【手続補正書】
【提出日】平成29年7月3日(2017.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をエッチングする方法であって、
（ａ）その上に除去すべき材料を有する基板をリアクタの反応チャンバ内において受け取り、前記リアクタは、
（ｉ）上側サブチャンバおよび下側サブチャンバと、
（ｉｉ）グリッドアセンブリと、を備え、前記グリッドアセンブリは、前記反応チャンバ内に位置決めされ、これにより前記反応チャンバは前記上側サブチャンバと前記下側サブチャンバに分割され、前記グリッドアセンブリは、少なくとも最上部グリッドと最下部グリッドとを備え、前記最上部グリッドおよび最下部グリッドは、前記グリッドに負のバイアスを個別に提供するための１つまたは複数の電源に接続され、前記グリッドアセンブリの各グリッドは、前記グリッドの厚さを貫通して延びる穿孔を有し、
（ｉｉｉ）前記上側サブチャンバへの１つまたは複数の入口と、
（ｉｖ）前記下側サブチャンバへの１つまたは複数の入口と、
（ｖ）前記上側サブチャンバ内でプラズマを発生させるように設計または構成されているプラズマ発生源と
を備え、
（ｂ）前記上側サブチャンバにプラズマ発生ガスを供給し、前記プラズマ発生ガスから前記プラズマを発生させ、
（ｃ）前記最下部グリッドに印加されるバイアスが、前記最上部グリッドに印加されるバイアスよりも大きい負の値であるように、前記グリッドアセンブリの少なくとも前記最上部グリッドおよび最下部グリッドに負のバイアスを印加し、
（ｄ）前記下側サブチャンバへの前記１つまたは複数の入口を通して、前記下側サブチャンバにエッチングガスを供給し、
（ｅ）前記基板をエッチングして、前記除去すべき材料の少なくとも一部を除去すること
を備え、
前記下側サブチャンバは、操作（ａ）〜（ｅ）中にプラズマを実質的に含まない
方法。
【請求項２】
前記最上部グリッドに印加されるバイアスは、約−０．５〜−５０Ｖの間である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記最下部グリッドに印加されるバイアスは、約−０．５〜−２０００Ｖの間である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法は、さらに、操作（ｃ）中に、前記グリッドアセンブリの少なくとも１つのグリッドに印加される前記バイアスを変えることを備える、方法。
【請求項５】
操作（ｄ）中の前記エッチングガスは、パルスで供給される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記プラズマ発生ガスは、不活性ガスを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマ発生ガスは、反応性ガスを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記除去すべき材料は、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｉｒ、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法は、さらに、処理ガスを前記下側サブチャンバに供給し、前記処理ガスを前記除去すべき材料と反応させ、酸化物、窒化物、水素化物、塩化物、フッ化物、有機金属錯体、またはそれらの組合せからなる群から選択される材料を含む除去すべき反応層を形成することを備える、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法は、さらに、除去すべき前記反応層を除去するために、除去すべき前記反応層を前記エッチングガスと反応させることを備える、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法は、さらに、操作（ｂ）〜（ｅ）の少なくとも１つにおいて、前記グリッドアセンブリの少なくとも１つのグリッドを移動させることを備える方法。
【請求項１２】
前記上側サブアセンブリ中に存在するイオンは、前記グリッドアセンブリを通って加速し、前記基板の表面と相互作用する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
基板をエッチングする方法であって、
（ａ）プラズマリアクタの上側領域内でプラズマを発生させ、
（ｂ）前記プラズマからのイオンを、前記プラズマリアクタの下側領域内の前記基板の表面上に向けて加速させ、前記プラズマは前記基板に接触せず、
（ｃ）前記基板の前記表面にエッチャントガスを送給するステップであって、前記エッチャントガスは前記表面と反応して、前記表面から前記金属または半導体をエッチングし、前記金属または半導体の１つまたは複数の原子と、前記エッチャントガスからの１つまたは複数の配位子とを含む揮発性副生成物を生成し、
（ｄ）前記副生成物を前記プラズマに実質的に接触させることなく、かつ前記揮発性副生成物をより揮発性の低い物質に解離させることなく、前記プラズマリアクタから前記揮発性副生成物を除去すること
を備える方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法において、前記イオンを加速することは、前記プラズマリアクタの前記上側領域と下側領域を分離する１つまたは複数のグリッドに負のバイアスを印加することを備える、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法において、（ｃ）において前記エッチャントガスは、反応して、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｉｒ、およびそれらの組合せからなる群から選択される金属をエッチングする、方法。
