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【手続補正書】
【提出日】平成29年2月17日(2017.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
用紙を搬送する用紙搬送手段と、該用紙搬送手段により搬送された用紙の端部を把持して移動する用紙把持手段と、複数枚の用紙を重ねて積載可能な積載トレイとを備え、該積載トレイ上で該用紙が該用紙把持手段から解放されることで該積載トレイに該用紙を積載する用紙処理装置において、
上記積載トレイの所定の位置に、該用紙の端部が移動してきたことを検知する用紙検知手段を備え、該用紙検知手段により上記用紙把持手段に把持された該用紙の端部が移動してきたことを検知した際、該用紙把持手段を停止させ、該用紙把持手段による該用紙の把持を解除するよう制御する制御手段を設けたことを特徴とする用紙処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の用紙処理装置において、上記積載トレイに、上記用紙把持手段による用紙の移動方向先端部が突き当たる突き当て部材を設けたことを特徴とする用紙処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の用紙処理装置において、上記積載トレイ上の用紙を押さえる用紙押さえ手段を備え、上記制御手段は上記用紙検知手段により上記用紙把持手段により把持された該用紙の端部が移動してきたことを検知した際、該用紙把持手段を停止させ、該用紙押さえ手段により該用紙を押さえた後に、該用紙把持手段による該用紙の把持を解除することを特徴とする用紙処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の用紙処理装置において、上記用紙押さえ手段は可撓性回転部材であることを特徴とする用紙処理装置。
【請求項５】
用紙を搬送する用紙搬送手段と、該用紙搬送手段により搬送された用紙の端部を把持して移動する用紙把持手段と、複数枚の用紙を重ねて積載可能な積載トレイとを備え、該積載トレイ上で該用紙が該用紙把持手段から解放されることで該積載トレイに該用紙を積載する用紙処理装置において、
上記積載トレイの所定の位置に備えられ、該用紙の端部が移動してきたことを検知する用紙検知手段と、
該用紙検知手段により該用紙の端部が移動してきたことを検知した際、該用紙把持手段が該用紙の把持を解除するよう制御する制御手段と、
上記積載トレイに備えられ、上記用紙把持手段による用紙の移動方向先端部が突き当たる突き当て部材と、
上記突き当て部材に向かって用紙を移動させる用紙移動手段とを設け、
上記制御手段は上記用紙検知手段により上記用紙把持手段により把持された該用紙の端部が移動してきたことを検知した際、該用紙把持手段を移動させたまま該用紙把持手段による該用紙の把持を解除し、該用紙把持手段から解放された用紙を該用紙移動手段により該突き当て部材に向かって移動させることを特徴とする用紙処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の用紙処理装置において、上記用紙移動手段は可撓性回転部材であることを特徴とする用紙処理装置。
【請求項７】
請求項５に記載の用紙処理装置において、上記用紙移動手段は上記突き当て部材に突き当たる用紙の端部と反対側の端部を押す用紙押し手段であることを特徴とする用紙処理装置。
【請求項８】
用紙を搬送する用紙搬送手段と、該用紙搬送手段により搬送された用紙の端部を把持して移動する用紙把持手段と、複数枚の用紙を重ねて積載可能な積載トレイとを備え、該積載トレイ上で該用紙が該用紙把持手段から解放されることで該積載トレイに該用紙を積載する用紙処理装置において、
上記積載トレイの所定の位置に備え、該用紙の端部が移動してきたことを検知する用紙検知手段と、
該用紙検知手段により該用紙の端部が移動してきたことを検知した際、該用紙把持手段が該用紙の把持を解除するよう制御する制御手段と、
上記積載トレイ上に搬送されてくる用紙を押さえる用紙押さえ手段とを設け、
該用紙押さえ手段は、上下に昇降可能な押さえコロを有し、上記用紙把持手段により把持された状態の該用紙に該押さえコロを下降させて押圧することを特徴とする用紙処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の用紙処理装置において、上記積載トレイに、上記用紙把持手段による用紙の移動方向先端部が突き当たる突き当て部材を設けたことを特徴とする用紙処理装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の用紙処理装置において、上記押さえコロを、搬送されてくる用紙の搬送方向とは逆方向に回転させた状態で、上記用紙把持手段により把持された状態の該用紙に該押さえコロを下降させることを特徴とする用紙処理装置。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一に記載の用紙処理装置において、上記用紙把持手段による用紙の把持の解除前、または把持を解除すると共に、上記押さえコロを上昇させ、該用紙から離間させることを特徴とする用紙処理装置。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一に記載の用紙処理装置において、上記押さえコロを下降させる位置が、上記積載トレイ上に積載される用紙の先端側の位置であることを特徴とする用紙処理装置。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれか一に記載の用紙処理装置において、上記押さえコロは、上記積載トレイ上に搬送されてくる用紙の搬送方向に移動可能であり、該用紙の用紙サイズ情報に基づいて該押さえコロを移動させ、上記用紙把持手段により把持された状態の該用紙に該押さえコロを下降させることを特徴とする用紙処理装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一に記載の用紙処理装置において、上記積載トレイは複数枚の用紙を一時的に積載する一時積載トレイであり、該積載した複数枚の用紙に綴じ処理をおこなう綴じ手段と、該綴じ手段により綴じ処理を行った用紙束を排出する排出手段とを備えたステープルトレイであることを特徴とする用紙処理装置。
【請求項１５】
用紙上に画像を形成する画像形成部と、該画像形成部において画像が形成された用紙に対して処理を行う用紙処理部とを備えた画像形成装置において、
上記用紙処理部として請求項１乃至１４のいずれか一に記載の用紙処理装置を採用することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、用紙を搬送する用紙搬送手段と、該用紙搬送手段により搬送された用紙の端部を把持して移動する用紙把持手段と、複数枚の用紙を重ねて積載可能な積載トレイとを備え、該積載トレイ上で該用紙が該用紙把持手段から解放されることで該積載トレイに該用紙を積載する用紙処理装置において、
上記積載トレイの所定の位置に、該用紙の端部が移動してきたことを検知する用紙検知手段を備え、該用紙検知手段により上記用紙把持手段に把持された該用紙の端部が移動してきたことを検知した際、該用紙把持手段を停止させ、該用紙把持手段による該用紙の把持を解除するよう制御する制御手段を設けたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月2日(2017.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
