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【手続補正書】
【提出日】平成29年6月19日(2017.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の基板上に、前記基板の長手方向に沿って列状に並べて配置され、それぞれが発光素子を含む複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれに接続された複数の画素回路と、
前記複数の画素回路に接続された少なくとも１つの制御信号線と、
前記制御信号線に接続され、前記制御信号線を介して前記複数の画素回路に制御信号を出力する画素ブロック選択回路と、を有する画素ブロックを有し、
前記複数の画素回路は、複数のグループに分割されており、
前記制御信号線は、前記長手方向に沿って配置され、前記複数の画素回路に接続された第１の配線部と、前記画素ブロック選択回路から前記複数のグループの間の領域に渡って配置され、前記画素ブロック選択回路に接続された第２の配線部とを有し、前記第１の配線部と前記第２の配線部とは、前記複数のグループの間の前記領域において接続されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
複数の前記画素ブロックを有し、前記画素ブロック毎に順にデータが書き込まれる
ことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記長手方向において、隣り合う前記画素回路の間の距離は、隣り合う前記画素の間の距離よりも小さい
ことを特徴とする請求項１又は２記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数のグループの間の前記領域の幅は、前記複数のグループの各グループにおける前記画素回路の間隔よりも広い
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記画素ブロック選択回路は、前記制御信号線を介して前記複数の画素回路に、データを書き込む期間を制御する信号又は発光期間を制御する信号を出力する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
感光体と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体を帯電する帯電部と、前記感光体に現像剤を付与する現像部と、を有する画像形成装置であって、
前記露光部は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置を有し、
前記複数の画素は、前記感光体の長軸方向に沿って配置されている
ことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一観点によれば、長尺状の基板上に、前記基板の長手方向に沿って列状に並べて配置され、それぞれが発光素子を含む複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに接続された複数の画素回路と、前記複数の画素回路に接続された少なくとも１つの制御信号線と、前記制御信号線に接続され、前記制御信号線を介して前記複数の画素回路に制御信号を出力する画素ブロック選択回路と、を有する画素ブロックを有し、前記複数の画素回路は、複数のグループに分割されており、前記制御信号線は、前記長手方向に沿って配置され、前記複数の画素回路に接続された第１の配線部と、前記画素ブロック選択回路から前記複数のグループの間の領域に渡って配置され、前記画素ブロック選択回路に接続された第２の配線部とを有し、前記第１の配線部と前記第２の配線部とは、前記複数のグループの間の前記領域において接続されていることを特徴とする発光装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月13日(2017.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップキャリアと、
前記チップキャリア上に設けられ、チップ実装領域、及び前記チップ実装領域からそれぞれ延在する第１及び第２領域を有する第１メタライズと、
前記チップキャリア上に設けられると共に前記第１メタライズと分離しており、直流電流が入力される第２メタライズと、
前記第１メタライズにおける前記チップ実装領域及び前記第２領域に連続して設けられたロウ材パターンと、
前記ロウ材パターンを介して前記チップ実装領域に実装されると共に前記第２メタライズに接続される半導体レーザチップと、
一方の電極が前記第１領域に接続され、他方の電極が前記第２メタライズに接続されるコンデンサと、
を備える半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記コンデンサは、少なくとも前記第１領域と前記第２メタライズとの間の領域上に配置され、前記コンデンサの一方の電極が前記第１領域に接続され、前記他方の電極が前記第２メタライズに接続されてなる、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記コンデンサは、前記第１領域上に配置され、前記コンデンサの一方の電極が前記第１領域に直接に接続され、前記他方の電極がワイヤを介して前記第２メタライズに接続されてなる、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記半導体レーザチップは、利得領域と波長制御領域とからなる波長可変半導体レーザチップであり、且つ、前記利得領域に電流を注入するための利得電極を備え、
前記第２メタライズと前記利得電極とは、ワイヤを介して接続されてなる、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月12日(2017.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影光学系で形成された光学像を撮像して撮像画像を生成する撮像手段と、
前記撮像画像の第１の領域の画像から記録画像を生成し、前記撮像画像の第２の領域の画像から表示画像を生成する処理手段と、
前記撮像画像から前記第１の領域を除いた領域において被写体を検出する検出手段と、
前記被写体の検出の結果に従って前記処理手段による表示画像の生成を制御する制御手段を備え、
前記制御手段は、前記検出手段が前記被写体を検出した場合は、前記処理手段が前記被写体を含む表示画像を前記撮像画像から生成するよう制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記検出手段が前記被写体を検出した場合は、前記被写体の位置に従って前記第２の領域を変更し、前記変更された第２の領域は前記被写体を含むことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記処理手段は、前記変更された第２の領域から前記第１の領域を除いた領域の画像に対して前記第１の領域と前記第２の領域とを判別するための画像処理を行い、前記画像処理は少なくとも色変換および輝度変換のいずれかであることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記検出手段が前記被写体を検出しない場合は、前記第２の領域を前記第１の領域に一致させることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
