【手続補正書】
【提出日】平成29年5月1日(2017.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを発生させ、発生させたプラズマを用いて半導体基板を処理するプラズマ処理チャンバのコンポーネントであって、
少なくとも１つのプラズマ露出面と、
前記プラズマ露出面にプラズマ適合性の液体を供給することによって、前記プラズマ露出面上に液体保護層を形成する手段と、を備えるコンポーネント。
【請求項２】
請求項１に記載のコンポーネントであって、
（ａ）前記液体を供給する手段は、前記コンポーネント内に液体供給路を備え、前記液体供給路は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に前記液体を分配し、これにより、前記液体が前記プラズマ露出面上に前記液体保護層を形成する、ように構成される、
（ｂ）前記液体を供給する手段は、前記コンポーネント内に液体チャネルを備え、前記液体チャネルは、前記コンポーネント内の液体供給路に流体連結され、これにより、前記液体チャネルは、前記液体供給路を通じて前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に前記液体を供給可能である、
（ｃ）前記液体を供給する手段は、前記コンポーネント内に第１及び第２の液体チャネルを備え、前記第１及び第２の液体チャネルは、第１の液体供給路群及び第２の液体供給路群にそれぞれ流体連結され、これにより、各液体チャネルは、前記液体供給路を通じて前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に異なるプラズマ適合性の液体を供給可能である、
及び／又は、
（ｄ）前記液体を供給する手段は、前記コンポーネント内に液体流入チャネルと液体流出チャネルとを備え、前記液体流入チャネル及び前記液体流出チャネルは、前記コンポーネント内の液体チャネルに流体連結され、これにより、前記コンポーネントに供給された前記液体を、前記コンポーネントへの流出入により循環させることができる、コンポーネント。
【請求項３】
請求項２に記載のコンポーネントであって、
（ａ）前記コンポーネントは多孔質セラミックであり、前記液体供給路は前記多孔質セラミックの細孔であり、前記細孔は、前記多孔質セラミックの前記細孔を通じて前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に前記液体を送出する、ように構成される、又は、
（ｂ）前記コンポーネントは金属材料から形成され、前記液体供給路は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に前記液体を送出するように構成される毛細管サイズの孔のパターンである、コンポーネント。
【請求項４】
請求項１に記載のコンポーネントであって、
前記コンポーネントは、前記プラズマ処理チャンバ内の基板支持部上に載置された半導体基板を囲むように構成されるエッジリングであり、
（ａ）前記エッジリングは、傾斜した上面を備える、
（ｂ）前記エッジリングは、平面状の上面を備える、
（ｃ）前記エッジリングは、内側環状リップを備える、
（ｄ）前記エッジリングは、外側環状リップを備える、
（ｅ）前記エッジリングは、酸化アルミニウム、アルミナ、酸化ケイ素、石英、ケイ素、炭化ケイ素、ＹＡＧ、酸化イットリウム、フッ化イットリウム、酸化セリウム、窒化アルミニウム、グラファイト又はこれらの組み合わせである、
（ｆ）前記エッジリングは、内部に埋め込まれた１つ又は複数のＲＦ電極を備える、
（ｇ）前記エッジリングは、ヒータを備える、
（ｈ）前記エッジリングは、内部に形成された段部を備える、
（ｉ）前記プラズマ露出面は、前記エッジリングの鉛直面である、
及び／又は、
（ｊ）前記プラズマ露出面は、前記エッジリングの上面である、コンポーネント。
【請求項５】
請求項２に記載のコンポーネントであって、
前記コンポーネントは、基板支持面を備える基板支持部であって、前記基板支持面は、前記基板支持部の上面に形成された凹部上に張り出すようにして半導体基板を支持し、前記プラズマ露出面が前記凹部を囲む、コンポーネント。
【請求項６】
請求項５に記載のコンポーネントであって、
（ａ）前記プラズマ露出面は、前記基板支持部の傾斜した上面である、
（ｂ）前記プラズマ露出面は、前記基板支持部の平面状の上面である、
（ｃ）前記プラズマ露出面は、前記基板支持部の内部に形成された段部であって、前記基板支持部の前記上面に形成された凹部により規定される段部を備える、
（ｄ）前記プラズマ露出面は、前記基板支持部の鉛直面である、
（ｅ）前記プラズマ露出面は、前記基板支持部の上面である、
（ｅ）前記プラズマ露出面は、内側環状リップを備える、
及び／又は、
（ｆ）前記プラズマ露出面は、外側環状リップを備える、コンポーネント。
【請求項７】
請求項１に記載のコンポーネントであって、
（ａ）前記コンポーネントは、酸化アルミニウム、アルミナ、酸化ケイ素、石英、ケイ素、炭化ケイ素、ＹＡＧ、酸化イットリウム、フッ化イットリウム、酸化セリウム、窒化アルミニウム、グラファイト又はこれらの組み合わせである、
及び／又は、
（ｂ）前記コンポーネントは、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に細溝を備え、前記細溝は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給される前記液体を導くように構成される、コンポーネント。
【請求項８】
プラズマを発生させ、発生させたプラズマを用いて半導体基板を処理するプラズマ処理チャンバの基板支持アセンブリであって、
請求項４に記載のエッジリングを備える、基板支持アセンブリ。
【請求項９】
半導体プラズマ処理装置であって、
個々の半導体基板が内部で処理される真空チャンバと、
前記真空チャンバに流体接続される処理ガス源であって、前記真空チャンバに処理ガスを供給する処理ガス源と、
前記真空チャンバ内で前記処理ガスをプラズマ状態に励起させるように構成されるＲＦエネルギー源と、
請求項１に記載のコンポーネントであって、前記プラズマ適合性の液体を供給する手段が前記コンポーネント内に液体供給路を備える、コンポーネントと、
前記プラズマ適合性の液体を前記液体供給路に送出する液体供給部と、
を備える半導体プラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体プラズマ処理装置であって、
（ａ）前記半導体プラズマ処理装置は、誘導結合プラズマ処理層である、
（ｂ）前記半導体プラズマ処理装置は、容量結合プラズマ処理装置である、
（ｃ）前記半導体プラズマ処理装置は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置である、
（ｄ）前記半導体プラズマ処理装置は、ヘリコン波プラズマ処理装置である、
又は、
（ｅ）前記半導体プラズマ処理装置は、マイクロ波プラズマ処理装置である、
半導体プラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体プラズマ処理装置であって、
