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【手続補正書】
【提出日】平成28年11月28日(2016.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１を参照すると、蛍光顕微鏡が、キセノンアーク燈若しくは水銀蒸気燈又はレーザー励起等の光源７と、励起フィルター８と、二色性ミラー６又は二色性ビームスプリッターと、放射フィルター（図示せず）とを含む。各フィルター及び二色性のものは、標本を標識付けるのに用いられる蛍光物質（複数の場合もある）のスペクトル励起特性及び放射特性に合致するように選択される。顕微鏡は対象物１を支持しており、励起後に、蛍光物質からの光が対物レンズ２を通過して撮像平面に達する。これは、例えば、カメラ３（又は他の撮像装置）において光の焦点を撮像平面３に合わせるチューブレンズ４を介してなされる。蛍光顕微鏡は、任意の既知の形態又は適した形態とすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３Ｄ局在顕微鏡法システムであって、
前記３Ｄ局在顕微鏡法システムは、対物レンズの一部分へ又は前記対物レンズの前記一部分から進む光と、前記対物レンズの別の部分へ又は前記対物レンズの前記別の部分から進む光との間の位相差を発生させて、分離軸に沿って分離された２つの画像ローブを含む点放射体画像を生成するように構成され、
前記分離軸は、対物レンズに対する放射体の位置に焦点が合っている時に、撮像平面において前記２つの画像ローブを結ぶ軸であり、
正の焦点外れを発生させる前記対物レンズに対する放射体の位置において、前記２つの画像ローブが、前記撮像平面において、互いに対向する方向に前記分離軸から離れ、
負の焦点外れを発生させる前記対物レンズに対する放射体の位置において、前記２つの画像ローブが、前記撮像平面において、それぞれ前記互いに対向する方向とは反対の方向に前記分離軸から離れ、
前記対物レンズの後焦点面／フーリエ平面に位相変更装置が設けられる、
３Ｄ局在顕微鏡法システム。
【請求項２】
前記画像の更なる特性、又は前記対物レンズへの若しくは前記対物レンズからの前記光の更なる特性は、前記放射体の別のロケーション非依存特性に関連する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
未加工画像を捕捉するステップと、
前記未加工画像の背景が減算された推定値及び前記未加工画像の信号対雑音比（ＳＮＲ）推定値を得るステップと、
前記未加工画像の前記背景が減算された推定値及び前記ＳＮＲ推定値における対象物コントラストを最大にするステップと、
しきい値処理された画像及び前記しきい値処理された画像上の開始位置のリストを得るステップと、
前記リスト内の誤検出された開始位置を破棄するステップと、
前記撮像システムの点拡がり関数、前記未加工画像のＳＮＲ推定値及び背景推定値を用いて、前記開始位置のリストに対し最適化あてはめプロセスを実行するステップと、
あてはめられた開始位置を前記未加工画像の３Ｄ画像に組み立てるステップと、
を含む複数のステップによって、未加工放射体画像の３Ｄ放射体画像を生成するよう構成された画像処理システムをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
画像処理システムを備え、
前記画像処理システムは、
前記未加工画像のオフセットを補正し、
光電子数の観点から前記画像を較正し、
現在の未加工画像に系列内で先行する複数の画像の平均を減算する
ことによって、前記背景が減算された推定値を捕捉するように構成される、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記画像処理システムは、前記未加工画像の各ピクセル内の光電子数の平方根を計算することによって前記ＳＮＲ推定値を得るように構成される、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記画像処理システムは、
ウィナーフィルタリング、
前記撮像システムの点拡がり関数を用いた相関、又は
最尤デコンボリューション
のうちの任意の１つ又は複数によって、前記背景が減算された推定値における対象物コントラストを最大にするように構成される、請求項３に記載のシステム。
【請求項７】
前記しきい値処理された画像は、前記背景が減算されコントラストが強化された推定値が、前記ＳＮＲ推定値に一定の係数を乗算したものよりも明るいエリアを示すマスクである、請求項３に記載のシステム。
【請求項８】
開始位置のリストは、
前記画像内の連続エリアを取り出すために二値標識付けを実行するステップと、
前記二値標識付けがなされた画像内の各標識付けられた領域の輝度中心を計算するとともに、これを前記標識付けられた領域の前記開始位置として用いるステップと、
によって、前記しきい値処理された画像から計算される、請求項３に記載のシステム。
【請求項９】
前記画像処理システムは、
開始位置の選択された範囲内の近傍点の情報を抽出するステップと、
前記開始位置及び前記選択された近傍点の輝度を計算するステップと、
前記開始位置及び前記近傍点の前記輝度を比較するステップと、
前記開始位置の輝度が近傍点の輝度よりも大きくない場合、前記開始位置を破棄するステップと、
を含む複数のステップによって、誤検出された開始位置を破棄するように構成される、請求項３に記載のシステム。
【請求項１０】
前記画像処理システムは、
「データＲＯＩ」及び「ＳＮＲ  ＲＯＩ」を得るために、背景補正された画像内の各開始位置の周りの関心領域（ＲＯＩ）及びＳＮＲ推定値から情報を抽出するステップと、
これらの領域からの前記データを用いて開始パラメータを計算するステップと、
前記撮像システムの前記点拡がり関数から導出された補間モデルと、
開始パラメータと、
前記ＳＮＲ  ＲＯＩと
を用いて前記データＲＯＩをあてはめることによって、最適化プロセスを実行するステップと、
を含む複数のステップによって、背景補正された画像における関心領域に対する最適化あてはめプロセスを、各開始位置について実行するように構成される、請求項３に記載のシステム。
【請求項１１】
近傍点の前記選択された範囲は、前記撮像システムの点拡がり関数よりも大きなサイズである、請求項３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月10日(2017.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自車両に搭載されたカメラ（１５）を用いて自車両の外部を撮影した画像を所定時間ごとに取得する画像取得ユニット（３）と、
前記画像において物標候補を認識する物標候補認識ユニット（５）と、
