Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月8日(2017.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いて基板に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板保持部を備え、
前記基板保持部は、所定の方向に並んでいる複数の保持領域を含み、
前記複数の保持領域は、前記方向における位置に応じて前記方向の幅寸法が異なり、前記複数の保持領域のうち幅寸法が異なる２つの保持領域の面積比が０．８〜１．２の範囲内にあることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記複数の保持領域は、直線状の境界により規定され、
前記基板保持部は、前記複数の保持領域を囲む外周保持領域を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
モールドを用いて基板に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板保持部を備え、
前記基板保持部は、
所定の方向に並んでおり、直線状の境界により規定される複数の保持領域と、
前記複数の保持領域を囲む外周保持領域と、
を含むことを特徴とするインプリント装置。
【請求項４】
前記基板保持部の外周は円形であり前記方向は前記基板保持部の径方向であり且つ前記複数の保持領域は３つ以上あって、前記複数の保持領域は、前記径方向において前記基板保持部の中心側に位置する保持領域の前記径方向の幅寸法が、前記径方向において前記基板保持部の外周側に位置する保持領域の前記径方向の幅寸法よりも小さくなるように構成されることを特徴とする請求項２または３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記基板の被処理領域上で硬化した前記樹脂と前記モールドとの引き剥がしのために、
前記複数の保持領域のうちの前記被処理領域に対応する第１保持領域における保持力を、前記複数の保持領域のうち前記第１保持領域とは異なる第２保持領域の保持力よりも小さくすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記基板保持部は、負圧を利用して前記基板を保持するように構成されることを特徴と
する請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
パターン形成工程において、硬化した前記樹脂と前記モールドとを引き剥がす力に関する値を計測する計測手段と、
前記計測手段による計測結果にもとづいて、前記複数の保持領域の保持力を調整することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記基板保持部は、前記複数の保持領域内に配置され且つ前記基板に接する複数の支柱を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
基板を保持するための基板保持部材であって、
前記基板保持部材は、所定の方向に並んでいる複数の保持領域を含み、
前記複数の保持領域は、前記方向における位置に応じて前記方向の幅寸法が異なり、前記複数の保持領域のうち幅寸法が異なる２つの保持領域の面積比が０．８〜１．２の範囲内にあることを特徴とする基板保持部材。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上に硬化した樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、を有し、
前記工程で加工された基板を含む物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第一の形態は、モールドを用いて基板に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、基板を保持する基板保持部を備え、基板保持部は、所定の方向に並んでいる複数の保持領域を含み、複数の保持領域は、前記方向における位置に応じて前記方向の幅寸法が異なり、複数の保持領域のうち幅寸法が異なる２つの保持領域の面積比が０．８〜１．２の範囲内にあることを特徴とする。また本発明の第二の形態は、基板を保持するための基板保持部材であって、基板保持部材は、所定の方向に並んでいる複数の保持領域を含み、複数の保持領域は、前記方向における位置に応じて前記方向の幅寸法が異なり、複数の保持領域のうち幅寸法が異なる２つの保持領域の面積比が０．８〜１．２の範囲内にあることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月10日(2017.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に形成された被処理膜を、前記被処理膜上に形成されたシリコン膜をマスクとしてエッチングするプラズマエッチング方法において、
酸化膜とカーボン膜とが交互に積層された前記被処理膜の厚さ方向における任意の位置まで、Ｆ（フッ素）に対するＣ（炭素）の含有比率が所定の比率である前記第１のＣＦ系ガスと、酸素ガスとを含む混合ガスのプラズマにより、前記被処理膜をエッチングする第１のエッチングを行い、
前記第１のエッチングの後に、前記第１のＣＦ系ガスを、Ｆ（フッ素）に対するＣ（炭素）の含有比率が前記第１のＣＦ系ガスにおける前記所定の比率よりも高い第２のＣＦ系ガスに切り換え、
前記被処理膜の厚さ方向における前記任意の位置から、前記第２のＣＦ系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスのプラズマにより、前記被処理膜をエッチングする第２のエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
前記被処理膜は、最下層に酸化膜が形成されており、
前記被処理膜に含まれる複数のカーボン膜の中で、一番下のカーボン膜の位置までは前記被処理膜の厚さ方向へ前記第１のエッチングを行い、その後、前記一番下のカーボン膜の位置から最下層の酸化膜までは前記被処理膜の厚さ方向へ前記第２のエッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記被処理膜は、前記酸化膜と前記カーボン膜とが交互に複数積層されており、
