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【手続補正書】
【提出日】平成29年1月10日(2017.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
スピーカー駆動増幅器であって、バッファーアンプと、電流加算部と、抵抗からなる電流負帰還部と、電流―電圧変還部と、電圧増幅部とを具備し、当該電圧増幅部の開ループ利得の設定に合わせることで低域の音圧レベルを、任意に設定する手段を設けることを特徴とする電流負帰還電流駆動増幅器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
バッファーアンプ機能を含むオーディオ信号電流変換増幅器であって、当該バッファーアンプのＳＥＰＰ部を構成する出力抵抗を赤熱させる手段と、当該ＳＥＰＰ部の出力抵抗部へスピーカー電流を入力加算するための入力手段と、当該バッファーアンプの入力端子からのオーディオ信号が当該ＳＥＰＰ部出力抵抗に流れ込む電流を検知し、これを出力する手段とを設けることを特徴とするオーディオ電流変換増幅器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
スピーカー駆動増幅器であって、バッファーアンプと、電流加算部と、当該バッファーアンプの出力部を流れる電流検知部と、電流―電圧変還部と、電圧増幅部と、電流負帰還部を具備し、前記電圧増幅部の出力端とアース間よりボイスコイルを駆動するためのスピーカー駆動電圧出力を取り出し、前記電圧増幅部の出力端と前記バッファーアンプの出力部の端子との間からボイスコイルを駆動するためのスピーカー電流駆動出力を取り出し、電流駆動―電圧駆動増幅器の機能を有することを特徴とするスピーカー駆動増幅器。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
スピーカー駆動増幅器であって、バッファーアンプと、電流加算部と、電流―電圧変還部と、スピーカーユニット出力端子と直列につながる抵抗とからなる負帰還部と、電圧増幅部とで構成する電流負帰還―電流駆動増幅器であって、出力端子に接続し駆動するためスピーカーユニットの電気インピーダンスの値が、当該電圧増幅器の開ループ利得と当該直列につながる抵抗値とを乗じた値と略等しいものとする手段を設けることを特徴とするスピーカー電流負帰還―電流増幅器。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項４に記載の電流駆動―電圧駆動増幅器であって、共振周波数ｆｏを有するスピーカーユニットと直列につながる抵抗とから成る負帰還部と、当該スピーカーユニットと略等しい共振周波数ｆｏｏをもつスピーカーユニットを、その電圧増幅器の出力端子とアース間に接続し、カレントミラー増幅器の手段を有するオーディオシステム。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】    請求項１について本発明は前記課題の解決のため以下の手段を案出した。
スピーカー駆動増幅器であって、バッファーアンプと、電流加算部と、抵抗からなる電流負帰還部と、電流―電圧変還部と、電圧増幅部とを具備し、当該電圧増幅部の開ループ利得の設定に合わせることで低域の音圧レベルを、任意に設定する手段を設けることを特徴とする電流負帰還電流駆動増幅器。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】    請求項２について本発明は前記課題の解決のため以下の手段を案出した。
バッファーアンプ機能を含むオーディオ信号電流変換増幅器であって、当該バッファーアンプのＳＥＰＰ部を構成する出力抵抗を赤熱させる手段と、当該ＳＥＰＰ部の出力抵抗部へスピーカー電流を入力加算するための入力手段と、当該バッファーアンプの入力端子からのオーディオ信号が当該ＳＥＰＰ部出力抵抗に流れ込む電流を検知し、これを出力する手段とを設けることを特徴とするオーディオ電流変換増幅器。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】請求項４につて本発明は前記課題の解決のため以下の手段を案出した。
スピーカー駆動増幅器であって、バッファーアンプと、電流加算部と、当該バッファーアンプの出力部を流れる電流検知部と、電流―電圧変還部と、電圧増幅部と、電流負帰還部を具備し、前記電圧増幅部の出力端とアース間よりボイスコイルを駆動するためのスピーカー駆動電圧出力を取り出し、前記電圧増幅部の出力端と前記バッファーアンプの出力部の端子との間からボイスコイルを駆動するためのスピーカー電流駆動出力を取り出し、電流駆動―電圧駆動増幅器の機能を有することを特徴とするスピーカー駆動増幅器。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】請求項５について本発明は前記課題の解決のため以下の手段を案出した。
スピーカー駆動増幅器であって、バッファーアンプと、電流加算部と、電流―電圧変還部と、スピーカーユニット出力端子と直列につながる抵抗とからなる負帰還部と、電圧増幅部とで構成する電流負帰還―電流駆動増幅器であって、出力端子に接続し駆動するためスピーカーユニットの電気インピーダンスの値が、当該電圧増幅器の開ループ利得と当該直列につながる抵抗値とを乗じた値と略等しいものとする手段を設けることを特徴とするスピーカー電流負帰還―電流増幅器。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】  請求項６について本発明は前記課題の解決のため以下の手段を案出した。
請求項４に記載の電流駆動―電圧駆動増幅器であって、共振周波数ｆｏを有するスピーカーユニットと直列につながる抵抗とから成る負帰還部と、当該スピーカーユニットと略等しい共振周波数ｆｏｏをもつスピーカーユニットを、その電圧増幅器の出力端子とアース間に接続し、カレントミラー増幅器の手段を有するオーディオシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月29日(2017.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化ケイ素を堆積させる方法であって、以下の工程、
ａ．基材を反応器内に用意する工程、
ｂ．少なくとも１つの固着官能基及び不動態化官能基を含む少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程であって、該酸素源が、水、酸素（Ｏ２）、酸素プラズマ、オゾン（Ｏ３）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、工程、及び
ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み、所望の厚さが堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され、
６００〜８００℃の範囲のプロセス温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの範囲の圧力で実施される、酸化ケイ素を堆積させる方法であって、
前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、エチルメチルアミノトリメチルシラン、ｔ−ブチルアミノトリメチルシラン、イソ−プロピルアミノトリメチルシラン、ジ−イソプロピルアミノトリメチルシラン、ピロリジノトリメチルシラン、２，６−ジメチルピペリジノトリメチルシラン、２−メチルピロリジノトリメチルシラン、および２，５−ジメチルピロリジノトリメチルシランからなる群から選択される少なくとも１つである、方法。
【請求項２】
前記パージガスが、窒素、ヘリウムおよびアルゴンからなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記酸素プラズマが、インサイチュまたはリモートプラズマのいずれかで発生される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記プロセス温度が、６００〜８００℃の範囲である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも1つのケイ素前駆体が、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、ピロリジノトリメチルシランからなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、ジエチルアミノトリメチルシランからなる群から選択される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、ジメチルアミノトリメチルシランからなる群から選択される、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、ピロリジノトリメチルシランからなる群から選択される、請求項５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月17日(2017.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定基板上に分離層を介して第１の樹脂基板を設け、
前記第１の樹脂基板上に半導体素子を形成し、
レーザー光の照射及び流体を噴射することにより、前記固定基板と前記第１の樹脂基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
固定基板上に分離層を介して第１の樹脂基板を設け、
前記第１の樹脂基板上に半導体素子を形成し、
前記半導体素子上にＥＬ素子を形成し、
レーザー光の照射及び流体を噴射することにより、前記固定基板と前記第１の樹脂基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
固定基板上に分離層を介して第１の樹脂基板を設け、
前記第１の樹脂基板上に半導体素子を形成し、
前記半導体素子上にＥＬ素子を形成し、
前記ＥＬ素子上に接着層を用いて第２の樹脂基板を貼り合わせ、
前記貼り合わせ後、レーザー光の照射及び流体を噴射することにより、前記固定基板と前記第１の樹脂基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の樹脂基板はポリイミド層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記固定基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月29日(2016.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含むフルオロアシルアリールアミンを含む固体構造を含む有機電子デバイス：
【化１】
2014103392.tif 000001
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のそれぞれは、フェニル基のいずれかの部位に位置し、１つ以上の水素原子、ハロゲン、１〜８個の炭素原子を有する炭化水素であって、これは、置換であることができ、またはヘテロ原子または、ヒドロキシル基、カルボニル基、ハロゲン、またはアミノ基を含む官能基を含有できる炭化水素であり、ｎは、１、２または３であり、１つ以上のフルオロアシル部分が１つ以上のフェニル基またはフェニレン基に結合されている。
【請求項２】
前記フルオロアシルアリールアミンを含む電荷輸送層をさらに含む、請求項１に記載の有機電子デバイス。
【請求項３】
以下を含む、請求項１に記載の有機電子デバイス：
【化２】
2014103392.tif 000002
。
【請求項４】
以下を含む、請求項１に記載の有機電子デバイス：
【化３】
2014103392.tif 000003
。
【請求項５】
以下の構造Ａ、ＢまたはＣを含むフルオロアシルアリールアミンを含む固体構造を含む有機電子デバイス：
【化４】
2014103392.tif 000004
式中、Ｙは、水素、Ｃ1−Ｃ5アルキル、Ｃ3−Ｃ7環状アルキル、Ｃ1−Ｃ4アルコキシ、ヒドロキシ、ω−ヒドロキシ置換Ｃ2−Ｃ8アルキル、ハロゲンまたは場合によりＣ1−Ｃ5アルキルで置換されたアリールであり、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3はそれぞれ、水素、Ｃ1−Ｃ5アルキル、Ｃ3−Ｃ7環状アルキル、Ｃ1−Ｃ4アルコキシ、ヒドロキシ、ω−ヒドロキシ置換Ｃ2−Ｃ8アルキル、ハロゲンまたは場合によりＣ1−Ｃ5アルキルで置換されたアリールであり、Ｒ4は、Ｃ1−Ｃ5アルキル、Ｃ3−Ｃ7環状アルキル、ヒドロキシ、ω−ヒドロキシ置換Ｃ2−Ｃ8アルキル、ハロゲンまたは場合によりＣ1−Ｃ5アルキルで置換されたアリールであり、ｎは１、２または３であり、１つ以上のフルオロアシル部分が１つ以上のフェニル基またはフェニレン基に結合されている。
【請求項６】
構造Ｂが以下を含む、請求項５に記載の有機電子デバイス：
【化５】
2014103392.tif 000005
。
【請求項７】
構造Ａまたは構造Ｂが以下を含む、請求項５に記載の有機電子デバイス：
【化６】
2014103392.tif 000006
。
【請求項８】
構造Ｂにおいて、Ｙがメチルである、請求項５に記載の有機電子デバイス。
【請求項９】
前記フルオロアシルアリールアミンが以下を含む、請求項１に記載の有機電子デバイス：
【化７】
2014103392.tif 000007
。
【請求項１０】
