Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月30日(2017.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器の機能をユーザーに提供するアプリケーション・サブシステムと、
前記電子機器のハードウェアを制御するプラットフォーム・サブシステムと
を備え、
前記プラットフォーム・サブシステムは、
前記電子機器の個々のハードウェアを制御するプロセスと、
前記プロセスのプロセスダウンを検知するプロセス監視部と、
復旧までの前記再起動の回数をカウントするカウンターと
を有し、
前記アプリケーション・サブシステムは、
前記プロセスダウンが検知されたとき復旧のために前記プラットフォーム・サブシステムを再起動するシステム状態管理部
を有し、
前記システム状態管理部は、
前記カウンターによりカウントされた復旧までの前記再起動の回数に基づいて、
前記プロセスダウンが前記プロセスに起因するか前記プロセスが制御する前記個々のハードウェアに起因するかを判断する
電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器であって、
前記プロセス毎に、前記プラットフォーム・サブシステムの前記再起動の回数と、
前記プロセスダウンが前記プロセスに起因するか前記プロセスが制御する前記個々のハードウェアに起因するかの判断基準、および
再起動の回数ごとの復旧方法を予め定めた障害対応テーブルをさらに備え、
前記システム状態管理部は、
前記障害対応テーブルに基づいて、前記プロセスダウンの原因の切り分けおよび復旧方法の選択を行う
電子機器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子機器であって、
前記システム状態管理部は、
前記プロセスダウンの原因は前記プロセスが制御する前記個々のハードウェアであると判断したとき、
前記プロセスに前記プロセスダウンの原因となったハードウェアの制御を停止させる
電子機器。
【請求項４】
請求項３に記載の電子機器であって、
前記システム状態管理部は、
前記プロセスダウンの原因は前記プロセスが制御する前記個々のハードウェアであると判断したとき、
前記プロセスダウンの原因となったハードウェアを利用しない旨を前記アプリケーション・サブシステムおよび前記プロセスに通知する
電子機器。
【請求項５】
電子機器の機能をユーザーに提供するアプリケーション・サブシステム、および
前記電子機器のハードウェアを制御するプラットフォーム・サブシステムとして動作し、
前記プラットフォーム・サブシステムは、
前記電子機器の個々のハードウェアを制御するプロセスと、
前記プロセスのプロセスダウンを検知するプロセス監視部と、
復旧までの前記再起動の回数をカウントするカウンターと
を有し、
前記アプリケーション・サブシステムは、
前記プロセスダウンが検知されたとき復旧のために前記プラットフォーム・サブシステムを再起動するシステム状態管理部
を有し、
前記システム状態管理部は、
前記カウンターによりカウントされた復旧までの前記再起動の回数に基づいて、
前記プロセスダウンが前記プロセスに起因するか前記プロセスが制御する前記個々のハードウェアに起因するかを判断する
手順をコンピューターに実行させるリブートプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る電子機器は、電子機器の機能をユーザーに提供するアプリケーション・サブシステムと、前記電子機器のハードウェアを制御するプラットフォーム・サブシステムとを備え、前記プラットフォーム・サブシステムは、前記電子機器の個々のハードウェアを制御するプロセスと、前記プロセスのプロセスダウンを検知するプロセス監視部と、復旧までの前記再起動の回数をカウントするカウンターとを有し、前記アプリケーション・サブシステムは、前記プロセスダウンが検知されたとき復旧のために前記プラットフォーム・サブシステムを再起動するシステム状態管理部を有し、前記システム状態管理部は、前記カウンターによりカウントされた復旧までの前記再起動の回数に基づいて、前記プロセスダウンが前記プロセスに起因するか前記プロセスが制御する前記個々のハードウェアに起因するかを判断する。そのため、障害原因がハードウェアかソフトウェアか判断できない場合でも適切に復旧処理を行うことが出来る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るリブートプログラムは、電子機器の機能をユーザーに提供するアプリケーション・サブシステム、および前記電子機器のハードウェアを制御するプラットフォーム・サブシステムとして動作し、前記プラットフォーム・サブシステムは、前記電子機器の個々のハードウェアを制御するプロセスと、前記プロセスのプロセスダウンを検知するプロセス監視部と、復旧までの前記再起動の回数をカウントするカウンターとを有し、前記アプリケーション・サブシステムは、前記プロセスダウンが検知されたとき復旧のために前記プラットフォーム・サブシステムを再起動するシステム状態管理部を有し、前記システム状態管理部は、前記カウンターによりカウントされた復旧までの前記再起動の回数に基づいて、前記プロセスダウンが前記プロセスに起因するか前記プロセスが制御する前記個々のハードウェアに起因するかを判断する手順をコンピューターに実行させる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月17日(2017.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御システムの性能を検証するためのソースコードを生成するための性能検証装置であって、
表示装置と、
演算装置とを備え、
前記演算装置は、
前記表示装置に表示される制御システムのモデルから、マルチコアプロセッサにおいて実行されるプログラムのシミュレーションの対象となるコード生成範囲を選択するための選択手段と、
前記コード生成範囲に含まれる複数の処理のうち、並列処理の対象となる複数の並列実行単位の指定を受け付けるための指定手段と、
各前記並列実行単位と当該マルチコアプロセッサに含まれる各コアとの関連付けを行なうための割当手段と、
前記関連付けが行なわれた各前記並列実行単位の実行順序とコア間同期とを指定するための実行順序指定手段と、
各前記並列実行単位と前記実行順序とに基づいて、前記マルチコアプロセッサによる実行の対象となるソースコードを生成するための生成手段と、
前記生成されたソースコードをマルチコアプロセッサにおいて実行し、モデルシミュレータにおいて実行するプラントモデルと連携シミュレーションを行うための通信手段と、
前記連携シミュレーションにおいて、マルチコアプロセッサにおいて実行されるプログラムの実行時間を計測するための測定手段とを含む、性能検証装置。
【請求項２】
前記ソースコードは、各コアの識別情報と、各コアによる処理の対象として当該コアに関連付けられた処理ブロックとを含む、請求項１に記載の性能検証装置。
【請求項３】
前記生成手段は、各前記コアに共通なソースコードを生成する、請求項１または２に記載の性能検証装置。
【請求項４】
