Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月13日(2017.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送されるシートの斜行補正のためにシートの先端と当接する当接面を有する当接部材と、前記当接部材を保持する保持部材と、を備えるシート搬送装置において、
前記当接部材は、前記保持部材に設けられる規制部に突き当て可能な突当面を有し、
前記保持部材は、位置決めされた第１位置と、前記第１位置から退避した第２位置との間を移動可能であって、前記当接面が前記シートの先端に押圧されることにより、前記突当面が前記規制部に突き当たった状態で前記第１位置から前記第２位置に移動し、
前記シートの先端が前記当接面から離れ、前記当接部材が前記シートの面によって押圧される状態においては、前記保持部材に対して前記当接部材が回動して前記突当面が前記規制部から離間することにより、前記保持部材は、前記シートの面によって押圧されている前記当接部材を保持した状態で前記第２位置から前記第１位置に移動する、
ことを特徴とするシート搬送装置。
【請求項２】
前記当接部材は、前記第２位置から前記第１位置に移動する前記保持部材が前記第１位置において位置決めされた後に、前記保持部材に対して回動して前記突当面が前記規制部に突き当たる、
ことを特徴とする請求項１に記載のシート搬送装置。
【請求項３】
前記当接部材は、前記シートの後端が前記当接部材を通過して前記シートの面によって押圧される状態が解除された後に、前記保持部材に対して回動して前記突当面が前記規制部に突き当たる、
ことを特徴とする請求項２に記載のシート搬送装置。
【請求項４】
前記保持部材を付勢する第１付勢手段を備え、
前記保持部材が前記第１位置から前記第２位置に移動する場合、前記保持部材は前記第１付勢手段の付勢力に抗して移動する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項５】
前記突当面を前記規制部に対して突き当てる方向に前記当接部材を付勢する第２付勢手段を備え、前記当接部材は、前記シートの面によって押圧されることにより前記第２付勢手段の付勢力に抗して回動する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項６】
前記当接部材は、第１回転軸を中心に前記保持部材に対して回動可能である、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項７】
前記保持部材は、前記第１回転軸とは異なる第２回転軸を中心に、前記第１位置と前記第２位置との間を移動可能である、
ことを特徴とする請求項６に記載のシート搬送装置。
【請求項８】
挟持部を形成して前記シートを挟持搬送する搬送手段を備え、
前記保持部材が前記第１位置に位置し前記突当面が前記規制部に突き当たる状態において、前記当接部材の前記当接面はシート搬送方向に関して前記挟持部の上流側に位置する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項９】
前記当接部材は、シート搬送方向と交差する幅方向において複数設けられる、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１０】
前記保持部材を前記第１位置に位置決めするためのストッパを備える、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のシート搬送装置と、
前記シート搬送装置により斜行が補正された状態で搬送されるシートに画像を形成する画像形成部と、を備えた、
ことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、搬送されるシートの斜行補正のためにシートの先端と当接する当接面を有する当接部材と、前記当接部材を保持する保持部材と、を備えるシート搬送装置において、前記当接部材は、前記保持部材に設けられる規制部に突き当て可能な突当面を有し、前記保持部材は、位置決めされた第１位置と、前記第１位置から退避した第２位置との間を移動可能であって、前記当接面が前記シートの先端に押圧されることにより、前記突当面が前記規制部に突き当たった状態で前記第１位置から前記第２位置に移動し、前記シートの先端が前記当接面から離れ、前記当接部材が前記シートの面によって押圧される状態においては、前記保持部材に対して前記当接部材が回動して前記突当面が前記規制部から離間することにより、前記保持部材は、前記シートの面によって押圧されている前記当接部材を保持した状態で前記第２位置から前記第１位置に移動する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月22日(2017.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦化副層でコーティングされた柔軟な基板と、
前記コーティングされた基板上に配置された機能的な有機体と、
前記機能的な有機体上に配置されたハイブリッド層の積層と、
を有する柔軟な有機発光デバイスであって、
前記ハイブリッド層の積層は３０°から６０°の範囲のぬれ接触角度を有し、かつポリマーシリコンと酸化シリコンの混合物を有し、前記ハイブリッド層の各積層は、前記有機体からの距離につき増加する酸化シリコンの量を有する、柔軟な有機発光デバイス。
【請求項２】
前記ハイブリッド層と前記機能的な有機体の上面との間に配置された介在層をさらに有し、前記介在層は、窒化シリコン、クロム、チタン、またはニッケルチタン合金を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ハイブリッド層と前記機能的な有機体の上面との間に配置された介在層をさらに有し、前記介在層は、誘電材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記ハイブリッド層上に配置され、前記ハイブリッド層のエッジ上に延在するバリアコーティングを更に含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記バリアコーティングが前記機能的な有機体の少なくとも一部分を覆わない、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記バリアコーティングが透明ではない、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記バリアコーティングと前記ハイブリッド層との間に配置された乾燥剤材料を更に含む、請求項４に記載のデバイス。
【請求項８】
前記有機体の周囲に近接する１つ又は複数の領域に、エッジバリアを更に含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記エッジバリアが乾燥剤材料を含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記機能的な有機体に接続される相互接続リードをさらに有し、前記ハイブリッド層が前記相互接続リードの側方エッジを覆う、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記相互接続リードが前記柔軟な基板のエッジまで延在しない、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記相互接続リードが、前記ハイブリッド層を通って突き出す突起部を含む請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記相互接続リードがステップ部を備え、前記ハイブリッド層が前記相互接続リードの前記ステップ部を覆う、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記ハイブリッド層の積層が、２５：７５から１０：９０の範囲の、ポリマーシリコンと酸化シリコンの重量比を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