前記フルオロアシルアリールアミンが以下を含む、請求項１に記載の有機電子デバイス：
【化８】
2014103392.tif 000008
。
【請求項１１】
前記フルオロアシルアリールアミンが以下を含む、請求項１に記載の有機電子デバイス：
【化９】
2014103392.tif 000009
。
【請求項１２】
前記フルオロアシルアリールアミンが以下を含む、請求項１に記載の有機電子デバイス：
【化１０】
2014103392.tif 000010
式中、Ｘは、フルオロアシル基または水素であり、フルオロアシル基の数は１〜４の範囲である。
【請求項１３】
フルオロアシルアリールアミンを含む有機電子デバイスであって、前記フルオロアシルアリールアミンが以下を含む：
【化１１】
2014103392.tif 000011
式中、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3はそれぞれ、水素、Ｃ1−Ｃ5アルキル、Ｃ3−Ｃ7環状アルキル、Ｃ1−Ｃ4アルコキシ、ヒドロキシ、ω−ヒドロキシ置換Ｃ2−Ｃ8アルキル、ハロゲンまたは場合によりＣ1−Ｃ5アルキルで置換されたアリールであり、少なくとも１つのフェニル基またはフェニレン基が少なくとも１つのフルオロアシル部分を有する。
【請求項１４】
光起電性デバイスを含み、電磁放射線にしたがって電子またはホールが輸送される、請求項１１に記載の有機電子デバイス。
【請求項１５】
発光ダイオード、光検出器、または液晶ディスプレイを含む、請求項１３に記載の有機電子デバイス。
【請求項１６】
半導体を含む、請求項１３に記載の有機電子デバイス。
【請求項１７】
前記フルオロアシルアリールアミンを含む電荷輸送層をさらに含む、請求項１３に記載の有機電子デバイス。
【請求項１８】
フォトレジスタを含む、請求項１３に記載の有機電子デバイス。
【請求項１９】
前記フルオロアシルアリールアミンが以下を含み、
【化１２】
2014103392.tif 000012
１つ以上のフルオロアシル部分が１つ以上のフェニル基に結合されている、請求項１３に記載の有機電子デバイス。
【請求項２０】
エネルギー貯蔵デバイスを含む、請求項１３に記載の有機電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月1日(2017.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
昨今、スマートホン等の通信端末の利用が盛んになっており、通信端末を利用して様々なサービスが実現されている。
しかし、ユーザの利用する通信端末には様々な種類が存在し、その機能も多彩である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
例えば、近接通信（ＮＦＣ：Ｎｅａｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）機能を有する端末と、持たない端末が混在する。
また、通信端末内のメモリや通信端末に着脱可能な外部メモリにセキュア領域を設け、特定のアルゴリズムに従った処理を実行してデータ書き込みやデータ読み取りを行うセキュアメモリシステムを搭載した端末と、持たない端末がある。
また、セキュアメモリシステムにも様々なタイプがあり、各タイプによって異なるアルゴリズムに従ったメモリアクセス処理が実行される。
なお、通信端末の処理やシステム構成について開示した従来技術としては例えは特許文献１（特開２０１３−２５７６３２号公報）がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
ブラウザ７１は、例えば外部サーバの提供するＷｅｂページ（サイト）を閲覧するためのプログラムである。
なお、ブラウザ７１の代わりに、外部サーバの提供するアプリケーション（外部サービス提供サーバアプリケーション）を実行して外部サーバの提供するＷｅｂページ（サイト）を閲覧する等、外部サーバと連携する構成としてもよい。
セキュアメモリに対するアクセスを伴うデータ処理の実行アプリケーションであるクライアントアプリケーション７３は、例えばブウザ７１による起動処理がなされる。例えばブラウザによって表示される表示画面上のアプリケーション起動アイコンのタッチ処理などによって起動される。クライアントアプリケーションによる処理が終了すると、ブラウザ７１に復帰する。
なお、具体的な処理シーケンスについては、後段において、図５以下を参照して説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
（ステップＳ１０３）
次に、管理サーバ４０は、ステップＳ１０３においてセッション生成を行う。セッション情報は、サービス提供サーバ３０を経由して通信端末２０のクライアントアプリケーションに通知される。
この結果として、管理サーバ４０、サービス提供サーバ３０、および通信端末２０のクライアントアプリケーション間でセッションが共有される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
（ステップＳ１０９）
管理サーバ４０は、ステップＳ１０８で通信端末２０から受領した通信端末情報に基づいて、サービス提供サーバ３０がステップＳ１０２において通知してきた通信端末２０からの処理要求に応じた処理を実行するための処理コマンドを生成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
（ステップＳ１１２）
次に通信端末２０のクライアントアプリケーションは、ステップＳ１１２において、管理サーバ４０から受信したコマンドの実行処理の結果を管理サーバ４０に通知する。ステップＳ１１２において、ステップＳ１１１で通信端末２０内でのデバイス処理が失敗した旨の通知を管理サーバ４０が受信した際に、管理サーバ４０が再度異なるサービスデータを生成して通信端末２０へ送信してもよい。例えば、ステップＳ１１１において通信端末２０が埋め込み型セキュアエレメントおよび／または着脱可能型セキュアエレメントへのサービスデータの書き込み処理に失敗したことをステップＳ１１２において管理サーバ４０に通知された場合に、管理サーバ４０がセキュアでないメモリ領域に記録するサービスデータ（例えば、二次元バーコード）を生成して通信端末２０へ送信する。なお、セキュアでないメモリ領域に記録するサービスデータはあらかじめ格納していたものを通信端末２０へ送信するようにしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図から理解されるように、サービス提供サーバ３０と、通信端末２０間で実行する通信は、以下の通信のみである。
（ステップＳ１０１）通信端末２０からサービス提供サーバ３０に対する処理要求、
（ステップＳ１０５）サービス提供サーバ３０から通信端末２０に対するアプリ起動指示、
