【手続補正書】
【提出日】平成29年2月15日(2017.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも青紫色又は青色半導体発光素子を発光要素として備える発光装置であって、
前記発光装置から出射される光は、ＡＮＳＩ  Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤｕｖＳＳＬが、−０．０３５０  ≦  ＤｕｖＳＳＬ  ＜  ０となる光を主たる放射方向に含み、
かつ、
（１）前記発光装置から当該放射方向に出射される光による照明を数学的に仮定した場合の＃０１から＃１５の下記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎＳＳＬ、ｂ＊ｎＳＳＬ（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
当該放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光での照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６
Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎｒｅｆ、ｂ＊ｎｒｅｆ（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、飽和度差ΔＣｎが
−３．８  ≦  ΔＣｎ  ≦  １８．６            （ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする発光装置。
ただし、ΔＣｎ＝√｛（ａ＊ｎＳＳＬ）２＋（ｂ＊ｎＳＳＬ）２｝−√｛（ａ＊ｎｒｅｆ）２＋（ｂ＊ｎｒｅｆ）２｝とする。
１５種類の修正マンセル色票  
＃０１        ７．５  Ｐ    ４    ／１０
＃０２      １０      ＰＢ  ４    ／１０
＃０３        ５      ＰＢ  ４    ／１２
＃０４        ７．５    Ｂ  ５    ／１０
＃０５      １０      ＢＧ  ６    ／  ８
＃０６        ２．５  ＢＧ  ６    ／１０
＃０７        ２．５    Ｇ  ６    ／１２
＃０８        ７．５  ＧＹ  ７    ／１０
＃０９        ２．５  ＧＹ  ８    ／１０
＃１０        ５        Ｙ  ８．５／１２
＃１１      １０      ＹＲ  ７    ／１２
＃１２        ５      ＹＲ  ７    ／１２
＃１３      １０        Ｒ  ６    ／１２
＃１４        ５        Ｒ  ４    ／１４
＃１５        ７．５  ＲＰ  ４    ／１２
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置であって、
下記式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）を満たすことを特徴とする発光装置。
【数１】
2016186946.tif 000001
（１）
【数２】
2016186946.tif 000002
（２）
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置であって、
飽和度差の最大値をΔＣｍａｘ、飽和度差の最小値をΔＣｍｉｎとした場合に、飽和度差の最大値と、飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
２．８  ≦  ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ  ≦  １９．６
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置であって、
（２）前記発光装置から当該放射方向に出射される光による照明を数学的に仮定した場合の前記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎＳＳＬ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
当該放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光での照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６
Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎｒｅｆ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０  ≦  ｜Δｈｎ｜  ≦  ９．０（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする発光装置。
ただし、Δｈｎ＝θｎＳＳＬ−θｎｒｅｆとする。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光は、分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が
１８０（ｌｍ／Ｗ）  ≦  Ｋ（ｌｍ／Ｗ）  ≦  ３２０（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）が
２５５０（Ｋ）  ≦  ＴＳＳＬ（Ｋ）  ≦  ７０００（Ｋ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光が対象物を照明する照度が１５０ｌｘ以上５０００ｌｘ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置であって、
前記発光装置は、前記半導体発光素子が出射する光を含めて１種類以上６種類以下の発光要素から出射される光を当該放射方向に発することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４２０ｎｍ以上４５５ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置であって、当該半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４５５ｎｍ以上４８５ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の発光装置であって、発光要素として蛍光体を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、発光スペクトルの異なる蛍光体を１種類以上５種類以下含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の発光装置であって、前記蛍光体は１種以上の緑色蛍光体および１種以上の赤色蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発光装置であって、前記１種以上の緑色蛍光体は１種又は２種の緑色蛍光体であることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の発光装置であって、前記１種以上の赤色蛍光体は１種又は２種の赤色蛍光体であることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記１種以上の緑色蛍光体は、いずれも、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記１種以上の赤色蛍光体は、いずれも、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記１種以上の緑色蛍光体は狭帯域緑色蛍光体及び広帯域緑色蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１９】
