【手続補正書】
【提出日】平成28年11月28日(2016.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程：
基板上に少なくとも１のマスク層を堆積させてパターン基板を形成する工程であって、前記マスク層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、及びＴａから選ばれる１以上を含む少なくとも１の不活性層を含み、前記不活性層は前記基板に接着されている、工程； 
前記パターン基板を密封可能なコンテナ中に第ＩＩＩ族金属源、少なくとも１の鉱化剤組成物、及び窒素含有溶媒と共に配置する工程；及び
少なくとも１００時間の間、前記密閉可能なコンテナを少なくとも４００℃に加熱し、それを５０ＭＰａ超に加圧することによって該パターン基板上に１以上の接合面を有するアモノサーマル第ＩＩＩ族金属窒化物層を形成する工程であって、前記１以上の接合面は貫通転位の局所的に略線状のアレイのパターンを含み、前記貫通転位は５ｃｍ−１〜１０５ｃｍ−１の密度を有し、前記パターンは、
５ミクロン〜２０ミリメータメートルの大きさの少なくとも１のピッチ；及び
前記貫通転位の局所的に略線状のアレイの間の領域であって、１０５ｃｍ−２未満の密度の貫通転位と、１０３ｃｍ−１未満の密度の積層欠陥を有する、領域を有する、工程；
を含む方法で製造された第ＩＩＩ族金属窒化物結晶であって、
該結晶はガリウム、アルミニウム、インジウム、及びこれらの組合わせから選ばれる第ＩＩＩ族金属と窒素を含む、第ＩＩＩ族金属窒化物結晶。
【請求項２】
該第ＩＩＩ族金属窒化物が第１の大面積表面を含み、
該第１の大面積表面が、
対称なｘ線ロッキングカーブ半値全幅が２００秒角未満であり、
不純物Ｈの濃度が１０１７ｃｍ−３より高く、及び
Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩのうちの少なくとも１つの不純物について、較正された二次イオン質量分析法によって定量化した濃度が１０１５ｃｍ−３より高いことを特徴とする、請求項１記載の第ＩＩＩ族金属窒化物結晶。
【請求項３】
下記工程：
基板上に少なくとも１のマスク層を堆積させてパターン基板を形成する工程であって、前記マスク層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、及びＴａから選ばれる１以上を含む少なくとも１の不活性層を含み、前記不活性層は前記基板に接着されている、工程；
前記パターン基板を密封可能なコンテナ中に第ＩＩＩ族金属源、少なくとも１の鉱化剤組成物、及び窒素含有溶媒と共に配置する工程；及び
前記密閉可能なコンテナを、少なくとも１００時間の間、少なくとも４００℃に加熱し、それを５０ＭＰａ超に加圧することによって該パターン基板上に１以上の接合面を有するアモノサーマル第ＩＩＩ族金属窒化物層を形成する工程、
を含む方法で得られる第ＩＩＩ族金属窒化物から誘導される種結晶上に成長されたバルク結晶から形成されたウェーハであって、
前記ウェーハは自立アモノサーマル第ＩＩＩ族金属窒化物結晶であり、
該ウェーハはウルツ型結晶構造によって特徴付けられ、及び、少なくとも下記：
ガリウム、アルミニウム、インジウム、及びこれらの組合わせから選ばれる第ＩＩＩ族金属と窒素；及び
１０ミリメートルを超える最大寸法を有する第１の大面積表面；
を含み、
該第１の大面積表面は下記を特徴とし：
対称なｘ線ロッキングカーブ半値全幅が２００秒角未満であり、
不純物Ｈの濃度が１０１７ｃｍ−３より高く、及び
Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩのうちの少なくとも１つの不純物について、較正された二次イオン質量分析法によって定量化した濃度が１０１５ｃｍ−３より高く、
該第１の大面積表面は、５ｃｍ−１〜１０５ｃｍ−１の密度の貫通転位の局所的に略線状のアレイのパターンを含み、及び該パターンは、
５ミクロン〜２０ミリメートルの大きさの少なくとも１のピッチ；及び
該貫通転位の局所的に略線状のアレイの間の領域であって、１０５ｃｍ−２未満の濃度の貫通転位と、１０３ｃｍ−１未満の密度の積層欠陥とを有することを特徴とする、領域により特徴付けられる、
ウェーハ。
【請求項４】
前記第１の大面積表面の結晶方位が｛１０−１０｝ｍ面の５度以内であることを特徴とする請求項３記載のウェーハ。
【請求項５】
