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【手続補正書】
【提出日】平成28年12月9日(2016.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）炭素数１６の内部オレフィンスルホン酸塩及び（Ｂ）炭素数１４の内部オレフィンスルホン酸塩を含有し、当該成分（Ａ）と成分（Ｂ）の含有質量比（Ａ／Ｂ）が８０／２０〜９０／１０であり、かつ当該成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計含有量が５０〜１００質量％である内部オレフィンスルホン酸塩組成物。
【請求項２】
炭素数１６及び炭素数１４の内部オレフィンスルホン酸塩におけるスルホン酸基が２位に存在する内部オレフィンスルホン酸塩の含有量が、２０質量％未満である請求項１に記載の内部オレフィンスルホン酸塩組成物。
【請求項３】
炭素数１６及び炭素数１４の内部オレフィンスルホン酸塩におけるヒドロキシ体の含有量と炭素数１６及び炭素数１４の内部オレフィンスルホン酸塩のオレフィン体の含有量の質量比（ヒドロキシ体／オレフィン体）が、５０／５０〜１００／０である請求項１又は２に記載の内部オレフィンスルホン酸塩組成物。
【請求項４】
内部オレフィンスルホン酸塩組成物中の原料内部オレフィンの含有量が、内部オレフィンスルホン酸塩量に対して１．５質量％未満である請求項１〜３のいずれか１項に記載の内部オレフィンスルホン酸塩組成物。
【請求項５】
内部オレフィンスルホン酸塩組成物中の無機化合物の含有量が、内部オレフィンスルホン酸塩量に対して７．５質量％未満である請求項１〜４のいずれか１項に記載の内部オレフィンスルホン酸塩組成物。
【請求項６】
原料内部オレフィンを含有し、かつ二重結合が２位に存在する原料内部オレフィンの含有量が２５質量％以下である原料内部オレフィン組成物をスルホン化処理した後、中和し、次いで加水分解処理することにより得られる請求項１〜５のいずれか１項に記載の内部オレフィンスルホン酸塩組成物。
【請求項７】
内部オレフィンスルホン酸塩組成物中の、（Ａ）炭素数１６の内部オレフィンスルホン酸塩と（Ｂ）炭素数１４の内部オレフィンスルホン酸塩の合計含有量が、９０〜１００質量％である請求項１〜６のいずれか１項に記載の内部オレフィンスルホン酸塩組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の内部オレフィンスルホン酸塩組成物を配合してなる洗浄剤組成物。
【請求項９】
（Ａ）炭素数１６の内部オレフィンスルホン酸塩及び（Ｂ）炭素数１４の内部オレフィンスルホン酸塩を含有し、当該成分（Ａ）と成分（Ｂ）の含有質量比（Ａ／Ｂ）が８０／２０〜９０／１０であり、かつ当該成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計含有量が０．１〜８０質量％である洗浄剤組成物。
【請求項１０】
アルキル硫酸塩及びアルキルポリオキシアルキレン硫酸塩から選ばれる１種以上を含有する請求項８又は９に記載の洗浄剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月12日(2016.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスリープモードを有する機器に関して使用可能な複数の異なるスリープモードの各々ごとのエネルギー消費パターンをプロセッサに入力するステップと、
前記機器により受け入れられる複数の異なるタイムアウトに関するインタージョブ時間の予測分布を前記プロセッサに入力するステップと、
前記スリープモードごとの前記エネルギー消費パターンおよび前記インタージョブ時間の予測分布に基づいて、前記複数のスリープモードの各々の前記エネルギー消費パターンごとの最適なタイムアウト時間を、前記プロセッサを用いて自動的に計算して、最適計算が実行される回数を、前記機器により受け入れられる異なるタイムアウトの数が乗算された前記スリープモードの数に限定するステップと、
前記機器の使用頻度を自動的に監視して、現在のインタージョブ時間を算出するステップと、
前記現在のインタージョブ時間が、前記スリープモードごとの前記最適なタイムアウト時間より長くなると、前記プロセッサの制御のもとで、前記スリープモードのうちの１つから、相対的に低い電力スリープモードに自動的に切り替えるステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記現在のインタージョブ時間が、前記スリープモードごとの前記最適なタイムアウト時間を計算するステップにより算出される最も短い最適なタイムアウト時間に達すると、準備モードから前記スリープモードのうちの１つに切り替えるステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インタージョブ時間の予測分布が、所定の日の異なる時間、所定の週の日の異なる時間、所定の月の日の異なる時間、所定の年の日の異なる時間のうちの少なくとも１つに依存し、
前記スリープモードごとの前記最適なタイムアウト時間を計算するステップには、所定の日の異なる時間、所定の週の日の異なる時間、所定の月の日の異なる時間、所定の年の日の異なる時間のうちの少なくとも１つに関する異なる最適なタイムアウト時間を計算することが含まれる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
履歴訓練データおよび経験データのうちの少なくとも１方に基づいて、前記インタージョブ時間の予測分布を計算するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記スリープモードにより生成される電力貯蔵は、準備モードの電力消費に関する請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月6日(2017.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
運動中のスピンドルの変位を検出するよう動作可能である複数のセンサと、
前記複数のセンサに結合されるコンバータとを含み、前記コンバータは、前記変位のそれぞれの位置を決定するよう動作可能であり、さらに、
前記変位の前記位置に関連付けられる瞬間速度を決定するよう動作可能であるとともに、さらに前記瞬間速度に基づき第１の力を決定するよう動作可能であるフィルタと、
第２の力を前記スピンドルに適用するよう動作可能であるアクチュエータとを含み、前記第２の力は前記第１の力および前記変位を実質的に打ち消す、装置。
【請求項２】
前記複数のセンサはホールセンサ、電荷結合センサ、およびマイクロホンからなる群から選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記アクチュエータは、エアージェット、圧電要素、および電磁石からなる群から選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
回転する物体の変位を検出するよう動作可能である回路を含み、前記回路は前記変位の位置を検出するよう動作可能であり、前記回路はさらに前記位置および前記変位に関連付けられる信号を生成するよう動作可能であり、さらに、
