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【手続補正書】
【提出日】平成28年11月29日(2016.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体上に画像形成を行う画像形成装置に用いられる液冷方式の冷却装置において、
１個の放熱手段に対して風を当てる複数の送風ファンを設け、
前記記録媒体の種類に応じて冷却能力を変化させることを特徴とする冷却装置。
【請求項２】
請求項１に記載の冷却装置において、
前記複数の送風ファンの回転のオンとオフの組み合わせにより、
前記記録媒体の種類に応じて冷却能力を変化させることを特徴とする冷却装置。
【請求項３】
請求項１に記載の冷却装置において、
前記複数の送風ファンの回転速度を調整することにより、
前記記録媒体の種類に応じて冷却能力を変化させることを特徴とする冷却装置。
【請求項４】
液冷方式の冷却装置を備えた画像形成装置において、
前記冷却装置として、請求項１乃至３のいずれか一に記載の冷却装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
請求項４に記載の画像形成装置において、
画像形成を行う記録媒体の種類に応じて、オペレータが操作部のオペレータパネルから入力した情報に基づいて、
前記冷却装置の冷却能力を変化させることを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
請求項４に記載の画像形成装置において、
前記記録媒体の種類を検知する検知手段を設け、該検知手段により検知された記録媒体の種類の情報に基いて、
前記冷却装置の冷却能力を変化させることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月19日(2017.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乳化凝集トナー粒子のスラリーから濾過ケーキを作成することと；
前記濾過ケーキをメタノールで洗浄することによって、多孔性トナー粒子を作ることとを含む、プロセス。
【請求項２】
前記乳化凝集トナー粒子が、スチレン、アクリレート、メタクリレート、ブタジエン、イソプレン、アクリル酸、メタクリル酸、アクリロニトリル、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるモノマー単位から作られるコポリマーを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記乳化凝集トナー粒子が、極性モノマー含有量がコポリマー中の合計モノマー含有量の１重量％〜１５重量％であるコポリマーから作られる、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記多孔性トナー粒子の空隙率は、未処理粒子と比較して、密度の低下が１％〜５０％の範囲である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記乳化凝集トナー粒子は、シェル−コア構造を有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
前記シェルおよびコアに孔が存在する、請求項５に記載のプロセス。
【請求項７】
前記シェルの空隙率は、前記コアの空隙率より小さい、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記シェルの空隙率は、前記コアの空隙率より大きい、請求項６に記載のプロセス。
【請求項９】
前記多孔性トナー粒子は、未処理粒子と比較して、密度の低下が１％〜５０％の範囲である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
水、酸、塩基、またはこれらの組み合わせを用いた洗浄工程をさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記多孔性トナー粒子を乾燥させることをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１２】
乳化凝集トナー粒子のスラリーから濾過ケーキを作成することと；
濾過ケーキをメタノールで洗浄することによって多孔性トナー粒子を作ることと；
多孔性トナー粒子を乾燥させることと；
によって多孔性トナー粒子を与えることを含む、プロセス。
【請求項１３】
前記多孔性トナー粒子の空隙率は、未処理粒子と比較して、密度の低下が１％〜５０％の範囲である、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記乾燥させた多孔性トナー粒子を外部トナー添加剤で処理することをさらに含む、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記外部トナー添加剤が、電荷制御剤、剥離剤、改質シリカ、改質チタニア、有機スペーサー、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１４に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月22日(2017.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターンを作成する作成方法において、
複数のセルを含むセルライブラリからセルを選択する工程と、
選択されたセル内に、選択されたセルの第１パターンとは異なる第２パターンを追加して配置する配置工程と、
前記第１パターンと前記第２パターンを含む前記選択されたセルのパターンに対して第１光近接効果補正を行う工程と、
前記第１光近接効果補正がなされた前記第１パターンと前記第２パターンを含む前記選択されたセルとその他のセルが近接して配置された複数のセルのパターンに対して第２光近接効果補正を行う工程と、
前記第２光近接効果補正がなされた前記複数のセルのパターンを含むマスクのパターンを作成する作成工程とを情報処理装置が行い、
作成されたマスクのパターンにおける前記第１パターンと前記第２パターンは、基板上に形成された１方向に延びるラインパターン上に解像され、解像された前記第１パターンと前記第２パターンによって前記ラインパターンをカットするためのパターンである、
ことを特徴とする作成方法。
【請求項２】
前記配置工程において、セルの範囲を示す境界線上に前記第２パターンを配置することを特徴とする請求項１に記載の作成方法。
【請求項３】
前記配置工程において、前記境界線に沿った方向に前記第２パターンを並べて配置することを特徴とする請求項２に記載の作成方法。
【請求項４】
前記第１パターンが互いに異なる複数のセルについて、前記配置工程及び前記第１光近接効果補正の工程を行って、前記光近接効果補正がなされた前記第１パターンと前記第２パターンを含む前記複数のセルを作成し、
前記補正工程において、前記複数のセルのそれぞれの境界線にあるパターンが互いに同じ形状となるように、前記第１パターンと前記第２パターンを含むパターンに対して光近接効果補正を行うことを特徴とする請求項２又は３に記載の作成方法。
【請求項５】
前記配置工程において、セルの範囲を示す境界線のうち前記ラインパターンに対して垂直な方向の境界線に前記第２パターンを並べて配置することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の作成方法。
