【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第４のトランジスタと、容量素子と、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子となる領域を有する第１の導電層は、第１の開口部を有し、
前記容量素子の第２の端子となる領域を有する第２の導電層は、第２の開口部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第４のトランジスタと、容量素子と、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子となる領域を有する第１の導電層は、第１の開口部を有し、
前記容量素子の第２の端子となる領域を有する第２の導電層は、第２の開口部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１乃至第５のトランジスタと、容量素子と、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子となる領域を有する第１の導電層は、第１の開口部を有し、
前記容量素子の第２の端子となる領域を有する第２の導電層は、第２の開口部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１乃至第５のトランジスタと、容量素子と、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子となる領域を有する第１の導電層は、第１の開口部を有し、
前記容量素子の第２の端子となる領域を有する第２の導電層は、第２の開口部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１乃至第４のトランジスタと、容量素子と、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子となる領域を有する第１の導電層は、第１の開口部を有し、
前記容量素子の第２の端子となる領域を有する第２の導電層は、第２の開口部を有し、
前記第１の開口部は、前記第２の開口部と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１乃至第４のトランジスタと、容量素子と、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子となる領域を有する第１の導電層は、第１の開口部を有し、
前記容量素子の第２の端子となる領域を有する第２の導電層は、第２の開口部を有し、
前記第１の開口部は、前記第２の開口部と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１乃至第５のトランジスタと、容量素子と、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子となる領域を有する第１の導電層は、第１の開口部を有し、
前記容量素子の第２の端子となる領域を有する第２の導電層は、第２の開口部を有し、
前記第１の開口部は、前記第２の開口部と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１乃至第５のトランジスタと、容量素子と、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子となる領域を有する第１の導電層は、第１の開口部を有し、
前記容量素子の第２の端子となる領域を有する第２の導電層は、第２の開口部を有し、
前記第１の開口部は、前記第２の開口部と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。