第 53 �

真空に関する連合講演会

主 催：

日本真空学会

協 賛：

映像情報メディア学会，応用物理学会，化学工学会，原子衝突研究協会，触媒学会，低温工学・超電導学会，電気学会，電子情報通信学会，日本化学会，日本加速器学会，日本機械学会，日本金属学会，日本顕微鏡学会，日本原子力学会，日本材料学会，日本質量分析学会，日本真空工業会，日本チタン協会，
日本鉄鋼協会，日本半導体製造装置協会，日本表面科学会，日本物理学会，日本分析化学会，日本放射光学会，表面技術協会，腐食防食協会，プラズマ・核融合学会

期 日：(五十音順)

平成 24 年 11 月 14 日（水）9:30-18:00
平成 24 年 11 月 15 日（木）9:00-17:45

懇親会 18:00-19:30

平成 24 年 11 月 16 日（金）9:00-15:30
会 場：

甲南大学ポートアイランドキャンパス（兵庫県神戸市中央区港島南町 7 丁目 1-20）
アクセスマップウェブページ http://www.konan-first.jp/map_a.html
A 会場（口頭発表）7F レクチャーホール
B 会場（口頭発表）6F 602 講義室
C 会場（ポスターセッション，企業展示）7F レクチャールーム
懇親会場

7F カフェテリア

参加費： 日本真空学会学生会員 2,000 円
日本真空学会個人会員及び法人会員に属する個人ならびに協賛学協会の会員 4,000 円
非会員 5,000 円
予稿集代金
懇親会

2,500 円

3,000 円

クレジットカードによる事前登録が可能です．連合講演会のウェブページ
（http://www.vacuum-jp.org/CONFV/asvsj2012/index.html）をご参照ください．
入会のご案内： 日本真空学会学生会員の年会費は 4,000 円ですが，機関誌の配布を希望しない場合は 2,000 円になります．学会のウェブページ（http://www.vacuum-jp.org/ ）の入会方法および入会申込書を参考にしてください．

併設展示会および展示企業プレゼンテーション：本年度もポスター発表会場（C 会場）において，新製品の紹介と産学の架け橋をすべく，企業展示会（11 月 14 日および 11 月 15 日）を開催いたしますので是
非お立ち寄り下さい．期間中には展示企業プレゼンテーション（11 月 14 日 12:45-13:45, 11 月 15
日 12:45-13:45 予定）を B 会場にて、参加者にはランチ提供(数量限定)を行い開催致します．企業
詳細は上記学会ウェブページでお知らせします．
企業展示出展：

18 社．他にカタログ出展 1 社.

（ 1 ）

プロシーディングス：今回の連合講演会のプロシーディングスは， 会誌「Journal of the Vacuum Society of Japan」
として発行する予定です．詳細については，連合講演会のウェブページ上でご案内いたします．
尚，平成 23 年 7 月の投稿規程改訂により，受賞講演，特別講演，シンポジウム講演以外の一般
投稿については投稿料が必要となります．
投稿規程（http://www.vacuum-jp.org/EDT/edthome.html）をご参照ください．

その�：連合講演会の会期前または会期中に，会場にて下記の行事が開催されます．御興味のおありの方は連合講演会とあわせてご参加ください．
(1)スクールコース（教���会）

11 月 16 日(金)9：00～12：30

6 階 D 会場

真空下での現象や薄膜作成などにおいて真空装置が必要になりますが，いざ真空装置を自分で設計・製作しようとすると，どこまで圧力を下げれば良いのか，それが容易に達成できるかといった疑問，真空用材料や真空ポンプの選定などの問題が発生します．本講座 では，超高真空装置を試作する場合の諸問題について，その科学的背景（材料の放出ガス，ポンプや真空計の選択，加熱脱ガスの本質的な役割，等々）を踏まえて講義します．詳細は 17 ページ及び日本真空学会ウェブページ：スクールコースの案内をご覧ください．
(2)�学連���会�会

11 月 15 日(木)10：00～12：30

6 階 D 会場

プログラム詳細は 16 ページに記載されております．また，日本真空学会のホームページ（HP）にもアップされておりますので，参加ご希望の方は HP よりお申込みください．また，当日申込みも受付ます．多くの皆さまのご参加をお待ちしています．
(3)第 3 回真空・表面若手勉強会

11 月 12 日(月)，13 日(火)“真空”と “表面” をキーワードに若手研究者(助教・大学院生等)を対象とした総合的な勉強会を開催致します．本会では，①様々な物理・化学現象に対する理解の深化，②新たな課題解決方法・研究テーマの創出，③
若手研究者のネットワーク形成を目指します．勉強会としての効果・参加者間の知的交流を深めるために，質疑応答時間に重きを置いた講師講演&フレンドリーな雰囲気のポスターセッションを企画しております．プロ
グラム等の詳細は，https://sites.google.com/site/ysurfscisem/home に掲載しています．若手研究者の皆様，奮ってご参加下さい！

世話人代表: 杉本敏樹(京都大学)（ 2 ）第53回真空に関する連合講演会
発表番号

講

演

題

受賞記念講演・シンポジウム・特別講演一覧

目

講

演

者

セッション名期日

時間

会場

技術賞 環境制御型透過電子顕微鏡の開発とその矢口紀恵（日立ハイテクノロ
受賞記念 応用
ジーズ）
講演

受賞記念講演

11/14

9：45―
10：05

A

進歩賞 Ag（111）表面上の水素分子のオルソ・パ受賞記念 ラ転換におけるファン・デル・ワールス 國貞雄治（阪大院工）講演
力の影響

受賞記念講演

11/14

10：05―
10：25

A

Formation of WO3 Reduction Coloring
進歩賞
Thin Film Using a Combination Sputter受賞記念
野口大輔（都城高専）
ing Method Featuring Radio-Frequency
講演
Oxygen Plasma Irradiation

