Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月25日(2017.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートとして機能する領域を有する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上方の、ゲート絶縁膜として機能する領域を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の、第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の絶縁膜上方の、第２の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上方の第１の酸化物膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上方の第２の酸化物膜と、
前記第１の絶縁膜上方、前記第１の酸化物膜上方及び前記第２の酸化物膜上方の、ソース又はドレインの一方として機能する領域を有する第２の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上方、前記第１の酸化物膜上方及び前記第２の酸化物膜上方の、ソース又はドレインの他方として機能する領域を有する第３の導電膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第１の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第２の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜のＧａの原子数比よりも、前記第１の酸化物膜のＧａの原子数比は大きく、
前記第２の酸化物半導体膜のＧａの原子数比よりも、前記第２の酸化物膜のＧａの原子数比は大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲートとして機能する領域を有する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上方の、ゲート絶縁膜として機能する領域を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の、第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の絶縁膜上方の、第２の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上方の第１の酸化物膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上方の第２の酸化物膜と、
前記第１の絶縁膜、前記第１の酸化物膜及び前記第２の酸化物膜上方の、ソース又はドレインの一方として機能する領域を有する第２の導電膜と、
前記第１の絶縁膜、前記第１の酸化物膜及び前記第２の酸化物膜上方の、ソース又はドレインの他方として機能する領域を有する第３の導電膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第１の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第２の酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１であり、
前記第２の酸化物半導体膜のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２であり、
前記第１の酸化物膜のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ３：ｙ３：ｚ３であり、
前記第２の酸化物膜のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ４：ｙ４：ｚ４であり、
ｙ１／ｘ１よりも、ｙ３／ｘ３は大きく、
ｙ２／ｘ２よりも、ｙ４／ｘ４は大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
チャネル形成領域に第１の酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
前記第１の酸化物半導体膜と同一表面上に形成される第２の酸化物半導体膜と、
前記トランジスタと電気的に接続される画素電極と、
一対の電極間に誘電体膜が挟持された透光性を有する容量素子と、を有し、
前記一対の電極の一方が前記第２の酸化物半導体膜であり、前記一対の電極の他方が前記画素電極であり、
前記第２の酸化物半導体膜の膜厚が、前記第１の酸化物半導体膜の膜厚よりも薄い
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の酸化物半導体膜、及び前記第２の酸化物半導体膜は、
Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
チャネル形成領域に第１の酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
前記第１の酸化物半導体膜上に形成される第１の酸化物膜と、
前記第１の酸化物半導体膜と同一表面上に形成される第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上に形成される第２の酸化物膜と、
前記トランジスタと電気的に接続される画素電極と、
一対の電極間に誘電体膜が挟持された透光性を有する容量素子と、を有し、
前記一対の電極の一方が前記第２の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物膜であり、前記一対の電極の他方が前記画素電極であり、
前記第２の酸化物膜の膜厚が、前記第１の酸化物膜の膜厚よりも薄い
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜、前記第１の酸化物膜、及び前記第２の酸化物膜は、
Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）であり、
前記第１の酸化物膜及び前記第２の酸化物膜に含まれるＭの原子数比が、前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜に含まれるＭの原子数比よりも大きい
ことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
チャネル形成領域に第１の酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
前記第１の酸化物半導体膜上に形成される第１の酸化物膜と、
前記第１の酸化物半導体膜と同一表面上に形成される第２の酸化物半導体膜と、
前記トランジスタと電気的に接続される画素電極と、
一対の電極間に誘電体膜が挟持された透光性を有する容量素子と、を有し、