黒鉛または膨張黒鉛からなる原料黒鉛を用意する工程と、アルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩のうちの少なくとも一方を電解質とする電解液に、原料黒鉛を浸漬し、該原料黒鉛を作用極とし、対照極との間に５〜５００ｍＡの範囲内の直流電圧を印加し、電気化学処理を行い、グラフェン間の隙間が拡げられた二次黒鉛を得る工程とを備える、二次黒鉛の製造方法。
【請求項２】
前記アルカリ金属塩が、塩化ナトリウム、塩化カリウム、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群から選択された少なくとも１種である、請求項１に記載の二次黒鉛の製造方法。
【請求項３】
前記アルカリ土類金属塩が、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、塩化カルシウム及び塩化マグネシウムからなる群から選択された少なくとも１種である、請求項１又は２に記載の二次黒鉛の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の二次黒鉛の製造方法で得られた二次黒鉛のグラフェン間の隙間を剥離する剥離処理を行い、薄片化黒鉛を得る、薄片化黒鉛の製造方法。
【請求項５】
前記剥離処理が、超音波処理又は湿潤粉砕によって行われる、請求項４に記載の薄片化黒鉛の製造方法。
【請求項６】
最大距離を隔てて対向している両端間の最短距離をＡとし、該両端間の道のりをＢとしたとき、Ａ／Ｂで表される屈曲度が０．５以上である、薄片化黒鉛。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月28日(2017.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機上補助動力ユニット（ＡＰＵ）の起動機の性能を検出する方法であって、
起動機システムによって前記ＡＰＵを回転させるステップと、
ある期間中の複数の時点のＡＰＵ関連メッセージを獲得するステップと、
前記メッセージに基づいて前記ＡＰＵの起動機の、起動時間（ＳＴＡ）を含む運行パラメータを獲得するステップと、
前記期間中の前記ＳＴＡの平均値ＡＶＧ及び偏差指数δを計算するステップと、
前記偏差指数δに基づいて前記ＡＰＵの起動機の性能が、安定期、衰退期、又は故障期にあることを確定するステップであって、
前記偏差指数δが衰退閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの起動機の性能が安定期にあることを確定するステップと、
前記偏差指数δが前記衰退閾値より大きく且つ故障閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの起動機の性能が衰退期にあることを確定するステップと、
前記偏差指数δが前記故障閾値より大きいことに応えて、前記ＡＰＵの起動機の性能が故障期にあることを確定するステップと、を含む確定するステップと、
前記ＡＰＵの起動機が安定期にある時に前記偏差指数δを確定するステップと、を含み、
前記衰退閾値は、安定した前記偏差指数δの約１．５〜２．０倍であり、故障閾値は、安定した前記偏差指数δの約２〜３倍である、方法。
【請求項２】
前記期間は約２〜３日である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記期間中に約５〜１０のＡＰＵ関連メッセージを獲得する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
直後のＡＰＵ関連メッセージについてＳＴＡを確定するステップと、
次の前記ＳＴＡがＡＶＧ＋ｎδより大きいことに応えて、次のＡＰＵ関連メッセージに基づいて得られるＳＴＡ＋１がＡＶＧ＋ｎδより大きいかどうかを確定するステップと、
ＡＰＵ関連メッセージに基づいて得られる前記ＳＴＡが継続的にＡＶＧ＋ｎδより大きい回数が、予め設定された警報の回数Ｚを超えることに応えて、警報を送出するステップと、をさらに含み、
ｎは２〜５の値であり、Ｚは３〜５の値である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＡＰＵ関連メッセージに基づいて得られる前記ＳＴＡがＡＶＧ＋ｎδより小さいことに応えて、前記ＳＴＡの平均値ＡＶＧ及び偏差指数δを再計算する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ＡＰＵ関連メッセージに基づいて得られる継続的にＡＶＧ＋ｎδより大きいＳＴＡが、予め設定された警報の回数Ｚを超えることに応えて、前記ＳＴＡの平均値ＡＶＧ及び偏差指数δを再計算する、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
ｎは２又は３であり、Ｚは３である、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記偏差指数δは標準偏差である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ＡＰＵの燃油ユニットが正常に作動していることを確定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＡＰＵの他のパラメータが正常のままであることを確定するステップをさらに含み、前記他のパラメータは、ＡＰＵ排気温度ＥＧＴ、引起圧力ＰＴ、吸気口インペラ角度ＩＧＶ及びＡＰＵのタービン効率ＮＰＡを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
機上補助動力ユニット（ＡＰＵ）の起動機の性能検出装置であって、
処理機、及び、以下のユニットを実行することを前記処理機に命令するためのコンピュータ読み取り可能なコードを記憶するメモリと、
起動機システムによって前記ＡＰＵを回転させるように構成された回転ユニットと、
既定の期間中のＡＰＵ関連メッセージを獲得するように構成されたメッセージ獲得ユニットと、
前記ＡＰＵ関連メッセージに基づいて前記ＡＰＵの起動機の運行パラメータを解析するように構成されたメッセージ解析ユニットであって、前記運行パラメータは、前記既定の期間中の起動時間（ＳＴＡ）を含む、メッセージ解析ユニットと、
前記既定の期間中の前記ＳＴＡに基づいて前記ＡＰＵの起動機の性能が、安定期、衰退期、深刻衰退期又は故障期にあることを、
前記既定の期間中の前記ＳＴＡの偏差指数δが衰退閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの起動機の性能が安定期にあることを確定するステップと、
前記既定の期間中の前記ＳＴＡの偏差指数δが前記衰退閾値より大きく且つ故障閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの起動機の性能が衰退期にあることを確定するステップと、
前記既定の期間中の前記ＳＴＡの偏差指数δが前記故障閾値より大きいことに応えて、前記ＡＰＵの起動機の性能が故障期にあることを確定するステップと、によって確定するように構成された性能検出ユニットと、を含み、
前記性能検出ユニットは、前記ＡＰＵの起動機が安定期にある時に前記偏差指数δを確定するように構成され、
前記衰退閾値は、安定した前記偏差指数δの約１．５〜２．０倍であり、前記故障閾値は、安定した前記偏差指数δの約２〜３倍である、性能検出装置。
【請求項１２】
機上補助動力ユニット（ＡＰＵ）の起動機の性能検出装置であって、
処理機と、
