博 士（情 報科学 ）小野眞

学 位 論 文 題 名

半導体製造プロセスにおける検査デー夕解析手法の研究
学位論文内容の要旨
大規模集積回路に代表される半導体製品は，微細化が進み，最小加工寸法が45ナノメートルの製品も市場に登場している。微細化が進む半導体業界で確実に利益を出すためには，製品の歩留りを向上して，製造コストを削減することが重要な課題である。
半導体製造工程は，一般にシリコンウエハ上に多数のチップを作り込む前工程と，個々のチップを切り出し，モールドして，半導体製品を仕上げる後工程に分かれている。半導体製品の不良の大半は，微細加 工を必要 とする 前工程で発生するため，前工程の最終電気試験での歩留り，すなわち1ウエハ
か ら 良 品 と し て 出 荷 でき ， るチ ッ プの 割 合を 向 上す るこ と が重 要 であ る 。
前工程での歩留りを阻害する不良は，欠陥性不良とトランジス夕特性不良に大別できる。欠陥性不良とは，製造工程のプロセスの不具合や設備トラプルで発生する異物や傷などが主な原因で，回路パターンに短絡や断線が生じ，回路が動作しなくなる不良である。ー方，トランジス夕特性不良とは，回路パターンの加工寸法や酸化膜厚のぱらっきなどが原因で，回路は動作するが所定の性能を満足しない不良である。半導体量産工場では，これら双方の不良が発生する原因を迅速に究明して，適切に排除することで歩留りを向上する。
本研究は，上述した背景の下，半導体製造工場で行われる歩留り向上活動に活用する検査デー夕解析手法の開発を目的とする。歩留り向上を目的とする検査デー夕解析手法は，従来から米国を中心に盛んに研究されてきた。そこで，本研究では，まず従来の手法を学び，従来手法の長所と短所を明確化する。 次に，従来 の手法で短 所とされた 課題を解決 する新たな 手法を提案する。
本研究における成果を以下にまとめる。
（1）前工程 のウエ ハ投入から最終電気試験までに数回に渡って行われる異物検査の結果と，前工程の最終電気試験の結果の相関解析を行う従来手法として，致命率評価法がある。異物数と最終電気試
験で判定される歩留りに対して，単回帰分析を行っても，異物数が多いほど，歩留りが低下するといった結果は得られず，異物の発生による歩留り低下の度合いを定量化できない。致命率評価法は，チップ毎に異物の有無と最終電気試験で判定した良否判定結果を対応づけて，異物の発生による歩留り低下の度合いを定量化する。本研究では，まず致命率評価法を量産工場で効果的に活用することを前提に，その特長をシミュレーションで確認した。その結果，致命率評価法を活用するためには，異物検査で検出される多数の異物のうち，電気的な不良を起こさない非致命な異物をできる限り検査デー
タから事前に除外し，また，他より極端に歩留りが低いウエハも予め解析対象から除外しておくことで，歩留り低下の度合いをより高い精度で算出できることを確認した。
