Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月28日(2017.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像データを１以上の特定数の連続するフレームの単位で複数のチャンネルに分割し、
前記チャンネル毎の映像データについて、前記フレーム中の前記チャンネルに応じた特定領域の前記映像データに可逆方式による変更を付与する第１の制御部と、
前記変更を付与された前記各チャンネルの映像データを各々伝送する複数の第１の映像伝送インタフェースと
を具備する映像送信装置。
【請求項２】
請求項１に記載の映像送信装置であって、
前記第１の制御部は、第１のフレームレートの前記映像データを１以上の特定数の連続するフレームの単位で複数のチャンネルに分割し、
前記変更を付与された前記各チャンネルの映像データを各々、前記第１のフレームレートを前記チャンネルの数で割った第２のフレームレートで前記複数の第１の映像伝送インタフェースに伝送させるように構成された
映像送信装置。
【請求項３】
請求項２に記載の映像送信装置であって、
前記第１のフレームレートは、毎秒６０フレームより大きいフレームレートである
映像送信装置。
【請求項４】
請求項３に記載の映像送信装置であって、
前記第２のフレームレートは、毎秒６０フレームである
映像送信装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の映像送信装置であって、
前記複数の第１の映像伝送インタフェースは各々、複数のケーブルを通じて伝送先の受信装置に前記チャンネル毎の映像データを伝送するように構成された
映像送信装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の映像送信装置であって、
前記第１の制御部は、前記特定領域の映像データにおける輝度成分の値と色成分の値とを相互に入れ替えることによって、前記特定領域の映像データに前記可逆方式による変更を付与するように構成された
映像送信装置。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の映像送信装置であって、
前記第１の制御部は、前記特定領域の映像データにおける輝度成分の値を示すワードの特定の１以上の桁のビット値を反転させることによって、前記特定領域の映像データに前記可逆方式による変更を付与するように構成された
映像送信装置。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の映像送信装置であって、
前記第１の制御部は、
前記特定領域の映像データにおける１以上の特定領域の画素について、輝度成分の値と色成分の値とを相互に入れ替えることによって、元の画素の値と入れ替え後の画素の値との各々の差分を算出し、この差分が特定の閾値を超えている場合、前記特定領域の映像データにおける輝度成分の値と色成分の値とを相互に入れ替えることによって、前記特定領域の映像データに前記可逆方式による変更を付与し、この差分が特定の閾値を超えていない場合、前記特定領域の映像データにおける輝度成分の値を示すワードの特定の１以上の桁のビット値を反転させることによって、前記特定領域の映像データに前記可逆方式による変更を付与するように構成された
映像送信装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の映像送信装置であって、
前記第１の制御部は、前記チャンネルに応じた数の前記特定領域の映像データに変更を付与するように構成された
映像送信装置。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の映像送信装置であって、
前記第１の制御部は、前記チャンネルに応じた位置の前記特定領域の映像データに変更を付与するように構成された
映像送信装置。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の映像送信装置であって、
前記第１の制御部は、前記チャンネルに応じた形の前記特定領域の映像データに変更を付与するように構成された
映像送信装置。
【請求項１２】
映像データを１以上の特定数の連続するフレームの単位で複数のチャンネルに分割し、
前記チャンネル毎の映像データについて、前記フレーム中のチャンネルに応じた特定領域の前記映像データに可逆方式による変更を付与する第１の制御部と、前記変更を付与された前記各チャンネルの映像データを各々伝送する複数の第１の映像伝送インタフェースとを具備する映像送信装置より送信された前記チャンネル毎の映像データを各々受信する複数の第２の映像伝送インタフェースと、
前記複数の第２の映像伝送インタフェースに各々チャンネルを割り当て、前記複数の第２の映像伝送インタフェースによって各々受信されたチャンネル毎の映像データについて各々、前記特定領域の映像データを変更前の映像データに復元するための、当該映像データを受信した前記第２の映像伝送インタフェースに割り当てられたチャンネルに応じた復元処理を行う第２の制御部と
を具備する映像受信装置。
【請求項１３】
第１の制御部が、
映像データを１以上の特定数の連続するフレームの単位で複数のチャンネルに分割し、
前記チャンネル毎の映像データについて、前記フレーム中のチャンネルに応じた特定領域の前記映像データに可逆方式による変更を付与し、
前記変更を付与された前記各チャンネルの映像データを複数の第１の映像伝送インタフェースにより伝送する
映像送信方法。
【請求項１４】
映像送信装置の第１の制御部が、
映像データを１以上の特定数の連続するフレームの単位で複数のチャンネルに分割し、
前記チャンネル毎の映像データについて、前記フレーム中のチャンネルに応じた特定領域の前記映像データに可逆方式による変更を付与し、
前記変更を付与された前記各チャンネルの映像データを複数の第１の映像伝送インタフェースにより伝送し、
映像受信装置の第２の制御部が、
複数の第２の映像伝送インタフェースに各々チャンネルを割り当て、
前記複数の第２の映像伝送インタフェースによって各々受信されたチャンネル毎の映像データについて各々、前記特定領域の映像データを変更前の映像データに復元するための、当該映像データを受信した前記第２の映像伝送インタフェースに割り当てられたチャンネルに応じた復元処理を行う
映像伝送方法。
【請求項１５】
映像データを１以上の特定数の連続するフレームの単位で複数のチャンネルに分割し、
前記チャンネル毎の映像データについて、前記フレーム中の前記チャンネルに応じた特定領域の前記映像データに可逆方式による変更を付与する第１の制御部と；
前記変更を付与された前記各チャンネルの映像データを各々伝送する複数の第１の映像伝送インタフェースと；
を有する映像送信装置と、
前記映像送信装置より送信された前記チャンネル毎の映像データを各々受信する複数の第２の映像伝送インタフェースと；
