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【手続補正書】
【提出日】平成29年6月2日(2017.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影条件情報に基づいて光学伝達関数を決定する決定手段と、
ブレ情報を取得する取得手段と、
前記光学伝達関数および前記ブレ情報に基づいて画像回復処理の方法を選択する制御手段と、
選択された前記画像回復処理の方法を用いて画像回復処理を行う画像回復手段を有し、
前記制御手段は、前記ブレ情報に基づいて像ブレを補正する画像回復処理の方法を含む複数の方法から前記画像回復処理の方法を選択することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記決定手段は、
前記撮影条件情報に基づく前記光学伝達関数を第１の光学伝達関数として決定し、
前記ブレ情報に基づいて前記第１の光学伝達関数から第２の光学伝達関数を決定する、ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記第１の光学伝達関数に、前記ブレ情報に基づいて取得されるブレの周波数特性を付加することにより、前記第２の光学伝達関数を決定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記第１の光学伝達関数または前記第２の光学伝達関数の絶対値である変調伝達関数に基づいて、前記画像回復処理の方法を選択することを特徴とする請求項２または３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記変調伝達関数の窪み領域に基づいて、前記画像回復処理の方法を選択することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記変調伝達関数の前記窪み領域の数に基づいて、前記画像回復処理の方法を選択することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記制御手段は、
前記窪み領域の数が所定の数以上である場合、前記画像回復処理を行わないように制御し、
前記窪み領域の数が前記所定の数よりも小さい場合、前記画像回復処理を行うように制御する、ことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記窪み領域の値に基づいて前記画像回復処理の方法を選択することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記窪み領域のうち最も低周波の窪み領域の位置および値に基づいて、前記画像回復処理の方法を選択することを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、
前記窪み領域の値が所定の値以下である場合、前記第１の光学伝達関数を用いて前記画像回復処理を行うように制御し、
前記窪み領域の値が前記所定の値よりも大きい場合、前記第２の光学伝達関数を用いて前記画像回復処理を行うように制御する、ことを特徴とする請求項８または９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、
前記窪み領域の値ＭＴＦＤＩＰが０≦ＭＴＦＤＩＰ≦０．０５を満たす場合、前記第１の光学伝達関数を用いて前記画像回復処理を行うように制御し、
ＭＴＦＤＩＰ＞０．０５を満たす場合、前記第２の光学伝達関数を用いて前記画像回復処理を行うように制御する、ことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記ブレ情報は、ブレ軌跡、ブレ最大値、および、ブレ平均座標に関する情報の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記ブレ情報は、撮影の際における撮像装置に設けられたブレ補正手段の動作に関する情報を含むことを特徴とする請求項１２に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
前記決定手段は、像高ごとに前記光学伝達関数を決定することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１５】
撮像光学系を介して得られた光学像を光電変換する撮像手段と、
撮影条件情報に基づいて光学伝達関数を決定する決定手段と、
ブレ情報を取得する取得手段と、
前記光学伝達関数および前記ブレ情報に基づいて画像回復処理の方法を選択する制御手段と、
選択された前記画像回復処理の方法を用いて画像回復処理を行う画像回復手段を有し、
前記制御手段は、前記ブレ情報に基づいて像ブレを補正する画像回復処理の方法を含む複数の方法から前記画像回復処理の方法を選択することを特徴とする撮像装置。
【請求項１６】
撮影条件情報に基づいて光学伝達関数を決定するステップと、
ブレ情報を取得するステップと、
前記光学伝達関数および前記ブレ情報に基づいて画像回復処理の方法を選択するステップと、
選択された前記画像回復処理の方法を用いて画像回復処理を行うステップを有し、
前記ブレ情報に基づいて像ブレを補正する画像回復処理の方法を含む複数の方法から前記画像回復処理の方法を選択することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるように構成されていることを特徴とする画像処理プログラム。
【請求項１８】
請求項１７に記載の画像処理プログラムを記憶していることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一側面としての画像処理装置は、撮影条件情報に基づいて光学伝達関数を決定する決定手段と、ブレ情報を取得する取得手段と、前記光学伝達関数および前記ブレ情報に基づいて画像回復処理の方法を選択する制御手段と、選択された画像回復処理の方法を用いて画像回復処理を行う画像回復手段を有し、前記制御手段は、前記ブレ情報に基づいて像ブレを補正する画像回復処理の方法を含む複数の方法から前記画像回復処理の方法を選択する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の他の側面としての撮像装置は、撮像光学系を介して得られた光学像を光電変換する撮像手段と、撮影条件情報に基づいて光学伝達関数を決定する決定手段と、ブレ情報を取得する取得手段と、前記光学伝達関数および前記ブレ情報に基づいて画像回復処理の方法を選択する制御手段と、選択された前記画像回復処理の方法を用いて画像回復処理を行う画像回復手段を有し、前記制御手段は、前記ブレ情報に基づいて像ブレを補正する画像回復処理の方法を含む複数の方法から前記画像回復処理の方法を選択する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の他の側面としての画像処理方法は、撮影条件情報に基づいて光学伝達関数を決定するステップと、ブレ情報を取得するステップと、前記光学伝達関数および前記ブレ情報に基づいて画像回復処理の方法を選択するステップと、選択された画像回復処理の方法を用いて画像回復処理を行うステップを有し、前記ブレ情報に基づいて像ブレを補正する画像回復処理の方法を含む複数の方法から前記画像回復処理の方法を選択する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の側面としての画像処理プログラムは、前記画像処理方法をコンピュータに実行させるように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月27日(2017.