真空・表面科学合同講演会
第３０回表面科学学術講演会
第５１回真空に関する連合講演会
主共協

催：日本真空協会，（社）日本表面科学会
催：大阪大学産業科学研究所
賛： 映像情報メディア学会，応用物理学会，化学工学会，軽金属学会，原子衝突研究協会，高分子学会，触媒学会，
精密工学会，低温工学協会，電気化学会，電気学会，電子情報通信学会，ナノ学会，日本応用磁気学会，日本
化学会，日本科学機器団体連合会，日本加速器学会，日本機械学会，日本金属学会，日本結晶学会，日本結晶成長学会，日本顕微鏡学会，日本原子力学会，日本材料科学会，日本材料学会，日本質量分析学会，日本真空工業会，日本セラミックス協会，日本チタン協会，日本鉄鋼協会，日本トライボロジー学会，日本半導体製造装置協会，日本物理学会，日本分光学会，日本分析化学会，日本放射光学会，日本油化学会，表面技術協会，
腐食防食協会，プラズマ・核融合学会，粉体工学会，粉体粉末冶金協会期

日：平成２２年１１月４日（木）～６日（土）場

所：大阪大学コンベンションセンター／体育館〒565-0871 大阪府吹田市山田丘 1-1，TEL：06-6879-7171
http://55099zzwd.coop.osaka-u.ac.jp/convention/map.html

会場：口頭講演：コンベンションセンター
Ａ会場：３階 ＭＯホール
Ｄ会場：１階 会議室１
Ｂ会場：２階 会議室２
Ｅ会場：１階 研修室
Ｃ会場：２階 会議室３
ポスターセッション，企業展示およびプレゼンテーション：体育館

講演時間：
合同基調講演
合同シンポジウム
表面科学シンポジウム
招待講演（表面科学）
特別講演（真空）表面科学会受賞記念講演
真空協会受賞記念講演
一般口頭講演
一般ポスター講演１件につき４５分（討論時間を含む）
１件につき３０分（討論時間を含む）
１件につき論文・会誌・奨励・技術賞３０分（討論時間を含む）
１件につき論文賞３０分，技術・進歩賞２０分（討論時間を含む）
１件につき１５分（講演１０分＋討論５分）
１２０分

参加費：講演予稿代を含む．
日本真空協会個人会員および法人会員に属する個人(社)日本表面科学会正会員，維持会員・賛助会員の所属会社員
一 般 協賛学協会会員
非会員
学

生

5,000 円
7,000 円日本真空協会，(社)日本表面科学会，協賛学協会の学生会員

3,000 円

非会員

5,000 円日本真空協会論文賞・技術賞・進歩賞 表彰式：
平成２２年１１月５日（金）１５：１０～１５：２０
Ｂ会場：コンベンションセンター ２階 会議室２
日本表面科学会論文賞・会誌賞・奨励賞・技術賞・産業賞 表彰式：
平成２２年１１月５日（金）１５：１０～１５：２０
Ｃ会場：コンベンションセンター ２階 会議室３
合同懇親会：平成２２年１１月５日（金）１８：４５～２０：３０
会場：大阪大学 銀杏会館３階大会議室
参加費：３，０００円（講演会参加登録時に受付）

企業展示会・企業プレゼンテーション：
平成２２年１１月４日（木）および５日（金），体育館にて開催．
真空・表面科学機器展示会出展企業（50 音順）（株）アイリン真空（株）アルバック
アルバックテクノ（株）（株）エリオニクス（株）岡野製作所
オミクロンナノテクノロジージャパン（株）
北野精機（株）（株）サイエンスラボラトリーズ（株）サーモ理工（株）島津製作所
神港精機（株）新明和工業（株）
東京電子（株）
伯東（株）（株）VIC インターナショナル
へリックステクノロジー（株）（株）ユニソク

アステック（株）
アルバック機工（株）（株）ATR（株）大阪真空機器製作所（株）オプティマ（株）キーエンス
ケニックス（株）
佐藤真空（株）三愛プラント工業（株）
清水電設工業（株）
新日本電工（株）（株）テクノポート（株）トヤマバリアンテクノロジーズジャパンリミテッド
VG シエンタ（株）（株）北海光電子（株）ユニバーサルシステムズ

カタログ展示長州産業（株），（株）東陽テクニカ
広告掲載（株）テックサイエンス，理工貿易（株）
企業プレゼンテーションプログラム
11 月 4 日
12:30～13:15
於：体育館 特設会場

11 月 5 日

12:30～12:35

開会のあいさつ12:35～12:45

北野精機株式会社

12:45～12:55

東京電子株式会社

12:55～13:05

株式会社トヤマ13:05～13:15

ヘリックステクノロジー株式会社

12:00～12:40

於：体育館 特設会場

12:00～12:10

オミクロンナノテクロジーズジャパン株式会社

12:10～12:20

三愛プラント工業株式会社

12:20～12:30

バリアンテクロジーズジャパンリミテッド

12:30～12:40

株式会社北海光電子

講演番号について

4Aa-01

（例）

講演日

会場名

a：午前

A～E ：口頭講演会場(コンベンションセンター）
P ：ポスターセッション会場
（体育館）

p：午後

順番

ポスター発表にはありません．

順番の後に次の記号が付記されている場合は，下記の審査対象講演です．
Y ：表面科学会講演奨励賞（若手研究者部門）審査対象講演
S ：表面科学会講演奨励賞（スチューデント部門）審査対象講演
V ：真空協会優秀ポスター選考対象講演
発表者へのご案内
１．口頭発表一般講演時間は 15 分（討論時間 5 分を含む）です．講演時に使用可能な機材は液晶プロジェクタのみです．ノートパソコンは各自でご持参ください．各講演会場には切り替え器を設置しますので，発表セッシ
ョンの前の休憩時間に必ずコンピュータの接続をお願いします。なお，接続時のトラブルなどに備えて，
バックアップデータを USB メモリーでご持参くださいますようお願いします．
コンピュータ持参不可の場合や，機器故障，不調の場合を考慮して，各会場に発表用のパソコンを準備いたします．
２．ポスター発表
ポスター展示時間は下の表の通りです．講演番号の偶奇により，割り当てられたコアタイムにはポスターの前で説明をしていただきますが，割り当てられたコアタイム以外でも，可能な限り説明をお願いします．
なお，表面科学講演奨励賞応募者にはコアタイムは適用されません．ポスターセッションの 2 時間にわたってポスターの前での説明と討論が必要です．真空優秀ポスター選考対象者も同様です．パネルのスペー
スは縦 2,100mm×横 1,350mm ですが，ポスターは縦 1,200mm 以内×横 1,000mm 以内を推奨します．パネ
ル左上に縦 10cm×横 20cm の余白をとってください．余白に事務局で発表番号を貼ります．表面科学講
演奨励賞応募者でスチューデントの場合はポスター番号の最後が S、若手の場合は Y となっています．真空優秀ポスター選考対象者はポスター番号の最後が V となっています．ポスター貼り付けには押しピンのみ使用可能です．押しピンは会場にて準備いたします．ポスターセッション終了後，下記指定の時間中にポスターの撤収をお願いします．

展示開始
コアタイム（奇数）
コアタイム（偶数）撤収

11 月 4 日（木）10:00-12:30
13:30-14:30
14:30-15:30
16:00-17:00

11 月 5 日（金）10:00-12:00
12:45-13:45
13:45-14:45
16:00-17:00

コンベンションセンター見取り図
ポスターセッション
企業展示会場（体育館）へ

Ｎ

Ｄ会場

Ｅ会場

Ｂ会場

Ｃ会場

Ａ会場

会議室１

研修室

会議室２

会議室３

ＭＯホール

受付

正面入口
１階

２階

３階

体育館見取り図
口頭講演会場（コンベンションセンター）へ

協議員会(実技教室)

ポスターセッション
真空・表面科学機器展示会
企業プレゼンテーションＮ大阪大学吹田キャンパスマップ

銀杏会館(懇親会)③⑦⑨

大阪モノレール
阪大病院前駅

阪大本部前バス停

④
至北千里駅

⑤⑥
② 体育館

⑧
① コンベンションセンター

講演会場①

コンベンションセンター（口頭講演会場）②

体育館（ポスターセッション，真空・表面科学機器展示会）③

銀杏会館（懇親会）

食堂・レストラン③ 銀杏会館 2F レストラン ミネルバ
（平日／ランチ 11:00～14:00，ディナー17:00～20:30，土曜休業）④

カフェテリア匠（平日 11:00～19:00，6 日(土) 11:30～13:30 臨時営業）⑤ 喫茶キッチンひだまり⑥ 福利会館 2F 食堂⑦

工学部食堂ファミール⑧ 薬学部食堂⑨

鯨屋（平日 8:30～17:00，土曜 11:00～14:00）（平日 8:00～20:30，土曜 8:00～15:00）（平日 8:00～20:30，土曜 10:30～14:30）（平日 10:00～14:00，土曜休業）

GSE コモン・イースト棟 15F レストラン ラ・シェーナ（平日／ランチ 11:00～13:30，喫茶＆軽食 13:30～17:00，ディナー17:00～19:00，土曜／ランチのみ）

真空・表面科学合同講演会 日程表
会場

D

E

ポスター・展示会会場

会議室２(2F)

会議室３(2F)

会議室１(1F)

研修室(1F)体育館

4Ca-01S 田村 雅大
4Ca-02 大杉 拓也
4Ca-03 鷹林 将
4Ca-04 佐藤 究
4Ca-05 山下 良之

4Da-01S 森田 健一
4Da-02 長嶋 剣
4Da-03 石川 智康
4Da-04 和田 朋也

4Aa-06 岡田 美智雄
4Aa-07 佐竹 勇樹
4Aa-08 吉越 章隆
4Aa-09S 新川 慶太朗
4Aa-10S 櫻井 雅崇

11:30
12:00

4Ba-01 豊田 浩孝
4Ba-02 柴田 猛順
4Ba-03 柴田 猛順
4Ba-04 日留川 紀彦
4Ba-05
4Ba-06
4Ba-07
4Ba-084Ba-09

川村 健
橘堂 貴則
久保 隆
小川 修一
鈴木 淳

4Ca-06 赤坂 哲也
4Ca-07 藤原 康文
4Ca-08S 坂本 正人
4Ca-09 東 幹晃
4Ca-10 松本 健俊

4Da-05 久保 利隆
4Da-06S 田中 元裕
4Da-07 松田 巌
4Da-08 一柳 光平
4Da-09 関沢 拓実
4Da-10 高草木 達
4Da-11 豊島 安健

4Ea-01 村上 達也
ソフトナノテクノロジー部会
セッション（表面）

合同開会式
4Aa-01 A. M. Kemal
4Aa-02 下村 勝
4Aa-03 平岡 佳子
4Aa-04 湊 丈俊
4Aa-05 藤谷 忠博

半導体
（表面）

11:00

表面反応
（合同）

10:30

C

MOホール(3F)

プラズマ科学Ⅰ
（真空）

10:00

B

表面構造・表面物性評価技術（表面）11/4（木）
9:00
9:15
9:30

A

4Ea-02 菅野 純
4Ea-03 湯田坂 雅子
4Ea-04 平野 愛弓
4Ea-05 島内 寿徳
4Ea-06 手老 龍吾
4Ea-07 高見 知秀

12:30

企業プレゼン
テーション １
12:30-13:30
合同ポスター
セッション １
13:30-15:30

13:30
15:30

4Ap-06 金山 久倫
4Ap-07S 岩田 晋弥
4Ap-08 仲 健太
4Ap-09 石川 豊

18:30

4Bp-04 山本 哲也
4Bp-05
4Bp-06
4Bp-07
4Bp-08

信太 祐二
増田 将英
新田 智紀
平野 俊

4Cp-01 下村 政嗣

19:00

5Aa-04 佐藤 信太郎
5Aa-05 白石 誠司

11:30

5Ba-06
5Ba-07
5Ba-085Ba-09

伊藤 裕仁
吉武 道子
諸橋 信一
酒谷 淳寛
穂積 英彬
影廣 克明
翁 圭輔
前西 夏衣

5Ca-01S 取消
5Ca-02 塚本 貴広
5Ca-03 山本 晃平
5Ca-04 中村 芳明
5Ca-05 杉本 真矩
5Ca-06 H.Y.Hwang
5Ca-07 山田 豊和
5Ca-08 永村 直佳

環境・エネルギー
（表面）

11:00

5Aa-03 長汐 晃輔

5Ba-02
5Ba-03
5Ba-04
5Ba-05低次元・ナノ物質
（表面）

10:30

5Aa-02 安藤 恒也

5Ba-01 草野 英二
薄膜Ⅱ・ナノ構造
（真空）

10:00

合同シンポジウム 1

9:30

5Aa-01 末光 眞希

4Cp-06 中尾 秀信
4Cp-07S 小原 大輝
4Cp-08 野口 秀典
4Cp-09 青沼 有紀
4Cp-10 石崎 逸子
4Cp-11 青柳 里果

4Dp-01 関口 博史
4Dp-02 篠崎 陽一
4Dp-03 末永 和知
4Dp-04 井出 徹
4Dp-05 岡本 祐幸

5Da-01 取消
5Da-02S 中田 武志
5Da-03S 山梨 裕介
5Da-04 松尾 豊
5Da-05 帆刈 義博
5Da-06 野中 宏祐
5Da-07 小林 渉
5Da-08 大西 洋

5Ca-09 平原 徹

電極表面部会セッション Ⅱ(表面)

11/5（金）
9:00

4Cp-02 磯野 俊成
4Cp-03S 松永 宗一郎
4Cp-04 塚本 和己
4Cp-05 田中 裕行

電極表面部会セッションI
(表面)

18:00

4Ap-05 庭野 道夫

4Bp-01 池田 智
4Bp-02 林 徹文
4Bp-03 西山 洋
ソフトマター
（表面）

17:30

ナノ構造
（合同）

17:00

4Ap-02 小野寺 信男
4Ap-03 保田 英洋
4Ap-04 角田 譲

表面科学シンポジウム（表面）4Ap-01 田中 悟

16:30

薄膜Ⅰ・プラズマ科学Ⅱ
（真空）

16:00

4Ep-01 桑畑 進
4Ep-02 能瀬 隆行
4Ep-03 横田 泰之
4Ep-04 取消
4Ep-05
4Ep-064Ep-07
4Ep-08

近藤 敏啓
星永 宏
増田 卓也
岡林 則夫

5Ea-01 大澤 雅俊
5Ea-02 池田 勝佳
5Ea-03 森川 良忠
5Ea-04 取消
5Ea-05 河村 純一
5Ea-06 有馬 健太
5Ea-07 木口 学

12:00

企業プレゼン
テーション ２
12:00-12:45
合同ポスター
セッション ２
12:45-14:45

12:45
14:45
学会賞表彰式
5Bp-01 松田 七美男
5Bp-02 勝又 信行
5Bp-03 新堀 俊一郎
5Bp-04 近藤 剛弘

学会賞受賞
講演（表面）

17:45

合同基調
講演

16:50
17:00

学会賞受賞
講演（真空）

15:10

表彰式(論･会･奨･技･産)5Cp-01 安藤 敏夫
5Cp-02 大門 寛

5Ap-01 E. G. Bauer
5Ap-02 大島 忠平

18:30
18:45
合同懇親会 （銀杏会館）

20:30

6Aa-04 斎木 敏治
6Aa-05 谷村 克己

11:30

S. Nagih
石川 誠
安江 常夫
南谷 英美
取消
取消

6Ba-07 山内 泰

6Ca-01 大久保 博志

6Ba-08 森本 真弘
6Ba-09 横山 有太
6Ba-10 酒井 政道

6Ca-02
6Ca-03
6Ca-04
6Ca-05

土佐 正弘
堀内 達也
南 達也
中村 健

6Ca-06
6Ca-07
6Ca-08
6Ca-09

高橋 直樹
樋口 敏春
佐々木 巌
M. Perini

12:00

13:30

15:30
16:00
16:30
17:00

服部 賢
松本 益明
谷口 昌宏
笹原 亮

6Ap-08
6Ap-096Ap-10
6Ap-11
6Ap-12
6Ap-13
6Ap-14

A. Sarhan
依田 貴稔
杉本敏樹
杉本宜昭
内藤賀公
中山拓人
野津浩史

6Cp-01 宮川 仁

6Bp-02 大友 悠大
6Bp-03 新堀 俊一郎

6Cp-02 木村康男
6Cp-03 深谷有喜
6Cp-04 岡崎一行
6Cp-05S 町田考洋
6Cp-06S 劉傑
6Cp-07S 一色弘成
6Cp-08 岡林則夫
6Cp-09S 本林健太

