【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年4月3日(2017.4.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上への誘電体化合物層の反応性スパッタ堆積のための方法であって、
反応性スパッタ堆積チャンバから空気をポンプで排気するステップ、
前記反応性スパッタ堆積チャンバ内にスパッタリング・ガスを付与するステップ、
前記反応性スパッタ堆積チャンバの反応性ガス源に反応性ガスを供給するステップ、
前記反応性スパッタ堆積チャンバの前記反応性ガス源に供給される前記反応性ガスに水蒸気を添加するステップ、
前記反応性スパッタ堆積チャンバの前記反応性ガス源から前記反応性スパッタ堆積チャンバ内に前記反応性ガスを放出するステップ、ならびに、
前記スパッタリング・ガスをイオン化し、前記スパッタリング・ガスの陽イオンをカソード・ターゲットに的中させるために、前記カソード・ターゲットに負電圧を印加するステップであって、前記カソード・ターゲットの原子が、前記基板に向かって飛行し、前記基板に付着し、前記反応性ガスと、および前記水蒸気と反応することを引き起こすことにより、前記基板上に前記誘電体化合物層を形成するステップを含み、
前記水蒸気が、前記水蒸気を添加しない場合と比べ、前記誘電体化合物層の紫外線の光透過に実質的に影響を与えることなく、前記誘電体化合物層の堆積速度の上昇を可能にする方法。
【請求項２】
前記反応性ガスが酸素ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記水蒸気が、５＊１０−６Ｔｏｒｒから５＊１０−４Ｔｏｒｒの間の分圧である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記水蒸気が、１＊１０−５Ｔｏｒｒから５＊１０−５Ｔｏｒｒの間の分圧である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記水蒸気を付与するために水を蒸発させることをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
水バブラを通して前記酸素ガスを給送することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記反応性ガス源がプラズマ活性化反応性ガス源である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記反応性スパッタ堆積チャンバがアノードを含み、前記アノードを通して前記反応性ガスが添加される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記カソード・ターゲットがケイ素を含み、
前記反応性ガスが酸素を含み、
前記誘電体化合物が二酸化ケイ素を含み、
前記スパッタリング・ガスが、ネオン、クリプトン、キセノン、またはアルゴンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記負電圧が、ＤＣ電圧、パルスＤＣ電圧、ＡＣ電圧、またはＲＦ電圧である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記水蒸気が、１＊１０−５Ｔｏｒｒから５＊１０−５Ｔｏｒｒの間の圧力である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
反応性スパッタ堆積チャンバの反応性ガス源に反応性ガスを供給するステップ、
前記反応性スパッタ堆積チャンバの前記反応性ガス源に供給される前記反応性ガスに水蒸気を添加するステップ、および
前記反応性スパッタ堆積チャンバの前記反応性ガス源から前記反応性スパッタ堆積チャンバ内に前記反応性ガスを放出するステップを含み、
前記水蒸気が、前記水蒸気を添加しない場合と比べ、２５０から７５０ｎｍの間の波長範囲で誘電体酸化膜の光吸収を実質的に増大することなく、前記誘電体酸化膜の堆積速度の上昇を可能にする方法。
【請求項１３】
前記水蒸気を付与するために水を蒸発させることをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記反応性ガスが水素を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記反応性ガスが、５＊１０−６Ｔｏｒｒから５＊１０−４Ｔｏｒｒの間の圧力での水蒸気を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記反応性ガスが、１＊１０−５Ｔｏｒｒから５＊１０−５Ｔｏｒｒの間の圧力での水蒸気を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記誘電体酸化膜が二酸化ケイ素を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
誘電体コーティングによって基板をコーティングするための反応性スパッタ堆積システムであって、
反応性スパッタ堆積チャンバ、
前記反応性スパッタ堆積チャンバ内部のカソード・ターゲット、
前記カソード・ターゲットに対向して配設される、前記反応性スパッタ堆積チャンバ内部の前記基板を保持するための基板ホルダ、
前記反応性スパッタ堆積チャンバ内部に既定のスパッタリング・ガス圧を生成するためのスパッタリング・ガス入口、
前記反応性スパッタ堆積チャンバ内部の反応性ガス源、それは前記反応性ガス源に供給される反応性ガスを受け取り、前記反応性ガス源に供給される前記反応性ガスに添加される水蒸気を受け取り、および前記反応性ガス源から前記反応性スパッタ堆積チャンバ内に前記反応性ガスを放出するものであり、前記水蒸気が、前記水蒸気を添加しない場合と比べ、前記誘電体コーティングの紫外線の光透過に実質的に影響を与えることなく、前記誘電体コーティングの堆積速度の上昇を可能にするものであり、ならびに、
前記水蒸気および前記反応性ガスの混合物を包含するための、前記反応性ガス源に動作可能に結合される貯蔵器
を備えるシステム。
【請求項１９】
前記貯蔵器に結合される水蒸気源をさらに備える、請求項１８に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
水蒸気を、制御可能な少量の液体水を供給するために、ニードル・バルブを通してチャンバ１０６内に導入することができる。図示しないニードルは、チャンバの内側に突出する場合があり、図示しない遮蔽物、例えば保護箔の後側に隠される場合がある。水蒸気を、少量の水を蒸発させ、プラズマ活性化酸素源１２０に供給される酸素に蒸気を添加することにより、チャンバ１０６の外側でさらに得ることができる。あらかじめ形成した水蒸気を、アノード１０８を通してさらに給送することができる。プロセス制御目的では、水蒸気を他のプロセス・ガスとともに、特に反応性ガスとともに導入し、反応性ガスおよび水蒸気の混合物をプラズマ活性化ガス源１２０に給送することが有利である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
次に図１をさらに参照しながら図５に目を向けると、反応性スパッタリング堆積システム１００の好ましい実施形態５００が提示されている。反応性マグネトロン・スパッタリング堆積システム５００のマルチ基板ホルダ５１２が、複数の基板１０２上への、図示しないコーティングの同時堆積のためにチャンバ５０６内部で垂直軸を中心に回転する。１対のリング・カソード・ターゲット５１０が、単一のカソード・ターゲット１１０の代わりに使用される。反応性ガスおよび水蒸気の混合物が、対応するリング・カソード・ターゲット５１０の中央に配設される１対の入口５２０を通して給送される。入口５２０は貯蔵器５３０に連結され、貯蔵器５３０内では反応性ガスが、水蒸発器を含み得る随意の水蒸気源５３６により付与される水蒸気とプレミックスされる。随意の搬入口５３２は、基板ハンドラ５３４によってゲート・バルブ５５０を通してチャンバ５０６内に後で運び入れるための余分の基板のカセット１０２Ａを包含する。ターボ・ポンプ５２２は、チャンバ５０６の外に空気をポンプで排気する。反応性ガスおよび水蒸気の混合物を、アノード１０８を通してさらに添加することができる。