Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月23日(2017.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスターボ機械コンポーネントを分析して、前記分析中に前記ガスターボ機械コンポーネントの構造的一体性を維持しながら、前記ガスターボ機械コンポーネントのボイドまたは孔の少なくとも一方を検出するステップと、
前記ボイドの検出もしくは前記孔が閾値を超えたことの検出の少なくとも一方に応じて前記ガスターボ機械コンポーネントで熱間等方圧加圧（ＨＩＰ）処理を実行するための命令をもたらすステップと、
を含み、
前記分析するステップは、前記ガスターボ機械コンポーネントのコンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャンを実行するステップを含む、
方法。
【請求項２】
前記ＨＩＰ処理の後、前記ガスターボ機械コンポーネントを分析するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ボイドまたは孔の少なくとも一方を検出するための前記ガスターボ機械コンポーネントの前記分析の結果を、前記ＨＩＰ処理後の前記ガスターボ機械コンポーネントの前記分析の結果と比較することによって、前記ＨＩＰ処理の有効性を判断するステップをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ガスターボ機械コンポーネントが、ガスターボ機械で使用するクリープ制限コンポーネントを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記クリープ制限コンポーネントは、ノズルまたはバケットの少なくとも一方を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記分析するステップは、前記ガスターボ機械コンポーネントの微小焦点分析を実行するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記分析するステップは、前記ガスターボ機械コンポーネントを格納するためのガスターボ機械と同じ物理的位置で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記分析するステップは、前記ガスターボ機械内の元の場所で実行される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ボイドは、前記ガスターボ機械コンポーネントの以前に定めた寸法値に対する前記ガスターボ機械コンポーネントの寸法変化を含み、前記分析するステップは、前記ボイドのサイズを判断することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ガスターボ機械コンポーネントを監視する方法であって、前記方法は、
前記ガスターボ機械コンポーネントを分析して、前記分析中に前記ガスターボ機械コンポーネントの構造的一体性を維持しながら前記ガスターボ機械コンポーネントのボイドまたは孔の少なくとも一方を検出する、分析するステップと、
前記ガスターボ機械コンポーネントの前記分析の結果を、前記ガスターボ機械コンポーネントに対する修理基準閾値と比較するステップと、
前記ガスターボ機械コンポーネントの前記分析の結果が前記修理基準閾値を超えたという判断に応じて前記ガスターボ機械コンポーネントで熱間等方圧加圧（ＨＩＰ）処理を実行するための命令をもたらすステップと、
を含み、
前記分析するステップは、前記ガスターボ機械コンポーネントのコンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャンを実行するステップを含む、
方法。
【請求項１１】
前記分析して前記ボイドまたは前記孔の前記少なくとも一方を検出するステップは、前記ボイドまたは前記孔の前記少なくとも一方のサイズを検出するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記修理基準閾値は、前記少なくとも１つのボイドまたは孔の前記サイズに基づく、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記修理基準閾値は、前記ガスターボ機械コンポーネントにおける、少なくとも１つのクリープボイドまたは少なくとも１つの内部クラックの存在に基づく、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記ガスターボ機械コンポーネントが、ガスターボ機械で使用するクリープ制限コンポーネントを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記クリープ制限コンポーネントは、ノズルまたはバケットの少なくとも一方を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記分析するステップは、前記ガスターボ機械コンポーネントの微小焦点分析を実行するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＨＩＰ処理の後に前記ガスターボ機械コンポーネントを分析するステップと、
ボイドまたは孔の少なくとも一方を検出するための前記ガスターボ機械コンポーネントの前記分析の結果を、前記ＨＩＰ処理後の前記ガスターボ機械コンポーネントの前記分析の結果と比較することによって、前記ＨＩＰ処理の有効性を判断するステップと、をさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
ガスターボ機械コンポーネントを監視する方法であって、前記方法は、
ガスターボ機械コンポーネントを分析して、前記分析中に前記ガスターボ機械コンポーネントの構造的一体性を維持しながら前記ガスターボ機械コンポーネントのボイドまたは孔の少なくとも一方を検出する、分析するステップと、
前記ボイドの検出もしくは前記孔が閾値を超えたことの検出の少なくとも一方に応じて前記ガスターボ機械コンポーネントで熱間等方圧加圧（ＨＩＰ）処理を行うための命令をもたらすステップと、
前記ボイドならびに前記孔が前記閾値を超えないことの検出に応じて前記ＨＩＰ処理を必要としないものとして前記ガスターボ機械コンポーネントを分類するステップと、
前記ガスターボ機械コンポーネントでの前記ＨＩＰ処理の実行に応じて前記ＨＩＰ処理後の前記ガスターボ機械コンポーネントを分析するステップと、
ボイドもしくは孔の少なくとも一方を検出するための前記ガスターボ機械コンポーネントの前記分析の結果を、前記ＨＩＰ処理後の前記ガスターボ機械コンポーネントの前記分析の結果と比較することによって前記ＨＩＰ処理の有効性を判断するステップと、
