Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月15日(2017.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上にＡｌＧａＩｎＰ系活性層と、
前記ＡｌＧａＩｎＰ系活性層上に第２導電型クラッド層と、
前記第２導電型クラッド層上に第１濃度の第２導電型ＧａＰ層と、
前記第１濃度の第２導電型ＧａＰ層上に前記第１濃度より高い第２濃度の第２導電型ＧａＰ層と、
を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第１濃度の第２導電型ＧａＰ層の第１濃度は、前記第２濃度の第２導電型ＧａＰ層の第２濃度の１０％〜３０％の濃度であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２濃度の第２導電型ＧａＰ層は、Ｍｇドーピング濃度が１×１０１７〜９×１０１７(atoms/cm３)であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１濃度の第２導電型ＧａＰ層でＭｇがトラップされてＭｇの拡散が抑制され、Ｍｇフリー領域（Ｆｒｅｅ Ｒｅｇｉｏｎ）が形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１濃度の第２導電型ＧａＰ層の厚さは、前記第２濃度の第２導電型ＧａＰ層の厚さより小さいことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１濃度の第２導電型ＧａＰ層の厚さは、前記第２濃度の第２導電型ＧａＰ層の厚さの１％〜１０％であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２濃度の第２導電型ＧａＰ層の厚さは３μｍ〜４．５μｍであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記ＡｌＧａＩｎＰ系活性層と前記第２導電型クラッド層との間にアンドープＡｌＩｎＰ系層をさらに含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記アンドープＡｌＩｎＰ系層のバンドギャップエネルギーは、前記ＡｌＧａＩｎＰ系活性層のバンドギャップエネルギーより大きく、
前記アンドープＡｌＩｎＰ系層は、Ｍｇの拡散を防止することを特徴とする請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記アンドープＡｌＩｎＰ系層は、前記第２導電型クラッド層と接し、
前記アンドープＡｌＩｎＰ系層は、前記第２導電型クラッド層と実質的に同じエネルギー準位を有することを特徴とする請求項８または９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記アンドープＡｌＩｎＰ系層は、前記第２導電型クラッド層より薄いことを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記アンドープＡｌＩｎＰ系層は、前記第１濃度の第２導電型ＧａＰ層より薄いことを特徴とする請求項８から１１のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１導電型半導体層の底面に反射層をさらに含むことを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記反射層は、ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ或いはＡｌＧａＩｎＰ／ＡｌＩｎＰ層を１／４波長の厚さで複数蒸着した分布ブラッグ反射層（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ−Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒｓ）鏡構造であることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第１導電型半導体層、前記ＡｌＧａＩｎＰ系活性層、前記第２導電型クラッド層と、前記第１濃度の第２導電型ＧａＰ層、及び前記第２濃度の第２導電型ＧａＰ層は、同一または類似系列の物質組成から形成されることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記反射層は、前記分布ブラッグ反射層（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ−Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒｓ）を前記第１導電型半導体層、前記ＡｌＧａＩｎＰ系活性層、前記第２導電型クラッド層と同じ格子構造層で形成したことを特徴とする請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光ユニットを含むことを特徴とする照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月26日(2017.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導放出のための半導体装置であって、
基板と、
前記基板上に配置された光ガイド構造と、
前記光ガイド構造内に配置された発光層と、
誘導放出のための前記半導体装置内の過剰な電荷を放電するための放電構造と、
を備え、
前記放電構造は、
ｎドープした導電層と、
（ａ）金属薄膜、（ｂ）金属コンタクト、（ｃ）接地への接続、及び（ｄ）ｅビーム源の陽極への接続の何れかと、
を備え、
誘導放出のための前記半導体装置は、電子正孔対を生成するために入射電子ビームによって電気的に励起されるように構成され、それらの再結合が前記発光層で支配的に発生し、これによって光を生成し、
前記発光層はｐ／ｎ接合内に埋め込まれず、さらに前記発光層は前記ｐ／ｎ接合を必要とせずに発光するように構成される半導体装置。
【請求項２】
前記基板が、ＡｌＮまたはＧａＮから構成されるグループから選択されるバルクの単結晶材料を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記光ガイド構造は、
下部クラッド層と、
前記下部クラッド層上に配置された下部導波層と、
上部導波層と、
を備え、
前記発光層が前記下部導波層上に配置され、さらに前記上部導波層は前記発光層上に配置される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記発光層が、多重量子井戸構造、２重ヘテロ構造、および均質層から構成されるグループから選択される構造を備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体装置は、２００ｎｍと３６５ｎｍとの間の波長で発光するように構成される、請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月3日(2017.5.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に位置し、第１の開口部及び第２の開口部を有する第３の絶縁膜と、
