Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月24日(2017.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上の画像処理装置を検索する検索手段と、
ブラウザに表示されているＷｅｂページをレンダリングして、前記検索手段により検索された前記画像処理装置に画像を送信するためのスクリプトを生成する生成手段と、
前記スクリプトを情報処理装置に送信する送信手段と、を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記情報処理装置からの、前記送信されたスクリプトによる印刷設定に基づく印刷ジョブの生成要求に応じて前記印刷ジョブを生成するジョブ生成手段と、
前記生成した印刷ジョブに基づいて前記情報処理装置にて生成された前記Ｗｅｂページの画像を受信して印刷を実行する実行手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記送信されたスクリプトによる印刷設定に基づく印刷ジョブの生成要求が、前記情報処理装置から前記検索手段により検索された画像処理装置に通知され、かつ当該画像処理装置と前記情報処理装置とが通信不可である場合、前記印刷ジョブの生成要求と当該画像処理装置への宛先情報とを前記情報処理装置から受信する受信手段
をさらに備え、
前記送信手段は、前記受信した宛先情報に基づいて当該画像処理装置に前記印刷ジョブの生成要求を送信する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記送信手段は、前記送信された前記印刷ジョブの生成要求に応じて生成された印刷ジョブに対応する画像を前記情報処理装置から受けて前記画像処理装置に送信する
ことを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記受信手段は、前記情報処理装置にて生成された前記Ｗｅｂページの画像と、前記宛先情報とを前記情報処理装置から受信し、前記送信手段は、前記受信した宛先情報が示す画像処理装置に前記画像を送信する
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
ネットワーク上の画像処理装置を検索する検索工程と、
ブラウザに表示されているＷｅｂページをレンダリングして、前記検索工程により検索された前記画像処理装置に画像を送信するためのスクリプトを生成する生成工程と、
前記スクリプトを情報処理装置に送信する送信工程と、を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月15日(2017.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮蔽物の裏側から表側に伝播波を送り出すことで移動体を検知する移動体検知装置であ
って、
移動体の存在を検知しようとする検知領域に伝播波を送信する伝播波送信部と、
移動体によって反射された伝播波を受信する伝播波受信部と、
前記伝播波送信部によって送信された伝播波と、前記伝播波受信部によって受信された伝播波とに基づいてドップラー信号を生成するドップラー信号生成部と、
前記ドップラー信号生成部で生成されたドップラー信号の振幅値を算出し、所定の期間における離散的な前記ドップラー信号の振幅値を集計するドップラー信号処理部と、を備えており、
前記ドップラー信号処理部は、所定の期間における離散的な前記ドップラー信号の振幅値のうちある時刻におけるドップラー信号の振幅値がノイズであるか判定し、ノイズと判定されたドップラー信号の振幅値を排除することを特徴とする移動体検知装置。
【請求項２】
前記ドップラー信号処理部は、集計された前記振幅値のうち大きい順に振幅値を所定の割合排除し、残された振幅値のうち最も大きい振幅値を出力することを特徴とする請求項１に記載の移動体検知装置。
【請求項３】
遮蔽物の裏側から表側に伝播波を送り出すことで移動体を検知する移動体検知装置であ
って、
移動体の存在を検知しようとする検知領域に伝播波を送信する伝播波送信部と、
移動体によって反射された伝播波を受信する伝播波受信部と、
前記伝播波送信部によって送信された伝播波と、前記伝播波受信部によって受信された伝播波とに基づいてドップラー信号を生成するドップラー信号生成部と、
前記ドップラー信号の信号値を算出し、所定の期間における離散的な前記信号値を集計するドップラー信号処理部と、を備えており、
前記ドップラー信号処理部は、集計された前記信号値のうち少なくとも一部の信号値に基づいて決定される基準値に対して、ある時刻の信号値が所定の範囲外である場合、前記ある時刻の信号値を補正することを特徴とする移動体検知装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月16日(2017.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テストプローブガイド／絶縁体上部と、
熱伝導性および電気的絶縁性の材料からなる概ね矩形状のリングを含み、前記リングの上部を介して前記テストプローブガイド／絶縁体上部を受け取り、かつ前記リングの下部を介して前記テストプローブガイド／絶縁体上部を受け取るように適合された熱導体であって、前記テストプローブガイド／絶縁体が前記熱導体の上面に取り付けられる、前記熱導体と、
テストプローブと、
前記熱導体の底面に取り付けられたテストプローブガイド／絶縁体底部であって、前記テストプローブガイド／絶縁体底部は、前記熱導体が通過し、かつパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）集積回路（ＩＣ）の底部チップに接触することを可能する、前記テストプローブガイド／絶縁体底部と、
熱制御ユニットから前記熱導体に熱を伝え、これによって前記ＰｏＰ  ＩＣの上部チップに熱を伝えるプランジャであって、前記上部チップおよび前記底部チップが前記熱導体との熱的な接触により効率的かつ直接的に加熱される、前記プランジャと、
を含むサーマルインタポーザ。
【請求項２】
前記テストプローブガイド／絶縁体底部が、
概ね矩形状のリングと、
前記リングの隅部に配置される開口と、
前記開口を介して位置決めされるアライメントピンとを含む、請求項１に記載のサーマルインタポーザ。
【請求項３】
熱伝導性の材料が、アルミニウム、銅、窒化アルミニウムから成るグループから選択される、請求項１の記載のサーマルインタポーザ。
