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【手続補正書】
【提出日】平成28年12月5日(2016.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像オブジェクトが描画先に描画されていない状態から前記画像オブジェクトが前記描画先に描画された状態になるまでの前記描画先を撮像した時系列の画像データを取得する画像取得手段と、
ユーザーによる発話の音声データを含む、前記時系列の画像データに対応する時系列の音声データを取得する音声取得手段と、
前記画像オブジェクトを発話のタイミングと関連付ける関連付け手段と、
前記画像オブジェクトを含む画像データを表示する表示手段と、
前記表示された画像オブジェクトがユーザーの指示により選択された場合に、前記関連付けにより前記画像オブジェクトに関連付けられた前記発話のタイミングから、前記時系列の画像データおよび前記時系列の音声データを再生する再生手段と、
を有することを特徴とする画像音声再生システム。
【請求項２】
前記画像取得手段は、動画像から所定のタイミングで静止画像を抽出することで前記画像データを取得し、
前記音声取得手段は、前記動画像に同期して記録された音声から、無音区間で区切られた発話区間ごとに音声を抽出することで前記音声データを取得し、
前記関連付け手段は、先行する画像データとそれに続く画像データとの差分に含まれた画像オブジェクトを、前記先行する画像データが抽出されたタイミングからそれに続く画像データが抽出されたタイミングまでの描画期間と発話区間が重複する前記音声データに関連付けることを特徴とする請求項１に記載の画像音声再生システム。
【請求項３】
前記関連付け手段はさらに、前記描画期間を前後に拡張した拡張描画期間と発話区間が重複する前記音声データも前記画像オブジェクトに関連付けることを特徴とする請求項２に記載の画像音声再生システム。
【請求項４】
前記関連付け手段は、前記差分に含まれた画像オブジェクトが誤記であるか判定し、誤記であった場合には、前記差分領域に重複した画像オブジェクトに関連付けられた音声データを、下地の画像オブジェクトに関連付けることを特徴とする請求項２又は３に記載の画像音声再生システム。
【請求項５】
前記関連付け手段は、前記差分に含まれた画像オブジェクトが下地色であり、前記先行する画像データの更に先行する画像データに、前記画像オブジェクトと重複する画像オブジェクトが含まれている場合に、当該画像オブジェクトを誤記であると判定することを特徴とする請求項４に記載の画像音声再生システム。
【請求項６】
前記関連付け手段は、前記画像オブジェクトに関連付けた音声データが複数あった場合には、そのうちのひとつを最優先の音声データとして前記画像オブジェクトに関連付け、前記再生手段は、最優先の音声データを再生することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像音声再生システム。
【請求項７】
前記関連付け手段は、前記最優先の音声データとして、前記画像オブジェクトの描画期間と最も長く重複する発話区間の音声データを前記画像オブジェクトに関連付けることを特徴とする請求項６に記載の画像音声再生システム。
【請求項８】
前記関連付け手段は、前記最優先の音声データとして、前記画像オブジェクトの描画期間に最も近い発話区間の音声データを前記画像オブジェクトに関連付けることを特徴とする請求項６に記載の画像音声再生システム。
【請求項９】
前記画像取得手段は、前記動画像から所定のタイミングで静止画像を抽出することで前記画像データを取得し、
前記音声取得手段は、前記動画像に同期して記録された音声から、無音区間で区切られた発話区間ごとに音声を抽出することで前記音声データを取得し、
前記関連付け手段は、先行する画像データとそれに続く画像データとの差分に含まれた画像オブジェクトを、前記先行する画像データが抽出されたタイミングからそれに続く画像データが抽出されたタイミングまでの描画期間の中の所定の特徴点時刻と発話区間の中の所定の特徴点時刻が最も近い前記音声データに関連付けることを特徴とする請求項１に記載の画像音声再生システム。
【請求項１０】
前記特徴点時刻は、前記描画期間及び前記発話区間の、開始時刻または終了時刻または中間時刻のいずれかであることを特徴とする請求項９に記載の画像音声再生システム。
【請求項１１】
動画像データに含まれたフレームの間の差分に基づいて、画像オブジェクトの現れるフレームと、該画像オブジェクトが現れる前のフレームとにより前記オブジェクトの書込み期間を特定し、前記動画像データに同期して記録された音声のうちから、発話区間の少なくとも一部が、前記書込み期間に対して一定時間内である音声を、前記画像オブジェクトに関連付ける関連付け手段と、
前記画像オブジェクトが選択された場合に、前記関連付けにより前記画像オブジェクトに関連付けられた前記音声の発話区間の開始時刻から、前記動画像データを、同期して記録された音声とともに再生する再生手段と
を有することを特徴とする画像音声再生システム。
【請求項１２】
画像オブジェクトが描画先に描画されていない状態から前記画像オブジェクトが前記描画先に描画された状態になるまでの前記描画先を撮像した時系列の画像データを取得する画像取得工程と、
ユーザーによる発話の音声データを含む、前記時系列の画像データに対応する時系列の音声データを取得する音声取得工程と、
前記画像オブジェクトを発話のタイミングと関連付ける関連付け工程と、
前記画像オブジェクトを含む画像データを表示する表示工程と、
前記表示された画像オブジェクトがユーザーの指示により選択された場合に、前記関連付けにより前記画像オブジェクトに関連付けられた前記発話のタイミングから、前記時系列の画像データおよび前記時系列の音声データを再生する再生工程と、
を有する画像音声再生方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の画像音声再生システムをコンピュータにより実現するためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月10日(2017.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤成分を自発光体の点灯量に応じて表示するための第１副画素と、
緑成分を自発光体の点灯量に応じて表示するための第２副画素と、
青成分を自発光体の点灯量に応じて表示するための第３副画素と、
を含む画素を複数有する画像表示部と、
入力映像信号に基づいて求められる、所定の画素に表示するための第１色情報が第１入力信号として入力され、当該第１色情報の色相を、色相変化が所定範囲に制限されるように定義された範囲の色相変化量で色相を変化させた第２色情報の第２入力信号として出力する変換処理部と、
を含む表示装置。
【請求項２】