人物の情報を登録する登録手段をさらに備え、
前記撮影光学系はズーム駆動が可能であり、
前記制御手段は、前記検出手段が前記被写体を検出した場合に、前記情報に基づいて前記被写体を識別する識別手段と、前記被写体が識別された場合に、前記第１及び第２の領域が前記被写体を含む前記撮像画像が生成されるように前記被写体の検出の結果に従って前記撮影光学系のズームを駆動する駆動制御手段を有し、前記ズーム駆動により生成された撮像画像の前記第２の領域の画像から前記被写体を含む表示画像を生成するよう制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記被写体が識別された場合の前記記録画像は、前記ズーム駆動により生成された撮像画像の前記第１の領域の画像から生成された画像であることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記被写体の検出の結果に基づいてズームの倍率を変更することを特徴とする請求項５又は６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記被写体が識別されない場合は、前記被写体の位置に従って前記第２の領域を変更し、前記変更された第２の領域の画像は前記被写体を含むことを特徴とする請求項５記載の撮像装置。
【請求項９】
前記記録画像を符号化する符号化手段と、
前記符号化手段で符号化したデータを記録媒体に記録する記録手段と
前記表示画像を表示する表示手段をさらに備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
撮影光学系で形成された光学像を撮像して撮像画像を生成する撮像手段を有する撮像装置の制御方法であって、
前記撮像画像の第１の領域の画像から記録画像を生成し、前記撮像画像の第２の領域の画像から表示画像を生成する処理工程と
前記撮像画像から前記第１の領域を除いた領域において被写体を検出する検出工程と、
前記被写体の検出の結果に従って前記処理工程における表示画像の生成を制御する制御工程を備え、
前記制御工程は、前記検出工程で前記被写体が検出された場合は、前記処理工程が前記被写体を含む表示画像を前記撮像画像から生成するよう制御する工程を含むことを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
コンピュータに、請求項１０に記載された制御方法を実行させるプログラム。
【請求項１２】
コンピュータに、請求項１０に記載された制御方法を実行させるプログラムを格納したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
実施形態の一観点によれば、撮影光学系で形成された光学像を撮像して撮像画像を生成する撮像手段と、前記撮像画像の第１の領域の画像から記録画像を生成し、前記撮像画像の第２の領域の画像から表示画像を生成する処理手段と、前記撮像画像から前記第１の領域を除いた領域において被写体を検出する検出手段と、前記被写体の検出の結果に従って前記処理手段による表示画像の生成を制御する制御手段を備え、前記制御手段は、前記検出手段が前記被写体を検出した場合は、前記処理手段が前記被写体を含む表示画像を前記撮像画像から生成するよう制御する撮像装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月3日(2017.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操作部と、近接無線通信を行う通信部を有する通信装置であって、
前記操作部に対する操作を検知する検知手段と、
前記検知手段により前記操作が検知され且つ前記通信部による外部装置との近接無線通信が実行された場合に、当該検知に対応する処理が制限されるように、前記操作部への操作に対応する処理を制御する制御手段と
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記検知手段により前記操作が検知され且つ前記通信部によって実行された通信に基づいて前記外部装置から受信したジョブを実行している場合に、当該検知に対応する処理の制限を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記検知手段により前記操作が検知され且つ前記通信部を用いずに受信したジョブを実行している場合に、前記制限を行わずに、当該検知に対応する処理を実行する
ことを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記操作部への操作に対応する処理は、前記ジョブのキャンセルである
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の通信装置。
【請求項５】
印刷用紙に印刷を行う印刷手段を有し、
前記ジョブは、印刷ジョブである
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記通信部による外部装置との近接無線通信が実行された後、前記検知手段により前記操作が検知された場合に、当該検知に対応する処理が制限されるように、前記操作部への操作に対応する処理を制御する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記通信部による外部装置との近接無線通信が実行された後の所定の時間内に前記操作が検知された場合、当該検知に対応する処理の制限を行い、前記近接無線通信が実行された後、前記所定の時間が経過してから前記操作が検知された場合に、前記制限を行わずに、当該検知に対応する処理を行う
ことを特徴とする請求項６に記載の通信装置。
【請求項８】
前記制御手段は、
前記検知手段により前記操作が検知され且つ前記通信部による通信が実行された場合に、前記操作部に対応する処理の実行を確認するための確認画面を表示装置に表示させ、
前記検知手段により前記操作が検知され且つ前記通信部による通信が実行されていない場合に、当該確認画面を表示させずに前記操作部への操作に対応する処理を実行する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
前記確認画面に対するユーザの指示に応じて、前記操作部への操作に対応する前記処理を実行する
ことを特徴とする請求項８に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、
前記検知手段により前記操作が検知され且つ前記通信部による通信が実行された場合に、前記検知に対応する処理を実行せず、
前記検知手段により前記操作が検知され且つ前記通信部による通信が実行されていない場合に、前記検知に対応する処理を実行する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記通信部の状態を検出する検出手段を更に有し、
前記制御手段は、前記検知手段により前記操作が検知され且つ前記検出手段により検出された通信部の状態が外部装置と近接無線通信を行った所定の状態である場合に、前記操作部への操作に対応する処理を制限する
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記通信部は、磁界により前記外部装置との近接無線通信を行い、前記検出手段は、磁界を検出した場合に、前記通信部の状態が前記所定の状態と判断する
