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【手続補正書】
【提出日】平成29年8月30日(2017.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の巻線を有する第１の部分であって、当該複数の巻線は、第１のアクティブな巻線部分と第２のアクティブな巻線部分とを含み、第１のアクティブな巻線部分の巻線に関連するピッチが第２のアクティブな巻線部分の巻線に関連するピッチと異なる、前記第１の部分と、
複数の巻線を有する第２の部分と、
移行部分であって、当該移行部分は、プリント回路基板（ＰＣＢ）上のパッドと電気的に接続する巻線を含み、前記移行部分の巻線の直径が最も幅広の地点での前記第２の部分の複数の巻線の直径よりも大きい、前記移行部分と、
を含む段付きスプリングコンタクト。
【請求項２】
最も幅広の地点での前記第１の部分の複数の巻線の直径は、前記最も幅広の地点での前記第２の部分の複数の巻線の直径よりも大きい、請求項１に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項３】
前記第１の部分が先端を含む、請求項１に記載の段付きスプリグコンタクト。
【請求項４】
前記先端は、装置と関連する端子コネクタと電気的に接続する、請求項３に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項５】
前記装置は、マイクロ歪みゲージ（ＭＳＧ）装置である、請求項４に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項６】
前記先端が平坦な形状であり、
前記先端に関連する複数の巻線が、前記段付きスプリングコンタクトの中心と関連する軸に対して１度と１５度の間の角度で、前記段付きスプリングコンタクトの中心に向かって先細に傾斜する、請求項３に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項７】
前記先端が円錐形状であり、当該円錐形状は、前記段付きスプリングコンタクトの中心に関連する軸に対して、１０度と８０度の間で前記移行領域の先端の径の包絡線角度を有する、請求項３に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項８】
前記第１のアクティブな巻線部分が、前記第２のアクティブな巻線部分に含まれる巻線に関連するピッチよりも大きなピッチに関連する巻線を含む、請求項１に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項９】
前記第１の部分が、第３のアクティブな巻線部分を含み、
前記第３のアクティブな巻線部分に関連するピッチが、前記第２のアクティブな巻線部分に含まれる巻線に関連するピッチよりも大きい、請求項１に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項１０】
前記第２の部分の複数の巻線はきつく巻かれている、請求項１に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項１１】
前記段付きスプリングコンタクトは、前記ＰＣＢに含まれるめっきされた貫通孔内に取り付けられ、
前記段付きスプリングコンタクトの前記第２の部分が、前記めっきされた貫通孔と電気的に接続する、請求項１に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項１２】
複数の巻線を有する第１の部分であって、当該複数の巻線は、第１のアクティブな巻線部分と第２のアクティブな巻線部分とを含み、第１のアクティブな巻線部分は、第２のアクティブな巻線部分に含まれる巻線に関連するピッチよりも大きいピッチに関連する巻線を含む、前記第１の部分と、
複数の巻線を有する第２の部分と、
移行部分であって、当該移行部分は、プリント回路基板（ＰＣＢ）上のパッドと電気的に接続する巻線を含み、前記移行部分の巻線の直径が最も幅広の地点での前記第２の部分の複数の巻線の直径よりも大きい、前記移行部分と、
を含む段付きスプリングコンタクト。
【請求項１３】
段付きスプリングコンタクトはさらに、
前記段付きスプリングコンタクトの中心に関連する軸に対して１度と１５度の間の角度で、前記段付きスプリングコンタクトの中心に向かって傾斜する、複数の巻線を有する先端を含む、請求項１２に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項１４】
段付きスプリングコンタクトはさらに、
前記段付きスプリングコンタクトの中心に関連する軸に対して１０度と８０度の間の移行領域の先端の径の包絡線角度を有する先端を含む、請求項１２に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項１５】
前記段付きスプリングコンタクトが、ＰＣＢに含まれるめっきされた貫通孔内に取り付けられ、前記段付きスプリングコンタクトの第２の部分が前記めっきされた貫通孔と電気的に接続する、請求項１に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項１６】
複数の巻線を有する第１の部分であって、当該第１の部分は、第１のアクティブな巻線部分、第２のアクティブな巻線部分および第３のアクティブな巻線部分を含み、第１のアクティブな巻線部分の巻線に関連するピッチが第２のアクティブな巻線部分の巻線に関連するピッチと異なり、第３のアクティブな巻線部分の巻線に関連するピッチが第２のアクティブな巻線部分に含まれる巻線に関連するピッチよりも大きい、前記第１の部分と、
複数の巻線を有する第２の部分と、
移行部分であって、当該移行部分は、プリント回路基板（ＰＣＢ）上のパッドと電気的に接続する巻線を含み、前記移行部分の巻線の直径が最も幅広の地点での前記第２の部分の複数の巻線の直径よりも大きい、前記移行部分と、
を含む段付きスプリングコンタクト。
【請求項１７】
段付きスプリングコンタクトはさらに、
前記段付きスプリングコンタクトの中心に関連する軸に対して１度と１５度の間の角度で、前記段付きスプリングコンタクトの中心に向かって傾斜する、複数の巻線を有する先端を含む、請求項１６に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項１８】
段付きスプリングコンタクトはさらに、
前記段付きスプリングコンタクトの中心に関連する軸に対して１０度と８０度の間の移行領域の先端の径の包絡線角度を有する先端を含む、請求項１６に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項１９】
前記段付きスプリングコンタクトが、ＰＣＢに含まれるめっきされた貫通孔内に取り付けられ、前記段付きスプリングコンタクトの第２の部分が前記めっきされた貫通孔と電気的に接続する、請求項１に記載の段付きスプリングコンタクト。
【請求項２０】
前記第１の部分は、第１のアクティブな巻線部分と第２のアクティブな巻線部分とを有し、第１のアクティブな巻線部分の巻線に関連するピッチが第２のアクティブな巻線部分に関連するピッチと異なる、請求項１６に記載の段付きスプリングコンタクト。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月3日(2017.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体及び活物質層を有する電極であって、
前記活物質層は、活物質、グラフェン、及びポリイミドを有し、
前記活物質は、シリコン粒子を核として、一軸方向に細長く針状に伸びたナノワイヤーを複数有し、
前記グラフェンは、前記複数のナノワイヤーと接する領域を有し、
