【手続補正書】
【提出日】平成29年1月31日(2017.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板の主表面上に形成された、露光光に含まれる代表波長の光の位相を略１８０度変える性質を有しかつクロム系材料から構成される光半透過膜と、
該光半透過膜上に形成された、金属シリサイド系材料から構成されるエッチングマスク膜と
を備えることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【請求項２】
前記エッチングマスク膜は、遮光性を有することを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項３】
表示装置製造用の位相シフトマスクブランクにおいて、
透明基板と、
前記透明基板の主表面上に形成された、露光光に含まれる代表波長の光の位相を第１の角度変える性質を有しかつクロム系材料から構成される光半透過膜と、
該光半透過膜上に形成された、露光光に含まれる代表波長の光の位相を第２の角度変える性質を有しかつ金属シリサイド系材料から構成されるエッチングマスク膜と
を備え、
前記第１の角度と前記第２の角度との和は略１８０度であり、
前記光半透過膜の膜厚は、７５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【請求項４】
前記光半透過膜と前記エッチングマスク膜との界面に組成傾斜領域が形成され、該組成傾斜領域では、前記光半透過膜のウェットエッチング速度を遅くする成分の割合が、深さ方向に向かって段階的および／または連続的に増加していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項５】
前記光半透過膜は、該光半透過膜と前記エッチングマスク膜との界面および該光半透過膜と前記透明基板との界面を除いた部分の組成が、実質的に均一であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項６】
前記光半透過膜は、複数の層から構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項７】
前記クロム系材料は、クロムの炭化物、クロムの窒化炭化物、クロムの酸化炭化物、またはクロムの酸化窒化炭化物であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項８】
前記金属シリサイド系材料は、金属とケイ素とを含み、金属とケイ素の比率は、金属：ケイ素＝１：１以上１：９以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項９】
前記金属シリサイド系材料は、金属シリサイド、金属シリサイドの窒化物、金属シリサイドの酸化物、金属シリサイドの炭化物、金属シリサイドの酸化窒化物、金属シリサイドの炭化窒化物、金属シリサイドの酸化炭化物、または金属シリサイドの酸化炭化窒化物であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項１０】
前記金属シリサイド系材料は、金属シリサイドの窒化物、金属シリサイドの酸化窒化物、金属シリサイドの炭化窒化物、または金属シリサイドの酸化炭化窒化物であって、窒素の含有量は、２５原子％以上５５原子％以下であることを特徴とする請求項９記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項１１】
前記エッチングマスク膜上に形成された、クロム系材料から構成されるレジスト密着性向上膜を備えることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項１２】
前記位相シフトマスクブランクは、表示装置製造用位相シフトマスクブランクであることを特徴とする請求項１、２、４乃至１１のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項１３】
透明基板を準備する準備工程と、
前記透明基板の主表面上に、スパッタリングにより、露光光に含まれる代表波長の光の位相を略１８０度変える性質を有しかつクロム系材料から構成される光半透過膜を形成する半透過膜形成工程と、
前記光半透過膜上に、スパッタリングにより、金属シリサイド系材料から構成されるエッチングマスク膜を形成するエッチングマスク膜形成工程と
を備えることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１４】
表示装置製造用の位相シフトマスクブランクの製造方法において、
透明基板を準備する準備工程と、
前記透明基板の主表面上に、スパッタリングにより、露光光に含まれる代表波長の光の位相を第１の角度変える性質を有しかつクロム系材料から構成される光半透過膜を形成する半透過膜形成工程と、
前記光半透過膜上に、スパッタリングにより、露光光に含まれる代表波長の光の位相を第２の角度変える性質を有しかつ金属シリサイド系材料から構成されるエッチングマスク膜を形成するエッチングマスク膜形成工程と
を備え、
前記第１の角度と前記第２の角度との和は略１８０度であり、
前記光半透過膜の膜厚は、７５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１５】