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凍結保存細胞を融解すること、および融解した細胞懸濁液を希釈液で希釈することを含む凍結保存細胞からの生細胞の回収方法であって、細胞が、骨格筋芽細胞であり、希釈時の最大浸透圧負荷が、４０〜２５０ｍＯｓｍ／秒となるように希釈することを特徴とする、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月12日(2017.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のプローブ（ａ）とプローブ（ｂ）とを搭載したデバイス。
（ａ）検出の対象となる１種又は２種以上の細菌のそれぞれに特異的な１６ＳｒＲＮＡにハイブリダイズする核酸からなるプローブ
（ｂ）前記１種又は２種以上の細菌が共通に有する塩基配列を含む総量指標プローブ
【請求項２】
さらに以下のプローブ（ｃ）を搭載した、請求項１に記載のデバイス。
（ｃ）１種類又は複数種類の絶対量指標プローブ
【請求項３】
以下の工程を含む、被験サンプルから得られるデータの各検出対象菌種のコピー数を演算する方法。
（１）予め単離された検出対象細菌のそれぞれについて、当該検出対象細菌を検出するためのプローブのシグナル強度比から係数を算出する工程
（２）上記（１）の工程で算出した算出値をプローブのハイブリダイゼーション効率係数とし、当該ハイブリダイゼーション効率係数を用いて被検サンプルから得られるデータの各検出対象菌種のコピー数を演算する工程
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月7日(2017.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多能性幹細胞から内耳幹細胞への誘導方法であって、
前記多能性幹細胞をROCK Inhibitor存在下で培養する工程と、
増殖因子非存在下、ROCK Inhibitor非存在下で培養する工程と、
無血清培地で培養する工程と、
bFGF, FGF3, FGF10, FGF19からなる群から選択される少なくとも一つの増殖因子を含有する無血清培地で培養する工程と、
単一細胞に解離する工程と
を、この順で行う、誘導方法。
【請求項２】
前記多能性幹細胞が、 胚性幹細胞（ES細胞)または 人工多能性幹細胞（iPS細胞)である請求項１に記載の誘導方法。
【請求項３】
前記単一細胞に解離した細胞を、poly-O-fibronectine でコートした培養皿で培養する工程と、
をさらに含む、請求項１に記載の誘導方法。
【請求項４】
多能性幹細胞から内耳感覚上皮(支持細胞、有毛細胞) 及び蝸牛神経節細胞（神経細胞、グリア細胞）の誘導方法であって、
請求項１の方法によって、内耳幹細胞を製造する工程と、
前記内耳幹細胞をFGF9およびFGF20存在下で浮遊培養する工程と、
接着培養する工程と、
を、この順で行う、誘導方法。
【請求項５】
多能性幹細胞から血管条辺縁細胞の誘導方法であって、
請求項１の方法によって、内耳幹細胞を製造する工程と、
前記内耳幹細胞をFGF3および／またはFGF10存在下で浮遊培養する工程と、
接着培養する工程と、
を、この順で行う、誘導方法。
【請求項６】
多能性幹細胞から、Periotic mesenchymal 細胞の誘導方法であって、
請求項１の方法によって、内耳幹細胞を製造する工程と、
前記内耳幹細胞をbFGF存在下で培養する工程を含む、誘導方法。
【請求項７】
多能性幹細胞から、蝸牛線維細胞及び血管条細胞の誘導方法であって、
請求項６の方法によって、Periotic mesenchymal 細胞を製造する工程と、
前記Periotic mesenchymal 細胞をbFGF存在下で培養する工程と、
bFGF非存在下で培養し、蝸牛線維細胞及び血管条細胞を得る工程と、
をこの順で行う、誘導方法。
【請求項８】
前記血管条細胞が血管条基底細胞である、請求項７に記載の誘導方法。
【請求項９】
多能性幹細胞から、Pendrin陽性細胞の誘導方法であって、
請求項６の方法によって、Periotic mesenchymal 細胞を製造する工程と、
前記Periotic mesenchymal 細胞をbFGF存在下で培養する工程と、
bFGF非存在下で、NaHCO3存在下で培養し、Pendrin陽性細胞を得る工程と、
をこの順で行う。誘導方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月4日(2017.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2015231980.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ独立して、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は水素原子、水酸基、炭素数１〜１１の炭化水素基、もしくは炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基を表し、Ｒ２は水酸基、もしくは炭素数１〜４のヒドロキシアルキルを表す。ｌは０〜１１、ｍとｎはそれぞれ１〜１１の整数を表す。）で表される一分子中に少なくとも３つの水酸基を含有する多価アルコール（Ａ）と無水トリメリット酸ハライド及び核水添無水トリメリット酸ハライドとを反応させて得られる多官能酸無水物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月22日(2017.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記Ａｌ２Ｏ３において、αアルミナ結晶相とβアルミナ結晶相との合量に対するαアルミナ結晶相の含有割合が４５〜８７％である請求項１または２記載のアルミナ溶融鋳造耐火物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本耐火物は、ＳｉＯ２を０．３〜１．５質量％含む。これにより、温度変化により耐火物中に発生する亀裂を低減できる。ＳｉＯ２の含有量は、０．４〜１．０質量％が好ましく、０．５〜０．