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【手続補正書】
【提出日】平成29年5月11日(2017.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１始動領域への遊技球の入球により取得される第１判定情報に基づいて、特別可変入賞装置を遊技球が入球できるように開放する態様へ変位可能とする特別遊技をおこなうか否かに関する第１の判定をする第１特別遊技判定手段と、
遊技球の入球が不可能若しくは困難な第１の態様、およびこの第１の態様よりも遊技球の入球が容易な第２の態様に変位する可変入賞装置が設けられた第２始動領域への遊技球の入球により取得される第２判定情報に基づいて、前記特別遊技をおこなうか否かに関する第２の判定をする第２特別遊技判定手段と、
前記特別可変入賞装置および前記可変入賞装置の変位に基づいて遊技球が入球した場合に所定数の賞球を付与する賞球付与手段と、
前記第１の判定または前記第２の判定の結果を所定時間の経過後に導出する判定結果導出手段と、
前記判定結果導出手段が、前記第１の判定の結果または前記第２の判定の結果を導出するまでの前記所定時間を決定する変動時間決定手段と、
通常遊技の状態または前記通常遊技の状態よりも有利な時短遊技の状態にさせる制御をおこなう時短遊技制御手段と、
を備え、
前記特別遊技には、
前記特別可変入賞装置が少なくとも１回開放する小当たりと、前記小当たりより前記特別可変入賞装置の開放回数が多い大当たりと、が含まれており、
前記変動時間決定手段は、
所定の第１条件が成立した場合には、前記所定時間として複数種類設けられた通常変動時間からいずれかを決定し、所定の第２条件が成立した場合には、前記複数種類設けられた前記通常変動時間よりも短い時間から成る特殊変動時間を決定し、
前記時短遊技の状態には、
前記第１の判定の結果または前記第２の判定の結果に基づいて前記通常変動時間が決定されるとともに、前記小当たりの実行を所定確率で判定可能とする第１時短遊技状態と、
前記第１の判定の結果または前記第２の判定の結果に基づいて前記特殊変動時間が決定されるとともに、前記所定確率と等しい確率で前記小当たりの実行を判定可能とすることで、前記第１時短遊技状態より前記特別可変入賞装置の変位に基づいて付与可能とされる賞球の総数が多くなる第２時短遊技状態と、が設けられてなる、ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技の進行に伴う演出を制御する演出制御手段をさらに備え、
前記演出制御手段は、
前記賞球付与手段により付与された賞球に係る情報を賞球表示として演出表示手段に表示させることが可能であるとともに、
前記第１時短遊技状態においては、前記小当たりを契機として付与された賞球に係る情報を含めない第１賞球表示を前記演出表示手段に表示させる一方、
前記第２時短遊技状態においては、前記小当たりを契機として付与された賞球に係る情報を含めた第２賞球表示を前記演出表示手段に表示させる、ことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記第１判定情報または前記第２判定情報を第１の判定基準で判定する低確率遊技、前記第１判定情報または前記第２判定情報を前記第１の判定基準よりも高い第２の判定基準にて判定する高確率遊技、のいずれか一方の遊技を制御する確率遊技制御手段をさらに備え、
前記確率遊技制御手段は、
前記第１時短遊技状態または前記第２時短遊技状態に制御された場合には、予め定められた移行条件が満たされるまで前記高確率遊技にて制御し、
前記演出制御手段は、
前記高確率遊技の移行後から前記低確率遊技に係る移行条件が満たされる場合において、
前記第１時短遊技状態および前記第２時短遊技状態における前記特別可変入賞装置の変位に基づいて付与された賞球数の総数の合計報知を可能とする第１カウント手段をさらに備えてなる、ことを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記高確率遊技中の前記第１時短遊技状態において前記第２時短遊技状態へ移行するときまでに付与された賞球数をカウント可能とする第２カウント手段と、
前記高確率遊技中の前記第２時短遊技状態において付与された賞球数をカウント可能とする第３カウント手段と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項３に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月11日(2017.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動条件の成立により、小当たり遊技または大当たり遊技の実行可否に係る当選を判定するための抽選を行う特別遊技判定手段と、
前記特別遊技判定手段に基づく判定結果を導出するまでの所定時間を含む変動情報を決定する変動情報決定手段と、を備え、
前記大当たり遊技の終了後に遊技者にとって有利な特定遊技状態に移行可能とされる遊技機において、
前記変動情報決定手段は、
所定の第１条件が成立した場合には、前記所定時間として複数種類設けられた通常変動時間からいずれかを決定し、
所定の第２条件が成立した場合には、前記所定時間として前記通常変動時間の平均時間に比べて短い特殊変動時間を決定し、
前記特定遊技状態として、
前記始動条件の成立に基づいて所定確率で前記小当たり遊技が実行され、かつ前記所定時間として前記通常変動時間が決定されることで、予め定められた単位時間あたりに所定の遊技利益が獲得可能な第１特定遊技状態と、
前記始動条件の成立に基づいて前記所定確率と等しい確率で前記小当たり遊技が実行され、かつ前記所定時間として前記特殊変動時間が決定されることで、前記予め定められた単位時間あたりに前記所定の遊技利益より多い遊技利益が獲得可能な第２特定遊技状態と、が設けられてなり、
前記第２特定遊技状態の開始に基づいて、所定回数以内に前記小当たり遊技または前記大当たり遊技の実行可否に係る当選となることを条件として、連続して当選していることを示す連続当選回数を更新する連続当選回数更新手段をさらに備えてなる、ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技の進行に伴う演出を制御する演出制御手段をさらに備え、
前記演出制御手段は、
前記連続当選回数更新手段により更新されている当該連続当選回数を演出表示手段において表示させるとともに、
前記連続当選回数更新手段により予め定められた前記連続当選回数となるよう更新されたことを条件として前記遊技利益とは別の遊技利益となる遊技特典情報を付与可能とする、ことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月8日(2017.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
