【手続補正書】
【提出日】平成28年11月24日(2016.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に水平方向に互いに離隔して配列され、それぞれは、互いに異なる導電型の下部及び上部半導体層、前記下部及び上部半導体層の間に配置された活性層を有する発光構造物と、前記上部半導体層上に配置された上部電極と、前記下部半導体層上に配置された下部電極とを含む複数の発光セルと、
隣接する複数の発光セルのうち一方の第１発光セルの下部電極と、前記隣接する複数の発光セルのうち他方の第２発光セルの上部電極とを電気的に接続する導電型相互連結層と、
前記第２発光セルの上部電極と上部半導体層との間から前記隣接する複数の発光セルと前記導電型相互連結層との間に延びて配置された電流遮断層とを含み、
前記複数の発光セルのそれぞれは、
前記第２発光セルの上部電極と前記電流遮断層との間から前記第２発光セルの上部半導体層の上に延びて配置されて、前記第２発光セルの上部電極と第２発光セルの上部半導体層とを電気的に接続する伝導層をさらに含む、発光素子。
【請求項２】
前記電流遮断層は、
前記第１発光セルの下部半導体層と前記導電型相互連結層との間、前記基板と前記導電型相互連結層との間、及び前記第２発光セルの発光構造物と前記導電型相互連結層との間に配置される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２発光セルの上部電極は、前記第２発光セルの前記上部半導体層と対向する下部面を有し、
前記第２発光セルの上部電極と上部半導体層との間に配置される前記電流遮断層は、前記上部電極と対向する上部面を有し、
前記電流遮断層の上部面の面積は、前記上部電極の下部面全体の面積以上である、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２発光セルの上部電極と前記第１発光セルの下部電極と前記導電型相互連結層とは一体型層である、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記一体型層は、前記第２発光セルの前記上部半導体層と対向する下部面を有し、
前記一体型層と前記第２発光セルの上部半導体層との間に配置される前記電流遮断層は、前記一体型層と対向する上部面を有し、
前記電流遮断層の上部面の面積は、前記一体型層の下部面全体の面積以上である、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記上部半導体層の上部に配置された前記伝導層の面積は、前記上部半導体層の上部面の面積以下である、請求項１ないし５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記電流遮断層は、分散ブラッグ反射層である、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記分散ブラッグ反射層は、屈折率の互いに異なる第１及び第２層が交互に少なくとも１回以上積層された絶縁物質を含む、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記上部電極は、
互いに重なる第１接着層及び第１ボンディング層を含み、前記第１接着層と前記第１ボンディング層との間に反射層が介在していない、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記下部電極は、
互いに重なる第２接着層及び第２ボンディング層を含み、前記第２接着層と前記第２ボンディング層との間に反射層が介在していない、請求項１ないし９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記伝導層は、
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＴＯ（Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／ＡｕまたはＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうちの少なくとも１つを用いて単層又は多層に配置された、請求項１ないし１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記電流遮断層は、電気的絶縁性を有する物質を含む、請求項１ないし１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記上部電極は、
前記第１接着層と前記第１ボンディング層との間に配置された第１バリア層をさらに含む、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記下部電極は、
前記第２接着層と前記第２ボンディング層との間に配置された第２バリア層をさらに含む、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記複数の発光セルは、前記導電型相互連結層によって互いに直列接続される、請求項１ないし１４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１６】
前記導電型相互連結層は、
互いに重なる第３接着層及び第３ボンディング層を含み、前記第３接着層と前記第３ボンディング層との間に反射層が介在していない、請求項１ないし１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１７】
前記導電型相互連結層は、
前記第３接着層と前記第３ボンディング層との間に配置された第３バリア層をさらに含む、請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記導電型相互連結層と、前記上部電極、前記伝導層及び前記電流遮断層とは垂直方向にオーバーラップして配置される、請求項１ないし１７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１９】
前記電流遮断層は、
前記第２発光セルの上部電極と前記第２発光セルの上部半導体層との間から前記第２発光セルの前記発光構造物と前記導電型相互連結層との間に延びて配置されて、前記導電型相互連結層を前記第２発光セルの前記発光構造物から電気的に分離する、請求項１ないし１８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２０】
前記第２発光セルの上部半導体層は、前記第２発光セルの上部電極と対向するトップ面を有する、請求項１ないし１９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２１】
前記電流遮断層は、前記上部電極の下部面と前記上部半導体層のトップ面との間に配置される、請求項２０に記載の発光素子。
【請求項２２】
基板と、
前記基板上に水平方向に互いに離隔して配列され、それぞれは、互いに異なる導電型の下部及び上部半導体層、前記下部及び上部半導体層の間に配置された活性層を有する発光構造物と、前記上部半導体層上に配置された上部電極と、前記下部半導体層上に配置された下部電極とを含む複数の発光セルと、
隣接する複数の発光セルのうち一方の第１発光セルの下部電極と、前記隣接する複数の発光セルのうち他方の第２発光セルの上部電極とを電気的に接続する導電型相互連結層と、
電流遮断層と、を含み、
前記電流遮断層は、
前記第２発光セルの上部電極と上部半導体層との間に配置される第１の一部と、
前記第１の一部から前記隣接する複数の発光セルと前記導電型相互連結層との間に延びて配置された第２の一部とを含み、
前記複数の発光セルのそれぞれは、前記第２発光セルの上部電極と前記第２発光セルの上部半導体層とを電気的に接続する伝導層をさらに含み、
前記伝導層は、
前記第２発光セルの上部電極と前記電流遮断層との間に配置された第３の一部と、
前記第３の一部から前記第２発光セルの上部半導体層の上に延びて配置された第４の一部とを含む、発光素子。
【請求項２３】
前記第３の一部は、前記第１の一部の上部面を部分的に覆う、請求項２２に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記電流遮断層は、
前記隣接する複数の発光セルのうちの前記第２発光セルの前記発光構造物と前記導電型相互連結層との間に配置されて、前記導電型相互連結層を前記隣接する複数の発光セルのうちの前記第２発光セルの前記発光構造物と電気的に分離する、請求項２２又は２３に記載の発光素子。
【請求項２５】
前記第１の一部は、前記上部電極の底面と前記第２発光セルの上部半導体層のトップ面との間に配置される、請求項２２ないし２４のいずれかに記載の発光素子。