【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月7日(2016.12.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
フォトレジスト組成物であって、
５０〜１００モル％の光酸発生繰り返し単位を含む第１のポリマーであって、前記光酸発生繰り返し単位の各々が、（ａ）光酸発生官能基と、（ｂ）第３級カルボン酸エステル、第２級炭素が少なくとも１つの非置換もしくは置換Ｃ６−４０アリールで置換されている第２級カルボン酸エステル、アセタール、ケタール、ラクトン、スルトン、アルファ−フッ素化エステル、ベータ−フッ素化エステル、アルファ，ベータ−フッ素化エステル、ポリアルキレングリコール、アルファ−フッ素化アルコール、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される塩基溶解度向上官能基と、を含む、第１のポリマーと、酸の作用下でアルカリ現像液中での溶解度の変化を呈する第２のポリマーと、を含む、
前記フォトレジスト組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
前記第１のポリマーの前記光酸発生繰り返し単位が、構造
【化１】
2016095497.tif 000001
を有し、式中、
Ｒ１が、前記第２の光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキル、またはＣ１−１０フルオロアルキルであり、
Ｌ１が、前記第２の光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、非置換Ｃ６−１８アリーレン、または置換Ｃ６−１８アリーレンであり、
ｍが、前記第２の光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、０または１であり、
Ｌ２が、前記第２の光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、非置換もしくは置換Ｃ１−２０ヒドロカルビレンであり、前記置換Ｃ１−２０ヒドロカルビレンが、任意に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ２、−ＰＲ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）Ｏ−、−Ｎ（Ｒ２）Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ２）−、−ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ２）−、−Ｎ（Ｒ２）Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｎ（Ｒ２）Ｓ（Ｏ）２−、−Ｓ（Ｏ）２Ｎ（Ｒ２）−、−ＯＳ（Ｏ）２−、または−Ｓ（Ｏ）２Ｏ−である１つ以上の鎖内二価ヘテロ原子含有基を含んでもよく、式中、Ｒ２が、ＨまたはＣ１−１２ヒドロカルビルであり、
Ｚ−が、前記第２の光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、スルホネート（−ＳＯ３−）、スルホンアミデート（スルホンアミドのアニオン、−Ｓ（Ｏ）２Ｎ−Ｒ３（式中、Ｒ３がＨまたは非置換もしくは置換Ｃ１−１２ヒドロカルビルである））、またはスルホンイミデート（スルホンイミドのアニオン、−Ｓ（Ｏ）２Ｎ−Ｓ（Ｏ）２Ｒ３（式中、Ｒ３がＨまたは非置換もしくは置換Ｃ１−１２ヒドロカルビルである））であり、
Ｑ＋が光酸発生カチオンであり、
Ｌ１、Ｌ２（ｍが１である場合）、及びＱ＋のうちの少なくとも１つが、前記塩基溶解度向上官能基を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の前記フォトレジスト組成物。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
前記第２のポリマーの前記第２の光酸発生繰り返し単位が、構造
【化２】
2016095497.tif 000002
を有し、式中、
Ｒ１が、前記第２の光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキル、またはＣ１−１０フルオロアルキルであり、
Ｌ１が、前記第２の光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、非置換Ｃ６−１８アリーレン、または置換Ｃ６−１８アリーレンであり、
ｍが、前記第２の光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、０または１であり、
Ｌ２が、前記第２の光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、非置換もしくは置換Ｃ１−２０ヒドロカルビレンであり、前記置換Ｃ１−２０ヒドロカルビレンが、任意に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ２、−ＰＲ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）Ｏ−、−Ｎ（Ｒ２）Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ２）−、−ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ２）−、−Ｎ（Ｒ２）Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｎ（Ｒ２）Ｓ（Ｏ）２−、−Ｓ（Ｏ）２Ｎ（Ｒ２）−、−ＯＳ（Ｏ）２−、または−Ｓ（Ｏ）２Ｏ−である１つ以上の鎖内二価ヘテロ原子含有基を含んでもよく、式中、Ｒ２が、ＨまたはＣ１−１２ヒドロカルビルであり、
