Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月29日(2016.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮像手段により撮像して得られる複数の撮像画像に基づいて視差情報を生成し、該視差情報に基づいて撮像領域内に存在する物体を検出する物体検出装置において、
上記視差情報に基づいて、上記撮像画像を左右方向に複数分割して得られる各縦列領域内における視差値の頻度分布を示す縦方向視差ヒストグラム情報を生成する縦方向視差ヒストグラム情報生成手段と、
上記縦方向視差ヒストグラム情報に基づき、所定の頻度閾値を超える頻度をもった視差値のうち所定の視差値近接範囲内の視差値に対応していて、かつ、画像左右方向の間隔が所定範囲内である一群の画素を、１つの物体を映し出す物体画像領域として抽出する物体画像領域抽出手段とを有することを特徴とする物体検出装置。
【請求項２】
請求項１の物体検出装置において、
上記物体画像領域抽出手段は、上記縦方向視差ヒストグラム情報から作成される視差値と画像左右方向位置とで定義される二次元座標系上で、上記所定の頻度閾値を超える頻度をもった視差値をもった画素に対してハフ変換を行って画像左右方向に延びる直線を抽出し、抽出された直線を基準にして、上記所定の視差値近接範囲内の視差値に対応し、かつ、画像左右方向の間隔が所定範囲内である上記一群の画素を抽出することを特徴とする物体検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２の物体検出装置において、
上記物体画像領域抽出手段は、上記一群の画素を、上記視差情報に基づいて作成される視差画像上で、１つの物体を映し出す物体画像領域として抽出することを特徴とする物体検出装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の物体検出装置において、
上記物体画像領域抽出手段により抽出された物体画像領域に対応する物体が識別対象物であるか否かを判断する識別対象物判断手段を有することを特徴とする物体検出装置。
【請求項５】
請求項４の物体検出装置において、
上記物体画像領域抽出手段により抽出された物体画像領域の画像左右方向長さと該物体画像領域の視差値とから、該物体画像領域に対応する物体の幅を特定する物体幅特定手段を有し、
上記識別対象物判断手段は、上記物体画像領域抽出手段により抽出された物体画像領域に対応する物体について、上記物体幅特定手段が特定した該物体の幅に基づいて識別対象物であるか否かを判断することを特徴とする物体検出装置。
【請求項６】
請求項４又は５の物体検出装置において、
上記識別対象物判断手段は、上記物体画像領域抽出手段により抽出された物体画像領域に対応する物体について、該物体画像領域の輝度情報に基づいて識別対象物であるか否かを判断することを特徴とする物体検出装置。
【請求項７】
移動体周囲を撮像領域として撮像する複数の撮像手段と、
上記複数の撮像手段により得られた複数の撮像画像から、撮像領域内に存在する物体を検出する物体検出手段と、
上記物体検出手段の検出結果に基づいて、上記移動体に搭載された所定の機器を制御する移動体機器制御手段とを備えた移動体機器制御システムにおいて、
上記物体検出手段として、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の物体検出装置を用いたことを特徴とする移動体機器制御システム。
【請求項８】
複数の撮像手段により撮像して得られる複数の撮像画像に基づいて視差情報を生成し、該視差情報に基づいて撮像領域内に存在する物体を検出する物体検出装置のコンピュータに実行させるための物体検出用プログラムであって、
上記複数の撮像画像に基づいて視差情報を生成する視差情報生成工程と、
上記視差情報に基づいて、上記撮像画像を左右方向に複数分割して得られる各縦列領域内における視差値の頻度分布を示す縦方向視差ヒストグラム情報を生成する縦方向視差ヒストグラム情報生成工程と、
上記縦方向視差ヒストグラム情報に基づき、所定の頻度閾値を超える頻度をもった視差値のうち所定の視差値近接範囲内の視差値に対応していて、かつ、画像左右方向の間隔が所定範囲内である一群の画素を、１つの物体を映し出す物体画像領域として抽出する物体画像領域抽出工程とを、上記コンピュータに実行させることを特徴とする物体検出用プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（態様Ｃ）
上記態様Ａ又はＢにおいて、上記物体画像領域抽出手段は、上記一群の画素を、上記視差情報に基づいて作成される視差画像上で、１つの物体を映し出す物体画像領域として抽出することを特徴とする。
これによれば、物体画像領域に映し出されている物体の高さを容易に把握することが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（態様Ｄ）
上記態様Ａ〜Ｃのいずれかの態様において、上記物体画像領域抽出手段により抽出された物体画像領域に対応する物体が識別対象物であるか否かを判断する識別対象物認識部２０６等の識別対象物判断手段を有することを特徴とする。
これによれば、物体画像領域に映し出されている物体が識別対象物であるかどうかの判断結果を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
（態様Ｅ）
上記態様Ｄにおいて、上記物体画像領域抽出手段により抽出された物体画像領域の画像幅Δｘ等の画像左右方向長さと該物体画像領域の視差平均値ｄａｖｅ等の視差値とから、該物体画像領域に対応する物体の幅（横サイズ）を特定する識別対象物認識部２０６等の物体幅特定手段を有し、上記識別対象物判断手段は、上記物体画像領域抽出手段により抽出された物体画像領域に対応する物体について、上記物体幅特定手段が特定した該物体の幅に基づいて識別対象物であるか否かを判断することを特徴とする。
これによれば、より精度の高い物体識別が可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
（態様Ｆ）
上記態様Ｄ又はＥにおいて、上記識別対象物判断手段は、上記物体画像領域抽出手段により抽出された物体画像領域に対応する物体について、該物体画像領域の輝度情報に基づいて識別対象物であるか否かを判断することを特徴とする。
これによれば、より精度の高い物体識別が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月26日(2016.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界の強さを検出する第１のセンサと第２のセンサと、
磁界を発生させ、外部機器と無線送電を行うアンテナと、
前記第１のセンサの出力信号と前記第２のセンサの出力信号に基づいて前記外部機器と前記アンテナとの所定の位置を検出する検出手段と、を備え、
