【手続補正書】
【提出日】平成29年5月16日(2017.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅と誘電体の１つまたは複数の混合層をターゲットのエリアから除去する方法であって、
除去するターゲット・エリアを画定するステップであり、前記ターゲット・エリアが、半導体デバイスの銅と誘電体の混合層の少なくとも一部分を含むステップと、
前記ターゲット・エリアに向かって前駆体ガスを導くステップと、
前記前駆体ガスの存在下で、前記ターゲット・エリアに向かって集束イオン・ビームを導き、それによって銅と誘電体の第１の混合層の少なくとも一部分を除去し、ミリングされた前記ターゲット・エリア内に均一に平滑な底部を形成するステップと
を含み、前記前駆体ガスによって、前記集束イオン・ビームが、前記誘電体と実質的に同じ速度で前記銅をミリングする
方法。
【請求項２】
前記前駆体ガスが、酢酸メチル、ニトロ酢酸メチル、酢酸エチル、ニトロ酢酸エチル、酢酸プロピル、ニトロ酢酸プロピル、ニトロエチルアセテート、メトキシ酢酸メチルおよびメトキシアセチルクロリドから選択された、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
銅と誘電体の２つ以上の混合層を除去する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記銅と誘電体の２つ以上の混合層が誘電体層によって分離されている、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
銅と誘電体のそれぞれの混合層を除去し、ミリングされた前記ターゲット・エリア内に実質的に均一な底部を形成し、その後に銅と誘電体の次の混合層をミリングする、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電体が低誘電率誘電体を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記誘電体が、炭素がドープされた二酸化シリコン、多孔質二酸化シリコンおよび炭素がドープされた多孔質二酸化シリコンから選択された、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ミリングされた前記ターゲット・エリアの前記底部が、少なくとも長さ５０マイクロメートル×幅５０マイクロメートルである、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ターゲット・エリアが炭化シリコン（ＳｉＣ）キャッピング層を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
複数の材料層を除去する集束イオン・ビーム・システムであって、
イオン源と、
前記イオン源からのイオンを集束イオン・ビームに集束し、前記集束イオン・ビームをターゲット・エリアに導くことによって試料上の前記ターゲット・エリアの少なくとも一部分をミリングするように構成されたイオン・ビーム・カラムと、
酢酸メチル、ニトロ酢酸メチル、酢酸エチル、ニトロ酢酸エチル、酢酸プロピル、ニトロ酢酸プロピル、ニトロエチルアセテート、メトキシ酢酸メチルおよびメトキシアセチルクロリドから選択された前駆体ガスを含むガス注入システムと
を備える
集束イオン・ビーム・システム。
【請求項１１】
前記イオン源がプラズマ・イオン源である、請求項１０に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項１２】
前記イオン・ビーム中の前記イオンが、Ｘｅ+、Ｇａ+、Ａｒ+、Ｋｒ+、Ｏ+、Ｏ2+、Ｎ+、ＮＯ+、ＮＯ2+、Ａｕ+、Ｂｉ+、Ｓｉ+、Ｇｅ+から選択された、請求項１０または１１に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項１３】
前記試料が、銅と誘電体の混合層を有する半導体デバイスを含む、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項１４】
前記前駆体ガスによって、前記集束イオン・ビームが、前記銅と前記誘導体を実質的に同じ速度でミリングするような態様で、前記ターゲット・エリアの少なくとも一部分に向かって前記前駆体ガスを導くように前記ガス注入システムが構成される、請求項１３に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項１５】
実質的に平面の均一な表面を有するミリング底部が半導体デバイス中に形成されるような態様で、前記集束イオン・ビームを導いて、前記ターゲット・エリアの少なくとも一部分をミリングによって除去するように、前記イオン・ビーム・カラムがプログラムされている、請求項１３または１４に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項１６】
前記誘電体が低誘電率誘電体を含む、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項１７】
前記誘電体が、炭素がドープされた二酸化シリコン、多孔質二酸化シリコンおよび炭素がドープされた多孔質二酸化シリコンから選択された、請求項１３から１６のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項１８】
前記集束イオン・ビームが前記ターゲット・エリアの少なくとも一部分をミリングしているとき、前記試料を含むように構成された真空の下室をさらに備える、請求項１０から１７のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項１９】
前記集束イオン・ビームが前記ターゲット・エリアの少なくとも一部分をミリングしているとき、前記真空の下室内の圧力を約１×１０-7トルから５×１０-4トルの範囲に維持するよう構成された真空システムをさらに備える、請求項１０から１８のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項２０】
前記イオン源は、幅が１／１０ミクロン未満の集束イオン・ビームに集束させることができるイオンを生成可能である、請求項１０から１９のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項２１】
酢酸メチル、ニトロ酢酸メチル、酢酸エチル、ニトロ酢酸エチル、酢酸プロピル、ニトロ酢酸プロピル、ニトロエチルアセテート、メトキシ酢酸メチルおよびメトキシアセチルクロリドから選択された前駆体ガスを含むガス注入システムであって、
集束イオン・ビーム・システムの下室内に配置される試料上のターゲット・エリアに向かって前記前駆体ガスを導くように構成されている、
ガス注入システム。
【請求項２２】
前記試料は、前記下室内に位置するステージ上に配置されている試料である、請求項２１に記載のガス注入システム。
【請求項２３】
前記ステージは可動Ｘ−Ｙステージである、請求項２１または２２に記載のガス注入システム。
【請求項２４】
前記下室は真空室である、請求項２１から２３のいずれか一項に記載のガス注入システム。
【請求項２５】
前記試料が集束イオン・ビームによってミリングされているとき、集束イオン・ビーム・システムの内部の試料上のターゲット・エリアに向かって前記前駆体ガスを導くように構成される、請求項２１から２４のいずれか一項に記載のガス注入システム。
【請求項２６】
前記試料が、銅と誘電体の混合層を有する半導体デバイスを含む、請求項２１から２５のいずれか一項に記載のガス注入システム。
【請求項２７】
前記集束イオン・ビーム・システムは、イオン源と、高圧電源と、集束イオン・ビーム・カラムと、前記半導体デバイスを含む下室と、真空システムと、を備える集束イオン・ビーム・システムである、請求項２１から２６のいずれか一項に記載のガス注入システム。
【請求項２８】
前記前駆体ガスによって、集束イオン・ビームが、前記銅と前記誘導体を実質的に同じ速度でミリングするような態様で、前記集束イオン・ビーム・カラムが前記ターゲット・エリアに前記集束イオン・ビームを導いているとき、前記ガス注入システムが、前記半導体デバイス上のターゲット・エリアに向かって前記前駆体ガスを導くように構成されている、請求項２１から２７のいずれか一項に記載のガス注入システム。
【請求項２９】
前記イオン源は、前記ターゲットの位置における幅が１／１０ミクロン未満の集束イオン・ビームに集束させることができるイオンを生成可能であり、
前記真空システムは、前記下室内の圧力を約１×１０-7トルから５×１０-4トルの範囲に維持するよう構成され、
前記高圧電源は、約１ｋｅＶから６０ｋｅＶの範囲のエネルギーを有する集束イオン・ビームを生成するよう構成されている、
請求項２７または２８に記載のガス注入システム。