【手続補正書】
【提出日】平成28年11月18日(2016.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ基板上に金属を堆積するための電気めっき装置であって、
（ａ）内部に電気めっき溶液を保持するように構成されためっき容器と、
（ｂ）電気めっき中に前記ウェハ基板を定位置に保持するように構成されたウェハ基板ホルダとを備え、前記ウェハ基板ホルダが、前記ウェハ基板の縁部に接触するように、また電気めっき中に前記ウェハ基板に電流を提供するように構成された１つまたは複数の電力接点を有し、前記装置が、電気めっき中に前記ウェハ基板をカソード的にバイアスするように構成され、
（ｃ）前記めっき容器内にあるアノードを備え、前記アノードが、電気めっきの少なくとも一期間中にアノード的にバイアスされるように構成され、
（ｄ）前記アノードの近位にあるイオン電流コリメータを備え、前記イオン電流コリメータが、前記アノードからのイオン電流を、概して前記めっき容器の周縁から中心に向かう方向に向けるように構成された非導電性部材であり、
（ｅ）電気めっき中にカソード的にもアノード的にもバイアスされるように構成された補助電極を備える電気めっき装置。
【請求項２】
前記イオン電流コリメータが、
（ｉ）前記ウェハ基板のめっき表面に垂直な方向に延在する開いた円筒体の形態での中心部分を備え、前記円筒体の開口が、前記イオン電流のための経路を提供し、かつ
（ｉｉ）前記中心部分に接続された電流制限部分を備え、前記電流制限部分が、前記ウェハ基板の前記めっき表面に平行な方向に延在する
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記イオン電流コリメータの前記電流制限部分が、前記めっき容器の側壁まで延在し、前記めっき容器の周縁でイオン電流を阻止するように構成される請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記イオン電流コリメータの前記電流制限部分が、前記めっき容器の側壁に取り付けられる請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記イオン電流コリメータが、電解質に浸透しない誘電体材料からなり、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニリデンジフロリド（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン、およびポリスルホンからなる群から選択される請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記イオン電流コリメータが、前記アノードに接触せず、前記ウェハ基板の半径の少なくとも約１５％の距離だけ前記アノードから離隔される請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記イオン電流コリメータが、電気めっき中に前記ウェハ基板のめっき表面に垂直な方向で移動可能であるように構成される請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記イオン電流コリメータが、電気めっき中に静止しているように構成される請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記補助電極が、前記アノードの上にあり、かつ前記イオン電流コリメータと前記ウェハ基板ホルダとの間にある請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記イオン電流コリメータが、前記補助電極を支持するプラットフォームとして働く請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
さらに、電気めっきの過程中に前記補助電極を負にも正にもバイアスするように構成された１つまたは複数の電源を備える請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記補助電極が、少なくとも前記補助電極の表面上に銅を含む請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
電気めっきの開始時には前記補助電極を負にバイアスしてイオン電流を逸らし、次いで正にバイアスして、イオン電流を供給するように構成された請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記アノード上への前記補助電極のフットプリントが、総アノード面積の少なくとも約４０％である請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記補助電極が、概して環状形状を有し、少なくとも約２０ｍｍの厚さを有する請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記補助電極が、少なくとも約６００ｃｍ2の作業表面を有する請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
さらに、プログラム命令および／またはビルトイン論理を備える制御装置を備え、前記プログラム命令および／またはビルトイン論理が、
（ｉ）第１の電気めっき段階で、前記補助電極をカソード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきし、
