Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月11日(2017.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上述の課題を解決するために本願の通信装置は、他の通信装置の物理アドレスと論理アドレスとの対応を示すエントリの削除を監視する監視手段と、
前記監視手段が前記削除を検知したエントリが、ＩＰｓｅｃのトンネルモードの外側宛先ＩＰアドレスを含む場合には、該物理アドレスと該論理アドレスとの対応の解決処理を実行する処理手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の通信装置の物理アドレスと論理アドレスとの対応を示すエントリの削除を監視する監視手段と、
前記監視手段が前記削除を検知したエントリが、ＩＰｓｅｃのトンネルモードの外側宛先ＩＰアドレスを含む場合には、該物理アドレスと該論理アドレスとの対応の解決処理を実行する処理手段と
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記監視手段が前記削除を検知したエントリについて、前記解決処理を行うか否かを判断する判断手段を更に備え、
前記処理手段は、前記判断手段が前記解決処理を行うと判断した場合には、前記解決処理を実行する
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記判断手段は、
前記監視手段が前記削除を検知したエントリが以降、通信に使用されるエントリである場合には、前記解決処理を行うと判断することを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記物理アドレスはＭＡＣアドレスであり、前記論理アドレスはＩＰアドレスである、ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
通信装置の制御方法であって、
他の通信装置の物理アドレスと論理アドレスとの対応を示すエントリの削除を監視する監視工程と、
前記監視工程において前記削除を検知したエントリが、ＩＰｓｅｃのトンネルモードの外側宛先ＩＰアドレスを含む場合には、該物理アドレスと該論理アドレスとの対応の解決処理を実行する処理工程と
を備えることを特徴とする制御方法。
【請求項６】
コンピュータを、請求項１乃至４の何れか１項に記載の通信装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月27日(2017.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を構成していて少なくとも一部が光透過部である壁部を有し、前記光透過部に液体状または固体状の金属原子が配置されている構造体を準備する準備工程と、
前記金属原子の量が前記光透過部の中央部よりも外周部側で多くなるように分布を調整する調整工程と、
を含むことを特徴とする原子セルの製造方法。
【請求項２】
前記調整工程において、前記光透過部を加熱することで分布を調整する請求項１に記載の原子セルの製造方法。
【請求項３】
前記準備工程は、
一方の面側に開口し、底部が前記光透過部を構成する凹部を備えるベース部を準備するベース部準備ステップと、
前記底部に前記金属原子を配置する配置ステップと、
前記凹部を封止して前記内部空間を形成する封止ステップと、
を含む請求項１または２に記載の原子セルの製造方法。
【請求項４】
前記配置ステップにおいて、成膜により前記金属原子を前記底部に配置する請求項３に記載の原子セルの製造方法。
【請求項５】
前記調整工程において、前記金属原子が前記底部の外周部に沿って配置されるように前記調整を行う請求項３または４に記載の原子セルの製造方法。
【請求項６】
前記底部が平面視で角部を有し、
前記調整工程において、前記金属原子が前記角部に配置されるように前記調整を行う請求項３または４に記載の原子セルの製造方法。
【請求項７】
前記準備工程において、前記構造体は、前記光透過部の外周部に設けられている凹状の収納部を有し、
前記調整工程において、前記金属原子の少なくとも一部を前記収納部に配置する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の原子セルの製造方法。
【請求項８】
前記収納部は、前記光透過部の外周部に沿って延びている請求項７に記載の原子セルの製造方法。
【請求項９】
１対の窓部と、
前記１対の窓部間に配置されていて前記１対の窓部とともに内部空間を構成している胴体部と、
前記内部空間にて前記１対の窓部のうちの少なくとも一方の窓部上に前記窓部の中央部よりも外周部側で量が多くなるように配置されている液体状または固体状の金属原子と、
を備えることを特徴とする原子セル。
【請求項１０】
前記１対の窓部のうちの少なくとも一方の窓部と前記胴体部との接続部に設けられていて前記金属原子が配置されている凹状の収納部を備える請求項９に記載の原子セル。
【請求項１１】
前記収納部は、前記接続部に沿って延びている請求項１０に記載の原子セル。
【請求項１２】
前記収納部は、前記窓部に設けられている凹部を含んで構成されている請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の原子セル。
【請求項１３】
前記収納部は、前記胴体部に設けられている段差部を含んで構成されている請求項９ないし１２のいずれか１項に記載の原子セル。
【請求項１４】
請求項９ないし１３のいずれか１項に記載の原子セルを備えることを特徴とする量子干渉装置。
【請求項１５】
請求項９ないし１３のいずれか１項に記載の原子セルを備えることを特徴とする原子発振器。
【請求項１６】
請求項９ないし１３のいずれか１項に記載の原子セルを備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】原子セルの製造方法、原子セル、量子干渉装置、原子発振器および電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
また、気相成膜以外でも、液体状のアルカリ金属の所定体積をピペットで注入してもよく、固体状のアルカリ金属を秤量して配置しても良い。または、窒化物等のアルカリ金属を秤量して配置しても良い。この場合は、封止ステップの後であって調整工程よりも前に、化合物を還元することで、アルカリ金属Ｍ１を配置することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
以上説明したような原子セル２Ａの製造方法によれば、［１Ａ］準備工程において、胴体部形成用基板２１０および窓部形成用基板２２０Ａ、２３０からなる構造体が光透過部の外周部に設けられている凹部２２１（凹状の収納部）を有していて、［２Ａ］調整工程において、アルカリ金属Ｍを凹部２２１に収納するため、得られる原子セル２Ａにおいて、液体状または固体状のアルカリ金属Ｍを光通過領域から遠ざけることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