処理機に接続されて、コンピュータ読み取り可能なコードを記憶するメモリと、を含み、
前記コンピュータ読み取り可能なコードは前記処理機で処理されて、
起動機システムによって前記ＡＰＵを回転させるステップと、
既定の期間中のＡＰＵ関連メッセージを獲得するステップと、
前記メッセージに基づいて、前記ＡＰＵの起動時間（ＳＴＡ）を含む前記ＡＰＵの起動機の運行パラメータを解析するステップと、
前記ＡＰＵの起動機の性能が、安定期、衰退期、深刻衰退期又は故障期にあることを確定するステップと、を実行し、前記確定するステップは、
前記既定の期間中の前記ＳＴＡの偏差指数δが衰退閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの起動機の性能が安定期にあることを確定するステップと、
前記既定の期間中の前記ＳＴＡの偏差指数δが前記衰退閾値より大きく且つ故障閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの起動機の性能が衰退期にあることを確定するステップと、
前記既定の期間中の前記ＳＴＡの偏差指数δが前記故障閾値より大きいことに応えて、前記ＡＰＵの起動機の性能が故障期にあることを確定するステップと、を含み、
前記ＡＰＵの起動機が安定期にある時に前記偏差指数δが確定され、
前記衰退閾値は、安定した前記偏差指数δの約１．５〜２．０倍であり、前記故障閾値は、安定した前記偏差指数δの約２〜３倍である、性能検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月4日(2017.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
飛行機の機上補助動力ユニット（ＡＰＵ）の燃油アセンブリの性能検出方法であって、
ある期間の複数の時点のＡＰＵメッセージを取得するステップと、
前記ＡＰＵメッセージに基づいて前記ＡＰＵの燃油アセンブリの、前記期間中の起動時間ＳＴＡを少なくとも含む運行パラメータを獲得するステップと、
前記期間中の前記起動時間ＳＴＡの平均値ＡＶＧ及び偏差指数δを計算するステップと、
前記偏差指数δに基づいて前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が、安定期、衰退期、又は故障期にあるかを確定するステップであって、
前記偏差指数δが衰退閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が安定期にあることを確定するステップと、
前記偏差指数δが前記衰退閾値より大きく且つ故障閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が衰退期にあることを確定するステップと、
前記偏差指数δが前記故障閾値より大きいことに応えて、前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が故障期にあることを確定するステップと、を含む、確定するステップと、
前記ＡＰＵの燃油アセンブリが安定期にある時に、安定した前記偏差指数δを確定するステップと、を含み、
前記衰退閾値は前記安定期の安定した前記偏差指数の約２倍であり、前記故障閾値は、安定した前記偏差指数の約３〜４倍である、方法。
【請求項２】
前記期間は２〜４日間である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記期間中に約５〜１０のＡＰＵメッセージが取得される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
次のＡＰＵメッセージに基づいて得られた起動時間ＳＴＡｎｅｘｔを確定するステップと、
前記起動時間ＳＴＡｎｅｘｔが、ＡＶＧ＋ｎδより大きいこと又はＡＶＧ−ｎδより小さいことに応えて、その後に続く次のＡＰＵメッセージに基づいて得られたその後の起動時間ＳＴＡｎｅｘｔ＋１がＡＶＧ＋ｎδより大きい又はＡＶＧ−ｎδより小さいかどうかを確定するステップと、
連続的なＡＰＵメッセージに基づいて得られた連続的な起動時間が継続的にＡＶＧ＋ｎδより大きい又は継続的にＡＶＧ−ｎδより小さい回数が、予め設定された警報回数Ｚを超えることに応えて、警報を出力するステップと、をさらに含み、
ｎは２〜５の値であり、Ｚは３〜５の値である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
次のＡＰＵメッセージに基づいて得られた前記起動時間ＳＴＡｎｅｘｔがＡＶＧ＋ｎδより小さく且つＡＶＧ−ｎδより大きいことに応えて、前記起動時間の平均値ＡＶＧ及び偏差指数δを再計算する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
連続的なＡＰＵメッセージに基づいて得られた連続的な起動時間ＳＴＡが継続的にＡＶＧ＋ｎδより大きい又はＡＶＧ−ｎδより小さい回数が、予め設定された警報回数Ｚを超えることに応えて、前記起動時間の平均値ＡＶＧ及び偏差指数δを再計算する、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ｎは２又は３であり、Ｚは３である、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記偏差指数δは標準偏差である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ＡＰＵの起動機は正常状態で作動する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＡＰＵの他のパラメータが正常に保持され、前記他のパラメータは、ＡＰＵの排気温度ＥＧＴ、引き起し圧力ＰＴ、吸気口インペラ角度ＩＧＶ及びＡＰＵのタービン効率ＮＰＡの１以上を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
飛行機の機上補助動力ユニット（ＡＰＵ）の燃油アセンブリの性能検出装置であって、
処理機、及び、以下のユニットを実行することを前記処理機に命令するためのコンピュータ読み取り可能なコードを記憶するメモリと、
ある期間の複数の時点のＡＰＵメッセージを取得するように構成されたメッセージ取得ユニットと、
前記ＡＰＵの燃油アセンブリの、前記期間中の起動時間を少なくとも含む運行パラメータを解析するように構成されたメッセージ解析ユニットと、
前記期間中の前記ＡＰＵの前記起動時間の算出された平均値及び算出された偏差指数δに基づいて前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が、安定期、衰退期、又は故障期にあることを、
前記偏差指数δが衰退閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が安定期にあることを確定するステップと、
前記偏差指数δが前記衰退閾値より大きく且つ故障閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が衰退期にあることを確定するステップと、
前記偏差指数δが前記故障閾値より大きいことに応えて、前記ＡＰＵの燃油ユニットの性能が故障期にあることを確定するステップと、を含む、確定するステップと、
前記ＡＰＵの燃油アセンブリが安定期にある時に、安定した偏差指数を確定するステップと、によって確定するように構成された性能検出ユニットと、を含み、
前記衰退閾値は前記安定期の安定した偏差指数の約２倍であり、前記故障閾値は、安定した前記偏差指数の約３〜４倍である、性能検出装置。
【請求項１２】
