Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月17日(2017.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声データに基づいて発話を行う機能を有する複数の電子機器に対し、通信ネットワークを介して前記音声データを提供する音声サーバであって、
複数の電子機器とそれらの設置場所とをそれぞれ対応付けた対応情報に基づいて決定された、第１の電子機器の設置場所と前記第１の電子機器の動作に応じて音声を出力すべき第２の電子機器の設置場所との同異に応じた発話内容を含む音声データを作成する音声作成部を備えている、ことを特徴とする音声サーバ。
【請求項２】
第１の電子機器の動作を示す動作データを受信する受信部と、
前記第１および第２の電子機器の設置場所の同異を前記対応情報を参照して判定する同異判定部とを備え、
前記音声作成部は、前記同異判定部が、第１および第２の電子機器の設置場所が異なると判定した場合に、異なる設置場所に設置されている前記第１の電子機器の動作に関する前記音声データを作成して前記第２の電子機器に送信する、ことを特徴とする請求項１に記載の音声サーバ。
【請求項３】
前記音声作成部は、同じ設置場所に設置されている前記第１の電子機器に関する前記音声データを作成して前記第２の電子機器に送信する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の音声サーバ。
【請求項４】
音声データに基づいて発話を行う機能を有する複数の電子機器と、該複数の電子機器に対して通信ネットワークを介して前記音声データを提供する音声サーバとを含む音声システムであって、
前記音声サーバは、複数の電子機器とそれらの設置場所とをそれぞれ対応付けた対応情報に基づいて決定された、第１の電子機器の設置場所と前記第１の電子機器の動作に応じて音声を出力すべき第２の電子機器の設置場所との同異に応じた発話内容を含む音声データを作成し、
前記第２の電子機器は、前記音声サーバが作成した前記音声データを該音声サーバから受信して音声出力する、ことを特徴とする音声システム。
【請求項５】
音声データに基づいて発話を行う機能を有する複数の電子機器に対し、通信ネットワークを介して前記音声データを提供する音声サーバの制御方法であって、
複数の電子機器とそれらの設置場所とをそれぞれ対応付けた対応情報に基づいて決定された、第１の電子機器の設置場所と前記第１の電子機器の動作に応じて音声を出力すべき第２の電子機器の設置場所との同異に応じた発話内容を含む音声データを作成する音声作成ステップを含む、ことを特徴とする音声サーバの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】音声サーバおよびその制御方法、並びに音声システム
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月21日(2017.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理下りリンク共有チャネルと、当該物理下りリンク共有チャネルを受信するために必要な割り当て情報を通知する物理下りリンク制御チャネルとを異なるサブフレームで送信する基地局であって、
物理上りリンク制御チャネルのリソース割り当て情報又は物理下りリンク制御チャネルのリソース割り当て情報を参照して、物理上りリンク制御チャネルのリソースを決定するリソース割り当て部と、
移動局に使用させる物理上りリンク制御チャネルのリソースを決定するためのインジケータを送信する送信部と、
を有する基地局。
【請求項２】
前記送信部は、物理上りリンク制御チャネルのリソースの候補の中から、移動局に使用させる物理上りリンク制御チャネルのリソースを決定するためのインジケータを送信する、請求項１に記載の基地局。
【請求項３】
物理下りリンク共有チャネルと、当該物理下りリンク共有チャネルを受信するために必要な割り当て情報を通知する物理下りリンク制御チャネルとを異なるサブフレームで送信する基地局における送信方法であって、
物理上りリンク制御チャネルのリソース割り当て情報又は物理下りリンク制御チャネルのリソース割り当て情報を参照して、物理上りリンク制御チャネルのリソースを決定するステップと、
移動局に使用させる物理上りリンク制御チャネルのリソースを決定するためのインジケータを送信するステップと、
を有する送信方法。
【請求項４】
物理下りリンク共有チャネルと、当該物理下りリンク共有チャネルを受信するために必要な割り当て情報を通知する物理下りリンク制御チャネルとを異なるサブフレームで受信する移動局であって、
物理上りリンク制御チャネルのリソースを決定するためのインジケータを受信する受信部と、
物理下りリンク共有チャネルに対する再送判定を行う判定部と、
受信したインジケータに従って決定された物理上りリンク制御チャネルのリソースを用いて、再送判定の結果を示す送達確認情報を物理上りリンク制御チャネルで送信する送信部と、
を有する移動局。
【請求項５】
物理下りリンク共有チャネルと、当該物理下りリンク共有チャネルを受信するために必要な割り当て情報を通知する物理下りリンク制御チャネルとを異なるサブフレームで受信する移動局における再送制御方法であって、
物理上りリンク制御チャネルのリソースを決定するためのインジケータを受信するステップと、
物理下りリンク共有チャネルに対する再送判定を行うステップと、
受信したインジケータに従って決定された物理上りリンク制御チャネルのリソースを用いて、再送判定の結果を示す送達確認情報を物理上りリンク制御チャネルで送信するステップと、
を有する再送制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月13日(2016.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を収納可能な収容凹部を備えるエンボスキャリアテープであって、
前記収容凹部の底面は、前記電子部品が接触するよう構成された接触部と、空隙をもって前記電子部品に対向するよう構成された非接触部と、を有しており、
少なくとも前記非接触部には、前記電子部品との粘着力を低下させる粘着力低下処理が施されている
ことを特徴とするエンボスキャリアテープ。
【請求項２】
前記接触部は、前記収容凹部の底面に突出状に設けた突起により構成されている請求項１に記載のエンボスキャリアテープ。
【請求項３】
前記非接触部は、前記収容凹部の底面に凹部を設けることにより構成されている請求項１または２に記載のエンボスキャリアテープ。
【請求項４】
電子部品を実装する実装装置であって、
前記電子部品を吸着保持可能な吸着ノズルを備え、
該吸着ノズルは、電子部品との粘着を抑制する粘着抑制部を有するよう構成されている
ことを特徴とする実装装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のエンボスキャリアテープと、
請求項４に記載の実装装置と、
を備える
ことを特徴とする電子部品実装システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともガリウムと鉄とを共に含む結晶性酸化物薄膜であって、