エッジを有する基板と、
前記基板上に接触して堆積された第１のハイブリッド層であって、エッジ部分を含む第１のハイブリッド層と、
前記第１のハイブリッド層上に接触して堆積された平坦化層であって、前記第１のハイブリッド層のエッジ部分上に延在しないエッジを有する平坦化層と、
下層電極及び有機層のスタックを備える有機発光デバイスであって、前記平坦化層を通して延在する相互接続リードを提供するように、前記発光デバイスのエッジから外側に延びる下層電極を含むエッジを有する有機発光デバイスと、
前記発光デバイス上に堆積され、前記平坦化層のエッジを超えて延在し、さらに導体パッドを提供するように前記相互接続リードの一部を露出するハイブリッド層であって、３０°から６０°の範囲のぬれ接触角度を有するポリマーシリコンと酸化シリコン含むハイブリッド層と、
を有する電子デバイス。
【請求項１６】
前記ハイブリッド層はハイブリッド層の積層を有する、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記基板は柔軟な基板である、請求項１５に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月1日(2017.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
含窒素極性溶媒およびエーテル系溶媒を含有する均一な多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液であって、
前記エーテル系溶媒の含有量が、ポリアミドイミド溶液質量に対し５０質量％超である、多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液。
【請求項２】
前記エーテル系溶媒が前記含窒素極性溶媒の沸点よりも５℃以上高い沸点を有する、請求項１に記載の多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液。
【請求項３】
前記エーテル系溶媒が、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールおよびトリエチレングリコールからなる群から選択される単独または２種以上の溶媒である、請求項１または２に記載の多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液。
【請求項４】
前記含窒素極性溶媒が、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、テトラメチル尿素およびジメチルエチレン尿素からなる群から選択される単独または２種以上の溶媒である、請求項１〜３のいずれかに記載の多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液。
【請求項５】
前記多孔質ポリアミドイミドフィルムが６０〜８５体積％の気孔率を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液。
【請求項６】
前記多孔質ポリアミドイミドフィルムがリチウム二次電池用セパレータとして使用される、請求項１〜５のいずれかに記載の多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液。
【請求項７】
前記ポリアミドイミドの固形分濃度が、ポリアミドイミド溶液質量に対し２５質量％以下である、請求項１〜６のいずれかに記載の多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液。
【請求項８】
前記ポリアミドイミドのジアミン成分が、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミンおよびジフェニルメタンジアミンからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜７のいずれかに記載の多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液。
【請求項９】
固体状のポリアミドイミドを、含窒素極性溶媒およびエーテル系溶媒を含む混合溶媒に溶解させることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の多孔質ポリアミドイミドフィルム形成用ポリアミドイミド溶液を基材上に塗布後、２００℃以下の温度で乾燥することにより相分離現象を誘起せしめ多孔質化することを特徴とする多孔質ポリアミドイミドフィルムの製造方法。
【請求項１１】
基材がポリエステルフィルムであることを特徴とする請求項１０に記載の多孔質ポリアミドイミドフィルムの製造方法。
【請求項１２】
前記多孔質ポリアミドイミドフィルムが６０〜８５体積％の気孔率を有する、請求項１０または１１に記載の多孔質ポリアミドイミドフィルムの製造方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれかに記載の方法によって製造された多孔質ポリアミドイミドフィルムのリチウム二次電池用セパレータへの使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
【表１】
2017122243.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月28日(2017.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記課題を解決するために、本発明に係る電子機器は、
発電を行うパネルと、
前記パネルで発生した電力を蓄える二次電池と、
前記二次電池と電気的に接続される回路基板と、
前記パネルの近傍に配置され、所定周波数の電波を受信するアンテナと、
前記パネルからの発電電流に対する電気抵抗と前記アンテナが受信する電波に対する電気抵抗とが異なる回路素子と、
を備え、
前記回路基板は、前記パネルが電気的に接続される第一の電極及び第二の電極を有し、前記回路素子が、前記第一の電極側と前記第二の電極側との配線経路上にそれぞれ設けられることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電を行うパネルと、
前記パネルで発生した電力を蓄える二次電池と、
前記二次電池と電気的に接続される回路基板と、
前記パネルの近傍に配置され、所定周波数の電波を受信するアンテナと、
前記パネルからの発電電流に対する電気抵抗と前記アンテナが受信する電波に対する電気抵抗とが異なる回路素子と、
を備え、
