本記事は , 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 技術スタッフ表彰について紹介するものです .

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム 平成 30 年度技術スタッフ表彰 技術支援貢献賞

高精度 FIB 加工技術を用いた微細構造観察
受賞者 名古屋大学 微細構造解析プラットフォーム 中尾 知代氏に聞く
最先端の研究設備とその利用・解析のノウハ
ウを提供することにより，異分野融合を図り，イノベーションの創出に寄与することを目指し
た，文部科学省ナノテクノロジープラットフォー
ム事業（NPJ）は，数々の利用成果を生み出した．
その成果の多くは，装置を所有する研究室や機関が機器利用をユーザーに開放するだけでなく，スタッフが利用・解析を支援したことによってもたらされた．このため，NPJ は平成 26 年度（2014 年度）より技術スタッフ表彰を行なうこととした [1]．毎年数件の表彰が，国際ナノテク
ノロジー総合展・技術会議の折に行われている．
平成 30 年度の表彰は 2019 年 1 月 30 日に行わ
れ [2]，「高精度 FIB 加工技術を用いた微細構造観察」と題した技術支援貢献賞が，名古屋大学
微細構造解析プラットフォームの中尾 知代氏に贈られた [3]．中尾氏は当時産休取得中だったた
め，
表彰式には代理の方が出席した．休暇明けは，
新型コロナウイルス感染対策中となってしまったので，Web 会議により，どのような支援が行

FIB-SEM 装置の前で表彰状を持つ中尾氏

われ，どのようなご苦労があったかなどを受賞
者の中尾 知代（なかお ともよ）氏に，伺うこととなった．職制上，中尾氏は，名古屋大学 未来材料・システム研究所 超高圧電子顕微鏡施設に所属し，Web 会議には同施設 特任准教授

荒井 重勇（あらい しげお）氏が同席し，助言・補足をされた．

における最先端計測共用拠点を構築し，ナノテク・材料

１．名古屋大学
フォームの活動１．
１

微細構造解析プラット

分野における学問的・技術的課題の解決によるイノベー
ションに寄与するとともに我が国のナノテクノロジーの更なる発展，競争力向上，人材育成に貢献する．名古屋大学 微細構造解析プラットフォームの活動は，名古屋大

技術領域と共用装置

学 未来材料・システム研究所 超高圧電子顕微鏡施設が受

ナノテクノロジープラットフォーム事業（NPJ）は，ナ

け持ち，「高性能電子顕微鏡による反応科学・ナノ材料科

ノテクノロジー関連科学技術において基本となる 3 つの学研究支援拠点」の呼称でその特徴を表している [5]．

技術領域：微細構造解析，微細加工，分子・物質合成ごとに，その代表的な共用装置は，反応科学超高圧電子顕微鏡

研究設備とその利用・解析のノウハウを提供するプラットフォームを設ける．全国 25 の大学・研究機関から，延である．電子線加速電圧百万ボルトで，1 ～ 3µm の厚い試料の高分解能観察を，温度を変え，各種のガス雰囲気

べ 37 の組織が実施機関として参画し，名古屋大学は 3 つ

中で行うことができ，化学反応や合金組織の変化などのの技術領域のすべてに参画している [4]．

反応科学研究に用いられるのが特徴となっている．名古微細構造解析プラットフォームは，微細構造解析分野

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屋大学の超高圧電子顕微鏡施設は，この反応科学超高圧

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平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-1

表1

名古屋大学 微細構造解析プラットフォームの提供する共用装置

電子顕微鏡を中心に高性能電子顕微鏡群（クラスター）

術補助」，「技術代行」，「共同研究」である．装置の貸出を配置して活動する．さらに電子顕微鏡の使用には，こ利用は原則として行わず，利用者自らが機器を操作するれに適した試料の準備が必要となるので，試料作製装置「機器利用」は実技講習会等の受講後に，相談の上で実施群を整備している．これにより極微小元素分析，3 次元立できることとしている．

体観察，ガス中その場観察，極低温観察など，多様な目

各利用形態における技術支援は，試料の加工法から観的での利用を可能としている．共用装置の一覧を表 1 に察方法，装置の選定，解析，コンサルティングに及び，示した [5]．

