【手続補正書】
【提出日】平成29年6月14日(2017.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置されている下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置されている発光層を含む有機化合物層と、を有する有機発光装置であって、
前記有機化合物層が前記下部電極を被覆し、
前記上部電極が前記有機化合物層を被覆し、
前記基板が、前記上部電極へ送電するための配線と電気接続される上部電極用電極パッド部を有し、
前記下部電極と前記上部電極用電極パッド部との間の領域に設けられる前記有機化合物層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ1としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされ、
前記下部電極と前記上部電極用電極パッド部との間の領域以外の少なくとも一部の領域に設けられる前記有機化合物層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ3としたときに、下記式（３）及び（４）が満たされることを特徴とする、有機発光装置。
（１）ｔａｎ（θ1）＝ｄ1／ｄ2
（２）ｔａｎ（θ1）＜０．２
（３）ｔａｎ（θ3）＝ｄ3／ｄ4
（４）ｔａｎ（θ3）≧０．２
（式（１）において、ｄ1は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ2は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。式（３）において、ｄ3は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ4は、有機化合物層の膜端断面のテーパー幅を表す。）
【請求項２】
前記上部電極の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ2としたときに、下記式（５）及び（６）が満たされることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
（５）ｔａｎ（θ2）＝ｄ5／ｄ6
（６）ｔａｎ（θ2）≧０．２
（式（５）において、ｄ5は、上部電極の膜厚を表し、ｄ6は、上部電極の膜端断面のテーパー幅を表す。）
【請求項３】
前記下部電極と前記上部電極用電極パッド部との間の領域以外の全ての領域に設けられる前記有機化合物層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ3としたときに、前記式（３）及び前記式（４）が満たされることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記上部電極を被覆するように封止層が設けられ、
前記封止層が、前記基板に設けられる外部接続端子部を開口するようにパターニングがなされていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記有機化合物層の膜端が、前記上部電極又は前記封止層によって被覆されることを特徴とする、請求項４に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅、又は前記上部電極の膜端の断面のテーパー幅が、５μｍ以内であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置と、前記有機発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする、表示装置。
【請求項８】
画像情報を入力する入力部と、前記画像情報を処理する情報処理部と、画像を表示する表示部とを有し、前記表示部が、請求項７に記載の表示装置であることを特徴とする、画像情報処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置と、前記有機発光装置に駆動電圧を供給するＡＣ／ＤＣコンバーターと、を有することを特徴とする、照明装置。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置と、放熱板と、を有する照明装置であって、
前記放熱板は、前記照明装置内の熱を外部へ放出する放熱板であることを特徴とする、照明装置。
【請求項１１】
感光体と、前記感光体を帯電させる帯電部と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体に現像材を供給する現像部と、を有する電子写真方式の画像形成装置であって、
前記露光部は、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置を有することを特徴とする、画像形成装置。
【請求項１２】
感光体を露光する露光装置であって、
前記露光装置は、複数の有機発光装置を有し、前記複数の有機発光装置のうち少なくとも一つは、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置であり、
前記複数の有機発光装置は、前記感光体の長軸方向に沿って、一列に設けられていることを特徴とする、露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【図１】本発明の有機発光装置における実施形態の例を示す断面模式図であり、（ａ）が平面図であり、（ｂ）が（ａ）中のＡＡ’断面を示す断面図である。
【図２】本発明の有機発光装置を構成する発光画素の配置例を示す平面模式図である。
【図３】図１の有機発光装置を構成する膜の膜端断面を示す断面模式図である。
【図４】本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図５】本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図６】本発明に係る有機発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、図７の画像形成装置を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、（ｃ）は、図７の画像形成装置を構成する感光体の具体例を示す概略図である。
【図８】本発明に係る有機発光素子を有する照明装置の例を示す模式図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１は、本発明の有機発光装置における実施形態の例を示す断面模式図であり、（ａ）が平面図であり、（ｂ）が（ａ）中のＡＡ’断面を示す断面図である。図１の有機発光装置１は、層間絶縁層１１と画素分離膜１２とを有する基板１０と、この基板１０の上であって発光画素２０に相当する領域に有機発光素子が設けられている。この有機発光素子は、下部電極２１と、有機化合物層２２と、上部電極２３と、を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
より具体的には、下部電極２１と上部電極用電極パッド部２４との間の領域に設けられる有機化合物層の膜端（符号２２ｂ）の断面の傾きと基板の表面とがなす角度をθ1としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされる。
（１）ｔａｎ（θ1）＝ｄ1／ｄ2
（２）ｔａｎ（θ1）＜０．２
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
一方、下部電極２１と上部電極用電極パッド部２４との間の領域以外の少なくとも一部の領域に設けられる有機化合物層の膜端（符号２２ａ）の断面の傾きと基板の表面とがなす角度をθ3としたときに、下記式（３）及び（４）が満たされる。
（３）ｔａｎ（θ3）＝ｄ3／ｄ4
（４）ｔａｎ（θ3）≧０．２
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
次に、ＣＶＤ成膜により、基板１０の全面（下部電極２１、上部電極用電極パッド２４及び層間絶縁層１２の上）に、窒化珪素を膜厚１００ｎｍで成膜した。さらに窒化珪素からなる膜の上にフォトレジストを成膜してレジスト層を形成した。次に、形成したレジスト層をフォトリソグラフィにより所定の形状にパターニングし、次いでパターニングしたレジスト層をマスクとしてＣＦ4ガスを用いたドライエッチングにより、図４（ａ）に示すように、下部電極２１を設ける領域及び上部電極用電極パッド部２４を設ける領域にそれぞれ開口部１２ａを設けた。次に、このドライエッチングを行う際に画素分離膜１２の上に残ったレジスト残渣を酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。次に、画素分離膜１２まで形成した基板１０について、市販の枚様式洗浄機を用いて、二流体あるいはメガソニックを使った純水洗浄を用いた洗浄を行い、その表面を洗浄した。これにより図４（ａ）に記載されている基板１０を作製した。尚、本実施例にて作製した基板１０は、図２（ｂ）に示されるように、複数の発光画素２０が千鳥ラインで配置されていた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
（５）封止工程（図４（ｈ））
次に、窒化珪素（ＳｉＮ）からなる薄膜を用いて有機発光装置を構成する有機発光素子の封止を行った。具体的には、反応ガスとしてＳｉＨ4及びＮ2を用いたＣＶＤ成膜により、所定の形状にてパターニングされた上部電極用電極パッド２４まで形成された基板１０上に、窒化珪素を膜厚２μｍで成膜して封止膜３０になる窒化珪素膜を形成した。この後、フォトリソグラフィによって窒化珪素膜をパターニングして外部接続用のパッド電極を露出させた（不図示）。また、このとき、上記（４）にて加工された有機化合物層２２及び上部電極２３の端部は、全て窒化珪素からなる封止膜３０によって覆われていた（図４（ｈ））。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
１：有機発光装置、１０：基板、１１：層間絶縁層、１２：画素分離膜、１３：コンタクトホール（配線）、２０：発光画素、２０ａ：第１副画素、２０ｂ：第２副画素、２０ｃ：第３副画素、２１：下部電極、２２：有機化合物層、２３：上部電極層、２４：上部電極用電極パッド部、３０：封止層、４１：膜上で成膜誤差−Ｄｔよりも薄くなった点、４２：膜厚０の点、４３：膜端断面のテーパー幅、４４：膜厚、４５：膜端断面の傾きと基板表面のなす角度（θ）、５０：レジスト層、５１：フォトマスク、５２：露光光、５３：リフトオフ層