（ステップＳ１１５）通信端末２０からサービス提供サーバ３０に対する処理完了通知、
（ステップＳ１１８）サービス提供サーバ３０から通信端末２０に対するコマンド処理結果の応答、
サービス提供サーバ３０と、通信端末２０間で実行する通信は、上記の通信のみであり、サービス提供サーバ３０は、通信端末２０の機能判別等の処理を行なう必要がなく、処理負担が軽減される。なお、ステップＳ１０５の通信端末２０に対するアプリ起動指示は、管理サーバ４０が通信端末２０に対して直接行ってもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2015195445.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月21日(2017.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
その一方で、図６のロスレス圧縮をロッシー圧縮処理部６２で利用すると、第１ブロックＢＬ１内で右側に行くほど誤差が蓄積されていく、換言すれば第１ブロックＢＬ１内で誤差が右側に拡散していく場合がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
図３９に、ビット削減処理によって生成された圧縮データを復元した場合の数値例を示す。なお、復元処理では、５ビットから成る圧縮後の画素値に対して下位３ビットとして“０００”を合成するものとする。また、図４０に、圧縮前後の画像データの誤差を示す。図４０によれば、誤差の絶対値の和は２３６となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
なお、Ｃｂ成分およびＣｒ成分に対しても、同様のビット削減処理を適用可能である。また、ビット削減処理を有するロッシー圧縮処理部６２ｅを、他のロッシー圧縮処理部と組み合わせてもよい。また、ビット削減処理を各種処理（例えば図１０〜図１３を参照）と組み合わせることによって、別のロッシー圧縮処理部６２を構成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月16日(2017.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷装置であって、
負荷と、
印刷部と、
表示部と、
タッチセンサと、
人感センサと、
前記人感センサの検知結果に基づいて、前記表示部を消灯したまま、前記負荷に電力が供給されるよう制御する電力制御手段と、
前記タッチセンサの検知結果に基づいて、前記表示部を点灯する表示制御手段と、
前記表示制御手段によって点灯された前記表示部に表示された所定の画面の操作に基づいて、前記印刷部が所定動作を実行するよう制御する印刷制御手段と、を備えることを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
前記印刷制御手段は、前記所定の画面の特定のボタンの操作に基づいて、前記印刷部が前記所定動作を実行するよう制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】
前記所定の画面は、少なくともコピー機能を実行するためのコピーボタン及びスキャン機能を実行するためのスキャンボタンを含むメニュー画面であって、
前記印刷制御手段は、前記所定の画面の前記コピーボタンの操作に基づいて、前記印刷部が前記所定動作を実行するよう制御する、ことを特徴とする請求項２に記載の印刷装置。
【請求項４】
前記印刷制御手段は、印刷の実行指示を受信する前に、前記印刷部が前記所定動作を実行するよう制御する、ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項５】
前記負荷は、前記印刷装置を制御する制御手段である、ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項６】
前記表示部はバックライトを有し、
前記表示制御手段は、前記タッチセンサの検知結果に基づいて、前記バックライトを点灯する、ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項７】
前記表示制御手段が前記タッチセンサの検知結果に基づいて前記表示部を点灯して前記所定の画面を表示する際に、前記印刷部は、前記所定動作を実行しない、ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項８】
前記印刷部は、定着部を有し、
前記所定動作は、前記定着部の駆動である、ことを特徴とする請求項７に記載の印刷装置。
【請求項９】
前記印刷部は、ヒータを有し、
前記所定動作は、前記ヒータの加熱である、ことを特徴とする請求項７に記載の印刷装置。
【請求項１０】
前記印刷部は、ポリゴンミラーを有し、
前記所定動作は、前記ポリゴンミラーの回転である、ことを特徴とする請求項７に記載の印刷装置。
【請求項１１】
前記人感センサは、超音波センサである、ことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項１２】
前記人感センサは、赤外線センサである、ことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項１３】
前記人感センサは、静電容量センサである、ことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項１４】
印刷装置の制御方法であって、
人感センサの検知結果に基づいて、表示部を消灯したまま、負荷に電力を供給するステップと、
前記表示部のタッチセンサの検知結果に基づいて、前記表示部を点灯して所定の画面を表示するステップと、
前記所定の画面の操作に基づいて、印刷部が所定動作を実行するよう制御するステップと、を有することを特徴とする印刷装置の制御方法。
【請求項１５】
印刷装置であって、
負荷と、
表示部と、
タッチセンサと、
人感センサと、
前記人感センサからの出力に基づいて、前記負荷に電力が供給されるよう制御する電力制御手段と、を備え、
前記表示部は、前記人感センサからの出力では点灯しないが、前記タッチセンサからの出力では点灯する、ことを特徴とする印刷装置。
【請求項１６】
印刷部と、
前記タッチセンサからの出力で点灯した前記表示部に表示された所定の画面の操作に基づいて、前記印刷部が所定動作を実行するよう制御する印刷制御手段と、をさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載の印刷装置。
【請求項１７】
前記所定動作は、前記人感センサからの出力でも、前記表示部の消灯中の前記タッチセンサからの出力でも、実行されない、ことを特徴とする請求項１５及び１６に記載の印刷装置。
【請求項１８】
前記印刷部は、定着部を有し、
