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【手続補正書】
【提出日】平成29年3月17日(2017.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む半導体膜と、
前記半導体膜に接し、導電性を有する一対の第１の保護膜と、
前記一対の第１の保護膜に接する、銅、アルミニウム、金、銀、またはモリブデンを有する一対の導電膜と、
前記一対の導電膜において、前記一対の第１の保護膜と反対の面で接する一対の第２の保護膜と、
前記半導体膜に接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
断面形状において、前記一対の第２の保護膜の側面が前記一対の導電膜より外側に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記導電性を有する膜は、チタン、タンタル、モリブデンの単体若しくは合金、または窒化チタン、窒化タンタル、若しくは窒化モリブデンで形成される半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第２の保護膜は、窒化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記窒化物絶縁膜は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムで形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１又は２において、前記第２の保護膜は、透光性を有する導電膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記透光性を有する導電膜は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１又は２において、前記第２の保護膜は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記ゲート電極及び前記一対の導電膜の間に、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜、及び前記一対の第１の保護膜を順に有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記半導体膜及び前記ゲート電極の間に、前記一対の第１の保護膜、前記一対の導電膜、前記一対の第２の保護膜、及び前記ゲート絶縁膜を順に有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む半導体膜上に、導電性を有する一対の第１の保護膜となる膜、銅、アルミニウム、金、銀、またはモリブデンを有する導電膜、及び一対の第２の保護膜を形成し、
前記一対の第２の保護膜をマスクとして、前記導電膜及び前記一対の第１の保護膜となる膜それぞれの一部をエッチングして、一対の導電膜及び前記一対の第１の保護膜を形成し、
断面形状において、前記一対の第２の保護膜の側面が前記一対の導電膜より外側に位置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む半導体膜上に、導電性を有する一対の第１の保護膜となる膜、銅、アルミニウム、金、銀、またはモリブデンを有する導電膜、及び一対の第２の保護膜となる膜を形成し、前記一対の第２の保護膜となる膜上に第１のマスクを形成した後、
前記第１のマスクを用いて前記一対の第２の保護膜となる膜及び前記導電膜それぞれの一部をエッチングして、前記一対の第２の保護膜及び一対の導電膜を形成し、
前記第１のマスクを除去した後、前記一対の第２の保護膜を第２のマスクとして、前記一対の第１の保護膜となる膜の一部をエッチングして、前記一対の第１の保護膜を形成し、
断面形状において、前記一対の第２の保護膜の側面が前記一対の導電膜より外側に位置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記第１のマスクに酸素プラズマを曝して、前記第１のマスクを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、前記導電性を有する膜は、チタン、タンタル、モリブデンの単体若しくは合金、または窒化チタン、窒化タンタル、若しくは窒化モリブデンで形成される半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記第２の保護膜は、窒化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、前記窒化物絶縁膜は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記第２の保護膜は、透光性を有する導電膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記透光性を有する導電膜は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記第２の保護膜は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１０乃至請求項１８のいずれか一項において、基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に前記半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１０乃至請求項１８のいずれか一項において、前記一対の第１の保護膜、前記一対の導電膜、及び前記一対の第２の保護膜を形成した後、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月10日(2017.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
調光制御装置１４０は、第１遮光部材４１の第１遮光板４１ａと、第２遮光部材４２の第１遮光板４２ａを、第１インテグレーターレンズ３１から射出される光束の径方向（Ｘ軸方向）に移動させるスライド機構を備えている。また、第１遮光部材４１の第２遮光板４１ｂと、第２遮光部材４２の第２遮光板４２ｂを、第１インテグレーターレンズ３１の一辺に平行な軸（Ｚ軸）を中心に回転させる回転機構を備えている。第１遮光部材４１、第２遮光部材４２は互いに独立に駆動可能である。第１遮光部材４１において第１遮光板４１ａと第２遮光板４１ｂは互いに独立に駆動可能である。第２遮光部材４２において第１遮光板４２ａと第２遮光板４２ｂは互いに独立に駆動可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す調光装置では、第１遮光部材１０４１及び第２遮光部材１０４２の回転軸は固定である。そのため、ランプ切れ等により１灯点灯状態となった場合には、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、射出光束１２ｄを第２遮光部材１０４２のみで遮光して光量を調整することになる。そうすると、図６（ａ）に示す例では、部分領域３１ｄにおいて第２遮光部材１０４２側に位置する３つのレンズ要素から射出される光束が一部のみ遮光された状態となる。そして、これらの光束が液晶ライトバルブ６１〜６３の画像形成領域で重畳されると、図６（ｃ）に示すように、画像形成領域６０の一部領域６１ｘが暗くなって照度むらを生じる。また、図１に示すリレー光学系５４が反転光学系である場合には、Ｂ光の照度むらがＲ光及びＧ光に対して反転した位置に現れるため、合成画像に色むらを生じてしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