連続するＮフレームの前記画像において同一の前記物標候補が認識されることを条件として、その物標候補を物標と判定する物標判定ユニット（７）と、
静止している物標が前記画像において見かけ上移動するときの移動速度と相関するパラメータＸを取得するパラメータＸ取得ユニット（９）と、
前記パラメータＸの値が、前記移動速度を大きくするものであるほど、前記Ｎを小さく設定するＮ設定ユニット（１３）と、
を備え、
前記パラメータＸは、ステアリング角度、ステアリング角速度、ヨーレート、ヨーレート変化率、ピッチ角、ピッチ角変化率、自車両の車速、及び自車両の前後方向における加速度から成る群から選択される１以上であることを特徴とする画像処理装置（１）。
【請求項２】
請求項１に記載の画像処理装置であって、
前記パラメータＸは、自車両のヨーイング又はピッチングの大きさと相関を有するパラメータであり、
前記Ｎ設定ユニットは、前記パラメータＸの値が、前記ヨーイング又はピッチングを大きくするものであるほど、前記Ｎを小さく設定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の画像処理装置であって、
自車両から物標までの距離と相関するパラメータＹを取得するパラメータＹ取得ユニット（１１）を備え、
前記Ｎ設定ユニットは、前記パラメータＹの値と対応する前記距離が小さいほど、前記Ｎを小さく設定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の画像処理装置であって、
前記パラメータＹは、前記画像における前記物標候補の大きさ、前記画像の上下方向における前記物標候補の位置、及び前記画像の左右方向における前記物標の位置から成る群から選択される１以上であることを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
自車両に搭載されたカメラ（１５）を用いて自車両の外部を撮影した画像を所定時間ごとに取得する画像取得ユニット（３）と、
連続するＮフレームの前記画像において同一の前記物標候補が認識されることを条件として、その物標候補を物標と判定する物標判定ユニット（７）と、
自車両から物標までの距離と相関するパラメータＹを取得するパラメータＹ取得ユニット（１１）と、
前記パラメータＹの値と対応する前記距離が小さいほど、前記Ｎを小さく設定するＮ設定ユニット（１３）と、
を備えることを特徴とする画像処理装置（１）。
【請求項６】
請求項５に記載の画像処理装置であって、
前記パラメータＹは、前記画像における前記物標候補の大きさ、前記画像の上下方向における前記物標候補の位置、及び前記画像の左右方向における前記物標の位置から成る群から選択される１以上であることを特徴とする画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月20日(2017.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の移動体（３５）の位置、速度、及び進行方向を含む第１の情報を作成し、送信する機能を有する第１の情報送信装置（１）から、前記第１の情報を取得する第１の情報取得ユニット（７）と、
第２の移動体（３１）の位置、速度、及び進行方向を含む第２の情報を取得する第２の情報取得ユニット（９）と、
前記第１の情報に基づき、将来の時刻Ｔにおける前記第１の移動体の位置Ｐ１を予測する第１の移動体予測ユニット（１１）と、
前記第２の情報に基づき、前記時刻Ｔにおける前記第２の移動体の位置Ｐ２を予測する第２の移動体予測ユニット（１３）と、
前記位置Ｐ１と前記位置Ｐ２とが、予め設定された条件を充足するか否かを判断する判断ユニット（１５）と、
前記判断ユニットが前記条件を充足すると判断した場合、その場合に特有の信号を出力する信号出力ユニット（１７）と、
を備えることを特徴とする衝突回避装置（１）。
【請求項２】
請求項１に記載の衝突回避装置であって、
前記条件は、前記位置Ｐ１と前記位置Ｐ２との距離が閾値以下という条件であることを特徴とする衝突回避装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の衝突回避装置であって、
前記第１の情報は、前記第１の情報を作成した時刻である第１の時刻を含み、
前記第２の情報は、前記第２の情報を取得した時刻である第２の時刻を含み、
前記第１の移動体予測ユニットは、前記第１の時刻を用いて前記位置Ｐ１を予測し、
前記第２の移動体予測ユニットは、前記第２の時刻を用いて前記位置Ｐ２を予測することを特徴とする衝突回避装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の衝突回避装置であって、
前記第１の移動体予測ユニットは、複数の前記時刻Ｔにおいてそれぞれ前記位置Ｐ１を予測し、
前記第２の移動体予測ユニットは、複数の前記時刻Ｔにおいてそれぞれ前記位置Ｐ２を予測し、
前記判断ユニットは、複数の前記時刻Ｔのそれぞれにおいて、前記位置Ｐ１と前記位置Ｐ２とが前記条件を充足するか否かを判断することを特徴とする衝突回避装置。
【請求項５】
請求項４に記載の衝突回避装置であって、
前記特有の信号は、警報作動の信号又は衝突回避制御作動の信号であり、
複数の前記時刻Ｔは、時刻Ｔａと、前記時刻Ｔａよりも後の時刻Ｔｂとを含み、
前記信号出力ユニットは、前記時刻Ｔａにおいて前記条件を充足すると前記判断ユニットが判断した場合、前記衝突回避制御作動の信号を出力し、前記時刻Ｔｂにおいて前記条件を充足すると前記判断ユニットが判断した場合、前記警報作動の信号を出力することを特徴とする衝突回避装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の衝突回避装置であって、
前記第２の移動体は車両であり、
前記第２の情報取得ユニットは、前記車両の操舵状態又は旋回状態を取得し、
前記第２の移動体予測ユニットは、前記車両の操舵状態又は旋回状態に基づき、前記時刻Ｔにおける前記車両の位置Ｐ２を予測することを特徴とする衝突回避装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の衝突回避装置であって、
前記第２の移動体に搭載されていることを特徴とする衝突回避装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の衝突回避装置と、
前記第１の情報送信装置と、
を備えることを特徴とする衝突回避システム（５）。
【請求項９】
請求項８に記載の衝突回避システムであって、
前記第１の情報送信装置は、車両に搭載された車載装置、又は路側に設置された路側装置であることを特徴とする衝突回避システム。
【請求項１０】
ドライバによる自車両の右折又は左折を支援する運転支援方法であって、
前記自車両の現在位置から右折又は左折をする際の進路予想軌跡線を設定する第１ステップ（Ｓ３）と、