請求項１３〜１８のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記１種以上の赤色蛍光体は狭帯域赤色蛍光体及び広帯域赤色蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項２０】
請求項１３〜１９のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記１種以上の緑色蛍光体のうち１種は、Ｓｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（ただし０＜ｚ＜４．２）、下記一般式（６）で表される蛍光体、下記一般式（６）´で表される蛍光体、およびＳｒＧａＳ４：Ｅｕ２＋からなる群から選択される緑色蛍光体であることを特徴とする発光装置。
ＢａａＣａｂＳｒｃＭｇｄＥｕｘＳｉＯ４    （６）
（一般式（６）においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｘ＝２、１．０  ≦ ａ ≦ ２．０、０ ≦ ｂ ＜ ０．２、０．２ ≦ ｃ ≦ ０．８、０ ≦ ｄ ＜ ０．２および０ ＜ ｘ ≦ ０．５を満たす。）
Ｂａ１−ｘ−ｙ ＳｒｘＥｕｙ Ｍｇ１−ｚ Ｍｎｚ Ａｌ１０Ｏ１７      （６）´
（一般式（６）´においてｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．４、０．２５≦ｙ≦０．６及び０．０５≦ｚ≦０．５を満たす。）
【請求項２１】
請求項１３〜２０のいずれか１項に記載の発光装置であって、前記１種以上の赤色蛍光体のうち１種は、下記一般式（７）で表される蛍光体、下記一般式（７）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＡｌｘＳｉ５−ｘＯｘＮ８−ｘ：Ｅｕ（ただし０≦ｘ≦２）、Ｅｕｙ（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）１−ｙ：Ａｌ１＋ｘＳｉ４−ｘＯｘＮ７−ｘ（ただし０≦ｘ＜４、０≦ｙ＜０．２）、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ａ２＋ｘＭｙＭｎｚＦｎ（ＡはＮａおよび／またはＫ；ＭはＳｉおよびＡｌ；−１≦ｘ≦１かつ０．９≦ｙ＋ｚ≦１．１かつ０．００１≦ｚ≦０．４かつ５≦ｎ≦７）、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕおよび／または（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、並びに（ＣａＡｌＳｉＮ３）１−ｘ（Ｓｉ２Ｎ２Ｏ）ｘ：Ｅｕ（ただし、ｘは０＜ｘ＜０．５）からなる群から選択される赤色蛍光体であることを特徴とする発光装置。
（Ｌａ１−ｘ−ｙＥｕｘＬｎｙ）２Ｏ２Ｓ    （７）
（一般式（７）において、ｘ及びｙはそれぞれ０．０２≦ｘ≦０．５０及び０≦ｙ≦０．５０を満たす数を表し、ＬｎはＹ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｓｍ及びＥｒの少なくとも１種の３価希土類元素を表す。）
（ｋ-ｘ）ＭｇＯ・ｘＡＦ２・ＧｅＯ２：ｙＭｎ４＋    （７）´
（一般式（７）´において、ｋ、ｘ、ｙは、各々、２．８≦ｋ≦５、０．１≦ｘ≦０．７、０．００５≦ｙ≦０．０１５を満たす数を表し、Ａはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはこれらの混合物である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の第一の実施態様は以下の事項に関する。
［１］照明対象物を準備する照明対象物準備工程、および、発光要素である半導体発光素子を含む発光装置から出射される光により対象物を照明する照明工程、を含む照明方法であって、
前記照明工程において、前記発光装置から出射される光が対象物を照明した際に、前記対象物の位置で測定した光が以下の（１）、（２）及び（３）を満たすように照明することを特徴とする照明方法。
（１）前記対象物の位置で測定した光のＡＮＳＩ  Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤＵＶＳＳＬが、−０．０３５０  ≦  ＤｕｖＳＳＬ  ≦  −０．００４０である。
（２）前記対象物の位置で測定した光による照明を数学的に仮定した場合の＃０１から＃
１５の下記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎＳＳＬ、ｂ＊ｎＳＳＬ（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
前記対象物の位置で測定した光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光による照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎｒｅｆ、ｂ＊ｎｒｅｆ（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、飽和度差ΔＣｎが
−３．８  ≦  ΔＣｎ  ≦  １８．６            （ｎは１から１５の自然数）
を満たし、
下記式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）を満たし、
【数１】
2016186946.tif 000003
（１）
【数２】
2016186946.tif 000004
（２）
かつ、飽和度差の最大値をΔＣｍａｘ、飽和度差の最小値をΔＣｍｉｎとした場合に、飽和度差の最大値と、飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
２．８  ≦  （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ）  ≦  １９．６      
を満たす。