前記第１のセンサと前記第２のセンサは、前記アンテナから発生する磁界の向きが互いに逆方向である第１の領域と第２の領域に各々が配置される給電装置。
【請求項２】
前記第１のセンサと前記第２のセンサは前記アンテナの巻回中心軸に対し垂直な面に配置される請求項１に記載の給電装置。
【請求項３】
前記第１のセンサと前記第２のセンサは前記アンテナの巻回面と略同一平面上に配置される請求項１に記載の給電装置。
【請求項４】
前記第１のセンサと前記第２のセンサの一方は、前記アンテナに対し巻回中心を含む前記第１の領域に配置され、他方は前記第１の領域を除く前記第２の領域に配置される請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の給電装置。
【請求項５】
前記第１のセンサと前記第２のセンサは、前記アンテナの導体を挟むように配置される請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の給電装置。
【請求項６】
前記第１のセンサと前記第２のセンサは、前記導体からの距離が等しくなるように配置される請求項５に記載の給電装置。
【請求項７】
前記第１のセンサと前記第２のセンサは、前記導体の所定の位置からの距離が等しくなるように配置される請求項５に記載の給電装置。
【請求項８】
前記第１のセンサと前記第２のセンサは各々が、前記第１の領域と前記第２の領域に複数配置される請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の給電装置。
【請求項９】
磁界の強さを検出するセンサと、
磁界を発生させ、外部機器と無線送電を行うアンテナと、
前記センサの出力信号に基づいて前記外部機器と前記アンテナとの所定の位置を検出する検出手段と、を備え、
前記センサは、前記アンテナから発生する磁界の向きが互いに逆方向である第１の領域と第２の領域を跨ぐように配置される給電装置。
【請求項１０】
前記センサは、コイルである請求項９に記載の給電装置。
【請求項１１】
前記センサは前記アンテナの巻回中心軸に対し垂直な面に配置される請求項９または請求項１０に記載の給電装置。
【請求項１２】
前記センサは、複数配置されている請求項９〜請求項１１のいずれか１項に記載の給電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】給電装置
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月19日(2017.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
火災検知信号の受信時に移報信号を出力する自動火災報知設備と、
前記自動火災報知設備に接続され、前記移報信号を受信していない時は所定の電圧の点滅停止信号電圧を出力し、前記移報信号の受信時には前記点滅停止信号電圧よりも十分に低い電圧の点滅信号電圧を出力する誘導灯用信号装置と、
前記誘導灯用信号装置に接続され、前記点滅停止信号電圧の受信時には消灯し、前記点滅信号電圧の受信時には点滅発光する点滅装置を含む誘導灯装置と、を備え、
前記自動火災報知設備、前記誘導灯用信号装置及び前記誘導灯装置のそれぞれは、非常時に商用電源のバックアップを行う蓄電池を備え、
前記誘導灯装置は、受信電圧の変化を検出し、該受信電圧が前記点滅停止信号電圧から前記点滅信号電圧に一気に変化した場合は、前記点滅装置を点滅発光させ、該受信電圧が前記点滅停止信号電圧から徐々に低下して前記点滅信号電圧に変化した場合は、前記点滅装置の消灯状態を維持することを特徴とする、避難誘導システム。
【請求項２】
前記誘導灯装置は、
前記受信電圧の変化の傾きが閾値以上の場合、前記点滅装置を点滅発光させる、
ことを特徴とする請求項１に記載の避難誘導システム。
【請求項３】
前記誘導灯装置は、
前記受信電圧の変化の傾きが前記閾値未満の場合、前記点滅装置の消灯状態を維持する、
ことを特徴とする請求項２に記載の避難誘導システム。
【請求項４】
前記誘導灯装置は、
定期的に前記受信電圧の変化の傾きを検出する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の避難誘導システム。
【請求項５】
前記移報信号は、火災発生又は避難誘導を示す、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の避難誘導システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明の避難誘導システムは、
火災検知信号の受信時に移報信号を出力する自動火災報知設備と、
前記自動火災報知設備に接続され、前記移報信号を受信していない時は所定の電圧の点滅停止信号電圧を出力し、前記移報信号の受信時には前記点滅停止信号電圧よりも十分に低い電圧の点滅信号電圧を出力する誘導灯用信号装置と、
前記誘導灯用信号装置に接続され、前記点滅停止信号電圧の受信時には消灯し、前記点滅信号電圧の受信時には点滅発光する点滅装置を含む誘導灯装置と、を備え、
前記自動火災報知設備、前記誘導灯用信号装置、及び前記誘導灯装置のそれぞれは、非常時に商用電源のバックアップを行う蓄電池を備え、
前記誘導灯装置は、受信電圧の変化を検出し、該受信電圧が前記点滅停止信号電圧から前記点滅信号電圧に一気に変化した場合は、前記点滅装置を点滅発光させ、該受信電圧が前記点滅停止信号電圧から徐々に低下して前記点滅信号電圧に変化した場合は、前記点滅装置の消灯状態を維持することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月29日(2017.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示制御装置に表示させる対象のコンテンツを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段の所定の領域に前記コンテンツが記憶されている場合に、当該コンテンツに基づく画像データを生成する画像データ生成手段と、
前記画像データ生成手段が生成した前記画像データの少なくとも一部を含む画面データを表示手段に表示させる表示制御手段と、
前記画面データをキャプチャーするキャプチャー手段と、
前記キャプチャー手段がキャプチャーした前記画面データを前記表示制御装置に送信する送信手段と、
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記画像データ生成手段は、前記記憶手段の所定の領域に前記コンテンツが記憶されている状態で、前記送信手段と前記表示制御装置との間で通信リンクが確立すると、前記画像データを生成することを特徴とする、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記画像データ生成手段は、前記記憶手段に前記コンテンツが記憶されてから所定の時間が経過する前に前記通信リンクが確立した場合に、前記画像データを生成することを特徴とする、
