Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月9日(2017.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流測定装置であって、
第１の電流導体（３）を有する基板（２）と、
第２の電流導体（５）を有する電流センサ（４）とを備え、
前記電流センサ（４）が、前記第１の電流導体（３）を流れる電流と、前記第２の電流導体（５）を流れる電流との和または差を測定するように構成され、ＩＣハウジング（６）内に収容され、かつ前記基板（２）の前記第１の電流導体（３）の上に取り付けられ、
前記第２の電流導体（５）が、第１および第２の端子リード（７、８）に一体に取り付けられて成形され、前記電流センサ（４）が、第３の電気端子リード（９）および半導体チップ（１０）を備え、前記半導体チップ（１０）が、磁場センサ（１１）を有する活性表面、および前記磁場センサ（１１）の動作のための電子回路を備え、前記半導体チップ（１０）が、前記第２の電流導体（５）に取り付けられ、
前記第２の電流導体（５）は、前記ＩＣハウジング（６）に埋め込まれており、
前記第１および第２の端子リード（７、８）が、前記ＩＣハウジング（６）の第１の側壁（１２）から突出し、第３の端子リード（９）が、前記第１の側壁（１２）と反対側の前記ＩＣハウジング（６）の側壁（１３）から突出し、前記第１および第２の端子リード（７、８）ならびに前記第３の端子リード（９）が、前記基板（２）に向かって曲げられ、
前記半導体チップ（１０）が、前記第２の電流導体（５）の前記基板（２）に面した側に取り付けられ、
前記半導体チップ（１０）の電気端子が、ボンディングワイヤ（１４）によって前記第３の端子リード（９）に接続され、
前記第２の電流導体（５）が、前記第１の電流導体（３）の上に、前記第１の電流導体に対して平行に延在し、動作中に、測定される第１の電流が、前記第１の電流導体（３）を流れ、測定される第２の電流が、前記第２の電流導体（５）を流れ、
前記磁場センサ（１１）は、前記半導体チップ（１０）の前記活性表面に対して平行に、かつ、前記第２の電流導体（５）に対して垂直に、延在する磁場の成分に応答し、前記第１の電流導体（３）を流れる電流によって生成される磁場、および、前記第２の電流導体（５）を流れる電流によって生成される磁場は、前記磁場センサ（１１）によって応答される、装置。
【請求項２】
前記測定される第１の電流および前記測定される第２の電流が同じ電流であり、前記第２の電流導体（５）が、前記測定される電流が前記第１の電流導体（３）を流れ、かつ反対方向に前記第２の電流導体（５）を流れるように前記第２の端子リード（８）に電気的に接続されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板（２）が、前記測定される電流が前記第１の電流導体（３）および少なくとも１つの追加の電流導体（１９）を同じ方向に流れるように前記第１の電流導体（３）に直列に接続された前記少なくとも１つの追加の電流導体（１９）を備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
動作中に、前記測定される第１の電流が、前記第１の電流導体（３）を所定の方向に流れ、かつ前記測定される第２の電流が、前記第２の電流導体（５）を同じ方向に流れ、これにより、前記第１の電流によって生成される磁場および前記第２の電流によって生成される磁場が、前記磁場センサ（１１）の位置で反対方向を向くように、前記装置が構成され、前記第１の電流によって生成される前記磁場および前記第２の電流によって生成される前記磁場が、これら２つの電流が同じ強度の場合は、これらの磁場の量に関して、前記磁場センサ（１１）の位置で等しくなるように、前記第１の電流導体（３）の幅、前記第１の電流導体（３）の前記磁場センサ（１１）からの距離、前記第２の電流導体（５）の幅、および前記第２の電流導体（５）の前記磁場センサ（１１）からの距離が互いに調整される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
磁気シールド（２２）が、前記半導体チップ（１０）の反対側となる前記第２の電流導体（５）の側に取り付けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記磁場センサが、少なくとも１つの磁場コンセントレータ（１７）および少なくとも１つのホール素子（１８）を備え、前記ホール素子（１８）が、前記磁場コンセントレータ（１７）の下のその縁の領域に配置される水平ホール素子であるか、または前記磁場コンセントレータ（１７）の近傍のその縁の領域に配置される垂直ホール素子である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記磁場センサ（１１）が、ＡＭＲ、ＧＭＲ、またはフラックスゲートセンサである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
セラミックプレート（２１）が、前記電流センサ（４）の前記半導体チップ（１０）と前記第２の電流導体（５）との間に配置されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記セラミックプレート（２１）が、前記半導体チップ（１０）の４つ全ての側面から少なくとも０．１ｍｍ突き出ている、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記セラミックプレート（２１）が、前記半導体チップ（１０）の４つ全ての側面から少なくとも０．４ｍｍ突き出ている、請求項８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月19日(2017.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービンエンジンにおいてノズルに燃料の流れを送給するための燃料調整システムであって、
複合ノックアウトドラムおよびフィルタと、
ヒータと、
前記複合ノックアウトドラムおよびフィルタと前記ヒータとの間の第１の燃料回路と、
前記第１の燃料回路と並列に、前記複合ノックアウトドラムおよびフィルタから前記ヒータに延在する第２の燃料回路と、
前記燃料の流れの圧力を増大させ、前記第１の燃料回路に位置する燃料圧縮機と、
バルブフィルタを有する回転制御バルブを有する、燃料の流れの圧力を減少させる、前記第２の燃料回路に位置する減圧バルブと、
前記燃料圧縮機の上流、かつ、前記複合ノックアウトドラムおよびフィルタの下流にある圧縮機フィルタと、
を備え、
前記圧縮機フィルタは、前記燃料圧縮機に入る燃料を濾過するために位置し、
前記複合ノックアウトドラムおよびフィルタは、前記減圧バルブと直に連通し、前記燃料圧縮機の上流、かつ、前記減圧バルブの上流に位置し、
