【手続補正書】
【提出日】平成29年6月1日(2017.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置の真空チャンバのなかで基板を処理するための、温度制御された基板支持アセンブリであって、
前記基板を支えるように構成されたトップ板と、
前記トップ板の下方に配されたベース板であって、その上面内に空洞を含むベース板と、
前記空洞を取り囲み、前記トップ板と前記ベース板との間に配されたカバー板と、
前記ベース板の前記上面内の前記空洞内の少なくとも１つの熱電モジュールであって、前記トップ板及び前記ベース板と熱的に接触し、大気圧に維持される少なくとも１つの熱電モジュールと、
を備える温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
（ａ）前記少なくとも１つの熱電モジュールは、電気的に接触しており且つペルチェ効果にしたがって動作する交互のｐ型半導体素子とｎ型半導体素子とを含む、
（ｂ）前記ベース板の前記上面内の前記空洞内には、上向きの突起が位置付けられる、
及び／又は、
（ｃ）前記少なくとも１つの熱電モジュールのそれぞれの上面及び下面を、電気絶縁層が覆う、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項３】
請求項２に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
（ａ）前記少なくとも１つの熱電モジュールの前記上面及び前記下面の前記電気絶縁層は、接着剤によって前記カバー板及び前記ベース板に接合される、
（ｂ）前記少なくとも１つの熱電モジュールの前記上面の前記電気絶縁層は、前記ベース板の前記上面の前記上向き突起及び外壁との間に真空シールを形成する、
及び／又は、
（ｃ）前記ベース板の各上向き突起は、リフトピンを受けるように及び／若しくは前記トップ板の表面に裏面ヘリウムガスを供給するように構成された縦穴を含む、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
（ａ）前記トップ板は、誘電性材料の層に少なくとも１つの静電電極を埋め込まれた静電チャックを含む、
及び／又は、
（ｂ）前記ベース板は、温度制御された流体が循環する流路を含む、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項５】
請求項１に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
前記少なくとも１つの熱電モジュールの前記下面は、はんだ又は低融点合金によって前記ベース板内の前記空洞の上面に接合される、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項６】
請求項１に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
前記空洞内には、前記空洞内の各熱電モジュールが前記トップ板上に対応する温度制御ゾーンを形成するように、少なくとも２つの熱電モジュールが配置される、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項７】
請求項６に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
各熱電モジュールは、前記トップ板上に対応する温度制御ゾーンを形成し、前記温度制御ゾーンは、１つ以上の温度制御ゾーンによって中心の温度制御ゾーンが取り囲まれて形成された環状構造、格子構造、放射状構造、方位角状構造、極性構造、又は非極性構造を含む、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項８】
請求項１に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、更に、
前記トップ板の温度制御ゾーンに対応する複数のセンサを備え、各センサは、各対応する温度制御ゾーンの温度を表す信号を出力するように動作可能である、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項９】
請求項８に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、更に、
各センサからの信号を受信するための及び各温度制御ゾーンの各熱電モジュールに供給される電力を各温度制御ゾーン用の設定点又はフィードバック制御ループに基づいて調整するためのコントローラを備える温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項１０】
請求項１に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
（ａ）前記カバー板は、内側のカバー板と外側の環状カバー板とを含む、
及び／又は、
（ｂ）前記カバー板は、アルミニウム、銅、熱分解黒鉛、セラミック材料、若しくはアルミニウムをコーティングされた熱分解黒鉛で形成される、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項１１】
請求項１０に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
前記カバー板は、約０．５〜４ミリメートルの厚さを有する、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項１２】
請求項２に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
前記カバー板は、前記ベース板の前記上向き突起に対応する下向き突起を含み、
前記下向き突起及び前記上向き突起は、リフトピンを受けるように、及び／又は、裏面ヘリウムガスを供給するように構成された位置揃えされた穴を有し、
前記上向き突起及び前記対応する下向き突起は、前記温度制御された基板支持アセンブリ内にＲＦ電流経路を提供するように構成される、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項１３】
請求項１に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
前記ベース板は、前記空洞内の前記少なくとも１つの熱電モジュールと、温度制御された流体が循環する前記ベース板内の流路との間の熱伝導を高めるように構成された伝熱管を含み、
（ａ）前記ベース板は、前記伝熱管の上方に且つ前記少なくとも１つの熱電モジュールの下方に配された伝熱板を含む、
又は、
（ｂ）前記ベース板は、前記空洞内に配され各伝熱管を取り付けられた伝熱シートを含む、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項１４】
請求項１３に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
前記伝熱管は、水、アンモニア、及びエタノールからなる群より選択される流体を含む、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項１５】
請求項１３に記載の温度制御された基板支持アセンブリであって、
（ａ）前記伝熱板は、銅で形成される、
又は、
（ｂ）前記伝熱シートは、銅、アルミニウム、熱分解黒鉛、若しくはアルミニウムをコーティングされた熱分解黒鉛で形成される、温度制御された基板支持アセンブリ。
【請求項１６】
プラズマ処理中に基板の温度を制御するための基板支持アセンブリを製造する方法であって、
少なくとも１つの熱電モジュールの下面をベース板の上面内の空洞内の表面に接合することと、
前記少なくとも１つの熱電モジュールの上面に含まれる上方電気絶縁層の下面を前記ベース板の前記上面内の前記空洞を画定している円筒状の壁に及び前記空洞内の上向き突起に接合することであって、前記接合された前記上方電気絶縁層の下面は、前記円筒状の壁及び前記上向き突起との間に真空シールを形成し、前記空洞は、前記ベース板の前記上面内の前記空洞の表面を通じて大気に開放される、ことと、
前記上方電気絶縁層の上面をカバー板に接合することと、
を備える方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
（ａ）前記少なくとも１つの熱電モジュールの前記下面は、はんだ若しくは低融点合金によって前記ベース板の前記上面内の前記空洞内の前記表面に接合される、
又は、
（ｂ）前記少なくとも１つの熱電モジュールの前記下面は、下方電気絶縁層に接合され、前記下方電気絶縁層の下面は、前記ベース板の前記上面内の前記空洞内の前記表面に接合される、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、更に、
（ａ）前記ベース板の表面内にドリルで縦穴を開け、前記ベース板内の各開けられた穴に伝熱管を挿入することであって、各伝熱管の上面は、各穴を開けられた前記ベース板の前記表面と同一面上にある、こと、
及び／又は、
（ｂ）前記基板支持アセンブリ内に伝熱板を取り付けることであって、前記伝熱板は、前記伝熱管の上方に且つ前記少なくとも１つの熱電モジュールの下方に配され、前記伝熱板は、前記少なくとも２つの熱電モジュールを含む複数の熱電モジュール及び前記伝熱管の間で熱を均一に分布させるように構成される、こと、
を備える方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の温度制御された基板支持アセンブリと、前記基板支持アセンブリを取り囲む真空処理チャンバとを備える半導体処理システムにおいて基板を処理する方法であって、
前記トップ板の表面の１つ以上のゾーンの温度を制御するために、前記トップ板と伝熱接触している前記少なくとも１つの熱電モジュールに電流を供給するステップと、
前記トップ板の表面の温度を制御するために及び前記基板の処理中に前記基板に所望の温度分布を提供するために、前記少なくとも１つの熱電モジュールに供給される電流を制御するステップと、
を備える方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記トップ板は、更に、少なくとも１つの熱電モジュールを埋め込まれ、
前記基板は、ウエハを含み、
前記処理することは、プラズマエッチング又は化学気相蒸着を含む、方法。