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【手続補正書】
【提出日】平成29年9月13日(2017.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アッシャブル・ハードマスクを形成する方法であって、
炭化水素前駆体ガスを含む処理ガスに半導体基板を暴露し、
高周波数（ＨＦ）成分と低周波数（ＬＦ）成分とを含むデュアル高周波（ＲＦ）プラズマ源により生成されるプラズマを用いて、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスによって前記半導体基板上にアッシャブル・ハードマスクを堆積させることを備え、
堆積中は、ＨＦ電力は一定である一方で、ＬＦ電力はパルス化される、方法。
【請求項２】
前記炭化水素前駆体ガスは、ＣxＨyの化学式で表され、ｘは２から１０の間の整数であり、ｙは２から２４の間の整数である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＬＦ電力は、非ゼロ電力レベル間でパルス化される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＬＦ電力は、前記ＬＦ電力をオンとオフで切り替えることによりパルス化される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＬＦ ＲＦ電力の周波数は、約４００ｋＨｚである、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ＬＦ電力は、約２Ｈｚ〜約２００Ｈｚの間の周波数でパルス化される、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ＬＦ電力は、約２Ｈｚ〜約１０Ｈｚの間の周波数でパルス化される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記堆積されるアッシャブル・ハードマスクは、応力に対する弾性率の比が１である、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記堆積されるアッシャブル・ハードマスクは、酸化物層、窒化物層、またはポリシリコン層に対するエッチング選択性が約３．６〜４．４の間である、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記堆積されるアッシャブル・ハードマスクは、水素含有量が約１５％未満である、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記アッシャブル・ハードマスクは、約２７５℃〜約５５０℃の間の処理温度で堆積される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
アモルファスカーボン層を形成する方法であって、
炭化水素前駆体ガスを含む処理ガスに半導体基板を暴露し、
高周波数（ＨＦ）成分と低周波数（ＬＦ）成分とを含むデュアル高周波（ＲＦ）プラズマ源により生成されるプラズマを用いて、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスによって前記半導体基板上にアモルファスカーボン層を堆積させることを備え、
堆積中は、ＨＦ電力は一定である一方で、ＬＦ電力はパルス化される、方法。
【請求項１３】
前記炭化水素前駆体ガスは、ＣxＨyの化学式で表され、ｘは２から１０の間の整数であり、ｙは２から２４の間の整数である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＬＦ電力は、非ゼロ電力レベル間でパルス化される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＬＦ電力は、前記ＬＦ電力をオンとオフで切り替えることによりパルス化される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＬＦ電力は、約２Ｈｚ〜約１０Ｈｚの間の周波数でパルス化される、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
半導体基板を処理するように構成されている装置であって、
（ａ）成長チャンバであって、
シャワーヘッドと、
高周波数（ＨＦ）成分と低周波数（ＬＦ）成分とを含むデュアル高周波（ＲＦ）プラズマ発生器と、
整合ネットワークと、
基板サポートと、
１つまたは複数のガス導入口と、を有する成長チャンバと、
（ｂ）当該装置の動作を制御するためのコントローラであって、
炭化水素前駆体ガスを含む処理ガスに半導体基板を暴露し、
ＨＦ電力をオンに切り替え、
ＬＦ電力をパルス化し、
プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスによって前記半導体基板上にアッシャブル・ハードマスクを堆積させるための機械可読命令を含む、コントローラと、を備え、
前記ＨＦ電力は一定である一方で、前記ＬＦ電力はパルス化される、装置。
【請求項１８】
前記炭化水素前駆体ガスは、ＣxＨyの化学式で表され、ｘは２から１０の間の整数であり、ｙは２から２４の間の整数である、請求項１７に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図４は、様々な実施形態を実施するのに適したＰＥＣＶＤチャンバの概略図を示している。図示のように、反応器４００は、処理チャンバ４２４を備え、これは、他の反応器コンポーネントを取り囲むとともに、接地ヒータブロック４２０と協働するシャワーヘッド４１４を含む容量型システムにより生成されるプラズマを収容する。低周波数ＲＦ発生器４０２および高周波数ＲＦ発生器４０４が、整合ネットワーク４０６に接続されており、これがさらにシャワーヘッド４１４に接続されている。整合ネットワーク４０６により供給される電力および周波数は、処理ガスからプラズマを発生させるのに十分なものである。コントローラは、前駆体ガスを導入し、ＨＦ ＲＦ発生器４０４においてＨＦ電力をオンに切り替え、ＬＦ ＲＦ発生器４０２においてＬＦ電力をオンとオフまたはハイとローの間で切り替えるための機械可読命令を供給する。コントローラ４２８は、機械可読システム制御ソフトウェアを実行し、機械可読命令は、大容量記憶装置に保存され、メモリデバイスにロードされ、プロセッサで実行されることで、本発明の実施形態による方法を本装置で実行させる。あるいは、制御ロジックは、コントローラ４２８にハードコーディングされてもよい。このような目的で、特定用途向け集積回路、プログラマブルロジックデバイス（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ、すなわちＦＰＧＡ）などを用いることができる。「ソフトウェア」または「コード」が用いられる場合には、いずれも、機能的に同等のハードコーディングされたロジックが代わりに用いられてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図２のプロセスの別の実施形態について、実験データを収集した。図６は、ＯＰＯＰ（酸化物／ポリシリコン・スタック）エッチングにおいて高温で堆積されるＡＨＭの、ポリシリコンに対するエッチング選択性を、ＭＰａを単位とする応力の関数として示している。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月18日(2017.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを製造する方法であって、
