Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月23日(2017.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
但し、上述した様な従来構造の第１例の場合には、次の様な問題を生じる可能性がある。即ち、前記軸受キャップ８を構成する底板部１２を軸方向に貫通したホルダ挿入孔１５に、前記ホルダ本体部１８を挿入する構成を採用している為、このセンサ挿入孔１５を通じて、前記軸受キャップ８の内部（底板部１２の軸方向外側）の空間に、泥水等の異物が侵入する可能性がある。又、前記ホルダ挿入孔１５だけでなく、前記ボルト挿通孔１６に就いても、前記底板部１２を軸方向に貫通している為、前記センサホルダ１４を前記軸受キャップ８に支持固定する以前の状態で、前記両孔１５、１６を通じて、この軸受キャップ８の内部の空間に異物が侵入する可能性がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
そして、本例の場合には、上述の様な構成を有する軸受キャップ３３に対し、前記センサホルダ１４ｂを、次の様にして支持固定する。即ち、このセンサホルダ１４ｂを構成する棒状のホルダ本体部１８ｂのうち、内部に前記センサを包埋した先端部を、前記ホルダ挿入孔４６の内側にがたつきなく配置（挿入）すると共に、中間部を前記ホルダ支持部４７を構成する前記各ホルダ支柱４８ａ、４８ｂの内側にがたつきなく配置する。そして、前記ホルダ本体部１８ｂの基端部に設けた取付フランジ部１９ｂに対し、図示しないボルトを挿通させ、このボルトの先端部に設けた雄ねじ部を、前記ナット３７の雌ねじ部５３に螺合させる。これにより、前記エンコーダ１３（エンコーダ本体２９の被検出面）に対し、前記センサを、前記ホルダ挿入孔４６の底部を介して近接対向させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
特に本例の場合には、前記ホルダ本体部１８ａを介してセンサの位置決めを図る為の、前記ホルダ挿入孔４６及び前記ホルダ支持部４７内に侵入した異物を、効果的に排出する事ができる。
即ち、本例の場合には、前記軸受キャップ３３を構成する底板部３９に設けた、前記ホルダ本体部１８ｂのうちで前記ホルダ挿入孔４６から突出した中間部を支持するホルダ支持部４７を、４本のホルダ支柱４８ａ、４８ｂから構成する事で、このホルダ支持部４７のうち、鉛直方向下方位置、側方位置及び鉛直方向上方位置の合計３個所位置に、不連続部である前記各隙間５６ａ、５６ｂ、５６ｃを設けている。この為、前記ホルダ挿入孔４６又は前記ホルダ支持部４７内に侵入した異物を、前記各隙間５６ａ、５６ｂ、５６ｃを通じて排出する事ができる。特に、これら各隙間５６ａ、５６ｂ、５６ｃのうち、隙間５６ａは、前記ホルダ支持部４７の鉛直方向下方位置に配置されている為、重力の作用を利用して、異物を効果的に排出する事ができる。従って、本例の構造によれば、前述した従来構造の第２例の様に、軸方向内方のみが開口した隙間を通じて異物を排出する構造を採用した場合に比べて、異物を効率良く排出する事ができる。この結果、前記ホルダ挿入孔４６又は前記ホルダ支持部４７から異物が排出されなかったり、水分だけが排出されて泥が堆積する事を有効に防止できる。又、堆積した泥や内部に残留した水分の氷結によって、前記ホルダ本体部１８ｂの先端部を損傷したり、前記ホルダ挿入孔４６の底部を損傷したりする事も有効に防止できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
以上の様な構成を有する本例の場合には、前記ホルダ支持部４７ｄによって、ホルダ本体部１８ｂの上方から滴下する泥水等から保護する事ができる。又、センサホルダ１４ｂを支持固定する際に利用するボルトをナット３７に螺合させる際に、このセンサホルダ１４ｂに作用する回転力を、前記ホルダ支持部４７ｄによって支承する事ができる。
尚、本例の構造を実施する場合に、走行に於ける上下振動に起因してセンサ位置がずれる事を防止する為に、前記ホルダ挿入孔４６の下方位置（図１０に破線で示した位置）に、別途ホルダ支柱を設ける事もできる。又、この場合には、このホルダ支柱の上面を円筒状凸面として、異物の排出性を良好にする事もできる。
その他の構成及び作用効果に就いては、前記実施の形態の第１例の場合と同様である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
１    転がり軸受ユニット
２    外輪
３    ハブ
４    転動体
５    固定側フランジ
６    回転側フランジ
７    シールリング
８、８ａ  軸受キャップ
９、９ａ  キャップ本体
１０、１０ａ  金属環
１１、１１ａ  嵌合筒部
１２、１２ａ  底板部
１３    エンコーダ
１４、１４ａ、１４ｂ  センサホルダ
１５、１５ａ  ホルダ挿入孔
１６    ボルト挿通孔
１７、１７ａ  ナット
１８、１８ａ、１８ｂ  ホルダ本体部
１９、１９ａ、１９ｂ    取付フランジ部
２０    ボルト
２１    ホルダ支持部
２２    隙間
２３ａ、２３ｂ  外輪軌道
２４    ハブ本体
２５    内輪
２６    かしめ部
２７ａ、２７ｂ  内輪軌道
２８    支持環
２９    エンコーダ本体
３０    嵌合部
３１    外向鍔部
３２    円輪部
３３、３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅ、３３ｆ、３３ｇ  軸受キャップ
３４    キャップ本体
３５    金属環
３６    Ｏリング
３７    ナット
３８    嵌合筒部
３９    底板部
４０    小径筒部
４１    大径筒部
４２    段差面
４３    円筒部
４４    外向フランジ部
４５    厚肉部
４６    ホルダ挿入孔
４７、４７ａ、４７ｂ、４７ｃ、４７ｄ、４７ｅ  ホルダ支持部
４８ａ、４８ｂ、４８ｃ、４８ｄ、４８ｅ、４８ｆ、４８ｇ  ホルダ支柱    
４９、４９ａ  ナット保持部
５０    保持凹部
５１、５１ａ  保持筒部
５２    係合凸条
５３    雌ねじ部
５４    係合凹溝
５５、５５ａ  突き当て面
５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄ、５６ｅ、５６ｅ、５６ｆ、５６ｇ、５６ｈ  隙間
５７、５７ａ  開口部
５８  庇部
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月22日(2016.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネート樹脂（Ａ）１００質量部に対し、下記一般式（Ｉ）で表される直鎖アルキレンエーテル単位（Ｂ１）及び下記一般式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−４）で表される単位から選ばれる分岐アルキレンエーテル単位（Ｂ２）を有するポリアルキレングリコール共重合体（Ｂ）（ただし、一般式：ＨＯ（Ｃ４Ｈ８Ｏ）ｍ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｎＨ  ［式中、ｍ及びｎは、それぞれ独立して、４〜６０の整数を示し、ｍ＋ｎは、２０〜９０の整数を示す］で表されるテトラメチレングリコール誘導体を除く。）を０．１〜４質量部、リン系安定剤（Ｃ）を０．００５〜０．５質量部含有することを特徴とする薄肉光学部品用ポリカーボネート樹脂組成物。