８質量％がより好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本耐火物は、ＣａＯを０〜０．５質量％含む。ＣａＯを含有すると、耐火物中に発生する亀裂を低減できる。ＣａＯの含有量は、０．１〜０．５質量％が好ましく、０．３〜０．５質量％がより好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本耐火物は、Ｆｅ２Ｏ３を０〜０．２質量％含む。Ｆｅ２Ｏ３は、不純物として本耐火物の原料から混入しうるが、０．２質量％以下であれば表面層の剥離を低減したαβアルミナ溶融鋳造耐火物が得られる。Ｆｅ２Ｏ３の含有量は少ないほど好ましく、０．１５質量％以下がより好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本耐火物は、気孔率が１．５％以下である。そのため、耐火物は緻密でありガラスに対する耐食性が高く、ガラス窯で長期間使用しても耐火物の剥離を防止できる。気孔率は、０．２〜１．５％が好ましく、０．４〜１．２％がより好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
以下に本発明の実施例１〜８および比較例１〜２を示す。
Ａｌ２Ｏ３原料としてバイヤーアルミナ（純度９９％以上）を、ＳｉＯ２原料として珪砂（純度９９％以上）を使用した。また、Ｎａ２ＣＯ３、およびＣａＣＯ３を使用した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なお、表１中、「Ａ／Ｎ比」は、耐火物中に含有するＡｌ２Ｏ３とＮａ２Ｏとの質量比（Ａｌ２Ｏ３／Ｎａ２Ｏ）を表し、「α相」、「β相」は、αアルミナ結晶相とβアルミナ結晶相の合量に対する各結晶相の割合（％）を示したものである。αアルミナ結晶相とβアルミナ結晶相の存在量は、Ｘ線回折装置によりαアルミナ結晶相とβアルミナ結晶相の最大ピークの比率と含有量比率で事前に検量線を作成し、試験品のαアルミナ結晶相とβアルミナ結晶相の強度比から各結晶相の割合を算出した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【表１】
2015231929.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月29日(2016.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源の光束を第１光束と第２光束に分割する偏光ビームスプリッタと、
第１被走査面上を光走査するように前記第１光束を偏向する第１回転多面鏡、および、第２被走査面上を光走査するように前記第２光束を偏向し、かつ、前記第１光束が、前記第１被走査面を光走査しているとき、前記第２光束が、前記第２被走査面を光走査しないように、前記第１回転多面鏡に対して回転方向の位相をずらして配置した第２回転多面鏡を有する偏向器と、
前記偏向器までの第１光束の光路上に配置された第１（１／４）波長板と、
前記偏向器までの第２光束の光路上に配置された第２（１／４）波長板とを備えた光走査装置において、
前記偏光ビームスプリッタに入射した各回転多面鏡からの戻り光が出射する前記偏光ビームスプリッタの戻り光出射面と、前記戻り光出射面と対向する装置本体の対向面との間に空間が形成されるように、偏光ビームスプリッタを装置本体に取り付けたことを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
請求項１の光走査装置において、
光源の光の一部を前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面で、前記戻り光出射面と対向する装置本体の対向面から離れる方向へ反射して、光を分割するように、前記偏光ビームスプリッタを設けており、
前記偏光ビームスプリッタの各回転多面鏡の回転軸方向と光軸方向いずれにも平行な面を固定面として用い、
前記偏光ビームスプリッタと前記回転軸方向から接触して、前記偏光ビームスプリッタの前記回転軸方向の位置決めを行う回転軸方向位置決め部を備え、
前記回転軸方向位置決め部を、前記偏光ビームスプリッタの有効範囲以外の箇所に接触させたことを特徴とする光走査装置。
【請求項３】
請求項２の光走査装置において、
前記偏光ビームスプリッタと光軸方向側から接触して、前記偏光ビームスプリッタの光軸方向の位置決めを行う光軸方向位置決め部を備え、
前記光軸方向位置決め部を、前記偏光ビームスプリッタの有効範囲以外の箇所に接触させたことを特徴とする光走査装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかの光走査装置において、
前記偏光ビームスプリッタを保持する保持部材を備え、
前記偏光ビームスプリッタは、前記保持部材を介して装置本体に取り付けられることを特徴とする光走査装置。
【請求項５】
画像情報に応じた走査光で光走査装置により感光体を走査して該感光体上に潜像を形成し、該潜像を現像することにより得た画像を最終的に記録材上に転移させて該記録材上に画像を形成する画像形成装置において、
上記光走査装置として、請求項１乃至４いずれかの光走査装置を用いたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、光源と、前記光源の光束を第１光束と第２光束に分割する偏光ビームスプリッタと、第１被走査面上を光走査するように前記第１光束を偏向する第１回転多面鏡、および、第２被走査面上を光走査するように前記第２光束を偏向し、かつ、前記第１光束が、前記第１被走査面を光走査しているとき、前記第２光束が、前記第２被走査面を光走査しないように、前記第１回転多面鏡に対して回転方向の位相をずらして配置した第２回転多面鏡を有する偏向器と、前記偏向器までの第１光束の光路上に配置された第１（１／４）波長板と、前記偏向器までの第２光束の光路上に配置された第２（１／４）波長板とを備えた光走査装置において、前記偏光ビームスプリッタに入射した各回転多面鏡からの戻り光が出射する前記偏光ビームスプリッタの戻り光出射面と、前記戻り光出射面と対向する装置本体の対向面との間に空間が形成されるように、偏光ビームスプリッタを装置本体に取り付けたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月13日(2017.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽電子放射断層撮影（ＰＥＴ）撮像システム内の光検出器のアレイとインターフェースするためのマルチチャネル特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）であって、該ＡＳＩＣは、
電流増幅器とカレントミラーとを有するフロントエンド回路であって、前記光検出器のアレイに結合され、そこから複数の離散的アナログ信号を受信するように構成されているフロントエンド回路と、