前記第２色情報の色相は、前記第１色情報の色相よりも輝度が高い色方向又は電力に置き換えた場合に低い方向に寄っている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記変換処理部は、前記第１色情報の輝度と、前記第２色情報の輝度とが実質的に同じようになるように、前記第２色情報の色相をさらに変化させる輝度調整の演算を行う、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２色情報の色相は、前記第１色情報の色相よりも白成分が多い色方向に寄っている、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２色情報の色相は、前記第１色情報の色相よりも、前記第１副画素、前記第２副画素及び前記第３副画素の自発光体の点灯数が低減する方向側に前記第１副画素、前記第２副画素及び前記第３副画素の少なくとも１つの自発光体の点灯量が低減するように変換されている、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２色情報の色相は、前記第１色情報の色相よりも、前記第１副画素、前記第２副画素及び前記第３副画素の自発光体の点灯量を加算した総量が低減する方向に寄っている、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記変換処理部は、前記第２色情報の色相に応じて彩度減衰量を異ならせるように彩度を低減する演算を行う、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記入力映像信号を画像解析して全画素に表示するための第１色情報に色相の偏りがある場合、所定の画素に表示するための第１色情報に前記色相の偏りの重心に基づく補正量を加えてから前記第２色情報に変換する、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記画像表示部は、前記第１副画素、前記第２副画素及び前記第３副画素とは異なる追加色成分を前記第１副画素、前記第２副画素及び前記第３副画素で表現するよりも輝度又は前記追加色成分を表示する電力効率が高く、前記追加色成分を自発光体の点灯量に応じて表示する第４副画素、をさらに含み、
前記第２入力信号における第２色情報に基づいて、前記赤成分、前記緑成分、前記青成分及び前記追加色成分に変換した第３色情報を含む第３入力信号を、前記画像表示部の駆動を制御する駆動回路へ出力する第４副画素信号処理部、を含む請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記変換処理部は、前記第１色情報を前記赤成分、前記緑成分、前記青成分及び前記追加色成分に変換した場合の自発光体の点灯量の総量が、前記第２色情報を前記赤成分、前記緑成分、前記青成分及び前記追加色成分に変換した場合の自発光体の点灯量の総量よりも小さい場合、前記第１色情報を前記第２色情報として前記第４副画素信号処理部へ出力する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１副画素、前記第２副画素、前記第３副画素及び前記第４副画素を点灯する自発光体が点灯する色成分は、前記追加色成分を主成分とし、前記第１副画素、前記第２副画素及び前記第３副画素のそれぞれは、前記追加色成分を前記赤成分、前記緑成分、前記青成分へ変換するための色変換層を有している、請求項９又は１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
赤成分を自発光体の点灯量に応じて表示するための第１副画素と、
緑成分を自発光体の点灯量に応じて表示するための第２副画素と、
青成分を自発光体の点灯量に応じて表示するための第３副画素と、
を含む画素を複数有する画像表示部の駆動回路へ信号を供給する入力信号変換処理方法であって、
入力映像信号に基づいて求められる、所定の画素に表示するための第１色情報が第１入力信号として入力され、当該第１色情報の色相を、色相変化が所定範囲に制限されるように定義された範囲の色相変化量で色相を変化させた第２色情報の第２入力信号として出力する色変換処理ステップを含む、色変換方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月6日(2017.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストレートタイプの端末機本体の前側に配置されるウィンドウと、
前記端末機本体の後側に配置されるバッテリケースと、
金属製のフレームと、
前記フレームの前側と前記ウィンドウとの間に配置されるディスプレイモジュールと、
複数の電気素子を備えるメインプリント基板と、
電源を供給するバッテリとを含み、
前記フレームは、
ベース部と、
前記ベース部の外郭に沿って形成され、少なくとも一部が前記端末機本体の外部に露出して外観を形成する枠部と、
前記ベース部と前記枠部の下側で、前記ベース部と前記枠部との間に配置される第１非金属結合部と、
前記ベース部と前記枠部の上側で、前記ベース部と前記枠部との間に配置される第２非金属結合部と、
前記フレームの後側でリブにより区画される第１領域及び第２領域とを含み、
前記メインプリント基板は、前記フレームの第１領域と前記バッテリケースとの間に配置され、
前記バッテリは、前記フレームの第２領域と前記バッテリケースとの間に配置され、
前記枠部の少なくとも一辺は、前記電気素子又は前記ディスプレイモジュールから発生した熱を外部に放出するように構成され、
前記枠部の下側には、異なる周波数帯域で無線信号を放射するように形成される第１枠部材及び第２枠部材が備えられ、
前記枠部の上側には、異なる周波数帯域で無線信号を放射するように形成される第３枠部材及び第４枠部材が備えられ、
前記第１枠部材と前記第２枠部材との間、及び前記第３枠部材と前記第４枠部材との間には、それぞれスリットが形成され、前記スリットには、非導電性材質が配置され、
前記第１枠部材、前記第２枠部材、前記第３枠部材及び前記第４枠部材は、複数のアンテナ装置の放射体として動作し、
前記フレームがグランドとして動作するように、前記メインプリント基板又は前記複数のアンテナ装置は、前記フレームに接地接続されることを特徴とする移動端末機。
【請求項２】
前記複数のアンテナ装置は、ＭＩＭＯ（Multiple-Input Multiple-Output）アンテナとして動作し、
前記メインプリント基板には、複数の送受信回路が装着され、
前記送受信回路は、前記第１枠部材、前記第２枠部材、前記第３枠部材及び前記第４枠部材の少なくとも２つに同時に給電し、前記複数のアンテナ装置の少なくとも２つを同時に作動させることを特徴とする請求項１に記載の移動端末機。
【請求項３】
前記複数のアンテナ装置は、第１アンテナ装置と第２アンテナ装置とを備え、
前記第１アンテナ装置の第１給電部は、前記第１枠部材に容量結合（capacitive coupling）により間接給電し、
前記第２アンテナ装置の第２給電部は、前記第２枠部材に直接接続されて直接給電することを特徴とする請求項１に記載の移動端末機。
【請求項４】
前記複数のアンテナ装置は、第３アンテナ装置と第４アンテナ装置とをさらに備え、
前記第３アンテナ装置の第３給電部は、前記第３枠部材に容量結合（capacitive coupling）により間接給電し、
前記第４アンテナ装置の第４給電部は、前記第４枠部材に直接接続されて直接給電することを特徴とする請求項３に記載の移動端末機。
【請求項５】
前記複数のアンテナ装置は、導電部材を備え、
前記導電部材の少なくとも１つは、前記第１枠部材、前記第２枠部材、前記第３枠部材及び前記第４枠部材の少なくとも１つに所定距離離隔して容量結合することを特徴とする請求項３又は４に記載の移動端末機。
【請求項６】
前記メインプリント基板に接続され、給電接続部を備える複数の給電部をさらに含み、
