【手続補正書】
【提出日】平成29年2月3日(2017.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを加速する加速器と、
前記加速器から前記イオンビームが出射される第１ビーム経路及び前記第１ビーム経路に沿って配置される第１ステアリング電磁石及び第２ステアリング電磁石を有する第１ビーム輸送系と、
回転ガントリーと、
前記回転ガントリーに取り付けられ、前記第１ビーム経路に連絡される第２ビーム経路及び前記第２ビーム経路に沿って配置される第３ステアリング電磁石及び第４ステアリング電磁石を有する第２ビーム輸送系と、
前記回転ガントリーに取り付けられ、前記第２ビーム経路に連絡される照射装置と、
前記第１および第２ステアリング電磁石よりも下流で前記第１ビーム経路に沿って相互間に間隔を置いて配置される第１及び第２ビーム位置測定装置と、
前記照射装置内で前記照射装置の中心軸に沿って相互間に間隔を置いて配置される第３及び第４ビーム位置測定装置と、
前記第３及び第４ビーム位置測定装置で測定される各ビーム位置に基づいて前記第１ステアリング電磁石に対する第１励磁電流及び前記第２ステアリング電磁石に対する第２励磁電流をそれぞれ算出する第１励磁電流演算装置とを備えたことを特徴とする粒子線照射システム。
【請求項２】
前記算出される第１及び第２励磁電流を用いて、記憶装置に格納されている、前記第１及び第２ステアリング電磁石のそれぞれに対する励磁電流を更新する励磁電流更新装置を備えた請求項１に記載の粒子線照射システム。
【請求項３】
前記回転ガントリーの設定回転角度ごとの、前記第３ステアリング電磁石に対する第５励磁電流及び前記第４ステアリング電磁石に対する第６励磁電流の各情報を含む回転角度テーブル情報、前記回転ガントリーの一つの回転角度における、前記第１ステアリング電磁石に対する第３励磁電流及び前記第２ステアリング電磁石に対する第４励磁電流の各情報、及び前記第３及び第４ビーム位置測定装置によって測定される各々の前記ビーム位置の情報を格納する記憶装置と、
前記記憶装置に格納されている前記第３励磁電流情報を前記第１励磁電流の情報に更新し、前記記憶装置に格納されている前記第４励磁電流情報を前記第２励磁電流の情報に更新する励磁電流更新装置を備えた請求項１に記載の粒子線照射システム。
【請求項４】
前記回転ガントリーの一つの設定回転角度において前記第１及び第２ビーム位置測定装置で測定される各ビーム位置に基づいて前記第１ステアリング電磁石に対する第３励磁電流及び前記第２ステアリング電磁石に対する第４励磁電流をそれぞれ算出し、前記回転ガントリーの複数の設定回転角度において前記第３及び第４ビーム位置測定装置で測定される各ビーム位置に基づいて、前記第３ステアリング電磁石に対する第５励磁電流及び前記第４ステアリング電磁石に対する第６励磁電流を前記設定回転角度ごとにそれぞれ算出する第２励磁電流演算装置とを備える請求項１に記載の粒子線照射システム。
【請求項５】
前記設定回転角度ごとに、前記設定回転角度ごとの前記第５励磁電流及び前記第６励磁電流を含む回転角度テーブル情報を作成するテーブル作成装置と、
前記設定回転角度ごとの前記回転角度テーブル情報、前記回転ガントリーの一つの回転角度における、前記第１ステアリング電磁石に対する第３励磁電流及び前記第２ステアリング電磁石に対する第４励磁電流の各情報、及び前記第３及び第４ビーム位置測定装置によって測定される各々の前記ビーム位置の情報を格納する記憶装置とを備えた請求項４に記載の粒子線照射システム。
【請求項６】
前記記憶装置に格納されている前記第３励磁電流情報を前記第１励磁電流の情報に更新し、前記記憶装置に格納されている前記第４励磁電流情報を前記第２励磁電流の情報に更新する励磁電流更新装置を備えた請求項５に記載の粒子線照射システム。
【請求項７】
イオンビーム走査装置を有する前記照射装置と、
前記イオンビーム走査装置を制御する走査制御装置と、
