【手続補正書】
【提出日】平成29年2月20日(2017.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性基板、光学基板及び半導体基板の少なくとも一つから選択される基板を研磨するための多層ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
研磨面、カウンタボア開口、外周、前記研磨面に対して平行な研磨層界面領域及び前記研磨面に対して垂直な方向に前記研磨面から前記研磨層界面領域まで計測される平均非界面領域厚さＴP-avgを有する研磨層、
下面、外周及び前記下面に対して平行な多孔性サブパッド層界面領域を有する多孔性サブパッド層、
感圧接着剤層、ならびに
前記研磨面の平面に対して垂直な軸に沿って厚さＴWを有する広スペクトル終点検出ウィンドウブロック
を含み、
前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが環式オレフィン付加ポリマーを含み、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが少なくとも９０重量％の環式オレフィン付加ポリマーであり、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックがその厚さＴW全体で均一な化学組成を示し、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが≦４０％のスペクトル損失を示し、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが単相であり、
前記研磨層界面領域と前記多孔性サブパッド層界面領域とが同じ範囲の領域を形成し、
前記同じ範囲の領域が、貼り合わせ接着剤の使用なしで前記研磨層を前記多孔性サブパッド層に固定し、
前記感圧接着剤層が前記多孔性サブパッド層の前記下面に適用され、
前記多層ケミカルメカニカル研磨パッドが、前記研磨面から前記多孔性サブパッド層の前記下面まで延びる貫通口を有し、
前記カウンタボア開口が、前記研磨面上に開口し、前記貫通口を拡大させ、棚状部を形成し、前記棚状部は前記研磨面に対して平行であり、
前記カウンタボア開口が、前記研磨面に対して垂直な方向に計測される、前記研磨面の平面から前記棚状部までの平均深さＤO-avgを有し、
前記平均深さＤO-avgが前記平均非界面領域厚さＴP-avg未満であり、
前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが前記棚状部上の前記カウンタボア開口内に配置され、
前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが前記研磨層に接着され、
前記研磨面が前記基板を研磨するように適合されている、多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項２】
前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックがハロゲン＜１ppmを含み、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが液体充填ポリマーカプセル＜１個を含み、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが、前記研磨面の前記平面に対して垂直な軸に沿って５〜７５ミルの平均厚さＴW-avgを有する、請求項１記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項３】
前記環式オレフィン付加ポリマーが、少なくとも一つの脂環式モノマーの重合から製造され、前記少なくとも一つの脂環式モノマーが、環内二重結合を有する脂環式モノマー及び環外二重結合を有する脂環式モノマーからなる群より選択される、請求項１記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項４】
前記環内二重結合を有する脂環式モノマーが、ノルボルネン、トリシクロデセン、ジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、ヘキサシクロヘプタデセン、トリシクロウンデセン、ペンタシクロヘキサデセン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネン、ノルボルナジエン、アルキルノルボルネン類、シクロペンテン、シクロプロペン、シクロブテン、シクロヘキセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタトリエン及びインデンからなる群より選択され、前記環外二重結合を有する脂環式モノマーが、ビニルシクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロペンタン及びビニルシクロペンテンからなる群より選択される、請求項３記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項５】
前記環式オレフィン付加ポリマーが、少なくとも一つの脂環式モノマーと少なくとも一つの非環式オレフィンモノマーとの共重合から製造される、請求項１記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項６】
前記少なくとも一つの脂環式モノマーが、環内二重結合を有する脂環式モノマー及び環外二重結合を有する脂環式モノマーからなる群より選択され、
前記環内二重結合を有する脂環式モノマーが、ノルボルネン、トリシクロデセン、ジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、ヘキサシクロヘプタデセン、トリシクロウンデセン、ペンタシクロヘキサデセン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネン、ノルボルナジエン、アルキルノルボルネン類、シクロペンテン、シクロプロペン、シクロブテン、シクロヘキセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタトリエン及びインデンからなる群より選択され、
前記環外二重結合を有する脂環式モノマーが、ビニルシクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロペンタン及びビニルシクロペンテンからなる群より選択され、
前記少なくとも一つの非環式オレフィンモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、２−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、２−メチル−１−プロペン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、２−ブテン、ブタジエン、イソプレン、１，３−ペンタジエン、１，４−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、１，５−ヘキサジエン、１，５−ヘプタジエン、１，６−ヘプタジエン、１，６−オクタジエン、１，７−オクタジエン及び１，９−デカジエンからなる群より選択される、請求項５記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項７】