また、窓部２２Ｃの胴体部２１Ｃ側の面には、胴体部２１Ｃの貫通孔２１１Ｃの壁面に沿って環状の凹部２２１Ｃ（溝）が形成されている。窓部２２Ｃの厚さ方向からみたとき、図１１に示すように、凹部２２１Ｃの内周縁および外周縁は、それぞれ、貫通孔２１１Ｃの壁面よりも外側に位置している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
胴体部２１Ｄは、上下方向を厚さ方向とする板状をなしており、この胴体部２１Ｄには、胴体部２１Ｄの厚さ方向（上下方向）に貫通している貫通孔２１１Ｄが形成されている。この貫通孔２１１Ｄの壁面の窓部２２Ｄ側の端部には、貫通孔２１１Ｄの幅が拡がるように、周方向の一部に段差部２１２Ｄが設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2016092442.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月8日(2017.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体に搭載され、前記移動体が移動経路を移動中にデジタル放送の弱階層と強階層とを所定の切替条件に基づいて切り替えて受信する受信部と、
前記切替条件が満たされた切替検出地点の情報を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された前記切替検出地点の情報に基づいて切替エリアを設定するエリア設定部と、
前記切替条件が満たされた場合であっても、前記移動体の位置が前記切替エリア内であれば前記受信部に対して前記強階層と前記弱階層との切り替えを禁止する制御部とを備える移動体デジタル放送受信装置。
【請求項２】
請求項１に記載の移動体デジタル放送受信装置において、
前記制御部は、前記切替条件が満たされた場合であっても、前記移動体の位置が前記切替エリア内であれば前記受信部に対して前記強階層から前記弱階層への切り替えを禁止する移動体デジタル放送受信装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の移動体デジタル放送受信装置において、
前記エリア設定部は、互いに隣接する２つの前記切替検出地点間の距離または移動時間が所定範囲内である場合に、前記２つの切替検出地点が同一の前記切替エリア内に含まれるように前記切替エリアを設定する移動体デジタル放送受信装置。
【請求項４】
請求項３に記載の移動体デジタル放送受信装置において、
前記切替条件は、前記弱階層から前記強階層への切り替えに対する第１の切替条件と、前記強階層から前記弱階層への切替に対する第２の切替条件とを含み、
前記エリア設定部は、前記第１の切替条件が満たされた最初の切替検出地点を前記切替エリアの始点とする移動体デジタル放送受信装置。
【請求項５】
請求項４に記載の移動体デジタル放送受信装置において、
前記エリア設定部は、前記第１の切替条件が満たされた切替検出地点と、当該切替検出地点の次に前記第２の切替条件が満たされた切替検出地点については、これらの間の距離または移動時間が前記所定範囲外であっても、同一の前記切替エリア内に含まれるように、前記切替エリアを設定する移動体デジタル放送受信装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の移動体デジタル放送受信装置において、
前記記憶部は、所定回数を超えて同一の前記移動経路を前記移動体が移動した場合には、最も古い前記移動経路に対応する前記切替検出地点の情報を消去する移動体デジタル放送受信装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の移動体デジタル放送受信装置において、
前記制御部は、前記切替エリアに入る前から前記弱階層を受信していた場合には、前記切替エリアに入った後も信号品質が良ければ継続して前記弱階層を受信し、その後、信号品質が悪くなれば前記強階層を受信するように前記受信部を切り替え制御する移動体デジタル放送受信装置。
【請求項８】
請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の移動体デジタル放送受信装置において、
前記制御部は、前記切替エリアに入った場合に、前記強階層を受信するように前記受信部を切り替え制御する移動体デジタル放送受信装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の移動体デジタル放送受信装置において、
前記記憶部は、前記移動経路の上りと下りを区別して夫々前記切替検出地点の情報を記憶し、
前記エリア設定部は、前記移動経路の上りと下りを区別して夫々前記切替エリアを設定する移動体デジタル放送受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の移動体デジタル放送受信装置は、移動体に搭載され、移動体が移動経路を移動中にデジタル放送の弱階層と強階層とを所定の切替条件に基づいて切り替えて受信する受信部と、切替条件が満たされた切替検出地点の情報を記憶する記憶部と、記憶部に記憶された切替検出地点の情報に基づいて切替エリアを設定するエリア設定部と、切替条件が満たされた場合であっても、移動体の位置が切替エリア内であれば受信部に対して強階層と弱階層との切り替えを禁止する制御部とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月5日(2017.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイと、
映像を前記ディスプレイに表示するためのビューアアプリケーションプログラムを実行可能なプロセッサと、
前記映像と、前記映像を共有することが可能な共有先アプリケーションプログラムまたは共有先機器に関する共有先情報とを格納する格納手段と、
を具備し、
前記プロセッサは、
前記格納手段に格納される前記映像の中から前記ビューアアプリケーションプログラムにおいて表示すべき映像が元映像として選択された時、自機器に適した第１リサイズ処理及び第１高画質化処理を前記元映像に対して実行して表示用映像を生成し、前記表示用映像を前記ディスプレイに表示し、
前記表示用映像が共有対象として指定された場合、前記格納手段に格納されている前記共有先情報に基づいて前記共有先アプリケーションプログラムまたは共有先機器に適した第２リサイズ処理及び第２高画質化処理を前記元映像に対して実行して共有用映像を生成し、前記共有用映像を前記共有先アプリケーションプログラムまたは共有先機器に対して送信する
電子機器。
【請求項２】
前記共有先情報は、前記共有先アプリケーションプログラムにおいて処理可能な映像の解像度または前記共有先機器の解像度を含み、
前記プロセッサは、前記元映像の解像度を前記共有先情報に含まれる前記解像度に合わせるように前記第２リサイズ処理を行うことによって前記元映像を拡大又は縮小する請求項１記載の電子機器。
【請求項３】
