【手続補正書】
【提出日】平成29年8月31日(2017.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の電子デバイスを形成する方法であって、前記方法は、
前記基板とは別に形成された半導体粒子を提供するステップと、
前記半導体粒子を前記基板上の予め定められた位置に位置決めするステップと、
前記半導体粒子を前記基板の前記予め定められた位置にて動けないよう固定するステップと、
前記半導体粒子を動けないよう固定するステップの後に、前記半導体粒子の断面を露出するように各々の前記半導体粒子の一部分を除去するステップであって、前記断面は平面状表面である、ステップと、
各平面状表面の上または直下に１つまたはそれ以上の制御可能ゲート電子コンポーネントを提供するステップとを含み、前記１つまたはそれ以上の制御可能ゲート電子コンポーネントを前記提供するステップは、各平面状表面に対して、
前記平面状表面の第１の部分の上にドーパントを含む第１の量の第１の液体媒体を堆積させ、かつ前記平面状表面の第２の部分の上に第２の量の前記第１の液体媒体を堆積させるステップであって、前記第１の量は間隙によって前記第２の量と間隔を置かれる、ステップと、
前記第１の量、前記第２の量、および前記対応する半導体粒子を加熱するステップであって、前記加熱するステップは、前記ドーパントの少なくともいくらかを前記第１の液体媒体から前記平面状表面に拡散させるように構成される、ステップと、
前記間隙内の前記平面状表面上に誘電材料を堆積させるステップと、
前記平面状表面から前記第１の量および前記第２の量を選択的に除去するステップと、
前記第１の部分および前記第２の部分の各々の上に電気的コンタクトを堆積させるステップと、
前記誘電材料の上にさらなる電気的コンタクトを堆積させるステップとを含む、方法。
【請求項２】
基板上に電子デバイスを形成する方法であって、前記方法は、
前記基板とは別に形成された半導体粒子を提供するステップと、
前記半導体粒子を前記基板に動けないよう固定するステップと、
前記動けないよう固定するステップの後に、前記半導体粒子の表面の第１の部分の上にドーパントを含む第１の量の第１の液体媒体を堆積させ、かつ前記表面の第２の部分の上に第２の量の前記第１の液体媒体を堆積させるステップであって、前記第１の量は間隙によって前記第２の量と間隔を置かれる、ステップと、
前記第１の量、前記第２の量、および前記半導体粒子を加熱するステップであって、前記加熱するステップは、前記ドーパントの少なくともいくらかを前記第１の液体媒体から前記表面に拡散させるように構成される、ステップと、
前記間隙内の前記表面上に誘電材料を堆積させるステップと、
前記表面から前記第１の量および前記第２の量を選択的に除去するステップと、
前記第１の部分および前記第２の部分の各々の上に電気的コンタクトを堆積させるステップと、
前記誘電材料の上にさらなる電気的コンタクトを堆積させるステップとを含む、方法。
【請求項３】
前記第１の量および前記第２の量を前記堆積させるステップの前に、前記間隙内の前記表面上にバリアアイランドを形成するステップと、
前記誘電材料を前記堆積させるステップの前に、前記表面から前記バリアアイランドを選択的に除去するステップとをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記バリアアイランドを前記形成するステップは、
前記間隙内の前記表面上にバリア材料を含む第３の量の第２の液体媒体を堆積させるステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記バリアアイランドを前記形成するステップは、
前記表面上に光反応性材料の層を堆積させるステップと、
前記間隙の上にある前記光反応性材料の領域を、前記光反応性材料を変更するように構成された光に露出させるステップと、
前記光反応性材料の前記層の未露出領域を前記表面から選択的に除去することによって、前記光によって変更された前記光反応性材料を含む前記バリアアイランドを形成するステップとを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電材料を前記堆積させるステップは、
前記間隙内の前記表面上に、前記誘電材料を含む第４の量の第３の液体媒体を堆積させるステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記第４の量は、約９０°よりも小さい濡れ角にて前記第１の量および前記第２の量を濡らす、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記加熱するステップはさらに、前記表面から前記バリアアイランドを選択的に除去する、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の量および前記第２の量を前記堆積させるステップは、
前記表面上に初期量の前記第１の液体媒体を堆積させるステップであって、前記初期量は前記表面の前記第１の部分、前記表面の前記第２の部分、および前記第１の部分と前記第２の部分との間に配された前記バリアアイランドを被覆する、ステップと、