前記第１励磁電流及び前記第２励磁電流を、前記加速器から出射される前記イオンビームの設定エネルギーごとに算出する前記第１励磁電流演算装置とを備えた請求項１に記載の粒子線照射システム。
【請求項８】
ビーム照射対象への前記イオンビームの照射後におけるビーム軌道の調整が選択されるとき、前記回転ガントリーを基準回転角度まで回転させる回転制御装置への第１制御指令、前記第３及び第４ビーム位置測定装置のそれぞれによる前記ビーム位置の測定を、前記イオンビームの所定のエネルギーの範囲において設定エネルギーごとに繰り返して実施させる第２制御指令、及び前記第１励磁電流演算装置による前記第１及び第２励磁電流の算出を実行させる第３制御指令を、前記第１制御指令、前記第２制御指令及び前記第３制御指令の順に出力する第１軌道調整制御装置を備えた請求項１に記載の粒子線照射システム。
【請求項９】
前記回転ガントリーの一つの設定回転角度において前記第１及び第２ビーム位置測定装置で測定される各ビーム位置に基づいて前記第１ステアリング電磁石に対する第３励磁電流及び前記第２ステアリング電磁石に対する第４励磁電流をそれぞれ算出し、前記回転ガントリーの複数の設定回転角度において前記第３及び第４ビーム位置測定装置で測定される各ビーム位置に基づいて、前記第３ステアリング電磁石に対する第５励磁電流及び前記第４ステアリング電磁石に対する第６励磁電流を前記設定回転角度ごとにそれぞれ算出する第２励磁電流演算装置と、
前記粒子線照射システムの試運転の期間におけるビーム軌道の調整が選択されるとき、前記第２励磁電流演算装置による前記第３及び第４励磁電流のそれぞれの算出を一つの設定エネルギーにおいて実施させる第４制御指令、及び前記回転ガントリーの回転範囲内の前記設定回転角度ごとに前記第２励磁電流演算装置による前記第５及び第６励磁電流のそれぞれの算出を実施させる第５制御指令を、前記第４制御指令及び前記第５制御指令の順に、複数の前記設定エネルギーを含む前記イオンビームの所定のエネルギーの範囲内の前記設定エネルギーごとに出力する第２軌道調整制御装置と、
ビーム照射対象への前記イオンビームの照射後におけるビーム軌道の調整が選択されるとき、前記回転ガントリーを基準回転角度まで回転させる回転制御装置への第１制御指令、前記第３及び第４ビーム位置測定装置のそれぞれによる前記ビーム位置の測定を、前記イオンビームの所定のエネルギーの範囲において前記設定エネルギーごとに繰り返して実施させる第２制御指令、及び前記第１励磁電流演算装置による前記第１及び第２励磁電流の算出を実行させる第３制御指令を、前記第１制御指令、前記第２制御指令及び前記第３制御指令の順に出力する第１軌道調整制御装置とを備えた請求項１または２に記載の粒子線照射システム。
【請求項１０】
前記加速器がシンクロトロン加速器及びサイクロトロン加速器のいずれかである請求項１に記載の粒子線照射システム。
【請求項１１】
照射制御装置と、
前記照射制御装置からの第１制御指令に基づいて前記回転ガントリーを回転させて前記照射装置の前記中心軸をビーム照射対象に対する前記イオンビームの照射方向に設定するガントリー制御装置と、
前記照射制御装置からの第２制御指令に基づいて、前記第１ステアリング電磁石に供給する励磁電流を前記第１励磁電流に調節し、前記第２ステアリング電磁石に供給する励磁電流を前記第２励磁電流に調節するステアリング電磁石制御装置とを有する請求項１に記載の粒子線照射システム。
【請求項１２】
照射制御装置と、
前記照射制御装置からの第１制御指令に基づいて前記回転ガントリーを回転させて前記照射装置の前記中心軸をビーム照射対象に対する前記イオンビームの照射方向に設定するガントリー制御装置と、
前記照射制御装置からの第２制御指令に基づいて、前記第１ステアリング電磁石に供給する励磁電流を前記第１励磁電流に調節し、前記第２ステアリング電磁石に供給する励磁電流を前記第２励磁電流に調節し、前記第３ステアリング電磁石に供給する励磁電流を前記第５励磁電流に調節し、前記第４ステアリング電磁石に供給する励磁電流を前記第６励磁電流に調節するステアリング電磁石制御装置とを有する請求項３に記載の粒子線照射システム。