【化１】
2016130298.tif 000001
（式中、ｎは３〜６の整数）
【化２】
2016130298.tif 000002
（式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−４）中、Ｒ１〜Ｒ１０は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基を示し、それぞれの式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−４）においてＲ１〜Ｒ１０の少なくとも１つ以上は炭素数の１〜３のアルキル基である。）
【請求項２】
ポリアルキレングリコール共重合体（Ｂ）中の（Ｂ１）単位と（Ｂ２）単位のモル比が９５／５〜５／９５である請求項１に記載の薄肉光学部品用ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項３】
ポリアルキレングリコール共重合体（Ｂ）が、テトラメチレンエーテル単位と３−メチルテトラメチレンエーテル単位からなる共重合体である請求項１又は２に記載の薄肉光学部品用ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項４】
ポリアルキレングリコール共重合体（Ｂ）が、テトラメチレンエーテル単位と２−メチルエチレンエーテル単位からなる共重合体である請求項１又は２に記載の薄肉光学部品用ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項５】
ポリカーボネート樹脂（Ａ）の粘度平均分子量（Ｍｖ）が１０，０００〜１５，０００である請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄肉光学部品用ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項６】
３００ｍｍの光路長で測定した波長４２０ｎｍでの分光透過率が５０％以上である請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄肉光学部品用ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物を成形した薄肉光学部品。
【請求項８】
１ｍｍ以下の厚みを有する導光板である請求項７に記載の薄肉光学部品。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物を３０５〜３８０℃で射出成形する肉厚が１ｍｍ以下の薄肉光学部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月12日(2017.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
本発明の防曇性組成物により形成された防曇層の接触角は２０°以下が好ましい。当該防曇層の接触角を２０°以下とすることにより、後述する防曇性フィルムの防曇性が特に良好となる。なお、上記接触角は、ＪＩＳ  Ｒ３２５７に準拠した測定方法により、水滴の容量５μｌ、θ／２法により算出する測定条件により測定した値である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
（合成樹脂フィルムの調製）
直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ：ダウケミカル社製  商品名「エリート５１００」密度０．９２０ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ０．８ｇ／１０分）、赤外線吸収剤（無機フィラー：協和化学工業株式会社製  商品名「ＤＨＴ−４Ａ」）、及び、光安定剤（ＨＡＬＳ：ＢＡＳＦジャパン社製  商品名「ＴＩＮＵＶＩＮ７８３」）を表１に示す配合で混合し、２５ｍｍφダイを備える単層インフレーション成形装置（ＨＡＡＫＥ社製）を用い、成形温度１７０℃、ブロー比２．０の条件で押し出し成形して、厚さ１５０μｍの合成樹脂フィルムを調製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
＜接触角＞
ＪＩＳ  Ｒ３２５７に準拠した測定方法により、水滴の容量５μｌ、θ／２法により算出する測定条件により測定した。測定面を防曇層として、下記基準に従って評価した。
◎：１０°以下
○：１０°を超え、２０°以下
△：２０°を超え、４０°以下
×：４０°を超える
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月27日(2016.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クエン酸第二鉄を含むゲル状組成物の製造方法であって、
（Ａ）増粘多糖類の水溶液を調製する工程、及び
（Ｂ）加熱下で、該水溶液に該クエン酸第二鉄を添加・撹拌する工程、
を含む、前記製造方法。
【請求項２】
前記クエン酸第二鉄がゲル状組成物中に５質量％以上含まれる、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記水溶液に更に低分子糖類が含まれる、請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
加熱下で水溶液を調製する、請求項１から３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
工程（Ｂ）における加熱が温度５５℃〜１００℃の範囲である、請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
増粘多糖類が寒天、デキストリン、キサンタンガム、又はローカズビーンガムのいずれかを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
該増粘多糖類１質量部に対して低分子糖類が３質量部以上である、請求項１から６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
さらに、（Ｃ）得られたゲル状組成物得られたゲル状組成物を、スティック状の三方シールに充填してゲル状組成物製品とする工程、
を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
ゲル状組成物が医薬用又は食品用である、請求項１から８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
クエン酸第二鉄及び増粘多糖類を含むゲル状組成物であって、更に、以下に示す溶出特性：
（１）第１６改正日本薬局方溶出試験法パドル法で第１６改正日本薬局方溶出試験溶出試験液ＩＩ液を試験液とし、回転数を５０回／分とする溶出試験において、溶出時間が３０分における鉄の溶出率が７５％以上である；
（２）第１６改正日本薬局方溶出試験法パドル法で第１６改正日本薬局方溶出試験溶出試験液Ｉ液を試験液とし、回転数を５０回／分とする溶出試験において、溶出時間が４５分における鉄の溶出率が８０％以上である；及び       /又は
（３）第１６改正日本薬局方溶出試験法パドル法で水を試験液とし、回転数を５０回／分とする溶出試験において、溶出時間が４５分における鉄の溶出率が８０％以上である、
を有することを特徴とする、前記ゲル状組成物。
