【手続補正書】
【提出日】平成29年8月18日(2017.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数（ＲＦ）入力信号を増幅するように構成され、ＲＦ入力信号を受信するように構成されるゲート端子を含む増幅器トランジスタを有するＲＦパワー増幅器と、
前記増幅器トランジスタのゲート端子に接続され、前記増幅器トランジスタのゲート端子に直流（ＤＣ）バイアス電圧を提供するように構成されるバイアス回路と、を備え、
前記バイアス回路は、
ゲート端子、ドレイン端子およびソース端子を有し、当該ゲート端子が前記増幅器トランジスタのゲート端子に接続されてカレントミラーを形成するバイアストランジスタと、
前記バイアストランジスタのゲート端子およびドレイン端子の間に接続され、前記バイアストランジスタのゲート端子からのＲＦ信号を遮断する第１抵抗と、
前記バイアストランジスタのドレイン端子と前記増幅器トランジスタのゲート端子の間に接続される第２抵抗であって、前記バイアス回路により供給される直流（ＤＣ）バイアス電圧のバイアス増強量が前記第２抵抗のインピーダンス値に基づく第２抵抗と、を備え、
前記バイアス回路は、前記バイアストランジスタを含むウィルソン・カレントミラーをさらに含む、回路。
【請求項２】
前記バイアストランジスタのゲート端子とグランド電位の間に接続され、ＲＦ信号用の放電路を提供するコンデンサをさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記バイアストランジスタのドレイン端子に接続される電流源をさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
前記第２抵抗のインピーダンス値は、前記電流源のインピーダンス値の１／１００以下である、請求項３に記載の回路。
【請求項５】
前記ＲＦパワー増幅器は、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）増幅器である、請求項１に記載の回路。
【請求項６】
前記バイアストランジスタは、ＲＦ増幅器により増幅されるＲＦ入力信号のＲＦ電力が増加するにつれてＤＣバイアス電圧を増加させるように構成される、請求項１に記載の回路。
【請求項７】
無線周波数（ＲＦ）入力信号を増幅するように構成され、ＲＦ入力信号を受信するように構成されるゲート端子を含む第１増幅器トランジスタを有するＲＦパワー増幅器であって、前記ＲＦパワー増幅器が相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）増幅器であり、前記ＲＦパワー増幅器が前記第１増幅器トランジスタのドレイン端子に接続されるソース端子を有する第２増幅器トランジスタをさらに含む積層パワー増幅器である、ＲＦパワー増幅器と、
前記第１増幅器トランジスタのゲート端子に接続され、前記第１増幅器トランジスタのゲート端子に直流（ＤＣ）バイアス電圧を提供するように構成されるバイアス回路と、を備え、
前記バイアス回路は、
ゲート端子、ドレイン端子およびソース端子を有し、当該ゲート端子が前記第１増幅器トランジスタのゲート端子に接続されてカレントミラーを形成するバイアストランジスタと、
前記バイアストランジスタのゲート端子およびドレイン端子の間に接続され、前記バイアストランジスタのゲート端子からのＲＦ信号を遮断する第１抵抗と、
前記バイアストランジスタのゲート端子とグランド電位の間に接続され、ＲＦ信号用の放電路を提供するコンデンサと、
前記バイアストランジスタのドレイン端子と前記第１増幅器トランジスタのゲート端子の間に接続される第２抵抗と、を含み、
前記バイアス回路は、ＲＦ増幅器により増幅されるＲＦ入力信号のＲＦ電力が増加するにつれてＤＣバイアス電圧を増加させるように構成され、ＤＣバイアス電圧の増強量が前記第２抵抗のインピーダンス値に基づくシステム。
【請求項８】
前記バイアス回路は、前記バイアストランジスタのドレイン端子に接続される電流源をさらに含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記第２抵抗のインピーダンス値は、前記電流源のインピーダンス値の１／１００以下である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記バイアス回路は、前記バイアストランジスタのドレインに接続され、追加的なバイアス増強を提供するダイオード接続トランジスタをさらに含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項１１】
