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【手続補正書】
【提出日】平成29年8月22日(2017.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸液性を有する吸収層を含み、互いに直交する長手方向、幅方向及び厚さ方向を有する吸収性物品であって、
前記吸収層は、前記厚さ方向において前記吸収性物品の肌対向面側に向かって突出し且つ前記長手方向に交差する方向に連続的に延びる凸部と、前記厚さ方向において前記吸収性物品の非肌対向面側に向かって窪み且つ前記凸部と並行して連続的に延びる凹部とが、前記長手方向に沿って交互に配置された凹凸構造を備えていて、
前記凸部は、前記吸収層の前記非肌対向面側の表面が面する空洞部を有し、
さらに、前記吸収性物品は、前記厚さ方向において、前記吸収層の前記肌対向面側及び前記非肌対向面側の少なくとも一方に、前記吸収層よりも吸液性が低い低吸収層を備えていて、前記吸収層と前記低吸収層とが接合している、
前記吸収性物品。
【請求項２】
前記長手方向に交差する方向が、前記幅方向である、請求項１に記載の吸収性物品。
【請求項３】
吸液性を有する吸収層を含み、互いに直交する長手方向、幅方向及び厚さ方向を有する吸収性物品であって、
前記吸収層は、前記厚さ方向において前記吸収性物品の肌対向面側に向かって突出し且つ前記長手方向に交差する方向に連続的に延びる凸部と、前記厚さ方向において前記吸収性物品の非肌対向面側に向かって窪み且つ前記凸部と並行して連続的に延びる凹部とが、前記長手方向に沿って交互に配置された凹凸構造を備えていて、
前記凸部は、前記吸収層の前記非肌対向面側の表面が面する空洞部を有し、
さらに、前記吸収層が表面シートである、
前記吸収性物品。
【請求項４】
前記長手方向に交差する方向が、前記幅方向である、請求項３に記載の吸収性物品。
【請求項５】
前記吸収性物品は、前記厚さ方向において、前記吸収層の前記肌対向面側及び前記非肌対向面側の少なくとも一方に、前記吸収層よりも吸液性が低い低吸収層を備えていて、前記吸収層と前記低吸収層とが接合している、請求項３又は４に記載の吸収性物品。
【請求項６】
前記低吸収層は、前記吸収層よりも厚みが大きい、請求項１、２又は５に記載の吸収性物品。
【請求項７】
前記低吸収層は、熱融着性繊維を含み且つ該熱融着性繊維同士が融着した複数の融着部を有し、前記吸収層は、熱融着性繊維を含まない又は前記低吸収層よりも熱融着性繊維の含有量が少ない、請求項１、２、５又は６に記載の吸収性物品。
【請求項８】
前記低吸収層がエアスルー不織布によって構成されていて、当該エアスルー不織布は、前記吸収性物品の前記厚さ方向において、前記吸収層の前記非肌対向面側に配置されている、請求項１、２、５〜７のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項９】
前記吸収性物品は、前記吸収層の他に、吸液性を有する層を含まない、請求項３又は４に記載の吸収性物品。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
袋方向検知手段は、袋取り手段から取り出した袋を架け渡す袋架設台上で、袋の上下端部の少なくとも一方の厚みを検知して袋の方向を判断する検知部か、撮像により袋の方向を判断するＣＣＤカメラか、レーザ光により表面の凹凸や厚みの検知により袋の方向を判断する機構の少なくとも何れかを備えたことを特徴とする請求項１に記載の大容量袋供給装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
袋ストック手段の袋ストック通路に袋を補充する補充用具であって、前記補充用具は一対の仕切板が所定間隔を開けて連結板で連結され、前記仕切板は、袋ストック通路より幅が狭く袋ストック通路に嵌め込める形状に形成され、前記補充用具は袋と共にストック通路を前方側に送られることが可能であることを特徴とする大容量袋供給装置用補充用具。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の大容量袋供給装置は、袋が大容量ストックされ、このストックされた袋群から１袋ずつ取り出して、包装機側へ供給する大容量袋供給装置であって、大容量袋供給装置は、袋を大容量ストックすると共に、ストックした袋群を先端側へ案内する機構を備えた袋ストック手段と、この袋ストック手段の袋を包装機側に搬送する袋搬送手段と、を備え、前記袋ストック手段と袋搬送手段の間に、袋ストック手段から袋を取り出す袋取り手段と、袋の方向を検知する袋方向検知手段と、前記袋方向検知手段により検知した袋の方向に基づいて、袋搬送手段で搬送する定められた方向に袋を旋回する袋旋回手段と、を備えたことを特徴とする。
本発明の大容量袋供給装置用補充用具は、袋ストック手段の袋ストック通路に袋を補充する補充用具であって、前記補充用具は一対の仕切板が所定間隔を開けて連結板で連結され、前記仕切板は、袋ストック通路より幅が狭く袋ストック通路に嵌め込める形状に形成され、前記補充用具は袋と共にストック通路を前方側に送られることが可能であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月22日(2016.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記ｎ型半導体層は、ｎ側光ガイド層を有し、
前記活性層は、２以上の井戸層と、前記井戸層の間に設けられた少なくとも１つの障壁層と、を有し、
前記障壁層は、前記ｎ側光ガイド層のバンドギャップエネルギーよりも高いバンドギャップエネルギーを有する障壁層を有し、
前記ｐ型半導体層は、前記活性層に含まれる全ての障壁層よりもバンドギャップエネルギーの高い電子障壁層を有し、
前記２以上の井戸層のうち前記ｐ型半導体層に最も近い井戸層である最終井戸層と前記電子障壁層との間に配置されたｐ側光ガイド層を備え、
前記ｐ側光ガイド層は、
前記最終井戸層側に配置され、前記ｎ側光ガイド層よりもバンドギャップエネルギーの低い第１領域と、
前記電子障壁層側に配置され、前記ｎ側光ガイド層よりもバンドギャップエネルギーの高い第２領域とを有する、窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記ｐ側光ガイド層は、前記最終井戸層側から前記電子障壁層側にバンドエネルギーが略直線状に増加する層を有する請求項１記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記バンドエネルギーが略直線状に増加する層は、化合物半導体の組成が変化している組成傾斜層である請求項２記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記組成傾斜層は、少なくとも一部にＩｎを含有している請求項３に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記ｎ型半導体層は、ｎ側光ガイド層を有し、
