Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月5日(2017.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記目的を達成するために、請求項１の画像形成装置は、用紙に印刷を実行するプリンタと、インフラストラクチャモードとダイレクト無線通信モードとで動作する無線ＬＡＮインタフェースと、前記ダイレクト無線通信モードにおいて前記画像形成装置が使用するＩＰアドレスをユーザが設定するための設定画面を表示する表示手段と、前記インフラストラクチャモードにおいて前記画像形成装置が使用する第１のＩＰアドレスのネットワークアドレスと、前記設定画面を介してユーザによって設定された第２のＩＰアドレスのネットワークアドレスとが重複するか否かを判定する判定手段とを備え、少なくとも前記第１のＩＰアドレスのネットワークアドレスと前記第２のＩＰアドレスのネットワークアドレスとが重複すると前記判定手段によって判定された場合に、前記表示手段は、所定のエラー画面を表示することを特徴とする。
また、上記目的を達成するために、請求項２の画像形成装置は、用紙に印刷を実行するプリンタと、有線ＬＡＮインタフェースと、ダイレクト無線通信モードで動作する無線ＬＡＮインタフェースと、前記ダイレクト無線通信モードにおいて前記画像形成装置が使用するＩＰアドレスをユーザが設定するための設定画面を表示する表示手段と、前記有線ＬＡＮインタフェースを介する通信において前記画像形成装置が使用する第１のＩＰアドレスのネットワークアドレスと、前記設定画面を介してユーザによって設定された第２のＩＰアドレスのネットワークアドレスとが重複するか否かを判定する判定手段とを備え、少なくとも前記第１のＩＰアドレスのネットワークアドレスと前記第２のＩＰアドレスのネットワークアドレスとが重複すると前記判定手段によって判定された場合に、前記表示手段は、所定のエラー画面を表示することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置であって、
用紙に印刷を実行するプリンタと、
インフラストラクチャモードとダイレクト無線通信モードとで動作する無線ＬＡＮインタフェースと、
前記ダイレクト無線通信モードにおいて前記画像形成装置が使用するＩＰアドレスをユーザが設定するための設定画面を表示する表示手段と、
前記インフラストラクチャモードにおいて前記画像形成装置が使用する第１のＩＰアドレスのネットワークアドレスと、前記設定画面を介してユーザによって設定された第２のＩＰアドレスのネットワークアドレスとが重複するか否かを判定する判定手段とを備え、
少なくとも前記第１のＩＰアドレスのネットワークアドレスと前記第２のＩＰアドレスのネットワークアドレスとが重複すると前記判定手段によって判定された場合に、前記表示手段は、所定のエラー画面を表示することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
画像形成装置であって、
用紙に印刷を実行するプリンタと、
有線ＬＡＮインタフェースと、
ダイレクト無線通信モードで動作する無線ＬＡＮインタフェースと、
前記ダイレクト無線通信モードにおいて前記画像形成装置が使用するＩＰアドレスをユーザが設定するための設定画面を表示する表示手段と、
前記有線ＬＡＮインタフェースを介する通信において前記画像形成装置が使用する第１のＩＰアドレスのネットワークアドレスと、前記設定画面を介してユーザによって設定された第２のＩＰアドレスのネットワークアドレスとが重複するか否かを判定する判定手段とを備え、
少なくとも前記第１のＩＰアドレスのネットワークアドレスと前記第２のＩＰアドレスのネットワークアドレスとが重複すると前記判定手段によって判定された場合に、前記表示手段は、所定のエラー画面を表示することを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
前記所定のエラー画面は、前記ダイレクト無線通信モードにおいて前記画像形成装置が使用するＩＰアドレスを再度設定するようにユーザに促す画面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記ダイレクト無線通信モードは、Ｗｉ−Ｆｉ Ｄｉｒｅｃｔに基づく無線通信を実行するモードであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月22日(2016.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮影して映像信号を出力する撮像手段と、
前記被写体の移動方向を予測する予測手段と、
振れ検出手段から出力された振れ信号に基づいて像振れを補正する第１の補正を実行するための補正部材を駆動して前記第１の補正を実行する機能を備えるとともに、前記予測された被写体の移動方向に応じて、前記補正部材を駆動させることで、撮影画角の前記被写体が移動する方向の空間を空ける第２の補正を実行する制御手段とを備える
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
ズーム駆動を行うズーム駆動手段を備え、
前記制御手段は、
前記第２の補正の実行中に、前記被写体の位置が所定の撮影画角内であるかを判断し、
前記被写体の位置が所定の撮影画角内でないと判断した場合に、前記ズーム駆動手段を制御することでズームアウト動作を実行する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、
前記ズーム駆動手段を制御してズームアウト動作を実行した後、前記被写体の位置が所定の撮影画角内となった場合に、前記ズーム駆動手段を制御することでズームイン動作を実行する
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の補正を実行する機能のＯＮ／ＯＦＦを切り替える切り替え手段を備え、
前記制御手段は、前記第１の補正を実行する機能がＯＦＦである場合に、前記第１の補正を実行せずに、前記第２の補正を実行する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、
前記振れ信号から低周波成分を除去するハイパスフィルタを備え、
前記第１の補正を実行する機能がＯＦＦである場合に、前記第２の補正の実行開始に伴って、前記ハイパスフィルタのカットオフ周波数を上げる
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記予測手段は、前記被写体の顔が向いている方向に基づいて前記被写体の移動方向を予測する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記予測手段は、前記映像信号のフレーム間差分から求められる動きベクトルに基づいて前記被写体の移動方向を予測する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記予測手段による前記被写体の移動方向の予測結果の信頼度に応じて、前記第２の補正に用いる補正量に乗じるゲインを算出する算出手段を備え、
