Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月23日(2017.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板を保持して移動する基板ステージと、
前記基板ステージの位置を計測する第１計測部と、
前記基板ステージの前記基板の保持面に対して前記第１計測部よりも近い位置において、前記基板ステージの位置を計測する第２計測部と、
前記モールドと前記基板との位置合わせのためのアライメント計測を行う第３計測部と、
前記第１計測部の計測結果に基づいて前記基板ステージの位置を制御する第１モード、又は、前記第２計測部の計測結果に基づいて前記基板ステージの位置を制御する第２モードで前記基板ステージの位置を制御する制御部と、
前記インプリント処理を行っている間において、前記第３計測部による前記アライメント計測の結果が計測基準を満たしたことを検知する検知部と、を有し、
前記制御部は、前記検知部が検知した結果に基づき前記第２モードで前記基板ステージの位置を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第３計測部による前記アライメント計測の結果が前記計測基準を満たしたことを前記検知部が検知するまでは前記第１モードで前記基板ステージの位置を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記検知部は、
前記モールドと前記インプリント材との接触状態を検出するセンサを含み、
前記モールドと前記インプリント材とが接触したことを前記センサが検出したタイミングで、前記第３計測部による前記アライメント計測の結果が前記計測基準を満たしたと検知することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記センサは、前記モールドを保持するモールドヘッド及び前記基板ステージの少なくとも一方に設けられた圧力センサを含むことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記第３計測部は、前記モールドに設けられたマーク及び前記基板ステージに設けられたマークを検出してアライメント信号を生成するアライメント検出系を含み、
前記検知部は、前記アライメント検出系によって生成された前記アライメント信号の指標が閾値を満たしたタイミングで、前記第３計測部による前記アライメント計測の結果が前記計測基準を満たしたと検知することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記指標は、前記アライメント信号の強度、コントラスト及びパターンマッチングの相関度のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記第１計測部は、エンコーダを含み、
前記第２計測部は、干渉計を含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記第１計測部及び前記第２計測部のそれぞれは、エンコーダを含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記モールドと前記基板との間の空間に前記インプリント材の前記モールドのパターンへの充填を促進させるガスを供給する供給部を更に有することを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記ガスは、前記成形中に前記モールドを透過する透過性ガス及び前記成形中に液化する凝縮性ガスの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板を保持して移動する基板ステージと、前記基板ステージの位置を計測する第１計測部と、前記基板ステージの前記基板の保持面に対して前記第１計測部よりも近い位置において、前記基板ステージの位置を計測する第２計測部と、前記モールドと前記基板との位置合わせのためのアライメント計測を行う第３計測部と、前記第１計測部の計測結果に基づいて前記基板ステージの位置を制御する第１モード、又は、前記第２計測部の計測結果に基づいて前記基板ステージの位置を制御する第２モードで前記基板ステージの位置を制御する制御部と、前記インプリント処理を行っている間において、前記第３計測部による前記アライメント計測の結果が計測基準を満たしたことを検知する検知部と、を有し、前記制御部は、前記検知部が検知した結果に基づき前記第２モードで前記基板ステージの位置を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月17日(2016.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】   しかし、上記方法及びその補修用樹脂材料によると、ゴム型を用いることから、補修部の復元が十分でなく、また、補修部に表面段差が生じるおそれがあり、さらに、熱可塑性樹脂を加熱溶融させて固化させる工程において、ゴム型における各分割型部が開かないように、油圧、電動の装置による金属板等を用いた型締めやクランプ、ネジ等を用いた型締め、更には、ゴム型の内部を真空状態にして大気圧との差を利用した型締め等が必要になるというように、使用する用具の取り扱いが困難であるという問題点があった。  また、補修用樹脂材料として熱可塑性樹脂を使用するため、防錆被覆ＰＣ鋼線を冷間地で用いる場合に、熱可塑性樹脂が変質してひびが入ったりして、内部のＰＣ鋼線がさびたりすることがあった。本発明は、従来の問題点を克服するために、表面に欠陥を有する樹脂を簡単な方法により修復することができる樹脂成形品の補修方法と耐久性の優れた補修用樹脂材料を提供するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】この発明に係る樹脂成形品の補修方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。請求項１に係る発明は、樹脂成形品の補修方法において、（イ）損傷部分の剥離した樹脂をカッターで取り除き、不純物や水分をウエス、ガーゼで除去する工程と、（ロ）前記損傷部分にフッ素樹脂シートを載置し、ヒートカッターのコテで前記フッ素樹脂シート挟んで前記損傷部分を予熱する工程と、（ハ）前記コテの上にポリアミド樹脂とガラス繊維及び／又はカーボン繊維及び／又は無機繊維とが、質量比で樹脂：繊維＝１００：１５〜４５で配合された繊維強化ポリアミド樹脂からなる補修用樹脂スティックを載置して前記樹脂を加温する工程と、（ニ）前記樹脂スティックが軟化した状態で前記コテを上から圧力を加えながら前記損傷部分に前記樹脂スティックを延伸しながら埋設する工程と、（ホ）埋設後、補修部を前記コテで平坦にしてから、前記補修部に前記フッ素樹脂シートを載置し、前記コテで前記フッ素樹脂シートの上から加温して表面をなじませる工程と、（ヘ）補修後、補修箇所周辺をピンホールテスターでピンホールを検査する確認工程とよりなることを特徴とする樹脂成形品の補修方法を構成するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月24日(2016.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
