Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月14日(2017.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムに粘着剤層を有してなるウェハ固定テープであって、
前記基材フィルムが、３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂を含み、前記粘着剤層とは反対側の基材フィルム表面の算術平均粗さＲａが０．１〜３．０μｍであることを特徴とするウェハ固定テープ。
【請求項２】
熱伝導率が０．２Ｗ／ｍ・Ｋ〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋであることを特徴とする請求項１に記載のウェハ固定テープ。
【請求項３】
シリコンに対する１００℃、１０分加熱後の粘着力変化が０．３Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のウェハ固定テープ。
【請求項４】
半導体ウェハに貼合してプラズマダイシング工程を実行し得るプラズマダイシングテープであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のウェハ固定テープ。
【請求項５】
半導体ウェハの処理方法であって、
（ａ）パターン面には請求項１〜４のいずれか１項に記載のウェハ固定テープを貼合し、裏面にはレジストが積層した半導体ウェハの裏面側からＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）Ｏ２プラズマにより前記レジストを除去するアッシング工程
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
【請求項６】
ウェハ固定テープ側から紫外線を照射して前記粘着剤層を架橋させる工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項７】
半導体ウェハの処理方法であって、
（ａ）パターン面にはレジストが積層し、裏面には請求項１〜４のいずれか１項に記載のウェハ固定テープを貼合した半導体ウェハのパターン面側からＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）Ｏ２プラズマにより前記レジストを除去するアッシング工程
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
【請求項８】
個片化した半導体チップを前記ウェハ固定テープからピックアップ用テープに転写する工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項９】
半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合した状態で半導体ウェハの裏面を研削する工程を含むことを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項１０】
前記ウェハ固定テープをリングフレームにて支持固定する工程と、ウェハ固定テープからチップをピックアップする工程とを含むことを特徴とする請求項５〜９のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項１１】
請求項５〜１０のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法によって製造されてなることを特徴とする半導体チップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の上記課題は以下の手段によって実現することができる。
［１］基材フィルムに粘着剤層を有してなるウェハ固定テープであって、
前記基材フィルムが、３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂を含み、前記粘着剤層とは反対側の基材フィルム表面の算術平均粗さＲａが０．１〜３．０μｍであることを特徴とするウェハ固定テープ。
［２］熱伝導率が０．２Ｗ／ｍ・Ｋ〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋであることを特徴とする［１］に記載のウェハ固定テープ。
［３］シリコンに対する１００℃、１０分加熱後の粘着力変化が０．３Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする［１］または［２］に記載のウェハ固定テープ。
［４］半導体ウェハに貼合してプラズマダイシング工程を実行し得るプラズマダイシングテープであることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１項に記載のウェハ固定テープ。
［５］半導体ウェハの処理方法であって、
（ａ）パターン面には［１］〜［４］のいずれか１項に記載のウェハ固定テープを貼合し、裏面にはレジストが積層した半導体ウェハの裏面側からＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）Ｏ２プラズマにより前記レジストを除去するアッシング工程
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
［６］ウェハ固定テープ側から紫外線を照射して前記粘着剤層を架橋させる工程を含むことを特徴とする［５］に記載の半導体ウェハの処理方法。
［７］半導体ウェハの処理方法であって、
（ａ）パターン面にはレジストが積層し、裏面には［１］〜［４］のいずれか１項に記載のウェハ固定テープを貼合した半導体ウェハのパターン面側からＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）Ｏ２プラズマにより前記レジストを除去するアッシング工程
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
［８］個片化した半導体チップを前記ウェハ固定テープからピックアップ用テープに転写する工程をさらに含むことを特徴とする［７］に記載の半導体ウェハの処理方法。
［９］半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合した状態で半導体ウェハの裏面を研削する工程を含むことを特徴とする［５］〜［８］のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
［１０］前記ウェハ固定テープをリングフレームにて支持固定する工程と、ウェハ固定テープからチップをピックアップする工程とを含むことを特徴とする［５］〜［９］のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
