Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月15日(2017.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の周波数によって実現される通信チャネルであるコントロールチャネルを用いた通信を実施すべき時間帯であるＣＣＨ時間帯と、前記コントロールチャネルとは異なる通信チャネルであるサービスチャネルを用いた通信を実施すべき時間帯であるＳＣＨ時間帯の、２種類の通信時間帯が交互に切り替わるように設定されている移動体通信システムで用いられ、
移動体で用いられる移動体側装置と、前記コントロールチャネル及び前記サービスチャネルを用いた無線通信を実施することで、前記移動体側装置のユーザに対して所定のサービスを提供するために、道路沿いに設けられて使用される通信装置であって、
現在の通信時間帯を判定するために用いられる時刻情報を保持する時刻保持部（Ｆ１）と、
前記時刻保持部が保持している前記時刻情報に基づいて、現在が前記ＣＣＨ時間帯と前記ＳＣＨ時間帯のどちらに該当するのかを判定する時間帯判定部（Ｆ２）と、
前記コントロールチャネルを用いたデータの送信を実施するＣＣＨ送信処理部（Ｆ６）と、
前記コントロールチャネルを用いて送信するデータとして、前記通信装置が提供するサービスの種別を前記移動体側装置に通知するためのサービス通知メッセージを生成するデータ生成部（Ｆ３）と、
前記通信装置のサービス提供の対象とする範囲であるサービス提供範囲の大きさについての情報が登録されている記憶部（１１３）と、
前記データ生成部が生成したデータが前記サービス通知メッセージである場合には、当該サービス通知メッセージの重要度を、前記記憶部に登録されている前記サービス提供範囲の大きさに基づいて判定する重要度判定部（Ｆ４１）と、を備え、
前記重要度判定部は、前記記憶部に登録されている前記サービス提供範囲の大きさが、所定の基準とする大きさよりも小さく設定されている場合には、前記サービス通知メッセージの重要度を高レベルに判定する一方、前記記憶部に登録されている前記サービス提供範囲の大きさが前記基準とする大きさよりも大きく設定されている場合には、前記サービス通知メッセージの重要度を低レベルに判定するものであって、
前記ＣＣＨ送信処理部は、前記データ生成部が生成した前記サービス通知メッセージの重要度が、前記重要度判定部によって高レベルであると判定された場合には、当該サービス通知メッセージを前記ＣＣＨ時間帯に送信する一方、重要度は低レベルであると判定された場合には、当該サービス通知メッセージを前記ＳＣＨ時間帯に送信することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記データ生成部は、他の前記通信装置を宛先とするデータである他装置用データを生成するものであって、
前記重要度判定部は、前記他装置用データは重要度が低レベルに設定されているデータであると判定することを特徴とする通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
その目的を達成するための本発明は、  所定の周波数によって実現される通信チャネルであるコントロールチャネルを用いた通信を実施すべき時間帯であるＣＣＨ時間帯と、コントロールチャネルとは異なる通信チャネルであるサービスチャネルを用いた通信を実施すべき時間帯であるＳＣＨ時間帯の、２種類の通信時間帯が交互に切り替わるように設定されている移動体通信システムで用いられ、移動体で用いられる移動体側装置と、コントロールチャネル及びサービスチャネルを用いた無線通信を実施することで、移動体側装置のユーザに対して所定のサービスを提供するために、道路沿いに設けられて使用される通信装置であって、現在の通信時間帯を判定するために用いられる時刻情報を保持する時刻保持部（Ｆ１）と、時刻保持部が保持している時刻情報に基づいて、現在がＣＣＨ時間帯とＳＣＨ時間帯のどちらに該当するのかを判定する時間帯判定部（Ｆ２）と、コントロールチャネルを用いたデータの送信を実施するＣＣＨ送信処理部（Ｆ６）と、コントロールチャネルを用いて送信するデータとして、通信装置が提供するサービスの種別を移動体側装置に通知するためのサービス通知メッセージを生成するデータ生成部（Ｆ３）と、通信装置のサービス提供の対象とする範囲であるサービス提供範囲の大きさについての情報が登録されている記憶部（１１３）と、データ生成部が生成したデータがサービス通知メッセージである場合には、当該サービス通知メッセージの重要度を、記憶部に登録されているサービス提供範囲の大きさに基づいて判定する重要度判定部（Ｆ４１）と、を備え、重要度判定部は、記憶部に登録されているサービス提供範囲の大きさが、所定の基準とする大きさよりも小さく設定されている場合、サービス通知メッセージの重要度を高レベルに判定する一方、記憶部に登録されているサービス提供範囲の大きさが基準とする大きさよりも大きく設定されている場合には、サービス通知メッセージの重要度を低レベルに判定するものであって、ＣＣＨ送信処理部は、データ生成部が生成したサービス通知メッセージの重要度が、重要度判定部によって高レベルであると判定された場合には、当該サービス通知メッセージをＣＣＨ時間帯に送信する一方、重要度は低レベルであると判定された場合には、当該サービス通知メッセージをＳＣＨ時間帯に送信することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月17日(2017.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、第１２態様において、絶縁部材は、全長に亘って熱を受けて収縮した熱収縮チューブであり、端子の絶縁部材固定部の周囲に密着した密着部と、内側面がなす輪郭が導体部の輪郭よりも大きく導体部の外側面との間に空間が形成された空間形成部と、を含む。この場合、熱収縮チューブ全体に熱を与え収縮させるという簡易な作業で、導体部に絶縁部材を装着することが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
本実施形態において、端子付電線４００は、導体部１と絶縁部材２Ｃと端子４とを備える。なお、図１６，１７には、３本の端子付電線４００が並列に並べられた状態が示されている。導体部１の構造は、第１実施形態と同じであるため説明を省略する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月26日(2017.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機材料を含む発光層を少なくとも含む機能層を有する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
ロールツーロール方式を用いて、可撓性を有する基材を水平搬送し、前記基材の上方に配置されたインクジェット塗布器によって、前記有機材料を含む塗布液を前記基材に塗布して、前記機能層を形成する塗布工程を有し、
前記塗布工程では、前記基材の下方に配置されたエア浮上ステージによって、前記基材をエア浮上させて、前記塗布液を前記基材に塗布する、