前記複数の給電部は、前記フレームの後側に配置され、前記給電接続部は、前記給電部を前記複数のアンテナ装置の導電部材に接続することを特徴とする請求項１に記載の移動端末機。
【請求項７】
前記第１枠部材、前記第２枠部材、前記第３枠部材及び前記第４枠部材の少なくとも１つは、前記端末機本体の上側又は下側に形成されるソケットを覆うように形成されることを特徴とする請求項１に記載の移動端末機。
【請求項８】
前記第１枠部材、前記第２枠部材、前記第３枠部材及び前記第４枠部材の少なくとも１つは、無線信号を送信するメタル本体と前記端末機本体をシールする防水部とを備えることを特徴とする請求項１に記載の移動端末機。
【請求項９】
前記フレームは、前記第１及び第２非金属結合部により覆われない導電性接続部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の移動端末機。
【請求項１０】
前記フレームに接触し、前記電気素子を覆うように形成される熱伝導性遮蔽部材をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の移動端末機。
【請求項１１】
前記フレームには、前記前側から前記後側まで貫通する孔が形成され、
前記第１及び第２非金属結合部の少なくとも１つは、前記孔を覆うように形成されることを特徴とする請求項１に記載の移動端末機。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極板は硫酸バリウムを含有し、前記硫酸バリウムは、少なくとも第１の粒子群と第２の粒子群とを含み、
第１の粒子群の一次粒子径は10μm以下で平均値が0.3μm以上0.9μm以下であり、
第２の粒子群の一次粒子径は10μm以下で平均値が2μm以上5μm以下であり、
前記第１の粒子群が、体積頻度基準で硫酸バリウムの全量に対し、28%以上72%以下である鉛蓄電池用の負極板。
【請求項２】
一次粒子径が10μｍ以下の粒子が、体積頻度基準で95%以上である硫酸バリウムを含有する請求項1の負極板。
【請求項３】
前記第１の粒子群が、体積頻度基準で硫酸バリウムの全量に対し、33%以上55%以下であることを特徴とする、請求項１または２の鉛蓄電池用の負極板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの負極板を用いた鉛蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月18日(2017.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇温脱離ガス分光法分析にて検出される、温度に対する質量電荷比２の検出強度が、４００℃において４×１０−１１Ａ以下である第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上の、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第１の酸化物半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
昇温脱離ガス分光法分析における、４００℃以上の温度での水素分子の脱離量が３００℃での水素分子の脱離量の１３０％以下である第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上の、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第１の酸化物半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
昇温脱離ガス分光法分析における、４５０℃での水素分子の脱離量が３５０℃での水素分子の脱離量の１３０％以下である第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上の、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第１の酸化物半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上の、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第１の酸化物半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
昇温脱離ガス分光法分析における、４００℃以上の温度での水素分子の脱離量が３００℃での水素分子の脱離量の１３０％以下である第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上の、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記第１の酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、
前記第１の酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第１の酸化物半導体膜のいずれかにおける水素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜の上面および側面と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体膜上の、第２のバリア膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１のバリア膜または前記第２のバリア膜は、酸化アルミニウムを有し、
前記第１のバリア膜または前記第２のバリア膜は、昇温脱離ガス分光法分析において２０℃乃至６００℃での水素分子の脱離量は２×１０１５個／ｃｍ２未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体膜を挟むように第２の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜を有し、
前記第２の酸化物半導体膜および前記第３の酸化物半導体膜は、前記第１の酸化物半導体膜が有する金属元素を一種以上有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項９のいずれか一において、
前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続されたノードを有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を有するトランジスタが非導通状態のとき、前記ノードの電圧を、８５℃で１０年間保持することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項５乃至請求項９のいずれか一において、
前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続された容量素子を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を有するトランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、８５℃で４．３ｙＡ未満であり、