ガリウムに対する鉄の原子比が０．０５以上である、結晶性酸化物薄膜。
【請求項２】
下地基板と、その上に形成され且つ少なくともガリウムと鉄とを共に含む結晶性酸化物薄膜を含む、半導体装置用積層構造体であって、
前記結晶性酸化物薄膜は、ガリウムに対する鉄の原子比が０．０５以上である、半導体装置用積層構造体。
【請求項３】
前記結晶性酸化物薄膜は、コランダム構造を有する、請求項２に記載の半導体装置用積層構造体。
【請求項４】
前記原子比は、０．１〜１０である、請求項２又は請求項３に記載の半導体装置用積層構造体。
【請求項５】
前記結晶性酸化物薄膜は、移動度が３ｃｍ２／Ｖｓ以上である、請求項２〜請求項４の何れか１つに記載の半導体装置用積層構造体。
【請求項６】
請求項１記載の結晶性酸化物薄膜または請求項２〜請求項５の何れか１つに記載の積層構造体を含む半導体装置。
【請求項７】
パワーデバイスである、請求項６記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記核生成工程において生成する核の平均粒径を２．００μｍ以下に制御する、請求項１に記載のニッケルコバルト複合水酸化物粒子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月29日(2016.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極、電気機械変換膜、上部電極とから構成される複数の電気機械変換素子を有し、コロナ放電もしくはグロー放電により該電気機械変換膜を分極処理してアクチュエータ基板を作成する分極処理前基板において、
上記複数の上部電極にそれぞれ電気的に接続された複数の上部用端子電極を形成し、該複数の上部用端子電極が形成された面と対向するよう配置された放電電極で発生させたコロナ放電もしくはグロー放電により該上部用端子電極の表面に供給した電荷を用いて該上部電極と上記下部電極との間に電位差を形成して上記電気機械変換膜の分極処理をおこなうものであり、該上部用端子電極の表面積が、該放電電極の配置位置から水平方向に関して近い位置よりも遠い位置において大きいことを特徴とする分極処理前基板。
【請求項２】
請求項１の分極処理前基板において、上記複数の上部用端子電極を列状に並べた上部用端子電極列を複数有し、該上部用端子電極列に沿った中央線に対して該複数の上部用端子電極列を線対象となるよう配置し、該中央線から遠ざかるほど該上部用端子電極の表面積が大きいことを特徴とする分極処理前基板。
【請求項３】
請求項１または２の分極処理前基板において、上記下部電極は複数の電気機械変換素子に共通する共通電極であり、該共通電極に電気的に接続される下部用端子電極を上記上部用端子電極が形成された面と同じ側に形成し、上記コロナ放電もしくはグロー放電により上記下部用端子電極の表面に供給した電荷と、上記上部用端子電極の表面に供給した電荷とを用いて、上記電気機械変換膜内に電界を形成して分極処理をおこなうことを特徴とする分極処理前基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れかの分極処理前基板に対して、コロナ放電もしくはグロー放電による電荷を供給して上記電気機械変換膜内に電界を発生させて該電気機械変換膜の分極処理をおこなったことを特徴とするアクチュエータ基板。
【請求項５】
下部電極、電気機械変換膜及び上部電極を積層した構造の複数の電気機械変換素子を備えたアクチュエータ基板の製造方法であって、
基板上に上記下部電極を形成する工程と、該下部電極上に上記電気機械変換膜を形成する工程と、該電気機械変換膜上に上記上部電極を形成する工程と、該電気機械変換膜と該上部電極とを個別化する工程と、該下部電極上及び該上部電極上に第１の絶縁保護膜を形成する工程と、該第１の絶縁保護膜上に該下部電極に電気的に接続された下部用端子電極を形成するとともに、該上部電極に電気的に接続された上部用端子電極を放電電極が配置される位置から水平方向に関して近い位置よりも、遠い位置において、表面積が大きくなるよう形成する端子電極形成工程と、該下部用端子電極と該上部用端子電極とを露出させた状態で第２の絶縁保護膜を形成する工程と、該下部用端子電極と該上部用端子電極の表面に、放電電極によりコロナ放電もしくはグロー放電を発生させた電荷を供給して該電気機械変換膜内に電界を発生させて該電気機械変換膜の分極処理をおこなう分極工程とを含むアクチュエータ基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５のアクチュエータ基板の製造方法において、上記コロナ放電もしくはグロー放電による電荷として正電荷を用いたことを特徴とするアクチュエータ基板の製造方法。
【請求項７】
液滴を吐出する複数のノズルと、該ノズルにそれぞれ連通する液室と、該液室内の液体を加圧するためのアクチュエータとを備えた液滴吐出ヘッドにおいて、
上記アクチュエータとして、請求項４のアクチュエータ基板を用いたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項８】
請求項７の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月1日(2017.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置であって、
前記画像形成装置を操作するためのユーザ操作を受け付け可能であって、表示部を有する操作部と、
前記操作部と前記画像形成装置の本体とを接続するアーム部材と、
前記アーム部材または前記操作部に取り付けられた人感センサと、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記人感センサは、前記アーム部材に取り付けられる、ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記人感センサは、前記操作部の前記表示部より下側に取り付けられる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記人感センサは、斜め下側に向くように配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記アーム部材は、前記操作部の位置を前記画像形成装置に対し変更可能にする、ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記人感センサの検知結果に基づいて、前記画像形成装置を第１電力状態から前記第１電力状態より消費電力が大きい第２電力状態に移行させる制御手段をさらに備える、ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記人感センサは、赤外線を受信する赤外線センサである、ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記人感センサは、赤外線を受信する複数の素子がライン状または格子状に配置された赤外線アレイセンサである、ことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記人感センサは、前記アーム部材の上下方向の位置が変更されない位置に配置される、ことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記人感センサは、前記アーム部材の上下方向の角度が変更されない位置に配置される、ことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