次に、両面加工装置２０における加工が終了した後に、キャリア２３のワーク保持孔２４に保持されているワークＷを取り出して搬出する取り出し動作について説明する。
まず、ワークＷを保持したキャリア２３を、仕込み動作と同様に、ワーク仕込み位置で待機させる。次に、アーム３を旋回させることで、このワークＷの上方に吸着ヘッド２を導入する。このとき、第１のエアーシリンダー７は縮んだ状態にしておくことができる。
ここで、第１のエアーシリンダー７が縮んだ状態であれば、仕込み動作の際と比較し、吸着ヘッド２はインターナルギア２２側に位置することとなるが、依然ワークＷの上方に位置する。この状態では吸着ヘッド２の可動部５は、バネ１２に引っ張られただけの状態なので、第２のエアーシリンダー１１を伸ばし、可動部５を固定する。このとき、図９に示すように、仕込み動作で使用した位置決めピン６は、インターナルギア２２の外側に位置することとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月7日(2017.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングボディ（１２）の表面に凹部（１５）が形成されたハウジング（１１）を有し、前記ハウジングボディ（１２）の開放面が蓋（１４）によって塞がれている気体軸受エレメント（１０）であって、
‐前記凹部（１５）が、リブ状の中間壁（１６）及び／又はその他の島状の突出部（１７）によって境界され、前記中間壁（１６）及び／又は前記島状の突出部（１７）の間で第１の中間スペース（１８）を確定していること、
‐前記蓋（１４）が、少なくとも部分的に開放気泡強化マット（２２）を取り付けて硬化させた注型コンパウンド（２０）によって形成されていること、
‐前記注型コンパウンド（２０）が、硬化後に加工された平坦な表面（２０’）を有し、該表面が前記気体軸受（１）の軸受面（３０）を形成すること、
‐前記軸受面（３０）が、前記蓋（１４）を貫通する微細孔（２６）によって形成されている多数のガス出口ノズル（２６’）を有し、前記微細孔（２６）が設けられている場所の下には、前記蓋（１４）の下に前記第１の中間スペース（１８）が置かれており、前記ガス出口ノズル（２６’）用の圧縮空気供給チャンネル（１８’）を形成していること、
を特徴とする気体軸受エレメント。
【請求項２】
前記ハウジングボディ（１２）が周囲壁（１３）を有し、該周囲壁（１３）と前記リブ状の中間壁（１６）ならびに前記その他の島状の突出部（１７）の間には、周囲チャンネル（１９’）を形成する第２の中間スペース（１９）が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の気体軸受エレメント。
【請求項３】
前記強化マット（２２）がシート状の布であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の気体軸受エレメント。
【請求項４】
前記シート状の布が、フリース、織物又は編み物であることを特徴とする、請求項３に記載の気体軸受エレメント。
【請求項５】
気体軸受エレメントの製造方法であり、以下の工程：
ａ）凹部（１５）が、リブ状の中間壁（１６）及び／又はその他の島状の突出部（１７）によって境界され、それぞれ１つのチャンネル（１８’）を形成する第１の中間スペース（１８）を確定しており、前記リブ状の中間壁（１６）及び／又は前記その他の島状の突出部（１７）ならびに周囲壁の間には第２の中間スペース（１９）が形成されており、該第２の中間スペースが周囲チャンネル（１９’）を確定している、前記凹部（１５）及び前記周囲壁（１３）が取り付けられているハウジングボディ（１２）を準備する工程、
ｂ）前記凹部が取り付けられている側の前記ハウジングボディ（１２）上に蓋（１４）を取り付ける工程、
ｃ）前記蓋（１４）の下に前記第１の中間スペース（１８）が置かれている場所に、前記蓋（１４）を通ってガス出口ノズル（２６’）を形成する微細孔（２６）をあける工程、
を特徴とする、気体軸受エレメントの製造方法。
【請求項６】
前記蓋（１４）の取付け工程ｂ）が、以下の部分工程：
ｂ１）前記中間壁（１６）及び前記島状の突出部（１７）の前部表面（１６’、１７’）、ならびに必要に応じて前記周囲壁（１３）の前部表面（１３’）に接着剤（２４）を塗布する部分工程、 
ｂ２）前記中間壁（１６）ならびに前記島状の突出部（１７）のそれぞれの前記前部表面（１６’、１７’）、及び前記周囲壁（１３）の前記前部表面（１３’）に開放気泡強化マット（２２）を位置決めし、該強化マット（２２）を、前記接着剤（２４）を使って前記中間壁（１６）上及び前記島状の突出部（１７）上、ならびに前記周囲壁（１３）上に固定する部分工程 
ｂ３）前記注型コンパウンド（２０）を前記強化マット（２２）に染み込ませるが、前記注型コンパウンドが前記強化マットを通り抜けて前記中間スペース（１８、１９）にまで流れ込まないように、前記注型コンパウンド（２０）の粘性、硬化時間、前記強化マット（２２）の開放気泡性及び前記強化マット（２２）の厚さを規定して、前記開放気泡強化マット（２２）上に前記注型コンパウンド（２０）を塗布する部分工程、
ｂ４）前記注型コンパウンド（２０）を硬化する部分工程、
ｂ５）前記蓋（１４）を形成しているユニットであり、前記注型コンパウンド（２０）及び前記強化マット（２２）から成るユニットの外部表面を、好ましくはフライス加工、研削及び研磨によって加工し、前記気体軸受（１）のための軸受面（３０）を平坦かつ滑らかに保つ部分工程、
によって実施されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
工程ｃ）において追加的に、ガス出口ノズル（２８’）を形成する微細孔（２８）を前記蓋（１４）の中にあける場所には、前記蓋（１４）の下に前記周囲壁（１３）と隣り合う前記周囲チャンネル（１９’）が置かれていることを特徴とする、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記ガス出口ノズル（２６’、２８’）を形成する前記微細孔（２６、２８）の穿孔が、高エネルギービームによって行われることを特徴とする、請求項５〜７のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記高エネルギービームがレーザービームであることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記強化マット（２２）としてシート状の布が使用されることを特徴とする、請求項５〜９のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記強化マット（２２）として使用されるシート状の布が、フリース、織物又は編み物であることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記注型コンパウンド（２０）として樹脂が使用されることを特徴とする、請求項５〜１１のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記接着剤（２４）として樹脂が使用され、該樹脂は、前記注型コンパウンドの前記樹脂に相当するか、又は前記接着剤の樹脂と前記注型コンパウンドの樹脂とが硬化後に固定し、機械的に結合することを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記固定的、機械的結合が、一体型であることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記気体軸受が、少なくとも１つの静的軸受エレメント及び少なくとも１つの回転可動式又は並進可動式軸受エレメントを有し、前記静的軸受エレメント又は前記可動式軸受エレメントのいずれかが、請求項１、２、３又は４に基づく気体軸受エレメントによって形成されている、請求項１〜４のうちいずれか一項に記載の気体軸受エレメントを備える気体軸受。