また、晩の欄７１、朝の欄７３には、ＳＢＰが高血圧であるか否かの基準値１３５ｍｍＨｇを表す境界線８９Ｓと、ＤＢＰが高血圧であるか否かの基準値８５ｍｍＨｇを表す境界線８９Ｄとが表示されている。夜間の欄７２には、ＳＢＰが高血圧であるか否かの基準値１２０ｍｍＨｇを表す境界線８８Ｓと、ＤＢＰが高血圧であるか否かの基準値７０ｍｍＨｇを表す境界線８８Ｄとが表示されている。したがって、上記医師は、前回の診察期間と今回の診察期間で、上記被験者の晩、夜間、朝のそれぞれの血圧値の期間平均値が高血圧であるか否かを、さらに直感的に、かつ正確に把握できる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月15日(2017.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が被検体に照射されることにより発生した光音響波を複数の位置で受信することにより得られた時系列の受信信号に基づいて、被検体情報を取得する光音響装置であって、
前記時系列の受信信号のデータ量を低減して受信信号データを生成し、該受信信号データを保存する信号データ取得部と、
前記受信信号データに基づいて、前記被検体情報を取得する情報取得部と、
を有し、
前記被検体の形状に関する情報を取得し、
前記被検体の形状に関する情報に基づいて、前記複数の位置のそれぞれに対応する前記時系列の受信信号に対して、第１の期間及び前記第１の期間とは異なる第２の期間を決定し、
前記複数の位置のそれぞれに対応する前記時系列の受信信号に対して、互いに異なる前記第１の期間を決定し、
前記第１の期間に対応する前記時系列の受信信号のデータ量を低減して前記受信信号データを生成し、該受信信号データを保存し、
前記第１の期間に対応する前記受信信号データの単位時間当たりのデータ量は、前記第２の期間に対応する前記受信信号データの単位時間当たりのデータ量よりも低い
ことを特徴とする光音響装置。
【請求項２】
前記信号データ取得部は、前記被検体の形状に関する情報に基づいて、前記被検体以外の領域で発生した光音響波を受信する期間を前記第１の期間として決定することを特徴とする請求項１に記載の光音響装置。
【請求項３】
前記被検体の形状を複数の形状のそれぞれに保持することができる複数の保持部のそれぞれに対応する前記第１の期間を示す情報を保存する記憶部を有し、
前記信号データ取得部は、前記複数の保持部のうち取り付け部に取り付けられた保持部の種類を示す情報を前記被検体の形状に関する情報として取得し、前記保持部の種類を示す情報に基づいて、前記保持部の種類に対応する前記第１の期間を示す情報を前記記憶部から読み出し、取得することを特徴とする請求項１または２に記載の光音響装置。
【請求項４】
前記信号データ取得部は、ユーザの指定に基づいて決定された前記保持部の種類を示す情報を取得することを特徴とする請求項３に記載の光音響装置。
【請求項５】
前記信号データ取得部は、前記第１の期間に対応する前記時系列の受信信号を保存しないことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光音響装置。
【請求項６】
前記信号データ取得部は、前記被検体の形状に関する情報に基づいて、前記第１の期間に対応するサンプリング周波数と、前記第２の期間に対応するサンプリング周波数とを異なるサンプリング周波数とし、前記時系列の受信信号を当該サンプリング周波数でサンプリングして前記受信信号データを生成し、保存することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光音響装置。
【請求項７】
前記被検体の形状を複数の形状のそれぞれに保持することができる複数の保持部のそれぞれに対応する前記サンプリング周波数を示す情報を保存する記憶部を有し、
前記信号データ取得部は、
前記複数の保持部のうち取り付け部に取り付けられた前記保持部の種類を示す情報を前記被検体の形状に関する情報として取得し、
前記保持部の種類を示す情報に基づいて、前記保持部に対応する前記サンプリング周波数を示す情報を前記記憶部から読み出し、取得することを特徴とする請求項６に記載の光音響装置。
【請求項８】
前記信号データ取得部は、ユーザの指定に基づいて決定された前記保持部の種類を示す情報を取得することを特徴とする請求項７に記載の光音響装置。
【請求項９】
前記光音響波を受信することにより前記時系列の受信信号を出力する複数の受信素子を有し、
前記信号データ取得部は、前記被検体の形状に関する情報に基づいて、前記複数の受信素子のそれぞれから出力された前記時系列の受信信号のそれぞれを互いに異なる前記サンプリング周波数でサンプリングして前記受信信号データを生成し、保存することを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の光音響装置。
【請求項１０】
前記複数の受信素子の指向軸が集まるように前記複数の受信素子を支持する支持体を有することを特徴とする請求項９に記載の光音響装置。
【請求項１１】
光が被検体に照射されることにより発生した光音響波を複数の位置で受信することにより得られた時系列の受信信号に基づいて、被検体情報を取得する信号処理方法であって、
前記被検体の形状に関する情報を取得する工程と、
前記被検体の形状に関する情報に基づいて、前記複数の位置のそれぞれに対応する前記時系列の受信信号に対して、第１の期間及び前記第１の期間とは異なる第２の期間を決定する工程と、
前記第１の期間に対応する前記時系列の受信信号のデータ量を低減して受信信号データを生成し、該受信信号データを保存する工程と、
前記受信信号データに基づいて、前記被検体情報を取得する工程と、
を有し、
前記第１の期間及び前記第２の期間を決定する工程は、前記複数の位置のそれぞれに対応する前記時系列の受信信号に対して、互いに異なる前記第１の期間を決定する工程を含み、
前記第１の期間に対応する前記受信信号データの単位時間当たりのデータ量は、前記第２の期間に対応する前記受信信号データの単位時間当たりのデータ量よりも低い
ことを特徴とする信号処理方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の信号処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光音響装置、信号処理方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る光音響装置は、光が被検体に照射されることにより発生した光音響波を複数の位置で受信することにより得られた時系列の受信信号に基づいて、被検体情報を取得する光音響装置であって、時系列の受信信号のデータ量を低減して受信信号データを生成し、該受信信号データを保存する信号データ取得部と、受信信号データに基づいて、被検体情報を取得する情報取得部と、を有し、被検体の形状に関する情報を取得し、被検体の形状に関する情報に基づいて、複数の位置のそれぞれに対応する時系列の受信信号に対して、第１の期間及び第１の期間とは異なる第２の期間を決定し、複数の位置のそれぞれに対応する時系列の受信信号に対して、互いに異なる第１の期間を決定し、第１の期間に対応する時系列の受信信号のデータ量を低減して受信信号データを生成し、該受信信号データを保存し、第１の期間に対応する受信信号データの単位時間当たりのデータ量は、第２の期間に対応する受信信号データの単位時間当たりのデータ量よりも低い。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月7日(2017.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均径１００ｎｍ以上の第１のカーボンナノチューブと平均径３０ｎｍ以下の第２のカーボンナノチューブとを、導電性高分子水溶液中で、混合時の圧力１００ＭＰａ以上の湿式ジェットミルにより混合する工程を含む、
