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【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯粒子と、前記芯粒子を覆う外殻と、を有するトナー粒子を有するトナーであって、
前記芯粒子が、結着樹脂と、下記式（１）または（２）に示される部分構造を有する有機ケイ素重合体と、を含有し、
前記有機ケイ素重合体が、前記芯粒子の表面部に偏在しており、
前記外殻が、前記芯粒子の表面部の外表面にガラス転移温度が５０．０℃乃至９５．０℃の樹脂微粒子を固着することにより形成されたものであることを特徴とするトナー。
【化１】
2016011993.tif 000001
（式（２）において、Ｌは、メチレン基、エチレン基またはフェニレン基を表す。）
【請求項２】
前記トナー粒子のＴＨＦ不溶分の29Ｓｉ−ＮＭＲの測定で得られるＮＭＲチャートにおいて、
前記ＮＭＲチャートに示される前記有機ケイ素重合体の全ピークの総面積に対する下記式（３）の構造に帰属されるピーク面積の割合（ＳＱ３）が０．４０以上であることを特徴とする請求項１に記載のトナー。
Ｒf−Ｓｉ−Ｏ3/2                                      （３）
（式（３）において、Ｒfは、下記式（ｉ）〜（ｉｖ）に示される部分構造のいずれかを表す。
【化２】
2016011993.tif 000002
（式（ｉ）〜（ｉｖ）において、＊は、ケイ素原子との結合手を表す。式（ｉｉ）及び（ｉｖ）において、Ｌは、それぞれメチレン基、エチレン基またはフェニレン基を表す。））
【請求項３】
前記有機ケイ素重合体が、下記式（Ｚ）に示される有機ケイ素化合物を含む重合性単量体の重合体であることを特徴とする請求項１または２に記載のトナー。
【化３】
2016011993.tif 000003
（式（Ｚ）において、Ｒ1は、下記式（ｉ）または（ｉｉ）に示される部分構造を表し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれハロゲン原子、水酸基またはアルコキシ基を表す。
【化４】
2016011993.tif 000004
（式（ｉ）および（ｉｉ）において、＊は、ケイ素原子との結合手を表す。式（ｉｉ）において、Ｌは、メチレン基、エチレン基またはフェニレン基を表す。））
【請求項４】
前記樹脂微粒子の体積基準のメジアン径（Ｄ５０）が、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のトナー。
【請求項５】
前記芯粒子が、融点が５５乃至９０℃のポリエステル樹脂を含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のトナー。
【請求項６】
前記ポリエステル樹脂が、ビニルポリマー部位およびポリエステル部位を有するブロックポリマーであることを特徴とする請求項５に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ケイ素重合体を含有する表層と荷電制御剤を有するトナー粒子を有するトナーであり、
該有機ケイ素重合体は、下記式（Ｔ３Ｒ）
【化１】
2016011971.tif 000001
（式中のＲは炭素数が１以上６以下の炭化水素基である。）
で表わされるユニットを有し、
前記トナー粒子の表面のＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  ｆｏｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いた測定において、トナー粒子表面の炭素元素濃度ｄＣ、酸素元素濃度ｄＯ、ケイ素元素濃度ｄＳｉの合計濃度（ｄＣ＋ｄＯ＋ｄＳｉ）に対するケイ素元素濃度ｄＳｉが０．５０ａｔｏｍｉｃ％以上であり、
前記荷電制御剤が式（ａ１）で示される構造ａを有する重合体Ａであることを特徴とするトナー。
【化２】
2016011971.tif 000002
（式中、Ｒ1は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数１以上１８以下のアルキル基、または、炭素数１以上１８以下のアルコキシル基を表し、Ｒ2は、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１以上１８以下のアルキル基、または、炭素数１以上１８以下のアルコキシル基を表し、ｇは１以上３以下の整数を表し、ｈは０以上３以下の整数を表し、ｈが２または３の場合、Ｒ1はそれぞれ独立して選択でき、※※は重合体Ａにおける結合部位である。）
【請求項２】
該トナー粒子のＴＨＦ不溶分の29Ｓｉ−ＮＭＲの測定において、該有機ケイ素重合体の全ピーク面積に対する前記式（Ｔ３Ｒ）の構造のピーク面積の割合ＲＳ（Ｔ３Ｒ）が、
ＲＳ（Ｔ３Ｒ）≧０．２０                （１）
を満たすことを特徴とする請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記トナー粒子のＴＨＦ不溶分の29Ｓｉ−ＮＭＲの測定において、該有機ケイ素重合体の全ピーク面積に対し、ケイ素に結合するシロキシ基の数が３．０である（ＳＸ３）の構造のピーク面積の割合Ｓ（ＳＸ３）とケイ素に結合するＯ1/2の数が２．０である（ＳＸ２）構造のピーク面積Ｓ（ＳＸ２）の割合の関係が
Ｓ（ＳＸ３）／Ｓ（ＳＸ２）≧１．００        （２）
を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた前記トナー粒子の断面の観察によって測定される、有機ケイ素重合体を含有する表層の平均厚みＤが２．５ｎｍ以上１５０．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項５】
該有機ケイ素重合体は、下記式（Ｚ）
【化３】
2016011971.tif 000003
（式中のＲ１は炭素数１〜６の炭化水素基であり、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立してハロゲン原子、水酸基またはアルコキシ基である。）
で表わされる構造を有する化合物の重合体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項６】
前記式（Ｚ）中のＲ１はメチル基、エチル基、プロピル基またはアリール基であることを特徴とする請求項５に記載のトナー。
【請求項７】
前記式（Ｚ）中のＲ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立してアルコキシ基であることを特徴とする請求項５又は６に記載のトナー。
【請求項８】
前記構造ａが式（ａ２）で表される部分構造で、前記重合体Ａ中に含まれることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のトナー。
【化４】
2016011971.tif 000004