【請求項１１】
前記クエン酸第二鉄が５質量％以上含まれる、請求項１０記載のゲル状組成物。
【請求項１２】
更に低分子糖類を含む、請求項１０又は１１に記載のゲル状組成物。
【請求項１３】
クエン酸第二鉄と増粘多糖類が均一に分散・溶解して成る、請求項１０から１２のいずれか一項に記載のゲル状組成物。
【請求項１４】
医薬用又は食品用である、請求項１０から１３のいずれか一項に記載のゲル状組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月7日(2017.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−５１２１３号公報
【特許文献２】国際公開２０１３／１７５５６８号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
そして、時刻Ｔ１２に第一クラッチ圧Ｐ１が係合圧ＰＸ１に達することで、該第一クラッチ圧Ｐ１の上昇が停止する。これにより第一摩擦クラッチ６１の係合が完了する。その後、時刻Ｔ１３に第三クラッチ圧Ｐ３＝ＰＭ３となる。この第三クラッチ圧Ｐ３＝ＰＭ３は、該第三摩擦クラッチ６３が係合する油圧よりも小さい所定の準備油圧である。この第三クラッチ圧Ｐ３＝ＰＭ３によって第三摩擦クラッチ６３の無効ストローク詰めがなされている。そして、時刻Ｔ１４以降、第三摩擦クラッチ６３にさらに油圧が供給されて第三クラッチ圧Ｐ３がＰＭ３から上昇する。そして、時刻Ｔ１５に第三クラッチ圧Ｐ３が係合圧ＰＸ３に達することで、該第三クラッチ圧Ｐ３の上昇が停止する。これにより第三摩擦クラッチ６３の係合が完了する。こうして、前進用駆動力伝達経路（ＬＯＷモード）が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月26日(2017.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠位爪下の爪真菌症、表在性白色爪真菌症、又は全異栄養性爪真菌症を治療するための
組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含み、
爪に浸透して当該感染症を治療することができる、前記組成物。
【請求項２】
尋常性疣贅を治療するための組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項３】
前記尋常性疣贅が非性器尋常性疣贅である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
伝染性軟属腫を治療するための組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項５】
粘膜の感染症を治療するための組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項６】
爪周囲炎を治療するための組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項７】
グラム陰性趾間感染症を治療するための組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項８】
非性器単純ヘルペスウイルス感染症を治療するための組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項９】
術後切除部位、成熟肥厚性瘢痕、又は成熟ケロイド瘢痕を治療するための組成物であっ
て、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項１０】
足白癬を治療するための組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項１１】
乾癬性爪疾患を治療するための組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項１２】
扁平苔癬疾患を治療するための組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項１３】
節足動物攻撃を治療するための組成物であって、
（ａ）ポビドンヨード（ＰＶＰ−Ｉ）と、
（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と、
を含む、前記組成物。
【請求項１４】
該組成物が実質的に無水である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１５】
該組成物が無水である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１６】
ＰＶＰ−Ｉが約０．０１％〜約１０％（ｗ／ｗ）で存在する、請求項１〜１５のいずれ
か１項に記載の組成物。
【請求項１７】
ＰＶＰ−Ｉが、約０．０５％〜約１０％、約０．１％〜約５％、約０．２％〜約２．５
％および約０．５％〜約１％（ｗ／ｗ）からなる群から選択される範囲で存在する、請求
項１〜１５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１８】
ＰＶＰ−Ｉが、約０．１％、約０．２％、約０．３％、約０．４％、約０．５％、約１
．０％、約１．２５％、約１．５％、約２．０％、約２．５％および約５％（ｗ／ｗ）か
らなる群から選択される範囲で存在する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の組成物
。
【請求項１９】
ＰＶＰ−Ｉが約１％（ｗ／ｗ）で存在する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の組
成物。
【請求項２０】
少なくとも１種の自然療法物質をさらに含む、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の
組成物。
【請求項２１】
ザクロ（Punica Granatum）エキス、チャ（Camellia Sinensis）葉エキス、アスコルビ
ン酸、キンセンカ（Calendula Officinalis）エキス、スペインカンゾウ（Glycrrhiza Gl
abra）エキス、アラントインおよびキュウリ（Cucumis Sativus）果実エキスからなる群
から選択される少なくとも１種の物質をさらに含む、請求項１〜２０のいずれか１項に記
載の組成物。
【請求項２２】
トルナフテート、テルビナフィン、ウンデシレン酸、クリオキノール、ミコナゾール、
硝酸ミコナゾール、クロリナゾール（clorrinazole）、チオコナゾール、ナイスタチン、
テルコナゾイク（terconazoic）、硝酸ブトコナゾール、シクロピロクスオラミン、硝酸
エコナゾール、トリアセチン、フルシトシン、ハロプロジンおよびケトコナゾールからな
る群から選択される少なくとも１種の抗真菌剤をさらに含む、請求項１〜２１のいずれか
１項に記載の組成物。
【請求項２３】
該少なくとも１種の抗真菌剤が、約１％〜約２５％（ｗ／ｗ）の量で存在する、請求項
２２に記載の組成物。
【請求項２４】
ポリグリコールを含まない、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２５】
３０％〜９９．９％の範囲のＤＭＳＯを含む、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の