請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記画像データ生成手段は、前記送信手段と前記表示制御装置との間で通信リンクが確立している間に前記記憶手段の前記所定の領域に前記コンテンツが記憶されている場合に、前記画像データを生成することを特徴とする、
請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記画像データ生成手段は、互いに異なる複数の前記コンテンツが前記記憶手段の前記所定の領域に記憶されている場合に、コンテンツを選択する指示に基づいて選択した一の前記コンテンツに基づく前記画像データを生成することを特徴とする、
請求項１から４のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記画像データ生成手段は、前記コンテンツの種別に対応するレンダリング手段を用いて前記画像データを生成することを特徴とする、
請求項１から５のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記コンテンツの種別は、ドキュメント、Webページ、写真、ビデオの少なくとも1つを含むことを特徴とする、
請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
前記送信手段は、前記キャプチャー手段がキャプチャーした前記画面データを送信する指示を受けたことに応じて、前記画面データを前記表示制御装置に送信することを特徴とする、
請求項１から７のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項９】
前記表示手段に前記コンテンツが表示された状態において、当該コンテンツを前記記憶手段に記憶するための操作を受け付けた場合に、当該コンテンツを前記記憶手段の前記所定の領域に記憶させる記憶制御手段をさらに有することを特徴とする、
請求項１から８のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記所定の領域は、クリップボードとして用いられる領域であることを特徴とする、
請求項１から９のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記キャプチャー手段は、前記表示制御手段による表示の対象となるデータ用の記憶領域に記憶された画面データを、前記送信手段による送信の対象となるデータ用の記憶領域に格納することでキャプチャーを行うことを特徴とする、
請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１２】
前記所定の領域へのコンテンツの記憶と、前記画像データ生成手段による当該コンテンツに基づく画像データの生成は、異なるアプリケーションで行われることが可能であることを特徴とする、
請求項１から１１のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記表示制御装置はプロジェクタであることを特徴とする、
請求項１から１２のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１４】
前記電子機器はスマートフォンであることを特徴とする、
請求項１から１３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１５】
電子機器から表示制御装置に画面データを送信する画面データ転送方法であって、
前記電子機器において実行される、
前記表示制御装置に表示させる対象のコンテンツを、前記電子機器の記憶手段の所定の領域に記憶させるステップと、
前記記憶手段の所定の領域に前記コンテンツが記憶されている場合に、当該コンテンツに基づく画像データを生成するステップと、
前記画像データの少なくとも一部を含む画面データを表示手段に表示させるステップと、
前記画面データが前記表示手段に表示された後に、前記画面データをキャプチャーするステップと、
キャプチャーした前記画面データを前記表示制御装置に送信するステップと、
を有することを特徴とする画面データ転送方法。
【請求項１６】
コンピュータを、請求項１から１４のいずれか１項に記載の電子機器の各手段として機能させることを特徴とする、前記コンピュータが実行可能なプログラム。
【請求項１７】
請求項１６のプログラムを格納した、コンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月23日(2017.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ψ0：試料面法線と入射Ｘ線のなす角度
α：入射Ｘ線に対して垂直に配置した２次元検出器上でのデバイ‐シェラー環の周回角
2ηα：入射Ｘ線と回折Ｘ線のなす角度、回折角度2θαと2ηα=π-2θαの関係がある
2θα：デバイ‐シェラー環のαの位置での回折角度
【数１】
2017058349.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
これを解いて得られた応力σij(k)からはｄ0の誤差に起因する大きな誤差は排除されているが、もしそれが真の値に極めて近いならば、Δε(k)≒0となる。そうでない場合には、ｄ0(k)はまだ無視できない誤差を含んでおり、それを使って計算されたσij(k)も同様に誤差を含んでいる。後述の式（１３）および式（１４）から、Δε(k)≒Δ(k)であるので、以下のようにｄ0(k+1)を求め、それを使ってσij(k+1)、Δε(k+1)を計算すれば、σij(k+1)はより真の値に近づきΔε(k+1)はより0に近づく。この操作をΔε(k+1)が十分0に近づくまで繰り返せば、σij(k+1)は真の値に収束する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2017058349.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月1日(2017.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像が基本階層と拡張階層とに階層的に符号化された符号化データを送信する送信方法であって、
前記符号化データの復号または表示の処理を行う時刻を示す時刻情報と、前記符号化データとを含む符号化ストリームを生成する生成ステップと、
生成した前記符号化ストリームを送信する送信ステップと、を含み、
前記符号化データは、それぞれが複数のアクセスユニットから構成される複数の集合を有し、
前記複数の集合のうち前記基本階層の前記集合である第１の集合を構成している前記複数のアクセスユニットのそれぞれは、独立して復号可能であるか、または前記基本階層の他のアクセスユニットの復号後のデータを参照することによって復号可能であり、