（ｉｉ）第２の電気めっき段階で、前記補助電極をアノード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきする
ためのものである請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
ウェハ基板上に金属を電気めっきする方法であって、
（ａ）ウェハホルダと、メインアノードを含むめっき容器と、補助電極と、イオン電流コリメータとを有する電気めっき装置において、前記イオン電流コリメータが、前記めっき容器の周縁から中心にイオン電流を向けるように構成され、前記電気めっき装置に前記ウェハ基板を準備し、
（ｂ）第１の電気めっき段階で、前記補助電極をカソード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきし、
（ｃ）第２の電気めっき段階で、前記補助電極をアノード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきする
方法。
【請求項１９】
前記第２の電気めっき段階が、前記第１の電気めっき段階の後に行われ、前記第１のめっき段階中、前記補助電極に最初に供給されるカソード電流が、同時に前記ウェハ基板に供給される前記カソード電流の少なくとも約３００％である請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の電気めっき段階において、前記補助電極が、前記第２の電気めっき段階の少なくとも一期間中に、前記メインアノードよりも大きくアノード的にバイアスされる請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
さらに、前記第２の電気めっき段階の少なくとも一期間中に、前記メインアノードをカソード的にバイアスする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
さらに、前記電気めっき中に、前記イオン電流コリメータおよび前記補助電極を、前記ウェハ基板のめっき表面に垂直な方向に移動させる請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
さらに、
前記ウェハ基板にフォトレジストを塗布し、
前記フォトレジストを光にさらし、
前記フォトレジストをパターン形成して、前記パターンを前記ウェハ基板に転写し、
前記ウェハ基板から前記フォトレジストを選択的に除去する
請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
システム内に含まれ、さらにステッパを備える請求項１に記載の装置。
【請求項２５】
電気めっき装置の制御のためのプログラム命令を備える非一時的なコンピュータ機械可読媒体であって、前記プログラム命令が、
（ａ）第１の電気めっき段階で、補助電極をカソード的にバイアスしながら、ウェハ基板上に金属を電気めっきすること、および
（ｂ）第２の電気めっき段階で、前記補助電極をアノード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきすること
を含む非一時的なコンピュータ機械可読媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ウェハ基板上に金属を堆積するための電気めっき装置およびウェハ基板上に電気めっきする方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
（むすび）
本明細書で述べた実施例および実施形態は、単に例示の目的にすぎず、それらに鑑みて様々な修正または変更が当業者に提案されることを理解されたい。分かりやすくするために様々な詳細を省略してきたが、様々な設計変形形態を実施することができる。したがって、本明細書における例は、例示であり、限定ではないものとみなすべきであり、本発明は、本明細書に与えた詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲の範囲内で変更することができる。さらに、当業者には理解されるように、本出願で提示される多くの特徴は、個別に実施することも、互いに任意の適切な組合せで実施することもできることを理解されたい。例えば、本発明は以下の適用例としても実施可能である。
［適用例１］ウェハ基板上に金属を堆積するための電気めっき装置であって、
（ａ）内部に電気めっき溶液を保持するように構成されためっき容器と、
（ｂ）電気めっき中に前記ウェハ基板を定位置に保持するように構成されたウェハ基板ホルダとを備え、前記ウェハ基板ホルダが、前記基板の縁部に接触するように、また電気めっき中に前記ウェハ基板に電流を提供するように構成された１つまたは複数の電力接点を有し、前記装置が、電気めっき中に前記ウェハ基板をカソード的にバイアスするように構成され、
（ｃ）前記めっき容器内にあるアノードを備え、前記アノードが、電気めっきの少なくとも一期間中にアノード的にバイアスされるように構成され、
（ｄ）前記アノードの近位にあるイオン電流コリメータを備え、前記イオン電流コリメータが、前記アノードからのイオン電流を、概して前記めっき容器の周縁から中心に向かう方向に向けるように構成された非導電性部材であり、
（ｅ）電気めっき中にカソード的にもアノード的にもバイアスされるように構成された補助電極を備える電気めっき装置。
［適用例２］前記イオン電流コリメータが、
（ｉ）前記ウェハ基板のめっき表面に垂直な方向に延在する開いた円筒体の形態での中心部分を備え、前記円筒体の開口が、前記イオン電流のための経路を提供し、かつ