前記プロセッサは、前記共有先アプリケーションプログラムの種別に応じて前記共有用映像に付加されている少なくとも個人情報を削除する請求項１記載の電子機器。
【請求項４】
前記共有先アプリケーションプログラムは、ＳＮＳを利用するためのＳＮＳアプリケーションおよびメールを送信するためのメールアプリケーションを含む請求項１に記載の電子機器。
【請求項５】
前記プロセッサは、前記表示用映像の解像度と前記共有先アプリケーションプログラムにおいて処理可能な映像の解像度が異なる場合、前記ビューアアプリケーション側で前記共有先アプリケーションプログラムにおいて処理可能な映像の解像度または前記共有先機器のディスプレイ解像度に応じた前記第２リサイズ処理を前記元映像に対して行い、前記第２リサイズ処理が行われた前記元映像に対して前記第２高画質化処理を行う請求項１に記載の電子機器。
【請求項６】
ディスプレイと、映像を前記ディスプレイに表示するためのビューアアプリケーションプログラムを実行可能なプロセッサと、前記映像と、前記映像を共有することが可能な共有先アプリケーションプログラムまたは共有先機器に関する共有先情報とを格納する格納手段と、を具備する電子機器が実行する映像共有方法であって、
前記格納手段に格納される前記映像の中から前記ビューアアプリケーションプログラムにおいて表示すべき映像が元映像として選択された時、自機器に適した第１リサイズ処理及び第１高画質化処理を前記元映像に対して実行して表示用映像を生成し、
前記表示用映像を前記ディスプレイに表示し、
前記表示用映像が共有対象として指定された場合、前記格納手段に格納されている前記共有先情報に基づいて、前記共有先アプリケーションプログラムまたは共有先機器に適した第２リサイズ処理及び第２高画質化処理を前記元映像に対して実行して共有用映像を生成し、
前記共有用映像を前記共有先アプリケーションプログラムまたは前記共有先機器に対して送信する映像共有方法。
【請求項７】
ディスプレイと、映像を前記ディスプレイに表示するためのビューアアプリケーションプログラムを実行可能なプロセッサと、前記映像と、前記映像を共有することが可能な共有先アプリケーションプログラムまたは共有先機器に関する共有先情報とを格納する格納手段と、を具備する電子機器のコンピュータによって実行されるプログラムであって、
前記格納手段に格納される前記映像の中から前記ビューアアプリケーションプログラムにおいて表示すべき映像が元映像として選択された時、自機器に適した第１リサイズ処理及び第１高画質化処理を前記元映像に対して実行して表示用映像を生成する手順と、
前記表示用映像を前記ディスプレイに表示する手順と、
前記表示用映像が共有対象として指定された場合、前記格納手段に格納されている前記共有先情報に基づいて前記共有先アプリケーションプログラムまたは共有先機器に適した第２リサイズ処理及び第２高画質化処理を前記元映像に対して実行して共有用映像を生成する手順と、
前記共有用映像を前記共有先アプリケーションプログラムまたは前記共有先機器に対して送信する手順と、
を具備するプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
実施形態によれば、電子機器はディスプレイと、映像を前記ディスプレイに表示するためのビューアアプリケーションプログラムを実行可能なプロセッサと、前記映像と、前記映像を共有することが可能な共有先アプリケーションプログラムまたは共有先機器に関する共有先情報とを格納する格納手段と、を具備する。前記プロセッサは、前記格納手段に格納される前記映像の中から前記ビューアアプリケーションプログラムにおいて表示すべき映像が元映像として選択された時、自機器に適した第１リサイズ処理及び第１高画質化処理を前記元映像に対して実行して表示用映像を生成し、前記表示用映像を前記ディスプレイに表示し、前記表示用映像が共有対象として指定された場合、前記格納手段に格納されている前記共有先情報に基づいて前記共有先アプリケーションプログラムまたは共有先機器に適した第２リサイズ処理及び第２高画質化処理を前記元映像に対して実行して共有用映像を生成し、前記共有用映像を前記共有先アプリケーションプログラムまたは共有先機器に対して送信する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
上記したように本実施形態においては、ビューアアプリケーション（第１のアプリケーションプログラム）において表示すべき映像として選択された元映像（第１の映像）に対して電子機器１０に適したリサイズ処理（第１のリサイズ処理）を行い、当該リサイズ処理が行われた元映像に対して高画質化処理を行うことによって表示用映像（第２の映像）を生成する。また、本実施形態においては、表示用映像が共有対象として指定された場合、共有先アプリケーションまたは共有先デバイスに適したリサイズ処理を元映像に対して行い、当該リサイズ処理が行われた元映像に対して高画質化処理を行うことによって共有用映像を生成する。この共有用映像は、共有先アプリケーションまたは共有先デバイスに対して送信される。なお、共有先アプリケーションまたは共有先デバイスに適したリサイズ処理は、当該共有先アプリケーションにおいて処理可能な解像度または当該共有先デバイスのディスプレイ解像度に応じた処理である。本実施形態においては、このような構成により、共有先においても高画質な映像を利用する（つまり、高画質化効果を得る）ことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月17日(2016.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント基板の製造方法及び導電性部材の接合方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予備半田された複数の導電性接合部に載置された導電性部材の上面と前記予備半田とを、粘着層を有した光透過性シートで覆うことにより前記導電性部材の載置状態を保持する載置状態保持工程と、
前記光透過性シートを介して前記導電性接合部及び前記導電性部材に向けて光を照射することにより前記予備半田を加熱溶融し、前記導電性接合部及び前記導電性部材を接合する接合工程と、
を有することを特徴とする導電性部材の接合方法。
【請求項２】
予備半田された複数の導電性接合部上に、導電性部材をそれぞれ載置する導電性部材セット工程と、
前記導電性部材の上面と前記予備半田とを、粘着層を有した光透過性シートで覆うことにより前記導電性部材の載置状態を保持する載置状態保持工程と、
前記光透過性シートを介して前記導電性接合部及び前記導電性部材に向けて光を照射することにより前記予備半田を加熱溶融し、前記導電性接合部及び前記導電性部材を接合する接合工程と、
を有することを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記光透過性シートは、ポリイミド樹脂により形成されていることを特徴とする請求項２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記接合工程後に、前記光透過性シートを除去する光透過性シート除去工程を有し、
