【手続補正書】
【提出日】平成29年11月17日(2017.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための反応チャンバの内面にアンダーコートを形成する方法であって、
（ａ）前記反応チャンバ内に、蒸気相での第１の反応物の流れを導入し、前記反応チャンバの前記内面に前記第１の反応物を吸着させるステップと、
（ｂ）前記第１の反応物が前記反応チャンバの前記内面に吸着された状態で、前記反応チャンバ内に、蒸気相での第２の反応物の流れを導入するステップと、
（ｃ）前記反応チャンバの前記内面で前記第１の反応物と前記第２の反応物の反応を誘発して前記アンダーコートを形成するために、前記第１の反応物と前記第２の反応物の少なくとも一方の流れが止まったときに、前記反応チャンバをプラズマに露出するステップであって、前記アンダーコートが、前記反応チャンバの前記内面を共形にコーティングするステップとを含み、
操作（ａ）〜（ｃ）が、前記反応チャンバ内に基板がないときに行われ、
操作（ａ）〜（ｃ）が、前記アンダーコートが少なくとも約０．１μｍの厚さになるまで繰り返される方法。
【請求項２】
前記反応チャンバ内の温度変化が、操作（ａ）〜（ｃ）中において約２℃以下である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アンダーコートが酸化物、窒化物、炭化物、または炭窒化物である請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の反応物が、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＣＯおよびＣＯ2のうちから選択した少なくとも一つを含む請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記アンダーコートが、貴金属、ランタニド酸化物、４族金属酸化物、または５族金属酸化物である請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記アンダーコートが、基板キャリアを共形にコーティングする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記アンダーコートが、約０．５μｍ以下の厚さである請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記アンダーコートが、約０．２μｍ以下の厚さである請求項７に記載の方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の記載の方法であって、
さらに、
（ｄ）前記反応チャンバ内に基板を受け取るステップと、
（ｅ）前記反応チャンバ内に、蒸気相での第３の反応物の流れを導入し、前記第３の反応物を前記基板の表面に吸着させるステップと、
（ｆ）前記第３の反応物が前記基板の前記表面に吸着された状態で、前記反応チャンバ内に、蒸気相での第４の反応物の流れを導入するステップと、
（ｇ）前記基板の前記表面で前記第３の反応物と前記第４の反応物の反応を誘発して第２の被膜を形成するために、前記第３の反応物と前記第４の反応物の少なくとも一方の流れが止まったときに、前記反応チャンバをプラズマに露出するステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記第１の反応物および前記第２の反応物が、それぞれ前記第３の反応物および前記第４の反応物と同じである請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の反応物と前記第４の反応物が、それぞれＯ2、Ｎ2Ｏ、ＣＯおよびＣＯ2のうちから選択した少なくとも一つを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
反応チャンバ圧力、反応チャンバ温度、投与時間、プラズマ露出時間、およびＲＦ出力値が、操作（ａ）〜（ｃ）と操作（ｅ）〜（ｇ）との間で実質的に一定である請求項９から請求項１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記反応チャンバ内の温度変化が、操作（ａ）〜（ｇ）中において、約２℃以下である請求項９から請求項１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
操作（ｅ）が、操作（ｃ）の最後の反復後、約５分以内に始まる請求項９から請求項１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記反応チャンバが、操作（ｃ）の最後の反復と操作（ｅ）の最初の反復との間にパージされる請求項９から請求項１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
操作（ｄ）〜（ｇ）が複数の基板で繰り返され、操作（ａ）〜（ｇ）で前記反応チャンバの前記内面に堆積された被膜の剥落または剥離開始は、前記第２の被膜が前記基板上に合計で少なくとも約７．５μｍ堆積されるまでは生じない請求項９から請求項１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
