【手続補正書】
【提出日】平成29年6月30日(2017.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理するための、等温処理ゾーンを有する成膜装置であって、
半導体基板が処理される化学分離チャンバと、
前記化学分離チャンバにプロセスガスを供給するために前記化学分離チャンバに流体連通しているプロセスガス源と、
前記プロセスガス源から前記等温処理ゾーンにプロセスガスを送るシャワーヘッドモジュールであって、前記シャワーヘッドモジュールは、フェースプレートと、バッキングプレートと、絶縁リングと、サポート要素と、少なくとも１つの圧縮シールとを含み、前記フェースプレートの下面は、前記等温処理ゾーンを画定している空間の上壁を形成し、前記絶縁リングは、前記フェースプレート及び前記バッキングプレートを取り囲んで前記バッキングプレートを支え、前記サポート要素は、前記フェースプレートを前記バッキングプレートに取り付け、前記少なくとも１つの圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に中央ガスプレナムの外周を形成し、前記サポート要素と前記フェースプレートとの間の接触面積は、前記フェースプレートの総表面積の１％未満である、シャワーヘッドモジュールと、
半導体基板を加熱する及び支えるように構成された基板ペデスタルモジュールであって、前記基板ペデスタルモジュールの上面は、前記化学分離チャンバ内に前記等温処理ゾーンを画定している前記空間の下壁を形成する、基板ペデスタルモジュールと、
を備え、
前記圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮される環状レバーシールを含み、
前記フェースプレートは、セラミックフェースプレートであり、
前記成膜装置は、更に、少なくとも１つの曲りを有する金属片で作成された環状ＲＦ接触部であって、前記セラミックフェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に電気的に接続され、前記バッキングプレートと前記セラミックフェースプレートとの間に外側ガスプレナムの外周を形成する環状ＲＦ接触部を備え、
前記サポート要素は、前記セラミックフェースプレートに接触する少なくとも１つの上向き突出部であって、前記絶縁リングの内側環状フランジ上に位置付けられた少なくとも１つの上向き突出部を備え、前記絶縁リングの前記内側環状フランジは、前記セラミックフェースプレートの外側部分の下に横たわり、
前記少なくとも１つの圧縮シールは、第１及び第２の圧縮シールを含み、前記第１の圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮され前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に内側ガスプレナムを形成する第１の環状レバーシールであり、前記第２の圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮される第２の環状レバーシールであり、前記第２の環状レバーシールは、前記第１の環状レバーシールを取り囲み、前記内側ガスプレナムを取り囲む中間ガスプレナムを形成し、外側ガスプレナムが、前記中間ガスプレナムを取り囲む、
成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置であって、
（ａ）前記等温処理ゾーン内で前記プロセスガスを励起させてプラズマ状態にするように適応されたＲＦエネルギ源と、
（ｂ）前記成膜装置によって実施されるプロセスを制御するように構成された制御システムと、
（ｃ）前記成膜装置の制御のためのプログラム命令を含む非一時的なコンピュータマシン読み取り可能媒体と、及び／又は
（ｄ）前記等温処理ゾーンからプロセスガスを真空排気するために前記等温処理ゾーンに流体連通している真空源と、
を備える成膜装置。
【請求項３】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記環状ＲＦ接触部は、
（ａ）タングステン、ステンレス鋼、若しくはオーステナイト系ニッケル・クロムベース合金を含み、
（ｂ）金属材料を含み、ニッケルの外コーティングを有し、
（ｃ）前記フェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に蝋付けされ、
（ｄ）前記フェースプレートに接触している下方自由端と前記バッキングプレートに接触している上方自由端との間の約０．５〜１．５インチ（おおよそ１．２７〜３．８１センチ）の長さと、約０．００３〜０．００９インチ（おおよそ０．００７６２〜０．０２２８６センチ）の厚さとを有し、
（ｅ）Ｓ字形、Ｃ字形、Ｅ字形、Ｚ字形、若しくはＶ字形の断面を有し、
及び／又は
（ｆ）前記フェースプレートに埋め込まれた前記ＲＦ電極に電気的に接触している前記フェースプレートの金属化表面との摩擦接触を形成する、成膜装置。
