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【手続補正書】
【提出日】平成29年10月6日(2017.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データに含まれる複数のスペクトルを複数のグループに分けるグループ設定部と、
前記グループ設定部によって設定した前記グループのそれぞれから少なくとも一つずつスペクトルを抽出して、抽出データを生成する抽出データ生成部と、
前記抽出データ生成部によって生成した前記抽出データから、それぞれの前記スペクトルを対応する成分に帰属するための基底ベクトルを取得する基底ベクトル取得部と、
を有するデータ処理装置。
【請求項２】
前記基底ベクトル取得部によって取得した前記基底ベクトルを用いて前記データに含まれる複数の前記スペクトルを前記成分にそれぞれ帰属し、前記成分の分布を示す画像データを生成することを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記データ処理装置は、少なくとも第１の多変量解析及び第２の多変量解析の結果に基づいて処理を行うデータ処理装置であって、
前記グループ設定部は、前記第１の多変量解析の結果に基づいて前記データに含まれる複数のスペクトルを複数のグループに分け、
前記基底ベクトル取得部は、前記抽出データ生成部によって生成した前記抽出データに対して前記第２の多変量解析を行うことで前記基底ベクトルを取得することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記第１の多変量解析が、前記第２の多変量解析よりも単位データ量あたりの計算量が少ない多変量解析であることを特徴とする請求項３に記載のデータ処理装置。
【請求項５】
前記第１の多変量解析が、主成分分析を含むことを特徴とする請求項３または請求項４に記載のデータ処理装置。
【請求項６】
前記第２の多変量解析が、少なくとも独立成分分析を含むことを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載のデータ処理装置。
【請求項７】
前記画像データが、複数の前記スペクトルと、前記基底ベクトルと、の内積であるスコア値の二次元的又は三次元的な強度分布データであることを特徴とする請求項２乃至請求項６のいずれか一項に記載のデータ処理装置。
【請求項８】
前記スペクトルが、紫外又は可視又は赤外域の分光スペクトル、ラマン分光スペクトル、質量スペクトルのいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のデータ処理装置。
【請求項９】
前記データが、ＸＹ平面上の各点に対応して前記スペクトルが格納されたデータであることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のデータ処理装置。
【請求項１０】
請求項２乃至請求項９のいずれか一項に記載のデータ処理装置と、
前記第画像データを画像表示する画像表示部と、
を有することを特徴とするデータ表示システム。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載のデータ処理装置と、
前記データ処理装置によって処理される前記データに含まれる前記スペクトルを試料から取得するための計測部と、
を有することを特徴とする試料データ取得システム。
【請求項１２】
前記計測部が、前記試料が含まれる領域のうち少なくとも一部の領域である第１の領域から計測される複数のスペクトルを含む第１のデータと、
前記第１の領域より計測点数の多い第２の領域から計測される複数のスペクトルを含む第２のデータと、を取得し、
前記グループ設定部は、前記計測部によって取得された前記第１のデータに含まれる複数のスペクトルを複数のグループに分け、
前記抽出データ生成部は、前記グループ設定部によって設定した前記グループのそれぞれから少なくとも一つずつスペクトルを抽出して、抽出データを生成し、
前記基底ベクトル取得部は、前記抽出データ生成部によって生成した前記抽出データから、前記基底ベクトルを取得し、
前記基底ベクトル取得部によって取得した前記基底ベクトルを用いて、前記第２のデータに含まれる複数のスペクトルを前記成分に帰属し、前記成分の分布を示す画像データを生成することを特徴とする請求項１１に記載の試料データ取得システム。
【請求項１３】
前記第２のデータに含まれるスペクトルの次元数が、前記第１のデータに含まれるスペクトルの次元数よりも低いことを特徴とする請求項１２に記載のデータ取得システム。
【請求項１４】
データに含まれる複数のスペクトルを複数のグループに分けるグループ設定ステップと、
前記グループ設定ステップで設定した前記グループのそれぞれから少なくとも一つずつスペクトルを抽出して、抽出データを生成する抽出データ生成ステップと、
前記抽出データ生成ステップで生成した前記抽出データから、それぞれの前記スペクトルを対応する成分に帰属するための基底ベクトルを取得する基底ベクトル取得ステップと、
を有することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項１５】
コンピュータに、
データに含まれる複数のスペクトルを複数のグループに分けるグループ設定ステップと、
前記グループ設定ステップで設定した前記グループのそれぞれから少なくとも一つずつスペクトルを抽出して、抽出データを生成する抽出データ生成ステップと、
前記抽出データ生成ステップで生成した前記抽出データから、それぞれの前記スペクトルを対応する成分に帰属するための基底ベクトルを取得する基底ベクトル取得ステップと、
を実行させるためのプログラム。
【請求項１６】
コンピュータに、
データに含まれる複数のスペクトルを複数のグループに分けるグループ設定ステップと、
前記グループ設定ステップで設定した前記グループのそれぞれから少なくとも一つずつスペクトルを抽出して、抽出データを生成する抽出データ生成ステップと、
前記抽出データ生成ステップで生成した前記抽出データから、それぞれの前記スペクトルを対応する成分に帰属するための基底ベクトルを取得する基底ベクトル取得ステップと、
を実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一側面としてのデータ処理装置は、データに含まれる複数のスペクトルを複数のグループに分けるグループ設定部と、前記グループ設定部によって設定した前記グループのそれぞれから少なくとも一つずつスペクトルを抽出して、抽出データを生成する抽出データ生成部と、前記抽出データ生成部によって生成した前記抽出データから、それぞれの前記スペクトルを対応する成分に帰属するための基底ベクトルを取得する基底ベクトル取得部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月28日(2016.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡大側から順番に設けられた第１群〜第Ｎ群からなる投射光学系であって、
Ｎは、６または７であり、