ただし、ΔＣｎ＝√｛（ａ＊ｎＳＳＬ）２＋（ｂ＊ｎＳＳＬ）２｝−√｛（ａ＊ｎｒｅｆ）２＋（ｂ＊ｎｒｅｆ）２｝とする。
１５種類の修正マンセル色票  
＃０１        ７．５  Ｐ    ４    ／１０
＃０２      １０      ＰＢ  ４    ／１０
＃０３        ５      ＰＢ  ４    ／１２
＃０４        ７．５    Ｂ  ５    ／１０
＃０５      １０      ＢＧ  ６    ／  ８
＃０６        ２．５  ＢＧ  ６    ／１０
＃０７        ２．５    Ｇ  ６    ／１２
＃０８        ７．５  ＧＹ  ７    ／１０
＃０９        ２．５  ＧＹ  ８    ／１０
＃１０        ５        Ｙ  ８．５／１２
＃１１      １０      ＹＲ  ７    ／１２
＃１２        ５      ＹＲ  ７    ／１２
＃１３      １０        Ｒ  ６    ／１２
＃１４        ５        Ｒ  ４    ／１４
＃１５        ７．５  ＲＰ  ４    ／１２
（３）前記対象物の位置で測定した光による照明を数学的に仮定した場合の上記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎＳＳＬ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
前記対象物の位置で測定した光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光による照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎｒｅｆ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０  ≦  ｜Δｈｎ｜  ≦  ９．０（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たす。
ただし、Δｈｎ＝θｎＳＳＬ−θｎｒｅｆとする。
［２］［１］に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記対象物の位置で測定した光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記対象物の位置で測定した光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在する場合において、
前記対象物の位置で測定した光の下記数式（３）で表される指標Ａｃｇが、−３６０  ≦  Ａｃｇ  ≦  −１０を満たすことを特徴とする照明方法。
【数３】
2016186946.tif 000005
（３）
［３］［１］に記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記対象物の位置で測定した光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記対象物の位置で測定した光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記対象物の位置で測定した光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在しない場合において、
前記対象物の位置で測定した光の下記数式（４）で表される指標Ａｃｇが、−３６０  ≦  Ａｃｇ  ≦  −１０を満たすことを特徴とする照明方法。
【数４】
2016186946.tif 000006
（４）
［４］［１］〜［３］のいずれかに記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光の分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が
１８０（ｌｍ／Ｗ）  ≦  Ｋ（ｌｍ／Ｗ）  ≦  ３２０（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする照明方法。
［５］［１］〜［４］のいずれかに記載の照明方法であって、前記色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０．００３  ≦  ｜Δｈｎ｜  ≦  ８．３（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする照明方法。
［６］［１］〜［５］のいずれかに記載の照明方法であって、前記一般式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）´
を満たすことを特徴とする照明方法。
【数５】
2016186946.tif 000007
（２）´
［７］［１］〜［６］のいずれかに記載の照明方法であって、前記飽和度差ΔＣｎが
−３．４  ≦  ΔＣｎ  ≦  １６．８      （ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする照明方法。
［８］［１］〜［７］のいずれかに記載の照明方法であって、前記飽和度差の最大値と、前記飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
３．２  ≦  （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ）  ≦  １７．８
を満たすことを特徴とする照明方法。
［９］［１］〜［８］のいずれかに記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光は、黒体放射軌跡からの距離ＤＵＶＳＳＬが
−０．０２５０  ≦  ＤｕｖＳＳＬ  ≦  −０．０１００
を満たすことを特徴とする照明方法。
［１０］［２］または［３］に記載の照明方法であって、前記数式（３）または（４）で
表される指標Ａｃｇが
−３２２  ≦  Ａｃｇ  ≦  −１２
を満たすことを特徴とする照明方法。
［１１］［１］〜［１０］のいずれかに記載の照明方法であって、
前記対象物の位置で測定した光は、分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が
２０６（ｌｍ／Ｗ）  ≦  Ｋ（ｌｍ／Ｗ）  ≦  ２８８（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする照明方法。
［１２］［１］〜［１１］のいずれかに記載の照明方法であって、前記対象物の位置で測定した光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）が
２５５０（Ｋ）  ≦  ＴＳＳＬ（Ｋ）  ≦  ５６５０（Ｋ）
を満たすことを特徴とする照明方法。
［１３］［１］〜［１２］のいずれかに記載の照明方法であって、前記対象物を照明する照度が１５０ｌｘ以上５０００ｌｘ以下であることを特徴とする照明方法。