ことを特徴とする請求項１１に記載の通信装置。
【請求項１３】
前記外部装置から前記通信部が受信した情報をメモリへ書き込む書込手段をさらに有し、
前記検出手段は、前記書込手段により前記メモリに情報が書き込まれる場合に前記所定の状態であると判断する
ことを特徴とする請求項１１に記載の通信装置。
【請求項１４】
前記通信部は、ＮＦＣにより近接無線通信を行う
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１５】
前記通信部は、電磁波により近接無線通信を行い、前記操作部は、静電容量式のタッチキーまたはタッチパネルである
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１６】
操作部と、近接無線通信を行う通信部を有する通信装置の制御方法であって、
前記操作部に対する操作を検知する検知工程と、
前記検知工程において前記操作が検知され且つ前記通信部による外部装置との近接無線通信が実行された場合に、当該検知に対応する処理が制限されるように、前記操作部への操作に対応する処理を制御する制御工程と
を備えることを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１７】
コンピュータを、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の通信装置の各手段として機能させるための、または請求項１６に記載の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月2日(2017.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る撮像装置は、撮像手段と、前記撮像手段に入射する入射光に基づいてフリッカーを検知する検知手段と、を備える撮像装置であって、前記検知手段は、フリッカーを検知しているときに、被写体を撮像するための本露光の撮像指示から該撮像指示に応じた露光開始までの期間と重なるタイミングでフリッカーの光量が所定値となる露光タイミングを検知することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
前記撮像手段に入射する入射光に基づいてフリッカーを検知する検知手段と、を備える撮像装置であって、
前記検知手段は、フリッカーを検知しているときに、被写体を撮像するための本露光の撮像指示から該撮像指示に応じた露光開始までの期間と重なるタイミングでフリッカーの光量が所定値となる露光タイミングを検知することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記検知手段が検知した前記露光タイミングに対応したフリッカー同期信号を生成する生成手段と、
前記本露光を行う際のシャッタ速度に応じて、前記フリッカー同期信号から前記本露光を開始するまでの時間を調整する調整手段と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記所定値は、フリッカーの光量変化周期における光量が最大となるピークタイミングであり、
前記調整手段は、前記ピークタイミングが前記本露光の露光時間に含まれるように、前記フリッカー同期信号から前記本露光が開始されるまでの時間を調整することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記被写体を撮像する際の露光時間を調節するシャッタを備え、
前記調整手段は、前記フリッカー同期信号から前記シャッタの走行を開始させるための信号を生成するまでの間に、該信号から実際に前記シャッタの走行が開始されるまでのレリーズタイムラグを加えた時間を調整することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像手段とは異なる、前記本露光に用いられる撮像素子を有し、
前記撮像素子の前面側に配置されたミラーと、
前記シャッタの走行開始までに前記ミラーを前記撮像素子の前面から退避させる駆動手段と、を備え、
前記検知手段は、前記ミラーを前記撮像素子の前面から退避させる動作を開始する前に前記露光タイミングの検知を完了することができる場合に、該露光タイミングの検知を行うことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮像素子への光の入射を制御する絞りを備え、
前記本露光の直前に行われる前記絞りの駆動に応じて、前記検知手段によるフリッカーの検知に用いる前記撮像手段からの出力を補正する補正手段を有することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
撮像手段を備えた撮像装置の制御方法であって、
前記撮像手段に入射する入射光に基づいてフリッカーを検知する検知ステップを有し、
前記検知ステップでは、事前にフリッカーが検知されている場合に、被写体を撮像するための本露光の撮像指示から該撮像指示に応じた露光開始までの期間と重なるタイミングでフリッカーの光量が所定値となる露光タイミングを検知することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月19日(2017.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る画像生成装置は、
静止画像が撮影された際の撮影情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された撮影情報に基づき、異なる複数の画像処理内容を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定された異なる複数の画像処理内容に基づき、一の静止画像から異なる複数の静止画像を生成する生成手段と、
を備えることを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静止画像が撮影された際の撮影情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された撮影情報に基づき、異なる複数の画像処理内容を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定された異なる複数の画像処理内容に基づき、一の静止画像から異なる複数の静止画像を生成する生成手段と、
を備えることを特徴とする画像生成装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記特定手段により特定された異なる複数の画像処理内容のそれぞれを前記一の静止画像に対して実行することで、異なる複数の画像処理内容のそれぞれに対応した異なる複数の静止画像を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像生成装置。
【請求項３】
前記特定手段は、前記取得手段により取得された撮影情報に基づき、複数の画像処理内容の組み合わせを変化させることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像生成装置。
【請求項４】
前記特定手段は、前記取得手段により取得された撮影情報に基づき、異なる複数の画像処理内容を決定する決定方法を変化させ、