前記光透過性シート除去工程において前記導電性部材の一部が露出されることを特徴とする請求項２又は３に記載のプリント基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月25日(2017.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ−−ＧａＮ基板を用い、前記ｎ−−ＧａＮ基板の一方の面がＮ面またはＧａ面のいずれか一方で、他方の面をその逆の面とし、当該一方の面に対してｎ＋−ＧａＮ層を形成し、さらに当該ｎ＋−ＧａＮ層上にオーミック電極を形成し、ｎ−−ＧａＮ基板の他方の面にショットキー電極を形成し、ｎ−−ＧａＮ基板をドリフト層とするショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記ｎ−−ＧａＮ基板の不純物濃度が２×１０１５ｃｍ−３〜２×１０１７ｃｍ−３である、請求項１に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記ｎ＋−ＧａＮ層の不純物濃度が１×１０１８ｃｍ−３〜１×１０１９ｃｍ−３である請求項１または２に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記ｎ−−ＧａＮ基板のショットキー電極側表面に絶縁膜またはｐ‐ＧａＮ層が形成され、その一部が前記ショットキー電極と重なる請求項１〜３のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記ｎ−−ＧａＮ基板が、ＨＶＰＥ法、Ｎａフラックス法、あるいはアモノサーマル法のいずれかで製造された請求項１〜４のいずかに記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＧａＮ基板をドリフト層とした縦型ショットキーバリアダイオードの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月18日(2017.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属空気電気化学セルであって、
金属、金属合金、または金属を吸着し放出することができる多孔性材料を含むアノードと、
空気カソードと、
二相液体電解質とを備え、
前記二相液体電解質は、水相とイオン性液体相とを含む、金属空気電気化学セル。
【請求項２】
前記アノードの金属は、遷移金属、アルカリ金属、およびアルカリ土類金属からなる群より選択される、請求項１に記載の金属空気電気化学セル。
【請求項３】
前記イオン性液体相は、イミダゾリウムカチオン、ピペリジニウムカチオン、ピロリジニウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオン、およびホスホニウムカチオンからなる群より選択されたカチオンと、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、ビス（フルオロスルホニル）イミドアニオン、テトラフルオロホウ酸塩アニオン、ヘキサフルオロリン酸塩アニオン、ジシアナミドアニオン、塩化物アニオン、臭化物アニオン、およびヨウ化物アニオンからなる群より選択されたアニオンとを有するイオン性液体を含む、請求項１に記載の金属空気電気化学セル。
【請求項４】
電気化学セル構造は、前記アノードが前記電解質のイオン性液体相にのみ直接接触するように構成される、請求項１に記載の金属空気電気化学セル。
【請求項５】
前記二相電解質系における水の量は前記イオン性液体の水溶解度よりも多く、イオン性液体に対する水の体積比は１／２０〜２０／１である、請求項１に記載の金属空気電気化学セル。
【請求項６】
リチウム空気電池であって、
リチウム金属、リチウム合金、またはリチウムイオンを吸着し放出することができる材料を有するアノードと、
空気カソードと、
前記アノードと前記カソードとの間に挟まれた、水相およびイオン性液体相を含む二相液体電解質系とを備える、リチウム空気電池。
【請求項７】
前記イオン性液体相は、イミダゾリウムカチオン、ピペリジニウムカチオン、ピロリジニウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオン、およびホスホニウムカチオンからなる群より選択されたカチオンと、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、ビス（フルオロスルホニル）イミドアニオン、テトラフルオロホウ酸塩アニオン、ヘキサフルオロリン酸塩アニオン、ジシアナミドアニオン、塩化物アニオン、臭化物アニオン、およびヨウ化物アニオンからなる群より選択されたアニオンとを有するイオン性液体を含む、請求項６に記載のリチウム空気電池。
【請求項８】
前記イオン性液体相は、Ｎ‐メチル‐Ｎ‐プロピルピペリジニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（ＰＰ１３ＴＦＳＩ）またはＮ，Ｎ‐ジエチル‐Ｎ‐メチル‐Ｎ‐（２‐メトキシエチル）アンモニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（ＤＥＭＥＴＦＳＩ）を含む、請求項６に記載のリチウム空気電池。
【請求項９】
前記アノードはリチウム金属を含み、前記リチウム金属は、前記電解質のイオン性液体相にのみ直接接触する、請求項６に記載のリチウム空気電池。
【請求項１０】
前記電解質塩は、ＬｉＰＦ６、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＮ（ＣＦ３ＳＯ２）２、Ｌｉ（ＣＦ３ＳＯ３）、ＬｉＮ（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２、およびＬｉＣ４ＢＯ８からなる群より選択された塩を含む、請求項６に記載のリチウム空気電池。
【請求項１１】
前記二相電解質系における水の量は前記イオン性液体の水溶解度よりも多く、イオン性液体に対する水の体積比は１／２０〜２０／１である、請求項６に記載のリチウム空気電池。
【請求項１２】
前記二相液体電解質は、Ｎ‐メチル‐Ｎ‐プロピルピペリジニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（ＰＰ１３ＴＦＳＩ）と蒸留水とを含む、請求項６に記載のリチウム空気電池。
【請求項１３】
請求項１に記載の電気化学セルを備えた車両。
【請求項１４】
請求項６に記載のリチウム空気電池を備えた車両。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月16日(2017.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
コイル線材を送出および把持する線材供給手段と、送出された前記コイル線材の曲げ方
向を案内する第１案内体と、前記第１案内体の位置を移動させる第１案内体駆動手段とを
