【手続補正書】
【提出日】平成29年8月25日(2017.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに結合された少なくとも１つのガスソースと、
前記処理チャンバおよび前記少なくとも１つのガスソースに結合されたコントローラと、
を備え、
前記処理チャンバは、
前記処理チャンバの上部内に配された上部電極と、
前記上部電極の向かい側に配された基板サポートと、
前記処理チャンバの容積よりも小さい容積を有するプラズマ処理空間であって、
前記上部電極の表面と、
前記上部電極の前記表面に相対する前記基板サポートの支持表面と、
少なくとも１つの排出口を含むプラズマ密閉構造によって画定される外周部と、
によって画定されるプラズマ処理空間と、
前記基板サポートまたは前記上部電極のうちの少なくとも１つに結合された少なくとも１つのＲＦソースと、
前記少なくとも１つの排出口に近接して可動式に配されたコンダクタンス制御構造であって、前記コンダクタンス制御構造は、第１の位置に配されたときは、前記少なくとも１つの排出口を通る排出流を第１の流量に制限し、第２の位置に配されたときは、前記少なくとも１つの排出口を通る排出流を第２の流量に増加させ、前記コンダクタンス制御構造は、プラズマプロセス中に前記コントローラによって設定される選択された処理状態に対応して前記第１の位置と前記第２の位置との間で移動し、前記少なくとも１つのＲＦソースは、前記プラズマプロセス中に前記コントローラによって設定される前記選択された処理状態に対応して調節される、コンダクタンス制御構造と、
を含む、プラズマ処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記選択された処理状態と実質的に位相が一致している、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記選択された処理状態と実質的に位相が１８０度ずれている、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記選択された処理状態よりも遅れている、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記選択された処理状態に先行している、システム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つのＲＦソースは、約２７ＭＨｚの出力を有する高周波数ＲＦソースを含む、システム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つのＲＦソースは、約６０ＭＨｚの出力を有する高周波数ＲＦソースを含む、システム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つのＲＦソースは、約２７ＭＨｚを超える出力を有する高周波数ＲＦソースと、約２ＭＨｚの出力を有する低周波数ＲＦソースとを含む、システム。
【請求項９】
請求項１に記載のシステムであって、
前記コントローラは、前記少なくとも１つのガスソースによる、前記処理空間への入力流量を、前記コンダクタンス制御構造の動きおよび前記少なくとも１つのＲＦソースの調節と協調させる、システム。
【請求項１０】
請求項１に記載のシステムであって、
前記プラズマ密閉構造内の前記少なくとも１つの排出口は、前記プラズマ密閉構造の実質的に水平な部分に形成される、システム。
【請求項１１】
請求項１に記載のシステムであって、
前記プラズマ密閉構造内の前記少なくとも１つの排出口は、前記プラズマ密閉構造の実質的に垂直な部分に形成される、システム。
【請求項１２】
チャンバのプラズマ処理空間において、その場で圧力を調節する方法であって、前記プラズマ処理空間は、上部電極の表面と、基板サポートの支持表面と、プラズマ密閉構造によって画定される外側領域との間に画定され、前記プラズマ密閉構造は、少なくとも１つの排出口を含み、前記方法は、
前記プラズマ処理空間に少なくとも１種の処理ガスを注入することと、
前記プラズマ処理空間内においてプラズマを発生させることと、
前記プラズマ処理空間内においてプラズマが発生される期間中に圧力を調節することおよび前記プラズマ処理空間に結合された少なくとも１つのＲＦソースを調節することと、
を備え、
前記圧力を調節することは、
前記少なくとも１つの排出口から前記プラズマ処理空間を出て行く第１の排出流であって、前記少なくとも１つの排出口から出て行く制限された流路を通る第１の排出流、および
前記少なくとも１つの排出口から前記プラズマ処理空間を出て行く第２の排出流であって、前記第１の排出流よりも大きく、前記少なくとも１つの排出口から、前記第１の排出流よりも制限が少ない流路を通って出て行く第２の排出流、
のうちの、少なくとも１つによって制御される、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記プラズマが発生される期間は、１つ以上の既定の圧力設定点およびＲＦ変調設定点を有する処理レシピに対応する、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記既定の圧力設定点は、それぞれ、前記第１の排出流、または前記第２の排出流、または前記第１の排出流と前記第２の排出流との間の排出流に対応する、方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の方法であって、
