Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月31日(2017.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１５０ｐｐｉ以上の精細度で複数の画素を具備して４２０ｎｍより短い波長の光を含まない光を用いて表示が可能な表示部に、文字列を含む画像情報を表示する第１のステップと、
文字列を含む第１の領域を選択する第２のステップと、
前記文字列を、前記第１の領域より大きい第２の領域に拡大して表示する第３のステップと、
前記第１の領域を非選択状態にする第４のステップと、
前記文字列の表示を前記第２の領域から消去して、終了する第５のステップと、を有する画像情報の処理および表示方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のステップにおいて、
文字列、前記文字列が属する行および前記行に連続する行を含む第１の領域を選択する、画像情報の処理および表示方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第３のステップにおいて、
前記第２の領域を、前記第１の領域に一部が重なるまたは隣接する位置に設ける、画像情報の処理および表示方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第４のステップにおいて、
前記第１の領域および前記第２の領域以外の領域を選択することにより、前記第１の領域を非選択状態にする、画像情報の処理および表示方法。
【請求項５】
１５０ｐｐｉ以上の精細度で複数の画素を具備して４２０ｎｍより短い波長の光を含まない光を用いて表示が可能な表示部に、文字列を含む画像情報を表示する第１のステップと、
前記表示部に対する使用者の位置から一の使用者を特定する第２のステップと、
文字列を含む第１の領域を、前記使用者の視線を用いて選択する第３のステップと、
前記文字列を、前記第１の領域より大きい第２の領域に拡大して表示する第４のステップと、
前記第１の領域を非選択状態にする第５のステップと、
前記文字列の表示を前記第２の領域から消去して、終了する第６のステップと、を有する画像情報の処理および表示方法。
【請求項６】
演算部、入力手段および前記演算部で処理された情報を表示する１５０ｐｐｉ以上の精細度で複数の画素を具備して４２０ｎｍより短い波長の光を含まない光を用いて表示が可能な表示部を有する情報処理装置に、
文字列を含む画像情報を前記表示部に表示する第１のステップと、
文字列を含む第１の領域を選択する第２のステップと、
前記文字列を、前記第１の領域より大きい第２の領域に拡大して表示する第３のステップと、
前記第１の領域を非選択状態にする第４のステップと、
前記文字列の表示を前記第２の領域から消去して、終了する第５のステップと、を実行させるプログラム。
【請求項７】
演算部と、
前記演算部に情報を入力する入力手段と、
前記演算部に処理された情報を表示する１５０ｐｐｉ以上の精細度で複数の画素を具備して４２０ｎｍより短い波長の光を含まない光を用いて表示が可能な表示部と、
前記演算部が実行するプログラムを記憶する記憶部と、を有し、
前記プログラムが、
文字列を含む画像情報を前記表示部に表示する第１のステップと、
文字列を含む第１の領域を選択する第２のステップと、
前記文字列を、前記第１の領域より大きい第２の領域に拡大して表示する第３のステップと、
前記第１の領域を非選択状態にする第４のステップと、
前記文字列の表示を前記第２の領域から消去して終了する第５のステップと、を前記演算部に実行させる、情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月27日(2017.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、
前記第１面と連結されて、前記第１面から上方方向に延びる第２面と、
前記第２面と連結されて、中心が前記第１面に向かって陥没して、前記中心と縁が曲面で連結されて、前記中心と前記第１面の中心を通過するように延びる直線である光軸方向に対称になるように曲線状に前記第１面と離隔配置される第３面と、
前記光軸と中心整列されて、前記第１面に対し前記光軸に沿って発光素子側に形成された第１方向に突出形成されて、断面が光軸に対して対称な二つの曲線部を形成して、各々の曲線部は、前記第１方向に突出して、前記複数の曲線部が連結される部分は前記光軸と対応されて前記第１方向の反対方向が第２方向の曲線を形成する突出部と、
前記第１面から前記第１方向に延びて形成されて、前記突出部の下空間に前記突出部と近接配置される複数の支持部材と、を含むことを特徴とする光学レンズ。
【請求項２】
前記突出部は前記第１面上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の光学レンズ。
【請求項３】
前記複数の支持部材は、前記第１面の周方向に沿って前記第１方向に延びることを特徴とする請求項１または２に記載の光学レンズ。
【請求項４】
前記第２方向に前記第１面から延びる第４面と、
前記第２面に向かって前記第４面から延びる第５面と、をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一つに記載の光学レンズ。
【請求項５】
前記第１及び第４面と、前記第４及び第５面、並びに前記第２及び第５面は、レンズの周面で連結されることを特徴とする請求項４に記載の光学レンズ。
【請求項６】
前記第２面は、
光軸に対して傾斜した状態で前記第１面から延びて形成されることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか一つに記載の光学レンズ。
【請求項７】
前記第１面と前記第２面で第１面に向かって延びる面の間の角度と、前記第２面と第３面がなす角度は、鋭角であることを特徴とする請求項６に記載のの光学レンズ。
【請求項８】
前記突出部は、前記光軸で一定深さの凹部を含むことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか一つに記載の光学レンズ。
【請求項９】
前記突出部の中心軸と前記第３面の中心軸は、前記光軸に配置されることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか一つに記載の光学レンズ。
【請求項１０】
前記第３面は、前記第３面の中心と終端（ｅｄｇｅ）を連結した直線に対して凸状であることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか一つに記載の光学レンズ。
【請求項１１】
基板と、
前記基板に配置される複数の発光素子と、
前記複数の発光素子各々に対応するように配置される複数の光学レンズと、を含み、
前記複数の光学レンズは、
第１面と、
前記第１面と連結されて、前記第１面から上方方向に延びる第２面と、
