Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月22日(2017.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端部に間隙を有して貼り合わされた一方および他方の基板を有する積層体の加工装置であって、
前記積層体の一部を固定する固定機構を有し、
前記積層体の一方の基板の外周端部を固定する複数の吸着治具を有し、
前記積層体の一角部に挿入する楔型治具を有し、
前記複数の吸着治具は、上下方向および水平方向に個別に移動することができる機構を有することを特徴とする積層体の加工装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記積層体端部の間隙の位置を検出するセンサを有することを特徴とする積層体の加工装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記楔型治具の先端が前記積層体の端面に形成された面取り部に沿って移動し、
前記楔型治具が前記積層体端部の間隙に挿入されることを特徴とする積層体の加工装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記積層体に液体を注入するノズルを有することを特徴とする積層体の加工装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記積層体の一方の基板と接するローラを有することを特徴とする積層体の加工装置。
【請求項６】
端部に間隙を有して貼り合わされた一方および他方の基板を有する積層体の一部を固定機構に固定し、
複数の吸着治具を移動して前記積層体の一方の基板の外周端部を前記複数の吸着治具で固定し、
楔型治具を前記積層体の一角部に挿入し、
前記複数の吸着治具の中から前記一角部に最も近い吸着治具を上昇させて前記積層体の一方の基板の剥離を開始し、
当該剥離開始点から剥離領域が広がるように順次吸着治具を選択して移動させることを特徴とする積層体の加工方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月13日(2017.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動条件の成立に基づいて、遊技者にとって有利な特別遊技を実行するか否かの判定を実行する判定手段と、
遊技に伴う遊技演出画像を表示する表示手段と、
前記表示手段において複数の演出図柄を変動表示させることにより前記判定の結果を報知する変動演出の実行制御、及び、該変動演出における前記可動部材の動作制御を行う演出制御手段とを備え、
前記演出制御手段は、
前記変動演出として、
前記複数の演出図柄のうちの一部の演出図柄をリーチ態様で仮停止させて第１段階のリーチ演出を実行した後に、該第１段階のリーチ演出よりも前記特別遊技が実行される可能性が高い第２段階のリーチ演出を実行する第１リーチ演出と、
前記第１段階のリーチ演出を実行した後に、前記第２段階のリーチ演出を実行し、該第２段階のリーチ演出の実行後、該第２段階のリーチ演出よりも前記特別遊技が実行される可能性が高い第３段階のリーチ演出を実行する第２リーチ演出と、
前記第１段階のリーチ演出を実行した後に、前記第２段階のリーチ演出を実行せず、前記第３段階のリーチ演出を実行する第３リーチ演出と、
を実行可能であり、
前記変動演出において、前記判定手段によって前記特別遊技を実行すると判定されたか否かに関わらず実行可能な演出であって、前記特別遊技が実行されることへの期待感を高めるための予告演出を実行可能であり、
前記予告演出には、第１予告演出と、該第１予告演出よりも前記特別遊技が実行される期待度が高いことを示唆する第２予告演出とが含まれており、
前記第２リーチ演出を実行するときよりも前記第３リーチ演出を実行するときの方が、前記第２予告演出を実行し易い、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明は、より興趣の高い演出を実現できるように構成した遊技機を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の目的を達成するため、本願請求項１に係る発明の遊技機は、始動条件の成立に基づいて、遊技者にとって有利な特別遊技を実行するか否かの判定を実行する判定手段（メインＣＰＵ１１０ａ）と、遊技に伴う遊技演出画像を表示する表示手段（画像表示装置３１）と、前記表示手段において複数の演出図柄を変動表示させることにより前記判定の結果を報知する変動演出の実行制御、及び、該変動演出における前記可動部材の動作制御を行う演出制御手段（サブＣＰＵ１２０ａ）とを備え、前記演出制御手段は、前記変動演出として、前記複数の演出図柄のうちの一部の演出図柄をリーチ態様で仮停止させて第１段階のリーチ演出（ノーマルリーチ）を実行した後に、該第１段階のリーチ演出よりも前記特別遊技が実行される可能性が高い第２段階のリーチ演出（スーパーリーチ）を実行する第１リーチ演出（リーチ演出Ａ）と、前記第１段階のリーチ演出を実行した後に、前記第２段階のリーチ演出を実行し、該第２段階のリーチ演出の実行後、該第２段階のリーチ演出よりも前記特別遊技が実行される可能性が高い第３段階のリーチ演出（スペシャルリーチ）を実行する第２リーチ演出（リーチ演出Ｂ）と、前記第１段階のリーチ演出を実行した後に、前記第２段階のリーチ演出を実行せず、前記第３段階のリーチ演出を実行する第３リーチ演出（リーチ演出Ｃ）と、を実行可能であり、前記変動演出において、前記判定手段によって前記特別遊技を実行すると判定されたか否かに関わらず実行可能な演出であって、前記特別遊技が実行されることへの期待感を高めるための予告演出を実行可能であり、前記予告演出には、第１予告演出と、該第１予告演出よりも前記特別遊技が実行される期待度が高いことを示唆する第２予告演出とが含まれており、前記第２リーチ演出を実行するときよりも前記第３リーチ演出を実行するときの方が、前記第２予告演出を実行し易い、ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の遊技機によれば、より興趣の高い演出を実現することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月10日(2017.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の遊技機は、
始動口と、
特定入賞口と、
前記始動口への遊技球の進入に基づいて入賞情報を取得する入賞情報取得手段と、
前記入賞情報取得手段により取得された入賞情報に基づいて当たりの判定を行う当たり判定手段と、
前記当たり判定手段による判定結果が当たりである場合に、特定の停止態様で図柄を表示する図柄表示手段と、
前記図柄表示手段により特定の停止態様で図柄が表示されたあと、当選した当たりの種類に応じた開放パターンにて前記特定入賞口を開放する特別遊技を実行する特別遊技実行手段と、
前記特別遊技後の遊技状態を、通常確率状態よりも当たりの当選確率が高い高確率状態に制御可能な高確率状態制御手段と、
