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【手続補正書】
【提出日】平成29年9月4日(2017.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換層と前記光電変換層に電位を供給する画素電極とを各々が有する複数の画素と、
前記複数の画素の各々の前記光電変換層に対して電位を共通に供給するとともに、前記光電変換層を挟んで前記画素電極に対向する領域を有する第１の電極と、前記電位を前記第１の電極に供給する第２の電極とを有する光電変換装置であって、
前記画素電極が金属で形成され、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて設けられた酸化導電膜をさらに有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記酸化導電膜が、酸化インジウムを含む膜であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２の電極が、前記複数の画素の外周で囲まれた領域の外部に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置が出力する信号を用いて画像データを出力する出力信号処理部と、
を有することを特徴とする光電変換システム。
【請求項５】
光電変換層と、金属で形成され、前記光電変換層に電位を供給する画素電極とを各々が有する複数の画素と、
前記複数の画素の各々の前記光電変換層に対して電位を共通に供給するとともに、前記光電変換層を挟んで前記画素電極に対向する領域を有する第１の電極と、前記電位を前記第１の電極に供給する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて設けられた酸化導電膜とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記第２の電極を形成する第１工程と、
前記画素電極を形成する第２工程と、
前記第２の電極の上に前記酸化導電膜を形成する第３工程と、
前記酸化導電膜の上に前記第１の電極を形成する第４工程とを有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１工程と前記第２工程とを行った後に、前記第３工程を行うことを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程と前記第２工程とを同時に行うことを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１工程と前記第２工程とを同時に行うことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記の課題を鑑みて為されたものであり、一の態様は、光電変換層と前記光電変換層に電位を供給する画素電極とを各々が有する複数の画素と、前記複数の画素の各々の前記光電変換層に対して電位を共通に供給するとともに、前記光電変換層を挟んで前記画素電極に対向する領域を有する第１の電極と、前記電位を前記第１の電極に供給する第２の電極とを有する光電変換装置であって、前記画素電極が金属で形成され、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて設けられた酸化導電膜をさらに有することを特徴とする光電変換装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月23日(2017.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域から光を放射する光源と、前記光を集光して外部へ出射する集光部とを含む光源装置であって、
前記集光部は、発光領域から放射された前記光を反射する反射面を有する反射鏡を複数有し、各反射鏡は軸を囲むように設置され、
前記複数の反射鏡のうちの少なくとも２つは、前記反射面が楕円面である楕円面反射鏡であり、
前記楕円面反射鏡は、前記軸の方向における位置を変更可能である、
ことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
発光領域から光を放射する光源と、前記光を集光して外部へ出射する集光部とを含む光源装置であって、
前記集光部は、発光領域から放射された前記光を反射する反射面を有する反射鏡を複数有し、各反射鏡は軸を囲むように設置され、
前記複数の反射鏡のうちの少なくとも２つは、前記反射面が楕円面である楕円面反射鏡であり、
前記少なくとも２つの楕円面反射鏡は、前記軸の方向における位置を変更可能な楕円面反射鏡を含む、
ことを特徴とする光源装置。
【請求項３】
前記複数の反射鏡のうちの少なくとも１つは、前記反射面が球面である球面反射鏡であり、
前記楕円面反射鏡と、前記球面反射鏡とは、前記軸の方向に交互に配置され、１つの前記球面反射鏡が反射した光が、１つの前記楕円面反射鏡により反射されて前記外部へ出射する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記球面反射鏡は、前記軸の方向における位置を変更可能であることを特徴とする請求項３に記載の光源装置。
【請求項５】
前記楕円面反射鏡と、該楕円面反射鏡に隣り合う前記球面反射鏡とは、前記軸の方向で隙間が生じないように配置されていることを特徴とする請求項３または４に記載の光源装置。
【請求項６】
前記楕円反射鏡の反射面は、前記発光領域に焦点を有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光源装置と、
前記集光部に集光された光を導光する光学系と、
前記光学系を経て入射した光束を前記被照射物に向けて射出するオプティカルインテグレーターと、
を有することを特徴とする照明装置。
【請求項８】
前記光学系は、前記照明装置の光路中に切り換えて着脱可能である第１光学系と第２光学系とを含み、
前記第１光学系は、前記オプティカルインテグレーターの入射面を、前記集光部が前記光源からの光を集光する位置と光学的に瞳の関係とし、
前記第２光学系は、前記オプティカルインテグレーターの入射面を、前記集光部が前記光源からの光を集光する位置と光学的に共役な関係とする、
ことを特徴とする請求項７に記載の照明装置。
【請求項９】
前記第１光学系は、前記集光部が前記光源からの光を集光する位置に導波管を有し、
前記オプティカルインテグレーターの入射面を、前記導波管の射出面と光学的に瞳の関係とする、
ことを特徴とする請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記第１光学系と前記第２光学系とに個別に対応し、光路中の前記オプティカルインテグレーターの射出面に切り換えて着脱可能である第１絞りと第２絞りとを有することを特徴とする請求項８または９に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記楕円面反射鏡または前記球面反射鏡を移動させる反射鏡駆動部と、