有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
前記エア浮上ステージは、多孔質材料からなる、請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
前記基材の上下の振動量は、７０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
前記エア浮上ステージと前記基材との間隔は、３０μｍ以上１ｍｍ以下である、請求項１〜３の何れか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
前記塗布液の粘度は、１ｃｐ以上２０ｃｐ以下である、請求項１〜４の何れか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記基材の引張力は、２０Ｎ以上１５０Ｎ以下である、請求項１〜５の何れか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
前記エア浮上ステージによるエアの風速は、０．００１ｍ／ｓｅｃ．以上０．３ｍ／ｓｅｃ.以下である、請求項１〜６の何れか一項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月13日(2017.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
実施例及び比較例に係るリチウム遷移金属複合酸化物、及びそれぞれをリチ 
ウム二次電池用正極活物質として用いたリチウム二次電池の試験結果を表１に示す。なお、酸処理に用いた酸溶液中のＣｅ、Ｓｎ、Ｆｅ又はＺｒイオン濃度を「金属イオン濃度（Ｍ）」として表１に示した。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差点上流距離Ｄ0 の地点Ｐを時刻ｔp1〜ｔp3 の交差点信号一周期Ｔs の間に通過する車両を、地点Ｐから限定された速度範囲ｖmin〜ｖmax（但し速度は車両毎の地点Ｐ〜交差点間平均速度）で走行させて時刻ｔs2 〜ｔs3 の交差点信号青時間Ｔg の間に交差点に到達・通過させるに際し、速度ｖminを所定の基準値以上とすべく、地点Ｐ−交差点間距離Ｄ0、交差点信号黄時間Ｔyと交差点信号赤時間Ｔrの和時間（Ｔy＋Ｔr）、および地点Ｐ−交差点間許容最高速度ｖmax 、を下記関係を満足するように設定することを特徴とする交差点走行制御方法およびそのシステム。
Ｄ0 ≧／｛（Ｔy ＋Ｔr ）・ｖmin ｝ ／｛１−（ｖmin ／ｖmax ）｝
ここで、
Ｄ0：地点Ｐ−交差点間距離
ｔp1 ＝ｔp3 −Ｔs 
ｔp3 ＝ｔs3 −（Ｄ0／ｖmax ）
ｔs2 ＝ｔs3 −Ｔg
ｔs3 ：交差点信号青時間終了時刻
Ｔs ：交差点信号１周期
Ｔg ：交差点青信号時間
Ｔy ：交差点信号黄時間
Ｔr ：交差点信号赤時間
ｖmin ：地点Ｐ−交差点間許容最低速度
ｖmax ：地点Ｐ−交差点間許容最高速度
である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本願発明は、車両が交差点を省エネルギー・低排出ガスかつ安全に走行・通過するための走行制御方法およびシステムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
但し、交差点上流特定地点（地点Ｐ）から交差点への到達・通過走行に際し、特許文献１においては、特定地点からの定速走行で行うのに対し、特許文献２では、特定地点からの等加減速走行で、特許文献３では惰性走行で、各々行うことによる特定地点での加減速（基本的には減速）に起因する（急激な速度変化による）後続車両追突防止等の走行安全への対応策、あるいは特定地点通過時車両の有している運動エネルギーの有効活用方策、が各々提案されているが、特定地点Ｐ−交差点間走行時の各車両間の平均速度差、あるいは、交差点通過後の通常走行（定速走行）復帰走行時の省エネルギー化・低排出ガス量化への配慮はいずれにおいてもなされていない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記、交差点通過後の通常走行（定速走行）への復帰時の省エネルギー化・低排出ガス
量化を考えた場合、交差点通過後の通常走行への復帰に際しての加速抵抗、従って必要とする加速エネルギー、を極小にすること、即ち車両の交差点通過速度は、通常走行速度（定速走行速度、通常はｖmax ）に極力近い速度であることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本願発明の基本的考え方を、図１を用いて説明する。
交差点上流距離Ｄ0 の地点Ｐにおいて、地点Ｐを交差点信号一周期（サイクル長）Ｔs
の時刻ｔp1 〜ｔp3 （但し、ｔp3 ＝ｔs3 ＋Ｄ０ ／ｖmax ）の間に通過する車両に、交
差点信号状態情報（信号周期Ｔs 、黄信号点灯時刻ｔs1 、黄時間＋赤時間（Ｔy＋Ｔr ）、
青信号点灯時刻ｔs2、青時間Ｔg 等）、地点Ｐ−交差点間距離情報Ｄ0 、車両の地点Ｐ通過
時刻ｔpp 、および地点Ｐ−交差点間許容最高速度ｖmax等を通報し、前記情報の通報を受
けた車両は地点Ｐ通過時刻ｔpp に対応した最適な交差点到達予定時刻tss および
速度ｖop （但しｖop ≦ｖmax ）を特定し、地点Ｐ−交差点通過間を平均速度ｖop で走
行する。
この結果車両は交差点を下記（数４）に示すvmin 以上の速度で通過することになり、この結果、重量ｍ、回転部分相当質量Δｍの車両を、速度０の状態から速度vp の状態まで加速するに要するエネルギー｛（ｍ＋Δｍ）・ｖp2 ｝／２を、速度vminの状態から速度vp の状態まで加速するに要するエネルギー{（ｍ＋Δｍ）・（ｖp2 −ｖmin2 ）}／２に低減できることになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記ｔss特定結果からの速度ｖop算出は、（数２）から可能であり、車両は地点Ｐ−交差点間をｖop で走行することにより、交差点通過速度範囲は、（数３）を満足することができる。
（数２）
ｖop ＝Ｄ0／（ｔss −ｔpp ）
（数３）
ｖmin ≦ｖop ≦ｖmax
ここで、ｖmin は、（数４）で示される。
（数４）
ｖmin ＝Ｄ0 ／｛（Ｄ0 ／ｖmax ）＋（Ｔy ＋Ｔr ）｝
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち、交差点上流地点Ｐを時刻時刻ｔp1 〜ｔp3 の間に通過した車両は、地点Ｐ−交差点間の距離Ｄ0 を限定された速度範囲（ｖmin 〜ｖmax）で走行し、交差点に到達・通過したのち通常走行への復帰のための加減速を行い、通常走行での定速走行に移行する。
上記より、交差点通過速度の最小値ｖmin は、地点Ｐ−交差点間距離Ｄ0 、許容最高速度ｖmax 、および（交差点信号黄時間Ｔy＋交差点信号赤時間Ｔr  ）で決定される、言い換えれば、地点Ｐ−交差点間距離Ｄ0、許容最高速度ｖmax 、および（交差点信号黄時間Ｔy＋交差点信号赤時間Ｔr  ）は、（数５）の関係を満足しなければならないことがわかる。