受賞記念講演

11/14

10：25―
10：45

A

会誌賞
受賞記念 物理的蒸着法による薄膜のナノ形態制御 鈴木基史（京大院工）講演受賞記念講演

11/14

10：45―
11：15

A

表面工学

11/14

12：00―
12：30

A

14Aa-3

医工産学連携プロジェクトによる次世代
長谷部光泉（東海大医学部）型生体適合性血管内治療デバイスの開発

14Ap-1

高効率電力変換用SiCパワーデバイスの木本恒暢（京大院工）特徴と進展

シンポジウム

11/14

16：05―
16：30

A

14Ap-2

SiCデバイス開発とパワエレ機器への展
今泉昌之（三菱電機）
開

シンポジウム

11/14

16：30―
16：55

A

14Ap-3

ダイヤモンド半導体のパワーデバイス展
小出康夫（物材機構）
開シンポジウム

11/14

17：10―
17：35

A

シンポジウム

11/14

17：35―
18：00

A

14Ap-4 GaNパワーデバイス開発の現状と課題

上杉

勉（豊田中研）15Aa-6MOCVD法によるナノサイズ強誘電体の藤沢浩訓（兵庫県立大工）作製とその物性

ナノ構造

11/15

10：15―
10：45

A

15Aa-11

原子間力顕微鏡による分子スケール固液
山田啓文（京大工）
界面計測の最近の動向

表面科学Ⅰ

11/15

12：00―
12：30

A

15Ba-1

表面科学における真空技術

真空科学技術Ⅱ 11/15

09：00―
09：30

Ｂ

15Ba-7

色弱模擬フィルタ「バリアントール」の宮澤佳苗（伊藤光学工業）
開発

岡野達雄（放送大学）

薄膜Ｉ

11/15

11：00―
11：30

Ｂ

高輝度・高スピン偏極低エネルギー電子
15Ap-1 顕微鏡の開発とスピントロニクス磁性薄 越川孝範（大阪電通大）
膜への応用

基調講演

11/15

16：00―
16：50

A

15Ap-2 モノづくり企業における環境技術

基調講演

11/15

16：50―
17：40

A

薄膜Ⅲ

11/16

12：15―
12：45

A

彰（阪大院工）

表面科学Ⅱ

11/16

10：15―
10：45

B

16Ap-1 電流誘起磁壁移動現象の物理と応用

小野輝男（京大化研）

応用表面科学

11/16

13：45―
14：15

A

16Bp-6

田中裕久（ダイハツ工業）

プラズマ科学技術 11/16

15：00―
15：30

B

太田賢司（シャープ）

16Aa-13

放射光を用いた薄膜評価とDLC膜の国際
神田一浩（兵庫県立大高度研）
標準化

16Ba-6放射光STMによるナノスケール元素分
齋藤
析と制御

自動車環境技術でのプラズマ利用研究（ 3 ）第53回真空に関する連合講演会プログラム――11月14日（水）――
Ａ会場

午前の部

【開会式・表彰式・受賞記念講演】9：30-11：15
開会の挨拶・表彰式

9：30-9：45

受賞記念講演9：45-11：15

真空技術賞

環境制御型透過電子顕微鏡の開発とその応用……………………………（㈱日立ハイテクノロジーズ1）・山梨大2））°矢口紀恵1）・長久保康平1）・松本弘昭1）・柿林博司1）・上野武夫2）

真空進歩賞

Ag（111）表面上の水素分子のオルソ・パラ転換におけるファン・デル・ワールス力の影響

		
真空進歩賞

Formation of WO3 Reduction Coloring Thin Film Using a Combination Sputtering Method Featuring Radio-

		
真空会誌賞

… …………………………………………………………………………………………… （阪大院工）°國貞雄治
Frequency Oxygen Plasma Irradiation ……………………………………………… （都城高専）°野口大輔

物理的蒸着法による薄膜のナノ形態制御…………………………………………………… （京大院工）°鈴木基史
︿休憩﹀

Ａ会場

午前の部

口頭発表Ⅰ 【表面工学】11：30-12：30
14Aa-1静電吸着による表面付着微粒子の除去…………………………………………………… （大島商船高専）°高橋主人

14Aa-2The tribological properties of Diamond-Like Carbon (DLC) films prepared by a variety of deposition methods		… ………………………………（㈱さがみはら産業創造センター 1）・神奈川県産業技術センター 2）・慶大3））°須藤理枝子1）・金子

14Aa-3崇2）・鈴木哲也3）

医工産学連携プロジェクトによる次世代型生体適合性血管内治療デバイスの開発		… …………………………………………………………………………… （東海大医1）・慶大理工2）・東大医3））°長谷部光泉1,2）・吉本幸洋2）・堀田

Ｂ会場

智2）・堀内篤2）・高橋孝喜3）・鈴木哲也2）

午前の部

口頭発表Ⅱ 【真空科学技術Ⅰ】11：30-12：30
14Ba-1水晶振動子式水素漏洩検知器における温度の影響とその補正方法

		14Ba-2… ………… （産総研1）・バキュームプロダクツ2）・ブイピイアイ3））°鈴木

淳1）・北條久男2）・小林太吉3）

スニッファ法用標準リークの校正システムの開発

		14Ba-3… ……………………………………………… （産総研計測標準）新井健太・吉田肇・平田正紘・小畠時彦

チタン材料の溶存水素に対する真空アニール効果

		14Ba-4… ………（山口大院理工1）・UBE科学分析センター 2））°栗巣普揮1）・山本節夫1）・竹田将利2）・中川浜三2）

昇温脱離法によるガス放出量の定量測定

		… ………（産総研1）・電子科学株式会社2））°吉田

肇1）・新井健太1）・小畠時彦1）・浦野真理2）・平下紀夫2）

︿休憩﹀
B会場

昼の部

企業プレゼンテーション1
C会場

昼の部

展示会

11：00-16：00

ポスターセッション1
14P-1… …………………… （原子力機構1）・㈱サンテック2））荻原徳男1）・神谷潤一郎1）・金正倫計1）・小泉欧児2）… ………… （原子力機構）°荻原徳男・菅沼和明・引地裕輔・西川雅章・柳橋亨・神谷潤一郎・金正倫計… ………………………………………………………………… （高エネ研）°魚田雅彦・堀洋一郎・齊藤芳男… ………………………… （高エネ研）°谷本育律・本田融・高井良太・帯名崇・野上隆史・浅岡聖二

非蒸発ゲッター（NEG）ピルを使ったNEGポンプの製作

		
14P-6V

14：45-15：45）

小型エネルギー回収型線形加速器の真空システム設計

		
14P-5

偶数番コアタイム

大強度陽子加速器施設J-PARCのMRにおける真空圧力のビーム依存性

		
14P-4

13：45-14：45

J-PARC 3GeV シンクロトロンにおけるキッカー電磁石フェライトコアの脱ガス処理

		
14P-3

13：45-15：45（奇数番コアタイム

J-PARC 3GeVシンクロトロン用大口径Tiベローズ

		
14P-2

12：45-13：45… ………………………………………………………………… （高エネ研）°菊地貴司・間瀬一彦・飯塚敏江

極高真空計測の信頼性試験……………………………………………… （産総研）°吉田（ 4 ）肇・新井健太・小畠時彦

14P-7

B-A真空計の感度係数変化に関する数値シミュレーション………… （産総研）°杉沼茂実・平田正紘・小畠時彦

14P-8

気体粘性計測用振動子のオゾンガスに対する酸化耐性の向上

		… …………………………………………… （産総研1）・VP2）・VPI3））°黒河

明1）・北条久男2）・小林太吉3）14P-9

合成樹脂を用いた材料の気体放出速度測定……………………………………………………… （高エ研）°佐藤吉博

14P-10V

低抵抗アルミナセラミックスにおける真空中の沿面耐電圧と帯電分布の関係

		