（ａ）前記プラズマ適合性の液体は、所定の圧力で前記液体供給部に収容され、前記液体供給部と前記真空チャンバとの間の圧力差を利用して前記液体供給路内を前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に向かって液体が流され、前記所定の圧力は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上の前記液体の厚みを所定の厚みに維持できるように制御可能である、
又は、
（ｂ）前記液体供給部はポンプを備え、前記ポンプは、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上の前記液体の厚みを所定の厚みに維持できるように、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に向かって前記プラズマ適合性の液体をポンプで送るように構成される、半導体プラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の半導体プラズマ処理装置であって、
（ａ）前記コンポーネントは、エッジリングである、
（ｂ）前記コンポーネントは、基板支持アセンブリの接着層に隣接し、前記接着層に隣接する前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された前記プラズマ適合性の液体は、前記プラズマ露出面に供給され、前記接着層を前記液体で被覆するように構成される、
及び／又は、
（ｃ）前記コンポーネントは、基板支持アセンブリの接着層を囲むように構成されるエッジシールに隣接し、前記エッジシールに隣接する前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された前記プラズマ適合性の液体は、前記プラズマ露出面に供給され、前記エッジシールを前記液体で被覆するように、構成される、半導体プラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項９に記載の半導体プラズマ処理装置であって、
（ａ）前記プラズマ適合性の液体は、硬化可能な液体である、
（ｂ）前記プラズマ適合性の液体は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上で互いに反応して、硬化物の固体層を形成する２つの独立した液体を備える、
（ｃ）前記プラズマ適合性の液体は、流動性を有する酸化物前駆物質である、
（ｄ）前記プラズマ適合性の液体は、シリコーン系の液体である、
（ｅ）前記プラズマ適合性の液体は、イオン流体である、
（ｆ）前記プラズマ適合性の液体は、約２０℃で約１０−６トール未満の蒸気圧を有する、
（ｇ）前記プラズマ適合性の液体は、パーフルオロポリエーテルである、
（ｈ）前記プラズマ適合性の液体は、約８００〜５０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有する、
（ｉ）前記プラズマ適合性の液体は、約１０００ｇ／ｍｏｌより大きな分子量を有する、
（ｊ）前記プラズマ適合性の液体は、１２０℃未満の温度で固体を形成する、
（ｋ）前記プラズマ適合性の液体は、約８０℃未満の温度で固体を形成する、
及び／又は、
（ｌ）前記プラズマ適合性の液体は、フェニルメチルシロキサン、ジメチルシクロシロキサン、テトラメチルテトラフェニルトリシロキサン、ペンタフェニルトリメチルトリシロキサン、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、ヒドロフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、パーフルオロトリメチレン酸化物、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、１−ブチル−３，５−ジメチルピリジニウム臭化物、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、硫酸水素１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物、メタンスルホン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、硝酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、オクチル硫酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、トシル酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロ酢酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−（３−シアノプロピル）−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド、１−（３−シアノプロピル）−３−メチルイミダゾリウム塩化物、１−（３−シアノプロピル）−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、１−デシル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、テトラフルオロホウ酸１−デシル−３−メチルイミダゾリウム、１，３−ジエトキシイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ヘキサフルオロリン酸１，３−ジエトキシイミダゾリウム、１，３−ジヒドロキシイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１，３−ジヒドロキシ−２−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１，３−ジメトキシイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ヘキサフルオロリン酸１，３−ジメトキシイミダゾリウム、１，３−ジメトキシ−２−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ヘキサフルオロリン酸１，３−ジメトキシ−２−メチルイミダゾリウム、ジメチルリン酸１，３−ジメトキシイミダゾリウム、メタンスルホン酸１，３−ジメトキシイミダゾリウム、メチル硫酸１，３−ジメトキシイミダゾリウム、１，２−ジメチル−３−プロピルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１，２−ジメチル−３−プロピルイミダゾリウム・トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド、１−ドデシル−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩化物、エチル硫酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、メチル炭酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、酢酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、アミノ酢酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、（Ｓ）−２−アミノプロピオン