微量添加元素の局所構造解析

JASRI

大渕博宣

1

概要
1. はじめに
2. Eu添加GaNについて
3. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング
4. Eu添加AlGaNについて
5. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング21. はじめに
2. Eu添加GaNについて
3. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング
4. Eu添加AlGaNについて
5. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング
3

はじめに
Artemisを用いた通常の解析→既知の結晶構造を仮定してフィッティング

既知の結晶構造モデルでは
フィッティングできない例
1. 混晶：A1-XBXC、A1-XBXC1-YDY等
2. 点欠陥：異種原子(置換型)
格子間原子(進入型)
原子空孔等
3. 界面、表面：超薄膜、ナノ粒子等

Eu添加AlGaN
Eu添加GaN4

1. はじめに
2. Eu添加GaNについて
3. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング
4. Eu添加AlGaNについて
5. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング5Eu添加GaN
希土類添加半導体
発光特性:
 希土類元素特有の4f殻内遷移 非常に鋭い発光ピーク
 発光波長が温度に対し安定OMVPE法によりEuをGaNに添加
Eu添加GaN
赤色LED
A. Nishikawa et al., Appl. Phys. Exp. 2, 071004 (2009).
6

実験結果
PLスペクトル

動経分布
Eu-Ga

77K

F.T.{k3(k)} (arb. unit)

PL INTENSITY (arb. unit)

Eu LIII-edge

Tg =1050°C

600

1000°C

Tg =900°C
1000°C
1050°C
dot: experimental
line:fitting

Eu-N

×50

900°C
610

620

630

WAVELENGTH (nm)

640

0

1

2

3

4

5

6

RADIAL DISTANCE (Å)
H. Ofuchi et al., e-J. Surf. Sci. Nanotech. 9, 51 (2011).

成長温度1000℃で発光強度が最大3Å付近の第二近接Gaに起因した
ピーク高さが変化
7

1. はじめに
2. Eu添加GaNについて
3. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング
4. Eu添加AlGaNについて
5. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング8仮定する構造モデル
Eu③ 格子間位置に進入

Ga
N② Nサイトに置換① Gaサイトを置換
9

① Gaサイト置換型モデルの作成

Ga

Eu
N

10

実験データの読み込み
1. Athenaで解析したファイルを開く• Ctrl-o または• File - Open file(s)2. データを選択

GaN_1050C.txtが選択されていることを確認

GaN_Eu_exp.prj
を開く

Import selected data
ボタンを押す11実験データの確認
k3を選択

k-range: 3 – 10.5 Å-1

RR-range: 1.4 – 3.6 Å

12データの保存
① メニューから File － Save project as…を選択(又はFitボタン左のSaveボタンをクリック)② ファイル名GaN_Eu_artemis.fpjを入力して保存→この後は作業ごとに保存

13

FEFFによる理論計算① Feff calculations のAddボタンを右クリック② [ ----- ] Open a blank Atoms windowを選択し、OKボタンをクリック

14結晶学データの入力（Atoms）
Atoms: FEFF.inpを作成するプログラム

タイトル① モデル名を入力
Ga-site④ 格子定数を入力
a = 3.186 Å
b = 3.186 Å
c = 5.176 Å
α = 90°β = 90°γ = 120°② 空間群を入力
P63mc (186)③ Edgeを選択
K

クラスターの半径 (Å)⑤ 原子座標を入力
Ga: 0.33333, 0.66667, 0
N: 0.33333, 0.66667, 0.375

Shift vector:
原点の取り方によっては，修正することも⑥ 中心原子を選択Ga
15

各種ファイル（atoms.inp, feff.inp）、
座標データファイル保存① FeffウィンドウのAtomsタブを選択② Save dataアイコンをクリックし、
GaN_atoms.inpで保存→この後のモデル計算で使用

Exportアイコンをクリックすると、各種座標データファイルへの保存が可能

feff.inpファイルの保存
atoms.inpファイルの保存
xyz座標データファイルの保存モデル構造の可視化に利用16

Atoms計算（Gaサイト置換型）
Run Atomsをクリック

17feff.inpの編集(Gaサイト置換型)
TITLE GaNHOLE

① HOLEを1(K-edge)から4(L3-edge)に変更

1

1.0

*

* FYI: (Ga K edge @ 10367 eV, second number is S0^2)
TITLE GaN
mphase,mpath,mfeff,mchi

