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【手続補正書】
【提出日】平成29年2月2日(2017.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本稿および（適切な場合には）請求項および図面において開示される各特徴は、独立して提供されても、あるいは任意の適切な組み合わせにおいて提供されてもよい。ハードウェアにおいて実装されると記述されている特徴がソフトウェアで実装されてもよく、逆にソフトウェアにおいて実装されると記述されている特徴がハードウェアで実装されてもよい。請求項に参照符号があったとしても、単に例解のためであり、請求項の範囲に対する限定効果をもつものではない。
いくつかの付記を記載しておく。
〔付記１〕
暗号化されたマスター鍵を生成する装置であって：
受信機識別子（STBi）、サービス・プロバイダー識別子（Id(k)）およびサービス・プロバイダーのためのマスター鍵（Kmj,k）を受領するよう構成された少なくとも一つの入力インターフェースと；
当該装置の秘密を記憶するよう構成されたメモリと；
・前記秘密を使って前記受信機識別子を処理してルート鍵（Kri）を得て、
・前記ルート鍵を使って前記サービス・プロバイダー識別子を処理してトップ鍵（Kti,k）を得て、
・前記トップ鍵を使って前記マスター鍵を処理して暗号化されたマスター鍵（W(i,k)）を得るよう構成されたプロセッサと；
暗号化されたマスター鍵を出力するよう構成された出力インターフェースとを有する、
装置。
〔付記２〕
当該装置がハードウェア・セキュア・モジュールにおいて実装される、付記１記載の装置。
〔付記３〕
当該装置がスマートカードにおいて実装される、付記１記載の装置。
〔付記４〕
前記プロセッサが、前記秘密を復号鍵として使って前記受信機識別子を復号するよう構成されている、付記１記載の装置。
〔付記５〕
前記プロセッサが、前記ルート鍵を暗号化鍵として使って、前記サービス・プロバイダー識別子を暗号化するよう構成されている、付記１記載の装置。
〔付記６〕
前記プロセッサが、前記トップ鍵を暗号化鍵として使って前記マスター鍵を暗号化するよう構成されている、付記１記載の装置。
〔付記７〕
暗号化されたマスター鍵を受信機に提供する方法であって：
付記１記載の、暗号化されたマスター鍵を生成する装置が、第一の装置から、前記暗号化されたマスター鍵を生成する、受信機識別子（STBi）、サービス・プロバイダー識別子（Id(k)）およびサービス・プロバイダーのためのマスター鍵（Kmj,k）を受領する段階と；
暗号化されたマスター鍵を生成する前記装置が、前記暗号化されたマスター鍵を生成する段階と；
暗号化されたマスター鍵を生成する前記装置が、生成された暗号化されたマスター鍵を出力する段階と；
第三の装置が前記暗号化されたマスター鍵を前記受信機に送る段階とを含む、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月20日(2016.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波フィルタであって、
第１及び第２の信号端と、
前記第１及び第２の信号端の間に接続され、通過帯域と阻止帯域を有するフィルタ部と、
前記フィルタ部と並列接続になるように前記第１及び第２の信号端の間に設けられた付加回路部と
を含み、
前記付加回路部は前記阻止帯域の中に通過特性を有する周波数領域を有し、
前記周波数領域において前記付加回路部を通過する信号と前記フィルタ部を通過する信号とが逆方向の位相成分を有する高周波フィルタ。
【請求項２】
前記付加回路部は、同一の弾性波導波路上に所定の距離をおいて形成された２個のＩＤＴ電極を有する請求項１記載の高周波フィルタ。
【請求項３】
前記逆方向の位相成分は、前記所定の距離を設定することによって調整される請求項２の高周波フィルタ。
【請求項４】
前記フィルタ部は弾性波素子を用いて構成される請求項１の高周波フィルタ。
【請求項５】
前記付加回路部は、前記周波数領域における通過特性の振幅レベルをシフトさせる素子を含む請求項１の高周波フィルタ。
【請求項６】
前記付加回路部は、
弾性波素子を有する弾性波素子部と、
前記弾性波素子部と前記第１の信号端との間に設けられた第１の容量素子と、
前記弾性波素子部と前記第２の信号端との間に設けられた第２の容量素子と
を含む請求項２の高周波フィルタ。
【請求項７】
前記フィルタ部及び前記付加回路部は同一の圧電基板に形成される請求項１の高周波フィルタ。
【請求項８】
高周波フィルタであって、
アンテナ端子と、
送信端子と、
受信端子と、
前記アンテナ端子と前記送信端子との間に接続された送信フィルタと、
前記アンテナ端子と前記受信端子との間に接続された受信フィルタと
を含み、
前記送信フィルタ又は前記受信フィルタは圧電基板の上に設けられた第１のＩＤＴ電極を有し、
前記アンテナ端子、前記送信端子及び前記受信端子の少なくとも二つの間には位相回路が接続され、
前記位相回路は前記圧電基板の上に設けられた第２のＩＤＴ電極を有し、
前記第１のＩＤＴ電極と前記第２のＩＤＴ電極とは前記圧電基板を伝搬する弾性波の伝搬方向において重なる領域を有し、
前記圧電基板の上における前記第１のＩＤＴ電極と前記第２のＩＤＴ電極との間に前記弾性波を吸収する吸収体が設けられる高周波フィルタ。
【請求項９】
前記吸収体は、樹脂材料からなる請求項８の高周波フィルタ。
【請求項１０】
前記吸収体と前記圧電基板との間には電極が設けられる請求項８の高周波フィルタ。
【請求項１１】
前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極を封止するカバー体をさらに含み、
前記吸収体は前記カバー体の一部を構成する請求項８記載の高周波フィルタ。
【請求項１２】
高周波フィルタであって、
アンテナ端子と、
送信端子と、
受信端子と、
前記アンテナ端子と前記送信端子との間に接続された送信フィルタと、
前記アンテナ端子と前記受信端子との間に接続された受信フィルタと
を含み、
前記送信フィルタ又は前記受信フィルタは圧電基板の上に設けられた第１のＩＤＴ電極を有し、
前記アンテナ端子、前記送信端子及び前記受信端子の少なくとも二つの間には位相回路が接続され、
前記位相回路は前記圧電基板の上に設けられた第２のＩＤＴ電極を有し、
前記第１のＩＤＴ電極と前記第２のＩＤＴ電極とは前記圧電基板を伝搬する弾性波の伝搬方向において重なる領域を有し、
前記圧電基板の上における前記第１のＩＤＴ電極と前記第２のＩＤＴ電極との間に電極が設けられ、