前記第１群は、２枚または３枚の正レンズで構成される第１Ａ群と、正及び負の接合レンズで構成されるとともに前記第２群と隣り合うように設けられた第１Ｂ群と、からなり、
前記第２群は、少なくとも２枚の負レンズを有し、
合焦時に、前記第１Ａ群を光軸に沿って移動させ、
変倍の際に、少なくとも前記第１群と前記第Ｎ群とを固定し、かつ、少なくとも前記第３群〜前記第Ｎ−１群を光軸に沿って移動させる、投射光学系。
【請求項２】
変倍の際に、前記第２群〜前記第Ｎ−１群を光軸に沿って移動させる、請求項１に記載の投射光学系。
【請求項３】
変倍の際に、前記第１群と前記第２群と前記第Ｎ群とを固定する、請求項１に記載の投射光学系。
【請求項４】
前記第１群内のレンズについて、前記１Ｂ群に存在する前記接合レンズの正レンズのアッベ数をνｄ１とし、前記接合レンズの負レンズのアッベ数をνｄ２としたとき、以下の条件式
２５＜（νｄ１−νｄ２）＜５０
を満足する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の投射光学系。
【請求項５】
前記第２群については、前記２枚の負レンズを含む複数の負レンズを有し、当該複数の負レンズのうち一枚が両凹レンズであり、かつ、前記第２群に存在する前記複数の負レンズのうち、最も拡大側に配置される負レンズのアッベ数をνｄとしたとき、以下の条件式
２５＜νｄ＜５０
を満足する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の投射光学系。
【請求項６】
前記第１Ａ群と前記第１Ｂ群の合成焦点距離をｆ１とし、前記第２群の焦点距離をｆ２としたとき、以下の条件式
１．５＜｜ｆ１／ｆ２｜＜４
を満足する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の投射光学系。
【請求項７】
実質的に屈折力を有しないレンズをさらに備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の投射光学系。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の投射光学系と、
前記投射光学系の光路前段に設けられた像形成光学部とを備える、投射型画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【図１】実施形態の投射光学系を組み込んだ投射型画像表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】実施例１の投射光学系の断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例１の投射光学系の収差図である。
【図４】実施例２の投射光学系の断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例２の投射光学系の収差図である。
【図６】実施例３の投射光学系の断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例３の投射光学系の収差図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
画像処理部８１は、入力された外部画像信号を各色の階調等を含む画像信号に変換する。なお、画像処理部８１は、外部画像信号に対して歪補正や色補正等の各種画像処理を行うこともできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
以上の投射レンズ４０又は投射光学系５２によれば、拡大側の第１群Ｇ１が、正の第１レンズＬ１と第２レンズＬ２とで構成される第１Ａ群Ｇ１−１と、正及び負の接合レンズＬ３，Ｌ４で構成される第１Ｂ群Ｇ１−２とからなるので、長焦点レンズの望遠側特有の収差である球面収差を十分に補正することが可能になる。また、第１群Ｇ１の拡大側の第１Ａ群Ｇ１−１をフォーカス群とすることで、フォーカス機構を簡素化できるとともに、投射レンズ４０をＮ群（計６または７群）構成とし、少なくとも第３群〜第Ｎ−１群を変倍に際して移動させることで、広角端から望遠端までの収差変動を抑えることができる。第２群Ｇ２を２枚の負レンズ、すなわち負の第５レンズＬ５と負の第６レンズＬ６とで構成することにより、周辺光量を確保できかつ、投射レンズ４０又は投射光学系５２に必要なバックフォーカスを十分に確保することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月19日(2017.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子印鑑として描画する文字列を内包する図形のサイズを決定する決定手段と、
前記文字列と、前記決定手段により決定された前記図形のサイズに基づいて電子印鑑画像を作成する作成手段と、
前記文字列を変更する指示を受け付ける第１の受付手段と、を有し、
前記決定手段は、前記第１の受付手段により受け付ける変更前の文字列を内包する図形のサイズを決定し、
前記決定手段は、前記第１の受付手段により受け付けた変更後の文字列の長さが前記変更前の文字列の長さと異なる場合に、決定した前記変更前の文字列を内包する前記図形のサイズに基づいて、前記変更後の文字列を内包する図形のサイズを決定し、
前記作成手段は、前記変更後の文字列と、前記決定手段により決定された前記変更後の文字列を内包する前記図形のサイズに基づいて電子印鑑画像を作成することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記作成手段が新規に作成する電子印鑑画像のサイズを前記変更前の文字列を内包する図形のサイズに合わせて作成した後、前記電子印鑑画像の属性情報が変更されたかどうかを判断する第１の判断手段と、
前記第１の判断手段により前記電子印鑑画像の属性情報が変更されたと判断した場合、前記作成手段は、前記変更前の文字列を内包する図形のサイズで、かつ、変更された属性情報に従う電子印鑑画像を作成することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記作成手段が前記変更前の文字列を内包する図形のサイズを変更するサイズ情報を受け付ける第２の受付手段を備え、
管理手段は、前記第２の受付手段が受け付けたサイズ情報で、記憶手段に登録された前記変更前の文字列を内包する図形のサイズ情報を更新することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項４】
変更された前記電子印鑑画像の属性情報が文字サイズであるかどうかを判断する第２の判断手段を備え、
第２の判断手段が変更された前記電子印鑑画像の属性情報が文字サイズであると判断した場合、管理手段は、記憶手段に登録された属性情報を削除することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項５】
第２の判断手段が変更された前記電子印鑑画像の属性情報が文字サイズであると判断した場合、第１の警告メッセージを表示する第１の表示手段を備えることを特徴とする請求項４記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記第２の受付手段が受け付けたサイズ情報で特定される第２の電子印鑑画像と前記変更前の文字列を内包する図形のサイズ情報で特定される第１の電子印鑑画像とのサイズ差が所定の閾値以上であるかどうかを判断する第３の判断手段と、