前記活性層は、２以上の井戸層と、前記井戸層の間に設けられた少なくとも１つの障壁層と、を有し、
前記ｐ型半導体層は、前記活性層に含まれる全ての障壁層よりもバンドギャップエネルギーの高い電子障壁層を有し、
前記２以上の井戸層のうち前記ｐ型半導体層に最も近い井戸層である最終井戸層と前記電子障壁層との間に配置されたｐ側光ガイド層を備え、
前記ｐ側光ガイド層は、少なくとも一部にＩｎを含有している組成傾斜層を有し、
前記組成傾斜層の前記最終井戸層側のバンドギャップエネルギーは、前記障壁層のバンドギャップエネルギーよりも小さい、窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記組成傾斜層は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｘ＋ｙ＜１）を有する請求項３乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記組成傾斜層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）を有する請求項３乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記ｐ側光ガイド層の膜厚は、５００〜５０００Åである請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記ｐ側光ガイド層は、前記電子障壁層と接している請求項１乃至８のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記障壁層のうち前記ｎ型半導体層に最も近い障壁層は、第１の障壁層であり、前記第１の障壁層の膜厚は、井戸層の膜厚よりも厚い請求項１乃至９のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記第１の障壁層は、ｎ型不純物を１×１０１９ｃｍ−３以上含有している請求項１０に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記ｎ側ガイド層の膜厚は、前記第１の障壁層の膜厚よりも厚い請求項１０または１１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記ｎ側ガイド層は、前記第１の障壁層に接しており、該ｎ側ガイド層における該接触部はノンドープ領域である請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記井戸層の総膜厚は、第１の障壁層を除く他の障壁層の総膜厚よりも厚い請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１５】
前記ｐ側光ガイド層は、ノンドープ層である請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１６】
前記窒化物半導体レーザ素子は、Ｃ面窒化物基板上に形成されている請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１７】
ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記ｎ型半導体層は、ｎ側光ガイド層を有し、
前記活性層は、前記ｎ側光ガイド層上に、障壁層、井戸層を順に積層した単一量子井戸構造であり、
前記障壁層は、前記ｎ側光ガイド層のバンドギャップエネルギーよりも高いバンドギャップエネルギーを有し、
前記井戸層上に、ｐ側光ガイド層と、前記障壁層よりもバンドギャップエネルギーの高い電子障壁層とを順に有し、
前記ｐ側光ガイド層は、前記井戸層側に配置され、前記ｎ側光ガイド層よりもバンドギャップエネルギーの低い第１領域と、前記電子障壁層側に配置され、前記ｎ側光ガイド層よりもバンドギャップエネルギーの高い第２領域とを有する窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月21日(2016.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に互いに離隔して配置された複数の発光セルと、
隣接する発光セルを電気的に接続する連結配線とを含む発光素子であって、
前記複数の発光セルのうち前記連結配線によって接続されずに隣接する第１隣接発光セル間の第１離隔距離は、前記連結配線によって接続されて隣接する第２隣接発光セル間の第２離隔距離よりも小さい、前記発光素子。
【請求項２】
前記第１隣接発光セルが第１方向に離隔した前記第１離隔距離は、前記第２離隔距離のうち前記第２隣接発光セルが前記第１方向に離隔した離隔距離よりも小さい、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１隣接発光セルが第１方向に離隔した前記第１離隔距離は、前記第２離隔距離のうち前記第２隣接発光セルが前記第１方向と異なる第２方向に離隔した離隔距離よりも小さい、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記連結配線と前記第２隣接発光セルとの間に配置され、前記連結配線と前記第２隣接発光セルとを電気的に絶縁させる絶縁層をさらに含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１隣接発光セルが第１方向に離隔した前記第１離隔距離は、前記第２離隔距離のうち前記第２隣接発光セルが前記第１方向に離隔した離隔距離よりも小さく、かつ前記第２離隔距離のうち前記第２隣接発光セルが前記第１方向と異なる第２方向に離隔した離隔距離よりも小さい、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第２離隔距離のうち前記第２隣接発光セルが前記第１方向に離隔した離隔距離と、前記第２離隔距離のうち前記第２隣接発光セルが前記第１方向と異なる第２方向に離隔した離隔距離とは同一である、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２離隔距離のうち前記第２隣接発光セルが前記第１方向に離隔した離隔距離と、前記第２離隔距離のうち前記第２隣接発光セルが前記第１方向と異なる第２方向に離隔した離隔距離とは互いに異なる、請求項５に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１方向は垂直方向であり、前記第２方向は水平方向である、請求項５ないし７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１離隔距離は、前記第２離隔距離の０．２倍以上であり、前記第２離隔距離未満である、請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１隣接発光セルの個数は、前記第２隣接発光セルの個数よりも多い、請求項１ないし９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記複数の発光セルのそれぞれは、
