Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月26日(2017.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
灌流液を含む廃液を患者眼から吸引する灌流吸引装置であって、
前記廃液が貯留される貯留部と、
前記貯留部と前記患者眼との間に接続され、前記廃液が流れる廃液路と、
前記貯留部のうち、貯留された前記廃液の液面よりも上方に接続され、前記貯留部内と外部との間で気体を通過させる吸気路と、
前記吸気路に接続され、前記貯留部内から外部へ気体を吸引するための吸引力を発生させる吸気手段と、
前記吸気路のうち前記貯留部と前記吸気手段の間に設けられ、気体を通過させると共に液体を遮断する第１フィルタと、
前記吸気路のうち前記第１フィルタよりも前記吸気手段側に設けられ、前記吸気路内の気体の圧力を検出する第１センサと、
前記吸気路のうち前記第１フィルタよりも前記貯留部側に設けられ、前記吸気路内の気体の圧力を検出する第２センサと、
前記第１センサと前記第２センサの出力信号を用いて前記第１フィルタを通過する気体の流量を取得する制御部と、
を備えることを特徴とする灌流吸引装置。
【請求項２】
請求項１に記載の灌流吸引装置であって、
前記吸気路のうち前記第２センサよりも前記貯留部側、または、前記吸気路と前記貯留部との接続位置に設けられ、気体を通過させると共に液体を遮断する第２フィルタをさらに備え、
前記制御部は、
前記第１センサと前記第２センサの出力信号を用いて，前記貯留部内の気体の圧力を算出することを特徴とする灌流吸引装置。
【請求項３】
灌流液を含む廃液を患者眼から吸引する灌流吸引装置であって、
前記廃液が貯留される貯留部と、
前記貯留部と前記患者眼との間に接続され、前記廃液が流れる廃液路と、
前記貯留部のうち、貯留された前記廃液の液面よりも上方に接続され、前記貯留部内と外部との間で気体を通過させる吸気路と、
前記吸気路に接続され、前記貯留部内から外部へ気体を吸引するための吸引力を発生させる吸気手段と、
前記吸気路のうち前記貯留部と前記吸気手段の間に設けられ、前記吸気路を通過する気体の流量を減少させる流量減少部と、
前記吸気路のうち前記流量減少部よりも前記貯留部側、または、前記吸気路と前記貯留部との接続位置に設けられ、気体を通過させると共に液体を遮断するフィルタと、
前記吸気路のうち前記流量減少部よりも前記吸気手段側に設けられ、前記吸気路内の気体の圧力を検出する第１センサと、
前記吸気路のうち前記流量減少部よりも前記貯留部側に設けられ、前記吸気路内の気体の圧力を検出する第２センサと、
前記第１センサと前記第２センサの出力信号を用いて，前記貯留部内の気体の圧力を算出する制御部と、
を備えることを特徴とする灌流吸引装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月22日(2016.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顎関節の脱臼を防ぐために装着する顎関節脱臼防止具であって、
伸縮可能な素材からなりオトガイの形状に沿って接触する顎受部と、
伸縮可能な素材からなり該顎受部から上方に向かって頬に沿うように両側に延在し開口を制限する方向に該顎受部を引き上げる牽引部と、
該牽引部が該下顎を引き上げる牽引力を頭部全体で支える頭部包囲部とを備え、
前記牽引部は、前記頭部包囲部に連結されている第1牽引部と、該顎受部に対する牽引力が変更できるように該頭部包囲部に係留可能とされている第２牽引部とからなることを特徴とする顎関節脱臼防止具。
【請求項２】
前記頭部包囲部は頭部全体を覆っている請求項１に記載の顎関節脱臼防止具。
【請求項３】
顎関節の脱臼を防ぐために装着する顎関節脱臼防止具であって、
伸縮可能な素材からなりオトガイの形状に沿って接触する顎受部と、
伸縮可能な素材からなり該顎受部から上方に向かって頬に沿うように両側に延在し開口を制限する方向に該顎受部を引き上げる牽引部と、
該牽引部が該下顎を引き上げる牽引力を頭部全体で支える頭部包囲部とを備え、
前記頭部包囲部は頭部全体を覆っており、該頭部包囲部、前記牽引部及び前記顎受部は単一の素材から構成された一枚の部材によって構成されていることを特徴とする顎関節脱臼防止具。
【請求項４】
前記顎受け部が下顎を引き上げる牽引力は２５０ｇ重以上３０００ｇ重以下である請求項１乃至３のいずれか1項に記載の顎関節脱臼防止具。
【請求項５】
前記頭部包囲部に接合され頭部の周縁を締め付ける頭部締付具が設けられている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の顎関節脱臼防止具。
【請求項６】
前記顎受部は多層構造をなし、装着時に下顎に接触する部分は皮膚への局所の圧迫を避けることができる程度の柔らかさの第１弾性体層からなり、装着時に下顎に接触しない部分には第1弾性体層よりも固い素材からなる第２弾性体層が設けられている請求項１乃至５のいずれか1項に記載の顎関節脱臼防止具。
【請求項７】
前記牽牽引部には装着時における下顎の牽引力が所定の値となるように調整できる調整機構が設けられている請求項１乃至６のいずれか1項に記載の顎関節脱臼防止具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
顎受部２は、前述した２層からなる素材が２枚重ねとなっており、装着者のオトガイの形状に整合し、外側に縫い目がくるように立体縫製（すなわち、オトガイを包む形状となるように）されていて、縫製糸が装着者の皮膚に当たらないようになっている。また、オトガイの皮膚に接する面に、摩擦抵抗の大きい素材を接着したり、表面加工による滑り止めを形成させたりすることが好ましい。２枚重ねの顎受部２における内側の素材は上方に連続して第１牽引部３ａが両頬に沿って延在しており、牽引部３ａの上端は頭部包囲部４の下端に縫い付けられている。また、顎受部２の外側の素材は上方に連続して第２牽引部３ｂが延在しており、第２牽引部３ｂは両頬に沿って上方に延在し、面ファスナー５によって固定位置自在に頭部包囲部４ｂに固定されている。面ファスナー５には固定位置を確認するための目盛５ａが刻まれている。また、顎受部２の下端には牽引力測定用のバネ秤を引っ掛けるためのリング６が取り付けられている。なお、バネ秤の替りに、吊り秤やロードセルを用いた電子式秤等を用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月16日(2017.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技領域に設けられ、遊技球の入球が可能な始動口と、
