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【手続補正書】
【提出日】平成29年9月22日(2017.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の複数のショット領域のそれぞれに予め定められた順番で露光を行う露光装置であって、
原版のパターンを前記複数のショット領域のそれぞれに投影する投影光学系と、
前記投影光学系の結像特性を調整する調整部と、
前記複数のショット領域それぞれのパターンのずれのデータおよび前記露光の順番に基づいて前記複数のショット領域をグループ分けし、該グループ分けされたグループそれぞれに前記結像特性の設定量を決定し、グループ毎に前記結像特性が該決定された設定量となるように前記調整部を制御する制御部と、
を備え、
前記決定された設定量は、同一のグループに属する複数のショット領域を露光する場合に該複数のショット領域で共通に用いられ、
前記制御部は、前記同一のグループに属する複数のショット領域の露光の順番が連続し、かつ、該同一のグループに属する複数のショット領域の前記ずれのすべての値が予め定められた範囲内であるように前記グループ分けを行う、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記ずれのデータを格納する格納部を備え、前記制御部は、前記格納部に格納された前記ずれのデータに基づいて前記複数のショット領域をグループ分けすることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記複数のショット領域それぞれについて前記ずれを計測する計測器を備え、前記制御部は、前記計測器により計測された前記ずれのデータに基づいて前記複数のショット領域をグループ分けすることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記ずれは、前記複数のショット領域それぞれの形状のずれを含み、前記結像特性は、前記投影光学系の投影倍率またはディストーションを含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記調整部は、前記投影光学系を構成する光学素子を駆動する光学素子駆動部を含むことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記ずれは、前記複数のショット領域それぞれのデフォーカスを含み、前記結像特性は、前記投影光学系のフォーカス位置を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記同一のグループに属する複数のショット領域の前記ずれの最大値と最小値との単純平均値に基づいて該同一のグループに属する複数のショット領域で共通に用いられる前記設定量を決定することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記同一のグループに属する複数のショット領域の前記ずれのすべての値の単純平均値に基づいて該同一のグループに属する複数のショット領域で共通に用いられる前記設定量を決定することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記同一のグループに属する複数のショット領域の前記ずれのすべての値の加重平均値に基づいて該同一のグループに属する複数のショット領域で共通に用いられる前記設定量を決定することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
基板上の複数のショット領域を順に露光する露光装置であって、
原版のパターンを前記複数のショット領域のそれぞれに投影する投影光学系と、
前記投影光学系の結像特性を調整する調整部と、
前記結像特性の設定量を定め、前記結像特性が該定められた設定量になるように前記調整部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
露光の順番が連続する複数のショット領域のグループについて、該グループの前記設定量として共通の第１設定量を設定し、該グループに属する該複数のショット領域を露光するときに前記結像特性が前記第１設定量になるように前記調整部を制御し、
前記第１設定量を設定した前記グループに属さない他のショット領域について、該他のショット領域の前記設定量として前記第１設定量とは異なる第２設定量を設定し、前記他のショット領域を露光するときに前記結像特性が前記第２設定量になるように前記調整部を制御する、ことを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
前記グループを第１グループとして、前記制御部は、前記第１グループとは異なり、前記他のショット領域を含み、露光の順番が連続する複数のショット領域の第２グループについて、前記第２設定量を設定し、前記第２グループに属する複数のショット領域を露光するときに前記結像特性が前記第２設定量になるように前記調整部を制御する、ことを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
投影光学系により原版のパターンを基板上の複数のショット領域のそれぞれに投影して前記複数のショット領域のそれぞれに予め定められた順番で露光を行う露光方法であって、
前記複数のショット領域それぞれのパターンのずれのデータおよび前記露光の順番に基づいて前記複数のショット領域をグループ分けする工程と、
該グループ分けされたグループそれぞれに前記投影光学系の結像特性の設定量を決定する工程と、
グループ毎に前記結像特性が前記設定量となるように前記結像特性を調整して前記露光を行う工程と、
を含み、
前記決定された設定量は、同一のグループに属する複数のショット領域を露光する場合に該複数のショット領域で共通に用いられ、
前記グループ分けは、前記同一のグループに属する複数のショット領域の露光の順番が連続し、かつ、該同一のグループに属する複数のショット領域の前記ずれのすべての値が予め定められた範囲内であるように行われる、ことを特徴とする露光方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の露光装置を使用して基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含み、前記現像された基板からデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに予め定められた順番で露光を行う露光装置であって、原版のパターンを前記複数のショット領域のそれぞれに投影する投影光学系と、前記投影光学系の結像特性を調整する調整部と、前記複数のショット領域それぞれのパターンのずれのデータおよび前記露光の順番に基づいて前記複数のショット領域をグループ分けし、該グループ分けされたグループそれぞれに前記結像特性の設定量を決定し、グループ毎に前記結像特性が該決定された設定量となるように前記調整部を制御する制御部と、を備え、前記決定された設定量は、同一のグループに属する複数のショット領域を露光する場合に該複数のショット領域で共通に用いられ、前記制御部は、前記同一のグループに属する複数のショット領域の露光の順番が連続し、かつ、該同一のグループに属する複数のショット領域の前記ずれのすべての値が予め定められた範囲内であるように前記グループ分けを行う、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月4日(2017.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板又は下地膜上に直接又は間接的に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成されｎをある正の整数として{ｎ００}面に優先配向されたペロブスカイト結晶構造を有する圧電体からなる電気機械変換膜と、