前記位置および前記変位に基づき、変調された信号を生成するよう動作可能であるコード変調器と、
力を前記回転する物体に適用するよう動作可能であるアクチュエータとを含み、前記力は前記変調された信号に基づく、装置。
【請求項５】
第１の複数のコイル巻線を有する第１の複数の歯部と、
第２の複数のコイル巻線を有する第２の複数の歯部と、
複数のスイッチとを含み、
前記複数のスイッチの各スイッチは、前記第１の複数の歯部のある歯部または前記第２の複数の歯部のある歯部に関連付けられており、
前記第１の複数の歯部に関連付けられる前記複数のスイッチの少なくとも１つのスイッチと、前記第２の複数の歯部に関連付けられる前記複数のスイッチの少なくとも１つのスイッチとは、信号に応答してオンされるように動作可能であり、
前記信号は、力と、回転する物体の変位の位置と、前記変位の位置での瞬間速度とに関連付けられており、
前記スイッチをオンすることは、相殺力を前記回転する物体に適用して前記変位を実質的に調節するよう動作可能である、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブをプローブ走査軸に沿って走査して、前記プローブを被測定面に倣わせることで測定データを取得して、前記被測定面の輪郭形状を測定する輪郭形状測定方法において、
前記プローブに対して前記被測定面を回転する軸の空間位置を、プローブ測定軸を基準にした回転軸ベクトルとして取得する工程と、
アライメント方位の前記測定データであるアライメントデータを、少なくとも２方位以上で取得する工程と、
各前記アライメントデータを、測定方位と前記アライメント方位の方位差だけ前記回転軸ベクトルまわりに座標変換した後、合成し、合成アライメントデータを構成する工程と、
前記合成アライメントデータを多項式に当てはめて、前記合成アライメントデータの空間位置を計算する工程と、
前記プローブ走査軸が前記被測定面の所定の箇所を通る前記被測定面の空間位置と前記合成アライメントデータの空間位置との差を、セッティングエラーとして計算する工程と、
前記セッティングエラーが小さくなる空間位置に被測定物を移動する工程と、
前記被測定物を移動した後に前記測定データを取得する工程と、
を有することを特徴とする輪郭形状測定方法。
【請求項２】
前記回転軸ベクトルを取得する工程は、基準軸に対して対称な非球面形状である有効面の形状を有する非球面原器を、その基準軸が前記プローブと前記被測定面を回転する軸に一致するように移動した後に、前記測定データを取得して、前記有効面の形状を、その測定データに当てはめることで、前記基準軸の空間位置を計算し、計算された前記基準軸の空間位置を前記回転軸ベクトルとすることを特徴とする請求項１に記載の輪郭形状測定方法。
【請求項３】
前記回転軸ベクトルを取得する工程は、
基準軸に対して対称な非球面形状である有効面の形状が予め値付けされている非球面原器を、前記非球面原器の基準軸が前記プローブと前記被測定面を相対的に回転する軸に対して平行になるように並進移動する工程と、
その後、前記有効面の形状の前記測定データを取得する工程と、
前記有効面の形状に対応する設計形状データを、前記有効面の形状の測定データに当てはめることで、前記基準軸の空間位置情報を計算する工程と、
計算された前記基準軸の空間位置情報のうち方向情報と、回転軸上の１点の位置情報から定まる軸の空間位置を計算し前記回転軸ベクトルとする工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の輪郭形状測定方法。
【請求項４】
前記回転軸ベクトルを取得する工程は、
基準軸に対して対称な非球面形状である有効面の形状が予め値付けられている非球面原器を、前記非球面原器の基準軸が前記プローブと前記被測定面を相対的に回転する軸に一致するように第一の位置に移動する工程と、
前記非球面原器を第二の位置に並進移動する工程と、
前記有効面の形状の前記測定データを取得する工程と、
前記有効面の形状に対応する設計形状データを、前記有効面の形状の測定データに当てはめることで、前記基準軸の空間位置を計算する工程と、
計算された前記基準軸の空間位置からベクトルを計算する工程であって、前記ベクトルは、前記並進移動の量であるベクトルの長さ情報、及び、前記基準軸の空間位置情報と、回転テーブルの駆動位置と、アライメントステージ駆動量とから計算されたベクトルの方向情報を有する、ベクトルを計算する工程と、
計算された前記ベクトルを前記基準軸の空間位置ベクトルに足し合わせることで定まる軸の空間位置を前記回転軸ベクトルとする工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の輪郭形状測定方法。
【請求項５】
前記被測定面は、軸対称非球面を有することを特徴とする請求項１に記載の輪郭形状測定方法。
【請求項６】
前記被測定面は、中心軸に対して楕円状に等高線を有することを特徴とする請求項１に記載の輪郭形状測定方法。
【請求項７】
前記被測定物の中心軸を前記プローブ測定軸に一致するようにアライメントを行うことを特徴とする請求項１に記載の輪郭形状測定方法。
【請求項８】
前記被測定物の中心軸を前記プローブ測定軸から所定距離オフセットしてアライメントを行うことを特徴とする請求項１に記載の輪郭形状測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月15日(2016.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボディーと、
前記ボディー上に互いに離隔して配置された第１〜第Ｍ（ここで、Ｍは、２以上の整数）発光素子と、
前記第１〜第Ｍ発光素子の点灯を制御する点灯制御部とを含み、
前記第ｍ（１≦ｍ≦Ｍ）発光素子は、内部に互いに直列接続された第１〜第Ｎ（ここで、Ｎは、２以上の整数）発光セルを含み、
第ｎ（１≦ｎ≦Ｎ）発光セルは、少なくとも一つの発光構造物を含み、
前記点灯制御部は、前記第１〜第Ｍ発光素子の第ｎ発光セルを同時に点灯させるか、または消灯させる、発光モジュール。
【請求項２】
前記点灯制御部は、外部から印加される駆動電圧のレベルによって、前記第１〜第Ｍ発光素子の点灯及び消灯を制御する、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
前記点灯制御部は、前記駆動電圧のレベルによって、前記第１〜第Ｎ発光セルを順次点灯させるか、または消灯させる、請求項２に記載の発光モジュール。
【請求項４】
前記第１〜第Ｍ発光素子の第ｎ発光セルは互いに並列に接続された、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項５】
前記第１〜第Ｍ発光素子は、前記ボディー上で互いに等間隔に離隔して配置された、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項６】
前記第１〜第Ｍ発光素子間の離隔距離は、７２°〜１２０°である、請求項５に記載の発光モジュール。
【請求項７】
前記第１〜第Ｍ発光素子は、前記ボディー上で放射状に配置された、請求項５に記載の発光モジュール。
【請求項８】
前記第１〜第Ｍ発光素子は、前記点灯制御部を中心に配置された、請求項７に記載の発光モジュール。