前記複数の第２の映像伝送インタフェースに各々チャンネルを割り当て、前記複数の第２の映像伝送インタフェースによって各々受信されたチャンネル毎の映像データについて各々、前記特定領域の映像データを変更前の映像データに復元するための、当該映像データを受信した前記第２の映像伝送インタフェースに割り当てられたチャンネルに応じた復元処理を行う第２の制御部と；
を有する映像受信装置と
を具備する映像伝送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
容量素子と、
ドライバと、を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記容量素子は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記ドライバは、前記ゲート電極と電気的に接続され、
前記ドライバは、第１の配線と、第２の配線と、絶縁層と、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１の配線は、前記絶縁層を介して前記第２の配線と重なる領域を有し、
前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ工程を経て形成されたものであり、
前記第２の配線は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と同じ工程を経て形成されたものであり、
前記第１の配線は、前記第２の配線を介して前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
容量素子と、
ドライバと、を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記容量素子は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記ドライバは、前記ゲート電極と電気的に接続され、
前記ドライバは、第１の配線と、第２の配線と、絶縁層と、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１の配線は、前記絶縁層を介して前記第２の配線と重なる領域を有し、
前記第１の配線は、前記ゲート電極と同層であり、
前記第２の配線は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と同層であり、
前記第１の配線は、前記第２の配線を介して前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月24日(2017.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の一面に形成された第５の絶縁層と、
前記第１の絶縁層及び前記第５絶縁層を貫いて形成されたキャビティに内蔵され、外部端子が設けられた第１の面と対向する第２の面を備える電子部品と、
前記第１の絶縁層と前記第５の絶縁層との間に形成され、前記電子部品の前記第１の面から延長した面と前記第２の面から延長した面との間に配置される第４の配線パターンと、
前記第１の絶縁層の他面に積層され、第１の配線及び第１の絶縁部を備える第１の配線層と、を含み、
前記外部端子は、前記第１の配線層に向き、
前記外部端子と前記第４の配線パターンは、前記第１の配線に接続される電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記電子部品の前記第２の面に形成された接着部材と、
前記接着部材及び第５の絶縁層上に積層される絶縁基板とをさらに含む請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記電子部品の前記第２の面上に形成され、第２の配線及び第２の絶縁部を含む第２の配線層をさらに含む請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記第１の配線層の層数は、前記第２の配線層の層数より大きく、
前記第１の配線層の配線密度は、前記第２の配線層の配線密度より高い請求項３に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記第２の配線層上に設けられ、前記第２の配線層と接続されるチップ部品をさらに含む請求項３に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
前記第２の配線層の外層には、前記チップ部品が設けられ、
前記第２の配線と前記チップ部品とを電気的に接続させる第２の接触パッドが設けられる請求項５に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項７】
前記第１の絶縁層は、コア基板であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月24日(2017.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の通信装置と第２の通信装置とを有する通信システムであって、
前記第１の通信装置は、
前記第１の通信装置と前記第２の通信装置との間の無線通信に用いられ、前記第１の通信装置の製品種類に応じた設定情報が格納された設定テーブルを特定する特定情報と、前記第１の通信装置に個別に付けられた個体識別子と、を送信する送信手段を有し、
前記第２の通信装置は、
受信した前記特定情報により特定される設定テーブルに格納された、前記第１の通信装置の製品種類に応じた設定情報を、受信した前記個体識別子に基づいて特定されるネットワークを形成する前記第１の通信装置との間の無線通信に用いられる設定情報として、前記第２の通信装置に設定する設定手段、
を有することを特徴とする通信システム。
【請求項２】
第１の通信装置と、前記第１の通信装置と無線接続する第２の通信装置において実行される接続プログラムと、を含む通信制御システムであって、
前記第１の通信装置は、
前記第１の通信装置と前記第２の通信装置との間の無線通信に用いられ、前記第１の通信装置の製品種類に応じた設定情報が格納された設定テーブルを特定する特定情報と、前記第１の通信装置に個別に付けられた個体識別子と、を送信する送信手段を有し、
前記接続プログラムは、前記第２の通信装置のコンピュータに、
受信した前記特定情報により特定される設定テーブルに格納された、前記第１の通信装置の製品種類に応じた設定情報を、受信した前記個体識別子に基づいて特定されるネットワークを形成する前記第１の通信装置との間の無線通信に用いられる設定情報として、前記第２の通信装置に設定する設定手順、
を実行させることを特徴とする通信制御システム。
【請求項３】
前記第２の通信装置は、前記設定テーブルを保持しており、
前記設定手順は、