【請求項１６】
気体軸受が空気軸受として形成されていることを特徴とする、請求項１５に記載の気体軸受。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月31日(2017.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｇ１）で表される構造を有する有機金属錯体。
【化１】
2014185146.tif 000001
（式中、Ｍは、イリジウム、白金、パラジウム、又はロジウムを表し、Ｒ１は、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ２〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基を表す。）
【請求項２】
式（Ｇ３）で表される有機金属錯体。
【化２】
2014185146.tif 000002
（式中、Ｍは、イリジウム、白金、パラジウム、又はロジウムを表し、Ｒ１は、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ２〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｌは、モノアニオン性の配位子を表し、前記Ｍがイリジウム又はロジウムのときはｎ＝２であり、白金又はパラジウムのときは、ｎ＝１である。）
【請求項３】
請求項２において、
前記モノアニオン性の配位子は、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、又は２つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子である有機金属錯体。
【請求項４】
請求項２において、
前記モノアニオン性の配位子は、式（Ｌ１）又は式（Ｌ２）で表される有機金属錯体。
【化３】
2014185146.tif 000003
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１７は、それぞれ独立に、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ａ１〜Ａ３は、それぞれ独立に、窒素、水素と結合するｓｐ２混成炭素、又は置換基Ｒと結合するｓｐ２混成炭素を表し、前記置換基Ｒは、炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を表す。）
【請求項５】
式（Ｇ５）で表される有機金属錯体。
【化４】
2014185146.tif 000004
（式中、Ｍは、イリジウム、白金、パラジウム、又はロジウムを表し、Ｒ１は、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ２〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基を表し、前記Ｍがイリジウム又はロジウムのときはｎ＝２であり、白金又はパラジウムのときは、ｎ＝１である。）
【請求項６】
一対の電極間に、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機金属錯体を有する発光素子。
【請求項７】
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機金属錯体を有する発光素子。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置を表示部に有する電子機器。
【請求項１０】
請求項８に記載の発光装置を照明部に有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月21日(2017.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される単位からなる重合体を含む化合物であって、
下記一般式（１）中、Ｒ１は、単位ごとにそれぞれ独立であって、
前記重合体中、一般式（１）におけるＲ１として下記一般式（２）または下記一般式（２５）を有する単位、および下記一般式（３）を有する単位をそれぞれ１以上含むことを特徴とする化合物、
【化１】
2014185333.tif 000001
【化２】
2014185333.tif 000002
【化３】
2014185333.tif 000003
【化４】
2014185333.tif 000004
ただし、上記一般式（２）、上記一般式（３）及び上記一般式（２５）においてＬは単位ごとにそれぞれ独立であるリンカーを表し、＊は上記一般式（１）中のＮとの結合部位を指し、上記一般式（３）においてＲ２はＨ、ＯＨ、ＯＭｅ、ＮＨ２、およびＣＯＯＨのいずれかであり、ｋは２０以上２００以下の整数である。
【請求項２】
前記重合体中、Ｒ１として前記一般式（２）または前記一般式（２５）を有する単位の数をｘ、前記重合体の全単位の数をＮとしたときに、ｘ，Ｎが下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の化合物。
０．１３＜ｘ／Ｎ≦０．７８    式（１）
【請求項３】
前記一般式（１）で表される単位からなる重合体を含む化合物であって、
前記一般式（１）中、Ｒ１は、単位ごとにそれぞれ独立であって、
Ｒ１は下記一般式（２）から（５）、下記一般式（２５）及び一般式（２９）より選ばれ、
前記重合体は、少なくとも一般式（２）または一般式（２５）、および一般式（３）をＲ１として有する単位をそれぞれ１以上含むことを特徴とする化合物、
【化５】
2014185333.tif 000005
【化６】
2014185333.tif 000006
【化７】
2014185333.tif 000007
【化８】
2014185333.tif 000008
【化９】
2014185333.tif 000009
【化１０】
2014185333.tif 000010
【化１１】
2014185333.tif 000011
ただし、一般式（２）から（５）、一般式（２５）及び一般式（２９）においてＬは単位ごとにそれぞれ独立であるリンカーを表し、＊は一般式（１）中のＮとの結合部位を指し、
一般式（３）においてＲ２はＨ、ＯＨ、ＯＭｅ、ＮＨ２、およびＣＯＯＨのいずれかであり、ｋは２０以上２００以下の整数であり、
一般式（５）においてＲ３はＮ３、Ｈ、ＣＨ３、ＮＨ２、ＳＨ、ＣＯＯＨのいずれかである。
【請求項４】
重合体中、一般式（２）または一般式（２５）をＲ１として有する単位の数をｘ、一般式（３）をＲ１として有する単位の数をｙ、一般式（４）または一般式（２９）をＲ１として有する単位の数をｚとしたときに、ｘ，ｙ，ｚが下記式（２）の関係を満たすことを特徴とする請求項３に記載の化合物。