Ｐ＋が、前記光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、非置換もしくは置換トリ（Ｃ１−４０−ヒドロカルビル）スルホニウムイオン、または非置換もしくは置換ジ（Ｃ１−４０−ヒドロカルビル）ヨードニウムイオンを含む一価基であり、
Ｘ−が、一価アニオンであり、
Ｌ１、Ｌ２（ｍが１である場合）、及びＱ＋のうちの少なくとも１つが、前記塩基溶解度向上官能基を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の前記フォトレジスト組成物。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】
前記第１のポリマーの前記光酸発生繰り返し単位が、構造
【化３】
2016095497.tif 000003
を有し、式中、
Ｒ１が、前記光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、Ｈまたはメチルであり、  Ｌ１が、前記光酸発生繰り返し単位の各々において、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−であり、
ｍが、前記光酸発生繰り返し単位の各々において、１であり、
Ｌ２が、前記光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、フッ素置換Ｃ２−２０ヒドロカルビレンであり、前記フッ素置換Ｃ２−２０ヒドロカルビレンが、任意に、−Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、または−Ｃ（Ｏ）Ｏ−である１つ以上の鎖内二価ヘテロ原子含有基を含んでもよく、
Ｚ−が、前記繰り返し単位の各々において、スルホネート（−ＳＯ３−）であり、
Ｑ＋が、前記光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、非置換もしくは置換トリ（Ｃ１−４０−ヒドロカルビル）スルホニウムイオン、または非置換もしくは置換ジ（Ｃ１−４０−ヒドロカルビル）ヨードニウムイオンであり、
Ｌ１、Ｌ２（ｍが１である場合）、及びＱ＋のうちの少なくとも１つが、前記塩基溶解度向上官能基を含み、
前記第２のポリマーが、１０〜６５モル％の酸不安定繰り返し単位、０〜５０重量％の塩基不安定繰り返し単位、０〜４０モル％の塩基可溶繰り返し単位、及び０〜１５モル％の光酸発生繰り返し単位を含み、
前記フォトレジスト組成物が、乾燥重量に基づいて、
２０〜８０重量％の前記第１のポリマーと、
１０〜６０重量％の前記第２のポリマーと、
０．５〜１０重量％のクエンチャーと、を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の前記フォトレジスト組成物。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
一実施形態は、５０〜１００モル％の光酸発生繰り返し単位を含む第１のポリマーであって、光酸発生繰り返し単位の各々が、（ａ）光酸発生官能基と、（ｂ）第３級カルボン酸エステル、第２級炭素が少なくとも１つの非置換もしくは置換Ｃ６−４０アリールで置換されている第２級カルボン酸エステル、アセタール、ケタール、ラクトン、スルトン、アルファ−フッ素化エステル、ベータ−フッ素化エステル、アルファ，ベータ−フッ素化エステル、ポリアルキレングリコール、アルファ−フッ素化アルコール、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される塩基溶解度向上官能基と、を含む、第１のポリマーと、酸の作用下でアルカリ現像液中での溶解度の変化を呈する第２のポリマーと、を含むフォトレジスト組成物である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
したがって、一実施形態は、５０〜１００モル％の光酸発生繰り返し単位を含む第１のポリマーであって、光酸発生繰り返し単位の各々が、（ａ）光酸発生官能基及び（ｂ）第３級カルボン酸エステル、第２級炭素が少なくとも１つの非置換もしくは置換Ｃ６−４０アリールで置換されている第２級カルボン酸エステル、アセタール、ケタール、ラクトン、スルトン、アルファ−フッ素化エステル、ベータ−フッ素化エステル、アルファ，ベータ−フッ素化エステル、ポリアルキレングリコール、アルファ−フッ素化アルコール、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される塩基溶解度向上官能基を含む、第１のポリマーと、酸の作用下でアルカリ現像液中での溶解度の変化を呈する第２のポリマーと、を含むフォトレジスト組成物である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
