【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年1月4日(2017.1.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
以下の一般式（Ｉ）のモノマーから形成される単位を含むマトリックスポリマーであっ
て、
【化１】
2016091017.tif 000001
式中、Ｒ１は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキルから選択され、Ｒ２は、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１５アルキルから選択され、Ｘ１は、酸素、硫黄であるか、または式ＮＲ３によって表され、式中、Ｒ３は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、Ｚ１は、単結合、または任意に置換された脂肪族及び芳香族炭化水素、ならびにそれらの組み合わせから選択されるスペーサー単位であり、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ４−から選択される１つ以上の連結部分を任意で有し、式中、Ｒ４は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択される、マトリックスポリマーと、
以下の一般式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）のモノマーから形成される単位を含む付加ポリマーであって、
【化２】
2016091017.tif 000002
式中、Ｒ１０は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキルから選択され、Ｒ１１は、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１５アルキルから選択され、Ｘ２は、酸素、硫黄であるか、または式ＮＲ１２によって表され、式中、Ｒ１２は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、Ｚ３は、単結合、または任意に置換された脂肪族及び芳香族炭化水素、ならびにそれらの組み合わせから選択されるスペーサー単位であり、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨＳＯ２−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ１３−から選択される１つ以上の連結部分を任意で有し、式中、Ｒ１３は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、
【化３】
2016091017.tif 000003
式中、Ｒ１４は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキルから選択され、Ｒ１５は、独立して、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１５アルキルから選択され、Ｘ３は、酸素、硫黄であるか、または式ＮＲ１６によって表され、式中、Ｒ１６は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、Ｚ４は、単結合、または任意に置換された脂肪族及び芳香族炭化水素、ならびにそれらの組み合わせから選択されるスペーサー単位であり、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ１７−から選択される１つ以上の連結部分を任意で有し、式中、Ｒ１７は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、ｎは、０〜２の整数である、付加ポリマーと、
塩基性クエンチャーと、
有機溶媒と、を含む、フォトレジスト保護膜組成物であって、
前記付加ポリマーは、前記マトリックスポリマーの表面エネルギーより低い表面エネルギーを有し、前記付加ポリマーは、前記保護膜組成物の全固形物に基づいて、１〜２０重量％の量で前記保護膜組成物中に存在する、前記フォトレジスト保護膜組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
前記塩基性クエンチャーは、前記マトリックスポリマー上に塩基性部分を含む、請求項１〜６のいずれかに記載の前記フォトレジスト保護膜組成物。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
前記塩基性クエンチャーは、前記付加ポリマー及び前記マトリックスポリマーとは別の添加物である、請求項１〜７のいずれかに記載の前記フォトレジスト保護膜組成物。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
現像されたレジストパターンにおけるコンタクトホールのネッキングならびにライン及び溝パターンのＴトッピングの形態でのＮＴＤ処理における問題は、周知であり、米国出願公開第ＵＳ２０１３／０２４４４３８Ａ１号に記載されている。そのような問題は、フォトマスク不透明パターンの端の下の迷光の分散によって引き起こされると考えられ、レジスト表面にあるそれらの「暗」領域における極性切り替えを不必要に引き起こす。この問題に取り組むために、’４３８公報は、塩基性クエンチャー、ポリマー、及び有機溶媒を含むフォトレジスト保護膜の使用を開示する。液浸リソグラフィーの目的のために、’４３８公報は、保護膜組成物を用いて、浸漬液へのフォトレジスト構成要素の浸出を回避するために障壁層を形成し、露光スキャン速度を増加させるために浸漬液との望ましい接触角特徴を提供することができることをさらに開示する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