０．１３＜ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．７８    式（２）
【請求項５】
重合体中、一般式（４）または一般式（２９）をＲ１として有する単位を少なくとも１つ含むことを特徴とする請求項３または４のいずれかに記載の化合物。
【請求項６】
一般式（６）から（９）、一般式（２８）及び一般式（３０）のいずれかで表わされる単位からなる重合体を含む化合物であって、前記重合体は一般式（６）または一般式（２８）、および一般式（７）で表わされる単位をそれぞれ１以上含むことを特徴とする化合物。
【化１２】
2014185333.tif 000012
【化１３】
2014185333.tif 000013
【化１４】
2014185333.tif 000014
【化１５】
2014185333.tif 000015
【化１６】
2014185333.tif 000016
【化１７】
2014185333.tif 000017
【請求項７】
前記重合体中、一般式（６）または一般式（２８）で表わされる単位の数をｘ、一般式（７）で表わされる単位の数をｙ、一般式（８）または一般式（９）または一般式（３０）で表わされる単位の数をｚとしたときに、ｘ、ｙ、ｚが下記式（２）の関係を満たすことを特徴とする請求項６に記載の化合物。
０．１３＜ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．７８  式（２）
【請求項８】
一般式（１）で表される単位からなる重合体を主鎖として有する化合物であって、
Ｒ１は単位ごとに独立であって、
Ｒ１がＩＣＧ類縁体である下記一般式（１）で表わされる単位と、Ｒ１が両親媒性分子である下記一般式（１）で表わされる単位とを、いずれも含む化合物、
【化１８】
2014185333.tif 000018
ただし、ＩＣＧ類縁体をＲ１に有する単位の数をｘ、重合体の全単位の数をＮとしたときに、
ｘ，Ｎは下記式（１）の関係を満たす。
０．１３＜ｘ／Ｎ≦０．７８  …式（１）
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の化合物を有する粒子。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の化合物および分散媒を有することを特徴とする光音響イメージング用造影剤。
【請求項１１】
粒子の平均粒径が１０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の粒子。
【請求項１２】
請求項９に記載の粒子と、粒子の分散媒とを有することを特徴とする光音響イメージング用造影剤。
【請求項１３】
ポリエチレングリコールの存在下で、ＩＣＧ誘導体とヒアルロン酸を反応させることを特徴とするヒアルロン酸誘導体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月3日(2017.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体の表面に形成されており、
化学式
【化１】
2014185334.tif 000001
で表される基で終端されていると共に、シロキサン結合のみにより三次元架橋構造が形成されていることを特徴とする撥水／撥油皮膜。
【請求項２】
二乗平均平方根粗さＲｑが５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の撥水／撥油皮膜。
【請求項３】
前記化学式（Ａ）に含まれるメチル基以外の有機基を含まないことを特徴とする請求項１又は２に記載の撥水／撥油皮膜。
【請求項４】
前記固体の表面と化学結合していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の撥水／撥油皮膜。
【請求項５】
表面におけるメチル基に対するアルコキシ基及びヒドロキシル基のモル比が０．１以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の撥水／撥油皮膜。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撥水／撥油皮膜を製造する方法であって、
有機シラン化合物を有機溶媒中に溶解させて前駆体溶液を製造する工程と、
該前駆体溶液を固体の表面に塗布する工程を有し、
前記有機シラン化合物は、一般式
【化２】
2014185334.tif 000002
（但し、ｎは、１、２又は３であり、Ｒは、炭素数が１以上６以下のアルコキシ基、クロロ基、又はアセトキシ基である。）
で表される化合物、一般式
【化３】
2014185334.tif 000003
（但し、ｍは、重合度であり、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、一般式
【化４】
2014185334.tif 000004
（但し、ｎは、１又は２であり、Ｒは、炭素数が１以上６以下のアルコキシ基、クロロ基又はアセトキシ基である。）
で表される基又は水素原子である。）
で表される化合物、一般式
【化５】
2014185334.tif 000005
（但し、ｍは、重合度であり、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、一般式
【化６】
2014185334.tif 000006
（但し、ｎは、１又は２であり、Ｒは、炭素数が１以上６以下のアルコキシ基、クロロ基又はアセトキシ基である。）
で表される基又は水素原子である。）
で表される化合物、又は、一般式
【化７】
2014185334.tif 000007
（但し、ｍは、重合度である。）
で表される化合物であることを特徴とする撥水／撥油皮膜の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撥水／撥油皮膜を製造する方法であって、
液体の有機シラン化合物を固体の表面に吸着させる工程を有し、
前記有機シラン化合物は、一般式
【化８】
2014185334.tif 000008
（但し、ｎは、１、２又は３であり、Ｒは、炭素数が１以上６以下のアルコキシ基、クロロ基、又はアセトキシ基である。）
で表される化合物、一般式
【化９】
2014185334.tif 000009
（但し、ｍは、重合度であり、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、一般式
【化１０】
2014185334.tif 000010
（但し、ｎは、１又は２であり、Ｒは、炭素数が１以上６以下のアルコキシ基、クロロ基又はアセトキシ基である。）
で表される基又は水素原子である。）
で表される化合物、一般式
【化１１】
2014185334.tif 000011
（但し、ｍは、重合度であり、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、一般式
【化１２】
2014185334.tif 000012
（但し、ｎは、１又は２であり、Ｒは、炭素数が１以上６以下のアルコキシ基、クロロ基又はアセトキシ基である。）
で表される基又は水素原子である。）
で表される化合物、又は、一般式
