【手続補正書】
【提出日】平成29年3月2日(2017.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ケイ素前駆体が基板の表面に吸着されるように反応空間に気相のケイ素反応物質を導入する工程、
（ｂ）過剰のケイ素反応物質および反応副生成物を除去する工程、
（ｃ）吸着された前記ケイ素前駆体を窒素前駆体からのプラズマにより生成される反応種と接触させる工程、
（ｄ）過剰の反応種および反応副生成物を除去する工程、
を含み、
ここで、工程（ａ）〜（ｄ）が所望の厚さの窒化ケイ素フィルムが形成されるまで繰り返され、前記ケイ素反応物質がヨウ素または臭素を含み、
三次元機構の上面における０．５％のＨＦ水溶液中の窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する三次元機構の側壁における０．５％のＨＦ水溶液中の窒化ケイ素薄膜のエッチング速度の割合が約４未満である、
反応空間における基板上への窒化ケイ素薄膜の蒸着方法。
【請求項２】
前記ケイ素反応物質が式（１）〜（８）の１つの式を有する前駆体を含む、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項３】
前記反応種が、水素、水素原子、水素プラズマ、水素ラジカル、Ｎ＊ラジカル、ＮＨ＊ラジカルまたはＮＨ２＊ラジカルを含む、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項４】
前記反応種が前記基板上に直接発生される、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項５】
前記反応種が前記基板から離れて発生される、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項６】
遠隔プラズマ発生器が、前記反応種を発生するために用いられる、請求項５に記載の蒸着方法。
【請求項７】
前記ケイ素反応物質が、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、およびＨ５Ｓｉ２Ｉからなる群から選択される、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項８】
前記ケイ素反応物質がＨ２ＳｉＩ２である、請求項７に記載の蒸着方法。
【請求項９】
約３００℃〜約４００℃の温度で行われる、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項１０】
前記窒素前駆体が、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、Ｎ２／Ｈ２の混合物、Ｎ２、およびこれらの任意の混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項１１】
前記窒化ケイ素薄膜が、少なくとも約８０％のステップカバレッジおよびパターン負荷効果を示す、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項１２】
前記窒化ケイ素薄膜が三次元構造上に形成される、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項１３】
前記上面における０．５％のＨＦ水溶液中の窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する少なくとも１つの三次元機構の側壁における０．５％のＨＦ水溶液中の窒化ケイ素薄膜のエッチング速度の割合が約３未満である、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項１４】
前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度が０．５％のＨＦ水溶液中約４ｎｍ／分未満である、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項１５】
前記窒化ケイ素薄膜がＦｉｎＦＥＴの成形の間に蒸着される、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項１６】
前記吸着されたケイ素前駆体がＡｒのプラズマにより発生した反応種と接触しない、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項１７】
前記反応空間がシャワーヘッド反応器の部分であり、シャワーヘッドおよびサセプタを含む、請求項１に記載の蒸着方法。
【請求項１８】
前記シャワーヘッドおよびサセプタの間に約０．５ｃｍ〜約５ｃｍの隙間がある、請求項１７に記載の蒸着方法。
【請求項１９】
（ａ）少なくとも１つの三次元機構を有する基板を反応空間に充填する工程、
（ｂ）ケイ素前駆体が、前記基板の表面に吸着されるように前記ケイ素前駆体を前記反応空間に導入する工程、
（ｃ）前記反応空間の過剰のケイ素含有前駆体および反応副生成物をパージする工程、
（ｄ）窒素前駆体を前記反応空間に導入する工程、
（ｅ）前記反応空間の過剰の窒素前駆体および反応副生成物をパージする工程、
を含む窒化ケイ素薄膜の蒸着方法であって、
所望の厚さの窒化ケイ素薄膜が形成されるまで段階（ｂ）〜（ｅ）を繰り返し、
前記ケイ素含有前駆体が、ヨウ素または臭素を含み、
前記窒化ケイ素薄膜が、前記少なくとも１つの三次元機構に約５０％超のステップカバレッジを有し、
前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度が０．５％のＨＦ水溶液中約５ｎｍ／分未満であり、
前記少なくとも１つの三次元機構の上面における０．５％のＨＦ水溶液中の前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する前記少なくとも１つの三次元機構の側壁における前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度の割合が約４未満である、窒化ケイ素薄膜の蒸着方法。
【請求項２０】
前記窒化ケイ素薄膜が、約８０％超のステップカバレッジを有する、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項２１】
前記窒化ケイ素薄膜が、約９０％超のステップカバレッジを有する、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項２２】
前記プロセスが熱的原子層堆積プロセスである、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項２３】
前記プロセスがプラズマで増幅された原子層堆積プロセスである、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項２４】
前記ケイ素含有前駆体が、一般式（９）〜（２０）の１つの式を有する、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項２５】
前記ケイ素含有前駆体が、ＨＳｉＩ３、Ｈ２ＳｉＩ２、Ｈ３ＳｉＩ、Ｈ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｈ４Ｓｉ２Ｉ２、Ｈ５Ｓｉ２Ｉ、ＭｅＳｉＩ３、Ｍｅ２ＳｉＩ２、Ｍｅ３ＳｉＩ、Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｍｅ４Ｓｉ２Ｉ２、ＨＭｅＳｉＩ２、Ｈ２Ｍｅ２Ｓｉ２Ｉ２、ＥｔＳｉＩ３、Ｅｔ２ＳｉＩ２、Ｅｔ３ＳｉＩ、Ｅｔ２Ｓｉ２Ｉ４、Ｅｔ４Ｓｉ２Ｉ２、およびＨＥｔＳｉＩ２からなる群から選択される、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項２６】
前記ケイ素含有前駆体がＨ２ＳｉＩ２である、請求項２５に記載の蒸着方法。
【請求項２７】
前記方法が、約３００℃〜約４００℃の温度で行われる、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項２８】
前記窒化ケイ素薄膜が、少なくとも約８０％のステップカバレッジおよびパターン負荷効果を示す、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項２９】
前記少なくとも１つの三次元機構の上面における０．５％のＨＦ水溶液中の前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する前記少なくとも１つの三次元機構の側壁における０．５％のＨＦ水溶液中の前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度が約３未満である、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項３０】
前記少なくとも１つの三次元機構の上面における０．５％のＨＦ水溶液中の前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する前記少なくとも１つの三次元機構の側壁における０．５％のＨＦ水溶液中の前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度が、約１である、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項３１】
前記エッチング速度が、約３ｎｍ／分未満である、請求項１９に記載の蒸着方法。
【請求項３２】
（ａ）ケイ素前駆体が基板の表面に吸着されるように、前記基板を気相のケイ素前駆体に曝す工程、
（ｂ）前記基板をパージガスおよび／または真空に曝して、前記基板表面から過剰のケイ素前駆体および反応副生成物を除去する工程、
（ｃ）前記吸着されたケイ素前駆体を窒素含有プラズマにより生成された種と接触させる工程、ならびに
（ｄ）前記基板をパージガスおよび／または真空に曝して、前記基板表面および前記基板表面付近から窒素含有プラズマの種および反応副生成物を除去する工程、
を含む基板上への窒化ケイ素薄膜の蒸着方法であって、
工程（ａ）〜（ｄ）が所望の厚さの窒化ケイ素フィルムが形成されるまで繰り返され、
ケイ素反応物質がヨウ素または臭素を含み、
三次元機構の上面における０．５％のＨＦ水溶液中の窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する三次元機構の側壁における０．５％のＨＦ水溶液中の窒化ケイ素薄膜のエッチング速度の割合が約４未満である、
窒化ケイ素薄膜の蒸着方法。
【請求項３３】
（ａ）ケイ素反応物質が基板表面に吸着されるように、前記基板を気相ケイ素反応物質に曝す工程、
（ｂ）前記基板をパージガスおよび／または真空に曝して、前記基板表面から過剰のケイ素反応物質および反応副生成物を除去する工程、
（ｃ）前記吸着されたケイ素反応物質を窒素前駆体と接触させる工程、
（ｄ）前記基板をパージガスおよび／または真空に曝して、前記基板表面および前記基板表面付近から過剰の窒素前駆体を除去する工程、
を含む、少なくとも１つの三次元機構を含む基板上への窒化ケイ素薄膜の蒸着方法であって、
所望の厚さの窒化ケイ素薄膜が形成されるまで段階（ａ）〜（ｄ）を繰り返し、
ここで、ケイ素含有前駆体がヨウ素または臭素を含有し、
前記窒化ケイ素薄膜が、約５０％超のステップカバレッジを有し、
前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度が０．５％のＨＦ水溶液中約５ｎｍ／分未満であり、ならびに
前記少なくとも１つの三次元機構の上面における前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する前記少なくとも１つの三次元機構の側壁における０．５％のＨＦ水溶液中の前記窒化ケイ素薄膜のエッチング速度の割合は約４未満である、窒化ケイ素薄膜の蒸着方法。
【請求項３４】
窒化ケイ素薄膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法であって、前記方法は、複数のサイクルを含み、各サイクルは、反応空間中の基板をケイ素反応物質と第二反応物質との気相パルスと交互にかつ連続的に接触させる工程を含み、
ここで、前記ケイ素反応物質は、以下の式を有する前駆体を含む、原子層堆積（ＡＬＤ）方法。
【化１】
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（式中、ｎ＝１〜１０、ｙ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｗ）、ｗ＝１またはそれ以上（最大２ｎ＋２−ｙ）、Ｎは窒素、ならびにＲ１およびＲ２は、独立に水素、アルキル、置換アルキル、シリル、アルキルシリル、および不飽和炭化水素からなる群から選択され、
少なくとも１つの三次元機構の上面における０．５％のＨＦ水溶液中の窒化ケイ素薄膜のエッチング速度に対する少なくとも１つの三次元機構の側壁における０．５％のＨＦ水溶液中の窒化ケイ素薄膜のエッチング速度の割合が約４未満である。）
【請求項３５】
前記第二反応物質が窒素前駆体を含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記窒素前駆体が、窒素含有プラズマ由来の反応種を含む、請求項３５に記載の方法。