前記第２の通信装置において保持された設定テーブルから、前記特定情報により特定される設定テーブルを読み出して、前記設定情報を前記第２の通信装置に設定することを特徴とする請求項２記載の通信制御システム。
【請求項４】
前記設定手順は、
前記第２の通信装置において保持された設定テーブルと前記特定情報とを対応付ける関連テーブルを参照し、該関連テーブルにおいて対応付けられている特定情報を受信した場合に、該受信した特定情報により特定される設定テーブルを読み出すことを特徴とする請求項３に記載の通信制御システム。
【請求項５】
前記設定手順は、
受信した前記個体識別子に基づいて接続先のネットワークを特定することを特徴とする請求項２または３に記載の通信制御システム。
【請求項６】
前記接続プログラムは、前記第２の通信装置のコンピュータに、
受信強度の高い信号により前記特定情報及び前記個体識別子を受信したとき、前記接続先のネットワークを、受信した該個体識別子に基づいて特定されるネットワークに切り替える切替手順を更に実行させることを特徴とする請求項５に記載の通信制御システム。
【請求項７】
前記切替手順は、
前記第２の通信装置が、前記接続先のネットワークとの通信が終了してから、受信した前記個体識別子に基づいて特定されるネットワークに切り替えることを特徴とする請求項６に記載の通信制御システム。
【請求項８】
前記切替手順は、
受信強度の高い信号により前記特定情報及び前記個体識別子を受信した場合であって、ユーザにより所定の指示が入力された場合に、前記接続先のネットワークを、受信した該個体識別子に基づいて特定されるネットワークに切り替えることを特徴とする請求項６に記載の通信制御システム。
【請求項９】
他の通信装置と無線接続する通信装置であって、
前記他の通信装置と前記通信装置との間の無線通信に用いられ、前記他の通信装置の製品種類に応じた設定情報が格納された設定テーブルを特定する特定情報と、前記他の通信装置に個別に付けられた個体識別子とを受信する受信手段と、
受信した前記特定情報及び前記個体識別子のうち、所定の条件を満たす受信強度の信号により受信した特定情報及び個体識別子を識別する識別手段と、
識別した前記特定情報により特定される設定テーブルに格納された、前記他の通信装置の製品種類に応じた設定情報を、識別した前記個体識別子に基づいて特定されるネットワークを形成する前記他の通信装置との間の無線通信に用いられる設定情報として前記通信装置に設定する設定手段と
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項１０】
他の通信装置と無線接続する通信装置のコンピュータに、
前記他の通信装置と前記通信装置との間の無線通信に用いられ、前記他の通信装置の製品種類に応じた設定情報が格納された設定テーブルを特定する特定情報と、前記他の通信装置に個別に付けられた個体識別子とを受信する受信手順と、
受信した前記特定情報及び前記個体識別子のうち、所定の条件を満たす受信強度の信号により受信した特定情報及び個体識別子を識別する識別手順と、
識別した前記特定情報により特定される設定テーブルに格納された、前記他の通信装置の製品種類に応じた設定情報を、識別した前記個体識別子に基づいて特定されるネットワークを形成する前記他の通信装置との間の無線通信に用いられる設定情報として前記通信装置に設定する設定手順と
を実行させることを特徴とする接続プログラム。
【請求項１１】
第１の通信装置と第２の通信装置とを有する通信システムにおける通信方法であって、
前記第１の通信装置が、
前記第１の通信装置と前記第２の通信装置との間の無線通信に用いられ、前記第１の通信装置の製品種類に応じた設定情報が格納された設定テーブルを特定する特定情報と、前記第１の通信装置に個別に付けられた個体識別子と、を送信する送信手順と、を実行し、
前記第２の通信装置が、
受信した前記特定情報により特定される設定テーブルに格納された、前記第１の通信装置の製品種類に応じた設定情報を、受信した前記個体識別子に基づいて特定されるネットワークを形成する前記第１の通信装置との間の無線通信に用いられる設定情報として、前記第２の通信装置に設定する設定手順と
を実行することを特徴とする通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成すべく以下の如き構成を採用した。即ち、
第１の通信装置と第２の通信装置とを有する通信システムであって、
前記第１の通信装置は、
前記第１の通信装置と前記第２の通信装置との間の無線通信に用いられ、前記第１の通信装置の製品種類に応じた設定情報が格納された設定テーブルを特定する特定情報と、前記第１の通信装置に個別に付けられた個体識別子と、を送信する送信手段を有し、
前記第２の通信装置は、
受信した前記特定情報により特定される設定テーブルに格納された、前記第１の通信装置の製品種類に応じた設定情報を、受信した前記個体識別子に基づいて特定されるネットワークを形成する前記第１の通信装置との間の無線通信に用いられる設定情報として、前記第２の通信装置に設定する設定手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
識別情報による端末間の通信を管理する管理システムにおいて、
第１の識別情報に対応する宛先として登録されている第２の識別情報を含む第１の宛先リスト情報と、前記第１の識別情報に対応する宛先として登録されていない第３の識別情報を含む第２の宛先リスト情報と、を管理する管理手段と、
前記第２の宛先リスト情報を、前記第１の識別情報に対応する宛先リスト情報として選択する要求を示す要求情報を受信する受信手段と、
前記受信手段が前記要求情報を受信したときに、前記第１の識別情報に対応する宛先として登録されていない前記第３の識別情報を、前記第１の宛先リスト情報に登録する登録手段と、
を有する管理システム。
【請求項２】
前記受信手段が前記要求情報を受信したときに、前記第３の識別情報により前記管理システムに接続されている端末へ前記要求情報を承認するかを示す承認要求情報を送信しない
請求項１に記載の管理システム。
【請求項３】
前記受信手段が前記要求情報を受信したときに、前記第３の識別情報により前記管理システムに接続されている端末へ前記要求情報を承認するかを示す承認要求情報を送信する送信手段を有する
請求項１に記載の管理システム。
【請求項４】
前記受信手段が前記要求情報を受信したときに、前記第３の識別情報の種別情報に応じて前記第３の識別情報により前記管理システムに接続されている端末へ前記要求情報を承認するかを示す承認要求情報を送信するかを選定する
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の管理システム。
【請求項５】
前記登録手段は、前記第１の宛先リスト情報と第２の宛先リスト情報とを比較し、前記第１の宛先リスト情報に含まれていない前記第３の識別情報を前記第１の宛先リスト情報に登録する