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム臭化物、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、ジブチルリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、ジエチルリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、ジメチルリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、炭酸水素１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、炭酸水素１−エチル−３−メチルイミダゾリウム溶液、硫酸水素１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、水酸化１−エチル−３−メチルイミダゾリウム溶液、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物、Ｌ−（＋）乳酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、メタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム溶液、メチル硫酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、硝酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、トシル酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、１−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素１−メチルイミダゾリウム、１−メチル−３−オクチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸１−メチル−３−オクチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−メチル−３−オクチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−メチル−３−オクチルイミダゾリウム、１−メチル−３−プロピルイミダゾリウムヨウ化物、メチル炭酸１−メチル−３−プロピルイミダゾリウム溶液、ヘキサフルオロリン酸１−メチル−３−（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル）イミダゾリウム、メチル炭酸メチル−３−ビニルイミダゾリウム溶液、メチル硫酸１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、purumグレードのトリフルオロメタンスルホン酸１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、酢酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、メタンスルホン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、酢酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、ジエチルリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、硫酸水素１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、水酸化１−エチル−３−メチルイミダゾリウム溶液、メタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素１−イミダゾリウム、メチル硫酸α，α−［（メチル−９−オクタデセニルイミノ）ジ−２，１−エタンジイル］ビス［ω−ヒドロキシポリ（オキシ−１，２−エタンジイル）］、メチル硫酸１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、メチル硫酸１，２，４−トリメチルピラゾリウム、メタンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルホスホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、ジブチルリン酸トリブチルメチルホスホニウム、メチル炭酸トリブチルメチルホスホニウム溶液、メチル硫酸トリブチルメチルホスホニウム、ジブチルリン酸トリエチルメチルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド、ビス（２，４，４−トリメチルペンチル）ホスフィン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム臭化物、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム塩化物、デカン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム・ジシアナミド、３−（トリフェニルホスホニオ）プロパン−１−スルホナート、３−（トリフェニルホスホニオ）プロパン−１−スルホン酸トシラート、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−１−メチルピペリジニウム、１−ブチル−１−メチルピペリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−１−メチルピペリジニウム、メチル炭酸４−エチル−４−メチルモルホリニウム溶液、１，２，３−トリス（ジエチルアミノ）シクロプロペリニウム・ビス（トリフルオロ���タンスルホニル）イミド、１，２，３−トリス（ジエチルアミノ）シクロプロペリニウム・ジシアナミド、テトラフルオロホウ酸シクロプロピルジフェニルスルホニウム、トリエチルスルホニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ブチル−１−メチルピロリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ブチル−１−メチルピロリジニウム臭化物、１−ブチル−１−メチルピロリジニウム塩化物、１−ブチル−１−メチルピロリジニウム・ジシアナミド、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−１−メチルピロリジニウム、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムヨウ化物、メチル炭酸１−ブチル−１−メチルピロリジニウム溶液、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−１−メチルピロリジニウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−ブチル−１−メチルピロリジニウム、１−エチル−１−メチルピロリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