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【手続補正書】
【提出日】平成29年4月11日(2017.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱膨張性を有する媒体の表面に該媒体よりも熱エネルギー吸収性が高い熱吸収部材を形成する熱吸収部材形成部と、
前記媒体の表面に沿って該媒体と相対的に移動しつつ、前記熱吸収部材に光熱を照射して、前記熱吸収部材において発生する熱エネルギーにより、前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体を膨張させて該媒体に凸部を形成させる光熱源部と、
前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体の膨張の程度が同じに設定された場合、前記媒体における前記光熱源部の移動の向きの終点側に対応する第１領域に形成される前記熱吸収部材の前記媒体の表面の単位面積当たりに占める面積が、前記媒体における当該光熱源部の移動の向きの始点側に対応する第２領域に形成される前記熱吸収部材の前記面積よりも小さくなるように、前記熱吸収部材の前記面積を制御する密度制御部と、
を有する立体画像形成装置。
【請求項２】
熱膨張性を有する媒体の表面に該媒体よりも熱エネルギー吸収性が高い熱吸収部材を形成する熱吸収部材形成部と、
前記媒体の表面に沿って該媒体と相対的に移動しつつ、前記熱吸収部材に光熱を照射して、前記熱吸収部材において発生する熱エネルギーにより、前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体を膨張させて該媒体に凸部を形成させる光熱源部と、
前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体の膨張の程度が同じに設定された場合、前記媒体における前記光熱源部の長手方向の中央部に対応する第１領域に形成される前記熱吸収部材の前記媒体の表面の単位面積当たりに占める面積が、前記媒体における当該光熱源部の移動の長手方向の両端部に対応する第２領域に形成される前記熱吸収部材の前記面積よりも小さくなるように、前記熱吸収部材の前記面積を制御する密度制御部と、
を有する立体画像形成装置。
【請求項３】
前記熱吸収部材は黒色であり、前記密度制御部は、前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体の膨張の程度が同じに設定された場合、前記媒体の前記第１領域に前記熱吸収部材によって形成される画像が前記第２領域に形成される画像よりも漸次黒色から灰色に近い濃度に印刷されるように制御する、請求項１または２に記載の立体画像形成装置。
【請求項４】
前記光熱照射部は、赤外線波長を含むハロゲンランプである請求項１〜３のいずれか１項に記載の立体画像形成装置。
【請求項５】
熱膨張性を有する媒体の表面に該媒体よりも熱エネルギー吸収性が高い熱吸収部材を形成する熱吸収部材形成部と、
前記媒体の表面に沿って該媒体と相対的に移動しつつ、前記熱吸収部材に光熱を照射する光熱源部と、
前記媒体における前記光熱源部の移動の向きの終点側に対応する第１領域に形成される前記熱吸収部材の前記媒体の表面の単位面積当たりに占める面積が、前記媒体における当該光熱源部の移動の向きの始点側に対応する第２領域に形成される前記熱吸収部材の前記面積よりも小さくなるように、前記熱吸収部材の前記面積を制御する密度制御部と、
を有する立体画像形成装置。
【請求項６】
熱膨張性を有する媒体の表面に該媒体よりも熱エネルギー吸収性が高い熱吸収部材を形成する熱吸収部材形成部と、
前記媒体の表面に沿って該媒体と相対的に移動しつつ、前記熱吸収部材に光熱を照射する光熱源部と、
前記媒体における前記光熱源部の長手方向の中央部に対応する第１領域に形成される前記熱吸収部材の前記媒体の表面の単位面積当たりに占める面積が、前記媒体における当該光熱源部の移動の長手方向の両端部に対応する第２領域に形成される前記熱吸収部材の前記面積よりも小さくなるように、前記熱吸収部材の前記面積を制御する密度制御部と、
を有する立体画像形成装置。
【請求項７】
前記密度制御部は、前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体の膨張の程度が同じに設定されている場合に、前記第１領域に形成される前記熱吸収部材の前記媒体の表面の単位面積当たりに占める面積が、前記第２領域に形成される前記熱吸収部材の前記面積よりも小さくなるように、前記熱吸収部材の前記面積を制御する、請求項５または６に記載の立体画像形成装置。
【請求項８】
熱膨張性を有する媒体の表面に該媒体よりも熱エネルギー吸収性が高い熱吸収部材を形成し、
前記媒体の表面に沿って該媒体と相対的に移動しつつ、前記熱吸収部材に光熱を照射して、前記熱吸収部材において発生する熱エネルギーにより、前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体を膨張させて該媒体に凸部を形成させ、
前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体の膨張の程度が同じに設定された場合、前記媒体における前記光熱源部の移動の向きの終点側に対応する第１領域に形成される前記熱吸収部材の前記媒体の表面の単位面積当たりに占める面積が、前記媒体における当該光熱源部の移動の向きの始点側に対応する第２領域に形成される前記熱吸収部材の前記面積よりも小さくなるように、前記熱吸収部材の前記面積を制御する、
立体画像形成方法。
【請求項９】
熱膨張性を有する媒体の表面に該媒体よりも熱エネルギー吸収性が高い熱吸収部材を形成する熱吸収部材形成部と、前記媒体の表面に沿って該媒体と相対的に移動しつつ、前記熱吸収部材に光熱を照射して、前記熱吸収部材において発生する熱エネルギーにより、前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体を膨張させて該媒体に凸部を形成させる光熱源部と、を有する立体画像形成装置に備えられたコンピュータを制御するためのプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体の膨張の程度が同じに設定された場合、前記媒体における前記光熱源部の移動の向きの終点側に対応する第１領域に形成される前記熱吸収部材の前記媒体の表面の単位面積当たりに占める面積が、前記媒体における当該光熱源部の移動の向きの始点側に対応する第２領域に形成される前記熱吸収部材の前記面積よりも小さくなるように、前記熱吸収部材の前記面積を制御させる、
立体画像形成プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記課題を解決するために、本発明の立体画像形成装置は、
熱膨張性を有する媒体の表面に該媒体よりも熱エネルギー吸収性が高い熱吸収部材を形成する熱吸収部材形成部と、
前記媒体の表面に沿って該媒体と相対的に移動しつつ、前記熱吸収部材に光熱を照射して、前記熱吸収部材において発生する熱エネルギーにより、前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体を膨張させて該媒体に凸部を形成させる光熱源部と、
前記熱吸収部材が形成された部分の前記媒体の膨張の程度が同じに設定された場合、前記媒体における前記光熱源部の長手方向の中央部に対応する第１領域に形成される前記熱吸収部材の前記媒体の表面の単位面積当たりに占める面積が、前記媒体における当該光熱源部の移動の長手方向の両端部に対応する第２領域に形成される前記熱吸収部材の前記面積よりも小さくなるように、前記熱吸収部材の前記面積を制御する密度制御部と、
