【手続補正書】
【提出日】平成28年11月9日(2016.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域と、前記第１領域の厚さよりも薄い厚さの第２領域と、を含む基板と、
前記第１領域に設けられた第１電極と、
前記第１電極の上に設けられた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた第１磁性層と、
前記第１電極と前記第１磁性層との間及び前記第１磁性層と前記第２電極との間のいずれかに設けられ磁化の方向が可変の第２磁性層と、
前記第１電極から前記第２電極へ向かう積層方向において前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられたスペーサ層と、
前記第２領域の上において前記第２磁性層と連続して設けられ前記第２領域に発生する歪みに応じて磁化が変化する第３磁性層と、
を備え、
前記第２磁性層の磁化の方向は、前記第３磁性層の磁化の方向に応じて変化する、圧力センサ。
【請求項２】
前記第２磁性層と前記スペーサ層との間に設けられ磁化の方向が可変の第４磁性層をさらに備えた請求項１記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記第４磁性層の磁化の方向は、前記第２磁性層の磁化の方向に応じて変化する請求項２記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記第３磁性層の上に設けられ磁化の方向が可変の第５磁性層をさらに備えた請求項１〜３のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項５】
前記第５磁性層の磁化の方向は、前記第３磁性層の磁化の方向に応じて変化する請求項４記載の圧力センサ。
【請求項６】
第１領域と、前記第１領域の厚さよりも薄い厚さの第２領域と、を含む基板と、
前記第１領域に設けられた第１電極と、
前記第１電極の上に設けられた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた第１磁性層と、
前記第１電極と前記第１磁性層との間及び前記第１磁性層と前記第２電極との間のいずれかに設けられ磁化の方向が可変の第２磁性層と、
前記第１電極から前記第２電極へ向かう積層方向において前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられたスペーサ層と、
前記第２領域の上において前記積層方向と交差する方向において前記第２磁性層と離間して設けられ前記第２領域に発生する歪みに応じて磁化が変化する第３磁性層と、
を備え、
前記第２磁性層の磁化の方向は、前記第３磁性層の磁化の方向に応じて変化する、圧力センサ。
【請求項７】
前記第３磁性層の磁歪定数の絶対値は、前記第２磁性層の磁歪定数の絶対値よりも大きい請求項１〜６のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項８】
前記第３磁性層の体積は、前記第２磁性層の体積よりも大きい請求項１〜７のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項９】
前記積層方向と直交する平面への前記第３磁性層の投影面積は、前記積層方向と直交する平面への前記第２磁性層の投影面積よりも大きい請求項１〜８のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項１０】
前記積層方向における前記第３磁性層の厚さは、前記積層方向における前記第２磁性層の厚さよりも厚い請求項１〜９のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項１１】
前記第１領域の上に設けられた第１ハードバイアスと、
前記第１領域の上に設けられた第２ハードバイアスと、
をさらに備え、
前記第２磁性層は、前記積層方向と交差する方向において前記第１ハードバイアスと前記第２ハードバイアスとの間に設けられた請求項１〜１０のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項１２】
前記第２領域の上に設けられた第３ハードバイアスと、
前記第２領域の上に設けられた第４ハードバイアスと、
をさらに備え、
前記第３磁性層は、前記積層方向と交差する方向において前記第３ハードバイアスと前記第４ハードバイアスとの間に設けられた請求項１〜１０のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項１３】
前記第１領域の上に設けられた第１ハードバイアスと、
前記第１領域の上に設けられた第２ハードバイアスと、
前記第２領域の上に設けられた第３ハードバイアスと、
前記第２領域の上に設けられた第４ハードバイアスと、
をさらに備え、
前記第２磁性層は、前記積層方向と交差する方向において前記第１ハードバイアスと前記第２ハードバイアスとの間に設けられ、
前記第３磁性層は、前記積層方向と交差する方向において前記第３ハードバイアスと前記第４ハードバイアスとの間に設けられた請求項１〜１０のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項１４】
第１領域と、前記第１領域の厚さよりも薄い厚さの第２領域と、を含む基板と、
前記第１領域に設けられた第１電極と、
前記第１電極の上に設けられた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた第１磁性層と、
第２磁性層と、
スペーサ層と、
を備え、
前記第２磁性層の第１部分は、前記第１電極と前記第１磁性層との間及び前記第１磁性層と前記第２電極との間のいずれかにあり、
前記第２磁性層の第２部分は、前記第２領域に設けられ、前記第２部分の磁化は、前記第２領域に発生する歪みに応じて変化し、
前記スペーサ層は、前記第１電極から前記第２電極へ向かう積層方向において前記第１磁性層と前記第１部分との間に設けられ、
前記第１電極と前記第２電極との間の電気抵抗は、前記第２領域に発生する歪に応じて変化する、圧力センサ。
【請求項１５】
前記第１部分と前記スペーサ層との間に設けられ磁化の方向が可変の第４磁性層をさらに備えた請求項１４記載の圧力センサ。
【請求項１６】
前記第４磁性層の磁化の方向は、前記第１部分の磁化の方向に応じて変化する請求項１５記載の圧力センサ。
【請求項１７】
磁化の方向が可変の第５磁性層をさらに備え、