CONTROL

1

1

1

1

PRINT

1

0

0

0

RMAX

5.0

*POLARIZATION

0.0

0.0

0.0

POTENTIALS

HOLE
S0^2)

4

1.0

* FYI: (Ga K edge @ 10367 eV, second number is*mphase,mpath,mfeff,mchi

CONTROL

1

1

1

1

PRINT

1

0

0

0

RMAX

5.0

② 中心原子(ipot*POLARIZATION 0)をGa(Z=31)からEu(Z=63)に変更
0.0
0.0
0.0

* ipot

Z

tag

0

31

Ga

1

31

Ga

POTENTIALS

2

7

N

* ipot

Z

tag

0

63

Eu

1

31

Ga

7

N

ATOMS

*

* this list contains 183 atoms
2

x

y

z

0.00000

0.00000

0.00000

ipot tag0

distance③ 中心原子のtagをGa1からEu1に変更

Ga1

0.0000
ATOMS** this list contains 183 atoms

x

y

z

0.00000

0.00000

0.00000

ipot tag0

Eu1

distance
0.00000

18

FEFF計算(Gaサイト置換型)② Run Feffをクリック① 変更箇所の確認
・HOLE：1(K-edge) → 4(L3-edge)
・中心原子(ipot 0)：Ga(Z=31) → Eu(Z=63)・中心原子のtag：Ga1 → Eu1
19実験値と理論計算(Gaサイト置換型)の比較② 各Pathのアイコンをクリック③ Rをクリック① Ctrlキーを押しながらPath1-2,4-6を選択し、Dataウィンドウに
ドラッグ＆ドロップ(Path3は寄与が低い)

20

Pathの足し合わせ(Gaサイト置換型)① すべてのPathをチェック⑤ Rをクリック③ VPath名にGa-siteと入力② DataウィンドウのメニューからAction－Make sum of marked
paths and plot in Rを選択

④ DataとVPath以外のチェックを外す⑥ 選択したPathの足し合わせを表示

21

② Nサイト置換型モデルの作成

Ga
Eu

N

22

feff.inpの作成(Nサイト置換型)① Feff calculationsのAddボタンをクリック⑤ Run Atomsをクリック③ モデル名を入力
N-site④ Nにcoreのチェックを入れる② 先程保存した
GaN_atoms.inpファイルを開く
23

FEFF計算(Nサイト置換型)② Run Feffをクリック① 変更箇所の確認
・HOLE：1(K-edge) → 4(L3-edge)
・中心原子(ipot 0)：N(Z=7) → Eu(Z=63)・中心原子のtag：N1 → Eu1
24実験値と理論計算(Nサイト置換型)の比較② [N-site]のアイコンをクリック④ Rをクリック③ DataとPath:[N-site]
以外のチェックを外す① Ctrlキーを押しながらPath1-2,6を選択し、Dataウィンドウにドロップ(Path3-5は寄与が低い)25

Pathの足し合わせ(Nサイト置換型)① [N-site]をすべてチェック⑤ Rをクリック③ VPath名にN-siteと入力② DataウィンドウのメニューからAction－Make sum of marked
paths and plot in R
を選択
⑥ 選択したPathの足し合わせを表示④ DataとVPath:N-site
以外のチェックを外す
26

③ 進入型モデルの作成

Eu
Ga

N

27

feff.inpの作成(進入型)① Feff calculationsのAddボタンをクリック⑤ Run Atomsをクリック③ モデル名を入力
interstitial④ Gaにcoreのチェックを入れる② 先程保存した
GaN_atoms.inpファイルを開く28feff.inpの編集(進入型)① HOLEを1(K-edge)から4(L3-edge)に変更

HOLE

4

1.0

*

mphase,mpath,mfeff,mchi

CONTROL

1

1

1

1

PRINT

1

0

0

0

RMAX

5.0
0.0

0.0

*POLARIZATION* FYI: (Ga K edge @ 10367 eV, second number is S0^2)