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（2）上記の致命率評価法は，量産工場の歩留り 向上活動に有用な検査デー夕解析手法であるが，状況によって意思決定 を聞違えるような結果を出カすることがある。複数の工程で行われる異物検査では，ある異物検査で 検出した異物を後続の異物検査でも再度，検出することが多い。そのため，致命率評価法を実行する ためには，異物のトラッキング手法によって，解析対象の異物検査ではじめて検出する異物，すなわ ちアダ一異物を事前に抽出しておく必要がある。しかし，傷や密集異物は，アダー異物の抽出を失敗 することが多く，その結果，致命率評価法では歩留り低下の度合いを間違えて算出する。そこで，本研究では，致命率評価法が使えない状況でも使うことができる新たな手法として，アダー異物を抽出せ ずに，歩留り低下の度合bゝを算出できる無欠陥領域解析法を立案し，その有効性をシミュレーション で確認した。提案する無欠陥領域解析法は，従来手法と 視点を180度変えて，異物が存在しないチッ プの振る舞いを解析する特徴がある。
（3） 上記 (1）（2）は，最終電気試験の 結果をフイードパックして，製造プロセスを改善する歩 留り向上活動に有効で ある。しかし，量産後期には，最終電気試験の結果を待つことなく，製造プロセスが安定した状態か ら不安定な状態に変化する異常をりアルタイムに検知する検査デー夕解析手法が必要である。上述し たように，異物数と歩留りの相関は低く，異物数をモニタリングしても，歩留りを低下させるような 異常を検知することはできない。そこで，致命率評価法を応用して，異物検査の結果を効果的にモニ タリングする新たな手法として，異物起因歩留り予測手法を立案し，実製品のデ一夕でその有効性を 確認した。提案する異物起因歩留り予測手法は，異物検査装置から取得できる各異物の座標と散乱光 強度に着目して，半導体製品のチップ内を複数の領域に分割し，それぞれロジス
テ イ ッ ク 回 帰モ デ ル を 生 成 し ，異 物 ご と に 致 命 率 を予 測 す る 特 徴 が ある 。
（4） 上記 （ 1） 〜（ 3）の 検査 デー 夕解 析手法は，異物検査が適正に実施されることを前提とし ている。しかし，実際 の工場現場の検査データを観察すると，必ずしも適切な検査が行われているとは限らない。そこで， 異物検査の実施状況を定量化し，検査条件の見直しを促す検査条件管理手法を立案し，実製品のデー タを用いて，その有効性を確認した。提案する検査条件管理手法は，半導体製品のチップ内では異物 がランダムに近い位置で観察されることが理想的な状態と定義し，ランダムからの乖離度を定量化し ，モ二夕リングする特徴がある。
（5）ウエハを用いて製造される製品は，半導体 製品だけとは限らず，ハードディスクドライプに組み込まれる磁気ヘッ ドも同様にウエハを用いた薄膜プロセスで形成される。磁気ヘッドは，短絡や断線といった半導体製 品で見られる欠陥性不良は，製品の構造上，少なく，異物よりも磁性体の寸法が歩留りを左右する。 そこで，本研究では，寸法検査の検査デー夕解析手法に着手し，ウエハ面内の寸法測定位置の最適化 手法を立案し，実製品のデータでその有効性を確認した。提案する寸法測定位置の最適化手法は，ウ エハ面内の寸法データの視覚化と，平均や標準偏差によるプロセスモ二夕リングとを両立するために ，ランダムサンプルングと視覚化専用の測定位置を組み合わせて局所探索法で最適化する特徴がある 。