用紙に画像を印刷する印刷手段をさらに備えることを特徴とする、請求項１乃至１０の何れか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、人感センサを利用して人の接近を検出し画像形成装置を制御する技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、画像形成装置であって、前記画像形成装置を操作するためのユーザ操作を受け付け可能であって、表示部を有する操作部と、前記操作部と前記画像形成装置の本体とを接続するアーム部材と、前記アーム部材または前記操作部に取り付けられた人感センサと、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月5日(2016.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
（実施例３）
基材として、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム［厚み：３１μｍ、第１の面の算術平均粗さＲａ２：１９ｎｍ、第１の面の最大突起高さＲｐ２：２１６ｎｍ、第２の面の算術平均粗さＲａ３：１９ｎｍ、第２の面の最大突起高さＲｐ３：２１６ｎｍ］を用いた以外は、実施例１と同様にしてグリーンシート製造用剥離フィルムを作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月12日(2017.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被更新情報を記憶するＩＣチップを備える交換部品を装着する装置の前記交換部品のＩＣチップであって、
前記装置からの要求に応じて、前記被更新情報を応答する通信手段と、
前記被更新情報が改ざんされたか否かを判定する手段と、
改ざんされたと判定した際に、前記被更新情報を改ざん前に戻す手段と、を備えることを特徴とするＩＣチップ。
【請求項２】
請求項１に記載のＩＣチップを備える前記交換部品であることを特徴とする交換部品。
【請求項３】
請求項２に記載の交換部品を装着する前記装置であることを特徴とする装置。
【請求項４】
被更新情報を記憶し、要求に応じて、前記被更新情報を応答する通信手段を有するＩＣチップを備える交換部品を装着する手段と、
前記被更新情報を要求し取得する手段と、
前記被更新情報が改ざんされたか否かを判定する手段と、
改ざんされたと判定した際に、前記ＩＣチップが記憶の被更新情報を改ざん前に戻す手段と、を備えることを特徴とする装置。
【請求項５】
被更新情報を記憶し、要求に応じて、前記被更新情報を応答する通信手段を有し、装置の交換部品に備えるＩＣチップが記憶の前記被更新情報が改ざんされたか否かを判定する手段と、
改ざんされたと判定した際に、該被更新情報を改ざん前に戻す手段として機能させるための制御プログラム。
【請求項６】
被更新情報を記憶し、要求に応じて、前記被更新情報を応答する通信手段を有するＩＣチップを備える交換部品を装着する手段と、
前記被更新情報を要求し取得する手段と、
前記ＩＣチップが記憶の被更新情報の改ざんを試みる手段と、
該被更新情報が改ざんできないか否かを確認し、前記ＩＣチップが正規品か否かを判定する手段と、を備えることを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため本発明のＩＣチップは、被更新情報を記憶するＩＣチップを備える交換部品を装着する装置の前記交換部品のＩＣチップであって、前記装置からの要求に応じて、前記被更新情報を応答する通信手段と、前記被更新情報が改ざんされたか否かを判定する手段と、改ざんされたと判定した際に、前記被更新情報を改ざん前に戻す手段と、を備えることを特徴とする。
本発明の装置は、被更新情報を記憶し、要求に応じて、前記被更新情報を応答する通信手段を有するＩＣチップを備える交換部品を装着する手段と、前記被更新情報を要求し取得する手段と、前記被更新情報が改ざんされたか否かを判定する手段と、改ざんされたと判定した際に、前記ＩＣチップが記憶の被更新情報を改ざん前に戻す手段と、を備えることを特徴とする。
また、被更新情報を記憶し、要求に応じて、前記被更新情報を応答する通信手段を有するＩＣチップを備える交換部品を装着する手段と、前記被更新情報を要求し取得する手段と、前記ＩＣチップが記憶の被更新情報の改ざんを試みる手段と、該被更新情報が改ざんできないか否かを確認し、前記ＩＣチップが正規品か否かを判定する手段と、を備えることを特徴としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、装置の交換部品に備え、装置からの要求に応じて、被更新情報を応答する通信手段を有するＩＣチップに関わる不正な手段を試みても無益な苦労に終わらせるＩＣチップ、装置および制御プログラムを提供することにある。
また、装置の交換部品に備えるＩＣチップが記憶の被更新情報が改ざんされた際に、被更新情報を改ざん前に戻すＩＣチップおよび装置および制御プログラムを提供することにある。
また、装置の交換部品に備えるＩＣチップが記憶の被更新情報が改ざんできないか否かにより、ＩＣチップが正規品か否かを判定する装置を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、ＩＣチップ、装置および制御プログラムは、装置の交換部品に備え、装置からの要求に応じて、被更新情報を応答する通信手段を有するＩＣチップに関わる不正な手段を試みても無益な苦労に終わらせることができる。また、装置の交換部品に備えるＩＣチップが記憶の被更新情報が改ざんされた際に、被更新情報を改ざん前に戻すことができる。
装置および制御プログラムは、装置の交換部品に備えるＩＣチップが記憶の被更新情報が改ざんできないか否かにより、ＩＣチップが正規品か否かを判定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月30日(2016.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子部品が実装された配線基板と、
前記配線基板及び前記複数の電子部品を連続的に覆う磁性膜と、
を有し、
前記磁性膜は、積層された複数の磁性薄膜からなり、
前記複数の磁性薄膜は、前記複数の電子部品に応じて互いに異なる組成であり、
前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の電子部品が発生する電磁波の周波数帯に応じて設定されること、