前記ヒータは、前記減圧バルブの下流に位置し、前記燃料圧縮機および前記減圧バルブと直に連通し、前記第１の燃料回路および前記第２の燃料回路からの燃料が前記ヒータに直に流れる、
燃料調整システム。
【請求項２】
前記回転制御バルブが、スロットルボールを内部に含む、請求項１に記載の燃料調整システム。
【請求項３】
前記スロットルボールが、複数の小孔を有する複数のプレートを含む、請求項２に記載の燃料調整システム。
【請求項４】
前記スロットルボールが、回転ボールを含む、請求項２に記載の燃料調整システム。
【請求項５】
前記ヒータが、性能ヒータを含む、請求項１に記載の燃料調整システム。
【請求項６】
前記ヒータが、始動ヒータを含む、請求項１に記載の燃料調整システム。
【請求項７】
前記ヒータが、前記減圧バルブと直に連通する１つ又はそれ以上の熱トレーシング要素を含み、
性能ヒータが、前記熱トレーシング要素と直に連通する、
請求項１に記載の燃料調整システム。
【請求項８】
前記減圧バルブの下流側に位置付けられたスクラバーを更に備える、請求項１に記載の燃料調整システム。
【請求項９】
前記減圧バルブの下流側にある直線状管路を更に備える、請求項１に記載の燃料調整システム。
【請求項１０】
１つ又はそれ以上のセンサを更に備える、請求項１に記載の燃料調整システム。
【請求項１１】
前記１つ又はそれ以上のセンサが、燃料圧力センサ、燃料温度センサ、燃料水分含量センサ、及び／又は周囲温度センサを含む、請求項１０に記載の燃料調整システム。
【請求項１２】
ガスタービンエンジンにおいてノズルに燃料の流れを送給する方法であって、
前記燃料の流れの温度及び圧力を検知するステップと、
複合ノックアウトドラムおよびフィルタを通って前記燃料を減圧バルブに流して内部圧力を低減するステップであって、
前記複合ノックアウトドラムおよびフィルタは、前記減圧バルブと直に連通し、前記燃料圧縮機の上流、かつ、前記減圧バルブの上流に位置し、
前記減圧バルブは、前記複合ノックアウトドラムおよびフィルタと前記ヒータとの間に位置する、
ステップと、
前記ヒータと連通し、燃料圧縮機を有する並列燃料回路を通って前記燃料を流すステップと、
前記減圧バルブで燃料フィルタを通って前記燃料を濾過するステップと、
前記減圧バルブの下流側で、前記減圧バルブと直に連通する前記ヒータで前記燃料の流れを加熱するステップであって、前記減圧バルブと前記並列燃料回路からの前記燃料が前記ヒータに直に流れる、ステップと、
を含み、
前記燃料を減圧バルブに流すステップが、複数のプレートにわたって前記燃料を流して内部の圧力を低減するステップを含む、
方法。
【請求項１３】
ガスタービンエンジンにおいてノズルに燃料の流れを送給するための燃料調整システムであって、
複合ノックアウトドラムおよびフィルタと、
ヒータと、
前記複合ノックアウトドラムおよびフィルタと前記ヒータとの間の第１の燃料回路と、
前記第１の燃料回路と並列に、前記複合ノックアウトドラムおよびフィルタから前記ヒータに延在する第２の燃料回路と、
前記第２の燃料回路に位置し、バルブフィルタと内部にスロットルボールを有した回転制御バルブを含み、前記燃料の流れの圧力を減少させる減圧バルブと、
を備え、
前記複合ノックアウトドラムおよびフィルタは、前記減圧バルブと直に連通し、前記燃料圧縮機の上流、かつ、前記減圧バルブの上流に位置し、
前記燃料調整システムはさらに、
前記燃料圧縮機の上流、かつ、前記複合ノックアウトドラムおよびフィルタの下流にあり、前記燃料圧縮機に入る燃料を濾過するために位置する圧縮機フィルタと、
前記減圧バルブの下流側にある１つ又はそれ以上の熱トレーシング要素と、
を備え、
前記ヒータは、前記減圧バルブの下流に位置し、前記燃料圧縮機および前記減圧バルブと直に連通し、前記第１の燃料回路および前記第２の燃料回路からの燃料が前記ヒータに直に流れる、
燃料調整システム。
【請求項１４】
前記スロットルボールが、複数の小孔を有する複数のプレートを含む、請求項１３に記載の燃料調整システム。
【請求項１５】
前記減圧バルブの下流側に性能ヒータを更に備える、請求項１３に記載の燃料調整システム。
【請求項１６】
前記減圧バルブの下流側に始動ヒータを更に備える、請求項１３に記載の燃料調整システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月13日(2017.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービンシステム向けのウェイク調整構造であって、
燃焼器チェンバを画定する燃焼器ライナーと、
該燃焼器ライナーの外表面に沿って配置された空気流経路と、
該空気流経路内でかつ燃焼器ライナーの近傍の位置にあるウェイク生成構成要素であって、これの下流側の位置にウェイク領域を生成しているウェイク生成構成要素と、
該空気流経路内に配置されると共に少なくとも１つの入口穴と該少なくとも１つの入口穴の下流の少なくとも１つの出口穴を画定するベンチェリ構造であって、該少なくとも１つの出口穴は前記ウェイク領域内で、ウェイク生成構成要素の軸方向の下流側箇所においてウェイク生成構成要素と円周方向に整列させているベンチェリ構造と、
を備え、
前記ベンチェリ構造は収束形部分と発散形部分を備えており、前記少なくとも１つの入口穴は該収束形部分を通って延びておりかつ前記少なくとも１つの出口穴は発散形部分を通って延びている、ウェイク調整構造。
【請求項２】
前記空気流経路は燃焼器ライナーの外表面及びフロースリーブによって画定されており、
前記ベンチェリ構造はフロースリーブと動作可能に結合されている、請求項１に記載のウェイク調整構造。
【請求項３】
前記空気流経路は燃焼器ライナーの外表面及び外側ケーシングによって画定されており、
前記ベンチェリ構造は外側ケーシングと動作可能に結合されている、請求項１または２に記載のウェイク調整構造。
【請求項４】
前記少なくとも１つの入口穴及び少なくとも１つの出口穴は互いに円周方向にオフセットされている、請求項１乃至３のいずれかに記載のウェイク調整構造。
【請求項５】
互いに軸方向に整列させた複数の入口穴をさらに備える請求項１乃至４のいずれかに記載のウェイク調整構造。
【請求項６】
前記ウェイク生成構成要素は、燃料インジェクタ、チューブ、スパークプラグ及び炎検出器のうちの少なくとも１つを含み、
前記ベンチェリ構造は板金を含む、請求項１乃至５のいずれかに記載のウェイク調整構造。
【請求項７】
タービンシステム向けのウェイク調整構造であって、
燃焼器チェンバを画定する燃焼器ライナーと、
該燃焼器ライナーの外表面に沿って配置された空気流経路と、
該空気流経路内でかつ燃焼器ライナーの近傍の位置にあるウェイク生成構成要素であって、これの下流側の位置にウェイク領域を生成しているウェイク生成構成要素と、
