Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月29日(2017.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第６のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は第１の配線に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は第２の配線に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は第３の配線に電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は第４の配線に電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第４の配線に電気的に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は第５の配線に電気的に接続されており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は第６の配線に電気的に接続されており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は第７の配線に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲートは前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第３の配線は第１のクロック信号を入力する機能を有し、
前記第６の配線は第２のクロック信号を入力する機能を有し、
前記第２の配線は第１の信号を出力する機能を有し、
前記第５の配線は第２の信号を出力する機能を有する半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第６のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は第１の配線に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は第２の配線に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は第３の配線に電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は第４の配線に電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第４の配線に電気的に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は第５の配線に電気的に接続されており、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は第６の配線に電気的に接続されており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は第７の配線に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲートは前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第３の配線は第１のクロック信号を入力する機能を有し、
前記第６の配線は第２のクロック信号を入力する機能を有し、
前記第２の配線は第１の信号を出力する機能を有し、
前記第５の配線は第２の信号を出力する機能を有する半導体装置であって、
前記第１のクロック信号は第１の電位と、前記第１の電位よりも高い第２の電位とを有し、
前記第２のクロック信号は第３の電位と、前記第３の電位よりも高い第４の電位とを有し、
前記第１の電位は前記第３の電位よりも高く、
前記第２の電位は前記第４の電位よりも高い半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像情報が供給され、表示命令および測位情報を供給する入出力装置と、
前記表示命令および前記測位情報が供給され、前記表示命令および前記測位情報に基づいて前記画像情報を生成し且つ供給する演算装置と、を有し、
前記入出力装置は、前記表示命令を供給される通信部、標識を測位して前記測位情報を生成する測位部および前記画像情報を表示する表示部を備え、
前記演算装置は、演算部および前記演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え、
前記プログラムは、前記画像情報を前記表示命令および前記測位情報に基づいて生成させる、情報処理装置。
【請求項２】
前記プログラムが、
初期化をする第１のステップと、
供給された前記測位情報に基づいて第１の補正パラメータを決定する第２のステップと、
前記第１の補正パラメータに基づいて前記画像情報を生成する第３のステップと、
割り込み処理を許可する第４のステップと、
前記画像情報を表示する第５のステップと、
前記割り込み処理で終了命令が供給された場合は第７のステップに進み、前記終了命令が供給されない場合は前記第５のステップに戻る第６のステップと、
終了する前記第７のステップと、を備え、
前記割り込み処理は、
前記表示命令が供給された場合は第９のステップに進み、前記表示命令が供給されない場合は第１０のステップに進む第８のステップと、
前記表示命令に基づいて前記画像情報を生成する前記第９のステップと、
前記測位情報から第２の補正パラメータを決定する前記第１０のステップと、
前記第２の補正パラメータが前記第１の補正パラメータから変化した場合は第１２のステップへ進み、変化していない場合は第１３のステップへ進む第１１のステップと、
前記第２の補正パラメータに基づいて前記画像情報を生成する前記第１２のステップと、
前記割り込み処理から復帰する前記第１３のステップと、を備える、請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記測位部は、前記表示部に沿って配置されセンサ信号を供給するセンサおよび前記センサ信号を処理するセンサ信号処理回路を備える、請求項１記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記測位部は、前記表示部に沿って配置された撮像素子および画像処理回路を備え、
前記画像処理回路は、初期化する第１のステップと、
標識像を、前記撮像素子を用いて取得する第２のステップと、
前記標識像を二値化して、二値画像を生成する第３のステップと、
前記二値画像が、所定のパターンを含む場合は第５のステップに進み、含まない場合は第６のステップに進む、第４のステップと、
前記標識の前記測位情報を、前記二値画像における前記所定のパターンの座標から特定して生成する前記第５のステップと、
第１のステップに進む前記第６のステップと、を実行する、請求項１記載の情報処理装置。
【請求項５】
標識と、
