【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年9月5日(2017.9.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電離層の電子数を推定する方法において、連続的に実行される以下のステップ、すなわち
−軌道上にある複数の送信航法衛星（２４）により送信された無線周波数信号（２３）を受信する複数の地上固定受信ビーコン（２１）により実行される測定値の組（ＭＳＳ）を収集するステップ（１０１）と、
−前記測定値の組（ＭＳＳ）の前記各信号（２３）について、前記信号（２３）の送信軸と地球を取り巻く表面（ＩＴＬ）の交点（ＩＰＰ）の空間座標、および前記交点（ＩＰＰ）において決定された垂直全電子数（ＶＴＥＣ）を計算するステップ（１０２）により、前記交点（ＩＰＰ）の空間座標および垂直全電子数（ＶＴＥＣ）からなる点（２７）の集団（２６）を画定するステップと、
−初期統計的推定量（ＥＳＣ）による、前記表面（ＩＴＬ）の初期メッシュ（ＩＰＭ）の各ノード（Ｎｉ）について、対象ノード（Ｎｉ）から所定の第１の閾値Ｓよりも短い距離に配置された集団（２６）の点（２７）を考慮に入れて垂直全電子数（ＶＴＥＣｉ）を計算するステップ（１０３）と、
−前記電離層の２個の所定の外乱レベル、すなわち弱い外乱（Ｐ１）または強い外乱（Ｐ２）のいずれかを選択可能にする、前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の前記各ノード（Ｎｉ）における垂直全電子数（ＶＴＥＣｉ）の統計的分散分析（ＡＳＤ）を行なうステップと、
−以下のステップ、すなわち
・前記弱い外乱（Ｐ１）の場合、前記初期統計的推定量（ＥＳＣ）から適切な統計的推定量（ＥＳＣＡ）を画定可能にする計算（１０５）および
・前記強い外乱（Ｐ２）の場合、前記初期メッシュ（ＩＰＭ）から前記表面（ＩＴＬ）の新規の適切なメッシュ（ＩＰＭＡ）を生成可能にする計算（１０６）を含むステップと、
−前記弱い外乱（Ｐ１）の場合は前記適切な統計的推定量（ＥＳＣＡ）および前記初期メッシュ（ＩＰＭ）により、または前記強い外乱（Ｐ２）の場合には前記初期統計的推定量（ＥＳＣ）および前記適切なメッシュ（ＩＰＭＡ）により、決定された前記垂直全電子数（ＶＴＥＣｉ）の統計的誤差解析（ＡＳＥ）を行ない、前記統計的誤差解析（ＡＳＥ）により、２個の所定の誤差、すなわち前記方法の適応が妥当であること（１１４）を意味する小さい誤差（Ｅ１）、または前記方法の停止（１１５）を意味する大きい誤差（Ｅ２）のいずれかを選択可能にするステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記初期統計的推定量（ＥＳＣ）が、対象ノード（Ｎｉ）から前記第１の閾値（Ｓ）よりも短い距離に配置された集団（２６）の点（２７）を考慮に入れたカルマンフィルタにより前記メッシュ（ＩＰＭ）の各ノード（Ｎｉ）における垂直全電子数（ＶＴＥＣｉ）を決定することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記表面（ＩＴＬ）の前記初期メッシュ（ＩＰＭ）が、１２８０個の三角面を有し地球を中心とする正多面体を形成すること、および前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の前記各ノード（Ｎｉ）が一定の太陽時に従うことを特徴とする、請求項１〜２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記統計的分散分析（ＡＳＤ）が、連続的に実行される以下のステップ、すなわち
−前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の前記各ノード（Ｎｉ）について、前記対象ノード（Ｎｉ）から所定の第２の閾値（Ｓ１）よりも短い距離に配置された点（２７）の部分集合（ＳＥＰｉ）を選択するステップと、
−前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の前記各ノード（Ｎｉ）について、統計的方法により計算される、前記部分集合（ＳＥＰｉ）の前記点（２７）の前記垂直全電子数（ＶＴＥＣ）の局所分散（Ｄｉ）を計算するステップと、
−前記電離層の２個の外乱レベル（Ｐ１、Ｐ２）のいずれかを、少なくとも局所分散値（Ｄｉ）の関数として選択するステップと