式中、Ｒ１４は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキルから選択され、Ｒ１５は、独立して、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１５アルキルから選択され、Ｘ３は、酸素、硫黄であるか、または式ＮＲ１６によって表され、式中、Ｒ１６は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、Ｚ４は、単結合、または任意に置換された脂肪族及び芳香族炭化水素、ならびにそれらの組み合わせから選択されるスペーサー単位であり、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ１７−から選択される１つ以上の連結部分を任意で有し、式中、Ｒ１７は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、ｎは、０〜２の整数である、付加ポリマーと、塩基性クエンチャーと、有機溶媒と、を含み、付加ポリマーは、マトリックスポリマーの表面エネルギーより低い表面エネルギーを有し、付加ポリマーは、保護膜組成物の全固形物に基づいて、１〜２０重量％の量で保護膜組成物中に存在する。組成物は、ネガ型現像プロセスでの使用のための半導体製造業において特定の適用性を有する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
フォトレジスト保護膜組成物
フォトレジスト保護膜組成物は、マトリックスポリマー、付加ポリマー、塩基性クエンチャー、及び有機溶媒を含む。付加ポリマーは、マトリックスポリマーの表面エネルギーより低い表面エネルギーを有する。本発明の組成物は、ネガ型現像プロセスでフォトレジスト層上にコーティングされる時、改善された浸漬液との接触角特徴、改善された焦点許容範囲、改善された露光許容範囲、低欠陥性、浸漬液へのフォトレジスト及び保護膜構成要素の浸出の回避のための効果的な障壁層特性、幾何学的に均一なレジストパターン、及びレジスト露光中の低反射性のうちの１つ以上等の様々な利点を提供することができる。組成物は、乾燥リソグラフィーまたは液浸リソグラフィープロセスで使用され得る。露光波長は、特に限定されないが、但し、２４８ｎｍもしくは１９３ｎｍ等の２００ｎｍ以下（浸漬または乾燥リソグラフィー）、またはＥＵＶ波長（例えば、１３．４ｎｍ）が典型的なフォトレジスト組成物を除く。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
マトリックスポリマーは、付加ポリマーと共に、浸漬液へのフォトレジスト構成要素の移動を最小限にするか、または防止するための有益な障壁特性を保護膜組成物から形成される層に与えることができる。付加ポリマーは、好ましくは、浸漬液への塩基性クエンチャー等の保護膜組成物内の構成要素の移動も防止することができる。保護膜／浸漬液の接触面での高い浸漬液後退接触角（ＲＣＡ）等の浸漬液との有益な接触角特徴が提供され、それにより、より速い露光道具スキャン速度を可能にする。乾燥状態の保護膜組成物の層は、通常、７０°〜８９°、好ましくは７５〜８５°の水後退接触角を有する。「乾燥状態の」という表現は、保護膜組成物に基づいて、８重量％またはそれ以下の溶媒を含有することを意味する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
マトリックスポリマーの１つ以上の単位は、塩基性部分を含み得る。塩基性部分は、酸が、フォトレジスト層の表面領域で迷光によって生成される、露光されるようには意図されていない下層のフォトレジスト層の領域（暗領域）で酸を中和することができる。そのような塩基性部分含有マトリックスポリマーは、塩基性クエンチャー添加物に加えて保護膜組成物での塩基性クエンチャーとして、または塩基性クエンチャー添加物として機能することができる。好適な部分は、例えば、アミノエーテル、ピリジン、アニリン、インダゾール、ピロール、ピラゾール、ピラジン、グアニジン、及びイミン等のアミン、カルバメート、ピロリジノン、マレイミド、イミダゾール、及びイミド等のアミド、ならびにそれらの誘導体から選択される窒素含有基を含む。マトリックスポリマー中に存在する場合、マトリックスポリマーの塩基性部分含有単位（複数可）の内容物は、通常、下層のフォトレジスト層の暗領域での酸誘導脱保護反応を実質的に、または完全に除去するのに十分である一方、そのような反応が、層の明領域（露光されるようには意図されていない領域）で起こることを可能にする。マトリックスポリマー中の塩基性部分含有単位（複数可）の望ましい内容物は、乾燥リソグラフィープロセスであるか、または液浸リソグラフィープロセスであるかにかかわらず、例えば、フォトレジスト層中の光酸発生剤の内容物及び保護膜の意図される使用に依存する。存在する場合、乾燥リソグラフィープロセスのためのマトリックスポリマー中の塩基性部分含有単位（複数可）の内容物は、マトリックスポリマーに基づいて、通常、０．１〜１００モル％、０．１〜５０モル％、または０．５〜２０モル％である。塩基性部分を含有するモノマーのｐＫａ（水中）は、好ましくは５〜５０、より好ましくは８〜４０、及び最も好ましくは１０〜３５である。全体としての塩基性部分含有モノマー及びマトリックスポリマーのｐＫａ値は、通用、同様、または実質的に同様の値である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
フォトレジスト保護膜組成物は、塩基性クエンチャーをさらに含む。塩基性クエンチャーは、フォトレジスト層の未露光（暗）領域となるよう意図されるものに到達する迷光によって下層のフォトレジスト層の表面領域で生成される酸を中和する目的で存在する。これは、未露光面積での不必要な脱保護反応を制御することによって焦点がぼけた面積及び露光許容範囲における焦点深度の改善を可能にする。結果として、形成されたレジストパターンにおけるプロファイルの不整、例えば、ネッキング及びＴトッピングは、最小限に抑えられるか、または回避され得る。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
