【手続補正書】
【提出日】平成29年7月24日(2017.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導結合プラズマチャンバ（以下、ＩＣＰチャンバという）のための変圧器結合容量性同調回路（以下、ＴＣＣＴ回路という）であって、
第１スイッチドキャパシタ回路、第２スイッチドキャパシタ回路および第１インダクタを備えた整合回路であって、
前記第１スイッチドキャパシタ回路は、
ＲＦ入力に接続された第１端子と、
第２端子と、
前記第１端子および前記第２端子の少なくとも一方に接続された第１キャパシタと、
前記第１端子および前記第２端子の少なくとも一方に接続された第２キャパシタと、
前記第１端子と前記第２端子との間の容量値を変更するために、前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタの少なくとも一方と電気的に接続される第１スイッチとを備える整合回路と、を備え、
前記第２スイッチドキャパシタ回路は、
前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第２端子に接続された第３端子と、
前記第１インダクタに接続された第４端子と、
前記第３端子および前記第４端子の少なくとも一方に接続された第３キャパシタと、
前記第３端子および前記第４端子の少なくとも一方に接続された第４キャパシタと、
前記第３端子と前記第４端子との間の容量値を変更するために、前記第３キャパシタおよび前記第４キャパシタの少なくとも一方と電気的に接続される第２スイッチとを備え、
当該ＴＣＣＴ回路は、さらに、
第５キャパシタであって、前記第５キャパシタの第１端子は、前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第２端子と、前記第２スイッチドキャパシタ回路の第３端子とに接続され、前記第５キャパシタの第２端子は、接地される第５キャパシタと、
前記整合回路および前記ＩＣＰチャンバの誘導コイルと電気的に接続される電力分割器と
を備えるＴＣＣＴ回路。
【請求項２】
請求項１に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタは、モータ制御された真空キャパシタを含むＴＣＣＴ回路。
【請求項３】
請求項１に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記第３キャパシタおよび前記第４キャパシタは、モータ制御された真空キャパシタを含むＴＣＣＴ回路。
【請求項４】
誘導結合プラズマチャンバ（以下、ＩＣＰチャンバという）のための変圧器結合容量性同調回路（以下、ＴＣＣＴ回路という）であって、
第１スイッチドキャパシタ回路および第１インダクタを備えた整合回路と、で
前記整合回路および前記ＩＣＰチャンバの誘導コイルと電気的に接続される電力分割器と、を備え、
前記第１スイッチドキャパシタ回路は、
第１端子と、
第２端子と、
前記第１端子および前記第２端子の少なくとも一方に接続された第１キャパシタと、
前記第１端子および前記第２端子の少なくとも一方に接続された第２キャパシタと、
前記第１端子と前記第２端子との間の容量値を変更するために、前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタの少なくとも一方と電気的に接続される第１スイッチと
を備え、
前記電力分割器は、
前記整合回路の出力に接続された第１端子を有する第３キャパシタと、
前記第３キャパシタの第２端子に接続された第１端子と、第１コイルと電気的に接続される第２端子とを有する第４キャパシタと、
前記整合回路の前記出力に接続された第１端子を有する第５キャパシタと、
前記第５キャパシタの第２端子に接続された第１端子を有する第２インダクタと、
前記第２インダクタの第２端子に接続された第１端子と、第２コイルに接続された第２端子とを有する第６キャパシタと、
前記第１コイルに接続された第７キャパシタと
を備えるＴＣＣＴ回路。
【請求項５】
請求項４に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記第４キャパシタおよび前記第６キャパシタは、スイッチドキャパシタ回路を含むＴＣＣＴ回路。
【請求項６】
請求項１に記載のＴＣＣＴ回路であって、
前記第１キャパシタは、前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第１端子に接続され、
前記第２キャパシタは、前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第１端子に接続され、
前記第１スイッチは、前記第１キャパシタと前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第２端子との間に接続され、
前記第１スイッチドキャパシタ回路は、さらに、前記第２キャパシタと前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第２端子との間に接続された第３スイッチと
を備えるＴＣＣＴ回路。
【請求項７】
請求項１に記載のＴＣＣＴ回路であって、
前記第１キャパシタは、前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第１端子に接続され、