トランジスタを形成するステップを備え、前記トランジスタを形成するステップは、
半導体基板に層のスタックを形成するステップであって、前記スタックは、
第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層に亘る第１のスペーサ層と、
前記第１のスペーサ層に亘る第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層に亘る第２のスペーサ層と、
前記第２のスペーサ層に亘る第３の誘電体層と、
を備える、ステップと、
前記スタックを貫通する垂直に延びるホールをエッチングするステップと、
前記ホールを半導体で充填するステップと、
前記第１の誘電体層の少なくとも一部を選択的に除去し、前記第１のスペーサ層の直下に延びる第１の埋め込み空間を形成するステップと、
前記第１の埋め込み空間を導体で充填するステップと、
前記第２の誘電体層の少なくとも一部を選択的に除去し、前記第２のスペーサ層の直下に延びる第２の埋め込み空間を形成するステップと、
前記第２の埋め込み空間を導体で充填するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記第３の誘電体層の少なくとも一部を選択的に除去し、第３の埋め込み空間を形成するステップと、
前記第３の埋め込み空間を導体で充填するステップと、を更に備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の埋め込み空間を導体で充填する前に、前記第２の埋め込み空間を誘電体層でライニングするステップを更に備える請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の誘電体層を選択的に除去することは、前記ホールにおける前記半導体を露出し、前記第１の埋め込み空間を充填する導体は、前記半導体に接触する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第３の誘電体層を選択的に除去することは、前記ホールにおける前記半導体を露出し、前記第３の埋め込み空間を充填する導体は、前記半導体に接触する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の埋め込み空間を充填する導体、前記第２の埋め込み空間を充填する導体及び前記第３の埋め込み空間を充填する導体は、同一平面の部分を規定するためにそれぞれ上部に延びる請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記ホールは、１５ｎｍ以下の直径を有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ホールを半導体で充填した後に、前記ホールにおける前記半導体をドープするステップを更に備える請求項１に記載の方法。
【請求項９】
電子デバイスを製造する方法であって、
トランジスタを形成するステップを備え、前記トランジスタを形成するステップは、
前記トランジスタのチャネル領域を形成するステップであって、前記チャネル領域は、ワイヤによって規定される、ステップと、
前記トランジスタのソース／ドレインコンタクトを形成するステップであって、
第１の埋め込み空間を形成するステップと、
前記第１の埋め込み空間を第１の誘電体層でライニングするステップと、
前記第１の埋め込み空間を第１の導体で充填するステップと、を含むステップと、
前記トランジスタのゲートコンタクトを形成するステップであって、
前記第１の誘電体層により前記第１の導体から隔てられる第２の埋め込み空間を形成するステップと、
前記第２の埋め込み空間を第２の導体で充填するステップと、を含むステップと、
を備え、
前記第２の埋め込み空間を充填する前に、前記第２の埋め込み空間を第２の誘電体層でライニングするステップを更に備え、
前記第２の誘電体層は、前記第１の誘電体層よりも高い誘電定数を有する、方法。
【請求項１０】
前記第１の埋め込み空間を前記第１の誘電体層でライニングするステップは、前記第１の埋め込み空間の垂直に延びる側壁を誘電体でライニングするステップを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
電子デバイスを製造する方法であって、
トランジスタを形成するステップを備え、前記トランジスタを形成するステップは、
前記トランジスタのチャネル領域を形成するステップであって、前記チャネル領域は、ワイヤによって規定される、ステップと、
前記トランジスタのソース／ドレインコンタクトを形成するステップであって、
第１の埋め込み空間を形成するステップと、
前記第１の埋め込み空間を第１の誘電体層でライニングするステップと、
前記第１の埋め込み空間を第１の導体で充填するステップと、を含むステップと、
前記トランジスタのゲートコンタクトを形成するステップであって、
前記第１の誘電体層により前記第１の導体から隔てられる第２の埋め込み空間を形成するステップと、
前記第２の埋め込み空間を第２の導体で充填するステップと、を含むステップと、
前記トランジスタの他のソース／ドレインコンタクトを形成するステップであって、
第３の埋め込み空間を形成するステップと、
前記第３の埋め込み空間を第３の導体で充填するステップと、を含むステップと、
を備える方法。
【請求項１２】
前記第１の導体、前記第２の導体及び前記第３の導体は、同一の金属を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の導体、前記第２の導体及び前記第３の導体は、遷移金属窒化物を含む請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月31日(2017.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた電極層上に酸化物半導体膜、絶縁膜及び第１の導電膜を順に形成し、
前記第１の導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第１の導電膜及び前記絶縁膜を加工して、前記電極層と重なる位置に前記酸化物半導体膜に達する第１の開口部を形成し、
前記レジストマスクを除去し、
前記第１の開口部を有する第１の導電膜をマスクとして、前記酸化物半導体膜を加工して、前記電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の導電膜上に、前記第１の開口部及び前記第２の開口部から露出した前記電極層と接する第２の導電膜を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記レジストマスクを、酸素プラズマを用いたアッシング処理によって除去する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記レジストマスクの除去後であって、前記第２の導電膜の形成前に、
