Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月19日(2017.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貨幣を収納する第１の収納庫および第２の収納庫を備える貨幣収納装置であって、
投入口へと投入された貨幣を前記第１の収納庫に収納させる第１の収納手段と、
前記第１の収納庫に収納されていた貨幣を前記貨幣収納装置の外部へと払い出すための払出口と、
前記第１の収納庫に収納されていた貨幣を前記払出口に向けて搬送する搬送ベルトと、
第１の状態では、前記搬送ベルトにより搬送された貨幣が前記払出口を通過することを妨げず、第２の状態では、前記搬送ベルトにより搬送された貨幣を前記払出口に到達させることなく前記第２の収納庫へと送り込む経路切換部材と、
前記第１の収納手段が前記貨幣を前記第１の収納庫に収納させる前に、収納させた後における前記第１の収納庫における金種毎の収納枚数に基づいてオーバーフローが生じることを判定する判定手段と、
前記第１の収納庫に収納されている前記貨幣を釣銭として払い出す必要がある場合には、前記第１の収納庫に収納されている前記貨幣の一部を搬送するように前記搬送ベルトを制御するとともに、前記経路切換部材を前記第１の状態とし、また前記判定手段によりオーバーフローが生じることが判定された場合には、前記第１の収納手段が前記貨幣を前記第１の収納庫に収納させる前に、前記第１の収納庫に収納されている前記貨幣の一部を搬送するように前記搬送ベルトを制御するとともに、前記経路切換部材を前記第２の状態とする制御手段と、を具備することを特徴とする貨幣収納装置。
【請求項２】
前記第１の収納庫は、前記貨幣を金種毎に収納する、ことを特徴とする請求項１に記載の貨幣収納装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第１の収納庫に収納されている前記貨幣の数量に、前記投入口へと投入された前記貨幣の数量を加えた数量が、前記第１の収納庫に収納可能な前記貨幣の数量を越える場合に、前記第１の収納庫に収納されている前記貨幣の一部を搬送するように前記搬送ベルトを制御するとともに、前記経路切換部材を前記第２の状態とする、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の貨幣収納装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記貨幣を釣銭として前記払出口から払い出した後に前記第１の収納庫に収納されている前記貨幣の数量に、前記投入口へと投入された前記貨幣の数量を加えた数量が、前記第１の収納庫に収納可能な前記貨幣の数量を越える場合に、前記第１の収納庫に収納されている前記貨幣の一部を搬送するように前記搬送ベルトを制御するとともに、前記経路切換部材を前記第２の状態とする、ことを特徴とする請求項１−３のいずれか一項に記載の貨幣収納装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
実施形態の貨幣収納装置は、第１の収納庫、第２の収納庫、第１の収納手段、払出口、搬送ベルト、経路切換部材、判定手段および制御手段を含む。第１の収納庫および第２の収納庫は、貨幣を収納する。第１の収納手段は、投入口へと投入された貨幣を第１の収納庫に収納させる。払出口は、第１の収納庫に収納されていた貨幣を貨幣収納装置の外部へと払い出す。第２の収納手段は、第１の収納庫に収納された貨幣を第２の収納庫に収納させる。搬送ベルトは、第１の収納庫に収納されていた貨幣を払出口に向けて搬送する。経路切換部材は、第１の状態では、搬送ベルトにより搬送された貨幣が前記払出口を通過することを妨げず、第２の状態では、搬送ベルトにより搬送された貨幣を払出口に到達させることなく第２の収納庫へと送り込む。判定手段は、第１の収納手段が貨幣を第１の収納庫に収納させる前に、収納させた後における第１の収納庫における金種毎の収納枚数に基づいてオーバーフローが生じることを判定する。制御手段は、第１の収納庫に収納されている貨幣を釣銭として払い出す必要がある場合には、第１の収納庫に収納されている貨幣の一部を搬送するように搬送ベルトを制御するとともに、経路切換部材を第１の状態とし、また前記判定手段によりオーバーフローが生じることが判定された場合には、前記第１の収納手段が前記貨幣を前記第１の収納庫に収納させる前に、第１の収納庫に収納されている貨幣の一部を搬送するように搬送ベルトを制御するとともに、経路切換部材を第２の状態とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
ＣＰＵ３０は、Ａｃｔ１７を終えたならば、Ａｃｔ１８へと進む。なおＣＰＵ３０は、金種Ａ〜Ｆのいずれにおいてもオーバーフローが生じないならば、Ａｃｔ１４にてＮｏと判定し、Ａｃｔ１５〜１７をパスしてＡｃｔ１８へと進む。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月24日(2017.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線データ通信システムであって、該無線データ通信システムが、該無線データ通信システムが通信していないときに受信信号強度インジケータを供給するように構成された無線周波受信器と、閾値回路とを有し、前記閾値回路が、
前記無線データ通信システムが通信していない期間を特定し、
特定した前記期間の間に複数の地点の受信信号強度インジケータを供給するように前記無線周波受信器を指示し、
各ビットが前記複数の地点の内の異なる地点を表すビット・ストリームを形成し、
前記複数の地点の各々で、前記受信信号強度インジケータを通信干渉を表す閾値と比較し、
前記複数の地点の各々で、受信信号強度インジケータが所定の閾値を超えた場合、前記ビット・ストリームの対応するビットに第１の値を設定し、
受信信号強度インジケータが所定の閾値を超えていない場合、前記ビット・ストリームの対応するビットに第２の値を設定し、
前記ビット・ストリームの複数の受信信号強度インジケータの解析に少なくとも部分的に基づいて動的周波数選択動作が妥当であるかどうか決定し、次いで
決定に基づいて動的周波数選択動作が妥当であるかどうかを示す動的周波数選択信号を送信するように構成されていること、
を特徴とする無線データ通信システム。
【請求項２】
前記閾値回路は、
前記受信信号強度インジケータと前記閾値との比較を時間につれてサンプリングして、前記ビット・ストリームを形成し、
前記ビット・ストリームを少なくとも１つのレーダ信号シグナチャと比較し、そして
前記ビット・ストリームの少なくとも一部分が前記少なくとも１つのレーダ信号シグナチャと合致した時に動的周波数選択動作が妥当であると決定するように構成されている、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記閾値回路は、前記比較により前記受信信号強度インジケータが前記閾値を超えていることが示されたときに動的周波数選択動作を遂行するように構成されている、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記受信信号強度インジケータ及び前記閾値はアナログ値を有している、請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記システムはディジタル−アナログ変換器を有し、該ディジタル−アナログ変換器は、通信プロセッサからディジタル閾値を受け取り、該ディジタル閾値をアナログ閾値に変換し、次いで前記アナログ閾値を前記閾値回路へ供給するように構成されている、請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記閾値回路は、前記受信信号強度インジケータを前記閾値と比較するように構成された閾値比較器を有している、請求項４記載のシステム。