前記ポリイミドは、前記グラフェンと接する領域を有するリチウムイオン二次電池用電極。
【請求項２】
正極及び負極を少なくとも有するリチウムイオン二次電池であって、
前記負極は、負極集電体及び負極活物質層を有し、
前記負極活物質層は、負極活物質、第１のグラフェン、及びポリイミドを有し、
前記負極活物質は、シリコン粒子を核として、一軸方向に細長く針状に伸びたナノワイヤーを複数有し、
前記第１のグラフェンは、前記複数のナノワイヤーと接する領域を有し、
前記ポリイミドは、前記第１のグラフェンと接する領域を有し、
前記正極は、正極集電体及び正極活物質層を有し、
前記正極活物質層は、正極活物質、第２のグラフェン、及びポリフッ化ビニリデンを有し、
前記第２のグラフェンは、前記正極活物質と接する領域を有する、リチウムイオン二次電池。
【請求項３】
シリコン粒子と、酸化グラフェンとを混合し、
前記シリコン粒子及び前記酸化グラフェンの混合物に、ポリイミドの前駆体及び極性溶媒を含む混合液を混合して、スラリーを形成し、
前記スラリーを集電体上に塗布した後に、焼成することにより、
前記シリコン粒子を核として、一軸方向に細長く針状に伸びたナノワイヤーを形成し、前記酸化グラフェンを還元してグラフェンを形成し、かつ前記ポリイミドの前駆体をイミド化してポリイミドを形成し、
前記ポリイミドの前駆体及び極性溶媒を含む混合液のｐＨは、２以上４以下である、
リチウムイオン二次電池用電極の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月1日(2017.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟まれたＥＬ層とを有し、
前記ＥＬ層は少なくとも複数の発光ユニットと、前記発光ユニット間に挟まれた複数の電荷発生層を有し、
前記電荷発生層の陽極側に接する層に２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンが含まれることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟まれたＥＬ層とを有し、
前記ＥＬ層は陽極側に形成された第１の発光ユニットと、
陰極側に形成された第２の発光ユニットとを有し、
前記第１の発光ユニットと、前記第２の発光ユニットとの間に電荷発生層を有し、
前記第１の発光ユニットにおける前記電荷発生層と接する層に２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンが含まれることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ＥＬ層は、少なくとも縮合芳香族化合物又は縮合複素芳香族化合物を含む層と、前記縮合芳香族化合物又は縮合複素芳香族化合物を含む層に接する２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンを含む層を有することを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記ＥＬ層は、少なくとも三環以上の縮合環骨格を有する縮合芳香族化合物又は縮合複素芳香族化合物を含む層と、前記も縮合芳香族化合物又は縮合複素芳香族化合物を含む層に接する２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンを含む層を有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光素子を有するディスプレイモジュール。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光素子を有する照明モジュール。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光素子を照明部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた照明装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月1日(2017.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示パネル；
前記表示パネルの背面を保護し、第１クッションテープと第２クッションテープを含むクッションテープ；及び
前記第１クッションテープ及び前記第２クッションテープの間に位置し、一対の電極とその間に位置する振動物質層を含む音響素子を含む表示装置。
【請求項２】
前記一対の電極のうちの一つの電極は外側への延長部としての支持部分を含み、
前記支持部分は前記第１クッションテープ及び前記第２クッションテープの間に挟み込まれて前記音響素子を支持することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１クッションテープ及び前記第２クッションテープは、組み合わさって共鳴器としての空隙を構成する凹部を含み、
前記共鳴器としての空隙中に、前記音響素子の前記振動物質層が位置することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記音響素子は２つ以上の前記振動物質層を含み、
前記２つ以上の前記振動物質層は、いずれも前記共鳴器としての空隙中に位置することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記音響素子は
前記一対の電極のうちの前記支持部分を含む電極は前記２つ以上の前記振動物質層に共通に接続されており、
前記一対の電極のうちの前記支持部分を含まない電極は前記２つ以上の前記振動物質層の上に電気的に分離されてそれぞれ位置することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１クッションテープ及び前記第２クッションテープに形成されている凹部では前記音響素子が付着されないように接着剤が除去されていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１クッションテープまたは前記第２クッションテープは開口部を含み、
前記開口部中には前記音響素子の前記振動物質層が位置することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】
前記音響素子は２つ以上の前記振動物質層を含み、
前記２つ以上の前記振動物質層は、いずれも前記開口部中に位置することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記音響素子は
前記一対の電極のうちの前記支持部分を含む電極は前記２つ以上の前記振動物質層に共通に接続されており、
前記一対の電極のうちの前記支持部分を含まない電極は前記２つ以上の前記振動物質層の上に電気的に分離されてそれぞれ位置することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記音響素子は前記振動物質層の下部に位置する前記電極と上部に位置する前記電極のうちの下部に位置する前記電極は、前記振動物質層の側面に沿って上部まで延長されている電極パッドを含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月14日(2017.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１素子が実装され、第１シードパターン部を含む下部パッケージと、
前記第１シードパターン部の上に配置される第２シードパターン部と、
前記第２シードパターン部を介して前記下部パッケージに接続され、少なくとも一つの金属材料部を含む金属ポストと、
第２素子が実装され、はんだボールを介して前記金属ポストに接続される上部パッケージと、