を含み、
前記分析するステップは、前記ガスターボ機械コンポーネントのコンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャンを実行するステップを含む、
方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年3月30日(2017.3.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
小型モジュール式反応炉において、
液体ナトリウム（５０７）のタンク（５０５）と、
前記タンク（５０５）に沈められた炉心（５０３）であって、前記炉心（５０３）は、詰められた微粒子金属材料を含んでいる一つの燃料カラム（３０５）を備えており、前記微粒子状金属燃料が、少なくとも１つの濃縮合金の粒子及び軽水炉（ＬＷＲ）の破砕酸化物粒子の形態をした破砕された使用済核燃料の粒子を備えている、炉心（５０３）と、
前記液体ナトリウム（５０７）を前記タンク（５０５）に沈められた第１の熱交換器（５１１）を通して循環させることによって熱を前記炉心（５０３）の外へ伝達するためのポンプ（５０９）と、を備えている小型モジュール式反応炉。
【請求項２】
請求項１に記載の小型モジュール式反応炉において、熱を前記第１の熱交換器（５１１）から超臨界二酸化炭素に伝達するための第２の熱交換器（６０３）を更に備えている、小型モジュール式反応炉。
【請求項３】
請求項２に記載の小型モジュール式反応炉において、前記超臨界二酸化炭素は、ブレイトンサイクル建屋内のガスタービンを回すのに使用されて、３９％から４１％の熱効率を前記小型モジュール式反応炉に提供する、小型モジュール式反応炉。
【請求項４】
請求項１に記載の小型モジュール式反応炉において、前記少なくとも１つの濃縮合金は、ウラン、プルトニウム、ウラン及びプルトニウムの組合せ、ウラン及び超ウランの組合せ、及びプルトニウム及び超ウランの組合せから成る群より選択されている、小型モジュール式反応炉。
【請求項５】
請求項１に記載の小型モジュール式反応炉において、前記微粒子状金属燃料は、マイナーアクチニドを更に備えている、小型モジュール式反応炉。
【請求項６】
請求項５に記載の小型モジュール式反応炉において、前記マイナーアクチニドは、アメリシウム、ネプツニウム、及びキュリウムから成る群から選択されている、小型モジュール式反応炉。
【請求項７】
請求項１に記載の小型モジュール式反応炉において、前記燃料カラム（３０５）のスメア密度は７０％から７５％である、小型モジュール式反応炉。
【請求項８】
請求項１に記載の小型モジュール式反応炉において、前記燃料カラム（３０５）及びプレナムは、燃料クラッディング管の中に含まれ、熱伝達媒体としてのガスが前記プレナム内に充填された、小型モジュール式反応炉。
【請求項９】
請求項８に記載の小型モジュール式反応炉において、前記ガスは、ヘリウムである、小型モジュール式反応炉。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の小型モジュール式反応炉において、微粒子状金属燃料対プレナムの体積比は、０．８対２．０である、小型モジュール式反応炉。
【請求項１１】
請求項１に記載の小型モジュール式反応炉において、前記微粒子状金属燃料は、直径が５０ミクロンから１０００ミクロンの間の粒子を備えている、小型モジュール式反応炉。
【請求項１２】
請求項１に記載の小型モジュール式反応炉において、前記微粒子状金属燃料は、８−１０重量％の軽水炉（ＬＷＲ）の破砕された粒子を備えている、小型モジュール式反応炉。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月17日(2017.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シート製造装置、シート製造方法、及びこれらにより製造されるシート、並びに、これらに用いる複合体、その収容容器、及び複合体の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維と、樹脂と着色材とを一体に有する複合体と、を混ぜ合せる混合部と、
前記繊維と前記複合体とを結着する結着部と、を備える、シート製造装置。
【請求項２】
前記複合体は、さらに凝集抑制剤を一体に有する、請求項１に記載のシート製造装置。
【請求項３】
前記複合体は、粉体である、請求項１又は２に記載のシート製造装置。
【請求項４】
前記複合体の大きさは、前記繊維の太さ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のシート製造装置。
【請求項５】
前記着色材は、前記樹脂に内包されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載のシート製造装置。
【請求項６】
繊維と、樹脂と着色材とを一体に有する複合体と、を混ぜ合せる工程と、
前記繊維と、前記複合体と、を結着させる工程と、を含む、シート製造方法。
【請求項７】
繊維と、樹脂と着色材とを一体に有する複合体と、を原料に含み、
前記繊維と、前記複合体とが、結着されている、シート。
【請求項８】
繊維と混ぜて用いられ、樹脂と着色材とを一体に有する複合体、を収容する収容容器。
【請求項９】
樹脂及び着色材を一体に有し、繊維と混ぜて用いられる、複合体。
【請求項１０】
シート製造装置に用いられ、樹脂及び着色材を一体に有することを特徴とする、複合体。
【請求項１１】
繊維と、樹脂と凝集抑制剤とを一体に有する複合体と、を混ぜ合せる混合部と、
前記繊維と前記複合体とを結着する結着部と、を備える、シート製造装置。
【請求項１２】
前記複合体は、粉体である、請求項１１に記載のシート製造装置。
【請求項１３】
繊維と、樹脂と凝集抑制剤とを一体に有する複合体と、を混ぜ合せる工程と、
前記繊維と、前記複合体と、を結着させる工程と、を含む、シート製造方法。
【請求項１４】
繊維と、樹脂と凝集抑制剤とを一体に有する複合体と、を原料に含み、
前記繊維と、前記複合体とが、結着されている、シート。
【請求項１５】
繊維と混ぜて用いられ、樹脂と凝集抑制剤とを一体に有する複合体、を収容する収容容器。
【請求項１６】
樹脂及び凝集抑制剤を一体に有し、繊維と混ぜて用いられる、複合体。
【請求項１７】
シート製造装置に用いられ、樹脂及び凝集抑制剤を一体に有することを特徴とする、複合体。
【請求項１８】
樹脂と着色材とを混合し、
前記樹脂と前記着色材との混合物を混練した後にペレタイズし、
得られたペレットを粉砕することにより、
前記樹脂と前記着色材を一体に有する複合体を得ることを特徴とする複合体の製造方法。
【請求項１９】