備え、前記線材供給手段を前記案内体に押し付けることによって前記コイル線材を曲折するとともに、前記線材供給手段の送出又は把持の動作に同期して前記第１案内体の位置を調節し少なくとも一部に円形を有するコイルを製作することを特徴とする巻線装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る巻線装置は、コイル線材を送出および把持する線材供給手段と、送出され
たコイル線材の曲げ方向を案内する第１案内体と、第１案内体の位置を移動させる第１案
内体駆動手段とを備え、線材供給手段を前記案内体に押し付けることによってコイル線材を曲折するとともに、線材供給手段の送出又は把持の動作に同期して第１案内体の位置を調節し少なくとも一部に円形を有するコイルを製作するものである。
また、本発明の巻線装置は、コイル線材を直線駆動する第１駆動モードと、コイル線材
を円形状に曲げる第２駆動モードとを有し、第１駆動モードと第２駆動モードとを交互に
繰り返して、長円形状の非真円型コイルを製作するものである。
また本発明の巻線装置は、第２駆動モードのみにより真円型コイルを製作するものであ
る。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月1日(2017.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料から構成され、光学素子を搭載する素子搭載領域と、前記光学素子とワイヤボンディングを行うボンディング領域とを有するリードフレームであって、
少なくとも前記素子搭載領域上に、光沢性を有し、表面にアルカリ処理が施された銀めっき層又は銀を含有する銀合金めっき層が形成されたリードフレーム。
【請求項２】
前記銀めっき層又は前記銀合金めっき層は、１．５μｍ以上の厚さを有する請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記銀めっき層又は前記銀合金めっき層は、１．５０以上の光沢度を有する請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記銀めっき層又は前記銀合金めっき層の下地層として、銅めっき層が形成された請求項１乃至３のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記銅めっき層は０．１〜２．０μｍの厚さを有する請求項４に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記銀めっき層又は前記銀合金めっき層の下地層として、ニッケルめっき層、パラジウムめっき層、金めっき層が下層から順に積層された積層層が形成された請求項１乃至３のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記ニッケルめっき層は０．５〜４．０μｍ、前記パラジウムめっき層は０．００５〜０．１μｍ、前記金めっき層は０．００１〜０．０２μｍの厚さを有する請求項６に記載のリードフレーム。
【請求項８】
前記金属材料は、銅材又は銅を含む銅合金材からなる請求項１乃至７のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項９】
前記ボンディング領域上に、光沢性を有し、表面に前記アルカリ処理が施された前記銀めっき層又は前記銀合金めっき層が形成された請求項１乃至８のいずれか一項に記載されたリードフレーム。
【請求項１０】
前記アルカリ処理は、ｐＨ１１以上のアルカリ溶液を用いて施された請求項１乃至９のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項１１】
前記アルカリ処理は、苛性カリウム溶液又は苛性ナトリウム溶液を用いて施された請求項１０に記載のリードフレーム。
【請求項１２】
金属材料をリードフレーム状に成形したリードフレーム材の表面に銀めっきを施して光沢性の銀めっき層を形成する工程と、
該銀めっき層が形成された前記リードフレーム材をアルカリ溶液に浸漬してアルカリ処理を施す工程と、
該アルカリ処理が施された前記リードフレーム材を加熱処理する工程と、を有するリードフレームの製造方法。
【請求項１３】
前記アルカリ溶液は、ｐＨが１１以上である請求項１２に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１４】
前記アルカリ溶液は、苛性カリウム溶液又は苛性ナトリウム溶液である請求項１３に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１５】
前記銀めっき層を形成する工程で、前記銀めっき層は１．５μｍ以上の厚さに形成される請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１６】
前記銀めっき層を形成する工程は、青化銀又は青化カリウムからなるストライク銀めっき浴を用いて行われる請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１７】
前記リードフレーム材を加熱処理する工程は、１５０℃以上の温度で１時間半以上行われる請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１８】
前記銀めっき層を形成する工程終了後の前記銀めっき層の第１の光沢度は１．７０以上であり、
前記リードフレーム材を加熱処理する工程終了後の前記銀めっき層の第２の光沢度は、前記第１の光沢度の９０％以上を維持する請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１９】
前記銀めっき層を形成する工程の前に、前記リードフレーム材の表面に下地めっき層を形成する工程を更に有する請求項１２乃至１８のいずれか一項に記載されたリードフレームの製造方法。
【請求項２０】
前記下地めっき層は、銅めっき層である請求項１９に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項２１】
前記下地めっき層を形成する工程は、前記銅めっき層を０．１〜２．０μｍの厚さに形成する工程である請求項２０に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項２２】
前記下地めっき層を形成する工程は、前記リードフレーム材の表面にニッケルめっき層を形成する工程と、該ニッケルめっき層上にパラジウムめっき層を形成する工程と、該パラジウムめっき層上に金めっき層を形成する工程とを含む請求項１９に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項２３】
前記ニッケルめっき層を形成する工程は、前記ニッケルめっき層を０．５〜４．０μｍの厚さで形成する工程、前記パラジウムめっき層を形成する工程は、前記パラジウムめっき層を０．００５〜０．１μｍの厚さで形成する工程、前記金めっき層を形成する工程は、前記金めっき層を０．００１〜０．０２μｍの厚さで形成する工程である請求項２２に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項２４】