前記一対の電極の一方が前記第２の酸化物半導体膜であり、前記一対の電極の他方が前記画素電極である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２の酸化物半導体膜の膜厚が、前記第１の酸化物半導体膜の膜厚よりも薄い
ことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜、及び前記第１の酸化物膜は、
Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）であり、
前記第１の酸化物膜に含まれるＭの原子数比が、前記第１の酸化物半導体膜及び前記第２の酸化物半導体膜に含まれるＭの原子数比よりも大きい
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項９のいずれか一つにおいて、
前記画素電極は、酸化インジウム、酸化スズ、及び酸化亜鉛の群から選択された少なくとも一つの酸化物を含む
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項３乃至請求項１０のいずれか一つに記載の表示装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月22日(2017.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に延長されて、一定の間隔を置いて配列されている複数の金属線と、
前記複数の金属線のそれぞれの上部に接し、前記複数の金属線と同一の間隔及び幅を有する複数の低反射層とを含み、
前記複数の金属線の間隔は可視光線の波長より小さく、
前記複数の低反射層の上から入射する光に対して１０％以下の反射率で光を反射させる、偏光板。
【請求項２】
前記低反射層は単一層で形成されており、前記単一層は、ＡｌＮｘ、ＴｉＮｘ、ＳｉＮｘ、ＣｕＮｘ及びＭｏＮｘから選択される窒化金属を含み、
前記金属線は、アルミニウムで１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の高さに形成され、
前記低反射層は、４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の高さに形成される、請求項１に記載の偏光板。
【請求項３】
前記低反射層は二重層で形成されており、
前記金属線の上に接して形成されている第１低反射層と、前記第１低反射層の上に接して形成されている第２低反射層とを含む、請求項１に記載の偏光板。
【請求項４】
前記第１低反射層及び第２低反射層は、ＡｌＮｘ、ＴｉＮｘ、ＳｉＮｘ、ＣｕＮｘ及びＭｏＮｘから選択される窒化金属で形成され、
前記第１低反射層と前記第２低反射層に含まれている窒化金属は互いに異なり、
前記金属線は、アルミニウムで１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の高さに形成され、
前記第１低反射層はＴｉＮｘを含み、４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の高さに形成され、
前記第２低反射層はＣｕＮｘを含み、高さは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に形成される、請求項３に記載の偏光板。
【請求項５】
前記第１低反射層及び第２低反射層は、ＡｌＮｘ、ＴｉＮｘ、ＳｉＮｘ、ＣｕＮｘ及びＭｏＮｘから選択される窒化金属で形成され、
前記第１低反射層と前記第２低反射層に含まれている窒化金属は互いに異なり、
前記金属線は、アルミニウムで１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の高さに形成され、
前記第１低反射層はＭｏＮｘを含み、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の高さに形成され、前記第２低反射層はＣｕＮｘを含み、高さは８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に形成される、請求項３に記載の偏光板。
【請求項６】
前記第１低反射層は、ＧＺＯ、ＩＺＯ、ＩＴＯ及びＺＡＯから選択される透明伝導物質で形成され、第２低反射層は、Ｔｉを含む金属で形成されており、
前記金属線は、アルミニウムで１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の高さに形成され、
前記第１低反射層は、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の高さに形成され、前記第２低反射層は、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の高さに形成される、請求項３に記載の偏光板。
【請求項７】
前記第１低反射層は、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＭｏＯｘ、ＣｕＯｘ及びＳｉＯｘから選択される酸化金属で形成され、第２低反射層は、Ｔｉを含む金属で形成されており、
前記金属線は、アルミニウムで１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の高さに形成され、
前記第１低反射層は、４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の高さに形成され、前記第２低反射層は、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の高さに形成される、請求項３に記載の偏光板。
【請求項８】
下部絶縁基板、及び前記下部絶縁基板の一側面上に備えられている下部偏光板を含む下部表示板と、
上部絶縁基板、及び前記上部絶縁基板の一側面上に備えられている上部偏光板を含む上部表示板と、
前記上部表示板と前記下部表示板の間に配置する液晶層とを含み、
前記上部偏光板は、請求項１乃至７のうちの一つである液晶表示装置。
【請求項９】
前記下部偏光板は、一方向に延長されて、一定の間隔を置いて配列されている複数の金属線を含む、請求項８に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月8日(2017.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置であって、
電荷保持面を有する作像部材と、
前記電荷保持面上に静電荷を所定の電位で印加する帯電ユニットと、
前記電荷保持面上の前記静電荷を放電して、放電領域を形成する光ユニットと、
インクを前記電荷保持面に塗布して現像画像を形成する現像部材と、
前記電荷保持面から他の部材、すなわちコピー基材に前記現像画像を転写する転写部材と、
前記現像部材と前記作像部材面との間の電界を調整する電圧バイアスユニットとを備え、
前記作像部材面は、前記現像部材から間隔を空けて配置され、
前記現像部材は、前記インクを溜めておくための容器と、前記作像部材面に向けた複数の細管開口とを備え、
前記現像部材と前記作像部材との間に電荷をもたらし、電界を形成するように、前記細管開口に電極が設けられる、画像形成装置。