第３遮光部材４４３は、第１遮光部材４４１の上段（＋Ｚ側）に配置され、第１インテグレーターレンズ１３１の部分領域１３１ｃにおける部分領域１３１ｄが設けられている側と逆側（＋Ｘ側）の近傍に配置されている。第４遮光部材４４４は、第２遮光部材４４２の上段（＋Ｚ側）に配置され、部分領域１３１ｄにおける部分領域１３１ｃが設けられている側と逆側（−Ｘ側）の近傍に配置されている。第３遮光部材４４３と第４遮光部材４４４とは、第１インテグレーターレンズ１３１を図示左右方向（Ｘ軸方向）に挟んで対向する位置に設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
他の遮光部材は、第１インテグレーターレンズ１３１の外側に位置するように配置されてもよいし、内側にスライド移動した位置に配置されてもよい。例えば、図１３においては、他の遮光部材は、第１インテグレーターレンズ１３１の外側に位置するように配置されている。
これにより、部分領域１３１ｂ，１３１ｄから射出された射出光束１１２ｂ，１１２ｄの断面形状が、図示上下方向（Ｚ軸方向）に対して線対称となり、その結果、第１インテグレーターレンズ１３１から射出された光束の形状が対称性を有することとなる。したがって、上記のように遮光部材を配置することで、照度むらが生じることが抑制される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月12日(2017.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも結着樹脂、着色剤及び帯電制御剤を含有し、溶融混練工程と該溶融混練工程で得られる溶融混練物を粉砕する粉砕工程を経て得られるトナーの製造方法であって、該帯電制御剤は下記式（１）で表される化合物を含有し、且つ該溶融混練工程後の該溶融混練物の温度がトナーの軟化点の＋３６℃以上であることを特徴とする静電荷像現像用トナーの製造方法。
2014209191.tif 000001
（式（１）中、Ｒ１は、水素、ハロゲン、アルキル基、−ＣＯＣｐＨ２ｐ＋１（ただし、ｐ＝１〜２０の整数）、アラルキル基、置換または非置換フェニル基、置換または非置換アミノ基、ニトロ基、アリサイクリック基、−ＳＯ３Ｈ、−Ｓｉ（ＣＨ３）３、アルコキシル基、カルボキシル基、スルホアミド基、シアノ基、アシル基からなる群より選ばれるいずれかを示す。Ｒ２は、アルキル基、置換または非置換フェニル基、置換または非置換アラルキル基からなる群より選ばれるいずれかの基である。Ｒ３およびＲ４は、それぞれ、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、置換または非置換フェニル基、窒素または酸素原子を含む複素環基からなる群より選ばれるいずれかを示す。Ｒ５〜Ｒ８は、それぞれ、水素、ハロゲン、アルキル基、アラルキル基、置換または非置換アミノ基からなる群より選ばれるいずれかを示す。また、ｍ＋ｎは４〜８の整数であり、ｍは１以上の整数のいずれかで、ｎは０以上の整数のいずれかである。）
【請求項２】
前記溶融混練工程は、原材料を搬送することを主とする搬送セグメントと原材料を分散することを主とするニーディングセグメントを各々複数有し、且つ該搬送セグメント及び該ニーディングセグメントはバレルに覆われており、且つ該バレルの設定温度は個別に設定可能である２軸の押出機で行われる溶融混練工程であって、該バレルの設定温度の平均（Ｔａｖ）が９５℃以上１５５℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の静電荷像
現像用トナーの製造方法。
【請求項３】
前記溶融混練工程は、原材料を搬送することを主とする搬送セグメントと原材料を分散することを主とするニーディングセグメントを各々複数有し、且つ該搬送セグメント及び該ニーディングセグメントはバレルに覆われており、且つ該バレルの設定温度は個別に設定可能である２軸の押出機で行われる溶融混練工程であって、溶融混練工程最初のバレルの設定温度（Ｔｓ）と溶融混練工程最後のバレルの設定温度（Ｔｅ）の比（Ｔｅ／Ｔｓ）が１以上３以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項４】
前記結着樹脂が、ポリエステルであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】静電荷像現像用トナーの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明の要旨は以下［１］〜［４］に存する。
［１］  少なくとも結着樹脂、着色剤及び帯電制御剤を含有し、溶融混練工程と該溶融混練工程で得られる溶融混練物を粉砕する粉砕工程を経て得られるトナーの製造方法であって、該帯電制御剤は下記式（１）で表される化合物を含有し、且つ該溶融混練工程後の該溶融混練物の温度がトナーの軟化点の＋３６℃以上であることを特徴とする静電荷像現像用トナーの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（式（１）中、Ｒ１は、水素、ハロゲン、アルキル基、−ＣＯＣｐＨ２ｐ＋１（ただし、ｐ＝１〜２０の整数）、アラルキル基、置換または非置換フェニル基、置換または非置換アミノ基、ニトロ基、アリサイクリック基、−ＳＯ３Ｈ、−Ｓｉ（ＣＨ３）３、アルコキシル基、カルボキシル基、スルホアミド基、シアノ基、アシル基からなる群より選ばれるいずれかを示す。Ｒ２は、アルキル基、置換または非置換フェニル基、置換または非置換アラルキル基からなる群より選ばれるいずれかの基である。Ｒ３およびＲ４は、それぞれ、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、置換または非置換フェニル基、窒素または酸素原子を含む複素環基からなる群より選ばれるいずれかを示す。Ｒ５〜Ｒ８は、それぞれ、水素、ハロゲン、アルキル基、アラルキル基、置換または非置換アミノ基からなる群より選ばれるいずれかを示す。また、ｍ＋ｎは４〜８の整数であり、ｍは１以上の整数のいずれかで、ｎは０以上の整数のいずれかである。）
［２］  前記溶融混練工程は、原材料を搬送することを主とする搬送セグメントと原材料を分散することを主とするニーディングセグメントを各々複数有し、且つ該搬送セグメント及び該ニーディングセグメントはバレルに覆われており、且つ該バレルの設定温度は個別に設定可能である２軸の押出機で行われる溶融混練工程であって、該バレルの設定温度の平均（Ｔａｖ）が９５℃以上１５５℃以下である［１］に記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