［１１］前記［５］〜［１０］のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法によって製造されてなることを特徴とする半導体チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月14日(2017.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、
遊技領域に設けられた始動入賞口への遊技球の入賞に基づき複数の識別情報を変動表示する変動表示ゲームの結果として特別結果が導出された場合に、変動入賞装置を閉状態から開状態へ変換して遊技者に遊技価値を付与可能な特別遊技状態を発生可能な遊技機において、
前記変動表示ゲームの実行を制御することが可能なゲーム実行制御手段と、
前記特別遊技状態の終了後の所定期間に亘り、変動表示ゲームが遊技者に有利となるよう実行される特定遊技状態を発生可能な特定遊技状態発生手段と、
前記特別遊技状態及び前記特定遊技状態における前記変動入賞装置への遊技球の入賞に対応して獲得される賞球数を表示する獲得数表示手段と、
を備え、
前記特別結果には、第１特別遊技状態を発生可能な第１特別結果と、該第１特別遊技状態よりも遊技者に付与可能な遊技価値が低い第２特別遊技状態を発生可能な第２特別結果と、が含まれ、
前記特定遊技状態発生手段は、前記特定遊技状態において変動表示ゲームの結果が前記第１特別結果となる確率を通常状態よりも高めるようにし、
前記獲得数表示手段は、前記特定遊技状態において発生した前記第２特別遊技状態における前記変動入賞装置への遊技球の入賞に対応して獲得される賞球数を合算して表示することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】１０８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【１０８７】
その後、図１７０に示すように、第２特別遊技状態が開始されて第１特別変動入賞装置３８が開放される。図１７１（ｆ）に示すように特別遊技状態では特別変動入賞装置への入賞に伴い賞球数が表示され、獲得数表示部８７に加算される。その後、第２特別遊技状態が終了すると特図変動表示ゲームが実行可能となる（ｔ３８）。ｔ３８〜ｔ３９及びｔ３９〜ｔ４０も上述したｔ３２〜ｔ３８と同様に遊技が進行する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技領域に設けられた始動入賞口への遊技球の入賞に基づき複数の識別情報を変動表示する変動表示ゲームの結果として特別結果が導出された場合に、変動入賞装置を閉状態から開状態へ変換して遊技者に遊技価値を付与可能な特別遊技状態を発生可能な遊技機において、
前記変動表示ゲームの実行を制御することが可能なゲーム実行制御手段と、
前記特別遊技状態の終了後の所定期間に亘り、変動表示ゲームが遊技者に有利となるよう実行される特定遊技状態を発生可能な特定遊技状態発生手段と、
前記特別遊技状態及び前記特定遊技状態における前記変動入賞装置への遊技球の入賞に対応して獲得される賞球数を表示する獲得数表示手段と、
を備え、
前記特別結果には、第１特別遊技状態を発生可能な第１特別結果と、該第１特別遊技状態よりも遊技者に付与可能な遊技価値が低い第２特別遊技状態を発生可能な第２特別結果と、が含まれ、
前記特定遊技状態発生手段は、前記特定遊技状態において変動表示ゲームの結果が前記第１特別結果となる確率を通常状態よりも高めるようにし、
前記獲得数表示手段は、前記特定遊技状態において発生した前記第２特別遊技状態における前記変動入賞装置への遊技球の入賞に対応して獲得される賞球数を合算して表示することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記始動入賞口への遊技球の入賞に基づき所定の乱数を抽出し、該所定の乱数を始動記憶として所定の上限数まで記憶可能な始動記憶手段と、
前記始動記憶手段に記憶される始動記憶に対応する前記変動表示ゲームの結果を当該変動表示ゲームの開始より前に事前判定することが可能な事前判定手段と、
前記事前判定手段の事前判定結果に基づいて、所定の演出を行うことが可能な事前演出制御手段と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月20日(2017.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技中に抽選契機が発生したことを条件として、内部抽選を実行する抽選実行手段と、
前記抽選実行手段により前記内部抽選が実行されると、予め設定された変動時間にわたり図柄を変動表示させた後に前記内部抽選の結果に応じた態様で図柄を停止表示させる図柄表示手段と、
前記図柄表示手段による図柄の変動表示に連動して複数の演出図柄を変動表示させる変動表示演出を実行した後、前記図柄表示手段による図柄の停止表示態様に対応させて複数の前記演出図柄を停止表示させる結果表示演出を実行する図柄演出実行手段と、
前記変動表示演出中に実行される複数種類の演出のうちの少なくとも１種類の演出情報が規定された演出テーブルを予め複数種類規定する演出テーブル規定手段と、
所定の条件が満たされると前記演出テーブル規定手段により規定された前記演出テーブルを読み出して、規定された演出を実行する演出実行手段と、
前記図柄演出実行手段による前記変動表示演出の実行に際して、その変動表示演出中に実行する演出のスケジュールに関する演出パターンを複数種類の演出パターンの中から決定する演出パターン決定手段と、
前記演出パターンに規定する内容として、少なくとも１種類の前記演出テーブルと、その演出テーブルを前記演出実行手段が読み出すタイミングを規定する演出パターン内容規定手段と
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において
前記複数種類の演出パターンには、第１演出パターン及び第２演出パターンが含まれ、
前記第２演出パターンに規定された内容により前記演出実行手段により実行される演出は、前記第１演出パターンに規定された内容により前記演出実行手段により実行される演出と同一の演出の他に特別演出が含まれ、
前記演出パターン内容規定手段は、
前記第２演出パターンに規定する内容として、前記第１演出パターンの内容として規定されている前記演出テーブルの他に前記特別演出の実行が規定されている特別演出テーブルを規定すると共に、前記特別演出を実行する所定のタイミングで前記特別演出テーブルを読み出すタイミングを規定することを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遊技機において、