を含み、
前記第２シードパターン部は、前記金属ポストの側面と直接接触する半導体パッケージ。
【請求項２】
前記金属材料部は、表面上に表面処理層が形成される請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記表面処理層は、前記金属ポストの上面及び側面に形成される請求項２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記表面処理層は、金(Ａｕ)及びニッケル(Ｎｉ)のうち少なくともいずれか一つの金属材料で構成される請求項２または３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記金属ポストは、前記はんだボールに接続される一端の幅が他端の幅よりも小さい請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記金属ポストは、前記はんだボールに接続される一端から他端に行くほど次第に幅が増加する請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記金属ポストは、前記一端の幅が他端の幅の５０％〜９０％に形成される請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記金属ポストは、長さ方向の面が前記下部パッケージの基板の表面に対して５°〜４５°に傾斜する請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記金属ポストは、前記はんだボールに接続される一端が前記はんだボール内に引き込まれる請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記金属ポストは、銅(Ｃｕ)、錫(Ｓｎ)、鉛(Ｐｂ)及び銀(Ａｇ)のうち少なくともいずれか一つの材料で構成される請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記金属ポストは、
第１金属材料のはんだ部と、
第２金属材料の金属材料部と、
を含む請求項１から１０のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記はんだ部は、錫(Ｓｎ)と銅(Ｃｕ)の合金材料又は錫(Ｓｎ)と銀(Ａｇ)の合金材料で構成される請求項１１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記はんだ部は、２３０℃〜２５０℃の溶融点を有する請求項１２または１３に記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記第１シードパターン部上に、前記第１シードパターン部の上面の一部が露出されるように形成されるはんだレジストパターンをさらに含む請求項１から１３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月8日(2017.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのセラミック層を含むパッケージボディーと、
前記パッケージボディーに配置されたサブマウントと、
前記サブマウント上に配置され、ＵＶ領域の光を放出する発光素子と、
前記パッケージボディー及び前記発光素子上に配置された無機カバー層と、
前記発光素子の上面と側面と上記サブマウントの一部に配置される、無機物コーティング層からなる第１ＡＲコーティング層と、
前記パッケージボディーと無機カバー層との間に配置された第１の無機ペースト層とを含む、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記第１ＡＲコーティング層は、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２及びＴｉＯ２のうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記パッケージボディーはキャビティを有し、前記サブマウントは前記キャビティの底面に配置される、請求項１又は２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記サブマウント上に配置されたボンディングパッドをさらに含み、
前記発光素子の電極は前記ボンディングパッドとワイヤボンディングされ、前記第１ＡＲコーティング層は前記ボンディングパッドと重ならないように配置される、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記無機カバー層と前記第1の無機ペースト層との間に配置された第2ＡＲコーティング層とを含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１ＡＲコーティング層は、前記サブマウントの上部面と側面上に配置された、請求項５に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記パッケージボディーの最上端に配置された無機物カバー層をさらに含み、
前記無機物カバー層の少なくとも一側面にも前記第２ＡＲコーティング層が配置された、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記無機物カバー層は、前記パッケージボディーの最上端に金属で共晶接合された、請求項７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第２ＡＲコーティング層の厚さは、前記無機物カバー層の厚さよりも薄い、請求項７又は８に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記サブマウントは、第２無機物ペースト層を介して前記セラミック層と結合される、請求項１ないし９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
少なくとも一つのセラミック層を含み、キャビティを有するパッケージボディーと、
前記キャビティの底面において第２無機物ペースト層を介して前記セラミック層と接触するサブマウントと、
前記サブマウント上に配置され、ＵＶ領域の光を放出する発光素子と、
前記パッケージボディー及び前記発光素子上に配置された無機カバー層と、
前記発光素子の上面と側面と上記サブマウントの一部に配置される、無機物コーティング層からなる第１ＡＲコーティング層と、
前記パッケージボディーと無機カバー層との間に配置された第１の無機ペースト層とを含む、発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記第２無機物ペースト層は導電性または非導電性である、請求項１１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記第２無機物ペースト層は、Ａｕ、Ａｇ及びＳｎのうち少なくとも一つを含む、請求項１１又は１２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記発光素子は、前記サブマウント上に無機物でボンディングされた、請求項１１ないし１３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記発光素子は、前記サブマウント上に金属で共晶接合された、請求項１１ないし１４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１６】
前記パッケージボディーの底面に配置される電極パッドと、
前記サブマウント上に配置されるボンディングパッドとをさらに含み、