前記高確率状態制御手段により前記高確率状態に制御された連続回数が所定の制限回数に至っている場合には、前記特別遊技後の遊技状態を前記通常確率状態に制御するリミッタ機能を作動させるリミッタ手段と、を備え、
特定の種類の当たりに当選してその特別遊技後に前記高確率状態に制御されてから前記リミッタ機能が作動するまでは、前記高確率状態に制御されやすい特定の遊技期間が生起され得る遊技機において、
前記特定の遊技期間中の前記特定入賞口への進入によって得られる賞球の予定数を表示する予定数表示手段と、
前記予定数表示手段により表示されている予定数（以下「表示予定数」という）に上乗せ数を加算し得る上乗せ演出を実行する上乗せ演出実行手段と、を備え、
前記特別遊技実行手段は、所定数の賞球が獲得可能な第１の特別遊技を少なくとも実行可能であり、
前記予定数表示手段は、前記通常確率状態において前記特定の種類の当たりに当選したことを条件に表示する前記表示予定数（以下「初期表示予定数」という）として最低賞球予定数を超えない値を表示可能であり、
前記最低賞球予定数は、前記特定の遊技期間中に実行された特別遊技が全て前記第１の特別遊技で実行された場合に得られる予定の賞球数であり、
前記予定数表示手段は、前記初期表示予定数として前記最低賞球予定数よりも小さい値を表示するものであり、
前記上乗せ演出は、前記最低賞球予定数と前記初期表示予定数との差分を前記上乗せ数として表示可能であることを特徴とする遊技機である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動口と、
特定入賞口と、
前記始動口への遊技球の進入に基づいて入賞情報を取得する入賞情報取得手段と、
前記入賞情報取得手段により取得された入賞情報に基づいて当たりの判定を行う当たり判定手段と、
前記当たり判定手段による判定結果が当たりである場合に、特定の停止態様で図柄を表示する図柄表示手段と、
前記図柄表示手段により特定の停止態様で図柄が表示されたあと、当選した当たりの種類に応じた開放パターンにて前記特定入賞口を開放する特別遊技を実行する特別遊技実行手段と、
前記特別遊技後の遊技状態を、通常確率状態よりも当たりの当選確率が高い高確率状態に制御可能な高確率状態制御手段と、
前記高確率状態制御手段により前記高確率状態に制御された連続回数が所定の制限回数に至っている場合には、前記特別遊技後の遊技状態を前記通常確率状態に制御するリミッタ機能を作動させるリミッタ手段と、を備え、
特定の種類の当たりに当選してその特別遊技後に前記高確率状態に制御されてから前記リミッタ機能が作動するまでは、前記高確率状態に制御されやすい特定の遊技期間が生起され得る遊技機において、
前記特定の遊技期間中の前記特定入賞口への進入によって得られる賞球の予定数を表示する予定数表示手段と、
前記予定数表示手段により表示されている予定数（以下「表示予定数」という）に上乗せ数を加算し得る上乗せ演出を実行する上乗せ演出実行手段と、を備え、
前記特別遊技実行手段は、所定数の賞球が獲得可能な第１の特別遊技を少なくとも実行可能であり、
前記予定数表示手段は、前記通常確率状態において前記特定の種類の当たりに当選したことを条件に表示する前記表示予定数（以下「初期表示予定数」という）として最低賞球予定数を超えない値を表示可能であり、
前記最低賞球予定数は、前記特定の遊技期間中に実行された特別遊技が全て前記第１の特別遊技で実行された場合に得られる予定の賞球数であり、
前記予定数表示手段は、前記初期表示予定数として前記最低賞球予定数よりも小さい値を表示するものであり、
前記上乗せ演出は、前記最低賞球予定数と前記初期表示予定数との差分を前記上乗せ数として表示可能であることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月16日(2017.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
慣性センサーの出力を用いて、被験者のアドレス時における運動器具の姿勢に関する第１姿勢情報を生成する第１姿勢情報生成工程と、
前記慣性センサーの出力を用いて、前記被験者の打球時における前記運動器具の姿勢に関する第２姿勢情報を生成する第２姿勢情報生成工程と、
前記第１姿勢情報と前記第２姿勢情報との姿勢差に関する姿勢差情報を生成する姿勢差情報生成工程と、を含む、運動解析方法。
【請求項２】
前記慣性センサーは、加速度センサーを含み、
前記第１姿勢情報生成工程において、
前記アドレス時における前記加速度センサーの出力を用いて、重力加速度の方向を基準とする前記運動器具の傾き量を計算し、当該傾き量を用いて前記第１姿勢情報を生成する、請求項１に記載の運動解析方法。
【請求項３】
前記慣性センサーは、角速度センサーを含み、
前記第２姿勢情報生成工程において、
前記角速度センサーの出力を用いて、前記アドレス時から前記打球時までの前記慣性センサーの姿勢変化量を計算し、当該姿勢変化量を用いて前記第２姿勢情報を生成する、請求項１又は２に記載の運動解析方法。
【請求項４】
前記姿勢差情報を用いて、前記アドレス時に前記運動器具または前記被験者がとるべき姿勢に関するアドバイス情報を生成するアドバイス情報生成工程を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の運動解析方法。
【請求項５】
前記第１姿勢情報及び前記第２姿勢情報は、
水平面に対する前記運動器具のシャフトの角度の情報を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の運動解析方法。
【請求項６】
前記第１姿勢情報及び前記第２姿勢情報は、
打球方向を示すターゲットラインに直交する仮想面に対する前記運動器具の打撃面の角度
の情報を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の運動解析方法。
【請求項７】
前記第１姿勢情報及び前記第２姿勢情報は、
水平面に直交する面に対する前記運動器具の打撃面の角度の情報を含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の運動解析方法。
【請求項８】
前記慣性センサーは、前記運動器具に装着される、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の運動解析方法。
【請求項９】
前記運動器具は、ゴルフクラブである、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の運動解析方法。
【請求項１０】
慣性センサーの出力を用いて、被験者のアドレス時における運動器具の姿勢に関する第１姿勢情報を生成する第１姿勢情報生成部と、
前記慣性センサーの出力を用いて、前記被験者の打球時における前記運動器具の姿勢に関する第２姿勢情報を生成する第２姿勢情報生成部と、
前記第１姿勢情報と前記第２姿勢情報との姿勢差に関する姿勢差情報を生成する姿勢差情報生成部と、を含む、運動解析装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の運動解析装置と、前記慣性センサーと、を含む、運動解析システム。
【請求項１２】