【請求項７】
前記システムは通信プロセッサを有し、該通信プロセッサは、動的周波数選択動作を遂行するように構成され、又は前記動的周波数選択信号に少なくとも部分的に基づいて動的周波数選択動作を別の無線通信システムに遂行させるように構成されており、また前記通信プロセッサはシステム・オン・チップを有し、また前記閾値回路の外部にある、請求項１乃至６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記システムは、ＥＴＳＩ−ＥＮ３０２−５０２規格又は、ＦＣＣ−Ｐａｒｔ９０規格に適合するように構成されている、請求項１乃至７のいずれかに記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月3日(2017.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数（ＲＦ）信号をスイッチするように構成される回路であって、
ソース端子、ゲート端子、ドレイン端子およびボディ端子を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、
前記ソース端子、前記ドレイン端子および前記ボディ端子に接続されるボディバイアス回路と、を備え、
前記ボディバイアス回路は、前記ソース端子と前記ボディ端子の間に接続される第１回路要素と、前記ドレイン端子と前記ボディ端子の間に接続される第２回路要素とを有し、
前記第１および第２回路要素は、前記第１および第２回路要素を通るＲＦ信号に基づく負のバイアス電圧を引き出し、前記ＦＥＴがオフ状態のときに前記負のバイアス電圧を前記ボディ端子に供給するように構成される、回路。
【請求項２】
前記ＦＥＴを含み、互いに直列接続される複数のＦＥＴをさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記ＦＥＴは、ｎ型ＦＥＴである、請求項１または２に記載の回路。
【請求項４】
前記ボディバイアス回路は、前記ソース端子、前記ドレイン端子および前記ボディ端子のみに接続される、請求項１から３のいずれか一項に記載の回路。
【請求項５】
前記回路は、シリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）回路を構成する、請求項１から４のいずれか一項に記載の回路。
【請求項６】
前記ＦＥＴは、第１ＦＥＴであり、
前記ボディバイアス回路は、前記ボディ端子に接続されるノードを備え、
前記第１回路要素は、前記第１ＦＥＴのソース端子に接続されるソース端子および前記ノードに接続されるドレイン端子を有する第２ＦＥＴを含み、
前記第２回路要素は、前記ノードに接続されるドレイン端子および前記第１ＦＥＴのドレイン端子に接続されるソース端子を有する第３ＦＥＴを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の回路。
【請求項７】
前記第２ＦＥＴは、前記第１ＦＥＴのドレイン端子に接続されるゲート端子をさらに含み、
前記第３ＦＥＴは、前記第１ＦＥＴのソース端子に接続されるゲート端子をさらに含む、請求項６に記載の回路。
【請求項８】
前記第２ＦＥＴおよび前記第３ＦＥＴは、ダイオード接続ＦＥＴであり、
前記第２ＦＥＴは、前記ノードに接続されるゲート端子をさらに含み、
前記第３ＦＥＴは、前記ノードに接続されるゲート端子をさらに含む、請求項６に記載の回路。
【請求項９】
前記ボディバイアス回路は、前記ボディ端子に接続されるノードを備え、
前記第１回路要素は、前記ソース端子および前記ノードに接続される第１ダイオードを含み、
前記第２回路要素は、前記ドレイン端子および前記ノードに接続される第２ダイオードを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１０】
前記第１ダイオードは、前記ソース端子に接続されるカソード端子および前記ノードに接続されるアノード端子を含み、
前記第２ダイオードは、前記ドレイン端子に接続されるカソード端子および前記ノードに接続されるアノード端子を含む、請求項９に記載の回路。
【請求項１１】
前記ボディバイアス回路は、ＲＦ信号を整流するように構成されることにより、前記負のバイアス電圧を引き出すこととなる、請求項１から１０のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１２】
送受信機と、
アンテナと、
前記送受信機および前記アンテナに接続され、前記送受信機と前記アンテナとの間の信号を通信するように構成される無線周波数（ＲＦ）フロントエンドと、を備え、
前記無線周波数フロントエンドは、シリコン−オン−インシュレータのスイッチ装置を含み、
前記スイッチ装置は、複数のスイッチ電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）をオン状態またはオフ状態に設定するよう構成されるデコーダと、複数のＦＥＴからなる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）およびボディバイアス回路を持つセルと、を有し、
前記ボディバイアス回路は、前記ＦＥＴがオフ状態のときに前記電界効果トランジスタのボディに負の電圧を供給する第１および第２回路要素を含み、当該負の電圧は、前記第１および第２回路要素を通るＲＦ信号から引き出される、無線通信装置。
【請求項１３】
前記ＦＥＴは、第１ＦＥＴであり、
前記ボディバイアス回路は、前記第１ＦＥＴのボディ端子に接続されるノードを備え、
前記第１回路要素は、前記第１ＦＥＴのソース端子に接続されるソース端子および前記ノードに接続されるドレイン端子を有する第２ＦＥＴを含み、
前記第２回路要素は、前記ノードに接続されるドレイン端子および前記第１ＦＥＴのドレイン端子に接続されるソース端子を有する第３ＦＥＴを含む、請求項１２に記載の無線通信装置。
【請求項１４】
前記第２ＦＥＴは、前記第１ＦＥＴのドレイン端子に接続されるゲート端子をさらに含み、
前記第３ＦＥＴは、前記第１ＦＥＴのソース端子に接続されるゲート端子をさらに含む、請求項１３に記載の無線通信装置。
【請求項１５】
デコーダ回路を用いて、スイッチ電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）をオフ状態に制御し、
ボディバイアス回路を用いて、前記スイッチＦＥＴがオフ状態の間に、前記ボディバイアス回路の第１および第２回路要素を通る無線周波数（ＲＦ）信号に基づく負のバイアス電圧を引き出し、
前記ボディバイアス回路によって、前記スイッチＦＥＴがオフ状態の間に、前記負のバイアス電圧を前記スイッチＦＥＴのボディに供給する、方法。
【請求項１６】