前記電極パッドと前記ボンディングパッドとはワイヤで接続される、請求項１１ないし１５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１７】
前記電極パッド及び前記ボンディングパッドのうち少なくとも一つは無機物からなる、請求項１６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１８】
前記ワイヤは無機物からなる、請求項１６又は１７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１９】
前記カバー層は、前記セラミック層の最上端に金属で共晶接合された、請求項１８に記載の発光素子パッケージ。
【請求項２０】
前記キャビティの内部にはエアが充填された、請求項１１ないし１９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月1日(2017.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、
前記酸化物半導体層及び前記ゲート電極層の間に位置するゲート絶縁層と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、
負の固定電荷を有する第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層と前記酸化物半導体層との間に位置し、前記第１のゲート絶縁層よりも負の固定電荷が低密度である第２のゲート絶縁層と、を含む半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート電極層は、導電性を有する金属窒化膜を有し、
前記金属窒化膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月2日(2017.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層と重なるゲート電極と、
前記半導体層及び前記ゲート電極の間に位置する第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層及び前記ゲート電極との間に位置する第２のゲート絶縁層と、を有し、
前記半導体層は、酸化物半導体を含み、
前記第１のゲート絶縁層は、窒素の含有量が５原子％以下の酸化物を含み、
前記第２のゲート絶縁層は、電荷捕獲準位を有する、
半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、
前記半導体層と重なるゲート電極と、
前記半導体層及び前記ゲート電極の間に位置する第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層と前記ゲート電極との間に位置する第２のゲート絶縁層と、を有し、
前記半導体層は、酸化物半導体を含み、
前記第１のゲート絶縁層は、窒素の含有量が５原子％以下の酸化シリコンを含んで構成され、
前記第２のゲート絶縁層は、酸化ハフニウムを含んで構成され、且つ負に荷電した、
半導体装置。
【請求項３】
半導体層と、
前記半導体層と重なるゲート電極と、
前記半導体層及び前記ゲート電極との間に位置する第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層と前記ゲート電極との間に位置する第２のゲート絶縁層と、を有し、
前記半導体層は、酸化物半導体を含み、
前記第１のゲート絶縁層は、窒素の含有量が５原子％以下の酸化シリコンを含んで構成され、
前記第２のゲート絶縁層は、酸化ハフニウムを含んで構成され、
しきい値電圧が０Ｖ以上である、
半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月30日(2017.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変データリソグラフィー印刷のためのインク組成物であって、
インク組成物の溶液に懸濁した少なくとも２０重量％の比率の白色着色剤要素と；
２種類以上の少なくとも１種類の硬化性モノマー、少なくとも１種類の分散剤と；
光開始剤系とを含み、
前記インク組成物は、約４．２５×１０５ｃｐｓ〜約１．３３×１０６ｃｐｓの範囲の２５℃でのゼロ剪断粘度を有し、前記インク組成物は印刷用のＵＶゲルインクではない、インク組成物。
【請求項２】
白色着色剤要素が、顔料を含む、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項３】
顔料が、二酸化チタンを含む、請求項２に記載のインク組成物。
【請求項４】
顔料が、３５重量％の量で存在する、請求項２に記載のインク組成物。
【請求項５】
顔料が、２０〜８０重量％の範囲の量で存在する、請求項２に記載のインク組成物。
【請求項６】
顔料が、さらに、複数の顔料粒子を含み、複数の顔料粒子の７０％以上の平均直径が、約１５０ナノメートル〜約４００ナノメートルの範囲である、請求項２に記載のインク組成物。
【請求項７】
画像化部材を用い、印刷可能な基材にインクが９０％以上の効率で転写される、インクを用いるデジタル印刷のために構成されたインク組成物を含む、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項８】
複数の少なくとも１種類の硬化性モノマーを含み、少なくとも１種類の硬化性モノマーは、分子量が低く、ＵＶを照射すると、複数のモノマーのうち、少なくとも１種類の低分子量硬化性モノマーの４０％未満が、高分子量モノマーに変換される、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項９】
複数の少なくとも１種類の硬化性モノマーを含み、少なくとも１種類の硬化性モノマーは、分子量が低く、ＵＶを照射すると、複数のモノマーのうち、少なくとも１種類の低分子量硬化性モノマーの２０％未満が、高分子量モノマーに変換される、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項１０】
インクを用いるデジタル印刷の方法であって、
再画像作成可能な画像化部材表面に白色インク組成物を塗布することを含み、前記再画像作成可能な画像化部材はその表面に配置された湿し液を有し、前記白色インク組成物は、インク組成物の溶液に懸濁した少なくとも２０重量％の比率の白色着色剤要素と、２種類以上の少なくとも１種類の硬化性モノマーと、少なくとも１種類の分散剤と、光開始剤系とを含み、前記白色インク組成物は、約４．２５×１０５ｃｐｓ〜約１．３３×１０６ｃｐｓの範囲の２５℃でのゼロ剪断粘度を有し、前記白色インク組成物は印刷用のＵＶゲルインクではない、方法。
【請求項１１】
