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【手続補正書】
【提出日】平成29年5月24日(2017.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の像を像面に投影する投影光学系であって、
第１凹面及び第２凹面を含む凹面鏡と、凸面鏡とを含む結像光学系と、
光路を折り曲げる第１反射面および第２反射面を有する光学部材と、
前記凸面鏡を支持する支持部材と、を有し、
物体面からの光の進行方向に、前記第１反射面、前記第１凹面、前記凸面鏡、前記第
２凹面、前記第２反射面が順に配置され、
前記支持部材は、前記光学部材の前記凸面鏡側に設けられた開口を貫いている、
ことを特徴とする投影光学系。
【請求項２】
前記開口は、前記第１反射面と前記第２反射面の間にある、ことを特徴とする請求項１に記載の投影光学系。
【請求項３】
前記支持部材は、前記開口から前記凸面鏡の反射面の裏側へ延びている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の投影光学系。
【請求項４】
前記支持部材は、前記光学部材の前記凸面鏡側とは反対側へ伸びており、前記投影光学系の鏡筒に対して前記光学部材を支持することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の投影光学系。
【請求項５】
前記支持部材は、前記凸面鏡と前記光学部材との間において、前記凸面鏡の反射面の裏側から前記凸面鏡の光軸に平行な方向に延びている、ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の投影光学系。
【請求項６】
前記凸面鏡と前記光学部材との間において、前記支持部材は、前記第１凹面又は前記第２凹面から見て、前記凸面鏡よりも内側にある、ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の投影光学系。
【請求項７】
前記支持部材は片持ち梁であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の投影光学系。
【請求項８】
前記支持部材の両端の間を支点として前記支持部材を支持する別の支持部材を有することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の投影光学系。
【請求項９】
前記支持部材は、前記凸面鏡の曲率中心位置の剛性が、前記曲率中心位置の他の位置の剛性よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の投影光学系。
【請求項１０】
前記光学部材を駆動する駆動機構を有することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の投影光学系。
【請求項１１】
前記凸面鏡を駆動する駆動機構を有することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の投影光学系。
【請求項１２】
前記凹面鏡は、前記第１凹面を含む第１凹面鏡と、前記第２凹面を含む第２凹面鏡と、を含むことを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の投影光学系。
【請求項１３】
マスクを照明する照明光学系と、
前記マスクのパターンを基板に投影する、請求項１乃至１２の何れか１項に記載の投影光学系と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の露光装置の投影光学系を用いて、マスクのパターンを基板に投影して前記基板を露光する工程と、
露光された基板を現像する工程と、
現像された基板を加工して、デバイスを製造する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月15日(2017.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
サイド光源６０は、表示パネル３０の平面の一辺に沿って配置され、駆動されたときは、光変調層の側面から光変調層に光を入射する。
光源駆動部７０は、光センサ８０が検出した周囲の照度に応じてサイド光源６０を駆動する。ここで、光センサ８０は、周囲の照度を検出する照度検出部の一実施形態であり、計測した周囲の照度を光源駆動部７０へ出力する。光源駆動部７０は、例えば、光センサ８０によって周囲が明るいことが検出されたときは、サイド光源６０をオフする。これにより、表示装置１０は、外部から入射する外光を利用した反射表示を行う。また、光センサ８０によって周囲が暗いことが検出されたときは、サイド光源６０を駆動し、光変調層に光を入射する。これにより、表示装置１０は、サイド光源６０の光源光を利用した発光表示を行う。なお、光源駆動部７０は、サイド光源６０を単に、オンオフするのではなく、検出された照度に応じて、サイド光源６０から出射する光の強度を段階的に変えるとしてもよい。なお、光センサ８０の代わりに外部スイッチによりサイド光源６０をオンオフさせてもよいし、消費電力や使用状況をモニタし、最適な光量となるようにサイド光源６０の発光強度を適宜最適となるように制御してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
偏光板３１は、入射した光のうち、所定の偏光方向の光を透過し、それ以外の光を遮断する。
λ／４位相差板３２は、入射した光の位相を１／４波長ずらす機能を有する、第１の実施形態の位相差層３の一実施形態である。画素４０の電極に電圧が印加されていないとき、外光は、表示パネル３０に入射する前と、反射した後と、において位相が１／４波長ずれる。つまり、λ／４位相差板３２を通過した反射光は、偏光板３１を通過して入射したときの光より位相がλ／４＋λ／４＝λ／２ずれた光となる。すなわち、入射光として偏光板３１によって所定の方向に偏光された光は、入射時と反射時にλ／４位相差板３２を２回通過することで所定の方向と異なる方向の偏光に変換される。すなわち、このときは黒表示となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
カラーフィルタ３４は、光変調層３６から出射する反射光を所定の色の光に分離し、上側基板３３に出射する。図３の例では、表示単位である１画素４０は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色のカラーフィルタ３４から構成される。この色ごとの領域を副画素４２とする。なお、この構成は一例であり、例えば白色を加えた４色で１画素を構成してもよいし、シアン、マゼンダ、イエロー等、他の色で構成するとしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
このような構成の表示装置１０では、暗所においてサイド光源６０が駆動されたとき、副画素４２に対応する電極に電圧が印加されていない状態では、図５（Ａ）に示すように、サイド光源６０の光源光は光変調層３６を表示面と平行な方向に透過し、上側基板３３から出射されない。一方、副画素４２に対応する電極に電圧が印加された状態では、図５（Ｂ）に示すように、サイド光源６０の光源光は光変調層３６で散乱され、一部が上側基板３３から出射される。