慣性センサーの出力を用いて、被験者のアドレス時における運動器具の姿勢に関する第１姿勢情報を生成する第１姿勢情報生成工程と、
前記慣性センサーの出力を用いて、前記被験者の打球時における前記運動器具の姿勢に関する第２姿勢情報を生成する第２姿勢情報生成工程と、
前記第１姿勢情報と前記第２姿勢情報との姿勢差に関する姿勢差情報を生成する姿勢差情報生成工程と、をコンピューターに実行させる、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月16日(2017.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
慣性センサーの出力を用いて、被験者が運動器具を用いて行ったスイング動作における理想的な打球位置に関する第１位置情報を生成する第１位置情報生成工程と、
前記慣性センサーの出力を用いて、前記被験者の打球時における前記運動器具の打撃部の位置に関する第２位置情報を生成する第２位置情報生成工程と、
前記第１位置情報と前記第２位置情報との位置の差に関する位置差情報を生成する位置差情報生成工程と、を含む、運動解析方法。
【請求項２】
前記理想的な打球位置は、
前記スイング動作において前記打撃部の高度が最も低い位置である、請求項１に記載の運動解析方法。
【請求項３】
前記第１位置情報生成工程において、
前記慣性センサーの出力を用いて、前記スイング動作における前記運動器具の軌跡情報を生成し、前記軌跡情報を用いて前記第１位置情報を生成する、請求項１又は２に記載の運動解析方法。
【請求項４】
前記第２位置情報生成工程において、
前記慣性センサーの出力の合成値を計算し、当該合成値に基づいて前記打球時を特定する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の運動解析方法。
【請求項５】
前記位置差情報を用いて、前記打球時における前記打撃部の位置が前記理想的な打球位置となるための前記被験者のアドレス位置に関するアドバイス情報を生成するアドバイス情報生成工程を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の運動解析方法。
【請求項６】
前記慣性センサーは、前記運動器具に装着される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の運動解析方法。
【請求項７】
前記運動器具は、ゴルフクラブである、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の運動解析方法。
【請求項８】
慣性センサーの出力を用いて、被験者が運動器具を用いて行ったスイング動作における理想的な打球位置に関する第１位置情報を生成する第１位置情報生成部と、
前記慣性センサーの出力を用いて、前記被験者の打球時における前記運動器具の打撃部の位置に関する第２位置情報を生成する第２位置情報生成部と、
前記第１位置情報と前記第２位置情報との位置の差に関する位置差情報を生成する位置差情報生成部と、を含む、運動解析装置。
【請求項９】
請求項８に記載の運動解析装置と、前記慣性センサーと、を含む、運動解析システム。
【請求項１０】
慣性センサーの出力を用いて、被験者が運動器具を用いて行ったスイング動作における理想的な打球位置に関する第１位置情報を生成する第１位置情報生成工程と、
前記慣性センサーの出力を用いて、前記被験者の打球時における前記運動器具の打撃部の位置に関する第２位置情報を生成する第２位置情報生成工程と、
前記第１位置情報と前記第２位置情報との位置の差に関する位置差情報を生成する位置差情報生成工程と、をコンピューターに実行させる、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月15日(2017.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技媒体を用いて遊技が行われる遊技機において、
所定の表示面に遊技に関する演出動画を投射する投射部と、
前記投射部の投射により演出動画が現出される複数の表示面を有する動画表示手段と、
前記投射部の投射により演出動画が現出される表示面を、遊技の進行過程で変更する表示面変更手段と
を具備していることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、
遊技媒体を用いて遊技が行われる遊技機において、
所定の表示面に遊技に関する演出動画を投射する投射部と、
前記投射部の投射により演出動画が現出される複数の表示面を有する動画表示手段と、
前記投射部の投射により演出動画が現出される表示面を、遊技の進行過程で変更する表示面変更手段と
を具備していることを特徴とする。
また、本発明とは別の発明として、以下の手段を参考的に開示する。
手段１：遊技機において、
「遊技者の操作によって遊技媒体が打込まれる遊技領域と、
該遊技領域内の所定位置に配置されており遊技媒体の受入れを契機として、遊技者が有利となる有利遊技状態の発生を含む抽選結果の抽選が行われる始動口と、
該始動口への遊技媒体の受入れにより抽選された前記抽選結果の示唆を含む演出動画を、前記遊技領域の略中央に投射する動画投射装置と、
該動画投射装置からの演出動画の投射により演出動画を遊技者側から視認可能に表示可能な平板状の第一演出表示体と、
該第一演出表示体とは、色相、彩度、明度、及び透明度、のうちの少なくとも一つが異なり、前記動画投射装置からの演出動画の投射により演出動画を遊技者側から視認可能に表示可能な第二演出表示体と、
該第二演出表示体を、抽選された前記抽選結果に応じて正面視前記遊技領域内の略中央に位置している前記第一演出表示体と差替える差替装置と
を具備している」ものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月13日(2017.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物に第１の溶液を供給する第１の供給部と、 
前記第１の溶液が供給された被処理物に第２の溶液を供給する第２の供給部と、 
前記第２の溶液が供給された被処理物を乾燥させる乾燥部と、 
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な容器と、 
前記容器の内部に載置された前記乾燥させた被処理物を加熱する加熱部と、 
前記容器の内部にガスを供給するガス供給部と、 
前記容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、 
を備えた洗浄システム。 
【請求項２】
被処理物に第１の溶液を供給する第１の供給部と、 
前記第１の溶液が供給された被処理物に第２の溶液を供給する第２の供給部と、 
前記第２の溶液が供給された被処理物を乾燥させる乾燥部と、 
プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給するプラズマ発生部と、 
前記プラズマを発生させる領域に、酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含むプロセスガスを供給するプロセスガス供給部と、 