組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月31日(2017.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記式（１）に示される化合物またはその塩を有効成分とする香味変調剤。
【化１】
2017078040.tif 000001
上記式（１）中、ｎ＝２，３，４または５を示し、ｍ＝１または２を示し（ただしｎ＝２かつｍ＝１の場合は除く）、ＸはＯまたはＳを示し、Ｙは下記式（２）または（３）を示す。
【化２】
2017078040.tif 000002
上記式（２）中、Ｚは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはＯＲ基（Ｒは水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基）を示す（ただし、ｎ＝３、ｍ＝１であって、ＸはＯかつＺはＨの場合を除く）。また、上記式（３）中、Ｒ１〜Ｒ５は水素原子またはメチル基であって、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも２つがメチル基である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
下記式（４）に示される化合物またはその塩
【化３】
2017078040.tif 000003
上記式（４）中、ｎ＝２，３，４または５を示し、ｍ＝１または２を示し（ただしｎ＝２かつｍ＝１の場合は除く）、ＸはＯまたはＳを示し、Ｙは下記式（５）または（６）を示す。
【化４】
2017078040.tif 000004
上記式（５）中、Ｚは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはＯＲ基（Ｒは水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基）を示す（ただし、ｎ＝３もしくは４であって、ｍ＝１、ＸはＯかつＺはＨまたはメチル基の場合を除く）。また、上記式（６）中、Ｒ１〜Ｒ５は水素原子またはメチル基であって、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも２つがメチル基である。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月4日(2017.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部の外側に設けられた接続部を有し、
前記接続部は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の絶縁層の第１の開口を介して前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層の第２の開口と、前記第２の導電層の第３の開口と、前記第２の絶縁層の第４の開口と、を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第３の導電層の端部より延びた領域を有し、
前記接続部を上方から見たとき、前記領域の線幅は、前記第２の開口の長辺方向の幅より小さい、表示装置。
【請求項２】
画素部の外側に設けられた接続部を有し、
前記接続部は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の絶縁層の第１の開口を介して前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層の第２の開口と、前記第２の導電層の第３の開口と、前記第２の絶縁層の第４の開口と、を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記接続部を上方から見たとき、前記第１の開口の長辺方向の幅は、前記第２の開口の長辺方向の幅より小さい、表示装置。
【請求項３】
画素部の外側に設けられた接続部を有し、
前記接続部は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の絶縁層の第１の開口を介して前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層の第２の開口と、前記第２の導電層の第３の開口と、前記第２の絶縁層の第４の開口と、を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、導電性粒子を介して外部接続端子と電気的に接続されている、表示装置。
【請求項４】
画素部の外側に設けられた接続部を有し、
前記接続部は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の絶縁層の第１の開口を介して前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層の第２の開口と、前記第２の導電層の第３の開口と、前記第２の絶縁層の第４の開口と、を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、導電性粒子を介して外部接続端子と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第３の導電層と重なる第１の領域と、前記第３の導電層の端部より延びた第２の領域を有し、
前記接続部を上方から見たとき、前記第２の領域の線幅は、前記第２の開口の長辺方向の幅及び前記第１の領域の線幅より小さい、表示装置。
【請求項５】
画素部の外側に設けられた接続部を有し、
前記接続部は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の絶縁層の第１の開口及び前記第２の絶縁層の第５の開口を介して前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層の第２の開口と、前記第２の導電層の第３の開口と、前記第２の絶縁層の第４の開口と、を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第３の導電層の端部より延びた領域を有し、
前記接続部を上方から見たとき、
前記領域の短辺方向の幅は、前記第２の開口の長辺方向の幅より小さく、
前記領域の長辺方向において、前記第２乃至第４の開口は、前記第１の開口と前記第５の開口との間に位置する領域を有する、表示装置。
【請求項６】
画素部の外側に設けられた接続部を有し、
前記接続部は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の絶縁層の第１の開口を介して前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層の第２の開口と、前記第２の導電層の第３の開口と、前記第２の絶縁層の第４の開口と、を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第３の導電層の端部より延びた領域を有し、
前記接続部を上方から見たとき、前記領域の線幅は、前記第２の開口の長辺方向の幅より小さく、
ＦＦＳモードで駆動する機能を有する、表示装置。
【請求項７】
画素部の外側に設けられた接続部を有し、
前記接続部は、