（数５）
Ｄ0 ≧／｛（Ｔy ＋Ｔr ）・ｖmin ｝ ／｛１−（ｖmin ／ｖmax ）｝
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本願発明によって、交差点通過車両は、交差点通過時一定値以上の地点Ｐ−交差点間許
容最低速度ｖminを確保しての走行が可能となり、従来の交差点無停止走行制御に比べて
より効果的な省エネルギー・低排出ガス量走行による交差点通過が可能になる。
あわせて、本方法により車両の特定地点Ａ−交差点間の走行が限定された速度範囲
ｖmin〜ｖmax内で秩序だって行われることから、交差点走行の安全性も向上させることができる。
従って、本願発明は、今後普及が予測される自動運転車用としては勿論、現行車両にお
いてもその交差点走行制御方法あるいは交差点走行制御システムとして有効である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本願発明は、自動運転車の交差点走行制御方法およびシステムとして最適であるばかりでなく、現行車両（非自動運転車）における省エネルギー・低排出ガス量走行および交差点周辺の安全走行にも有効に利用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月7日(2017.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る情報提供システムでは、ユーザ端末は、検索条件に基づいて検索された検索対象に関する検索結果を表示する表示部を更に有し、通信部は、表示部が表示する検索結果上でユーザが所定の操作を行った場合にのみ、ユーザ端末と通信要求先とを接続することが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記ユーザ端末は、前記検索条件に基づいて検索された検索対象に関する検索結果を表示する表示部を更に有し、
前記通信部は、前記表示部が表示する前記検索結果上でユーザが所定の操作を行った場合にのみ、前記ユーザ端末と前記通信要求先とを接続する、請求項１〜４の何れか一項に記載の情報提供システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月26日(2017.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部回路と、
外部に設けられた制御装置から供給される電圧と、内部回路の通信規格に基づいて定められた閾値電圧と、の比較結果を、前記内部回路の通信規格の情報として当該制御装置に送信する、規格情報送信部と、を備えた、半導体装置。
【請求項２】
前記規格情報送信部は、
前記制御装置から供給される電圧が前記閾値電圧より高くなると検知信号をアクティブに切り替える電圧検知回路と、
前記検知信号の状態に応じて、前記内部回路と前記制御装置との間に設けられた信号線の電圧レベルを、前記比較結果に設定する規格情報出力回路と、を有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記通信規格の情報は、前記内部回路の駆動電圧の情報である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記通信規格の情報は、前記内部回路の駆動電圧の情報であって、
前記制御装置から供給される電圧を駆動電圧として前記内部回路に供給するか否かを制御する電源スイッチをさらに備えた、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の一又は複数の半導体装置と、
前記制御装置と、
前記制御装置と前記一又は複数の半導体装置夫々とを接続する信号線と、
を備えた半導体システム。
【請求項６】
請求項４に記載の第１通信規格の半導体装置及び当該第１通信規格とは異なる第２通信規格の半導体装置と、
前記制御装置と、
前記制御装置と、前記第１及び前記第２通信規格の半導体装置と、を接続する信号線と、を備え、
前記第１及び前記第２通信規格の半導体装置の一方に設けられた前記電源スイッチはオンに制御され、前記第１及び前記第２通信規格の半導体装置の他方に設けられた前記電源スイッチはオフに制御される、半導体システム。
【請求項７】
外部に設けられた制御装置から電圧を受け取り、
受け取った前記電圧と、内部回路の通信規格に基づいて定められた閾値電圧と、の比較結果を、前記内部回路の通信規格の情報として前記制御装置に送信する、半導体装置の制御方法。
【請求項８】
前記比較結果を送信するステップでは、
受け取った前記電圧が前記閾値電圧より高くなると検知信号をアクティブに切り替え、
前記検知信号の状態に応じて、前記内部回路と前記制御装置との間に設けられた信号線の電圧レベルを、前記比較結果に設定する、請求項７に記載の半導体装置の制御方法。
【請求項９】
前記通信規格の情報は、前記内部回路の駆動電圧の情報である、請求項７に記載の半導体装置の制御方法。
【請求項１０】
前記通信規格の情報は、前記内部回路の駆動電圧の情報であって、
前記制御装置から供給される電圧を駆動電圧として前記内部回路に供給するか否かを制御する、請求項７に記載の半導体装置の制御方法。
【請求項１１】
第１通信規格の半導体装置、及び、当該第１通信規格とは異なる第２通信規格の半導体装置、の一方の前記内部回路への駆動電圧の供給を遮断し、
前記第１及び前記第２通信規格の半導体装置の他方の前記内部回路への駆動電圧の供給を行う、請求項１０に記載の半導体装置の制御方法。
【請求項１２】
前記制御装置から供給される電圧と、前記比較結果とは、同じ通信バスを介して伝達される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記制御装置から受け取った電圧と、前記比較結果とは、同じ通信バスを介して伝達される、請求項７に記載の半導体装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月12日(2017.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体に対して開閉可能に設けられるフロントパネルと、
前記筐体の内部に収納され、又は前記筐体の外部へ引き出し可能に設けられ、利用者との間で取引される媒体を処理する媒体処理ユニットと、
前記フロントパネルに設けられ、前記媒体処理ユニットとの間で前記媒体を受け渡すための通過孔を開放又は閉塞させるフロントシャッタと、
前記媒体処理ユニットに設けられ、前記通過孔を介して前記媒体を受け渡すための入出口を開放又は閉塞させるユニットシャッタと、
前記フロントパネル及び前記媒体処理ユニットにそれぞれ設けられ、無線通信を行う無線通信部と、
前記媒体処理ユニットに設けられ、前記ユニットシャッタの開放又は閉塞を制御する制御部と
を具え、
前記制御部は、前記無線通信部を介して前記フロントシャッタの開放又は閉塞を制御する
ことを特徴とする媒体取引装置。
【請求項２】
前記無線通信部は、前記フロントパネルが前記閉塞された場合に前記無線通信を行う一方、前記フロントパネルが開放された場合に前記無線通信が切断され、