【請求項１６】
基板をエッチングするための装置であって、
（ａ）反応チャンバと、
（ｂ）グリッドアセンブリとを備え、前記グリッドアセンブリは、前記反応チャンバ内に位置決めされ、これにより前記反応チャンバを上側サブチャンバと下側サブチャンバに分割し、前記グリッドアセンブリは、少なくとも最上部グリッドと最下部グリッドとを備え、
（ｃ）前記最上部グリッドおよび最下部グリッドに負のバイアスを個別に提供するための、前記グリッドアセンブリの少なくとも前記最上部グリッドおよび最下部グリッドと接続する電気接続ラインと、
（ｄ）前記上側サブチャンバへの１つまたは複数のガス入口と、
（ｅ）前記下側サブチャンバへの１つまたは複数のガス入口と、
（ｆ）前記上側サブチャンバ内でプラズマを発生させるように構成されているプラズマ発生源と、
（ｇ）前記下側サブチャンバからガスを除去するように構成されている、前記下側サブチャンバへの１つまたは複数のガス出口と、
（ｈ）命令を提供するように構成されている制御装置と
を備え、前記命令は、
（ｉ）前記上側サブチャンバにプラズマ発生ガスを供給し、前記プラズマ発生ガスからプラズマを発生させるための命令、
（ｉｉ）前記最下部グリッドに印加されるバイアスは、前記最上部グリッドに印加されるバイアスよりも大きい負の値であるように、前記グリッドアセンブリの少なくとも前記最上部グリッドおよび最下部グリッドに負のバイアスを印加し、前記上側サブチャンバ内においてプラズマからのイオンを前記グリッドアセンブリを介して前記基板に向けて加速させるための命令、
（ｉｉｉ）前記下側サブチャンバにエッチングガスを供給するための命令、
（ｉｖ）前記基板をエッチングするための命令であり、前記下側サブチャンバは、操作（ｉ）〜（ｉｖ）の間、プラズマを実質的に含まない、装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の装置において、前記グリッドアセンブリは、（ｄ）および（ｅ）での前記入口の１つまたは複数として働くように構成されている、装置。
【請求項１８】
請求項１６に記載の装置において、前記上側サブチャンバの高さと前記下側サブチャンバの高さとの比が、約０．１〜１０の間である、装置。
【請求項１９】
請求項１６に記載の装置において、前記グリッドアセンブリは、基板表面の異なる部分に異なるレベルのイオンフラックスを提供するように設計されている、装置。
【請求項２０】
請求項１６に記載の装置において、前記グリッドアセンブリは、前記アセンブリに埋め込まれた冷却チャネルを備えている、装置。
【請求項２１】
請求項１６に記載の装置において、前記グリッドアセンブリの少なくとも１つのグリッドは可動である、装置。
【請求項２２】
請求項１６に記載の装置において、前記プラズマ発生源は、前記上側サブチャンバの上方に位置決めされた１つまたは複数のプラズマコイルを備えている、装置。
【請求項２３】
請求項１６に記載の装置は、前記プラズマ発生源は、容量結合プラズマ源である、装置。
【請求項２４】
請求項１６に記載の装置において、前記グリッドアセンブリは、３つ以上のグリッドを備えている、装置。
【請求項２５】
基板をエッチングするための装置であって、
（ａ）反応チャンバと、
（ｂ）グリッドアセンブリとを備え、前記グリッドアセンブリは、前記反応チャンバ内に位置決めされ、これにより前記反応チャンバを上側領域と下側領域とに分割し、前記グリッドアセンブリは、少なくとも第１のグリッドと第２のグリッドとを備え、
（ｃ）前記第１のグリッドおよび前記第２のグリッドに負のバイアスを個別に提供するための、前記グリッドアセンブリの少なくとも前記第１のグリッドおよび前記第２のグリッドと接続する電気接続ラインと、
（ｄ）前記反応チャンバの前記上側領域への１つまたは複数のガス入口と、
（ｅ）前記反応チャンバの前記下側領域への１つまたは複数のガス入口と、
（ｆ）前記反応チャンバの前記上側領域内でプラズマを発生させるように構成されているプラズマ発生源と、
（ｇ）前記反応チャンバの前記下側領域からガスを除去するように構成されている、前記反応チャンバの前記下側領域への１つまたは複数のガス出口と、
（ｈ）命令を提供するように構成されている制御装置と
を備え、前記命令は、
（ｉ）前記反応チャンバの前記上側領域にプラズマを発生させるための命令、
（ｉｉ）前記グリッドアセンブリの前記第１のグリッドに第１の負のバイアスを印加し、前記グリッドアセンブリの前記第２のグリッドに第２の負のバイアスを印加し、前記プラズマと前記基板とは接触せず、前記反応チャンバの前記下側領域内において前記プラズマからのイオンを前記基板の表面に向けて加速させるための命令、
（ｉｉｉ）前記基板の前記表面にエッチングガスを供給するための命令、前記エッチングガスは前記表面から金属および半導体をエッチングするために反応し、これにより、前記金属または前記半導体の１つまたは複数の原子と、前記エッチャントガスからの１つまたは複数の配位子とを含む揮発性副生成物が生成され、
（ｉｖ）前記揮発性副生成物を前記プラズマに実質的に接触させることなく、また、前記揮発性副生成物をすることなく、前記揮発性副生成物を実質的に低揮発性物質に解離させることなく、前記反応チャンバから除去するための命令である、装置。
【請求項２６】
基板をエッチングする方法であって、
（ａ）除去材料を有する基板をリアクタの反応チャンバ内において受け取り、