前記第２面と連結されて、中心が前記第１面に向かって陥没して、前記中心と縁が曲面で連結されて、前記中心と前記第１面の中心を通過するように延びる直線である光軸方向に対称になるように曲線状に前記第１面と離隔配置される第３面と、
前記光軸と中心整列されて、前記第１面から前記光軸に沿って発光素子側に形成された第１方向に突出形成されて、断面が光軸に対して対称な二つの曲線部を形成して、各々の曲線部は前記第１方向に突出して、前記複数の曲線部が連結される部分は前記光軸と対応されて前記第１方向の反対方向が第２方向の曲線を形成する突出部と、
前記第１面から前記第１方向に延びて形成されて、前記突出部の下空間に前記突出部と近接配置される複数の支持部材と、を含むことを特徴とする光発散装置。
【請求項１２】
前記複数の支持部材は、前記第１面の周方向にに沿って前記第１方向に延びることを特徴とする請求項１１に記載の光発散装置。
【請求項１３】
前記第１面を介して入射されて前記第２面で反射された光は、前記第３面で屈折されて出射されて、
前記第１面を介して入射されて前記第３面で反射された光は、前記第２面で屈折されて出射されて、
前記第２面で屈折されて出射される光の延長線と前記第３面で屈折されて出射される光とがなす角度（θ）は、鋭角であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の光発散装置。
【請求項１４】
前記角度（θ）は、２０度以内であることを特徴とする請求項１３に記載の光発散装置。
【請求項１５】
前記第２面で屈折されて出射される光と前記第３面で屈折されて出射される光の方向は、反対であることを特徴とする請求項１１乃至１４のうちいずれか一つに記載の光発散装置。
【請求項１６】
少なくとも一つ以上の光学シートと、
少なくとも一つ以上の前記光学シートと近接された位置に配置される光発散装置と、を含み、
前記光発散装置は、
基板と、
前記基板に配置される複数の発光素子と、
前記複数の発光素子各々に対応されるように配置される複数の光学レンズと、を含み、
前記複数の光学レンズは、
第１面と、
前記第１面と連結されて、前記第１面から上方方向に延びる第２面と、
前記第２面と連結されて、中心が前記第１面に向かって陥没して、前記中心と縁が曲面で連結されて、前記中心と前記第１面の中心を通過するように延びる直線である光軸方向に対称になるように曲線状に前記第１面と離隔配置される第３面と、
前記光軸と中心整列されて、前記第１面から前記光軸に沿って発光素子側に形成された第１方向に突出形成されて、断面が光軸に対し対称な二つの曲線部を形成して、各々の曲線部は、前記第１方向に突出して、前記複数の曲線部が連結される部分は前記光軸と対応されて前記第１方向の反対方向が第２方向の曲線を形成する突出部と、
前記第１面から前記第１方向に延びて形成されて、前記突出部の下空間に前記突出部と近接配置される複数の支持部材と、を含むことを特徴とする照明装置。
【請求項１７】
少なくとも一つ以上の前記光学シートは、複数の光学フィルムを含むことを特徴とする請求項１６に記載の照明装置。
【請求項１８】
前記複数の光学フィルムは、光酸フィルムを含むことを特徴とする請求項１７に記載の照明装置。
【請求項１９】
前記照明装置は、バックライトユニット（ＢＬＵ）であることを特徴とする請求項１６乃至１８のうちいずれか一つに記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月15日(2016.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
第１および第２の方向に対して同時に、それぞれ少なくとも２つ以上の視点に視差画像を表示する複方向性立体画像表示と、前記第１および前記第２の方向のいずれか一方に対して、それぞれ少なくとも２つ以上の視点に視差画像を表示する単方向性立体画像表示とが可能な立体表示装置であって、
前記視差画像に対応し電気光学素子からなる複数のサブ画素から構成される画素がマトリクス状に配置された表示パネルと、
前記第１の方向に配列された画素から出射した光をこの第１の方向に沿って相互に異なる方向に振り分けると共に前記第２の方向に配列された画素から出射した光をこの第２の方向に沿って相互に異なる方向に振り分ける光学手段と、を備えると共に、
前記表示パネル上に、前記サブ画素の開口境界間に存在する電気光学変換の制御ができない領域である第１および第２の非制御領域を有し、
前記第１の非制御領域は前記第１の方向に沿って、前記第２の非制御領域は前記第２の方向に沿って、それぞれ延伸するものであり、
かつ、前記第１および第２の非制御領域のうちいずれか一方が、前記第１の方向と前記第２の方向に対してそれぞれ垂直かつ等間隔に配置された線分である格子線によって構成される２つの単位格子で１回屈曲し、かつ前記第１および第２の非制御領域の他方が前記単位格子内で少なくとも１回以上屈曲すると共に、前記第１および第２の非制御領域の交差部が、前記単位格子の４つの格子点のうちの２つの点上に存在しないこと、
を特徴とする立体画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
観察者の左眼と右眼を結ぶ線と平行な方向を水平方向とし、左眼から右眼の方向を正の方向と定義し、前記第２の方向を水平方向と一致させた場合に、前記水平方向と直交する前記格子線を基準として正の方向を右側、負の方向を左側と定義した場合、前記水平方向と直交する前記格子線と前記第１の非制御領域との間で右側に形成される第１の多角形の面積と左側に形成される第２の多角形の面積、および前記水平方向と平行な前記格子線と前記第２の非制御領域との間で上側に形成される第３の多角形の面積と下側に形成される第４の多角形の面積とが全て同一であること、を特徴とする請求項１乃至請求項６のうちいずれか１項に記載の立体画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月10日(2017.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光路差でのファイバ安定化のための方法であって、
レーザ（１０５）によって光ビームを放射することと、
ビームスプリッタ（１２０）によって、前記光ビームを第１の光ビームと第２の光ビームに分割することと、
調整可能な光学望遠鏡（１４５）の変換ステージ（１４０）での第１のミラー（１５０）によって、前記第１の光ビームを反射することと、
第１のダイクロイックビームスプリッタ（１５５）によって、第１の循環するビームを、前記第１の光ビームと調整可能な光学望遠鏡のビームとに分割することと、
基準光学望遠鏡（１７５）に関連する第２のミラー（１８０）によって、前記第２の光ビームを反射することと、
第２のダイクロイックビームスプリッタ（１８５）によって、第２の循環するビームを、前記第２の光ビームと基準光学望遠鏡のビームとに分割することと、
前記第１の光ビームおよび前記第２の光ビームを干渉計（１９０）に入力することと、
一体となって正弦波信号を形成する同相信号および直交信号を前記干渉計（１９０）から出力することと、