前記第５磁性層と前記第２領域との間に前記第２部分が設けられた、請求項１４〜１６のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項１８】
前記第５磁性層の磁化の方向は、前記第２部分の磁化の方向に応じて変化する請求項１７記載の圧力センサ。
【請求項１９】
前記第２部分の磁歪定数の絶対値は、前記第１部分の磁歪定数の絶対値よりも大きい請求項１４〜１８のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項２０】
前記第２部分の体積は、前記第１部分の体積よりも大きい請求項１４〜１９のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項２１】
前記積層方向と直交する平面への前記第２部分の投影面積は、前記積層方向と直交する平面への前記第１部分の投影面積よりも大きい請求項１４〜２０のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項２２】
前記積層方向における前記第２部分の厚さは、前記積層方向における前記第１部分の厚さよりも厚い請求項１４〜２１のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項２３】
前記第１領域の上に設けられた第１ハードバイアスと、
前記第１領域の上に設けられた第２ハードバイアスと、
をさらに備え、
前記第１部分は、前記積層方向と交差する方向において前記第１ハードバイアスと前記第２ハードバイアスとの間に設けられた請求項１４〜２２のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項２４】
前記第２領域の上に設けられた第３ハードバイアスと、
前記第２領域の上に設けられた第４ハードバイアスと、
をさらに備え、
前記第２部分は、前記積層方向と交差する方向において前記第３ハードバイアスと前記第４ハードバイアスとの間に設けられた請求項１４〜２２のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項２５】
前記第１領域の上に設けられた第１ハードバイアスと、
前記第１領域の上に設けられた第２ハードバイアスと、
前記第２領域の上に設けられた第３ハードバイアスと、
前記第２領域の上に設けられた第４ハードバイアスと、
をさらに備え、
前記第１部分は、前記積層方向と交差する方向において前記第１ハードバイアスと前記第２ハードバイアスとの間に設けられ、
前記第２部分は、前記積層方向と交差する方向において前記第３ハードバイアスと前記第４ハードバイアスとの間に設けられた請求項１４〜２２のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項２６】
前記第３ハードバイアスは、前記第１ハードバイアスと連続して設けられ、
前記第４ハードバイアスは、前記第２ハードバイアスと連続して設けられた請求項１３または２５に記載の圧力センサ。
【請求項２７】
前記第３ハードバイアスは、前記積層方向と交差する方向において前記第１ハードバイアスと離間して設けられ、
前記第４ハードバイアスは、前記積層方向と交差する方向において前記第２ハードバイアスと離間して設けられた請求項１３または２５に記載の圧力センサ。
【請求項２８】
請求項１〜２７のいずれか１つに記載の圧力センサを備えた音響マイク。
【請求項２９】
請求項１〜２７のいずれか１つに記載の圧力センサを備えた血圧センサ。
【請求項３０】
請求項１〜２７のいずれか１つに記載の圧力センサを備えたタッチパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態によれば、基板と、第１電極と、第２電極と、第１磁性層と、第２磁性層と、スペーサ層と、第３磁性層と、を含む圧力センサが提供される。前記基板は、第１領域と、第２領域と、を含む。前記第２領域の厚さは、前記第１領域の厚さよりも薄い。前記第１電極は、前記第１領域に設けられる。前記第２電極は、前記第１電極の上に設けられる。前記第１磁性層は、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる。前記第２磁性層は、前記第１電極と前記第１磁性層との間及び前記第１磁性層と前記第２電極との間のいずれかに設けられる。前記第２磁性層の磁化の方向は、可変である。前記スペーサ層は、前記第１電極から前記第２電極へ向かう積層方向において前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられる。前記第３磁性層は、前記第２領域の上において前記第２磁性層と連続して設けられる。前記第３磁性層の磁化は、前記第２領域に発生する歪みに応じて変化する。前記第２磁性層の磁化の方向は、前記第３磁性層の磁化の方向に応じて変化する。
別の実施形態によれば、第１領域と、前記第１領域の厚さよりも薄い厚さの第２領域と、を含む基板と、前記第１領域に設けられた第１電極と、前記第１電極の上に設けられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた第１磁性層と、前記第１電極と前記第１磁性層との間及び前記第１磁性層と前記第２電極との間のいずれかに設けられ磁化の方向が可変の第２磁性層と、前記第１電極から前記第２電極へ向かう積層方向において前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられたスペーサ層と、前記第２領域の上において前記積層方向と交差する方向において前記第２磁性層と離間して設けられ前記第２領域に発生する歪みに応じて磁化が変化する第３磁性層と、を備えた圧力センサが提供される。前記第２磁性層の磁化の方向は、前記第３磁性層の磁化の方向に応じて変化する。
別の実施形態によれば、第１領域と、前記第１領域の厚さよりも薄い厚さの第２領域と、を含む基板と、前記第１領域に設けられた第１電極と、前記第１電極の上に設けられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた第１磁性層と、第２磁性層と、スペーサ層と、を備えた圧力センサが提供される。前記第２磁性層の第１部分は、前記第１電極と前記第１磁性層との間及び前記第１磁性層と前記第２電極との間のいずれかにある。前記第２磁性層の第２部分は、前記第２領域に設けられる。前記第２部分の磁化は、前記第２領域に発生する歪みに応じて変化する。前記スペーサ層は、前記第１電極から前記第２電極へ向かう積層方向において前記第１磁性層と前記第１部分との間に設けられる。前記第１電極と前記第２電極との間の電気抵抗は、前記第２領域に発生する歪に応じて変化する。