6Bp-04 小池 淳一
6Bp-05
6Bp-06
6Bp-07
6Bp-08

木下昌久
北村健一
後藤 康仁
奥谷 匠

表面物性
（表面）

15:00

6Ap-04
6Ap-05
6Ap-06
6Ap-07

6Bp-01 辰巳 哲也

6Cp-10 小森文夫
6Cp-11 中辻寛
6Cp-12 松田巌
6Cp-13S 黒田健太
6Cp-14S 永長まゆみ
6Cp-15S 大堀祐輔
6Cp-16 長谷川智

井川 麻衣
原口 惟
水野 淳史
堀内 悠
鈴木 紀彦
鈴木 哲也

6Da-07 金 有洙
6Da-08S 平井 悠司
6Da-09S 高橋 章仁
6Da-10S 角田 貴洋
6Da-11 服部 梓
6Da-12 柳下 崇

6Dp-01 大門寛

6Dp-03 河田洋

6Dp-04 登野健介
6Dp-05熊谷教孝

6Ea-01S 川瀬 達也
6Ea-02S 陳 之文
6Ea-03 西山 覚
6Ea-04 荻野 千秋
6Ea-05 冨重 圭一
6Ea-06 恩田 歩武

6Ep-01 荻原俊弥

6Dp-02 近藤寛

6Ep-02 木村隆
表面分析研究部会セッション
(表面）

14:30

表面構造・評価技術
(合同)

14:00

6Ap-03 大竹 晃浩

電子材料・プロセス（真空）

6Ap-01 堀尾 吉已
6Ap-02 橋本 美絵

放射光表面科学部会セッション
（表面）

13:00

6Da-01S
6Da-02
6Da-03S
6Da-04S
6Da-05S
6Da-06S

触媒表面科学部会
セッション（表面）

11:00

6Aa-03 松尾 二郎

6Ba-01
6Ba-02
6Ba-03
6Ba-04
6Ba-05
6Ba-06

真空科学・工学
（真空）

10:30

6Aa-02 木下 豊彦

応用表面科学・表面工学
（真空）

10:00

6Aa-01 腰原 伸也
合同シンポジウム 29:30

表面反応・表面構造作製技術（表面）

11/6（土）9:00

真空・表面科学機器展示会
12:00-17:00

6Ep-03 高野みどり
6Ep-04 鈴木峰晴
6Ep-05 大友晋哉
6Ep-06 取消
6Ep-07 松尾二郎
6Ep-08 熊谷和博
6Ep-09 吉川英樹
6Ep-10 田沼繁夫

真空・表面科学機器展示会
10:00-16:45

プログラム11 月 4 日（木）【A 会場】 9：00～19：00
合同開会式（9：00～9：15)
司会 福谷 克之
表面反応：合同セッション（9：15～12：15)
座長 岡田 美智雄（9：15～10：30)
4Aa-01 Theoretical study of hydrazine adsorption on Ni(111) and Pt(111)（1)Departement of Precision Science&Technology and Applied Physics, Osaka University）○Agusta Mohammad Kemal1), Nakanishi Hiroshi1), Kasai Hideaki1)
4Aa-02 シリコン表面上における金属原子吸着位置の有機分子による制御（1)静岡大電研）○下村 勝1), 國原 千裕1), 横原 大和1)
4Aa-03 MnO2表面におけるオゾン分解反応－ab initio 分子軌道計算（1)東芝研究開発センター）○平岡 佳子1), 相賀 史彦1)
4Aa-04 二酸化チタン表面上孤立水素の脱離反応（1)東北大融合研,2)理研,3)日本学術振興会,4)東北大原子分子材料機構,5)東大新領域）○湊 丈俊1)2), Pang Chi Lun 3), 浅尾 直樹4),山本 嘉則4), 川合 真紀5), 金 有洙2)
4Aa-05 金クラスターによる水素解離反応 （1)産総研,2)阪大,3)首都大,4)科学技術振興機構）○藤谷 忠博1)4), 中村 功1)4), 秋田 知樹1)4), 奥村 光隆2)4), 春田 正毅3)4)
休憩 10：30～10：45
座長 秋田 知樹（10：45～12：15)
4Aa-06 《特別講演》超音速配向分子線による表面化学反応立体ダイナミクスの展開（30 分）（1)阪大リノベーション）○岡田 美智雄1)
4Aa-07 希ガス原子線散乱によるC60薄膜成長初期過程の計測（1)筑波大数物,2)原子力機構）○佐竹 勇樹1), 渡邉 研人1), 横山 有太1)2), 岡田 隆太1), 山田 洋一1), 佐々木 正洋1)
4Aa-08 Si(111)-7x7 表面の室温酸化における酸素分子の並進運動エネルギーに依存した表面形状（1)原子力機構）○吉越 章隆1), 寺岡 有殿1)
4Aa-09S カリウムドープグラファイト表面での分子の吸着散乱挙動（1)筑波大数理物質）○新川 慶太朗1), 呉 準杓1), 斉藤 慶彦1), 近藤 剛弘1), 中村 潤児1)
4Aa-10S Pd(112)ステップ表面でのN2Oの分解によって発生するN2の脱離空間分布（1)筑波大数理物質）○櫻井 雅崇1), 松島 龍夫1), 近藤 剛弘1), 中村 潤児1)
昼食 12：15～
企業プレゼンテーション 12：30～13：30 於ポスター・展示会場（体育館）
ナノ構造：合同セッション（16：00～19：00）
座長 庭野 道夫（16：00～17：15)
4Ap-01 《特別講演》SiCナノ表面構造とヘテロエピタキシー（30 分）（1)九大院工）○田中 悟1)
4Ap-02 CdS-ZnO ヘテロ接合ナノロッドの特性及び 3,4-ジヒドロキシ安息香酸の光触媒分解の応用（1)電通大電子工）○小野寺 信男1), 小泉 淳1), 小野 洋1), 内田 和男1), 野崎 眞次1)
4Ap-03 有機分子表面修飾 Si ナノ粒子の光学特性と電子構造（1)阪大超高圧電顕,2)佐賀大シンクロトロン,3)神戸大工,4)東京理大理,5)物材機構）○保田 英洋1), 今村 真幸2), 中村 純3), 根岸 雄一4), 上田 茂典5)
4Ap-04 AAO テンプレートを利用した Au/NiO/Au ナノワイヤの作製と評価（1)関西大システム理工）○角田 譲1), 巳ノ口 哲司1), 新宮原 正三1), 清水 智弘1)
休憩 17：15～17：30
座長 田中 悟（17：30～19：00)
4Ap-05 《特別講演》表面ナノ構造の電子デバイスへの応用（30 分）（1)東北大通研）○庭野 道夫1)
1)
4Ap-06 微小金属針先端におけるカーボンナノチューブ成長制御（ 三重大院工）○金山 久倫1), 佐藤 英樹1)
4Ap-07S カーボンナノチューブへの分子の物理吸着に関する研究（1)東大生研,2)東北大院環境）○岩田 晋弥1), 福谷 克之1), 佐藤 義倫2), 田路 和幸2)

4Ap-08

アルコール熱ＣＶＤ法に基づく単層カーボンナノチューブの低温成長装置の開発（1)東洋大院工,2)バイオ・ナノエレクトロニクス研,3)立山マシン）○仲 健太1), 内田 貴司2), 内山 英史3), 浅地 豊久3), 吉田 善一1)2)
4Ap-09 低温でのコバルトからの単層カーボンナノチューブの成長（1)日本工大）春田 僚1), 佐藤 拓郎1), 庄村 知典1), ○石川 豊1)【B 会場】 9：15～18：30
プラズマ科学Ⅰ [真空]（9：15～12：00）
座長 江利口 浩二（9：15～10：30)
4Ba-01 《特別講演》マグネトロンプラズマ中の高エネルギー負イオン計測－エネルギー分布とその空間依存性－（30 分）（1)名大工）○豊田 浩孝1)
4Ba-02 電子ビーム加熱蒸発生成 Ce、Dy 原子ビームの速度と準安定準位分布（1)原子力機構）○柴田 猛順1), 大場 弘則1)
4Ba-03 ガドリニウム、ジスプロシウムの電荷移行断面積（1)原子力機構,2)北里大医）○柴田 猛順1), 小倉 浩一1), 小池 文博2)
4Ba-04 パルス off 時のターゲット電位を制御した高電力パルススパッタ (HiPIMS) におけるプラズマ分析（1)成蹊大理工）○日留川 紀彦1), 中野 武雄1), 馬場 茂1)
休憩 10：30～10：45
座長 豊田 浩孝（10：45～12：00)
4Ba-05 量子化学計算を用いた二次元流体シミュレーションによるｃ-C5F8プラズマ解析（1)神大工）○川村 健1)
4Ba-06 マルチスロットアンテナを用いたマイクロ波励起プラズマにおける波の空間構造の評価と制御（1)神大電磁エネルギー研）○橘堂 貴則1)
4Ba-07 Arプラズマ中における金属の電気特性に関する研究VI（1)広国院大工）○久保 隆1)
4Ba-08 光電子制御プラズマCVDによるSiO2 (350 nm)/Si基板へのナノグラファイト直接成長：膜質の温度依存（1)東北大多元研,2) JST-CREST,3)富士通,4)産総研）○小川 修一1)2), 尾白 佳大1), 佐藤 元伸2)3)4), 二瓶 瑞久2)3)4), 高桑 雄二1)2)
4Ba-09 プラズマ計測における水晶振動子センサーバイアス電圧依存性（1)産総研計測フロンティア）○鈴木 淳1), 野中 秀彦1)
昼食 12：00～
企業プレゼンテーション 12：30～13：30 於ポスター・展示会場（体育館）
薄膜Ⅰ・プラズマ科学Ⅱ ［真空］（16：00～18：30）
座長 長田 昭義（16：00～17：15)
4Bp-01 RIE テクスチュアー形成技術を用いた多結晶太陽電池の試作（1)アルバック千葉超材料研）○池田 智1), 佐藤 宗之1)
4Bp-02 イオンプレーティング法による GZO 薄膜の成膜（1)不二越,2)ヘンミ計算尺）○林 徹文1), 園部 勝1), 加藤 雄二2), 安岡 学1)
4Bp-03 H2-O2触媒反応を利用した新規CVD法 1. 高品位酸化亜鉛薄膜の作製（1)長岡技科大）○西山 洋1), 田村 一成1), 三浦 仁嗣1), 井上 泰宣1)
4Bp-04 《特別講演》酸化亜鉛透明導電膜の特徴と魅力：液晶デイスプレイテレビ、薄膜太陽電池への応用（30 分）（1)高知工大）○山本 哲也1), 佐藤 泰史 1), 牧野 久雄1), 山本 直樹1)
休憩 17：15～17：30
座長 山本 哲也（17：30～18：30)
4Bp-05 SiC/SiC 複合材料の燃料水素保持特性（1)北大,2)東義大）○信太 祐二1), 山内 有二1), 日野 友明1), Cho Ho-Jun2), Yoon Han Ki2)
4Bp-06 RF スパッタリング法を用いて作製した薄膜 SOFC のコンパクトセルスタック特性（1)大阪工大工）○増田 将英1), 長田 昭義1)
1)
4Bp-07 GDC電解質を用いたSOFCの中温域作動特性（ 大阪工大工）○新田 智紀1), 長田 昭義1)
4Bp-08 無機電解質を応用したプロトン伝導形燃料電池の特性評価（1)大阪工大工）○平野 俊1), 長井 未紗子1), 長田 昭義1)
【C 会場】 9：15～19：15
半導体 ［表面］（9：15～12：15)
座長 小林 光（9：15～10：30)
4Ca-01S GeO2超薄膜及びGeO2/Ge界面の誘電特性；局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響（1)電通大電子,2)電通大先進理工）○田村 雅大1), 涌井 貞一1), 中村 淳1)2)
4Ca-02 SiON/SiC界面の誘電率不連続性（1)電通大電子,2)電通大先進理工）○大杉 拓也1), 中村 淳1)2)

4Ca-03

4Ca-044Ca-05グラフェン/10 族金属コンタクト界面の化学結合（1)東北大通研,2)JST-CREST）○鷹林 将1)2), 久保 真人1), 高橋 良太1), 阿部 峻佑1),
末光 哲也1)2), 吹留 博一1)2), 末光 眞希1)2), 尾辻 泰一1)2)
オーダリング現象による InGaP/GaAs ヘテロ接合界面物性への影響（1)電通大電子）○佐藤 究1), 小泉 淳1), 小野 洋1), 内田 和男1), 野崎 眞次1)
デバイス動作下での電子状態観測：バイアス印加硬 X 線光電子分光（1)物材機構）○山下 良之1), 吉川 英樹1), 上田 茂典1), 知京 豊裕1), 小林 啓介1)

休憩 10：30～10：45
座長 中村 淳（10：45～12：15)
4Ca-06 窒化ガリウムのステップフリー面の作製と成長機構 （1)NTT物性基礎研）○赤坂 哲也1), 小林 康之1), 嘉数 誠1)
4Ca-07 《招待講演》有機金属気相エピタキシャル法による Eu 添加 GaN の作製と赤色発光ダイオードへの応用（30 分）（1)阪大院工）○藤原 康文1), 西川 敦1), 寺井 慶和1)
4Ca-08S ゾル・ゲル法を用いたCuGaO2薄膜の作製（1)室蘭工大）○坂本 正人1), 木村 鉄平1), Alias Afishah1), 植杉 克弘1)
4Ca-09 液相堆積した窒化炭素膜の結合状態および電気的特性の評価（1)東海大産業工,2)東海大情報理工,3)東海大開発工）○東 幹晃1), 清田 英夫1), 黒須 楯生2), 千葉 雅史3)
4Ca-10 硝酸酸化法により形成したゲート酸化膜とこれを用いた超低消費電力サブミクロン薄膜トランジスタの特性評価（1)阪大産研,2) JST-CREST,3)阪大院工,4)シャープ）○松本 健俊1)2), 山田 幹浩1)2), 辻 博史2)3),谷口 研二2)3),
久保田 靖2)4), 今井 繁規2)4), 寺川 澄雄1)2), 小林 光1)2)
昼食 12：15～
企業プレゼンテーション 12：30～13：30 於ポスター・展示会場（体育館）
ソフトマター ［表面］（16：00～19：15)
座長 玉田 薫（16：00～17：30)
4Cp-01 《招待講演》自己組織化によるバイオミメティック・サーフェスの作製と機能（30 分） （1)東北大WPI）○下村 政嗣1)
4Cp-02 固体表面構造制御による脂質二重膜内の相分離構造（1)横国大）○磯野 俊成1), 山崎 憲慈1), 和田 朋也1), 羽中田 祥司1), 荻野 俊郎1)
4Cp-03S In situ STM を用いたナノスケールにおける脂質分子膜の動的観測（1)東大新領域,2)理研）○松永 宗一郎1)2), 山田 太郎2), 川合 真紀1)2)
4Cp-04 酸処理されたトウモロコシ澱粉内部構造の AFM 観察（1)農研機構・食総研）○塚本 和己1), 大谷 敏郎1), 杉山 滋1)
4Cp-05 AFM 操作による単一分子カリウムチャンネルの開閉（1)阪大産研,2)阪大生命機能,3)JSTさきがけ）
橘田 晃宜1), 平野 美奈子2), 柳田 敏雄2), ○田中 裕行1)3), 井出 徹2), 川合 知二3)
休憩 17：30～17：45
座長 下村 政嗣（17：45～19：15)
4Cp-06 DNA ナノファイバ中に配列した金ナノ粒子の偏光特性（1)物材機構,2)名古屋市工研,3)大阪府大）○中尾 秀信1), 林 英樹2), 椎木 弘), 武田 良彦1), 三木 一司1)
4Cp-07S 表面プラズモン共鳴現象を用いた蛍光発光増強効果の観察（1)東北大電通研,2)延世大）○小原 大輝1), 吉田 晃人1), Jungmok You2), Eunkyoung Kim2), 玉田 薫1)
4Cp-08 赤外分光法によるペプチド固相合成過程におけるペプチド構造のその場追跡（1)物材機構・MANA,2)北大院理）○野口 秀典1)2), 安達 達彦2), 坂口 和靖2), 魚崎 浩平1)2)
4Cp-09 表面赤外分光法を用いたミトコンドリア内 ATP 合成過程のリアルタイム評価（1)東北大通研,2)東北大医工学,2)東北大医工学,3)JSTさきがけ,4)徳島大疾患ゲノム研）○青沼 有紀1), 山口 僚太郎1), 阿部 真帆1), 平野 愛弓2)3), 木村 康男1), 篠原 康雄4), 庭野 道夫1)
4Cp-10 TOF-SIMS を用いた薬剤投与前後の組織断面のイメージング（1)アルバック・ファイ,2)慶応大医）○石崎 逸子1), 眞田 則明1), 山本 公1), 大橋 善治1), 久保 亮治2)
4Cp-11 G-SIMS による高分子試料解析の基礎的検討（1)島根大・生物資源,2)クラレ,3)成蹊大・理工）○青柳 里果1), 三原 一郎2), 加藤 信彦3), 工藤 正博3)
【D 会場】 9：15～18：45
表面構造・表面物性評価技術 ［表面］（9：15～12：15)
座長 持地 広造（9：15～10：45)
4Da-01S 水晶カンチレバーと光干渉計を用いた小振幅原子間力顕微鏡測定（1)阪大工）○森田 健一1), 杉本 宜昭1), 笹川 裕紀1), 阿部 真之1), 森田 清三1)