前記下地めっき層を形成する工程の前に、アルカリ及び酸によって前記リードフレーム材の表面に前処理を施す工程を更に有する請求項１９乃至２３のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、例えば、下地層５０をニッケルめっき層、パラジウムめっき層、金めっき層を下層から積層させた積層膜とする場合には、まずリードフレーム材１０をニッケルめっき浴に浸漬させて電気めっき処理を行い、次いで、パラジウムめっき浴にニッケルめっき層が形成されたリードフレーム材１０を浸漬させて電気めっき処理を行い、パラジウムめっき層上にパラジウムめっき層を形成する。更に、金めっき浴にニッケルめっき層及びパラジウムめっき層が表面に積層形成されたリードフレーム材１０を金めっき浴に浸漬させ。電気めっき処理を行うことにより、積層膜の下地層５０を形成することができる。なお、各層の厚さについては、例えば、ニッケルめっき層を０．５〜４．０μｍ、パラジウムめっき層を０．００５〜０．１μｍ、金めっき層を０．００１〜０．０２μｍの範囲で形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月28日(2017.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に接触して基板の表面を処理するためのロール部材であって、
表面にノジュールを有し、
前記ノジュールが、第１エッジ部および第２エッジ部を少なくとも有するとともに、前記基板に当接させたノジュールの変形により閉塞しないような幅および深さを有する溝部が、前記第１エッジ部および前記第２エッジ部に隣接して形成されていることを特徴とするロール部材。
【請求項２】
前記第１エッジ部は、前記ロール部材が回転することで前記ノジュールの先端面が前記基板の表面に接触するときの上流側に位置するエッジである上流エッジであり、該上流エッジを前記ロール部材の回転方向に複数有することを特徴とする請求項１に記載のロール部材。
【請求項３】
前記ノジュールの先端面にスリット又は凹部が形成されることにより、前記上流エッジが形成されることを特徴とする請求項２に記載のロール部材。
【請求項４】
前記ロール部材の回転方向に隣り合う前記ノジュールが前記ロール部材の回転軸方向に互いに重複した重複部分を有し、前記スリット又は前記凹部によって形成される前記上流エッジは、前記ロール部材の回転軸方向に、前記先端面における前記重複部分を除く非重複部分をカバーする長さを有していることを特徴とする請求項３に記載のロール部材。
【請求項５】
前記スリット又は前記凹部は、深さ方向に幅が狭くなる形状を有することを特徴とする請求項３又は４に記載のロール部材。
【請求項６】
基板の表面を擦って基板の表面を処理するためのロール部材であって、
表面にノジュールを有し、
前記ノジュールが、前記ロール部材の回転方向と非平行に延びるスリット又は凹部を有することを特徴とするロール部材。
【請求項７】
前記スリットは、前記ロール部材の回転方向に凸に曲がっていることを特徴とする請求項６に記載のロール部材。
【請求項８】
前記ロール部材は、筒状の軸芯と、表面に前記ノジュールを有するとともに、該軸芯の外周面に固定された筒状のスポンジ部材を備えていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載のロール部材。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載のロール部材と、
前記ロール部材を回転軸周りに回転させる回転駆動手段と、
前記ロール部材の前記ノジュールと接触する位置で、前記基板の表面が前記ロール部材の回転軸方向と平行になるように、前記基板を保持する基板保持手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
底面で基板の表面を擦って基板の表面を処理するためのペンシル部材であって、
前記底面に、エッジからエッジまで枝分かれすることなく連続したスリットを有することを特徴とするペンシル部材。
【請求項１１】
前記スリットは直線状であるとことを特徴とする請求項１０に記載のペンシル部材。
【請求項１２】
前記ペンシル部材には、深さの異なる複数の前記スリットが形成されていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のペンシル部材。
【請求項１３】
前記ペンシル部材は、前記基板の表面に対して洗浄処理を行うペンシル洗浄部材であり、軟質のスポンジからなることを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれか一項に記載のペンシル部材。
【請求項１４】
前記ペンシル部材は、前記基板の表面に対してバフ処理を行うペンシルバフ部材であり、
前記ペンシルバフ部材は、基部と、基部の下面に設けられ、前記底面となるバフパッドとからなることを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれかに記載のペンシル部材。
【請求項１５】
請求項１０ないし１４のいずれか一項に記載のペンシル部材と、
前記ペンシル部材を前記底面に垂直な回転軸周りに回転させる回転駆動手段と、
前記ペンシル部材の前記底面と接触する位置で、前記基板の表面が前記ペンシル部材の前記底面と平行になるように、前記基板を保持する基板保持手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
請求項１０ないし１４のいずれか一項に記載のペンシル部材と、
前記ペンシル部材の前記底面と接触する位置で、前記基板の表面が前記ペンシル部材の前記底面と平行になるように、前記基板を保持して回転させる基板回転手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月30日(2017.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属原子が封入されている原子セルと、
バイアスを受けて前記金属原子を共鳴させるための共鳴光対を含む光を出射する光源部と、
前記光源部の温度を調節する温度調節部と、
前記バイアスに関する情報を検出するバイアス検出部と、
前記バイアス検出部で検出した情報を用いて前記温度調節部を制御する光源温度制御部と、
を備えることを特徴とする量子干渉装置。
【請求項２】
前記バイアスの基準値を記憶している記憶部を備え、
前記光源温度制御部は、前記バイアス検出部で検出した情報と前記基準値との比較結果を用いて前記温度調節部を制御する請求項１に記載の量子干渉装置。
【請求項３】
前記光源部は、面発光レーザーを有している請求項１または２に記載の量子干渉装置。
【請求項４】
前記バイアス検出部が検出する前記情報は、前記バイアスの電圧値を含む請求項１ないし３のいずれか１項に記載の量子干渉装置。
【請求項５】
前記バイアス検出部が検出する前記情報は、前記バイアスの電流値を含む請求項１ないし４のいずれか１項に記載の量子干渉装置。