【請求項９】
前記点灯制御部は、
隣接する発光セルの間に配置されて、前記隣接する発光セルの電流が流れる経路を形成する第１〜第Ｍスイッチと、
前記駆動電圧のレベルによって、前記第１〜第Ｍスイッチのスイッチングを制御するスイッチング制御部とを含む、請求項２ないし８のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項１０】
前記第１〜第Ｍ発光素子のそれぞれにおいて、前記第１〜第Ｎ発光セルは互いに接して配置された、請求項１ないし９のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項１１】
前記第１〜第Ｍ発光素子のそれぞれにおいて、前記第１〜第Ｎ発光セルは互いに等間隔に配置された、請求項１ないし１０のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項１２】
前記第１〜第Ｍ発光素子の第ｎ発光セルの前記発光構造物において、発光領域の面積は互いに同一である、請求項１ないし１１のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項１３】
前記発光構造物は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含み、複数の発光構造物は、複数の発光領域に区分され、前記複数の発光領域上に配置される絶縁層をさらに含む、請求項１ないし１２のいずれかに記載の発光モジュール。
【請求項１４】
前記絶縁層を貫通する中間パッドをさらに含む、請求項１３に記載の発光モジュール。
【請求項１５】
前記第１〜第Ｍ発光素子は第１方向に配列され、前記第１〜第Ｍ発光素子の第ｎ発光セルは第２方向に並列に接続される、請求項１ないし１４のいずれかに記載の発光モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向（Ｌ）に、ソース領域（１００１）およびドレイン領域（１００３）と、ソース領域（１００１）とドレイン領域（１００３）との間のチャネル領域（１００２）とを有し、
ソース領域（１００１）を横断する方向（Ｔ）に、ソースコア領域（１０１）と、ソースコア領域（１０１）の周囲に配置された厚さ（ｔ１）のソースシェル領域（２０１）とを有し、
ドレイン領域（１００３）を横断する方向（Ｔ）に、ドレインコア領域（１０３）と、ドレインコア領域（１０３）の周囲に配置された厚さ（ｔ３）のドレインシェル領域（２０３）とを有し、
チャネル領域（１００２）を横断する方向（Ｔ）に、チャネルコア領域（１０２）と、チャネルコア領域（１０２）の周囲に配置された厚さ（ｔ２）のチャネルシェル領域（２０２）とを有し、
チャネルシェル領域（２０２）の厚さ（ｔ２）は、ソースシェル領域（２０１）の厚さ（ｔ１）より小さく、かつ、ドレインシェル領域（２０３）の厚さ（ｔ３）より小さく、
ソースシェル領域（２０１）、ドレインシェル領域（２０３）およびチャネルシェル領域（２０２）は、量子井戸領域である
半導体ワイヤ（２）、
半導体ワイヤ（２）のチャネル領域（１００２）の周囲に配置されたゲート構造、ここでゲート構造は、チャネル領域（１００２）の周囲に配置され且つチャネル領域（１００２）に接するゲート誘電体層（４）と、ゲート誘電体層（４）の周囲に配置され且つゲート誘電体層（４）に接するゲート層（５）を有するものである、
を備えたヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）。
【請求項２】
周囲に配置され、は周囲に円周方向に配置され、である、
請求項１に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）。
【請求項３】
チャネルシェル領域の厚さ（ｔ２）は、チャネルシェル領域（２０２）が４ｋＴより大きいサブバンド量子化エネルギーを有するような大きさである、
請求項１または２に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）。
【請求項４】
ソースシェル領域（２０１）、チャネルシェル領域（２０２）およびドレインシェル領域（２０３）により規定されるシェル領域（２００）と、ソースコア領域（１０１）、チャネルコア領域（１０２）およびドレインコア領域（１０３）により規定されるコア領域（１００）とは、格子整合材料を含む、
請求項１から３のいずれか１項に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）。
【請求項５】
コア領域（１００）は、ＩｎＰまたはＩｎｘＡｌｙＡｓを含み、ｘ＋ｙ＝１である、
請求項１から４のいずれか１項に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）。
【請求項６】
シェル領域（２００）は、ＩｎｘＧａｙＡｓを含み、ｘ＋ｙ＝１である、
請求項１から５のいずれか１項に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）。
【請求項７】
ソースコア領域（１０１）とドレインコア領域（１０３）との間に位置するチャネルコア領域（１０２）を含む半導体コア領域（１００）を設ける工程、ここでソースコア領域（１０１）およびドレインコア領域（１０３）の厚さは、チャネルコア領域（１０２）の厚さより小さく、
コア領域（１００）の周囲に且つコア領域（１００）と接する半導体シェル領域（２００）を設ける工程、ここで半導体シェル領域（２００）は、厚さ（ｔ１）のソースシェル領域（２０１）と厚さ（ｔ３）のドレインシェル領域（２０３）との間に位置する厚さ（ｔ２）のチャネルシェル領域（２０２）を有し、チャネルシェル領域（２０２）の厚さ（ｔ２）はソースシェル領域（２０１）の厚さ（ｔ１）より小さく、かつ、ドレインシェル領域（２０３）の厚さ（ｔ３）より小さく、
チャネルシェル領域（２０２）の周囲に且つチャネルシェル領域（２０２）と接するゲート誘電体層（４）を設ける工程と、ゲート誘電体層（４）の周囲に配置され且つゲート誘電体層（４）と接するゲート層（５）を設ける工程とを含む、ゲート構造（３）を設ける工程、
を含む、ヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）を製造する方法。
【請求項８】
半導体コア領域（１００）を設ける工程は、
均一な半導体コア材料を設ける工程、
ソースコア領域（１０１）およびドレインコア領域（１０３）の位置で、半導体コア材料の一部をエッチングする工程を含む、
請求項７に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）を製造する方法。
【請求項９】
半導体コア領域（１００）を設ける工程は、
均一な半導体コア材料を設ける工程、
ソースコア領域（１０１）およびドレインコア領域（１０３）の位置で、均一な半導体コア材料の上にハードマスク層を設ける工程、
コア領域（１００）のマスクされていない部分に半導体コア材料を設ける工程を含む、
請求項７に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）を製造する方法。
【請求項１０】