4Da-02

周波数変調方式 AFM による液中での可溶性結晶の格子像観察（1)阪大院工,2)京大院工,3)島津製作所）○長嶋 剣1), 山根 翔1), 阿部 真之1), 森田 清三1), 大藪 範昭2),
小林 圭2), 山田 啓文2), 山崎 将嗣3), 大田 昌弘3), 粉川 良平3)
4Da-03 局在ギャップ準位におけるキャリア捕獲過程の時間分解 STM 計測（1)筑波大・物理工）○石川 智康1), 吉田 昭二1), 横田 統徳1), 寺田 康彦1), 武内 修1), 重川 秀美1)
4Da-04 相分離したサファイア基板表面の AFM 力測定における探針の効果（1)横国大）○和田 朋也1), 磯野 俊成1), 山﨑 憲慈1), 荻野 俊郎1)
4Da-05 《論文賞》STMとDFTによるルチルTiO2(114)表面構造の研究（30 分）（1)産総研）○久保 利隆1), 折田 秀夫1), 野副 尚一1)
座長 吉田 昭二（10：45～12：15)
4Da-06S ソフトスパッタＳＩＭＳによる有機材料の極浅表面分析（1)兵庫県大院工,2)兵庫県大インキュベーションセンター）○田中 元裕1), 盛谷 浩右1), 豊田 紀章2), 乾 徳夫1), 持地 広造1)
4Da-07 磁場印加型独立駆動マルチプローブシステムの開発と金属量子薄膜の反局在効果の研究（1)東大物性研,2)東大院）
宮田 伸弘2), 成田 尚司1), 小河 愛実1), 保原 麗2), 平原 徹2), 長谷川 修司2), ○松田 巌1)
4Da-08 金ナノ結晶のコヒーレント振動の直接観測（1)東大新領域,2)高エネ研）○一柳 光平1), 関口 博史1), 野澤 俊介2), 佐藤 篤志2), 足立 伸一2), 佐々木 裕次1)
4Da-09 独立駆動 4 探針測定装置を用いたグラフェンおよびカーボンナノチューブの電気伝導測定（1)東北大理,2)立教大理,3)東北大電通研,4)東北大多元研）○関沢 拓実1), 掛札 洋平2), 吹留 博一3), 末光 眞希3), 米田 忠弘4)4Da-10 機能性分子修飾による酸化物表面上 Cu 種の構造制御（1)北大CRC,2)ICU,3)PF IMSS KEK）○高草木 達1), 野島 大孝1), 宮崎 晃太郎1), 和田 敬広1),
有賀 寛子1), 田 旺帝2), 野村 昌治3), 朝倉 清高1)
4Da-11 水素終端Si表面におけるSr付着のSi-H振動モードへの影響（1)産総研エネ技）○豊島 安健1)
昼食 12：15～
企業プレゼンテーション 12：30～13：30 於ポスター・展示会場（体育館）
表面科学シンポジウム 「「表面場」における分子内運動計測の進展」（16：00～18：45)
座長 佐々木 裕次（16：00～17：30)
4Dp-01 X線１分子追跡法から見えてきた膜たんぱく質分子内運動（30 分）（1)東大新領域）○関口 博史1)
4Dp-02 高速 AFM による機能性膜タンパク質分子の分子内構造変化計測（30 分）（1)NTT物性研,2)九州大薬学研,3)山梨大医学工学研）○篠崎 陽一1), 住友 弘二1), 津田 誠2), 小泉 修一3), 井上 和秀2), 鳥光 慶一1)
4Dp-03 電子顕微鏡による単分子・単原子の動的観察（30 分）（1)産総研）○末永 和知1)
休憩 17：30～17：45
座長 関口 博史（17：45～18：45)
4Dp-04 可視１分子計測によるチャネルたんぱく質の分子内運動計測（30 分）
4Dp-05 分子シミュレーションによる分子内運動の計測（30 分）（1)理研,2)阪大）○井出 徹1)2)（1)名大理）○岡本 祐幸1)

【E 会場】 9：15～18：30
ソフトナノテクノロジー部会「ナノ構造・ナノ物質と生命工学」 ［表面］（9：15～12：30）
座長 荻野 俊郎（9：15～10：45)
4Ea-01 《招待講演》ナノ粒子の表面修飾による生体適合化と医療応用（30 分）（1)京大物質－細胞統合システム,2)JSTさきがけ）○村上 達也1) 2)
4Ea-02 《招待講演》ナノマテリアルの毒性評価（30 分）（1)国衛研・安全セ・毒性）○菅野 純1)
4Ea-03 《招待講演》ナノカーボンを用いたドラッグデリバリー（30 分）（1)産総研）○湯田坂 雅子1)
休憩 10：45～11：00
座長 湯田坂 雅子（11：:00～12：30)
4Ea-04 《招待講演》ナノ構造設計に基づく安定化脂質二分子膜センサーの開発（30 分）（1)東北大）○平野 愛弓1)
4Ea-05 《招待講演》人工細胞膜表面を用いたセンシングおよびアミロイド関連物質の表面反応（30 分）（1)阪大）○島内 寿徳1)
4Ea-06 表面原子スケール構造が誘起する支持平面脂質二重膜内の異常拡散（1)分子研,2)北大低温研,3)名大院工）○手老 龍吾1), 佐崎 元2), 宇治原 徹3), 宇理須 恒雄1)4Ea-07

イオン選別ピペットプローブの開発（1)建大）○高見 知秀1), Son Jongwan1), Lee Jookyung1), Park BaeHo1), 川合 知二1)
昼食 12：30～
企業プレゼンテーション 12：30～13：30 於ポスター・展示会場（体育館）

電極表面科学部会 1 「固液界面における動的構造解析と反応のその場追跡」 ［表面］（16：00～18：30）
座長 近藤 敏啓（16：00～17：00)
4Ep-01 《技術賞》イオン液体を用いた電極反応のその場電子顕微鏡観察法の開発（30 分）（1)阪大院工）○桑畑 進1)
4Ep-02 X 線照射によるイオン液体中の金属イオン還元過程の観察（1)阪大院基礎工,2)阪大院工,3)Dept. Chemie und Pharmazie, University Erlangen-Nuernburg,4)JST-CREST）○能瀬 隆行1)4), Maier Florian3), Steinruck Hans-Peter3), 津田 哲哉2), 桑畑 進2)4), 福井 賢一1), 今西 哲士1)4)
4Ep-03 周波数変調原子間力顕微鏡によるイオン液体/固体界面の層状構造の観察と評価（1)阪大基礎工）○横田 泰之1), 原田 朋宏1), 福井 賢一1)
座長 桑畑 進（17：00～18：00)
4Ep-04 （取消）4Ep-05 種々の面方位の Au 単結晶上に電析させた Pt 超薄膜の原子配列決定（1)お茶大人間文化,2)物材機構）○近藤 敏啓1), 柴田 昌代1), 櫻井 宗良1), 福満 仁志2), 増田 卓也2), 魚崎 浩平2)
4Ep-06 酸素還元反応を活性化するPt電極の表面構造（1)千葉大工）○星 永宏1), 中村 将志1), 北島 綾子1)
座長 星 永宏（18：00～18：30)
4Ep-07 in situ XAFS 法による白金／セリア触媒の酸素還元反応機構の解明（1)物材機構 ナノ材料科学環境,2)北大,3)原子力機構,4)物材機構,5)物材機構 国際ナノアーキテクトニクス）○増田 卓也1), 福満 仁志1)2), 府金 慶介1)2), 戸ヶ崎 寛孝1)2), 松村 大樹3), 田村 和久3),
西畑 保雄3), 吉川 英樹4), 小林 啓介4), 森 利之1)2), 魚崎 浩平1)2)5)
4Ep-08 無電解金メッキ表面の XPS 分析（1)東工大応セラ,2)JST-CREST,3)東北大多元）○岡林 則夫1)2), 前田 幸祐1), 村木 太郎1), 猪狩 佳幸3), 米田 忠弘3), 真島 豊1)2)【体育館】 12：00～17：00
真空・表面科学機器展示会（12：00～17：00）
合同ポスターセッション（13：30～15：30）
座長 福谷 克之，玉垣 浩
4P-001 簡易な非蒸発ゲッター（NEG）と金蒸着源、放射光用水冷マスクの開発（1)高エネ研物構研）○菊地 貴司1), 田中 宏和1), 豊島 章雄1), 間瀬 一彦1)
4P-002 表面粗さを設けたねじ溝式真空ポンプの排気性能（1)鶴岡高専,2)秋田大,3)大阪真空）○矢吹 益久1), 澤田 雅2), 井口 昌司3), 大林 哲郎3), 渡辺 光徳3)
4P-003 タングステン合金を用いた超高真空対応放射線遮蔽体の開発（1)高輝度光科学研究センター）○田村 和宏1), 大熊 春夫1), 高野 史郎1), 正木 満博1), 持箸 晃1)
4P-004 半導体光陰極を用いる高輝度電子源のための極高真空装置開発（1)高エネ研,2)山口大,3)原子力機構,4)広島大,5)名大）○山本 将博1), 内山 隆司1), 宮島 司1), 本田 洋介1),
松葉 俊哉1)4), 佐藤 康太郎1), 齊藤 芳男1), 小林 正典1), 栗巣 普揮2), 羽島 良一3), 永井 良治3),
西森 信行3), 栗木 雅夫4), 飯島 北斗4), 久保 大輔4), 中西 彊5), 奥見 正治5), 桑原 真人5)
4P-005 気液平衡型ガス発生源の真空天秤による性能試験 II（1)原子力機構,2)ガステック）○秦野 歳久1), 平塚 一1), 海福 雄一郎2), 阿部 哲也1)
4P-006 高耐熱機器用水冷チェンバーの開発（1)高輝度光科学研究センター）○田村 和宏1), 大石 真也1), 大熊 春夫1), 岡安 雄一1),
小路 正純1), 高野 史郎1), 谷内 友希子1), 正木 満博1), 持箸 晃1)
4P-007 中真空標準（0.1 mPa ～ 1 Pa）の国際比較（1)産総研）○秋道 斉1), 小松 栄一1)
4P-008 シールエッジ部を電子ビーム改質したアルミフランジの耐スクラッチ及び耐食性（1)高輝度光科学研究センター）○大石 真也1), 小路 正純1), 岡安 雄一1), 谷内 友希子1), 米原 博人1), 大熊 春夫1)
4P-009 膨張法用電動メタルバルブの開発 （1)産総研 計測標準）○新井 健太1), 富田 琢也1), 秋道 斉1), 平田 正紘1)
4P-010 定電流型ピラニ真空計における大気圧近傍での感度改善（1)原子力開発機構）○荻原 徳男1), 引地 裕輔1)
4P-011 高分解能 RBS によるイオン液体混合物の表面分析（1)京大院工）○大島 伸一1), 大野 敦史1), 中嶋 薫1), 鈴木 基史1), 木村 健二1)
4P-012 高分解能RBS法による[CnMIM][TFSI]表面の分析（1)京大工）○中嶋 薫1), 大野 敦史1), 鈴木 基史1), 木村 健二1)

4P-013
4P-0144P-015
4P-016
4P-0174P-0184P-0194P-0204P-021
4P-022
4P-0234P-0244P-025
4P-026

4P-0274P-0284P-0294P-030

4P-031

4P-032
4P-033
4P-0344P-035

4P-036

4P-037

酸素共吸着銀表面における水素分子のオルソ・パラ転換機構（1)阪大工）○國貞 雄治1), 中西 寛1), Diño Wilson Agerico1), 笠井 秀明1)
グラフェン表面におけるイオン液体カチオン分子吸着に関する理論的研究（1)阪大工）○谷 正則1), 坂上 護1), 中西 寛1), 笠井 秀明1)
シリコン表面の熱超純水浸漬に伴うモフォロジーと酸化膜質の変化（1)大阪府大教育研究機構，2)大阪府大院理）○上浦 良友1)2), 佐野 雄一1)2)
拡散支援脱離モデルによる Si(100)表面からの水素熱脱離スペクトル（1)山形大院工,2)九工大院工）○成田 克1), 稲永 征司2), 並木 章2)
固体表面上の磁性原子格子系に対するSTM像の解析 （1)阪大工）○三輪 邦之1), 松中 大介1), 笠井 秀明1)
Methanol Electro-oxidation Mechanism on Rare Metal Surfaces: A DFT Study（1)Dept. of Appl. Phys., Graduate School of Engineering, Osaka University,2)Dept. of Phys., Faculty of Scienceand Engineering, UNSOED,3)Dept. of Chemical and Biological Engineering, University of British Columbia）○Cahyanto Wahyu Tri1)2), Son Do Ngoc1), Gyenge Elod3), Kasai Hideaki1)
H2O Molecular Adsorption on the Tri-s-triazine-based graphitic Carbon Nitride (g-C3N4): A DFT-based study（1)Dept. of Appl. Phys., Graduate School of Engineering, Osaka University,2)Physics Department, College of
Science, De La Salle University）○Aspera Susan Menez1), David Melanie Yadao2), Kasai Hideaki1)
負イオンビームによるシリコーンの表面改質と間葉系幹細胞からの分化骨芽細胞配列（1)京大 光 • 電子理工セ,2)京大院工）○ソムマニ ピヤヌット1), 辻 博司2), 佐藤 弘子2), 後藤 康仁2), 高岡 義寛1)
有機分子吸着表面における光電子収量測定（PYS）スペクトルの検討（1)物材機構）○柳生 進二郎1), 吉武 道子1), 知京 豊裕1)
イオンビーム照射を用いた PTFE の表面改質加工（1)工大工,2)都産技研）○松浦 美紀1), 中村 勲2), 鷹野 一朗1)
有機高分子試料への電子ビーム照射の分子シミュレーション（1)大阪府大工）○安田 雅昭1), 多賀 章博1), 川田 博昭1), 平井 義彦1)
RAS(Radical Assisted Sputtering)法によるTiO2光触媒薄膜の合成と反応気相診断に基づいた薄膜構造変調手法の開発に関する研究（1)都城高専物質工,2)シンクロン,3)ホンダロック）○江藤 智弘1), 児玉 和也1), 東丸 幸江1), 塩野 一朗2), 清 文博3), 河野 慶彦3), 福留 政治3), 野口 大輔1)
O2添加スパッタガスを用いた超高真空平板マグネトロンスパッタ装置による微細孔へのCu埋め込み特性の時間観察（1)東理大工）○伊藤 勝利1), 宇原 祥夫1), 斉藤 茂1)
RAS(Radical Assisted Sputtering)法によるTiO2光触媒薄膜の合成における金属不完全反応極薄膜構造制御と薄膜成長モデルに関する研究（1)都城高専物質工,2)シンクロン,3)ホンダロック）○児玉 和也1), 江藤 智弘1), 東丸 幸江1), 清 文博2), 河野 慶彦2), 福留 政治2), 塩野 一朗3), 野口 大輔1)
光触媒多層酸化チタン薄膜における結晶核層の最適化とその制御技術開発に関する研究（1)都城高専物質工,2)シンクロン,3)ホンダロック）○東丸 幸江1), 江藤 智弘1), 児玉 和也1), 塩野 一朗2), 清 文博3), 河野 慶彦3), 福留 政治3), 野口 大輔1)
SiC薄膜の二次電子放出係数（1)東京電機大工）○蔵本 翔太郎1), 工藤 竜也1), 松田 七美男1)
貴金属添加タングステン酸化物薄膜の光学的特性とエレクトロクロミズム特性（1)明大理工）○籔本 泰平1), 西村 孔三1), 湯浅 朗道1), 藤田 直人1), 伊藤 裕仁1),
後藤 辰弥1), 三浦 登1), 松本 節子1), 松本 皓永1)
Bi添加Nb2O5薄膜の作製と評価（1)明大理工）○西村 孔三1), 籔本 泰平1), 湯浅 朗道1), 藤田 直人1), 伊藤 裕仁1),
後藤 辰弥1), 三浦 登1), 松本 節子1), 松本 皓永1)
反応性スパッタリングによる白金添加酸化タングステン薄膜の光学特性（1)明大理工）○湯浅 朗道1), 籔本 泰平1), 藤田 直人1), 伊藤 裕仁1),
西村 孔三1), 三浦 登1), 松本 節子1), 松本 皓永1)
1)
Be,Si共添加したGaGdNのMBE成長とその評価（ 阪大産研）○湯川 文夫1), 長谷川 繁彦1), 朝日 一1)
Er添加Se系ガラス薄膜の光学特性のGe依存性（1)宮大工）○齋藤 順雄1)
有機金属気相成長法 InSb 薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響（1)神奈川大工）○本間 秀幸1), 石井 辰弥1), 山口 栄雄1)
有機金属気相成長法を用いた InSb 薄膜の電気的特性における界面 Si ドープの影響（1)神奈川大工,2)ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ）○石井 辰弥1), 本間 秀幸1), 山口 栄雄1), 安原 重雄2), 下山 紀男2)
Poly N-9 -heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5,5- 4 ,7 -di-2-thienyl-2 ,1 ,3 ,-benzothiadiazole (PCDTBT)有機
薄膜におけるグレインのナノ構造の観察と制御（1)愛工大）○山中 大地1), 水谷 照吉1), 小嶋 憲三1), 落合 鎮康1)
新規有機高分子半導体を用いた有機薄膜太陽電池活性層の光学特性評価（1)愛工大）○今村 匠吾1), 水谷 照吉1), 小嶋 憲三1), 落合 鎮康1)