前記環式オレフィン付加ポリマーが、
【化９】
2014172170.tif 000001
（式中、ｙは２０〜２０，０００であり、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、Ｈ、ヒドロキシル基、Ｃ1〜10アルキル基、Ｃ1〜10ヒドロキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシル基、Ｃ1〜10アルコキシアルキル基、Ｃ1〜10カルボキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシカルボニル基及びＣ1〜10アルキルカルボニル基からなる群より選択される）、
【化１０】
2014172170.tif 000002
（式中、ａ：ｂの比は０．５：９９．５〜３０：７０であり、Ｒ3は、Ｈ及びＣ1〜10アルキル基からなる群より選択され、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、Ｈ、ヒドロキシル基、Ｃ1〜10アルキル基、Ｃ1〜10ヒドロキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシル基、Ｃ1〜10アルコキシアルキル基、Ｃ1〜10カルボキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシカルボニル基及びＣ1〜10アルキルカルボニル基からなる群より選択される）、
【化１１】
2014172170.tif 000003
（式中、前記環式オレフィン付加コポリマー中のｃ：ｄの比は０．５：９９．５〜５０：５０であり、Ｒ6は、Ｈ及びＣ1〜10アルキル基からなる群より選択され、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立して、Ｈ、ヒドロキシル基、Ｃ1〜10アルキル基、Ｃ1〜10ヒドロキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシル基、Ｃ1〜10アルコキシアルキル基、Ｃ1〜10カルボキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシカルボニル基及びＣ1〜10アルキルカルボニル基からなる群より選択される）、及び
【化１２】
2014172170.tif 000004
（式中、ｈは２０〜２０，０００であり、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ独立して、Ｈ、ヒドロキシル基、Ｃ1〜10アルキル基、Ｃ1〜10ヒドロキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシル基、Ｃ1〜10アルコキシアルキル基、Ｃ1〜10カルボキシアルキル基、Ｃ1〜10アルコキシカルボニル基及びＣ1〜10アルキルカルボニル基からなる群より選択される）
からなる群より選択される式によって表される、請求項１記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項８】
磁性基板、光学基板及び半導体基板の少なくとも一つから選択される基板を研磨するための多層ケミカルメカニカル研磨パッドを製造する方法であって、
前記基板を研磨するように適合された研磨面、外周、前記研磨面に対して平行な研磨層界面領域及び前記研磨面に対して垂直な方向に前記研磨面から前記研磨層界面領域まで計測される平均非界面領域厚さＴP-avgを有する研磨層を提供する工程、
下面、外周及び前記下面に対して平行な多孔性サブパッド層界面領域を有する多孔性サブパッド層を提供する工程、
感圧接着剤層を提供する工程、
環式オレフィン付加ポリマーを含む広スペクトル終点検出ウィンドウブロックを提供する工程であって、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが少なくとも９０重量％の環式オレフィン付加ポリマーであり、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックがその厚さＴW全体で均一な化学組成を示し、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが≦４０％のスペクトル損失を示し、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックが単相である工程、
前記研磨層と前記多孔性サブパッド層とを対面させて、前記研磨層の前記外周が前記多孔性サブパッド層の前記外周と一致し、前記研磨層界面領域と前記多孔性サブパッド層界面領域とが同じ範囲の領域を形成するスタックを形成する工程、
前記研磨面から前記スタックを通過して前記下面まで延びる貫通口を設ける工程、
前記研磨面上に開口し、前記貫通口を拡大させ、棚状部を形成するカウンタボア開口を設ける工程であって、前記棚状部は前記研磨面に対して平行であり、前記カウンタボア開口は、前記研磨面に対して垂直な方向に計測される、前記研磨面の平面から前記棚状部までの平均深さＤO-avgを有し、前記平均深さＤO-avgは前記平均非界面領域厚さＴP-avg未満である工程、
前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックを前記カウンタボア開口内に配置し、前記広スペクトル終点検出ウィンドウブロックを前記棚状部に接着する工程、及び
前記感圧接着剤層を前記多孔性サブパッド層の前記下面に適用する工程、
を含む方法。
【請求項９】
嵌合面を提供する工程、
不可逆的に圧壊された高密化領域に対応する隆起した形状を有するスタンパを提供する工程、
前記スタックを前記嵌合面上に配置し、前記スタンパを前記スタックに押し当てて、前記多孔性サブパッド層の前記外周に対応する前記スタックの領域に臨界圧縮力を発生させる工程、
をさらに含み、前記臨界圧縮力の大きさが、前記多孔性サブパッド層中、前記多孔性サブパッド層の前記外周に沿って不可逆的に圧壊された高密化領域を形成するのに十分である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
基板を研磨する方法であって、
磁性基板、光学基板及び半導体基板の少なくとも一つから選択される基板を提供する工程、
請求項１記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッドを提供する工程、
前記研磨面と前記基板との間の界面に研磨媒を提供する工程、及び
前記研磨面と前記基板との間の前記界面において動的接触を生じさせる工程、
を含み、
前記多孔性サブパッド層への前記研磨媒の浸透が前記研磨層及び前記不可逆的に圧壊された高密化領域によって妨げられる、方法。