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【手続補正書】
【提出日】平成29年10月3日(2017.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を形成するために、少なくとも２色のインク組成物を非吸収性の基材上に堆積させる工程、および、
前記基材に対して前記画像を固定する工程
を含み、
前記インクは、静電印刷ヘッドを用いて堆積され、
前記静電印刷ヘッドは、分散媒流体中に分散させた帯電可能な顔料を、印加電界を用いて、最初に濃縮し、その後に噴出させ、
前記インク組成物は、４５重量％以上の分散媒液体と、６〜４０重量％の顔料と、０．４〜１０重量％の可溶性分散剤と、を含み、バインダーを含んでおらず、
前記画像の固定を行う前に、すべてのインク組成物を前記基材上に堆積させる、基材上に画像を形成する方法。
【請求項２】
前記固定する工程では、前記基材をワニスでコーティングし、その後、前記ワニスを硬化させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
４５〜９５重量％の分散媒液体と、
６〜４０重量％の不溶性の帯電可能なマーキング粒子と、
０．４〜１０重量％の可溶性分散剤と
を含み、
インクが、マーキング粒子を基材に固定することができる物質を含有しないことを特徴とする、
インク組成物。
【請求項４】
２重量％までの粒子帯電剤をさらに含む、請求項３に記載のインク組成物。
【請求項５】
粒子帯電剤が０．５重量％未満の量で存在する、請求項３または４に記載のインク組成物。
【請求項６】
不溶性の帯電可能なマーキング粒子が８〜２５重量％の量で存在する、請求項３から５のいずれか１項に記載のインク組成物。
【請求項７】
６〜４０重量％の不溶性の帯電マーキング粒子と、
０．４〜１０重量％の可溶性分散剤と、
２重量％までの粒子帯電剤と、
残余の分散媒液体と
からなる、請求項３から６のいずれか１項に記載のインク組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年10月11日(2017.10.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質ＰＴＦＥ膜を親水化する方法であって、
（ａ）多孔質ＰＴＦＥ膜をガスプラズマ及びブロードバンドＵＶから選択されるエネルギー源に曝露し、前記膜を前処理するステップと、
（ｂ）前記前処理した膜を処理して親水性コーティングを提供するステップと、
（ｃ）親水化された多孔質ＰＴＦＥ膜を得るステップと
を備え、
ステップ（ｂ）が、（ｉ）前記膜をポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳＡ）又はスチレンスルホン酸（ＳＳＡ）モノマー溶液に曝露し、親水性ＰＳＳＡ又は親水性ＳＳＡポリマーコーティングを提供すること、又は、（ｉｉ）前記膜をドーパミンに曝露し、親水性ドーパミンコーティングを提供することを含む、
方法。
【請求項２】
ステップ（ａ）が、前記膜をプラズマに少なくとも１５分間曝露することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ａ）が、前記膜の孔を、水、アルコール、過酸化水素、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、アルミン酸ナトリウム、硫酸銅、ホウ酸、塩酸、及び硝酸からなる群から選択される液体で含浸しながら、前記膜を前記ブロードバンドＵＶに曝露することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｂ）が、グラフト化を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
グラフト化前に、前記前処理された膜を開始剤に曝露することを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ｂ）が、熱グラフト化を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ガスプラズマが、少なくとも２種のガスの混合物を含む、請求項１、２、及び４〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記ガスプラズマが、有機ガス及び／又は無機ガスを含む、請求項１、２、及び４〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記親水性コーティングを提供するステップの後に、前記膜を洗浄するステップをさらに備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記膜を洗浄するステップがイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）洗浄を備える、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記親水化されたＰＴＦＥ膜を乾燥するステップをさらに備える、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記親水化された多孔質ＰＴＦＥ膜が、少なくとも７５ダイン／ｃｍ（７５×１０−５Ｎ／ｃｍ）の臨界湿潤表面張力（ＣＷＳＴ）を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法により調製される親水化された多孔質ＰＴＦＥ膜。
【請求項１４】
金属含有流体を濾過する方法であって、金属含有流体を請求項１３に記載の膜に通し、前記流体から金属を除去するステップ
を備える方法。
【請求項１５】
前記金属含有流体が、エレクトロニクス産業に用いられる流体である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属含有流体から多価金属及び／又は遷移金属を除去することを備える、請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
硫酸と過酸化水素との混合物（ＳＰＭ）流体を濾過する方法であって、前記ＳＰＭ流体を請求項１３に記載の膜に通し、前記流体から粒子を除去するステップ
を備える方法。
【請求項１８】
前記流体から金属も除去することを備える、請求項１７に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
【図１】未処理のＰＴＦＥ膜及び市販のＵＶ処理されたＰＴＦＥ膜と比べた本発明による親水化されたＰＴＦＥ膜の実施形態の金属吸着を示すグラフである。
【図２】未処理のＰＴＦＥ膜と比べた本発明による親水化されたＰＴＦＥ膜の実施形態の金属吸着を示すグラフであり、吸着がシービング（ｓｉｅｖｉｎｇ）ではなく、コーティングによることを示している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
[0009]エネルギー源への曝露は、膜の表面からの多量のフッ素原子を除去しない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