4P-038

不純物添加酸化亜鉛薄膜の真空紫外領域の光学的性質（1)明大理工）○藤田 直人1), 伊藤 裕仁1), 藪本 泰平1), 松本 皓永1), 松本 節子1)
4P-039 反応性スパッタ法による相転移V2O3薄膜のサファイア基板上へのエピタキシャル成長（1)東海大工）○沖村 邦雄1), 鈴木 康史1)
4P-040 高真空スパッタと超臨界CO2を用いた微細孔の埋め込み（1)東理大工）伊藤 勝利1), ○沼川 智則1), 大野 泰典1), 寺崎 雅人1),
前田 優樹1),宇原 祥夫1),大竹 勝人1), 斉藤 茂1)
4P-041 Poly[N-9''-hepta-decanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiazole] (PCDTBT)/
PC71BM 複合膜で活性層を作製した有機薄膜太陽電池の性能評価（1)愛工大）○加藤 克彦1), 水谷 照吉1), 小嶋 憲三1), 落合 鎮康1)
4P-042 Ｎ－MHV スパッタ装置により作製した窒化物薄膜（1)岡野製作所,2)大阪府立産技総研,3)小川創造技研,4)大阪市大）○岡野 夕紀子1), 田尻 修一1), 青園 隆司1), 岡本 昭夫2), 小川 倉一3), 美馬 宏司4)4P-043 小型高性能力覚センサを用いたロールツーロールスパッタ装置用張力制御システムの試作（1)アサヒ電子研,2)日本リニアックス,3)大阪府立産技研,4)小川創造技研）○近藤 真也1), 玉置 肇1), 竹中 宏2), 武村 守3), 小川 倉一4)
4P-044 三次元有機トランジスタのための塗布型有機薄膜の作製（1)大阪府立産技総研,2)阪大）○李 万燕1)2), 宇野 真由美1)2), 広瀬 有里2), 植村 隆文2), 竹谷 純一2)
4P-045 窒素添加したWO3薄膜の光学的特性 （1)工大工）○SARMAD IBRAHIM1), HAIDER SHUKUR1), 鷹野 一朗1)
4P-046 イオンビームアシスト法によるC12H26雰囲気中で作製したDLC/Si/DLC多層膜の特性（1)工大工,2)若エ研セ）○原 知之1), 黒須 雅浩1), 笹瀬 雅人2), 鷹野 一朗1)
4P-047 ナフタレン雰囲気中のイオン照射により作製したＤＬＣ薄膜の界面制御 （1)工大工）○成田 真一1), 鷹野 一朗1)
4P-048 スパッタリング法によるZnO/ITO透明導電膜の作製（1)京工繊大）○石川 淳1), 浅井 佑太1), 林 康明1)
4P-049 N+イオン照射したルチル型TiO2薄膜の光機能特性（1)工大工）○Haider A. Shukur1), 鷹野 一朗1)
4P-050 密度汎関数理論に基づく RRAM の伝導性変化に関する解析（1)阪大院工,2)シャープ）○岸 浩史1), 国方 伸一1), 中西 寛1), 笠井 秀明1), 玉井 幸夫2), 大西 茂夫2), 粟屋 信義2)
4P-051 高温高圧合成基板によるホモエピタキシャル CVD ダイヤモンド膜への影響評価とその低減（1)阪大工）○毎田 修1), 井口 翔太1), 伊藤 利道1)
4P-052 ホウ素ドープ p 型 CVD ダイヤモンド薄膜のナノ構造化による高機能化（1)阪大工）○青野 雅之1), 毎田 修1), 伊藤 利道1)
4P-053 FIB を用いた CVD ダイヤモンド微細電極の形成とその特性評価（1)阪大工）○五十嵐 透1), 毎田 修1), 伊藤 利道1)
4P-054S 気相硝酸酸化(NAVOS)法を用いたSiO2/SiC構造の低温創製（1)阪大産研,2)JST戦略基礎）○趙 恵淑1)2), 松本 健俊1)2), 岩佐 仁雄1)2), 小林 光1)2)
4P-055S （取消）4P-056S （取消）4P-057S ナノ構造系の 4 端子抵抗測定におけるバイアス電圧の影響に関する理論研究（1)東大工）○寺澤 麻子1), 飛松 啓司1), 多田 朋史1), 山本 貴博1), 渡邉 聡1)
4P-058S 硝酸酸化(NAOS)法を用いた 5-10 nm SiO2/Si構造の低温形成(1)阪大産研,2)JST戦略基礎)○深谷 洋介1)2)
4P-059S 金属ナノ粒子を用いた薄膜形成技術の開発（1)阪府大先端セ）○水谷 佑太1), 山本 陽二郎1), 床波 志保1), 椎木 弘1), 長岡 勉1)4P-060S フェリチンタンパク質を用いた基板上への金ナノ粒子高密度選択配置 とプラズモニック特性（1)阪大院工,2)奈良先端大,3)JST-CREST）○橋元 達也1), 鄭 彬2)3), 福田 めぐみ1)3), 蒲 健太郎1),
是津 信行1)3), 山下 一郎2)3), 浦岡 行治2)3), 渡部 平司1)3)
4P-061 TOF-SIMS による PEG 試料測定における酸化膜の影響（1)島根大・生物資源,2)成蹊大・理工）○濱村 忠介1), 青柳 里果1), 加藤 信彦2), 工藤 正博2)
4P-062 原子層Ti被覆SiO2基板へのTi認識ペプチド修飾フェリチンの吸着特性（1)阪大院工,2)奈良先端大,3)JST-CREST）○蒲 健太郎1), 福田 めぐみ1)3), 橋元 達也1), 鄭 彬2)3),
是津 信行1)3), 山下 一郎2)3), 浦岡 行治2)3), 渡部 平司1)3)
4P-063 Ti 認識ペプチド修飾フェリチンの選択吸着における界面活性剤の寄与（1)阪大院工）○福西 友理恵1)，是津 信行1)，福田 めぐみ1)，橋元 達也1)，蒲 健太郎1)，渡部 平司1)
4P-064 グラフェン上の白金膜における酸素分子の解離吸着の第一原理計算（1)千葉大）○朴 テウク1), 中山 隆史1)
4P-065S Au/Si(111)超構造上に吸着したフラーレンの表面構造と電子状態の温度変化（1)奈良先端大）○土橋 剛士1)
4P-066S 金属単結晶表面における TCNQ 誘導体単分子膜の構造及び電子状態の STM 観察（1)東大工,2)理研,3)東大新領域）○今井 みやび1)2), 金 柱亨2)3), 鄭 載勲2)3), 太田 英輔2), 砂 有紀2),
福島 孝典2), 相田 卓三1)2), 金 有洙2), 川合 眞紀1)3)
4P-067 高指数 Ni ステップ表面上における酸素又は水素の初期吸着過程（1)立命館大理工）○清野 宜秀1), 福元 允亮1), 増原 宏樹1), 難波 秀利1)

4P-068

Cu(110)面におけるメタノール単分子の脱水素誘起（1)京大理）○北口 雄也1), 塩足 亮隼1), 八田 振一郎1), 奥山 弘1), 有賀 哲也1)
4P-069 トポロジカル絶縁体Bi2Se3の表面電子における金属不純物による準粒子散乱（1)広大理,2)広大放射光,3)呉高専）○叶 茂1), 黒田 健太1), 金 聖憲1), 木村 昭夫1), 宮本 幸治2), 有田 将司2),
仲武 昌史2), 奥田 太一2), 島田 賢也2), 植田 義文3), 生天目 博文2), 谷口 雅樹1)2)
4P-070 STM/STS investigation of graphite modified by potassium intercalation（1)Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba）○Guo Donghui 1), Machida Takahiro1), Kondo Takahiro1), Nakamura Junji1)4P-071 STMを用いたRu錯体に関する研究（1)東北大理）○坂口 俊1)
4P-072 Ag(100)表面上に作成したチタン酸化物薄膜の電子状態（1)立教大理,2)東工大院理工）○枝元 一之1), 長谷川 智1), 掛札 洋平1), 小澤 健一2)
4P-073 トポロジカル絶縁体 Bi2Se3のフェルミ面と表面電子散乱（1)広大理,2)広大放射光,3)呉高専） 黒田 健太1), ○木村 昭夫1), 叶 茂1), 金 聖憲1), 宮本 幸治2),
仲武 昌史2), 奥田 太一2), 島田 賢也2), 植田 義文3), 生天目 博文2), 谷口 雅樹1)2)
4P-074 金表面上での酸素原子吸着構造の面方位依存性（1)阪大理,2)産総研ユビキタス）○岡崎 一行1), 香山 正憲2), 奥村 光隆1)
4P-075 走査トンネル顕微鏡を用いた Pb ナノアイランド構造における超伝導状態の研究（1)東大院工,2)東大物性研,3)JST ERATO,4)慶大,5)理研）○富永 貴亮1), 西尾 隆宏5), 江口 豊明3)4), 長谷川 幸雄2)
1)
4P-076 太陽電池用ナノ構造白金電極の表面特性（ 静岡大電子研,2)静岡大院工）○村上 健司1), 小林 大介2), 石原 弘貴2), 下村 勝1)
4P-077 放射光 X 線光電子分光を用いた TiAl 表面酸化反応の研究（1)阪大リノベーション,2)阪大院理,3)原子力機構,4)阪大産研）○橋之口 道宏1), 角本 雄一2), 戸出 真由美3),
Harries James3), 岡田 美智雄1)2), 寺岡 有殿3), 笠井 俊夫4)4P-078 Si(111)-7x7 表面の室温酸化に伴う酸化状態と表面形状の相関（1)原子力機構）○吉越 章隆1), 寺岡 有殿1)
1)
4P-079 SrTiO3：Nb表面の分子吸着誘起電気伝導変化（ 東大生研）○武安 光太郎1), 深田 啓介1), 福谷 克之1)
4P-080 ペロブスカイト型抵抗変化メモリ(ReRAM)のスイッチングメカニズム（1)鳥大工,2)TEDREC）○花田 明紘1), 木下 健太郎1)2), 松原 勝彦1), 福原 貴博1), 岸田 悟1)2)
4P-081 TiO2担体の表面構造変化によって誘起されるAuナノ粒子の成長（1)産総研ユビキタス）○前田 泰1), 香山 正憲1)
4P-082 Si 混晶表面の酸化過程のリアルタイム XPS 観察：C と Ge 混入効果の比較（1)東北大多元研,2)原研,3)秋田高専）○穂積 英彬1), 小川 修一1), 吉越 章隆2), 石塚 眞治3), 寺岡 有殿2), 高桑 雄二1)
4P-083 （欠番）
4P-084 Bi2Sr2CaCu2Oy単結晶を用いたReRAM動作機構の解明（1)鳥取大工,2)TEDREC）○福原 貴博1), 木下 健太郎1)2), 花田 明紘1), 松原 勝彦1), 岸田 悟1)2)
4P-085 酸化亜鉛表面への水およびメタノール分子の吸着：表面ミラー指数依存性（1)東工大院理工,2)上智大理工,3)高エネ研）○小澤 健一1), 江森 万里2), 杉田 真理2), 坂間 弘2), 間瀬 一彦3)
4P-086 イオン液体への金属スパッタリング法で合成した金属ナノ粒子のTiO2(110)表面への固定化（1)名大院工,2)阪大院基礎工,3)JST-CREST）○鈴木 秀士1), 太田 康弘1), 岡崎 健一1), 桑畑 進2)3), 鳥本 司1)3)
4P-087 金微粒子/銀微粒子による混合膜の局在表面プラズモン特性（1)東北大電通研）○今津 圭介1), 小原 大輝1), 中田 武志1), 吉田 晃人1), 玉田 薫1)
4P-088 （欠番）
4P-089 スクラッチによりデザインしたサファイア表面のステップ配列（1)横国大）○田口 俊輔1), 吉原 万莉1), 磯野 俊成1), 荻野 俊郎1)
4P-090 TiO2表面における化学状態の異なるドメインの形成（1)横国大）○吉原 万莉1), 磯野 俊成1), 塚本 貴広1), 小紫 大希1), 荻野 俊郎1)
4P-091 低温電子線照射下での金表面ナノ構造の自己組織化（1)兵庫教育大,2)マックス・プランク研）○庭瀬 敬右1), F. Phillipp2), A. Seeger2)
4P-092 ソフトスパッタSIMSによるペプチド分子構造の解析（1)兵庫県大院工）○中林 晋太郎1)
4P-093 顕微高分解能二次元角度分解光電子分光器の開発（1)奈良先端大物質創成,2)University of Debrecen,3)SPring-8/JASR）I○酒井 智香子1), Laszlo Tóth2),
後藤 謙太郎1), 松田 博之1), 橋本 美絵1), 野尻 秀夫1), 松井 文彦1), 松下 智裕3), 大門 寛1)
4P-094 水素貯蔵合金 VCrTi および TiFe における表面熱変性と水素脱離温度特性（1)原子力機構）○戸出 真由美1), 寺岡 有殿1), ハリーズ ジェームズ1), 吉越 章隆1)
4P-095S 放射光光電子分光により実測したSiO2の有効減衰長(EAL)と非弾性平均自由行程(IMFP)計算値の比較（1)原子力機構）○井上 敬介1), 寺岡 有殿1), 神農 宗徹1)
4P-096 低速Ne原子散乱装置の開発と応用（1)大阪府大理総）○梅澤 憲司1)
1)
2)
3)
4P-097 S(T)EMアレイ検出器の試作（ アプコ, 名城大理工, 阪電通大工）○小粥 啓子1), 児玉 哲司2), 生田 孝3)

