【手続補正書】
【提出日】平成29年3月31日(2017.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、電荷を蓄積する第１導電型の第１の光電変換部と、
前記半導体基板に形成され、電荷を蓄積する第１導電型の第２の光電変換部と、
前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の間の領域の上に設けられ、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の電気的な導通を制御する電極と、
前記電極の下方であって、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の間に設けられ、前記第１の光電変換部から第２の光電変換部へ連続するように設けられる第１導電型の第１の半導体領域と、
前記電極の下方であって、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の間に設けられ、前記第１の半導体領域とは異なる深さに設けられる第２導電型の第２の半導体領域とを有し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域の境界は、前記半導体基板の表面から、前記第１の光電変換部の不純物濃度が最大となる深さまでの間に位置することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
さらに、前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域の下方であって、前記第１の光電変換部及び第２の光電変換部より深い位置に設けられる第２導電型の混合防止層を有することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の半導体領域は、前記半導体基板の表面側に設けられ、
前記第２の半導体領域は、前記第１の半導体領域の下に設けられることを特徴とする請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２の半導体領域は、前記半導体基板の表面側に設けられ、
前記第１の半導体領域は、前記第２の半導体領域の下に設けられることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項５】
さらに、前記第１の半導体領域の下に設けられる第２導電型の注入層を有することを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部は、第１導電型の領域の上に設けられることを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部は、第２導電型の領域の上に設けられることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項８】
さらに、前記第１の光電変換部の表面に形成され、前記電極の下方には形成されない第２導電型の第１の表面シールド層と、
前記第２の光電変換部の表面に形成され、前記電極の下方には形成されない第２導電型の第２の表面シールド層とを有することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項９】
さらに、前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域の下方であって、前記第１の光電変換部及び第２の光電変換部より深い位置に設けられる第２導電型の混合防止層を有し、
前記第１の半導体領域は、前記半導体基板の表面側に設けられ、
前記第２の半導体領域は、前記第１の半導体領域の下に設けられ、
前記混合防止層は、前記第２の半導体領域の下に設けられ、
前記第２の半導体領域のピーク不純物濃度は、前記第１の表面シールド層のピーク不純物濃度より小さく、前記混合防止層のピーク不純物濃度より大きいことを特徴とする請求項８記載の撮像装置。
【請求項１０】
さらに、電荷を蓄積する第１のフローティングディフュージョン部と、
前記第１の光電変換部の電荷を前記第１のフローティングディフュージョン部に転送するための第１の転送電極とを有し、
前記電極が前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部を電気的に非導通の状態にし、前記第１の転送電極が前記第１の光電変換部の電荷を前記第１のフローティングディフュージョン部に転送し、
その後、前記電極が前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部を電気的に導通の状態にし、前記第１の転送電極が前記第２の光電変換部の電荷を、前記第１の光電変換部を介して前記第１のフローティングディフュージョン部に転送することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
さらに、電荷を蓄積する第１のフローティングディフュージョン部と、
前記第１の光電変換部の電荷を前記第１のフローティングディフュージョン部に転送するための第１の転送電極と、
電荷を蓄積する第２のフローティングディフュージョン部と、
前記第２の光電変換部の電荷を前記第２のフローティングディフュージョン部に転送するための第２の転送電極とを有し、
第１のモードでは、前記電極が前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部を電気的に非導通の状態にし、前記第１の転送電極が前記第１の光電変換部の電荷を前記第１のフローティングディフュージョン部に転送し、前記第２の転送電極が前記第２の光電変換部の電荷を前記第２のフローティングディフュージョン部に転送し、
第２のモードでは、前記電極が前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部を電気的に導通の状態にし、前記第１の転送電極が前記第１の光電変換部の電荷及び前記第２の光電変換部の電荷を前記第１のフローティングディフュージョン部に転送することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
さらに、前記第１の光電変換部を遮光する遮光層と、
電荷を蓄積する第１のフローティングディフュージョン部と、
前記第１の光電変換部の電荷を前記第１のフローティングディフュージョン部に転送するための第１の転送電極とを有し、
前記電極が前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部を電気的に導通の状態にし、前記第２の光電変換部の電荷を前記第１の光電変換部に転送し、
その後、前記電極が前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部を電気的に非導通の状態にし、前記第１の転送電極が前記第１の光電変換部の電荷を前記第１のフローティングディフュージョン部に転送することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
さらに、電荷を蓄積する第１のフローティングディフュージョン部と、
前記第１の光電変換部の電荷を前記第１のフローティングディフュージョン部に転送するための第１の転送電極とを有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記第１のフローティングディフュージョン部は、第１導電型の領域であり、
前記第１の半導体領域のピーク不純物濃度は、前記第１のフローティングディフュージョン部の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項１３記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記第２の光電変換部の不純物濃度は、前記第１の光電変換部の不純物濃度より小さいことを特徴とする請求項１０記載の撮像装置。
【請求項１６】
前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部に光を集光するレンズを有し、
前記第１の光電変換部の電荷に基づく信号及び前記第２の光電変換部の電荷に基づく信号に基づいて焦点検出を行うことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、電荷を蓄積する第１導電型の第１の光電変換部と、前記半導体基板に形成され、電荷を蓄積する第１導電型の第２の光電変換部と、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の間の領域の上に設けられ、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の電気的な導通を制御する電極と、前記電極の下方であって、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の間に設けられ、前記第１の光電変換部から第２の光電変換部へ連続するように設けられる第１導電型の第１の半導体領域と、前記電極の下方であって、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の間に設けられ、前記第１の半導体領域とは異なる深さに設けられる第２導電型の第２の半導体領域とを有し、前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域の境界は、前記半導体基板の表面から、前記第１の光電変換部の不純物濃度が最大となる深さまでの間に位置することを特徴とする。