前記フロントエンド回路に動作可能に結合されており、前記離散的アナログ信号の組合せに基づいてヒット信号を生成するように構成されている時間判定回路であって、前記ヒット信号は、前記光検出器のアレイが放射を検出したという指示を表す、時間判定回路と、
前記フロントエンド回路と前記時間判定回路との間に動作可能に結合されている第１のチャネルと、
前記フロントエンド回路に動作可能に結合されており、前記離散的アナログ信号の各々に基づいて合計エネルギー出力信号を生成し、ならびに、前記離散的アナログ信号の各々に基づいて合計行出力信号および合計列出力信号を生成するように構成されているエネルギー判定回路であって、前記合計エネルギー出力信号は、前記光検出器のアレイ内の前記検出した放射のエネルギーレベルを表し、前記合計行出力信号および合計列出力信号は、前記光検出器のアレイ内の前記放射を検出したロケーションを表す、エネルギー判定回路と、
各々が前記フロントエンド回路と前記エネルギー判定回路との間に動作可能に結合されている複数の第２のチャネルと
を備え、
前記電流増幅器は、前記フロントエンド入力に動作可能に結合されている反転入力、バイアス電圧に動作可能に結合されている非反転入力、および出力を有する増幅器と、前記フロントエンド入力に動作可能に結合されているソース、前記カレントミラーに動作可能に結合されているシンク、および前記増幅器の前記出力に動作可能に結合されているゲートを有するトランジスタと、を含んでいる
ＡＳＩＣ。
【請求項２】
前記フロントエンド回路は、
前記第１のチャネルを使用して前記離散的アナログ信号の組合せを前記時間判定回路に転送し、
前記複数の第２のチャネルのうちの対応するものを使用して前記離散的アナログ信号の各々を前記エネルギー判定回路に転送するようにさらに構成されている、請求項１記載のＡＳＩＣ。
【請求項３】
前記フロントエンド回路は、
前記光検出器のアレイ内の１つの光検出器のアノードに動作可能に結合されているフロントエンド入力と、
前記フロントエンド入力と前記カレントミラーとの間に動作可能に結合されているフィードバックネットワークと、
前記カレントミラーおよび前記第１のチャネルに動作可能に結合されている第１のフロントエンド出力と、
前記複数の第２のチャネルのうちの対応するものに動作可能に結合されている第２のフロントエンド出力と
をさらに備える、請求項２記載のＡＳＩＣ。
【請求項４】
前記フロントエンド回路は、複数のバイアス電圧を使用して前記アレイ内の個々の光検出器をイネーブルおよびディセーブルするようにさらに構成されている、請求項３記載のＡＳＩＣ。
【請求項５】
前記フロントエンド回路に動作可能に結合されており、前記複数のバイアス電圧を生成するように構成されているバイアス回路をさらに備える、請求項４記載のＡＳＩＣ。
【請求項６】
前記バイアス回路は、マルチチャネルデジタル−アナログ変換器を含む、請求項５記載のＡＳＩＣ。
【請求項７】
前記フロントエンド回路は、前記光検出器のアレイ内の各光検出器のアノードに結合されている、請求項１記載のＡＳＩＣ。
【請求項８】
前記フロントエンド回路に動作可能に結合されており、該フロントエンド回路を介して前記アレイ内の個々の光検出器をイネーブルおよびディセーブルするように構成されているコントローラをさらに備える、請求項１記載のＡＳＩＣ。
【請求項９】
前記フォトダイオードのアレイは、ガイガーモードアバランシェフォトダイオードのアレイを含む、請求項１記載のＡＳＩＣ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月6日(2017.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の記憶回路と、第２の記憶回路と、第３の記憶回路と、選択回路と、を有し、
前記第１の記憶回路は、第１のラッチ回路を有し、
前記第２の記憶回路は、第２のラッチ回路を有し、
前記第１の記憶回路は、第１の電位を前記選択回路に供給する機能を有し、
前記第３の記憶回路は、前記第２の記憶回路から出力された第２のデータに対応する第２の電位を前記選択回路に供給する機能を有し、
前記選択回路は、前記第１の電位及び前記第２の電位のいずれかを選択信号に従って選択する機能を有し、
前記選択回路において選択された前記第１の電位及び前記第２の電位のいずれかに応じた第３のデータが、前記第２の記憶回路に供給される半導体装置であって、
前記第３の記憶回路は、前記半導体装置に電源電圧が供給されない期間において前記第２のデータを保持する機能を有し、
前記第３の記憶回路は、第１のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月6日(2016.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子デバイスを製作する方法であって、
前記デバイスの要素の第一のセット用の領域の第一のセットおよび前記デバイスの要素の第二のセット用の領域の第二のセットの少なくとも２セットの材料堆積領域を有する基板を用意するステップであって、前記材料堆積領域の第一および第二のセットは、前記領域に堆積される材料のそれぞれ異なる第一および第二の標的厚さを有するステップと、
前記領域の第一および第二のセットに堆積される材料の少なくとも１つの溶液を用意するステップと、
前記材料の溶液を、前記材料堆積領域の第一および第二のセットにインクジェット印刷するステップと
を含み、
前記インクジェット印刷するステップは、
前記材料の少なくとも１つの溶液を、複数のノズルを備える印字ヘッドを使用して堆積させるステップであって、前記ノズルの第一のサブセットは前記領域の第一のセットへの堆積に使用され、前記ノズルの第二のサブセットは前記領域の第二のセットへの堆積に使用されるステップと、
前記ノズルの第一のセットを第一の駆動波形で、前記ノズルの第二のセットを、前記それぞれ異なる第一および第二の標的厚さの材料を堆積させるための第二の異なる駆動波形で駆動するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
同じ前記材料の溶液を前記領域の第一および第二両方のセットに堆積させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記材料が、前記デバイスの正孔注入層および／または中間層用の材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