前記ペレットを粉砕した粉砕物と凝集抑制剤とを混合することにより、
前記樹脂と前記着色材と前記凝集抑制剤を一体に有する複合体を得る
ことを特徴とする請求項１に記載の複合体の製造方法。
【請求項２０】
前記粉砕物１００重量部と前記凝集抑制剤１重量部とを混合する
ことを特徴とする請求項２に記載の複合体の製造方法。
【請求項２１】
前記樹脂１７００部と前記着色材３００部を混合する
ことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の複合体の製造方法。
【請求項２２】
前記複合体を分級して体積平均粒子径３５μｍ以下の複合体を得る
ことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の複合体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月15日(2017.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接する一対の電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層の間に位置する第３の酸化物半導体層と、の積層構造を有し、
前記第２の酸化物半導体層の電子親和力は、前記第１の酸化物半導体層の電子親和力よりも小さく、
前記第２の酸化物半導体層は、複数の結晶部を有し、前記複数の結晶部において、ｃ軸配向性を有していること特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記第１のゲート電極と対向する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接する一対の電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層の間に位置する第３の酸化物半導体層と、の積層構造を有し、
前記第２の酸化物半導体層の電子親和力は、前記第１の酸化物半導体層の電子親和力よりも小さく、
前記第２の酸化物半導体層は、複数の結晶部を有し、前記複数の結晶部において、ｃ軸配向性を有していること特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と接する第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層を介して前記第１のゲート電極と対向する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接する一対の電極と、
前記一対の電極上に接する第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と対向する第２のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層の間に位置する第３の酸化物半導体層と、の積層構造を有し、
前記第２の酸化物半導体層の電子親和力は、前記第１の酸化物半導体層の電子親和力よりも小さく、
前記第２の酸化物半導体層は、複数の結晶部を有し、前記複数の結晶部において、ｃ軸配向性を有していること特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物半導体層は、チャネルが形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層の電子親和力は、前記第３の酸化物半導体層の電子親和力よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層および前記第３の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層に含まれる金属元素を一種以上含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板洗浄室と基板乾燥室とを有してなる基板処理装置であって、
基板洗浄室は、基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部とを有して構成され、
基板乾燥室は、基板洗浄室で揮発性溶媒が供給された基板の表面を加熱し、加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する加熱乾燥手段とを有して構成され、
前記加熱乾燥手段が基板の鉛直下向きに配置された表面を下側から加熱し、加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を重力によって落下除去させ、基板の表面を乾燥する基板処理装置。
【請求項２】
基板洗浄室と基板乾燥室とを用いてなる基板処理方法であって、
基板洗浄室では、基板の表面に洗浄液を供給する工程と、洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する工程とが行なわれ、
基板乾燥室では、基板洗浄室で揮発性溶媒が供給された基板の表面を加熱し、加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する工程とが行なわれ、
前記基板の表面を加熱し、乾燥する工程が、基板の鉛直下向きに配置された表面を加熱乾燥手段によって下側から加熱し、加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を重力によって落下除去させ、基板の表面を乾燥する基板処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月4日(2017.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するテーブルと、
前記テーブルに保持された前記基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記洗浄液が供給された前記基板の表面に揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄液を前記揮発性溶媒に置換する溶媒供給部とを有してなる基板処理装置であって、
前記洗浄液と前記揮発性溶媒が併存している前記基板の表面側に配置された上磁石と前記基板の裏面側に配置された下磁石を備える磁場形成手段を有し、
前記上磁石及び前記下磁石は、異なる磁極が対向して一対をなし、
