【手続補正書】
【提出日】平成28年12月8日(2016.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に金属を電気めっきする方法であって、
電解質貯槽と、ポンプと、電気めっきセルと、脱気器とを含むめっき再循環ループに電解質を流すことであって、前記脱気器は、前記電解質を、前記電気めっきセルへのその導入前に脱気する、ことと、
前記電解質が脱気された後で且つ前記電解質が前記電気めっきセルに導入される前に、前記電解質にガスを注入することと、
前記電気めっきセル内の前記電解質に前記基板を浸漬させることであって、浸漬時における前記電気めっきセル内の圧力は、約１００トール以下である、ことと、
前記基板の上に材料を電気めっきすることと、
前記基板を前記電解質から取り出すことと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
浸漬時における前記電気めっきセル内の圧力は、少なくとも約２０トールである、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記電解質に前記基板を浸漬させることは、約２２５ｍｓ以下の期間にわたって生じ、前記基板は、約１５０ｍｍ以上の直径を有する、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記電解質に前記基板を浸漬させることは、約５０ｍｓ以下の期間にわたって生じ、前記基板は、約１５０ｍｍ以上の直径を有する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記電解質に前記基板を浸漬させることは、第１の持続時間を有する期間にわたって生じ、前記基板の上の特徴を充填するために材料を電気めっきすることは、第２の持続時間を有する期間にわたって生じ、前記第１の持続時間は、前記第２の持続時間の約１０％以下である、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記特徴は、体積で測定したときに前記基板の上で最小の特徴である、方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、
前記特徴は、体積で測定したときに前記基板の上で中間サイズの特徴である、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は、角度を付けて浸漬され、前記基板は、約０．２５〜１０度／秒の揺れ速度で水平の向きに対して揺動する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記電気めっきセル内の圧力は、電気めっきの少なくとも最初の約１０ｍｓにわたって約１００トール以下にとどまる、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記電気めっきセル内の圧力は、電気めっきが終わるまで約１００トール以下にとどまる、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記基板をロードロックに挿入することと、
前記ロードロック内の圧力を約１００トール未満に引き下げることと、
を備える方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記ガスは、酸素であり、前記酸素は、約１０ｐｐｍ以下の電解質濃度で注入される、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記酸素は、約１ｐｐｍ以下の電解質濃度で注入される、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記電解質貯槽と溶存ガスセンサとを含むガス制御再循環ループに前記電解質を流すことを備え、前記電解質内における溶存ガスの濃度を調節するために、溶存ガスコントローラが、前記溶存ガスセンサからの入力に基づいてガス注入ユニットを制御する、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記めっき再循環ループは、前記ガス制御再循環ループから切り離されている、方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、