前記第１の開口部の内側に位置し、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する第１の導電膜と、
前記第３の絶縁膜上の第２の導電膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、第３の開口部を有し、
前記第２の開口部と、前記第３の開口部とは重なる領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２の開口部及び前記第３の開口部を介して前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第３の導電膜と、
前記第３の導電膜上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜を介して前記第３の導電膜と重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に位置し、第１の開口部及び第２の開口部を有する第３の絶縁膜と、
前記第１の開口部の内側に位置し、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する第１の導電膜と、
前記第３の絶縁膜上の第２の導電膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、第３の開口部を有し、
前記第２の開口部と、前記第３の開口部とは重なる領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２の開口部及び前記第３の開口部を介して前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の導電膜は、前記第３の導電膜と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記酸化物半導体膜は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記トランジスタのチャネル幅方向において、前記酸化物半導体膜を挟んで第４の開口部及び第５の開口部を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第４の開口部及び前記第５の開口部において、前記第４の絶縁膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコンを有し、
前記第２の絶縁膜は、窒化シリコンを有し、
前記第３の絶縁膜は、有機材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の導電膜と、前記第２の導電膜とは同じ材料を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月20日(2017.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２ドープ領域（１２０）の上に形成され、第１電位の内部バイアスが印加されている第１ドープ領域（１７０）と、
第１ドープ領域（１７０）の上に形成され、第２電位の外部バイアスが印加されている第３ドープ領域（１８０）とを備え、
少なくとも第２ドープ領域（１２０）は、第２電位から独立した第３電位の外部バイアスが印加されて、第１ドープ領域（１７０）と第２ドープ領域（１２０）との間にアバランシェ領域（２３０）を生成することを特徴とする埋め込みフォトダイオード画素構造（１００）。
【請求項２】
基板（１１０）をさらに備え、
基板（１１０）の上に第２ドープ領域（１２０）が形成され、
基板（１１０）は、第３電位の外部バイアスが印加される、請求項１記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
【請求項３】
第２ドープ領域（１２０）の上で第１ドープ領域（１７０）の下方に形成された第４ドープ領域（１３０）をさらに備え、
第４ドープ領域（１３０）は、第１ドープ領域（１７０）と同様な材料型である、請求項１または２記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
【請求項４】
少なくとも第１ドープ領域（１７０）の中に延びており、第２ドープ領域（１２０）から垂直に分離している注入部（１４０，１６０）をさらに備える、請求項１〜３のいずれかに記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
【請求項５】
注入部の一方（１４０）は、注入部（１４０）自体に対して反対ドーピングの関連したドープ領域（１５０）を含み、
注入部（１４０）およびドープ領域（１５０）は、少なくとも１つのトランジスタエリアを画定する、請求項４記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
【請求項６】
少なくとも１つのトランジスタエリアと関連した転送ゲート（１９０）をさらに備える、請求項５記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
【請求項７】
注入部の他方（１６０）は、ＳＴＩエリア（１６５）を含む、請求項４記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
【請求項８】
第１ドープ領域（１７０）は、ｎ型材料を含み、第２ドープ領域（１２０）は、ｐ型材料を含む、請求項１〜７のいずれかに記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
【請求項９】
第３電位は、負の電位を含む、請求項８記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
【請求項１０】
第３ドープ領域（１８０）は、グランド電位のバイアスが印加されたｐ型材料を含む、請求項８または９記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
【請求項１１】
第２ドープ領域（１７０）は、転送ゲート（１９０）を経由して電荷を抽出することによって、ピンニング電圧の内部バイアスが印加される、請求項１〜１０のいずれかに記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の、少なくとも１つの埋め込みフォトダイオード画素構造を備えたイメージセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月29日(2017.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路遮断器用端子アセンブリであって、
ブラケット要素と、
前記ブラケット要素に固定的に接続され、少なくとも１つの接続部材を含む端子と、
前記ブラケット要素によって支持された可動端子と、
前記可動端子に電気的に結合された第１端部と、前記端子に電気的に結合された接続要素を有する第２端部とを含む少なくとも１つの導体と、