前記電気機械変換膜上に形成された上部電極とを備える電気機械変換素子において、
前記電気機械変換膜が、Ｎをある正の整数として{Ｎ００}面でＸ線回折のロッキングカーブ法による測定を行って得られた回折強度のピークの形状が非対称でかつ二以上の屈曲した点を有する形状になっているものであることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項２】
基板又は下地膜上に直接又は間接的に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された{１００}面に優先配向されたペロブスカイト結晶構造を有する圧電体からなる電気機械変換膜と、
前記電気機械変換膜上に形成された上部電極とを備える電気機械変換素子において、
前記電気機械変換膜が、{２００}面でＸ線回折のロッキングカーブ法による測定を行って得られた回折強度のピークの形状が非対称でかつ二箇所の屈曲した点を有する形状になっていて、前記屈曲した点のうち、回折強度が大きい方の点の回折強度をＩ{２００}＿ｍａｘ、他方の点での回折強度をＩ{２００}＿２ｎｄとしたときに、Ｉ{２００}＿２ｎｄ／Ｉ{２００}＿ｍａｘが０．５以上０．９９以下になっているものであることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項３】
請求項２に記載の電気機械変換素子において、
前記電気機械変換膜が、前記屈曲した点のうち、回折強度が大きい方の点における試料基板面と入射Ｘ線の角度をω＿ｍａｘ、他方の点における試料基板面と入射Ｘ線の角度をω＿２ｎｄとしたときに、｜ω＿ｍａｘ−ω＿２ｎｄ｜が２［°］以上２０［°］以下になっているものであることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項４】
基板又は下地膜上に直接又は間接的に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成されたペロブスカイト結晶構造を有する圧電体からなる電気機械変換膜と、
前記電気機械変換膜上に形成された上部電極とを備える電気機械変換素子において、
前記電気機械変換膜が、{２００}面でＸ線回折のロッキングカーブ法による測定を行って得られた回折強度のピークの形状が非対称でかつ二以上の極大点を有する形状になっているものであることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項５】
請求項４に記載の電気機械変換素子において、
前記電気機械変換膜が、前記極大点は二箇所であり、前記電気機械変換膜が、二箇所の前記極大点のうち、回折強度が大きい方の点での回折強度をＩ{２００}＿ｍａｘ＿２、他方の点での回折強度をＩ{２００}＿２ｎｄ＿２としたときに、Ｉ{２００}＿２ｎｄ＿２／Ｉ{２００}＿ｍａｘ＿２が０．５以上０．９９以下になっているものであることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項６】
請求項５に記載の電気機械変換素子において、
前記電気機械変換膜が、二箇所の前記極大点に挟まれた極小点での回折強度をＩ{２００}＿ｍｉｎ＿２としたときに、Ｉ{２００}＿ｍｉｎ＿２／Ｉ{２００}＿ｍａｘ＿２が０．３以上になっているものであることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項７】
請求項５または６のいずれかに記載の電気機械変換素子において、
前記電気機械変換膜が、二箇所の前記極大点のうち、回折強度が大きい方の点での試料基板面と入射Ｘ線の角度をω＿ｍａｘ、他方の点での試料基板面と入射Ｘ線の角度をω＿２ｎｄとしたときに、｜ω＿ｍａｘ＿２−ω＿２ｎｄ＿２｜が２［°］以上２０［°］以下になっているものであることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項８】
請求項２乃至７のいずれか一の電気機械変換素子において、
前記電気機械変換膜が、{２００}面でＸ線回折のロッキングカーブ法による測定を行って得られた回折強度のピークの半値幅が６［°］以上１６［°］以下になっているものであることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一の電気機械変換素子において、
前記電気機械変換膜の結晶構造が、前記下部電極と隣接している近傍では正方晶のａドメインと、正方晶のｃドメインとからなり、前記上部電極と隣接している近傍では正方晶のａドメインと、正方晶のｃドメインと、菱面体晶、斜方晶若しくは擬似立方晶のいずれかとからなることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一の電気機械変換素子において、
前記電気機械変換膜がチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなり、前記電気機械変換膜における亜鉛（Ｚｒ）に対するチタン（Ｔｉ）の組成比（Ｔｉ／（Ｚｒ＋Ｔｉ））が０．４５以上０．５５以下であることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項１１】
液滴を吐出するノズルと、
該ノズルに連通する加圧室と、
該加圧室内の液体に圧力を発生させる圧力発生手段とを備えた液滴吐出ヘッドにおいて、
前記圧力発生手段として、請求項１乃至１０のいずれかの電気機械変換素子を備えたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月1日(2017.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板の略全面にめっき層を形成する工程と、
該めっき層上に所定のリードフレーム形状のエッチングマスクを形成する工程と、
該エッチングマスクで覆われていない領域の前記めっき層を除去する工程と、
前記めっき層の除去により露出した前記金属板にエッチング処理を施して前記所定のリードフレーム形状に加工する工程と、