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の管理システム。
【請求項６】
前記第１の識別情報は、前記第２の宛先リスト情報に含まれる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の管理システム。
【請求項７】
前記第２の宛先リスト情報を、前記第１の識別情報に対応する宛先リスト情報として選択する要求を受け付ける要求入力受付手段と、
前記要求入力受付手段によって前記要求の入力が受け付けられると、前記要求情報を請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の管理システムに送信する要求情報送信手段と、
を有する端末。
【請求項８】
前記承認要求情報を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した前記承認要求情報に対する承認の入力を受け付ける承認入力受付手段と、
前記承認入力受付手段によって前記承認の入力が受け付けられると、前記承認を示す情報を、請求項３に記載の管理システムに送信する承認情報送信手段と、
を有する端末。
【請求項９】
請求項１から６のいずれか１項に記載の管理システムと、
請求項７に記載の端末と、
請求項８に記載の端末と、
を有する通信システム。
【請求項１０】
第１の識別情報に対応する宛先として登録されている第２の識別情報を含む第１の宛先リスト情報と、前記第１の識別情報に対応する宛先として登録されていない第３の識別情報を含む第２の宛先リスト情報と、を管理する管理手段を有し、識別情報による端末間の通信を管理する管理システムに、
前記第２の宛先リスト情報を、前記第１の識別情報に対応する宛先リスト情報として選択する要求を示す要求情報を受信する受信処理と、
前記受信処理で前記要求情報を受信したときに、前記第１の識別情報に対応する宛先として登録されていない前記第３の識別情報を、前記第１の宛先リスト情報に登録する登録処理と、
実行させる宛先管理方法。
【請求項１１】
第１の識別情報に対応する宛先として登録されている第２の識別情報を含む第１の宛先リスト情報と、前記第１の識別情報に対応する宛先として登録されていない第３の識別情報を含む第２の宛先リスト情報と、を管理する管理手段を有し、識別情報による端末間の通信を管理する管理システムに、
前記第２の宛先リスト情報を、前記第１の識別情報に対応する宛先リスト情報として選択する要求を示す要求情報を受信する受信処理と、
前記受信処理で前記要求情報を受信したときに、前記第１の識別情報に対応する宛先として登録されていない前記第３の識別情報を、前記第１の宛先リスト情報に登録する登録処理と、
実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】管理システム、端末、通信システム、宛先管理方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に係る発明は、識別情報による端末間の通信を管理する管理システムにおいて、第１の識別情報に対応する宛先として登録されている第２の識別情報を含む第１の宛先リスト情報と、前記第１の識別情報に対応する宛先として登録されていない第３の識別情報を含む第２の宛先リスト情報と、を管理する管理手段と、前記第２の宛先リスト情報を、前記第１の識別情報に対応する宛先リスト情報として選択する要求を示す要求情報を受信する受信手段と、前記受信手段が前記要求情報を受信したときに、前記第１の識別情報に対応する宛先として登録されていない前記第３の識別情報を、前記第１の宛先リスト情報に登録する登録手段と、を有する管理システムである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月21日(2017.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、
前記酸化物半導体層と前記ゲート電極層の間のゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層を介して前記ゲート絶縁層と重なる絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の層と、前記第１の層と前記絶縁層との間の第２の層とを有し、
前記第１の層及び前記第２の層はそれぞれ、１０ｎｍ以下のサイズの結晶を含み、
前記第１の層及び前記第２の層はそれぞれ、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ又はＨｆ）で表記される酸化物半導体層であり、且つ、前記第２の層のインジウムに対するＭの原子数比は前記第１の層のインジウムに対するＭの原子数比よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の層及び前記第２の層はそれぞれ、電子線のプローブ径を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下に収束させたナノビーム電子線回折における回折パターンにおいて、円周状に配置された複数のスポットが観察される領域を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記絶縁層は、前記酸化物半導体層上に接して設けられ、且つ第１の開口部を有し、
前記第１の開口部を介して、前記酸化物半導体層と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の一方とが接する半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の層は、前記第１の開口部と重なる第２の開口部を有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の一方は、前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して、前記第１の層と接する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月16日(2017.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム・エッチングの方法であって、
基板の表面をＮＦ3を含む前駆体ガスの沸点から１００°Ｃ以内の温度に冷却するステップと、
冷却された前記表面を前記前駆体ガスにさらすステップと、
前記前駆体ガスの存在下で冷却された前記表面に荷電粒子ビームを照射するステップであり、前記荷電粒子ビームの存在下で前記前駆体ガスが反応して、冷却された前記表面から材料を除去するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記基板がホウ素、炭素、シリコン、ゲルマニウム、ヒ素、リン、スズ、アンチモン、セレン、または硫黄を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