前記回路基板は、前記パネルが電気的に接続される第一の電極及び第二の電極を有し、前記回路素子が、前記第一の電極側と前記第二の電極側との配線経路上にそれぞれ設けられることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第一の電極は正電極であり、前記第二の電極は負電極であることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記回路素子は、前記回路基板上、且つ前記パネルと前記二次電池とを電気的に接続する配線経路上に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記回路基板は、前記パネルが電気的に直列接続されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記回路素子は、前記パネルからの発電電流に対する電気抵抗としては低くなりつつ、前記アンテナが受信する電波に対する電気抵抗を高める素子であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記パネルと前記回路基板とを電気的に接続する接続部材を備える１〜５のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記接続部材は、平面視において、前記パネルのうち、前記アンテナの中心と前記パネルの中心とを結ぶ線と直交しつつ前記パネルの中心を通る線を境界線として、前記アンテナが設けられる領域とは当該境界線を介して反対側の領域内に設けられることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記パネルは、光発電を行うソーラーパネルであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項９】
当該電子機器が時刻の表示を行う電子時計であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月28日(2017.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式XIVの化合物：
【化１】
2017122107.tif 000001
（式中、Rは、（C2-C8）アルキルである）；またはその塩。
【請求項２】
式Iの化合物：
【化２】
2017122107.tif 000002
を調製するための方法であって、式XIVのエステル：
【化３】
2017122107.tif 000003
（式中、Rは、（C1-C8）アルキルである）またはその塩を加水分解して、式Xの塩：
【化４】
2017122107.tif 000004
（式中、M+は、適切な対イオンである）を提供すること；そして
式IXの化合物：
【化５】
2017122107.tif 000005
またはその塩を、式Xの塩とカップリングして、式Iの化合物を提供すること
を含む、方法。
【請求項３】
式XIVのエステルまたはその塩が、-10℃から28℃の温度にて、塩基の存在下において水性溶媒中で加水分解される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記塩基が水酸化カリウムまたは水酸化リチウムである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
式IXの化合物またはその塩が、適切なカップリング剤の存在下において適切な有機溶媒中において、式Xの塩とカップリングされる、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記有機溶媒がメチレンクロライドもしくはトルエンまたはこれらの混合物である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記適切なカップリング剤が、EDC・HClおよびHOBtである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
式IXの化合物またはその塩が、-30℃から20℃の温度にて、式Xの塩とカップリングされる、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月19日(2017.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード（１４）とカソード（１６）とを含む電池アセンブリ（１０）であって、前記アノード及び前記カソードのうちの少なくとも一つは、サーモクリスタルメタマテリアル構造（５０）を含み、前記サーモクリスタルメタマテリアル構造（５０）は、
金属酸化物の結晶格子と、
前記金属酸化物の結晶格子の層の間に組み込まれた金属イオンと、
格子振動の方向を揃え、前記格子振動により発生した熱波を集熱するように構成された、前記金属酸化物の結晶格子内に導入された格子内欠陥及び置換元素の少なくとも一つと
を含む、電池アセンブリ（１０）。
【請求項２】
電解質（１８）をさらに含み、前記アノード（１４）及び前記カソード（１６）は、前記電解質に電気的に結合している、請求項１に記載の電池アセンブリ（１０）。
【請求項３】
前記電解質（１８）は非水電解質を含む、請求項２に記載の電池アセンブリ（１０）。
【請求項４】
前記アノード（１４）を前記カソード（１６）から電気的に絶縁させるように位置決めされるセパレータ（２０）をさらに含む、請求項１に記載の電池アセンブリ（１０）。
【請求項５】
電池ハウジング（１２）をさらに含み、前記アノード（１４）と前記カソード（１６）は前記電池ハウジングに格納される、請求項１に記載の電池アセンブリ（１０）。  
【請求項６】
前記アノード（１４）は、伝導性炭素質材料を含む、請求項１に記載の電池アセンブリ（１０）。
【請求項７】
前記金属酸化物の結晶格子内に導入された格子内欠陥はナノ粒子を含む、請求項１に記載の電池アセンブリ（１０）。
【請求項８】
前記金属酸化物の結晶格子内に導入された置換元素は、鉄及びニッケルの少なくとも一つを含む、請求項１に記載の電池アセンブリ（１０）。
【請求項９】
集熱された熱波によって画定された目的エリアに前記サーモクリスタルメタマテリアル構造（５０）に熱的に結合したヒートシンク（２２）をさらに含む、請求項１に記載の電池アセンブリ（１０）。
【請求項１０】
アノードとカソードとを含む電池アセンブリであって、前記カソードはサーモクリスタルメタマテリアル構造を含み、前記サーモクリスタルメタマテリアル構造は、
コバルト酸化物の結晶格子と、
前記コバルト酸化物の結晶格子の層の間に組み込まれたリチウムイオンと、
格子振動の方向を揃え、前記格子振動により発生した熱波を集熱するように構成された、前記コバルト酸化物の結晶格子内に導入された格子内欠陥及び置換元素の少なくとも一つと
を含む、電池アセンブリ。
【請求項１１】
前記コバルト酸化物の結晶格子内に導入された前記格子内欠陥は、鉄のナノ粒子を含む、請求項１０に記載の電池アセンブリ。
【請求項１２】
前記コバルト酸化物の結晶格子内に導入された前記置換元素は、前記コバルト酸化物の結晶格子の一部のコバルトを置換するニッケルを含む、請求項１０に記載の電池アセンブリ。
【請求項１３】
前記コバルト酸化物の結晶格子内に導入された前記置換元素は、前記コバルト酸化物の結晶格子の一部のコバルトを置換する鉄を含む、請求項１０に記載の電池アセンブリ。
【請求項１４】
集熱された熱波によって画定された目的エリアに前記サーモクリスタルメタマテリアル構造に熱的に結合したヒートシンクをさらに含む、請求項１０に記載の電池アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月26日(2016.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーンの２次元（２Ｄ)画像内の２Ｄラインから３Ｄワールド座標系内の３次元（３Ｄ）ラインを再構成する方法であって、
