【手続補正書】
【提出日】平成29年4月24日(2017.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の担体と、場合による、元素周期律分類の第VIII族からの少なくとも１種の金属と、少なくともタングステンとを含む触媒の調製方法であって、タングステンは、担体上に、有機溶媒Ａ中、Ｗをベースとする少なくとも１種の単核性前駆体化合物の形態で導入され、該単核性前駆体化合物は、そのモノマー性またはダイマー性の形態にあり、少なくとも１個のＷ＝ＯまたはＷ−ＯＲ結合または少なくとも１個のＷ＝ＳまたはＷ−ＳＲ結合を有し、ここで、Ｒ＝ＣｘＨｙ（式中、ｘ≧１および（ｘ−１）≦ｙ≦（２ｘ＋１）である）であるか、または、Ｒ＝Ｓｉ（ＯＲ’）３またはＲ＝Ｓｉ（Ｒ’）３（式中、Ｒ’＝Ｃｘ’Ｈｙ’であり、ここで、ｘ’≧１および（ｘ’−１）≦ｙ’≦（２ｘ’＋１）である）であることによって特徴付けられる方法。
【請求項２】
第VIII族からの金属は、コバルト、鉄またはニッケルから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第VIII族からの金属は、ニッケルである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
タングステン前駆体は、タングステン（Ｗ）をベースとする単核性前駆体であり、そのモノマー性またはダイマー性の形態で用いられ、式Ｗ（＝Ｏ）ｎ（＝Ｓ）ｎ’（ＯＲ）ａ（ＳＲ’）ｂ（Ｌ１）ｃ（Ｌ２）ｄ（Ｌ３）ｅ（Ｌ４）ｆ（Ｌ５）ｇを有し、
ここで、
Ｒ＝ＣｘＨｙ（式中、ｘ≧１および（ｘ−１）≦ｙ≦（２ｘ＋１）である）であるか、または、Ｒ＝Ｓｉ（ＯＲ’’）３またはＲ＝Ｓｉ（Ｒ’’）３（式中、Ｒ’’＝Ｃｘ’’Ｈｙ’’であり、ここで、ｘ’’≧１および（ｘ’’−１）≦ｙ’’≦（２ｘ’’＋１）である）であり、
Ｒ’＝Ｃｘ’Ｈｙ’（式中、ｘ’≧１および（ｘ’−１）≦ｙ’≦（２ｘ’＋１）である）であるか、または、Ｒ’＝Ｓｉ（ＯＲ’’’）３またはＲ’＝Ｓｉ（Ｒ’’’）３（式中、Ｒ’’’＝Ｃｘ’’’Ｈｙ’’’であり、ここで、ｘ’’’≧１および（ｘ’’’−１）≦ｙ’’’≦（２ｘ’’’＋１）である）であり、
０≦ｎ＋ｎ’≦２および０≦ｎ≦２および０≦ｎ’≦２であり、
ｎ＝ｎ’＝０であるならば、（ａ≠０またはｂ≠０）および［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝６および０≦ａ≦６、０≦ｂ≦６、０≦ｃ≦６、０≦ｄ≦６、０≦ｅ≦６、０≦ｆ≦６、０≦ｇ≦６）、または（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝５および０≦ａ≦５、０≦ｂ≦５、０≦ｃ≦５、０≦ｄ≦５、０≦ｅ≦５、０≦ｆ≦５、０≦ｇ≦５）、または（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝４および０≦ａ≦４、０≦ｂ≦４、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４、０≦ｆ≦４、０≦ｇ≦４）］であり、
［（ｎ＝１およびｎ’＝０）または（ｎ’＝１およびｎ＝０）］であるならば、［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝４および０≦ａ≦４、０≦ｂ≦４、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４、０≦ｆ≦４、０≦ｇ≦４）］または［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝３および０≦ａ≦３、０≦ｂ≦３、０≦ｃ≦３、０≦ｄ≦３、０≦ｅ≦３、０≦ｆ≦３、０≦ｇ≦３）］であり、
［ｎ＋ｎ’＝２および０≦ｎ≦２および０≦ｎ’≦２］であるならば、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝２および０≦ａ≦２、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦２、０≦ｄ≦２、０≦ｅ≦２、０≦ｆ≦２、０≦ｇ≦２）であり、