前記スイッチＦＥＴに印加されるＲＦ信号を整流し、前記負のバイアス電圧を引き出す、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
無線周波数（ＲＦ）信号をスイッチするように構成される回路であって、
ソース端子、ゲート端子、ドレイン端子およびボディ端子を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、
前記ボディ端子に接続されるノードと、前記ドレイン端子および前記ノードに接続される第１抵抗と、前記ソース端子および前記ノードに接続される第２抵抗と、を有するボディバイアス回路と、を備え、
前記ボディバイアス回路は、前記第１および第２抵抗を通るＲＦ信号に基づくバイアス電圧を引き出し、前記バイアス電圧を前記ボディ端子に供給するように構成される、回路。
【請求項１８】
前記第１抵抗および前記第２抵抗は、同じ大きさである、請求項１７に記載の回路。
【請求項１９】
前記ボディバイアス回路は、前記バイアス電圧を約０Ｖの直流電圧として供給するように構成される、請求項１７または１８に記載の回路。
【請求項２０】
前記ＦＥＴの前記ゲート端子はデコーダに接続され、前記ＦＥＴの前記ボディ端子は前記デコーダに接続されない、請求項１７から１９のいずれか一項に記載の回路。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月29日(2016.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に被分散液が通過する分散室を形成する円筒状のステーターと、
該ステーターの内部に該ステーターに対して中心軸が重なるように配置され該中心軸を中心に回転可能な円筒状のローターとを備え、
該ローターの回転によって被分散液とともに攪拌されることで、被分散液の分散を促すメディア粒子を該分散室内に収容し、
被分散液が該分散室に流入する流入口と、該分散室から被分散液を排出する排出口と、
該排出口に向かう該メディア粒子の通過を妨げ、該排出口に向かう被分散液から該メディア粒子を分離させるメディア粒子分離部材とを備えるメディア式分散機において、
上記排出口を複数備え、被分散液を排出させる該排出口を切り替える排出口切替手段を備えることを特徴とするメディア式分散機。
【請求項２】
請求項１のメディア式分散機において、
上記排出口切替手段は被分散液を排出させる上記排出口を自動で切り替えることを特徴とするメディア式分散機。
【請求項３】
請求項１または２のメディア式分散機において、
上記流入口を複数備え、被分散液を流入させる該流入口を切り替える流入口切替手段を備えることを特徴とするメディア式分散機。
【請求項４】
請求項３のメディア式分散機において、
上記流入口切替手段は被分散液を流入させる上記流入口を自動で切り替えることを特徴とするメディア式分散機。
【請求項５】
電子写真用トナーの材料を分散させる分散工程を備えるトナー製造方法において、
上記分散工程で請求項１乃至４の何れかに記載のメディア式分散機を用いることを特徴とするトナー製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
以上に説明したものは一例であり、本発明は、次の態様毎に特有の効果を奏する。
（態様Ａ）
内部に被分散液が通過する分散室を形成する円筒状のステーター１５等のステーターと、ステーターの内部にステーターに対して中心軸が重なるように配置され中心軸を中心に回転可能な円筒状のローター１４等のローターとを備え、ローターの回転によって被分散液とともに攪拌されることで、被分散液の分散を促すメディア粒子を分散室内に収容し、被分散液が分散室に流入する第一流入口１０１及び第二流入口１０２等の流入口と、分散室から被分散液を排出する第一排出口２０１及び第二排出口２０２等の排出口と、排出口に向かうメディア粒子の通過を妨げ、排出口に向かう被分散液からメディア粒子を分離させるセパレーター１７等のメディア粒子分離部材とを備えるメディア式分散機１等のメディア式分散機において、排出口を複数備え、被分散液を排出させる該排出口を切り替える不図示の制御部、第一排出弁７及び第二排出弁９等の排出口切替手段を備える。
これによれば、上記実施形態について説明したように、分散工程での処理時間の延長を抑制しつつ、メディア粒子分離部材の目詰りを解消できる。
（態様Ｂ）
態様１において、不図示の制御部、第一排出弁７及び第二排出弁９等の排出口切替手段は、被分散液を排出させる排出口を自動で切り替える。
これによれば、上記実施形態について説明したように、自動で流路の切り替えを行うことで、手動で流路の切り替え作業を行うことなく、分散工程を継続することができる。
（態様Ｃ）
請求項１または２のメディア式分散機において、流入口を複数備え、被分散液を流入させる流入口を切り替える不図示の制御部、第一流入弁６及び第二流入弁８等の流入口切替手段を備える。
これによれば、上記実施形態について説明したように、排出口のみを切り替えるよりもメディア式分散機内での被分散液の流れの変化が大きくなり、セパレーター１７等のメディア粒子分離部材に付着したメディア粒子がさらに離間し易くなる。このため、より効率的に目詰りを解消することができる。
（態様Ｄ）
態様Ｃにおいて、不図示の制御部、第一流入弁６及び第二流入弁８等の流入口切替手段は被分散液を流入させる流入口を自動で切り替える。
これによれば、上記実施形態について説明したように、自動で流路の切り替えを行うことで、手動で流路の切り替え作業を行うことなく、分散工程を継続することができる。
（態様Ｅ）
結晶性ポリエステル等の電子写真用トナーの材料を分散させる分散工程を備えるトナー製造方法において、分散工程で態様Ａ乃至Ｄの何れかに記載のメディア式分散機を用いる。
これによれば、上記実施形態について説明したように、分散工程での処理時間の延長を抑制しつつ、メディア粒子分離部材の目詰りを解消できるため、分散工程時間の短縮を図りつつ、分級工程を安定稼動することができる。よって、トナー製造工程全体についても製造時間の短縮を図りつつ、品質が安定したトナー製造を行うことができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年8月28日(2017.8.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
図１及び２は本発明によるオブチュレーター１０を示す。これは、遠位方向に延びる細長いシャフト１４を有するハンドル１２を含む。シャフト１４の末端は遠位側に突出した突起１６は、シャフト１２の中心軸線１８からずれている。突起１６は、近位基部２０から遠位先端２２へと延びている。先端２２は、貫通を助け、かつ貫通時の組織損傷を回避するよう、先端が丸くなっている。孔２４はオブチュレーター１０の中を貫通し、ハンドル１２からシャフト１４を通り突起遠位先端２２から外に出る。この孔は、ガイドワイヤー２４を通すような寸法にされる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