前記複数の集合のうち前記拡張階層の前記集合である第２の集合を構成している前記複数のアクセスユニットのそれぞれは、前記基本階層の前記アクセスユニットの復号後のデータを参照することによって復号可能であり、
前記時刻情報は、前記第１の集合の第１のアクセスユニットに対して行われる前記処理を行う、基準クロックを基準とする時刻を示す第１の時刻情報と、前記第２の集合の第２のアクセスユニットに対して行われる前記処理を行う、前記基準クロックを基準とする時刻を特定するための第２の時刻情報とを含む
送信方法。
【請求項２】
映像が基本階層と拡張階層とに階層的に符号化された符号化データを受信する受信方法であって、
前記符号化データの復号または表示の処理を行う時刻を示す時刻情報と、前記符号化データとを含む符号化ストリームを受信する受信ステップと、
受信した前記符号化ストリームの前記符号化データに対する前記処理を、前記時刻情報で示される時刻に行う処理ステップと、を含み、
前記符号化データは、それぞれが複数のアクセスユニットから構成される複数の集合を有し、
前記複数の集合のうち前記基本階層の前記集合である第１の集合を構成している前記複数のアクセスユニットのそれぞれは、独立して復号可能であるか、または前記基本階層の他のアクセスユニットの復号後のデータを参照することによって復号可能であり、
前記複数の集合のうち前記拡張階層の前記集合である第２の集合を構成している前記複数のアクセスユニットのそれぞれは、前記基本階層の前記アクセスユニットの復号後のデータを参照することによって復号可能であり、
前記時刻情報は、前記第１の集合の第１のアクセスユニットに対して行われる前記処理を行う時刻を示す第１の時刻情報と、前記第２の集合の第２のアクセスユニットに対して行われる前記処理を行う時刻を特定するための第２の時刻情報とを含む
受信方法。
【請求項３】
映像が基本階層と拡張階層とに階層的に符号化された符号化データを送信する送信装置であって、
前記符号化データの復号または表示の処理を行う時刻を示す時刻情報と、前記符号化データとを含む符号化ストリームを生成する生成部と、
生成した前記符号化ストリームを送信する送信部と、を備え、
前記符号化データは、それぞれが複数のアクセスユニットから構成される複数の集合を有し、
前記複数の集合のうち前記基本階層の前記集合である第１の集合を構成している前記複数のアクセスユニットのそれぞれは、独立して復号可能であるか、または前記基本階層の他のアクセスユニットの復号後のデータを参照することによって復号可能であり、
前記複数の集合のうち前記拡張階層の前記集合である第２の集合を構成している前記複数のアクセスユニットのそれぞれは、前記基本階層の前記アクセスユニットの復号後のデータを参照することによって復号可能であり、
前記時刻情報は、前記第１の集合の第１のアクセスユニットに対して行われる前記処理を行う、基準クロックを基準とする時刻を示す第１の時刻情報と、前記第２の集合の第２のアクセスユニットに対して行われる前記処理を行う、前記基準クロックを基準とする時刻を特定するための第２の時刻情報とを含む
送信装置。
【請求項４】
映像が基本階層と拡張階層とに階層的に符号化された符号化データを受信する受信装置であって、
前記符号化データの復号または表示の処理を行う時刻を示す時刻情報と、前記符号化データとを含む符号化ストリームを受信する受信部と、
受信した前記符号化ストリームの前記符号化データに対する前記処理を、前記時刻情報で示される時刻に行う処理部と、を備え、
前記符号化データは、それぞれが複数のアクセスユニットから構成される複数の集合を有し、
前記複数の集合のうち前記基本階層の前記集合である第１の集合を構成している前記複数のアクセスユニットのそれぞれは、独立して復号可能であるか、または前記基本階層の他のアクセスユニットの復号後のデータを参照することによって復号可能であり、
前記複数の集合のうち前記拡張階層の前記集合である第２の集合を構成している前記複数のアクセスユニットのそれぞれは、前記基本階層の前記アクセスユニットの復号後のデータを参照することによって復号可能であり、
前記時刻情報は、前記第１の集合の第１のアクセスユニットに対して行われる前記処理を行う時刻を示す第１の時刻情報と、前記第２の集合の第２のアクセスユニットに対して行われる前記処理を行う時刻を特定するための第２の時刻情報とを含む
受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】送信方法、受信方法、送信装置、および、受信装置
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月6日(2017.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
説明の目的のための上記の説明は、本発明の完全な理解を提供するために、特定の専門用語を使用した。しかしながら、特定の詳細が本発明を実施するために必要とされないことが、当業者にとって明白である。したがって、本発明の特定の実施形態の上記の説明は、例証および説明の目的のために提示される。それらは、網羅的であることも、本発明を開示された正確な形態に限定することも意図されない。明らかに、多くの変更および変形が、上記の教示を考慮して、可能である。本実施形態は、本発明の原理およびその実施可能な用途を最も良く説明するために選択され、説明された。それによって、本実施形態は、当業者が、想定される特定の使用に適したように、本発明および種々の変更を有する種々の実施形態を最も良く利用することを可能にする。以下の特許請求の範囲およびその均等物が本発明の範囲を定義することが、意図される。
なお、本発明は、実施の態様として以下の内容を含む。
〔態様１〕
ネットワークトラフィックと関連づけられたパケットヘッダの組を特徴づけるグラフを構築することであって、該グラフは、該グラフにおける経路を形成するパケットヘッダの各可能な組み合わせに対して一意的な識別子を有する、ことと、
受信されたパケットを該グラフにおける一意的な識別子と関連付けることと、
該一意的な識別子に基づいて、該受信されたパケットの特性を再構築することと
を含む、方法。
〔態様２〕
前記一意的な識別子は、非可換関数に基づいている、態様１に記載の方法。
〔態様３〕
前記非可換関数は、巡回冗長検査関数である、態様２に記載の方法。
〔態様４〕
前記特性は、横断される経路に存在する前記ヘッダを規定する、態様１に記載の方法。
〔態様５〕
前記特性は、フラグの関連づけられた組を有する、態様１に記載の方法。
〔態様６〕
前記特性は、アクションの関連づけられた組を有する、態様１に記載の方法。
〔態様７〕
前記グラフを連想メモリ内に経路表としてロードすることをさらに含む、態様１に記載の方法。
〔態様８〕
１回の探索において複数の経路をマッチングすることが可能な複数同時マッチング構文解析器として前記連想メモリを動作させることをさらに含む、態様１に記載の方法。
〔態様９〕