前記電極の前記第１のＩＤＴ電極側の端辺又は前記第２のＩＤＴ電極側の端辺が前記伝搬方向に対して非垂直に構成される高周波フィルタ。
【請求項１３】
前記第１のＩＤＴ電極の交差幅は、前記第２のＩＤＴ電極の交差幅よりも大きい請求項８又は１２の高周波フィルタ。
【請求項１４】
前記位相回路は２つのＩＤＴ電極を有するトランスバーサルフィルタである請求項８又は１２の高周波フィルタ。
【請求項１５】
前記位相回路は前記アンテナ端子と前記送信端子との間に接続される請求項８又は１２の高周波フィルタ。
【請求項１６】
前記素子は容量素子である請求項５の高周波フィルタ。
【請求項１７】
前記第１の容量素子の静電容量は、前記第２の容量素子の静電容量よりも小さく設定される請求項６の高周波フィルタ。
【請求項１８】
前記第１及び第２の容量素子それぞれの静電容量は、前記２個のＩＤＴ電極それぞれの静電容量よりも小さく設定される請求項１７の高周波フィルタ。
【請求項１９】
前記２個のＩＤＴ電極それぞれの電極指ピッチが、前記フィルタ部の電極指ピッチよりも小さく構成される請求項６の高周波フィルタ。
【請求項２０】
前記電極は、前記アンテナ端子と前記位相回路とを接続する配線電極である請求項１０の高周波フィルタ。
【請求項２１】
前記電極は、反射器電極パターンを形成する請求項１０の高周波フィルタ。
【請求項２２】
前記電極は、浮き電極パターンを形成する請求項１０の高周波フィルタ。
【請求項２３】
前記浮き電極パターンは、三角形状を有するように構成される請求項２２の高周波フィルタ。
【請求項２４】
前記送信フィルタは、複数の直列腕弾性波共振器及び複数の並列腕弾性波共振器から構成されたラダー回路を含む請求項８又は１２の高周波フィルタ。
【請求項２５】
前記受信フィルタは、前記アンテナ端子と一対の受信端子とグランド端子との間に接続された一端子対弾性波共振器及び縦結合弾性波共振器を含む請求項８又は１２の高周波フィルタ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月8日(2017.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
N-メチルエチドカイン、N-メチルリドカイン、N,N-ジメチルプリロカイン、N,N,N-トリメチルトカイニド、N-メチルロピバカイン、N-メチルブピバカイン、N-メチルレボブピバカイン、N-メチルメピバカイン、QX-314、およびQX-222からなる群より選択される化合物を含む、ヒト患者における喘息治療用の組成物。
【請求項２】
前記化合物がQX-314である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記化合物がN-メチルエチドカインである、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記化合物が吸入による投与のために製剤化される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月18日(2017.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両のコンソールパネル内に収納され、前面が２ＤＩＮサイズである装置本体と、
常に前記装置本体の外側に設置され、前記装置本体の前面横幅サイズより大きい横幅サイズと前記装置本体の前面縦幅サイズより大きい縦幅サイズとを有する画面を有するディスプレイと、
前記装置本体と前記ディスプレイとを連結する連結部と、
を備え、
前記連結部が前記装置本体に固着されることによって、前記ディスプレイを前記装置本体に対し所定の任意の角度に固定されて取り付けられる、車載装置。
【請求項２】
前記ディスプレイの上端は、前記コンソールパネルの上端よりも上に位置する、請求項１に記載の車載装置。
【請求項３】
前記ディスプレイは、前記装置本体の前面の向きより上向きにチルト調整可能であるとともに、前記装置本体の前面の向きより下向きにチルト調整可能である、請求項１または２に記載の車載装置。
【請求項４】
前記連結部が前記装置本体にねじ止めされることによって、前記ディスプレイが前記装置本体に固定されて取り付けられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の車載装置。
【請求項５】
前記連結部が前記装置本体にねじ止めされている状態において、前記ディスプレイは前記装置本体から着脱不可である、請求項４に記載の車載装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月21日(2017.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザを発生させるための放電室が内部に形成された筒部を有するガスレーザ発振器において、前記筒部には前記放電室に並列して延び前記放電室とともに前記筒部の端部まで延伸する空洞が形成され、前記端部において前記放電室のみを封止する第一封止部材と、前記端部において前記放電室と前記空洞とを共に封止する第二封止部材とを備え、前記空洞は前記第一封止部材と前記第二封止部材により囲まれる封止部材間の空間とつながった別の空間を形成しており、前記空洞内の当初の圧力は前記放電室内の圧力よりも低くなるように封止切りされていることを特徴とするガスレーザ発振器。
【請求項２】
請求項１に記載のガスレーザ発振器において、前記空洞内の全体の容積を前記放電室の容積の1/50以上にしたことを特徴とするガスレーザ発振器。
【請求項３】
請求項１あるいは２に記載のガスレーザ発振器において、前記空洞は複数設けられていることを特徴とするガスレーザ発振器。
【請求項４】
請求項３に記載のガスレーザ発振器において、前記放電室の短手方向断面において前記空洞の各々は前記放電室を囲むように配置されていることを特徴とするガスレーザ発振器。
【請求項５】