前記白色インク組成物を塗布する前に、前記画像化部材表面に前記湿し液を塗布することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記白色インク組成物が、二酸化チタンを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記二酸化チタンが、２０〜８０重量％の範囲の量で存在する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記湿し液が、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、またはこれらの混合物を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記白色インクを塗布することは、さらに、インク画像を形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記画像化部材の再画像作成可能な表面から印刷可能な基材に前記インク画像を転写することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記印刷可能な基材は、ラベルである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記転写前に前記インク画像を部分的に硬化することを含み、前記部分的硬化は、約５％から約４０％のビニルピーク転換を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記転写後に前記インク画像を硬化することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記インクを塗布することは、アニロックス運搬システムを用いて前記インクを適用することを含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月4日(2017.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを用いるデジタル印刷のための画像化部材であって、
再画像作成および切替が可能な親水性の画像化表面を含む画像化部材表面であって、この親水性画像化部材表面はプラズマ酸化された架橋したＰＤＭＳを含み、プラズマ酸化された架橋したＰＤＭＳ画像化部材表面は、プラズマ処理により一時的な期間疎水性状態から切り替わった親水性状態にあり、一時的な期間の後は親水性状態から疎水性状態に戻るように構成されている、画像化部材表面を備え、
画像化部材表面は、さらに、フルオロエラストマーコポリマーを含み、このフルオロエラストマーコポリマーの２種以上のモノマーが、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）、ペルフルオロメチルビニルエーテル（ＰＭＶＥ）およびエチレン（ＥＴ）からなる群から選択され、フルオロエラストマーコポリマーのフッ素含有量が、約６０重量％〜約７０重量％の範囲にある、画像化部材。
【請求項２】
画像化部材表面が、さらに、架橋したシリコーンポリマーを含み、このポリマー表面に、架橋したシリコーンの表面を親水性にする親水性基を有する、請求項１に記載の画像化部材。
【請求項３】
画像化部材表面が、さらに、共有結合した極性分子または帯電した分子を含む架橋したＰＤＭＳを含む、請求項２に記載の画像化部材。
【請求項４】
プラズマ酸化された架橋したＰＤＭＳ画像化部材表面が、１０秒間のプラズマ処理により疎水性状態から切り替わった一時的な親水性状態になっている、請求項１に記載の画像化部材。
【請求項５】
画像化部材表面が、さらに、フルオロシリコーンを含む、請求項１に記載の画像化部材。
【請求項６】
フルオロエラストマーコポリマーの２種以上のモノマーのうち、少なくとも１つがフッ化ビニリデン（ＶＤＦ）である、請求項１に記載の画像化部材。
【請求項７】
プラズマ酸化された架橋したＰＤＭＳの水接触角が３２°以下である、請求項１に記載の画像化部材。
【請求項８】
インクを用いるデジタル印刷システムであって、
再画像作成および切替が可能な親水性の画像化部材表面を有する画像化部材であって、この親水性画像化部材表面はプラズマ酸化された架橋したＰＤＭＳを含み、プラズマ酸化された架橋したＰＤＭＳ画像化部材表面は、プラズマ処理により一時的な期間疎水性状態から切り替わった親水性状態にあり、一時的な期間の後は親水性状態から疎水性状態に戻るように構成されており、画像化部材表面は、さらに、フルオロエラストマーコポリマーを含み、このフルオロエラストマーコポリマーの２種以上のモノマーが、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）、ペルフルオロメチルビニルエーテル（ＰＭＶＥ）およびエチレン（ＥＴ）からなる群から選択され、フルオロエラストマーコポリマーのフッ素含有量が、約６０重量％〜約７０重量％の範囲にある、画像化部材と；
画像化部材表面に湿し液の層を塗布するための湿し液計量システムと；
湿し液のパターン形成のためのレーザー画像化システムと；
表面にパターン形成された湿し液が配置された画像化部材表面にインクを塗布するためのインク付与システムとを備える、インクを用いるデジタル印刷システム。
【請求項９】
画像化部材表面材料が、さらに、二酸化ケイ素、シラノール基、カルボン酸および／またはヒドロキシル基を含む基から選択される露出した基を含む、プラズマ酸化された架橋したＰＤＭＳを含む、請求項８に記載のデジタル印刷システム。
【請求項１０】
画像化部材表面材料は、さらに、化学修飾された親水性フルオロシリコーンを含む、請求項８に記載のデジタル印刷システム。
【請求項１１】
画像化部材表面材料は、さらに、化学修飾された親水性フルオロエラストマーを含む、請求項８に記載のデジタル印刷システム。
【請求項１２】
画像化部材表面材料が、さらに、ポリエーテル−エステルエラストマー、ポリウレタン、ポリウレタン−ポリエーテルおよびコポリマー混合物から選択される親水性の特徴を有するポリマーを含む、請求項８に記載のデジタル印刷システム。
【請求項１３】
画像化部材表面材料が、さらに、プラズマ酸化された架橋したＰＶＭＳを含む、請求項８に記載のデジタル印刷システム。
【請求項１４】
フルオロエラストマーコポリマーの２種以上のモノマーのうち、少なくとも１つがフッ化ビニリデン（ＶＤＦ）である、請求項８に記載のデジタル印刷システム。
【請求項１５】
プラズマ酸化された架橋したＰＤＭＳの水接触角が３２°以下である、請求項８に記載のデジタル印刷システム。
【請求項１６】
プラズマ酸化された架橋したＰＤＭＳ画像化部材表面が、１０秒間のプラズマ処理により疎水性状態から切り替わった一時的な親水性状態になっている、請求項８に記載のデジタル印刷システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月17日(2017.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機塩を製造する方法であって、
第１の溶媒と第１の化合物とを含む第１の溶液を用意する工程と、
第１の部分を有する第２の化合物を用意する工程と、
前記第１の溶液と、前記第１の溶媒と混和しない第２の溶媒と、前記第２の化合物と、の混合物を攪拌する工程と、を含み、
前記第１の化合物は、第１の電荷を有する第１のイオンと前記第１の電荷と反対の第２の電荷を有し、
前記混合物を攪拌する工程により、前記第１のイオン及び第２の部分を有する第３の化合物が生じ、
前記第１の溶媒は、ハロゲン原子を含む結合を含まない第１の化学構造を有し、
前記第２の溶媒は、ハロゲン原子を含む結合を含まない第２の化学構造を有していること、を特徴とする有機塩の製造方法。
【請求項２】
前記第２の化学構造は、水素−酸素単結合、炭素−酸素単結合、炭素−酸素二重結合及び炭素−窒素三重結合のうち少なくとも一つを含むこと、を特徴とする請求項１に記載の有機塩の製造方法。
【請求項３】
前記第１の化学構造は、水素−酸素単結合を含み、
前記第２の化学構造は、水素−酸素単結合及び炭素−酸素二重結合のうち少なくとも一つを含むこと、を特徴とする請求項１又は２に記載の有機塩の製造方法。
【請求項４】
前記第２の部分がカルボキシレートアニオンであり、
前記第３の化合物が前記有機塩であり、
前記有機塩が、カルボキシレートアニオンを有するオニウム塩であること、を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機塩の製造方法。
【請求項５】
前記第１の溶媒が水であり、
前記第２の溶媒が疎水性非ハロゲン系溶媒であること、を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機塩の製造方法。
【請求項６】