高周波信号および低周波信号を生成するために、少なくとも１つのプロセッサ（１４２）によって前記正弦波信号をフィルタリングすることと、
ステージ制御装置（１７２）を用いて、前記低周波信号を使用することによって前記変換ステージを制御することと、
ファイバストレッチャ制御装置を用いて、前記高周波信号を使用することによってファイバストレッチャ（１３５）を制御することと
を含む、方法。
【請求項２】
両眼画像を生成するために、前記調整可能な光学望遠鏡のビームおよび前記基準光学望遠鏡のビームを、望遠鏡受光干渉計に入力することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の増幅器（１１７）を用いて前記同相信号を増幅することと、第２の増幅器（１２２）を用いて前記直交信号を増幅することとをさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
フィルタバッファカード（１２７）を用いて、少なくとも１つの所定の周波数帯に収まるよう、前記同相信号および前記直交信号を事前フィルタリングすることをさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ファイバストレッチャ制御装置がファイバストレッチャ電源（１９７）である、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
高周波信号および低周波信号を形成するための前記正弦波信号の前記フィルタリングが、前記正弦波信号を積分することによって実行される、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
光路差でのファイバ安定化のためのシステムであって、
光ビームを放射するためのレーザ（１０５）と、
前記光ビームを第１の光ビームと第２の光ビームに分割するためのビームスプリッタ（１２０）と、
前記第１の光ビームを反射するための、調整可能な光学望遠鏡（１４５）の変換ステージ（１４０）での第１のミラー（１５０）と、
第１の循環するビームを、前記第１の光ビームと調整可能な光学望遠鏡のビームとに分割するための第１のダイクロイックビームスプリッタ（１５５）と、
前記第２の光ビームを反射するための、基準光学望遠鏡（１７５）に関連する第２のミラー（１８０）と、
第２の循環するビームを、前記第２の光ビームと基準光学望遠鏡のビームとに分割するための第２のダイクロイックビームスプリッタ（１８５）と、
前記第１の光ビームおよび前記第２の光ビームを受光し、一体となって正弦波信号を形成する同相信号および直交信号を出力するための干渉計（１９０）と、
高周波信号および低周波信号を生成するために前記正弦波信号をフィルタリングするための、少なくとも１つのプロセッサと、
前記低周波信号を使用することによって前記変換ステージを制御するためのステージ制御装置と、
前記高周波信号を使用することによってファイバストレッチャを制御するためのファイバストレッチャ制御装置と
を備える、システム。
【請求項８】
前記調整可能な光学望遠鏡のビームおよび前記基準光学望遠鏡のビームを受光し、両眼画像を生成するための、望遠鏡受光干渉計をさらに備える、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記同相信号を増幅するための第１の増幅器と、
前記直交信号を増幅するための第２の増幅器と
をさらに備える、請求項７または８に記載のシステム。
【請求項１０】
少なくとも１つの所定の周波数帯に収まるよう、前記同相信号および前記直交信号を事前フィルタリングするためのフィルタバッファカードをさらに備える、請求項７から９のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ファイバストレッチャ制御装置がファイバストレッチャ電源である、請求項７から１０のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１２】
前記正弦波信号をフィルタリングして高周波信号と低周波信号を形成するために、前記少なくとも１つのプロセッサが前記正弦波信号を積分する、請求項７から１１のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ステージ制御装置が圧電制御装置である、請求項７から１２のいずれか一項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を検出して電荷を蓄積する画素が２次元的に複数配置された放射線検出アレイと、前記画素に蓄積された電荷を放出させるための複数の走査ラインとを備える放射線検出手段を有する放射線撮像装置であって、 
前記画素に蓄積された電荷を順次放出させるリセット走査を行わせるリセット制御手段と、 
前記放射線の照射開始を検知する照射検知手段と、 
前記放射線の照射開始の検知に応じて前記リセット走査を停止させ、かつ前記放射線の照射により前記画素に蓄積された電荷を読み出し、画像信号を得る制御を行う撮像制御手段と、 
前記放射線の照射中に前記リセット走査が行われた画素からの画像信号を除いた画像信号に基づいて画像データを生成する生成手段と、 
前記画像データを外部の装置に出力する出力手段と、
を有することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記リセット制御手段は、隣接しない走査ラインを順次選択してリセット走査を行わせることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記撮像制御手段は、前記画像信号を得る電荷の読み出しを、前記リセット走査の停止により前記リセット走査が実行されていない走査ラインから開始することを特徴とする請求項１または２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記リセット制御手段は、所定の順序に従い前記走査ラインを順次選択し、 
前記撮像制御手段は、前記画像信号を得る電荷の読み出しを、前記リセット走査の停止により前記リセット走査が実行されていない走査ラインから開始して前記所定の順序に従って読み出しを行い、 
前記生成手段は、画像信号が得られる総ライン数をＮとしたとき、前記読み出しが開始された走査ラインから数えてＮ／２番目に読み出される走査ラインまでの画像信号に基づき画像データを生成する
ことを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。 
【請求項５】
前記出力手段は、前記生成された画像データを出力した後に、前記放射線の照射中に前記リセット走査が行われた走査ラインからの画像信号を含むもう一つの画像データを外部の装置に出力することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。 
【請求項６】