前記標識を測位し、表示命令および第１の測位情報を供給する第１の情報処理装置と、
前記標識を測位し、前記表示命令および前記第１の測位情報を供給される第２の情報処理装置と、を有し、
前記第１の情報処理装置は、
前記表示命令および第１の測位情報を供給する第１の入出力装置を有し、
前記第１の入出力装置は、前記標識を測位して前記第１の測位情報を生成し供給する第１の測位部、前記表示命令を供給することができる第１の入力手段および前記表示命令並びに前記第１の測位情報を供給することができる第１の通信部を備え、
前記第２の情報処理装置は、
画像情報が供給され、前記表示命令並びに前記第１の測位情報および第２の測位情報を供給する第２の入出力装置と、前記第１の測位情報および前記第２の測位情報が供給され、前記表示命令、前記第１の測位情報および前記第２の測位情報に基づいて前記画像情報を生成し且つ供給する演算装置と、を備え、
前記第２の入出力装置は、
前記表示命令および前記第１の測位情報を供給される第２の通信部、前記標識を測位して前記第２の測位情報を生成し供給する第２の測位部および前記画像情報を供給され表示する表示部を具備し、
前記演算装置は、演算部および前記演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を具備し、
前記プログラムは、前記画像情報を前記表示命令、前記第１の測位情報および前記第２の測位情報に基づいて生成させる、情報処理システム。
【請求項６】
前記プログラムが、
初期化をする第１のステップと、
前記第１の測位情報および前記第２の測位情報に基づいて第１の補正パラメータを決定する第２のステップと、
前記第１の補正パラメータに基づいて前記画像情報を生成する第３のステップと、
割り込み処理を許可する第４のステップと、
前記画像情報を表示する第５のステップと、
前記割り込み処理で終了命令が供給された場合は第７のステップに進み、前記終了命令が供給されない場合は前記第５のステップに戻る第６のステップと、
終了する前記第７のステップと、を備え、
前記割り込み処理は、
前記表示命令が供給された場合は第９のステップに進み、前記表示命令が供給されない場合は第１０のステップに進む第８のステップと、
前記表示命令に基づいて前記画像情報を生成する前記第９のステップと、
前記第１の測位情報および前記第２の測位情報から第２の補正パラメータを決定する前記第１０のステップと、
前記第２の補正パラメータが前記第１の補正パラメータから変化した場合は第１２のステップへ進み、変化していない場合は第１３のステップへ進む第１１のステップと、
前記第２の補正パラメータに基づいて前記画像情報を生成する前記第１２のステップと、
前記割り込み処理から復帰する前記第１３のステップと、を備える、請求項５記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記第１の情報処理装置が前記標識を有する、請求項５記載の情報処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月7日(2017.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】臨床検査値を表示する表示装置、サーバ、表示方法及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、臨床検査値を表示する表示装置、サーバ、表示方法及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ところで、患者への調剤を行う際に、処方せんの記載事項及び患者情報・薬歴等をふまえてそのまま薬剤を交付することに疑わしい点があるかを確認する処方監査を行われている。このような処方監査では、患者の傷病の状態・服用している薬剤の影響を把握できる臨床検査値を参照することがある。しかしながら、臨床検査値は数多くのものがあり、入力されている数多くの臨床検査値を漫然と表示したとしても、目的とする傷病・薬剤に関する情報を効率的に把握することができなかった。その結果、処方監査のために臨床検査値等の情報を表示したとしても、必要な臨床検査値の情報を効率的に探せないため、適切な処方監査を迅速に行うことができなくなっていた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の薬剤及び臨床検査値について、当該薬剤と当該臨床検査値との関係性を区別可能な表示形態で、前記臨床検査値を表示する表示手段、
を備える臨床検査値を表示する表示装置。
【請求項２】
前記特定の薬剤及び臨床検査値は患者の処方せんに記載された薬剤及び臨床検査値であり、
前記表示手段は、前記処方せんに記載された薬剤及び臨床検査値を、当該薬剤と当該臨床検査値との関係性を区別可能な表示形態で表示する請求項１に記載の臨床検査値を表示する表示装置。
【請求項３】
前記臨床検査値を前記薬剤との関係性に基づいてグループ化するグループ化手段を備え、
前記表示手段は、グループ化した前記臨床検査値をグループ毎に区別可能に表示する請求項１または２に記載の臨床検査値を表示する表示装置。
【請求項４】
前記グループ化では、一の前記臨床検査値が前記薬剤毎に異なったグループに分類される場合がある、
請求項３に記載の臨床検査値を表示する表示装置。
【請求項５】
前記グループ化は、前記薬剤の効果及び前記薬剤の副作用毎に行われる、
請求項３または４に記載の臨床検査値を表示する表示装置。
【請求項６】
前記グループ化は、前記臨床検査値の値が所定の値である場合に薬剤の副作用のグループに分類される場合がある、
請求項５に記載の臨床検査値を表示する表示装置。
【請求項７】
前記表示手段は、前記薬剤の選択を受け付けたことに応じて、当該薬剤と前記関係性を有する前記臨床検査値と、当該薬剤と前記関係性を有さない前記臨床検査値とを表示する、
請求項１から６のいずれか１項に記載の臨床検査値を表示する表示装置。
【請求項８】
前記表示手段は、前記臨床検査値を、当該臨床検査値が取得された場所で区別して表示する、
請求項１から７のいずれか１項に記載の臨床検査値を表示する表示装置。
【請求項９】
端末装置から送信された特定の薬剤及び臨床検査値について、当該薬剤と当該臨床検査値との関係性を区別可能な表示形態で、前記臨床検査値を表示するための情報を前記端末装置に送信する表示情報送信手段を備えるサーバ。
【請求項１０】
表示装置が実行する臨床検査値の表示方法であって、
特定の薬剤及び臨床検査値について、当該薬剤と当該臨床検査値との関係性を区別可能な表示形態で、前記臨床検査値を表示する表示ステップ、
を含む臨床検査値の表示方法。
【請求項１１】
サーバが実行する臨床検査値の表示方法であって、
端末装置から送信された特定の薬剤及び臨床検査値について、当該薬剤と当該臨床検査値との関係性を区別可能な表示形態で、前記臨床検査値を表示するための情報を前記端末装置に送信する表示情報送信ステップ、
を含む臨床検査値の表示方法。
【請求項１２】
コンピュータに、
特定の薬剤及び臨床検査値について、当該薬剤と当該臨床検査値との関係性を区別可能な表示形態で、前記臨床検査値を表示する表示機能、