図７Ａは、本発明による第２のオブチュレーター７０の実施形態を示す。これはハンドル７２とシャフト７４を含み、シャフト７４の末端にはアバットメント７８を画定する突起７６がある。深さ目印８０がシャフト７４上に提供され、好ましくは印字された深さ表記を備えた環状溝部を含む。ここで図７Ｂ及び７Ｃも参照し、ブレード部材８２はオブチュレーター７０内に取り外し可能に収納され、シャフト７４内を通りかつ末端に遠位ブレード８６を有する細長いロッド８４を含む（図８Ａ及び８Ｂを参照）。ロッド８４の近位側Ｌ字型グリップ８８は、ソリ９０内に収納され、ハンドル７２のチャンバ９２内で近位側及び遠位側に動く。レバー９４は軸９６を中心に旋回可能に取り付けられ、ソリ９０内に受容される係合脚１００に接続された引き金９８を有している。これによって、引き金９８をハンドル７２方向に押すことによって生じたレバー９４の回転が、ソリ９０の遠位方向への動きをもたらし、これによってブレード部材８２が遠位方向に動く。チャンバ９２内のバネ１０２は、スレッド９０上のアバットメント１０４に対し、近位方向の偏向力をかける。ハンドルの可撓性金属ストリップ１０６の端がチャンバ９２内に突出しており、これが引き金９８の動程の最後で係合脚１００の突起１０８に係合し、ユーザーに触覚的フィードバックを提供する。ハンドル７２のラッチ１１０は、引き金９８のスロット１１２に係合し、ブレード８６が延伸した状態でレバー９４をロックする。孔１１４はハンドル７２とシャフト７４の中を貫通して、ガイドワイヤー２４を受容する（図７Ａ〜７Ｃには図示なし）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月6日(2017.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチビュービデオコンテンツに対応する少なくとも２つのビューのうちの少なくとも１つを符号化するエンコーダを有するマルチビュービデオ符号化のための装置であって、
前記エンコーダは、国際標準化機構／国際電気標準会議ＭＰＥＧ−４の第１０部  ＡＶＣ標準／ＩＴＵ−Ｔ  Ｈ．２６４勧告（International  Organization  for  Standardization/International  Electrotechnical  Commission  Moving  Picture  Experts  Group-4  Part  10  Advanced  Video  Coding  Standard/International  Telecommunication  Union,  Telecommunication  Sector  H.264  recommendation）に対応するデフォルトのリファレンスピクチャリストの構築プロセス及びリファレンスピクチャリストのリオーダリングにおいて再定義された変数を使用して、前記少なくとも２つのビューのうちの少なくとも１つを符号化し、
グループオブピクチャのレングスは、前記変数を再定義するのに使用される、前記装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月5日(2017.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型の半導体基板と、
第２の導電型を有し、前記半導体基板の表面側に設けられた第１のボディ領域および第２のボディ領域と、
前記第１のボディ領域および前記第２のボディ領域の間に設けられた、前記第１の導電型のネック部と、
前記第１の導電型を有し、前記第１のボディ領域内に形成された第１のソース領域、および、前記第２のボディ領域内に形成された第２のソース領域と、
前記第１のソース領域および前記ネック部との間の前記第１のボディ領域と対向する第１のゲート電極、ならびに、前記第２のソース領域および前記ネック部との間の前記第２のボディ領域と対向する第２のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と前記半導体基板の間、前記第２のゲート電極と前記半導体基板の間、および、前記ネック部の表面側において連続して設けられた絶縁膜と
を備え、
前記半導体基板の表面において、前記第１のボディ領域の端部と、前記第１のゲート電極の端部とが、対向する位置に設けられ、前記第２のボディ領域の端部と、前記第２のゲート電極の端部とが、対向する位置に設けられ、
前記第１のボディ領域および前記第２のボディ領域は、前記半導体基板の表面における端部よりも、前記ネック部側に突出する突出部を有する半導体装置。
【請求項２】
前記突出部が、それぞれのボディ領域の前記半導体基板の表面における端部よりも前記ネック部側に突出する長さＡは、下式の範囲である
【数１】
2017041622.tif 000001
ただし、Ｌは前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との距離、Ｋは真空の誘電率、ε０は前記半導体基板の比誘電率、ｑは電子の電荷量、ＮＡは前記ボディ領域および前記ネック部のうちＰ型の導電型の領域のアクセプタ濃度、ＮＤは前記ボディ領域および前記ネック部のうちＮ型の導電型の領域のドナー濃度、φｂｉは前記ボディ領域および前記ネック部の間の空乏層で発生するビルトインポテンシャルを示す
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突出部は、前記半導体基板の表面と、最も前記ネック部側に突出した先端との間において、前記半導体基板の裏面側に凸形状の窪み部を有する
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記窪み部は、前記半導体基板の深さ方向における深さと、前記半導体基板の表面と平行な方向における幅が等しい
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ネック部と対向する前記絶縁膜の少なくとも一部の厚さは、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極と対向する前記絶縁膜の厚さと異なる
請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体装置の製造方法であって、
第１の導電型の半導体基板の表面側に第２の導電型の不純物を注入して、第２の導電型の第１のボディ領域および第２のボディ領域、ならびに、前記第１のボディ領域および前記第２のボディ領域の間に設けられた、前記第１の導電型のネック部を形成する段階と、
前記第１のボディ領域内に前記第１の導電型の第１のソース領域、および、前記第２のボディ領域内に前記第１の導電型の第２のソース領域を形成する段階と、
前記半導体基板の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成段階と、
前記絶縁膜の表面側に、前記第１のソース領域および前記ネック部との間の前記第１のボディ領域と対向する第１のゲート電極と、前記第２のソース領域および前記ネック部との間の前記第２のボディ領域と対向する第２のゲート電極とを形成する段階と、
前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極を形成した後に、前記第１のボディ領域および前記第２のボディ領域に、前記半導体基板の表面における端部よりも、前記ネック部側に突出する突出部を形成する段階と
を備える製造方法。
【請求項７】
前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極を形成する段階において、それぞれのボディ領域の前記半導体基板の表面における端部よりも、前記ボディ領域の内側にそれぞれのゲート電極を形成する