表 2 のようなサポートメニューを示している [5]．
名古屋大学 微細構造解析プラットフォームの利用者は

１．
２

全国にまたがる．その手厚い，高度な技術による支援は技術支援と利用成果

数々の利用成果を生み，支援スタッフ表彰を受賞してい名古屋大学 微細構造解析プラットフォームの利用形態

る [1]．表 3 に最近の名古屋大学 微細構造解析プラット

は，他のプラットフォームとほぼ同様の，「技術相談」，「技

フォームの関係した「秀でた利用成果」表彰を示した [6]．

表2

名古屋大学

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微細構造解析プラットフォームのサポートメニュー

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平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-2

表3

最近の名古屋大学

微細構造解析プラットフォームの関係した「秀でた利用成果」表彰

表に示した 4 つの成果は，NanotechJapan Bulletin 企画には化学研磨とイオン研磨があり，前者は研磨液で腐食，

特集「秀でた利用成果」で既に紹介され，中尾氏は，参あるいは電解液中で電圧をかけて観察領域を所定の厚さ

考文献 [8][9][10] で紹介された利用成果の技術支援を行っに研磨する．イオン研磨には Ar などのイオンビームによている．

る研磨，Ga イオンの集束ビームによる局所的研磨などがある．蒸着は，基板上に真空蒸着等により薄膜試料を作製する．いずれにせよ，数 10nm の厚さの試料は，電子２．
１２．微細構造観察のための電子顕微鏡試
料作製

顕微鏡試料台に装着できるよう保持手段を必要とし，基電子顕微鏡試料作製の概要

な試料の移し替えが必要になる．

電子顕微鏡観察には，観察に適した試料の存在が欠かせない．電子顕微鏡観察は観察に適した試料の作製から始まる．名古屋大学 微細構造解析プラットフォームにおける中尾氏の支援業務 [11] の第一は，電子顕微鏡試料の板に蒸着した場合は観察場所の基板を除去しなければならない．試料保持に金属メッシュを用いる場合は，微細

２．２

イオン研磨による試料作製

本稿で紹介する技術支援では，電子顕微鏡試料作製に，イオン研磨が用いられた．

作製であるが，観察目的に合った試料ができているか確

用いた装置のひとつは，アルゴンイオン研磨装置（表認するために電子顕微鏡観察の支援も併せて行っている．

1 ⑤）で，集束しないペンシル型の Ar イオンビームで電子顕微鏡には，走査型と透過型の 2 つの形式がある．

試料を研磨して，薄膜試料をつくる．イオンエネルギー

走査型電子顕微鏡（SEM）では，電子線を走査しながらは 100eV ～ 8keV と低く，最大 3mm の試料を冷却して，試料表面に照射し，照射点から放出される二次電子を検双眼顕微鏡・デジタルズームマイクロスコープで観察し出して，画像化する．観察する試料の表面が平坦でないながら，ミリング研磨を行う．

と 2 次元形状が凹凸の影響を受ける．透過型電子顕微鏡

もう一つは，集束イオンビーム加工機（表 1 ④）で，（TEM）では，試料で屈折・散乱されて透過した電子線をGa の集束イオンビーム（FIB）で微小領域を研磨する．加集光，検出，結像させる．電子は物質との相互作用が強速電圧は 40kV と比較的高い．この装置にはマイクロサ

いので，電子線は吸収されやすく，透過能は低い．このンプリング機能が付加され，加工する微細な試料をプロー

ため，検出に必要な量の電子が透過するよう薄い試料をブで所定位置にセットしたり，切り出した微細な試料を作製する必要がある．電子線が透過する厚さは，物質と取り出したりすることができる．マイクロサンプリング ®

電子線の加速電圧に依存するが，概ね，加速電圧 100kVの時に 100nm である．したがって，数 10nm の試料作は装置メーカーがつけた名称で，数 µm の微細な試料を扱える．FIB 装置には，2 次イオンを検出して画像化する製が求められる．加速電圧が高くなると，厚い試料でもSIM（二次イオン顕微鏡）の機能がつけられ，微細試料の透過観察できるようになる．加速電圧 1,000kV の反応科

