【手続補正書】
【提出日】平成29年7月31日(2017.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び錫元素（Ｓｎ）を、下記式（１）〜（３）の原子比で含む酸化物焼結体であって、亜鉛元素（Ｚｎ）の含有量が１００ｐｐｍ以下であり、内部において、粒径２μｍ以上のガリウム酸化物の凝集部分の数が１０個／８１００μｍ２以下であり、酸化物半導体膜成膜用である酸化物焼結体。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０        （１）
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５        （２）
０．０４≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０    （３）
但し、前記酸化物焼結体が、下記式（Ｘ）、（Ｙ）及び（Ｚ）の原子比で含む場合を除く。
０．４０＜Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０        （Ｘ）
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）＜０．３０        （Ｙ）
０．２０＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５０        （Ｚ）
【請求項２】
前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式を満たす請求項１に記載の酸化物焼結体。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５
０．０４≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．２０
【請求項３】
前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式を満たす請求項１に記載の酸化物焼結体。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０
０．３０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５
０．２０＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．４０
【請求項４】
前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式を満たす請求項１に記載の酸化物焼結体。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．４０
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）＜０．３０
０．０４≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０
【請求項５】
インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び錫元素（Ｓｎ）を、下記式（１）〜（３）の原子比で含む酸化物焼結体であって、亜鉛元素（Ｚｎ）の含有量が１００ｐｐｍ以下であり、酸化物半導体膜成膜用である酸化物焼結体。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０        （１）
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５        （２）
０．０４≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．２０    （３）
【請求項６】
内部において、粒径２μｍ以上のガリウム酸化物の凝集部分の数が１０個／８１００μｍ２以下である請求項５に記載の酸化物焼結体。
【請求項７】
前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式（５）を満たす請求項１，５及び６のいずれかに記載の酸化物焼結体。
０．３０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５      （５）
【請求項８】
前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式（７）を満たす請求項１，５及び６のいずれかに記載の酸化物焼結体。
０．３０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）＜０．６０      （７）
【請求項９】
前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式（８）及び（９）を満たす請求項１，５及び６のいずれかに記載の酸化物焼結体。
０．０４≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．１５      （８）
０．３０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５０      （９）
【請求項１０】
前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式（１０）及び（１１）を満たす請求項１，５及び６のいずれかに記載の酸化物焼結体。
０．０４≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．１１      （１０）
０．３２≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．４８      （１１）
【請求項１１】
Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式を満たす請求項８に記載の酸化物焼結体。
０．３０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．４０
０．２０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．４０
【請求項１２】
相対密度が８５％以上である請求項１〜１１のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１３】
相対密度が９２％以上である請求項１〜１２のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１４】
相対密度が９５％以上である請求項１〜１３のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１５】
相対密度が９７％以上である請求項１〜１４のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１６】
比抵抗が７００ｍΩｃｍ以下である請求項１〜１５のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１７】
比抵抗が１００ｍΩｃｍ以下である請求項１〜１６のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１８】
比抵抗が５０ｍΩｃｍ以下である請求項１〜１７のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項１９】
比抵抗が２０ｍΩｃｍ以下である請求項１〜１８のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項２０】
酸化物焼結体をＸ線回析で分析すると、（１）３０．０〜３２．０°、（２）３５．０〜３７．０°、（３）５１．０〜５３．０°、（４）６０．５〜６３．０°の範囲にピークが存在する請求項１〜１９のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項２１】