を有するように構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月16日(2017.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作動ユニットと、該作動ユニットに対向して配置された可動プレートと、前記作動ユニットを前記可動プレートに結合する少なくとも１つの側壁とにより規定されるエンクロージャであって、前記可動プレートが、第１の方向に移動可能であり、少なくとも１つのアパーチャを備えている、前記エンクロージャと、
前記エンクロージャ内に配置され、前記可動プレートと機械的に結合された増幅要素と、
前記増幅要素の前記第１の方向での線形変位を生じさせる少なくとも１つの作動信号トリガー式アクチュエータを備える作動ユニットであって、前記増幅要素は前記アパーチャからの前記第１の方向での流体の出入りを生じさせるために前記エンクロージャの前記可動プレートまでの作動信号にトリガーされたアクチュエータ変位を増幅するように構成されている、作動ユニットと、
を備える冷却システム。
【請求項２】
前記作動信号トリガー式アクチュエータは圧電円盤を含む、圧電材料を含む構成要素を備えている、請求項１に記載の冷却システム。
【請求項３】
前記作動信号トリガー式アクチュエータは、剛性のプレートと機械的に結合させている、請求項１または２に記載の冷却システム。
【請求項４】
前記増幅要素は線形スプリング及び質量構成要素を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の冷却システム。
【請求項５】
前記増幅要素は湾曲した弾性要素を含み、
前記湾曲した弾性要素はシリコーンを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の冷却システム。
【請求項６】
前記増幅要素は、リーフスプリング、複数の圧電ビーム、Ｘ−スプリング、柔軟な支持構造のいずれかを含む、請求項１乃至５のいずれかに記載の冷却システム。
【請求項７】
冷却されているデバイスのデバイスハウジング内に配置されている請求項１乃至６のいずれかに記載の冷却システム。
【請求項８】
少なくとも１つのプレートと少なくとも１つのアクチュエータの間に配置させたシリコーンをさらに含む請求項１乃至９のいずれかに記載の冷却システム。
【請求項９】
前記エンクロージャはエンクロージャの壁を画定しているケーシング及びプレートを備えており、かつ該ケーシングはエンクロージャの最上壁または底部壁のうちの少なくとも一方とエンクロージャの側壁とを画定するように構成されている、請求項１乃至８のいずれかに記載の冷却システム。
【請求項１０】
前記増幅要素は複数のレバーアームをエンクロージャ及び作動ユニットと結合させる複数のヒンジを含む、請求項１乃至９のいずれかに記載の冷却システム。
【請求項１１】
発熱性要素を備えた光源と、
発熱性要素に接近して配置させた冷却システムであって、該冷却システムは、
作動ユニットと、該作動ユニットに対向して配置された可動プレートと、前記作動ユニットを前記可動プレートに結合する少なくとも１つの側壁とにより規定されるエンクロージャであって、前記可動プレートが、第１の方向に移動可能であり、少なくとも１つのアパーチャを備えている、前記エンクロージャと、
前記エンクロージャ内に配置され、前記可動プレートと機械的に結合された増幅要素と、
を備え、
前記作動ユニットは増幅要素の前記第１の方向での線形変位を生じさせる少なくとも１つの作動信号トリガー式アクチュエータを備えており、かつ該増幅要素はエンクロージャ内の少なくとも１つのアパーチャからの前記第１の方向での流体の出入りを生じさせるためにエンクロージャの前記可動プレートまでの作動信号にトリガーされたアクチュエータ変位を増幅するように構成されている、
を備えている冷却システムと、
を備える照明システム。
【請求項１２】
冷却システムであって、
第１の方向に移動できる少なくとも１つの可動壁を備えているエンクロージャであって、該少なくとも１つの可動壁が少なくとも１つのアパーチャを備えている、前記エンクロージャと、
該エンクロージャの少なくとも１つの可動壁と機械的に結合させた中心ノードを有するＸ−スプリングを備える増幅要素と、
該増幅要素と機械的に結合させた作動ユニットであって、該作動ユニットは増幅要素の第１の方向での線形変位を生じさせる少なくとも１つの作動信号トリガー式アクチュエータを備えており、かつ該増幅要素はエンクロージャ内の少なくとも１つのアパーチャからの前記第１の方向での流体の出入りを生じさせるためにエンクロージャの少なくとも１つの可動壁までの作動信号にトリガーされたアクチュエータ変位を増幅するように構成されている、作動ユニットと、
を備える冷却システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月25日(2017.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リチウムイオン二次電池の回復方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電流値により充電する第１の期間と、
第２の電流値の逆パルス電流を流す第２の期間とを有し、
前記第１の期間と前記第２の期間とは、それぞれ複数あり、
前記第１の期間を最初の期間として、その後、前記第１の期間と前記第２の期間とは交互に設けられ、
前記第２の期間は、前記第１の期間より短く、
前記第１の電流値の絶対値は、前記第２の電流値の絶対値よりも小さいことを特徴とするリチウムイオン二次電池の回復方法。
【請求項２】
第１の電流値により充電する第１の期間と、
第２の電流値の逆パルス電流を流す第２の期間とを有し、
前記第１の期間と前記第２の期間とは、それぞれ複数あり、
前記第１の期間を最初の期間として、その後、前記第１の期間と前記第２の期間とは交互に設けられ、
前記第２の期間は、前記第１の期間より短く、
前記第１の電流値の絶対値は、前記第２の電流値の絶対値よりも大きいことを特徴とするリチウムイオン二次電池の回復方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の期間は、前記第１の期間の１／１００以上１／３以下であることを特徴とするリチウムイオン二次電池の回復方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の期間における充電は、１Ｃ以上２０Ｃ未満の充電レートで行われることを特徴とするリチウムイオン二次電池の回復方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月8日(2017.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムのためのシャワーヘッドアセンブリであって、
ガス流路に結合されている背面プレートと、
前記背面プレートの第１の表面に隣接して結合され、ガス拡散面を備えている前面プレートと、
１または複数の導体と、
前記背面プレートおよび前記前面プレートの一方に配置され、前記１または複数の導体に接続されている電極と、
を備え、
ガスプレナムが、前記背面プレートと前記前面プレートとの間に規定され、前記ガス流路と流体連通しており、
前記背面プレートおよび前記前面プレートは、非金属材料製造から成る、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、さらに、
前記背面プレートに結合され、前記ガス流路を規定するステムを備え、
前記ステムは、非金属材料から成り、
前記１または複数の導体は、前記ステムを貫通している、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項３】
請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、
前記前面プレートの前記ガス拡散面は、離間した穴を備えるか、
前記前面プレートの前記ガス拡散面は、穿孔を備えるか、もしくは、
前記前面プレートの前記ガス拡散面は、多孔質である、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項４】