半導体シェル領域（２００）を設ける工程は、
コア領域（１００）の周囲に且つコア領域（１００）と接する厚さ（ｔ２）の半導体シェル材料の第１層（２００１）を設ける工程、
ゲート構造（３）を設ける工程の後に、コア領域（１００）の周囲に且つコア領域（１００）と接する厚さ（ｔ４）の半導体シェル材料の残り部分（２００２）を設ける工程、
を含む、請求項７から９のいずれか１項に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）を製造する方法。
【請求項１１】
コア材料およびシェル材料は、格子整合している、
請求項７から１０のいずれか１項に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）を製造する方法。
【請求項１２】
コア材料は、ＩｎＰまたはＩｎｘＡｌｙＡｓを含み、ｘ＋ｙ＝１である、
請求項７から１１のいずれか１項に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）を製造する方法。
【請求項１３】
シェル材料は、ＩｎｘＧａｙＡｓを含み、ｘ＋ｙ＝１である、
請求項７から１２のいずれか１項に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）を製造する方法。
【請求項１４】
厚さ（ｔ２）は、４ｎｍより小さい、
請求項７から１３のいずれか１項に記載のヘテロ構造電界効果トランジスタ（１）を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月30日(2016.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた絶縁膜上に、第１の酸化物膜を形成し、前記第１の酸化物膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された第１の酸化物膜上に酸化物半導体膜を形成した後加熱処理を行い、
前記酸素が添加された第１の酸化物膜及び前記酸化物半導体膜のそれぞれ一部をエッチングし、
前記エッチングされた酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、
前記エッチングされた酸化物半導体膜及び前記一対の電極上に第２の酸化物膜を形成し、前記第２の酸化物膜に酸素を添加した後加熱処理を行い、
前記酸素が添加された第２の酸化物膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に設けられたゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第１の酸化物膜を形成し、前記第１の酸化物膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された第１の酸化物膜上に酸化物半導体膜を形成した後加熱処理を行い、
前記酸素が添加された第１の酸化物膜及び前記酸化物半導体膜のそれぞれ一部をエッチングし、
前記エッチングされた酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、
前記エッチングされた酸化物半導体膜及び前記一対の電極上に第２の酸化物膜を形成した後、前記第２の酸化物膜に酸素を添加した後加熱処理を行い、
前記酸素が添加された第２の酸化物膜上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ若しくはＧａを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物膜、及び前記第２の酸化物膜の伝導帯の下端が前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端よりも真空準位に近いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方の一対の電極と、
前記酸化物半導体膜及び前記一対の電極上方の酸化物膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物膜上方に設けられたゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記一対の電極と重なる一対の低抵抗領域と、前記一対の低抵抗領域の間の凹部と、を有し、
前記酸化物膜は、前記凹部及び前記一対の低抵抗領域と接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月21日(2017.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦方向及び横方向と、肌対向面及びその反対側の着衣対向面と、前後ウエスト域と、前記前後ウエスト域間に位置するクロッチ域とを有するシャーシと、前記前後ウエスト域のうちの少なくとも一方のウエスト域に位置するサイズ調整手段とを備えたパンツ型の着用物品において、
前記一方のウエスト域は、少なくとも前記横方向へ伸縮可能な弾性を有し、前記着衣対向面には複数のギャザーが形成されており、
前記サイズ調整手段は、長さ方向と、前記着衣対向面に固定された近位部と、前記長さ方向において前記近位部の反対側に位置し、止着及び摘持可能な遠位部を有する止着テープと、前記止着テープのうちの少なくとも前記近位部を被覆する被覆部と、前記止着テープの前記遠位部が通過可能な自由縁とを有するカバー部材とを備え、
前記被覆部は、少なくとも前記横方向へ伸縮可能な弾性を有し、その外面には複数のギャザーが形成されていることを特徴とする着用物品。
【請求項２】
前記止着テープの表面積の５０％以上が前記被覆部に被覆される請求項１に記載の着用物品。
【請求項３】
前記止着テープは、前記長さ方向において前記近位部と前記遠位部との間に位置する中間部をさらに有し、前記被覆部は、前記止着テープの前記近位部及び前記中間部の全体を被覆する請求項１又は２に記載の着用物品。
【請求項４】
前記カバー部材は、前記着衣対向面に固定された、前記被覆部を囲むシール部を有し、前記シール部を形成する接合部は前記カバー部材の両側縁と重なる請求項１〜３のいずれかに記載の着用物品。
【請求項５】
前記一方のウエスト域と前記被覆部とには、それぞれ、前記横方向へ延びる複数条のストランド状又はストリング状の弾性材料から形成されたウエスト弾性体とカバー弾性体とが取り付けられる請求項１〜４のいずれかに記載の着用物品。
【請求項６】
前記カバー弾性体どうしの前記縦方向における離間寸法と、前記カバー部材に隣接する前記ウエスト弾性体との前記縦方向における離間寸法との差違は、０〜１０ｍｍである請求項５に記載の着用物品。
【請求項７】
前記止着テープには、前記カバー部材との摩擦抵抗を低減させるための手段が設けられる請求項１〜６のいずれかに記載の着用物品。
【請求項８】
前記被覆部に配置された弾性材料の伸長倍率は、前記一方のウエスト域に配置された弾性材料の伸長倍率の０．８〜１．２倍の大きさを有する請求項１〜７のいずれかに記載の着用物品。
【請求項９】
前記縦方向の寸法を二等分する横中心線をさらに有し、前記サイズ調整手段は前記横中心線に関して傾斜して配置される請求項１〜８のいずれかに記載の着用物品。
【請求項１０】
