サンプルのklまでFんだサンプリング_`でのw%&の'(を１に)す*+けノズルサイズ

は50 A もしくは80 A である*+け,は
/あるいは

-.

-0/となり1のノズル2を34

xを300vとすると50 A では500 mPas まで80 A
では1 000 mPas までのc[にyz{|である

む

す

び

GL }~サンプリングバルブについてテ

する56があるバルブテスト

ストデータをえて$した%}はシンプルな

サンプリングバルブのテスト&を １に)す
7およびスラリーにて89テストを:;し<テでありながらこれまでのサンプリング&とくらべてBCをおこなえるがある%}ストによる=>をおこなった89テストはサンプ

がからおこなわれているマンホールをhAにしてのなサンプリングGHなどにわってU

わせるためサンプリングごとにBCDEをFんだ

されることでの=KにするものとえGHでおこなったまた<ている

リングバルブを1 000?させ:@のVol. 1 No. 220052

テストはサンプリン

ソリューション

45

グラスライニング製機器用 ｢E‐マンホール｣"E-MANHOLE" for Glasslined Equipments2005021173

プロセス

<$

UC $


Sueki Nakao

グラスライニング<は*なvw4と)の+が./されるxyz,{|$のc}でE(Rされているグラスライニング
れるがマンホールは

<にけられたマンホールはのとして~にさのクランプにより!"けられておりその#$には%&と&がかかるこの89を:;すべく=E>マンホール?の@をおこなった=E>マンホール?はガスケッ
トにくらべ.つぶしのさい O リングをシールにもちいておりないクランプで!"けができるそのため#$がnoでRいやすいマンホールであるまたコンタミレス,にするクリーンなマンホールである
Many glasslined equipments are used in pharmaceutical and chemical fields for a long time, wherehigh chemical resistance and high purity of products are required. Manholes of glasslined equipment
are used as feeding hole of materials. So their frequent opening and closing is troublesome andtime-consuming since they are tightened with many clamps. Owing to the application of an O-ring forsealing that has a soft rubber cushion inside, E-MANHOLE requires only four clamps. So it is easy
to use. And the O-ring is easily removed for cleaning, reducing chances of contamination.