ネットワークトラフィックと関連づけられたパケットヘッダの組を特徴づけるグラフを格納する連想メモリであって、該グラフは、該グラフにおける経路を形成するパケットヘッダの各可能な組み合わせに対して一意的な識別子を有し、該連想メモリは、受信されたパケットの属性を一意的な識別子とマッチングする、連想メモリと、
該一意的な識別子に基づいて、該受信されたパケットの特性を再構築するインデックスメモリと
を含む、プロセッサ。
〔態様１０〕
前記連想メモリは、三値内容参照可能メモリ（Ｔｅｒｎａｒｙ  Ｃｏｎｔｅｎｔ  Ａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ  Ｍｅｍｏｒｙ）である、態様９に記載のプロセッサ。
〔態様１１〕
前記連想メモリは、１回の探索において複数の経路をマッチングすることが可能な複数同時マッチング構文解析器として動作する、態様９に記載のプロセッサ。
〔態様１２〕
前記一意的な識別子は、非可換関数に基づいている、態様９に記載のプロセッサ。
〔態様１３〕
前記非可換関数は、巡回冗長検査関数である、態様１２に記載のプロセッサ。
〔態様１４〕
前記特性は、横断される経路に存在する前記ヘッダを規定する、態様９に記載のプロセッサ。
〔態様１５〕
前記特性は、フラグの関連づけられた組を有する、態様９に記載のプロセッサ。
〔態様１６〕
前記特性は、アクションの関連づけられた組を有する、態様９に記載のプロセッサ。
〔態様１７〕
グラフにおける弧に割り当てられる一意的な値を形成することと、
該グラフにおいて経路を制限することと、
該割り当てられた値に基づいて、該グラフを通る計算される経路を形成することと、
該計算された経路を用いて経路表を構築することと、
該計算された経路のうちのいずれかが同じ値を有するか否かを決定し、同じ値を有する場合に、該形成および構築の動作を繰り返すことと
を含む、方法。
〔態様１８〕
前記経路を制限することは、前記グラフにおいて循環経路に至る移行の数を限定することを含む、態様１７に記載の方法。
〔態様１９〕
前記経路を制限することは、前記グラフにおける経路を選択的に除去することを含む、態様１７に記載の方法。
〔態様２０〕
前記割り当てられる一意的な値は、非可換関数に基づいている、態様１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月8日(2017.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有する半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第６のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
前記第４のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有する半導体装置。
【請求項３】
第１乃至第６のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
前記第４のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板内部に信号配線層を有する多層プリント基板であって、
前記信号配線層の空きスペースに、当該信号配線層のリファレンスプレーンとなるグラウンド層又は電源配線層との間で内蔵コンデンサを形成する電源パターン又はグラウンドパターンが設けられていること、を特徴とする多層プリント基板。
【請求項２】
前記内蔵コンデンサを形成する電源パターン又はグラウンドパターンは、前記信号配線層において、基板周囲の少なくとも一部を取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の多層プリント基板。
【請求項３】
前記内蔵コンデンサを形成する電源パターン又はグラウンドパターンは、前記信号配線層において、ノイズ源となる半導体との対応位置に配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多層プリント基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、基板内部に信号配線層を有する多層プリント基板であって、信号配線層の空きスペースに、当該信号配線層のリファレンスプレーンとなるグラウンド層又は電源配線層との間で内蔵コンデンサを形成する電源パターン又はグラウンドパターンが設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝部を有する第１の絶縁層と、
前記溝部の少なくとも底面と接する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に接するゲート絶縁層と、
前記溝部内に配置され、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上の第２の絶縁層と、を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウムを有し、
前記ゲート絶縁層及び前記第２の絶縁層は、互いに接する領域を有する半導体装置。
【請求項２】
溝部を有する第１の絶縁層と、
前記溝部の少なくとも底面と接する領域を有する第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上に接する第１のゲート絶縁層と、
前記溝部内に配置され、前記第１のゲート絶縁層を介して前記第１のゲート電極層と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上の第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なる第２のゲート電極層と、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記第２のゲート電極層上の第２の絶縁層と、を有し、
前記第１のゲート絶縁層及び前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウムを有し、
前記第１のゲート絶縁層及び前記第２の絶縁層は、互いに接する領域を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸化物半導体層の下層に接し、前記酸化物半導体層を構成する金属元素のうち少なくとも一の金属元素を構成元素として含む第１の酸化物層と、
前記酸化物半導体層上に接し、前記酸化物半導体層を構成する金属元素のうち少なくとも一の金属元素を構成元素として含む第２の酸化物層と、を有し、