前記第２のカーボンナノチューブが複数の前記第１のカーボンナノチューブ間に跨った構造を有する電極材料の製造方法。
【請求項２】
前記混合する工程で、第２のカーボンナノチューブは、１００質量部の第１のカーボンナノチューブに対し１〜２０質量部混合されている、請求項１に記載の電極材料の製造方法。
【請求項３】
前記導電性高分子水溶液に含まれる導電性高分子が、スルホ基を有する導電性高分子である請求項１または２に記載の電極材料の製造方法。
【請求項４】
前記導電性高分子が、繰り返し単位にイソチアナフテンスルホン酸を含む導電性高分子である、請求項３に記載の電極材料の製造方法。
【請求項５】
前記導電性高分子が、ポリイソチアナフテンスルホン酸である請求項４に記載の電極材料の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の方法で電極材料を得る工程と、得られた電極材料をシート状に成形し電極を得る工程とを有する、電極の製造方法。
【請求項７】
前記成形が、フィルムプレス成形法または抄紙法により行われる、請求項６に記載の電極の製造方法。
【請求項８】
前記成形が、電極材料を導電性の繊維と共に成形するものである、請求項６または７に記載の電極の製造方法。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれかに記載の方法で電極を得る工程と、得られた電極をレドックスフロー電池に組み込む工程とを有する、レドックスフロー電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電極材料の製造方法、電極の製造方法及びレドックスフロー電池の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電極材料の製造方法、電極の製造方法及びレドックスフロー電池の製造方法に関する。
本願は、２０１３年１１月１３日に、日本に出願された特願２０１３−２３４６３６に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月28日(2017.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳトランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の上の絶縁膜の上に前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板に前記ＭＯＳトランジスタの第１の拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板の上に前記ゲート電極の側面を覆うサイドスペーサを形成する工程と、
前記半導体基板に前記ＭＯＳトランジスタの第２の拡散領域を形成する工程と、
をこの順に含み、
前記第１の拡散領域を形成する工程は、
前記半導体基板の上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記半導体基板にイオン注入を行う工程と、
前記第１のレジストパターンを除去する第１の除去工程と、を含み、
前記第２の拡散領域を形成する工程は、
前記半導体基板の上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクとして前記半導体基板にイオン注入を行う工程と、
前記第２のレジストパターンを除去する第２の除去工程と、
を含み、
前記第１の除去工程は、前記第１のレジストパターンと前記絶縁膜との間に保護膜が位置した状態で行われ、前記第２の除去工程は、前記サイドスペーサと前記絶縁膜との間に前記保護膜が位置した状態で行われる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜は、前記ゲート電極を形成する工程において、前記絶縁膜の上に形成されたゲート電極材料層がパターニングされるとともに、少なくとも、前記ゲート電極の側面と、前記絶縁膜のうち前記ゲート電極と前記半導体基板との間から延在した部分とを覆うように形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の拡散領域を形成する工程は、前記サイドスペーサと前記第１の拡散領域との間に前記保護膜および前記絶縁膜が位置した状態で行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の除去工程では、Ｏ２ガスを使用して前記第１のレジストパターンに対してアッシングを行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の拡散領域を形成する工程における前記イオン注入は、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２から５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の範囲のドーズ量で行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の除去工程では、前記第２のレジストパターンに対してアッシングを行った後、前記第２のレジストパターンの残渣を洗浄により除去することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の除去工程では、前記第２のレジストパターンの残渣をアンモニア過水洗浄またはフッ酸系の洗浄により除去することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の除去工程では、前記第１のレジストパターンに対してアッシングを行った後、前記第１のレジストパターンの残渣を硫酸過水洗浄により除去することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の拡散領域を形成する工程における前記イオン注入は、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２から６×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の範囲のドーズ量で行われることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体装置は、画素部と周辺回路部とを含む固体撮像装置であり、前記ＭＯＳトランジスタは前記周辺回路部を構成することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、ＭＯＳトランジスタを含む半導体装置の製造方法に係り、前記製造方法は、半導体基板の上の絶縁膜の上に前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板に前記ＭＯＳトランジスタの第１の拡散領域を形成する工程と、前記半導体基板の上に前記ゲート電極の側面を覆うサイドスペーサを形成する工程と、前記半導体基板に前記ＭＯＳトランジスタの第２の拡散領域を形成する工程と、