【請求項４】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記圧縮シールは、
（ａ）タングステン、ステンレス鋼、若しくはオーステナイト系ニッケル・クロムベース合金を含み、
（ｂ）金属材料を含み、ニッケルの外コーティングを有し、
（ｃ）前記フェースプレート及び前記バッキングプレートに対抗するバネ力を提供し、
（ｄ）その断面において少なくとも１つの曲りを有する金属片材料の圧縮可能リングを含み、前記フェースプレートに接触している下方自由端と前記バッキングプレートに接触している上方自由端との間の長さが約０．５〜１．５インチ（おおよそ１．２７〜３．８１センチ）であり、厚さが約０．００３〜０．００９インチ（おおよそ０．００７６２〜０．０２２８６センチ）であり、
及び／又は
（ｅ）Ｓ字形、Ｃ字形、Ｅ字形、Ｚ字形、若しくはＶ字形の断面を有する金属片材料の圧縮可能リングを含む、成膜装置。
【請求項５】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記接触面積は、
（ａ）前記フェースプレートの総表面積の０．５％未満である、
（ｂ）前記フェースプレートの総表面積の０．３％未満である、
（ｃ）前記フェースプレートの総表面積の０．２％未満である、
（ｄ）前記フェースプレートの総表面積の０．１％未満である、又は
（ｅ）前記フェースプレートの総表面積の０．０５％未満である、成膜装置。
【請求項６】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記絶縁リングの前記少なくとも１つの上向き突出部と、前記フェースプレートとの間の接触面積は、
（ａ）約０．０５インチ2（おおよそ０．３２２５８ｃｍ2）未満の、
（ｂ）約０．０２インチ2（おおよそ０．１２９０ｃｍ2）未満の、又は
（ｃ）約０．０１インチ2（おおよそ０．０６４５２ｃｍ2）未満の、最大総接触面積を有する、成膜装置。
【請求項７】
請求項１に記載の成膜装置であって、
少なくとも１つのスペーサが、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に含められ、前記少なくとも１つのスペーサは、前記フェースプレートを前記バッキングプレートに対して平行に維持するように構成される、成膜装置。
【請求項８】
請求項１に記載の成膜装置であって、
（ａ）前記フェースプレートは、酸化アルミニウム若しくは窒化アルミニウムで形成され、前記埋め込みＲＦ電極は、前記環状ＲＦ接触部に電気的に接続され、
（ｂ）前記基板ペデスタルモジュールは、ボトムＲＦ電極を含み、前記ボトムＲＦ電極の外周面は、前記空間の外周面から外側へ広がり、
（ｃ）前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間の前記内側ガスプレナムは、約２〜６ｍｍの高さを有し、
（ｄ）前記フェースプレートの前記下面は、前記空間の前記上壁及び側壁を形成し、
（ｅ）前記フェースプレートの前記下面は、その外周面にリングを含み、前記リングの内表面は、前記空間の前記側壁を形成し、
（ｆ）前記空間の各露出表面は、セラミック材料で形成され、
（ｇ）前記環状レバーシールのそれぞれは、前記フェースプレートの環状凹所内に位置決めされ、
又は、
（ｈ）前記環状レバーシールのそれぞれは、前記バッキングプレートの環状凹所内に位置決めされている、成膜装置。
【請求項９】
請求項１に記載の成膜装置において半導体基板を処理する方法であって、
前記プロセスガス源から前記等温処理ゾーンに前記プロセスガスを供給することと、
前記等温処理ゾーン内で半導体基板を処理することと、
を備え、
前記処理は、化学気相成長、プラズマ式化学気相成長、原子層堆積、プラズマ式原子層堆積、パルス堆積層、及び／又はプラズマ式パルス堆積層の少なくとも１つである、方法。
【請求項１０】
プラズマ処理装置の等温処理ゾーンにプロセスガスを送るように構成された、前記プラズマ処理装置のシャワーヘッドモジュールであって、
フェースプレートであって、前記フェースプレートの下面は、前記等温処理ゾーンを画定している空間の上壁を形成する、フェースプレートと、
バッキングプレートと、
前記フェースプレート及び前記バッキングプレートを取り囲む絶縁リングであって、前記バッキングプレートを支える絶縁リングと、
前記フェースプレートを前記バッキングプレートに取り付けるサポート要素と、
前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に中央ガスプレナムの外周を形成する少なくとも１つの圧縮シールと、
を備え、
前記圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮される環状レバーシールを含み、
前記サポート要素と前記フェースプレートとの間の接触面積は、前記フェースプレートの総表面積の１％未満であり、
前記フェースプレートは、セラミックフェースプレートであり、