前記反射鏡駆動部の動作を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記第１光学系と前記第２光学系とを切り換える光学系駆動部と、
前記光学系駆動部の動作を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記制御部は、前記オプティカルインテグレーターに入射する光の光強度分布が変化するよう、前記反射鏡駆動部または前記光学系駆動部の動作を制御することを特徴とする請求項１１または１２に記載の照明装置。
【請求項１４】
請求項７ないし１３のいずれか１項に記載の照明装置と、
前記照明装置により照明されたマスクを用いて基板を露光する露光部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
前記オプティカルインテグレーターの射出面に形成される二次光源の像を検出する検出器と、
前記光源を変位させる光源駆動部と、
前記検出器の出力に基づいて前記二次光源の光量に関する情報を求める演算部と、
前記情報に基づいて前記光源駆動部の動作を制御する露光制御部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を加工する工程と、を含み、
加工された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光源装置、照明装置、露光装置、および物品の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光源装置、照明装置、露光装置、および物品の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、発光領域から光を放射する光源と、光を集光して外部へ出射する集光部とを含む光源装置であって、集光部は、発光領域から放射された光を反射する反射面を有する反射鏡を複数有し、各反射鏡は軸を囲むように設置され、複数の反射鏡のうちの少なくとも２つは、反射面が楕円面である楕円面反射鏡であり、楕円面反射鏡は、軸の方向における位置を変更可能であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る照明光学装置（照明装置）と、この照明光学装置を備える露光装置について説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、例えば、半導体デバイスの製造工程におけるリソグラフィ工程で使用されるものであり、走査露光方式にて、レチクルＲに形成されているパターンの像をウエハＷ上（基板上）に露光（転写）する投影型露光装置である。なお、図１以下の各図では、投影光学系１４の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な同一平面内で露光時のウエハＷの走査方向（レチクルＲとウエハＷとの相対的な移動方向）にＹ軸を取り、Ｙ軸に直交する非走査方向にＸ軸を取っている。露光装置１００は、照明系１２と、レチクルステージ１３と、投影光学系（露光部）１４と、ウエハステージ１７と、制御部３６とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月6日(2017.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、
光電変換素子を含む画素領域と、
前記画素領域の周辺に配された周辺回路領域と
を有し、前記画素領域及び前記周辺回路領域の各々は、電極を有するトランジスタを含む、撮像装置の製造方法であって、
前記画素領域の前記トランジスタを覆うようにシリサイドブロック層を形成する工程であって、前記シリサイドブロック層が前記周辺回路領域の前記トランジスタの前記電極の上に形成されないように、前記シリサイドブロック層を形成する工程と、
前記画素領域の前記光電変換素子の上にエッチストップ層を形成する工程であって、前記エッチストップ層が前記周辺回路領域に形成されないように、前記エッチストップ層を形成する工程と、
前記画素領域及び前記周辺回路領域に絶縁層を形成する工程と、
前記周辺回路領域を保護した状態で、前記画素領域に形成された前記絶縁層をエッチングする工程と、
前記絶縁層の表面を平坦化する工程と、
前記画素領域に導波路を形成する工程と
を含み、
前記絶縁層を形成する工程の後、かつ前記絶縁層をエッチングする工程の前において、前記画素領域の前記絶縁層の上面の高さの平均値が前記周辺回路領域の前記絶縁層の上面の高さの平均値よりも大きく、
前記画素領域の前記絶縁層の上面の高さの平均値と、前記周辺回路領域の前記絶縁層の上面の高さの平均値との差は、前記画素領域と前記周辺回路領域における前記シリサイドブロック層と前記エッチストップ層の配置の差により生じるものであり、
前記絶縁層をエッチングする工程は、前記画素領域の前記絶縁層の上面の高さの平均値と、前記周辺回路領域の前記絶縁層の上面の高さの平均値との差を低減させる
ことを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記周辺回路領域の前記トランジスタの前記電極をシリサイド化させる工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記撮像装置は複数の層に形成された配線を有し、
前記絶縁層は、前記配線が形成された層のうちの最も基板に近い層と前記基板との間に配される層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層はＢＰＳＧであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記平坦化する工程はＣＭＰ工程を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記導波路を形成する工程は、
前記絶縁層をエッチングして空孔を形成する工程と、
前記空孔の中に導波路形成層を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記導波路形成層は、前記絶縁層よりも屈折率が大きい材料を含むことを特徴とする請求項６に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層を構成する材料はＢＰＳＧ又は酸化シリコンを含み、
前記導波路形成層を構成する材料は窒化シリコンを含む
