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【手続補正書】
【提出日】平成29年8月21日(2017.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システム用のペデスタルであって、
基板支持面と、
前記基板支持面の周縁の周りに配置された環状エッジリングと、
前記環状エッジリングのプラズマ暴露面上に配されたダイヤモンドコーティングと、を備え、
前記ダイヤモンドコーティングは、ｓｐ３結合を含み、
前記ダイヤモンドコーティングにおける前記ｓｐ３結合の純度は、９０％よりも高い、ペデスタル。
【請求項２】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記ダイヤモンドコーティングにおける前記ｓｐ３結合の前記純度は、９５％よりも高い、ペデスタル。
【請求項３】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記ダイヤモンドコーティングにおける前記ｓｐ３結合の前記純度は、９９％よりも高い、ペデスタル。
【請求項４】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記ダイヤモンドコーティングは、化学気相成長（ＣＶＤ）を用いて、前記環状エッジリング上に堆積される、ペデスタル。
【請求項５】
プラズマ処理システムであって、
処理チェンバであって、その中に請求項１に記載のペデスタルが配置されている、処理チェンバと、
前記処理チェンバ内でプラズマを発生させるためのプラズマ源と、を備えるプラズマ処理システム。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマ処理システムであって、前記プラズマ源は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）源を有する、プラズマ処理システム。
【請求項７】
請求項５に記載のプラズマ処理システムであって、前記プラズマ源は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源を有する、プラズマ処理システム。
【請求項８】
プラズマ処理システムであって、
処理チェンバであって、その中に請求項１に記載のペデスタルが配置されている、処理チェンバと、
前記処理チェンバにプラズマを供給するためのリモートプラズマ源と、を備えるプラズマ処理システム。
【請求項９】
プラズマ処理システムであって、
処理チェンバと、
前記処理チェンバへのプラズマの供給と、前記処理チェンバ内でのプラズマの生成と、のうちの一方を行うためのプラズマ源と、
前記処理チェンバ内に配置され、ダイヤモンドコーティングを有する、少なくとも１つの構成部材と、を備え、
前記ダイヤモンドコーティングは、ｓｐ３結合を含み、
前記ダイヤモンドコーティングにおける前記ｓｐ３結合の純度は、９０％よりも高い、プラズマ処理システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプラズマ処理システムであって、前記ダイヤモンドコーティングにおける前記ｓｐ３結合の前記純度は、９５％よりも高い、プラズマ処理システム。
【請求項１１】
請求項９に記載のプラズマ処理システムであって、前記ダイヤモンドコーティングにおける前記ｓｐ３結合の前記純度は、９９％よりも高い、プラズマ処理システム。
【請求項１２】
請求項９に記載のプラズマ処理システムであって、前記ダイヤモンドコーティングは、化学気相成長（ＣＶＤ）を用いて、前記少なくとも１つの構成部材上に堆積される、プラズマ処理システム。
【請求項１３】
請求項９に記載のプラズマ処理システムであって、前記少なくとも１つの構成部材は、
エッジリングと、
チェンバ壁と、
ガス分配装置と、
ガスインジェクタと、
前記処理チェンバ内への窓と、
ペデスタルの上面と、からなる群から選択される、プラズマ処理システム。
【請求項１４】
プラズマ処理システム用のエッジリングであって、
環状リングと、
使用時にプラズマに暴露される前記環状リングの表面上に配されたダイヤモンドコーティングと、を有し、
前記ダイヤモンドコーティングは、ｓｐ３結合を含み、
前記ダイヤモンドコーティングにおける前記ｓｐ３結合の純度は、９０％よりも高い、エッジリング。
【請求項１５】
請求項１４に記載のエッジリングであって、前記ダイヤモンドコーティングにおける前記ｓｐ３結合の前記純度は、９５％よりも高い、エッジリング。
【請求項１６】
請求項１４に記載のエッジリングであって、前記ダイヤモンドコーティングにおける前記ｓｐ３結合の前記純度は、９９％よりも高い、エッジリング。
【請求項１７】
請求項１４に記載のエッジリングであって、前記ダイヤモンドコーティングは、化学気相成長（ＣＶＤ）を用いて、前記環状リング上に堆積される、エッジリング。
【請求項１８】
請求項１４に記載のエッジリングであって、前記環状リングは、シリコン（Ｓｉ）、シリコン炭化物（ＳｉＣ）、および二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、からなる群から選択された材料で構成される、エッジリング。
【請求項１９】
請求項１４に記載のエッジリングであって、前記ダイヤモンドコーティングは、１μｍ〜１ｍｍの厚さを有する、エッジリング。
【請求項２０】
請求項１４に記載のエッジリングであって、前記ダイヤモンドコーティングは、１００μｍ〜１ｍｍの厚さを有する、エッジリング。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
プラズマ処理システム用のペデスタルは、基板支持面を有する。基板支持面の周縁の周りに、環状エッジリングが配置される。環状エッジリングのプラズマ暴露面上に、ダイヤモンドコーティングが配される。ダイヤモンドコーティングは、ｓｐ３結合を含む。ダイヤモンドコーティングにおけるｓｐ３結合の純度は、９０％よりも高い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ここで図６を参照すると、本開示による、基板のエッチングまたはアッシング用の基板処理チェンバ３００を示している。基板処理チェンバ３００における各種構成部材は、上述のようにダイヤモンドコーティングｄで被覆されてよい。特定のタイプの基板処理チェンバについて図示および説明しているが、本明細書に記載の改良は、他の様々な基板処理チェンバに適用してよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