レーザを発生させるための放電室が内部に形成された筒部を有するガスレーザ発振器において、前記筒部には前記放電室に並列して延び前記放電室とともに前記筒部の端部まで延伸する空洞が形成され、前記端部において前記放電室のみを封止する第一封止部材と、前記端部において前記放電室と前記空洞とを共に封止する第二封止部材とを備え、前記空洞は前記第一封止部材と前記第二封止部材により囲まれる封止部材間の空間とつながった別の空間を形成しており、前記空洞内の当初の圧力は大気よりも高くなるように封止切りされていることを特徴とするガスレーザ発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１に記載のガスレーザ発振器においては、レーザを発生させるための放電室が内部に形成された筒部を有するガスレーザ発振器において、前記筒部には前記放電室に並列して延び前記放電室とともに前記筒部の端部まで延伸する空洞が形成され、前記端部において前記放電室のみを封止する第一封止部材と、前記端部において前記放電室と前記空洞とを共に封止する第二封止部材とを備え、前記空洞は前記第一封止部材と前記第二封止部材により囲まれる封止部材間の空間とつながった別の空間を形成しており、前記空洞内の当初の圧力は前記放電室内の圧力よりも低くなるように封止切りされていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また請求項２に記載のガスレーザ発振器においては、請求項１に記載のガスレーザ発振器において、前記空洞内の全体の容積を前記放電室の容積の1/50以上にしたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また請求項３に記載のガスレーザ発振器においては、請求項１あるいは２に記載のガスレーザ発振器において、前記空洞は複数設けられていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また請求項４に記載のガスレーザ発振器においては、請求項３に記載のガスレーザ発振器において、前記放電室の短手方向断面において前記空洞の各々は前記放電室を囲むように配置されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また請求項５に記載のガスレーザ発振器においては、レーザを発生させるための放電室が内部に形成された筒部を有するガスレーザ発振器において、前記筒部には前記放電室に並列して延び前記放電室とともに前記筒部の端部まで延伸する空洞が形成され、前記端部において前記放電室のみを封止する第一封止部材と、前記端部において前記放電室と前記空洞とを共に封止する第二封止部材とを備え、前記空洞は前記第一封止部材と前記第二封止部材により囲まれる封止部材間の空間とつながった別の空間を形成しており、前記空洞内の当初の圧力は大気よりも高くなるように封止切りされていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2015065410.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月28日(2017.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シンチレータと、
画素回路と、
基板と、
発光装置と、
が上記順序で重畳しており、
前記画素回路は、受光素子および当該受光素子と電気的に接続された回路部と、を有し、
前記基板には発熱体が形成され、前記発光装置が発する光は前記画素回路に照射される構成であり、
前記画素回路は酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
シンチレータと、
画素回路と、
基板と、が上記順序で重畳しており、
前記画素回路は、受光素子および当該受光素子と電気的に接続された撮像用回路部と、発光素子および当該発光素子と電気的に接続された発光用回路部と、を有し、
前記基板には発熱体が設けられ、
前記画素回路は酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記発熱体は、透光性を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記基板は、透光性を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月9日(2017.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に接して、結晶部を有する酸化物層を形成し、
前記酸化物層は、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを有し、
８００℃以上１４００℃以下の温度で加熱処理を行い、
前記酸化物層と接する一対の導電層を形成し、
前記酸化物層及び前記一対の導電層と接する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする、半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月21日(2017.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に開口部を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上および前記開口部内に導電膜を形成した後、前記半導体膜上の前記導電膜を除去することで前記開口部内に導電ピラーを形成し、
前記導電ピラー上および前記半導体膜上に島状のマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記導電ピラーおよび前記半導体膜をエッチングして第１の電極および第１の半導体を形成し、
前記第１の半導体の上面および側面にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第１の半導体の上面および側面に面するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の開口部および第２の開口部を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上、前記第１の開口部内および前記第２の開口部内に導電膜を形成した後、前記半導体膜上の前記導電膜を除去することで前記第１の開口部内および前記第２の開口部内に第１の導電ピラーおよび第２の導電ピラーを形成し、
前記第１の導電ピラー上、前記第２の導電ピラー上および前記半導体膜上に島状のマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記第１の導電ピラー、前記第２の導電ピラーおよび前記半導体膜をエッチングして第１の電極、第２の電極および第１の半導体を形成し、
前記第１の半導体は、前記第１の電極と前記第２の電極に挟まれるように形成され、