… …………………………………………………………………………… （埼大理工1）・高エネ研2）・京セラ3））°福田英昭1）・山納

康1）・小林信一1）・道園真一郎2）・齊藤芳男2）・前田岳志3）

14P-11低残留放射能材の真空材料への可能性について……………… （原子力機構）°神谷潤一郎・荻原徳男・金正倫計

14P-12

表面析出現象を利用した材料開発……………………… （物材研）°土佐正弘・佐々木道子・後藤真宏・笠原

14P-13V

イオンビーム分析用多チャンネルシリコン検出器の開発

		14P-14V… …………………………………………………………… （阪大院工）Tien Quang Nguyen・Hideaki Kasai

A Density Functional Theory Study on the Oxygen Reduction Reaction on Co-（6）Ppy Cluster

		
14P-19V… ……………………………（阪大院工）Ryan Lacdao Arevalo・Mary Clare Sison Escano・Hideaki Kasai

DFT+U investigation on the adsorption and dissociation of oxygen on Pt-coated Ceria

		
14P-18… …… （阪大院工）Mary Clare Sison Escaño・Tien Quang Nguyen・Hiroshi Nakanishi・Hideaki Kasai

Theoretical study of the structure and stability of borohydride on gold alloys		
14P-17V… ……………………………………（阪大院工）TRAN Phan Thuy Linh・Mamoru Sakaue・Hideaki Kasai

Spin effects in metal surface reaction： O2 on ferromagnetic Pt/M

		
14P-16V… ……………………………………………… （筑波大数理）°千東謙太・関場大一郎・島添健次・高橋浩之

Activation barrier for oxygen atom migration in alkaline-earth doped monoclinic lanthanum germanate		14P-15V

章… ……………………………………………………………（阪大院工）Adhitya G. Saputro and Hideaki Kasai

A First Principles Study on the Structural Stability and Electronic Structure of the Montmorillonite - Based
Organoclay… ……………………………………………（阪大院工）Triati Dewi Kencana Wungu・Hideaki Kasai

14P-20V

A theoretical study on ZnP interaction with O2 via ZnP-O2 complexes using density functional theory		
14P-21準安定原子誘起電子分光法によるSi/6H-SiC（0001）表面の電子状態抽出		
14P-22V… ……………………………………………………………………（阪大院工）Febdian Rusydi・Hideaki Kasai… …………………………… （宇部高専1）・九工大工2））°森岡明大1）・村岡幸輔1）・内藤正路2）・碇

智徳1）

N2並進運動エネルギー誘起Al（111）窒化膜の成膜温度による膜質の変化と773K以下における熱変性		… ……………………………………（原子力機構1）・兵庫県立大院物質理学2）・東北大多元研3）・筑波大院4））°神農宗徹1,2）・寺岡有殿1,2）・高岡

毅3）・岡田隆太1,4）・

1,2）

岩井優太郎

・吉越章隆1）・米田忠弘3）

14P-23

STMにより観察されるSi（113）面のK吸着構造… ……………… （横国大院工）°成重卓真・大野真也・田中正俊

14P-24V

高感度電子-電子-イオンコインシデンス分光装置の性能評価とSi-LVVオージェ電子-Si 2s光電子コインシデ

		ンス分光測定… ……（横国大院工1）・群馬大教育2）・千葉大院融合科学3）・愛媛大院理工4）・KEK物構研5））°平賀健太1）・新江定憲1）・兼村瑠威1）・小柏洋輔2）・梁瀬虹太朗2）・金山典嗣3）・
大野真也1）・垣内拓大4）・間瀬一彦5）・奥平幸司3）・奥沢

誠2）・田中正俊1）

14P-25低速原子散乱分光によるMgO表面原子構造解析… ……………………………………… （阪府大（総））°梅澤憲司

14P-26V

電子線を照射したKBr表面で散乱した高速陽子の強度分布初期振動のシミュレーション…………………………

		
14P-27V		
14P-28… ………………………………… （大阪教育大理科教育講座）°深澤優子・木原一道・岩本恒平・鈴木康文

NaCl蒸着膜表面における環状水ヘキサマー生成と加熱による構造変化… ………………………………………………………（学習院大理1）・東大生研2））°山川紘一郎1）・福谷克之2）

低温低圧柱状プラズマを用いた球状炭素粒子の形成と構造解析

		

… ……………………………………………………………………… （九工大工1）・宇部高専2）・九州共立大3））
中山泰輔1）・大久保雄平1）・飯倉泰成1）・碇

智徳2）・°内藤正路1）・生地文也3）・長井達三3）

14P-29イオン液体混合物の表面組成分析………………………… （京大工）°宮下基希・中嶋

14P-30シャープペンシル芯断面からの電界電子放出

		14P-31

薫・鈴木基史・木村健二… ……………………………………………… （筑波大数物）°遠藤俊宏・堀江翔太・山田洋一・佐々木正洋

W<111>エミッターの熱電界処理によるNanotipの作製		… ………………………（名城大理工1）・島津製作所2））°池谷康生1）・徳竹謙介1）・藤田真1,2）・大江俊美1）

14P-32

SiC微粒子からの電界放射電流の時間変化… …………………（東洋大理工1）・三重大工2））吉本智巳1）・岩田達夫2）

14P-33

FIB TOF-SIMSによるコバルト酸リチウムと酸化コバルトのスペクトル比較… …………………………………

		… …………………………… （工学院大1）・三井化学2））°大西美和1）・松岡（ 5 ）修2）・野木栄信2）・坂本哲夫1）

14P-34

バンドダイアグラム測定装置の開発………………… （物材機構）°柳生進二郎・吉武道子・後藤真宏・知京豊裕

14P-35

二酸化シリコンへのゲルマニウム負イオン注入と発光特性		
14P-36… ………………… （京大院工1）・シャープ基盤技研2））°辻博司1）・宮川豪1）・洗暢俊2）・後藤康人1）

低エネルギーイオンビーム照射によるPMMAエッチングイールドへの紫外線照射および水素プラズマ暴露の		
14P-37V

影響… ………………（阪大工1）・産総研2））幾世和将1）・°吉村

智1）・杉本敏司1）・木内正人1,2）・浜口智志1）

Mg2FeH6の電子状態における水素の量子性の影響		… ……………………………………… （筑波大数理1）・東大物性研2）・東大院工3）・NIMS4）・東北大金研5））°栗田圭輔1）・千東謙太1）・関場大一郎1）・原田慈久2）・木内久雄3）・酒井智香子3）・
尾嶋正治3）・袖山慶太郎4）・館山佳尚4）・佐藤龍太郎5）・松尾元彰5）・折茂慎一5）