前記マルチコアプロセッサと通信するための入出力装置をさらに備え、
前記表示装置は、前記マルチコアプロセッサによる前記ソースコードの実行結果を表示する、請求項１または２に記載の性能検証装置。
【請求項５】
前記指定手段は、前記複数の処理のうち依存関係にある２つ以上の処理を並列処理の対象から除外するように構成されている、請求項１または２に記載の性能検証装置。
【請求項６】
制御システムの性能を検証するためのシステムであって、
請求項１または２に記載の装置と、
マルチコアプロセッサとを備え、
前記装置は、生成されたソースコードを前記マルチコアプロセッサに出力するための出力部を備え、
前記ソースコードは、前記マルチコアプロセッサに含まれる各前記コアに入力される、システム。
【請求項７】
コンピュータが、制御システムの性能を検証するためのソースコードを生成するための方法であって、
制御システムのモデルから、マルチコアプロセッサにおいて実行されるプログラムのシミュレーションの対象となるコード生成範囲の選択を受け付けるステップと、
前記コード生成範囲に含まれる複数の処理のうち、並列処理の対象となる複数の並列実行単位の指定を受け付けるステップと、
各前記並列実行単位と当該マルチコアプロセッサに含まれる各コアとの関連付けを行なうステップと、
前記関連付けが行なわれた各前記並列実行単位の実行順序とコア間同期とを指定するステップと、
各前記並列実行単位と前記実行順序とに基づいて、前記マルチコアプロセッサによる実行の対象となるソースコードを生成するステップと、
前記生成されたソースコードをマルチコアプロセッサにおいて実行し、モデルシミュレータにおいて実行するプラントモデルと連携シミュレーションを行うために通信するステップと、
前記連携シミュレーションにおいて、マルチコアプロセッサにおいて実行されるプログラムの実行時間を計測するステップとを含む、方法。
【請求項８】
前記ソースコードは、各コアの識別情報と、各コアによる処理の対象として当該コアに関連付けられた処理ブロックとを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ソースコードを生成するステップは、各前記コアに共通なソースコードを生成するステップを含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記マルチコアプロセッサと通信するステップと、
前記マルチコアプロセッサによる前記ソースコードの実行結果を表示するステップとをさらに備える、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１１】
前記指定するステップは、前記複数の処理のうち依存関係にある２つ以上の処理を並列処理の対象から除外するステップを含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１２】
コンピュータに、制御システムの性能を検証するためのソースコードを生成するための方法を実行させるためのプログラムであって、前記プログラムは前記コンピュータに、
制御システムのモデルから、マルチコアプロセッサにおいて実行されるプログラムのシミュレーションの対象となるコード生成範囲の選択を受け付けるステップと、
前記コード生成範囲に含まれる複数の処理のうち、並列処理の対象となる複数の並列実行単位の指定を受け付けるステップと、
各前記並列実行単位と当該マルチコアプロセッサに含まれる各コアとの関連付けを行なうステップと、
前記関連付けが行なわれた各前記並列実行単位の実行順序とコア間同期とを指定するステップと、
各前記並列実行単位と前記実行順序とに基づいて、前記マルチコアプロセッサによる実行の対象となるソースコードを生成するステップと、
前記生成されたソースコードをマルチコアプロセッサにおいて実行し、モデルシミュレータにおいて実行するプラントモデルと連携シミュレーションを行うために通信するステップと、
前記連携シミュレーションにおいて、マルチコアプロセッサにおいて実行されるプログラムの実行時間を計測するステップとを実行させる、プログラム。
【請求項１３】
前記ソースコードは、各コアの識別情報と、各コアによる処理の対象として当該コアに関連付けられた処理ブロックとを含む、請求項１２に記載のプログラム。
【請求項１４】
前記ソースコードを生成するステップは、各前記コアに共通なソースコードを生成するステップを含む、請求項１２または１３に記載のプログラム。
【請求項１５】
前記マルチコアプロセッサと通信するステップと、
前記マルチコアプロセッサによる前記ソースコードの実行結果を表示するステップとをさらに実行させる、請求項１２または１３に記載のプログラム。
【請求項１６】
前記指定するステップは、前記複数の処理のうち依存関係にある２つ以上の処理を並列処理の対象から除外するステップを含む、請求項１２または１３に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月5日(2017.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査透過型の荷電粒子顕微鏡(M)における試料(S)のサブサーフェスイメージングを実行する方法であって：
前記試料を照射するようにイルミネータ(6)を介して粒子光学軸(B’)に沿ってソースから方向付けられる荷電粒子のビーム(B)を準備するステップ；
前記試料を横切る荷電粒子のフラックスを検出するディテクタ(26;30;32;34)を準備するステップ；
前記ビームを前記試料の表面を横切るスキャンパスに従わせ、スキャン位置の関数として前記ディテクタの出力を記録することにより、前記試料についてのスキャンされた荷電粒子イメージIを取得するステップ；
整数列のうちの様々な数nについて、可変ビームパラメータPの値Pnを選択し、関連するスキャンイメージInを取得することにより、上記のステップを反復して測定集合M={(In，Pn)}を収集するステップであって、前記可変ビームパラメータは前記粒子光学軸に沿う焦点位置(F)である、ステップ；
コンピュータ処理装置(10)を利用して、前記測定集合Mを自動的に逆重畳積分してそれを、前記試料についての深度分解イメージを表現する結果の集合に、空間的に分解するステップ；
を有し、前記スキャンイメージIは統合されたベクトル場イメージであり、前記ベクトル場イメージは：
複数の検出セグメントを有するように前記ディテクタを構成すること；
各々のスキャン位置における前記ディテクタからのベクトル出力を生成するように、異なる検出セグメントからの信号を統合し、ベクトル場をもたらすようにデータを収集すること；及び
前記ベクトル場に二次元積分演算を行うことにより、前記ベクトル場を数学的に処理すること；
によって取得される、方法。
【請求項２】
前記試料は、前記粒子光学軸に沿って及び前記粒子光学軸に垂直に配置されるm個のスライスの組[S1，...，Sm]に概念的に細分され；
各々のnの値に関し、対応するイメージInは、個々のサブイメージの線形和Σj=1j=min(Sj)として表現され、各々のサブイメージは個々の何れかのスライスに関連する；
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
