【手続補正書】
【提出日】平成28年12月7日(2016.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向電極の間にセレンナノワイヤーが配置され、
該セレンナノワイヤーは光が照射され得る状態にあり、
該対向電極に電圧が印加された状態で該セレンナノワイヤーに光が照射されて発生する光電流の、該セレンナノワイヤーへのガスの吸着に伴う電流変化を計測する、ガスセンサ。
【請求項２】
セレンナノワイヤーにおける個々のワイヤー間が透明絶縁性樹脂バインダーにて結着されている、請求項１に記載のガスセンサ。
【請求項３】
対向電極の少なくとも一方の電極が透明電極である、請求項１または２に記載のガスセンサ。
【請求項４】
透明電極の内面に透明絶縁層が設けられている、請求項３に記載のガスセンサ。
【請求項５】
対向電極の一方の電極が透明電極であり、他方の電極の内面に導電層が設けられている、請求項３または４に記載のガスセンサ。
【請求項６】
セレンナノワイヤーのバンドギャップ近傍以上のエネルギーの光を発する光源を有し、該光源が透明電極の外側に配設されている、請求項３〜５のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【請求項７】
対向電極の一方の電極の内面に絶縁層が設けられ、他方の電極の内面に導電層が設けられている、請求項１または２に記載のガスセンサ。
【請求項８】
２本の導体線の先端が対向し、該２本の導体線の先端が対向電極を成し、該２本の導体線の先端の間にセレンナノワイヤーが配置されている、請求項１または２に記載のガスセンサ。
【請求項９】
セレンナノワイヤーのバンドギャップ近傍以上のエネルギーの光を発する光源を内包する透明絶縁部材の所定部位に、２本の導体線の先端が対向するように導かれてなる、請求項８に記載のガスセンサ。
【請求項１０】
光電流変化が電流強度の変化である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【請求項１１】
電圧が印加された対向電極間の電界強度（絶対値）が３〜３４Ｖ／ｍｍである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のガスセンサが、被検ガスが流れるガス流路のガス流れ方向に沿って複数配列されてなる、ガスセンサアレイ。
【請求項１３】
被検ガスが流れるガス流路のガス流れ方向に対してその軸線が平行となるように配置された単一の電極を有し、該単一の電極が、複数のガスセンサの個々のガスセンサの対向する２つの電極の一方の電極として利用される共通電極である、請求項１２に記載のガスセンサアレイ。
【請求項１４】
単一の電極が透明電極である、請求項１３に記載のガスセンサアレイ。
【請求項１５】
ガス流路を流れる被検ガスが一定電圧の下に複数のガスセンサのセレンナノワイヤーに接触してそれぞれのガスセンサに生じる光電流強度の時間変化スペクトルの異なるセンサ間での遅延時間を検出する、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載のガスセンサアレイ。
【請求項１６】
請求項１２〜１４のいずれか１項に記載のガスセンサアレイと、
該ガスセンサアレイの複数のガスセンサに一定電圧を印加した状態でガス流路に被検ガスを流したときの、それぞれのガスセンサに生じる光電流変化に基づく電気的出力値と、データベースに保存されている数値との対比結果に基づいて、ガス種の特定、混合ガスの成分比率の特定または混合ガスのガス成分の特定を行う計算部とを備えた、ガス分析システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
［測定対象ガス］
本発明のガスセンサでは、半導体ナノワイヤーに吸着して、自体がもっている電子（正孔）を半導体ナノワイヤーへ注入するガスであれば、測定対象となる。例えば、有機ガスであれば、メタン、エタン、ｎ−ブタン、イソブタン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ｎ−ペンタン、２−メチルペンタン、２，４−ジメチルペンタン、ｎ−ヘキサン、３−メチルヘキサン、ｎ−ヘプタン、３−メチルヘプタン、ノナン、デカン、ウンデカン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシクロヘキシル、プロピレン、ｃｉｓ−２−ブテン、ｔｒａｎｓ−２−ブテン、２−メチル−２−ブテン、２−メチル−１−ブテン、１，３−ブタジエン、イソプレン、ｃｉｓ−２−ペンテン、ｔｒａｎｓ−２−ペンテン、１−ヘプテン、ジペンテン、ベンゼン、トルエン、キシレン、１，３，５−トリメチルベンゼン、エチルベンゼン、クメン、スチレン、ナフタレン、テトラリン、クロロメタン、ジクロロメタン、クロロホルム、臭化メチル、クロロエタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、テトラフルオロエチレン、塩化ビニル、１，１−ジクロロエチレン、ｎ−プロピルブロマイド、１，２−ジクロロプロパン、塩化アリル、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、エチレングリコール、ベンジルアルコール、フェノール、メチルメルカプタン、エチルメルカプタン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチルセロソルブ、イソプロピルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、酸化プロピレン、エチレンオキシド、エピクロロヒドリン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ギ酸メチル、酢酸エチル、トリフロロ酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸ビニル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピオン酸、アクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルｎ−ブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソホロン、ジメチルスルホキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、ピリジン、ピペリジン、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、アセトニトリル、アクリロニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、トリフルオロメチルプロピルケトン等が挙げられる。また、無機ガスであれば、二酸化炭素、一酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素、二硫化炭素、アンモニアなどが挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
５．ガス種、混合ガス成分比等の決定：
Δt1,kの値を、あらかじめ得られているデータと比較することにより、ガス種、混合ガス成分比等を決定することが可能となる。
図２３にフローチャート示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
［II］センサ感度Ｓの測定
ガス種の判定は、例えば、本願の発明者等による特許第5120904号に記載の単体型センサによるセンサ感度Ｓを自動計測により判定するプログラムを組み合わせることにより、より精度が増す。以下にそのプログラムを示す。なお、測定は、ガスセンサアレイの１番目のガスセンサ（det 1）を用いるが、以下のプログラムでは、ガスセンサアレイの各センサにおけるものとした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
光電流Ｉｐｈ＝０のとき、光電流の測定電流値Ｉｐｈ＋Ｉｂは、Ｉｂとなり、ベース電流でのガス反応、すなわち、従来の光照射を行わないガスセンサ（特許文献１のガスセンサ）におけるＳ値に相当する。
図２６から、光電流Ｉｐｈが流れた状態での測定では、少量の光電流Ｉｐｈ（すなわち、低電圧印加＝低電界強度）により、光電流Ｉｐｈ＝０（ベース電流Ｉｂのみの従来のセンサ）に比べてＳ値の増大（すなわち、センサ感度の向上）が生じていることが分かる。
なお、図２６では、(Ｉｐｈ＋Ｉｂ)／Ｉｂ＝３より、Ｉｐｈ＝２・Ｉｂ程度がＳの最適条件と考えられる。また、(Ｉｐｈ＋Ｉｂ)／Ｉｂが１０３付近では、(Ｉｐｈ＋Ｉｂ)／Ｉｂが１に比べてＳの値が小さくなっているが、これは、高印加電圧で得られる大きな光電流では、発生した光キャリアを捕獲できないことによるものである。