図５では、光変調層３６の側面からサイド光源６０の光源光が入射する場合について説明したが、光変調層３６の前面側から入射する外光についても同様である。すなわち、対応する電極に電圧が印加されず光変調層３６に電場が生じていない状態では、黒表示となり、電極に電圧が印加されて電場が生じていれば明表示となる。
このように、表示装置１０は、ノーマリブラックモードで動作する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
このような構成の表示装置１０の動作について説明する。
表示装置１０では、光センサ８０によって周囲の照度を計測し、光センサ８０が検出した照度に応じて、サイド光源６０を点灯または消灯する。明所では、サイド光源６０を消灯し、外部から入射する外光を用いた反射表示を行う。暗所では、サイド光源６０を点灯し、サイド光源６０から入射する光源光を用いた発光表示を行う。あるいは、光センサ８０の代わりに外部スイッチによりサイド光源６０をオンオフさせてもよいし、消費電力や使用状況をモニタし、最適な光量となるようにサイド光源６０の発光強度を適宜最適になるように制御してもよい。
以下、表示装置１０における反射表示と、発光表示とについて、図７、８を用いて説明する。なお、図７、８について、図３と同じものには同じ番号を付し、説明を省略する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
電圧無印加状態の副画素４３ａでは、対応する光変調層３６の液晶性モノマー３６ａと、液晶分子３６ｂの光軸の向きが互いに一致し、屈折率差がほとんどない。したがって、光変調層３６の副画素４３ａに対応する領域に入射した外光Ｌ２１は、散乱されることなく下側電極３７まで進み、反射される。反射された反射光も同様に、散乱されることなくλ／４位相差板３２まで進む。λ／４位相差板３２において入射時と反射時の２回位相がずらされることにより、λ／４位相差板３２を通過した反射光は、偏光板３１の偏光方向とは異なる方向に偏光されている。このため、λ／４位相差板３２を通過した反射光は、偏光板３１から出射しない。よって、副画素４３ａは黒表示になる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
フロントライトを消灯して行う反射表示について図１０を用いて説明する。反射表示では、偏光板３１の前面に導光板３０２が配置されている以外は、図７に示した表示装置１０と同様に行われる。すなわち、電圧無印加状態の副画素４５ａでは、外光Ｌ２３は、偏光板３１を通過して偏光され、λ／４位相差板３２で位相が１／４波長ずらされて光変調層３６に入射する。副画素４５ａに対応する電圧無印加状態の光変調層３６では、入射した光はそのまま反射され、λ／４位相差板３２でさらに位相が１／４波長ずらされて偏光板３１に入射する。この反射光は、偏光板３１で遮断されるため、黒表示になる。一方、電圧印加状態の副画素４５ｂでは、光変調層３６内で反射光が散乱され、その一部がカラーフィルタ３４、λ／４位相差板３２、偏光板３１を透過して出射される。これにより、副画素４５ｂにはカラーフィルタ３４の色が表示される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月22日(2017.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を備える基板、を有し、
前記第1面は、複数の画素を備える表示領域と、前記複数の画素に供給される信号が入力される入力部と、前記表示領域と前記入力部とを電気的に接続する引出配線部と、を有し、
前記基板は、第１方向に沿って延びる第１辺、前記第１辺の反対側に位置する第２辺、前記第１方向に直交する第２方向に沿って延びる第３辺、および前記第３辺の反対側に位置する第４辺を備え、
前記引出配線部と前記入力部は、前記基板の前記第１辺と前記表示領域との間に設けられ、
前記引出配線部は、複数の第１配線を有する第１配線層と、前記第１配線層と異なる層に形成された複数の第２配線を有する第２配線層と、前記第１配線層と前記第２配線層間に形成された第１絶縁層と、前記第２配線層の前記第１面と反対側に形成された第２絶縁層と、を有する、表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記第１絶縁層は、無機材料からなり、前記第２絶縁層は、有機絶縁層からなる、表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の表示装置であって、
平面視において、前記複数の第１配線と、前記複数の第２配線とは交互に配置され、かつ互いに重ならない、表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の表示装置であって、
前記引出配線部において、
前記第１絶縁層に開口部が形成され、前記開口部を介して前記第１配線層と前記第２配線層が電気的に接続され、
前記開口部の上には、有機絶縁層からなる前記第２絶縁層が形成される、表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載の表示装置であって、
平面視において、前記複数の第１配線のそれぞれの線幅は、前記複数の第２配線のそれぞれの線幅よりも広い、表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記表示領域の前記複数の画素のそれぞれは、ゲート電極を有するトランジスタを有し、
前記第１配線層は、前記ゲート電極と同層に形成されている、表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記複数の第１配線と前記複数の第２配線とは、互いに異なる種類の金属材料により形成されている、表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記引出配線部は、複数の第３配線を有する第３配線層をさらに有し、
前記第２配線層と前記第３配線層間には、前記第２絶縁層が形成されている、表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置であって、
平面視において、前記複数の第３配線は、前記複数の第１配線および前記複数の第２配線のうちの一部と重なっている、表示装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の表示装置であって、
平面視において、前記複数の第３配線は、前記複数の第２配線とは互いに重ならず、かつ、前記複数の第１配線と重なっている、表示装置。
【請求項１１】
請求項８に記載の表示装置であって、
前記引出配線部は、