所与の焦点値Pnに関し、特定のスライスSBnが、前記試料の中で最適な焦点の位置に関連付けられ；
j≠Bnである各々の整数に関し、in(Sj)はゼロに設定され、それによりInはSBnから独自に導出される；
ことを特徴とする請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記ビームは、少なくとも20ミリラジアンの開口角度で前記試料を照射する、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記逆重畳積分は、ソース分離アルゴリズムを利用して実行される、請求項1ないし4のうち何れか1項に記載の方法。
【請求項６】
前記ソース分離アルゴリズムは、独立成分分析、主成分分析、非負マトリクス分解、及び、それらの組み合わせ及びハイブリッドを含む群から選択される、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
走査透過型の荷電粒子顕微鏡(M)であって：
試料(S)を保持する試料ホルダ(H)；
荷電粒子のビーム(B)を生成する荷電粒子ソース(4)；
前記試料を照射するように粒子光学軸(B’)に沿って前記ビームを方向付けるイルミネータ(6)；
前記試料を介して伝送される荷電粒子のフラックスを受信してディテクタ(26;30;32;34)の方に方向付けるイメージングシステム(24)；
前記試料の表面に対するスキャンパスを前記ビームが横切ることを引き起こすスキャン手段(D)；及び
コントローラ(10)；
を有し、前記コントローラは：
スキャン位置の関数として前記ディテクタの出力を記録し、イメージIを生成し；
可変ビームパラメータが前記粒子光学軸に沿う焦点位置(F)であり、nが整数列のうちの数である場合において、前記可変ビームパラメータPの異なる値Pnの集合について上記の手順を反復し、関連するイメージInを保存することにより、測定集合M={(In，Pn)}を収集し；及び
前記測定集合を自動的に逆重畳積分してそれを、前記試料についての深度分解イメージを表現する結果の集合に、空間的に分解し；
前記ディテクタは複数の検出セグメントを有し；
前記コントローラは：
各々のスキャン位置における前記ディテクタからのベクトル出力を生成するように、前記ディテクタの異なる検出セグメントからの信号を統合し、ベクトル場をもたらすようにデータを収集し；及び
前記ベクトル場に二次元積分演算を行うことにより、前記ベクトル場を数学的に処理し、前記イメージIを、統合されたベクトル場イメージとして表現する；
ように構成されることを特徴とする荷電粒子顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】荷電粒子顕微鏡及びトモグラフィックイメージングのための方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月17日(2016.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、基材層、金属層、及びシーラント層が順次積層された積層体からなり、
前記基材層は、ポリアミド樹脂及びポリエステル樹脂の少なくとも一方を含み、
前記金属層は、アルミニウム箔であり、
前記シーラント層は、ポリオレフィンであり、
前記積層体のＭＤ方向における１０％伸長時の応力をＡ１、ＴＤ方向における１０％伸長時の応力をＢ１とし、
前記基材層のＭＤ方向における１０％伸長時の応力をＡ２、ＴＤ方向における１０％伸長時の応力をＢ２とした場合において、
（Ａ１−Ａ２）≧６０Ｎ／１５ｍｍ、及び
（Ｂ１−Ｂ２）≧５０Ｎ／１５ｍｍ
の関係を充足する、電池用包装材料。
【請求項２】
（Ａ１−Ａ２）と（Ｂ１−Ｂ２）の比が、（Ａ１−Ａ２）／（Ｂ１−Ｂ２）＝１．００〜１．２０の関係を充足する、請求項１に記載の電池用包装材料。
【請求項３】
前記基材層表面の動摩擦係数をＣ、前記シーラント層表面の動摩擦係数をＤとした場合に、下記の関係：
Ｃ≦０．３、
Ｄ≦０．３、及び
Ｃ／Ｄ＝０．５〜２．５
を充足する、請求項１または２に記載の電池用包装材料。
【請求項４】
前記金属層の少なくとも一方の面に化成処理が施されている、請求項１〜３のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項５】
成形深さが４ｍｍ以上の深さで成形される深絞り用の電池用包装材料である、請求項１〜４のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項６】
前記積層体の厚みが、１２０μｍ以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項７】
二次電池用の包装材料である、請求項１〜６のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項８】
少なくとも正極、負極、及び電解質を備えた電池素子が、請求項１〜７のいずれかに記載の電池用包装材料内に収容されている、電池。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月17日(2016.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、基材層、接着層、金属層、及びシーラント層が順次積層された積層体からなり、
前記基材層は、ポリアミド樹脂及びポリエステル樹脂の少なくとも一方を含み、
前記金属層は、少なくとも一方の面に耐酸性皮膜を備えたアルミニウム箔であり、
前記シーラント層は、ポリオレフィンであり、
前記積層体は、ＭＤ方向における４０％伸長時の応力値を、ＭＤ方向における１０％伸長時の応力値で除した値Ａと、ＴＤ方向における４０％伸長時の応力値を、ＴＤ方向における１０％伸長時の応力値で除した値Ｂとの和（Ａ＋Ｂ）が、Ａ＋Ｂ≧２．５０の関係を充足する、電池用包装材料。
【請求項２】
前記Ａと、前記Ｂが、Ａ＜Ｂの関係を充足する、請求項１に記載の電池用包装材料。
【請求項３】
前記Ａが、Ａ≧１．１９であり、かつ、前記Ｂが、Ｂ≧１．３１である、請求項１または２に記載の電池用包装材料。
【請求項４】
前記基材層のＭＤ方向及びＴＤ方向における引張破断強度が、共に２００ＭＰａ以上であり、かつ、前記基材層のＭＤ方向及びＴＤ方向における引張破断伸度が、共に７０〜１３０％の範囲にある、請求項１〜３のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項５】
前記金属層は、ＭＤ方向対して平行方向の引張試験を行った時の０．２％耐力と、ＴＤ方向対して平行方向の引張試験を行った時の０．２％耐力とが、共に５５〜１４０Ｎ／ｍｍ2の範囲にあるアルミニウム箔である、請求項１〜４のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項６】
二次電池用の包装材料である、請求項１〜５のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項７】