【請求項４】
電気的に絶縁性の材料が、アモルファスの熱可逆性ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂、セラミック充填ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）化合物、セラミック、および工業用プラスチックから成るグループから選択される、請求項１に記載のサーマルインタポーザ。
【請求項５】
温度制御のために液体または流体の使用を必要としないパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）集積回路（ＩＣ）のバーンインテストのためのシステムであって、前記ＰｏＰ  ＩＣは、底部の論理パッケージと当該論理パッケージ上にスタックされた上部のメモリパッケージを有する、前記システムであって、
熱制御ユニット（ＴＣＵ）と、
前記ＴＣＵに接続されるプランジャと、
前記プランジャから前記論理パッケージに熱を伝え、かつ前記底部の論理パッケージと前記上部のメモリパッケージとの間の電気的接続を伝えるサーマルインタポーザを含み、
前記サーマルインタポーザは、
テストプローブ絶縁体上部と、
熱伝導性および電気的絶縁性の材料から成る概ね矩形状のリングを含む熱導体であって、前記熱導体は、前記上部のメモリパッケージと直接的に接触する上面と前記底部の論理パッケージと直接的に接触する底面とを有し、前記熱導体は前記プランジャを介して前記ＴＣＵによって加熱される、前記熱導体と、
前記熱導体が前記底部の論理パッケージの底部と接触することを可能にするテストプローブ絶縁体底部とを含み、
前記テストプローブ絶縁体上部および前記テストプローブ絶縁体底部が前記熱導体に固定される、システム。
【請求項６】
前記ＴＣＵ、前記プランジャおよび前記サーマルインタポーザは、テスト中に、前記論理パッケージおよびメモリパッケージの概ね均一な温度を保つ、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記概ね均一の温度は、−５５℃と＋１５０℃との間である、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ＴＣＵは、前記プランジャ、前記サーマルインタポーザおよび前記ＰｏＰ  ＩＣを一緒に取り付けるために力を加える、請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
前記ＴＣＵ、前記プランジャおよび前記サーマルインタポーザは、流体の経路なしに効率的な熱伝導をする固体であり、前記プランジャは、前記ＴＣＵから前記上面に力を加える、請求項５に記載のシステム。
【請求項１０】
前記底部の論理パッケージおよび前記上部のメモリパッケージは、それぞれメモリチップおよび論理チップである、請求項５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月26日(2017.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定光を被測定対象に照射する光源部と、
前記被測定対象からの測定対象光を分光する分光素子と、
前記分光素子により分光された分光光を受光する受光部と、
前記分光光に基づいて前記被測定対象における分析対象成分の成分含有率を分析する分析部と、
を含み、
前記測定光の波長域は、第１波長域と、第２波長域と、を含み、
前記分析部は、前記第１波長域の前記分光光の光量、前記第２波長域の前記分光光の光量、及び相関データに基づいて前記成分含有率を分析し、
前記相関データは、前記第１波長域における前記分析対象成分の第１特徴量と、前記第１特徴量に対する前記成分含有率との関係を表す第１データ、及び前記第２波長域における前記分析対象成分の第２特徴量と、前記第２特徴量に対する前記成分含有率との関係を表す第２データと、を含むことを特徴とする成分分析装置。
【請求項２】
前記測定光の波長域は、さらに第３波長域を含み、
前記第１波長域は８００ｎｍから１１００ｎｍ、前記第２波長域は１１００ｎｍから１８００ｎｍ、前記第３波長域は１８００ｎｍから２５００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の成分分析装置。
【請求項３】
前記第１波長域の前記測定光が到達する前記被測定対象の領域を第１領域とし、前記第２波長域の前記測定光が到達する前記被測定対象の領域を第２領域としたとき、
前記第１階層の成分含有率及び前記第２階層の成分含有率は、前記第１波長域において算出される前記成分含有率、前記第２波長域において算出される前記成分含有率、
前記第１領域の第１定数、及び前記第２領域の第２定数に基づいて算出されることを特徴とする請求項１または２に記載の成分分析装置。
【請求項４】
前記被測定対象の前記成分含有率は、前記第１領域の成分含有率及び前記第２領域の成分含有率に基づくことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成分分析装置。
【請求項５】
前記受光部は、前記第１波長域の前記分光光を受光する第１受光素子と、前記第２波長域の前記分光光を受光する第２受光素子と、を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の成分分析装置。
【請求項６】
前記光源部は、前記第１波長域の前記測定光に対応した第１光源と、前記第２波長域の前記測定光に対応した第２光源と、を含むことを特徴とする成分分析装置。
【請求項７】
光源部から被測定対象に測定光を照射するステップと、
前記被測定対象からの測定対象光を分光した分光光を受光するステップと、
前記分光光に基づいて、前記被測定対象における分析対象成分の成分含有率を分析するステップと、
を含み、
前記測定光の波長域は、第１波長域と、第２波長域と、を含み、
前記分光光に基づいて、前記被測定対象における分析対象成分の成分含有率を分析するステップは、前記第１波長域の前記分光光の光量、前記第２波長域の前記分光光の光量、及び相関データに基づいて前記成分含有率を分析し、