前記生成手段は、前記特定手段により特定された決定方法に従って決定された異なる複数の画像処理内容に対応した画像処理を前記一の静止画像に対して実行することで異なる複数の静止画像を生成することを特徴とする請求項３に記載の画像生成装置。
【請求項５】
前記撮影情報には、撮像装置により前記一の静止画像が撮影された際の当該撮像装置から被写体までの距離を示すフォーカス距離に係る情報と、前記一の静止画像内における前記フォーカス距離を測定した位置を示すフォーカス測距位置に係る情報とのうち少なくとも何れか一方が含まれることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の画像生成装置。
【請求項６】
前記画像処理内容には、前記一の静止画像からその一部を切り出す切出し処理が含まれることを特徴とする請求項５に記載の画像生成装置。
【請求項７】
前記特定手段は、前記画像処理内容として前記切出し処理が特定された場合、前記生成手段により前記異なる複数の静止画像をそれぞれ生成する際の切出し寸法及び切出し位置を特定することを特徴とする請求項６に記載の画像生成装置。
【請求項８】
前記特定手段は、前記取得手段により取得された前記フォーカス距離に係る情報が大きくなるほど、又はフォーカス測距位置に係る情報が前記一の静止画像の中心から離れるほど、前記異なる複数の画像処理の数が多く又は変化の幅が大きくなるように変化させることを特徴とする請求項５〜７の何れか一項に記載の画像生成装置。
【請求項９】
前記特定手段は、前記取得手段により取得された前記フォーカス距離に係る情報が大きくなるほど、又はフォーカス測距位置に係る情報が前記一の静止画像の中心から離れるほど、前記異なる複数の画像処理の種類が多くなるように変化させることを特徴とする請求項５〜７の何れか一項に記載の画像生成装置。
【請求項１０】
前記画像処理内容には、前記生成手段により前記異なる複数の静止画像を生成する際、当該異なる複数の静止画像に対しエフェクト効果をかけるエフェクト処理が含まれることを特徴とする請求項１〜９の何れか一項に記載の画像生成装置。
【請求項１１】
前記特定手段は、前記画像処理内容として前記エフェクト処理が特定された場合、前記異なる複数の静止画像のそれぞれにかけるエフェクト効果の強度を特定することを特徴とする請求項１０に記載の画像生成装置。
【請求項１２】
前記特定手段は、前記撮影情報に基づき、前記生成手段により生成される静止画像の数を特定することを特徴とする請求項１〜１１の何れか一項に記載の画像生成装置。
【請求項１３】
前記一の静止画像に係る画像情報には、前記撮影情報が付加されており、
前記取得手段は、前記画像情報から前記撮影情報を取得することを特徴とする請求項１〜１２の何れか一項に記載の画像生成装置。
【請求項１４】
前記生成手段は、生成した前記異なる複数の静止画像から一の動画像を更に生成することを特徴とする請求項１〜１３の何れか一項に記載の画像生成装置。
【請求項１５】
静止画像が撮影された際の撮影情報を取得するステップと、
前記撮影情報に基づき、異なる複数の画像処理内容を特定するステップと、
特定された異なる複数の画像処理内容に基づき、一の静止画像から異なる複数の静止画像を生成するステップと、
を含むことを特徴とする画像生成方法。
【請求項１６】
コンピュータに、
静止画像が撮影された際の撮影情報を取得する取得機能、
前記取得機能により取得された撮影情報に基づき、異なる複数の画像処理内容を特定する特定機能、
前記特定機能により特定された異なる複数の画像処理内容に基づき、一の静止画像から異なる複数の静止画像を生成する生成機能、
を実現させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月6日(2017.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
以上の構成を有する第４実施形態のネットワークシステム７００によれば、他の所属グループの無線ＬＡＮアクセスポイント装置７２０であって所定条件を満たす無線ＬＡＮアクセスポイント装置７２０を、変更対象装置として特定し、その変更対象装置のＥＳＳＩＤを自らの所属グループのＥＳＳＩＤに変更できる。このため、自らの所属グループの無線ＬＡＮアクセスポイント装置７２０と無線通信を行なっていた無線ＬＡＮステーション装置のアクセス先を、他の所属グループの無線ＬＡＮアクセスポイント装置７２０に変更させ得るので、変更対象装置を特定した中継装置７１０の処理負荷を低減させると共に、変更対象装置の所属グループの中継装置７１０の処理負荷を増加させることができる。したがって、無線ＬＡＮステーション装置に機能を追加することなく、中継装置７１０間の処理負荷の偏りを抑制できる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月6日(2017.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
SDNの各スライスが既存仮想ネットワークと物理帯域を共用する仮想ネットワークを新規に割り当てる仮想ネットワーク割当装置において、
物理ネットワークのトポロジー情報、既存仮想ネットワークの情報および物理ネットワークへ新規に割り当てる割当要求仮想ネットワークの情報を取得する手段と、
前記各情報に基づいて、割当要求仮想ネットワークの各仮想ノードを割り当て可能な物理ノードを選択する手段と、
割当要求仮想ネットワークの仮想リンクの割り当てによる各物理リンクのスケジューリングコストの増分を、物理リンク帯域の共有によるコスト削減を反映して計算する物理リンクコスト計算手段と、
仮想ネットワークの仮想リンクごとに、前記各物理リンクのスケジューリングコストの増分に基づいて、前記割り当て可能な物理ノードの組み合わせからなる各発着物理ノードペア間の最小コスト経路を計算する最小コスト経路計算手段と、
前記最小コスト経路の発着物理ノードペアにおけるスケジューリングコストの増分を、物理ノード処理容量の共有によるコスト削減を反映して計算する物理ノードコスト計算手段と、
仮想リンクごとにコストを更新しながら求まる最小コスト経路およびその発着物理ノードのスケジューリングコストの増分に基づいて、最小コストの物理パス経路を与える物理リンク及び物理ノードに仮想リンクおよび仮想ノードを割り当てる仮想ネットワーク割当手段とを具備したことを特徴とする仮想ネットワーク割当装置。
【請求項２】
前記物理リンクコスト計算手段は、各物理リンクのスケジューリングコストを、仮に割当対象の仮想リンクが当該物理リンクを通過した時のパケット転送に関するスケジューリングコストの増分に設定することを特徴とする請求項１に記載の仮想ネットワーク割当装置。
【請求項３】
前記物理ノードコスト計算手段は、各物理ノード候補のスケジューリングコストを、仮に割当対象の仮想リンクと接続する仮想ノードが当該物理ノードに割り当てられた時のサービス処理に関するスケジューリングコストの増分に設定することを特徴とする請求項１または２に記載の仮想ネットワーク割当装置。
【請求項４】
前記物理リンクコスト計算手段は、各物理リンクを通過する仮想リンクの優先クラスが１種類のみのスライス同士であって、かつ通過する仮想リンクの優先クラスが互いに同一のスライス間でのパケット転送キューの共用によるスケジューリングコストの削減を反映させることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の仮想ネットワーク割当装置。