を備えた洗浄システム。 
【請求項３】
被処理物に第１の溶液を供給する工程と、 
前記第１の溶液が供給された被処理物に第２の溶液を供給する工程と、 
前記第２の溶液が供給された被処理物を乾燥させる工程と、 
所定のガスを含み大気圧よりも減圧された雰囲気中において、前記乾燥させた被処理物を加熱する工程と、 
を備えた洗浄方法。 
【請求項４】
被処理物に第１の溶液を供給する工程と、 
前記第１の溶液が供給された被処理物に第２の溶液を供給する工程と、 
前記第２の溶液が供給された被処理物を乾燥させる工程と、 
酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含むプロセスガスから生成されたプラズマ生成物を用いて、前記乾燥させた被処理物を処理する工程と、 
を備えた洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月31日(2017.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート状の第１の部材を支持することができるステージと、
シート状の第２の部材が前記第１の部材に重なるように、前記第２の部材の一の端部を固定することができる固定機構と、
前記第１の部材及び前記第２の部材の間の接着層を押し広げながら、前記第２の部材の前記一の端部側から他の端部側に向かって移動する加圧機構と、を有し、
前記固定機構は、前記第１の部材の端部よりも外側に延在する前記第２の部材の端部を固定する機能を有し、
前記第１の部材及び前記第２の部材を貼り合わせる、貼り合わせ装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ステージが支持する前記第１の部材上に前記接着層を形成することができる接着層形成機構を有する、貼り合わせ装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記加圧機構を用いて前記第１の部材及び前記第２の部材を貼り合わせる前に、前記第２の部材の前記他の端部が前記第１の部材と貼り合わされないよう、前記第２の部材の前記他の端部を保持する部材保持機構を有する、貼り合わせ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記固定機構と前記第１の部材の端部の間の領域において、スペーサを有する、貼り合わせ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月1日(2017.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】剥離方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に、前記剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、
前記剥離層と前記第１の層の一部を分離し、剥離の起点を形成する第３の工程と、
前記剥離層と前記被剥離層とを分離する第４の工程と、を有する剥離方法。
【請求項２】
基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に、前記剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、
前記剥離層及び前記被剥離層と重ねて接合層を硬化する第３の工程と、
前記接合層と重なる前記剥離層と前記第１の層の一部を分離し、剥離の起点を形成する第４の工程と、
前記剥離層と前記被剥離層とを分離する第５の工程と、を有する剥離方法。
【請求項３】
基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に、前記剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、
前記剥離層及び前記被剥離層と重ねて、第１の接合層、及び前記第１の接合層を囲う枠状の第２の接合層を硬化する第３の工程と、
前記第２の接合層と重なる前記剥離層と前記第１の層の一部を分離し、剥離の起点を形成する第４の工程と、
前記剥離層と前記被剥離層とを分離する第５の工程と、を有する剥離方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３において、
前記第２の工程では、前記被剥離層として、
前記第１の層を含み、応力が負の値である積層体を少なくとも形成する剥離方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の工程では、前記積層体として、
応力が負の値である、前記第１の層と、
応力が負の値である、前記第１の層上の第２の層と、を少なくとも形成する剥離方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の層として酸化物絶縁膜を形成し、
前記第２の層として窒化物絶縁膜を形成する剥離方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月14日(2017.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体チップと、
第２の半導体チップと、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを接続する接続部とを備え、
前記第１の半導体チップは、光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を保持する蓄積容量とを含み、
前記第２の半導体チップは、前記光電変換部で生成された電荷の前記蓄積容量への転送を制御する転送トランジスタと、列出力線との接続を制御する行選択トランジスタと、前記光電変換部及び前記蓄積容量の電荷のリセットを制御するリセットトランジスタと、前記蓄積容量の信号電荷を増幅して信号電圧に変換するソースフォロアとのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする撮像素子。
【請求項２】
前記第１の半導体チップは、前記光電変換部及び前記蓄積容量の電荷のリセットを制御するリセットトランジスタと、前記蓄積容量の信号電荷を増幅して信号電圧に変換するソースフォロアと、前記光電変換部で生成された電荷の前記蓄積容量への転送を制御する転送トランジスタとを更に含み、
前記第２の半導体チップは、前記列出力線との接続を制御する行選択トランジスタを含み、
前記接続部は、前記ソースフォロアと前記行選択トランジスタとを接続する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記第１の半導体チップは、前記光電変換部及び前記蓄積容量の電荷のリセットを制御するリセットトランジスタと、前記蓄積容量の信号電荷を増幅して信号電圧に変換するソースフォロアとを更に含み、
前記第２の半導体チップは、前記光電変換部で生成された電荷の前記蓄積容量への転送を制御する転送トランジスタと、前記列出力線との接続を制御する行選択トランジスタとを含み、