（式中、Ｒ3は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数１以上１８以下のアルキル基、または、炭素数１以上１８以下のアルコキシル基を表し、
Ｒ4は、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１以上１８以下のアルキル基、または、炭素数１以上１８以下のアルコキシル基を表し、
Ｒ5は水素原子またはメチル基を表し、
ｉは１以上３以下の整数を表し、ｊは０以上３以下の整数を表し、ｊが２または３の場合、Ｒ3はそれぞれ独立して選択できる。）
【請求項９】
前記重合体Ａ中の構造ａの含有量が１０μｍｏｌ／ｇ以上１５００μｍｏｌ／ｇ以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ケイ素重合体を含有する表層と荷電制御剤を有するトナー粒子を有するトナーであり、該有機ケイ素重合体は、下記式（１）または（２）
【化１】
2016011974.tif 000001
【化２】
2016011974.tif 000002
（式（２）中のＬはメチレン基、エチレン基またはフェニレン基を表わす。）
で表わされるユニットを有し、
前記トナー粒子の表面のＥＳＣＡ  （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  ｆｏｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いた測定において、トナー粒子表面の炭素元素濃度ｄＣ、酸素元素濃度ｄＯ、ケイ素元素濃度ｄＳｉの合計濃度（ｄＣ＋ｄＯ＋ｄＳｉ）に対するケイ素濃度ｄＳｉが０．５０ａｔｏｍｉｃ％以上であり、
前記荷電制御剤が式（ａ１）で示される構造ａを有する重合体Ａであることを特徴とするトナー。
【化３】
2016011974.tif 000003
（式中、Ｒ1は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数１以上１８以下のアルキル基、または、炭素数１以上１８以下のアルコキシル基を表し、Ｒ2は、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１以上１８以下のアルキル基、または、炭素数１以上１８以下のアルコキシル基を表し、ｇは、１以上３以下の整数を表し、ｈは０以上３以下の整数を表し、ｈが２または３の場合、Ｒ1はそれぞれ独立して選択でき、※※は重合体Ａにおける結合部位である。）
【請求項２】
該トナー粒子のＴＨＦ不溶分の29Ｓｉ−ＮＭＲの測定で得られるチャートにおいて、該有機ケイ素重合体の全ピーク面積に対する下記式（Ｔ３Ｒ）の構造に帰属されるピーク面積の割合ＲＳ（Ｔ３Ｒ）が、下記式（３）
ＲＳ（Ｔ３Ｒ）≧０．２０        式（３）
を満たすことを特徴とする請求項１に記載のトナー。
Ｒｆ−Ｓｉ（Ｏ1/2）3                        式（Ｔ３Ｒ）
（式中、Ｒｆは、下記式（ｉ）〜（ｉｖ）
ＣＨ2＝ＣＨ−＊          （ｉ）
ＣＨ2＝ＣＨ−Ｌ−＊      （ｉｉ）
【化４】
2016011974.tif 000004
【化５】
2016011974.tif 000005
（式（ｉ）〜（ｉｖ）中の＊は、ケイ素原子との結合部。式（ｉｉ）及び（ｉｖ）中のＬは、それぞれ独立してメチレン基、エチレン基またはフェニレン基を表わす。）
からなる群より選択される少なくとも一つの構造である。）
【請求項３】
前記トナー粒子のＴＨＦ不溶分の29Ｓｉ−ＮＭＲの測定において、該有機ケイ素重合体の全ピーク面積に対し、ケイ素に結合するＯ1/2の数が３．０である（ＳＸ３）の構造のピーク面積の割合Ｓ（ＳＸ３）とケイ素に結合するＯ1/2の数が２．０である（ＳＸ２）構造のピーク面積Ｓ（ＳＸ２）の割合の関係が
Ｓ（ＳＸ３）／Ｓ（ＳＸ２）≧１．００        （２）
を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた前記トナー粒子の断面の観察によって測定される、有機ケイ素重合体を含有する表層の平均厚みＤが２．５ｎｍ以上１５０．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項５】
該有機ケイ素重合体は、下記式（Ｚ）
【化６】
2016011974.tif 000006
（式（Ｚ）中のＲ1は、式（ｉ）〜（ｖ）からなる群より選択される少なくとも一つの構造である）
で表わされる構造を有する化合物の重合体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項６】
前記式（Ｚ）中のＲ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立してアルコキシ基であることを特徴とする請求項５に記載のトナー。
【請求項７】
前記構造ａが式（ａ２）で表される部分構造で、前記重合体Ａ中に含まれることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のトナー。
【化７】
2016011974.tif 000007
（式中、Ｒ3は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数１以上１８以下のアルキル基
、または、炭素数１以上１８以下のアルコキシル基を表し、
Ｒ4は、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１以上１８以下のアルキル基、または、炭素
数１以上１８以下のアルコキシル基を表し、
Ｒ5は水素原子またはメチル基を表し、
ｉは１以上３以下の整数を表し、ｊは０以上３以下の整数を表し、ｊが２または３の
場合、Ｒ3はそれぞれ独立して選択できる。）
【請求項８】
前記重合体Ａ中の構造ａの含有量が１０μｍｏｌ／ｇ以上１５００μｍｏｌ／ｇ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トナー及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記トナー粒子の表面のＸ線光電子分光分析（ＥＳＣＡ）を用いた測定において、トナー表面の炭素元素濃度ｄＣ、酸素元素濃度ｄＯ、ケイ素元素濃度ｄＳｉの合計濃度（ｄＣ＋ｄＯ＋ｄＳｉ）に対するケイ素元素の濃度ｄＳｉが０．５ａｔｏｍｉｃ％以上であり、
前記顔料分散剤の前記結着樹脂とのＳＰ値差が±２．０以下であり、顔料への吸着率が３０％以上であることを特徴とするトナーに関する。
また、本発明は、上記構成のトナーの製造方法であって、
重合性単量体、顔料、顔料分散剤及び有機ケイ素化合物を含有する重合性単量体組成物を水系媒体中で造粒し、前記重合性単量体を重合することにより、トナー粒子を製造する工程を有することを特徴とするトナーの製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ケイ素重合体を含有する表層と結着樹脂、顔料、顔料分散剤を有するトナー粒子を有するトナーであり、該有機ケイ素重合体は、下記式（１）で表わされるユニットを有し、
【化１】
2016011972.tif 000001