冷却された前記表面を前記前駆体ガスにさらすステップが、冷却された前記表面を、ＮＦ3と酸化物の成長を抑制するガスとの混合物にさらすステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
冷却された前記表面を前記前駆体ガスにさらすステップが、冷却された前記表面を、ＮＦ3と炭素エッチング・ガスとの混合物にさらすステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
冷却された前記表面を前記前駆体ガスにさらすステップが、冷却された前記表面を、ＮＦ3と酸化物の成長を促進するガスとの混合物にさらすステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
冷却された前記表面を前記前駆体ガスにさらすステップが、冷却された前記表面を、ＮＦ3とＮＨ3との混合物にさらすステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
冷却された前記表面を前記前駆体ガスにさらすステップが、冷却された前記表面を、ＮＦ3とＮ2Ｏとの混合物にさらすステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項８】
荷電粒子ビーム・エッチングの方法であって、
基板の表面を冷却するステップであって、冷却された前記表面の温度よりも低い沸点を有する一群の化合物から選択された前駆体ガスの沸点から５０°Ｃ以内の温度に前記表面を冷却するステップと、
冷却された前記表面を前記前駆体ガスにさらすステップと、
前記前駆体ガスの存在下で冷却された前記表面に荷電粒子ビームを照射するステップであり、前記荷電粒子ビームの存在下で前記前駆体ガスが反応して、冷却された前記表面から材料を除去するステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記基板の前記表面を前記前駆体ガスの沸点から５０°Ｃ以内の温度に冷却するステップが、前記基板の前記表面を、前記前駆体ガスの沸点から２０°Ｃ以内の温度に冷却するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板の前記表面を前記前駆体ガスの沸点から５０°Ｃ以内の温度に冷却するステップが、前記基板の前記表面を、マイナス１００°Ｃよりも低い温度に冷却するステップを含む、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板の前記表面を前記前駆体ガスの沸点から５０°Ｃ以内の温度に冷却するステップが、前記基板の前記表面を、前記前駆体ガスのケルビン目盛上の沸点から１５パーセント以内の温度に冷却するステップを含む、請求項８から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
冷却された前記表面に吸着し、前記荷電粒子ビームの存在下で解離し、それによって反応性のフラグメントを形成する分子を有する化合物を前記前駆体ガスが含み、前記反応性のフラグメントが冷却された前記表面と反応して、冷却された前記表面から脱離する反応生成物を形成する、請求項８から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記前駆体ガスが、酸素、一酸化二窒素、水素、アンモニア、塩素または塩化水素を含む、請求項８から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板が、ホウ素、炭素、シリコン、ゲルマニウム、ヒ素、リン、スズ、アンチモン、セレンまたは硫黄を含む、請求項８から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
加工物の画像を形成する方法であって、
前記加工物に向かって電子ビームを導くステップであり、前記電子ビームの衝突によって２次電子が放出されるステップと、
ＮＦ3を含むガス中で前記２次電子を加速させて、２次電子信号を増幅するイオン化カスケードを生じさせるステップと、
増幅された前記２次電子信号を検出するステップと、
増幅された前記２次電子信号を使用して前記加工物の画像を形成するステップと
を含む方法。
【請求項１６】
前記加工物を室温よりも低い温度に冷却するステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記加工物を室温よりも低い温度に冷却するステップが、前記加工物を、マイナス１００°Ｃよりも低い温度に冷却するステップを含む、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記加工物がシリコンを含む、請求項１５から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記加工物が、ホウ素、炭素、シリコン、ゲルマニウム、ヒ素、リン、スズ、アンチモン、セレンまたは硫黄を含む、請求項１５から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
荷電粒子ビーム・エッチングの方法であって、
基板のビーム誘起エッチング用の前駆体ガスを選択するステップと、
前記基板の表面を、前記前駆体ガスの沸点よりも高い、前記前駆体ガスの沸点から１００°Ｃ以内の温度に維持するステップと、
前記表面を、前記前駆体ガスにさらすステップであり、前記前駆体ガスが、前記表面の温度よりも低い沸点を有する一群の化合物の中から選択されるステップと、
前記前駆体ガスの存在下で前記表面に荷電粒子ビームを照射するステップであり、前記荷電粒子ビームの存在下で前記前駆体ガスが反応して、前記表面から材料を除去するステップと
を含む方法。
【請求項２１】
前記前駆体ガスがＮＦ3を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記前駆体ガスが、ＮＨ3またはＮ2Ｏと混合されたＮＦ3を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板がシリコンを含む、請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項２４】
加工物を処理する荷電粒子ビーム・システムであって、
前記加工物に照射する荷電粒子の１次ビームを生成する荷電粒子源と、
前記加工物の表面に前記荷電粒子を焦束させる集束レンズと、
前記加工物に前記荷電粒子の１次ビームを照射することによって生成された２次電子を加速させる電極と、
ＮＦ3を収容するリザーバと、
前記ＮＦ3を封入する容器と、
前記リザーバから前記容器へと前記ＮＦ3を送達するよう構成されたガス送達システムと
を備え、
