【手続補正書】
【提出日】平成29年4月11日(2017.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にリンス液を供給するリンス工程と、
前記リンス液よりも表面張力が低い低表面張力液体を前記基板の表面に供給することにより前記リンス液を前記低表面張力液体に置換する置換工程と、
前記置換工程を終了した後に、前記低表面張力液体の供給を停止した状態で、前記基板を回転させて前記低表面張力液体を振り切り前記基板の表面を乾燥させる乾燥工程と、を順次実行する基板処理方法であって、
前記置換工程において前記基板の表面に供給される前記低表面張力液体は前記基板の表面への供給前に常温以上沸点以下に加温されており、
前記低表面張力液体の前記基板の表面への供給と並行して、前記表面の反対側の裏面に加熱された温調液を供給する、基板処理方法。
【請求項２】
前記低表面張力液体は、ＩＰＡ、ＨＦＥ、メタノール、エタノール、アセトンおよびＴｒａｎｓ−１，２ジクロロエチレンのうちの少なくとも一つを含む液である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記温調液は、加熱された純水である、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記置換工程では、前記基板の表面に加温された気体を供給する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記加温された気体は、窒素ガス、ＩＰＡベーパまたはドライエアのいずれかである、請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させる回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の前記表面に、前記リンス液よりも表面張力が低く、かつ前記基板の表面への供給前に常温以上沸点以下に加温された低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給手段と、
前記基板の表面と反対側の裏面に加熱された温調液を供給する温調液供給手段と、
前記回転手段、前記リンス液供給手段、前記低表面張力液体供給手段、および前記温調液供給手段を制御して、前記基板の表面にリンス液を供給するリンス工程、前記低表面張力液体を前記基板の表面に供給することにより前記リンス液を前記低表面張力液体に置換する置換工程、および、前記置換工程を終了した後に、前記低表面張力液体の供給を停止した状態で、前記基板を回転させて前記低表面張力液体を振り切り前記基板の表面を乾燥させる乾燥工程を順次実行するための制御手段と、を含み、
前記制御手段は、前記置換工程では、前記基板の表面への供給前に常温以上沸点以下に加温された低表面張力液体を前記低表面張力液体供給手段から前記基板の表面に供給させ、かつ前記低表面張力液体の前記基板の表面への供給と並行して、前記表面の反対側の裏面に加熱された温調液を前記温調液供給手段から供給させる、基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明の一実施形態は、基板の表面にリンス液を供給するリンス工程と、前記リンス液よりも表面張力が低い低表面張力液体を前記基板の表面に供給することにより前記リンス液を前記低表面張力液体に置換する置換工程と、前記置換工程を終了した後に、前記低表面張力液体の供給を停止した状態で、前記基板を回転させて前記低表面張力液体を振り切り前記基板の表面を乾燥させる乾燥工程と、を順次実行する基板処理方法であって、前記置換工程において前記基板の表面に供給される前記低表面張力液体は前記基板の表面への供給前に常温以上沸点以下に加温されており、前記低表面張力液体の前記基板の表面への供給と並行して、前記表面の反対側の裏面に加熱された温調液を供給する、基板処理方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明の一実施形態では、前記低表面張力液体は、ＩＰＡ、ＨＦＥ、メタノール、エタノール、アセトンおよびＴｒａｎｓ−１，２ジクロロエチレンのうちの少なくとも一つを含む液である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明の一実施形態では、前記温調液は、加熱された純水である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明の一実施形態では、前記置換工程では、前記基板の表面に加温された気体を供給する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、この発明の一実施形態では、前記加温された気体は、窒素ガス、ＩＰＡベーパまたはドライエアのいずれかである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明の一実施形態は、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を回転させる回転手段と、前記基板保持手段に保持された前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給手段と、前記基板保持手段に保持された前記基板の前記表面に、前記リンス液よりも表面張力が低く、かつ前記基板の表面への供給前に常温以上沸点以下に加温された低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給手段と、前記基板の表面と反対側の裏面に加熱された温調液を供給する温調液供給手段と、前記回転手段、前記リンス液供給手段、前記低表面張力液体供給手段、および前記温調液供給手段を制御して、前記基板の表面にリンス液を供給するリンス工程、前記低表面張力液体を前記基板の表面に供給することにより前記リンス液を前記低表面張力液体に置換する置換工程、および、前記置換工程を終了した後に、前記低表面張力液体の供給を停止した状態で、前記基板を回転させて前記低表面張力液体を振り切り前記基板の表面を乾燥させる乾燥工程を順次実行するための制御手段と、を含み、前記制御手段は、前記置換工程では、前記基板の表面への供給前に常温以上沸点以下に加温された低表面張力液体を前記低表面張力液体供給手段から前記基板の表面に供給させ、かつ前記低表面張力液体の前記基板の表面への供給と並行して、前記表面の反対側の裏面に加熱された温調液を前記温調液供給手段から供給させる、基板処理装置を提供する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
スピン軸５には、モータ８が結合されている。モータ８が発生する回転力により、スピン軸５をその中心軸線まわりに回転させることができる。そして、複数の挟持部材７によってウエハＷを保持した状態で、スピン軸５を回転させることにより、ウエハＷをスピンベース６とともに回転させることができる。
また、スピン軸５は、中空に形成されている。スピン軸５の内部には、温調液流通管９が挿通されている。温調液流通管９には、温水供給管３２が接続されている。この温水供給管３２を通して、温調液の一例としての約８０℃の温水が温調液流通管９に供給されるようになっている。温水供給管３２の途中部には、温水バルブ１０が介装されている。また、温調液流通管９は、スピンチャック２（複数個の挟持部材７）に保持されたウエハＷの裏面（下面）中央に近接する位置まで延びていて、その先端には、温調液流通管９に供給される温水を吐出する裏面ノズル１１が設けられている。裏面ノズル１１から吐出される温水は、たとえば、スピンチャック２に保持されたウエハＷの裏面中央に対してほぼ垂直に入射する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
この構成により、Ａ６項に記載の基板処理方法を実施することができる。その結果、Ａ６項に関連して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
Ｂ１．基板の表面にリンス液を供給するリンス工程と、
前記リンス液よりも表面張力が低い低表面張力液体を前記基板の表面に供給することにより前記リンス液を前記低表面張力液体に置換する置換工程と、
前記置換工程を終了した後に、前記低表面張力液体の供給を停止した状態で、前記基板を回転させて前記低表面張力液体を振り切り前記基板の表面を乾燥させる乾燥工程と、を順次実行する基板処理方法であって、
前記リンス工程では、前記基板の表面に対して対向配置され、前記基板の表面から上方に離間した離間位置と前記基板の表面に微小な間隔を隔てて近接する近接位置との間で昇降可能な遮断板を前記離間位置に配置し、
前記置換工程では、前記遮断板を前記近接位置に配置して前記基板の表面付近の雰囲気をその周囲から遮断し、かつ前記低表面張力液体の前記基板の表面への供給と並行して、前記表面の反対側の裏面に加熱された温調液を供給し、
前記乾燥工程では、前記基板の表面に加温された気体を供給し、
前記基板の裏面への温調液の供給と、前記基板の表面への加温された気体の供給とが連続するように実行される、基板処理方法。
Ｂ２．前記置換工程と前記乾燥工程とは連続して実行される、Ｂ１項に記載の基板処理方法。
Ｂ３．前記置換工程では、前記基板の表面に加温された気体を供給する、Ｂ１項またはＢ２項に記載の基板処理方法。
Ｂ４．前記低表面張力液体は、ＩＰＡ、ＨＦＥ、メタノール、エタノール、アセトンおよびＴｒａｎｓ−１，２ジクロロエチレンのうちの少なくとも一つを含む液である、Ｂ１項〜Ｂ３項のいずれか一項に記載の基板処理方法。
Ｂ５．前記加温された気体は、窒素ガス、ＩＰＡベーパまたはドライエアのいずれかである、Ｂ１項〜Ｂ４項のいずれか一項に記載の基板処理方法。
Ｂ６．前記温調液は、加熱された純水である、Ｂ１項〜Ｂ５項のいずれか一項に記載の基板処理方法。
Ｂ７．前記置換工程では、前記遮断板に設けられた低表面張力液体ノズルから前記低表面張力液体を前記表面に向けて供給して前記リンス液を前記低表面張力液体に置換させる、Ｂ１項〜Ｂ６項のいずれか一項に記載の基板処理方法。
Ｂ８．前記乾燥工程は、前記遮断板を前記近接位置に配置して前記基板の表面付近の雰囲気をその周囲から遮断した状態で実行する、Ｂ１項〜Ｂ７項のいずれか一項に記載の基板処理方法。
Ｂ９．基板の表面にリンス液を供給するリンス工程と、
前記リンス液よりも表面張力が低い低表面張力液体を前記表面に供給することにより前記リンス液を前記低表面張力液体に置換する置換工程と、
前記置換工程を終了した後に、前記低表面張力液体の供給を停止した状態で、前記基板を回転させて前記低表面張力液体を振り切り前記基板の表面を乾燥させる乾燥工程と、を順次実行する基板処理方法であって、
前記リンス工程では、前記基板の表面に対して対向配置され、前記基板の表面から上方に離間した離間位置と前記基板の表面に微小な間隔を隔てて近接する近接位置との間で昇降可能な遮断板を前記離間位置に配置し、
前記置換工程では、前記遮断板を前記近接位置に配置することにより前記基板の表面付近の雰囲気がその周囲から遮断され、かつ前記基板の表面に供給される前記低表面張力液体が前記基板の表面への供給前に常温以上沸点以下に加温されており、
前記低表面張力液体の前記基板の表面への供給と並行して、前記表面の反対側の裏面に加熱された温調液を供給する、基板処理方法。