該始動口への遊技球の入球に起因して抽出された乱数値に応じて当否判定を行う当否判定手段と、
該当否判定手段による当否判定の結果を示す特別図柄を変動後に確定表示させる特別図柄表示装置と、
前記特別図柄の変動中に行われる疑似演出を表示する演出図柄表示装置と、
前記疑似演出に応じた演出音を出力する音声出力制御手段とを備え、
該音声出力制御手段によって出力される前記演出音の音量設定を遊技者によって変更可能な遊技機において、
該遊技機に遊技者の操作が可能な操作手段と、
遊技者による前記操作手段の操作に応じて前記演出音の音量設定を変更させる演出音量変更手段と、
前記演出音の音量の設定変更時又は前記演出音の音量の設定変更前に、前記演出音の音量設定に係る音量設定画像を複数種類の表示態様の中より選択する音量設定画像選択手段と、
該音量設定画像選択手段によって選択された前記音量設定画像を前記演出図柄表示装置に表示させる音量設定画像表示手段とを備え、
前記演出音の音量設定の変更は、前記特別図柄が変動中に行うことを可能とし、
前記音量設定画像選択手段は、変動中の特別図柄に係る前記当否判定手段による当否判定の結果をもとに前記音量設定画像を選択することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記演出図柄表示装置に表示される前記音量設定画像を所定の表示態様からなる音量設定画像で固定する音量設定画像態様固定手段を備え、
前記音量設定画像態様固定手段により前記所定の表示態様からなる音量設定画像で固定させるか否かを遊技者によって設定可能としたことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記音量設定画像は、前記特別図柄の変動中に前記演出音の音量設定の変更が可能であることを示す音量変更可能画像であり、該音量変更可能画像は前記演出音の音量設定の変更前に前記演出図柄表示装置に表示されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記音量設定画像は、設定された前記演出音の音量の音量レベルを示す音量レベル画像であり、該音量レベル画像は前記演出音の音量設定の変更時に前記演出図柄表示装置に表示されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するためになされた本発明の請求項１の遊技機は、遊技領域に設けられ、遊技球の入球が可能な始動口と、該始動口への遊技球の入球に起因して抽出された乱数値に応じて当否判定を行う当否判定手段と、該当否判定手段による当否判定の結果を示す特別図柄を変動後に確定表示させる特別図柄表示装置と、前記特別図柄の変動中に行われる疑似演出を表示する演出図柄表示装置と、前記疑似演出に応じた演出音を出力する音声出力制御手段とを備え、該音声出力制御手段によって出力される前記演出音の音量設定を遊技者によって変更可能な遊技機において、該遊技機に遊技者の操作が可能な操作手段と、遊技者による前記操作手段の操作に応じて前記演出音の音量設定を変更させる演出音量変更手段と、前記演出音の音量の設定変更時又は前記演出音の音量の設定変更前に、前記演出音の音量設定に係る音量設定画像を複数種類の表示態様の中より選択する音量設定画像選択手段と、該音量設定画像選択手段によって選択された前記音量設定画像を前記演出図柄表示装置に表示させる音量設定画像表示手段とを備え、前記演出音の音量設定の変更は、前記特別図柄が変動中に行うことを可能とし、前記音量設定画像選択手段は、変動中の特別図柄に係る前記当否判定手段による当否判定の結果をもとに前記音量設定画像を選択することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月14日(2017.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素基材の表面に、鱗片状シリコン粒子が付着し、
前記鱗片状シリコン粒子の一部は前記炭素基材に突き刺さっているリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【請求項２】
請求項１において、
前記炭素基材は、人造黒鉛または天然黒鉛を少なくとも有するリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【請求項３】
請求項２において
前記鱗片状シリコン粒子の厚さは５〜１００ｎｍの範囲であり、
前記鱗片状シリコン粒子の平均最長径は１００ｎｍ〜３μｍの範囲であるリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【請求項４】
請求項３において
前記鱗片状シリコン粒子の厚さは１０〜５０ｎｍの範囲であり、
前記鱗片状シリコン粒子の平均最長径は１００ｎｍ〜１μｍの範囲であるリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記炭素基材の平均最長粒径は１〜５０μｍの範囲であるリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【請求項６】
請求項５において、
前記炭素基材の平均最長粒径は５〜３０μｍの範囲であるリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【請求項７】
請求項３ないし請求項６のいずれかにおいて、
前記鱗片状シリコン粒子と前記炭素基材との合計重量に対する前記鱗片状シリコン粒子の重量比は５〜９５ｗｔ％の範囲であるリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【請求項８】
請求項３ないし請求項７のいずれかにおいて、
前記鱗片状シリコン粒子は、球状シリコン粒子をビーズミルにより粉砕、分散させたことを特徴とするリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【請求項９】
請求項３ないし請求項８のいずれかにおいて、
前記鱗片状シリコン粒子は、炭素により被覆されているリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【請求項１０】
