【手続補正書】
【提出日】平成28年12月22日(2016.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の主表面、外周側端部に形成された側壁面、及び、前記側壁面と主表面の間に介在する面取面とを備える磁気ディスク用ガラス基板の元となるガラス基板であって、
前記側壁面の真円度が１．５μｍ以下であり、
前記基板の厚みの中心位置における前記側壁面の円周方向の輪郭線と、前記中心位置から板厚方向にそれぞれ反対方向に所定の距離ずつ離れた２つの板厚位置における前記側壁面の円周方向の各輪郭線とを含む３つの側壁面の輪郭線を重ね合わせ、該重ね合わせた輪郭線に基づいて求めた内接円及び外接円の半径の差が５μｍ以下であって、
前記中心位置から板厚方向にそれぞれ反対方向に２００μｍずつ離れた位置が前記側壁面上にある場合には前記所定の距離を２００μｍとし、前記中心位置から板厚方向にそれぞれ反対方向に２００μｍずつ離れた位置が前記側壁面上にない場合には前記所定の距離を１００μｍとすることを特徴とする、ガラス基板。
【請求項２】
外周側の側壁面上の板厚方向に２００μｍ離れた２点の位置における円周方向の輪郭線をそれぞれ取得し、これら輪郭線からそれぞれ求められる２つの最小二乗円の中心間の中点を中点Ａとし、
外周側の２つの面取面上の板厚方向長さの中心の位置において円周方向の輪郭線をそれぞれ取得し、これら輪郭線から求められる最小二乗円の中心のうち、一方の面取面から求められる中心を中心Ｂ、他方の面取面から求められる中心を中心Ｃとしたとき、中点Ａおよび中心Ｂ間の距離と、中点Ａおよび中心Ｃ間の距離との合計が１μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載されたガラス基板。
【請求項３】
板厚が０．６３５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載されたガラス基板。
【請求項４】
前記内接円及び外接円の半径の差が３μｍ以下であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載されたガラス基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載されたガラス基板の主表面に少なくとも研磨処理を行うことを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５の方法によって得られた磁気ディスク用ガラス基板の主表面に少なくとも磁性層を形成することを特徴とする、磁気ディスクの製造方法。
【請求項７】
一対の主表面、外周側端部に形成された側壁面、及び、前記側壁面と主表面の間に介在する面取面とを備える磁気ディスク用基板であって、
前記側壁面の真円度が１．５μｍ以下であり、
前記磁気ディスク用基板の板厚は０．６３５ｍｍ以下であり、
前記基板の厚みの中心位置における前記側壁面の円周方向の輪郭線と、前記中心位置から板厚方向にそれぞれ反対方向に所定の距離ずつ離れた２つの板厚位置における前記側壁面の円周方向の各輪郭線とを含む３つの側壁面の輪郭線を重ね合わせ、該重ね合わせた輪郭線に基づいて求めた内接円及び外接円の半径の差が５μｍ以下であって、
前記中心位置から板厚方向にそれぞれ反対方向に２００μｍずつ離れた位置が前記側壁面上にある場合には前記所定の距離を２００μｍとし、前記中心位置から板厚方向にそれぞれ反対方向に２００μｍずつ離れた位置が前記側壁面上にない場合には前記所定の距離を１００μｍとすることを特徴とする、磁気ディスク用基板。
【請求項８】
前記内接円及び外接円の半径の差が３μｍ以下であることを特徴とする、請求項７に記載された磁気ディスク用基板。
【請求項９】
外周側の側壁面上の板厚方向に２００μｍ離れた２点の位置における円周方向の輪郭線をそれぞれ取得し、これら輪郭線からそれぞれ求められる２つの最小二乗円の中心間の中点を中点Ａとし、
外周側の２つの面取面上の板厚方向長さの中心の位置において円周方向の輪郭線をそれぞれ取得し、これら輪郭線から求められる最小二乗円の中心のうち、一方の面取面から求められる中心を中心Ｂ、他方の面取面から求められる中心を中心Ｃとしたとき、中点Ａおよび中心Ｂ間の距離と、中点Ａおよび中心Ｃ間の距離との合計が１μｍ以下であることを特徴とする、請求項７又は８に記載された磁気ディスク用基板。
【請求項１０】
