【手続補正書】
【提出日】平成28年12月19日(2016.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源からの光源光が照射され、前記光源光に対して透明な基板と、
前記基板上であって、前記光源光が照射される側に配置される画素部と、
前記画素部からの光を外部へ取り出す光取出し構造と、を備え、
前記光取出し構造は、壁状構造と前記壁状構造の側壁に沿って配置された反射層とを含み、
前記画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の光を発光する波長変換層と、前記波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記長波長の光の波長以外の波長の光の透過を抑制する励起光吸収層との積層膜を含み、
前記積層膜は、前記壁状構造の壁で仕切られた領域に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置において、
前記画素部は、前記波長変換層の前記光源側に前記光源光の波長以外の光の透過を抑制する迷光防止層を更に有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の表示装置において、
前記壁状構造の壁が配置される前記基板上にはブラックマトリクスが更に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の表示装置において、
前記画素部は、前記波長変換層の前記光源側に、高屈折率の微粒子を分散した透明膜からなる蛍光散乱層を更に有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の表示装置において、
前記反射層は、前記壁状構造の壁の両面に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１記載の表示装置において、
前記反射層は、前記壁状構造の壁の片面に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１記載の表示装置において、
前記反射層は、前記壁状構造の壁の内部に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１記載の表示装置において、
前記壁状構造は、壁がストライプ状に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１記載の表示装置において、
前記壁状構造は、壁がワッフル状に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１記載の表示装置において、
前記壁状構造は、壁の基部が裾広がり形状を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１記載の表示装置において、
前記壁状構造は、壁の基部が垂直形状を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
光源と、
前記光源からの光源光が照射され、前記光源光に対して透明な基板と、
前記基板上であって、前記光源光が照射される側に配置される第１画素部、第２画素部及び第３画素部と、
前記第１、第２、及び第３の画素部からの光を外部へ取り出す光取出し構造と、を備え、
前記光取出し構造は、壁状構造と前記壁状構造の側壁に沿って配置された反射層とを含み、
前記第１画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の第１光を発光する第１波長変換層と、前記第１波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記第１光の波長以外の波長の光の透過を抑制する第１励起光吸収層との第１積層膜を含み、
前記第２画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の第２光を発光する第２波長変換層と、前記第２波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記第２光の波長以外の波長の光の透過を抑制する第２励起光吸収層との第２積層膜を含み、
前記第３画素部は、高屈折率の微粒子が分散された透明膜からなる光源光散乱層を含み、
前記第１積層膜、前記第２積層膜及び前記光源光散乱層は、前記壁状構造の壁で仕切られた領域にそれぞれ配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の表示装置において、
前記光源光散乱層と前記基板との間に、前記光源光の波長以外の波長を有する外光の透過を抑制する第３励起光吸収層が配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
光源と、
前記光源からの光源光が照射され、前記光源光に対して透明な基板と、
前記基板上であって、前記光源光が照射される側に配置される第１画素部、第２画素部及び第３画素部と、
前記第１、第２、及び第３画素部からの光を外部へ取り出す光取出し構造と、を備え、
前記光取出し構造は、壁状構造と前記壁状構造の側壁に沿って配置された反射層とを含み、
前記第１画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の第１光を発光する第１波長変換層と、前記第１波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記第１光の波長以外の波長の光の透過を抑制する第１励起光吸収層との第１積層膜を含み、
前記第２画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の第２光を発光する第２波長変換層と、前記第２波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記第２光の波長以外の波長の光の透過を抑制する第２励起光吸収層との第２積層膜を含み、
前記第３画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の第３光を発光する第３波長変換層と、前記第３波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記第３光の波長以外の波長の光の透過を抑制する第３励起光吸収層との第３積層膜を含み、
前記第１積層膜、前記第２積層膜及び前記第３積層膜は、前記壁状構造の壁で仕切られた領域にそれぞれ配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の表示装置において、
前記第１画素部、前記第２画素部及び前記第３画素部は、前記第１波長変換層、前記第２波長変換層及び前記第３波長変換層のそれぞれの前記光源側に前記光源光の波長以外の光の透過を抑制する迷光防止層をそれぞれ有することを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、光源と、
前記光源からの光源光が照射され、前記光源光に対して透明な基板と、
前記基板上であって、前記光源光が照射される側に配置される第１画素部、第２画素部及び第３画素部と、
前記第１、第２、及び第３画素部からの光をそれぞれ外部へ取り出す光取出し構造と、を備え、
前記光取出し構造は、壁状構造と前記壁状構造の側壁に沿って配置された反射層とを含み、
前記第１画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の第１光を発光する第１波長変換層と、前記第１波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記第１光の波長以外の波長の光の透過を抑制する第１励起光吸収層との第１積層膜を含み、
前記第２画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の第２光を発光する第２波長変換層と、前記第２波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記第２光の波長以外の波長の光の透過を抑制する第２励起光吸収層との第２積層膜を含み、
前記第３画素部は、高屈折率の微粒子が分散された透明膜からなる光源光散乱層を含み、
前記第１積層膜、前記第２積層膜及び前記光源光散乱層は、前記壁状構造の壁で仕切られた領域にそれぞれ配置されていることを特徴とする表示装置とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、光源と、
前記光源からの光源光が照射され、前記光源光に対して透明な基板と、
前記基板上であって、前記光源光が照射される側に配置される第１画素部、第２画素部及び第３画素部と、
前記第１、第２、及び第３画素部からの光を外部へ取り出す光取出し構造と、を備え、
前記光取出し構造は、壁状構造と前記壁状構造の側壁に沿って配置された反射層とを含み、
前記第１画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の第１光を発光する第１波長変換層と、前記第１波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記第１光の波長以外の波長の光の透過を抑制する第１励起光吸収層との第１積層膜を含み、
前記第２画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の第２光を発光する第２波長変換層と、前記第２波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記第２光の波長以外の波長の光の透過を抑制する第２励起光吸収層との第２積層膜を含み、
前記第３画素部は、前記光源光の照射により前記光源光の波長よりも長波長の第３光を発光する第３波長変換層と、前記第３波長変換層及び前記基板の間に配置され、前記第３光の波長以外の波長の光の透過を抑制する第３励起光吸収層との第３積層膜を含み、
前記第１積層膜、前記第２積層膜及び前記第３積層膜は、前記壁状構造の壁で仕切られた領域にそれぞれ配置されていることを特徴とする表示装置とする。