請求項２に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、さらに、前記背面プレートの第２の表面に隣接して配置されているプラズマ抑制構造を備え、前記背面プレートの前記第１の表面は、前記背面プレートの前記第２の表面の反対側の面である、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項５】
請求項４に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記プラズマ抑制構造は、離間して互いに平行に配置されたＮ個のプレートを備え、Ｎは２以上の整数であり、前記Ｎ個のプレートは、誘電材料から成る、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項６】
請求項５に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記プラズマ抑制構造は、前記Ｎ個のプレートの１つから前記基板処理システムの処理チャンバの上面に向かって伸びるカラーを備え、前記カラーは、誘電材料から成る、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項７】
請求項５に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、Ｎは３以上であり、前記Ｎ個のプレートは、均一に離間されている、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項８】
請求項５に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、Ｎは３以上であり、前記Ｎ個のプレートの内の少なくとも一部は、不均一に離間されている、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項９】
請求項５に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記Ｎ個のプレートの内の少なくとも１つは、複数の穿孔を備える、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１０】
請求項５に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記Ｎ個のプレートの内の少なくとも１つは、鋸歯状の表面を備える、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１１】
請求項２に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記ステム、前記背面プレート、および、前記前面プレートは、セラミック材料から成る、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１２】
請求項２に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記ステム、前記背面プレート、および、前記前面プレートは、窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも一方から成る、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１３】
請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、さらに、前記ガス流路と前記ガスプレナムとの間に配置されたバッフルを備える、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１４】
請求項２に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、さらに、前記ステムを基板処理チャンバの上面に結合するカラーを備える、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１５】
請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記前面プレートは、前記背面プレートに対する前記前面プレートの側方運動を許容しつつ、前記前面プレートと前記背面プレートとの間のシールを維持するように、前記背面プレートに結合されている、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１６】
請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記ガスプレナムの高さ寸法は、予測されるプラズマシース厚さの２倍未満である、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１７】
請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記電極と前記背面プレートの前記第１の表面との間の第１の寸法は、前記電極と前記背面プレートの第２の表面との間の第２の寸法より小さく、前記背面プレートの前記第１の表面は、前記背面プレートの前記第２の表面の反対側の面である、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１８】
請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記電極は円板状である、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項１９】
請求項２に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記１または複数の導体は、前記ガス流路を囲む円筒形の導体を含む、シャワーヘッドアセンブリ。
【請求項２０】
基板処理システムであって、
反応空間を含む処理チャンバと、
前記反応空間内に配置されている請求項１のシャワーヘッドアセンブリと、
前記反応空間内で前記前面プレートに隣接して配置されている載置台と、
を備える、基板処理システム。
【請求項２１】
請求項２０に記載の基板処理システムであって、さらに、
１ＭＨｚより大きい周波数を有するＲＦ信号を前記１または複数の導体に供給するよう構成されている高周波（ＲＦ）回路と、
前記ガス流路に流れる処理ガスを制御すると共に、前記ＲＦ回路の動作を制御するよう構成されているコントローラと、
を備える、基板処理システム。
【請求項２２】
請求項２１に記載の基板処理システムであって、前記背面プレートは、前記処理チャンバの壁に直接結合されている、基板処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月10日(2017.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロ構造パワートランジスタであって、
第１の活性層と、
前記第１の活性層上に配設される第２の活性層とを備え、２次元電子ガス層が前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に形成し、さらに
前記第２の活性層の上に配設される窒化アルミニウムシリコン（ＡｌＳｉＮ）を備えるパシベーションおよびゲート誘電層と、
ゲートと、
前記第２の活性層に電気的に接続する第１および第２のオーミックコンタクトとを備え、前記第１および第２のオーミックコンタクトは横方向に離間され、前記ゲートは前記第１のオーミックコンタクトと前記第２のオーミックコンタクトとの間に配設される、ヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項２】
前記パシベーションおよびゲート誘電層上に配設される第２のゲート誘電層をさらに備え、前記ゲートは前記第２のゲート誘電層の上方に配設される、請求項１に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項３】