14P-38

窒化炭素の酸素還元能……………………（岡山理大基礎1）・岡山理大応化2））財部健一1）・安井

14P-39金ガリウム合金液体金属イオン源におけるガリウムイオン生成機構に関する一考察		
14P-40望1）・竹崎誠2）… ……………………………………………………………………………… （京大院工）°後藤康仁・辻博司

Individual Analysis of Disel Nano-Particles by High Resolution TOF-SIMS		… …………………… （工学院大工1）・東工大資源研2）・国環研3））°坂本哲夫1）・三澤健太郎2）・藤谷雄二3）

PCR用可搬型サーマルサイクラーの放熱と熱応答…………… （神奈川大工1）・神奈川大総理研2）・神奈川大理3））

14P-41°奥脇容子1）・山口栄雄1）・鈴木
14P-42微小材料機械強度測定装置の開発……… （物材機構）°笠原

14P-43

レーザー昇温熱脱離におけるクヌーセン層形成

		

章・鈴木

温2）・井上和仁3）・安積良隆3）

裕・佐々木道子・後藤真弘・土佐正弘… ……………………………………… （東大生研）°池田暁彦・松本益明・小倉正平・岡野達雄・福谷克之
︿休憩﹀

A会場

午後の部

シンポジウム｢省エネルギー社会の実現に貢献する半導体パワーデバイス｣ 15：55-18：00
14Ap-1

高効率電力変換用SiCパワーデバイスの特徴と進展… …………………………………………… （京大工）木本恒暢

14Ap-2

SiCデバイス開発とパワエレ機器への展開… ………………………………………………… （三菱電機）°今泉昌之

14Ap-3

ダイヤモンド半導体のパワーデバイス展開……………………………………………………… （物材機構）小出康夫

14Ap-4GaNパワーデバイス開発の現状と課題…………………………………………… （豊田中研）°上杉

勉・加地

徹

――11月15日（木）――
Ａ会場

午前の部

口頭発表Ⅲ 【ナノ構造】9：00-10：45
15Aa-1

平面型カーボンナノチューブフィールドエミッタの電界放出特性における陰極表面モルフォロジの影響

		
15Aa-2… ………………………… （三重大院工1）・名大院工2））°嶋中康太1）・大原一馬1）・佐藤英樹1）・齊藤弥八2）

走査電子顕微鏡観察下マニピュレーションによるMoS2チャネル3端子デバイスの作製とその電気特性評価

		… …………………………… （産総研1）・千葉工大工2））°安藤

淳1）・清水哲夫1）・菅洋志2）・森田行則1）

15Aa-3Si（111）上GaGdN/AlN/GaGdNナノロッドの形成とその評価… ………… （阪大産研）°木村真理子・長谷川繁彦

15Aa-4GaAs系半導体の誘電体ロッド型フォトニック結晶構造作製技術の検討

		15Aa-5

ナノチャネルを有する強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製とその電気特性評価

		15Aa-6… ……………………………………………………………… （阪大院工）°後藤洋昭・森藤正人・石川史太郎… ……………………………………………………………… （阪府大院工）°野村侑平・吉村

武・藤村紀文MOCVD法によるナノサイズ強誘電体の作製とその物性………… （兵庫県大）°藤沢浩訓・中嶋誠二・清水勝︿休憩﹀
口頭発表Ⅳ 【表面科学Ⅰ】11：00-12：30
15Aa-7Ni（111）表面のO2分子による室温における酸化反応ダイナミクス… …… （原子力機構1）・兵庫県大2）・筑波大3））°寺岡有殿1,2）・井上敬介1,2）・神農宗徹1,2）・吉越章隆1）・岡田隆太1,3）

15Aa-8

超音速O2分子線とバックフィリングによるGe（100）－2×1上の室温飽和酸化膜の違い		… ……………………………………………………… （原子力機構1）・筑波大院数物2）・兵県大院物質理学3））°吉越章隆1,2）・岡田隆太1,2）・寺岡有殿1,3）・神農宗徹1,3）・山田洋一2）・佐々木正洋2）

15Aa-9Si高指数面熱酸化過程におけるSiO2/Si界面構造と電子状態……………… （横国大工1）・原子力機構2）・産総研3））°安部壮祐1）・大野真也1）・兼村瑠威1）・吉越章隆2）・寺岡有殿2）・尾形祥一1）・安田哲二3）・田中正俊1）

15Aa-10

Ne表面上に吸着した水クラスターの赤外分光研究		

… ……………………………………………… （学習院大理）°武隈真一・小澤（ 6 ）望・山川紘一郎・荒川一郎

15Aa-11
Ｂ会場

原子間力顕微鏡による分子スケール固液界面計測の最近の動向……………………………… （京大工）°山田啓文
午前の部

口頭発表Ⅴ 【真空科学技術Ⅱ】9：00-10：45
15Ba-1

表面科学における真空技術………………………………………………………………………… （放送大学）岡野達雄

15Ba-2

低温銅表面に物理吸着した水素の吸着等温線…… （学習院大理）°清水英行・加藤

15Ba-3

高感度ガス分析装置によるEIマススペクトルの同定解析

		15Ba-4… ……………… （原子力機構1）・東京ビジネスワーク2））秦野歳久1）・平塚

渉・山川紘一郎・荒川一郎
一1）・藤田惠一2）・阿部哲也1）

J-PARCリニアックACS加速空洞の圧力分布解析

		15Ba-5… ………………… （東工大原子炉研1）・高エネ研2）・原子力機構3））°林崎規託1）・齊藤芳男2）・青寛幸3）

圧力-吸着状態密度変換式による実排気曲線の解析

		15Ba-6… ……………………………………………（東大生研1）・京大理2））°武安光太郎1）・杉本敏樹2）・福谷克之1）

δ関数型の吸着状態密度を持つ真空容器内のガスの挙動		

… …………………………………………（京大院理1）・東大生研2））°杉本敏樹1）・武安光太郎2）・福谷克之2）︿休憩﹀

口頭発表Ⅵ 【薄膜Ⅰ】11：00-12：30
15Ba-7

色弱模擬フィルタ「バリアントール」の開発

		
15Ba-8… ………………………………………………… （伊藤光学工業1）・豊橋技科大2））°宮澤佳苗1,2）・小田博文1）

高周波支援パルススパッタリング法によるTiO2薄膜堆積における高周波支援電力および放電圧力の薄膜構造

		

および物性への影響… ………………………………………………（金沢工大高度材料センター 1）・東洋紡2））°田村洋一1）・坂本宗明1）・三好佳太1）・山下正光1）・草野英二1）・大谷寿幸2）