前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と前記容量素子との間の電位を３．１５×１０８秒間保持することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項５乃至請求項９のいずれか一において、
前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続された容量素子を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を有するトランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、９５℃で１．５ｙＡ未満であり、
前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と前記容量素子との間の電位を３．１５×１０８秒間保持することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜の下方に、半導体材料を含む基板に設けられたトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月11日(2017.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の電極の側面に隣接し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の上面を覆い、かつ、前記第１の電極の上面の少なくとも一部に接し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の電極の上方に設けられ、かつ前記第３の絶縁層を介して前記第１の電極と重畳し、
前記第２の絶縁層は、不純物元素が透過しにくい絶縁性材料を有し、
前記第１の電極の上面は、不純物元素が透過しにくい導電性材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の電極と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の電極の側面に隣接し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の上面を覆い、かつ、前記第１の電極の上面の少なくとも一部に接し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の電極の上方に設けられ、かつ前記第３の絶縁層を介して前記第１の電極と重畳し、
前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、または酸化タンタルのいずれか一を有し、
前記第１の電極の上面は、インジウム錫酸化物、または、シリコン、リン、ボロン、窒素および炭素の少なくとも一を含むインジウム錫酸化物、または、シリコン、リン、ボロン、窒素および炭素の少なくとも一を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物のいずれか一を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極上方の第２のゲート電極と、第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート絶縁層上方の第２のゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のゲート絶縁層および前記第２のゲート絶縁層の間に設けられ、
前記第１のゲート絶縁層と、前記酸化物半導体層と、前記第２のゲート絶縁層は、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極の間に設けられ、
前記ソース電極と、前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体層に接し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のゲート電極の側面に隣接し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の上面を覆い、かつ、前記第１のゲート電極の上面の少なくとも一部に接し、
前記第２の絶縁層は、不純物元素が透過しにくい絶縁性材料であり、前記第１のゲート電極の上面は、不純物元素が透過しにくい導電性材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極上方の第２のゲート電極と、第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート絶縁層上方の第２のゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のゲート絶縁層および前記第２のゲート絶縁層の間に設けられ、
前記第１のゲート絶縁層と、前記酸化物半導体層と、前記第２のゲート絶縁層は、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極の間に設けられ、
前記ソース電極と、前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体層に接し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のゲート電極の側面に隣接し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の上面を覆い、かつ、前記第１のゲート電極の上面の少なくとも一部に接し、
前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、または酸化タンタルのいずれか一を有し、
前記第１の電極の上面は、インジウム錫酸化物、または、シリコン、リン、ボロン、窒素および炭素の少なくとも一を含むインジウム錫酸化物、または、シリコン、リン、ボロン、窒素および炭素の少なくとも一を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物のいずれか一を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、第３の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層および前記第３の酸化物半導体層の間の第２の酸化物半導体層と、の積層を有し、
前記第２の酸化物半導体層の電子親和力は、前記第１の酸化物半導体層の電子親和力および前記第３の酸化物半導体層の電子親和力よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月6日(2017.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理面に金属含有膜が形成され、裏面および側面には金属含有膜が形成されていない基板に対して、金属含有ガスと第１の還元ガスとを時分割して所定回数供給して、前記基板上に圧縮応力を有する第１の非晶質金属層を形成する工程と、
前記第１の非晶質金属層が形成された基板に対して、前記金属含有ガスと第２の還元ガスとを同時に供給して、前記第１の非晶質金属層の上に引っ張り応力を有する第２の非晶質金属層を形成する工程と、