【請求項６】
請求項１に記載の作成方法を用いてマスクパターンのデータを作成する工程と、作成されたマスクパターンのデータを用いて前記マスクを製造する工程とを有するマスク製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のマスク製造方法を用いてマスクを製造する工程と、
製造されたマスクを用いて基板を露光する工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項８】
請求項７に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
露光された基板を現像する工程とを有し、現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の作成方法を情報処理装置に実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の作成方法を実行する情報処理装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の作成方法を用いて、電子線露光装置で用いられるパターンのデータを作成する工程と、
該作成されたパターンのデータを用いて、前記電子線露光装置により基板を露光する工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１２】
マスクのパターンを作成する作成方法において、
１方向に延びるラインパターンを基板上に形成した後に前記ラインパターンをカットするためのカットパターンと、前記基板上に形成された前記カットされたラインパターンを含むデバイスの作動に影響を及ぼさない位置に配置されたダミーのパターンと、をセル内に含むセルのパターンに対して第１光近接効果補正を行う補正工程と、
前記光近接効果補正がなされた前記カットパターンと前記ダミーのパターンを含む前記セルとその他のセルが並んで配置された複数のセルのパターンに対して第２光近接効果補正を行う工程と、
前記第２光近接効果補正がなされた前記複数のセルのパターンを含むマスクのパターンを作成する作成工程とを情報処理装置が行うことを特徴とする作成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の一側面としての作成方法は、マスクのパターンを作成する作成方法において、複数のセルを含むセルライブラリからセルを選択する工程と、選択されたセル内に、選択されたセルの第１パターンとは異なる第２パターンを追加して配置する配置工程と、前記第１パターンと前記第２パターンを含む前記選択されたセルのパターンに対して第１光近接効果補正を行う工程と、前記第１光近接効果補正がなされた前記第１パターンと前記第２パターンを含む前記選択されたセルとその他のセルが近接して配置された複数のセルのパターンに対して第２光近接効果補正を行う工程と、前記第２光近接効果補正がなされた前記複数のセルのパターンを含むマスクのパターンを作成する作成工程とを情報処理装置が行い、作成されたマスクのパターンにおける前記第１パターンと前記第２パターンは、基板上に形成された１方向に延びるラインパターン上に解像され、解像された前記第１パターンと前記第２パターンによって前記ラインパターンをカットするためのパターンである、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月9日(2017.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基板と、
前記基板上の、半導体膜を有するトランジスタと、
前記基板上の、容量素子と、
前記半導体膜を覆う絶縁膜と、を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間の誘電体膜と、を有し、
前記第１の電極は前記誘電体膜と接する領域を有し、
前記絶縁膜は、前記領域を覆わないことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
可撓性を有する基板と、
前記基板上の、半導体膜を有するトランジスタと、
前記基板上の、容量素子と、
前記半導体膜を覆う絶縁膜と、を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間の誘電体膜と、を有し、
前記第１の電極は前記誘電体膜と接する領域を有し、
前記絶縁膜の開口部は、前記領域と重なることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の電極は、前記半導体膜と同一表面上に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
可撓性を有する基板と、
前記基板上の、酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
前記基板上の、容量素子と、
前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜と、を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間の誘電体膜と、を有し、
前記第１の電極は前記誘電体膜と接する領域を有し、
前記絶縁膜は、前記領域を覆わないことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
可撓性を有する基板と、
前記基板上の、酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
前記基板上の、容量素子と、
前記酸化物半導体膜を覆う絶縁膜と、を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間の誘電体膜と、を有し、
前記第１の電極は前記誘電体膜と接する領域を有し、
前記絶縁膜の開口部は、前記領域と重なることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第１の電極は、前記酸化物半導体膜と同一表面上に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記トランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有する第３の電極を有し、
前記第３の電極は、前記第２の電極と共通した金属元素を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記トランジスタは、チャネルエッチ型であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
可撓性を有する基板と、
前記基板上の、半導体膜を有するトランジスタと、
前記基板上の、容量素子と、
前記半導体膜を覆う絶縁膜と、
前記トランジスタと電気的に接続された、発光素子と、を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間の誘電体膜と、を有し、
前記第１の電極は前記誘電体膜と接する第１の領域を有し、
前記絶縁膜は、前記第１の領域を覆わず、