前記制御部は、前記無線通信部における前記無線通信が切断された場合、前記フロントパネルが開放されたと判断する
ことを特徴とする請求項１に記載の媒体取引装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記無線通信部における前記無線通信が切断された場合、前記フロントシャッタを閉塞させるよう制御する
ことを特徴とする請求項２に記載の媒体取引装置。
【請求項４】
前記無線通信部は、前記フロントパネルが閉塞され、且つ前記媒体処理ユニットが前記筐体の内部に収納された場合に前記無線通信を行う一方、前記フロントパネルが開放された場合、又は前記媒体処理ユニットが前記筐体の外部に引き出された場合に前記無線通信が切断され、
前記フロントパネルに設けられ、前記無線通信部による無線通信が切断された場合、前記フロントシャッタを閉塞させるよう制御するフロント制御部
をさらに具えることを特徴とする請求項１に記載の媒体取引装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記フロントシャッタの開放又は閉塞と、前記ユニットシャッタの開放又は閉塞との双方を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の媒体取引装置。
【請求項６】
前記無線通信部は、制御信号を光により送信すると共に、当該光の進行方向をほぼ水平とする
ことを特徴とする請求項１に記載の媒体取引装置。
【請求項７】
前記無線通信部は、光、電波又は赤外線の何れかにより前記無線通信を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の媒体取引装置。
【請求項８】
前記筐体に設けられ、電源を供給する電源部と、
前記筐体に設けられ、前記電源部から供給される電力を電磁波に変換して送信する電力送信部と、
前記フロントパネルに設けられ、前記電力送信部から送信される前記電磁波を受信して電力に変換する電力受信部と
をさらに具えることを特徴とする請求項１に記載の媒体取引装置。
【請求項９】
筐体に対して開閉可能に設けられるフロントパネルと、
前記筐体の内部に収納され、又は前記筐体の外部へ引き出し可能に設けられ、利用者との間で取引される媒体を処理する媒体処理ユニットと、
前記フロントパネルに設けられ、前記媒体処理ユニットとの間で前記媒体を受け渡すための通過孔を開放又は閉塞させるフロントシャッタと、
前記媒体処理ユニットに設けられ、前記通過孔を介して前記媒体を受け渡すための入出口を開放又は閉塞させるユニットシャッタと、
前記フロントパネル及び前記筐体にそれぞれ設けられ、無線通信を行う無線通信部と、
前記筐体に設けられ、前記ユニットシャッタの開放又は閉塞を制御する制御部と
を具え、
前記制御部は、前記無線通信部を介して前記フロントシャッタの開放又は閉塞を制御する
ことを特徴とする媒体取引装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
かかる課題を解決するため本発明の媒体取引装置においては、筐体に対して開閉可能に設けられるフロントパネルと、筐体の内部に収納され、又は筐体の外部へ引き出し可能に設けられ、利用者との間で取引される媒体を処理する媒体処理ユニットと、フロントパネルに設けられ、媒体処理ユニットとの間で媒体を受け渡すための通過孔を開放又は閉塞させるフロントシャッタと、媒体処理ユニットに設けられ、通過孔を介して媒体を受け渡すための入出口を開放又は閉塞させるユニットシャッタと、フロントパネル及び媒体処理ユニットにそれぞれ設けられ、無線通信を行う無線通信部と、媒体処理ユニットに設けられ、ユニットシャッタの開放又は閉塞を制御する制御部とを設け、制御部は、無線通信部を介してフロントシャッタの開放又は閉塞を制御するようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
さらに上述した第１の実施の形態においては、メインパネル３内から上部ユニット２１が引き出された場合、外シャッタ１６を強制的に閉塞させる場合について述べた（図１１）。しかしながら本発明はこれに限らず、例えばメインパネル３内から上部ユニット２１が引き出された場合であっても、外シャッタ１６を開放させたままとしても良い。この場合、例えばフロントパネル４の操作表示部１１に、外通過孔４ＢＨに手や指先等を差し入れないように注意を喚起する画面を表示することが考えられる。第２の実施の形態についても同様である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
さらに上述した第１の実施の形態においては、紙幣入出金機２０の上部ユニット２１に収納検出部２８を設け、これを紙幣制御部２３と電気的に接続する場合について述べた。しかしながら本発明はこれに限らず、例えばメインパネル３内に収納検出部を設け、これを主制御部８と電気的に接続しても良い。この場合、収納検出部による検出結果を主制御部８から紙幣制御部２３へ通知すれば良い。第２の実施の形態についても同様であり、この場合、主制御部１０８は、収納検出部から直接得られる検出結果を基に、外シャッタ１６を強制閉塞させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月23日(2016.11.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる酸化物積層膜と、
前記酸化物積層膜と接するソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記酸化物積層膜は、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する部分がもっとも低抵抗であり、かつ前記ソース電極および前記ドレイン電極から遠ざかるに従って抵抗が高くなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる酸化物積層膜と、
前記酸化物積層膜と接するソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記酸化物積層膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に凹部を有し、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する部分から前記凹部の側面の一部に渡って低抵抗領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物積層膜と、
前記酸化物積層膜と接するソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記酸化物積層膜は、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する部分にｎ＋領域を有し、
前記酸化物積層膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において、凹部を有し、