下部チェンバ領域３０２に、ペデスタル３２２が配置される。いくつかの例では、ペデスタル３２２は、静電チャック（ＥＳＣ：ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ  Ｃｈｕｃｋ）を有するが、他のタイプのペデスタルを用いることもできる。エッチングの際には、基板３２６が、ペデスタル３２２の上面に配置される。いくつかの例では、ペデスタルの面の１つ以上は、ダイヤモンドコーティングで被覆されている。いくつかの例では、ヒータプレート、流体流路を有するオプションの冷却プレート、および１つ以上のセンサ（すべて図示せず）によって、基板３２６の温度を制御してよいが、他の任意の適切なペデスタル温度制御システムを用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月8日(2017.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼室（２３）内に燃料を直接噴射する燃料噴射弁（２１）と、前記燃焼室内において点火火花を生じさせる点火手段（３４）とを有し、前記燃料噴射弁から噴射された燃料が前記点火手段の点火により燃焼に供される筒内噴射エンジン（１０）の制御装置（４０）であって、
前記エンジンの１燃焼サイクルで前記点火手段の点火前に、前記燃焼室内においてそれぞれリーン空燃比の混合気を形成するよう前記燃料噴射弁による複数回の第１噴射を行わせる第１噴射制御手段と、
同じく前記点火手段の点火前で、かつ前記第１噴射よりも後に、前記燃焼室内においてリッチ空燃比の混合気を形成するよう前記燃料噴射弁による第２噴射を行わせる第２噴射制御手段と、
を備え、
前記第１噴射制御手段は、前記複数回の第１噴射のうち前に実施される第１噴射が後に実施される第１噴射よりも希薄の混合気を形成するようにしてこれら複数回の第１噴射を実施するものであり、かつ、その第１噴射の実施に際し、前記１燃焼サイクルの全噴射量から前記第２噴射の噴射量として分割される燃料分を差し引きその後の残りの分により前記第１噴射の噴射量を算出するようにしており、
前記第２噴射制御手段は、前記点火手段による点火時期の直前に１回のみ前記第２噴射を実施するものであることを特徴とする筒内噴射エンジンの制御装置。
【請求項２】
前記第１噴射制御手段は、前記第１噴射の実施に際し、前記１燃焼サイクルの全噴射量から前記第２噴射の噴射量として分割される燃料分を差し引きその後の残りの分を前記第１噴射の噴射回数に応じて分割することで前記各第１噴射の噴射量を算出する請求項１に記載の筒内噴射エンジンの制御装置。
【請求項３】
前記第２噴射制御手段は、前記エンジンの運転状態に基づいて、前記第２噴射での噴射量を設定する請求項１又は２に記載の筒内噴射エンジンの制御装置。
【請求項４】
前記エンジンの筒内燃焼圧、回転変動又はトルク変動に基づいて燃焼ばらつきを算出する手段を備え、
前記第２噴射制御手段は、前記燃焼ばらつきが大きいほど、前記第２噴射での噴射量を増量する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の筒内噴射エンジンの制御装置。
【請求項５】
前記複数回の第１噴射及び前記第２噴射により、前記１燃焼サイクルで前記燃焼室の全体としてリーンとなる混合気が形成される請求項１乃至４のいずれか一項に記載の筒内噴射エンジンの制御装置。
【請求項６】
前記第１噴射制御手段は、前記複数回の第１噴射を前記エンジンの吸気行程にて実施し、
前記第２噴射制御手段は、前記第２噴射を前記エンジンの圧縮行程にて実施する請求項１乃至５のいずれか一項に記載の筒内噴射エンジンの制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月20日(2017.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア、中間層、及び、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔であって、
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠したコア部のレベル差Ｓｋが０．０９７〜０．９３７μｍであるキャリア付銅箔。
【請求項２】
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した突出山部高さＳｐｋが０．０５９〜０．４７０μｍである請求項１に記載のキャリア付銅箔。
【請求項３】
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した山部の実体体積Ｖｍｐが０．００３〜０．０２４μｍ3/μｍ2である請求項１又は２に記載のキャリア付銅箔。
【請求項４】
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面のレーザー顕微鏡で測定されるＩＳＯ  ２５１７８に準拠した最大山高さＳｐと突出山部高さＳｐｋとの比Ｓｐ/Ｓｐｋが３．２７１〜１０．７３９である請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔がキャリアの一方の面側に中間層、及び、極薄銅層をキャリアから見てこの順で有する場合において、前記極薄銅層側及び前記キャリア側の少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に、または、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔がキャリアの両方の面側に中間層、及び、極薄銅層をキャリアから見てこの順で有する場合において、当該一方または両方の極薄銅層側の表面に、
粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項６】
前記粗化処理層が、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である請求項５に記載のキャリア付銅箔。
【請求項７】
前記極薄銅層上に樹脂層を備える請求項１〜４のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
【請求項８】
前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える請求項５又は６に記載のキャリア付銅箔。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造した積層体。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体。
【請求項１１】