を、前記基板を第１の温度に維持した状態で、時分割して所定回数行うことにより前記基板上に非晶質金属膜を形成する工程と、
前記非晶質金属膜が形成された基板を第１の温度より高い第２の温度で加熱する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板を前記第２の温度で加熱する工程では、前記非晶質金属膜が形成された基板を加熱することにより、前記非晶質金属層の少なくとも一部を結晶化させる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の温度は１００℃〜２５０℃の範囲内の温度であり、前記第２の温度は５００〜１２００℃の範囲内の温度である請求項１もしくは請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内の基板に対して金属含有ガスを供給する第１ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して第１の還元ガスを供給する第２ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して第２の還元ガスを供給する第３ガス供給系と、
前記処理室内に収容された、処理面に金属含有膜が形成され、裏面および側面には金属含有膜が形成されていない基板に対して、前記金属含有ガスと前記第１の還元ガスとを時分割して所定回数供給して、前記基板上に圧縮応力を有する第１の非晶質金属層を形成する処理と、前記第１の非晶質金属層が形成された前記基板に対して、前記金属含有ガスと前記第２の還元ガスとを同時に供給して、前記第１の非晶質金属層の上に引っ張り応力を有する第２の非晶質金属層を形成する処理と、を、前記基板を第１の温度に維持した状態で、時分割して所定回数行うことにより前記基板上に非晶質金属膜を形成する処理と、前記非晶質金属膜が形成された前記基板を第１の温度より高い第２の温度で加熱する処理と、を行わせるように、前記ヒータ、前記第１ガス供給系、前記第２ガス供給系、および前記第３ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項５】
基板処理装置の処理室に収容された、処理面に金属含有膜が形成され、裏面および側面には金属含有膜が形成されていない基板に対して、金属含有ガスと第１の還元ガスとを時分割して所定回数供給して、前記基板上に圧縮応力を有する第１の非晶質金属層を形成する手順と、
前記第１の非晶質金属層が形成された基板に対して、前記金属含有ガスと第２の還元ガスとを同時に供給して、前記第１の非晶質金属層の上に引っ張り応力を有する第２の非晶質金属層を形成する手順と、
を、前記基板を第１の温度に維持した状態で、時分割して所定回数行うことにより前記基板上に非晶質金属膜を形成する手順と、
前記非晶質金属膜が形成された基板を第１の温度より高い第２の温度で加熱する手順と、
をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月10日(2017.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハの研磨方法であって、
表面を有するシリコンウェーハを提供すること；
化学機械研磨パッドであって、原材料成分｛
多官能イソシアナート；及び
硬化剤パッケージ［
少なくとも５重量％のアミン開始ポリオール硬化剤（ここで、このアミン開始ポリオール硬化剤は、１分子当たり少なくとも１個の窒素原子を含有し；このアミン開始ポリオール硬化剤は、１分子当たり平均少なくとも３個のヒドロキシル基を有する）；
２５〜９５重量％の高分子量ポリオール硬化剤（ここで、この高分子量ポリオール硬化剤は、７，５００〜２５，０００の数平均分子量ＭＮを有しており；そしてこの高分子量ポリオール硬化剤は、１分子当たり平均３〜１０個のヒドロキシル基を有する）；及び
０〜７０重量％の二官能硬化剤（ここで、この二官能硬化剤は、ジオール硬化剤及びジアミン硬化剤よりなる群より選択される）を含む］を含む｝
の反応生成物である研磨層（ここで、
この研磨層は、０．４g/cm３を超える密度；５〜４０のショアＤ硬度；１００〜４５０％の破断点伸び；及び２５〜１５０μm/時のカットレートを示し、そしてこの研磨層は、シリコンウェーハの研磨用に適した研磨表面を有する）
を含む化学機械研磨パッドを提供すること；及び
研磨層の研磨表面と、シリコンウェーハの表面との間に動的接触（ここで、シリコンウェーハの表面が研磨される）を作り出すことを含む方法。
【請求項２】
シリコンウェーハの表面が、前表面であり；そしてシリコンウェーハの前表面が、＜０．０７５ppmのヘイズまでヘイズフリー研磨される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
硬化剤パッケージ中の反応性水素基と、多官能イソシアナート中の未反応イソシアナート基との化学量論比が、０．８５〜１．１５である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
多官能イソシアナートが、脂肪族多官能イソシアナート、芳香族多官能イソシアナート及びこれらの混合物よりなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
多官能イソシアナートが、２〜１２重量％の未反応ＮＣＯ基を有するイソシアナート末端ウレタンプレポリマーである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
硬化剤パッケージが、
５〜２０重量％のアミン開始ポリオール硬化剤（ここで、このアミン開始ポリオール硬化剤は、１分子当たり２個の窒素原子を含有し；このアミン開始ポリオール硬化剤は、１分子当たり平均４個のヒドロキシル基を有しており；そしてこのアミン開始ポリオール硬化剤は、２００〜４００の数平均分子量ＭＮを有する）；
５０〜７５重量％の高分子量ポリオール硬化剤（ここで、この高分子量ポリオール硬化剤は、１０，０００〜１２，０００の数平均分子量ＭＮを有しており；そしてこの高分子量ポリオール硬化剤は、１分子当たり平均６個のヒドロキシル基を有する）；
１０〜３０重量％の二官能硬化剤（ここで、この二官能硬化剤は、４，４’−メチレン−ビス−（２−クロロアニリン）（ＭＢＯＣＡ）；４，４’−メチレン−ビス−（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）（ＭＣＤＥＡ）、及びこれらの異性体よりなる群から選択されるジアミン硬化剤である）を含む［ここで、
この硬化剤パッケージ中の反応性水素基と、多官能イソシアナート中の未反応イソシアナート基との化学量論比は、０．９５〜１．０５であり；
この研磨層は、０．６５〜０．８５g/cm３の密度；１０〜４０のショアＤ硬度；１５０〜３５０％の破断点伸び；及び３０〜６０μm/時のカットレートを示す］、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
イソシアナート末端ウレタンプレポリマーが、５〜７重量％の未反応ＮＣＯ基を有しており；そしてイソシアナート末端ウレタンプレポリマーが、４００〜２，５００の数平均分子量ＭＮを示す、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
