【手続補正書】
【提出日】平成29年5月31日(2017.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が置かれている真空雰囲気とされた処理容器内に、処理ガスである原料ガス、雰囲気を置換するための置換ガス、及び原料ガスと反応して基板上に反応生成物を生成するための処理ガスである反応ガスを順番に複数サイクル供給するためのガス供給装置において、
前記処理ガスを前記処理容器内に供給するための処理ガス流路と、
前記置換ガスを前記処理容器に供給するための置換ガス流路と、
前記置換ガスを加熱する目的で前記置換ガス流路に設けられた置換ガス加熱部と、を備えたことを特徴とするガス供給装置。
【請求項２】
前記置換ガス流路は、前記処理ガス流路に合流するガス流路を含むことを特徴とする請求項１記載のガス供給装置。
【請求項３】
前記置換ガス流路が前記処理ガス流路と合流する部位を含むバルブ装置と、
このバルブ装置内の接ガス部のガスの離脱を図るために設けられた加熱機構と、を備え、
前記置換ガス加熱部は、前記置換ガス流路における前記バルブ装置の上流側及び下流側の少なくとも一方に設けられたことを特徴とする請求項１記載のガス供給装置。
【請求項４】
前記処理ガスの供給時に前記処理ガス流路に不活性ガスを供給するための不活性ガス流路を備え、
前記バルブ装置は、置換ガス流路と処理ガス流路と前記不活性ガス流路とが合流する部位を含むことを特徴とする請求項３記載のガス供給装置。
【請求項５】
前記バルブ装置は、
第１の弁室にて流路を開閉する第１の弁体部と、第２の弁室にて流路を開閉する第２の弁体部とが連設されて構成され、
処理ガスを導入する第１のガス導入ポート、置換ガスを兼用する不活性ガスを導入する第２のガス導入ポート、及びガス吐出ポートと、
前記第１のガス導入ポートから前記第１の弁室に開口し、前記第１の弁体部により開閉される処理ガス流路である第１のガス流路と、
前記第１の弁室から前記ガス吐出ポートに至るガス吐出流路と、
前記第２のガス導入ポートからオリフィスを介して、前記第１の弁体部及び第２の弁体部の各々により開閉されないように前記ガス吐出流路に連通する不活性ガス流路である第２のガス流路と、
前記第２のガス導入ポートから前記第２の弁室を介して、前記第２のガス流路における前記オリフィスの下流側に合流するように形成されると共に前記第２の弁体部により開閉される置換ガス流路の一部であるバイパス流路と、
前記第１の弁室、第２の弁室、第１のガス流路、ガス吐出流路、第２のガス流路及びバイパス流路を加熱するための加熱機構と、を備えたことを特徴とする請求項４記載のガス供給装置。
【請求項６】
前記バイパス流路にはオリフィスが設けられていることを特徴とする請求項５記載のガス供給装置。
【請求項７】
前記弁室の壁部に設けられた開口部にオリフィス形成部材を被せ、前記オリフィスは、このオリフィス形成部材に形成された孔部により構成されることを特徴とする請求項５または６に記載のガス供給装置。
【請求項８】
前記第２のガス流路と前記バイパス流路とは合流して第１の弁体部により開閉されないように第１の弁室に接続されていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか一項に記載のガス供給装置。
【請求項９】
請求項４に記載されたバルブ装置は、処理ガスとして原料ガスを用いた請求項５ないし８のいずれか一項に記載されたバルブ装置と、処理ガスとして反応ガスを用いた請求項５ないし８のいずれか一項に記載されたバルブ装置とを一体化したものであることを特徴とするガス供給装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載のガス供給装置において、
前記原料ガスに代えてＣＶＤにより成膜するための第１の反応ガスを用い、
前記反応ガスに代えてＣＶＤにより成膜するための第２の反応ガスを用いることを特徴とするガス供給装置。
【請求項１１】
第１の弁室にて流路を開閉する第１の弁体部と、第２の弁室にて流路を開閉する第２の弁体部とが連設されたバルブ装置において、
第１のガス導入ポート、第２のガス導入ポート、及びガス吐出ポートと、