前記下磁石は、前記テーブルの上面に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記上磁石が前記基板の表面に対して相対移動するアームに設けられ、このアームには前記揮発性溶媒の供給ノズルが備えられ、前記基板の表面に対する前記揮発性溶媒の供給は、前記上磁石が前記下磁石と対向する位置に位置づけるとともに行われる請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記下磁石は、平面視したときに、前記基板の表面側に配置された前記上記磁石と対向する領域と、前記上磁石と対向しない領域を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記揮発性溶媒が供給された前記基板の表面を加熱し、加熱作用で前記基板の表面に生成された前記揮発性溶媒の液玉を除去し、前記基板の表面を乾燥する加熱乾燥手段をさらに有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板をテーブルに保持する工程と、
前記テーブルに保持された前記基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
前記洗浄液が供給された前記基板の表面に揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄液を前記揮発性溶媒に置換する工程とを有してなる基板処理方法であって、
前記基板の表面側に配置された上磁石と前記基板の裏面側に配置された下磁石を備えた磁場形成手段を有し、
前記上磁石及び前記下磁石は、異なる磁極が対向して一対をなし、
前記下磁石は、前記テーブルの上面に配置され、前記磁場形成手段を用いて前記洗浄液と前記揮発性溶媒が併存している前記基板の表面の前記洗浄液の前記揮発性溶媒への置換を促進する基板処理方法。
【請求項６】
前記上磁石が前記基板の表面に対して相対移動するアームに設けられ、このアームには前記揮発性溶媒の供給ノズルが備えられ、前記基板の表面に対する前記揮発性溶媒の供給は、前記上磁石が前記下磁石と対向する位置に位置づけるとともに行なう請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記基板を保持した前記テーブルを回転させるとともに、前記下磁石は、平面視したときに、前記基板の表面側に配置された前記上磁石と対向する領域と、前記上磁石と対向しない領域を有することを特徴とする請求項５又は６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記揮発性溶媒が供給された前記基板の表面を加熱し、加熱作用で前記基板の表面に生成された前記揮発性溶媒の液玉を除去し、前記基板の表面を乾燥する加熱乾燥する工程をさらに有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る基板処理装置は、基板を保持するテーブルと、
前記テーブルに保持された前記基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記洗浄液が供給された前記基板の表面に揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄液を前記揮発性溶媒に置換する溶媒供給部とを有してなる基板処理装置であって、
前記洗浄液と前記揮発性溶媒が併存している前記基板の表面側に配置された上磁石と前記基板の裏面側に配置された下磁石を備える磁場形成手段を有し、
前記上磁石及び前記下磁石は、異なる磁極が対向して一対をなし、
前記下磁石は、前記テーブルの上面に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る基板処理方法は、基板をテーブルに保持する工程と、
前記テーブルに保持された前記基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
前記洗浄液が供給された前記基板の表面に揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄液を前記揮発性溶媒に置換する工程とを有してなる基板処理方法であって、
前記基板の表面側に配置された上磁石と前記基板の裏面側に配置された下磁石を備えた磁場形成手段を有し、
前記上磁石及び前記下磁石は、異なる磁極が対向して一対をなし、
前記下磁石は、前記テーブルの上面に配置され、前記磁場形成手段を用いて前記洗浄液と前記揮発性溶媒が併存している前記基板の表面の前記洗浄液の前記揮発性溶媒への置換を促進するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月30日(2017.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に洗浄水を供給する洗浄水供給部と、 
前記洗浄水が存在している前記基板の表面に液体状の揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄水を前記揮発性溶媒に置換する溶媒供給部とを有してなる基板処理装置であって、 
水分除去手段を有してなり、 
前記水分除去手段は、前記溶媒供給部によって前記基板の表面に前記揮発性溶媒が供給されるときに、前記基板の表面に、前記基板の表面に存在する前記洗浄水と反応して、前記洗浄水を前記揮発性溶媒に混和または溶解し易い物質に変える水分除去剤を供給し、前記基板の表面の前記洗浄水の前記揮発性溶媒への置換を促進する基板処理装置。 
【請求項２】
前記水分除去剤が、前記基板の表面に存在する前記洗浄水と反応して加水分解する物質からなる請求項１に記載の基板処理装置。 
【請求項３】
前記揮発性溶媒が供給された前記基板の表面を加熱し、加熱作用で前記基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、前記基板の表面を乾燥する加熱乾燥手段を有してなる請求項１又は２に記載の基板処理装置。 
【請求項４】
前記溶媒供給部は、前記揮発性溶媒を貯留する溶媒供給タンクを有し、
前記水分除去手段は、前記溶媒供給タンク内の揮発性溶媒に前記水分除去剤を添加する請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。 
【請求項５】
前記溶媒供給部は、前記揮発性溶媒を貯留する溶媒供給タンクを有し、
前記水分除去手段は、前記溶媒供給タンク内の揮発性溶媒を圧送する溶媒供給管路内の揮発性溶媒に前記水分除去剤を添加する請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。 
【請求項６】
前記溶媒供給部は、前記揮発性溶媒を貯留する溶媒供給タンクを有し、
前記水分除去手段は、前記水分除去剤を、前記溶媒供給タンクに連通する溶媒供給管路に通すことなく、前記基板の表面に供給する請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。 