飛行機の機上補助動力ユニット（ＡＰＵ）の燃油アセンブリの性能検出装置であって、
処理機と、
前記処理機に接続されて、コンピュータ読み取り可能なコードを記憶するメモリと、を含み、
前記コンピュータ読み取り可能なコードは前記処理機で処理されて、
ある期間の複数の時点のＡＰＵメッセージを取得するステップと、
前記メッセージに基づいて、前記ＡＰＵの燃油アセンブリの、前記期間中の前記ＡＰＵの起動時間を含む運行パラメータを解析するステップと、
前記期間中の前記起動時間の算出された平均値及び算出された偏差指数δに基づいて前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が、安定期、衰退期、又は故障期にあることを確定するステップであって、
算出された前記偏差指数δが衰退閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が安定期にあることを確定するステップと、
算出された前記偏差指数δが前記衰退閾値より大きく且つ故障閾値より小さいことに応えて、前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が衰退期にあることを確定するステップと、
算出された前記偏差指数δが前記故障閾値より大きいことに応えて、前記ＡＰＵの燃油アセンブリの性能が故障期にあることを確定するステップと、を含む、確定するステップと、
前記ＡＰＵの燃油アセンブリが安定期にある時に、安定した前記偏差指数を確定するステップと、によって確定するステップを含む、確定するステップと、
前記ＡＰＵの燃油アセンブリが安定期にある時に前記偏差指数を確定するステップと、を実行し、
前記衰退閾値は前記安定期の安定した偏差指数の約２倍であり、前記故障閾値は、安定した前記偏差指数の約３〜４倍である、性能検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月14日(2017.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面が湾曲した、構造体と、
前記構造体の中心部分と重なるように配置され、外装体としてフィルムを有する二次電池と、
前記二次電池と重なるように配置された、表示部と、を有し、
前記表示部は、ＥＬ素子を有し、
前記表示部の断面は、湾曲していることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
断面が湾曲した、構造体と、
前記構造体の中心部分と重なるように配置され、外装体としてフィルムを有する二次電池と、
前記二次電池と重なるように配置された、表示部と、を有し、
前記表示部は、ＥＬ素子を有し、
前記表示部の断面は、湾曲しており、
前記表示部は、前記二次電池と電気的に接続されることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
断面が湾曲した、構造体と、
前記構造体の中心部分と重なるように配置され、外装体としてフィルムを有する二次電池と、
前記二次電池と重なるように配置された、表示部と、を有し、
前記表示部は、ＥＬ素子を有し、
前記構造体の曲率半径の大きい領域に配置された前記二次電池の断面は、湾曲しており、
前記表示部の断面は、湾曲していることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
断面が湾曲した、構造体と、
前記構造体の中心部分と重なるように配置され、外装体としてフィルムを有する二次電池と、
前記二次電池と重なるように配置された、表示部と、を有し、
前記表示部は、ＥＬ素子を有し、
前記構造体の曲率半径の大きい領域に配置された前記二次電池の断面は、湾曲しており、
前記表示部の断面は、湾曲しており、
前記表示部は、前記二次電池と電気的に接続されることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
断面が湾曲した、構造体と、
前記構造体の中心部分と重なるように配置され、外装体としてフィルムを有する二次電池と、
前記二次電池と重なるように配置された、表示部と、を有する、重さが５０ｇ以下の電子機器であって、
前記表示部は、ＥＬ素子を有し、
前記表示部の断面は、湾曲していることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
断面が湾曲した、構造体と、
前記構造体の中心部分と重なるように配置され、外装体としてフィルムを有する二次電池と、
前記二次電池と重なるように配置された、表示部と、を有する、重さが５０ｇ以下の電子機器であって、
前記表示部は、ＥＬ素子を有し、
前記表示部の断面は、湾曲しており、
前記表示部は、前記二次電池と電気的に接続されることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
断面が湾曲した、構造体と、
前記構造体の中心部分と重なるように配置され、外装体としてフィルムを有する二次電池と、
前記二次電池と重なるように配置された、表示部と、を有する、重さが５０ｇ以下の電子機器であって、
前記表示部は、ＥＬ素子を有し、
前記構造体の曲率半径の大きい領域に配置された前記二次電池の断面は、湾曲しており、
前記表示部の断面は、湾曲していることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
断面が湾曲した、構造体と、
前記構造体の中心部分と重なるように配置され、外装体としてフィルムを有する二次電池と、
前記二次電池と重なるように配置された、表示部と、を有する、重さが５０ｇ以下の電子機器であって、
前記表示部は、ＥＬ素子を有し、
前記構造体の曲率半径の大きい領域に配置された前記二次電池の断面は、湾曲しており、
前記表示部の断面は、湾曲しており、
前記表示部は、前記二次電池と電気的に接続されることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記構造体の断面形状は、円弧状であることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記構造体は、樹脂を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記構造体は、金属を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月17日(2017.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、投影画像を生成する技術に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明の画像処理装置は、投影手段による画像の投影面の形状に応じた情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された情報を用いて、入力画像から投影画像を生成する生成手段と
を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影手段による画像の投影面の形状に応じた情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された情報を用いて、入力画像から投影画像を生成する生成手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記入力画像のうち、前記投影手段による投影方向と前記投影面との角度が所定値以上となる領域に対応する画像データを変更することで投影画像を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記取得手段は、前記投影手段による投影光量に対する前記投影面からの反射光量の割合である反射率を前記投影面の形状に応じた情報として取得し、