（ｉｉ）前記中心部分に接続された電流制限部分を備え、前記電流制限部分が、前記ウェハ基板の前記めっき表面に平行な方向に延在する
適用例１に記載の装置。
［適用例３］前記イオン電流コリメータの前記電流制限部分が、前記めっき容器の側壁まで延在し、前記めっき容器の周縁でイオン電流を阻止するように構成される適用例２に記載の装置。
［適用例４］前記イオン電流コリメータの前記電流制限部分が、前記めっき容器の側壁に取り付けられる適用例３に記載の装置。
［適用例５］前記イオン電流コリメータが、電解質に浸透しない誘電体材料からなり、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニリデンジフロリド（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン、およびポリスルホンからなる群から選択される適用例１に記載の装置。
［適用例６］前記イオン電流コリメータが、前記アノードに接触せず、前記ウェハ基板半径の少なくとも約１５％の距離だけ前記アノードから離隔される適用例１に記載の装置。
［適用例７］前記イオン電流コリメータが、電気めっき中に前記ウェハ基板のめっき表面に垂直な方向で移動可能であるように構成される適用例１に記載の装置。
［適用例８］前記イオン電流コリメータが、電気めっき中に静止しているように構成される適用例１に記載の装置。
［適用例９］前記補助電極が、前記アノードの上にあり、かつ前記イオン電流コリメータと前記ウェハ基板ホルダとの間にある適用例１に記載の装置。
［適用例１０］前記イオン電流コリメータが、前記補助電極を支持するプラットフォームとして働く適用例１に記載の装置。
［適用例１１］さらに、電気めっきの過程中に前記補助電極を負にも正にもバイアスするように構成された１つまたは複数の電源を備える適用例１に記載の装置。
［適用例１２］前記補助電極が、少なくとも前記補助電極の表面上に銅を含む適用例１に記載の装置。
［適用例１３］電気めっきの開始時には前記補助電極を負にバイアスしてイオン電流を逸らし、次いで正にバイアスして、イオン電流を供給するように構成された適用例１に記載の装置。
［適用例１４］前記アノード上への前記補助電極のフットプリントが、総アノード面積の少なくとも約４０％である適用例１に記載の装置。
［適用例１５］前記補助電極が、概して環状形状を有し、少なくとも約２０ｍｍの厚さを有する適用例１に記載の装置。
［適用例１６］前記補助電極が、少なくとも約６００ｃｍ2の作業表面を有する適用例１に記載の装置。
［適用例１７］さらに、プログラム命令および／またはビルトイン論理を備える制御装置を備え、前記プログラム命令および／またはビルトイン論理が、
（ｉ）第１の電気めっき段階で、前記補助電極をカソード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきし、
（ｉｉ）第２の電気めっき段階で、前記補助電極をアノード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきする
ためのものである適用例１に記載の装置。
［適用例１８］ウェハ基板上に金属を電気めっきする方法であって、
（ａ）ウェハホルダと、メインアノードを含むめっき容器と、補助電極と、イオン電流コリメータとを有する電気めっき装置において、前記イオン電流コリメータが、前記めっき容器の周縁から中心にイオン電流を向けるように構成され、前記電気めっき装置に前記ウェハ基板を準備し、
（ｂ）第１の電気めっき段階で、前記補助電極をカソード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきし、
（ｃ）第２の電気めっき段階で、前記補助電極をアノード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきする
方法。
［適用例１９］前記第２の電気めっき段階が、前記第１の電気めっき段階の後に行われ、前記第１のめっき段階中、前記補助電極に最初に印加される前記カソード電流が、同時に前記ウェハ基板に印加されるカソード電流の少なくとも約３００％である適用例１８に記載の方法。
［適用例２０］前記第２の電気めっき段階において、前記補助電極が、前記第２の電気めっき段階の少なくとも一期間中に、前記メインアノードよりも大きくアノード的にバイアスされる適用例１８に記載の方法。
［適用例２１］さらに、前記第２の電気めっき段階の少なくとも一期間中に、前記メインアノードをカソード的にバイアスする適用例１８に記載の方法。
［適用例２２］さらに、前記電気めっき中に、前記イオン電流コリメータおよび前記補助電極を、前記ウェハ基板のめっき表面に垂直な方向に移動させる適用例１８に記載の方法。
［適用例２３］さらに、
前記ウェハ基板にフォトレジストを塗布し、
前記フォトレジストを光にさらし、
前記フォトレジストをパターン形成して、前記パターンを前記ウェハ基板に転写し、
前記ウェハ基板から前記フォトレジストを選択的に除去する
適用例１８に記載の方法。
［適用例２４］システム内に含まれ、さらにステッパを備える適用例１に記載の装置。
［適用例２５］電気めっき装置の制御のためのプログラム命令を備える非一時的なコンピュータ機械可読媒体であって、前記プログラム命令が、
（ａ）第１の電気めっき段階で、前記補助電極をカソード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきすること、および
（ｂ）第２の電気めっき段階で、前記補助電極をアノード的にバイアスしながら、前記ウェハ基板上に金属を電気めっきすること
を含む非一時的なコンピュータ機械可読媒体。