【請求項２】
前記複数の細管開口は、前記作像部材面から、約１０μｍから約２００μｍに配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記放電領域は、横方向解像度が５０μｍ未満である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記細管開口は、約０．０１μｍ２から約０．２５ｍｍ２の範囲の領域を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
印刷解像度が、５０μｍより良好である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
印刷解像度が、約５００ｎｍから約５００μｍである、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記帯電ユニットは、前記作像部材面と接触している、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記帯電ユニットは、前記作像部材面と準接触している、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記帯電ユニットは、前記作像部材面と非接触である、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記電界の強度は、約５ｋＶ／ｍｍから約１０ｋＶ／ｍｍの範囲である、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記所定の電位は、約５００Ｖから約１ｋＶの範囲である、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記電圧バイアスユニットは、ＤＣ電圧とＡＣ電圧とを同時にもたらす、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記作像部材面は、前記転写部材の転写部材面より低い表面エネルギーを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
作像部材面にインクをもたらす方法であって、
作像部材面上に静電潜像を形成するステップと、
前記作像部材面と現像部材との間に電界を生成するステップとを備え、
前記現像部材は、前記作像部材面と物理的に接触せず、
前記現像部材は、前記インクを溜める容器と複数の細管開口とを備え、前記インクは、前記電界が発生した場合に、前記作像部材面に電気流体力学的に送達され、
前記現像部材と前記作像部材面との間に電荷をもたらし電界を形成するように、前記細管開口に電極が設けられる、方法。
【請求項１５】
前記複数の細管開口は、前記作像部材面から、約１０μｍから約２００μｍに配置される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記細管開口は、約０．０１μｍ２から約０．２５ｍｍ２の範囲の領域を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
印刷解像度が、５０μｍより良好である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記電界の強度は、約５ｋＶ／ｍｍから約１０ｋＶ／ｍｍの範囲である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記静電潜像は、前記作像部材面を帯電部材で均一に帯電し、前記均一に帯電した面の少なくとも一部を前記静電潜像を形成するための画像入力装置で選択的に放散することによって形成する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記一部は、５０μｍ未満の横方向解像度を有する、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月11日(2017.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー組成物であって：
樹脂および着色剤を含むトナー粒子と；
前記トナー粒子の表面に適用される１つまたは複数の表面添加剤と
を含み、前記１つまたは複数の表面添加剤は、アルミナナノチューブを含む、トナー組成物。
【請求項２】
前記１つまたは複数の表面添加剤がさらに、微粒子シリカ、微粒子チタニアおよびこれらの混合物の少なくとも１つを含む、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項３】
前記１つまたは複数の表面添加剤が、微粒子チタニアを含み、前記微粒子チタニアは、アナターゼ構造またはルチル構造を有する、請求項２に記載のトナー組成物。
【請求項４】
前記トナー組成物は、シリカおよびチタニアのうち少なくとも１つを含み、前記シリカおよびチタニアのうち少なくとも１つがそれぞれ、前記トナー組成物の総重量の０．１ｗｔ％から４ｗｔ％を構成し；
前記アルミナナノチューブが、前記トナー組成物の総重量の０．１ｗｔ％から４ｗｔ％を構成する、請求項３に記載のトナー組成物。
【請求項５】
前記微粒子シリカ、微粒子チタニアおよびこれらの混合物の少なくとも１つは、前記トナー組成物の総重量の０．１ｗｔ％から５ｗｔ％の範囲の量で存在する、請求項２に記載のトナー組成物。
【請求項６】
前記アルミナナノチューブが、前記トナー組成物の０．１ｗｔ％から５．０ｗｔ％を構成する、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項７】
前記トナー組成物はさらに、シリカナノチューブ、チタニアナノチューブ、およびこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項８】
前記アルミナナノチューブは、前記トナー組成物の０．１ｗｔ％から５ｗｔ％を構成し、
前記シリカナノチューブ、チタニアナノチューブ、およびこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１つの材料は、前記トナー組成物の０．１ｗｔ％から４ｗｔ％を構成する、請求項７に記載のトナー組成物。
【請求項９】
前記トナー組成物は、シリカナノチューブおよびチタニアナノチューブの双方を含み；
前記シリカナノチューブが、トナー組成物の０．１ｗｔ％から４ｗｔ％を構成し；
前記チタニアナノチューブが、トナー組成物の０．１ｗｔ％から４ｗｔ％を構成し；
前記アルミナナノチューブが、トナー組成物の０．１ｗｔ％から４ｗｔ％を構成する、請求項７に記載のトナー組成物。
【請求項１０】
前記アルミナナノチューブの平均粒子径が５ｎｍから１００ｎｍである、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項１１】
前記アルミナナノチューブの平均粒子径が５ｎｍから５０ｎｍである、請求項１０に記載のトナー組成物。
【請求項１２】