前記制御手段は、前記ゲインが乗じられた補正量を用いて、前記第２の補正を実行する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記予測手段は、前記被写体の移動速度に応じて、前記第２の補正に用いる補正量の大きさを変更する
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
被写体を撮影して映像信号を出力する撮像手段を備える撮像装置の制御方法であって、
前記被写体の移動方向を予測する工程と、
前記予測された被写体の移動方向に応じて、振れ検出手段から出力された振れ信号に基づいて像振れを補正する第１の補正を実行するための補正部材を駆動させることで、撮影画角の前記移動する方向の空間を空ける第２の補正を実行する工程とを有する
ことを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一実施形態の撮像装置は、被写体を撮影して映像信号を出力する撮像手段と、前記被写体の移動方向を予測する予測手段と、振れ検出手段から出力された振れ信号に基づいて像振れを補正する第１の補正を実行するための補正部材を駆動して前記第１の補正を実行する機能を備えるとともに、前記予測された被写体の移動方向に応じて、前記補正部材を駆動させることで、撮影画角の前記被写体が移動する方向の空間を空ける第２の補正を実行する制御手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月30日(2017.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記出力手段により出力された前記制限情報を前記ライトフィールドデータに関連付けて記録する記録手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
コンピュータを、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月31日(2017.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素群及び第２の画素群を含む複数の画素と、
前記第１の画素群に接続される第１の読み出し手段と、
前記第２の画素群に接続される第２の読み出し手段と、
第１の読み出しモードにおいて、前記第１及び前記第２の読み出し手段に電力を供給し、第２の読み出しモードにおいて、前記第１の読み出し手段に電力を供給すると共に、前記第２の読み出し手段への電力の供給を停止するように制御する制御手段と、を有し、
前記複数の画素及び前記第１の読み出し手段を第１のチップに配置し、前記第２の読み出し手段を第２のチップに配置したことを特徴とする撮像素子。
【請求項２】
前記第１の読み出しモードは、前記複数の画素を全て読み出すモードであって、前記第２の読み出しモードは前記複数の画素の一部を間引いて読み出すモードであることを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記第２の画素群は、前記第２の読み出しモードにおいて間引く画素で構成されることを特徴とする請求項２に記載の撮像素子。
【請求項４】
前記第１の画素群は、前記第２の読み出しモードにおいて読み出す画素を全て含むことを特徴とする請求項２または３に記載の撮像素子。
【請求項５】
前記第１の読み出し手段は、接続する列にそれぞれ備えられた複数の第１の列読み出し手段と、前記複数の第１の列読み出し手段を制御する、少なくとも１つの第１の水平走査手段とを含み、
前記第２の読み出し手段は、接続する列にそれぞれ備えられた複数の第２の列読み出し手段と、前記複数の第２の列読み出し手段を制御する、少なくとも１つの第２の水平走査手段とを含むことを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項６】
前記複数の第１の列読み出し手段及び前記第１の水平走査手段を、それぞれ前記複数の画素の列の２つの端部に分けて配置したことを特徴とする請求項５に記載の撮像素子。
【請求項７】
前記複数の第２の列読み出し手段及び前記第２の水平走査手段を、それぞれ、前記複数の画素の列の２つの端部に分けて配置したことを特徴とする請求項５に記載の撮像素子。
【請求項８】
複数の画素と、
前記複数の画素の一部から画素信号を読み出すための第１の読み出し手段と、
前記複数の画素の別の一部から画素信号を読み出すための第２の読み出し手段とを有し、
前記複数の画素の一部を間引いて読み出す間引き読み出しの際に読み出す画素を前記第１の読み出し手段に接続し、前記間引き読み出しの際に間引く画素の少なくとも一部を前記第２の読み出し手段に接続し、
前記間引き読み出しを行う際に、前記第２の読み出し手段への電力の供給を停止することを特徴とする撮像素子。
【請求項９】
前記撮像素子は、垂直方向の間引き読み出しを行うことができ、前記間引き読み出しの際に読み出す行の画素を前記第１の読み出し手段に接続し、前記間引き読み出しの際に読み出さない行の少なくとも一部の行の画素を前記第２の読み出し手段に接続したことを特徴とする請求項８に記載の撮像素子。
【請求項１０】
前記撮像素子は、水平方向の間引き読み出しを行うことができ、前記間引き読み出しの際に読み出す列の画素を前記第１の読み出し手段に接続し、前記間引き読み出しの際に読み出さない列の少なくとも一部の列の画素を前記第２の読み出し手段に接続したことを特徴とする請求項８に記載の撮像素子。
【請求項１１】
前記第１の読み出し手段は、接続する列にそれぞれ備えられた複数の第１の列読み出し手段と、前記複数の第１の列読み出し手段を制御する、少なくとも１つの第１の水平走査手段とを含み、
前記第２の読み出し手段は、接続する列にそれぞれ備えられた複数の第２の列読み出し手段と、前記複数の第２の列読み出し手段を制御する、少なくとも１つの第２の水平走査手段とを含むことを特徴とする請求項８に記載の撮像素子。
【請求項１２】
前記複数の第１の列読み出し手段及び前記第１の水平走査手段を、それぞれ前記複数の画素の列の２つの端部に分けて配置したことを特徴とする請求項１１に記載の撮像素子。
【請求項１３】
前記複数の第２の列読み出し手段及び前記第２の水平走査手段を、それぞれ、前記複数の画素の列の２つの端部に分けて配置したことを特徴とする請求項１１または１２に記載の撮像素子。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の撮像素子を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の撮像素子を有することを特徴とする携帯電話機。
【請求項１６】
第１の画素群及び第２の画素群を含む複数の画素を有する第１のチップと、
前記第１および第２の画素群に接続される読み出し部を有する第２のチップと、
前記読み出し部に電力を供給する制御部と、を備え、
前記制御部が前記読み出し部に電力を供給し、前記第１の画素群及び前記２の画素群を読み出す第1のモードと、
前記制御部が前記読み出し部に電力を供給し、前記第１の画素群のみを読み出す第２のモードと、