前記第２絶縁層に開口部が形成され、前記開口部を介して前記第２配線層と前記第３配線層が電気的に接続される、表示装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記第２配線の数は、前記第１配線の数よりも多い、表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月7日(2017.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、上記第１の実施形態においては、パッド２毎に第１ノズル９を複数形成した場合を例にとって説明したが、これに限られず、パッド２毎に第１ノズル９を１つだけ形成してもよい。また、上記第１の実施形態においては、パッド２毎に第２ノズル１０を複数形成した場合を例にとって説明したが、これに限られず、パッド２毎に第２ノズル１０を１つだけ形成してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、各パッド２０の後端側（言い換えれば、回転軸１の回転方向Ｂの下流側）には、周方向流路２５に連通するとともに、軸方向一方側（回転軸側であって、図９中紙面に対して手前側）に向かうように延在してパッド２０の後端面２６に開口する複数（本実施形態では６つ）の第１ノズル２７が形成されている。また、各パッド２０の後端側には、周方向流路２５に連通するとともに、軸方向一方側に向かうように延在してパッド２０の摺動面２３の後縁部に開口する複数（本実施形態では６つ）の第２ノズル２８が形成されている。なお、本実施形態のノズル２７，２８は、円形状の断面を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月7日(2017.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
パッド２の摺動面１４は、図３で示すように、前縁の幅寸法がＷ１であり、後縁の幅寸法がそれより大きいＷ２である。（すなわち、Ｗ２＞Ｗ１）。そして、前縁から後縁まで、周方向下流側に向かうに従って幅が増加するように形成されている。なお、後述の図１１では、直線的に増加するように形成された場合を示しているが、これに限られず、曲線的に増加するように形成されてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
油噴出口１９の周囲（すなわち、溝部１８の一部）には油溜り用の窪み２０が形成されている。これにより、何らかの理由でポンプ１１が一時的に停止しても、パッド２の摺動面１４への油供給が行えるようになっている。但し、後述の図１１で示すように、窪み２０が形成されていなくともよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
しかし、第２の比較例では、上流側パッド２の摺動面１４の後縁部から流出した潤滑油（図１０中矢印Ｆ３参照）のうち、ノズル３１の油噴出口１９からの潤滑油と合流して、下流側パッド２の摺動面１４の前縁部に流入する潤滑油（図１０中矢印Ｆ４参照）の割合が少なくなる。すなわち、キャリーオーバーの油量が減少する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本実施形態のティルティングパッド型ジャーナル軸受は、複数のノズル３１に代えて、複数のノズル５を備えている。上述した通り、ノズル５の先端面１７には、溝部１８が形成されている。この溝部１８は、上流側パッド２の摺動面１４の後縁部から下流側パッド２の摺動面１４の前縁部への油流れに対して、幅方向両外側から幅方向中央に向かう流れを誘起させる（図１１中矢印Ｆ５参照）。これにより、上流側パッド２の摺動面１４の後縁部から流出した潤滑油（図１１中矢印Ｆ５参照）のうち、ノズル５の油噴出口１９からの潤滑油と合流して、下流側パッド２の摺動面１４の前縁部に流入する潤滑油（図１１中矢印Ｆ６参照）の割合を増加できる。すなわち、キャリーオーバーの油量を増加できる。したがって、ノズル５からの給油量を低減できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、上記第１〜第３の実施形態において、パッド２の摺動面１４は、図３及び図１１で示すように、前縁から後縁まで、周方向下流側に向かうに従って軸方向幅が増加するように形成された場合（言い換えれば、前縁部及び後縁部も、周方向下流側に向かうに従って軸方向幅が増加するように形成された場合）を例にとって説明したが、これに限られず、本発明の趣旨及び技術思想を逸脱しない範囲内で変形が可能である。すなわち、パッドの摺動面の前縁部（例えば摺動面の周方向長さの１／５以下の前側部分）は、軸方向幅が一定であってもよい。また、パッドの摺動面の後縁部（例えば油膜の厚さが最小値に達する周方向位置θＢから後縁までの部分、若しくは摺動面の周方向長さの１／５以下の後側部分）は、軸方向幅が一定であってもよい。これらの変形例でも、パッドの摺動面の側縁からの油漏洩量を低減でき、給油量を低減できる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月2日(2017.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記凸側締結面を規定する前記第１、第２傾斜面の前記傾斜角度は、前記凹側締結面を規定する前記第３、第４傾斜面の前記傾斜角度に比べて、０．５ｄｅｇから１．５ｄｅｇまでの範囲内の角度だけ小さい請求項４に記載の波動歯車装置の可撓性外歯歯車と軸部材の締結構造。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月25日(2017.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブームシリンダおよび旋回油圧モータに作動油を供給するポンプと、
前記ポンプと連結された回生油圧モータであって、ブーム下げ時に前記ブームシリンダから排出される作動油および／または旋回減速時に前記旋回油圧モータから排出される作動油が導かれる回生油圧モータと、
前記ポンプを駆動するエンジンと、
前記エンジンに取り付けられたオルタネータであって、電力が供給されたときに前記エンジンの出力軸を回転させ得るオルタネータと、
前記オルタネータと接続された蓄電器と、
前記オルタネータと前記蓄電器との間に介在する電力変換器であって、前記オルタネータと前記蓄電器との間での電力伝達を可能とするサーボオン状態と、前記オルタネータと前記蓄電器との間での電力伝達を不能とするサーボオフ状態との間で切り換えられる電力変換器と、
前記電力変換器を前記サーボオン状態と前記サーボオフ状態のどちらかに切り換えるとともに、前記電力変換器を前記サーボオン状態に切り換えたときには、前記電力変換器を、前記オルタネータから前記蓄電器へ伝達される電力を調整する充電モードと前記蓄電器から前記オルタネータへ伝達される電力を調整する放電モードのどちらかで制御する制御装置と、
を備える、建設機械の油圧駆動システム。
【請求項２】
前記回生油圧モータには、ブーム下げ時に前記ブームシリンダから排出される作動油が導かれ、
前記制御装置は、ブーム下げ時であるとともに前記蓄電器が充電可能な状態であるブーム充電条件が満たされるときは、前記電力変換器を前記サーボオン状態に切り換えるとともに前記充電モードで制御し、前記ブーム充電条件が満たされないときは、前記電力変換器を前記サーボオフ状態に切り換えるか、前記電力変換器を前記サーボオン状態に切り換えるとともに前記放電モードで制御する、請求項１に記載の建設機械の油圧駆動システム。
【請求項３】
前記回生油圧モータには、ブーム下げ時に前記ブームシリンダから排出される作動油が導かれるとともに、旋回減速時に前記旋回油圧モータから排出される作動油が導かれ、
前記制御装置は、ブーム下げ時であるとともに前記蓄電器が充電可能な状態であるブーム充電条件と、旋回減速時であるとともに前記蓄電器が充電可能な状態である旋回充電条件のどちらかが満たされるときは、前記電力変換器を前記サーボオン状態に切り換えるとともに前記充電モードで制御し、前記ブーム充電条件と前記旋回充電条件のどちらも満たされないときは、前記電力変換器を前記サーボオフ状態に切り換えるか、前記電力変換器を前記サーボオン状態に切り換えるとともに前記放電モードで制御する、請求項１に記載の建設機械の油圧駆動システム。
【請求項４】