前記酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギーは、前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層の伝導帯下端のエネルギーよりも、０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下の範囲で真空準位に近い半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の酸化物層は、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層から露出した前記酸化物半導体層を覆うように、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に設けられる半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月20日(2017.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の保護絶縁層と、
前記第１の保護絶縁層上に、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極上に位置し、前記酸化物半導体層と重なるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極を覆う第２の保護絶縁層と、を有し、
前記第１の保護絶縁層および前記第２の保護絶縁層は、酸素過剰領域を有する酸化アルミニウム膜を含み、且つ前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極の存在しない領域において互いに接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の保護絶縁層と前記酸化物半導体層との間に設けられ、前記酸化物半導体層の金属元素の少なくとも一を含んで構成される第１の酸化物層と、
前記酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層との間に設けられ、前記酸化物半導体層の金属元素の少なくとも一を含んで構成される第２の酸化物層と、を有し、
前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層の伝導帯下端のエネルギーは、前記酸化物半導体層の伝導帯下端のエネルギーよりも、０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下の範囲で真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月15日(2017.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を有する積層と、
前記積層の上面の一部、及び前記積層の側面の一部を覆うように設けられた第３の酸化物半導体層と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層上に設けられ、
前記第３の酸化物半導体層は、前記積層と接する第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、を有し、
前記第１の層は、ナノ結晶を有し、
前記第２の層は、ｃ軸配向した結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を有する積層と、
前記積層の一部と接するソース電極及びドレイン電極と、
前記積層の上面の一部、前記積層の側面の一部、前記ソース電極の一部、及び前記ドレイン電極の一部を覆うように設けられた第３の酸化物半導体層と、
前記第３の酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層上に設けられ、
前記第３の酸化物半導体層は、前記積層と接する第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、を有し、
前記第１の層は、ナノ結晶を有し、
前記第２の層は、ｃ軸配向した結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記積層と前記第３の酸化物半導体層が接する領域において、前記第２の酸化物半導体層の表面は曲面を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第３の酸化物半導体層は、前記第２の酸化物半導体層よりも伝導帯下端のエネルギーが０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下の範囲で真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層乃至前記第３の酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）、及びＺｎを有し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第３の酸化物半導体層は、Ｉｎに対するＭの原子数比が前記第２の酸化物半導体層よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月21日(2017.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器、カメラ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラと発光パネルとを有し、
前記発光パネルは、発光素子を有し、
前記発光素子は、有機ＥＬを有し、
前記発光パネルは、開口部を有し、
前記開口部にレンズが配置されていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
発光パネルを備えたカメラであって、
前記発光パネルは、発光素子を有し、
前記発光素子は、有機ＥＬを有し、
前記発光パネルは、開口部を有し、
前記開口部にレンズが配置されていることを特徴とするカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物層と、
前記第１の酸化物層上の第２の酸化物層と、
前記第２の酸化物層上の第３の酸化物層と、
前記第３の酸化物層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の導電層とを有し、
前記第１の絶縁層は、トランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第１の導電層は、前記トランジスタのゲート電極層として機能する領域を有し、
前記第１乃至第３の酸化物層は、それぞれインジウム、ガリウム及び亜鉛を有し、
前記トランジスタのチャネル幅方向の断面において、前記第３の酸化物層は、前記第２の酸化物層の上面と接する領域と、前記第２の酸化物層の側面と接する領域と、前記第１の酸化物層の側面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の酸化物層と、
前記第１の酸化物層上の第２の酸化物層と、
前記第２の酸化物層上の第３の酸化物層と、