TSVへのCuシード膜の成膜とその評価… ……………………………………………（新明和工業1）・阪府大院工2））15Ba-9°土屋貴之1）・丸中正雄1）・林

太郎2）・岡本尚樹2）・齊藤丈靖2）・横井昌幸2）・近藤和夫2）

酸化亜鉛薄膜の真空摩擦特性………………………………………（物材機構MANA1）・物材機構先高材ユニット2））

15Ba-10°後藤真宏1）・佐々木道子2）・笠原
15Ba-11章2）・土佐正弘2）

コンビナトリアルスパッタ法で作製したホウ素添加ZnO薄膜の摩擦特性評価		… ………………………………………………… （物材機構）°佐々木道子・後藤真宏・笠原章・土佐正弘

︿休憩﹀
B会場

昼の部

企業プレゼンテーション2

12：45-13：45

C会場

昼の部

展示会

9：00-15：45 (16：00)

ポスターセッション2
15P-1V		
15P-2V

13：45-14：45… ……………………… （明大物性研）°遠藤勇気・勝又俊覚・平沢一樹・安西道彦・三浦… …………………… （明大物性研）°勝又俊覚・遠藤勇気・松島諭・三浦登・松本皓永文博2）・河野慶彦2）・福留政治2）・佐井旭陽3）… …………………………………………………………… （大阪府産技研）°松永崇・金岡祐介・日下忠興

軟X線吸収分光法と光電子分光法による酸化マグネシウム薄膜表面の研究		

… ……………………………………………… （九州シンクロトロン光研究センター）°小林英一・岡島敏浩

高周波スパッタMgO薄膜の二次電子放出および絶縁破壊特性の製膜時ガス環境依存性

		
15P-7

涼・金田

酸化クロム薄膜ひずみゲージを用いた触覚センサシステムの開発

		

15P-6

登・松本皓永… …………………………………………………………… （都城高専1）・㈱ホンダロック2）・㈱シンクロン3））°西田悠光1）・野口大輔1）・清

15P-5

14：45-15：45）

RAS（Radical Assisted Sputtering）法により作製したTa2O5固体電解質薄膜の特性改善に関する研究

		
15P-4

偶数番コアタイム

銅添加酸化タングステン薄膜のエレクトロクロミズム特性

		15P-3V

13：45-15：45（奇数番コアタイム

反応性スパッタリング法によるPdOx薄膜の光触媒特性… ………………………………………………………………………………… （成蹊大理薄膜研）°小曾根良介

紫外線遮蔽CeO2コーティングにおける応力低減と紫外線遮蔽能の最適化		… ………………………………………………………（金工大高度材料センター 1）・宇宙航空研究開発機構2））°高橋知大1）・坂本宗明1）・卜部暁1）・平田直希1）・草野英二1）・宮崎英治2）・木本雄吾2）・森

一之2）

15P-8V

SiO2をドープしたZnO系薄膜へのレーザーアニール（Ⅱ）………………（大産大）伊島匡亮・°青木孝憲・鈴木晶雄

15P-9V

PLD法で作製したZrO/ ZnO系透明導電膜の耐熱特性… ………………（大産大）馬

15P-10V

パルスレーザー堆積法による酸化亜鉛透明フレキシブルデバイスの開発		… ………………………………………… （大工大）°木村祐太・孫（ 7 ）中岳・°青木孝憲・鈴木晶雄

屹・前元利彦・佐々誠彦・井上正崇

15P-11V

ワイドスペクトル太陽電池用の酸化亜鉛系透明導電膜…………………（大産大）深瀬智也・°青木孝憲・鈴木晶雄

15P-12V

タッチパネル用TZO透明導電膜の超薄膜領域の特性改善… …………（大産大）豊川慶晋・°青木孝憲・鈴木晶雄

15P-13積層型TiO2/TiN/Cu2O薄膜の光機能特性… …………………………………… （工学院大）°中嶋拓未・鷹野一朗

15P-14V

ハイブリッド対向スパッタによるITO 薄膜作製		

… ………………………… （山口大工）°諸橋信一・碓井圭太・高木史博・岡田智之・村田卓也・原田直幸

15P-15反応性スパッタリング法を用いたTiO2-Ni多層薄膜の光機能特性… …… （工学院大工）°豊田亜貴子・鷹野一朗

15P-16

反応性スパッタ法によるマグネリ相酸化バナジウム薄膜の堆積と相転移特性		… …………………………………………………………………………… （東海大院工）°鈴木康史・沖村邦雄

15P-17

反応性スパッタリング法により作製したCu2O/TiO2薄膜太陽電池…………… （工学院大）°鈴木優規・鷹野一朗

15P-18V

ホットウォール高周波スパタリング法によるCu2ZnSnS4薄膜堆積におけるホットウォール温度および放電圧

		

力の薄膜組成，構造および物性への影響		… …………………… （金工大高度材料センター）°坂上拓哉・坂本宗明・中村一貴・稲葉駿介・草野英二

15P-19InSbTe薄膜の作製と評価… …………………………………………………… （神奈川大工）°石井孝幸・山口栄雄

15P-20

AlN/Ag/AlNナノ積層化による低抵抗透明導電膜の作製

		15P-21… ……………（㈱清水製作所1）・小川創造技術研究所2））清水正美1）・安田政智1）・小川倉一2）・°近藤匡俊2）

CVDを用いたa-C : H薄膜作製における水素取り込み過程の研究… ……（筑波大数理1）・UTTAC2）・茨城大工3））°竹本直嗣1）・藤嵜裕之3）・石井15P-22

微斜面（001）CVDダイヤモンド薄膜における表面修飾状態の評価とその大気中安定性		
15P-23V

修・伊藤利道… …………………………………………………………………………… （工学院大工）°西

勇人・鷹野一朗

イオンビームアシスト法によりジュラルミン基板上に製膜したDLC薄膜の特性		15P-25… ………………………………………………………………… （阪大院工）°内田直樹・毎田

低エネルギーイオンビームアシスト法により作製されたDLC薄膜の機械的特性

		15P-24聡2）・尾関和秀3）・関場大一郎1,2）… ……………………………………………………………………………… （工学院大）°高村祐哉・鷹野一朗

反応性スパッタ法によるNi－N薄膜の作製………………… （岡野製作所1）・小川創造技術研究所2）・大阪市大3））°大西孝則1）・田尻修一1）・岡野夕紀子1）・青園隆司1）・小川倉一2）・美馬宏司3）

15P-26

Co（002）バリア層付き40nmトレンチへの高真空スパッタ法によるCu埋め込み		
15P-27V… ……………………………………………………………… （成蹊大理工）°馬橋琢哉・中野武雄・馬場… ………………………………………………………………………………………（東海大院工1）・東海大工2））°清野将1）・森本晋司2）・佐々木俊亮2）・荒井一樹2）・佐藤裕翔2）・細矢将司2）・岩森暁2）