観察ができる．

学超高圧電子顕微鏡（表 1 ①）では，厚さ数 µm の試料まで観察でき，厚い試料を観察できることは超高圧透過電子顕微鏡の利点の一つになっている．

ナノメートルサイズの薄膜試料をつくるのは難しい．
数 µm の試料を電子顕微鏡試料に加工するには，まず，電子顕微鏡試料作製法は，切断，研磨，蒸着に分けら加工する試料を研磨装置にセットしなければならない．
これにはマイクロサンプリングは格好の手段となる．３．

れる．切断法は古くから用いられ，ミクロトームという２節で詳述する鉛フリーハンダ微粒子の電子顕微鏡試料

名の装置でダイヤモンド刃により切片を切り出す．研磨

作製で，この機能を使った．しかし，優れた装置でも万NanotechJapan Bulletin Vol. 13, No. 6, 2020

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平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-3

図1

FIB で電子顕微鏡試料を作製する際に遭遇した課題例

能ではない．対象に応じた工夫をして使いこなせなけれ

FIB-SEM における 2 つの鏡筒と試料の配置には 3 つのば能力は活かされない．ハンダ微粒子の大きさは 5µm 程方式がある．ひとつの方式（図 2 左）では，垂直に配置

度，大きくても 10 ～ 15µm の球状で，幅 10µm 程度のされる SEM 鏡筒の光軸に対し，FIB の鏡筒の光軸が 60°

平たい試料のピックアップを想定したプローブに合わな
い．時間をかけて SIM で見て探していると融点の低いハ程度の傾きとなるよう配置する．試料表面を SEM 観察時

ンダは加熱されて溶ける．保護膜を被着する時にも溶け傾ける．FIB 切削は表面から行う．切削する面を見ながらる．一部でも溶けたような研磨表面は観察に適さない．

加工する標準的な FIB 加工と SEM を組み合わせたものでその他様々な課題に遭遇したが，ハンダ微粒子を加工のある．原理的構成であるが，同一観察場所の追跡手段の際に保持するメッシュにプローブでピックアップするの付加を必要とし，加工面のイオンビームによる損傷の恐は手早く，できるだけ SIM で見ない，などの工夫を行い，れがある．第二の方式（図 2 中）は，第一の方式と同じ

FIB 研磨条件の最適化を行って，電子顕微鏡観察に適した鏡筒配置をとるが，試料を SEM に対して 2 つの鏡筒の光試料を作製できるようになったという．図 1 は，初期の軸のなす角度だけ傾けて設置する．FIB は試料の横の面に失敗例である．

あたるので，横から表面に沿って薄皮を剥ぐように切削には電子線，FIB 加工時には FIB に正対するよう試料台をし，そのままの状態で SEM 観察を行う．試料を機械的に

２．
３

FIB-SEM による連続断面観察：Cut & See

動かす必要はないが，傾斜面の SEM 観察になり，視野内の高低差の補正が必要になる．第三の方式（図 2 右）で試料の深さ方向の構造を知るには，観察した表面からは FIB 鏡筒を SEM 鏡筒に対して 90°の位置，すなわち直薄層を削り取り，新しく露出した表面を観察することを交配置する．第二の方式の課題を解決する装置が作られ繰り返し，多数の断面画像から試料構造を 3 次元（3D）

た．

構築する，Cut & See の手法が注目，活用されるようになっ

本稿の支援では，第三の方式の「高速加工観察分析装た．これには，ひとつの試料室に集束イオンビームと電置（FIB-SEM）」（表 1 ③）を用いた（図 3）．この装置に子線の 2 つの鏡筒をつけ，FIB 加工と SEM 観察の機能をは，EDS（エネルギー分散型Ｘ線分光器），EBSD（電子後兼ね備えた FIB-SEM 装置が用いられる．

