【手続補正書】
【提出日】平成29年2月22日(2017.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板とキャリヤとの間に前記基板と前記キャリヤとを結合するために、第１表面及び第１表面に対向する第２表面を有する熱硬化性接着膜と前記熱硬化性接着膜の第１表面上に提供され基板の表面と接触する第１剥離膜と第２表面上に直に提供されキャリヤの表面に接触する第２剥離膜とを含む結合膜を提供する段階と、
前記キャリヤによって前記基板が支持された状態で前記基板を加工する段階と、
前記結合膜を除去して前記基板を前記キャリヤから分離する段階と、を有し、
前記基板を前記キャリヤから分離する段階は、
前記熱硬化性接着膜の側面に物理的な接触方法でクラックを形成する段階を含み、
前記基板は前記基板の表面に形成された複数のバンプを含み、
前記第１剥離膜は前記複数のバンプ及び前記複数のバンプ間の前記基板の表面の上に形成され、
前記熱硬化性接着膜の側面は前記熱硬化性接着膜の第１表面及び第２表面に接続される
ことを含むことを特徴とする基板加工方法。
【請求項２】
前記基板と前記結合膜との間の結合力は前記キャリヤと前記結合膜との間の結合力に比べて大きいことを特徴とする請求項１に記載の基板加工方法。
【請求項３】
前記結合膜を提供する段階は、
前記基板上に第１熱硬化性物質を提供して前記第１剥離膜を形成する段階と、
前記キャリヤ上に第２熱硬化性物質を提供して前記第２剥離膜を形成する段階と、
前記基板及び前記キャリヤの中で少なくともいずれか１つの上に第３熱硬化性物質を提供して前記熱硬化性接着膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板加工方法。
【請求項４】
前記第１剥離膜を形成する段階は、
ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）とヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）とを含む前駆体を前記基板上にコーティングして前駆体膜を形成する段階と、
前記ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を反応ガスとして使用した化学気相蒸着で前記前駆体膜上に蒸着膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板加工方法。
【請求項５】
前記第２剥離膜を形成する段階は、
ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）とヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）とを含む前駆体を前記キャリヤ上にコーティングして前駆体膜を形成する段階と、
前記ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）と酸素を反応ガスとして使用した化学気相蒸着で前記前駆体膜上に蒸着膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板加工方法。
【請求項６】
前記熱硬化性接着膜を形成する段階は、
前記第１剥離膜と前記第２剥離膜との中で少なくとも１つ上にシロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）或いは前記シロキサンを含む熱硬化性物質をコーティングする段階を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板加工方法。
【請求項７】
前記結合膜を提供する段階は、
前記第１及び第２剥離膜と前記熱硬化性接着膜を硬化させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の基板加工方法。
【請求項８】
前記基板を前記キャリヤから分離する段階は、
前記キャリヤを前記熱硬化性接着膜から分離する段階と、
前記熱硬化性接着膜をプラズマ処理する段階と、
前記熱硬化性接着膜を前記基板から分離する段階と、
前記基板を洗浄する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板加工方法。
【請求項９】
前記熱硬化性接着膜をプラズマ処理する段階は、
酸素、窒素、アルゴンの中で少なくともいずれか１つを含むプラズマで前記第２剥離膜の残留物を前記熱硬化性接着膜から除去する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の基板加工方法。
【請求項１０】
前記結合膜を提供する段階は、
前記基板上に第１熱硬化性物質を提供して前記第１剥離膜を形成し、そして前記基板の縁を露出させる段階と、
前記キャリヤ上に第２熱硬化性物質を提供して前記第２剥離膜を形成し、そして前記キャリヤの縁を露出させる段階と、
前記基板及び前記キャリヤの中で少なくともいずれか１つ上に第３熱硬化性物質を提供して前記熱硬化性接着膜を形成する段階と、を含み、