Key Words
グラスライニングGL
マ ン ホ ー ル
ク リ ー ンR い や す い

Glass LiningGL
ManholeClean
Easy to useマンホール

まえがき
グラスライニング GL とぶはのとしてに マンホールのにマンホールが

E>マンホールとHIJマンホールのKLをそれけられているマンホールはのとしてもぞれ１２にMNをそれぞれ１２にOす

ちいられることがくそのためのもい
マンホールのはクランプをもちいて!"けらE>マンホールはシール

ングをRしているO リングはSえリングおよび
J TUによりれており#$には%&がかかる
また'(では)の*+,に-する./の*にテフロンPQの O リ

VノズルにWXされたグラス

PTFE のリングのYにZめ[まれているO リン

まりにともない01に-してコンタミレス,

グYは O リングの\]を^_するため`ありみぞおよび234の5さが/められている

C0となっている３abまたO リングY

67ではこれらの89を:;するためGL<

=E>マンホール?の@をおこなった
ABでは E>マンホールのC0DEなどをFG
する
46

には

cdにefきをけてありそのcをg

することにより O リングはhiにjKすことができるそのためO リングあるいは O リングYの"klのmきjりもnoであるなおO リング

pqrsソリューションtB

Vol. 1 No. 22005u2



１



２

１

Eマンホール

２}マンホール

３

O リング~Eマンホール{|

}マンホール{|にペーストをするはないO リングはでありをにやわらかいゴム

しているためつぶしがさく

のクランプでなけをえることができるサイズ 400 mm の Eマンホールの

クランプのは４であるのマンホールではグラスライニング!が"くている
るためのガスケットCRTNをし#$にも%いものであ

シールを&'におこなうためにはクランプ

が14となるしかしEマンホールではOリングをしているのでクランプのが()に*しているこのためマンホールのけお

よびけ+,の-.の/0を()に1*すること
W 23 の89りノズルが:いため=>が"い

ができる
また

23は45に67き89りノズルが:い;<となっているそのため=>が"くなり

またX?@AもB9しているEマンホールはのマンホールとCDし

E

KLM-がNOである
P

シールQにRリングをしているのでリングのSTUのV7りがNOである
Vol. 1 No. 2r2005s2t

しているためガスケットYZ    

FのGHをIする
クランプのがなくO リングをが[である マンホールのJ?@AもB9している

O

Eマンホールの\]^_`をEFにaすJ]^bcF.V.d0.2 MPaP]^efcg30d158 h

W

i

X

サ イ ズc 400 mm

p

qQ

jkclb

uvwxソリューションyz

mb

noj

#
47

マンホールGL

する O リングのを 10 mm とT5した

またはステンレスGL
O リ ン グFEP PTFE リ ン ググラスサイズ 400 mm の E マンホールを23し=[

FKMまたは FEP \]テストをおこなったテストでは O リングの

VMQ

PTFE

シール=およびU^=を\]したなお%クランプ

え リ ン グまたはステンレス

マンホールの

は１_8たり25J30 Nm のトルクで`aけた
U^テストは O リングの４のbcをもちいておこなった

シリンダによりクランプとdeの`aけfをgえ%

をおこなうにす

E マンホールの テスト

る O リングのについてをおこなったGL はにおいて800 の!"でそのhに`aけをijするというkを1 000lm
nしたこのo%シール=の\]は200lのpqごとにおこなった

#$をおこなうため%&'()にひずみを*じていUVテストではrstにおいてVfの1.5u

るまた%グラス+みも,-に./ではないため%であるVf0.3 MPa までもれがないことを\]した

グラス0にはひずみが*じているE マンホール

また%vwリークテストの67をの1は GL であるが%1を23し45をおこ

xは４lusec hでy5し%pqlzにより{Fが５にGすもれなった67%O リングの8り()において%その9におけるひずみの:が;<で１mm *じることがわかったそのため%O リングのつぶししろは./にはならず%シール=にも>?@をおよぼすする O リングのがAいほどひずみの?@はBなくなるが%コストアップのCDとなる
そこで%O リングのの;EFするためにつぶししろのをおこなった67を
I%O リングには８J30 K

１にGすHのつぶししろをLえるMCがあるが%このNOをPQするためにはが ８mm RSMCとなるこの67をもとに O
リングのをT5するためのテストをおこなった ８%10および 12 mm の O リングをもちいてUVテストをおこなった ２に67をGす
この67% 10 mm RSであればWXなシー
ル=がえられることがわかったコスト0をYZし%１

O リングつぶししろ

O リング
mm

GL 0ひずみmm 60.3
 80.4
100.5

1

２

.

;<

;

18
20
21

30
30
30

5
9
11

４

pqテストbc５

vwリークテスト67

UVテスト67
VfMPaO リング
mm

0.1

0.2

0.3

8
10
12













れなし%れあり48

つぶししろK|}~ソリューションVol. 1 No. 220052

ないことをしたなおこのもれはのマンホールでガスケットペーストを
のもれと

しない

である

またのがシールにおよぼす
をべるためスチームによりである158
に３!したそのシールのをおこなったが"#テストでは0.3 MPa までもれが$く %&リークテストにおけるもれも4.3

３

lusec ととくに'(がないことをした

クランプレスマンホールVF
sEMマンホールタイプuクランプレスマンホールへの)クランプレスマンホール*は2002+４,に-.

されて/0に12を3ばしている45である

トをおこなった"#テストでは0.3 MPa までもれ

67のハンドル89だけで:;の<=けおよび<=が$く%&リークテストではもれが５lusec とけ>?ができるという89の@さがいABをえ

シールが@Cであることができたている@Cなシールをえるためにガスケットペー

む

ストのをDEしているがコンタミレスというFGからHればIJになるもある

このGをKLするためクランプレスマンホールすび

GL UYQ)EMマンホール*についてZ[\]のテストを^め_`したXいやすくクリーンな
EMマンホールがユーザabの4OcのKLにに EMマンホールのNOをPQすることをRSし

deできればfいであるgもhiニーズにサイズ 400 mm のT9Uの49をおこなったそしたZ[をおこないユーザabのklmnのo-のVFを３にWすこのT9UをXQしてテスにpqつ45を9りrしていきたいVol. 1 No. 2s2005t2u

vwxyソリューションz{j49