前記ｎ＋領域は前記凹部の側面の一部と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記凹部の深さは、前記ｎ＋領域の深さよりも深いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月23日(2017.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光伝導素子であって、
Ｓｉ基板と、Ｇｅを含むバッファ層と、Ｇａ及びＡｓを含む第１の半導体層と、Ｇａ及びＡｓを含む第２の半導体層と、電極と、をこの順に備え、
前記第２の半導体層のＧａ／Ａｓの元素比率は、前記第１の半導体層のＧａ／Ａｓの元素比率よりも小さい
ことを特徴とする光伝導素子。
【請求項２】
前記第１の半導体層の厚さは、１ｕｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の光伝導素子。
【請求項３】
前記第１の半導体層の厚さは、１００ｎｍ以上１ｕｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の光伝導素子。
【請求項４】
前記第１の半導体層の厚さは、１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の光伝導素子。
【請求項５】
前記第１の半導体層の成長温度は、５００℃以上８００℃以下である
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項６】
前記第１の半導体層のＧａ／Ａｓの元素比率が、０．９９６０以上１．００４以下である
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項７】
前記第２の半導体層が、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、及びＩｎＧａＡｓＰの少なくともいずれかからなる
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項８】
前記第２の半導体層の抵抗率は、１０００Ω・ｃｍ以上１０００００００Ω・ｃｍ以下である
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項９】
前記第２の半導体層が、ＧａＡｓを含み、
前記第２の半導体層の成長温度は、２００℃以上４００℃以下である
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１０】
前記第２の半導体層が、ＧａＡｓを含み、
前記第２の半導体層のＧａ／Ａｓの元素比率が、０．９９６０未満である
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１１】
前記第２の半導体層が、ＧａＡｓを含み、
前記第２の半導体層が、０．１ａｔｍ％以上３ａｔｍ％以下の範囲でＡｓを余剰に含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１２】
前記バッファ層が、Ｓｉ（１−ｘ）Ｇｅｘ（０≦ｘ≦１）を含み、
組成比ｘが、前記Ｓｉ基板側から前記第１の半導体層側へ向けて次第に大きくなっている
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１３】
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ（０．５≦ｘ≦１）を含むバリア層を更に備える
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１４】
前記バリア層が、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ（０．５≦ｘ≦１）を含む層とＧａＡｓを含む層とを交互に積層した多層膜を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載の光伝導素子。
【請求項１５】
前記バリア層が、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ（０．５≦ｘ≦１）を含む層とＩｎＧａＰを含む層とを交互に積層した多層膜を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載の光伝導素子。
【請求項１６】
前記電極が、複数の電極を有し、
前記複数の電極が、前記第２の半導体層の上に配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１７】
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とは、接している
ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１８】
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間には１層又は複数の半導体層が配置されており、
前記１層又は複数の半導体層のそれぞれは、Ｇａを含む
ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１９】
前記１層又は複数の半導体層のそれぞれは、Ｇａ及びＡｓを含む
ことを特徴とする請求項１８に記載の光伝導素子。
【請求項２０】
テラヘルツ波を発生又は検出する光伝導素子の製造方法であって、
Ｓｉ基板上に、Ｇｅを含むバッファ層と、Ｇａ及びＡｓを含む第１の半導体層と、Ｇａ及びＡｓを含む第２の半導体層と、電極と、をこの順に形成する工程を有し、
前記第２の半導体層のＧａ／Ａｓの元素比率は、前記第１の半導体層のＧａ／Ａｓの元素比率よりも小さい
ことを特徴とする光伝導素子の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の半導体層の成長温度は、５００℃以上８００℃以下である
ことを特徴とする請求項２０に記載の光伝導素子の製造方法。
【請求項２２】
前記第２の半導体層が、ＧａＡｓからなり、
前記第２の半導体層の成長温度は、２００℃以上４００℃以下である
ことを特徴とする請求項２０又は２１に記載の光伝導素子の製造方法。
【請求項２３】
テラヘルツ時間領域分光装置であって、
テラヘルツ波を発生する発生部と、
前記テラヘルツ波を検出する検出部と、を備え、
前記発生部及び前記検出部の少なくともいずれかが、請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の光伝導素子を有する
ことを特徴とするテラヘルツ時間領域分光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一側面としての光伝導素子は、Ｓｉ基板と、Ｇｅを含むバッファ層と、Ｇａ及びＡｓを含む第１の半導体層と、Ｇａ及びＡｓを含む第２の半導体層と、電極と、をこの順に備え、前記第２の半導体層のＧａ／Ａｓの元素比率が、前記第１の半導体層のＧａ／Ａｓの元素比率よりも小さいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月2日(2017.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表示領域と、