前記リセット制御手段は、前記リセット走査を偶数ラインと奇数ラインに分けて所定の順序で行い、 
前記生成手段は、前記リセット走査が停止したラインが偶数ラインである場合には奇数ラインの画像信号に基づいて画像データを生成し、前記リセット走査が停止したラインが奇数ラインである場合には偶数ラインの画像信号に基づいて画像データを生成することを特徴とする請求項４に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記リセット制御手段は、前記放射線の照射開始により、前記リセット走査を停止し、前記撮像制御手段は、前記リセット走査の停止の際の前記放射線検出手段の情報を用いて、前記放射線の照射開始の際に前記リセット走査が行われていない走査ラインの画像信号を取得することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。 
【請求項８】
前記撮像制御手段は、前記画像信号を取得した後に、前記放射線検出手段の情報を用いて、前記放射線の照射開始の際に前記リセット走査が行われていた走査ラインの画像信号を取得することを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記リセット制御手段は、前記放射線の照射開始により、前記リセット走査を停止し、前記撮像制御手段は、前記リセット走査の停止の際の前記放射線検出手段の情報を用いて、前記画像信号から前記放射線の照射開始の際に前記リセット走査が行われていない走査ラインの画像信号を取得し、
前記リセット走査の停止の際の前記放射線検出手段の情報には、放射線の照射の照射開始の時点でリセット走査が行われていた走査ラインを示す情報、および、リセット走査を行う際に隣接しない走査ラインを選択するための情報が含まれることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記生成手段は、前記画像信号から画素を間引いた縮小プレビュー画像を生成することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
前記リセット制御手段および前記撮像制御手段は、前記複数の走査ラインを互いに隣接しない複数の走査ライン群に分け、複数の走査ライン群のうちの一のライン群の走査を実行した後に他のライン群についての走査を実行させ、
前記撮像制御手段は、前記放射線の照射が検知された際に前記リセット走査が行われていた走査ライン群以外の走査ラインの画素に蓄積された電荷を先行して読出し、
前記生成手段は、前記先行して読み出された走査ラインの画素に蓄積された電荷に対応する画像信号に基づいて、プレビュー画像を生成することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１２】
放射線を検出して電荷を蓄積する画素が２次元的に複数配置された放射線検出アレイと、前記画素に蓄積された電荷を放出させるための複数の走査ラインとを備える放射線検出手段を用いた放射線撮像方法であって、
前記画素に蓄積された電荷を順次放出させるリセット走査を行わせる工程と、
前記放射線の照射開始を検知する工程と、
前記照射開始の検知に応じて前記リセット走査を停止させる工程と、
前記放射線の照射により前記画素に蓄積された電荷を読み出し画像信号を得る工程と、
前記放射線の照射中に前記リセット走査が行われた画素からの画像信号を除いた画像信号に基づいて画像データを生成する工程と、
前記画像データを外部の装置に出力する工程と
を有することを特徴とする放射線撮像方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の放射線撮像方法を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１４】
請求項１に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置から送信されたデータを処理する情報処理装置と、を有する放射線撮像システムであって、
前記情報処理装置は、
前記出力された画像データを表示する表示手段を有することを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一つの態様に係る放射線撮像装置は、放射線を検出して電荷を蓄積する画素が２次元的に複数配置された放射線検出アレイと、前記画素に蓄積された電荷を放出させるための複数の走査ラインとを備える放射線検出手段を有する放射線撮像装置であって、 
前記画素に蓄積された電荷を順次放出させるリセット走査を行わせるリセット制御手段と、 
前記放射線の照射開始を検知する照射検知手段と、 
前記放射線の照射開始の検知に応じて前記リセット走査を停止させ、かつ前記放射線の照射により前記画素に蓄積された電荷を読み出し、画像信号を得る制御を行う撮像制御手段と、 
前記放射線の照射中に前記リセット走査が行われた画素からの画像信号を除いた画像信号に基づいて画像データを生成する生成手段と、 
前記画像データを外部の装置に出力する出力手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月22日(2016.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路部を有する画素回路と、
前記画素回路上方の絶縁膜と、
前記絶縁膜上方のシンチレータと、
前記シンチレータ上方の遮蔽層と、
前記遮蔽層に設けられた開口部と、
を有し、
前記シンチレータは、放射線を光に変換し、前記光を発する機能を有し、
前記回路部は、受光素子と、前記受光素子に電気的に接続されたトランジスタと、を有し、
前記回路部は、前記遮蔽層と重なるように配置され、
前記受光素子は、前記シンチレータから発せられた光であって、前記絶縁膜を通った光を検知する機能を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
回路部を有する画素回路と、
前記画素回路上方の絶縁膜と、
前記絶縁膜上方の遮蔽層と、
前記遮蔽層に設けられた開口部と、
前記遮蔽層上方のシンチレータと、
を有し、
前記シンチレータは、放射線を光に変換し、前記光を発する機能を有し、
前記回路部は、受光素子と、前記受光素子に電気的に接続されたトランジスタと、を有し、
前記回路部は、前記遮蔽層と重なるように配置され、
前記受光素子は、前記シンチレータから発せられた光であって、前記開口部及び前記絶縁膜を通った光を検知する機能を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記遮蔽層は、鉛、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、タンタル、ハフニウム、パラジウム、ロジウム、ルテニウムから選択された材料を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記受光素子は、フォトダイオードを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記受光素子は、一対の電極と、前記一対の電極の間にある半導体層と、を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月9日(2017.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定装置（ＤＵＴ）の温度を制御する温度制御ユニット（ＴＣＵ）であって、