（式（１）中のＲは炭素数６以下の炭化水素基またはアリール基である。）
上記トナー粒子の表面のＸ線光電子分光分析（ＥＳＣＡ）を用いた測定において、トナー表面の炭素元素濃度ｄＣ、酸素元素濃度ｄＯ、ケイ素元素濃度ｄＳｉの合計濃度（ｄＣ＋ｄＯ＋ｄＳｉ）に対するケイ素元素濃度ｄＳｉが０．５ａｔｏｍｉｃ％以上であり、
前記顔料分散剤の前記結着樹脂とのＳＰ値差が±２．０以下であり、顔料への吸着率が３０％以上であることを特徴とするトナー。
【請求項２】
前記顔料分散剤が、アゾ化合物であることを特徴とする請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記顔料分散剤が、顔料への吸着性のある吸着成分と、結着樹脂及び分散媒体への親和性のあるポリマー成分及び、ポリマー成分と吸着成分を結合する連結部分で構成される請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
該トナー粒子のＴＨＦ不溶分の29Ｓｉ−ＮＭＲの測定で得られるチャートにおいて、該有機ケイ素重合体の全ピーク面積に対する前記式（１）の構造に帰属されるピーク面積の割合ＳＴ３が、下記式（ａ）
ＳＴ３≧０．４０      （ａ）
を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項５】
前記トナー粒子のＴＨＦ不溶分の29Ｓｉ−ＮＭＲの測定において、該有機ケイ素重合体の全ピーク面積に対し、ケイ素に結合するシロキシ基の数が３．０である（ＳＸ３）の構造のピーク面積の割合Ｓ（ＳＸ３）とケイ素に結合するＯ1/2の数が２．０である（ＳＸ２）の構造のピーク面積Ｓ（ＳＸ２）の割合の関係がＳ（ＳＸ３）／Ｓ（ＳＸ２）≧１．００を満たすことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項６】
前記トナー粒子の断面観察における透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いたトナー粒子の断面の観察において、前記トナー粒子断面の長軸Ｌと長軸Ｌの中心を通りかつ垂直な軸Ｌ９０の交点を中心にして均等に１６分割したときの中心からの軸をそれぞれＲＡｎ（ｎ＝１〜３２）とした時、前記軸上の３２箇所の有機ケイ素重合体を含有するトナー粒子の表層の平均厚みＤａｖ．が２．５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項７】
前記有機ケイ素重合体は、下記式（２）で表わされる構造有する化合物の重合体であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のトナー。
【化２】
2016011972.tif 000002
（前記式（２）中のＲ1は炭素数６以下の炭化水素基であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、水酸基又はアルコキシ基である。）
【請求項８】
前記式（２）中のＲ1はメチル基、エチル基、プロピル基、アリル基のいずれかであることを特徴とする請求項１７に記載のトナー。
【請求項９】
前記式（２）中のＲ2、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ独立して、アルコキシ基であることを特徴とする請求項７又は８に記載のトナー。
【請求項１０】
前記顔料分散剤が、下記式（３）で表されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のトナー。
【化３】
2016011972.tif 000003
［前記一般式（３）中、Ｒ5、Ｒ6及びＡｒのいずれかは、単結合又は連結基を介してポリマー成分が結合する構造を有し、
Ｒ5は、アルキル基、フェニル基、ＯＲ9基又はＮＲ10Ｒ11基を表し、Ｒ9〜Ｒ11は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、フェニル基又はアラルキル基を表す。Ｒ5がポリマー成分と結合する場合、単結合又は連結基を介して結合し、Ｒ5に結合する連結基は、アミド基、エステル基、ウレタン基、ウレア基、アルキレン基、フェニレン基、−Ｏ−、−ＮＲ7−及び−ＮＨＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）−からなる群より選ばれる二価の連結基であり、Ｒ7は、水素原子、アルキル基、フェニル基又はアラルキル基を表す。
Ｒ6は、アルキル基、フェニル基、ＯＲ13基又はＮＲ14Ｒ15基を表し、Ｒ14およびＲ15は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、フェニル基又はアラルキル基を表す。Ｒ6がポリマー成分と結合する場合、単結合又は連結基を介して結合し、Ｒ6に結合する連結基は、アルキレン基、フェニレン基、−Ｏ−、−ＮＲ12−、−ＮＨＣＯＣ（ＣＨ3）2−及び−ＮＨＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）−からなる群より選ばれる二価の連結基であり、Ｒ12は、水素原子、アルキル基、フェニル基又はアラルキル基を表す。
Ａｒは、アリール基を表し、Ａｒがポリマー成分と結合する場合、単結合又は連結基を介して結合し、Ａｒに結合する連結基は、アミド基、エステル基、ウレタン基、ウレア基、アルキレン基、フェニレン基、−Ｏ−、−ＮＲ7−及び−ＮＨＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）−からなる群より選ばれる二価の連結基であり、Ｒ7は、水素原子、アルキル基、フェニル基又はアラルキル基を表す。
前記単結合又は連結基が、Ｒ5、Ｒ6、又はＡｒに結合する場合は、Ｒ5、Ｒ6、又はＡｒの水素原子と置換して結合する。］
【請求項１１】
前記ポリマー成分が、下記一般式（４）で表される単量体単位を構成成分として含む重合体又は共重合体であることを特徴とする請求項３〜１０のいずれか１項に記載のトナー。
【化４】
2016011972.tif 000004
［式（４）中、Ｒ16は水素原子又は炭素原子数が１若しくは２のアルキル基を表す。Ｒ17はフェニル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、又はカルボン酸アミド基を表す。］
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載のトナーの製造方法であって、
重合性単量体、顔料、顔料分散剤及び有機ケイ素化合物を含有する重合性単量体組成物を水系媒体中で造粒し、前記重合性単量体を重合することにより、トナー粒子を製造する工程を有することを特徴とするトナーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月26日(2017.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
表７に実施例１から６に係る条件式（１）から（８）の値を示す。
【表７】
