【手続補正書】
【提出日】平成29年7月18日(2017.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルを含むセルライブラリから選択した複数のセルを並べて配置することによりマスクのパターンを作成する作成方法において、
第１セルと第２セルのそれぞれにおいて、解像すべき主パターンの占有領域が定められ、
前記第２セルは、前記主パターンの占有領域外に前記主パターンの解像を補助するための補助パターンを有し、
前記第１セルと前記第２セルとを、前記第２セルの前記占有領域外にある補助パターンが前記第１セルの主パターンの占有領域に在るように並べて配置する配置工程と、
並べて配置される前記第１セル及び前記第２セルのうち、前記第２セルの前記占有領域外にある補助パターンのパターン要素と前記第１セルのパターンとが接する又は重なる部分において、補助パターンのパターン要素を除去することにより、マスクのパターンを作成する作成工程と、
を情報処理装置が行うことを特徴とする作成方法。
【請求項２】
前記作成工程において、前記第２セルの補助パターンのパターン要素と前記第１セルの主パターンのパターン要素とが接する又は重なる部分において、前記第２セルの補助パターンのパターン要素を除去することを特徴とする請求項１に記載の作成方法。
【請求項３】
前記第１セルは補助パターンのパターン要素を含み、
前記作成工程において、前記第２セルの補助パターンのパターン要素と前記第１セルの補助パターンのパターン要素とが接する又は重なる部分において、前記第１セル又は前記第２セルの補助パターンの補助パターン要素を除去することを特徴とする請求項１に記載の作成方法。
【請求項４】
前記作成工程において、前記第１セルの補助パターンのパターン要素と前記第２セルの補助パターンのパターン要素とが接する又は重なる部分において、除去されずに残った補助パターンのパターン要素の位置を変更することを特徴とする請求項３に記載の作成方法。
【請求項５】
前記セルライブラリから選択された第２セルの占有領域外に補助パターンの配置を許容する許容領域を設定する工程と、
前記許容領域に前記補助パターンを作成する工程と、を有し、
前記配置工程において、前記許容領域に作成された補助パターンが前記第１セルの主パターンの占有領域に重なるように並べて配置することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の作成方法。
【請求項６】
前記配置工程において、前記第１セルの前記占有領域と前記第２セルの前記占有領域とが接するように前記第１セル及び前記第２セルを並べて配置することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の作成方法。
【請求項７】
距離をＤ、投影光学系の開口数をＮＡ、露光波長をλとして、
１．５＝Ｄ×ＮＡ／λとすると、
前記許容領域の外周は、前記占有領域の外周から前記距離Ｄ以下にあることを特徴とする請求項５に記載の作成方法。
【請求項８】
前記許容領域の外周は、セルの主パターンの複数のパターン要素のそれぞれの位置から一定の距離だけ離してあることを特徴とする請求項５に記載の作成方法。
【請求項９】
前記第２セルは、主パターンの占有領域内に補助パターンを含むことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の作成方法。
【請求項１０】
前記第１セルは、主パターンの占有領域内及び外に補助パターンを含むことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の作成方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の作成方法を用いてマスクのパターンを作成する工程と、
作成されたマスクのパターンのデータを用いてマスクを製造する工程とを有するマスク製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のマスク製造方法を用いてマスクを製造する工程と、
製造されたマスクを用いて基板を露光する工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の作成方法を情報処理装置に実行させるためのプログラム。
【請求項１５】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の作成方法を実行する情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の一側面としてのマスクパターン作成方法は、複数のセルを含むセルライブラリから選択した複数のセルを並べて配置することによりマスクのパターンを作成する作成方法において、第１セルと第２セルのそれぞれにおいて、解像すべき主パターンの占有領域が定められ、前記第２セルは、前記主パターンの占有領域外に前記主パターンの解像を補助するための補助パターンを有し、前記第１セルと前記第２セルとを、前記第２セルの前記占有領域外にある補助パターンが前記第１セルの主パターンの占有領域に在るように並べて配置する配置工程と、前記第２セルの前記占有領域外にある補助パターンのパターン要素と前記第１セルのパターンとが接する又は重なる部分において、補助パターンのパターン要素を除去することにより、マスクのパターンを作成する作成工程と、を情報処理装置が行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
まず、ステップＳ１１０では、コンピュータの処理部が、論理回路設計に従って、セルライブラリから複数のセルを選択して、マスクのデータ上に並べて配置する。マスク全面のパターンは、１つの半導体チップの領域に相当するパターンが一つまたは複数含まれている。１つの半導体チップの領域のパターンは、機能ブロックをひと固まりにしたブロックセルや、データの入出力を示すＩＯ部、論理素子単位のスタンダードセル等を含む、回路パターン群の組合せで構成されている。本実施形態では説明を簡単にするために、セルライブラリからセルＡ´〜Ｄ´を選択して、マスクのデータ上に並べて配置する例を説明するが、実際のロジック回路におけるセルの配置ははるかに大規模で多数のセルが配置される。配置されるセルとして、セルＡ´〜Ｄ´の他に、セルの占有領域内にのみ補助パターンを含むセルや、補助パターンを含まないセルなど、他のセルがあってもよい。図５は、セルＡ´〜Ｄ´を占有領域１２が接するように配置した状態を表わしている。セルＡ´〜Ｄ´は、それぞれの占有領域１２が重ならないように配置されている。セルＡ´とセルＣ´について、セルＡ´（第１セル）の占有領域外であって占有領域より下側に作成された補助パターンが、セルＣ´（第２セル）の占有領域に在るように、セルＡ´とセルＣ´が並べて配置されている。セルＡ´とセルＢ´、セルＢ´とセルＤ´についても同様である。なお、本実施形態では複数のセルを隙間なく隣接して配置しているが、複数のセル間に隙間がある場合もあり得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、ステップＳ１１２では、コンピュータの処理部が、隣接して配置されるセルＡ´〜Ｄ´から補助パターンの一部のパターン要素を削除する。図５の配置状態では、例えば、セルＡ´の占有領域外にある補助パターンであって、セルＣ´の解像すべき主パターンに近すぎる補助パターン要素１８がセルＣ´の占有領域内に存在している。セルＡ´の占有領域外にある補助パターンが、セルＣ´の主パターンに近すぎると、セルＣ´の主パターンの解像性能に悪影響を及ぼし、所望の像を得られない場合がある。なぜなら、セルＡ´の補助パターンはセルＣ´の主パターンに対する補助パターンではないからである。そこで、並べて配置される第１セル及び第２セルのうち、第１セルの占有領域外にある補助パターンのパターン要素と第２セルの主パターンのパターン要素とが近接する又は一部重なる部分において、第１セルの補助パターンのパターン要素を除去する。本実施形態では、主パターン要素の中心座標と補助パターン要素の中心座標と間の距離が縦方向に１００ｎｍ以内であって、かつ、横方向に１００ｎｍ以内である補助パターン要素を除去対象であると判定した。この判定は、スタンダードセルに補助パターン要素を配置したときのルールと同じ判定を用いた。図５に、除去対象である補助パターン要素１８を示す。これらの補助パターン要素１８を除去した状態を図６に示す。