第２の表示領域と、
第１の駆動回路部と、
第２の駆動回路部と、を有し、
前記第１の駆動回路部は、第１のゲートドライバと第１のソースドライバを有し、
前記第２の駆動回路部は、第２のゲートドライバと第３のゲートドライバと、第２のソースドライバと第３のソースドライバを有し、
前記第２のゲートドライバと前記第３のゲートドライバは、互いに離間し、かつ互いに対向して配置され、
前記第２のソースドライバと前記第３のソースドライバは、互いに離間し、かつ互いに対向して配置され、
前記第１の表示領域は矩形状であり、
前記第２の表示領域は非矩形状であり、
前記第１のゲートドライバは、前記第２の表示領域の少なくとも一部と前記第１の表示領域の信号線を制御する、ことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月21日(2017.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子写真感光体、該電子写真感光体を有する電子写真装置およびプロセスカートリッジ
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月22日(2017.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
現像剤を担持して回転することにより前記現像剤を搬送する現像剤担持体に対向して設けられ、前記現像剤担持体に担持された現像剤のコート量を規制する規制部材であって、
前記規制部材は、前記現像剤担持体の表面に最も近接する位置に角部を有する、もしくは前記現像剤担持体の表面に最も近接する位置で前記現像剤担持体の表面と接する接平面に対して傾きが２°以内の平坦部を有する規制部と、
前記現像剤担持体の現像剤搬送方向上流側において前記角部もしくは前記平坦部と接続され、現像剤を整流する現像剤整流部と、を備え、
前記現像剤担持体の軸線方向に直交する断面において、前記現像剤整流部と前記規制部が接続する位置を原点とし、前記接平面と平行であって、前記現像剤搬送方向と逆方向を正にＸ軸、前記Ｘ軸に直交する前記現像剤担持体の径方向で、前記現像剤担持体から遠ざかる方向を正にＹ軸をとり、前記規制部と前記現像剤担持体の最近接距離をＧとしたとき、
前記現像剤整流部は、前記Ｘ軸成分が３Ｇ以下の領域において、前記現像剤整流部と前記接平面との間隔の減少率が前記現像剤搬送方向下流に向かうほど大きくなる凹曲面を備え、前記凹曲面は、前記現像剤整流部と前記接平面との間隔が、前記現像剤搬送方向下流に向かって単調的に減少するように、前記原点を除いて、０．２ｍｍ以下の直線もしくは曲線にて滑らかに繋がれて形成されていることを特徴とする規制部材。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基板上に、表示部と、複数の接続端子と、複数の配線と、を有し、
前記複数の接続端子は、前記複数の配線によって前記表示部と電気的に接続され、
前記複数の配線は、少なくとも第１の配線と第２の配線とを有し、
前記第１の配線及び前記第２の配線の各々は、第１の部分と第２の部分とを有し、
前記第１の部分は、複数の開口を有し、
前記基板は、前記第１の部分で折り曲げられる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の部分は、前記第２の部分における厚さよりも薄い領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の部分において、前記基板の折り曲げる方向は、前記複数の配線の延伸方向と異なることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記基板上にＩＣを有し、
前記ＩＣは、前記複数の配線の一部を介して前記表示部と電気的に接続され、
前記ＩＣは、前記第１の部分と前記複数の接続端子との間に設けられることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月23日(2017.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、保持容量と、前記トランジスタ及び前記保持容量と電気的に接続された表示素子と、を含む画素を複数備える画素部を有し、
前記保持容量は、容量線と電気的に接続され、一方の電極として機能する透光性を有する半導体膜と、前記トランジスタを介して信号線から所定の電位が供給され、他方の電極として機能する画素電極と、前記一方の電極及び前記他方の電極の間に設けられた誘電体膜と、を有し、
前記画素部に画像が表示される期間にあっては、
前記トランジスタのゲート電極を有する走査線に、前記トランジスタのしきい値電圧以上の電位を供給して前記トランジスタを導通状態にし、前記信号線から前記画素電極に所定の電位を供給し、
前記容量線に、前記画素電極と前記容量線との電位差が前記保持容量のしきい値電圧以上となる電位を供給し、
前記画素電極と前記容量線との電位差を前記保持容量に一定期間保持し、前記表示素子を介して前記画像を前記画素部に表示し、
前記画像の表示が停止される期間にあっては、
前記画像の表示を停止した後、前記容量線に、前記信号線から前記画素電極に供給される前記所定の電位よりも高い電位を一定期間供給することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記一定期間内においては、前記画素電極の電位と、前記表示素子に含まれ、前記画素電極と対向して設けられる導電膜の電位と、を同電位にすることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項３】
トランジスタと、保持容量と、前記トランジスタ及び前記保持容量と電気的に接続された液晶素子と、を含む画素を複数備える画素部と、
前記液晶素子を通過して前記画素部に光を照射する光源と、を有し、
前記保持容量は、容量線と電気的に接続され、一方の電極として機能する透光性を有する半導体膜と、前記トランジスタを介して信号線から所定の電位が供給され、他方の電極として機能する画素電極と、前記一方の電極及び前記他方の電極の間に設けられた誘電体膜と、を有し、
前記液晶素子は、前記画素電極及び前記透光性を有する半導体膜間に配置された液晶を含み、
前記画素部に画像が表示される期間にあっては、
前記光源を点灯し、
前記トランジスタのゲート電極を有する走査線に、前記トランジスタのしきい値電圧以上の電位を供給して前記トランジスタを導通状態にし、前記信号線から前記画素電極に所定の電位を供給し、
前記容量線に、前記画素電極と前記容量線との電位差が前記保持容量のしきい値電圧以上となる電位を供給し、
前記画素電極と前記容量線との電位差を前記保持容量に一定期間保持し、前記液晶素子を介して前記画像を前記画素部に表示し、
前記画像の表示が停止される期間にあっては、
