【手続補正書】
【提出日】平成29年7月20日(2017.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内において基板を載置する第１の電極と、
前記チャンバ内において前記第１の電極と所定のギャップで対向して配置される第２の電極と、
直流電力を供給する直流電源と、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバ内に第１のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給することにより生成されたプラズマによって反応生成物の膜を成膜する工程と、前記チャンバ内に第２のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力と直流電力とを供給することにより、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程と、を行うように制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置。
【請求項２】
チャンバ内において基板を載置する第１の電極と、
前記チャンバ内において前記第１の電極と所定のギャップで対向して配置される第２の電極と、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバ内に第１のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給することにより生成されたプラズマによって反応生成物の膜を成膜する工程と、前記チャンバ内に第２のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給し、前記第２の電極へ供給される高周波電力の周波数よりも低い周波数の高周波電力を前記第１の電極に供給することにより、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程と、を行うように制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記所定のギャップは、８０ｍｍ以上である、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記反応生成物の膜は、シリコン含有膜又はカーボン含有膜である、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第２の電極に前記反応生成物の膜を成膜した後、同一のチャンバ内にてスパッタリングされた反応生成物により前記第１の電極に載置された基板上に膜を成膜する、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第１のガスは、Ｃ４Ｆ８ガス、ＣＨＦ３ガス又はＣＨ２Ｆ２ガスの少なくとも一つを含んだガスであり、前記第２のガスは、アルゴンガス又は水素ガスの少なくとも一つを含んだ不活性ガスである、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
チャンバ内において基板を載置する第１の電極と、前記チャンバ内において前記第１の電極と所定のギャップで対向して配置される第２の電極と、を有するプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
前記第１の電極に前記基板を載置する工程と、
前記チャンバ内に第１のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給し、生成されたプラズマによって前記第２の電極に反応生成物の膜を成膜する工程と、
前記チャンバ内に第２のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力と直流電力とを供給し、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程と、
を含むプラズマ処理方法。
【請求項８】
チャンバ内において基板を載置する第１の電極と、前記チャンバ内において前記第１の電極と所定のギャップで対向して配置される第２の電極と、を有するプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
前記第１の電極に前記基板を載置する工程と、
前記チャンバ内に第１のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給し、生成されたプラズマによって前記第２の電極に反応生成物の膜を成膜する工程と、
前記チャンバ内に第２のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給し、前記第１の電極に前記第２の電極に供給される高周波電力の周波数よりも低い周波数の第２の高周波電力を供給し、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程と、
を含むプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記所定のギャップは、８０ｍｍ以上である、
請求項７又は８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記反応生成物の膜を成膜する工程は、シリコン含有膜又はカーボン含有膜を成膜する、
請求項７〜９のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記反応生成物の膜を成膜する工程は、Ｃ４Ｆ８ガス、ＣＨＦ３ガス、ＣＨ２Ｆ２ガスの少なくとも一つのガスを含んだガスを前記第１のガスとして供給し、前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程は、アルゴンガス、水素ガスの少なくとも一つのガスを含んだ不活性ガスを前記第２のガスとして供給する、
請求項７〜１０のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記反応生成物の膜を成膜する工程の後に、前記スパッタリングする工程が実行される、
請求項７〜１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１３】
前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程にて前記第１の電極に載置された基板上に膜を成膜した後に、前記基板をエッチングする工程を含む、
請求項７〜１２のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、チャンバ内において基板を載置する第１の電極と、前記チャンバ内において前記第１の電極と所定のギャップで対向して配置される第２の電極と、直流電力を供給する直流電源と、前記チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に第１のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給することにより生成されたプラズマによって反応生成物の膜を成膜する工程と、前記チャンバ内に第２のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力と直流電力とを供給することにより、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程と、を行うように制御する制御部と、を有するプラズマ処理装置が提供される。