2016011985.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から像側に向かって順に、開口絞りと、物体側と像側に凸面を向けた正の屈折力を有する第１レンズと、像側に凹面を向けた負の屈折力を有する第２レンズと、像側に凸面を向けたメニスカス形状で正の屈折力を有する第３レンズと、像側に凹面を向けた負の屈折力を有する両面が非球面の第４レンズとから構成され、Ｆ値が２．４よりも小さく、以下の条件式（１）、（２）、（３）、（４ａ）、および（５ｂ）を満足することを特徴とする撮像レンズ。
（１）  ０．８＜ｉｈ／ｆ＜０．９５
（２）  ＴＬＡ／２ｉｈ＜０．９
（３）  −４．０＜ｒ３／ｒ４＜６．０
（４ａ）  １．２＜ｆ１／ｆ３＜１．６
（５ｂ）  ２．３１≦ｆ２／ｆ４≦３．２８
ただし、
ｉｈ：最大像高
ｆ：撮像レンズ全系の焦点距離
ＴＬＡ：フィルタ類を取り外した際の最も物体側に位置する光学素子の物体側の面から像面までの光軸上の距離（光学全長）
ｒ３：第２レンズの物体側の面の曲率半径
ｒ４：第２レンズの像側の面の曲率半径
ｆ１：第１レンズの焦点距離
ｆ２：第２レンズの焦点距離
ｆ３：第３レンズの焦点距離
ｆ４：第４レンズの焦点距離
【請求項２】
以下の条件式（６）を満足することを特徴とする請求項１に記載の撮像レンズ。
（６）  −４．５＜ｒ３／ｆ＜５．５
ただし、
ｒ３：第２レンズの物体側の面の曲率半径
【請求項３】
以下の条件式（７）を満足することを特徴とする請求項１に記載の撮像レンズ。
（７）  ２．８＜ｒ５／ｒ６＜５．０
ただし、
ｒ５：第３レンズの物体側の面の曲率半径
ｒ６：第３レンズの像側の面の曲率半径
【請求項４】
以下の条件式（８）を満足することを特徴とする請求項１に記載の撮像レンズ。
（８）  −０．０５＜ｆ１２／ｆ３４＜０．８０
ただし、
ｆ１２：第１レンズと第２レンズの合成焦点距離
ｆ３４：第３レンズと第４レンズの合成焦点距離
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月27日(2017.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外輪と内輪が周方向に所定間隔で配置される複数の静翼により連結される静翼ユニットにおいて、
前記外輪の空洞部に設けられる蒸気外輪入口部と、
前記外輪の空洞部に前記蒸気外輪入口部に周方向に離間して設けられる蒸気外輪出口部と、
前記外輪の空洞部内で前記蒸気外輪入口部と前記蒸気外輪出口部とを連通する第１蒸気通路と、
を有し、
前記第１蒸気通路は、前記外輪の空洞部における内周側に沿って配置される、
ことを特徴とする静翼ユニット。
【請求項２】
前記第１蒸気通路は、チューブにより構成されることを特徴とする請求項１に記載の静翼ユニット。
【請求項３】
前記蒸気外輪入口部は、前記空洞部の一部が一対の入口仕切板により区画される外輪入口ヘッダと、前記外輪に設けられて前記外輪入口ヘッダに連通する蒸気供給口とを有し、前記蒸気外輪出口部は、前記空洞部の一部が一対の出口仕切板により区画される外輪出口ヘッダと、前記外輪に設けられて前記外輪出口ヘッダに連通する蒸気排出口とを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の静翼ユニット。
【請求項４】
前記外輪の空洞部に前記外輪入口ヘッダ及び前記外輪出口ヘッダに隣接してドレン排出部が設けられ、前記ドレン排出部が前記静翼の中空部に連通されることを特徴とする請求項３に記載の静翼ユニット。
【請求項５】
前記内輪の空洞部に設けられる蒸気内輪入口部と、前記内輪の空洞部に前記蒸気内輪入口部に周方向に離間して設けられる蒸気内輪出口部と、前記静翼内に設けられて前記蒸気外輪入口部と前記蒸気内輪入口部を連通する入口連通路と、前記静翼内に設けられて前記蒸気外輪出口部と前記蒸気内輪出口部を連通する出口連通路と、前記内輪の空洞部内で前記蒸気内輪入口部と前記蒸気内輪出口部とを連通する第２蒸気通路とが設けられることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の静翼ユニット。
【請求項６】
前記第２蒸気通路は、前記内輪の空洞部における外周側に沿って配置されることを特徴とする請求項５に記載の静翼ユニット。
【請求項７】
前記第２蒸気通路は、チューブにより構成されることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の静翼ユニット。
【請求項８】
ケーシングと、
前記ケーシング内に回転自在に支持されたロータと、
動翼の基端部が前記ロータに支持されて前記ロータの周方向に所定間隔で複数配置される複数段の動翼ユニットと、
静翼の基端部と先端部が前記ケーシングに支持されて前記ロータの周方向に所定間隔で複数配置される複数段の静翼ユニットと、
を有し、
前記複数段の静翼ユニットのうちの最終段の静翼ユニットとして請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の静翼ユニットが適用される、
ことを特徴とする蒸気タービン。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月16日(2017.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
旋回スクロールと、前記旋回スクロールと対向することで冷媒ガスを圧縮する圧縮室を形成する固定スクロールと、前記旋回スクロールのスラスト方向の荷重を支持するスラスト板と、を有するスクロール圧縮機構と、
前記スクロール圧縮機構で圧縮された前記冷媒ガスを、前記スラスト板の背面に背圧として作用させる背圧付与機構と、
前記背圧に基づく前記スラスト板の浮上量を規制する浮上量規制機構と、
前記スクロール圧縮機構と、前記背圧付与機構と、前記浮上量規制機構と、を収容するハウジングと、を備え、
前記浮上量規制機構は、
前記スラスト板を貫通するとともに、先端部分が前記ハウジングに固定される軸部と、
前記軸部に連なり、前記軸部よりも径の大きな頭部と、を備え、
前記スラスト板を前記頭部に係止させることで前記浮上量を規制する規制ピンを備えることを特徴とするスクロール圧縮機。
【請求項２】
前記頭部は、
前記スラスト板を貫通し、前記規制ピンが挿入される規制孔の段差に係止される、
請求項１に記載のスクロール圧縮機。
【請求項３】
前記旋回スクロールの自転を防止するピン−リング式の自転防止機構を備え、
前記自転防止機構の前記ピンが、前記規制ピンとして機能する、
請求項１に記載のスクロール圧縮機。
【請求項４】
旋回スクロールと、前記旋回スクロールと対向することで冷媒ガスを圧縮する圧縮室を形成する固定スクロールと、前記旋回スクロールのスラスト方向の荷重を支持するスラスト板と、を有するスクロール圧縮機構と、
前記スクロール圧縮機構で圧縮された前記冷媒ガスを、前記スラスト板の背面に背圧として作用させる背圧付与機構と、
前記背圧に基づく前記スラスト板の浮上量を規制する浮上量規制機構と、
前記スクロール圧縮機構と、前記背圧付与機構と、前記浮上量規制機構と、を収容するハウジングと、を備え、