前記前記第２の受付手段が受け付けたサイズ情報で特定される第２の電子印鑑画像と前記変更前の文字列を内包する図形のサイズ情報で特定される第１の電子印鑑画像とのサイズ差が所定の閾値以上であると判断した場合、警告メッセージを表示する第２の表示手段と、を備え、
前記作成手段は、表示される前記警告メッセージに対する応答に従い、前記作成手段が新規に作成する電子印鑑画像のサイズを前記変更前の文字列を内包する図形のサイズ情報に合わせて作成することを特徴とする請求項３記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記第２の受付手段が受け付けたサイズ情報で特定される第２の電子印鑑画像と前記変更前の文字列を内包する図形のサイズ情報で特定される第１の電子印鑑画像とのサイズ差が所定の閾値以上であるかどうかを判断する第３の判断手段と、
前記第２の受付手段が受け付けたサイズ情報で特定される第２の電子印鑑画像と前記変更前の文字列を内包する図形のサイズ情報で特定される第１の電子印鑑画像とのサイズ差が所定の閾値以上であると判断した場合、第２の警告メッセージを表示する第３の表示手段と、を備え、
前記作成手段は、表示される前記警告メッセージに対する応答に従い、前記作成手段が新規に作成する電子印鑑画像のサイズを前記変更前の文字列を内包する図形のサイズ情報に合わせて作成することを特徴とする請求項３記載の情報処理装置。
【請求項８】
電子文書を処理する情報処理装置のデータ処理方法であって、
電子印鑑として描画する文字列を内包する図形のサイズを決定する決定工程と、
前記文字列と、前記決定工程により決定された前記図形のサイズに基づいて電子印鑑画像を作成する作成工程と、
前記文字列を変更する指示を受け付ける第１の受付工程と、を有し、
前記決定工程は、前記第１の受付工程により受け付ける変更前の文字列を内包する図形のサイズを決定し、
前記決定工程は、前記第１の受付手段により受け付けた変更後の文字列の長さが前記変更前の文字列の長さと異なる場合に、決定した前記変更前の文字列を内包する前記図形のサイズに基づいて、前記変更後の文字列を内包する図形のサイズを決定し、
前記作成工程は、前記変更後の文字列と、前記決定工程により決定された前記変更後の文字列を内包する前記図形のサイズに基づいて電子印鑑画像を作成することを特徴とする情報処理装置のデータ処理方法。
【請求項９】
請求項１に記載の各手段としてコンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成する本発明の情報処理装置は以下に示す構成を備える。
電子印鑑として描画する文字列を内包する図形のサイズを決定する決定手段と、前記文字列と、前記決定手段により決定された前記図形のサイズに基づいて電子印鑑画像を作成する作成手段と、前記文字列を変更する指示を受け付ける第１の受付手段と、を有し、前記決定手段は、前記第１の受付手段により受け付ける変更前の文字列を内包する図形のサイズを決定し、前記決定手段は、前記第１の受付手段により受け付けた変更後の文字列の長さが前記変更前の文字列の長さと異なる場合に、決定した前記変更前の文字列を内包する前記図形のサイズに基づいて、前記変更後の文字列を内包する図形のサイズを決定し、前記作成手段は、前記変更後の文字列と、前記決定手段により決定された前記変更後の文字列を内包する前記図形のサイズに基づいて電子印鑑画像を作成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光を発光する発光素子、および非可視光を発光する発光素子を少なくとも含む複数の発光素子がパッケージ化されている発光部からなる照明部と、
前記照明部から照射された照射光が解析対象で反射されることに生じる反射光を撮像する撮像部と
を有する画像取得部を
備える画像解析装置。
【請求項２】
前記発光部は、可視光の赤色光を発光する発光素子、可視光の緑色光を発光する発光素子、および非可視光の赤外線を発光する発光素子を少なくとも含む複数の発光素子がパッケージ化されている
請求項１に記載の画像解析装置。
【請求項３】
前記画像取得部は、
前記照明部から照射された前記照射光の光路上に配置された偏光子と、
前記反射光が前記撮像部に入射する光路上に配置された検光子と
をさらに有する
請求項１または２に記載の画像解析装置。
【請求項４】
前記画像取得部は、
前記照射部から照射された照射光を前記解析対象に導く導光体を
さらに有する
請求項１から３のいずれかに記載の画像解析装置。
【請求項５】
前記導光体の光学面形状は任意である
請求項４に記載の画像解析装置。
【請求項６】
前記照明部は、複数の前記発光部からなり、
前記複数の発光部は、前記撮像部の光軸を中心として等間隔に配置される
請求項１から５のいずれかに記載の画像解析装置。
【請求項７】
前記照明部をなす前記複数の発光部は、平面的に前記撮像部の光軸を中心として等間隔に配置される
請求項６に記載の画像解析装置。
【請求項８】
前記照明部をなす前記複数の発光部は、多層化されて立体的に前記撮像部の光軸を中心として等間隔に配置される
請求項６に記載の画像解析装置。
【請求項９】
前記照明部をなす前記複数の発光部は、前記解析対象に正対するようそれぞれが異なる
角度を有した状態で配置される
請求項６から８のいずれかに記載の画像解析装置。
【請求項１０】
前記照明部は、解析項目に応じ、発光する前記発光素子を変更することにより、前記照射光の波長を変更する
請求項１から９のいずれかに記載の画像解析装置。
【請求項１１】
前記解析項目を選択するユーザの操作を入力する操作入力部を
さらに備える請求項１０に記載の画像解析装置。
【請求項１２】
前記撮像部による撮像の結果得られた画像を解析する画像解析部を
さらに備える請求項１から１１のいずれかに記載の画像解析装置。
【請求項１３】
可視光を発光する発光素子、および非可視光を発光する発光素子を少なくとも含む複数の発光素子がパッケージ化されている発光部からなる照明部と、
前記照明部から照射された照射光が解析対象で反射されることに生じる反射光を撮像する撮像部と
を有する画像取得部を備える画像解析装置による画像解析方法において、
前記照明部によって照射光を照射する照射ステップと、
前記撮像部によって、前記照明部から照射された照射光が解析対象で反射されることに生じる反射光を撮像する撮像ステップと
を含む画像解析方法。
【請求項１４】
可視光を発光する発光素子、および非可視光を発光する発光素子を少なくとも含む複数の発光素子がパッケージ化されている発光部からなる照明部と、
前記照明部から照射された照射光が解析対象で反射されることに生じる反射光を撮像する撮像部と
を有する画像取得部を備える画像解析装置の制御用のプログラムであって、
前記照明部を制御して照射光を照射させる照射ステップと、
前記撮像部を制御して、前記照明部から照射された照射光が解析対象で反射されることに生じる反射光を撮像させる撮像ステップと
を含む処理を画像解析装置のコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項１５】
