Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月2日(2017.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブロードバンドルータ手段、プロトコル変換手段およびワイヤレス通信マスタ手段を備え、
ワイヤレス通信スレーブ手段を備えるワイヤレス通信スレーブ装置の前記ワイヤレス通信スレーブ手段が前記ワイヤレス通信マスタ手段と接続し、
前記ワイヤレス通信スレーブ装置を、前記ワイヤレス通信マスタ手段および前記プロトコル変換手段を経て前記ブロードバンドルータ手段と接続させることを特徴とするシステム。
【請求項２】
ブロードバンドルータ手段、プロトコル変換手段およびワイヤレス通信マスタ手段を備えるシステムの前記ワイヤレス通信マスタ手段と接続するワイヤレス通信スレーブ手段を備え、
前記ワイヤレス通信スレーブ手段が前記ワイヤレス通信マスタ手段と接続し、
前記ワイヤレス通信マスタ手段および前記プロトコル変換手段を経て前記ブロードバンドルータ手段と接続することを特徴とするワイヤレス通信スレーブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記従来の問題点を解決するため本発明のシステムは、ブロードバンドルータ手段、プロトコル変換手段およびワイヤレス通信マスタ手段を備え、ワイヤレス通信スレーブ手段を備えるワイヤレス通信スレーブ装置の前記ワイヤレス通信スレーブ手段が前記ワイヤレス通信マスタ手段と接続し、前記ワイヤレス通信スレーブ装置を、前記ワイヤレス通信マスタ手段および前記プロトコル変換手段を経て前記ブロードバンドルータ手段と接続させることを特徴とする。
本発明のワイヤレス通信スレーブ装置は、ブロードバンドルータ手段、プロトコル変換手段およびワイヤレス通信マスタ手段を備えるシステムの前記ワイヤレス通信マスタ手段と接続するワイヤレス通信スレーブ手段を備え、前記ワイヤレス通信スレーブ手段が前記ワイヤレス通信マスタ手段と接続し、前記ワイヤレス通信マスタ手段および前記プロトコル変換手段を経て前記ブロードバンドルータ手段と接続することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記文献等に提案された電源コードと光ケーブルを一体化した複合ケーブルによれば、途中の配線の本数が減じて簡単化されるという利点が得られる。
しかしながら、いずれの文献もその検討対象がケーブルの断面構造に限定されており、どのように接続、利用するかについては明らかにされていない。
したがって、複合ケーブルの端末においては、電源コードをなす電源線とコンセントとの接続、および光ファイバとＨＵＢとの接続はそれぞれ個別に接続作業を行わねばならない。この結果また、せっかく途中経路が簡素化されるにもかかわらず、接続部周りの配線は依然として従来と同様の輻輳状態に放置されるという問題が残っている。
上記文献等は、ワイヤレス通信スレーブ装置を、ワイヤレス通信マスタ手段およびプロトコル変換手段を経てブロードバンドルータ手段と接続させることができないという問題があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、ワイヤレス通信スレーブ装置を、ワイヤレス通信マスタ手段およびプロトコル変換手段を経てブロードバンドルータ手段と接続させるシステムおよびワイヤレス通信スレーブ装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、システムおよびワイヤレス通信スレーブ装置は、ワイヤレス通信スレーブ装置を、ワイヤレス通信マスタ手段およびプロトコル変換手段を経てブロードバンドルータ手段と接続させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月26日(2016.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＴＥ（ｌｏｎｇ  ｔｅｒｍ  ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）アドバンストワイヤレス通信を使用して通信することが可能なワイヤレス送受信ユニット（ＷＴＲＵ）によって実行される方法であって、
前記ＷＴＲＵが、プライマリダウンリンク搬送波を割り当てるネットワークからメッセージを受信するステップと、
前記ＷＴＲＵが、前記プライマリダウンリンク搬送波に関連付けられたプライマリアップリンク搬送波を判断するステップと、
前記ＷＴＲＵが、１つまたは複数のセカンダリダウンリンク搬送波および１つまたは複数のセカンダリアップリンク搬送波を判断するステップと、
前記ＷＴＲＵが、前記プライマリアップリンク搬送波の第１のアップリンクデータチャネルを介して第１のアップリンクデータを送信し、前記セカンダリアップリンク搬送波の第２のアップリンクデータチャネルを介して第２のアップリンクデータを送信するステップと、
前記ＷＴＲＵが、前記プライマリダウンリンク搬送波に関連付けられた第１のフィードバック情報と、前記１つまたは複数のセカンダリダウンリンク搬送波のうちの少なくとも１つに関連付けられた第２のフィードバック情報とを、前記プライマリアップリンク搬送波のアップリンク制御チャネル上で送信するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ＷＴＲＵは、前記１つまたは複数のセカンダリアップリンク搬送波上でフィードバック情報を送信するために、制御チャネルを利用しない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および第２のフィードバック情報は、ＡＣＫ（肯定応答）またはＮＡＣＫ（否定応答）  ＨＡＲＱ情報に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数のダウンリンク搬送波のそれぞれは、前記１つまたは複数のセカンダリアップリンク搬送波のうちの１つのためにスケジューリング情報を受信するために前記ＷＴＲＵによって使用されるダウンリンク制御チャネルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１および第２のフィードバック情報のそれぞれは、チャネル品質情報またはプリコーディング情報のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＷＴＲＵが、前記プライマリダウンリンク搬送波のうちの１つまたは前記１つまたは複数のセカンダリダウンリンク搬送波のうちの１つのダウンリンク搬送波制御チャネルを介して、グラントメッセージを受信するステップであって、前記グラントメッセージは、前記グラントメッセージに応じて送信するためにいずれのアップリンク搬送波が使用されるかを示すフィールドを含む、ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記１つまたは複数のセカンダリダウンリンク搬送波の数は、前記１つまたは複数のセカンダリアップリンク搬送波の数よりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