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面は、基板上に形成され、光電変換素子を含む画素領域と、画素領域の周辺に配された周辺回路領域とを有し、画素領域及び周辺回路領域の各々は、電極を有するトランジスタを含む、撮像装置の製造方法であって、画素領域のトランジスタを覆うようにシリサイドブロック層を形成する工程であって、シリサイドブロック層が周辺回路領域のトランジスタの電極の上に形成されないように、シリサイドブロック層を形成する工程と、画素領域の光電変換素子の上にエッチストップ層を形成する工程であって、エッチストップ層が周辺回路領域に形成されないように、エッチストップ層を形成する工程と、画素領域及び周辺回路領域に絶縁層を形成する工程と、周辺回路領域を保護した状態で、画素領域に形成された絶縁層をエッチングする工程と、絶縁層の表面を平坦化する工程と、画素領域に導波路を形成する工程とを含み、絶縁層を形成する工程の後、かつ絶縁層をエッチングする工程の前において、画素領域の絶縁層の上面の高さの平均値が周辺回路領域の絶縁層の上面の高さの平均値よりも大きく、画素領域の絶縁層の上面の高さの平均値と、周辺回路領域の絶縁層の上面の高さの平均値との差は、画素領域と周辺回路領域におけるシリサイドブロック層とエッチストップ層の配置の差により生じるものであり、絶縁層をエッチングする工程は、画素領域の絶縁層の上面の高さの平均値と、周辺回路領域の絶縁層の上面の高さの平均値との差を低減させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月6日(2017.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に円形の外周部を有する第１の外部電極と、
ドレイン電極とソース電極とゲート電極とを有するＭＯＳＦＥＴチップと、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極と前記ソース電極の電圧もしくは電流を入力し、当該電圧もしくは電流に基づいて前記ＭＯＳＦＥＴチップを制御する信号を前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ゲート電極に供給する制御回路チップと、
前記ＭＯＳＦＥＴチップに対して前記第１の外部電極の反対側に配置され、前記第１の外部電極の円形の外周部の中心軸上に外部端子を有する第２の外部電極と、
前記制御回路チップと前記第１の外部電極または前記第２の外部電極とを電気的に絶縁する絶縁基板と、
を備え、
前記第１の外部電極と、前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極および前記ソース電極と、前記第２の外部電極とは、前記中心軸方向に積み重なるように配置され、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の一方と前記第１の外部電極とが電気的に接続され、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の他方と前記第２の外部電極とが電気的に接続される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
さらに、
前記制御回路チップの電源間に接続されたコンデンサと、
を備え、
前記ＭＯＳＦＥＴチップと、前記絶縁基板は、前記第１の外部電極上または前記第２の外部電極上に配置され、
前記制御回路チップと前記コンデンサは、前記絶縁基板上に配置される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
さらに、ツェナーダイオードを備え、
前記ツェナーダイオードの第１の主端子と前記第１の外部電極が電気的に接続され、
前記ツェナーダイオードの第２の主端子と前記第２の外部電極が電気的に接続される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ツェナーダイオードが前記ＭＯＳＦＥＴチップ内に内蔵される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２において、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの形状は長方形であり、前記長方形の長辺に隣接する位置に前記コンデンサと前記制御回路チップとが配置される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２において、
前記第１の外部電極の前記円形の外周部もしくは底面部に、前記円形の外周部の中心軸周りの位置決め用の凹部または凸部を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２において、
前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の一方と前記第１の外部電極との電気的接続、および前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極または前記ソース電極の他方と前記第２の外部電極との電気的接続が、半田を介してまたは圧接されて連結される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項２において、
前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップ、および、前記制御回路チップと前記コンデンサとの電気的接続がワイヤによる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項２において、
前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップ、および、前記制御回路チップと前記コンデンサは、それぞれの電極間を導体とバネを有する導体機構で電気的に接続され、
前記導体は半田を介して前記電極に固定され、前記導体機構は前記バネの弾性力による押圧により前記電極に固定される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項２において、
前記第１の外部電極は、前記円形の外周部に収まる大きさの台座を有し、
当該台座上に、前記ＭＯＳＦＥＴチップと、前記制御回路チップおよび前記コンデンサとを搭載した前記絶縁基板とが搭載され、
前記台座、前記ＭＯＳＦＥＴチップ、前記制御回路チップ、前記コンデンサ、および前記絶縁基板が第１の樹脂で覆われている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の樹脂内で、前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップの側壁が第２の樹脂で覆われ、
前記第２の樹脂は前記第１の樹脂よりも前記ＭＯＳＦＥＴチップと前記制御回路チップとの密着性が高い
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記ＭＯＳＦＥＴチップは、ｎ型のＭＯＳＦＥＴを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とするオルタネータ。
【請求項１４】
請求項１に記載の前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ドレイン電極と前記第１の外部電極とに電気的に接続し、前記ソース電極と前記第２の外部電極とに電気的に接続した半導体素子を整流装置としてハイサイドに、
請求項１に記載の前記ＭＯＳＦＥＴチップの前記ソース電極と前記第１の外部電極とに電気的に接続し、前記ドレイン電極と前記第２の外部電極とに電気的に接続した半導体素子を整流装置としてローサイドに、