消失点を用いて前記２Ｄラインを検出およびクラスター化するステップと、
頂点およびエッジのグラフを生成するステップであって、前記グラフの各頂点は、前記２Ｄ画像内のラインを表し、２つの頂点を接続する各エッジは、前記３Ｄワールド座標系内の前記２つの頂点に対応する２つのラインの交差の制約の可能性を表す、ステップと、
前記３Ｄライン上で満たされる交差に対する前記制約を特定するために、ソフトペナルティとして前記交差の直交性制約、共線性制約、および結合点制約を用いて交差に対する制約をテストするステップと、
交差に対して特定された前記制約を用いて、前記３Ｄワールド座標系における前記３Ｄラインを再構成するステップと、
を含み、各ステップは、プロセッサにより実行される、シーンの２次元画像内の２Ｄラインから３Ｄワールド座標系内の３次元ラインを再構成する方法。
【請求項２】
前記特定するステップは、線形計画法を用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記３Ｄラインを用いて前記シーンを再構成するステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記線形計画法におけるペナルティ項は、Ｌ結合点、Ｘ結合点、Ｔ結合点、Ｗ結合点、およびＹ結合点を用いる、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記線形計画法の解に対し最小全域木アルゴリズムを用いて前記満たされる制約を特定する、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記再構成は、複数の画像に適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記３Ｄラインは、立体コンテンツを生成するのに用いられる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記３Ｄラインは、物体検出および物体認識の３Ｄコンテキストを提供するのに用いられる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
カメラを家庭用品上に搭載して屋内シーンを再構成する、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記屋内シーンの再構成を用いて、暖房、換気、および空調ユニットにおける空気の流れの最適制御を行う、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
カメラを自動車に搭載し、大きなシーンの再構成を用いて障害を検出する、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
カメラを自動車に搭載し、大きなシーンの再構成を３Ｄ街モデルとマッチングして自動車のロケーションを計算する、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月18日(2017.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリデバイスであって、
半導体基板と、
基板の上に形成されたトンネル誘電体と、
トンネル誘電体の上に形成されたフローティングゲートであって、下部層と上部金属層とを含むハイブリッドフローティングゲート構造を含むフローティングゲートと、
フローティングゲートの上に形成された第１界面層と、
第１界面層の上に形成されたインターゲート誘電体スタックと、
インターゲート誘電体スタックの上に形成されたコントロールゲートと、を含み、
インターゲート誘電体スタックは、第１層、第２層、および第３層を含み、第１層は第１界面層の上に形成され、コントロールゲート構造は第３層の上に形成され、第１層と第３層はそれらの間に挟まれた第２層より高いｋ値を有し、
第１界面層は、高いｋ値の材料を含む不揮発性メモリデバイス。
【請求項２】
第１界面層は、ハイブリッドフローティングゲート構造の上部金属層中に含まれる金属元素を含む請求項１に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項３】
インターゲート誘電体スタックの第１層および第３層は、アルミン酸ハフニウムを含む請求項１に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項４】
インターゲート誘電体スタックの第２層は、酸化アルミニウムと酸化シリコンの少なくとも１つを含む請求項１に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項５】
第１界面層は、インターゲート誘電体スタックの第１層のｋ値より高いｋ値を有する請求項１に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項６】
更に、インターゲート誘電体スタックとコントロールゲートとの間に形成された第２界面層を含む請求項１に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項７】
第２界面層は、インターゲート誘電体スタックの第３層のｋ値より高いｋ値を有する請求項６に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項８】
第２界面層は、コントロールゲート中に含まれる金属元素を含む請求項６に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項９】
第１界面層および第２界面層のそれぞれは、約１ｎｍより小さい膜厚を有する請求項６に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項１０】
第１界面層および第２界面層のそれぞれは、０．１ｎｍから０．７ｎｍの範囲内の膜厚を有する請求項９に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項１１】
不揮発性メモリデバイスの製造方法であって、
半導体基板の上にトンネル誘電体を形成する工程と、
トンネル誘電体の上にフローティングゲートを形成する工程であって、
下部層を形成する工程、および
上部金属層を形成する工程、を含む工程と、
フローティングゲートの上に第１界面層を形成する工程であって、第１界面層はｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を含む工程と、
第１界面層の上にインターゲート誘電体スタックを形成する工程であって、インターゲート誘電体スタックは第１層、第２層、および第３層を含み、第２層は、第１層と第３層との間に挟まれ、第１層と第３層は、第２層より高いｋ値を有する工程と、
インターゲート誘電体スタックの上にコントロールゲートを形成する工程と、を含む製造方法。
【請求項１２】
第１界面層を形成する工程は、インターゲート誘電体スタックの第１層を形成する形成プロセスの一部として、第１界面層を形成する工程を含む請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
更に、コントロールゲートを形成する工程の前に、インターゲート誘電体スタックの上に第２界面層を形成する工程を含む請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１４】
第２界面層を形成する工程は、インターゲート誘電体スタックの第３層を形成する形成プロセスの一部として、第２界面層を形成する工程を含む請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