一つの請求項１〜８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの請求項１〜８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層した積層体。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか一項に記載の積層体を用いたプリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれか一項に記載の積層体のいずれか一方または両方の面に樹脂層と回路との２層を、少なくとも１回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の２層を少なくとも１回形成した後に、前記積層体を構成しているキャリア付銅箔から前記極薄銅層又は前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法で製造されたプリント配線板を用いた電子機器の製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との２層を、少なくとも１回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の２層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月5日(2017.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンからの排気ガス中に還元剤を噴射する還元剤噴射装置と、
前記還元剤噴射装置を冷却するための冷却水を前記還元剤噴射装置に導く冷却水経路と、
を備え、
前記還元剤噴射装置は、冷却水を流すための内部流路を有し、
前記冷却水経路は、
前記還元剤噴射装置の前記内部流路に連なる第１流路と、
前記第１流路から分岐する第２流路及び第３流路と、
冷却水を一時的に貯留するためのタンクと、
を含み、
前記第１流路が前記第２流路及び前記第３流路に分岐する分岐点は、前記還元剤噴射装置と前記第１流路との接続部分よりも上方に位置し、
前記第３流路は、前記分岐点から前記第２流路よりも上方に延び、
前記第２流路と前記第３流路それぞれは、前記タンクに接続されている、
排気ガス後処理ユニット。
【請求項２】
前記第１流路は、前記第３流路よりも短い、
請求項１に記載の排気ガス後処理ユニット。
【請求項３】
前記第２流路は、前記分岐点から上方に延びる、
請求項１又は２に記載の排気ガス後処理ユニット。
【請求項４】
前記第３流路は、前記第２流路よりも上方において前記タンクに接続される、
請求項１乃至３のいずれかに記載の排気ガス後処理ユニット。
【請求項５】
前記冷却水経路は、前記タンクと冷却水ポンプとに接続される第４流路を有し、
前記第４流路は、鉛直方向における前記タンクの中央よりも上方において前記タンクに接続される、
請求項１乃至４のいずれかに記載の排気ガス後処理ユニット。
【請求項６】
前記第２流路は、前記第３流路よりも太い、
請求項１乃至５のいずれかに記載の排気ガス後処理ユニット。
【請求項７】
作業機と、
エンジンと、
請求項１乃至６のいずれかに記載の排気ガス後処理ユニットと、
を備える作業車両。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月27日(2017.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ部と、
前記センサ部を格納するケースと、を備えるセンサモジュールであって、
前記ケースは、
前記センサモジュールの設置対象に接触するための接触面を含み、ゴムからなる接触部と、
前記接触部の前記接触面に沿って配置される磁石と、を含み、
前記接触部には、環状壁に取り囲まれる空間が形成されており、前記空間内に前記磁石が侵入することにより前記磁石は前記接触面に沿って配置される、センサモジュール。
【請求項２】
センサ部と、
前記センサ部を格納するケースと、を備えるセンサモジュールであって、
前記ケースは、
前記センサモジュールの設置対象に接触するための接触面を含み、弾性体からなり、摩擦により前記設置対象に対して前記センサモジュールを固定する接触部と、
前記接触部の前記接触面に沿って配置される磁石と、を含み、
前記接触部には、環状壁に取り囲まれる空間が形成されており、前記空間内に前記磁石が侵入することにより前記磁石は前記接触面に沿って配置される、センサモジュール。
【請求項３】
前記ケースは、３以上の前記磁石を含む、請求項１または請求項２に記載のセンサモジュール。
【請求項４】
平面的に見て、前記磁石の位置を結ぶ多角形の内部に前記センサ部の重心が位置する、請求項３に記載のセンサモジュール。
【請求項５】
前記磁石は、前記磁石の重心周りに回転可能に保持される、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のセンサモジュール。
【請求項６】
前記ケースは、前記磁石を保持する磁石保持部をさらに含み、前記磁石保持部は磁性体からなる、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のセンサモジュール。
【請求項７】
前記ケースは、前記磁石を保持する磁石保持部をさらに含み、前記磁石保持部は非磁性体からなる、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のセンサモジュール。
【請求項８】
前記センサ部は振動を検知する振動センサ部である、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のセンサモジュール。
【請求項９】
前記磁石は球形状を有する、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載のセンサモジュール。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載のセンサモジュールと、
前記センサモジュールに接続され、前記センサモジュールからの情報に基づいて無線通信にて信号を送信する無線端末装置と、を備える無線センサ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月2日(2017.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油脂およびデキストリンを含む粉末油脂であって、
デキストリンは50質量％水溶液の25℃測定時の粘度が50〜500mPasであり、
粉末油脂の油脂含量は46〜86質量％であり、
水に溶解した時のメディアン径は0.4〜2.2μm
である粉末油脂。
【請求項２】
デキストリンのＤＥが10〜30である請求項１に記載の粉末油脂。
【請求項３】
乳タンパクを含む請求項１または２に記載の粉末油脂。
【請求項４】
2.5質量％水溶液のハンター白度が69以上である請求項１から３のいずれかに記載の粉末油脂。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