前記第１の大面積表面の結晶方位が（０００１）＋ｃ面の５度以内であるか、または（０００−１）−ｃ面の５度以内であることを特徴とする請求項３記載のウェーハ。
【請求項６】
前記第１の大面積表面が、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）、ならびにフッ素（Ｆ）および塩素（Ｃｌ）のうちの少なくとも一方の不純物濃度がそれぞれ、１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０１９ｃｍ−３、１×１０１６ｃｍ−３〜２×１０１９ｃｍ−３、ならびに１×１０１５ｃｍ−３〜１×１０１９ｃｍ−３であることを特徴とする請求項３記載のウェーハ。
【請求項７】
前記第１の大面積表面は、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）、フッ素（Ｆ）、ならびにナトリウム（Ｎａ）およびカリウム（Ｋ）のうちの少なくとも一方の不純物濃度がそれぞれ、１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０１９ｃｍ−３、１×１０１６ｃｍ−３〜２×１０１９ｃｍ−３、ならびに３×１０１５ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３であることを特徴とする請求項３記載のウェーハ。
【請求項８】
前記パターンのピッチ寸法は２００マイクロメートル〜５ミリメートルであることを特徴とする請求項３記載のウェーハ。
【請求項９】
該第１の大面積表面は、対称なｘ線方向ロッキングカーブの半値全幅値が１００秒角未満であり、全体的転位密度が１０５ｃｍ−２未満であり、及び前記貫通転位の局所的に略線状のアレイの間の領域内の転位密度が１０４ｃｍ−２未満であることを特徴とする請求項３記載のウェーハ。
【請求項１０】
第２の大面積表面をさらに含み、該第２の大面積表面は、前記第１の大面積表面に対して実質的に平行であり；
該結晶は、前記第１の大面積表面と前記第２の大面積表面との間の厚さが０．１ミリメートル〜１ミリメートルであり、総厚のバラツキが１０マイクロメートル未満であり、巨視的湾曲が５０マイクロメートル未満であることを特徴とする請求項３記載のウェーハ。
【請求項１１】
不純物Ｈの濃度の不純物Ｏの濃度に対する比が１．１〜１００である請求項３記載のウェーハ。
【請求項１２】
下記工程：
基板上に少なくとも１のパターンマスク層上を堆積させてパターン基板を形成する工程であって、前記マスク層はＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、及びＴａから選ばれる１以上を含む少なくとも１の不活性層を含み、前記不活性層は前記基板に接着されている、工程；
前記パターン基板を密封可能なコンテナ中に第ＩＩＩ族金属源、少なくとも１の鉱化剤組成物、及び窒素含有溶媒と共に配置する工程；及び
前記密閉可能なコンテナを加熱することによって該パターン基板上に１以上の接合面を有するアモノサーマル第ＩＩＩ族金属窒化物層を形成する工程；
を含む方法により製造された第ＩＩＩ族金属窒化物結晶から誘導された種結晶上に成長された結晶からのウェーハであって、
前記ウェーハは自立第ＩＩＩ族金属窒化物結晶であり、前記ウェーハはウルツ型結晶構造を有し、及び、少なくとも下記：
ガリウム、アルミニウム、インジウム、及びこれらの組合わせから選ばれる第ＩＩＩ族金属と窒素；及び
１０ミリメートルを超える最大寸法を有する第１の大面積表面；
を含み、該第１の大面積表面は下記：
対称なｘ線ロッキングカーブ半値全幅が２００秒角未満であり、及び
該第１の大面積表面は、少なくとも１つの方向において貫通転位密度が周期的に少なくとも２倍変化する領域を含み、該変化の周期は、５マイクロメートル〜２０ミリメートルである、ことを特徴とする、
ウェーハ。
【請求項１３】
該第１の大面積表面は、少なくとも１つの方向において貫通転位の密度が周期的に少なくとも１０倍変化する領域を含み、該変化の周期は、２００マイクロメートル〜５ミリメートルである請求項１２記載のウェーハ。
【請求項１４】
該第１の大面積表面は、不純物Ｈの濃度が１０１７ｃｍ−３より高く、及びＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩのうちの少なくとも１つの不純物について、較正された二次イオン質量分析法によって定量化した濃度が１０１５ｃｍ−３より高いことを特徴とする請求項１２記載のウェーハ。