前記図柄表示手段による図柄の変動表示に際して、少なくとも変動時間の設定に関わる変動パターンを決定する変動パターン決定手段と、
前記変動パターン決定手段により決定される前記変動パターンについて、変動時間を互いに異ならせた複数種類の前記変動パターンを予め規定する変動パターン規定手段と、
前記演出パターン決定手段は、
前記変動パターン決定手段により決定された前記変動パターンに対応する少なくとも１種類の前記演出パターンの中から決定することを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月13日(2017.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自装置の動作モードが通常モードであるときに、保護の対象である被保護回路へ供給される電流を遮断して前記被保護回路を保護する保護リレーと、前記被保護回路へ供給される供給電流を検出する電流検出器と、可変抵抗器の操作によって抵抗値が調整される抵抗分割により、整定電流を設定するための電圧を発生させる分圧回路と、自装置の動作モードが補正係数を算出するための補正モードであるときに、前記補正係数を算出する補正部と、前記補正部によって算出された補正係数を用いて補正された整定電流と前記電流検出器が検出する電流とを比較する保護検出部とを含み、
前記保護検出部による比較の結果に基づいて前記保護リレーを制御することを特徴とする保護リレー装置。
【請求項２】
前記補正モードでは、
前記補正係数で補正された整定電流値と前記供給電流とを比較し、前記補正係数で補正された整定電流値が前記供給電流の値以上の値になるまで前記補正係数を増加させて前記補正係数を算出し、
前記通常モードでは、
算出された補正係数を用いて前記整定電流値を補正することを特徴とする
請求項１に記載の保護リレー装置。
【請求項３】
自装置の筐体内に設けられた一対のモード端子と、前記一対のモード端子へ接続される短絡コネクタが通過可能な、前記筐体に設けられた孔部とをさらに含み、
前記短絡コネクタは、前記孔部を介して前記一対のモード端子への接続が可能であり、
前記一対のモード端子への前記短絡コネクタの接続有無によって、自装置の動作モードが前記通常モードまたは補正モードに設定されることを特徴とする
請求項１または２に記載の保護リレー装置。
【請求項４】
表示器をさらに含み、
前記通常モードでは、
前記被保護回路の保護の状態を前記表示器によって表示し、
前記補正モードでは、
前記補正係数の算出が完了したことを前記表示器によって表示することを特徴とする
請求項１から３のいずれか１つに記載の保護リレー装置。
【請求項５】
前記表示器は、複数の表示灯を含み、
前記補正モードにおいて前記補正係数を複数算出する場合、
前記補正係数の１つの算出が完了すると前記複数の表示灯を１つ点灯し、
すべての補正係数の算出が完了すると、前記複数の表示灯を点滅させることを特徴とする請求項４に記載の保護リレー装置。
【請求項６】
前記補正モードでは、
第１の整定電流値について算出した第１の補正係数と、第２の整定電流値について算出した第２の補正係数と、を補間して、他の整定電流値について補正係数を求めることを特徴とする
請求項１から５のいずれか１つに記載の保護リレー装置。
【請求項７】
前記筐体に貼付した状態で前記孔部を塞ぐラベルをさらに含み、前記通常モードでは前記ラベルが前記筐体に貼付されることを特徴とする
請求項３に記載の保護リレー装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月21日(2017.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定子鉄心と、前記固定子鉄心に設けられる電機子巻線とを有する固定子と、
回転子鉄心と、前記回転子鉄心に埋設される、極数分の永久磁石とを有し、空隙を介して前記固定子と対向する回転子と、
を備える永久磁石式回転電機において、
前記永久磁石は、
前記回転子の径方向内側へ向かって凸となる円弧状の中央部と、
前記中央部の両端部から前記回転子の外周面へ向って延びる直線状の複数の側部と、
を有することを特徴とする永久磁石式回転電機。
【請求項２】
請求項１に記載の永久磁石式回転電機において、
前記中央部および前記複数の側部は互いに分割されていることを特徴とする永久磁石式回転電機。
【請求項３】
請求項２に記載の永久磁石式回転電機において、
前記複数の側部は２個の側部であることを特徴とする永久磁石式回転電機。
【請求項４】
請求項１に記載の永久磁石式回転電機において、
前記複数の側部は、前記回転子の外周面へ向って開いていることを特徴とする永久磁石式回転電機。
【請求項５】
請求項１に記載の永久磁石式回転電機において、
前記中央部おける前記回転子の内周面に最も近い端面と前記回転子の内周面との径方向距離をＬ１とし、前記端面における前記中央部の径方向の幅をＬ２とすると、Ｌ１≦Ｌ２であることを特徴とする永久磁石式回転電機。
【請求項６】
請求項５に記載の永久磁石式回転電機において、
前記中央部において前記端面とは径方向反対側に位置する面と前記回転子の外周面との径方向距離をＬ３とすると、Ｌ１≦Ｌ２＜Ｌ３であることを特徴とする永久磁石式回転電機。
【請求項７】
請求項１に記載の永久磁石式回転電機において、
前記回転子鉄心は、前記複数の側部における径方向端部と対向する前記回転子の外周部に設けられる複数の凹部を有することを特徴とする永久磁石式回転電機。
【請求項８】
請求項７に記載の永久磁石式回転電機において、
前記凹部の底面は、前記複数の側部における径方向端部の幅方向に平行であることを特徴とする永久磁石式回転電機。
【請求項９】
請求項１に記載の永久磁石式回転電機において、
前記永久磁石は、フェライト磁石からなることを特徴とする永久磁石式回転電機。
【請求項１０】
作動流体である気体を圧縮容器内に供給する吸込みパイプと、
前記作動流体の容積を縮小する圧縮機構と、
前記圧縮機構を駆動する永久磁石式回転電機と、
前記圧縮機構により圧縮された前記作動流体を圧縮容器外に排出する吐出パイプと、
を備える圧縮機において、
前記永久磁石式回転電機は、
固定子鉄心と、前記固定子鉄心に設けられる電機子巻線とを有する固定子と、
回転子鉄心と、前記回転子鉄心に埋設される、極数分の永久磁石とを有し、空隙を介して前記固定子と対向する回転子と、
を備え、
前記永久磁石は、
前記回転子の径方向内側へ向かって凸となる円弧状の中央部と、
前記中央部の両端部から前記回転子の外周面へ向って延びる直線状の複数の側部と、