可視光を発光する発光素子、および非可視光を発光する発光素子を少なくとも含む複数の発光素子がパッケージ化されている複数の発光部を
備える照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月13日(2017.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理方法、コンピュータプログラム、及び記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の物体の動きを検出する検出手段と、
検出した前記所定の物体の動きに基づく操作方向及び操作量を取得する取得手段と、
所定の表示装置に、前記所定の物体の動きに応じて表示形態が変化するオブジェクトを表示させる表示制御手段と、を備え、
前記表示制御手段は、取得された前記操作量が第１の閾値以上となったことに応じて、前記オブジェクトの位置を維持した状態で前記オブジェクトの表示形態を変化させ、前記所定の物体の所定部位の動きに基づく操作量が、前記第１の閾値より大きい第２の閾値以上となったことに応じて、取得された前記操作方向に前記オブジェクトを移動させることを特徴とする、
情報処理装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、取得された前記操作量が前記第１の閾値より小さい間は、前記オブジェクトの位置及び表示形態を維持することを特徴とする、
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記操作量が前記第１の閾値以上で徐々に大きくなると前記オブジェクトの表示形態を徐々に変化させることを特徴とする、
請求項２記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、更に、前記オブジェクトの移動可能な方向を前記表示装置に表示させ、
前記所定の物体の所定部位の動きに基づく操作量が、前記第２の閾値以上となったことに応じて、前記オブジェクトの移動可能な方向のうち、取得された前記操作方向に対応する方向に前記オブジェクトを移動させることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記オブジェクトは、前記表示装置に表示された画像内の所定の位置に配置された１以上の対象を指し示すポインタであって、
前記オブジェクトの移動可能な方向は、前記１以上の対象のそれぞれに向かう方向であることを特徴とする、
請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記検出手段は、前記所定の物体により一定時間繰り返される所定の動きを検出し、
前記表示制御手段は、前記一定時間繰り返される所定の動きが検出されたことに応じて、前記オブジェクトがその時点で指示する対象の周囲を前記所定の動きに沿って移動させることを特徴とする、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記所定の物体は、前記情報処理装置を操作するユーザの手であって、
前記検出手段は、前記ユーザの手が撮像された画像から該手の形状を認識し、
前記取得手段は、前記検出手段によって認識された前記手の形状が所定の形状である間の、前記ユーザの手の移動方向及び移動量に基づいて、前記操作方向及び前記操作量を取得することを特徴とする、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記検出手段は、更に前記所定の物体が移動する速度及び加速度を検出し、
前記取得手段は、検出された前記速度及び前記加速度を使って前記操作量を取得することを特徴とする、
請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記取得手段は、検出された前記速度及び前記加速度が、前記操作方向に向く力として加算された前記操作量を取得することを特徴とする、
請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記検出手段は、複数の手の動きを検出し、
前記取得手段は、前記複数の手の各々の動きに応じて、各々の前記操作方向及び前記操作量を取得し、
前記表示制御手段は、前記複数の手の画像に対応して、各々、対応する手の画像の操作方向及び操作量に応じて表示形態が変化する複数のオブジェクトを前記表示装置に表示させることを特徴とする、
請求項７〜９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記表示制御手段は、前記複数のオブジェクトの各々に対応する手が明確になるように各オブジェクトを区別して表示させることを特徴とする、
請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記取得手段は、前記検出手段が２つの手の画像の接触を検出すると、該２つの手の画像の一方に対応するオブジェクトを、他方の手の画像に対応させることを特徴とする、
請求項１１に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記表示制御手段は、前記操作量に応じて所定の画像のページを切り替えて表示させ、前記ページの切り替えのための操作量の閾値を、前記オブジェクトが表す前記操作量に関連づけて表示させることを特徴とする、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
表示装置に画像を表示する情報処理装置により実行される方法であって、
所定の物体の動きを検出するステップと、
検出した前記所定の物体の動きに基づく操作方向及び操作量を取得するステップと、
前記表示装置に、前記所定の物体の動きに応じて表示形態が変化するオブジェクトを表示させるステップと、
取得された前記操作量が第１の閾値以上となったことに応じて、前記オブジェクトの位置を維持した状態で前記オブジェクトの表示形態を変化させるステップと、
前記所定の物体の所定部位の動きに基づく操作量が、前記第１の閾値より大きい第２の閾値以上となったことに応じて、取得された前記操作方向に前記オブジェクトを移動させるステップと、を含むことを特徴とする、
情報処理方法。
【請求項１５】
表示装置に画像を表示するコンピュータに、
所定の物体の動きを検出する処理、
検出した前記所定の物体の動きに基づく操作方向及び操作量を取得する処理、
前記表示装置に、前記所定の物体の動きに応じて表示形態が変化するオブジェクトを表示させる処理、
取得された前記操作量が第１の閾値以上となったことに応じて、前記オブジェクトの位置を維持した状態で前記オブジェクトの表示形態を変化させる処理、
前記所定の物体の所定部位の動きに基づく操作量が、前記第１の閾値より大きい第２の閾値以上となったことに応じて、取得された前記操作方向に前記オブジェクトを移動させる処理、
を実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１６】