少なくとも正極、負極、及び電解質を備えた電池素子が、請求項１〜６のいずれかに記載の電池用包装材料内に収容されている、電池。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月25日(2017.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るジョイントコネクタの断面側面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面を示す平面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面を示す正面図である。
【図４】図１に示されるジョイントコネクタの要部を拡大して示した断面側面図である。
【図５】図２に示されるジョイントコネクタの要部を拡大して示した断面平面図である。
【図６】前記ジョイントコネクタの平面図である。
【図７】前記ジョイントコネクタをフード部側から見た斜視図である。
【図８】前記ジョイントコネクタにおける短絡部材保持ハウジング部の変形例を示す図２相当の断面平面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るジョイントコネクタの断面側面図であって図１２のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面を示す側面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿った断面を示す平面図である。
【図１１】図９のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面を示す平面図である。
【図１２】図９に示されるジョイントコネクタの背面図である。
【図１３】図９に示されるジョイントコネクタの底面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記複数のランス４２は、それぞれ、前記各端子収容室４１に挿入される電線側端子２０を係止（一次係止）する端子係止部を構成する。当該ランス４２は、いわゆる片持ち梁状をなす。具体的に、当該ランス４２は、図４及び図５に示されるように、前記端子収容室４１を画定する壁の一部とつながる基部４２ａと、その反対側の端部である先端部４２ｂと、を有し、先端部４２ｂが前記電線側端子２０の軸方向と直交する方向（図１では下方向）に撓み変位するように、ランス４２が弾性変形することが可能である。当該ランス４２は、前記先端部４２ｂが前記電線側端子２０から退避する向き（図１では下向き）に撓み変位することにより、前記端子収容室４１内に前記電線側端子２０が挿入されるのを許容する一方、前記電線側端子２０が当該端子収容室４１内に完全に挿入された状態で一部弾性復帰することにより、当該電線側端子２０を前記端子収容室４１内に係止（一次係止）する。具体的には、当該ランス４２の前記先端部４２ｂがその挿入された電線側端子２０の適当な部位（図４及び図５の例では電気接触部２４の中間部位）と係合して当該電線側端子２０の離脱を阻止する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
前記ケーシング部４４は、このケーシング部４４を含む前記端子保持ハウジング部４０に対して前記短絡部材保持ハウジング部５０の相対変位、特に前記各電線側端子２０の軸方向と直交する方向の相対変位、を限られた範囲で許容するように、当該短絡部材保持ハウジング部５０を収容し、保持する。具体的に、当該ケーシング部４４は、前記短絡部材保持ハウジング部５０の外周面５０ａに対して僅かな隙間をおいて当該短絡部材保持ハウジング部５０を包む形状の内周面４４ａを有し、かつ、前記各端子収容室４１と反対の側に開口している。前記隙間は、当該隙間に相当する範囲で前記短絡部材保持ハウジング部５０が前記ケーシング部４４に対して前記電線側端子２０の軸方向と直交する方向に相対変位することを可能にする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
以上説明したジョイントコネクタでは、前記各電線側端子２０を係止する端子保持ハウジング部４０に対して短絡部材３０を保持する短絡部材保持ハウジング部５０が限られた範囲で相対変位可能となるように両ハウジング部４０，５０同士が結合されているので、前記絶縁ハウジング全体が一体に成形されている従来のジョイントコネクタと異なり、当該短絡部材保持ハウジング部５０による短絡部材３０の保持力を強くしながらも、前記端子保持ハウジング部４０内での前記電線側端子２０の微小変位に追従して、当該電線側端子２０と嵌合する短絡部材３０が前記短絡部材保持ハウジング部５０とともに限られた範囲で変位することが可能になる。このことは、当該電線側端子２０と当該短絡部材３０との相対変位を抑制し、この相対変位に起因する両者間の接点部分の摩耗の抑制を可能にする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、前記端子保持ハウジング部４０と前記短絡部材保持ハウジング部５０とが別部材であることから、両ハウジング部４０，５０を構成する材料を互いに異ならせることも可能である。例えば、前記端子保持ハウジング部４０を、前記ランス４２の十分な撓み変形を可能にする第１の弾性率をもつ第１の材料（例えばＰＢＴ、ポリアミド等の樹脂）で成形し、前記短絡部材保持ハウジング部５０を前記第１の弾性率よりも大きい第２の弾性率をもつ第２の材料（例えばガラス繊維含有ＰＢＴ、ＬＣＰ、ＳＰＳ等の樹脂）で成形することにより、前記端子保持ハウジング部４０における各ランス４２の十分な撓み変形の保証と、前記短絡部材保持ハウジング部５０による前記短絡部材３０の十分な保持力の確保と、を両立させることが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2016207601.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月28日(2017.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学フィルムであって、
支持基板と、当該支持基板に形成された構造化層と、を備え、
前記構造化層は、前記支持基板の縦方向に沿って各々が延在し且つ当該縦方向に略直交する横方向に沿ってそれぞれが配置される複数のプリズムを有し、
前記複数のプリズムを構成する、各々が前記縦方向に略沿いつつ互いに隣り合う第１のプリズムおよび第２のプリズムは、前記横方向に峰状をなす第１の峰部および第２の峰部をそれぞれ有し、
前記第１の峰部は、前記支持基板および前記構造化層の互いに相対する一対の表面間における当該光学フィルムの厚さ方向に略直交する基準面に対する第１の高さが、前記縦方向に沿って変化し、
前記第２の峰部は、前記基準面に対する第２の高さが、前記縦方向に沿って変化し、
前記縦方向に沿って変化する前記第１の高さのうちの最大値は、前記縦方向に沿って変化する前記第２の高さのうちの最大値よりも大きい
ことを特徴とする光学フィルム。
【請求項２】
光学フィルムであって、
支持基板と、当該支持基板に形成された構造化層と、を備え、
前記構造化層は、各々が縦方向に略沿って延在する第１のプリズムおよび第２のプリズムを有し、