【請求項６】
前記光源部から出射する光の波長が設定値となるように前記バイアスを制御するバイアス制御部を備える請求項１ないし５のいずれか１項に記載の量子干渉装置。
【請求項７】
前記光源温度制御部は、
前記光源部が設定温度となるように前記温度調節部を制御する機能と、
前記バイアス制御部の制御時間間隔よりも長い時間間隔で、前記バイアス検出部で検出した情報を用いて前記設定温度を調節する機能と、
を有する請求項６に記載の量子干渉装置。
【請求項８】
前記設定温度を調節する前記時間間隔は、１０００秒以上１００００００秒以下の範囲内にある請求項７に記載の量子干渉装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする原子発振器。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】量子干渉装置、原子発振器および電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図示しないが、例えば、原子セル３１は、貫通孔を有する胴体部と、その貫通孔の両開口を封鎖する１対の窓部と、を有する。これにより、前述したようなアルカリ金属が封入される内部空間が形成されている。胴体部を構成する材料としては、特に限定されず、金属材料、樹脂材料、ガラス材料、シリコン材料、水晶等が挙げられるが、加工性や窓部との接合の観点から、ガラス材料、シリコン材料を用いるのが好ましい。また、窓部を構成する材料としては、前述したような光ＬＬに対する透過性を有していれば、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料、水晶等が挙げられる。このような胴体部と各窓部とが気密的に接合されており、その接合方法としては、これらの構成材料に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、接着剤による接合方法、直接接合法、陽極接合法等を用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
具体的なステップＳ３の「所定時間」、すなわち、光源温度制御部６５における設定温度を調節する時間間隔は、１０００秒以上１００００００秒以下の範囲内にあることが好ましく、１００００秒以上１００００００秒以下の範囲内にあることがより好ましく、１００００秒以上５００００秒以下の範囲内にあることがさらに好ましい。これにより、短期的な周波数安定度に悪影響を与えるのを低減しつつ、光源温度制御部６５による制御を行うことができる。なお、ステップＳ３の「所定時間」は、一定であっても可変であってもよいが、可変とする場合、光源部２１のエージング特性による光量変化が時間の経過とともに緩やかになることから、徐々に長くなっていることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
接続部材７１２は、温度調節素子２２と原子セル３１の各窓部とを熱的に接続している。これにより、温度調節素子２２からの熱を接続部材７１２による熱伝導により各窓部に伝達し、各窓部を加熱することができる。また、温度調節素子２２と原子セル３１とを離間することができる。そのため、温度調節素子２２への通電により生じた不要磁場が原子セル３１内のアルカリ金属原子に悪影響を与えるのを抑制することができる。また、温度調節素子２２の数を少なくすることができるため、例えば、温度調節素子２２への通電のための配線の数を少なくし、その結果、原子発振器１の小型化を図ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
また、基体７２１と蓋体７２２とは気密的に接合されているのが好ましい。すなわち、パッケージ７２内が気密空間であることが好ましい。これにより、パッケージ７２内を減圧状態または不活性ガス封入状態とすることができ、その結果、原子発振器１の特性を向上させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
以上説明したように構成された原子発振器１によっても、光源制御部６１によるバイアス制御、および、光源温度制御部６５による温度制御により、周波数安定度（特に長期周波数安定度）を向上させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７５】
１‥‥原子発振器
２‥‥光源側ユニット
３‥‥セル側ユニット
６‥‥制御部
６Ａ‥‥制御部
７‥‥物理ユニット
２１‥‥光源部
２２‥‥温度調節素子
２３‥‥温度センサー
２４‥‥光源側パッケージ
３１‥‥原子セル
３２‥‥受光部
３３‥‥ヒーター
３４‥‥温度センサー
３５‥‥コイル
３８‥‥磁気シールド
３９‥‥伝熱板
４１‥‥光学部品
４２‥‥光学部品
４３‥‥光学部品
６１‥‥光源制御部
６２‥‥セル温度制御部
６３‥‥磁場制御部
６４‥‥バイアス検出部
６５‥‥光源温度制御部
６６‥‥記憶部
７１‥‥主要部
７２‥‥パッケージ
７３‥‥支持部材
１００‥‥測位システム
２００‥‥ＧＰＳ衛星
２４１‥‥ベース
２４２‥‥メタライズ層
２４３‥‥リッド
２４４‥‥窓部材
３００‥‥基地局装置
３０１‥‥アンテナ
３０２‥‥受信装置
３０３‥‥アンテナ
３０４‥‥送信装置
３８２‥‥窓部
４００‥‥ＧＰＳ受信装置
４０１‥‥アンテナ
４０２‥‥衛星受信部
４０３‥‥アンテナ
４０４‥‥基地局受信部
７１１‥‥基板
７１２‥‥接続部材
７１３‥‥接着剤
７２１‥‥基体
７２２‥‥蓋体
１５００‥‥移動体
１５０１‥‥車体
１５０２‥‥車輪
２４１１‥‥凹部
２４１２‥‥段差部
２４３１‥‥貫通孔
ａ‥‥軸
Ｉｂ０‥‥バイアス電流
ＬＬ‥‥光
Ｓ‥‥内部空間
ω０‥‥周波数
ω１‥‥周波数
ω２‥‥周波数
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月18日(2017.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質セラミックス基板に、当該多孔質セラミックス基板の孔を塞ぐ浸透防止膜を形成し焼成によって分解される前処理液を塗布する工程と、
前記前処理液を硬化させて前記多孔質セラミックス基板に浸透防止膜を形成する工程と、
浸透防止膜が形成された前記多孔質セラミックス基板の表面に配線を形成する工程と、
前記浸透防止膜が分解される温度で、配線が形成された前記多孔質セラミックス基板を焼成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記浸透防止膜は、
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を主鎖とする三次元架橋した膜であり、
・（Ｒ１Ｏ）ｍ−Ｓｉ−（Ｒ２）ｎを単独もしくは複数組み合わせたモノマーの混合物、
・（Ｒ１Ｏ）ｍ−Ｓｉ−（Ｒ２）ｎを単独もしくは複数組み合わせたモノマーに由来するオリゴマーの混合物、または
