【手続補正書】
【提出日】平成29年3月10日(2017.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１メモリ領域と第２メモリ領域とを含む不揮発性メモリ装置と、
信頼性モード情報が格納される第１レジスタ及び運営体系イメージ情報が格納される第２レジスタを含み、ホストから書込み要請される運営体系イメージと前記運営体系イメージ情報とのマッチングの可否及び前記信頼性モード情報にしたがって前記運営体系イメージの前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域への移動を遮断するメモリコントローラと、を含むことを特徴とする格納装置。
【請求項２】
前記第１メモリ領域のセル当たりの格納ビット数は前記第２メモリ領域のセル当たりの格納ビット数より少ないことを特徴とする請求項１に記載の格納装置。
【請求項３】
前記第１レジスタの信頼性モード情報が信頼性非保証モードに設定される前には前記運営体系イメージは前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域に移動できないように設定されることを特徴とする請求項２に記載の格納装置。
【請求項４】
前記運営体系イメージ情報は、前記運営体系イメージに対するセクタ開始アドレス、セクタカウントの中で少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２に記載の格納装置。
【請求項５】
前記メモリコントローラは、書込み要請されるデータのセクタアドレスが前記運営体系イメージ情報と一致する場合に前記書込み要請されるデータを信頼性保証モードに管理することを特徴とする請求項４に記載の格納装置。
【請求項６】
前記メモリコントローラは、前記運営体系イメージに対する書込みモードを活性化及び非活性化するためのフィールドを有する第３レジスタを含むことを特徴とする請求項１に記載の格納装置。
【請求項７】
前記第２レジスタは、前記運営体系イメージのセクタ開始アドレス、セクタカウント、及び属性の中で少なくとも１つが書き込まれる複数のレジスタセットで構成されることを特徴とする請求項６に記載の格納装置。
【請求項８】
前記第３レジスタは、
前記第２レジスタの設定が完了された後に前記運営体系イメージの書込みモードを活性化する第１ビットと、
前記運営体系イメージの書込みモードの完了の後に信頼性保証モードにしたがう前記運営体系イメージの書込みモードを永久的に非活性化するための第２ビットのフィールド値と、を含むことを特徴とする請求項６に記載の格納装置。
【請求項９】
前記メモリコントローラは前記第２ビットの設定が非活性状態に維持される場合、書込み要請される前記運営体系イメージを信頼性保証モードを解除した状態で前記不揮発性メモリ装置に書き込むことを特徴とする請求項８に記載の格納装置。
【請求項１０】
運営体系イメージをメモリカードにプログラムする方法において、
前記運営体系イメージの信頼性保証モードにしたがう書込み機能の支援の可否を前記メモリカードの第１レジスタから読み出す段階と、
前記運営体系イメージのセクタ開始アドレス、セクタカウント、及び属性の中で少なくとも１つを含む運営体系イメージ情報を前記メモリカードの第２レジスタに書き込む段階と、
前記運営体系イメージを前記メモリカードにプログラムする段階と、を含み、
前記プログラムする段階で、前記メモリカードは、前記運営体系イメージ情報を参照して前記運営体系イメージを特定エラー率以下に管理するための信頼性保証モード又は信頼性非保証モードに不揮発性メモリ装置に書き込むことを特徴とするプログラム方法。
【請求項１１】
前記プログラムする段階が終了されると、前記運営体系イメージの書込みの可否を検証する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のプログラム方法。
【請求項１２】
前記検証する段階で前記運営体系イメージの書込みが完了したことが検出されると、前記運営体系イメージの書込み動作の時、前記信頼性非保証モードを選択するための第３レジスタを設定する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のプログラム方法。
【請求項１３】
前記メモリカードを表面実装技術又は赤外線リフロ方式でモバイル装置に装着する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のプログラム方法。
【請求項１４】
埋め込み型マルチメディアカードの運営体系イメージのプログラム方法において、
運営体系イメージ情報が存在するかを確認する段階と、
前記運営体系イメージの書込み要請が前記運営体系イメージ情報とマッチングされるか否かを検出する段階と、
前記書込み要請と前記運営体系イメージ情報とがマッチングされる場合に書込み要請される前記運営体系イメージを信頼性保証モードにしたがって不揮発性メモリ装置にプログラムする段階と、を含むことを特徴とするプログラム方法。
【請求項１５】
前記書込み要請が前記運営体系イメージ情報と一致しない場合には前記書込み要請される運営体系イメージに対する信頼性保証モードが解除されることを特徴とする請求項１４に記載のプログラム方法。
【請求項１６】
高信頼性モード又は低信頼性モードに各々動作する複数のメモリセルを含む第１メモリ領域と第２メモリ領域とを含み、前記第１メモリ領域は高信頼性モードに動作し、前記第２メモリ領域は低信頼性モードに動作する不揮発性メモリ装置と、