冷媒入口および冷媒出口を有して構成された封止された蒸発室と、
前記被測定装置と熱的係合しかつ前記蒸発室に熱を伝導するように構成された少なくとも１つの面とを有し、
前記蒸発室は、冷却板アセンブリ内に配置される、温度制御ユニット。
【請求項２】
前記冷却板アセンブリは、ボディと、当該ボディに搭載された伝達板とを含む、請求項１に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項３】
前記冷却板アセンブリは、前記ボディと前記伝達板との間に配置されるシールを含む、請求項２に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項４】
前記伝達板は、熱を前記試験装置から冷媒に伝達するように構成される、請求項２に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項５】
前記伝達板は、前記伝達板と冷媒との間に効率的な熱交換を提供するための特徴を含む、請求項４に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項６】
温度制御ユニットはさらに、少なくとも１つの熱電気クーラー（ＴＥＣ）を含む、請求項１に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項７】
温度制御ユニットはさらに少なくとも１つの台座搭載板を含む、請求項１に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項８】
前記少なくとも１つの台座搭載板は、センサアセンブリのための搭載を含む、請求項７に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項９】
温度制御ユニットはさらに、前記センサアセンブリのための搭載内に固定されたセンサアセンブリを含み、前記センサアセンブリは、デバイスアダプタのための搭載をさらに含む、請求項８に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項１０】
温度制御ユニットはさらに、前記デバイスアダプタのための搭載内に固定されたデバイスアダプタを含み、前記デバイスアダプタは、前記被測定装置からの熱伝達のために構成される、請求項９に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項１１】
温度制御ユニットはさらに、少なくとも１つのヒーターを含む、請求項１に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項１２】
温度制御ユニットはさらに、伝達板、熱電気クーラー、台座搭載板およびセンサアセンブリのうちの少なくとも１つの表面に配置される熱伝達材料を含む、請求項１に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項１３】
被測定装置（ＤＵＴ）の温度を制御する温度制御ユニット（ＴＣＵ）であって、
蒸発室を含むボディであって、当該蒸発室が冷媒入口および冷媒出口を有して構成される、前記ボディと、前記ボディに搭載されかつ前記ボディに封止される伝達板であって、当該伝達板は少なくとも部分的に前記蒸発室内に配置され、かつＤＵＴから前記蒸発室内の冷媒に熱を伝達するように構成された、前記伝達板と、ＤＵＴに熱接触するヒーターとを有する温度制御モジュールと、
前記温度制御モジュールに封止された接続モジュールであって、当該接続モジュールは、圧縮された冷媒を冷媒入口ラインを介して前記蒸発室内に伝達し、かつ加熱された冷媒を前記冷媒出口を介して前記蒸発室から移動させるように構成される、前記接続モジュールと、
を有する温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項１４】
前記温度制御モジュールはさらに、台座搭載板を含み、当該台座搭載板は、ヒーターを含みかつ前記伝達板と被測定装置との間に配置される、請求項１３に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項１５】
前記台座搭載板は、センサアセンブリのための搭載を含む、請求項１４に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項１６】
温度制御ユニットはさらに、前記センサアセンブリのための搭載内に固定されたセンサアセンブリを含み、前記センサアセンブリはさらに、デバイスアダプタのための搭載を含む、請求項１５に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項１７】
温度制御ユニットはさらに、前記デバイスアダプタのための搭載内に固定されたデバイスアダプタを含み、前記デバイスアダプタは、前記被測定装置からの熱伝達のために構成される、請求項１６に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項１８】
前記圧縮された冷媒は、Ｒ４０４ａおよびＲ１３４ａのうちの１つである、請求項１３に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項１９】
温度制御ユニットはさらに、少なくとも１つの熱電気クーラー（ＴＥＣ）を含む、請求項１３に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【請求項２０】
前記伝達板は、複数の熱伝導部材を含み、当該熱伝導部材は、前記伝達板から前記蒸発室内に延び、ＤＵＴから前記蒸発室内の冷媒に熱を伝達する、請求項１３に記載の温度制御ユニット（ＴＣＵ）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月27日(2017.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源（１０２）、
各々が固定端（１１４）と自由端（１１６）とを有する複数のマイクロピラー（１１２）であって、前記固定端の各々が前記光源に隣接しているマイクロピラー（１１２）を含む光変調層（１０４）、及び
前記光源から放出される光を検出するように構成された、前記複数の自由端に隣接する少なくとも一つの光検出器（１０６）を備えるセンサアセンブリ（３００）であって、
前記光変調層（１０４）は、マイクロピラー（１１２）の第１の組と、マイクロピラー（１１２）の第２の組とを含み、前記マイクロピラーの第１の組は、前記マイクロピラーの第２の組にほぼ直角に方向付けられており、