を実現させるプログラム。
【請求項１３】
コンピュータに、
端末装置から送信された特定の薬剤及び臨床検査値について、当該薬剤と当該臨床検査値との関係性を区別可能な表示形態で、前記臨床検査値を表示するための情報を前記端末装置に送信する表示情報送信機能、
を実現させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月11日(2017.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
運転支援装置が、
複数の車両のそれぞれの運転者について検出された生体情報と、該生体情報が検出された位置情報及び時刻情報を取得し、
取得した複数の前記位置情報と時刻情報と生体情報とに基づいて、所定の生体情報を示す車群の移動方向を推定し、
推定した前記移動方向の前記車群以外の車両に対して、前記所定の生体情報に応じた情報を送信することを特徴とする運転支援方法。
【請求項２】
前記所定の生体情報は、イライラ状態又はヒヤリ状態であることを特徴とする請求項１に記載の運転支援方法。
【請求項３】
前記所定の生体情報が、迷惑車両によるものである場合であるか否かを判断し、前記迷惑車両によるものである場合に、前記所定の生体情報に応じた情報を送信することを特徴とする請求項１又は２に記載の運転支援方法。
【請求項４】
前記迷惑車両の今後の移動経路を推定し、推定された前記移動経路に対応する移動方向と、前記車群の移動方向とに基づいて、前記所定の生体情報に応じた情報を送信する車両を判断することを特徴とする請求項３に記載の運転支援方法。
【請求項５】
複数の車両のそれぞれの運転者について検出された生体情報と、該生体情報が検出された位置情報及び時刻情報を取得し、取得した複数の前記位置情報と時刻情報と生体情報とに基づいて、迷惑車両の有無を推定する迷惑車両推定部と、
前記迷惑車両推定部により前記迷惑車両が存在すると判断された場合に、所定の生体情報を示す車群の移動方向を推定し、推定した前記移動方向の前記車群以外の車両に対して、前記所定の生体情報に応じた情報を送信する配信判断部とを有することを特徴とする運転支援装置。
【請求項６】
複数の車両のそれぞれの運転者について検出された生体情報と、該生体情報が検出された位置情報及び時刻情報を取得し、
取得した複数の前記位置情報と時刻情報と生体情報とに基づいて、所定の生体情報を示す車群の移動方向を推定し、
推定した前記移動方向の前記車群以外の車両に対して、前記所定の生体情報に応じた情報を送信する、処理をコンピュータに実行させるための運転支援プログラム。
【請求項７】
生体センサと、
前記生体センサで測定して得られたドライバの生体情報又は得られた生体情報に基づいて判定した精神状態情報を送信する通信部と、
を備え、
前記通信部は、他の車両システムの生体センサで測定して得られた他のドライバの生体情報又は生体情報に基づいて判定した精神状態情報を受信した場合に、情報提供部によって、受信した情報が音声出力又は受信した情報が表示出力されるように受信データを処理する、
ことを特徴とする車両システム。
【請求項８】
生体センサで測定して得られたドライバの生体情報又は得られた生体情報に基づいて判定した精神状態情報を送信し、
他の車両システムの生体センサで測定して得られた他のドライバの生体情報又は生体情報に基づいて判定した精神状態情報を受信した場合に、受信した情報が音声出力又は受信した情報が表示出力されるように受信データを処理する、
処理をコンピュータに実行させることを特徴とする運転支援プログラム。
【請求項９】
生体センサで測定して得られたドライバの生体情報又は得られた生体情報に基づいて判定した精神状態情報を送信し、
他の車両システムの生体センサで測定して得られた他のドライバの生体情報又は生体情報に基づいて判定した精神状態情報を受信した場合に、受信した情報が音声出力又は受信した情報が表示出力されるように受信データを処理する、
ことを特徴とする運転支援方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】運転支援方法、運転支援装置、車両システム及び運転支援プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本願は、運転支援方法、運転支援装置、車両システム及び運転支援プログラムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器であって、
物体が入れられる開口が設けられる筐体と、
前記開口を開閉可能にふさぐ開閉部と、
前記開閉部の第１面に第１表示を行い、前記開閉部の前記第１面とは異なる第２面に第２表示を行う表示部とを備え、
前記表示部は、前記開閉部の開閉動作により、前記第１面および前記第２面とともに移動する。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器であって、
前記表示部は、発光部を含み、前記発光部からの光によって前記第１表示および前記第２表示を行い、
前記発光部は、前記第１面と前記第２面との間に配置される。
【請求項３】
請求項１に記載の電子機器であって、
前記表示部は、前記第１面に対して前記第２面側かつ、前記第２面に対して前記第１面側に設けられる。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子機器であって、
前記表示部は、前記第１面に画像を投影して前記第１表示を行い、前記第２面に画像を投影して前記第２表示を行う投影部である。
【請求項５】
請求項４に記載の電子機器であって、
前記投影部は、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方に対して画像を背面投影する。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の電子機器であって、
前記開閉部は、光を透過可能な状態と、光を拡散する状態とに切り替え可能であり、前記投影部によって前記開閉部に画像が投影される場合、光を拡散する状態にされ、前記投影部によって前記開閉部に画像が投影されない場合、光が通過可能な状態にされる。
【請求項７】
請求項１に記載の電子機器であって、
前記筐体内の前記物体を撮像し、画像を出力する撮像部を更に備え、
前記表示部は、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方に前記撮像部によって撮像された前記画像を表示する。
【請求項８】
請求項７に記載の電子機器は洗濯機であって、
前記物体は洗濯物であり、
前記筐体の内部に設けられ、前記開口から前記洗濯物が投入される洗濯槽とを更に備え、
前記撮像部は、前記洗濯槽に投入された前記洗濯物が洗濯されている状態を撮像する。
【請求項９】
請求項８に記載の洗濯機であって、  
前記表示部は、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方に前記洗濯機の運転状態を表示する。
【請求項１０】
請求項９に記載の洗濯機であって、