前記所定のリードフレーム形状に加工された前記金属板の表面の外周縁よりも外側に突出している前記めっき層のバリを除去する工程と、
前記エッチングマスクを除去する工程と、を有するリードフレームの製造方法。
【請求項２】
前記めっき層を除去する工程で使用した剥離剤を用いて、前記めっき層のバリを除去する工程を行う請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記めっき層のバリを除去する工程は、回転ブラシを正転及び逆転させて前記バリに接触させることにより行う請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項４】
前記金属板は銅材又は銅合金材からなり、前記めっき層を形成する工程は、銅ストライクめっきを行った後に行われる請求項１乃至３のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項５】
前記エッチングマスクを形成する工程は、フォトレジストを全面に形成し、露光及び現像により前記フォトレジストのパターニングを行う工程を含む請求項１乃至４のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項６】
前記エッチング処理は、スプレー式のウェットエッチングにより行われる請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項７】
前記金属板の略全面に前記めっき層を形成する工程は、銀めっき層を形成する工程である請求項１乃至６のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記めっき層は、前記金属板の一方の面にのみ形成され、
前記金属板の他方の面には、前記金属板上に所定のリードフレーム形状のエッチングマスクを形成する工程と、
前記前記金属板にエッチング処理を施して前記所定のリードフレーム形状に加工する工程と、
前記エッチングマスクを除去する工程が行われる請求項１乃至７のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記金属板の略全面に前記めっき層を形成する工程は、前記他方の面に弾性体からなるメカマスクを押圧した状態で前記金属板に電気めっき処理を施すことにより行われる請求項８に記載のリードフレームの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月2日(2017.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パーティクルが存在する、パーティクル除去対象表面に対して、前記パーティクルを絡め取る樹脂を、前記パーティクルに対して個別に塗布する塗布部と、 
塗布された前記樹脂を硬化させる硬化部と、 
硬化した前記樹脂を前記パーティクル除去対象表面から除去することで前記パーティクルを個別に除去する除去部と、 
を備えることを特徴とする基板処理装置。 
【請求項２】
前記塗布部が、前記パーティクルを含む前記パーティクル除去対象表面に対して前記樹脂を塗布する際の前記パーティクル除去対象表面における前記パーティクルの位置に関する情報を取得する情報取得部を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 
【請求項３】
前記塗布部は、前記情報取得部によって取得された前記パーティクルの位置に関する情報を基に、前記パーティクルを挟み、前記パーティクル除去対象表面に対向する位置に配置されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。 
【請求項４】
前記塗布部により、前記パーティクルを含む前記パーティクル除去対象表面に対して塗布される前記樹脂は、紫外線硬化樹脂であり、前記硬化部は、前記樹脂に対して紫外線を照射する光源であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。 
【請求項５】
前記塗布部により、前記パーティクルを含む前記パーティクル除去対象表面に対して塗布される前記樹脂は、熱硬化性樹脂であり、前記硬化部は、前記樹脂に対して熱を加える熱源であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。 
【請求項６】
前記除去部は、前記パーティクルを含む硬化した前記樹脂を把持して前記パーティクル除去対象表面から除去することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。 
【請求項７】
前記除去部は、その一端部が前記塗布部に接続されるディスペンサであり、前記パーティクルに対して前記樹脂を塗布するとともに、前記樹脂を硬化させた後は、前記パーティクルを含む硬化した前記樹脂ごと前記ディスペンサを引き上げ、前記ディスペンサを前記塗布部から離間させることで前記パーティクルを除去することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置。 
【請求項８】
前記ディスペンサにおいて、前記パーティクルに対して前記樹脂を吐出する他端部は、吐出口の外部にパーティクル除去対象表面に対して対向する面を備えることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。 
【請求項９】
前記除去部は、ローラであり、前記ローラを回転させることによって、前記パーティクルを含む硬化した前記樹脂を前記ローラの回転表面に接触させて前記パーティクル除去対象表面から除去することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。 
【請求項１０】
パーティクルが存在する、パーティクル除去対象表面に対して、前記パーティクルを絡め取る樹脂を、前記パーティクルに対して個別に塗布する塗布部と、 
塗布された前記樹脂を硬化させるとともに、硬化した前記樹脂を前記パーティクル除去対象表面から除去することで前記パーティクルを個別に除去するローラと、 
を備えることを特徴とする基板処理装置。 
【請求項１１】
前記塗布部が前記パーティクルを含む前記パーティクル除去対象表面に対して前記樹脂を塗布する際、前記樹脂が接触する前記パーティクル及び前記パーティクル除去対象表面に関する情報を基に、少なくとも塗布する前記樹脂の選択、塗布量のいずれか１つを判断する判断部を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置。 
【請求項１２】
パーティクルが存在する、パーティクル除去対象表面に対して、塗布部が前記パーティクルを絡め取る樹脂を、前記パーティクルに対して個別に塗布する工程と、 
硬化部が塗布された前記樹脂を硬化させる工程と、 
除去部が硬化した前記樹脂をパーティクルごと前記パーティクル除去対象表面から除去することで前記パーティクルを個別に除去する工程と、 