前記成膜装置は、更に、少なくとも１つの曲りを有する金属片で作成された環状ＲＦ接触部であって、前記セラミックフェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に電気的に接続され、前記バッキングプレートと前記セラミックフェースプレートとの間に外側ガスプレナムの外周を形成する環状ＲＦ接触部を備え、
前記サポート要素は、前記フェースプレートに接触する少なくとも１つの上向き突出部であって、前記絶縁リングの内側環状フランジ上に位置付けられた少なくとも１つの上向き突出部を備え、前記絶縁リングの前記内側環状フランジは、前記フェースプレートの外側部分の下に横たわり、
前記少なくとも１つの圧縮シールは、第１及び第２の圧縮シールを含み、前記第１の圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮され前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に内側ガスプレナムを形成する第１の環状レバーシールであり、前記第２の圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮される第２の環状レバーシールであり、前記第２の環状レバーシールは、前記第１の環状レバーシールを取り囲み、前記内側ガスプレナムを取り囲む中間ガスプレナムを形成し、外側ガスプレナムが、前記中間ガスプレナムを取り囲む、
シャワーヘッドモジュール。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
前記環状ＲＦ接触部は、
（ａ）タングステン、ステンレス鋼、若しくはオーステナイト系ニッケル・クロムベース合金を含み、
（ｂ）金属材料を含み、ニッケルの外コーティングを有し、
（ｃ）前記フェースプレートに埋め込まれた前記ＲＦ電極に蝋付けされ、
（ｄ）前記フェースプレートに接触している下方自由端と前記バッキングプレートに接触している上方自由端との間の約０．５〜１．５インチ（おおよそ１．２７〜３．８１センチ）の長さと、約０．００３〜０．００９インチ（おおよそ０．００７６２〜０．０２２８６センチ）の厚さとを有し、
（ｅ）Ｓ字形、Ｃ字形、Ｅ字形、Ｚ字形、若しくはＶ字形の断面を有し、
及び／又は
（ｆ）前記フェースプレートに埋め込まれた前記ＲＦ電極に電気的に接触している前記フェースプレートの金属化表面との摩擦接触を形成する、シャワーヘッドモジュール。
【請求項１２】
請求項１０に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
少なくとも１つのスペーサが、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に含められ、前記スペーサは、前記フェースプレートを前記バッキングプレートに対して平行に維持するように構成される、シャワーヘッドモジュール。
【請求項１３】
請求項１０に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
前記圧縮シールは、
（ａ）タングステン、ステンレス鋼、若しくはオーステナイト系ニッケル・クロムベース合金を含み、
（ｂ）金属材料を含み、ニッケルの外コーティングを有し、
（ｃ）前記フェースプレート及び前記バッキングプレートに対抗するバネ力を提供し、
（ｄ）その断面において少なくとも１つの曲りを有する金属片材料の圧縮可能リングを含み、前記フェースプレートに接触している下方自由端と前記バッキングプレートに接触している上方自由端との間の長さが約０．５〜１．５インチ（おおよそ１．２７〜３．８１センチ）であり、厚さが約０．００３〜０．００９インチ（おおよそ０．００７６２〜０．０２２８６センチ）であり、
及び／又は
（ｅ）Ｓ字形、Ｃ字形、Ｅ字形、Ｚ字形、若しくはＶ字形の断面を有する金属片材料の圧縮可能リングを含む、シャワーヘッドモジュール。
【請求項１４】
請求項１０に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
前記接触面積は、
（ａ）前記フェースプレートの総表面積の０．５％未満である、
（ｂ）前記フェースプレートの総表面積の０．３％未満である、
（ｃ）前記フェースプレートの総表面積の０．２％未満である、
（ｄ）前記フェースプレートの総表面積の０．１％未満である、又は
（ｅ）前記フェースプレートの総表面積の０．０５％未満である、シャワーヘッドモジュール。
【請求項１５】
請求項１０に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
前記絶縁リングの前記少なくとも１つの上向き突出部と、前記フェースプレートとの間の接触面積は、
（ａ）約０．０５インチ2（おおよそ０．３２２５８ｃｍ2）未満の、
（ｂ）約０．０２インチ2（おおよそ０．１２９０ｃｍ2）未満の、又は
（ｃ）約０．０１インチ2（おおよそ０．０６４５２ｃｍ2）未満の、最大総接触面積を有する、シャワーヘッドモジュール。
【請求項１６】