POTENTIALS* ipot

Z

tag

0

63

Eu

1

31

Ga

2

7

N

Ga
(0,0,0)③ 原点のipot 0を散乱原子Gaのipot 1に変更

ATOMS
*

0.0

② 中心原子(ipot 0)をGa(Z=31)から
Eu(Z=63)に変更* this list contains 183 atoms

x

y

z

ipot tagdistance

0.00000

0.00000

0.00000

1

Ga10.00000-1.83942

0.00000-1.617500Eu10.00000

0.00000

0.00000

1.94100

2

N1.1

1.94100

1.839420.00003-0.64700

2N1.2

1.94989-0.91974-1.59297-0.64700

2N1.2

1.94989NEu(-1.83942,0,-1.61750)④-0.91974
進入原子Euの座標を追加
1.59303-0.64700 2 N1.2
1.94994(-1.83942 0.00000 -1.61750 0 Eu1)29中心原子の座標変更時の注意点
Cluster size = RMAXの場合
Cluster size

RMAX

Cluster size > RMAXの場合
Cluster size
RMAX

中心原子を動かす

この領域の原子座標がfeff.inpにない

RMAX内にあるべき一部の原子を含まずに計算

Cluster size内にある
原子を含む

30

FEFF計算(進入型)② Run Feffをクリック① 変更箇所の確認
・HOLE：1(K-edge) → 4(L3-edge)
・中心原子(ipot 0)：Ga(Z=31) → Eu(Z=63)・中心原子のipot：0 → 1・進入原子Euの座標を追加

31

実験値と理論計算(進入型)の比較② [interstitial]のアイコンをクリック① Path 1-4,9-10,12を選択し、Dataウィンドウにドラッグ＆ドロップ(Path6-8,11は寄与が低い)④ Rをクリック③ DataとPath:[interstitial]
以外のチェックを外す

32

Pathの足し合わせ(進入型)① [interstitial]をすべてチェック⑤ Rをクリック③ VPath名にinterstitialと入力② DataウィンドウのメニューからAction－Make sum of marked
paths and plot in R
を選択

⑥ 選択したPathの足し合わせを表示④ DataとVPath:interstial
以外のチェックを外す
33

各モデルの理論計算結果の比較② Rをクリック① Dataと各VPathを選択

・ピーク形状はGaサイト置換型が実験データに最も近い・ピーク位置の違いは中心原子の原子半径の違いによる
局所的な歪緩和の影響
34

データの保存
① メニューから File － Save projectを選択し、ファイルを保存

途中休憩(10分)② メニューから File － Exitを選択し、一旦Artemisを終了する
35

カーブフィッティング(Gaサイト置換型)

Ga
Eu

N

36

実験データの読み込み① メニューから File －Open project or dataを選択③ GaN_1050C.txtが選択されていることを確認④ Import selected data
ボタンを押すk-range : 3 – 10.5 Å-1
R-range: 1.4 – 3.6 Å② GaN_Eu_exp.prj
を開く

Fitting k weightsは
3を選択④ Rをクリック

3を選択

Include in fitとPlot after fitをチェック
37feff.inpの作成(Gaサイト置換型）① Feff calculationsのAddボタンをクリック⑤ Run Atomsをクリック③ モデル名を入力
Ga-site④ Gaにcoreのチェックを入れる② 先程保存した
GaN_atoms.inpファイルを開く38feff.inpの編集(Gaサイト置換型)
ATOMS** this list contains 183 atoms

x

y

z

ipot tagdistance

0.00000

0.00000

0.00000

0Ga1

0.00000

0.00000

0.00000

1.94100

2

N1.1

1.94100

1.839420.00003-0.64700

2N1.2

1.94989-0.91974-1.59297-0.64700

2N1.2

1.94989-0.91974

1.59303-0.64700

2N1.2

1.94994

1.839420.000032.58800

1

Ga1.1

3.17509

中心原子の原子半径の違いによる最近接原子のピーク位置のずれ
ATOMS** this list contains 183 atoms

x

y

z

ipot tagdistance

0.00000

0.00000

0.000000Eu1

0.00000

0.00000

0.00000

2.20000

2N1.1

2.20000

2.075360.00003-0.729992

N1.2

2.20000-1.03771-1.79730-0.729992

N1.2

2.20000-1.03769

1.79732-0.729972N1.2

2.20000

1.839420.000032.58800

1

Ga1.1

3.17509

最近接原子間距離が2.2Åになるようxyz座標を変更
39

feff計算(Gaサイト置換型)② Save fileをクリックし、GaN-site.inpで保存→この後のEu添加AlGaNのカーブフィッティングで利用③ Run Feffをクリック① 変更箇所の確認
・HOLE：1(K-edge) → 4(L3-edge)
・中心原子(ipot 0)：Ga(Z=31) → Eu(Z=63)・中心原子のtag：Ga1 → Eu1
・最近接原子Nのxyz座標を変更