前記第１のプリズムは、当該第１のプリズムの第１の峰部が、前記支持基板および前記構造化層の互いに相対する一対の表面間における当該光学フィルムの厚さ方向に略直交する基準面に対する高さであって前記縦方向に沿って変化する第１の高さを有し、
前記第２のプリズムは、当該第２のプリズムの第２の峰部が、前記基準面に対する第２の高さを有し、
前記第１の高さの最大値は、前記第２の高さの最大値よりも大きい
ことを特徴とする光学フィルム。
【請求項３】
前記第１の高さの最大値は、前記縦方向に沿って変化する前記第２の高さの最大値よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の光学フィルム。
【請求項４】
前記第１の高さの最小値は、前記第２の高さの最大値よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の光学フィルム。
【請求項５】
前記構造化層は、前記第１のプリズムをはさんで前記第２のプリズムと相対して配置されるとともに前記縦方向に略沿って延在する第３のプリズムをさらに有し、
前記第１の高さの最大値は、前記第３のプリズムの第３の峰部の前記基準面に対する第３の高さの最大値よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の光学フィルム。
【請求項６】
前記構造化層は、前記第１のプリズムをはさんで前記第２のプリズムと相対して配置されるとともに前記縦方向に略沿って延在する第３のプリズムをさらに有し、
前記第１の高さの最大値は、前記第３のプリズムの第３の峰部の前記基準面に対する高さであって前記縦方向に沿って変化する第３の高さの最大値よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載の光学フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月16日(2017.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
資産設備に対して点検・保全のワークオーダーを発行し、点検・保全結果を設備情報データベースに保管する設備管理支援システムであって、
前記資産設備とその周囲の状態を網羅的に把握し数値化しヘルスインデックスとして記憶するヘルスインデックスデータベースと、把握したヘルスインデックスを前記資産設備の実設備状況とし、前記資産設備の設置時または前回点検・保全時の状態から推定した保全期待効果との比較により、前記資産設備の設備状況の差分を判定する比較演算機能と、ベテラン作業者の作業ナレッジを取得して記憶する作業ナレッジデータベースと、前記作業ナレッジまたは前記資産設備の設備状況の差分に応じて、前記点検・保全の作業変更点を抽出し、前記設備情報データベースに反映させる保全プロセスアップデート機能、前記点検・保全の作業変更点を記憶した前記設備情報データベースの情報を用いて点検・保全のワークオーダーを発行するワークオーダー発行機能を備えることを特徴とする設備管理支援システム。
【請求項２】
請求項1に記載の設備管理支援システムであって、
前記資産設備とその周囲の状態を網羅的に把握し数値化したヘルスインデックスとして、設置環境、気象情報、音響または画像の情報のすくなくとも1つを含むことを特徴とする設備管理支援システム。
【請求項３】
請求項1に記載の設備管理支援システムであって、
前記ヘルスインデックスデータベースは、前記資産設備についてその構成部位、前記ワークオーダーに記載の点検項目、ならびに前記網羅的に把握し数値化したヘルスインデックスを保有し、横断的な検索を可能としていることを特徴とする設備管理支援システム。
【請求項４】
請求項1に記載の設備管理支援システムであって、
前記保全プロセスアップデート機能は、前記作業ナレッジまたは前記資産設備の設備状況の差分の原因究明により資産設備の点検・保全仕様の見直しが必要と判断した場合に見直しの必要性を提示し、前記設備情報データベースは見直し後の承認された内容を取り込むことを特徴とする設備管理支援システム。
【請求項５】
請求項1に記載の設備管理支援システムであって、
前記保全プロセスアップデート機能は、前記作業ナレッジまたは前記資産設備の設備状況の差分の原因究明により、あるべき点検・保全作業プロセスの新規定義が必要と判断した場合に、新たな改善プロセスを作成して前記設備情報データベースに取り込むことを特徴とする設備管理支援システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、前記基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記複数のＧａＮ系半導体層の最上層に形成された電極とを備え、前記複数のＧａＮ系半導体層が、ｎ側窒化物半導体層、活性層、およびｐ側窒化物半導体層を有し、前記活性層で発生した光を前記電極側又は基板側から取り出すようにした半導体発光ダイオードにおいて、
前記ｎ側窒化物半導体層の膜厚が、前記ｐ側窒化物半導体層の膜厚よりも厚く、
前記基板の表面は、前記活性層で発生した光を散乱又は回折させる凸部が繰り返され、かつ前記凸部同士の間が平坦である形状を有しており、
前記凸部は、前記凸部の上面に対して１２０°より大きく、１６０°以下の角度で傾斜している側面を有し、平面視において、大略多角形であり、前記複数のＧａＮ系半導体層のＡ軸に平行な構成辺を有していない
ことを特徴とする半導体発光ダイオード。
【請求項２】
前記側面は、前記凸部の上面に対して１５０°以下の角度で傾斜している、請求項１記載の半導体発光ダイオード。
【請求項３】
前記基板がＣ面を主面とするサファイア基板である請求項１または２に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項４】
前記半導体発光ダイオードの発光波長をλ、前記ＧａＮ系半導体の屈折率をｎとしたとき、前記凸部の大きさが、少なくともλ／４ｎ以上、２０μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項５】
前記凸部のピッチが１０μｍ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月15日(2017.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
穿刺針の刺通を可能とした熱可塑性エラストマー製の弾性栓と、該弾性栓を密着状態で抱持した熱可塑性合成樹脂製の外枠とを具備した輸液容器用栓体の製造方法であって、
前記弾性栓に被係合部を形成するための係合部を有する雄型と、該雄型との間に弾性栓用成形空間を画成する雌型とを用いて、前記被係合部を有する弾性栓を作製する工程を含む、輸液容器用栓体の製造方法。
【請求項２】
前記弾性栓の被係合部は、該弾性栓の外周面及び／又は底面に設けられている、請求項１に記載の輸液容器用栓体の製造方法。
【請求項３】
前記弾性栓の被係合部は、少なくとも１個の凹部及び／又は凸部によって構成されている、請求項１又は２に記載の輸液容器用栓体の製造方法。
【請求項４】