それぞれ有する整流回路を備える
ことを特徴とするオルタネータ。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月6日(2017.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配列された画素アレイを備える固体撮像装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、基板に配された光電変換部と、前記光電変換部の上に配されたマイクロレンズとを有し、
前記基板と前記マイクロレンズとの間には絶縁部材が配されており、
前記複数の画素のそれぞれは、前記マイクロレンズを通過した入射光を前記光電変換部に導くための導光部であって前記絶縁部材の中に前記絶縁部材よりも屈折率が高い材料で形成された導光部をさらに有し、
前記画素アレイは、中央領域とその周辺領域とを有し、
前記周辺領域に位置する画素において、
前記マイクロレンズは、前記光電変換部に対して前記中央領域の側にずれて配されており、且つ、
該ずれ方向に沿った断面において、前記マイクロレンズは左右非対称の形状を有し、前記マイクロレンズの高さが最も高い部分は、前記基板の上面に垂直で前記光電変換部の中心を通る線と、前記基板の前記上面に垂直で前記導光部の上面における前記中央領域の側の端を通る線との間に位置している
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記複数の画素は、前記周辺領域に位置する第１画素と、前記周辺領域の第２画素であって前記第１画素よりも前記中央領域の側に位置する第２画素とを含み、
前記第１画素の前記マイクロレンズについての高さが最も高い部分の前記中央領域へのずれ量は、前記第２画素の前記マイクロレンズについてのそれに対して大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記周辺領域に位置する画素の前記マイクロレンズのうち、前記高さが最も高い部分よりも前記中央領域の側の部分の上面の曲率の平均は、それ以外の部分の上面の曲率の平均よりも大きい
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記周辺領域に位置する画素の前記マイクロレンズは、前記基板の上面に対する平面視において前記ずれ方向に平行な長軸を有する形状をしており、且つ、前記ずれ方向と交差する方向における該マイクロレンズの幅は前記中央領域の側で最大値となる
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記基板と前記マイクロレンズとの間には絶縁部材が配されており、
前記複数の画素のそれぞれは、前記マイクロレンズを通過した入射光を前記光電変換部に導くための導光部であって前記絶縁部材の中に前記絶縁部材よりも屈折率が高い材料で形成された導光部をさらに有する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記断面において、前記画素の前記光電変換部の幅をｄ１とし、前記画素の前記導光部の下面の幅をｄ２としたときに、ｄ１＞ｄ２の関係が成立する
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記断面において、前記画素の前記導光部の上面の幅をｄ３とし、前記画素の前記マイクロレンズの幅をｄ４としたときに、ｄ４＞ｄ３の関係が成立する
ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
ｄ３＞ｄ２の関係がさらに成立する
ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に配されたインナーレンズをさらに有しており、
前記周辺領域に位置する画素において、
前記インナーレンズは、前記光電変換部に対して前記中央領域の側にずれて配されていること、及び、
該ずれ方向に沿った断面において、前記インナーレンズは左右非対称に形成されており、前記インナーレンズの高さが最も高い部分が前記中央領域の側に位置していること
の少なくとも一方を満たす
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
隣接画素間での混色を防ぐための光反射性または遮光性の部材をさらに備えており、
前記部材は、前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に、前記基板の上面に対する平面視において前記マイクロレンズの外縁に沿って配されている
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記複数の画素は焦点検出用の画素を含み、前記焦点検出用の画素は、前記マイクロレンズを通過した入射光を制限するための遮光部材をさらに有する
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記固体撮像装置は裏面照射型の固体撮像装置であり、
前記基板は、各画素の前記マイクロレンズを通過した入射光を前記光電変換部に向かって反射するように前記光電変換部を取り囲む反射部材を含んでいる
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記反射部材は、ポリシリコン、酸化シリコン、金属およびエアギャップの少なくともいずれか１つで構成されている
ことを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記マイクロレンズは、平面視において、前記中央領域の側が平らで、前記中央領域の側の反対側が丸みを帯びた形状を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記マイクロレンズは、前記ずれ方向と交差する方向における幅が前記中央領域に近い方の側で最大値となる形状を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、複数の画素が配列された画素アレイを備える固体撮像装置に係り、前記固体撮像装置は、前記複数の画素のそれぞれは、基板に配された光電変換部と、前記光電変換部の上に配されたマイクロレンズとを有し、前記基板と前記マイクロレンズとの間には絶縁部材が配されており、前記複数の画素のそれぞれは、前記マイクロレンズを通過した入射光を前記光電変換部に導くための導光部であって前記絶縁部材の中に前記絶縁部材よりも屈折率が高い材料で形成された導光部をさらに有し、前記画素アレイは、中央領域とその周辺領域とを有し、前記周辺領域に位置する画素において、前記マイクロレンズは、前記光電変換部に対して前記中央領域の側にずれて配されており、且つ、該ずれ方向に沿った断面において、前記マイクロレンズは左右非対称の形状を有し、前記マイクロレンズの高さが最も高い部分は、前記基板の上面に垂直で前記光電変換部の中心を通る線と、前記基板の前記上面に垂直で前記導光部の上面における前記中央領域の側の端を通る線との間に位置している。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月6日(2016.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の第１の面上に配置された半導体素子と、