前記相関データは、前記第１波長域における前記分析対象成分の第１特徴量と、前記第１特徴量に対する前記成分含有率との関係を表す第１データ、及び前記第２波長域における前記分析対象成分の第２特徴量と、前記第２特徴量に対する前記成分含有率との関係を表す第２データと、を含むことを特徴とする成分分析方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様の成分分析装置は、測定光を被測定対象に照射する光源部と、前記被測定対象からの測定対象光を分光する分光素子と、前記分光素子により分光された分光光を受光する受光部と、前記分光光に基づいて前記被測定対象における分析対象成分の成分含有率を分析する分析部と、を含み、前記測定光の波長域は、第１波長域と、第２波長域と、を含み、前記分析部は、前記第１波長域の前記分光光の光量、前記第２波長域の前記分光光の光量、及び相関データに基づいて前記成分含有率を分析し、前記相関データは、前記第１波長域における前記分析対象成分の第１特徴量と、前記第１特徴量に対する前記成分含有率との関係を表す第１データ、及び前記第２波長域における前記分析対象成分の第２特徴量と、前記第２特徴量に対する前記成分含有率との関係を表す第２データと、を含むことを特徴とする。
上記の本発明に係る本発明の成分分析装置は、近赤外波長域における複数の波長域を含む光を被測定対象に照射する光源部と、前記被測定対象で反射された光から所定波長の光を分光し、かつ、前記所定波長を変更可能な波長可変型の分光フィルターと、前記分光フィルターから出射された光を受光する受光部と、所定の分析対象成分に対する吸光スペクトルから抽出された特徴量と、当該特徴量に対する成分含有率との関係が、前記複数の波長域毎に記録された相関データを記録する記憶部と、前記受光部で受光された前記波長域毎の光の光量、及び前記相関データに基づいて、前記被測定対象における前記分析対象成分の成分含有率を分析する分析部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月30日(2016.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検体を収容する検体容器を収納する検体収納部機構と、
反応セルを収納する反応ディスクと、
試薬を収容する試薬容器を収納する試薬ディスク機構と、
前記検体収納部機構の検体容器に収容された検体を吸引して前記反応ディスクの反応セ
ルに所定量供給する検体用分注ノズルを備えた検体供給用分注機構と、
該検体供給用分注機構の検体用分注ノズルを洗浄する検体用分注ノズル洗浄部と、
前記試薬ディスク機構の試薬容器に収容された試薬を吸引して前記反応ディスクの反応
セルに所定量供給する試薬用分注ノズルを備えた試薬供給用分注機構と、
全体を制御するマイクロコンピュータと、
該マイクロコンピュータに分析に関する情報を入力する操作パネルと
を備えた分析装置であって、
前記マイクロコンピュータは前記操作パネルから入力された情報に基づいて、前記検体
収納部機構の検体容器に収容された検体を吸引して前記反応ディスクの反応セルに所定量
供給した後の前記検体用分注ノズルを前記検体用分注ノズル洗浄部に移動させて物理洗浄
した後に純水洗浄するか、または前記物理洗浄を行わずに洗浄液に所定の時間浸漬させた
後に純水洗浄するかを選択して制御することを特徴とする分析装置。
【請求項２】
前記検体用分注ノズル洗浄部は物理洗浄槽と純水洗浄槽とを有し、
前記マイクロコンピュータは前記操作パネルから入力された情報に基づいて、前記検体
用分注ノズルを前記物理洗浄槽で洗浄液に浸漬させた状態で前記物理洗浄した後に前記純水洗浄槽で純水洗浄するか、または前記物理洗浄槽で前記物理洗浄を行わずに洗浄液に所定の時間浸漬させた後に純水洗浄するかを選択して制御することを特徴とする請求項１に記載の分析装置。
【請求項３】
前記物理洗浄槽で行う前記物理洗浄が、超音波洗浄、電解洗浄、高圧水洗浄、マイクロバブル洗浄、拭取り洗浄のいずれか少なくとも一つである事を特徴とする請求項２に記載の分析装置。
【請求項４】
前記物理洗浄槽は洗浄液を収容する洗浄液槽を有し、該洗浄液槽に収容する洗浄液がア
ルカリ系溶剤であることを特徴とする請求項２に記載の分析装置。
【請求項５】
前記物理洗浄を行う前記物理洗浄槽の洗浄液を収容する前記洗浄液槽の上側に覆いを有し、該覆いに前記検体用分注ノズルの外径よりも大きい径を有する検体用分注ノズル侵入口を設けることを特徴とする請求項４に記載の分析装置。
【請求項６】
検体収納部機構に収納された検体容器内に収容された検体を検体供給用分注機構の検体
用分注ノズルで吸引し、
該検体用分注ノズルで吸引した検体を反応ディスクに収納された反応セルに供給し、
前記吸引した検体を前記反応セルに供給した前記検体用分注ノズルを洗浄し、
試薬ディスク機構の試薬容器に収容された試薬を試薬供給用分注機構の試薬用分注ノズ
ル吸引し、
該試薬用分注ノズル吸引した試薬を前記反応ディスクの前記反応セルに供給し、
前記検体と前記試薬とが供給された前記反応セルに光を照射して前記反応セルを透過し
た光を検出して得た信号に基づいて前記検体を分析する
分析方法であって、
前記検体用分注ノズルを洗浄する工程において、前記検体用分注ノズルを物理洗浄した
後に純水洗浄を行うか、又は前記検体用分注ノズルを洗浄液に所定の時間浸漬させた後に
純水洗浄を行うかを外部から入力された情報に基づいて選択して実行することを特徴とす
る分析方法。
【請求項７】
前記検体用分注ノズルを物理洗浄した後に純水洗浄を行うことを選択した場合には、前
記検体用分注ノズルを物理洗浄槽で洗浄液に浸漬させた状態で物理洗浄した後に前記検体
用分注ノズルを純水洗浄槽で純水洗浄し、前記検体用分注ノズルを洗浄液に所定の時間浸
漬させた後に純水洗浄を行うことを選択した場合には、前記物理洗浄槽で物理洗浄を行わ
ずに洗浄液に所定の時間浸漬させた後に純水洗浄することを特徴とする請求項６記載の分
析方法。
【請求項８】
前記物理洗浄が、超音波洗浄、電解洗浄、高圧水洗浄、マイクロバブル洗浄、拭取り洗
浄のいずれか少なくとも一つである事を特徴とする請求項６又は７に記載の分析方法。
【請求項９】
前記物理洗浄を、アルカリ系溶剤の洗浄液中で行うことを特徴とする請求項６又は７に
記載の分析方法。
【請求項１０】
前記物理洗浄を、前記検体用分注ノズルの外径よりも大きい径を有する検体用分注ノズ
ル侵入口を設けた蓋で覆われた前記物理洗浄槽内で行うことを特徴とする請求項７に記載の分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子が実装される実装基板であって、
前記素子の実装領域に形成されているインナーリードと、
前記インナーリードと異なる位置に形成されているダミーリードと、を備え、
前記インナーリード上と前記ダミーリード上とには同じめっきが形成されており、