不揮発性メモリデバイスであって、
半導体基板と、
トンネル誘電体、ハイブリッドフローティングゲート、インターゲート誘電体スタック、およびコントロールゲートを含むメモリセルスタックであって、
ハイブリッドフローティングゲートは、トンネル誘電体とインターゲート誘電体スタックとの間に挟まれ、かつトンネル誘電体の上の半導体材料と、半導体材料の上の金属材料とを含むスタックを含み、
インターゲート誘電体スタックは、ハイブリッドフローティングゲートとコントロールゲートとの間に挟まれ、かつ２つの低バリア材料の間に挟まれた高バリア材料を含み、高バリア材料は、低バリア材料に比較して高い伝導帯を有し、高バリア材料は、低バリア材料に比較して低いｋ値を有する、メモリセルスタックと、
金属材料と低バリア材料のより近い１つとの間に形成された界面材料であって、金属材料の少なくとも１つの金属元素と、低バリア材料のより近い１つとの混合物を含む界面材料と、を含む不揮発性メモリデバイス。
【請求項１６】
界面材料は、低バリア材料と比較してより低い伝導帯を有し、低バリア材料と比較してより高いｋ値を有する請求項１５に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項１７】
界面材料のｋ値と膜厚との組み合わせは、基板とコントロールゲートとの電位差が１２Ｖを超え、界面材料を横切る電圧降下が約５００ｍＶより小さくなるプログラム条件下で選択される請求項１５に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項１８】
界面材料は、Ｔｉを含む請求項１５に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項１９】
ハイブリッドフローティングゲートは、
ｎ型ドーパントでドープされたシリコンを含む半導体材料と、
プログラム条件下で、半導体材料の伝導帯が金属材料に向かって上方に曲がるような、十分に高い仕事関数を含む金属材料と、を含む請求項１７に記載の不揮発性メモリデバイス。
【請求項２０】
更に、コントロールゲートと低バリア材料のより近い１つとの間に形成された第２界面材料を含み、第２界面材料は、コントロールゲートの少なくとも１つの金属元素と、低バリア材料のより近い１つとの混合物を含む請求項１５に記載の不揮発性メモリデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月10日(2017.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラマブル回路と、モニター回路と、コントローラと、を有し、
前記プログラマブル回路は、第１のトランジスタをオフにして電荷を保持し、前記電荷に応じた電位をコンフィギュレーションデータとして記憶するコンフィギュレーションメモリを用いて、回路構成を変更する機能を有し、
前記モニター回路は、前記電荷に応じた電位の変化をモニターし、前記電位の変化に従って信号を出力する機能を有し、
前記コントローラは、前記信号に従って、前記コンフィギュレーションデータの再設定を制御する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記コントローラは、記憶装置に記憶された前記コンフィギュレーションデータを読み出して前記再設定を行う機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記モニター回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタの半導体層は、前記プログラマブル回路が有する前記第１のトランジスタの半導体層と同じ層で構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は４において、
前記モニター回路は、
第１のクロック信号の反転信号がゲートに与えられ、ソース及びドレインの一方に高電源電位が与えられる第１のｐチャネル型トランジスタと、
前記第１のクロック信号がゲートに与えられ、ソース又はドレインの一方に前記第１のｐチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方が電気的に接続された第２のｐチャネル型トランジスタと、
前記第１のクロック信号がゲートに与えられ、ソース又はドレインの一方に前記第２のｐチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方が電気的に接続された第１のｎチャネル型トランジスタと、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方がゲートに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方に前記第１のｎチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方が電気的に接続された第２のｎチャネル型トランジスタと、
データとして高電源電位が与えられ、リセット信号として前記第２のｐチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方または前記第１のｎチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続されたノードの電位が与えられたフリップフロップと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１のｐチャネル型トランジスタ、前記第２のｐチャネル型トランジスタ、前記第１のｎチャネル型トランジスタ及び前記第２のｎチャネル型トランジスタは、シリコン半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタであり、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、前記第１のｐチャネル型トランジスタ、前記第２のｐチャネル型トランジスタ、前記第１のｎチャネル型トランジスタ及び前記第２のｎチャネル型トランジスタ上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記プログラマブル回路は、コンフィギュレーションメモリを有するスイッチと、前記コンフィギュレーションメモリを有するロジック回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月7日(2016.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に搭載された蓄電装置と、
前記車両に搭載されて作動により発電を行なう発電機構と、
前記発電機構の作動を伴って給電を行なうＨＶ給電モードおよび、前記発電機構の作動を停止した状態で前記蓄電装置を用いて給電を行なうＥＶ給電モードのうちのいずれかを選択して前記車両の外部に電力を給電するための制御部とを備え、
前記制御部は、前記車両の外部からの信号に応じて、前記ＨＶ給電モードまたは前記ＥＶ給電モードのうちの一方を選択する、電動車両の給電システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月20日(2016.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の撮影手段と、
前記第１の撮影手段による画像の撮影指示を受け付ける指示手段と、
前記第１の撮影手段により撮影した画像を表示する表示手段と、
前記表示手段が設けられている側を撮影するための第２の撮影手段と、
前記指示手段により撮影指示を受け付けたことに応じて前記第１の撮影手段により撮影した画像を前記表示手段に表示し、当該画像の表示中に前記第２の撮影手段により画像を撮影するように制御する制御手段と
を有することを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記第２の撮影手段による画像の撮影は、前記撮影指示を受け付けたことに応じて前記第１の撮影手段により撮影された画像が前記表示手段に表示されてから所定時間が経過した後に行われることを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項３】
前記第２の撮影手段により撮影された画像を、前記撮影指示を受け付けたことに応じて前記第１の撮影手段により撮影された画像と共に記録媒体に記録する記録手段を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の撮影装置。
【請求項４】
前記記録手段は、前記第１の撮影手段により撮影した画像と前記第２の撮影手段により撮影した画像とを合成して、前記記録媒体に記録することを特徴とする請求項３に記載の撮影装置。
【請求項５】
前記所定時間の指定を受け付ける第１の受付手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記第１の受付手段が受け付けた所定時間が経過した後に、前記第２の撮影手段により画像を撮影するよう制御する請求項２に記載の撮影装置。
【請求項６】
前記表示手段が設けられている側の画像の撮影を前記第１の撮影手段により撮影した画像の表示中に行うか否かの設定を受け付ける第２の受付手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記第１の撮影手段により撮影した画像の表示中に前記表示手段が設けられている側の画像の撮影を行う設定を受け付けた場合に、前記第１の撮影手段により撮影した画像の表示中に、前記第２の撮影手段により画像を撮影するよう制御する請求項１乃至５何れか１項に記載の撮影装置。
【請求項７】
前記第１の撮影手段に対し、速度優先の撮影モードの設定を受け付ける第３の受付手段をさらに有し、
前記第２の撮影手段は、速度優先の撮影モードが設定されていない場合に、前記第１の撮影手段により撮影した画像の表示中に、前記第２の撮影手段により画像を撮影するよう制御する請求項１乃至６何れか１項に記載の撮影装置。
【請求項８】
前記速度優先の撮影モードは、連写撮影モード、ブラケット撮影モード、スポーツ撮影モード、キッズ撮影モード及びペット撮影モードを含む請求項７に記載の撮影装置。
【請求項９】
撮影装置を制御するための撮影制御方法であって、
第１の撮影手段による画像の撮影指示を受け付ける指示ステップと、
前記第１の撮影手段により撮影した画像を表示手段に表示する表示ステップと、
前記指示手段により撮影指示を受け付けたことに応じて、第１の撮影手段により撮影した画像を前記表示手段に表示し、当該画像の表示中に、前記表示手段が設けられている側を撮影するための第２の撮影手段により画像を撮影するように制御する制御ステップと
を含むことを特徴とする撮影制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを、
前記第１の撮影手段による画像の撮影指示を受け付ける指示手段と、
前記第１の撮影手段により撮影した画像を表示する表示手段と、
前記指示手段により撮影指示を受け付けたことに応じて前記第１の撮影手段により撮影した画像を前記表示手段に表示し、当該画像の表示中に、前記表示手段が設けられている側を撮影するための第２の撮影手段により画像を撮影するように制御する制御手段と
して機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明は、撮影装置であって、第１の撮影手段と、前記第１の撮影手段による画像の撮影指示を受け付ける指示手段と、前記第１の撮影手段により撮影した画像を表示する表示手段と、前記表示手段が設けられている側を撮影するための第２の撮影手段と、前記指示手段により撮影指示を受け付けたことに応じて前記第１の撮影手段により撮影した画像を前記表示手段に表示し、当該画像の表示中に前記第２の撮影手段により画像を撮影するように制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月24日(2016.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１０】
図２０〜図２２は、注目画素が第１色成分画素であり、相関方向が第２斜め方向である場合における画素補間処理について説明するための図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１２】
≪Ｄ１ｏｕｔ≫
補間部３は、注目画素の画素値Ｐ２２を、第１色成分の画素値Ｄ１ｏｕｔとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２５】
ｓ０＝（Ｐ０２＋Ｐ２０）／２
ｓ＝Ｐ２２
ｓ１＝（Ｐ２４＋Ｐ４２）／２
また、補間部３は、図２２に示すように、Ｐ１１とＰ２２との中点の第２色成分ｑ０と、Ｐ２２とＰ３３との中点の第２色成分ｑ１とを、以下の数式に相当する処理（内分処理）により算出する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2015122576.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月22日(2016.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画像に基づいて、前記第１の画像よりも階調数が少ない画像を生成する生成手段と、
前記生成手段によって生成された前記階調数が少ない画像に基づいて動き検出を行う第１の動き検出手段と、
前記第１の画像における画素値に基づく特徴量を算出する算出手段と、
前記算出手段によって算出された、前記第１の画像の少なくとも一部における特徴量に応じて、前記第１の動き検出手段の検出結果に基づくベクトル、または、他のベクトルを、前記第１の画像の少なくとも一部における動きベクトルとして決定する決定手段と
を有することを特徴とする動き検出装置。
【請求項２】
前記第１の画像の少なくとも一部は、前記第１の画像を分割したブロックであり、
前記決定手段は、前記ブロック単位で前記動きベクトルを決定し、
前記他のベクトルは、前記動きベクトルを決定する対象のブロックの周囲のブロックから予測されたベクトルである
ことを特徴とする請求項１に記載の動き検出装置。
【請求項３】
前記他のベクトルは、０ベクトルである
ことを特徴とする請求項１に記載の動き検出装置。
【請求項４】
前記決定手段は、前記特徴量と、前記第１の動き検出手段の検出結果と前記他のベクトルとの間の差分絶対値和の差分とに基づいて、前記第１の動き検出手段の検出結果に基づくベクトル、または、他のベクトルを、前記第１の画像の少なくとも一部における動きベクトルとして決定する
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の動き検出装置。
【請求項５】
前記決定手段は、前記特徴量及び前記差分絶対値和の差分がともに所定値以上である場合に前記第１の動き検出手段の検出結果を、前記第１の画像を分割したブロックの動きベクトルとして決定する