前記半導体素子を内側に収容するように前記絶縁基板と接続されたケースと、
前記ケースの内側に前記半導体素子を埋め込むように充填された樹脂とを備え、
前記絶縁基板の厚みをｔ１、前記樹脂の厚みをｔ２、前記絶縁基板の線膨張係数をα１、前記樹脂の線膨張係数をα２とした場合に、
ｔ２≧ｔ１、および
α２≧α１、という関係式を満足し、
前記絶縁基板は前記第１の面と反対側の第２の面が凸形状となるように反っている、半導体装置。
【請求項２】
前記ケースは、平面視において前記絶縁基板の外縁と重なる部分と、前記重なる部分から前記絶縁基板の前記外縁より外側に延在する部分とを有し、
前記ケースの前記延在する部分を前記半導体装置の外部に位置する外部部材と固定する固定部材をさらに備え、
前記重なる部分には、前記絶縁基板の前記外縁を収容する段差部が形成されており、
前記段差部の深さは、前記絶縁基板の厚みと、前記絶縁基板の前記外縁を前記ケースの前記段差部により押圧していない状態における前記絶縁基板の反り量との合計値より小さい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ケースは、前記重なる部分と前記外部部材との間に前記絶縁基板の前記外縁を挟んだ状態で前記固定部材を用いて前記外部部材に固定されることにより、弾性変形している、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ケースは、平面視において前記絶縁基板の外縁と重なる部分を有し、
前記ケースの前記重なる部分と前記絶縁基板の前記外縁とを貫通する貫通穴が形成されており、
前記重なる部分および前記絶縁基板の前記外縁を前記半導体装置の外部に位置する外部部材と固定するように、前記貫通穴を挿通した状態で配置された固定部材をさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
絶縁基板の第１の面上に半導体素子を配置するとともに、前記半導体素子を内部に収容するように前記絶縁基板と接続されたケースを準備する工程と、
前記ケースの内部に前記半導体素子を埋め込むように樹脂を充填する工程とを備え、
前記絶縁基板の厚みをｔ１、前記樹脂の厚みをｔ２、前記絶縁基板の線膨張係数をα１、前記樹脂の線膨張係数をα２とした場合に、
ｔ２≧ｔ１、および
α２≧α１、という関係式を満足し、
前記樹脂を充填する工程の後、前記絶縁基板の前記第１の面と反対側の第２の面が凸形状となるように反っている、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂を充填する工程の後、前記絶縁基板の前記第２の面を前記半導体装置の外部に位置する外部部材に接続する工程をさらに備え、
前記準備する工程において、前記ケースは、平面視において前記絶縁基板の外縁と重なる部分と、前記重なる部分から前記絶縁基板の前記外縁より外側に延在する部分とを有し、
前記重なる部分には、前記絶縁基板の前記外縁を収容する段差部が形成されており、
前記段差部の深さは、前記絶縁基板の厚みと、前記絶縁基板の前記外縁を前記ケースの前記段差部により押圧していない状態における前記絶縁基板の反り量との合計値より小さく、
前記接続する工程では、固定部材を用いて前記ケースの前記延在する部分を前記外部部材に固定する、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記接続する工程において、前記ケースは、前記重なる部分と前記外部部材との間に前記絶縁基板の前記外縁を挟んだ状態で前記固定部材を用いて前記外部部材に固定されることにより、弾性変形する、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂を充填する工程の後、前記絶縁基板の前記第１の面と反対側の第２の面を前記半導体装置の外部に位置する外部部材に接続する工程をさらに備え、
前記準備する工程において、前記ケースは、平面視において前記絶縁基板の外縁と重なる部分を有し、
前記ケースの前記重なる部分と前記絶縁基板の前記外縁とを貫通する貫通穴が形成されており、
前記接続する工程において、前記重なる部分および前記絶縁基板の前記外縁を前記外部部材に固定するように、前記貫通穴を挿通した状態で固定部材を配置する、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月2日(2017.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池セルを有する複数の電池モジュールと、
各電池モジュールに接続されたハーネスと、
前記電池モジュールよりも鉛直方向上方に配置されるとともに、前記ハーネス同士を接続する集合部と、
前記電池モジュール、前記ハーネス及び前記集合部が収容されるハウジングと、を備え、
前記ハウジングは、
底板と、
前記底板の周縁から立設された側板と、
前記底板と対向して前記側板に囲まれる空間を覆う天板と、を有し、
前記天板は、
第１対向部と、
前記底板との対向方向に前記第１対向部より離間した第２対向部と、
前記第１対向部と前記第２対向部とを繋ぐ壁部と、を有し、
前記集合部は、前記ハウジング内に露出した状態で前記壁部と前記第２対向部とで囲まれる領域に配設されている電池パック。
【請求項２】
前記側板は、前記天板に沿って前記壁部から突出する突出部を有する請求項１に記載の電池パック。
【請求項３】
前記側板は、前記壁部よりも前記壁部の厚み方向に突出する突出部を有する請求項１に記載の電池パック。
【請求項４】
前記壁部には、前記電池モジュールと、前記ハウジング外に設けられた外部機器とを接続するコネクタが設けられている請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の電池パック。
【請求項５】
前記壁部と、前記第１対向部とは、前記ハウジング内に向けて凹む凹部を前記ハウジング外に区画しており、
前記凹部には、前記電池モジュールと、前記ハウジング外に設けられた外部機器とを接続するコネクタが配設されている請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の電池パック。
【請求項６】
前記電池モジュールは、前記側板に固定されている請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の電池パック。
【請求項７】
前記集合部のうち前記ハウジング外に引き出されるハーネスが接続される接続部は、前記壁部に対向している請求項１〜請求項６のうちいずれか一項に記載の電池パック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記電池パックについて、前記側板は、前記天板に沿って前記壁部から突出する突出部を有することが好ましい。
これによれば、天板に振動や衝撃が加わろうとすると、突出部によって天板への振動や衝撃が緩和される。したがって、天板が破損することが抑制され、集合部を保護することができる。