請求項３ないし請求項８のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池用負極活物質は、炭素により被覆されているリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【請求項１１】
正極と負極とを有するリチウムイオン二次電池において、
前記負極は負極活物質を有し、前記負極活物質は、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池用負極活物質であるリチウムイオン二次電池。
【請求項１２】
炭素基材の表面に、鱗片状シリコン粒子が付着し、
前記鱗片状シリコン粒子の一部は前記炭素基材に突き刺さっているリチウムイオン二次電池用負極活物質の製造方法であって、
前記鱗片状シリコン粒子は、球状シリコン粒子をビーズミルにより粉砕、分散させたことを特徴とするリチウムイオン二次電池用負極活物質の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の特徴は、例えば、以下の通りである。炭素基材の表面に、鱗片状シリコン粒子が付着し、前記鱗片状シリコン粒子の一部は前記炭素基材に突き刺さったリチウムイオン二次電池用負極活物質。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月31日(2017.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信端末と接続し、少なくとも二台以上の無線通信端末と同時にネットワークを介してデータの通信を行う無線アクセスポイントであって、
前記無線通信端末を特定する情報と、前記それぞれの無線通信端末との通信のために予め個々に設定された所定の送信レートとを関連づけて記憶する帯域調整情報テーブルと、
帯域調整手段とを備え、
前記帯域調整手段は、前記帯域調整情報テーブルの情報を基に、
（１）前記無線アクセスポイントが（イ）少なくとも二台以上の無線通信端末と接続し、
かつ（ロ）当該各無線通信端末が所要するそれぞれのデータを同時に前記ネットワーク経由で他の無線通信端末に向けて通信する場合に、前記それぞれの所定の送信レートを上限として、それぞれの当該各無線通信端末に前記データを送信する
無線アクセスポイント。
【請求項２】
前記帯域調整手段はさらに、
（２）前記無線アクセスポイントが（イ）一台の無線通信端末と接続している場合、または（ロ）二台以上の無線通信端末と接続しているが、当該各無線通信端末が所要するデータを前記ネットワーク経由で同時に他の無線通信端末に向けて通信しない場合に、前記無線通信端末が備える最大送信レートを上限として、それぞれの前記無線通信端末にデータを送信する
請求項１記載の無線アクセスポイント。
【請求項３】
無線アクセスポイントが無線通信端末と接続し、少なくとも二台以上の無線通信端末と同時にネットワークを介してデータの通信を行うシステムにおける通信制御方法であって、
少なくとも接続中の無線通信端末を特定する情報と前記無線通信端末それぞれとの通信のために予め個々に設定された所定の送信レートとを関連付けて記憶するステップと、
前記無線アクセスポイントが少なくとも二台以上の無線通信端末と接続し、かつ、当該各無線通信端末が所要するそれぞれのデータを同時に前記ネットワーク経由で当該各無線通信端末に向けて通信するか否かを判断するステップと、
前記無線アクセスポイントが少なくとも二台以上の無線通信端末と接続し、かつ、当該各無線通信端末が所要するそれぞれのデータを同時に前記ネットワーク経由で他の無線通信端末に向けて通信すると判断する場合に、前記所定の送信レートを上限として、それぞれの当該各無線通信端末に前記データを送信するステップ
とを含む通信制御方法。
【請求項４】
無線通信端末と接続し、少なくとも二台以上の無線通信端末と同時にネットワークを介してデータの通信を行う無線アクセスポイントを、少なくとも、
前記無線通信端末を特定する情報と、前記それぞれの無線通信端末との通信のために予め個々に設定された所定の送信レートとを関連づけて記憶する帯域調整情報記憶手段と、
帯域調整手段
として機能させるプログラムであって、
前記帯域調整手段は、前記帯域調整情報記憶手段に記憶された情報を基に、
前記無線アクセスポイントが少なくとも二台以上の無線通信端末と接続し、かつ当該各無線通信端末が所要するそれぞれのデータを同時に前記ネットワーク経由で他の無線通信端末に向けて通信する場合に、前記所定の送信レートを上限として、それぞれの当該各無線通信端末に前記データを送信する
プログラム。
【請求項５】
無線通信端末と、少なくとも二台以上の無線通信端末と同時にネットワークを介してデータの通信を行う無線アクセスポイントと、ネットワークに接続された認証装置を備える無線通信システムであって、
前記認証装置は、
無線通信端末との通信のために予め個々に設定された所定の認証情報と所定の送信レートとを関連づけて記憶する認証情報テーブルと、
前記無線アクセスポイントから送信された前記無線アクセスポイントと前記無線通信端末が接続するための接続認証用情報と前記認証情報テーブルの情報とを照合する認証部と、
前記照合した結果と前記所定の送信レートとを前記無線アクセスポイントに送信する送信部と、
を備え、
前記無線アクセスポイントは、
前記接続認証用情報と前記所定の送信レートとを記憶する帯域調整情報テーブルと、
帯域調整手段とを備え、
前記帯域調整手段は、前記帯域調整情報テーブルの情報を基に、
（１）前記無線アクセスポイントが少なくとも二台以上の無線通信端末と接続し、かつ当該無線通信端末が所要するそれぞれのデータを同時に前記ネットワーク経由で他の無線通信端末に向けて通信する場合に、前記それぞれの所定の送信レートを上限として、当該各無線通信端末に前記データを送信する
無線通信システム。
【請求項６】
前記帯域調整手段はさらに、
（２）前記無線アクセスポイントが（イ）一台の前記無線通信端末と接続している場合、または（ロ）少なくとも二台以上の無線通信端末と接続していても所要するデータを同時に前記ネットワーク経由で当該無線通信端末に向けて通信しない場合に、当該無線通信端末が備える最大送信レートを上限として、それぞれの前記無線通信端末にデータを送信する
請求項５記載の無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月29日(2017.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラダー演算を実行する演算処理ユニットと、
