【手続補正書】
【提出日】平成29年1月6日(2017.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気メッキ装置であって、
（ａ）実質的に平坦な基材上に金属を電気メッキする間、電解質及びアノードを含むよう構成された、電気メッキ用チャンバと、
（ｂ）電気メッキ中、前記基材のメッキ面が前記アノードと分離されるように、前記実質的に平坦な基材を保持するよう構成された、基材ホルダと、
（ｃ）イオン抵抗性要素であって、
（ｉ）前記イオン抵抗性要素を貫通して延在する、電気メッキ中に前記イオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合された、複数のチャネルと、
（ｉｉ）前記基材の前記メッキ面と実質的に平行であり、前記基材の前記メッキ面と空隙で分離されている、基材対面側部と、
（ｉｉｉ）前記イオン抵抗性要素の前記基材対面側部上に位置決めされた複数の隆起部と、を含む、イオン抵抗性要素と、
（ｄ）前記空隙に前記電解質の直交流を導入するための、前記空隙への流入口と、
（ｅ）前記空隙内を流れる前記電解質の前記直交流を受承するための、前記空隙の流出口と、を備え、
前記流入口及び前記流出口は、電気メッキ中、前記基材の前記メッキ面上の方位的にほぼ対向する周上の位置に位置決めされる、電気メッキ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記イオン抵抗性要素の前記基材対面側部と、前記基材の前記メッキ面との間の前記空隙は、前記基材の前記メッキ面と前記イオン抵抗性要素の平面との間を測定した場合に約１５ｍｍ未満である、電気メッキ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記基材の前記メッキ面と前記隆起部の最高部との間の空隙は約０．５〜４ｍｍである、電気メッキ装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部の高さは約２〜１０ｍｍである、電気メッキ装置。
【請求項５】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部は平均して、前記電解質の前記直交流の方向に対して実質的に垂直に配向される、電気メッキ装置。
【請求項６】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部のうちの少なくともいくつかは、少なくとも約３：１の長さ：幅アスペクト比を有する、電気メッキ装置。
【請求項７】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記イオン抵抗性要素上に、少なくとも２つの異なる形状及び／又はサイズの前記隆起部が存在する、電気メッキ装置。
【請求項８】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部のうちの少なくともいくつかの上に、電気メッキ中に電解質がそれを通って流れることができる１つ又は複数の切り欠き部を含む、電気メッキ装置。
【請求項９】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部のうちの少なくともいくつかは、前記イオン抵抗性要素の平面に対して実質的に垂直な面を備える、電気メッキ装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部のうちの少なくともいくつかは、前記イオン抵抗性要素の平面から直角でない角度だけずれた面を備える、電気メッキ装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部のうちの少なくともいくつかの上に、三角形の上部を更に備える、電気メッキ装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部は、少なくとも第１の隆起部セグメント及び第２の隆起部セグメントを含み、
前記第１及び第２の隆起部セグメントはそれぞれ、前記電解質の前記直交流の方向から、実質的に等しいが符号が逆である角度だけずれている、電気メッキ装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記イオン抵抗性要素は、電場を成形し、電気メッキ中に前記基材付近の電解質流の性質を制御するよう構成される、電気メッキ装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記イオン抵抗性要素の下面の下に位置決めされた下側マニフォールド領域を更に備え、
前記下面は前記基材ホルダと反対側を向いている、電気メッキ装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電気メッキ装置であって、