を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記弱い外乱（Ｐ１）の場合、適切な統計的推定量（ＥＳＣＡ）を計算するステップ（１０５）を含み、前記各ノード（Ｎｉ）における前記垂直全電子数（ＶＴＥＣｉ）に加え、前記ノード（Ｎｉ）の近傍における前記垂直全電子数の空間傾向勾配（ＧＳＥｉ）を計算可能にすることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記強い外乱（Ｐ２）の場合、前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の前記各ノード（Ｎｉ）に適用される反復的処理に従い、前記初期メッシュ（ＩＰＭ）から決定される適切な前記メッシュ（ＩＰＭＡ）を計算するステップ（１０６）を含み、前記ステップ（１０６）が以下の計算ステップ、すなわち
−前記対象ノード（Ｎｉ）から所定の第３の閾値（Ｓ２）よりも短い距離に配置された前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の点（２７）の分布（ＤＩＳＴｉ）の分類学的解析を行ない、
・分布（ＤＩＳＴｉ）が集合化可能である場合、前記垂直全電子数（ＶＴＥＣ）が均一である前記点（２７）の複数の集合（ＳＥＰｉｋ）を画定し、部分クラス（ＤＡ）により前記メッシュ（ＩＰＭ）を改良するステップ（１０８）を選択するか、または
・前記分布（ＤＩＳＴｉ）が確率的である場合、再分割（ＤＳ）により前記メッシュ（ＩＰＭ）を改良するステップ（１０９）を選択するかのいずれかを可能にするステップと、
−前記分布（ＤＩＳＴｉ）が集合化可能である場合、前記集合（ＳＥＰｉｋ）ごとに新規メッシュノード（ＡＭＶｉｋ）を、前記新規ノード（ＡＭＶｉｋ）の位置が前記集合（ＳＥＰｉｋ）の前記点（２７）の重心に対応するように追加するステップと、
−前記分布（ＤＩＳＴｉ）が確率的である場合、複数の新規メッシュノード（ＳＭＶｉｋ）を、前記新規メッシュノード（ＳＭＶｉｋ）の個数および位置が前記既存ノード（Ｎｉ）および所定の再分割支配の関数として画定されるように、追加するステップと
を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記集合化可能な分布（ＤＩＳＴｉ）の場合における新規メッシュノード（ＡＭＶｉｋ）の位置が前記集合（ＳＥＰｉｋ）の分布（ＤＩＳＴｉ）点の重心に対応し、前記集合（ＳＥＰｉｋ）の分布（ＤＩＳＴｉ）点の重み（Ｐｉｋ）が、前記点の信号（２３）の送信軸と前記点を通る地球（２２）に垂直な軸との間で形成される角度に依存し、前記重みにより、送信軸がほぼ垂直である信号（２３）から決定される前記集合（ＳＥＰｉｋ）の分布（ＤＩＳＴｉ）点を優先させることができることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
以下の２個の再分割規則、すなわち
−新規メッシュノード（ＳＭＶｉｋ）を、前記ノード（Ｎｉ）と、該ノード（Ｎｉ）に接続された各隣接ノード（８２）との間に配置し、前記ノード（Ｎｉ）から前記新規メッシュノード（ＳＭＶｉｋ）の距離を最小化すべく、１つの隣接ノードに対応する各新規メッシュノード（ＳＭＶｉｋ）が前記表面（ＩＴＬ）上で前記ノード（Ｎｉ）および前記隣接ノード（８２）から等距離に配置されるようにする、および
−新規メッシュノード（ＳＭＶｉｋ）を、前記新規メッシュノード（ＳＭＶｉｋ）の位置が前記対象面（８１）の前記ノード（Ｎｉ、８２）の重心に対応するように、前記ノード（Ｎｉ）が属する各々の面（８１）に配置する、
のうち少なくとも一方を含み、確率分布（ＤＩＳＴｉ）の場合に複数の新規メッシュノード（ＳＭＶｉｋ）の追加を可能にすることを特徴とする、請求項６または７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記新規メッシュノード（ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）から所定の閾値よりも短い距離に配置された前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の前記ノード（Ｎｉ）を除外するか、または所定の領域外で生成された前記新規メッシュノード（ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）を除外することを特徴とする、請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記反復的処理の終了後に実行され、前記適切なメッシュ（ＩＰＭＡ）の前記新規ノード（ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）と前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の前記ノード（Ｎｉ）の空間分散を比較して、以下のステップ、すなわち