【化１３】
2014185334.tif 000013
（但し、ｍは、重合度である。）
で表される化合物であることを特徴とする撥水／撥油皮膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月27日(2016.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービンシステムであって、
入口と、出口と、前記入口と前記出口との間を延在しかつ長手方向軸、径方向軸および接線方向軸を画定するダクト通路と、を備える移行ダクトであって、前記移行ダクトの前記出口が前記長手方向軸および前記接線方向軸に沿って前記入口からオフセットされ、前記ダクト通路が、前記入口から延在する上流部分と、前記出口から延在する下流側部分とを備える、移行ダクトと、
前記ダクト通路の外側表面から延在し、前記外側表面の周りを完全に囲むリブであって、前記リブが前記上流側部分および前記下流側部分を分割し、上流キャビティと下流キャビティとを部分的に規定し、流体的に分割する、リブと
を備え、
前記上流キャビティは、動作流体の第１の部分を前記入口に向けて方向付けるように構成され、
前記下流キャビティは、前記動作流体の第２の部分を前記出口に向けて方向付けるように構成されるタービンシステム。
【請求項２】
タービンシステムであって、
入口と、出口と、前記入口と前記出口との間を延在しかつ長手方向軸、径方向軸および接線方向軸を画定するダクト通路と、を備える移行ダクトであって、前記移行ダクトの前記出口が前記長手方向軸および前記接線方向軸に沿って前記入口からオフセットされる、移行ダクトと、
前記移行ダクトを概して囲む流れスリーブであって、前記流れスリーブが、上流側出口と、下流側出口と、前記上流側出口と前記下流側出口との間を延在するスリーブ通路とを備える、流れスリーブと、
前記移行ダクトと前記流れスリーブとの間に画定されるキャビティであって、前記キャビティが上流側キャビティおよび下流側キャビティを備える、キャビティと、
前記移行ダクトと前記流れスリーブとの間に配置され、前記ダクト通路の周りを完全に囲むリブであって、前記リブが前記上流側キャビティおよび前記下流側キャビティを流体的に分割する、リブと
を備え、
前記上流キャビティは、動作流体の第１の部分を前記上流側出口に向けて方向付けるように構成され、
前記下流キャビティは、前記動作流体の第２の部分を前記下流出口に向けて方向付けるように構成されるタービンシステム。
【請求項３】
前記移行ダクトを概して囲む流れスリーブをさらに備え、前記流れスリーブが、上流側出口と、下流側出口と、前記上流側出口と前記下流側出口との間を延在するスリーブ通路とを備え、前記スリーブ通路が、前記上流側出口から延在する上流側部分と、前記下流側出口から延在する下流側部分とを備え、前記リブがさらに、前記流れスリーブの前記上流側部分および前記流れスリーブの前記下流側部分を分割する、請求項１または２に記載のタービンシステム。
【請求項４】
前記移行ダクトの前記上流側部分および前記流れスリーブの前記上流側部分がそれらの間に上流側キャビティを画定し、前記移行ダクトの前記下流側部分および前記流れスリーブの前記下流側部分がそれらの間に下流側キャビティを画定し、前記リブが前記上流側キャビティおよび前記下流側キャビティを互いから概して隔離する、請求項３記載のタービンシステム。
【請求項５】
前記流れスリーブが衝突スリーブである、請求項３または４に記載のタービンシステム。
【請求項６】
前記リブが前記通路に一体であり、
複数の膜冷却孔が前記ダクト通路の前記下流側部分内に画定される、請求項１乃至５のいずれかに記載のタービンシステム。
【請求項７】
前記移行ダクトの前記出口がさらに前記径方向軸に沿って前記入口からオフセットされる、請求項１乃至６のいずれかに記載のタービンシステム。
【請求項８】
前記下流側部分が複数の内部ピンをさらに備える、請求項１乃至７のいずれかに記載のタービンシステム。
【請求項９】
前記移行ダクトに連通されるタービンセクションをさらに備え、前記タービンセクションが第１のステージのバケット組立体を備え、
前記第１のステージのバケット組立体の上流側にノズルが配置されない、請求項１乃至８のいずれかに記載のタービンシステム。
【請求項１０】
前記リブが前記ダクト通路の外側表面から延在する、請求項１乃至９のいずれかに記載のタービンシステム。
【請求項１１】
ターボ機械であって、
入口セクションと、
排気セクションと、
圧縮機セクションと、
燃焼器セクションであって、前記燃焼器セクションが、
入口と、出口と、前記入口と前記出口との間を延在しかつ長手方向軸、径方向軸および接線方向軸を画定するダクト通路と、を備える移行ダクトであって、前記移行ダクトの前記出口が前記長手方向軸および前記接線方向軸に沿って前記入口からオフセットされる、移行ダクトと、
前記移行ダクトを概して囲む流れスリーブであって、前記流れスリーブが、上流側出口と、下流側出口と、前記上流側出口と前記下流側出口との間を延在するスリーブ通路とを備える、流れスリーブと、
前記移行ダクトと前記流れスリーブとの間に画定されるキャビティであって、前記キャビティが上流側キャビティおよび下流側キャビティを備える、キャビティと、
前記移行ダクトと前記流れスリーブとの間に配置され、前記ダクト通路の周りを完全に囲むリブであって、前記リブが前記上流側キャビティおよび前記下流側キャビティを流体的に分割する、リブと
を備える燃焼器セクションと、
前記移行ダクトに連通されるタービンセクションであって、前記タービンセクションが第１のステージのバケット組立体を備え、前記第１のステージのバケット組立体の上流側にノズルが配置されない、タービンセクションと
を備え、
前記上流キャビティは、動作流体の第１の部分を前記上流側出口に向けて方向付けるように構成され、
前記下流キャビティは、前記動作流体の第２の部分を前記下流出口に向けて方向付けるように構成されるターボ機械。
【請求項１２】
前記リブが前記上流側キャビティおよび前記下流側キャビティを互いから概して隔離する、請求項１１記載のターボ機械。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月19日(2017.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象における神経学的状態を検出するための方法であって、
前記対象から採取された生物試料中のバイオマーカーの量を測定する工程、ここで、前記バイオマーカーは、タウに対する自己抗体、または、タウの分解産物に対する自己抗体である；および、
前記生物試料中の前記バイオマーカーの量に基づいて神経学的状態を検出する工程
を含む、
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記神経学的状態が、外傷性脳損傷、多臓器損傷、脳卒中、神経変性疾患、アルツハイマー病、パーキンソン病および慢性外傷性脳症（ＣＴＥ）からなる群から選択される、
方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記バイオマーカーが、ヒトタウ（配列番号１１）に対する自己抗体である、