［３］  前記溶融混練工程は、原材料を搬送することを主とする搬送セグメントと原材料を分散することを主とするニーディングセグメントを各々複数有し、且つ該搬送セグメント及び該ニーディングセグメントはバレルに覆われており、且つ該バレルの設定温度は個別に設定可能である２軸の押出機で行われる溶融混練工程であって、溶融混練工程最初のバレルの設定温度（Ｔｓ）と溶融混練工程最後のバレルの設定温度（Ｔｅ）の比（Ｔｅ／Ｔｓ）が１以上３以下である［１］または［２］に記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
［４］  前記結着樹脂が、ポリエステルである［１］乃至［３］のいずれか一項に記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月20日(2016.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高ダイナミックレンジを有する画像を生成するシステムであって、
光学経路に沿って光を提供する光源と、
前記光の一部をオフ状態の光路及びオン状態の光路に方向付け、それにより画像を生成するデジタルマイクロミラーデバイスと、
前記光源と前記デジタルマイクロミラーデバイスとの間の前記光学経路に配置され、前記デジタルマイクロミラーデバイスにより生成される前記画像のダイナミックレンジを増大させるために、前記光の少なくともいくつかを、前記デジタルマイクロミラーデバイスへの前記オフ状態の光路へ方向付けてから、前記デジタルマイクロミラーデバイスへの前記オン状態の光路へ指示する変形可能な光学素子と、を備えるシステム。
【請求項２】
前記変形可能な光学素子は、少なくとも１つの指示可能なセグメントを備える請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１つの指示可能なセグメントは、独立して指示可能である請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記変形可能な光学素子は、少なくとも１つの静的な素子を備える請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記変形可能な光学素子は、少なくとも部分的に反射性の素子を備える請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記少なくとも部分的に反射性の素子は、区分されたミラー、アナログミラー、ダイクロイックミラー及び静電変形可能ミラーのうちの１つを備える請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記変形可能な光学素子の形状は、正方形、矩形及び円形のうちの１つを備える請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記変形可能な光学素子は、前記オフ状態の光路から＋／−９度で前記オン状態の光路へ前記光の少なくともいくつかを指示するように構成される請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
画像コンテンツデータに基づいて前記画像を生成するために、前記デジタルマイクロミラーデバイスを構成する駆動システムをさらに備え、
前記駆動システムは、前記画像コンテンツデータに基づいて、前記オフ状態の光路から前記オン状態の光路へ少なくともいくつかの光を指示するために、前記変形可能な光学素子を構成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記画像コンテンツデータは、高ダイナミック画像コンテンツデータを含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記光源と前記デジタルマイクロミラーデバイスとの間の前記光学経路に配置される追加の変形可能な光学素子をさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記光源は、レーザ光モジュールを備える請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
高ダイナミックレンジを有する画像を生成するシステムであって、
光学経路に沿って光を提供する光源と、
前記光の一部をオフ状態の光路及びオン状態の光路に方向付け、それにより画像を生成するデジタルマイクロミラーデバイスと、
前記光源と前記デジタルマイクロミラーデバイスとの間の前記光学経路に配置され、前記デジタルマイクロミラーデバイスにより生成される前記画像のダイナミックレンジを増大させるために、光の少なくともいくつかを前記オフ状態の光路から前記オン状態の光路へ指示する変形可能な光学素子と、を備え、
前記変形可能な光学素子は、透過性素子を備え、前記透過性素子は、レンズを備え、前記レンズは、液晶可変レンズを備えるシステム。
【請求項１４】
高ダイナミックレンジを有する画像を生成する方法であって、
光学経路に沿って光を提供するステップと、
前記光の一部をオフ状態及びオン状態の光路へ方向付け、それにより画像を生成するステップと、
前記画像のダイナミックレンジを増大させるために、前記光の少なくともいくつかを前記オフ状態の光路へ方向付けてから前記オン状態の光路へ指示するステップと、を備える方法。
【請求項１５】
前記指示するステップは、前記オフ状態の光路から＋／−９度で前記オン状態の光路へ前記光の少なくともいくつかを指示することを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記指示するステップは、前記光学経路に配置される変形可能な光学素子の少なくとも１つの指示可能なセグメントを統合することを含む請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月18日(2017.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上における任意の２つの地点を結ぶ経路を探索する経路探索装置であって、
経路を構成するノードおよびリンクを特定するデータと、各リンクが通過される際に必要とされる時間に関連付けられたリンクコストを特定するデータと、を記憶する経路情報記憶部と、
第１の出発地点と前記第１の出発地点を出発する第１の出発時刻とを特定する第１の出発条件と、第２の出発地点と前記第２の出発地点を出発する第２の出発時刻とを特定する第２の出発条件と、到着地点と前記到着地点に到着する到着時刻とを特定する到着条件と、を取得する条件取得部と、
前記第１の出発地点から前記到着地点までの経路の内、各リンクのリンクコストの累計値が前記到着時刻から前記第１の出発時刻までの時間の差に基づいて算出される値である第１の許容タイム以下である少なくとも１つの経路を第１の許容経路として探索すると共に、前記第２の出発地点から前記到着地点までの経路の内、各リンクのリンクコストの累計値が前記到着時刻から前記第２の出発時刻までの時間の差に基づいて算出される値である第２の許容タイム以下である少なくとも１つの経路を第２の許容経路として探索する許容経路探索部と、