油脂組成物は、呈味油を含んでもよい。呈味油は、呈味性を有する油脂や油溶性の呈味成分を用いるか、油脂に油溶性の呈味成分を添加することにより呈味性を有する油脂とすることができる。呈味性を有する油脂としては、食用油脂であれば特に限定されず、乳脂、ゴマ油、牛脂、豚脂、鶏油、ピーナツ油、アーモンド油、レモン油、ライム油、オレンジ油、オリーブ油、動植物油等に香味野菜の香気成分を付与した葱油、山椒油、ガーリック油、ジンジャー油、バターを加熱して焙煎臭を付与した焦がしバター油、動植物油脂の部分水素添加油等が挙げられる。また油溶性の呈味成分としては、バターフレーバー、ミルクフレーバー、クリームフレーバー、ナッツフレーバー、フルーツフレーバー、乳製品の酵素分解物等が挙げられる。油脂に呈味油を用いると、飲料のコク味をさらに向上させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の粉末油脂における油脂含量（呈味油の油脂を含む。）は、46〜86質量％、好ましくは50〜80質量％、さらに好ましくは60〜80質量％である。46質量％以上であると、飲料の白濁感やコク味を向上させることができ、86質量％以下であると、乳化安定性が向上し、オイルアップが起こりにくくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月25日(2017.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
釣糸を前方に繰り出す両軸受リールであって、
回転軸の周りにおいて回転するように構成されたスプールと、
前記スプールを回転するように構成されたハンドルと、
前記ハンドルと前記スプールとを連結又は遮断するように構成されたクラッチ機構と、
前記回転軸の軸方向において前記スプールの第１側に配置される第１側板と、
前記軸方向において前記スプールの第２側に配置される第２側板と、
前記第１側板と前記第２側板との間において前記軸方向に沿って延びる本体部、及び前記軸方向に沿って延び前記本体部よりも前記回転軸の近くに配置される第１側端部、を有し、前記クラッチ機構を操作するように構成されたクラッチ操作部材と、
を備え、
前記第１側板は、前記第１側端部を摺動可能に支持する第１ガイド溝を有し、
前記第２側板は、前記本体部を摺動可能に支持する第２ガイド溝を有する、
両軸受リール。
【請求項２】
前記クラッチ操作部は、前記本体部と前記第１側端部との間に配置された段差部をさらに有する、
請求項１に記載の両軸受リール。
【請求項３】
前記第１側板は、第１側板本体部と、前記第１側板本体部に固定され前記第１ガイド溝を有する第１支持部と、を有する、
請求項１又は２に記載の両軸受リール。
【請求項４】
前記第２側板は、第２側板本体部と、前記第２側板本体部に固定され前記第２ガイド溝を有する第２支持部と、を有する、
請求項１から３のいずれかに記載の両軸受リール。
【請求項５】
前記第１側端部の幅は、前記本体部の幅よりも小さい、
請求項１から４のいずれかに記載の両軸受リール。
【請求項６】
前記第１ガイド溝及び前記第２ガイド溝の少なくとも一方は、前記回転軸を中心とした円弧状である、
請求項１から５のいずれかに記載の両軸受リール。
【請求項７】
前記第１及び前記第２ガイド溝は、前記回転軸を中心とした円弧状であり、
前記第１ガイド溝の半径は、前記第２ガイド溝の半径よりも小さい、
請求項１から５のいずれかに記載の両軸受リール。
【請求項８】
前記第１ガイド溝の長さは、前記第２ガイド溝の長さよりも短い、
請求項７に記載の両軸受リール。
【請求項９】
前記第１ガイド溝及び前記第２ガイド溝の少なくとも一方は、直線状に延びる、
請求項１から５のいずれかに記載の両軸受リール。
【請求項１０】
前記第１及び第２側板は、側面視が円形であり、
前記第１側板の半径は、前記第２側板の半径よりも小さい、
請求項１から９のいずれかに記載の両軸受リール。
【請求項１１】
前記第１ガイド溝の幅は、前記第２ガイド溝の幅よりも小さい、
請求項１から１０のいずれかに記載の両軸受リール。
【請求項１２】
前記第１ガイド溝は、前記第１側板の外周部に配置され、
前記第２ガイド溝は、前記第２側板の外周部に配置される、
請求項１から１１のいずれかに記載の両軸受リール。
【請求項１３】
前記本体部及び第１側端部は、前記スプールの後方に位置する、
請求項１から１２のいずれかに記載の両軸受リール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
クラッチ操作部材５は、クラッチ機構４を操作するように構成されている。詳細には、図８に示すように、クラッチ操作部材５は、クラッチプレート５１を有している。また、クラッチ操作部材５は、クラッチカム５２と、押さえ板５３と、クラッチヨーク５４と、カバー部材５６と、をさらに備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
リターン部材５５は、クラッチカム５２の突出部５２ｂに揺動可能に装着されている。リターン部材５５は爪部を有している。爪部は、駆動軸６１と一体的に回転するラチェットホイール（図示省略）の外周部に当接している。リターン部材５５は、トグルばね５５ａにより揺動方向の両方向に振り分けて付勢されている。ラチェットホイールの回転によって、リターン部材５５の爪部が押圧されることによって、クラッチカム５２が軸方向の第１側へと移動させられる。すなわち、クラッチカム５２は、クラッチオフ位置からクラッチオン位置へと戻される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月17日(2017.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送受信装置であって、
放送番組と連携してアプリケーションが実行可能なデジタル放送サービスの放送波を受信する放送受信部と、
前記放送受信部が受信するデジタル放送サービスの情報に含まれる、前記アプリケーションに関連する情報であるアプリケーション関連情報を参照し、当該アプリケーション関連情報に基づいて、前記放送番組に連携するアプリケーションの起動を含む動作を制御するアプリケーション制御部と、
前記放送受信装置と連携する携帯情報端末と通信が可能な通信部とを有し、
前記アプリケーション制御部は、前記アプリケーション関連情報に前記アプリケーションの起動の指示が含まれている場合に、前記通信部を通じて前記携帯情報端末との通信を試みる処理を行い、当該通信部の処理の結果に応じて、前記放送受信装置における前記アプリケーションの起動を制御する、放送受信装置。
【請求項２】
請求項１記載の放送受信装置において、
前記アプリケーション制御部は、前記通信部の処理の結果として、前記携帯情報端末から、ユーザーが前記アプリケーションの起動を可と設定している旨の回答を取得した場合には前記アプリケーションを起動し、前記携帯情報端末から前記ユーザーが前記アプリケーションの起動を否と設定している旨の回答を取得した場合には前記アプリケーションを起動しない制御を行う、放送受信装置。
【請求項３】
請求項１記載の放送受信装置において、
前記アプリケーション制御部は、前記通信部の処理の結果として、前記連携する携帯情報端末が無い状況のとき、または前記連携する携帯情報端末から回答が取得できなかった状況のときに、前記アプリケーションを起動しない制御を行う、放送受信装置。
【請求項４】
請求項１記載の放送受信装置において、
前記アプリケーション制御部は、前記通信部の処理の結果として、前記連携する携帯情報端末が無い状況のとき、または前記連携する携帯情報端末から回答が取得できなかった状況のときに、前記アプリケーションを起動する制御を行う、放送受信装置。
【請求項５】
放送番組と連携してアプリケーションが実行可能なデジタル放送サービスの放送波を受信する放送受信部と、