前記プラズマ処理空間内の圧力は、伝達経路の制限が増したときに増加され、前記伝達経路の制限が減ったときに低減される、方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、選択された処理状態に実質的に位相が一致している、方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、選択された処理状態と実質的に位相が１８０度ずれている、方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、選択された処理状態よりも遅れている、方法。
【請求項１９】
請求項１２に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、選択された処理状態に先行している、方法。
【請求項２０】
チャンバであって、
基板サポートと、
上部電極と、
前記基板サポートまたは前記上部電極の少なくとも１つに結合された少なくとも１つのＲＦソースと、
密閉構造であって、前記基板サポートと、前記上部電極と、前記密閉構造との間にプラズマ処理空間が画定されるように、前記基板サポートを取り巻くように配され、前記基板サポートを取り巻く複数の排出口を含む密閉構造と、
前記プラズマ処理空間の外側に、前記複数の排出口に近接して配されたコンダクタンス制御構造であって、前記コンダクタンス制御構造は、前記コンダクタンス制御構造を第１の位置と第２の位置との間で移動させる位置決め作動器を有し、前記第１の位置は、前記コンダクタンス制御構造を前記複数の排出口のすぐ隣りに配し、前記第２の位置は、前記コンダクタンス制御構造を前記複数の排出口から離れた場所に配し、前記少なくとも１つのＲＦソースは、前記第１の位置および前記第２の位置に対応するように調節される、コンダクタンス制御構造と、
を備えるチャンバ。
【請求項２１】
請求項２０に記載のチャンバであって、さらに、
コントローラであって、プラズマ処理レシピにおける１つ以上の処理状態中に、前記コンダクタンス制御構造の動きを指示するために、前記位置決め作動器と通信状態にあるコントローラを備えるチャンバ。
【請求項２２】
請求項２１に記載のチャンバであって、
前記コントローラは、プラズマ処理レシピによって定められたように、前記コンダクタンス制御構造を前記第１の位置と、前記第２の位置または前記第１の位置と前記第２の位置との間の位置との間で調整するように、前記プラズマ処理レシピ中に前記チャンバ内へ、処理ガスを向かわせるガスソースと、通信状態にある、チャンバ。
【請求項２３】
チャンバのプラズマ処理空間において、その場で圧力を調節する方法であって、前記プラズマ処理空間は、上部電極の表面と、基板サポートの支持表面と、プラズマ密閉構造によって画定される外側領域との間に画定され、前記プラズマ密閉構造は、少なくとも１つの排出口を含み、前記方法は、
前記プラズマ処理空間に少なくとも１種の処理ガスを注入することと、
前記プラズマ処理空間に結合された少なくとも１つのＲＦソースからＲＦ電力を供給することと、
前記ＲＦ電力および前記少なくとも１種の処理ガスを用いて前記プラズマ処理空間内においてプラズマを発生させることと、
前記プラズマ処理空間の圧力を調節することと、
前記少なくとも１つのＲＦソースによって供給された前記ＲＦ電力を調節することであって、前記圧力および前記ＲＦ電力の調節は、前記プラズマが前記プラズマ処理空間内で発生される期間中に互いに同期化され、前記圧力および前記ＲＦ電力が互いに同期化される調節は、前記ＲＦ電力のパルス状態および前記圧力のパルス状態を画定することと、
を備え、前記圧力の調整は、
前記プラズマ密閉構造によって画定された前記少なくとも１つの排出口から前記プラズマ処理空間を出て行く前記処理ガスの第１の排出流であって、前記少なくとも１つの排出口から出て行く制限された流路である第１の排出流、および
前記プラズマ密閉構造によって画定された前記少なくとも１つの排出口から前記プラズマ処理空間を出て行く前記処理ガスの第２の排出流であって、前記第１の排出流よりも大きく、前記少なくとも１つの排出口から、前記第１の排出流よりも制限が少ない流路を通って出て行く第２の排出流、
のうちの、少なくとも１つによって制御される、方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、
前記プラズマが発生される期間は、１つ以上の既定の圧力設定点およびＲＦ変調設定点を有する処理レシピに対応する、方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法であって、
前記既定の圧力設定点は、それぞれ、前記第１の排出流、または前記第２の排出流、または前記第１の排出流と前記第２の排出流との間の排出流に対応する、方法。
【請求項２６】
請求項２３に記載の方法であって、
前記プラズマ処理空間内の圧力は、伝達経路の制限が増したときに増加され、前記伝達経路の制限が減ったときに低減される、方法。