前記進路予想軌跡線に沿って配置された複数の相異なる領域を設定する第２ステップと、
前記複数の相異なる領域の一つに前記自車両が位置する時刻において、当該領域内に侵入してくる可能性がある移動体の有無を判定する第３ステップ（Ｓ４、Ｓ５、Ｓ７、Ｓ９）と、
前記第３ステップにおいて、前記領域内に侵入してくる可能性がある移動体が有ると判定した場合、前記複数の相異なる領域ごとに設定された運転支援制御を実行する第４ステップ（Ｓ６、Ｓ８、Ｓ１０）と、を備える運転支援方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の運転支援方法であって、
前記第２ステップで設定される前記複数の相異なる領域のうち、少なくとも２つの前記領域においては、前記現在位置から近いほど、前記領域が小さい運転支援方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の運転支援方法であって、
前記第２ステップで設定される前記複数の相異なる領域のうち、少なくとも１つの前記領域は、前記進路予想軌跡線上に中心点を持つ円形の領域である運転支援方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の運転支援方法であって、
前記第３ステップでは、車車間通信又は路車間通信によって得られた情報に基づき判定する運転支援方法。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の運転支援方法であって、
前記自車両以外の移動体の存在を検知したか否かを判定し、前記自車両以外の移動体の存在を検知した場合に前記第１ステップを実行する（Ｓ１）運転支援方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】衝突回避装置、衝突回避システム、及び運転支援方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、衝突回避装置、衝突回避システム、及び運転支援方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、こうした問題にかんがみてなされたものであり、移動体との衝突の危険性を低減できる衝突回避装置、衝突回避システム、及び運転支援方法を提供することを目的としている。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月11日(2016.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の支持ローラに張架されて支持、搬送されるベルト部材において、
当該ベルト部材は、前記複数本の支持ローラに張架されるベルト内周面のマルテンス硬度と該ベルト部材の弾性仕事率との関係が、以下の式１の関係を満たすことを特徴とするベルト部材。
（内周面のマルテンス硬度）×（弾性仕事率）  ≧  ８０００  ・・・  式１
但し、ベルト部材の内周面のマルテンス硬度の単位は［Ｎ／ｍｍ２］、ベルト部材の弾性仕事率の単位は［％］。
【請求項２】
複数本の支持ローラと、前記複数本の支持ローラに張架されて支持、搬送されるベルト部材と、該ベルト部材を駆動する駆動手段と、を有するベルト搬送装置において、
前記ベルト部材として、請求項１に記載のベルト部材を有していることを特徴とするベルト搬送装置。
【請求項３】
請求項２に記載のベルト搬送装置において、
前記複数本の支持ローラの内、少なくとも一本は金属製であることを特徴とするベルト搬送装置。
【請求項４】
像担持体上に担持したトナー像が、その外周面に一次転写される中間転写ベルトと、該中間転写ベルトの外周面に一次転写されたトナー像を、記録材に二次転写する二次転写手段と、前記中間転写ベルトを支持、搬送するベルト搬送装置と、を備える画像形成装置において、
前記ベルト搬送装置として、請求項２又は３に記載のベルト搬送装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
像担持体上に担持したトナー像が、その外周面に一次転写される中間転写ベルトと、該中間転写ベルトの外周面に一次転写されたトナー像を、記録材に二次転写する二次転写手段と、該二次転写手段に有した二次転写ベルトを支持、搬送するベルト搬送装置と、を備えた画像形成装置において、
前記ベルト搬送装置として、請求項２又は３に記載のベルト搬送装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
像担持体上に担持したトナー像を、記録材に転写する転写手段と、該転写手段に有した転写ベルトと、該転写ベルトを支持、搬送するベルト搬送装置と、を備えた画像形成装置において、
前記ベルト搬送装置として、請求項２又は３に記載のベルト搬送装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一に記載の画像形成装置において、
前記ベルト搬送装置は、ベルト部材を張架する複数の支持ローラの内、少なくとも一本が金属製であり、
金属製の支持ローラの少なくともいずれかにクリーニング部材が当接していることを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一に記載の画像形成装置において、
前記ベルト搬送装置で搬送するベルト部材が、融点３６０℃以下の半芳香族系結晶性熱可塑性ポリイミドと、導電性付与剤とを含有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
請求項４乃至７のいずれか一に記載の画像形成装置において、
前記ベルト搬送装置で搬送するベルト部材が、融点３６０℃以下の半芳香族系結晶性熱可塑性ポリイミドと、次の第一群から選ばれる少なくとも１種と、導電性付与剤とを含有することを特徴とする画像形成装置。
第一群：ポリエーテルミド、熱可塑性ポリアミドイミド、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月29日(2017.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
運転者による運転を支援又は代行する運転支援装置（７０）と共に車両（Ａ）に搭載され、前記運転支援装置の起動を前記運転者に提案する起動提案装置であって、
前記車両の走行状態を示す状態値を取得する状態値取得部（３１）と、
前記運転者の好む走行状態を反映した嗜好値を取得する嗜好値取得部（３２）と、
前記状態値と前記嗜好値との比較に基づいて、前記運転者の運転負荷を軽減させる前記運転支援装置の起動を前記運転者に提案する起動提案部（３６）と、を備えることを特徴とする起動提案装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
