【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を備え、電気的な接続のための端子部を有する第１基板と、
主面と該主面に対して交差している端面とを備え、該主面と前記第１基板の前記主面とが対向するように前記第１基板に対して接着され、電気的な接続のための端子部を有する第２基板と、
少なくとも一部が前記第２基板の前記端面に設けられ、前記第１基板の前記端子部と前記第２基板の前記端子部とを前記第１基板と前記第２基板との間をまたいで接続する導電層と、
を有することを特徴とする導通構造。
【請求項２】
前記第２基板において前記主面と前記端面とがなす角度は、０°超９０°未満である請求項１に記載の導通構造。
【請求項３】
さらに、前記導電層の少なくとも一部に重なっているメッキ層を有する請求項１または２に記載の導通構造。
【請求項４】
前記第２基板は、シリコンを主材料とするものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の導通構造。
【請求項５】
前記第２基板の前記端面は、シリコンの面方位（１，１，１）の面で構成されている請求項４に記載の導通構造。
【請求項６】
前記第１基板において、前記端子部は前記主面に設けられており、
前記第２基板において、前記端子部は前記主面に設けられており、
前記導電層は、前記第１基板の前記主面に設けられた第１部分と、前記第２基板の前記端面に設けられ、前記第１部分と電気的に接続されている第２部分と、前記第２基板の前記主面に設けられ、前記第２部分と電気的に接続されている第３部分と、を備えている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の導通構造。
【請求項７】
当該導通構造は、さらに、主面と該主面に対して交差している端面とを備え、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられている第３基板を有し、
前記導電層は、さらに、前記第３基板の前記端面に設けられ、前記第１部分および前記第２部分の双方と電気的に接続されている第４部分を備えている請求項６に記載の導通構造。
【請求項８】
前記第２基板の前記端面と前記第３基板の前記端面とが互いの同一の面上に位置している請求項７に記載の導通構造。
【請求項９】
前記第２基板の前記端面と前記第３基板の前記端面とが互いにずれるように位置しており、
前記導電層は、さらに、前記第３基板の前記主面に設けられ、前記第２部分および前記第４部分の双方と電気的に接続されている第５部分を備えている請求項７に記載の導通構造。
【請求項１０】
前記第３基板は、前記第５部分と電気的に接続された電気回路を備えている請求項９に記載の導通構造。
【請求項１１】
前記導電層は、前記第２基板の前記端面から前記第１基板の前記主面に亘って設けられる請求項１に記載の導通構造。
【請求項１２】
前記第２基板の前記端子部は、前記第２基板の前記端面まで延びる請求項１または１１に記載の導通構造。
【請求項１３】
さらに、前記導電層に重なっているメッキ層を有し、
前記メッキ層は、前記第１基板の前記端子部および前記第２基板の前記端子部を覆う請求項１、１１、および１２のいずれか１項に記載の導通構造。
【請求項１４】
主面を備え、電気的な接続のための端子部を有する第１基板と、主面と該主面に対して交差している端面とを備え、該主面と前記第１基板の前記主面とが対向するように前記第１基板に対して接着され、電気的な接続のための端子部を有する第２基板と、前記第１基板の前記端子部と前記第２基板の前記端子部とを前記第１基板と前記第２基板との間をまたいで接続する導電層と、を有する導通構造を製造する方法であって、
前記第１基板の前記主面と前記第２基板の前記主面の一部とが互いに対向するとともに前記第２基板の前記主面の他部がはみ出すように、前記第１基板と前記第２基板とを接着する工程と、
前記第１基板の前記端子部と、前記第２基板の前記端面と、前記第２基板の前記端子部と、に対して金属材料を成膜し、金属膜を得る工程と、
前記金属膜をパターニングして前記導電層を得る工程と、
を有することを特徴とする導通構造の製造方法。
【請求項１５】
前記第２基板の前記端面は、異方性エッチング法により形成された面である請求項１４に記載の導通構造の製造方法。
【請求項１６】
前記金属膜は、スパッタリング法により成膜されたものであり、前記導電層は、前記金属膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして得られたものである請求項１４または１５に記載の導通構造の製造方法。
