Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月12日(2017.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング（１）と、
前記ハウジング内に回転可能に取り付けられ、回転駆動部を含むワーク主軸（１５）と、
前記ワーク主軸（１５）に設けられた工具ホルダであって、前記工具ホルダ内の工具軸を取り外し可能に位置決めするためのクランプデバイスを備える工具ホルダと、
前記工具ホルダ内の工具軸の位置及び状態を監視するための測定デバイスであって、複数のセンサ及び測定結果のための電子評価ユニットを有する測定デバイスと
を備える、プログラム制御式工作機械用の機械加工ユニットにおいて、
前記センサが、前記ワーク主軸の前端部に取り外し可能に締結された環状ロータ（１６）内に配置された軸方向センサ及び径方向センサであることを特徴とする機械加工ユニット。
【請求項２】
センサシステムが、幾つかの軸方向センサ及び径方向センサを含み、前記軸方向センサ及び前記径方向センサが、外部からアクセス及び取り外し可能な少なくとも１本のケーブル（２０）によって、非接触伝送手段を介して前記機械自体の電子機器に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の機械加工ユニット。
【請求項３】
前記ケーブル（２０）が、外部からアクセス可能なケーブル通路（５）内に敷設され、プラグインコネクタを介して前記機械の電子機器に取り外し可能に接続されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の機械加工ユニット。
【請求項４】
前記ハウジング（１）が、取り外し可能に締結されたカバーシートによって閉じることのできる、前記ケーブル（２０）を受容するケーブル通路としての軸方向溝（５）を収容していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の機械加工ユニット。
【請求項５】
前記環状ロータ（１６）が、その前側に前記軸方向センサを、また、その外周に沿って前記径方向センサを搭載していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の機械加工ユニット。
【請求項６】
前記ロータ（１６）が、軸方向スタッドボルトによって、前記ワーク主軸の前端側に取り外し可能に締結されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の機械加工ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、この目的は、請求項１の特徴によって達成できる。全体的に改良された測定精度が、一方が「軸方向」センサとして機能し他方が「径方向」センサとして機能する２つの異なるセンサタイプを使用することによって達成できる。「軸方向」センサが、作動されたコレットの力によって発生し工具軸の当接リングによって主軸ヘッドの相手面に加えられる軸方向の圧力を検出する。いずれの場合も、複数のセンサが主軸ヘッドのリングホイール形状の接触面に、その周方向面に亘って分散されるように配置されるため、周方向に亘る接触圧の比均一な分散、及び、その結果生じる工具軸線の主軸軸線に対する傾斜を検出することが可能である。このような現象は通常、対となる表面に堆積した切粉によって引き起こされる。通常幾つかの「径方向」センサからなる第２のセンサタイプが、工具ホルダ及び工具軸の円錐状面間の異物及び切粉によって引き起こされる主軸ヘッドの外周の変形を検出することができ、その結果、工具ホルダ内に工具軸を引き込む際の径方向及び周方向における主軸ヘッドの変形を最小限に抑えられる。本発明によれば、センサ及び電子評価ユニットが、例えば複数の軸方向スタッドボルトによってワーク主軸の前端に取り外し可能に締結される環状体内に収容される。この環状体は、測定データ及びエネルギーを非接触で伝送するための伝送手段を含む。この目的のために、誘導コイルを環状体に収容することができる。本発明によれば、この環状体は、例えば軸方向スタッドボルトによって主軸ハウジングの前端に取り外し可能に締結された固定アウターリングによって囲繞される。さらなる伝送手段が、このアウターリング内に例えばコイルの形態で設けられ、ロータとして機能するインナー環状体の伝送手段と通信を行なう。また、エネルギー・データケーブルのためのケーブル接続が、環状体の外部に設けられる。このエネルギー・データケーブルは、主軸ハウジング内の、外部に開口する長手方向通路内を延在し、シート又は他の保護エレメントによって被覆される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ロータリング１６は、円滑で円筒状の内周面及び段状の断面を有する。この環状のロータ１６は、環状ディスク１７によって被覆される。環状ディスクは、平坦に当接させた場合に複数のスタッドボルト１８によって主軸の平坦端面に取り外し可能に締結され、ワーク主軸をその前側で閉じて、工具軸をクランプするための工具ホルダ無しで済ますことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月12日(2017.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に設けられたメモリセルと、前記半導体基板に形成された絶縁層上に設けられたチャージポンプ回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリセルは、
下部メモリゲート絶縁膜、電荷蓄積層、上部メモリゲート絶縁膜、およびメモリゲート電極が積層されたメモリゲート構造体と、
前記メモリゲート構造体の一方の側面に沿って設けられ、絶縁材料でなる一の側壁スペーサと、
前記メモリゲート構造体の他方の側面に沿って設けられ、前記絶縁材料でなる他の側壁スペーサと、
第1選択ゲート絶縁膜上に第1選択ゲート電極が設けられ、前記一の側壁スペーサに沿って形成された第1選択ゲート構造体と、
第2選択ゲート絶縁膜上に第2選択ゲート電極が設けられ、前記他の側壁スペーサに沿って形成された第2選択ゲート構造体と、
前記第1選択ゲート構造体と隣接した前記半導体基板表面に前記第1選択ゲート電極と絶縁するように設けられ、ビット線が電気的に接続されたドレイン領域と、
前記第2選択ゲート構造体と隣接した前記半導体基板表面に前記第2選択ゲート電極と絶縁するように設けられ、ソース線が電気的に接続されたソース領域とを備え、
前記チャージポンプ回路は、複数の容量素子が設けられており、
各前記容量素子には、
容量電極と容量側壁電極との間に、前記一の側壁スペーサおよび前記他の側壁スペーサと同一層でなる容量側壁絶縁膜が設けられており、