（ｂ）前記反応チャンバ内のグリッドアセンブリの上方にプラズマ発生ガスを供給し、前記グリッドアセンブリは、最上部グリッドおよび最下部グリッドを有し、前記グリッドアセンブリの上方に前記プラズマ発生ガスからプラズマを発生させ、
（ｃ）前記グリッドアセンブリの前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドに対してそれぞれ第１の負のバイアスおよび第２の負のバイアスを同時に印加し、前記最下部グリッドに印加される前記第２の負のバイアスは、前記最上部グリッドに印加される前記第１のバイアスよりも大きい負の値であり、前記プラズマからのイオンを前記グリッドアセンブリを介して前記基板に向けて加速させ、
（ｄ）前記グリッドアセンブリの下方にエッチングガスを供給し、
（ｅ）前記基板をエッチングして、前記除去材料の少なくとも一部を除去すること
を備え、
前記グリッドアセンブリの下方の領域は、操作（ａ）〜（ｅ）中にプラズマを実質的に含まない
方法。
【請求項２７】
前記最上部グリッドに印加される前記第１の負のバイアスは、約−０．５〜−５０Ｖの間であり、前記最下部グリッドに印加される前記第２の負のバイアスは、約−０．５〜−２０００Ｖの間である請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
請求項２６に記載の方法は、さらに、操作（ｃ）中に、前記第１の負のバイアスおよび前記第２の負のバイアスの少なくともいずれか一方を変えることを備える、方法。
【請求項２９】
操作（ｄ）中の前記エッチングガスは、パルスで供給される請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記除去材料は、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｉｒ、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
請求項２６に記載の方法は、さらに、処理ガスを前記グリッドアセンブリの下方の前記領域に供給し、前記処理ガスを前記除去材料と反応させ、酸化物、窒化物、水素化物、塩化物、フッ化物、有機金属錯体、またはそれらの組合せからなる群から選択される材料を含む除去反応層を形成することを備える、方法。
【請求項３２】
請求項３１に記載の方法は、さらに、前記除去反応層を除去するために、前記除去反応層を前記エッチングガスと反応させることを備える、方法。
【請求項３３】
請求項２６に記載の方法は、さらに、操作（ｂ）〜（ｅ）の少なくとも１つにおいて、前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドの少なくとも一方を移動させることを備える方法。
【請求項３４】
請求項３３に記載の方法において、前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドの少なくとも一方を移動させることは、前もって前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドの少なくとも一方を移動させる場合と比較して大きなイオンフラックスをもたらす、方法。
【請求項３５】
請求項３３に記載の方法において、前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドの少なくとも一方を移動させることは、前もって前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドの少なくとも一方を移動させる場合と比較して小さなイオンフラックスをもたらす、方法。
【請求項３６】
請求項３３に記載の方法において、前記基板上におけるイオンフラックスは、前記基板の中心領域近傍における第１のイオンフラックスおよび前記基板の縁部に向かう第２のイオンフラックスとを含み、前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドの少なくとも一方を移動させることは、前記第１のイオンフラックスの増加および前記第２のイオンフラックスの減少をもたらす、方法。
【請求項３７】
請求項３３に記載の方法において、前記基板上におけるイオンフラックスは、前記基板の中心領域近傍における第１のイオンフラックスおよび前記基板の縁部に向かう第２のイオンフラックスとを含み、前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドの少なくとも一方を移動させることは、前記第１のイオンフラックスの減少および前記第２のイオンフラックスの増加をもたらす、方法。
【請求項３８】
請求項３３に記載の方法において、前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドの少なくとも一方を移動させることは、前記基板上にイオンフラックスの反復パルスをもたらす、方法。
【請求項３９】
請求項３８に記載の方法において、前記基板上における前記イオンフラックスは第１の状態および第２の状態の間で変化し、前記第１の状態は高イオンフラックス状態であり、前記第２の状態は低イオンフラックス状態である、方法。
【請求項４０】
請求項３９に記載の方法において、前記低イオンフラックス状態の間、前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドと垂直な方向において、前記グリッドアセンブリを通過する貫通線は存在しない、方法。
【請求項４１】
請求項２６に記載の方法において、前記最上部グリッドおよび前記最下部グリッドにそれぞれ印加される前記第１の負のバイアスおよび前記第２の負のバイアスはＤＣバイアスである、方法。