（Ｌ１）、（Ｌ２）、（Ｌ３）、（Ｌ４）および（Ｌ５）は、ＴＨＦ、ジメチルテーテル、ジメチルスルフィド、Ｐ（ＣＨ３）３、アリル、アリール、ハロゲン、アミン、アセタート、アセチルアセトナート、ハリド、ヒドロキシドおよび−ＳＨのタイプのリガンドから選択される、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
前記前駆体は、Ｗ（ＯＥｔ）５、Ｗ（ＯＥｔ）６、Ｗ（＝Ｏ）（ＯＥｔ）４、Ｗ（＝Ｓ）（ＯＥｔ）４、Ｗ（＝Ｓ）（ＳＥｔ）４、Ｗ（＝Ｏ）２（ＯＥｔ）２、Ｗ（ＯＣ６Ｈ５）６、Ｗ（ＳＥｔ）５、Ｗ（ＳＥｔ）６、Ｗ（ＯＥｔ）３（ＳＥｔ）２、Ｗ（ＯＥｔ）４（ＳＥｔ）、Ｗ（＝Ｏ）（ＯＥｔ）３（ａｃａｃ）から選択され、ここで、Ｅｔ＝ＣＨ２ＣＨ３（エチル基）であり、ａｃａｃ＝（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）−（アセチルアセトナート）であり、それらのモノマー性またはダイマー性の形態にある、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
モリブデンも、水性溶媒、アルコール性溶媒または有機溶媒中の前駆体の形態で触媒に導入される、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
モリブデン前駆体は、単核性前駆体であり、該単核性前駆体は、そのモノマー性またはダイマー性の形態で用いられ、少なくとも１個のＭｏ＝ＯまたはＭｏ−ＯＲ結合または少なくとも１個のＭｏ＝ＳまたはＭｏ−ＳＲ結合を含み、ここで、Ｒ＝ＣｘＨｙ（式中、ｘ≧１および（ｘ−１）≦ｙ≦（２ｘ＋１）である）であるか、またはＲ＝Ｓｉ（ＯＲ’）３またはＲ＝Ｓｉ（Ｒ’）３（式中、Ｒ’＝Ｃｘ’Ｈｙ’であり、ここで、ｘ’≧１および（ｘ’−１）≦ｙ’≦（２ｘ’＋１）である）である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
モリブデン前駆体は、式Ｍｏ（＝Ｏ）ｎ（＝Ｓ）ｎ’（ＯＲ）ａ（ＳＲ’）ｂ（Ｌ１）ｃ（Ｌ２）ｄ（Ｌ３）ｅ（Ｌ４）ｆ（Ｌ５）ｇを有する化合物から選択され、
ここで、
Ｒ＝ＣｘＨｙ（式中、ｘ≧１および（ｘ−１）≦ｙ≦（２ｘ＋１）である）であるか、または、Ｒ＝Ｓｉ（ＯＲ’’）３またはＲ＝Ｓｉ（Ｒ’’）３（式中、Ｒ’’＝Ｃｘ’’Ｈｙ’’であり、ここで、ｘ’’≧１および（ｘ’’−１）≦ｙ’’≦（２ｘ’’＋１）である）であり、
Ｒ’＝Ｃｘ’Ｈｙ’（式中、ｘ’≧１および（ｘ’−１）≦ｙ’≦（２ｘ’＋１）である）であるか、または、Ｒ’＝Ｓｉ（ＯＲ’’’）３またはＲ’＝Ｓｉ（Ｒ’’’）３（式中、Ｒ’’’＝Ｃｘ’’’Ｈｙ’’’であり、ここで、ｘ’’’≧１および（ｘ’’’−１）≦ｙ’’’≦（２ｘ’’’＋１）である）であり、
０≦ｎ＋ｎ’≦２および０≦ｎ≦２および０≦ｎ’≦２であり、
ｎ＝ｎ’＝０であるならば、（ａ≠０またはｂ≠０）および［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝６および０≦ａ≦６、０≦ｂ≦６、０≦ｃ≦６、０≦ｄ≦６、０≦ｅ≦６、０≦ｆ≦６、０≦ｇ≦６）、または（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝５および０≦ａ≦５、０≦ｂ≦５、０≦ｃ≦５、０≦ｄ≦５、０≦ｅ≦５、０≦ｆ≦５、０≦ｇ≦５）、または（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝４および０≦ａ≦４、０≦ｂ≦４、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４、０≦ｆ≦４、０≦ｇ≦４）］であり、
［（ｎ＝１およびｎ’＝０）または（ｎ’＝１およびｎ＝０）］であるならば、［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝４および０≦ａ≦４、０≦ｂ≦４、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４、０≦ｆ≦４、０≦ｇ≦４）］または［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝３および０≦ａ≦３、０≦ｂ≦３、０≦ｃ≦３、０≦ｄ≦３、０≦ｅ≦３、０≦ｆ≦３、０≦ｇ≦３）］であり、
