【手続補正書】
【提出日】平成28年12月26日(2016.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス、石英またはサファイアの層と、
第１の絶縁層及び前記第１の絶縁層の第１の側上に形成された少なくとも１つの第１の回路層を備えた第１のシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造体であって、前記少なくとも１つの第１の回路層が前記第１の絶縁層と前記ガラス、石英またはサファイアの層との間に配置されるように、前記ガラス、石英またはサファイアの層に結合され、前記第１の絶縁層が、前記第１の絶縁層の第１の側と反対側の第２の側を備える第１のＳＯＩ構造体と、
前記ガラス、石英またはサファイアの層と前記第１のＳＯＩ構造体との間に配される接着剤層であって、前記第１のＳＯＩ構造体の少なくとも第１の回路層が前記接着剤層を用いて前記ガラス、石英またはサファイアの層に直接結合されるようになる接着剤層と、
第２の絶縁層及び少なくとも１つの第２の回路層を備えた第２のＳＯＩ構造体であって、前記第２の絶縁層が第１の側及び第２の側を備え、前記第２の絶縁層の第１の側が前記第１の絶縁層の第２の側に面し、前記第２の絶縁層の第２の側が前記第２の絶縁層の第１の側の反対側であり、前記少なくとも１つの第２の回路層が、前記第２の絶縁層の第１の側上に形成され、前記第２の絶縁層の第１の側に直接接触する少なくとも１つの第１の受動回路要素と、前記第２の絶縁層の第２の側上に形成され、前記第２の絶縁層の第２の側に直接接触する少なくとも１つの第２の受動回路要素と、を備え、前記少なくとも１つの第１の受動回路要素が、前記第２の絶縁層と前記第１の絶縁層との間に配置され、前記第１の絶縁層の第２の側が、前記少なくとも１つの第２の回路層に結合されるように、前記第１の絶縁層に結合される、第２のＳＯＩ構造体と、
を備える装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第１の回路層が、複数のＣＭＯＳトランジスタを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの第２の受動回路要素が、少なくとも１つの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの第２の受動回路要素が、少なくとも１つのセンサを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のＳＯＩ構造体と前記第２のＳＯＩ構造体との間に配される第２の接着剤層をさらに備え、前記第１の絶縁層の第２の側が、前記第２の接着剤層を用いて前記少なくとも１つの第２の回路層に直接結合されるようになる、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
少なくとも１つの半導体ダイに集積される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されたデバイスに統合される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの第１の回路層が、複数の相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタを備え、
前記少なくとも１つの第２の回路層が、少なくとも１つの受動構成部品またはＭＥＭＳ素子を備え又は支持し、
前記第１のＳＯＩ構造体が、前記ガラス、石英またはサファイアの層に直接結合され、
前記第２のＳＯＩ構造体が、前記第１の絶縁層に直接結合される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
ＳＯＩを含み、第３の絶縁層の第１の側上に少なくとも１つの第３の回路層を有する第３のＳＯＩ構造体を含み、前記第３のＳＯＩ構造体が、前記少なくとも１つの第３の回路層が前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に配置されるように、前記第１のＳＯＩ構造体に接続される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの第３の回路層が、ＣＭＯＳトランジスタを備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの第２の回路層が前記第２の絶縁層と前記第３の絶縁層との間に配置されるように、前記第２のＳＯＩ構造体が前記第３のＳＯＩ構造体に直接結合される、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの第１の回路層が、デジタル回路を含み、前記少なくとも１つの第３の回路層が、アナログ回路を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの第１の回路層が、デジタル回路を含み、前記少なくとも１つの第２の回路層が、受動デバイスまたはＭＥＭＳ素子を含みまたは支持し、前記少なくとも１つの第３の回路層が、アナログまたは無線周波数ＲＦ回路を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１の絶縁層の表面積が、前記第２の絶縁層の表面積に実質的に等しく、前記第２の絶縁層の前記表面積が、前記第３の絶縁層の表面積に実質的に等しい、請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
第１のシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造体を支持する手段であって、前記第１のＳＯＩ構造体が、絶縁のための第１の絶縁層手段と、前記第１の絶縁層手段の第１の側に形成される、信号を処理するための少なくとも１つの第１の回路手段とを備え、前記少なくとも１つの第１の回路手段が前記第１の絶縁層手段と前記支持するための手段との間に配置されるように、前記支持するための手段に結合され、前記第１の絶縁層手段が、前記第１の絶縁層手段の第１の側と反対側の第２の側を備える第１のＳＯＩ構造体と、
前記支持するための手段と前記第１のＳＯＩ構造体との間に配される接着剤層であって、前記第１のＳＯＩ構造体の少なくとも第１の回路手段が前記接着剤層を用いて前記支持するための手段に直接結合されるようになる接着剤層と、
第２の絶縁層手段及び信号を処理するための少なくとも１つの第２の回路手段を備えた第２のＳＯＩ構造体であって、前記第２の絶縁層手段が第１の側及び第２の側を備え、前記第２の絶縁層手段の第１の側が前記第１の絶縁層手段の第２の側に面し、前記第２の絶縁層手段の第２の側が前記第２の絶縁層手段の第１の側の反対側であり、前記少なくとも１つの第２の回路手段が、前記第２の絶縁層手段の第１の側上に形成され、前記第２の絶縁層手段の第１の側に直接接触する少なくとも１つの第１の受動回路要素と、前記第２の絶縁層手段の第２の側上に形成され、前記第２の絶縁層手段の第２の側に直接接触する少なくとも１つの第２の受動回路要素と、を備え、前記少なくとも１つの第１の受動回路要素が、前記第２の絶縁層手段と前記第１の絶縁層手段との間に配置され、前記第１の絶縁層手段の第２の側が、前記少なくとも１つの第２の回路手段に結合されるように、前記第１の絶縁層手段に結合される、第２のＳＯＩ構造体と、
を備える装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの第１の回路手段が、複数のＣＭＯＳトランジスタを備える、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの第２の受動回路要素が、少なくとも１つの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子又は少なくとも１つのセンサを備える、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
少なくとも１つの半導体ダイに集積される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されたデバイスに統合される、請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの第１の回路手段が、複数のＣＭＯＳトランジスタを備え、
前記少なくとも１つの第２の回路手段が、少なくとも１つの受動構成部品または少なくとも１つのＭＥＭＳ素子を備え又は支持し、
前記第１のＳＯＩ構造体が、前記支持するための手段に直接結合され、
前記第２のＳＯＩ構造体が、前記第１の絶縁層手段に直接結合される、請求項１５に記載の装置。
【請求項２１】
前記支持するための手段が、ガラスの層、石英の層またはサファイアの層を含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの第１の回路層が、複数のＣＭＯＳトランジスタを備え、
前記少なくとも１つの第２の回路層が、少なくとも１つの高Ｑ受動部品を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの第１の回路層が、複数のＣＭＯＳトランジスタを備え、
前記少なくとも１つの第２の回路層が、少なくとも１つの半導体バラクタを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項２４】
前記少なくとも１つの第１の回路層が、複数のＣＭＯＳトランジスタを備え、
前記少なくとも１つの第２の回路層が、少なくとも１つのＭＥＭＳ同調可能なコンデンサを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの第１の回路層が、複数のＣＭＯＳトランジスタを備え、
前記少なくとも１つの第２の回路層が、少なくとも１つの無線周波数（ＲＦ）スイッチを備える、請求項１に記載の装置。