前記洗濯機の運転状態は、前記洗濯物の洗濯が終了するまでの時間に関する情報である。
【請求項１１】
請求項９に記載の洗濯機であって、
前記洗濯機の運転状態は、前記洗濯物を洗濯する工程に関する情報である。
【請求項１２】
請求項１に記載の電子機器であって、
前記表示部は、前記第１面および前記第２面の少なくとも一方にユーザーインタフェースを表示する。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子機器であって、
ユーザに関する情報を検出する情報検出部をさらに備え、
前記表示部は、前記情報検出部による検出に基づいて前記ユーザーインタフェースを変更して表示する。
【請求項１４】
請求項４に記載の電子機器は洗濯機であって、
前記物体は洗濯物であり、
前記筐体の内部に設けられ、前記開口から前記洗濯物が投入される洗濯槽とを更に備え、
前記投影部は、前記洗濯物の状態に基づいて、前記開閉部とは異なる場所に画像を投影する。
【請求項１５】
請求項１４に記載の洗濯機であって、
前記洗濯物の状態は、前記洗濯物の洗濯が終了するまでの時間である。
【請求項１６】
請求項４に記載の電子機器であって、
前記電子機器の周囲を検出する周囲検出部をさらに備え、
前記投影部は、前記周囲検出部の検出に基づいて、前記開閉部とは異なる場所に画像を投影する。
【請求項１７】
請求項４に記載の電子機器であって、
前記電子機器の周囲にいる人物を検出する人物検出部をさらに備え、
前記投影部は、前記人物検出部の検出によって前記人物を検出した場合、前記開閉部とは異なる場所に画像を投影する。
【請求項１８】
洗濯機であって、
投入口から投入された洗濯物をためる洗濯槽と、
前記投入口を開閉可能にふさぐ蓋部と、
前記蓋部の第１面に第１表示を行い、前記蓋部の前記第１面とは異なる第２面に第２表示を行う表示部とを備え、
前記表示部は、前記蓋部の開閉動作により、前記第１面および前記第２面とともに移動する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器および洗濯機
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子機器および洗濯機に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明による電子機器は、物体が入れられる開口が設けられる筐体と、前記開口を開閉可能にふさぐ開閉部と、前記開閉部の第１面に第１表示を行い、前記開閉部の前記第１面とは異なる第２面に第２表示を行う表示部とを備え、前記表示部は、前記開閉部の開閉動作により、前記第１面および前記第２面とともに移動する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月8日(2017.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極上に、絶縁膜および導電膜をこの順番で成膜する工程と、
前記導電膜および前記絶縁膜の一部をエッチングしてゲート電極およびゲート絶縁層を形成し、且つ、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上部の一部をエッチングして前記ソース電極および前記ドレイン電極の構成元素を含む第１の被覆層を前記ゲート絶縁層の側面に接して形成する工程と、
前記第１の被覆層を酸化させて、第２の被覆層を形成する工程と、
前記第２の被覆層上に、酸化物を含む保護絶縁層を成膜する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に、酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極上に、絶縁膜および導電膜をこの順番で成膜する工程と、
前記導電膜および前記絶縁膜の一部をエッチングしてゲート電極およびゲート絶縁層を形成し、且つ、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上部の一部をエッチングして前記ソース電極および前記ドレイン電極の構成元素を含む第１の被覆層を前記ゲート絶縁層の側面に接して形成する工程と、
前記第１の被覆層上に酸素を含む雰囲気下で酸化物を含む保護絶縁層を成膜すると共に、前記第１の被覆層を酸化させて、第２の被覆層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に、第１の酸化物層、および酸化物半導体層をこの順番で積層して形成する工程と、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極上に、酸化物膜、絶縁膜、および導電膜をこの順番で成膜する工程と、
前記導電膜、前記絶縁膜、および前記酸化物膜の一部をエッチングしてゲート電極、ゲート絶縁層、および第２の酸化物層を形成し、且つ、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上部の一部をエッチングして前記ソース電極および前記ドレイン電極の構成元素を含む第１の被覆層を前記ゲート絶縁層の側面および前記第２の酸化物層の側面に接して形成する工程と、
前記第１の被覆層を酸化させて、第２の被覆層を形成する工程と、
前記第２の被覆層上に、酸化物を含む保護絶縁層を成膜する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に、第１の酸化物層、および酸化物半導体層をこの順番で積層して形成する工程と、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極上に、酸化物膜、絶縁膜、および導電膜をこの順番で成膜する工程と、
前記導電膜、前記絶縁膜、および前記酸化物膜の一部をエッチングしてゲート電極、ゲート絶縁層、および第２の酸化物層を形成し、且つ、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上部の一部をエッチングして前記ソース電極および前記ドレイン電極の構成元素を含む第１の被覆層を前記ゲート絶縁層の側面および前記第２の酸化物層の側面に接して形成する工程と、
前記第１の被覆層上に酸素を含む雰囲気下で酸化物を含む保護絶縁層を成膜すると共に、前記第１の被覆層を酸化させて、第２の被覆層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体層上に、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に、ゲート電極と、
前記ゲート絶縁層の側面に接し、前記ソース電極および前記ドレイン電極の構成元素を含む酸化物を含む被覆層と、
前記被覆層を覆い、酸化物を含む保護絶縁層と、を有し、
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁層とは、上面形状が概略一致することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上に第１の酸化物層と、