蛍光Ｘ線により前記めっきの厚みを測定する際の、前記蛍光Ｘ線により測定可能な前記インナーリードの総面積は前記蛍光Ｘ線の有効測定面積よりも小さく、
前記蛍光Ｘ線により測定可能な前記ダミーリードの総面積は前記有効測定面積よりも大きいことを特徴とする実装基板。
【請求項２】
請求項１に記載の実装基板であって、
前記ダミーリードの形状は、前記インナーリードの形状と相似形であることを特徴とする実装基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の実装基板であって、
前記ダミーリードは、前記インナーリードの近傍に形成されていることを特徴とする実装基板。
【請求項４】
請求項３に記載の実装基板であって、
前記ダミーリードは、前記素子の実装領域に形成されていることを特徴とする実装基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の実装基板であって、
前記ダミーリードは、前記インナーリードと同じ材料で形成されていることを特徴とする実装基板。
【請求項６】
請求項５に記載の実装基板であって、
前記めっきは電解めっきであり、前記ダミーリードは前記電解めっきの給電線に付帯して形成されていることを特徴とする実装基板。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の実装基板であって、
前記めっきは無電解めっきであることを特徴とする実装基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の実装基板であって、
前記基板がフレキシブルタイプであることを特徴とする実装基板。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の実装基板であって、
前記基板がリジッドタイプであることを特徴とする実装基板。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月23日(2017.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内部の処理室内に配置された試料台上面に載置された被処理体を当該処理室内
に電界を供給して生成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料台が配置される絶縁板と、
前記試料台の金属製の基材に形成された穴内部に前記絶縁板に形成された貫通孔を介し
て挿入され当該試料台の温度を検出する温度センサと、
前記温度センサの外周を囲んで前記絶縁板の内部に配置され前記真空容器と電気的に接
続された金属製のリングと、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記処理室内に供給される前記電界は、マイクロ波の電界であることを特徴とするプラ
ズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置は、前記温度センサを前記試料台側へ押圧する圧縮バネを更に有
することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置は、前記基材に形成された穴内部において前記温度センサの外周
を囲んで配置されたノイズフィルタを更に有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記温度センサは、
温度測定素子と、
前記温度測定素子が挿入される金属製の保護管と、
前記保護管の温度測定側の開口端に設けられた絶縁キャップ、及び前記絶縁キャップと
重なる部分を有し前記保護管が前記基材に直接接触しない長さの絶縁チューブを含む絶縁
体と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
真空容器と、
前記真空容器内の真空処理室と、
前記真空処理室内に導入された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成す
るプラズマ生成用高周波波電源と、
前記真空容器と電気的に接続された金属製のベースと、
前記ベース上に絶縁板を介して配置され、金属製の基材、該基材上に配置された誘電体
膜、該誘電体膜内に配置されたヒータ、前記基材内に配置され内部に冷媒が流れる通路、
および前記ヒータが配置された平面位置に対応して前記基材に形成された穴内部に前記絶
縁板と前記ベースとを貫通する貫通孔を介して挿入された温度センサを含み、被処理体が載置される試料台と、
前記温度センサの外周を囲んで前記絶縁板の内部に配置され前記ベースと電気的に接続
された金属製のリングと、
前記試料台に高周波電圧を印加する高周波バイアス電源と、
前記温度センサからの出力に応じて前記ヒータへ供給される電力を制御し、前記試料台
の温度を調節して前記被処理体の温度を調節する制御部と、を備えたことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマ処理装置において、
前記温度センサと前記金属製のリングとは同軸となるように配置されていることを特徴
とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月4日(2017.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリードと、を有し、
前記リードは、前記ダイパッド側に先端部を有するインナーリードと、前記先端部とは反対側の前記インナーリードの第１端部と繋がる屈曲部と、前記第１端部から前記屈曲部を介して下側に屈曲され、上面が前記インナーリードの下面と対向し且つ平行となるように形成された外部接続端子と、を有し、
前記外部接続端子の上面は、前記インナーリードの下面に面接触しており、
前記インナーリードと前記屈曲部と前記外部接続端子とは一体に形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記ダイパッドを支持するフレーム部を有し、
前記インナーリードは、前記フレーム部から前記ダイパッドに向かって櫛歯状に延在して形成され、
前記外部接続端子の上面は、前記インナーリードの下面と前記フレーム部の下面と重なるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記ダイパッドは、前記外部接続端子よりも高い位置に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記ダイパッドは、前記インナーリードよりも低い位置に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項５】