を有することを特徴とする積層型撮像素子。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月10日(2017.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
衛星システムのための統合された資源計画のための方法であって、前記方法は、
少なくとも１つのコンピュータによって、少なくとも１つの領域に対するユーザ通信デマンドを取得すること、
前記少なくとも１つのコンピュータによって、前記ユーザ通信デマンドに従って前記少なくとも１つの領域の各々に対する少なくとも１つのビームを備えるビームマップを発生させること、
前記少なくとも１つのコンピュータによって、前記ビームマップを使用して、かつ、ゲートウェイ周波数スペクトル、割り当てグループ周波数スペクトル、ビーム周波数スペクトル、担当帯域周波数スペクトル、及びキャリヤのための電力のうちの少なくとも１つを使用して、前記衛星システムのための少なくとも１つの構成プロファイルを発生させること、
前記少なくとも１つのコンピュータによって、前記ユーザ通信デマンドのうちの少なくとも１つと前記少なくとも１つの構成プロファイルのうちの１つ、前記ユーザ通信デマンドと実際の通信デマンド、前記少なくとも１つの構成プロファイルのうちの１つと前記実際の通信デマンド、及び前記少なくとも１つの構成プロファイルのうちの１つと前記少なくとも１つの構成プロファイルのうちの別の１つの比較を行うことによって、性能解析を実行すること、並びに
前記少なくとも１つの構成プロファイルのうちの少なくとも１つに従って資源を割り当てるように前記衛星システムを構成すること
を含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの領域のうちの少なくとも１つは多角形によって画定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのコンピュータによって前記少なくとも１つの構成プロファイルを発生させることは、
前記衛星システムの各々のゲートウェイに対して前記ゲートウェイ周波数スペクトルを割り当てること、
各々の割り当てグループに対して前記割り当てグループ周波数スペクトルを割り当てること、
前記ビームマップの中の各々のビームに対して前記ビーム周波数スペクトルを割り当てること、
各々のゲートウェイに対して前記担当帯域周波数スペクトルを割り当てること、
各々のビームに対して前記ビーム周波数スペクトルの前記キャリヤのための前記電力を割り当てて、各々のビームに対する望ましいデータ転送速度又はリンクマージンのうちの少なくとも１つを取得すること、
前記割り当てられた電力が前記衛星の上の任意の構成要素を過度に働かせないことを検証すること、
前記割り当てられた電力が各々のゲートウェイの上の任意の構成要素を過度に働かせないことを検証すること、又は
前記割り当てグループ周波数スペクトルが前記担当帯域周波数スペクトルに対してもたらす干渉の量を推定すること、のうちの少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記割り当てグループのうちの各々は、少なくとも１つのターミナルタイプを備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記担当帯域周波数スペクトルは、リターン校正（ＲＣＡＬ）周波数スペクトル、前方校正（ＦＣＡＬ）周波数スペクトル、絶対校正（ＡＣＡＬ）周波数スペクトル、及びポインティング参照ビーコン（ＰＲＢ）周波数スペクトルのうちの少なくとも１つである、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記方法はさらに、前記少なくとも１つのコンピュータによって、前記少なくとも１つの構成プロファイルを使用して各々のビーム周波数スペクトルに対する電力束スペクトル密度（ＰＦＳＤ）を決定することを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
衛星システムのための統合された資源計画のためのシステムであって、前記システムは、
少なくとも１つの領域に対するユーザ通信デマンドを取得し、
前記ユーザ通信デマンドに従って前記少なくとも１つの領域の各々に対する少なくとも１つのビームを備えるビームマップを発生させ、
前記ビームマップを使用して、かつ、ゲートウェイ周波数スペクトル、割り当てグループ周波数スペクトル、ビーム周波数スペクトル、担当帯域周波数スペクトル、及びキャリヤのための電力のうちの少なくとも１つを使用して、前記衛星システムのための少なくとも１つの構成プロファイルを発生させ、並びに
前記ユーザ通信デマンドのうちの少なくとも１つと少なくとも１つの構成プロファイルのうちの１つ、前記ユーザ通信デマンドと実際の通信デマンド、前記少なくとも１つの構成プロファイルのうちの１つと前記実際の通信デマンド、及び前記少なくとも１つの構成プロファイルのうちの１つと前記少なくとも１つの構成プロファイルのうちの別の１つの比較を行うことによって、性能解析を実行する、
少なくとも１つのコンピュータと、
前記少なくとも１つの構成プロファイルのうちの少なくとも１つに従って資源を割り当てるように構成される前記衛星システムを備える、システム。
【請求項８】
前記少なくとも１つの領域のうちの少なくとも１つは多角形によって画定される、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記少なくとも１つのコンピュータによって前記少なくとも１つの構成プロファイルを発生させることは、
前記衛星システムの各々のゲートウェイに対して前記ゲートウェイ周波数スペクトルを割り当てること、
各々の割り当てグループに対して前記割り当てグループ周波数スペクトルを割り当てること、
前記ビームマップの中の各々のビームに対して前記ビーム周波数スペクトルを割り当てること、
各々のゲートウェイに対して前記担当帯域周波数スペクトルを割り当てること、
各々のビームに対して前記ビーム周波数スペクトルの前記キャリヤのための前記電力を割り当てて、各々のビームに対する望ましいデータ転送速度又はリンクマージンのうちの少なくとも１つを取得すること、
前記割り当てられた電力が前記衛星の上の任意の構成要素を過度に働かせないことを検証すること、又は
前記割り当てられた電力が各々のゲートウェイの上の任意の構成要素を過度に働かせないことを検証すること、のうちの少なくとも１つを含む、請求項７又は８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記割り当てグループのうちの各々は、少なくとも１つのターミナルタイプを備える、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのコンピュータはさらに、前記少なくとも１つの構成プロファイルを使用して、各々のビーム周波数スペクトルに対する電力束スペクトル密度（ＰＦＳＤ）を決定するように構成される、請求項７から１０のいずれか一項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月8日(2017.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部に曲面を有する表示パネルと、