それぞれの前記第一および第二の領域に堆積される材料の第一および第二の溶液を用意するステップを含み；前記堆積させるステップは、前記ノズルのそれぞれの前記第一および第二のサブセットから前記材料の第一および第二の溶液を堆積させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記インクジェット印刷するステップがスワス内に印刷するステップを含み、前記堆積させるステップが、前記標的厚さの材料を単一の前記スワス内に堆積させるステップを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積させるステップが、前記ノズルの第一および第二のサブセットのノズルから同じ液滴数の前記溶液を、それぞれの第一および第二の前記領域に堆積させるステップを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記液滴数が単一液滴である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記堆積させるステップが、単一液滴の前記溶液を、前記ノズルの第一および第二のサブセットの単一の前記ノズルから各印刷位置に堆積させるステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第一および第二の駆動波形が、異なるそれぞれの持続時間、より大きい標的厚さの堆積材料についてはより長い持続時間の第一および第二のパルスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第一および第二の駆動波形が第一および第二の電圧ステップを含む方法であって、前記堆積材料の厚さの粗制御のために前記持続時間を使用するステップと、前記堆積材料の厚さの微制御のために前記電圧ステップを使用するステップとを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ノズルのそれぞれの第一および第二のサブセットの個々のノズルについて、それぞれの第一および第二の前記駆動波形を決定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記印字ヘッドの個々のノズルを、パルス型駆動波形について多様な持続時間および電圧ステップにわたって較正して、所定の厚さの材料を堆積させるノズルに使用するためのパルス持続時間およびパルス電圧ステップの組み合わせを決定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
不揮発性記憶媒体に、前記第一および第二の駆動波形の第一および第二のセットを、前記ノズルの第一および第二のサブセットの各ノズルにつき１つ定義するデータを格納するステップと；前記格納されたデータを、プリンタの印字ヘッドを制御するためにインク・ジェット・プリンタに提供するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも３セットの前記材料堆積領域を有する基板で使用される方法であって、前記材料の溶液を、前記３セットの領域に、異なるそれぞれの駆動波形を持つノズルの３つの前記サブセットを使用して、３つの異なるそれぞれの前記標的厚さの材料を堆積させるためにインクジェット印刷するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記領域が、前記基板上のウェル領域を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板を乾燥させて前記材料堆積領域内に前記材料を残すステップと；前記乾燥させた基板を使用して前記有機電子デバイスを製作するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記領域が有機ダイオードを定義する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
各前記領域が有機発光ダイオードＯＬＥＤを定義し、前記有機電子デバイスがＯＬＥＤディスプレイである、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法を使用して、カラーＯＬＥＤディスプレイのカラーキャビティを調節する方法であって、各前記領域のセットが有色ＯＬＥＤサブピクセルのそれぞれのセットを定義し、各々が異なるそれぞれの色に対応する異なる標的光学キャビティ長さを持ち、材料の前記標的厚さが前記標的キャビティ長さから決定される、方法。
【請求項２０】
前記標的光学キャビティ長さが、発光層の厚さおよび各ＯＬＥＤの正孔注入層の厚さの組み合わせによって定義される方法であって、前記発光層および前記正孔注入層の一方または両方を堆積させるために使用される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
コンピュータと、前記コンピュータにロードされて実行されると請求項１から２０のいずれかの方法を実施する指示を格納する格納手段とを備える、インク・ジェット・プリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月6日(2017.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
元プログラムの並列性をコンピュータによって抽出する方法であって、
前記方法は、
前記元プログラムに含まれる一つの条件分岐が条件を満たした後に実行される複数のマクロタスクの並列実行可能性を判定する処理と、
前記複数のマクロタスクが並列に実行可能であると判定された条件分岐を複製することにより複数の条件分岐を生成する処理と、を含むことを特徴とする並列性の抽出方法。
【請求項２】
請求項１に記載の並列性の抽出方法であって、
前記複数のマクロタスクの間でデータ依存がない条件分岐を、前記マクロタスクが並列に実行可能な条件分岐であると判定することを特徴とする並列性の抽出方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の並列性の抽出方法であって、
前記元プログラムにおいて実行時間が最も長いパスに含まれる条件分岐を複製することを特徴とする並列性の抽出方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一つに記載の並列性の抽出方法であって、
前記の実行時間が最も長いパスを複製することによって生成された複数の条件分岐に繋がるパスの中で実行時間が最も長いパスに含まれる条件分岐をさらに複製することを特徴とする並列性の抽出方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つに記載の並列性の抽出方法であって、
前記複数のマクロタスクのそれぞれは、代入文の集合である疑似代入文ブロック、繰り返しブロック及びサブルーチンブロックの三種類の粗粒度タスクのうちのいずれか一つであることを特徴とする並列性の抽出方法。
【請求項６】
請求項５記載の並列性の抽出方法であって、
前記複数のマクロタスクのうちの第１マクロタスクを前記複数の条件分岐のうちの１つの条件分岐である第１条件分岐に後続させ、
前記複数のマクロタスクのうちの第１マクロタスクと異なる第２マクロタスクを前記複数の条件分岐のうちの前記第１条件分岐とは異なる第２条件分岐に後続させることを特徴とする並列性の抽出方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一つに記載の並列性の抽出方法であって、