前記入力画像のうち、前記反射率が閾値未満となる領域と、前記反射率が前記閾値以上となる領域と、が存在する場合、前記生成手段は、前記入力画像のうち前記反射率が前記閾値以上の領域に対応する画像データの輝度を下げて投影画像を生成することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記取得手段は、前記投影面の形状に応じた情報として、前記投影面の曲り度合いに関する情報を取得し、
前記生成手段は、第１の曲がり度合いを示す第１情報を取得した場合よりも、前記第１の曲がり度合いより大きい第２の曲がり度合いを示す第２情報を取得した場合のほうが、前記入力画像との差分が大きい投影画像を生成することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記投影手段による投影領域と第２投影手段による第２投影領域との重複領域を特定する特定手段を有し、
前記生成手段は、前記入力画像のうち、前記特定手段により特定された前記重複領域の輝度を上げて前記投影画像を生成することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記取得手段は、ユーザインタフェースを介した入力に基づいて、前記投影面の形状に応じた情報を取得することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記取得手段は、前記投影手段と前記投影面との距離を計測するセンサから前記投影面の形状に応じた情報として距離データを取得することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記取得手段は、前記投影面の座標と、前記投影手段の投影方向に対して垂直な平面の座標と、の対応関係を示す対応関係情報を、前記投影面の形状に応じた情報として取得することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記取得手段は、前記投影手段により円柱状の投影面に画像が投影される場合、前記投影手段から前記投影面までの距離に関する情報と、前記円柱の半径を示す情報と、を前記投影面の形状に応じた情報として取得することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
投影手段による画像の投影面の形状に応じた情報を取得し、
前記取得された情報を用いて、入力画像から投影画像を生成し、
前記生成された投影画像を前記投影手段に投影させることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
前記投影画像は、前記入力画像のうち、前記投影手段による投影方向と前記投影面との角度が所定値以上となる領域に対応する画像データを変更することで生成されることを特徴とする請求項１０に記載の画像処理方法。
【請求項１２】
前記投影手段による投影光量に対する前記投影面からの反射光量の割合が閾値未満となる領域と、前記割合が前記閾値以上となる領域と、が存在する場合、前記入力画像のうち前記割合が前記閾値以上の領域に対応する画像データの輝度が下げられることで投影画像が生成されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の画像処理方法。
【請求項１３】
コンピュータを請求項１乃至９の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として動作させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月5日(2017.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記第１球体保持部は前記第１球体保持穴を備え、
前記ベース板と前記第１ステージ板の間に位置し、前記ベース板の板面および前記第１ステージ板の板面のうちの一方の板面である取付け側板面に取り付けた第１球体保持板を有し、
前記第１球体保持板は、前記取付け側板面に固定した一対の脚板部分と、これらの脚板部分から前記取付け側板面から離れる方向に折れ曲がって延びる一対の起立板部分と、これらの起立板部分の先端から前記取付け側板面に平行な方向に折れ曲がって延び、前記先端の間に架け渡されている球体保持板部分とを備え、
前記第１球体保持穴は、前記球体保持板部分を貫通する状態に形成した円形穴であり、
前記第１球体の一部は、前記第１球体保持穴から前記取付け側板面とは反対側に突出しており、
前記第１球体保持穴の穴内周面の内径は、前記第１球体の直径よりも小さく、
前記穴内周面と前記第１球体の外周面との間には、前記第１方向および当該第１方向に直交する方向に所定の隙間が形成されている請求項１に記載のステージ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記第２球体保持部は前記第２球体保持穴を備え、
前記第１ステージ板と前記第２ステージ板の間に位置し、前記第１ステージ板の板面および前記第２ステージ板の板面のうちの一方の第２取付け側板面に取り付けた第２球体保持板を有し、
前記第２球体保持板は、前記第２取付け側板面に固定した一対の第２脚板部分と、これらの第２脚板部分から前記第２取付け側板面から離れる方向に折れ曲がって延びる一対の第２起立板部分と、これらの第２起立板部分の先端から前記第２取付け側板面に平行な方向に折れ曲がって延び、前記第２起立板部分の先端の間に架け渡されている第２球体保持板部分とを備え、
前記第２球体保持穴は、前記第２球体保持板部分を貫通する状態に形成した円形穴であり、
前記第２球体の一部は、前記第２球体保持穴から前記第２取付け側板面とは反対側に突出しており、
前記第２球体保持穴の穴内周面の内径は、前記第２球体の直径よりも小さく、
前記第２球体保持穴の穴内周面と前記第２球体の外周面との間には、前記第２方向および当該第２方向に直交する方向に所定の隙間が形成されている請求項１０に記載のステージ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
複数個の前記第２球体と、１枚あるいは複数枚の前記第２球体保持板とを備え、
前記第２球体保持板の前記第２球体保持板部分には、１個あるいは複数個の前記第２球体保持穴が形成され、
前記第２球体保持穴のそれぞれに、１個ずつ前記第２球体が保持されている、
請求項１４に記載のステージ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月15日(2017.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予めテンションが印加される、調節可能な弾性部材（１４）と； 
枢動可能に取り付けられ、前記弾性部材（１４）との組み合わせによって、大きさが異なる複数の慣性力を補償するレバー（１６；３１）と；
移動体（１１）を前記レバー（１６）に接続する第１引張部材（２４）と；
前記弾性部材（１４）を前記レバー（１６）に接続する第２引張部材（１７）と；
第１引張部材（２４）の向きを変える第１ローラ（１５）と；
を備え、