アルゴンプラズマを用いた逆スパッタ処理によって、前記第１の導電膜の上面に形成された酸化膜を除去する処理を行う半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月1日(2017.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜及び金属酸化物膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜と接するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同一表面上に形成され、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と接せず、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同一材料で形成され、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜より導電性が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜及び金属酸化物膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜と接するゲート電極と、を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同一表面上に形成され、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と接せず、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同一材料で形成され、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜より水素濃度が高い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜は、開口部を有する絶縁膜と接する領域を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と前記開口部との間に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜及び前記金属酸化物膜は、開口部を有する絶縁膜と接する領域を有し、
前記金属酸化物膜と前記酸化物半導体膜との距離は、前記開口部と前記酸化物半導体膜との距離より短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４において、
前記絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の下面、及び前記金属酸化物膜の下面と接し、
前記絶縁膜の下に第１のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板上に形成され、且つ前記開口部を介して前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月24日(2017.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を間に挟んで設けられた第１のゲート及び第２のゲートを有するトランジスタを有し、
前記第１のゲートに前記トランジスタをオフとする第１の電圧が印加される期間において、前記第２のゲートに閾値電圧を制御するための制御電圧が印加される期間を有し、
前記第１のゲートに前記トランジスタをオンとする第２の電圧が印加される期間において、前記第２のゲートに前記第１のゲートの電圧の変化に応じた電圧を前記制御電圧に加えた電圧が印加される期間を有する、半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域を間に挟んで設けられた第１のゲート及び第２のゲートを有するトランジスタを有し、
前記第２のゲートは、前記第１のゲートに容量素子を介して電気的に接続されており、
前記第１のゲートに前記トランジスタをオフとする第１の電圧が印加される期間において、前記第２のゲートに閾値電圧を制御するための制御電圧が印加される期間を有し、
前記第１のゲートに前記トランジスタをオンとする第２の電圧が印加される期間において、前記第２のゲートを電気的に浮遊状態とし、かつ、前記第２のゲートに前記第１のゲートの電圧の変化に応じた電圧を前記制御電圧に加えた電圧が印加される期間を有する、半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記トランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域となる半導体層に用いた、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月1日(2017.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結像光学系により結像される被写体像を光電変換する複数の画素を備える固体撮像素子であって、
前記複数の画素のうち少なくとも一部は、第１の光電変換部、バリア領域、第２の光電変換部がこの順序で第１の方向に設けられた測距画素であり、
前記固体撮像素子の領域を、前記固体撮像素子の中心を通り前記第１の方向と垂直な直線によって、前記第１の方向と垂直な直線よりも前記第１の方向の負の方向に位置する第１の領域および、前記第１の方向と垂直な直線よりも前記第１の方向の正の方向に位置する第２の領域に分けた場合に、
前記第１の領域の中であって前記固体撮像素子の中心を通り前記第１の方向と垂直な直線から所定の距離以上離れた領域の中の測距画素の半分より多くの測距画素は、バリア領域の中心が測距画素の中心に対して前記第１の方向の負の方向に偏心している第１の測距画素であり、
前記第２の領域の中であって前記固体撮像素子の中心を通り前記第１の方向と垂直な直線から前記所定の距離以上離れた領域の中の測距画素の半分より多くの測距画素は、バリア領域の中心が測距画素の中心に対して前記第１の方向の正の方向に偏心している第２の測距画素であり、
前記測距画素の中心は、前記第１の光電変換部および前記第２の光電変換部によって定義される領域の重心である、
固体撮像素子。
【請求項２】
前記第１の領域の中の測距画素の半分より多くの測距画素は、前記第１の測距画素であり、前記第２の領域の中の測距画素の半分より多くの測距画素は、前記第２の測距画素である、
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記第１の領域の中であって前記固体撮像素子の中心を通り前記第１の方向と垂直な直線から前記所定の距離未満の領域の中の測距画素の半分より多くの測距画素は、前記バリア領域の中心が測距画素の中心と一致しており、
前記第２の領域の中であって前記固体撮像素子の中心を通り前記第１の方向と垂直な直線から前記所定の距離未満の領域の中の測距画素の半分より多くの測距画素は、前記バリ
ア領域の中心が測距画素の中心と一致している、
請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記所定の距離は、前記固体撮像素子の前記第１の方向の長さの０．２５倍以上である、
請求項２または３に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記所定の距離は、前記固体撮像素子の前記第１の方向の長さの０．４０倍以上である、