信頼性モードを支援するか否かを指示する信頼性モード情報が格納される第１レジスタ、運営体系イメージ情報が格納される第２レジスタ、及び前記信頼性モードの活性化情報を格納する第３レジスタを含むメモリコントローラと、を含み、
前記メモリコントローラは、
ホストから前記運営体系イメージ情報を受信して前記第２レジスタに格納し、前記ホストから運営体系イメージの書込み命令語を受信し、前記第３レジスタの第１ビットの値を設定して前記信頼性モードを活性化し、前記運営体系イメージを前記第１メモリ領域にプログラムし、そして前記信頼性モードが活性化された状態の間は、前記運営体系イメージの前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域への移動を遮断し、
前記第１メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数は前記第２メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数より少ないことを特徴とする不揮発性格納装置。
【請求項１７】
前記第１レジスタはベンダー特定レジスタ（Ｖｅｎｄｏｒ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ）であることを特徴とする請求項１６に記載の不揮発性格納装置。
【請求項１８】
前記運営体系イメージ情報はセクタ開始アドレスとセクタカウントとの中で少なくとも１つを含む前記運営体系イメージのサイズ情報を含むことを特徴とする請求項１６に記載の不揮発性格納装置。
【請求項１９】
前記メモリコントローラは前記運営体系イメージ情報を前記第２レジスタに格納した後に前記信頼性モードを活性化することを特徴とする請求項１６に記載の不揮発性格納装置。
【請求項２０】
前記メモリコントローラは前記第３レジスタの第１ビットの値を設定して前記信頼性モードを非活性化することを特徴とする請求項１６に記載の不揮発性格納装置。
【請求項２１】
前記メモリコントローラは前記運営体系イメージが前記第１メモリ領域にプログラムされた後に前記信頼性モードを非活性化することを特徴とする請求項２０に記載の不揮発性格納装置。
【請求項２２】
前記信頼性モードが非活性化されると、前記メモリコントローラは前記運営体系イメージを前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域に移動させることを特徴とする請求項２１に記載の不揮発性格納装置。
【請求項２３】
不揮発性格納装置において、
高信頼性モード又は低信頼性モードに各々動作する複数のメモリセルを含む第１メモリ領域と第２メモリ領域とを含み、前記第１メモリ領域は高信頼性モードに動作し、前記第２メモリ領域は低信頼性モードに動作する不揮発性メモリ装置と、
信頼性モードを支援するか否かを指示する信頼性モード情報が格納される第１レジスタ、プリソルダリングデータのサイズ情報を含むプリソルダリングデータ情報が格納される第２レジスタ、及び外部装置から前記不揮発性格納装置に前記プリソルダリングデータをプログラムするための信頼性モードの状態情報を格納する第３レジスタを含むメモリコントローラと、を含み、
前記メモリコントローラは、
前記外部装置に前記信頼性モード情報を伝送し、前記外部装置から前記プリソルダリングデータ情報を受信して前記第２レジスタに格納し、
前記外部装置から提供される第１値を第３レジスタに格納して前記信頼性モードを活性化し、
前記外部装置からプリソルダリングデータの書込み命令語を受信し、
前記プリソルダリングデータを前記第１メモリ領域に書き込み、
前記外部装置から伝達された前記プリソルダリングデータの量が前記第２レジスタに格納された前記プリソルダリングデータのサイズ情報と一致すると、前記第３レジスタの第１値を第２値に変換し、前記第１メモリ領域への前記プリソルダリングデータの書込み動作を中止し、
前記第３レジスタに格納された前記信頼性モードの状態情報が非活性化された状態の間に、前記プリソルダリングデータの前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域への移動を遂行し、
前記第１メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数は前記第２メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数より少ないことを特徴とする不揮発性格納装置。
【請求項２４】
前記プリソルダリングデータは運営体系イメージを含むことを特徴とする請求項２３に記載の不揮発性格納装置。
【請求項２５】
前記第３レジスタに格納された前記信頼性モードの状態情報が活性化された状態の間には、前記プリソルダリングデータの前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域への移動は遮断されることを特徴とする請求項２３に記載の不揮発性格納装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】格納装置、不揮発性格納装置及びその運営体系イメージプログラム方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体メモリ装置に係り、より具体的にはデータ信頼性を高くすることができ