前記第１の半導体の上面および側面にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上で接し、前記第１の半導体の上面および側面に面するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体膜は酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月11日(2017.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の論理回路と、
第１および第２のトランジスタと、
第１のキャパシタと、
第１および第２のノードと、を有し、
前記第１のノードに前記第１のキャパシタが接続され、
前記第２のノードに前記第２の論理回路の入力端子が接続され、
前記第１のトランジスタは前記第１の論理回路の出力端子と前記第１のノード間の接続を制御するスイッチとして機能し、ゲートに第１のクロック信号が入力され、
前記第２のトランジスタは前記第１のノードと前記第２のノード間の接続を制御するスイッチとして機能し、ゲートに第２のクロック信号が入力され、
前記第１のクロック信号と前記第２のクロック信号は、位相が互いに反転した関係にある信号であり、
前記第１および前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタであることを特徴とする記憶回路。
【請求項２】
第１および第２の論理回路と、
第１および第２のインバータと、
第１および第２のトランジスタと、
第１のキャパシタと、
第１乃至第３のノードと、を有し、
前記第１のノードに前記第１のキャパシタが接続され、
前記第２のノードと前記第３のノード間に前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタが直列に接続され、
前記第３のノードに前記第２の論理回路の入力端子が接続され、
前記第１のトランジスタは前記第１の論理回路の出力端子と前記第１のノード間の接続を制御するスイッチとして機能し、ゲートに第１のクロック信号が入力され、
前記第２のトランジスタは前記第１のノードと前記第２のノード間の接続を制御するスイッチとして機能し、ゲートに第２のクロック信号が入力され、
前記第１のクロック信号と前記第２のクロック信号は、位相が互いに反転した関係にある信号であり、
前記第１および前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタであることを特徴とする記憶回路。
【請求項３】
請求項２項において、
前記第１のインバータのトランジスタは、前記第２の論理回路のトランジスタよりも、チャネル幅、チャネル長の少なくとも一方が短い記憶回路。
【請求項４】
請求項２項において、
前記第２のトランジスタ、並びに前記第１及び前記第２のインバータのトランジスタのチャネル幅は、前記第１のインバータが最も短く、前記第２の論理回路が最も長い記憶回路。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか１項において、
前記第１のインバータの入力端子と前記第２のインバータの出力端子を接続する第１のスイッチを有し、
前記第１、前記第２のクロック信号の供給が停止されている期間、前記第１のスイッチはオン状態になる記憶回路。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１のスイッチは、トランスファーゲートまたは第３のトランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタである記憶回路。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか１項において、
第４および第５のトランジスタと、
第２のキャパシタと、
第４のノードと、をさらに有し、
前記第２のキャパシタは前記第４のノードに接続され、
前記第４のトランジスタは、前記第２の論理回路の前記入力端子と前記第４のノード間の接続を制御するスイッチとして機能し、
前記第５のトランジスタは、前記第１のノードと前記第４のノード間の接続を制御するスイッチとして機能し、
前記第４、前記第５のトランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタである記憶回路。
【請求項８】
請求項２乃至６のいずれか１項において、
第４および第５のトランジスタと、
第２のキャパシタと、
第４のノードと、をさらに有し、
前記第２のキャパシタは前記第４のノードに接続され、
前記第４のトランジスタは、前記第２の論理回路の前記入力端子と前記第４のノード間の接続を制御するスイッチとして機能し、
前記第５のトランジスタは、前記第１のノードと前記第２のノード間の接続を制御するスイッチとして機能し、
前記第４、前記第５のトランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタである記憶回路。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項において、
前記第２のノードに接続された第３のキャパシタを有する記憶回路。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月28日(2016.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスカバリー信号を用いて特定のコンポーネントキャリア（ＣＣ）のＲＳＲＰ（Reference  Signal  Received  Power）を測定し、一以上のＣＣのＲＳＳＩ（Received  Signal  Strength  Indicator）を測定する測定部と、
前記特定のＣＣのＲＳＲＰ及び／又は前記一以上のＣＣのＲＳＳＩを含む測定報告を送信する送信部と、を具備することを特徴とするユーザ端末。
【請求項２】
前記測定部は、無線基地局からの測定期間情報に基づいて設定される測定期間において、前記一以上のＣＣのＲＳＳＩを測定することを特徴とする請求項１に記載のユーザ端末。
【請求項３】
前記測定部は、前記測定期間とは別に、前記無線基地局からの構成情報に基づいて設定される前記ディスカバリー信号の送信期間において、前記特定のＣＣのＲＳＲＰを測定することを特徴とする請求項２に記載のユーザ端末。
【請求項４】
前記測定部は、無線基地局からの測定指示情報に基づいて、前記一以上のＣＣのＲＳＳＩを測定することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のユーザ端末。
【請求項５】