請求項２または３に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記固体撮像素子の中心を通り前記第１の方向と垂直な直線からの距離が大きい測距画素ほど、前記バリア領域の中心の、前記測距画素の画素中心に対する偏心量が大きい、
請求項１から５のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記測距画素はマイクロレンズを有しており、
前記第１の領域の中の前記第１の測距画素は、前記マイクロレンズの光軸が画素中心に対して、前記第１の方向の正の方向に偏心しており、
前記第２の領域の中の前記第２の測距画素は、前記マイクロレンズの光軸が画素中心に対して、前記第１の方向の負の方向に偏心している、
請求項１から６のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記第１の領域の中の前記第１の測距画素において、前記第１の光電変換部の容量の方が、前記第２の光電変換部の容量よりも大きく、
前記第２の領域の中の前記第２の測距画素において、前記第２の光電変換部の容量の方が、前記第１の光電変換部の容量よりも大きい、
請求項１から７のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項９】
光電変換部の深さが、前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部とで異なることにより、前記第１および第２の光電変換部の容量に差がある、
請求項８に記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
不純物の濃度が、前記第１の光電変換部の中と前記第２の光電変換部の中とで異なることにより、前記第１および第２の光電変換部の容量に差がある、
請求項８または９に記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記第１の領域の中の前記第１の測距画素において、前記第１の光電変換部の中のドリフト電界の大きさが、前記第２の光電変換部の中のドリフト電界の大きさよりも大きく、
前記第２の領域の中の前記第２の測距画素において、前記第２の光電変換部の中のドリフト電界の大きさが、前記第１の光電変換部の中のドリフト電界の大きさよりも大きい、請求項８から１０のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
前記測距画素が、前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部にまたがった導波路を有している、
請求項１から１１のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項１３】
前記測距画素が、前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部よりも光の入射側に配線を有する、
請求項１から１２のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項１４】
前記測距画素の中心は、当該測距画素を囲む配線を基板の表面に射影した部分に囲まれる領域の重心である、
請求項１から１３のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に対して光の入射側に配置された結像光学系と、を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月23日(2016.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非単結晶金属酸化物膜
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に位置する非単結晶金属酸化物膜であって、
前記非単結晶金属酸化物膜は、第１の結晶領域と、第２の結晶領域とを有し、
前記第１の結晶領域は、ｃ軸が前記絶縁表面の法線ベクトルに平行な方向に配向した結晶を有し、
前記第２の結晶領域は、ｃ軸が前記絶縁表面の法線ベクトルに平行な方向に配向した結晶を有し、
前記第１の結晶領域と前記第２の結晶領域との間の領域は、透過型電子顕微鏡を用いた観察によって結晶粒界が観察されず、且つ、極微電子線回折パターンに輝点が観察される領域であることを特徴とする非単結晶金属酸化物膜。
【請求項２】
絶縁表面上に位置する非単結晶金属酸化物膜であって、
前記非単結晶金属酸化物膜は、第１の結晶領域と、第２の結晶領域とを有し、
前記第１の結晶領域は、ｃ軸が前記絶縁表面の法線ベクトルに平行な方向に配向した結晶を有し、
前記第２の結晶領域は、ｃ軸が前記絶縁表面の法線ベクトルに平行な方向に配向した結晶を有し、
前記第１の結晶領域と前記第２の結晶領域との間の領域は、透過型電子顕微鏡を用いた観察によって結晶粒界が観察されず、且つ、極微電子線回折パターンに輝点が観察される領域であり、
前記第１の結晶領域のａ軸の方向と、前記第２の結晶領域のａ軸の方向とは、互いに異なり、
前記第１の結晶領域のｂ軸の方向と、前記第２の結晶領域のｂ軸の方向とは、互いに異なることを特徴とする非単結晶金属酸化物膜。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の領域と前記第２の領域との間の領域における前記極微電子線回折パターンは前記輝点として、帯状の輝点を有することを特徴とする非単結晶金属酸化物膜。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記非単結晶金属酸化物膜は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を有することを特徴とする非単結晶金属酸化物膜。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は複数のプロセッサにゲームプログラムを実行させることにより、マニュアルモード又はオートモードのいずれかにおいてプレイヤユニットとノンプレイヤユニットとの対戦を実行するゲームを提供するゲームシステムであって、
前記ゲームプログラムは、
クライアント端末に備えられたタッチスクリーンに制御用オブジェクトを表示させる表示モジュールと、
前記マニュアルモードにおいて前記制御用オブジェクトに対して第１の操作がなされた場合に、前記ゲームを前記マニュアルモードから前記オートモードへ移行させ、一方、前記オートモードにおいて前記制御用オブジェクトに対して第２の操作がなされた場合に、前記ゲームを前記オートモードから前記マニュアルモードへ移行させるモード移行モジュールと、
を備えるゲームシステム。
【請求項２】
前記第２の操作は、前記第１の操作と同種の操作であり、
前記制御用オブジェクトは、前記オートモードにおいて、前記ゲームが当該オートモードであることを示すように表示されることを特徴とする請求項１に記載のゲームシステム。
【請求項３】
前記表示モジュールは、前記マニュアルモード及び前記オートモードにおいて前記制御用オブジェクトを、前記タッチスクリーン上の同じ位置に表示させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のゲームシステム。