準永続的スケジューリングは、前記プライマリダウンリンク搬送波および前記プライマリアップリンク搬送波上で許容されるが、前記１つまたは複数のセカンダリダウンリンク搬送波および前記１つまたは複数のセカンダリアップリンク搬送波上では許容されない、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
プライマリダウンリンク搬送波を割り当てるネットワークからメッセージを受信し、
前記プライマリダウンリンク搬送波に関連付けられたプライマリアップリンク搬送波を判断し、
１つまたは複数のセカンダリダウンリンク搬送波および１つまたは複数のセカンダリアップリンク搬送波を判断し、
前記プライマリアップリンク搬送波の第１のアップリンクデータチャネルを介して第１のアップリンクデータを送信し、前記セカンダリアップリンク搬送波の第２のアップリンクデータチャネルを介して第２のアップリンクデータを送信し、
前記プライマリダウンリンク搬送波に関連付けられた第１のフィードバック情報と、前記１つまたは複数のセカンダリダウンリンク搬送波のうちの少なくとも１つに関連付けられた第２のフィードバック情報とを、前記プライマリアップリンク搬送波のアップリンク制御チャネル上で送信する
ように構成されたプロセッサを備えるワイヤレス送受信ユニット（ＷＴＲＵ）。
【請求項１０】
前記ＷＴＲＵは、前記１つまたは複数のセカンダリアップリンク搬送波上でフィードバック情報を送信するために、制御チャネルを利用しない、請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１１】
前記第１および第２のフィードバック情報は、ＡＣＫ（肯定応答）またはＮＡＣＫ（否定応答）  ＨＡＲＱ情報に対応する、請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１２】
前記１つまたは複数のダウンリンク搬送波のそれぞれは、前記１つまたは複数のセカンダリアップリンク搬送波のうちの１つのためにスケジューリング情報を受信するために前記ＷＴＲＵによって使用されるダウンリンク制御チャネルを含む、請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１３】
前記第１および第２のフィードバック情報のそれぞれは、チャネル品質情報またはプリコーディング情報のうちの少なくとも１つを含む、請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１４】
前記プロセッサは、前記プライマリダウンリンク搬送波のうちの１つまたは前記１つまたは複数のセカンダリダウンリンク搬送波のうちの１つのダウンリンク搬送波制御チャネルを介して、グラントメッセージを受信するように構成され、前記グラントメッセージは、前記グラントメッセージに応じて送信するためにいずれのアップリンク搬送波が使用されるかを示すフィールドを含む、請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１５】
前記１つまたは複数のセカンダリダウンリンク搬送波の数は、前記１つまたは複数のセカンダリアップリンク搬送波の数よりも大きい、請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１６】
準永続的スケジューリングは、前記プライマリダウンリンク搬送波および前記プライマリアップリンク搬送波上で許容されるが、前記１つまたは複数のセカンダリダウンリンク搬送波および前記１つまたは複数のセカンダリアップリンク搬送波上では許容されない、請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月12日(2017.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも番組の音声データを含む番組データと前記番組の構成要素を示す構成情報を多重化して放送波を送信する送信装置と、前記放送波を受信する受信装置とを備える放送システムであって、
前記受信装置は、
前記放送波の受信信号から複数の音声モードの音声データの有無を示すサイマルキャストグループ識別を取得する取得部と、
前記音声データを復号する復号部と、
前記サイマルキャストグループ識別により複数の音声モードの音声データが有る場合、複数の音声モードのうち前記復号部が再生できる音声モードを示す通知情報を出力する通知部と、
を備える放送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、本発明の一態様は、少なくとも番組の音声データを含む番組データと前記番組の構成要素を示す構成情報を多重化して放送波を送信する送信装置と、前記放送波を受信する受信装置とを備える放送システムであって、前記受信装置は、前記放送波の受信信号から複数の音声モードの音声データの有無を示すサイマルキャストグループ識別を取得する取得部と、前記音声データを復号する復号部と、前記サイマルキャストグループ識別により複数の音声モードの音声データが有る場合、複数の音声モードのうち前記復号部が再生できる音声モードを示す通知情報を出力する通知部と、を備える放送システムである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月26日(2017.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に形成される金属配線の少なくとも一部が露出したドライエッチング後またはアッシング後であって反応生成物が付着した基板に対し、揮発成分を含み基板上に膜を形成するための処理液を供給する処理液供給工程と、
前記揮発成分が揮発することによって前記処理液が固化または硬化した基板を搬送容器へ収容する収容工程と、
前記搬送容器に収容された前記処理液供給工程後の基板を取り出す取出工程と、
前記取出工程後、固化または硬化した前記処理液を前記基板から除去する除去工程と
を含み、
前記除去工程は、
固化または硬化した前記処理液に対して該処理液を除去する除去液を供給することにより、固化または硬化した前記処理液とともに前記反応生成物を前記基板から除去する
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記収容工程において、前記反応生成物は基板から引き離された状態で前記金属配線を覆っている前記処理液に含まれていること
を特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記処理液供給工程に先立ち、前記反応生成物を除去し易くするための薬液処理を行う前処理工程
を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記除去工程後の基板に対して、残存する前記反応生成物を除去するための薬液処理を行う後処理工程
を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記処理液供給工程前の基板に対してドライエッチングを行って、該基板の内部に形成
される金属配線の少なくとも一部を露出させるドライエッチング工程と、