前記演算処理ユニットによる前記ラダー演算の実行時に用いる第１の内部レジスタを有するスタティックＲＡＭと、
第２の内部レジスタを有する不揮発性ＲＡＭと
を少なくとも備え、
前記演算処理ユニットは、前記ラダー演算を実行し当該ラダー演算のスキャンエンド時に前記第１の内部レジスタのデータ値を前記第２の内部レジスタにコピーする
ことを特徴とするプログラマブルコントローラ。
【請求項２】
請求項１に記載のプログラマブルコントローラであって、
前記第１の内部レジスタを、データ値を保持対象とする保持領域および保持対象としない非保持領域に分けて設定し、
前記演算処理ユニットは、前記スキャンエンド時に前記第１の内部レジスタの前記保持領域のデータ値のみを前記第２の内部レジスタにコピーする
ことを特徴とするプログラマブルコントローラ。
【請求項３】
ラダー演算を実行する演算処理ユニットと、
前記演算処理ユニットによる前記ラダー演算の実行時に用いる第１の内部レジスタを有するスタティックＲＡＭと、
第２の内部レジスタを有する不揮発性ＲＡＭと
を少なくとも備え、
前記演算処理ユニットが前記ラダー演算を実行し当該ラダー演算のスキャンエンド時に前記第１の内部レジスタのデータ値を前記第２の内部レジスタにコピーする処理を第１の処理モードとし、
前記演算処理ユニットが前記第１の内部レジスタを用いることなく前記第２の内部レジスタのみを用いて前記ラダー演算を実行する処理を第２の処理モードとし、
前記スタティックＲＡＭおよび前記不揮発性ＲＡＭの各仕様、前記第１の内部レジスタの数量および前記第２の内部レジスタの容量に基づいて、前記第１の処理モードによる処理時間と前記第２の処理モードによる処理時間とを比較し短い処理時間の処理モードを選択する
ことを特徴とするプログラマブルコントローラ。
【請求項４】
請求項３に記載のプログラマブルコントローラであって、
前記第１の内部レジスタをデータ値の保持を必要とする保持領域および必要としない非保持領域に分けて設定し、
前記第１の処理モードで前記第２の内部レジスタにコピーするデータ値は、前記第１の内部レジスタの前記保持領域のデータ値のみとする
ことを特徴とするプログラマブルコントローラ。
【請求項５】
請求項３または４に記載のプログラマブルコントローラであって、
前記処理モードの選択は、前記演算処理ユニットにより自動的に行われるかまたはユーザの判断により手動で行われる
ことを特徴とするプログラマブルコントローラ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月8日(2017.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両周囲を撮影して取得した映像を画像表示制御装置（２）に出力する撮影手段（３）と、
前記画像表示制御装置から入力した映像を表示する表示手段（４）と、を備え、
前記画像表示制御装置は、
前記撮影手段により取得された映像内のオブジェクトを示すオブジェクト画像が前記表示手段の表示領域内において所定の経過時間で移動した移動量を前記オブジェクト画像の移動量として算出する移動量算出手段（９ａ）と、
前記移動量算出手段により算出された前記オブジェクトの移動量に基づいて前記オブジェクト画像に対する付加画像の追従速度を決定する追従速度決定手段（９ｂ）と、
前記経過時間を算出する経過時間算出手段（９ｃ）と、
前記追従速度決定手段により決定された前記付加画像の追従速度及び前記経過時間算出手段により算出された前記経過時間に基づいて前記付加画像の移動量を決定する移動量決定手段（９ｄ）と、
前記移動量決定手段により決定された前記付加画像の移動量に基づいて前記オブジェクト画像に対して前記付加画像を合成する付加画像合成手段（９ｅ）と、
前記付加画像合成手段により前記オブジェクト画像に対して前記付加画像が合成された映像を前記表示手段に表示させる表示制御手段（９ｆ）と、を備えたことを特徴とする電子ミラーシステム（１）。
【請求項２】
請求項１に記載した電子ミラーシステムにおいて、
前記追従速度決定手段は、前記移動量算出手段により算出された移動量が所定量未満であるときに前記付加画像の追従速度を零に決定し、前記移動量算出手段により算出された移動量が所定量以上であるときに前記付加画像の追従速度を零以外に決定することを特徴とする電子ミラーシステム。
【請求項３】
請求項２に記載した電子ミラーシステムにおいて、
前記追従速度決定手段は、前記移動量算出手段により算出された移動量が所定量以上であるときに当該移動量に基づいて前記付加画像の追従速度を可変に決定することを特徴とする電子ミラーシステム。
【請求項４】
請求項２に記載した電子ミラーシステムにおいて、
前記追従速度決定手段は、前記移動量算出手段により算出された移動量が所定量以上であるときに自装置と前記オブジェクトとの間の相対速度に基づいて前記付加画像の追従速度を可変に決定することを特徴とする電子ミラーシステム。
【請求項５】
請求項２に記載した電子ミラーシステムにおいて、
前記追従速度決定手段は、前記移動量算出手段により算出された移動量が所定量以上であるときに自装置に作用する角速度に基づいて前記付加画像の追従速度を可変に決定することを特徴とする電子ミラーシステム。
【請求項６】
請求項２に記載した電子ミラーシステムにおいて、
前記追従速度決定手段は、前記移動量算出手段により算出された移動量が所定量以上であるときに前記付加画像の追従速度を当該付加画像において部分的に異なるように決定することを特徴とする電子ミラーシステム。
【請求項７】
車両周囲を撮影して取得した映像を画像表示制御装置（２）に出力する撮影手段（３）と、前記画像表示制御装置から入力した映像を表示する表示手段（４）と、を備えた電子ミラーシステム（１）において前記画像表示制御装置の制御手段（９）に、
前記撮影手段により取得された映像内のオブジェクトを示すオブジェクト画像が前記表示手段の表示領域内において所定の経過時間で移動した移動量を前記オブジェクト画像の移動量として算出する第１の手順と、
前記第１の手順により算出した前記オブジェクトの移動量に基づいて前記オブジェクト画像に対する付加画像の追従速度を決定する第２の手順と、
前記経過時間を算出する第３の手順と、
前記第２の手順により決定した前記付加画像の追従速度及び前記第３の手順により算出した前記経過時間に基づいて前記付加画像の移動量を決定する第４の手順と、