前記ブラケット要素に接続され、前記端子の前記少なくとも１つの接続部材と前記少なくとも１つの導体の前記第２接続要素との位置合わせを容易にするように構成され、配置された少なくとも１つの導体ガイド面を有するボデーを含む導体ガイド部材と、を備え、前記少なくとも１つの導体ガイド面が第１端部から第２端部まで徐々に傾斜して、前記第２端部は溝を画成する回路遮断器用端子アセンブリ。
【請求項２】
前記導体ガイド部材が固締具受け部を含む請求項１に記載の端子アセンブリ。
【請求項３】
前記固締具受け部が前記少なくとも１つの導体ガイド面の溝内に設けられる請求項１または２に記載の端子アセンブリ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの接続部材と前記第２接続要素とを通って延び、ねじ部を含む少なくとも１つの機械的固締具と、
前記固締具受け部内に捕捉され、前記少なくとも１つの機械的固締具の前記ねじ部と嵌合する機械的固締要素とを備える請求項１乃至３のいずれかに記載の端子アセンブリ。
【請求項５】
前記導体ガイド部材が、前記少なくとも１つの導体ガイド面に対して実質的に垂直に延び、前記ブラケット要素に接続するように構成され、配置された１つ又は複数の取り付け部材を含む請求項１乃至４のいずれかに記載の端子アセンブリ。
【請求項６】
前記可動端子が、最大約１０００ボルトの電圧定格及び最大約６４００アンペアの定格電流を有する産業用回路遮断器用の下部端子アセンブリを構成する請求項１乃至５のいずれかに記載の端子アセンブリ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの導体が、可撓性フォイルと編組可撓性導体の一方から成る請求項１乃至６のいずれかに記載の端子アセンブリ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの導体ガイド面が実質的に曲線のガイド面から成る請求項１乃至７のいずれかに記載の端子アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月17日(2017.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に複数の撮像画素を有し、
前記撮像画素は、マトリクス状に配置された可視光を透過する複数の窓と、前記複数の窓の間に延在し信号を供給する機能を有する光電変換素子と、前記信号が供給される検知回路と、を有する撮像パネル。
【請求項２】
絶縁表面上に複数の撮像画素を有し、
前記撮像画素は、マトリクス状に配置された可視光を透過する複数の窓と、複数の前記窓の間に延在し信号を供給する機能を有する複数の光電変換素子と、複数の前記信号が供給される一の検知回路と、を有する撮像パネル。
【請求項３】
絶縁表面上に複数の撮像画素を有し、
前記撮像画素は、マトリクス状に配置された可視光を透過する複数の窓と、複数の前記窓の間に延在し信号を供給する機能を有する複数の光電変換素子と、前記信号が供給され且つ並列に接続された複数の検知回路と、を有する撮像パネル。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記複数の窓に換えて複数の表示画素を有し、
前記表示画素は、表示素子と、前記表示素子に信号を供給することができる表示画素回路と、を有する撮像パネル。
【請求項５】
第１の撮像信号を供給することができる検知回路を有する第１の撮像画素と、
第２の撮像信号を供給することができる検知回路を有する第２の撮像画素と、
前記第１の撮像信号及び前記第２の撮像信号が供給される読み出し回路と、を有し、
前記読み出し回路は、前記第１の撮像信号を第１の増幅信号に増幅して供給することができる第１のアンプと、前記第２の撮像信号を第２の増幅信号に増幅して供給することができる第２のアンプと、前記第１の増幅信号又は前記第２の増幅信号を供給することができる選択回路と、を有する撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月10日(2017.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィードフォワード電力制限基準PlimRef[k]を計算することと、
誤差積分項を積分することと、
再生可能エネルギーサイト用にサイト全体の電力制限コマンドを生成するために、前記フィードフォワード電力制限基準を前記誤差積分項に加算することと、
個別インバータコマンドを得るために、前記再生可能エネルギーサイトにおけるイネーブルにされたインバータの数で前記サイト全体の電力制限コマンドを割ることと、
によって前記サイト全体の電力制限コマンドを発生することを含む、再生可能エネルギーサイト用の電力制限制御の方法。
【請求項２】
２つの場合、即ち、
積分誤差インクリメントを計算するために、LoopDelay秒前に発生された対応する基準から現在のインバータフィードバック信号を引くこと、又は
インバータレベル電力制限最大値を、LoopDelay秒前に発生されたインバータコマンドに基づかせること
のいずれかにおいて、ループ遅延に対応する非ゼロ数に遅延項Ｄを設定することによって、実行されるLoop Delay補償を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ｉ）前記インバータ電力制限コマンド及びフィードバックに基づいた最大値、又はｉｉ）前記サイト全体の電力制限コマンドに対するスルーレート制限のどちらかから個別インバータ電力制限コマンドを発生することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
電力制限積分器制限を計算すること及び電力制限積分器インクリメントを計算することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記フィードフォワード電力制限基準の前記計算が、
サイトインバータ電力フィードバック及びオペレータ電力制限基準を提供することと、
前記電力制限基準を計算することであって、
ｉ）前記サイトインバータ電力フィードバック及び前記オペレータ電力制限基準に基づいた上限と、
ｉｉ）スルーインクリメントと、
ｉｉｉ）前記オペレータ電力制限基準と、に基づいて計算することと、
を含む電力制限基準スルー制御プロセスによって実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記フィードフォワード電力制限基準のループ遅延補償を含み、前記ループ遅延補償が、PlimRef[k-D]を生成するために、遅延項Ｄだけ前記フィードフォワード電力制限基準をオフセットすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ループ遅延補償が、ループ遅延に対応する非ゼロ数に前記遅延項Ｄを設定することによって実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記電力制限積分器制限が、
ｉ）前記PlimRef[k-D]と、
ｉｉ）最大インバータ電力フィードバックと、
ｉｉｉ）イネーブルにされたインバータの数と、
ｉｖ）サイト定格電力制限基準と、