前記第３の酸化物層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の導電層と、
前記第１の酸化物層の下方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の下方の第２の導電層とを有し、
前記第１の絶縁層は、トランジスタの第１のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第１の導電層は、前記トランジスタの第１のゲート電極層として機能する領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記トランジスタの第２のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極層として機能する領域を有し、
前記第１乃至第３の酸化物層は、それぞれインジウム、ガリウム及び亜鉛を有し、
前記トランジスタのチャネル幅方向の断面において、前記第３の酸化物層は、前記第２の酸化物層の上面と接する領域と、前記第２の酸化物層の側面と接する領域と、前記第１の酸化物層の側面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２の酸化物層は、前記第１の酸化物層の膜厚より大きい膜厚を有し、
前記第２の酸化物層は、前記第３の酸化物層の膜厚より大きい膜厚を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の導電層上に接する酸化アルミニウム膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面において、前記第２の酸化物層の側面の一方は、ソース電極層と接する領域を有し、前記第２の酸化物層の側面の他方は、ドレイン電極層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月2日(2017.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記酸化物半導体膜の各々の側面に接する第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上に接する第１の導電層及び第２の導電層と、
ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜の側面と前記酸化物半導体膜の側面とは同一面を有し、
前記酸化物半導体膜の上面と前記第２の絶縁膜の上面とは同一面を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、ソース電極またはドレイン電極として機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記酸化物半導体膜の各々の側面に接する第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上に接する第１の導電層及び第２の導電層と、
ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜の側面と前記酸化物半導体膜の側面とは同一面を有し、
前記酸化物半導体膜の上面と前記第２の絶縁膜の上面とは同一面を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、ソース電極またはドレイン電極として機能し、
前記第２の絶縁膜は、酸化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月2日(2017.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上に位置し、前記第１のゲート電極と重なる位置に第１のトレンチを有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上及び前記第１のゲート電極上に位置し、前記第１のトレンチの底面及び側面を覆う領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上であって、且つ、前記第１のトレンチ内に位置する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、
前記容量素子は、
前記第１の絶縁層が有する第２のトレンチの底面及び側面を覆う領域を有する第１の電極と、
前記第１の電極上であって、且つ、前記第２のトレンチ内に位置する領域を有する前記第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上であって、且つ、前記第２のトレンチ内に位置する領域を有する第２の電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネルとして機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上に位置し、前記第１のゲート電極と重なる位置に第１のトレンチを有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上及び前記第１のゲート電極上に位置し、前記第１のトレンチの底面及び側面を覆う領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上であって、且つ、前記第１のトレンチ内に位置する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、
前記容量素子は、
前記第１の絶縁層が有する第２のトレンチの底面及び側面を覆う領域を有する第１の電極と、
前記第１の電極上であって、且つ、前記第２のトレンチ内に位置する領域を有する前記第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上であって、且つ、前記第２のトレンチ内に位置する領域を有する第２の電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、を有し、
前記第２の層は、チャネルとして機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上に位置し、前記第１のゲート電極と重なる位置に第１のトレンチを有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上及び前記第１のゲート電極上に位置し、前記第１のトレンチの底面及び側面を覆う領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上であって、且つ、前記第１のトレンチ内に位置する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上のソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上であって、前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、