【請求項５】
前記物理ノードコスト計算手段は、各物理ノードにおいて、実行されるサービス処理の優先クラスが１種類のみのスライス同士であって、かつ実行されるサービス処理の優先クラスが互いに同一のスライス間でのトランザクションキューの共用によるスケジューリングコストの削減を反映させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の仮想ネットワーク割当装置。
【請求項６】
前記仮想ネットワーク割当手段は、最小コスト経路のコストおよび発着物理ノードのコストの重み付き総和に基づいて最小コストの物理パス経路を決定することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の仮想ネットワーク割当装置。
【請求項７】
前記物理ノードを選択する手段は、既に他の仮想ノードが割当てられている物理ノードは除外し、当該仮想ノードが既に物理ノードに割当てられている場合は当該物理ノードに限定することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の仮想ネットワーク割当装置。
【請求項８】
SDNの各スライスが物理ネットワーク上に既存仮想ネットワークと物理帯域を共用する仮想ネットワークを新規に割り当てる仮想ネットワーク割当方法において、
物理ネットワークのトポロジー情報、既存仮想ネットワークの情報および物理ネットワークへ新規に割り当てる割当要求仮想ネットワークの情報を取得する第１手順と、
前記各情報に基づいて、割当要求仮想ネットワークの各仮想ノードを割り当て可能な物理ノードを選択する第２手順と、
割当要求仮想ネットワークの仮想リンクの割り当てによる各物理リンクのスケジューリングコストの増分を、物理リンク帯域の共有によるコスト削減を反映して計算する第３手順と、
仮想ネットワークの仮想リンクごとに、前記各物理リンクのスケジューリングコストの増分に基づいて、前記割り当て可能な物理ノードの組み合わせからなる各発着物理ノードペア間の最小コスト経路を計算する第４手順と、
前記最小コスト経路の発着物理ノードペアにおけるスケジューリングコストの増分を、物理ノード処理容量の共有によるコスト削減を反映して計算する第５手順と、
仮想リンクごとにコストを更新しながら求まる最小コスト経路およびその発着物理ノードのスケジューリングコストの増分に基づいて、最小コストの物理パス経路を与える物理リンク及び物理ノードに仮想リンクおよび仮想ノードを割り当てる第６手順とを含むことを特徴とする仮想ネットワーク割当方法。
【請求項９】
前記第３手順では、各物理リンクのスケジューリングコストが、仮に割当対象の仮想リンクが当該物理リンクを通過した時のパケット転送に関するスケジューリングコストの増分に設定されることを特徴とする請求項８に記載の仮想ネットワーク割当方法。
【請求項１０】
前記第５手順では、各物理ノード候補のスケジューリングコストが、仮に割当対象の仮想リンクと接続する仮想ノードが当該物理ノードに割り当てられた時のサービス処理に関するスケジューリングコストの増分に設定されることを特徴とする請求項８または９に記載の仮想ネットワーク割当方法。
【請求項１１】
前記第３手順では、各物理リンクを通過する仮想リンクの優先クラスが１種類のみのスライス同士であって、かつ通過する仮想リンクの優先クラスが互いに同一のスライス間でのパケット転送キューの共用によるスケジューリングコストの削減が反映されることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれかに記載の仮想ネットワーク割当方法。
【請求項１２】
前記第５手順では、各物理ノードにおいて、実行されるサービス処理の優先クラスが１種類のみのスライス同士であって、かつ実行されるサービス処理の優先クラスが互いに同一のスライス間でのトランザクションキューの共用によるスケジューリングコストの削減が反映されることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載の仮想ネットワーク割当方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とを積層する基板積層装置であって、
前記第１の基板の表面に形成された凹部の内面が前記第２の基板に接触するように、互いに重ね合わされた前記第１の基板および前記第２の基板を加圧する加圧部を備える基板積層装置。
【請求項２】
前記凹部の前記内面が前記第２の基板に接触する加圧条件を設定する設定部を備える請求項１に記載の基板積層装置。
【請求項３】
前記第１の基板および前記第２の基板を加圧する場合に、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方を加熱する加熱部を更に備える請求項１または２に記載の基板積層装置。
【請求項４】
前記加圧部が前記第１の基板および第２の基板を加圧する前に、重ね合わせた前記第１の基板および前記第２の基板に挟まれた空間を減圧源に連通させて脱気する脱気部を更に備える請求項１から３のいずれか一項に記載の基板積層装置。
【請求項５】
前記加圧部は、前記脱気部において脱気された前記第１の基板および前記第２の基板を大気圧環境下で加圧する請求項４に記載の基板積層装置。
【請求項６】
前記加圧部は、前記第１の基板および前記第２の基板を減圧環境下で加圧する請求項１から５のいずれか一項に記載の基板積層装置。
【請求項７】
第１の基板と第２の基板とを積層する基板積層方法であって、
前記第１の基板および前記第２の基板を互いに重ね合わせた後に、前記第１の基板の表面に形成された凹部の内面が前記第２の基板に接触するように、前記第１の基板および前記第２の基板を加圧する加圧段階を備える基板積層方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月11日(2017.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（第１実施形態）
以下では、コネクタ、ヘッダハウジングおよびソケットハウジングの長手方向をＸ方向、コネクタ、ヘッダハウジングおよびソケットハウジングの幅方向（短手方向）をＹ方向、図２９から図３２におけるコネクタの上下方向をＺ方向として説明する。また、ソケットおよびヘッダは、図２９から図３２に示す状態における上側を上下方向上側（表面側）、下側を上下方向下側（裏面側）として説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５９】
（第２実施形態）
以下では、コネクタ、ヘッダハウジングおよびソケットハウジングの長手方向をＸ方向、コネクタ、ヘッダハウジングおよびソケットハウジングの幅方向（短手方向）をＹ方向、図５８から図６１におけるコネクタの上下方向をＺ方向として説明する。また、ソケットおよびヘッダは、図５８から図６１に示す状態における上側を上下方向上側（表面側）、下側を上下方向下側（裏面側）として説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４０６】
また、ソケットハウジングやヘッダハウジング、その他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４０７】
１０  コネクタ
２０  ヘッダ