前記第２の化合物が水酸化テトラメチルアンモニウム及び安息香酸の水溶液であること、を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機塩の製造方法。
【請求項７】
前記第２の溶媒は、５個から１２個の炭素原子からなるアルコールであること、を特徴とする請求項５又は６に記載の有機塩の製造方法。
【請求項８】
前記混合物は、前記第１の溶媒とは混和せず、前記第２の溶媒とは混和する第３の溶媒をさらに含むこと、を特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機塩の製造方法。
【請求項９】
前記第３の溶媒は、非ハロゲン系ケトン溶媒であるであること、を特徴とする請求項８に記載の有機塩の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のイオンは、オニウムカチオン塩であること、を特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機塩の製造方法。
【請求項１１】
前記第３の化合物は、光酸発生剤として機能する性質を有していること、を特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機塩の製造方法。
【請求項１２】
有機塩の精製方法であって、
有機塩、第１の溶媒及び前記第１の溶媒とは混和しない第２の溶媒を含む混合物を容器内で攪拌する工程と、
前記混合物を静置することにより、前記混合物を第１の液層と第２の液層とに分離する工程と、
前記第１の液層を前記容器から除く工程と、
前記第２の液層から前記有機塩を得る工程と、を含み、
前記第１の液層は前記第１の溶媒を含み、
前記第２の液層は前記第２の溶媒を含み、
前記第１の溶媒は、ハロゲン原子を含む結合を含まない第１の化学構造を有し、
前記第２の溶媒は、ハロゲン原子を含む結合を含まない第２の化学構造を有していること、を特徴とする有機塩の精製方法。
【請求項１３】
前記有機塩は、光酸発生剤として機能する性質を有するカルボキシレートアニオンを有するオニウム塩であること、を特徴とする請求項１２に記載の有機塩の精製方法。
【請求項１４】
前記第２の化学構造は、水素−酸素単結合及び炭素−酸素二重結合のうち少なくとも一つを含んでいること、を特徴とする請求項１２又は１３に記載の有機塩の精製方法。
【請求項１５】
前記第２の溶媒は、５個から１２個の炭素原子からなる分子を有しているアルコールであること、を特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の有機塩の精製方法。
【請求項１６】
前記混合物は、前記第１の溶媒とは混和せず、前記第２の溶媒とは混和する第３の溶媒を含み、
前記第２の液層は、前記第３の溶媒を含むこと、
を特徴とする請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の有機塩の精製方法。
【請求項１７】
前記分離する工程において、前記混合物を前記第１の液層が、前記第２の液層より下方に位置すること、を特徴とする請求項１２〜１６のいずれか一項に記載の有機塩の精製方法。
【請求項１８】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の有機塩の製造方法によって得られた有機塩、又は、請求項１２〜１７のいずれか一項に記載の有機塩の精製方法によって精製された有機塩と、
酸の存在下で結合開裂が起こる第１の結合か、酸の存在下で第２の結合を形成する少なくとも一つの原子を含む第４の化合物と、を含むこと、を特徴とするフォトレジスト。
【請求項１９】
デバイスの製造方法であって、
請求項１８に記載のフォトレジストの溶液を基板上に前記フォトレジストを含む膜が形成されるように塗布する工程と、
前記膜に対して電磁波及び粒子線のうち少なくとも一つを、前記膜の第１の部分は前記電磁波及び前記粒子線のうち少なくとも一つに照射され、前記膜の第２の部分は前記電磁波及び前記粒子線のうち少なくとも一つに照射されないように照射すること、を特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月29日(2017.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鋼線の表面に任意の所定パターンで紫外線硬化性樹脂の複数の接着液滴が点状に接着されており，上記点状接着液滴に金属被膜付き砥粒が固定されており，上記所定パターンで上記金属被膜付き砥粒が固定した鋼線の表面が金属系固着材により被覆されている，
固定砥粒ソーワイヤ。
【請求項２】
上記所定パターンが上記鋼線の長手方向に繰返し現れている，
請求項１に記載の固定砥粒ソーワイヤ。
【請求項３】
上記点状接着液滴の平均径が10μｍ以下である，
請求項１または２に記載の固定砥粒ソーワイヤ。
【請求項４】
長手方向に隣り合う他の砥粒までの間隔が，上記砥粒の平均径の０．８倍以上である，請求項１から３のいずれか一項に記載の固定砥粒ソーワイヤ。
【請求項５】
上記金属被膜付き砥粒が金属被膜ダイヤモンドである，請求項１から４のいずれか一項に記載の固定砥粒ソーワイヤ。
【請求項６】
上記金属系固着材がめっき層である，
請求項１から５のいずれか一項に記載の固定砥粒ソーワイヤ。
【請求項７】
上記金属被膜付き砥粒の被膜に用いられる金属と上記めっき層に用いられる金属とが同一である，請求項６に記載の固定砥粒ソーワイヤ。
【請求項８】
鋼線の表面に任意の所定パターンで紫外線硬化性樹脂の複数の接着液滴を点状に接着し，
上記点状接着液滴に金属被膜付き砥粒を固定し，
上記所定パターンで上記金属被膜付き砥粒が固定した鋼線の表面に金属系固着材を被覆する，
固定砥粒ソーワイヤの製造方法。
【請求項９】
上記所定パターンが上記鋼線の長手方向に繰返し現れている，
請求項８に記載の固定砥粒ソーワイヤの製造方法。
【請求項１０】
上記点状接着液滴の平均径が10μｍ以下である，
請求項８または９に記載の固定砥粒ソーワイヤの製造方法。
【請求項１１】
長手方向に隣り合う他の砥粒までの間隔が，上記砥粒の平均径の０．８倍以上である，
請求項８から１０のいずれか一項に記載の固定砥粒ソーワイヤの製造方法。
【請求項１２】
上記金属被膜付き砥粒が金属被膜ダイヤモンドである，請求項８から１１のいずれか一項に記載の固定砥粒ソーワイヤの製造方法。
【請求項１３】
上記金属系固着材がめっき層である，
請求項８から１２のいずれか一項に記載の固定砥粒ソーワイヤの製造方法。
【請求項１４】
上記金属被膜付き砥粒の被膜に用いられる金属と上記めっき層に用いられる金属とが同一である，
請求項１３に記載の固定砥粒ソーワイヤの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月26日(2017.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
好ましくは、前記組成は、前記金属塩と前記溶媒との混合物の全重量に対して０．１〜２０重量％の、そして最も好ましくは０．１〜５重量％の、金属塩を含んでいる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