該空気流経路内に配置されておりかつ前記ウェイク領域内で、前記ウェイク生成構成要素の軸方向の下流側箇所においてウェイク生成構成要素と円周方向に整列させた少なくとも１つのスロットを画定するベンチェリ構造と、
を備え、
前記ベンチェリ構造は収束形部分と発散形部分を備えており、前記少なくとも１つの入口穴は該収束形部分を通って延びておりかつ前記少なくとも１つの出口穴は発散形部分を通って延びている、ウェイク調整構造。
【請求項８】
前記ベンチェリ構造は、燃焼器ライナーの外表面から半径方向で外方に離間させた外側ケーシングと動作可能に結合させている、請求項７に記載のウェイク調整構造。
【請求項９】
前記ベンチェリ構造は燃焼器ライナーの端部キャップと動作可能に結合させている、請求項７に記載のウェイク調整構造。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのスロットは該少なくとも１つのスロットの入口の近傍にマウス領域を備え、
前記ウェイク生成構成要素は、燃料インジェクタ、チューブ、スパークプラグ及び炎検出器のうちの少なくとも１つを含み、
前記少なくとも１つのスロットは円形断面幾何形状を成している、請求項７乃至９のいずれかに記載のウェイク調整構造。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのスロットは矩形断面幾何形状を成している、請求項７乃至１０のいずれかに記載のウェイク調整構造。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月5日(2017.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンポーネント識別システムであって、
コンポーネントの表面上に配置されたデータ・マトリックス・コードの像を得るための目視検査デバイスであって、前記コンポーネントが配置された内部環境内に挿入されるように構成された目視検査デバイスと、
前記目視検査デバイスと信号通信するコンピューティング・デバイスであって、前記像内の前記データ・マトリックス・コードをデータベース内の識別されたコンポーネントに関連付けるように構成されたコンピューティング・デバイスと、
を備え、
前記データベース内の前記識別されたコンポーネントの記録は、前記コンポーネント上の以前に識別された任意の損傷または欠陥の表示を含み、
前記コンピューティング・デバイスはさらに、複数の検査にわたる前記コンポーネントに関連付けられた任意の損傷または欠陥の前記表示を追跡し、前記複数の検査および前記コンポーネント上に存在する損傷の量の変化率に基づいて損傷の将来成長を予測するように構成されている、
コンポーネント識別システム。
【請求項２】
前記目視検査デバイスはさらにボアスコープを含む、請求項１に記載のコンポーネント識別システム。
【請求項３】
前記内部環境は、ケーシングを有する工業用機械の内部であって、前記ケーシングによって囲まれている工業用機械の内部を含む、請求項１に記載のコンポーネント識別システム。
【請求項４】
前記工業用機械は、航空タービン、ガス・タービン、蒸気タービン、熱交換器、またはエンジンのうちの１つを含む請求項３に記載のコンポーネント識別システム。
【請求項５】
前記コンポーネントは、ガス・タービンの高温ガス経路コンポーネント、圧縮機コンポーネント、または燃焼コンポーネントのうちの１つを含む、請求項１に記載のコンポーネント識別システム。
【請求項６】
前記データベース内の前記識別されたコンポーネントの記録は、連続番号および図面番号のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のコンポーネント識別システム。
【請求項７】
前記コンピューティング・デバイスはさらに、前記識別されたコンポーネントの前記記録内に新しい損傷の存在を示すように構成されている、請求項１に記載のコンポーネント識別システム。
【請求項８】
少なくとも１つのコンピュータ読取可能媒体において具体化されたプログラム・コードであって、実行されると、コンピュータ・システムがコンポーネントの識別方法を実施することを可能にするプログラム・コードを含むコンピュータ・プログラム製品であって、
前記方法は、
データ・マトリックス・コードを含む像を復号して、前記像内の前記データ・マトリックス・コードを識別することと、
前記像内の前記データ・マトリックス・コードをデータベース内の識別されたコンポーネントに関連付けることであって、前記データベース内の前記識別されたコンポーネントの記録は、前記コンポーネント上の以前に識別された任意の損傷または欠陥の表示を含む、ことと、
複数の検査にわたる前記コンポーネントに関連付けられた任意の損傷または欠陥の前記表示を追跡することと、
前記複数の検査および前記コンポーネント上に存在する損傷の量の変化率に基づいて損傷の将来成長を予測することと、
を含む、
コンピュータ・プログラム製品。
【請求項９】
前記像を目視検査デバイスから受け取ることをさらに含む、請求項８に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１０】
前記像を受け取るステップは、ボアスコープを用いて得られた像を受け取ることをさらに含む、請求項９に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１１】
前記像内の前記データ・マトリックス・コードを前記データベース内の前記識別されたコンポーネントに関連付けることはさらに、前記データ・マトリックス・コードを連続番号および図面番号のうちの少なくとも１つに関連付けることを含む、請求項９に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１２】
前記像内の前記データ・マトリックス・コードの供給源が前記コンポーネントの表面上に配置される、請求項８に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１３】
前記コンポーネントは、ガス・タービンの高温ガス経路コンポーネント、圧縮機コンポーネント、または燃焼コンポーネントのうちの１つを含む、請求項１２に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１４】
前記コンポーネントは内部環境内に配置され、前記内部環境は、ケーシングを有する工業用機械の内部であって、前記ケーシングによって囲まれている工業用機械の内部を含む請求項１２に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１５】
目視検査デバイスを用いて前記像を得ることをさらに含み、
前記関連付けることは、前記像内の前記データ・マトリックス・コードを前記データベース内の前記識別されたコンポーネントに、前記コンポーネントがその場に留まる間に、前記ケーシングを開けることなく関連付けることを含む、請求項１４に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１６】