前記ブームシリンダに対する作動油の供給および排出を制御するブーム制御弁を備え、前記ブーム制御弁は、ブーム排出ラインにより前記回生油圧モータと接続されており、前記ブーム制御弁にはタンクラインが接続されており、
前記ブーム制御弁は、ブーム上げ時には前記ブームシリンダから排出される作動油が当該ブーム制御弁から前記タンクラインへ流入し、ブーム下げ時には前記ブームシリンダから排出される作動油が当該ブーム制御弁から前記ブーム排出ラインへ流入するように構成されている、請求項２または３に記載の建設機械の油圧駆動システム。
【請求項５】
前記回生油圧モータは、傾転角が変更可能な可変容量型のモータであり、
前記回生油圧モータの傾転角を調整する回生油圧モータレギュレータを備え、
前記制御装置は、旋回減速時であるとともに前記蓄電器が充電可能な状態である旋回充電条件が満たされるときに、前記旋回油圧モータの回転数が高くなるほど前記回生油圧モータの傾転角が大きくなるように、前記回生油圧モータレギュレータを制御する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の建設機械の油圧駆動システム。
【請求項６】
前記回生油圧モータは、傾転角が変更可能な可変容量型のモータであり、
前記回生油圧モータの傾転角を調整する回生油圧モータレギュレータを備え、
前記制御装置は、ブーム下げ時であるとともに前記蓄電器が充電可能な状態であるブーム充電条件が満たされるときに、ブーム操作弁の操作量が大きくなるほど前記回生油圧モータの傾転角が大きくなるように、前記回生油圧モータレギュレータを制御する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の建設機械の油圧駆動システム。
【請求項７】
前記オルタネータは、公称電圧が３０Ｖ以上の発電機である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の建設機械の油圧駆動システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
回生切換弁７８は、第３実施形態では３ポートであったが、本実施形態では２ポートである。すなわち、回生切換弁７８にはタンクライン３５（図８参照）が接続されていない。そして、回生切換弁７８は、非回生位置では旋回排出ライン９２と回生ライン３８とを遮断し、回生位置では旋回排出ライン９２を回生ライン３８と連通させる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月2日(2017.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記受入部材（２）が第２の相補的配置部（１３ｂ）を有し、前記相補的クランプ部（１４）が前記第１の相補的配置部（１３ａ）と前記第２の相補的配置部（１３ｂ）との間に位置される請求項９又は請求項１０に記載の受入ブロック（２０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図示のフラットコンタクト１は、受入部材２への自動配置を保証する二つの配置部３を有する。これら二つの配置部３の間には、幅方向Ｂへ突出するクランプ突起５を各々が有する二つのクランプ部４がある。この幅方向Ｂは、挿入方向Ｅに対して垂直でフラットコンタクト１の平面に延出する。配置部３は、各々が挿入方向Ｅと平行に延出し且つフラットコンタクト１の狭い辺７に配置される案内面６を有する。第１の配置部３ａの案内面６は、幅方向Ｂへクランプ部４のクランプ突起５を越えて突出する。この第１の配置部３ａは、二つのクランプ部４と第２の配置部３ｂの挿入方向Ｅ下流に配置されている。案内面６の領域で測定された第１の配置部の幅ＢＰ１は、第２のクランプ部４ｂが第１のクランプ部４ａの挿入方向Ｅ下流に位置されるクランプ突起５の領域で測定された第２のクランプ部４ｂの幅ＢＫ２の略１４５％である。一方、クランプ突起５の最も幅広位置で測定された第１のクランプ部の幅ＢＫ１は、第２のクランプ部の幅ＢＫ２の略８５％である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
第１の相補的配置部１３ａは、幅方向Ｂに位置する受入部材２の二つの端部に配置され且つ幅方向Ｂに対して横方向に延出する凹所２５によって分離される二つの分割部１３０に分割される。この凹所２５は、相補的配置部１３ａによって幅方向Ｂに対して垂直に形成されるスロットを厚み方向Ｄへ拡張する。このような実施形態は、射出成形方法での形成中に、受入部材２を製造するために薄い金型部品を要しない利点を有する。幅方向Ｂに対して垂直に、そのような薄い形状は、スロット状実施形態における場合よりも厚くできる。製造の複雑さが減少され、それによって製造コストがより低くなる。導入開口９の領域において、このように、受入部材２の横断面は、実質的に、十字即ちプラス（+）の形状になる。受入部材２は、第２の相補的クランプ部１４ｂに続き、それによって、第２の相補的クランプ部１４ｂは、幅方向Ｂに対して垂直に測定され且つフラットコンタクト１を受入するために必要な幅よりも大きな内側幅を有する。横断面は、この場合、矩形である。同時に第２の相補的配置部１３ｂである第１の相補的クランプ部１４ａの領域において、幅方向Ｂに対して垂直に測定された内側幅は、幅方向Ｂに対して垂直に且つ挿入方向Ｅに対して垂直に延出する厚み方向Ｄにおける配置を確実にするために、フラットコンタクト１の材料厚まで減少する。厚み方向Ｄにおいてここで測定された内側幅は、第１の相補的配置部１３ａの分割部１３０の領域における内側幅に対応する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図４において、フラットコンタクト１上と受入部材２上の対応する部分は、すでに部分的に重なっている。例えば、このように、フラットコンタクト１の第１の配置部３ａは、既に受入部材２の相補的配置部１３ａに部分的に導入されている。第２の配置部３ｂは、第２の相補的配置部１３ｂ内にあり、この領域におけるフラットコンタクト１を案内する。第２のクランプ部４ｂは、まだ相補的配置部１３ａの領域内に部分的に位置し、且つ既に第２の相補的クランプ部１４ｂの領域内に部分的にある。第１のクランプ部４ａは、まだ第２の相補的クランプ部１４ｂ内に部分的に位置されるが、その小さな幅のため、傷つかない。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の可撓性基板と、
前記第１の可撓性基板上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の有機絶縁層と、
前記トランジスタと電気的に接続する、前記有機絶縁層上の発光素子と、
前記発光素子上の第２の可撓性基板と、
前記発光素子及び前記第２の可撓性基板の間の着色層と、を有し、
前記着色層は前記発光素子と重なり、
前記有機絶縁層及び前記着色層は、同一の主成分を含む発光装置。
【請求項２】
第１の可撓性基板と、
前記第１の可撓性基板上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の有機絶縁層と、
前記トランジスタと電気的に接続する、前記有機絶縁層上の発光素子と、
前記発光素子上の第２の可撓性基板と、
前記発光素子及び前記第２の可撓性基板の間の着色層及び遮光層と、を有し、
前記着色層は前記発光素子と重なり、
前記有機絶縁層、前記着色層、及び前記遮光層は、同一の主成分を含む発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光装置を有し、