請求項１０に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
（ａ）前記フェースプレートは、酸化アルミニウム若しくは窒化アルミニウムで形成され、前記埋め込みＲＦ電極は、前記環状ＲＦ接触部に電気的に接続され、
（ｂ）前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間の前記内側ガスプレナムは、約２〜６ｍｍの高さを有し、
（ｃ）前記フェースプレートの前記下面は、前記空間の前記上壁及び側壁を形成し、
（ｄ）前記フェースプレートの前記下面は、その外周面にリングを含み、前記リングの内表面は、前記空間の前記側壁を形成し、
（ｅ）前記空間の各露出表面は、セラミック材料で形成され、
（ｆ）前記環状レバーシールのそれぞれは、前記フェースプレートの環状凹所内に位置決めされ、
並びに／又は、
（ｇ）前記環状レバーシールのそれぞれは、前記バッキングプレートの環状凹所内に位置決めされている、
シャワーヘッドモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜装置、半導体基板を処理する方法、及び、シャワーヘッドモジュール
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
等温処理ゾーンを含むプラズマ処理装置は、その特定の実施形態を参照にして詳細に説明されてきたが、当業者にならば、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく様々な変更及び変形がなされてよいこと、並びに均等物が用いられてよいことが明らかである。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
半導体基板を処理するための、等温処理ゾーンを有する成膜装置であって、
半導体基板が処理される化学分離チャンバと、
前記化学分離チャンバにプロセスガスを供給するために前記化学分離チャンバに流体連通しているプロセスガス源と、
前記プロセスガス源から前記等温処理ゾーンにプロセスガスを送るシャワーヘッドモジュールであって、前記シャワーヘッドモジュールは、フェースプレートと、バッキングプレートと、絶縁リングと、サポート要素と、少なくとも１つの圧縮シールとを含み、前記フェースプレートの下面は、前記等温処理ゾーンを画定している空間の上壁を形成し、前記絶縁リングは、前記フェースプレート及び前記バッキングプレートを取り囲んで前記バッキングプレートを支え、前記サポート要素は、前記フェースプレートを前記バッキングプレートに取り付け、前記少なくとも１つの圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に中央ガスプレナムの外周を形成し、前記サポート要素と前記フェースプレートとの間の接触面積は、前記フェースプレートの総表面積の１％未満である、シャワーヘッドモジュールと、
半導体基板を加熱する及び支えるように構成された基板ペデスタルモジュールであって、前記ペデスタルモジュールの上面は、前記化学分離チャンバ内に等温処理ゾーンを画定している前記空間の下壁を形成する、ペデスタルモジュールと、
を備える成膜装置。
［適用例２］
適用例１に記載の成膜装置であって、
（ａ）前記等温処理ゾーン内で前記プロセスガスを励起させてプラズマ状態にするように適応されたＲＦエネルギ源と、
（ｂ）前記成膜装置によって実施されるプロセスを制御するように構成された制御システムと、
（ｃ）前記成膜装置の制御のためのプログラム命令を含む非一時的なコンピュータマシン読み取り可能媒体と、及び／又は
（ｄ）前記等温処理ゾーンからプロセスガスを真空排気するために前記等温処理ゾーンに流体連通している真空源と、
を備える成膜装置。
［適用例３］
適用例１に記載の成膜装置であって、
前記フェースプレートは、セラミックフェースプレートであり、
前記サポート要素は、
（ａ）前記セラミックフェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に電気的に接続されたＲＦ接触部をそれぞれ含む複数のカムロックアセンブリと、
（ｂ）少なくとも１つの曲りを有する金属片で作成された環状ＲＦ接触部であって、前記セラミックフェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に電気的に接続され、前記バッキングプレートと前記セラミックフェースプレートとの間に外側ガスプレナムの外周を形成する環状ＲＦ接触部と、
（ｃ）前記セラミックフェースプレートに接触する少なくとも１つの上向き突出部であって、前記絶縁リングの内側環状フランジ上に位置付けられた少なくとも１つの上向き突出部と、
を含み、
前記絶縁リングの前記内側環状フランジは、前記セラミックフェースプレートの外側部分の下に横たわり、