をこの順に含み、前記第１の拡散領域を形成する工程は、前記半導体基板の上に第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記半導体基板にイオン注入を行う工程と、前記第１のレジストパターンを除去する第１の除去工程と、を含み、前記第２の拡散領域を形成する工程は、前記半導体基板の上に第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記半導体基板にイオン注入を行う工程と、前記第２のレジストパターンを除去する第２の除去工程と、を含み、前記第１の除去工程は、前記第１のレジストパターンと前記絶縁膜との間に保護膜が位置した状態で行われ、記第２の除去工程は、前記サイドスペーサと前記絶縁膜との間に前記保護膜が位置した状態で行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月25日(2017.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光電変換部を有する複数の第１の画素が２次元の行列状に配置されて構成された第１の基板と、
第２の光電変換部を有する複数の第２の画素が２次元の行列状に配置されて構成された第２の基板と、
各々の前記第１の画素に対応して配置された複数のカラーフィルタと、
を有し、
２色以上の前記カラーフィルタに対応する複数の前記第１の画素は画素群を構成し、
各々の前記画素群が前記第２の画素に対応するように複数の前記画素群が配置され、
前記カラーフィルタを透過した光が、前記カラーフィルタに対応する前記第１の画素の前記第１の光電変換部に入射し、
前記画素群を透過した光が、前記画素群に対応する前記第２の画素の前記第２の光電変換部に入射し、
前記画素群を構成する複数の前記第１の画素に対応する前記カラーフィルタの色の数と、各々の色に対応する前記第１の画素の数とが複数の前記画素群の間で等しく、
前記カラーフィルタは、
Ｒの帯域に透過率のピークを有するＲフィルタと、
Ｇの帯域に透過率のピークを有するＧフィルタと、
Ｂの帯域に透過率のピークを有するＢフィルタと、
を有し、
前記画素群は、前記Ｒフィルタに対応する２個以上の前記第１の画素を含む
固体撮像装置。
【請求項２】
前記Ｒフィルタと、前記Ｇフィルタと、前記Ｂフィルタとが、ベイヤ配列を構成するように配置され、
前記画素群は、前記Ｒフィルタに対応する２個の前記第１の画素と、前記Ｇフィルタに対応する１個の前記第１の画素とのみを含む
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記Ｒフィルタと、前記Ｇフィルタと、前記Ｂフィルタとが、ベイヤ配列を構成するように配置され、
前記画素群は、前記ベイヤ配列の単位配列に含まれる１個の前記Ｒフィルタに対応する１個の前記第１の画素と、前記ベイヤ配列の単位配列に含まれる２個の前記Ｇフィルタに対応する２個の前記第１の画素と、前記ベイヤ配列の単位配列に含まれる１個の前記Ｂフィルタに対応する１個の前記第１の画素との組のみを２個以上含む
請求項１に記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、第１の光電変換部を有する複数の第１の画素が２次元の行列状に配置されて構成された第１の基板と、第２の光電変換部を有する複数の第２の画素が２次元の行列状に配置されて構成された第２の基板と、各々の前記第１の画素に対応して配置された複数のカラーフィルタと、を有し、２色以上の前記カラーフィルタに対応する複数の前記第１の画素は画素群を構成し、各々の前記画素群が前記第２の画素に対応するように複数の前記画素群が配置され、前記カラーフィルタを透過した光が、前記カラーフィルタに対応する前記第１の画素の前記第１の光電変換部に入射し、前記画素群を透過した光が、前記画素群に対応する前記第２の画素の前記第２の光電変換部に入射し、前記画素群を構成する複数の前記第１の画素に対応する前記カラーフィルタの色の数と、各々の色に対応する前記第１の画素の数とが複数の前記画素群の間で等しく、前記カラーフィルタは、Ｒの帯域に透過率のピークを有するＲフィルタと、Ｇの帯域に透過率のピークを有するＧフィルタと、Ｂの帯域に透過率のピークを有するＢフィルタと、を有し、前記画素群は、前記Ｒフィルタに対応する２個以上の前記第１の画素を含む固体撮像装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の固体撮像装置において、前記Ｒフィルタと、前記Ｇフィルタと、前記Ｂフィルタとが、ベイヤ配列を構成するように配置され、前記画素群は、前記ベイヤ配列の単位配列に含まれる１個の前記Ｒフィルタに対応する１個の前記第１の画素と、前記ベイヤ配列の単位配列に含まれる２個の前記Ｇフィルタに対応する２個の前記第１の画素と、前記ベイヤ配列の単位配列に含まれる１個の前記Ｂフィルタに対応する１個の前記第１の画素との組のみを２個以上含む。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月4日(2017.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ金属、アルカリ土類金属又はアルミニウムをカチオンとする塩と、ヘテロ元素を有する有機溶媒とを含む電解液であって、
前記塩のアニオンの化学構造が下記一般式（７）又はＰＦ６で表され、
（Ｒ１３ＳＯ２）（Ｒ１４ＳＯ２）Ｎ                  一般式（７）
（Ｒ１３、Ｒ１４は、それぞれ独立に、ＣｎＨａＦｂＣｌｃＢｒｄＩｅである。
ｎ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ独立に０以上の整数であり、２ｎ＋１＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅを満たす。
また、Ｒ１３とＲ１４は、互いに結合して環を形成しても良く、その場合は、２ｎ＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅを満たす。
ｎは０〜６の整数。上記Ｒ１３とＲ１４が結合して環を形成している場合には、ｎは１〜８の整数。）
前記電解液の振動分光スペクトルにおける前記有機溶媒由来のピーク強度につき、前記有機溶媒本来のピークの強度をＩｏとし、前記ピークがシフトしたピークの強度をＩｓとした場合、Ｉｓ＞Ｉｏであることを特徴とする電解液（ただし、前記塩としてＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２及び前記有機溶媒として１，２−ジアルコキシエタンを含む電解液、並びに、前記塩としてＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２及び前記有機溶媒としてアセトニトリルを含む電解液を除く。）。
【請求項２】
前記Ｉｓと前記Ｉｏの関係がＩｓ＞２×Ｉｏである請求項１に記載の電解液。
【請求項３】
アルカリ金属、アルカリ土類金属又はアルミニウムをカチオンとする塩と、ヘテロ元素を有する有機溶媒とを含む電解液であって、
前記塩のアニオンの化学構造が下記一般式（７）又はＰＦ６で表され、
（Ｒ１３ＳＯ２）（Ｒ１４ＳＯ２）Ｎ                  一般式（７）
（Ｒ１３、Ｒ１４は、それぞれ独立に、ＣｎＨａＦｂＣｌｃＢｒｄＩｅである。
ｎ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ独立に０以上の整数であり、２ｎ＋１＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅを満たす。