前記所定動作は、前記定着部の駆動である、ことを特徴とする請求項１７に記載の印刷装置。
【請求項１９】
前記印刷部は、ヒータを有し、
前記所定動作は、前記ヒータの加熱である、ことを特徴とする請求項１７に記載の印刷装置。
【請求項２０】
前記印刷部は、ポリゴンミラーを有し、
前記所定動作は、前記ポリゴンミラーの回転である、ことを特徴とする請求項１７に記載の印刷装置。
【請求項２１】
前記人感センサは、超音波センサである、ことを特徴とする請求項１５乃至２０の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項２２】
前記人感センサは、赤外線センサである、ことを特徴とする請求項１５乃至２０の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項２３】
前記人感センサは、静電容量センサである、ことを特徴とする請求項１５乃至２０の何れか１項に記載の印刷装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷装置、及び、印刷装置の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、人感センサを備えた印刷装置、印刷装置の制御方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の印刷装置は、負荷と、印刷部と、表示部と、タッチセンサと、人感センサと、前記人感センサの検知結果に基づいて、前記表示部を消灯したまま、前記負荷に電力が供給されるよう制御する電力制御手段と、前記タッチセンサの検知結果に基づいて、前記表示部を点灯する表示制御手段と、前記表示制御手段によって点灯された前記表示部に表示された所定の画面の操作に基づいて、前記印刷部が所定動作を実行するよう制御する印刷制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月7日(2017.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、電源電圧が供給されている期間においてデータを保持する機能を有し、
前記第２の回路は、第３の回路と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第３の回路は、第１の電位または第２の電位のいずれか一方を選択する機能を有し、
前記第１の電位は、前記データに対応した電位であり、
前記第１のトランジスタは、前記第３の回路において選択された前記第１の電位または前記第２の電位のいずれか一方の、前記容量素子への供給を制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記容量素子に保持される電位に従って、第３の電位の前記第１の回路への供給を制御する機能を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有する記憶装置。
【請求項２】
第１の回路と、第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、電源電圧が供給されている期間においてデータを保持する機能を有し、
前記第２の回路は、第３の回路と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第３の回路は、第１の電位または第２の電位のいずれか一方を選択する機能を有し、
前記第１の電位は、前記データに対応した電位であり、
前記第１のトランジスタは、前記第３の回路において選択された前記第１の電位または前記第２の電位のいずれか一方の、前記容量素子への供給を制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記容量素子に保持される電位に従って導通状態が制御され、
前記第３のトランジスタは、前記第２のトランジスタと前記第１の回路との間に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは、第３の電位の前記第１の回路への供給を制御する機能を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有する記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月16日(2017.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
第１の開孔部が、前記第１のゲート絶縁層及び前記第２のゲート絶縁層の中に設けられ、
第２の開孔部が、前記第１のゲート絶縁層及び前記第２のゲート絶縁層の中に設けられ、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の開孔部と前記第２の開孔部の間に位置し、
前記第１の開孔部及び前記第２の開孔部を介して、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極は、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜上に設けられ、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜の全体が、前記第１のゲート電極と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１のゲート絶縁膜は、第１の酸化物絶縁膜と第１の窒化物絶縁膜とを有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、第２の酸化物絶縁膜と第２の窒化物絶縁膜とを有し、
前記第１の窒化物絶縁膜は、前記第２の窒化物絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２のゲート電極は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、チャネル領域を含み、
前記チャネル領域のチャネル長は０．５μｍ以上６．５μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月17日(2017.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明によれば、保存後の電池の正極抵抗を低減できる電池用非水電解液及びリチウム二次電池を提供することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
ニトリル化合物としては、本発明の効果がより効果的に奏される点で、スクシノニトリル、アジポニトリル、プロピオニトリルが特に好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