［１４］［１］〜［１３］のいずれかに記載の照明方法であって、前記発光装置は、前記半導体発光素子が出射する光を含めて１種類以上６種類以下の発光要素から出射される光を発することを特徴とする照明方法。
［１５］［１］〜［１４］のいずれかに記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることを特徴とする照明方法。
［１６］［１５］に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であることを特徴とする照明方法。
［１７］［１５］に記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４２０ｎｍ以上４５５ｎｍ未満であることを特徴とする照明方法。
［１８］［１５］に記載の照明方法であって、当該半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４５５ｎｍ以上４８５ｎｍ未満であることを特徴とする照明方法。
［１９］［１］〜［１４］のいずれかに記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることを特徴とする照明方法。
［２０］［１］〜［１４］のいずれかに記載の照明方法であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする照明方法。
［２１］［１］〜［２０］のいずれかに記載の照明方法であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、ＧａＮ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板からなる群から選択されるいずれかの基板上で作成されたことを特徴とする照明方法。
［２２］［１］〜［２０］のいずれかに記載の照明方法であって、前記半導体発光素子はＧａＮ基板、またはＧａＰ基板上で作成され、かつ前記基板の厚みが１００μｍ以上２ｍｍ以下であることを特徴とする照明方法。
［２３］［１］〜［２０］のいずれかに記載の照明方法であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、またはＧａＡｓ基板上で作成され、かつ半導体発光素子は基板から剥離されてなることを特徴とする照明方法。
［２４］［１］〜［２３］のいずれかに記載の照明方法であって、発光要素として蛍光体を備えることを特徴とする照明方法。
［２５］［２４］に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、発光スペクトルの異なる蛍光体を１種類以上５種類以下含むことを特徴とする照明方法。
［２６］［２４］または［２５］に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上９０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする照明方法。
［２７］［２６］に記載の照明方法であって、前記蛍光体が下記一般式（５）で表される
蛍光体、下記一般式（５）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、および（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕからなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする照明方法。
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｍｎ，Ｅｕ      （５） 
ＳｒａＢａｂＥｕｘ（ＰＯ４）ｃＸｄ      （５）´
（一般式（５）´において、ＸはＣｌである。また、ｃ、ｄ及びｘは、２．７≦ｃ≦３．３、０．９≦ｄ≦１．１、０．３≦ｘ≦１．２を満足する数である。さらに、ａ及びｂは、ａ+ｂ＝５−ｘかつ０≦ｂ／（ａ＋ｂ）≦０．６の条件を満足する。）
［２８］［２４］または［２５］に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする照明方法。
［２９］［２８］に記載の照明方法であって、前記蛍光体がＳｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（ただし０＜ｚ＜４．２）、下記一般式（６）で表される蛍光体、下記一般式（６）´で表される蛍光体、およびＳｒＧａＳ４：Ｅｕ２＋からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする照明方法。
ＢａａＣａｂＳｒｃＭｇｄＥｕｘＳｉＯ４    （６）
（一般式（６）においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｘ＝２、１．０  ≦ ａ ≦ ２．０、０ ≦ ｂ ＜ ０．２、０．２ ≦ ｃ ≦ ０．８、０ ≦ ｄ ＜ ０．２および０ ＜ ｘ ≦ ０．５を満たす。）
Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＥｕｙ Ｍｇ１−ｚ Ｍｎｚ Ａｌ１０Ｏ１７      （６）´
（一般式（６）´においてｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．４、０．２５≦ｙ≦０．６及び０．０５≦ｚ≦０．５を満たす。）
［３０］［２４］または［２５］に記載の照明方法であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする照明方法。
［３１］［３０］に記載の照明方法であって、前記蛍光体が下記一般式（７）で表される蛍光体、下記一般式（７）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＡｌｘＳｉ５−ｘＯｘＮ８−ｘ：Ｅｕ（ただし０≦ｘ≦２）、Ｅｕｙ（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）１−ｙ：Ａｌ１＋ｘＳｉ４−ｘＯｘＮ７−ｘ（ただし０≦ｘ＜４、０≦ｙ＜０．２）、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ａ２＋ｘＭｙＭｎｚＦｎ（ＡはＮａおよび／またはＫ；ＭはＳｉおよびＡｌ；−１≦ｘ≦１かつ０．９≦ｙ＋ｚ≦１．１かつ０．００１≦ｚ≦０．４かつ５≦ｎ≦７）、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕおよび／または（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、並びに（ＣａＡｌＳｉＮ３）１−ｘ（Ｓｉ２Ｎ２Ｏ）ｘ：Ｅｕ（ただし、ｘは０＜ｘ＜０．５）からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする照明方法。
（Ｌａ１−ｘ−ｙＥｕｘＬｎｙ）２Ｏ２Ｓ    （７）