光酸発生官能基に加えて、第１のポリマーの各光酸発生繰り返し単位は、塩基溶解度向上官能基を含む。塩基溶解度向上官能基は、塩基溶解性である官能基（例えば、ポリアルキレングリコール、アルファ−フッ素化アルコール）、酸触媒脱保護後に塩基溶解性である官能基（例えば、第３級エステル、アセタール、ケタール、第２級カルボン酸エステルであって、この第２級炭素が少なくとも１つの非置換もしくは置換Ｃ６−４０アリールで置換される）、及び塩基触媒脱保護後に塩基溶解性である官能基（例えば、フッ素化エステル、ラクトン、スルトン）を含む。塩基溶解度向上官能基の例として、第３級カルボン酸エステル、第２級炭素が少なくとも１つの非置換もしくは置換Ｃ６−４０アリールで置換されている第２級カルボン酸エステル、アセタール、ケタール、ラクトン、スルトン、アルファ−フッ素化エステル、ベータ−フッ素化エステル、アルファ，ベータ−フッ素化エステル、ポリアルキレングリコール、アルファ−フッ素化アルコール、及びこれらの組み合わせが挙げられる。いくつかの実施形態では、塩基溶解度向上官能基は、第３級カルボン酸エステル、アセタール、ケタール、ラクトン、またはこれらの組み合わせである。いくつかの実施形態では、塩基溶解度向上官能基は、第３級カルボン酸エステル、ラクトン、またはこれらの組み合わせである。いくつかの実施形態では、塩基溶解度向上官能基は、光酸発生カチオン中に存在する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
いくつかの実施形態では、光酸発生繰り返し単位は、ポリマー結合アニオン及び非ポリマー結合カチオンを含む。例えば、光酸発生繰り返し単位は、構造
【化２】
2016095497.tif 000004
を有し、式中、Ｒ１は、繰り返し単位の各々において独立して、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキル、またはＣ１−１０フルオロアルキルであり、Ｌ１は、繰り返し単位の各々において独立して、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、非置換Ｃ６−１８アリーレン、または置換Ｃ６−１８アリーレンであり、ｍは、繰り返し単位の各々において独立して、０または１であり、Ｌ２は、繰り返し単位の各々において独立して、非置換もしくは置換Ｃ１−２０ヒドロカルビレンであり、この置換Ｃ１−２０ヒドロカルビレンが、任意に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ２、−ＰＲ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）Ｏ−、−Ｎ（Ｒ２）Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ２）−、−ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ２）−、−Ｎ（Ｒ２）Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｎ（Ｒ２）Ｓ（Ｏ）２−、−Ｓ（Ｏ）２Ｎ（Ｒ２）−、−ＯＳ（Ｏ）２−、または−Ｓ（Ｏ）２Ｏ−等の１つ以上の鎖内二価ヘテロ原子含有基を含んでもよく、式中、Ｒ２が、ＨまたはＣ１−１２ヒドロカルビルであり、Ｚ−は、繰り返し単位の各々において独立して、スルホネート（−ＳＯ３−）、スルホンアミデート（スルホンアミドのアニオン、−Ｓ（Ｏ）２Ｎ−Ｒ３（式中、Ｒ３がＨまたは非置換もしくは置換Ｃ１−１２ヒドロカルビルである）、またはスルホンイミデート（スルホンイミドのアニオン、−Ｓ（Ｏ）２Ｎ−Ｓ（Ｏ）２Ｒ３（式中、Ｒ３がＨまたは非置換もしくは置換Ｃ１−１２ヒドロカルビルである）であり、Ｑ＋は、光酸発生カチオンであり、Ｌ１、Ｌ２（ｍが１である場合）、及びＱ＋のうちの少なくとも１つは、塩基溶解度向上官能基を含む。言い換えると、ｍがゼロである場合、Ｌ１及びＱ＋のうちの少なくとも１つが塩基溶解度向上官能基を含み、ｍが１である場合、Ｌ１、Ｌ２、及びＱ＋のうちの少なくとも１つが塩基溶解度向上官能基を含む。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
いくつかの実施形態では、光酸発生官能基は、ポリマー結合カチオン及び非ポリマー結
合アニオンを含む。例えば、光酸発生繰り返し単位は、構造
【化３】
2016095497.tif 000005
を有し、式中、Ｒ１は、繰り返し単位の各々において独立して、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキル、またはＣ１−１０フルオロアルキルであり、Ｌ１は、繰り返し単位の各々において独立して、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、非置換Ｃ６−１８アリーレン、または置換Ｃ６−１８アリーレンであり、ｍは、繰り返し単位の各々において独立して、０または１であり、Ｌ２は、繰り返し単位の各々において独立して、非置換もしくは置換Ｃ１−２０ヒドロカルビレンであり、この置換Ｃ１−２０ヒドロカルビレンが、任意に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ２、−ＰＲ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）Ｏ−、−Ｎ（Ｒ２）Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ２）−、−ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ２）−、−Ｎ（Ｒ２）Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｎ（Ｒ２）Ｓ（Ｏ）２−、−Ｓ（Ｏ）２Ｎ（Ｒ２）−、−ＯＳ（Ｏ）２−、または−Ｓ（Ｏ）２Ｏ−である１つ以上の鎖内二価ヘテロ原子含有基を含んでもよく、式中、Ｒ２が、ＨまたはＣ１−１２ヒドロカルビルであり、Ｐ＋は、繰り返し単位の各々において独立して、非置換もしくは置換トリ（Ｃ１−６０−ヒドロカルビル）スルホニウムイオン、または非置換もしくは置換ジ（Ｃ１−６０−ヒドロカルビル）ヨードニウムイオンを含む一価基であり、Ｘ−は、一価アニオンであり、Ｌ１、Ｌ２（ｍが１である場合）、及びＱ＋のうちの少なくとも１つは、塩基溶解度向上官能基を含む。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