前記画素部のゲート配線と同一材料を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上方のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上方の、前記画素部のソース配線と同一材料を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の絶縁層と、
前記絶縁層上方の、透光性を有する第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記絶縁層の第１の開口を介して前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記ゲート絶縁層の第２の開口と、前記第２の導電層の第３の開口と、前記絶縁層の第４の開口と、を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第３の導電層の端部より延びた領域を有し、
前記接続部を上方から見たとき、前記領域の線幅は、前記第２の開口の長辺方向の幅より小さい、表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月26日(2017.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トリフルオロフェニル誘導体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表されるトリフルオロフェニル誘導体。
【化１】
2015044795.tif 000001
（但し、一般式（Ｇ１）中、Ａｒ１は、炭素数６から１２のアリーレン基又は炭素数３から１２のシクロアルキレン基又は炭素数３から１２のシクロアルケニレン基を表し、ｍは１乃至２を表す。また、Ｒ１は、水素又は炭素数２乃至１１のアルキル基又は炭素数２乃至１１のアルコキシ基を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月20日(2017.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ビナフチル化合物、液晶素子、液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表されるビナフチル化合物。
【化１】
2015044798.tif 000001
（但し、一般式（Ｇ１）中、Ａｒ１１、Ａｒ１２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキレン基、又は置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルケニレン基を表し、ｍは１乃至２を表し、ｎは０乃至２を表す。また、Ｒ１２は、置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルキレン基、又は単結合を表す。また、Ｒ１３は、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。また、Ｒ１０及びＲ１１のうちの一方は、下記一般式（Ｇ２）で表される置換基を表し、他方は水素を表す。）
【化２】
2015044798.tif 000002
（但し、一般式（Ｇ２）中、Ａｒ１３、Ａｒ１４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキレン基、又は置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルケニレン基を表し、ｌは１乃至２を表し、ｋは０乃至２を表す。また、Ｒ１４は、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。）
【請求項２】
前記Ａｒ１１、前記Ａｒ１２、前記Ａｒ１３、前記Ａｒ１４、前記Ｒ１２、前記Ｒ１３、又は前記Ｒ１４の少なくとも一は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、シアノ基（ＣＮ）、トリフルオロメチルスルホニル基（ＳＯ２ＣＦ３）、トリフルオロメチル基（ＣＦ３）、ニトロ基（ＮＯ２）、イソチオシアネート基（ＮＣＳ）、又はペンタフルオロスルファニル基（ＳＦ５）のいずれか少なくとも一つの置換基を有する、請求項１記載のビナフチル化合物。
【請求項３】
構造式（１００）で表されるビナフチル化合物。
【化３】
2015044798.tif 000003
【請求項４】
構造式（１０１）で表されるビナフチル化合物。
【化４】
2015044798.tif 000004
【請求項５】
一般式（Ｇ３）で表されるビナフチル化合物。
【化５】
2015044798.tif 000005
（但し、一般式（Ｇ３）中、Ｒ２５は、置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルキレン基を表す。また、ａ２１は単結合、カルボニル基、又はジフルオロメチレン基を表す。また、Ｒ２０及びＲ２１のうちの一方は、下記一般式（Ｇ４）で表される置換基を表し、他方は水素を表す。）
【化６】
2015044798.tif 000006
（但し、一般式（Ｇ４）中、Ａｒ２１、Ａｒ２２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキレン基、又は置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルケニレン基を表し、ｌは１乃至２を表し、ｋは０乃至２を表す。また、Ｒ２２は、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。）
【請求項６】
前記Ａｒ２１、前記Ａｒ２２、前記Ｒ２３、又は前記Ｒ２５の少なくとも一は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、シアノ基（ＣＮ）、トリフルオロメチルスルホニル基（ＳＯ２ＣＦ３）、トリフルオロメチル基（ＣＦ３）、ニトロ基（ＮＯ２）、イソチオシアネート基（ＮＣＳ）、又はペンタフルオロスルファニル基（ＳＦ５）のいずれか少なくとも一つの置換基を有する、請求項５記載のビナフチル化合物。
【請求項７】
構造式（２００）で表されるビナフチル化合物。
【化７】
2015044798.tif 000007
【請求項８】
構造式（２０１）で表されるビナフチル化合物。
【化８】
2015044798.tif 000008
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載のビナフチル化合物、及びネマチック液晶を有する液晶素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の液晶素子を有する液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月13日(2017.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イソソルビド誘導体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表されるイソソルビド誘導体。
【化１】
2015044799.tif 000001
（但し、式（Ｇ１）中、Ａｒ１は、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキレン基、又は置換もしくは無置換の炭素数４乃至１２のシクロアルケニレン基を表し、ｍは０乃至３を表す。また、Ｒは、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。）