前記センサアセンブリ（３００）は、各マイクロピラー（１１２）の前記自由端（１１６）に隣接した少なくとも1つの光検出器（１０６）を含み、
前記センサアセンブリは、前記複数のマイクロピラー（１１２）のそれぞれに印加される外力の大きさと方向を決定するように構成されている、センサアセンブリ。
【請求項２】
前記複数のマイクロピラー（１１２）は、前記光源（１０２）から放出される光の方向にほぼ平行に方向付けられている、請求項１に記載のセンサアセンブリ（３００）。
【請求項３】
前記光源（１０２）は、前記複数のマイクロピラー（１１２）の各々を通して前記少なくとも一つの光検出器（１０６）の方へ光エネルギーを向けるように構成されている、請求項１または２に記載のセンサアセンブリ（３００）。
【請求項４】
前記少なくとも一つの光検出器（１０６）は、前記複数のマイクロピラー（１１２）を通過する前記光エネルギーの特性を検出するように構成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載のセンサアセンブリ（３００）。
【請求項５】
前記少なくとも一つの光検出器（１０６）は、前記少なくとも一つの光検出器における光の強度の変化に基づいて、前記複数のマイクロピラー（１１２）の運動を検出するように構成されている、請求項４に記載のセンサアセンブリ（３００）。
【請求項６】
前記少なくとも一つの光検出器（１０６）は、前記センサアセンブリに印加された外力を表す信号を生成するように構成されている、請求項５に記載のセンサアセンブリ（３００）。
【請求項７】
前記センサアセンブリに印加される力は、前記少なくとも一つの光検出器（１０６）によって測定される光の強度の前記変化に基づいて決定される、請求項５又は６に記載のセンサアセンブリ（３００）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
条項２０  コーティングが複数のマイクロピラーに加えられており、方法が、コーティングを外的試料と反応させることにより、複数のマイクロピラーの少なくとも一つを屈曲させることをさらに含む、条項１６に記載の方法。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
光源（１０２）、
各々が固定端（１１４）と自由端（１１６）とを有する複数のマイクロピラー（１１２）であって、前記固定端の各々が前記光源に隣接しているマイクロピラー（１１２）を含む光変調層（１０４）、及び
前記光源から放出される光を検出するように構成された、前記複数の自由端に隣接する少なくとも一つの光検出器（１０６）
を備えるセンサアセンブリ（１００）。
（態様２）
前記複数のマイクロピラー（１１２）は互いにほぼ平行に方向付けられている、態様１に記載の前記センサアセンブリ（１００）。
（態様３）
前記複数のマイクロピラー（１１２）は、前記光源（１０２）から放出される光の方向にほぼ平行に方向付けられている、態様１又は２に記載の前記センサアセンブリ（１００）。
（態様４）
前記光源（１０２）は、前記複数のマイクロピラー（１１２）の各々を通して前記少なくとも一つの光検出器（１０６）の方へ光エネルギーを向ける、態様１から３のいずれか一項に記載の前記センサアセンブリ（１００）。
（態様５）
前記複数のマイクロピラー（１１２）の各々は、前記センサアセンブリに外力が印加されると屈曲するように構成されている、態様１から４のいずれか一項に記載の前記センサアセンブリ（１００）。
（態様６）
前記少なくとも一つの光検出器（１０６）は、前記複数のマイクロピラー（１１２）を通過する前記光エネルギーの特性を検出するように構成されている、態様１から５のいずれか一項に記載の前記センサアセンブリ（１００）。
（態様７）
前記少なくとも一つの光検出器（１０６）は、前記少なくとも一つの光検出器における光の強度の変化に基づいて、前記複数のマイクロピラー（１１２）の運動を検出するように構成されている、態様６に記載の前記センサアセンブリ（１００）。
（態様８）
前記少なくとも一つの光検出器（１０６）は、前記センサアセンブリに印加された外力を表す信号を生成するように構成されている、態様７に記載の前記センサアセンブリ（１００）。
（態様９）
前記センサアセンブリに印加される力は、前記少なくとも一つの光検出器（１０６）によって測定される光の強度の前記変化に基づいて決定される、態様７又は８に記載の前記センサアセンブリ（１００）。
（態様１０）
前記複数のマイクロピラー（１１２）は、互いに対して複数の異なる方向に方向付けられている、態様１に記載の前記センサアセンブリ（３００）。
（態様１１）
前記光変調層（１０４）は、マイクロピラー（１１２）の第１の組と、マイクロピラー（１１２）の第２の組とを含み、前記マイクロピラーの第１の組は、前記マイクロピラーの第２の組にほぼ直角に方向付けられている、態様１から１０のいずれか一項に記載の前記センサアセンブリ（３００）。
（態様１２）
前記複数のマイクロピラー（１１２）の各々に印加される外力の大きさと方向とを決定するように構成されている、態様１１に記載の前記センサアセンブリ（３００）。
（態様１３）
前記複数のマイクロピラー（１１２）の少なくとも第１は、前記複数のマイクロピラーの少なくとも第２とは異なる長さを有し、前記マイクロピラーの長さに関連付けられた周波数を有する音響エネルギーによってアクティブ化される、態様１から１２のいずれか一項に記載の前記センサアセンブリ（４００）。
（態様１４）
前記複数のマイクロピラー（１１２）に加えられたコーティング（５０２）をさらに備え、前記コーティングは、前記センサアセンブリに添加される外的物質（６０１、６０３、６０５、６０７）と反応するように構成される、態様１から１３のいずれか一項に記載の前記センサアセンブリ（５００）。
（態様１５）
デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）鑑定装置を含む、態様１４に記載の前記センサアセンブリ（６００）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月2日(2017.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
＜酸素欠損量の測定＞
実施例１〜９及び比較例１〜３について、還元処理後の酸化ニオブ粉末（還元粉）における酸素欠損量を次の手順で測定した。
（手順１）得られた還元粉を、１００℃で、１時間加熱し、乾燥させる。
（手順２）乾燥後の粉を１ｇ秤量し、予め熱処理し恒量されたるつぼに入れる。乾燥後の粉の重量をａ、るつぼの重量をｂとする。
（手順３）電気炉にて、８００℃、２時間の加熱を行い、デシケーター内で、３０〜６０分間放冷し精秤する。これを恒量に達するまで繰り返す。熱処理後のるつぼと粉の重量をｃとする。
（手順４）次の計算式に従い、酸素欠損量ｘを算出する。
５−ｘ＝〔ａ／（ｃ−ｂ）×（Ｎｂ原子量×２＋Ｏ原子量×５）−Ｎｂ原子量×２〕／Ｏ原子量
