【手続補正書】
【提出日】平成29年2月20日(2017.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面を有する研磨層、及び
前記研磨面の平面に対して垂直な軸に沿って厚さＴWを有する広スペクトル終点検出ウィンドウブロック
を含み、
前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが少なくとも９０重量％の環式オレフィン付加ポリマーを含み、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックがその厚さＴW全体で均一な化学組成を示し、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが単相であり、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが≦４０％のスペクトル損失を示し、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが、前記研磨面の前記平面に対して垂直な軸に沿って５〜７５ミルの平均厚さＴW-avgを有し、前記研磨面が、磁性基板、光学基板及び半導体基板から選択される基板を研磨するように適合されている、ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項２】
前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックがハロゲン＜１ppmを含み、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが液体充填ポリマーカプセル＜１個を含む、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項３】
前記環式オレフィン付加ポリマーが環式オレフィン付加ポリマー及び環式オレフィン付加コポリマーから選択される、請求項２記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項４】
前記環式オレフィン付加ポリマーが、少なくとも一つの脂環式モノマーの重合から製造され、前記少なくとも一つの脂環式モノマーが、環内二重結合を有する脂環式モノマー及び環外二重結合を有する脂環式モノマーからなる群より選択される、請求項３記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項５】
前記環内二重結合を有する脂環式モノマーが、ノルボルネン、トリシクロデセン、ジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、ヘキサシクロヘプタデセン、トリシクロウンデセン、ペンタシクロヘキサデセン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネン、ノルボルナジエン、アルキルノルボルネン類、シクロペンテン、シクロプロペン、シクロブテン、シクロヘキセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタトリエン及びインデンからなる群より選択され、前記環外二重結合を有する脂環式モノマーが、ビニルシクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロペンタン及びビニルシクロペンテンからなる群より選択される、請求項４記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項６】
前記環式オレフィン付加コポリマーが、少なくとも一つの脂環式モノマーと少なくとも一つの非環式オレフィンモノマーとの共重合から製造される、請求項３記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項７】
前記少なくとも一つの脂環式モノマーが、環内二重結合を有する脂環式モノマー及び環外二重結合を有する脂環式モノマーからなる群より選択され、
前記環内二重結合を有する脂環式モノマーが、ノルボルネン、トリシクロデセン、ジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、ヘキサシクロヘプタデセン、トリシクロウンデセン、ペンタシクロヘキサデセン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネン、ノルボルナジエン、アルキルノルボルネン類、シクロペンテン、シクロプロペン、シクロブテン、シクロヘキセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタトリエン及びインデンからなる群より選択され、
前記環外二重結合を有する脂環式モノマーが、ビニルシクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロペンタン及びビニルシクロペンテンからなる群より選択され、
前記少なくとも一つの非環式オレフィンモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、２−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、２−メチル−１−プロペン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、２−ブテン、ブタジエン、イソプレン、１，３−ペンタジエン、１，４−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、１，５−ヘキサジエン、１，５−ヘプタジエン、１，６−ヘプタジエン、１，６−オクタジエン、１，７−オクタジエン及び１，９−デカジエンからなる群より選択される、請求項６記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項８】
前記環式オレフィン付加ポリマーが、
【化９】
2014172168.tif 000001
（式中、ｙは２０〜２０，０００であり、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、Ｈ、ヒドロキシル基、Ｃ1〜10アルキル基、Ｃ1〜10ヒドロキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシル基、Ｃ1〜10アルコキシアルキル基、Ｃ1〜10カルボキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシカルボニル基及びＣ1〜10アルキルカルボニル基からなる群より選択される）、
【化１０】
2014172168.tif 000002
（式中、ａ：ｂの比は０．５：９９．５〜３０：７０であり、Ｒ3は、Ｈ及びＣ1〜10アルキル基からなる群より選択され、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、Ｈ、ヒドロキシル基、Ｃ1〜10アルキル基、Ｃ1〜10ヒドロキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシル基、Ｃ1〜10アルコキシアルキル基、Ｃ1〜10カルボキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシカルボニル基及びＣ1〜10アルキルカルボニル基からなる群より選択される）、
【化１１】
2014172168.tif 000003
（式中、環式オレフィン付加コポリマー中のｃ：ｄの比は０．５：９９．５〜５０：５０であり、Ｒ6は、Ｈ及びＣ1〜10アルキル基からなる群より選択され、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立して、Ｈ、ヒドロキシル基、Ｃ1〜10アルキル基、Ｃ1〜10ヒドロキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシル基、Ｃ1〜10アルコキシアルキル基、Ｃ1〜10カルボキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシカルボニル基及びＣ1〜10アルキルカルボニル基からなる群より選択される）、及び
【化１２】
2014172168.tif 000004
（式中、ｈは２０〜２０，０００であり、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立して、Ｈ、ヒドロキシル基、Ｃ1〜10アルキル基、Ｃ1〜10ヒドロキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシル基、Ｃ1〜10アルコキシアルキル基、Ｃ1〜10カルボキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシカルボニル基及びＣ1〜10アルキルカルボニル基からなる群より選択される）
からなる群より選択される式によって表される、請求項２記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項９】
前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが嵌め込み型ウィンドウである、請求項２記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項１０】
基板のケミカルメカニカルポリッシングの方法であって、
プラテン、光源及びフォトセンサを有するケミカルメカニカルポリッシング装置を提供する工程、
磁性基板、光学基板及び半導体基板から選択される少なくとも一つの基板を提供する工程、
請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッドを提供する工程、
前記ケミカルメカニカル研磨パッドを前記プラテン上に設置する工程、
場合によっては、前記研磨面と前記基板との間の界面に研磨媒を提供する工程、
前記研磨面と前記基板との間に動的接触を生じさせて、少なくともいくらかの材料を前記基板から除去する工程、及び
前記光源からの光を前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックに通して伝送し、前記基板の表面から反射して前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックを逆に通って前記フォトセンサに入射する光を分析することによって研磨終点を決定する工程
を含む方法。