【手続補正書】
【提出日】平成29年2月27日(2017.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上層と、
中間層と、
下層と、
前記上層と前記中間層との間に配置された第１の接着結合層と、
前記中間層と前記下層との間に配置された第２の接着結合層であって、前記中間層と、前記第１および第２の接着結合層との径方向外縁部が、前記上層および前記下層に対して環状スロットを形成している第２の接着結合層と、
前記環状スロット内に配置されたエッジシールであって、径方向内面と、径方向外面と、上面と、底面とを含む環状の本体を含むエッジシールと、を備える静電チャックであって、
前記径方向内面が凸形である、静電チャック。
【請求項２】
請求項１に記載の静電チャックであって、前記径方向内面と、前記径方向外面と、前記上面と、前記底面と、の間の隅部が、丸みを付けられている静電チャック。
【請求項３】
請求項１に記載の静電チャックであって、
前記本体の前記径方向外面が、前記上面と前記径方向外面との間の第１の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の第２の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記上面が、前記上面と前記径方向内面との間の第３の隅部と、前記上面と前記径方向外面との間の前記第１の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記底面が、前記底面と前記径方向内面との間の第４の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の前記第２の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記径方向内面が、前記上面と前記径方向内面との間の前記第３の隅部と、前記底面と前記径方向内面との間の前記第４の隅部との間で凸形である、静電チャック。
【請求項４】
請求項１に記載の静電チャックであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも１０％〜３０％大きい静電チャック。
【請求項５】
請求項１に記載の静電チャックであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも１５％〜２５％大きい静電チャック。
【請求項６】
請求項１に記載の静電チャックであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも２０％〜２４％大きい静電チャック。
【請求項７】
請求項１に記載の静電チャックであって、前記上層がセラミック層を含み、前記中間層がヒータプレートを含み、前記下層が下側電極を含む静電チャック。
【請求項８】
請求項７に記載の静電チャックであって、前記第１および第２の接着結合層がエラストマーシリコーンを含む静電チャック。
【請求項９】
請求項７に記載の静電チャックであって、前記第１および第２の接着結合層がシリコーンゴムを含む静電チャック。
【請求項１０】
基板処理システムであって、
処理チャンバと、
プロセスガスを前記処理チャンバに送給するためのガス送給システムと、
前記処理チャンバ内でプラズマを発生するためのプラズマ発生器と、
請求項１に記載の静電チャックと、を備える基板処理システム。
【請求項１１】
基板処理システムの静電チャック用のエッジシールであって、
環状の本体であって、
前記本体の上面と、
前記本体の底面と、を備える本体と、
前記本体の径方向内面であって、凸形である径方向内面と、
前記本体の径方向外面であって、前記本体の前記径方向外面が、前記上面と前記径方向外面との間の第１の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の第２の隅部との間で略平面状である径方向外面と、を備えるエッジシール。
【請求項１２】
請求項１１に記載のエッジシールであって、前記径方向内面と、前記径方向外面と、前記上面と、前記底面と、の間の隅部が、丸みを付けられているエッジシール。
【請求項１３】
請求項１１に記載のエッジシールであって、
前記本体の前記上面が、前記上面と前記径方向内面との間の第３の隅部と、前記上面と前記径方向外面との間の前記第１の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記底面が、前記底面と前記径方向内面との間の第４の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の前記第２の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記径方向内面が、前記上面と前記径方向内面との間の前記第３の隅部と、前記底面と前記径方向内面との間の前記第４の隅部との間で凸形である
エッジシール。
【請求項１４】
請求項１１に記載のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも１０％〜３０％大きいエッジシール。
【請求項１５】
請求項１１に記載のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも１５％〜２５％大きいエッジシール。
【請求項１６】
請求項１１に記載のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも２０％〜２４％大きいエッジシール。
【請求項１７】
静電チャックであって、
セラミック層と、
ヒータプレートと、
下側電極と、
前記セラミック層と前記ヒータプレートとの間に配置された第１の接着結合層と、
前記ヒータプレートと前記下側電極との間に配置された第２の接着結合層であって、前記ヒータプレートと、前記第１および第２の接着結合層と、の径方向外縁部が、前記セラミック層および前記下側電極に対して環状スロットを形成する第２の接着結合層と、
請求項１１に記載のエッジシールと、を備え、
前記エッジシールが、前記環状スロット内に配置される、静電チャック。
【請求項１８】
請求項１７に記載の静電チャックであって、前記第１および第２の接着結合層がエラストマーシリコーンを含む静電チャック。
【請求項１９】
請求項１７に記載の静電チャックであって、前記第１および第２の接着結合層がシリコーンゴムを含む静電チャック。
【請求項２０】
処理チャンバと、
プロセスガスを前記処理チャンバに送給するためのガス送給システムと、
前記処理チャンバ内でプラズマを発生するためのプラズマ発生器と、
請求項１７に記載の静電チャックと
を備える基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
他の特徴では、本体の上面が、上面と径方向内面との間の第３の隅部と、上面と径方向外面との間の第１の隅部との間で略平面状である。本体の底面が、底面と径方向内面との間の第４の隅部と、底面と径方向外面との間の第２の隅部との間で略平面状である。本体の径方向内面が、上面と径方向内面との間の第３の隅部と、底面と径方向内面との間の第４の隅部との間で凸形である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に図３Ａ〜図３Ｃを参照すると、従来技術による環状エッジシールの例が示されている。図３Ａでは、環状エッジシール２００は、平行な上面２０２と底面２０４および平行な表面２０６と２０８を有する大まかには長方形状の断面を有する環状本体２０１を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