前記第２のゲート誘電層は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を備える、請求項２に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項４】
前記第２のゲート誘電層の上に配設される上側パシベーションおよびゲート誘電層をさらに備え、前記ゲートは、前記上側パシベーションおよびゲート誘電層を通って鉛直方向に延在して前記第２のゲート誘電層に接する、請求項２に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項５】
前記パシベーションおよびゲート誘電層は第１の厚みを有し、前記第２のゲート誘電層は第２の厚みを有し、前記第２の厚みは前記第１の厚みよりも大きい、請求項２に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項６】
前記第１および第２のオーミックコンタクトは、前記第２のゲート誘電層および前記パシベーションおよびゲート誘電層を通って鉛直方向に延在する、請求項２に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項７】
前記第１および第２のオーミックコンタクトは、前記上側パシベーションおよびゲート誘電層、前記第２のゲート誘電層、および前記パシベーションおよびゲート誘電層を通って鉛直方向に延在する、請求項４に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項８】
前記パシベーションおよびゲート誘電層は約１−５ナノメータ厚の範囲の第１の厚みを有する、請求項１に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項９】
前記第１および第２のオーミックコンタクトはそれぞれソースおよびドレインオーミックコンタクトを備える、請求項１に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項１０】
前記上側パシベーションおよびゲート誘電層はＳｉＮを備える、請求項４に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項１１】
前記第１の活性層は窒化ガリウム（ＧａＮ）を備える、請求項１に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項１２】
前記第２の活性層は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）を備える、請求項１に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項１３】
前記第１および第２の活性層は分離されたメサとして規定される、請求項１に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項１４】
前記パシベーションおよびゲート誘電層は、窒化ケイ素に対してアルミニウムが５−１０％である、請求項１に記載のヘテロ構造パワートランジスタ。
【請求項１５】
ヘテロ構造半導体装置を作製する方法であって、
基板上に第１の活性層を形成することと、
前記第１の活性層の上に第２の活性層を形成することとを備え、前記第１の活性層および前記第２の活性層は、２次元電子ガス層がその間に形成されるように異なるバンドギャップを有し、さらに
前記第２の活性層の上に窒化アルミニウムシリコン（ＡｌＳｉＮ）を備えるパシベーションおよびゲート誘電層を形成することを備え、前記パシベーションおよびゲート誘電層は第１の厚みを有し、さらに
前記パシベーションおよびゲート誘電層を通って各々が鉛直方向に延在する第１および第２のオーミックコンタクトを形成することを備え、前記第１および第２のオーミックコンタクトは横方向に離間されかつ前記第２の活性層に電気的に接続され、さらに
前記第１のオーミックコンタクトと前記第２のオーミックコンタクトとの間の横方向位置にゲートを形成することを備える、方法。
【請求項１６】
前記パシベーションおよびゲート誘電層の上に第２のゲート誘電層を堆積することをさらに備え、前記第２のゲート誘電層は前記第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２のゲート誘電層の上に上側パシベーションおよびゲート誘電層を堆積することをさらに備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のゲート誘電層は酸化アルミニウムを備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の活性層は窒化ガリウムを備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の活性層は窒化アルミニウムガリウムを備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記パシベーションおよびゲート誘電層は、前記第１および第２の活性層とともにインサイチューで形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
前記パシベーションおよびゲート誘電層の上に、前記パシベーションおよびゲート誘電層とともにインサイチューでＡｌＮ層を成長することをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＡｌＮ層を種層として利用して第２のゲート誘電体層を形成することをさらに含み、該第２のゲート絶縁層が酸化アルミニウムを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の厚みは約１−５ナノメータ厚の範囲にあり、前記第２の厚みは約１０−２０ナノメータ厚の範囲にある、請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記パシベーションおよびゲート誘電体層の形成は、ＡｌＳｉＮの前駆物質としてシラン、アンモニア、およびトリメチルアルミニウムを用いるＭＯＣＶＤ技術によってＡｌＳｉＮを成長させることを含み、アンモニアの流れは、統合されたＮの組成が、ＡｌＳｉＮ膜の全体的な屈折率および密度によってモニタされるようなシランとＡｌＮとの間の化学量論に維持されるように維持される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２６】
前記パシベーションおよびゲート誘電層は、窒化ケイ素に対してアルミニウムが５−１０％である、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月27日(2017.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上設けられ、ガラスを含んでいるセラミックス層と、
前記セラミックス層を介して前記基板に固定された電極層と圧電層とを有する圧電素子と、を有し、
前記ガラスが、溶融温度６００℃乃至７５０℃のガラスであることを特徴とする振動体。
【請求項２】
前記圧電層は、酸化銅を０．５重量％以下含む圧電材料により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の振動体。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に設けられ、ガラスを含んでいるセラミックス層と、
前記セラミックス層を介して前記基板に固定された電極層と、圧電層とを有する圧電素子と、を有し、
前記圧電層が、酸化銅を０．５重量％以下含む圧電材料により構成されていることを特徴とする振動体。
【請求項４】
