【手続補正書】
【提出日】平成28年11月16日(2016.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバ内で半導体基板を支持する半導体基板支持体であって、
前記半導体基板上の空間温度プロファイルを調整するように動作可能な温度制御素子を備えるヒーターアレイであって、前記温度制御素子は複数のヒーター領域を規定し、２つ以上の電力供給ラインと２つ以上の電力戻りラインとによって各ヒーター領域に電力が供給され、各電力供給ラインは前記ヒーター領域の少なくとも２つに接続され、各電力戻りラインは前記ヒーター領域の少なくとも２つに接続される、ヒーターアレイと、
前記半導体基板支持体の底板に係合される電力分配回路であって、前記ヒーターアレイの各電力供給ラインと各電力戻りラインとに接続される電力分配回路と、
前記電力分配回路に接続される電力切替装置であって、前記電力供給ラインの１つ及び前記電力戻りラインの１つを介して、各前記ヒーター領域に独立に電力を供給することにより、複数のスイッチの時分割多重化によって各前記ヒーター領域に時間平均電力を与える電力切替装置と、
を備える半導体基板支持体。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力分配回路は、第１の回路基板上に形成され、
前記第１の回路基板は、前記底板に装着される導電共有面であって、前記底板の電位と同じ電位に維持される導電共有面を備える、半導体基板支持体。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置が、切替回路と制御回路とを備える、半導体基板支持体。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置は、前記第１の回路基板上に形成される、
半導体基板支持体。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置は、前記第１の回路基板上に形成される、
半導体基板支持体。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体基板支持体であって、さらに、
前記半導体基板支持体の底板に装着される機能プレートを備え、
前記底板と前記機能プレートとの間の静電的に遮蔽された空間内に少なくとも前記電力分配回路が配置される、半導体基板支持体。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力分配回路は、第１の回路基板上に形成され、
前記第１の回路基板は、前記底板に装着される導電共有面であって、前記底板の電位と同じ電位に維持される導電共有面を備える、半導体基板支持体。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置は、第２の回路基板上に形成され、
前記第２の回路基板は、前記機能プレートに装着される導電共有面であって、前記機能プレートのＤＣ電位に維持される導電共有面を備える、半導体基板支持体。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体基板支持体であって、
前記第２の回路基板は、前記機能プレートの上面であって前記機能プレートの凹部内に装着され、これによって、前記第２の回路基板は、前記底板と前記機能プレートとの間の前記ＲＦ遮蔽された空間内に配置される、半導体基板支持体。
【請求項１０】
請求項６に記載の半導体基板支持体であって、
前記底板と前記機能プレートとの間の前記ＲＦ遮蔽された空間は、第１のＲＦ遮蔽された空間であり、
前記半導体基板支持体は、さらに、
前記機能プレートに装着されるメタルケージであって、前記メタルケージと前記機能プレートとの間に第２のＲＦ遮蔽された空間を形成するメタルケージを備える、半導体基板支持体。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体基板支持体であって、
前記第２のＲＦ遮蔽された空間は、前記第１のＲＦ遮蔽された空間の下に位置する、半導体基板支持体。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力分配回路は、第１の回路基板上に形成され、
前記第１の回路基板は、前記底板に装着される導電共有面であって、前記底板のＤＣ電位に維持される導電共有面を備える、半導体基板支持体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置は、第２の回路基板上に形成され、
前記第２の回路基板は、接地からＤＣ絶縁され、接地から分離されて前記機能プレートに電気的に接続される導電共有面であって、前記機能プレートのＤＣ電位とほぼ同じ電位に維持される導電共有面を備える、半導体基板支持体。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体基板支持体であって、
前記第２の回路基板は、前記機能プレートの下面に装着され、
前記第２の回路基板は、前記メタルケージと前記機能プレートとの間の前記第２のＲＦ遮蔽された空間内に配置される、半導体基板支持体。
【請求項１５】
請求項６に記載の半導体基板支持体であって、さらに、
前記底板と前記機能プレートの外周の間に導電性ガスケットを備える、半導体基板支持体。
【請求項１６】