第１のポリマー及び第２のポリマーに加えて、フォトレジスト組成物は、任意に、光破壊可能クエンチャー、光速度及び／もしくは酸拡散を調節するためのアミンもしくはアミド添加剤、溶媒、界面活性剤、またはこれらの組み合わせをさらに含む。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
フォトレジスト組成物は、アミンまたはアミド化合物を含んでもよい。これらの化合物は、「クエンチャー」と呼ばれることもあるが、光破壊可能クエンチャーとは化学的にはっきり異なる。アミンまたはアミド化合物は、Ｃ１−３０有機アミン、イミン、もしくはアミドを含むか、または強塩基（例えばヒドロキシドまたはアルコキシド）もしくは弱塩基（例えばカルボキシレート）のＣ１−３０第４級アンモニウム塩であり得る。アミンまたはアミド化合物の例として、アミン、例えば、トレーガー塩基；ヒンダードアミン、例えば、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）及びジアザビシクロノネン（ＤＢＮ）；Ｎ−保護アミン、例えば、Ｎ−ｔ−ブチルカルボニル−１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチルアミン；及びイオン性化合物、例えば、第４級アルキルアンモニウム塩、例えば、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）及びテトラブチルアンモニウムラクテートが挙げられる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
光破壊可能クエンチャーの例として、トリフェニルスルフォニウムヒドロキシド、トリフェニルスルフォニウム３−ヒドロキシアダマンタンカルボキシレート、トリフェニルスルフォニウムカンフルスルホネート、及びｔ−ブチルフェニルジベンゾチオフェニウム１−アダマンタンカルボキシレートが挙げられる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
フォトレジスト組成物の極めて特定の実施形態では、第２のポリマーは、１０〜６５モ
ル％の酸不安定繰り返し単位、０〜５０重量％の塩基不安定繰り返し単位、０〜４０モル
％の塩基可溶繰り返し単位、及び１〜１５モル％、具体的には２〜１０モル％の光酸発生
繰り返し単位を含み、第１のポリマーの光酸発生繰り返し単位は、構造
【化５】
2016095497.tif 000006
を有し、式中、Ｒ１は、光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、Ｈまたはメチルであり、Ｌ１は、光酸発生繰り返し単位の各々において、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−であり、ｍが、光酸発生繰り返し単位の各々において、１であり、Ｌ２は、光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、フッ素置換Ｃ２−２０ヒドロカルビレンであり、このフッ素置換Ｃ２−２０ヒドロカルビレンが、任意に、−Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、または−Ｃ（Ｏ）Ｏ−である１つ以上の鎖内二価ヘテロ原子含有基を含んでもよく、Ｚ−は、繰り返し単位の各々において、スルホネート（−ＳＯ３−）であり、Ｑ＋は、光酸発生繰り返し単位の各々において独立して、非置換もしくは置換トリ（Ｃ１−４０−ヒドロカルビル）スルホニウムイオン、または非置換もしくは置換ジ（Ｃ１−４０−ヒドロカルビル）ヨードニウムイオンであり、Ｌ１、Ｌ２（ｍが１である場合）、及びＱ＋のうちの少なくとも１つは、塩基溶解度向上官能基を含み、フォトレジスト組成物は、乾燥重量に基づいて、２０〜８０重量％の第１のポリマー、１０〜６０重量％の第２のポリマー、及び０．５〜１０重量％のクエンチャーを含む。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
実施例１９
フォトレジスト組成物の調製及び処理。フォトレジスト組成物の調製で使用した非ポリマー光酸発生剤及び光破壊可能クエンチャー（集合的に「添加剤」）を表１に要約する。フォトレジスト組成物を表２に要約する。実施例１９のポジティブトーンフォトレジスト組成物を、成分１、乳酸エチル中の実施例１７のポリマーの５．３３ｇの１０重量％溶液；成分２、乳酸エチル中の添加剤Ａ−１の１０．３７３ｇの２重量％溶液；成分３、乳酸エチル中のテトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミンの０．３２０ｇの０．５重量％溶液；成分４、乳酸エチル中の添加剤Ａ−２の０．３５６ｇの２重量％溶液；成分５、乳酸エチル中のフッ素化界面活性剤（Ｏｍｎｏｖａ  ＰＦ６５６）の０．１０７ｇの０．５重量％溶液；成分６、４．７３７ｇの乳酸エチル；及び成分７、８．７７５ｇの２−ヒドロキシイソブチル酸メチルエステルを合わせることにより調製した。調合したレジストを０．０１マイクロメートル（μｍ）のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルタに通した。このようにして調製したレジストを、シリコンウエハ上にスピンコートし、ソフトベークして、担体溶媒を除去し、フォトマスクを通してＥＵＶ放射線に露光した。次いで、画像化されたレジスト層を１１０℃で６０秒間ベークし、その後、水性アルカリ性組成物で現像した。