上述される通り、塩基性クエンチャーは、マトリックスポリマー中に存在することができるか、または添加物型のものであり得る。塩基性クエンチャーと下層のフォトレジスト層の暗面積で生成される酸との間の効果的な相互作用を可能にするために、塩基性クエンチャーは、非界面活性剤型のものであるべきである。すなわち、塩基性クエンチャーは、例えば、保護膜組成物の他の構成要素と比較して低い表面自由エネルギーのために保護膜層の上面へ移動する型のものであるべきではない。そのような場合、塩基性クエンチャーは、酸脱保護を防止するための生成された酸との相互作用のためにフォトレジスト層接触面で感知できるほど存在しない。塩基性クエンチャーは、そのため、保護膜層を介して均一に分散されるか、または接触面で段階的または分離された層を形成する状態で、保護膜層／フォトレジスト層接触面で存在する型のものであるべきである。そのような層は、保護膜組成物の他の構成要素と比較して高い表面自由エネルギーを有する塩基性クエンチャーの選択によって得られることができる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
好適な塩基性クエンチャーは、例えば、直線及び環状アミドならびにＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ピバラミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラブチルマロンアミド、１−メチルアゼパン−２−オン、１−アリルアゼパン−２−オン、及びｔｅｒｔ−ブチル１，３−ジヒドロキシ−２−（ヒドロキシメチル）プロパン−２−イルカルバメート等のそれらの誘導体、ピリジン及びジ−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン等の芳香族アミン、トリイソプロパノールアミン、ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルジエタノールアミン、トリス（２−アセトキシ−エチル）アミン、２，２’，２’’，２’’−（エタン−１，２−ジイルビス（アザネトリイル））テトラエタノール、及び２−（ジブチルアミノ）エタノール、２，２’，２’’−ニトリロトリエタノール等の脂肪族アミン、１−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−４−ヒドロキシピペリジン、ｔｅｒｔ−ブチル１−ピロリジンカルボキシレート、ｔｅｒｔ−ブチル２−エチル−１Ｈ−イミダゾール−１−カルボキシレート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルピペラジン−１，４−ジカルボキシレート、及びＮ（２−アセトキシ−エチル）モルフォリン等の環状脂肪族アミンを含む。これらの塩基性クエンチャーのうち、１−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−４−ヒドロキシピペリジン及びトリイソプロパノールアミンが好ましい。塩基性クエンチャーの内容物が、例えば、下層のフォトレジスト層における光酸発生剤の内容物に依存する一方で、それは、通常、保護膜組成物の全固形物に基づいて、０．１〜５重量％、好ましくは０．５〜３重量％、より好ましくは１〜３重量％の量で存在する。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
フォトレジスト保護膜組成物は、１つ以上の任意の材料を含み得る。例えば、組成物は、光線性及び造影剤、抗条線剤等の１つ以上を含み得る。これらのうち、光線性及び造影剤は、組成物から形成される層の反射防止特性を向上させるために好ましい。そのような任意の添加物は、使用される場合、通常、保護膜組成物の全固形物に基づいて、０．１〜１０重量％等の少量で存在する。保護膜組成物が、好ましくは、酸生成化合物、例えば、熱酸生成化合物も光酸発生剤化合物も含まないのは、そのような化合物が、保護膜組成物中の塩基性クエンチャーの効果を中和し得るからである。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
本明細書に記載される通りの保護膜組成物から形成されるフォトレジスト保護膜層１０６は、フォトレジスト層１０４上に形成される。保護膜組成物は、通常、スピンコーティングによって基板に塗布される。塗料液の固形内容物は、使用される特定の塗布装置、液の粘性、塗布用具の速度、及びスピンのために許容される時間に基づいて望ましい膜厚を提供するために調整され得る。保護膜層の反射性を低減するために、厚さは、好ましくは、保護膜での波長が、入射波の波長の４分の１であるように選択される。フォトレジスト保護膜層１０６の通常の厚さは、２００〜１０００Åである。塩基性クエンチャーは、保護膜層を介して均一的に分散されて保護膜層１０６中に存在し得るか、もしくは保護膜層−フォトレジスト層接触面に配置される分離されるか、または段階的なクエンチャー領域１０７として存在し得る。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
フォトレジスト層１０４の露光に続いて、露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。ＰＥＢは、例えば、ホットプレート上またはオーブンの中で行われることができる。ＰＥＢのための条件は、例えば、特定のフォトレジスト組成物及び層厚による。ＰＥＢは、通常、約８０〜１５０℃の温度で、約３０〜９０秒の時間で行われる。露光後ベークに続いて、塩基性クエンチャーが、点線１０９によって示される通りにフォトレジスト層１０４の表面領域へ拡散することが考えられる。極性切り替え領域と非切り替え領域（それぞれ、露光領域及び未露光領域に対応する）との間の境界（点線）によって画定される潜像１１６は、図１Ｂに示されるようにフォトレジストに形成される。フォトレジスト中の拡散された塩基性クエンチャーは、フォトレジスト層の望ましくない暗領域での極性切り替えを防止すると考えられ、結果として、垂直壁を有する潜像をもたらす。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１９】
レジスト保護膜組成物（ＯＣ）の調製
レジスト保護膜組成物は、表２に記載される構成要素及び量を使用して、保護膜マトリックスポリマー、付加ポリマー、及び塩基性クエンチャーを溶媒に溶解することによって調製した。結果として得られた混合物を、３時間、機械的ローラーで伸ばし、その後、０．２ミクロンの孔径を有するテフロン（登録商標）濾紙を介して濾過した。組成物は、保護膜表面での反射率を低減させるための入射波の波長の４分の１に対応する、２９０Åの目的の厚さ（約１５００ｒｐｍでのスピンコーティング後）に基づいて、調合した。