（一般式（７）において、ｘ及びｙはそれぞれ０．０２≦ｘ≦０．５０及び０≦ｙ≦０．５０を満たす数を表し、ＬｎはＹ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｓｍ及びＥｒの少なくとも１種の３価希土類元素を表す。）
（ｋ-ｘ）ＭｇＯ・ｘＡＦ２・ＧｅＯ２：ｙＭｎ４＋    （７）´
（一般式（７）´において、ｋ、ｘ、ｙは、各々、２．８≦ｋ≦５、０．１≦ｘ≦０．７、０．００５≦ｙ≦０．０１５を満たす数を表し、Ａはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはこれらの混合物である。）
［３２］［１］〜［１４］のいずれかに記載の照明方法であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＢＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする照明方法。
［３３］［１］〜［１４］のいずれかに記載の照明方法であって、発光要素として蛍光体
を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする照明方法。
［３４］［１］〜［３３］のいずれかに記載の照明方法であって、前記発光装置はパッケージ化ＬＥＤ、ＬＥＤモジュール、ＬＥＤ照明器具、およびＬＥＤ照明システムからなる群から選択されるいずれかであることを特徴とする照明方法。
［３５］家庭用に用いられる、［１］〜［３４］のいずれかに記載の照明方法。
［３６］展示用に用いられる、［１］〜［３４］のいずれかに記載の照明方法。
［３７］演出用に用いられる、［１］〜［３４］のいずれかに記載の照明方法。
［３８］医療用に用いられる、［１］〜［３４］のいずれかに記載の照明方法。
［３９］作業用に用いられる、［１］〜［３４］のいずれかに記載の照明方法。
［４０］工業機器内用に用いられる、［１］〜［３４］のいずれかに記載の照明方法。
［４１］交通機関内装用に用いられる、［１］〜［３４］のいずれかに記載の照明方法。［４２］美術品用に用いられる、［１］〜［３４］のいずれかに記載の照明方法。
［４３］高齢者用に用いられる、［１］〜［３４］のいずれかに記載の照明方法。
また、上記目的を達成するための本発明の第二の実施態様は以下の事項に関する。
［４４］少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置であって、
前記発光装置から出射される光は、ＡＮＳＩ  Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤＵＶＳＳＬが、−０．０３５０  ≦  ＤｕｖＳＳＬ  ≦  −０．００４０となる光を主たる放射方向に含み、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在する場合において、
下記数式（３）で表される指標Ａｃｇが、−３６０  ≦  Ａｃｇ  ≦  −１０を満たすことを特徴とする発光装置。
【数６】
2016186946.tif 000008
（３）
［４５］少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置であって、
前記発光装置から出射される光は、ＡＮＳＩ  Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤＵＶＳＳＬが、−０．０３５０  ≦  ＤｕｖＳＳＬ  ≦  −０．００４０
となる光を主たる放射方向に含み、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在しない場合において、
下記数式（４）で表される指標Ａｃｇが、−３６０  ≦  Ａｃｇ  ≦  −１０を満たすことを特徴とする発光装置。
【数７】
2016186946.tif 000009
（４）
［４６］［４４］または［４５］に記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光が以下の（１）及び（２）を満たすことを特徴とする発光装置。
（１）前記発光装置から当該放射方向に出射される光による照明を数学的に仮定した場合の＃０１から＃１５の下記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎＳＳＬ、ｂ＊ｎＳＳＬ（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
当該放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光での照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６
Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間におけるａ＊値、ｂ＊値をそれぞれａ＊ｎｒｅｆ、ｂ＊ｎｒｅｆ（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、飽和度差ΔＣｎが
−３．８  ≦  ΔＣｎ  ≦  １８．６            （ｎは１から１５の自然数）
を満たし、下記式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）を満たし、
【数８】
2016186946.tif 000010
（１）
【数９】
2016186946.tif 000011
（２）
かつ飽和度差の最大値をΔＣｍａｘ、飽和度差の最小値をΔＣｍｉｎとした場合に、飽和度差の最大値と、飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
２．８  ≦  （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ）  ≦  １９．６
を満たす。
ただし、ΔＣｎ＝√｛（ａ＊ｎＳＳＬ）２＋（ｂ＊ｎＳＳＬ）２｝−√｛（ａ＊ｎｒｅｆ）２＋（ｂ＊ｎｒｅｆ）２｝とする。
１５種類の修正マンセル色票  
＃０１        ７．５  Ｐ    ４    ／１０
＃０２      １０      ＰＢ  ４    ／１０
＃０３        ５      ＰＢ  ４    ／１２
＃０４        ７．５    Ｂ  ５    ／１０
＃０５      １０      ＢＧ  ６    ／  ８
＃０６        ２．５  ＢＧ  ６    ／１０
＃０７        ２．５    Ｇ  ６    ／１２
＃０８        ７．５  ＧＹ  ７    ／１０
＃０９        ２．５  ＧＹ  ８    ／１０
＃１０        ５        Ｙ  ８．５／１２
＃１１      １０      ＹＲ  ７    ／１２
＃１２        ５      ＹＲ  ７    ／１２
＃１３      １０        Ｒ  ６    ／１２
＃１４        ５        Ｒ  ４    ／１４
＃１５        ７．５  ＲＰ  ４    ／１２