以上で説明した添加剤Ｂは、本発明の効果がより効果的に奏される点で、スクシノニトリル、アジポニトリル、プロピオニトリル、１、３−ジオキサン、及び２−メチルテトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが特に好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
＜非水電解液の調製＞
非水溶媒としてエチレンカーボネート（ＥＣ）とジメチルカーボネート（ＤＭＣ）とメチルエチルカーボネート（ＥＭＣ）とをそれぞれ３０：３５：３５（質量比）の割合で混合し、混合溶媒を得た。
得られた混合溶媒中に、電解質であるＬｉＰＦ６を、最終的に得られる非水電解液中における電解質濃度が１モル／リットルとなるように溶解させた。
上記で得られた溶液に対して、添加剤Ａ（環状硫酸エステル化合物）としての上記例示化合物Ａ−１（添加量０．５ｗｔ％）、及び、添加剤Ｂとしてのアジポニトリル（添加量０．２ｗｔ％）をそれぞれ添加し、非水電解液を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月21日(2017.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示素子を含む画素が複数個配列した画素領域が設けられた樹脂材料でなる第１の基板を備え、
前記第１の基板の外周側面が傾斜面であり、前記第１の基板の上層、下層及び前記外周側面を覆うバリア層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記バリア層は、前記第１の基板の下層に設けられた第１のバリア層と、前記第１の基板の上層に設けられた第２のバリア層とを有し、
前記第２のバリア層は、前記外周側面に沿って設けられ、前記第１の基板の外側領域で前記第１のバリア層と接していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記バリア層が、無機材料であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記無機材料が、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン及び酸化アルミニウムのうち少なくとも一種であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の基板と前記第２のバリア層との間に、金属材料でなる第３のバリア層がさらに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第３のバリア層の外側領域で、前記第１のバリア層と前記第２のバリア層が接していることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記金属材料がチタン（Ｔｉ）であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の基板と対向して配置され、前記画素領域を内設するように設けられた第２の基板をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２の基板は樹脂材料で形成され、前記第２の基板の外周側面が傾斜面であり、前記外周側面及び前記第１の基板と対向する面に、第４のバリア層を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記画素領域は、トランジスタを形成する複数の層を含み、
前記トランジスタのチャネルを形成する半導体層とゲート電極との間のゲート絶縁層、および前記トランジスタの前記ゲート電極とソース又はドレイン電極との間の層間絶縁層との一方又は双方が、前記第１の基板の外周側面まで延長して設けられ、前記外周側面において前記バリア層と積層されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記画素領域を被覆するパッシベーション層を含み、
前記パッシベーション層が、前記第１の基板の外周側面まで延長して設けられ、前記外周側面において前記パッシベーション層が前記バリア層と積層されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記表示素子が、有機エレクトロルミネセンス素子又は液晶素子であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月21日(2017.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の製造方法、及び表示装置用マザー基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に樹脂膜を形成し、
前記樹脂膜の上に複数の発光素子を形成し、
前記樹脂膜の表面に、前記複数の発光素子をそれぞれ多重に囲む複数の第１溝部を形成し、
前記複数の第１溝部のうち、前記複数の発光素子の一との距離が最も小さい第１溝部を除く、いずれか１つの第１溝部と重畳する位置で前記基板を切断し、
前記基板を前記樹脂膜から剥離することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１溝部は、前記複数の発光素子をそれぞれ多重に囲む格子形状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１溝部は、前記複数の発光素子をそれぞれ多重に囲む矩形形状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
複数の前記第１溝部に対してそれぞれ略直交する複数の第２溝部をさらに形成することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂膜の上にガスバリア層をさらに形成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記ガスバリア層として、前記樹脂膜の上に、順にＳｉＮ層と第１のＳｉＯ2層とを積層して形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記ガスバリア層として、前記樹脂膜の上に、順に第２のＳｉＯ2層と、ＳｉＮ層と、第１のＳｉＯ2層とを積層して形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂膜はポリイミド膜であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記発光素子に接続されるフレキシブル基板をさらに形成することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