前記測定部は、セル毎のディスカバリー信号を用いて前記特定のＣＣのＲＳＲＰをセル毎に測定し、前記一以上のＣＣのＲＳＳＩをＣＣ毎に測定することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のユーザ端末。
【請求項６】
ディスカバリー信号を送信する送信部と、
前記ディスカバリー信号を用いてユーザ端末で測定された特定のコンポーネントキャリア（ＣＣ）のＲＳＲＰ（Reference  Signal  Received  Power）、及び／又は、一以上のＣＣのＲＳＳＩ（Received  Signal  Strength  Indicator）を含む測定報告を受信する受信部と、
を具備することを特徴とする無線基地局。
【請求項７】
前記特定のＣＣのＲＳＲＰと前記一以上のＣＣのＲＳＳＩとに基づいて、前記一以上のＣＣのＲＳＲＱ（Reference  Signal  Received  Quality）を算出する算出部、を具備することを特徴とする請求項６に記載の無線基地局。
【請求項８】
ユーザ端末が、ディスカバリー信号を用いて特定のコンポーネントキャリア（ＣＣ）のＲＳＲＰ（Reference  Signal  Received  Power）を測定し、一以上のＣＣのＲＳＳＩ（Received  Signal  Strength  Indicator）を測定する工程と、
前記ユーザ端末が、前記特定のＣＣのＲＳＲＰ及び／又は前記一以上のＣＣのＲＳＳＩを含む測定報告を送信する工程と、を有することを特徴とする通信制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様に係るユーザ端末は、ディスカバリー信号を用いて特定のコンポーネントキャリア（ＣＣ）のＲＳＲＰ（Reference  Signal  Received  Power）を測定し、一以上のＣＣのＲＳＳＩ（Received  Signal  Strength  Indicator）を測定する測定部と、前記特定のＣＣのＲＳＲＰ及び／又は前記一以上のＣＣのＲＳＳＩを含む測定報告を送信する送信部と、を具備する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月30日(2017.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバレッジ拡大を適用するユーザ端末であって、
ランダムアクセスプリアンブルを送信する送信部と、
ランダムアクセス応答を受信する受信部と、
カバレッジ拡大を適用しないユーザ端末と異なるランダムアクセスプリアンブルリソースでランダムアクセスプリアンブルを送信するように制御する制御部と、
を具備し、
前記ランダムアクセスプリアンブルリソースがハイヤレイヤシグナリングで与えられることを特徴とするユーザ端末。
【請求項２】
前記ランダムアクセスプリアンブルリソースは、前記カバレッジ拡大を適用するユーザ端末用に決められたサブフレーム番号、周波数、及び／又はリピテーション数であることを特徴とする請求項１記載のユーザ端末。
【請求項３】
前記ランダムアクセスプリアンブルリソースがＲＳＲＰ（Reference  Signal  Received  Power）に基づいて決められることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のユーザ端末。
【請求項４】
カバレッジ拡大用に予め決められたタイミングでランダムアクセス応答を受信することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のユーザ端末。
【請求項５】
カバレッジ拡大を適用する無線基地局と通信するユーザ端末の無線通信方法であって、
ランダムアクセスプリアンブルを送信する工程と、
ランダムアクセス応答を受信する工程と、
カバレッジ拡大を適用しないユーザ端末と異なるランダムアクセスプリアンブルリソースでランダムアクセスプリアンブルを送信するように制御する工程と、
を具備し、
前記ランダムアクセスプリアンブルリソースがハイヤレイヤシグナリングで与えられることを特徴とする無線通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ユーザ端末および無線通信方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、次世代移動通信システムにおけるユーザ端末および無線通信方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、カバレッジ拡大を考慮したＰＲＡＣＨ送信を行うことができるユーザ端末および無線通信方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一態様に係るユーザ端末は、カバレッジ拡大を適用するユーザ端末であって、ランダムアクセスプリアンブルを送信する送信部と、ランダムアクセス応答を受信する受信部と、カバレッジ拡大を適用しないユーザ端末と異なるランダムアクセスプリアンブルリソースでランダムアクセスプリアンブルを送信するように制御する制御部と、を具備し、前記ランダムアクセスプリアンブルリソースがハイヤレイヤシグナリングで与えられることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
特に本発明のクラッチレリーズ軸受装置の場合には、前記両シールリングのうちの、前記フランジ部と軸方向に対向する一方のシールリングの内径側端部に、その先端縁を前記内輪の軸方向一端部外周面に全周に亙って摺接させた接触リップを設けている。
又、本発明を実施する場合には、好ましくは請求項２に記載した発明の様に、前記一方のシールリングの内径側端部に、その先端縁をこの内輪の軸方向一端部外周面に全周に亙り近接対向させた非接触リップを設ける。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
又、本発明を実施する場合には、好ましくは請求項３に記載した発明の様に、前記フランジ部の軸方向片側面のうち、使用状態で下端に位置する部分に、このフランジ部の軸方向片側面と前記一方のシールリングの軸方向他側面との間に存在する隙間空間と、前記外輪の径方向外方（下方）に存在する外部空間とを連通する、排水凹溝を形成する。
又、本発明を実施する場合には、好ましくは請求項４に記載した発明の様に、前記一方のシールリングの外周縁部に、前記外輪の軸方向一端部内周面に係止する為の係止部を形成する。そして、この係止部には、前記転動体設置空間と、前記フランジ部の軸方向片側面と前記一方のシールリングの軸方向他側面との間に存在する隙間空間とを連通する貫通孔を形成しない様に構成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