前記ドライエッチング工程後、前記処理液供給工程が開始されるまで前記基板を外気か
ら遮断する外気遮断工程と
を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項６】
複数の基板を収容可能な搬送容器を載置する載置部と、
内部に形成される金属配線の少なくとも一部が露出したドライエッチング後またはアッシング後であって反応生成物が付着した基板に対し、揮発成分を含み基板上に膜を形成するための処理液を供給する処理液供給部と、
前記揮発成分が揮発することによって前記処理液が固化または硬化した基板を前記載置部へ搬送して、前記載置部に載置された前記搬送容器へ収容する第１基板搬送装置と、
前記搬送容器に収容された基板を取り出す第２基板搬送装置と、
前記第２基板搬送装置により取り出された基板から、固化または硬化した前記処理液を除去するための除去液を供給する除去液供給部と
を備え、
前記除去液供給部は、
固化または硬化した前記処理液に対して該処理液を除去する除去液を供給することにより、固化または硬化した前記処理液とともに前記反応生成物を前記基板から除去する除去液を供給する
ことを特徴とする基板処理システム。
【請求項７】
前記搬送容器に収容された基板において、前記反応生成物は基板から引き離された状態で前記金属配線を覆っている前記処理液に含まれていること
を特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記処理液供給部による処理液の供給に先立ち、前記反応生成物を除去し易くするための薬液を供給する第１薬液供給部
を備えることを特徴とする請求項６または７に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記除去液供給部により供給された除去液により処理された基板に対して、残存する前記反応生成物を除去するための薬液を供給する第２薬液供給部
を備えることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一つに記載の基板処理システム。
【請求項１０】
前記基板に対してドライエッチングを行って、該基板の内部に形成される金属配線の少なくとも一部を露出させるドライエッチング部と、
前記載置部、前記第１、第２基板搬送装置および前記ドライエッチング部を含む第１ブロックと、
前記処理液供給部を含む第２ブロックと、
大気から遮断された内部空間を有し、前記第１ブロックと前記第２ブロックとを連結する連結部と
を備えることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一つに記載の基板処理システム。
【請求項１１】
コンピュータ上で動作し、基板処理システムを制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理システムを制御させること
を特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
実施形態の一態様に係る基板処理方法は、処理液供給工程と、収容工程と、取出工程と、除去工程とを含む。処理液供給工程は、内部に形成される金属配線の少なくとも一部が露出したドライエッチング後またはアッシング後であって反応生成物が付着した基板に対し、揮発成分を含み基板上に膜を形成するための処理液を供給する。収容工程は、揮発成分が揮発することによって処理液が固化または硬化した基板を搬送容器へ収容する。取出工程は、搬送容器に収容された処理液供給工程後の基板を取り出す。除去工程は、取出工程後、固化または硬化した処理液を基板から除去する。また、除去工程は、固化または硬化した処理液に対して該処理液を除去する除去液を供給することにより、固化または硬化した処理液とともに反応生成物を基板から除去する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月9日(2017.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極が形成された誘電体シートが積層される素体が含まれ、前記内部電極に並列接続される表面にめっき層が配置された外部端子電極が前記素体の両端部に形成された積層セラミックキャパシタの回路基板実装構造であって、
前記積層セラミックキャパシタの内部電極と回路基板が水平方向になるように配置され、前記外部端子電極と回路基板のランドとが導電材によって接合され、前記回路基板の上面と前記素体の下部側のカバー層の下面との間の間隔Ｔａと、前記素体の下部側のカバー層の厚さＴｃとの合計より、前記導電材の接合高さＴｓが低く形成され、
前記導電材の接合高さＴｓは、前記回路基板の上面と前記素体の下部側のカバー層の下面との間の間隔Ｔａより高く形成され、
前記素体の下部側のカバー層の厚さＴｃが、前記回路基板の上面と前記素体の下部側のカバー層の下面との間の間隔Ｔａより大きく形成された積層セラミックキャパシタの回路基板実装構造（Ｔｓ＜Ｔａ＋Ｔｃ、Ｔｓ＞Ｔａ、Ｔａ＜Ｔｃ）。
【請求項２】
前記積層セラミックキャパシタは、水平方向に実装されるようにテーピング（Ｔａｐｉｎｇ）が施されたものであって、幅（Ｗ）、厚さ（Ｔ）が同一、類似したものである請求項１に記載の積層セラミックキャパシタの回路基板実装構造。
【請求項３】
前記積層セラミックキャパシタの誘電体層の層数は２００層以上である請求項１又は２に記載の積層セラミックキャパシタの回路基板実装構造。
【請求項４】
前記積層セラミックキャパシタの誘電体層の厚さは３μｍ以下である請求項１又は２に記載の積層セラミックキャパシタの回路基板実装構造。
【請求項５】
前記積層セラミックキャパシタの誘電体層は、層数が２００層以上であり、誘電体層の厚さは３μｍ以下である請求項１又は２に記載の積層セラミックキャパシタの回路基板実装構造。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月7日(2017.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスイッチング素子で形成された回路を有し、且つ、直流電力を交流電力に変換する車載用のインバータ装置において、
前記回路の入力側に設けられ、前記直流電力に含まれるコモンモードノイズ及びノーマルモードノイズを低減させるノイズ低減部を備え、
前記ノイズ低減部は、コアと前記コアの第１巻回部に巻回された第１巻線と前記コアの第２巻回部に巻回された第２巻線とを有するコモンモードチョークコイルによって構成され、
前記コモンモードチョークコイルによってコモンモードノイズ及びノーマルモードノイズが低減された直流電力が前記回路に入力されることを特徴とする車載用のインバータ装置。
【請求項２】
前記コモンモードチョークコイルと協働してローパスフィルタ回路を構成する平滑コンデンサが前記コモンモードチョークコイルの出力側且つ前記回路の入力側に設けられ、
前記各スイッチング素子をＰＷＭ制御するのに用いられるキャリア信号の周波数であるキャリア周波数は、前記ローパスフィルタ回路のカットオフ周波数よりも高く設定されている請求項１に記載の車載用のインバータ装置。
【請求項３】