前記方法はさらに、新しい損傷が前記目視検査デバイスを用いて観察されたら、前記識別されたコンポーネントの記録内に新しい損傷または欠陥の存在を示すことを含む、請求項８に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月26日(2017.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子の発火特性を試験する方法（１００）であって、
ガス（１８）の流れを、試験チャンバ（１２）内にて前記ガスの前記流れに対して空間に固定され、前記ガス（１８）の前記流れの中の粒子（１４）の周囲に生成すること（１０２）と、
前記粒子を所望の温度まで加熱すること（１０４）と、
前記粒子と前記ガスの前記流れに関連したデータを収集すること（１０６）と
を含む方法。
【請求項２】
前記ガス（１８）、前記ガス（１８）の前記流れ、前記粒子（１４）、及び前記所望の温度を、シミュレートされる所定のシナリオであって、ガスを通して移動する高温粒子に関連するシナリオを含む所定のシナリオに対応するように選択することをさらに含む、請求項１に記載の方法（１００）。
【請求項３】
前記ガス（１８）が可燃性ガスを含む、請求項１又は２に記載の方法（１００）。
【請求項４】
前記ガス（１８）が基本的に非可燃性ガスからなる、請求項１又は２に記載の方法（１００）。
【請求項５】
前記ガス（１８）の前記流れが、前記粒子に対して０〜５００ｍ／秒の範囲の速度を有する、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法（１００）。
【請求項６】
前記ガス（１８）の前記流れは１ｂａｒより低い圧力である、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法（１００）。
【請求項７】
前記ガス（１８）の前記流れを生成すること（１０２）は、前記試験チャンバ（１２）内部に真空を引くことと、前記ガスの所定の圧力を達成するために、所定体積の前記ガスを前記試験チャンバ内に導入することと、前記ガスに前記流れを与えることとを含む、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法（１００）。
【請求項８】
前記ガス（１８）の前記流れを生成すること（１０２）は、前記試験チャンバ（１２）を含む閉ループ風洞（５０、２００）によって容易にされる、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法（１００）。
【請求項９】
前記ガス（１８）の前記流れを生成すること（１０２）は、前記試験チャンバ（１２）を通して前記ガスを再循環させることを含む、請求項１ないし８のいずれかに一項に記載の方法（１００）。
【請求項１０】
前記粒子（１４）は１０〜１０００ミクロンの範囲の最大寸法を持つ、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の方法（１００）。
【請求項１１】
前記粒子（１４）は金属粒子である、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の方法（１００）。
【請求項１２】
前記粒子（１４）を前記加熱すること（１０４）は、前記粒子をレーザで加熱すること、前記粒子を赤外光で加熱すること、及び粒子ホルダ（３２）から熱を伝導することのうちの少なくとも１つを含む、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の方法（１００）。
【請求項１３】
前記所望の温度が２５〜４０００℃の範囲の温度である、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の方法（１００）。
【請求項１４】
前記データを収集すること（１０６）は、前記粒子（１４）を視覚的に観測すること、前記粒子を視覚的に記録すること、前記粒子の前記温度を計測すること、前記粒子の周囲の前記ガス（１８）の前記流れの速度を計測すること、ガスの前記流れの圧力を計測すること、時間データを収集すること、及び前記粒子の周囲の前記ガスの前記流れに関連するシュリーレン像を収集することのうちの１つ又は複数を含む、請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の方法（１００）。
【請求項１５】
粒子の発火特性を試験する試験システム（１０）であって、
試験される粒子（１４）を保持する寸法の試験チャンバ（１２）と、
前記試験チャンバにガス（１８）を送達するように構成されたガス供給部（１６）と、
前記試験チャンバ（１２）内のガスの流れの中で前記粒子（１４）を保持し、前記粒子（１４）の周囲のガス（１８）の前記流れに対して固定された位置において前記粒子（１４）を保持するように構成された粒子ホルダ（３２）と、
前記粒子を所望の温度まで加熱するように構成された加熱装置（２０）と、
前記粒子及び／又は前記ガスに関連するデータを収集するように構成されたデータ取得装置（２２）と
を備える試験システム（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月16日(2016.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生物学的サンプル（１）を収容する容器をキャップする方法であって、前記方法は、
ａ）生物学的サンプルを収容する前記容器のための、複数のキャップ（３）を収容する廃棄可能なキャップ供給装置（２）を提供するステップと、前記キャップ供給装置は、予め画定される幾何学的構成において前記キャップ（３）を収容する区画（１２）を有し、
ｂ）前記方法は、前記キャップ供給装置（２）を、ハウジング（５）を有する事前分析システム（４）内に、前記ハウジング（５）内のインターフェース（６）を通じて導入するステップを有し、該ステップは、前記キャップ供給装置（２）を前記事前分析システム（４）に挿入するための、および前記キャップ供給装置（２）を前記事前分析システム（４）から取り出すためのフィーダ（７）に前記キャップ供給装置（２）を可逆的に格納することで行われ、
ｃ）前記方法は、横方向および縦方向に移動可能なロボットマニピュレータ（８）で前記キャップ供給装置（２）からキャップ（３）を取り出し、キャップ（３）を、生物学的サンプル（１）を収容する容器を保持するワークステーション（９）に輸送するステップと、
ｄ）前記方法は、生物学的サンプル（１）を収容する容器を、前記横方向および縦方向に移動可能なロボットマニピュレータ（８）を使用して、前記キャップ（３）でキャップするステップと、