前記発光素子は、前記第１の領域及び前記絶縁膜と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記発光素子が発する光は、白色光であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記発光素子は、着色層と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月10日(2017.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジンを浸漬した状態で誘導加熱を行うことにより、ナノ銀粒子を離散して前記レジンに担持させることを特徴とする、ナノ銀粒子担持方法。
【請求項２】
ターゲット物体（レジンを含む義歯、シリコン及びアルミニウムを除く）を浸漬した状態で誘導加熱を行うことにより、銀粒子を離散して前記ターゲット物体に担持させることを特徴とする、銀粒子担持方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月5日(2017.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲルパーミエイションクロマトグラフィーにてプルラン換算で測定した数平均分子量（Ｍｎ）が１９０００以上で、かつ分散度が、１．４〜３．０であることを特徴とする、分岐構造のエチレンイミン重合体。
【請求項２】
エチレンイミン１００質量％に対し５〜４０質量％の水、およびエチレンイミン１００質量％に対し０．３〜５質量％の触媒の存在下で、エチレンイミンを５０〜１５０℃の温度条件下で重合する、分岐構造のエチレンイミン重合体の製造方法であって、
前記触媒は、少なくとも１つのハロゲン元素および親水性置換基を有する水溶性有機化合物、またはハロゲン元素を含む水溶性の無機酸である、分岐構造のエチレンイミン重合体の製造方法。
【請求項３】
前記触媒は、２−クロロエタノール、３−クロロ−１−プロパノール、または２−クロロエトキシエタノールである、請求項２に記載の分岐構造のエチレンイミン重合体の製造方法。
【請求項４】
前記触媒の添加方法は、連続添加である、請求項２または３に記載の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の分岐構造のエチレンイミン重合体を含む、フィルム印刷インク用接着促進剤。
【請求項６】
請求項２〜４のいずれか１項に記載の分岐構造のエチレンイミン重合体の製造方法を含む、フィルム印刷インク用接着促進剤の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月24日(2017.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エラストマー性ポリマーを回収するために少なくとも１つのエラストマー性ポリマーを含むポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記方法は分散剤の存在のもとで，前記ポリマー溶液を水蒸気によるストリッピングステップにかけることを含み，前記分散剤は：
-  乾燥エラストマー性ポリマーの総重量に対して，重量％で0.005%から1%の少なくとも１つの層状材料と，
-  前記乾燥エラストマー性ポリマーの総重量に対して，重量％で0.0005%から1%の少なくとも１つのカチオン界面活性剤とを含む方法（ただし、回収された前記エラストマー性ポリマーが層状フィラーを含有する場合を除く）。
【請求項２】
請求項１に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記分散剤は，前記乾燥エラストマー性ポリマーの総重量に対して，重量％で0.008%から0.8%の少なくとも１つの層状材料含む方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記分散剤は，前記乾燥エラストマー性ポリマーの総重量に対して，重量％で0.0008%から0.8%の少なくとも１つのカチオン界面活性剤を含む方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記エラストマー性ポリマーは：ポリブタジエン(BR);ポリイソプレン(IR)；例えばスチレン−ブタジエン（SB）コポリマー,スチレン−ブタジエン−スチレン（SBS）コポリマー，スチレン−イソプレン−スチレン（SIS）コポリマー等のランダム，ブロック，テーパー分布を備えた，直鎖又は分岐鎖状の不飽和スチレンコポリマー；例えばスチレン−エチレン−プロピレン（SEP）コポリマー，スチレン−エチレン/ブチレン−スチレン（SEBS）コポリマー，スチレン−エチレン−プロピレン−スチレン（SEPS）コポリマー又はそれらの混合物等の，ランダム，ブロック，テーパー分布を備えた，直鎖又は分岐鎖状の飽和スチレンコポリマーから選択される方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記ポリマー溶液は少なくとも１つの非極性有機溶媒を含み，該非極性有機溶媒は：ブタン，ペンタン，シクロペンタン，ヘキサン，ベンゼン，トルエン，シクロヘキサン，メチルシクロヘキサン，クロロベンゼン又はそれらの混合物から選択される方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記エラストマー性ポリマーは前記ポリマー溶液中に，前記ポリマー溶液の総重量に対して重量％で2%から30%の分量範囲で存在する方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記層状材料は0.01 nmから30 nmの範囲の厚さのラメラを有する方法。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記層状材料は：例えばスメクタイトのようなフィロ珪酸塩，例えばモンモリロナイト，ベントナイト，ノントロナイト，バイデライト，ヴォルコンスコイト，ヘクトライト，サポナイト，ソーコナイト，マガディアイト，スチブンサイト又はそれらの混合物；バーミキュライト；ハロイサイト；セリサイト；アルミナート酸化物；ハイドロタルサイト；又はそれらの混合物から選択される方法。
【請求項９】
請求項８に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記層状材料はアルキルアンモニウム塩又はアルキルホスホニウム塩を使用して修飾され，前記塩は以下の一般式（I）を有する四級アンモニウム塩又はホスホニウム塩から選択され：
【化１】
2017171931.tif 000001
但し：
-  YはN又はPを表し；
-  R1, R2, R3及びR4は互いに同一か又は異なり，直鎖状又は分岐鎖状のC1-C20アルキル基又はヒドロキシアルキル基；直鎖状又は分岐鎖状のC2-C20アルケニル基又はヒドロキシアルケニル基；-R5-SH又は-R5-NH基であって，R5は直鎖状又は分岐鎖状のC1-C20アルキレン基を表す基；C6-C18アリール基；C7-C20アリールアルキル基又はアルキルアリール基；またはC5-C18シクロアルキル基を表し；前記シクロアルキル基は例えば酸素，窒素，硫黄等のヘテロ原子を含んでもよく；
-  Xn-は塩化物イオン，硫酸イオン，リン酸イオン等のアニオンを表し；