１、１ａ、１ｂ  クラッチレリーズ軸受装置
２、２ａ  クラッチレリーズ軸受
３、３ａ  軸受保持体
４  外輪軌道
５  外輪
６  内輪軌道
７  内輪
８  玉
９ａ、９ｂ  シールリング
１０  押圧部
１１  係止溝
１２ａ、１２ｂ  接触リップ
１３ａ、１３ｂ  非接触リップ
１４  樹脂成形体
１５  抑えばね
１６  アンビル
１７  スリーブ
１８、１８ａ  フランジ部
１９  ガイド板部
２０  軸方向隙間空間
２１  径方向隙間空間
２２、２２ａ、２２ｂ  摺接部
２３、２３ａ  シールリング
２４  保持器
２５ａ、２５ｂ  係止溝
２６  転動体設置空間
２７  芯金
２８  シール材
２９  係止部
３０  リップ基部
３１、３１ａ  非接触リップ
３２、３２ａ  接触リップ
３３、３３ａ  ラビリンスシール
３４    芯金
３５    シール材
３６    係止部
３７    外部空間
３８    空気孔
３９    覆い部
４０    排水凹溝
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸に沿って摺動可能な円筒状のスリーブと、このスリーブの外周面から径方向外方に突出する状態で設けられた円輪状のフランジ部とを有する軸受保持体と、このフランジ部の軸方向片側に支持されたクラッチレリーズ軸受とを備えており、
このクラッチレリーズ軸受が、内周面に外輪軌道を有する外輪と、外周面に内輪軌道を有する内輪と、これら外輪軌道と内輪軌道との間に転動自在に設けられた複数の転動体と、前記外輪の軸方向両端部内周面にそれぞれの外周縁部が係止され、この外輪の内周面と前記内輪の外周面との間に存在し前記各転動体を設置した転動体設置空間の軸方向両端開口部を塞ぐ１対のシールリングとを備えているクラッチレリーズ軸受装置であって、
前記両シールリングのうちの、前記フランジ部と軸方向に対向する一方のシールリングの内径側端部に、その先端縁を前記内輪の軸方向一端部外周面に全周に亙って摺接させた接触リップが設けられている事を特徴とするクラッチレリーズ軸受装置。
【請求項２】
前記一方のシールリングの内径側端部に、その先端縁を前記内輪の軸方向一端部外周面に全周に亙り近接対向させた非接触リップが設けられている、請求項１に記載したクラッチレリーズ軸受装置。
【請求項３】
前記フランジ部の軸方向片側面のうち、使用状態で下端に位置する部分に、このフランジ部の軸方向片側面と前記一方のシールリングの軸方向他側面との間に存在する隙間空間と、前記外輪の径方向外方に存在する外部空間とを連通する排水凹溝が形成されている、請求項１〜２のうちの何れか１項に記載したクラッチレリーズ軸受装置。
【請求項４】
前記一方のシールリングの外周縁部に、前記外輪の軸方向一端部内周面に係止する為の係止部が形成されており、この係止部に、前記転動体設置空間と、前記フランジ部の軸方向片側面と前記一方のシールリングの軸方向他側面との間に存在する隙間空間とを連通する貫通孔が形成されていない、請求項１〜３のうちの何れか１項に記載したクラッチレリーズ軸受装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月2日(2017.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置は、
アレイ基板と、
対向基板と、
駆動回路と、
を備え、
前記アレイ基板は、
第１方向に延在するゲート線と、
前記第１方向と異なる第２方向に延在するドレイン線と、
前記第２方向に延在する共通電極と、
を備え、
前記対向基板は、前記第１方向に延在する検出電極を備え、
前記共通電極は特定色の画素のドレイン線上で分割するようにされ、タッチパネル用の走査電極と兼用するようにされ、
前記駆動回路は、
１フレーム期間中に前記ゲート線を駆動する書込み期間と前記走査電極を駆動するタッチ検出期間が交互に繰返し行われるようにされ、
前記特定色以外のドレイン線の信号極性は１フレームごとに反転駆動するようにされ、
前記特定色のドレイン線の信号極性は１フレームよりも短い周期で反転駆動するようにされ、
前記特定色のドレイン線の信号極性の反転周期を変更することができるようにされる。
【請求項２】
請求項１の表示装置において、
前記特定色のドレイン線の信号極性はｎ書込み期間ごとに反転駆動するようにされる。
【請求項３】
請求項１の表示装置において、
前記走査電極がｍ（Ｈｚ）およびｋ×ｍ（Ｈｚ）で駆動することができるようにされ、
前記走査電極がｍ（Ｈｚ）で駆動されるとき、１書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線の信号極性が反転駆動され、
前記走査電極がｋ×ｍ（Ｈｚ）で駆動されるとき、ｋ書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線の信号極性が反転駆動される。
【請求項４】
請求項３の表示装置において、
前記走査電極が６０Ｈｚおよび１２０Ｈｚで駆動することができるようにされ、
前記走査電極が６０Ｈｚで駆動されるとき、１書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線の信号極性が反転駆動され、
前記走査電極が１２０Ｈｚで駆動されるとき、２書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線の信号極性が反転駆動される。
【請求項５】
請求項１の表示装置において、
前記走査電極が１フレームの周期および０．５フレームの周期で駆動することができるようにされ、
前記走査電極が１フレームの周期で駆動されるとき、１書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線の信号極性が反転駆動され、
前記走査電極が０．５フレームの周期で駆動されるとき、２書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線の信号極性が反転駆動される。
【請求項６】
請求項１の表示装置において、
前記走査電極がｍ（Ｈｚ）およびｋ×ｍ（Ｈｚ）で駆動することができるようにされ、
前記走査電極がｍ（Ｈｚ）で駆動されるとき、（１／ｋ）書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線の信号極性が反転駆動され、