前記バイアス回路は、前記バイアストランジスタを有するウィルソン・カレントミラーをさらに含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ＲＦパワー増幅器に接続され、前記ＲＦ入力信号を前記ＲＦパワー増幅器に提供する送信器をさらに備える、請求項７に記載のシステム。
【請求項１３】
無線周波数（ＲＦ）入力信号を増幅するように構成され、ＲＦ入力信号を受信するように構成されるゲート端子を含む増幅器トランジスタを有するＲＦパワー増幅器と、
前記増幅器トランジスタのゲート端子に接続され、前記増幅器トランジスタのゲート端子に直流（ＤＣ）バイアス電圧を提供するように構成されるバイアス回路と、を備え、
前記バイアス回路は、
ゲート端子、ドレイン端子およびソース端子を有し、当該ゲート端子が前記増幅器トランジスタのゲート端子に接続されてカレントミラーを形成するバイアストランジスタと、
前記バイアストランジスタのゲート端子およびドレイン端子の間に接続され、前記バイアストランジスタのゲート端子からのＲＦ信号を遮断する第１抵抗と、
前記バイアストランジスタのゲート端子とグランド電位の間に接続され、ＲＦ信号用の放電路を提供するコンデンサと、
前記バイアストランジスタのドレイン端子と前記増幅器トランジスタのゲート端子の間に接続される第２抵抗と、
前記バイアストランジスタのドレインに接続され、追加的なバイアス増強を提供するダイオード接続トランジスタと、を含み、
前記バイアス回路は、ＲＦ増幅器により増幅されるＲＦ入力信号のＲＦ電力が増加するにつれてＤＣバイアス電圧を増加させるように構成され、ＤＣバイアス電圧の増強量が前記第２抵抗のインピーダンス値に基づくシステム。
【請求項１４】
前記バイアス回路は、前記バイアストランジスタのドレイン端子に接続される電流源をさらに含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第２抵抗のインピーダンス値は、前記電流源のインピーダンス値の１／１００以下である、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
無線周波数（ＲＦ）入力信号を増幅するように構成され、ＲＦ入力信号を受信するように構成されるゲート端子を含む増幅器トランジスタを有するＲＦパワー増幅器と、
前記増幅器トランジスタのゲート端子に接続され、前記増幅器トランジスタのゲート端子に直流（ＤＣ）バイアス電圧を提供するように構成されるバイアス回路と、を備え、
前記バイアス回路は、
ゲート端子、ドレイン端子およびソース端子を有し、当該ゲート端子が前記増幅器トランジスタのゲート端子に接続されてカレントミラーを形成するバイアストランジスタと、
前記バイアストランジスタのゲート端子およびドレイン端子の間に接続され、前記バイアストランジスタのゲート端子からのＲＦ信号を遮断する第１抵抗と、
前記バイアストランジスタのゲート端子とグランド電位の間に接続され、ＲＦ信号用の放電路を提供するコンデンサと、
前記バイアストランジスタのドレイン端子と前記増幅器トランジスタのゲート端子の間に接続される第２抵抗と、を含み、
前記バイアス回路は、ＲＦ増幅器により増幅されるＲＦ入力信号のＲＦ電力が増加するにつれてＤＣバイアス電圧を増加させるように構成され、ＤＣバイアス電圧の増強量が前記第２抵抗のインピーダンス値に基づき、
前記バイアス回路は、前記バイアストランジスタを含むウィルソン・カレントミラーをさらに含む、システム。
【請求項１７】
前記バイアス回路は、前記バイアストランジスタのドレイン端子に接続される電流源をさらに含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記第２抵抗のインピーダンス値は、前記電流源のインピーダンス値の１／１００以下である、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記ＲＦパワー増幅器は、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）増幅器である、請求項１６に記載のシステム。