を備えることを特徴とする基板処理方法。 
【請求項１３】
パーティクルが存在する、パーティクル除去対象表面に対して、塗布部が、前記パーティクルを絡め取る樹脂を、前記パーティクルに対して個別に塗布する工程と、 
塗布された前記樹脂を硬化させるとともに、ローラが、硬化した前記樹脂を前記パーティクル除去対象表面から除去することで前記パーティクルを個別に除去する工程と、 
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月18日(2017.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム複酸化物を含む活物質粒子と、１０００℃以上の融点を有する貴金属を含む貴金属粒子とを有する活物質成形体と、
前記活物質成形体の表面と接する固体電解質と、
前記固体電解質から露出した前記活物質成形体と接する集電体とを備えることを特徴とする電極複合体。
【請求項２】
前記１０００℃以上の融点を有する貴金属は、パラジウムおよび白金のうちの少なくとも１種である請求項１に記載の電極複合体。
【請求項３】
前記活物質成形体における、前記貴金属粒子の含有率は、０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下である請求項１または２に記載の電極複合体。
【請求項４】
前記貴金属粒子は、その平均粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電極複合体。
【請求項５】
前記活物質粒子の粒径は、前記貴金属粒子の粒径よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電極複合体。
【請求項６】
前記複合体は、一方の面で、前記活物質成形体と前記固体電解質との双方が露出し、他方の面で、前記固体電解質が単独で露出する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電極複合体。
【請求項７】
前記リチウム複酸化物は、ＬｉＣｏＯ２である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電極複合体。
【請求項８】
前記固体電解質は、Ｌｉ０．３５Ｌａ０．５５ＴｉＯ３である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電極複合体。
【請求項９】
リチウム複酸化物を含む活物質粒子と、１０００℃以上の融点を有する貴金属を含む貴金属粒子とを加熱することで、複数の前記活物質粒子と複数の前記貴金属粒子とを連結させて、連通孔を備える多孔質体からなる活物質成形体を得る第１の工程と、
前記活物質成形体の連通孔の内部を含む前記活物質成形体の表面に、固体電解質の形成材料を含む液状材料を塗布した後に加熱して、複合体を得る第２の工程と、
前記活物質成形体に接するように集電体を形成する第３の工程とを有することを特徴とする電極複合体の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の工程において、複数の前記活物質粒子と複数の前記貴金属粒子との混合物を圧縮して成形した後、加熱することにより、前記活物質成形体を得る請求項９に記載の電極複合体の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の工程において、複数の前記活物質粒子と複数の前記貴金属粒子との混合物を溶媒に分散させたスラリーを加熱することにより、前記活物質成形体を得る請求項９に記載の電極複合体の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の工程における前記活物質粒子および前記貴金属粒子の加熱は、８５０℃以上１０００℃未満の温度条件で行われる請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の電極複合体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電極複合体と、
前記固体電解質と接する電極とを有することを特徴とするリチウム電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の電極複合体は、リチウム複酸化物を含む活物質粒子と、１０００℃以上の融点を有する貴金属を含む貴金属粒子とを有する活物質成形体と、前記活物質成形体の表面と接する固体電解質と、前記固体電解質から露出した前記活物質成形体と接する集電体とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の電極複合体の製造方法は、リチウム複酸化物を含む活物質粒子と、１０００℃以上の融点を有する貴金属を含む貴金属粒子とを加熱することで、複数の前記活物質粒子と複数の前記貴金属粒子とを連結させて、連通孔を備える多孔質体からなる活物質成形体を得る第１の工程と、前記活物質成形体の連通孔の内部を含む前記活物質成形体の表面に、固体電解質の形成材料を含む液状材料を塗布した後に加熱して、複合体を得る第２の工程と、前記活物質成形体に接するように集電体を形成する第３の工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月17日(2017.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッドを備えた配線基板と、
前記配線基板上に設けられた下側磁気シールド材と、
前記下側磁気シールド材上に搭載された、磁気記憶素子を有する半導体チップと、
前記下側磁気シールド材との間に前記半導体チップを挟むように、前記半導体チップ上に設けられた、上側磁気シールド材と、を有し、
前記下側磁気シールド材は、前記パッドを露出する開口部を備え、
前記半導体チップと前記パッドとが電気的に接続され、
前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが直接接している半導体装置。
【請求項２】
前記上側磁気シールド材は、前記半導体チップを挟んで前記下側磁気シールド材と対向する天板と、前記天板から前記下側磁気シールド材側に延伸する脚部と、を備え、
前記下側磁気シールド材と前記脚部とが直接接している請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記脚部は、前記天板の対向する２辺から前記下側磁気シールド材側に板状に延伸し、前記脚部の下端部が更に水平方向に延伸して板状の折り曲げ部が設けられ、前記折り曲げ部の下面が前記下側磁気シールド材の上面に直接接している請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記脚部は、前記天板の外縁部の複数個所から前記下側磁気シールド材側に延伸し、