請求項８に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置の前記第２の回路基板は、前記機能プレートの第１の表面に装着され、前記第２の回路基板の少なくとも１つの表面上にトランジスタである複数のスイッチを備え、
各前記トランジスタは、前記機能プレートの前記第１の表面と前記機能プレートの第２の表面との間に伸長し、前記機能プレートの前記第２の表面上の終端点において、前記複数のトランジスタが密閉部材によってＲＦから遮断される、半導体基板支持体。
【請求項１７】
請求項１に記載の半導体基板支持体であって、さらに、
各電力戻りラインと前記底板との間に配置される少なくとも１つのコンデンサであって、前記底板と前記ヒーターアレイとの間でＲＦを短絡させることにより、前記底板と前記ヒーターアレイとを同じＲＦ電位にする、コンデンサを備える、半導体基板支持体。
【請求項１８】
請求項１に記載の半導体基板支持体であって、さらに、
電源から電力の１つを受信するように構成される少なくとも１つのＲＦフィルタであって、前記電力切替装置と前記電力分配回路とを介して、前記ヒーターアレイにそれぞれ調製された電力を供給するように構成されるＲＦフィルタを備える、半導体基板支持体。
【請求項１９】
請求項８に記載の半導体基板支持体であって、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板は、各々、複数の信号線または配線と、各配線と各導電共有電圧面との間を接続するフィルタリング部とを備える、半導体基板支持体。
【請求項２０】
請求項１に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力分配回路は、前記電力切替装置の構成データ、識別情報、動作データの少なくとも１つを保存するメモリを備える、半導体基板支持体。
【請求項２１】
請求項１に記載の半導体基板支持体であって、さらに、
前記電力切替装置と前記プラズマ処理チャンバの外部のプロセッサとの間で無線通信を行う通信モジュールを備える、半導体基板支持体。
【請求項２２】
請求項２１に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置は、前記外部のプロセッサと通信されるデータ信号を暗号化及び復号化するように構成される、半導体基板支持体。
【請求項２３】
請求項９に記載の半導体基板支持体であって、
前記第１の回路基板は、前記底板の下面であって、前記底板の凹部内に装着される、半導体基板支持体。
【請求項２４】
請求項２３に記載の半導体基板支持体であって、
前記底板の前記凹部と前記機能プレートの前記凹部は、ＲＦ遮蔽された空間を形成し、前記機能プレートにＲＦが印加されると、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板の周囲を前記機能プレートと前記底板の外表面に沿ってＲＦ電流が流れる、半導体基板支持体。
【請求項２５】
プラズマ処理チャンバ内で半導体基板をエッチングする方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは、プラズマ処理の際に前記半導体基板を支持する静電チャックアセンブリを備え、
前記静電チャックアセンブリは、底板と、前記半導体基板上の空間温度プロファイルを調整するように動作可能な温度制御素子を備えるヒーターアレイであって、前記温度制御素子は複数のヒーター領域を規定し、２つ以上の電力供給ラインと２つ以上の電力戻りラインとによって各ヒーター領域に電力が供給され、各電力供給ラインは前記ヒーター領域の少なくとも２つに接続され、各電力戻りラインは前記ヒーター領域の少なくとも２つに接続される、ヒーターアレイと、を備え、
前記静電チャックアセンブリは、前記底板を介して電力分配アセンブリに係合され、
前記電力分配アセンブリは、前記ヒーターアレイの各電力供給ラインと各電力戻りラインとに接続される電力分配回路と、前記電力分配回路に接続される電力切替装置と、を備え、
前記方法は、
前記電力供給ラインの１つ及び前記電力戻りラインの１つを介して、各前記ヒーター領域に独立に電力を供給することにより、前記電力切替装置の複数のスイッチの時分割多重化によって各前記ヒーター領域に時間平均電力を与える、方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であって、さらに、
前記電力分配アセンブリと外部のプロセッサとの間で命令及び制御メッセージを通信する、方法。
【請求項２７】
請求項２５に記載の方法であって、
前記静電チャックアセンブリは機能プレートを備え、
前記電力分配アセンブリは、少なくとも、前記底板と前記機能プレートとの間のＲＦ遮蔽されたエンクロージャ内に配置される前記底板に装着され、
前記方法は、さらに、
前記機能プレートにＲＦ電力を供給し、前記機能プレートと前記底板の外表面に沿って、前記ＲＦ遮蔽されたエンクロージャの周囲にＲＦ電流を流す、方法。
【請求項２８】
請求項２５に記載の方法であって、さらに、
前記電力分配アセンブリのセンサを用いて、温度、電圧及び電流の少なくとも１つを含む種々のパラメータを監視する、方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の方法であって、さらに、
前記監視の対象のパラメータに関係する値をメモリに保存する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板支持体、及び、半導体基板をエッチングする方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