前記チャージポンプ回路は、第1クロックの電圧が印加される一の前記容量素子と、前記第1クロックと逆位相の第2クロックの電圧が印加される他の前記容量素子と、前記一の容量素子と前記他の容量素子との間に設けられたPN接合ダイオードと、を備え、
前記PN接合ダイオードは、前記容量側壁電極と同一層でなり、かつ前記容量側壁電極の導電型とは異なる導電型からなる逆導電型接合部と、前段の前記容量素子に設けられた前記容量側壁電極と前記逆導電型接合部とを電気的に接続する導通部と、を備える
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記容量電極は、前記メモリゲート電極と同一層でなり、
前記容量側壁電極は、前記第1選択ゲート電極および前記第2選択ゲート電極と同一層でなる
ことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記容量素子は、
電荷蓄積層、絶縁膜および前記容量電極が積層された容量電極構造体を備え、
前記容量側壁絶縁膜は、
前記容量電極構造体の側壁に沿って形成され、かつ、該容量電極構造体に設けられた前記電荷蓄積層を備えずに、前記一の側壁スペーサおよび前記他の側壁スペーサを構成する絶縁材料と同じ絶縁材料からなる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記容量側壁絶縁膜は、前記一の側壁スペーサおよび前記他の側壁スペーサの膜厚と同じ膜厚に形成されている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記メモリゲート電極と、前記第1選択ゲート電極と、前記第2選択ゲート電極と、前記容量電極と、前記容量側壁電極とには、金属材料が含まれている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記半導体基板は、前記絶縁層から突き出たフィン部を備え、
前記メモリセルは、
前記メモリゲート構造体、前記第1選択ゲート構造体、前記第2選択ゲート構造体、前記一の側壁スペーサおよび前記他の側壁スペーサが、前記フィン部を跨ぐように前記絶縁層上に形成されている
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
前記メモリセルは、前記側壁スペーサに沿って壁状のゲート側壁絶縁膜を備え、
前記容量素子の前記容量電極および前記容量側壁電極間には、前記ゲート側壁絶縁膜と同一層でなる容量電極間絶縁膜が設けられている
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月20日(2017.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの原画像を取得した結果得られる、ダイナミックレンジがより高い画像を生成するための画素行列を有する画像センサであって、
前記画像センサの前記画素はそれぞれ、
受光した照射線から電荷担体を生成する変換領域と、
生成された前記電荷担体を２つの電荷担体流へと時間的に分離する分離デバイスと、
前記２つの電荷担体流の前記電荷担体を別々に保持する２つのメモリを有しているメモリデバイスと、
保持された前記電荷担体を電気信号に変換する読出デバイスと、
を有している復調画素の形式であり、
前記分離デバイスは、１期間に生成された前記電荷担体が２つの異なる期間になるような分離を実行するように設計されていることを特徴とする、画像センサ。
【請求項２】
前記２つの期間は、一繋がりに連続して配置されていることを特徴とする、請求項１記載の画像センサ。
【請求項３】
前記２つの期間は、それぞれ分離されていて、かつ交互に配置されていることを特徴とする、請求項１記載の画像センサ。
【請求項４】
前記分離は周期的に行われることを特徴とする、先行する請求項のいずれか１項に記載の画像センサ。
【請求項５】
選択デバイスが、２つの前記メモリのうちの一方、またはその値を、１つのメモリ、または両方のメモリの飽和度の関数として選択し、これにより、得られた前記画像内の画素点の値を算出するように設けられていることを特徴とする、先行する請求項のいずれか１項に記載の画像センサ。
【請求項６】
前記選択デバイスは、画素毎または画素列毎に、ＡＤ変換の前に前記選択をアナログ的に行うアナログ比較器を備えていることを特徴とする、請求項５記載の画像センサ。
【請求項７】
前記アナログ比較器は、前記選択が行われる関数として、調整可能な比較器しきい値を備えていることを特徴とする、請求項６記載の画像センサ。
【請求項８】
前記変換領域は、ドープ基板を備えており、
かつ、
前記分離デバイスは、
前記基板の上面にあり、前記電荷担体を前記変換領域から前記分離デバイス内へと引き付けるドリフトゲート、及び、
前記基板の前記上面にあり、前記電荷担体の誘導と分離とを交互に行う２つの変調ゲート、を備えていて、
かつ、
前記メモリデバイスは、
前記基板の前記上面にあり、各々が１つの変調ゲートに対応付けされていて、対応付けされた前記変調ゲートへと向かう前記電荷担体の収集と保持とを行う、２つの保持ゲートを備えており、
かつ、
前記読出デバイスは、
前記基板の前記上面にあり、各々が１つの保持ゲートに対応付けされていて、前記保持ゲートにおいて収集された前記電荷担体を、対応付けされている浮遊拡散部へと断続的に転送する、２つの転送ゲート、及び、
前記基板の前記上面にあり、各々が１つの転送ゲートに対応付けされていて、前記転送ゲートにより転送された前記電荷担体を取得し、それらを電圧としてＡＤ変換器へと供給する、２つの浮遊拡散部、を備えていることを特徴とする、先行する請求項のいずれか１項に記載の画像センサ。
【請求項９】
請求項８に記載の画像センサにおいて、
前記変換領域は、前記ドープ基板であるｎ−型ドープ半導体基板、及び、前記基板を空乏層とする電極を備えている
画像センサ。
【請求項１０】
請求項９に記載の画像センサにおいて、
前記基板を空乏層とする電極とは、前記基板の裏面の透過性裏面電極である
画像センサ。
【請求項１１】
請求項８から請求項１０のうちのいずれか１項に記載の画像センサにおいて、
前記２つの変調ゲートは、前記ドリフトゲートに対向する位置にある
画像センサ。
【請求項１２】
請求項８から請求項１１のうちのいずれか１項に記載の画像センサにおいて、
前記２つの浮遊拡散部は、前記基版であるｎ＋型ドープ基板の前記上面にある
画像センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月16日(2017.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の融合ポリペプチドをコードする第１の核酸分子を含む組み換えリステリア株であって、
前記第１の核酸分子は、内因性ＰＥＳＴ含有ポリペプチドをコードする核酸配列に融合された、第１の異種抗原またはその免疫原性断片をコードする核酸配列を含み、
前記リステリアは、第２の融合ポリペプチドをコードする第２の核酸分子を含むエピソーム発現ベクターを含み、