［ｎ＋ｎ’＝２および０≦ｎ≦２および０≦ｎ’≦２］であるならば、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝２および０≦ａ≦２、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦２、０≦ｄ≦２、０≦ｅ≦２、０≦ｆ≦２、０≦ｇ≦２）であり、
（Ｌ１）、（Ｌ２）、（Ｌ３）、（Ｌ４）および（Ｌ５）は、ＴＨＦ、ジメチルエーテル、ジメチルスルフィド、Ｐ（ＣＨ３）３、アリル、アリール、ハロゲン、アミン、アセタート、アセチルアセトナート、ハリド、ヒドロキシドおよび−ＳＨのタイプのリガンドから選択される
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
モリブデン前駆体は、Ｍｏ（ＯＥｔ）５である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
タングステン、場合によるモリブデン、場合による、単数種または複数種の第VIII族からの金属が、同時にまたは連続的に導入される、請求項１〜９のいずれか１つに記載の触媒の調製方法。
【請求項１１】
現場内および／または現場外の気相硫化ための少なくとも１回の最終工程を含む、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の触媒の調製方法。
【請求項１２】
少なくとも以下の工程：
ａ）  タングステンをベースとする少なくとも前記単核性前駆体と共に有機溶媒Ａを含む溶液Ｓを多孔質鉱物担体と接触させることにより含浸させる工程であって、該単核性前駆体は、そのモノマー性またはダイマー性の形態にあり、少なくとも１個のＷ＝ＯまたはＷ−ＯＲ結合または少なくとも１個のＷ＝ＳまたはＷ−ＳＲ結合を有し、ここで、Ｒ＝ＣｘＨｙ（式中、ｘ≧１および（ｘ−１）≦ｙ≦（２ｘ＋１）である）であるか、または、Ｒ＝Ｓｉ（ＯＲ’）３またはＲ＝Ｓｉ（Ｒ’）３（式中、Ｒ’＝Ｃｘ’Ｈｙ’であり、ここで、ｘ’≧１および（ｘ’−１）≦ｙ’≦（２ｘ’＋１）である）であり、該多孔質鉱物担体は、低真空下または高真空下または不活性ガスの流れ中で焼成されたものである、工程；
ｂ）  無水雰囲気中で熟成させる工程；
ｃ）  無水雰囲気中または低真空下または高真空下または不活性ガスの流れ中で含浸担体を乾燥させる工程；
ｄ）  Ｈ２Ｓ／Ｈ２またはＨ２Ｓ／Ｎ２混合物であって、該混合物中に最低５体積％のＨ２Ｓを含有する混合物中、周囲温度以上の温度で現場外硫化させる工程
を含む、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の触媒の調製方法。
【請求項１３】
場合によるモリブデン前駆体は、含浸工程ａ）に、タングステン前駆体と同一の溶液Ｓにおいて導入される、請求項１２に記載の触媒の調製方法。
【請求項１４】
場合によるモリブデン前駆体は、ｃ）における乾燥後に後含浸工程ａ２）において導入される、請求項１２に記載の触媒の調製方法。
【請求項１５】
場合による第VIII族からの金属は、工程ａ）においてタングステン前駆体と同一の溶液Ｓ中に、または、乾燥ｃ）の後に後含浸工程ａ２）において有機溶媒Ｓを用いる溶液を活用して、または、硫化工程ｄ）の後に後含浸工程ａ３）において水性または有機性の溶液を活用して導入される、請求項１２〜１４のいずれか１つに記載の触媒の調製方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１つにおいて記載されるように調製されることが可能である触媒。
【請求項１７】
全触媒重量に対して４〜３０重量％の範囲の累積量の（タングステン＋モリブデン）および０．１〜８重量％の範囲の含有率の単数種または複数種の第VIII族からの金属を含む、請求項１６に記載の触媒。
【請求項１８】
炭化水素供給原料の水素化のための反応における、請求項１６または１７に記載の触媒または請求項１〜１５のいずれか１つにおいて記載されたように調製された触媒の使用。
【請求項１９】