前記熱硬化性接着膜は、前記基板及び前記キャリヤの露出された縁と接触することを特徴とする請求項１に記載の基板加工方法。
【請求項１１】
基板上に直に熱硬化性第１剥離膜を形成する段階と、
キャリヤ上に熱硬化性第２剥離膜を形成する段階と、
前記基板と前記キャリヤとの間に前記基板を前記キャリヤに結合するために、第１表面が前記熱硬化性第１剥離膜に接着され前記第１表面と対向する第２表面が前記熱硬化性第２剥離膜と直に接着される熱硬化性接着膜を提供する段階と、
前記キャリヤによって支持された状態で前記基板を薄形化する段階と、
前記キャリヤを前記薄形化された基板から分離する段階と、
前記熱硬化性接着膜を前記熱硬化性接着膜上の前記熱硬化性第２剥離膜を除去するためにプラズマ処理する段階と、
前記熱硬化性接着膜を前記薄形化された基板から分離する段階と、
前記薄形化された基板から前記熱硬化性第１剥離膜を除去する段階と、を有し、
前記キャリヤを前記薄形化された基板から分離する段階は、
前記熱硬化性接着膜の側面にクラックを形成するために前記熱硬化性接着膜の側面に物理的な応力を加える段階と、
前記熱硬化性接着膜から前記キャリヤを分離する段階と、を含むことを特徴とする基板加工方法。
【請求項１２】
前記基板を薄形化する段階は、
前記基板の中で前記熱硬化性第１剥離膜が形成された第１面の反対面である第２面をリセスする段階を含み、
前記薄形化された基板のリセスされた第２面を通じて前記基板に含まれた少なくとも一つの貫通電極が露出されることを特徴とする請求項１１に記載の基板加工方法。
【請求項１３】
前記熱硬化性第１剥離膜と前記熱硬化性第２剥離膜との中で少なくともいずれか１つは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）とヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）との中で少なくともいずれか１つを含み、前記熱硬化性接着膜は、シロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）を含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板加工方法。
【請求項１４】
前記基板の上に複数のバンプを形成する段階をさらに含み、
前記熱硬化性第１剥離膜は直に前記複数のバンプ及び基板の上に形成され、
前記基板は、複数個のバンプと前記バンプと電気的に連結された複数個の貫通電極を含む半導体ウエハであり、そして前記キャリヤは、前記基板と同一な物質或いはガラスを含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板加工方法。
【請求項１５】
前記熱硬化性第１剥離膜を除去する段階は、前記薄形化された基板を洗浄する段階を含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板加工方法。
【請求項１６】
熱硬化性接着膜と熱硬化性接着膜に直に結合され基板の第１面に結合される第１剥離膜と熱硬化性接着膜に直に結合されキャリヤの第１面に直に結合される第２剥離膜とを含み、前記基板との結合力が前記キャリヤとの結合力に比べて大きい結合膜を提供する段階と、
前記結合膜が前記基板と結合され、前記キャリヤが前記結合膜に結合された状態で、前記基板の前記第１面の反対面である前記基板の第２面を加工する段階と、
前記基板から前記結合膜を除去する段階と、を有し、
第１剥離膜は直に前記基板の第１面及び前記基板の第１面上に形成された複数のバンプに結合され、
前記複数のバンプは直に前記基板の貫通電極に接続され、
前記結合膜を除去する段階は、
前記熱硬化性接着膜の側面に物理的な接触方法で前記結合膜から前記キャリヤを分離するためのクラックを形成する段階と、
前記結合膜から前記キャリヤを分離した後に前記基板から少なくとも前記第２剥離膜と前記熱硬化性接着膜とを除去する段階と、を含み、
前記熱硬化性接着膜の側面は前記熱硬化性接着膜の第１表面及び第２表面に接続される
ことを含むことを特徴とする基板加工方法。
【請求項１７】
前記第１及び第２剥離膜は、熱硬化性物質を含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板加工方法。
【請求項１８】
前記結合膜を提供する段階は、
前記結合膜を熱に露出させて前記結合膜を強化させる段階を含むことを特徴とする請求項１７に記載の基板加工方法。
【請求項１９】
前記熱硬化性接着膜は、前記基板の縁と前記キャリヤの縁との中で少なくともいずれか１つに直接的に結合されることを特徴とする請求項１６に記載の基板加工方法。
【請求項２０】
前記クラックを形成する段階は、
前記熱硬化性接着膜の側面にブレードにより衝撃を加える段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板加工方法。