前記セラミックス層に接する前記圧電素子を構成する電極層の電極材料の主成分が銀であり、パラジウムが５重量％以下で添加されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の振動体。
【請求項５】
前記セラミックス層の前記ガラス溶融物におけるガラス成分は、主成分が酸化ケイ素および酸化ホウ素からなり、
前記ガラス成分が、前記セラミックス層のセラミックス粉末の重量に対して０．５重量％以上、１０重量％以下、添加されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の振動体。
【請求項６】
前記セラミックス層は、主成分が前記圧電層と同じ成分により構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の振動体。
【請求項７】
前記圧電層は、ジルコン酸鉛とチタン酸鉛を主成分として構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の振動体。
【請求項８】
前記基板は、９９．５重量％以上、９９．９９重量％以下の純度のアルミナで構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の振動体。
【請求項９】
前記圧電素子の振動エネルギーによって前記基板を振動させ、振動エネルギーを出力する請求項１乃至８のいずれか１項に記載の振動体。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の振動体を駆動動力源として構成されていることを特徴とする振動型駆動装置。
【請求項１１】
基板上に、ガラスを含んでいるセラミックス層を形成する工程と、
前記セラミックス層上に電極層及び、圧電材料を含む圧電層を有する前記圧電素子を積層する工程と、
前記電極層、前記圧電層、前記基板、及び前記セラミックス層を、８００℃以上９４０℃以下の焼成温度により同時に焼成し、これらを一体化する工程と、
を有する振動体の製造方法。
【請求項１２】
前記電極層、前記圧電層、前記基板、及び前記セラミックス層の焼成温度が９００℃以上９４０℃以下であることを特徴とする請求項１１に記載の振動体の製造方法。
【請求項１３】
前記圧電層を形成する工程は、酸化銅を０．５重量％以下含む圧電材料を用いて行われることを特徴とする請求項１２に記載の振動体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の一様態は、基板と、前記基板上設けられ、ガラスを含んでいるセラミックス層と、前記セラミックス層を介して前記基板に固定された電極層と圧電層とを有する圧電素子と、を有し、前記ガラスが、溶融温度６００℃乃至７５０℃のガラスであることを特徴とする振動体に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月19日(2017.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮像するための複数の撮像用画素と、該複数の撮像用画素の配列中に配置された焦点検出用画素とを有する撮像素子と、
前記撮像素子の画素を所定の間引き率で間引いて前記画素の信号を読み出す第１の読み出しモードと、前記撮像素子の画素を前記所定の間引き率よりも高い間引き率で間引いて前記画素の信号を読み出す第２の読み出しモードとを有し、前記第１及び第２の読み出しモードにおける画像生成のための読み出しでは、前記焦点検出用画素が配置された前記撮像素子の行を読み出さないように制御する読み出し制御手段とを備え、
前記読み出し制御手段は、前記第１及び第２の読み出しモードにおいて、画像生成のための読み出しを行う第１の垂直走査を行う前、または後に、前記焦点検出用画素が配置された前記撮像素子の行を読み出す第２の垂直走査を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記読み出し制御手段は、前記第１の読み出しモードでは、前記撮像素子の画素を垂直方向に第１の間引き率と、第１の間引き位相で読み出し、前記第２の読出しモードでは、前記撮像素子の画素を垂直方向に第２の間引き率と、第２の間引き位相で読み出すことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記読み出し制御手段は、前記第１の垂直走査と、前記第２の垂直走査とで、前記画素の信号を読み出す水平走査の方法を切り替えることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記焦点検出用画素は、動画像の生成のために使用されない前記撮像素子の特定の行にのみ配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１及び第２の垂直走査で読み出されたデータに対してそれぞれ異なる補正処理を行う補正処理手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記読み出し制御手段は、前記第１及び第２の読み出しモードを、動画の撮影で設定された記録画素数に応じて変更することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記読み出し制御手段は、前記第１及び第２の読み出しモードを、動画の撮影で設定されたフレームレートに応じて変更することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第２の垂直走査において前記画素を水平方向に読み出す水平走査方法は、水平方向の特定の領域の画素の読み出しをスキップし、かつスキップしない領域においては、前記第１の垂直走査において前記画素を水平方向に読み出す場合の間引き率よりも低い間引き率で間引いて読み出す、あるいは間引きをしないで読み出す走査方法であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記読み出し制御手段は、前記第２の垂直走査における水平走査を行う領域においては領域内の焦点検出用画素をすべて読み出すように走査することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。 
【請求項１０】
前記第２の垂直走査によって読み出される前記焦点検出用画素を配置する行を垂直方向に連続して配置しないことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記撮像用画素は、複数の色のいずれかの色信号を取得する画素が、所定の周期の繰り返し配置となるように構成され、前記焦点検出用画素が配置される行は、垂直方向に前記所定の周期で連続しないように配置されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
被写体像を撮像するための複数の撮像用画素と、該複数の撮像用画素の配列中に配置された焦点検出用画素とを有する撮像素子を備える撮像装置を制御する方法であって、
前記撮像素子の画素を所定の間引き率で間引いて前記画素の信号を読み出す第１の読み出しモードと、前記撮像素子の画素を前記所定の間引き率よりも高い間引き率で間引いて前記画素の信号を読み出す第２の読み出しモードとを有し、前記第１及び第２の読み出しモードにおける画像生成のための読み出しでは、前記焦点検出用画素が配置された前記撮像素子の行を読み出さないように制御する読み出し制御工程を備え、
