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【手続補正書】
【提出日】平成29年7月10日(2017.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板上に形成されたマークを検出する検出部と、
前記検出部の出力に基づいて、前記マークの位置のその基準位置からのずれ量を求める制御部と、
を有し、
前記検出部は、複数のサンプルショット領域のそれぞれに形成された同一の第１マークを検出し、複数のサンプルショット領域のそれぞれに形成された同一の第２マークを検出し、
前記制御部は、前記検出部によって検出された複数の前記第１マークの前記ずれ量と、前記検出部によって検出された複数の前記第２マークの前記ずれ量と、に基づいて、前記基板上のショット領域の形状に関する情報を得る、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記検出部によって検出された複数の前記第１マークの前記ずれ量と、前記検出部によって検出された複数の前記第２マークの前記ずれ量と、に基づいて、前記基板上のショット領域の位置に関する情報を得る、ことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記検出部によって検出される複数の前記第１マークの数と、前記検出部によって検出される複数の前記第２マークの数とが等しくなるように、前記検出部による検出の対象となるマークを選択する、ことを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記検出部と前記基板とが相対的に移動している状態において前記検出部にマークを検出させる、ことを特徴とする請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記検出部による検出の対象となるマークを、該マークが前記移動の方向に沿って整列するように選択する、ことを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記検出部によって検出された複数の前記第１マークの前記ずれ量と、前記検出部によって検出された複数の前記第２マークの前記ずれ量との代表値に基づいて、前記基板上のショット領域の形状に関する情報を得る、
ことを特徴とする請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記代表値として、平均値、中央値または最頻値を得る、ことを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
基板上のショット領域にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板上に形成されたマークを検出する検出部と、
前記検出部に前記マークを検出させて、前記マークの位置のその基準位置からのずれ量を求める制御部と、
を有し、
前記制御部は、複数の前記ショット領域から選択された複数のサンプルショット領域のそれぞれに対して配置された複数の前記マークのうちから選択された１つの前記マークを前記検出部に検出させて求めた前記ずれ量に基づいて、前記ショット領域の位置および形状に関する情報を得る、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記サンプルショット領域に対して共通の位置に配置された複数の前記マークのうち、少なくとも１つの前記サンプルショット領域に対して配置された前記マークが前記検出部により検出される、ことを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記サンプルショット領域に対して第１の位置に配置され且つ前記検出部により検出される前記マークの数と、前記サンプルショット領域に対して第２の位置に配置され且つ前記検出部により検出される前記マークの数とが等しい、ことを特徴とする請求項８または９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記基板の外周側にある前記ショット領域が前記サンプルショット領域として選択される、ことを特徴とする請求項８ないし１０のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記ショット領域の位置に関する情報は、前記基板のシフトに関する情報、前記基板の回転に関する情報、および前記基板の倍率に関する情報のうち少なくともいずれか１つを含む、ことを特徴とする請求項８ないし１１のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記ショット領域の形状に関する情報は、前記基板上のショット領域の回転に関する情報、および前記基板上のショット領域の倍率に関する情報のうち少なくともいずれか１つを含む、ことを特徴とする請求項８ないし１２のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
基板上に形成されたマークを検出して該マークの位置のその基準位置からのずれ量を求め、該ずれ量に基づいてパターンを前記基板に形成するリソグラフィ方法であって、
複数のサンプルショット領域のそれぞれに形成された同一の第１マークを検出し、複数のサンプルショット領域のそれぞれに形成された同一の第２マークを検出し、
検出された複数の前記第１マークの前記ずれ量と、検出された複数の前記第２マークの前記ずれ量と、に基づいて、前記基板上のショット領域の形状に関する情報を得る、
ことを特徴とするリソグラフィ方法。
【請求項１５】
基板上に形成されたマークを検出して該マークの位置のその基準位置からのずれ量を求め、該ずれ量に基づいて前記基板上のショット領域にパターンを形成するリソグラフィ方法であって、
複数の前記ショット領域から選択された複数のサンプルショット領域のそれぞれに対して配置された複数の前記マークのうちから選択された前記マークを検出して求めた複数の前記ずれ量に基づいて、前記基板上のショット領域の形状に関する情報を得る、
ことを特徴とするリソグラフィ方法。
【請求項１６】
請求項１ないし１３のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置または請求項１４もしくは１５に記載のリソグラフィ方法を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含み、処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、基板上に形成されたマークを検出する検出部と、検出部の出力に基づいて、マークの位置のその基準位置からのずれ量を求める制御部と、を有し、検出部は、複数のサンプルショット領域のそれぞれに形成された同一の第１マークを検出し、複数のサンプルショット領域のそれぞれに形成された同一の第２マークを検出し、制御部は、検出部によって検出された複数の第１マークのずれ量と、検出部によって検出された複数の第２マークのずれ量と、に基づいて、基板上のショット領域の形状に関する情報を得る、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月13日(2017.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜および半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の平板状の粒子を有し、