【請求項７】
前記水分除去剤は、リン酸トリエチルまたはリン酸トリメチルであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板を支持するテーブルと、
前記テーブルを回転させる回転機構と、
前記回転機構と前記溶媒供給部と前記水分除去手段を制御する制御部と、をさらに備え、
前記制御部は、
回転する前記基板に対して、前記溶媒供給部と前記水分除去手段を制御して前記揮発性溶媒と前記水分除去剤を供給し、
前記基板の回転中は、前記基板の表面に前記揮発性溶媒の膜が形成されて前記基板の表面が露出しない程度に回転機構を制御することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板の表面に洗浄水を供給する工程と、 
前記洗浄水が供給された前記基板の表面に揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄水を前記揮発性溶媒に置換する工程とを有してなる基板処理方法であって、 
前記基板の表面に前記揮発性溶媒が供給されるときに、前記基板の表面に、前記基板の表面に存在する前記洗浄水と反応して、前記洗浄水を前記揮発性溶媒に混和または溶解し易い物質に変える水分除去剤を供給し、前記基板の表面の前記洗浄水の前記揮発性溶媒への置換を促進する基板処理方法。 
【請求項１０】
前記水分除去剤が、前記基板の表面に存在する前記洗浄水と反応して加水分解する物質からなる請求項９に記載の基板処理方法。 
【請求項１１】
前記揮発性溶媒が供給された基板の表面を加熱し、加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する工程を有してなる請求項９又は１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記置換する工程では、前記基板を回転させ、回転する前記基板に対して前記揮発性溶媒と前記水分除去剤が供給され、前記基板の回転中は、前記基板の表面に前記揮発性溶媒の膜が形成されて前記基板の表面が露出しないことを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る基板処理装置は、
基板の表面に洗浄水を供給する洗浄水供給部と、 
前記洗浄水が存在している前記基板の表面に液体状の揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄水を前記揮発性溶媒に置換する溶媒供給部とを有してなる基板処理装置であって、 
水分除去手段を有してなり、 
前記水分除去手段は、前記溶媒供給部によって前記基板の表面に前記揮発性溶媒が供給されるときに、前記基板の表面に、前記基板の表面に存在する前記洗浄水と反応して、前記洗浄水を前記揮発性溶媒に混和または溶解し易い物質に変える水分除去剤を供給し、前記基板の表面の前記洗浄水の前記揮発性溶媒への置換を促進するようにしたものである。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る基板処理方法は、
基板の表面に洗浄水を供給する工程と、 
前記洗浄水が供給された前記基板の表面に揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄水を前記揮発性溶媒に置換する工程とを有してなる基板処理方法であって、 
前記基板の表面に前記揮発性溶媒が供給されるときに、前記基板の表面に、前記基板の表面に存在する前記洗浄水と反応して、前記洗浄水を前記揮発性溶媒に混和または溶解し易い物質に変える水分除去剤を供給し、前記基板の表面の前記洗浄水の前記揮発性溶媒への置換を促進するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月8日(2017.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
作動部材３は、電線（図示せず）を案内することができる電線開口１９を有する。電線開口１９により、作動方向Ｂとは反対方向に中心室４が解放されている。接触前位置Ｖでは、作動部材３の部材２１は、ハウジング５に部分的に突入している。作動部材３は、作動方向Ｂに対して横断するように延在するスロット付き部材２３，２３'を有する。一直線に隣接して配置された各２つのスロット付き部材２３，２３'は、リバースギア対７に含まれる。スロット付き部材２３，２３'は、ハウジング５内に保護された状態にあるように、ハウジング部５の側壁２５によって被覆される。スロット付き部材２３，２３'を通って突出するようにリバースギア対７の摺動ブロック２７，２７’が配置される。摺動ブロック２７，２７’は、リバースギア対７ａ，７ｂ用の駆動部１２を形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図５は、第２の実施形態に係る装置１の断面である。カバー部材６９は、係止突起７０によって、保持ストラット５５，５５'の係止開口７２内に保持される。接触前位置Ｖからの作動部材３の望ましくない変位を防止するために、作動部材３は２つの固定部材７４を有する。固定部材７４は、接触位置Ｖにおいて作動方向Ｂにカバー部材６９の固定リブ７８に突き当たる突起７６を有する。固定部材７４は、ベアリング８０に弾性的に支持されており、作動部材３に向かう方向に突起７６とは反対の作動端８２に圧力が加えられることによって、カバー部材６９によって方向転換させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月28日(2017.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（式１）で示される組成であることを特徴とするマグネシウムイオン二次電池用正極活物質。
ＭｇｘＡｙＭＯ２・・・（式１）
（式１）において、Ｍｇはマグネシウムであり、Ａはマグネシウムよりイオン半径の大きい元素から選ばれる一種以上の金属元素であり、Ａが複数の金属元素である場合ｙはそれら金属元素の合計値であり、ＭはＡと異なる金属元素であって、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれる一種以上の遷移金属元素であり、ｘは０≦ｘ＜１、ｙは０＜ｙ＜０．５であり、かつ０＜ｘ＋ｙ≦１の範囲の数である。
【請求項２】
前記（式１）において、ＡはＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｌａ，Ｙ，Ｇｄから選ばれる一種以上の元素である請求項１に記載のマグネシウムイオン二次電池用正極活物質。
【請求項３】