前記光源を消灯して前記画像の表示を停止した後、前記容量線に、前記信号線から前記画素電極に供給される前記所定の電位よりも高い電位を一定期間供給することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記一定期間内においては、前記画素電極の電位と、前記液晶素子に含まれ、前記画素電極と対向して設けられる導電膜の電位とを同電位にすることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体装置の電源を遮断する前は、前記容量線に、前記信号線から前記画素電極に供給される前記所定の電位よりも高い電位を一定期間供給することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月22日(2017.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝部を有する第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置する被封止体と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間であって、前記被封止体及び前記溝部を囲むように設けられた封止剤と、を有し、
前記溝部は、前記被封止体と前記封止剤との間に位置する装置。
【請求項２】
溝部を有する第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置するトランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続される有機ＥＬ素子と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間であって、前記トランジスタ、前記有機ＥＬ素子、及び前記溝部を囲むように設けられた封止材と、を有し、
前記溝部は、前記封止剤と前記トランジスタ及び前記有機ＥＬ素子との間に位置する装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記被封止体は、第１の電極と、前記第１の電極上のＥＬ層と、前記ＥＬ層上の第２の電極とを有する装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記溝部は複数の溝を有する装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記封止剤はガラスフリットを有する装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の基板及び前記第２の基板はガラス基板である装置。
【請求項７】
第１の基板の表面に溝部を形成し、
前記第１の基板の前記表面に、被封止体を形成し、
前記第２の基板上に封止剤を設け、
前記被封止体を、前記第１の基板、前記第２の基板、及び前記封止剤で封止するように、前記第１の基板と第２の基板とを対向させ、
前記封止剤を加熱することで硬化させ、
前記封止剤は、前記被封止体と前記溝部を囲むように位置し、
前記溝部は、前記被封止体と前記封止剤との間に位置する装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記加熱は、レーザ光の照射により行われる装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月3日(2017.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電圧源と、
前記第１の電圧源に直列に接続された第２の電圧源と、
前記第１の電圧源の負極とイメージインテンシファイアの光電陰極の間に接続された第１のスイッチと、前記光電陰極と前記第２の電圧源の負極の間に接続された第２のスイッチと、を備えるスイッチング機構と、
前記光電陰極と前記第１のスイッチの間に接続された光源保護（ＢＳＰ）抵抗と、
前記ＢＳＰ抵抗と前記光電陰極の間に直列に接続された定電流シンクと、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチに接続された制御回路であって、前記イメージインテンシファイアのデューティファクタを調整するために、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチを制御する制御回路と、
を含むことを特徴とする電源供給装置。
【請求項２】
前記第１の電圧源、前記第１のスイッチ、及び前記ＢＳＰ抵抗に並列に、前記光電陰極と前記第１の電圧源の正極との間に接続されたダイオードクランプをさらに含む、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項３】
前記定電流シンクは、デプレッション型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項４】
前記定電流シンク及び前記ＢＳＰ抵抗に並列に接続された電圧クランプ回路をさらに含む、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項５】
前記光電陰極に接続された負極を有する第４の電圧源と、
前記第１の電圧源の正極と前記第４の電圧源の正極の間に接続された第３のスイッチと、
をさらに含む、請求項１に記載の電源供給装置。
【請求項６】
光電陰極、マイクロチャンネルプレート、及び蛍光スクリーンを有するイメージインテンシファイアの性能を調節する電源供給装置であって、
負極及び正極を有する第４の電圧源と、
前記第４の電圧源の正極と第１の電圧源の正極の間に接続された第３のスイッチと、
前記第３のスイッチと前記光電陰極の間に接続されたダイオードと、
負極及び正極を有する第２の電圧源であって、前記第２の電圧源の前記負極は、前記第１の電圧源の前記正極に接続された第２の電圧源と、
負極及び正極を有する第３の電圧源であって、前記第３の電圧源の前記負極は、前記第２の電圧源の正極に連結し、前記第３の電圧源の前記正極は、前記蛍光スクリーンに接続された第３の電圧源と、
前記第１の電圧源の負極と前記光電陰極の間に接続された第１のスイッチであって、閉じたときに光電陰極を充電するために、前記第１の電圧源を前記光電陰極に連結し、開いたときに前記光電陰極から前記第１の電圧源の接続を切る第１のスイッチと、
前記第２の電圧源の前記負極と前記光電陰極の間に接続された第２のスイッチであって、閉じたときに前記光電陰極を放電するために前記光電陰極を前記第２の電圧源に連結し、開いたときに前記第２の電圧源から前記光電陰極の接続を切る第２のスイッチと、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチに接続された制御回路であって、前記イメージインテンシファイアのデューティファクタを調節するために、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチを制御する制御回路と、
を含むことを特徴とする電源供給装置。
【請求項７】