前記基板上に順次配置された第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記第１導電型半導体層上に配置された第１電極と、
前記第２導電型半導体層上に配置された第２電極とを含む、請求項１ないし１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記発光構造物の側面は、前記基板に対して傾斜した、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１離隔距離は、前記第１隣接発光セルの前記第１導電型半導体層間の離隔距離に該当し、
前記第２離隔距離は、前記第２隣接発光セルの前記第１導電型半導体層間の離隔距離に該当する、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１離隔距離は、前記第１隣接発光セルの前記第２導電型半導体層間の離隔距離に該当し、
前記第２離隔距離は、前記第２隣接発光セルの前記第２導電型半導体層間の離隔距離に該当する、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記複数の発光セルのそれぞれは、前記第２導電型半導体層と前記第２電極との間に配置された伝導層をさらに含み、
前記第１離隔距離は、前記第１隣接発光セルの前記伝導層間の離隔距離に該当し、
前記第２離隔距離は、前記第２隣接発光セルの前記伝導層間の離隔距離に該当する、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第１離隔距離は４μｍ〜２０μｍであり、前記第２離隔距離は２０μｍよりも大きい、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第１離隔距離は１０μｍ〜２５μｍであり、前記第２離隔距離は２５μｍよりも大きい、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第１隣接発光セルが第１方向に離隔した前記第１離隔距離は、前記第２離隔距離のうち前記第２隣接発光セルが前記第１方向に離隔した離隔距離と同一である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第１隣接発光セルが第１方向に離隔した前記第１離隔距離は、前記第２離隔距離のうち前記第２隣接発光セルが前記第１方向とは異なる第２方向に離隔した離隔距離と同一である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記複数の発光セルのうちの一部の前記第１電極または第２電極のうち少なくとも一つは、前記連結配線と一体型である、請求項１１ないし１７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２１】
前記第１隣接発光セルのそれぞれの面積は、前記第２隣接発光セルのそれぞれの面積よりも広い、請求項１ないし２０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２２】
基板と、
前記基板上に互いに離隔して配置された複数の発光セルと、
隣接する発光セルを電気的に接続する連結配線とを含み、
前記複数の発光セルは、第１発光セル、第２発光セル、第３発光セル及び第４発光セルを含み、
前記第１及び第２発光セルは、前記連結配線のうちの一つによって接続され、
前記第１及び第４発光セルは、前記連結配線のうちの他の一つによって接続され、
前記第３及び第４発光セルは、前記連結配線のうちのさらに他の一つによって接続され、
前記第２及び第３発光セルは、前記連結配線によって接続されず、
第１方向に隣接する前記第１及び第４発光セルのそれぞれの前記第１方向への第１長さは、前記第１方向に隣接する前記第２及び第３発光セルのそれぞれの前記第１方向への第２長さよりも小さい、発光素子。
【請求項２３】
前記第１発光セルは、前記第２発光セルの第１面と隣接し、
前記第３発光セルは、前記第２発光セルの第２面と隣接し、
前記第１発光セルの第１面は、前記第２発光セルの前記第１面と隣接し、
前記第１発光セルの第２面は、前記第４発光セルの第１面と隣接し、
前記第２発光セルの前記第２面は、前記第３発光セルの第１面と隣接し、
前記第３発光セルの第２面は、前記第４発光セルの第２面と隣接し、
前記第１発光セルの前記第２面と前記第４発光セルの前記第１面との間の第１距離は、前記第２発光セルの前記第２面と前記第３発光セルの前記第１面との間の第２距離よりも大きい、請求項２２に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記第１発光セルの前記第１面と前記第２発光セルの前記第１面との間の第３距離は、前記第２距離よりも大きい、請求項２３に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月18日(2016.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に前記基板側から第１の酸化物半導体層、第２の酸化物半導体層、第３の酸化物半導体層の順で積層した酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層上、前記ソース電極層上および前記ドレイン電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、
を有し、
前記第１の酸化物半導体層は第１の領域を有し、前記ゲート絶縁膜は第２の領域を有し、前記第１の領域の膜厚をＴＳ１、前記第２の領域の膜厚をＴＧＩとするとき、ＴＳ１≧ＴＧＩであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の酸化物半導体層および前記第３の酸化物半導体層は、前記第２の酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下の範囲で真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の酸化物半導体層乃至前記第３の酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を有し、前記第１の酸化物半導体層および前記第３の酸化物半導体層は、Ｉｎに対するＭの原子数比が前記第２の酸化物半導体層よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記ソース電極層は、前記酸化物半導体層に接する第１のソース電極層と、前記第１のソース電極層を覆うように設けられ、且つ、前記酸化物半導体層に接する第２のソース電極層と、を有し、