ｅ）所定回数、または前記キャップ供給装置（２）の全てのキャップが前記横方向および縦方向に移動可能なロボットマニピュレータ（８）により取り出されるまで、前記ステップｂ）からステップｄ）を繰り返すステップと、
ｆ）前記事前分析システム（４）から前記キャップ供給装置（２）を取り出すステップと、を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記廃棄可能なキャップ供給装置（２）は、マウント（１３）を有する、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、追加的に、前記横方向および縦方向に移動可能なロボットマニピュレータ（８）を使用して生物学的サンプル（１）を収容する１つまたはそれ以上の容器を脱キャップするステップを有する、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記横方向および縦方向に移動可能なロボットマニピュレータ（８）はグリッパであり、前記廃棄可能なキャップ供給装置（２）の前記区画（１２）は、各キャップ（３）の周りに、前記グリッパが前記区画（１２）から前記キャップ（３）を取り出すのに十分な自由空間（４０）を有する、方法。
【請求項５】
生物学的サンプル（１）を収容する容器をキャップするための事前分析システム（４）であって、前記事前分析システム（４）は、
生物学的サンプル（１）を収容する容器のための複数のキャップ（３）を収容する廃棄可能なキャップ供給装置（２）を有し、前記キャップ供給装置（２）は、予め画定される幾何学的構成においてキャップ（３）を収容する区画（１２）を有し、
前記事前分析システム（４）は、前記事前分析システム（４）の要素を少なくとも部分的に囲うハウジング（５）を有し、前記ハウジング（５）は、前記キャップ供給装置（２）を前記事前分析システム（４）に挿入するため、および前記事前分析システム（４）から取り出すためのフィーダ（７）を有するインターフェース（６）を有し、
前記事前分析システム（４）は、前記事前分析システム（４）内でキャップ（３）を輸送し、生物学的サンプル（１）を収容する容器を前記キャップ（３）でキャップするための、横方向および縦方向に移動可能なロボットマニピュレータ（８）と、
前記横方向および縦方向に移動可能なロボットマニピュレータ（８）を制御するためのプログラム可能な制御ユニット（１１）と、
生物学的サンプル（１）を収容する容器を保持するワークステーション（９）と、を有する、事前分析システム。
【請求項６】
請求項５に記載の事前分析システム（４）であって、前記プログラム可能な制御ユニット（１１）は、前記廃棄可能なキャップ供給装置（２）が備えるＩＤタグ（１４）にしたがってプログラムされる、事前分析システム。
【請求項７】
請求項５または６に記載の事前分析システム（４）であって、前記廃棄可能なキャップ供給装置（２）は、マウント（１３）を有する、事前分析システム。
【請求項８】
請求項７の事前分析システム（４）であって、前記フィーダ（７）は、前記廃棄可能なキャップ供給装置（２）が備える前記マウンド（１３）のためのホルダ（１５）を有する、事前分析システム。
【請求項９】
生物学的サンプル（１）を収容する容器のためにキャップ（３）を提供するための廃棄可能なキャップ供給装置（２）であって、前記キャップ供給装置（２）は、
ａ）生物学的サンプル（１）を収容する容器のための複数のキャップ（３）と、
ｂ）予め画定される幾何学的構成において前記キャップ（３）を収容する区画（１２）と、を有する、キャップ供給装置（２）。
【請求項１０】
請求項９に記載の廃棄可能なキャップ供給装置（２）であって、さらに、マウント（１３）を有する、キャップ供給装置（２）。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の廃棄可能なキャップ供給装置（２）であって、前記区画（１２）は、各キャップ（３）の周りに、横方向および縦方向に移動可能なロボットグリッパ（８）が前記区画（１２）からキャップ（３）を取り出すのに十分な自由空間（４０）を有する、キャップ供給装置。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の廃棄可能なキャップ供給装置（２）であって、前記キャップ（３）は、前記区画（１２）内で、複数の層（４１）を形成するように積み重ねられる、キャップ供給装置（２）。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の廃棄可能なキャップ供給装置（２）であって、前記キャップ供給装置（２）はブリスタパック。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の廃棄可能なキャップ供給装置（２）であって、各区画（１２）の底部は、キャップ（３）を支持するための突起部（１９）を有する、キャップ供給装置。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一項に記載の廃棄可能なキャップ供給装置（２）であって、前記キャップ供給装置（２）は積み重ね可能である、キャップ供給装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月21日(2017.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータによって実行され、三次元シーンにおいてアセンブリの三次元モデル化オブジェクトを操作する方法であって、
少なくとも１つの３次元オブジェクトを取り囲む３次元境界ボックス（ＢＢ）であって、前記境界ボックス（ＢＢ）の表面の面が、前記面の一部である複数の対話領域を備える３次元境界ボックス（ＢＢ）を表示するステップと、
ポインティング手段（ＰＭ）を前記境界ボックス（ＢＢ）上でホバリングするステップと、
前記境界ボックス（ＢＢ）の前記表面の少なくとも１つの面が、前記少なくとも１つの面の対話領域に前記ポインティング手段（ＰＭ）がアクセスできないように表示される場合、前記対話領域へのアクセスを可能とする、より広い表面（ＷＳ）を表示するステップとを備える方法。
【請求項２】