方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記バイオマーカーが、アミノ酸２５、４４、１２９、１５７、２２９、または４２１での切断によって形成される、ヒトタウ（配列番号１１）の分解産物に対する自己抗体である、
方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記バイオマーカーが、ラットタウ（配列番号５）に対する自己抗体である、
方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記バイオマーカーが、アミノ酸４３、１２０、２２０、３７０、または４１２での切断によって形成される、ラットタウ（配列番号５）の分解産物に対する自己抗体である、
方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記バイオマーカーの量は、コントロール対象における前記バイオマーカーの量と比較される、
方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記生物試料は、血液、血清、血漿、ＣＳＦ、尿、唾液または組織である、
方法。
【請求項９】
対象における外傷性脳損傷を診断する方法であって、
衝撃の後の対象から採取された生物試料中のバイオマーカーの量を測定する工程、ここで、前記バイオマーカーは、タウに対する自己抗体、または、タウの分解産物に対する自己抗体である；および、
コントロール対象と比べた、前記生物試料中の前記バイオマーカーの変化量に基づいて、外傷性脳損傷を診断する工程
を含む、
方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法であって、
前記生物試料は、血液、血漿、血清、ＣＳＦ、尿、唾液または組織である、
方法。
【請求項１１】
検出試薬であって、
前記検出試薬は、２５位、４４位、１２９位、１５７位、２２９位または４２１位のアミノ酸における切断部位から１０アミノ酸以内のヒトタウ（配列番号１１）アミノ配列に対する自己抗体と結合する、
検出試薬。
【請求項１２】
検出試薬であって、
前記検出試薬は、配列番号１２５、１２６、１２７、１２８、１２９、１３０、１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６、１３７または１３８の少なくとも一部分に対する自己抗体と結合する、
検出試薬。
【請求項１３】
検出試薬であって、
前記検出試薬は、４３位、１２１位、２２９位、３８位または４１２位のアミノ酸における切断部位から１０アミノ酸以内のラットタウ（配列番号５）アミノ配列に対する自己抗体と結合する、
検出試薬。
【請求項１４】
検出試薬であって、
前記検出試薬は、配列番号１１５、１１６、１１７、１１８、１１９、１２０、１２１、１２２、１２３または１２４の少なくとも一部分に対する自己抗体と結合する、
検出試薬。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月1日(2017.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板を研磨する方法であって、
予備研磨工程と、仕上げ研磨工程とを含み、
前記予備研磨工程は、同一定盤上で行われる複数の予備研磨段階を含み、
前記複数の予備研磨段階は、前記シリコン基板に最終予備研磨スラリーＰＦを供給して行われる最終予備研磨段階を含み、
前記最終予備研磨段階において前記シリコン基板に供給される全最終予備研磨スラリーＰＦ中の総Ｃｕ重量および総Ｎｉ重量の少なくとも一方が１μｇ以下である、研磨方法。
【請求項２】
前記最終予備研磨段階において前記シリコン基板に供給される全最終予備研磨スラリーＰＦ中の総Ｃｕ重量および総Ｎｉ重量の合計が２μｇ以下である、請求項１に記載の研磨方法。
【請求項３】
シリコン基板を研磨する方法であって、
予備研磨工程と、仕上げ研磨工程とを含み、
前記予備研磨工程は、同一定盤上で行われる複数の予備研磨段階を含み、
前記複数の予備研磨段階は：
前記シリコン基板に最終予備研磨スラリーＰＦを供給して行われる最終予備研磨段階と、
前記最終予備研磨段階よりも前に、ＣｕおよびＮｉの少なくとも一方の濃度が前記最終予備研磨スラリーＰＦにおける同元素の濃度よりも高い非最終予備研磨スラリーＰＮを前記シリコン基板に供給して行われる非最終予備研磨段階と
を含む、研磨方法。
【請求項４】
前記非最終予備研磨スラリーＰＮは、該非最終予備研磨スラリーＰＮに含まれる砥粒１０ｇ当たりのＣｕ重量およびＮｉ重量の少なくとも一方が、前記最終予備研磨スラリーＰＦに含まれる砥粒１０ｇ当たりの同元素の重量よりも多い、請求項３に記載の研磨方法。
【請求項５】
前記最終予備研磨スラリーＰＦは、該最終予備研磨スラリーＰＦに含まれる砥粒１０ｇ当たりのＣｕ重量およびＮｉ重量の少なくとも一方が０．０２μｇ以下である、請求項３または４に記載の研磨方法。
【請求項６】
前記最終予備研磨スラリーＰＦは、該最終予備研磨スラリーＰＦに含まれる砥粒１０ｇ当たりのＣｕおよびＮｉの合計重量が０．１μｇ以下である、請求項３から５のいずれか一項に記載の研磨方法。
【請求項７】
前記非最終予備研磨スラリーＰＮに含まれる砥粒１０ｇ当たりのＣｕおよびＮｉの合計重量が、前記最終予備研磨スラリーＰＦに含まれる砥粒１０ｇ当たりのＣｕおよびＮｉの合計重量よりも大きい、請求項３から６のいずれか一項に記載の研磨方法。
【請求項８】
前記予備研磨工程では前記シリコン基板の両面を同時に研磨し、前記仕上げ研磨工程では前記シリコン基板の片面を研磨する、請求項３から７のいずれか一項に記載の研磨方法。
【請求項９】
ハードレーザーマークの付されたシリコン基板に対して前記予備研磨工程を行う、請求項３から８のいずれか一項に記載の研磨方法。
【請求項１０】
請求項３から９のいずれか一項に記載の研磨方法に用いられる研磨用組成物セットであって、
前記非最終予備研磨スラリーＰＮまたはその濃縮液である非最終予備研磨用組成物ＱＮと、
前記最終予備研磨スラリーＰＦまたはその濃縮液である最終予備研磨用組成物ＱＦと
を含み、
前記非最終予備研磨用組成物ＱＮと前記最終予備研磨用組成物ＱＦとは互いに分けて保管される、研磨用組成物セット。
【請求項１１】
請求項３から９のいずれか一項に記載の研磨方法において最終予備研磨スラリーＰＦとして用いられる研磨用組成物であって、該研磨用組成物に含まれる砥粒１０ｇ当たりのＣｕ重量およびＮｉ重量の少なくとも一方が０．０２μｇ以下である、研磨用組成物。
【請求項１２】
請求項３から９のいずれか一項に記載の研磨方法において最終予備研磨スラリーＰＦとして用いられる研磨用組成物であって、該研磨用組成物に含まれる砥粒１０ｇ当たりのＣｕおよびＮｉの合計重量が０．１μｇ以下である、研磨用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月1日(2017.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材からなり相対向する一対の接極片を有する第１ヨークと、前記一対の接極片の内側に配置され励磁電流により励磁されて電磁力が発生する閉極コイルおよび開極コイルと、前記閉極コイルおよび前記開極コイルに貫挿され前記電磁力により前記一対の接極片のいずれか一方に吸着されるプランジャと、前記第１ヨークに磁界を与えると共に前記接極片に吸着された前記プランジャの状態を保持する永久磁石と、前記永久磁石と前記プランジャの間の磁路を形成する第２ヨークとを備え、