を有することを特徴とする圧縮機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明による永久磁石式回転電機は、固定子鉄心と、固定子鉄心に設けられる電機子巻線とを有する固定子と、回転子鉄心と、回転子鉄心に埋設される、極数分の永久磁石とを有し、空隙を介して前記固定子と対向する回転子と、を備えるものであって、永久磁石は、回転子の径方向内側へ向かって凸となる円弧状の中央部と、中央部の両端部から回転子の外周面へ向って延びる直線状の複数の側部と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月7日(2017.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒の存在下で用いられるシリコンウェーハ研磨用組成物であって、
シリコンウェーハ研磨促進剤と、
アミド基含有ポリマーＡと、
アミド基を含有しない有機化合物Ｂと、
水と
を含み、
前記アミド基含有ポリマーＡは、下記一般式（１）：
【化１】
2016171332.tif 000001
（式中、Ｒ１は水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキロール基、アセチル基、フェニル基、ベンジル基、クロロ基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基またはシアノ基である。Ｘは、（ＣＨ２）ｎ（ただし、ｎは４〜６の整数である。）、（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）２または（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）２である。）；で表わされる単量体に由来する構成単位Ｓを主鎖に有しており、
前記アミド基含有ポリマーＡの重量平均分子量ＭＡと前記有機化合物Ｂの重量平均分子量ＭＢとの関係が次式：
２００≦ＭＢ＜ＭＡ；
を満たし、かつ
前記アミド基含有ポリマーＡの含有量ｗ１と前記有機化合物Ｂの含有量ｗ２との重量比（ｗ１／ｗ２）が１．３３以上である、シリコンウェーハ研磨用組成物。
【請求項２】
前記有機化合物Ｂの重量平均分子量ＭＢに対する前記アミド基含有ポリマーＡの重量平均分子量ＭＡの比（ＭＡ／ＭＢ）が５より大きい、請求項１に記載のシリコンウェーハ研磨用組成物。
【請求項３】
前記有機化合物Ｂの重量平均分子量ＭＢは、１×１０４未満である、請求項１または２に記載のシリコンウェーハ研磨用組成物。
【請求項４】
前記アミド基含有ポリマーＡの重量平均分子量ＭＡは、５０×１０４未満である、請求項１から３のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ研磨用組成物。
【請求項５】
前記一般式（１）中のＲ１は水素原子またはメチル基である、請求項１から４のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ研磨用組成物。
【請求項６】
前記一般式（１）中のＸは、（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）２である、請求項１から５のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ研磨用組成物。
【請求項７】
前記砥粒はシリカ粒子である、請求項１から６のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ研磨用組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
（参考例３）
水溶性ポリマーとしてＭｗが１７×１０４のＰＡＣＭＯを使用し、有機化合物としてＭｗが１．２×１０４のポリビニルアルコール（けん化度９５モル％以上；以下、「ＰＶＡ」と表記）を使用し、組成物中に含まれるＰＶＡの含有量を０．０１００％とした他は実施例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
（実施例４）
有機化合物として、参考例３と同じＰＶＡと、実施例１と同じＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯとを使用し、組成物中に含まれるＰＶＡの含有量を０．００５％、ＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯの含有量を０．００２５％とした他は実施例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
＜凝集性評価＞
研磨用組成物の凝集性を評価するため、該組成物の凝集率を測定した。ここで、本明細書における研磨用組成物の凝集率とは、研磨用組成物中の粒子の平均粒子径をＲ１、後述する対照組成物中の砥粒の平均粒子径をＲ２、としたときのＲ２に対するＲ１の比（すなわち、Ｒ１／Ｒ２）として定義される。上記凝集率が小さいほど、研磨用組成物の凝集性が低いことを示す。以下、研磨用組成物の凝集率の測定方法を具体的に説明する。
まず、研磨用組成物を測定サンプルとし、該組成物中の粒子の平均粒子径（体積平均粒子径）Ｒ１を日機装株式会社製の型式「ＵＰＡ−ＵＴ１５１」を用いた動的光散乱法により測定した（測定装置は以下のＲ２の測定において同じ）。次に、上記研磨用組成物を作製するのに使用した砥粒、アンモニア水および脱イオン水を、該組成物における含有量と一致するように秤量して混合することにより、対照組成物を調製した。具体的には、水溶性ポリマーおよび有機化合物を使用しないこと以外は研磨用組成物の作製方法と同様にして上記対照組成物を調製した。得られた対照組成物を測定サンプルとし、該対照組成物中の砥粒の平均粒子径（体積平均粒子径）Ｒ２を動的光散乱法によって測定した。その結果、実施例１、２、４、参考例３および比較例１〜４の対照組成物中の砥粒の平均粒子径Ｒ２はいずれも５７ｎｍであり、実施例５の対照組成物中の砥粒の平均粒子径Ｒ２は４２ｎｍであった。得られたＲ１およびＲ２から、Ｒ１／Ｒ２を算出することにより、研磨用組成物の凝集率を求めた。各例に係る研磨用組成物のＲ１および凝集率の結果を表１に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
【表１】
2016171332.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