前記複数の平板状の粒子の各々は、ガリウム原子、亜鉛原子および酸素原子を有する第１の層と、ガリウム原子、亜鉛原子および酸素原子を有する第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に、インジウム原子および酸素原子を有する第３の層と、を有し、
前記複数の平板状の粒子は、向きが不規則に配置され、
透過型電子顕微鏡によって、結晶粒界が確認されないことを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項２】
請求項１において、
前記平板状の粒子は、厚さが０．５ｎｍ以上０．９ｎｍ以下であり、かつ平面の円相当径が１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記平板状の粒子は、原子配列の秩序性を有することを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の酸化物半導体膜と、
ゲート電極と、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間のゲート絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月29日(2017.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する表示部と、
前記表示部に配置されるタッチセンサと、
前記表示部の外周に配置される複数の駆動回路部と、
検知部と、
前記駆動回路部に画像情報を供給する演算部と、
前記演算部で実行されるプログラムを記憶する記憶部と、を有し、
前記検知部は、前記表示部が展開される第１の形態、または前記表示部が折り畳まれる第２の形態を検知し、
前記プログラムは、前記第１の形態の場合に前記表示部の表示ムラを制御する第１の処理を行い、前記第２の形態の場合に消費電力を抑制する第２の処理を行うことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の処理は、
前記第２の処理を行った表示領域の時間を特定する第１３のステップと、
前記第２の処理を行った表示領域の電流量を制御する第１４のステップと、
前記第１の処理を解除するか判断する第１５のステップと、
前記第１の処理から復帰する第１６のステップと、を有し、
前記第１５のステップは、前記第１の処理を解除しない場合に前記第１４のステップへ進み、前記第１の処理を解除する場合に前記第１６のステップへ進むことを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２の処理は、
非表示領域を決定する第８のステップと、
少なくとも１つの前記駆動回路部を休止する第９のステップと、
前記休止する時間を計測する第１０のステップと、
前記第２の処理を解除するか判断する第１１のステップと、
前記第２の処理から復帰する第１２のステップと、を有し、
前記第１１のステップは、前記第２の処理を解除しない場合に前記第９のステップへ進み、且つ前記第２の処理を解除する場合に前記第１２のステップへ進むことを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記駆動回路部は、前記表示部が折り畳まれる領域以外に配置されていることを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記表示部は、発光素子を有することを特徴とする情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月12日(2017.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する表示部と、
前記表示部の外周に配置される複数の駆動回路部と、
前記表示部の外形の状態を識別する検知部と、
前記駆動回路部に画像情報を供給する演算部と、
前記演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部と、を有し、
前記検知部によって、前記表示部が展開される第１の形態、または前記表示部が折り畳まれる第２の形態が検知され、
前記プログラムが前記第１の形態または前記第２の形態に応じて、輝度調整処理を行う、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１において、前記プログラムは、
前記外形の形態を特定する第１のステップと、
前記第１の形態の場合に第５のステップに進み、且つ前記第１の形態以外の場合に第３のステップに進む第２のステップと、
前記第２の形態の場合に第４のステップに進み、且つ前記第２の形態以外の場合に第１のステップに進む第３のステップと、
前記輝度調整処理を行う第４のステップと、
終了する第５のステップと、を有し、
前記輝度調整処理が、
表示領域と非表示領域を決定する第６のステップと、
少なくとも１つの駆動回路部を休止する第７のステップと、
前記非表示領域の一部を発光させる第８のステップと、
前記輝度調整処理を解除する場合に第１０のステップに進み、且つ前記輝度調整処理を解除しない場合に第８のステップに進む第９のステップと、
前記輝度調整処理から復帰する第１０のステップと、を有する、
ことを特徴とする情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月6日(2017.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース及びドレインの一方が第１の配線に電気的に接続され、ゲートが第２の配線に電気的に接続された第１のトランジスタと、
ソース及びドレインの一方が第３の配線に電気的に接続され、ゲートが前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第２のトランジスタと、
一方の電極が前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方、及び前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の電極が第４の配線に電気的に接続された第１の容量素子と、
一方の電極が前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が第５の配線に電気的に接続された第２の容量素子と、
ソース及びドレインの一方が前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ゲートが第６の配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が第７の配線に電気的に接続された第３のトランジスタと、