【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記特徴を具現できる本発明の一実施形態による基板加工方法は、基板とキャリヤとの間に前記基板と前記キャリヤとを結合するために、第１表面及び第１表面に対向する第２表面を有する熱硬化性接着膜と前記熱硬化性接着膜の第１表面上に提供され基板の表面と接触する第１剥離膜と第２表面上に直に提供されキャリヤの表面に接触する第２剥離膜とを含む結合膜を提供する段階と、前記キャリヤによって前記基板が支持された状態で前記基板を加工する段階と、前記結合膜を除去して前記基板を前記キャリヤから分離する段階と、を有し、前記基板を前記キャリヤから分離する段階は、前記熱硬化性接着膜の側面に物理的な接触方法でクラックを形成する段階を含み、前記基板は前記基板の表面に形成された複数のバンプを含み、前記第１剥離膜は前記複数のバンプ及び前記複数のバンプ間の前記基板の表面の上に形成され、前記熱硬化性接着膜の側面は前記熱硬化性接着膜の第１表面及び第２表面に接続されることを包含することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一実施形態の方法において、前記基板と前記結合膜との間の結合力は前記キャリヤと前記結合膜との間の結合力に比べて大きくなり得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一実施形態の方法において、前記結合膜を提供する段階は、前記基板上に第１熱硬化性物質を提供して前記第１剥離膜を形成する段階と、前記キャリヤ上に第２熱硬化性物質を提供して前記第２剥離膜を形成する段階と、前記基板及び前記キャリヤの中で少なくともいずれか１つ上に第３熱硬化性物質を提供して前記熱硬化性接着膜を形成する段階と、を包含することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
一実施形態の方法において、前記第１剥離膜を形成する段階は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）とヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）とを含む前駆体を前記基板上にコーティングして前駆体膜を形成する段階と、前記ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を反応ガスとして使用した化学気相蒸着で前記前駆体膜上に蒸着膜を形成する段階と、を包含することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
一実施形態の方法において、前記第２剥離膜を形成する段階は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）とヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）とを含む前駆体を前記キャリヤ上にコーティングして前駆体膜を形成する段階と、前記ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）と酸素を反応ガスとして使用した化学気相蒸着で前記前駆体膜上に蒸着膜を形成する段階と、を包含することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
一実施形態の方法において、前記熱硬化性接着膜を形成する段階は、前記第１剥離膜と前記第２剥離膜との中で少なくとも１つ上にシロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）或いは前記シロキサンを含む熱硬化性物質をコーティングする段階を包含することができる。
一実施形態の方法において、前記結合膜を提供する段階は、前記第１及び第２剥離膜と前記熱硬化性接着膜とを硬化させる段階をさらに含むことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一実施形態の方法において、前記基板を前記キャリヤから分離する段階は、前記キャリヤを前記熱硬化性接着膜から分離する段階と、前記熱硬化性接着膜をプラズマ処理する段階と、前記熱硬化性接着膜を前記基板から分離する段階と、前記基板を洗浄する段階と、をさらに包含することができる。
一実施形態の方法において、前記熱硬化性接着膜をプラズマ処理する段階は、酸素、窒素、アルゴンの中で少なくともいずれか１つを含むプラズマによって前記第２剥離膜の残留物を前記熱硬化性接着膜から除去する段階を包含することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
一実施形態の方法において、前記結合膜を提供する段階は、前記基板上に第１熱硬化性物質を提供して前記第１剥離膜を形成し、そして前記基板の縁を露出させる段階と、前記キャリヤ上に第２熱硬化性物質を提供して前記第２剥離膜を形成し、そして前記キャリヤの縁を露出させる段階と、前記基板及び前記キャリヤの中で少なくともいずれか１つ上に第３熱硬化性物質を提供して前記熱硬化性接着膜を形成する段階と、を包含することができる。
