【手続補正書】
【提出日】平成29年10月17日(2017.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に第１配線層が形成され、上面に最上層の第２配線層が形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に積層され、前記第２配線層の側面全面を被覆し、前記第２配線層よりも厚く形成された第２絶縁層とを有する絶縁層と、
前記第２絶縁層の上面に形成された凹部と、
前記凹部と平面視で重なる位置に形成され、前記絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔と、
前記第１配線層と一体に形成され、前記第１貫通孔に充填されたビア配線と、前記ビア配線と一体に形成され、前記凹部内に突出して配置され外部に露出されたバンプとを有する接続端子と、を有し、
前記バンプの上端面は、前記第２配線層の上面よりも高い位置に設けられるとともに、前記凹部の底面よりも上方に位置する前記第２絶縁層の上面と同一平面上に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記バンプは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通する前記第１貫通孔から前記凹部内に突出していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
厚さ方向に貫通して前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔を有し、前記凹部の底面に形成された第３配線層を有し、
前記ビア配線は、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を充填して形成され、
前記バンプは、前記第３配線層の上面から上方に突出していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
下面に第１配線層が形成され、上面に最上層の第２配線層が形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に積層され、前記第２配線層の側面全面を被覆し、前記第２配線層よりも厚く形成された第２絶縁層とを有する絶縁層と、
前記第２絶縁層の上面に形成された凹部と、
前記凹部の底面に形成された第３配線層と、
前記凹部と平面視で重なる位置に形成され、前記絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔と、
前記第１貫通孔と平面視で重なる位置に形成され、前記第３配線層を厚さ方向に貫通する第２貫通孔と、
前記第１配線層と一体に形成され、前記第１貫通孔に充填された第１ビア配線と、
前記第１ビア配線と電気的に接続され、前記第２貫通孔に充填された第２ビア配線と、前記第３配線層の上面から上方に突出して前記凹部内に配置され外部に露出されるバンプとが一体に形成されてなる接続端子と、を有し、
前記バンプの上端面は、前記第２配線層の上面よりも高い位置に設けられるとともに、前記凹部の底面よりも上方に位置する前記第２絶縁層の上面と同一平面上に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
前記バンプは、前記絶縁層の下面側から前記絶縁層の上面側に向かうに連れて細くなるように形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記バンプとフリップチップ接合された半導体素子とを有する半導体装置。
【請求項７】
支持体を準備する工程と、
前記支持体上に、金属層と、最外層の配線層となる第２配線層とを順に積層する工程と、
前記支持体上に、前記金属層及び前記第２配線層の側面全面を被覆し、前記第２配線層よりも厚い第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層上に、前記第２絶縁層及び前記第２配線層を被覆するように第１絶縁層を形成する工程と、
少なくとも前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記支持体を露出する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を充填する接続端子を形成するとともに、前記第１絶縁層上に第１配線層を形成する工程と、
前記支持体及び前記金属層を除去するとともに、前記第２絶縁層の前記支持体と接していた側の面である上面に凹部を形成し、前記凹部内に配置される前記接続端子の上端部を外部に露出する工程と、を有し、
前記接続端子の上端部を外部に露出する工程では、前記凹部内に配置される前記接続端子の上端面が、前記第２配線層の上面よりも高い位置に設けられるとともに、前記凹部の底面よりも上方に位置する前記第２絶縁層の上面と同一平面上に形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記支持体は、支持基板と、前記支持基板上に形成された金属膜とを有し、
前記凹部を形成する工程は、
前記支持基板を除去する工程と、
前記金属膜に、前記第２絶縁層の一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部を通して前記第２絶縁層を薄化して前記凹部を形成する工程と、
前記金属膜及び前記金属層を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記金属層及び前記第２配線層を積層する工程では、前記支持体上に、前記金属層と第３配線層とを順に積層し、
前記第２絶縁層を形成する工程では、前記金属層及び前記第２配線層及び前記第３配線層を被覆するように前記第２絶縁層を形成し、
前記貫通孔を形成する工程では、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔と、前記第１貫通孔と連通し前記第３配線層を厚さ方向に貫通する第２貫通孔と、前記第２貫通孔と連通し前記金属層を厚さ方向に貫通する第３貫通孔とからなる前記貫通孔を形成し、
前記凹部は、前記支持体及び前記金属層を除去することにより形成されることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
支持体を準備する工程と、
前記支持体上に、金属層と、最外層の配線層となる第２配線層とを順に積層するとともに、前記金属層と第３配線層とを順に積層する工程と、
前記第３配線層を厚さ方向に貫通する第２貫通孔と、前記第２貫通孔と連通し前記金属層を厚さ方向に貫通して前記支持体を露出する第３貫通孔を形成する工程と、
前記第２貫通孔及び前記第３貫通孔を充填する接続端子を形成するとともに、前記第３配線層上に第４配線層を形成する工程と、
前記金属層及び前記第３配線層及び前記第２配線層の側面全面を被覆し、前記第２配線層よりも厚い第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層上に、前記第２絶縁層及び前記第２配線層を被覆するとともに、前記第４配線層を被覆する第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第４配線層を露出する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔を充填する第１ビア配線を形成するとともに、前記第１絶縁層上に第１配線層を形成する工程と、
前記支持体を除去する工程と、
前記金属層を除去することにより、前記第２絶縁層の前記支持体と接していた側の面である上面に凹部を形成し、前記凹部内に配置される前記接続端子の上端部を外部に露出する工程と、を有し、
前記接続端子の上端部を外部に露出する工程では、前記凹部内に配置される前記接続端子の上端面が、前記第２配線層の上面よりも高い位置に設けられるとともに、前記凹部の底面よりも上方に位置する前記第２絶縁層の上面と同一平面上に形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、下面に第１配線層が形成され、上面に最上層の第２配線層が形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に積層され、前記第２配線層の側面全面を被覆し、前記第２配線層よりも厚く形成された第２絶縁層とを有する絶縁層と、前記第２絶縁層の上面に形成された凹部と、前記凹部と平面視で重なる位置に形成され、前記絶縁層を厚さ方向に貫通する第１貫通孔と、前記第１配線層と一体に形成され、前記第１貫通孔に充填されたビア配線と、前記ビア配線と一体に形成され、前記凹部内に突出して配置され外部に露出されたバンプとを有する接続端子と、を有し、前記バンプの上端面は、前記第２配線層の上面よりも高い位置に設けられるとともに、前記凹部の底面よりも上方に位置する前記第２絶縁層の上面と同一平面上に形成されている。