【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して、第１の処理ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、第２の処理ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスが反応することにより生成される副生成物と反応する第３の処理ガスを供給する工程と、
を所定回数行うことにより、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記第１の処理ガスを供給する工程、前記第２の処理ガスを供給する工程および前記第３の処理ガスを供給する工程は、前記基板を室温以上４５０℃以下の所定温度に維持した状態で行い、
前記第３の処理ガスを供給する工程は、前記第１の処理ガスを供給する工程および前記第２の処理ガスを供給する工程のうち少なくともいずれかと同時に行う半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記副生成物は塩化物である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３の処理ガスは前記副生成物と反応して塩を生成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第３の処理ガスを供給する工程を前記第１の処理ガスを供給する工程と同時に行う際は、前記第３の処理ガスを供給する工程を行う時間を前記第１の処理ガスを供給する工程を行う時間より長く行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第３の処理ガスを供給する工程を前記第１の処理ガスを供給する工程と同時に行う際は、前記基板に対して、前記第３の処理ガスを供給した状態で前記第１の処理ガスの供給を始めるとともに、前記第３の処理ガスを供給した状態で前記第１の処理ガスの供給を止める請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３の処理ガスを供給する工程を前記第２の処理ガスを供給する工程と同時に行う際は、前記第３の処理ガスを供給する工程を行う時間を前記第２の処理ガスを供給する工程を行う時間より長く行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第３の処理ガスを供給する工程を前記第２の処理ガスを供給する工程と同時に行う際は、前記基板に対して、前記第３の処理ガスを供給した状態で前記第２の処理ガスの供給を始めるとともに、前記第３の処理ガスを供給した状態で前記第２の処理ガスの供給を止める請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第３の処理ガスを供給する工程を前記第１の処理ガスを供給する工程と同時に行う際は、前記第３の処理ガスを供給する工程を行う時間と前記第１の処理ガスを供給する工程を行う時間とを等しくする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第３の処理ガスを供給する工程を前記第２の処理ガスを供給する工程と同時に行う際は、前記第３の処理ガスを供給する工程を行う時間と前記第２の処理ガスを供給する工程を行う時間とを等しくする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第３の処理ガスを供給する工程を前記第１の処理ガスを供給する工程と同時に行う際は、前記基板に対して、前記第１の処理ガスの供給を始めるタイミングと前記第３の処理ガスの供給を始めるタイミングおよび前記第１の処理ガスの供給を止めるタイミングと前記第３の処理ガスの供給を止めるタイミングの少なくともいずれかを同じタイミングとする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第３の処理ガスを供給する工程を前記第２の処理ガスを供給する工程と同時に行う際は、前記基板に対して、前記第２の処理ガスの供給を始めるタイミングと前記第３の処理ガスの供給を始めるタイミングおよび前記第２の処理ガスの供給を止めるタイミングと前記第３の処理ガスの供給を止めるタイミングの少なくともいずれかを同じタイミングとする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の処理ガスは金属含有塩化物であり、前記第２の処理ガスは窒化ガスであり、前記副生成物はＨＣｌもしくはＮＨｘＣｌであり、前記膜は金属窒化膜である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
基板に対して、第１の処理ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、第２の処理ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスが反応することにより生成される副生成物と反応する第３の処理ガスを供給する工程と、
を所定回数行うことにより、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記第１の処理ガスを供給する工程、前記第２の処理ガスを供給する工程および前記第３の処理ガスを供給する工程は、前記基板を室温以上４５０℃以下の所定温度に維持した状態で行い、
前記第３の処理ガスを供給する工程は、前記第１の処理ガスを供給する工程および前記第２の処理ガスを供給する工程のうち少なくともいずれかの後に行う半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
基板に対して、第１の処理ガスと第２の処理ガスとを時分割して所定回数供給する工程と、
前記基板に対して、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスが反応することにより生成される副生成物と反応する第３の処理ガスを連続的に供給する工程と、
を行うことにより、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記第１の処理ガスを供給する工程、前記第２の処理ガスを供給する工程および前記第３の処理ガスを供給する工程は、前記基板を室温以上４５０℃以下の所定温度に維持した状態で行い、
前記第１の処理ガスと前記第２の処理ガスを供給する工程は、前記第３の処理ガスを供給する工程と同時に行う半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
基板を収容する処理室と、
前記基板を加熱する加熱系と、
前記基板に対して、第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給系と、
前記基板に対して、第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給系と、
前記基板に対して、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスが反応することにより生成される副生成物と反応する第３の処理ガスを供給する第３の処理ガス供給系と、
前記加熱系、前記第１の処理ガス供給系、前記第２の処理ガス供給系および前記第３の処理ガス供給系を制御して、
前記処理室に収容された基板に対して前記第１の処理ガスを供給する処理と、前記基板に対して前記第２の処理ガスを供給する処理と、前記基板に対して前記第３の処理ガスを供給する工程と、を所定回数行うことにより、前記基板上に膜を形成する処理を行い、前記第１の処理ガスを供給する処理、前記第２の処理ガスを供給する処理および前記第２の処理ガスを供給する処理は、前記基板を室温以上４５０℃以下の所定温度に維持した状態で行い、前記第３の処理ガスを供給する処理は、前記第１の処理ガスを供給する処理および前記第２の処理ガスを供給する処理のうち少なくともいずれかと同時に行うよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１６】
基板処理装置の処理室に収容された基板に対して、第１の処理ガスを供給する手順と、
前記基板に対して、第２の処理ガスを供給する手順と、
前記基板に対して、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスが反応することにより生成される副生成物と反応する第３の処理ガスを供給する手順と、
を所定回数行うことにより、前記基板上に膜を形成する手順をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記第１の処理ガスを供給する手順、前記第２の処理ガスを供給する手順および前記第３の処理ガスを供給する手順を、前記基板を室温以上４５０℃以下の所定温度に維持した状態で行わせ、
前記第３の処理ガスを供給する手順を、前記第１の処理ガスを供給する手順および前記第２の処理ガスを供給する手順のうち少なくともいずれかと同時に行わせるプログラム。