前記発光装置の少なくとも一部を曲率半径１ｍｍ以上１００ｍｍ以下で折り曲げることができる電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月13日(2017.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン化装置であって、
試料を保持する保持台、
前記保持台に保持されている前記試料のイオン化する部分を決めるためのプローブ、
前記試料のイオン化したイオンを引き出す引出電極、
前記試料の一部領域に液体を供給する液供給手段、及び
前記プローブと前記引出電極との間に第一の電圧を印加する手段、
を有し、
前記第一の電圧をパルス変調することを特徴とする、イオン化装置。
【請求項２】
前記プローブの端部と前記保持台が保持する前記試料との間に液架橋が形成されることを特徴とする、請求項１に記載のイオン化装置。
【請求項３】
前記プローブと前記保持台との間に第二の電圧を印加する手段を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のイオン化装置。
【請求項４】
第二の電圧をパルス変調することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のイオン化装置。
【請求項５】
前記パルス変調された第一の電圧の印加と、前記パルス変調された第二の電圧の印加とを同期させることを特徴とする、請求項４に記載のイオン化装置。
【請求項６】
第一の電圧の印加及び第二の電圧の印加において、いずれか一方の電圧のみが印加される時間が設けられていることを特徴とする、請求項３乃至５のいずれか一項に記載のイオン化装置。
【請求項７】
第二の電圧が第一の電圧よりも低いことを特徴とする、請求項３乃至６のいずれか一項に記載のイオン化装置。
【請求項８】
前記プローブ或いは前記試料との変位を計測する変位計測手段を更に有し、
前記変位計測手段からの信号を基に、前記試料の位置を変位するための移動手段の前記試料の表面と垂直な方向の位置を帰還制御することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のイオン化装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のイオン化装置を有するイオン化部、及び
イオンの質量電荷比を分析する質量分析部、
を有することを特徴とする、質量分析装置。
【請求項１０】
パルス変調された第一の電圧の印加と、前記質量分析部の計測とを同期させることを特徴とする、請求項９に記載の質量分析装置。
【請求項１１】
前記質量分析部が飛行時間型の質量分析部であることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の質量分析装置。
【請求項１２】
パルス変調された第一の電圧の印加と、前記飛行時間型の質量分析部の飛行時間の計測とを同期させることを特徴とする、請求項１１に記載の質量分析装置。
【請求項１３】
前記パルス変調された第一の電圧の一連のパルスの印加の時間間隔は、前記飛行時間型の質量分析部の飛行時間の計測時間よりも長いことを特徴とする、請求項１２に記載の質量分析装置。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の質量分析装置、及び
画像形成装置であって、前記質量分析装置によって分析された質量情報と前記試料の表面における領域の位置情報とから前記試料に含まれる物質の成分の分布を画像表示するための画像情報を作成する画像形成部と、前記画像情報を表示装置に出力する画像表示部とを有する、画像形成装置、
を有することを特徴とする、画像作成システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月14日(2017.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、を有し、
前記第２のゲート電極は、第１の領域と第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜、及び前記第１のゲート電極と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、且つ、前記第１のゲート電極と重ならないことを特徴とするマルチゲート構造のトランジスタ。
【請求項２】
絶縁表面上の第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の第１のゲート電極と、を有し、
前記第２のゲート電極は、第１の領域と第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜、及び前記第１のゲート電極と重なり、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、且つ、前記第１のゲート電極と重ならないことを特徴とするマルチゲート構造のトランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２のゲート電極の前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜上において分離されていることを特徴とするマルチゲート構造のトランジスタ。
【請求項４】
請求項３において、
前記酸化物半導体膜に接する、第１の導電膜、第２の導電膜、及び第３の導電膜を有し、
前記第２のゲート電極の第１の領域または前記第１のゲート電極は、前記第１の導電膜の端部、及び前記第２の導電膜の端部と重なる領域を有し、
前記第２のゲート電極の第２の領域は、前記第２の導電膜の端部、及び前記第３の導電膜の端部と重なる領域を有することを特徴とするマルチゲート構造のトランジスタ。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の導電膜は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、
前記第３の導電膜は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能することを特徴とするマルチゲート構造のトランジスタ。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第１のゲート電極には、前記第１の導電膜よりも低い電圧が印加されることを特徴とするマルチゲート構造のトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月24日(2016.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の導電層と、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接する絶縁層と、を有する保護回路を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層は、離間して設けられており、