前記第２キャパシタは、前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第１端子および前記第２端子に接続され、
前記第１スイッチは、前記第１キャパシタと前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第２端子との間に接続されているＴＣＣＴ回路。
【請求項８】
請求項１に記載のＴＣＣＴ回路であって、さらに、前記容量値を変更するために、前記第１スイッチを第１および第２状態の間で切り替えるよう適合されたコントローラを備えるＴＣＣＴ回路。
【請求項９】
請求項８に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記コントローラは、１０Ｈｚ〜１ｋＨｚの間の速度で前記第１スイッチを切り替えるＴＣＣＴ回路。
【請求項１０】
基板を処理するシステムであって、
誘導結合プラズマチャンバ（以下、ＩＣＰチャンバという）のための変圧器結合容量性同調回路（以下、ＴＣＣＴ回路という）であって、
第１スイッチドキャパシタ回路および第１インダクタを備えた整合回路と、
前記整合回路および前記ＩＣＰチャンバの誘導コイルと電気的に接続される電力分割器と、を備え、
当該前記第１スイッチドキャパシタ回路は、
第１端子と、
第２端子と、
前記第１端子および前記第２端子の少なくとも一方に接続された第１キャパシタと、
前記第１端子および前記第２端子の少なくとも一方に接続された第２キャパシタと、
前記第１端子と前記第２端子との間の容量値を変更するために、前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタの少なくとも一方と電気的に接続される第１スイッチとを含み、
前記基板を処理するシステムは、さらに、
前記ＴＣＣＴ回路へのＲＦ入力信号を生成するためのＲＦ発生器と、
前記ＩＣＰチャンバ内の基板支持体をバイアスさせるためのＲＦバイアスを発生するＲＦバイアス発生器と、
コントローラと
を備え、
前記コントローラは、
第１半サイクル中に、前記第１スイッチドキャパシタ回路から第１容量値を供給すると共に、第１振幅の前記ＲＦ入力信号および第２振幅の前記ＲＦバイアスを供給し、
第２半サイクル中に、前記第１スイッチドキャパシタ回路から第２容量値を供給すると共に、第３振幅の前記ＲＦ入力信号および第４振幅の前記ＲＦバイアスを供給するよう構成されており、
前記第１容量値は、前記第２容量値と異なり、前記第１振幅は、前記第３振幅と異なり、前記第２振幅は、前記第４振幅と異なるシステム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシステムであって、前記コントローラは、１０Ｈｚ〜１ｋＨｚの間の速度で、前記ＲＦ入力信号、前記ＲＦバイアス、および、前記容量値を切り替えるシステム。
【請求項１２】
請求項１に記載のＴＣＣＴ回路であって、
前記第３キャパシタは、前記第２スイッチドキャパシタ回路の前記第４端子に接続され、
前記第４キャパシタは、前記第２スイッチドキャパシタ回路の前記第４端子に接続され、
前記第２スイッチは、前記第３キャパシタと前記第２スイッチドキャパシタ回路の前記第３端子との間に接続され、
前記第２スイッチドキャパシタ回路は、さらに、前記第４キャパシタと前記第２スイッチドキャパシタ回路の前記第３端子との間に接続された第３スイッチを備えるＴＣＣＴ回路。
【請求項１３】
請求項１に記載のＴＣＣＴ回路であって、
前記第３キャパシタは、前記第２スイッチドキャパシタ回路の前記第４端子に接続され、
前記第４キャパシタは、前記第４端子および前記第２スイッチドキャパシタ回路の前記第３端子に接続され、
前記第２スイッチは、前記第３キャパシタと前記第２スイッチドキャパシタ回路の前記第３端子との間に接続されるＴＣＣＴ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマチャンバのための変圧器結合容量性同調回路およびシステム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。また、本発明は、以下の適用例としても実施することができる。
［適用例１］誘導結合プラズマ（以下、ＩＣＰという）チャンバのための変圧器結合容量性同調（以下、ＴＣＣＴという）回路であって、
第１スイッチドキャパシタ回路および第１インダクタを備えた整合回路であって、前記第１スイッチドキャパシタ回路は、
第１端子と、
第２端子と、
前記第１端子および前記第２端子の少なくとも一方に接続された第１キャパシタと、
前記第１端子および前記第２端子の少なくとも一方に接続された第２キャパシタと、
前記第１端子と前記第２端子との間の容量値を変更するために、前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタの少なくとも一方と電気的に接続される第１スイッチとを備える整合回路と、
前記整合回路および前記ＩＣＰチャンバの誘導コイルと電気的に接続される電力分割器と
を備えるＴＣＣＴ回路。
［適用例２］適用例１に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタは、モータ制御された真空キャパシタを含むＴＣＣＴ回路。
［適用例３］適用例１に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記整合回路は、さらに、第２スイッチドキャパシタ回路を備えるＴＣＣＴ回路。