中央電解質チャンバと
前記中央電解質チャンバから前記流入口及び前記下側マニフォールド領域の両方に前記電解質を送達するよう構成された１つ又は複数の供給チャネルと、を更に備える、電気メッキ装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記流入口と流体連通された直交流注入マニフォールドを更に備える、電気メッキ装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の電気メッキ装置であって、
前記直交流注入マニフォールドは、前記イオン抵抗性要素のキャビティによって少なくとも部分的に画定される、電気メッキ装置。
【請求項１８】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記イオン抵抗性要素の周縁部全体にわたって位置決めされた流れ制限リングを更に備える、電気メッキ装置。
【請求項１９】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
メッキ中に前記基材ホルダを回転させるための機構を更に備える、電気メッキ装置。
【請求項２０】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記流入口は、前記基材の前記メッキ面の周付近に、約９０〜１８０°の弧にわたって広がっている、電気メッキ装置。
【請求項２１】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記流入口内の方位的に別個の複数の流入口セグメントと、
前記方位的に別個の複数の流入口セグメントに前記電解質を送達するよう構成された、複数の電解質供給流入口と、
電気メッキ中に複数の前記電解質供給流入口内の前記電解質の複数の体積流量を独立して制御するよう構成された、１つ又は複数の流れ制御要素と、を更に備える、電気メッキ装置。
【請求項２２】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部は、前記基材の前記メッキ面と実質的に同延である、電気メッキ装置。
【請求項２３】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記流入口及び前記流出口は、電気メッキ中に前記基材の前記メッキ面上に剪断力を生成又は維持するために、前記空隙内で前記電解質の前記直交流を生成するよう適合される、電気メッキ装置。
【請求項２４】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部は、複数の平行な列に配向され、
前記列は、非隆起空隙で分離された２つ以上の不連続な前記隆起部を含み、
隣接する前記列の前記非隆起空隙は実質的に、前記電解質の前記直交流の方向に互いに整列されていない、電気メッキ装置。
【請求項２５】
電気メッキ装置であって、
（ａ）実質的に平坦な基材上に金属を電気メッキする間、電解質及びアノードを含むよう構成された、電気メッキ用チャンバと、
（ｂ）電気メッキ中、前記基材のメッキ面が前記アノードと分離されるように、前記実質的に平坦な基材を保持するよう構成された、基材ホルダと、
（ｃ）イオン抵抗性要素であって、
（ｉ）前記イオン抵抗性要素を貫通して延在する、電気メッキ中に前記イオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合された、複数のチャネルと、
（ｉｉ）前記基材の前記メッキ面と実質的に平行であり、前記基材の前記メッキ面と空隙で分離されている、基材対面側部と、
（ｉｉｉ）前記イオン抵抗性要素の前記基材対面側部上に位置決めされた段差であって、前記段差は高さ及び直径を有し、前記段差の前記直径は前記基材の前記メッキ面と実質的に同延であり、前記段差の前記高さ及び前記直径はメッキ中に前記電解質が前記基材ホルダの下、前記段差の上を通って前記空隙内へと流れることができる程度に十分に小さい、段差と、を含む、イオン抵抗性要素と、
（ｄ）前記空隙に前記電解質を導入するための、前記空隙への流入口と、
（ｅ）前記空隙内を流れる前記電解質の流れを受承するための、前記空隙の流出口と、を備え、
前記流入口及び前記流出口は、電気メッキ中に前記基材の前記メッキ面上に剪断力を生成又は維持するために、前記空隙内で前記電解質の直交流を生成するよう適合される、電気メッキ装置。
【請求項２６】
標準的な直径の半導体ウエハ上に材料をメッキするための電気メッキ装置で使用するための、チャネル付きイオン抵抗性プレートであって、
前記半導体ウエハのメッキ面とほぼ同延である、約２〜２５ｍｍの厚さを有するプレートと、