-  nは１，２，又は３を表す方法。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記層状材料は層間剥離（delamination）ステップにかけられる方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記層間剥離ステップは前記層状材料の水溶液をミキサー又は遠心分離機中で，1,000 rpmから20,000 rpmの毎分回転数範囲で，10°Cから40°Cの温度範囲で，10分から3時間の時間範囲で攪拌にかけることにより実行される方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記水溶液は，該水溶液の総重量に対して重量％で2.5x10-5%から5x10-3%の層状材料を含む方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２の何れか一項に記載のポリマー溶液から溶媒を除去するための方法であって，前記カチオン界面活性剤は請求項９に記載の一般式（I）を有するアルキルアンモニウム塩又はアルキルホスホニウム塩から選択される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月26日(2017.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頑健な暗号学的コミットメントを生成する方法であって、当該方法は：
・処理手段によって、双線形マップG×G→GTが効率的に計算可能な群Gの要素を含むベクトル→mと、署名が存する空間に関連付けられた一定サイズの線形準同型な、構造を保存する署名方式の、公開検証鍵と、タグとを受領する段階と；
・前記処理手段によって、署名が存する前記空間内のある要素σを選ぶ段階と；
・前記処理手段によって、前記ベクトル→m、前記公開検証鍵、前記タグおよび前記要素σを使ってコミットメントcを生成する段階と；
・出力手段によって、前記コミットメントcを出力する段階とを含んでおり、
前記コミットメントcは、前記ベクトル→m、前記公開検証鍵、前記タグおよび前記要素σに対する前記一定サイズの線形準同型な、構造を保存する署名方式の検証アルゴリズムの線形関数を評価することによって生成される、
方法。
【請求項２】
前記コミットメントcのサイズは前記ベクトル→mのサイズとは独立である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ベクトル→mは、双線形マップG×G→GTが効率的に計算可能な群Gの要素を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ベクトル→mの次元は2以上である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記コミットメントcは零知識証明を使って開封の知識を証明することを許容する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記コミットメントcは、前記検証アルゴリズムから帰結する中間的な値として生成される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
頑健な暗号学的コミットメントを生成する装置であって、当該装置は：
・双線形マップG×G→GTが効率的に計算可能な群Gの要素を含むベクトル→m、署名が存する空間に関連付けられた一定サイズの線形準同型な、構造を保存する署名方式の、公開検証鍵およびタグを受領し；
・コミットメントcを出力するよう構成された
インターフェース手段と；
・署名が存する前記空間内のある要素σを選び；
・前記ベクトル→m、前記公開検証鍵、前記タグおよび前記要素σを使って前記コミットメントcを生成するよう構成された
処理手段とを有しており、
前記処理手段は、前記コミットメントcを、前記ベクトル→m、前記公開検証鍵、前記タグおよび前記要素σに対する前記一定サイズの線形準同型な、構造を保存する署名方式の検証アルゴリズムの線形関数を評価することによって生成するよう構成されている、
装置。
【請求項８】
前記コミットメントcのサイズは前記ベクトル→mのサイズとは独立である、請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記ベクトル→mは、双線形マップG×G→GTが効率的に計算可能な群Gの要素を含む、請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記ベクトル→mの次元が2以上である、請求項７記載の装置。
【請求項１１】
前記コミットメントcは零知識証明を使って開封の知識を証明することを許容する、請求項７記載の装置。
【請求項１２】
前記コミットメントcは、前記検証アルゴリズムから帰結する中間的な値として生成される、請求項７記載の装置。
【請求項１３】
プロセッサに請求項１ないし６のうちいずれか一項記載の方法を実行させるためのコンピュータ・プログラム。

【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
本明細書および（適切な場合には）請求項および図面において開示される各特徴は、独立して、あるいは任意の適切な組み合わせにおいて与えられてもよい。ハードウェアで実装されるとして記述される特徴は、ソフトウェアで実装されてもよく、逆にソフトウェアで実装されるとして記述される特徴は、ハードウェアで実装されてもよい。請求項に参照符号があったとしても単に例示するものであって、請求項の範囲に対する限定効果はもたない。
いくつかの付記を記載しておく。
〔付記１〕
頑健な暗号学的コミットメントを生成する方法であって、当該方法は、装置のプロセッサにおける下記の段階、すなわち：
・処理手段によって、ベクトル→mと、署名が存する空間に関連付けられた準同型署名方式の公開検証鍵と、タグとを受領する段階と；
・前記処理手段によって、署名が存する前記空間内のある要素σを選ぶ段階と；
・前記処理手段によって、前記ベクトル→m、前記公開検証鍵、前記タグおよび前記要素σを使ってコミットメントcを生成する段階と；
・出力手段によって、前記コミットメントcを出力する段階とを含んでおり、
前記コミットメントcは、前記ベクトル→m、前記公開検証鍵、前記タグおよび前記要素σに対する前記準同型署名方式の検証アルゴリズムにおいて使用される線形関数Fを評価することによって生成される、
方法。
〔付記２〕
前記コミットメントcのサイズは前記ベクトル→mのサイズとは独立である、付記１記載の方法。
〔付記３〕
前記ベクトル→mは、双線形マップG×G→GTが効率的に計算可能な群Gの要素を含む、付記１記載の方法。
〔付記４〕
前記ベクトル→mの次元は2以上である、付記１記載の方法。
〔付記５〕
前記コミットメントcは零知識証明を使って開封の知識を証明することを許容する、付記１記載の方法。
〔付記６〕
前記コミットメントcは、前記検証アルゴリズムから帰結する中間的な値として生成される、付記１記載の方法。
〔付記７〕
頑健な暗号学的コミットメントを生成する装置であって、当該装置は：
・ベクトル→m、署名が存する空間に関連付けられた準同型署名方式の公開検証鍵およびタグを受領し；
・コミットメントcを出力するよう構成された
インターフェース手段と；
・署名が存する前記空間内のある要素σを選び；
・前記ベクトル→m、前記公開検証鍵、前記タグおよび前記要素σを使って前記コミットメントcを生成するよう構成された
処理手段とを有しており、