前記電極が、封入された前記ＮＦ3がイオン化カスケードでイオン化されるように、前記容器に封入されたＮＦ3中で前記２次電子を加速させることによって、検出のために２次電子の数を増幅するよう構成されている
荷電粒子ビーム・システム。
【請求項２５】
前記ＮＦ3を封入する前記容器がサンプル真空室を含む、請求項２４に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項２６】
前記ＮＦ3を封入する前記容器が環境セルを含む、請求項２４に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項２７】
前記ＮＦ3を封入する前記容器がイオン化管を含む、請求項２４に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項２８】
前記リザーバが加圧された容器である、請求項２４から２７のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月5日(2017.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工基材の上に、光硬化性組成物を配置する配置工程と、
凝縮性ガスの雰囲気下で、前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、前記光硬化性組成物と前記モールドとを接触させた状態で前記モールドと前記被加工基材との位置を合わせる位置合わせ工程と、
前記光硬化性組成物に光を照射して光硬化膜を得る光照射工程と、
前記光照射工程の後、前記光硬化膜と前記モールドとを引き離す離型工程と、
を有するインプリント方法において、
前記凝縮性ガスは、前記接触工程において凝縮する気体であり、
前記位置合わせ工程における前記光硬化性組成物の膜厚が、前記離型工程後の前記光硬化膜の膜厚よりも２０％以上厚いことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記離型工程後の前記光硬化膜の膜厚が４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記離型工程後の前記光硬化膜の膜厚が２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記接触工程よりも前に、前記凝縮性ガスを前記光硬化性組成物に溶解させるための溶解工程をさらに有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記接触工程が、前記凝縮性ガス及び非凝縮性ガスの混合ガス雰囲気下で行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記凝縮性ガスは、ペンタフルオロプロパン、トリクロロフルオロメタン、ペンタフルオロエチルメチルエーテルのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記凝縮性ガスは、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパンであることを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記配置工程において、前記光硬化性組成物は、インクジェット法、ディップコート法、スピンコート法のいずれかにより配置されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記光硬化性組成物はアクリル樹脂であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
前記位置合わせ工程が、１．０秒以下で行われることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
凝縮性ガスを導入するガス導入機構と、モールドと被加工基材の位置合わせ機構と、を少なくとも備えたインプリント装置において、
モールドと被加工基材との間隙を２０ｎｍ以下に制御可能な機構を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１２】
前記凝縮性ガスと接触する面に、前記インプリント装置を構成する部材を保護するための保護層をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
よって、本発明は、被加工基材の上に、光硬化性組成物を配置する配置工程と、
凝縮性ガス雰囲気下で、前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる接触工程と、
前記光硬化性組成物と前記モールドとを接触させた状態で前記モールドと前記被加工基材との位置を合わせる位置合わせ工程と、
前記光硬化性組成物に光を照射して、光硬化膜を生成する光照射工程と、
前記光照射工程の後、前記光硬化膜と前記モールドとを引き離す離型工程と、
を有するインプリント方法において、
前記凝縮性ガスは、前記接触工程において凝縮する気体であり、
前記位置合わせ工程における前記光硬化性組成物の膜厚が、前記離型工程後の前記光硬化膜の膜厚よりも２０％以上厚いことを特徴とするインプリント方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月10日(2017.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を有する発光素子、および光学部材を備える発光装置であって、
前記光学部材が、前記発光素子の光出射面に、金属膜を介在して接合され、
前記金属膜は、厚さが、成膜速度換算で０．０５ｎｍ以上、かつ当該金属膜を形成する金属原子の原子径の２倍以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記金属膜の厚さが、成膜速度換算で当該金属膜を形成する金属原子の原子径の２倍未満であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記金属膜の厚さが、成膜速度換算で当該金属膜を形成する金属原子の原子径以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記金属膜は、互いに分離された複数の金属部からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子は、前記半導体層、または前記半導体層を積層した基板が、前記金属膜又は金属部を介して前記光学部材に接合されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
前記金属膜又は金属部は、Ａｌ，Ｔｉ，Ａｕから選択される１種または２種以上の合金からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子と前記光学部材間の一部は、表面活性化接合により接合されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項８】