当業者には自明のことであるが、本発明は、本発明の要旨の範囲内で他の様々な形態で実施可能である。上述した実施形態は、例示に過ぎず、何ら発明を限定するものではない。本発明の範囲は、上述の記載ではなく、添付の特許請求の範囲によって示され、本発明及びその等価物の範囲内における変形は、すべて、本発明の範囲内のものである。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
プラズマ処理チャンバ内で半導体基板を支持する半導体基板支持体であって、
前記半導体基板上の空間温度プロファイルを調整するように動作可能な温度制御素子を備えるヒーターアレイであって、前記温度制御素子は複数のヒーター領域を規定し、２つ以上の電力供給ラインと２つ以上の電力戻りラインとによって各ヒーター領域に電力が供給され、各電力供給ラインは前記ヒーター領域の少なくとも２つに接続され、各電力戻りラインは前記ヒーター領域の少なくとも２つに接続される、ヒーターアレイと、
前記基板支持体の底板に係合される電力分配回路であって、前記ヒーターアレイの各電力供給ラインと各電力戻りラインとに接続される電力分配回路と、
前記電力分配回路に接続される電力切替装置であって、前記電力供給ラインの１つ及び前記電力戻りラインの１つを介して、各前記ヒーター領域に独立に電力を供給することにより、複数のスイッチの時分割多重化によって各前記ヒーター領域に時間平均電力を与える電力切替装置と、
を備える半導体基板支持体。
［適用例２］
適用例１に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力分配回路は、第１の回路基板上に形成され、
前記第１の回路基板は、前記底板に装着される導電共有面であって、前記底板の電位と同じ電位に維持される導電共有面を備える、半導体基板支持体。
［適用例３］
適用例１に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置が、切替回路と制御回路とを備える、半導体基板支持体。
［適用例４］
適用例２に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置は、前記第１の回路基板上に形成される、
半導体基板支持体。
［適用例５］
適用例３に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置は、前記第１の回路基板上に形成される、
半導体基板支持体。
［適用例６］
適用例１に記載の半導体基板支持体であって、さらに、
前記基板支持体の底板に装着される機能プレートを備え、
前記底板と前記機能プレートとの間の静電的に遮蔽された空間内に少なくとも前記電力分配回路が配置される、半導体基板支持体。
［適用例７］
適用例６に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力分配回路は、第１の回路基板上に形成され、
前記第１の回路基板は、前記底板に装着される導電共有面であって、前記底板の電位と同じ電位に維持される導電共有面を備える、半導体基板支持体。
［適用例８］
適用例７に記載の半導体基板支持体であって、
前記切替装置は、第２の回路基板上に形成され、
前記第２の回路基板は、前記機能プレートに装着される導電共有面であって、前記機能プレートのＤＣ電位に維持される導電共有面を備える、半導体基板支持体。
［適用例９］
適用例８に記載の半導体基板支持体であって、
前記第２の回路基板は、前記機能プレートの上面であって前記機能プレートの凹部内に装着され、これによって、前記第２の回路基板は、前記底板と前記機能プレートとの間の前記ＲＦ遮蔽された空間内に配置される、半導体基板支持体。
［適用例１０］
適用例６に記載の半導体基板支持体であって、
前記底板と前記機能プレートとの間の前記ＲＦ遮蔽された空間は、第１のＲＦ遮蔽された空間であり、
前記半導体基板支持体は、さらに、
前記機能プレートに装着されるメタルケージであって、前記メタルケージと前記機能プレートとの間に第２のＲＦ遮蔽された空間を形成するメタルケージを備える、半導体基板支持体。
［適用例１１］
適用例１０に記載の半導体基板支持体であって、
前記第２のＲＦ遮蔽された空間は、前記第１のＲＦ遮蔽された空間の下に位置する、半導体基板支持体。
［適用例１２］
適用例１１に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力分配回路は、第１の回路基板上に形成され、
前記第１の回路基板は、前記底板に装着される導電共有面であって、前記底板のＤＣ電位に維持される導電共有面を備える、半導体基板支持体。
［適用例１３］
適用例１２に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置は、第２の回路基板上に形成され、
前記第２の回路基板は、接地からＤＣ絶縁され、接地から分離されて前記機能プレートに電気的に接続される導電共有面であって、前記機能プレートのＤＣ電位とほぼ同じ電位に維持される導電共有面を備える、半導体基板支持体。
［適用例１４］
適用例１３に記載の半導体基板支持体であって、
前記第２の回路基板は、前記機能プレートの下面に装着され、