前記放送受信部が受信するデジタル放送サービスの情報に含まれる、前記アプリケーションに関連する情報であるアプリケーション関連情報を参照し、当該アプリケーション関連情報に基づいて、前記放送番組に連携するアプリケーションの起動を含む動作を制御するアプリケーション制御部と、
前記アプリケーションの起動の可否に関するユーザーの選択結果を記憶するユーザー設定記憶部とを備え、
前記アプリケーション制御部は、前記ユーザー設定記憶部に記憶されている前記選択結果が、前記アプリケーションの起動を否とするものである場合でも、前記放送受信部が受信する情報に前記アプリケーションの強制起動を指示する情報が含まれている場合には、前記アプリケーションを起動する、放送受信装置。
【請求項６】
放送受信装置と携帯情報端末とを備える放送受信システムであって、
前記放送受信装置は、
放送番組と連携してアプリケーションが実行可能なデジタル放送サービスの放送波を受信する放送受信部と、
前記放送受信部が受信するデジタル放送サービスの情報に含まれる、前記アプリケーションに関連する情報であるアプリケーション関連情報を参照し、当該アプリケーション関連情報に基づいて、前記放送番組に連携するアプリケーションの起動を含む動作を制御するアプリケーション制御部と、
前記携帯情報端末との通信を行う第１の通信部と、
を有し、
前記携帯情報端末は、
前記放送受信装置と通信を行う第２の通信部と、
前記携帯情報端末へのユーザーの操作に基づいて設定される、前記放送受信装置における前記アプリケーションの起動の可否の設定を記憶するユーザー設定記憶部とを有し、
前記放送受信装置の前記アプリケーション制御部は、前記アプリケーション関連情報に前記アプリケーションの起動の指示が含まれている場合に、前記第１の通信部を通じて前記携帯情報端末との通信を試みる処理を行い、前記第１の通信部の処理の結果に応じて、前記放送受信装置における前記アプリケーションの起動を制御する、放送受信システム。
【請求項７】
請求項６記載の放送受信システムにおいて、
前記放送受信装置の前記アプリケーション制御部は、前記第１の通信部の処理の結果として、前記携帯情報端末から、前記ユーザーが前記アプリケーションの起動を可と設定している旨の回答を取得した場合には前記アプリケーションを起動し、前記携帯情報端末から前記ユーザーが前記アプリケーションの起動を否と設定している旨の回答を取得した場合には前記アプリケーションを起動しない制御を行う、放送受信システム。
【請求項８】
請求項６記載の放送受信システムにおいて、
前記放送受信装置の前記アプリケーション制御部は、前記第１の通信部の処理の結果として、前記携帯情報端末から回答が取得できなかった状況のときに、前記アプリケーションを起動しない制御を行う、放送受信システム。
【請求項９】
請求項６記載の放送受信システムにおいて、
前記放送受信装置の前記アプリケーション制御部は、前記第１の通信部の処理の結果として、前記携帯情報端末から回答が取得できなかった状況のときに、前記アプリケーションを起動する制御を行う、放送受信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月10日(2017.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影画像に係る画像データに対して防振処理を実行し、防振処理後の画像データを記録部に記録する第１の防振部と、
前記第１の防振部が出力する、前記防振処理の内容に関する補助情報に基づいて、前記記録部に記録された防振処理後の画像データを対象として、前記第１の防振部による前記防振処理の影響を除去する制御処理を行いつつ、再度防振処理を実行する第２の防振部とを備える
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の防振部は、前記防振処理後の画像データと共に、前記補助情報を前記記録部に記録し、
前記第２の防振部は、前記記録部に記録された補助情報に基づいて、前記第１の防振部による前記防振処理の影響を除去する制御処理を実行する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の防振部は、前記撮影画像に生じるブレを当該撮影画像を幾何変形することで補正する幾何変形防振処理、または前記撮影画像に生じるブレを、振れ補正手段を駆動することで補正する光学防振処理の少なくとも一方を実行し、
前記第２の防振部は、前記幾何変形防振処理を実行する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２の防振部は、カメラワークの推定処理を実行し、前記推定されたカメラワークに基づいて、防振の補正量を算出し、前記補正量に基づいて、前記撮影画像を幾何変形することで、前記幾何変形防振処理を実行し、
前記カメラワークの推定処理、前記撮影画像の幾何変形は、それぞれ、前記第１の防振部によって実行されたピンホールカメラ想定が崩れる防振処理の影響を除去する処理を含む
ことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記補助情報は、前記幾何変形された前記撮影画像の画像変化成分を含む
ことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１の防振部が実行する前記幾何変形は、エフェクト処理を含んでおり、
前記補助情報は、エフェクト処理に関する情報であるエフェクト情報を含む
ことを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記エフェクト処理は、リサイズ、パース補正を含み、
前記エフェクト情報は、前記リサイズに関するリサイズ情報、前記パース補正に関するパース補正情報を含む
ことを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１の防振部は、前記光学防振処理を実行し、
前記補助情報は、前記振れ補正手段の駆動シフト量を含む
ことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記第１の補正部は、前記第１の防振処理を実行した後の前記撮像装置の位置姿勢の変化を示す位置姿勢変化情報を前記補助情報とともに出力し、
前記第２の防振部は、前記位置姿勢変化情報を用いて、前記カメラワークを推定する処理を実行する
ことを特徴とする請求項４乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
撮影画像に係る画像データに対して防振処理を実行し、防振処理後の画像データを記録部に記録する第１の防振工程と、
前記第１の防振工程での前記防振処理の内容に関する補助情報に基づいて、前記記録部に記録された防振処理後の画像データを対象として、前記第１の防振工程による前記防振処理の影響を除去する制御処理を行いつつ、再度防振処理を実行する第２の防振工程とを有する
ことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１１】