運転者による運転を支援又は代行する運転支援装置（７０）を搭載する車両（Ａ）において、前記運転支援装置の起動を前記運転者に提案する起動提案方法であって、
少なくとも一つのプロセッサ（２１，２２）による実施されるステップとして、
前記車両の走行状態を示す状態値を取得する状態値取得ステップ（Ｓ１０３）と、
前記運転者の好む走行状態を反映した嗜好値を取得する嗜好値取得ステップ（Ｓ１０１）と、
前記状態値と前記嗜好値との比較に基づいて、前記運転者の運転負荷を軽減させる前記運転支援装置の起動を前記運転者に提案する起動提案ステップ（Ｓ１０５，Ｓ１０８，Ｓ３０５，Ｓ３０８，Ｓ３１１）と、を含むことを特徴とする起動提案方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、開示された一つの発明は、運転者による運転を支援又は代行する運転支援装置（７０）と共に車両（Ａ）に搭載され、運転支援装置の起動を運転者に提案する起動提案装置であって、車両の走行状態を示す状態値を取得する状態値取得部（３１）と、運転者の好む走行状態を反映した嗜好値を取得する嗜好値取得部（３３）と、状態値と嗜好値との比較に基づいて、運転者の運転負荷を軽減させる運転支援装置の起動を運転者に提案する起動提案部（３４）と、を備える起動提案装置とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、開示された他の一つの発明は、運転者による運転を支援又は代行する運転支援装置（７０）を搭載する車両（Ａ）において、運転支援装置の起動を運転者に提案する起動提案方法であって、少なくとも一つのプロセッサ（２１，２２）による実施されるステップとして、車両の走行状態を示す状態値を取得する状態値取得ステップ（Ｓ１０３）と、運転者の好む走行状態を反映した嗜好値を取得する嗜好値取得ステップ（Ｓ１０１）と、状態値と嗜好値との比較に基づいて、運転者の運転負荷を軽減させる運転支援装置の起動を運転者に提案する起動提案ステップ（Ｓ１０５，Ｓ１０８，Ｓ３０５，Ｓ３０８，Ｓ３１１）と、を含む起動提案方法とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月23日(2016.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、前記ゲート電極層と重なる領域を有する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に、３５０℃以上前記基板の歪み点未満の第１の加熱処理を行った後、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層と接する領域を有する酸化物絶縁層を形成した後、第２の加熱処理を行い、前記酸化物絶縁層中の酸素を前記酸化物半導体層に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、前記ゲート電極層と重なる領域を有する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に、３５０℃以上前記基板の歪み点未満の第１の加熱処理を行った後、前記酸化物半導体層を大気に触れさせることなく徐冷または冷却する処理を行い、
前記処理後の前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層と接する領域を有する酸化物絶縁層を形成した後、第２の加熱処理を行い、前記酸化物絶縁層中の酸素を前記酸化物半導体層に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前述した目的を達成するために、本発明の第１の態様は、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される磁化自由層と、前記磁化自由層と対向して設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される応答層と、前記応答層に対向して前記磁化自由層とは反対側に設けられ、非磁性体から構成される非磁性層と、前記非磁性層に対向して前記応答層とは反対側に設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成されるリファレンス層と、を具備し、前記磁化自由層は、磁化が互いに反平行方向に固定された第１磁化固定領域および第２磁化固定領域と、磁化方向が可変な磁化自由領域と、を具備し、前記磁化自由領域の中心から前記応答層の中心までの距離が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、磁気メモリ素子である。
本発明の第２の態様は、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される磁化自由層と、前記磁化自由層と対向して設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される応答層と、前記応答層に対向して前記磁化自由層とは反対側に設けられ、非磁性体から構成される非磁性層と、前記非磁性層に対向して前記応答層とは反対側に設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成されるリファレンス層と、を具備し、前記磁化自由層は、磁化が互いに反平行方向に固定された第１磁化固定領域および第２磁化固定領域と、磁化方向が可変な磁化自由領域と、を具備し、前記応答層の幅が前記磁化自由層の幅より大きい、磁気メモリ素子である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第３の態様は、第１の態様又は第２の態様に記載の磁気メモリ素子を有することを特徴とする磁気メモリである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される磁化自由層と、
前記磁化自由層と対向して設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される応答層と、
前記応答層に対向して前記磁化自由層とは反対側に設けられ、非磁性体から構成される非磁性層と、
前記非磁性層に対向して前記応答層とは反対側に設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成されるリファレンス層と、を具備し、
前記磁化自由層は、磁化が互いに反平行方向に固定された第１磁化固定領域および第２磁化固定領域と、磁化方向が可変な磁化自由領域と、を具備し、
前記磁化自由領域の中心から前記応答層の中心までの距離が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、