前記第１のガス導入ポートから前記第１の弁室に接続され、前記第１の弁体部により開閉される第１のガス流路と、
前記第１の弁室から前記ガス吐出ポートに至るガス吐出流路と、
前記第２のガス導入ポートからオリフィスを介して、前記第１の弁体部及び第２の弁体部の各々により開閉されないように前記ガス吐出流路に連通する第２のガス流路と、
前記第２のガス導入ポートから前記第２の弁室を介して、前記第２のガス流路における前記オリフィスの下流側に合流するように形成されると共に前記第２の弁体部により開閉されるバイパス流路と、を備えたことを特徴とするバルブ装置。
【請求項１２】
前記バイパス流路にはオリフィスが設けられていることを特徴とする請求項１１に記載のバルブ装置。
【請求項１３】
前記弁室の壁部に設けられた開口部にオリフィス形成部材を被せ、前記オリフィスは、このオリフィス形成部材に形成された孔部により構成されることを特徴とする請求項１１または１２に記載のバルブ装置。
【請求項１４】
前記第２のガス流路と前記バイパス流路とは合流して第１の弁体部により開閉されないように第１の弁室に接続されていることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか一項に記載のバルブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
またＮ２ガス導入口７５から斜め上方に伸ばされ、第２の弁室５８ｂの周縁部に接続されたＮ２ガス導入路５０が形成されている。第２の弁室５８ｂにおけるＮ２ガス導入路５０の開口部は円板状のオリフィス形成部材５２ａにより塞がれており、オリフィス形成部材５２ａには、口径０．１〜１．０ｍｍオリフィス５２をなす孔部が形成されている。また第２の弁室５８ｂにおけるバイパス流路５１の開口部は円板状のオリフィス形成部材５３ａにより塞がれており、オリフィス形成部材５３ａには、口径０．１〜１．０ｍｍのオリフィス５３をなす孔部が形成されている。なおオリフィス形成部材５３ａは第２の弁座５７ｂを兼用してもよい。また第２の弁室５８ｂの底面における周縁部には、斜め下方へと伸びだした後、その向きを斜め上方に変え、第１の弁室５８ａの底面おける周縁部に接続されたＶ字流路５６が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
そしてステップＳ１からステップＳ４までのＴｉＣｌ４ガスの供給→Ｎ２ガスによる置換→ＮＨ３ガスの供給→Ｎ２ガスによる処理雰囲気の置換からなるサイクルを時刻ｔ５以降において、予め設定した回数、例えば２０回繰り返す。このサイクルを繰り返すことにより、ウエハＷ上にＴｉＣｌ４ガスが吸着され、次にＴｉＣｌ４ガスがＮＨ３ガスと反応してＴｉＮの分子層が生成され、順次ＴｉＮの分子層が積層されてＴｉＮ膜が成膜される。
供給サイクルが設定回数だけ繰り返された後は、Ｎ２ガスをしばらく処理容器１０内に供給し、その後載置台２を搬入出位置に下降させ、ゲートバルブ１２を開いてウエハＷを処理容器１０から搬出する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、ガス供給路３１、３２内に逆流防止用のＮ２ガスを流しているが、逆流防止用のＮ２ガスの流量を規制するオリフィス５２、６２をバイパスするバイパス流路５１、６１を設けて、置換ガスであるＮ２ガスを逆流防止用のＮ２ガスとは別個に供給、停止ができるようにしている。このため、処理ガスであるＴｉＣｌ４ガス、ＮＨ３ガスの供給時にこれら処理ガスの分圧が低下して成膜速度が低下することが避けられる。そして処理ガス用のバルブＶ１，Ｖ４とＮ２ガス用のバルブＶ２、Ｖ５とを連設したいわゆる多連バルブであるバルブ装置１を用い、この中で逆流防止用のＮ２ガス流路の一部であるＮ２ガス導入路５０、６０に対して置換ガスであるＮ２ガスのバイパス流路５１、６１をバイパスさせ、第２の弁体部５９ｂ、第２の弁座５７ｂを利用して置換ガスの供給、停止を行い、これらＮ２ガス導入路５０、６０、バイパス流路５１、６１を処理ガスのガス吐出流路５５（図２参照）に合流させている。従ってガス供給装置の小型化が図れる利点がある。