ノーマルモードノイズの周波数は、車種に応じて変動するものであり、
前記ローパスフィルタ回路の共振周波数は、想定されるノーマルモードノイズの周波数の変動範囲を含むノイズ周波数帯域よりも高く設定されている請求項２に記載の車載用のインバータ装置。
【請求項４】
前記ノイズ低減部には、スイッチング素子を有する車載用機器と共用される車載用蓄電装置の直流電力が入力されるものであり、
前記車載用機器のスイッチング素子のスイッチング周波数は、車種に応じて変動し、
前記ノイズ周波数帯域は、想定される前記車載用機器のスイッチング素子のスイッチング周波数の変動範囲を含む請求項３に記載の車載用のインバータ装置。
【請求項５】
前記平滑コンデンサは、フィルムコンデンサである請求項３又は請求項４に記載の車載用のインバータ装置。
【請求項６】
前記平滑コンデンサと前記コモンモードチョークコイルとは、ユニット化されている請求項２〜５のうちいずれか一項に記載の車載用のインバータ装置。
【請求項７】
前記コアは、前記両巻線が巻回されておらず表面が露出した露出部を有している請求項１〜６のうちいずれか一項に記載の車載用のインバータ装置。
【請求項８】
前記第１巻線及び前記第２巻線の少なくとも一方は、相対的に巻回軸方向の単位長さ当たりの巻数が異なる高密度部及び低密度部を備えている請求項１〜７のうちいずれか一項に記載の車載用のインバータ装置。
【請求項９】
前記第１巻線の巻数と、前記第２巻線の巻数とが異なっている請求項１〜８のうちいずれか一項に記載の車載用のインバータ装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のうちいずれか一項に記載の車載用のインバータ装置と、
電動モータ及び圧縮部を収容するハウジングとを備えた車載用の電動圧縮機であって、
前記回路の出力側は、前記電動モータに接続されていることを特徴とする車載用の電動圧縮機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】車載用のインバータ装置及び車載用の電動圧縮機
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、車載用のインバータ装置及び車載用の電動圧縮機に関する。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成する車載用の電動圧縮機は、上述した車載用のインバータ装置と、電動モータ及び圧縮部を収容するハウジングとを備え、前記回路の出力側は、前記電動モータに接続されていることを特徴とする。かかる構成によれば、車載用のインバータ装置は車載用の電動圧縮機の電動モータを駆動するのに用いられる。ここで、一般的に電動圧縮機の電動モータを駆動させるには、ある程度の大きさの電力を要する。このため、電動モータを駆動させる車載用のインバータ装置としては、比較的大きな直流電力を交流電力に変換する必要がある。このような大きな直流電力に対して適用可能なノーマルモードノイズ用のコイルは、大型なものとなり易いため、ノイズ低減部が大きくなり易い。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月31日(2017.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信部と、制御部とを備え、
前記通信部は、複数の周波数帯で他の機器と通信し、
前記複数の周波数帯は、第１の周波数帯および第２の周波数帯を含み、
前記第１の周波数帯は、前記第２の周波数帯よりも周波数が低く、
前記制御部は、
センサが検出した値に基づいて自機が水に浸かっていると推定している第１の場合に、前記第２の周波数帯よりも前記第１の周波数帯を優先して利用し、
前記センサが検出した値に基づいて自機が水に浸かっていると推定していない第２の場合に、前記第１の周波数帯よりも前記第２の周波数帯を優先して利用する、携帯機器。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１の周波数帯および前記第２の周波数帯のうち優先して利用する優先周波数帯で通信可能な基地局を優先的にサーチさせる請求項１に記載の携帯機器。
【請求項３】
前記制御部は、前記優先周波数帯で通信可能な基地局がサーチされると、他方の周波数帯で通信可能な基地局をサーチしない請求項２に記載の携帯機器。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１の周波数帯および前記第２の周波数帯のいずれか一方で前記他の機器と通信する請求項１に記載の携帯機器。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１の周波数帯および前記第２の周波数帯のうち優先して利用している優先周波数帯を継続的な通信に利用し、他方の周波数帯を補助的な通信に利用する請求項１に記載の携帯機器。
【請求項６】
前記通信部は、第３の周波数帯で他の機器と通信し、
前記第３の周波数帯は、前記第１の周波数帯および前記第２の周波数帯よりも周波数が高く、
前記制御部は、前記第３の周波数帯を前記第１の周波数帯および前記第２の周波数帯の少なくとも一方の周波数帯と束ねて通信する請求項１に記載の携帯機器。
【請求項７】
前記制御部は、
前記第１の場合の間に、前記第１の周波数帯で通信可能な基地局がサーチされていると、当該第１の場合から前記第２の場合に移ってから所定時間まで、前記第１の周波数帯を前記第２の周波数帯よりも優先して利用する請求項１に記載の携帯機器。
【請求項８】
前記制御部は、前記第２の場合から前記第１の場合に移るとすぐに、前記第２の周波数帯よりも前記第１の周波数帯を優先して利用する請求項７に記載の携帯機器。
【請求項９】
前記センサとして、タッチスクリーンおよび気圧センサの少なくとも一方を備える請求項１に記載の携帯機器。
【請求項１０】
複数の周波数帯で通信可能な通信部と、
センサが検出した値に基づいて自機が水に浸かっていると推定すると、前記複数の周波数帯域を利用する規則を変更する制御部とを備え、
前記制御部は、
自機が水に浸かっていると推定している間に通信可能な基地局がサーチされていると、自機が水に浸かっていないと推定してから所定時間まで前記基地局と通信可能な周波数帯を優先して利用するように前記規則を変更する携帯機器。
【請求項１１】
通信部および制御部を備える携帯機器により実行される制御方法であって、
第１の周波数帯、及び当該第１の周波数帯よりも周波数が高い第２の周波数帯を含む複数の周波数帯で他の機器と通信するステップと、
センサが検出した値に基づいて自機が水に浸かっていると推定している第１の場合に、前記第２の周波数帯よりも前記第１の周波数帯を優先して利用して前記他の機器と通信するステップと、
前記センサが検出した値に基づいて自機が水に浸かっていると推定していない第２の場合に、前記第１の周波数帯よりも前記第２の周波数帯を優先して利用して前記他の機器と通信するステップと
を含む制御方法。
【請求項１２】
通信部および制御部を備える携帯機器に、
第１の周波数帯、及び当該第１の周波数帯よりも周波数が高い第２の周波数帯を含む複数の周波数帯で他の機器と通信するステップと、