前記第４の手順により決定した前記付加画像の移動量に基づいて前記オブジェクト画像に対して前記付加画像を合成する第５の手順と、
前記第５の手順により前記オブジェクト画像に対して前記付加画像を合成した映像を前記表示手段に表示させる第６の手順と、を実行させることを特徴とする画像表示制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子ミラーシステム及び画像表示制御プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、オブジェクト画像に対して付加画像を合成して表示する画像表示制御装置を備えた電子ミラーシステム及び画像表示制御プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、オブジェクト画像の移動に対して付加画像を適切に追従表示させることができ、ユーザの視認性の低下を回避することができる電子ミラーシステム及び画像表示制御プログラムを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載した発明によれば、車両周囲を撮影して取得した映像を画像表示制御装置に出力する撮影手段と、画像表示制御装置から入力した映像を表示する表示手段とを備える。画像表示制御装置において、移動量算出手段は、撮影手段により取得された映像内のオブジェクトを示すオブジェクト画像が表示手段の表示領域内において所定の経過時間で移動した移動量をオブジェクト画像の移動量として算出する。追従速度決定手段は、移動量算出手段により算出されたオブジェクトの移動量に基づいてオブジェクト画像に対する付加画像の追従速度を決定する。経過時間算出手段は、経過時間を算出する。移動量決定手段は、追従速度決定手段により決定された付加画像の追従速度及び経過時間算出手段により算出された経過時間に基づいて付加画像の移動量を決定する。付加画像合成手段は、移動量決定手段により決定された付加画像の移動量に基づいてオブジェクト画像に対して付加画像を合成する。表示制御手段は、付加画像合成手段によりオブジェクト画像に対して付加画像が合成された映像を表示手段に表示させる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月31日(2017.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部機器を制御するための制御プログラムを周期的に実行するとともに該制御プログラムにより参照される記憶領域であるデバイスを含むデータメモリを備えたプログラマブルコントローラとデータ通信することが可能であり、前記データメモリ内のデバイス値を時系列的に表示するデバイスモニタ装置において、
前記プログラマブルコントローラの前記データメモリから複数のデバイスそれぞれのデバイス値を取得する取得手段と、
取得したデバイス値をデバイスごとに記憶する記憶手段と、
記憶されているデバイス値に基づくデバイス波形をデバイスごとに表示する波形表示手段と
を備え、
前記デバイス波形のデバイス値と所定の基準値とに基づいて、両者の差分に応じた強調表示を行う強調表示手段を備えることを特徴とするデバイスモニタ装置。
【請求項２】
前記基準値をデバイスごとに記憶する基準値記憶手段を備えることを特徴とする請求項１に記載のデバイスモニタ装置。
【請求項３】
前記基準値の設定をデバイスごとに受け付ける基準値受付手段を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイスモニタ装置。
【請求項４】
前記基準値は、デバイスごとに設定されている基準デバイス値であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイスモニタ装置。
【請求項５】
前記基準値は、デバイスごとに設定されている基準デバイス波形を示す複数のサンプリング値であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイスモニタ装置。
【請求項６】
前記強調表示手段は、時系列的にデバイス値が欠落していない部分について強調表示を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のデバイスモニタ装置。
【請求項７】
前記デバイス値と前記基準値とを比較する比較手段を備え、
前記強調表示手段は、前記比較手段の比較結果に応じて強調表示を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のデバイスモニタ装置。
【請求項８】
前記比較手段の比較結果に応じて前記デバイス波形に対応する多角形からなる図形を生成する図形生成手段を備え、
前記強調表示手段は、生成された図形を前記デバイス波形と対応付けて表示することを特徴とする請求項７に記載のデバイスモニタ装置。
【請求項９】
生成された前記図形が他のオブジェクトと重なり合って表示される場合、重なり合って表示される他のオブジェクトを透過して表示することを特徴とする請求項８に記載のデバイスモニタ装置。
【請求項１０】
前記デバイス波形を表示する画面上の位置の設定を受け付ける表示位置設定受付手段を備えることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のデバイスモニタ装置。
【請求項１１】
表示されたデバイス波形の上下で異なる態様で強調表示を行うことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のデバイスモニタ装置。
【請求項１２】
外部機器を制御するための制御プログラムを周期的に実行するとともに該制御プログラムにより参照される記憶領域であるデバイスを含むデータメモリを備えたプログラマブルコントローラとデータ通信することが可能であり、前記データメモリ内のデバイス値を時系列的に表示するデバイスモニタ装置で実行することが可能なデバイスモニタ方法において、
前記デバイスモニタ装置は、
前記プログラマブルコントローラの前記データメモリから複数のデバイスそれぞれのデバイス値を取得する工程と、
取得したデバイス値をデバイスごとに記憶する工程と、
記憶されているデバイス値に基づくデバイス波形をデバイスごとに表示する工程と
を含み、