を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有するトランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有するトランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、半導体層にシリコンを有するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第３のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚よりも大きい、ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月14日(2017.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダと、
前記スライダの外面上に配置された光源とを備え、前記光源は、前記スライダの前記外面に対して実質的に平行に整列された光共振器を含み、さらに、
前記スライダの前記外面の上方に延びる突起を備え、前記突起は、前記光源に光結合された光路変換要素を含む、装置。
【請求項２】
前記突起は、前記スライダと一体的である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記光路変換要素は導波路を含み、前記導波路は少なくとも一つの端部を含み、前記少なくとも一つの端部は、前記少なくとも一つの端部上に配置された反射防止コーティングを有する、請求項１または請求項２に記載の装置。
【請求項４】
導波路要素の複数のセットをウェハ上にパターン堆積することを備え、前記導波路要素の各セットは、その突起部中に光路変換要素を含み、さらに、
前記ウェハをスライスして、前記導波路要素の前記複数のセットの一部を含むスライダバーを製造することと、
前記スライダバーをパターンエッチングして、スライダを製造することとを備え、各スライダは外面の上方に延びる突起を有し、前記突起は前記導波路要素の１つのセットを含み、さらに、
前記スライダバーをダイシングして、スライダ本体を製造することを備える、方法。
【請求項５】
スライダを提供することを備え、前記スライダは、外面およびトレーリングエッジと、前記スライダの前記トレーリングエッジに沿って配置された光導波路とを有し、さらに、
前記トレーリングエッジに実質的に垂直な方向に、前記スライダの前記外面の上方に突起をパターン堆積することを備え、前記突起は、前記光導波路に光結合された光路変換要素を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月16日(2017.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチスクリーンディスプレイを有する多機能デバイスで、
前記タッチスクリーンディスプレイ上で第１倍率で編集可能コンテンツを有するユーザインタフェース要素を表示することと、
前記編集可能コンテンツ上での第１指接触を検出することと、
前記タッチスクリーンディスプレイ上での前記第１指接触の検出に応答して、
編集のために選択されたコンテンツを、編集のために選択されていない前記ユーザインタフェース要素における表示済の編集可能コンテンツと視覚的に区別するために、前記編集可能コンテンツにおける編集のために選択されたコンテンツを判定し、前記ユーザインタフェース要素の前記表示を更新することと、
前記編集可能コンテンツの拡大された一部分を表示するコンテンツマグニファイヤを表示することと、
前記タッチスクリーンディスプレイ上での前記第１指接触の移動を検出することと、
前記第１指接触の前記検出された移動に従って、前記コンテンツマグニファイヤを移動し、前記編集可能コンテンツの前記拡大された一部分を変更することと、
前記第１指接触の前記検出された移動に基づいて前記コンテンツにおける編集のために選択された更新済のコンテンツを判定することと、
編集のために選択された前記更新済のコンテンツを、編集のために選択されていない前記ユーザインタフェース要素における表示済の編集可能コンテンツと視覚的に区別するために、前記ユーザインタフェース要素の前記表示を更新することと、
前記第１指接触の離昇の検出に応答して、
前記コンテンツマグニファイヤおよび前記編集可能コンテンツの前記拡大された一部分の表示を止めることと、
編集のために選択された前記更新済のコンテンツに隣接して第１コマンド表示エリアを表示することであって、前記第１コマンド表示エリアは、選択された前記更新済のコンテンツをコピーするアイコンを含む、表示することと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記編集可能コンテンツはテキストを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記更新済のコンテンツの前記選択された一部分の第１端に始点オブジェクトを表示し、前記更新済のコンテンツの前記選択された一部分の第２端に終点オブジェクトを表示することを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
編集のために選択された前記更新済のコンテンツを視覚的に区別するために前記ユーザインタフェース要素の前記表示を更新することは、前記タッチスクリーンディスプレイ上での前記第１指接触の前記検出された移動に従って、前記更新されたコンテンツの前記選択された一部分の第１端を移動することを含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
編集のために選択された前記更新済のコンテンツを視覚的に区別するために前記ユーザインタフェース要素の前記表示を更新することは、前記コンテンツにおける固定位置で編集のために選択された前記更新済のコンテンツの第２端を維持することを含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
編集のために選択された前記更新済のコンテンツの量は、編集のために選択された前記コンテンツよりも多いことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１コマンド表示エリアは、前記編集可能コンテンツのすべてを選択するアイコンを含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１コマンド表示エリアは、追加のコマンドオプションを表示するアイコンを含むことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１コマンド表示エリアは、以前のアクションを元に戻すアイコンを含むことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１コマンド表示エリアは、以前のアクションをやり直すアイコンを含むことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１コマンド表示エリア内のアイコンは、文脈対応である少なくとも１つのコマンドを含むことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記編集可能コンテンツは、第１アプリケーション内に表示され、前記第１コマンド表示エリア内のアイコンは、事前定義のアプリケーションプログラミングインターフェースを介して前記第１アプリケーションに結合された第２アプリケーションを呼び出す少なくとも１つのコマンドを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか１項に記載の方法を実行するための命令を含むコンピュータプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のコンピュータプログラムを格納するメモリと、前記メモリに格納された前記命令を実行可能な１以上のプロセッサとを備えることを特徴とする電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月9日(2017.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