表１に示すように、高分子量のＰＡＣＭＯと低分子量の有機化合物とを組み合わせて使用した実施例１、２、４、５および参考例３の研磨用組成物は、ヘイズの低減性能と凝集性の低減とを高いレベルで両立して示した。なかでもＭｗが１×１０４未満である有機化合物を含む実施例１、２、４および５は、より優れたヘイズ低減効果を示した。また、Ｍｗが３３×１０４のＰＡＣＭＯと、Ｍｗが９０００のＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯとを含む実施例１、４および５の研磨用組成物は、より優れたヘイズ低減性能と凝集性の低減との両立を示した。これに対して、ＰＡＣＭＯを単独で使用した比較例１、２の研磨用組成物は、いずれも、ヘイズ低減性能が不足していた。また、高分子量のＨＥＣと低分子量のＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯ（有機化合物）とを組み合わせて使用した比較例３の研磨用組成物は、比較例１または２よりはヘイズが低減したものの、凝集性が高く、両性能のバランスに欠けるものであった。また、低分子量のＰＡＣＭＯと高分子量のＥＯＰＯランダム共重合体（有機化合物）とを組み合わせて使用した比較例４の研磨用組成物は、ヘイズの低減性能および凝集性低減のいずれも劣っていることがわかった。これらの結果から、高分子量のアミノ基含有ポリマーと低分子量の有機化合物とを組み合わせて使用することにより、ヘイズ低減性能と凝集性の低減とをバランスよく実現し得ることが確認できた。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月25日(2017.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上のトランジスタと、を有し、
前記フレキシブル基板は、表示領域と、駆動回路を有する非表示領域とを有し、
前記非表示領域は、前記フレキシブル基板の端部に設けられ、
前記表示領域は、平面状の領域と、前記平面状の領域より前記非表示領域に向かって延びる曲面状の領域と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
フレキシブル基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上のトランジスタと、を有し、
前記フレキシブル基板は、表示領域と、駆動回路を有する非表示領域とを有し、
前記非表示領域は、前記フレキシブル基板の端部に設けられ、
前記表示領域は、平面状の領域と、前記平面状の領域より前記非表示領域に向かって延びる曲面状の領域を有したまま表示することができる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
フレキシブル基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上のトランジスタと、を有し、
前記フレキシブル基板は、表示領域と、駆動回路を有する非表示領域とを有し、
前記非表示領域は、前記フレキシブル基板の端部に設けられ、
前記フレキシブル基板は、前記表示領域から前記非表示領域に向かって延びる第１の方向に第１の曲面状の領域を有し、
前記フレキシブル基板は、前記第１の方向と交差する第２の方向に第２の曲面状の領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
フレキシブル基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上のトランジスタと、を有し、
前記フレキシブル基板は、表示領域と、駆動回路を有する非表示領域とを有し、
前記非表示領域は、前記フレキシブル基板の端部に設けられ、
前記フレキシブル基板は、前記表示領域から前記非表示領域に向かって延びる第１の方向に第１の曲面状の領域を設ける機能を有し、
前記フレキシブル基板は、前記第１の方向と交差する第２の方向に第２の曲面状の領域を設ける機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記トランジスタは、半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記半導体膜は、シリコンを有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記シリコンは、非晶質シリコン、多結晶シリコン、または微結晶シリコンのいずれかを有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項５において、
前記半導体膜は、酸化物半導体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記酸化物半導体は、酸化亜鉛と、インジウム酸化物と、酸化ガリウムとから構成されることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月6日(2017.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムと、
上記ベースフィルム上に積層されたバインダー樹脂と、
上記バインダー樹脂に、所定の配列パターンで、規則的に分散配置された導電性粒子とを備え、
複数の上記導電性粒子のうち、表面に痕が発生しているものが粒子数全体の３０％以内である導電性接着フィルム。
【請求項２】
上記導電性粒子は、表面が絶縁処理されたものである請求項１に記載の導電性接着フィルム。
【請求項３】
ベースフィルムと、
上記ベースフィルム上に積層されたバインダー樹脂と、
上記バインダー樹脂に、所定の配列パターンで、規則的に分散配置された導電性粒子とを備え、
上記導電性粒子は、表面が金属であり、
上記導電性粒子は、表面の金属の一部が剥離しているものを含む導電性接着フィルム。
【請求項４】
上記導電性粒子は、表面が金属でコートされたものである請求項３に記載の導電性接着フィルム。
【請求項５】
上記表面に金属がコートされた導電性粒子は、めっき粒子である請求項４に記載の導電性接着フィルム。
【請求項６】
上記導電性粒子は、上記表面が更に絶縁処理されたものである請求項３〜５のいずれか１項に記載の導電性接着フィルム。
【請求項７】
ベースフィルムと、
上記ベースフィルム上に積層されたバインダー樹脂と、
上記バインダー樹脂に、所定の配列パターンで、規則的に分散配置された導電性粒子とを備え、
上記規則的に分散配置された導電性粒子は、上記導電性粒子が複数連結された凝集体を含み、
上記凝集体は、上記規則的に分散配置された導電性粒子数全体の２０％以内である導電性接着フィルム。
【請求項８】
上記凝集体の大きさが、上記導電性粒子の粒子径の８倍以下である請求項７に記載の導電性接着フィルム。
【請求項９】
導電性粒子が配列された異方性導電フィルムによって複数並列された端子同士が接続された接続体において、
上記請求項１〜８のいずれか１項に記載の異方性導電フィルムを用いている接続体。
【請求項１０】
導電性粒子が配列された異方性導電フィルムによって複数並列された端子同士が接続された接続体の製造方法において、