一つの実施形態においては、前記ｐＨ試薬は塩基性である。他の一つの実施形態においては、前記ｐＨ試薬は酸性である。適切な塩基性のｐＨ試薬の例には、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化バリウム（Ｂａ（ＯＨ）２）、水酸化セシウム（ＣｓＯＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化ストロンチウム（Ｓｒ（ＯＨ）２）、水酸化カルシウム（Ｃａ（ＯＨ）２）、水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）、水酸化ルビジウム（ＲｂＯＨ）、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）（Ｃ６Ｈ１４ＬｉＮ）、リチウムジエチルアミド（ＬＤＥＡ）、ナトリウムアミド（ＮａＮＨ２）、水素化ナトリウム（ＮａＨ）、リチウムビス（トリメチルシリル）アミド（（（ＣＨ３）３Ｓｉ）２ＮＬｉ）、水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）等が含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１プログラムモジュールおよび当該第１プログラムモジュールの挙動を監視する第２プログラムモジュールを実行する実行部と、
画面を表示する表示領域を有する表示部と、
を有し、
前記第１プログラムモジュールは、
前記表示領域のうち当該第１プログラムに割り当てられた第１領域に、当該第１プログラムモジュールのユーザーインターフェース画面を表示する表示制御部
を有し、
前記第２プログラムモジュールは、
前記表示部に表示されている画面を、画像表示装置に出力する画像出力部と、
前記第１プログラムモジュールが、前記ユーザーインターフェース画面に所定の情報が含まれない第１状態から当該情報が含まれる第２状態に切り替わったことを検出する検出部と、
前記第１プログラムモジュールが前記第１状態から前記第２状態に切り替わったことが検出された場合、前記画像出力部に、前記ユーザーインターフェース画面を含まない第２画面を出力させる出力制御部と
を有する
情報処理装置。
【請求項２】
前記第２画面は、前記第１プログラムモジュールが前記第１状態から前記第２状態に切り替わる前における前記ユーザーインターフェース画面の静止画である
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記第１プログラムモジュールは、前記画像表示装置を複数のユーザーで共有するための処理を実行する共有部を有し、
単一のアプリケーションプログラムが、前記第１プログラムモジュールおよび前記第２プログラムモジュールを含む
ことを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記検出部は、前記第１プログラムモジュールが前記第２状態から前記第１状態に切り替わったことを検出し、
前記第１プログラムモジュールが前記第２状態から前記第１状態に切り替わったことが検出された場合、前記出力制御部は、前記第１領域に、前記ユーザーインターフェース画面を表示させる
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
画面を表示する表示部と、
前記表示部に表示されている画面を、画像表示装置に出力する画像出力部と、
前記画面の少なくとも一部にユーザーインターフェース画面を含む第１画面を前記表示部に表示させる表示制御部と、
前記ユーザーインターフェース画面が、所定の情報を含まない第１状態から当該情報を含む第２状態に切り替わったことを検出する検出部と、
前記第１状態から前記第２状態に切り替わったことが検出された場合、前記表示部が表示する前記第１画面の代わりに、前記ユーザーインターフェース画面を含まない第２画面を前記画像表示装置に表示させる制御を行う出力制御部と
を有する
情報処理装置。
【請求項６】
前記第２画面は、前記ユーザーインターフェース画面が前記第１状態から前記第２状態に切り替わる前における前記ユーザーインターフェース画面の静止画である
ことを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記画像表示装置を複数のユーザーで共有するための処理を実行する共有部をさらに有している
ことを特徴とする請求項５または６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記検出部は、前記ユーザーインターフェース画面が前記第２状態から前記第１状態に切り替わったことを検出した場合、前記出力制御部に前記ユーザーインターフェース画面を表示させる
ことを特徴とする請求項５ないし７のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記第２状態は、前記第１状態のときよりも前記ユーザーインターフェース画面が大きい状態である
ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第１状態はユーザーによる入力を受け付けない状態であり、
前記第２状態はユーザーによる入力を受け付ける状態である
ことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記第１状態は前記ユーザーインターフェース画面が前記表示部に表示されない状態であり、
前記第２状態は前記ユーザーインターフェース画面が前記表示部に表示される状態である
ことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記第１状態は非アクティブな状態であり、
前記第２状態はアクティブな状態である
ことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記第２画面は、全面が共通の輝度の画面である
ことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
実行部が第１プログラムモジュールを実行するステップと、
前記実行部が前記第１プログラムモジュールの挙動を監視する第２プログラムモジュールを実行するステップと、
前記第１プログラムモジュールを実行している前記実行部が、表示部の表示領域のうち当該第１プログラムに割り当てられた第１領域に、当該第１プログラムモジュールのユーザーインターフェース画面を表示するステップと、
前記第２プログラムモジュールを実行している前記実行部が、前記表示部に表示されている画面を、画像表示装置に出力するステップと、
前記第２プログラムモジュールを実行している前記実行部が、前記第１プログラムモジュールが、前記ユーザーインターフェース画面に所定の情報が含まれない第１状態から当該情報が含まれる第２状態に切り替わったことを検出するステップと、
前記第１プログラムモジュールが前記第１状態から前記第２状態に切り替わったことが検出された場合、前記第２プログラムモジュールを実行している前記実行部が、前記画像表示装置に、前記ユーザーインターフェース画面を含まない第２画面を出力するステップと
を有する表示制御方法。
【請求項１５】
表示制御方法であって、
表示部に表示されている画面を画像表示装置に出力するステップと、
前記表示部に、ユーザーインターフェース画面を含む第１画面を表示するステップと、
前記ユーザーインターフェース画面が所定の情報を含まない第１状態から当該情報を含む第２状態に切り替わったことを検出するステップと、
前記第１状態から前記第２状態に切り替わったことが検出された場合、前記画像表示装置に、前記第１画面の代わりに前記ユーザーインターフェース画面を含まない第２画面を表示させるステップと
を有する表示制御方法。
【請求項１６】
プログラムを実行する実行部を有するコンピューターに、
前記実行部が、表示部の表示領域のうち当該プログラムに割り当てられた第１領域に、ユーザーインターフェース画面を表示するステップと、
前記実行部が、前記表示部に表示されている画面を、画像表示装置に出力するステップと、
前記実行部が、前記ユーザーインターフェース画面に所定の情報が含まれない第１状態から当該情報が含まれる第２状態に切り替わったことを検出するステップと、
前記第１状態から前記第２状態に切り替わったことが検出された場合、前記実行部が、前記画像表示装置に、前記ユーザーインターフェース画面を含まない第２画面を出力するステップと