［適用例４］適用例１に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記第２スイッチドキャパシタ回路は、
第３端子と、
第４端子と、
前記第３端子および前記第４端子の少なくとも一方に接続された第３キャパシタと、
前記第３端子および前記第４端子の少なくとも一方に接続された第４キャパシタと、
前記第３端子と前記第４端子との間の容量値を変更するために、前記第３キャパシタおよび前記第４キャパシタの少なくとも一方と電気的に接続される第２スイッチと
を備えるＴＣＣＴ回路。
［適用例５］適用例４に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記第３キャパシタおよび前記第４キャパシタは、モータ制御された真空キャパシタを含むＴＣＣＴ回路。
［適用例６］適用例４に記載のＴＣＣＴ回路であって、
前記第１端子は、ＲＦ入力信号を受信し、
前記第２端子は、第５キャパシタの第１端子および前記第２スイッチドキャパシタ回路の前記第３端子に接続され、
前記第２スイッチドキャパシタ回路の前記第４端子は、前記第１インダクタの第１端子に接続されているＴＣＣＴ回路。
［適用例７］適用例１に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記電力分割器は、
前記整合回路の出力に接続された第１端子を有する第３キャパシタと、
前記第３キャパシタの第２端子に接続された第１端子と、第１コイルと電気的に接続される第２端子とを有する第４キャパシタと、
前記整合回路の前記出力に接続された第１端子を有する第５キャパシタと、
前記第５キャパシタの第２端子に接続された第１端子を有する第２インダクタと、
前記第２インダクタの第２端子に接続された第１端子と、第２コイルに接続された第２端子とを有する第６キャパシタと、
前記第１コイルに接続された第７キャパシタと
を備えるＴＣＣＴ回路。
［適用例８］適用例７に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記第４キャパシタおよび前記第６キャパシタは、スイッチドキャパシタ回路を含むＴＣＣＴ回路。
［適用例９］適用例１に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記第１スイッチドキャパシタ回路は、
第１端子と、
第２端子であって、
前記第１キャパシタは、前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第１端子に接続され、
前記第２キャパシタは、前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第１端子に接続され、
前記第１スイッチは、前記第１キャパシタと前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第２端子との間に接続されている第２端子と、
前記第２キャパシタと前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第２端子との間に接続された第２スイッチと
を備えるＴＣＣＴ回路。
［適用例１０］適用例１に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記第１スイッチドキャパシタ回路は、
第１端子と、
第２端子と
を備え、
前記第１キャパシタは、前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第１端子に接続され、
前記第２キャパシタは、前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第１端子および前記第２端子に接続され、
前記第１スイッチは、前記第１キャパシタと前記第１スイッチドキャパシタ回路の前記第２端子との間に接続されているＴＣＣＴ回路。
［適用例１１］適用例１に記載のＴＣＣＴ回路であって、さらに、前記容量値を変更するために、前記第１スイッチを第１および第２状態の間で切り替えるよう適合されたコントローラを備えるＴＣＣＴ回路。
［適用例１２］適用例１１に記載のＴＣＣＴ回路であって、前記コントローラは、１０Ｈｚ〜１ｋＨｚの間の速度で前記第１スイッチを切り替えるＴＣＣＴ回路。
［適用例１３］基板を処理するシステムであって、
適用例１の前記ＴＣＣＴ回路と、
前記ＴＣＣＴ回路へのＲＦ入力信号を生成するためのＲＦ発生器と、
前記ＩＣＰチャンバ内の基板支持体をバイアスさせるためのＲＦバイアスを発生するＲＦバイアス発生器と、
コントローラと
を備え、
前記コントローラは、
第１半サイクル中に、前記第１スイッチドキャパシタ回路から第１容量値を供給すると共に、第１振幅の前記ＲＦ入力信号および第２振幅の前記ＲＦバイアスを供給し、
第２半サイクル中に、前記第１スイッチドキャパシタ回路から第２容量値を供給すると共に、第３振幅の前記ＲＦ入力信号および第４振幅の前記ＲＦバイアスを供給するよう構成されており、
前記第１容量値は、前記第２容量値と異なり、前記第１振幅は、前記第３振幅と異なり、前記第２振幅は、前記第４振幅と異なるシステム。
［適用例１４］適用例１３に記載のシステムであって、前記コントローラは、１０Ｈｚ〜１ｋＨｚの間の速度で、前記ＲＦ入力信号、前記ＲＦバイアス、および、前記容量値を切り替えるシステム。