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学位論文審査の要旨
主査 教 授 金子 俊一
副査 教 授 山下 裕
副査客員 教授前田 俊二
副査 准教授 田中孝之

学 位 論 文 題 名

半 導体製 造プロセ スにお ける検査デー夕解析手法の研究
大規模集積回路に代表される半導体製品は，微細化が進み，最小加工寸法が45ナノメートルの製品も市場に登場している。微細化が進む半導体業界で確実に利益を出すためには，製品の歩留りを向上して，製造コストを削減することが重要な課題である。半導体製造工程は，一般にシリコンウエハ上に多数のチップを作り込む前工程と，個貴のチップを切り出し，モールドして，半導体製品を仕上げる後工程に分かれており，半導体製品め不良の大半は，微細加工を必要とする前工程で発生するため，前工程の歩留り向上が重要である。本論文では，半導体前工程の量産工場で日カ行われる歩留り向上活動で活用される検査データ解析手法にっいて，従来技術の課題とその解決策にっいて論じている。
まず，本論文では，前工程のウエハ投入から最終電気試験までに数回に渡って行われる異物検査の結果と，前工程の最終電気試験の結果の相関解析を行うための従来手法である，致命率評価法についてシミュレーションにより評価している。致命率評価法は，チップ毎に異物の有無と最終電気試験で判定した良否判定結果を対応づけて，異物の発生による歩留り低下の度合いを定量化する。本論
文では，致命率評価法を量産工揚で効果的に活用することを前提に，その特徴をシミュレーションで確認し，その結果，致命率評価法を活用するためには，異物検査で検出される多数の異物のうち，電気的な不良を起こさない非致命ナょ異物をできる限り検査データから事前に除外し，また，他より極端に歩留りが低いウエハも予め解析対象から除外しておくことで，歩留り低下の度合いをより高い精度で算出できることを確認している。
しかし，上述した致命率評価法は，状況によって意思決定を間違えるような結果を出カすることがある。複数の工程で行われる異物検査では，ある異物検査で検出した異物を後続の異物検査でも再度，検出することが多い。そのため，致命率評価法を実行するためには，異物のトラッキング手法によぅて，解析対象の異物検査ではじめて検出する異物，すなわちアダー異物を事前に抽出しておく必要がある。しかし，傷や密集異物は，アダー異物の抽出を失敗することが多く，その結果，致命率評価法では歩留り低下の度合いを間違えて算出する。そこで，本論文では，致命率評価法が使えない状況でも使うことができる新たな手法として，アダー異物を抽出せずに，歩留り低下の度合いを算出でき る無 欠 陥 領域 解 析 法を 提 案 し， そ の 有 効性 を シ ミュ レ ー ショ ン で 確認 し ている 。
次に，本論文では，最終電気試験の結果を待つことナょく，製造プロセスが安定した状態から不安定ぬ状態に変化する異常事態をりアルタイムに検知する新たな検査データ解析手法を提案している。
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異物数と歩留りの相関は低く，異物数をモニタリングしたとしても，歩留りを低下させるような異常を検知することはできない。そこで，異物検査の結果を効果的にモニタリングする手法として，異物起因歩留り予測手法を立案 し，実製品のデータでその有効性を確認している。異物起因歩留り予測
手法は，異物検査装置から取得できる各異物の座標と散乱光強度に着目して，半導体製品のチップ内を複数の領域に分割し，それぞれロジスティック回帰モデルを生成し，異物ごとに致命率を予測する特徴がある。
上述した異物検査の結果を用いて，相関解析あるいは歩留り予測を行うためには，異物検査装置に適正な検査条件を設定し，正しく検査が行われることが前提となる。しかし，薄膜プロセスの変動により，適切な検査が行われない場合がある。本論文では，異物検査の実施状況を定量化し，検査条件が不適切な状況を検知し，見直しを促す検査条件管理手法を提案し，実製品のデータを用いて，その有効性を確認している。検 査条件管理手法は，半導体製品のチップ内では異物がラシダムに近い位置で観察されることが理想 的な状態と定義し，ランダムからの乖離度をポアソン分布と比較することで定量化している。
最後に，本論文では，異物の発生と同様に歩留りを低下させる回路パターンの寸法ばらっきをモニタリングするための新たな 検査データ解析手法を提案している。異物検査と違い，寸法検査は電子顕微鏡を用いて，ウエハ面内の定点で測定し，測定結果をウエハの代表値として異常状態をモニタリングする。モニタリングの対象として，寸法の複数のウエハ聞の差と，各ウエハの面内傾向があり，これらを両立するために最 適な測定位置を定めることが望まれる。本論文では，ランダムサンプリングと面内傾向専用の測定位置を組み合わせて，局所探索法で最適化する手法を提案し，実験的に多点測定したデータを用いて 有効性を確認している。
以上を要するに，著者は，半導体製品の製造コスト低減を目的とした量産工場の歩留り向上活動で日々活用される各種の検査 データ解析手法を提案し，シミュレーションおよび実験的にその有効性を明らかにしている。これらの手法は従来にない新規性の高い手法であり，本研究の成果は，半導体製品のみならず，バードデ ィスクドライプ用の磁気＾ッドなど薄膜プロセスを用いた各種製品の生産技術の発展に寄与するところが大きい。よって，著者は北海道大学博士（情報科学）の学位を授与される資格があるものと認 める。

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