前記アルミナナノチューブの平均粒子全長が５０ｎｍから２ミクロンである、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項１３】
前記アルミナナノチューブの平均粒子全長が１００ｎｍから１ミクロンである、請求項１２に記載のトナー組成物。
【請求項１４】
１０％から７３％の凝集度を有する、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項１５】
前記トナー組成物は、３キロジュールのエネルギーである２．５から３分の超音波処理にて添加剤付着力分布（ＡＡＦＤ）パーセント値が４０％を超える、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項１６】
トナー組成物であって：
樹脂および着色剤を含むトナー粒子と；
前記トナー粒子の表面に適用される１つまたは複数の表面添加剤と
を含み、前記１つまたは複数の表面添加剤は、アルミナナノチューブを含み、前記トナー組成物は、１グラムあたり−１５マイクロクーロンから１グラムあたり−８０マイクロクーロンの高い電荷、および１から２の低い相対湿度感度比を有する、トナー組成物。
【請求項１７】
前記アルミナナノチューブの平均粒子径が５ｎｍから１００ｎｍであり、平均粒子全長が５０ｎｍから２ミクロンである、請求項１６記載のトナー組成物。
【請求項１８】
現像剤であって：
トナー組成物と；
トナーキャリアと
を含み、前記トナー組成物は、樹脂および着色剤を含むトナー粒子と、前記トナー粒子の表面に適用される１つまたは複数の表面添加剤とを含み、前記１つまたは複数の表面添加剤は、アルミナナノチューブを含む、現像剤。
【請求項１９】
前記トナー組成物は、エマルジョン凝集トナー組成物である、請求項１８記載の現像剤。
【請求項２０】
前記トナー組成物は、物理的方法で調製される、請求項１８記載の現像剤。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月29日(2016.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体に対して着脱自在に設けられた着脱ユニットと、
現像剤を収納した現像剤収納容器内の現像剤を、排出口から該排出口と対向するように設けられた前記着脱ユニットの補給口へ補給する現像剤補給ユニットと、
前記補給口と前記排出口とを連通する連通穴を有し、前記着脱ユニットの前記補給口が設けられた面および前記現像剤補給ユニットの前記排出口が設けられた面のいずれかに固定され、前記補給口が設けられた面と前記排出口が設けられた面と間で圧縮変形せしめられて前記補給口と前記排出口との間をシールする弾性シール部材とを備えた画像形成装置において、
前記弾性シール部材が固定されていない方のユニットの前記弾性シール部材が密着する面における、前記弾性シール部材の相対的移動方向上流側端部である前記弾性シール部材を押し潰す押し潰し端部から前記弾性シール部材相対的移動方向上流側に離れるに従って、前記弾性シール部材が固定された面から離間するように傾斜し、かつ、弾性変形可能な前記弾性シール部材の前記押し潰し端部へのガイド手段を設けたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像形成装置において、
前記弾性シール部材の連通穴の、前記弾性シール部材の前記押し潰し端部に対する相対的移動方向上流側の開口幅が、前記相対的移動方向上流に行くに連れて狭まるように構成したことを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
請求項１に記載の画像形成装置において、
前記弾性シール部材の前記連通穴の、前記弾性シール部材の前記押し潰し端部に対する相対的移動方向上流側の縁部は、前記相対的移動方向に対し直交する方向に延びており、前記上流側の縁部の両端を、Ｒを有する形状にしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の画像形成装置において、
前記ガイド手段として、シート部材を用いたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
請求項４に記載の画像形成装置において、
前記シート部材を、一部が前記押し潰し端部から突出するように固定し、押し潰し端部から突出した部分を、前記弾性シール部材が固定された面から離間する方向に屈撓させたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載の画像形成装置において、
前記ガイド手段の前記弾性シール部材の圧縮変形方向における長さを、前記押し潰し端部による前記弾性シール部材の押し潰し量よりも長くしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載の画像形成装置において、
前記ガイド手段の幅を、前記弾性シール部材の前記連通穴の幅よりも長くしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれかに記載の画像形成装置において、
前記弾性シール部材を、空気を透過する空気透過性部材で構成したことを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
請求項８に記載の画像形成装置において、
前記弾性シール部材の空気透過方向の長さを、前記弾性シール部材の厚み以上にしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれかに記載の画像形成装置において、
前記排出口を、前記連通穴および／または前記補給口よりも狭くしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０いずれかに記載の画像形成装置において、
前記弾性シール部材を前記弾性シール部材が固定されていない方のユニットに対して相対的に移動させて前記補給口と前記排出口とを連通させるとき、前記弾性シール部材が密着する面による前記弾性シール部材の潰れ量が、徐々に大きくなるよう構成したことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０いずれかに記載の画像形成装置において、
前記弾性シール部材が密着する面を、前記弾性シール部材の相対的移動方向と平行にしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２いずれかに記載の画像形成装置において、
前記着脱ユニットが、潜像担持体上の潜像を現像する現像装置であることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月26日(2017.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上の第１の酸化物層と、
前記第１の酸化物層上の電極と、
前記電極の下面に接する第２の酸化物層と、
前記第１の酸化物層とゲート絶縁層を介して重なるゲート電極と、を有し、
前記絶縁層は酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含み、