4P-098S 金ナノ粒子/有機単分子層/金(111)構造における金属間距離とプラズモン共鳴特性の検討（1)北大院理,2)物材機構）○佐藤 潤1), 池田 勝佳1), 魚崎 浩平1)2), 村越 敬1)
4P-099 単原子電子源を搭載した低速走査型電子顕微鏡（1)早大理工）○千代田 直紀1)
4P-100 超高真空光和周波顕微鏡の高分解能化（1)北陸先端大,2)JST-CREST）○渡邊 亮輔1)2), 広瀬 博幸1)2), 宮内 良広1)2), 水谷 五郎1)2)
4P-101 Ni(111)表面上のSiの成長初期過程（1)阪市大工）○高見 祐太1), 福田 常男1), 中山 弘1)
4P-102S マイクロ反応場を用いた金ナノ粒子の合成と特性評価（1）阪府大先端セ）○村中 祐輔1）, 森田 亮輔1）, 椎木 弘1）, 長岡 勉1）4P-103 自己組織テンプレートによる Au/Ag/Au ハイブリットナノワイヤの形成及び微細化の検討（1)関大システム理工,2)情報通信機構）○綱島 祐人1), 清水 智弘1), 大矢 裕一1), 坂田 智裕1), 田中 秀吉2), 新宮原 正三1)
4P-104 Mg-C 薄膜の水酸化処理と光学的・電気的特性（1)東海大院開発工,2)東海大開発工,3)東海大産業工,4)東海大院総合理工,5)東海大工）○舞薗 三紀彦1), 千葉 雅史2), 吉田 勇太2), 清田 英夫3), 本城 貴充4), 久慈 俊郎5)
4P-105 電極と弱く結合したナノデバイスにおける過渡電流の分解（1)東大院工マテリアル工,2)筑波大計算科学研究セ）○Wei Liu1), 笹岡 健二2), 山本 貴博1), 渡邉 聡1)
4P-106 低圧 CVD 法によるカーボンナノチューブ成長における触媒酸化の影響（1)三重大 院工）○澤口 大樹1）, 佐藤 英樹1）, 畑 浩一1）
1)
4P-107 カルボキシル基終端グラフェンナノリボンの磁性 （ 電通大電子,2)電通大先進理工）○藤井 雄人1), 中村 淳1)2)
4P-108 グラフェンナノリボンにおけるエッジ変調フォノン散乱（1)阪大工,2)科学技術振興機構）○北山 達郎1), 三成 英樹1), 森 伸也1)2)
4P-109 レーザー共焦点微分干渉顕微鏡と原子間力顕微鏡による結晶成長のインタラクティブ観察（1)徳島大ソシオ）○柳谷 伸一郎1), 後藤 信夫1)
4P-110S 高速重イオンによるラット脳組織内の脂質イメージング（1)京大工,2)京大人環,3)JST-CREST）○若松 慶信1), 山田 英丙1), 二宮 啓1)3), 瀬木 利夫1)3), 青木 学聡1)3), 石原 昭彦2), 松尾 二郎1)3)
4P-111 Sm添加CeO2を用いた光電着法による水中からの鉛イオン除去（1)長岡技科大工）○風間 正浩1), 根岸 和弘1), 井上 泰宣1), 佐藤 一則1), 齊藤 信雄1)
4P-112 硝酸酸化法を用いる表面パッシベーション効果によるシリコン太陽電池の高効率化（1)阪大産研）○金 昌鎬1), 金 佑柄1), 高橋 昌男1), 小林 光1)

11 月 5 日（金）【A 会場】 9：00～18：30
合同シンポジウム 1 「グラフェン研究の最前線」（9：00～11：45)
座長 秋田 成司（9：00～10：30)
5Aa-01 グラフェンの成長（30 分）（1)東北大通研）○末光 眞希1)
5Aa-02 グラフェンの電子状態と電気伝導－理論的側面から（30 分）（1)東工大理）○安藤 恒也1)
1)
1)
5Aa-03 グラフェン/金属コンタクトの重要性（30 分）（ 東大工）○長汐 晃輔 , 西村 知紀1), 喜多 浩之1), 鳥海 明1)
休憩 10：30～10：45
座長 末光 眞希（10：45～11：45)
5Aa-04 化学気相成長法によるグラフェンの合成とトランジスタへの応用（30 分）（1)富士通研,2)産技総研）○佐藤 信太郎1)2), 近藤 大雄1), 八木 克典1)2), 林 賢二郎1)2), 原田 直樹1)2), 横山 直樹1)2)
5Aa-05 グラフェンを用いたスピントロニクス（30 分）（1)阪大院基礎工,2)JSTさきがけ）○白石 誠司1)2)
昼食 11：45～
企業プレゼンテーション 12：00～12：45 於ポスター・展示会場（体育館）
合同基調講演（17：00～18：30）
座長 越川 孝範（17：00～17：45)
5Ap-01 《基調講演》Surface Electron Microscopy with Slow Electrons （45 min）
座長 長谷川 繁彦（17：45～18：30)
5Ap-02 《基調講演》単原子電子源（45 分）（1)Arizona State Univ.）○Ernst Bauer1)（1)早大理工）○大島 忠平1)

【B 会場】 9：00～16：50
薄膜Ⅱ・ナノ構造 ［真空］（9：00～11：45)
座長 中川原 修（9：00～10：30)
5Ba-01 《特別講演》有機高分子薄膜のスパッタリング法による作製とその組成制御に向けた試み（30 分）（1)金沢工大）○草野 英二1)
5Ba-02 6FDA ポリイミドの偏光紫外光照射による真空紫外領域光学特性の変化（1)明治大理工）○伊藤 裕仁1), 藤田 直人1), 薮本 泰平1), 松本 皓永1), 松本 節子1)
5Ba-03 Al含有合金単結晶膜の作製（1)物材機構）○吉武 道子1)
5Ba-04 スパッタモード可変機能付対向スパッタによるニオブ薄膜の作製（1)山口大理工,2)神港精機）○諸橋 信一1), 升元 佑一1), 田中 浩三1), 碓井 圭太1), 小松 永治2)5Ba-05 マグネトロンスパッタ法による金属膜の膜厚分布（1)富山大）○酒谷 淳寛1)
休憩 10：30～10：45
座長 草野 英二（10：45～11：45)
5Ba-06 酸化グラフェンの高温加熱処理過程のリアルタイム放射光光電子分光観察（1)東北大,2)ラトガーズ大,3)インペリアルカレッジ,4)原研,5)秋田高専,6)産総研)○穂積 英彬1), 山口 尚登2), 加賀 利瑛1), 江田 剛輝3), セシリア マッテヴィ3), 小川 修一1),
吉越 章隆4), 石塚 眞治5), 寺岡 有殿4), 山田 貴壽6), 高桑 雄二1), マニッシュ チョワラ2)3)
5Ba-07 カーボンナノボールの生成と強度評価に関する研究（1)呉高専）○影廣 克明1), 前西 夏衣1), 翁 圭輔1), 吉村 敏彦1)
5Ba-08 カーボンナノ粒子の耐熱性に関する研究（1)呉高専）○翁 圭輔1), 影廣 克明1), 前西 夏衣1), 吉村 敏彦1)
5Ba-09 カーボンナノキューブの生成と強度評価に関する研究（1)呉高専）○前西 夏衣1), 翁 圭輔1), 影廣 克明1), 吉村 敏彦1)
昼食 11：45～
企業プレゼンテーション 12：00～12：45 於ポスター・展示会場（体育館）
日本真空協会 学会賞表彰式・受賞講演（15：10～16：50）
座長 福谷 克之
表彰式 15：10～15：20
受賞記念講演 15：20～16：50
5Bp-01 《熊谷記念真空科学論文賞》 テーパー管の通過確率の近似式（30 分）（1)東京電機大学）○松田 七美男1)
5Bp-02 《真空技術賞》 ３次元立体アルミニウムマスクを用いたシリコン基板の反応性イオンエッチング加工技術の開発（20 分）（1)山梨県工業技術センター）○勝又 信行1), 石田 正文1)
5Bp-03 《真空技術賞》 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発（20 分）（1)㈱三友製作所, 2)産総研）○新堀 俊一郎1)，白山 裕也1)，川上 辰男1)，横須賀 俊太郎1)，
樫村 健太1)，清水 哲夫2)，内藤 泰久2)，徳本 洋志2)
5Bp-04 《真空進歩賞》 Pt表面における分子反応の研究（20 分）（1)筑波大）○近藤 剛弘1)
【C 会場】 9：00～16：50
低次元・ナノ物質 ［表面］（9：00～12：00）
座長 山田 豊和(9：00～10：15)
5Ca-01S （取消）5Ca-02 グラフェン表面での化学反応における層数依存性（1)横国大院工）○塚本 貴広1), 荻野 俊郎1)
5Ca-03 原子ワイヤーの熱伝導計算（1)筑波大数理,2)NECグリーンイノベーション研）○山本 晃平1), 石井 宏幸1), 広瀬 賢二2), 小林 伸彦1)
5Ca-04 刃状転位ネットワークの選択エッチングによる SiGe ナノドット二次元配列構造の形成（1)阪大院基礎工,2)名大院工）○中村 芳明1), 高橋 雅彦1), 吉川 純1), 中塚 理2), 財満 鎭明2), 酒井 朗1)
5Ca-05 SiO ナノ粉末への光照射による Si ナノクリスタルの形成機構（1)電通大電子）○杉本 真矩1), 小泉 淳1), 小野 洋1), 内田 和男1), 野崎 眞次1)
休憩 10：15～10：30
座長 青木 悠樹(10：30～12：00)
5Ca-06 《招待講演》Reconstructions of Perovskite Surfaces and Interfaces and their Coupling （30 分）（1)U. of Tokyo）○Harold Y. Hwang1)
5Ca-07 電界によるスピン制御：鉄ナノクラスター表面における磁気電気結合（1)千葉大院融合科学）○山田 豊和1)

5Ca-08

5Ca-09低温型独立駆動 4 探針 STM による Si(111)4×1-In 上 Ag 薄膜の輸送特性研究（1)東大工,2)東大理,3)東大物性研,4)お茶大理）○永村 直佳1), 保原 麗2), 植竹 智哉2), 平原 徹2), 長谷川 修司2), 松田 巌3), 小林 功佳4)《奨励賞》ビスマス量子薄膜における表面状態による電気伝導（30 分）（1)東大院理）○平原 徹1), 松田 巌1), 山崎詩郎1), 長谷川修司1)
昼食 12：00～
企業プレゼンテーション 12：00～12：45 於ポスター・展示会場（体育館）

日本表面科学会 表彰式・学会賞受賞記念講演（15：10～16：50）
座長 本間 芳和
5Cp-01 《学会賞》高速原子間力顕微鏡の開発と生体分子の液中ナノ機能動態撮影への応用（45 分）（1)金沢大）○安藤 敏夫1)
5Cp-02 《学会賞》放射光二次元光電子分光の開発（45 分）（1)奈良先端大）○大門 寛1)【D 会場】 9：00～11：45
環境・エネルギー ［表面］（9：00～11：45)
座長 斎藤 信雄（9：00～10：15)
5Da-01 （取消）
5Da-02S 銀ナノシートを用いた酸化チタン光触媒活性の評価（1)東北大電通研,2)東大生研）○中田 武志1), 呉 瀟嫻2), 吉田 晃人1), 立間 徹2), 玉田 薫1)
5Da-03S 色素増感太陽電池における電子拡散長の電解液カチオンサイズ依存性（1)電通大）○山梨 裕介1), 佐野 達司1), 小林 直樹1)
5Da-04 《招待講演》フラーレン誘導体を用いた表面・界面構造構築と有機薄膜太陽電池（30 分）（1)東大院理）○松尾 豊1)
休憩 10：15～10：30
座長 松尾 豊（10：30～11：45)
5Da-05 Mg ドープ p 型 GaN 光触媒の水分解反応に対する表面処理効果（1)長岡技科大工）○帆刈 義博1), 藤野 健介1), 齊藤 信雄1)
10
5Da-06 d 電子状態を持つ複合金属リン化物による水の分解反応（1)長岡技科大工）○野中 宏祐1), 井上 泰宣1), 齊藤 信雄1)
5Da-07 助触媒担持β-Ga2O3光触媒によるメタンの水蒸気改質反応（1)長岡技科大工）○小林 渉1), 齊藤 信雄1)
5Da-08 《招待講演》AFMでみる光触媒と太陽電池（30 分）（1)神戸大学）○大西 洋1)【E 会場】 9：00～11：45
電極表面科学部会 2 「固液界面における動的構造解析と反応のその場追跡」 ［表面］（9：00～11：45)
座長 森川 良忠（9：00～9：45)
5Ea-01 《招待講演》Pt 電極表面でのギ酸酸化反応機構：吸着フォルメートの役割（30 分）（1)北大触セ,2)東北大NICHe,3)Inst. of Chem. Phys., CSIC）○大澤 雅俊1), 小松 圭一1), Samjeske Gabor1),
内田 太郎1), 池庄司 民夫2), Cuesta Angel3), Gutierrez Claudio3)
5Ea-02 ギャップモードプラズモン励起による金および白金単結晶電極表面でのラマン分光（1)北大院理,2)物質・材料機構）○池田 勝佳1), 魚崎 浩平1)2)
座長 大澤 雅俊（9：45～10：30)
5Ea-03 《招待講演》界面における化学反応過程の第一原理シミュレーション（30 分）（1)阪大工）○森川 良忠1)
5Ea-04 （取消）
座長 近藤 敏啓（10：30～11：45)
5Ea-05 《招待講演》リチウム電池の固液界面と劣化機構（30 分）（1)東北大多元研）○河村 純一1)
5Ea-06 静電気力顕微鏡によるSiO2上アルカリハライド微結晶群の水和・潮解過程及び液滴内イオン分布のその場観察（1)阪大院工,2)CSIC-ICN,3)ローレンスバークレー研,4)UCバークレー）○有馬 健太1), Verdaguer Albert2), Salmeron Miquel3)4)
5Ea-07 《招待講演》溶液中における単原子・単分子ワイヤの安定形成（30 分）（1)東工大）○木口 学1)

【体育館】 10：00～16：45
真空・表面科学機器展示会（10：00～16：45）
合同ポスターセッション（12：45～14：45）
座長 金崎 順一，財部 健一
5P-001V アルミニウム合金の低ガス放出高輻射表面処理の開発（1)アルバック 筑波超材研）○茂木 かおり1), 小林 慶子1), 稲吉 さかえ1)
5P-002V 標準コンダクタンスを用いた電離真空計と分圧真空計のその場校正（1)産総研）○吉田 肇1), 新井 健太1), 平田 正紘1), 秋道 斉1)
5P-003 回転体による半径流の生成（II）（1)原子力機構）○荻原 徳男1)
5P-004V チタン材料のガス放出特性に対する酸化効果の検討（1)山口大院理工,2)三愛プラント工業クリーテック）○町田 光誠1), 竹田 将利1), 栗巣 普揮1), 山本 節夫1), 石澤 克修2), 野村 健2), 村重 信之2)
5P-005 B-A真空計の個体差による感度係数変化のシミュレーション（1)産総研）○杉沼 茂実1), 平田 正紘1)
5P-006 スピン偏極原子状水素源のための六極磁石の設計 （1)東大生研）○小倉 正平1), 武安 光太郎1), 福谷 克之1)
5P-007 中真空標準場装置（膨脹法装置）の安定性（1)産総研）○小松 栄一1), 秋道 斉1), 平田 正紘1)
5P-008 気体中の水晶振動子のインピーダンスと周波数の圧力依存性の比較（1)産総研,2)バキュームプロダクツ,3)ブイピイアイ）○黒河 明1), 北條 久男2), 小林 太吉3)
5P-009 パルス化した電子ビーム照射による無酸素銅からの電子衝撃脱離ガス分析（1)埼大理工）○金子 広樹1)
5P-010 マシナブルセラミックスの表面研磨による二次電子放出係数の変化（1)埼大理工）○早川 智貴1)
5P-011V スピン偏極水素原子源における水素原子ビームの S/N 比向上（1)東大生研）○武安 光太郎1), 小倉 正平1), 福谷 克之1)
5P-012 Density functional theory investigation on H2 dissociative adsorption on Ni(111) and Cr-decorated Ni(111)
surfaces（1)Dept. of Precision Science & Technology and Applied Physics, Graduate School of Engin.,
Osaka University, 2)Physics Deprt., College of Science, De La Salle University, 3)Toyota Motor）○Padama Allan Abraham1), David Melanie2), Kasai Hideaki1), Kawai Hiroyuki3)
5P-013 担体効果の影響を受けたPt原子およびPt４クラスタ上におけるO2解離吸着特性（1)阪大）○Ferensa Oemry1), 中西 寛1), 笠井 秀明1)
5P-014 Enhancing Gas-Bimetallic Surface Reaction via Spin Manipulation（1)阪大院工精密科学応用物理）○Escano Mary Clare Sison1), 中西 寛1), 笠井 秀明1)
5P-015 STM によるコロネン吸着初期過程の微視的計測（1)筑波大数物）○藤田 瞬1), 山田 啓吾1), 山田 洋一1), 佐々木 正洋1)
5P-016 成膜法の異なるAFMによる金属表面観察（1)阪大産研）○北島 彰1), 樋口 宏二1)
5P-017 絶縁層が被覆された金属表面上に吸着した磁性原子における一粒子励起スペクトルに対する磁気異方性の影響（1)阪大工）○小島 一希1), ディニョ ウィルソン1), 南谷 英美1), 笠井 秀明1)
5P-018V KBr(001)表面の電子刺激脱離によるモフォロジー変化の観察（1)大阪教育大理科教育）○深澤 優子1), 池本 将健1), 柴田 卓1), 鈴木 康文1)
5P-019V レーザー誘起昇温脱離法による Xe 吸着層の研究（1)東大生研）○池田 暁彦1), 松本 益明1), 小倉 正平1), 福谷 克之1), 岡野 達雄1)
5P-020V New-MHV スパッタ装置による高品質 ITO 薄膜の作成（1)清水製作所,2)小川創造技研）○安田 政智1), 清水 正美1), 小川 倉一2), 近藤 匡俊2)
5P-021V ダブルテクスチャー構造透明導電膜の作製（1)大阪産大工）○中村 吉伸1), 青木 孝憲1), 松下 辰彦1), 鈴木 晶雄1)
5P-022 Cu担持TiO2薄膜の光機能特性（1)工大工）○荒原 茂幸1), 佐藤 光史1), 鷹野 一朗1)
5P-023 PTFE真空蒸着により作製された複合薄膜の機械的特性 （1)工大工）○黒須 雅浩1), 松浦 美紀1), 鷹野 一朗1)
5P-024 透明フレキシブル ReRAM 用透明導電膜の研究（1)鳥取大工 情報エレ,2)鳥取大工電子ディスプレイ研究セ）○岸 啓1), 木下 健太郎1)2), 中原 子竜1), 奥谷 匠1), 田中 隼人1), 岸田 悟1)2)
5P-025 高周波－直流結合形マグネトロンスパッタリング法によるＧｅ－Ｎ系薄膜の作製（1)広工大）○佐々重 光祐1), 新谷 亮太1), 武田 峻輔1), 川畑 敬志1)
5P-026 誘導結合プラズマ支援型多重磁極マグネトロンスパッタ法により紙上へ作製した Cu 薄膜の基板バイポーラ電圧依存性 （1)広工大,2)トーヨーエイテック）○森重 史也1), 大谷 和輝1), 平野 意峰1), 川畑 敬志1), 岡本 圭司2)
5P-027 固体電解質メモリにおけるデータ保持特性の改善に関する研究（1)鳥取大工 情報エレ,2)鳥取大工電子ディスプレイ研究セ）○中林 竜也1), 木下 健太郎1)2), 鶴田 茂之1), 岸田 悟1)2)
5P-028 DC反応性スパッタリング法により作製したCu2O、CuO薄膜の電気的特性（1)工大工）○Anmar Shukur1), Haider A. Shukur1), 鷹野 一朗1)
5P-029 CVD ダイヤモンド薄膜の局所的電気特性の導電性探針 AFM を用いた大気中評価（1)阪大工）○市川 喬啓1), 毎田 修1), 伊藤 利道1)
5P-030 (001)微斜面基板における燐ドープ CVD ダイヤモンド薄膜のホモエピタキシャル成長（1)阪大工）○西尾 晴樹1), 日高 輝洋1), 毎田 修1), 伊藤 利道1)