前記第２の核酸分子は、ＰＥＳＴ含有ポリペプチドをコードする核酸配列に融合された、第２の異種抗原またはその免疫原性断片をコードする核酸配列を含み、
前記リステリアは、内因性ｄａｌ、ｄａｔ、及びＡｃｔＡ遺伝子における変異を含み、
前記リステリアは、前記ｄａｌ／ｄａｔ遺伝子の変異を補完する代謝酵素を含み、
前記第１の核酸分子または前記第２の核酸分子によってコードされる前記異種抗原またはその免疫原性断片は、腫瘍関連抗原及びその免疫原性断片であり、
前記腫瘍関連抗原は前立腺特異抗原（ＰＳＡ）であることを特徴とする組み換えリステリア株。
【請求項２】
前記変異は、欠失変異であることを特徴とする請求項１に記載の組み換えリステリア株。
【請求項３】
前記第１の核酸分子または前記第２の核酸分子によってコードされる前記ＰＥＳＴ含有ポリペプチドは、ＬＬＯまたはＡｃｔＡである、請求項１または２に記載の組み換えリステリア株。
【請求項４】
前記ＰＥＳＴ含有遺伝子は、ＬＬＯのＮ末端断片であることを特徴とする請求項３に記載の組み換えリステリア株。
【請求項５】
前記エピソーム発現ベクターは、前記組み換えリステリアに抗生物質耐性を与えないことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の組み換えリステリア株。
【請求項６】
前記代謝酵素は、アラニンラセマーゼ酵素またはＤアミノ酸トランスフェラーゼ酵素であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の組み換えリステリア株。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の組み換えリステリア株と、薬学的に許容される担体とを含むワクチンまたは免疫原性組成物。
【請求項８】
アジュバントを更に含むことを特徴とする請求項７に記載のワクチンまたは免疫原性組成物。
【請求項９】
前記アジュバントが、サポニンＱＳ２１、またはＣｐＧオリゴヌクレオチドを含むことを特徴とする請求項８に記載のワクチンまたは免疫原性組成物。
【請求項１０】
対象における免疫応答を誘導する薬剤を製造するための、請求項１から６のいずれか一項に記載の組み換えリステリア株、または請求項７または８に記載のワクチンまたは免疫原性組成物の使用。
【請求項１１】
前記免疫応答が、腫瘍または癌から前記対象を保護することを特徴とする請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
対象における腫瘍または癌を治療する薬剤を製造するための、請求項１から６のいずれか一項に記載の組み換えリステリア株、または請求項７または８に記載のワクチンまたは免疫原性組成物の使用。
【請求項１３】
対象における腫瘍または癌の発症を防止または遅延させる薬剤を製造するための、請求項１から６のいずれか一項に記載の組み換えリステリア株、または請求項７または８に記載のワクチンまたは免疫原性組成物の使用。
【請求項１４】
前記腫瘍が、乳房腫瘍、前立腺腫瘍、子宮頸腫瘍、または卵巣腫瘍であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の使用。
【請求項１５】
前記癌が、乳癌、前立腺癌、子宮頸癌、または卵巣癌であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月13日(2017.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高純度マウスマイニュートウイルス（ＭＭＶ）ストック溶液の調製方法であって、前記方法は、１００ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のタンパク質濃度を含むＭＭＶストック溶液を一貫して生成し、前記方法は、
（ａ）低血清条件下で増殖されたウイルス感染細胞の培養上清を採取し、それによりウイルスサンプルを得る工程、ここで、前記培養上清は、ウイルス誘導性細胞溶解後に採取される、
（ｂ）限外ろ過により前記ウイルスサンプルを濃縮する工程、
（ｃ）超遠心により前記ウイルスサンプル中のウイルスを沈殿させる工程、ここで、前記沈殿したウイルスが１００ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のタンパク質濃度を含む、及び
（ｄ）前記沈殿したウイルスをクロマトグラフィーポリッシングに供し、痕跡量の不純物を除去する工程
の逐次工程を含み、それにより高純度ＭＭＶストック溶液を一貫して調製する、方法。
【請求項２】
前記低血清条件が、無血清細胞培養又は限定培地細胞培養である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＭＭＶストック溶液が、６０ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のタンパク質濃度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＭＭＶストック溶液が、６０ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のタンパク質濃度及び１５ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のＤＮＡ濃度を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記クロマトグラフィーポリッシングが、フロースルークロマトグラフィー、膜吸着、ビーズベースのクロマトグラフィー、サイズ排除処理、又は疎水性に基づく処理を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記クロマトグラフィーポリッシングが、陽イオン交換フロースルークロマトグラフィーを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
マウスマイニュートウイルス（ＭＭＶ）を精製する方法であって、前記方法は、少なくとも１０６ＴＣＩＤ５０／ｍｌの濃度及び１００ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のタンパク質濃度を含むＭＭＶストック溶液を一貫して生成し、前記方法は、
（ａ）低血清条件下で増殖されたウイルス感染細胞の培養上清を採取し、それによりウイルスサンプルを得る工程、ここで、前記培養上清は、ウイルス誘導性細胞溶解後に採取される、
（ｂ）限外ろ過により前記ウイルスサンプルを濃縮する工程、
（ｃ）超遠心により前記ウイルスサンプル中のウイルスを沈殿させる工程、ここで、前記沈殿したウイルスが、少なくとも１０６ＴＣＩＤ５０／ｍｌのウイルス濃度及び１００ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のタンパク質濃度を有する、及び