40

実験値と理論計算(Gaサイト置換型)の比較② 各Pathのアイコンをクリック③ Rをクリック① Ctrlキーを押しながらPath1-2,5を選択し、Dataウィンドウに
ドラッグ＆ドロップ(Path3-4は寄与が低い)41

Pathの足し合わせ(Gaサイト置換型)① すべてのPathをチェック⑤ Rをクリック③ VPath名にGa-siteと入力② DataウィンドウのメニューからAction－Make sum of marked
paths and plot in R
を選択

⑥ 選択したPathの足し合わせを表示④ DataとVPath以外のチェックを外す

42

パラメータの設定(Gaサイト置換型)① [Ga-site]N1.1の
S02,ΔE0,ΔR,σ2をそれぞれ
amp,enot,delr,ssに設定③ [Ga-site]Ga1.1では
amp,enot,delr2,ss2に設定し、右クリック→Guessをクリック④ [Ga-site]N1.4では
amp,enot,delr3,ss3に設定し、右クリック→Guessをクリック⑤ GDSウィンドウでパラメータを確認② 各パラメータを右クリック→Guessをクリック

43

フィッティング結果(Gaサイト置換型)

Fitを実行

良くフィットしているように見えるが、
ss,ss3の値がマイナスになっている

ampとの相互作用の影響

44標準試料からampを求める
FEFFによる計算から得られるamp(S02) ＝ 0.70 ～ 1.05
G. G. Li et al., PRB 52, 6332 (1995).

ampの値が0.75とやや小さい値

構造が既知の標準試料からampの値を求める

未知試料のampに用いる標準試料EuN(NaCl型)
からampを求める

未知試料Eu添加GaNのampに用いる45

実験データの読み込み(EuN)① メニューから File －Open project or dataを選択③ EuN.txtが選択されていることを確認④ Import these data
ボタンを押すPlotウィンドウにData:EuN.txtが追加② EuN_exp.prj
を開く

EuN.txtのData
ウィンドウが表示
46

実験データの確認(EuN)kk-range: 3 – 10.5 Å-1
R-range: 1.4 – 4.0 Å

3を選択

Fitting k weightsは3を選択

RInclude in fitとPlot after fitをチェック
Data:EuN.txt
のみ選択47

FEFFによる理論計算(EuN)① Feff calculations のAddボタンを右クリック② [ ----- ] Open a blank Atoms windowを選択し、OKボタンをクリック

48

結晶学データの入力(EuN)⑦ 入力が終わったらRun Atomsを押す① モデル名を入力
EuN② 空間群を入力
Fm-3m (225)④ 格子定数を入力
a = 5.014 Å
b = 5.014 Å
c = 5.014 Å
α = 90 °β = 90 °γ = 90 °③ Edgeを選択（L3）⑤ 原子座標を入力
Eu: 0, 0, 0
N: 0.5, 0.5, 0.5⑥ 中心原子Euを選択

49

Pathの選別(EuN)① Run Feffをクリック② Ctrlキーを押しながらPath1-2を選択し、EuN.txtのDataウィンドウにドラッグ＆ドロップ

50

パラメータの設定(EuN)②[EuN]N1.1は
amp_1,enot_1,
delr_1,ss_1に設定し、右クリック→Guessをクリック②[EuN]Eu1.1はamp_1,enot_1,
delr_12,ss_12に設定し、右クリック→Guessをクリック③ GDSウィンドウでパラメータを確認

51

パラメータの設定(EuN)
GaN:Eu① ampをGuessからsetに変更し、Math expressionを
amp_1にする。

④ Rをクリック② Fitを実行③ Plotウィンドウで表示させたい方のDataを
チェック

EuN

52

フィッティング結果の比較
EuNのampを用いない場合

EuNのampを用いた場合

ss,ss3が適切な値になっている

amp_1=0.833

後のフィッティング
で使用

53データの保存(Gaサイト置換型)① メニューから File － Save project as…を選択② ファイル名を入力して保存③ メニューから File － Colseを選択し、一旦データを閉じる