【請求項２】
一般式（Ｇ１）において、前記Ａｒ１及び前記Ｒの少なくとも一は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、シアノ基（ＣＮ）、トリフルオロメチルスルホニル基（ＳＯ２ＣＦ３）、トリフルオロメチル基（ＣＦ３）、ニトロ基（ＮＯ２）、イソチオシアネート基（ＮＣＳ）、又はペンタフルオロスルファニル基（ＳＦ５）のいずれか少なくとも一つの置換基を有する、請求項１記載のイソソルビド誘導体。
【請求項３】
一般式（Ｇ２）で表されるイソソルビド誘導体。
【化３】
2015044799.tif 000002
（但し、一般式（Ｇ２）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキレン基、又は置換もしくは無置換の炭素数４乃至１２のシクロアルケニレン基を表し、ｌ、ｋ、ｍ、ｎは、それぞれ独立に、０乃至３を表す。また、Ｒ２１、Ｒ２３は、それぞれ独立に、酸素、単結合、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルキレン基を表す。Ｒ２２、Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素、酸素、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。）
【請求項４】
前記Ａｒ１、前記Ａｒ２、前記Ａｒ３、前記Ａｒ４、前記Ｒ２１、前記Ｒ２２、前記Ｒ２３または前記Ｒ２４の少なくとも一は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、シアノ基（ＣＮ）、トリフルオロメチルスルホニル基（ＳＯ２ＣＦ３）、トリフルオロメチル基（ＣＦ３）、ニトロ基（ＮＯ２）、イソチオシアネート基（ＮＣＳ）、又はペンタフルオロスルファニル基（ＳＦ５）のいずれか少なくとも一つの置換基を有する、請求項３記載のイソソルビド誘導体。
【請求項５】
一般式（Ｇ３）で表されるイソソルビド誘導体。
【化４】
2015044799.tif 000003
（但し、一般式（Ｇ３）中、Ａｒ１、Ａｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキレン基、又は置換もしくは無置換の炭素数４乃至１２のシクロアルケニレン基を表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立に、０乃至３を表す。また、Ｒ２１は酸素、単結合、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルキレン基を表す。Ｒ２２は、水素、酸素、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至１２のアルコキシ基を表す。）
【請求項６】
前記Ａｒ１、前記Ａｒ２、前記Ｒ２１および前記Ｒ２２の少なくとも一つは、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、シアノ基（ＣＮ）、トリフルオロメチルスルホニル基（ＳＯ２ＣＦ３）、トリフルオロメチル基（ＣＦ３）、ニトロ基（ＮＯ２）、イソチオシアネート基（ＮＣＳ）、又はペンタフルオロスルファニル基（ＳＦ５）のいずれか少なくとも一つの置換基を有する、請求項５記載のイソソルビド誘導体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月25日(2017.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ジオキソラン誘導体、液晶組成物及び液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｇ１）で表されるジオキソラン誘導体。
【化１】
2015044800.tif 000001
（但し、一般式（Ｇ１）中、Ａｒ１、Ａｒ２は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数４乃至１２のシクロアルケニル基を表す。また、Ａｒ３、Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキレン基、又は置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルケニレン基を表し、ｍは１乃至３を表し、またｎは０乃至３を表す。また、ａ１、ａ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１乃至４のアルキレン基又は単結合を表す。また、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基もしくは置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリール基を表す。Ｒ３は、水素又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基もしくは置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルコキシ基を表す。）
【請求項２】
一般式（Ｇ２）で表されるジオキソラン誘導体。
【化２】
2015044800.tif 000002
（但し、一般式（Ｇ２）中、Ａｒ１、Ａｒ２は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数４乃至１２のシクロアルケニル基を表す。また、Ａｒ２３、Ａｒ２４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のピレニル基、又は置換もしくは無置換のナフチル基を表す。また、ａ１、ａ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１乃至４のアルキレン基又は単結合を表す。また、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基もしくは置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリール基を表す。）
【請求項３】
一般式（Ｇ３）で表されるジオキソラン誘導体。
【化３】
2015044800.tif 000003
（但し、一般式（Ｇ３）中、Ａｒ１、Ａｒ２は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数４乃至１２のシクロアルケニル基を表す。また、Ａｒ２３は、置換もしくは無置換ピレニル基、又は置換もしくは無置換のナフチル基を表す。また、ａ１、ａ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１乃至４のアルキレン基又は単結合を表す。また、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基もしくは置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリール基を表す。）
【請求項４】
一般式（Ｇ４）で表されるジオキソラン誘導体。
【化４】
2015044800.tif 000004