前記シール部は、前記カバー部材の前記両側縁及びそれに隣接する前記シャーシの外面に配置されており、前記シール部を形成する複数の前記接合部は、同一又は相似した形状を有する請求項４に記載の着用物品。
【請求項１１】
前記クロッチ域を中心として前記前後ウエスト域に延びる吸液構造体をさらに有し、前記シール部の内端縁は前記吸液構造体の側縁部と平面視において互いに重なって位置する請求項４又は１０に記載の着用物品。
【請求項１２】
前記カバー部材を形成するシート部材と前記シャーシの外面を形成するシート部材とが同種類の繊維不織布から形成されており、かつ、その繊維の配向性が一致している請求項１に記載の着用物品。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月27日(2017.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の通信端末にゲームを提供するゲームサーバを備え、第１ユーザと第２ユーザを含む複数のユーザがプレイするゲームであって、ユーザが保有可能なゲーム媒体の限度数がユーザ毎に設定されているゲームを提供するゲームシステムにおけるゲーム制御方法であって、
前記通信端末が、前記第１ユーザの保有する所定数の第１ゲーム媒体を前記第２ユーザに提供する提供要求を送信するステップと、
前記ゲームサーバが、前記提供要求を受信した場合に前記第２ユーザに前記所定数の第１ゲーム媒体を提供し、かつ前記第１ユーザに前記第１ゲーム媒体に対応する１の第２ゲーム媒体を提供するステップと、
を含み、
前記第２ユーザのレベルに応じて、提供可能な前記第１ゲーム媒体のレアリティが可変である、ゲーム制御方法。
【請求項２】
複数の通信端末にゲームを提供するゲームサーバを備え、第１ユーザと第２ユーザを含む複数のユーザがプレイするゲームであって、ユーザが保有可能なゲーム媒体の限度数がユーザ毎に設定されているゲームを提供するゲームシステムにおけるゲーム制御方法であって、
前記通信端末が、前記第１ユーザの保有する所定数の第１ゲーム媒体を前記第２ユーザに提供する提供要求を送信するステップと、
前記ゲームサーバが、前記提供要求を受信した場合に前記第２ユーザに前記所定数の第１ゲーム媒体を提供し、かつ前記第１ユーザに前記第１ゲーム媒体に対応する１の第２ゲーム媒体を提供するステップと、
を含み、
前記第１ユーザのレベルに応じて、前記所定数が可変である、ゲーム制御方法。
【請求項３】
前記第２ユーザは、前記第１ユーザと友達関係にある、請求項１又は２に記載のゲーム制御方法。
【請求項４】
複数の通信端末にゲームを提供するゲームサーバを備え、第１ユーザと第２ユーザを含む複数のユーザがプレイするゲームであって、ユーザが保有可能なゲーム媒体の限度数がユーザ毎に設定されているゲームを提供するゲームシステムであって、
前記通信端末が、前記第１ユーザの保有する所定数の第１ゲーム媒体を前記第２ユーザに提供する提供要求を送信し、
前記ゲームサーバが、前記提供要求を受信した場合に前記第２ユーザに前記所定数の第１ゲーム媒体を提供し、かつ前記第１ユーザに前記第１ゲーム媒体に対応する１の第２ゲーム媒体を提供し、
前記第２ユーザのレベルに応じて、提供可能な前記第１ゲーム媒体のレアリティが可変である、ゲームシステム。
【請求項５】
複数の通信端末にゲームを提供するゲームサーバを備え、第１ユーザと第２ユーザを含む複数のユーザがプレイするゲームであって、ユーザが保有可能なゲーム媒体の限度数がユーザ毎に設定されているゲームを提供するゲームシステムであって、
前記通信端末が、前記第１ユーザの保有する所定数の第１ゲーム媒体を前記第２ユーザに提供する提供要求を送信し、
前記ゲームサーバが、前記提供要求を受信した場合に前記第２ユーザに前記所定数の第１ゲーム媒体を提供し、かつ前記第１ユーザに前記第１ゲーム媒体に対応する１の第２ゲーム媒体を提供し、
前記第１ユーザのレベルに応じて、前記所定数が可変である、ゲームシステム。
【請求項６】
第１ユーザと第２ユーザを含む複数のユーザがプレイするゲームであって、ユーザが保有可能なゲーム媒体の限度数がユーザ毎に設定されているゲームを提供するゲームサーバであって、
通信端末から、前記第１ユーザの保有する所定数の第１ゲーム媒体を前記第２ユーザに提供する提供要求を受信する通信部と、
前記提供要求を受信した場合に前記第２ユーザに前記所定数の第１ゲーム媒体を提供し、かつ前記第１ユーザに前記第１ゲーム媒体に対応する１の第２ゲーム媒体を提供する制御部と、
を備え、
前記第２ユーザのレベルに応じて、提供可能な前記第１ゲーム媒体のレアリティが可変である、ゲームサーバ。
【請求項７】
第１ユーザと第２ユーザを含む複数のユーザがプレイするゲームであって、ユーザが保有可能なゲーム媒体の限度数がユーザ毎に設定されているゲームを提供するゲームサーバであって、
通信端末から、前記第１ユーザの保有する所定数の第１ゲーム媒体を前記第２ユーザに提供する提供要求を受信する通信部と、
前記提供要求を受信した場合に前記第２ユーザに前記所定数の第１ゲーム媒体を提供し、かつ前記第１ユーザに前記第１ゲーム媒体に対応する１の第２ゲーム媒体を提供する制御部と、
を備え、
前記第１ユーザのレベルに応じて、前記所定数が可変である、ゲームサーバ。
【請求項８】
第１ユーザと第２ユーザを含む複数のユーザがプレイするゲームであって、ユーザが保有可能なゲーム媒体の限度数がユーザ毎に設定されているゲームを提供するゲームサーバとして機能するコンピュータに、
通信端末から、前記第１ユーザの保有する所定数の第１ゲーム媒体を前記第２ユーザに提供する提供要求を受信するステップと、
前記提供要求を受信した場合に前記第２ユーザに前記所定数の第１ゲーム媒体を提供し、かつ前記第１ユーザに前記第１ゲーム媒体に対応する１の第２ゲーム媒体を提供するステップと、
を実行させるプログラムであって、
前記第２ユーザのレベルに応じて、提供可能な前記第１ゲーム媒体のレアリティが可変であるプログラム。
【請求項９】
第１ユーザと第２ユーザを含む複数のユーザがプレイするゲームであって、ユーザが保有可能なゲーム媒体の限度数がユーザ毎に設定されているゲームを提供するゲームサーバとして機能するコンピュータに、
通信端末から、前記第１ユーザの保有する所定数の第１ゲーム媒体を前記第２ユーザに提供する提供要求を受信するステップと、
前記提供要求を受信した場合に前記第２ユーザに前記所定数の第１ゲーム媒体を提供し、かつ前記第１ユーザに前記第１ゲーム媒体に対応する１の第２ゲーム媒体を提供するステップと、
を実行させるプログラムであって、
前記第１ユーザのレベルに応じて、前記所定数が可変であるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ゲーム制御方法、ゲームシステム、ゲームサーバ、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明の一実施形態に係るゲーム制御方法は、
複数の通信端末にゲームを提供するゲームサーバを備え、第１ユーザと第２ユーザを含む複数のユーザがプレイするゲームであって、ユーザが保有可能なゲーム媒体の限度数がユーザ毎に設定されているゲームを提供するゲームシステムにおけるゲーム制御方法であって、
前記通信端末が、前記第１ユーザの保有する所定数の第１ゲーム媒体を前記第２ユーザに提供する提供要求を送信するステップと、