上記電池パックについて、前記側板は、前記壁部よりも前記壁部の厚み方向に突出する突出部を有することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記電池パックについて、前記壁部には、前記電池モジュールと、前記ハウジング外に設けられた外部機器とを接続するコネクタが設けられていることが好ましい。
第１対向部と第２対向部を天板に設けると、第１対向部と第２対向部によって段差ができるため、壁部と第１対向部によってハウジングの外部に凹部が区画される。壁部にコネクタを設けると、コネクタは凹部に突出する。このため、凹部を、コネクタを収容する領域として利用することができ、電池パックの小型化が図られる。
上記電池パックについて、前記壁部と、前記第１対向部とは、前記ハウジング内に向けて凹む凹部を前記ハウジング外に区画しており、前記凹部には、前記電池モジュールと、前記ハウジング外に設けられた外部機器とを接続するコネクタが配設されていることが好ましい。
上記電池パックについて、前記電池モジュールは、前記側板に固定されていることが好ましい。
上記電池パックについて、前記集合部のうち前記ハウジング外に引き出されるハーネスが接続される接続部は、前記壁部に対向していることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月28日(2016.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を含み、対向する第１及び第２の主面、対向する第１及び第２の側面、及び対向する第１及び第２の端面を有するセラミック本体と、
前記セラミック本体の両端面から交互に露出するように前記誘電体層を介して形成された複数の第１及び第２の内部電極を含んで容量が形成される活性層と、
前記活性層の上部及び下部に形成された上部及び下部カバー層と、
前記セラミック本体の両側端部に形成された第１及び第２の外部電極と、
を含み、
前記第１の外部電極は第１のベース電極及び前記第１のベース電極上に形成された第１の端子電極を含み、前記第２の外部電極は第２のベース電極及び前記第２のベース電極上に形成された第２の端子電極を含み、前記第１及び第２の内部電極のうち最外側の第１の内部電極は前記セラミック本体の第１及び第２の主面のうち一つ以上に伸びて形成された一つ以上の第１のビアによって前記第１のベース電極と連結され、最外側の第２の内部電極は前記セラミック本体の第１及び第２の主面のうち一つ以上に伸びて形成された一つ以上の第２のビアによって前記第２のベース電極と連結され、
前記第１及び前記第２のベース電極は、銅（Ｃｕ）及びガラスを含み、
前記第１及び第２の端子電極は、銅（Ｃｕ）からなり、基板内の銅（Ｃｕ）からなるビアと連結される、
基板内蔵用積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記第１及び第２の主面に形成された前記第１の外部電極の幅と第２の外部電極の幅は異なる、請求項１に記載の基板内蔵用積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記第１及び第２のビアは前記第１の主面に伸びて形成される、請求項１または２に記載の基板内蔵用積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記下部カバー層は前記上部カバー層に比べて厚い厚さを有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の基板内蔵用積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記第１のビアは前記第１の主面に伸びて形成され、前記第２のビアは前記第２の主面に伸びて形成される、請求項１から４のいずれか１項に記載の基板内蔵用積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記第１及び第２の端子電極の厚さをｔｐとしたとき、ｔｐ≧５μｍを満たす、請求項１から５のいずれか１項に記載の基板内蔵用積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記第１及び第２の端子電極の表面粗度をＲａ、前記第１及び第２の端子電極の厚さをｔｐとしたとき、２００ｎｍ≦Ｒａ≦ｔｐを満たす、請求項１から６のいずれか１項に記載の基板内蔵用積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記第１及び第２の端子電極はメッキで形成される、請求項１から７のいずれか１項に記載の基板内蔵用積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記セラミック本体の厚さをｔｓとしたとき、ｔｓ≦２５０μｍを満たす、請求項１から８のいずれか１項に記載の基板内蔵用積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
絶縁基板と、
基板内蔵用積層セラミック電子部品とを備え、
前記基板内蔵用積層セラミック電子部品は、
誘電体層を含み、対向する第１及び第２の主面、対向する第１及び第２の側面、及び対向する第１及び第２の端面を有するセラミック本体と、
前記誘電体層を介して前記セラミック本体の両端面から交互に露出するように形成された複数の第１及び第２の内部電極を含んで容量が形成される活性層と、
前記活性層の上部及び下部に形成された上部及び下部カバー層と、前記セラミック本体の両側端部に形成された第１及び第２の外部電極とを含み、
前記第１の外部電極は第１のベース電極及び前記第１のベース電極上に形成された第１の端子電極を含み、前記第２の外部電極は第２のベース電極及び前記第２のベース電極上に形成された第２の端子電極を含み、前記第１及び第２の内部電極のうち最外側の第１の内部電極は前記セラミック本体の第１及び第２の主面のうち一つ以上に伸びて形成された一つ以上の第１のビアによって前記第１のベース電極と連結され、最外側の第２の内部電極は前記セラミック本体の第１及び第２の主面のうち一つ以上に伸びて形成された一つ以上の第２のビアによって前記第２のベース電極と連結され、
前記第１及び前記第２のベース電極は、銅（Ｃｕ）及びガラスを含み、
前記第１及び第２の端子電極は、銅（Ｃｕ）からなり、前記絶縁基板内の銅（Ｃｕ）からなるビアと連結される、
積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板。
【請求項１１】
前記第１及び第２の主面に形成された前記第１の外部電極の幅と第２の外部電極の幅は異なる、請求項１０に記載の積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板。
【請求項１２】
前記第１及び第２のビアは前記第１の主面に伸びて形成される、請求項１０または１１に記載の積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板。
【請求項１３】
