【手続補正書】
【提出日】平成29年7月5日(2017.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１のＸ−Ｘ線での断面構成は画素の形成領域（画素部）に対応し、ＴＦＴの形成領域である「ＴＦＴ部」と、画素電極１２の形成領域である「画像表示部」と、「共通電極部」の断面構成を含んでいる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
図１１のＸ−Ｘ線での断面構成は画素の形成領域（画素部）に対応し、ＴＦＴの形成領域である「ＴＦＴ部」と、画素電極１２の形成領域である「画像表示部」と、「共通電極部」の断面構成を含んでいる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
画素電極１２は、その外縁が共通電極４の外周よりも少し小さくなる大きさに形成され、ＴＦＴ素子Ａ側となる外縁の一部がＴＦＴ素子Ａを覆うように延在しており、当該延在部分の上にソース電極７およびドレイン電極１０が設けられている。なお、本実施の形態２では、画素電極１２は酸化物透明膜で構成された平板状の導電性電極であり、画素ごとに独立して形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
図２２のＸ−Ｘ線での断面構成は画素の形成領域（画素部）に対応し、ＴＦＴの形成領域である「ＴＦＴ部」と、画素電極１２および対向スリット電極１７の形成領域である「ＦＦＳ画像表示部」と、「共通電極部」の断面構成を含んでいる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
さらに、共通電極部においては共通電極４および共通配線４Ｌが形成されており、共通電極４および共通配線４Ｌは、ゲート電極２およびゲート端子３と同じ層（レイヤ）の膜として形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６２】
その後、第２絶縁膜上に塗布形成したフォトレジストを４回目の写真製版工程によりパターニングしてレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして、保護絶縁膜１３およびゲート絶縁膜５を貫通してゲート端子３に達するゲート端子部コンタクトホール１４および共通電極４に達する共通電極部コンタクトホール１６、保護絶縁膜１３を貫通してソース端子９に達するソース端子部コンタクトホール１５を形成することで、図２７に示す断面構成を得る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７３】
図２８のＸ−Ｘ線での断面構成は画素の形成領域（画素部）に対応し、ＴＦＴの形成領域である「ＴＦＴ部」と、画素電極１２および対向スリット電極１７の形成領域である「ＦＦＳ画像表示部」と、「共通電極部」の断面構成を含んでいる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９８】
その後、第２絶縁膜上に塗布形成したフォトレジストを３回目の写真製版工程によりパターニングしてレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして、保護絶縁膜１３およびゲート絶縁膜５を貫通してゲート端子３に達するゲート端子部コンタクトホール１４および共通電極４に達する共通電極部コンタクトホール１６、保護絶縁膜１３を貫通してソース端子９に達するソース端子部コンタクトホール１５を形成することで、図３２に示す断面構成を得る。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０５】
なお、液晶表示パネルの組み立ての際は、完成したＴＦＴ基板４００の表面に配向膜やスペーサを形成する。また、別途作製した、カラーフィルタ、対向電極および配向膜を備えた対向基板を、ＴＦＴ基板と貼り合わせる。このときスペーサによってＴＦＴ基板と対向基板との間に隙間を形成し、その隙間に液晶を注入して封止することによって、液晶表示パネルが形成される。最後に、液晶表示パネルの外側に偏光板、位相差板およびバックライトユニット等を配設することによってＦＦＳ方式のＴＦＴ−ＬＣＤが完成する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２９】
本実施の形態では、ＰＡＮ系の薬液を用いて、第２導電膜（Ａｌ−３ｍｏｌ％Ｎｉ膜）をエッチングし、その後、アミン系のレジスト剥離液を用いてレジストパターンを剥離除去した。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５２】
以上説明したように、図１および図３３に示した実施の形態５のＴＦＴ基板５００（ＴＮ方式のアクティブマトリックス基板）は、４回の写真製版工程で生産性良く形成することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６０】
ゲート絶縁膜５の上には、画素電極１２を構成する酸化物透明膜６が形成されると共にソース配線７Ｌおよびソース端子９の下部に対応する位置にも酸化物透明膜６が形成され、当該酸化物透明膜６上にはｎ型Ｓｉ膜８が形成されている。このため、ソース配線７Ｌおよびソース端子９は実質的に積層構造となっている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３１９】
対向スリット電極１７には格子状もしくはスリット状の複数の開口部ＯＰが形成されている。また対向スリット電極１７は、共通電極部コンタクトホール１６を介して下層の共通電極４と電気的に接続されている。これにより、対向スリット電極１７に一定の電位信号が供給され、画素電極１２と対向スリット電極１７との組み合わせによって、液晶を横電界駆動させることができるＦＦＳ方式のアクティブマトリックス基板を得ることができる。なお、対向スリット電極１７、ゲート端子パッド１８、およびソース端子パッド１９は、光透過性（透明）の酸化物導電膜で形成されている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３３９】
その後、第２絶縁膜上に塗布形成したフォトレジストを４回目の写真製版工程によりパターニングしてレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして、保護絶縁膜１３およびゲート絶縁膜５を貫通してゲート端子３に達するゲート端子部コンタクトホール１４および共通電極４に達する共通電極部コンタクトホール１６、保護絶縁膜１３を貫通してソース端子９に達するソース端子部コンタクトホール１５を形成することで、図５６に示した断面構造を得る。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３７０】
また、酸化物透明膜６の上に、ｎ型Ｓｉ膜８をＣＶＤ法で成膜するので、成膜時に、ＣＶＤガスに含まれる水素（Ｈ）によって下層の酸化物透明膜６が還元されて酸素イオン欠損が促進され、酸化物透明膜６をさらに比抵抗値の低い安定した導電性の膜にすることができる。また、ｎ型Ｓｉ膜８は、薬液（酸、アルカリ）に対する耐腐食性に優れるため、下層の酸化物透明膜６の保護膜としても機能する効果がある。その後、ｎ型Ｓｉ膜８上に塗布形成したフォトレジストを２回目の写真製版工程によりパターニングしてレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとしてｎ型Ｓｉ膜８および酸化物透明膜６をパターニングする。本実施の形態では、六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスとＯ２ガスを用いたドライエッチング法を用いてｎ型Ｓｉ膜８をエッチングし、続けてシュウ酸（Oxalic acid）系の薬液を用いて酸化物透明膜６をエッチングした。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４９】
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