前記下側磁気シールド材には複数の孔が設けられ、夫々の前記孔には前記脚部の下端部が圧入されている請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材との間に、前記半導体チップを覆う樹脂が設けられている請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記樹脂は、前記下側磁気シールド材及び前記上側磁気シールド材を覆うように設けられている請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記上側磁気シールド材には開口部が設けられ、
前記上側磁気シールド材の開口部内には前記樹脂が充填されている請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップと前記パッドとは、金属線又はバンプを介して電気的に接続されている請求項１乃至７の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記上側磁気シールド材及び前記下側磁気シールド材は軟磁性材料からなる請求項１乃至８の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項１０】
パッドを備えた配線基板上に、前記パッドを露出する開口部を備えた金属からなる下側磁気シールド材を設ける工程と、
前記下側磁気シールド材上に、磁気記憶素子を有する半導体チップを搭載し、前記半導体チップと前記パッドとを電気的に接続する工程と、
前記下側磁気シールド材との間に前記半導体チップを挟むように、前記半導体チップ上に、金属からなる上側磁気シールド材を設ける工程と、を有し、
前記上側磁気シールド材を設ける工程では、前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが直接接するように前記上側磁気シールド材を設ける半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本半導体装置は、パッドを備えた配線基板と、前記配線基板上に設けられた下側磁気シールド材と、前記下側磁気シールド材上に搭載された、磁気記憶素子を有する半導体チップと、前記下側磁気シールド材との間に前記半導体チップを挟むように、前記半導体チップ上に設けられた、上側磁気シールド材と、を有し、前記下側磁気シールド材は、前記パッドを露出する開口部を備え、前記半導体チップと前記パッドとが電気的に接続され、前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが直接接していることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月14日(2017.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に設けられた下側磁気シールド材と、
前記下側磁気シールド材上に搭載された、磁気記憶素子を有する半導体チップと、
前記下側磁気シールド材との間に前記半導体チップを挟むように、前記半導体チップ上に設けられた、上側磁気シールド材と、を有し、
前記下側磁気シールド材及び前記上側磁気シールド材は軟磁性樹脂であり、
前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが別体に設けられており、
前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが直接接している半導体装置。
【請求項２】
前記軟磁性樹脂は、軟磁性材料の周囲を絶縁膜で被覆したフィラーを含有する樹脂からなる請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記軟磁性材料は軟鉄である請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップの前記配線基板と対向する第１面は、前記下側磁気シールド材に直接覆われ、
前記半導体チップの前記第１面と反対側の第２面、及び側面は、前記上側磁気シールド材に直接覆われ、
前記上側磁気シールド材を覆うように、前記配線基板上に封止樹脂が設けられている請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップの前記配線基板と対向する第１面は、前記下側磁気シールド材に直接覆われ、
前記半導体チップの前記第１面と反対側の第２面、及び側面を直接覆うように、前記下側磁気シールド材上に封止樹脂が設けられ、
前記上側磁気シールド材は、前記封止樹脂を覆い、前記半導体チップ側から前記封止樹脂の周囲に延伸する前記下側磁気シールド材と直接接している請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップは、電極パッドを前記上側磁気シールド材側に向けて前記下側磁気シールド材上に搭載され、
前記下側磁気シールド材には、前記配線基板のパッドを露出する開口部が設けられ、
前記半導体チップの前記電極パッドと、前記下側磁気シールド材の開口部内に露出する前記パッドとは、金属線を介して電気的に接続されている請求項４又は５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記金属線の一部又は全部は、前記封止樹脂に覆われている請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
配線基板上に、下側磁気シールド材を設ける工程と、
前記下側磁気シールド材上に、磁気記憶素子を有する半導体チップを搭載する工程と、
前記下側磁気シールド材との間に前記半導体チップを挟むように、前記半導体チップ上に、前記下側磁気シールド材とは別体である上側磁気シールド材を設ける工程と、を有し、
前記下側磁気シールド材及び前記上側磁気シールド材は軟磁性樹脂であり、
前記上側磁気シールド材を設ける工程では、前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが直接接するように前記上側磁気シールド材を設ける半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体チップを搭載する工程では、前記半導体チップの前記配線基板と対向する第１面が前記下側磁気シールド材に直接覆われるように前記半導体チップを搭載し、
前記上側磁気シールド材を設ける工程では、前記半導体チップの前記第１面と反対側の第２面、及び側面を直接覆うように、前記下側磁気シールド材上に前記上側磁気シールド材を設け、
前記上側磁気シールド材を設ける工程よりも後に、前記上側磁気シールド材を覆うように封止樹脂を設ける工程を有する請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体チップを搭載する工程では、前記半導体チップの前記配線基板と対向する第１面が前記下側磁気シールド材に直接覆われるように前記半導体チップを搭載し、
前記上側磁気シールド材を設ける工程よりも前に、前記半導体チップの前記第１面と反対側の第２面、及び側面を直接覆うように、前記下側磁気シールド材上に封止樹脂を設ける工程を有し、