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリードと、を有し、
前記リードは、外部接続端子と、前記外部接続端子の前記ダイパッド側の第１端部と繋がる屈曲部と、前記第１端部から前記屈曲部を介して上側に屈曲され、下面が前記外部接続端子の上面と対向し且つ平行となるように形成されたインナーリードと、を有し、
前記インナーリードは、前記外部接続端子よりも幅広に形成された幅広部を有し、前記幅広部の下面の一部が前記外部接続端子の上面と重なるように形成されており、
前記インナーリードの下面は、前記外部接続端子の上面に面接触しており、
前記インナーリードと前記屈曲部と前記外部接続端子とは一体に形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項６】
前記ダイパッドは、前記インナーリードよりも低い位置に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のリードフレーム。
【請求項７】
ダイパッドと、
前記ダイパッドを支持するフレーム部と、
前記ダイパッドの周囲に設けられ、前記フレーム部から前記ダイパッドに向かって櫛歯状に延在して形成された複数のリードと、を有し、
前記複数のリードは、交互に設けられた２種類の第１リード及び第２リードを有し、
前記各第１リードは、前記ダイパッド側に第１先端部を有する第１インナーリードと、前記第１先端部とは反対側の前記第１インナーリードの第１端部と繋がる第１屈曲部と、前記第１端部から前記第１屈曲部を介して下側に屈曲され、上面が前記第１インナーリードの下面と対向し且つ平行となるように形成された第１外部接続端子と、を有し、
前記各第２リードは、前記ダイパッド側に第２先端部を有する第２インナーリードと、前記第２先端部と繋がる第２屈曲部と、前記第２先端部から前記第２屈曲部を介して下側に屈曲され、上面が前記第２インナーリードの下面と対向し且つ平行となるように形成された第２外部接続端子と、を有し、
前記第１インナーリードと前記第１屈曲部と前記第１外部接続端子とは一体に形成され、
前記第２インナーリードと前記第２屈曲部と前記第２外部接続端子とは一体に形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項８】
前記ダイパッドは、半導体素子の搭載されるダイパッド部と、前記ダイパッド部の任意の端部と繋がる第３屈曲部と、前記任意の端部から前記第３屈曲部を介して下側に屈曲され、上面が前記ダイパッド部の下面と重なるように形成された重畳部とを有することを特
徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項９】
請求項１又は２に記載のリードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記インナーリードとを電気的に接続する金属ワイヤと、
前記半導体素子及び前記金属ワイヤを封止し、前記先端部の全面を被覆する封止樹脂と、を有し、
前記屈曲部は、前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記ダイパッドの下面は、前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
請求項５に記載のリードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記インナーリードとを電気的に接続する金属ワイヤと、
前記半導体素子及び前記金属ワイヤを封止し、前記外部接続端子から露出された前記幅広部の全面を被覆する封止樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記ダイパッドの下面は、前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
金属板を準備する工程と、
前記金属板をプレス加工又はエッチング加工し、ダイパッドと、前記ダイパッドを支持するフレーム部と、前記フレーム部から前記ダイパッドに向かって櫛歯状に延在する複数のインナーリードと、前記フレーム部から前記インナーリードが延在される方向とは反対方向に延在される延出部とを画定する開口部を形成する工程と、
前記延出部の下面が前記インナーリードの下面と重なるように前記延出部を下側に折り曲げ、前記インナーリードの下面の一部と重なる外部接続端子を形成する工程と、
を有し、
前記外部接続端子の上面は、前記インナーリードの下面に面接触されることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項１４】
金属板を準備する工程と、
前記金属板をプレス加工又はエッチング加工し、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数の外部接続端子と、前記外部接続端子の前記ダイパッド側の先端から前記ダイパッドに向かって延在され、前記外部接続端子よりも幅広に形成された延出部とを画定する開口部を形成する工程と、
前記延出部の上面が前記外部接続端子の上面と重なるように前記延出部を上側に折り曲げ、前記外部接続端子の上面の一部と重なるインナーリードを形成する工程と、
を有し、
前記インナーリードの下面は、前記外部接続端子の上面に面接触されることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリードと、を有し、前記リードは、前記ダイパッド側に先端部を有するインナーリードと、前記先端部とは反対側の前記インナーリードの第１端部と繋がる屈曲部と、前記第１端部から前記屈曲部を介して下側に屈曲され、上面が前記インナーリードの下面と対向し且つ平行となるように形成された外部接続端子と、を有し、前記外部接続端子の上面は、前記インナーリードの下面に面接触しており、前記インナーリードと前記屈曲部と前記外部接続端子とは一体に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月3日(2017.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像装置であって、