また、Ｒ１３とＲ１４は、互いに結合して環を形成しても良く、その場合は、２ｎ＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅを満たす。
ｎは０〜６の整数。上記Ｒ１３とＲ１４が結合して環を形成している場合には、ｎは１〜８の整数。）
前記塩１モルに対する前記有機溶媒のモル範囲が、１．４モル以上３．５モル未満であることを特徴とする電解液（ただし、前記塩としてＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２及び前記有機溶媒として１，２−ジアルコキシエタンを含む電解液、並びに、前記塩としてＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２及び前記有機溶媒としてアセトニトリルを含む電解液を除く。）。
【請求項４】
前記塩のカチオンがアルカリ金属又はアルカリ土類金属である請求項１〜３のいずれかに記載の電解液。
【請求項５】
前記ｃ、ｄ、ｅが０である請求項１〜４のいずれかに記載の電解液。
【請求項６】
前記ｎが０〜４の整数。上記Ｒ１３とＲ１４が結合して環を形成している場合には、ｎは１〜７の整数。
である請求項１〜５のいずれかに記載の電解液。
【請求項７】
前記ｎが０〜２の整数。上記Ｒ１３とＲ１４が結合して環を形成している場合には、ｎは１〜３の整数。
である請求項１〜６のいずれかに記載の電解液。
【請求項８】
前記有機溶媒がニトリル類、カーボネート類、アミド類、イソシアネート類、エステル類、エポキシ類、オキサゾール類、ケトン類、酸無水物、スルホン類、スルホキシド類、ニトロ類、フラン類、環状エステル類、芳香族複素環類、複素環類、又は、リン酸エステル類である請求項１〜７のいずれかに記載の電解液。
【請求項９】
前記有機溶媒がアセトニトリルである請求項１〜８のいずれかに記載の電解液。
【請求項１０】
前記有機溶媒が下記一般式（１０）で示される鎖状カーボネートから選択される請求項１〜８のいずれかに記載の電解液。
Ｒ１９ＯＣＯＯＲ２０                              一般式（１０）
（Ｒ１９、Ｒ２０は、それぞれ独立に、鎖状アルキルであるＣｎＨａＦｂＣｌｃＢｒｄＩｅ、又は、環状アルキルを化学構造に含むＣｍＨｆＦｇＣｌｈＢｒｉＩｊのいずれかから選択される。ｎ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｍ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊはそれぞれ独立に０以上の整数であり、２ｎ＋１＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ、２ｍ−１＝ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊを満たす。）
【請求項１１】
前記有機溶媒がジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート又はジエチルカーボネートから選択される請求項１〜８、１０のいずれかに記載の電解液。
【請求項１２】
（ＦＳＯ２）２ＮＬｉと、１，２−ジメトキシエタン、アセトニトリル、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート及びジエチルカーボネートから選択される有機溶媒とを含む電解液であって、
前記有機溶媒が１，２−ジメトキシエタンの場合、（ＦＳＯ２）２ＮＬｉの濃度が２．６〜４．１ｍｏｌ／Ｌであり、
前記有機溶媒がアセトニトリルの場合、（ＦＳＯ２）２ＮＬｉの濃度が３．９〜６．０ｍｏｌ／Ｌであり、
前記有機溶媒がジメチルカーボネートの場合、（ＦＳＯ２）２ＮＬｉの濃度が２．３〜４．５ｍｏｌ／Ｌであり、
前記有機溶媒がエチルメチルカーボネートの場合、（ＦＳＯ２）２ＮＬｉの濃度が２．０〜３．８ｍｏｌ／Ｌであり、
前記有機溶媒がジエチルカーボネートの場合、（ＦＳＯ２）２ＮＬｉの濃度が１．８〜３．６ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする電解液。
【請求項１３】
前記電解液が電池用電解液である請求項１〜１２のいずれかに記載の電解液。
【請求項１４】
前記電解液が二次電池用電解液である請求項１〜１３のいずれかに記載の電解液。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月10日(2017.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像のために動作する可動部を有する撮像装置であって、
前記撮像装置の加速度を検出する加速度検出手段と、
地磁気を検出する地磁気検出手段と、
前記加速度検出手段により検出された加速度と、前記地磁気検出手段により検出された地磁気とを用いて、前記撮像装置の向きを決定する決定手段と、
を有し、
前記決定手段は、前記可動部の動作期間中の所定のタイミングにおける前記撮像装置の向きを決定する場合、前記可動部の動作期間の開始前に前記加速度検出手段により検出された加速度と、前記可動部の動作期間中に前記地磁気検出手段により検出された地磁気とを用いて前記撮像装置の向きを決定する
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記動作期間は、前記可動部が動作を開始してから当該動作が完了するまでの期間を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記動作期間は、前記可動部が動作を開始してから当該動作の完了後に所定時間が経過するまでの期間を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
撮影が完了したことに応じて撮影したデータを一定時間表示部に表示するよう制御する表示制御手段を更に有し、
前記所定時間は前記一定時間に同期する
ことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像装置は複数の撮像を連続的に行う機能を有し、
前記動作期間は、前記可動部が最初の撮像のための動作を開始してから、前記可動部が最後の撮像のための動作を完了した後に所定時間が経過するまでの期間を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記動作期間は、前記可動部が撮像のために動作を開始してから当該撮像が完了するまでの期間を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記加速度検出手段は、定期的に前記撮像装置の加速度を検出し、
前記決定手段は、前記所定のタイミングにおける前記撮像装置の向きを決定する場合、前記動作期間の開始前の最後のＮ個（Ｎは２以上の整数）のタイミングに前記加速度検出手段により検出されたＮ個の加速度の平均値を用いて、前記決定を行う
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記加速度検出手段は、定期的に前記撮像装置の加速度を検出し、
前記決定手段は、前記所定のタイミングにおける前記撮像装置の向きを決定する場合、前記所定のタイミングを含む直近のＮ個（Ｎは２以上の整数）のタイミングに前記加速度検出手段により検出されたＮ個の加速度の平均値を算出し、当該平均値を用いて前記決定を行い、