前記上側磁気シールド材を設ける工程では、前記封止樹脂を覆い、前記半導体チップ側から前記封止樹脂の周囲に延伸する前記下側磁気シールド材と直接接するように前記上側磁気シールド材を設ける請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本半導体装置は、配線基板と、前記配線基板上に設けられた下側磁気シールド材と、前記下側磁気シールド材上に搭載された、磁気記憶素子を有する半導体チップと、前記下側磁気シールド材との間に前記半導体チップを挟むように、前記半導体チップ上に設けられた、上側磁気シールド材と、を有し、前記下側磁気シールド材及び前記上側磁気シールド材は軟磁性樹脂であり、前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが別体に設けられており、前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが直接接していることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月19日(2017.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）貫通孔を有する光反射性シートと、該貫通孔内に配置され、且つ色変換材料を含有した透光性樹脂からなる色変換材料層とを備える透光部材を準備し、前記色変換材料層と発光素子とを固定し、
（Ｂ）前記発光素子の側面を、光反射部材で被覆し、
（Ｃ）前記光反射部材及び前記光反射性シートを切断することをこの順に行うことを含む発光装置の製造方法。
【請求項２】
工程（Ａ）において、平面視、前記色変換材料層の外縁と同等かそれよりも小さい前記発光素子を用い、
工程（Ｂ）において、前記発光素子の外縁が、前記色変換材料層の外縁と一致するか、前記色変換材料層の外縁の内側に位置するように、前記色変換材料層と前記発光素子とを配置する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
工程（Ｂ）において、さらに、前記透光部材の側面を、前記光反射部材で被覆する請求項１又は請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
工程（Ａ）の前後に、前記発光素子を基板上に搭載し、
工程（Ｂ）において、前記光反射部材を、前記発光素子の側面から前記基板の表面にわたって被覆するか、前記光反射部材を、前記透光部材の側面から前記基板の表面にわたって被覆する請求項１〜３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
工程（Ａ）の前後に、前記発光素子を複数、１つの基板上に搭載する請求項１〜４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
工程（Ａ）において、複数搭載された前記発光素子に対応する位置に前記色変換材料層が複数配置する透光部材を、前記複数の発光素子上に一括固定する請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
工程（Ｂ）において、前記光反射部材の上面を前記透光部材の下面と一致させる請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
工程（Ｂ）において、前記光反射部材の上面を前記透光部材の上面と一致させる請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
工程（Ａ）において、前記透光部材を、
（ａ）シートを準備し、
（ｂ）該シートに貫通孔を形成し、
（ｃ）前記シートに光反射機能をもたせ、
（ｄ）該貫通孔内に、色変換材料を含有した透光性樹脂を充填し、硬化させて色変換材料層を形成し、
（ｅ）前記貫通孔ごと又は複数の貫通孔群ごとに前記シートを切断することにより形成する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
工程（ｄ）において、硬化した前記透光性樹脂の上面を、前記シートの少なくとも片面と面一になるように前記色変換材料層を形成する請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
工程（ａ）及び（ｃ）を同時に行い、光反射性材料によって形成されたシートを準備する請求項９又は１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
工程（ｃ）において、前記シートの表面及び貫通孔内面を第２光反射性材料によって被覆する請求項１０又は１１に記載の透光部材の製造方法。
【請求項１３】
工程（ｃ）において、めっき、スプレー又はインクジェットによって被覆する請求項１１に記載の透光部材の製造方法。
【請求項１４】
工程（ａ）において、前記シートに複数の貫通孔を形成し、
工程（ｄ）の後、（ｅ）との間に、前記色変換材料層を、湿度及び腐食性ガスから保護加工する工程を含む請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
（ｄ’）色変換材料を含有した透光性樹脂を硬化させて色変換材料層を形成し、
（ａ’）前記色変換材料層の外周側面に、光反射機能を備える樹脂層を成形することを含む請求項１〜１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１６】
工程（ｄ’）において、複数の色変換材料層を互いに離間させて形成し、
工程（ａ’）において、前記複数の色変換材料層の外周側面に、光反射機能を備える樹脂層を、一体的に形成する請求項１５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
発光素子と、
該発光素子上に配置された透光部材と、
前記発光素子の側面を被覆した光反射部材とを備える発光装置であって、
前記透光部材は、貫通孔を有する光反射性シートと、前記貫通孔内において、色変換材料と硬化した透光性樹脂とからなる色変換材料層とを備え、
前記色変換材料層と前記発光素子とが固定され、
前記発光装置の外側面が前記光反射性シート及び前記光反射部材により形成されている発光装置。
【請求項１８】
前記光反射性シートと前記色変換材料層との少なくとも片面が面一である請求項１７に記載の発光装置。
【請求項１９】
前記発光素子の外縁は、平面視、前記色変換材料層の外縁と一致するか、前記色変換材料層の内側に配置されている請求項１７又は１８に記載の発光装置。
【請求項２０】
前記光反射部材の上面が、前記透光部材の下面と一致している請求項１７〜１９のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項２１】
前記光反射部材の上面が、前記透光部材の上面と一致している請求項１７〜２０のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項２２】