操作（ｄ）〜（ｇ）が複数の基板で繰り返され、操作（ａ）〜（ｇ）で堆積された被膜の剥落または剥離開始は、操作（ｄ）〜（ｇ）を使用して前記反応チャンバによって少なくとも約３００枚の基板が処理されるまでは生じない請求項９から請求項１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
操作（ａ）〜（ｃ）の最初の反復が、第１のＲＦフラックスレベルで行われ、操作（ａ）〜（ｃ）の第２の反復が、第２のＲＦフラックスレベルで行われ、前記第１のＲＦフラックスレベルと前記第２のＲＦフラックスレベルが異なる請求項１から請求項１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
基板上に被膜を堆積するために反応チャンバを処理する方法であって、
（ａ）前記反応チャンバを洗浄するために、前記反応チャンバの内面から、前に堆積された被膜を除去するステップと、
（ｂ）原子層堆積プロセスによって、前記反応チャンバの前記洗浄された内面上にアンダーコートを堆積するステップとを含み、
操作（ｂ）が、前記反応チャンバ内に基板がないときに行われる方法。
【請求項２０】
前記アンダーコートが、約０．１〜０．５μｍの間の厚さに堆積される請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
操作（ｂ）が、等温で行われる請求項１９または請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
基板上に被膜を堆積するために準備された反応チャンバであって、
前記反応チャンバに蒸気相の反応物を導入するための１つまたは複数の入口と、
前記反応チャンバから蒸気相の材料を除去するための１つまたは複数の出口と、
前記反応チャンバに露出されるプラズマを発生させるためのプラズマ発生器と、
前記反応チャンバの前記内面上のアンダーコートとを備え、前記アンダーコートが、約０．５μｍ以下の厚さであり、前記アンダーコートが、前記反応チャンバの内面を共形に被覆する反応チャンバ。
【請求項２３】
前記第２の反応物が、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＣＯおよびＣＯ2を含む請求項１から請求項１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の反応物と前記第４の反応物とが、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＣＯおよびＣＯ2を含む請求項９から請求項１７のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アンダーコートを形成する方法および反応チャンバ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
さらに、堆積温度も、アンダーコートの堆積と基板上への被膜の堆積との間、またはアンダーコートの堆積中に変えることができる。図１３に戻ると、より低い堆積温度は、より高いウェットエッチングレート比、およびそれに対応してより中立の被膜をもたらす。逆に、より高い堆積温度は、より低いウェットエッチングレート比、およびより多くの圧縮被膜をもたらす。いくつかの実施形態では、アンダーコートは、チャンバ内の基板上に堆積される被膜よりも高い温度でチャンバ内に堆積される。他の実施形態では、アンダーコートは、チャンバ内の基板上に堆積される被膜よりも低い温度で堆積することができる。さらに他の実施形態では、アンダーコートは、反応チャンバ内の基板上に堆積される被膜と同じ温度で堆積される。また、上述したように、アンダーコートの堆積中に温度を変えることができる。例えば、アンダーコートの堆積中に温度が低下することがあり、徐々により中立になるアンダーコートを形成する。逆に、アンダーコートの堆積中に温度が上昇することもあり、徐々により圧縮性になるアンダーコートを形成する。これらの徐々に進む変化は、剥落および剥離を防止する一助となることがあり、また、洗浄プロセス間でより高いチャンバ累積限度にチャンバが達する一助となることがある。
また本発明は、以下の適用例の形態でも実施可能である。
［適用例１］基板を処理するための反応チャンバの内面にアンダーコートを形成する方法であって、
（ａ）前記反応チャンバ内に、蒸気相での第１の反応物の流れを導入し、前記反応チャンバの前記内面に前記第１の反応物を吸着させるステップと、
（ｂ）前記第１の反応物が前記反応チャンバの前記内面に吸着された状態で、前記反応チャンバ内に、蒸気相での第２の反応物の流れを導入するステップと、
（ｃ）前記反応チャンバの前記内面で前記第１の反応物と前記第２の反応物の反応を誘発して前記アンダーコートを形成するために、前記第１の反応物と前記第２の反応物の少なくとも一方の流れが止まったときに、前記反応チャンバをプラズマに露出するステップであって、前記アンダーコートが、前記反応チャンバの前記内面を共形にコーティングするステップとを含み、