前記浮上量規制機構は、
前記スラスト板の周縁が、前記ハウジングの内周壁に係止されることで、前記浮上量が規制されることを特徴とするスクロール圧縮機。
【請求項５】
前記旋回スクロールが備えるラップと前記固定スクロールが備えるラップの一方又は双方の先端面に、アブレイダブルコーティングが設けられている、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のスクロール圧縮機。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月25日(2017.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項３に記載のピストンリングにおいて、前記曲線が
x = a(cosθ+θb・sinθ)/α
y = a(sinθ-θcosθ)/β
a、b、α、βは定数
なる関係式を用いて表されることを特徴とするピストンリング。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記第１の曲面の前記断面に現れる曲線は、インボリュート曲線を変形した曲線で表されることが好ましく、前記曲線は、
x = a(cosθ+θb・sinθ)/α、
y = a(sinθ-θcosθ)/β、
a、b、α、βは定数、
なる関係式を用いて表されることがより好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
曲率半径（R）が連続的に増加する曲線としては、例えば、インボリュート曲線が挙げられる。インボリュート曲線は、円に巻き付けた糸をぴんと張った状態でほどいていくときの糸の端点が描く軌跡をいい、
x = cosθ+θsinθ
y = sinθ-θcosθ
で表されるが、本発明のピストンリングの外周摺動面の第１の曲面(2)に適した曲率変化とするためには、上記曲線をパラメータa、b、α、βを用いて変形し、
x = a(cosθ+θb・sinθ)/α
y = a(sinθ-θcosθ)/β
a、b、α、βは定数
なる関係式で表される曲線（変形インボリュート曲線）を用いることが好ましい。ここで、a、b、α、βは適用するピストンリングに応じて適宜設定できるが、aは3000〜10000、bは2〜3、αは1〜2、βは1〜5とすることが好ましい。上記関係式の座標軸を所定量回転し、且つ所定量平行移動することにより、例えばx軸をa1方向（リング軸に垂直な方向）、y軸をh1方向（リング軸方向）として、第１の曲面(2)の頂点を原点とした曲線を描くことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
仕上研磨により形成した外周摺動面の第１の曲面は、
x = a(cosθ+θb・sinθ)/α
y = a(sinθ-θcosθ)/β
a = 6000、b = 3、α= 1、β= 1.5
なる変形インボリュート曲線を用い、第１の曲面の頂点（燃焼室側上側面から3.5 mmの距離とした）が座標軸の原点となるように、上記変形インボリュート曲線の座標軸を適宜回転させ、平行移動して描いている。また、この場合、下側面から0.5 mmの位置の曲率半径が70 mm、頂点位置の曲率半径が300 mm、上側面から0.5 mmの位置の曲率半径が460 mmとなる。この形状に成形した成形砥石を用いて、第１の曲面を形成し、上下側面から0.5 mmの領域は面取り加工を施し、仕上研磨を完了した。また、燃焼室側の外周摺動面の後退量（t）は0.009 mmで、呼び径（d1）の0.002％であった。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
二次側のソフトシート機構１１は、ボールシートを成す環状シート体２１、シートリテーナ２２、バネ部材２３、シール部材２４、バックアップリング２５、受け部材２６を有している。
図２、図３において、環状シート体２１は、ＰＴＦＥよりも強度を有するＰＥＥＫ材等の樹脂製からなり、この環状シート体２１の内外周面の途中には段差部３０が設けられ、この段差部３０よりも先端側（ボール３側）にシート部３１、後端側（シートリテーナ２２側）に保持部３２が設けられている。段差部３０には、先端側に傾倒させたテーパ面３３が形成され、このテーパ面３３には、後述するシートリテーナ２２のカシメ縁部３４が密着シール可能に設けられている。本実施形態におけるテーパ面３３は、図において水平方向から略４５°の角度で設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図２に示したシートリテーナ２２は、ステンレス鋼や、ニッケル基合金（例えば、インコネル（登録商標）を含むが、これに限られない）を母材として形成され、環状シート体２１をボール３の所定位置に配置し、押圧シールするために設けられる。ニッケル基合金、特にインコネル（登録商標）を用いることにより、薄肉でも高強度を有し、水素ぜい化を受けにくく、更には後述するカシメ加工に必要な伸び特性を有するシートリテーナを得ることができる。シートリテーナ２２は、ボール３側に配設される拡径部４０と、この拡径部４０よりも縮径した筒部４１とを有している。シートリテーナ２２の内側には内部流路４２が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
一方、一次側のメタルシート機構１０においては、ボールシート部分がこのシートリテーナ２２と一体に同一の金属材料により形成され、その拡径部４０の先端に金属製シート部４６が形成される。このようにして、ボール３の一次側は、金属製シート部４６によりシールされる。この金属製シート部４６のシール面４６ａは、二次側のソフトシート機構１１におけるシート部３１のシール面３５と略同一形状に形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月22日(2016.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
SiO2、Al2O3を含有し、
モル％表示で、
B2O3が0〜8%であり、
R2Oが0.01〜0.8%であり、
BaO/ROが0.05〜1であり、
歪点が670℃以上である、ガラスから形成されるディスプレイ用ガラス基板。
ここで、ROは（MgO+CaO+SrO+BaO）を表しており、R2Oは(Li2O+Na2O+K2O)を表している。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月16日(2017.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片面が吸水性を有する陶磁器と、前記陶磁器に吸着されて前記陶磁器に積層される左官層とを備えたことを特徴とする左官積層品。
【請求項２】
前記陶磁器の前記左官層との積層面には凹凸部が形成されている請求項１に記載の左官積層品。
【請求項３】
前記陶磁器に開口部が形成されており、前記開口部の開口を形成する側面は、前記左官層が前記側面に積層されるように、開口部の外側面側が内側面側に比し開口の幅が広くなるように傾斜した傾斜面が形成されている請求項１又は請求項２に記載の左官積層品。