前記ドレイン電極層は、前記酸化物半導体層に接する第１のドレイン電極層と、前記第１のドレイン電極層を覆うように設けられ、且つ、前記酸化物半導体層に接する第２のドレイン電極層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記ソース電極層は、前記酸化物半導体層に接する第２のソース電極層と、前記第２のソース電極層上に設けられ、且つ、前記酸化物半導体層に接する第１のソース電極層と、を有し、
前記ドレイン電極層は、前記酸化物半導体層に接する第２のドレイン電極層と、前記第２のドレイン電極層上に設けられ、且つ、前記酸化物半導体層に接する第１のドレイン電極層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記第１のソース電極層および前記第１のドレイン電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、またはこれらを主成分とする合金材料を有し、
前記第２のソース電極層および前記第２のドレイン電極層は、窒化タンタル、窒化チタン、またはルテニウムを含む材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層の第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の第１のソース電極層および第１のドレイン電極層と、
前記第２の酸化物半導体層上、前記第１のソース電極層上および前記第１のドレイン電極層上の第３の酸化物半導体層と、
前記第１のソース電極層を覆うように設けられた第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層を覆うように設けられた第２のドレイン電極層と、
前記第３の酸化物半導体層上、前記第２のソース電極層上および前記第２のドレイン電極層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、
を有し、
前記第１のソース電極層および前記第１のドレイン電極層は、前記第１の酸化物半導体層乃至前記第３の酸化物半導体層と接し、
前記第２のソース電極層および前記第２のドレイン電極層は、前記第３の酸化物半導体層と接し、
前記第１の酸化物半導体層は第１の領域を有し、前記ゲート絶縁膜は第２の領域を有し、
前記第１の領域の膜厚をＴＳ１、前記第２の領域の膜厚をＴＧＩとするとき、ＴＳ１≧ＴＧＩであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の酸化物半導体層および前記第３の酸化物半導体層は、前記第２の酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下の範囲で真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または８おいて、
前記第１の酸化物半導体層乃至前記第３の酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を有し、前記第１の酸化物半導体層および前記第３の酸化物半導体層は、Ｉｎに対するＭの原子数比が前記第２の酸化物半導体層よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項において、
前記第１のソース電極層および前記第１のドレイン電極層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、またはこれらを主成分とする合金材料で有し、
前記第２のソース電極層および前記第２のドレイン電極層は、窒化タンタル、窒化チタン、またはルテニウムを含む材料を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月23日(2016.11.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質膜上に形成された酸化物半導体膜であって、
前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム及び亜鉛からなる結晶構造を有する単結晶領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、結晶粒界を有さず、
前記結晶構造は、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、前記非晶質膜に垂直なｃ軸を有することを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項２】
絶縁層と、
前記絶縁層上の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上のソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に位置し、前記第２の酸化物半導体膜と接する領域を有する第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁層は、非晶質膜であり、
前記第１乃至前記第３の酸化物半導体膜の少なくとも一は、インジウム、ガリウム及び亜鉛からなる結晶構造を有する単結晶領域を有し、且つ、結晶粒界を有さず、
前記結晶構造は、ａ−ｂ面において六角形の格子を有する結合を有し、前記非晶質膜に垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記絶縁層は、シリコンを有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月6日(2016.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの発電機の間の電力を、共有のＤＣバスの上の単一の負荷に割り当てるための回路であって、前記回路が、
互いに電気的に並列な第１の発電機および第２の発電機と、
前記第１の発電機に連続的に接続されている第１の分配調整器、および、前記第２の発電機に連続的に接続されている第２の分配調整器と、
第１の発電機出力部と前記ＤＣバスとの間に連続的に接続されている第１のフィルター、および、第２の発電機出力部と前記ＤＣバスとの間に連続的に接続されている第２のフィルターと、