・（Ｒ１Ｏ）ｍ−Ｓｉ−（Ｒ２）ｎを単独もしくは複数組み合わせたモノマーと（Ｒ１Ｏ）ｍ−Ｓｉ−（Ｒ２）ｎを単独もしくは複数組み合わせたモノマーに由来するオリゴマーとの混合物
のいずれかを含み、
Ｒ１は水素または炭素数が１〜１０の飽和炭化水素基であり、
Ｒ２は水素または炭素数が１〜１０の炭化水素基であり、
ｍは１〜４の整数、ｎは０〜３の整数であってｍ＋ｎ＝４を満たす、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記塗布する工程では、前記多孔質セラミックス基板を前記前処理液に浸漬する、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記配線を形成する工程では、前記配線の材料として金属ペーストを使用する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記焼成する工程では、前記浸透防止膜を分解させるとともに前記金属ペーストを焼成する、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記配線を形成する工程では、前記多孔質セラミックス基板の上にメッキシード層を形成し、当該メッキシード層の上に金属メッキ層を形成し、当該金属メッキ層と当該メッキシード層を部分的に除去して前記配線を形成する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記多孔質セラミックス基板は気孔率が５〜２０％である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
多孔質セラミックス基板に、当該多孔質セラミックス基板の孔を塞ぐ浸透防止膜を形成し焼成によって分解される前処理液を塗布する工程と、
前記前処理液を硬化させて前記多孔質セラミックス基板に浸透防止膜を形成する工程と、
浸透防止膜が形成された前記多孔質セラミックス基板の表面に配線を形成する工程と、
前記浸透防止膜が分解される温度で、配線が形成された前記多孔質セラミックス基板を焼成する工程と、
焼成された前記多孔質セラミックス基板の表面に発光素子を実装する工程と、
実装された前記発光素子を樹脂により封止する工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月1日(2016.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ＡｌＮ層（ＬＴ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）−ＡｌＮ層）５は、ＧａＮ層４の表面に形成されている。ＡｌＮ層５は、ＧａＮの結晶性を維持したまま基板の反りを抑制する中間層としての機能を果たす。ＡｌＮ層５は、たとえばＭＯＣＶＤ法を用いて形成される。ＡｌＮ層５の成長温度は、ＧａＮ層４および６の成膜温度よりも低温とされる。ＡｌＮ層５の厚さは、０より大きく２０ｎｍ以下であることが好ましい。ＡｌＮ層５の厚さは、１５ｎｍ以下であることがより好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月6日(2017.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品パッケージの側辺部から突設された端子が、電子基板上に設けられたランドに重ねてリフロー方式でハンダ接合されていると共に、前記電子部品パッケージの底面に設けられたチップ放熱用部材が前記電子基板上に設けられた放熱金属パターンに重ねてリフロー方式でハンダ接合されている電子部品の実装構造において、
前記チップ放熱用部材は、前記電子部品パッケージを構成するパッケージ用樹脂によって四方を囲まれる大きさに形成されていると共に、
前記放熱金属パターンは、少なくともその一部が前記電子部品パッケージよりも大きくなるように、放熱金属パターンと連続して電子部品パッケージからハミ出すように延びて余剰のハンダを電子部品パッケージの外部へ導くパターン延長部を一体に有しており、
少なくとも、前記放熱金属パターンに、空隙部抑制用のスリット部が設けられると共に、
該空隙部抑制用のスリット部は、溶融したハンダを弾くものとされていることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品の実装構造であって、
前記パターン延長部は、前記電子部品パッケージの前記端子を設けた側辺部とは異なる別の側辺部または角部の位置に設けられていることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子部品の実装構造であって、
前記空隙部抑制用のスリット部の幅は、溶融したハンダがスリット部の両側間を移動しない間隔とされることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の電子部品の実装構造であって、
前記空隙部抑制用のスリット部は、前記パターン延長部の延設方向へ延びて前記放熱金属パターンを複数の細長い小領域に区分けするものとされ、
該複数の細長い小領域は、前記パターン延長部の側が連結部でつながっていると共に、前記パターン延長部とは反対の側が開口されていることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の電子部品の実装構造であって、
前記空隙部抑制用のスリット部が、前記パターン延長部の延設方向に対して傾斜していることを特徴とする電子部品の実装構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、
電子部品パッケージの側辺部から突設された端子が、電子基板上に設けられたランドに重ねてリフロー方式でハンダ接合されていると共に、前記電子部品パッケージの底面に設けられたチップ放熱用部材が前記電子基板上に設けられた放熱金属パターンに重ねてリフロー方式でハンダ接合されている電子部品の実装構造において、
前記チップ放熱用部材は、前記電子部品パッケージを構成するパッケージ用樹脂によって四方を囲まれる大きさに形成されていると共に、
前記放熱金属パターンは、少なくともその一部が前記電子部品パッケージよりも大きくなるように、放熱金属パターンと連続して電子部品パッケージからハミ出すように延びて余剰のハンダを電子部品パッケージの外部へ導くパターン延長部を一体に有しており、
少なくとも、前記放熱金属パターンに、空隙部抑制用のスリット部が設けられると共に、
該空隙部抑制用のスリット部は、溶融したハンダを弾くものとされていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、上記構成によって、放熱金属パターンからハミ出した余剰のハンダを電子部品パッケージ外部のパターン延長部へ導くことにより、余剰のハンダが電子部品パッケージの外側へランダムに飛び出してハンダボールなどとなり、端子やランドなどと接触してショートを引き起こすのを防止することができる。
また、少なくとも放熱金属パターンに溶融したハンダを弾く空隙部抑制用のスリット部を設けることにより、空隙部を小さく抑えることができる。