（ｄ）前記沈殿したウイルスをクロマトグラフィーポリッシングに供し、痕跡量の不純物を除去する工程
の逐次工程を含み、それによりＭＭＶを少なくとも１０６ＴＣＩＤ５０／ｍｌの濃度及び１００ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のタンパク質濃度に一貫して精製する、方法。
【請求項８】
前記低血清条件が、無血清細胞培養又は限定培地細胞培養である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記精製されたＭＭＶが、６０ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のタンパク質濃度を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記精製されたＭＭＶが、６０ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のタンパク質濃度及び１５ｆｇ／ＴＣＩＤ５０未満のＤＮＡ濃度を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記クロマトグラフィーポリッシングが、フロースルークロマトグラフィー、膜吸着、ビーズベースのクロマトグラフィー、サイズ排除処理、又は疎水性に基づく処理を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記クロマトグラフィーポリッシングが、陽イオン交換フロースルークロマトグラフィーを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
マウスマイニュートウイルス（ＭＭＶ）クリアランスプロセスの評価方法であって、前記方法は、
（ａ）サンプルをＭＭＶ溶液でスパイクし、それにより試験サンプルを作製する工程、ここで、前記ＭＭＶ溶液が請求項１又は７に記載の方法により調製される、
（ｂ）前記試験サンプルを使用してスケール化ＭＭＶクリアランスプロセスを試験する工程、及び
（ｃ）前記ＭＭＶクリアランスプロセスの結果を分析する工程、
を含み、
ＭＭＶクリアランス量が前記ＭＭＶクリアランスプロセスのＭＭＶ除去能力を決定し、それにより前記ＭＭＶクリアランスプロセスを評価する、方法。
【請求項１４】
前記試験サンプルが少なくとも１０５ＴＣＩＤ５０／ｍｌのＭＭＶを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＭＭＶクリアランスプロセスが、ＭＭＶ除去、ＭＭＶ不活性化、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＭＭＶクリアランスプロセスが、フィルタ及びクロマトグラフィー媒体を含み、前記ＭＭＶ不活性化方法が、低ｐＨ、高ｐＨ、紫外線（ＵＶ）照射、γ線照射、又は温度不活性化を含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月31日(2017.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、負極とを有する二次電池であり、
前記負極は集電体と負極活物質層とを含み、
前記負極活物質層はガリウムと樹脂とを含み、
前記樹脂は、フッ素を含み、
前記ガリウムは前記樹脂に囲まれていることを特徴とする二次電池。
【請求項２】
正極と、負極とを有する二次電池であり、
前記負極は集電体と負極活物質層とを含み、
前記負極活物質層はガリウムと樹脂と繊維体とを含み、
前記樹脂は、フッ素を含み、
前記ガリウムは前記繊維体の内部に保持されていることを特徴とする二次電池。
【請求項３】
請求項２において、
前記繊維体は負極の形状維持する機能を有することを特徴とする二次電池。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記負極活物質層における前記樹脂が２重量％以上１０重量％以下含まれていることを特徴とする二次電池。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ガリウムが液体のとき、前記樹脂が固体であることを特徴とする二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月28日(2017.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記装置（１）は、前記コンタクトアーム（５）と、開始位置（Ａ）において挿入方向（Ｅ）や変位方向（Ｍ）から見た場合前記接触面（１５）を覆う保護部材（２４）とを有するコンタクト部材（９）を備える請求項１乃至２のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記コンタクトアーム（５）は、湾曲部（２１）によって基部（２２）に関節接合された旋回部（１７）を有する請求項１乃至５のいずれか一項に記載の装置（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月15日(2017.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒状ポリ（メタクリル酸メチル）をトナー粒子に加え、スラリーを作成することと、
前記スラリーを濾過して濾過ケーキを作成することと、
前記濾過ケーキを洗浄することと、
前記濾過ケーキを乾燥させることと、
を含み、
前記洗浄する工程及び前記乾燥させる工程の後、前記トナー粒子が、前記トナー粒子に付着した前記粒状ポリ（メタクリル酸メチル）の一部を有する、プロセス。
【請求項２】
前記粒状ポリ（メタクリル酸メチル）は、前記スラリーの固体保持量の０．１重量％〜１０重量％の範囲の量で存在する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記粒状ポリ（メタクリル酸メチル）は、平均粒径が０．１５ミクロン〜１．５ミクロンの範囲にある、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記トナー粒子が、体積メジアン粒径（Ｄ５０ｖ）が３ミクロン〜９ミクロンの範囲にある、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記トナー粒子が、体積メジアン粒径が３ミクロン〜４ミクロンの範囲にある、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
粒状ポリ（メタクリル酸メチル）を超微細トナー粒子に加え、スラリーを作成することと、
前記スラリーを濾過して濾過ケーキを作成することと、
前記濾過ケーキを洗浄することと、
前記超微細トナー粒子を乾燥することと、
を含み、