前記対話領域に前記ポインティング手段（ＰＭ）がアクセスできず、前記ポインティング手段（ＰＭ）がアクセスできない前記面の少なくとも１つの寸法が閾値より小さい場合、前記対話領域へのアクセスを可能にするより広い表面（ＷＳ）が表示されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記より広い表面（ＷＳ）は、前記ポインティング手段（ＰＭ）がアクセスできない前記面の前記寸法に沿って表示されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記より広い表面（ＷＳ）は、前記ポインティング手段（ＰＭ）がアクセスできない前記面を含む平面に表示されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記より広い表面（ＷＳ）は、前記ポインティング手段（ＰＭ）がアクセスできない前記面の中心に置かれることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記より広い表面（ＷＳ）は、部分的透明または半透明で表示されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記より広い表面（ＷＳ）を表示する前記ステップは、前記境界ボックス（ＢＢ）の前記表面の面であって、前記ポインティング手段（ＰＭ）がアクセスできない対話領域を有する面でのホバリングによって、トリガされることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記より広い表面（ＷＳ）を表示する前記ステップは、前記ポインティング手段（ＰＭ）が前記より広い表面（ＷＳ）でのホバリングをやめると、中止されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の、三次元シーンにおいてアセンブリの三次元モデル化オブジェクトを操作するための前記方法をコンピュータシステムに実行させるコンピュータ実行可能命令を有する、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１０】
コンピュータ可読記憶媒体に記憶される、三次元シーンにおいてアセンブリの三次元モデル化オブジェクトを操作するためのコンピュータプログラムであって、請求項１から８のいずれか１項に記載の前記方法の前記ステップをシステムに行わせるコードを含む、コンピュータプログラム。
【請求項１１】
請求項１から８のいずれか１項に記載の前記方法の前記ステップを実施する手段を含む、三次元シーンにおいてアセンブリの三次元モデル化オブジェクトを操作する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月21日(2017.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータによって実行され、三次元シーンにおいてアセンブリの三次元モデル化オブジェクトを操作するための方法であって、
前記アセンブリの前記三次元モデル化オブジェクトから、少なくとも１つのオブジェクトの少なくとも第１のセット、および少なくとも１つのオブジェクトの第２のセットを決定するステップと、
前記第１のセットの前記少なくとも１つのオブジェクトを第１の三次元境界ボックス（ＢＢ）にグループ化し、前記第２のセットの前記少なくとも１つのオブジェクトを第２の三次元境界ボックス（ＢＢ）にグループ化するステップと、
前記第１および第２の境界ボックス（ＢＢ）を相対的に再編成するステップとを備える方法。
【請求項２】
前記第１および第２の境界ボックス（ＢＢ）を再編成する前記ステップは、前記第１および第２の境界ボックス（ＢＢ）のオブジェクトの前記セットのコンテンツを変更するステップを備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
境界ボックス（ＢＢ）のオブジェクトの前記セットのコンテンツを変更する前記ステップは、前記境界ボックス（ＢＢ）の表面の少なくとも１つの選択可能なコンテンツ領域（ＳＣＡ）を用いることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１および第２の境界ボックス（ＢＢ）を再編成する前記ステップは、前記第１および第２の境界ボックス（ＢＢ）の相対位置を変更するステップを備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１および第２の境界ボックス（ＢＢ）の相対位置を変更する前記ステップは、境界ボックス（ＢＢ）の表面の少なくとも１つの選択可能な軸領域（ＳＡＡ）を用いて、前記軸領域（ＳＡＡ）に直交する軸に沿ってもう１つの境界ボックス（ＢＢ）の位置を変更することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の三次元境界ボックス（ＢＢ）は、前記第１の三次元境界ボックス（ＢＢ）の少なくとも１つのオブジェクトの抽出によって作成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
境界ボックス（ＢＢ）は、手入力で作成されるか、またはパラメータの値から自動で作成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
境界ボックス（ＢＢ）は、少なくともグラブゾーン（ＧＺ）によってグラブされることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１および第２の境界ボックス（ＢＢ）を再編成する前記ステップは、複数の境界ボックス（ＢＢ）の動きのリンクを備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
選択可能な領域（ＳＡＡ、ＳＣＡ）は、部分的に透明か、または半透明であることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれか１項に記載の、三次元シーンにおいてアセンブリの三次元モデル化オブジェクトを操作するための前記方法をコンピュータシステムに実行させるコンピュータ実行可能命令を有する、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
コンピュータ可読記憶媒体に記憶される、三次元シーンにおいてアセンブリの三次元モデル化オブジェクトを操作するためのコンピュータプログラムであって、請求項１から９のいずれか１項に記載の前記方法の前記ステップをシステムに行わせるコードを備える、コンピュータプログラム。
【請求項１３】
請求項１から９のいずれか１項に記載の前記方法の前記ステップを実行する手段を備える、三次元シーンにおいてアセンブリの三次元モデル化オブジェクトを操作する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月13日(2017.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性レジスタ及び不揮発性レジスタが設けられたプロセッサと、
前記不揮発性レジスタに記憶される第１のデータを圧縮及び暗号化処理した第２のデータとする暗号化回路と、
前記第２のデータが記憶される不揮発性記憶装置と、