前記表示パネルの裏側に配置された二次電池とを有し、
前記二次電池は、前記表示部と重なる領域を有し、
前記二次電池の前記表示部と対向する第１の面は、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の曲面半径を有し、
前記二次電池の前記第１の面と対向する第２の面は、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であって、且つ前記第１の面の曲率半径よりも小さい曲率半径を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
筐体の内部に、表示パネル及び二次電池を有し、
前記表示パネルは、表示部に曲面を有し、
前記二次電池は、前記表示パネルの裏側に配置され、且つ前記表示部と重なる領域を有し、
前記二次電池の前記表示部と対向する第１の面は、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の曲面半径を有し、
前記二次電池の前記第１の面と対向する第２の面は、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であって、且つ前記第１の面の曲率半径よりも小さい曲率半径を有し、
前記筐体は、曲率半径が３０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の部分を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】
表示部を有する表示パネルと、
前記表示パネルの裏側に配置された二次電池とを有し、
前記表示部は、曲率半径が１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の曲面を有し、
前記二次電池は、前記表示部と重なる領域を有し、
前記二次電池の前記表示部と対向する第１の面は、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の曲面半径を有し、
前記二次電池の前記第１の面と対向する第２の面は、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であって、且つ前記第１の面の曲率半径よりも小さい曲率半径を有することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
筐体の内部に、表示パネル及び二次電池を有し、
前記表示パネルは、曲率半径が１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の曲面を有する表示部を有し、
前記二次電池は、前記表示パネルの裏側に配置され、且つ前記表示部と重なる領域を有し、
前記二次電池の前記表示部と対向する第１の面は、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の曲面半径を有し、
前記二次電池の前記第１の面と対向する第２の面は、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であって、且つ前記第１の面の曲率半径よりも小さい曲率半径を有し、
前記筐体は、曲率半径が３０ｍｍ以上７０ｍｍ以下の部分を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月28日(2017.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加齢に伴い発現量が変動するＬｎｃＲＮＡを選定するステップ、及び
被験物質を添加した細胞での前記ＬｎｃＲＮＡの発現量が、被験物質を添加しなかった細胞における前記ＬｎｃＲＮＡの発現量と比較して変化した被験物質を選択するステップ、
を含む、皮膚老化抑制素材のスクリーニング方法。
【請求項２】
前記変動が増加であり、かつ前記変化がＬｎｃＲＮＡの発現抑制である、請求項１に記載の皮膚老化抑制素材のスクリーニング方法。
【請求項３】
前記ＬｎｃＲＮＡが、NESPAS、HOTAIR、及びFLJ46906からなる群から選択される１種以上を含む、請求項２に記載の皮膚老化抑制素材のスクリーニング方法。
【請求項４】
前記変動が減少であり、かつ前記変化がＬｎｃＲＮＡの発現亢進である、請求項１に記載の皮膚老化抑制素材のスクリーニング方法。
【請求項５】
前記加齢に伴い発現量が変動するＬｎｃＲＮＡが、SNHG5、LOC100292680、及びIPWからなる群から選択される１種以上を含む、請求項４に記載の皮膚老化抑制素材のスクリーニング方法。
【請求項６】
前記皮膚老化抑制が、しわ防止、たるみ防止、シミ形成防止、及びくすみ防止からなる群から選択される１種以上を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の皮膚老化抑制素材のスクリーニング方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のスクリーニング方法により得られた皮膚老化抑制素材を含む皮膚老化抑制用組成物を調製するステップ、及び
調製された皮膚老化抑制用組成物を摂取するステップ、を含む皮膚老化抑制方法（但し、医療行為を除く）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
なお、本発明のスクリーニング方法において、コントロールと比較して変化ありとの評価（表３中「○」）は、加齢により発現が抑制されるＬｎｃＲＮＡを用いた場合はコントロールに比べて発現量が１．２倍以上である場合をいう。又、加齢により発現が亢進されるＬｎｃＲＮＡを用いた場合はコントロールに比べて発現量が０．８倍以下である場合をいう。即ち、加齢により発現が抑制されるＬｎｃＲＮＡの発現量がコントロールの１．２倍未満である場合、又は加齢により発現が亢進されるＬｎｃＲＮＡの発現量がコントロールの０．８倍を超える場合には、コントロールと比較して変化なしとの評価（表３中「×」）がなされる。
実施例１〜３は加齢により発現が抑制されるＬｎｃＲＮＡを用いており（表１参照）、実施例４及び５は、加齢により発現が亢進されるＬｎｃＲＮＡを用いている（表１参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【表３】
2015130857.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月24日(2017.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主表面と、前記第１の主表面に対向する第２の主表面と、前記第１の主表面及び前記第２の主表面に接続された光入射面と、を含む主体と、
前記第１の主表面と前記第２の主表面の少なくとも一面に設けられ、前記光入射面に近い側より前記光入射面から離れた他方に沿って伸びる複数のストリップ構造と、
を備え、