前記第１および第２の分配調整器のそれぞれに対するデジタル入力部であって、前記第１及び第２の発電機により供給されるべき所望の等しくない電力比率の割り当てを提供する分配命令を有するデジタル入力部と、
前記第１のフィルターの出力部と、前記第１の分配調整器の入力部との間の第１の電流フィードバックループと、
前記第２のフィルターの出力部と、前記第２の分配調整器の入力部との間の第２の電流フィードバックループと
を含み、
前記デジタル入力部における分配命令、および、前記第１および第２の電流フィードバックループの電流が、前記第１および第２の分配調整器に、前記第１の発電機出力部における前記第１の発電機の電力と前記第２の発電機出力部における前記第２の発電機の電力とを独立して変化させることとなり、それによって、前記分配命令の電力比率にしたがって、前記ＤＣバスの上の前記負荷を割り当てる、回路。
【請求項２】
前記分配調整器のそれぞれが、最大基準電圧および最小基準電圧を有し、
前記フィルターのそれぞれが、寄生抵抗を有するインダクターを含み、
前記第１および第２の分配調整器の最大および最小基準電圧のそれぞれが、それぞれの前記寄生抵抗に基づいて決定される、請求項１記載の回路。
【請求項３】
前記第１および第２のフィルターのうちの少なくとも１つが、ＣＬＣフィルターである、請求項１または２に記載の回路。
【請求項４】
それぞれの発電機が、制御装置を含み、
前記第１および第２の分配調整器のそれぞれが、それぞれの前記発電機に基準電圧を送信することによって、それぞれの前記発電機を作動させ、
前記第１および第２の発電機のそれぞれの前記作動が、それぞれの基準電圧に応答するそれぞれの前記制御装置を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の回路。
【請求項５】
前記デジタル入力部の前記値の総計が、全負荷を表し、
それぞれの発電機が、タービンエンジンの中のスプールに機械的に接続されており、
前記第１および第２の発電機のうちの少なくとも１つが、タービンエンジンの中の高圧スプールまたは低圧スプールに機械的に接続されている、請求項１乃至４のいずれかに記載の回路。
【請求項６】
少なくとも２つの発電機の間の電力を、共有のＤＣバスの上の単一の負荷に割り当てるための方法であって、前記方法が、
前記少なくとも２つの発電機のうちのそれぞれのために、分配調整器および電流フィードバックループを提供するステップと、
それぞれの分配調整器に対してデジタル入力を発生させるステップであって、前記デジタル入力が、前記少なくとも２つの発電機の間の選択された等しくない割り当てを表す、ステップと、
それぞれの分配調整器から、前記少なくとも２つの発電機のうちのそれぞれ１つへ、基準電圧信号を送信し、それぞれの発電機の前記出力部における前記電力を前記選択された等しくない割り当てに従って独立して変化させるステップと、
それぞれの前記電流フィードバックループの中で、電流によって、前記出力部における等しくない電力の前記割り当てを確認するステップと
を含む、方法。
【請求項７】
基準電圧を提供することが、それぞれの分配調整器に対して、最大および最小基準電圧を確立するステップを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、前記出力部における調整電圧の点を、それぞれの発電機に送信するステップをさらに含み、調整電圧の前記点が、前記出力部の任意のフィルタリングの前に測定される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記最大および最小基準電圧を確立することが、前記フィルターの前記電気的特性に基づく、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記デジタル入力の前記値の総計が、全負荷を表す、請求項６乃至９のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月13日(2017.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取得条件の成立に基づいて、第１情報を取得する取得手段と、
その取得手段により取得された前記第１情報を複数記憶可能な記憶手段と、
その記憶手段に記憶された前記第１情報に基づいて判別を実行する判別手段と、
その判別手段による判別結果を示すための第１識別情報を表示する第１表示手段と、
その第１表示手段に前記第１識別情報を動的表示させる表示制御手段と、を有した遊技機において、
特定の前記判別結果を示すための前記第１識別情報が表示された場合に、遊技者に有利となる特典を付与可能な特典付与手段と、
前記記憶手段に前記第１情報が記憶されている数に対応した第２識別情報を表示する第２表示手段と、
前記第２表示手段に表示される複数の前記第２識別情報の表示態様を決定することが可能な表示態様決定手段と、
前記複数の第２識別情報を表示する表示領域より任意の表示領域を選択する第２識別情報選択手段と、を有し、
前記表示態様決定手段は、前記特定の判別結果を示すための前記第１識別情報が表示されることが決定されている場合に、前記第２識別情報選択手段により選択された表示領域に表示される前記複数の第２識別情報の表示態様として、特定表示態様を決定するものであり、
前記遊技機は、前記第２識別情報選択手段により現在選択されている前記表示領域で前記特定表示態様を表示可能であるか否かに基づいて前記表示領域が選択されるものであり、
前記特定表示態様には、前記第２識別情報を動的表示させる動的表示態様が少なくとも含まれているものであることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記第１表示手段は、液晶ディスプレイで構成されているものであることを特徴とする請求項１記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記例示した問題点等を解決するためになされたものであり、遊技者が遊技に早期に飽きてしまうのを防止できる遊技機を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この目的を達成するために請求項１記載の遊技機は、取得条件の成立に基づいて、第１情報を取得する取得手段と、その取得手段により取得された前記第１情報を複数記憶可能な記憶手段と、その記憶手段に記憶された前記第１情報に基づいて判別を実行する判別手段と、その判別手段による判別結果を示すための第１識別情報を表示する第１表示手段と、その第１表示手段に前記第１識別情報を動的表示させる表示制御手段と、を有し、特定の前記判別結果を示すための前記第１識別情報が表示された場合に、遊技者に有利となる特典を付与可能な特典付与手段と、前記記憶手段に前記第１情報が記憶されている数に対応した第２識別情報を表示する第２表示手段と、前記第２表示手段に表示される複数の前記第２識別情報の表示態様を決定することが可能な表示態様決定手段と、前記複数の第２識別情報を表示する表示領域より任意の表示領域を選択する第２識別情報選択手段と、を有し、前記表示態様決定手段は、前記特定の判別結果を示すための前記第１識別情報が表示されることが決定されている場合に、前記第２識別情報選択手段により選択された表示領域に表示される前記複数の第２識別情報の表示態様として、特定表示態様を決定するものであり、前記遊技機は、前記第２識別情報選択手段により現在選択されている前記表示領域で前記特定表示態様を表示可能であるか否かに基づいて前記表示領域が選択されるものであり、前記特定表示態様には、前記第２識別情報を動的表示させる動的表示態様が少なくとも含まれているものである。