5P-031(001)微斜面基板における CVD ダイヤモンド成長の端面効果（1)阪大工）○浮田 昂史1), 井口 翔太1), 毎田 修1), 伊藤 利道1)
5P-032 高品質(001)微斜面 CVD ダイヤモンド基板における高濃度窒素ドープ（1)阪大工）○石川 裕之1), 砂田 泰英1), 毎田 修1), 伊藤 利道1)
5P-033 MBE 成長 GaCrN 薄膜中の空孔型欠陥の成長温度依存性および Si 添加効果
（1)原子力機構,2)阪大産研）○薮内 敦1), 前川 雅樹1), 河裾 厚男1), 長谷川 繁彦2), 周 逸凱2), 朝日 一2)
5P-034V パルスレーザーアブレーション法による 透明フレキシブル基板上 ZnO-TFT の作製と特性評価（1)大工大 ナノ材研）○橘 達也1), 日垣 友宏1), 前元 利彦1), 佐々 誠彦1), 井上 正崇1)
5P-035 ダブルパルスレーザー堆積によるh-BN薄膜の作製 （1)原子力機構）○大場 弘則1), 佐伯 盛久1), 江坂 文孝1)
5P-036V PEN有機膜上のNi及びNi75Fe25薄膜における表面・界面構造と磁気特性（1)北大電子研,2)JSTさきがけ,3)阪大産研）○海住 英生1)2), バシール ヌブラ1), 阿部 太郎1), 近藤 憲治1),
平田 秋彦3), 石丸 学3), 弘津 禎彦3), 石橋 晃1)
1)
5P-037V 窒素添加によるAg膜の成膜速度制御 （ セントラル硝子 硝子研,2)セントラル硝子 硝子企画）○中西 由貴1), 加藤 和広1), 大本 英雄2), 冨岡 孝夫1), 高松 敦1)
5P-038V 有機基板上の酸化亜鉛系透明導電膜へのレーザーアニーリングによる特性改善（1)大阪産大工）○上西 俊道1), 青木 孝憲1), 松下 辰彦1), 鈴木 晶雄1)5P-039V プラスチック基板上に作製した酸化亜鉛系透明導電膜の超薄膜化（1)大阪産大工）○一井 直弥1), 兼田 真司1), 青木 孝憲1), 松下 辰彦1), 鈴木 晶雄1)
5P-040V パルスレーザー堆積法により作製したAlF3添加ZnO透明導電膜（1)大阪産大工）○前川 雄也1), 渡辺 友章1), 中村 吉伸1), 青木 孝憲1), 松下 辰彦1), 鈴木 晶雄1)
5P-041V PLD 法により作製した耐熱特性を有する ATO/ZｎO 系積層型透明導電膜の電気的、光学的特性（1)大阪産大工）○渡辺 友章1), 前川 雄也1), 安居 利将1), 青木 孝憲1), 松下 辰彦1), 鈴木 晶雄1)
5P-042V 金属グリッドを有した太陽電池用酸化亜鉛系透明導電膜（1)大阪産大工）○井本 浩平1), 青木 孝憲1), 松下 辰彦1), 鈴木 晶雄1)
5P-043V 薄膜太陽電池用集電電極の特性改善 （1)大阪産大工）○張 貴峰1), 青木 孝憲1), 松下 辰彦1), 鈴木 晶雄1)
5P-044 熱酸化シリコン薄膜へのゲルマニウム負イオン斜め注入とフォトルミネッセンス評価（1)京大工）○木下 翔平1), 辻 博司1), 洗 暢俊1), 後藤 康仁1)
5P-045 マグネトロンスパッタリングにおけるターゲットエロージョンの時間発展（1)成蹊大理工）○植田 麻理子1), 中野 武雄1), 馬場 茂1)
5P-046 熱電対を用いた原子状酸素の再結合係数測定装置の開発２（1)アルバック 筑波超材研,2)アルバック 半電研）
○石榑 文昭1), 権藤 麻衣子1), 稲吉 さかえ1), 三浦 豊2), 小方 誠司2)
5P-047 FIB ミリングにより製作した p-Si 単一陰極からの電界放射の温度依存性（1)東洋大院工機能システム,2)東洋大理工電気電子情報工,3)東洋大バイオ・ナノエレクトロニクス研究セ）○佐藤 和喜1), 吉本 智巳1)2)3)
5P-048 ダイヤモンド微粒子からの熱電子放射（1)東洋大理工電気電子情報工,2)東洋大バイオナノエレクトロニクス研究セ,3)東洋大院工機能システム）○吉本 智巳1)2)3), 佐藤 和喜3)
5P-049 不均一触媒薄膜形成によるカーボンナノチューブ薄膜のモルフォロジ制御(1)三重大院工)○渡辺 将章1), 佐藤 英樹1), 畑 浩一1)
5P-050 プラズマ支援熱フィラメントＣＶＤ法で気相合成したナノカーボン微粒子の水素貯蔵特性（1)京都工繊大）木下 由美1), 木村 佳史1), 今野 正祥1), 正木 康寛1), ○林 康明1)
5P-051V ナノカーボン材料を対象とした電子ビーム誘起構造変化の分子シミュレーション（2)（1)大阪府大工）○和久田 真也 1), 安田 雅昭 1), 地原 由倫 1), 川田 博昭 1), 平井 義彦 1)
5P-052 微小材料の破断強度測定（1)物材機構）○笠原 章 1), 鈴木 裕 1), 後藤 真宏 1), 荒木 弘 1), 土佐 正弘 1)
5P-053 試料搬送導入装置を用いた材料分析（1)九州シンクロトロン光研究セ,2)真空光学）○小林 英一 1), 瀬戸山 寛之 1), 岡島 敏浩 1), 明角 淳志 2)
5P-054V DFT Study on the Interaction of O2 Molecule with Co-(6)Ppy Clusters（1)Dept. of Appl. Phys., Osaka University,2)Research Group of Engineering Physics, Inst. Teknologi Bandung）○Saputro Adhitya Gandaryus1), Dipojono Hermawan Kresno2), Aspera Susan Menez1), 笠井 秀明 1)
5P-055S 硬質炭素モールド室温硬化ナノインプリントリソグラフィによるダイヤモンドナノドットパターンの作製（1)舞鶴高専,2)エリオニクス,3)山梨大工,4)豊橋技科大）○荒木 慎司 1), 清原 修二 1), 田口 佳男 2), 杉山 嘉也 2),
小俣 有紀子 2), 倉島 優一 3), 滝川 浩史 4)
5P-056S ダイヤモンドモールド室温硬化インプリントによるダイヤモンドナノドットアレイの作製（1)舞鶴高専,2)エリオニクス,3)山梨大工,4)豊橋技科大）○熊谷 将也 1), 清原 修二 1), 田口 佳男 2),
杉山 嘉也 2), 小俣 有紀子 2), 倉島 優一 3), 滝川 浩史 4), 柏木 大幸 4)
5P-057S 電磁場逆解析法による磁気記録媒体の三次元磁場分布計測（1)神戸大,2)阪大）○小畑 恵子 1), 大西 洋 1), 木村 憲明 2), 木村 建次郎 1)
5P-058 パルス計数計測法を用いた単一 W 原子上での He 電界イオン生成率の測定（1)阪市大工）小林 中 1), ○谷野 光平 1), 中村 善典 1), 熊谷 寛 1)

5P-059S Si(111)表面ステップ端に形成した並列金属ナノワイヤ群に沿った有機シラン分子の選択修飾（1)阪大院工）○坂根 宏樹 1), 寺村 拓也 1), 打越 純一 1), 森田 瑞穂 1), 有馬 健太 1)
5P-060S X 線光電子分光測定を用いた軽元素系水素貯蔵物質の分析（1)広大先端研科,2)広大先進セ）○山本 ひかる 1), 中村 耕生 1), 宮岡 裕樹 2), 市川 貴之 1)2), 小島 由継 1)2)
5P-061S 色素増感太陽電池のための陽極酸化による酸化チタンナノチューブ膜の形成（1)東北大通研）○小島 領太 1), Maksudur Rahman Mohammad1), El Fassy Fihry Mehdi1), 木村 康男 1), 庭野 道夫 1)
5P-062 W(011)、(112)表面の単一原子上における Ne の電界イオン生成率に及ぼすガス供給と電場強度の影響（1)阪市大工）小林 中 1), ○中村 善典 1), 谷野 光平 1), 熊谷 寛 1)
5P-063S Ar クラスターSIMS を用いた ToF 型質量イメージング装置の開発（1)京大工,2)JST-CREST）○山本 恭千 1), 市木 和弥 1), 二宮 啓 1)2), 瀬木 利夫 1)2), 青木 学聡 1)2), 松尾 二郎 1)2)
5P-064Y AFM/STM 同時測定における化学結合とトンネル電流の相関（1)阪大院工）○澤田 大輔 1), 瀧本 遼介 1), 平山 直樹 1), 森田 健一 1), 杉本 宜昭 1), 阿部 真之 1), 森田 清三 1)
5P-065Y 微小液滴を吸着制御可能な超撥水表面の自己組織的作製（1)東北大 WPI-AIMR,2)東北大多元研,3)JST-CREST）○石井 大佑 1)3), 藪 浩 2)3), 下村 政嗣 1)2)3)
5P-066Y 二次イオン化率変化に与える Ti の化学状態 -Si/Ti 多層膜に対する SIMS/SNMS 分析（1)新日鐵先端研,2)ナノフォトン,3)NTT-AT ナノファブリケーション）○西野宮 卓 1), 林 俊一 1), 久保田 直義 2), 竹中 久貴 3)
5P-067 ガラス状炭素モールド室温硬化インプリントによるポリシロキサンのナノマスクパターン形成（1)舞鶴高専,2)エリオニクス,3)山梨大工,4)豊橋技科大）○伊藤 茅 1), 清原 修二 1), 田口 佳男 2), 杉山 嘉也 2),
小俣 有紀子 2), 倉島 優一 3), 滝川 浩史 4)
5P-068 STM による水酸基一次元鎖の作成と水素結合の評価（1)京大理）○塩足 亮隼 1), 熊谷 崇 1), 八田 振一郎 1), 奥山 弘 1), 有賀 哲也 1)
5P-069 時間・角度分解２光子光電子光法による Cu(111)表面電子状態の研究(II)（1)佐賀大シンクロ）○小川 浩二 1), 東 純平 1), 高橋 和敏 1), 鎌田 雅夫 1)
5P-070 走査トンネル顕微鏡による SiC 表面上のグラフェン形成過程に関する研究（1)九工大工,2)宇部高専）○北田 祐介 1), 佐々木 悠祐 1), 大久保 雄平 1),
碇 智徳 2), 内藤 正路 1), 中尾 基 1), 西垣 敏 1)
5P-071 ガラス及び Si 基板上へのカーボンナノチューブ形成におけるバッファ層の影響に関する研究（1)九工大工,2)宇部高専)○植田 謙介 1), 上村 一平 1), 竹堂 公貴 1), 碇 智徳 2),
内藤 正路 1), 西垣 敏 1), 中尾 基 1)
5P-072 イオンビーム照射による SiC 表面上カーボンナノチューブ生成制御に関する研究（1)九工大工,2)宇部高専,3)九州共立大）○大櫨 浩司 1), 辛山 慶訓 1), 山崎 絢也 1), 今村 裕鎮 1),
碇 智徳 2), 山内 貴志 1), 内藤 正路 1), 西垣 敏 1), 生地 文也 3)
5P-073 Ｆｅナノドットの磁気抵抗効果（1)阪大産研）○市原 寛也 1), 古屋 貴明 1), 別府 亜由美 1), 米岡 賢 1), 長谷川 繁彦 1), 朝日 一 1)
5P-074 TiO2(110)表面上サイズ選別Ptクラスタの電子状態（1)豊田中研,2)トヨタ自動車）○磯村 典武 1), 平田 裕人 2), 渡邊 佳英 1)
5P-075 トポロジカル絶縁体Bi2Se3におけるディラック表面状態の異方性（1)広大理,2)広大放セ,3)スペイン DIPC,4)呉高専電） ○黒田 健太 1), 有田 将司 2), 宮本 幸治 2), 叶 茂 1),
木村 昭夫 1), Krasovskii E. E3), Chulkov E. V3), 姜 健 1), 岩澤 英明 2),
奥田 太一 2), 島田 賢也 2), 植田 義文 4), 生天目 博文 2), 谷口 雅樹 1)2)
5P-076 固体表面のファノ共鳴を介した二光子光電子放出の理論（1)阪大工,2)富山大工,3)阪大理）○坂上 護 1), 上羽 弘 2), 宗像 利明 3), 笠井 秀明 1)
5P-077 C60単分子層の電子状態と基板再構成（1)筑波大数物,2)原子力機構）○山田 洋一 1), 山田 俊太郎 1), 中山 拓人 1), 佐々木 正洋 1), 都留 智仁 2)
5P-078 PbBi 共吸着 Ge(111)表面のスピン偏極した金属的表面電子状態（1)京大院理,2)JST-CREST,3)東大物性研）○矢治 光一郎 1)2), 大坪 嘉之 1)2), 八田 振一郎 1)2), 武市 泰男 3), 奥山 弘 1), 有賀 哲也 1)2)
5P-079 Al(111)及び酸化した Al 表面でのフェニルリン酸の吸着構造（1)物材機構,2)カレル大）○柳生 進二郎 1), 吉武 道子 1), Tsud Nataliya2), 知京 豊裕 1)
5P-080 加熱処理による MgO 膜のイオン誘起二次電子収率及び表面状態の変化（1)阪大院工,2)パナソニック パナソニック AVC ネットワーク,3)パナソニック）○村澤 裕子 1), 片岡 憲秀 1),
吉野 恭平 1)2), 永富 隆清 1), 高井 義造 1), 森田 幸弘 2), 西谷 幹彦 3), 北川 雅俊 2)
5P-081 SOFC 燃料極における硫黄被毒過程に関する表面反応解析（1)九大稲盛セ）○小倉 鉄平 1), 石元 孝佳 1), 古山 通久 1)
5P-082 薄層炭素修飾TiO2担持メソ多孔性シリカ光触媒の調製とその有機物分解への応用（1)阪大院工）○山端 大樹 1), 亀川 孝 1), 山下 弘巳 1)
5P-083 Ca,P 修飾メソポーラスシリカを担体とした酵素触媒の調製と吸着・反応活性の評価（1)阪大工）○山西 貴翔 1), 桑原 泰隆 1), 亀川 孝 1), 森 浩亮 1), 山下 弘巳 1)