を特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記複数の磁性薄膜は、前記配線基板及び前記複数の電子部品を覆う絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記複数の磁性薄膜同士は、絶縁膜を介して積層されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記複数の磁性薄膜は、前記配線基板及び前記複数の電子部品を被覆する第１の磁性薄膜と、前記第１の磁性薄膜を被覆する第２の磁性薄膜とを含み、
前記第１の磁性薄膜の抵抗率は、前記第２の磁性薄膜の抵抗率よりも大きいこと、
を特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の磁性薄膜の複素透磁率の虚数成分の周波数特性を前記複数の電子部品に応じた値とするように設定されること、
を特徴とする請求項１〜４のうちの何れか一項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の磁性薄膜の複素透磁率の実数成分の共鳴周波数を前記複数の電子部品に応じた値とするように設定され、前記複数の磁性薄膜の複素透磁率の虚数成分の周波数帯域は前記共鳴周波数に対応すること、
を特徴とする請求項１〜５のうちの何れか一項に記載の電子装置。
【請求項７】
前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の電子部品を含む複数の回路部それぞれの動作に基づく周波数に応じて設定されること、
を特徴とする請求項１〜６のうちの何れか一項に記載の電子装置。
【請求項８】
接続部材を介して互いに積層され、前記接続部材を介して電気的に接続され、それぞれに複数の電子部品が実装された複数の配線基板と、
前記複数の配線基板及び前記配線基板に実装された前記複数の電子部品を連続的にそれぞれ覆う複数の磁性膜と、を有し、
前記複数の磁性膜はそれぞれ積層された複数の磁性薄膜からなり、
前記複数の磁性薄膜は、前記各磁性膜が覆う前記複数の電子部品に応じて互いに異なる組成であり、
前記複数の磁性薄膜の組成は、前記各磁性膜が覆う前記複数の電子部品が発生する電磁波の周波数帯に応じて設定されること、
を特徴とする電子装置。
【請求項９】
配線基板と、
前記配線基板に実装され、第１の周波数帯の電磁波を発生する第１の電子部品と、
前記配線基板に実装され、第２の周波数帯の電磁波を発生する第２の電子部品と、
前記配線基板と前記第１及び前記第２の電子部品を覆う第１の磁性薄膜と、
前記第１の磁性薄膜を覆う第２の磁性薄膜と、
を有し、
前記第１の磁性薄膜は、前記第１の周波数帯に応じた組成を有し、
前記第２の磁性薄膜は、前記第２の周波数帯に応じた組成を有すること、
を特徴とする電子装置。
【請求項１０】
前記配線基板に実装され、電磁波を受信又は送信するための第３の電子部品を有し、
前記第１の磁性薄膜及び前記第２の磁性薄膜のうちの少なくとも一方の磁性薄膜は前記第３の電子部品を覆わないよう形成されること、
を特徴とする請求項９に記載の電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、複数の電子部品が実装された配線基板と、前記配線基板及び前記複数の電子部品を連続的に覆う磁性膜と、を有し、前記複数の磁性薄膜は、前記複数の電子部品に応じて互いに異なる組成であり、前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の電子部品が発生する電磁波の周波数帯に応じて設定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
１０，５０，６０  電子装置
１１  配線基板
３１  電源回路部
３２  制御回路部
３３  高周波回路部
３１ａ〜３３ａ  半導体装置
３１ｂ〜３３ｂ  チップ部品
４１ａ，４１ｂ  磁性薄膜
４２ａ，４２ｂ  磁性薄膜
５２ａ，６２ａ  絶縁膜
７０，８０  電子装置
７１，７２  はんだボール
１００，２００，３００  半導体パッケージ
１１０，２１０，３１０  配線基板
１３１，２３１，２３２，３３２  半導体装置
μ  複素透磁率
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月30日(2017.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッド上に研磨液を供給しながら、基板を該研磨パッドの研磨面に押し付けて、該基板を研磨し、
研磨後の前記基板をその中心軸線まわりに回転させ、
前記基板の表面への軟Ｘ線の照射を開始し、
前記軟Ｘ線の照射開始と同時またはその後、前記基板の表面への純水の供給を開始し、
前記基板の表面への純水の供給を停止し、
その後、前記基板の表面への軟Ｘ線の照射を停止することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記基板の回転方向において前記純水が供給される領域の下流側から、軟Ｘ線を前記基板の表面に照射することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記基板の表面への純水の供給を停止した後、前記基板の表面上に純水の膜が存在しないことが液膜センサによって検出されたときに、前記基板の表面への軟Ｘ線の照射を停止することを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記基板の表面への純水の供給を停止した時点から所定の時間が経過したときに、前記基板の表面への軟Ｘ線の照射を停止することを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記基板の表面には、少なくとも絶縁膜を含む構造体が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記純水は、比抵抗値が１５ＭΩ・ｃｍ以上の超純水であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記基板の表面に純水を供給する前に、前記基板の表面に洗浄液を供給して前記基板を洗浄することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
研磨パッド上に研磨液を供給しながら、基板を該研磨パッドの研磨面に押し付けて、該基板を研磨し、
研磨後の前記基板をその中心軸線まわりに回転させ、
前記基板の表面に軟Ｘ線を照射しながら、前記基板の表面に純水を供給し、
前記基板の表面への純水の供給を停止し、
前記基板の表面への軟Ｘ線の照射を停止することを特徴とする基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した目的を達成するために、一態様は、研磨パッド上に研磨液を供給しながら、基板を該研磨パッドの研磨面に押し付けて、該基板を研磨し、研磨後の前記基板をその中心軸線まわりに回転させ、前記基板の表面への軟Ｘ線の照射を開始し、前記軟Ｘ線の照射開始と同時またはその後、前記基板の表面への純水の供給を開始し、前記基板の表面への純水の供給を停止し、その後、前記基板の表面への軟Ｘ線の照射を停止することを特徴とする基板処理方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