請求項１５記載のコンピュータプログラムを記憶するコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の情報処理装置は、所定の物体の動きを検出する検出手段と、検出した前記所定の物体の動きに基づく操作方向及び操作量を取得する取得手段と、所定の表示装置に、前記所定の物体の動きに応じて表示形態が変化するオブジェクトを表示させる表示制御手段と、を備え、前記表示制御手段は、取得された前記操作量が第１の閾値以上となったことに応じて、前記オブジェクトの位置を維持した状態で前記オブジェクトの表示形態を変化させ、前記所定の物体の所定部位の動きに基づく操作量が、前記第１の閾値より大きい第２の閾値以上となったことに応じて、取得された前記操作方向に前記オブジェクトを移動させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月10日(2017.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
信号を伝送する配線が形成され、前記半導体層と重なる配線層と、
を有する複数の基板であって、それぞれの基板が主面を横切る方向に離れて重なり、前記複数の基板の両端のいずれかに位置する基板であるエッジ基板の前記半導体層と、前記エッジ基板に隣接する基板との間に前記エッジ基板の前記配線層が配置される前記複数の基板と、
前記複数の基板の隣接する２枚の基板を電気的に接続する接続部と、
前記複数の基板の隣接する２枚の基板の間に配置され、前記接続部の表面の少なくとも一部を覆い、前記半導体層および前記配線層よりも弾性率の低い樹脂からなる樹脂層と、
前記エッジ基板の前記半導体層に形成され、前記エッジ基板の前記配線層を露出させる第１の開口部であって、前記エッジ基板の主面に正対する方向に見た形状が五角形以上の多角形または円である前記第１の開口部と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記エッジ基板の主面に正対する方向に見た場合に前記第１の開口部の中心から前記第１の開口部の複数の角部のそれぞれまでの距離が同一である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記エッジ基板の主面に正対する方向に見た前記第１の開口部の形状が五角形以上の正多角形である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記エッジ基板の前記配線層に、前記第１の開口部と少なくとも一部が重なるように形成され、前記配線を露出させる第２の開口部であって、前記エッジ基板の主面に正対する方向に見た形状が五角形以上の多角形または円である前記第２の開口部をさらに有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の開口部と前記第２の開口部とが互いに異なる形状である請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記多角形の全ての内角が９０度以上である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置を有し、
前記エッジ基板の前記半導体層に、光を信号に変換する光電変換部が形成され、
前記エッジ基板とは異なる基板の前記半導体層および前記配線層に、前記光電変換部で生成された信号を処理する信号処理部が形成されている固体撮像装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置を有し、
前記エッジ基板とは異なる基板の前記半導体層に、光を信号に変換する光電変換部が形成され、
前記エッジ基板の前記半導体層および前記配線層に、前記光電変換部で生成された信号を処理する信号処理部が形成されている固体撮像装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の固体撮像装置を有する撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、半導体層と、信号を伝送する配線が形成され、前記半導体層と重なる配線層と、を有する複数の基板であって、それぞれの基板が主面を横切る方向に離れて重なり、前記複数の基板の両端のいずれかに位置する基板であるエッジ基板の前記半導体層と、前記エッジ基板に隣接する基板との間に前記エッジ基板の前記配線層が配置される前記複数の基板と、前記複数の基板の隣接する２枚の基板を電気的に接続する接続部と、前記複数の基板の隣接する２枚の基板の間に配置され、前記接続部の表面の少なくとも一部を覆い、前記半導体層および前記配線層よりも弾性率の低い樹脂からなる樹脂層と、前記エッジ基板の前記半導体層に形成され、前記エッジ基板の前記配線層を露出させる第１の開口部であって、前記エッジ基板の主面に正対する方向に見た形状が五角形以上の多角形または円である前記第１の開口部と、を有する半導体装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月23日(2017.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
開口を有する第１絶縁膜の上と、前記開口とに、銅を材料とする導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を研磨して、前記導電膜のうち前記第１絶縁膜の上にある部分を除去することによって、前記導電膜から配線パターンを形成する工程と、
不活性ガスの雰囲気で前記配線パターンに対して熱処理を行う熱処理工程と、
前記熱処理工程の後に、前記配線パターンに対して還元ガスを用いてプラズマ処理を行う工程とを有し、
前記プラズマ処理における温度は、前記熱処理における温度以下であることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記導電膜は、めっき法で形成されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記導電膜の研磨はＣＭＰで行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記配線パターンの上面を覆う第２絶縁膜を形成する工程を更に有し、
前記第２絶縁膜を形成する際の温度は、前記熱処理における温度以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第２絶縁膜は、ＳｉＮと、ＳｉＣと、ＳｉＯＮとのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記第２絶縁膜は、２以上のチャンバーで複数回に分けて形成されることを特徴とする請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記半導体装置は光電変換素子を有する固体撮像装置であり、