前記金属膜は、Ａｌを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項９】
前記金属膜は、Ａｕを含み、
前記光学部材は、前記発光素子からの光を５００〜６００ｎｍにピーク波長を有する光に変換する波長変換部材であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１０】
前記発光素子の光出射面とは反対側の面に、反射層を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１１】
半導体層を有する発光素子の光出射面に光学部材が接合された発光装置の製造方法であって、
前記光学部材および前記発光素子の少なくとも一方の接合面に、金属膜を、成膜速度換算で０．０５ｎｍ以上、かつ当該金属膜を形成する金属原子の原子径以下の厚さに成膜する金属膜成膜工程と、
前記接合面同士を接合する接合工程と、を不活性ガス雰囲気で連続して行うことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記金属膜成膜工程の前に、前記発光素子および前記光学部材のそれぞれの接合面の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下にする接合面平滑化工程を行うことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記金属膜成膜工程において、前記金属膜を、成膜速度換算で０．０５ｎｍ以上、かつ当該金属膜を形成する金属原子の原子径未満の厚さに成膜することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記金属膜成膜工程における前記金属膜は、成膜速度換算で０．０５ｎｍ以上、かつ当該金属膜を形成する金属原子の原子径の半分以下の厚さに成膜することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記接合工程の前に、前記発光素子の接合面及び／又は前記光学部材の接合面を活性化する接合面活性化工程を含む請求項１１〜１４のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る発光装置の製造方法は、半導体層を有する発光素子の光出射面に光学部材が接合された発光装置を製造するものである。本発明に係る発光装置の製造方法は、前記光学部材および前記発光素子の少なくとも一方の接合面に、金属膜を成膜速度換算で０．０５ｎｍ以上かつ当該金属膜を形成する金属原子の原子径以下の厚さに成膜する金属膜成膜工程と、前記接合面同士を接合する接合工程とを不活性ガス雰囲気で連続して行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月14日(2017.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平状態で支持するテーブルと、
このテーブルを水平面内で回転させる回転機構と、
回転している前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する溶媒供給部と、
前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する加熱部と、
制御部とを有し、
前記制御部は、前記処理液供給部による前記基板への前記処理液の供給が終了する前から、前記溶媒供給部による前記基板への前記揮発性溶媒の供給が開始されるように前記溶媒供給部を制御するとともに、前記加熱部による前記基板の加熱は、前記溶媒供給部による前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給完了後、または供給中に開始されるように制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液は純水で、前記揮発性溶媒はＩＰＡであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板の表面に対して不活性ガスを供給するガス供給部を有し、
前記制御部は、前記溶媒供給部による前記揮発性溶媒の供給が開始される前に、前記ガス供給部による前記不活性ガスの供給が開始されるように前記ガス供給部を制御することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記加熱部を前記基板の表面に対して上下方向に移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記加熱部を前記基板の表面に沿って移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記加熱部は、前記揮発性溶媒が供給された前記基板に対して電磁波を照射する照射部であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液供給部は前記処理液を吐出する第１ノズル、前記溶媒供給部は前記揮発性溶媒を吐出する第２のノズル、前記加熱部は前記基板を加熱する照射部をそれぞれ有し、前記第１のノズルと前記第２のノズルは、いずれも前記照射部内に設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記加熱部は、前記基板を加熱する照射部を有し、この照射部は、前記テーブルと、このテーブルに支持される前記基板との間に、前記基板の前記テーブル側の面に対して光を照射するように設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
水平面内で回転している基板の表面に処理液を供給する工程と、
前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する工程と、
前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する工程と、
を有し、
前記揮発性溶媒を供給する工程では、前記処理液を供給する工程が終了する前から、前記基板への前記揮発性溶媒の供給が開始され、
前記加熱する工程では、前記基板の加熱が、前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給完了後、または供給中に開始されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記基板を加熱する工程では、前記揮発性溶媒が供給された前記基板に対して電磁波を照射することを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