前記レバー（１６；３１）は、上部レバーアーム（１９；３２）および下部レバーアーム（２０；３３）を有し、前記上部レバーアーム（３２）がカム状にかつ前記下部レバーアーム（３３）が扇形に構成されているか又は前記上部レバーアーム（１９）が扇形にかつ前記下部レバーアーム（２０）がカム状に構成されており、前記上部レバーアーム（１９；３２）は、前記移動体（１１）に、前記第１引張部材（２４）を通じて接続され、前記下部レバーアーム（２０；３３）は、前記弾性部材（１４）に、前記第２引張部材（１７）を通じて接続され、
前記弾性部材（１４）は、その第１端部が調節可能に固定され、その第２端部が前記下部レバーアーム（２０；３３）に前記第２引張部材（１７）を通じて接続され、
かくして、前記レバー（１６；３１）の両端に印加される二つのトルクは、互いに釣り合った状態を維持されている、
ことを特徴とする質量バランス構造。
【請求項２】
さらに、第２引張部材（１７）の方向を変える第２ローラ（１８）を備えることを特徴とする請求項１記載の質量バランス構造。
【請求項３】
前記上部レバーアーム（１９）は、扇形であり、円弧状の第１外周端面を有し、
前記下部レバーアーム（２０）は、カム状であり、カム面状の第２外周端面を有する、
ことを特徴とする請求項１記載の質量バランス構造。
【請求項４】
前記第１引張部材（２４）は、前記上部レバーアーム（１９）の前記第１外周端面の遠方端部（２２）に固定されて結合され、
前記第２引張部材（１７）は、前記下部レバーアーム（２０）の前記第２外周端面の遠方端部（２３）に固定されて結合される、
ことを特徴とする請求項３記載の質量バランス構造。
【請求項５】
前記上部レバーアーム（３２）は、カム状であり、カム面状の第１外周端面を有し、
前記下部レバーアーム（３３）は、扇形であり、円弧状の第２外周端面を有する、
ことを特徴とする請求項１記載の質量バランス構造。
【請求項６】
前記第１引張部材（２４）は、前記上部レバーアーム（３２）の前記第１外周端面の遠方端部（２２）に固定されて結合され、
前記第２引張部材（１７）は、前記下部レバーアーム（３３）の前記第２外周端面の遠方端部（２３）に固定されて結合される、
ことを特徴とする請求項５記載の質量バランス構造。
【請求項７】
前記移動体は、ミクロトームの対象キャリッジ（１１）である請求項１記載の質量バランス構造。
【請求項８】
前記弾性部材（１４）は、その第１端部が、荷重調節ねじを介してベースフレーム（１２）に接続される、ことを特徴とする請求項１記載の質量バランス構造。
【請求項９】
前記下部レバーアーム（２０）又は前記上部レバーアーム（３２）の前記カムの輪郭は、いずれかの前記レバーアームのトルクのモーメントアームが前記弾性部材（１４）の弾性力に対してリニアに変位できるよう、構成される、ことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一記載の質量バランス構造。
【請求項１０】
試料ホルダが取り付けられる対象キャリッジ（１１）と、
前記対象キャリッジを垂直方向に昇降させる駆動手段と、
ミクロトームの移動体をバランスさせる請求項１〜９のいずれか一記載の質量バランス構造と、
を備える、ことを特徴とするミクロトーム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月18日(2017.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＥＭ分析用の試料を調製する方法であって、
イオン・ビーム・システムに基板を装填するステップと、
イオン・ビーム・ミリングによって前記基板から試料を切り離すステップと、
前記試料をプローブに取り付けるステップと、
前記試料を試料ホルダまで運ぶステップと、
前記試料を前記プローブに保持している結合よりも大きい結合を形成する荷電粒子ビーム誘起付着を使用して前記試料を前記試料ホルダに取り付けるステップと、
前記プローブまたは前記試料ホルダを相対運動させることによって前記試料から前記プローブを切り離すステップであり、移動させる前に前記プローブから前記試料を切断しない、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記相対運動の方向は、プローブと試料の間の結合が弱く、試料と試料ホルダの間の結合が相対的により強い方向である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試料が前記プローブに荷電粒子ビーム誘起付着を使用して取り付けられており、前記試料が前記プローブに点で取り付けられ、前記試料が試料ホルダに線で取り付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記試料を前記プローブに取り付けるステップが、荷電粒子ビーム誘起付着を使用して前記試料を前記プローブに結合するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プローブまたは前記試料ホルダを相対運動させることによって前記試料から前記プローブを切り離すステップが、前記試料と前記プローブの相対運動によって前記試料と前記プローブの間の前記結合を切り、前記試料を前記試料ホルダに取り付けられたままにするステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記試料をプローブに取り付けるステップが、ビーム誘起付着を使用して前記プローブを前記試料に取り付けて第１の結合を形成するステップを含み、前記試料を前記試料ホルダに取り付けるステップが、荷電粒子ビーム誘起付着を使用して第２の結合を形成するステップを含み、前記第１の結合が前記第２の結合よりも小さい、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の結合が点結合であり、前記第２の結合が線結合である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記プローブまたは前記試料ホルダを相対運動させることによって前記試料から前記プローブを切り離すステップが、前記プローブを移動させることによって前記試料から前記プローブを切り離すステップを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記プローブまたは前記試料ホルダを相対運動させることによって前記試料から前記プローブを切り離すステップが、前記試料ホルダを移動させることによって前記試料から前記プローブを切り離すステップを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記試料を前記試料ホルダに取り付けるステップが、前記試料を、歯の付いたＴＥＭ試料ホルダに取り付けるステップを含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
イオン・ビーム・ミリングによって前記基板から試料を切り離すステップが、薄片を切り離すステップを含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
イオン・ビーム・ミリングによって前記基板から試料を切り離すステップが、塊を切り離すステップを含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
イオン・ビーム・ミリングによって前記基板から試料を切り離すステップが、平面視試料を切り離すステップを含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
イオン・ビーム・ミリングによって前記基板から試料を切り離すステップが、断面視試料を切り離すステップを含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