方散乱回折法），ArIB（Ar イオンビームミリング）
，STEM

図2

FIB-SEM の切削・観察方式（左：表面切削，中：側面切削・斜め配置，右：同・直交配置）

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平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-4

（走査透過電子顕微鏡）が加えられ，SEM 観察に加えて，起こるので，それを避けるようにしければならない」と，元素マッピングや結晶構造解析などを行える．このため，よく書いてあるが，どうしたら避けられるかは，どこに

例えば 3D 再構築画面は元素の種類を色付け，区別して表も見当たらない．中尾氏はカーテニング現象に遭遇し，示できる．

自力でその解決法を探った．

FIB-SEM の Cut & See では，FIB ビーム軸にほぼ平行なイネの葉肉細胞の 3 次元画像を作成した時だが，FIB 面

垂直の溝および隆起が SEM 観察面に現れるというカーテに保護膜を設けて（図 4 左上），Cut & See を始めたとこ

ニング現象が起こり，SEM 観察の連続性を妨げる．3D 画

ろ（図 4 左下）
，カーテニング現象で SEM 面が荒れて観像構築には Cut & See で何百枚もの写真を撮る．カーテ

察できなかった（図 4 右上）．FIB 面に凹凸があったり，

ニング現象がどこかで起こったら，3D 構築の信頼性が失サンプル内に空孔があり，硬さの差があるとカーテニン

われる．
「FIB-SEM の Cut & See ではカーテニング現象がグが起こる．Ga イオンビームが強すぎたかも知れない．
FIB 面を見ると加工エリアの周辺がシャープに切れていない（図 4 右中）．そこで FIB 面を SEM 面と直角，かつ平坦になるようミリングし，異なる材質の保護膜を追加の上，イオンビーム電流を調整するなどの検討を行った結
果，枠線がシャープに切れてカーテニング現象のない観察面を作ることに成功した（図 4 右下）．
微細構造解析プラットフォームの電子顕微鏡利用にあたり，様々な試料が持ち込まれる．生物系の軟らかいものもあれば，セラミックスのような硬いものもある．大きさ，形状，観察場所も様々である．既存装置の当たり
前の使い方では良い電子顕微鏡試料は作れない．失敗したら，現象をよく観察し，原因を探り，対策を工夫し，試行錯誤を重ねて，観察に適した電子顕微鏡試料を作りあげる．この結果，数々の秀でた利用成果が生まれている．
次章で紹介する成果例では，事例ごとに異なる課題に遭

図3

高速加工観察分析装置（FIB-SEM）

図4

遇し，粘り強くその解決に当たっている．

FIB-SEM による Cut&See で SEM 面に見られるカーテニング現象への対策

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平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-5

細胞を包埋した試料を SEM で観察すると，白地の樹脂の３．高度の電子顕微鏡試料作製によ り生み出された利用成果

中に細胞が見えるが縦に筋が入ってしまった（図 5（a））．

３．１ FIB-SEM を用いたイネ葉肉細胞の三次元構造
解析 [9]

こで，面 B を面 A に対して直角，かつ平坦にトリミング

図 5（a）は，図 5（b）の面 A を見ている．これに垂直な面 B に Ga イオンの集束ビームを当てて面 A を削る．そし，ビームに対し正確に直角になるようセットした．また硬さの違う面を切削するとカーテニング現象が起こる

イネは塩害に弱い．河口近くの水田に海水が流入するので，切削対象となる細胞を特定し，その形状を考慮しと，イネは葉色が薄くなり，下の葉から枯れて，死んでて試料台に設置して極力細胞のみが切削されるよう配慮

しまう．イネが塩ストレスに曝されると，イネの葉の葉した．この他ビーム電流調整など様々な工夫でカーテニ

肉細胞内の葉緑体構造が崩壊し，光合成活性が低下する

ング現象を抑制した．

ためとされるが障害発現機構は明らかでなかった．塩ス

SEM の観察ではコントラストの調整が重要になる．細トレス障害発現機構解明に向け，FIB-SEM によるイネ葉胞が大きく，樹脂の中に埋め込まれているので，カット緑体の三次元構造解析を行うことになった．