54

1. はじめに
2. Eu添加GaNについて
3. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング
4. Eu添加AlGaNについて
5. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング55

Eu添加AlGaN

Al組成x=0.24で発光強度が最大
A. Koizumi et al., Opt. Mat. 41, 75 (2015).
56Eu添加AlGaN
AlxGa1-xN:Eu

Eu LIII-edge
4.8Al,7.2Ga

Al composition =4N

F.T.{k3(k)} (arb. unit)

40%

4.2Al,7.8Ga

4N

35%

2.88Al,9.12Ga

4N

24%

12Ga
4N
0

1

6Ga
2

3

4

0%
5

6

RADIAL DISTANCE (Å)(Curve-fiting by FEFF8.4)
A. Koizumi et al., Opt. Mat. 41, 75 (2015).

H. Ofuchi et al., E-MRS2011, VII1 (2011).

57

1. はじめに
2. Eu添加GaNについて
3. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング
4. Eu添加AlGaNについて
5. Artemisを使用した解析・構造モデルの作成
・理論計算結果の比較
・カーブフィッティング
58

Ⅲ族サイト置換型モデルの作成

Ga
Al

Eu

N

59

実験データの読み込み
1. Athenaで解析したファイルを開く• Ctrl-o または• File - Open file(s)2. データを選択

AlGaN_Eu_024.txtが選択されていることを確認

AlGaN_Eu_exp.prj
を開く

Import selected data
ボタンを押す60

実験データの確認
k3を選択
k-range: 3 – 10.5 Å-1
R-range: 1.4 – 3.6 ÅRFitting k weightsは3を選択

Include in fitとPlot after fitをチェック

61

feff.inpの作成(Ⅲ族サイト置換型）① Feff calculationsのAddボタンをクリック② Open fileから先程保存した
Ga-site.inpファイルを開く62