前記決定手段は、前記平均値を算出する際に、前記Ｎ個の加速度のうち前記動作期間に含まれるタイミングに対応する加速度については、前記加速度検出手段により検出された加速度の代わりに、前記動作期間の開始前の最後のＮ個のタイミングに前記加速度検出手段により検出されたＮ個の加速度の平均値を用いる
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記可動部は、フォーカスレンズ、シャッター、及びミラーのうちの少なくともいずれかを含む
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
撮像のために動作する可動部を有する撮像装置の制御方法であって、
前記撮像装置の加速度を検出する加速度検出工程と、
地磁気を検出する地磁気検出工程と、
前記検出された加速度と、前記検出された地磁気とを用いて、前記撮像装置の向きを決定する決定工程と、
を有し、
前記決定工程にて、前記可動部の動作期間中の所定のタイミングにおける前記撮像装置の向きが決定される場合、前記可動部の動作期間の開始前に検出された加速度と、前記可動部の動作期間中に検出された地磁気とを用いて前記撮像装置の向きが決定される
ことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置の各手段として機能させるための、コンピュータが読み取り可能なプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、撮像のために動作する可動部を有する撮像装置であって、前記撮像装置の加速度を検出する加速度検出手段と地磁気を検出する地磁気検出手段と前記加速度検出手段により検出された加速度と、前記地磁気検出手段により検出された地磁気とを用いて、前記撮像装置の向きを決定する決定手段と、を有し、前記決定手段は、前記可動部の動作期間中の所定のタイミングにおける前記撮像装置の向きを決定する場合、前記可動部の動作期間の開始前に前記加速度検出手段により検出された加速度と、前記可動部の動作期間中に前記地磁気検出手段により検出された地磁気とを用いて前記撮像装置の向きを決定することを特徴とする撮像装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された接続端子と、を有し、
前記接続端子は、前記絶縁層上に形成された金属層と、前記金属層の上面に形成された金属ポストと、前記金属ポストの上面及び側面を被覆する表面処理層と、を備え、
前記金属層は、前記表面処理層の材料に対して不活性な材料から構成され、
平面視において、前記金属ポストの外側には、前記金属層の上面外縁部が露出し、
平面視において、前記表面処理層は、前記金属層の上面外縁部を露出するように形成されている配線基板。
【請求項２】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された接続端子と、を有し、
前記接続端子は、前記絶縁層上に形成された金属層と、前記金属層の上面に形成された金属ポストと、前記金属ポストの上面及び側面を被覆する表面処理層と、を備え、
前記金属層は、前記表面処理層の材料に対して不活性な材料から構成され、
平面視において、前記金属ポストの外側には、前記金属層の上面外縁部が露出し、
平面視において、前記表面処理層は、前記金属層の上面外縁部及び側面を覆うように形成されている配線基板。
【請求項３】
前記金属層は、前記表面処理層よりも、はんだとの親和性が悪い材料から構成されている請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記金属ポストと前記表面処理層との密着力は、前記金属層と前記表面処理層との密着力よりも大きい請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記金属層と前記表面処理層とが対向する部分に空洞部が形成されている請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記絶縁層には突起部が設けられ、
前記接続端子は前記突起部上に形成されている請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板。
【請求項７】
絶縁層上に接続端子を形成する工程を有し、
前記接続端子を形成する工程は、前記絶縁層上に金属層を形成する工程と、前記金属層の上面に金属ポストを形成する工程と、前記金属層をエッチングで除去する工程と、前記金属ポストの上面及び側面を被覆する表面処理層を形成する工程と、を備え、
前記金属層は、前記表面処理層の材料に対して不活性な材料から構成され、
前記接続端子を形成する工程では、
平面視において、前記金属ポストの外側に、前記金属層の上面外縁部が露出し、
平面視において、前記表面処理層は、前記金属層の上面外縁部を露出するように形成される配線基板の製造方法。
【請求項８】
絶縁層上に接続端子を形成する工程を有し、
前記接続端子を形成する工程は、前記絶縁層上に金属層を形成する工程と、前記金属層の上面に金属ポストを形成する工程と、前記金属層をエッチングで除去する工程と、前記金属ポストの上面及び側面を被覆する表面処理層を形成する工程と、を備え、
前記金属層は、前記表面処理層の材料に対して不活性な材料から構成され、
前記接続端子を形成する工程では、
平面視において、前記金属ポストの外側に、前記金属層の上面外縁部が露出し、
平面視において、前記表面処理層は、前記金属層の上面外縁部及び側面を覆うように形成される配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記接続端子を形成する工程は、
前記絶縁層の上面全面に形成された前記金属層上に選択的に前記金属ポストを形成する工程を含み、
前記エッチングで除去する工程では、
平面視において、前記金属ポストの外側に前記金属層の外縁部が残るように、前記金属層のエッチング量を制御する請求項７又は８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記接続端子を形成する工程は、
前記絶縁層の上面全面に形成された前記金属層上に選択的に前記金属ポストを形成する工程を含み、
前記エッチングで除去する工程では、
前記金属ポストの外側の前記金属層をエッチングで除去すると共に、前記金属ポストの外側の前記絶縁層の表面を削り、前記絶縁層に突起部を形成する請求項７又は８記載の配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が積層されて構成され、対向する前記半導体素子の電極どうしが電気的に接続されている半導体装置において、
前記対向する半導体素子の一方である第２半導体素子の電極には、Sn系はんだからなるマイクロバンプが形成され、
前記マイクロバンプを介して前記第２半導体素子の電極と接続されている、前記対向する半導体素子の他方である第１半導体素子の電極には、前記マイクロバンプに対向する凹形状のバンプパッドが形成されている
半導体装置。
【請求項２】
前記バンプパッドには、前記マイクロバンプ側から順に、前記マイクロバンプに拡散された第３金属層、およびバナジウム族に属する金属からなる第２金属層が形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１半導体素子上には、径が異なる複数の前記バンプパッドが設けられている
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記バンプパッドの径は、接続する前記電極の用途に応じて異なる