ことを特徴とする磁気メモリ素子。
【請求項２】
垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される磁化自由層と、
前記磁化自由層と対向して設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成される応答層と、
前記応答層に対向して前記磁化自由層とは反対側に設けられ、非磁性体から構成される非磁性層と、
前記非磁性層に対向して前記応答層とは反対側に設けられ、垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成されるリファレンス層と、を具備し、
前記磁化自由層は、磁化が互いに反平行方向に固定された第１磁化固定領域および第２磁化固定領域と、磁化方向が可変な磁化自由領域と、を具備し、
前記応答層の幅が前記磁化自由層の幅より大きい、
ことを特徴とする磁気メモリ素子。
【請求項３】
前記応答層は０．９ｎｍから１．３ｎｍの厚さを有する、
請求項１または２に記載の磁気メモリ素子。
【請求項４】
前記第１磁化固定領域、及び／又は前記第２磁化固定領域と磁気的に結合するように設けられ、前記第１磁化固定領域、及び／又は前記第２磁化固定領域の磁化を固定する磁化固定層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気メモリ素子。
【請求項５】
前記応答層は前記磁化自由領域の表裏面のいずれかに設けられることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気メモリ素子。
【請求項６】
前記応答層は、ＣｏＦｅＢを含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気メモリ素子。
【請求項７】
前記応答層がＣｏＦｅＢとＦｅの積層構成を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気メモリ素子。
【請求項８】
前記非磁性層は、ＭｇＯを含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の磁気メモリ素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の磁気メモリ素子を有することを特徴とする磁気メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月17日(2017.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面照射感光画素素子であって、該素子は、
実質的に平面的な表面と、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域とを有する半導体基板と、
該実質的に平面的な表面の反対側の表面上で該半導体基板に結合されたテクスチャ加工領域であって、該半導体基板内で該電磁放射の複数の通過が生じるように、入射する該電磁放射を拡散すること、該電磁放射を再指向すること、及び該電磁放射を吸収することのうちの少なくとも１つを行うように配置され、該電磁放射が該テクスチャ加工領域から半導体基板に入射するように構成されているものであるテクスチャ加工領域と、
該実質的に平面的な表面において形成された集積回路と、
該半導体基板に結合された電気伝導要素であって、該少なくとも１つの接合部から電気信号を伝導するように動作可能である電気伝導要素と
を備える、素子。
【請求項２】
請求項１に記載の素子において、
前記伝導要素は、トランジスタ、感知ノード、伝導ゲート、それらの組み合わせから成る群から選択される、
ことを特徴とする素子。
【請求項３】
請求項１に記載の素子において、
前記半導体基板に結合された反射層をさらに備え、該反射層は、前記電磁放射を該半導体基板内に指向させるように配置されている、
ことを特徴とする素子。
【請求項４】
請求項１に記載の素子において、
前記半導体基板に対する前記テクスチャ加工領域の表面形態は、傾斜状、ピラミッド状、逆ピラミッド状、球状、放物線状、非対称状、対称状、それらの組み合わせから成る群から選択される要素である、
ことを特徴とする素子。
【請求項５】
請求項１に記載の素子において、
前記実質的に平面的な表面に隣接する該半導体基板の表面上に配置された付加的テクスチャ加工領域をさらに備える、
ことを特徴とする素子。
【請求項６】
請求項１に記載の素子において、
前記テクスチャ加工領域は、ミクロンサイズ、ナノサイズ、それらの組み合わせから成る群から選択されるサイズを有する表面特徴を含む、
ことを特徴とする素子。
【請求項７】
請求項６に記載の素子において、
前記表面特徴は、円錐、柱、ピラミッド、量子ドット、逆ピラミッド、それらの組み合わせから成る群から選択される要素を含む、
ことを特徴とする素子。
【請求項８】
請求項１に記載の素子において、
前記テクスチャ加工領域が前記半導体基板に直接接している、
ことを特徴とする素子。
【請求項９】
請求項１に記載の素子において、
前記テクスチャ加工領域が前記ドープ領域の近傍の非バルク材料上またはその中に形成されている、
ことを特徴とする素子。
【請求項１０】
請求項１に記載の素子において、
前記半導体基板が約１μｍから約１０μｍの範囲内の厚さを有する、
ことを特徴とする素子。
【請求項１１】
請求項１に記載の素子において、
前記半導体基板に連結された支持基板をさらに備えている、
ことを特徴とする素子。
【請求項１２】
請求項１に記載の少なくとも２つの背面照射感光画素素子を備える、背面照射感光撮像素子アレイ。
【請求項１３】
請求項１２に記載のアレイにおいて、
少なくとも１つのトレンチ分離をさらに備え、該少なくとも１つのトレンチ分離は、前記少なくとも２つの背面照射感光画素素子の間に配置されている、
ことを特徴とするアレイ。
【請求項１４】
請求項１３に記載のアレイにおいて、
前記トレンチ分離は、テクスチャ加工領域または他の光拡散要素を含む深いトレンチ分離であって、誘電材料、反射材料、伝導材料、およびそれらの組合せを含むことができる、
ことを特徴とするアレイ。
【請求項１５】
請求項１２に記載のアレイにおいて、
少なくとも１つの背面照射感光画素素子は赤外線光吸収画素である、
ことを特徴とするアレイ。
【請求項１６】
請求項１２に記載のアレイにおいて、
少なくとも１つの赤色画素、１つの青色画素、１つの緑色画素および１つの赤外線光吸収画素を含む、
ことを特徴とするアレイ。
【請求項１７】
背面照射感光画素素子を作製する方法であって、該方法は、