前記制御回路は、デューティサイクルを調節することによって、前記イメージインテンシファイアに対する性能指数（ＦＯＭ）を設定する、請求項６に記載の電源供給装置。
【請求項８】
前記光電陰極に接続された負極を有する第４の電圧源と、
前記第１の電圧源の前記正極及び前記第４の電圧源の前記正極の間に接続された第３のスイッチとを含み、
前記制御回路は、前記第３のスイッチにさらに連結し、前記第１のスイッチ及び前記第３のスイッチを同時に作動させるように構成される、請求項６に記載の電源供給装置。
【請求項９】
光電陰極を有するイメージインテンシファイアの性能を調節する方法であって、
第１の期間、前記光電陰極を充電するステップと、
第２の期間、前記光電陰極を放電するステップと、
前記イメージインテンシファイアのデューティファクタを調節するために、前記第１の期間及び前記第２の期間を制御するステップと、
前記イメージインテンシファイアが高光源レベル状態で動作するとき、前記光電陰極のピーク負電圧を減少するステップと、
定電流シンクを通して前記光電陰極を再充電するステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
前記制御するステップは、前記デューティファクタを調節することにより、前記イメージインテンシファイアの性能指数（ＦＯＭ）を設定することを含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月1日(2016.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光量に応じて電荷を生成して蓄積し、行列状に配置された複数の画素と、
前記複数の画素の列毎に設けられる複数の信号線と、
前記複数の画素の信号を行単位で選択して前記複数の信号線にそれぞれ出力させる行走査回路と、
１フレーム内において、第１の電荷蓄積時間に電荷を蓄積した行と、前記第１の電荷蓄積時間とは長さが異なる第２の電荷蓄積時間に電荷を蓄積した行が存在する場合に、前記第１の電荷蓄積時間と前記第２の電荷蓄積時間の長さの差によって生じる信号レベルの差を低減するように、前記複数の信号線に出力された信号にゲインを印加する第１のゲイン補正回路と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１のゲイン補正回路は、現フレーム内で切り出して読み出す前記画素の領域が前フレーム内で切り出して読み出す前記画素の領域と異なる場合に、前記第１の電荷蓄積時間と前記第２の電荷蓄積時間の長さの差によって生じる信号レベルの差を低減するように、前記複数の信号線に出力された信号にゲインを印加することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記行走査回路は、前記切り出して読み出す前記画素の領域内の行の画素については前記画素に蓄積された信号を前記複数の信号線に出力させる処理と前記画素の信号をリセットする処理とを行毎に行い、前記切り出して読み出す前記画素の領域外の行の画素については前記画素の信号をリセットする処理のみを行毎に行うことを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記複数の画素の各々は、前記入射光量に応じて前記電荷を蓄積する光電変換部を有し、
前記行走査回路が、
前記複数の画素の各々の前記光電変換部を行単位でリセットする第１の駆動をさらに行い、
前記複数の画素の各々の前記光電変換部は前記第１の駆動から前記電荷を蓄積し、
前記行走査回路は、前記複数の画素を行単位で選択して前記複数の画素からの信号を前記複数の信号線にそれぞれ出力させ、
前記第１のゲイン補正回路は、前記複数の信号線に出力された信号にゲインを印加することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項５】
前記行走査回路は、切り出して読み出す前記画素の領域外の行の画素の前記画素の信号を行毎にリセットする駆動と、切り出して読み出す前記画素の領域内の行の画素の前記画素に蓄積された信号を前記複数の信号線に行毎に出力させる駆動とを同じ周波数で行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１のゲイン補正回路は、前記複数の画素の行毎の電荷蓄積時間に応じて前記ゲインを印加することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
さらに、前記複数の信号線のアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器を有し、
前記第１のゲイン補正回路は、前記デジタル信号に対してゲインを印加することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１のゲイン補正回路は、前記複数の信号線のアナログ信号に対してゲインを印加することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
さらに、前記第１のゲイン補正回路によりゲインが印加されたアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、
１フレーム内において、前記第１の電荷蓄積時間に電荷を蓄積した行と、前記第２の電荷蓄積時間に電荷を蓄積した行が存在する場合に、前記第１の電荷蓄積時間と前記第２の電荷蓄積時間の長さの差によって生じる信号レベルの差を低減するように、前記デジタル信号に対してゲインを印加する第２のゲイン補正回路とを有することを特徴とする請求項８記載の撮像装置。
【請求項１０】
入射光量に応じて電荷を生成して蓄積し、行列状に配置された複数の画素と、
前記複数の画素の列毎に設けられる複数の信号線と、
前記複数の画素の信号を行単位で選択して前記複数の信号線にそれぞれ出力させる行走査回路とを有する撮像装置の駆動方法であって、
１フレーム内において、第１の電荷蓄積時間に電荷を蓄積した行と、前記第１の電荷蓄積時間とは長さが異なる第２の電荷蓄積時間に電荷を蓄積した行が存在する場合に、前記第１の電荷蓄積時間と前記第２の電荷蓄積時間の長さの差によって生じる信号レベルの差を低減するように、前記複数の信号線に出力された信号にゲインを印加する第１のゲイン補正ステップを有することを特徴とする撮像装置の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の撮像装置は、入射光量に応じて電荷を生成して蓄積し、行列状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の列毎に設けられる複数の信号線と、前記複数の画素の信号を行単位で選択して前記複数の信号線にそれぞれ出力させる行走査回路と、１フレーム内において、第１の電荷蓄積時間に電荷を蓄積した行と、前記第１の電荷蓄積時間とは長さが異なる第２の電荷蓄積時間に電荷を蓄積した行が存在する場合に、前記第１の電荷蓄積時間と前記第２の電荷蓄積時間の長さの差によって生じる信号レベルの差を低減するように、前記複数の信号線に出力された信号にゲインを印加する第１のゲイン補正回路とを有することを特徴とする。