の１つ又は複数に基づいて計算される、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記電力制限積分器インクリメントが、ｉ）サイト電力誤差、及び飽和されたインバータの数に依存する利得を掛けること、又はｉｉ）誤差項を発生するために、前記PlimRef[k]又はPlimRef[k-D]からサイトインバータ電力フィードバックを引くこと、及びスケーリングされた誤差項を発生するために、飽和利得項及び定数Ｋｉによって、前記誤差項をスケーリングすることの１つ又は複数を実行することによって計算される、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記スケーリングされた誤差項が、
ｉ）前記スケーリングされた誤差項を提供することと、
ｉｉ）前記誤差積分項を提供するために、前記スケーリングされた誤差項が積分器制限に達するまで、前記スケーリングされた誤差項を積分することと、
によって積分される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記スケーリングされた誤差項積分のワインドアップが、
ｉ）前記積分器制限によって、又はｉｉ）ａ）より多くの電力を自由に発生できるインバータの数（NumInvFree）がゼロであること、又はｂ）前記スケーリングされた誤差項が、前記積分項の絶対値を低減することの１つ又は複数が当てはまる場合に積分を停止することによって、最小化される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記誤差積分項が、電力制限コマンド分配用の分子を提供するために、前記PlimRef[k]に加算される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記電力制限コマンド分配が、分配されるサイト電力制限コマンドを発生するために、前記イネーブルにされたインバータの数で前記分子を割ることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
インバータ電力制限コマンド上限が、前記インバータ電力制限コマンド及びインバータ電力フィードバックの関数として計算される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記インバータ電力制限コマンドが、
ｉ）前記インバータ電力コマンド上限、又は
ｉｉ）前記インバータが、開ループとして検出され、且つスルーレートインクリメントの関数である場合に適用されるスルーレート制限、及び
ｉｉｉ）前記サイト全体の電力制限コマンド、
の関数として、インバータ電力制限コマンドスルー制御プロセスに基づいて計算される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記スルーレートインクリメントが、前記インバータが開ループでない場合にインバータ電力定格と等しい、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
再生可能エネルギーサイト用の電力制限制御の方法であって、２つの場合、即ち、
積分誤差インクリメントを計算するために、LoopDelay秒前に発生された対応する基準から現在のインバータフィードバック信号を引くこと、又は
インバータレベル電力制限最大値を、LoopDelay秒前に発生されたインバータコマンドに基づかせること
のいずれかにおいて、ループ遅延に対応する非ゼロ数に遅延項Ｄを設定することによって、実行されるLoop Delay補償を含む方法。
【請求項１８】
再生可能エネルギーサイト用の電力制限制御のシステムであって、
１つ又は複数のインバータと、
前記１つ又は複数のインバータの少なくとも１つと動作可能に通信し、且つ
フィードフォワード電力制限基準PlimRef[k]を計算することと、
誤差積分項を積分することと、
前記再生可能エネルギーサイト用のサイト全体の電力制限コマンドを生成するために、前記フィードフォワード電力制限基準を前記誤差積分項に加算することと、
個別インバータコマンドを得るために、前記再生可能エネルギーサイトにおけるイネーブルにされたインバータの数で前記サイト全体の電力制限コマンドを割ることと、
によって前記サイト全体の電力制限コマンドを発生するように動作可能に構成された電力制限コントローラと、
を含むシステム。
【請求項１９】
前記再生可能エネルギーサイトにおいてイネーブルにされる前記１つ又は複数のインバータの幾つか又は全ての間に前記サイト全体の電力制限コマンドを分配することを含む、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記電力制限コントローラが、インバータ電力制限コマンドを発生するように動作可能に構成される、請求項１８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月16日(2017.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
対応する数列は、（１,（（２，３），４），５，６）となり、角度ψを求める式は、次のようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月18日(2017.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラントを動作させるための動的警報システムであって、
前記プラントの動作の測定値と関連する信号を生成するように構成されたセンサと、
生成された警報をオペレータに向けて表示し、前記生成された警報の前記プラントの動作へ妥当性と関連する動的な評価値を前記オペレータから受け取るように構成されたインターフェースと、
前記インターフェースにおいて前記生成された信号を用いて前記警報を生成し、
前記評価値をコンパイルし、
前記コンパイルされた評価値から前記プラントの動作を改変する
ように構成されたプロセッサと、
を備える、動的警報システム。
【請求項２】
前記インターフェースが、さらに、前記オペレータが同時に前記警報を確認し、前記警報を評価することが可能であるように構成されている、請求項１に記載の動的警報システム。
【請求項３】
前記プロセッサが、さらに、複数のプラントに対する前記評価値をコンパイルするように構成されている、請求項１に記載の動的警報システム。
【請求項４】
前記インターフェースが、さらに、前記警報の前記コンパイルされた前記評価値に基づいて、前記インターフェースにおいて前記警報の次の提示を改変するように構成されている、請求項１に記載の動的警報システム。
【請求項５】
前記インターフェースが、さらに、前記オペレータがコメントを提供することを可能にするように構成されている、請求項１に記載の動的警報システム。
【請求項６】
前記評価値が（ａ）ブール値と（ｂ）段階的な目盛りから選択された値のうちの少なくとも一方である、請求項１に記載の動的警報システム。
【請求項７】
発電プラントにおける警報に応答する方法であって、
前記発電プラントの動作と関連する１つまたは複数の警報を受け取るステップと、
前記１つまたは複数の警報を動的に評価し、前記プラントの動作への前記１つまたは複数の警報の妥当性に関連する１つまたは複数の評価値を取得するステップと、