前記発光素子が、成長基板を有するフェイスダウン構造、成長基板を有しないフェイスダウン構造又はバーティカル構造である請求項１７〜２１に記載の発光装置。
【請求項２３】
前記光反射性シートが、光反射性材料によって形成されているか又は透光性材料又は光吸収性材料によって形成されており、かつ、前記光反射性シートの表面及び貫通孔内面が光反射性材料によって被覆されている請求項１７〜２２に記載の発光装置。
【請求項２４】
前記光反射性シートが、光反射性物質と樹脂とを含む光反射性材料からなり、
前記色変換材料層を構成する前記透光性樹脂が、前記光反射性シートを構成する樹脂と同じ樹脂である請求項１７〜２３に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月5日(2017.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄積転送型通信によりメッセージを通信する通信装置と、前記通信装置に向けて移動して該通信装置との間での直接通信によりメッセージを通信する移動通信装置と、前記移動通信装置の移動先となる通信装置を決定する管理装置とにより構成される通信システムであって、
前記通信装置は、各々に信頼度が設定され、自らの信頼度以上の信頼度を有する隣接通信装置である隣接上位装置に対してメッセージを送信し、
前記管理装置は、
前記各通信装置との通信可否状態、及び該通信装置の隣接上位装置を対応付けた接続情報と、通信装置位置と、移動通信装置位置とを記憶した記憶部と、
前記通信装置及び前記移動通信装置と通信する通信部と、
前記接続情報に基づいて、前記管理装置と通信不可状態の前記通信装置の集合において通信可能状態の通信装置を介さずに互いに接続関係をなしている集合である通信孤立集合の中で、最上位の前記信頼度を有する通信装置である孤立最上位装置を特定し、前記通信装置位置及び前記移動通信装置位置とから該孤立最上位装置と前記移動通信装置との距離を求め、該距離が小さい通信孤立集合の通信装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する移動先決定手段と、
を有することを特徴とする通信システム。
【請求項２】
前記移動先決定手段は、前記接続情報に基づいて前記各通信孤立集合を構成する前記通信装置の台数を求め、該台数が多い通信孤立集合の通信装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する請求項１に記載の通信システム。
【請求項３】
前記記憶部は、前記各孤立最上位装置に至るまでの前記移動通信装置の移動速度を更に記憶し、
前記移動先決定手段は、前記移動速度及び前記距離から前記各孤立最上位装置に至るまでの移動時間を求め、前記台数を該移動時間にて除算した値である単位時間救済台数を該通信孤立集合ごとに求め、該単位時間救済台数が大きい通信孤立集合の通信装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する請求項２に記載の通信システム。
【請求項４】
前記移動先決定手段は、前記孤立最上位装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の通信システム。
【請求項５】
蓄積転送型通信によりメッセージを通信する通信装置に移動して、該通信装置との間での直接通信によりメッセージを通信する移動通信装置の移動先を決定するプログラムであって、
前記通信装置は、各々に設定された信頼度以上の信頼度を有する隣接通信装置である隣接上位装置に対してメッセージを送信し、
前記プログラムは、コンピュータに、
前記各通信装置との通信可否状態及び該通信装置の隣接上位装置を対応付けた接続情報に基づいて、通信不可状態の前記通信装置の集合において通信可能状態の通信装置を介さずに互いに接続関係をなしている集合である通信孤立集合の中で、最上位の前記信頼度を有する通信装置である孤立最上位装置を特定する処理と、
通信装置位置及び移動通信装置位置から該孤立最上位装置と前記移動通信装置との距離を求め、該距離が小さい通信孤立集合の通信装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する処理とを実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記した目的を達成するために、蓄積転送型通信によりメッセージを通信する通信装置と、前記通信装置に向けて移動して該通信装置との間での直接通信によりメッセージを通信する移動通信装置と、前記移動通信装置の移動先となる通信装置を決定する管理装置とにより構成される通信システムであって、
前記通信装置は、各々に信頼度が設定され、自らの信頼度以上の信頼度を有する隣接通信装置である隣接上位装置に対してメッセージを送信し、
前記管理装置は、前記各通信装置との通信可否状態、及び該通信装置の隣接上位装置を対応付けた接続情報と、通信装置位置と、移動通信装置位置とを記憶した記憶部と、前記通信装置及び前記移動通信装置と通信する通信部と、前記接続情報に基づいて、前記管理装置と通信不可状態の前記通信装置の集合において通信可能状態の通信装置を介さずに互いに接続関係をなしている集合である通信孤立集合の中で、最上位の前記信頼度を有する通信装置である孤立最上位装置を特定し、前記通信装置位置及び前記移動通信装置位置とから該孤立最上位装置と前記移動通信装置との距離を求め、該距離が小さい通信孤立集合の通信装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する移動先決定手段と、を有することを特徴とする通信システムを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の好ましい態様として、前記移動先決定手段は、前記接続情報に基づいて前記各通信孤立集合を構成する前記通信装置の台数を求め、該台数が多い通信孤立集合の通信装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定するものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の好ましい態様として、前記記憶部は、前記各孤立最上位装置に至るまでの前記移動通信装置の移動速度を更に記憶し、前記移動先決定手段は、前記移動速度及び前記距離から前記各孤立最上位装置に至るまでの移動時間を求め、前記台数を該移動時間にて除算した値である単位時間救済台数を該通信孤立集合ごとに求め、該単位時間救済台数が大きい通信孤立集合の通信装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定するものとする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の好ましい態様として、前記移動先決定手段は、前記孤立最上位装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定するものとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、蓄積転送型通信によりメッセージを通信する通信装置に移動して、該通信装置との間での直接通信によりメッセージを通信する移動通信装置の移動先を決定するプログラムであって、