−前記新規ノード（ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）の空間分散が前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の前記ノード（Ｎｉ）の空間分散より小さい場合、前記統計的推定量（ＥＳＣ）により前記適切なメッシュ（ＩＰＭＡ）の前記各ノードの前記垂直全電子数（ＶＴＥＣｉ）を計算するステップ（１１２）、
−前記新規ノード（ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）の空間分散が前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の前記ノード（Ｎｉ）の空間分散より大きい場合、前記方法を停止させるステップ（１１１）、
−前記新規ノード（ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）の空間分散が共に前記初期メッシュ（ＩＰＭ）の前記ノード（Ｎｉ）の空間分散より小さく、且つ所定の閾値より大きい場合、前記新規メッシュ（ＩＰＭＡ）の全てのノードに適用される、メッシュを改良する第２の計算を開始するステップ（１０６）
のいずれかを選択可能にするステップ（１１０）を含むことを特徴とする、請求項６〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記統計的誤差解析（ＡＳＥ）が、連続的に実行される以下のステップ、すなわち
−前記メッシュ（ＩＰＭ、ＩＰＭＡ）の前記各ノード（Ｎｉ、ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）について、前記対象ノード（Ｎｉ、ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）から所定の閾値（Ｓ４、Ｓ５）よりも短い距離に配置された点（２７）の部分集合（ＳＥＰｉ４、ＳＥＰｉ５）を選択するステップと、
−前記部分集合（ＳＥＰｉ４、ＳＥＰｉ５）の前記各点（２７）について、前記統計的推定量（ＥＳＣ、ＥＳＣＡ）により決定された前記ノード（Ｎｉ、ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）における前記垂直全電子数（ＶＴＥＣｉ）と、前記対象点（２７）の前記垂直全電子数（ＶＴＥＣ）の差（ＤＩＦＦ、ＤＩＦ）を計算するステップと、
−前記各ノード（Ｎｉ、ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）について、前記差（ＤＩＦＦ、ＤＩＦ）の局所分散（Ｄｉ４、Ｄｉ５）を計算するステップと、
−２個の所定誤差レベル、すなわち小さい誤差（Ｅ１）または大きい誤差（Ｅ２）のいずれかを、局所分散値（Ｄｉ４、Ｄｉ５）の関数として選択するステップと
を含むことを特徴とする、請求項５または６に記載の方法。
【請求項１２】
前記統計的分散分析（ＡＳＤ）および誤差解析（ＡＳＥ）が、１個以上の幾何学的基準から選択される前記表面（ＩＴＬ）の前記メッシュの前記ノード（Ｎｉ、ＡＭＶｉｋ、ＳＭＶｉｋ）の部分集合だけを考慮に入れること、および前記基準の１個が太陽に対する前記ノードの位置に関係することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
図２ｂに示すように、軌道上にある複数の送信航法衛星２４により送信された無線周波数信号を受信する複数の受信ビーコン２１により生成された測定値の組を収集することにより表面ＩＴＬ上に点２７の集団２６を生成することが可能になる。集団２６の各点２７は、ＩＰＰの空間座標、および当該位置における垂直全電子数ＶＴＥＣの推定値により特徴付けられている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