研磨層が、そこに形成された螺旋溝パターンを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
円周有溝率が、研磨表面の外周から研磨表面の中心までの大部分の距離に及ぶ区域において、研磨層の半径の関数としてその平均値の１０％以内にとどまる、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月18日(2017.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上の第２の絶縁層と、を有し、
前記半導体層は、チャネル幅方向の断面において、第１の領域乃至第３の領域を有し、
前記第１の領域は、前記半導体層の一方の下端部に位置し、
前記第１の領域は、凹型の形状を有し、
前記第２の領域は、前記半導体層の上側に位置し、
前記第２の領域は、凸型の形状を有し、
前記第３の領域は、前記半導体層の他方の下端部に位置し、
前記第３の領域は、凹型の形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁層と、
前記第１絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル幅方向の断面において、第１の領域乃至第３の領域を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体層の一方の下端部に位置し、
前記第１の領域は、凹型の形状を有し、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体層の上側に位置し、
前記第２の領域は、凸型の形状を有し、
前記第３の領域は、前記酸化物半導体層の他方の下端部に位置し、
前記第３の領域は、凹型の形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層側から第１の酸化物半導体層、第２の酸化物半導体層、第３の酸化物半導体層の順で形成された積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の絶縁層と、
前記第１絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の第３の酸化物半導体層と、
前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、を有し、
前記第３の酸化物半導体層は、チャネル幅方向の断面において、第１の領域乃至第３の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第３の酸化物半導体層の一方の下端部に位置し、
前記第１の領域は、凹型の形状を有し、
前記第２の領域は、前記第３の酸化物半導体層の上側に位置し、
前記第２の領域は、凸型の形状を有し、
前記第３の領域は、前記第３の酸化物半導体層の他方の下端部に位置し、
前記第３の領域は、凹型の形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、前記第１の酸化物半導体層乃至前記第３の酸化物半導体層はそれぞれ、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を有し、前記第１の酸化物半導体層および前記第３の酸化物半導体層におけるＩｎに対するＭの原子数比はともに、前記第２の酸化物半導体層におけるＩｎに対するＭの原子数比よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一項において、前記酸化物半導体層はｃ軸に配向する結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の領域は、凸型の形状の曲率半径がＲ１である領域と、凸型の形状の曲率半径がＲ２である領域と、凸型の形状の曲率半径がＲ３である領域と、を有し、
前記第１の領域の凹型の形状は、曲率半径がＲ４であり、
前記第３の領域の凹型の形状は、曲率半径がＲ５であり、
前記凸型の形状の曲率半径がＲ１である領域は、前記凸型の形状の曲率半径がＲ２である領域と、順につながり、
前記凸型の形状の曲率半径がＲ２である領域は、前記凸型の形状の曲率半径がＲ３である領域と、順につながり、
前記Ｒ２は、前記Ｒ１および前記Ｒ３よりも大きく、
前記Ｒ１および前記Ｒ３は、前記Ｒ４および前記Ｒ５よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層は、第４の領域および第５の領域を有し、
前記第４の領域は、前記酸化物半導体層と接する領域であり、
前記第５の領域は、前記酸化物半導体層と接しない領域であり、
前記第５の領域の膜厚は、前記第４の領域の膜厚より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１の領域は、前記第４の領域および前記第５の領域に接し、
前記第３の領域は、前記第４の領域および前記第５の領域に接することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月19日(2017.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、第２の配線と電気的に接続された半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、単結晶半導体を含む第１の半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を含む第２の半導体層を有し、
前記第１の半導体層上に、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続された、第１の導電層を有し、
前記第１の導電層上に、バリア層を有し、
前記バリア層上に、第２の導電層を有し、
前記第２の導電層上に、前記第２の半導体層を有し、
前記第１の導電層は、前記バリア層を介して、前記第２の導電層と重なる第１の領域を有し、
前記容量素子の一方の電極は、前記第１の領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、第２の配線と電気的に接続された半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは、単結晶半導体を含む第１の半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を含む第２の半導体層を有し、
前記第１の半導体層上に、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続された、第１の導電層を有し、
前記第１の導電層上に、バリア層を有し、
前記バリア層上に、第２の導電層を有し、
前記第２の導電層上に、前記第２の半導体層を有し、
前記第２の半導体層と電気的に接続されたソース又はドレインとして機能する領域を有する第３の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記バリア層を介して、前記第２の導電層と重なる第１の領域を有し、
前記容量素子の一方の電極は、前記第１の領域を有し、
