【手続補正書】
【提出日】平成29年10月26日(2017.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明者らは、赤の副画素（以下、「Ｒ」と略す。）、緑の副画素（以下、「Ｇ」と略す。）、青の副画素（以下、「Ｂ」と略す。）のうち、Ｂの半数を白の副画素（以下、「Ｗ」と略す。）に置き換えるＲＧＢＷ方式の表示装置を検討していたところ、以下の問題があることを見出した。
すなわち、ＲおよびＧの開口率がＷおよびＢの開口率よりも小さくなってしまう。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
＜ＲＧＢＷ方式の画素配列＞
まず、本発明者らが検討したＲＧＢＷ方式（以下、単に「ＲＧＢＷ方式」という）の表示装置の画素配列について図１を用いて説明する。図１はＲＧＢＷ方式の表示装置の画素配列を示す平面図である。
図１に示すように、ＲＧＢＷ方式の表示装置１００Ｓは、Ｒ、ＧおよびＢで構成される第１の画素と、Ｒ、ＧおよびＷで構成される第２の画素と、が存在する。表示装置１００ＳはＷの追加によって透過率を向上させるため、Ｂの副画素数の１／２をＷに置き換えている。ＧおよびＲのそれぞれの開口面積は、ＢおよびＷのそれぞれの開口面積の約１／２にしている。第１の画素はＹ方向にＲとＧとが隣接配置され、Ｘ方向にＲおよびＧとＢとが隣接配置されている。第２の画素はＹ方向にＲとＧとが隣接配置され、Ｘ方向にＲおよびＧとＷとが隣接配置されている。Ｘ方向に第１の画素と第２の画素とが交互に配置され、Ｙ方向に第１の画素と第２の画素とが交互に配置されている。Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷの開口形状はそれぞれＹ方向の長さがＸ方向の長さより長い矩形状をしている。
Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷは、それぞれ走査線（ゲート線）および信号線（ソース線）に接続される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えている。走査線はＴＦＴのゲート電極に接続され、信号線はＴＦＴのソース電極に接続される。なお、信号線をドレイン線ということもあり、ドレイン線に接続されるＴＦＴの電極をドレイン電極という。
走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間に配置された第１の画素のＲおよびＢは走査線ＧＬ２に接続され、Ｇは走査線ＧＬ１に接続される。また、走査線ＧＬ１と走査線ＧＬ２との間に配置された第２の画素のＲおよびＷは走査線ＧＬ２に接続され、Ｇは走査線ＧＬ１に接続される。言い換えると、走査線ＧＬ２を挟んで隣接する第１の画素のＲおよび第２の画素のＧは走査線ＧＬ２に接続される。また、走査線ＧＬ２を挟んで隣接する第２の画素のＲおよび第１の画素のＧは走査線ＧＬ２に接続される。走査線ＧＬ２を挟んで隣接する第１の画素のＢは走査線ＧＬ２に接続され、第２の画素のＷは走査線ＧＬ３に接続される。すなわち、Ｙ方向に隣接するＧとＲとは同一の走査線に接続され、Ｙ方向に隣接するＷとＢとは異なる走査線に接続される。
Ｒは信号線ＳＬ１に接続され、Ｇは信号線ＳＬ２に接続され、ＷおよびＢは信号線ＳＬ３に接続される。ＲおよびＧは信号線ＳＬ１と信号線ＳＬ２との間に配置され、ＷおよびＢは信号線ＳＬ３と信号線ＳＬ４との間に配置される。言い換えると、信号線ＳＬ１と信号線ＳＬ２との間に配置されたＲは信号線ＳＬ１に接続され、信号線ＳＬ１と信号線ＳＬ２との間に配置されたＧは信号線ＳＬ２に接続される。また、信号線ＳＬ３と信号線ＳＬ４との間に配置されたＷおよびＢは信号線ＳＬ３に接続される。なお、信号線ＳＬ２と信号線ＳＬ３との間には副画素は配置されない。すなわち、副画素間に信号線が１本配置されるものと、副画素間に２本の信号線が配置されるものとがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
＜実施形態２＞
第２の実施形態（実施形態２）に係る表示装置について図１６および図１７を用いて説明する。図１６は実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。図１７は図１６のＢ−Ｂ’線における断面図である。なお、図１６のＡ−Ａ’線における断面図は図８に示す表示装置１００Ａと同様である。
実施形態１に係る表示装置１００Ｂは、信号線の配置を除いて、実施形態１に係る表示装置１００Ａと同様な構成である。表示装置１００Ａでは信号線ＳＬ２の一部は走査線と同じ層で形成しているが、表示装置１００Ｂでは信号線ＳＬ２の一部を第３の配線層（信号線でも走査線でもない配線層）に形成して積層する。例えば、第３の配線層は信号線よりも上層に形成される。
図１６および図１７に示すように、表示装置１００Ｂは、走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ｂは、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６の上に形成された第３の配線層３Ｍ（信号線ＳＬ２）と、平坦化膜１６のコンタクトホール、平坦化膜１６および第３の配線層３Ｍの上に形成された層間絶縁膜１８と、を備える。さらに、表示装置１００Ｂは、層間絶縁膜１８のコンタクトホールおよび層間絶縁膜１８の上に形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３と、を備える。なお、平坦化膜１６と層間絶縁膜１８との間に、図示していない共通電極が形成される。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は櫛歯状の２本のメイン電極を有し、２本のメイン電極はＹ方向に対し右に所定の角度傾いて延在する。画素電極ＰＥ２のメイン電極は図示していないが、−Ｙ方向に対し左に所定の角度傾いて延在する。