センサが検出した値に基づいて自機が水に浸かっていると推定している第１の場合に、前記第２の周波数帯よりも前記第１の周波数帯を優先して利用して前記他の機器と通信するステップと、
前記センサが検出した値に基づいて自機が水に浸かっていると推定していない第２の場合に、前記第１の周波数帯よりも前記第２の周波数帯を優先して利用して前記他の機器と通信するステップと
を実行させる制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月10日(2017.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオン液体、化合物、非水溶媒、電解液
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式で表されるカチオンと、１価のアニオンを有することを特徴とするイオン液体。
【化１】
2017022134.tif 000001
【請求項２】
下記式で表されるカチオンと、１価のアニオンを有することを特徴とする化合物。
【化２】
2017022134.tif 000002
【請求項３】
下記式で表されるカチオンと、１価のアニオンを有することを特徴とする非水溶媒。
【化３】
2017022134.tif 000003
【請求項４】
下記式で表されるカチオンと、１価のアニオンを有することを特徴とする電解液。
【化４】
2017022134.tif 000004
【請求項５】
下記式で表されるカチオンと、１価のアニオンを有し、
前記１価のアニオンは、アミドアニオン、メチドアニオン、フルオロスルホン酸アニオン（ＳＯ３Ｆ−）、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロホウ酸アニオン（ＢＦ４−）、パーフルオロアルキルホウ酸アニオン、ヘキサフルオロリン酸アニオン（ＰＦ６−）、パーフルオロアルキルリン酸アニオン及びハロゲン化物イオンのいずれか一であることを特徴とするイオン液体。
【化５】
2017022134.tif 000005
【請求項６】
下記式で表されるカチオンと、１価のアニオンを有し、
前記１価のアニオンは、アミドアニオン、メチドアニオン、フルオロスルホン酸アニオン（ＳＯ３Ｆ−）、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロホウ酸アニオン（ＢＦ４−）、パーフルオロアルキルホウ酸アニオン、ヘキサフルオロリン酸アニオン（ＰＦ６−）、パーフルオロアルキルリン酸アニオン及びハロゲン化物イオンのいずれか一であることを特徴とする化合物。
【化６】
2017022134.tif 000006
【請求項７】
下記式で表されるカチオンと、１価のアニオンを有し、
前記１価のアニオンは、アミドアニオン、メチドアニオン、フルオロスルホン酸アニオン（ＳＯ３Ｆ−）、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロホウ酸アニオン（ＢＦ４−）、パーフルオロアルキルホウ酸アニオン、ヘキサフルオロリン酸アニオン（ＰＦ６−）、パーフルオロアルキルリン酸アニオン及びハロゲン化物イオンのいずれか一であることを特徴とする非水溶媒。
【化７】
2017022134.tif 000007
【請求項８】
下記式で表されるカチオンと、１価のアニオンを有し、
前記１価のアニオンは、アミドアニオン、メチドアニオン、フルオロスルホン酸アニオン（ＳＯ３Ｆ−）、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロホウ酸アニオン（ＢＦ４−）、パーフルオロアルキルホウ酸アニオン、ヘキサフルオロリン酸アニオン（ＰＦ６−）、パーフルオロアルキルリン酸アニオン及びハロゲン化物イオンのいずれか一であることを特徴とする電解液。
【化８】
2017022134.tif 000008
【請求項９】
下記式で表される１−メチル−３−（２−プロポキシエチル）イミダゾリウムビス（フルオロスルホニル）アミドを有することを特徴とするイオン液体。
【化９】
2017022134.tif 000009
【請求項１０】
下記式で表される１−メチル−３−（２−プロポキシエチル）イミダゾリウムビス（フルオロスルホニル）アミドを有することを特徴とする化合物。
【化１０】
2017022134.tif 000010
【請求項１１】
下記式で表される１−メチル−３−（２−プロポキシエチル）イミダゾリウムビス（フルオロスルホニル）アミドを有することを特徴とする非水溶媒。
【化１１】
2017022134.tif 000011
【請求項１２】
下記式で表される１−メチル−３−（２−プロポキシエチル）イミダゾリウムビス（フルオロスルホニル）アミドを有することを特徴とする電解液。
【化１２】
2017022134.tif 000012
【請求項１３】
下記式で表される１−メチル−３−（２−プロポキシエチル）イミダゾリウムクロリドを有することを特徴とするイオン液体。
【化１３】
2017022134.tif 000013
【請求項１４】
下記式で表される１−メチル−３−（２−プロポキシエチル）イミダゾリウムクロリドを有することを特徴とする化合物。
【化１４】
2017022134.tif 000014
【請求項１５】
下記式で表される１−メチル−３−（２−プロポキシエチル）イミダゾリウムクロリドを有することを特徴とする非水溶媒。
【化１５】
2017022134.tif 000015
【請求項１６】
下記式で表される１−メチル−３−（２−プロポキシエチル）イミダゾリウムクロリドを有することを特徴とする電解液。
【化１６】
2017022134.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月23日(2017.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボン酸と、一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンで被覆された銅ナノ粒子が、高分子分散剤と、溶剤に分散されており、前記高分子分散剤は、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇであり、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、
当該塗膜を焼成する工程とを有する、導電性基板の製造方法。
【請求項２】
前記高分子分散剤は、９０％熱重量減少温度が４２０℃以下である、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項３】
前記カルボン酸は、炭素数が１０以下である、請求項１又は２に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項４】
前記焼成する工程が、プラズマにより焼成する工程であるか、フラッシュ光の照射により焼成する工程である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項５】
前記焼成する工程後に、更に、得られた焼結膜を化学エッチングする工程を有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項６】