前記製造方法は、前記第２絶縁膜のうち前記光電変換素子の上にある部分を除去する工程を更に有することを特徴とする請求項４乃至６の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記還元ガスは、Ｈ2とＮＨ3とのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記不活性ガスは、Ｎ2又はＡｒであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記配線パターンの厚さは３０００Å以下であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の一部の側面は、半導体装置の製造方法であって、開口を有する第１絶縁膜の上と、前記開口とに、銅を材料とする導電膜を形成する工程と、前記導電膜を研磨して、前記導電膜のうち前記第１絶縁膜の上にある部分を除去することによって、前記導電膜から配線パターンを形成する工程と、不活性ガスの雰囲気で前記配線パターンに対して熱処理を行う熱処理工程と、前記熱処理工程の後に、前記配線パターンに対して還元ガスを用いてプラズマ処理を行う工程とを有し、前記プラズマ処理における温度は、前記熱処理における温度以下であることを特徴とする製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月23日(2017.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、キャリアを低次元化した他の例として、シリコンゲルマニウム金（ＳｉＧｅＡｕ）の薄膜をアニールして薄膜内にＳｉＧｅのナノ粒子を形成することにより、バルクのＳｉＧｅと比較して熱電特性を向上させることが報告されている（H.Takiguchi et al., JJAP 50 (2011) 041301（非特許文献４））。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（３）上記（２）に係る熱電材料において好ましくは、量子ドットの粒間隔は３ｎｍ以下である。これによれば、熱電材料は、母材中に５ｎｍ以下の粒径を有する量子ドットが３ｎｍ以下の粒間隔で分散配置された量子網の構造を有している。当該構造において、量子ドットの粒間隔はキャリア輸送方向における量子ドット間の距離に相当する。量子ドットの粒間隔を３ｎｍ以下とすることにより、隣接する２つの量子ドットの間で波動関数同士を結合できるため、量子効果が有効となり、良好な熱電特性が実現される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（１８）上記（１７）に係る製造方法において好ましくは、基板体の最上部は、Ｓｉ、半導体、ガラス、セラミックス、または有機物によって形成されている。これによれば、基板体の最上層に異種元素が拡散するため、特定部分に異種元素が集中して析出することがなく、リークパスの形成を防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図８を参照して、熱電材料１０は、複数の線材５を長手方向（ｘ方向）に垂直な方向（ｚ方向およびｙ方向）に並べて配置して形成される。複数の線材５の各々は、図２に示した量子細線構造を有している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
図１９を参照して、試料Ｓ１は図１６および図１７に示した試料Ｓ１に対応し、試料Ｓ５は図１６および図１８に示した試料Ｓ２に対応する。残りの試料Ｓ２〜Ｓ４は、図１６に示した試料Ｓ１，Ｓ２に比較して熱電特性が劣るものである。バルク構造と同等の熱電特性を示す試料Ｓ１は結晶化率が４１％であるのに対し、良好な熱電特性を示す試料Ｓ５は結晶化率が４９％となっている。この評価結果によれば、良好な熱電特性を実現するためには、結晶化率が４５％以上である必要があると考えられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
（試料Ｓ６の熱電特性についての考察）
試料Ｓ６について、図２３に示すように、温度差が１Ｋ以下である場合と、温度差が１Ｋより大きい場合とで、熱電特性に差が生じている理由について考察する。試料Ｓ６においては、図２２（ａ）に示すように、Ａｕがサファイア基板との境界部分に集中して析出する。かかるＡｕの析出部分が、電極部とキャリアとを介し電気的に導通し得る状態になると、リークパスを構成することになり、熱電特性を低下させることになると考えられる。具体的には、図２５（ａ）、（ｂ）に示すモデルが考えられる。図２５（ａ）は、電極２３，２４の間に生じさせる温度差が小さい場合、具体的には温度差が１Ｋ以下である場合のモデルを示す。この場合、キャリア２１の偏りが小さく、Ａｕの析出部分２２がリークパスを構成しないと考えられる。図２５（ｂ）は、電極２３，２４間に生じさせる温度差が大きい場合、具体的には温度差が１Ｋを超える場合のモデルを示す。この場合、キャリア２１の偏りが大きく、Ａｕの析出部分２２がリークパスを構成し得ると考えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
［実施例１］
第３の実施形態に係る製造方法によりナノ粒子を形成した。具体的には、サファイア基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる厚さ３０ｎｍの最上層を形成した。その上に積層工程において、ａ−Ｇｅ層／Ａｕ層／ａ−Ｇｅ層からなる第１層を、各層の厚みが１．１ｎｍ／０．２ｎｍ／１．１ｎｍであり合計２．４ｎｍとなるように堆積し、その後Ｓｉを堆積させてａ−Ｓｉ層からなる第２層を、厚みが１．０ｎｍとなるように堆積した。そして、第１層および第２層を積層する工程を４０回繰り返して行なった。なお、第１層中のＡｕの原子濃度は４．７原子％とした。その後、積層体を窒素雰囲気のＲＴＡ炉で５００℃の環境下に１５分間放置してアニール処理を施しアニール工程を行なった。なお、ナノ粒子の所望の粒径Ｘｄを５ｎｍ、ナノ粒子の所望の粒間隔Ｇｄを３ｎｍとしたので、本実施例における第１層の厚さＴ１の２．４ｎｍは、式（６）を満たすように決定されており、第２層の厚さＴ２の１．０ｎｍは、式（７）を満たすように決定されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
ｐ型熱電変換部１３０において、ｐ型熱電材料８６上の両側にはｐ型オーミックコンタクト層８８が形成される。ｐ型オーミックコンタクト層８８にはＢがドープされたＳｉが用いられる。ｐ型オーミックコンタクト層８８間のｐ型熱電材料８６上には保護膜９１が形成される。ｎ型熱電変換部１４０においては、ｐ型熱電材料８６および絶縁体層８５が除去され、ｎ型熱電材料８４上の両側にｎ型オーミックコンタクト層８７が形成される。ｎ型オーミックコンタクト層８７間のｎ型熱電材料８３上にはＳｉＯ２からなる保護膜９１が形成される。ｎ型オーミックコンタクト層８７およびｎ＋型オーミックコンタクト層８４にはＰがドープされたＳｉが用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月13日(2016.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面および前記第１主面の裏側である第２主面を有し、前記第１主面および前記第２主面に交差する方向を厚さの方向とする水晶基板を備え、
前記水晶基板は、
平面視で前記水晶基板の一端部側であって、少なくとも前記第１主面側に配置されているマウント電極を含む第１領域と、
平面視で前記水晶基板の中央部であって、少なくとも前記第１主面側に配置されている励振電極を含む第２領域と、