−エチル−１−メチルピロリジニウム臭化物、ヘキサフルオロリン酸１−エチル−１−メチルピロリジニウム、テトラフルオロホウ酸１−エチル−１−メチルピロリジニウム、１−ブチル−３−メチルピリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−４−メチルピリジニウム、１−ブチル−４−メチルピリジニウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−４−メチルピリジニウム、１−ブチルピリジニウム臭化物、１−（３−シアノプロピル）ピリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−（３−シアノプロピル）ピリジニウム塩化物、テトラフルオロホウ酸１−エチルピリジニウム、Ｎ−エチルピリジニウム臭化物−ｄ１０，３−メチル−１−プロピルピリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、メチル硫酸１，２，４−トリメチルピラゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、メタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、ジエチルリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、酢酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウム、チオシアン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸
１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、メチル炭酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、無水ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウム塩化物、purumグレードの三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム、ブチルトリメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ジエチルメチル（２−メトキシエチル）アンモニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、エチルジメチルプロピルアンモニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、Ｌ−（＋）乳酸２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、メチルトリオクタデシルアンモニウム臭化物、メチルトリオクチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、メチルトリオクチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、硫酸水素メチルトリオクチルアンモニウム、チオサリチル酸メチルトリオクチルアンモニウム、安息香酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム・ビストリフルオロメタンスルホンイミデート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム３０水和物、purumグレードのメタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、亜硝酸テトラブチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム・スクシンイミド、テトラブチルアンモニウム・チオフェノラート、purumグレードの三臭化テトラブチルアンモニウム、三ヨウ化テトラブチルアンモニウム、テトラドデシルアンモニウム臭化物、テトラドデシルアンモニウム塩化物、purumグレードのテトラヘキサドデシルアンモニウム臭化物、purumグレードのテトラヘキシルアンモニウム臭化物、硫酸水素テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸テトラヘキシルアンモニウム、テトラキス（デシル）アンモニウム臭化物、水酸化テトラメチルアンモニウム５水和物、purumグレードのテトラオクチルアンモニウム臭化物、トリブチルメチルアンモニウム塩化物、ジブチルリン酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル炭酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル硫酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル硫酸トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウム、ジブチルリン酸トリエチルメチルアンモニウム、メチル炭酸トリエチルメチルアンモニウム、酢酸コリン、１−アリル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−アリル−３−メチルイミダゾリウム臭化物、１−アリル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、１−アリル−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、１−アリル−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物、１−ベンジル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸１−ベンジル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−ベンジル−３−メチルイミダゾリウム、１，３−ビス（シアノメチル）イミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、purumグレードの１，３−ビス（シアノメチル）イミダゾリウム塩化物、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、４−（３−ブチル−１−イミダゾリオ）−１−ブタンスルホナート、４−（３−ブチル−１−イミダゾリオ）−１−ブタンスルホン酸トリフラート、酢酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム臭化物、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、ジブチルリン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロアンチモン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、硫酸水素１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム及びこれらの混合物からなる群から選択される、半導体プラズマ処理装置。