操作（ａ）〜（ｃ）が、前記反応チャンバ内に基板がないときに行われ、
操作（ａ）〜（ｃ）が、前記アンダーコートが少なくとも約０．１μｍの厚さになるまで繰り返される方法。
［適用例２］前記反応チャンバ内の温度変化が、操作（ａ）〜（ｃ）中において約２℃以下である適用例１に記載の方法。
［適用例３］前記アンダーコートが酸化物、窒化物、炭化物、または炭窒化物である適用例１または適用例２に記載の方法。
［適用例４］前記第２の反応物が、Ｏ2およびＮ2Ｏを含む適用例１から適用例３のいずれか一項に記載の方法。
［適用例５］前記アンダーコートが、貴金属、ランタニド酸化物、４族金属酸化物、または５族金属酸化物である適用例１から適用例４のいずれか一項に記載の方法。
［適用例６］前記アンダーコートが、基板キャリアを共形にコーティングする適用例１から適用例５のいずれか一項に記載の方法。
［適用例７］前記アンダーコートが、約０．５μｍ以下の厚さである適用例１から適用例６のいずれか一項に記載の方法。
［適用例８］前記アンダーコートが、約０．２μｍ以下の厚さである適用例６に記載の方法。
［適用例９］適用例１から適用例８のいずれか一項に記載の記載の方法であって、さらに、
（ｄ）前記反応チャンバ内に基板を受け取るステップと、
（ｅ）前記反応チャンバ内に、蒸気相での第３の反応物の流れを導入し、前記第３の反応物を前記基板の前記表面に吸着させるステップと、
（ｆ）前記第３の反応物が前記基板の前記表面に吸着された状態で、前記反応チャンバ内に、蒸気相での第４の反応物の流れを導入するステップと、
（ｇ）前記基板の前記表面で前記第３の反応物と前記第４の反応物の反応を誘発して第２の被膜を形成するために、前記第３の反応物と前記第４の反応物の少なくとも一方の流れが止まったときに、前記反応チャンバをプラズマに露出するステップと
を含む方法。
［適用例１０］前記第１の反応物および前記第２の反応物が、それぞれ前記第３の反応物および前記第４の反応物と同じである適用例９に記載の方法。
［適用例１１］前記第２の反応物と前記第４の反応物が、それぞれＯ2およびＮ2Ｏを含む適用例１０に記載の方法。
［適用例１２］反応チャンバ圧力、反応チャンバ温度、投与時間、プラズマ露出時間、およびＲＦ出力値が、操作（ａ）〜（ｃ）と操作（ｅ）〜（ｇ）との間で実質的に一定である適用例９から適用例１１のいずれか一項に記載の方法。
［適用例１３］前記反応チャンバ内の温度変化が、操作（ａ）〜（ｇ）中において、約２℃以下である適用例９から適用例１２のいずれか一項に記載の方法。
［適用例１４］操作（ｅ）が、操作（ｃ）の最後の反復後、約５分以内に始まる適用例９から適用例１３のいずれか一項に記載の方法。
［適用例１５］前記反応チャンバが、操作（ｃ）の最後の反復と操作（ｅ）の最初の反復との間にパージされる適用例９から適用例１４のいずれか一項に記載の方法。
［適用例１６］操作（ｄ）〜（ｇ）が複数の基板で繰り返され、操作（ａ）〜（ｇ）で前記反応チャンバの前記内面に堆積された被膜の剥落または剥離開始は、前記第２の被膜が前記基板上に合計で少なくとも約７．５μｍ堆積されるまでは生じない適用例９から適用例１５のいずれか一項に記載の方法。
［適用例１７］操作（ｄ）〜（ｇ）が複数の基板で繰り返され、操作（ａ）〜（ｇ）で堆積された被膜の剥落または剥離開始は、操作（ｄ）〜（ｇ）を使用して前記反応チャンバによって少なくとも約３００枚の基板が処理されるまでは生じない適用例９から適用例１６のいずれか一項に記載の方法。
［適用例１８］操作（ａ）〜（ｃ）の最初の反復が、第１のＲＦフラックスレベルで行われ、操作（ａ）〜（ｃ）の第２の反復が、第２のＲＦフラックスレベルで行われ、前記第１のＲＦフラックスレベルと前記第２のＲＦフラックスレベルが異なる適用例１から適用例１７のいずれか一項に記載の方法。
［適用例１９］基板上に被膜を堆積するために反応チャンバを処理する方法であって、
（ａ）前記反応チャンバを洗浄するために、前記反応チャンバの内面から、前に堆積された被膜を除去するステップと、
（ｂ）原子層堆積プロセスによって、前記反応チャンバの前記洗浄された内面上にアンダーコートを堆積するステップとを含み、
操作（ｂ）が、前記反応チャンバ内に基板がないときに行われる方法。
［適用例２０］前記アンダーコートが、約０．１〜０．５μｍの間の厚さに堆積される適用例１９に記載の方法。
［適用例２１］操作（ｂ）が、等温で行われる適用例１９または適用例２０に記載の方法。
［適用例２２］基板上に被膜を堆積するために準備された反応チャンバであって、
前記反応チャンバに蒸気相の反応物を導入するための１つまたは複数の入口と、
前記反応チャンバから蒸気相の材料を除去するための１つまたは複数の出口と、
前記反応チャンバに露出されるプラズマを発生させるためのプラズマ発生器と、
前記反応チャンバの前記内面上のアンダーコートとを備え、前記アンダーコートが、約０．５μｍ以下の厚さであり、前記アンダーコートが、前記反応チャンバの内面を共形に被覆する反応チャンバ。