前記（式１）において、ＡはＣａ，Ｓｒから選ばれる一種以上のアルカリ土類金属元素である請求項１に記載のマグネシウムイオン二次電池用正極活物質。
【請求項４】
Ｐ２型構造の積層構造を有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のマグネシウムイオン二次電池用正極活物質。
【請求項５】
ＭｇｘＭＯ２（Ｍｇはマグネシウムであり、ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれる一種以上の遷移金属元素であり、ｘは０≦ｘ＜１である。）からなり、前記遷移金属元素と前記遷移金属元素に六配位した酸素原子とからなる三角柱および／または八面体が結合されてなる複数の配位多面体層と、前記配位多面体層間に配置され、マグネシウム原子を吸蔵・脱離するサイトを含むマグネシウム拡散層とを有するマグネシウムイオン二次電池用正極活物質において、
前記マグネシウム拡散層に、マグネシウムよりもイオン半径の大きい元素から選ばれる一種以上の金属元素が配置されたことを特徴とするマグネシウムイオン二次電池用正極活物質。
【請求項６】
前記マグネシウムよりもイオン半径の大きい元素がＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｌａ，Ｙ，Ｇｄから選ばれる一種以上の元素である請求項５に記載のマグネシウムイオン二次電池用正極活物質。
【請求項７】
組成が下記（式１）で示される組成であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のマグネシウムイオン二次電池用正極活物質。
ＭｇｘＡｙＭＯ２・・・（式１）
（式１）において、Ｍｇはマグネシウムであり、Ａはマグネシウムよりイオン半径の大きい元素から選ばれる一種以上の金属元素であり、Ａが複数の金属元素である場合ｙはそれら金属元素の合計値であり、ＭはＡと異なる金属元素であって、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれる一種以上の遷移金属元素であり、ｘは０≦ｘ＜１、ｙは０＜ｙ＜０．５であり、かつ０＜ｘ＋ｙ≦１の範囲の数である。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載のマグネシウムイオン二次電池用正極活物質を製造する方法であって、
Ｎａ又はＫの酸化物もしくは加熱によりＮａ又はＫの酸化物を生成するＮａ又はＫの化合物と、Ｍ元素（ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれる一種以上の遷移金属元素である。）の酸化物もしくは、加熱により前記Ｍ元素の酸化物を生成するＭ化合物とを混合して加熱し、Ｎａ又はＫと前記Ｍ元素とを含有する複酸化物からなる中間化合物を生成する工程と、
前記中間化合物のＮａ又はＫとＡ元素（Ａはマグネシウムよりイオン半径の大きい元素から選ばれる一種以上の金属元素であって、Ｍと異なる金属元素である。）あるいは、Ｎａ又はＫと前記Ａ元素およびＭｇとをイオン交換する工程とを含むことを特徴とするマグネシウムイオン二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載のマグネシウムイオン二次電池用正極活物質を含有する正極を備えることを特徴とするマグネシウムイオン二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マグネシウムイオン二次電池用正極活物質およびその製造方法、マグネシウムイオン二次電池
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、マグネシウムイオン二次電池用正極活物質およびその製造方法、マグネシウムイオン二次電池に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月27日(2017.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繰り返し曲げ伸ばし可能な蓄電体であって、
前記蓄電体は、外装体と、第１結着剤を含む正極活物質層を有する正極と、第２結着剤を含む負極活物質層を有する負極と、セパレータと、を有し、
前記外装体の内側に、前記セパレータを挟んで前記正極と前記負極とが向かい合って設けられ、
前記第１結着剤の含有量が、前記正極活物質層の総量の１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であり、
前記第２結着剤の含有量が、前記負極活物質層の総量の１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることを特徴とする蓄電体。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１結着剤および前記第２結着剤は、ポリフッ化ミニリデンであることを特徴とする蓄電体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月27日(2017.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の苗を一列に移植するように構成された移植モジュール（１）を具備する苗を移植する装置において、
−植え付けられる土壌に対して実質的に平面である土壌接触面（３）と、
−前記土壌に畝間（２４）を生成するキール部材（４）であって、前記土壌接触面（３）の下方に所定距離延在し、前記キール部材（４）の外周部が前記畝間（２４）の深さを画定する、キール部材（４）と、
−前記苗（２）を下方から支持するように構成された担持手段（１３）であって、前記土壌接触面（３）の上方の位置から前記土壌接触面（３）の下方の位置まで延在し、前記装置から前記畝間（２４）内に前記苗（２）を移植するために前記畝間（２４）内に所定深さ延在し、前記苗（２）を放出する先端部を有する担持手段（１３）と、
−前記苗（２）を前記担持手段（１３）に沿って押すことによって搬送する搬送手段（９）とを具備し、
−前記担持手段（１３）は、前記土壌接触面（３）の下方で前記苗（２）の外周部を露出させるように構成され、それにより、前記苗（２）が前記担持手段（１３）の前記先端部から放出される前に、前記畝間（２４）の少なくとも一方の側壁が、前記苗（２）の外周部と接触し、