（但し、一般式（Ｇ４）中、Ａｒ４１は、置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキレン基、又は置換もしくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルケニレン基を表し、ｎは０乃至３を表す。また、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基もしくはアルコキシ基、又は置換もしくは無置換の炭素数６乃至１２のアリール基を表す。Ｒ３は、水素又は置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基もしくは置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルコキシ基を表す（ｎが０である場合、Ｒ３は水素を含まない）。）
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載のジオキソラン誘導体、及びネマチック液晶を少なくとも含有する液晶組成物。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶組成物を用いる液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月21日(2017.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表されるシアノビフェニル誘導体。
【化１】
2015044796.tif 000001
（但し、一般式（Ｇ１）中、Ｒ１は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、シアノ基（ＣＮ）、トリフルオロメチルスルホニル基（ＳＯ２ＣＦ３）、トリフルオロメチル基（ＣＦ３）、ニトロ基（ＮＯ２）、イソチオシアネート基（ＮＣＳ）、又はペンタフルオロスルファニル基（ＳＦ５）のいずれか一の置換基を表す。）
【請求項２】
構造式（１０５）で表されるシアノビフェニル誘導体。
【化２】
2015044796.tif 000002
【請求項３】
請求項１又は２に記載のシアノビフェニル誘導体と、ネマチック液晶とを少なくとも含有する液晶組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶組成物を用いる液晶素子。
【請求項５】
請求項３に記載の液晶組成物を用いる液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物。
【化１】
2015044794.tif 000001
（一般式（Ｇ１）中、Ａｒ１は置換若しくは無置換の炭素数６乃至１２のアリール基、置換若しくは無置換の炭素数４乃至１２のシクロアルキル基、又は、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルケニル基のいずれかを表す。また、ｍは１以上３以下の整数である。また、Ｒ１は置換又は無置換の炭素数１乃至１１のアルキレン基を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物。
【化１】
2015044793.tif 000001
（一般式（Ｇ１）中、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルキレン基、又は、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１２のシクロアルケニレン基を表す。また、ｍ及びｎはそれぞれ独立に、０又は１である。Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数１乃至１１のアルキル基、又は、置換若しくは無置換の炭素数１乃至１１のアルコキシ基を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｇ１００）で表される有機化合物。
【化１】
2015044797.tif 000001
（一般式（Ｇ１００）中、Ａｒ１０１は、シクロアルキレン基又はシクロアルケニレン基を表す。また、Ｒ１０１は、炭素数１乃至１１のアルキル基又は炭素数１乃至１１のアルコキシ基を表す。Ｒ１０２は、水素原子、フッ素原子、炭素数１乃至１１のアルキル基又は炭素数１乃至１１のアルコキシ基を表す。また、ｍは１である。また、ａ１−Ｘ１０１、ａ２−Ｘ１０２、ａ３−Ｘ１０３、及びａ４−Ｘ１０４は、それぞれＣ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−ＣＨ３、及びＮから選ばれたいずれか一を表す。Ｘ１０５及びＸ１０６は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、又はメチル基を表す。ただし、Ｘ１０１乃至Ｘ１０６のうちフッ素原子の数は、３以下である。）
【請求項２】
下記一般式（Ｇ１０）で表される有機化合物。
【化２】
2015044797.tif 000002
（一般式（Ｇ１０）中、Ａｒ１１は、シクロアルキレン基又はシクロアルケニレン基を表し、Ｒ１１は、炭素数２乃至１１のアルキル基又はアルコキシ基を表す。また、Ｘ１１及びＸ１５は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、又はメチル基を表す。また、Ｘ１２乃至Ｘ１４は、それぞれ独立に水素原子又はフッ素原子を表す。ただし、Ｘ１１及びＸ１５の一方がメチル基のとき、他方もメチル基であり、Ｘ１１乃至Ｘ１５のうちフッ素原子の数は、２以下である。）
【請求項３】
下記一般式（Ｇ１１）で表される有機化合物。
【化３】
2015044797.tif 000003
（一般式（Ｇ１１）中、Ａｒ２１は、シクロアルキレン基又はシクロアルケニレン基を表し、Ｒ２１は、炭素数２乃至１１のアルキル基又はアルコキシ基を表す。また、Ｘ２１乃至Ｘ２５は、それぞれ独立に水素原子、又はフッ素原子を表す。ただし、Ｘ２１乃至Ｘ２５のうちフッ素原子の数は、２以下である。）
【請求項４】
下記一般式（Ｇ１２）で表される有機化合物。
【化４】
2015044797.tif 000004
（一般式（Ｇ１２）中、Ａｒ３１は、シクロアルキレン基又はシクロアルケニレン基を表し、Ｒ３１は、炭素数２乃至１１のアルキル基又はアルコキシ基を表す。また、Ｘ３２乃至Ｘ３４は、それぞれ独立に水素原子、又はフッ素原子を表す。ただし、Ｘ３２乃至Ｘ３４のうちフッ素原子の数は、２以下である。）
【請求項５】
下記一般式（Ｇ２０）で表される有機化合物。
【化５】
2015044797.tif 000005
（一般式（Ｇ２０）中、Ａｒ４１は、シクロアルキレン基又はシクロアルケニレン基を表し、Ｒ４１及びＲ４２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１乃至１１のアルキル基又はアルコキシ基を表す。また、ｍは、０又は１である。また、ａ１−Ｘ１０１、ａ２−Ｘ１０２、ａ３−Ｘ１０３、及びａ４−Ｘ１０４は、それぞれＣ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−ＣＨ３、及びＮから選ばれたいずれか一を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月15日(2017.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素サブフタロシアニン部分、ホウ素サブフタロシアニン部分の周囲の環式基に位置する複数の可溶化置換基、およびホウ素原子に位置する軸方向の置換基を含む化合物であって、