ポリテトラフルオロエチレンをターゲットとして高周波スパッタリングにより成膜したフッ化炭素薄膜の揮

		

発性有機化合物の吸着感度		… （東海大院工1）・東海大工2）・産総研3））°大西康貴1）・池田佑旭1）・郭15P-30V

茂

スパッタリングによりポリイミドフィルム上に形成した有機薄膜の摩擦・摩耗特性		15P-29V

茂

プラズマ電位制御用電極を追加した三極スパッタによる銅薄膜構造の変化

		
15P-28V… ……………………… （東理大工）°飯田浩幸・伊藤勝利・上村貴寛・高橋辰男・中條公太郎・斉藤

捷2）・岩森暁2）・野田和俊3）

ポリテトラフルオロエチレンをターゲットに用いて高周波スパッタリングにより成膜したフッ化炭素薄膜の		

熱分解挙動… …………………………………………………………………………………………………………

		… ………（東海大院1）・東海大2）・岩崎電気㈱3）・ダイプラ・ウィンテス㈱4）・㈲マイクロアナリスラボ5））
池田佑旭1）・岩森

15P-31V曉2）・松本裕之3）・西山逸雄4）・嘉本

律5）

水素雰囲気中EXAFSによるMg2NiH4薄膜の構造解析

		

… ………………………………………（筑波大数理1）・KEK-PF2））°綿引悠美1）・仁谷浩明2）・関場大一郎1）

15P-32V

ガスクラスター SIMSによる極浅表面分析……………………… （兵庫県大工）°盛谷浩右・乾

15P-33

マイクロハクマク圧力センサによる真空加工装置内の圧力分布計測（2）

徳夫・持地広造（岡野製作所1）・小川創造技術研究所2）・大阪市大3））°田尻修一1）・大西孝則1）・岡田俊一1）・岡野夕紀子1）・青園隆司1）・小川倉一2）・美馬宏司3）
15P-34ナノ微細構造物の形状並びに結晶配向分布…………………………… （秋田産技センター）°有明

15P-35

GaAs/窒素デルタドープを用いた超格子構造の成長と評価		
15P-36V

順・近藤祐治… ……（阪大院工1）・超高圧電子顕微鏡センター 2））°角谷健吾1）・森藤正人1）・大島義文2）・石川史太郎1）

高温斜め蒸着法によるGa2O3ナノワイヤの成長… ……………………………………（京大院工1）・国立清華大学2））°南竹春彦1）・鈴木基史1）・原

英貴1）・中嶋（ 8 ）薫1）・木村健二1）・Chia-Wei Hsu2）・Li-Jen Chou2）

15P-37

Analysis of structural and electronic properties of Pr2NiO4 oxide through first principles calculations

		… …（Dept. of Applied Physics, Osaka Univ.1）・Device & System Technology R&D Laboratories, Konica
Minolta Technology Center2）・Dept. of Applied Chemistry, Kyushu Univ.3））
Susan Menez Aspera1）・Mamuro Sakaue1）・Triati Dewi Kencana Wungu1）・Musa Alaydrus1）・
Tran Phan Thuy Linh1）・Hideaki Kasai1）・Motohiro Nakanishi2）・Tatsumi Ishihara3）

15P-38V

パルスレーザーを用いた機能性高分子ナノワイヤーの創製		
15P-39V… …………………………………… （物材機構）°佐々木道子・後藤真宏・笠原章・知京豊裕・土佐正弘

電子照射によるグラフェンの構造変化の分子動力学解析

		15P-40… ………………………………………………… （阪府大院工）°朝山良樹・安田雅昭・川田博昭・平井義彦

カーボンナノチューブ平面型陰極表面の電子放出サイト面内分布の評価と改善		
15P-41… ………………………… （三重大院工1）・名大院工2））°佐藤英樹1）・大原一馬1）・嶋中康太1）・齋藤弥八2）

微細柱状構造高品質CVDダイヤモンドの作製プロセスの適正化とデバイス応用

		15P-42… ………………………………………………………………… （阪大院工）°橋本竜一・毎田修・伊藤利道CVDダイヤモンドを用いたp-i-p型パワーデバイスの素子構造及び作製プロセスの検討

		
15P-43… ………………………………………………………………… （阪大院工）°早川光・毎田修・伊藤利道… ……………………………………………………………………（阪大院工）伊藤利道・毎田修・°溝端勇介

高配向多結晶CVDダイヤモンドにおける高濃度ホウ素ドープ層の高品質化

		
15P-44V

電子線リソグラフィにおけるパターン形成の分子シミュレーション

		
15P-45… ……………………………………… （阪府大院）°高井里奈・酒井裕史・安田雅昭・川田博昭・平井義彦

Si（111）基板上GaAsナノワイヤの分子線エピタキシー成長時窒素プラズマ照射効果		… …………………………………………………………………………… （阪大院工）°荒木義朗・石川史太郎
︿休憩﹀

A会場

午後の部

基調講演
15Ap-1

16：00-17：40
高輝度・高スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発とスピントロニクス磁性薄膜への応用		

… ………………………………………………（大阪電通大1）・Arizona Satate Univ.2）・名大理3）・名大工4）・
科学技術振興財団シンクロトロン光センター 5））
越川孝範1）・鈴木雅彦1）・安江常夫1）・E. Bauer2）・中西

15Ap-2

彊3）・金

秀光4）・竹田美和5）

モノづくり企業における環境技術……………………………………………………………… （シャープ㈱）太田賢司――11月16日（金）――

Ａ会場

午前の部

口頭発表Ⅶ 【薄膜Ⅱ】9：00-10：45
16Aa-1

コンビナトリアル成膜法によるBZT-BCT非鉛圧電薄膜の作製と圧電特性評価

		… ……………………………………………………………………………… （神戸大工）°森

亮・神野伊策16Aa-2シリコン基板上に作製したPZT薄膜積層アクチュエータ……………………… （神戸大工）°岸本真哉・神野伊策

16Aa-3

SrTa酸窒化物の重イオンERDA測定及びそれに用いる電離箱の開発… ……………（筑波大数理1）・東大院理2））
長嶋和毅1）・°原山

16Aa-4靖2）・長谷川哲也2）… ……………………………………………………………… （阪府大院工）°山田裕明・吉村武・藤村紀文… ……………………………… （阪府大）宮田祐輔・高田浩志・奥山祥孝・吉村武・芦田淳・藤村紀文

微細キャパシタ構造におけるReRAMフィラメントのメモリ特性		
16Aa-7地2）・廣瀬

有機強誘電体を用いた磁性半導体Si：Ce薄膜の電界効果

		
16Aa-6温2）・岡大有機強誘電体/極性半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタにおける分極界面の電気的特性評価