前記第１のデータと、前記第２のデータを復号化した第３のデータと、を比較し、前記第１のデータの正誤に関する照合を行う制御回路と、を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記暗号化回路及び前記制御回路と、前記不揮発性記憶装置とは、バスラインを介して第２のデータの入出力を行う半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記制御回路は、前記第２のデータを復号化した前記第３のデータを生成する復号回路と、前記第１のデータと前記第３のデータとを比較するための比較回路と、を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記不揮発性レジスタが有する記憶素子は、酸化物半導体層を有するトランジスタを用いて電荷の保持を行うことにより前記第１のデータを記憶する素子である、半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載の半導体装置を用いた、半導体装置の駆動方法であり、
前記第１のデータを前記不揮発性レジスタに退避させるステップと、
前記第１のデータを前記暗号化回路にコピーするステップと、
前記コピーされた第１のデータを圧縮及び暗号化処理した前記第２のデータとするステップと、
前記第２のデータを前記不揮発性記憶装置に転送するステップと、
前記プロセッサへの電源電圧の供給を停止するステップと、を行う半導体装置の駆動方法。
【請求項６】
請求項１乃至４に記載の半導体装置を用いた、半導体装置の駆動方法であり、
前記プロセッサへの電源電圧の供給を再開するステップと、
前記第２のデータを前記制御回路に転送するステップと、
前記第２のデータを復号化し、前記第３のデータとするステップと、
前記不揮発性レジスタに記憶された前記第１のデータを前記制御回路にコピーするステップと、
前記第１のデータと前記第３のデータとを比較処理するステップと、
前記比較処理において、データ同士が同一の場合、前記不揮発性レジスタに記憶された前記第１のデータを前記揮発性レジスタに読み出して処理を再開するステップ、または前記比較処理において、データ同士が同一でない場合、前記不揮発性レジスタに記憶された前記第１のデータを破棄するステップと、を行う半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月31日(2017.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、第１の超音波発信器と、第２の超音波発信器と、第１の超音波受信器と、第２の超音波受信器と、を有し、
前記表示部は、複数の表示素子と、複数のフォトセンサと、を有し、
前記第１の超音波受信器は、前記第１の超音波発信器が出力した第１の超音波の反射波を検出する機能を有し、
前記第２の超音波受信器は、前記第２の超音波発信器が出力した第２の超音波の反射波を検出する機能を有する半導体装置であって、
前記複数のフォトセンサと、前記第１の超音波発信器及び前記第１の超音波受信器と、前記第２の超音波発信器及び前記第２の超音波受信器と、のいずれかを用いて検出対象の位置を特定する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
表示部と、第１の超音波発信器と、第２の超音波発信器と、第１の超音波受信器と、第２の超音波受信器と、を有し、
前記表示部は、複数の表示素子と、複数のフォトセンサと、を有し、
前記第１の超音波受信器は、前記第１の超音波発信器が出力した第１の超音波の反射波を検出する機能を有し、
前記第２の超音波受信器は、前記第２の超音波発信器が出力した第２の超音波の反射波を検出する機能を有する半導体装置であって、
前記複数のフォトセンサを用いて検出対象の位置を特定する第１の機能と、前記第１の超音波発信器、前記第１の超音波受信器、前記第２の超音波発信器、及び前記第２の超音波受信器を用いて検出対象の位置を特定する第２の機能と、を有し、
前記複数のフォトセンサの一を用いて測定した照度に応じて、前記第１の機能と前記第２の機能とのいずれかを選択することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記照度が基準値以上である場合に、前記第１の機能を選択することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記照度が基準値未満である場合に、前記第２の機能を選択することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
表示部と、第１の超音波発信器と、第２の超音波発信器と、第１の超音波受信器と、第２の超音波受信器と、を有し、
前記表示部は、複数の表示素子と、複数のフォトセンサと、を有し、
前記第１の超音波受信器は、前記第１の超音波発信器が出力した第１の超音波の反射波を検出する機能を有し、
前記第２の超音波受信器は、前記第２の超音波発信器が出力した第２の超音波の反射波を検出する機能を有する半導体装置であって、
前記複数のフォトセンサを用いて検出対象の位置を特定する第１の機能と、前記第１の超音波発信器、前記第１の超音波受信器、前記第２の超音波発信器、及び前記第２の超音波受信器を用いて検出対象の位置を特定する第２の機能と、を有し、
前記第１の超音波発信器及び前記第１の超音波受信器前記を用いて測定した前記表示部から検出対象までの距離に応じて、または、前記第２の超音波発信器及び前記第２の超音波受信器を用いて測定した前記表示部から検出対象までの距離に応じて、前記第１の機能と前記第２の機能とのいずれかを選択することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記距離が基準値未満である場合に、前記第１の機能を選択することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５において、前記距離が基準値以上である場合に、前記第２の機能を選択することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記複数の表示素子は、マトリクス状に配置されており、
前記複数のフォトセンサは、マトリクス状に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の超音波と、前記第２の超音波とは、互いに異なる周波数を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の超音波受信器は、第１の方向に沿って配置された複数の超音波センサを有し、
前記第２の超音波受信器は、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って配置された複数の超音波センサを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月9日(2017.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