半導体基板上にテクスチャ加工領域を形成することであって、該半導体基板は、該テクスチャ加工領域の反対側の実質的に平面的な表面と、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域とを有し、電磁放射が、該テクスチャ加工領域の方向から該素子に入射するように構成されており、該テクスチャ加工領域は、該半導体基板内で該電磁放射の複数の通過が生じるように、入射する該電磁放射を拡散すること、該電磁放射を再指向すること、及び該電磁放射を吸収することのうちの少なくとも１つを行う位置に形成される、ことと、
電気伝導要素を該半導体基板に結合することであって、それにより、該電気伝導要素が該少なくとも１つの接合部から電気信号を伝導するように動作可能である、ことと
を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
前記テクスチャ加工領域を形成することは、レージング、化学エッチング、それらの組み合わせから成る群から選択されるプロセスによる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法であって、
前記テクスチャ加工領域を形成することは、レーザ放射によって標的領域を照射することにより、ミクロンサイズ、ナノサイズ、それらの組み合わせから成る群から選択されるサイズを有する表面特徴を形成することを含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記照射は、フェムト秒レーザ、ピコ秒レーザ、ナノ秒レーザ、それらの組み合わせから成る群から選択される要素を含むパルスレーザを使用して行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１７に記載の方法であって、
前記伝導要素は、トランジスタ、感知ノード、伝導ゲート、それらの組み合わせから成る群から選択される、
ことを特徴とする方法。
【請求項２２】
背面照射感光画素素子であって、該素子は、
実質的に平面的な表面と、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域とを有する半導体基板と、
該実質的に平面的な表面の反対側の表面上で該半導体基板に結合されたテクスチャ加工領域であって、該半導体基板内で該電磁放射の複数の通過が生じるように、入射する該電磁放射を拡散すること、該電磁放射を再指向すること、及び該電磁放射を吸収することのうちの少なくとも１つを行うように配置され、該電磁放射が該テクスチャ加工領域から半導体基板に入射するように構成されているものであるテクスチャ加工領域と、
前記実質的に平面的な表上に形成された少なくとも４つのトランジスタであって、該トランジスタのうちの少なくとも１つは、該少なくとも１つの接合部に電気的に結合されている、少なくとも４つのトランジスタと、
を備える、素子。
【請求項２３】
背面照射感光画素素子を作製する方法であって、該方法は、
半導体基板の表面上に少なくとも１つのカソードおよび少なくとも１つのアノードを形成し、
前記カソードまたはアノードに電気伝導要素を連結し、
支持基板を前記半導体基板に連結し、
前記半導体基板を薄層化し、
テクスチャ加工領域を前記カソード及びアノードの反対側に形成する
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月25日(2017.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼器用の噴霧器であって：
霧化領域；
燃料及び／又は霧化媒体を前記霧化領域へ入り込むことを可能にするように構成される少なくとも１つの流入口を有する近端部；
霧化された燃料が前記霧化領域を飛び出すことを可能にするように構成される少なくとも１つの流出口を有して、外側表面は、空気流が前記少なくとも１つの流出口の周りを流れることを可能にする形状をとる遠端部、を有する
前記少なくとも１つの流出口は、内側断面を画定する孔又は口径及び外側断面を画定する管を有し、
前記外側断面は非円形である、
噴霧器。
【請求項２】
請求項１に記載の噴霧器であって、
前記噴霧器の遠端部は、燃料が前記霧化領域へ入り込むことを可能にするように構成される少なくとも１つの第１流入口、及び、霧化媒体が前記霧化領域へ入り込むことを可能にするように構成される少なくとも１つの第２流入口を有する、噴霧器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の噴霧器であって、
前記噴霧器の近端部は複数の第１流入口を有する、噴霧器。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の噴霧器であって、
前記噴霧器の近端部は複数の第２流入口を有する、噴霧器。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
前記噴霧器の遠端部は複数の流出口を有する、噴霧器。
【請求項６】
請求項５に記載の噴霧器であって、
前記遠端部の外側表面は、前記流出口間で空気が流れることを可能にするような形状をとる、噴霧器。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
前記少なくとも１つの流出口は、前記噴霧器の遠端部の外側表面から突出する、噴霧器。
【請求項８】
請求項７に記載の噴霧器であって、
前記流出口は、様々な方位で前記噴霧器の遠端部の外側表面から突出する、噴霧器。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
少なくとも１つの流出口と少なくとも１つの他の流出口との間で空気が流れることを可能にするように、前記少なくとも１つの流出口と前記少なくとも１つの他の流出口との間にチャネル、溝、切込み、凹部、又はくぼみ部を有する、噴霧器。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
前記内側断面は非円形である、噴霧器。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
前記内側断面及び前記外側断面は非円形である、噴霧器。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
前記内側断面は正方形、長方形、又は曲率を有する形状である、噴霧器。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
前記外側断面は滴形状である、噴霧器。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
（複数の）前記第１流入口は、（複数の）前記第２流入口の外側で放射状に設けられる、
噴霧器。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