前記接続部は、前記光電変換部と前記転送トランジスタ、前記転送トランジスタと前記蓄積容量、及び前記ソースフォロアと前記行選択トランジスタとをそれぞれ接続する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項４】
前記第１の半導体チップは、前記光電変換部で生成された電荷の前記蓄積容量への転送を制御する転送トランジスタと、前記蓄積容量の信号電荷を増幅して信号電圧に変換するソースフォロアとを更に含み、
前記第２の半導体チップは、前記光電変換部及び前記蓄積容量の電荷のリセットを制御するリセットトランジスタと、前記列出力線との接続を制御する行選択トランジスタとを含み、
前記接続部は、前記転送トランジスタ、前記蓄積容量、及び前記ソースフォロアの接続点と前記リセットトランジスタ、前記リセットトランジスタと電源電圧、前記ソースフォロアと前記行選択トランジスタとをそれぞれ接続する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項５】
前記第１の半導体チップは、前記光電変換部で生成された電荷の前記蓄積容量への転送を制御する転送トランジスタと、前記光電変換部及び前記蓄積容量の電荷のリセットを制御するリセットトランジスタとを更に含み、
前記第２の半導体チップは、前記蓄積容量の信号電荷を増幅して信号電圧に変換するソースフォロアと、前記列出力線との接続を制御する行選択トランジスタとを含み、
前記接続部は、前記蓄積容量と前記ソースフォロアとを接続する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項６】
前記第２の半導体チップに前記列出力線と接続される列回路を備えることを特徴とする
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像素子。
【請求項７】
前記列回路は、
参照信号を発生する参照信号発生器と、
前記参照信号と前記列出力線からの信号を比較し、比較結果に応じて出力を反転する比較回路と、
カウント値を出力するカウンタ回路と、
前記比較回路の出力が反転したときのカウント値を保持する列毎に設けられた列メモリと、
を備える請求項６に記載の撮像素子。
【請求項８】
前記第２の半導体チップに前記列回路の出力を列毎に順次選択して出力する水平走査回
路を備えることを特徴とする請求項６又は７に記載の撮像素子。
【請求項９】
第２の半導体チップに画素を駆動する垂直走査回路を備えることを特徴とする請求
項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像素子を備えた撮像部と、撮像部からの信号
を処理する画像処理部と、を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の撮像素子は、第１の半導体チップと、第２の半導体チップと、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを接続する接続部とを備え、前記第１の半導体チップは、光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を保持する蓄積容量とを含み、前記第２の半導体チップは、前記光電変換部で生成された電荷の前記蓄積容量への転送を制御する転送トランジスタと、列出力線との接続を制御する行選択トランジスタと、前記光電変換部及び前記蓄積容量の電荷のリセットを制御するリセットトランジスタと、前記蓄積容量の信号電荷を増幅して信号電圧に変換するソースフォロアとのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図４は、図１の構成において画素１０３から電荷を読み出す場合の、１水平走査期間における駆動タイミングの一例を示す図である。図中の各信号は、Ｈｉｇｈ状態（“Ｈ”とする）及びＬｏｗ状態（“Ｌ”とする）のいずれかの状態をとることを示している。信号ＨＤは、１水平走査期間を示す。信号φＨＳＴは、水平走査期間の読み出しの開始、すなわち水平走査回路１１５によって制御される水平出力線１１０及び１１１への列毎の出力信号の読み出し開始を示す。信号ＨＤが“Ｌ”になる時刻ｔ１から信号φＨＳＴが“Ｈ”になる時刻ｔ１０までの期間は、１行分の画素１０３の信号を読み出し、読み出した１行分の信号を列回路１０７の記憶容量３０７及び３０８へ転送して記憶するまでの期間である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年4月11日(2017.4.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
｛［（ジエン）Ｒｕ（ＯＯＣＲ1）2］n（Ｓ）v｝  （Ｉ）
〔式中、ｎは、１または２であり、
ｖは、０、１または２であり、
Ｓは、極性の非プロトン性溶剤または水の配位分子であり、
”ジエン”は、２個の炭素炭素二重結合を有する直鎖状または分枝鎖状のＣ4〜Ｃ15炭化水素基、または２個の炭素炭素二重結合を有する環式Ｃ7〜Ｃ20炭化水素基を表わし、および
Ｒ1は、次のもの：
- 水素原子、
- ピリジル基、
- 場合によっては１〜５個のハロゲン原子および／またはＣ1〜4アルキルまたはアルコキシル基によって置換されたフェニル基、または
- 場合によりハロゲン置換され、
場合により１個のフェニル基によって置換され、但し、このフェニル基は、場合により１〜５個のハロゲン原子によって置換され、および／またはＣ1〜4アルキルまたはアルコキシ基によって置換されたものとし、および
場合により１または２個のＯＨ官能基、アミノ官能基、エーテル官能基またはチオエーテル官能基を有する、Ｃ1〜18アルキルまたはアルケニル基を表わす〕の化合物を製造するための方法であって、
式：
［（ジエン）Ｒｕ（Ｃｌ）2］    （ＩＩ）
〔式中、”ジエン”は、式（Ｉ）中の定義と同じ意味を有する〕の単量体またはポリマーである前駆体化合物を、Ｒ1が上記定義と同じ意味を有し、かつＭがアルカリ金属陽イオン（ｍが１である）またはアルカリ土類金属陽イオン（ｍが２である）であるカルボキシレート（Ｒ1ＣＯＯ）mＭの存在下で反応させ、この反応が極性の非プロトン性溶剤中および不活性雰囲気下で実施される工程を有する、式（Ｉ）で示される化合物を製造するための方法。
【請求項２】
”ジエン”は、場合により置換された、２個の炭素炭素二重結合を有するＣ7〜Ｃ12炭化水素基であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
”ジエン”は、場合により置換された、２個の炭素炭素二重結合を有する環式Ｃ7〜Ｃ12炭化水素基であることを特徴とする、請求項２記載の方法。
【請求項４】
Ｒ1は、次のもの：
- 場合によりハロゲン置換され、
場合により１個のフェニル基によって置換され、および
場合により１個のＯＨ官能基、アミノ官能基またはエーテル官能基有するＣ1〜12アルキル基を表わすか、
または
- 場合により１〜３個、または５個のハロゲン原子および／またはＣ1〜4アルキルまたはアルコキシル基によって置換されたフェニル基を表わすことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項５】