前記第１の導電層は、前記絶縁層の第１の開口部において、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記絶縁層の第２の開口部において、前記酸化物半導体層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１及び第２の導電層と、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接する絶縁層と、を有する保護回路を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層は、離間して設けられており、
前記第１の導電層は、前記絶縁層の第１の開口部において、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記絶縁層の第２の開口部において、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記保護回路には、トランジスタが設けられていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トランジスタを有する画素部と、
第１及び第２の導電層と、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接する絶縁層と、を有する保護回路と、を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層は、離間して設けられており、
前記第１の導電層は、前記絶縁層の第１の開口部において、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記絶縁層の第２の開口部において、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記保護回路には、トランジスタが設けられておらず、
前記画素部のトランジスタの酸化物半導体層は、前記保護回路の酸化物半導体層と同層に設けられていることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月30日(2017.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エタロンを有する波長検知部と、複数の基本波長に対応する複数の駆動条件を格納するメモリと、を備える波長可変レーザの制御方法であって、
前記波長可変レーザを指示された要求波長に最も近い前記基本波長である第１波長でレーザ発振させるための第１の駆動条件を前記メモリから取得する第１ステップと、
前記第１の駆動条件と、前記第１波長と前記要求波長である第２波長との波長差分と、を参照して、前記波長可変レーザを前記第２波長で発振させるための第２の駆動条件を算出する第２ステップと、
前記第２の駆動条件に基づいて駆動された前記波長可変レーザの出力波長を前記波長検知部によって検知し、その結果に基づいて、前記波長可変レーザの駆動条件を訂正するフィードバック制御を行う第３ステップと、を含み、
さらに、前記第３ステップに先立ち、前記フィードバック制御において前記訂正における訂正の符号を前記波長差分に基づいて、前記第１の駆動条件における訂正の符号に対して反転させるか否かの判定をなし、
前記第３ステップは、前記判定された前記訂正の符号によって前記フィードバック制御をなす、波長可変レーザの制御方法。
【請求項２】
前記波長差分が前記エタロンのＦＳＲの４分の１よりも小さい場合に、前記訂正の符号を反転させず、前記波長差分が前記エタロンのＦＳＲの４分の１以上の場合に、前記訂正の符号を反転させる、請求項１記載の波長可変レーザの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月5日(2017.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にチャネル形成領域が設けられたトランジスタを有する制御回路と、
前記制御回路と重ねて設けられたスイッチングトランジスタと、を有し、
前記制御回路は、パルス幅変調信号を出力する機能を有し、
前記パルス幅変調信号は、前記スイッチングトランジスタの第１のゲートに入力され、
前記スイッチングトランジスタは、酸化物半導体層をチャネル形成領域に有し、
前記スイッチングトランジスタは、第２のゲートを有し、
前記第１のゲートは、前記第２のゲートと重なるように設けられ、
前記第２のゲートは、導電性材料を介して、前記半導体基板に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記制御回路は、三角波発生回路と、誤差増幅器と、比較器と、タイマーと、を有し、
前記三角波発生回路、前記誤差増幅回路および前記比較器は、それぞれバイアス回路、および前記バイアス回路で生成される定電位を保持するための電位保持部を有し、
前記電位保持部は、容量素子とトランジスタとを有し、
前記トランジスタは、前記タイマーによってオンまたはオフが間欠的に制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記タイマーは、前記トランジスタをオフにする期間において、前記バイアス回路への電圧の供給を停止するよう制御する回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記制御回路は、バンドギャップリファレンス回路、基準バイアス生成回路および基準電圧源を有し、
前記タイマーは、前記トランジスタをオフにする期間において、前記バンドギャップリファレンス回路、前記基準バイアス生成回路および前記参照電圧生成回路への電圧の供給を停止するよう制御する回路であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月26日(2017.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を含むターゲットと、基板とを有し、圧力がｐ、前記ターゲットと前記基板との距離がｄである成膜室で行われる酸化物半導体膜の作製方法であって、
前記ターゲットにおけるＩｎに対するＺｎの原子数比が１以下の場合は、前記圧力ｐと前記距離ｄとの積を０．０９６Ｐａ・ｍ以上とし、
前記ターゲットにおけるＩｎに対するＺｎの原子数比が１より大きい場合は、前記圧力ｐと前記距離ｄとの積を０．０９６Ｐａ・ｍ未満とし、
前記ターゲットにイオンを衝突させて、平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物粒子を含むスパッタ粒子を剥離させ、
前記平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物粒子を、結晶性を維持したまま前記基板上に堆積させることを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月26日(2017.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース及びドレインの一方に与えられる電圧を、ソース及びドレインの他方に出力する第１のトランジスタと、一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子と、を有し、
第１のトランジスタのゲートは、第２のトランジスタと第３のトランジスタとを介して電源線に電気的に接続され、第４のトランジスタを介してグラウンド線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び第４のトランジスタのゲートには、前記第２のトランジスタ及び第４のトランジスタの一方を導通状態とし、他方を非導通状態とする第１の制御信号が与えられ、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記電圧が与えられ、