前記弾性栓の被係合部は、少なくとも一部を該弾性栓の底面で開口している、請求項１〜３の何れか１項に記載の輸液容器用栓体の製造方法。
【請求項５】
前記弾性栓の被係合部は、断面が略逆Ｌ字状の凹部から成り、
前記略逆Ｌ字状の凹部の下端は、前記弾性栓の底面で開口し、
前記略逆Ｌ字状の凹部の側面は、前記弾性栓の外周面で開口している、請求項１〜４の何れか１項に記載の輸液容器用栓体の製造方法。
【請求項６】
前記弾性栓の被係合部は、断面において上底が下底よりも長い略台形状の凹部から成り、
前記略台形状の凹部の下端は、前記弾性栓の底面で開口し、
前記略台形状の凹部の側面は、前記弾性栓の外周面で開口している、請求項１〜４の何れか１項に記載の輸液容器用栓体の製造方法。
【請求項７】
前記弾性栓の被係合部は、断面において外周面を基準とした深さが上下方向中央で最も浅い略５角形の環状凹部から成り、
前記略５角形の環状凹部の下端は、前記弾性栓の底面で開口し、
前記略５角形の環状凹部の側面は、前記弾性栓の外周面で開口している、請求項１〜４の何れか１項に記載の輸液容器用栓体の製造方法。
【請求項８】
前記弾性栓の被係合部は、略逆円錐台状の凹部から成り、
前記略逆円錐台状の凹部の下端が、前記弾性栓の底面で開口している、請求項１〜４の何れか１項に記載の輸液容器用栓体の製造方法。
【請求項９】
前記弾性栓作製工程は、二色成形法によって前記輸液容器用栓体を製造する際の一工程である、請求項１〜８の何れか１項に記載の輸液容器用栓体の製造方法。
【請求項１０】
前記弾性栓作製工程は、インサート成形法によって前記輸液容器用栓体を製造する際の一工程である、請求項１〜８の何れか１項に記載の輸液容器用栓体の製造方法。
【請求項１１】
穿刺針の刺通を可能とした熱可塑性エラストマー製の弾性栓と、該弾性栓を密着状態で抱持した熱可塑性合成樹脂製の外枠とを具備した輸液容器用栓体であって、
前記弾性栓は、該弾性栓の外周面及び／又は底面に被係合部を有している、輸液容器用栓体。
【請求項１２】
前記弾性栓の被係合部は、少なくとも１個の凹部及び／又は凸部によって構成されている、請求項１１に記載の輸液容器用栓体。
【請求項１３】
前記弾性栓の被係合部は、少なくとも一部を該弾性栓の底面で開口している、請求項１１又は１２に記載の輸液容器用栓体。
【請求項１４】
前記弾性栓の被係合部は、断面が略逆Ｌ字状の凹部から成り、
前記略逆Ｌ字状凹部の下端が、前記弾性栓の底面で開口し、
前記略逆Ｌ字状凹部の側面が、前記弾性栓の外周面で開口している、請求項１１〜１３の何れか１項に記載の輸液容器用栓体。
【請求項１５】
前記弾性栓の被係合部は、断面において上底が下底よりも長い略台形状の凹部から成り、
前記略台形状の凹部の下端が、前記弾性栓の底面で開口し、
前記略台形状の凹部の側面が、前記弾性栓の外周面で開口している、請求項１１〜１３の何れか１項に記載の輸液容器用栓体。
【請求項１６】
前記弾性栓の被係合部は、断面において外周面を基準とした深さが上下方向中央で最も浅い略５角形の環状凹部から成り、
前記略５角形の環状凹部の下端が、前記弾性栓の底面で開口し、
前記略５角形の環状凹部の側面が、前記弾性栓の外周面で開口している、請求項１１〜１３の何れか１項に記載の輸液容器用栓体。
【請求項１７】
前記弾性栓の被係合部は、略逆円錐台状の凹部から成り、
前記略逆円錐台状の凹部の下端が、前記弾性栓の底面で開口している、請求項１１〜１３の何れか１項に記載の輸液容器用栓体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月19日(2017.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、
２枚以上の原紙が積層されている家庭用薄葉紙であって、
第１の凸部と、前記第１の凸部の周囲に配置され前記第１の凸部と膨出部の形状及び高さが異なる第２の凸部と、が全面に形成されるとともに、前記第１の凸部及び前記第２の凸部の各膨出部がシートの同一面側に形成されていることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の家庭用薄葉紙において、前記第１の凸部が菱形格子に配列されたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の家庭用薄葉紙において、前記第２の凸部が２つの前記第１の凸部の間に配列されたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４記載の発明は、請求項１から３のいずれか一項に記載の家庭用薄葉紙において、前記第１の凸部と前記第２の凸部が接して連なった凸部となっていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、２枚以上の原紙が積層されている家庭用薄葉紙であって、第１の凸部と、第１の凸部の周囲に配置され第１の凸部と膨出部の形状及び高さが異なる第２の凸部と、が全面に形成されるとともに、第１の凸部及び第２の凸部の各膨出部がシートの同一面側に形成されているので、第１の凸部及び第２の凸部により家庭用薄葉紙の表面強度を高めると共に、拭き取り性能の高い家庭用薄葉紙を提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚以上の原紙が積層されている家庭用薄葉紙であって、
第１の凸部と、前記第１の凸部の周囲に配置され前記第１の凸部と膨出部の形状及び高さが異なる第２の凸部と、が全面に形成されるとともに、前記第１の凸部及び前記第２の凸部の各膨出部がシートの同一面側に形成されていることを特徴とする家庭用薄葉紙。
【請求項２】
前記第１の凸部が菱形格子に配列されたことを特徴とする請求項１に記載の家庭用薄葉紙。
【請求項３】
前記第２の凸部が２つの前記第１の凸部の間に配列されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の家庭用薄葉紙。
【請求項４】
前記第１の凸部と前記第２の凸部が接して連なった凸部となっていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の家庭用薄葉紙。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月31日(2017.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
複数のノードを含むネットワークを管理する方法であって、
前記ネットワークにおいて、障害が発生しているノード数を特定し、
前記ノード数が閾値を超える場合に、エリア障害復旧設定管理情報から復旧面を選択して、前記ネットワークに適用し、前記エリア障害復旧設定管理情報は、前記ネットワークを分割して形成される複数ノードからなるエリアにおける障害エリアの組み合わせを示すエリア障害パターンと、伝送パスそれぞれの復旧経路を示すエリア障害復旧面と、の関係を管理し、
前記障害が発生しているノード数が閾値以下の場合に、ノード障害復旧設定管理情報から復旧面を選択し、前記ノード障害復旧設定管理情報は、障害ノードの組み合わせを示すノード障害パターンと、前記伝送パスそれぞれの復旧経路を示すノード障害復旧面と、の関係を管理する、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年8月16日(2017.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