前記金属酸化物焼結体を構成する金属酸化物に対する、Ｉｎ酸化物、Ｇａ酸化物、及びＳｎ酸化物の含有率が、９５重量％以上１００重量％以下である、請求項１〜２０のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項２２】
Ｇａ３−ｘＩｎ５＋ｘＳｎ２Ｏ１６（式中、Ｘは０〜１である。）で表される結晶構造の化合物を含む請求項１〜２０のいずれかに記載の酸化物焼結体。
【請求項２３】
前記Ｇａ３−ｘＩｎ５＋ｘＳｎ２Ｏ１６で表される結晶構造の化合物が、Ｇａ２Ｉｎ６Ｓｎ２Ｏ１６又はＧａ２．４Ｉｎ５．６Ｓｎ２Ｏ１６である、請求項２２に記載の酸化物焼結体。
【請求項２４】
前記Ｇａ３−ｘＩｎ５＋ｘＳｎ２Ｏ１６（式中、Ｘは０〜１である。）で表される結晶構造の化合物を、主成分、又は第二成分とする、請求項２２に記載の酸化物焼結体。
【請求項２５】
前記Ｇａ３−ｘＩｎ５＋ｘＳｎ２Ｏ１６（式中、Ｘは０〜１である。）で表される結晶構造の化合物を、主成分とする、請求項２２に記載の酸化物焼結体。
【請求項２６】
Ｘ線回析によって得られたピークのうち、主成分とは最大ピーク強度が最も高いものであり、第二成分とは最大ピーク強度が主成分の次に高いものである請求項２４に記載の酸化物焼結体。
【請求項２７】
請求項１〜２６いずれかに記載の酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット。
【請求項２８】
下記（ａ）〜（ｅ）の工程を含む請求項２７のスパッタリングターゲットの製造方法。
（ａ）原料化合物粉末を混合して混合物を調製する工程
（ｂ）前記混合物を成形して平均厚み５．５ｍｍ以上の成形体を調製する工程
（ｃ）前記成形体を１２８０℃以上１５２０℃以下で２時間以上９６時間以下焼結する工程
（ｄ）工程（ｃ）で得た焼結体の表面を０．３ｍｍ以上研削する工程
（ｅ）焼結体をバッキングプレートにボンディングする工程
【請求項２９】
インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び錫元素（Ｓｎ）を、下記式（１）〜（３）の原子比で含み、亜鉛元素（Ｚｎ）の含有量が１００ｐｐｍ以下である酸化物半導体膜を含む薄膜トランジスタであって、移動度が３ｃｍ２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０        （１）
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５        （２）
０．０００１＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０    （３）
【請求項３０】
前記酸化物半導体膜の電子キャリア密度が１０１４ｃｍ−３以上１０１９ｃｍ−３以下である、
請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３１】
前記酸化物半導体膜の前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式（８）及び（９）を満たす請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
０．０３≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．１５      （８）
０．３０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５０      （９）
【請求項３２】
前記酸化物半導体膜の前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式（１０）及び（１１）を満たす請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
０．０４≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．１１      （１０）
０．３２≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．４８      （１１）
【請求項３３】
前記酸化物半導体膜の前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式を満たす請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０    
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５    
０．０４≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．３０    
【請求項３４】
前記酸化物半導体膜の前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式を満たす請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
０．４０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０    
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５    
０．３０≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０    
【請求項３５】
前記酸化物半導体膜が非晶質膜であり、前記非晶質中に微結晶を含む請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３６】
前記酸化物半導体膜のリン酸系ウェットエッチング速度が５ｎｍ／分以下である請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３７】
前記酸化物半導体膜の修酸系ウェットエッチングが速度２０ｎｍ／分以上であり、リン酸系ウェットエッチング速度が５ｎｍ／分以下であり、前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式を満たす請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０    
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５    
０．０４≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．３０    
【請求項３８】
前記酸化物半導体膜の修酸系ウェットエッチングが速度２０ｎｍ／分以上であり、リン酸系ウェットエッチング速度が５ｎｍ／分以下であり、前記Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎの原子比が下記式を満たす請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
０．４０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０    
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５    
０．３０≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０    
【請求項３９】
前記酸化物半導体膜のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定したＳｎ平均価数は、＋３．０以上、＋４．０以下である、請求項２９〜３８のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４０】
移動度が６ｃｍ２／Ｖｓ以上である請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４１】
移動度が１０ｃｍ２／Ｖｓ以上である請求項２９に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４２】
請求項２９〜４１のいずれかに記載の薄膜トランジスタを用いた半導体素子。
【請求項４３】
請求項４２に記載の半導体素子を備えるディスプレイ。