前記複数のストリップ構造のそれぞれが、前記光入射面に近い端部より前記光入射面から離れた他端へ向かって傾斜することを特徴とする導光板。
【請求項２】
前記第１の主表面は光射出面であり、前記第２の主表面は反射面である請求項１に記載の導光板。
【請求項３】
前記第１の主表面と前記第２の主表面の何れも光射出面である請求項１に記載の導光板。
【請求項４】
前記ストリップ構造は、それぞれ前記第１の主表面と前記第２の主表面に設けられる請求項１に記載の導光板。
【請求項５】
前記ストリップ構造は、前記光入射面に近い側で非連続に設けられる請求項１〜４のいずれか１項に記載の導光板。
【請求項６】
前記ストリップ構造は、前記光入射面から離れた側で連続又は非連続に設けられる請求項１〜５のいずれか１項に記載の導光板。
【請求項７】
前記複数のストリップ構造のそれぞれは、高さが前記光入射面に近い前記端部より前記光入射面から離れた前記他端へ次第に増加する凸状部である請求項１〜６のいずれか１項に記載の導光板。
【請求項８】
前記複数のストリップ構造のそれぞれは、深さが前記光入射面に近い前記端部より前記光入射面から離れた前記他端へ次第に増加する凹陥部である請求項１〜６のいずれか１項に記載の導光板。
【請求項９】
前記複数のストリップ構造の何れも、平面と、それぞれ前記平面の２つの側辺に接続された２つの側面とを備え、前記２つの側面は、直接前記平面の２つの側辺に接続された弧面である請求項１〜８のいずれか１項に記載の導光板。
【請求項１０】
前記複数のストリップ構造の何れも、平面と、それぞれ前記平面の２つの側辺に接続された２つの側面とを備え、前記２つの側面は、それぞれ２つの弧面によって前記平面の２つの側辺に接続され、前記複数の平面の別々の前記弧面に接続された前記２つの側辺の間の距離が、
2015130322.tif 000001
で定義されたプラットフォーム幅である（Ｗは前記プラットフォーム幅であり、Ｒは前記弧面の曲率半径であり、ψは夾角である）請求項１〜８のいずれか１項に記載の導光板。
【請求項１１】
前記複数のストリップ構造のそれぞれの幅が、前記光入射面に近い端部より前記光入射面から離れた他端へ向かって次第に増加する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導光板。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月28日(2017.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性の高い領域と可撓性の低い領域とを交互に有し、
前記可撓性の高い領域は、可撓性を有する発光パネルを有し、
前記可撓性の低い領域は、前記発光パネルに比べて可撓性の低い支持パネルと、前記発光パネルと、を重ねて有し、
前記可撓性の高い領域は、前記支持パネルを有しておらず、
前記可撓性の高い領域を少なくとも二つ有し、一方を内曲げし、他方を外曲げすることで折り畳み可能となる発光装置。
【請求項２】
可撓性の高い領域と可撓性の低い領域とを交互に有し、
前記可撓性の高い領域は、保護層と、可撓性を有する発光パネルと、を重ねて有し、
前記可撓性の低い領域は、前記発光パネルに比べて可撓性の低い支持パネルと、前記保護層と、前記発光パネルと、を重ねて有し、
前記保護層は、前記支持パネルに比べて可撓性が高く、
前記可撓性の高い領域は、前記支持パネルを有しておらず、
前記可撓性の高い領域を少なくとも二つ有し、一方を内曲げし、他方を外曲げすることで折り畳み可能となる発光装置。
【請求項３】
可撓性の高い領域と可撓性の低い領域とを交互に有し、
前記可撓性の高い領域は、可撓性を有する発光パネルを有し、
前記可撓性の低い領域は、第１の支持パネルと、前記発光パネルと、第２の支持パネルと、を重ねて有し、
前記第１の支持パネルは、前記発光パネルに比べて可撓性が低く、
前記第２の支持パネルは、前記発光パネルに比べて可撓性が低く、
前記可撓性の高い領域は、前記第１の支持パネル及び前記第２の支持パネルを有しておらず、
前記可撓性の高い領域を少なくとも二つ有し、一方を内曲げし、他方を外曲げすることで折り畳み可能となる発光装置。
【請求項４】
可撓性の高い領域と可撓性の低い領域とを交互に有し、
前記可撓性の高い領域は、第１の保護層と、前記発光パネルと、第２の保護層と、を重ねて有し、
前記可撓性の低い領域は、第１の支持パネルと、前記第１の保護層と、前記発光パネルと、前記第２の保護層と、第２の支持パネルと、を重ねて有し、
前記第１の保護層は、前記第１の支持パネル及び前記第２の支持パネルに比べて可撓性が高く、
前記第２の保護層は、前記第１の支持パネル及び前記第２の支持パネルに比べて可撓性が高く、
前記第１の支持パネルは、前記発光パネルに比べて可撓性が低く、
前記第２の支持パネルは、前記発光パネルに比べて可撓性が低く、
前記可撓性の高い領域は、前記第１の支持パネル及び前記第２の支持パネルを有しておらず、
前記可撓性の高い領域を少なくとも二つ有し、一方を内曲げし、他方を外曲げすることで折り畳み可能となる発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月15日(2017.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、電子機器、および照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光素子及び第２の発光素子を有し、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子はそれぞれ、第１の電極と、前記第１の電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の電荷発生層と、前記電荷発生層上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、反射電極からなり、
前記第２の電極は、半透過電極または半反射電極からなり、
前記第１の電極と前記第２の電極との光学距離は、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とで異なり、
前記第２のＥＬ層の発光領域と前記第２の電極との光学距離は、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とで同じであり、
前記第２のＥＬ層の発光領域と前記第２の電極との光学距離が、前記第２のＥＬ層の発光領域で発光する光の波長に対してλ／４未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の発光素子及び第２の発光素子を有し、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子はそれぞれ、第１の電極と、前記第１の電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の電荷発生層と、前記電荷発生層上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、反射電極からなり、
前記第２の電極は、半透過電極または半反射電極からなり、
