【手続補正書】
【提出日】平成29年1月13日(2017.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ状に配置された複数の薄膜型超音波トランスデューサー素子を含む素子アレイを
有する基板と、
前記素子アレイを覆う音響整合層と、
前記音響整合層の上に配置された音響レンズと、
前記音響レンズおよび前記基板の間に配置されて、前記音響整合層の圧縮強さよりも大
きい圧縮強さを有する構造体と、
を備えることを特徴とする超音波デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の超音波デバイスにおいて、前記構造体は、前記音響レンズの母線に平
行である前記音響整合層の側面にそれぞれ接触する２つの側面で前記音響整合層を挟むこ
とを特徴とする超音波デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の超音波デバイスにおいて、前記構造体は、前記音響レンズの母線に交
差する前記音響整合層の側面にそれぞれ接触する２つの側面で前記音響整合層を挟むこと
を特徴とする超音波デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の超音波デバイスにおいて、前記構造体は前記基板の表面に沿って前記
音響整合層を囲むことを特徴とする超音波デバイス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の超音波デバイスにおいて、前記音響レンズは、前
記基板に向き合う面から前記基板に向かって突き出る柱状部を有し、前記音響整合層は、
前記柱状部に接触する内側面を有することを特徴とする超音波デバイス。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の超音波デバイスにおいて、前記基板の厚み方向の
平面視で前記音響整合層の輪郭の外側で前記基板に結合されるフレキシブルプリント配線
板をさらに備え、前記構造体は前記音響整合層と前記フレキシブルプリント配線板との間
で前記基板上の導電体に被さることを特徴とする超音波デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の超音波デバイスにおいて、前記構造体は前記フレキシブルプリント配
線板上に配置されていることを特徴とする超音波デバイス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の超音波デバイスと、前記超音波デバイスを支持す
る筐体とを備えることを特徴とするプローブ。
【請求項９】
請求項８に記載のプローブにおいて、前記構造体は前記筐体に固定されることを特徴と
するプローブ。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の超音波デバイスと、前記超音波デバイスに接続さ
れて、前記超音波デバイスの出力を処理する処理部とを備えることを特徴とする電子機器
。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の超音波デバイスと、前記超音波デバイスに接続さ
れて、前記超音波デバイスの出力を処理し、画像を生成する処理部と、前記画像を表示す
る表示装置とを備えることを特徴とする超音波画像装置。
【請求項１２】
アレイ状に配置された複数の薄膜型超音波トランスデューサー素子を含む素子アレイを
有する基板と、
前記素子アレイを覆って、第１圧縮強さを有する音響整合層と、
前記音響整合層の上に配置されて、第１圧縮強さよりも小さい第２圧縮強さを有する音
響レンズと、
を備えることを特徴とする超音波デバイス。
【請求項１３】
請求項１２に記載の超音波デバイスにおいて、前記音響整合層は単一層であることを特
徴とする超音波デバイス。
【請求項１４】
請求項１３に記載の超音波デバイスにおいて、前記音響整合層の音響インピーダンスは
２ＭＲａｙｌｓ以下であることを特徴とする超音波デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載の超音波デバイスにおいて、前記音響整合層の膜厚は１００μｍ以下
であることを特徴とする超音波デバイス。
【請求項１６】
アレイ状に配置された複数の薄膜型超音波トランスデューサー素子を含む素子アレイを
有する基板に、前記基板の厚み方向の平面視で前記素子アレイが配置される領域の両側に
マスキング材を配置する工程と、
前記マスキング材の間で前記素子アレイ上に音響整合層および音響レンズを配置し、前
記音響レンズおよび前記基板の間に前記マスキング材を挟む工程と、
前記マスキング材を外して、前記音響レンズおよび前記基板の間に配置されて、前記音
響整合層の圧縮強さよりも大きい圧縮強さを有する構造体を形成する工程と、
を備えることを特徴とする超音波デバイスの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の超音波デバイスの製造方法において、
前記マスキング材を外した後に、前記領域の両側で前記領域と前記基板の縁との間にフ
レキシブルプリント配線板を結合する工程と、
前記音響整合層および前記フレキシブルプリント配線板の間に流動性を有する樹脂材を
流し込み、当該樹脂材を硬化させて前記構造体を形成する工程と、
を備えることを特徴とする超音波デバイスの製造方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の超音波デバイスの製造方法において、
前記音響レンズの配置にあたって前記マスキング材は両側から前記音響レンズを位置決
めすることを特徴とする超音波デバイスの製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の超音波デバイスの製造方法において、
前記マスキング材は開口を有し、前記マスキング材は開口内の前記音響レンズに対して
四方から位置決めを実施することを特徴とする超音波デバイスの製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の超音波デバイスの製造方法において、前記音響整合層の配置にあた
って前記開口には流動性を有する樹脂材が流し込まれ、前記樹脂材の厚みは前記マスキン
グ材の厚みで制御されることを特徴とする超音波デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】超音波デバイス、超音波デバイスの製造方法、プローブ、電子機器、超音波画像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（１４）前記音響整合層の音響インピーダンスは２ＭＲａｙｌｓ以下であることができる。音響レンズと薄膜型トランスデューサー素子との間で音響インピーダンスの整合は確立されることができる。例えばバルク型トランスデューサー素子に比べて音響整合層は薄膜化される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図１４は第３変形例に係る超音波デバイス１７ｃを概略的に示す。音響整合層８６は素
子アレイ２２を覆う。音響整合層８６は第１圧縮強さを有する。音響整合層８６は単一層
であって１００［μｍ］以下の膜厚を有し２［ＭＲａｙｌｓ］以下の音響インピーダンス
を有する。ここでは、音響整合層８６はエポキシ樹脂から形成される。音響整合層８６上
には音響レンズ８７が配置される。前述と同様に、音響レンズ８７は音響整合層８６の第
１圧縮強さよりも大きい第２圧縮強さを有する。したがって、音響レンズ８７はシリコー
ン樹脂から形成されることができる。平面視で音響レンズ８７の輪郭は音響整合層８６の
輪郭に一致することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
音響レンズ８７が生体に押し当てられると、音響レンズ８７には基体２１に向かって押
し付け力が作用する。このとき、押し付け力の方向に音響レンズ８７は音響整合層８６で
受け止められる。音響整合層８６が音響レンズ８７と同等な圧縮強さを有する場合に比べ
て、音響整合層８６の潰れは防止される。こうして音響レンズ８７に押し付け力が加わっ
ても、音響レンズ８７の歪みは防止されることができる。超音波デバイス１７ｃでは押し
付け力に対して十分に音響レンズ８７の歪みは抑制されることができる。音響整合層８６
は単一層であることから、音響整合層８６が複数層で形成される場合に比べて、音響整合
層８６の形成工程は簡素化されることができる。しかも、音響整合層８６の膜厚は高い精
度で制御されることができる。ここでは、音響整合層８６の音響インピーダンスは２［ＭＲａｙｌｓ］以下であることから、音響レンズ８７と素子２３との間で音響インピーダン
スの整合は確立されることができる。例えばバルク型トランスデューサー素子に比べて音
響整合層８６は薄膜化される。音響整合層８６の膜厚は１００［μｍ］以下に薄膜化され
ることができ、薄膜化に応じて音響整合層８６の変形は抑制される。加えて、超音波デバ
イス１７ｃは小型化される。