命令フォーマットにおける命令を実行するよう構成されるプロセッサを有する装置であって、
前記命令フォーマットは、フィールドにおける特定の値を介し、特定タイプのアドレス生成によるメモリアクセスの指定をサポートし、
前記命令フォーマットは、前記特定タイプのアドレス生成によるメモリアクセスが指定されると、複数の可能な符号付きの値の１つを指定するコンテンツを有する他のフィールドを有し、
前記フィールドにおける前記特定の値を介し前記特定タイプのアドレス生成による前記メモリアクセスを指定し、前記命令フォーマットにおける命令を実行すると、前記プロセッサは、
前記命令フォーマットにおける複数の他のフィールドのコンテンツに基づき、使用すべき複数のメモリアクセスサイズの何れか１つを決定し、
前記決定されたメモリアクセスサイズと前記指定された符号付きの値との乗算に基づきアドレスを生成する、
よう構成される装置。
【請求項２】
前記命令フォーマットはまた、前記フィールドにおける他の値を介し、スケーリングされていないディスプレースメントによるメモリアクセスとディスプレースメントのないメモリアクセスとの指定をサポートする、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記アドレスの生成はまた、前記特定タイプのアドレス生成によるメモリアクセスが指定されるとき、前記命令フォーマットのフィールドにおいて指定されるスケール、インデックス及びベースに基づく、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記スケールは、２ビットのスケールフィールドにおいて指定され、
前記インデックスは、１ビットのＸフィールドと３ビットのＸＸＸフィールドとの組み合わせにおいて指定され、
前記ベースは、１ビットのＢフィールドと３ビットのＢＢＢフィールドとの組み合わせにおいて指定される、請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記複数のメモリアクセスサイズを区別するのに用いられる前記複数の他のフィールドの選択は、前記命令フォーマットの拡張処理フィールド内のクラスフィールドのコンテンツに基づく、請求項１乃至４何れか一項記載の装置。
【請求項６】
前記クラスフィールドのコンテンツが第１のクラスを指定するとき、前記複数のメモリアクセスサイズを区別するのに用いられるフィールドは、ベース処理フィールド、データ操作フィールド及びデータ要素幅フィールドの２つ以上を含む、請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記クラスフィールドのコンテンツが第２のクラスを指定するとき、前記複数のメモリアクセスサイズを区別するのに用いられるフィールドは、ベース処理フィールド、ブロードキャストフィールド、ベクトル長フィールド及びデータ要素幅フィールドの２つ以上を含む、請求項５又は６記載の装置。
【請求項８】
前記他のフィールドは１バイトである、請求項１乃至７何れか一項記載の装置。
【請求項９】
前記他のフィールドのコンテンツは、−１２８と１２７との間の符号付きの値として解釈される、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記複数のメモリアクセスサイズは、前記メモリアクセスにおけるバイト数に対応する、請求項１乃至９何れか一項記載の装置。
【請求項１１】
前記複数のメモリアクセスサイズは、１バイト、２バイト、４バイト、８バイト、１６バイト、３２バイト及び６４バイトである、請求項１乃至１０何れか一項記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月12日(2017.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的ＲＮＡに対するＲＮＡ干渉を媒介する一本鎖ＲＮＡ分子であって、前記一本鎖ＲＮＡが１つ以上の内部非ヌクレオチドスペーサーを含む一本鎖ＲＮＡ分子。
【請求項２】
前記非ヌクレオチドスペーサーが、Ｃ３〜Ｃ６アルキルからなる群から選択される、請求項１に記載の分子。
【請求項３】
核酸部分内のヌクレオチドの総数が８〜２６ヌクレオチドである、請求項１または２に記載の分子。
【請求項４】
標的部位が前記標的ＲＮＡの非翻訳領域内に存在している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の分子。
【請求項５】
天然に存在する内在性ｍｉＲＮＡヌクレオチド配列のシード配列の全体または一部としての前記標的部位と塩基対形成し得る少なくとも２０個のヌクレオチドを含む、請求項４に記載の分子。
【請求項６】
前記一本鎖ＲＮＡ分子が、一本鎖ｓｉＲＮＡまたは二本鎖ｓｉＲＮＡのガイド（アンチセンス）鎖である、請求項５に記載の分子。
【請求項７】
前記分子の核酸部分が、前記天然に存在する内在性ｍｉＲＮＡヌクレオチド配列と少なくとも５０％相同である、請求項５〜６のいずれか一項に記載の分子。
【請求項８】
前記標的部位が前記標的ＲＮＡの遺伝子コード領域に存在している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の分子。
【請求項９】
前記分子の核酸部分が前記標的部位に少なくとも９０％相補的である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の分子。
【請求項１０】
少なくとも１個のヌクレオチドが修飾糖を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の分子。
【請求項１１】
少なくとも１個のヌクレオチドが修飾ヌクレオチド間結合を有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の分子。
【請求項１２】
５’末端もしくは３’末端、または５’末端と３’末端の両方に末端キャップを有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の分子。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の一本鎖ＲＮＡ分子および薬学的に許容され得る担体を含む組成物。
【請求項１４】
リポソーム、ヒドロゲル、シクロデキストリン、生分解性ナノカプセル、生体接着性ミクロスフィアまたはタンパク質性ベクターをさらに含む、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