前記第１の許容経路と前記第２の許容経路とが重複する部分である重複部分の内の特定の重複部分を含む前記第１の許容経路を前記第１の出発条件における前記到着地点までの第１の候補経路として抽出すると共に、前記特定の重複部分を含む前記第２の許容経路を前記第２の出発条件における前記到着地点までの第２の候補経路として抽出する候補経路抽出部と、を備える、経路探索装置。
【請求項２】
請求項１に記載の経路探索装置であって、
前記候補経路抽出部は、前記特定の重複部分における任意のノードまたはリンクにおける任意の位置を待ち合わせ場所として決定し、
前記経路探索装置は、さらに、
前記第１の候補経路において前記待ち合わせ場所に到着する第１の待ち合わせ時刻と、前記第２の候補経路において前記待ち合わせ場所に到着する第２の待ち合わせ時刻と、を推定する時刻推定部を備え、
前記候補経路抽出部は、前記待ち合わせ場所として、前記第１の待ち合わせ時刻と前記第２の待ち合わせ時刻とにおける時間の差が最小となる任意の位置を抽出する、経路探索装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の経路探索装置であって、
前記第１の出発条件は、経路を移動する手段である第１の移動手段を特定し、
前記第２の出発条件は、経路を移動する手段である第２の移動手段を特定し、
前記許容経路探索部は、前記第１の移動手段に基づいて前記経路情報記憶部に記憶された各リンクのリンクコストを選択した後に、選択されたリンクコストに基づいて前記第１の許容経路を探索すると共に、前記第２の移動手段に基づいて前記経路情報記憶部に記憶された各リンクのリンクコストを選択した後に、選択されたリンクコストに基づいて前記第２の許容経路を探索する、経路探索装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の経路探索装置であって、さらに、
任意のノードとリンクにおける任意の位置との少なくとも一方に関連付けられた目印を特定する目印情報を記憶する目印情報記憶部を備え、
前記候補経路抽出部は、前記重複部分であると共に、前記目印に関連付けられた任意のノードまたはリンクにおける任意の位置を待ち合わせ場所として決定し、
前記第１および第２の候補経路は、前記待ち合わせ場所を経由する経路である、経路探索装置。
【請求項５】
ネットワーク上における任意の２つの地点を結ぶ経路を探索する経路探索装置であって、
経路を構成するノードおよびリンクを特定するデータと、各リンクが通過される際に必要とされる時間に関連付けられたリンクコストを特定するデータと、を記憶する経路情報記憶部と、
第３の出発地点と前記第３の出発地点とを出発する第３の出発時刻とを特定する第３の出発条件と、第４の出発地点と前記第４の出発地点とを出発する第４の出発時刻とを特定する第４の出発条件と、第１の到着地点と前記第１の到着地点に到着する第１の到着時刻を特定する第１の到着条件と、第２の到着地点と前記第２の到着地点に到着する第２の到着時刻を特定する第２の到着条件と、を取得する条件取得部と、
前記第３の出発地点から前記第１の到着地点までの経路の内、各リンクのリンクコストの累計値が前記第１の到着時刻から前記第３の出発時刻までの時間の差に基づいて算出される値である第３の許容タイム以下である少なくとも１つの経路を第３の許容経路として探索すると共に、前記第４の出発地点から前記第２の到着地点までの経路の内、各リンクのリンクコストの累計値が前記第２の到着時刻から前記第４の出発時刻までの時間の差に基づいて算出される値である第４の許容タイム以下である少なくとも１つの経路を第４の許容経路として探索する許容経路探索部と、
前記第３の許容経路と前記第４の許容経路とが重複する部分である重複部分の内の特定の重複部分を含む前記第３の許容経路を前記第３の出発条件と前記第１の到着条件との第１の条件組み合わせにおける前記第１の到着地点までの第３の候補経路として抽出すると共に、前記特定の重複部分を含む前記第４の許容経路を前記第４の出発条件と前記第２の到着条件との第２の条件組み合わせにおける前記第２の到着地点までの第４の候補経路として抽出する候補経路抽出部と、を備え、
前記第３の出発地点および前記第１の到着地点との組み合わせと、前記第４の出発地点と前記第２の到着地点との組み合わせと、は異なる、経路探索装置。
【請求項６】
請求項５に記載の経路探索装置であって、
前記第１の条件組み合わせは、経路を移動する手段である第３の移動手段を特定し、
前記第２の条件組み合わせは、経路を移動する手段である第４の移動手段を特定し、
前記許容経路探索部は、前記第３の移動手段に基づいて前記経路情報記憶部に記憶された各リンクのリンクコストを選択した後に、選択されたリンクコストに基づいて前記第３の許容経路を探索すると共に、前記第４の移動手段に基づいて前記経路情報記憶部に記憶された各リンクのリンクコストを選択した後に、選択されたリンクコストに基づいて前記第４の許容経路を探索する、経路探索装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の経路探索装置であって、さらに、
任意のノードとリンクにおける任意の位置との少なくとも一方に関連付けられた目印を特定する目印情報を記憶する目印情報記憶部を備え、
前記候補経路抽出部は、前記重複部分であると共に、前記目印に関連付けられた任意のノードまたはリンクにおける任意の位置を解散場所として決定し、
前記第３および第４の候補経路は、前記解散場所を経由する経路である、経路探索装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月18日(2017.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上の任意の点である第１地点を出発して前記第１地点へと到着する経路を探索する経路探索装置であって、
経路を構成するノードおよびリンクを特定するデータと、各リンクの通過に要する時間を表わすリンクコストを特定するデータと、を記憶する経路情報記憶部と、
前記第１地点を設定する地点設定部と、
前記第１地点を出発して前記第１地点へと到着するまでに許容されるリンクコストの累計値である経路コストを設定する経路コスト設定部と、
複数の特定のノードのそれぞれに対してラベルを付与するラベル付与部であって、前記ラベルは、前記第１地点から前記特定のノードに至る特定の経路におけるリンクコストの累計値と、前記特定の経路に含まれるリンクを介して前記特定のノードに隣接するノードである直前ノードに付与された前記ラベルである直前ラベルと、を含む、ラベル付与部と、
前記第１地点から出発して前記第１地点へと到着する経路のリンクコストの累計値が前記経路コスト以下の経路を許容経路として設定する許容経路設定部であって、ある特定のノードについて、前記直前ラベルに基づいて前記第１地点から前記直前ノードに至る前記許容経路を設定した場合に、設定した前記許容経路と、前記特定のノードに付与されたラベルと、に基づいて新たな前記許容経路を設定する許容経路設定部と、を備える、経路探索装置。
【請求項２】
請求項１に記載の経路探索装置であって、
前記ラベル付与部は、各リンクに対して進行方向の向きに基づき設定された規制を考慮して、前記特定のノードのそれぞれに対して、前記特定のノードから前記特定のノードに隣接する隣接ノードへと通過できるリンクを介した隣接ノードに前記ラベルを付与し、