閉極動作時は前記閉極コイルが励磁されると同時に前記開極コイルが逆励磁され、開極動作時は前記開極コイルが励磁されると同時に前記閉極コイルが逆励磁されるように構成されていることを特徴とする電磁アクチュエータ。
【請求項２】
前記第１ヨークの前記接極片と前記プランジャとの空隙長が、前記プランジャと前記第２ヨークとの空隙長に前記永久磁石の厚さを加えた長さより短く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項３】
前記第１ヨークの前記接極片と前記プランジャとの磁気抵抗が、前記プランジャと前記第２ヨークとの空隙長に前記永久磁石の厚さを加えた磁気抵抗より低いことを特徴とする請求項１に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項４】
前記閉極コイルと前記開極コイルとは同方向に巻回されて直列に接続され、前記励磁電流の通電により同時に励磁されるように構成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項５】
前記閉極コイルと前記開極コイルは個別の励磁回路を備え、それぞれの前記励磁回路に前記励磁電流の極性を切替える切替え手段を有していることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項６】
固定接点と、可動接点と、前記可動接点を駆動して前記固定接点に接離させる電磁アクチュエータとを備えた電磁リレーであって、
前記電磁アクチュエータは、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電磁アクチュエータが用いられていることを特徴とする電磁リレー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係る電磁アクチュエータは、磁性材からなり相対向する一対の接極片を有する第１ヨークと、一対の接極片の内側に配置され励磁電流により励磁されて電磁力が発生する閉極コイルおよび開極コイルと、閉極コイルおよび開極コイルに貫挿され電磁力により一対の接極片のいずれか一方に吸着されるプランジャと、第１ヨークに磁界を与えると共に接極片に吸着されたプランジャの状態を保持する永久磁石と、永久磁石とプランジャの間の磁路を形成する第２ヨークとを備え、閉極動作時は閉極コイルが励磁されると同時に開極コイルが逆励磁され、開極動作時は開極コイルが励磁されると同時に閉極コイルが逆励磁されるように構成されているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明の電磁アクチュエータによれば、相対向する一対の接極片を有する第１ヨークと、閉極コイルおよび開極コイルと、一対の接極片のいずれか一方に吸着されるプランジャと、接極片に吸着されたプランジャの状態を保持する永久磁石と、第２ヨークとを備え、閉極動作時は閉極コイルが励磁されると同時に開極コイルが逆励磁され、開極動作時は開極コイルが励磁されると同時に閉極コイルが逆励磁されるように構成されているので、開極動作時および閉極動作時に必要なエネルギーを小さくでき、電磁アクチュエータの小型化と省エネルギー化を図ることが可能となる。
また、この発明の電磁リレーによれば、可動接点を駆動して固定接点に接離させる電磁アクチュエータとして、上記の電磁アクチュエータが用いられているので、電磁アクチュエータが小型化，省エネルギー化できるため、電磁リレーを小型化，省エネルギー化できる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月24日(2017.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の量子井戸のサブバンド間における電子のエネルギー緩和により発光光を放射する半導体発光装置であって、
前記発光光の放射方向に対して平行な方向に延在するストライプ状に設けられ、前記複数の量子井戸を含み１０μｍ以上の波長の前記発光光を放射する活性層と、
前記ストライプ状の活性層の長辺に沿って少なくとも前記活性層の上下に設けられ、前記活性層よりも屈折率が低い１対のクラッド層と、
を備え、
前記活性層は、ＩｎＰ層の上に設けられ、
前記クラッド層の一部は、ＧａＡｓを含み、前記活性層の格子間隔と略同一の格子定数を有する材料を含む他の部分よりも前記発光光の波長における光吸収が相対的に低い半導体発光装置。
【請求項２】
前記クラッド層は、前記活性層の対向する２つの側面に沿って設けられた部分にＧａＡｓを含む請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記クラッド層における前記側面に沿って設けられた部分は、半絶縁層である請求項２記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記活性層を挟んで、前記ＩｎＰ層とは反対側に設けられた前記クラッド層の少なくとも一部がＧａＡｓを含む請求項２または３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記活性層と前記ＧａＡｓを含むクラッド層との間に、ＩｎＰの格子定数とＧａＡｓの格子定数との間の中間の格子定数を有する緩衝層を備えた請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記活性層は、ＧａＩｎＡｓとＡｌＩｎＡｓとを含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体発光装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の実施形態は、赤外領域の光を放射する高出力の半導体発光装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
実施形態は、複数の量子井戸のサブバンド間における電子のエネルギー緩和により発光光を放射する半導体発光装置であって、前記発光光の放射方向に対して平行な方向に延在するストライプ状に設けられ、前記複数の量子井戸を含み１０μｍ以上の波長の前記発光光を放射する活性層と、前記ストライプ状の活性層の長辺に沿って少なくとも前記活性層の上下に設けられ、前記活性層よりも屈折率が低い１対のクラッド層と、を備える。前記活性層は、ＩｎＰ層の上に設けられ、前記クラッド層の一部は、ＧａＡｓを含み、前記活性層の格子間隔と略同一の格子定数を有する材料を含む他の部分よりも前記発光光の波長における光吸収が相対的に低い。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月1日(2017.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で原子層エッチング（ＡＬＥ）を実施するための方法であって、
（ａ）前記基板の表面上で、前記基板表面の少なくとも１つの単分子層を改質層に変換するように構成された表面改質動作を実施することと、
（ｂ）前記基板表面上で、前記基板表面から前記改質層を除去するように構成された除去動作を実施することであって、前記改質層を除去することは、前記改質層を揮発させるように構成された配位子交換反応を介して起こることと、