ネットワークを介して接続された撮像装置と情報処理装置とを備えるシステムであって、
前記撮像装置は、撮影画像に係る防振処理を実行し、防振処理後の画像データを記録部に記録するとともに、前記防振処理の内容に関する補助情報を出力し、
前記情報処理装置は、前記補助情報に基づいて、前記記録部に記録された防振処理後の画像データを対象として、前記第１の情報処理装置による前記防振処理の影響を除去する制御処理を行いつつ、再度防振処理を実行する
ことを特徴とする情報処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月6日(2017.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
薄膜トランジスタ及び複数の無機絶縁膜を含み前記基板上に形成された第１の層と、
前記第１の層の上に設けられた第１有機膜と、
前記第１有機膜の上に設けられた第１のダイアモンドライクカーボン層と、
前記第１のダイアモンドライクカーボン層の上に設けられた有機発光素子と、
前記有機発光素子の上に設けられた第２のダイアモンドライクカーボン層と、
第１の窒化シリコン膜を含み前記第２のダイアモンドライクカーボン層の上に形成された保護膜と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ発光装置において、
前記有機発光素子は、
陽極と、
有機発光層を含み前記陽極の上に形成された有機材料層と、
前記有機材料層の上に形成された陰極と、を有し、
前記陽極は、前記第１のダイアモンドライクカーボン層に接触して積層されること、
を特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【請求項３】
請求項１に記載の有機ＥＬ発光装置において、
前記第１のダイアモンドライクカーボン層の第１の厚さは前記第２のダイアモンドライクカーボン層の第２の厚さより薄く、
前記第２のダイアモンドライクカーボン層の前記第２の厚さは前記保護膜の第３の厚さより薄いこと、
を特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【請求項４】
請求項１に記載の有機ＥＬ発光装置において、
前記基板の縁と前記第１有機膜の縁との間の第１の距離は、前記基板の縁と前記第１のダイアモンドライクカーボン層の縁との間の第２の距離より大きく、
前記第１の距離は、前記基板の縁と前記第２のダイアモンドライクカーボン層の縁との間の第３の距離より大きいこと、
を特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ発光装置において、
さらに、有機材料で形成されたバンク絶縁層を有し、
前記有機発光素子は、陽極と、有機発光層を含み前記陽極の上に形成された有機材料層と、前記有機材料層の上に形成された陰極と、を有し、
前記バンク絶縁層は、前記陽極を露出する部分を設けつつ前記陽極の縁を覆い、当該縁にて前記陽極と前記有機発光層との間に形成され、
前記基板の縁と前記バンク絶縁層の縁との間の第４の距離は、前記第２の距離より大きく、
前記第４の距離は前記第３の距離より大きいこと、
を特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ発光装置において、
前記有機発光素子を含んだ表示領域と、前記表示領域を囲んだ周囲領域とを有し、
前記周囲領域にて前記第１のダイアモンドライクカーボン層と前記第２のダイアモンドライクカーボン層とがそれらの間に有機材料を挟まずに積層された封止構造が形成されていること、
を特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の有機ＥＬ発光装置において、
前記封止構造にて、前記第１のダイアモンドライクカーボン層、前記陰極及び前記第２のダイアモンドライクカーボン層がこの順で積層されていること、
を特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【請求項８】
請求項６に記載の有機ＥＬ発光装置において、
前記封止構造にて、前記第１のダイアモンドライクカーボン層は、前記第２のダイアモンドライクカーボン層と接すること、
を特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【請求項９】
請求項７に記載の有機ＥＬ発光装置において、
前記基板の縁と前記陰極の縁との間の第５の距離は、前記第２の距離より小さく、
前記第５の距離は、前記第３の距離より大きいこと、
を特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の有機ＥＬ発光装置において、
前記保護膜は、前記第１の窒化シリコン膜の上に形成された樹脂材料と、前記樹脂材料の上に形成された第２の窒化シリコン膜とを含むこと
を特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月30日(2017.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層と、その各面に配された電極とを有する電気化学発光セルにおいて、
前記発光層が、有機高分子発光材料及びイオン液体を含み、
前記イオン液体が、下記一般式（１）で表される電気化学発光セル。
【化１】
2015216095.tif 000001
（式中、ＭはＮ又はＰを表す。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して、炭素数１〜２０を有する飽和脂肪族基、炭素数２〜２０を有する不飽和脂肪族基又は炭素数６〜２０を有する芳香族環含有基を表す。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つが不飽和脂肪族基又は芳香族環含有基である。前記飽和脂肪族基、前記不飽和脂肪族基及び前記芳香族環含有基を構成する炭素原子は、ヘテロ原子で置換されていてもよく、前記飽和脂肪族基、前記不飽和脂肪族基及び前記芳香族環含有基中の水素原子は官能基で置換されていてもよい。Ｘ−はアニオンである。）
【請求項２】
前記一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つが前記芳香族環含有基である、請求項１に記載の電気化学発光セル。
【請求項３】
前記一般式（１）において、前記不飽和脂肪族基が、二重結合又は三重結合を少なくとも１つ以上有する直鎖状、分岐状又は環状の脂肪族炭化水素基である請求項１又は２に記載の電気化学発光セル。
【請求項４】
前記一般式（１）において、前記官能基が、アミノ基、ニトリル基、フェニル基、ベンジル基、カルボキシル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基である請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気化学発光セル。
【請求項５】