他の態様は、研磨パッド上に研磨液を供給しながら、基板を該研磨パッドの研磨面に押し付けて、該基板を研磨し、研磨後の前記基板をその中心軸線まわりに回転させ、前記基板の表面に軟Ｘ線を照射しながら、前記基板の表面に純水を供給し、前記基板の表面への純水の供給を停止し、前記基板の表面への軟Ｘ線の照射を停止することを特徴とする基板処理方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月3日(2017.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物層と、
前記第１の酸化物層上に接する領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に位置し、前記酸化物半導体層と接する領域を有する第２の酸化物層と、
前記第２の酸化物層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第１の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記ゲート絶縁層の側面と接する領域と、前記第２の酸化物層の側面と接する領域とを有し、
前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層を構成する金属元素のうち、少なくとも一の金属元素を構成元素として含み、
前記第１の絶縁層は、前記第２の酸化物層及び前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い層である半導体装置。
【請求項２】
酸素を含む第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に接する領域を有する第１の酸化物層と、
前記第１の酸化物層上に接する領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に位置し、前記酸化物半導体層と接する領域を有する第２の酸化物層と、
前記第２の酸化物層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第１の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記ゲート絶縁層の側面と接する領域と、前記第２の酸化物層の側面と接する領域とを有し、
前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層は、前記酸化物半導体層を構成する金属元素のうち、少なくとも一の金属元素を構成元素として含み、
前記第１の絶縁層は、前記第２の酸化物層及び前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い層である半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
断面形状において、前記ゲート絶縁層の下端部は、前記第２の酸化物層の上端部と一致し、且つ、前記ゲート絶縁層の上端部は、前記ゲート電極層の下端部と一致する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、酸化アルミニウムを有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月18日(2016.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
底面および側面が前記第１の絶縁膜中に設けられ、上面が前記第１の絶縁膜の上面とそろうように設けられた第１の酸化物膜と、
前記第１の酸化物膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の第２の酸化物膜と、
前記第２の酸化物膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁膜と、
底面および側面が前記第１の絶縁膜中に設けられ、上面が前記第１の絶縁膜の上面とそろうように設けられた第１の酸化物膜と、
底面および側面が前記第１の酸化物膜中に設けられ、上面が前記第１の絶縁膜の上面とそろうように設けられた酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の第２の酸化物膜と、
前記第２の酸化物膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物膜および前記第２の酸化物膜は、前記酸化物半導体膜よりも伝導帯下端のエネルギーが０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下の範囲で真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の酸化物膜および前記第２の酸化物膜で覆われた領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ソース電極は、第１のソース電極と、第２のソース電極と、第３のソース電極を有し、
前記ドレイン電極は、第１のドレイン電極と、第２のドレイン電極と、第３のドレイン電極を有し、
前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極は、前記酸化物半導体膜上にあり、
前記第２のソース電極は、少なくとも前記第１の絶縁膜および前記第１のソース電極上にあり、
前記第２のドレイン電極は、少なくとも前記第１の絶縁膜および前記第１のドレイン電極上にあり、
前記第３のソース電極は、前記第２のソース電極上にあり、
前記第３のドレイン電極は、前記第２のドレイン電極上にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
溝を有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の上面と前記酸化物半導体膜の上面とがそろうように前記酸化物半導体膜を加工し、
前記第１の絶縁膜および前記酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜の溝に、前記酸化物半導体膜が設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
溝を有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第１の酸化物膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の上面と前記第１の酸化物膜の上面とがそろうように前記第１の酸化物膜を加工し、
前記第１の酸化物膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第１の酸化物膜および前記酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に第２の酸化物膜を形成し、