前記電極は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、ＭｏまたはＷを含み、
前記第２の酸化物層は、前記第１の酸化物層が含有する金属元素を一以上含み、
前記電極及び前記第２の酸化物層は、上面から見て前記第１の酸化物層よりも外側に延在することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁層上の第１の酸化物層と、
前記第１の酸化物層上の電極と、
前記電極の下面に接する第２の酸化物層と、
前記第１の酸化物層とゲート絶縁層を介して重なるゲート電極と、を有し、
前記絶縁層は酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含み、
前記電極は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、ＭｏまたはＷを含み、
前記第２の酸化物層は、前記第１の酸化物層が含有する金属元素を一以上含み、
前記電極及び前記第２の酸化物層は、上面から見て前記第１の酸化物層よりも外側に延在し、
前記電極と前記第２の酸化物層とは、上面形状が概略一致することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層は、Ｉｎを含み、
前記第２の酸化物層におけるＩｎの含有割合は、前記第１の酸化物層におけるＩｎの含有割合よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の酸化物層は、Ｉｎ及びＭ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を含み、
前記第２の酸化物層における元素Ｍの含有割合が、Ｉｎの含有割合以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の酸化物層は、ｃ軸配向した結晶部を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月21日(2017.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域を有する下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記第１の領域と前記酸化物半導体膜とは互いに重畳せず、
前記第１の領域は、リンまたはホウ素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の領域を有する下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜上、前記ゲート絶縁膜上および前記ゲート電極上の保護絶縁膜と、を有し、
前記第１の領域と前記酸化物半導体膜とは互いに重畳せず、
前記第１の領域は、リンまたはホウ素を含み、
前記保護絶縁膜の一部は、リンまたはホウ素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記下地絶縁膜又は前記保護絶縁膜は、過剰酸素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は第２の領域を有し、
前記第２の領域と前記ゲート電極とは互い重畳せず、
前記第２の領域は、リンまたはホウ素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
さらにシリコンを含むトランジスタを有し、
前記下地絶縁膜は、前記トランジスタ上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月19日(2017.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配置されている発光層と、を有し、
前記発光層が蛍光を発する発光材料を有し、
前記発光材料の発光波長領域において、前記発光層に含まれる構成材料のうち励起最低三重項エネルギーが最も小さい材料の励起最低三重項状態における吸収スペクトルの吸収ピークが存在しないことを特徴とする、有機発光素子。
【請求項２】
前記発光材料が青色を発光する材料であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記発光材料の発光波長領域において、前記発光層中の励起最低三重項エネルギーが最も小さい材料の、励起最低三重項状態におけるモル吸光係数が、６，５００［Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）］以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記励起最低三重項エネルギーが最も小さい材料が、ホストであることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記発光層に接するように設けられるホール輸送層と、電子輸送層と、をさらに有し、
前記ホール輸送層及び前記電子輸送層の励起最低三重項エネルギーが、前記発光層に含まれる最も励起最低三重項エネルギーが小さい材料の励起最低三重項エネルギーよりも大きいことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記発光層に接して設けられるホール輸送層と、
前記発光層に接して設けられる電子輸送層と、を有し、
前記発光層が、ホストとなるピレン骨格を有する化合物と、発光性ドーパントと、を有し、
前記ピレン骨格を有する化合物のホール移動度μHが、５×１０-5ｃｍ2／Ｖｓ以下であり、
下記式（Ｉ）の関係を満たすことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機発光素子。
ＥＬD−ＥＬH≧０．１５ｅＶ                                          （Ｉ）
（式（Ｉ）において、ＥＬDは、下記式（Ｉａ）から導き出せるパラメータである。またＥＬHは、下記式（Ｉｂ）から導き出せるパラメータである。
ＥＬD＝｜ＩｐD｜−ＥＧD                                            （Ｉａ）
ＥＬH＝｜ＩｐH｜−ＥＧH                                            （Ｉｂ）
（式（Ｉａ）において、ＩｐDは、発光性ドーパントのイオン化ポテンシャルを表し、ＥＧDは、発光性ドーパントのエネルギーギャップを表す。式（Ｉｂ）において、ＩｐHは、ピレン骨格を有する化合物のイオン化ポテンシャルを表し、ＥＧHは、ピレン骨格を有する化合物のエネルギーギャップを表す。）
【請求項７】
下記式（ＩＩ）の関係をさらに満たすことを特徴とする、請求項６に記載の有機発光素子。
０．１≦｛μHEML／μEEML｝≦１０００                                （ＩＩ）
（式（ＩＩ）において、μEEMLは、ピレン骨格を有する化合物を含む発光層の電子移動度を表し、μHEMLは、ピレン骨格を有する化合物を含む発光層のホール移動度を表す。）
【請求項８】