【請求項４】
前記プレイヤユニットと前記ノンプレイヤユニットとの対戦場面を示す対戦場面情報をプレイヤに提示する提示モジュールを備え、
前記提示モジュールは、前記マニュアルモードにおいては、前記制御用オブジェクトに対して第３の操作がなされた場合に前記対戦場面情報を提示し、一方、前記オートモードにおいては、前記制御用オブジェクトへの操作とは無関係に前記対戦場面情報を提示するように構成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のゲームシステム。
【請求項５】
前記第３の操作は、前記制御用オブジェクトに対する前記第１の操作と異なる操作であることを特徴とする請求項４に記載のゲームシステム。
【請求項６】
前記第３の操作は、所定時間にわたって前記タッチスクリーンに表示されている前記制御用オブジェクトに接触することであり、前記第１の操作は、前記所定時間よりも長い時間にわたって前記制御用オブジェクトに接触する操作であることを特徴とする請求項５に記載のゲームシステム。
【請求項７】
前記マニュアルモードにおいて前記プレイヤユニットに対する指示を受け付け可能な受付モジュールをさらに備え、
前記マニュアルモードにおいては、前記プレイヤユニットと前記ノンプレイヤユニットとの対戦処理が前記指示及び所定の対戦ロジックに基づいて行われ、
前記提示モジュールは、前記マニュアルモードにおいては、前記マニュアルモードにおいて行われた対戦処理の結果を示す第１対戦ログ情報に基づいて前記対戦場面情報を生成することを特徴とする請求項４から６のいずれか１項に記載のゲームシステム。
【請求項８】
前記プレイヤユニットと前記ノンプレイヤユニットとの対戦は、第１の対戦と、前記第１の対戦の後に行うことが可能な第２の対戦と、を含み、
前記マニュアルモードにおいては、前記第１の対戦の終了後に、前記プレイヤの選択に応じて第２の対戦を開始することを決定し、前記オートモードにおいては、前記第１の対戦の終了後に、前記プレイヤの選択とは無関係に、前記第２の対戦を開始するか否かを決定する終了処理モジュールをさらに備えることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のゲームシステム。
【請求項９】
前記終了処理モジュールは、前記オートモードにおいては前記第２の対戦を開始しないように構成されることを特徴とする請求項８に記載のゲームシステム。
【請求項１０】
１又は複数のプロセッサにゲームプログラムを実行させることにより、マニュアルモード又はオートモードのいずれかにおいてプレイヤユニットとノンプレイヤユニットとの対戦を実行するゲームを提供するためのゲームプログラムであって、
コンピュータを、
クライアント端末に備えられたタッチスクリーンに制御用オブジェクトを表示させるオブジェクト表示手段、及び
前記マニュアルモードにおいて前記制御用オブジェクトに対して第１の操作がなされた場合に、前記ゲームを前記マニュアルモードから前記オートモードへ移行させ、一方、前記オートモードにおいて前記制御用オブジェクトに対して第２の操作がなされた場合に、前記ゲームを前記オートモードから前記マニュアルモードへ移行させるモード移行手段、
として機能させるゲームプログラム。
【請求項１１】
マニュアルモード又はオートモードのいずれかにおいてプレイヤユニットとノンプレイヤユニットとの対戦を実行するゲームを提供する方法であって、
クライアント端末に備えられたタッチスクリーンに制御用オブジェクトを表示させるオブジェクト表示工程と、
前記マニュアルモードにおいて前記制御用オブジェクトに対して第１の操作がなされた場合に、前記ゲームを前記マニュアルモードから前記オートモードへ移行させ、一方、前記オートモードにおいて前記制御用オブジェクトに対して第２の操作がなされた場合に前記ゲームを前記オートモードから前記マニュアルモードへ移行させるモード移行工程と、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月24日(2016.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
【図１】第１実施形態に係る動画像符号化装置１０００の概略構成図。
【図２】第１実施形態に係る動画像符号化装置１０００の量子化パラメータ決定部２の概略構成図。
【図３】第１実施形態に係る動画像符号化装置１０００のＩＩＲフィルタ部２６の概略構成図。
【図４】動画像符号化装置１０００に入力される動画像信号Ｄｉｎの一例を示す図。
【図５】第２実施形態に係る動画像符号化装置２０００の概略構成図。
【図６】第２実施形態に係る動画像符号化装置２０００の量子化パラメータ決定部２Ａの概略構成図。
【図７】第２実施形態に係る動画像符号化装置２０００のＱＰ中央値換算符号量算出部２５Ａの概略構成図。
【図８】第２実施形態に係る動画像符号化装置２０００のカレント符号量補正部３０の概略構成図。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
符号量用ＦＩＦＯ部２２は、ＦＩＦＯ（Ｆｉｒｓｔ  Ｉｎ  Ｆｉｒｓｔ  Ｏｕｔ）メモリであり、符号量取得部２１から出力される符号量のデータを記憶する。なお、符号量用ＦＩＦＯ部２２は、Ｎ１個（Ｎ１：自然数）のマクロブロックの符号量を記憶することができる。また、符号量用ＦＩＦＯ部２２に記憶されている最新のマクロブロックの符号量（つまり、最後に符号量用ＦＩＦＯ部２２に入力されたマクロブロックの符号量）をｒｅｃｅｎｔ＿ＡｌｌｏｃａｔｅｄＢｉｔとする。符号量用ＦＩＦＯ部２２は、他の機能部（例えば、カレント符号量算出部２４、ＱＰ中央値換算符号量算出部等）からの要求に従い、符号量用ＦＩＦＯ部２２に記憶保持されている任意のデータを読み出すことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
ＳＡＴＤ用ＦＩＦＯ部２３は、ＦＩＦＯ（Ｆｉｒｓｔ  Ｉｎ  Ｆｉｒｓｔ  Ｏｕｔ）メモリであり、動き推定部１０８から出力されるＳＡＴＤ値に関する情報を入力とする。なお、ＳＡＴＤ用ＦＩＦＯ部２３は、Ｎ１個（Ｎ１：自然数）のマクロブロックのＳＡＴＤ値を記憶することができる。また、ＳＡＴＤ用ＦＩＦＯ部２３に記憶されている最新のマクロブロックのＳＡＴＤ値（つまり、最後にＳＡＴＤ用ＦＩＦＯ部２３に入力されたマクロブロックのＳＡＴＤ値）をｒｅｃｅｎｔ＿ＳＡＴＤとする。ＳＡＴＤ用ＦＩＦＯ部２３は、他の機能部（例えば、カレント符号量算出部２４等）からの要求に従い、ＳＡＴＤ用ＦＩＦＯ部２３に記憶保持されている任意のデータを読み出すことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
図７は、第２実施形態に係る動画像符号化装置２０００のＱＰ中央値換算符号量算出部２５Ａの概略構成図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
図８は、第２実施形態に係る動画像符号化装置２０００のカレント符号量補正部３０の概略構成図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
本実施形態の量子化パラメータ決定部２Ａは、図６に示すように、第１実施形態の量子化パラメータ決定部２において、ＱＰ中央値換算符号量算出部２５を、ＱＰ中央値換算符号量算出部２５Ａに置換し、ＩＩＲフィルタ部２６を削除し、データ変換部２８と、積分処理部２９と、カレント符号量補正部３０とを追加した構成を有している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