前記デバイス波形のデバイス値と所定の基準値とに基づいて、両者の差分に応じた強調表示を行うことを特徴とするデバイスモニタ方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月14日(2017.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィードバック制御またはフィードフォワード制御によりプラズマ処理の変動を抑制する制御であるＡＰＣを用いて試料にプラズマ処理を施し、前記ＡＰＣを用いるための、発光波長と前記発光波長の時間区間と前記プラズマ処理用のパラメータの組み合わせを求める解析装置を備えるプラズマ処理装置において、
前記解析装置は、
前記プラズマ処理の経時変化データを用いて第一の発光強度と第一のプラズマ処理結果の相関関係を示す第一の回帰式を求め、
前記パラメータを変更することにより得られた第二の発光強度および第二のプラズマ処理結果を用いて前記第二の発光強度と前記第二のプラズマ処理結果の相関関係を示す第二の回帰式を求め、
前記第一の回帰式の傾きと前記第二の回帰式の傾きの差分に基づいて前記発光波長と前記発光波長の時間区間と前記プラズマ処理用の前記パラメータの組み合わせを求めることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
フィードバック制御またはフィードフォワード制御によりプラズマ処理の変動を抑制する制御であるＡＰＣを用いて試料にプラズマ処理を施し、前記ＡＰＣを用いるための、発光波長と前記発光波長の時間区間と前記プラズマ処理用のパラメータの組み合わせを求める解析装置に接続されたプラズマ処理装置において、
前記解析装置は、
前記プラズマ処理の経時変化データを用いて第一の発光強度と第一のプラズマ処理結果の相関関係を示す第一の回帰式を求め、
前記パラメータを変更することにより得られた第二の発光強度および第二のプラズマ処理結果を用いて前記第二の発光強度と前記第二のプラズマ処理結果の相関関係を示す第二の回帰式を求め、
前記第一の回帰式の傾きと前記第二の回帰式の傾きの差分に基づいて前記発光波長と前記発光波長の時間区間と前記プラズマ処理用の前記パラメータの組み合わせを求めることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記解析装置は、前記差分が所定値より小さくなる前記組み合わせを求めることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記解析装置は、前記差分が所定値より小さくなる前記組み合わせを求めることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記パラメータは、複数であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記パラメータは、複数であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記解析装置は、前記第一の回帰式の残差と前記第二の回帰式の残差の重み付き和をさらに求め、前記差分と前記重み付き和に基づいて前記組み合わせを求めることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記解析装置は、前記第一の回帰式の残差と前記第二の回帰式の残差の重み付き和をさらに求め、前記差分と前記重み付き和に基づいて前記組み合わせを求めることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記解析装置は、前記パラメータを変更することにより得られた前記第二の発光強度により前記第二の回帰式の残差の二乗平均値を除した値である推定誤差を前記差分に加算し、
前記推定誤差が加算された前記差分に基づいて前記組み合わせを求めることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記解析装置は、前記パラメータを変更することにより得られた前記第二の発光強度により前記第二の回帰式の残差の二乗平均値を除した値である推定誤差を前記差分に加算し、
前記推定誤差が加算された前記差分に基づいて前記組み合わせを求めることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
フィードバック制御またはフィードフォワード制御によりプラズマ処理の変動を抑制する制御であるＡＰＣを用いて試料に前記プラズマ処理を施し、前記ＡＰＣに用いるための、発光波長と前記発光波長の時間区間と前記プラズマ処理用のパラメータの組み合わせを求める解析装置を備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
前記プラズマ処理の経時変化データを用いて第一の発光強度と第一のプラズマ処理結果の相関関係を示す第一の回帰式を求め、
前記パラメータを変更することにより得られた第二の発光強度および第二のプラズマ処理結果を用いて前記第二の発光強度と前記第二のプラズマ処理結果の相関関係を示す第二の回帰式を求め、
前記第一の回帰式の傾きと前記第二の回帰式の傾きの差分に基づいて前記組み合わせを求め、
求められた前記組み合わせを適用した前記ＡＰＣを用いて前記試料を前記プラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１２】
フィードバック制御またはフィードフォワード制御によりプラズマ処理の変動を抑制する制御に用いるための、発光波長と前記発光波長の時間区間と前記プラズマ処理用のパラメータの組み合わせを求める解析装置において、
前記プラズマ処理の経時変化データを用いて第一の発光強度と第一のプラズマ処理結果の相関関係を示す第一の回帰式を求め、
前記パラメータを変更することにより得られた第二の発光強度および第二のプラズマ処理結果を用いて前記第二の発光強度と前記第二のプラズマ処理結果の相関関係を示す第二の回帰式を求め、
前記第一の回帰式の傾きと前記第二の回帰式の傾きの差分に基づいて前記組み合わせを求めることを特徴とする解析装置。
【請求項１３】
フィードバック制御またはフィードフォワード制御によりプラズマ処理の変動を抑制する制御に用いるための、発光波長と前記発光波長の時間区間と前記プラズマ処理用のパラメータの組み合わせを求める解析方法において、
前記プラズマ処理の経時変化データを用いて第一の発光強度と第一のプラズマ処理結果の相関関係を示す第一の回帰式を求め、