（２）前記発光装置から当該放射方向に出射される光による照明を数学的に仮定した場合の上記１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎＳＳＬ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とし、
当該放射方向に出射される光の相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光での照明を数学的に仮定した場合の当該１５種類の修正マンセル色票のＣＩＥ  １９７６
Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色相角をθｎｒｅｆ（度）（ただしｎは１から１５の自然数）とした場合に、色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０  ≦  ｜Δｈｎ｜  ≦  ９．０（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たす。
ただし、Δｈｎ＝θｎＳＳＬ−θｎｒｅｆとする。
［４７］［４４］〜［４６］のいずれかに記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光は、分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が
１８０（ｌｍ／Ｗ）  ≦  Ｋ（ｌｍ／Ｗ）  ≦  ３２０（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
［４８］［４６］に記載の発光装置であって、前記色相角差の絶対値｜Δｈｎ｜が
０．００３  ≦  ｜Δｈｎ｜  ≦  ８．３（度）（ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする発光装置。
［４９］［４６］に記載の発光装置であって、前記一般式（１）で表される飽和度差の平均が下記式（２）´
を満たすことを特徴とする発光装置。
【数１０】
2016186946.tif 000012
（２）´
［５０］［４６］に記載の発光装置であって、前記飽和度差ΔＣｎが
−３．４  ≦  ΔＣｎ  ≦  １６．８      （ｎは１から１５の自然数）
を満たすことを特徴とする発光装置。
［５１］［４６］に記載の発光装置であって、前記飽和度差の最大値と、前記飽和度差の最小値との間の差ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎが
３．２  ≦  （ΔＣｍａｘ−ΔＣｍｉｎ）  ≦  １７．８  
を満たすことを特徴とする発光装置。
［５２］［４４］〜［５１］のいずれかに記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光は、黒体放射軌跡からの距離ＤＵＶＳＳＬが
−０．０２５０  ≦  ＤｕｖＳＳＬ  ≦  −０．０１００
を満たすことを特徴とする発光装置。
［５３］［４４］〜［５２］のいずれかに記載の発光装置であって、前記数式（３）または（４）で表される指標Ａｃｇが
−３２２  ≦  Ａｃｇ  ≦  −１２
を満たすことを特徴とする発光装置。
［５４］［４４］〜［５３］のいずれかに記載の発光装置であって、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光は、分光分布φＳＳＬ（λ）から導出される波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の放射効率Ｋ（ｌｍ／Ｗ）が、
２０６（ｌｍ／Ｗ）  ≦  Ｋ（ｌｍ／Ｗ）  ≦  ２８８（ｌｍ／Ｗ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
［５５］［４４］〜［５４］のいずれかに記載の発光装置であって、前記相関色温度ＴＳＳＬ（Ｋ）が
２５５０（Ｋ）  ≦  ＴＳＳＬ（Ｋ）  ≦  ５６５０（Ｋ）
を満たすことを特徴とする発光装置。
［５６］［４４］〜［５５］のいずれかに記載の発光装置であって、前記発光装置から当該放射方向に出射される光が対象物を照明する照度が１５０ｌｘ以上５０００ｌｘ以下であることを特徴とする発光装置。
［５７］［４４］〜［５６］のいずれかに記載の発光装置であって、前記発光装置は、前記半導体発光素子が出射する光を含めて１種類以上６種類以下の発光要素から出射される光を当該放射方向に発することを特徴とする発光装置。
［５８］［４４］〜［５７］のいずれかに記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
［５９］［５８］に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
［６０］［５８］に記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４２０ｎｍ以上４５５ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
［６１］［５８］に記載の発光装置であって、当該半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４５５ｎｍ以上４８５ｎｍ未満であることを特徴とする発光装置。
［６２］［４４］〜［５７］のいずれかに記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
［６３］［４４］〜［５７］のいずれかに記載の発光装置であって、前記半導体発光素子の発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
［６４］［４４］〜［６３］のいずれかに記載の発光装置であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、ＧａＮ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板からなる群から選択されるいずれかの基板上で作成されたことを特徴とする発光装置。
［６５］［４４］〜［６３］のいずれかに記載の発光装置であって、前記半導体発光素子はＧａＮ基板、またはＧａＰ基板上で作成され、かつ前記基板の厚みが１００μｍ以上２ｍｍ以下であることを特徴とする発光装置。
［６６］［４４］〜［６３］のいずれかに記載の発光装置であって、前記半導体発光素子はサファイア基板、またはＧａＡｓ基板上で作成され、かつ半導体発光素子は基板から剥離されてなることを特徴とする発光装置。
［６７］［４４］〜［６６］のいずれかに記載の発光装置であって、発光要素として蛍光体を備えることを特徴とする発光装置。
［６８］［６７］に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、発光スペクトルの異なる蛍光体を１種類以上５種類以下含むことを特徴とする発光装置。
［６９］［６７］または［６８］に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上９０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