請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記突出部を形成する段階は、前記半導体基板の表面を酸化する酸化段階を有する
請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記酸化段階において、それぞれのゲート電極に覆われていない前記絶縁膜に、それぞれの前記ゲート電極に覆われていない前記ボディ領域の不純物を吸収させる
請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記酸化段階において、前記第１のボディ領域の端部と前記第１のゲート電極の端部とが対向する位置となり、前記第２のボディ領域の端部と前記第２のゲート電極の端部とが対向する位置となるまで、それぞれのボディ領域の不純物を前記絶縁膜に吸収させる
請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁膜形成段階において、前記半導体基板の表面を酸化することで前記絶縁膜を形成する
請求項６から１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記酸化段階における酸化温度は、前記絶縁膜形成段階における酸化温度より低い
請求項８から１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記突出部を形成する段階は、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極をマスクとして、前記ネック部に第１の導電型のカウンタ不純物を注入するカウンタ不純物注入段階を有する
請求項７に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記突出部を形成する段階は、前記カウンタ不純物を注入した後に、前記絶縁膜形成段階における酸化温度よりも低い温度で前記半導体基板をアニールするアニール段階を更に有する
請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極を形成する段階において、前記絶縁膜の表面側に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングして前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極を形成し、且つ、当該パターニングにおいて前記ネック部の表面側の前記絶縁膜をエッチングする
請求項６から１４のいずれか一項に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月9日(2017.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置する第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に位置する第２導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に介在された活性層と、
前記第１導電型半導体層上に位置し、前記第１導電型半導体層に電気的に接続される複数の第１電極パッドと、
前記第１導電型半導体層上に位置する第２電極パッドと、
前記第１導電型半導体層と前記第２電極パッドとの間に介在され、前記第２電極パッドを前記第１導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、
前記第２電極パッドに接続され、前記第２導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部を含み、
前記第２電極パッドは、前記基板の一側端の中央部付近に配置され、
前記複数の第１電極パッドは、二つの第１電極パッドを含み、上記二つの第１電極パッドは、前記基板の一側端に対向する前記基板の他側端の両端に配置される発光ダイオード。
【請求項２】
前記二つの第１電極パッドを接続する下部延長部をさらに含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記二つの第１電極パッドにそれぞれ接続され、前記基板の端に沿って延長する下部延長部をさらに含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記少なくとも一つの上部延長部は、前記二つの第１電極パッドの近くに端部を有する二つの上部延長部を含み、
前記二つの上部延長部は、それぞれ前記基板の一側端から前記基板の他側端に延長する直線部を含み、
前記二つの第１電極パッドは、上記直線部の延長線上にそれぞれ位置する、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記第１導電型半導体層は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層がメサエッチングされて露出された少なくとも一つの領域を有し、
前記第２の電極パッドは、前記第１導電型半導体層の露出された領域上に位置する、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続する接続部をさらに含み、
前記メサエッチングされた第１導電型半導体層と活性層の側面は、前記絶縁層により前記接続部から絶縁されている、請求項５に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記第２の電極パッドの一部は、前記第２導電型半導体層上に位置し、
前記第２の電極パッドと前記第２導電型半導体層は、前記絶縁層により分離されている、請求項５に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記第２導電型半導体層及び前記活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するために分割され、
前記少なくとも二つの発光領域上に、それぞれ前記第２の電極パッドに接続された上部延長部が位置する、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記少なくとも二つの発光領域は、前記基板の一側端に垂直に前記第２の電極パッドを横切る線に対して対称構造を有する、請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
発光領域の間に位置して前記第１導電型半導体層に接続された下部延長部をさらに含む、請求項９に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
発光領域内に侵入し、前記第１導電型半導体層に接続された下部延長部をさらに含む、請求項９に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に位置する第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に位置する第２導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に介在された活性層と、
前記第１導電型半導体層上に位置し、前記第１導電型半導体層に電気的に接続された複数の第１電極パッドと、