Ｒ1基は、α位に第三級炭素原子または第四級炭素原子を有しおよび／またはβ位に第四級炭素原子を有する分枝鎖状Ｃ3〜10アルキル基を表わし、この場合、Ｒ1は、場合により１個のＯＨ官能基またはアミノ官能基またはエーテル官能基を有し、ならびに場合により１個のフェニル基を有し、このフェニル基は、場合により１〜５個のハロゲン原子によって、および／またはＣ1〜4アルキル基またはアルコキシ基によって置換されていることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項６】
極性の非プロトン性溶剤は、Ｃ2〜12アミド、Ｃ2〜6スルホキシド、Ｃ6〜9Ｎ−アルキルラクタム、Ｃ4〜8カルバメートまたは尿素、Ｃ4〜8アミンまたはその混合物であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項７】
ｖが、０であることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
これらの刊行物中に記載された合成経路は、次の大きな欠点をこうむる：
- アリル中間体の合成、例えば［Ｒｕ（ジエン）Ｃｌ2］nから得られた［（ジエン）Ｒｕ（ビスメチルアリル）2］は、著しく希釈され、グリニャール試薬の使用を必要とし、および得られた中間体は、溶液状態および固体状態の双方で少しだけ安定性であり、こうして係る合成操作の工業的具体化を複雑化し；
- ［Ｒｕ（ジエン）（ＯＯＣＲ）2］nの製造は、従来技術の方法で［Ｒｕ（ジエン）Ｃｌ2］から出発する少なくとも２つの工程を必要とし、および取り扱うのが困難な中間体の形成を必要とし；
- プロトン化によるメチルアリル配位子の置換は、ハロゲン化酢酸または幾つかのアリールカルボン酸を使用してのみ示され、即ちこの方法は、一般的ではなく；
- ［（ＣＯＤ）Ｒｕ（アセテート）2］は、ビス−メチルアリル錯体から直接に得ることができず、および酢酸塩との陰イオン性配位子交換によって［（ＣＯＤ）Ｒｕ（ＯＯＣＣＦ3）2］2から合成されたものであり、こうして付加的な工程をプロセス全体に付加する。更に、この［（ＣＯＤ）Ｒｕ（アセテート）2］製造の全収量は、極めて僅かである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月26日(2017.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
【化１】
2016138150.tif 000001
化学式（I）の化合物またはその医薬的に許容可能な塩の調製方法において、
【化２】
2016138150.tif 000002
2016138150.tif 000003
化学式（II）の化合物と、化学式（III）の化合物をp-トルエンスルホン（p-toluenesulfonic   acid、TsOH）の存在下で、３時間加熱して回流させることにより、アセタール反応させて化学式（I）の化合物を含む混合物を得ることを特徴とする化学式（I）の化合物またはその医薬的に許容可能な塩の調製方法。
【請求項２】
【化３】
2016138150.tif 000004
化学式（II）の化合物は、化学式（IV）の化合物とクロロクロム酸ピリジニウム（pyridi
nium   chlorochromate）が有機溶媒内で酸化反応を行って得られていることを特徴とする
請求項１に記載の調製方法。
【請求項３】
前記化学式（I）の化合物を含む混合物は、分離方法によって精製されていることを特徴
とする請求項１に記載の化学式（I）の化合物またはそれの医薬上で受けられる塩の調製
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるメタクリル酸エステルと、下記一般式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステルと、下記一般式（３）で表されるフッ素含有モノマーと、カルボキシル基を官能基として含有する官能基含有モノマーとを含むモノマー成分を重合させて得られる数平均分子量が２００００〜１０００００のフッ素系共重合体と、
下記一般式（４）で表されるイソシアヌレート化合物とを、
総炭素数が４〜８のハイドロフルオロカーボンおよび総炭素数が４〜８のハイドロフルオロエーテルから選ばれる一種以上の溶剤に溶解してなる硫化防止コーティング剤。
【化１】
2016138261.tif 000001
（式中、Ｒ１は炭素数１〜４の直鎖状または分岐状アルキル基である。）
【化２】
2016138261.tif 000002
（式中、Ｒ２は水素またはメチル基、Ｒ３は、Ｒ２が水素の場合、炭素数４〜８の直鎖状または分岐状アルキル基であり、かつＲ２がメチル基の場合、炭素数５〜８の直鎖状または分岐状アルキル基である。）
【化３】
2016138261.tif 000003
（式中、Ｒ４は、水素またはメチル基であり、ｎは、４〜６の整数を示す。）
【化４】
2016138261.tif 000004
（式中、Ｒ５はたがいに同一でも相異なっていてもよく、水素原子、１価の置換もしくは非置換の炭化水素基または下記一般式（５）で表される基である。
−（ＣＨ２）ｍ Ｓｉ（ＯＲ６）ａＲ７３−ａ    （５）
（式中、Ｒ６ はアルキル基またはアルコキシアルキル基であり、Ｒ７はアルキル基であり、ｍは整数であり、ａは１〜３の整数である）
ただし、Ｒ５のうち少なくとも１個は一般式（５）で表される基である。）
【請求項２】
前記イソシアヌレート化合物が、前記フッ素系共重合体の樹脂量１００重量部に対し１重量部以上１０重量部以下の比率で含まれる、請求項１に記載の硫化防止コーティング剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【化３】
2016138261.tif 000005
（式中、Ｒ４は、水素またはメチル基であり、ｎは、４〜６の整数を示す。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【化７】
2016138261.tif 000006
（式中、Ｒ４は、水素またはメチル基であり、ｎは、４〜６の整数を示す。）
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒と水溶性ポリマーと水とを含む研磨用組成物を用意すること；
前記研磨用組成物をシリコンウエハに供給すること；および、
前記シリコンウエハの表面を前記研磨用組成物で研磨すること；
を包含し、
ここで、前記研磨用組成物として、
前記砥粒の平均一次粒子径ＤＰ１が２０ｎｍ以上であり、
前記砥粒の平均二次粒子径ＤＰ２が５５ｎｍ以下であり、かつ
前記砥粒の含有量が０．２質量％となる濃度において動的光散乱法により測定される前記研磨用組成物中に含まれる粒子の体積平均粒子径ＤＡが２０ｎｍ〜６０ｎｍである研磨用組成物を使用する、シリコンウエハ研磨方法。
【請求項２】
前記砥粒の平均一次粒子径ＤＰ１は２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、請求項１に記載の研磨方法。