前記読み出し制御工程では、前記第１及び第２の読み出しモードにおいて、画像生成のための読み出しを行う第１の垂直走査を行う前、または後に、前記焦点検出用画素が配置された前記撮像素子の行を読み出す第２の垂直走査を行うことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に、第２のトランジスタのゲートが接続される回路を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記第２のトランジスタのゲートとの接続部分のノードに存在する容量を第１容量とし、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続する負荷容量を第２容量とし、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記第２のトランジスタのゲートとの間の容量を第３容量とし、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のトランジスタのゲートとの間の容量を第４容量とするとき、前記第１の容量は、前記第２の容量と前記第３の容量との直列合成容量と、前記第４の容量との和の２倍未満であることを特徴とする信号処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続される第３のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅は、前記第３のトランジスタのチャネル幅の４倍以上であることを特徴とする信号処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体を含むことを特徴とする信号処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２のトランジスタのチャネルは、単結晶シリコン基板に設けられ、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタの上層に設けられることを特徴とする信号処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１容量は、寄生容量のみによって構成されることを特徴とする信号処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のフリップフロップと、第２のフリップフロップと、論理回路とを有し、
前記論理回路は、前記第１のフリップフロップの出力信号と前記第２のフリップフロップの出力信号が入力される半導体装置であり、
前記第１のフリップフロップは、
第１のクロックドインバータと、第２のクロックドインバータと、第１のインバータと、
第３のクロックドインバータと、第４のクロックドインバータと、第２のインバータと、
第１のノードと、第２のノードと、
を有し、
前記第１のノードは、前記第１のクロックドインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第１のクロックドインバータの出力端子は、前記第２のクロックドインバータの出力端子と、前記第１のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第１のインバータの出力端子は、前記第２のクロックドインバータの入力端子と、前記第３のクロックドインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第３のクロックドインバータの出力端子は、前記第４のクロックドインバータの出力端子と、前記第２のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第４のクロックドインバータの入力端子と、前記第２のインバータの出力端子と電気的に接続され、
前記第２のフリップフロップは、
第５のクロックドインバータと、第６のクロックドインバータと、第３のインバータと、第１のスイッチと、
第７のクロックドインバータと、第８のクロックドインバータと、第４のインバータと、第２のスイッチと、
第５のインバータと、第３のスイッチと、
第３のノードと、第４のノードと、
を有し、
前記第１のスイッチは、第１のトランジスタを有し、
前記第２のスイッチは、第２のトランジスタを有し、
前記第３のスイッチは、第３のトランジスタを有し、
前記第１乃至３のトランジスタは、チャネル領域に酸化物半導体を有し、
前記第３のノードは、前記第５のクロックドインバータの入力端子と、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のクロックドインバータの出力端子は、前記第６のクロックドインバータの出力端子と、前記第３のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第５のクロックドインバータは、前記第６のクロックドインバータと、前記第３のインバータと、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインのうち一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインのうち他方は、低電源電圧が供給される配線と電気的に接続され、
前記第３のインバータの出力端子は、前記第７のクロックドインバータの入力端子と、前記第６のクロックドインバータの入力端子と、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のクロックドインバータの出力端子は、前記第８のクロックドインバータの出力端子と、前記第４のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第７のクロックドインバータは、前記第８のクロックドインバータと、前記第４のインバータと、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインのうち一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインのうち他方は、低電源電圧が供給される配線と電気的に接続され、
前記第４のノードは、前記第４のインバータの出力端子と、前記第８のクロックドインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第５のインバータの出力端子は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のノードは、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインのうち一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインのうち他方は、低電源電圧が供給される配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
遅延回路と、データ補正回路を有する半導体装置であり、
前記データ補正回路は、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、第６のインバータと、を有し、
前記データ補正回路の入力端子は、前記第１のフリップフロップの入力端子と、前記遅延回路の入力端子と電気的に接続され、
前記データ補正回路の出力端子は、前記第１のフリップフロップの出力端子と、前記論理回路の入力端子の一方と電気的に接続され、
前記論理回路の出力端子は、前記第５のトランジスタのゲートと、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインのうち一方と、前記第６のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第６のインバータの出力端子は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソースまたはドレインのうち他方は、前記第６のトランジスタのソースまたはドレインのうち一方と、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記データ補正回路の入力端子は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインのうち一方と電気的に接続され、
前記データ補正回路の出力端子は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインのうち他方と電気的に接続され、