[0031]膜は、いかなる好適な孔構造、例えば、孔径（例えば、バブルポイントにより、又は米国特許第４，３４０，４７９号に記載されているＫＬにより明示されるか、又はキャピラリー凝縮フローポロメトリーにより明示される）、平均流量孔（ＭＦＰ）径（例えば、ポロメータ、例えば、ポーバーポロメータ（Ｐｏｒｖａｉｒ  Ｐｏｒｏｍｅｔｅｒ）（Ｐｏｒｖａｉｒ  ｐｌｃ、ノーフォーク、英国）、又は商標ＰＯＲＯＬＵＸ（Ｐｏｒｏｍｅｔｅｒ．ｃｏｍ、ベルギー）で入手可能なポロメータを使用することにより特徴づけられる場合）、孔レーティング（ｐｏｒｅ  ｒａｔｉｎｇ）、孔径（例えば、米国特許第４，９２５，５７２号に記載されている修正ＯＳＵ  Ｆ２試験を使用して特徴づけられる場合）、又は除去レーティング（ｒｅｍｏｖａｌ  ｒａｔｉｎｇ）媒体を有し得る。用いられる孔構造は、利用される粒子の大きさ、処理される流体の組成、及び処理された流体の所望の流出レベルに依存する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月26日(2017.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
回転制御若しくは割出し制御されるターンテーブル上にワーク固定装置を設け、このワーク固定装置により固定されターンテーブル上で回転若しくは割出しされるワークを、移動制御される加工具により加工する旋盤において、前記ターンテーブルを回転中心に対して径方向に移動自在に設けて前記ワークの偏心量を調整自在に設け、このターンテーブルのセンター軸に軸方向に移動する軸方向移動部を設け、前記ターンテーブルの中心部と前記センター軸の軸方向移動部との係合部に傾斜状態に直動ガイド部を設けて、前記センター軸の軸方向移動部を軸方向に移動することで前記直動ガイド部が傾斜していることで生じる径方向押圧力によって、前記ターンテーブルが径方向に移動して前記ワークの偏心量を調整する偏心量調整機構を備えたことを特徴とする偏心量調整機構を備えた旋盤。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月18日(2017.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、本出願人は、電動ドライバーによる所定のねじ締め作業において、最初のねじ締め作業におけるねじ締めの開始時点からねじ締めの完了に伴うクラッチ機構によるクラッチ動作時点の電動モータの回転量を回転量検出手段により検出記録し、この検出記録された回転量を目標回転量（許容範囲を含む）として設定し、その後における所定のねじ締め作業において、ねじ締めの開始時点からねじ締めの完了に伴うクラッチ機構によるクラッチ動作時点までの電動モータの回転量を前記回転量検出手段により逐次検出し、前記クラッチ動作時点に検出された回転量を前記目標回転量（許容範囲を含む）と比較することにより、ねじ締め状態の良否を判定するように構成した自動ねじ締め制御方法および装置を開発し、特許出願を行った（特許文献２参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
さらにまた、本出願人は、電動モータと、この電動モータを駆動するための駆動スイッチと、前記電動モータの駆動出力軸に減速機構を介して結合されるドライバービットとを備え、前記駆動スイッチを操作するスイッチ操作部材と、前記電動モータにおいて前記ドライバービットに付与される負荷トルク（反力）に基づく電動モータにおいて得られる負荷電流を検出すると共に前記負荷電流が予め設定された設定値に達した際に所定のトルクアップ検出信号を出力する負荷電流検出手段と、前記電動モータの駆動および停止制御を行う電動モータ制御回路とを、それぞれ設けた電動ドライバーを使用し、前記負荷電流検出手段に対し前記トルクアップ検出信号を出力する負荷電流設定値を所要の通信制御手段により可変に設定可能とし、ねじ締めの開始時点からねじ締めの完了に伴うトルクアップ検出時点までの負荷電流値を前記負荷電流検出手段により検出し、前記トルクアップ検出時点に検出された前記負荷電流値を予め設定した負荷電流値と比較することにより、ねじ締め状態の良否を判定するように構成した自動ねじ締め制御方法および装置を開発し、特許出願を行った（特許文献４参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前述したように、従来のねじ締め制御装置においては、適正なねじ締め状態を判定するために、例えば所要のねじ締め状態に至るまでの時間または回転量等の検出や、ねじ締め状態におけるねじ締めトルク等の検出を行うことにより、前記検出値をデジタル量に変換して予め設定した基準値（許容範囲を含む）と比較するように設定して、ねじ締め状態の良否判定を行うように設定されたシステムが構築されている。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月1日(2017.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダに水ガラスを用いた中子砂の再利用方法であって、
鋳造に用いた中子を粒状体になるまで解砕するステップと、
前記粒状体を300℃〜550℃の温度で加熱するステップと、
加熱後の前記粒状体同士を衝突させ、前記中子砂から前記水ガラスを剥離するステップと、
剥離された前記水ガラスと前記中子砂との混合物に空気を吹き付け、前記水ガラスと前記中子砂との比重差により前記混合物から前記中子砂を分離回収するステップと、を備える、
中子砂の再利用方法。
【請求項２】
バインダに水ガラスを用いた中子砂の再利用方法であって、
鋳造に用いた中子を粒状体に解砕するステップと、
前記粒状体を300℃〜550℃の温度で加熱するステップと、
前記加熱するステップの後に、前記中子砂から前記水ガラスを剥離するステップと、
剥離された前記水ガラスと前記中子砂との混合物から前記中子砂を分離回収するステップと、を備える、
中子砂の再利用方法。
【請求項３】
バインダに水ガラスを用いた中子砂の再利用方法であって、
鋳造に用いた中子を粒状体に解砕するステップと、
前記粒状体を300℃〜550℃の温度で加熱するステップと、
前記加熱するステップの後に、前記粒状体を剥離ステップでの剥離処理に適した温度まで冷却するステップと、
前記冷却するステップの後に、前記中子砂から前記水ガラスを剥離するステップと、
剥離された前記水ガラスと前記中子砂との混合物から前記中子砂を分離回収するステップと、を備える、
中子砂の再利用方法。
【請求項４】
バインダに水ガラスを用いた中子砂の再利用方法であって、
鋳造に用いた中子を粒状体に解砕するステップと、
前記粒状体を300℃〜550℃の温度で加熱するステップと、
前記加熱するステップの後に、前記中子砂から水溶性の水ガラス及び非水溶性の水ガラスを剥離するステップと、
剥離された前記水ガラスと前記中子砂との混合物から前記中子砂を分離回収するステップと、を備える、
中子砂の再利用方法。
【請求項５】
バインダに水ガラスを用いた中子砂の再利用方法であって、
鋳造に用いた中子を粒状体に解砕するステップと、
前記粒状体を300℃〜550℃の温度で加熱するステップと、