		
16Aa-5

勲1）・関場大一郎1）・鈴木… ………………………… （鳥大工1）・TEDREC2））°高相圭1）・木下健太郎1,2）・福原貴博1）・岸田悟1,2）

AFM電界酸化を用いた超微細抵抗変化型メモリの作製		… ……………（鳥大工1）・TEDREC2））°福原貴博1）・木下健太郎1,2）・高相圭1）・澤居優圭1）・岸田悟1,2）… ………………………… （鳥大工1）・TEDREC2））°澤居優圭1）・木下健太郎1,2）・福原貴博1）・岸田

悟1,2）

︿休憩﹀
口頭発表Ⅷ 【薄膜Ⅲ】11：00-12：45
16Aa-8

斜めスパッタ法により堆積された抵抗変化メモリ（ReRAM）の動作特性

		
16Aa-9遷移金属酸化物抵抗変化メモリにおけるスイッチング特性の材料依存性		… ………………………… （鳥大工1）・TEDREC2））°小石遼介1）・木下健太郎1,2）・森山拓洋1）・岸田

（ 9 ）

悟1,2）

16Aa-10c-BN膜の耐熱特性… ……………（神港精機1）・兵庫県工業技術センター 2）・滋賀県東北部工業技術センター 3）・㈱MORESCO4）・若狭湾エネルギー研究センター 5））°野間正男1）・山下

満2）・所

敏夫3）・島秀貴4）・笹瀬雅人5）

16Aa-11

炭化薄膜の二次電子放出係数……………………………………………… （東京電機大工）°松田七美男・渡辺直人

16Aa-12ダイヤモンド表面での光電子制御プラズマの放電特性測定……………………（東北大多元研1）・国際基督教大2））
川田麻由梨1）・尾白佳大1）・小川修一1）・増澤智昭2）・岡野

16Aa-13
B会場

健2）・高桑雄二1）

放射光を用いた薄膜評価とDLC膜の国際標準化………………………………… （兵庫県立大高度研）°神田一浩

午前の部

口頭発表Ⅸ 【表面科学Ⅱ】9：00-10：45
16Ba-1ステンレス表面上の透過水素分布の観察		16Ba-2

Theoretical investigation on adsorption and reaction of hydrazine on metal surfaces.

		
16Ba-3… …（東邦大理1）・物材機構2））°鈴木真司1）・高木祥示1）・後藤哲二1）・村瀬義治2）・土佐正弘2）・板倉明子2）… …………………………………………………… （阪大院工）Mohammad Kemal Agusta・Hideaki Kasai

Density functional theory investigation on the behavior of H atoms on Pd (110) surface		… … （Dept. of Applied Physics, Osaka Univ.1）・ Dept. of Chemical Eng., Institut Teknologi Bandung2）・
Physics Dept., De La Salle Univ.3））Allan Abraham B. Padama1）・Hideaki Kasai1）・
Yogi Wibisono Bushi2）・Nelson B. Arboleda Jr.3）

16Ba-4Si（111）表面酸化状態のO2圧力依存… …………………………… （東北大多元研1）・原子力機構2）・長岡科技大3））°唐16Ba-5

佳芸1）・西本

究1）・小川修一1）・吉越章隆2）・石塚眞治3）・渡辺大輝1）・寺岡有殿2）・高桑雄二1）Ge（111）-c（2×8）室温酸化において酸素分子の並進運動エネルギーで誘起される酸化状態の分析		

… ……………………………………………………… （原子力機構1）・筑波大院数物2）・兵県大院物質理学3））°岡田隆太1,2）・吉越章隆1）・寺岡有殿1,3）・神農宗徹1,3）・山田洋一2）・佐々木正洋2）

16Ba-6放射光STMによるナノスケール元素分析と制御… …… （阪大院工1）・理研/SPring-82）・分子研3）・物材機構4））°齋藤彰1,2）・田中義人2）・香村芳樹2）・高木康多3）・赤井

恵1）・石川哲也2）・桑原裕司1,2）・青野正和4）︿休憩﹀
口頭発表Ⅹ 【表面科学Ⅲ】11：00-12：45
16Ba-7

超音速希ガス原子線散乱による有機単分子層の計測

		

… ……………………………………………… （筑波大数物）°七辺寛幸・渡邊研人・山田洋一・佐々木正洋

16Ba-8

表面プラズモンに誘起される分子振動励起………………………… （阪大院工）°三輪邦之・坂上

16Ba-9coronene単分子層へのアルカリ吸着		

護・笠井秀明… ……………………………… （筑波大数物）°矢野雅大・岡田遼介・遠藤めぐみ・山田洋一・佐々木正洋

16Ba-10

ペロブスカイト型酸化物の薄膜化と強誘電性に関する研究……… （阪大院工）°岡

16Ba-11

シリコン酸化状態へのチタン吸着効果の解析……………………………（横国大院工1）・佐賀大シンクロトロン2））

耕平・中西寛・笠井秀明°大野真也1）・安部壮祐1）・高橋和敏2）・鎌田雅夫2）・田中正俊1）
16Ba-12W(110)上のCo/Ni多重層における磁気異方性の理論的研究

		… ……… （阪大工1）・大阪電通大2）・お茶大理3）・アリゾナ州大4））°小島一希1）・Wilson Agerico Diño1）・
鈴木雅彦2）・安江常夫2）・工藤和恵3）・阿久津典子2）・Ernst Bauer4）・越川孝範2）・笠井秀明1）

16Ba-13銀表面上0.5ML酸素原子超格子に発現する強磁性状態とその安定性		

… ………………………………………（阪大院工）°國貞雄治・中西寛・Wilson Agerico Diño・笠井秀明

︿休憩﹀
Ａ会場

午後の部

口頭発表Ⅺ 【応用表面科学】13：45-15：30
16Ap-1

電流誘起磁壁移動現象の物理と応用…………………………………………………………… （京大化研）°小野輝男

16Ap-2紫外線励起酸素を用いた滅菌システムにおけるチャンバー内の減圧レベルとワークに対する殺菌効果		

… …………………（岩崎電気1）・産総研2）・東海大3））°吉野

潔1）・松本裕之1）・岩崎達行1）・木下
2）

野田和俊 ・岩森
16Ap-3暁3）

Liイオン電池の充放電特性に与える負極被膜の影響

		
16Ap-4

忍1）・… ………………… （北大工学院1）・北大工学研究科2））°高丸翔太1）・日野友明2）・山内有二2）・信太祐二2）摩擦静電気が引き起こすカソード・ルミネセンス