電極層と、前記電極層の上に配された絶縁層と、前記絶縁層の上に配された半導体層と、を有する基板と、
転送ゲート電極とを備え、
前記半導体層及び前記絶縁層は、前記電極層と前記転送ゲート電極との間に配され、
前記半導体層は、
第１の導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の導電型とは逆の第２の導電型を有し、光電変換によって発生した電荷を蓄積する第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域に蓄積された電荷が前記転送ゲート電極によって転送される前記第２の導電型の第３の半導体領域と、を含み、
前記第１の半導体領域は、前記第２の半導体領域と前記絶縁層との間に配され、
前記電極層に複数の電位が供給されることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記電極層は、前記電極層に印加された電圧に応じて前記絶縁層を介して前記第１の半導体領域の電位分布が変化するように配されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記電極層に第１の電圧が印加された場合に、前記第１の半導体領域の前記第２の導電型における多数キャリアとしての電荷を前記第２の半導体領域へ移動させる電位分布が前記第１の半導体領域に形成され、
前記電極層に第２の電圧が印加された場合に、前記第１の半導体領域の前記第１の導電型の電荷を前記第２の半導体領域へ移動させる電位分布が前記第１の半導体領域に形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１の電圧が前記電極層に印加される場合に前記第２の半導体領域に電荷を蓄積させ、
前記第２の電圧が前記電極層に印加される場合に前記第１の半導体領域に蓄積された電荷を放出させる制御部を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１の半導体領域の不純物濃度が、前記第１の半導体領域の前記第２の導電型の電荷を前記第２の半導体領域へ移動させる濃度分布を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１の半導体領域が、不純物濃度が一定な部分と、当該一定な部分の上に位置し、不純物濃度が前記第１の半導体領域の前記第２の導電型の電荷を前記第２の半導体領域へ移動させる濃度分布を有する層と、を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１の半導体領域の不純物濃度が一定な部分の厚さが、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１の半導体領域の不純物濃度が一定な部分の厚さが、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記電極層と前記絶縁層との間に半導体による基板半導体層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記基板半導体層が、前記第２の導電型であることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記電極層と、前記絶縁層と、が互いに接していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記電極層が、平面視において少なくとも前記第２の半導体領域と重なる位置に配されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記電極層が、金属であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記基板を搭載するパッケージをさらに備え、
前記パッケージは、前記基板を支持する支持台と、前記支持台に取り付けられた電極とを有し、
前記電極層と、前記電極とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記第２の半導体領域の上に、前記第１の導電型の第４の半導体領域をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記第１の半導体領域は、前記第２の半導体領域と前記絶縁層との間および前記第３の半導体領域と前記絶縁層との間に配され、
前記第２の半導体領域及び前記第３の半導体領域は、前記第１の半導体領域によって前記絶縁層から離れて配されることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る固体撮像装置は、電極層と、前記電極層の上に配された絶縁層と、前記絶縁層の上に配された半導体層と、を有する基板と、転送ゲート電極とを備え、前記半導体層及び前記絶縁層は、前記電極層と前記転送ゲート電極との間に配され、前記半導体層は、第１の導電型の第１の半導体領域と、前記第１の導電型とは逆の第２の導電型を有し、光電変換によって発生した電荷を蓄積する第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域に蓄積された電荷が前記転送ゲート電極によって転送される前記第２の導電型の第３の半導体領域と、を含み、前記第１の半導体領域は、前記第２の半導体領域と前記絶縁層との間に配され、前記電極層に複数の電位が供給されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月11日(2017.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部反射鏡と、活性層を含む半導体共振器と、下部反射鏡と、をこの順に備え、上部反射鏡と半導体層との間に空隙部が形成されており、共振器長が可変である面発光レーザであって、
前記空隙部と前記半導体共振器の間に高反射率構造を備え、
前記半導体共振器の上部および下部の界面での光反射時の位相変化が無い場合に換算した前記半導体共振器の光学厚さＬが、
λ／２×ｍ＋λ／８  ＜  Ｌ  ＜  λ／２×ｍ＋３λ／８  （ｍは１以上の整数、λはレーザ発振の中心波長）
であることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
上部反射鏡と、活性層を含む半導体共振器と、下部反射鏡と、をこの順に備え、上部反射鏡と半導体層との間に空隙部が形成されており、共振器長が可変である面発光レーザであって、