式（２）    Ｐout=Ｐin*（1+X0）/(Ｐin＋X0)、ここで、Ｐinは入力ピクセルであり、Ｐoutは出力ピクセルであり、X0は湾曲パラメータである。
式２において、X0のより少ない値は、圧縮のより大きな量を提供する。式１は、X0の異なる値が指定されたイメージに適用される圧縮にどのような影響を与えるかを示すために、図４にグラフ化される。しかしながら、他の実施形態が改変されたNaka-Rushton関係を含んでもよく、またはダイナミックレンジ圧縮の別のタイプを使用することができるように、実施形態の範囲は、ダイナミックレンジ圧縮のための任意の特定の技術に限定されないことに留意すべきである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月9日(2017.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極電極材料が、S元素含有量が3500μmol/g以上である有機防縮剤を含有する負極板と
、ゲル化され、あるいはセパレータに保持され、もしくは顆粒状シリカに保持されている電解液の一つ以上、とを備えている鉛蓄電池。
【請求項２】
前記有機防縮剤は合成高分子であることを特徴とする、請求項１に記載の鉛蓄電池。
【請求項３】
前記有機防縮剤のS元素含有量は、有機防縮材中に含有されるスルホン酸基とスルホニル基との合計量であることを特徴とする、請求項２の鉛蓄電池。
【請求項４】
前記有機防縮剤はビスフェノール類の縮合物であることを特徴とする、請求項２〜３のいずれかに記載の鉛蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月31日(2017.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源の動作を制御するための制御プロトコルを用いた入力信号に基づいて、交流電源から供給された交流電圧を用いて前記光源を駆動する光源駆動装置であって、
互いに絶縁された１次側領域および２次側領域と、
前記１次側領域と前記２次側領域とに跨がって配置され、前記入力信号をシリアル信号に変換する通信回路と、
前記１次側領域に配置され、前記通信回路から入力された前記シリアル信号に基づいて前記光源のオンオフを制御し、前記光源を調光または調色するための第１の通信信号を生成する第１の制御回路と、
前記１次側領域に配置され、前記交流電源から供給された交流電圧を変換して得られた直流電圧を、前記通信回路および前記第１の制御回路の各々に供給する非絶縁型補助電源と、
前記２次側領域に配置され、前記第１の制御回路から入力された前記第１の通信信号に基づいて前記光源を調光または調色し、前記光源の点灯状態を示す第２の通信信号を生成する第２の制御回路と、
前記１次側領域と前記２次側領域とに跨がって配置され、前記１次側領域と前記２次側領域とを絶縁した状態で、前記第１の制御回路から前記第２の制御回路への前記第１の通信信号の入力を仲介し、前記第２の制御回路から前記第１の制御回路への前記第２の通信信号の入力を仲介する絶縁型双方向回路とを備えた、光源駆動装置。
【請求項２】
前記制御プロトコルは、ＤＡＬＩ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ  Ｌｉｇｈｔｉｎｇ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）であり、
前記通信回路は、前記第１の制御回路から入力された前記第２の通信信号に基づく情報を、前記制御プロトコルを用いた出力信号として前記光源駆動装置の外部へ出力する、請求項１に記載の光源駆動装置。
【請求項３】
前記通信回路は、前記入力信号が入力されるとともに、前記制御プロトコルを用いた出力信号を前記光源駆動装置の外部へ出力する入出力端子を含み、
前記入出力端子は前記２次側領域に配置される、請求項１または２に記載の光源駆動装置。
【請求項４】
前記１次側領域および前記２次側領域に跨がって配置され、前記交流電源から供給された交流電圧を変換して得られた直流電圧を、異なる電圧の直流電圧に変換する絶縁型コンバーターと、
前記２次側領域に配置され、前記絶縁型コンバーターにより変換された直流電圧を、前記光源に供給する直流電流に変換する非絶縁型コンバーターとをさらに備え、
前記第１の制御回路は、前記絶縁型コンバーターのオンオフを制御する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光源駆動装置。
【請求項５】
前記交流電源から供給された交流電圧を全波整流することにより、直流電圧を生成する整流回路と、
前記整流回路から入力された直流電圧を、前記整流回路から出力された直流電圧とは異なる電圧の直流電圧に変換する非絶縁型力率改善回路とをさらに備え、
前記第１の制御回路は、前記非絶縁型力率改善回路のオンオフをさらに制御し、
前記絶縁型コンバーターは、前記非絶縁型力率改善回路から入力された直流電圧を、異なる電圧の直流電圧に変換し、
前記非絶縁型補助電源は、前記非絶縁型力率改善回路から入力された直流電圧を、前記通信回路および前記第１の制御回路の各々に供給する、請求項４に記載の光源駆動装置。
【請求項６】
前記非絶縁型力率改善回路は、オンの場合に前記整流回路から出力された直流電圧を異なる電圧の直流電圧に変換して出力し、オフの場合に前記整流回路から出力された直流電圧を出力する、請求項５に記載の光源駆動装置。
【請求項７】
前記光源は、色温度が互いに異なる第１の光源と第２の光源とを含み、
前記非絶縁型コンバーターは、
前記絶縁型コンバーターから入力された直流電圧を第１の直流電流に変換し、前記第１の直流電流を前記第１の光源に供給する第１の非絶縁型コンバーターと、
前記絶縁型コンバーターから入力された直流電圧を第２の直流電流に変換し、前記第２の直流電流を前記第２の光源に供給する第２の非絶縁型コンバーターとを含む、請求項４〜６のいずれか一項に記載の光源駆動装置。
【請求項８】
前記光源は、色温度が異なる第１の光源と第２の光源とを含み、
前記絶縁型コンバーターは、前記絶縁型コンバーターが変換して得た直流電圧を前記第１の光源に直接供給し、
前記非絶縁型コンバーターは、前記非絶縁型コンバーターが変換して得た直流電圧を前記第２の光源に供給する、請求項４〜６のいずれか一項に記載の光源駆動装置。
【請求項９】
前記１次側領域および前記２次側領域が形成された矩形状の基板をさらに備え、
前記通信回路、前記絶縁型双方向回路、および前記絶縁型コンバーターの各々は、前記基板上において前記基板の短手方向に並べて配置される、請求項４〜８のいずれか一項に記載の光源駆動装置。
【請求項１０】
前記通信回路および前記絶縁型双方向回路は絶縁トランスを含まず、前記絶縁型コンバーターは絶縁トランスを含む、請求項９に記載の光源駆動装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光源駆動装置と、