イオン・ビーム・ミリングによって前記基板から試料を切り離すステップが、観察領域の厚さが５０ｎｍ未満の試料を切り離すステップを含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
イオン・ビーム・ミリングによって前記基板から試料を切り離すステップが、シリコンを含む試料を切り離すステップを含む、請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
ＴＥＭ試料を調製するシステムであって、
荷電粒子の供給源と、
前記荷電粒子を加工物の表面に焦束させるレンズと、
前記加工物を保持する加工物ホルダであり、少なくとも２次元内で移動することができる加工物ホルダと、
前記加工物から切り離された試料を保持する試料ホルダと、
前記加工物から切り離された前記試料を前記試料ホルダまで移動させる可動プローブと、
前記加工物から切り離された前記試料を前記試料ホルダに取り付けるための荷電粒子ビーム付着用の前駆体ガスの供給源と、
前記システムを制御するコンピュータであり、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法を実行するようにプログラムされたコンピュータと
を備えるシステム。
【請求項１８】
前記プローブを移動させることによって前記プローブを前記試料から切り離すように、前記コンピュータがプログラムされた、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法を実行するためのコンピュータ命令を記憶したコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月23日(2017.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸性基と第１の重合性基とを有する第１の化合物と、
ケイ素原子と、前記ケイ素原子に結合した酸素原子と、前記酸素原子に結合した水素原子と、第２の重合性基と、を有する第２の化合物と、
を含む組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物において、
前記第１の化合物の含有量が０．０１重量％〜１０重量％であり、且つ前記第２の化合物の含有量が０．１重量％〜５０重量％であること、
を特徴とする組成物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の組成物において、さらに
第３の重合性基を有する第３の化合物を含むこと、
を特徴とする組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の組成物において、
前記第３の化合物は、さらに第４の重合性基を有していること、
を特徴とする組成物。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の組成物において、さらに
照射により結合が開裂する結合を含む第４の化合物を含むこと、
を特徴とする組成物。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の組成物において、
前記第２の化合物は、シランカップリング剤であること、
を特徴とする組成物。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の組成物において、
前記第１の化合物は、さらに第５の重合性基を有すること、
を特徴とする組成物。
【請求項８】
部材を製造する方法であって、
基材を用意する工程と、
前記基材上に請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物を配置する工程と、
前記組成物を硬化させる工程と、
を含むこと、
を特徴とする部材の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の部材の製造方法において、
前記基材は、無機部分を含み、
前記組成物を配置する工程は、前記組成物が前記無機部分と接触するように行われること、
を特徴とする部材の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の部材の製造方法において、
前記無機部分は、酸化ケイ素又はケイ素からなること、
を特徴とする部材の製造方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の部材の製造方法において、
前記組成物を硬化する工程は、前記基材とモールドとの間に組成物が挟まれた状態で行われ、
前記モールドは、複数の第１の部分と複数の第２の部分とが形成された第１の表面と、
第２の表面と、を含み、
前記複数の第１の部分と前記第２の表面との距離である第１の距離は、前記複数の第２の部分と前記第２の表面との距離である第２の距離より大であること、
を特徴とする部材の製造方法。
【請求項１２】
無機部分と、
有機部分と、
を含む部材であって、
前記有機部分は請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物を用いて形成された、各々が炭素原子に結合した複数のケイ素原子と酸性基を有するポリマーと、を含む部材。
【請求項１３】
請求項１２に記載の部材において、
前記無機部分は酸素原子を含み、
前記複数のケイ素原子の各々は、前記無機部分に含まれる酸素原子に結合していること、を特徴とする部材。
【請求項１４】
請求項１２に記載の部材において、
前記複数のケイ素原子の各々は、前記無機部分に含まれる酸素原子と共有結合していること、
を特徴とする部材。
【請求項１５】
部材を有するデバイスを製造する方法であって、
基材を用意する工程と、
前記基材上に請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物を配置する工程と、
前記組成物を硬化させて前記部材を得る工程と、
を含むデバイスの製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載のデバイスの製造方法において、さらに
金属部分が形成されている第１の機能層を形成する工程を含むこと、
を特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載のデバイスの製造方法において、さらに、
半導体膜が形成された第２の機能層を形成する工程を含むこと、
を特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載のデバイスの製造方法において、
前記デバイスは、電気光学素子であること、
を特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載のデバイスの製造方法において、さらに
金属配線が形成された第１の機能層を形成する工程と、
半導体膜が形成された第２の機能層を形成する工程と、を含み、
前記金属配線は、前記デバイスの中で電気的に前記半導体膜に接続されていること、
を特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ヘッドを有する記録ユニット；
前記記録ヘッドの吐出口から吐出され、記録媒体に画像を記録するための水性インク；
前記記録ヘッドの吐出口が設けられた面を覆うための覆い部材を有する保護ユニット；
前記覆い部材とは別に設けられ、予備吐出データに基づいて前記記録ヘッドの吐出口から排出された廃インクを他の部材を介さずに受容するインク受け部材を有し、かつ、前記インク受け部材に堆積したインクを掻き取るための部材、及び、前記記録ヘッドの吐出口からインクを吸引するための部材のいずれをも有さない回復ユニット；