前記複数の条件分岐を生成する処理は、前記複数のマクロタスクとは異なる一のマクロタスクである第３マクロタスクにデータ依存し、かつ、前記複数のマクロタスクに含まれる第４マクロタスクと、前記第３マクロタスクにデータ依存せず、かつ、前記複数のマクロタスクに含まれる第５マクロタスクとが存在する場合、前記第５マクロタスクを、前記第３マクロタスク及び前記第４マクロタスクが含まれるパスとは異なるパスに含まれるように、条件分岐を生成する処理であることを特徴する並列性の抽出方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一つに記載の並列性の抽出方法であって、
前記一つの条件分岐は、実行時の不確定性を有することを特徴とする並列性の抽出方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一つに記載の並列性の抽出方法であって、
前記一つの条件分岐は、ループ制御文とは異なることを特徴とする並列性の抽出方法。
【請求項１０】
元プログラムからコンピュータによって複数のプロセッサコアを含むマルチコアプロセッサ上で実行可能なプログラムを作成する方法であって、
請求項１〜９のいずれか一つに記載された並列性の抽出方法を用いて生成された複数の条件分岐を、前記複数のプロセッサコアの各々が実行するように割り当て、
前記複数の条件分岐の各々を実行したプロセッサコアが、それぞれ、当該条件分岐が条件を満たしたのちに実行される前記複数のマクロタスクの各々を実行するように割り当てることによって、前記実行可能なプログラムの作成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このため、本発明では、条件分岐を含むプログラムに潜在する並列性を抽出して、マルチコアプロセッサ上で実行するのに適する並列化プログラムを生成するための効果的な並列性の抽出方法を提案する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本願において開示される発明の代表的な一例を示せば以下の通りである。すなわち、元プログラムの並列性をコンピュータによって抽出する方法であって、前記方法は、前記元プログラムに含まれる一つの条件分岐が条件を満たした後に実行される複数のマクロタスクの並列実行可能性を判定する処理と、前記複数のマクロタスクが並列に実行可能であると判定された条件分岐を複製することにより複数の条件分岐を生成する処理と、を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の代表的な実施の形態によれば、条件分岐を含む元プログラムでも、適切に並列化をすることができる。また、制御プログラムのようにリアルタイム性が必要なプログラムにおいても、適切に並列化をすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月20日(2016.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から像面側へ順に、
第１前群中心軸を中心とする第１前群及び前記第１前群中心軸に並列する第２前群中心軸を中心とする第２前群を有する前群と、
単一の後群中心軸を中心とする後群と、
を備え、
前記第１前群を通過した第１光束の中心主光線及び前記第２前群を通過した第２光束の中心主光線は、前記第１前群及び前記第２前群を射出後、前記像面に到達するまで互いに交差せず、
前記第１前群中心軸と前記第２前群中心軸の間隔は、前記像面での前記第１光束の中心と前記像面での前記第２光束の中心の間隔より広く、
前記第１前群と前記第２前群は、それぞれ絞りを含む
ことを特徴とする光学系。
【請求項２】
前記第１光束及び前記第２光束は、前記第１前群及び前記第２前群を射出後、前記像面に到達するまで互いに交差しない収束光である請求項１に記載の光学系。
【請求項３】
前記後群と前記像面の間に配置され、前記第１光束及び前記第２光束を偏向する後偏向群を有し、
前記後偏向群は、前記後群を射出した後の前記第１光束及び前記第２光束の収束を緩和し、前記第１光束及び前記第２光束の前記像面への入射角の絶対値が前記後偏向群への入射角の絶対値より小さくなるように偏向する
請求項１又は２に記載の光学系。
【請求項４】
前記後偏向群は、前記第１光束を偏向する第１後偏向群と、前記第２光束を偏向する第２後偏向群と、を含む
請求項３に記載の光学系。
【請求項５】
前記後偏向群は、後偏向部材を含み、
前記後偏向部材は、前記後中心軸に対して外周側に向かうにつれて、前記後中心軸方向の厚さが厚い光学素子である
請求項３又は４に記載の光学系。
【請求項６】
前記後偏向部材は、楔プリズム形状の光学素子である
請求項５に記載の光学系。
【請求項７】
前記後偏向部材は、曲面を含む
請求項５に記載の光学系。
【請求項８】
前記後偏向群は、回折光学素子を含む
請求項３乃至７のいずれか１つに記載の光学系。
【請求項９】
前記第１前群及び前記第２前群は、前記物体側から前記像面側へ順に、それぞれ
負の屈折力を有する前１群と、
正の接合レンズを含む前２群と、
を有する請求項１乃至８のいずれか１つに記載の光学系。
【請求項１０】
前記前１群は、物体側に平面を向けた平凹負レンズからなり、
前記前２群の接合レンズは、物体側に凸面を向けた正の接合メニスカスレンズからなる
請求項９に記載の光学系。
【請求項１１】
前記第１前群及び前記第２前群は、それぞれ、前記前２群の前記後群側に前記前２群とは異なる正の接合レンズを含む前３群
を有する
ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の光学系。
【請求項１２】
以下の条件式（１）を満足することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１つに記載の光学系。
ＦＡｂ／ｆ＜５０                                              （１）
ただし、
ＦＡｂは、前記前群最終面から前記前群を射出する光束が結像する結像位置までの距離、
ｆは、光学系全系の焦点距離、
である。
【請求項１３】
以下の条件式（２）を満足することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１つに記載の光学系。
Ｌｂ／ｆ＜５                                                  （２）
ただし、
Ｌｂは、前記後群最終面から前記像面までの距離、
ｆは、光学系全系の焦点距離、
である。
【請求項１４】
第１前群に配置され前記第１光束を遮光する遮光部材と、
第２前群に配置され前記第２光束を偏向する瞳分割部材と、
を備える
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれか１つに記載の光学系。
【請求項１５】
前記瞳分割部材は、
前記第２光束のうち一部を偏向せずに結像させる第１の瞳と、