前記ピレン骨格を有する化合物が、さらにトリフェニレン骨格を有する部分構造を含むことを特徴とする、請求項６または７に記載の有機発光素子。
【請求項９】
前記ピレン骨格を有する化合物が、下記一般式（１）で示される化合物であることを特徴とする、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【化１】
2014232861.tif 000001
（一般式（１）において、Ｒ1乃至Ｒ15は、それぞれ水素原子又は置換あるいは無置換のアルキル基を表す。ｎは、０以上２以下の整数を表す。）
【請求項１０】
前記ピレン骨格を有する化合物が、下記一般式（２）で示される化合物であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【化２】
2014232861.tif 000002
（一般式（２）において、Ｒ13乃至Ｒ17は、それぞれ水素原子又は置換あるいは無置換のアルキル基を表す。Ｒ18及びＲ19は、それぞれ置換あるいは無置換のアルキル基を表す。ｎは、０以上２以下の整数を表す。）
【請求項１１】
青色を発することを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記有機化合物層が、複数種の発光材料を有し、
前記複数種の発光材料のうち少なくとも１種が、他の発光材料と異なる色の光を発する発光材料であり、
白色光を外部へ出力することを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項１３】
前記有機化合物層が、複数の発光層を有し、
前記複数の発光層のうち少なくとも１層が、他の発光層と異なる色の光を発する発光層であり、
白色光を外部へ出力することを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項１４】
複数の画素を有し、
前記複数の画素のうち少なくとも１つが、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子に接続される能動素子と、を有することを特徴とする、表示装置。
【請求項１５】
前記能動素子は、チャネル部に酸化物半導体を有するトランジスタであることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
画像情報を入力する入力部と、画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部が、請求項１４又は１５に記載の表示装置であることを特徴とする、画像情報処理装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の有機発光素子と、
前記有機発光素子に駆動電圧を供給するＡＣ／ＤＣコンバーター回路と、を有することを特徴とする照明装置。
【請求項１８】
前記有機発光素子に接続されるスイッチング素子をさらに有し、
前記スイッチング素子が、チャネル部に酸化物半導体を有するトランジスタであることを特徴とする、請求項１７に記載の照明装置。
【請求項１９】
感光体と、
前記感光体を帯電させる帯電部と、
前記感光体を露光して静電潜像を形成する露光部と、
前記感光体に形成された静電潜像を現像する現像器と、を有し、
前記露光部が、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする、画像形成装置。
【請求項２０】
感光体を露光させるための露光器であって、
前記露光器が発光点を有し、
前記発光点に、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子に接続されている能動素子と、が設けられることを特徴とする、露光器。
【請求項２１】
前記発光点を複数有し、
前記発光点が、前記感光体の長軸方向に沿って配列されていることを特徴とする、請求項２０に記載の露光器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月15日(2017.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近位端、遠位端およびプラグボディ軸を含む中空のプラグボディと、
前記プラグボディの前記遠位端に取り付けられるハウジングと、
前記ハウジング内に取り付けられる１つもしくは複数の電子部品と、
前記中空のプラグボディ内に配された感知モジュールであって、当該感知モジュールは、少なくとも１つの電気的な感知素子と、当該少なくとも１つの電気的な感知素子に電気的に結合されたプリント配線基板（ＰＷＢ）とを含み、前記ＰＷＢが、プラグボディ軸に垂直な面にある１つもしくは複数の接触領域を含み、前記感知モジュールが前記中空のプラグボディの前記近位端に取り付けられる前記感知モジュールと、
前記中空のプラグボディを介して前記電子部品を前記感知モジュールに電気的に接続するように構成された相互接続モジュールとを含み、
前記相互接続モジュールが、前記１つもしくは複数の接触領域に接触する第１の端子が設けられた第１の端部と、第２の端子が設けられた第２の端部とを有する細長の支持構造を含み、前記第１の端子が軸方向にフレキシブルな電気的結合を提供する、測定プラグ。
【請求項２】
前記第１の端子はスプリングタイプの端子である、請求項１に記載の測定プラグ。
【請求項３】
各スプリングタイプの端子が螺旋状の圧力ばねを含む、請求項２に記載の測定プラグ。
【請求項４】
前記螺旋状の圧力ばねが、前記プラグボディ軸に対して平行のばね軸を含む、請求項３に記載の測定プラグ。
【請求項５】
前記ＰＷＢが前記少なくとも１つの電気的な感知素子とアライメント素子との間に配置され、前記感知モジュールが前記アライメント素子を含み、前記アライメント素子と前記細長の支持構造の端部とが、前記ＰＷＢに対して前記相互接続モジュールを整合するよう構成されて協働するアライメント構造を含む、請求項１に記載の測定プラグ。
【請求項６】
前記アライメント素子のアライメント構造が、前記ハウジングの方向に向かう先端部を有する、２つ以上の矢印形状の構造を含む、請求項５に記載の測定プラグ。
【請求項７】
前記相互接続モジュールが導電性のストリップ状の素子を含み、当該導電性のストリップ状の素子の第１の端部は、第１の端子の少なくとも一部を形成し、前記ストリップ状の素子の第２の端部は、第２の端子を形成し、前記細長の支持構造は、前記プラグボディ軸と平行の長手方向の窪みを含み、かつ前記ストリップ状の素子を受けるように構成される、請求項１に記載の測定プラグ。
【請求項８】
前記長手方向の窪みは、前記細長の支持構造の遠位端の貫通孔で終わり、前記細長の窪みとストリップ状の素子の双方が、前記遠位端の方向に狭くなる構造を含む、請求項７に記載の測定プラグ。
【請求項９】
前記相互接続モジュールが回転対称の構造を有する、請求項１に記載の測定プラグ。
【請求項１０】
前記相互接続モジュールがオーバーモールド工程によって得られる、請求項１に記載の測定プラグ。
【請求項１１】
前記中空のプラグボディが、前記中空のプラグボディ内に前記相互接続モジュールの近位端の位置を規定する突出部を内部に含む、請求項１に記載の測定プラグ。