前記第４乃至６のトランジスタはチャネル領域に酸化物半導体を有する、ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月3日(2017.5.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第１のノードへの信号の供給を制御する機能を有する第１のスイッチと、
第２のノードへの前記信号の供給を制御する機能を有する第２のスイッチと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のノードに電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のノードに電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のノードに電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のノードに電気的に接続されており、
前記容量素子は、前記第１のノードに供給された前記信号の電位を保持する機能を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のスイッチ又は前記第２のスイッチは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタが用いられている半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第１のノードへの信号の供給を制御する機能を有する第１のスイッチと、
第２のノードへの前記信号の供給を制御する機能を有する第２のスイッチと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のノードに電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のノードに電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のノードに電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のノードに電気的に接続されており、
前記容量素子は、前記第１のノードに供給された前記信号の電位を保持する機能を有し、
前記信号はコンフィギュレーションデータを含み、
前記第１のトランジスタは、第１の回路と第２の回路との電気的な接続を制御する機能を有するプログラマブルロジックデバイス。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するプログラマブルロジックデバイス。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記第１のスイッチ又は前記第２のスイッチは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタが用いられているプログラマブルロジックデバイス。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むプログラマブルロジックデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３のトランジスタと、１つの半導体層と、前記半導体層と重なる第１乃至第３の配線と、を有し、
前記第１乃至第３の配線のそれぞれは、前記半導体層と重なる部分において、前記半導体層の導電性を変化させる機能を有し、
前記半導体層は、前記第１乃至第３のトランジスタのそれぞれのゲートと電気的に接続され、前記それぞれのゲートを浮遊状態にする機能を有し、
前記第１乃至第３のトランジスタのそれぞれは、前記浮遊状態の際に、ゲートの電位に応じて、ソースとドレインの間の導電性を制御する機能を有することを特徴とするプログラマブルな信号処理装置。
【請求項２】
第１乃至第３のトランジスタと、１つの半導体層と、前記半導体層と重なる第１乃至第３の配線と、を有し、
前記第１乃至第３の配線のそれぞれは、前記半導体層と重なる部分において、前記半導体層の導電性を変化させる機能を有し、
前記半導体層は、前記第１乃至第３のトランジスタのそれぞれのゲートと電気的に接続され、前記それぞれのゲートを浮遊状態にする機能を有し、
前記第１乃至第３のトランジスタのそれぞれは、前記浮遊状態の際に、ゲートの電位に応じて、ソースとドレインの間の導電性を制御する機能を有し、
前記半導体層は、酸化物を有することを特徴とするプログラマブルな信号処理装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
第１乃至第３の入力端子を有するマルチプレクサを有し、
前記第１乃至第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、それぞれ対応する前記第１乃至第３の入力端子と、直接あるいは間接に接続され、
前記第１乃至第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、互い同じ電位であることを特徴とするプログラマブルな信号処理装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記半導体層は、前記第１乃至３のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、同じ電位である部分を有することを特徴とするプログラマブルな信号処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月28日(2017.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上であって、前記第１の絶縁膜の第１の領域と重なる第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の一対の電極と、
前記第１の酸化物半導体膜上、及び前記一対の電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、
を有するトランジスタであって、
前記第２のゲート電極は、前記第１の絶縁膜の第２の領域と接し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上であって、前記第１の絶縁膜の第１の領域と重なる第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の一対の電極と、
前記第１の酸化物半導体膜上、及び前記一対の電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記一対の電極の一方と前記第１の絶縁膜に接する第３の電極と、
を有するトランジスタであって、
前記第２のゲート電極は、前記第１の絶縁膜の第２の領域と接し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第３の電極は画素電極として機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上であって、前記第１の絶縁膜の第１の領域と重なる第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の一対の電極と、
前記第１の酸化物半導体膜上、及び前記一対の電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、
を有するトランジスタであって、
前記第２のゲート電極は、前記第１の絶縁膜の第２の領域と接し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間に位置し、
