【手続補正書】
【提出日】平成29年2月3日(2017.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置の非金属硬質脆性材料から成る構成要素を延性モード機械加工する方法であって、
ダイヤモンド切削工具で前記構成要素を一点旋削することにより、前記非金属硬質脆性材料の一部に高圧相変態を受けさせてチップ形成時に前記非金属硬質脆性材料の延性相部分を形成することを備え、
旋削面が相変化材料から形成され、前記旋削面は相変化材料の溝付きテクスチャ表面である、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、（ａ）前記構成要素の前記旋削面の所定の表面粗さ（Ｒａ）は旋削された前記構成要素の前記溝付きテクスチャ表面を形成し、（ｂ）前記旋削面の前記所定の表面粗さは約０．００１から０．２μｍであり、（ｃ）前記旋削面の前記溝付きテクスチャ表面はらせん状のパターンであり、（ｄ）前記旋削面の前記溝付きテクスチャ表面は光回折パターンを示し、（ｅ）前記旋削面の前記溝付きテクスチャ表面は仕上げ旋削面を形成し、および／または、（ｆ）前記構成要素はＳｉで形成され、前記旋削面を形成する前記相変化材料は非晶質シリコンを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記溝付きテクスチャ表面には、表面下損傷がない、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記高圧相変態の部分には、レーザ光が照射され、（ａ）前記レーザ光は、前記延性相部分によって吸収されることで前記延性相部分を加熱して硬度を減少させ、および／または、（ｂ）前記レーザ光は、約４００から１５００ナノメートルの波長を有する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、（ａ）前記切削の深さは約０．２５から５０μｍであり、前記送り速度は約０．１から５０μｍ／回転であり、前記構成要素は約５００から１，５００回転／分で回転され、（ｂ）前記切削の深さは約０．２５から５０μｍであり、前記送り速度は約０．２から３μｍ／回転であり、前記構成要素は約５００から１，０００回転／分で回転され、および／または、（ｃ）前記切削の深さは前記構成要素の一点旋削中に増大および／または減少され、および／または、（ｄ）前記送り速度は前記構成要素の一点旋削中に増大および／または減少される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記脆性材料は、セラミック材料、シリコン含有材料、および、石英材料からなる群より選択される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記構成要素は、エッジリング、シャワーヘッド電極、窓、ガスインジェクタ、プラズマ閉じ込めリング、チャンバライナ、または、静電チャックを含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記構成要素は、プラズマ処理装置の誘電体チャンバ部品である、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、（ａ）前記構成要素の前記旋削面は、起伏面形状を有し、および／または、（ｂ）前記構成要素の前記旋削面は、平面を形成する、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記起伏面形状は、ベベル、面取り部、曲面の三次元表面である、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、（ａ）前記平面の平坦度の変動は、約１．４μｍ未満であり、および／または、（ｂ）前記平面の平坦度の変動は、約０．３μｍ未満である、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、（ａ）前記延性モード機械加工された構成要素の前記旋削面を形成する前記相変化材料は、約０．０１から２μｍの厚さを有し、および／または、（ｂ）前記延性モード機械加工された構成要素の前記旋削面を形成する前記相変化材料は、約０．０１から０．５μｍの厚さを有する、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、さらに、前記旋削面の光学データを収集し、不規則性を検出できるように前記光学データを処理すること、を備える、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、（ａ）前記光学データは、肉眼視、散乱計、顕微鏡、または、干渉計で収集され、および／または、（ｂ）不規則性の検出は、不均一な表面粗さまたは露出した表面下損傷の検出を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、さらに、（ａ）前記構成要素を延性モード機械加工する前に、旋盤に設置された研削工具で、前記非金属硬質脆性材料の前記構成要素を所定の形状に研削すなわち荒削りし、および／または、（ｂ）前記構成要素を所定の形状にダイヤモンド旋削できるように、前記研削工具から、前記旋盤に設置されたダイヤモンド切削工具に切り替えることを備える、方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、前記一点旋削を実行する前記ダイヤモンド切削工具は、（ａ）単結晶天然ダイヤモンド切削工具、または、（ｂ）合成ダイヤモンド切削工具である、方法。
【請求項１７】
プラズマ処理装置の構成要素を交換する方法であって、使用済み構成要素が腐食した時に、前記使用済み構成要素を前記プラズマ処理装置から取り除きお、前記使用済み構成要素を請求項１の方法で製造された前記構成要素に交換すること、を備える、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、前記使用済み構成要素は、請求項１の方法で表面を修復された修復済み構成要素に交換される、方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法であって、前記構成要素の材料は、セラミック材料、シリコン含有材料、および、石英材料からなる群より選択される、方法。