（複数の）前記第１流入口及び（複数の）前記第２流入口は、前記第１流入口を介して前記霧化領域へ入り込む燃料、及び、前記第２流入口を介して前記霧化領域へ入り込む霧化媒体を、互いへ向かうように案内することで、前記燃料を霧化するように構成される、噴霧器。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
内部に設けられた凹部を備える周辺スカート部を有する、噴霧器。
【請求項１７】
請求項１６に記載の噴霧器であって、
前記スカート部の内側表面が、たとえば内側ねじ山のような接続手段を有する、噴霧器。
【請求項１８】
燃焼器用の噴霧器であって：
霧化領域；
前記霧化領域へ燃料が入り込むことを可能にするように構成される第１流入口；
前記霧化領域へ霧化媒体が入り込むことを可能にするように構成される第２流入口；及び、
霧化された燃料が前記霧化領域を飛び出すことを可能にするように構成される流出口、を有し、前記第１流入口、前記第２流入口、及び／又は前記流出口のうちの少なくとも２つは、非円形断面を有する孔を備える、噴霧器。
【請求項１９】
請求項１８に記載の噴霧器であって、
前記第１流入口、前記第２流入口、及び、前記流出口のすべては、非円形断面を有する孔を備える、噴霧器。
【請求項２０】
請求項１８又は１９に記載の噴霧器であって、
前記第１流入口は、正方形、長方形、又は曲率を有する断面を有する、噴霧器。
【請求項２１】
請求項１８乃至２０のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
前記第２流入口は、正方形、長方形、又は曲率を有する断面を有する、噴霧器。
【請求項２２】
請求項１８乃至２１のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
前記流出口は、正方形、長方形、又は曲率を有する断面を有する、噴霧器。
【請求項２３】
請求項１８乃至２２のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
複数の第１流入口をさらに有する、噴霧器。
【請求項２４】
請求項１８乃至２３のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
複数の第２流入口をさらに有する、噴霧器。
【請求項２５】
請求項１８乃至２４のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
複数の流出口をさらに有する、噴霧器。
【請求項２６】
請求項１８乃至２５のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
（複数の）前記第１流入口は、（複数の）前記第２流入口の外側で放射状に設けられる、
噴霧器。
【請求項２７】
請求項１８乃至２６のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
（複数の）前記第１流入口及び（複数の）前記第２流入口は、前記第１流入口を介して前記霧化領域へ入り込む燃料、及び、前記第２流入口を介して前記霧化領域へ入り込む霧化媒体を、互いへ向かうように案内することで、前記燃料を霧化するように構成される、噴霧器。
【請求項２８】
請求項１８乃至２７のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
内部に設けられた凹部を備える周辺スカート部を有する、噴霧器。
【請求項２９】
請求項２８に記載の噴霧器であって、
前記スカート部の内側表面が、たとえば内側ねじ山のような接続手段を有する、噴霧器。
【請求項３０】
請求項１乃至２９のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
金属又は金属合金を含む、噴霧器。
【請求項３１】
請求項１乃至３０のうちいずれか一項に記載の噴霧器であって、
インコネル７１８又はコバルト・クロムを含む、噴霧器。
【請求項３２】
燃焼領域；及び、
請求項１乃至３１のうちいずれか一項に記載の噴霧器、を有する燃焼器であって、
前記噴霧器の流出口は、前記燃焼領域と流体をやりとりし、かつ、霧化された燃料を前記燃焼領域へ導入するように構成される、燃焼器。
【請求項３３】
請求項３２に記載の噴霧器であって、
前記燃焼領域が一次燃焼領域である、噴霧器。
【請求項３４】
請求項３２又は３３に記載の噴霧器であって、
前記燃焼領域を生成する燃焼安定化装置をさらに有する、噴霧器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月16日(2017.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動機が接続された主回路からサンプリング入力された電圧および電流を使用して前記電動機の負荷トルクを演算する負荷トルク演算部と、前記負荷トルク演算部で演算されたサンプリング個数の負荷トルクの確率密度関数の平均値と標準偏差を算出してヒストグラム化するヒストグラム演算部と、正常時の負荷トルクを複数回測定して得たヒストグラムから選定した曲線を正常時のヒストグラムとして記憶した正常曲線記憶部と、前記正常曲線記憶部に記憶されている正常時のヒストグラムと前記ヒストグラム演算部で求められたヒストグラムを比較して前記電動機の異常の有無を判定する異常判定部とを備えていることを特徴とする電動機の診断装置。
【請求項２】
前記異常判定部は前記ヒストグラム演算部で求められたヒストグラムのピーク箇所が正常時のピーク箇所からずれているとき、前記ヒストグラム演算部で求められたヒストグラムの平均値と標準偏差に関する正常時からのマハラノビス距離を算出して異常判定することを特徴とする請求項１に記載の電動機の診断装置。
【請求項３】
電動機が接続された主回路からサンプリング入力された電圧および電流を使用して前記電動機の負荷トルクを演算する負荷トルク演算部と、前記負荷トルク演算部で演算されたサンプリング個数の負荷トルクの確率密度関数の平均値と標準偏差を算出してヒストグラム化するヒストグラム演算部と、前記ヒストグラム演算部で求められたヒストグラムにピーク箇所が二個以上あるとき、最も値の大きいピーク値と二番目に値の大きいピーク値との比を算出して前記電動機の異常の有無を判定する異常判定部とを備えたことを特徴とする電動機の診断装置。
【請求項４】