して細胞が表面に出てきたときにコントラストが変わる．

葉肉細胞１個，端から端まで，側面から FIB で削って何枚も撮るときに，画面の上下，左右でコントラストが表面を SEM で観察することを繰り返す．細胞を数十 nm

変わらないようにする．利用した装置は 4 つの電子検出

削るごとに撮った多数の SEM 画像から三次元画像を構築

器（SEM 鏡筒内蔵 In-Lens 二次電子検出器，高真空試料

する．細胞は 50 〜 100µm の大きさであるため，数百回の Cut & See を行う．1 回の切削・観察には 5 分くらいか室設置二次電子検出器，SEM 鏡筒内蔵 BSE 検出器（エネかるので 300 枚の画像を撮るには一昼夜かかる．細胞はり，単独でも組み合わせても使える．ビームブースト（増樹脂に包埋して試料台にセットしているので，細胞が樹強）という機能，エネルギーフィルターを使って，複数

脂のどこにあるか探すことから観察は始まる．反復観察

検出器の相対感度，二次電子と反射電子の比率などを変は機械的に行えるが，多数の切削・観察を安定して行うえることにより，コントラストを調整できる．SEM 鏡筒には，切削や観察条件の精緻な調整が必要になる．

内蔵 In-Lens 二次電子検出器のみで撮影した画像（図 6（a））

その一つが，前章に記したカーテニング現象である．

図5に比べ，これに SEM 鏡筒内蔵 BSE 検出器を組み合わせ，

カーテニング現象の対策

図6

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ルギー選択グリッド搭載），透過電子検出器）を備えておコントラストの調整

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図7

イネ葉肉細胞の三次元構造解析（左から，TEM 像；断面 SEM 像；3 Ｄ断面例；3D 再構築）

コントラストの適正化を行うと，より明瞭な画像を撮影

かった [12]．

できた（図 6（b））
．さらに，Cut & See の前に各試料について最適な SEM 加速電圧と検出器感度の組合せなどの条件出しを行う．生物試料ではチャージアップが問題になる．加速電圧を 0.5kV から少しずつ上げて写真を撮り，３．２ FIB を用いた TEM 試料作製による次世代半導体用配線接合材料の構造解析 [8][13]

利用者に良い条件を選んで貰う．加速電圧が低いと分解長年，電子回路の配線・接続には鉛（Pb）と錫（Sn）

能が下がり，加速電圧が高いと下の層まで透けて見えての合金からなるハンダが用いられてきた．しかし，Pb のしまう．このような試料の SEM 観察ならこういう条件で環境への悪影響から，欧州連合（EU）は Pb の使用を禁やりなさいというものはない．観察条件は観察者自身がずる RoHS 規制を行い，Pb フリーハンダの開発が進んだ．

見つけ出すしかない．

電子回路を構成する半導体は，情報処理から電力制御に

この他，様々な条件設定を行い，失敗もあったが，FIB-展開し，大電力を扱う次世代半導体の配線接合には高温

SEM を用いた Cut ＆ See で葉肉細胞の 3 次元画像構築をまで強固な接続を保つ事が求められる．これに応え，有行なった．葉肉細胞を TEM で観察して細胞核や葉緑体の限会社ナプラは，Sn に一定の割合で銅（Cu）などを混合し，あることは分かる（図 7 左）が，立体的な位置関係は分Sn 中にナノ金属間化合物をコンポジット化した機能性微からない．そこで，Cut & See を行い，SEM で或る切削断

粒子金属を含む新規鉛フリーハンダを開発した．この材面を見ると，その断面特有の比較的単純な図形が見られ料は耐熱性に優れ，－ 40 ～＋ 200℃の過酷な熱履歴サイる（図 7 中左）．25 × 25 × 15µm の領域を 50nm ステッ
プで Cut & See を行い，300 枚の画像から 3 次元構造のクルに耐える．この優れた特性の由来を明らかにしよう