前記第１の酸化物層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に第２の酸化物層と、
前記第２の酸化物層上に、ソース電極およびドレイン電極と、
前記第２の酸化物層上に、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に、ゲート電極と、
前記ゲート絶縁層の側面に接し、前記ソース電極および前記ドレイン電極の構成元素を含む酸化物を含む被覆層と、
前記被覆層を覆い、酸化物を含む保護絶縁層と、を有し、
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁層とは、上面形状が概略一致することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面上に第１の酸化物層と、
前記第１の酸化物層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極およびドレイン電極と、
酸化物半導体層上に、第２の酸化物層と、
前記第２の酸化物層上に、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に、ゲート電極と、
前記ゲート絶縁層の側面、および前記第２の酸化物層の側面に接し、前記ソース電極および前記ドレイン電極の構成元素を含む酸化物を含む被覆層と、
前記被覆層を覆い、酸化物を含む保護絶縁層と、を有し、
前記ゲート電極、前記ゲート絶縁層及び前記第２の酸化物層は、上面形状が概略一致することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記保護絶縁層は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
前記構成元素は、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月25日(2017.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
前記パターンを形成するためのビームを前記基板に照射する複数の光学系を含み、前記複数の光学系のうちの光学系の光軸に直交する第１方向及び第２方向のうち少なくとも一方に沿って前記複数の光学系が配列されてなる光学ユニットと、
前記光軸に平行な軸のまわりの前記光学ユニットの回転角を計測するための一対の計測部と、を有し、
前記一対の計測部のうちのそれぞれは、その計測軸上における前記光学ユニットの位置を計測し、
前記一対の計測部の計測軸の間の距離は、前記複数の光学系のうち前記第１方向において最も離れた２つの光学系の光軸の間の距離及び前記複数の光学系のうち前記第２方向において最も離れた２つの光学系の光軸の間の距離のうち長い方の距離以上であることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記基板を保持して前記第１方向及び前記第２方向に移動するステージを有し、
前記一対の計測部の計測軸は、前記第１方向及び前記第２方向のうち前記ステージの可動量の大きい方の方向に沿っていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記光軸に平行な軸のまわりの前記ステージの回転角を計測するための第２の一対の計測部を有し、
前記第２の一対の計測部のうちのそれぞれは、その計測軸上における前記ステージの位置を計測し、
前記第２の一対の計測部の計測軸の間の距離は、前記長い方の距離以上であることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記第２の一対の計測部の計測軸は、前記大きい方の方向に沿っていることを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記ビームは、荷電粒子線を含むことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記一対の計測部のうちのそれぞれは、干渉計を含むことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記ビームは、潜像パターンを形成するためのビームであることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成し、
前記パターンを形成された前記基板の処理を行い、
前記処理を行われた前記基板から物品を製造する、
ことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、前記パターンを形成するためのビームを前記基板に照射する複数の光学系を含み、前記複数の光学系のうちの光学系の光軸に直交する第１方向及び第２方向のうち少なくとも一方に沿って前記複数の光学系が配列されてなる光学ユニットと、前記光軸に平行な軸のまわりの前記光学ユニットの回転角を計測するための一対の計測部と、を有し、前記一対の計測部のうちのそれぞれは、その計測軸上における前記光学ユニットの位置を計測し、前記一対の計測部の計測軸の間の距離は、前記複数の光学系のうち前記第１方向において最も離れた２つの光学系の光軸の間の距離及び前記複数の光学系のうち前記第２方向において最も離れた２つの光学系の光軸の間の距離のうち長い方の距離以上であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月4日(2017.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハ搬送室に隣接して設けられ、当該ウェーハ搬送室とウェーハ収納容器との間でのウェーハの出し入れを行うためのロードポートであって、
前記ウェーハ搬送室の壁面の一部を構成し、当該ウェーハ搬送室内を開放するための開口を形成された板状部と、
前記開口を開閉するための扉部と、
内部空間を開閉可能とする蓋部を前記扉部に対向させるようにウェーハ収納容器を載置して前記板状部に向かって進退可能とする載置台とを具備し、
前記板状部が、前記ウェーハ収納容器に当接する窓枠部を有し、前記窓枠部に形成される前記開口は前記ウェーハ収納容器の前記蓋部の外周よりも大きく設けられ、前記ウェーハ収納容器と前記窓枠部との間に前記開口の周縁に沿って弾性材が設けられるウインドウユニットを有するものであり、
前記載置台を板状部に向かって移動させることで、前記ウェーハ収納容器における前記蓋部の周囲に前記弾性材が弾接するように構成したことを特徴とするロードポート。
【請求項２】
前記ウインドウユニットは、前記蓋部を前記窓枠部側に引き込むクランプユニットを備えることを特徴とする請求項１記載のロードポート。
【請求項３】
前記クランプユニットは、前記ウェーハ収納容器において前記蓋部の周囲に設けられた鍔部に係合可能な係合片と、当該係合片を前記鍔部に係合させた状態で前記窓枠部側に引き込むシリンダとを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のロードポート。