［７０］［６９］に記載の発光装置であって、前記蛍光体が下記一般式（５）で表される蛍光体、下記一般式（５）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、および（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕからなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする発光装置。
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｍｎ，Ｅｕ      （５） 
ＳｒａＢａｂＥｕｘ（ＰＯ４）ｃＸｄ      （５）´
（一般式（５）´において、ＸはＣｌである。また、ｃ、ｄ及びｘは、２．７≦ｃ≦３．３、０．９≦ｄ≦１．１、０．３≦ｘ≦１．２を満足する数である。さらに、ａ及びｂは、ａ+ｂ＝５−ｘかつ０≦ｂ／（ａ＋ｂ）≦０．６の条件を満足する。）
［７１］［６７］または［６８］に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、室温で光励
起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
［７２］［７１］に記載の発光装置であって、前記蛍光体がＳｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（ただし０＜ｚ＜４．２）、下記一般式（６）で表される蛍光体、下記一般式（６）´で表される蛍光体、およびＳｒＧａＳ４：Ｅｕ２＋からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする発光装置。
ＢａａＣａｂＳｒｃＭｇｄＥｕｘＳｉＯ４    （６）
（一般式（６）においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｘ＝２、１．０  ≦ ａ ≦ ２．０、０ ≦ ｂ ＜ ０．２、０．２ ≦ ｃ ≦ ０．８、０ ≦ ｄ ＜ ０．２および０ ＜ ｘ ≦ ０．５を満たす。）
Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＥｕｙ Ｍｇ１−ｚ Ｍｎｚ Ａｌ１０Ｏ１７      （６）´
（一般式（６）´においてｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．４、０．２５≦ｙ≦０．６及び０．０５≦ｚ≦０．５を満たす。）
［７３］［６７］または［６８］に記載の発光装置であって、前記蛍光体は、室温で光励起した場合の単体発光スペクトルのピーク波長が５９０ｎｍ以上７８０ｎｍ未満であって、かつ、半値全幅が２ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
［７４］［７３］に記載の発光装置であって、前記蛍光体が下記一般式（７）で表される蛍光体、下記一般式（７）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）２ＡｌｘＳｉ５−ｘＯｘＮ８−ｘ：Ｅｕ（ただし０≦ｘ≦２）、Ｅｕｙ（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）１−ｙ：Ａｌ１＋ｘＳｉ４−ｘＯｘＮ７−ｘ（ただし０≦ｘ＜４、０≦ｙ＜０．２）、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ａ２＋ｘＭｙＭｎｚＦｎ（ＡはＮａおよび／またはＫ；ＭはＳｉおよびＡｌ；−１≦ｘ≦１かつ０．９≦ｙ＋ｚ≦１．１かつ０．００１≦ｚ≦０．４かつ５≦ｎ≦７）、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕおよび／または（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、並びに（ＣａＡｌＳｉＮ３）１−ｘ（Ｓｉ２Ｎ２Ｏ）ｘ：Ｅｕ（ただし、ｘは０＜ｘ＜０．５）からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする発光装置。
（Ｌａ１−ｘ−ｙＥｕｘＬｎｙ）２Ｏ２Ｓ    （７）
（一般式（７）において、ｘ及びｙはそれぞれ０．０２≦ｘ≦０．５０及び０≦ｙ≦０．５０を満たす数を表し、ＬｎはＹ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｓｍ及びＥｒの少なくとも１種の３価希土類元素を表す。）
（ｋ-ｘ）ＭｇＯ・ｘＡＦ２・ＧｅＯ２：ｙＭｎ４＋    （７）´
（一般式（７）´において、ｋ、ｘ、ｙは、各々、２．８≦ｋ≦５、０．１≦ｘ≦０．７、０．００５≦ｙ≦０．０１５を満たす数を表し、Ａはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはこれらの混合物である。）
［７５］［４４］〜［５７］のいずれかに記載の発光装置であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＢＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする発光装置。
［７６］［４４］〜［５７］のいずれかに記載の発光装置であって、発光要素として蛍光体を備え、前記半導体発光素子は発光スペクトルのピーク波長が３９５ｎｍ以上４２０ｎｍ未満であり、前記蛍光体は、ＳＣＡ、β−ＳｉＡｌＯＮ、およびＣＡＳＯＮを含むことを特徴とする発光装置。
［７７］［４４］〜［７６］のいずれかに記載の発光装置であって、パッケージ化ＬＥＤ、ＬＥＤモジュール、ＬＥＤ照明器具、およびＬＥＤ照明システムからなる群から選択されるいずれかであることを特徴とする発光装置。
［７８］家庭用照明装置として用いられる、［４４］〜［７７］のいずれかに記載の発光装置。
［７９］展示物用照明装置として用いられる、［４４］〜［７７］のいずれかに記載の発
光装置。
［８０］演出用照明装置として用いられる、［４４］〜［７７］のいずれかに記載の発光装置。
［８１］医療用照明装置として用いられる、［４４］〜［７７］のいずれかに記載の発光装置。
［８２］作業用照明装置として用いられる、［４４］〜［７７］のいずれかに記載の発光装置。
［８３］工業機器内用照明装置として用いられる、［４４］〜［７７］のいずれかに記載の発光装置。
［８４］交通機関内装用照明装置として用いられる、［４４］〜［７７］のいずれかに記載の発光装置。
［８５］美術品用照明装置として用いられる、［４４］〜［７７］のいずれかに記載の発光装置。
［８６］高齢者用照明装置として用いられる、［４４］〜［７７］のいずれかに記載の発光装置。
また、上記目的を達成するための本発明の第三の実施態様は以下の事項に関する。
［８７］少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置の設計方法であって、