前記被処理膜のエッチングにおいて、前記第１のエッチングと前記第２のエッチングとを交互に複数回繰り返すことにより、前記被処理膜をエッチングすることを特徴とする請求項１また２に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】
前記被処理膜のエッチングにおいて、前記酸化膜を前記第１のエッチングによりエッチングし、前記カーボン膜を前記第２のエッチングによりエッチングすることを特徴とする請求項３に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項５】
前記第１のＣＦ系ガスは、前記含有比率が０．３３以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】
前記第２のＣＦ系ガスは、前記含有比率が０．３３より大きいことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】
前記第２のエッチングは、
前記酸化膜のエッチングレートよりも前記カーボン膜のエッチングレートの方が高い条件でのエッチングであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項８】
前記混合ガスに前記第１のＣＦ系ガスが含まれる場合、前記酸素ガスの流量は、前記第１のＣＦ系ガスの流量の１．０倍以上であり、
前記混合ガスに前記第２のＣＦ系ガスが含まれる場合、前記酸素ガスの流量は、前記第２のＣＦ系ガスの流量の５．０倍以上であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項９】
前記第１のＣＦ系ガスは、ＣＦ４ガスであることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１０】
前記第２のＣＦ系ガスは、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、またはＣ５Ｆ８ガスのいずれかであることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１１】
前記第１のエッチングおよび前記第２のエッチングによって形成された溝の底が前記被処理膜内の前記カーボン膜に達するたびに、前記第１のＣＦ系ガスと前記第２のＣＦ系ガスとを切り換えることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１２】
前記酸化膜と前記カーボン膜とは、前記被処理膜内に交互に複数回積層されていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１３】
前記被処理膜内の前記カーボン膜の数は、前記被処理膜内の前記酸化膜の数よりも１つ少ないことを特徴とする請求項１２に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１４】
前記酸化膜は、前記被処理膜の最上層および最下層にそれぞれ設けられることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１５】
前記被処理膜は、前記シリコン基板に直接接触することを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマエッチング方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の種々の側面及び実施形態は、プラズマエッチング方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の種々の側面および実施形態によれば、酸化膜とカーボン膜とが交互に積層された被処理膜に、マイクロトレンチや、側壁の凹凸の少ない溝を形成することができるプラズマエッチング方法が実現される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月23日(2017.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
第１の無線通信方式により、第１の他の通信装置と通信する第１の通信手段と、
前記第１の無線通信方式とは異なる第２の無線通信方式により通信する第２の通信手段と、
前記第１の無線通信方式による前記第１の他の通信装置との通信を介して、第２の他の通信装置と通信可能かの判定、および、前記第２の無線通信方式による通信を介して、前記第２の他の通信装置と通信可能かの判定の少なくともいずれか一方を行う判定手段と、
前記判定手段による判定結果に基づいて、前記通信装置に接続するための第１の通信パラメータか、前記第１の他の通信装置に接続するための第２の通信パラメータかのいずれかを、第３の他の通信装置に提供する提供手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記提供手段が前記第１の通信パラメータを提供する場合、前記第３の他の通信装置と前記第２の他の通信装置との間を中継する中継手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記第１の他の通信装置はアクセスポイントであることを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第２の通信手段は、携帯網において通信することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記通信装置がゲートウェイサーバアドレスもしくはDNSサーバアドレスのいずれか１つを有しているかどうかに基づいて、前記第２の他の通信装置と通信可能かを判定することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記判定手段は、前記第２の他の通信装置とDHCPプロトコルに準拠した通信が可能かを判定することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記判定手段は、外部装置と接続したアクセスポイントと前記通信装置が接続しているかによって、前記第２の他の通信装置と通信可能かを判定することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記判定手段は、前記第１の無線通信方式による前記第１の他の通信装置との通信を介してサービスを提供する他の通信装置と通信可能かを判定する、もしくは、前記第２の無線通信方式による通信を介して当該他の通信装置と通信可能かを判定することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