銅を含む化合物、ヒドラジン及びヒドラジンの水和物より選択される１種以上の還元性化合物、カルボン酸、及び一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンを含む混合物、又は、カルボン酸銅、ヒドラジン及びヒドラジンの水和物より選択される１種以上の還元性化合物、及び一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンを含む混合物のいずれかを加熱することにより銅ナノ粒子を調製する工程と、
前記銅ナノ粒子を、溶剤中で、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇである高分子分散剤により分散することにより、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である銅ナノ粒子分散体を調製する工程と、
前記銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、
当該塗膜を焼成する工程とを有する、導電性基板の製造方法。
【請求項７】
前記高分子分散剤は、９０％熱重量減少温度が４２０℃以下である、請求項６に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項８】
前記カルボン酸は、炭素数が１０以下である、請求項６又は７に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項９】
前記焼成する工程が、プラズマにより焼成する工程であるか、フラッシュ光の照射により焼成する工程である、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１０】
前記焼成する工程後に、更に、得られた焼結膜を化学エッチングする工程を有する、請求項６乃至９のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
【請求項１１】
カルボン酸と、一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンで被覆された銅ナノ粒子が、高分子分散剤と、溶剤に分散されており、前記高分子分散剤は、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇであり、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である、銅ナノ粒子分散体。
【請求項１２】
前記高分子分散剤は、９０％熱重量減少温度が４２０℃以下である、請求項１１に記載の銅ナノ粒子分散体。
【請求項１３】
前記カルボン酸は、炭素数が１０以下である、請求項１１又は１２に記載の銅ナノ粒子分散体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る第一の態様の導電性基板の製造方法は、カルボン酸と、一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンで被覆された銅ナノ粒子が、高分子分散剤と、溶剤に分散されており、前記高分子分散剤は、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇであり、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、当該塗膜を焼成する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係る第二の態様の導電性基板の製造方法は、銅を含む化合物、ヒドラジン及びヒドラジンの水和物より選択される１種以上の還元性化合物、カルボン酸、及び一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンを含む混合物、又は、カルボン酸銅、ヒドラジン及びヒドラジンの水和物より選択される１種以上の還元性化合物、及び一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンを含む混合物のいずれかを加熱することにより銅ナノ粒子を調製する工程と、
前記銅ナノ粒子を、溶剤中で、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇである高分子分散剤により分散することにより、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である銅ナノ粒子分散体を調製する工程と、
前記銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、
当該塗膜を焼成する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明に係る銅ナノ粒子分散体は、カルボン酸と、一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンで被覆された銅ナノ粒子が、高分子分散剤と、溶剤に分散されており、前記高分子分散剤は、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇであり、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
（参考例６）
実施例１の（２）において、ソルスパース４１０００の代わりに、ディスパーｂｙｋ−１８０（ビックケミー・ジャパン製、酸価９４ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価９４ｍｇＫＯＨ／ｇ、ＴＨＦ可溶分の重量平均分子量１０００、９０％熱重量減少温度が３５０．２℃）を用いた以外は実施例１の（２）と同様にして、銅ナノ粒子分散体６を得た。
得られた銅ナノ粒子分散体６を用いて、実施例１の（３）と同様にして、プラズマ焼成により導電性基板を製造した。
得られた銅ナノ粒子分散体６を用いて、実施例１の（４）と同様にして、フラッシュ光焼成により導電性基板を製造した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
【表１】
2017022125.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月27日(2017.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、物体を光学系に対して相対駆動させ走査露光を行う露光装置、前記露光装置を用いるフラットパネルディスプレイの製造方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、物体を光学系に対して相対駆動させ走査露光を行う露光装置であって、前記物体を非接触支持し第１方向へ移動可能な第１支持部と、非接触支持された前記物体を保持し、前記第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とへ移動可能な保持部と、前記第１方向に関して、前記第１支持部と前記保持部とをそれぞれ駆動させ、前記第２方向に関して、前記物体を保持する前記保持部を前記第１支持部に対して相対駆動させる制御部と、を備える露光装置が、提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、本発明の露光装置を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第３の態様によれば、本発明の露光装置を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