前記ゲームサーバが、前記提供要求を受信した場合に前記第２ユーザに前記所定数の第１ゲーム媒体を提供し、かつ前記第１ユーザに前記第１ゲーム媒体に対応する１の第２ゲーム媒体を提供するステップと、
を含み、前記第２ユーザのレベルに応じて、提供可能な前記第１ゲーム媒体のレアリティが可変であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月25日(2017.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と第２面とを有する正浸透膜において、前記第１面をフィード溶液に接触させると共に、前記第２面を前記フィード溶液より高い浸透圧を有するドロー溶液に接触させることで、前記フィード溶液中に含まれる水を、前記正浸透膜を通して前記第１面側から前記第２面側に移動させる浸透工程と、
前記浸透工程の前に、前記フィード溶液および前記ドロー溶液の少なくとも一方に塩素系殺菌剤を添加する殺菌剤添加工程と
を含むことを特徴とする、正浸透処理方法。
【請求項２】
前記殺菌剤添加工程の後、前記浸透工程の前に、前記フィード溶液および前記ドロー溶液の少なくとも一方に還元剤を添加する還元剤添加工程を含む、請求項１に記載の正浸透処理方法。
【請求項３】
前記殺菌剤添加工程において、前記塩素系殺菌剤を間欠的に添加する、請求項１または２に記載の正浸透処理方法。
【請求項４】
前記殺菌剤添加工程において前記塩素系殺菌剤を連続的に添加し、前記還元剤添加工程において前記還元剤を間欠的に添加する、請求項２に記載の正浸透処理方法。
【請求項５】
前記塩素系殺菌剤はクロラミンである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の正浸透処理方法。
【請求項６】
請求項１に記載の正浸透処理方法に用いられる正浸透処理装置であって、
前記正浸透膜、ならびに、前記フィード溶液が供給される第１室、および、前記ドロー溶液が供給される第２室を有し、前記第１室と前記第２室とは前記正浸透膜で仕切られている、正浸透膜モジュールと、
前記第１室に供給される前記フィード溶液、および、前記第２室に供給される前記ドロー溶液の少なくとも一方に塩素系殺菌剤を添加するための殺菌剤添加装置と
を備える、正浸透処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月3日(2017.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に第１導電性ペーストを配置し、前記第１導電性ペーストを焼結して第１接合層を形成する第１接合層形成工程と、
半導体発光素子に第２導電性ペーストを配置し、前記第２導電性ペーストを焼結して第２接合層を形成する第２接合層形成工程と、
前記第１接合層および前記第２接合層の表面を研磨する研磨工程と、
前記第１接合層と前記第２接合層との間に第３導電性ペーストを介在させ、前記第３導電性ペーストを焼結して前記第１接合層と前記第２接合層とを接合する第３接合層を形成する第３接合層形成工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１導電性ペースト、前記第２導電性ペースト、および前記第３導電性ペーストは、粒径が１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の金属粒子を含んでいる請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２接合層は、前記第１接合層よりも厚い請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１接合層および前記第２接合層の表面粗さＲａは、１０μｍ以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記研磨工程では、ラッピング研磨によって前記第１接合層および前記第２接合層の表面を研磨する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３接合層は、その全域が前記第１接合層と前記第２接合層との間の領域内に位置している請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光装置の製造方法は、基板に第１導電性ペーストを配置し、前記第１導電性ペーストを焼結して第１接合層を形成する第１接合層形成工程と、
半導体発光素子に第２導電性ペーストを配置し、前記第２導電性ペーストを焼結して第２接合層を形成する第２接合層形成工程と、
前記第１接合層および前記第２接合層の表面を研磨する研磨工程と、
前記第１接合層と前記第２接合層との間に第３導電性ペーストを介在させ、前記第３導電性ペーストを焼結して前記第１接合層と前記第２接合層とを接合する第３接合層を形成する第３接合層形成工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の発光装置の製造方法では、前記研磨工程では、ラッピング研磨によって前記第１接合層および前記第２接合層の表面を研磨することが好ましい。
これにより、第１、第２接合層の表面を簡単に研磨することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月4日(2017.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射された光を光電変換して第１の極性の信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部から転送される前記信号電荷を蓄積する電荷保持部と、
前記電荷保持部の前記信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、
をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、第２の極性のキャリアを多数キャリアとする第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の底部に接して形成され、前記第１の極性のキャリアを多数キャリアとする第２導電型の第２の半導体領域とを有し、
前記電荷保持部は、前記第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の底部に接して形成された前記第２導電型の第４の半導体領域とを有し、
前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域との間のｐｎ接合部は、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間のｐｎ接合部よりも深くに位置している
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
入射された光を光電変換して第１の極性の信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部から転送される前記信号電荷を蓄積する電荷保持部と、