板厚が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項７から９のいずれかに記載された磁気ディスク用基板。
【請求項１１】
シングルライト方式又はエネルギーアシスト磁気記録方式の磁気ディスク用の基板として用いられることを特徴とする、請求項７から１０のいずれかに記載された磁気ディスク用基板。
【請求項１２】
請求項７から１１のいずれかに記載された磁気ディスク用基板の主表面上に少なくとも磁性層を有する、磁気ディスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガラス基板、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用基板、磁気ディスク、磁気ディスクの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板は、一対の主表面、外周側端部に形成された側壁面、及び、前記側壁面と主表面の間に介在する面取面とを備える磁気ディスク用ガラス基板であって、前記側壁面の真円度が１．５μｍ以下であり、中心位置を含み板厚方向で異なる複数の位置における側壁面の複数の輪郭線の内接円及び外接円の半径の差が５μｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（形状評価値）
図４及び図５を参照して、ガラス基板Ｇの形状評価値について説明する。形状評価値とは、ガラス基板Ｇの外周の側壁面と面取面の同軸の程度を評価するための指標値である。
図４及び図５は、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板Ｇの外周端面の形状評価値の測定方法を説明する図である。図４は、ガラス基板Ｇの外周端面の板厚方向の断面を示す。側壁面１１ｗに対する面取面１１ｃ，１２ｃの傾斜角度は、特に制限されず、例えば４０°〜７０°である。また、側壁面１１ｗ及び面取面１１ｃ，１２ｃの境界は、図示されるようなエッジを有する形状に限定されるものではなく、滑らかに連続する曲面状であってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
（４）端面研磨工程
次に、円環状のガラス基板の端面に対する研磨加工が行われる。ガラス基板の端面に対する研磨加工は、ガラス基板の外周側及び内周側端面（側壁面及び面取面）に対する表面性状を良好にするために行われる。
本実施形態では、ガラス基板の外周側端面についてＭＲＦを用いた端面研磨が施される。ＭＲＦを用いた端面研磨では、磁性スラリーを磁力線に保持させることにより磁性スラリーの塊を形成させ、この塊と、ガラス基板の外周端面とを接触させて相対移動させることにより、ガラス基板の外周側の端面の研磨を行う。ＭＲＦを用いた端面研磨では、側壁面と面取面とを同時に研磨することができる。ＭＲＦを用いた端面研磨おける取り代は、例えば１μｍ〜５μｍ程度である。
ガラス基板の内周側端面については、研磨砥粒として酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いてブラシ研磨を行う。なお、ブラシ研磨に代えて、ガラス基板の内周側端面についてもＭＲＦを用いた端面研磨を施すようにしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
磁性スラリーに含まれる研磨砥粒として、酸化セリウム、コロイダルシリカ、酸化ジルコニア、アルミナ砥粒、ダイヤモンド砥粒等の公知のガラス基板の研磨砥粒を用いることができる。研磨砥粒の粒径については、例えば０．５〜３μｍである。この範囲の研磨砥粒を用いることにより、ガラス基板の外側端面を良好に研磨することができる。研磨砥粒は、磁性スラリー中に、例えば１〜２０ｖｏｌ％含まれる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
ＭＲＦを用いた端面研磨を行うことにより、ガラス基板の端面での塵等が付着した汚染、傷等の損傷の除去を行うことができる。そのため、サーマルアスペリティ障害の発生の防止や、ナトリウムやカリウム等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。さらに、表面の粗さやうねりも極めて小さくできるので、かつガラス基板の側壁面の円筒度を含む端部の形状精度を高めることができる。