また、一の態様によれば、チャンバ内において基板を載置する第１の電極と、前記チャンバ内において前記第１の電極と所定のギャップで対向して配置される第２の電極と、前記チャンバ内にガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に第１のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給することにより生成されたプラズマによって反応生成物の膜を成膜する工程と、前記チャンバ内に第２のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給し、前記第２の電極へ供給される高周波電力の周波数よりも低い周波数の高周波電力を前記第１の電極に供給することにより、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程と、を行うように制御する制御部と、を有するプラズマ処理装置が提供される。
また、一の態様によれば、チャンバ内において基板を載置する第１の電極と、前記チャンバ内において前記第１の電極と所定のギャップで対向して配置される第２の電極と、を有するプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、前記第１の電極に前記基板を載置する工程と、前記チャンバ内に第１のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給し、生成されたプラズマによって前記第２の電極に反応生成物の膜を成膜する工程と、前記チャンバ内に第２のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力と直流電力とを供給し、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程と、を含むプラズマ処理方法が提供される。
また、一の態様によれば、チャンバ内において基板を載置する第１の電極と、前記チャンバ内において前記第１の電極と所定のギャップで対向して配置される第２の電極と、を有するプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、前記第１の電極に前記基板を載置する工程と、前記チャンバ内に第１のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給し、生成されたプラズマによって前記第２の電極に反応生成物の膜を成膜する工程と、前記チャンバ内に第２のガスを供給し、前記第２の電極に高周波電力を供給し、前記第１の電極に前記第２の電極に供給される高周波電力の周波数よりも低い周波数の第２の高周波電力を供給し、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程と、を含むプラズマ処理方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
このように、本実施形態では、ターゲット材となる反応生成物の膜を上部電極１５に成膜後、その膜をスパッタリングすることでウェハＷ側に拡散した分子等によりウェハＷ上に均一な薄膜を成膜する。これに対して、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)によりウェハＷ上に直接、所望の膜を成膜することも考えられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、本発明にかかるプラズマ処理装置により処理される基板は、ウェハに限られず、例えば、フラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display)用の大型基板、ＥＬ素子又は太陽電池用の基板であってもよい。また、本願に開示された実施形態に関し、さらに下記の形態を含んでよい。
［付記１］
基板を載置する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される第２の電極と、を所定のギャップで対向して配置したプラズマ処理装置であって、
前記第２の電極に第１の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、
前記第２の電極に直流電力を供給する直流電源と、
チャンバ内にガスを供給するガス供給源と、を有し、
前記第２の電極は、第１のガスと前記第１の高周波電力とを供給することにより、生成されたプラズマによって成膜される反応生成物の膜を有し、
前記第２の電極は、第２のガスと前記第１の高周波電力と前記直流電力とを供給することにより、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングするターゲットとなる、
プラズマ処理装置。
［付記２］
前記第１の電極に前記第１の高周波電力よりも低い周波数の第２の高周波電力を供給する第２の高周波電源を有し、
前記反応生成物の膜をスパッタリングする際、前記第２の高周波電力を供給する、
付記１に記載のプラズマ処理装置。
［付記３］
前記所定のギャップは、８０ｍｍ以上である、
付記１又は２に記載のプラズマ処理装置。
［付記４］
前記反応生成物の膜は、カーボン（Ｃ）とフッ素（Ｆ）とを含む、
付記１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
［付記５］
前記プラズマ処理装置は、前記チャンバ内にて前記第２の電極に前記反応生成物の膜を成膜した後、同一のチャンバ内にて前記スパッタリングされた反応生成物により前記第１の電極に載置された基板上に膜を成膜する、
付記１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
［付記６］
基板を載置する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される第２の電極と、を所定のギャップで対向して配置したプラズマ処理装置であって、
前記第２の電極に第１の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、
前記第１の電極に前記第１の高周波電力よりも低い周波数の第２の高周波電力を供給する第２の高周波電源と、
チャンバ内にガスを供給するガス供給源と、を有し、
前記第２の電極は、第１のガスと前記第１の高周波電力とを供給することにより、生成されたプラズマによって成膜される反応生成物の膜を有し、
前記第１の電極に前記第２の高周波電力を供給し、
前記第２の電極は、第２のガスと前記第１の高周波電力と前記第２の高周波電力とを供給することにより、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングするターゲットとなる、
プラズマ処理装置。
［付記７］
基板を載置する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される第２の電極と、を所定のギャップで対向して配置したプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を実行するプラズマ処理方法であって、
チャンバ内に第１のガスを供給し、前記第２の電極に第１の高周波電力を供給し、生成されたプラズマによって反応生成物の膜を成膜する工程と、
前記チャンバ内に第２のガスを供給し、前記第２の電極に前記第１の高周波電力と直流電力とを供給し、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程と、
を含むプラズマ処理方法。
［付記８］
基板を載置する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される第２の電極と、を所定のギャップで対向して配置したプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を実行するプラズマ処理方法であって、
チャンバ内に第１のガスを供給し、前記第２の電極に第１の高周波電力を供給し、生成されたプラズマによって反応生成物の膜を成膜する工程と、
前記チャンバ内に第２のガスを供給し、前記第２の電極に第１の高周波電力を供給し、前記第１の電極に第２の高周波電力を供給し、生成されたプラズマによって前記反応生成物の膜をスパッタリングする工程と、
を含むプラズマ処理方法。