請求項２記載の遊技機は、請求項１に記載の遊技機において、前記第１表示手段は、液晶ディスプレイで構成されているものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１記載の遊技機によれば、取得条件の成立に基づいて、第１情報を取得する取得手段と、その取得手段により取得された前記第１情報を複数記憶可能な記憶手段と、その記憶手段に記憶された前記第１情報に基づいて判別を実行する判別手段と、その判別手段による判別結果を示すための第１識別情報を表示する第１表示手段と、その第１表示手段に前記第１識別情報を動的表示させる表示制御手段と、を有し、特定の前記判別結果を示すための前記第１識別情報が表示された場合に、遊技者に有利となる特典を付与可能な特典付与手段と、前記記憶手段に前記第１情報が記憶されている数に対応した第２識別情報を表示する第２表示手段と、前記第２表示手段に表示される複数の前記第２識別情報の表示態様を決定することが可能な表示態様決定手段と、前記複数の第２識別情報を表示する表示領域より任意の表示領域を選択する第２識別情報選択手段と、を有し、前記表示態様決定手段は、前記特定の判別結果を示すための前記第１識別情報が表示されることが決定されている場合に、前記第２識別情報選択手段により選択された表示領域に表示される前記複数の第２識別情報の表示態様として、特定表示態様を決定するものであり、前記遊技機は、前記第２識別情報選択手段により現在選択されている前記表示領域で前記特定表示態様を表示可能であるか否かに基づいて前記表示領域が選択されるものであり、前記特定表示態様には、前記第２識別情報を動的表示させる動的表示態様が少なくとも含まれているものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２記載の遊技機によれば、請求項１記載の遊技機の奏する効果に加え、次の効果を奏する。即ち、前記第１表示手段は、液晶ディスプレイで構成されているものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
よって、多様な表示態様を表示できるという効果がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０９５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０９５１】
１０                  パチンコ機（遊技機）
８１                  第３図柄表示装置（第１表示手段、第２表示手段）
１１４                表示制御装置（表示制御手段）
２０３                ＲＡＭ（記憶手段）
２２３                事前情報記憶手段
Ｓ３０５              判別手段
Ｓ４０２              取得手段
Ｓ１５８０ 表示態様決定手段の一部
Ｓ１５９０ 第２識別情報選択手段の一部
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月13日(2017.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取得条件の成立に基づいて、第１情報を取得する取得手段と、
その取得手段により取得された前記第１情報を複数記憶可能な記憶手段と、
その記憶手段に記憶された前記第１情報に基づいて判別を実行する判別手段と、
その判別手段による判別結果を示すための第１識別情報を表示する第１表示手段と、
その第１表示手段に前記第１識別情報を動的表示させる表示制御手段と、を有した遊技機において、
前記記憶手段に前記第１情報が記憶されている数に対応した第２識別情報を表示する第２表示手段と、
前記第２表示手段に表示される複数の前記第２識別情報の表示態様を決定することが可能な表示態様決定手段と、
前記複数の第２識別情報を表示する表示領域より任意の表示領域を選択する第２識別情報選択手段と、を有し、
前記遊技機は、前記第２識別情報選択手段により現在選択されている前記表示領域で特定の前記表示態様を表示可能か否かによって前記表示領域が選択されるものであることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この目的を達成するために請求項１記載の遊技機は、取得条件の成立に基づいて、第１情報を取得する取得手段と、その取得手段により取得された前記第１情報を複数記憶可能な記憶手段と、その記憶手段に記憶された前記第１情報に基づいて判別を実行する判別手段と、その判別手段による判別結果を示すための第１識別情報を表示する第１表示手段と、その第１表示手段に前記第１識別情報を動的表示させる表示制御手段と、を有し、前記記憶手段に前記第１情報が記憶されている数に対応した第２識別情報を表示する第２表示手段と、前記第２表示手段に表示される複数の前記第２識別情報の表示態様を決定することが可能な表示態様決定手段と、前記複数の第２識別情報を表示する表示領域より任意の表示領域を選択する第２識別情報選択手段と、を有し、前記遊技機は、前記第２識別情報選択手段により現在選択されている前記表示領域で特定の前記表示態様を表示可能か否かによって前記表示領域が選択されるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１記載の遊技機によれば、取得条件の成立に基づいて、第１情報を取得する取得手段と、その取得手段により取得された前記第１情報を複数記憶可能な記憶手段と、その記憶手段に記憶された前記第１情報に基づいて判別を実行する判別手段と、その判別手段による判別結果を示すための第１識別情報を表示する第１表示手段と、その第１表示手段に前記第１識別情報を動的表示させる表示制御手段と、を有し、前記記憶手段に前記第１情報が記憶されている数に対応した第２識別情報を表示する第２表示手段と、前記第２表示手段に表示される複数の前記第２識別情報の表示態様を決定することが可能な表示態様決定手段と、前記複数の第２識別情報を表示する表示領域より任意の表示領域を選択する第２識別情報選択手段と、を有し、前記遊技機は、前記第２識別情報選択手段により現在選択されている前記表示領域で特定の前記表示態様を表示可能か否かによって前記表示領域が選択されるものである。これにより、遊技に早期に飽きてしまうのを防止できるという効果がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０９４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０９４９】