【請求項４】
前記陶磁器には上面と外側面とが形成されており、前記左官層が、少なくとも前記上面、前記外側面、および、これらの交差点に積層されている請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の左官積層品。
【請求項５】
前記左官積層品はかまど本体であって、底面から上端に向かって徐々に径が小さくなるように形成されており、かまどの外側面を構成する本体部と、かまどの底面を構成する底板部との少なくとも２部品で構成されている請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の左官積層品。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月11日(2017.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るヘッドレスト装置を示す斜視図である。
【図２】ヘッドレスト装置を示す斜視図である。
【図３】ヘッドレスト本体を分解した斜視図である。
【図４】ヘッドレスト装置の縦断面図である。
【図５】ヘッドレスト装置の縦断面図である。
【図６】ヘッドレスト装置の横断面図である。
【図７】図５における下部クロスメンバの周辺部の拡大図である。
【図８】ヘッドレスト装置の音のボリュームと制御基板の温度との関係を示す図表である。
【図９】第２の実施の形態におけるフレームの上部を示す正面図である。
【図１０】図９のＺ矢視図である。
【図１１】第３の実施の形態におけるフレームの構成を示す図である。
【図１２】第４の実施の形態に係るシートの構造を示す模式図である。
【図１３】シートの内部構成を示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
クッション芯材１２には、左右一対の音響スピーカー５０，５０と、音響マイク５１と、サブウーハー５２とが設けられる。詳細には、音響スピーカー５０，５０、音響マイク５１及びサブウーハー５２は、前面１２ａにおいてエンクロージャー部４０の前面である音響機器取り付け面４１に取り付けられる。
また、クッション芯材１２の内側には、制御基板５３（発熱体）と、制御基板５３に電源を供給するための二次電池５４とが収納される。制御基板５３には、外部から送られる音声信号をデジタルスピーカー用の音声信号に変換処理して音響スピーカー５０及びサブウーハー５２を動作させる音響信号処理回路や、音響マイク５１を制御するための制御回路などが搭載されている。制御基板５３は、アンプの機能を有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、各上部開口７１，７１は、正面視で音響スピーカー５０，５０に重なる位置に配置され、音響スピーカー５０，５０の後方にそれぞれ位置する。このため、左右の音響スピーカー５０，５０の駆動に起因する空気の流れを左右の上部開口７１，７１を介してバランス良く中空部７０，７０に流すことができ、左右のバランス良く低音を増強できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図１０は、図９のＺ矢視図である。
制御基板５３は、小径部３１７，３１７の外周面とＬＳＩ５３ａとの間に設けられる熱伝導部材８８を介して小径部３１７，３１７に取り付けられる。
本第２の実施の形態では、ヘッドレストステー部３１５，３１５において制御基板５３の近傍の部分である小径部３１７，３１７は、中空部３１７ａ，３１７ａの断面積が周囲よりも小さく形成されているため、制御基板５３の近傍の中空部３１７ａ，３１７ａを流れる空気の流速を大きくできる。このため、制御基板５３の熱を外側に効率良く放熱できる。
また、内側に凹んだ小径部３１７，３１７に制御基板５３が配置されるため、制御基板５３をコンパクトに配置できる。
さらに、ヘッドレストステー部３１５，３１５をバスレフダクトとして使用するため、低音を増強できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
なお、上記第１〜第４の実施の形態は本発明を適用した一態様を示すものであって、本発明は上記第１〜第４の実施の形態に限定されるものではない。
上記第１〜第４の実施の形態では、発熱体としての制御基板５３は、音響信号処理回路や、音響マイク５１を制御するための制御回路などが搭載されているものであるとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。発熱体は電子機器に関するものであれば良く、例えば、電動シートの動作を制御する制御基板や、ヘッドレスト装置１０に内蔵されたセンサー基板等であっても良い。
また、上記第４の実施の形態では、背もたれ部５の内部には、箱状の拡張エンクロージャー２８１が設けられるものとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、拡張エンクロージャー２８１を設けずに、背もたれ前面部２８０ａを孔空きの表皮や通気性の良い素材で形成して通気性が高い構成とし、背もたれ後面部２８０ｂ及び背もたれ部５の左右の側面の略全体をゴム系等の通気性の低い素材で覆う構成としても良い。この場合、背もたれ部５から放出される音を背もたれ前面部２８０ａ側に指向させて出力でき、拡張エンクロージャー２８１を設けた場合と同様の効果を得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月21日(2017.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一吐水孔から第一の吐水形態を吐水し、第二吐水孔から第二の吐水形態を吐水し、第
三吐水孔から使用者の頭上へと第三の吐水形態を吐水する吐水装置であって、
前記いずれかの吐水形態を選択可能である吐水形態選択部材と、
前記第一吐水孔と前記第二吐水孔と前記第三吐水孔とが接続され前記吐水形態選択部材の選択に応じて前記第一吐水孔と前記第二吐水孔と前記第三吐水孔とのいずれかと連通して流路を形成する流路形成部材とを備え、
前記吐水形態選択部材が、前記第一吐水孔と前記第二吐水孔と前記第三吐水孔とのいずれからも吐水されていない止水状態において前記第三の吐水形態の選択を禁止する禁止手段を有していると共に、
前記吐水形態選択部材により前記止水状態から前記第一の吐水形態または前記第二の吐水形態が選択された後に、前記禁止手段による禁止が解除されることを特徴とする吐水装置。
【請求項２】
前記吐水形態選択部材が、回転操作により前記第一の吐水形態および前記第二の吐水形態を選択し、前記回転操作の回転軸に沿った進退操作により前記前記第三の吐水形態を選択する操作ハンドルであることを特徴とする請求項１に記載の吐水装置。
【請求項３】
前記流路形成部材が、前記操作ハンドルの前記回転操作により前記第一吐水孔および前記第二吐水孔への給水を制御する回動弁と、前記操作ハンドルの進退操作により前記第三吐水孔への給水を制御する直動弁とを備えていることを特徴とする請求項２に記載の吐水装置。