２１  ヘッダハウジング
２２  ヘッダ側信号用端子
２２ａ  付け根部
２２ｃ  凹部
２２ｅ  被係止部
２３  ヘッダ側電源用端子
２３ａ  付け根部
２３ｃ  凹部
２３ｅ  被係止部
２４  ヘッダ側保持金具
２４ａ  固定端子
３０  ソケット
３１  ソケットハウジング
３１ｓ  外面
３１ｔ  側面
３１ｕ  底面
３２  ソケット側信号用端子
３２ａ  付け根部
３３  ソケット側電源用端子
３３ａ  付け根部
３５  片部
３６  片部
３４  ソケット側保持金具
３４ｄ  固定端子
３４ｊ  第１の固定端子
３４ｋ  第２の固定端子
３４ｅ  外壁面
３４ｆ  外面
４０  第２の回路基板
４１  回路パターン
５０  半田
６０  第１の回路基板
６１  回路パターン
７０  半田
Ｒ１〜Ｒ５  接点部
Ｃ１、Ｃ２  接点
Ｇ４  ソケット側信号用端子群
Ｘ  長手方向
Ｙ  短手方向（幅方向）
Ｚ  上下方向
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月3日(2017.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１部材と第２部材とが半田接合されたモジュールの製造方法であって、
半田ペーストを第１部材の第１部分と第２部分と第３部分とに塗布する工程と、
前記第１部材の前記第１部分に塗布された前記半田ペーストと第２部材の第１部分とを接触させ、前記第１部材の前記第２部分に塗布された前記半田ペーストと前記第２部材の第２部分とを接触させ、前記第１部材の前記第３部分に塗布された前記半田ペーストと前記第２部材の第３部分とを接触させる工程と、
前記第２部材の前記第１部分に接触した前記半田ペーストおよび前記第２部材の前記第２部分に接触した前記半田ペーストを溶融させ、前記第２部材の前記第３部分に接触した前記半田ペーストを溶融させる工程と、を有し、
前記第２部材は複数の第１ランドおよび複数の第２ランドを含み、前記第２ランドは前記第１ランドよりも小さい面積を有し、前記第１部材の前記第１部分および前記第１部材の前記第２部分は前記複数の前記第１ランドの各々のランドに含まれ、前記第１部材の前記第３部分は前記複数の前記第２ランドの各々のランドに含まれ、
前記塗布する工程において、前記第１部材の前記第１部分に塗布された前記半田ペーストと前記第１部材の第２部分に塗布された前記半田ペーストは互いに離間しており、前記第１部材の前記第３部分に塗布された前記半田ペーストは、前記第１部材の第１部分に塗布された前記半田ペーストおよび前記第１部材の第２部分に塗布された前記半田ペーストから離間しており、
前記溶融させる工程において、前記第１部材の前記第１部分に接触した前記半田ペーストが溶融した溶融半田と、前記第１部材の前記第２部分に接触した前記半田ペーストが溶融した溶融半田と、を互いに接触させ、前記第２部材の前記第３部分に接触した前記半田ペーストを溶融させた溶融半田は、前記第２部材の前記第３部分とは別の部分に接触した半田ペーストを溶融させた溶融半田と結合しないことを特徴とするモジュールの製造方法。
【請求項２】
前記第２部材の前記第１部分と前記第２部材の前記第２部分は、別々のランドに含まれる、請求項１に記載のモジュールの製造方法。
【請求項３】
第１部材と第２部材とが半田接合されたモジュールの製造方法であって、
半田ペーストを第１部材の第１部分と第２部分と第３部分とに塗布する工程と、
前記第１部材の前記第１部分に塗布された前記半田ペーストと第２部材の第１部分とを接触させ、前記第１部材の前記第２部分に塗布された前記半田ペーストと前記第２部材の第２部分とを接触させ、前記第１部材の前記第３部分に塗布された前記半田ペーストと前記第２部材の第３部分とを接触させる工程と、
前記第２部材の前記第１部分に接触した前記半田ペーストおよび前記第２部材の前記第２部分に接触した前記半田ペーストを溶融させ、前記第２部材の前記第３部分に接触した前記半田ペーストを溶融させる工程と、を有し、
前記第２部材は複数の第１ランドおよび複数の第２ランドを含み、前記第２ランドは前記第１ランドよりも小さい面積を有し、前記第２部材の前記第１部分および前記第２部材の前記第２部分は前記複数の前記第１ランドの各々のランドに含まれ、前記第２部材の前記第３部分は前記複数の前記第２ランドの各々のランドに含まれ、
前記塗布する工程において、前記第１部材の前記第１部分に塗布された前記半田ペーストと前記第１部材の第２部分に塗布された前記半田ペーストは互いに離間しており、前記第１部材の前記第３部分に塗布された前記半田ペーストは、前記第１部材の第１部分に塗布された前記半田ペーストおよび前記第１部材の第２部分に塗布された前記半田ペーストから離間しており、
前記溶融させる工程において、前記第１部材の前記第１部分に接触した前記半田ペーストが溶融した溶融半田と、前記第１部材の前記第２部分に接触した前記半田ペーストが溶融した溶融半田と、を互いに接触させ、前記第２部材の前記第３部分に接触した前記半田ペーストを溶融させた溶融半田は、前記第２部材の前記第３部分とは別の部分に接触した半田ペーストを溶融させた溶融半田と結合しないことを特徴とするモジュールの製造方法。
【請求項４】
前記第１部材の前記第１部分と前記第１部材の前記第２部分は、別々のランドに含まれる、請求項３に記載のモジュールの製造方法。
【請求項５】
前記別々のランドは単一の導電膜に含まれ、前記別々のランドは前記単一の導電膜に接する絶縁膜によって画定されている、請求項２または４に記載のモジュールの製造方法。
【請求項６】
前記別々のランドを画定する前記絶縁膜の幅は、前記半田接合を成す半田層の厚さの０．５倍以上２．５倍以下である、請求項５に記載のモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁膜は無機材料膜である、請求項５または６に記載のモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記半田ペーストに含まれる半田の融点が１７０℃以下である、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のモジュールの製造方法。
【請求項９】
前記複数の第１ランドのうち隣接する２つの第１ランド同士の距離は、前記複数の第２ランドのうち隣接する２つの第２ランド同士の距離よりも大きい、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のモジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記複数の前記第１ランドは４つのランドを含み、前記４つのランドの各々は、前記第１ランドおよび前記第２ランドが配された面の４隅のそれぞれに配されている、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のモジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記第２部材は電子デバイスを含み、前記第２部材の前記第１部分および前記第２部分は前記電子デバイスへ電気的に接続されておらず、前記第２部材の前記第３部分が前記電子デバイスへ電気的に接続されている、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のモジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記第１部材はモジュール基板であり、前記第２部材は電子部品である、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のモジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月3日(2017.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣り合う発電セル間にセパレータを有する燃料電池ユニットであって、
