【手続補正書】
【提出日】平成29年9月5日(2017.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第１０のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲートは、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのゲートは、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続される半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第１８のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのゲートは、前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲートは、前記第９のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１６のトランジスタのゲートは、前記第１６のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１７のトランジスタのゲートは、前記第１４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１７のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１８のトランジスタのゲートは、前記第１５のトランジスタのゲートと電気的に接続される半導体装置。
【請求項３】
第１乃至第１０のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲートは、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのゲートは、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の導電層を介して、第４の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第４の配線には、クロック信号が入力され、
前記第４の配線は、第１の方向に延在している第１の領域を有し、
前記第５の配線は、前記第１の方向に延在している第２の領域を有し、
前記第５の配線の前記第２の領域は、前記第１乃至第１０のトランジスタの少なくとも一と前記第４の配線の前記第１の領域との間の第３の領域を有し、
前記第５の配線は、前記第１の方向と交差する方向に延在している第４の領域を有し、
前記第４の領域は、前記第５の配線の前記第２の領域と交差している半導体装置。
【請求項４】
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きい半導体装置。
【請求項５】
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第１の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、を有する半導体装置。
【請求項６】
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第１の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極は、第２の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第５のトランジスタのゲート電極を有する半導体装置。
【請求項７】
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と直接に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と直接に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と直接に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きい半導体装置。
【請求項８】
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と直接に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と直接に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と直接に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第１の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、を有する半導体装置。
【請求項９】
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と直接に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と直接に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と直接に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第１の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極は、第２の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第５のトランジスタのゲート電極を有する半導体装置。