前記基板上に位置する第２の電極パッドと、
前記複数の第１電極パッドから延長された下部延長部と、
前記第２の電極パッドに接続され、前記第２導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの上部延長部を含み、
前記第２の電極パッドは、前記基板の一側端の中央部付近に配置され、
前記複数の第１電極パッドは二つの第１電極パッドを含み、前記二つの第１電極パッドは、前記基板の一側端に対向する前記基板の他側端に形成され、前記二つの第１電極パッドは下部延長部により互いに電気的に接続される発光ダイオード。
【請求項１３】
前記第２の電極パッドは、前記基板上に形成された第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が部分的に除去された領域上に形成される、請求項１２に記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記第２の電極パッドを囲む第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層の側面を覆う絶縁層をさらに含む、請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項１５】
前記基板は絶縁基板である、請求項１２に記載の発光ダイオード。
【請求項１６】
前記基板と前記第２の電極パッドとの間に介在された絶縁層をさらに含む、請求項１２に記載の発光ダイオード。
【請求項１７】
前記二つの第１電極パッドは、前記基板の他側端の両端に配置される、請求項１２に記載の発光ダイオード。
【請求項１８】
前記二つの第１電極パッドにそれぞれ接続され、前記基板の端に沿って延長する下部延長部をさらに含む、請求項１２に記載の発光ダイオード。
【請求項１９】
前記少なくとも一つの上部延長部は、前記二つの第１電極パッドの近くに端部を有する二つの上部延長部を含み、
前記二つの上部延長部は、それぞれ前記基板の一側端から前記基板の他側端に延長する直線部を含み、
前記二つの第１電極パッドは、上記直線部の延長線上にそれぞれ位置する、請求項１２に記載の発光ダイオード。
【請求項２０】
前記第２導電型半導体層及び前記活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するために分割され、
前記少なくとも二つの発光領域上に、前記第２の電極パッドにそれぞれ接続された上部延長部が位置する、請求項１２に記載の発光ダイオード。
【請求項２１】
前記少なくとも二つの発光領域は、前記基板の一側端に垂直に前記第２の電極パッドを横切る線に対して対称構造を有する、請求項２０に記載の発光ダイオード。
【請求項２２】
前記発光領域の間に位置し、前記第１導電型半導体層に接続された下部延長部をさらに含む、請求項２１に記載の発光ダイオード。
【請求項２３】
前記発光領域内に侵入し、前記第１導電型半導体層に接続された下部延長部をさらに含む、請求項２１に記載の発光ダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光ダイオード
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月30日(2017.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で薄膜を硬化させるための装置であって、
前記装置は、
基板上に搭載された薄膜を移動させる運搬システムと、
ユーザが入力したタイミング情報一式に従ってパルスのパルス幅を変調させる閃光灯コントローラであって、前記タイミング情報は、時間に対して前記薄膜を硬化させるための前記装置により印加されるパワーを表す波形に関連し、前記タイミング情報は、前記薄膜および基板の所望の処理レベルおよびスタック特性に基づいて前記薄膜を硬化させるための特定の熱プロファイルに従って策定され、前記閃光灯コントローラは、
任意の波形発生器と、
前記任意の波形生成器に制御信号を送信して前記薄膜を硬化させるための適切な時間に種々の形状およびタイミングの波形を発生させるコンピュータにトリガ信号を提供するためのエンコーダと
を含む、閃光灯コントローラと、
閃光灯であって、前記薄膜が前記閃光灯に関連して移動されている間、パルス幅変調された電磁パルスを前記薄膜に提供するための閃光灯と
を備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月25日(2017.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも有機物を含む基板の主面上に、金属ナノ粒子が溶媒中に分散された分散液の液膜を形成する液膜形成ステップと、
前記液膜の表面にレーザ光を１度照射することで前記溶媒を気化させるように前記液膜を加熱して、前記金属ナノ粒子を溶融又は焼結させ、かつ前記主面を軟化又は溶融させる加熱ステップと、
前記溶融又は焼結した金属ナノ粒子と、前記軟化又は溶融した主面とを相互に融合させて、前記主面上に回路部を形成する回路部形成ステップと、
を備える回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記加熱ステップにおいて、前記レーザ光の走査速度が３（mm／ｓ）〜９０（mm／ｓ）である、
請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記加熱ステップにおいて、軟化又は溶融した前記主面の温度が、前記基板のガラス転位温度よりも大きく、かつ６００℃よりも小さくなるように、加熱する、
請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記加熱ステップにおいて、前記レーザ光の波長が１０６４（nm）又は５３２（nm）である、
請求項１から３のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
少なくとも有機物を含む基板と、
前記基板の主面に接合された回路部と、
前記回路部の接合面から前記基板の内部に入り込んでいる第１入込部と、
前記基板の主面から前記回路部の内部に入り込んでいる第２入込部と、
を備える、回路基板。
【請求項６】
前記第１入込部及び前記第２入込部の深さは、前記回路部の厚さより小さい、
請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
前記第１入込部及び前記第２入込部は、それぞれ大きさが異なる複数の入込部を含む、
請求項５又は６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記第１入込部及び前記第２入込部は、それぞれ形状が異なる複数の入込部を含む、
請求項５から７のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項９】
前記第１入込部及び前記第２入込部は、それぞれ不規則に配置されている、
請求項７又は８に記載の回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月26日(2017.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性コア（２０）と、