前記第３の導電層は、前記バリア層のコンタクトホールを介して、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２のトランジスタは、前記第２の導電層と同一材料を有する第２のゲートを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記バリア層は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、又は酸化窒化ハフニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の半導体層と前記バリア層との間に、絶縁層を有し、
前記絶縁層は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２のトランジスタは、Ｓ値が６０ｍＶ／ｄｅｃ．以上、１００ｍＶ／ｄｅｃ．以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
他の装置から無線により供給される電力を受電する受電手段と、
前記通信装置の能力情報を無線通信により報知する報知手段と、
無線により供給される電力を受電する能力を有することを示す情報を含めない第１能力情報の報知から、無線により供給される電力を受電する能力を有することを示す前記情報を含めた第２能力情報の報知に、前記受電手段による受電に応じて切り替えるよう前記報知手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記報知手段は、前記受電手段により受電していない場合、前記第１能力情報を報知することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記第１能力情報には、前記無線電力伝送と異なる処理が実行可能なことを示す情報が含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第２能力情報には、前記異なる処理が実行可能なことを示す情報が含まれないことを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】
無線により供給される電力を受電する能力を有することを示す前記情報には、無線電力伝送の方式を示す情報が含まれることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記報知手段による前記第２能力情報の報知を受信した前記他の装置に対して無線電力伝送を行うための制御情報を送信する送信手段とを有し、
前記受電手段は、前記制御情報の送信の後に前記他の装置が大きくした送電電力による送電を前記他の装置から無線により受電することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記受電手段による受電が終了した場合、前記報知手段は、前記第１能力情報の報知に切替えることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記受電手段により受電した電力を蓄電する蓄電手段とを有することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
前記報知手段は、前記受電手段により受電した電力を用いて能力情報の報知を行うことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記受電手段は、前記他の装置からの電磁界に基づいて起電することで受電することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記報知手段は、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標）  ＬＯＷ  ＥＮＥＲＧＹを用いて前記サービス情報を報知することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記報知手段は、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標）  ＬＯＷ  ＥＮＥＲＧＹを用いてアドバタイズパケットにより前記サービス情報を報知することを特徴とする請求項１乃至１１何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１３】
他の装置から無線により供給される電力を受電する受電手段と、前記通信装置の能力情報を無線通信により報知する報知手段と、を有する通信装置の制御方法であって、
無線により供給される電力を受電する能力を有することを示す情報を含めない第１能力情報の報知から、無線により供給される電力を受電する能力を有することを示す前記情報を含めた第２能力情報の報知に、前記受電手段による受電に応じて切り替えるよう前記報知手段を制御することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、能力情報を報知する際の問題を解決することを目的とする
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の通信装置は、他の装置から無線により供給される電力を受電する受電手段と、前記通信装置の能力情報を無線通信により報知する報知手段と、無線により供給される電力を受電する能力を有することを示す情報を含めない第１能力情報の報知から、無線により供給される電力を受電する能力を有することを示す前記情報を含めた第２能力情報の報知に、前記受電手段による受電に応じて切り替えるよう前記報知手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、通信装置が受電に応じて無線により供給される電力を受電する能力を有することを示す能力情報を報知できる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月10日(2017.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電ステーションに接続された電気自動車に電荷を蓄えるコンピュータが実行する方法であって、
前記電気自動車を充電状態値（ＳＯＣ）最小値に到達させ、
前記電気自動車をＳＯＣ最大値まで充電する時間を決定し、
電力系統に蓄える電荷を前記決定した時間まで蓄えることが可能な前記電気自動車があることを前記電力系統に知らせて、
前記電気自動車の充電と放電とを繰り返すことにより、前記決定した時間まで前記ＳＯＣ最小値とＳＯＣしきい値の間に電気自動車ＳＯＣを維持し、前記電気自動車を前記決定した時間まで前記ＳＯＣ最小値まで放電させることを可能にし、 
前記決定した時間になると、前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電し、
前記ＳＯＣしきい値は前記ＳＯＣ最小値よりも大きく、前記ＳＯＣ最大値は前記ＳＯＣしきい値以上であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ＳＯＣ最大値は前記ＳＯＣしきい値よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＳＯＣしきい値は前記ＳＯＣ最小値よりも前記ＳＯＣ最大値の２０％大きいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