【請求項４】
前記ウインドウユニットは、前記開口の周縁に沿って前記板状部の前記扉部側に設けられた弾性材をさらに備えており、前記扉部によって前記開口を閉止することで、前記扉部側に設けられた弾性材と扉部とが弾接するように構成したことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のロードポート。
【請求項５】
前記ウェーハ収納容器に設けられたガス供給弁を介して当該ウェーハ収納容器内にガスを供給するためのガス供給手段を備えることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のロードポート。
【請求項６】
前記ガス供給手段により、前記ウェーハ収納容器内の圧力が前記ウェーハ搬送室内の圧力よりも高められることを特徴とする請求項５記載のロードポート。
【請求項７】
前記弾性材が板状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のロードポート。
【請求項８】
請求項１〜７の何れかに記載のロードポートと、前記ロードポートと前記ウェーハを処理する処理装置との間に設けられる前記ウェーハ搬送室とを備えるＥＦＥＭにおいて、
前記ウェーハを搬送する搬送ロボットを備え、
前記ウェーハ搬送室は、前記ウェーハ搬送室内の気体を循環するための循環路と、ウェーハを搬送する為の搬送ロボットとを有し、
前記ウェーハ搬送室の天井部には、前記搬送空間にダウンフローを形成するための前記ファンフィルタユニットが設けられ、前記循環路には前記処理から前記搬送空間へ流入する残留ガスを除去するためのケミカルフィルタが設けられ、
前記ファンフィルタユニットは、前記ロードポートの前記開口よりも上方に設けられ前記ケミカルフィルタは前記ロードポートの前記開口よりも下方に設けられることを特徴とするＥＦＥＭ。
【請求項９】
前記ウェーハ搬送室の内部に上方より下方に向かう気流を形成していることを特徴とする請求項８記載のＥＦＥＭ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明のロードポートは、ウェーハ搬送室に隣接して設けられ、当該ウェーハ搬送室とウェーハ収納容器との間でのウェーハの出し入れを行うためのロードポートであって、前記ウェーハ搬送室の壁面の一部を構成し、当該ウェーハ搬送室内を開放するための開口を形成された板状部と、前記開口を開閉するための扉部と、内部空間を開閉可能とする蓋部を前記扉部に対向させるようにウェーハ収納容器を載置して前記板状部に向かって進退可能とする載置台とを具備し、前記板状部が、前記ウェーハ収納容器に当接する窓枠部を有し、前記窓枠部に形成される前記開口は前記ウェーハ収納容器の前記蓋部の外周よりも大きく設けられ、前記ウェーハ収納容器と前記窓枠部との間に前記開口の周縁に沿って弾性材が設けられるウインドウユニットを有するものであり、前記載置台を板状部に向かって移動させることで、前記ウェーハ収納容器における前記蓋部の周囲に前記弾性材が弾接するように構成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ウェーハ収納容器と弾性材との密着性を高めて、上記の効果をより高めるためには、前記クランプユニットは、前記ウェーハ収納容器において前記蓋部の周囲に設けられた鍔部に係合可能な係合片と、当該係合片を前記鍔部に係合させた状態で前記窓枠部側に引き込むシリンダとを備えるように構成することが好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、ウェーハ収納容器の接続・非接続にかかわらず開口からのガスの流出を抑制し、一層ガスの節約することを可能とするためには、前記ウインドウユニットは、前記開口の周縁に沿って前記板状部の前記扉部側に設けられた弾性材をさらに備えており、前記扉部によって前記開口を閉止することで、前記扉部側に設けられた弾性材と扉部とが弾接するように構成することが好適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記ガス供給手段により、前記ウェーハ収納容器内の圧力が前記ウェーハ搬送室内の圧力よりも高められることが好適である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
そして、本発明のＥＦＥＭは、上記何れかのロードポートと、前記ロードポートと前記ウェーハを処理する処理装置との間に設けられる前記ウェーハ搬送室とを備えるＥＦＥＭにおいて、前記ウェーハを搬送する搬送ロボットを備え、前記ウェーハ搬送室は、前記ウェーハ搬送室内の気体を循環するための循環路と、ウェーハを搬送する為の搬送ロボットとを有し、前記ウェーハ搬送室の天井部には、前記搬送空間にダウンフローを形成するための前記ファンフィルタユニットが設けられ、前記循環路には前記処理から前記搬送空間へ流入する残留ガスを除去するためのケミカルフィルタが設けられ、前記ファンフィルタユニットは、前記ロードポートの前記開口よりも上方に設けられ前記ケミカルフィルタは前記ロードポートの前記開口よりも下方に設けられることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月23日(2017.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
上記回路基板上に異方性導電接着剤を介して接続されている電子部品とを備え、
上記回路基板に形成された基板電極及び上記電子部品に形成された電極端子には、各側縁部に段部が形成され、
上記基板電極及び上記電極端子は、各主面部間に、上記異方性導電接着剤に含有された導電性粒子が挟持され、
上記導電性粒子と上記基板電極及び上記電極端子の各上記段部とが、以下の式（１）を満たす接続体。
ａ＋ｂ＋ｃ≦０．８Ｄ    ・・・（１）
［ａ：接続電極の段部高さ、ｂ：基板電極の段部高さ、ｃ：段部間ギャップ、Ｄ：導電性粒子の径］
【請求項２】
上記各側縁部に形成された段部間に、上記導電性粒子が挟持されている上記基板電極及び上記電極端子を含む請求項１記載の接続体。
【請求項３】
さらに、上記導電性粒子と上記基板電極及び上記電極端子の各上記段部とが、以下の式（２）を満たす請求項１又は２に記載の接続体。
ｃ≦１μｍ    ・・・（２）
【請求項４】
上記異方性導電接着剤は、フィルム状に形成され、
上記導電性粒子は、規則的に配列されている又は個々に離間している請求項１〜３のいずれか１項に記載の接続体。
【請求項５】
回路基板上に異方性導電接着剤を介して電子部品を接続する工程を有し、
上記回路基板に形成された基板電極及び上記電子部品に形成された電極端子には、各側縁部に段部が形成され、
上記基板電極及び上記電極端子は、各主面部間に、上記異方性導電接着剤に含有された導電性粒子が挟持され、
上記導電性粒子と上記基板電極及び上記電極端子の各上記段部とが、以下の式（１）を満たす接続体の製造方法。
ａ＋ｂ＋ｃ≦０．８Ｄ    ・・・（１）
［ａ：接続電極の段部高さ、ｂ：基板電極の段部高さ、ｃ：段部間ギャップ、Ｄ：導電性粒子の径］