5P-084

マイクロ波を利用した Co-Mo 担持薄膜触媒の調製とカーボンナノチューブ合成による超撥水性表面の形成（1)阪大工）○清水 佑樹 1), 堀内 悠 1), 亀川 孝 1), 森 浩亮 1), 山下 弘巳 1)
5P-085 第一原理計算による Si(111)表面上 N 原子及び O 原子吸着
（1)奈良先端大物質創成）○服部 賢 1), 稲葉 雄一 1), 安居 麻美 1), 大門 寛 1), 柳澤 将 2), 森川 良忠 2)
5P-086 ナノグラファイトからの水素脱離の電子・原子相関ダイナミクス（1)東理大理）○春山 潤 1), 胡 春平 1), 渡辺 一之 1)
5P-087 光応答性 Pt 錯体固定化メソポーラスシリカの合成と室温発光特性および光酸化反応への応用（1)阪大工）○渡邊 健太郎 1), 河嶋 将慈 1), 森 浩亮 1), 山下 弘巳 1)
5P-088 グラフェンへのイオン照射ダイナミクスの第一原理シミュレーション（1)東理大理）○石見 洋平 1), 春山 潤 1), 胡 春平 1), 渡辺 一之 1)
5P-089 FIRST PRINCIPLES CALCULATION STUDY ON THE LITHIUM MONTMORILLONITE: EFFECT OF
ISOMORPHIC SUBSTITUTION（1)Dept. of Appl. Phys., Osaka University,2)Research Group of Engineering Physics, Institut Teknologi Bandung）○Wungu Triati Dewi Kencana1), Dipojono Hermawan Kresno2), 中西 寛 1), 笠井 秀明 1)
5P-090 ニッケル－イットリア安定化ジルコニア界面におけるH2およびCO分子の酸化反応における理論的研究（1)成蹊大理工）○加藤 信彦 1), 工藤 正博 1)
5P-091 有機薄膜研究用高輝度真空紫外軟 X 線ビームライン BL-13A の建設と性能評価（1)高エ研物構研）豊島 章雄 1), 田中 宏和 1), 菊地 貴司 1), ○間瀬 一彦 1), 雨宮 健太 1), 伊藤 健二 1)
5P-092 ２色レーザー光を用いたナノ空間超解像蛍光計測法（IV）（1)JST さきがけ,2)オリンパス）○池滝 慶記 1)2)
5P-093 斜入射・検出法を用いたデルタドープ層の高感度 AES 及び XPS スパッタ深さ分析（1)阪大院工生命先端工学,2)物材機構,3)Korea Research Institute of Standards and Science）○谷舗 浩紀 1), 永富 隆清 1), 高井 義造 1), 荻原 俊弥 2), 田沼 繁夫 2), K. J. Kim3)
5P-094 高輝度・高偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発（1)大阪電通大,2)名大理,3)名大工,4)KEK,5)日立中研,6)大同大工,7)大同製鋼,8)大阪府大）鈴木 雅彦 1), 橋本 道廣 1), ○安江 常夫 1), 桑原 真人 2), 真野 篤志 2), 中川 靖英 2),
奥見 正治 2), 中西 彊 2), 金 秀光 3), 山本 尚人 3), 宇治原 徹 3), 竹田 美和 3), 山本 将博 4),
大嶋 卓 5), 孝橋 照生 5), 坂 貴 6), 加藤 俊宏 7), 堀中 博道 8), 越川 孝範 1)
5P-095 単原子電子源の寿命（ 1)早大理工）○赤嶺 雄太 1)
1)
5P-096 BN 結晶多形ヘテロ構造の電子状態（ 電通大先進理工）○加藤 豪 1)
5P-097 反射高速電子線回折を用いた Pt/Ge(001)表面の一次元原子鎖構造と相転移の研究（1)原子力機構先端基礎研）○望月 出海 1), 深谷 有喜 1), 河裾 厚男 1)
5P-098 Mg-C 薄膜の透明導電特性に与える水酸化過程の影響（1)東海大開発工,2)東海大院開発工,3)東海大産業工,4)東海大院総合理工,5)東海大工）○千葉 雅史 1), 舞薗 三紀彦 2), 吉田 勇太 1), 清田 英夫 3), 本城 貴充 4), 久慈 俊郎 5)
5P-099 X 線光電子分光法による金ナノ粒子/Si 自然酸化膜界面の電子状態の評価（1)立教大理,2)東北大多元研）○掛札 洋平 1), 角田 日向子 1), 枝元 一之 1), 米田 忠弘 2)
5P-100 表面微細加工によるグラフェンのエピタキシャル成長の制御（1)東北大,2)弘前大,3)高輝度光科学研究セ,4)慶大,5)科学技術振興機構,6)フリッツ・ハーバー研 7),エルランゲン大学）○吹留 博一 1), 半田 浩之 1), 高橋 良太 1), 今泉 京 1), 猪俣 州哉 1), 末光 眞希 1), 遠田 義晴 2),
小嗣 真人 3), 大河内 拓雄 3), 木下 豊彦 3), 渡辺 義夫 4)5), カーステン ホルン 6), トーマス ザイラー7)
5P-101 ラマン分光法と走査型原子間力顕微鏡によるグラフェン層状成長の観察（1)阪大院工,2)阪大産研）○平野 博紀 1), 根岸 良太 1), 小林 裕慶 1), 大野 恭秀 2), 前橋 兼三 2), 松本 和彦 2)
5P-102 3C-SiC(111)極薄膜上エピタキシャルグラフェン形成過程の LEED／PES 解析（1)東北大通研,2)JST-CREST,3)弘前大）○高橋 良太 1), 半田 浩之 1), 阿部 峻佑 1), 今泉 京 1),
齋藤 英司 1), 吹留 博一 1), 遠田 義晴 3), 末光 眞希 1)2)
5P-103 グラフェンの電気特性評価における電子線損傷の影響（1)横国大工,2)東大理）○小紫 大希 1), 東野 剛之 2), 塚本 貴広 1), 保原 麗 2),
平原 徹 2), 長谷川 修司 2), 荻野 俊郎 1)
5P-104 酸素吸着多角柱型カーボンナノシリンダーの構造安定性と電子物性評価（1)電通大電子,2)電通大先進理工）○藤井 雄人 1), 中村 淳 1)2)
5P-105 原子間力顕微鏡及び樹脂製マイクロ光造形プローブを用いた抗原抗体相互作用検出（1)農研機構食品総合研ナノバイオ工,2)東京工科大）○杉山 滋 1), 若山 純一 1), 川嶋 悌照 2), 村松 宏 2)
5P-106 チオール化合物で修飾した金電極上でのドーパミンの酸化還元挙動（1)防衛大機能材料工）○小澤 真一郎 1), 有賀 敦 1)
5P-107 ポリスチレン薄膜表面自由エネルギーのグラフト処理温度依存性（1)島根大医）○坂根 智也 1), 藤井 政俊 1)
5P-108 電極/微生物界面電子移動を仲介するシトクロムの酸化還元状態におけるフィードバック安定化（1)東大先端研,2)ERATO 橋本光エネルギー変換プロジェクト,3)東大工）○中西 周次 1)2), 劉 歓 2), 松田 翔一 3), 河合 智之 3), 橋本 和仁 1)2)3)
5P-109 チタン結合ペプチド選択吸着における基板の電荷分布状態の影響（1)阪大院工,2)JST-CREST）○福田 めぐみ 1)2), 是津 信行 1)2), 渡部 平司 1)2)

5P-110
5P-111タンパク質分子のグラフェンエッジにおける配列制御（1)横国大）○山崎 憲慈 1), 塚本 貴広 1), 和田 朋也 1), 荻野 俊郎 1)
金属‐アルミナ界面終端原子種制御の熱力学（1)物材機構）○吉武 道子 1), ネムシャク スラボミール 1), 柳生 進二郎 1), 知京 豊裕 1)

11 月 6 日（土）【A 会場】 9：00～17：00
合同シンポジウム 2 「時間分解を備えた顕微鏡・回折法による動的過程研究」（9：00～11：45)
座長 金崎 順一（9：00～10：30)
6Aa-01 動的構造観測がもたらす物質科学へのインパクト（30 分）（1)東工大理工 物質科学,2) JST-CREST,）○腰原 伸也 1)2)
6Aa-02 時間分解光電子顕微鏡による微小領域磁性の観察（30 分）（1)JASRI/SPring-8）○木下 豊彦 1)
1)
6Aa-03 フェムト秒回折法で見る結晶構造のダイナミクス（30 分）（ 京大工）○松尾 二郎 1), 羽田 真毅 1)
休憩 10：30～10：45
座長 金崎 順一（10：45～11：45)
6Aa-04 フェムト秒ナノスケール局在光による相変化誘起とダイナミクス観測（30 分）
6Aa-05 フェムト秒時間分解透過型電子回折法による構造相転移ダイナミクス（30 分）（1)慶大理工）○斎木 敏治 1)（1)阪大産研）○谷村 克己 1)

昼食 11：45～13：00
表面構造・評価技術：合同セッション（13：00～17：00）
座長 佐々木 正洋（13：00～15：00)
6Ap-01 島結晶による RHEED 斑点形状
（1)大同大工）○堀尾 吉已 1)
6Ap-02 1/3 ML Si(111)-√3×√3 構造からの円偏光光電子回折リングの吸着原子依存性（1)奈良先端大物質創成,2)SPring-8/JASRI）○橋本 美絵 1), 松井 文彦 1), 松下 智裕 2), 後藤 謙太郎 1), 前島 尚行 1), 松井 公佑 1), 大門 寛 1)
6Ap-03 《招待講演》化合物半導体の表面再配列（30 分）（1)物材機構）○大竹 晃浩 1)
6Ap-04 φ-scan RHEED 測定によるシリサイド 3 次元島の 3 次元逆格子空間マップ作成（1)奈良先端大物質創成）○服部 賢 1), 大井 秀夫 1), 前谷 健 1), 大門 寛 1)
6Ap-05 Si(111)表面上の Pb 超平坦膜
（1)東大生研）○松本 益明 1), 福谷 克之 1), 岡野 達雄 1)
6Ap-06 走査型アトムプローブによる分子系試料の分析とフラグメントイオンの相関の解析（1)金沢工大応用化学）○谷口 昌宏 1), 西川 治 1)
6Ap-07 二酸化チタン単結晶表面に作製したチタン-ケイ素複合酸化物の研究（1)北陸先端大,2)日本学術振興会）○笹原 亮 1), Chi Pang2), 富取 正彦 1)
休憩 15：00～15：15
座長 服部 賢（15：15～17：00)
6Ap-08 銅表面上に吸着されたメラミン分子の電子輸送（1)阪大工）○Abdulla Sarhan1),中西 寛 1), 笠井 秀明 1)
6Ap-09 遷移金属酸化物における抵抗変化現象と二次電子像の相関関係（1)鳥大工,2)TEDREC）○依田 貴稔 1), 木下 健太郎 1)2), 土橋 一史 1), 岸田 悟 1)2)
6Ap-10 ステンレス及びガラス表面における水分子の特異な挙動（1)東大生研）○杉本 敏樹 1), 福谷 克之 1)
6Ap-11 原子間力顕微鏡を用いた水平原子操作に関わる相互作用力測定（1)阪大院工）○杉本 宜昭 1), 阿部 真之 1), 森田 清三 1)
6Ap-12 多周波数原子間力顕微鏡法の開発と Ge(001)の表面弾性に関する研究（1)阪大工）○内藤 賀公 1), 馬 宗敏 1), 李 艶君 1), 菅原 康弘 1)
6Ap-13 ペンタセン膜表面におけるC60吸着初期過程のSTM計測（1)筑波大数物）○中山 拓人 1), 山田 洋一 1), 佐々木 正洋 1)
6Ap-14 高輝度硬 X 線照射による固体表面の原子移動－放射光 STM を用いた直接観察－（1)阪大工,2)理研/SPring-8,3)JST さきがけ,4)分子研,5)JASRI,6)物材機構）○野津 浩史 1)2), 齋藤 彰 1)2)3), 大関 豪三 1)2), 田中 武拓 1)2), 高木 康多 4), 田中 義人 2),
香村 芳樹 2), 赤井 恵 1), 石川 哲也 2), 桑原 裕司 1)2), 菊田 惺志 5), 青野 正和 6)

【B 会場】 9：00～15：30
応用表面科学・表面工学 ［真空］（9：00～12：00）
座長 山内 泰（9：00～10：30)
6Ba-01 マイクロギャップの電極検出特性にNO2のガス 1 次元の錫酸化ナノ構造マイクロセンサの効果（1)富山大）○Shaalan Nagih1)
6Ba-02 原子間力顕微鏡を用いたグラフェンのナノ引き剥がし（1)愛教大 物理,2)成蹊大 理工）○石川 誠 1), 加藤 政樹 1), 野田 朝美 1), 佐々木 成朗 2), 三浦 浩治 1)
6Ba-03 高輝度・高偏極度 SPLEEM を用いた垂直磁気異方性を有する薄膜形成（1)大阪電通大,2)アリゾナ州大) 鈴木 雅彦 1), 橋本 道廣 1), ）○安江 常夫 1), Bauer Ernst2), 越川 孝範 1)
6Ba-04 表面における２不純物近藤効果の磁場および温度依存性（1)阪大工）○南谷 英美 1), ウィルソン ディニョ 1), 中西 寛 1), 笠井 秀明 1)
6Ba-05 （取消）6Ba-06 （取消）
休憩 10：30～10：45
座長 内藤 正路（10：45～12：00)
6Ba-07 《特別講演》原子・分子レベルの表面改質とスピン偏極（30 分）（1)物材機構）○山内 泰 1)
6Ba-08 高温 Si(001)表面上のアルカリ金属原子吸着・脱離過程のリアルタイム光学測定（1)横国大工,2)防衛大）○森本 真弘 1)2)
6Ba-09 Si(110)-16×2 単一ドメイン表面上の有機分子薄膜形成（1)筑波大数物,2)原子力機構）○横山 有太 1)2), 朝岡 秀人 2), 山田 洋一 1), 佐々木 正洋 1)
6Ba-10 ゼロホール効果を利用した電流-スピン流変換（1)埼大理工,2)阪大産研,3)カシオ計算機）○酒井 政道 1), 中村 修 3), 長谷川 繁彦 2), 北島 彰 2), 大島 明博 2)
昼食 12：00～13：00
電子材料・プロセス ［真空］（13：00～15：30）
座長 大谷 寿幸（13：00～14：30)
6Bp-01 《特別講演》先端 LSI のエッチングプロセス（30 分）（1)ソニー CPDG 半事 STD）○辰巳 哲也 1)
6Bp-02 光電子制御プラズマによる金属表面の平坦化処理プロセスの開発（1)東北大学多元研）○大友 悠大 1), 小川 修一 1), 高桑 雄二 1)
6Bp-03 吸引プラズマによるシリコンエッチング特性（1)三友）○新堀 俊一郎 1)
6Bp-04 《特別講演》Cu-Mn 合金の先端電子デバイス配線としての基礎と応用（30 分）（1)東北大工）○小池 淳一 1)
座長 辰巳 哲也（14：30～15：30)
6Bp-05 極微 Ni 酸化物キャパシタによる高速整流器の作製（1)電通大）○木下 昌久 1), 小泉 淳 1), 小野 洋 1), 内田 和男 1), 野崎 眞次 1)
6Bp-06 フォーミングフリーReRAM におけるリセット電流と初期抵抗値の普遍的な関係（1)鳥取大工,2)TEDREC）○北村 健一 1), 木下 健太郎 1)2), 土橋 一史 1), 依田 貴稔 1), 岸田 悟 1)2)
6Bp-07 窒化ハフニウム薄膜の仕事関数と電子放出特性（1)京大院工）○後藤 康仁 1), 遠藤 恵介 1), 池田 啓太 1), 大上 航 1), 辻 博司 1)
6Bp-08 メモリ層と電極が共に Ga ドープ ZnO で構成されたフレキシブル透明抵抗変化メモリ(All-GZO-FT-ReRAM)の素子特性（1)鳥取大工 情報エレ,2)鳥取大工電子ディスプレイ研究セ,3)尾池工業フロンティアセンター）1)○奥谷 匠 , 木下 健太郎 1)2), 田中 隼人 1), 檜木 利雄 1)3), 岸 啓 1), 中原 子竜 1), 大観 光徳 1)3), 岸田 悟 1)3)
【C 会場】 9：00～17：30
真空科学・工学 ［真空］（9：00～11：45)
座長 望月 昭一（9：00～10：30)
6Ca-01 《特別講演》関西から宇宙へ！「まいど 1 号」にかけた夢（30 分）（1)大阪府大）○大久保 博志 1)
1)
6Ca-02 固体潤滑コーティング軌道環境試験（ 物材機構）○土佐 正弘 1), 笠原 章 1), 後藤 真宏 1)
6Ca-03 炭素ドープ酸化処理したチタンの摩擦特性（1)山口大院理工,2)電力中央研,3)宇部高専）○堀内 達也 1), 宮地 良明 1), 栗巣 普揮 1), 山本 節夫 1), 古谷 正裕 2), 後藤 実 3)
6Ca-04 リチウムイオン二次電池用負極黒鉛材料のガス放出特性に与える水素プラズマ照射の影響（1)北大工）○南 達也 1)
6Ca-05 オゾン分子の赤外吸収：ガス分圧の測定及び分子解離度の評価への応用（1)産総研,2)明電舎）○中村 健 1), 亀田 直人 2), 西口 哲也 2), 野中 秀彦 1), 一村 信吾 1)
休憩 10：30～10：45

