【手続補正書】
【提出日】平成29年7月6日(2017.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造体と前記構造体の表面の上に配置された絶縁膜とを有する光電変換装置であって、前記構造体は、
前記構造体の前記表面に垂直な方向からの平面視において、仮想線で相互に接する第１領域および第２領域を含む活性領域を取り囲むように配された素子分離と、
前記第１領域に配された第１導電型の電荷蓄積領域と、
前記第１領域および前記第２領域にまたがって配された前記第１導電型の浮遊拡散領域と、
前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記浮遊拡散領域に転送するためのチャネルを形成するためのゲート電極と、
前記電荷蓄積領域の少なくとも一部を取り囲むように前記電荷蓄積領域と前記素子分離との間に配された部分、および、前記第２領域に配された部分を含み、前記第１導電型とは異なる第２導電型を有する第１半導体領域と、を有し、
前記仮想線に平行な方向における前記第２領域の幅は、前記方向における前記第１領域の幅より狭く、
前記平面視において前記第２領域の外縁を規定する境界線は、前記仮想線の上の第１点を一端とし前記仮想線の上にはない第２点を他端とする第１境界線と、前記仮想線の上の第３点を一端とし前記仮想線の上にはない第４点を他端とする第２境界線とを含み、
前記ゲート電極は、前記第１点を覆うように前記平面視において前記第１領域よび前記第２領域にまたがった第１部分と、前記第３点を覆うように前記平面視において前記第１領域よび前記第２領域にまたがった第２部分と、前記第１部分と前記第２部分とを連結するように前記第１領域の上に配された第３部分とを含み、
前記平面視において前記第１半導体領域の外縁を規定する境界線は、前記第３部分と前記仮想線との間を通る部分を含む、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記電荷蓄積領域、前記浮遊拡散領域および前記第１半導体領域は、前記第２導電型の第２半導体領域の中に配され、
前記第１半導体領域における前記第２導電型の不純物濃度は、前記第２半導体領域における前記第２導電型の不純物濃度より高く、
前記チャネルは、前記第２半導体領域における前記ゲート電極の下に形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記浮遊拡散領域および前記第２半導体領域の少なくとも一方が前記素子分離に接していない、
ことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１領域において前記第１半導体領域と接するように前記電荷蓄積領域の上に配された前記第２導電型の第３半導体領域を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記仮想線に平行な方向において、前記電荷蓄積領域と前記第１半導体領域とが離隔されている、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記電荷蓄積領域の前記仮想線に平行な方向における幅が、前記第１領域の上における前記ゲート電極の前記仮想線に平行な方向における幅よりも小さい、
ことを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記電荷蓄積領域は、第１蓄積領域と、前記第１蓄積領域と前記ゲート電極との間に配された第２蓄積領域とを含み、
前記仮想線に平行な方向における前記第１蓄積領域の幅は、前記仮想線に平行な方向における前記第２蓄積領域の幅より小さい、
ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記浮遊拡散領域は、第１拡散領域と、前記第１拡散領域と前記ゲート電極との間に配された第２拡散領域とを含み、
前記仮想線に平行な方向における前記第２拡散領域の幅は、前記仮想線に平行な方向における前記第１拡散領域の幅より大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第１部分および前記第２部分は、前記仮想線に直交する方向に延び、前記第３部分は、前記仮想線に平行な方向に延びている、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第３部分は、前記浮遊拡散領域から遠ざかるにつれて前記仮想線に平行な方向における幅が狭くなった部分を有する、
ことを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記ゲート電極は、前記平面視において円弧形状を有し、前記仮想線は、直線である、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記第１半導体領域のうち前記電荷蓄積領域の前記少なくとも一部を取り囲むように前記電荷蓄積領域と前記素子分離との間に配された前記部分は、前記電荷蓄積領域を挟むように互いに対向する一対の対向部分を含み、前記第１半導体領域は、前記一対の対向部分の間隔が前記浮遊拡散領域に近づくにつれて小さくなった部分を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記第１領域は、前記浮遊拡散領域に近づくにつれて前記仮想線に平行な方向における幅が狭くなった部分を有する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記第１半導体領域および前記電荷蓄積領域は、前記仮想線に対して斜めに交差する方向に延びた部分を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
キャパシタと、前記浮遊拡散領域に前記キャパシタを接続するトランジスタを更に含み、
前記トランジスタは、前記活性領域に配されている、
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
キャパシタと、前記浮遊拡散領域に前記キャパシタを接続する第１トランジスタおよび前記浮遊拡散領域の電位をリセットする第２トランジスタを更に含み、
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは、前記活性領域に配されている、
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
キャパシタと、前記浮遊拡散領域に前記キャパシタを接続する第１トランジスタおよび前記浮遊拡散領域の電位をリセットする第２トランジスタを更に含み、
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタの少なくとも一方は、前記活性領域とは分離された活性領域に配されている、
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記浮遊拡散領域は、前記平面視において前記第１部分と前記第２部分との間に配置された部分を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
前記第１部分および前記第２部分は、互いに対向する辺を有し、前記互いに対向する辺は、前記ゲート電極の外縁の一部を規定する、
ことを特徴とする請求項１８に記載の光電変換装置。
【請求項２０】
前記第３部分は、前記ゲート電極の前記外縁の一部を規定し、かつ前記互いに対向する辺を相互に接続する辺を含む、
ことを特徴とする請求項１９に記載の光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、構造体と前記構造体の表面の上に配置された絶縁膜とを有する光電変換装置に係り、前記構造体は、前記構造体の前記表面に平行な平面視において、仮想線で相互に接する第１領域および第２領域を含む活性領域を取り囲むように配された素子分離と、前記第１領域に配された第１導電型の電荷蓄積領域と、前記第１領域および前記第２領域にまたがって配された前記第１導電型の浮遊拡散領域と、前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記浮遊拡散領域に転送するためのチャネルを形成するためのゲート電極と、前記電荷蓄積領域の少なくとも一部を取り囲むように前記電荷蓄積領域と前記素子分離との間に配された部分、および、前記第２領域に配された部分を含み、前記第１導電型とは異なる第２導電型を有する第１半導体領域と、を有し、前記仮想線に平行な方向における前記第２領域の幅は、前記方向における前記第１領域の幅より狭く、前記平面視において前記第２領域の外縁を規定する境界線は、前記仮想線の上の第１点を一端とし前記仮想線の上にはない第２点を他端とする第１境界線と、前記仮想線の上の第３点を一端とし前記仮想線の上にはない第４点を他端とする第２境界線とを含み、前記ゲート電極は、前記第１点を覆うように前記平面視において前記第１領域よび前記第２領域にまたがった第１部分と、前記第３点を覆うように前記平面視において前記第１領域よび前記第２領域にまたがった第２部分と、前記第１部分と前記第２部分とを連結するように前記第１領域の上に配された第３部分とを含み、前記平面視において前記第１半導体領域の外縁を規定する境界線は、前記第３部分と前記仮想線との間を通る部分を含む。