前記１つまたは複数の評価値をコンパイルするステップと、
前記コンパイルされた評価値から、選択された警報の前記発電プラントの前記動作への妥当性を判断するステップと、
前記判断された妥当性を用いて、前記発電プラントの動作を改変するステップと、
を含む、方法。
【請求項８】
前記１つまたは複数の警報から選択された警報を動的に評価するステップが、前記警報への応答の一部として評価値を選択するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記警報の前記判断された妥当性を用いて前記警報を生成するセンサのパラメータを改変するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
複数の発電プラントに対する前記１つまたは複数の評価値をコンパイルするステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記１つまたは複数の警報の前記コンパイルされた前記１つまたは複数の評価値に基づいて前記１つまたは複数の警報の提示を編成するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つまたは複数の警報を動的に評価するステップが、コメントを提供するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つまたは複数の警報を評価するステップが、（ａ）ブール値と（ｂ）段階的な目盛りからの値のうちの少なくとも一方を選択するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
プラントにおける警報に応答するための装置であって、
前記プラントの動作と関連する１つまたは複数の警報を受け取るように構成された制御パネルと、
前記プラントの動作への前記１つまたは複数の警報の妥当性と関連する動的に選択された評価値をオペレータから受け取るように構成されたインターフェースと、
前記動的に選択された評価値をコンパイルし、前記コンパイルされた評価値から、選択された警報の前記プラントの動作への妥当性を判断し、前記判断された妥当性から前記プラントの動作を改変するように構成されたプロセッサと、
を備える、装置。
【請求項１５】
前記インターフェースが、さらに、前記オペレータが前記１つまたは複数の警報に応答することが可能になる前に、前記動的に選択された評価値をオペレータから受け取るように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記プラントを監視して警報を生成するように構成されたセンサをさらに備えている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記プロセッサが、さらに、複数のプラントに対する評価値をコンパイルするように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記インターフェースが、さらに、前記１つまたは複数の警報の前記コンパイルされた評価値に基づいて、前記インターフェースにおける前記１つまたは複数の警報の提示を改変するように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
前記インターフェースが、さらに、オペレータがコメントを提供することを可能にするように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項２０】
前記評価値が（ａ）ブール値と（ｂ）段階的な目盛りから選択された値のうちの少なくとも一方である、請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月8日(2016.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記第二のデバイスを制御する制御ドライバを前記デバイス制御装置内に具備するか否かを判断するデバイスドライバ切替手段を更に備え、
前記デバイスドライバ切替手段は、
前記第二のデバイスを制御するための前記制御ドライバを具備すると判断した場合、前記第１の制御モードを選択し、
前記第二のデバイスを制御するための前記制御ドライバを具備しないと判断した場合、前記第２の制御モードを選択することを特徴とする請求項２に記載のデバイス制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
自らが具備する所定の機能を前記第一のデバイスとして識別させるための仮想デバイス識別情報を記憶する識別情報記憶手段と、
前記仮想デバイス識別情報を前記第一の情報処理装置に送信する識別情報送信手段と、
前記第一の情報処理装置が前記仮想デバイス識別情報に応じて識別した前記第一のデバイスを制御する際、前記第一のデバイスと前記デバイス制御装置との間は第１のデータ形式でデータ通信し、前記第一の情報処理装置と前記デバイス制御装置との間は第２のデータ形式でデータ通信する仮想デバイス制御手段と、
を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載のデバイス制御装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
デバイスドライバ切替手段が、前記第二のデバイスを制御するための制御ドライバを前記デバイス制御装置内に具備するか否かを判断するデバイスドライバ切替ステップを更に備え、
前記デバイスドライバ切替ステップは、
前記第二のデバイスを制御するための前記制御ドライバを具備すると判断した場合、前記第１の制御モードを選択し、
前記第二のデバイスを制御するための前記制御ドライバを具備しないと判断した場合、前記第２の制御モードを選択することを特徴とする請求項６に記載のデバイス制御方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記デバイス制御装置が具備する所定の機能を前記第一のデバイスとして識別させるための仮想デバイス識別情報を記憶する識別情報記憶ステップと、
前記仮想デバイス識別情報を前記第一の情報処理装置に送信する識別情報送信ステップと、
前記第一の情報処理装置が前記仮想デバイス識別情報に応じて識別した前記第一のデバイスを制御する際、前記第一のデバイスと前記デバイス制御装置との間は第１のデータ形式でデータ通信し、前記第一の情報処理装置と前記デバイス制御装置との間は第２のデータ形式でデータ通信する仮想デバイス制御ステップと、
を有することを特徴とする請求項５乃至請求項７の何れか１項に記載のデバイス制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月18日(2016.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電流が流れる第１の抵抗と、
前記第１の電流により前記第１の抵抗の両端に生ずる第１の電圧を増幅して、第２の電圧を出力する第１の回路と、
前記第２の電圧に対応する第２の電流を出力する第２の回路と、
前記第２の回路から前記第２の電流が入力され、前記第２の電流に応じた第１の信号を生成する第３の回路と、を有し、