前記成膜装置は、更に、少なくとも１つの曲りを有する金属片で作成された環状ＲＦ接触部を備え、前記ＲＦ接触部は、前記セラミックフェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に電気的に接続され、前記環状ＲＦ接触部は、前記バッキングプレートと前記セラミックフェースプレートとの間に外側ガスプレナムの外周を形成する、
成膜装置。
［適用例４］
適用例３に記載の成膜装置であって、
前記環状ＲＦ接触部は、
（ａ）タングステン、ステンレス鋼、若しくはオーステナイト系ニッケル・クロムベース合金を含み、
（ｂ）金属材料を含み、ニッケルの外コーティングを有し、
（ｃ）前記フェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に蝋付けされ、
（ｄ）前記フェースプレートに接触している下方自由端と前記バッキングプレートに接触している上方自由端との間の約０．５〜１．５インチ（おおよそ１．２７〜３．８１センチ）の長さと、約０．００３〜０．００９インチ（おおよそ０．００７６２〜０．０２２８６センチ）の厚さとを有し、
（ｅ）Ｓ字形、Ｃ字形、Ｅ字形、Ｚ字形、若しくはＶ字形の断面を有し、
及び／又は
（ｆ）前記フェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に電気的に接触している前記フェースプレートの金属化表面との摩擦接触を形成する、成膜装置。
［適用例５］
適用例１に記載の成膜装置であって、
前記圧縮シールは、
（ａ）前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮される環状レバーシールを含み、
（ｂ）タングステン、ステンレス鋼、若しくはオーステナイト系ニッケル・クロムベース合金を含み、
（ｃ）金属材料を含み、ニッケルの外コーティングを有し、
（ｄ）前記フェースプレート及び前記バッキングプレートに対抗するバネ力を提供し、
（ｅ）その断面において少なくとも１つの曲りを有する金属片材料の圧縮可能リングを含み、前記フェースプレートに接触している下方自由端と前記バッキングプレートに接触している上方自由端との間の長さが約０．５〜１．５インチ（おおよそ１．２７〜３．８１センチ）であり、厚さが約０．００３〜０．００９インチ（おおよそ０．００７６２〜０．０２２８６センチ）であり、
及び／又は
（ｆ）Ｓ字形、Ｃ字形、Ｅ字形、Ｚ字形、若しくはＶ字形の断面を有する金属片材料の圧縮可能リングを含む、成膜装置。
［適用例６］
適用例１に記載の成膜装置であって、
前記少なくとも１つの圧縮シールは、第１及び第２の圧縮シールを含み、
前記第１の圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮され前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に内側ガスプレナムを形成する第１の環状レバーシールであり、
前記第２の圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮される第２の環状レバーシールであり、前記第２の環状レバーシールは、前記第１のレバーシールを取り囲み、前記内側ガスプレナムを取り囲む中間ガスプレナムを形成し、外側ガスプレナムが、前記中間ガスプレナムを取り囲む、成膜装置。
［適用例７］
適用例１に記載の成膜装置であって、
前記総接触面積は、
（ａ）前記フェースプレートの総表面積の０．５％未満である、
（ｂ）前記フェースプレートの総表面積の０．３％未満である、
（ｃ）前記フェースプレートの総表面積の０．２％未満である、
（ｄ）前記フェースプレートの総表面積の０．１％未満である、又は
（ｅ）前記フェースプレートの総表面積の０．０５％未満である、成膜装置。
［適用例８］
適用例３に記載の成膜装置であって、
前記絶縁リングの前記少なくとも１つの上向き突出部と、前記フェースプレートとの間の接触面積は、
（ａ）約０．０５インチ2（おおよそ０．３２２５８ｃｍ2）未満の、
（ｂ）約０．０２インチ2（おおよそ０．１２９０ｃｍ2）未満の、又は
（ｃ）約０．０１インチ2（おおよそ０．０６４５２ｃｍ2）未満の、最大総接触面積を有する、成膜装置。
［適用例９］
適用例１に記載の成膜装置であって、
少なくとも１つのスペーサが、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に含められ、前記少なくとも１つのスペーサは、前記フェースプレートを前記バッキングプレートに対して平行に維持するように構成される、成膜装置。
［適用例１０］
適用例１に記載の成膜装置であって、
（ａ）前記フェースプレートは、酸化アルミニウム若しくは窒化アルミニウムで形成され、そのなかに埋め込みＲＦ電極を含み、前記埋め込みＲＦ電極は、ＲＦ接触部に電気的に接続され、
（ｂ）前記フェースプレートは、金属材料で形成され、ＲＦ接触部に電気的に接続され、
（ｃ）前記基板ペデスタルモジュールは、ボトムＲＦ電極を含み、前記ボトムＲＦ電極の外周面は、前記空間の外周面から外側へ広がり、