【請求項３】
前記砥粒の平均二次粒子径ＤＰ２は２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の研磨方法。
【請求項４】
前記水溶性ポリマーの重量平均分子量は１×１０４以上８０×１０４以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の研磨方法。
【請求項５】
前記研磨用組成物がさらに塩基性化合物を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の研磨方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月25日(2017.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査型電子顕微鏡観察による一次粒子の平均粒径が１．０μｍ以下であり、当該銀粉の炭素含有量が０．１５質量％以上であり、ＪＩＳ−Ｋ６２１７−４法で測定したフタル酸ジブチルの吸収量が６．５〜８．８ｍＬ／１００ｇであることを特徴とする銀粉。
【請求項２】
当該銀粉の表面が有機表面処理剤により処理され、該有機表面処理剤は、カルボン酸又はアミン又はベンゾトリアゾール類又は界面活性剤からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の銀粉。
【請求項３】
走査型電子顕微鏡観察による一次粒子の粒径の相対標準偏差（標準偏差σ／平均粒径ｄ）が０．３以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の銀粉。
【請求項４】
銀錯体を含む銀溶液と還元剤溶液とを連続的に混合して反応液とし、該反応液中の銀錯体を還元して銀粒子スラリーを得た後、ろ過、洗浄、乾燥の各工程を経て請求項１〜３のいずれか１項に記載の銀粉を製造する銀粉の製造方法であって、
銀錯体を含む核生成用銀溶液と、強還元剤を含む溶液と、分散剤とを混合して銀核溶液を得る銀核溶液調製工程と、
上記銀核溶液調製工程により得られた銀核溶液と、上記強還元剤より標準電極電位が高い弱還元剤とを混合して核含有還元剤溶液を得る核含有還元剤溶液調製工程と、
上記核含有還元剤溶液調製工程により得られた核含有還元剤溶液と、固形粒子の含有量が銀量に対して２０質量ｐｐｍ以下であり、銀錯体を含む粒子成長用銀溶液とを連続的に混合して反応液とし、該反応液中で銀錯体を還元して銀粒子を成長させる粒子成長工程と、
上記粒子成長工程で得られた銀粒子スラリーを固液分離後、洗浄する際に当該銀粉の炭素含有量が０．１５質量％以上となるように有機表面処理剤を添加して銀粒子表面に吸着させ、乾燥する表面処理工程と、
上記有機表面処理剤を吸着させた乾燥後の銀粒子を解砕する解砕工程と、を有し、
上記核生成用銀溶液中の銀量に対する上記強還元剤の当量が１．０当量以上、４．０当量未満であり、上記強還元剤の標準電極電位が０．０５６Ｖ以下であり、上記核生成用銀溶液中の銀濃度が０．１ｇ／Ｌ〜６．０ｇ／Ｌであり、当該銀粉のＪＩＳ−Ｋ６２１７−４法で測定したフタル酸ジブチルの吸収量が６．５〜８．８ｍＬ／１００ｇであることを特徴とする銀粉の製造方法。
【請求項５】
上記核生成用銀溶液は、固形粒子の含有量が銀量に対して２０質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の銀粉の製造方法。
【請求項６】
上記強還元剤を含む溶液との混合前に、上記核生成用銀溶液を限外ろ過するろ過工程をさらに有することを特徴とする請求項４又は５に記載の銀粉の製造方法。
【請求項７】
上記核含有還元剤溶液との混合前に、上記粒子成長用銀溶液を限外ろ過するろ過工程をさらに有することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の銀粉の製造方法。
【請求項８】
上記限外ろ過の分画分子量が１５０，０００以下であることを特徴とする請求項６又は７に記載の銀粉の製造方法。
【請求項９】
上記強還元剤と上記弱還元剤の標準電極電位の差が１．０Ｖ以上であることを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載の銀粉の製造方法。
【請求項１０】
上記強還元剤はヒドラジン一水和物であり、上記弱還元剤はアスコルビン酸であることを特徴とする請求項４〜９のいずれか１項に記載の銀粉の製造方法。
【請求項１１】
上記核生成用銀溶液中の銀濃度が０．１ｇ／Ｌ〜１．０ｇ／Ｌであり、上記粒子成長用銀溶液中の銀濃度が２０ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌであることを特徴とする請求項４〜１０のいずれか１項に記載の銀粉の製造方法。
【請求項１２】
上記銀錯体が塩化銀をアンモニア水に溶解して得られた銀アンミン錯体であることを特徴とする請求項４〜１１のいずれか１項に記載の銀粉の製造方法。
【請求項１３】
上記核生成用銀溶液中の銀量に対するアンモニア量がモル比で２０〜１００であることを特徴とする請求項４〜１２のいずれか１項に記載の銀粉の製造方法。
【請求項１４】
上記分散剤の混合量が、上記核含有還元剤溶液と上記粒子成長用銀溶液の混合後における上記粒子成長用銀溶液中の銀量に対して１質量％〜３０質量％であることを特徴とする請求項４〜１３のいずれか１項に記載の銀粉の製造方法。
【請求項１５】
上記分散剤がポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、変性シリコンオイル系界面活性剤、ポリエーテル系界面活性剤から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項４〜１４のいずれか１項に記載の銀粉の製造方法。
【請求項１６】
上記核含有還元剤溶液と上記粒子成長用銀溶液との混合において、各溶液を個別に反応管に供給し、該反応管内に配置したスタティックミキサーで混合することを特徴とする請求項４〜１５のいずれか１項に記載の銀粉の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜３に記載の銀粉と樹脂成分を有する感光性銀ペースト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、本発明に係る銀粉は、走査型電子顕微鏡観察による一次粒子の平均粒径が１．０μｍ以下であり、当該銀粉の炭素含有量が０．１５質量％以上であり、ＪＩＳ−Ｋ６２１７−４法で測定したフタル酸ジブチルの吸収量が６．５〜８．８ｍＬ／１００ｇであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
銀粉は、走査型電子顕微鏡観察による一次粒子の平均粒径が１．０μｍ以下であることが好ましい。また、銀粉は、粒径の相対標準偏差（標準偏差σ／平均粒径ｄ）が０．３以下であることが好ましく、０．２５以下であることがより好ましい。ここで、一次粒子とは、外見上から判断して、単位粒子と考えられるものを意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月20日(2017.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