前記第３の回路は、
前記第２の電流が入力される第１の端子を有する第１の容量素子と、
前記第１の端子の電圧に対応する信号を生成し、前記第１の信号として出力する第４の回路と、
前記第１の端子と前記第２の回路との接続を制御する第１のスイッチと、
前記第１の端子と第４の電圧が供給されるノードとの接続を制御する第２のスイッチと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第４の回路は、入力された第３の電圧を第１の基準電圧と比較し、比較結果を前記第１の信号として出力する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第３の回路は、前記第１の端子の電圧に対応する信号を生成し、第２の信号として出力する第５の回路を有し、
前記第４の回路は、入力された前記第３の電圧を第１の基準電圧と比較し、比較結果を前記第１の信号として出力する機能を有し、
前記第５の回路は、前記第３の電圧を第２の基準電圧と比較し、比較結果を前記第２の信号として出力する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の電流が流れる第１の抵抗と、
前記第１の電流により前記第１の抵抗の両端に生ずる第１の電圧を増幅して、第２の電圧を出力する第１の回路と、
前記第２の電圧に対応する第２の電流を出力する第２の回路と、
前記第２の回路から前記第２の電流が入力され、前記第２の電流に対応する第１の信号を生成する第３の回路と、を有し、
前記第３の回路は、
前記第２の電流が入力される第１の端子を有する第１の容量素子と、
前記第１の端子の第３の電圧の増加を検出し、第２の信号を生成する第４の回路と、
前記第１の端子の前記第３の電圧の低下を検出し、第３の信号を生成する第５の回路と、
前記第２の信号及び前記第３の信号の変化の回数を計数し、前記計数結果に対応する前記第１の信号を生成する第６の回路と、
前記第１の端子と前記第２の回路との接続を制御する第１のスイッチと、
前記第１の端子と第４の電圧が供給されるノードとの接続を制御する第２のスイッチと、
前記第２の信号及び前記第３の信号から、前記第２のスイッチの制御信号を生成する第７の回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチは、チャネルが酸化物半導体膜に形成されているトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の容量素子は、第２の端子を有し、
前記第２の端子は、前記第１の抵抗の一方の端子と同じ電位を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月22日(2016.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂と着色剤とを含有するトナー粒子を有するトナーであって、
該結着樹脂が非晶性樹脂Ａと結晶性樹脂Ｃとを含有し、
該結晶性樹脂Ｃの融点Ｔｍ（Ｃ）が５０℃以上１１０℃以下であり、
該トナー粒子が、コアシェル構造を有し、
該トナー粒子の断面観察において、該コアシェル構造におけるコアには、結晶性樹脂Ｃを主成分とする海部と非晶性樹脂Ａを主成分とする島部とで構成される海島構造が見られ、
該コアシェル構造におけるシェルを構成する樹脂は、該融点Ｔｍ（Ｃ）における貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０４Ｐａ以上１×１０１０Ｐａ以下であることを特徴とするトナー。
【請求項２】
該結晶性樹脂Ｃの重量平均分子量Ｍｗ（Ｃ）が５０００以上１０００００以下であり、該非晶性樹脂Ａの重量平均分子量Ｍｗ（Ａ）が８０００以上５００００以下であることを特徴とする請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
該結晶性樹脂ＣのＳＰ値をＳＰ（Ｃ）とし、該非晶性樹脂ＡのＳＰ値をＳＰ（Ａ）としたとき、ＳＰ（Ｃ）とＳＰ（Ａ）との差ΔＳＰ（ＣＡ）が０．３以上１．５以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のトナー。
【請求項４】
該結着樹脂は、該結着樹脂の質量を基準として、該結晶性樹脂Ｃを３０質量％以上７０質量％以下含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のトナー。
【請求項５】
該結晶性樹脂Ｃが側鎖結晶性樹脂であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のトナー。
【請求項６】
該結晶性樹脂Ｃが下記一般式（１）で表わされる部分構造を５０質量％以上含有するビニル系樹脂であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のトナー。
【化１】
2014142632.tif 000001
（ただし、Ｒ１は炭素数が１６以上３４以下のアルキル基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である。）
【請求項７】
該コアシェル構造におけるシェルを構成する樹脂Ｓの酸価ＡＶ（Ｓ）が１０．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上４０．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であり、該ＡＶ（Ｓ）と該結晶性樹脂Ｃの酸価ＡＶ（Ｃ）とが、以下の式を満たすことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のトナー。
５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ≦ＡＶ（Ｓ）−ＡＶ（Ｃ）
【請求項８】
該非晶性樹脂Ａの酸価をＡＶ（Ａ）とし、該結晶性樹脂Ｃの酸価をＡＶ（Ｃ）としたとき、ＡＶ（Ａ）とＡＶ（Ｃ）との差（ＡＶ（Ｃ）−ＡＶ（Ａ））が０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１０．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のトナー。
【請求項９】
該非晶性樹脂Ａは、ガラス転移温度Ｔｇ（Ａ）が４０℃以上８０℃以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のトナー。
【請求項１０】
該結晶性樹脂Ｃの融点Ｔｍ（Ｃ）と該非晶性樹脂Ａのガラス転移温度Ｔｇ（Ａ）が、
以下の式を満たすことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のトナー。
０℃≦Ｔｍ（Ｃ）−Ｔｇ（Ａ）≦３０℃
【請求項１１】