以上説明したように、本発明の露光装置は、物体に所定のパターンを形成するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの製造に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を光学系に対して相対駆動させ走査露光を行う露光装置であって、
前記物体を非接触支持し第１方向へ移動可能な第１支持部と、
非接触支持された前記物体を保持し、前記第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とへ移動可能な保持部と、
前記第１方向に関して、前記第１支持部と前記保持部とをそれぞれ駆動させ、前記第２方向に関して、前記物体を保持する前記保持部を前記第１支持部に対して相対駆動させる制御部と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記第２方向に関して前記第１支持部に並んで配置され、前記物体を非接触支持可能な第２支持部をさらに備え、
前記制御部は、前記第１及び第２支持部の一方の支持部により支持された前記物体が他方の支持部に支持されるように前記保持部を前記第２方向へ駆動させる請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１支持部は、前記物体の下面と前記第１支持部との間に空気を供給する複数の第１供給孔を有する請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記物体を保持する前記保持部は、前記走査露光時に前記第２方向へ駆動する請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１支持部と前記保持部とを前記第１方向へ駆動し前記物体内の前記走査露光の対象領域を変更する請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記保持部は、前記支持部よりも上方に設けられる請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記走査露光時に前記第１方向へ前記保持部を駆動する請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記保持部に設けられ、前記第１および第２方向に関する前記保持部の位置を計測可能な計測部を更に備え、
前記制御部は、前記計測部の出力に基づいて前記保持部の前記第１および第２方向の位置が制御する請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記物体は、フラットパネルディスプレイ装置に用いられる基板である請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光装置を用いて前記基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月3日(2017.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、前記表示パネルに重畳して設けられたタッチパネルと、を有し、
前記表示パネルは、画素回路部と、ゲート線駆動回路と、を有し、
前記画素回路部は、基板上に設けられた、画素電極と、前記画素電極と電気的に接続された第１のトランジスタと、を有し、
前記ゲート線駆動回路は、前記基板上に設けられた、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル領域は、第１の酸化物半導体層に設けられ、
前記第２のトランジスタのチャネル領域は、第２の酸化物半導体層に設けられる表示装置であって、
前記第１のトランジスタのオフ電流は、室温において、チャネル幅１μｍあたり１×１０−１７Ａ／μｍ以下であり、
第１の期間において、第１のリフレッシュレートで、動画表示を行い、
前記第１の期間の後の第２の期間において、前記ゲート線駆動回路へのスタートパルスの供給を停止した後、前記ゲート線駆動回路へのクロックパルスの供給を停止し、
第３の期間において、前記第１のリフレッシュレートよりも小さい第２のリフレッシュレートで、静止画表示を行う表示装置。
【請求項２】
表示パネルと、前記表示パネルに重畳して設けられたタッチパネルと、を有し、
前記表示パネルは、画素回路部と、ゲート線駆動回路と、を有し、
前記画素回路部は、基板上に設けられた、画素電極と、前記画素電極と電気的に接続された第１のトランジスタと、を有し、
前記ゲート線駆動回路は、前記基板上に設けられた、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル領域は、第１の酸化物半導体層に設けられ、
前記第２のトランジスタのチャネル領域は、第２の酸化物半導体層に設けられる表示装置であって、
前記第１の酸化物半導体層は、キャリア濃度が１×１０１２／ｃｍ３未満の領域を有し、
第１の期間において、第１のリフレッシュレートで、動画表示を行い、
前記第１の期間の後の第２の期間において、前記ゲート線駆動回路へのスタートパルスの供給を停止した後、前記ゲート線駆動回路へのクロックパルスの供給を停止し、
第３の期間において、前記第１のリフレッシュレートよりも小さい第２のリフレッシュレートで、静止画表示を行う表示装置。
【請求項３】
画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
前記画素は、トランジスタと、画素電極と、を有し、
前記トランジスタは、画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記酸化物半導体層は、真性又は実質的に真性である領域を有し、
動画を表示する第１の期間のリフレッシュレートよりも、静止画を表示する第２の期間のリフレッシュレートは小さく、
前記第２の期間は、前記ゲート線側駆動回路へのスタートパルスの供給が止まっている期間を有し、
前記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、１×１０−１７Ａ／μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
前記画素は、トランジスタと、画素電極と、を有し、
前記トランジスタは、画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記酸化物半導体層は、キャリア濃度が１×１０１４／ｃｍ３未満である領域を有し、