細胞内の内在性ＲＮＡ標的遺伝子の発現を低減させるための、請求項１３または請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
５’末端もしくは３’末端、または５’末端と３’末端の両方に末端基を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の分子。
【請求項１７】
前記末端基がリガンドである、請求項１６に記載の分子。
【請求項１８】
前記リガンドが細胞受容体のリガンドである、請求項１７に記載の分子。
【請求項１９】
前記リガンドが糖質である、請求項１８に記載の分子。
【請求項２０】
前記糖質がＮ−アセチル−Ｄ−ガラクトサミンである、請求項１９に記載の分子。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月10日(2017.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号１８１のアミノ酸残基１０８〜１２６及びアミノ酸残基１３７〜１５１からなるエピトープでヒトＩＬ−２３ｐ１９に結合する、抗ＩＬ−２３ｐ１９モノクローナル抗体。
【請求項２】
以下：
ａ）配列番号１７４のアミノ酸配列を含む軽鎖及び配列番号１７６のアミノ酸配列を含む重鎖を含む、ヒト化モノクローナル抗ＩＬ−２３ｐ１９抗体；又は
ｂ）配列番号１７４のアミノ酸配列を含む軽鎖及び配列番号１７８のアミノ酸配列を含む重鎖を含む、ヒト化モノクローナル抗ＩＬ−２３ｐ１９抗体；又は
ｃ）配列番号１８０のアミノ酸配列を含む軽鎖及び配列番号１７６のアミノ酸配列を含む重鎖を含む、ヒト化モノクローナル抗ＩＬ−２３ｐ１９抗体；又は
ｄ）配列番号１８０のアミノ酸配列を含む軽鎖及び配列番号１７８のアミノ酸配列を含む重鎖を含む、ヒト化モノクローナル抗ＩＬ−２３ｐ１９抗体
と競合的にヒトＩＬ−２３ｐ１９に結合する、抗ＩＬ−２３ｐ１９モノクローナル抗体。
【請求項３】
抗体がヒト化抗体である、請求項１又は２のいずれか一項記載の抗ＩＬ−２３ｐ１９抗体。
【請求項４】
医薬における使用のための請求項１〜３のいずれか一項記載の抗体。
【請求項５】
使用が、炎症性疾患の、自己免疫疾患の、呼吸器疾患の、代謝性障害の、又は癌の処置である、請求項４記載の抗体。
【請求項６】
使用が、乾癬、炎症性腸疾患、乾癬性関節炎、多発性硬化症、関節リウマチ、又は強直性脊椎炎の処置のためである、請求項４記載の抗体。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか一項記載の抗体及び医薬的に許容可能な担体を含む、医薬的組成物。
【請求項８】
被験者に、請求項１〜３のいずれか一項記載の抗体、あるいは請求項７記載の医薬的組成物を投与することを含み、それらの抗体がヒトＩＬ−２３に結合する、ＩＬ−２３関連障害を有する被験者を処置するための方法。
【請求項９】
それを必要とする被験者に、請求項１〜３のいずれか一項記載の抗体、あるいは請求項７記載の医薬的組成物の効果的な量を投与することを含む、炎症性疾患、自己免疫疾患、呼吸器疾患、代謝性障害、又は癌を処置するための方法。
【請求項１０】
疾患が、乾癬、炎症性腸疾患、乾癬性関節炎、多発性硬化症、関節リウマチ、又は強直性脊椎炎である、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
細胞に、請求項１〜３のいずれか一項記載の抗体を投与することを含み、それにより、ＩＬ−２３受容体により媒介されるシグナル伝達が阻害される、哺乳動物細胞上のＩＬ−２３受容体へのＩＬ−２３の結合を阻害するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月12日(2017.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インスリン及びＭＡＦＢを同時に発現する膵島ホルモン発現細胞を含むインビトロ細胞培養物。
【請求項２】
前記膵島ホルモン発現細胞がヒト多能性幹細胞由来である、請求項１に記載の細胞培養物。
【請求項３】
前記ヒト多能性幹細胞が胚性幹細胞である、請求項２に記載の細胞培養物。
【請求項４】
前記胚性幹細胞が桑実胚又は胚の内部細胞塊（ＩＣＭ）由来である、請求項３に記載の細胞培養物。
【請求項５】
インスリン及びＭＡＦＢを同時に発現する膵島ホルモン発現細胞を得る方法であって、
（ａ）内分泌前駆細胞を含む組成物を得ること、及び
（ｂ）内分泌前駆細胞をエキセンジン４と接触させ、前記膵島ホルモン発現細胞を含む組成物を得ること
を含む前記方法。
【請求項６】
前記内分泌前駆細胞をＤＭＥＭ及びＢ２７と接触させることを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
エキセンジン４が５０ｎｇ／ｍｌで提供される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記内分泌前駆細胞を、明細書及び図面に実質的に記載された条件で、エキセンジン４、ＤＭＥＭ及び／又はＢ２７と接触させる、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月29日(2017.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
食品生産物に使用される実質的に非吸湿性のカーナライト三重塩であって、該塩は、
次の式
MgKx(NH4)yClg・zH2O      式（ＩＩＩ）
を有し、式中、ｘとｙとの合計が１であり、０＜ｘ＜１であり、０＜ｙ＜１であり、ｇが３であり、ｚが４乃至６であり、
結晶格子内に吸蔵された塩化水素が存在せず、化学量論的に、塩生産物の結晶格子の外側にフリーの塩化アンモニウムが存在しないことを特徴とする、実質的に非吸湿性のカーナライト三重塩。
【請求項２】
ｘが０．０５から０．４５であり、ｙが０．５５から０．９５であることを特徴とする、請求項１記載の実質的に非吸湿性のカーナライト三重塩。
【請求項３】
ｘが０．２５であり、ｙが０．７５であることを特徴とする、請求項１記載の実質的に非吸湿性のカーナライト三重塩。
【請求項４】
ｚが６であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１つに記載の実質的に非吸湿性のカーナライト三重塩。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の実質的に非吸湿性のカーナライト三重塩を調製する方法であって、該方法は、
ａ）水性溶媒中に、（ｉ）塩化マグネシウム、（ｉｉ）塩化アンモニウム、塩化カリウム、またはこれらの組み合わせ、及び（ｉｉｉ）ｐＨを５．５から７の範囲に維持するのに適した量の酸スカベンジャー、を溶解させる工程、及び、
ｂ）食品用の三重塩生産物を得るために、前記水性溶媒を蒸発により除去する工程