【請求項１４】
真空チャンバ内で半導体基板を処理しつつ、プラズマ処理装置内のコンポーネントのプラズマ露出面上に液体保護層を形成する方法であって、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に液体供給部からプラズマ適合性の液体を供給して、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に液体保護層を形成する工程を備え、
前記液体保護層を形成する前記液体は、前記真空チャンバ内で半導体基板のプラズマ処理が行われる際に、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面にin situ（その場）で補給される、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、さらに、
（ａ）前記液体供給部と前記真空チャンバとの間の圧力差を利用して前記コンポーネント内の液体供給路内を前記プラズマ露出面に向かって前記液体が流れるように、前記液体供給部と前記真空チャンバとの間の圧力差を制御する工程であって、前記半導体基板の処理の際に、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上の前記液体保護層の厚みを所定の厚みに維持できるように前記圧力差を制御する工程、
又は、
（ｂ）前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に向かって前記液体供給部において前記液体をポンプで送り出し、前記半導体基板の処理の際に、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上の前記液体保護層の厚みを所定の厚みに維持する工程、
を備える方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
（ａ）前記プラズマ適合性の液体は、前記液体保護層の厚みが約０．５〜４０００ミクロンになるように、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給される、
（ｂ）前記プラズマ適合性の液体は、前記液体保護層の厚みが約１００ミクロン以上になるように、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給される、
（ｃ）前記プラズマ適合性の液体は、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に形成された細溝に供給され、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された前記液体は前記細溝によって導かれる、
（ｄ）前記プラズマ適合性の液体は、流動性を有する酸化物前駆物質である、
（ｅ）前記プラズマ適合性の液体は、イオン流体である、
（ｆ）前記プラズマ適合性の液体は、約２０℃で約１０−６トール未満の蒸気圧を有する、
（ｇ）前記プラズマ適合性の液体は、パーフルオロポリエーテルである、
（ｈ）前記プラズマ適合性の液体は、約８００〜５０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有する、
（ｉ）前記プラズマ適合性の液体は、約１０００ｇ／ｍｏｌより大きな分子量を有する、
（ｊ）前記プラズマ適合性の液体は、１２０℃未満の温度で固体を形成する、
（ｋ）前記プラズマ適合性の液体は、約８０℃未満の温度で固体を形成する、
及び／又は、
（ｌ）前記プラズマ適合性の液体は、フェニルメチルシロキサン、ジメチルシクロシロキサン、テトラメチルテトラフェニルトリシロキサン、ペンタフェニルトリメチルトリシロキサン、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、ヒドロフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、パーフルオロトリメチレン酸化物、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、１−ブチル−３，５−ジメチルピリジニウム臭化物、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、硫酸水素１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物、メタンスルホン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、硝酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、オクチル硫酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、トシル酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロ酢酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−（３−シアノプロピル）−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド、１−（３−シアノプロピル）−３−メチルイミダゾリウム塩化物、１−（３−シアノプロピル）−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、１−デシル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、テトラフルオロホウ酸１−デシル−３−メチルイミダゾリウム、１，３−ジエトキシイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ヘキサフルオロリン酸１，３−ジエトキシイミダゾリウム、１，３−ジヒドロキシイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１，３−ジヒドロキシ−２−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１，３−ジメトキシイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ヘキサフルオロリン酸１，３−ジメトキシイミダゾリウム、１，３−ジメトキシ−２−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ヘキサフルオロリン酸１，３−ジメトキシ−２−メチルイミダゾリウム、ジメチルリン酸１，３−ジメトキシイミダゾリウム、メタンスルホン酸１，３−ジメトキシイミダゾリウム、メチル硫酸１，３−ジメトキシイミダゾリウム、１，２−ジメチル−３−プロピルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１，２−ジメチル−３−プロピルイミダゾリウム・トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド、１−ドデシル−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩化物、エチル硫酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