上記セパレータが、平面接合部と傾斜部とが、上記平面接合部の端部から立ち上がり前記発電セルの積層方向の応力を吸収する屈曲部で連続した断面形状を有するものであり、
上記セパレータのうち平面接合部のみが接点材で発電セルに接合されて上記発電セルとで燃料ガス通路及び空気通路を形成したことを特徴とする燃料電池ユニット。
【請求項２】
隣り合う発電セル間にセパレータを有する燃料電池ユニットであって、
上記セパレータが、平面接合部と傾斜部とが上記平面接合部の端部から立ち上がる屈曲部で連続した断面形状を有するものであり、
上記平面接合部のみが接点材で発電セルに接合されて上記発電セルとで燃料ガス通路及び空気通路を形成し、
上記屈曲部に対応する接点材部分に逃げを設けたことを特徴とする燃料電池ユニット。
【請求項３】
上記セパレータが、傾斜部に複数の屈曲部を有する段付きセパレータであることを特徴とする請求項１又は２に記載の燃料電池ユニット。
【請求項４】
発電セルの電極面に線状の凸部を有し、該凸部の上部とセパレータの平面部のみが接合したものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つの項に記載の燃料電池ユニット。
【請求項５】
上記請求項２〜４のいずれか１つの項に記載の燃料電池ユニットの製造方法であって、
セパレータの平面接合部以外を可燃性コート材で被覆し、接点材を付与して焼成し、電極とセパレータを接合することを特徴とする燃料電池ユニットの製造方法。
【請求項６】
平面接合部をマスキングし、可燃性コート材で被覆した後、マスキング材と共に可燃性コート剤を剥離することを特徴とする請求項５に記載の燃料電池ユニットの製造方法。
【請求項７】
上記可燃性コート剤を吹き付けて被覆することを特徴とする請求項５又は６に記載の燃料電池ユニットの製造方法。
【請求項８】
平面接合部の端部から立ち上がる屈曲部に凹凸を形成することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１つの項に記載の燃料電池ユニットの製造方法。
【請求項９】
上記凹凸が、微粒子を衝突・付着させて形成したものであることを特徴とする請求項８に記載の燃料電池ユニットの製造方法。
【請求項１０】
上記凹凸が、腐食処理により形成したものであることを特徴とする請求項８に記載の燃料電池ユニットの製造方法。
【請求項１１】
上記請求項２〜４のいずれか１つの項に記載の燃料電池ユニットの製造方法であって、電極面に線状の凸部を形成し、該凸部とセパレータの平面接合部とを接点材を介して接合することを特徴とする燃料電池ユニットの製造方法。
【請求項１２】
上記凸部が電極材の微粒子を電極面に吹き付けて形成されたものであることを特徴とする請求項１１に記載の燃料電池ユニットの製造方法。
【請求項１３】
上記請求項２〜４のいずれか１つの項に記載の燃料電池ユニットの製造方法であって、平面接合部以外を撥水化処理し、接点材を付与して電極とセパレータを接合することを特徴とする燃料電池ユニットの製造方法。
【請求項１４】
上記撥水化が、フッ素コートであることを特徴とする請求項１３に記載の燃料電池ユニットの製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜４のいずれか１つの項に記載の燃料電池ユニットが、複数積層されたことを特徴とする燃料電池スタック。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月7日(2017.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配列する画素部において、前記画素ごとに設けられた個別画素電極と、
前記複数の画素の間に設けられ、前記個別画素電極の周縁部を覆う第１のバンクと、
前記第１のバンクの第１の上面に設けられ、第２の上面と第１の側面とを有する第２のバンクと、前記第１の側面は、前記第１の上面と前記第２の上面とに交差し、
前記第２のバンクの前記第２の上面に設けられ、第３の上面と前記第３の上面と交差する第２の側面とを有する補助配線と、
前記個別画素電極と前記第１のバンクと前記第２のバンクと前記補助配線とに接触する有機エレクトロルミネセンス層と、
前記複数の画素に跨がって、前記個別画素電極と前記第１のバンクと前記第２のバンクと前記補助配線とを覆う共通画素電極と、を備え、
前記有機エレクトロルミネセンス層は、前記個別画素電極と前記第１の上面と前記第１の側面とに接触する第１の領域と、前記補助配線に接触し、前記第１の領域と分断されている第２の領域を有し、
前記共通画素電極が前記補助配線の第２の側面と接触していることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記第１の側面は、前記第１の上面の端部よりも内側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記第２のバンクの高さが前記有機エレクトロルミネセンス層の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
前記有機エレクトロルミネセンス層は正孔注入層、発光層及び電子注入層を含み、前記第２のバンクの高さが前記正孔注入層及び前記発光層の合計膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
前記第１のバンクは、前記個別画素電極と重なる端部から内側に向けて膜厚が増加する傾斜面を有し、
前記第１の上面と前記第１の側面とがなす角は、前記傾斜面と前記個別画素電極の主面とがなす角よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
複数の画素が配列する画素部において、前記画素ごとに設けられた個別画素電極と、
前記複数の画素の間に設けられ、前記個別画素電極の周縁部を覆うバンクと、
前記バンク上に設けられた補助配線と、
前記個別画素電極、前記バンク及び前記補助配線の上面側に設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、
前記複数の画素に跨がって、前記有機エレクトロルミネセンス層の上面側に設けられた共通画素電極と、を備え、
前記バンクと前記補助配線は、前記バンクの上面に端部が位置することにより段差部を形成し、
前記段差部において前記有機エレクトロルミネセンス層が分断され、前記共通画素電極が前記補助配線の側面部で接触していることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
前記段差部の高さが前記有機エレクトロルミネセンス層の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項８】