１０                  パチンコ機（遊技機）
８１                  第３図柄表示装置（第１表示手段、第２表示手段）
１１４                表示制御装置（表示制御手段）
２０３                ＲＡＭ（記憶手段）
２２３                事前情報記憶手段
Ｓ３０５              判別手段
Ｓ４０２              取得手段
Ｓ１５８０            表示態様決定手段の一部
Ｓ１５９０            第２識別情報選択手段の一部
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月21日(2017.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状部及び当該筒状部の一端側に形成された操作部を有し、配設対象から前記筒状部の一部及び前記操作部が突出した状態となるように配設され、遊技者により前記操作部が押圧操作されることにより所定方向に変位可能に設けられた操作手段と、
前記配設対象に設けられ、前記操作手段において前記配設対象から突出していない部分を視認不可となるように遮蔽する配設対象側遮蔽部と、
特定状況となった場合に、前記配設対象からの突出量が増えるようにして前記操作手段を前記所定方向とは反対側に移動させる操作量変更手段と
を備え、
前記筒状部は、前記操作量変更手段によって前記操作手段が移動することにより前記配設対象から突出する部分の少なくとも一部を通じて同操作手段の内部領域が視認可能となるように構成されており、
前記操作手段において前記操作量変更手段により突出量が増加した場合に視認可能となる特定領域にて発光表示演出を実行する表示演出手段を備え、
前記操作手段には、少なくとも前記操作量変更手段による前記操作手段の前記移動が行われていない状況下において、前記一端側からの前記特定領域の視認が困難又は不可となるように遮蔽する操作手段側遮蔽部が設けられており、
前記操作手段側遮蔽部には光が通過可能となる部位が形成されており、当該部位を通じて光を視認可能となるように構成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
パチンコ機である請求項１に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
例えばパチンコ遊技機等の遊技機においては、遊技者により操作される操作手段を備えているものが知られている。例えば、特許文献１に示すパチンコ遊技機では、遊技機前面に操作手段を設け、遊技者に有利な特別遊技状態等の発生を遊技者に期待させるために、遊技者の操作に応じて特別演出を画面表示等にて行うように構成されている。このように操作手段を採用した遊技機においては、操作手段を用いて遊技者の遊技への注目度を如何にして高めるかが重要な課題となっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ここで、単に操作手段の操作に応じて特別演出を行うだけでは、操作が単調になる等して新鮮味が薄れ、操作自体への興味が低下しやすくなると懸念される。つまり、遊技者に操作を促したとしても半ば機械的に操作がなされ、操作手段による遊技への注目度向上機能を上手く発揮させることが困難になると想定される。故に、操作手段を利用して遊技への注目度の向上を図る上では、未だ改善の余地がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記例示した事情等に鑑みてなされたものであり、遊技への注目度を好適に高めることが可能な遊技機を提供することを目的とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、
筒状部及び当該筒状部の一端側に形成された操作部を有し、配設対象から前記筒状部の一部及び前記操作部が突出した状態となるように配設され、遊技者により前記操作部が押圧操作されることにより所定方向に変位可能に設けられた操作手段と、
前記配設対象に設けられ、前記操作手段において前記配設対象から突出していない部分を視認不可となるように遮蔽する配設対象側遮蔽部と、
特定状況となった場合に、前記配設対象からの突出量が増えるようにして前記操作手段を前記所定方向とは反対側に移動させる操作量変更手段と
を備え、
前記筒状部は、前記操作量変更手段によって前記操作手段が移動することにより前記配設対象から突出する部分の少なくとも一部を通じて同操作手段の内部領域が視認可能となるように構成されており、
前記操作手段において前記操作量変更手段により突出量が増加した場合に視認可能となる特定領域にて発光表示演出を実行する表示演出手段を備え、
前記操作手段には、少なくとも前記操作量変更手段による前記操作手段の前記移動が行われていない状況下において、前記一端側からの前記特定領域の視認が困難又は不可となるように遮蔽する操作手段側遮蔽部が設けられており、
前記操作手段側遮蔽部には光が通過可能となる部位が形成されており、当該部位を通じて光を視認可能となるように構成されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
遊技への注目度を好適に高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月9日(2017.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視において少なくとも対向する２辺を有する太陽電池パネルと、
前記対向する２辺のうち一方の辺を保持する第１保持フレームと、
前記対向する２辺のうち他方の辺を保持する第２保持フレームと、を備え、
前記第１保持フレームは、
前記太陽電池パネルの一方の辺側となる側面に沿って設けられる第１壁部と、
前記第１壁部から前記太陽電池パネル側に突出形成されて前記太陽電池パネルを保持する第１保持部と、
前記第１壁部から前記第１保持部の反対側に突出されるとともに、前記一方の辺の幅全域に渡って形成された第１外側突出部と、
