【手続補正書】
【提出日】平成29年5月29日(2017.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視ＴＥＭ試料を形成する方法であって、
試料ステージ平面を有する試料ステージ上に第１の加工物を配置するステップであり、前記第１の加工物が、第１の向きに配向された薄片領域を含む、ステップと、
前記第１の加工物から試料が実質的に切り離されるように、イオン・ビームを使用して前記第１の加工物から前記試料をミリングするステップと、
前記試料にプローブを取り付けるステップであり、前記プローブが、シャフト軸を有するシャフトを含み、前記シャフト軸が、前記試料ステージ平面に対してあるシャフト角で配向され、前記シャフト角が、前記試料ステージ平面に対して垂直ではない、ステップと、
前記シャフト軸を軸に前記プローブをある回転角で回転させるステップであり、この回転によって前記試料が、前記薄片領域が第２の向きに配向するように回転する、ステップと、
前記試料を、前記試料がミリングされた加工物である前記第１の加工物に取り付け、もしくは前記第１の加工物上に置くステップと、
前記試料を前記イオン・ビームを使用して薄くして、前記薄片領域に沿った配向を有する薄片を形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記シャフト角が４５度、前記回転角が１８０度である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試料に前記プローブを取り付ける前記ステップが、イオン・ビーム堆積法によって前記試料に前記プローブを取り付けるステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記試料に前記プローブを取り付ける前記ステップが、接着剤によって前記試料に前記プローブを取り付けるステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
イオン・ビームを使用して前記第１の加工物から前記試料をミリングする前記ステップが、集束イオン・ビームを使用して前記第１の加工物から前記試料をミリングするステップを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記試料をミリングする前記ステップが、前記ミリングした試料の１つの面が前記薄片領域に対して実質的に直角になるように、前記試料をミリングするステップをさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記試料を、前記第１の加工物または前記第２の加工物に取り付ける前記ステップが、前記加工物上および前記試料上に少なくとも１つの堆積物を形成するステップをさらに含み、前記堆積物が、前記試料を、前記第１の加工物または前記第２の加工物に取り付ける、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記試料を、前記第１の加工物もしくは前記第２の加工物に取り付け、または前記第１の加工物もしくは前記第２の加工物上に置くステップが、前記第１の加工物もしくは前記第２の加工物の表面に凹んだエリアをミリングするステップであり、前記凹んだエリアが、前記試料の少なくとも一部分を収容するのに適したサイズを有する、ステップと、前記凹んだエリア内に前記試料の少なくとも一部分が配置されるように前記試料を置くステップとをさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記イオン・ビームを使用したイオン・ビーム堆積法によって前記少なくとも１つの堆積物を形成するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記シャフト軸を軸に前記プローブをある回転角で回転させる前記ステップによって、前記試料ステージ平面と前記薄片領域とが実質的に直角になるように前記試料が回転する、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
ミリングする前記ステップの前は、前記薄片領域が前記試料ステージ平面に対して実質的に平行である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記試料を前記イオン・ビームを使用して薄くして、薄片を形成する前記ステップに続いて、
前記試料から前記薄片が実質的に切り離されるように、イオン・ビームを使用して前記試料から前記薄片をミリングするステップと、
前記薄片を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）グリッドに取り付けるステップと、
前記透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）グリッドに取り付けられている間に前記薄片を観察するステップと
をさらに含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記試料から前記薄片をミリングする前記ステップの前に、前記試料がその上に取り付けられたまたは前記試料がその上に置かれた前記加工物を、前記加工物から前記試料をミリングするのに使用されなかった別の機器へ移すステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
試料を処理する装置であって、
イオン・ビーム・カラムと、
試料ステージ平面を有する試料ステージであり、少なくとも２次元空間内で移動することができ、垂直軸を軸に回転することができる試料ステージと、
シャフト軸を軸に回転可能なプローブであり、前記シャフト軸が、前記試料ステージ平面に対してあるシャフト角で配向されており、前記シャフト角が、前記試料ステージ平面に対して垂直ではないプローブと、
コントローラとを備え、前記コントローラが、
前記試料ステージ上で第１の加工物を支持するステップであり、前記第１の加工物が薄片領域を含む、ステップ、
前記第１の加工物から試料が実質的に切り離されるように、前記イオン・ビーム・カラムからのイオン・ビームを使用して前記第１の加工物から試料をミリングするステップ、
前記試料に前記プローブを取り付けるステップ、
前記シャフト軸を軸に前記プローブをある回転角で回転させるステップ、
前記試料を、前記試料がミリングされた加工物である前記第１の加工物に取り付け、もしくは前記第１の加工物上に置くステップ、および
前記試料を前記イオン・ビーム・カラムを使用して薄くして、前記薄片領域に沿った配向を有する薄片を形成するステップ
を前記イオン・ビーム・カラム、前記試料ステージ、前記プローブに実行させる、
装置。
【請求項１５】
前記イオン・ビーム・カラムが集束イオン・ビーム・カラムである、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記プローブが前記試料ステージに対して４５度に配向されている、請求項１４または１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記回転角が１８０度である、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記プローブが、前記イオン・ビーム・カラムによって形成された堆積物によって前記試料に取り付けられる、請求項１４から１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１９】
前記プローブが、接着剤によって前記試料に取り付けられる、請求項１４から１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２０】
前記コントローラによって、ミリングされた前記試料の１つの面が前記薄片領域に対して実質的に直角になるように、前記イオン・ビームが前記試料をミリングする、請求項１４から１９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２１】
前記加工物上および前記試料上に形成された少なくとも１つの堆積物によって、前記試料が、前記第１の加工物または前記第２の加工物に取り付けられる、請求項１４から２０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２２】
前記試料が、前記第１の加工物もしくは前記第２の加工物の表面における前記イオン・ビームによってミリングされた凹んだエリア内に取り付けられまたは置かれる、請求項１４から２１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２３】
前記プローブが、前記シャフト軸を軸に、前記試料ステージ平面と前記薄片領域とが実質的に直角になるように回転する、請求項１４から２２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２４】
ミリングの前は、前記薄片領域が前記試料ステージ平面に対して実質的に平行である、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記イオン・ビームを使用したイオン・ビーム堆積法によって前記少なくとも１つの堆積物を形成することをさらに含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２６】
前記試料を前記イオン・ビームを使用して薄くして、薄片を形成するステップに続いて、
前記試料から前記薄片が実質的に切り離されるように、イオン・ビームを使用して前記試料から前記薄片をミリングする追加のステップと、
前記薄片を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）グリッドに取り付ける追加のステップと、
前記透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）グリッドに取り付けられている間に前記薄片を観察する追加のステップと
を前記イオン・ビーム・カラム、前記試料ステージ、前記プローブに実行させる前記コントローラをさらに備える、請求項１４から２５のいずれか一項に記載の装置。