【手続補正書】
【提出日】平成29年7月3日(2017.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の光導電率を、前記半導体に照射する光の強度を変化させて測定する第１ステップと、
前記光の強度と前記光導電率との関係を用いて、過剰少数キャリアのトラッピングによる影響が無視できる領域であるノントラッピング領域を特定する第２ステップと、
前記ノントラッピング領域における前記光導電率の値を用いて、前記過剰少数キャリアの実効ライフタイムを求める第３ステップと、
を有することを特徴とする過剰少数キャリアキャリアの実効ライフタイム測定方法。
【請求項２】
前記光の強度が、特定の第１強度から、該第１強度よりも１０ｓｕｎ以上大きい第２強度まで変化したときに、前記第１強度から前記第２強度までの範囲における、前記光導電率の前記光の強度に対する微分係数の最小値をＡ、最大値をＢ、平均値をＣとしたときに、（Ｂ−Ａ）／Ｃ≦１．０であるとき、前記第１強度から前記第２強度までの範囲をノントラッピング領域とすることを特徴とする請求項１に記載の過剰少数キャリアキャリアの実効ライフタイム測定方法。
【請求項３】
前記ノントラッピング領域における、過剰少数キャリア密度のキャリア対生成率に対する平均変化率、または、前記ノントラッピング領域における、前記過剰少数キャリア密度の前記キャリア対生成率に対する微分係数、を用いて、前記過剰小数キャリアの前記実効ライフタイムを求めることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の過剰少数キャリアキャリアの実効ライフタイム測定方法。
【請求項４】
前記ノントラッピング領域における、前記過剰少数キャリア密度の前記キャリア対生成率に対する前記平均変化率、または、前記ノントラッピング領域における、前記過剰少数キャリア密度の前記キャリア対生成率に対する前記微分係数、を前記過剰小数キャリアの前記実効ライフタイムとすることを特徴とする請求項３に記載の過剰少数キャリアキャリアの実効ライフタイム測定方法。
【請求項５】
強度を変化させて光を半導体に照射する光照射手段と、
前記半導体に照射した前記光の強度を測定する光測定手段と、
前記半導体の光導電率を測定する光導電率測定手段と、
前記光の強度と前記光導電率との関係を用いて、過剰少数キャリアのトラッピングによる影響が無視できる領域であるノントラッピング領域を特定する、ノントラッピング領域算
出回路と、
前記ノントラッピング領域における前記光導電率の値を用いて、前記過剰少数キャリアの実効ライフタイムを求める、実効ライフタイム算出回路と、
を有することを特徴とする過過剰少数キャリアキャリアの実効ライフタイム測定装置。
【請求項６】
前記光の強度が、特定の第１強度から、該第１強度よりも１０ｓｕｎ以上大きい第２強度まで変化したときに、前記第１強度から前記第２強度までの範囲における、前記光導電率の前記光の強度に対する微分係数の最小値をＡ、最大値をＢ、平均値をＣとしたときに、（Ｂ−Ａ）／Ｃ≦１．０であるとき、前記第１強度から前記第２強度までの範囲をノントラッピング領域とすることを特徴とする請求項５に記載の過剰少数キャリアキャリアの実効ライフタイム測定装置。
【請求項７】
前記実効ライフタイム算出回路は、前記ノントラッピング領域における、過剰少数キャリア密度のキャリア対生成率に対する平均変化率、または、前記ノントラッピング領域における、前記過剰少数キャリア密度の前記キャリア対生成率に対する微分係数、を用いて、前記過剰小数キャリアの前記実効ライフタイムを算出することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の過剰少数キャリアキャリアの実効ライフタイム測定装置。
【請求項８】