（ｄ）前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間の前記プレナムは、約２〜６ｍｍの高さを有し、
（ｅ）前記フェースプレートの前記下面は、前記空間の前記上壁及び側壁を形成し、
（ｆ）前記フェースプレートの前記下面は、その外周面において類似材料のリングを含み、前記リングの内表面は、前記空間の前記側壁を形成し、
（ｇ）前記空間の各露出表面は、セラミック材料で形成され、
（ｈ）前記少なくとも１つの圧縮シールは、前記フェースプレートの環状凹所内に位置決めされた環状レバーシールを含み、
（ｉ）前記少なくとも１つの圧縮シールは、前記バッキングプレートの環状凹所内に位置決めされた環状レバーシールを含み、
並びに／又は
（ｊ）前記絶縁リングは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に外側ガスプレナムの外周を形成する、成膜装置。
［適用例１１］
適用例１に記載の成膜装置において半導体基板を処理する方法であって、
前記プロセスガス源から前記等温処理ゾーンに前記プロセスガスを供給することと、
前記等温処理ゾーン内で半導体基板を処理することと、
を備え、
前記処理は、化学気相成長、プラズマ式化学気相成長、原子層堆積、プラズマ式原子層堆積、パルス堆積層、及び／又はプラズマ式パルス堆積層の少なくとも１つである、方法。
［適用例１２］
プラズマ処理装置の等温処理ゾーンにプロセスガスを送るように構成された、前記プラズマ処理装置のシャワーヘッドモジュールであって、
フェースプレートであって、前記フェースプレートの下面は、前記等温処理ゾーンを画定している空間の上壁を形成する、フェースプレートと、
バッキングプレートと、
前記フェースプレート及び前記バッキングプレートを取り囲む絶縁リングであって、前記バッキングプレートを支える絶縁リングと、
前記フェースプレートを前記バッキングプレートに取り付けるサポート要素と、
前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に中央ガスプレナムの外周を形成する少なくとも１つの圧縮シールと、
を備え、
前記サポート要素と前記フェースプレートとの間の接触面積は、前記フェースプレートの総表面積の１％未満である、シャワーヘッドモジュール。
［適用例１３］
適用例１２に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
前記フェースプレートは、セラミックフェースプレートであり、
前記サポート要素は、
（ａ）前記セラミックフェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に電気的に接続されたＲＦ接触部をそれぞれ含む複数のカムロックアセンブリと、
（ｂ）その断面において少なくとも１つの曲りを有する金属片で作成された環状ＲＦ接触部であって、前記セラミックフェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に電気的に接続され、前記バッキングプレートと前記セラミックフェースプレートとの間に外側ガスプレナムの外周を形成する環状ＲＦ接触部と、
（ｃ）前記セラミックフェースプレートに接触する少なくとも１つの上向き突出部であって、前記絶縁リングの内側環状フランジ上に位置付けられた少なくとも１つの上向き突出部と、
を含み、
前記絶縁リングの前記内側環状フランジは、前記セラミックフェースプレートの外側部分の下に横たわり、
前記シャワーヘッドモジュールは、更に、その断面において少なくとも１つの曲りを有する金属片で作成された環状ＲＦ接触部を備え、前記ＲＦ接触部は、前記セラミックフェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に電気的に接続され、前記環状ＲＦ接触部は、前記バッキングプレートと前記セラミックフェースプレートとの間に外側ガスプレナムの外周を形成する、
シャワーヘッドモジュール。
［適用例１４］
適用例１３に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
前記環状ＲＦ接触部は、
（ａ）タングステン、ステンレス鋼、若しくはオーステナイト系ニッケル・クロムベース合金を含み、
（ｂ）金属材料を含み、ニッケルの外コーティングを有し、
（ｃ）前記フェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に蝋付けされ、
（ｄ）前記フェースプレートに接触している下方自由端と前記バッキングプレートに接触している上方自由端との間の約０．５〜１．５インチ（おおよそ１．２７〜３．８１センチ）の長さと、約０．００３〜０．００９インチ（おおよそ０．００７６２〜０．０２２８６センチ）の厚さとを有し、
（ｅ）Ｓ字形、Ｃ字形、Ｅ字形、Ｚ字形、若しくはＶ字形の断面を有し、
及び／又は
（ｆ）前記フェースプレートに埋め込まれたＲＦ電極に電気的に接触している前記フェースプレートの金属化表面との摩擦接触を形成する、シャワーヘッドモジュール。