前記パラメータを変更することにより得られた第二の発光強度および第二のプラズマ処理結果を用いて前記第二の発光強度と前記第二のプラズマ処理結果の相関関係を示す第二の回帰式を求め、
前記第一の回帰式の傾きと前記第二の回帰式の傾きの差分に基づいて前記組み合わせを求めることを特徴とする解析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月1日(2017.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル領域を備えた半導体基板と、
前記半導体基板表面に第１の絶縁膜を介して、形成された複数の第１層転送電極と、前記第１層転送電極間から前記第１層転送電極上に第２の絶縁膜を介して一部重なって、形成された第２層転送電極とからなり、光電変換部で生成された電荷を転送する転送部と、
前記第１層転送電極および前記第２層転送電極の配列方向に沿って形成され前記第２層転送電極を、一対の第２層転送電極に分離する開口部と、
前記開口部から露呈する、前記チャネル領域および該チャネル領域の表面に形成された表面不純物領域からなる仮想電極とを備えた電荷結合素子であって、
前記開口部を臨む前記一対の第２層転送電極の内縁が、
前記一対の第２層転送電極間に形成された前記表面不純物領域の外縁をとおる、前記半導体基板表面に垂直な垂線上に位置し、
前記表面不純物領域の表面に５０ｎｍ以上の膜厚を有する酸化膜を有することを特徴とする電荷結合素子。
【請求項２】
前記半導体基板はシリコン基板であり、
前記第２層転送電極は、
リン濃度が１．０×１０19ｃｍ-3以上１．５×１０20ｃｍ-3以下のリンドープの多結晶シリコン層であることを特徴とする請求項１に記載の電荷結合素子。
【請求項３】
前記酸化膜の膜厚は、２５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電荷結合素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電荷結合素子を垂直方向および水平方向に複数配列して形成された画素アレイと、
前記画素アレイの出力を処理する信号処理回路とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項５】
チャネル領域を備えた半導体基板と、
前記半導体基板表面に第１の絶縁膜を介して、形成された複数の第１層転送電極と、前記第１層転送電極間から前記第１層転送電極上に第２の絶縁膜を介して一部重なって、形成された第２層転送電極とからなり、光電変換部で生成された電荷を転送する転送部と、
前記第１層転送電極および前記第２層転送電極の配列方向に沿って形成され前記第１層転送電極および前記第２層転送電極を、それぞれ一対の第１層転送電極および一対の第２層転送電極に分離する開口部と、
前記開口部から露呈する、前記チャネル領域および該チャネル領域の表面に形成された表面不純物領域からなるフォトダイオード部とを備えた電荷結合素子であって、
前記開口部を臨む前記一対の第１層転送電極および前記一対の第２層転送電極の内縁が、
前記一対の第１層転送電極間および前記一対の第２層転送電極間に形成された前記表面不純物領域の外縁をとおる、前記半導体基板表面に垂直な垂線上に位置し、
前記表面不純物領域の表面に５０ｎｍ以上の膜厚を有する酸化膜を有することを特徴とする電荷結合素子。
【請求項６】
前記半導体基板はシリコン基板であり、
前記第１層転送電極および前記第２層転送電極は、
リン濃度が１．０×１０19ｃｍ-3以上１．５×１０20ｃｍ-3以下の多結晶シリコン層であることを特徴とする請求項５に記載の電荷結合素子。
【請求項７】
前記酸化膜の膜厚は、２５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５または６に記載の電荷結合素子。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか１項に記載の電荷結合素子を垂直方向および水平方向に複数配列して形成された画素アレイと、
前記画素アレイの出力を処理する信号処理回路とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項９】
第１導電型の半導体基板表面に第２導電型の不純物領域を形成するチャネル形成工程と、
前記半導体基板表面に第１の絶縁膜を形成した後、不純物を含有する多結晶シリコン層からなる第１層転送電極を形成する工程と、
前記第１層転送電極間から第２の絶縁膜を介して前記第１層転送電極上に一部重なって、不純物を含有する多結晶シリコン層からなる第２層転送電極を形成する工程と、
前記第２層転送電極の一部をエッチングして開口部を形成し、一対の第２層転送電極を形成する工程と、
前記開口部から露呈する前記半導体基板表面に表面不純物領域を形成する工程と、
熱酸化を行い、前記表面不純物領域の表面および前記第２層転送電極表面に酸化膜を形成する工程とを含み、
前記表面不純物領域の表面に第２層転送電極を形成する工程は、
前記表面不純物領域の表面に形成すべき酸化膜の膜厚に応じて、前記第２層転送電極の不純物濃度を決定する工程を含み、
前記開口部で分離することで形成された一対の第２層転送電極の内縁が、
前記一対の第２層転送電極間に形成された表面不純物領域の外縁をとおる、前記半導体基板表面に垂直な垂線上に位置し、
前記酸化膜の膜厚が、前記表面不純物領域の表面で５０ｎｍ以上であることを特徴とする電荷結合素子の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体基板はシリコン基板であり、
前記第２層転送電極は、
リン濃度が１．０×１０19ｃｍ-3以上１．５×１０20ｃｍ-3以下の多結晶シリコン層であることを特徴とする請求項９に記載の電荷結合素子の製造方法。
【請求項１１】
前記酸化膜の膜厚は、２５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９または１０に記載の電荷結合素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１層転送電極は、
リン濃度が１．０×１０19ｃｍ-3以上１．５×１０20ｃｍ-3以下の多結晶シリコン層であり、
前記開口部を形成する工程は、
前記第１層転送電極および前記第２層転送電極をエッチングして開口部を形成する工程であり、
前記酸化膜を形成する工程は、