サンプリングコーンが取付けられる第一板状体と、
スキマーコーンとエキストラクタ電極とが取付けられる第二板状体とを備え、
前記第一板状体には、前記冷却溶媒用流路となる冷却溶媒用流路溝が形成され、
前記第二板状体には、前記真空用開口部と前記サンプリング部側電源接点部と前記冷却溶媒用流路の出入口とが形成されていることを特徴とする請求項３に記載のサンプリング部。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
そして、本発明のサンプリング部においては、サンプリングコーンが取付けられる第一板状体と、スキマーコーンとエキストラクタ電極とが取付けられる第二板状体とを備え、前記第一板状体には、前記冷却溶媒用流路となる冷却溶媒用流路溝が形成され、前記第二板状体には、前記真空用開口部と前記サンプリング部側電源接点部と前記冷却溶媒用流路の出入口とが形成されているようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月19日(2017.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の効果を確認するため、３次元の電磁界シミュレータを用いてシミュレーションを行った。信号線４の一端には１Ｗの電力を入力し、信号線４の他端は７５Ωの終端抵抗で終端することとして、電磁干渉抑制体３の面内方向における実効的な誘電率を変えつつ、３ｍ遠方における放射ノイズ（電界）を計算した。その上で、電磁干渉抑制体３を貼付しない場合との差分の周波数に対する変化をグラフにプロットした。即ち、電磁干渉抑制体３を貼付しない場合に発生していた輻射ノイズと全く同じレベルの輻射ノイズが発生していた場合には、０ｄＢ  μＶとなる。結果としてのグラフを図２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月19日(2017.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
スリット５のピッチをＰとし電磁干渉抑制体４の厚みをｔとした場合において、比Ｐ／ｔが１以上８０以下であることが望ましい。比Ｐ／ｔが１より小さいと製造が困難である。また、比Ｐ／ｔが１より小さいと、スリット５の方向と潜在的ノイズ放射源２及び潜在的ノイズ受信部３の配置との関連も考慮しなければならない。例えば、潜在的ノイズ放射源２から磁界が発生する際に当該電磁干渉抑制体４の面内方向の成分に対して反磁界が大きく働いてしまい、実効透磁率が低下して、磁気損失によるノイズ抑制効果が低下してしまうためである。潜在的ノイズ放射源２と潜在的ノイズ受信部３との間の結合を効果的に抑制するためには、上述した比Ｐ／ｔは、５０以下であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月18日(2017.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の表面に接触しているアノード電極を備えているショットキーバリアダイオードであり、
前記半導体基板が、前記アノード電極に接触しているｐ型コンタクト領域と、前記アノード電極にショットキー接触しているｎ型ドリフト領域を備えており、
前記ｐ型コンタクト領域が、前記アノード電極と前記半導体基板のコンタクト面において閉ループを形成するとともに曲線状に伸びるコーナー部を有している第１ｐ型領域と、前記コンタクト面において前記第１ｐ型領域の内周部に配置されているとともに前記コーナー部に接続されている第２ｐ型領域と、前記第１ｐ型領域と前記第２ｐ型領域の接続部において前記第１ｐ型領域と前記第２ｐ型領域に接しているエッジ充填部を備えており、
前記エッジ充填部に接しない範囲を延びている前記第１ｐ型領域の輪郭の前記接続部側への延長線を第１延長線とし、前記エッジ充填部に接しない範囲を延びている前記第２ｐ型領域の輪郭の前記接続部側への延長線を第２延長線としたときに、前記第１延長線と前記第２延長線が鋭角で交差しており、
前記第１延長線と前記第２延長線の間に形成される鋭角エッジを前記エッジ充填部が充填しており、
前記第２ｐ型領域が、前記コンタクト面において帯状に伸びており、
前記鋭角がθであり、
前記コンタクト面内の前記コーナー部の幅がＷ１であり、
前記コンタクト面内の前記第２ｐ型領域の幅がＷ２であり、
前記コンタクト面内の前記エッジ充填部の位置における前記ｐ型コンタクト領域の幅が、前記第１ｐ型領域と前記第２ｐ型領域の複合幅Ｗｃよりも広く、
Ｗｃ＝（Ｗ１＋Ｗ２）／ｃｏｓ（θ／２）である、
ショットキーバリアダイオード。
【請求項２】
前記第１ｐ型領域と前記エッジ充填部がなす角が９０度以上であり、前記第２ｐ型領域と前記エッジ充填部がなす角が９０度以上である、請求項１のショットキーバリアダイオード。
【請求項３】
複数本の前記第２ｐ型領域が平行に伸びており、
前記エッジ充填部から前記第１ｐ型領域が離反する位置と前記エッジ充填部から前記第２ｐ型領域が離反する位置までの間の前記エッジ充填部の輪郭が前記第２ｐ型領域に直交しており、
前記エッジ充填部の前記輪郭の長さが、隣り合う前記第２ｐ型領域の間の間隔の半分以下である請求項１または２のショットキーバリアダイオード。
【請求項４】
ショットキーバリアダイオードを製造する方法であって、
以下の特徴、すなわち、
（ａ）閉ループを形成するとともに曲線状に伸びるコーナー部を有している第１開口部と、前記第１開口部の内周部に配置されているとともに前記コーナー部に接続されている第２開口部と、前記第１開口部と前記第２開口部の接続部に形成されている第３開口部が形成されており、
（ｂ）前記第３開口部に接しない範囲を延びている前記第１開口部の輪郭の前記接続部側への延長線を第１延長線とし、前記第３開口部に接しない範囲を延びている前記第２開口部の輪郭の前記接続部側への延長線を第２延長線としたときに、前記第１延長線と前記第２延長線が鋭角で交差しており、
（ｃ）前記第３開口部が、前記第１延長線と前記第２延長線の間に形成される鋭角エッジを含む範囲に形成されている、という開口部が形成されているマスクをｎ型の半導体基板の表面に形成し、
前記マスクを介して前記半導体基板にｐ型不純物を注入することによって、前記半導体基板にｐ型コンタクト領域を形成し、
前記表面から前記マスクを除去し、
前記表面に、前記ｐ型コンタクト領域に接触し、前記マスクに覆われていた範囲内のｎ型領域にショットキー接触するアノード電極を形成し、
前記第２開口部が、帯状に伸びており、
前記鋭角がθであり、
前記コーナー部の幅がＷ１であり、
前記第２開口部の幅がＷ２であり、
前記第３開口部の位置における前記開口部の幅が、前記第１開口部と前記第２開口部の複合幅Ｗｃよりも広く、
Ｗｃ＝（Ｗ１＋Ｗ２）／ｃｏｓ（θ／２）である、
ショットキーバリアダイオードの製造方法。