典型的に、ＶＴＥＣ２の計算は、点ＶＴＥＣ１と横座標ｘ１を結ぶ直線および点ＶＴＥＣ３と横座標ｘ３を結ぶ別の直線が存在することが必要であるという制約と共に、ＶＴＥＣ２の位置を可能な限り点の集団の近くに配置するという制約がある。当該方法は、ｘ軸に沿った各点について連続的に繰り返される。図３ｂに示すように、支持点ｘ１、ｘ２およびｘ３による所与の横座標ｘｉにおける全電子数の推定値が、場合によるが、全電子数の測定値からは比較的遠くに離れていることが分かる。図３ａ、３ｂに、現行方法の二つの限界を示す。すなわちメッシュのノードにおける全電子数の推定で生じる誤差、およびメッシュのノード近傍の全電子数の推定値の非線形性である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
この目的のため、本発明の主題は電離層の電子数を推定する適応的方法であって、連続的に実行される以下のステップ、すなわち
−軌道上にある複数の送信航法衛星により送信された無線周波数信号を受信する複数の地上固定受信ビーコンにより実行される測定値の組を収集するステップと、
−測定値の組の各信号について、信号の送信軸と地球を取り巻く表面の交点の空間座標、および当該交点において決定された垂直全電子数を計算するステップにより、交点の空間座標および垂直全電子数からなる点の集団を画定するステップと、
−統計的推定量による、表面の初期メッシュの各ノードについて、垂直全電子数を計算するステップと、
−電離層の２個の所定の外乱レベル、すなわち弱い外乱または強い外乱のいずれかを選択可能にする、初期メッシュの各ノードにおける垂直全電子数の統計的分散分析を行なうステップと、
−以下のステップ、すなわち
・弱い外乱の場合、初期統計的推定量から適切な統計的推定量を画定可能にする計算および
・強い外乱の場合、初期メッシュから表面の新規の適切なメッシュを生成可能にする計算を含むステップと、
−弱い外乱の場合は適切な統計的推定量および初期メッシュにより、または強い外乱の場合には初期統計的推定量および適切なメッシュにより、決定された垂直全電子数の統計的誤差解析を行ない、当該統計的誤差解析により、２個の所定の誤差、すなわち当該方法の適応が妥当であることを意味する小さい誤差、または当該方法の停止を意味する大きい誤差のいずれかを選択可能にするステップと
を含むことを特徴とする。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本方法は、測定値ＭＳＳの組の各信号２３について、信号２３の送信軸と地球を中心とする表面ＩＴＬとの交点ＩＰＰの空間座標、および当該交点ＩＰＰにおいて決定される垂直全電子数ＶＴＥＣを計算するステップ１０２を含んでいる。従って点２７の集団２６が画定され、各点２７は、交点ＩＰＰの空間座標および垂直全電子数ＶＴＥＣからなる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
有利な点として、統計的推定量ＥＳＣは、対象ノードＮｉから所定の閾値Ｓよりも短い距離に配置された集団２６の点２７を考慮に入れたカルマンフィルタによりメッシュＩＰＭの各ノードＮｉにおける垂直全電子数ＶＴＥＣｉを決定する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
図５ａ、５ｂに、図４に示す本方法のステップ１０４のように、電離層の電子数の統計的分散分析ＡＳＤの原理を示す。本方法は、メッシュＩＰＭの各ノードＮｉについて、ノードＮｉから所定の閾値Ｓ１よりも短い距離に配置された集団２６の点２７の部分集合ＳＥＰｉを選択するステップを含んでいる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
図６に、図４に示す本方法のステップ１０７のように、メッシュのノードＮｉ周辺における点分布の分類学的解析の原理を示す。分布ＤＩＳＴｉは、ノードＮｉから所定の閾値Ｓ２よりも短い距離に配置された集団２６の点２７を含んでいる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
１０，１１  距離
２１  受信ビーコン
２２  表面
２３  信号の組
２４  航法衛星
２５  電離層
２６  集団
２７  点
８１  面
８２  隣接ノード
ＩＧＰ  電離層格子点
ＶＴＥＣ  垂直全電子数
ＶＴＥＣ１，ＶＴＥＣ２，ＶＴＥＣ３  垂直全電子数
ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４  横座標
Ｎ１，Ｎ２，・・・Ｎｋ  ノード
ＩＰＰ  交点
ＩＴＬ  面
ＴＭＶ  頂点
ＤＩＳＴｉ  分布
Ｓ，Ｓ１，Ｓ２  閾値
ＳＥＰｉｋ  集合
ＡＭＶｉｋ  新規ノード
ＳＭＶｉｋ  新規ノード