前記許容経路設定部は、前記特定のノードのそれぞれに付与された複数のラベルに含まれるそれぞれのリンクコストの累計値の内、最小値と、最小値以外の値と、に基づいて、前記許容経路を設定する、経路探索装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の経路探索装置であって、さらに、
ノードまたはリンクの少なくとも一方に関連付けられた施設を特定するデータと、前記施設を利用した場合に要する時間を表わす施設利用コストを特定するデータと、を記憶する施設情報記憶部と、
前記許容経路設定部は、前記経路コストと、前記許容経路に含まれるノードおよびリンクに関連付けられた前記施設利用コストと、に基づいて前記許容経路を設定する、経路探索装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月2日(2017.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してカメラにアクセスするために用いられるブックマークを保持することが可能な情報処理装置であって、
前記カメラの位置に応じたデータを前記ネットワークを介して前記カメラから取得する取得手段と、
前記カメラから取得した前記カメラの位置に応じたデータに基づいて前記ブックマークの名前を登録する登録手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記取得手段は、前記カメラで撮影された撮影画像を前記ネットワークを介して前記カメラから取得し、前記登録手段は、前記撮影画像を前記ブックマークの名前と共に前記ブックマークに登録することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記カメラの位置に応じたデータは、前記ネットワークを介して地図情報サービスから取得されたデータであることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記登録手段は、前記カメラから取得した撮影画像から、ブックマークに登録するために画像を切り出すことを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
ネットワークを介して要求装置からアクセスされるネットワークカメラであって、
画像を撮影する撮影手段と、
前記ネットワークカメラの位置に応じたデータを取得する取得手段と、
前記要求装置から前記ネットワークカメラにアクセスするために用いられるブックマークの名前を登録するために、前記取得手段により取得した位置に応じたデータを前記要求装置に送信する送信手段とを有することを特徴とするネットワークカメラ。
【請求項６】
前記取得手段は、前記ネットワークカメラの位置に応じたデータを、前記ネットワークを介して地図情報サービスから取得することを特徴とする請求項５に記載のネットワークカメラ。
【請求項７】
ネットワークカメラと情報処理装置とを有するシステムであって、
前記情報処理装置は、
前記ネットワークカメラの位置に応じたデータをネットワークを介して前記ネットワークカメラから取得する取得手段と、
前記ネットワークカメラから取得した前記ネットワークカメラの位置に応じたデータに基づいて、前記ネットワークを介してカメラにアクセスするために用いられるブックマークの名前を登録する登録手段とを有し、
前記ネットワークカメラは、
前記ネットワークカメラの位置に応じたデータを前記情報処理装置に送信する送信手段を有することを特徴とするシステム。
【請求項８】
前記登録手段は、前記ネットワークカメラから取得した撮影画像を、ブックマークに登録するために画像を切り出す切り出し手段を有することを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記取得手段は、前記ネットワークカメラの位置に応じたデータを、前記ネットワークを介して地図情報サービスから取得することを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
ネットワークを介してカメラにアクセスするために用いられるブックマークの登録方法において、
前記カメラの位置に応じたデータを前記ネットワークを介して前記カメラから取得し、
前記カメラから取得した前記カメラの位置に応じたデータに基づいて前記ブックマークの名前を登録することを特徴とする登録方法。
【請求項１１】
さらに、前記カメラで撮影された撮影画像を前記ネットワークを介して前記カメラから取得し、前記撮影画像を前記ブックマークの名前と共に前記ブックマークに登録することを特徴とする請求項１０に記載の登録方法。
【請求項１２】
さらに、前記カメラから取得した撮影画像から、ブックマークに登録するために画像を切り出すことを特徴とする請求項１１に記載の登録方法。
【請求項１３】
ネットワークを介して要求装置からアクセスされるネットワークカメラにおけるデータ送信方法であって、
前記ネットワークカメラの位置に応じたデータを取得し、
前記要求装置から前記ネットワークカメラにアクセスするために用いられるブックマークの名前を登録するために、前記取得した位置に応じたデータを前記要求装置に送信することを特徴とする画像の送信方法。
【請求項１４】
前記ネットワークカメラの位置に応じたデータは、前記ネットワークを介して地図情報サービスから取得することを特徴とする請求項１３に記載の画像の送信方法。
【請求項１５】
ネットワークを介してカメラにアクセスするために用いられるブックマークを登録するための手順をコンピュータに実行させるためのプログラムにおいて、前記プログラムは、
前記カメラの位置に応じたデータを前記ネットワークを介して前記カメラから取得する取得手順と、
前記カメラから取得した前記カメラの位置に応じたデータに基づいて前記ブックマークの名前を登録する登録手順とをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１６】
さらに、前記カメラで撮影された撮影画像を前記ネットワークを介して前記カメラから取得する第２の取得手順をコンピュータに実行させ、前記撮影画像を前記ブックマークの名前と共に前記ブックマークに登録する登録手順をコンピュータに実行させるための請求項１５に記載のプログラム。
【請求項１７】
さらに、前記カメラから取得した撮影画像から、ブックマークに登録するために画像を切り出す切り出し手順をコンピュータに実行させるための請求項１６に記載のプログラム。
【請求項１８】
ネットワークを介して要求装置からアクセスされるネットワークカメラとしてコンピュータを機能させるためのプログラムであって、前記プログラムは、
前記ネットワークカメラの位置に応じたデータを取得する取得手段と、
前記要求装置から前記ネットワークカメラにアクセスするために用いられるブックマークの名前を登録するために、前記取得手段により取得した位置に応じたデータを前記要求装置に送信する送信手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項１９】