ＲとＢとの間に配置される信号線ＳＬ２（３Ｍ）は、信号線ＳＬ３の上層に位置する。これにより、実施形態２のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ５）を比較例２のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ２）よりも長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｒの開口率を大きくすることができる。ＧとＷとの間に配置される信号線ＳＬ２（ＧＬ）も、信号線ＳＬ３の上層に位置する。これにより、Ｇの開口部のＸ方向の長さを長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｇの開口率を大きくすることができる。信号線を積層して配置することによって画素面積に対する信号線部の面積比率を低くすることができるので高精細画素であっても高開口率化が可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
実施例２に係る表示装置について図１８および図１９を用いて説明する。図１８は実施例２に係る表示装置の画素、走査線および信号線の配置を説明するための平面図である。図１９は図１８のＢ−Ｂ線’における断面図である。なお、図１８のＡ−Ａ線’における断面図は図１５に示す表示装置１００Ａ１と同様である。
図１８および図１９に示すように、表示装置１００Ｂ１は、ポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３の上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２の上に形成された走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ｂ１は、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６の上に形成された第３の配線３Ｍおよび共通電極ＣＥと、第３の配線３Ｍおよび共通電極ＣＥの上に形成された層間絶縁膜１８と、層間絶縁膜１８の上に形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４と、を備える。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用であり、画素電極ＰＥ４はＷ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４は櫛歯状の２本のメイン電極を有する。画素電極ＰＥ１，ＰＥ３の２本のメイン電極はＹ方向に対し右に所定の角度傾いて延在し、画素電極ＰＥ２，ＰＥ４のメイン電極は−Ｙ方向に対し左に所定の角度傾いて延在する。
ＲとＢとの間に配置される信号線ＳＬ２（３Ｍ）は、信号線ＳＬ３の上層に位置する。ＲとＧとの間にＹ方向に延在する信号線ＳＬ２は平坦化膜１６のコンタクトホールＣＨ４を介して信号線ＳＬ２（３Ｍ）と接続する。ＧとＷとの間に配置される信号線ＳＬ２（３Ｍ）は、信号線ＳＬ３の上層に位置する。ＲとＧとの間にＹ方向に延在する信号線ＳＬ２は平坦化膜１６のコンタクトホールＣＨ５を介して信号線ＳＬ２（３Ｍ）と接続する。信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３はそれぞれ層間絶縁膜１４およびゲート絶縁膜１２のコンタクトホールを介してポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３と接続する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
＜実施形態３＞
第３の実施形態（実施形態３）に係る表示装置について図２０および図２１を用いて説明する。図２０は実施形態３に係る表示装置の構成を示す平面図である。図２１は図２０のＢ−Ｂ’線における断面図である。なお、図２０のＡ−Ａ線’における断面図は図８に示す表示装置１００Ａと同様である。
実施形態３に係る表示装置１００Ｃは、信号線の配置を除いて、実施形態１に係る表示装置１００Ａと同様な構成である。表示装置１００Ａでは信号線ＳＬ２の一部は走査線と同じ層で形成しているが、表示装置１００Ｃでは信号線ＳＬ２の一部を半導体層（ポリシリコン層）に形成して積層する。半導体層は信号線よりも下層に形成される。
図２０および図２１に示すように、表示装置１００Ｃは、ポリシリコン層で形成された信号線ＳＬ２（ＰＳ）と、信号線ＳＬ２（ＰＳ）の上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２の上に形成された走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ｒ１は、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６のコンタクトホールおよび平坦化膜１６の上に形成された層間絶縁膜１８と、を備える。さらに、表示装置１００Ｃは、層間絶縁膜１８のコンタクトホールおよび層間絶縁膜１８の上に形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３と、を備える。なお、平坦化膜１６と層間絶縁膜１８との間に、図示していない共通電極が形成される。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３は櫛歯状の２本のメイン電極を有し、２本のメイン電極はＹ方向に対し右に所定の角度傾いて延在する。画素電極ＰＥ２のメイン電極は図示していないが、−Ｙ方向に対し左に所定の角度傾いて延在する。