上記のように、ツールによって行うべきプロセスステップに応じて、制御装置は、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近隣のツール、工場全体にわたって位置されたツール、メインコンピュータ、別の制御装置、または、ウェハのコンテナを半導体製造工場内のツール位置および／または装填ポートに／から導く材料輸送で使用されるツールの１つまたは複数と通信してよい。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
［適用例１］
上層と、
中間層と、
下層と、
前記上層と前記中間層との間に配置された第１の接着結合層と、
前記中間層と前記下層との間に配置された第２の接着結合層であって、前記中間層と、前記第１および第２の接着結合層との径方向外縁部が、前記上層および前記下層に対して環状スロットを形成している第２の接着結合層と、
前記環状スロット内に配置されたエッジシールであって、径方向内面と、径方向外面と、上面と、底面とを含む環状本体を含むエッジシールと、を備える静電チャックであって、
前記径方向内面が凸形である、静電チャック。
［適用例２］
適用例１のエッジシールであって、前記径方向内面と、前記径方向外面と、前記上面と、前記底面と、の間の隅部が、丸みを付けられているエッジシール。
［適用例３］
適用例１のエッジシールであって、
前記本体の前記径方向外面が、前記上面と前記径方向外面との間の第１の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の第２の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記上面が、前記上面と前記径方向内面との間の第３の隅部と、前記上面と前記径方向外面との間の第４の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記底面が、前記底面と前記径方向内面との間の前記第４の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の前記第２の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記径方向内面が、前記上面と前記径方向内面との間の前記第３の隅部と、前記底面と前記径方向内面との間の前記第１の隅部との間で凸形である、エッジシール。
［適用例４］
適用例１のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも１０％〜３０％大きいエッジシール。
［適用例５］
適用例１のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも１５％〜２５％大きいエッジシール。
［適用例６］
適用例１のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも２０％〜２４％大きいエッジシール。
［適用例７］
適用例１の静電チャックであって、前記上層がセラミック層を含み、前記中間層がヒータプレートを含み、前記下層が下側電極を含む静電チャック。
［適用例８］
適用例７の静電チャックであって、前記第１および第２の接着結合層がエラストマーシリコーンを含む静電チャック。
［適用例９］
適用例７の静電チャックであって、前記第１および第２の接着結合層がシリコーンゴムを含む静電チャック。
［適用例１０］
基板処理システムであって、
処理チャンバと、
プロセスガスを前記処理チャンバに送給するためのガス送給システムと、
前記処理チャンバ内でプラズマを発生するためのプラズマ発生器と、
適用例１の静電チャックと、を備える基板処理システム。
［適用例１１］
基板処理システムの静電チャック用のエッジシールであって、
環状本体と、
前記本体の径方向内面であって、凸形である径方向内面と、
前記本体の径方向外面であって、前記本体の前記径方向外面が、上面と前記径方向外面との間の第１の隅部と、底面と前記径方向外面との間の第２の隅部との間で略平面状である径方向外面と、
前記本体の前記上面と、
前記本体の前記底面と、を備えるエッジシール。
［適用例１２］
適用例１１のエッジシールであって、前記径方向内面と、前記径方向外面と、前記上面と、前記底面と、の間の隅部が、丸みを付けられているエッジシール。
［適用例１３］
適用例１１のエッジシールであって、
前記本体の前記上面が、前記上面と前記径方向内面との間の第３の隅部と、前記上面と前記径方向外面との間の第４の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記底面が、前記底面と前記径方向内面との間の前記第４の隅部と、前記底面と前記径方向外面との間の前記第２の隅部との間で略平面状であり、
前記本体の前記径方向内面が、前記上面と前記径方向内面との間の前記第３の隅部と、前記底面と前記径方向内面との間の前記第４の隅部との間で凸形である
エッジシール。
［適用例１４］
適用例１１のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも１０％〜３０％大きいエッジシール。
［適用例１５］
適用例１１のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも１５％〜２５％大きいエッジシール。
［適用例１６］
適用例１１のエッジシールであって、前記本体の中心での前記本体の径方向厚さが、前記上面および前記底面に隣接する部分での前記本体の径方向厚さよりも２０％〜２４％大きいエッジシール。
［適用例１７］
静電チャックであって、
セラミック層と、
ヒータプレートと、
下側電極と、
前記セラミック層と前記ヒータプレートとの間に配置された第１の接着結合層と、
前記ヒータプレートと前記下側電極との間に配置された第２の接着結合層であって、前記ヒータプレートと、前記第１および第２の接着結合層と、の径方向外縁部が、前記セラミック層および前記下側電極に対して環状スロットを形成する第２の接着結合層と、
適用例１１のエッジシールと、を備え、
前記エッジシールが、前記環状スロット内に配置される、静電チャック。
［適用例１８］
適用例１６の静電チャックであって、前記第１および第２の接着結合層がエラストマーシリコーンを含む静電チャック。
［適用例１９］
適用例１６の静電チャックであって、前記第１および第２の接着結合層がシリコーンゴムを含む静電チャック。
［適用例２０］
処理チャンバと、
プロセスガスを前記処理チャンバに送給するためのガス送給システムと、
前記処理チャンバ内でプラズマを発生するためのプラズマ発生器と、
適用例１６の静電チャックと
を備える基板処理システム。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ａ】
2017041631.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ｂ】
2017041631.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ｃ】
2017041631.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2017041631.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2017041631.tif 000005