イントラＭＢ用ＦＩＦＯ部２５３は、ＦＩＦＯ（Ｆｉｒｓｔ  Ｉｎ  Ｆｉｒｓｔ  Ｏｕｔ）メモリであり、Ｎ３個（Ｎ３：自然数）のマクロブロックごとの換算符号量を記憶することができる。イントラＭＢ用ＦＩＦＯ部２５３は、現マクロブロックから１つ前のマクロブロックがイントラマクロブロックである場合、セレクタ２５２から出力される、符号量換算部２５１により取得されたＱＰ中央値換算符号量を記憶する。なお、イントラＭＢ用ＦＩＦＯ部２５３のＮ３個のデータの初期値は、例えば、入力される画像サイズや、ピクチャサイズに基づいて、設定されることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
インターＭＢ用ＦＩＦＯ部２５４は、ＦＩＦＯ（Ｆｉｒｓｔ  Ｉｎ  Ｆｉｒｓｔ  Ｏｕｔ）メモリであり、Ｎ４個（Ｎ４：自然数）のマクロブロックごとの符号量を記憶することができる。インターＭＢ用ＦＩＦＯ部２５４は、現マクロブロックから１つ前のマクロブロックがイントラマクロブロックである場合、セレクタ２５２から出力される、符号量換算部２５１により取得されたＱＰ中央値換算符号量を記憶する。なお、イントラＭＢ用ＦＩＦＯ部２５３のＮ３個のデータの初期値は、例えば、入力される画像サイズや、ピクチャサイズに基づいて、設定されることが好ましい。また、Ｎ４は、Ｎ３と同じ値であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄電装置と、
給電装置と、を有し、
前記蓄電装置は、前記蓄電装置を識別するデータを有し、
前記蓄電装置は、
蓄電体と、
前記給電装置から供給された電力を、前記蓄電体に供給するか否かを制御するスイッチと、
前記給電装置から入力される制御信号に従い前記スイッチの導通状態を制御する機能を有する制御回路と、を有し、
前記給電装置は、
前記蓄電装置から入力された前記データにより前記蓄電装置を識別して、前記蓄電装置に対応する前記制御信号を生成する機能を有し、
前記生成された制御信号を前記蓄電装置に出力する機能を有することを特徴とする蓄電システム。
【請求項２】
受電回路と、
蓄電体と、
第１のトランジスタと、
制御回路と、を有し、
前記受電回路は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され
前記蓄電体は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記制御回路と電気的に接続され、
前記制御回路は、前記蓄電体と電気的に接続され、
前記制御回路は、
レジスタを有するプロセッサと、
蓄電装置を識別するデータを有する第１のメモリと、
コントローラと、を有し、
前記プロセッサは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記メモリは前記プロセッサと電気的に接続され、
前記コントローラは、前記プロセッサ及び前記メモリと電気的に接続され、
前記レジスタは、
第２のメモリと、
第３のメモリと、を有し、
前記第２のメモリは、前記蓄電体から前記プロセッサに電力が供給される期間にデータを保持する機能を有し、
前記第３のメモリは、前記蓄電体から前記プロセッサに対する前記電力の供給が停止する期間にデータを保持する機能を有し、
前記第３のメモリは、第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタは、前記第３のメモリのデータの書き込み及び保持を制御する機能を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
受電回路と、
蓄電体と、
第１のトランジスタと、
制御回路と、を有し、
前記受電回路は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され
前記蓄電体は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記制御回路と電気的に接続され、
前記制御回路は、前記蓄電体と電気的に接続され、
前記制御回路は、
レジスタを有するプロセッサと、
蓄電装置を識別するデータを有する第１のメモリと、
コントローラと、を有し、
前記プロセッサは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記メモリは前記プロセッサと電気的に接続され、
前記コントローラは、前記プロセッサ及び前記メモリと電気的に接続され、
前記レジスタは、
第２のメモリと、
第３のメモリと、を有し、
前記第２のメモリは、前記蓄電体から前記プロセッサに電力が供給される期間にデータを保持する機能を有し、
前記第３のメモリは、前記蓄電体から前記プロセッサに対する前記電力の供給が停止する期間にデータを保持する機能を有し、
前記第３のメモリは、第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタは、前記第３のメモリのデータの書き込み及び保持を制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタのオフ電流は、チャネル幅１μｍあたり１００ｚＡ以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第２のトランジスタと前記蓄電体との間に電気的に接続された、保護回路を有し、
前記保護回路は、前記制御回路と電気的に接続されることを特徴とする蓄電装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
前記蓄電装置を識別するデータは、前記蓄電装置の平均電圧、前記蓄電装置の容量、前記蓄電装置のエネルギー密度、前記蓄電装置の抵抗、前記蓄電装置の出力電力、前記蓄電装置のサイクル特性、前記蓄電装置の温度、前記蓄電装置の使用温度範囲、及び前記蓄電装置の許容充電電流の一つ又は複数のデータを有することを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月16日(2016.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直ポスト（１１０）と、
前記垂直ポストに着脱可能に接続される垂直機器レール（１４０）と、
前記垂直ポストに着脱可能に接続される前後ビーム（１２０）と、
を備え、
前記垂直ポストは、前部（１１２）、後部（１１４）、および第１側部（１１６）を含み、前記前部、前記後部、および前記第１側部は、チャネル部（１１８）を形成し、
前記垂直機器レールは、前記垂直ポストの前記前部および前記垂直ポストの前記後部に着脱可能に接続され、かつ前記チャネル部を囲んで、前記垂直ポストの第２側部を形成し、
前記前後ビームは、前記垂直機器レールに着脱可能に接続される、
ラック（１００）。
【請求項２】
前記垂直機器レール（１４０）は、複数の開口部を含み、前記複数の開口部の各々は、電子機器を前記ラックに着脱可能に接続する、請求項１に記載のラック（１００）。
【請求項３】
前記前後ビーム（１２０）は、前記垂直ポスト（１１０）と前記垂直機器レール（１４０）との間に配設される、請求項１に記載のラック（１００）。
【請求項４】