前記走査電極がｋ×ｍ（Ｈｚ）で駆動されるとき、１書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線の信号極性が反転駆動される。
【請求項７】
請求項６の表示装置において、
前記走査電極が６０Ｈｚおよび１２０Ｈｚで駆動することができるようにされ、
前記走査電極が６０Ｈｚで駆動されるとき、０．５書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線が反転駆動され、
前記走査電極が１２０Ｈｚで駆動されるとき、１書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線が反転駆動される。
【請求項８】
請求項１の表示装置において、
前記走査電極が１フレームの周期および０．５フレームの周期で駆動することができるようにされ、
前記走査電極が１フレームの周期で駆動されるとき、０．５書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線の信号極性が反転駆動され、
前記走査電極が０．５フレームの周期で駆動されるとき、１書込み期間ごとに前記特定色のドレイン線の信号極性が反転駆動される。
【請求項９】
請求項１の表示装置において、
前記駆動回路は記憶回路を備え、
前記記憶回路に値を設定することにより、前記特定色のドレイン線の信号極性の反転周期を変更するようにされる。
【請求項１０】
請求項１の表示装置において、
前記特定色は青色であり、前記特定色以外は赤色と緑色である。
【請求項１１】
請求項１の表示装置において、
前記対向基板は前記第１方向に延在するタッチパネル用の検出電極を備える。
【請求項１２】
請求項１１の表示装置において、さらに、
前記検出電極に接続されるタッチＩＣを備える。
【請求項１３】
請求項１の表示装置において、
前記アレイ基板は信号線選択回路を備え、
前記駆動回路は正極性用アンプと負極性用アンプとを備え、
前記信号線選択回路は、前記正極性用アンプおよび前記負極性用アンプを、前記特定色のドレイン線および前記特定色以外のドレイン線に接続するようにされる。
【請求項１４】
請求項１３の表示装置において、
前記信号線選択回路は、１水平期間を２つに分ける分配スイッチと、前記正極性用アンプおよび前記負極性用アンプの接続を切り替えるスイッチと、を備える。
【請求項１５】
表示装置は、
アレイ基板と、
対向基板と、
駆動回路と、
を備え、
前記アレイ基板は、
第１方向に延在するゲート線と、
前記第１方向と異なる第２方向に延在するドレイン線と、
前記第２方向に延在する共通電極と、
前記ゲート線を双方向に駆動するゲート走査回路と、
を備え、
前記対向基板は、前記第１方向に延在する検出電極を備え、
前記共通電極は特定色の画素のドレイン線上で分割するようにされ、タッチパネル用の走査電極と兼用するにされ、
前記駆動回路は、
１フレーム期間中に前記ゲート線を駆動する書込み期間と前記走査電極を駆動するタッチ検出期間が交互に繰返し行われるように、
前記特定色以外のドレイン線の信号極性は１フレームごとに反転駆動するようにされ、
前記特定色のドレイン線の信号極性は前記書込み期間ごとに反転駆動するようにされ、
最初の書込み期間中に駆動されるゲート線の本数を変更することができるようにされる。
【請求項１６】
請求項１５の表示装置において、
前記特定色は青色であり、前記特定色以外は赤色と緑色である。
【請求項１７】
請求項１５の表示装置において、
前記対向基板は前記第１方向に延在するタッチパネル用の検出電極を備える。
【請求項１８】
請求項１７の表示装置において、さらに、
前記検出電極に接続されるタッチＩＣを備える。
【請求項１９】
請求項１５の表示装置において、さらに、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に液晶層を備える。
【請求項２０】
請求項１５の表示装置において、
前記特定色のドレイン線の信号極性の反転周期を変更することができるようにされる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月29日(2016.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー像を担持する像担持回転体と、
前記像担持回転体に接触して前記像担持回転体上のトナー像を転写材に転写する転写回転体とを備え、像担持体回転体表面速度と転写回転体表面速度との間に速度差を設け、像担持回転体表面のフィルミングを転写回転体により削り取る構成とした画像形成装置において、
前記転写回転体により削り取られて該転写回転体表面に付着したフィルミング除去物を該転写回転体表面から除去して該転写回転体表面をクリーニングする転写回転体クリーニングモードを備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像形成装置であって、
前記転写回転体クリーニングモードは、前記像担持回転体と前記転写回転体との接触部にトナー像を入力し、前記転写回転体に付着しているフィルミング除去物を上記トナー像に付着させて、フィルミング除去物を該転写回転体表面から除去することを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
請求項２に記載の画像形成装置であって、
像担持回転体回転軸方向長さが規定の長さ未満の転写材が、規定枚数連続して前記像担持回転体と前記転写回転体との接触部を通過したとき前記転写回転体クリーニングモードを実行し、
前記像担持回転体と前記転写回転体との接触部に入力するトナー像を、前記転写材の前記像担持回転体回転軸方向両端よりも外側に形成することを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の画像形成装置であって、
前記像担持回転体と前記転写回転体との接触部に入力するトナー像の像担持回転体表面移動方向長さを、前記転写回転体の全周をクリーニングできる長さにしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
請求項４に記載の画像形成装置であって、
前記転写回転体クリーニングモードのとき、前記転写回転体の表面速度を、像担持回転体の表面速度よりも速くしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
請求項２乃至５に記載の画像形成装置であって、