【請求項１２】
前記相互接続モジュールがさらに、前記中空のプラグボディの前記遠位端に位置する前記相互接続モジュールの１つの端部に弾性のＯリングを含む、請求項１１に記載の測定プラグ。
【請求項１３】
前記感知モジュールおよび前記相互接続構造は、前記中空のプラグボディを通過する中央貫通孔を含み、当該中央貫通孔は、感知モジュールに取り付けられた電気的素子のハウジングへの電気的接続のために構成される、請求項１に記載の測定プラグ。
【請求項１４】
前記電気的素子がグローロッドであり、前記感知モジュールが燃焼チャンバ内の圧力を測定するように構成される、請求項１３に記載の測定プラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月26日(2017.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
命令を実行するプロセッサと、
揮発性メモリおよび不揮発性メモリを有するメインメモリと、
を有し、
前記メインメモリは、動作モードとして、前記プロセッサのアクセス要求が前記揮発性メモリに対して行われる第１の動作モードと、前記不揮発性メモリに対して行われる第２の動作モードを有し、
前記プロセッサの前記メインメモリへのアクセス要求、および前記揮発性メモリの使用領域の容量が監視され、前記監視結果に基づき前記メインメモリの前記動作モードが変更され、
前記第２の動作モードの実行中は、前記第１の動作モードよりも低い電源電圧を前記揮発性メモリに供給することで前記揮発性メモリに格納されたデータを保持することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
命令を実行するプロセッサと、
揮発性メモリおよび不揮発性メモリを有するメインメモリと、
を有し、
前記メインメモリは、動作モードとして、前記プロセッサのアクセス要求が前記揮発性メモリに対して行われる第１の動作モードと、前記不揮発性メモリに対して行われる第２の動作モードを有し、
前記プロセッサの前記メインメモリへのアクセス要求、および前記揮発性メモリの使用領域の容量が監視され、前記監視結果に基づき前記メインメモリの前記動作モードが変更され、
前記第２の動作モードの実行中は、前記第１の動作モードよりも低い電源電圧を前記揮発性メモリに供給することで前記揮発性メモリに格納されたデータを保持する、または前記揮発性メモリへの電源電圧の供給を停止することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記揮発性メモリは、ＤＲＡＭであり、
前記第１の動作モードの実行中において、前記プロセッサの前記ＤＲＡＭへのアクセス要求の頻度が、前記ＤＲＡＭのリフレッシュレートよりも低い場合は、前記メインメモリの動作モードを前記第２の動作モードに変更することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月19日(2017.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信頼度を算出する方法において、
候補文字列を生成するように入力テキスト画像についての文字認識を行うテキスト認識システムにより、
候補文字列に基づいて第１の表現を生成することと、
入力テキスト画像に基づいて第２の表現を生成することと、
共通埋め込み空間内の前記第１の表現と前記第２の表現との間の算出された類似度に基づいて前記候補文字列における信頼度を算出することと、
を備え、
前記第１の表現を生成することが、
前記候補文字列を複数の領域に分割することと、
前記複数の領域のそれぞれの表現を抽出することと、
を備え、
前記第１の表現が、前記複数の領域のそれぞれの表現を集約することにより、文字列表現として得られ、
前記第１の表現及び前記第２の表現のうちの少なくとも１つが前記共通埋め込み空間内に射影され、
前記文字認識を行うこと、前記第１の表現を生成すること、前記第２の表現を生成すること、及び、前記信頼度を算出することのうちの少なくとも１つが、コンピュータプロセッサによって行われる、方法。
【請求項２】
前記算出された類似度が、前記射影された第１の表現及び第２の表現のドット積として算出される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の表現及び前記第２の表現は、多次元特徴ベクトルを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の表現を生成することが、ベクトル空間に文字列を埋め込むことを備え、
前記埋め込むことが、
前記文字列から特徴のセットを抽出することと、
前記文字列から抽出された特徴のセットに基づいて前記文字列表現を生成することと、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記埋め込むことが、空間ピラミッドバッグオブキャラクタを生成することを備える、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月14日(2017.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロアレールと、
該ロアレールに相対移動可能に支持されるアッパレールと、
前記ロアレール及び前記アッパレールのどちらか一方に付勢部材を介して取り付けられ前記付勢部材の付勢力により前記ロアレール及び前記アッパレールの他方を常時押圧する押圧部材と、を備え、
前記押圧部材は、前記ロアレール及び前記アッパレールが延びる方向及び当該延びる方向に直交する方向の両方に分力が発生するように前記ロアレール及び前記アッパレールの他方を斜めに押圧し、
前記付勢部材は、渦巻きスプリングであって、
前記押圧部材は、前記渦巻きスプリングの付勢力により回転する回転部材であって、
前記渦巻きスプリング及び前記回転部材は、同一の軸心が挿通されることにより、前記ロアレール及び前記アッパレールのどちらか一方に取り付けられ、
前記ロアレールは、その前方及び後方のどちらか一方が他方よりも高くなるように傾斜し、
前記押圧部材は、前記アッパレールに取り付けられ、前記ロアレールの下り方向に沿う分力が発生するように前記ロアレールを押圧する車両用のシートスライド装置。
【請求項２】
請求項１に記載の車両用のシートスライド装置において、
前記押圧部材は、一対備えられるものであり、前記ロアレール及び前記アッパレールの左右方向の中心から同方向両側に等距離で前記ロアレール又は前記アッパレールを押圧する車両用のシートスライド装置。
【請求項３】
請求項２に記載の車両用のシートスライド装置において、
一対の前記押圧部材に対して、前記ロアレール及び前記アッパレールのどちらか一方に取り付けるための固定部材、前記押圧部材を回転可能に支持する支持部材、及び前記押圧部材を付勢する前記付勢部材がそれぞれ１つで共用して構成される車両用のシートスライド装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の車両用のシートスライド装置において、