−前記搬送手段（９）は、前記苗（２）を前記装置の植付け方向に対して実質的に平行な長手方向軸に沿って搬送するように構成され、前記搬送手段（９）は、前記苗（２）が前記畝間（２４）内においてその所定深さに達すると、前記苗（２）を解放するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、植え付けられる前記土壌を突き固めるコンパクタ（８）をさらに具備することを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置において、移植される前記苗（２）が苗木であり、好ましくは前記装置が更に苗木を保持する封入具を含むことを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の装置において、前記担持手段（１３）が、前記苗（２）の下方、少なくとも一方の側方および／または上方からの支持を提供するように構成され、前記苗（２）の向きが、前記移植中にかつ前記苗（２）が前記土壌内に放出されるまで所定方式で維持されるのを確実にすることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の装置において、前記担持手段（１３）が、前記担持手段（１３）の横方向周辺部に貫通開口部（３５）を備え、それにより前記畝間（２４）の側壁（２８、２９）が前記苗（２）と接触するのを可能にすることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の装置において、前記担持手段（１３）が、前記苗（２）を、放出の前に垂直方向に前記土壌から分離することを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の装置において、前記搬送手段（９）が、駆動機構に接続された基端部と植え付けられる前記苗（２）と連結する先端部とを有する少なくとも１つの搬送部材を備えることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の装置において、前記搬送手段（９）が、垂直面から斜めの位置において前記畝間（２４）に入り、前記装置の前記長手方向軸に沿って実質的に垂直位置に向かって回転するように適合された、少なくとも１つの搬送部材を備え、前記先端部が前記畝間（２４）内でその最終深さに達し、前記連続した回転により前記先端部が前記畝間（２４）を出て上昇することを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の装置において、前記搬送手段（９）の先端部が、前記苗（２）を実質的に垂直位置で解放するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の装置において、前記キール部材（４）の前記外周部が基端部分および先端部分を有し、前記先端部分が、前記基端部分より前記土壌接触面(３)の下方に増大した距離延在しており、好ましくは前記距離の増大が、前記キール部材（４）の前記長手方向軸に沿って漸進的であることを特徴とする装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の装置において、少なくとも２つの列に移植するために、少なくとも２つの移植モジュールが、並んで配置されていることを特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の装置において、植え付けられる前記苗（２）の垂直軸が、前記キール部材（４）の長手方向平面に対して平行であることを特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか一項に記載の装置において、前記搬送手段が格納式プッシャアームを備えることを特徴とする装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３の何れか一項に記載の装置において、前記移植モジュールに動作可能に連結されるギアボックスをさらに具備し、前記ギアボックスが、前記移植された苗の間の距離の調整を可能にし、好ましくは前記移植された苗の間の前記距離が、約８ｃｍから約２６ｃｍまでの範囲であることを特徴とする装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４の何れか一項に記載の装置を使用することを特徴とする、複数の苗を一列に移植する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月5日(2017.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受電装置に無線で電力を供給する送電装置であって、
前記送電装置の給電エリアと他の送電装置の給電エリアは重複し、
前記送電装置は、
特定の受電装置に電力を供給する役割を、前記送電装置と前記他の送電装置のいずれか一方に割り当てる割当手段と、
前記送電装置に割り当てられた受電装置に無線で電力を供給する無線給電手段とを備え、
前記特定の受電装置が、前記送電装置の給電エリアのうち前記他の送電装置の給電エリアと重複していないエリアに存在する場合、前記割当手段は、前記特定の受電装置を前記送電装置に割り当て、
前記特定の受電装置が、前記他の送電装置の給電エリアのうち前記送電装置の給電エリアと重複していないエリアに存在する場合、前記割当手段は、前記特定の受電装置を前記他の送電装置に割り当て、
前記特定の受電装置が、前記送電装置の給電エリアと前記他の送電装置の給電エリアとが重複しているエリアに存在する場合、前記割当手段は、前記送電装置と前記他の送電装置のいずれか一方に前記特定の受電装置を割り当てることを特徴とする送電装置。
【請求項２】
前記特定の受電装置が、前記送電装置の給電エリアと前記他の送電装置の給電エリアとが重複しているエリアに存在する場合、前記割当手段は、前記送電装置に割り当て済みの受電装置の数と前記他の送電装置に割り当て済みの受電装置の数とに基づいて、前記特定の受電装置の割り当て先として前記送電装置と前記他の送電装置のいずれか一方を選択することを特徴とする請求項１に記載の送電装置。
【請求項３】
前記送電装置に割り当て済みの受電装置の数が前記他の送電装置に割り当て済みの受電装置の数より多い場合、前記割り当て手段は、前記特定の受電装置を前記他の送電装置に割り当て、
前記他の送電装置に割り当て済みの受電装置の数が前記送電装置に割り当て済みの受電装置の数より多い場合、前記割り当て手段は、前記特定の受電装置を前記送電装置に割り当てることを特徴とする請求項２に記載の送電装置。
【請求項４】
前記特定の受電装置が、前記送電装置の給電エリアと前記他の送電装置の給電エリアとが重複しているエリアに存在する場合、前記割当手段は、前記送電装置の給電能力と前記他の送電装置の給電能力とに基づいて、前記特定の受電装置の割り当て先として前記送電装置と前記他の送電装置のいずれか一方を選択することを特徴とする請求項１に記載の送電装置。
【請求項５】