請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２半導体素子の前記マイクロバンプの径は、対応する前記第１半導体素子の前記バンプパッドの径に対応している
請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記バンプパッドには、前記マイクロバンプ側から順に、前記第３金属層、前記第２金属層、および前記第２金属層に採用されたバナジウム族に属する前記金属の窒化膜からなる第１金属層が形成されている
請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２金属層の平均厚みは３０ｎｍ以上である
請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１金属層の平均厚みは１０ｎｍ以上である
請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２金属層はTaであり、前記第１金属層はTaNである
請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第３金属層はCu，Co，Ni，Pd，AuまたはPtである
請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記バンプパッドは、前記第１半導体素子の表面から前記第１半導体素子内の貫通電極まで設けられた開口部により形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記バンプパッドは、前記第１半導体素子の表面から前記第１半導体素子内の金属配線まで設けられた開口部により形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体装置は、前記第１半導体素子に相当する画素基板に、前記第２半導体素子に相当するロジックチップがCoW接続されている積層型CMOSイメージセンサである
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
半導体素子が積層されて構成され、対向する前記半導体素子の電極どうしが電気的に接続されている半導体装置を製造する製造装置の製造方法において、
前記製造装置による、
前記対向する半導体素子の一方である第２半導体素子の電極にSn系はんだからなるマイクロバンプを形成するマイクロバンプ形成ステップと、
前記マイクロバンプを介して前記第２半導体素子の電極と接続される、前記対向する半導体素子の他方である第１半導体素子の電極に前記マイクロバンプに対向する凹形状のバンプパッドを形成するバンプパッド形成ステップと
を含む製造方法。
【請求項１５】
前記バンプパッド形成ステップは、
前記マイクロバンプを介して前記第２半導体素子の電極と接続される、前記対向する半導体素子の他方である第１半導体素子の電極上に、バナジウム族に属する金属からなる第２金属層を形成し、
前記第２金属層上に、前記マイクロバンプに拡散される第３金属層を形成し、
第３金属層に前記マイクロバンプを接触させ、還元雰囲気化による加熱処理により、前記第３金属層と前記マイクロバンプの表面の酸化膜を還元し、前記第３金属層を前記マイクロバンプに拡散させることにより前記マイクロバンプと前記第２金属層を接触させて、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子の電極どうしを電気的に接続する
請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記バンプパッド形成ステップは、さらに、
前記第１半導体素子の前記第３金属層の上にパシベーション層を形成し、前記パシベーション層をエッチングすることにより、前記第３金属層が露出する開口部を設ける
請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記バンプパッド形成ステップは、さらに、
前記第２金属層を形成する前に、前記マイクロバンプを介して前記第２半導体素子の電極と接続される、前記対向する半導体素子の他方である第１半導体素子の電極上に、前記第２金属層に採用されるバナジウム族に属する前記金属の窒化膜からなる第１金属層を形成する
請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記バンプパッド形成ステップは、前記第１半導体素子の表面から前記第１半導体素子内の貫通電極まで開口部を設けることにより前記バンプパッドを形成する
請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記バンプパッド形成ステップは、前記第１半導体素子の表面から前記第１半導体素子内の金属配線まで開口部を設けることにより前記バンプパッドを形成する
請求項１４に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
＜第２金属層１４とマイクロバンプ２４との相図＞
図７は、第２金属層１４に採用したTaと、マイクロバンプ２４を成すSn系はんだに含まれるSnとの相図を示している。バンプ接続が２５０℃で行われた場合、同図に示されるように、TaとSnとの境界にはTa3SnまたはTa2Sn3の合金が生成されていると推察される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
該応用例では、第１半導体素子１０の電源部３１と第２半導体素子２３の電源部３３をつなぐ電力線３５を、径が大きなバンプパッド２１−２とマイクロバンプ２４により接続している。また、第１半導体素子１０の信号処理部３２と第２半導体素子２３の信号処理部３４をつなぐ信号線３６，３７を、径が小さなバンプパッド２１−１とマイクロバンプ２４により接続している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図１８は、画素基板５１内に貫通電極８１が形成される場合に、該貫通電極８１の位置に開口部２１を設け、該貫通電極８１をロジックチップ５２のマイクロバンプ２４に対応するバンプパッドとした変形例である。貫通電極８１自体をバンプパッドとした場合、第１金属層１３乃至第３金属層１５の形成を省略することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月18日(2017.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージを駆動する駆動部と、
前記ステージの目標軌跡を作成する作成部と、
前記作成部により作成された目標軌跡に基づいて前記駆動部を制御する制御部と、
を有し、
前記作成部は、前記基板上の第１ショット及び該第１ショットの次に露光される第２ショットの配置、前記第１ショット及び前記第２ショットの露光順序、前記ステージの速度の上限値である第１上限値、前記ステージの加速度の上限値である第２上限値、及び前記ステージのジャークに要する時間の下限値、を含む制約条件に基づいて制約二次線形計画法を実行して、前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の前記ステージの目標軌跡を作成することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記作成部は、前記ジャークにおける前記ステージの加速度の変化を示すジャークプロファイルに基づいて前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の前記ステージの目標軌跡を作成する