体液試料中の脂質の濃度を決定するための方法であって：
ａ）複数の波長での光で体液試料を照射する工程と；
ｂ）脂質によって引き起こされたものではない吸光度を無視できる第１の波長で第１の測定値（Ａ１）を捕捉する工程と；
ｃ）ビリルビンが吸光度最大値を有する第２の波長で第２の測定値（Ａ２）を捕捉する工程と；
ｄ）ヘモグロビンが吸光度最大値を有する第３の波長で第３の測定値（Ａ３）を捕捉する工程と；
ｅ）ビリルビン、およびヘモグロビン、および脂質によって引き起こされたものではない吸光度を無視できる第４の波長で第４の測定値（Ａ４）を捕捉する工程と；
ｆ）所定の指数ｑ０での係数ｐ０を決定することによって、第１の測定値（Ａ１）に基づいて脂質の吸光度に関する式
【数１】
2016138886.tif 000001
の冪関数近似曲線（Ｌ０）を計算する工程と；
ｇ）第２の測定値（Ａ２）と第２の波長での近似曲線（Ｌ０）の値との差に対応して、ビリルビンに関する第１の理論上の吸光度値（ＥＢ）に基づいてビリルビン濃度（ｃＢ）の近似値を決定する工程と；
ｈ）第３の測定値（Ａ３）と第３の波長での近似曲線（Ｌ０）の値との差に対応して、ヘモグロビンに関する第２の理論上の吸光度値（ＥＨ）に基づいてヘモグロビン濃度（ｃＨ）の近似値を決定する工程と；
ｉ）第４の波長でのヘモグロビン（ＥＨ）およびビリルビン（ＥＢ）に関する理論上の吸光度値と近似曲線（Ｌ０）の値との和に基づいて、第４の波長に関する第３の理論上の吸光度値（ＥＨＢＬ）を決定する工程と；
ｊ）第４の測定値（Ａ４）からの第３の理論上の吸光度値の偏差（ＥＨＢＬ）を把握する工程と
を含み、ここで、
Ｉ．−  工程ｊ）で把握された偏差が所定の閾値を超えない場合  −  脂質の濃度（ｃＬ）は、第４の波長での近似曲線（Ｌ０）の値と第１の波長での近似曲線（Ｌ０）の値との差を生成し、該差を脂質固有の吸光係数で割ることによって決定される、または
ＩＩ．−  工程ｊ）で把握された偏差が所定の閾値を超える場合  −  脂質の吸光度に関する補正された近似曲線（Ｌｋ）が計算され、工程ｇ）〜ｊ）は、偏差が所定の閾値に達するまで、または閾値未満になるまで、補正された近似曲線（Ｌｋ）の値で繰り返され、脂質の濃度（ｃＬ）は、
ｉ．−  第１の測定値（Ａ１）が、第１の波長での吸光度に関する所定の吸光度閾値を超えない場合  −  第４の波長での補正された近似曲線（Ｌｋ）の値と、第１の波長での近似曲線（Ｌｋ）の値との差を生成し、該差を脂質固有の吸光係数で割ること、または
ｉｉ．−  第１の測定値（Ａ１）が、第１の波長での吸光度に関する所定の吸光度閾値を超える場合、かつ補正された近似曲線の指数ｑｋが−１よりも大きい場合  −  第１の測定値（Ａ１）を第１の波長での補正された近似曲線（Ｌｋ）の値に関係付ける等化関数によって第１の波長での補正された近似曲線（Ｌｋ）の値を補正し、次いで、等化関数の適用によって補正された後に、第４の波長で補正された近似曲線（Ｌｋ）の値と第１の波長での値との差を生成し、該差を脂質固有の吸光係数で割ること
によって決定される
前記方法。
【請求項２】
第１の波長は、６００ｎｍ〜６６０ｎｍの間の範囲内であり、第２の波長は、４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの間の範囲内であり、第３の波長は、４００ｎｍ〜４４０ｎｍの間の範囲内であり、第４の波長は、３５０ｎｍ〜３７０ｎｍの間の範囲内である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の波長は６４５ｎｍであり、または第２の波長は４７０ｎｍであり、または第３の波長は４１５ｎｍであり、または第４の波長は３６５ｎｍである請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ヘモグロビンの濃度（ｃＨ）またはビリルビンの濃度（ｃＢ）がさらに決定される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
工程ｊ）で把握された偏差が所定の閾値を超えない場合、ヘモグロビンおよびビリルビンの濃度（ｃＨ、ｃＢ）は、工程ｇ）およびｈ）で決定されたヘモグロビン濃度およびビリルビン濃度の近似値をヘモグロビンおよびビリルビンの濃度（ｃＨ、ｃＢ）として出力することによって決定される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
工程ｊ）で把握された偏差が所定の閾値を超える場合、ヘモグロビンおよびビリルビンの濃度（ｃＨ、ｃＢ）は、補正された近似曲線（Ｌｋ）の値で繰り返される工程ｇ）およびｈ）で決定されたヘモグロビン濃度およびビリルビン濃度の近似値を、偏差が所定の閾値に達した、または所定の閾値未満になったときヘモグロビンおよびビリルビンの濃度（ｃＨ、ｃＢ）として出力することによって決定される請求項３に記載の方法。
【請求項７】
所定の閾値は、１０ｍＡＵである請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１の波長での吸光度に関する所定の吸光度閾値は、９５０ｍＡＵである請求項１に記載の方法。
【請求項９】
複数の波長での光を用いた体液試料の照射は、レーザまたは発光ダイオードを使用して、または様々な光フィルタを有する光源を使用して実現され、複数の測定値（Ａ１；Ａ２；Ａ３；Ａ４）の捕捉は、光検出器を使用して実現される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
体液は血清または血漿である請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法工程ａ）〜ｅ）を実施するように設計された測定デバイスを含む自動分析器であって、請求項１に記載の脂質の濃度（ｃＬ）を決定するための残りの方法工程を実施するように設計された計算デバイスをさらに含むことを特徴とする前記自動分析器。
【請求項１２】
測定デバイスは、少なくとも１つの光源および複数の光フィルタを含む請求項１１に記載の自動分析器。
【請求項１３】
測定デバイスは、複数の光源、好ましくは複数の発光またはレーザダイオードを含む請求項１１に記載の自動分析器。
【請求項１４】
測定デバイスは、少なくとも４つの光源を含み、第１の光源は、６００ｎｍ〜６６０ｎｍの間の範囲内の波長の光を放出し、第２の光源は、４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの間の範囲内の波長の光を放出し、第３の光源は、４００ｎｍ〜４４０ｎｍの間の範囲内の波長の光を放出し、第４の光源は、３５０ｎｍ〜３７０ｎｍの間の範囲内の波長の光を放出する請求項１３に記載の自動分析器。
【請求項１５】
第１の光源は、６４５ｎｍの波長の光を放出し、第２の光源は、４７０ｎｍの波長の光を放出し、第３の光源は、４１５ｎｍの波長の光を放出し、第４の光源は、３６５ｎｍの波長の光を放出する請求項１４に記載の自動分析器。
【請求項１６】
測定デバイスは、少なくとも１つの光検出器を含む請求項１１に記載の自動分析器。