前記プレートの厚さを貫通して延在する、少なくとも約１０００個の非連通貫通孔であって、電気メッキ中に前記プレートを通してイオンを輸送するよう適合された、貫通孔と、
前記プレートの片側上に位置決めされた複数の隆起部と、を備える、チャネル付きイオン抵抗性プレート。
【請求項２７】
標準的な直径の半導体ウエハ上に材料をメッキするための電気メッキ装置で使用するための、チャネル付きイオン抵抗性プレートであって、
前記半導体ウエハのメッキ面とほぼ同延である、約２〜２５ｍｍの厚さを有するプレートと、
前記プレートの厚さを貫通して延在する、少なくとも約１０００個の非連通貫通孔であって、電気メッキ中に前記プレートを通してイオンを輸送するよう適合された、貫通孔と、
前記プレートの中央領域のプレートの膨隆部、及び前記プレートの周縁部に位置決めされた前記プレートの非膨隆部を備える、段差と、を備える、チャネル付きイオン抵抗性プレート。
【請求項２８】
基材を電気メッキするための方法であって、
（ａ）基材ホルダ内に実質的に平坦な基材を受承することであって、前記基材のメッキ面は露出しており、前記基材ホルダは電気メッキ中、前記基材の前記メッキ面がアノードと分離されるように前記基材を保持するよう構成されている、受承することと、
（ｂ）前記基材を電解質に浸漬することであって、
前記基材の前記メッキ面とイオン抵抗性要素の平面との間に空隙を形成し、
前記イオン抵抗性要素は前記基材の前記メッキ面と少なくともほぼ同延であり、
前記イオン抵抗性要素は電気メッキ中に前記イオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合されており、
前記イオン抵抗性要素は前記イオン抵抗性要素の基材対面側部上に複数の隆起部を備え、前記隆起部は前記基材の前記メッキ面と実質的に同延である、浸漬することと、
（ｃ）（ｉ）側部流入口から前記空隙内へ入り、側部流出口から出るように；及び（ｉｉ）前記イオン抵抗性要素の下から前記イオン抵抗性要素を通過して前記空隙内へ入り、前記側部流出口から出るように、前記基材ホルダ内の前記基材と接触するように前記電解質を流すことであって、前記側部流入口及び前記側部流出口は、電気メッキ中に前記空隙内の前記電解質の直交流を生成するよう設計又は構成されている、前記電解質を流すことと、
（ｄ）前記基材ホルダを回転させることと、
（ｅ）前記（ｃ）と同様に前記電解質を流しながら、前記基材の前記メッキ面上に材料を電気メッキすることと、を備える、方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の方法であって、
前記空隙は、前記基材の前記メッキ面と前記イオン抵抗性要素の平面との間を測定した場合に約１５ｍｍ未満である、方法。
【請求項３０】
請求項２８に記載の方法であって、
前記基材の前記メッキ面と前記隆起部の最高部表面との間の空隙は約０．５〜４ｍｍである、方法。
【請求項３１】
請求項２８に記載の方法であって、
前記側部流入口は、方位的に別個であり流体連通していない２つ以上のセクションに分離され、
前記流入口の前記方位的に別個のセクションへの前記電解質の流れは独立して制御される、方法。
【請求項３２】
請求項２８に記載の方法であって、
前記空隙内に流れ配向要素が位置決めされ、
前記流れ配向要素によって、前記側部流入口から前記側部流出口への実質的に直線の流路に前記電解質を流すことができる、方法。
【請求項３３】
基材を電気メッキするための方法であって、
（ａ）基材ホルダ内に実質的に平坦な基材を受承することであって、前記基材のメッキ面は露出しており、前記基材ホルダは電気メッキ中、前記基材の前記メッキ面がアノードと分離されるように前記基材を保持するよう構成されている、受承することと、
（ｂ）前記基材を電解質に浸漬することであって、
前記基材の前記メッキ面とイオン抵抗性要素の平面との間に空隙を形成し、
前記イオン抵抗性要素は前記基材の前記メッキ面と少なくともほぼ同延であり、
前記イオン抵抗性要素は電気メッキ中に前記イオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合されており、
前記イオン抵抗性要素は前記イオン抵抗性要素の基材対面側部上に段差を備え、前記段差は前記イオン抵抗性要素の中心領域に位置決めされ、前記イオン抵抗性要素の非膨隆部で囲まれている、浸漬することと、
（ｃ）（ｉ）側部流入口から前記段差を越えて空隙内へ入り、再び前記段差を越えて側部流出口から出るように；及び（ｉｉ）前記イオン抵抗性要素の下から前記イオン抵抗性要素を通過して前記空隙内へ入り、前記段差を越えて前記側部流出口から出るように、前記基材ホルダ内の前記基材と接触するように前記電解質を流すことであって、前記側部流入口及び前記側部流出口は、電気メッキ中に前記空隙内の前記電解質の直交流を生成するよう設計又は構成されている、前記電解質を流すことと、