前記第２の酸化物膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜の溝に、前記第１の酸化物膜が設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
溝を有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第１の酸化物膜を形成し、
前記第１の酸化物膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の上面と前記第１の酸化物膜の上面と前記酸化物半導体膜の上面とがそろうように前記第１の酸化物膜および前記酸化物半導体膜を加工し、
前記第１の絶縁膜、前記第１の酸化物膜および前記酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に第２の酸化物膜を形成し、
前記第２の酸化物膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜の溝に、前記第１の酸化物膜および前記酸化物半導体膜が設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
溝を有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第１の酸化物膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の上面と前記第１の酸化物膜の上面とがそろうように前記第１の酸化物膜を加工し、
前記第１の酸化物膜に溝を形成し、
前記第１の絶縁膜および前記第１の酸化物膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の上面と前記酸化物半導体膜の上面とがそろうように前記酸化物半導体膜を加工し、
前記第１の絶縁膜、前記第１の酸化物膜および前記酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に第２の酸化物膜を形成し、
前記第２の酸化物膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜の溝に、前記第１の酸化物膜が設けられ、前記第１の酸化物膜の溝に前記酸化物半導体膜が設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月20日(2017.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型の導電性を付与する不純物を含有する第１の領域を含む第１の酸化物半導体層と、
前記第１の領域の少なくとも一部と接する第２の酸化物半導体層と、
前記第１の領域と重なるゲート電極層と、
前記第１の酸化物半導体層と前記ゲート電極層との間のゲート絶縁層と、
前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層の上面と接する領域と、前記第１の酸化物半導体層の側面と接する領域とを有する半導体装置。
【請求項２】
ｎ型の導電性を付与する不純物を含有する第１の領域を含む第１の酸化物半導体層と、
前記第１の領域の少なくとも一部と接する第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層の下層に接する第１の酸化物層と、
前記第２の酸化物半導体層の上層に接する第２の酸化物層と、
前記第１の領域と重なるゲート電極層と、
前記第１の酸化物半導体層と前記ゲート電極層との間のゲート絶縁層と、
前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記第１の酸化物層は、前記第１の酸化物半導体層を構成する金属元素のうち、少なくとも一の金属元素を構成元素として含み、
前記第２の酸化物層は、前記第２の酸化物半導体層を構成する金属元素のうち、少なくとも一の金属元素を構成元素として含み、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層の上面と接する領域と、前記第１の酸化物半導体層の側面と接する領域とを有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の領域の少なくとも一部は、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とそれぞれ重なる半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ゲート電極層は、前記ソース電極層と重なる領域を有し、且つ、前記ドレイン電極層と重なる領域を有さない半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月2日(2017.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に負のリード電極と正のリード電極を有するフレキシブル基板と、
上面に負電極と正電極とを有する発光素子と、
前記発光素子の側面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して形成され、前記負電極と前記負のリード電極間、又は前記正電極と前記正のリード電極間を接続する配線と、
を有する発光装置。
【請求項２】
前記発光素子は、前記負のリード電極と正のリード電極とに跨って設けられている請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記発光素子の側面に略均一な厚さに形成されている請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記負のリード電極又は前記正のリード電極と前記配線との接続部は、前記発光素子の側面の下端に近接した位置にある請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、無機物からなる請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
前記絶縁膜が、屈折率の異なる２種以上の誘電体膜を積層した多層膜である請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子と前記配線とを封止する封止部材をさらに含む請求項１〜６のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項８】
フレキシブル基板と、
第１連結部と該第１連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第１延伸電極とを有し、前記基板の上面に形成された負のリード電極と、
第２連結部と該第２連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第２延伸電極とを有し、該第２延伸電極が前記第１延伸電極と所定の間隔で隣接するように前記フレキシブル基板の上面に形成された正のリード電極と、