【請求項１７】
前記導通構造は、さらに、前記導電層の少なくとも一部に重なっているメッキ層を有しており、
当該導通構造の製造方法は、さらに、メッキ法により、前記導電層に対して前記メッキ層を析出させる工程を有する請求項１４ないし１６のいずれか１項に記載の導通構造の製造方法。
【請求項１８】
前記メッキ法は、無電解メッキ法である請求項１７に記載の導通構造の製造方法。
【請求項１９】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の導通構造を備えることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２０】
請求項１９に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする印刷装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導通構造は、主面を備え、電気的な接続のための端子部を有する第１基板と、
主面と該主面に対して交差している端面とを備え、該主面と前記第１基板の前記主面とが対向するように前記第１基板に対して接着され、電気的な接続のための端子部を有する第２基板と、
少なくとも一部が前記第２基板の前記端面に設けられ、前記第１基板の前記端子部と前記第２基板の前記端子部とを前記第１基板と前記第２基板との間をまたいで接続する導電層と、
を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の導通構造では、当該導通構造は、さらに、主面と該主面に対して交差している端面とを備え、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられている第３基板を有し、
前記導電層は、さらに、前記第３基板の前記端面に設けられ、前記第１部分および前記第２部分の双方と電気的に接続されている第４部分を備えていることが好ましい。
これにより、第３基板を挟んで第１基板から第２基板にかけて連続した配線を形成することができ、かつ、その配線の高密度化と低抵抗化とを両立させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の導通構造では、前記第３基板は、前記第５部分と電気的に接続された電気回路を備えていることが好ましい。
これにより、例えば第３基板の主面に電子回路が形成されている場合であっても、電子回路と配線との電気的接続の信頼性が高められるため、電子回路の動作安定性を高めることができる。
本発明の導通構造では、前記導電層は、前記第２基板の前記端面から前記第１基板の前記主面に亘って設けられることが好ましい。
本発明の導通構造では、前記第２基板の前記端子部は、前記第２基板の前記端面まで延びることが好ましい。
本発明の導通構造では、さらに、前記導電層に重なっているメッキ層を有し、
前記メッキ層は、前記第１基板の前記端子部および前記第２基板の前記端子部を覆うことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の導通構造の製造方法は、主面を備え、電気的な接続のための端子部を有する第１基板と、主面と該主面に対して交差している端面とを備え、該主面と前記第１基板の前記主面とが対向するように前記第１基板に対して接着され、電気的な接続のための端子部を有する第２基板と、前記第１基板の前記端子部と前記第２基板の前記端子部とを前記第１基板と前記第２基板との間をまたいで接続する導電層と、を有する導通構造を製造する方法であって、
前記第１基板の前記主面と前記第２基板の前記主面の一部とが互いに対向するとともに前記第２基板の前記主面の他部がはみ出すように、前記第１基板と前記第２基板とを接着する工程と、
前記第１基板の前記端子部と、前記第２基板の前記端面と、前記第２基板の前記端子部と、に対して金属材料を成膜し、金属膜を得る工程と、
前記金属膜をパターニングして前記導電層を得る工程と、
を有することを特徴とする。
