【手続補正書】
【提出日】平成28年12月9日(2016.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一ステーション反応チャンバ又はマルチステーション反応チャンバにおいて、酸化感受性及び／又は窒化感受性基材の曝露表面上に、酸化シリコン材料又は窒化シリコン材料を形成する方法であって、
（ａ）前記反応チャンバにおいて、前記酸化感受性及び／又は窒化感受性基材をシリコン含有反応物の気相流に周期的に曝露すること、
（ｂ）前記反応チャンバにおいて、前記酸化感受性及び／又は窒化感受性基材を、酸化反応物又は窒素含有反応物の気相流に曝露すること、
（ｃ）前記シリコン含有反応物の前記気相流が停止したら、約１２．５〜約１２５Ｗ／ステーションの高周波数の高周波電力を用いて前記反応チャンバ内でプラズマを周期的に着火すること、を備え、
前記プラズマは、２つの電極の間で形成され、前記酸化感受性又は窒化感受性基材は、前記２つの電極の間に位置する、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記酸化シリコン材料又は前記窒化シリコン材料の厚さは、約１０〜５０Åである、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
約５０℃〜約２００℃で実施される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記酸化反応物は、約５０〜１００％の、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、スルホキシド、酸素含有炭化水素（ＣｘＨｙＯｚ）及び／又は水（Ｈ２Ｏ）からなる群から選択される弱酸化剤、並びに約０〜５０％のＯ２を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
（ｄ）前記反応チャンバにおいて、前記酸化感受性又は窒化感受性基材を、第２のシリコン含有反応物の第２の気相流に周期的に曝露すること、
（ｅ）前記酸化感受性又は窒化感受性基材を、第２の酸化反応物の第２の気相流又は第２の窒素含有反応物の第２の気相流に曝露すること、
（ｆ）前記第２のシリコン含有反応物の前記気相流が停止したら、約２５０〜約１５００Ｗ／ステーションの高周波数の高周波電力を用いて前記反応チャンバ内でプラズマを周期的に着火すること
によって、前記酸化シリコン又は窒化シリコン材料の上に、第２の酸化シリコン材料又は第２の窒化シリコン材料を蒸着することを備える、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記（ｄ）〜（ｆ）の操作は、約３００℃〜約４００℃で実施される、方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、
前記酸化シリコン材料及び前記第２の酸化シリコン材料、又は前記窒化シリコン材料及び前記第２の窒化シリコン材料は、二重層の各層であり、
前記酸化シリコン材料の層又は前記窒化シリコン材料の層の厚さは、前記二重層の全厚さの約１〜約２０％である、方法。
【請求項８】
請求項５に記載の方法であって、
前記（ａ）〜（ｃ）の操作から前記（ｄ）〜（ｆ）の操作への遷移は、前記第２の酸化反応物又は第２の窒素含有反応物の前記第２の気相流が、前記酸化反応物又は窒素含有反応物の前記気相流とは異なるように、前記酸化反応物又は窒素含有反応物の前記気相流を変化させることを含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記第２の酸化反応物の前記第２の気相流は、前記酸化反応物の前記気相流よりも高い比率のＯ２を含む、方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の方法であって、
前記酸化反応物若しくは窒素含有反応物の前記気相流、及び／又は前記第２の酸化反応物の前記第２の気相流若しくは前記第２の窒素含有反応物の前記第２の気相流は、パルスとして前記反応チャンバへと流れる、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記酸化感受性又は窒化感受性基材の前記曝露表面は、シリコン（Ｓｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧＳＴ）、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、及び炭化シリコン（ＳｉＣ）からなる群から選択される、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記酸化感受性又は前記窒化感受性基材は、２Å以下だけ酸化される、方法。
【請求項１３】
基材の曝露表面上に、酸化シリコン又は窒化シリコン材料を形成する方法であって、
（ａ）反応チャンバにおいて、前記基材の温度を約５°Ｃ〜約２００°Ｃに維持して、前記基材をシリコン含有反応物の気相流に周期的に曝露すること、前記基材は酸化感受性又は窒化感受性であること、
（ｂ）前記基材を、酸化反応物又は窒素含有反応物の気相流に曝露すること、
（ｃ）前記シリコン含有反応物の前記気相流が停止したら、前記反応チャンバ内でプラズマを周期的に着火すること、を備え、
前記プラズマは２つの電極の間で形成され、前記基材は前記２つの電極の間に位置する、
方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記プラズマは、約１２．５〜約１２５Ｗ／基材の高周波数の高周波電力を用いて着火される、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、さらに、
（ｄ）前記反応チャンバにおいて、前記基材を、第２のシリコン含有反応物の第２の気相流に周期的に曝露し、前記基材の温度は、前記（ａ）〜（ｃ）の操作における前記基材の温度より少なくとも約５０℃高い温度であり、
（ｅ）前記基材を、第２の酸化反応物又は第２の窒素含有反応物の第２の気相流に曝露すること、
（ｆ）前記第２のシリコン含有反応物の前記気相流が停止したら、高周波数の高周波電力を用いて前記反応チャンバ内で前記プラズマを周期的に着火すること
によって、前記酸化シリコン材料又は窒化シリコン材料の上に、第２の酸化シリコン材料又は第２の窒化シリコン材料を蒸着することを備える、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記操作（ｆ）における前記プラズマは、約２５０〜約１５００Ｗ／基材の高周波数の高周波電力を用いて着火される、方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、
前記酸化シリコン材料又は前記窒化シリコン材料、及び前記第２の酸化シリコン材料又は前記第２の窒化シリコン材料は、二重層の各層であり、
前記酸化シリコン材料又は前記窒化シリコン材料は、前記二重層の全厚さの約１〜約２０％である、方法。
【請求項１８】
請求項１３に記載の方法であって、
前記基材は、２Å以下だけ酸化される、方法。
【請求項１９】
請求項５に記載の方法であって、
前記第２の酸化シリコン材料又は前記第２の窒化シリコン材料の下の前記酸化シリコン材料又は前記窒化シリコン材料の厚さは、
（ｉ）異なる厚さのシリコン含有保護フィルムが蒸着された、複数の別個の基材を用意すること、
（ｉｉ）前記別個の基材上の前記保護フィルムそれぞれの、プラズマ処理前厚さを測定すること、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）の後、前記別個の基材を複数回のプラズマ曝露サイクルに曝露することであって、前記プラズマ曝露中、実質的にいずれの材料も蒸着されない、曝露すること、
（ｉｖ）（ｉｉｉ）の後、前記別個の基材上の前記保護フィルムのプラズマ処理後厚さを測定すること、
（ｖ）各前記別個の基材の厚さの違いを算出することであって、前記厚さの違いは、前記プラズマ処理前厚さから前記プラズマ処理後厚さを引いたものに対応する、算出すること、
（ｖｉ）前記厚さの違いが実質的に安定する前記保護フィルムの厚さを評価することにより、前記（ａ）〜（ｃ）の操作において蒸着された前記酸化シリコン材料又は窒化シリコン材料の前記厚さを決定すること
によって、その蒸着前に決定される、方法。