前記電荷保持部の前記信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、
をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、第２の極性のキャリアを多数キャリアとする第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の底部に接して形成され、前記第１の極性のキャリアを多数キャリアとする第２導電型の第２の半導体領域とを有し、
前記電荷保持部は、前記第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の底部に接して形成された前記第２導電型の第４の半導体領域とを有し、
前記第３の半導体領域は、前記第１の半導体領域よりも不純物濃度が高い
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記第４の半導体領域は、前記第２の半導体領域よりも不純物濃度が高い
ことを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記電荷保持部の面積は、前記光電変換部の面積よりも大きい
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記電荷保持部は、前記第４の半導体領域の底部に接して形成された前記第１導電型の第５の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記光電変換部は、前記第１の半導体領域の前記電荷保持部側の端部に接して形成され、前記第１の半導体領域よりも不純物濃度の低い第６の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記電荷保持部は、前記第３の半導体領域の前記フローティングディフュージョン領域の側の端部に接して形成され、前記第３の半導体領域よりも不純物濃度の低い前記第１導電型の第７の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記電荷保持部は、前記第３の半導体領域の前記光電変換部側の端部に接して形成され、前記第３の半導体領域よりも不純物濃度の低い前記第１導電型の第８の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記電荷保持部は、前記第３の半導体領域の前記フローティングディフュージョン領域の側の端部の近傍に配置された前記第２導電型の第９の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記電荷保持部は、前記第３の半導体領域の前記光電変換部側の端部の近傍に配置された前記第２導電型の第１０の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記光電変換部から前記電荷保持部への前記信号電荷の転送を制御するトランジスタを更に有し、
前記第６の半導体領域は、前記トランジスタのゲート電極の下の領域に延在している
ことを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記電荷保持部から前記フローティングディフュージョン領域への前記信号電荷の転送を制御するトランジスタを更に有し、
前記第９の半導体領域は、前記トランジスタのゲート電極の下の領域に延在している
ことを特徴とする請求項９記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記光電変換部から前記電荷保持部への前記信号電荷の転送を制御するトランジスタを更に有し、
前記第１０の半導体領域は、前記トランジスタのゲート電極の下の領域に延在している
ことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記光電変換部から前記電荷保持部への前記信号電荷の転送を制御するトランジスタを更に有し、
前記トランジスタのゲート電極は、前記電荷保持部の上部に延伸している
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置へ被写体像を結像する光学系と
を含むことを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、入射された光を光電変換して第１の極性の信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部から転送される前記信号電荷を蓄積する電荷保持部と、前記電荷保持部の前記信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、前記光電変換部は、第２の極性のキャリアを多数キャリアとする第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の底部に接して形成され、前記第１の極性のキャリアを多数キャリアとする第２導電型の第２の半導体領域とを有し、前記電荷保持部は、前記第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の底部に接して形成された前記第２導電型の第４の半導体領域とを有し、前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域との間のｐｎ接合部は、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間のｐｎ接合部よりも深くに位置している固体撮像装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の他の一観点によれば、入射された光を光電変換して第１の極性の信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部から転送される前記信号電荷を蓄積する電荷保持部と、前記電荷保持部の前記信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、前記光電変換部は、第２の極性のキャリアを多数キャリアとする第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の底部に接して形成され、前記第１の極性のキャリアを多数キャリアとする第２導電型の第２の半導体領域とを有し、前記電荷保持部は、前記第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の底部に接して形成された前記第２導電型の第４の半導体領域とを有し、前記第３の半導体領域は、前記第１の半導体領域よりも不純物濃度が高い固体撮像装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月10日(2017.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
発光素子を点灯させる発光制御装置であって、
前記発光素子に与えるべき電圧または電流を第１および第２の点灯信号としてそれぞれ出力するための第１および第２の出力ピンを含む複数の出力ピンを有し、入力されるデジタル駆動信号により各出力ピンにつき離散的に決定される電圧または電流の総和に応じた光量で前記発光素子を点灯させる点灯用回路と、