前記磁性コアに巻回されたコイル（３０）と、
前記磁性コアおよび前記コイルが配置される放熱面（４０ｂ）を含み、前記磁性コアおよび前記コイルの放熱を行う冷却部材（４０、６０）と、
前記放熱面から突出させられて設けられ、前記磁性コアを支持するコア支持部（４０ｄ）と、
前記放熱面から突出させられて設けられ、前記コイルを支持するコイル支持部（４０ｅ）と、
前記コア支持部によって前記磁性コアが支持され、かつ、前記コイル支持部によって前記コイルが支持された状態で前記放熱面から前記磁性コアの間に充填されることで、前記磁性コアのうちの前記放熱面側の面を封止しつつ、該磁性コアのうち前記放熱面と反対側の面を露出させるように形成された封止樹脂部（５０）と、を有し、
前記磁性コアは、前記放熱面の法線方向から見た形状が枠体形状とされ、該枠状の内周側を構成する内周側面（２０ｃ）と外周側を構成する外周側面（２０ｄ）とを有し、
前記コア支持部は、前記コイルから離れた位置、かつ、前記磁性コアのうち前記内周側面よりも前記外周側面側の位置において前記磁性コアを支持していることを特徴とするリアクトル。
【請求項２】
前記磁性コアは、前記放熱面と対向する一面を下面（２０ｂ）、該一面の反対側の一面を上面（２０ａ）、前記上面および前記下面とを繋ぐ側面（２０ｃ、２０ｄ）を有し、前記コイルに対して通電を行ったときに発生させられる磁束の流れと直交する方向での断面形状が四角形状とされていることを特徴とする請求項１に記載のリアクトル。
【請求項３】
前記磁性コアは、前記断面形状が、前記四角形状のうち前記上面および前記下面を構成する辺が長辺、前記側面を構成する辺が短辺とされる扁平形状の長方形状とされていることを特徴とする請求項２に記載のリアクトル。
【請求項４】
前記扁平形状の長方形状における前記短辺を分子にとり、前記２つの長辺を乗算した値を分母にとったときに３／１００以下となっていることを特徴とする請求項３に記載のリアクトル。
【請求項５】
前記磁性コアのうち、前記下面と前記側面とによる角部が丸められていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１つに記載のリアクトル。
【請求項６】
前記磁性コアは、前記コイルに対して通電を行ったときに発生させられる磁束の流れと直交する方向での断面形状が、前記放熱面に対する法線方向の寸法より前記放熱面に対する平行な方向の寸法が大きくされた扁平形状とされていることを特徴とする請求項１に記載のリアクトル。
【請求項７】
前記磁性コアは、前記放熱面の法線方向から見た形状が矩形の枠体形状とされ、
前記コア支持部は、前記磁性コアの四隅に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のリアクトル。
【請求項８】
前記コイルは、前記枠体形状とされた前記磁性コアに対して巻回されており、
前記コイル支持部は、前記コイルのうち前記磁性コアの中心側よりもその反対側となる外側に配置されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載のリアクトル。
【請求項９】
前記コイル支持部は、前記磁性コアよりも外側において前記コイルを支持していることを特徴とする請求項８に記載のリアクトル。
【請求項１０】
前記コア支持部は、少なくとも一部が前記磁性コアと前記放熱面とを絶縁する絶縁材料で構成され、
前記コイル支持部は、少なくとも一部が前記コイルと前記放熱面とを絶縁する絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載のリアクトル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、磁性コア（２０）と、磁性コアに巻回されたコイル（３０）と、磁性コアおよびコイルが配置される放熱面（４０ｂ）を含み、磁性コアおよびコイルの放熱を行う冷却部材（４０、６０）と、放熱面から突出させられて設けられ、磁性コアを支持するコア支持部（４０ｄ）と、放熱面から突出させられて設けられ、コイルを支持するコイル支持部（４０ｅ）と、コア支持部によって磁性コアが支持され、かつ、コイル支持部によってコイルが支持された状態で、放熱面から磁性コアの間に充填されることで、磁性コアのうちの放熱面側の面を封止しつつ、該磁性コアのうち放熱面と反対側の面を露出させるように形成された封止樹脂部（５０）と、を有し、磁性コアは、放熱面の法線方向から見た形状が枠体形状とされ、該枠状の内周側を構成する内周側面（２０ｃ）と外周側を構成する外周側面（２０ｄ）とを有し、コア支持部は、コイルから離れた位置、かつ、磁性コアのうち内周側面よりも外周側面側の位置において磁性コアを支持していることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月26日(2017.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性コア（２０）と、
前記磁性コアに巻回されたコイル（３０）と、
前記磁性コアおよび前記コイルを挟んだ両側に配置され、前記磁性コアおよび前記コイルが配置される放熱面（４０ｂ、４１ｂ）を含み、前記磁性コアおよび前記コイルの放熱を行う第１冷却部材（４０、６０）および第２冷却部材（４１、６１）と、
前記第１冷却部材の前記放熱面から前記磁性コアの間に充填されることで、前記磁性コアのうちの前記放熱面側となる下面（２０ｂ）を封止すると共に、前記第２冷却部材の前記放熱面から前記磁性コアの間に充填されることで、前記磁性コアのうちの前記放熱面側となる上面（２０ａ）を封止しつつ、該磁性コアのうち前記放熱面に繋がる両側面（２０ｃ、２０ｄ）を露出させるように形成された第１封止樹脂部（５０）および第２封止樹脂部（５１）と、を有し、
前記第１冷却部材および前記第２冷却部材は、共に、前記放熱面を構成する底面（４０ｂ、４１ｂ）を含む筐体（４０、４１）と、該筐体に貼り合わされた冷却器（６０、６１）とを備えた構成とされ、
前記第１冷却部材および前記第２冷却部材それぞれに備えられた前記筐体の前記底面は、前記磁性コアおよび前記コイル側に突き出した凸面状とされ、該底面の厚みが該底面の外縁側よりも内側の方が厚くされることで、該底面の中央位置に向かうに連れて該底面と前記磁性コアおよび前記コイルとの間隔が狭くされており、
前記磁性コアは、前記コイルに通電を行ったときに発生する磁束の流れに対して直交する面での断面形状が、前記第１冷却部材と前記第２冷却部材が並ぶ方向と同方向の寸法より該方向に対する垂直方向の寸法が大きくされた扁平形状とされていることを特徴とするリアクトル。
【請求項２】
前記磁性コアは、前記コイルに通電を行ったときに発生する磁束の流れに対して垂直な面での断面形状が四角形状であって、該四角形状のうち前記上面および前記下面を構成する辺が長辺、前記両側面を構成する辺が短辺とされる扁平形状の長方形状とされていることを特徴とする請求項１に記載のリアクトル。
【請求項３】