水素化処理または水素化分解のための、請求項１８に記載の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
当業者は、一般的に、上記に言及された適用の分野における良好な触媒性能は、以下のこと次第であることを知っている：１）処理されるべき炭化水素供給原料の性質；２）採用される方法；３）選択される機能のための操作条件；および４）用いられる触媒。後者の場合において、高い触媒ポテンシャルを有する触媒は、以下のことによって特徴付けられることも知られている：１）最適化した水素化脱水素機能（関連活性相は、理想的には、担体の表面に分散させられ、高い活性相含有率を有する）および２）ＨＣＫ反応を採用する方法の特定の場合において、前記水素化脱水素機能と分解機能との間の良好な平衡。理想的には、処理されるべき炭化水素供給原料の性質に拘わらず、触媒の活性サイトが試薬および反応生成物にアクセス可能でありつつ、高い活性表面積を発達させる必要があり、これは、前記触媒のための構成酸化物担体の構造および表面組織（texture）の点で特定の制約につながり得るだろうことも留意されるべきである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
場合による、第VIII族からの１種以上の元素（以降、プロモータ（単数種または複数種）で表示する）は、
i）  含浸工程ａ）の際に、タングステンをベースとする単核性前駆体と共含浸させられて；
ii）  乾燥工程ｃ）の後に、後含浸ａ２）として知られる工程において、有機溶媒Ｂを用いる溶液を活用して：この場合、熟成のための第２の工程ｂ２）および第２の乾燥工程ｃ２）が必要であり、工程ｂ）およびｃ）の間に記載された条件と同一の条件下に行われてよい；
iii）  工程ｄ）の後に、後含浸工程ａ３）において、水溶液または有機溶液を活用して；この場合、本発明による水素化処理または水素化分解の方法において触媒を用いる前に新しい熟成工程ｂ３）、新しい乾燥工程ｃ３）および新しい硫化工程ｂ２）を加えることが必要である；
のいずれかで、溶液中に導入されてよい：
本発明による、タングステン（Ｗ）をベースとする単核性前駆体であって、そのモノマー性またはダイマー性の形態で用いられる、ものは、有利には、式Ｗ（＝Ｏ）ｎ（＝Ｓ）ｎ’（ＯＲ）ａ（ＳＲ’）ｂ（Ｌ１）ｃ（Ｌ２）ｄ（Ｌ３）ｅ（Ｌ４）ｆ（Ｌ５）ｇを有し、
ここで、
Ｒ＝ＣｘＨｙ（式中、ｘ≧１および（ｘ−１）≦ｙ≦（２ｘ＋１）である）であるか、または、Ｒ＝Ｓｉ（ＯＲ’’）３またはＲ＝Ｓｉ（Ｒ’’）３（式中、Ｒ’’＝Ｃｘ’’Ｈｙ’’であり、ここで、ｘ’’≧１および（ｘ’’−１）≦ｙ’’≦（２ｘ’’＋１）である）であり；
Ｒ’＝Ｃｘ’Ｈｙ’（式中、ｘ’≧１および（ｘ’−１）≦ｙ’≦（２ｘ’＋１）である）であるか、または、Ｒ’＝Ｓｉ（ＯＲ’’’）３またはＲ’＝Ｓｉ（Ｒ’’’）３（式中、Ｒ’’’＝Ｃｘ’’’Ｈｙ’’’であり、ここで、ｘ’’’≧１および（ｘ’’’−１）≦ｙ’’’≦（２ｘ’’’＋１）である）であり；
０≦ｎ＋ｎ’≦２および０≦ｎ≦２および０≦ｎ’≦２であり；
ｎ＝ｎ’＝０であるならば、（ａ≠０またはｂ≠０）および［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝６および０≦ａ≦６、０≦ｂ≦６、０≦ｃ≦６、０≦ｄ≦６、０≦ｅ≦６、０≦ｆ≦６、０≦ｇ≦６）、または（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝５および０≦ａ≦５、０≦ｂ≦５、０≦ｃ≦５、０≦ｄ≦５、０≦ｅ≦５、０≦ｆ≦５、０≦ｇ≦５）、または、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝４および０≦ａ≦４、０≦ｂ≦４、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４、０≦ｆ≦４、０≦ｇ≦４）］であり、