前記第２の回路基板は、前記メタルケージと前記機能プレートとの間の前記第２のＲＦ遮蔽された空間内に配置される、半導体基板支持体。
［適用例１５］
適用例６に記載の半導体基板支持体であって、さらに、
前記底板と前記機能プレートの外周の間に導電性ガスケットを備える、半導体基板支持体。
［適用例１６］
適用例８に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置の前記第２の回路基板は、前記機能プレートの第１の表面に装着され、前記第２の回路基板の少なくとも１つの表面上にトランジスタである複数のスイッチを備え、
各前記トランジスタは、前記機能プレートの前記第１の表面と前記機能プレートの第２の表面との間に伸長し、前記機能プレートの前記第２の表面上の終端点において、前記複数のトランジスタが密閉部材によってＲＦから遮断される、半導体基板支持体。
［適用例１７］
適用例１に記載の半導体基板支持体であって、さらに、
各電力戻りラインと前記底板との間に配置される少なくとも１つのコンデンサであって、前記底板と前記ヒーターアレイとの間でＲＦを短絡させることにより、前記ベースプレートと前記ヒーターアレイとを同じＲＦ電位にする、コンデンサを備える、半導体基板支持体。
［適用例１８］
適用例１に記載の半導体基板支持体であって、さらに、
電源から電力の１つを受信するように構成される少なくとも１つのＲＦフィルタであって、前記切替装置と前記分配回路とを介して、前記ヒーターアレイにそれぞれ調製された電力を供給するように構成されるＲＦフィルタを備える、半導体基板支持体。
［適用例１９］
適用例７に記載の半導体基板支持体であって、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板は、各々、複数の信号線または配線と、各配線と各導電共有電圧面との間を接続するフィルタリング部とを備える、半導体基板支持体。
［適用例２０］
適用例１に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力供給回路は、前記電力切替装置の構成データ、識別情報、動作データの少なくとも１つを保存するメモリを備える、半導体基板支持体。
［適用例２１］
適用例１に記載の半導体基板支持体であって、さらに、
前記電力切替装置と前記プラズマ処理チャンバの外部のプロセッサとの間で無線通信を行う通信モジュールを備える、半導体基板支持体。
［適用例２２］
適用例２１に記載の半導体基板支持体であって、
前記電力切替装置は、前記外部プロセッサと通信されるデータ信号を暗号化及び復号化するように構成される、半導体基板支持体。
［適用例２３］
適用例９に記載の半導体基板支持体であって、
前記第１の回路基板は、前記底板の下面であって、前記底板の凹部内に装着される、半導体基板支持体。
［適用例２４］
適用例２３に記載の半導体基板支持体であって、
前記底板の前記凹部と前記機能プレートの前記凹部は、ＲＦ遮蔽された空間を形成し、前記機能プレートにＲＦが印加されると、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板の周囲を前記機能プレートと前記底板の外表面に沿ってＲＦ電流が流れる、半導体基板支持体。
［適用例２５］
プラズマ処理チャンバ内で半導体基板をエッチングする方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは、プラズマ処理の際に前記基板を支持する静電チャックアセンブリを備え、
前記静電チャックアセンブリは、底板と、前記半導体基板上の空間温度プロファイルを調整するように動作可能な温度制御素子を備えるヒーターアレイであって、前記温度制御素子は複数のヒーター領域を規定し、２つ以上の電力供給ラインと２つ以上の電力戻りラインとによって各ヒーター領域に電力が供給され、各電力供給ラインは前記ヒーター領域の少なくとも２つに接続され、各電力戻りラインは前記ヒーター領域の少なくとも２つに接続される、ヒーターアレイと、を備え、
前記静電チャックアセンブリは、前記底板を介して電力分配アセンブリに係合され、
前記電力分配アセンブリは、前記ヒーターアレイの各電力供給ラインと各電力戻りラインとに接続される電力分配回路と、前記電力分配回路に接続される電力切替装置と、を備え、
前記方法は、
前記電力供給ラインの１つ及び前記電力戻りラインの１つを介して、各前記ヒーター領域に独立に電力を供給することにより、前記電力切替装置の複数のスイッチの時分割多重化によって各前記ヒーター領域に時間平均電力を与える、方法。
［適用例２６］
適用例２５に記載の方法であって、さらに、
前記電力分配アセンブリと外部プロセッサとの間で命令及び制御メッセージを通信する、方法。
［適用例２７］
適用例２５に記載の方法であって、
前記静電チャックアセンブリは機能プレートを備え、
前記電力分配アセンブリは、少なくとも、前記底板と前記機能プレートとの間のＲＦ遮蔽されたエンクロージャ内に配置される前記底板に装着され、
前記方法は、さらに、
前記機能プレートにＲＦ電力を供給し、前記機能プレート前記底板の外表面に沿って、前記ＲＦ遮蔽されたエンクロージャの周囲にＲＦ電流を流す、方法。
［適用例２８］
適用例２５に記載の方法であって、さらに、
前記電力分配アセンブリのセンサを用いて、温度、電圧及び電流の少なくとも１つを含む種々のパラメータを監視する、方法。
［適用例２９］
適用例２８に記載の方法であって、さらに、
前記監視対象のパラメータに関係する値をメモリに保存する、方法。