前記第１の液体媒体の１つまたはそれ以上の構成要素を少なくとも部分的に蒸発させることによって前記初期量の体積を低減させるために前記初期量を加熱することによって、前記バリアアイランドを露出させて、前記バリアアイランドによって互いに分離される前記第１の量および前記第２の量を形成するステップとを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記表面は、平面状表面を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記平面状表面は、前記半導体粒子の平坦化された表面を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の量は、約０．１μｍから約１００μｍの範囲の前記間隙によって、前記第２の量と間隔を置かれる、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の量を前記堆積させるステップ、
前記第２の量を前記堆積させるステップ、
前記誘電材料を前記堆積させるステップ、
前記第１の部分および前記第２の部分の各々の上に前記電気的コンタクトを前記堆積させるステップ、および、
前記さらなる電気的コンタクトを前記堆積させるステップ、のうちの１つまたはそれ以上に対して、印刷が用いられる、請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
前記印刷は、
スクリーン印刷、
フレキソ印刷、
グラビア印刷、
スタンピング、
オフセット印刷、および、
インクジェット印刷、のうちの１つまたはそれ以上を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
電子デバイスを形成する方法であって、前記方法は、
第１の部分および第２の部分を含む表面を有する半導体基板を提供するステップであって、前記第１の部分は間隙によって前記第２の部分と間隔を置かれる、ステップと、
前記間隙内の前記表面上にバリアアイランドを形成するステップと、
前記表面の前記第１の部分の上にドーパントを含む第１の量の第１の液体媒体を堆積させ、かつ前記表面の前記第２の部分の上に第２の量の前記第１の液体媒体を堆積させるステップであって、前記第１の量は前記バリアアイランドによって前記第２の量から分離される、ステップと、
前記第１の量、前記第２の量、および前記半導体基板を加熱するステップであって、前記加熱するステップは、前記ドーパントの少なくともいくらかを前記第１の液体媒体から前記表面に拡散させるように構成される、ステップと、
前記表面から前記バリアアイランドを選択的に除去するステップと、
前記間隙内の前記表面上に誘電材料を堆積させるステップと、
前記表面から前記第１の量および前記第２の量を選択的に除去するステップと、
前記第１の部分および前記第２の部分の各々の上に電気的コンタクトを堆積させるステップと、
前記誘電材料の上にさらなる電気的コンタクトを堆積させるステップとを含む、方法。
【請求項１６】
前記バリアアイランドを前記形成するステップは、
前記間隙内の前記表面上にバリア材料を含む第３の量の第２の液体媒体を堆積させるステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記バリアアイランドを前記形成するステップは、
前記表面上に光反応性材料の層を堆積させるステップと、
前記間隙の上にある前記光反応性材料の領域を、前記光反応性材料を変更するように構成された光に露出させるステップと、
前記光反応性材料の前記層の未露出領域を前記表面から選択的に除去することによって、前記光によって変更された前記光反応性材料を含む前記バリアアイランドを形成するステップとを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記誘電材料を前記堆積させるステップは、
前記間隙内の前記表面上に、前記誘電材料を含む第４の量の第３の液体媒体を堆積させるステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第４の量は、約９０°よりも小さい濡れ角にて前記第１の量および前記第２の量を濡らす、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記加熱するステップはさらに、前記表面から前記バリアアイランドを選択的に除去する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の量および前記第２の量を前記堆積させるステップは、
前記表面上に初期量の前記第１の液体媒体を堆積させるステップであって、前記初期量は前記表面の前記第１の部分、前記表面の前記第２の部分、および前記第１の部分と前記第２の部分との間に配された前記バリアアイランドを被覆する、ステップと、
前記第１の液体媒体の１つまたはそれ以上の構成要素を少なくとも部分的に蒸発させることによって前記初期量の体積を低減させるために前記初期量を加熱することによって、前記バリアアイランドを露出させて、前記バリアアイランドによって互いに分離される前記第１の量および前記第２の量を形成するステップとを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
前記表面は、前記半導体基板の平坦化された表面を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の量を前記堆積させるステップ、
前記第２の量を前記堆積させるステップ、
前記誘電材料を前記堆積させるステップ、
前記第１の部分および前記第２の部分の各々の上に前記電気的コンタクトを前記堆積させるステップ、および、
前記さらなる電気的コンタクトを前記堆積させるステップ、のうちの１つまたはそれ以上に対して、印刷が用いられる、請求項１５に記載の方法。