前記加熱するステップの後に、前記中子砂の表面に付着している活性な水ガラス及び不活性な水ガラスを剥離するステップと、
剥離された前記水ガラスと前記中子砂との混合物から前記中子砂を分離回収するステップと、を備える、
中子砂の再利用方法。
【請求項６】
前記加熱するステップにおいて、
前記加熱により、前記粒状体に含まれる前記水ガラスのうち、水溶性の前記水ガラスの量を、非水溶性の前記水ガラスの量よりも小さくする請求項１〜５のいずれか一項に記載の中子砂の再利用方法。
【請求項７】
前記加熱するステップにおいて、
前記加熱により、前記粒状体に含まれる前記水ガラスのうち、水溶性の前記水ガラスの質量の割合を、前記粒状体の質量の0.2％以下にする請求項６に記載の中子砂の再利用方法。
【請求項８】
バインダに水ガラスを用いた中子砂の再利用方法であって、
鋳造に用いた中子を粒状体に解砕する解砕装置と、
前記粒状体を300℃〜550℃の温度で加熱する加熱装置と、
加熱後の前記中子砂から前記水ガラスを剥離する剥離装置と、
剥離された前記水ガラスと前記中子砂との混合物から前記中子砂を分離回収する分離回収装置と、を用いる、
中子砂の再利用方法。
【請求項９】
バインダに水ガラスを用いた中子砂の再利用装置であって、
鋳造に用いた中子を粒状体に解砕する解砕装置と、
前記粒状体を300℃〜550℃の温度で加熱する加熱装置と、
加熱後の前記粒状体における前記中子砂から前記水ガラスを剥離する剥離装置と、
剥離された前記水ガラスと前記中子砂との混合物から前記中子砂を分離回収する分離回収装置と、を備える、
中子砂の再利用装置。
【請求項１０】
バインダに水ガラスを用いた中子砂の再利用装置であって、
鋳造に用いた中子を粒状体に解砕する解砕装置と、
前記粒状体を300℃〜550℃の温度で加熱する加熱装置と、
加熱後の前記粒状体を剥離処理に適した温度まで冷却する装置と、
冷却後の前記粒状体における前記中子砂から前記水ガラスを剥離する剥離装置と、
剥離された前記水ガラスと前記中子砂との混合物から前記中子砂を分離回収する分離回収装置と、を備える、
中子砂の再利用装置。
【請求項１１】
前記加熱後の前記粒状体に含まれる前記水ガラスのうち、水溶性の前記水ガラスの量は、非水溶性の前記水ガラスの量よりも小さい請求項９または１０に記載の中子砂の再利用装置。
【請求項１２】
前記加熱後の前記粒状体に含まれる前記水ガラスのうち、水溶性の前記水ガラスの質量の割合は、前記粒状体の質量の0.2％以下である請求項１１に記載の中子砂の再利用装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】中子砂の再利用方法及び再利用装置
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月26日(2017.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂および着色剤を含有するコア粒子に少なくとも２種類以上のシェル粒子をカプセル化することにより製造され、前記シェル粒子の少なくとも１つが金属酸化物微粒子である静電荷像現像用トナーの製造方法であって、前記金属酸化物微粒子のζ電位が正帯電である状態で前記コア粒子に前記金属酸化物微粒子をカプセル化することを特徴とする静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項２】
金属酸化物微粒子がアルミナであることを特徴とする前記請求項１に記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項３】
前記アルミナがγアルミナであることを特徴とする前記請求項２に記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項４】
金属酸化物微粒子のシェルの上にスルホン酸またはスルホン酸塩を含有する樹脂微粒子をカプセル化することを特徴とする前記請求項１乃至３のいずれか一項に記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明者は、前記課題を解決する為に検討を重ね、結着樹脂および着色剤を含有するコア粒子に少なくとも２種類以上のシェル粒子をカプセル化することにより製造され、前記シェル粒子の少なくとも１つが金属酸化物微粒子である静電荷像現像用トナーの製造方法であって、前記金属酸化物微粒子のζ電位が正帯電である状態で前記コア粒子に前記金属酸化物をカプセル化することを特徴とする静電荷像現像用トナーの製造方法を用いることにより問題を解決できることを見出した。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月7日(2017.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは２以上の自然数）に配設されているｍ×ｎ個の画素と、
１列目に配設されているｍ個の前記画素に電気的に接続されている第１の信号線、乃至、ｎ列目に配設されているｍ個の前記画素に電気的に接続されている第ｎの信号線と、を有し、
ｍ行ｎ列の前記画素には、行毎に供給順序に従って前記第１の信号線乃至前記第ｎの信号線のいずれか一を介して映像信号が供給され、
前記供給順序は、前記第１の信号線にｍ個の映像信号が順番に供給されることに伴う電位変動の絶対値の積算値、乃至、前記第ｎの配線にｍ個の映像信号が順番に供給されることに伴う電位変動の絶対値の積算値の合計が最も小さくなるように決定される表示装置。
【請求項２】
ｍ行ｎ列（ｍは４以上、ｎは２以上の自然数）に配設されているｍ×ｎ個の画素と、
１列目に配設されているｍ個の前記画素に電気的に接続されている第１の信号線、乃至、ｎ列目に配設されているｍ個の前記画素に電気的に接続されている第ｎの信号線と、を有し、
ｍ行ｎ列の前記画素には、ｋ行（ｋは２以上ｍ／２以下の自然数）毎に供給順序に従って前記第１の信号線乃至前記第ｎの信号線のいずれか一を介して映像信号が供給され、
前記供給順序は、前記第１の信号線にｍ個の映像信号が順番に供給されることに伴う電位変動の絶対値の積算値、乃至、前記第ｎの配線にｍ個の映像信号が順番に供給されることに伴う電位変動の絶対値の積算値の合計が最も小さくなるように決定される表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記画素を用いて静止画を表示する表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記画素に酸化物半導体を含むトランジスタが設けられ、
前記トランジスタをオン状態とすることで映像信号の書き換えを行い、且つオフ状態とすることで当該映像信号を保持する表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月13日(2017.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上の素子層と、
前記素子層上の液晶素子と、
前記液晶素子上の導電膜と、
前記導電膜上の樹脂膜と、
前記樹脂膜上の第１の電極と
前記第１の電極と第１の絶縁膜を介して重なる領域を有する第２の電極と、
前記第２の電極上の第２の基板と、を有し、
前記液晶素子は、画素電極と、共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極から電界が加えられる液晶層と、を有し、