前記電解質は、電気めっき中は、迂回路を通ることによって前記めっき再循環ループの前記電解質貯槽を迂回する、方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法であって、更に、
電気めっきを行っていないときに、大気圧再循環ループに前記電解質を流すことを備え、前記大気圧再循環ループは、前記電解質貯槽と、大気圧電解質貯槽と、大気圧ループポンプとを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって、更に、
脱気電解質貯槽のなかで前記電解質を脱気することと、脱気再循環ループ及び大気圧再循環ループに前記電解質を流すこととを備え、前記脱気再循環ループは、前記電解質貯槽と、脱気ループポンプと、脱気電解質貯槽とを含み、前記大気圧再循環ループは、前記脱気電解質貯槽と、大気圧ループポンプと、大気圧電解質貯槽とを含む、方法。
【請求項１９】
基板の上に金属を電気めっきするための装置であって、
約１００トール未満の圧力に耐えうるように構成される電気めっきセルであって、基板ホルダと、電解質収容容器と、前記電解質収容容器内に基板が浸漬されるのに伴って前記基板の向きを制御することができる基板位置決めシステムとを含む電気めっきセルと、
電解質貯槽と、ポンプと、脱気器と、電気めっきセルとを含むめっき再循環ループであって、前記脱気器は、前記めっき再循環ループのなかで前記電解質貯槽の後ろに且つ前記電気めっきセルの前に位置決めされる、めっき再循環ループと、
ガス注入ユニットと、
めっきコントローラであって、
前記めっき再循環ループに電解質を流すことと、
前記電解質が脱気された後で且つ前記電解質が前記電気めっきセルに導入される前に、前記ガス注入ユニットから前記電解質にガスを注入することと、
前記電解質収容容器内の圧力を約１００トール以下に維持しつつ、前記電解質収容容器内の前記電解質に前記基板を浸漬させることと、
前記基板の上に材料を電気めっきすることと、
前記基板を前記電解質から取り出すことと、
を実行するための命令を含む、めっきコントローラと、
を備える装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、
前記基板位置決めシステムは、前記基板の並進、傾斜、及び回転を制御することができる、装置。
【請求項２１】
請求項１９に記載の装置であって、更に、
溶存ガスセンサを備える装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の装置であって、更に、
溶存ガスコントローラを備え、前記溶存ガスコントローラは、前記溶存ガスセンサからの測定値に基づいて前記ガス注入ユニットを制御する、装置。
【請求項２３】
請求項１９に記載の装置であって、更に、
迂回路を備え、前記めっきコントローラは、電気めっき中は、前記迂回路に電解質を流すことによって前記電解質貯槽を迂回させるように構成される、装置。
【請求項２４】
請求項１９に記載の装置であって、更に、
前記電解質貯槽と、大気圧ループポンプと、大気圧電解質貯槽とを含む大気圧再循環ループを備え、前記めっきコントローラは、電気めっき中は、前記大気圧再循環ループを循環させないように構成される、装置。
【請求項２５】
請求項１９に記載の装置であって、更に、
脱気電解質再循環ループと、大気圧再循環ループとを備え、前記脱気電解質再循環ループは、前記電解質貯槽と、ポンプと、脱気電解質貯槽とを含み、前記大気圧再循環ループは、前記脱気電解質貯槽と、ポンプと、大気圧電解質貯槽とを含み、前記めっきコントローラは、電気めっき中は、前記脱気電解質再循環ループが循環しないことを保証するように構成される、装置。
【請求項２６】
請求項１９に記載の装置であって、更に、
約１００トール以下で動作するように構成される１つ以上の追加の電気めっきセルを備え、前記追加の電気めっきセルは、前記電解質貯槽と流体連通している、装置。
【請求項２７】
基板の上に金属を電気めっきする方法であって、
電解質貯槽と、ポンプと、電気めっきセルと、電解質を前記電気めっきセルに導入する前に前記電解質を脱気する脱気器と、を含むめっき再循環ループに、前記電解質を流すことと、
前記電気めっきセル内の前記電解質に前記基板を浸漬させることであって、浸漬中の前記電気めっきセル内の圧力が約１００トール以下であることと、
