【手続補正書】
【提出日】平成29年4月5日(2017.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により酸素分子及び一酸化窒素を放出する機能を有し、
前記放出される酸素分子に由来する酸素原子、及び前記放出される一酸化窒素に由来する酸素原子の放出量が、１×１０２０／ｃｍ３以上１×１０２１／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により酸素分子及び一酸化窒素を放出する機能を有し、
前記放出される酸素分子に由来する酸素原子、及び前記放出される一酸化窒素に由来する酸素原子の放出量が、５×１０１５／ｃｍ２以上５×１０１６／ｃｍ２以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、窒素よりも酸素の含有量が多い絶縁膜であり、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により酸素分子及び一酸化窒素を放出する機能を有し、
前記放出される酸素分子に由来する酸素原子、及び前記放出される一酸化窒素に由来する酸素原子の放出量が、１×１０２０／ｃｍ３以上１×１０２１／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、窒素よりも酸素の含有量が多い絶縁膜であり、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により酸素分子及び一酸化窒素を放出する機能を有し、
前記放出される酸素分子に由来する酸素原子、及び前記放出される一酸化窒素に由来する酸素原子の放出量が、５×１０１５／ｃｍ２以上５×１０１６／ｃｍ２以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により放出される酸素原子の放出量が、１×１０２０／ｃｍ３以上１×１０２１／ｃｍ３以下であり、
前記酸素原子の放出量は、質量電荷比３２の放出量を２倍にした放出量と、質量電荷比３０の放出量との和に相当することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により放出される酸素原子の放出量が、５×１０１５／ｃｍ２以上５×１０１６／ｃｍ２以下であり、
前記酸素原子の放出量は、質量電荷比３２の放出量を２倍にした放出量と、質量電荷比３０の放出量との和に相当することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、窒素よりも酸素の含有量が多い絶縁膜であり、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により放出される酸素原子の放出量が、１×１０２０／ｃｍ３以上１×１０２１／ｃｍ３以下であり、
前記酸素原子の放出量は、質量電荷比３２の放出量を２倍にした放出量と、質量電荷比３０の放出量との和に相当することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、窒素よりも酸素の含有量が多い絶縁膜であり、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により放出される酸素原子の放出量が、５×１０１５／ｃｍ２以上５×１０１６／ｃｍ２以下であり、
前記酸素原子の放出量は、質量電荷比３２の放出量を２倍にした放出量と、質量電荷比３０の放出量との和に相当することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により放出される酸素原子の放出量が、１×１０２０／ｃｍ３以上１×１０２１／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により放出される酸素原子の放出量が、５×１０１５／ｃｍ２以上５×１０１６／ｃｍ２以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、窒素よりも酸素の含有量が多い絶縁膜であり、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により放出される酸素原子の放出量が、１×１０２０／ｃｍ３以上１×１０２１／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、窒素よりも酸素の含有量が多い絶縁膜であり、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により放出される酸素原子の放出量が、５×１０１５／ｃｍ２以上５×１０１６／ｃｍ２以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
酸化窒化絶縁膜と、
前記酸化窒化絶縁膜に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化窒化絶縁膜は、窒素よりも酸素の含有量が多い絶縁膜であり、
前記酸化窒化絶縁膜は、加熱処理により酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記酸化窒化絶縁膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化窒化絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
シリコンを有する堆積性気体及び酸化性気体を有する原料ガスを用いたＣＶＤ法により、酸化窒化絶縁膜を形成し、
前記酸化窒化絶縁膜上に接する酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、
前記加熱処理された酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記加熱処理された酸化物半導体膜及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記加熱処理された酸化物半導体膜と重なるゲート電極を形成し、
前記加熱処理により放出する、酸素分子に由来する酸素原子及び一酸化窒素に由来する酸素原子の放出量が、１×１０２０／ｃｍ３以上１×１０２１／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
シリコンを有する堆積性気体及び酸化性気体を有する原料ガスを用いたＣＶＤ法により、酸化窒化絶縁膜を形成し、
前記酸化窒化絶縁膜上に接する酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、
前記加熱処理された酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記加熱処理された酸化物半導体膜及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記加熱処理された酸化物半導体膜と重なるゲート電極を形成し、
前記加熱処理により放出する、酸素分子に由来する酸素原子及び一酸化窒素に由来する酸素原子の放出量が、５×１０１５／ｃｍ２以上５×１０１６／ｃｍ２以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６又は請求項１７において、
前記酸化窒化絶縁膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化窒化絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。