前記異常判定部は保存されている過去のヒストグラム情報を使用してトレンド解析することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電動機の診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係る電動機の診断装置は、電動機が接続された主回路からサンプリング入力された電圧および電流を使用して前記電動機の負荷トルクを演算する負荷トルク演算部と、前記負荷トルク演算部で演算されたサンプリング個数の負荷トルクの確率密度関数の平均値と標準偏差を算出してヒストグラム化するヒストグラム演算部と、正常時の負荷トルクを複数回測定して得たヒストグラムから選定した曲線を正常時のヒストグラムとして記憶した正常曲線記憶部と、前記正常曲線記憶部に記憶されている正常時のヒストグラムと前記ヒストグラム演算部で求められたヒストグラムを比較して前記電動機の異常の有無を判定する異常判定部とを備えていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明によれば、電動機が接続された主回路からサンプリング入力された電圧および電流を使用して前記電動機の負荷トルクを演算する負荷トルク演算部と、前記負荷トルク演算部で演算されたサンプリング個数の負荷トルクの確率密度関数の平均値と標準偏差を算出してヒストグラム化するヒストグラム演算部と、正常時の負荷トルクを複数回測定して得たヒストグラムから選定した曲線を正常時のヒストグラムとして記憶した正常曲線記憶部と、前記正常曲線記憶部に記憶されている正常時のヒストグラムと前記ヒストグラム演算部で求められたヒストグラムを比較して前記電動機の異常の有無を判定する異常判定部とを備えているため、サンプリング入力した電圧および電流情報から演算したサンプリング個数の負荷トルクを統計処理することによって、電動機の異常の有無を診断することができる電動機の診断装置を得ることができる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月26日(2016.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置、及び蓄電装置用正極活物質
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質が設けられた正極と、負極と、前記正極と前記負極との間に設けられた電解質と、を有し、
前記正極の活物質は、複数のグラフェンに覆われた領域を有する主材料を有し、
前記正極の活物質は、バナジウムを有し、
前記複数のグラフェンの各々は、前記主材料の表面に対し角度θを有し、
前記角度θは、０°以上３０°未満であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記グラフェンの厚さは、０．３４ｎｍ以上３．４ｎｍ以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記主材料の粒径は、５０ｎｍ以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記角度θは、０°以上１０°未満であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項５】
リチウムイオンを挿入及び脱離することができる主材料と、
グラフェンと、を有し、
前記主材料の表面は、前記グラフェンで覆われた領域を有し、
前記グランフェンは、前記主材料の表面に対し角度θを有し、
前記角度θは、０°以上３０℃未満であることを特徴とする蓄電装置用正極活物質。
【請求項６】
請求項５において、
前記グラフェンの厚さは、０．３４ｎｍ以上３．４ｎｍ以下であることを特徴とする蓄電装置用正極活物質。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記主材料の粒径は、５０ｎｍ以下であることを特徴とする蓄電装置用正極活物質。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、
鉄、マンガン、コバルト、又はバナジウムを含むことを特徴とする蓄電装置用正極活物質。
【請求項９】
請求項５乃至７のいずれか一において、
前記主材料は、ＬｉＦｅＰＯ４、ＬｉＮｉＰＯ４、ＬｉＣｏＰＯ４、又はＬｉＭｎＰＯ４を含むことを特徴とする蓄電装置用正極活物質。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月26日(2017.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体（１）に搭載され、投影部材（３）に画像を投影し、前記画像の光が前記投影部材に反射されることで前記画像を乗員により視認可能に虚像表示するヘッドアップディスプレイ装置であって、
光源光を発する光源部（１０）と、
前記光源光が入射することにより前記画像を形成し、所定の偏極状態を有する光として前記画像の光を射出する画像形成素子（２０）と、
透光性基材（６２）に光学多層膜（６４）を形成してなり、入射面に沿って斜めに入射する前記画像の光を前記投影部材側へ向けて反射するコールドミラー（６０）と、
前記画像形成素子と前記コールドミラーとの間の光路（ＯＰ）上に配置され、前記コールドミラーに入射させる前記画像の光をＳ波に変換する位相子（３０，２３０）と、
前記位相子と前記コールドミラーとの間の光路上に、遮光軸（５４）が前記入射面に沿って配置される偏光子（５０，２５０）と、を備えることを特徴とするヘッドアップディスプレイ装置。
【請求項２】
前記位相子（３０）及び前記偏光子（５０）は、膜状に形成されており、同一の透光性基板（４０）に保持されていることを特徴とする請求項１に記載のヘッドアップディスプレイ装置。
【請求項３】
前記位相子（２３０）は、単軸結晶により板状に形成される位相差板であり、
前記偏光子（２５０）は、膜状に形成されて前記位相子に保持されていることを特徴とする請求項１に記載のヘッドアップディスプレイ装置。
【請求項４】
前記コールドミラーは、前記光学多層膜により、４００〜７００ｎｍの波長の前記画像の光に対して９５％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のヘッドアップディスプレイ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、移動体（１）に搭載され、投影部材（３）に画像を投影し、画像の光が投影部材に反射されることで画像を乗員により視認可能に虚像表示するヘッドアップディスプレイ装置であって、
光源光を発する光源部（１０）と、
光源光が入射することにより画像を形成し、所定の偏極状態を有する光として画像の光を射出する画像形成素子（２０）と、
透光性基材（６２）に光学多層膜（６４）を形成してなり、入射面に沿って斜めに入射する画像の光を投影部材側へ向けて反射するコールドミラー（６０）と、
画像形成素子とコールドミラーとの間の光路（ＯＰ）上に配置され、コールドミラーに入射させる画像の光をＳ波に変換する位相子（３０，２３０）と、
位相子とコールドミラーとの間の光路上に、遮光軸（５４）が入射面に沿って配置される偏光子（５０，２５０）と、を備えることを特徴とする。