【手続補正書】
【提出日】平成29年8月22日(2017.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面とその反対側の第２面とを有する半導体層と、
前記半導体層の前記第１面側に配された第１導電パターン及び第２導電パターンと、
前記半導体層を貫通して前記第１導電パターンに接続された第１導電体と、
前記半導体層を貫通して前記第２導電パターンに接続された第２導電体と、
を備え、
前記第１導電体及び前記第２導電体を通り且つ前記第１面に対して垂直な断面において、前記半導体層には、それぞれ、前記半導体層を貫通する、第１の溝、第２の溝、及び第３の溝が設けられ、
前記断面において、前記第１の溝は、前記第１導電体と前記第２導電体との間に位置し、
前記断面において、前記第１導電体は、前記第２の溝と前記第１の溝の間に位置し、
前記断面において、前記第２導電体は、前記第１の溝と前記第３の溝の間に位置し、
前記断面において、前記第１導電体は、前記第１の溝側の側面および前記第２の溝側の側面の双方で前記半導体層に直接接触し、且つ、前記第２導電体は、前記第１の溝側の側面および前記第３の溝側の側面の双方で前記半導体層に直接接触している
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記断面において、前記半導体層の、前記第１導電体に接する第１部分と、前記半導体層の、前記第２の溝に対して前記第１導電体と反対側に位置する第２部分とは、電気的に分離され、
前記断面において、前記半導体層の、前記第２導電体に接する第３部分と、前記半導体層の、前記第３の溝に対して、前記第２導電体と反対側に位置する第４部分とは、電気的に分離されている請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記半導体層は光電変換部を有する請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記半導体層の前記第１面側に配され、複数の金属配線層及び複数の絶縁層を有する多層配線層を有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記金属配線層は、前記第１導電パターン及び前記第２導電パターンを含む請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記多層配線層は、半導体層と接する絶縁層を有し、前記第１乃至前記第３の溝の少なくとも１つは、前記絶縁層の内部まで到達する請求項４または５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
第１面とその反対側の第２面とを有する第１半導体層と、
前記第１半導体層の前記第１面側に配された第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層の間に配された第１導電パターン及び第２導電パターンと、
前記第１半導体層を貫通して前記第１導電パターンに接続された第１導電体と、
前記第１半導体層を貫通して前記第２導電パターンに接続された第２導電体と、
を備え、
前記第１導電体及び前記第２導電体を通り且つ前記第１面に対して垂直な断面において、前記第１半導体層には、それぞれ、前記第１半導体層を貫通する、第１の溝、第２の溝、及び第３の溝が設けられ、
前記断面において、前記第１の溝は、前記第１導電体と前記第２導電体との間に位置し、
前記断面において、前記第１導電体は、前記第２の溝と前記第１の溝の間に位置し、
前記断面において、前記第２導電体は、前記第１の溝と前記第３の溝の間に位置し、
前記断面において、前記第１導電体は、前記第１の溝側の側面および前記第２の溝側の側面の双方で前記第１半導体層に直接接触し、且つ、前記第２導電体は、前記第１の溝側の側面および前記第３の溝側の側面の双方で前記第１半導体層に直接接触している
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
前記断面において、前記第１半導体層の、前記第１導電体に接する第１部分と、前記第１半導体層の、前記第２の溝に対して前記第１導電体と反対側に位置する第２部分とは、電気的に分離され、
前記断面において、前記第１半導体層の、前記第２導電体に接する第３部分と、前記第１半導体層の、前記第３の溝に対して、前記第２導電体と反対側に位置する第４部分とは、電気的に分離されている請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第１半導体層は光電変換部を有する請求項７または８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１半導体層と前記第２半導体層の間に配され、複数の金属配線層及び複数の絶縁層を有する第１多層配線層を有する請求項７乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第１多層配線層の複数の絶縁層は、前記第１半導体層と接する絶縁層を有し、
前記第１乃至前記第３の溝の少なくとも１つは、前記絶縁層の内部まで到達する請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第１多層配線層と前記第２半導体層の間に配され、複数の金属配線層及び複数の絶縁層を有する第２多層配線層を有する請求項１０または１１に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記第１多層配線層の前記複数の金属配線の１つと、前記第２多層配線層の前記複数の金属配線の１つとが、接する請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記第１多層配線層の前記複数の金属配線の前記１つと、前記第２多層配線層の前記複数の金属配線の前記１つとは、プラグを介さずに直接接する請求項１３に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記第１多層配線層及び前記第２多層配線層を含む断面において、前記第１多層配線層の前記複数の金属配線の前記１つの端部と、前記第２多層配線層の前記複数の金属配線の前記１つの端部は、ずれている請求項１３または１４に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記第２多層配線層の前記複数の金属配線層は、前記第１導電パターン及び前記第２導電パターンを含む請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
前記第２半導体層は、トランジスタの半導体領域を有し、前記第１導電パターンは、前記トランジスタに電気的に接続される請求項７乃至１６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１８】
前記第２半導体層は、トランジスタの半導体領域を有する請求項７乃至１６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１９】
前記第１導電体と前記第２導電体は、電気的に導通していない請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、固体撮像装置に係り、第１面とその反対側の第２面とを有する半導体層と、前記半導体層の前記第１面側に配された第１導電パターン及び第２導電パターンと、前記半導体層を貫通して前記第１導電パターンに接続された第１導電体と、前記半導体層を貫通して前記第２導電パターンに接続された第２導電体と、を備え、前記第１導電体及び前記第２導電体を通り且つ前記第１面に対して垂直な断面において、前記半導体層には、それぞれ、前記半導体層を貫通する、第１の溝、第２の溝、及び第３の溝が設けられ、前記断面において、前記第１の溝は、前記第１導電体と前記第２導電体との間に位置し、前記断面において、前記第１導電体は、前記第２の溝と前記第１の溝の間に位置し、前記断面において、前記第２導電体は、前記第１の溝と前記第３の溝の間に位置し、前記断面において、前記第１導電体は、前記第１の溝側の側面および前記第２の溝側の側面の双方で前記半導体層に直接接触し、且つ、前記第２導電体は、前記第１の溝側の側面および前記第３の溝側の側面の双方で前記半導体層に直接接触していることを特徴とする。