以上の手順１〜４を３回繰り返して行い、得られた酸素欠損量ｘの平均値を酸素欠損量とした。なお、この酸素欠損量ｘは、還元処理された酸化ニオブ粉末における欠損した酸素の総量を表しており、酸素欠損酸化ニオブを、化学式：Ｎｂ２Ｏ５−ｘで表した。
以上の結果が、表１の「還元粉酸素欠損」欄に示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月3日(2017.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、微結晶を有し、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第１の酸化物膜と、
前記第１の酸化物膜上の、ｃ軸配向した結晶部を有し、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第２の酸化物膜と、
前記第２の酸化物膜上のソース電極及びドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第１のスパッタリングターゲットを用いて成膜され、
前記第２の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第２のスパッタリングターゲットを用いて成膜され、
前記第２のスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｇａ＞Ｉｎ、及びＺｎ＞Ｇａを満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、微結晶を有し、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第１の酸化物膜と、
前記第１の酸化物膜上の、ｃ軸配向した結晶部を有し、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第２の酸化物膜と、
前記第２の酸化物膜上のソース電極及びドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第１のスパッタリングターゲットを用いて成膜され、
前記第２の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第２のスパッタリングターゲットを用いて成膜され、
前記第１のスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｇａ、及びＺｎ≧Ｇａを満たし、
前記第２のスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｇａ＞Ｉｎ、及びＺｎ＞Ｇａを満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、微結晶を有し、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第１の酸化物膜と、
前記第１の酸化物膜上の、ｃ軸配向した結晶部を有し、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第２の酸化物膜と、
前記第２の酸化物膜上のソース電極及びドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第１のスパッタリングターゲットを用いて成膜され、
前記第２の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第２のスパッタリングターゲットを用いて成膜され、
前記第１のスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１であり、
前記第２のスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｇａ＞Ｉｎ、及びＺｎ＞Ｇａを満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、微結晶を有し、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第１の酸化物膜と、
前記第１の酸化物膜上の、ｃ軸配向した結晶部を有し、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第２の酸化物膜と、
前記第２の酸化物膜上のソース電極及びドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第１のスパッタリングターゲットを用いて成膜され、
前記第２の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する第２のスパッタリングターゲットを用いて成膜され、
前記第２のスパッタリングターゲットにおけるＩｎに対するＧａの原子数比は、前記第１のスパッタリングターゲットにおけるＩｎに対するＧａの原子数比よりも大きく、
前記第２のスパッタリングターゲットにおけるＩｎに対するＺｎの原子数比は、前記第１のスパッタリングターゲットにおけるＩｎに対するＺｎの原子数比よりも大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の活物質を含む第１の層を有する第１の電極と、
第２の活物質を含む第２の層を有する第２の電極と、
電解液と、を有し、
前記第１の活物質はナトリウムを含み、
第１の期間と第２の期間とを交互に繰り返して充電又は放電され、
前記第１の期間は、前記第１の電極と前記第２の電極間を、第１の電流が第１の方向に流れる期間であり、
前記第２の期間は、前記第１の方向とは逆方向に、前記第１の電極と前記第２の電極間を逆パルス電流が流れる期間であり、
前記第２の期間の長さは、前記第１の期間の長さよりも短いことを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の期間の長さは、前記第１の期間の長さの１／１００以上１／３以下であることを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２の期間の長さは、０．１秒以上３分以下であることを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項４】
請求項２において、
前記第２の期間の長さは、３秒以上３０秒以下であることを特徴とする電気化学デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一において、
前記逆パルス電流の大きさは、前記第１の電流の大きさの２倍以上１０倍以下であることを特徴とする電気化学デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月8日(2017.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマガンエクステンションシステムであって、
長さを調整可能なプラズマエクステンションアームと、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、調整可能なプラズマスプレーガン装置に連結するように構成されたアームコネクタと、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、前記プラズマエクステンションアームをロボットアームに連結するように構成されたアーム結合器と、
前記アーム結合器と前記アームコネクタとの間で前記プラズマエクステンションアーム上に配設された一組の送給管であって、前記調整可能なプラズマスプレーガン装置に流体を供給するように構成された一組の送給管と、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、結合器電力管を介して前記調整可能なプラズマスプレーガン装置に連結するように構成された電力供給管と、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、結合器噴射剤管を介して前記調整可能なプラズマスプレーガン装置に連結するように構成された噴射剤供給管と
を含むプラズマガンエクステンションシステム。
【請求項２】
前記一組の送給管に連結され、前記調整可能なプラズマスプレーガン装置上に配設された一組のポートに連結するように構成された一組の結合器送給管をさらに含む、請求項１記載のプラズマガンエクステンションシステム。
【請求項３】
前記プラズマエクステンションアームが入れ子式である、請求項１又は請求項２記載のプラズマガンエクステンションシステム。
【請求項４】
前記プラズマエクステンションアームがタービン部品の内側部分へと延出するように形成されている、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のプラズマガンエクステンションシステム。
【請求項５】
万能プラズマエクステンションガンシステムであって、
部品の内側部分へと延出するように構成されたプラズマエクステンションアームであって、長さを調整可能なプラズマエクステンションアームと、
前記プラズマエクステンションアームに連結された調整可能なプラズマスプレーガンであって、電極を収容する電極本体と、先端部分及び後端部分を有し、前記後端部分は前記電極又は第１の結合器の一方に着脱可能に取り付けるように構成された軸方向開口を有するプラズマスプレーガン本体とを含み、前記第１の結合器は前記プラズマスプレーガン本体の前記軸方向開口で前記プラズマスプレーガン本体に着脱可能に取り付けられ、前記結合器は、前記プラズマスプレーガン本体に着脱可能に取り付けるように構成された第１の軸方向開口を有する第１の部分と、前記電極本体又は第２の結合器の一方に着脱可能に取り付けるように構成された第２の軸方向開口を有する第２の部分とを含む調整可能なプラズマスプレーガンと、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、前記調整可能なプラズマスプレーガンに流体を供給するように構成された一組の送給管と、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、結合器電力管を介して前記調整可能なプラズマスプレーガンに連結するように構成された電力供給管と、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、結合器噴射剤管を介して前記調整可能なプラズマスプレーガンに連結するように構成された噴射剤供給管と
を含む万能プラズマエクステンションガンシステム。
【請求項６】
前記一組の送給管に連結され、前記調整可能なプラズマスプレーガン上に配設された一組のポートに連結するように構成された一組の結合器送給管をさらに含む、請求項５記載の万能プラズマエクステンションガンシステム。
【請求項７】
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、前記調整可能なプラズマスプレーガンに連結するように構成されたアームコネクタと、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、前記プラズマエクステンションアームをロボットアームに連結するように構成されたアーム結合器と
をさらに含む、請求項５又は請求項６記載の万能プラズマエクステンションガンシステム。
【請求項８】
前記調整可能なプラズマスプレーガンが、前記第２の軸方向開口の近傍で前記調整可能なプラズマスプレーガン上に配設された一組のポートを含み、前記一組のポートは前記第２の軸方向開口の周りに実質的に対称に配設されている、請求項５乃至請求項７のいずれか１項記載の万能プラズマエクステンションガンシステム。
【請求項９】
前記プラズマエクステンションアームが入れ子式である、請求項５乃至請求項８のいずれか１項記載の万能プラズマエクステンションガンシステム。
【請求項１０】
前記プラズマエクステンションアームが５０センチメートルから２００センチメートルの長さを有する、請求項５乃至請求項９のいずれか１項記載の万能プラズマエクステンションガンシステム。
【請求項１１】
前記プラズマエクステンションアームに取り付けられたロボットアームをさらに含む、請求項５乃至請求項１０のいずれか１項記載の万能プラズマエクステンションガンシステム。
【請求項１２】
万能プラズマエクステンションガンシステムであって、
ロボットアームと、
前記ロボットアームに連結され、部品の内側部分へと延出するように構成されたプラズマエクステンションアームと、
前記プラズマエクステンションアームに連結された調整可能なプラズマスプレーガンであって、電極を収容する電極本体と、出口環状部を画成するプラズマスプレーガン本体と、前記出口環状部の近傍に配設された一組のポートとを含む調整可能なプラズマスプレーガンと、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、前記一組のポートに流体を供給するように構成された一組の送給管と、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、結合器電力管を介して前記調整可能なプラズマスプレーガンに連結するように構成された電力供給管と、
前記プラズマエクステンションアーム上に配設され、結合器噴射剤管を介して前記調整可能なプラズマスプレーガンに連結するように構成された噴射剤供給管と
を含む万能プラズマエクステンションガンシステム。
【請求項１３】
前記一組の送給管に連結され、前記調整可能なプラズマスプレーガン上に配設された前記一組のポートに連結するように構成された一組の結合器送給管をさらに含む、請求項１２記載の万能プラズマエクステンションガンシステム。
【請求項１４】
前記一組のポートが前記出口環状部の周りに対称に配設されている、請求項１２又は請求項１３記載の万能プラズマエクステンションガンシステム。