前記容量素子の他方の電極には、前記第１のトランジスタのゲートを電気的に浮遊状態として、該ゲートを昇圧するための第２の制御信号が与えられる、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ソース及びドレインの一方に与えられる電圧を、ソース及びドレインの他方に出力する第１のトランジスタと、一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子と、を有し、
第１のトランジスタのゲートは、第２のトランジスタと第３のトランジスタとを介して電源線に電気的に接続され、第４のトランジスタを介してグラウンド線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び第４のトランジスタのゲートには、前記第２のトランジスタ及び第４のトランジスタの一方を導通状態とし、他方を非導通状態とする第１の制御信号が与えられ、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記電圧が与えられ、
前記容量素子の他方の電極には、前記第１のトランジスタのゲートを電気的に浮遊状態として、該ゲートを昇圧するための第２の制御信号が与えられ、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層をチャネル形成領域となる半導体層に用いたトランジスタである、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ソース及びドレインの一方に与えられる電圧を、ソース及びドレインの他方に出力する第１のトランジスタと、一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子と、を有し、
第１のトランジスタのゲートは、第２のトランジスタと第３のトランジスタとを介して電源線に電気的に接続され、第４のトランジスタを介してグラウンド線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び第４のトランジスタのゲートには、前記第２のトランジスタ及び第４のトランジスタの一方を導通状態とし、他方を非導通状態とする第１の制御信号が与えられ、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記電圧が与えられ、
前記容量素子の他方の電極には、前記第１のトランジスタのゲートを電気的に浮遊状態として、該ゲートを昇圧するための第２の制御信号が与えられ、
前記第１のトランジスタ、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、酸化物半導体層をチャネル形成領域となる半導体層に用いたトランジスタである、ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月1日(2017.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素回路と、電流検出回路と、Ａ／Ｄコンバータと、記憶回路部と、演算回路部と、を有し、
前記画素回路は、トランジスタと、電荷蓄積部と、受光素子と、を有し、
前記記憶回路部は単数または複数であり、
複数の異なる照度において、前記受光素子が前記電荷蓄積部に蓄積する電位の情報が格納された第１のルックアップテーブルと、
前記電荷蓄積部に供給される複数の異なる電位に対し、前記電荷蓄積部にゲートが電気的に接続されるトランジスタの前記電流検出回路およびＡ／Ｄコンバータを介した出力値の情報が格納された第２のルックアップテーブルと、
前記演算回路部から出力される画像情報が格納される領域と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記記憶回路部には前記第２のルックアップテーブルの情報を取得するプログラムが格納されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記画素回路は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、および第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記受光素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記電荷蓄積部と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記電荷蓄積部と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は第１の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は第２の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは第３の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは第４の配線に電気的に接続され、
前記受光素子の他方の電極は第５の配線に電気的に接続され、
前記電流検出回路は前記第２の配線に電気的に接続されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２のルックアップテーブルには、前記第５の配線から前記受光素子および前記第１のトランジスタを介して前記電荷蓄積部に供給する複数の異なる電位に対する、前記第２のトランジスタの前記電流検出回路およびＡ／Ｄコンバータを介した出力値が格納されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記プログラムは、前記第１のトランジスタおよび前記第３のトランジスタをオンし、前記第５の配線に複数の異なる電位を供給し、当該複数の異なる電位に対する前記第２のトランジスタの前記電流検出回路およびＡ／Ｄコンバータを介した出力を取得する動作を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１または２において、
前記画素回路は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、および第４のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記受光素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記電荷蓄積部と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記電荷蓄積部と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記電荷蓄積部と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は第１の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は第２の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第７の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは第３の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは第４の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは第５の配線に電気的に接続され、