前記処理手段は、前記コミットメントcを、前記ベクトル→m、前記公開検証鍵、前記タグおよび前記要素σに対する前記準同型署名方式の検証アルゴリズムにおいて使用される線形関数Fを評価することによって生成するよう構成されている、
装置。
〔付記８〕
前記コミットメントcのサイズは前記ベクトル→mのサイズとは独立である、付記７記載の装置。
〔付記９〕
前記ベクトル→mは、双線形マップG×G→GTが効率的に計算可能な群Gの要素を含む、付記７記載の装置。
〔付記１０〕
前記ベクトル→mの次元が2以上である、付記７記載の装置。
〔付記１１〕
前記コミットメントcは零知識証明を使って開封の知識を証明することを許容する、付記７記載の装置。
〔付記１２〕
前記コミットメントcは、前記検証アルゴリズムから帰結する中間的な値として生成される、付記７記載の装置。
〔付記１３〕
命令を記憶している非一時的なコンピュータ・プログラム・プロダクトであって、前記命令は、プロセッサによって実行されたときに、付記１ないし６のうちいずれか一項記載の方法を実行する、コンピュータ・プログラム・プロダクト。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月23日(2016.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上の第１の酸化物層と、前記第１の酸化物層上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記第１の酸化物層はインジウムを含み、
前記酸化物半導体層はインジウムを含み、
前記酸化物半導体層はチャネル形成領域を有し、
前記第１の酸化物層は、前記絶縁膜との界面に界面準位を有し、
前記界面と前記チャネル形成領域とが２０ｎｍ以上離れていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁膜上の第１の酸化物層と、前記第１の酸化物層上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記第１の酸化物層はインジウム、ガリウムおよび亜鉛を含み、
前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウムおよび亜鉛を含み、
前記酸化物半導体層はチャネル形成領域を有し、
前記第１の酸化物層は、前記絶縁膜との界面に界面準位を有し、
前記界面と前記チャネル形成領域とが２０ｎｍ以上離れていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁膜上の第１の酸化物層と、前記第１の酸化物層上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第１の酸化物層は、前記絶縁膜との界面に界面準位を有し、
前記界面と前記チャネル形成領域とが２０ｎｍ以上離れていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
加熱処理により酸素を放出する第１の絶縁膜上に第１の酸化物層を形成し、
前記第１の酸化物層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第１の酸化物層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆って、第２の酸化物層を形成した後、加熱処理を行い、
前記第２の酸化物層上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜の一部をエッチングすることでゲート電極を形成し、
前記第２の絶縁膜の一部をエッチングすることでゲート絶縁膜を形成し、
前記第２の酸化物層の一部をエッチングすることで第３の酸化物層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
加熱処理により酸素を放出する第１の絶縁膜上に第１の酸化物層を形成し、
前記第１の酸化物層上に酸化物半導体層を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第１の酸化物層および前記酸化物半導体層を覆って、第２の酸化物層を形成した後、加熱処理を行い、
前記第２の酸化物層上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜の一部をエッチングすることでゲート電極を形成し、
前記第２の絶縁膜の一部をエッチングすることでゲート絶縁膜を形成し、
前記第２の酸化物層の一部をエッチングすることで第３の酸化物層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月9日(2017.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属媒体と、
前記金属媒体に結合される第１の熱発散層と、
接着剤により前記第１の熱発散層に結合される第２の熱発散層であって、前記第１の熱発散層および前記第２の熱発散層が同じ材料で構成される第２の熱発散層と、
前記第２の熱発散層に結合されるダイと、を備える装置。
【請求項２】
前記第１の熱発散層および前記第２の熱発散層は、化学気相法で形成されるダイヤモンド層である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ダイは、窒化ガリウム（ＧａＮ）のダイである、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の熱発散層および前記第２の熱発散層は、多結晶の炭化シリコン（ＳｉＣ）、アルミニウム炭化シリコン（ＡｌＳｉＣ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記金属媒体は、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）を備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の熱発散層は、２５μｍから５００μｍの間の厚さを有し、
前記第２の熱発散層は、２５μｍから５００μｍの間の厚さを有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
無線周波数信号を送信または受信するように構成される無線周波数（ＲＦ）フロントエンドと、
前記ＲＦフロントエンドに接続され、前記ＲＦフロントエンドに電力供給する電源と、
パワー増幅のために前記ＲＦフロントエンド内に設けられ、または、パワーマネジメントのために前記電源内に設けられる、窒化ガリウム（ＧａＮ）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、を備え、
前記ＧａＮ−ＨＥＭＴは、
ＧａＮのダイと、
前記ＧａＮのダイに結合される複数の熱発散層と、
前記複数の熱発散層のそれぞれの間を結合する接着層と、
前記複数の熱発散層に結合される金属媒体と、を有するシステム。
【請求項８】
前記複数の熱発散層は、化学気相法で形成されるダイヤモンドを備える、請求項７に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月28日(2016.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】移動体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンと、電気モーターと、蓄電体と、車輪と、を有する移動体であって、