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記水性溶媒が部分的に蒸発され、これによりカーナライト三重塩を沈殿させることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記工程（ａ）が、前記水性溶媒中に、１−１０ｍｏｌ％の塩化アンモニウムを含む酸スカベンジャーを溶解させる工程を含むことを特徴とする、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記酸スカベンジャーがアンモニアではないことを特徴とする、請求項５乃至７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
コア及び少なくとも１つの層を備える粒子であって、
前記コアは、請求項１乃至４のいずれか１つに記載のカーナライト三重塩を含み、
前記粒子の少なくとも１つの層が、塩化ナトリウム、塩化カリウム、又はこれらの組合せを含むことを特徴とする粒子。
【請求項１０】
（ｉ）請求項１乃至４のいずれか１つに記載される、食品生産物に使用されるカーナライト三重塩、及び
（ｉｉ）塩化ナトリウム、塩化カリウム、又はこれらの組合せ、
を含むことを特徴とする組成物。
【請求項１１】
栄養剤、半加工食品生産物、香味生産物、または加工食品生産物を調製する方法であって、前記栄養剤、半加工食品生産物、香味生産物、または加工食品生産物が、請求項１乃至４のいずれか１つに記載の塩、請求項９に記載の粒子、あるいは請求項１０に記載の組成物を用いて加工され、又は保存されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記加工食品生産物は、肉、魚、野菜、スナック食品、スープ、ソース、酪農製品、及び酵母系製品から選択されることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載のカーナライト三重塩、請求項９に記載の粒子、請求項１０に記載の組成物、あるいは請求項１１に記載の方法によって調整された栄養剤、半加工食品生産物、香味生産物、または加工食品生産物を用いて、食品生産物中の塩に含まれるナトリウムを、少なくとも部分的に代用させることにより、食品生産物のナトリウム量を減少させる方法であって、前記食品生産物が、実質的な風味又は保存期限の減少を有さないことを特徴とする方法。
【請求項１４】
食品生産物に使用される実質的に非吸湿性のカーナライト三重塩を調製する方法であって、該塩が次の式を有し、
MgKx(NH4)yClg・zH2O      式（ＩＩＩ）
前記方法は、
ａ）水性溶媒中に、（ｉ）塩化マグネシウム、（ｉｉ）塩化アンモニウム、塩化カリウム、またはこれらの組み合わせ、及び（ｉｉｉ）ｐＨを５．５から７に維持するのに適した量の酸スカベンジャー、を溶解させる工程、及び
ｂ）食品用の三重塩生産物を得るために、前記水性溶媒を蒸発により除去する工程
を備え、
式中、ｘとｙとの合計が１、ｘが０．０５から０．４５、ｙが０．５５から０．９５、ｇが３、ｚが４乃至６であり、
結晶格子内に吸蔵される塩化水素が存在せず、化学量論的に、塩生産物の結晶格子の外側にフリーの塩化アンモニウムが存在しないことを特徴とする方法。
【請求項１５】
食品生産物に使用される実質的に非吸湿性のカーナライト三重塩であって、
該塩は次の式
MgKx(NH4)yClg・zH2O      式（ＩＩＩ）
を有し、式中、ｘとｙとの合計が１であり、０＜ｘ＜１であり、０＜ｙ＜１であり、ｇが３であり、ｚが４乃至６であり、
食品生産物に使用される塩における５％未満のＫイオンが、生理学的に許容可能なカチオンと置換され、
食品生産物に使用される塩における５％未満のＮＨ４イオンが、生理学的に許容可能なカチオンと置換され、
食品生産物に使用される塩における５％未満のＣｌイオンが、生理学的に許容可能なアニオンと置換され、さらに、
結晶格子内に吸蔵される塩化水素が存在せず、化学量論的に、塩生産物の結晶格子の外側にフリーの塩化アンモニウムが存在しないことを特徴とするカーナライト三重塩。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月14日(2017.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの可変抵抗メモリセル内の既定の閾値からの変動を識別し、前記少なくとも１つの可変抵抗メモリセルに対する第１のエラー訂正符号（ＥＣＣ）レベルを第２のＥＣＣレベルに格上げするように構成されるコントローラを備える、装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの可変抵抗メモリセルが、ソリッドステートメモリアレイの一部である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ソリッドステートメモリアレイが、複数の異なる種類の可変抵抗メモリセルを有する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
第１の種類の可変抵抗メモリセルは、プログラム可能な金属化セルを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
第２の種類の可変抵抗メモリセルは、相変化ランダムアクセスメモリセルを含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
第３の種類の可変抵抗メモリセルは、抵抗性ランダムアクセスメモリセルを含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記コントローラが、前記既定の抵抗閾値からの変動を反応的に識別するために、複数の異なるメモリセル動作条件を同時に分析するように構成される評価エンジンを備える、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記評価エンジンが、モデルジェネレータに、前記既定の抵抗閾値からの変動を事前対策的に識別するためのデータを提供する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記既定の抵抗閾値からの前記識別された変動は、前記既定の抵抗閾値を満たす前記少なくとも１つの可変抵抗メモリセルに対応する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
少なくとも１つの可変抵抗メモリセル内の既定の抵抗閾値からの変動を識別することと、前記少なくとも１つの可変抵抗メモリセルに対する第１のエラー訂正符号（ＥＣＣ）レベルを第２のＥＣＣレベルに格上げすることと、を含む、方法。
【請求項１１】
前記第１のＥＣＣレベルが、チェックサムを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２のＥＣＣレベルが、パリティチェックを含む、請求項１０または請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２のＥＣＣレベルが、前記第１のＥＣＣレベルと異なるＥＣＣスキームを備える、請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記コントローラが、複数の異なる動作パラメータを使用して、メモリセル抵抗における変動の予測モデルを生成する、請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記予測モデルが、ＥＣＣエンジンによって既定のメモリセルのＥＣＣを予測するために使用される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のＥＣＣレベルが、可変抵抗メモリセルのページに対応し、前記第２のＥＣＣレベルが、個別の可変抵抗メモリセルに対応する、請求項１０から請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１つの可変抵抗メモリセル内の既定の抵抗閾値から将来の変動を識別することと、前記少なくとも１つの可変抵抗メモリセルに対する第１のエラー訂正符号（ＥＣＣ）レベルを第２のＥＣＣレベルに事前対策的に格上げすることと、を含む、方法。