前記画素電極は、第２の絶縁膜を介して前記共通電極と重なる領域を有し、
前記第１の電極は、前記第２の電極と交差しており、
前記導電膜には第１の電位が供給される液晶表示装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上の素子層と、
前記素子層上の液晶素子と、
前記液晶素子上の導電膜と、
前記導電膜上の樹脂膜と、
前記樹脂膜上の第１の電極と
前記第１の電極と第１の絶縁膜を介して重なる領域を有する第２の電極と、
前記第２の電極上の第２の基板と、を有し、
前記液晶素子は、画素電極と、共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極から電界が加えられる液晶層と、を有し、
前記画素電極は、第２の絶縁膜を介して前記共通電極と重なる領域を有し、
前記第１の電極は、前記第２の電極と交差しており、
前記導電膜は、前記共通電極と電気的に接続される液晶表示装置。
【請求項３】
第１の基板と、
前記第１の基板上の素子層と、
前記素子層上の液晶素子と、
前記液晶素子上の導電膜と、
前記導電膜上の樹脂膜と、
前記樹脂膜上の第１の電極と
前記第１の電極と第１の絶縁膜を介して重なる領域を有する第２の電極と、
前記第２の電極上の第２の基板と、を有し、
前記素子層は、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを有し、
前記トランジスタは、前記液晶素子への画像信号の供給を制御する機能を有し、
前記液晶素子は、画素電極と、共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極から電界が加えられる液晶層と、を有し、
前記画素電極は、第２の絶縁膜を介して前記共通電極と重なる領域を有し、
前記第１の電極は、前記第２の電極と交差しており、
前記導電膜には第１の電位が供給される液晶表示装置。
【請求項４】
第１の基板と、
前記第１の基板上の素子層と、
前記素子層上の液晶素子と、
前記液晶素子上の導電膜と、
前記導電膜上の樹脂膜と、
前記樹脂膜上の第１の電極と
前記第１の電極と第１の絶縁膜を介して重なる領域を有する第２の電極と、
前記第２の電極上の第２の基板と、を有し、
前記素子層は、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを有し、
前記トランジスタは、前記液晶素子への画像信号の供給を制御する機能を有し、
前記液晶素子は、画素電極と、共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極から電界が加えられる液晶層と、を有し、
前記画素電極は、第２の絶縁膜を介して前記共通電極と重なる領域を有し、
前記第１の電極は、前記第２の電極と交差しており、
前記導電膜は、前記共通電極と電気的に接続される液晶表示装置。
【請求項５】
第１の基板と、
前記第１の基板上の素子層と、
前記素子層上の液晶素子と、
前記液晶素子上の導電膜と、
前記導電膜上の樹脂膜と、
前記樹脂膜上の第１の電極と
前記第１の電極と第１の絶縁膜を介して重なる領域を有する第２の電極と、
前記第２の電極上の第２の基板と、を有し、
前記素子層は、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを有し、
前記トランジスタは、前記液晶素子への画像信号の書き込みを制御する機能を有し、
前記液晶素子は、画素電極と、共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極から電界が加えられる液晶層と、を有し、
前記画素電極は、第２の絶縁膜を介して前記共通電極と重なる領域を有し、
前記第１の電極は、前記第２の電極と交差しており、
前記導電膜には第１の電位が供給される液晶表示装置であって、
第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間では静止画の表示を行い、
前記第２の期間では動画の表示を行い、
前記第１の期間における一定期間内の前記液晶素子への前記画像信号の書き込みの回数は、前記第２の期間における一定期間内の前記液晶素子への前記画像信号の書き込みの回数よりも少ない液晶表示装置。
【請求項６】
第１の基板と、
前記第１の基板上の素子層と、
前記素子層上の液晶素子と、
前記液晶素子上の導電膜と、
前記導電膜上の樹脂膜と、
前記樹脂膜上の第１の電極と
前記第１の電極と第１の絶縁膜を介して重なる領域を有する第２の電極と、
前記第２の電極上の第２の基板と、を有し、
前記素子層は、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを有し、
前記トランジスタは、前記液晶素子への画像信号の供給を制御する機能を有し、
前記液晶素子は、画素電極と、共通電極と、前記画素電極及び前記共通電極から電界が加えられる液晶層と、を有し、
前記画素電極は、第２の絶縁膜を介して前記共通電極と重なる領域を有し、
前記第１の電極は、前記第２の電極と交差しており、
前記導電膜は、前記共通電極と電気的に接続される液晶表示装置であって、
第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間では静止画の表示を行い、
前記第２の期間では動画の表示を行い、
前記第１の期間における一定期間内の前記液晶素子への前記画像信号の書き込みの回数は、前記第２の期間における一定期間内の前記液晶素子への前記画像信号の書き込みの回数よりも少ない液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月15日(2017.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の半導体層と、前記ゲート絶縁層及び前記半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、を含むトランジスタと、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と同じ層に設けられた反射電極層と、
前記反射電極層と重畳する領域を有する有色層と、
前記有色層を介して前記反射電極層と重畳する領域を有する画素電極層と、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層のいずれか一方と接続された導電層と、を有し、
前記画素電極層が前記導電層を介して前記トランジスタと接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
半導体層と、前記半導体層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、前記ゲート電極層上の層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され、且つ前記半導体層と接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、を含むトランジスタと、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と同じ層に設けられた反射電極層と、