［適用例１５］
適用例１２に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
少なくとも１つのスペーサが、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に含められ、前記スペーサは、前記フェースプレートを前記バッキングプレートに対して平行に維持するように構成される、シャワーヘッドモジュール。
［適用例１６］
適用例１２に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
前記圧縮シールは、
（ａ）前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮される環状レバーシールを含み、
（ｂ）タングステン、ステンレス鋼、若しくはオーステナイト系ニッケル・クロムベース合金を含み、
（ｃ）金属材料を含み、ニッケルの外コーティングを有し、
（ｄ）前記フェースプレート及び前記バッキングプレートに対抗するバネ力を提供し、
（ｅ）その断面において少なくとも１つの曲りを有する金属片材料の圧縮可能リングを含み、前記フェースプレートに接触している下方自由端と前記バッキングプレートに接触している上方自由端との間の長さが約０．５〜１．５インチ（おおよそ１．２７〜３．８１センチ）であり、厚さが約０．００３〜０．００９インチ（おおよそ０．００７６２〜０．０２２８６センチ）であり、
及び／又は
（ｆ）Ｓ字形、Ｃ字形、Ｅ字形、Ｚ字形、若しくはＶ字形の断面を有する金属片材料の圧縮可能リングを含む、シャワーヘッドモジュール。
［適用例１７］
適用例１２に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
前記少なくとも１つの圧縮シールは、第１及び第２の圧縮シールを含み、
前記第１の圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮され前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に内側ガスプレナムを形成する第１の環状レバーシールであり、
前記第２の圧縮シールは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間で圧縮される第２の環状レバーシールであり、前記第２の環状レバーシールは、前記第１のレバーシールを取り囲み、前記内側ガスプレナムを取り囲む中間ガスプレナムを形成し、外側ガスプレナムが、前記中間ガスプレナムを取り囲む、シャワーヘッドモジュール。
［適用例１８］
適用例１２に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
前記接触面積は、
（ａ）前記フェースプレートの総表面積の０．５％未満である、
（ｂ）前記フェースプレートの総表面積の０．３％未満である、
（ｃ）前記フェースプレートの総表面積の０．２％未満である、
（ｄ）前記フェースプレートの総表面積の０．１％未満である、又は
（ｅ）前記フェースプレートの総表面積の０．０５％未満である、シャワーヘッドモジュール。
［適用例１９］
適用例１３に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
前記絶縁リングの前記少なくとも１つの上向き突出部と、前記フェースプレートとの間の接触面積は、
（ａ）約０．０５インチ2（おおよそ０．３２２５８ｃｍ2）未満の、
（ｂ）約０．０２インチ2（おおよそ０．１２９０ｃｍ2）未満の、又は
（ｃ）約０．０１インチ2（おおよそ０．０６４５２ｃｍ2）未満の、最大総接触面積を有する、シャワーヘッドモジュール。
［適用例２０］
適用例１２に記載のシャワーヘッドモジュールであって、
（ａ）前記フェースプレートは、酸化アルミニウム若しくは窒化アルミニウムで形成され、そのなかに埋め込みＲＦ電極を含み、前記埋め込みＲＦ電極は、ＲＦ接触部に電気的に接続され、
（ｂ）前記フェースプレートは、金属材料で形成され、ＲＦ接触部に電気的に接続され、
（ｃ）前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間の前記プレナムは、約２〜６ｍｍの高さを有し、
（ｄ）前記フェースプレートの前記下面は、前記空間の前記上壁及び側壁を形成し、
（ｅ）前記フェースプレートの前記下面は、その外周面において類似材料のリングを含み、前記リングの内表面は、前記空間の前記側壁を形成し、
（ｆ）前記空間の各露出表面は、セラミック材料で形成され、
（ｇ）前記少なくとも１つの圧縮シールは、前記フェースプレートの環状凹所内に位置決めされた環状レバーシールを含み、
（ｈ）前記少なくとも１つの圧縮シールは、前記バッキングプレートの環状凹所内に位置決めされた環状レバーシールを含み、
並びに／又は
（ｉ）前記絶縁リングは、前記フェースプレートと前記バッキングプレートとの間に外側ガスプレナムの外周を形成する、シャワーヘッドモジュール。