【請求項１８】
識別された可変抵抗メモリセルに論理的に近位の未識別の可変抵抗メモリセルが、前記第１のＥＣＣレベルから前記第２のＥＣＣレベルに格上げされる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
識別された可変抵抗メモリセルに物理的に近位の未識別の可変抵抗メモリセルが、前記第１のＥＣＣレベルから前記第２のＥＣＣレベルに格上げされる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のＥＣＣレベルが、前記コントローラの評価エンジン部分からの観察された動作データに応じて予測される、請求項１７から請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月17日(2017.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
ホストに応答する通信インターフェースと、
プロセッサと、
前記装置が前記ホストから取り外し可能であるように、前記通信インターフェースおよび前記プロセッサを含むハウジングとを備え、
前記プロセッサは、
前記通信インターフェースを介して前記ホストからコマンドを受信することと、
前記装置のアーキテクチャに依存しないプラットフォーム独立型プログラムインターフェースを使用して、前記コマンドを処理することと、
前記通信インターフェースを介して前記コマンドの結果を前記ホストに返すことと、を行うように構成される、装置。
【請求項２】
前記ハウジングに接続されるデータ記憶媒体を更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記プロセッサは、前記コマンドがアプリケーションコマンドであるか、またはデータ記憶コマンドであるかを判定することを行うようにさらに構成され、前記アプリケーションコマンドは、前記プラットフォーム独立型プログラムインターフェースによって行われる操作を含み、前記データ記憶コマンドは、読み込みコマンドまたは書き込みコマンドを含み、
前記プロセッサは、
前記コマンドがアプリケーションコマンドであるとき、前記プラットフォーム独立型プログラムインターフェースを使用して、前記コマンドを処理することと、
前記コマンドがデータ記憶コマンドであるとき、データを記憶または取得することと、
を行うようにさらに構成される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記プラットフォーム独立型プログラムインターフェースを使用して、前記コマンドを処理することを更に含むことは、
前記コマンドに関連付けられたデータを前記データ記憶媒体から取得することと、
前記コマンドに従って、前記データを処理することと、を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記コマンドを更に含むことは、前記プラットフォーム独立型プログラムインターフェースを使用して、実行されるように設計されたコンピュータコードを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記プラットフォーム独立型プログラムインターフェースを更に備えることは、命令セットを実行するように構成される論理回路を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記プラットフォーム独立型プログラムインターフェースを更に備えることは、前記プロセッサ上で実行されるコンピュータ読み取り可能な命令を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記コマンドは、処理されるデータと、前記データをどのように処理するのかについての命令と、を含み、
前記プロセッサは、前記命令に従って、前記プラットフォーム独立型プログラムインターフェースを使用して、前記コマンドを処理するように更に構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記コマンドを更に含むことは、前記ホスト上で実行される処理の部分処理を行うための命令を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置のオペレーティングシステムに依存しない前記プラットフォーム独立型プログラムインターフェースを更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
システムであって、
ホストと、
データストレージ装置とを備え、
前記データストレージ装置は、前記ホストに応答する通信インターフェースと、
プロセッサと、
前記データストレージ装置が前記ホストから取り外し可能であるように、前記インターフェースおよび前記プロセッサを含むハウジングとを含み、
前記プロセッサは、
前記通信インターフェースを介して前記ホストからコマンドを受信することと、
仮想マシンを使用して前記コマンドを処理することと、
前記通信インターフェースを介して前記コマンドの結果を前記ホストに返すことと、を行うように構成され、
前記仮想マシンは、前記データストレージ装置の構造アーキテクチャに依存しない、システム。
【請求項１２】
データを前記データストレージ装置に記憶することと、
前記コマンドを前記データストレージ装置に発行することとを行うように構成されるホストを更に備え、
前記コマンドは、前記仮想マシンを使用して生データを処理するための命令を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
方法であって、
データストレージ装置でホスト装置からコマンドを受信するステップと、
前記データストレージ装置のアーキテクチャに依存しないプラットフォーム独立型プログラムインターフェースを使用して、前記データストレージ装置で前記コマンドを処理するステップと、
前記コマンドの結果を前記データストレージ装置から前記ホストへ返すステップと、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月14日(2017.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
不揮発性データストレージおよびホストインターフェースに連結することができるコントローラを備え、前記コントローラは、
ホストを介して前記不揮発性データストレージに記憶されたデータに関連する、前記ホストから提供されるサービス品質インジケータを、前記ホストインターフェースを介して受け取ること、