を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月23日(2017.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド、ペルフルオロポリエーテルホスフェート、導電性要素および任意要素のポリシロキサンポリマーからなる混合物の層からなる、ゼログラフィーシステムで現像した画像を転写する中間転写体であって、
前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートが、固体全体の０．０１重量％〜５重量％の量で存在し、
前記ポリイミドが、以下の式／構造
【化１】
2015057652.tif 000001
のうち、少なくとも１つによってあらわされ、式中、ｎは、繰り返しセグメントの数をあらわし、２０〜２００であり、
前記導電性要素が、カーボンブラック、金属酸化物およびこれらの混合物からなる群から選択される、
中間転写体。
【請求項２】
前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートが、固体全体の０．１重量％〜１重量％の量で存在する、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項３】
前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートは、以下の式／構造
【化２】
2015057652.tif 000002
によってあらわされ、式中、ｐ／ｑの比率は、０．５〜３であり、ｓは、１または２である、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項４】
前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートが、固体全体の０．１重量％〜１重量％の量で存在する、請求項３に記載の中間転写体。
【請求項５】
前記ポリシロキサンポリマーが存在し、前記ポリシロキサンポリマーが、ポリエーテルとポリジメチルシロキサンのコポリマー、ポリエステルとポリジメチルシロキサンのコポリマー、ポリアクリレートとポリジメチルシロキサンのコポリマー、および、ポリエステルポリエーテルとポリジメチルシロキサンのコポリマーからなる群から選択される、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項６】
前記層に接する剥離層を含有し、
前記剥離層が、フッ素化エチレンプロピレンコポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフルオロアルコキシポリテトラフルオロエチレン、フルオロシリコーン、ポリジメチルシロキサン／ジブチルスズジアセテート、フッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンとテトラフルオロエチレンとのターポリマー、および、それらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの成分を含み、
前記ポリシロキサンポリマーが、ポリエーテルとポリジメチルシロキサンのコポリマー、ポリエステルとポリジメチルシロキサンのコポリマー、ポリアクリレートとポリジメチルシロキサンのコポリマー、または、ポリエステルポリエーテルとポリジメチルシロキサンである、
請求項５に記載の中間転写体。
【請求項７】
ポリイミドポリマーおよびペルフルオロポリエーテルホスフェートは、９９．９９／０．０１〜９５／５の重量比で存在し、前記ポリイミドは、以下の式／構造
【化３】
2015057652.tif 000003
によってあらわされ、式中、ｎは、２０〜２００の繰り返しセグメントの数をあらわし、中間転写体は、ヤング率が４，０００〜１０，０００ＭＰａである、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項８】
ヤング率が４，０００〜１０，０００ＭＰａである、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項９】
前記導電性要素がカーボンブラックであり、前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートが前記カーボンブラックのための分散剤として機能する、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項１０】
前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートが、ポリペルフルオロエトキシメトキシジフルオロエチルポリ（エチレングリコール）ホスフェート、ペルフルオロポリエーテル酸ホスフェート、又は、ペルフルオロポリエーテルポリ（エチレングリコール）ホスフェートである、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項１１】
前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートは、以下の式／構造
【化４】
2015057652.tif 000004
のうち、少なくとも１つによってあらわされるものからなる群から選択される、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項１２】
前記中間転写体が、堆積された金属基材から自己剥離し、前記自己剥離が１〜１０秒間で達成される、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項１３】
前記ポリイミド／前記導電性要素／前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートの重量比率が、５０／４９．９９／０．０１〜９４．９／５／０．１である、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項１４】
前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートが、内部剥離添加剤、レベリング剤および分散剤として同時に機能する、請求項１に記載の中間転写体。
【請求項１５】
ポリイミド、カーボンブラック、および、ペルフルオロポリエーテルホスフェートの混合物からなる単一層の膜を含む、中間転写体であって、
前記ポリイミドが、以下の式／構造
前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートは、以下の式／構造
【化５】
2015057652.tif 000005
によってあらわされ、式中、ｐ／ｑの比率は、０．５〜４であり、ｓは、１または２であり、
前記ポリイミドが、以下の式／構造
【化６】
2015057652.tif 000006
のうち、少なくとも１つによってあらわされ、式中、ｎは、繰り返しセグメントの数をあらわし、２０〜２００である、中間転写体。
【請求項１６】
ｐが６〜１２であり、ｑが３〜１１である、請求項１５に記載の中間転写体。
【請求項１７】
支持基材と、その上にある、ポリイミド、カーボンブラックおよびペルフルオロポリエーテルホスフェートからなる層とを含む、中間転写体であって、
前記ペルフルオロポリエーテルホスフェートは、以下の式／構造
【化７】
2015057652.tif 000007
のうち、少なくとも１つによってあらわされるものからなる群から選択され、前記ポリイミドのための内部剥離添加剤およびレベリング剤として機能し、且つ、前記カーボンブラックのための分散剤として機能し、
前記中間転写体は、場合により、ヤング率が７，５００〜８，０００ＭＰａである、中間転写体。