基板と、
前記基板の上に形成された樹脂膜と、
前記樹脂膜の上に形成された複数の発光素子を含み、
前記樹脂膜の表面に、前記複数の発光素子をそれぞれ多重に囲む複数の第１溝部が形成されていることを特徴とする、表示装置用マザー基板。
【請求項１１】
前記第１溝部は、前記複数の発光素子をそれぞれ多重に囲む格子形状であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項１２】
前記第１溝部は、前記複数の発光素子をそれぞれ多重に囲む矩形形状であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項１３】
複数の前記第１溝部に対してそれぞれ略直交する複数の第２溝部をさらに有することを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置用マザー基板。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月9日(2017.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア粒子と、
前記コア粒子を被覆する第２の金属層と、
前記第２の金属層に配置される微粒子と、
前記第２の金属層と前記微粒子とを共に被覆する第１の金属層とを備える導電性粒子。
【請求項２】
前記微粒子は、圧着される電極よりもビッカース硬度が高い請求項１に記載の導電性粒子。
【請求項３】
前記微粒子は、耐酸性を有する請求項１から２のいずれかに記載の導電性粒子。
【請求項４】
前記第２の金属層は、延性のある金属によって形成されている請求項１から３のいずれかに記載の導電性粒子。
【請求項５】
前記第２の金属層の厚みが、２ｎｍ〜１２０ｎｍである請求項１から４のいずれかに記載の導電性粒子。
【請求項６】
前記第１の金属層の厚みが、５ｎｍ〜５００ｎｍである請求項１から５のいずれかに記載の導電性粒子。
【請求項７】
前記微粒子の粒径が、５０ｎｍ〜５００ｎｍである請求項１から６のいずれかに記載の導電性粒子。
【請求項８】
前記第１の金属層が、ニッケル、パラジウム、又はニッケル若しくはパラジウムを主成分とする合金である請求項１から７のいずれかに記載の導電性粒子。
【請求項９】
前記第２の金属層が、銅又は銅を主成分とする合金である請求項１から８のいずれかに記載の導電性粒子。
【請求項１０】
前記微粒子が、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、又は酸化チタンである請求項１から９のいずれかに記載の導電性粒子。
【請求項１１】
バインダー樹脂に請求項１から１０のいずれかに記載の導電性粒子が含有された導電性接着剤。
【請求項１２】
フィルム状である請求項１１に記載の導電性接着剤。
【請求項１３】
回路基板に請求項１１から１２のいずれかに記載の導電性接着剤の硬化物を介して電子部品が接続された、接続体。
【請求項１４】
回路基板上に、請求項１１から１２のいずれかに記載の導電性接着剤を介して電子部品を搭載し、
前記電子部品の上から熱圧着ツールによって加熱押圧し、前記回路基板及び前記電子部品の各電極間に前記導電性粒子が挟持された状態で前記バインダー樹脂を硬化させる工程を有する、回路基板に電子部品が接続された接続体の製造方法。
【請求項１５】
回路基板上に、請求項１１から１２のいずれかに記載の導電性接着剤を介して電子部品を搭載し、
前記電子部品の上から熱圧着ツールによって加熱押圧し、前記回路基板及び前記電子部品の各電極間に前記導電性粒子が挟持された状態で前記バインダー樹脂を硬化させる工程を有する、回路基板に電子部品を接続する接続方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月12日(2017.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆い、前記ゲート電極の上面及び側面の形状を反映した段差と、前記段差から前記ドレイン電極までの間に位置する平坦部とを表面に有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にレジストを塗布する工程と、
前記レジストに、開口部と、前記開口部につながると共にオーバーハング形状を備えた窓を形成する工程と、
前記レジストをマスクとして利用して、前記絶縁膜上に金属材料を被着させ、前記段差の側面から前記平坦部に向けて延在するフィールドプレートを形成する工程と、を備え、
前記窓は、前記段差の側面が前記窓の内側に位置し、前記ゲート電極の前記上面における前記ドレイン電極側の端部が前記窓の外側に位置する関係で設けられ、
前記金属材料は、前記フィールドプレートの前記ソース電極側における端部が、前記ゲート電極の前記上面における前記ドレイン電極側の端部よりも前記ドレイン電極側に位置する関係で被着される、
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記フィールドプレートの前記ソース電極側における端部の膜厚は、前記フィールドプレートの前記ドレイン電極側における端部の膜厚よりも厚い、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体層と、
前記半導体層上に設けられるソース電極と、
前記半導体層上に設けられるドレイン電極と、
前記半導体層上に設けられ、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極を覆い、前記ゲート電極の上面及び側面の形状を反映した段差と、前記段差から前記ドレイン電極までの間に位置する平坦部とを表面に有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記段差の側面であって前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記側面から前記ドレイン電極に向けて延在するフィールドプレートと、
を備え、
前記フィールドプレートの前記ソース電極側における端部は、前記ゲート電極の前記上面における前記ドレイン電極側の端部よりも前記ドレイン電極側に位置する、
半導体装置。
【請求項４】
前記フィールドプレートの前記ソース電極側における端部の膜厚は、前記フィールドプレートの前記ドレイン電極側における端部の膜厚よりも厚い、請求項３に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月27日(2017.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製のベース部と、
前記ベース部の側面に設けられ、前記ベース部の主面から底面に達する凹部と、
前記ベース部の主面上に、電子部品を囲んで設けられた枠部と、