前記反射電極層と重畳する領域を有する有色層と、
前記有色層を介して前記反射電極層と重畳する領域を有する画素電極層と、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層のいずれか一方と接続された導電層と、を有し、
前記画素電極層が前記導電層を介して前記トランジスタと接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２おいて、
前記導電層の少なくとも一部の形状が、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と同一形状であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一つにおいて、
前記導電層は、チタン（Ｔｉ）またはモリブデン（Ｍｏ）を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一つにおいて、
前記反射電極層は、アルミニウム（Ａｌ）を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つにおいて、
前記画素電極層は、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）または錫（Ｓｎ）を含むことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月9日(2016.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
以上のことから、像高変化率を抑制するためには、係数Ｋｗの絶対値を小さくする必要がある。従って、参考式２の第１項の分子であるフォーカスレンズ群自身の結像倍率の絶対値を小さくする必要がある。すなわち、フォーカスレンズ群に入射する光束はなるべく平行光束に近いことが望ましい。しかし、後続レンズ群Ｇｒには第２レンズ群Ｇ２で発散させられた光束が入射するため、後続レンズ群Ｇｒの最も物体側にフォーカスレンズ群を配置すると像高変化率が大きくなってしまう。そこで、本発明では、像高変化率を抑制するために後続レンズ群Ｇｒ中最も物体側に正の屈折力を有するレンズ群を配置し、その後方にフォーカスレンズ群を配置する構成をとる。この構成により、フォーカスレンズ群へ入射する光束を平行に近づけることができ、像高変化率を抑制することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
条件式（１）は、ウォブリング時の像高変化率を抑制するための好ましい条件として、フォーカスレンズ群である後続レンズ群Ｇｒ中の部分レンズ群Ｒｐ２の無限遠合焦状態での結像倍率を規定するものである。条件式（１）を満たすことで参考式２の第１項の分子であるフォーカスレンズ群自身の結像倍率の絶対値が小さくなる。従って、係数Ｋｗの絶対値が小さくなる。その結果、像高変化率の抑制に寄与する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月1日(2017.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体上に、活物質及び酸化グラフェンを含むスラリーを塗布し、
前記スラリーを乾燥させて、前記集電体上に活物質層を形成し、
前記集電体上の活物質層を、スペーサとともにロール状に巻き取り、
前記ロール状に巻き取られた状態で、還元液に含浸させて、酸化グラフェンを還元させることを特徴とする蓄電池用電極の製造方法。
【請求項２】
集電体上に、活物質及び酸化グラフェンを含むスラリーを塗布し、
前記スラリーを乾燥させて、前記集電体上に活物質層を形成し、
前記集電体上の活物質層を、スペーサとともにロール状に巻き取り、
前記ロール状に巻き取られた状態で、還元液に含浸させて、酸化グラフェンを還元させ、
前記スペーサを剥離した後、前記活物質層を還元雰囲気にて乾燥させることを特徴とする蓄電池用電極の製造方法。
【請求項３】
集電体上に、活物質及び酸化グラフェンを含むスラリーを塗布し、
前記スラリーを乾燥させて、前記集電体上に活物質層を形成し、
前記集電体上の活物質層を、ロール状に巻き取り、
前記ロール状に巻き取られた状態で、還元液に含浸させて、酸化グラフェンを還元させ、
前記活物質層を還元雰囲気にて乾燥させることを特徴とする蓄電池用電極の製造方法。
【請求項４】
集電体上に、活物質及び酸化グラフェンを含むスラリーを塗布し、
前記スラリーを乾燥させて、前記集電体上に活物質層を形成し、
前記集電体上の活物質層を、スペーサとともに還元液に含浸させて、酸化グラフェンを還元させる蓄電池用電極の製造方法であって、
前記スペーサにより、前記還元液に含まれる溶媒が蒸発して発生した気泡を、前記活物質層から排出させることを特徴とする蓄電池用電極の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記スペーサは、濾紙、不織布、又は多孔性支持体を有することを特徴とする蓄電池用電極の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記還元液は、少なくとも還元剤としてアスコルビン酸を有し、溶媒として水を有することを特徴とする蓄電池用電極の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記還元液のｐＨは、４以上１１以下であることを特徴とする蓄電池用電極の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月16日(2017.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の隔壁と、
前記第１の絶縁膜および前記第１の隔壁を覆い、凹曲面の表面を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第１の隔壁と重なる位置に端部を有する第１の電極と、
前記第１の隔壁上に形成され、前記第１の電極の端部を覆う第２の隔壁と、
前記第１の電極および前記第２の隔壁上に形成された発光性の有機化合物を含む層と、
前記発光性の有機化合物を含む層上に形成された第２の電極と、
前記第２の電極上に位置し、前記第１の基板と重なる第２の基板と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の隔壁と、
前記第１の絶縁膜および前記第１の隔壁上に形成され、当該第１の隔壁上に端部を有する第１の電極と、
前記第１の隔壁上に形成され、前記第１の電極の端部を覆う第２の隔壁と、
前記第１の電極および前記第２の隔壁上に形成された発光性の有機化合物を含む層と、
前記発光性の有機化合物を含む層上に形成された第２の電極と、