前記特定の受電装置が、前記送電装置の給電エリアと前記他の送電装置の給電エリアとが重複しているエリアに存在する場合、前記割当手段は、前記送電装置と前記特定の受電装置との間の距離と、前記他の送電装置と前記特定の受電装置との間の距離とに基づいて、前記特定の受電装置の割り当て先として前記送電装置と前記他の送電装置のいずれか一方を選択することを特徴とする請求項１に記載の送電装置。
【請求項６】
前記送電装置と前記特定の受電装置との間の距離が、前記他の送電装置と前記特定の受電装置との間の距離より短い場合、前記割り当て手段は、前記特定の受電装置を前記送電装置に割り当て、
前記他の送電装置と前記特定の受電装置との間の距離が、前記送電装置と前記特定の受電装置との間の距離より短い場合、前記割り当て手段は、前記特定の受電装置を前記他の送電装置に割り当てることを特徴とする請求項５に記載の送電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】送電装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は送電装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る送電装置は、受電装置に無線で電力を供給する送電装置であって、前記送電装置の給電エリアと他の送電装置の給電エリアは重複し、前記送電装置は、特定の受電装置に電力を供給する役割を、前記送電装置と前記他の送電装置のいずれか一方に割り当てる割当手段と、前記送電装置に割り当てられた受電装置に無線で電力を供給する無線給電手段とを備え、前記特定の受電装置が、前記送電装置の給電エリアのうち前記他の送電装置の給電エリアと重複していないエリアに存在する場合、前記割当手段は、前記特定の受電装置を前記送電装置に割り当て、前記特定の受電装置が、前記他の送電装置の給電エリアのうち前記送電装置の給電エリアと重複していないエリアに存在する場合、前記割当手段は、前記特定の受電装置を前記他の送電装置に割り当て、前記特定の受電装置が、前記送電装置の給電エリアと前記他の送電装置の給電エリアとが重複しているエリアに存在する場合、前記割当手段は、前記送電装置と前記他の送電装置のいずれか一方に前記特定の受電装置を割り当てることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月23日(2017.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リモートアクセスセッションデータをカプセル化するための方法（７００）であって、
インバウンド接続を防止するファイアウォール（１０８）の背後のオンサイトシステム（１１０）へのリモート接続の要求をエンドユーザコンピュータ（１１９、１３４）から受信するステップ（７１０）と、
中央システム（１１４）に関連するオンサイトプロセッサにより前記オンサイトシステム（１１０）からの以前のメッセージに対する応答内でセッション要求メッセージを起動するステップ（７２０）であって、前記要求メッセージは、アウトバウンド以外の通信を防ぎ、応答以外のメッセージをブロックする予め選択されたトラヒックポートに送られる、起動するステップ（７２０）と、
中央システム（１１４）に関連するオンサイトプロセッサに存在するインテリジェントソフトウェアモジュールにより、前記要求メッセージを受け取るステップと、
前記インテリジェントソフトウェアモジュールにより、前記オンサイトシステム（１１０）とリモート接続サーバ（１１８）との間で接続を確立するステップ（７３０）と、
前記オンサイトシステム（１１０）により前記中央システム（１１４）で安全なトンネルを開くステップ（７４０）と、
前記オンサイトシステム（１１０）により送信のためのデータを暗号化するステップ（７５０）であって、該データは、複数のセンサと通信する複数のオンサイトコントローラからのオペレーショナル情報を含む、暗号化するステップ（７５０）と、
前記オンサイトシステム（１１０）により認証処理を完了させるステップ（７６０）と、
前記エンドユーザコンピュータ（１１９、１３４）と前記オンサイトシステム（１１０）との間で接続を確立するステップ（７８０）と、
前記オンサイトシステム（１１０）から前記エンドユーザコンピュータ（１１９、１３４）に前記データを転送するステップ（７７０）と
を含む、方法（７００）。
【請求項２】
前記オンサイトシステム（１１０）により前記中央システム（１１４）で安全なトンネルを開くこと（７４０）は、セキュアソケットレイヤプロトコルまたはトランスポートレイヤセキュリティを使用するステップを備える、請求項１に記載の方法（７００）。
【請求項３】
前記送信のためのデータを暗号化すること（７５０）は、検査された暗号ライブラリを使用するステップを備える、請求項１に記載の方法（７００）。
【請求項４】
リモートアクセスセッションデータをカプセル化するためのシステム（１００）であって、
インバウンド接続を防止するファイアウォール（１０８）の背後のオンサイトシステム（１１０）へのリモート接続の要求をエンドユーザコンピュータ（１１９、１３４）から受信するように動作可能な、コンピュータプロセッサを備える中央システム（１１４）を備え、
前記中央システム（１１４）は前記オンサイトシステム（１１０）と通信し、
前記コンピュータプロセッサは、前記オンサイトシステム（１１０）からの以前のメッセージに対する応答内でセッション要求メッセージを起動するように動作可能であり、
前記要求メッセージは、アウトバウンド以外の通信を防ぎ、応答以外のメッセージをブロックする予め選択されたトラヒックポートに送られ、
前記オンサイトシステム（１１０）は、
前記オンサイトシステム（１１０）に関連するオンサイトプロセッサに存在するインテリジェントソフトウェアモジュールにより、前記要求メッセージを受け取り、
リモートデスクトップサーバ（１１８）に接続し（７３０）、
前記中央システム（１１４）への安全なトンネルを開き（７４０）、
前記中央システム（１１４）への送信のためのデータを暗号化し（７５０）、
認証処理を完了させ（７６０）、
前記中央システム（１１４）に前記データを送信する（７７０）
ように動作可能であり、
前記データは、複数のセンサと通信する複数のオンサイトコントローラからのオペレーショナル情報を含む、
システム（１００）。
【請求項５】
前記中央システム（１１４）への安全なトンネルを開くこと（７４０）は、セキュアソケットレイヤプロトコルまたはトランスポートレイヤセキュリティを使用することを備える、請求項４に記載のシステム（１００）。
【請求項６】
前記ファイアウォール（１０８）は、標準的な双方向トランスポート制御プロトコル通信を防止する、請求項４に記載のシステム（１００）。
【請求項７】
前記データは、複数のオンサイトコントローラ（１１１）からのオペレーショナル情報を備える、請求項４に記載のシステム（１００）。