前記実効ライフタイム算出回路は、前記ノントラッピング領域における、前記過剰少数キャリア密度の前記キャリア対生成率に対する前記平均変化率、または、前記ノントラッピング領域における、前記過剰少数キャリア密度の前記キャリア対生成率に対する前記微分係数、を算出し、それを前記過剰小数キャリアの前記実効ライフタイムとすることを特徴とする請求項７に記載の過剰少数キャリアキャリアの実効ライフタイム測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本実施形態の過剰少数キャリアの実効ライフタイム測定方法では、照射光強度の低い領域に現れる、光導電率の照射光強度に対する増加率（傾き）が非常に大きく、さらにこの増加率（傾き）が照射光強度の増加とともに小さくなっていく非線形性の強い領域をトラッピング領域とし、照射光強度の高い領域における比較的線形な領域をノントラッピング領域として識別し、ノントラッピング領域のデータから過剰少数キャリアの実効ライフタイムを求める。なお、具体的には、照射光強度が、特定の第１強度から、第１強度よりも１０ｓｕｎ以上大きい第２強度まで変化したときに、第１強度から第２強度までの範囲における、光導電率の光の強度に対する微分係数の最小値をＡ、最大値をＢ、平均値をＣとしたときに、（Ｂ−Ａ）／Ｃ≦１．０であるとき、第１強度から第２強度までの範囲をノントラッピング領域とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【数３】
2016157907.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、本実施形態の過剰少数キャリアの実効ライフタイム測定方法は、光の強度が、特定の第１強度から、第１強度よりも１０ｓｕｎ以上大きい第２強度まで変化したときに、第１強度から第２強度までの範囲における、光導電率の光の強度に対する微分係数の最小値をＡ、最大値をＢ、平均値をＣとしたときに、（Ｂ−Ａ）／Ｃ≦１．０であるとき、第１強度から第２強度までの範囲をノントラッピング領域とする。これにより、ノントラッピング領域を容易に特定することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ノントラッピング領域算出回路１３は、入力された光の強度と光導電率との関係を用いて、過剰少数キャリアのトラッピングによる影響が無視できる領域であるノントラッピング領域を算出して特定し、そのデータを実効ライフタイム算出回路１４へ出力する。詳細には、光の強度が、特定の第１強度から、第１強度よりも１０ｓｕｎ以上大きい第２強度まで変化したときに、第１強度から第２強度までの範囲における、光導電率の光の強度に対する微分係数の最小値をＡ、最大値をＢ、平均値をＣとしたときに、（Ｂ−Ａ）／Ｃ≦１．０であるとき、第１強度から第２強度までの範囲をノントラッピング領域とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
制御回路１５は、光照射手段１１、光導電率測定手段１２、図示せぬ光測定手段、ノントラッピング領域算出回路１３および実効ライフタイム算出回路１４を制御する。なお、光導電率測定手段１２の光導電率算出回路、ノントラッピング領域算出回路１３、実効ライフタイム算出回路１４および制御回路１５は、ＣＰＵやメモリによって構成することができる。また、ノントラッピング領域の算出や実効ライフタイムの算出は、前述した過剰少数キャリアの実効ライフタイム測定方法で説明した種々の数式を用いて行う。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、本実施形態の過剰少数キャリアの実効ライフタイム測定装置は、光の強度が、特定の第１強度から、第１強度よりも１０ｓｕｎ以上大きい第２強度まで変化したときに、第１強度から第２強度までの範囲における、光導電率の光の強度に対する微分係数の最小値をＡ、最大値をＢ、平均値をＣとしたときに、（Ｂ−Ａ）／Ｃ≦１．０であるとき、第１強度から第２強度までの範囲をノントラッピング領域とする。これにより、ノントラッピング領域を容易に特定することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に、図２のグラフにおいてノントラッピング領域を特定した。詳細には、照射光強度が、特定の第１強度から、第１強度よりも１０ｓｕｎ以上大きい第２強度まで変化したときに、第１強度から第２強度までの範囲における、光導電率の光の強度に対する微分係数の最小値をＡ、最大値をＢ、平均値をＣとしたときに、（Ｂ−Ａ）／Ｃ≦１．０であるとき、第１強度から第２強度までの範囲をノントラッピング領域とした。この場合、１０ｓｕｎ以上の領域がノントラッピング領域となった。