前記第２の電極上に位置し、前記第１の基板と重なる第２の基板と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の隔壁の表面は曲面を含んで形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第２の隔壁の上部にスペーサーが形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第２の隔壁の屈折率は、前記発光性の有機化合物を含む層の屈折率よりも小さいことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１の電極は反射電極であり、
前記第２の電極は透光性を有する電極であり、
前記発光性の有機化合物を含む層が発する光は、前記第２の電極を通して外部に放出されることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第２の電極と前記第２の基板との間に透光性を有する液体材料または固体材料が含まれていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第２の電極と前記第２の基板との間に透光性を有する液体材料または固体材料が含まれ、
前記第２の電極は透光性を有する電極であり、
前記液体材料または前記固体材料の屈折率は、前記第２の電極よりも大きいことを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月13日(2017.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表されるイオン液体と、環状炭酸エステルと、を有することを特徴とする非水溶媒。
【化１】
2014209475.tif 000001
（Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数が１〜２０のアルキル基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つは、炭素数が１〜２０のアルキル基である。また、式中、Ａ−は、１価のイミド系アニオン、１価のメチド系アニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかを表す。）
【請求項２】
請求項１において、
前記環状炭酸エステルは、エチレンカーボネートまたはプロピレンカーボネートであることを特徴とする非水溶媒。
【請求項３】
イオン液体と、環状炭酸エステルと、アルカリ金属塩と、を有する非水電解質であって、
前記イオン液体が、一般式（Ｇ１）で表され、
前記非水電解質の粘度が６ｍＰａ・ｓ以上２５０ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とする非水電解質。
【化２】
2014209475.tif 000002
（Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数が１〜２０のアルキル基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つは、炭素数が１〜２０のアルキル基である。また、式中、Ａ−は、１価のイミド系アニオン、１価のメチド系アニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかを表す。）
【請求項４】
請求項３において、
前記環状炭酸エステルは、エチレンカーボネートまたはプロピレンカーボネートであることを特徴とする非水電解質。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記アルカリ金属塩がリチウム塩であることを特徴とする非水電解質。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一の非水電解質を有する蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月21日(2017.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気化学デバイス
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池を有し、
前記二次電池は、第１の電極と第２の電極と電解液とを有し、
前記電解液は、リチウム塩の濃度が１Ｍ未満である電気化学デバイスであって、
第１の期間と第２の期間とを充電期間中に交互に有し、
前記第１の期間において、前記第２の電極から前記第１の電極への方向に第１の電流が流れ、
前記第２の期間において、前記第１の電極から前記第２の電極への方向に第２の電流が流れ、
前記第２の期間は、前記第１の期間よりも短い電気化学デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記リチウム塩は、六フッ化リン酸リチウムである電気化学デバイス。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記電解液は、エチレンカーボネートとジエチルカーボネートとが３：７の体積比で混合されたものである電気化学デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の電極は、活物質としてリン酸鉄リチウムを有する電気化学デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の電極は、活物質として黒鉛を有する電気化学デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記電解液中の前記リチウム塩の濃度は、０．２５Ｍより高く、且つ１Ｍ未満である電気化学デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月1日(2017.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層と重畳するソース電極と、
前記半導体層と重畳するドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に形成された分離層と、
前記半導体層と、前記分離層及びゲート絶縁層を介して重畳するゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、
前記半導体層と重畳するソース電極と、
前記半導体層と重畳するドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に形成された分離層と、
前記半導体層と、前記分離層及びゲート絶縁層を介して重畳するゲート電極と、を有し、
前記分離層の上面は、前記ソース電極の上面と概略一致し、
前記分離層の上面は、前記ドレイン電極の上面と概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ソース電極の厚さは、５ｎｍ以上チャネル長Ｌの２倍以下であり、
前記ドレイン電極の厚さは、５ｎｍ以上チャネル長Ｌの２倍以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記分離層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を構成する金属元素と共通した金属元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体層と、
第１のソース電極と、