それぞれ上面に正電極と負電極とを有し、第１延伸電極に負電極がそれぞれ接続され、前記第２延伸電極にそれぞれ正電極が接続された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の側面にそれぞれ形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上にそれぞれ形成され、前記正電極と前記第１延伸電極間、又は前記負電極と前記第２延伸電極間をそれぞれ接続する複数の配線と、
を有する発光装置。
【請求項９】
前記フレキシブル基板は、短辺と長辺を有する矩形形状であり、前記発光素子は前記フレキシブル基板の長手方向に列状に配列された請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
基板と、
第１連結部と該第１連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第１延伸電極とを有し、前記基板の上面に形成された負のリード電極と、
第２連結部と該第２連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第２延伸電極とを有し、該第２延伸電極が前記第１延伸電極と所定の間隔で隣接するように前記基板の上面に形成された正のリード電極と、
それぞれ上面に正電極と負電極とを有し、前記第１延伸電極と第２延伸電極とに跨ってそれぞれ設けられた複数の発光素子と、
前記発光素子の側面にそれぞれ形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上にそれぞれ形成され、前記負電極と前記第１延伸電極間、又は前記正電極と前記第２延伸電極間をそれぞれ接続する配線と、
を有する発光装置。
【請求項１１】
前記基板は、フレキシブル基板である請求項１０記載の発光装置。
【請求項１２】
前記絶縁膜はそれぞれ、前記発光素子の側面に略均一な厚さに形成されている請求項８〜１１のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１３】
前記第１延伸電極又は前記第２延伸電極と前記配線との接続部はそれぞれ、前記発光素子の側面の下端に近接した位置にある請求項８〜１２のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１４】
前記絶縁膜はそれぞれ、無機物からなる請求項８〜１３のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１５】
前記絶縁膜はそれぞれ、屈折率の異なる２種以上の誘電体膜を積層した多層膜である請求項８〜１４のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１６】
前記配線の厚さは、１０〜２０μｍの範囲にある請求項８〜１５のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１７】
前記複数の発光素子のうちの１つの発光素子と当該発光素子の側面に形成された絶縁膜上に形成された配線とをそれぞれ封止する複数の封止部材をさらに含む請求項８〜１６のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月15日(2017.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、酸化物積層、第１の電極、第２の電極、ゲート絶縁層、及びゲート電極を有し、
前記第１の電極は、上面から見て第１の開口部を有し、
前記第２の電極は、前記第１の開口部の内側に前記第１の電極と離間して設けられ、
前記ゲート電極は、上面から見て第２の開口部を有し、
前記第２の開口部を有する前記ゲート電極の内側の端部は、前記第２の電極と重なる領域を有し、
前記第２の開口部を有する前記ゲート電極の外側の端部は、前記第１の電極及び前記第２の電極と重ならない領域を有し、
前記酸化物積層は、酸化物半導体層と、酸化物層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物層よりも伝導帯下端のエネルギーが小さく、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層に含まれる金属元素を一種以上含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に、酸化物積層、第１の電極、第２の電極、ゲート絶縁層、及びゲート電極を有し、
前記第１の電極は、上面から見て第１の開口部を有し、
前記第２の電極は、前記第１の開口部の内側に前記第１の電極と離間して設けられ、
前記ゲート電極は、上面から見て第２の開口部を有し、
前記第２の開口部を有する前記ゲート電極の内側の端部は、前記第１の電極及び前記第２の電極と重ならない領域を有し、
前記第２の開口部を有する前記ゲート電極の外側の端部は、前記第１の電極と重なる領域を有し、
前記酸化物積層は、酸化物半導体層と、酸化物層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物層よりも伝導帯下端のエネルギーが小さく、
前記酸化物層は、前記酸化物半導体層に含まれる金属元素を一種以上含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層は、結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月23日(2017.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して、コバルト含有ガスを供給し排気して、前記基板上にコバルト含有層を形成する工程と、
前記基板に対して、窒素と水素を含むガスを供給し排気して、前記コバルト含有層を改質して、前記基板上にコバルト層を形成する工程と、
を交互に複数回行い、前記基板上にコバルト膜を形成する工程と、
前記コバルト膜が形成された基板に対して、活性化されたガスを供給して、前記コバルト膜の膜質を改質する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記コバルト膜の膜質を改質する工程では、前記基板に対して熱により活性化されたガスを供給する工程と、前記基板に対してプラズマにより活性化されたガスを供給する工程の少なくともいずれかを行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記コバルト膜の膜質を改質する工程では、前記基板に対して熱により活性化されたガスを供給する工程と、前記基板に対してプラズマにより活性化されたガスを供給する工程の両方を行う請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記窒素と水素を含むガスはアンモニアである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記活性化されたガスは窒素と水素の混合ガスである請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記活性化されたガスは水素である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記コバルト膜は高誘電率膜の上に形成される請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記コバルト膜の膜質を改質する工程では、前記コバルト膜の抵抗率、不純物濃度、ラフネスのうち少なくとも１つを改質する請求項１〜７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記コバルト膜の膜質を改質する工程では、前記コバルト膜の抵抗率を５６４μΩ・ｃｍ以下となるよう改質する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記コバルト膜を形成する工程と、前記コバルト膜の膜質を改質する工程とは、それぞれ異なる処理室内で行う請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