前記太陽電池パネルの反対側となる前記第１壁部に対して、前記第１外側突出部よりも下方であって前記第１外側突出部よりも小さな突出量で突出形成され、前記第１保持フレームと前記第２保持フレームとを係合する固定金具が係合可能な第１係合部が先端に設けられるフランジ部と、を有し、
前記第２保持フレームは、
前記太陽電池パネルの他方の辺側となる側面に沿って設けられる第２壁部と、
前記第２壁部から前記太陽電池パネル側に突出形成されて前記太陽電池パネルを保持する第２保持部と、
前記太陽電池パネルの反対側となる前記第２壁部に対して、前記他方の辺の幅全域に渡って突出形成され、前記固定金具が係合可能な第２係合部が先端に設けられた水受け用突出部と、を有し、
前記第１保持フレームと前記第２保持フレームとを突き合わせた場合に、前記第１係合部と前記第２係合部とが前記第１外側突出部の下側に位置することを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記水受け用突出部は、前記第２壁部との間に溝を形成することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記第２壁部には、水抜き用の孔が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池モジュール。
【請求項４】
屋根上に設置された架台と、
前記第１保持フレームと前記第２保持フレームとを突き合わせて前記屋根の傾斜方向に並べて前記架台上に載置された請求項１から３のいずれか１つに記載の太陽電池モジュールと、
前記太陽電池モジュールを前記架台に固定する固定金具と、を備えることを特徴とする太陽電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月31日(2017.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流系統に接続された交流電力を直流電力に変換する整流部と、
前記整流部の直流側に接続された充放電可能な蓄電部と、
前記整流部の直流側に接続された直流電力を交流電力に変換して負荷に供給するインバータ部と、
前記蓄電部の放電を制御して前記交流系統からの受電量を削減するアシスト制御を行うアシスト制御部と、
前記アシスト制御中に、前記交流系統の停電時における前記蓄電部の前記負荷への残り放電可能時間を逐次計算する計算部と、
前記残り放電可能時間が既定の下限値に達すると前記アシスト制御を終了させる停止部と、
前記アシスト制御が終了した状態で予め設定された時刻が到来すると、前記蓄電部への充電を開始させるスケジューラとを具備する、無停電電源システム。
【請求項２】
前記計算部は、
前記蓄電部の蓄電容量をモニタする容量モニタと、
前記蓄電部から前記負荷に流れる電流値を検知するセンサとを備え、
前記蓄電容量および前記電流値に基づいて前記残り放電可能時間を計算する、請求項１に記載の無停電電源システム。
【請求項３】
さらに、前記下限値をユーザの入力操作に応じて設定する設定部を具備する、請求項１に記載の無停電電源システム。
【請求項４】
前記蓄電部は、リチウムイオン電池である、請求項１に記載の無停電電源システム。
【請求項５】
交流系統に接続された交流電力を直流電力に変換する整流部と、前記整流部の直流側に接続された充放電可能な蓄電部と、前記整流部の直流側に接続された直流電力を交流電力に変換して負荷に供給するインバータ部とを有する無停電電源装置のコントローラであって、
前記蓄電部の放電を制御して前記交流系統からの受電量を削減するアシスト制御を行うアシスト制御部と、
前記アシスト制御中に、前記交流系統の停電時における前記蓄電部の前記負荷への残り放電可能時間を逐次計算する計算部と、
前記残り放電可能時間が既定の下限値に達するとアシスト制御を終了させる停止部と、
前記アシスト制御が終了した状態で予め設定された時刻が到来すると、前記蓄電部への充電を開始させるスケジューラとを具備する、コントローラ。
【請求項６】
前記計算部は、
前記蓄電部の蓄電容量をモニタする容量モニタと、
前記蓄電部から前記負荷に流れる電流値を検知するセンサとを備え、
前記蓄電容量および前記電流値に基づいて前記残り放電可能時間を計算する、請求項５に記載のコントローラ。
【請求項７】
さらに、前記下限値をユーザの入力操作に応じて設定する設定部を具備する、請求項５に記載のコントローラ。
【請求項８】
前記蓄電部は、リチウムイオン電池である、請求項５に記載のコントローラ。
【請求項９】
交流系統に接続された交流電力を直流電力に変換する整流部と、前記整流部の直流側に接続された充放電可能な蓄電部と、前記整流部の直流側に接続された直流電力を交流電力に変換して負荷に供給するインバータ部とを有する無停電電源装置をコントローラが制御する方法であって、
前記コントローラが、前記蓄電部の放電を制御して前記交流系統からの受電量を削減するアシスト制御を行うことと、
前記コントローラが、前記アシスト制御中に、前記交流系統の停電時における前記蓄電部の前記負荷への残り放電可能時間を逐次計算することと、
前記コントローラが、残り放電可能時間が既定の下限値に達するとアシスト制御を終了させることと、
前記コントローラが、前記アシスト制御が終了した状態で予め設定された時刻が到来すると、前記蓄電部への充電を開始させることとを具備する、制御方法。
【請求項１０】
前記計算することは、
前記蓄電部の蓄電容量をモニタすることと、
前記蓄電部から前記負荷に流れる電流値を検知することと、
前記蓄電容量および前記電流値に基づいて前記残り放電可能時間を計算することとを含む、請求項９に記載の制御方法。
【請求項１１】
さらに、ユーザにより入力された前記下限値を前記コントローラが設定することを含む、請求項９に記載の制御方法。
【請求項１２】
前記蓄電部は、リチウムイオン電池である、請求項９に記載の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
実施形態によれば、無停電電源システムは、整流部と、充放電可能な蓄電部と、インバータ部とを有する。整流部は、交流系統に接続された交流電力を直流電力に変換する。蓄電部は、整流部の直流側に接続される。インバータ部は、整流部の直流側に接続された直流電力を交流電力に変換して負荷に供給する。さらに無停電電源システムは、アシスト制御部と、計算部と、停止部と、スケジューラとを備える。アシスト制御部は、蓄電部の放電を制御して交流系統からの受電量を削減する。計算部は、アシスト制御中に、交流系統の停電時における蓄電部の負荷への残り放電可能時間を逐次計算する。停止部は、残り放電可能時間が既定の下限値に達するとアシスト制御を終了させる。スケジューラは、アシスト制御が終了した状態で予め設定された時刻が到来すると、蓄電部への充電を開始させる。