前記サービス品質インジケータに関連するワークロードインジケータを測定すること、
前記サービス品質インジケータと前記測定されたワークロードインジケータとの相関関係に応じて、重みを前記ホストに割り当てること、および
前記ホストからのデータアクセス要求に応じるときに、前記重みを前記サービス品質インジケータに適用すること、を少なくとも行うように構成される、装置。
【請求項２】
データアクセス要求に応じることは、前記重みに基づいて前記ホストからのデータを記憶するための前記不揮発性データストレージの２つ以上のタイプの非階層ストレージから、メモリを選択することを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記２つ以上のタイプの非階層ストレージは、メモリサイズ、待ち時間、スループット、電力消費、保持時間、および信頼性のうちの少なくとも１つに関連する、異なる属性を有することに基づいて選択される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記サービス品質インジケータは、２つを超える値の範囲を含み、前記重みをサービス品質インジケータに適用することは、前記範囲と前記２つ以上のタイプの非階層ストレージとの間のマッピングを調整することを含む、請求項２または請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記タイプの非階層ストレージの少なくとも１つは、抵抗に基づくメモリまたはスピントルクメモリを備える、請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記測定されたワークロードインジケータおよびサービス品質インジケータは、関連データが、ランダムであるか順次的であるかを記述する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記測定されたワークロードインジケータおよびサービス品質インジケータは、関連データが、かなりの読み出しアクティビティおよびかなりの書き込みアクティビティのうちの少なくとも１つを経験すると予想されるかどうかを記述する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記測定されたワークロードインジケータおよびサービス品質インジケータは、関連データが、長いデータ保持時間を必要とすると予想されるかどうかを記述する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記サービス品質インジケータは、前記ワークロードインジケータに直接関連しないことが、ホスト提供のメタデータを介して暗示される、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記ホスト提供のメタデータは、ホスト識別子、論理ブロックアドレス範囲、およびファイル識別子のうちの１つ以上を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
方法であって、
ホストを介して不揮発性データストレージに記憶されたデータに関連する、前記ホストから提供されるサービス品質インジケータを受け取ることと、
前記サービス品質インジケータに関連するワークロードインジケータを測定することと、
前記サービス品質インジケータと前記測定されたワークロードインジケータとの相関関係に応じて、重みを前記ホストに割り当てることと、
前記ホストからのデータアクセス要求に応じるときに、前記重みを前記サービス品質インジケータに適用することと、
を含む、方法。
【請求項１２】
データアクセス要求に応じて順次データを記憶することは、前記重みに対応する前記ホストからのデータを記憶するための前記不揮発性データストレージの２つ以上のタイプの非階層ストレージから、メモリを選択することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記２つ以上のタイプの非階層ストレージは、メモリサイズ、待ち時間、スループット、電力消費、保持時間、および信頼性のうちの少なくとも１つに関連する、異なる属性を有することに基づいて選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記サービス品質インジケータは、２つを超える値の範囲を含み、前記重みを以降のサービス品質インジケータに適用することは、前記範囲と前記２つ以上のタイプの非階層ストレージとの間のマッピングを調整することを含む、請求項１２または請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記測定されたワークロードインジケータおよびサービス品質インジケータは、
関連データが、ランダムであるか順次的であるか、
関連データが、かなりの読み出しアクティビティおよびかなりの書き込みアクティビティのうちの少なくとも１つを経験すると予想されるかどうか、および
関連データが、長いデータ保持時間を必要とすると予想されるかどうか、のうちの少なくとも１つを記述する、請求項１１から請求項１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記重みを前記ホストに返信することをさらに含む、請求項１１から請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１１から請求項１６のいずれか１項に記載の方法を行うために、プロセッサによって操作可能な命令を記憶する、非一時的なコンピュータが読み出し可能な媒体。
【請求項１８】
装置であって、
２つ以上の非階層メモリユニットであって、それぞれが異なるタイプの不揮発性メモリであり、前記タイプの不揮発性メモリは、抵抗に基づくメモリを備える、２つ以上の非階層メモリユニットと、
前記２つ以上のメモリユニットに連結されるコントローラであって、
ホストを介して前記装置に記憶されたデータに関連する、前記ホストから提供されるサービス品質インジケータを記憶すること、
前記記憶されたサービス品質インジケータに関連するワークロードインジケータを測定すること、
前記記憶されたサービス品質インジケータと前記測定されたワークロードインジケータとの相関関係に応じて、重みを前記ホストに割り当てること、および
以降のホストのデータアクセス要求に応じて、前記重みを、以降のデータを記憶するときに前記２つ以上のメモリユニットの間で選択するための以降のサービス品質インジケータに適用すること、を少なくとも行うように構成される、コントローラと、
を備える、装置。
【請求項１９】
前記２つ以上のメモリユニットは、データアクセス速度、電力消費、保持時間、および信頼性のうちの少なくとも１つに関連する、異なる属性を有する、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記測定されたワークロードインジケータおよびサービス品質インジケータは、
関連データが、ランダムであるか順次的であるか、
関連データが、かなりの読み出しアクティビティおよびかなりの書き込みアクティビティのうちの少なくとも１つを経験すると予想されるかどうか、および
関連データが、長いデータ保持時間を必要とすると予想されるかどうか、のうちの少なくとも１つを記述する、請求項１８または請求項１９に記載の装置。