を含み、
前記第１領域は、
前記第１主面が前記第２領域と面一である第１厚肉部と、
前記第１厚肉部よりも厚さが薄く、前記第１厚肉部との間に第１段差部を介して接続している第１肉薄部と、
を有することを特徴とする振動片。
【請求項２】
請求項１に記載の振動片において、
平面視で前記第１領域と前記第２領域の間に、少なくとも前記第１主面側に配置されている引出電極を含む第３領域を含むことを特徴とする振動片。
【請求項３】
請求項２に記載の振動片において、
前記第３領域は、
前記第１主面が前記第２領域と面一である第２厚肉部と、
前記第２厚肉部よりも厚さが薄く、前記第２厚肉部との間に第２段差部を介して接続している第２肉薄部と、
を有することを特徴とする振動片。
【請求項４】
請求項３に記載の振動片において、
前記第１薄肉部、前記第１段差部、前記第２薄肉部、および前記第２段差部を含む領域が固定部であることを特徴とする振動片。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片が収容されている容器と、
を備えていることを特徴とする振動子。
【請求項６】
請求項４に記載の振動片と、
前記振動片が収容されている容器と、を備え、
前記容器は、内部に接続端子を有し、
前記振動片の前記固定部が前記接続端子に接着剤で固定されていることを特徴とする振動子。
【請求項７】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片を駆動する回路と、
を備えていることを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動片を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動片を備えていることを特徴とする移動体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】振動片、振動子、発振器、電子機器及び移動体
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月8日(2017.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記チャネル領域には、該チャネル領域を前記上部電極と電気的に接続させる第２導電型のボディ領域（５ｃ）が形成され、
前記ボディ領域の不純物濃度が６×１０15ｃｍ-3以上とされており、
前記ドリフト層、前記コレクタ領域、前記チャネル領域および前記エミッタ領域のトータルの厚みを半導体基板の板厚Ｔ１、前記ＩＧＢＴ部と前記ダイオード部との境界位置からの前記ＩＧＢＴ部側への前記ホール注入低減層のはみ出し量をＬとして、前記板厚Ｔ１に対する前記はみ出し量Ｌの比Ｌ／Ｔ１が１．１倍以上であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記チャネル領域には、該チャネル領域を前記上部電極と電気的に接続させる第２導電型のボディ領域（５ｃ）が形成され、
前記ボディ領域の不純物濃度が６×１０15ｃｍ-3以下とされており、
前記ドリフト層、前記コレクタ領域、前記チャネル領域および前記エミッタ領域のトータルの厚みを半導体基板の板厚Ｔ１、前記ＩＧＢＴ部と前記ダイオード部との境界位置からの前記ＩＧＢＴ部側への前記ホール注入低減層のはみ出し量をＬとし、前記ボディ領域の不純物濃度をｘ［１×１０15ｃｍ-3］として、前記板厚Ｔ１に対する前記はみ出し量Ｌの比Ｌ／Ｔ１≧０．１ｘ＋０．５以上であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記チャネル領域には、該チャネル領域を前記上部電極と電気的に接続させる第２導電型のボディ領域（５ｃ）が形成され、
前記ボディ領域の不純物濃度が３×１０15ｃｍ-3以上とされており、
前記ドリフト層、前記コレクタ領域、前記チャネル領域および前記エミッタ領域のトータルの厚みを半導体基板の板厚Ｔ１、前記ＩＧＢＴ部と前記ダイオード部との境界位置からの前記ＩＧＢＴ部側への前記ホール注入低減層のはみ出し量をＬとして、前記板厚Ｔ１に対する前記はみ出し量Ｌの比Ｌ／Ｔ１が０．８倍以上であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
このように、ホールストッパ層３０を備えた構造とすることもできる。その場合、ＩＧＢＴ部１００のうちホール注入低減層２０が備えられているダイオード部２００の近傍の位置においては、図１２に示すように、ホールストッパ層３０を形成していなくても構わない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図１３に示すように、  本実施形態も、第１実施形態と同様、ＩＧＢＴ部１００において、各トレンチゲート構造の間のｐ型領域５の表層部にボディｐ型領域５ｃおよびエミッタ領域７が形成され、すべてがＩＧＢＴ動作部とされている。このような構造において、ＩＧＢＴ部１００のうちダイオード部２００の近傍に位置する部分にもホール注入低減層２０を備えた構造としている。つまり、ホール注入低減層２０をＩＧＢＴ部１００にはみ出すように形成している。具体的には、ボディｐ型領域５ｃの不純物濃度（ピーク値）が６×１０15ｃｍ-3以上とされている構造において、ＩＧＢＴ部１００のうち、ダイオード部２００との境界位置から半導体基板の板厚の１．１倍以上の距離の位置までホール注入低減層２０を備えている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
これは、ボディｐ型領域５ｃの不純物濃度が薄いときにはホールの拡散が小さくなるが、ある程度濃くなると半導体基板の板厚Ｔ１に依存してボディｐ型領域５ｃの不純物濃度に依らなくなるためである。図１６に示すように、ボディｐ型領域５ｃの不純物濃度が３×１０15ｃｍ-3の際には、半導体基板の板厚Ｔ１の変化に伴ってホール拡散長が大きくなっているものの、板厚Ｔ１に対してホール拡散長が大きくなる割合は、正比例の関係から若干ずれる。これに対して、ボディｐ型領域５ｃの不純物濃度が１×１０16ｃｍ-3や３×１０16ｃｍ-3の際には、板厚Ｔ１に対してホール拡散長が大きくなる割合が正比例の関係となる。そして、いずれの濃度の場合でも、同じ近似直線（板厚をｘ、ホール拡散長をｙとした場合にｙ＝１．１２３８ｘ−１．４２８６の直線）で示される線形の関係となっている。これは、ボディｐ型領域５ｃの不純物濃度が濃くなると、ホールの拡散が飽和するためである。このため、ホール拡散長が板厚Ｔ１に依存することになる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