Ｂ１０．基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させる回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の前記表面に、前記リンス液よりも表面張力が低い低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給手段と、
前記基板の表面と反対側の裏面に加熱された温調液を供給する温調液供給手段と、
前記基板の前記表面に加温された気体を供給する気体供給手段と、
前記基板保持手段に保持される基板の表面に対して間隔を開けて対向配置された遮断板と、
前記遮断板を前記基板保持手段に保持された基板の表面から上方に離間した離間位置と前記基板の表面に微小な間隔を隔てて近接する近接位置との間で昇降させる遮断板昇降駆動機構と、
前記回転手段、前記リンス液供給手段、前記低表面張力液体供給手段、前記温調液供給手段、前記気体供給手段および前記遮断板昇降駆動機構を制御して、前記基板の表面にリンス液を供給するリンス工程、前記低表面張力液体を前記基板の表面に供給することにより前記リンス液を前記低表面張力液体に置換する置換工程、および、前記置換工程を終了した後に、前記低表面張力液体の供給を停止した状態で、前記基板を回転させて前記低表面張力液体を振り切り前記基板の表面を乾燥させる乾燥工程を順次実行するための制御手段とを含み、
前記制御手段は、前記リンス工程では、前記遮断板昇降駆動機構によって前記遮断板を前記離間位置に配置させ、前記置換工程では、前記遮断板昇降駆動機構によって前記遮断板を前記近接位置に配置させ、かつ前記低表面張力液体の前記基板の表面への供給と並行して、前記表面の反対側の裏面に加熱された温調液を前記温調液供給手段から供給させ、前記乾燥工程では、前記基板の表面に加温された気体を前記気体供給手段から供給させ、前記基板の裏面への温調液の供給と、前記基板の表面への加温された気体の供給とを連続するように実行する、基板処理装置。
Ｂ１１．前記制御手段は、前記置換工程と前記乾燥工程とを連続して実行する、Ｂ１０項に記載の基板処理装置。
Ｂ１２．前記制御手段は、前記置換工程では、前記基板の表面に加温された気体を前記気体供給手段から供給させる、Ｂ１０項またはＢ１１項に記載の基板処理装置。
Ｂ１３．前記低表面張力液体供給手段が供給する前記低表面張力液体は、ＩＰＡ、ＨＦＥ、メタノール、エタノール、アセトンおよびＴｒａｎｓ−１，２ジクロロエチレンのうちの少なくとも一つを含む液である、Ｂ１０項〜Ｂ１２項のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Ｂ１４．前記気体供給手段が供給する前記加温された気体は、窒素ガス、ＩＰＡベーパまたはドライエアのいずれかである、Ｂ１０項〜Ｂ１３項のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Ｂ１５．前記温調液供給手段が供給する前記温調液は、加熱された純水である、Ｂ１０項〜Ｂ１４項のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Ｂ１６．前記低表面張力液体供給手段が、前記遮断板に設けられた低表面張力液体ノズルから前記低表面張力液体を前記基板の表面に向けて供給する、Ｂ１０項〜Ｂ１５項のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Ｂ１７．前記制御手段は、前記乾燥工程を、前記遮断板昇降駆動機構によって前記遮断板を前記近接位置に配置させた状態で実行する、Ｂ１０項〜Ｂ１６項のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Ｂ１８．基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転させる回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の前記表面に、前記リンス液よりも表面張力が低く、かつ前記基板の表面への供給前に常温以上沸点以下に加温された低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給手段と、
前記基板の表面と反対側の裏面に加熱された温調液を供給する温調液供給手段と、
前記基板保持手段に保持される基板の表面に対して間隔を開けて対向配置された遮断板と、
前記遮断板を前記基板保持手段に保持された基板の表面から上方に離間した離間位置と前記基板の表面に微小な間隔を隔てて近接する近接位置との間で昇降させる遮断板昇降駆動機構と、
前記回転手段、前記リンス液供給手段、前記低表面張力液体供給手段、前記温調液供給手段および前記遮断板昇降駆動機構を制御して、前記基板の表面にリンス液を供給するリンス工程、前記低表面張力液体を前記基板の表面に供給することにより前記リンス液を前記低表面張力液体に置換する置換工程、および、前記置換工程を終了した後に、前記低表面張力液体の供給を停止した状態で、前記基板を回転させて前記低表面張力液体を振り切り前記基板の表面を乾燥させる乾燥工程を順次実行するための制御手段とを含み、
前記制御手段は、前記リンス工程では、前記遮断板昇降駆動機構によって前記遮断板を前記離間位置に配置させ、前記置換工程では、前記遮断板昇降駆動機構によって前記遮断板を前記近接位置に配置させ、かつ前記基板の表面への供給前に常温以上沸点以下に加温された低表面張力液体を前記低表面張力液体供給手段から前記基板の表面に供給させ、かつ前記低表面張力液体の前記基板の表面への供給と並行して、前記表面の反対側の裏面に加熱された温調液を前記温調液供給手段から供給させる、基板処理装置。