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制約条件は、
（１）前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の前記ステージの目標軌跡が、前記第１ショットの露光終了時の前記ステージの位置及び速度を同時に満たすこと、
（２）前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の前記ステージの目標軌跡が、前記第２ショットの露光開始時の前記ステージの位置と速度を同時に満たすこと、
（３）前記ステージの速度が前記第１上限値を超えないこと、
（４）前記ステージの加速度が前記第２上限値を超えないこと、
（５）ジャークに要する時間が前記下限値を下回らないこと、
とすることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の目標軌跡が等速運動で始まって等速運動で終わることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の目標軌跡が静止で始まって静止で終わることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記作成部は、作成した前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの目標軌跡に基づいて前記ステージを駆動させたときの時間が許容値内になるように、該目標軌跡を作成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
基板を保持するステージと、前記ステージを駆動する駆動部とを有する露光装置における、前記ステージの駆動の制御方法であって、
制約条件に基づいて制約二次線形計画法を実行することで、前記基板上の第１ショットの露光終了時から該第１ショットの次に露光される第２ショットの露光開始時までの間の目標軌跡を作成する工程と、
前記工程で作成された目標軌跡に基づいて前記駆動部を制御する制御工程と、
を有し、
前記制約条件は、前記第１ショット及び前記第２ショットの配置、前記第１ショット及び前記第２ショットの露光順序、前記ステージの速度の上限値、前記ステージの加速度の上限値、及び前記ステージのジャークに要する時間の下限値、を含むことを特徴とする露光装置の制御方法。
【請求項８】
前記作成する工程では、作成した目標軌跡に基づいて前記ステージを駆動させたときの時間が許容値内になるように、前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の目標軌跡を作成することを特徴とする請求項７に記載の制御方法。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像する現像ステップとを有し、
前記現像ステップで現像された前記基板を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面によれば、基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持するステージと、前記ステージを駆動する駆動部と、前記ステージの目標軌跡を作成する作成部と、前記作成部により作成された目標軌跡に基づいて前記駆動部を制御する制御部とを有し、前記作成部は、前記基板上の第１ショット及び該第１ショットの次に露光される第２ショットの配置、前記第１ショット及び前記第２ショットの露光順序、前記ステージの速度の上限値である第１上限値、前記ステージの加速度の上限値である第２上限値、及び前記ステージのジャークに要する時間の下限値、を含む制約条件に基づいて制約二次線形計画法を実行して、前記第１ショットの露光終了時から前記第２ショットの露光開始時までの間の前記ステージの目標軌跡を作成することを特徴とする露光装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2015216326.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2015216326.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（信号処理回路を電気的に接続しない例）
２．第２の実施の形態（信号処理回路をロジック基板内で電気的に接続する例）
３．第３の実施の形態（信号処理回路を画素基板内で電気的に接続する例）
４．変形例
５．電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
メモリ部１０２Ｌ−１及び１０２Ｌ−２には、例えば、図３に示される列デコーダ／センスアンプ６６Ｌ及びメモリ部６７Ｌが、分かれて配置される。そして、メモリ部１０２Ｌ−１は、ＡＤ変換部１０１Ｌ−１から供給される画素データを記憶し、メモリ部１０２Ｌ−２は、ＡＤ変換部１０１Ｌ−２から供給される画素データを記憶する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
｛４−１．固体撮像素子の構成に関する変形例｝
（ロジック基板に関する変形例）
以上の説明では、ロジック基板に２つの信号処理回路を設ける例を示したが、３つ以上設けるようにすることも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４０】
｛４−２．撮像処理の変形例｝
以上の説明では、１枚の画像データを左右に分割して各信号処理回路で生成する例を示したが、画像データの分割方法は、ロジック基板に設けられる信号処理回路の数やレイアウトに応じて自由に変更することが可能である。例えば、画像データを上下に分割したり、ｎ分割（ｎは３以上）したりするようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４４】
｛４−３．本技術の適用範囲の変形例｝
以上の説明では、本技術を固体撮像素子に適用する例を示したが、本技術は、チップサイズが露光装置の露光範囲より大きい積層構造の他の半導体装置にも適用することが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４５】
＜５．電子機器＞
本技術が適用される固体撮像素子は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機などの撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機などの電子機器全般において、その撮像部（画像取込部）として用いることができる。尚、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ち、カメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４６】
｛５−１．撮像装置｝
図４１は、本技術を適用した電子機器の一例である撮像装置（カメラ装置）７０１の構成例を示すブロック図である。