前記前後ビーム（１２０）は、前記ラックの第１深さに対応する第１位置および前記ラックの第２深さに対応する第２位置で、前記垂直ポスト（１１０）に着脱可能に接続可能である、請求項１に記載のラック（１００）。
【請求項５】
前記前後ビーム（１２０）から独立して前記垂直ポスト（１１０）に着脱可能に接続される左右ビームをさらに備え、前記前後ビームが除去された時に、前記左右ビームが前記垂直ポストに接続されたまま保持される、請求項１に記載のラック（１００）。
【請求項６】
前記前後ビーム（２２０）は、第１側部（２２２）および前記第１側部に摺動可能に接続される第２側部（２２４）を含み、前記ラックを第１深さから第２深さまで調節する、請求項１に記載のラック（２００）。
【請求項７】
前記第１側部（２２２）の少なくとも一部分は、前記第２側部（２２４）の少なくとも一部分内で入れ子になる、請求項６に記載のラック（２００）。
【請求項８】
前記第１側部（２２２）は、前記前後ビーム（２２０）を第１垂直ポストに着脱可能に接続するための第１面（２２６Ｂ）を備え、前記第２側部（２２４）は、前記前後ビームを第２垂直ポストに着脱可能に接続するための第２面（２２８Ｂ）を備える、請求項７に記載のラック（２００）。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月16日(2016.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側壁及び底面を含むキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を有する基板と、
前記基板上に位置する発光素子と、
前記発光素子の上部に、該発光素子と離隔して位置する光透過部と、
第１領域、第２領域、及び第３領域を含み、前記キャビティの前記側壁上に配置される支持部とを含み、
前記第１領域は、前記光透過部と平行な第１方向に沿って配置され、前記光透過部と接触し、
前記第２領域は、前記第１方向と異なる第２方向に沿って配置され、前記キャビティの前記側壁と接触し、
前記第３領域は、前記第２方向に沿って配置され、前記第１領域上に位置し、
前記発光素子の上面と前記光透過部との間の距離が０．１５ｍｍ乃至０．３５ｍｍである、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記発光素子は、２６０ｎｍ乃至４０５ｎｍの波長領域の光を放出する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記基板と前記発光素子との間に位置するサブマウントをさらに含む、請求項１又は２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記キャビティの前記側壁及び前記支持部は光反射物質からなる、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記光透過部は、前記第１領域の側面と接する、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１方向と前記第２方向は互いに垂直である、請求項１ないし５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第１領域は、前記第２領域の中間部から前記第１方向に沿って延びて形成された、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記光透過部は、前記第１領域のうち、前記基板の底面と対向する面に接して位置する、請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記基板は、セラミック材質を含んでなる、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記発光素子は、前記基板とワイヤボンディングされる、請求項１ないし９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月8日(2017.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクチャを複数の領域に分割する分割ステップと、
前記複数の領域の各々を独立して復号が可能なように符号化することで、前記複数の領域の各々に対応する符号化データを生成する符号化ステップと、
生成された複数の前記符号化データを、複数のパケットに格納するパケット化ステップと、
前記複数のパケットを送信する送信ステップとを含み、
前記複数の符号化データの各々は、１以上のパケットに格納されるデータの単位である基本データ単位と一対一で対応付けられており、
前記複数の符号化データの各々は、前記１以上のパケットに格納され、
各前記パケットのヘッダ情報は、（１）前記基本データ単位に当該パケットのみが含まれる、（２）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の先頭のパケットである、（３）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の先頭及び最後以外のパケットである、及び、（４）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の最後のパケットである、のいずれであるかを示す識別情報を含む
送信方法。
【請求項２】
複数の復号部を備える受信装置における受信方法であって、
ピクチャが分割されることにより得られた複数の領域が、独立して復号が可能なように符号化されることで得られた複数の符号化データがパケット化されることで得られた複数のパケットを受信する受信ステップと、
前記複数の復号部が、前記複数の符号化データを並列に復号する復号ステップとを含み、
前記複数の符号化データの各々は、１以上のパケットに格納されるデータの単位である基本データ単位と一対一で対応付けられており、
前記複数の符号化データの各々は、前記１以上のパケットに格納され、
各前記パケットのヘッダ情報は、（１）前記基本データ単位に当該パケットのみが含まれる、（２）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の先頭のパケットである、（３）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の先頭及び最後以外のパケットである、及び、（４）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の最後のパケットである、のいずれであるかを示す識別情報を含む
受信方法。
【請求項３】
ピクチャを複数の領域に分割する分割部と、
前記複数の領域の各々を独立して復号が可能なように符号化することで、前記複数の領域の各々に対応する符号化データを生成する符号化部と、
生成された複数の前記符号化データを、複数のパケットに格納するパケット化部と、
前記複数のパケットを送信する送信部とを備え、
前記複数の符号化データの各々は、１以上のパケットに格納されるデータの単位である基本データ単位と一対一で対応付けられており、
前記複数の符号化データの各々は、前記１以上のパケットに格納され、