前記空隙部と前記半導体共振器の間に高反射率構造を備え、
前記半導体共振器の光学厚さＬが、
λ／２×ｍ＋λ／８  ＜  Ｌ  ＜  λ／２×ｍ＋３λ／８  （ｍは１以上の整数、λはレーザ発振の中心波長）
であることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項３】
前記高反射率構造が、相対的に高屈折率の材料からなる高屈折率層と相対的に低屈折率の材料からなる低屈折率層が少なくとも１ペア積層された構造であることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記高反射率構造がＤＢＲで構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記高反射率構造が半導体ＤＢＲで構成されていることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザ。
【請求項６】
前記高反射率構造が誘電体ＤＢＲで構成されていることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザ。
【請求項７】
前記半導体共振器の光学厚さＬが
λ／２×ｍ＋７λ／４０  ≦  Ｌ  ≦  λ／２×ｍ＋１３λ／４０
であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項８】
前記半導体共振器の光学厚さＬが
λ／２×ｍ＋３λ／１６  ≦  Ｌ  ≦  λ／２×ｍ＋５λ／１６
であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項９】
前記半導体共振器の光学厚さは、前記高反射率構造と前記半導体共振器との界面と前記半導体共振器と前記下部反射鏡との界面との間の光学的距離であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項１０】
前記半導体共振器は、前記高反射率構造と前記下部反射鏡との間に配置された全ての半導体層の積層体であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項１１】
前記高反射率構造は、前記レーザ発振の中心波長において５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の面発光レーザと、
測定対象物の内部情報を取得する情報取得部と、を有することを特徴とする情報取得装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の面発光レーザと、
光源装置からの光を測定対象物へ照射する照射光と参照光とに分岐させ、前記測定対象物に照射された光の反射光と前記参照光による干渉光を発生させる干渉光学系と、
前記干渉光を受光する光検出部と、
前記光検出部からの信号に基づき、前記測定対象物の情報を取得する情報取得部と、を有することを特徴とする光干渉断層計。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月26日(2017.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム・ネオジム合金膜と、前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に積層され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する導電膜と、を有するゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられたデータ線と、を備え、
前記ゲート電極と当該ゲート電極と隣り合う他のゲート電極との間隔が１０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記導電膜は、チタンまたは窒化チタンから構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート電極は、走査線の一部を構成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
アルミニウム・ネオジム合金膜と、前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に積層され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する導電膜と、を有するデータ線と、
前記データ線上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた画素電極と、を備え、
前記データ線と当該データ線と隣り合う他のデータ線との間隔が１０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記導電膜は、チタンまたは窒化チタンから構成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る半導体装置は、アルミニウム・ネオジム合金膜と、前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に積層され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する導電膜と、を有するゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたデータ線と、を備え、前記ゲート電極と当該ゲート電極と隣り合う他のゲート電極との間隔が１０μｍ以下であることを特徴とする。
また、前記導電膜は、チタンまたは窒化チタンから構成されることを特徴とする。
また、前記ゲート電極は、走査線の一部を構成することを特徴とする。
また、アルミニウム・ネオジム合金膜と、前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に積層され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する導電膜と、を有するデータ線と、前記データ線上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた画素電極と、を備え、前記データ線と当該データ線と隣り合う他のデータ線との間隔が１０μｍ以下であることを特徴とする。