前記基板の上に材料を電気めっきすることであって、前記電気めっき中に前記電解質が迂回路を通ることによって前記めっき再循環ループの前記電解質貯槽を迂回することと、
前記基板を前記電解質から取り出すことと、
を備える方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気メッキの方法及び装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
以上に説明された電気めっき装置／方法は、例えば半導体デバイス、ディスプレイ、ＬＥＤ、光起電性パネルなどの加工又は製造のために、リソグラフィパターン形成ツール又はプロセスと併せて使用されてよい。必ずしも必然ではないが、通例は、このようなツール／プロセスは、共通の加工設備のなかで併せて使用される又は行われる。膜のリソグラフィパターン形成は、通例、（１）スピンオンツール又は噴き付けツールを使用し、加工物、すなわち基板にフォトレジストを塗布する工程、（２）ホットプレート又は炉又はＵＶ硬化ツールを使用し、フォトレジストを硬化させる工程、（３）ウエハステッパなどのツールによって、フォトレジストに可視光、紫外線、又はＸ線を浴びせる工程、（４）レジストを選択的に除去しそれによってレジストをパターン形成するために、ウェットベンチなどのツールを使用してレジストを現像する工程、（５）ドライ又はプラズマ強化式エッチングツールを使用し、レジストパターンをその下の膜又は加工物に転写する工程、並びに（６）ＲＦ又はマイクロ波プラズマレジストストリッパなどのツールを使用し、レジストを除去する工程のうちの、一部又は全部を含み、各工程は、考えられる幾つかのツール候補によって可能にされる。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
基板の上に金属を電気めっきする方法であって、
電解質貯槽と、ポンプと、電気めっきセルと、脱気器とを含むめっき再循環ループに電解質を流すことであって、前記脱気器は、前記電解質を、前記電気めっきセルへのその導入前に脱気する、ことと、
前記電気めっきセル内の電解質に前記基板を浸漬させることであって、浸漬時における前記電気めっきセル内の圧力は、約１００トール以下である、ことと、
前記基板の上に材料を電気めっきすることと、
前記基板を電解質から取り出すことと、
を備える方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、
浸漬時における前記電気めっきセル内の圧力は、少なくとも約２０トールである、方法。
［適用例３］
適用例１に記載の方法であって、
電解質に前記基板を浸漬させることは、約２２５ｍｓ以下の期間にわたって生じ、前記基板は、約１５０ｍｍ以上の直径を有する、方法。
［適用例４］
適用例３に記載の方法であって、
電解質に前記基板を浸漬させることは、約５０ｍｓ以下の期間にわたって生じ、前記基板は、約１５０ｍｍ以上の直径を有する、方法。
［適用例５］
適用例１に記載の方法であって、
電解質に前記基板を浸漬させることは、第１の持続時間を有する期間にわたって生じ、前記基板の上の特徴を充填するために材料を電気めっきすることは、第２の持続時間を有する期間にわたって生じ、前記第１の持続時間は、前記第２の持続時間の約１０％以下である、方法。
［適用例６］
適用例５に記載の方法であって、
前記特徴は、体積で測定したときに前記基板の上で最小の特徴である、方法。
［適用例７］
適用例５に記載の方法であって、
前記特徴は、体積で測定したときに前記基板の上で中間サイズの特徴である、方法。
［適用例８］
適用例１に記載の方法であって、
前記基板は、角度を付けて浸漬され、前記基板は、約０．２５〜１０度／秒の揺れ速度で水平の向きに対して揺動する、方法。
［適用例９］
適用例１に記載の方法であって、
前記電気めっきセル内の圧力は、めっきの少なくとも最初の約１０ｍｓにわたって約１００トール以下にとどまる、方法。
［適用例１０］
適用例９に記載の方法であって、
前記電気めっきセル内の圧力は、電気めっきが終わるまで約１００トール以下にとどまる、方法。
［適用例１１］
適用例１に記載の方法であって、更に、
前記基板をロードロックに挿入することと、