前記第２光束のうち他部を前記第１の瞳により結像する位置と同一面の異なる位置に結像させる第２の瞳と、
を有する
ことを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
【請求項１６】
前記瞳分割部材は、正の屈折力を有し、
前記瞳分割部材を使用しない近点の結像位置と、前記瞳分割部材を使用する遠点の結像位置と、が同一である
ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の光学系。
【請求項１７】
前記遮光部材及び前記瞳分割部材は、前記第１前群と第２前群の相対的にそれぞれ対応するレンズ間に配置される
ことを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１つに記載の光学系。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか１項に記載の光学系と、撮像素子と、を備える立体撮像装置。
【請求項１９】
前記撮像素子は、単一の素子からなる請求項１８に記載の立体撮像装置。
【請求項２０】
請求項１８又は１９に記載の立体撮像装置を備える
ことを特徴とする内視鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体プラズマ処理室内に処理ガスを供給するＳｉ含有ガス分配部材を製造する方法であって、
該Ｓｉ含有ガス分配部材の内部空洞構造に対応する形状に炭素部材を成形し、
Ｓｉ含有材料で前記成形された成形炭素部材の周囲に所定の厚さのシェルを形成するように、前記成形炭素部材上にＳｉ含有材料を堆積させ、
Ｓｉ含有の前記シェルを、該Ｓｉ含有ガス分配部材の構造に機械加工することであって、該機械加工により、該Ｓｉ含有ガス分配部材の内部領域にある前記成形炭素部材の一部を露出させるようにガス入口および出口孔を形成し、
炭素と反応するガスによって炭素原子を解離させて、該Ｓｉ含有ガス分配部材の内部領域から前記成形炭素部材を除去し、これにより、該Ｓｉ含有ガス分配部材の内部領域に成形された内部空洞を残して、該Ｓｉ含有ガス分配部材の内部領域から排除する
方法。
【請求項２】
前記成形炭素部材上へのＳｉ含有材料の堆積は、前記成形炭素部材を該成形炭素部材の第１の側で支持して、該成形炭素部材の第２の側にＳｉ含有材料を堆積させることと、前記成形炭素部材を回転させて、Ｓｉ含有材料が堆積された前記成形炭素部材の前記第２の側で支持し、前記成形炭素部材の前記第１の側にＳｉ含有材料を堆積させることと、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記成形炭素部材は、該Ｓｉ含有ガス分配部材の内部空洞構造に対応する空間的関係で成形および配置される複数の分離された炭素要素を含み、該複数の分離された炭素要素は、複数の流体的に分離されたガスゾーンを該Ｓｉ含有ガス分配部材内に形成するように配置され、
このとき、前記成形および配置された炭素要素上へのＳｉ含有材料の堆積は、各炭素要素を第１の側で支持して、該成形および配置された炭素要素のそれぞれの第２の側にＳｉ含有材料を堆積させることで、該成形および配置された炭素要素の前記第２の側に前記Ｓｉ含有シェルの一部を形成することと、該成形および配置された炭素要素を回転させて、該成形および配置された炭素要素の前記Ｓｉ含有シェルの前記一部が形成された前記第２の側で支持し、該成形および配置された炭素要素のそれぞれの第１の側にＳｉ含有材料を堆積させることで、該成形および配置された炭素要素上に前記Ｓｉ含有シェルを形成することと、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該Ｓｉ含有ガス分配部材の内部で流体的に分離された前記ガスゾーンは、流体的に分離されたそれぞれのガスゾーンによって処理ガスの異なる放射状または環状の分布が可能となり得るように配置される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
２つの分離された炭素要素が、該Ｓｉ含有ガス分配部材の内部で流体的に分離された２つのガスプレナムを含む内部空洞の対応する形状に成形される請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記Ｓｉ含有材料の堆積工程は、ＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法、またはコールドスプレー法により実施される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記成形炭素部材の除去は、アッシング処理を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記成形炭素部材の除去は、該Ｓｉ含有ガス分配部材の内部領域から炭素を除去するために、Ｓｉ含有コーティングされた炭素部材を酸素含有雰囲気中で加熱することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記炭素部材の除去は、該Ｓｉ含有ガス分配部材の内部領域から炭素を除去するために、Ｓｉ含有コーティングされた炭素部材を水素含有雰囲気中で加熱することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
各ガス入口および出口孔が、ドリル加工などの機械加工技術により作製される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
さらに各ガス入口および出口孔のレーザ孔あけによって、各ガス入口および出口孔の透過性が所定の透過率に調整される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体プラズマ処理室は、プラズマエッチング室である請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
該Ｓｉ含有ガス分配部材は、バッキングプレート、熱制御プレート、またはガス分配プレートである請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記成形炭素部材は黒鉛で形成される請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記Ｓｉ含有材料は、ＳｉＣである請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
半導体プラズマ処理室用のシャワーヘッド電極アセンブリであって、
請求項１に記載の方法により製造されるＳｉ含有ガス分配部材と、シリコンのシャワーヘッド電極とを含み、
前記Ｓｉ含有ガス分配部材は、前記シリコンのシャワーヘッド電極のガス孔のパターンに一致するガス孔のパターンを有する
シャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項１７】