（ｃ）前記除去動作に続いて、前記基板表面上で、前記基板表面からの前記除去動作によって生成された残留物を除去するように構成されたプラズマ処理を実施することであって、前記残留物は、前記プラズマ処理によって揮発されることと、
（ｄ）前記基板表面から所定の厚さがエッチングされるまで、動作（ａ）から（ｃ）を繰り返すことと
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記表面改質動作を実施することは、前記基板表面をフッ素含有プラズマに曝露することを含み、前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、前記基板表面の前記少なくとも１つの単分子層をフッ素種に変換するように構成される、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記基板表面は、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属リン化物、金属硫化物、または金属ヒ化物を含み、
前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、金属フッ化物を形成する、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、
前記基板表面を前記フッ素含有プラズマに曝露することは、フッ素含有ガスを前記基板が配置されているチャンバ内に導入し、プラズマを点弧することを含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、約１５秒より短い期間に、約１０ｍＴｏｒｒから５００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力で実施される、方法。
【請求項６】
請求項２に記載の方法であって、
前記除去動作を実施することは、前記基板表面をスズ（ＩＩ）アセチルアセトネート（Ｓｎ（ａｃａｃ）２）蒸気に曝露することを含み、前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２蒸気への前記曝露は、ａｃａｃ配位子を前記改質層のフッ素原子と交換するように構成される、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記基板表面を前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２に曝露することは、前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２を前記基板が配置されているチャンバ内に蒸気として導入することを含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２への前記曝露は、約１秒から３０秒の期間に実施される、方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法であって、
前記プラズマ処理を実施することは、前記基板表面を水素プラズマに曝露することを含み、前記水素プラズマへの前記曝露は、前記基板表面上で、スズ、フッ化スズ、または酸化スズの残留物を揮発させるように構成される、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記基板表面を前記水素プラズマに曝露することは、水素ガスを前記基板が配置されているチャンバ内に導入し、プラズマを点弧することを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記水素プラズマへの前記曝露は、約１秒から３０秒の期間に実施される、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
動作（ａ）は、第１のチャンバで実施され、
動作（ｂ）は、第２のチャンバで実施される、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
動作（ｄ）は、前記第１のチャンバで実施される、方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって、
動作（ｄ）は、第３のチャンバで実施される、方法。
【請求項１５】
基板上で原子層エッチング（ＡＬＥ）を実施するための方法であって、
（ａ）前記基板の表面上で、前記基板表面の少なくとも１つの単分子層を改質層に変換するように構成された表面改質動作を実施することと、
（ｂ）前記基板表面上で、前記基板表面から前記改質層を除去するように構成された除去動作を実施することであって、前記改質層を除去することは、前記改質層を揮発させるように構成される配位子交換反応を介して起こることと、
（ｃ）所定回数のサイクルの間、動作（ａ）および（ｂ）を繰り返すことと、
（ｄ）動作（ｃ）に続いて、前記基板表面上で、前記基板表面からの前記除去動作によって生成された残留物を除去するように構成されたプラズマ処理を実施することであって、前記残留物は、前記プラズマ処理によって揮発されることと、
（ｅ）前記基板表面から所定の厚さがエッチングされるまで、動作（ａ）から（ｄ）を繰り返すことと
を備える、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記表面改質動作を実施することは、前記基板表面をフッ素含有プラズマに曝露することを含み、前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、前記基板表面の前記少なくとも１つの単分子層をフッ素種に変換するように構成され、
前記除去動作を実施することは、前記基板表面をスズ（ＩＩ）アセチルアセトネート（Ｓｎ（ａｃａｃ）２）蒸気に曝露することを含み、前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２蒸気への前記曝露は、ａｃａｃ配位子を前記改質層のフッ素原子と交換するように構成され、
前記プラズマ処理を実施することは、前記基板表面を水素プラズマに曝露することを含み、前記水素プラズマへの前記曝露は、前記基板表面上で、スズ、フッ化スズ、または酸化スズの残留物を揮発させるように構成される、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記基板表面は、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属リン化物、金属硫化物、または金属ヒ化物を含み、
前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、金属フッ化物を形成する、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、
前記フッ素含有プラズマへの前記曝露は、約１５秒より短い期間に、約１０ｍＴｏｒｒから５００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力で実施され、
前記Ｓｎ（ａｃａｃ）２への前記曝露は、約１秒から３０秒の期間に実施され、
前記水素プラズマへの前記曝露は、約１秒から３０秒の期間に実施される、方法。