前記磁性コアのうち、前記下面と前記両側面とによる角部が丸められていることを特徴とする請求項２に記載のリアクトル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、磁性コア（２０）と、磁性コアに巻回されたコイル（３０）と、磁性コアおよびコイルを挟んだ両側に配置され、磁性コアおよびコイルが配置される放熱面（４０ｂ、４１ｂ）を含み、磁性コアおよびコイルの放熱を行う第１冷却部材（４０、６０）および第２冷却部材（４１、６１）と、第１冷却部材の放熱面から磁性コアの間に充填されることで、磁性コアのうちの放熱面側となる下面（２０ｂ）を封止すると共に、第２冷却部材の放熱面から磁性コアの間に充填されることで、磁性コアのうちの放熱面側となる上面（２０ａ）を封止しつつ、該磁性コアのうち放熱面に繋がる両側面（２０ｃ、２０ｄ）を露出させるように形成された第１封止樹脂部（５０）および第２封止樹脂部（５１）と、を有し、第１冷却部材および第２冷却部材は、共に、放熱面を構成する底面（４０ｂ、４１ｂ）を含む筐体（４０、４１）と、該筐体に貼り合わされた冷却器（６０、６１）とを備えた構成とされ、第１冷却部材および第２冷却部材それぞれに備えられた筐体の底面は、磁性コアおよびコイル側に突き出した凸面状とされ、該底面の厚みが該底面の外縁側よりも内側の方が厚くされることで、該底面の中央位置に向かうに連れて該底面と磁性コアおよびコイルとの間隔が狭くされており、磁性コアは、コイルに通電を行ったときに発生する磁束の流れに対して直交する面での断面形状が、第１冷却部材と第２冷却部材が並ぶ方向と同方向の寸法より該方向に対する垂直方向の寸法が大きくされた扁平形状とされていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月31日(2017.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記半導体層と電気的に接続された第１の導電層と、
前記第１の導電層と同一層上に設けられ、且つ同一材料を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と電気的に接続された発光素子と、を有し、
前記発光素子は、第３の導電層と、前記第３の導電層上の発光層と、前記発光層上の第４の導電層と、を有し、
前記第４の導電層は、画素部の外側において前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第４の導電層と前記第２の導電層とが重なる前記領域は、前記画素部を囲むように設けられていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月29日(2017.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線送受信ユニット（ＷＴＲＵ）により実装される方法であって、
前記ＷＴＲＵにより、無線リソース制御（ＲＲＣ）コネクションリクエストメッセージを送信することと、
再選択されるセルへのセル再選択を実行することと、
前記ＷＴＲＵにより、前記再選択されるセルについてのブロードキャストされたシステム情報を受信することと、
前記ＷＴＲＵにより、ＨＳ−ＤＳＣＨ（high speed downlink shared channel）情報エレメント（ＩＥ）を選択的に含んでいるまたは除外している前記受信したシステム情報から、前記再選択されるセルがＨＳ−ＤＳＣ上の受信をサポートするまたはサポートしないかどうかを決定することと、
前記再選択されるセルがＨＳ−ＤＳＣＨをサポートするという条件で、前記ＨＳ−ＤＳＣＨを使用するように前記ＷＴＲＵを構成することと、
前記ＷＴＲＵにより、前記ＨＳ−ＤＳＣＨ上でＲＲＣコネクションセットアップメッセージを受信することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記ＨＳ−ＤＳＣＨを使用するように前記ＷＴＲＵを構成することは、ＨＳ−ＤＳＣＨ受信変数がＴＲＵＥに設定されているという条件で、ＭＡＣリセットを実行することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＨＳ−ＤＳＣＨ  ＩＥは、ＨＳ−ＤＳＣＨページングシステム情報ＩＥまたはＨＳ−ＤＳＣＨ共通システム情報ＩＥである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記再選択されるセルがＨＳ−ＤＳＣ上の受信をサポートするかどうかを決定することは、システム情報ブロック（ＳＩＢ）５またはＳＩＢ５ｂｉｓが前記ＨＳ−ＤＳＣＨページングシステム情報ＩＥまたは前記ＨＳ−ＤＳＣＨ共通システム情報ＩＥを含むかどうかを決定することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＲＲＣコネクションリクエストメッセージは、変数INITIAL_UE_IDENTITYの値に設定される初期ＵＥ識別ＩＥを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
V300の値を確認することと、
V300の前記値がN300に等しいかN300よりも小さいと決定することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
無線送受信ユニット（ＷＴＲＵ）あって、
送受信ユニットであり、
無線リソース制御（ＲＲＣ）コネクションリクエストメッセージを送信し、
再選択されるセルについてのブロードキャストされたシステム情報を受信する
よう構成された送受信ユニットと、
プロセッサであり、
前記再選択されるセルへのセル再選択を実行し、
ＨＳ−ＤＳＣＨ（high speed downlink shared channel）情報エレメント（ＩＥ）を選択的に含んでいるまたは除外している前記受信したシステム情報から、前記再選択されるセルがＨＳ−ＤＳＣ上の受信をサポートするまたはサポートしないかどうかを決定し、
前記再選択されるセルがＨＳ−ＤＳＣＨをサポートするという条件で、前記ＨＳ−ＤＳＣＨを使用するように前記ＷＴＲＵを構成する
よう構成されたプロセッサと
を備え、
前記送受信ユニットは、前記ＨＳ−ＤＳＣＨ上でＲＲＣコネクションセットアップメッセージを受信するよう構成されている、ＷＴＲＵ。
【請求項８】
前記プロセッサは、ＨＳ−ＤＳＣＨ受信変数がＴＲＵＥに設定されているという条件で、ＭＡＣリセットを実行するよう構成されている、請求項７に記載のＷＴＲＵ。
【請求項９】
前記ＨＳ−ＤＳＣＨ  ＩＥは、ＨＳ−ＤＳＣＨページングシステム情報ＩＥまたはＨＳ−ＤＳＣＨ共通システム情報ＩＥである、請求項７に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１０】
前記プロセッサは、システム情報ブロック（ＳＩＢ）５またはＳＩＢ５ｂｉｓが前記ＨＳ−ＤＳＣＨページングシステム情報ＩＥまたは前記ＨＳ−ＤＳＣＨ共通システム情報ＩＥを含むかどうかを決定するよう構成されている、請求項９に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１１】
前記送受信ユニットは、
変数INITIAL_UE_IDENTITYの値に設定される初期ＵＥ識別ＩＥを有する前記ＲＲＣコネクションリクエストメッセージを送信し、
前記変数INITIAL_UE_IDENTITYの前記値と等しい前記初期ＵＥ識別ＩＥの値を有するコネクションセットアップメッセージを受信する
よう構成されている、請求項７に記載のＷＴＲＵ。
【請求項１２】
前記プロセッサは、
V300の値を確認し、
V300の前記値がN300に等しいかN300よりも小さいと決定する
ように構成されている、請求項７に記載のＷＴＲＵ。