前記有機高分子発光材料がポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（フルオレン）、ポリ（１，４−フェニレン）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ（パラフェニレンスルフィド）、ポリベンゾチアジアゾール、ポリビオチオフィン又はこれらの誘導体若しくはコポリマーである請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気化学発光セル。
【請求項６】
前記一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち３つが前記飽和脂肪族基であり、１つがアリールアルキル基又はアルケニル基である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気化学発光セル。
【請求項７】
下記一般式（１）で表されるイオン液体、有機高分子発光材料及び有機溶媒を含有する、電気化学発光セルの発光層形成用組成物。
【化２】
2015216095.tif 000002
（式中、ＭはＮ又はＰを表す。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して、炭素数１〜２０を有する飽和脂肪族基、炭素数２〜２０を有する不飽和脂肪族基又は炭素数６〜２０を有する芳香族環含有基を表す。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つが不飽和脂肪族基又は芳香族環含有基である。前記飽和脂肪族基、前記不飽和脂肪族基及び前記芳香族環含有基を構成する炭素原子は、ヘテロ原子で置換されていてもよく、前記飽和脂肪族基、前記不飽和脂肪族基及び前記芳香族環含有基中の水素原子は官能基で置換されていてもよい。Ｘ−はアニオンである。）
【請求項８】
前記一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つが前記芳香族環含有基である、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記一般式（１）において、前記不飽和脂肪族基が、二重結合又は三重結合を少なくとも１つ以上有する直鎖状、分岐状又は環状の脂肪族炭化水素基である請求項７又は８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記一般式（１）において、前記官能基が、アミノ基、ニトリル基、フェニル基、ベンジル基、カルボキシル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基である請求項７〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記有機高分子発光材料がポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（フルオレン）、ポリ（１，４−フェニレン）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ（パラフェニレンスルフィド）、ポリベンゾチアジアゾール、ポリビオチオフィン又はこれらの誘導体若しくはコポリマーである請求項７〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
前記有機溶媒がトルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジメチルクロライド、クロロベンゼン又はクロロホルムである請求項７〜１１のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
前記一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち３つが前記飽和脂肪族基であり、１つがアリールアルキル基又はアルケニル基である、請求項７〜１２のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１４】
請求項７〜１３のいずれか一項に記載の組成物を、発光層形成用材料として使用した電気化学発光セル。
【請求項１５】
下記一般式（１）で表される化合物である、電気化学発光セルの発光層用イオン液体。
【化３】
2015216095.tif 000003
（式中、ＭはＮ又はＰを表す。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して、炭素数１〜２０を有する飽和脂肪族基、炭素数２〜２０を有する不飽和脂肪族基又は炭素数６〜２０を有する芳香族環含有基を表す。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つが不飽和脂肪族基又は芳香族環含有基である。前記飽和脂肪族基、前記不飽和脂肪族基及び前記芳香族環含有基を構成する炭素原子は、ヘテロ原子で置換されていてもよく、前記飽和脂肪族基、前記不飽和脂肪族基及び前記芳香族環含有基中の水素原子は官能基で置換されていてもよい。Ｘ−はアニオンである。）
【請求項１６】
前記一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つが前記芳香族環含有基である、請求項１５に記載のイオン液体。
【請求項１７】
前記一般式（１）において、前記不飽和脂肪族基が、二重結合又は三重結合を少なくとも１つ以上有する直鎖状、分岐状又は環状の脂肪族炭化水素基である請求項１５又は１６に記載のイオン液体。
【請求項１８】
前記一般式（１）において、前記官能基が、アミノ基、ニトリル基、フェニル基、ベンジル基、カルボキシル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基である請求項１５〜１７のいずれか一項に記載のイオン液体。
【請求項１９】
前記有機高分子発光材料がポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（フルオレン）、ポリ（１，４−フェニレン）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリ（パラフェニレンスルフィド）、ポリベンゾチアジアゾール、ポリビオチオフィン又はこれらの誘導体若しくはコポリマーである請求項１５〜１８のいずれか一項に記載のイオン液体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月21日(2017.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物膜と、
前記第１の酸化物膜の上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する領域を有する、第２の酸化物膜と、