前記半透過膜形成工程は、スパッタガス雰囲気でスパッタパワーを印加してクロム系材料から構成される光半透過膜を成膜する成膜工程と、前記光半透過膜のウェットエッチング速度を遅くする成分を含むガス雰囲気に該光半透過膜を曝す曝露工程とを含み、該曝露工程は、前記光半透過膜を大気に曝すことなく前記成膜工程後に連続して行われることを特徴とする請求項１３または１４記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１６】
前記成膜工程は、クロムまたはクロム化合物を含むスパッタターゲットを使用して、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガスおよびキセノンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガスと、二酸化炭素ガスまたは炭化水素系ガスを含む活性ガスとの混合ガスからなるスパッタガス雰囲気で行われることを特徴とする請求項１５記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１７】
前記曝露工程は、炭素を含むガス雰囲気で行われることを特徴とする請求項１５または１６記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１８】
前記エッチングマスク膜形成工程は、金属とケイ素とを含むスパッタターゲットを使用して、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガスおよびキセノンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガスと、酸素ガス、窒素ガス、二酸化炭素ガス、酸化窒素系ガスおよび炭化水素系ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む活性ガスとの混合ガスからなるスパッタガス雰囲気で行われることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１９】
前記位相シフトマスクブランクは、表示装置製造用位相シフトマスクブランクであることを特徴とする請求項１３、１５乃至１８のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項２０】
請求項１乃至１０、１２のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランクのエッチングマスク膜上、または、請求項１３乃至１９のいずれか一に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法によって得られた位相シフトマスクブランクのエッチングマスク膜上に、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記エッチングマスク膜をウェットエッチングしてエッチングマスク膜パターンを形成するエッチングマスク膜パターン形成工程と、
前記エッチングマスク膜パターンをマスクにして前記光半透過膜をウェットエッチングして光半透過膜パターンを形成する半透過膜パターン形成工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２１】
表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法において、
請求項１１記載の位相シフトマスクブランクのレジスト密着性向上膜上に、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記レジスト密着性向上膜および前記エッチングマスク膜をウェットエッチングしてレジスト密着性向上膜パターンおよびエッチングマスク膜パターンを形成するエッチングマスク膜パターン形成工程と、
前記レジスト密着性向上膜パターンおよび前記エッチングマスク膜パターン、若しくは前記エッチングマスク膜パターンをマスクにして前記光半透過膜をウェットエッチングして光半透過膜パターンを形成する半透過膜パターン形成工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２２】
前記エッチングマスク膜パターン形成工程は、弗化水素酸、珪弗化水素酸、および弗化水素アンモニウムから選ばれた少なくとも一つの弗素化合物と、過酸化水素、硝酸、および硫酸から選ばれた少なくとも一つの酸化剤とを含むエッチング液を用いてウェットエッチングを行うことを特徴とする請求項２０または２１記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２３】
前記位相シフトマスクは、表示装置製造用位相シフトマスクであることを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれか一に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２４】
表示装置の製造方法において、
基板上にレジスト膜が形成されたレジスト膜付き基板に対して、請求項２３記載の位相シフトマスクの製造方法よって得られた位相シフトマスクを、前記レジスト膜に対向して配置する位相シフトマスク配置工程と、