前記洗浄する工程および前記乾燥する工程の後、前記超微細トナー粒子が、前記超微細トナー粒子に付着した前記粒状ポリ（メタクリル酸メチル）の一部を有する、プロセス。
【請求項７】
前記粒状ポリ（メタクリル酸メチル）は、前記スラリーの固体保持量の０．１重量％〜１０重量％の範囲の量で存在する、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記粒状ポリ（メタクリル酸メチル）は、平均粒径が０．１５ミクロン〜１．５ミクロンの範囲にある、請求項６に記載のプロセス。
【請求項９】
前記超微細トナー粒子が、体積メジアン粒径が３ミクロン〜４ミクロンの範囲にある、請求項６に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月11日(2017.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の像ぶれ補正レンズを移動させることによって像ぶれを補正する第１の像ぶれ補正ユニットと、
第２の像ぶれ補正レンズを移動させることによって像ぶれを補正する第２の像ぶれ補正ユニットを有する光学機器であって、
前記光学機器に加わるぶれを検出するぶれ検出部と、
前記光学機器によって撮影された複数の画像間の動きベクトルを算出する動きベクトル算出部を有し、
前記第１の像ぶれ補正ユニットは、前記ぶれ検出部が検出したぶれ信号に基づいて像ぶれを補正し、
前記動きベクトル算出部は、前記第１の像ぶれ補正ユニットによって像ぶれが補正された複数の画像を用いて動きベクトルを算出し、
前記第２の像ぶれ補正ユニットは、前記動きベクトル算出部が算出した動きベクトルに基づいて像ぶれを補正することを特徴とする光学機器。
【請求項２】
前記光学機器は、撮影モードを設定する撮影モード設定部をさらに有し、
前記撮影モード設定部により、撮影モードが動画撮影モードに設定されたときには、前記光学機器は、前記第１の像ぶれ補正ユニットと前記第２の像ぶれ補正ユニットにより像ぶれ補正を行い、
前記撮影モード設定部により、撮影モードが静止画撮影モードに設定されたときには、前記光学機器は、前記第１の像ぶれ補正ユニットのみにより像ぶれ補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項３】
前記光学機器は、撮影動作の指示を行うレリーズスイッチをさらに有し、
前記レリーズスイッチによって撮影動作が指示される前には、前記光学機器は、前記第１の像ぶれ補正ユニットと前記第２の像ぶれ補正ユニットにより像ぶれ補正を行い、
前記レリーズスイッチによって撮影動作が指示されると、前記第２の像ぶれ補正ユニットは、前記撮影動作の指示がされる前に算出された動きベクトルに基づいて定められた位置に前記第２の像ぶれ補正レンズを保持し、前記光学機器は、前記第１の像ぶれ補正ユニットにより像ぶれ補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項４】
前記動きベクトル算出部が算出した動きベクトルの大きさが所定の値以上の場合には、前記光学機器は前記第２の像ぶれ補正ユニットによる像ぶれ補正を行い、
前記動きベクトル算出部が算出した動きベクトルの大きさが所定の値より小さい場合には、前記光学機器は前記第２の像ぶれ補正ユニットによる像ぶれ補正を行わないことを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項５】
前記光学機器は、前記光学機器における通信形式を設定する通信形式設定部をさらに有し、
前記通信形式設定部により、通信形式が同期通信に設定されたときには、前記光学機器は、前記第１の像ぶれ補正ユニットと前記第２の像ぶれ補正ユニットにより像ぶれ補正を行い、
前記通信形式設定部により、通信形式が非同期通信に設定されたときには、前記光学機器は、前記第１の像ぶれ補正ユニットのみにより像ぶれ補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項６】
前記ぶれ検出部は、前記光学機器の角速度を検出することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学機器。
【請求項７】
前記ぶれ検出部は、前記光学機器の加速度を検出することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学機器。
【請求項８】
前記光学機器は、カメラと該カメラに着脱可能な交換レンズを有するカメラシステムであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光学機器。
【請求項９】
カメラに着脱可能であり、前記カメラとの通信が可能な交換レンズであって、
第１の像ぶれ補正レンズを移動させることによって像ぶれを補正する第１の像ぶれ補正ユニットと、
第２の像ぶれ補正レンズを移動させることによって像ぶれを補正する第２の像ぶれ補正ユニットと、
前記交換レンズに加わるぶれを検出するぶれ検出部と、を有し、
前記カメラは、前記第１の像ぶれ補正ユニットによって像ぶれが補正された複数の画像間の動きベクトルを算出して、該動きベクトルに関する情報を前記交換レンズに送信し、
前記第１の像ぶれ補正ユニットは、前記ぶれ検出部が検出したぶれ信号に基づいて像ぶれを補正し、
前記第２の像ぶれ補正ユニットは、前記カメラから受信した動きベクトルに関する情報に基づいて像ぶれを補正することを特徴とする交換レンズ。
【請求項１０】
光学機器に加えられるぶれを検出するステップと、
前記検出されたぶれに基づいて、前記光学機器によって撮像された複数の画像の像ぶれを補正するステップと、
前記像ぶれが補正された複数の画像間の動きベクトルを算出するステップと、
前記算出された動きベクトルに基づいて像ぶれを補正するステップとを有することを特徴とする像ぶれ補正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の光学機器は、第１の像ぶれ補正レンズを移動させることによって像ぶれを補正する第１の像ぶれ補正ユニットと、第２の像ぶれ補正レンズを移動させることによって像ぶれを補正する第２の像ぶれ補正ユニットを有する光学機器であって、前記光学機器に加わるぶれを検出するぶれ検出部と、前記光学機器によって撮影された複数の画像間の動きベクトルを算出する動きベクトル算出部を有し、前記第１の像ぶれ補正ユニットは、前記ぶれ検出部が検出したぶれ信号に基づいて像ぶれを補正し、前記動きベクトル算出部は、前記第１の像ぶれ補正ユニットによって像ぶれが補正された複数の画像を用いて動きベクトルを算出し、前記第２の像ぶれ補正ユニットは、前記動きベクトル算出部が算出した動きベクトルに基づいて像ぶれを補正することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の交換レンズは、カメラに着脱可能であり、前記カメラとの通信が可能な交換レンズであって、第１の像ぶれ補正レンズを移動させることによって像ぶれを補正する第１の像ぶれ補正ユニットと、第２の像ぶれ補正レンズを移動させることによって像ぶれを補正する第２の像ぶれ補正ユニットと、前記交換レンズに加わるぶれを検出するぶれ検出部と、を有し、前記カメラは、前記第１の像ぶれ補正ユニットによって像ぶれが補正された複数の画像間の動きベクトルを算出して、該動きベクトルに関する情報を前記交換レンズに送信し、前記第１の像ぶれ補正ユニットは、前記ぶれ検出部が検出したぶれ信号に基づいて像ぶれを補正し、前記第２の像ぶれ補正ユニットは、前記カメラから受信した動きベクトルに関する情報に基づいて像ぶれを補正することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月1日(2017.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素回路に液晶素子及びスイッチング素子を有する液晶表示装置であって、