を具備するインクジェット記録装置であって、
前記水性インクが、粒子表面にカルボン酸基及びスルホン酸基の少なくとも一方のアニオン性基を含む官能基が結合してなる自己分散顔料を含有することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
前記水性インクがさらに、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＮＯ２−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＣＯ３２−、ＨＣＯ３−、ＨＣＯＯ−、（ＣＯＯ−）２、ＣＯＯＨ（ＣＯＯ−）、ＣＨ３ＣＯＯ−、Ｃ２Ｈ４（ＣＯＯ−）２、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯ−、Ｃ６Ｈ４（ＣＯＯ−）２、ＰＯ４３−、ＨＰＯ４２−、及びＨ２ＰＯ４−からなる群から選ばれる少なくとも１種のアニオンと、アンモニウムイオンとが結合して構成される塩を含有し、
前記水性インクに含有される、前記塩に由来するアンモニウムイオンの含有量（ｍｍｏｌ／インク１００ｇ）が、前記自己分散顔料の前記アニオン性基の導入量の合計（ｍｍｏｌ／インク１００ｇ）に対する比率で、０．０倍を超えて１．７倍以下である請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
前記比率が、０．０倍を超えて０．８倍以下である請求項２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記塩を構成する前記アニオンが、ＳＯ４２−、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯ−、及びＣ６Ｈ４（ＣＯＯ−）２からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項２又は３に記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】
前記インク中の、前記塩の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、０．０１質量％以上０．５０質量％以下である請求項２乃至４のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項６】
前記アニオン性基が、カルボン酸基である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項７】
前記官能基が、フタル酸基である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項８】
前記自己分散顔料の前記アニオン性基の導入量が、０．１０ｍｍｏｌ／ｇ以上２．００ｍｍｏｌ／ｇ以下である請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項９】
前記自己分散顔料の前記アニオン性基の導入量が、０．２０ｍｍｏｌ／ｇ以上２．００ｍｍｏｌ／ｇ以下である請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１０】
インク中の顔料の含有量（質量％）は、インク全質量を基準として、０．１０質量％以上１５．００質量％以下である請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１１】
インク受け部材の底面がインク吸収性を有さない材質で形成されてなる請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１２】
インク受け部材の底面の面積の半分以下にインク吸収体が配置されてなる請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１３】
記録ヘッドの吐出口から水性インクを吐出して、記録媒体に画像を記録する記録工程；
前記記録ヘッドの吐出口が設けられた面を覆い部材で覆う保護工程；
予備吐出データに基づいて、前記記録ヘッドの吐出口から他の部材を介さずに、前記覆い部材とは別に設けられたインク受け部材に廃インクを排出する予備吐出工程；を有し、かつ、
前記インク受け部材に堆積したインクを掻き取る工程、及び、前記記録ヘッドの吐出口からインクを吸引する工程のいずれをも有さないインクジェット記録方法であって、
前記記録工程に用いる前記水性インクが、粒子表面にカルボン酸基及びスルホン酸基の少なくとも一方のアニオン性基を含む官能基が結合してなる自己分散顔料を含有することを特徴とするインクジェット記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月4日(2017.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体と、前記第１の半導体に電気的に接するソース電極及びドレイン電極と、
ゲート電極と、前記ゲート電極と前記第１の半導体との間に設けられる、窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、アルミニウムシリケートのいずれか一を含む層とを有するトランジスタを有し、
前記トランジスタの前記ゲート電極に信号を供給する第１の回路と、
前記トランジスタの前記ソース電極又は前記ドレイン電極に信号を供給する第２の回路と、
前記第１の回路に高電位を供給する配線と低電位を供給する配線と、
前記第２の回路に高電位を供給する配線と低電位を供給する配線と、
を有する半導体装置において、
前記第１の回路に低電位を供給する配線の電位を、前記第２の回路に低電位を供給する配線の電位よりも１Ｖ以上高い電位とし、
１２５℃以上４５０℃以下の加熱処理を行いながら、前記ゲート電極の電位を前記ソース電極又は前記ドレイン電極の電位より高い状態に１秒以上維持し、前記加熱処理前よりも前記トランジスタのしきい値を増大させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
前記第１の半導体を挟む第２の半導体および第３の半導体を有し、
前記第２の半導体は、前記第１の半導体と前記窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、アルミニウムシリケートのいずれか一を含む層の間にある請求項１に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項３】
前記ゲート電極に印加される電位は、前記半導体装置で使用される最高電位よりも低いことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項４】
前記第１の回路に高電位を供給する配線と低電位を供給する配線の電位が等しく、
前記第２の回路に高電位を供給する配線と低電位を供給する配線の電位が等しいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記第１の回路は、複数の出力端子を有し、
前記複数の出力端子は、それぞれ、一以上の前記トランジスタの前記ゲート電極に接続し、
前記第１の回路は、前記複数の出力端子のうち二以上の出力端子に、前記トランジスタをオンとするような信号を出力できないように設定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。