る格納装置、不揮発性格納装置及びその運営体系イメージプログラム方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記目的を達成するための本発明による格納装置は、第１メモリ領域と第２メモリ領域とを含む不揮発性メモリ装置と、信頼性モード情報が格納される第１レジスタ及び運営体系イメージ情報が格納される第２レジスタを含み、ホストから書込み要請される運営体系イメージと前記運営体系イメージ情報とのマッチングの可否及び前記信頼性モード情報にしたがって前記運営体系イメージの前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域への移動を遮断するメモリコントローラと、を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記目的を達成するための本発明による運営体系イメージをメモリカードにプログラムする方法は、前記運営体系イメージの信頼性保証モードにしたがう書込み機能の支援の可否を前記メモリカードの第１レジスタから読み出す段階と、前記運営体系イメージのセクタ開始アドレス、セクタカウント、及び属性の中で少なくとも１つを含む運営体系イメージ情報を前記メモリカードの第２レジスタに書き込む段階と、前記運営体系イメージを前記メモリカードにプログラムする段階と、を含み、前記プログラムする段階で、前記メモリカードは、前記運営体系イメージ情報を参照して前記運営体系イメージを特定エラー率以下に管理するための信頼性保証モード又は信頼性非保証モードに不揮発性メモリ装置に書き込む。
前記目的を達成するための本発明による埋め込み型マルチメディアカードの運営体系イメージプログラム方法は、運営体系イメージ情報が存在するか否かを確認する段階と、前記運営体系イメージの書込み要請が前記運営体系イメージ情報とマッチングするか否かを検出する段階と、前記書込み要請と前記運営体系イメージ情報とがマッチングする場合に書込み要請される前記運営体系イメージを信頼性保証モードにしたがって不揮発性メモリ装置にプログラムする段階と、を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記目的を達成するための本発明による不揮発性格納装置は、高信頼性モード又は低信頼性モードに各々動作する複数のメモリセルを含む第１メモリ領域と第２メモリ領域とを含み、前記第１メモリ領域は高信頼性モードに動作し、前記第２メモリ領域は低信頼性モードに動作する不揮発性メモリ装置と、信頼性モードを支援するか否かを指示する信頼性モード情報が格納される第１レジスタ、運営体系イメージ情報が格納される第２レジスタ、及び前記信頼性モードの活性化情報を格納する第３レジスタを含むメモリコントローラと、を含み、前記メモリコントローラは、ホストから前記運営体系イメージ情報を受信して前記第２レジスタに格納し、前記ホストから運営体系イメージの書込み命令語を受信し、前記第３レジスタの第１ビットの値を設定して前記信頼性モードを活性化し、前記運営体系イメージを前記第１メモリ領域にプログラムし、そして前記信頼性モードが活性化された状態の間は、前記運営体系イメージの前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域への移動を遮断し、前記第１メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数は前記第２メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数より少ないことを特徴とする。
また、前記目的を達成するための本発明による不揮発性格納装置は、高信頼性モード又は低信頼性モードに各々動作する複数のメモリセルを含む第１メモリ領域と第２メモリ領域とを含み、前記第１メモリ領域は高信頼性モードに動作し、前記第２メモリ領域は低信頼性モードに動作する不揮発性メモリ装置と、信頼性モードを支援するか否かを指示する信頼性モード情報が格納される第１レジスタ、プリソルダリングデータのサイズ情報を含むプリソルダリングデータ情報が格納される第２レジスタ、及び外部装置から前記不揮発性格納装置に前記プリソルダリングデータをプログラムするための信頼性モードの状態情報を格納する第３レジスタを含むメモリコントローラと、を含み、前記メモリコントローラは、前記外部装置に前記信頼性モード情報を伝送し、前記外部装置から前記プリソルダリングデータ情報を受信して前記第２レジスタに格納し、前記外部装置から提供される第１値を第３レジスタに格納して前記信頼性モードを活性化し、前記外部装置からプリソルダリングデータの書込み命令語を受信し、前記プリソルダリングデータを前記第１メモリ領域に書き込み、前記外部装置から伝達された前記プリソルダリングデータの量が前記第２レジスタに格納された前記プリソルダリングデータのサイズ情報と一致すると、前記第３レジスタの第１値を第２値に変換し、前記第１メモリ領域への前記プリソルダリングデータの書込み動作を中止し、前記第３レジスタに格納された前記信頼性モードの状態情報が非活性化された状態の間に、前記プリソルダリングデータの前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域への移動を遂行し、前記第１メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数は前記第２メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数より少ないことを特徴とする。