【請求項２７】
請求項２３に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記圧力の前記パルス状態に実質的に位相が一致している前記ＲＦ電力の信号を生成する、方法。
【請求項２８】
請求項２３に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記圧力の前記パルス状態と実質的に位相が１８０度ずれている前記ＲＦ電力の信号を生成する、方法。
【請求項２９】
請求項２３に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記圧力の前記パルス状態よりも遅れている前記ＲＦ電力の信号を生成する、方法。
【請求項３０】
請求項２３に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記圧力の前記パルス状態に先行している前記ＲＦ電力の信号を生成する、方法。
【請求項３１】
プラズマ処理空間を有するチャンバにおいて基板を処理する方法であって、前記プラズマ処理空間は、上部電極の表面と、基板サポートの支持表面と、プラズマ密閉構造によって画定される外側領域との間に画定され、前記方法は、
前記プラズマ処理空間に少なくとも１種の処理ガスを注入することと、
前記プラズマ処理空間に結合された少なくとも１つのＲＦソースからＲＦ電力を供給することと、
前記ＲＦ電力および前記少なくとも１種の処理ガスを用いて前記プラズマ処理空間内においてプラズマを発生させることと、
前記プラズマ処理空間の圧力を調節することと、
前記少なくとも１つのＲＦソースによって供給された前記ＲＦ電力を調節することであって、前記圧力および前記ＲＦ電力の調節は、前記プラズマが前記プラズマ処理空間内で発生される期間中に互いに同期化されることと、
を備える、方法。
【請求項３２】
請求項３１に記載の方法であって、
前記プラズマが発生される期間は、１つ以上の既定の圧力設定点およびＲＦ変調設定点を有する処理レシピに対応する、方法。
【請求項３３】
請求項３２に記載の方法であって、
前記既定の圧力設定点は、それぞれ、圧力を増加または低減させる流量に対応する、方法。
【請求項３４】
請求項３１に記載の方法であって、
前記プラズマ処理空間内の圧力は、伝達経路の制限が増したときに増加され、前記伝達経路の制限が減ったときに低減される、方法。
【請求項３５】
請求項３１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記圧力のパルス状態と実質的に位相が一致している前記ＲＦ電力の信号を生成する、方法。
【請求項３６】
請求項３１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記圧力のパルス状態と実質的に位相が１８０度ずれている前記ＲＦ電力の信号を生成する、方法。
【請求項３７】
請求項３１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記圧力のパルス状態よりも遅れている前記ＲＦ電力の信号を生成する、方法。
【請求項３８】
請求項３１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのＲＦソースの調節は、前記圧力のパルス状態に先行している前記ＲＦ電力の信号を生成する、方法。
【請求項３９】
請求項３１に記載の方法であって、
前記圧力および前記ＲＦ電力が互いに同期化される調節は、前記ＲＦ電力の連続パルス状態および前記圧力の連続パルス状態を画定する、方法。
【請求項４０】
プラズマ処理空間を有するチャンバにおいて基板を処理する方法であって、前記プラズマ処理空間は、上部電極の表面と、基板サポートの支持表面と、プラズマ密閉構造によって画定される外側領域との間に画定され、前記方法は、
前記プラズマ処理空間に少なくとも１種の処理ガスを注入することと、
前記プラズマ処理空間にＲＦ電力を供給することであって、前記ＲＦ電力は、第１の周波数で動作する第１のＲＦソースおよび第２の周波数で動作する第２のＲＦソースから供給されることと、
前記ＲＦ電力および前記少なくとも１種の処理ガスを用いて前記プラズマ処理空間内においてプラズマを発生させることと、
前記プラズマ処理空間の圧力を調節することと、
前記第１および第２のＲＦソースによって供給された前記ＲＦ電力を調節することであって、前記圧力および前記ＲＦ電力の調節は、前記プラズマが前記プラズマ処理空間内で発生される期間中に互いに同期化されることと、
を備え、
前記圧力および前記ＲＦ電力が互いに同期化される調節は、前記ＲＦ電力の連続パルス状態および前記圧力の連続パルス状態を画定する、方法。
【請求項４１】
請求項４０に記載の方法であって、
前記プラズマ処理空間の圧力は、伝達経路の制限の増加および前記伝達経路の制限の減少を交互に行うことによって調節される、方法。
【請求項４２】
請求項４０に記載の方法であって、
前記第１の周波数は、約２ＭＨｚになるように選択され、前記第２の周波数は、約２７ＭＨｚまたは約６０ＭＨｚになるように選択され、
コンダクタンスの制限の増加から減少への変更は、最大１０Ｈｚの率で処理され、前記圧力は、約１２ｍＴｏｒｒから約７０ｍＴｏｒｒの範囲で調節される、方法。