再構築を行うと，垂直面，水平面ごとにその断面の組織

微鏡で構造解析を行なった．

と，名古屋大学微細構造解析プラットフォームの電子顕に応じたパターンを描くことができる（図 7 中右）．さら

電子顕微鏡での解析では，まず前章に述べたように，に，組織ごとに色付けして核や葉緑体の立体的位置関係

融点の低い，1 〜 10µm のハンダ微粒子の取り扱いに工夫を要した．微粒子を FIB-SEM の試料台にセットできるを表示できた（図 7 右）．
塩害を受けたイネと正常なイネとを比較したイネ葉肉ようになり，FIB で切削してハンダ微粒子の連続断面像を細胞の三次元構造解析の結果，体積変化に有意な差はな

観察した．Sn の中に，比較的明るく見える Sn-Cu 金属間く，細胞壁の内側に伸び広がっていた葉緑体が，塩害に化合物がほぼ均一に分布していた（図 8，左は削りはじめ

よって細胞の内側に縮まり球状に変化している事が分で右は中心部）．

図8

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ハンダ微粒子連続断面像

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図9

図 10

ハンダ微粒子の元素マッピング像

ハンダ接続界面における金属間化合物 Cu-Sn の骨格形成

次いで，透過電子顕微鏡による構造解析のため，ハンチタン酸ストロンチウム（Ir-doped SrTiO3）薄膜（厚さダ微粒子をピックアップし，メッシュに固定してカーボ

20nm）の成長に成功した．原子間力顕微鏡（AFM）で観ン保護膜を蒸着して FIB による薄片化で観察用試料を作製察すると，薄膜表面にナノドットの存在が認められたが，した．ハンダ微粒子は FIB 加工時の熱ダメージに弱い．カー

この構造からでは，高い光触媒効率を説明できなかった．

ボン保護膜の蒸着量などを最適化し，EBSD による結晶方

そこで走査透過電子顕微鏡（STEM）（表 1 ②）を用いた

位確認，EDS 元素分析による金属間化合物の組成と配合より高い分解能の構造解析を行うこととなった．

位置の確認などを行なって，薄片試料を作製した．この観察試料は厚い SrTiO3 基板上に成長させた Ir-doped

試料について，温度を変え，反応科学超高圧（1,000kV）

SrTiO3 薄膜からつくる．FIB を使用して試料作製を試みた

電子顕微鏡（表 1 ①）により加熱実験を行ったところ，

ところ，薄片化する過程で，ナノピラーが Ga+ ビームで200℃に加熱しても組織変化がなく，構造解析から耐熱ダメージを受けて消失してしまう．加工形状を楔形にし性を確認できた．また，加速電圧 200kV の収差補正によて作ったが（図 11），STEM でピラーを観察することがでり原子分解能で観察できる走査透過電子顕微鏡（表 1 ②）で元素マッピングを行なった（図 9）．Cu-Sn 金属間化合物（IMCC）は，Sn と Sn の粒界間に存在し，Sn-Sn 粒界
間の歪みを緩和していると見られる．ハンダ溶融時に分散していた Cu-Sn の微粒子は冷却に伴い Cu-Sn 骨格を形成して強固な接続が形成されている（図 10，模式図）．

３．３ Ar イオン研磨法により薄膜 TEM 試料を作製し，人工光合成光触媒の新奇構造を発見 [10][14]地球温暖化対策に，再生可能エネルギーへの期待が高まっている．そのひとつに，光触媒を用いた太陽光による水分解，水素生成がある．東京大学の研究者らは従来
比 4 倍の光触媒効率を実現する画期的なイリジウム添加

図 11

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平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-8

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FIB による楔形加工図 12

人工光合成光触媒の薄膜 TEM 試料作製

図 13

光触媒薄膜中のナノピラー

きない．FIB による試料のダメージを避けるため，Ar ミ

この正孔が露出したナノピラー先端部分で水の水素へのリングを用い，薄膜内部構造を立体的に観察できるよう，分解を促進させたと考えられた [15]．

薄膜に対して断面方向及び平面方向から観察出来る 2 つの TEM 試料を作製した（図 12）．断面方向の観察には，試料を 2 枚張り合わせ，機械加工で前処理した後，窪みを設け，Ar ミリングを行なった．平面方向の観察には，