該結晶性樹脂Ｃの酸価ＡＶ（Ｃ）が、０．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上０．３ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のトナー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、結着樹脂と着色剤とを含有するトナー粒子を有するトナーであって、該結着樹脂が非晶性樹脂Ａと結晶性樹脂Ｃとを含有し、該結晶性樹脂Ｃの融点Ｔｍ（Ｃ）が５０℃以上１１０℃以下であり、該トナー粒子が、コアシェル構造を有し、該トナー粒子の断面観察において、該コアシェル構造におけるコアには、結晶性樹脂Ｃを主成分とする海部と非晶性樹脂Ａを主成分とする島部とで構成される海島構造が見られ、該コアシェル構造におけるシェルを構成する樹脂は、該融点Ｔｍ（Ｃ）における貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０４Ｐａ〜１×１０１０Ｐａであることを特徴とするトナーに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月13日(2017.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真印刷システムであって、
バイアス帯電ロールと、
帯電ロール清掃位置および清掃部材清掃位置において清掃部材を振動させるよう構成されたバイアス帯電ロール振動支援清掃システムと、を備え、前記清掃システムは、
作動ユニットと、
エラストマー清掃部材と、を備え、
前記作動ユニットは、前記帯電ロール清掃位置において第１の周波数で前記エラストマー清掃部材を振動させるとともに、前記バイアス帯電ロールと接触させ、前記清掃部材清掃位置において前記第１の周波数とは異なる第２の周波数で前記清掃部材を振動させるよう構成される、電子写真印刷システム。
【請求項２】
前記作動ユニットは、圧電変圧器、電動機、空気圧式作動装置、油圧作動装置、線形作動装置、コンボドライブ、熱バイモルフ、および電気活性ポリマーから本質的に構成される群から選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記作動ユニットは、約０．１Ｈｚ〜約１０ｋＨｚの周波数で振動するよう構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記作動ユニットは、約５％〜約９５％のデューティサイクルで振動するよう構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記作動ユニットは、約５μｍ〜約１０００μｍの振幅で振動するよう構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記エラストマー清掃部材は、ローラ、ブラシ、パッド、およびブレードから本質的に構成される群から選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記清掃システムは、アイドル時間位置の間、前記エラストマー清掃部材を前記帯電ロールから離し、前記帯電ロールと前記清掃部材との間の長期間の接触を減らすよう構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記作動ユニットは、矩形、正弦曲線、および鋸歯から構成される群から選択される駆動波形によって電力供給される、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記作動ユニットは、前記帯電ロールと前記清掃部材との間の摩擦を最小にするために、前記清掃部材が前記帯電ロールと接触しているときに、前記清掃部材の振動周波数が変調されるよう構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
電子写真印刷に有用なバイアス帯電ロール清掃方法であって、
帯電ロール清掃部材をバイアス帯電ロールと接触させて、帯電ロール清掃位置で前記帯電ロールの表面を清掃することと、
前記帯電部材清掃位置において第１の周波数で断続的に、および印刷中に、前記清掃部材を振動させることと、
前記清掃部材清掃位置において前記第１の周波数とは異なる第２の周波数で前記清掃部材を振動させることと、を含む、バイアス帯電ロール清掃方法。
【請求項１１】
前記清掃部材を清掃するよう構成された振動パターンにしたがって、前記清掃部材が前記清掃部材を振動させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記清掃部材を、帯電部材接触位置で振動させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記部材を前記帯電ロールと接触させることが、さらに、前記清掃部材を前記帯電ロールと断続的に接触させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
電子写真印刷に有用な画像形成装置であって、
バイアス帯電ロールと、
静電潜像を受け取る感光部材と、
前記感光部材の表面に現像剤を塗布する現像システムと、
現像画像を前記感光部材表面から基材へ転写する転写システムと、
前記感光部材表面と接触する清掃ブレードと、
振動支援清掃システムと、を備え、前記振動支援清掃システムは、
帯電部材清掃位置において第１の周波数で断続的に、および印刷中に、前記清掃部材を振動させること、および清掃部材清掃位置において前記第１の周波数とは異なる第２の周波数で前記清掃部材を振動させることによって振動をもたらす作動ユニットと、
前記バイアス帯電ロールの表面と断続的に接触して清掃するエラストマー清掃部材と、を備える、
画像形成装置。
【請求項１５】
前記作動ユニットは、圧電変圧器、電動機、空気圧式作動装置、油圧作動装置、線形作動装置、コンボドライブ、熱バイモルフ、および電気活性ポリマーから本質的に構成される群から選択される、請求項１４に記載の画像形成装置。
【請求項１６】
前記エラストマー清掃部材は、ローラ、ブラシ、パッド、およびブレードから本質的に構成される群から選択される、請求項１４に記載の画像形成装置。
【請求項１７】
アイドル時間中に前記エラストマー清掃部材を前記バイアス帯電ロールから離し、前記バイアス帯電ロールと前記エラストマー清掃部材との間の長期間の接触を防ぐよう構成される、請求項１４に記載の画像形成装置。
【請求項１８】
前記バイアス帯電ロールと前記エラストマー清掃部材の表面部分との間の摩擦を最小にするように、前記エラストマー清掃部材が前記バイアス帯電ロールの表面部分と接触しているときに、前記周波数を変調するよう構成される、請求項１４に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子写真印刷システム、バイアス帯電ロール清掃方法、および画像形成装置
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月21日(2017.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光顕微鏡によって非結晶の氷に埋め込まれたガラス状の試料の一部を検査する方法であって、
前記試料の少なくとも一部は支持カーボン膜によって支持され、
前記蛍光顕微鏡は前記試料に励起光を照射することで蛍光又は燐光を発生させ、
前記試料は前記非結晶の氷の結晶化によって損傷を受けやすく、
前記支持カーボン膜は孔又は厚さ変化を有し、その結果、前記励起光の吸光度は場所に依存し、高い励起光吸光度の部分と低い励起光吸光度の部分が得られ、