前記容量素子は、
前記第１の絶縁層が有する第２のトレンチの底面及び側面を覆う領域を有する第１の電極と、
前記第１の電極上であって、且つ、前記第２のトレンチ内に位置する領域を有する前記第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上であって、且つ、前記第２のトレンチ内に位置する領域を有する第２の電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、チャネルとして機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上に位置し、前記第１のゲート電極と重なる位置に第１のトレンチを有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上及び前記第１のゲート電極上に位置し、前記第１のトレンチの底面及び側面を覆う領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上であって、且つ、前記第１のトレンチ内に位置する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上のソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上であって、前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、
前記容量素子は、
前記第１の絶縁層が有する第２のトレンチの底面及び側面を覆う領域を有する第１の電極と、
前記第１の電極上であって、且つ、前記第２のトレンチ内に位置する領域を有する前記第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上であって、且つ、前記第２のトレンチ内に位置する領域を有する第２の電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、を有し、
前記第２の層は、チャネルとして機能することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月15日(2017.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のペレットと、
前記第１のペレット上の第２のペレットと、
前記第２のペレット上の第３のペレットと、を有する酸化物半導体膜であり、
前記第１のペレットは、
ガリウム、亜鉛、酸素からなる第１の層と、
前記第１の層に積層されたインジウム、酸素からなる第２の層と、
前記第２の層に積層されたガリウム、亜鉛、酸素からなる第３の層と、を有し、
前記第２のペレットは、
ガリウム、亜鉛、酸素からなる第４の層と、
前記第４の層に積層されたインジウム、酸素からなる第５の層と、
前記第５の層に積層されたガリウム、亜鉛、酸素からなる第６の層と、を有し、
前記第３のペレットは、
ガリウム、亜鉛、酸素からなる第７の層と、
前記第７の層に積層されたインジウム、酸素からなる第８の層と、
前記第８の層に積層されたガリウム、亜鉛、酸素からなる第９の層と、を有し、
前記第１の層から前記第３の層までの厚さは０．５ｎｍ以上０．９ｎｍ以下であり、
前記第４の層から前記第６の層までの厚さは０．５ｎｍ以上０．９ｎｍ以下であり、
前記第７の層から前記第９の層までの厚さは０．５ｎｍ以上０．９ｎｍ以下であり、
前記第１の層と、前記第７の層が平行であり、
前記第１の層と、前記第４の層が平行でない、ことを特徴とする酸化物半導体膜。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月19日(2017.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピリミジン環の３位の窒素が金属に配位し、
前記ピリミジン環の４位にカルバゾール骨格を有し、
前記カルバゾール骨格が前記金属と結合した有機金属錯体を有する発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属が第９族元素または第１０族元素である発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記金属がイリジウムである発光素子。
【請求項４】
式（Ｇ１−１）で表される構造を含む有機金属錯体。
【化１】
2015005736.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。）
【請求項５】
式（Ｇ１−２）で表される有機金属錯体。
【化２】
2015005736.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。また、前記Ｍが第９族元素の時はｎ＝３であり、第１０族元素の時はｎ＝２である。）
【請求項６】
式（Ｇ１−３）で表される有機金属錯体。
【化３】
2015005736.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。また、前記Ｍが第９族元素の時はｎ＝２であり、第１０族元素の時はｎ＝１である。また、Ｌは、モノアニオン性の配位子を表す。）
【請求項７】
請求項６において、
前記モノアニオン性の配位子は、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、又は２つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子のいずれかである有機金属錯体。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記モノアニオン性の配位子は、式（Ｌ１）乃至（Ｌ７）のいずれか一である有機金属錯体。
【化４】
2015005736.tif 000004
（式中、Ｒ７１〜Ｒ１０９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基を表す。また、Ａ１〜Ａ３は、それぞれ独立に、窒素、水素もしくは置換基Ｒと結合する炭素を表し、前記置換基Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン基、炭素数１〜６のハロアルキル基、またはフェニル基を表す。）
【請求項９】
請求項４乃至請求項８のいずれか一に記載の有機金属錯体を有する発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項３、請求項９のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置を有する電子機器。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光装置を有する照明装置。