、メチル炭酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、酢酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、アミノ酢酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、（Ｓ）−２−アミノプロピオン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム臭化物、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、ジブチルリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、ジエチルリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、ジメチルリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、炭酸水素１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、炭酸水素１−エチル−３−メチルイミダゾリウム溶液、硫酸水素１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、水酸化１−エチル−３−メチルイミダゾリウム溶液、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物、Ｌ−（＋）乳酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、メタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム溶液、メチル硫酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、硝酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、トシル酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、１−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素１−メチルイミダゾリウム、１−メチル−３−オクチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸１−メチル−３−オクチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−メチル−３−オクチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−メチル−３−オクチルイミダゾリウム、１−メチル−３−プロピルイミダゾリウムヨウ化物、メチル炭酸１−メチル−３−プロピルイミダゾリウム溶液、ヘキサフルオロリン酸１−メチル−３−（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル）イミダゾリウム、メチル炭酸メチル−３−ビニルイミダゾリウム溶液、メチル硫酸１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、purumグレードのトリフルオロメタンスルホン酸１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、酢酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、メタンスルホン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、酢酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、ジエチルリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、硫酸水素１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、水酸化１−エチル−３−メチルイミダゾリウム溶液、メタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラクロロアルミン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、チオシアン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチルイミダゾリウム塩化物、硫酸水素１−イミダゾリウム、メチル硫酸α，α−［（メチル−９−オクタデセニルイミノ）ジ−２，１−エタンジイル］ビス［ω−ヒドロキシポリ（オキシ−１，２−エタンジイル）］、メチル硫酸１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、メチル硫酸１，２，４−トリメチルピラゾリウム、メタンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルホスホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、ジブチルリン酸トリブチルメチルホスホニウム、メチル炭酸トリブチルメチルホスホニウム溶液、メチル硫酸トリブチルメチルホスホニウム、ジブチルリン酸トリエチルメチルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミド、ビス（２，４，４−トリメチルペンチル）ホスフィン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム臭化物、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム塩化物、デカン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム・ジシアナミド、３−（トリフェニルホスホニオ）プロパン−１−スルホナート、３−（トリフェニルホスホニオ）プロパン−１−スルホン酸トシラート、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−１−メチルピペリジニウム、１−ブチル−１−メチルピペリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−１−メチルピペリジニウム、メチル炭酸４−エチル−４−メチルモルホリニウム溶液、１，２，３−トリス（ジエチルアミノ）シクロプロペリニウム・ビス（トリフルオロ���タンスルホニル）イミド、１，２，３−トリス（ジエチルアミノ）シクロプロペリニウム・ジシアナミド、テトラフルオロホウ酸シクロプロピルジフェニルスルホニウム、トリエチルスルホニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ブチル−１−メチルピロリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ブチル−１−メチルピロリジニウム臭化物、１−ブチル−１−メチルピロリジニウム塩化物、１−ブチル−１−メチルピロリジニウム・ジシアナミド、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−１−メチルピロリジニウム、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムヨウ化物、メチル炭酸１−ブチル−１−メチルピロリジニウム溶液、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−１−メチルピロリジニウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−ブチル−１−メチルピロリジニウム、１−エチル−１−メチルピロリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−エチル−１−メチルピロリジニウム臭化物、ヘキサフルオロリン酸１−エチル−１−メチルピロリジニウム、テトラフルオロホウ酸１−エチル−１−メチルピロリジニウム、１−ブチル−３−メチルピリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−４−メチルピリジニウム、１−ブチル−４−メチルピリジニウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−４−メチルピリジニウム、１−ブチルピリジニウム臭化物、１−（３−シアノプロピル）ピリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−（３−シアノプロピル）ピリジニウム塩化物、テトラフルオロホウ酸１−エチルピリジニウム、Ｎ−エチルピリジニウム臭化物−ｄ１０，３−メチル−１−プロピルピリジニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、メチル硫酸１，２，４−トリメチルピラゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、メタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、エチル硫酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、ジエチルリン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、酢酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル硫酸トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウム、チオシアン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸
１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、トリフルオロメタンスルホン酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、メチル炭酸１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、メチル炭酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、無水ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウム塩化物、purumグレードの三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム、ブチルトリメチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ジエチルメチル（２−メトキシエチル）アンモニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、エチルジメチルプロピルアンモニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、Ｌ−（＋）乳酸２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、メチルトリオクタデシルアンモニウム臭化物、メチルトリオクチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、メチルトリオクチルアンモニウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、硫酸水素メチルトリオクチルアンモニウム、チオサリチル酸メチルトリオクチルアンモニウム、安息香酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム・ビストリフルオロメタンスルホンイミデート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム３０水和物、purumグレードのメタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、亜硝酸テトラブチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム・スクシンイミド、テトラブチルアンモニウム・チオフェノラート、purumグレードの三臭化テトラブチルアンモニウム、三ヨウ化テトラブチルアンモニウム、テトラドデシルアンモニウム臭化物、テトラドデシルアンモニウム塩化物、purumグレードのテトラヘキサドデシルアンモニウム臭化物、purumグレードのテトラヘキシルアンモニウム臭化物、硫酸水素テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウムヨウ化物、テトラフルオロホウ酸テトラヘキシルアンモニウム、テトラキス（デシル）アンモニウム臭化物、水酸化テトラメチルアンモニウム５水和物、purumグレードのテトラオクチルアンモニウム臭化物、トリブチルメチルアンモニウム塩化物、ジブチルリン酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル炭酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル硫酸トリブチルメチルアンモニウム、メチル硫酸トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウム、ジブチルリン酸トリエチルメチルアンモニウム、メチル炭酸トリエチルメチルアンモニウム、酢酸コリン、１−アリル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−アリル−３−メチルイミダゾリウム臭化物、１−アリル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、１−アリル−３−メチルイミダゾリウム・ジシアナミド、１−アリル−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物、１−ベンジル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸１−ベンジル−３−メチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−ベンジル−３−メチルイミダゾリウム、１，３−ビス（シアノメチル）イミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、purumグレードの１，３−ビス（シアノメチル）イミダゾリウム塩化物、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム塩化物、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、テトラフルオロホウ酸１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム、４−（３−ブチル−１−イミダゾリオ）−１−ブタンスルホナート、４−（３−ブチル−１−イミダゾリオ）−１−ブタンスルホン酸トリフラート、酢酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム臭化物、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム塩化物、ジブチルリン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロアンチモン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、硫酸水素１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、ヘキサフルオロリン酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の方法であって、さらに、
前記液体を循環させる工程であって、
（ａ）熱交換器と前記コンポーネント内の液体チャネルとを通して前記液体を循環させることによって、前記プラズマ露出面を制御温度に維持する、
（ｂ）フィルターを通して前記液体を循環させて、前記半導体基板の処理の結果生じた前記液体内の不純物を取り除く、
及び／又は、
（ｃ）プラズマへの露出によって前記液体内で増大した電荷を取り除く放電管を通して前記液体を循環させる、
工程を備える方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の方法であって、
前記液体は、前記半導体基板のプラズマ処理の際に、前記液体保護層のプラズマ浸食を相殺するのに十分な速度で前記プラズマ露出面に連続的に供給される、方法。
【請求項１９】
請求項１４に記載の方法であって、
前記液体は、前記半導体基板のプラズマ処理の際に、連続的に、前記液体保護層の上部に供給されるとともに、前記液体保護層の下部から排出され、
（ａ）前記コンポーネントの前記プラズマ露出面は、前記半導体基板を支持する基板支持アセンブリの接着層に隣接し、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された液体は、前記接着層を被覆する環状液体層を形成する、
（ｂ）前記コンポーネントの前記プラズマ露出面は、前記半導体基板を支持する基板支持アセンブリの接着層を囲むエッジシールに隣接し、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された液体は、前記エッジシールを被覆する環状液体層を形成する、
（ｃ）前記コンポーネントの前記プラズマ露出面は、前記半導体基板を支持する基板支持部に隣接し、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に供給された液体は、前記基板支持部の表面を被覆する環状液体層を形成する、
及び／又は、
（ｄ）前記コンポーネントの前記プラズマ露出面は、前記半導体基板を支持するように構成される基板支持アセンブリに隣接し、前記半導体基板の外周部は前記基板支持部上に張り出し、前記液体保護層は、プラズマに露出される前記液体保護層の表面と前記半導体基板の前記外周部の下面との間に所定の間隙を与えるのに十分な厚さに維持される、方法。
【請求項２０】
請求項１４に記載の方法であって、
（ａ）前記コンポーネントは多孔質セラミック材を備え、前記液体は、前記多孔質セラミック材を通して浸み出して前記プラズマ露出面に供給される、
又は、
（ｂ）前記液体は、前記コンポーネントに形成された毛細管サイズの孔を通して浸出して前記プラズマ露出面に供給される、方法。
【請求項２１】
請求項１４に記載の方法であって、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面は、前記半導体基板を囲むエッジリングの上面及び／又は側面である、方法。
【請求項２２】
真空チャンバ内で半導体基板を処理するように構成されるプラズマ処理装置においてコンポーネントのプラズマ露出面上にin situ（その場）で固体保護層を形成する方法であって、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に液体供給部からプラズマ適合性の液体を供給して、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に液体保護層を形成する工程と、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に形成された前記液体保護層を硬化させて、固体保護層を形成する工程と、を備え、
前記液体保護層を形成する前記液体は、硬化可能な液体である、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、
前記半導体基板のプラズマ処理の前に、前記プラズマ露出面上で前記液体保護層が硬化され、
（ａ）プラズマからの紫外線照射により前記硬化を行って、前記固体保護層を形成する、
又は、
（ｂ）前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に対して２つの液体を供給し、前記プラズマ露出面上で前記２つの液体を反応させることにより前記硬化を行って前記固体保護層を形成する、方法。
【請求項２４】
請求項２２に記載の方法であって、
前記プラズマ適合性の液体は、シリコーン系の液体であって、硬化すると高純度シリコーン酸化物の固体保護層を形成する、方法。
【請求項２５】
請求項２２に記載の方法であって、さらに、
前記真空チャンバ内で半導体基板をプラズマ処理する工程を備える、方法。
【請求項２６】
真空チャンバ内で半導体基板を処理するように構成されるプラズマ処理装置においてコンポーネントのプラズマ露出面上にin situ（その場）で固体保護層を形成する方法であって、
プラズマ適合性の固体を加熱して、プラズマ適合性の液体を形成する工程と、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面に前記プラズマ適合性の液体を供給して、前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に液体保護層を形成する工程と、
前記コンポーネントの前記プラズマ露出面上に形成された前記液体保護層を冷却することにより、固体保護層を形成する工程と、を備える方法。
【請求項２７】
請求項２５に記載の方法であって、さらに、
前記真空チャンバ内で半導体基板をプラズマ処理する工程を備える、方法。