前記車輪は、前記エンジン及び前記電気モーターの一方、又は双方の動力で駆動され、
前記電気モーターは、前記車輪が前記エンジンの動力で駆動されている期間に、前記エンジンの動力の一部を用いて発生させた電力を前記蓄電体に供給する機能を有し、
前記期間において、前記蓄電体には、時間ｔｃの充電と時間ｔｄの放電とが交互に連続して行われることを特徴とする移動体。
【請求項２】
請求項１において、
前記時間ｔｄは、前記時間ｔｃの０．０１％以上１０％以下であることを特徴とする移動体。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記時間ｔｄは、０．１秒以上３分以下であることを特徴とする移動体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記電気モーターは、前記蓄電体から供給された電力により動力を発生する機能を有することを特徴とする移動体。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記蓄電体は、正極と負極とを有し、
前記充電によって、前記正極又は前記負極に反応生成物が付着し、
前記放電によって、前記反応生成物の少なくとも一部が溶去することを特徴とする移動体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月13日(2017.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（ａ）乃至（ｃ）
（ａ）中間酸化物：０．１重量％以上１４．０重量％以下
（ｂ）ＣｕＯ：０．１重量％以上１４．０重量％以下
（ｃ）シリカ：８０．０重量％以上９９．８重量％以下
を含み、
前記中間酸化物の含有率と前記ＣｕＯの含有率との合計が０．２重量％以上２０重量％以下であることを特徴とする、ガラス組成物。
【請求項２】
前記中間酸化物が、酸化物状態における価数が３、４又は５であって、シャノンイオン半径が０．７Å以下である金属イオンを含む金属酸化物であることを特徴とする、請求項１に記載のガラス組成物。
【請求項３】
前記中間酸化物が、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｇａ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5からなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のガラス組成物。
【請求項４】
前記シリカの含有率が８５．０重量％以上であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のガラス組成物。
【請求項５】
下記式（１）が満たされることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のガラス組成物。
０．２≦ｎ1／ｎ2≦５．０                                          （１）
（式（１）において、ｎ1は、中間酸化物のモル量を表し、ｎ2は、ＣｕＯのモル量を表す。）
【請求項６】
前記中間酸化物がＡｌ2Ｏ3であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のガラス組成物。
【請求項７】
前記中間酸化物が、二種類以上の中間酸化物であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のガラス組成物。
【請求項８】
ＣｕＯと、中間酸化物と、を含む多孔質シリカを８００℃以上の温度で焼締める工程を有することを特徴とする、ガラス組成物の製造方法。
【請求項９】
前記多孔質シリカが、前記中間酸化物を０．１重量％以上１４．０重量％以下、前記ＣｕＯを０．１重量％以上１４．０重量％以下、および、シリカを８０．０重量％以上９９．８重量％以下含み、
前記中間酸化物の含有率と前記ＣｕＯの含有率との合計が０．２重量％以上２０重量％以下であることを特徴とする、請求項８に記載のガラス組成物の製造方法。
【請求項１０】
基材と、前記基材の表面を被覆する表面層と、から構成され、
前記基材が、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のガラス組成物からなる基材であり、
前記表面層が、多孔質シリカ膜であることを特徴とする、ガラス部材。
【請求項１１】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のガラス組成物と、撮像素子と、を有することを特徴とする、撮像装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載のガラス部材と、撮像素子と、を有し、
前記ガラス部材が、前記表面層が前記基材よりも撮像素子から遠くなるように配置されていることを特徴とする、撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のガラス組成物は、下記（ａ）乃至（ｃ）
（ａ）中間酸化物：０．１重量％以上１４．０重量％以下
（ｂ）ＣｕＯ：０．１重量％以上１４．０重量％以下
（ｃ）シリカ：８０．０重量％以上９９．８重量％以下
を含み、
前記中間酸化物の含有率と前記ＣｕＯの含有率との合計が０．２重量％以上２０重量％以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月12日(2017.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シラン処理フィラー、重合性単量体、重合開始剤を含む複合材料の製造方法であって、
下記に示される混合重合性単量体作製工程、混合重合性単量体保存工程、複合材料製造工程を順次経ることを特徴とする複合材料の製造方法。
・混合重合性単量体作製工程とは、重合性単量体と重合開始剤を混合し混合重合性単量体を作製する工程、
・混合重合性単量体保存工程とは、混合重合性単量体作製工程にて作製された１〜５０リットルの混合重合性単量体を、保存温度は１〜２３℃、保存期間は１０日〜１.５年間以内の条件で保存する工程、
・複合材料製造工程とは、混合重合性単量体とシラン処理フィラーを混合し複合材料を製造する工程。
【請求項２】
前記複合材料製造工程において、混合重合性単量体１重量部中にシラン処理フィラー０．１〜９重量部の投入後、５〜６０℃にて混合時間は５〜４０分間の条件でシラン処理フィラー混練工程を行い、その後に５〜２００Ｔｏｒｒにて脱泡時間は５〜３０分の条件で、混合重合性単量体とシラン処理フィラーを混練しながら脱泡を行うことを特徴とする請求項１に記載の複合材料の製造方法。
【請求項３】
前記複合材料製造工程において、混合重合性単量体中１重量部に微粒子フィラー０．０１〜０．２重量部の投入後、５〜６０℃にて混合時間は５〜３０分間の条件で混合重合性単量体と微粒子フィラーの混練を行い、その後に５〜２００Ｔｏｒｒにて脱泡時間は５〜３０分の条件で混合重合性単量体と微粒子フィラーの脱泡を行い、更にシラン処理フィラー０．１〜９重量部の投入後、５〜６０℃にて混合時間は５〜４０分間の条件で混合重合性単量体と微粒子フィラー、シラン処理フィラーの混練を行い、その後に５〜２００Ｔｏｒｒにて脱泡時間は５〜３０分の条件で混合重合性単量体と微粒子フィラー、シラン処理フィラーを混練しながら脱泡を行うことを特徴とする請求項１に記載の複合材料の製造方法。