第２のソース電極と、
第１のドレイン電極と、
第２のドレイン電極と、
分離層と、
ゲート絶縁層と、
ゲート電極と、を有する半導体装置であって、
前記第１のソース電極は、前記半導体層に接し、かつ前記半導体層上に配置され、
前記第２のソース電極は、前記第１のソース電極上に配置され、
前記第２のソース電極の端部は、前記第１のソース電極の端部を越えて、かつ前記半導体層に接し、
前記第１のドレイン電極は、前記半導体層に接し、かつ前記半導体層上に配置され、
前記第２のドレイン電極は、前記第１のドレイン電極上に配置され、
前記第２のドレイン電極の端部は、前記第１のドレイン電極の端部を越えて、かつ前記半導体層に接し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層及び前記分離層を介して、前記半導体層上に形成され、
前記分離層の第１の側面は、前記第２のソース電極の側面と接し、
前記分離層の第２の側面は、前記第２のドレイン電極の側面と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体層と、
第１のソース電極と、
第２のソース電極と、
第１のドレイン電極と、
第２のドレイン電極と、
分離層と、
ゲート絶縁層と、
ゲート電極と、を有する半導体装置であって、
前記第１のソース電極は、前記半導体層に接し、かつ前記半導体層上に配置され、
前記第２のソース電極は、前記第１のソース電極上に配置され、
前記第２のソース電極の端部は、前記第１のソース電極の端部を越えて、かつ前記半導体層に接し、
前記第１のドレイン電極は、前記半導体層に接し、かつ前記半導体層上に配置され、
前記第２のドレイン電極は、前記第１のドレイン電極上に配置され、
前記第２のドレイン電極の端部は、前記第１のドレイン電極の端部を越えて、かつ前記半導体層に接し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層及び前記分離層を介して、前記半導体層上に形成され、
前記分離層の第１の側面は、前記第２のソース電極の側面と接し、
前記分離層の第２の側面は、前記第２のドレイン電極の側面と接し、
前記分離層の上面は、前記第２のソース電極の上面と概略一致し、
前記分離層の上面は、前記第２のドレイン電極の上面と概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第２のソース電極の厚さは、５ｎｍ以上チャネル長Ｌの２倍以下であり、
前記第２のドレイン電極の厚さは、５ｎｍ以上チャネル長Ｌの２倍以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記分離層は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極を構成する金属元素と共通した金属元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記酸化物半導体は、ｃ軸配向した結晶部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記半導体層は、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層との積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記分離層は、酸素を有し、絶縁性を示すことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
ゲート電極と、
ゲート絶縁層と、
半導体層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
分離層と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体層上に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極として機能する導電層を形成し、
前記導電層の一部に酸素を導入して、前記分離層として機能する領域を形成し、
前記半導体層及び前記分離層上に、前記ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、前記半導体層と重なるように前記ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記酸化物半導体は、ｃ軸配向した結晶部を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至請求項１５のいずれか一において、
前記半導体層は、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層との積層構造を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１３乃至請求項１６のいずれか一において、
前記ソース電極の厚さは、５ｎｍ以上チャネル長Ｌの２倍以下であり、
前記ドレイン電極の厚さは、５ｎｍ以上チャネル長Ｌの２倍以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月17日(2017.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を平面内で支持する支持部と、
前記支持部により支持された前記基板の表面に交わる軸を回転軸として前記支持部を回転させる回転機構と、
前記支持部により支持された前記基板の上方に位置し、前記基板の中心から周縁に並ぶように設けられ、前記回転機構により回転している前記支持部上の基板の表面に処理液をそれぞれ吐出する複数本のノズルと、
前記回転機構により回転している前記支持部上の基板の表面に形成される前記処理液の液膜の厚さに応じて、前記複数本のノズルにそれぞれ異なる吐出タイミングで前記処理液を吐出させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数本のノズルのうち第１のノズルから前記基板の表面に供給されて遠心力により前記基板の外周に向かって広がる処理液の液膜における前記第１のノズルより外周側に位置する第２のノズルの下方の膜厚が所定厚さ以下である場合、前記第２のノズルに前記処理液を吐出させ、
前記所定厚さは、前記第１のノズルから前記基板の表面に供給されて遠心力により前記基板の外周に向かって広がる処理液が、前記第２のノズルから前記基板の表面に供給された処理液によって前記基板の表面に滞留する液量を所定量以下とする厚さであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記液膜の厚さを測定する膜厚測定部をさらに備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数本のノズルに前記基板の中心から周縁に向かう順序又は前記基板の周縁から中心に向かう順序で前記処理液を吐出させることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記複数本のノズルから吐出する前記処理液の温度は前記ノズルごとに変えられていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数本のノズルから吐出する前記処理液の濃度は前記基板の中心から周縁に向かう順序又は前記基板の周縁から中心に向かう順序で高くされていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板を平面内で回転させる工程と、
