【手続補正書】
【提出日】平成29年1月5日(2017.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
窒素およびシリコンを含む化合物部材とシリコン部材とが露出した基板に対して、ＸｅＦ２およびＨ２を含む第１のエッチングガスを用いてエッチングを行う第１のエッチング工程と、
前記第１のエッチング工程の後、ＸｅＦ２を含む第２のエッチングガスを用いて前記基板に対してエッチングを行う第２のエッチング工程と、を含み、
前記第２のエッチング工程で用いられる前記第２のエッチングガスは、
前記第１のエッチング工程で用いられる前記第１のエッチングガスよりもＨ２の分圧が低いこと、及び、
前記第１のエッチング工程で用いられる前記第１のエッチングガスよりもＨ２の流量が少ないこと
の少なくとも一方を満たす
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１のエッチング工程での前記第１のエッチングガスにおいて、Ｈ２の分圧をＰ１（Ｈ２）とし、ＸｅＦ２の分圧をＰ１（ＸｅＦ２）とし、
前記第２のエッチング工程での前記第２のエッチングガスにおいて、Ｈ２の分圧をＰ２（Ｈ２）とし、ＸｅＦ２の分圧をＰ２（ＸｅＦ２）としたときに、
Ｐ１（ＸｅＦ２）／Ｐ１（Ｈ２）＜Ｐ２（ＸｅＦ２）／Ｐ２（Ｈ２）が成立する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のエッチング工程での前記第１のエッチングガスにおいて、ＸｅＦ２の分圧をＰ１（ＸｅＦ２）とし、
前記第２のエッチング工程での前記第２のエッチングガスにおいて、ＸｅＦ２の分圧をＰ２（ＸｅＦ２）としたときに、
Ｐ１（ＸｅＦ２）＜Ｐ２（ＸｅＦ２）が成立する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のエッチング工程での前記第１のエッチングガスにおいて、Ｈ２の分圧をＰ１（Ｈ２）とし、ＸｅＦ２の分圧をＰ１（ＸｅＦ２）とし、該エッチングガスの全圧をＰ１＿Ｔｏｔａｌとし、
前記第２のエッチング工程での前記第２のエッチングガスにおいて、Ｈ２の分圧をＰ２（Ｈ２）とし、ＸｅＦ２の分圧をＰ２（ＸｅＦ２）とし、該エッチングガスの全圧をＰ２＿Ｔｏｔａｌとしたときに、
Ｐ１（ＸｅＦ２）／Ｐ１（Ｈ２）＝Ｐ２（ＸｅＦ２）／Ｐ２（Ｈ２）、且つ、Ｐ１＿Ｔｏｔａｌ＜Ｐ２＿Ｔｏｔａｌが成立する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２のエッチングガスは、Ｈ２の分圧が０である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２のエッチングガスは、Ｈ２の流量が０である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体装置の製造方法であって、
窒素およびシリコンを含む化合物部材とシリコン部材とが露出した基板に対して、ＸｅＦ２およびＨ２を含む第１のエッチングガスを用いてエッチングを行う第１のエッチング工程と、
前記第１のエッチング工程の後、ＸｅＦ２を含む第２のエッチングガスを用いて前記基板に対してエッチングを行う第２のエッチング工程と、を含み、
前記第１のエッチング工程での前記第１のエッチングガスにおいて、Ｈ２の分圧をＰ１（Ｈ２）とし、ＸｅＦ２の分圧をＰ１（ＸｅＦ２）とし、
前記第２のエッチング工程での前記第２のエッチングガスにおいて、Ｈ２の分圧をＰ２（Ｈ２）とし、ＸｅＦ２の分圧をＰ２（ＸｅＦ２）としたときに、
Ｐ１（ＸｅＦ２）／Ｐ１（Ｈ２）＜Ｐ２（ＸｅＦ２）／Ｐ２（Ｈ２）が成立する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１のエッチング工程および前記第２のエッチング工程を、−５℃から４０℃の範囲内の温度の下で行う
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１のエッチング工程の時間は３分以内である
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
同一のチャンバーを用いて前記第１のエッチング工程および前記第２のエッチング工程を行い、
前記半導体装置の製造方法は、前記第１のエッチング工程の後かつ前記第２のエッチング工程の前に、前記チャンバーへのエッチングガスの供給を中止して前記チャンバー内を減圧する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
同一のチャンバーを用いて前記第１のエッチング工程および前記第２のエッチング工程を行い、
前記第１のエッチング工程の後、前記チャンバーに供給するエッチングガスのＸｅＦ２とＨ２との流量およびＸｅＦ２とＨ２との分圧比の少なくとも一方を変更しながら前記第２のエッチング工程に移行する
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板上には前記化合物部材および前記シリコン部材の他にシリコン酸化物が更に露出しており、
前記第１のエッチング工程では、前記化合物部材の露出面に堆積物が、前記シリコン酸化物の表面の少なくとも一部が該堆積物により覆われずに露出するように、形成され、
前記第２のエッチング工程では、前記堆積物は、前記化合物部材に対するエッチングを抑制する保護層として作用する
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２のエッチング工程では、前記第１のエッチング工程で用いられた前記第１のエッチングガスよりも、前記第２のエッチングガスにおけるＨ２の流量が大きく、かつ、前記第２のエッチングガスにおけるＨ２の分圧が小さい
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１のエッチングガスおよび前記第２のエッチングガスのそれぞれについて、ＸｅＦ２の固体を昇華させるためのキャリアガスとしてＮ２を用いる
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記シリコン酸化物は、前記シリコン部材と前記化合物部材との間に配されている
ことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１のエッチング工程の前に前記基板を準備する工程を更に含み、
前記シリコン部材は前記基板の上に形成され、前記シリコン酸化物は前記シリコン部材の上に形成され、かつ、前記化合物部材は前記シリコン酸化物の上に形成され、
前記第２のエッチング工程の後、前記シリコン部材は、前記基板の上方において前記シリコン酸化物および前記化合物部材が固定されるように、除去される
ことを特徴とする請求項１２または請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記半導体装置は、温度変化を検出するためのボロメータ膜を備えたボロメータを含み、前記ボロメータ膜は、前記基板の上方に配され、かつ、前記化合物部材で覆われ、露出していない
ことを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
半導体装置の製造装置であって、
基板を載置するためのチャンバーと、
前記チャンバーへのガスの供給を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、ＸｅＦ２およびＨ２を含む第１のエッチングガスを前記チャンバーへ供給し、前記第１のエッチングガスを供給した後、ＸｅＦ２を含む第２のエッチングガスを前記チャンバーへ供給し、
前記第２のエッチングガスは、
前記第１のエッチングガスよりもＨ２の分圧が低いこと、及び、
前記第１のエッチングガスよりもＨ２の流量が少ないこと
の少なくとも一方を満たす
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。