前記複数の可溶化置換基は、酸素または硫黄含有官能基、および１個もしくは複数のヘテロ原子を場合によって含有し、長さが８個以上の炭素原子である、置換または非置換、直鎖、分岐または環式、脂肪族または芳香族の末端ヒドロカルビル基を含み、
前記軸方向の置換基は、前記軸方向の基がベンジルアルコール基である場合、ベンジルアルコールのアルコール置換基が酸素含有連結部分ではないことを条件として、環式であり、複素環アミン基、ジアリールケトン基、ベンゾトリアゾール基、ベンジルアルコール基および多環式芳香族炭化水素基からなる群から選択され、前記環式基が前記酸素含有連結部分によってホウ素原子に結合し、１個以上の追加の置換基で場合によって置換された化合物。
【請求項２】
可溶化置換基が、Ｃ10〜Ｃ50の直鎖もしくは分岐アルキル置換アリールオキシ基またはＣ10〜Ｃ50の直鎖もしくは分岐アルキル置換スルホニル基からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式Ｉのホウ素サブフタロシアニンである、請求項１に記載の化合物
【化１】
2015044989.tif 000001
［式中、
（ａ）Ｘ1、Ｘ2およびＸ3はそれぞれ、他方から独立して、Ｏ、Ｓ、ＳＯまたはＳＯ2であり、
（ｂ）Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ、他方から独立して、
（１）アルキル中にヘテロ原子が場合によって存在してもよい、置換および非置換のアルキルを含むアルキル、
（２）ヘテロ原子がアリール中に場合によって存在してもよい、置換および非置換のアリールを含むアリール、
（３）アリールアルキルのアリールまたはアルキル部分のいずれかにヘテロ原子が場合によって存在してもよい、置換および非置換のアリールアルキルを含むアリールアルキル、または
（４）アルキルアリールのアリールまたはアルキル部分のいずれかにヘテロ原子が場合によって存在してもよい、置換および非置換のアルキルアリールを含むアルキルアリールであり、
（ｃ）Ｚは、複素環アミン基、ジアリールケトン基、ベンゾトリアゾール基、ベンジルアルコール基および多環式芳香族炭化水素基からなる群から選択され、少なくとも１つの酸素含有部分で置換され、１個以上の追加の置換基で場合によって置換された環式基である。］。
【請求項４】
請求項３に記載の化合物であって、−Ｘ1−Ｒ1、−Ｘ2−Ｒ2および−Ｘ3−Ｒ3がそれぞれ、
【化２】
2015044989.tif 000002
である、化合物。
【請求項５】
請求項３に記載の化合物であって、−Ｘ1−Ｒ1、−Ｘ2−Ｒ2および−Ｘ3−Ｒ3がそれぞれ、
【化３】
2015044989.tif 000003
であり、ｎは８から５０の範囲の整数である、化合物。
【請求項６】
請求項３に記載の化合物であって、Ｚが
【化４】
2015044989.tif 000004
からなる群から選択される、化合物［式中、Ｒ10’は、−Ｏ−、−Ｒ14Ｏ−および−Ｒ14ＣＯＯ−からなる連結基群から選択され、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、独立して、水素原子、アルキル、Ｒ14ＣＯＯＨ、ヒドロキシルおよびアルキルヒドロキシルからなる群から選択され、Ｒ14はアルキルである。］。
【請求項７】
請求項３に記載の化合物であって、Ｚが
【化５】
2015044989.tif 000005
からなる群から選択される、化合物。
【請求項８】
約３５〜約５３の範囲のａ＊値、約２４〜約４０のｂ＊値、および約４０〜約６０のＬ＊値のＬ＊ａ＊ｂ＊色空間値を有する、請求項３に記載の化合物。
【請求項９】
約４９〜約６０の範囲のｃ＊値を有する、請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
ワックス可溶性ホウ素サブフタロシアニン化合物であって、
フタロニトリル化合物をホウ素ハロゲン化塩と反応させて、ホウ素サブフタロシアニン塩化物中間体である、１個もしくは複数のヘテロ原子を場合によって含有し、長さが８個以上の炭素原子である、置換または非置換、直鎖、分岐または環式、脂肪族または芳香族の末端ヒドロカルビル基で置換された酸素または硫黄含有官能基を含むフタロニトリル化合物を形成するステップと、および、
前記ホウ素サブフタロシアニン塩化物中間体を、前記酸素含有連結基によってホウ素原子に結合した、複素環アミン、ジアリールケトン、ベンゾトリアゾール、ベンジルアルコールおよび多環式芳香族炭化水素からなる群から選択され、１個以上の追加の置換基で場合によって置換された、少なくとも１種の酸素含有環式化合物と反応させるステップとを含むプロセスにより作製され、
約３５〜約５３の範囲のａ＊値、約２４〜約４０のｂ＊値、および約４０〜約６０のＬ＊値のＬ＊ａ＊ｂ＊色空間値を有するが、
ただし、ａ）フェノキシトリスペンタデシルフェノキシホウ素サブフタロシアニン、ｂ）クロロトリスペンタデシルフェノキシホウ素サブフタロシアニンまたはｃ）３−ペンタデシルフェノキシトリスペンタデシルフェノキシホウ素サブフタロシアニンの化合物の１つではない化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月17日(2017.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着色剤化合物を製造するためのプロセスであって、このプロセスは、
フタロニトリル化合物とハロゲン化ホウ素塩とを反応させ、ホウ素サブフタロシアニンクロリド中間体を形成し、このフタロニトリル化合物が、長さが炭素原子８個以上である置換または非置換、直鎖、分枝鎖または環状の脂肪族または芳香族が末端にあるヒドロカルビル基で置換された酸素または硫黄を含有する官能基を含み、このヒドロカルビル基が、場合により１個以上のヘテロ原子を含むことと；
前記ホウ素サブフタロシアニンクロリド中間体と、カルボン酸およびスルホン酸からなる群から選択される少なくとも１種類の酸素を含有する化合物とを反応させ、マゼンタ色を与える着色剤化合物を形成することとを含み、
前記カルボン酸は、式
Ｒ５ＣＯＯＨ
を有し、
式中、Ｒ５は、場合により１個以上のヘテロ原子を含む置換または非置換のアルキルであり、
前記スルホン酸は、式
Ｒ６Ｓ（＝Ｏ）２ＯＨ
を有し、
式中、Ｒ６は、場合により１個以上のヘテロ原子を含む置換または非置換のアルキルである、プロセス。
【請求項２】
前記フタロニトリル化合物が、Ｃ１０〜Ｃ５０アルキルフェノキシ置換フタロニトリルまたはＣ１０〜Ｃ５０アルキルスルホン置換フタロニトリルからなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記ハロゲン化ホウ素塩が、三塩化ホウ素である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記酸素を含有する化合物が、前記カルボン酸である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記酸素を含有する化合物が、前記スルホン酸である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
前記フタロニトリル化合物は、アルキルスルフィド−フタロニトリルと、酸化剤と、溶媒とを混合してアルキルスルホン置換フタロニトリルを形成することによって得られる、請求項１に記載のプロセス。