４．おわりに試料を傾斜させて固定し，超精密研磨加工で 3°の傾斜を微細構造解析の代表的手法である電子顕微鏡観察は，つけてから，Ar イオンミリングを 5 分間行なった．この

これに適した試料作製があって初めて可能になる．名

条件設定は，多くの試行錯誤の後に行なわれたものであ

古屋大学微細構造解析プラットフォームはサポートメ

るが，傾斜研磨加工には，FIB での試行経験が活かされた

ニューに，試料作製，観察，解析の 3 工程を明記した．

という．

プラットフォームに持ち込まれる試料は，セラミックス，

この試料の STEM 観察で，平面方向（図 13（a）），断

金属，生物試料と様々である．試料ごとに作製方法を選

面方向（図 13（b））で図に示すような HAADF（高角環び，加工条件を探る．失敗も多く，試行錯誤の連続とい状暗視野）像が得られた．AFM で観察されたナノドット

う．中尾氏は，失敗の状況をよく観察して対処・工夫し，状のものは薄膜中に自律成長したナノピラーであった．

困難を乗り越えて，様々な利用成果を生み出す試料作製

ナノピラーは EELS 計測から Ir 金属であることがわかり，を行ってきた．苦労するが，成功した時の喜びは大きい

5nm ほどのロッドで薄膜を貫通して表面に露出していた．

ので楽しいという．より綺麗な（ダメージレスな）サン

この観察結果から，光励起によって電子／正孔が生成し，プルを作製するのは，全ての試料作製者にとって悩みで

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平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-9

もあり，課題でもある．装置の使い分けが必要であり，

2019，https://www.nanonet.go.jp/magazine/feature/

同種の装置でも条件や結果が異なる．利用者は研究目的

excellent-result/28.html

があって依頼するが，電子顕微鏡観察の経験が少ないた[9]「2018 秀でた利用成果：塩ストレス下におけるイ

め，無理な要求をすることもある．利用者の要望をよくネ葉の葉緑体の三次元構造解析」，NanotechJapan

把握し，材料の性質を理解するとともに，装置の特性を

Bulletin Vol. 11, No. 4, 2018，https://www.nanonet.

上手に利用して加工方法や条件を選択するための “ ノウハgo.jp/magazine/feature/excellent-result/21.html

ウ ” や “ スキル ” は一層重要になる．経験，研鑽を積む一[10]「2017 秀でた利用成果：超高効率水素製造光触媒

方，広報を通じて何が出来るかを知ってもらうことによっを実現した新奇薄膜構造の発見とその構造解析」，てユーザーを増やし，人と交流できる環境をモチベーショ

NanotechJapan Bulletin Vol. 10, No. 2, 2017，https://

ンに，微細構造解析プラットフォームの活動を推進した

www.nanonet.go.jp/magazine/feature/excellent-

いと，今後の一層の活躍を期待させるコメントがあった．

result/1.html[11] 中尾知代，「名古屋大学ナノテクノロジープラット
フォーム微細構造解析 チームの紹介～電子顕微鏡を用いた研究支援と原動力となっているスタッフたち

参考文献～」，まてりあ 第 58 巻 第 4 号 (2019) pp. 214-215[1] 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業[12] Koji Yamane，Takao Oi，Sakiko Enomoto，Hiroshi

技術スタッフ表彰，https://www.nanonet.go.jp/ntj/

Miyake，and Mitsutaka Taniguchi，“Three ‐award/

dimensional ultrastructure of chloroplast pockets[2] ナノテクノロジープラットフォーム平成 30 年

formed under salinity stress”，Plant Cell and

度秀でた利用成果と技術スタッフ表彰者が決Environment，Vol.41，Issue 3，pp.563–575 (2018).

定！！，https://www.nanonet.go.jp/ntj/topics_
gov/?mode=article&article_no=4607[13]「次世代半導体配線接合用高機能材料の開発」，https://www.nanonet.go.jp/pages/seika_[3]「高精度 FIB 加工技術を用いた微細構造観察 技術支
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research_support_award/H30_Award_2.pdf

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平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-10