上記請求項１〜８のいずれか１項に記載の異方性導電フィルムを用いた接続体の製造方法。
【請求項１１】
帯電が防止された基板上におけるスキージの移動によって、上記基板上に導電性粒子を所定の配列パターンに整列させ、
バインダー樹脂層が設けられたフィルムによって上記導電性粒子を転写することにより製造される導電性接着フィルムの製造方法であって、
上記スキージの基板上における移動に伴って、導電粒子に痕を発生させることを特徴とする導電性接着フィルムの製造方法。
【請求項１２】
上記導電性粒子を帯電させる請求項１１に記載の導電性接着フィルムの製造方法。
【請求項１３】
上記スキージは、帯電が防止されている請求項１１又は１２に記載の導電性接着フィルムの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明に係る導電性接着フィルムは、ベースフィルムと、上記ベースフィルム上に積層されたバインダー樹脂と、上記バインダー樹脂に、所定の配列パターンで、規則的に分散配置された導電性粒子とを備え、上記導電性粒子は、表面が金属であり、上記導電性粒子は、表面の金属の一部が剥離しているものを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月15日(2017.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子カルテシステムを利用する研究情報管理システムであって、
前記電子カルテシステムは、
データ入力画面レイアウトのテンプレートを記述する構造化文書を記憶したテンプレート記憶部と、
選択されたテンプレートに対応する構造化文書を解析してデータ入力画面を表示する表示処理部と、
前記データ入力画面に対してデータの入力があったとき、入力データとこれに対応するタグ名とを関連付けて少なくとも一時的に記憶する入力データ記憶部と、
前記データ入力画面に対するデータの入力が完了すると、当該データ入力画面のテンプレートに対応する構造化文書と、前記入力データ記憶部に記憶された前記入力データおよびタグ名とを参照し、入力データを含むデータ入力画面のレイアウトを記述するデータ入り構造化文書を生成する構造化文書生成部と、
前記データ入り構造化文書から、検索項目として少なくともタグ名を抽出する項目抽出部と、
前記項目抽出部によって前記データ入り構造化文書から抽出された検索項目と、当該データ入り構造化文書の少なくとも一部とを関連付けて記憶するデータベースとをさらに備え、
前記研究情報管理システムは、
医学系の研究の試験に関するデータを、前記入力データとして入力させ、
試験に使用する検体または試験動物を特定する識別子、試験に使用する検査機器を特定する識別子、試験を行う研究者または研究補助者を特定する識別子、の少なくとも一つの識別子を読み取る読み取り手段を備え、
前記識別子を試験データと関連づけて前記電子カルテシステムのデータベースへ記憶させ、
検体または試験動物へ何らかの処理を行う都度、検査機器を使用する都度、または試験を行う都度または研究に関する記録を行う都度、前記読み取り手段によって該当する識別子を取得する、研究情報管理システム。
【請求項２】
前記入力データが、前記電子カルテシステムのデータベースにおいて、所定の分類構造にしたがって分類されて記憶される、請求項１に記載の研究情報管理システム。
【請求項３】
認証機関から試験データのタイムスタンプを取得する手段と、
前記データベースが、前記タイムスタンプを試験データと関連付けて記録する領域を備え、
試験を行う都度または研究に関する記録を行う都度、前記タイムスタンプを取得する、請求項１に記載の研究情報管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月29日(2016.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部屋の内部にあるエンクロージャであって、内部空間を定めるとともに、サーバラックが取り付けられる前記エンクロージャ上の開口部である少なくとも１つのラックポートを有し、前記ラックポートは前記上部ポートクロスバーと、下部ポートクロスバーとを含み、前記サーバラックは、１つ以上のサーバが前記内部空間に隣接するように前記サーバラック内に垂直に積み重ねられるところである、上部ラッククロスバー、下部ラッククロスバー、及び取り付けレールを含み、それぞれのサーバは前記内部空間から前記サーバに空気を引き込むファンを含むものであるエンクロージャと、
前記エンクロージャにより定められる前記内部空間に隣接した、前記部屋の外部の自然な空気に隣接した１つ以上のダンパの第１のセットを含む混合チャンバと、
前記上部ポートクロスバーを前記上部ラッククロスバーに固定する第１の接続クリップと、
前記下部ポートクロスバーを前記下部ラッククロスバーに固定する第２の接続クリップと、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記混合チャンバは、前記部屋の中の空気に隣接した１つ以上のダンパの第２のセットを含む請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記１つ以上のダンパの第１のセットは前記部屋の内部及び外部の温度をモニタする電子装置によって制御される請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記１つ以上のダンパの第２のセットは前記電子装置によって制御される請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記混合チャンバは１つ以上の加湿器を含む請求項１に記載の装置。
【請求項６】
少なくとも１つの安定性制御ユニットが前記エンクロージャの底部にある請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の接続クリップは、Ｕ字形の断面形状を有するとともに、
１つ以上のピン部材と、
前記ピン部材を受け入れるための１つ以上のソケットを含む留め具部材と、
を含み、前記留め具部材が、前記ソケットの前記ピン部材を通じて前記上部ポートクロスバーを前記上部ラッククロスバーに固定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第２の接続クリップは、Ｕ字形の断面形状を有するとともに、
１つ以上のピン部材と、
前記ピン部材を受け入れるための１つ以上のソケットを含む留め具部材と、
を含み、前記留め具部材が、前記ソケットの前記ピン部材を通じて前記下部ポートクロスバーを前記下部ラッククロスバーに固定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