第１乃至第３のモードを有し、
前記第１のモードでは、１フレーム期間ごとに前記画素回路にデータ信号を入力して画像の表示を行い、
前記第２のモードでは、１フレーム期間ごとに前記画素回路に前記データ信号を入力して画像の表示を行った後、前記画素回路への前記データ信号の入力が停止されるフレーム期間が設けられ、
前記第３のモードでは、前記第２のモードが終了した後に、１フレーム期間ごとに前記データ信号の最大振幅の８０％以上１００％以下の振幅の信号が前記画素回路に入力されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のモードでは、ゲートドライバへの電源供給を停止する期間を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のモードでは、前記ソースドライバへの電源供給を停止する期間を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記スイッチング素子は、チャネルが酸化物半導体で形成されているトランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月9日(2017.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタおよび前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方および前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲート電極は前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と電気的に接続されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタおよび前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方および前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲート電極は前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート電極は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、第４の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲート電極は、第５の配線に電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、第６の配線に電気的に接続されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、スイッチの一方の電極と接続され、
前記スイッチの他方の電極が前記第３の配線と電気的に接続されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第１の配線と前記第３の配線は電気的に接続されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記第４の配線と前記第６の配線は電気的に接続されていることを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月12日(2017.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
含フッ素モノマーとしては、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニル、炭素数が1〜3のアルキル基を有するパーフルオロ(アルキルビニルエーテル)、パーフルオロアルキルオキシアルキルビニルエーテル等が例示され、これらの含フッ素モノマーは１種または２種以上が重合反応に供せられ、単独重合体または共重合体を形成させる。ここで、安定な水性分散液を得るうえで含フッ素共重合体の組成は特に限定されないが、コーティング用途として含フッ素共重合体水性分散液を用いる場合には、好ましくは塗工性および塗膜の耐薬品性といった観点から、共重合組成が50〜90モル％、好ましくは70〜90モル％のフッ化ビニリデンとその他１種以上のフッ素化モノマーとの共重合体、例えばフッ化ビニリデン65〜90モル％およびヘキサフルオロプロペン10〜35モル％の組成を有する共重合体、フッ化ビニリデン50〜90モル％、テトラフルオロエチレン2〜20モル％およびヘキサフルオロプロペン5〜35モルの組成を有する共重合体が用いられる。これらの含フッ素モノマーは、フッ素非含有モノマー、例えばプロピレン、エチレン等との共重合体を形成させることもできる。これらは、水性媒体中で共重合反応が行われ、含フッ素共重合体水性分散液を形成せしめる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
なお、本発明においては、後記フッ素系反応性乳化剤として用いられるパーフルオロビニルオキシポリエーテルカルボン酸アルカリ金属塩も少量共重合することとなるが、本明細書に記載するモル％で示される含フッ素共重合体の共重合組成は、このパーフルオロビニルオキシポリエーテルカルボン酸アルカリ金属塩を含めずに算出している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
水性媒体中での共重合反応は、けん濁重合法としても行われるが、所望の平均エマルジョン粒子径を得るためには、乳化重合法であることが好ましい。具体的には前記一般式で表わされるフッ素系反応性乳化剤および他の界面活性剤乳化剤の存在下で共重合反応が行われる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
参考例１
定法に従って調製した2,3,3,3-テトラフルオロ-2-〔1,1,2,2-テトラフルオロ-2-(1,2,2-トリフルオロビニルオキシ)エトキシ〕プロパン酸メチル
CF2=CFO(CF2)2OCF(CF3)COOCH3 
5.19g(13.3ミリモル)のエタノール溶液5mlを、氷および塩を用いて、-10℃以下に冷却した。続いて、冷却したエタノール溶液中に水酸化カリウム(純度85重量％、濃度0.90g/13.6ミリモル)のエタノール溶液5mlを、-10℃を上限としてゆっくりと滴下した。その8時間後にエバポレーターでエタノールを除去したところ、ワックス状の白色固体が4.90g得られた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
参考例２
定法に従って調製した下記式で表わされるパーフルオロビニルオキシポリエーテルカルボン酸メチル
CF2=CF〔OCF2CF(CF3)〕3O(CF2)2O〔CF(CF3)CF2O〕3CF(CF3)COOCH3
18.2g(13.3ミリモル)のエタノール溶液20mlを、氷および塩を用いて、-10℃以下に冷却した。続いて、冷却したエタノール溶液中に水酸化カリウム(純度85重量％、濃度0.90g/13.6ミリモル)のエタノール溶液5mlを、-10℃を上限としてゆっくりと滴下した。その8時間後にエバポレーターでエタノールを除去したところ、ワックス状の白色固体が17.0g得られた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
参考例３
定法に従って調製した下記式で表わされるパーフルオロビニルオキシポリエーテルカルボン酸メチル
CF2=CF〔OCF2CF(CF3)〕2O(CF2)2O〔CF(CF3)CF2O〕CF(CF3)COOCH3
11.6g(13.3ミリモル)のエタノール溶液10mlを、氷および塩を用いて、-10℃以下に冷却した。続いて、冷却したエタノール溶液中に水酸化カリウム(純度85重量％、濃度0.90g/13.6ミリモル)のエタノール溶液5mlを、-10℃を上限としてゆっくりと滴下した。その8時間後にエバポレーターでエタノールを除去したところ、ワックス状の白色固体が11.5g得られた。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月8日(2017.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゴールデンシルクを６０℃以上の酸性アルコール溶媒又はアルコールと水との酸性混合溶媒で抽出するステップ、を含むゴールデンシルク抽出物の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法により製造されるゴールデンシルク抽出物からなる、バーシカン産生促進剤。
【請求項３】
請求項２に記載のバーシカン産生促進剤を含有する、皮膚外用剤。
【請求項４】
抗老化化粧料である請求項３に記載の皮膚外用剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
＜バーシカン産生促進評価＞
正常ヒト線繊維芽細胞５０００ ｃｅｌｌｓ／ｗｅｌｌに上記各抽出液を蒸発残分として１質量％の濃度となるように添加して、３７℃、５％ＣＯ２条件下で４８時間培養した。培養後、ｍＲＮＡを回収して、ＲＴ−ＰＣＲでバーシカンのｍＲＮＡ発現量を測定した。なお、発現量は、内部標準物質を基準に算出した。また、対照として、抽出液の代わりに５０％エタノールを添加した対照（コントロール）、及び陽性対照として抗老化作用を有するＴＧＦ−βを２ｎｇ添加した場合について、同様にｍＲＮＡ発現量を測定した。結果を図１及び図２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月10日(2017.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）複数のシートを含むシート束が積載されるトレイを有する収納部と、前記トレイを上昇させる駆動手段と、前記駆動手段により上昇される前記トレイに積載された前記シート束の上面を第１所定位置で検知する第１検知手段と、前記駆動手段により前記トレイが上昇している途中で前記トレイにシートが積載されているか否かを検知する第２検知手段と、前記第１検知手段が前記シート束の上面を検知していない場合には、前記第２検知手段がシートを検知するまでは、前記トレイを第１速度で上昇させ、前記第２検知手段がシートを検知すると、前記トレイを前記第１速度よりも遅い第２速度で上昇させるよう前記駆動手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とするシート給送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のシートを含むシート束が積載されるトレイを有する収納部と、
前記トレイを上昇させる駆動手段と、
前記駆動手段により上昇される前記トレイに積載された前記シート束の上面を第１所定位置で検知する第１検知手段と、
前記駆動手段により前記トレイが上昇している途中で前記トレイにシートが積載されているか否かを検知する第２検知手段と、
前記第１検知手段が前記シート束の上面を検知していない場合には、前記第２検知手段がシートを検知するまでは、前記トレイを第１速度で上昇させ、前記第２検知手段がシートを検知すると、前記トレイを前記第１速度よりも遅い第２速度で上昇させるよう前記駆動手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とするシート給送装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１検知手段が前記シート束の上面を検知すると、前記トレイの上昇を停止させるよう前記駆動手段を制御することを特徴とする請求項１に記載のシート給送装置。
【請求項３】
前記トレイの上方に昇降可能に設けられ、前記トレイに積載された前記シート束の上面のシートを給紙する給紙ローラを有し、
前記第１所定位置は、前記給紙ローラが前記トレイに積載された前記シート束の上面のシートを給紙する高さの位置であることを特徴とする請求項１又は２に記載のシート給送装置。
【請求項４】
前記給紙ローラは、前記駆動手段により上昇する前記トレイに積載された前記シート束の上面に接触することにより上昇し、前記第１検知手段は前記給紙ローラが第２所定位置に上昇したことを検知することにより前記シート束の上面を検知することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項５】
前記第２検知手段は、前記トレイが前記第１所定位置になったことを前記第１検知手段が検知する前に、前記トレイに積載されたシートを検知するよう配置されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項６】