前記押圧部材の一部に形成された収容部に前記付勢部材が収容されて構成される車両用のシートスライド装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、車両用のシートスライド装置は、ロアレールと、該ロアレールに相対移動可能に支持されるアッパレールと、前記ロアレール及び前記アッパレールのどちらか一方に付勢部材を介して取り付けられ前記付勢部材の付勢力により前記ロアレール及び前記アッパレールの他方を常時押圧する押圧部材と、を備え、前記押圧部材は、前記ロアレール及び前記アッパレールが延びる方向及び当該延びる方向に直交する方向の両方に分力が発生するように前記ロアレール及び前記アッパレールの他方を斜めに押圧し、前記付勢部材は、渦巻きスプリングであって、前記押圧部材は、前記渦巻きスプリングの付勢力により回転する回転部材であって、前記渦巻きスプリング及び前記回転部材は、同一の軸心が挿通されることにより、前記ロアレール及び前記アッパレールのどちらか一方に取り付けられ、前記ロアレールは、その前方及び後方のどちらか一方が他方よりも高くなるように傾斜し、前記押圧部材は、前記アッパレールに取り付けられ、前記ロアレールの下り方向に沿う分力が発生するように前記ロアレールを押圧することを要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
なお、従来のようにレールに突条部を多数設ける必要がないので、この構成は、従来と比較して製造にかかる工数も少ない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この構成によれば、同一の軸心を利用することができるので、車両用のシートスライドを小型化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月7日(2017.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者に遊技利益を付与するか否かを抽選により決定する抽選手段と、
前記抽選手段によって抽選結果が導出された場合に、少なくとも、画像表示部に表示される主表示画像の態様を決定するとともに、当該主表示画像に重畳もしくは挿入されて前記画像表示部に表示される予告演出画像の表示有無、および、当該予告演出画像を表示する場合における当該予告演出画像の種別を決定する画像決定手段と、
前記画像決定手段によって決定された主表示画像および予告演出画像を含む変動表示画像を画像表示部に表示する画像表示手段と、
前記変動表示画像の表示中に、音声出力装置から音声が出力される音声演出を実行する音声演出実行手段と、
前記画像表示部に表示される画像、もしくは、前記音声出力装置から出力される音声に対応する態様で演出用照明部を点灯制御する照明制御手段と、を備え、
前記変動表示画像の態様には、
１回の変動表示画像の表示開始から終了までの間に、前記主表示画像の一部である再変動部分画像が繰り返して表示される再変動表示画像が含まれ、
前記照明制御手段は、
前記再変動部分画像と、所定の前記予告演出画像とが同時に前記画像表示部に表示されている場合に、該予告演出画像に対応する態様で前記演出用照明部を点灯制御し、前記再変動部分画像の表示中に所定の音声演出が実行されている場合に、該音声演出に対応する態様で前記演出用照明部を点灯制御し得ることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の遊技機は、遊技者に遊技利益を付与するか否かを抽選により決定する抽選手段と、前記抽選手段によって抽選結果が導出された場合に、少なくとも、画像表示部に表示される主表示画像の態様を決定するとともに、当該主表示画像に重畳もしくは挿入されて前記画像表示部に表示される予告演出画像の表示有無、および、当該予告演出画像を表示する場合における当該予告演出画像の種別を決定する画像決定手段と、前記画像決定手段によって決定された主表示画像および予告演出画像を含む変動表示画像を画像表示部に表示する画像表示手段と、前記変動表示画像の表示中に、音声出力装置から音声が出力される音声演出を実行する音声演出実行手段と、前記画像表示部に表示される画像、もしくは、前記音声出力装置から出力される音声に対応する態様で演出用照明部を点灯制御する照明制御手段と、を備え、前記変動表示画像の態様には、１回の変動表示画像の表示開始から終了までの間に、前記主表示画像の一部である再変動部分画像が繰り返して表示される再変動表示画像が含まれ、前記照明制御手段は、前記再変動部分画像と、所定の前記予告演出画像とが同時に前記画像表示部に表示されている場合に、該予告演出画像に対応する態様で前記演出用照明部を点灯制御し、前記再変動部分画像の表示中に所定の音声演出が実行されている場合に、該音声演出に対応する態様で前記演出用照明部を点灯制御し得ることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技を行うことが可能な遊技機であって、
入賞領域に入賞した遊技媒体を検出可能な第１検出手段および第２検出手段と、
遊技機への電力供給が停止しても記憶内容を所定期間保持可能な記憶手段と、
電力供給が開始されたときに、前記記憶手段の記憶内容を初期化する初期化処理を実行可能な初期化処理実行手段と、
少なくとも前記初期化処理実行手段によって前記初期化処理が実行されたときにセキュリティ信号を、遊技機の外部に外部出力信号として出力する外部出力手段と、
前記第１検出手段にて検出された遊技媒体数と前記第２検出手段にて検出された遊技媒体数との差が所定の閾値を超えたときに前記入賞領域への入賞異常が生じたと判定する異常判定手段とを備え、
前記所定の閾値を、前記第１検出手段と前記第２検出手段との間に遊技媒体が滞留した状態となったときの前記第１検出手段における遊技媒体の検出数と前記第２検出手段における遊技媒体の検出数との差分よりも多い値とした
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、不正行為を誤判定することを防止することができる遊技機を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明による遊技機は、遊技を行うことが可能な遊技機であって、入賞領域に入賞した遊技媒体を検出可能な第１検出手段および第２検出手段と、遊技機への電力供給が停止しても記憶内容を所定期間保持可能な記憶手段と、電力供給が開始されたときに、記憶手段の記憶内容を初期化する初期化処理を実行可能な初期化処理実行手段と、少なくとも初期化処理実行手段によって初期化処理が実行されたときにセキュリティ信号を、遊技機の外部に外部出力信号として出力する外部出力手段と、第１検出手段にて検出された遊技媒体数と第２検出手段にて検出された遊技媒体数との差が所定の閾値を超えたときに入賞領域への入賞異常が生じたと判定する異常判定手段とを備え、所定の閾値を、第１検出手段と第２検出手段との間に遊技媒体が滞留した状態となったときの第１検出手段における遊技媒体の検出数と第２検出手段における遊技媒体の検出数との差分よりも多い値としたことを特徴とする。そのような構成によれば、不正行為を誤判定することを防止することができる。