座長 土佐 正弘（10：45～11：45)
6Ca-06 スピニングロータ真空計の比較校正法による校正及び不確かさの算出（1)アルバック,2)アルバックテクノ）○高橋 直樹 1), 堀 隆英 1), 竹井 智明 2)
6Ca-07 Ba 含浸カソードのイオン衝撃によるエミッション低下現象のシミュレーション（1)筑波大）○樋口 敏春 1), 佐々木 正洋 1)
6Ca-08 ガス遮断フィルム「クレースト」のガス放出特性の検討（1)安川電,2)産総研）○佐々木 巌 1), 小熊 清典 1), 浜尾 聡和 1), 蛯名 武雄 2)
6Ca-09 高圧縮比スパイラルドラッグステージを用いた小型ターボ分子ポンプ（1)バリアン）○Marco Perini1)
昼食 11：45～13：00
表面物性 ［表面］（13：00～17：30）
座長 近藤 剛弘（13：00～14：15)
6Cp-01 《会誌賞》ナノ構造を利用したセメント鉱物 C12A7 の金属化：高透光性導電体薄膜の作製と低仕事関数を利用した電子注入電極への応用（30 分）（1)東工大・フロンティア）○宮川仁 1), 金起範 1), 神谷利夫 1), 平野正浩 1),細野秀雄 1)
6Cp-02 有機 FET の動作特性に及ぼすキャリア注入現象の影響（1)東北大通研ナノスピン実験）○木村 康男 1), 但木 大介 1), 大場 朋央 1), 庭野 道夫 1)
6Cp-03 反射高速陽電子回折による K/Si(111)-√3×√3-B 表面の構造と相転移の研究（1)原子力機構先端基礎研）○深谷 有喜 1), 河裾 厚男 1)
6Cp-04 第一原理計算による Pt-グラフェン間の相互作用（1)阪大理,2)阪大工,3)産総研ユビキタス）○岡崎 一行 1), 森川 良忠 2), 田中 真悟 3), 香山 正憲 3)
座長 小森 文夫（14：15～15：30)
6Cp-05S カリウムをドープしたグラファイト表面の極低温走査トンネル分光計測（1)筑波大数理物質）○町田 考洋 1), 郭 東輝 1), 近藤 剛弘 1), 中村 潤児 1)
6Cp-06S Scanning Tunneling Microscopy Investigation oftris(phthalocyaninato)yttrium triple-decker molecules depositedon Au(111)（1)Dept. of Chemistry, Graduate School of Science, Tohoku University.,2)Institute ofMultidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University,3) JST-CREST,）○劉 傑 1), 一色 弘成 1), Katoh Keiichi1), Yamashita Masahiro 1), Miyasaka Hitoshi 1),
Breedlove Brian K. 1), Takaishi Shinya 1), Komeda Tadahiro 2)3)
6Cp-07S 2 層フタロシアニン錯体における分子形状変化を用いたスピン制御：操作トンネル分光の近藤ピーク測定による（1)東北大理,2)CIN2,3) JST-CREST）○一色 弘成 1), リュウ ジェ 1), 加藤 恵一 1), 山下 正廣 1), ロレンテ ニコラス 2), 米田 忠弘 1)3)
6Cp-08 重水素ラべリングによるサイト選択非弾性電子トンネル分光（1)東工大応セラ,2)東北大多元,3)JST-CREST,4)リナエス大学,5)富山大理工）○岡林 則夫 1)2)3), ポールソン マグナス 4)5), 上羽 弘 5), 今田 洋平 2), 米田 忠弘 2)3)
6Cp-09S STM を用いた表面吸着分子のアクションスペクトル―定量解析から得られる新知見―（1)東大新領域,2)理研,3)富山大工）○本林 健太 1)2), 金 有洙 2), 上羽 弘 3), 川合 眞紀 1)
休憩 15：30～15：45
座長 森川 良忠（15：45～17：30)
6Cp-10 Ge 表面の広がった電子状態へのトンネルキャリア注入による非局所振動励起（1)東大物性研,2)ブレーメン大計算科学セ,3)清華大物理）富松 宏太 1), 中辻 寛 1), 山田 正理 1), ヤン ビンハイ 2),
ヤム チユン 2), フラウエンハイム トーマス 2), シュ ヨン 3), デュアン ウェンフー3), ○小森 文夫 1)
6Cp-11 Ge(001)-Au 表面の 1 次元鎖構造と電子状態（1)東大物性研）○中辻 寛 1), 新倉 涼太 1), 元村 勇也 1), 柴田 祐樹 1), 山田 正理 1), 飯盛 拓嗣 1), 小森 文夫 1)
6Cp-12 表面電子を介した吸着子間相互作用による表面超構造の形成（1)東大物性研,2)お茶の水大物理,3)名大）○松田 巌 1), 中村 史一 1), 湯川 龍 1), 小林 功佳 2), 一宮 彪彦 3)
6Cp-13S 3 元トポロジカル絶縁体TlBiSe2におけるディラック表面状態の観測（1)広大理,2)トムスク大,3)スペイン DIPC,4)呉高専電,5)広大放射セ）○黒田 健太 1), 叶 茂 1), 木村 昭夫 1), Eremeev S. V2), Krasovskii E. E3), Chulkov E. V3),
植田 義文 4), 宮本 幸治 5), 奥田 太一 5), 島田 賢也 5), 生天目 博文 5), 谷口 雅樹 1)5)
6Cp-14S 遷移金属フタロシアニンからの光電子放出理論（1)千葉大）○永長 まゆみ 1)
6Cp-15S 内殻光電子分光におけるプラズモンロススペクトルの理論的研究（1)千葉大融合,2)物材研）○大堀 祐輔 1), 篠塚 寛志 2), 藤川 高志 1)
6Cp-16 Mo(100)表面におけるチタン酸化物単結晶薄膜の作成（1)立教大理）○長谷川 智 1)

【D 会場】 9：00～16：15
表面反応・表面構造作製技術 ［表面］（9：00～12：15）
座長 服部 梓（9：00～10：30)
6Da-01S 太陽電池裏面電極用アルミニウムのシリコン基板との反応性（1)阪大産研,2)JST-CREST）○井川 麻衣 1)2), 高橋 昌男 1)2), 小林 光 1)2)
6Da-02 電子線リソグラフィを用いたα-Sb2O4/VSbO4薄膜触媒の部分酸化反応の制御（1)北大触媒セ）○原口 惟 1), 和田 敬広 1), 有賀 寛子 1), 高草木 達 1), 朝倉 清高 1)
6Da-03S フッ素修飾によるスルホ基含有メソポーラスシリカの疎水化とその酸触媒反応特性の評価（1)阪大院工）○水野 淳史 1), 亀川 孝 1), 山下 弘巳 1)
6Da-04S Ag ナノ粒子担持多孔性薄膜材料の調製と表面プラズモン共鳴を利用した色素の発光増強（1)阪大工）○堀内 悠 1), 亀川 孝 1), 森 浩亮 1), 山下 弘巳 1)
6Da-05S PMMA コロイド結晶を鋳型に用いたマクロ孔を有するチタン含有メソポーラスシリカの調製とその触媒活性評価（1)阪大工）○鈴木 紀彦 1), 亀川 孝 1), 山下 弘巳 1)
6Da-06S 極低温走査トンネル分光による窒素ドープグラファイトの局所電子状態計測（1)筑波大）○鈴木 哲也 1), 鹿野 大志 1), 近藤 剛弘 1), 中村 潤児 1)
休憩 10：30～10：45
座長 高橋 昌男（10：45～12：15)
6Da-07 金属酸化物超薄膜表面における反応経路の選択的制御（1)理研,2)東大工,3)東大新領域,4)阪大産研）○金 有洙 1), 申 炯畯 1)2), 鄭 載勲 1)3), 本林 健太 1)3), 柳澤 将 4), 森川 良忠 4), 川合 真紀 3)
6Da-08S 自己組織化微細構造を用いた超撥水－超親水パターン化表面の作製（1)東北大多元研,2)北大電子研,3)JST-CREST,4)東北大 WPI）
○平井 悠司 1), 藪 浩 1), 松尾 保孝 2)3), 居城 邦治 2)3), 下村 政嗣 1)3)4)
6Da-09S 親水性高分子マイクロ構造を導入した吸着性超撥水高分子構造表面の作製と応用（1)東北大院工,2)東北大 WPI,3)東北大多元研,4)JST-CREST）○高橋 章仁 1), 石井 大佑 2)4), 藪 浩 3), 下村 政嗣 2)3)4)
6Da-10S 微細構造制御生分解性樹脂へのイオンビームアシスト法を用いたアモルファス炭素薄膜付与による多機能化（1)工学院大院工化学応用,2)工学院大環境エネルギー化,3)工学院大電気システム工,4)クレハ）○角田 貴洋 1), 矢ケ崎 隆義 2), 鷹野 一郎 3), 桑折 仁 2), 金子 睦 4)
6Da-11 トップダウン・ボトムアップナノプロセスを融合した ZnO ナノ構造の作製（1)阪大産研）○服部 梓 1), 尾野 篤志 1), 田中 秀和 1)
6Da-12 高規則性ポーラスアルミナを用いた射出成型によるポリマーナノ規則表面の形成（1)首都大都市環境,2)KAST）○柳下 崇 1)2), 西尾 和之 1)2), 益田 秀樹 1)2)
昼食 12：15～13：00
放射光表面科学部会「次世代放射光光源による表面科学」 ［表面］（13：00～16：15）
座長 大門 寛（13：00～14：30)
6Dp-01 趣旨説明
6Dp-02 《招待講演》新放射光光源による表面化学の展開（30 分）
6Dp-03 《招待講演》次世代放射光源・ERL の概要とその光源特性（45 分）
休憩 14：30～14：45
座長 近藤 寛（14：45～16：15)
6Dp-04 《招待講演》稼働目前の SPring-8 XFEL の現状と将来（45 分）
6Dp-05 《招待講演》最先端のリング型光源（45 分）（1)奈良先端大）○大門 寛 1)
（1)慶大理工）○近藤 寛 1)（1)高エネ研）○河田 洋 1)

（1)理研）○登野 健介 1)（1)理研）○熊谷 教孝 1)【E 会場】 9：15～17：00
触媒表面科学部会「バイオリファイナリー触媒」 ［表面］（9：15～11：45)
座長 大西 洋（9：15～10：30)
6Ea-01S 純水中での触媒酸化効果を利用した Ge(100)表面上へのナノ構造形成（1)阪大院工）○川瀬 達也 1), 西谷 恵介 1), 打越 純一 1), 森田 瑞穂 1), 有馬 健太 1)
6Ea-02S 前駆体に依存したAl2O3表面上でのRhクラスター生成過程のSTM及びXAFS解析（1)阪大院基礎工,2)ICU 理）○陳 之文 1), 田 旺帝 2), 福井 賢一 1)
6Ea-03 含水バイオアルコール利用のための耐水性酸触媒プロセスの構築（1)神戸大院工）澤本 恵子 1), 大槻 彰良 1), 谷屋 啓太 1), 市橋 祐一 1), ○西山 覚 1)
6Ea-04 《招待講演》微生物細胞表層工学によるバイオリファイナリー戦略（30 分）（1)神戸大院工応用化学）○荻野 千秋 1), 近藤 昭彦 1)

休憩 10：30～10：45
座長 荻野 千秋（10：45～11：45)
6Ea-05 《招待講演》金属－酸化物界面を活性点とするバイオマス関連化合物の水素化分解（30 分）（1)東北大工）○冨重 圭一 1)
6Ea-06 《招待講演》アパタイト化合物を触媒に用いたバイオマス由来化合物の変換反応（30 分）（1)高知大理）○恩田 歩武 1)
昼食 11：45～13：00
表面分析研究部会「表面分析：基礎から標準化まで」 ［表面］（13：00～17：15)
座長 田沼 繁夫（13：00～15：15)
6Ep-01 《招待講演》傾斜ホルダーを用いた極低角度電子・イオン入射オージェ深さ方向分析（30 分）（1)物材機構,2)阪大院工）○荻原 俊弥 1), 永冨 隆清 2), 田沼 繁夫 1)
6Ep-02 AES によるステンレス鋼表面酸化物に対する溶融スズの影響の観察（1)芝浦工大・工,2)物材機構）瀬下 洋平 1), ○木村 隆 2), 福島 整 2), 苅谷 義治 1)
6Ep-03 《招待講演》SASJ XPS-WG 活動報告. 測定条件およびサンプリングによる粉末酸化銀の XPS スペクトルへの影響（30 分）（1)パナソニック エレクトロニックデバイス）○高野 みどり 1)
6Ep-04 《招待講演》Ar クラスタービームを用いた有機系材料の低損傷 XPS, TOF-SIMS 分析（30 分）（1)アルバック・ファイ）宮山 卓也 1), 眞田 則明 1), ○鈴木 峰晴 1)
6Ep-05 《招待講演》SASJ TOF-SIMS-WG 活動報告. TOF-SIMS の質量軸較正法に関する検討（30 分）（1)古河電工横浜研）○大友 晋哉 1)
休憩 15：15～15：30
座長 鈴木 峰晴（15：30～17：15)
6Ep-06 （取消）6Ep-07 二次イオン質量分析法を用いた生体組織の観察（1)京大工）○松尾 二郎 1), 市木 和弥 1), 山本 恭千 1), 若松 慶喜 1), 青木 学聡 1), 瀬木 利夫 1)
6Ep-08 《招待講演》低加速電圧走査型電子顕微鏡法におけるコントラスト形成と表面ポテンシャル観察（30 分）（1)物材機構）○熊谷 和博 1), 関口 隆史 1)
6Ep-09 《招待講演》反射電子エネルギー損失分光スペクトル解析への因子分析の応用 -Si, SiO2, GaAsのエネルギー
損失関数の導出（30 分）（1)物材機構共用ビーム,2)物材機構ナノ計測セ,3)物材機構分析支援,4)物材機構計算科学セ）○吉川 英樹 1)2), 金 華 2), 田中 肇 2), 篠塚 寛志 2), 岩井 秀夫 3), 新井 正男 4), 田沼 繁夫 2)3)
6Ep-10 電子の非弾性平均自由行程および阻止能における計算モデルの比較（1)物材機構,2)NIST）○田沼 繁夫 1), 篠塚 寛志 1), Powell C. J.2), Penn D. R.2)