前記Ｓｉ含有ガス分配部材は、ガス分配プレート、熱制御プレート、またはバッキングプレートである請求項１６に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項１８】
請求項１６に記載のシャワーヘッド電極アセンブリを備えるプラズマ処理室内で半導体基板を処理する方法であって、
プラズマ処理装置に半導体基板を搬入して、該半導体基板を基板サポート上で支持し、
前記Ｓｉ含有ガス分配部材を通して、処理ガスを前記プラズマ処理室内に導入し、
前記処理ガスをプラズマ状態に励起し、
前記半導体基板を前記プラズマで処理する
方法。
【請求項１９】
前記処理は、前記半導体基板上への導電材料または誘電材料の堆積を含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記処理は、前記半導体基板上の層をプラズマエッチングすることを含み、前記層は、金属、誘電体、またはフォトレジストである請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記プラズマエッチングは、フッ化炭素および／またはハイドロフルオロカーボン・エッチングガスを用いて、誘電体材料に開口をエッチングすることを含む請求項２０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月23日(2016.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜上のゲート電極と、
前記第１の絶縁膜上であって、前記ゲート電極の側面の下側に接する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上および前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に接するソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜の膜厚は、前記ゲート電極の膜厚と前記第２の絶縁膜の膜厚との差より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ソース電極および前記ドレイン電極上に第１の絶縁膜を有し、
前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域側に位置する、前記第１の絶縁膜の端部と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の端部とは揃うことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜上に前記ゲート電極の下側部分を埋め込む第２の絶縁膜を形成して、前記ゲート電極の上側部分が前記第２の絶縁膜から突出するようにし、
前記第２の絶縁膜上および前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に第３の絶縁膜を形成し、
前記導電膜の一部を露出するように前記第３の絶縁膜をエッチングし、
前記エッチング後に、前記第３の絶縁膜をマスクとして前記導電膜をエッチングして、ソース電極およびドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記ソース電極および前記ドレイン電極をマスクとして、前記酸化物半導体膜に酸素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極形成後に、前記第３の絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜の一部と接する酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜形成後に熱処理を行い、前記酸化物半導体膜に酸素を供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月27日(2017.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された映像圧縮データに逆量子化を用いて画像ブロックを復号し、該画像ブロックの集合として画像データの生成処理を行う映像復号装置であって、
前記逆量子化の粒度を制御する量子化ステップサイズを復号する量子化ステップサイズ復号手段を備え、
前記量子化ステップサイズ復号手段は、画像予測パラメータに基づき、既に復号済みの近傍画像ブロックに割り当てられた量子化ステップサイズ、または、直前に復号した画像ブロックに割り当てられた量子化ステップサイズを選択的に用いて前記逆量子化の粒度を制御する量子化ステップサイズを予測する
ことを特徴とする映像復号装置。
【請求項２】
入力された映像圧縮データに逆量子化を用いて画像ブロックを復号し、該画像ブロックの集合として画像データの生成処理を行う映像復号方法であって、
前記逆量子化の粒度を制御する量子化ステップサイズを、画像予測パラメータに基づき、既に復号済みの近傍画像ブロックに割り当てられた量子化ステップサイズ、または、直前に復号した画像ブロックに割り当てられた量子化ステップサイズを選択的に用いて予測する
ことを特徴とする映像復号方法。
【請求項３】
入力された映像圧縮データに逆量子化を用いて画像ブロックを復号し、該画像ブロックの集合として画像データの生成処理を行う映像復号装置におけるプログラムであって、
コンピュータに、
前記逆量子化の粒度を制御する量子化ステップサイズを、画像予測パラメータに基づき、既に復号済みの近傍画像ブロックに割り当てられた量子化ステップサイズ、または、直前に復号した画像ブロックに割り当てられた量子化ステップサイズを選択的に用いて予測させる
ための映像復号プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本発明による映像復号装置は、入力された映像圧縮データに逆量子化を用いて画像ブロックを復号し、画像ブロックの集合として画像データの生成処理を行う映像復号装置であって、逆量子化の粒度を制御する量子化ステップサイズを復号する量子化ステップサイズ復号手段を備え、量子化ステップサイズ復号手段は、画像予測パラメータに基づき、既に復号済みの近傍画像ブロックに割り当てられた量子化ステップサイズ、または、直前に復号した画像ブロックに割り当てられた量子化ステップサイズを選択的に用いて量子化ステップサイズを予測することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明による映像復号方法は、入力された映像圧縮データに逆量子化を用いて画像ブロックを復号し、画像ブロックの集合として画像データの生成処理を行う映像復号方法であって、逆量子化の粒度を制御する量子化ステップサイズを、画像予測パラメータに基づき、既に復号済みの近傍画像ブロックに割り当てられた量子化ステップサイズ、または、直前に復号した画像ブロックに割り当てられた量子化ステップサイズを選択的に用いて予測することを特徴とする。