【手続補正書】
【提出日】平成29年9月14日(2017.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極とＴＦＴとを備え、配向膜が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置され、前記ＴＦＴ基板側に配向膜が形成された対向基板と、前記ＴＦＴ基板の配向膜と前記対向基板の配向膜との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記配向膜は偏光光照射により液晶配向規制力を付与された光配向膜であり、
前記光配向膜の最表面層は液晶配向規制力を有すると共に、前記光配向膜の光学異方性がリタデーション値で１．０ｎｍより小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
画素電極とＴＦＴとを備え、配向膜が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置され、前記ＴＦＴ基板側に配向膜が形成された対向基板と、前記ＴＦＴ基板の配向膜と前記対向基板の配向膜との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記配向膜は偏光光照射により液晶配向規制力を付与された光配向膜であり、
前記光配向膜の最表面層は液晶配向規制力を有すると共に、前記光配向膜の光学的異方性がオーダパラメータで０．１以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記液晶表示装置において、前記光配向膜表面の配向規制力が光学ツイスト角から得られるアンカリング強度１．０×１０−３Ｊ／ｍ２以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶表示装置において、前記光配向膜の表面凹凸の大きさが二乗平均平方根で1ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶表示装置において、前記光配向膜が前記ＴＦＴ基板もしくは前記対向基板のうち、いずれか一方にのみ形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶表示装置において、前記配向膜が光分解型の光配向膜であることを特徴とする請求項１から５のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶表示装置において、前記配向膜が（化１）で与えられるポリイミドを含む光分解型の光配向膜であることを特徴とする請求項１から６のいずれか1項に記載の液晶表示装置。ここで、括弧［  ］の中が繰り返し単位の化学構造、添え字ｎは繰り返し単位の数を示す。また、Ｎは窒素原子、Ｏは酸素原子であり、Ａはシクロブタン環を含む４価の有機基、Ｄは２価の有機基を示す。
【化１】
2016075844.tif 000001
【請求項８】
前記液晶表示装置において、前記配向膜が2種類の積層した構造からなり、光配向が可能な光配向性の上層と前記光配向性の上層よりも抵抗率が小さい低抵抗性の下層からなる２層構造であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記液晶表示装置において、前記液晶表示装置がＩＰＳ方式の液晶表示装置であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
画素電極とＴＦＴとを備え、配向膜が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置され、前記ＴＦＴ基板側に配向膜が形成された対向基板と、前記ＴＦＴ基板の配向膜と前記対向基板の配向膜の間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、
前記画素電極と前記ＴＦＴとを含む前記ＴＦＴ基板を準備する工程と、
前記ＴＦＴ基板または前記対向基板の上に、前記配向膜を形成する工程と、
前記配向膜へ偏光した紫外線を照射し、その後前記配向膜を酸化処理する工程と、
配向規制力を付与された前記配向膜を有する配向膜付きの前記ＴＦＴ基板および前記対向基板とを貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせる工程中もしくは前記貼り合わせる工程後に前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に液晶を封入する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記液晶表示装置において、前記配向膜中に架橋剤が添加され、前記配向膜への偏光した紫外線照射する工程後から、前記ＴＦＴ基板および前記対向基板を貼り合わせる工程までの間に架橋処理を施したことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記液晶表示装置の製造方法において、前記配向膜への偏光した紫外線照射する工程後から、前記ＴＦＴ基板および前記対向基板を貼り合わせる工程までの間に、１８０℃以上の温度で加熱処理しないことを特徴とする請求項１０から１１のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記液晶表示装置の製造方法において、前記配向膜への偏光した紫外線照射する工程後から、前記ＴＦＴ基板および前記対向基板を貼り合わせる工程までの間に、１２０℃以上の温度で加熱処理しないことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、画素電極とＴＦＴとを備え、画素の上に配向膜が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置され、前記ＴＦＴ基板側の最表面上に配向膜が形成された対向基板と、前記ＴＦＴ基板の配向膜と前記対向基板の配向膜の間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、前記画素電極と前記ＴＦＴとを含む前記ＴＦＴ基板を準備する工程と、 前記ＴＦＴ基板または前記対向基板の上に、前記配向膜を形成する工程と、 前記配向膜への偏光した紫外線照射及び前記配向膜を酸化処理することにより、前記配向膜の最表面層は液晶配向規制力を有すると共に、前記光配向膜には光学的異方性がほとんどない状態にする工程と、配向規制力を付与された前記配向膜を有する配向膜付きの前記ＴＦＴ基板および前記対向基板とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせる工程中もしくは前記貼り合わせる工程後に前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に液晶を封入する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、前記液晶表示装置の製造方法において、前記配向膜中に架橋剤が添加され、前記配向膜への偏光した紫外線照射する工程後から、前記ＴＦＴ基板および前記対向基板を貼り合わせる工程までの間に架橋処理を施したことを特徴とする液晶表示装置の製造方法にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この際、あらかじめ下地層への濡れ性向上やイミド化反応促進等のために、各種添加剤を加えることも可能である。更に、所望の手段を用いて、偏光紫外線を照射し、適当な後処理をすることにより、ポリイミド配向膜表面に配向規制力を発生させることが可能である。このようにして形成された配向膜付きの基板を一定の間隔を保持して上下２枚貼り合わせ、その間隔を保持した部分に液晶を充填し、あるいは基板を貼り合わせる前に液晶を滴下してから貼り合わせた後、基板端部を封止することにより、液晶パネルが完成し、そのパネルに偏光板、位相差板等の光学フィルムを貼りつけ、駆動回路やバックライト等を併せて、液晶表示装置を得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
これに対して、偏光紫外線を横方向に照射すると、横方向の非分解高分子５が優先的に光分解され、分解された高分子７に変化する。（実際には偏光紫外線には偏光方向に対して垂直な方向の紫外線成分もわずかに混在するため、十分長時間の照射で縦方向の非分解高分子６も少しずつ光分解されてくるが、ここでは簡便のため無視する。）表面の横方向の非分解高分子６がちょうど分解され、縦方向の非分解高分子６だけが残った状態が最適の偏光紫外線照射条件の状態となるが、このままでは分解された高分子７が多数残留するために、膜表面の異方性はほとんどなく、液晶配向規制力も乏しい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
これに対して、熱処理を施すと、横方向の分解された高分子７は理想的には１００％蒸発させることができれば、残された縦方向の非分解高分子のみとなり、膜表面に異方性が発生し、液晶配向規制力が最大となる。（実際には蒸発させることが大気中では困難な中程度の分子量の光分解物も存在し、それらは膜中に残留するが、ここでは無視する。）このような過程において、膜内部の特定の深さで膜表面に平行な断面位置での高分子の状態を見ると、初期において縦横に非分解高分子６のメッシュ構造があることは当然同じであるが、表面で最適な偏光紫外線を照射した時の膜内部の状態を考えると、横方向には分解された高分子７と非分解高分子６が混在した状態となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