（ｄ）前記基材ホルダを回転させることと、
（ｅ）前記（ｃ）と同様に前記電解質を流しながら、前記基材の前記メッキ面上に材料を電気メッキすることと、を備える、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本明細書で開示する実施形態の別の態様では、電気メッキ装置であって：（ａ）実質的に平坦な基材上に金属を電気メッキする間、電解質及びアノードを含むよう構成された、電気メッキ用チャンバ；（ｂ）電気メッキ中、基材のメッキ面がアノードと分離されるように、実質的に平坦な基材を保持するよう構成された、基材ホルダ；（ｃ）イオン抵抗性要素であって、（ｉ）イオン抵抗性要素を貫通して延在する、電気メッキ中にイオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合された、複数のチャネル；（ｉｉ）基材のメッキ面と実質的に平行であり、基材のメッキ面と空隙で分離されている、基材対面側部；及び（ｉｉｉ）イオン抵抗性要素の基材対面側部上に位置決めされた段差であって、この段差は高さ及び直径を有し、段差の直径は基材のメッキ面と実質的に同延であり、段差の高さ及び直径はメッキ中に電解質が基材ホルダの下、段差の上を通って空隙内へと流れることができる程度に十分に小さい、段差、を含む、イオン抵抗性要素；（ｄ）空隙に電解質を導入するための、空隙への流入口；並びに（ｅ）空隙内を流れる電解質の直交流を受承するための、空隙の流出口を含む、電気メッキ装置が提供され、ここで、流入口及び流出口は、電気メッキ中に基材のメッキ面上に剪断力を生成又は維持するために、空隙内で電解質の直交流を生成するよう適合される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本明細書で開示する更なる態様では、基材を電気メッキするための方法が提供され、この方法は：（ａ）基材ホルダ内に実質的に平坦な基材を受承することであって、基材のメッキ面は露出しており、基材ホルダは電気メッキ中、基材のメッキ面がアノードと分離されるように基材を保持するよう構成されている、受承すること；（ｂ）基材を電解質に浸漬することであって、基材のメッキ面とイオン抵抗性要素の平面との間に空隙を形成し、イオン抵抗性要素は基材のメッキ面と少なくともほぼ同延であり、イオン抵抗性要素は電気メッキ中にイオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合されており、イオン抵抗性要素はイオン抵抗性要素の基材対面側部上に複数の隆起部を備え、この隆起部は基材のメッキ面と実質的に同延である、浸漬すること；（ｃ）（ｉ）側部流入口から空隙内へ入り、側部流出口から出るように；及び（ｉｉ）イオン抵抗性要素の下からイオン抵抗性要素を通過して空隙内へ入り、側部流出口から出るように、基材ホルダ内の基材と接触するように電解質を流すことであって、側部流入口及び側部流出口は、電気メッキ中に空隙内の電解質の直交流を生成するよう設計又は構成されている、電解質を流すこと；（ｄ）基材ホルダを回転させること；並びに（ｅ）（ｃ）と同様に電解質を流しながら、基材のメッキ面上に材料を電気メッキすることを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本明細書で開示する別の態様では、基材を電気メッキするための方法が提供され、この方法は：（ａ）基材ホルダ内に実質的に平坦な基材を受承することであって、基材のメッキ面は露出しており、基材ホルダは電気メッキ中、基材のメッキ面がアノードと分離されるように基材を保持するよう構成されている、受承すること；（ｂ）基材を電解質に浸漬することであって、基材のメッキ面とイオン抵抗性要素の平面との間に空隙を形成し、イオン抵抗性要素は基材のメッキ面と少なくともほぼ同延であり、イオン抵抗性要素は電気メッキ中にイオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合されており、イオン抵抗性要素はイオン抵抗性要素の基材対面側部上に段差を備え、この段差はイオン抵抗性要素の中心領域に位置決めされ、イオン抵抗性要素の非膨隆部で囲まれている、浸漬すること；（ｃ）（ｉ）側部流入口から段差を越えて空隙内へ入り、再び段差を越えて側部流出口から出るように；及び（ｉｉ）イオン抵抗性要素の下からイオン抵抗性要素を通過して空隙内へ入り、段差を越えて側部流出口から出るように、基材ホルダ内の基材と接触するように電解質を流すことであって、側部流入口及び側部流出口は、電気メッキ中に空隙内の電解質の直交流を生成するよう設計又は構成されている、電解質を流すこと；（ｄ）基材ホルダを回転させること；並びに（ｅ）（ｃ）と同様に電解質を流しながら、基材のメッキ面上に材料を電気メッキすることを含む。