【請求項４】
前記流路形成部材が、前記操作ハンドルの内周に挿入される挿入部を有し前記回動弁および前記直動弁を収納するケーシングを備え、
前記操作ハンドルが、前記挿入部の外周に設けられた突起と前記進退操作で当接して前記禁止手段を形成する凸部を前記操作ハンドルの内周面に備え、
前記止水状態において前記凸部と当接していた前記突起が、前記操作ハンドルの前記回転操作により前記凸部と離隔することを特徴とする請求項３に記載の吐水装置。
【請求項５】
前記ケーシングが、内部に水を供給する給水孔を有しており、
前記回動弁が、前記給水孔から供給された水の流入口を有し、
前記操作ハンドルを進退操作して前記第三の吐水形態を選択した際に前記直動弁が、前記流入口を封止することを特徴とする請求項４に記載の吐水装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本請求項４に係る発明は、請求項３に記載された吐水装置の構成に加えて、前記流路形成部材が、前記操作ハンドルの内周に挿入される挿入部を有し前記回動弁および前記直動弁を収納するケーシングを備え、前記操作ハンドルが、前記挿入部の外周に設けられた突起と前記進退操作で当接して前記禁止手段を形成する凸部を前記操作ハンドルの内周面に備え、前記止水状態において前記凸部と当接していた前記突起が、前記操作ハンドルの前記回転操作により前記凸部と離隔することにより、前述した課題を解決するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月16日(2017.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環式ポリアリーレンスルフィドおよびカルボン酸銅化合物を含む環式ポリアリーレンスルフィド組成物であって、カルボン酸銅化合物に含まれる銅原子の量が環式ポリアリーレンスルフィド中の硫黄原子に対し０．０１〜２０モル％であることを特徴とする環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
【請求項２】
環式ポリアリーレンスルフィドが下記一般式で示される環式化合物を５０重量％以上含むことを特徴とする請求項１に記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
【化１】
2016011382.tif 000001
（Ａｒはアリーレン基、ｑが４〜５０の整数であり、異なるqを有する混合物である）
【請求項３】
環式ポリアリーレンスルフィド組成物を３００℃で６０分間加熱した際の、加熱後の環式ポリアリーレンスルフィド組成物を３００℃、剪断速度２００ｓ―１で測定した溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
【請求項４】
環式ポリアリーレンスルフィド組成物を３００℃で６０分間加熱した際の、加熱後の環式ポリアリーレンスルフィド組成物中に含まれる環式ポリアリーレンスルフィド量が、加熱前の環式ポリアリーレンスルフィド組成物中に含まれる環式ポリアリーレンスルフィド量に対し７０％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
【請求項５】
環式ポリアリーレンスルフィド組成物を加熱した際の重量減少率が下記式を満たすことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
ΔＭｒ３００＝（Ｍ１−Ｍ２）／Ｍ１×１００≦０．３５（％）
（ここでΔＭｒ３００は重量減少率（％）であり、常圧の非酸化性雰囲気下で５０℃から３００℃温度まで昇温速度２０℃／分で昇温し、３００℃で３０分保持する熱重量分析を行った際に、３００℃到達時点の試料重量（Ｍ１）を基準とした３００℃到達後２０分後の試料重量（Ｍ２）から求められる値である。）
【請求項６】
カルボン酸銅化合物が、一般式（Ａ）で示されるカルボン酸構造と銅とからなるカルボン酸銅化合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
【化２】
2016011382.tif 000002
（ここで、Ｒは水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２４のアリール基、炭素数１〜１２のアルケニル基、炭素数１〜１２のアルキニル基、および式（Ｂ）で表される構造（置換基）からなる群より選ばれる置換基を表し、前記の各置換基の水素は炭素数１〜１２のアルキル基で置換されていてもよく、式（Ｂ）中のｋは０〜６の整数を表し、ｍは０または１の整数を表し、ｎは０〜６の整数を表す。）
【請求項７】
前記一般式（Ａ）で示されるカルボン酸構造中のＲが水素または前記式（Ｂ）で表される構造のうちｍが０である構造からなる群より選ばれる置換基であることを特徴とする請求項６に記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
【請求項８】
前記一般式（Ａ）で示されるカルボン酸構造中のＲが水素または前記式（Ｂ）で表される構造のうちｋおよびｎが０である構造からなる群より選ばれる置換基であることを特徴とする請求項６〜７のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
【請求項９】
前記一般式（Ａ）で示されるカルボン酸構造中のＲが水素またはメチル基であることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（Ａｒはアリーレン基ｑは４〜５０の整数であり、異なるqを有する混合物である）
３．環式ポリアリーレンスルフィド組成物を３００℃で６０分間加熱した際の、加熱後の環式ポリアリーレンスルフィド組成物を３００℃、剪断速度２００ｓ―１で測定した溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする１〜２のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
４．環式ポリアリーレンスルフィド組成物を３００℃で６０分間加熱した際の、加熱後の環式ポリアリーレンスルフィド組成物中に含まれる環式ポリアリーレンスルフィド量が、加熱前の環式ポリアリーレンスルフィド組成物中に含まれる環式ポリアリーレンスルフィド量に対し７０％以上であることを特徴とする１〜３のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
５．環式ポリアリーレンスルフィド組成物を加熱した際の重量減少率が下記式を満たすことを特徴とする１〜４のいずれかに記載のポリアリーレンスルフィド組成物。
ΔＭｒ３００＝（Ｍ１−Ｍ２）／Ｍ１×１００≦０．３５（％）
（ここでΔＭｒ３００は重量減少率（％）であり、常圧の非酸化性雰囲気下で５０℃から３００℃温度まで昇温速度２０℃／分で昇温し、３００℃で３０分保持する熱重量分析を行った際に、３００℃到達時点の試料重量（Ｍ１）を基準とした３００℃到達後２０分後の試料重量（Ｍ２）から求められる値である。）