前記露光光を前記位相シフトマスクに照射して、前記レジスト膜を露光するレジスト膜露光工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記露光光は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲の光を含むことを特徴とする請求項２４記載の表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記露光光は、ｉ線、ｈ線およびｇ線を含む複合光であることを特徴とする請求項２４または２５記載の表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ラインアンドスペースパターンやコンタクトホールの微細化を実現するに当たり、従来のフォトマスクでは、表示装置製造用の露光機の解像限界が３μｍであるため、十分な工程尤度（Process Margin）なしに、解像限界に近い最小線幅の製品を生産しなければならない。このため、表示装置の不良率が高くなる問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
スパッタリング装置１１の内部を所定の真空度にした後、第１ガス導入口ＧＡ１から所定の流量のスパッタリングガスを導入し、第１スパッタターゲット１３に所定のスパッタパワーを印加する。ウェットエッチングにより形成される光半透過膜パターンの断面形状を積極的に制御する際には、スパッタリング装置１１の内部を所定の真空度にした後、第１ガス導入口ＧＡ１から所定流量の光半透過膜のウェットエッチング速度を遅くする成分を有するガスを含むスパッタリングガスを導入し、また、第３ガス導入口ＧＡ３から第２スパッタチャンバーＳＰ２に、光半透過膜のウェットエッチング速度を遅くする成分を有するガスを含む曝露用ガスを導入し、第１スパッタターゲット１３に所定のスパッタパワーを印加する。スパッタパワーの印加、スパッタリングガスの導入、曝露用ガスの導入は、透明基板２１が搬出チャンバーＵＬＬに搬送されるまで継続する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
その後、トレイ（図示せず）に搭載された透明基板２１を、所定の搬送速度で、矢印Ｓの方向に、搬入チャンバーＬＬ、第１スパッタチャンバーＳＰ１、バッファーチャンバーＢＵ、第２スパッタチャンバーＳＰ２、および搬出チャンバーＵＬＬの順番に搬送する。透明基板２１が第１スパッタチャンバーＳＰ１の第１スパッタターゲット１３付近を通過する際に、反応性スパッタリングにより、透明基板２１の主表面上に、所定の膜厚のクロム系材料から構成される光半透過膜２２が成膜される。また、ウェットエッチングにより形成される光半透過膜パターンの断面形状を積極的に制御する際には、透明基板２１が第２スパッタチャンバーＳＰ２を通過する間、光半透過膜２２が、光半透過膜２２のウェットエッチング速度を遅くする成分を有するガスを含む曝露用ガス雰囲気に曝される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
その後、第２スパッタターゲット１４に所定のスパッタパワーを印加し、第２ガス導入口ＧＡ２からスパッタリングガスを導入する。この場合、エッチングマスク膜２３の成膜後、第２スパッタチャンバーＳＰ２で連続してレジスト密着性向上膜２４を成膜しない場合には、第１スパッタチャンバーＳＰ１と第２スパッタチャンバーＳＰ２との圧力バランスをとるため、第３ガス導入口ＧＡ３から圧力バランス用ガスを導入する。エッチングマスク膜２３の成膜後、第２スパッタチャンバーＳＰ２で連続してレジスト密着性向上膜２４を成膜する場合には、第３スパッタターゲット１５に所定のスパッタパワーを印加し、第３ガス導入口ＧＡ３からスパッタリングガスを導入する。スパッタパワーの印加、スパッタリングガスの導入、圧力バランス用ガスの導入は、透明基板２１が搬出チャンバーＵＬＬに搬送されるまで継続する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
実施例１．
Ａ．位相シフトマスクブランクおよびその製造方法
実施例１の位相シフトマスクブランクを製造するため、先ず、透明基板２１として、３０４５サイズ（３３０ｍｍ×４５０ｍｍ×５ｍｍ）の合成石英ガラス基板を準備した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
１１  スパッタリング装置、  ＬＬ  搬入チャンバー、  ＳＰ１  第１スパッタチャンバー、  ＢＵ  バッファーチャンバー、  ＳＰ２  第２スパッタチャンバー、  ＵＬＬ  搬出チャンバー、  １３  第１スパッタターゲット、  ＧＡ１１  第１ガス導入口、  ＧＡ１２  第２ガス導入口、  １４  第２スパッタターゲット、  ＧＡ２１  第３ガス導入口、  ＧＡ２２  第４ガス導入口、  １５  第３スパッタターゲット、  ＧＡ３１  第５ガス導入口、  ＧＡ３２  第６ガス導入口、  ２０  位相シフトマスクブランク、  ２１  透明基板、  ２２  光半透過膜、  ２２’光半透過膜パターン、  ２３  エッチングマスク膜、  ２３’  エッチングマスク膜パターン、  ２４  レジスト密着性向上膜、  ２４’  レジスト密着性向上膜パターン、  ２５  レジスト膜、  ２５’  レジストパターン、  ３０  位相シフトマスク。