【手続補正書】
【提出日】平成28年11月22日(2016.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続したゲート配線と、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接続したソース配線と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続した画素電極と、
前記画素電極に対向配置される対向電極と、
前記対向電極に一定電位を供給する共通配線と、
を備えるアクティブマトリックス基板であって、
前記薄膜トランジスタは、
前記基板上に形成された半導体膜からなる半導体チャネル膜と、
前記半導体チャネル膜上に形成された第１絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１導電膜とその上の第２導電膜との積層膜からなる前記ゲート電極と、
前記半導体チャネル膜、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極上に形成された第２絶縁膜からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された第３導電膜とその上の第４導電膜との積層膜からなり、前記層間絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記半導体チャネル膜に接続する前記ソース電極と、
前記第３導電膜からなり、前記層間絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記半導体チャネル膜に接続する前記ドレイン電極と、
を備え、
前記ゲート配線は、前記第１導電膜と前記第２導電膜との積層膜からなり、前記ゲート電極と接続するように形成されており、
前記ソース配線は、前記第３導電膜と前記第４導電膜との積層膜からなり、前記ソース電極と接続するように形成されており、
前記画素電極は、前記第１導電膜からなり、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記ドレイン電極と接続しており、
前記対向電極は、前記第３導電膜からなり、前記層間絶縁膜を介して前記画素電極の上に形成されている
ことを特徴とするアクティブマトリックス基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
基板と、
前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続したゲート配線と、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接続したソース配線と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続した画素電極と、
前記画素電極に対向配置される対向電極と、
前記対向電極に一定電位を供給する共通配線と、
を備えるアクティブマトリックス基板であって、
前記薄膜トランジスタは、
前記基板上に形成された半導体膜からなる半導体チャネル膜と、
前記半導体チャネル膜上に形成された第１絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１導電膜とその上の第２導電膜との積層膜からなる前記ゲート電極と、
前記半導体チャネル膜、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極上に形成された第２絶縁膜からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された第３導電膜とその上の第４導電膜との積層膜からなり、前記層間絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記半導体チャネル膜に接続する前記ソース電極と、
前記第３導電膜からなり、前記層間絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記半導体チャネル膜に接続する前記ドレイン電極と、
を備え、
前記ゲート配線は、前記第１導電膜と前記第２導電膜との積層膜からなり、前記ゲート電極と接続するように形成されており、
前記ソース配線は、前記第３導電膜と前記第４導電膜との積層膜からなり、前記ソース電極と接続するように形成されており、
前記画素電極は、前記第３導電膜からなり、前記ドレイン電極と接続するように形成されており、
前記対向電極は、前記第１導電膜からなり、前記層間絶縁膜を介して前記画素電極の下に形成されており、
前記共通配線は、前記第１導電膜からなり、前記対向電極と一体的に形成されている
ことを特徴とするアクティブマトリックス基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記アクティブマトリックス基板は、前記対向電極に一定電位を供給する共通配線をさらに備えており、
前記共通配線は、前記第２積層膜を用いて形成され、
前記工程（ｊ）において、前記共通配線の形成領域は、前記第２レジストパターンの前記第１レジスト部または前記第２レジスト部により覆われる
請求項１９または請求項２０記載のアクティブマトリックス基板の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係るアクティブマトリックス基板は、基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続したゲート配線と、前記薄膜トランジスタのソース電極に接続したソース配線と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続した画素電極と、前記画素電極に対向配置される対向電極と、前記対向電極に一定電位を供給する共通配線と、を備えるアクティブマトリックス基板であって、前記薄膜トランジスタは、前記基板上に形成された半導体膜からなる半導体チャネル膜と、前記半導体チャネル膜上に形成された第１絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１導電膜とその上の第２導電膜との積層膜からなる前記ゲート電極と、前記半導体チャネル膜、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極上に形成された第２絶縁膜からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第３導電膜とその上の第４導電膜との積層膜からなり、前記層間絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記半導体チャネル膜に接続する前記ソース電極と、前記第３導電膜からなり、前記層間絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記半導体チャネル膜に接続する前記ドレイン電極と、を備え、前記ゲート配線は、前記第１導電膜と前記第２導電膜との積層膜からなり、前記ゲート電極と接続するように形成されており、前記ソース配線は、前記第３導電膜と前記第４導電膜との積層膜からなり、前記ソース電極と接続するように形成されており、前記画素電極は、前記第１導電膜からなり、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記ドレイン電極と接続しており、前記対向電極は、前記第３導電膜からなり、前記層間絶縁膜を介して前記画素電極の上に形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2015114460.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2015114460.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
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【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２４】
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【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
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【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３２】
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【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３４】
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【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３９】
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【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４１】
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