		… ………………………………………………（安衛研1）・学習院大物2））三浦崇1）・今井悦子2）・荒川一郎2）16Ap-5

酸素雰囲気下における下地層の表面偏析予測シミュレーション……………………………… （物材機構）吉武道子

16Ap-6

走査型ヘリウムイオン顕微鏡による微細構造解析………… （物材機構）°大西桂子・Hongxuan GUO・藤田大介（ 10 ）

B会場

午後の部

口頭発表Ⅻ 【プラズマ科学技術】13：45-15：30
16Bp-1

プラズマプロセスにおけるパラメータゆらぎがSi表面ダメージ層形成に及ぼす影響		
16Bp-2… …………………………………………………… （京大工）°江利口浩二・松田朝彦・鷹尾祥典・斧半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発（5）出現質量分析法による吸引ガスの分析		

… …………（産総研1）・㈱三友製作所2））°清水哲夫1）・堀江智之1）・内藤泰久1）・岩瀬千克2）・林樫村健太2）・白山裕也2）・横須賀俊太郎2）・新堀俊一郎2）・高橋

16Bp-3

高一

明宏2）・

賢2）・徳本洋志2）

プローブ法による光電子制御プラズマの空間電位解析

		… …………………………………………… （東北大学多元研）°阿加賽見・大友悠大・小川修一・高桑雄二

16Bp-4

Arガスを用いた容量結合型RFプラズマ中における金属の電流電圧特性Ⅷ… ………… （広国院大工）°久保

16Bp-5クラスタープラズマによる金型用コーティング膜の除去技術…………………… （福岡工技センター）°池田健一

16Bp-6

自動車環境技術でのプラズマ利用研究………… （ダイハツ工業㈱）°田中裕久・内藤一哉・谷口昌司・上西真里

Ａ会場【閉会式】15：30-

講演番号の末尾にＶが表示されている発表は，優秀ポスター発表の審査対象ポスターです．

（ 11 ）隆��������
１．口頭発表講演時間は 15 分（討論時間 5 分を含む）です．講演時に使用可能な機材は液晶プロジェクタ（接続コネクタ： mini D- Sub15pin）のみです（ノートパソコンは持参ください）．休憩時
間やセッション開始前にファイルの動作確認をお願いいたします．PC 不調等の対応について
は，各自の責任にてお願い致します．コンピュータ持参不可の場合や，機器故障，不調の場合を考慮して，各会場に発表用のパソコンを用意いたします．会場のパソコンを使用する場
合は必ず PDF 形式のファイルをご準備ください．USB メモリーでのデータ持参をお願いいた
します．休憩時間やセッション開始前にファイルの動作確認をお願いいたします．
２．ポスター発表
ポスター掲示時間は下表の通りです．コアタイムではポスターの前で説明をお願いいたします．パネルの大きさは下図のように縦 210 cm×横 90 cm です．パネル左上に縦 10 cm×横 20 cmの余白をとってください．余白に事務局で講演番号を貼ります．ポスター貼り付けには押しピンのみ使用可能です．押しピンは会場にて用意いたします．

掲示開始可能掲示完了
コアタイム（奇数）
コアタイム（偶数）
撤収開始
撤収終了

11 月 14 日（水）
9:00
13:00
13:45-14:45
14:45-15:45
15:45
17:00

11 月 15 日（木）
9:00
13:00
13:45-14:45
14:45-15:45
15:45
17:00

●ポスターボード概略図●
単位：mm

３．優秀ポスター発表
優秀ポスター発表の選出は日本真空学会講演・研究会企画委員会の定めた審査委員の審査により行います．審査対象のポスターは講演番号の末尾にＶと表示されています．優秀ポスタ
ー発表の審査に応募した場合でも当日筆頭発表者が発表を行わなかった場合は審査の対象とはなりません．審査結果は 15 日（木）審査終了後速やかに受付付近に掲示予定です．また優秀ポスター発表の筆頭著者を懇親会に招待し，懇親会場において表彰式を行います．皆様のご協力をお願いいたします．

（ 12 ）

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JR 神戸線，阪急，阪神三ノ宮駅からポートライナーで京コンピュータ前駅下車（乗車時間 19 分）
徒歩 4 分．会場周辺には利用できる駐車場がありませんので，自動車でのご来場は固くお断りい
たします．

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7階

6階

（ 13 ）

真空に関する連合講演会 併設展示会
第 53 回真空に関する連合講演会

併設展示会を、下記時間に開催いたします。

日時：

平成２４年１１月１４日（水）１１：００～１６：００
１１月１５日（木） ９：００～１６：００

場

所： 甲南大学ポートアイランドキャンパス Ｃ会場(７階レクチャールーム)
ポスターセッションと同じ場所です。

）
参加費： 無料（連合講演会参加費はお支払いの上ご覧下さい。
出展企業：① 株式会社 大阪真空機器製作所③ 入江工研 株式会社
⑤ ケニックス 株式会社
⑦ 有限会社 真空実験室⑨ 三愛プラント 株式会社
⑪ 株式会社 KRI 材料解析研究センター⑬ キヤノンアネルバ 株式会社
⑮ テルモセラ・ジャパン 株式会社
⑰ 日本カンタムデザイン 株式会社


② 株式会社 岡野製作所④ 東京電子 株式会社
⑥ 株式会社 トヤマ⑧ オミクロンナノテクノロジージャパン株式会社⑩ 新明和工業 株式会社
⑫ エドワーズ 株式会社
⑭ 株式会社 グロ－プ・テック⑯ 佐藤真空 株式会社
⑱ グロ－バルネット 株式会社

併設展示会の期間中会場でコーヒーなどの飲み物のサービスをいたします。
出展企業との打ち合わせ、研究内容に関する討論の場としては、７階展望ラウンジ（Ｃ会場とエレベーターホールを介して反対側）をご利用下さい。

企業プレゼンテーション
昼休みの時間を利用して、出展企業からの技術プレゼンテーションを行います。
参加者*には、お弁当(毎日 50 食限定)を無料で支給いたします。
*真空に関する連合講演会に参加登録された方に限ります．

場

所：甲南大学ポートアイランドキャンパス Ｂ会場(６階６０２講義室)

日時：平成２４年１１月１４日（水）１２：４５～１３：４５
１１月１５日（木）１２：４５～１３：４５
11 月 14 日(水) 12:50～13:00

日本カンタムデザイン 株式会社

13:00～13:10

東京電子 株式会社

13:10～13:20

有限会社 真空実験室

13:20～13:30

三愛プラント 工業株式会社

11 月 15 日(木) 12:50～13:00

株式会社 ＫＲＩ 材料解析研究センター

13:00～13:10

エドワーズ 株式会社

13:10～13:20

グローバルネット 株式会社

13:20～13:30

オミクロンナノテクノロジージャパン 株式会社（ 14 ）（ 15 ）