前記取得手段は、前記ネットワークカメラの位置に応じたデータを、前記ネットワークを介して地図情報サービスから取得するための請求項１８に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は情報処理装置、ネットワークカメラ及びシステムに関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の情報処理装置は、ネットワークを介してカメラにアクセスするために用いられるブックマークを保持することが可能な情報処理装置であって、前記カメラの位置に応じたデータを前記ネットワークを介して前記カメラから取得する取得手段と、前記カメラから取得した前記カメラの位置に応じたデータをブックマークに登録する登録手段とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、カメラの位置に応じたデータに基づいてブックマークの名前を登録する。これにより、容易にカメラを識別可能なブックマークの登録を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月21日(2016.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を貯留する処理槽と、
パターンが第１の面に形成され透光性を有する処理対象基板を、その第１の面を前記処理槽内の液体の液面に密着させて保持する保持部と、
前記保持部により保持された前記処理対象基板に対し、前記第１の面に対向する第２の面側よりレーザ光を照射する照射部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記レーザ光の集点は前記処理対象基板の第１の面から前記パターンの高さの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記液体はガス飽和液又はガス過飽和液であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
パターンが第１の面に形成され透光性を有する処理対象基板を、その第１の面を処理槽内の液体の液面に密着させて保持する工程と、
保持した前記処理対象基板に対し、前記第１の面に対向する第２の面側よりレーザ光を照射する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
パターンが第１の面に形成され透光性を有する処理対象基板を、その第１の面を処理槽内の薬液の液面に密着させて保持する工程と、
前記第１の面を前記処理槽内の薬液の液面に密着させて保持した前記処理対象基板に対し、前記第１の面に対向する第２の面側よりレーザ光を照射する工程と、
レーザ光の照射後、前記処理槽内の薬液を純水に置換する工程と、
前記第１の面を前記処理槽内の純水の液面に密着させて保持した前記処理対象基板に対し、前記第１の面に対向する第２の面側よりレーザ光を照射する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月16日(2017.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層の一部と重畳する第１のソース電極と、
前記第１のソース電極の端部を越えて、前記半導体層に接して延伸する第２のソース電極と、
前記半導体層の他の一部と重畳する第１のドレイン電極と、
前記第１のドレイン電極の端部を越えて、前記半導体層に接して延伸する第２のドレイン電極と、
前記第２のソース電極と前記半導体層に接する第１の側壁と、
前記第２のドレイン電極と前記半導体層に接する第２の側壁と、
前記半導体層、前記第１の側壁、および前記第２の側壁とゲート絶縁層を介して重畳するゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、第１のソース電極と、第２のソース電極と、第１のドレイン電極と、第２のドレイン電極と、第１の側壁と、第２の側壁と、ゲート絶縁層と、ゲート電極と、を有する半導体装置であって、
前記第１のソース電極は、前記半導体層の一部に接して前記半導体層上に形成され、
前記第２のソース電極は、前記第１のソース電極上に形成され、
前記第２のソース電極の一部は、前記第１のソース電極の端部を越えて、前記半導体層に接して延伸し、
前記第１のドレイン電極は、前記半導体層の他の一部に接して前記半導体層上に形成され、
前記第２のドレイン電極は、前記第１のドレイン電極上に形成され、
前記第２のドレイン電極の一部は、前記第１のドレイン電極の端部を越えて、前記半導体層に接して延伸し、
前記第１の側壁は、前記第２のソース電極の側面と前記半導体層に接して形成され、
前記第２の側壁は、前記第２のドレイン電極の側面と前記半導体層に接して形成され、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層を介して、前記第１の側壁、前記第２の側壁、および前記半導体層上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の厚さは、５ｎｍ以上チャネル長Ｌの２倍以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項３において、
チャネル長Ｌが５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記半導体層は、酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記半導体層は、酸化物半導体層と酸化物層の積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の側壁および前記第２の側壁は、酸素を含む絶縁性材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、側壁と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を前記半導体層に接して形成し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の外縁部分に酸素を導入して側壁を形成し、
前記半導体層と前記側壁に重畳して前記ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層に重畳して前記ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記半導体層は、酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記半導体層は、酸化物半導体層と酸化物層の積層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月9日(2017.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に島状の半導体層と、
前記半導体層上に接して設けられ、前記半導体層上で離間する第１の電極及び第２の電極と、