前記発光装置から出射される光が、ＡＮＳＩ  Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤＵＶＳＳＬが−０．０３５０  ≦  ＤｕｖＳＳＬ  ≦  −０．００４０である光を、主たる放射方向に含むようにし、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在する場合において、
下記数式（３）で表される指標Ａｃｇが、−３６０  ≦  Ａｃｇ  ≦  −１０となるように調整することを特徴とする発光装置の設計方法。
【数１１】
2016186946.tif 000013
（３）
［８８］少なくとも半導体発光素子を発光要素として備える発光装置の設計方法であって、
前記発光装置から出射される光が、ＡＮＳＩ  Ｃ７８．３７７で定義される黒体放射軌跡からの距離ＤＵＶＳＳＬが−０．０３５０  ≦  ＤｕｖＳＳＬ  ≦  −０．００４０である光を、主たる放射方向に含むようにし、
かつ、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の分光分布をφＳＳＬ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の分光分布をφｒｅｆ（λ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光の三刺激値を（ＸＳＳＬ、ＹＳＳＬ、ＺＳＳＬ）、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の三刺激値を（Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆ、Ｚｒｅｆ）とし、
前記発光装置から当該放射方向に出射される光の規格化分光分布ＳＳＳＬ（λ）と、前記発光装置から当該放射方向に出射される光のＴＳＳＬ（Ｋ）に応じて選択される基準の光の規格化分光分布Ｓｒｅｆ（λ）と、これら規格化分光分布の差ΔＳ（λ）をそれぞれ、
ＳＳＳＬ（λ）＝φＳＳＬ（λ）／ＹＳＳＬ
Ｓｒｅｆ（λ）＝φｒｅｆ（λ）／Ｙｒｅｆ
ΔＳ（λ）＝Ｓｒｅｆ（λ）−ＳＳＳＬ（λ）
と定義し、
波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以内の範囲で、ＳＳＳＬ（λ）の最長波長極大値を与える波長をλＲ（ｎｍ）とした際に、λＲよりも長波長側にＳＳＳＬ（λＲ）／２となる波長Λ４が存在しない場合において、
下記数式（４）で表される指標Ａｃｇが、−３６０  ≦  Ａｃｇ  ≦  −１０となるように調整することを特徴とする発光装置の設計方法。
【数１２】
2016186946.tif 000014
（４）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
本発明の照明方法又は発光装置に用いる短波長領域の蛍光体材料の具体例としては、上記半値全幅を満たすものであれば好ましく用いることができるが、Ｅｕ２＋を付活剤としアルカリ土類アルミン酸塩またはアルカリ土類ハロリン酸塩からなる結晶を母体とする青色蛍光体がある。より具体的には下記一般式（５）で表される蛍光体、下記一般式（５）´で表される蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、および（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕが挙げられる。
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｍｎ，Ｅｕ      （５） 
（一般式（５）で表されるアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体をＢＡＭ蛍光体と呼ぶ。）  
ＳｒａＢａｂＥｕｘ（ＰＯ４）ｃＸｄ      （５）´
（一般式（５）´において、ＸはＣｌである。また、ｃ、ｄ及びｘは、２．７≦ｃ≦３．３、０．９≦ｄ≦１．１、０．３≦ｘ≦１．２を満足する数である。さらに、ａ及びｂは、ａ+ｂ＝５−ｘかつ０≦ｂ／（ａ＋ｂ）≦０．６の条件を満足する。）（一般式（５）´で表されるアルカリ土類ハロリン酸塩蛍光体のうちＢａを含有するものをＳＢＣＡ蛍光体と呼び、Ｂａを含有しないものをＳＣＡ蛍光体と呼ぶ。）
これらの蛍光体である、ＢＡＭ蛍光体、ＳＢＣＡ蛍光体、ＳＣＡ蛍光体、およびＢａ−ＳＩＯＮ蛍光体（（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ）、（Ｓｒ，Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋蛍光体などが好ましく例示できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７１】
アルカリ土類ケイ酸塩結晶を母体とするものの具体例には、下記一般式（６）で表される蛍光体、下記一般式（６）´で表される蛍光体が挙げられる。
ＢａａＣａｂＳｒｃＭｇｄＥｕｘＳｉＯ４    （６）
（一般式（６）においてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｘ＝２、１．０  ≦ ａ ≦ ２．０、０ ≦ ｂ ＜ ０．２、０．２ ≦ ｃ ≦ ０．８、０ ≦ ｄ ＜ ０．２および０ ＜ ｘ ≦ ０．５を満たす。）（一般式（６）で表されるアルカリ土類ケイ酸塩をＢＳＳ蛍光体と呼ぶ。）
Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＥｕｙ Ｍｇ１−ｚ Ｍｎｚ Ａｌ１０Ｏ１７      （６）´
（一般式（６）´においてｘ、ｙおよびｚはそれぞれ０．１≦ｘ≦０．４、０．２５≦ｙ≦０．６及び０．０５≦ｚ≦０．５を満たす。）（一般式（６）´で表されるアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体をＧ−ＢＡＭ蛍光体と呼ぶ。）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８６】
その他、下記一般式（７）で表される蛍光体、および下記一般式（７）´で表される蛍光体も挙げられる。
（Ｌａ１−ｘ−ｙＥｕｘＬｎｙ）２Ｏ２Ｓ    （７）
（一般式（７）において、ｘ及びｙはそれぞれ０．０２≦ｘ≦０．５０及び０≦ｙ≦０．５０を満たす数を表し、ＬｎはＹ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｓｍ及びＥｒの少なくとも１種の３価希土類元素を表す。）（一般式（７）で表される酸硫化ランタン蛍光体をＬＯＳ蛍光体と呼ぶ。）
（ｋ-ｘ）ＭｇＯ・ｘＡＦ２・ＧｅＯ２：ｙＭｎ４＋    （７）´
（一般式（７）´において、ｋ、ｘ、ｙは、各々、２．８≦ｋ≦５、０．１≦ｘ≦０．７、０．００５≦ｙ≦０．０１５を満たす数を表し、Ａはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはこれらの混合物である。）（一般式（７）で表されるジャーマネート蛍光体をＭＧＯＦ蛍光体と呼ぶ。）