ことを特徴とする請求項４に記載の動き検出装置。
【請求項６】
前記決定手段によって決定された動きベクトルを基準として原画像における動き検出を行う第２の動き検出手段
をさらに有することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の動き検出装置。
【請求項７】
前記第１の画像を撮影した撮像部の動きに係る情報を取得する取得手段をさらに有し、
前記決定手段は、さらに前記取得手段によって取得された前記撮像部の動きに係る情報に基づいて、前記第１の動き検出手段の検出結果に基づくベクトル、または、前記他のベクトルを、前記第１の画像の少なくとも一部における動きベクトルとして決定する
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の動き検出装置。
【請求項８】
前記第１の画像の少なくとも一部は、前記第１の画像を分割したブロックであり、
前記決定手段は、前記ブロック単位で前記動きベクトルを決定する、
ことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の動き検出装置。
【請求項９】
第１の画像に基づいて、前記第１の画像よりも階調数が少ない画像を生成する生成工程と、
前記生成工程によって生成された前記階調数が少ない画像に基づいて動き検出を行う第１の動き検出工程と、
前記第１の画像における画素値に基づく特徴量を算出する算出工程と、
前記算出工程によって算出された、前記第１の画像の少なくとも一部における特徴量に応じて、前記第１の動き検出手段の検出結果に基づくベクトル、または、他のベクトルを、前記第１の画像の少なくとも一部における動きベクトルとして決定する決定工程と
を有することを特徴とする動き検出方法。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れか１項に記載の動き検出装置の各手段としてコンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る動き検出装置は、第１の画像に基づいて、前記第１の画像よりも階調数が少ない画像を生成する生成手段と、前記生成手段によって生成された前記階調数が少ない画像に基づいて動き検出を行う第１の動き検出手段と、前記第１の画像における画素値に基づく特徴量を算出する算出手段と、前記算出手段によって算出された、前記第１の画像の少なくとも一部における特徴量に応じて、前記第１の動き検出手段の検出結果に基づくベクトル、または、他のベクトルを、前記第１の画像の少なくとも一部における動きベクトルとして決定する決定手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月13日(2016.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ウェアラブル端末、リスト端末、携帯端末、出力制御システム、出力制御方法及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ウェアラブル端末、リスト端末、携帯端末、出力制御システム、出力制御方法及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、ゴルフのスイング等の特定の状況において自動的に音の出力を制御するウェアラブル端末、リスト端末、携帯端末、出力制御システム、出力制御方法及びプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様のウェアラブル端末は、
携帯端末と無線通信可能であり、ユーザに装着されるウェアラブル端末であって、
前記ユーザがスイングの準備に入ったか否かを判定する第１判定手段と、
前記第１判定手段によって前記ユーザがスイングの準備に入ったと判定された場合に、当該ウェアラブル端末と無線通信によって接続された前記携帯端末の音の出力を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯端末と無線通信可能であり、ユーザに装着されるウェアラブル端末であって、
前記ユーザがスイングの準備に入ったか否かを判定する第１判定手段と、
前記第１判定手段によって前記ユーザがスイングの準備に入ったと判定された場合に、当該ウェアラブル端末と無線通信によって接続された前記携帯端末の音の出力を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするウェアラブル端末。
【請求項２】
前記ウェアラブル端末と、当該ウェアラブル端末と近距離通信可能なゴルフクラブとの間で通信が行われたか否かを判定する第２判定手段を更に備え、
前記第１判定手段は、前記第２判定手段によって前記ウェアラブル端末と前記ゴルフクラブとの間で通信が行われたと判定した場合に、前記ユーザがスイングの準備に入ったと判定すること、
を特徴とする請求項１に記載のウェアラブル端末。
【請求項３】
端末の方向を検出する検出手段と、
前記検出手段によって所定の向きで静止したか否かを判定する第３判定手段を更に備え、
前記第１判定手段は、前記第３判定手段によって前記所定の向きで静止したと判定した場合に、前記ユーザがスイングの準備に入ったと判定すること、
を特徴とする請求項１又は２に記載のウェアラブル端末。
【請求項４】
前記制御手段は、前記携帯端末の出力制御として、音の出力を行わない状態になるように制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のウェアラブル端末。
【請求項５】
ユーザの動作に関するセンサ情報を取得するセンサ部をさらに備え、
前記第１判定手段は、前記センサ部から取得される前記センサ情報に基づいて、前記ユーザがスイングの準備に入ったと判定する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のウェアラブル端末。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の特徴的構成を有する、
ことを特徴とするリスト端末。
【請求項７】
ユーザに装着されるウェアラブル端末と通信可能な携帯端末であって、
音の出力を行う出力手段を備え、
前記出力手段は、前記ウェアラブル端末から前記ユーザがスイングの準備に入ったと判定されて、前記ウェアラブル端末によって音の出力の制御が行われた場合に、当該制御に応じて、当該音の出力を変更する、
ことを特徴とする携帯端末。
【請求項８】
前記出力手段は、音の出力制御として、音の出力を行わない状態にするように制御される、
ことを特徴とする請求項７に記載の携帯端末。
【請求項９】
ユーザに装着されるウェアラブル端末と、当該ウェアラブル端末と通信可能な携帯端末を備える出力制御システムであって、
前記ウェアラブル端末は、
前記ユーザがスイングの準備に入ったか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によって前記ユーザがスイングの準備に入ったと判定された場合に、当該ウェアラブル端末と近距離無線通信によって接続された前記携帯端末の音の出力を制御する制御手段と、を備え、
前記携帯端末は、
音の出力を行う出力手段を備え、
前記出力手段は、前記判定手段により前記ユーザがスイングの準備に入ったと判定されて、前記制御手段により音の出力の制御が行われた場合に、当該制御に応じて、当該音の出力を変更する、
ことを特徴とする出力制御システム。
【請求項１０】