前記第１の電極と前記第２の電極との光学距離は、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とで異なり、
前記第１の発光素子の前記第１の電極と前記第２の電極との光学距離が、前記第１の発光素子から取り出す光の波長に対して、ｍλ／２（ただし、ｍは自然数）であり、
前記第２のＥＬ層の発光領域と前記第２の電極との光学距離は、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とで同じであり
前記第２のＥＬ層の発光領域と前記第２の電極との光学距離が、前記第２のＥＬ層の発光領域で発光する光の波長に対してλ／４未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１乃至請求項２のいずれか一において、
前記第１のＥＬ層は、青色発光を呈する発光層を有し、
前記第２のＥＬ層は、赤色発光を呈する発光層と、緑色発光を呈する発光層とが積層された構造を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項２のいずれか一において、
前記第１のＥＬ層は、青色蛍光発光を呈する発光層を有し、
前記第２のＥＬ層は、赤色燐光発光を呈する発光層と、緑色燐光発光を呈する発光層とが積層された構造を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の発光素子からは赤色発光、緑色発光または青色発光のいずれかひとつが得られ、
前記第２の発光素子からは白色発光が得られることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の発光装置を用いた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月22日(2017.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、インジウムとガリウムとを有する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、インジウムとガリウムとを有する酸化物膜を形成し、
前記酸化物膜を形成した後、３００℃以上４００℃以下で第１の加熱処理を行い、
前記第１の加熱処理後、前記酸化物膜上に、銅、アルミニウム、金、銀、またはモリブデンを有する一対の電極を形成し、
前記一対の電極上に、第１の酸化物絶縁膜を形成し、
前記第１の酸化物絶縁膜上に第２の酸化物絶縁膜を形成し、
第２の酸化物絶縁膜を形成後、１５０℃以上３００℃以下で第２の加熱処理を行い、
前記酸化物膜のインジウムに対するガリウムの比は、前記酸化物半導体膜のインジウムに対するガリウムの比よりも大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の酸化物絶縁膜は酸化シリコン膜であり、
前記第２の酸化物絶縁膜は酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーと、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーとの差は０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物膜は、インジウムとガリウムと亜鉛とを有し、
前記酸化物膜は、複数の結晶部を有し、
前記複数の結晶部はｃ軸配向し、ａ軸及びｂ軸の向きは揃っていないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３８８】
はじめに、試料Ａ６に含まれるトランジスタの作製工程について説明する。本実施例では図２を参照して説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４１７】
以上の工程により、トランジスタを有する試料Ａ６を作製した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４２０】
次に、試料Ａ７及び試料Ａ６に含まれるトランジスタの初期特性としてＶｇ−Ｉｄ特性を測定した。ここでは、基板温度を２５℃とし、ソース−ドレイン間の電位差（以下、ドレイン電圧という。）を１Ｖ、１０Ｖとし、ソース−ゲート電極間の電位差（以下、ゲート電圧という。）を−１５Ｖ以上＋２０Ｖ以下まで変化させたときのソース−ドレイン間に流れる電流（以下、ドレイン電流という。）の変化特性、すなわちＶｇ−Ｉｄ特性を測定した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４２１】
図２２に、それぞれの試料に含まれるトランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性を示す。図２２に示す各グラフにおいて、横軸はゲート電圧Ｖｇ、縦軸はドレイン電流Ｉｄを表す。また、実線はそれぞれ、ドレイン電圧Ｖｄが１Ｖ、１０ＶのときのＶｇ−Ｉｄ特性であり、破線はドレイン電圧Ｖｄを１０Ｖとしたときのゲート電圧に対する電界効果移動度を表す。なお、当該電界効果移動度は各試料の飽和領域での結果である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４２３】
図２２（Ｂ）に示す試料Ａ７と比較して、図２２（Ａ）に示す試料Ａ６において、良好なスイッチング特性が得られていることが分かる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４２４】
試料Ａ７に含まれるトランジスタは、第２のＩＧＺＯ膜のみがゲート絶縁膜１７と酸化物絶縁膜２３との間に設けられている。このため、チャネル領域は第２のＩＧＺＯ膜に形成される。第２のＩＧＺＯ膜及び酸化物絶縁膜２３の界面において一対の電極に含まれる金属元素、ここでは銅が付着すると、該領域において電子トラップ準位が形成される。即ち、チャネル領域近傍に電子トラップ準位が形成される。このため、チャネル領域を流れるキャリア、例えば電子が、電子トラップ準位に捕獲されてしまい、図２２（Ｂ）に示すように、トランジスタのオン電流が低下してしまう。また、ゲート絶縁膜１７及び第２のＩＧＺＯ膜の界面に銅が移動することにより、ゲート絶縁膜１７及び第２のＩＧＺＯ膜の界面に電子とラップ準位が形成される。この結果、トランジスタのＳ値が悪化している。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４２５】