前記光源とを備えた、照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
上記光源駆動装置において好ましくは、通信回路は、入力信号が入力されるとともに、制御プロトコルを用いた出力信号を光源駆動装置の外部へ出力する入出力端子を含み、入出力端子は２次側領域に配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のコンピュータ装置により実行される方法であって、
前記第１のコンピュータ装置から分離し区別される第２のコンピュータ装置において、望ましくないコンピュータプログラムが前記第２のコンピュータ装置にインストールされる際にその望ましくないコンピュータプログラムが常駐するロケーションを決定する処理と、
前記望ましくないコンピュータプログラムがインストールされるロケーションを占有するデータオブジェクトであって、当該望ましくないコンピュータプログラムが、前記前記第２のコンピュータ装置上の前記決定されたロケーションにインストールされないようにする前記データオブジェクトを前記第２のコンピュータ装置に提供する処理と、
を含む方法。
【請求項２】
前記第２のコンピュータ装置における第２のロケーションに、前記データオブジェクトに関連するヌルコンフィグレーション・オブジェクトを提供する処理を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データオブジェクトが削除又は修正されないようにする処理を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記データオブジェクトが削除又は修正されないようにする処理は、前記データオブジェクトに対するセキュリティ許可を設定することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記データオブジェクトが削除又は修正されないようにする処理は、前記望ましくないコンピュータプログラムとは異なるオブジェクトタイプを有する前記データオブジェクトを設定することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記データオブジェクトが削除又は修正されないようにする処理は、前記データオブジェクトに第２のデータオブジェクトを配置することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ロケーションは、メモリ空間及びファイルシステムロケーションの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記データオブジェクトは、前記望ましくないコンピュータプログラムと同じ名称を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
１以上のプロセッサと、
前記１以上のプロセッサによって実行される１以上のプログラムを記憶するメモリと、
を備えた第１のコンピュータ装置であって、
前記１以上のプログラムは、
前記第１のコンピュータ装置から分離し区別される第２のコンピュータ装置において、望ましくないコンピュータプログラムが前記第２のコンピュータ装置にインストールされる際にその望ましくないコンピュータプログラムが常駐するロケーションを決定すること、及び
前記望ましくないコンピュータプログラムがインストールされるロケーションを占有するデータオブジェクトであって、当該望ましくないコンピュータプログラムが、前記前記第２のコンピュータ装置上の前記決定されたロケーションにインストールされないようにする前記データオブジェクトを前記第２のコンピュータ装置に提供すること、
のための命令を含む、第１のコンピュータ装置。
【請求項１０】
前記１以上のプログラムは、前記第２のコンピュータ装置における第２のロケーションに、前記データオブジェクトに関連するヌルコンフィグレーション・オブジェクトを提供するための命令を含む、請求項９に記載の第１のコンピュータ装置。
【請求項１１】
前記ロケーションは、メモリ空間及びファイルシステムロケーションの少なくとも１つを含む、請求項９に記載の第１のコンピュータ装置。
【請求項１２】
前記データオブジェクトは、前記望ましくないコンピュータプログラムと同じ名称を有する、請求項９に記載の第１のコンピュータ装置。
【請求項１３】
第１のコンピュータ装置の１以上のプロセッサによって実行されるコンピュータプログラムであって、前記１以上のプロセッサに、
前記第１のコンピュータ装置から分離し区別される第２のコンピュータ装置において、望ましくないコンピュータプログラムが前記第２のコンピュータ装置にインストールされる際にその望ましくないコンピュータプログラムが常駐するロケーションを決定する処理と、
前記望ましくないコンピュータプログラムがインストールされるロケーションを占有するデータオブジェクトであって、当該望ましくないコンピュータプログラムが、前記前記第２のコンピュータ装置上の前記決定されたロケーションにインストールされないようにする前記データオブジェクトを前記第２のコンピュータ装置に提供する処理と、
を実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１４】
前記第２のコンピュータ装置における第２のロケーションに、前記データオブジェクトに関連するヌルコンフィグレーション・オブジェクトを提供する処理のための命令を含む、請求項１３に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１５】
前記データオブジェクトが削除又は修正されないようにする処理のための命令を含む、請求項１３に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１６】
前記データオブジェクトが削除又は修正されないようにする処理は、前記データオブジェクトに対するセキュリティ許可を設定するための命令を含む、請求項１５に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１７】
前記データオブジェクトが削除又は修正されないようにする処理は、前記望ましくないコンピュータプログラムとは異なるオブジェクトタイプを有する前記データオブジェクトを設定するための命令を含む、請求項１５に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１８】
前記データオブジェクトが削除又は修正されないようにする処理は、前記データオブジェクトに第２のデータオブジェクトを配置するための命令を含む、請求項１７に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１９】
前記ロケーションは、メモリ空間及びファイルシステムロケーションの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載のコンピュータプログラム。
【請求項２０】
前記データオブジェクトは、前記望ましくないコンピュータプログラムと同じ名称を有する、請求項１３に記載のコンピュータプログラム。