前記転写回転体クリーニングモードのときの像担持体回転体と転写回転体と表面速度差を、画像形成時のときの表面速度差よりも大きくしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の画像形成装置であって、
前記トナーは、外添剤として金属酸化物微粒子を含むことを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
請求項７に記載の画像形成装置であって、
前記金属酸化物微粒子が、酸化チタンであることを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
請求項２乃至８いずれかに記載の画像形成装置であって、
前記転写回転体にバイアスを印加するバイアス印加手段を備え、
前記転写回転体クリーニングモードのとき、前記バイアス印加手段は、前記トナーの帯電極性と同極性のバイアスを前記転写回転体に印加することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の放射性廃棄物となる機器・配管のうち、各機器・配管の線量率の強度に応じた配置位置および組み合わせを演算する演算部と、
前記演算部で演算された前記各機器・配管の線量率の強度に応じた配置位置および組み合わせ毎に、前記各機器・配管を収納する収納容器の外表面の線量率空間分布を演算する線量率空間分布演算部とを備え、
前記演算部は、前記線量率空間分布演算部で演算される前記収納容器外表面の線量率空間分布を低減するよう前記各機器・配管の線量率の強度に応じた配置位置および組み合わせを演算する
ことを特徴とする放射性廃棄物収納計画支援システム。
【請求項２】
請求項１に記載の放射性廃棄物収納計画支援システムにおいて、
前記線量率空間分布演算部は、前記各機器・配管の３次元モデルを切断するための切断モデルを演算し、前記各機器・配管の放射性物質推定付着量を演算することで前記収納容器外表面の線量率空間分布を演算する
ことを特徴とする放射性廃棄物収納計画支援システム。
【請求項３】
請求項１に記載の放射性廃棄物収納計画支援システムにおいて、
前記演算部は、前記線量率空間分布演算部で演算される前記収納容器外表面の線量率空間分布がしきい値より小さくなるまで、前記各機器・配管の線量率の強度に応じた配置位置および組み合わせを繰り返し演算する
ことを特徴とする放射性廃棄物収納計画支援システム。
【請求項４】
請求項２に記載の放射性廃棄物収納計画支援システムにおいて、
前記放射性廃棄物の排出元となるプラント内の全ての各機器・配管の３Ｄモデルを記憶するプラント３ＤモデルＤＢを更に備え、
前記線量率空間分布演算部は、前記プラント３ＤモデルＤＢに記憶された３Ｄモデルを基にして前記プラント全体での機器・配管の３次元モデルを切断するための切断モデルを演算し、前記各機器・配管の放射性物質推定付着量を演算することで前記収納容器外表面の線量率空間分布を演算し、かつ前記プラント全体で前記収納容器の総数が少なくなるよう前記各機器・配管の線量率の強度に応じた配置位置および組み合わせを演算する
ことを特徴とする放射性廃棄物収納計画支援システム。
【請求項５】
請求項１に記載の放射性廃棄物収納計画支援システムにおいて、
前記線量率空間分布演算部で演算された前記収納容器の外表面の線量率空間分布を実測する計測部を更に備えた
ことを特徴とする放射性廃棄物収納計画支援システム。
【請求項６】
請求項１に記載の放射性廃棄物収納計画支援システムにおいて、
前記演算部は、前記各機器・配管の重量、充填率、放射能量および表面線量率を参照しながら、前記各機器・配管の線量率の強度に応じた配置位置および組み合わせを演算する
ことを特徴とする放射性廃棄物収納計画支援システム。
【請求項７】
請求項１に記載の放射性廃棄物収納計画支援システムにおいて、
前記演算部で演算された各機器・配管の切断モデルから前記各機器・配管の切断回数および作業位置を求め、この求めた切断回数および作業位置の情報から前記放射性廃棄物の廃棄作業時の推定被ばく量を演算する被ばく量予測演算部と、
この被ばく量予測演算部で演算された前記推定被ばく量を表示する表示部とを更に備えた
ことを特徴とする放射性廃棄物収納計画支援システム。
【請求項８】
請求項１に記載の放射性廃棄物収納計画支援システムにおいて、
前記線量率空間分布演算部は、更に、前記演算部で演算された前記各機器・配管の線量率の強度に応じた配置位置および組み合わせ毎に、前記各機器・配管を収納する収納容器の内部の線量率空間分布を演算し、
この線量率空間分布演算部で演算された前記収納容器の内部の線量率空間分布を表示する表示部を更に備えた
ことを特徴とする放射性廃棄物収納計画支援システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
詰込状態表示部１０３ｄは、詰込状態生成処理部１０３で生成された詰込状態モデルおよび空間線量率計算処理部（線量率空間分布演算部）１０５で演算された各機器・配管を詰め込んだ状態での収納容器の表面線量率や収納容器の内部の線量率空間分布を表示する。詰込順制御結果表示部１０７ｄは、詰込順制御処理部１０７で生成された詰込順序や作業者の放射性廃棄物廃棄作業時の推定被ばく量を表示する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次いで、放射性廃棄物収納計画支援システムの詰込状態生成処理部１０３において、ステップＳ１０２で切断モデル生成処理部１０２において生成された機器・配管の切断モデルと、ステップＳ１０１で残存放射能データ割当部１０１で割り当てられた汚染残存放射能のデータとから、各機器・配管の汚染残存放射能のレベルを分類するとともに、機器・配管の切断モデルを生成し、詰込状態表示部１０３ｄに結果を表示する（ステップＳ１０３）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
これに対し、ステップＳ１０６において表面線量率がしきい値より小さくなると判定されるときは、放射性廃棄物収納計画支援システムの表面線量率判定部１０６において、線量率計測部１０６ｄで実際に各機器・配管の線量率を測定し、実測した線量率と先のステップＳ１０１の割当処理において割り当てた線量率とが一致、あるいは十分に近いか否かを判定する（ステップＳ１０６Ａ）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
次いで、詰込順制御処理部１０７において、収納容器内の線源付着と充填材の詰め方などの情報を整理して、詰込順制御結果表示部１０７ｄに結果を表示（ステップＳ１０７６）し、処理を終了する。