また、前記導電膜は、チタンまたは窒化チタンから構成されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月6日(2017.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像と、前記画像を解析することにより特定された複数の領域とを表示するように制御する第１表示制御手段と、
前記表示された複数の領域の中から、ユーザの指示に基づいて第１の領域を選択する選択手段と、
前記選択手段で第１の領域が選択された場合、前記第１の領域の位置を変更するためのハンドルを更に表示するように制御する第２表示制御手段と、
前記ユーザによる前記ハンドルの操作に応じて、前記第１の領域の位置を変更する変更手段と、
前記変更手段による前記第１の領域の位置の変更によって前記第１の領域が縮小された場合、前記位置の変更が為される前の前記第１の領域に含まれ且つ前記位置の変更が為された後の当該縮小された前記第１の領域に含まれない新たな第２の領域を作成する作成手段と
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記変更手段による位置の変更が為される前の前記第１の領域は、文字領域を含み、
前記変更手段による前記第１の領域の位置の変更によって前記第１の領域が縮小され、かつ、前記第１の領域の位置の変更によって前記文字領域が分割される場合、前記作成手段は、当該分割された文字領域のそれぞれを、前記縮小された前記第１の領域と前記作成される新たな領域とのうちの対応する領域に関連づけることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記作成手段は、
前記変更手段による前記第１の領域の位置の変更によって前記第１の領域が縮小された場合に、前記位置の変更が為される前の前記第１の領域から、前記位置の変更が為された後の当該縮小された前記第１の領域を差し引いた領域を、前記新たな領域として作成することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記第１表示制御手段により表示される前記複数の領域は、表領域を構成する複数のセルそれぞれに含まれる白画素塊の外接矩形であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記変更手段は、前記ユーザによる前記ハンドルの操作で指示された位置が表の罫線の座標位置におおよそ等しいと判断した場合、当該おおよそ等しいと判断した前記表の罫線の座標位置に合うように、前記第１の領域の位置を変更することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
コンピュータを、請求項１乃至５の何れか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項７】
情報処理装置の第１表示制御手段が、画像と、前記画像を解析することにより特定された複数の領域とを表示するように制御する第１表示制御工程と、
前記情報処理装置の選択手段が、前記表示された複数の領域の中から、ユーザの指示に基づいて第１の領域を選択する選択工程と、
前記選択工程で第１の領域が選択された場合、前記情報処理装置の第２表示制御手段が、前記第１の領域の位置を変更するためのハンドルを更に表示するように制御する第２表示制御工程と、
前記情報処理装置の変更手段が、前記ユーザによる前記ハンドルの操作に応じて、前記第１の領域の位置を変更する変更工程と、
前記変更工程での前記第１の領域の位置の変更によって前記第１の領域が縮小された場合、前記情報処理装置の作成手段が、前記位置の変更が為される前の前記第１の領域に含まれ且つ前記位置の変更が為された後の当該縮小された前記第１の領域に含まれない新たな第２の領域を作成する作成工程と
を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項８】
前記変更工程での位置の変更が為される前の前記第１の領域は、文字領域を含み、
前記変更工程での前記第１の領域の位置の変更によって前記第１の領域が縮小され、かつ、前記第１の領域の位置の変更によって前記文字領域が分割される場合、前記作成工程では、当該分割された文字領域のそれぞれを、前記縮小された前記第１の領域と前記作成される新たな領域とのうちの対応する領域に関連づけることを特徴とする請求項７に記載の情報処理方法。
【請求項９】
前記作成工程では、
前記変更工程での前記第１の領域の位置の変更によって前記第１の領域が縮小された場合に、前記位置の変更が為される前の前記第１の領域から、前記位置の変更が為された後の当該縮小された前記第１の領域を差し引いた領域を、前記新たな領域として作成することを特徴とする請求項７または８に記載の情報処理方法。
【請求項１０】
前記第１表示制御工程で表示される前記複数の領域は、表領域を構成する複数のセルそれぞれに含まれる白画素塊の外接矩形であることを特徴とする請求項７乃至９の何れか１項に記載の情報処理方法。
【請求項１１】
前記変更工程では、前記ユーザによる前記ハンドルの操作で指示された位置が表の罫線の座標位置におおよそ等しいと判断した場合、当該おおよそ等しいと判断した前記表の罫線の座標位置に合うように、前記第１の領域の位置を変更することを特徴とする請求項７乃至１０の何れか１項に記載の情報処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の情報処理装置は、画像と、前記画像を解析することにより特定された複数の領域とを表示するように制御する第１表示制御手段と、前記表示された複数の領域の中から、ユーザの指示に基づいて第１の領域を選択する選択手段と、前記選択手段で第１の領域が選択された場合、前記第１の領域の位置を変更するためのハンドルを更に表示するように制御する第２表示制御手段と、前記ユーザによる前記ハンドルの操作に応じて、前記第１の領域の位置を変更する変更手段と、前記変更手段による前記第１の領域の位置の変更によって前記第１の領域が縮小された場合、前記位置の変更が為される前の前記第１の領域に含まれ且つ前記位置の変更が為された後の当該縮小された前記第１の領域に含まれない新たな第２の領域を作成する作成手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
画像を解析することにより特定される領域についての変更が容易にできるようになる。