これにより、基板間の配線の高密度化を図り易くかつ製造が容易な導通構造を効率よく製造することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１〜４に示す液滴吐出ヘッド１は、板状体で構成されたベース基板２と、ベース基板２上に配置されたＩＣ（Integrated Circuit）９（第２基板）と、を備えている。この液滴吐出ヘッド１は、後述するように印刷装置（液滴吐出装置）１００に搭載され、例えば印刷用紙等のような記録媒体２００上にインク３００を液滴として吐出して、当該記録媒体２００に印刷を施すことができる（図７参照）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図２に示すように、ベース基板２は、平面視で長方形をなしている。このベース基板２は、封止板１０Ａ（第３基板）と、デバイス基板１０Ｂ（第１基板）と、ノズル基板（ノズルプレート）２１とを有し、下側からノズル基板２１、デバイス基板１０Ｂ、封止板１０Ａの順に積層された積層体で構成されている。また、封止板１０Ａとデバイス基板１０Ｂとは、接着剤層（接着剤）１１を介して接着されている。そして、デバイス基板１０Ｂの上面と封止板１０Ａの下面とが向かい合うように配置され、それらの間に接着剤層１１が介挿されることにより接着されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
換言すれば、底部２７１は、デバイス基板１０Ｂ（第１基板）の上面に相当する部位である。また、第１の側壁部２７２ａ、第１の側壁部２７２ｂ、第２の側壁部２７３ａおよび第２の側壁部２７３ｂは、それぞれ封止板１０Ａ（第３基板）の端面で構成されている。この端面は、封止板１０Ａの上面および下面に対して連続しており、かつ、上面および下面に対して前述したように傾斜しているといえる。なお、本実施形態では、底部２７１に位置する上電極膜２５２の一部が、デバイス基板１０Ｂ（第１基板）が備える「端子部」に相当する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
ＩＣ９（第２基板）は、図１に示すように、半導体基板上に形成された図示しない電子回路と、この電子回路と電気的に接続された複数の端子（端子部）９３とを有している。
本実施形態では、図１〜３に示すように、凹部２７を挟んで２つのＩＣ９が配置されている。
このようなＩＣ９は、例えばシリコン、ゲルマニウム、化合物半導体材料等の各種半導体材料を主材料として構成されており、その中でもシリコンを主材料とするものが好ましく用いられる。シリコンを主材料とするＩＣ９は、性能に優れるとともに、リザーバー形成基板２４と熱膨張率が近くなるため、反り等の発生を抑制することができる。
ＩＣ９は、前述したように、その下面９１が接着剤層１４を介して封止板１０Ａの上面２６５と接着されている。また、ＩＣ９の上面９２は、下面９１とほぼ平行である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
なお、必要に応じて、ＩＣ９（第２基板）とデバイス基板１０Ｂ（第１基板）との間に、複数枚の封止板１０Ａ（第３基板）を介挿するようにしてもよい。また、封止板１０Ａに代えて別の部材が介挿されていてもよい。このような場合でも、上述した効果を得ることができる。
また、１つの液滴吐出ヘッド１に搭載されるＩＣ９の数は、特に限定されず、本実施形態より多くても少なくてもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
第４実施形態に係る導通構造を備える半導体装置１０００は、半導体用のパッケージ基板９５（第１基板）と、その上に搭載された第１の半導体チップ９Ａ（第３基板）と、さらにその上に積層された第２の半導体チップ９Ｂ（第２基板）と、を備えている。このような半導体装置１０００は、パッケージ基板９５の下面に設けられた図示しない端子を電気回路に接続することにより、積層型の半導体素子として作動する。なお、本実施形態に係るパッケージ基板９５、第１の半導体チップ９Ａおよび第２の半導体チップ９Ｂは、いずれも図１０の左右方向に広がる板状をなしている。そこで、本実施形態についての説明では、パッケージ基板９５、第１の半導体チップ９Ａおよび第２の半導体チップ９Ｂがそれぞれ有する２つの主面のうち、図１０の上方に位置する主面を「上面」といい、下方に位置する主面を「下面」という。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
パッケージ基板９５は、絶縁性基板９５１と導電層９５２とを備えている。絶縁性基板９５１や導電層９５２の各構成材料としては、公知のパッケージ基板と同様のものが用いられる。そして、パッケージ基板９５（第１基板）が備える導電層９５２の一部が「端子部」に相当する。
また、パッケージ基板９５の上面には、接着剤層１４Ａを介して第１の半導体チップ９Ａが接着されている。この第１の半導体チップ９Ａは、第１実施形態に係るＩＣ９と同様の構成を有する。
第１の半導体チップ９Ａは、下面９１Ａおよび上面９２Ａは互いにほぼ平行であり、下面９１Ａがパッケージ基板９５の上面に対してほぼ平行になるように接着されている。