前記有機エレクトロルミネセンス層は正孔注入層、発光層及び電子注入層を含み、前記段差部の高さが前記正孔注入層及び前記発光層の合計膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項９】
前記バンクは、前記個別画素電極と接する第１のバンクと、前記第１のバンク上において前記段差部より内側に端部が位置する第２のバンクを有し、前記第２のバンクは、前記補助配線の下層側に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１０】
前記第２のバンクは傾斜面を有し、前記補助配線が少なくとも前記傾斜面に沿って設けられていることを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１１】
複数の画素が配列する画素部において、前記画素ごとに設けられた個別画素電極と、
前記複数の画素の間に設けられ、前記個別画素電極の周縁部を覆うバンクと、
前記バンク上に設けられた補助配線と、
前記個別画素電極、前記バンク及び前記補助配線の上面側に設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、
前記複数の画素に跨がって、前記有機エレクトロルミネセンス層の上面側に設けられた共通画素電極と、を備え、
前記バンクは、前記個別画素電極の主面と交差する第１の側面を有し、
前記補助配線は、前記第１の側面と接する第２の側面を有し、
前記第１の側面と前記第２の側面とにおいて前記有機エレクトロルミネセンス層が分断され、
前記共通画素電極が前記補助配線の前記第２の側面と接していることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１２】
前記第１の側面の高さが前記有機エレクトロルミネセンス層の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１３】
前記有機エレクトロルミネセンス層は正孔注入層、発光層及び電子注入層を含み、前記第１の側面の高さが前記正孔注入層及び前記発光層の合計膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１４】
前記バンクは、前記個別画素電極と接する第１のバンクと、前記第１のバンク上において前記第２の側面より内側に端部が位置する第２のバンクを有し、
前記第２のバンクは、前記補助配線の下層側に設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１５】
前記第２のバンクは傾斜面を有し、前記補助配線が少なくとも前記傾斜面に沿って設けられていることを特徴とする請求項１４に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月22日(2017.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を保持する試料ホルダと、
真空の試料室と、
前記試料ホルダを前記試料室へ導入する試料ステージと、を備えた荷電粒子線装置であって、
前記試料ステージに接続され、所定物を導入する導入口を有する受け部を備え、
前記受け部は、前記試料ステージに対して所定の範囲内で移動可能であり、
前記接続された試料ステージおよび受け部により形成される空間に弾性体を配設し、
前記所定物を前記試料室から出し入れするときに、前記弾性体の反力を発生させることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
請求項１に記載された荷電粒子線装置であって、
前記所定物は前記試料ホルダであって、
前記受け部は試料ホルダ受けであることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】
請求項２に記載された荷電粒子線装置であって、
当該発生される反力は、前記試料ホルダが前記試料室内に引き込まれる力に対して反対方向に作用することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】
請求項３に記載された荷電粒子線装置であって、
当該発生される反力は、前記試料ホルダが前記試料室内に引き込まれる力よりも小さいことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】
請求項２に記載された荷電粒子線装置であって、
前記試料ステージは、前記試料ホルダ受けの移動を制限する拘束部材をさらに備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
試料を保持する試料ホルダと、
真空の試料室と、
前記試料ホルダを前記真空試料室へ導入する試料ステージと、を備えた荷電粒子線装置
であって、
前記試料ステージに接続され、前記所定部を導入する導入口を有する受け部を備え、
前記受け部は、前記試料ステージに対して所定の距離を移動可能であり、
当該接続された試料ステージおよび受け部により形成される領域に、前記所定物が前記試料室内へ引き込まれる力に対して反対方向に作用する引き出し力を発生し、前記受け部を駆動する受け部駆動機構を備え、
前記所定物を前記試料室から出し入れするときに、前記受け部駆動機構の引き出し力を発生させることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項７】
請求項６に記載された荷電粒子線装置であって、
前記所定物は前記試料ホルダであって、
前記受け部は試料ホルダ受けであることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
請求項７に記載された荷電粒子線装置であって、
当該発生される引き出し力は、前記試料ホルダが前記試料室内に引き込まれる力よりも小さいことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項９】
真空の試料室と、
試料を前記試料室へ導入する試料ステージと、を備えた荷電粒子線装置用の試料ホルダであって、
一端部に試料を保持する試料台を、他端部にグリップ部をそれぞれ備えた軸状の本体部と、
前記本体部が前記試料ステージに導入されるときに前記試料ステージと接触する試料ステージ受けと、前記試料ステージ受けと前記グリップ部との間に設けられた試料ステージ受け支持部と、を備え、
前記試料ステージ受けは、前記試料ステージ受け支持部に対して所定の範囲内で移動可能であり、
前記試料ステージ受け、前記試料ステージ受け支持部により形成される空間に弾性体を配設し、
前記本体部を前記試料室から出し入れするときに、前記弾性体の反力を発生させることを特徴とする試料ホルダ。
【請求項１０】
請求項９に記載された荷電粒子線装置であって、
当該発生される反力は、前記試料ホルダが前記試料室内に引き込まれる力に対して反対方向に作用することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載された荷電粒子線装置であって、
当該発生される反力は、前記試料ホルダが前記試料室内に引き込まれる力よりも小さいことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１２】
請求項９に記載された荷電粒子線装置であって、
前記試料ステージは、前記試料ホルダ受けの移動を制限する拘束部材をさらに備えることを特徴とする荷電粒子線装置。