【請求項６】
接続体を備えた電子機器において、
上記接続体は、上記請求項１〜４のいずれか１項に記載の接続体である電子機器。
【請求項７】
上記電子機器は、表示装置である請求項６に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】接続体、接続体の製造方法、電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述した課題を解決するために、本発明に係る接続体は、回路基板と、上記回路基板上に異方性導電接着剤を介して接続されている電子部品とを備え、上記回路基板に形成された基板電極及び上記電子部品に形成された電極端子には、各側縁部に段部が形成され、上記基板電極及び上記電極端子は、各主面部間に、上記異方性導電接着剤に含有された導電性粒子が挟持され、上記導電性粒子と上記基板電極及び上記電極端子の各上記段部とが、以下の式（１）を満たすものである。
ａ＋ｂ＋ｃ≦０．８Ｄ    ・・・（１）
［ａ：接続電極の段部高さ、ｂ：基板電極の段部高さ、ｃ：段部間ギャップ、Ｄ：導電性
粒子の径］
また、本発明に係る接続体の製造方法は、回路基板上に異方性導電接着剤を介して電子部品を接続する工程を有し、上記回路基板に形成された基板電極及び上記電子部品に形成された電極端子には、各側縁部に段部が形成され、上記基板電極及び上記電極端子は、各主面部間に、上記異方性導電接着剤に含有された導電性粒子が挟持され、上記導電性粒子と上記基板電極及び上記電極端子の各上記段部とが、以下の式（１）を満たすものである。
ａ＋ｂ＋ｃ≦０．８Ｄ    ・・・（１）
［ａ：接続電極の段部高さ、ｂ：基板電極の段部高さ、ｃ：段部間ギャップ、Ｄ：導電性粒子の径］
また、本発明に係る電子機器は、接続体を備えた電子機器において、上記接続体は、上記記載のものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
【表１】
2015146379.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
【表２】
2015146379.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月2日(2017.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置と、
前記半導体装置に電力を供給する電力供給部と、
前記半導体装置及び前記電力供給部が実装されたプリント配線板と、を備え、
前記プリント配線板は、第１導体層と、前記第１導体層に絶縁体層を介して積層された第２導体層とを有し、
前記プリント配線板には、
前記第１導体層に配置され、前記電力供給部の端子が接合される電源パッドと、
前記第１導体層に配置され、前記電源パッドに連続する平板状の第１電源導体パターンと、
前記第２導体層に配置され、前記第１電源導体パターンを積層方向に前記第２導体層に投影したときに前記第１電源導体パターンの投影像に重なる第２電源導体パターンと、
前記第１電源導体パターンと前記第２電源導体パターンとを電気的に接続する複数の電源ヴィア導体からなる電源ヴィア導体群と、が形成されており、
前記電源パッドの中心点と前記電源ヴィア導体群の各電源ヴィア導体の中心点との距離の中央値をＲとし、
前記電源ヴィア導体群の各電源ヴィア導体の中心点が、前記電源パッドの中心点を中心とする半径０．６×Ｒの円弧と半径１．４×Ｒの円弧とで囲まれる領域内に含まれるように、前記電源ヴィア導体群の複数の電源ヴィア導体が互いに間隔をあけて配置されていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項２】
前記電源ヴィア導体群の複数の電源ヴィア導体が、前記電源パッドの中心点を中心とする１つの仮想円弧上に、互いに間隔をあけて配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項３】
前記電源ヴィア導体群の各電源ヴィア導体の中心点が前記仮想円弧上にあることを特徴とする請求項２に記載のプリント回路板。
【請求項４】
前記電源ヴィア導体群の複数の電源ヴィア導体は、前記領域を前記電源パッドの中心点を中心とする仮想直線で等分割した際のそれぞれの分割領域に、１つずつ電源ヴィア導体の中心点が含まれるように配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項５】
前記電源ヴィア導体群の複数の電源ヴィア導体が、前記電源パッドの中心点を中心に等角度間隔に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項６】
前記プリント配線板には、前記電源ヴィア導体群が、前記電源パッドの中心点を中心とする半径方向に間隔をあけて複数形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項７】
前記複数の電源ヴィア導体群のうち一の電源ヴィア導体群の電源ヴィア導体の中心点と前記電源パッドの中心点とを通過する仮想直線が、前記一の電源ヴィア導体群よりも前記電源パッドに近い他の電源ヴィア導体群の電源ヴィア導体に接触しないように、前記複数の電源ヴィア導体群の各電源ヴィア導体が配置されていることを特徴とする請求項６に記載のプリント回路板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のプリント回路板は、半導体装置と、前記半導体装置に電力を供給する電力供給部と、前記半導体装置及び前記電力供給部が実装されたプリント配線板と、を備え、前記プリント配線板は、第１導体層と、前記第１導体層に絶縁体層を介して積層された第２導体層とを有し、前記プリント配線板には、前記第１導体層に配置され、前記電力供給部の端子が接合される電源パッドと、前記第１導体層に配置され、前記電源パッドに連続する平板状の第１電源導体パターンと、前記第２導体層に配置され、前記第１電源導体パターンを積層方向に前記第２導体層に投影したときに前記第１電源導体パターンの投影像に重なる第２電源導体パターンと、前記第１電源導体パターンと前記第２電源導体パターンとを電気的に接続する複数の電源ヴィア導体からなる電源ヴィア導体群と、が形成されており、前記電源パッドの中心点と前記電源ヴィア導体群の各電源ヴィア導体の中心点との距離の中央値をＲとし、前記電源ヴィア導体群の各電源ヴィア導体の中心点が、前記電源パッドの中心点を中心とする半径０．６×Ｒの円弧と半径１．４×Ｒの円弧とで囲まれる領域内に含まれるように、前記電源ヴィア導体群の複数の電源ヴィア導体が互いに間隔をあけて配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも１つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成するための方法であって、該方法は、
基材の少なくとも１つの表面を反応チャンバー中に提供すること、