動画を表示する第１の期間のリフレッシュレートよりも、静止画を表示する第２の期間のリフレッシュレートは小さく、
前記第２の期間は、前記ゲート線側駆動回路へのスタートパルスの供給が止まっている期間を有し、
前記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、１×１０−１７Ａ／μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
画素と、ゲート線側駆動回路と、を有し、
前記画素は、トランジスタと、画素電極と、を有し、
前記トランジスタは、画素電極と電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記酸化物半導体層は、不純物を除去することによって真性又は真性に近づけた領域を有し、
動画を表示する第１の期間のリフレッシュレートよりも、静止画を表示する第２の期間のリフレッシュレートは小さく、
前記第２の期間は、前記ゲート線側駆動回路へのスタートパルスの供給が止まっている期間を有し、
前記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、１×１０−１７Ａ／μｍ以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月21日(2016.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クリティカル欠陥を利用して動的サンプリングを提供するための方法であって、
ウェハ上の複数のクリティカルパターンタイプを特定すること、
前記特定されたクリティカルパターンタイプのそれぞれについて、計算されたリスクレベルおよび発生の頻度を利用してデバイスリスクレベルを確定すること、
前記デバイスリスクレベルに基づきデバイスの１つまたは複数の関連エクスカーションを特定すること、
１つまたは複数の前記特定されたクリティカルパターンタイプを動的にサンプリングすることであり、動的なサンプリングは、１つまたは複数の前記特定されたクリティカルパターンタイプの発生の頻度に基づくレートで１つまたは複数の前記特定されたクリティカルパターンタイプのサンプリングを含む、動的にサンプリングすること、
を含む方法。
【請求項２】
１つまたは複数の前記特定されたクリティカルパターンタイプの発生の頻度およびクリティカリティに基づいて１つまたは複数の前記特定されたクリティカルパターンタイプをサンプリングすること
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１つまたは複数の前記特定されたクリティカルパターンタイプをサンプリングすることは、
検査ツールを使用して、１つまたは複数の前記特定されたクリティカルパターンタイプを検査することを含む
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
クリティカル欠陥を利用して動的サンプリングを提供する装置であって、
１つまたは複数のプロセッサを備えるコンピューティングシステムであり、プログラム指令群を実行するときに１つまたは複数のプロセッサにより、
デバイス上の複数のクリティカルパターンタイプを特定し、
前記特定されたクリティカルパターンタイプのそれぞれについて、計算されたリスクレベルおよび発生の頻度を利用してデバイスリスクレベルを確定し、
前記デバイスリスクレベルに基づきデバイスの１つまたは複数の関連エクスカーションを特定する
コンピューティングシステムと、
前記コンピューティングシステムと通信する検査ツールであり、１つまたは複数の前記特定されたクリティカルパターンタイプを動的サンプリングし、前記動的サンプリングは、１つまたは複数の前記特定されたクリティカルパターンタイプの発生の頻度に基づくレートで１つまたは複数の前記特定されたクリティカルパターンタイプのサンプリングを含む、検査ツールと、
を備える装置。
【請求項５】
前記検査ツールは、暗視野検査ツールと明視野検査ツールの少なくともいずれかを含む、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記検査ツールは、電子ビーム検査ツールを含む、
請求項４に記載の装置。
【請求項７】
空間解析を使用してデバイス処理を監視するための方法であって、
１つまたは複数のプロセスステップの間で１つまたは複数のデバイスを検査することによってプロセス変動シグネチャを監視すること、
前記１つまたは複数のデバイスの１つまたは複数の関心のパターンを、設計ベース分類プロセスを使用して、監視されるプロセス変動に関連付けること、
前記１つまたは複数の関連付けされた関心のパターンを使用して、１つまたは複数の機器シグネチャを特定すること、
欠陥マップから特定された前記１つまたは複数の機器シグネチャを除去することにより、前記１つまたは複数のデバイスの欠陥マップから１つまたは複数の欠陥を分離すること、
を含む方法。
【請求項８】
前記１つまたは複数のデバイスの欠陥マップから１つまたは複数の欠陥を分離することは、前記デバイスの欠陥マップから前記特定される１つまたは複数の機器シグネチャを減算することを含む
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
空間分析を使用してデバイス処理を監視する装置であって、
１つまたは複数のプロセスステップの間で１つまたは複数のデバイスの検査結果を取得する検査ツールと、
前記検査ツールと通信するコンピューティングシステムであり、１つまたは複数のプロセッサを備え、前記プロセッサは、プログラム指令群を実行したときに、
前記１つまたは複数のプロセスステップの間の前記１つまたは複数のデバイスの検査結果を前記検査ツールから受信し、
受信した前記１つまたは複数のプロセスステップの間の前記１つまたは複数のデバイスの検査結果に基づいて前記１つまたは複数のデバイスに関連するプロセス変動シグネチャを特定し、
前記１つまたは複数のデバイスの１つまたは複数の関心のパターンを、設計ベース分類プロセスを使用して、特定された前記プロセス変動シグネチャに関連付け、
前記１つまたは複数の関連付けされた関心のパターンを使用して、１つまたは複数の機器シグネチャを特定し、
欠陥マップから特定された前記１つまたは複数の機器シグネチャを除去することにより、前記１つまたは複数のデバイスの欠陥マップから１つまたは複数の欠陥を分離する、
コンピューティングシステムと、
を備える装置。
【請求項１０】
前記１つまたは複数のプロセッサは、プログラム指令群を実行したときに、さらに、前記欠陥マップから前記特定される１つまたは複数の機器シグネチャを減算することで前記
１つまたは複数のデバイスの欠陥マップから１つまたは複数の欠陥を分離する
請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記検査ツールは、暗視野検査ツールと明視野検査ツールの少なくともいずれかを含む、
請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記検査ツールは、電子ビーム検査ツールを含む、
請求項９に記載の装置。