実施形態に係る基板処理装置は、
基板を水平状態で支持するテーブルと、
このテーブルを水平面内で回転させる回転機構と、
回転している前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する溶媒供給部と、
前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する加熱部と、
制御部とを有し、
前記制御部は、前記処理液供給部による前記基板への前記処理液の供給が終了する前から、前記溶媒供給部による前記基板への前記揮発性溶媒の供給が開始されるように前記溶媒供給部を制御するとともに、前記加熱部による前記基板の加熱は、前記溶媒供給部による前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給完了後、または供給中に開始されるように制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
実施形態に係る基板処理方法は、
水平面内で回転している基板の表面に処理液を供給する工程と、
前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する工程と、
前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する工程と、
を有し、
前記揮発性溶媒を供給する工程では、前記処理液を供給する工程が終了する前から、前記記基板への前記揮発性溶媒の供給が開始され、
前記加熱する工程では、前記基板の加熱が、前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給完了後、または供給中に開始されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月13日(2017.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、
前記荷電粒子線の前記基板上における複数の位置それぞれでの前記荷電粒子線の照射量を、前記複数の位置それぞれの、それに対応する目標位置に対する配置誤差の情報と、前記複数の位置それぞれに対応する前記目標位置での前記荷電粒子線の目標照射量とに基づいて制御する制御部とを含み、
前記制御部は、前記目標位置と前記複数の位置のうちの１つとの間の距離を分配用の重み付けに用いて、前記目標位置での前記目標照射量を前記複数の位置のうちの前記１つに分配することにより、前記複数の位置のうち前記１つでの照射量を決定することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記荷電粒子線を検出する検出器を備え、
前記制御部は、前記検出器の出力に基づいて前記配置誤差の情報を得る、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記荷電粒子線のブランキングを行うブランキング部を備え、
前記制御部は、前記ブランキング部を制御することによって前記照射量を制御する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数の位置のそれぞれに照射される荷電粒子線の数を制御することによって前記照射量を制御する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の描画装置。
【請求項５】
前記描画装置は、複数の荷電粒子線で前記描画を行い、
前記投影系は、複数の荷電粒子線を前記基板に投影し、
前記制御部は、前記投影系の投影倍率を決定し、前記情報として、前記投影倍率で前記基板に投影された前記複数の荷電粒子線それぞれの目標位置に対する配置誤差の情報を得る、ことを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記複数の荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、
前記基板上における前記複数の荷電粒子線それぞれの位置での照射量を、前記基板上における前記複数の荷電粒子線それぞれの目標位置と、前記複数の荷電粒子線それぞれの前記目標位置での目標照射量と、前記基板上における前記複数の荷電粒子線それぞれの、それに対応する前記目標位置に対する配置誤差とに基づいて制御する制御部とを含み、
前記制御部は、前記目標位置と前記複数の荷電粒子線のうちの１つの位置との間の距離を分配用の重み付けに用いて、前記目標位置での前記目標照射量を前記複数の荷電粒子線のうちの前記１つの位置に分配することにより、前記複数の荷電粒子線のうちの前記１つの位置での照射量を決定することを特徴とする描画装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記複数の荷電粒子線それぞれの前記目標位置と前記配置誤差とに基づいて前記目標照射量を分配することにより、前記複数の荷電粒子線それぞれの位置での前記照射量を求める、ことを特徴とする請求項６に記載の描画装置。
【請求項８】
前記複数の荷電粒子線それぞれを検出する検出器を備え、
前記制御部は、前記検出器の出力に基づいて前記複数の荷電粒子線それぞれの前記基板上における前記配置誤差の情報を得る、ことを特徴とする請求項６または７に記載の描画装置。
【請求項９】
前記複数の荷電粒子線それぞれのブランキングを行うブランキング部を備え、
前記制御部は、前記ブランキング部を制御することによって前記複数の荷電粒子線それぞれの位置での前記照射量を制御する、ことを特徴とする請求項６ないし８のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記複数の荷電粒子線それぞれの前記基板上の位置に照射される荷電粒子線の数を制御することによって前記複数の荷電粒子線それぞれの位置での前記照射量を制御する、ことを特徴とする請求項６ないし８のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記投影系の投影倍率を決定し、該投影倍率で前記基板上に投影される前記複数の荷電粒子線それぞれの前記配置誤差の情報を得る、ことを特徴とする請求項６ないし１０のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、前記荷電粒子線の前記基板上における複数の位置それぞれでの前記荷電粒子線の照射量を、前記複数の位置それぞれの、それに対応する目標位置に対する配置誤差の情報と、前記複数の位置それぞれに対応する前記目標位置での前記荷電粒子線の目標照射量とに基づいて制御する制御部とを含み、前記制御部は、前記目標位置と前記複数の位置のうちの１つとの間の距離を分配用の重み付けに用いて、前記目標位置での前記目標照射量を前記複数の位置のうちの前記１つに分配することにより、前記複数の位置のうち前記１つでの照射量を決定することを特徴とする。