ケイ素原子の間に少なくとも１つのＣ２−３結合を有する、少なくとも２つのＳｉＨ３基を有する少なくとも１種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
化学蒸着（ＣＶＤ）、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ強化化学蒸着(ＰＥＣＶＤ)、サイクリック化学蒸着（ＣＣＶＤ）、プラズマ強化サイクリック化学蒸着(ＰＥＣＣＶＤ)、原子層堆積（ＡＬＤ）及びプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）からなる群より選ばれる堆積プロセスにより前記少なくとも１つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含み、
ここで、前記酸素不含ケイ素系膜はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定して５１〜９９原子質量％のケイ素を含み、
前記方法はアニーリング工程をさらに含む、方法。
【請求項２】
ケイ素原子の間に少なくとも１つのＣ２−３結合を有する、少なくとも２つのＳｉＨ３基を有する少なくとも１種のオルガノケイ素前駆体は、
【化１】
2015146461.tif 000001
からなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１種のケイ素前駆体は１，４−ジシラブタンである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
堆積プロセスは１００℃〜６５０℃の範囲の１つ以上の温度で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
酸素不含ケイ素系膜は炭化ケイ素膜、窒化ケイ素膜及び炭窒化ケイ素膜からなる群より選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
堆積プロセスはＬＰＣＶＤを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
堆積プロセスの１つ以上の温度を変更することにより、酸素不含ケイ素系膜中の炭素の原子％を調節する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
酸素不含ケイ素系膜は非晶性ケイ素リッチ膜である、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
堆積プロセスはＰＥＣＶＤを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
窒素含有前駆体を提供することをさらに含み、該窒素含有前駆体の量／少なくとも１種のオルガノケイ素前駆体の量の比が０．２５〜１の範囲にある、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
炭化ケイ素膜、炭窒化ケイ素膜、窒化ケイ素膜及び非晶性ケイ素リッチ膜から選ばれる酸素不含ケイ素系膜を基材の少なくとも１つの表面上に形成するための方法であって、該方法は、
基材の少なくとも１つの表面を反応チャンバー中に提供すること、
ケイ素原子の間に少なくとも１つのＣ２−３結合を有する、少なくとも２つのＳｉＨ３基を有する少なくとも１種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
場合により、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン及びそれらの混合物からなる群より選ばれる窒素含有前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）を含む堆積プロセスにより前記少なくとも１つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含み、
前記方法はアニーリング工程をさらに含む、方法。
【請求項１２】
ケイ素原子の間に少なくとも１つのＣ２−３結合を有する、少なくとも２つのＳｉＨ３基を有する少なくとも１種のオルガノケイ素前駆体は、
【化２】
2015146461.tif 000002
からなる群より選ばれる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１種のケイ素前駆体は１，４−ジシラブタンである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記酸素不含ケイ素系膜を形成することは１００℃〜６５０℃の範囲の１つ以上の温度で行われる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
窒素含有前駆体を提供することをさらに含み、該窒素含有前駆体の量／少なくとも１種のオルガノケイ素前駆体の量の比が０．２５〜２０の範囲にあり、酸素不含ケイ素系膜が窒化ケイ素膜及び炭窒化ケイ素膜から選ばれる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
酸素不含ケイ素系膜は炭化ケイ素膜を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
酸素不含ケイ素系膜は非晶性ケイ素リッチ膜である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
酸素不含ケイ素系膜を基材の少なくとも１つの表面上に形成するための方法であって、該方法は、
基材の少なくとも１つの表面を反応チャンバー中に提供すること、
ケイ素原子の間に少なくとも１つのＣ２−３結合を有する、少なくとも２つのＳｉＨ３基を有する少なくとも１種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、
場合により、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン及びそれらの混合物からなる群より選ばれる窒素含有前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を含む堆積プロセスにより前記少なくとも１つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含み、
ここで、前記酸素不含ケイ素系膜はＸＰＳにより測定して５１〜９９原子質量％のケイ素を含み、
前記方法はアニーリング工程をさらに含む、方法。
【請求項１９】
反応チャンバー中の反応温度は１００℃〜６５０℃の範囲にある、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
窒素含有前駆体を提供することを含み、該窒素含有前駆体の量／少なくとも１種のオルガノケイ素前駆体の量の比が０〜１の範囲にある、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
酸素不含ケイ素系膜が炭化ケイ素膜、窒化ケイ素膜及び炭窒化ケイ素膜からなる群より選ばれる、請求項１８に記載の方法。