前記第１の点灯信号が取り得る離散値のうち隣接する２つの値の差に略等しい範囲内で前記第２の点灯信号の値が離散的に決定されるように、前記デジタル駆動信号を前記点灯用回路に与える制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記発光素子に与えるべき電圧または電流を示す前記デジタル駆動信号の目標値が取り得る値のうち隣接する２つの値がそれぞれ示す電圧または電流による前記発光素子の発光量の差を、当該２つの値にそれぞれ対応する前記第１の点灯信号の値が異なる場合と同一である場合とで略等しくするように、前記目標値を補正する補正手段を備え、
前記補正手段による補正後の前記目標値を前記デジタル駆動信号として前記点灯用回路に与えることを特徴とする、発光制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
発光素子を点灯させる発光制御装置の調整方法であって、
前記発光素子に与えるべき電圧または電流を第１および第２の点灯信号としてそれぞれ出力するための第１および第２の出力ピンを含む複数の出力ピンを有し、入力されるデジタル駆動信号により各出力ピンにつき離散的に決定される電圧または電流の総和に応じた光量で前記発光素子を点灯させる点灯用回路と、
前記第１の点灯信号が取り得る離散値のうち隣接する２つの値の差に略等しい範囲内で前記第２の点灯信号の値が離散的に決定されるように、前記デジタル駆動信号を前記点灯用回路に与える制御部と
を備える発光制御装置において、
前記発光素子に与えるべき電圧または電流を示す前記デジタル駆動信号の目標値が取り得る値のうち隣接する２つの値がそれぞれ示す電圧または電流による前記発光素子の発光量の差を、当該２つの値にそれぞれ対応する前記第１の点灯信号の値が異なる場合と同一である場合とで略等しくするよう調整することを特徴とする、発光制御装置の調整方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１の局面は、 発光素子を点灯させる発光制御装置であって、
前記発光素子に与えるべき電圧または電流を第１および第２の点灯信号としてそれぞれ出力するための第１および第２の出力ピンを含む複数の出力ピンを有し、入力されるデジタル駆動信号により各出力ピンにつき離散的に決定される電圧または電流の総和に応じた光量で前記発光素子を点灯させる点灯用回路と、
前記第１の点灯信号が取り得る離散値のうち隣接する２つの値の差に略等しい範囲内で前記第２の点灯信号の値が離散的に決定されるように、前記デジタル駆動信号を前記点灯用回路に与える制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記発光素子に与えるべき電圧または電流を示す前記デジタル駆動信号の目標値が取り得る値のうち隣接する２つの値がそれぞれ示す電圧または電流による前記発光素子の発光量の差を、当該２つの値にそれぞれ対応する前記第１の点灯信号の値が異なる場合と同一である場合とで略等しくするように、前記目標値を補正する補正手段を備え、
前記補正手段による補正後の前記目標値を前記デジタル駆動信号として前記点灯用回路に与えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第８の局面は、発光素子を点灯させる発光制御装置の調整方法であって、
前記発光素子に与えるべき電圧または電流を第１および第２の点灯信号としてそれぞれ出力するための第１および第２の出力ピンを含む複数の出力ピンを有し、入力されるデジタル駆動信号により各出力ピンにつき離散的に決定される電圧または電流の総和に応じた光量で前記発光素子を点灯させる点灯用回路と、
前記第１の点灯信号が取り得る離散値のうち隣接する２つの値の差に略等しい範囲内で前記第２の点灯信号の値が離散的に決定されるように、前記デジタル駆動信号を前記点灯用回路に与える制御部と
を備える発光制御装置において、
前記発光素子に与えるべき電圧または電流を示す前記デジタル駆動信号の目標値が取り得る値のうち隣接する２つの値がそれぞれ示す電圧または電流による前記発光素子の発光量の差を、当該２つの値にそれぞれ対応する前記第１の点灯信号の値が異なる場合と同一である場合とで略等しくするよう調整することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月11日(2017.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上のトランジスタと、
前記トランジスタと接する無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜と接する有機絶縁膜とを有し、
前記トランジスタは、前記第１の基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の一方の面に接するゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
前記一対の電極の一方と接続する画素電極と、を有し、
前記無機絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の他方の面と接し、
前記有機絶縁膜は、前記無機絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なり、且つ分離されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の基板と重なる第２の基板を有し、
前記第１の基板及び前記第２の基板の間に前記トランジスタ及び前記有機絶縁膜を有し、
前記有機絶縁膜及び前記第２の基板の間に液晶層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記無機絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の他方の面に接する酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜に接する窒化物絶縁膜と、を有すること特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ゲート絶縁膜及び前記窒化物絶膜に接して設けられ、且つ前記窒化物絶縁膜を介して前記画素電極と重なる金属酸化物膜を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同じ金属元素を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記画素電極、前記窒化物絶縁膜、及び前記金属酸化物膜は、容量素子として機能することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、第１の膜及び第２の膜を含む多層構造であり、
前記第１の膜は、前記第２の膜と金属元素の原子数比が異なることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記ゲート電極の端部は、前記有機絶縁膜の端部より外側に位置することを特徴とする表示装置。