前記下部カバー層は前記上部カバー層に比べて厚い厚さを有する、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板。
【請求項１４】
前記第１のビアは前記第１の主面に伸びて形成され、前記第２のビアは前記第２の主面に伸びて形成される、請求項１０から１３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板。
【請求項１５】
前記第１及び第２の端子電極の厚さをｔｐとしたとき、ｔｐ≧５μｍを満たす、請求項１０から１４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板。
【請求項１６】
前記第１及び第２の端子電極の表面粗度をＲａ、前記第１及び第２の端子電極の厚さをｔｐとしたとき、２００ｎｍ≦Ｒａ≦ｔｐを満たす、請求項１０から１５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板。
【請求項１７】
前記第１及び第２の端子電極はメッキで形成される、請求項１０から１６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板。
【請求項１８】
前記セラミック本体の厚さをｔｓとしたとき、ｔｓ≦２５０μｍを満たす、請求項１０から１７のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月24日(2017.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の動画を撮影する撮影手段と、
前記複数の動画の各々に対して、特殊効果を付加する制御手段と、
前記制御手段により特殊効果が付加された前記複数の動画から構成される結合動画を生成する生成手段と、
を備え、
前記特殊効果は、色及び階調のうちの少なくとも一方を変換するフィルタの適用制御に対応する色・階調変換フィルタ効果を含む第１の特殊効果と、動画の再生速度の制御に対応する可変フレームレート効果、及び、移動する被写体に対する残像の付加制御に対応する残像効果の少なくとも１つを含む第２の特殊効果と、を含み、
前記制御手段は、前記撮影手段で撮影された動画を解析した結果に基づいて前記特殊効果を付加するものであって、前記結合動画を構成する前記複数の動画の全てに対して、同じ色・階調変換フィルタ効果を得るための前記第１の特殊効果を付加するとともに、前記結合動画を構成する前記複数の動画のそれぞれに対して、前記複数の動画のそれぞれに応じた可変フレームレート効果及び残像効果の少なくとも１つを得るための前記第２の特殊効果を付加することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記結合動画における先頭の動画を解析した結果に基づいて、前記第１の特殊効果を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の動画のうちの所定の動画に付加する色・階調変換フィルタ効果を含む特殊効果を選択するユーザ指示を受信する受信手段を更に備え、
前記ユーザ指示が受信された場合、前記制御手段は、前記所定の動画に対して、前記撮影手段で撮影された動画を解析した結果に基づく前記第１の特殊効果の代わりに前記ユーザ指示により選択された特殊効果を付加する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記複数の動画のうちの所定の動画に付加する前記第２の特殊効果を、当該所定の動画を解析した結果に基づいて決定する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記複数の動画のうちの所定の動画に付加する前記第２の特殊効果を、当該所定の動画の撮影パラメータ、前記結合動画における当該所定の動画の位置、及び前記結合動画における先頭の動画に付加される前記第２の特殊効果のうちの少なくとも１つに基づいて決定する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
撮像装置の制御方法であって、
複数の動画を撮影する撮影工程と、
前記複数の動画の各々に対して、特殊効果を付加する制御工程と、
前記制御工程により特殊効果が付加された前記複数の動画から構成される結合動画を生成する生成工程と、
を備え、
前記特殊効果は、色及び階調のうちの少なくとも一方を変換するフィルタの適用制御に対応する色・階調変換フィルタ効果を含む第１の特殊効果と、動画の再生速度の制御に対応する可変フレームレート効果、及び、移動する被写体に対する残像の付加制御に対応する残像効果の少なくとも１つを含む第２の特殊効果を含み、
前記制御工程において、前記撮影工程で撮影された動画を解析した結果に基づいて前記特殊効果を付加するものであって、前記結合動画を構成する前記複数の動画の全てに対して、同じ色・階調変換フィルタ効果を得るための前記第１の特殊効果を付加するとともに、前記結合動画を構成する前記複数の動画のそれぞれに対して、前記複数の動画のそれぞれに応じた可変フレームレート効果及び残像効果の少なくとも１つを得るための前記第２の特殊効果を付加することを特徴とする制御方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、複数の動画を撮影する撮影手段と、前記複数の動画の各々に対して、特殊効果を付加する制御手段と、前記制御手段により特殊効果が付加された前記複数の動画から構成される結合動画を生成する生成手段と、を備え、前記特殊効果は、色及び階調のうちの少なくとも一方を変換するフィルタの適用制御に対応する色・階調変換フィルタ効果を含む第１の特殊効果と、動画の再生速度の制御に対応する可変フレームレート効果、及び、移動する被写体に対する残像の付加制御に対応する残像効果の少なくとも１つを含む第２の特殊効果と、を含み、前記制御手段は、前記撮影手段で撮影された動画を解析した結果に基づいて前記特殊効果を付加するものであって、前記結合動画を構成する前記複数の動画の全てに対して、同じ色・階調変換フィルタ効果を得るための前記第１の特殊効果を付加するとともに、前記結合動画を構成する前記複数の動画のそれぞれに対して、前記複数の動画のそれぞれに応じた可変フレームレート効果及び残像効果の少なくとも１つを得るための前記第２の特殊効果を付加することを特徴とする撮像装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
Ｓ８０２で、撮像装置１００は、図６のＳ６０１におけるシーン解析結果（例えば、被写体情報や撮影画像の色分布情報等）に従い、評価値を更新する。例えば、撮像装置１００は、被写体が人物を含む場合に、「人物と相性の良いフィルタの評価値を上げ、人物と相性の悪いフィルタの評価値を下げる」、等の評価値演算処理を、撮影シーンの解析結果に応じて複数回実行する。これにより、図９に示すように、最終的な評価値ｘ［ｍ］は撮影シーンに応じたばらつきを持つ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月26日(2017.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石を超える性能を有する材料開発の一つとして、ＴｈＭｎ12型結晶構造を有する希土類−鉄系磁性化合物の研究が進められている。例えば特許文献１には、Ｒ(Ｆｅ100-y-wＣｏwＴｉy)xＳｉzＡv（ただし、ＲはＹを含む希土類元素の１種又は２種以上であるとともにその５０モル％以上がＮｄ、ＡはＮ及びＣの１種又は２種、ｘ＝１０〜１２．５、ｙ＝（８．３−１．７×ｚ）〜１２、ｚ＝０．２〜２．３、ｖ＝０．１〜３、ｗ＝０〜３０）からなり、ＴｈＭｎ12型の結晶構造を有する相の単層組織から構成される硬質磁性組成物が提案されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（Ａ）