回転している前記基板の表面に、その基板の表面に形成される処理液の液膜の厚さに応じて、前記基板の上方に位置し前記基板の中心から周縁に並ぶ複数本のノズルからそれぞれ異なる吐出タイミングで処理液を吐出する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記処理液を吐出する工程では、前記複数本のノズルのうち第１のノズルから前記基板の表面に供給されて遠心力により前記基板の外周に向かって広がる処理液の液膜における前記第１のノズルより外周側に位置する第２のノズルの下方の膜厚が所定厚さ以下である場合、前記第２のノズルから前記処理液を吐出し、
前記所定厚さは、前記第１のノズルから前記基板の表面に供給されて遠心力により前記基板の外周に向かって流れる処理液が、前記第２のノズルから前記基板の表面に供給された処理液によって前記基板の表面に滞留する液量を所定量以下とする厚さであることを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記液膜の厚さを測定する工程をさらに有することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記処理液を吐出する工程では、前記基板の中心から周縁に向かう順序又は前記基板の周縁から中心に向かう順序で前記複数本のノズルから前記処理液を吐出することを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記処理液を吐出する工程では、前記処理液の温度を前記ノズルごとに変えて前記複数本のノズルから前記処理液を吐出することを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記処理液を吐出する工程では、前記処理液の濃度を前記基板の中心から周縁に向かう順序又は前記基板の周縁から中心に向かう順序で高くして前記複数本のノズルから前記処理液を吐出することを特徴とする請求項７ないし請求項１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
実施形態に係る基板処理装置は、
基板を平面内で支持する支持部と、
前記支持部により支持された前記基板の表面に交わる軸を回転軸として前記支持部を回転させる回転機構と、
前記支持部により支持された前記基板の上方に位置し、前記基板の中心から周縁に並ぶように設けられ、前記回転機構により回転している前記支持部上の基板の表面に処理液をそれぞれ吐出する複数本のノズルと、
前記回転機構により回転している前記支持部上の基板の表面に形成される前記処理液の液膜の厚さに応じて、前記複数本のノズルにそれぞれ異なる吐出タイミングで前記処理液を吐出させる制御部とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
実施形態に係る基板処理方法は、
基板を平面内で回転させる工程と、
回転している前記基板の表面に、その基板の表面に形成される処理液の液膜の厚さに応じて、前記基板の上方に位置し前記基板の中心から周縁に並ぶ複数本のノズルからそれぞれ異なる吐出タイミングで処理液を吐出する工程と、
を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月10日(2017.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と陽極の間の発光層と、
前記陰極と前記発光層との間の電子輸送層と、を有し、
前記発光層は前記電子輸送層に接して設けられ、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層と、を有し、
前記第１の発光層、前記第２の発光層及び前記第３の発光層は、互いに重ならず、
前記第１の発光層、前記第２の発光層及び前記第３の発光層は、それぞれ前記電子輸送層に接する領域を有し、
前記第１の発光層は、第１の燐光性材料と、第１の電子輸送性材料と、を有し、
前記第２の発光層は、第２の燐光性材料と、第２の電子輸送性材料と、を有し、
前記第３の発光層は、蛍光性材料と、第３の電子輸送性材料と、を有し、
前記電子輸送層が有する材料の三重項励起エネルギー準位は、前記第１の電子輸送性材料及び前記第２の電子輸送性材料の三重項励起エネルギー準位よりも低い
ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記電子輸送層は、前記第３の電子輸送性材料を有する
ことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
陰極と陽極の間の発光層と、
前記陰極と前記発光層との間の電子輸送層と、を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、第１の燐光性材料と、第１の電子輸送性材料とを有し、
前記第２の発光層は、第２の燐光性材料と、第２の電子輸送性材料とを有し、
前記第３の発光層は、蛍光性材料と、第３の電子輸送性材料とを有し、
前記第３の発光層は、前記電子輸送層に接して設けられ、
前記第３の発光層は、前記第１の発光層と前記電子輸送層との間、前記第２の発光層と前記電子輸送層との間に位置する領域を有し、
前記第３の電子輸送性材料の三重項励起エネルギー準位は、前記第１の電子輸送性材料及び前記第２の電子輸送性材料の三重項励起エネルギー準位よりも低い
ことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一つにおいて、
前記第１の発光層は、前記第１の燐光性材料と、前記第１の電子輸送性材料と、第１の正孔輸送性材料と、有し、
前記第１の電子輸送性材料と、前記第１の正孔輸送性材料が励起錯体を形成する
ことを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一つにおいて、
前記第２の発光層は、前記第２の燐光性材料と、前記第２の電子輸送性材料と、第２の正孔輸送性材料と、有し、
前記第２の電子輸送性材料と、前記第２の正孔輸送性材料が励起錯体を形成する
ことを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つにおいて、
前記第１の燐光性材料及び前記第２の燐光性材料は、イリジウムを含む有機金属錯体である
ことを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一つにおいて、
前記第１の発光層は赤色を発光し、前記第２の発光層は緑色を発光し、前記第３の発光層は青色を発光する
ことを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一つに記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項１０】
請求項８に記載の発光装置を用いた照明装置。