一方、試料Ａ６に含まれるトランジスタは、チャネル領域となる第２のＩＧＺＯ膜上に第３のＩＧＺＯ膜が設けられているため、さらには第２のＩＧＺＯ膜が第１のＩＧＺＯ膜及び第３のＩＧＺＯ膜で挟持されている。また、第３のＩＧＺＯ膜及び酸化物絶縁膜２３の界面において、電子トラップ準位が形成される。このため、チャネル領域と電子トラップ準位が形成される領域との間が広がり、チャネル領域を流れるキャリア、例えば電子が電子トラップ準位に捕獲されにくくなる。この結果、試料Ａ６で作製されたトランジスタは、図２２（Ａ）に示すように、優れた電気特性を有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2015130466.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月28日(2016.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この検証実験の結果の一例が図７に示される。実験で用いられたエッチング液には、クエン酸と、３０％過酸化水素水と、純水が含まれる。３０％過酸化水素水は、過酸化水素水１００ｍｌ中に過酸化水素が３０ｇ溶けていることを意味する。エッチング液中のクエン酸の濃度は、５０ｇ／Ｌであった。さらに、このエッチング液に、ｐＨ調整剤として水酸化ナトリウム水溶液を添加した。図７における項目「Ｃｕエッチング」は、銅シード層４のエッチング状態を示す。記号「○」は、銅シード層４の残渣が無い状態を示し、記号「×」は、銅シード層４の残渣が存在する状態を示す。図７における項目「選択性」は、コバルトから成るコバルト層６のエッチング状態を示す。記号「○」は、コバルト層６がエッチングされない状態を示し、記号「△」は、コバルト層６がわずかにエッチングされた状態（実用には問題なし）を示し、記号「×」は、コバルト層６が大きくエッチングされた状態を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月17日(2017.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、駆動回路と、を有し、
前記画素部は第１のトランジスタを有し、
前記駆動回路は第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは第１の酸化物半導体膜を有し、
前記第２のトランジスタは第２の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜、及び前記第３の酸化物半導体膜はＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含み、
前記第１の酸化物半導体膜は、Ｇａに対するＩｎの原子数比が１以下であり、
前記第２の酸化物半導体膜は、Ｇａに対するＩｎの原子数比が１より大きく、
前記第３の酸化物半導体膜は、Ｇａに対するＩｎの原子数比が１以下であり、
前記第１のトランジスタのチャネル長は、前記第２のトランジスタのチャネル長よりも長く、
前記第３の酸化物半導体膜は前記第２の酸化物半導体膜の側面に接する表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のトランジスタは、ゲート電極層と、前記第２の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜を介して前記ゲート電極層と重なる領域を有する導電膜と、を有し、
前記ゲート電極層は、前記導電膜と電気的に接続されている表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物半導体膜上に酸化物絶縁膜を有し、
前記酸化物絶縁膜上に窒化物絶縁膜を有し、
前記窒化物絶縁膜上に有機絶縁膜を有し、
前記有機絶縁膜は、前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
前記有機絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜と重なっていない表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月30日(2017.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面を備える配線基板と、該配線基板の前記実装面上に実装された複数の電子部品とを備える電子基板、
該電子基板に積層されるシート材であって、前記シート材は、導電性を備えるシート状の基材と、該基材の前記電子基板側に設けられ、少なくとも１つの前記電子部品を包含するサイズを備える少なくとも１つの絶縁層とを備えるシート材、及び
該シート材の前記基材を前記電子基板に接地するとともに、前記シート材と前記電子基板とを固定するグランド部を有し、
前記基材は、硬化性樹脂の硬化物と、該硬化物に分散された導電性粒子とを含み、
前記基材が前記グランド部に直接接合していることを特徴とする電子素子。
【請求項２】
前記グランド部は、前記配線基板の前記実装面側に設けられたグランド配線を含み、
前記絶縁層は、平面視で前記基材よりも小さいサイズを備え、
前記基材は、前記絶縁層から露出する露出領域が、前記グランド配線に接合している請求項１に記載の電子素子。
【請求項３】
前記配線基板の前記実装面は、前記グランド配線により区画され、所定の前記電子部品を実装する複数の実装領域を備え、
前記少なくとも１つの絶縁層は、前記各実装領域に対応して設けられる絶縁層を含む請求項２に記載の電子素子。
【請求項４】
前記基材は、前記硬化性樹脂の硬化物と前記導電性粒子とを含む本体部と、該本体部と接触して設けられた金属膜とを備える請求項１ないし３のいずれかに記載の電子素子。
【請求項５】
前記基材は、前記絶縁層に接触して設けられ、第１の導電性粒子を含有する第１の部分と、該第１の部分の前記絶縁層と反対側に設けられ、前記第１の導電性粒子の前記第１の部分中の含有量より多い量で第２の導電性粒子を含有する第２の部分とを有する請求項１ないし４のいずれかに記載の電子素子。
【請求項６】
前記絶縁層は、樹脂と、該樹脂に分散され、前記樹脂の熱伝導率よりも熱伝導率の高い熱伝導性粒子とを含む請求項１ないし５のいずれかに記載の電子素子。
【請求項７】
さらに、前記基材の前記電子基板と反対側に設けられ、前記基材を保護する機能を備える保護層を有する請求項１ないし６のいずれかに記載の電子素子。
【請求項８】
前記シート材は、さらに、前記基材の縁部の電子基板側に、前記絶縁層と分離して設けられた少なくとも１つの絶縁部を有する請求項１ないし７のいずれかに記載の電子素子。
【請求項９】
前記シート材の前記絶縁部が設けられた部分は、前記電子基板から前記シート材を分離する際に把持する把持部を構成する請求項８に記載の電子素子。
【請求項１０】
前記絶縁層の平均厚さは、前記基材の平均厚さを１００としたときに、５０〜２００の割合である、請求項１〜９のいずれかに記載の電子素子。
【請求項１１】
実装面を備える配線基板、及び該配線基板の前記実装面上に実装された複数の電子部品を備える電子基板に積層されるシート材であって、前記シート材は、グランド部を介して前記電子基板に固定するようにして使用され、
当該シート材を前記電子基板に積層した状態で、前記グランド部に接触する導電性を備えるシート状の基材、及び
当該シート材を前記電子基板に積層した状態で、前記基材の前記電子基板側に位置し、少なくとも１つの前記電子部品を包含するサイズを備える少なくとも１つの絶縁層を有し、
前記基材は、硬化性樹脂の硬化物と、該硬化物に分散された導電性粒子とを含み、
前記基材が前記グランド部に直接接合されることを特徴とするシート材。
【請求項１２】
