【手続補正書】
【提出日】平成29年7月28日(2017.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリへの電力損失を検出することと、
前記電力損失時または前記電力損失時前後に進行中である前記メモリへの書き込み動作に応答して、
書き込み時の欠落（ｔｏｒｎ  ｗｒｉｔｅ）データを不揮発性キャッシュに格納することであって、前記書き込み時の欠落データは、前記電力損失の結果として劣化した状態または訂正不可能な状態のまま残されたデータを含む、格納することと、
前記書き込み時の欠落データを記述するメタデータを前記不揮発性キャッシュに格納することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記書き込み時の欠落データを格納することは、前記書き込み時の欠落データを前記不揮発性キャッシュに格納しながらバックアップ電力を提供することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記書き込み時の欠落データは、前記メモリに書き込まれる予定であったが、前記電力損失の前に前記メモリに書き込まれなかったデータの１つ以上のセクタをさらに含む、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記メモリは、回転磁気ディスク、磁気テープ、ＮＯＲフラッシュ、不揮発性スタティックランダムアクセスメモリ（ＮＶＳＲＡＭ）、ＮＡＮＤフラッシュ、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、相変化メモリ（ＰＣＭ）、スピントルクランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）、抵抗ランダムアクセスメモリ（ＲＲＡＭ（登録商標））、およびバッテリバックアップＲＡＭのうちの１つ以上を備え、
前記不揮発性キャッシュは、ＮＯＲフラッシュ、ＮＶＳＲＡＭ、ＮＡＮＤフラッシュ、ＭＲＡＭ、ＰＣＭ、ＳＴＲＡＭ、ＲＲＡＭ（登録商標）、およびバッテリバックアップＲＡＭのうちの１つ以上を備える、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記書き込み時の欠落データを前記不揮発性キャッシュから読み出すことと、電力が復旧した後に前記書き込み時の欠落データを前記メモリに書き込むこととをさらに含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
電力が復旧した後に、
前記メタデータを前記不揮発性キャッシュから読み出すことと、
前記メタデータを用いて前記書き込み時の欠落データを復旧させる前記メモリの場所を特定することと、
前記書き込み時の欠落データを前記メモリの前記場所に再書き込みすることと、をさらに含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記書き込み時の欠落データを格納することは、前記メモリに書き込まれたが、セクタが回復可能であることを示すフィードバック信号が生成されなかった前記セクタを特定することを含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記フィードバック信号は、前記メモリのドライブヘッドが１シリンダ当たりのトラック数の制限内であることを確認するサーボサンプル処理に基づく、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記書き込み時の欠落データを前記不揮発性キャッシュに格納することは、
前記書き込み時の欠落データが冗長的に格納されているかを決定することと、
冗長的に格納されていない前記書き込み時の欠落データに応答して、前記書き込み時の欠落データを前記不揮発性キャッシュに格納することと、
冗長的に格納されている前記書き込み時の欠落データに応答して、前記書き込み時の欠落データを前記不揮発性キャッシュに格納しないことと、を含む、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記メタデータを格納することは、前記メモリのスキップされたセクタについての情報を格納することを含み、
電力が復旧した後に、前記スキップされたセクタについての前記情報を用いて前記不揮発性キャッシュからの前記書き込み時の欠落データを前記メモリに復旧させることをさらに含む、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記メモリは磁気ディスクを備え、前記書き込みコマンドの実行中の前記磁気ディスクの位置を追跡することをさらに含む、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記位置を追跡することは、
前記電力損失中に前記書き込み動作が停止する停止位置を特定することを含み、
前記停止位置を用いて前記不揮発性キャッシュに格納する前記書き込み時の欠落データの量を計算することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記電力損失時に修復活動が有効であるかを決定することと、
前記修復活動が有効である場合、前記修復活動と関連付けられたデータを前記不揮発性キャッシュに格納することと、をさらに含む、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
書き込み時の欠落軽減回路を備え、
前記メモリへの書き込み動作が電力損失時に進行中であるかを決定し、かつ
前記電力損失時に進行中である前記書き込み動作に応答して、書き込み時の欠落データおよびメタデータを不揮発性キャッシュに格納させるように構成される、装置であって、前記書き込み時の欠落データは、前記電力損失の結果として、劣化した状態または訂正不可能な状態のまま残されたデータを含み、前記メタデータは、前記書き込み時の欠落データを記述する、装置。
【請求項１５】
前記メタデータは、前記書き込み時の欠落データのヘッダに格納され、前記メタデータのフィールドは、前記不揮発性キャッシュに格納された前記書き込み時の欠落データの量を示す、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記書き込み時の欠落軽減回路は、前記書き込み時の欠落データおよびメタデータが前記不揮発性キャッシュに格納される前に、エラー検出またはエラー訂正符号を用いて、前記書き込み時の欠落データおよび前記メタデータのうちの少なくとも１つを符号化するようにさらに構成される、請求項１４または請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
システムであって、
メモリと、
不揮発性キャッシュと、
ホストから供給される電力の前記損失を検出するように構成される電力損失検出回路と、
書き込み時の欠落軽減回路と、を備え、前記書き込み時の欠落軽減回路は、
前記メモリへの書き込み動作が前記電力損失時または前記電力損失時前後に進行中であるかを決定し、かつ、
前記電力損失時に進行中である前記書き込み動作に応答して、書き込み時の欠落データおよびメタデータを前記不揮発性キャッシュに格納させるように構成され、前記書き込み時の欠落データは、前記電力損失の結果として、劣化した状態または訂正不可能な状態のまま残されたデータを含み、前記メタデータは、前記書き込み時の欠落データを記述する、システム。
【請求項１８】
前記不揮発性キャッシュは、前記書き込み時の欠落データを外部から供給された電力を用いることなく長時間保持することができ、前記書き込み時の欠落データの前記不揮発性キャッシュへの格納が前記電力損失後に利用可能な時間内に完了するような速度で確実に書き込まれ得る、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記システムは、ソリッドステートドライブ記憶デバイスであり、
前記メモリは、マルチレベルセル（ＭＬＣ）ＮＡＮＤフラッシュを備え、
不揮発性キャッシュは、シングルレベルセルモードで動作する前記ＭＬＣ  ＮＡＮＤフラッシュの一部分を備える、請求項１７または請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記システムはハードディスクドライブであり、
前記メモリは回転磁気ディスクであり、
前記不揮発性キャッシュは電子フラッシュメモリである、請求項１７から請求項１９のいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】書き込み時の欠落の緩和