feff.inpの編集(Ⅲ族サイト置換型)
POTENTIALSPOTENTIALS

ipot

Z

element

Eu

0

63

Eu

31

Ga

1

31

Ga

7

N

2

7

N

3

13

Al

* ipot

Z

tag

0

63

1
2

① 散乱原子Al(ipot 3, Z=13)を追加* this list contains 183ATOMS
atoms

ATOMS
*

*

xdistance

y

z

ipot

Eu1

0.00000
0.00000

0.00000

0.00000

0 Eu1

0.00000

2N1.1

0.00000
2.20000

0.00000

2.20000

2 N1.12.20000-0.72999

2

N1.2

2.075362.20000

0.00003-0.72999

2 N1.22.20000-1.79730-0.729992

N1.2-1.03771
2.20000 -1.79730-0.72999-1.03769

1.79732-0.729972

N1.2-1.03769
2.20000

1.839420.000032.58800

1

Ga1.1

3.17509-0.91974-1.59297

2.58800

1

Ga1.1

3.17509

1.839420.00003-2.58800

1Ga1.1

3.17509-0.91974-1.59297-2.58800

1Ga1.1-0.91974

1.593032.58800

1-0.91974

1.59303-2.58800

2.75916

1.59300-2.75916xyz

ipot tag

0.00000

0.00000

0.00000

00.00000

0.00000

2.20000

2.075360.00003-1.03771** this list contains 77 atoms

tagdistance

2.75916
3.175091.59300

0.00000

3 Al1.2

3.18600

Ga1.1-2.75916
3.175121.59300

0.00000

3 Al1.2

3.18600

1

Ga1.1

0.00000
3.175123.18600

0.00000

3 Al1.2

3.18600

0.00000

1

Ga1.2

2.759163.18600 -1.59300

0.00000

1 Ga1.2

3.18600

1.59300

0.00000

1Ga1.2-2.75916
3.18600 -1.59300

0.00000

1 Ga1.2

3.18600

0.00000

3.18600

0.00000

1

Ga1.2

0.00000
3.18600 -3.18600

0.00000

1 Ga1.2

3.18600

2.75916-1.59300

0.00000

1

Ga1.2

3.18600-2.75916-1.59300

0.00000

1

Ga1.2

3.18600･･･

1.79732① 一部の第二近接原子Gaを
2 N1.22.20000-0.72997
2 N1.23)に置き換える
2.20000
Al(ipot63

feff計算(Ⅲ族サイト置換型)② Run Feffをクリック① 変更箇所の確認
・HOLE：1(K-edge) → 4(L3-edge)
・中心原子(ipot 0)：Ga(Z=31) → Eu(Z=63)・中心原子のtag：Ga1 → Eu1
・最近接原子Nのxyz座標を変更
・一部の第二近接原子GaをAl(ipot 3)に置き換える64

実験値と理論計算(Ⅲ族サイト置換型)の比較② 各Pathのアイコンをクリック③ Rをクリック① Ctrlキーを押しながらPath1-3,7を選択し、Dataウィンドウにドロップ(Path4-6は寄与が低い)65

Pathの足し合わせ(Ⅲ族サイト置換型)① すべてのPathをチェック⑤ Rをクリック③ VPath名にGa-siteと入力② DataウィンドウのメニューからAction－Make sum of marked
paths and plot in R
を選択
⑥ 選択したPathの足し合わせを表示④ DataとVPath以外のチェックを外す

66

カーブフィッティング(Ⅲ族サイト置換型(Eu添加AlGaN))

Ga
Al

Eu

N

67

パラメータの設定(Ⅲ族サイト置換型)
第二近接原子の配位数：12
Ga組成：0.76
Al組成：0.24

Gaの配位数：12×0.76=9.12
Alの配位数：12×0.24=2.88
N1.1

Ga1.1

Al1.2

N1.4

N

4

9.12

2.88

9

S02

amp

amp

amp

amp

ΔE0

enot

enot

enot

enot

ΔR

delr

delr2

delr3

delr4

σ2

ss

ss2

ss3

ss4

各Pathのパラメータを
左表のように設定後、右クリック→Guessをクリック

68パラメータの変更(Ⅲ族サイト置換型)② Fitを実行① ampをGuessからsetに変更し、Math expressionを0.833に変更

69

フィッティング結果(Ⅲ族サイト置換型)

いずれのパラメータも妥当な値

70カーブフィッティング時の注意点①パラメータ数は出来るだけ少なく・原子間距離の近いPathは１つにまとめる
・場合によっては配位数を固定する
・標準試料からS02の値を求めて未知試料に適用する② 初期パラメータは出来るだけ実験値に近く・実験値から大きくずれていると収束しない場合がある③フィッティングにより得られたパラメータの確認
・値が大きくずれる場合はモデルを再検討する

71

付録：マニュアル・参考情報①

Html版マニュアル
https://bruceravel.github.io/demeter/documents/Artemis/index.html
各種参考情報http://xafs.org/Tutorials
特にShelly D. Kelly 氏(Argonne Natl. Lab.) のAthenaとArtemisに関するtutorial
http://xafs.org/Tutorials?action=AttachFile&do=get&target=Basics_of_XAFS_to_chi.pdf
http://xafs.org/Tutorials?action=AttachFile&do=get&target=Basics_of_XAFS_analysis.pdf
Iffefitのメーリングリスト（Iffefit, Athena, Artemisの開発者から回答してもらえる）
http://millenia.cars.aps.anl.gov/mailman/listinfo/ifeffit/
メーリングリストのアーカイブ（過去に同様な質問がされていないかどうか確認しておく）
http://millenia.cars.aps.anl.gov/pipermail/ifeffit/

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マニュアル・参考情報②● Bruce Ravel XAS course 2011
（2011年にDiamond Light Sourceで行われた
XAS training courseのビデオ映像）
http://www.diamond.ac.uk/Beamlines/Spectros
copy/Techniques/XAS.html● XAS Education(Ravel氏がXAS training courseで用いた各種ドキュメント)
http://bruceravel.github.io/XAS-Education/● XAFS for Everyone(Scott Calvin, CRC Press)
XAFS解析に重点を置いた参考書
解析手法や解析の手順、解析の際の注意点などが質疑応答形式で分かりやすく説明されている
http://www.crcpress.com/product/isbn/978143
987863773