【請求項４】
前記混合重合性単量体作製工程において、混合温度は１〜６０℃、混合時間は１分〜２４時間であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の複合材料の製造方法。
【請求項５】
前記複合材料製造工程終了後、さらに下記に示される複合材料保存工程を経ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の複合材料の製造方法。
・複合材料保存工程とは、複合材料製造工程で製造された１〜８リットルの複合材料を、保存温度は１〜２５℃、保存期間は１０日〜１.５年以内にて保存する工程。
【請求項６】
前記複合材料保存工程中に、複合材料評価工程を有することを特徴とする請求項５に記載の複合材料の製造方法。
【請求項７】
前記複合材料保存工程終了後、さらに下記に示される複合材料充填工程を経ることを特徴とする請求項５または６に記載の複合材料の製造方法。
複合材料充填工程とは、充填機を用いてノズルから押し出された複合材料を、容量１〜５０ｃｃである少量保存容器に充填する工程。
【請求項８】
前記混合重合性単量体保存工程中に、混合重合性単量体評価工程を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の複合材料の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の複合材料の製造方法により製造される複合材料であって、前記複合材料は、製造終了１２０日後のフロー値をaとし、製造終了３年後のフロー値をbとして、フロー値の減少率（a-b）/aは１０％以下であることを特徴とする複合材料。
【請求項１０】
シラン処理フィラー、重合性単量体、重合開始剤を含む複合材料において、
重合性単量体と重合開始剤を混合し混合重合性単量体を作製する混合重合性単量体作製工程、
混合重合性単量体を保存容器内で保存する混合重合性単量体保存工程、
混合重合性単量体とシラン処理フィラーを混合し複合材料を製造する複合材料製造工程、
複合材料を保存容器内で保存する複合材料保存工程、
複合材料を少量保存容器に充填する複合材料充填工程、
充填された少量保存容器で保存する少量保存容器保存工程を順次経て得られる複合材料であって、
前記複合材料は、製造終了１２０日後のフロー値をaとし、製造終了３年後のフロー値をbとして、フロー値の減少率（a-b）/aは１０％以下であることを特徴とする複合材料。
【請求項１１】
シラン処理フィラー、重合性単量体、重合開始剤を含む複合材料において、
重合性単量体と重合開始剤を混合し混合重合性単量体を作製する混合重合性単量体作製工程、
混合重合性単量体とシラン処理フィラーを混合し複合材料を製造する複合材料製造工程、
複合材料を少量保存容器に充填する複合材料充填工程、
充填された少量保存容器で保存する少量保存容器保存工程を順次経て得られる複合材料であって、
複合材料製造工程に、微粒子フィラー混練工程及び微粒子フィラー混練後脱泡工程、シラン処理フィラー混練工程およびシラン処理フィラー混練後脱泡工程を行う工程を順次経、
前記複合材料は、製造終了１２０日後のフロー値をaとし、製造終了３年後のフロー値をbとして、フロー値の減少率（a-b）/aは１０％以下であることを特徴とする複合材料。
【請求項１２】
請求項請求項９〜１１のいずれか一項に記載の複合材料を歯科に用いる応用。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
目標軌道に沿って自車両を走行させるための制御を行う走行制御部を備える車両用走行支援装置であって、
前記自車両の前方に存在する一の物体が、前記一の物体に対して障害物となる他の物体に接近するように移動しているか否かを、前記他の物体に対する前記一の物体の相対速度に基づいて判定する物体間接近判定部を備え、
前記走行制御部は、前記物体間接近判定部により前記一の物体が前記他の物体に接近するように移動していることが判定された場合、前記目標軌道を前記一の物体から離間するように所定の修正量だけ修正した第１回避軌道に沿って前記自車両を走行させるための第１走行制御を実行する車両用走行支援装置。
【請求項２】
請求項１に記載の車両用走行支援装置において、
前記修正量は、前記目標軌道と直交する方向の距離である車両用走行支援装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の車両用走行支援装置において、
前記自車両に対する前記一の物体の相対位置および前記自車両に対する前記他の物体の相対位置ならびに前記自車両に対する前記一の物体の相対速度および前記自車両に対する前記他の物体の相対速度に基づいて、前記一の物体が前記他の物体を回避するために必要とする回避走行期間および回避走行区間とを推定する回避走行推定部と、
前記回避走行期間における前記自車両の位置を推定する自車両位置推定部とを備え、
前記走行制御部は、前記物体間接近判定部により前記一の物体が前記他の物体に接近するように移動していることが判定された場合であっても、前記自車両位置推定部で推定された前記自車両の位置が、前記回避走行推定部で推定された前記回避走行区間内にない場合には、前記第１走行制御を実行せず、前記物体間接近判定部により前記一の物体が前記他の物体に接近するように移動していることが判定された場合であって、かつ、前記自車両位置推定部で推定された前記自車両の位置が、前記回避走行推定部で推定された前記回避走行区間内にある場合に、前記第１走行制御を実行する車両用走行支援装置。
【請求項４】
請求項３に記載の車両用走行支援装置において、
前記自車両と前記一の物体の移動方向が逆方向であり、かつ、前記一の物体と前記他の物体の移動方向が同方向の場合、
前記回避走行推定部は、前記一の物体が前記他の物体を追い越すために必要とする走行期間および走行区間を前記回避走行期間および前記回避走行区間として推定する車両用走行支援装置。
【請求項５】
請求項３に記載の車両用走行支援装置において、
前記自車両と前記一の物体の移動方向が逆方向であり、かつ、前記一の物体と前記他の物体の移動方向が逆方向の場合、
前記回避走行推定部は、前記一の物体が前記他の物体とすれ違うために必要とする走行期間および走行区間を前記回避走行期間および前記回避走行区間として推定する車両用走行支援装置。
【請求項６】
請求項３に記載の車両用走行支援装置において、
前記自車両と前記一の物体の移動方向が同方向であり、かつ、前記一の物体と前記他の物体の移動方向が同方向の場合、
前記回避走行推定部は、前記一の物体が前記他の物体を追い越すために必要とする走行期間および走行区間を前記回避走行期間および前記回避走行区間として推定する車両用走行支援装置。
【請求項７】
請求項３に記載の車両用走行支援装置において、
前記自車両と前記一の物体の移動方向が同方向であり、かつ、前記一の物体と前記他の物体の移動方向が逆方向の場合、
前記回避走行推定部は、前記一の物体が前記他の物体とすれ違うために必要とする走行期間および走行区間を前記回避走行期間および前記回避走行区間として推定する車両用走行支援装置。
【請求項８】
請求項３に記載の車両用走行支援装置において、
前記自車両位置推定部は、所定時間内における前記自車両の位置を推定し、
前記走行制御部は、前記物体間接近判定部により前記一の物体が前記他の物体に接近するように移動していることが判定された場合であっても、前記所定時間内における前記自車両の位置が前記回避走行推定部で推定された前記回避走行区間内にない場合には、前記第１走行制御を実行せず、前記物体間接近判定部により前記一の物体が前記他の物体に接近するように移動していることが判定された場合であって、かつ、前記所定時間内における前記自車両の位置が前記回避走行推定部で推定された前記回避走行区間内にある場合に、前記第１走行制御を実行する車両用走行支援装置。
【請求項９】
請求項１または２に記載の車両用走行支援装置において、
前記走行制御部は、前記第１走行制御が実行されている場合であって、前記一の物体と前記他の物体のうちのいずれか一方が、前記目標軌道と直交する方向において前記自車両に接近したときには、前記接近する物体から離間するように前記第１回避軌道から所定の修正量だけ修正した第２回避軌道に沿って前記自車両を走行させるための第２走行制御を実行する車両用走行支援装置。
【請求項１０】
請求項３に記載の車両用走行支援装置において、
前記自車両の車速指令値を出力する車速指令部と、
前記自車両の車速を検出する車速検出部とを備え、
前記走行制御部は、
前記車速検出部で検出された車速が前記車速指令値となるように、前記自車両の車速を調整する車速調整部と、
前記自車両位置推定部で推定された前記自車両の位置が、前記回避走行推定部で推定された前記回避走行区間外に位置するための減速用車速指令値を決定する減速用車速決定部とを有し、
前記車速調整部は、前記車速検出部で検出された車速と前記減速用車速指令値との偏差が所定値以下の場合、前記車速指令部から出力された車速指令値にかかわらず前記車速検出部で検出された車速が前記減速用車速指令値となるように、前記自車両の車速を調整し、所定時間経過後に再び前記車速指令部から出力された車速指令値に基づいて前記自車両の車速を調整する車両用走行支援装置。
【請求項１１】
請求項１または２に記載の車両用走行支援装置において、
前記一の物体は前記自車両の前方かつ前記自車両が走行する車線に隣接する隣接車線に存在し、
前記物体間接近判定部は、前記一の物体と前記他の物体との物体間相対速度を取得し、前記物体間相対速度に基づいて前記一の物体が前記他の物体に接近するように移動しているか否かを判定し、
前記一の物体の大きさを検出する物体サイズ検出部と、
前記隣接車線の幅員を検出する幅員検出部と、
前記隣接車線の幅員のうち前記他の物体により狭められた残りの幅員および前記一の物体の大きさに基づいて前記第１回避軌道の修正量を調整する修正量調整部とを備える車両用走行支援装置。
【請求項１２】
請求項１または２に記載の車両用走行支援装置において、
前記第１回避軌道に沿った走行が可能でない場合に、前記目標軌道に対する前記第１回避軌道の修正量の不足分に応じて前記自車両を減速する車両用走行支援装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月27日(2017.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体を貯留する流体容器を装着し得、該流体容器から該流体を給液装置に供給する給液
装置のジョイント機構であって、
上記流体容器から上記給液装置に上記流体を取り込む取込開口部を有する筒状体と、
上記取込開口部を開放可能に閉塞するシャッタ体とを備え、
上記シャッタ体は、上記筒状体の外周上を摺動して上記取込開口部を開放又は閉塞するシャッタ部と、該シャッタ部が該取込開口部を覆うように付勢する付勢部とを有することを特徴とするジョイント機構。
【請求項２】
前記シャッタ部と前記付勢部は、一体の筒状に形成されることを特徴とする請求項１に記載のジョイント機構。
【請求項３】
前記シャッタ部は筒状を成し、前記付勢部は前記シャッタ部より拡径した筒状を成し、該シャッタ部と該付勢部とは、一体に形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のジョイント機構。
【請求項４】
前記シャッタ部は、前記ジョイント機構に前記流体容器が装着されると、前記付勢部が変形することによって前記取込開口部を露出させ、当該ジョイント機構から前記流体容器が取り外されると、当該付勢部が復元してその付勢力によって前記筒状体を定位置に復帰させて前記取込開口部を覆うことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のジョイント機構。
【請求項５】
前記シャッタ部は、外周面、内周面、先端面の何れかに封止部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のジョイント機構。
【請求項６】
前記流体容器には、前記ジョイント機構が差し込まれる栓機構を有し、
上記栓機構は、口部と、該口部に装着される栓体とを有し、
上記口部は、比較的大径の外径部と、この外径部の内部に位置する内径部とを有し、該内径部は、該外径部から延設され且つ該内径部の位置を固定する一つ以上の支持部を有し、該外径部と該内径部との間には、上記口部の内側と外側に連通する少なくとも一つ以上の連通部を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のジョイント機構。
【請求項７】
水を貯留するウォータサーバ用水容器を載置可能で上記ウォータサーバ用水容器を受ける受け部をウォータサーバ本体の上部に有するウォータサーバにおいて、上記ウォータサーバ用水容器を装着し得、該ウォータサーバ用水容器から該水をウォータサーバに供給するウォータサーバのジョイント機構であって、
上記ウォータサーバ用水容器から上記ウォータサーバに上記水を取り込む取込開口部を有する筒状体と、
上記取込開口部を開放可能に閉塞するシャッタ体とを備え、
上記シャッタ体は、上記筒状体の外周上を摺動して上記取込開口部を開放又は閉塞するシャッタ部と、該シャッタ部が該取込開口部を覆うように付勢する付勢部とを有することを特徴とするウォータサーバのジョイント機構。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月28日(2017.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定の反復動作を行ない得るように可動に構成された受球面と、
前記受球面の反復動作を行なうための駆動力を付与する駆動源と、
を備え、
前記受球面に遊技球を支承させるように案内し、前記受球面の反復動作により前記遊技球を所定の位置から該位置よりも高い別の位置へ搬送する遊技球搬送機構を備え、
前記受球面が、遊技球の搬送方向に実質的に垂直であって横方向に延びる軸を中心とする周回軌道に沿って周回し得る周回部材に形成され、
前記周回部材が、前記周回軌道における所定の位置で遊技球を前記受球面に支承させ、該遊技球とともに前記周回軌道に沿ってさらに周回した後、前記位置よりも高い別の位置で前記遊技球を前記受球面から離脱させ、これにより前記遊技球を低位置から高位置へ搬送するようになっていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記周回部材が、実質的に閉塞されたケーシングの内部に、遊技球の搬送動作が可能なように配設されていることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記ケーシングにおける、少なくとも遊技球の搬送経路に対応する部位が光透過性を有することを特徴とする請求項２に記載の遊技機。