【請求項２０】
プラズマ処理装置内で半導体基板をエッチングする方法であって、請求項１の方法で形成された構成要素を前記プラズマ処理装置のプラズマエッチングチャンバ内に設置し、前記プラズマエッチングチャンバ内で少なくとも１つの半導体基板をエッチングすること、を備える、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
当業者であれば、本発明は、その精神または基本的な特徴から逸脱することなく、他の具体的な形態で実施できることがわかる。したがって、ここで開示された実施形態は、すべての点において例示であり、限定を意図したものではないと見なされる。本発明の範囲は、上述の記載ではなく添付の請求項によって与えられ、本発明の意味および等価物の範囲内のすべての変形物が含まれるよう意図されている。
適用例１：プラズマ処理装置の非金属硬質脆性材料から成る構成要素を延性モード機械加工する方法であって、
ダイヤモンド切削工具で前記構成要素を一点旋削することにより、前記非金属硬質脆性材料の一部に高圧相変態を受けさせてチップ形成時に前記硬質脆性材料の延性相部分を形成することを備え、
旋削面が相変化材料から形成され、前記旋削面は相変化材料の溝付きテクスチャ表面である、方法。
適用例２：適用例１に記載の方法であって、（ａ）前記構成要素の前記旋削面の所定の表面粗さ（Ｒａ）は前記旋削された構成要素の前記溝付きテクスチャ表面を形成し、（ｂ）前記旋削面の前記所定の表面粗さは約０．００１から０．２μｍであり、（ｃ）前記旋削面の前記溝付きテクスチャ表面はらせん状のパターンであり、（ｄ）前記旋削面の前記溝付きテクスチャ表面は光回折パターンを示し、（ｅ）前記旋削面の前記溝付きテクスチャ表面は仕上げ旋削面を形成し、および／または、（ｆ）前記構成要素はＳｉで形成され、前記旋削面を形成する前記相変化材料は非晶質シリコンを含む、方法。
適用例３：適用例１に記載の方法であって、前記溝付きテクスチャ表面には、表面下損傷がない、方法。
適用例４：適用例１に記載の方法であって、前記高圧変態部分には、レーザ光が照射され、（ａ）前記レーザ光は、前記延性相材料によって吸収されることで前記延性相材料を加熱して硬度を減少させ、および／または、（ｂ）前記レーザ光は、約４００から１５００ナノメートルの波長を有する、方法。
適用例５：適用例１に記載の方法であって、（ａ）前記切削深さは約０．２５から５０μｍであり、前記送り速度は約０．１から５０μｍ／回転であり、前記構成要素は約５００から１，５００回転／分で回転され、（ｂ）前記切削深さは約０．２５から５０μｍであり、前記送り速度は約０．２から３μｍ／回転であり、前記構成要素は約５００から１，０００回転／分で回転され、および／または、（ｃ）前記切削深さは前記構成要素の一点旋削中に増大および／または減少され、および／または、（ｄ）前記送り速度は前記構成要素の一点旋削中に増大および／または減少される、方法。
適用例６：適用例１に記載の方法であって、前記脆性材料は、セラミック材料、シリコン含有材料、および、石英材料からなる群より選択される、方法。
適用例７：適用例１に記載の方法であって、前記構成要素は、エッジリング、シャワーヘッド電極、窓、ガスインジェクタ、プラズマ閉じ込めリング、チャンバライナ、または、静電チャックを含む、方法。
適用例８：適用例１に記載の方法であって、前記構成要素は、プラズマ処理装置の誘電体チャンバ部品である、方法。
適用例９：適用例１に記載の方法であって、（ａ）前記構成要素の前記旋削面は、起伏面形状を有し、および／または、（ｂ）前記構成要素の前記旋削面は、平面を形成する、方法。
適用例１０：適用例９に記載の方法であって、前記起伏面形状は、ベベル、面取り部、曲面の三次元表面である、方法。
適用例１１：適用例９に記載の方法であって、（ａ）前記平面の平坦度の変動は、約１．４μｍ未満であり、および／または、（ｂ）前記平面の平坦度の変動は、約０．３μｍ未満である、方法。
適用例１２：適用例１に記載の方法であって、（ａ）前記延性モード機械加工された構成要素の前記旋削面を形成する前記相変化材料は、約０．０１から２μｍの厚さを有し、および／または、（ｂ）前記延性モード機械加工された構成要素の前記旋削面を形成する前記相変化材料は、約０．０１から０．５μｍの厚さを有する、方法。
適用例１３：適用例１に記載の方法であって、さらに、前記旋削面の光学データを収集し、不規則性を検出できるように前記光学データを処理すること、を備える、方法。
適用例１４：適用例１３に記載の方法であって、（ａ）前記光学データは、肉眼視、散乱計、顕微鏡、または、干渉計で収集され、および／または、（ｂ）不規則性の検出は、不均一な表面粗さまたは露出した表面下損傷の検出を含む、方法。
適用例１５：適用例１に記載の方法であって、さらに、（ａ）前記構成要素を延性モード機械加工する前に、旋盤に設置された研削工具で、硬質脆性材料の前記構成要素を所定の形状に研削すなわち荒削りし、および／または、（ｂ）前記構成要素を所定の形状にダイヤモンド旋削できるように、前記研削工具から、前記旋盤に設置されたダイヤモンド切削工具に切り替えることを備える、方法。
適用例１６：適用例１に記載の方法であって、前記一点旋削を実行する前記ダイヤモンド切削工具は、（ａ）単結晶天然ダイヤモンド切削工具、または、（ｂ）合成ダイヤモンド切削工具である、方法。
適用例１７：プラズマ処理装置の構成要素を交換する方法であって、使用済み構成要素が腐食した時に、前記使用済み構成要素を前記プラズマ処理装置から取り除きお、前記使用済み構成要素を請求項１の方法で製造された前記構成要素に交換すること、を備える、方法。
適用例１８：適用例１７に記載の方法であって、前記使用済み構成要素は、請求項１の方法で表面を修復された修復済み構成要素に交換される、方法。
適用例１９：適用例１７に記載の方法であって、前記構成要素の材料は、セラミック材料、シリコン含有材料、および、石英材料からなる群より選択される、方法。
適用例２０：プラズマ処理装置内で半導体基板をエッチングする方法であって、請求項１の方法で形成された構成要素を前記プラズマ処理装置のプラズマエッチングチャンバ内に設置し、前記プラズマチャンバ内で少なくとも１つの半導体基板をエッチングすること、を備える、方法。