ＲとＢとの間に配置される信号線ＳＬ２（ＰＳ）はＴＦＴの半導体層と同層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。これにより、実施形態３のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ６）を比較例２のＲの開口部のＸ方向の長さ（Ｗ２）よりも長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｒの開口率を大きくすることができる。ＧとＷとの間に配置される信号線ＳＬ２（ＧＬ）も走査線と同層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。これにより、Ｇの開口部のＸ方向の長さを長くすることができ、開口面積を拡大することができる。よって、Ｇの開口率を大きくすることができる。信号線を積層して配置することによって画素面積に対する信号線部の面積比率を低くすることができるので高精細画素であっても高開口率化が可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
実施例３に係る表示装置について図２２および図２３を用いて説明する。図２２は実施例３に係る表示装置の画素、走査線および信号線の配置を説明するための平面図である。図２３は図２２のＢ−Ｂ線’における断面図である。なお、図２２のＡ−Ａ線’における断面図は図１５に示す表示装置１００Ａ１と同様である。
図２２および図２３に示すように、表示装置１００Ｃ１は、ポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３およびポリシリコン層で形成されたＳＬ２（ＰＳ）と、ポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３およびＳＬ２（ＰＳ）の上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２の上に形成された走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２と、走査線ＧＬ２の上に形成された層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４の上に形成された信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と、を備える。さらに、表示装置１００Ｃ１は、信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の上に形成された有機絶縁膜からなる平坦化膜１６と、平坦化膜１６の上に形成された共通電極ＣＥと、共通電極ＣＥの上に形成された層間絶縁膜１８と、層間絶縁膜１８の上に形成された画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４と、を備える。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４は平坦化膜１６のコンタクトホールの中に設けられた層間絶縁膜１８のコンタクトホールを介してそれぞれドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３と接続する。画素電極ＰＥ１はＲ用であり、画素電極ＰＥ２はＧ用であり、画素電極ＰＥ３はＢ用であり、画素電極ＰＥ４はＷ用である。画素電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３，ＰＥ４は櫛歯状の２本のメイン電極を有する。画素電極ＰＥ１，ＰＥ３の２本のメイン電極はＹ方向に対し右に所定の角度傾いて延在し、画素電極ＰＥ２，ＰＥ４のメイン電極は−Ｙ方向に対し左に所定の角度傾いて延在する。
ＲとＢとの間に配置される信号線ＳＬ２（ＰＳ）はポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３と同じ層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。ＲとＧとの間にＹ方向に延在する信号線ＳＬ２は層間絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ６を介して信号線ＳＬ２（ＰＳ）と接続する。ＧとＷとの間に配置される信号線ＳＬ２（ＰＳ）もポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３と同じ層により形成され、信号線ＳＬ３の下層に位置する。ＲとＧとの間にＹ方向に延在する信号線ＳＬ２は層間絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ７を介して信号線ＳＬ２（ＰＳ）と接続する。信号線ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３およびドレイン電極ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３はそれぞれ層間絶縁膜１４およびゲート絶縁膜１２のコンタクトホールを介してポリシリコン層ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３と接続する。