時間、日およびカレンダの季節により変化する電気エネルギの時間帯別料金を含む電気エネルギの情報を前記電力系統から受け取ることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記した前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する時間を決定することには、電気エネルギ料金のオフピーク時間帯と少なくとも部分的に重なる、前記電気自動車を充電する時間を計算することを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記した前記決定した時間まで前記ＳＯＣ最小値とＳＯＣしきい値の間に前記電気自動車ＳＯＣを維持することは、
前記ＳＯＣしきい値以下のＳＯＣまで前記電気自動車を充電して、前記電力系統に蓄える電荷を前記電気自動車に蓄えることをさらに含み、この前記電気自動車に電荷を蓄えることは、現在時間が前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する前記決定した時間までまたは前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する前記決定した時間を過ぎるまで行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記電力系統に蓄える電荷を前記電気自動車に蓄えることに応じたユーザの収入を計算して記録することをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記した前記決定した時間まで前記ＳＯＣ最小値と前記ＳＯＣしきい値の間に前記電気自動車ＳＯＣを維持することは、前記電気自動車ＳＯＣが前記ＳＯＣ最小値よりも高く、現在時間が前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する前記決定した時間よりも前の間は、前記電気自動車を放電させて前記電力系統に電気エネルギを供給することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記した前記電気自動車を放電させて前記電力系統に電気エネルギを供給することに対するユーザ収入を計算して記録することをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記した前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する時間を決定することは、現在時間が前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する前記決定した時間になった後または前記決定した時間を過ぎた後、前記電気自動車ＳＯＣに基づき前記した前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する時間を再び決定することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＳＯＣ最小値と、前記ＳＯＣしきい値と、前記ＳＯＣ最大値とは、前記電気自動車のユーザ、前記電気自動車の製造者、または事業設備を充電する配電業者の一つ以上によって設定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＳＯＣ最大値は前記ＳＯＣしきい値よりも大きく、前記ＳＯＣしきい値は前記ＳＯＣ最小値よりも前記ＳＯＣ最大値の１０％大きいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
充電ステーションに接続された電気自動車に電荷を蓄える車両システムであって、前記車両システムは、
前記充電ステーションから供給される電気エネルギの情報を特定するテレマティクスナビゲーション装置と、
前記電気自動車を充電状態値（ＳＯＣ）最低値に到達させ、前記電気自動車をＳＯＣ最大値まで充電する時間を決定し、電力系統に蓄える電荷を前記決定した時間まで蓄えることが可能な前記電気自動車があることを前記電力系統に知らせて、前記電気自動車の充電と放電とを繰り返すことにより、前記決定した時間まで前記ＳＯＣ最小値とＳＯＣしきい値の間に電気自動車ＳＯＣを維持し、前記電気自動車を前記決定した時間まで前記ＳＯＣ最小値まで放電させることを可能にし、さらに前記決定した前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する時間になると前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電させる制御ユニットと、を有し、
前記ＳＯＣしきい値は前記ＳＯＣ最小値よりも大きく、前記ＳＯＣ最大値は前記ＳＯＣしきい値以上であることを特徴とする車両システム
【請求項１４】
前記ＳＯＣしきい値は前記ＳＯＣ最小値よりも前記ＳＯＣ最大値の２０％大きいことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
時間、日またはカレンダの季節により変化する電気エネルギの時間帯別料金を含む電気エネルギの情報を、前記制御ユニットが電力系統から受け取ることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する時間を決定するために、電気エネルギ料金のオフピーク時間帯と少なくとも部分的に重なる、前記電気自動車を充電する時間を前記制御ユニットが計算することを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記決定した時間まで前記ＳＯＣ最小値と前記ＳＯＣしきい値の間に前記電気自動車ＳＯＣを維持するために、前記ＳＯＣしきい値以下のＳＯＣまで前記電気自動車を充電することにより、前記制御ユニットは前記電力系統に蓄える電荷を前記電気自動車に蓄えさせ、この電気自動車に電荷を蓄えることは、現在時間が前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する前記決定した時間まで、または前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する前記決定した時間を過ぎるまで行われることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１８】
前記電力系統に蓄える電荷を前記電気自動車に蓄えることに応じたユーザの収入を前記制御ユニットが計算して記録することを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記決定した時間まで前記ＳＯＣ最小値と前記ＳＯＣしきい値の間に前記電気自動車ＳＯＣを維持するために、前記電気自動車ＳＯＣが前記ＳＯＣ最小値よりも高く、現在時間が前記電気自動車を前記ＳＯＣ最大値まで充電する前記決定した時間よりも前の間は、前記制御ユニットは前記電気自動車を放電させて前記電力系統に電気エネルギを供給することを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項２０】
前記ＳＯＣ最大値は前記ＳＯＣしきい値よりも大きく、前記ＳＯＣしきい値は前記ＳＯＣ最小値よりも前記ＳＯＣ最大値の１０％大きいことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。