前記第１検知手段は、シート給送方向における前記トレイの下流端部の上部に配置され、且つ、第１センサ部と第１センサフラグとを有し、
前記第１センサ部は、光を発する発光部と、前記光を受光する受光部と、を有し、
前記第１センサフラグは、前記給紙ローラと一体となって移動し、前記給紙ローラが前記第２所定位置に移動したときに、前記第１センサ部の前記発光部からの光を遮光することを特徴とする請求項４を引用する請求項５に記載のシート給送装置。
【請求項７】
前記第２検知手段は、シート給送方向において、前記第１検知手段より上流側に配置され、且つ、第２センサ部と第２センサフラグとを有し、
前記第２センサ部は、光を発する発光部と、前記光を受光する受光部と、を有し、
前記第２センサフラグは、前記トレイに積載された前記シート束により押し上げられ、前記第２センサ部の前記発光部からの光を遮光することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記トレイにシートが積載されていない場合には、前記第１検知手段が前記トレイを検知するまで、前記トレイを前記第１速度で上昇させるよう前記駆動手段を制御することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項９】
前記収納部の開閉状態を検知する開閉検知手段を有し、
前記制御手段は、前記収納部が開状態から閉状態になったことを前記開閉検知手段が検知すると、前記トレイを前記第１速度で上昇させるよう前記駆動手段を制御することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載のシート給送装置と、
前記シート給送装置から給送されるシートに画像を形成する画像形成部と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月13日(2017.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源基板と賞球を制御するための払出制御基板とが設けられた遊技枠に、遊技の統括制御を司る主制御基板が設けられた遊技盤を取り付け可能であり、
前記主制御基板と前記払出制御基板とに記憶された電源遮断直前の情報を電源復帰後まで維持するためのバックアップ手段と、
前記記憶された電源遮断直前の情報をクリアするＲＡＭクリア手段と、を備え、
前記遊技枠に前記遊技盤が取り付けられた状態で、所定操作を行うと前記ＲＡＭクリア手段によって、前記主制御基板に記憶された電源遮断直前の情報と前記払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報の双方の情報をクリアする弾球遊技機において、
前記遊技枠に前記遊技盤が取り付けられていない状態でも前記ＲＡＭクリア手段によって前記払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報のみのクリアを可能とし、
電源遮断直前の情報がクリアされたことを示す報知態様を、前記主制御基板に記憶された電源遮断直前の情報と前記払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報の双方の情報がクリアされた場合と、前記払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報のみがクリアされた場合とで異ならせ、
前記払出制御基板に記憶される電源遮断直前の情報を複数種類備え、
前記ＲＡＭクリア手段によって、前記主制御基板に記憶された電源遮断直前の情報と前記払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報の双方の情報がクリアされる場合において、クリアされる前記払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報の内容と、
前記ＲＡＭクリア手段によって、前記払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報のみがクリアされる場合において、クリアされる前記払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報の内容と、を異ならせたこと
を特徴とする弾球遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題に鑑みてなされた請求項１に係る発明は、電源基板と賞球を制御するための払出制御基板とが設けられた遊技枠に、遊技の統括制御を司る主制御基板が設けられた遊技盤を取り付け可能であり、主制御基板と払出制御基板とに記憶された電源遮断直前の情報を電源復帰後まで維持するためのバックアップ手段と、記憶された電源遮断直前の情報をクリアするＲＡＭクリア手段と、を備え、遊技枠に前記遊技盤が取り付けられた状態で、所定操作を行うとＲＡＭクリア手段によって、主制御基板に記憶された電源遮断直前の情報と払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報の双方の情報をクリアする弾球遊技機に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この弾球遊技機は、遊技枠に遊技盤が取り付けられていない状態でもＲＡＭクリア手段によって払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報のみのクリアを可能とし、電源遮断直前の情報がクリアされたことを示す報知態様を、主制御基板に記憶された電源遮断直前の情報と払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報の双方の情報がクリアされた場合と、払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報のみがクリアされた場合とで異ならせる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、遊技枠は、当該遊技枠を製造したメーカーとは異なるメーカーによって製造された遊技盤であっても、取り付け可能な構成が好適である。
こうすることで、遊技枠を異なるメーカー間で共用することができ、ホールの経済的負担の大幅な軽減を実現できる。さらに、このような遊技枠を異なるメーカー間で共用する状態となると、盤面交換の頻度が高くなる。盤面交換の頻度が高くなると、払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報のみをクリアする必要が高まるが、このような場合でも、請求項１に係る弾球遊技機では、払出制御基板に記憶された電源遮断直前の情報のみをクリア可能であり、加えて当該状態を報知態様によって確実に示すことが出来る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】