前記半導体層上のゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁層と、を有し、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、それぞれ第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の側面に接し、
前記第２の導電層の膜厚は、前記第１の導電層の膜厚よりも小さい、
半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に島状の半導体層と、
前記半導体層上に接して設けられ、前記半導体層上で離間する第１の電極及び第２の電極と、
前記半導体層上のゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁層と、を有し、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、それぞれ第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の全側面に接し、
前記第２の導電層の膜厚は、前記第１の導電層の膜厚よりも小さい、
半導体装置。
【請求項３】
前記半導体層は、酸化物半導体を含む、
請求項１または請求項２に記載の、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月20日(2017.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４００ｎｍ乃至８００ｎｍの波長範囲において、ＣＰＭ法で観測される光吸収を有し、
前記光吸収において、バンドテイルによる光吸収を除くことにより得られる欠陥準位の吸収係数が５×１０−２／ｃｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項２】
４００ｎｍ乃至８００ｎｍの波長範囲において、ＣＰＭ法で観測される光吸収を有し、
前記光吸収において、バンドテイルによる光吸収を除くことにより得られる欠陥準位の吸収係数が５×１０−２／ｃｍ以下であり、
ｃ軸配向している結晶部を含むことを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）であることを特徴とする酸化物半導体膜。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月13日(2017.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
論理ブロックを有し、
前記論理ブロックは、記憶装置を有し、
前記記憶装置は、第１及び第２のスイッチと、第１のトランジスタと、を有し、
前記第１のスイッチは、前記第１のトランジスタのゲートへの第１の信号の入力を制御する機能を有し、
前記第１の信号は、コンフィギュレーションデータを含み、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のスイッチは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と第２の配線との間の電気的な接続を、前記第１の配線の電位に従って制御する機能を有し、
前記第１のスイッチは、第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むプログラマブルロジックデバイス。
【請求項２】
論理ブロックを有し、
前記論理ブロックは、記憶装置を有し、
前記記憶装置は、第１乃至第４のスイッチと、第１及び第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のスイッチは、前記第１のトランジスタのゲートへの第１の信号の入力を制御する機能を有し、
前記第３のスイッチは、前記第２のトランジスタのゲートへの前記第１の信号の入力を制御する機能を有し、
前記第１の信号は、コンフィギュレーションデータを含み、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のスイッチは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と第２の配線との間の電気的な接続を、前記第１の配線の電位に従って制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第４のスイッチは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２の配線との間の電気的な接続を、前記第３の配線の電位に従って制御する機能を有し、
前記第１のスイッチは、第３のトランジスタを有し、
前記第３のスイッチは、第４のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むプログラマブルロジックデバイス。
【請求項３】
記憶装置と、第１及び第２の論理ブロックと、第１のスイッチと、を有し、
前記記憶装置は、第２及び第３のスイッチと、第１のトランジスタと、を有し、
前記第２のスイッチは、前記第１のトランジスタのゲートへの第１の信号の入力を制御する機能を有し、
前記第１の信号は、コンフィギュレーションデータを含み、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第３のスイッチは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と第２の配線との間の電気的な接続を、前記第１の配線の電位に従って制御する機能を有し、
前記第１のスイッチは、前記第１の論理ブロックと前記第２の論理ブロックとの間の電気的な接続を、前記第２の配線の電位に従って制御する機能を有し、
前記第２のスイッチは、第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むプログラマブルロジックデバイス。
【請求項４】
記憶装置と、第１及び第２の論理ブロックと、第１のスイッチと、を有し、
前記記憶装置は、第２乃至第５のスイッチと、第１及び第２のトランジスタと、を有し、
前記第２のスイッチは、前記第１のトランジスタのゲートへの第１の信号の入力を制御する機能を有し、
前記第４のスイッチは、前記第２のトランジスタのゲートへの前記第１の信号の入力を制御する機能を有し、
前記第１の信号は、コンフィギュレーションデータを含み、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第３のスイッチは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と第２の配線との間の電気的な接続を、前記第１の配線の電位に従って制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第５のスイッチは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２の配線との間の電気的な接続を、前記第３の配線の電位に従って制御する機能を有し、
前記第１のスイッチは、前記第１の論理ブロックと前記第２の論理ブロックとの間の電気的な接続を、前記第２の配線の電位に従って制御する機能を有し、
前記第２のスイッチは、第３のトランジスタを有し、