携帯端末と無線通信可能であり、ユーザに装着されるウェアラブル端末で実行される出力制御方法あって、
前記ユーザがスイングの準備に入ったか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップによって前記ユーザがスイングの準備に入ったと判定された場合に、当該ウェアラブル端末と無線通信によって接続された前記携帯端末の音の出力を制御する制御ステップと、
を含むことを特徴とする出力制御方法。
【請求項１１】
携帯端末と無線通信可能であり、ユーザに装着されるウェアラブル端末を制御するコンピュータを、
前記ユーザがスイングの準備に入ったか否かを判定する判定手段、
前記判定手段によって前記ユーザがスイングの準備に入ったと判定された場合に、当該ウェアラブル端末と無線通信によって接続された前記携帯端末の音の出力を制御する制御手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月21日(2017.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画を構成する複数のフレームを取得する取得手段と、
前記取得手段により取得される複数のフレームに含まれる処理対象フレームの特徴量に基づいて、前記処理対象フレームに対する画像処理に用いるフレームの数を決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された数のフレームを用いて、前記処理対象フレームに対する前記画像処理を実行する処理手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記処理手段は、前記動画の画質を向上させるための前記画像処理を前記処理対象フレームに対して実行することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記動画の画質に関する所定の評価値が閾値以上となるように、前記処理対象フレームに対する前記画像処理に用いるフレームの数を決定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記取得手段により取得される前記複数のフレームを記憶する記憶手段を有し、
前記処理手段は、前記記憶手段により記憶された前記複数のフレームのうち、前記決定手段により決定された数のフレームを用いて、前記処理対象フレームに対する前記画像処理を実行することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記処理手段により実行される前記画像処理は、インターレース方式の動画をプログレッシブ方式の動画に変換するための処理、動画のフレームレートを増加させるための処理、及び動画の解像度を向上させるための処理の少なくとも何れかを含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記処理対象フレームに含まれる複数の部分領域それぞれの特徴量を検出する検出手段を有し、
前記決定手段は、前記複数の部分領域に含まれる各部分領域について、当該部分領域に対する前記画像処理に用いるフレームの数を、前記検出手段により検出された当該部分領域の特徴量に基づいて決定し、
前記処理手段は、前記複数の部分領域それぞれに対する前記画像処理を、前記決定手段により前記複数の部分領域それぞれについて決定された数のフレームを用いて実行することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記決定手段は、前記複数の部分領域に含まれる各部分領域について、当該部分領域に対する前記画像処理に用いるフレームの数を、前記検出手段より検出された当該部分領域の特徴量と当該部分領域に隣接する部分領域の特徴量とに基づいて決定することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記処理対象フレームに対する前記画像処理に用いるフレームの数を前記決定手段が決定するために用いられる特徴量は、前記処理対象フレームの明るさ、前記処理対象フレームに含まれる周波数成分、及び前記処理対象フレームと前記複数のフレームに含まれる別のフレームとの差分の少なくとも何れかに関する特徴量であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記決定手段は、前記処理対象フレームの特徴量が所定の動き量よりも大きい動き量を示す場合には、前記特徴量が前記所定の動き量よりも小さい動き量を示す場合よりも、前記処理対象フレームに対する前記画像処理に用いるフレームの数が多くなるように決定することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記決定手段は、前記処理対象フレームの特徴量が所定量よりも少ない高周波成分の量を示す場合には、前記処理対象フレームに対する前記画像処理のために前記処理対象フレーム以外のフレームが用いられず、前記特徴量が前記所定量よりも多い高周波成分の量を示す場合には、前記処理対象フレームに対する前記画像処理のために前記処理対象フレーム以外のフレームが用いられるように決定することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
動画を構成する複数のフレームを取得する取得工程と、
前記取得工程において取得される複数のフレームに含まれる処理対象フレームの特徴量に基づいて、前記処理対象フレームに対する画像処理に用いるフレームの数を決定する決定工程と、
前記決定工程において決定された数のフレームを用いて、前記処理対象フレームに対する前記画像処理を実行する処理工程とを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
前記処理工程において実行される前記画像処理は、インターレース方式の動画をプログレッシブ方式の動画に変換するための処理、動画のフレームレートを増加させるための処理、及び動画の解像度を向上させるための処理の少なくとも何れかを含むことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項１３】
前記処理対象フレームに含まれる複数の部分領域それぞれの特徴量を検出する検出工程を有し、
前記決定工程においては、前記複数の部分領域に含まれる各部分領域について、当該部分領域に対する前記画像処理に用いるフレームの数が、前記検出工程において検出された当該部分領域の特徴量に基づいて決定され、
前記処理工程においては、前記複数の部分領域それぞれに対する前記画像処理が、前記決定工程において前記複数の部分領域それぞれについて決定された数のフレームを用いて実行されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び画像処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、特に、参照フレームを用いて画像処理を行うに用いて好適な画像処理装置及び画像処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る画像処理装置は、動画を構成する複数のフレームを取得する取得手段と、前記取得手段により取得される複数のフレームに含まれる処理対象フレームの特徴量に基づいて、前記処理対象フレームに対する画像処理に用いるフレームの数を決定する決定手段と、前記決定手段により決定された数のフレームを用いて、前記処理対象フレームに対する前記画像処理を実行する処理手段とを有することを特徴とする。