【手続補正書】
【提出日】平成29年5月17日(2017.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に第１膜と、第２膜と、第３膜と、をこの順序で形成する成膜工程と、
前記第３膜の上に第１のマスクパターンを形成する工程と、
前記第１のマスクパターンを用いてゲート電極を形成するゲート電極の形成工程と、
前記第１のマスクパターンの一部と、前記ゲート電極に隣接する領域と、の上に開口を有する第２のマスクパターンを形成する工程と、
前記第１のマスクパターンと、前記第２のマスクパターンと、をマスクとして、前記半導体基板に対してイオン注入を行う注入工程と、を有し、
前記ゲート電極の形成工程は、第１の処理ガスを用いて前記第３膜をエッチングする第１のエッチング工程と、第２の処理ガスを用いて前記第２膜をエッチングする第２のエッチング工程と、第３の処理ガスを用いて前記第２膜をオーバーエッチングする第３のエッチング工程とを含み、
前記第１のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第１の堆積物と、前記第２のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第２の堆積物と、前記第３のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第３の堆積物と、が塩素原子および臭素原子の少なくとも一方を含みフッ素原子を含まないことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記第１の堆積物と、前記第２の堆積物と、前記第３の堆積物と、が塩素原子を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第１の処理ガスと、前記第２の処理ガスと、前記第３の処理ガスと、が塩素原子および臭素原子の少なくとも一方を含むガスを含み、フッ素原子を含むガスを含まないことを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第１の処理ガスと、前記第２の処理ガスと、前記第３の処理ガスと、が塩素原子を含むガスを含むことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項５】
前記塩素原子を含むガスがＣｌ２ガスであることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項６】
前記臭素原子を含むガスがＨＢｒガスであることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項７】
前記第１の処理ガスと、前記第２の処理ガスと、前記第３の処理ガスと、の少なくともいずれかが、Ｏ２ガスを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第１の処理ガスが、Ｏ２ガスを含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記第１のエッチング工程において、１．３３Ｐａ以下の圧力でエッチングが行われることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第２のエッチング工程において、前記第２の処理ガスが、エッチングの開始時でＣｌ２ガスのみを含み、その後、Ｃｌ２ガスと、Ｃｌ２ガス以外のガスと、を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の処理ガスと、前記第２の処理ガスと、が同一の処理ガスであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の処理ガスと、前記第３の処理ガスと、が同一の処理ガスであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の処理ガスと、前記第２の処理ガスと、前記第３の処理ガスと、が同一の処理ガスであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に第１膜と、第２膜と、第３膜と、をこの順序で形成する成膜工程と、
前記第３膜の上に、第１のマスクパターンを形成する工程と、
前記第１のマスクパターンを用いてゲート電極を形成するゲート電極の形成工程と、
前記第１のマスクパターンの一部と、前記ゲート電極に隣接する領域と、の上に開口を有する第２のマスクパターンを形成する工程と、
前記第１のマスクパターンと、前記第２のマスクパターンと、をマスクとして、前記半導体基板に対してイオン注入を行う注入工程と、を有し、
前記ゲート電極の形成工程は、第１の処理ガスを用いて前記第３膜をエッチングする第１のエッチング工程と、第２の処理ガスを用いて前記第２膜をエッチングする第２のエッチング工程と、第３の処理ガスを用いて前記第２膜をオーバーエッチングする第３のエッチング工程とを含み、
前記第１のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第１の堆積物と、前記第２のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第２の堆積物と、前記第３のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第３の堆積物と、がフッ素原子を含み塩素原子および臭素原子を含まないことを特徴とする製造方法。
【請求項１５】
前記第１の処理ガスと、前記第２の処理ガスと、前記第３の処理ガスとが、フッ素を含むガスを含み、塩素および臭素を含むガスを含まないことを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記第１膜はゲート絶縁膜であり、前記第２膜は多結晶シリコン膜であり、前記第３膜は有機材料からなることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記半導体装置は、光電変換素子と、前記光電変換素子に蓄積された電荷を転送するための転送トランジスタとを備え、
前記ゲート電極は前記転送トランジスタのゲート電極であり、
前記注入工程により、前記光電変換素子の一部を構成する半導体領域が形成されることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の一部の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第１膜と、第２膜と、第３膜と、をこの順序で形成する成膜工程と、前記第３膜の上に第１のマスクパターンを形成する工程と、前記第１のマスクパターンを用いてゲート電極を形成するゲート電極の形成工程と、前記第１のマスクパターンの一部と、前記ゲート電極に隣接する領域と、の上に開口を有する第２のマスクパターンを形成する工程と、前記第１のマスクパターンと、前記第２のマスクパターンと、をマスクとして、前記半導体基板に対してイオン注入を行う注入工程と、を有し、前記ゲート電極の形成工程は、第１の処理ガスを用いて前記第３膜をエッチングする第１のエッチング工程と、第２の処理ガスを用いて前記第２膜をエッチングする第２のエッチング工程と、第３の処理ガスを用いて前記第２膜をオーバーエッチングする第３のエッチング工程とを含み、前記第１のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第１の堆積物と、前記第２のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第２の堆積物と、前記第３のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第３の堆積物と、が塩素原子および臭素原子の少なくとも一方を含みフッ素原子を含まないことを特徴とする。また、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第１膜と、第２膜と、第３膜と、をこの順序で形成する成膜工程と、前記第３膜の上に、第１のマスクパターンを形成する工程と、前記第１のマスクパターンを用いてゲート電極を形成するゲート電極の形成工程と、前記第１のマスクパターンの一部と、前記ゲート電極に隣接する領域と、の上に開口を有する第２のマスクパターンを形成する工程と、前記第１のマスクパターンと、前記第２のマスクパターンと、をマスクとして、前記半導体基板に対してイオン注入を行う注入工程と、を有し、前記ゲート電極の形成工程は、第１の処理ガスを用いて前記第３膜をエッチングする第１のエッチング工程と、第２の処理ガスを用いて前記第２膜をエッチングする第２のエッチング工程と、第３の処理ガスを用いて前記第２膜をオーバーエッチングする第３のエッチング工程とを含み、前記第１のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第１の堆積物と、前記第２のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第２の堆積物と、前記第３のエッチング工程において前記ゲート電極の側壁に形成される第３の堆積物と、がフッ素原子を含み塩素原子および臭素原子を含まないことを特徴とする。