前記ロードロック内の圧力を約１００トール未満に引き下げることと、
を備える方法。
［適用例１２］
適用例１に記載の方法であって、更に、
前記電解質が脱気された後で且つ前記電解質が前記電気めっきセルに導入される前に、前記電解質にガスを注入することを備える方法。
［適用例１３］
適用例１２に記載の方法であって、
前記ガスは、酸素であり、前記酸素は、約１０ｐｐｍ以下の電解質濃度で注入される、方法。
［適用例１４］
適用例１３に記載の方法であって、
前記酸素は、約１ｐｐｍ以下の電解質濃度で注入される、方法。
［適用例１５］
適用例１に記載の方法であって、更に、
前記電解質貯槽と溶存ガスセンサとを含むガス制御再循環ループに電解質を流すことを備え、前記電解質内における溶存ガスの濃度を調節するために、溶存ガスコントローラが、前記溶存ガスセンサからの入力に基づいてガス注入ユニットを制御する、方法。
［適用例１６］
適用例１５に記載の方法であって、
前記めっき再循環ループは、前記ガス制御再循環ループから切り離されている、方法。
［適用例１７］
適用例１に記載の方法であって、
電解質は、電気めっき中は、迂回路を通ることによって前記めっき再循環ループの前記電解質貯槽を迂回する、方法。
［適用例１８］
適用例１に記載の方法であって、更に、
電気めっきを行っていないときに、大気圧再循環ループに電解質を流すことを備え、前記大気圧再循環ループは、前記電解質貯槽と、大気圧電解質貯槽と、大気圧ループポンプとを含む、方法。
［適用例１９］
適用例１に記載の方法であって、更に、
脱気電解質貯槽のなかで電解質を脱気することと、脱気再循環ループ及び大気圧再循環ループに電解質を流すこととを備え、前記脱気再循環ループは、前記電解質貯槽と、脱気ループポンプと、脱気電解質貯槽とを含み、前記大気圧再循環ループは、前記脱気電解質貯槽と、大気圧ループポンプと、大気圧電解質貯槽とを含む、方法。
［適用例２０］
基板の上に金属を電気めっきするための装置であって、
約１００トール未満の圧力に耐えうるように構成される電気めっきセルであって、基板ホルダと、電解質収容容器と、前記電解質収容容器内に基板が浸漬されるのに伴って前記基板の向きを制御することができる基板位置決めシステムとを含む電気めっきセルと、
電解質貯槽と、ポンプと、脱気器と、電気めっきセルとを含むめっき再循環ループであって、前記脱気器は、前記めっき再循環ループのなかで前記電解質貯槽の後ろに且つ前記電気めっきセルの前に位置決めされる、めっき再循環ループと、
電気めっきプロセス中、前記電解質収容容器内に前記基板が浸漬されるときに約１００トール未満の圧力を維持するように構成されるめっきコントローラと、
を備える装置。
［適用例２１］
適用例２０に記載の装置であって、
前記基板位置決めシステムは、前記基板の並進、傾斜、及び回転を制御することができる、装置。
［適用例２２］
適用例２０に記載の装置であって、更に、
溶存ガスセンサを備える装置。
［適用例２３］
適用例２２に記載の装置であって、更に、
溶存ガスコントローラと、ガス注入器とを備え、前記溶存ガスコントローラは、前記溶存ガスセンサからの測定値に基づいて前記ガス注入器を制御する、装置。
［適用例２４］
適用例２０に記載の装置であって、更に、
迂回路を備え、前記めっきコントローラは、電気めっき中は、前記迂回路に電解質を流すことによって前記電解質貯槽を迂回させるように構成される、装置。
［適用例２５］
適用例２０に記載の装置であって、更に、
前記電解質貯槽と、大気圧ループポンプと、大気圧電解質貯槽とを含む大気圧再循環ループを備え、前記めっきコントローラは、電気めっき中は、前記大気圧再循環ループを循環させないように構成される、装置。
［適用例２６］
適用例２０に記載の装置であって、更に、
脱気電解質再循環ループと、大気圧再循環ループとを備え、前記脱気電解質再循環ループは、前記電解質貯槽と、ポンプと、脱気電解質貯槽とを含み、前記大気圧再循環ループは、前記脱気電解質貯槽と、ポンプと、大気圧電解質貯槽とを含み、前記めっきコントローラは、電気めっき中は、前記脱気電解質再循環ループが循環しないことを保証するように構成される、装置。
［適用例２７］
適用例２０に記載の装置であって、更に、
約１００トール以下で動作するように構成される１つ以上の追加の電気めっきセルを備え、前記追加の電気めっきセルは、前記電解質貯槽と流体連通している、装置。