よって、本実施形態では、ボディｐ型領域５ｃの不純物濃度が６×１０15ｃｍ-3以上とされている構造において、はみ出し量Ｌ１と半導体基板の板厚Ｔ１との比Ｌ１／Ｔ１が１．１倍以上となる関係を満たすようにホール注入低減層２０のはみ出し量Ｌを設定している。つまり、少なくともホールのＩＧＢＴ部１００側へのはみ出し量Ｌ１の長さとなるように、ホール注入低減層２０のはみ出し量Ｌを設定している。これにより、ＩＧＢＴ部１００から注入されるホールがＡＣ損失に影響を与えることを抑制することが可能となり、よりＡＣ損失の低減を図ることが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、ここでは、ボディｐ型領域５ｃの不純物濃度が６×１０15ｃｍ-3以上とされている構造において、ホール注入低減層２０のはみ出し量Ｌと板厚Ｔ１の比が１．１倍以上となるようにした。これに対して、ボディｐ型領域５ｃの不純物濃度が６×１０15ｃｍ-3以下とされる構造において、図１５におけるボディｐ型領域５ｃの不純物濃度の変化に対する比Ｌ／Ｔ１の関係を表す直線に基づいて、ホール注入低減層２０のはみ出し量Ｌを設定しても良い。具体的には、図１５において、ボディｐ型領域５ｃの不純物濃度をｘ［１×１０15ｃｍ-3］、はみ出し量Ｌ１と板厚Ｔ１との比Ｌ１／Ｔ１をｙとすると、ｙ＝０．１ｘ＋０．５の直線を示す関数式となる。したがって、ホール注入低減層２０のはみ出し量Ｌと板厚Ｔ１との比Ｌ／Ｔ１がこの関数式に示されるｙ（＝Ｌ１／Ｔ１）以上となるように、Ｌ／Ｔ１≧ｙ＝０．１ｘ＋０．５を満たすようにホール注入低減層２０のはみ出し量Ｌを設定すれば良い。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2015135954.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月25日(2017.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学部材を光路から退避可能な光学装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えばデジタルカメラやデジタルビデオカメラ等の撮像装置や、デジタル一眼レフ用の交換レンズ、双眼鏡、望遠鏡及びフィールドスコープ等の観察装置等を含む光学装置に関し、特に光学部材を光路から退避可能な光学装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の光学装置は、光学部材と、前記光学部材を保持し、前記光学部材が光路内に進入する進入位置と前記光学部材が前記光路内から退避する退避位置との間を前記光学部材が移動することができるように、第２の部材に取り付けられた第１の部材に支持されている保持部材と、前記保持部材と係合し、前記保持部材を前記光学部材の前記進入位置と前記退避位置との間で駆動する駆動部材と、前記第２の部材に対する前記第１の部材の移動量を規制する規制部材とを有し、前記規制部材は、前記光学部材が前記進入位置にあるときの前記保持部材と前記駆動部材との係合位置から前記規制部材までの距離が前記光学部材が前記退避位置にあるときの前記保持部材と前記駆動部材との係合位置から前記規制部材までの距離より長くなるように、配置され、前記保持部材が被写体に向かって移動するときに、前記規制部材は、前記駆動部材の退避当接ピンが前記光学部材の光軸方向に前記保持部材の干渉回避空間から離脱する前に前記光学部材の光軸方向に前記第１の部材の位置規制壁と接触することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学部材と、
前記光学部材を保持し、前記光学部材が光路内に進入する進入位置と前記光学部材が前記光路内から退避する退避位置との間を前記光学部材が移動することができるように、第２の部材に取り付けられた第１の部材に支持されている保持部材と、
前記保持部材と係合し、前記保持部材を前記光学部材の前記進入位置と前記退避位置との間で駆動する駆動部材と、
前記第２の部材に対する前記第１の部材の移動量を規制する規制部材とを有し、
前記規制部材は、前記光学部材が前記進入位置にあるときの前記保持部材と前記駆動部材との係合位置から前記規制部材までの距離が前記光学部材が前記退避位置にあるときの前記保持部材と前記駆動部材との係合位置から前記規制部材までの距離より長くなるように、配置され、
前記保持部材が被写体に向かって移動するときに、前記規制部材は、前記駆動部材の退避当接ピンが前記光学部材の光軸方向に前記保持部材の干渉回避空間から離脱する前に前記光学部材の光軸方向に前記第１の部材の位置規制壁と接触することを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記駆動部材は、前記第２の部材に移動可能に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記第１の部材は、前記光学部材の光軸方向と交差する方向に移動することができるように、前記第２の部材に取り付けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記規制部材は、前記第１の部材が前記光学部材の光軸方向に移動するときに、前記第１の部材の移動量を規制することを特徴とする請求項３に記載の光学装置。
【請求項５】
前記規制部材は、前記第２の部材から前記第１の部材に向けて突出して形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光学装置。
【請求項６】
前記第１の部材には穴部が形成され、前記規制部材は、前記第２の部材に取り付けられると共に前記穴部に挿入されることを特徴とする請求項４又は５に記載の光学装置。
【請求項７】
光学部材と、
前記光学部材を保持し、前記光学部材が光路内に進入する進入位置と前記光学部材が前記光路内から退避する退避位置との間を前記光学部材が移動することができるように、第２の部材に取り付けられた第１の部材に支持されている保持部材と、
前記保持部材と係合し、前記保持部材を前記光学部材の前記進入位置と前記退避位置との間で駆動する駆動部材と、
前記第２の部材に対する前記第１の部材の移動量を規制する規制部材とを有し、
前記規制部材は、前記退避位置での前記光学部材と前記保持部材の回転中心の間に配置され、
前記保持部材が被写体に向かって移動するときに、前記規制部材は、前記駆動部材の退避当接ピンが前記光学部材の光軸方向に前記保持部材の干渉回避空間から離脱する前に前記光学部材の光軸方向に前記第１の部材の位置規制壁と接触することを特徴とする光学装置。
【請求項８】
前記駆動部材は、前記第２の部材に移動可能に取り付けられることを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
【請求項９】
前記第１の部材は、前記光学部材の光軸方向と交差する方向に移動することができるように、前記第２の部材に取り付けられていることを特徴とする請求項７又は８に記載の光学装置。
【請求項１０】
前記規制部材は、前記第１の部材が前記光学部材の光軸方向に移動するときに、前記第１の部材の移動量を規制することを特徴とする請求項９に記載の光学装置。
【請求項１１】
前記規制部材は、前記第２の部材から前記第１の部材に向けて突出して形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の光学装置。
【請求項１２】
前記第１の部材には穴部が形成され、前記規制部材は、前記第２の部材に取り付けられると共に前記穴部に挿入されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の光学装置。