前記枠部の内側と外側を通じて配置された誘電体と、前記誘電体上に位置し、前記枠部の内側と外側との間を電気的に接続する導電層とを有するフィードスルー部と、
前記導電層に接続されたリード端子と、
を備え、
前記凹部は、前記リード端子および前記導電層と重なる領域に位置しており、前記リード端子及び前記導電層と前記凹部との間には、前記誘電体が介在している電子部品搭載用パッケージ。
【請求項２】
前記導電層の端部は、前記誘電体の端部よりも内側に位置し、
前記リード端子は、前記導電層の端部よりも外側へ向かって延在しており、
前記導電層の端部よりも外側において、前記リード端子と前記誘電体との間に空隙が介在してなる請求項１に記載の電子部品搭載用パッケージ。
【請求項３】
前記リード端子は、前記誘電体の端部において、前記ベース部から離れる方向に湾曲してなる請求項１または２に記載の電子部品搭載用パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月12日(2016.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品領域と非製品領域とを有する基板と、
前記製品領域における前記基板の上面に形成された第１パッドと、
前記非製品領域における前記基板の上面に形成された第２パッドと、
前記製品領域に実装され、前記第１パッドと接続された電子部品と、
前記非製品領域に実装され、前記第２パッドと接続された評価用部品と、
前記基板の上面又は下面に形成された配線パターンを含み、前記第１パッドと前記第２パッドとを電気的に接続して前記電子部品と前記評価用部品とを電気的に接続する配線と、
前記基板の上面に積層された第１ソルダレジスト層と、
前記基板の下面に積層された第２ソルダレジスト層と、
前記製品領域と前記非製品領域との境界領域における前記基板に形成され、前記配線の一部と平面視で重複するように形成された溝部と、を有し、
前記非製品領域は、前記溝部と、前記基板の辺の少なくとも一部とによって囲まれた領域であり、
前記溝部は、前記第１ソルダレジスト層の上面又は前記第２ソルダレジスト層の下面から前記基板の厚さ方向の中途位置まで形成されており、
前記第１ソルダレジスト層及び前記第２ソルダレジスト層のうち前記溝部の形成されていないソルダレジスト層には、該ソルダレジスト層を厚さ方向に貫通する開口部が前記溝部と平面視で重複するように形成されており、
前記配線パターンは、前記溝部が形成された面とは反対側の前記基板の面に形成されており、
前記配線パターンの一部は、前記開口部から露出されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記溝部は、前記第１ソルダレジスト層の上面から前記基板の厚さ方向の中途位置まで形成され、
前記配線は、前記基板の下面に形成された配線パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記溝部は、前記第２ソルダレジスト層の下面から前記基板の厚さ方向の中途位置まで形成され、
前記配線は、前記基板の上面に形成された配線パターンのみによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記溝部の内壁面が傾斜面であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記非製品領域は、前記基板の一つの角部を含むように形成され、且つ、平面視三角形状に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置が形成された領域を複数個有し、
前記非製品領域が隣り合う前記半導体装置で共用されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
製品領域と非製品領域とを有する基板と、
前記製品領域における前記基板の上面に形成された第１パッドと、
前記非製品領域における前記基板の上面に形成された第２パッドと、
前記基板の上面又は下面に形成された配線パターンを含み、前記第１パッドと前記第２パッドとを電気的に接続する配線と、
前記基板の上面に積層された第１ソルダレジスト層と、
前記基板の下面に積層された第２ソルダレジスト層と、を有する配線基板を準備する工程と、
前記製品領域と前記非製品領域との境界領域における前記配線基板に溝部を形成する工程と、
前記溝部を形成した後に、前記第１パッドと接続されるように電子部品を前記製品領域に実装し、前記第２パッドと接続されるように評価用部品を前記非製品領域に実装する工程と、
前記評価用部品を介して、前記電子部品に情報を書き込む工程と、
前記電子部品に情報を書き込んだ後に、前記配線基板の前記製品領域と前記非製品領域とを前記溝部を境に分離する工程と、を有し、
前記溝部は、前記配線の一部と平面視で重複するように形成され、且つ、前記第１ソルダレジスト層の上面又は前記第２ソルダレジスト層の下面から前記基板の厚さ方向の中途位置まで形成され、
前記第１ソルダレジスト層及び前記第２ソルダレジスト層のうち前記溝部の形成されないソルダレジスト層には、該ソルダレジスト層を厚さ方向に貫通する開口部が前記溝部と平面視で重複するように形成され、
前記配線パターンは、前記溝部が形成された面とは反対側の前記基板の面に形成され、
前記配線パターンの一部は、前記開口部から露出されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、製品領域と非製品領域とを有する基板と、前記製品領域における前記基板の上面に形成された第１パッドと、前記非製品領域における前記基板の上面に形成された第２パッドと、前記製品領域に実装され、前記第１パッドと接続された電子部品と、前記非製品領域に実装され、前記第２パッドと接続された評価用部品と、前記基板の上面又は下面に形成された配線パターンを含み、前記第１パッドと前記第２パッドとを電気的に接続して前記電子部品と前記評価用部品とを電気的に接続する配線と、前記基板の上面に積層された第１ソルダレジスト層と、前記基板の下面に積層された第２ソルダレジスト層と、前記製品領域と前記非製品領域との境界領域における前記基板に形成され、前記配線の一部と平面視で重複するように形成された溝部と、を有し、前記非製品領域は、前記溝部と、前記基板の辺の少なくとも一部とによって囲まれた領域であり、前記溝部は、前記第１ソルダレジスト層の上面又は前記第２ソルダレジスト層の下面から前記基板の厚さ方向の中途位置まで形成されており、前記第１ソルダレジスト層及び前記第２ソルダレジスト層のうち前記溝部の形成されていないソルダレジスト層には、該ソルダレジスト層を厚さ方向に貫通する開口部が前記溝部と平面視で重複するように形成されており、前記配線パターンは、前記溝部が形成された面とは反対側の前記基板の面に形成されており、前記配線パターンの一部は、前記開口部から露出されている。