各前記パケットのヘッダ情報は、（１）前記基本データ単位に当該パケットのみが含まれる、（２）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の先頭のパケットである、（３）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の先頭及び最後以外のパケットである、及び、（４）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の最後のパケットである、のいずれであるかを示す識別情報を含む
送信装置。
【請求項４】
ピクチャが分割されることにより得られた複数の領域が、独立して復号が可能なように
符号化されることで得られた複数の符号化データがパケット化されることで得られた複数のパケット
を受信する受信部と、
前記複数の符号化データを並列に復号する複数の復号部とを備え、
前記複数の符号化データの各々は、１以上のパケットに格納されるデータの単位である基本データ単位と一対一で対応付けられており、
前記複数の符号化データの各々は、前記１以上のパケットに格納され、
各前記パケットのヘッダ情報は、（１）前記基本データ単位に当該パケットのみが含まれる、（２）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の先頭のパケットである、（３）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の先頭及び最後以外のパケットである、及び、（４）前記基本データ単位に複数のパケットが含まれ、かつ、当該パケットが前記基本データ単位の最後のパケットである、のいずれであるかを示す識別情報を含む
受信装置。
【請求項５】
ピクチャを複数の領域に分割する分割ステップと、
前記複数の領域の各々を独立して復号が可能なように符号化することで、前記複数の領域の各々に対応する符号化データを生成する符号化ステップと、
生成された複数の前記符号化データを、複数のパケットに格納するパケット化ステップと、
前記複数のパケットを送信する送信ステップとを含み、
前記複数の符号化データの各々は、１以上のパケットに格納されるデータの単位である基本データ単位と一対一で対応付けられており、
前記複数の符号化データの各々は、前記１以上のパケットに格納され、
各前記パケットのヘッダ情報は、当該パケットが前記基本データ単位の先頭に対応する部分を格納していることを示す識別情報を含む
送信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月11日(2017.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
手荷物用品であって、
前記手荷物用品の外部構造と包囲空間とを相互に画定する複数の壁と、 
前記壁の１つに取り付けられてそこから延びる第１の可撓性保持部材と、
相互に開閉自在に接続される第１のコネクタと第２のコネクタとを含むコネクタアセンブリと、
を含み、
前記第１のコネクタは、前記第１の可撓性保持部材の前記壁の１つへの取り付け部位から離間した位置において前記第１の可撓性保持部材に取り付けられ、
前記第２のコネクタは前記第１のコネクタとは反対の位置にある前記壁の１つに取り付けられ、前記第１のコネクタと前記第２のコネクタが相互に開閉自在に接続されている場合、前記第１の可撓性保持部材は前記包囲空間の少なくとも一部を横断して延び、
前記第１のコネクタは、コネクタ係合特徴と、壁係合特徴と、を含み、
前記第１のコネクタといずれかの前記壁の少なくとも１つは、前記第１のコネクタを前記いずれかの壁に取り付けられるように構成されていることを特徴とする、
手荷物用品。
【請求項２】
前記第１のコネクタと前記いずれかの壁の少なくとも１つは、クリップ又はフックを含む、請求項１に記載の手荷物用品。
【請求項３】
前記コネクタアセンブリと前記いずれかの壁の少なくとも１つは、クリップ又はフックを含む、請求項１に記載の手荷物用品。
【請求項４】
前記クリップ又は前記フックが前記第１のコネクタの一体部品であること、
前記クリップ又は前記フックが前記第１の可撓性保持部材に取り付けられていること、及び
前記クリップ又は前記フックが前記第１の可撓性保持部材の遠位端に配置されていること、
の少なくとも１つを特徴とする、請求項２又は請求項３に記載の手荷物用品。
【請求項５】
前記第１のコネクタは前記いずれかの壁に間接的に取り付けられている、請求項２又は請求項３に記載の手荷物用品。
【請求項６】
前記クリップ又は前記フックが横方向にずれた自由端を有する２つの指状弾性突起を含むこと、及び
前記クリップ又は前記フックが、前記手荷物用品が開いている場合に、前記手荷物用品の前記いずれかの壁の周縁上に嵌り込むように構成されていること、
の少なくとも１つを特徴とする、請求項２又は請求項３に記載の手荷物用品。
【請求項７】
前記第１のコネクタと前記第２のコネクタは、前記第１のコネクタと前記第２のコネクタを開閉自在に相互に接続する、対応のコネクタ係合機構を含む、請求項２又は請求項３に記載の手荷物用品。
【請求項８】
前記第１の可撓性保持部材は、前記コネクタ係合機構と前記クリップ又は前記フックとの間で前記第１のコネクタに取り付けられている、請求項７に記載の手荷物用品。
【請求項９】
前記第１のコネクタと前記いずれかの壁の少なくとも１つが、前記クリップ又は前記フックと協働して前記第１のコネクタを前記いずれかの壁に取り付けるコードを含む、請求項２〜請求項８のいずれか１項に記載の手荷物用品。
【請求項１０】
前記第１の可撓性保持部材がストラップを含むこと、及び
前記第１の可撓性保持部材が可撓性パネルを含むこと、
の少なくとも１つを特徴とする、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の手荷物用品。
【請求項１１】
前記ストラップはその対向する各端部において前記いずれかの壁の１つに取り付けられており、また前記第１のコネクタは前記ストラップの中央部に取り付けられている、請求項１０に記載の手荷物用品。
【請求項１２】
前記コネクタアセンブリが、前記第１のコネクタと前記第２のコネクタを解放するための押釦解放機構を含むこと、及び、
前記コネクタアセンブリがバックルアセンブリを含み、前記第１のコネクタと前記第２のコネクタとは第１のバックル部品と第２のバックル部品とを含むこと、
の少なくとも１つを特徴とする、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の手荷物用品。
【請求項１３】
前記第１のコネクタと前記第２のコネクタは、軸方向又は回転方向に開閉自在にスナップフィットする、請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の手荷物用品。
【請求項１４】
前記壁の１つに取り付けられ、そこから延びる第２の可撓性保持部材を更に備え、前記第２の可撓性保持部材が前記壁の１つに取り付けられている場所から離れた位置において前記第２のコネクタが前記第２の可撓性保持部材に取り付けられている、請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の手荷物用品。
【請求項１５】
前記第２のコネクタといずれかの前記壁の少なくとも１つは、前記第２のコネクタを前記いずれかの壁に取り付けられるように構成されている、請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載の手荷物用品。