前記第２の酸化物膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の上端部は、曲面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体膜の上面は平坦部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の断面において、前記酸化物半導体膜の２つの上端部の曲率半径のそれぞれが、０より大きく、チャネル幅の半分以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の上端部の曲率半径が、０より大きく、チャネル幅の半分以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の酸化物膜の上端部は前記ゲート絶縁膜の下端部と一致し、前記ゲート絶縁膜の上端部は前記ゲート電極の下端部と一致することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の酸化物膜および前記第２の酸化物膜は、前記酸化物半導体膜よりも伝導帯下端のエネルギーが０．０５ｅＶ以上２ｅＶ以下の範囲で真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の酸化物膜、前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記第２の酸化物膜、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を覆うバリア膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記バリア膜を介して前記第１の酸化物膜、前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極の側壁に設けられた第１の側壁絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記バリア膜を介して前記第２の酸化物膜、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の側壁に設けられた第２の側壁絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月11日(2017.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの熱処理を行う処理装置のチャンバ内で該半導体ウエハを支持するための基台をクリーニングする方法であって、
炭化ケイ素を含む材料で構成された前記基台を準備する工程と、
洗浄液を用いて前記基台を洗浄する工程と、
酸素を含むガス雰囲気の下、前記基台の表面に酸化膜が形成されるように、前記基台に対して第１の熱処理を行う工程と、
前記第１の熱処理の後、水蒸気を含むガス雰囲気の下、前記酸化膜の膜厚が厚くなるように、前記基台に対して第２の熱処理を行う工程と、を有し、
前記第１の熱処理は、温度が１０００℃以上、かつ、熱処理時間が１０時間以上、の条件の下で行われ、
前記第２の熱処理の後に得られた前記基台を用いて熱処理を行った場合の前記半導体ウエハのＦｅ不純物濃度は、前記第１の熱処理の後かつ前記第２の熱処理の前に得られた前記基台を用いて熱処理を行った場合の前記半導体ウエハのＦｅ不純物濃度よりも低い
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第２の熱処理を、１０００℃以上の温度条件の下で行う
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の熱処理を、前記水蒸気の流量が５［ｓｌｍ］以上、且つ、熱処理時間が１０時間以上の条件の下で行う
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の熱処理を、前記酸素の流量が１０［ｓｌｍ］以上の条件の下で行う
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の熱処理および前記第２の熱処理を行う前に、前記第１の熱処理および前記第２の熱処理を行うための装置のチャンバ内に前記基台を設置する工程を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記基台を洗浄する工程では、前記洗浄液としてフッ酸を用いる
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記基台を洗浄する工程の後かつ前記第１の熱処理を行う工程の前では、前記基台の前記表面には不純物が付着し、
前記第１の熱処理を行う工程の後かつ前記第２の熱処理を行う工程の前では、該不純物の一部は前記酸化膜に埋まり、
前記第２の熱処理を行う工程の後では、該不純物は、前記第１の熱処理を行う工程の後かつ前記第２の熱処理を行う工程の前に比べて、より深く前記酸化膜に埋まる
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の熱処理を行う工程の後に、前記処理装置の前記チャンバ内に前記基台を設置する工程を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記処理装置により前記半導体ウエハの熱処理を行う際、前記半導体ウエハは、前記処理装置の前記チャンバ内に設置された前記基台と接触する
ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
半導体ウエハの熱処理方法であって、
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法で前記基台をクリーニングする工程と、
前記基台に前記半導体ウエハを載せる工程と、
前記半導体ウエハを熱処理する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体ウエハの熱処理方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法で前記半導体ウエハを熱処理する工程と、
前記半導体ウエハに、光電変換素子を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一つの側面は、半導体ウエハの熱処理を行う処理装置のチャンバ内で該半導体ウエハを支持するための基台をクリーニングする方法であって、炭化ケイ素を含む材料で構成された前記基台を準備する工程と、洗浄液を用いて前記基台を洗浄する工程と、酸素を含むガス雰囲気の下、前記基台の表面に酸化膜が形成されるように、前記基台に対して第１の熱処理を行う工程と、前記第１の熱処理の後、水蒸気を含むガス雰囲気の下、前記酸化膜の膜厚が厚くなるように、前記基台に対して第２の熱処理を行う工程と、を有し、前記第１の熱処理は、温度が１０００℃以上、かつ、熱処理時間が１０時間以上、の条件の下で行われ、前記第２の熱処理の後に得られた前記基台を用いて熱処理を行った場合の前記半導体ウエハのＦｅ不純物濃度は、前記第１の熱処理の後かつ前記第２の熱処理の前に得られた前記基台を用いて熱処理を行った場合の前記半導体ウエハのＦｅ不純物濃度よりも低いことを特徴とする。