前記通信装置は、各々に設定された信頼度以上の信頼度を有する隣接通信装置である隣接上位装置に対してメッセージを送信し、
前記プログラムは、コンピュータに、前記各通信装置との通信可否状態及び該通信装置の隣接上位装置を対応付けた接続情報に基づいて、通信不可状態の前記通信装置の集合において通信可能状態の通信装置を介さずに互いに接続関係をなしている集合である通信孤立集合の中で、最上位の前記信頼度を有する通信装置である孤立最上位装置を特定する処理と、通信装置位置及び移動通信装置位置から該孤立最上位装置と前記移動通信装置との距離を求め、該距離が小さい通信孤立集合の通信装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する処理とを実行させるプログラムであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月5日(2017.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄積転送型通信によりメッセージを通信する通信装置と、前記通信装置に向けて移動して該通信装置との間での直接通信によりメッセージを通信する移動通信装置と、前記移動通信装置の移動先となる通信装置を決定する管理装置とにより構成される通信システムであって、
前記通信装置は、各々に信頼度が設定され、自らの信頼度以上の信頼度を有する隣接通信装置である隣接上位装置に対してメッセージを送信し、
前記管理装置は、
前記各通信装置との通信可否状態、及び該通信装置の隣接上位装置を対応付けた接続情報を記憶した記憶部と、
前記通信装置及び前記移動通信装置と通信する通信部と、
前記接続情報に基づいて、前記管理装置と通信不可状態の前記通信装置の集合において通信可能状態の通信装置を介さずに互いに接続関係をなしている集合である通信孤立集合の中で、最上位の前記信頼度を有する通信装置である孤立最上位装置を特定し、該孤立最上位装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する移動先決定手段と、を有することを特徴とする通信システム。
【請求項２】
前記移動先決定手段は、前記移動通信装置が前記孤立最上位装置と直接通信できないとき、該孤立最上位装置が属する前記通信孤立集合の中で該孤立最上位装置の次に信頼度が上位の他の通信装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する請求項１に記載の通信システム。
【請求項３】
前記管理装置は、前記移動通信装置による前記孤立最上位装置との直接通信の結果に基づいて、前記接続情報を更新する接続情報更新手段を更に有する請求項１又は請求項２に記載の通信システム。
【請求項４】
前記移動先決定手段は、前記接続情報を参照して通信不可状態と判定された通信装置の隣接上位装置について通信可否を判定し、該隣接上位装置が通信可能であるとき、該通信装置を前記孤立最上位装置として特定する請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の通信システム。
【請求項５】
蓄積転送型通信によりメッセージを通信する通信装置に移動して、該通信装置との間での直接通信によりメッセージを通信する移動通信装置の移動先を決定するプログラムであって、
前記通信装置は、各々に設定された信頼度以上の信頼度を有する隣接通信装置である隣接上位装置に対してメッセージを送信し、
前記プログラムは、コンピュータに、
前記各通信装置との通信可否状態及び該通信装置の隣接上位装置を対応付けた接続情報に基づいて、通信不可状態の前記通信装置の集合において通信可能状態の通信装置を介さずに互いに接続関係をなしている集合である通信孤立集合の中で、最上位の前記信頼度を有する通信装置である孤立最上位装置を特定する処理と、該孤立最上位装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する処理とを実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記した目的を達成するために、蓄積転送型通信によりメッセージを通信する通信装置と、前記通信装置に向けて移動して該通信装置との間での直接通信によりメッセージを通信する移動通信装置と、前記移動通信装置の移動先となる通信装置を決定する管理装置とにより構成される通信システムであって、
前記通信装置は、各々に信頼度が設定され、自らの信頼度以上の信頼度を有する隣接通信装置である隣接上位装置に対してメッセージを送信し、
前記管理装置は、前記各通信装置との通信可否状態、及び該通信装置の隣接上位装置を対応付けた接続情報を記憶した記憶部と、前記通信装置及び前記移動通信装置と通信する通信部と、前記接続情報に基づいて、前記管理装置と通信不可状態の前記通信装置の集合において通信可能状態の通信装置を介さずに互いに接続関係をなしている集合である通信孤立集合の中で、最上位の前記信頼度を有する通信装置である孤立最上位装置を特定し、該孤立最上位装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する移動先決定手段と、を有することを特徴とする通信システムを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の好ましい態様として、前記移動先決定手段は、前記移動通信装置が前記孤立最上位装置と直接通信できないとき、該孤立最上位装置が属する前記通信孤立集合の中で該孤立最上位装置の次に信頼度が上位の他の通信装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定するものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、蓄積転送型通信によりメッセージを通信する通信装置に移動して、該通信装置との間での直接通信によりメッセージを通信する移動通信装置の移動先を決定するプログラムであって、
前記通信装置は、各々に設定された信頼度以上の信頼度を有する隣接通信装置である隣接上位装置に対してメッセージを送信し、
前記プログラムは、コンピュータに、前記各通信装置との通信可否状態及び該通信装置の隣接上位装置を対応付けた接続情報に基づいて、通信不可状態の前記通信装置の集合において通信可能状態の通信装置を介さずに互いに接続関係をなしている集合である通信孤立集合の中で、最上位の前記信頼度を有する通信装置である孤立最上位装置を特定する処理と、該孤立最上位装置に向けて優先的に移動するよう前記移動先を決定する処理とを実行させることを特徴とするプログラムであってもよい。