６．カルボン酸銅化合物が、下記一般式（Ａ）で示されるカルボン酸構造と銅とからなるカルボン酸銅化合物であることを特徴とする１〜５のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィド組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月10日(2017.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体に晒される第１の電気抵抗体と、
気体に晒され、前記第１の電気抵抗体と同一構造の第２の電気抵抗体と、
前記第１の電気抵抗体に前記第１の電流値の電流を流し、前記第１の電流値の電流に応じて前記第１の電気抵抗体に生じた第１の電圧降下を測定する第１の測定部と、
前記第２の電気抵抗体に前記第１の電流値の電流を流し、前記第１の電流値の電流に応じて前記第２の電気抵抗体に生じた第２の電圧降下を測定する第２の測定部と、
前記第１の電気抵抗体に前記第１の電流値よりも大きい第２の電流値の電流を流して前記第１の電気抵抗体を発熱させ、前記第２の電流値の電流に応じて前記第１の電気抵抗体に生じた第３の電圧降下を測定する第３の測定部と、
前記第１の電圧降下と前記第２の電圧降下との差分に基づいて、前記第３の電圧降下を補正する補正値を算出する算出部と、
算出された補正値を用いて前記第３の電圧降下を補正し、補正後の前記第３の電圧降下に応じた圧力値を出力する出力部と
を備えることを特徴とする圧力測定装置。
【請求項２】
温度センサが設けられたベース基板をさらに備え、
前記第１の電気抵抗体および前記第２の電気抵抗体は、前記ベース基板上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の圧力測定装置。
【請求項３】
前記第２の電流値は、前記第１の電流値の２０倍以上、かつ、４０倍以下の範囲内の電流値であることを特徴とする請求項１または２に記載の圧力測定装置。
【請求項４】
前記算出部は、
前記補正値を前回算出してから所定時間が経過した場合、または、前記第３の測定部によって前記第３の電圧降下が所定回数測定された場合に、新たな前記補正値を算出することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の圧力測定装置。
【請求項５】
気体に晒されている第１の電気抵抗体に第１の電流値の電流を流すステップと、
前記第１の電流値の電流に応じて前記第１の電気抵抗体に生じた第１の電圧降下を測定するステップと、
前記第１の電気抵抗体と同一構造であり、気体に晒されている第２の電気抵抗体に、前記第１の電流値の電流を流すステップと、
前記第１の電流値の電流に応じて前記第２の電気抵抗体に生じた第２の電圧降下を測定するステップと、
前記第１の電気抵抗体に、前記第１の電流値よりも大きい第２の電流値の電流を流すステップと、
前記第２の電流値の電流に応じて前記第１の電気抵抗体に生じた第３の電圧降下を測定するステップと、
前記第１の電圧降下と前記第２の電圧降下との差分に基づいて、前記第３の電圧降下を補正する補正値を算出するステップと、
算出した補正値を用いて前記第３の電圧降下を補正し、補正後の前記第３の電圧降下に応じた圧力値を出力するステップと
を含むことを特徴とする圧力測定方法。
【請求項６】
前記第１の電気抵抗体および前記第２の電気抵抗体は、温度センサが設けられたベース基板上に配置されたセンサモジュールとして構成され、
当該圧力測定方法は、
処理ガスのプラズマにより被処理基板を処理する基板処理装置内における排気口付近、前記処理ガスの吐出口付近、前記被処理基板が載置される載置台内部に形成された温度調整用ガスを流通させるための配管内部の、少なくともいずれかに前記センサモジュールを配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の圧力測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
電極パッド１２ｅと電極パッド１２ｆとの間には、例えば図２に示すように、温度センサ３０が設けられている。温度センサ３０は、例えばベース基板１１の温度を確認するために用いられる。温度センサ３０は、電気抵抗体２０ａの近傍のベース基板１１の表面に線状に形成されている。温度センサ３０は、例えば電気抵抗体２０ａおよび電気抵抗体２０ｂと同じ材料により例えばミアンダ状に形成されている。温度センサ３０は、その表面が気体に晒されないようにパッシベーション層により覆われている。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月23日(2017.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
放射性物質を有する使用済燃料の集合体を収納する鋼製の内筒の外面と、該内筒の外側に同軸状に配置する鋼製の外筒の内面との間に、略等間隔に傾斜配備する所定枚数の銅製の伝熱銅フィンの両端面部を各々溶接するにあたって、前記内筒の外面の長手方向に前記伝熱銅フィンの片方端面部を突合せて形成された前記内筒側の広角傾斜の隅肉継手部、又は前記外筒の内面の長手方向に前記伝熱銅フィンの他方端面部を突合せて形成された前記外筒側の広角傾斜の隅肉継手部、若しくは前記内筒及び外筒の両面に形成された隅肉継手部に、先行ＴＩＧと後続ＭＩＧとの複合溶接によって溶接施工する金属キャスク用伝熱銅フィンの溶接装置において、
溶接すべき前記隅肉継手部の溶接線に対して、少なくとも先行ＴＩＧと後続ＭＩＧとの複合溶接が可能な一体構造のＴＩＧ−ＭＩＧ溶接トーチと、前記後続ＭＩＧ側の消耗電極であるシリコン入りのＣｕＳｉワイヤと、前記ＴＩＧ−ＭＩＧ溶接トーチの先端部から前記隅肉継手部の溶接部分及びその近傍に向けてガスを流出させるシールドガスと、前記ＴＩＧ−ＭＩＧ溶接トーチをアーム先端部に取付冶具を介して取付可能で、かつ、溶接方向に走行移動可能な長尺アームと、前記先行ＴＩＧの非消耗電極の極性を負極とし、前記隅肉継手側の極性を正極とした給電を行うＴＩＧ溶接電源と、前記後続ＭＩＧのＣｕＳｉワイヤの極性を正極とし、前記隅肉継手側の極性を負極とした給電及びワイヤ送給を行うＭＩＧ溶接電源とを備え、
前記隅肉継手部の溶接線の開始位置で、前記ＴＩＧ−ＭＩＧ溶接トーチの先端部から前記シールドガスを流出させながら、前記ＴＩＧ溶接電源から給電する第１の溶接電流（Ｉａ）と前記ＭＩＧ溶接電源から給電する第２の溶接電流（Ｉｂ）との比(Ｉａ/Ｉｂ)を所定の範囲で出力させ、前記先行ＴＩＧの非消耗電極に流れる第１の溶接電流（Ｉａ）と前記後続ＭＩＧの消耗ワイヤに流れる第２の溶接電流（Ｉｂ）とで生じる反発作用の磁力によって、相互に反発し合うＴＩＧアークとＭＩＧアークを前記隅肉継手部の溶接開始位置に発生させると共に、反発し合う前記ＴＩＧアークとＭＩＧアークで１つの溶融プールを形成させ、前記ＴＩＧアークとＭＩＧアーク及び前記１つの溶融プールによる複合溶接によって、前記隅肉継手部の溶接線の開始位置から終了位置まで溶接施工することを特徴とする金属キャスク用伝熱銅フィンの溶接装置。