前記試料の検査される部分は、孔又は前記支持カーボン膜の前記低い励起光吸光度の部分の上に設けられ、
前記照射が局在化されることで、前記試料の検査される部分に接する前記支持カーボン膜の高い励起光吸光度の部分は照射されない、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記照射の局在化は、前記試料全体にわたって前記光ビームを走査させ、かつ、前記ビーム強度を変調させることによって実現される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記照射の局在化は、前記試料全体にわたって前記光ビームをベクタースキャンさせることによって実現される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記照射の局在化は、前記励起光を空間光変調器に通過させて強度変調を起こすことによって実現される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記空間光変調器が前記試料上のＬＣＤ型空間光変調器である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記高い励起光吸光度の部分が、前記励起光の１％以上、１０％以上、又は、９０％以上を吸収し、
前記低い励起光吸光度の部分が、前記励起光の１％未満しか吸収しない、
請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記高い励起光吸光度の部分が、少なくとも５ｎｍのカーボン、少なくとも１１ｎｍのカーボン、又は、少なくとも６５ｎｍのカーボンを有する層を含み、かつ、
前記低い励起光吸光度の部分が、最大でも５ｎｍのカーボンを有する層又はカーボンを全く有しない層を含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記試料に照射して前記試料を励起させて蛍光又は燐光を検出する前に、前記支持カーボン膜の境界を決定するために反射光又は透過光によって像が撮られる、請求項１乃至７のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
透過型電子顕微鏡内において前記試料を撮像する段階をさらに有する、請求項１乃至８のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記透過型電子顕微鏡が試料チャンバを備え、かつ、
前記試料が前記透過型電子顕微鏡が試料チャンバ内に存在する間に蛍光像と電子光学像の両方が取得される、
請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレーム周波数を１Ｈｚ以下として静止画像を表示する機能を有し、
セルギャップがｄμｍである液晶素子を有し、
前記液晶素子が有する液晶材料は、螺旋ピッチが４ｄμｍ以上８ｄμｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記螺旋ピッチが４ｄμｍ以上６ｄμｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
フレーム周波数を１Ｈｚ以下として静止画像を表示する機能を有し、
液晶素子を有し、
前記液晶素子が有する液晶材料は、螺旋ピッチが２０μｍ以上４０μｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記螺旋ピッチが２０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記液晶素子と電気的に接続されるトランジスタを有し、
前記トランジスタは、半導体層として酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記液晶素子はＴＮモードで駆動することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記フレーム周波数は、０．２Ｈｚ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月9日(2016.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、第２の回路と、画素部と、コントローラと、を有し、
前記第１の回路は、第１の画像信号に含まれる第１の階調乃至第２の階調の画像情報を検出する機能を有し、
前記第２の回路は、前記第１の階調乃至前記第２の階調の画像情報を、前記第１の階調よりも低い階調の画像情報または前記第２の階調よりも高い階調の画像情報に変換することで、前記第１の画像信号から第２の画像信号を生成する機能を有し、
前記画素部は、前記第２の画像信号を用いて画像を表示する機能を有し、
前記画素部における前記第２の画像信号の書き換えの実行及び停止を制御するコントローラと、を有し、
前記画素部は、複数の画素を有し、
前記複数の画素の一は、トランジスタと、前記第２の画像信号に従って階調を表示する機能を有する表示素子と、を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の階調乃至前記第２の階調の画像情報は、誤差拡散法を用いて変換される半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタは、酸化物半導体を含む半導体膜にチャネル形成領域を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月20日(2017.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するために、請求項１記載の発明は、シート状の第１の不織布と、シート状の第２の不織布とが互いにシート面で対向した状態で一体化されてなると共に、第２の不織布から第１の不織布へ向かって通気され、第１の不織布と第２の不織布とを貫通するミシン目が形成された不織布フィルターであって、第１の不織布のみかけ密度は、１．２５×１０−２ｇ／ｃｍ３〜１．４×１０−２ｇ／ｃｍ３であり、第２の不織布のみかけ密度は、第１の不織布のみかけ密度よりも小さいものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート状の第１の不織布と、シート状の第２の不織布とが互いにシート面で対向した状態で一体化されてなると共に、前記第２の不織布から前記第１の不織布へ向かって通気され、前記第１の不織布と前記第２の不織布とを貫通するミシン目が形成された不織布フィルターであって、
前記第１の不織布のみかけ密度は、１．２５×１０−２ｇ／ｃｍ３〜１．４×１０−２ｇ／ｃｍ３であり、
前記第２の不織布のみかけ密度は、前記第１の不織布のみかけ密度よりも小さい、不織布フィルター。
【請求項２】
前記第１の不織布及び前記第２の不織布は、それぞれポリエチレンテレフタレート繊維から形成される、請求項１記載の不織布フィルター。
【請求項３】
前記第１の不織布と前記第２の不織布とは、ニードルパンチ法によって一体化されている、請求項１又は請求項２記載の不織布フィルター。