なお、アクティブマトリクス基板１０６は、ガラス基板などの絶縁基板の上に走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ、アクティブ素子（ＴＦＴ素子Ｔｒ）、画素電極ＰＸなどが配置された基板である。また、液晶表示パネル１０１の駆動方式がＩＰＳ方式などの横電界駆動方式である場合、共通電極ＣＴおよび共通化配線ＣＬはアクティブマトリクス基板１０６に配置されている。また、液晶表示パネル１０１の駆動方式がＴＮ方式やＶＡ（Vertical Alignment）方式などの縦電界駆動方式である場合、共通電極ＣＴは対向基板１０７に配置されている。縦電界駆動方式の液晶表示パネル１０１の場合、共通電極ＣＴは、通常、すべての画素で共有される大面積の一枚の平板電極であり、共通化配線ＣＬは設けられていない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
また、図５の液晶表示パネル１０１では、第３の絶縁層６０５が形成されておらず、第２の絶縁層６０４の上に画素電極ＰＸと、画素電極ＰＸを覆う配向膜６０６が形成されている。ここでは図示していないが、画素電極ＰＸは、第２の絶縁層６０４を貫通するコンタクトホール（スルーホール）を介してソース電極６０７と接続している。このとき、ガラス基板６０１の表面に形成された共通電極ＣＴは、隣接する２本の走査信号線ＧＬと隣接する２本の映像信号線ＤＬで囲まれた領域（開口領域）に平板状に形成されており、当該平板状の共通電極ＣＴの上に、複数のスリットを有する画素電極ＰＸが積層されている。またこのとき、走査信号線ＧＬの延在方向に並んだ画素の共通電極ＣＴは、共通化配線ＣＬによって共通化されている。一方、図５の液晶表示パネル１０１における対向基板１０７は、図４の液晶表示パネル１０１の対向基板１０７と同じ構成である。そのため、対向基板１０７の構成に関する詳細な説明は省略する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
このようにして形成された配向膜付きのアクティブマトリクス基板と対向基板をその配向規制力の方向が所望の方位となるようにしつつ、一定の間隔を保持して上下２枚に貼り合わせ、しかる後、その間隔を保持した部分に液晶を充填し、基板端部を封止することにより、液晶パネルが完成し、そのパネルに偏光板、位相差板等の光学フィルムを貼りつけ、駆動回路やバックライト等を併せて、液晶表示装置を得る。なお、上記の説明ではアクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）に形成した配向膜と対向基板（ＣＦ基板）に形成した配向膜の両者とも酸化雰囲気に暴露したが、いずれか一方だけであっても残像特性に対する改善効果を得ることができる。但し、両者とも表面処理することにより、より残像特性が改善されることは言うまでもない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
分光光度計の試料側には上記微小複屈折光学系を、参照側にはもう１ 枚の同一仕様の測定サンプルのみを配置した。偏光板には偏光度が高いものが必要で、位相差板には波長分散の小さいものが望ましい。本実施例では偏光板に日東電工社製ＳＥＧ１４２５ＤＵを、位相差板としてＪＳＲ社製のアートンフィルム（１／２波長板）をコーニング社製ガラスＣｏｒｎｉｎｇ７０５９に張り合わせたものを用いた。入射側偏光板の偏光軸と透過側偏光板の偏光軸は略直交となるように配置され（ 図９においては４５°と１３５°）、位相差板は入射側偏光軸と透過側偏光軸それぞれに対し約４５°の角度となるように配置される（図９においては０°）。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
測定サンプルは光路上で光軸に垂直な面で自由に回転可能なステージ（ 例えば、シグマ光機製回転ステージ）に取り付けられ、位相差板に対し配向軸が約０°の角となるように配置して波長範囲４００ｎｍから７００ｎｍの間１ｎｍきざみで分光透過率を測定し、さらに位相差板に対し配向軸が約９０°の角となるように配置して同様に波長範囲４００ｎｍから７００ｎｍの間１ｎｍきざみで分光透過率を測定し、それぞれの場合について分光透過率が極小となる波長を求めた。上記の微小複屈折測定系で測定した、位相差板に対して０°方向に配置したときの分光透過率が極小となる波長、および位相差板に対して９０°方向に配置したときの分光透過率が極小となる波長を用いて測定基板のリタデーションを求める方法を次に説明する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
図１９に示す表８はその評価結果である。表８において、Ｎ１は表示画素内部の配向状態に不均一なムラが偏光顕微鏡で観察される不良である。Ｎ２はパネル全面が薄明るく産卵したようなムラが目視で観察される不良である。Ｎ３は、パネル周辺が薄明るく散乱したようなムラが目視で観察される不良である。