熱酸化を行い、前記開口部に露呈する前記不純物領域および前記第１層転送電極および前記第２層転送電極表面に酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載の電荷結合素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月13日(2017.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続された複数の光源から射出される光を照射する光照射装置において、
前記複数の光源から射出された光の光量を検知する光量検知手段と、
前記光量検知手段により検知された光量が所定の異常条件を満たすとき、光源異常を示す光源異常信号を出力する光量異常検出手段とを有することを特徴とする光照射装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光照射装置において、
前記複数の光源から射出される光を合成して１つの光源光を生成する光合成手段と、
前記光源光の一部を分離する光分離手段とを有し、
前記光量検知手段は、前記光分離手段により分離された光の光量を検知することを特徴とする光照射装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光照射装置において、
前記光量異常検出手段は、前記光量検知手段により検知された光量が所定の異常条件を満たすか否かを、直列接続された複数の光源からそれぞれ構成される２以上の光源グループごとに判断し、所定の異常条件を満たす光源グループが存在するときに前記光源異常信号を出力することを特徴とする光照射装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の光照射装置において、
前記光量異常検出手段は、直列接続された複数の光源からそれぞれ構成される２以上の光源グループごとに前記光量検知手段が検知した光量を光源グループ間で互いに比較し、その比較結果が所定の異常条件を満たすときに前記光源異常信号を出力することを特徴とする光照射装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の光照射装置において、
前記光量異常検出手段は、前記光源異常信号を、所定の異常条件を満たした光源グループに関連付けた状態で出力することを特徴とする光照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光照射装置と、
前記光照射装置から照射される光源光を画像信号に基づいて変調する表示素子と、
前記光照射装置から照射される光源光を前記表示素子に照射する照明光学系と、
前記表示素子によって変調された画像光を投射する投射光学系と、
前記表示素子を制御する表示制御手段と、
前記光照射装置の前記光量異常検出手段から光源異常信号が出力されたとき、光源異常を報知する報知手段とを有することを特徴とする画像投射装置。
【請求項７】
請求項６の画像投射装置において、
前記報知手段は、前記光源異常を報知する内容を示す異常報知画像を投射するように前記表示制御手段によって前記表示素子を制御し、前記光源異常を報知するものであることを特徴とする画像投射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月12日(2017.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般組成式Ｌｉ１＋ｘＣｏ１−ｙＭｙＯ２−δ（式中、ＭはＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｐ、Ｆ及びＣｌからなる群より選択される１種以上の元素であり、０≦ｘ≦０．１、０≦ｙ≦０．１、０≦δ≦０．０２である）で表されるリチウム含有コバルト酸化物を含有する粒子を含み、前記粒子の最表面は、スピネル構造を有し、ラマンスペクトルにおいて、６５０ｃｍ−１〜７００ｃｍ−１の範囲にショルダーピークを有する非水電解質二次電池用正極材料。
【請求項２】
粒子が、Ｌｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｚｎ及びＰからなる群より選択される１種以上の元素を含む酸化物又はフッ化物によってさらに被覆され、前記元素の原子数が、リチウム含有コバルト酸化物の分子数の１０％以下である請求項１に記載の非水電解質二次電池用正極材料。
【請求項３】
請求項１に記載の非水電解質二次電池用正極材料の製造方法であって、
リチウム含有コバルト酸化物を合成する工程と、
合成したリチウム含有コバルト酸化物に対して、Ｌｉ２ＣＯ３及び／又はＬｉＯＨを混合する工程と、
９５０℃以上１１００℃以下の温度範囲で、２時間以上２０時間以内のアニール処理を行う工程とを含む前記非水電解質二次電池用正極材料の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の非水電解質二次電池用正極材料の製造方法であって、
リチウム含有コバルト酸化物の原料にＬｉ２ＣＯ３及び／又はＬｉＯＨを混合する工程と、
９５０℃以上１１００℃以下の温度範囲で、５時間以上４８時間以内のアニール処理を行う工程とを含む前記非水電解質二次電池用正極材料の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の非水電解質二次電池用正極材料を含む正極と、負極と、セパレータと、非水電解質とを備える非水電解質二次電池。
【請求項６】
正極が、請求項１又は２に記載の非水電解質二次電池用正極材料に加えて、一般組成式Ｌｉ１＋ａＮｉ１−ｂ−ｃ−ｄＣｏｂＭｎｃＭ’ｄＯ２−ｅ（式中、Ｍ’はＡｌ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｐ、Ｆ、Ｓ及びＣｌからなる群より選択される１種以上の元素であり、０≦ａ≦０．０５、０≦ｂ≦０．０２、０．０１≦ｃ≦０．０３、０．００１≦ｄ≦０．０３、０≦ｅ≦０．０１である）で表されるリチウム含有ニッケル・コバルト・マンガン酸化物を、前記リチウム含有ニッケル・コバルト・マンガン酸化物及びリチウム含有コバルト酸化物の合計に対し５質量％以上５０質量％以下の割合で含む請求項５に記載の非水電解質二次電池。
【請求項７】
室温で且つ０．１Ｃ以下の負荷率で５Ｖまで充電したときの正極の充電曲線を電圧で微分することによって得られるｄＱ／ｄＶ曲線の最も高電位に確認されるピークの電位が、４．６４Ｖ以上である請求項５又は６に記載の非水電解質二次電池。