前記第１の酸化物半導体膜は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のゲート電極は、前記第２のゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜の第１の領域の膜厚は、前記第１の絶縁膜の第２の領域の膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月18日(2017.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
前記第１のゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の第１のゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
前記第１のゲート絶縁膜と異なる面で前記酸化物半導体膜と接する第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる第２のゲート電極と、
を有するトランジスタを有し、
前記トランジスタのチャネル幅方向において、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の側面はそれぞれ、前記酸化物半導体膜の側面より外側に位置し、
基板温度を６０℃とし、暗室下において前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極に＋３０Ｖを印加し、時間ｘ（時間）に対するしきい値電圧（Ｖ）の変化量ｙ（ΔＶ）の近似曲線を、式（１）で表したときに、ｂの値が１／√３未満であり、且つ前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極に負荷を与える時間が０．１時間のときのしきい値電圧の変動量が０．５Ｖ未満であることを特徴とする半導体装置。
【数１】
2014241406.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月9日(2017.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の、酸素に対する第１のバリア膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極として機能する第１の導電膜と、
前記酸化物半導体膜と接する酸化物絶縁膜と、
前記酸素に対する第１のバリア膜、及び前記酸化物絶縁膜と接する、酸素に対する第２のバリア膜とを有し、
前記酸素に対する第１のバリア膜及び前記酸素に対する第２のバリア膜の間に、前記酸化物半導体膜及び前記酸化物絶縁膜が設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上にトランジスタ及び容量素子を有し、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の、酸素に対する第１のバリア膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極として機能する第１の導電膜と、を有し、
前記トランジスタにおいて、
前記酸化物半導体膜に接する酸化物絶縁膜と、
前記酸素に対する第１のバリア膜及び前記酸化物絶縁膜に接する、酸素に対する第２のバリア膜と、
前記酸素に対する第２のバリア膜の開口部において、前記第１の導電膜に接する、画素電極として機能する第２の導電膜と、を有し、
前記容量素子は、
前記酸素に対する第１のバリア膜上の導電性を有する膜と、
前記導電性を有する膜に接する前記酸素に対する第２のバリア膜と、
前記画素電極として機能する第２の導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
前記第１のゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の、酸素に対する第１のバリア膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極として機能する第１の導電膜と、
前記酸化物半導体膜に接する酸化物絶縁膜と、
前記酸素に対する第１のバリア膜、及び前記酸化物絶縁膜と接する、酸素に対する第２のバリア膜と、
前記第２のバリア膜上であって、前記酸化物半導体膜と重なる第２のゲート電極と、を有し、
前記酸素に対する第１のバリア膜及び前記酸素に対する第２のバリア膜の間に、前記酸化物半導体膜及び前記酸化物絶縁膜が設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上にトランジスタ及び容量素子を有し、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
前記第１のゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間の、酸素に対する第１のバリア膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極として機能する第１の導電膜と、
前記酸化物半導体膜に接する酸化物絶縁膜と、
前記酸素に対する第１のバリア膜及び前記酸化物絶縁膜に接する、酸素に対する第２のバリア膜と、
前記酸素に対する第２のバリア膜上であって、前記酸化物半導体膜と重なる第２のゲート電極と、を有し、
前記酸素に対する第２のバリア膜の開口部において、前記第１の導電膜に接する、画素電極として機能する第２の導電膜を有し、
前記容量素子は、
前記酸素に対する第１のバリア膜上の導電性を有する膜と、
前記導電性を有する膜に接する前記酸素に対する第２のバリア膜と、
前記画素電極として機能する第２の導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、前記酸素に対する第１のバリア膜と、前記酸素に対する第２のバリア膜に形成される開口部において接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２または請求項４において、
前記導電性を有する膜は、前記酸化物半導体膜に含まれる金属元素を有する金属酸化物膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項２、請求項４、及び請求項６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜及び前記導電性を有する膜は、Ｉｎを含む金属酸化物膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記酸化物絶縁膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の導電膜は、前記酸化物半導体膜と前記酸化物絶縁膜との間に設けられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月8日(2017.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットを支持するターゲットホルダと、前記ターゲットホルダを揺動する第１の装置と、前記ターゲットホルダの内部または下部に設けられたマグネットと、前記マグネットを揺動する第２の装置と、を有するスパッタリング装置を用いて、基板上に酸化物半導体膜を形成する酸化物半導体膜の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜を形成する際に、前記第１の装置及び前記第２の装置をそれぞれ独立に制御することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
相対密度が９０％以上１００％以下である金属酸化物のターゲットを用いて、前記酸化物半導体膜を形成することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記基板を５０℃以上４５０℃以下に保持した状態で、前記酸化物半導体膜を形成することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。