前記基材は、前記絶縁層に接触して設けられ、粘着性を備える第１の部分と、該第１の部分の前記絶縁層と反対側に設けられた第２の部分とを有する請求項１１に記載のシート材。
【請求項１３】
前記第１の部分は、第１の樹脂と、該第１の樹脂に分散された第１の導電性粒子とを含有し、前記第２の部分は、第２の樹脂と、該第２の樹脂に前記第１の導電性粒子の前記第１の部分中の含有量より多い量で分散された第２の導電性粒子とを含有する請求項１２に記載のシート材。
【請求項１４】
前記第１の導電性粒子の前記第１の部分中の含有量は、前記第１の樹脂１００重量部に対して１〜１００重量部である請求項１３に記載のシート材。
【請求項１５】
前記第２の導電性粒子の前記第２の部分中の含有量は、前記第２の樹脂１００重量部に対して１００〜１５００重量部である請求項１３または１４に記載のシート材。
【請求項１６】
前記第１の導電性粒子の形状と、前記第２の導電性粒子の形状とが異なる請求項１３ないし１５のいずれかに記載のシート材。
【請求項１７】
前記第１の導電性粒子の形状は、樹枝状または球状である請求項１３ないし１６のいずれかに記載のシート材。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月3日(2017.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上のゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間であって、前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜において、前記ゲート絶縁膜と接する面と反対側の面において接する保護膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
を有し、
前記ゲート絶縁膜または前記保護膜は、加熱処理により放出する窒素酸化物の放出量より、加熱処理により放出する質量電荷比ｍ／ｚ＝１７の気体の放出量が多い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上のゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間であって、前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜において、前記ゲート絶縁膜と接する面と反対側の面において接する保護膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
を有し、
前記ゲート絶縁膜または前記保護膜は、加熱処理により放出する質量電荷比ｍ／ｚ＝３０の気体の放出量より、加熱処理により放出する質量電荷比ｍ／ｚ＝１７の気体の放出量が多い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上のゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間であって、前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜において、前記ゲート絶縁膜と接する面と反対側の面において接する保護膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
を有し、
前記ゲート絶縁膜または前記保護膜は、加熱処理により放出する質量電荷比ｍ／ｚ＝４６の気体の放出量より、加熱処理により放出する質量電荷比ｍ／ｚ＝１７の気体の放出量が多い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記加熱処理により放出する前記質量電荷比ｍ／ｚ＝３０の気体、または前記加熱処理により放出する質量電荷比ｍ／ｚ＝４６の気体の放出量が検出下限以下である領域を有し、
前記加熱処理により放出する質量電荷比ｍ／ｚ＝１７の気体の放出量が１×１０１８個／ｃｍ３以上５×１０１９個／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記質量電荷比ｍ／ｚ＝３０の気体は一酸化窒素を有し、前記質量電荷比ｍ／ｚ＝４６の気体は二酸化窒素を有し、
前記質量電荷比ｍ／ｚ＝１７の気体はアンモニアを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上のゲート電極と、
ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
ゲート電極及び酸化物半導体膜の間であって、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜と接する面と反対側の面において接する保護膜と、
酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
を有するトランジスタを有し、
前記トランジスタに負荷を与える時間に対するトランジスタのしきい値電圧の変動量を示す両対数グラフにおいて、横軸と縦軸の対数目盛の間隔が等しく、
前記しきい値電圧の変動量の絶対値の累乗近似線と、しきい値電圧の変動量の絶対値が０Ｖである直線とが、なす角度が−３°以上２０°未満であり、
前記トランジスタに負荷を与える時間が０．１時間のときのしきい値電圧の変動量の絶対値が、０．３Ｖ未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面上のゲート電極と、
ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
ゲート電極及び酸化物半導体膜の間であって、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜と接する面と反対側の面において接する保護膜と、
酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
を有するトランジスタを有し、
前記トランジスタに負荷を与える時間に対するトランジスタのしきい値電圧の変動値の累乗近似線の指数が、−０．１以上０．３以下であり、
前記トランジスタに負荷を与える時間が０．１時間のときのしきい値電圧の変動量の絶対値が０．３Ｖ未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記窒素酸化物は、一酸化窒素または二酸化窒素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記絶縁表面及び前記ゲート電極の間に、前記保護膜、前記酸化物半導体膜、及び前記ゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記絶縁表面及び前記酸化物半導体膜の間に、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記一対の電極は、前記酸化物半導体膜及び前記保護膜の間に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記一対の電極は、前記酸化物半導体膜及び前記ゲート絶縁膜の間に設けられることを特徴とする半導体装置。