基板を収容する処理室と、
前記処理室に、コバルト含有ガスを供給する第１ガス供給系と、
前記処理室に、窒素と水素を含むガスを供給する第２ガス供給系と、
ガスを活性化させる活性化機構と、
前記処理室に、前記活性化機構により活性化させたガスを供給する第３ガス供給系と、
前記処理室を排気する排気系と、
前記処理室に収容された基板に対して、前記コバルト含有ガスを供給し排気して、前記基板上にコバルト含有層を形成する処理と、前記基板に対して、前記窒素と水素を含むガスを供給し排気して、前記コバルト含有層を改質して、前記基板上にコバルト層を形成する処理と、を交互に複数回行い、前記基板上にコバルト膜を形成する処理と、前記コバルト膜が形成された基板に対して、活性化されたガスを供給して、前記コバルト膜の膜質を改質する処理と、を行うよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１２】
基板上にコバルト膜を形成する第１の基板処理装置と、
活性化されたガスに前記コバルト膜が形成された基板を曝すことにより、前記コバルト膜の膜質を改質する第２の基板処理装置と、
を備え、
前記第１の基板処理装置は、基板を収容する第１の処理室と、前記第１の処理室にコバルト含有ガス及び窒素と水素を含むガスを供給する第１のガス供給系と、前記第１のガス供給系を制御して、前記第１の処理室に収容された基板に対して、前記コバルト含有ガスを供給し排気して、前記基板上にコバルト含有層を形成する処理と、前記基板に対して、前記窒素と水素を含むガスを供給し排気して、前記コバルト含有層を改質して、前記基板上にコバルト層を形成する処理と、
を交互に複数回行い、前記基板上にコバルト膜を形成するよう構成される第１の制御部と、を有し、
前記第２の基板処理装置は、基板を収容する第２の処理室と、ガスを活性化させる活性化機構と、前記第２の処理室に前記活性化機構により活性化されたガスを供給する第２のガス供給系と、前記活性化機構及び前記第２のガス供給系を制御して、前記第２の処理室に収容された前記コバルト膜が形成された前記基板に対して、前記活性化されたガスを前記処理室に供給し、前記コバルト膜の膜質を改質する処理を行うよう構成される第２の制御部と、を有する基板処理システム。
【請求項１３】
基板処理室の処理室に収容された基板に対して、コバルト含有ガスを供給し排気して、前記基板上にコバルト含有層を形成する手順と、
前記基板に対して、窒素と水素を含むガスを供給し排気して、前記コバルト含有層を改質して、前記基板上にコバルト層を形成する手順と、
を交互に複数回行い、前記基板上にコバルト膜を形成する手順と、
前記コバルト膜が形成された基板に対して、活性化されたガスを供給して、前記コバルト膜の膜質を改質する手順と、
をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、基板処理装置、基板処理システム及びプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月28日(2017.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
種子伝染性病原菌に対応する非病原性菌を開花期前後の宿主植物の花部に接触させる工程、
前記工程後に得られる前記非病原性菌が定着した宿主植物の種子を回収する工程
を含む、育苗期病害耐病性植物の種子製造方法。
【請求項２】
前記宿主植物がイネ科植物である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記イネ科植物がイネである、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記非病原性菌がFusarium属菌、Nectria属菌、Gibberella属菌、Calonectria属菌、Hypomyces属菌、Trichoderma属菌、Penicillium属菌、Talaromyces属菌、Acremonium属菌、Alternaria属菌、Verticillium属菌、Bacillus属細菌、Pseudomonas属細菌、Xanthomonas属細菌及びStreptomyces属細菌からなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記非病原性菌がFusarium oxysporum、Fusarium moniliforme、Fusarium fujikuroi、Fusarium proliferatum、及びFusarium sacchariからなる群から選択されるFusarium属菌由来である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記非病原性菌が受託番号NITE BP-01538又はNITE BP-01539である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
種子伝染性病原菌に対応する非病原性菌を開花期前後の宿主植物の花部に接触させることによって得られる育苗期病害耐病性植物の種子。
【請求項８】
前記宿主植物がイネ科植物である、請求項７に記載の種子。
【請求項９】
前記非病原性菌が請求項４〜６のいずれかに記載の非病原性菌である、請求項７又は８に記載の種子。
【請求項１０】
請求項７又は８に記載の育苗期病害耐病性植物の種子を用いる育苗期病害の発病予防及び防除方法。
【請求項１１】
前記植物がイネ科植物である、請求項１０に記載の予防及び防除方法。
【請求項１２】
前記育苗期病害が種子伝染性病害及び土壌伝染性病害である、請求項１０又は１１に記載の予防及び防除方法。
【請求項１３】
種子伝染性病原菌に対応する非病原性菌を有効成分とする育苗期病害防除用微生物農薬。
【請求項１４】
イネ科植物適用用である、請求項１３に記載の微生物農薬。
【請求項１５】
前記非病原性菌が請求項４〜６のいずれかに記載の非病原性菌である、請求項１３又は１４に記載の微生物農薬。    
【請求項１６】
Fusarium oxysporum W3株（受託番号：NITE BP-01538）又はFusarium oxysporum W5株（受託番号：NITE BP-01539）。