自然な空気への１つ以上の開口部を有する部屋と、
前記部屋の内部にあるエンクロージャであって、内部空間を定めるとともに、サーバラックが取り付けられる前記エンクロージャ上の開口部である少なくとも１つのラックポートを有し、前記ラックポートは上部ポートクロスバーと、下部ポートクロスバーとを含み、前記サーバラックは、１つ以上のサーバが前記内部空間に隣接するように前記サーバラック内に垂直に積み重ねられるところである、上部ラッククロスバー、下部ラッククロスバー、及び１つ以上の取り付けレールを含み、それぞれのサーバは前記内部空間から前記サーバに空気を引き込むファンを含むものであるエンクロージャと、
前記エンクロージャにより定められる前記内部空間に隣接した、前記部屋の外部の自然な空気に隣接した１つ以上のダンパの第１のセットを含む混合チャンバと、
前記上部ポートクロスバーを前記上部ラッククロスバーに固定する第１の接続クリップと、
前記下部ポートクロスバーを前記下部ラッククロスバーに固定する第２の接続クリップと、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記混合チャンバは、前記部屋の中の空気に隣接した１つ以上のダンパの第２のセットを含む請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記１つ以上のダンパの第１のセットは前記部屋の内部及び外部の温度をモニタする電子装置によって制御される請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記１つ以上のダンパの第２のセットは前記電子装置によって制御される請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記混合チャンバは１つ以上の加湿器を含む請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
少なくとも１つの安定性制御ユニットが前記エンクロージャの底部にある請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１の接続クリップは、Ｕ字形の断面形状を有するとともに、
１つ以上のピン部材と、
前記ピン部材を受け入れるための１つ以上のソケットを含む留め具部材と、
を含み、前記留め具部材が、前記ソケットの前記ピン部材を通じて前記上部ポートクロスバーを前記上部ラッククロスバーに固定する、
ことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２の接続クリップは、Ｕ字形の断面形状を有するとともに、
１つ以上のピン部材と、
前記ピン部材を受け入れるための１つ以上のソケットを含む留め具部材と、
を含み、前記留め具部材が、前記ソケットの前記ピン部材を通じて前記下部ポートクロスバーを前記下部ラッククロスバーに固定する、
ことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
部屋の内部にあるエンクロージャであって、内部空間を定めるとともに、サーバラックが取り付けられる前記エンクロージャ上の開口部である少なくとも１つのラックポートを有し、前記ラックポートは上部ポートクロスバーと、下部ポートクロスバーとを含み、前記サーバラックは、１つ以上のサーバが前記内部空間に隣接するように前記サーバラック内に垂直に積み重ねられるところである、上部ラッククロスバー、下部ラッククロスバー、及び１つ以上の取り付けレールを含み、それぞれのサーバは前記内部空間から前記サーバに空気を引き込むファンを含むものであるエンクロージャを定めるステップと、
前記エンクロージャにより定められる前記内部空間に隣接した、前記部屋の外部の自然な空気に隣接した１つ以上のダンパの第１のセットを含む混合チャンバを設置するステップと、  前記上部ポートクロスバーを前記上部ラッククロスバーに第１の接続クリップで固定し、  前記下部ポートクロスバーを前記下部ラッククロスバーに第２の接続クリップで固定するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１８】
それぞれの接続クリップは、Ｕ字形の断面形状を有するとともに、
１つ以上のピン部材と、
前記ピン部材を受け入れるための１つ以上のソケットを含む留め具部材と、
を含み、前記留め具部材が、前記ソケットの前記ピン部材を通じて前記上部ポートクロスバーを前記上部ラッククロスバーに固定する、
ことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
それぞれの接続クリップは、Ｕ字形の断面形状を有するとともに、
１つ以上のピン部材と、
前記ピン部材を受け入れるための１つ以上のソケットを含む留め具部材と、
を含み、前記留め具部材が、前記ソケットの前記ピン部材を通じて前記下部ポートクロスバーを前記下部ラッククロスバーに固定する、
ことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも１つの安定性制御ユニットが前記エンクロージャの底部にある請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月9日(2016.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極集電体と、負極集電体とを含む積層体を収容する外装容器を有するリチウムイオン二次電池を、前記正極集電体及び前記負極集電体のうち、低い融点の集電体の融点以上、かつ高い融点の前記集電体の融点未満の温度で焙焼して焙焼物を得る焙焼工程を少なくとも含むことを特徴とするリチウムイオン二次電池からの有価物の回収方法。
【請求項２】
前記リチウムイオン二次電池又は前記積層体を、前記高い融点の前記集電体の融点以上の融点である酸素遮蔽容器に収容して焙焼する請求項１に記載のリチウムイオン二次電池からの有価物の回収方法。
【請求項３】
前記正極集電体及び前記負極集電体のいずれか一方がアルミニウムであり、他方が銅である請求項１から２のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池からの有価物の回収方法。
【請求項４】
前記焙焼工程における焙焼温度が、６７０℃以上である請求項１から３のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池からの有価物の回収方法。
【請求項５】