前記受光素子の他方の電極は第６の配線に電気的に接続され、
前記電流検出回路は前記第２の配線に電気的に接続されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２のルックアップテーブルには、前記第７の配線から前記電荷蓄積部に供給する複数の異なる電位に対する、前記第２のトランジスタの前記電流検出回路および前記Ａ／Ｄコンバータを介した出力値が格納されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記プログラムは、前記第３のトランジスタおよび前記第４のトランジスタをオンし、前記第７の配線に複数の異なる電位を供給し、当該複数の異なる電位に対する前記第２のトランジスタの前記電流検出回路およびＡ／Ｄコンバータを介した出力を取得する動作を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記画素回路上にシンチレータが形成されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の撮像装置であって、
前記演算回路部は、
撮像前に前記プログラムを動作させて前記第２のルックアップテーブルの情報を取得し、
撮像時において、前記電流検出回路の出力値に対する前記電荷蓄積部の電位を前記第２のルックアップテーブルから読み出し、
当該電位に対する照度を前記第１のルックアップテーブルから読み出し、
当該照度に関する信号を前記記憶回路部に入力し、
当該記憶回路部から当該信号を出力することを特徴とする撮像装置の動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月25日(2017.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域及び第２領域を含む基板と、
前記第１領域の上に配置され、位置を感知する第１感知電極と、
前記第２領域の上に配置され、位置を感知する第２感知電極と、
前記第１感知電極及び前記第２感知電極のうちの少なくとも１つと連結される配線電極と、
を含み、
前記第１感知電極は、前記第２感知電極から離隔して配置されることを特徴とするタッチウインドウ。
【請求項２】
前記第２領域は、前記第１領域を取囲んで配置されることを特徴とする請求項１に記載のタッチウインドウ。
【請求項３】
前記第２領域は、前記第１領域を取囲む４つの側面のうち２つの側面にのみ配置されることを特徴とする請求項１に記載のタッチウインドウ。
【請求項４】
前記第２領域は、前記第１領域から折られることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のタッチウインドウ。
【請求項５】
前記基板は、前記第１領域では固定され、前記第２領域では曲がることを特徴とする請求項１に記載のタッチウインドウ。
【請求項６】
前記第１感知電極は、インジウムスズ酸化物(indium tin oxide)、インジウム亜鉛酸化物(indium zinc oxide)、銅酸化物(copper oxide)、スズ酸化物(tin oxide)、亜鉛酸化物(zinc oxide)及びチタニウム酸化物(titanium oxide)からなる群から選択された物質のいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のタッチウインドウ。
【請求項７】
前記第２感知電極は、ナノワイヤー、炭素ナノチューブ(CNT)、グラフェン(graphene)、導電性高分子及び金属のうちのいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のタッチウインドウ。
【請求項８】
前記第２感知電極は、導電性パターンを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のタッチウインドウ。
【請求項９】
前記第２感知電極は、メッシュ形状に配置されることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のタッチウインドウ。
【請求項１０】
前記第２領域は、前記第１領域のうちの少なくともいずれか一側面に配置されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のタッチウインドウ。
【請求項１１】
前記第１感知電極及び前記第２感知電極のうちの少なくとも１つの電極は、相互に異なる方向に延長される第１サブ感知電極及び第２サブ感知電極を含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のタッチウインドウ。
【請求項１２】
前記基板の上に配置されるカバー基板をさらに含み、
前記第１サブ感知電極及び前記第２サブ感知電極は、前記基板の同一面上に配置されることを特徴とする請求項１１に記載のタッチウインドウ。
【請求項１３】
前記基板の上の中間層及び前記中間層の上のカバー基板をさらに含み、
前記第１サブ感知電極は、前記基板の上に配置され、
前記第２サブ感知電極は、前記中間層の上に配置されることを特徴とする請求項１１に記載のタッチウインドウ。
【請求項１４】
前記第２領域は、前記第２領域の終端が曲がることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のタッチウインドウ。
【請求項１５】
前記第１感知電極と前記第２感知電極は、平行に離隔して配置されることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のタッチウインドウ。
【請求項１６】
前記第１感知電極は、前記第２感知電極と接して(next to)配置されることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のタッチウインドウ。
【請求項１７】
タッチウインドウと、
前記タッチウインドウの下部に配置される表示パネルを含み、
前記タッチウインドウは、
第１領域及び第２領域を含む基板と、
前記第１領域の上に配置され、位置を感知する第１感知電極と、
前記第２領域の上に配置され、位置を感知する第２感知電極と、
前記第１感知電極及び前記第２感知電極のうちの少なくとも１つと連結される配線電極と、
を含み、
前記第１感知電極は、前記第２感知電極から離隔して配置されることを特徴とするタッチデバイス。
【請求項１８】
前記第２領域は、前記表示パネルの方向に曲がるかまたは折られることを特徴とする請求項１７に記載のタッチデバイス。
【請求項１９】
前記基板は、前記第１領域では固定され、前記第２領域では曲がることを特徴とする請求項１７に記載のタッチデバイス。
【請求項２０】
前記第２領域は、前記第２領域の終端が曲がることを特徴とする請求項１７に記載のタッチデバイス。
【請求項２１】
前記第１感知電極と前記第２感知電極は、平行に離隔して配置されることを特徴とする請求項１７に記載のタッチデバイス。
【請求項２２】
前記第２感知電極は、導電性パターンを含むことを特徴とする請求項１７に記載のタッチデバイス。
【請求項２３】
前記第２感知電極は、メッシュ形状に配置されることを特徴とする請求項１７に記載のタッチデバイス。