前記熱硬化性接着膜は、前記基板及び前記キャリヤの露出された縁と接触することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記特徴を具現できる本発明の他の実施形態による基板加工方法は、基板上に直に熱硬化性第１剥離膜を形成する段階と、キャリヤ上に熱硬化性第２剥離膜を形成する段階と、前記基板と前記キャリヤとの間に前記基板を前記キャリヤに結合するために、第１表面が前記熱硬化性第１剥離膜に接着され前記第１表面と対向する第２表面が前記熱硬化性第２剥離膜と直に接着される熱硬化性接着膜を提供する段階と、前記キャリヤによって支持された状態で前記基板を薄形化する段階と、前記キャリヤを前記薄形化された基板から分離する段階と、前記熱硬化性接着膜を前記熱硬化性接着膜上の前記熱硬化性第２剥離膜を除去するためにプラズマ処理する段階と、前記熱硬化性接着膜を前記薄形化された基板から分離する段階と、前記薄形化された基板から前記熱硬化性第１剥離膜を除去する段階と、を有し、前記キャリヤを前記薄形化された基板から分離する段階は、前記熱硬化性接着膜の側面にクラックを形成するために前記熱硬化性接着膜の縁に物理的な応力を加える段階と、前記熱硬化性接着膜から前記キャリヤを分離する段階と、を包含することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
他の実施形態の方法において、前記基板を薄形化する段階は、前記基板の中で前記熱硬化性第１剥離膜が形成された第１面の反対面である第２面をリセスする段階を包含することができる。前記薄形化された基板のリセスされた第２面を通じて前記基板に含まれた少なくとも一つの貫通電極が露出され得る。
他の実施形態の方法において、前記熱硬化性第１剥離膜と前記熱硬化性第２剥離膜との中で少なくともいずれか１つは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）とヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）との中で少なくともいずれか１つを包含することができる。前記熱硬化性接着膜は、シロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）を包含することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
他の実施形態の方法において、前記基板の上に複数のバンプを形成する段階をさらに含み、前記熱硬化性第１剥離膜は直に前記複数のバンプ及び基板の上に形成され、前記基板は、複数個のバンプと前記バンプと電気的に連結された複数個の貫通電極を含む半導体ウエハであり得る。前記キャリヤは、前記基板と同一な物質或いはガラスを包含することができる。
他の実施形態の方法において、前記熱硬化性第１剥離膜を除去する段階は、前記薄形化された基板を洗浄する段階を包含することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記特徴を具現できる本発明のその他の実施形態による基板加工方法は、熱硬化性接着膜と熱硬化性接着膜に直に結合され基板の第１面に結合される第１剥離膜と熱硬化性接着膜に直に結合されキャリヤの第１面に直に結合される第２剥離膜とを含み、前記基板との結合力が前記キャリヤとの結合力に比べて大きい結合膜を提供する段階と、前記結合膜が前記基板と結合され、前記キャリヤが前記結合膜に結合された状態で、前記基板の前記第１面の反対面である前記基板の第２面を加工する段階と、前記基板から前記結合膜を除去する段階と、を有し、第１剥離膜は直に前記基板の第１面及び前記基板の第１面上に形成された複数のバンプに結合され、前記複数のバンプは直に前記基板の貫通電極に接続され、前記結合膜を除去する段階は、前記熱硬化性接着膜の側面に物理的な接触方法で前記結合膜から前記キャリヤを分離するためのクラックを形成する段階と、前記結合膜から前記キャリヤを分離した後に前記基板から少なくとも前記第２剥離膜と前記熱硬化性接着膜とを除去する段階と、を含み、前記熱硬化性接着膜の側面は前記熱硬化性接着膜の第１表面及び第２表面に接続されることを包含することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
その他の実施形態の方法において、前記第１及び第２剥離膜は、熱硬化性物質を包含することができる。
その他の実施形態の方法において、前記結合膜を提供する段階は、前記結合膜を熱に露出させて前記結合膜を強化させる段階を包含することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
その他の実施形態の方法において、前記熱硬化性接着膜は、前記基板の縁と前記キャリヤの縁との中で少なくともいずれか１つに直接的に結合され得る。
前記クラックを形成する段階は、前記熱硬化性接着膜の側面にブレードにより衝撃を加える段階を包含することができる。