前記第４のスイッチは、第４のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むプログラマブルロジックデバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むプログラマブルロジックデバイス。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の前記プログラマブルロジックデバイスを用いた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月15日(2017.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の振動膜が配置された基体と、
前記振動膜上に配置される圧電素子と、
前記基体上に配置されて、前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域内および前記振動膜の領域外に配置される導電体と、
前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域外のみにおいて前記導電体上に配置される第１絶縁膜と、
前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域内のみにおいて、前記第１絶縁膜の膜厚よりも小さい膜厚を有し、かつ、少なくとも前記圧電素子の一部の上に配置される第２絶縁膜と、
を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項２】
請求項１に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記第２絶縁膜の膜厚よりも小さい膜厚を有して前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とに接続される第３絶縁膜をさらに備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の超音波トランスデューサー装置において、
前記圧電素子は、
前記振動膜上に配置される第１電極と、
前記第１電極の少なくとも一部を覆うように配置される圧電体膜と、
前記圧電体膜の少なくとも一部を覆うように配置される第２電極と、を有し、
前記導電体は、
前記第１電極と接続される第１導電体部と、
前記第２電極と接続される第２導電体部と、を有し、
前記超音波トランスデューサー装置は、前記第２電極または前記第２導電体部に覆われていない前記圧電体膜を覆うように配置される第４絶縁膜をさらに有する
ことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項４】
請求項３に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記第４絶縁膜は前記第２電極を挟んで前記第２電極の両側に分離して配置されることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項５】
請求項３に記載の超音波トランスデューサー装置において、
前記圧電体膜は、前記第１電極の少なくとも一部および前記振動膜の一部を覆い、
前記第２絶縁膜は、前記第２電極上に配置されて、第１膜厚を有する第１膜体部と、前記圧電素子の側面の前記圧電体膜を覆い前記第１膜厚よりも大きい第２膜厚を有する第２膜体部とを有する
ことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項６】
請求項３に記載の超音波トランスデューサー装置において、
前記圧電体膜は、前記第１電極上に配置されて、前記第１電極により前記振動膜の表面から隔てられて配置されており、
前記第２電極は、前記圧電体膜上に配置されて、前記圧電体膜により前記第１電極から隔てられて配置されており、
前記第２絶縁膜は、前記第２電極上に配置されて、第１膜厚を有する第１膜体部と、前記圧電素子の側面で前記第２電極、前記圧電体膜および前記第１電極を覆い、前記第１膜厚よりも大きい第２膜厚を有する第２膜体部とを有することを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項７】
複数の振動膜が配置された基体と、
前記振動膜上に配置される圧電素子と、
前記基体上に配置されて、前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域内および前記振動膜の領域外に配置される導電体と、を備える超音波トランスデューサー装置であって、
前記基体の厚み方向からの平面視で前記複数の振動膜は長辺および短辺を有する矩形形状を有し、
前記基体の厚み方向からの平面視で、前記振動膜の領域外および前記振動膜の二つの長辺の一部のみを覆うように配置される絶縁膜を有する
ことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項８】
請求項７に記載の超音波トランスデューサー装置において、
前記絶縁膜は、前記基体の厚み方向からの平面視で、前記振動膜の領域外および前記振動膜の二つの短辺を覆うように配置される
ことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の超音波トランスデューサー装置において、
前記圧電素子は、
前記振動膜上に配置される第１電極と、
前記第１電極の少なくとも一部を覆うように配置される圧電体膜と、
前記圧電体膜の少なくとも一部を覆うように配置される第２電極と、を有し、
前記導電体は、
前記第１電極と接続される第１導電体部と、
前記第２電極と接続される第２導電体部と、を有し、
前記絶縁膜は、前記第２電極または前記第２導電体部に覆われていない前記圧電体膜を覆うように配置される
ことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記絶縁膜は前記第２電極を挟んで前記第２電極の両側に配置されることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項１１】
複数の振動膜が配置された基体と、
前記振動膜上に配置される圧電素子と、
前記基体上に配置されて、前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域内および前記振動膜の領域外に配置される導電体と、
前記基体の厚み方向からの平面視で前記振動膜の領域外のみの前記導電体上に配置される絶縁膜と、
を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置を支持する筐体とを備えることを特徴とするプローブ。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置に接続されて、前記超音波トランスデューサー装置の出力を処理する処理部とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置に接続されて、前記超音波トランスデューサー装置の出力を処理し、画像を生成する処理部と、前記画像を表示する表示装置と、を備えることを特徴とする超音波画像装置。