前記焙焼工程後に前記外装容器内の集電体が露出するように焙焼物を切断する切断工程を行う請求項１から４のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池からの有価物の回収方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月2日(2017.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部インターフェースが搭載されたフレームグラウンド部と、
信号配線によって前記外部インターフェースと接続された回路部品が搭載された主回路部と、を構成する、最表層の配線層と内層の配線層とを備えた多層基板であって、
前記主回路部と前記フレームグラウンド部との間に、シグナルグラウンド部が介在しており、
前記主回路部と、前記シグナルグラウンド部と、前記フレームグラウンド部は、少なくとも１か所で、被接続部とは形状または材質の異なる接続部材からなる接続部を介して、接続されたことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記主回路部と、前記シグナルグラウンド部と、前記フレームグラウンド部とは、前記最表層の配線層で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記シグナルグラウンド部は、前記最表層同士をつなぐ貫通孔で接続されており、前記内層の少なくとも１層がシグナルグラウンド内層を構成したことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記シグナルグラウンド部は、前記最表層同士をつなぐ貫通孔で接続され、前記内層のすべての導体層において、前記回路基板の厚さ方向に配列されたシグナルグラウンド内層を構成したことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項５】
前記シグナルグラウンド部は、前記内層に形成され、前記最表層の前記主回路部と対向する領域を有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記主回路部と前記シグナルグラウンド部とは、第１のスリットを介して分離されており、前記接続部は、前記第１のスリットをまたぐように配された第１の接続部であることを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項７】
前記シグナルグラウンド部と前記フレームグラウンド部とは、第２のスリットを介して分離されており、前記接続部は、前記第２のスリットをまたぐように配された第２の接続部であることを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記第１のスリットおよび前記第２のスリットは、互いに平行であることを特徴とする請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
前記シグナルグラウンド部は、前記回路基板上で、四方から前記主回路部を囲むことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記シグナルグラウンド部は、第３のスリットを介して分離されており、前記第３のスリットをまたぐキャパシタが配置されたことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記シグナルグラウンド部は、長手方向に沿った第４のスリットを介して、分離されており、前記第４のスリットをまたぐ、少なくとも一つの接続部材を有することを特徴とする請求項７に記載の回路基板。
【請求項１２】
前記第１のスリット、前記第２のスリットおよび前記第４のスリットが互いに平行であることを特徴とする請求項１１に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記シグナルグラウンド部が、貫通孔を介してシグナルグラウンド内層に接続されており、
前記シグナルグラウンド内層領域間に内層スリットを有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１４】
前記シグナルグラウンド部と前記フレームグラウンド部とは、第２のスリットを介して分離されており、前記接続部は、前記第２のスリットをまたぐように配された第２の接続部であることを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項１５】
前記シグナルグラウンド部は、長手方向に沿った第４のスリットを介して、分離されており、前記第４のスリットをまたぐ、少なくとも一つの接続部材を有することを特徴とする請求項１から６，８から１０のいずれか１項に記載の回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、外部インターフェースが搭載されたフレームグラウンド部と、信号配線によって外部インターフェースと接続された回路部品が搭載された主回路部とを構成する、最表層の配線層と内層の配線層とを備えた多層基板を有する。主回路部とフレームグラウンド部との間に、シグナルグラウンド部が介在しており、主回路部と、シグナルグラウンド部と、フレームグラウンド部は、少なくとも１か所で、被接続部とは形状または材質の異なる接続部材からなる接続部を介して、接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
奇数段の第１の回路と、
偶数段の第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、第１乃至第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の回路は、第４乃至第６のトランジスタを有し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記第１の配線には、第１のクロック信号が入力され、
前記第２の配線には、第２のクロック信号が入力され、
前記第３の配線には、第３のクロック信号が入力され、
前記第４の配線には、第４のクロック信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
奇数段の第３の回路を有し、
前記第３の回路は、第７乃至第９のトランジスタを有し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
偶数段の第４の回路を有し、
前記第４の回路は、第１０乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのゲートは、前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲートは、前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。