ＡはＮ、Ｃ、Ｈ及びＰからなる群より選ばれる１種以上の元素である。ＡはＴｈＭｎ12相の結晶格子内に侵入することによりＴｈＭｎ12相の格子を拡大させ、異方性磁界、飽和磁化の両特性を向上させることができる。Ａの配合量ｅは１原子％以上、１８原子％以下である。１原子％未満では効果を発揮することができず、１８原子％超では合金中の化合物を構成するＦｅ成分の含有率が低くなるとともに、ＴｈＭｎ12相の安定性が損なわれて一部が分解し、全体の磁化を低下してしまう。Ａの量ｅは、好ましくは７≦ｅ≦１４である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
実施例２８〜３３及び比較例３２〜３３
以下の表８に示す組成の化合物の作製を目的とした合金の溶湯を準備し、ストリップキャスト法により、１０4Ｋ／secの速度で急冷し、急冷薄片を作製し、Ａｒ雰囲気において１２００℃、４時間熱処理を実施した。次いでＡｒ雰囲気においてカッターミルを用いて薄片を粉砕し、粒径３０μｍ以下の粒子を回収した。得られた粒子を、純度９９．９９％の窒素ガス中において、４５０℃にて４時間窒化を行った（Ｎｄ7.7(Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25)86.5Ｔｉ5.8Ｎeに及びＮｄ7.7Ｆｅ86.5Ｔｉ5.8Ｎeにおいて窒素量ｅを変化させた）。得られた粒子の磁気特性評価（ＶＳＭ）及び結晶構造解析（ＸＲＤ）を実施した。結果を表８並びに図２４〜２６に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(Ｒ(1-x)Ｚｒx)a(Ｆｅ(1-y)Ｃｏy)bＴcＭdＡe
（上式中、Ｒは１種以上の希土類元素であり、
ＴはＴｉ、Ｖ、Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、
Ｍは不可避不純物元素並びにＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ａｇ及びＡｕからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、
ＡはＮ、Ｃ、Ｈ及びＰからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、
０≦ｘ≦０．５、
０≦ｙ≦０．６、
４≦ａ≦２０、
ｂ＝１００−ａ−ｃ−ｄ、
０＜ｃ＜７、
０≦ｄ≦１、
１≦ｅ≦１８である）
により表される磁性化合物であって、ＴｈＭｎ12型の結晶構造を有し、α−（Ｆｅ，Ｃｏ）相の体積分率が２０％以下であり、
前記式中、ｘとｃの関係が、ｃ＞−３８ｘ＋３．８及びｃ＞６．３ｘ＋０．６５で囲まれた領域の範囲を満たす、
磁性化合物。
【請求項２】
前記式中、０≦ｘ≦０．３、及び７≦ｅ≦１４である、請求項１記載の磁性化合物。
【請求項３】
前記ＴがＴｉである、請求項１又は２記載の磁性化合物。
【請求項４】
式(Ｒ(1-x)Ｚｒx)a(Ｆｅ(1-y)Ｃｏy)bＴcＭd
（上式中、Ｒは１種以上の希土類元素であり、
ＴはＴｉ、Ｖ、Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、
Ｍは不可避不純物元素並びにＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ａｇ及びＡｕからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、
０≦ｘ≦０．５、
０≦ｙ≦０．６、
４≦ａ≦２０、
ｂ＝１００−ａ−ｃ−ｄ、
０＜ｃ＜７、
０≦ｄ≦１である）
で表される組成の合金の溶湯を準備する工程と、
前記溶湯を１×１０2〜１×１０7Ｋ／secの速度で急冷する工程と、
急冷によって得られた凝固した合金を粉砕後、Ａ元素（ＡはＮ、Ｃ、Ｈ及びＰからなる群より選ばれる１種以上の元素である）を侵入させる工程、
を含む、請求項１記載の磁性化合物の製造方法。
【請求項５】
前記急冷工程後、８００〜１３００℃にて２〜１２０時間熱処理を行う工程をさらに含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ＴがＴｉである、請求項４又は５記載の方法。
【請求項７】
ＴｈＭｎ12型の結晶構造を有する希土類元素含有磁性化合物であって、この結晶構造の格子定数ａの範囲が０．８５０ｎｍ〜０．８７５ｎｍであり、格子定数ｃの範囲が０．４８０ｎｍ〜０．５０５ｎｍであり、格子体積の範囲が０．３５１ｎｍ3〜０．３８７ｎｍ3であり、ここでヘキサゴンＡ、Ｂ、Ｃを
Ａ：希土類原子を中心としたＦｅ（８ｉ）とＦｅ（８ｊ）サイトで構成される６員環、
Ｂ：Ｆｅ（８ｉ）−Ｆｅ（８ｉ）ダンベルを中心とした、Ｆｅ（８ｉ）とＦｅ（８ｊ）サイトで構成される６員環、
Ｃ：Ｆｅ（８ｉ）−希土類原子の線上を中心としたＦｅ（８ｊ）とＦｅ（８ｆ）サイトで構成される６員環
と定義したときに、ヘキサゴンＡのａ軸方向長さ：Ｈｅｘ（Ａ）が０．６１１ｎｍより小さく、またＦｅ−Ｆｅ間の平均距離が、Ｆｅ（８ｉ）においては０．２５４ｎｍ〜０．２８８ｎｍであり、Ｆｅ（８ｊ）においては０．２４２ｎｍ〜０．２７６ｎｍであり、Ｆｅ（８ｆ）においては０．２３４ｎｍ〜０．２６８ｎｍである磁性化合物。
【請求項８】
式(Ｒ(1-x)Ｚｒx)a(Ｆｅ(1-y)Ｃｏy)bＴcＭdＡe
（上式中、Ｒは１種以上の希土類元素であり、
ＴはＴｉ、Ｖ、Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、
Ｍは不可避不純物元素並びにＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ａｇ及びＡｕからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、
ＡはＮ、Ｃ、Ｈ及びＰからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、
０≦ｘ≦０．５、
０≦ｙ≦０．７、
４≦ａ≦２０、
ｂ＝１００−ａ−ｃ−ｄ、
０＜ｃ≦７、
０≦ｄ≦１、
１≦ｅ≦１８である）
により表される化合物からなる磁性紛体であって、ＴｈＭｎ12型の結晶構造を有し、α−（Ｆｅ，Ｃｏ）相の体積分率が２０％以下であり、
前記式中、ｘとｃの関係が、ｃ＞−３８ｘ＋３．８及びｃ＞６．３ｘ＋０．６５で囲まれた領域の範囲を満たす、
磁性紛体。
【請求項９】
前記ＴがＴｉである、請求項８記載の磁性紛体。