［（ｎ＝１およびｎ’＝０）または（ｎ’＝１およびｎ＝０）］であるならば、［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝４および０≦ａ≦４、０≦ｂ≦４、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦４、０≦ｅ≦４、０≦ｆ≦４、０≦ｇ≦４）］または［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝３および０≦ａ≦３、０≦ｂ≦３、０≦ｃ≦３、０≦ｄ≦３、０≦ｅ≦３、０≦ｆ≦３、０≦ｇ≦３）］であり、
［ｎ＋ｎ’＝２および０≦ｎ≦２および０≦ｎ’≦２］であるならば、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝２および０≦ａ≦２、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦２、０≦ｄ≦２、０≦ｅ≦２、０≦ｆ≦２、０≦ｇ≦２）であり、
（Ｌ１）、（Ｌ２）、（Ｌ３）、（Ｌ４）および（Ｌ５）は、当業者に周知であり、かつ、ＴＨＦ、ジメチルエーテル、ジメチルスルフィド、Ｐ（ＣＨ３）３、アリル、アリール、ハロゲン（フッ素、塩素および臭素から選択される）、アミン、アセタート、アセチルアセトナート、ハリド、ヒドロキシド、−ＳＨ等のタイプのリガンドである。好ましくは、リガンドは、アセチルアセトナート、ＴＨＦおよびジメチルエーテルから選択される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
上記の酸化物化合物の少なくとも１種に加えて、本発明の多孔質鉱物担体は、それが酸性であろうとなかろうと、メソ構造化していようがメソ構造化していまいと、有利には、少なくとも１種のゼオライト、特に、“Atlas of Zeolite Framework types”, 6th revised edition, 2007, Ch. Baerlocher, L. B. L.McCusker, D. H. Olsonに列挙されたものを含んでもよいが、これらに限定されない。ゼオライト結晶は、ゼオライトＩＺＭ−２、ＺＳＭ−５、ＺＳＭ−１２、ＺＳＭ−４８、ＺＳＭ−２２、ＺＳＭ−２３、ＺＢＭ−３０、ＥＵ−２、ＥＵ−１１、シリカライト、ベータ、ゼオライトＡ、フォージャサイト、Ｙ、ＵＳＹ、ＶＵＳＹ、ＳＤＵＳＹ、モルデナイト、ＮＵ−１０、ＮＵ−８７、ＮＵ−８８、ＮＵ−８６、ＮＵ−８５、ＩＭ−５、ＩＭ−１２、ＩＭ−１６、フェリエライトおよびＥＵ−１から選択されてよい。非常に好ましくは、ゼオライト結晶は、構造型ＭＦＩ、ＢＥＡ、ＦＡＵ、およびＬＴＡを有するゼオライトから選択されてよい。種々のゼオライト結晶、特に、種々の構造型を有するゼオライトが、本発明による材料を構成する多孔質鉱物担体中に存在してよい。特に、本発明による多孔質鉱物担体は、有利には、少なくとも第１のゼオライト結晶および少なくとも第２のゼオライト結晶を含んでよく、第１のゼオライト結晶のゼオライトは、ゼオライトＩＺＭ−２、ＺＳＭ−５、ＺＳＭ−１２、ＺＳＭ−４８、ＺＳＭ−２２、ＺＳＭ−２３、ＺＢＭ−３０、ＥＵ−２、ＥＵ−１１、シリカライト、ベータ、ゼオライトＡ、フォージャサイト、Ｙ、ＵＳＹ、ＶＵＳＹ、ＳＤＵＳＹ、モルデナイト、ＮＵ−１０、ＮＵ−８７、ＮＵ−８８、ＮＵ−８６、ＮＵ−８５、ＩＭ−５、ＩＭ−１２、ＩＭ−１６、フェリエライトおよびＥＵ−１から選択され、好ましくは、構造型ＭＦＩ、ＢＥＡ、ＦＡＵ、およびＬＴＡを有するゼオライトから選択され、第２のゼオライト結晶のゼオライトは、第１のゼオライト結晶とは異なり、かつ、ゼオライトIＺＭ−２、ＺＳＭ−５、ＺＳＭ−１２、ＺＳＭ−４８、ＺＳＭ−２２、ＺＳＭ−２３、ＺＢＭ−３０、ＥＵ−２、ＥＵ−１１、シリカライト、ベータ、ゼオライトＡ、フォージャサイト、Ｙ、ＵＳＹ、ＶＵＳＹ、ＳＤＵＳＹ、モルデナイト、ＮＵ−１０、ＮＵ−８７、ＮＵ−８８、ＮＵ−８６、ＮＵ−８５、ＩＭ−５、ＩＭ−１２、ＩＭ−１６、フェリエライトおよびＥＵ−１から選択され、好ましくは、構造型ＭＦＩ、ＢＥＡ、ＦＡＵ、およびＬＴＡを有するゼオライトから選択される。ゼオライト結晶は、有利には、全体的にケイ素性であるか、あるいは、ケイ素に加えて、アルミニウム、鉄、ホウ素、インジウム、ガリウムおよびゲルマニウムから選択される少なくとも１種の元素Ｔ、好ましくはアルミニウムを含有する少なくとも１種のゼオライトを含む。