前記第３の他の通信装置から、サービス情報を受信する受信手段を更に有し、
前記提供手段は、前記受信手段により前記サービス情報を受信したことに応じて、前記第１もしくは前記第２の通信パラメータを前記第３の他の通信装置に提供することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記提供手段は、前記第１もしくは前記第２の通信パラメータをNFC、 Bluetooth、 赤外線通信のいずれかを用いて、前記第３の他の通信装置に提供することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記提供手段が前記第１もしくは前記第２の通信パラメータを前記第３の他の通信装置にNFCを用いて提供する場合、前記提供手段は、前記判定手段による判定結果に応じたパラメータをNFCタグに書き込むことを特徴とする請求項１０に記載の通信装置。
【請求項１２】
通信装置の制御方法であって、
第１の無線通信方式により、第１の他の通信装置と通信する第１の通信工程と、
前記第１の無線通信方式とは異なる第２の無線通信方式により通信する第２の通信工程と、
前記第１の無線通信方式による前記第１の他の通信装置との通信を介して、第２の他の通信装置と通信可能かの判定、および、前記第２の無線通信方式による通信を介して、前記第２の他の通信装置と通信可能かの判定の少なくともいずれか一方を行う判定工程と、
前記判定工程における判定結果に基づいて、前記通信装置に接続するための第１の通信パラメータか、前記第１の他の通信装置に接続するための第２の通信パラメータかのいずれかを、第３の他の通信装置に提供する提供工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１から１１のいずれか１項に記載の通信装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の一態様による通信装置は以下の構成を有する。すなわち、通信装置であって、第１の無線通信方式により、第１の他の通信装置と通信する第１の通信手段と、前記第１の無線通信方式とは異なる第２の無線通信方式により通信する第２の通信手段と、前記第１の無線通信方式による前記第１の他の通信装置との通信を介して、第２の他の通信装置と通信可能かの判定、および、前記第２の無線通信方式による通信を介して、前記第２の他の通信装置と通信可能かの判定の少なくともいずれか一方を行う判定手段と、前記判定手段による判定結果に基づいて、前記通信装置に接続するための第１の通信パラメータか、前記第１の他の通信装置に接続するための第２の通信パラメータかのいずれかを、第３の他の通信装置に提供する提供手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月4日(2017.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体上に画像を形成する画像形成手段と、
所定のライン数の画像データを一時的に記憶するラインバッファと、
補正条件に基づいて前記ラインバッファからの画像データの読み出しを制御することにより、形成された画像の歪みが補正されるように前記画像データに対して搬送方向に変倍処理を行う補正手段と、
前記画像形成手段により形成されたテストチャートに基づいて第１の補正条件を設定し、該第１の補正条件に対応する前記ラインバッファのライン数が前記所定のライン数を超える場合に前記第１の補正条件から、対応するラインバッファの数が前記所定のライン数を超えない第２の補正条件を設定する設定手段と、を有し、
前記補正手段は、
前記第１の補正条件に対応する前記ラインバッファの前記ライン数が前記所定のライン数を超えない場合、前記第１の補正条件に基づいて前記ラインバッファからの前記画像データの読み出しを制御し、
前記第１の補正条件に対応する前記ラインバッファの前記ライン数が前記所定のライン数を超える場合、前記第２の補正条件に基づいて前記ラインバッファからの前記画像データの読み出しを制御することを特徴とする、
画像形成装置。
【請求項２】
前記第２の補正条件は、画素を挿入し又は削除する位置を定めたものであり、
前記補正手段は、
（１）前記画像データを搬送方向に垂直である主走査方向に複数のエリアに分割し、
（２）分割したエリア毎に前記第２の補正条件で定めた位置へ画素を挿入、又は、当該位置の画素を削除することで前記変倍処理を行うことを特徴とする、
請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記設定手段は、複数の補正方法からユーザが選択した前記補正方法を用いて前記第１の補正条件から前記第２の補正条件を求めることを特徴とする、
請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記補正方法は、前記画像の歪みが前記補正手段によって補正されたときであっても第１位置での長さが変化しない方法であり、前記第１位置での長さは、前記画像の前記歪みが前記補正手段によって補正された場合における主走査方向の中央位置での副走査方向における長さであることを特徴とする、
請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記補正方法は、前記画像の歪みが前記補正手段によって補正されたときであっても第２位置での長さが変化しない方法であり、前記第２位置での長さは、前記画像の歪みが前記補正手段によって補正された場合における主走査方向の左端又は右端での副走査方向における長さであることを特徴とする、
請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記補正方法は、前記画像の歪みが前記補正手段によって補正されたときであっても第３位置での長さが変化しない方法であり、前記第３位置での長さは、前記画像の歪みが前記補正手段によって補正された場合における主走査方向のユーザによって指定された位置での副走査方向における長さであることを特徴とする、
請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記設定手段は、ユーザによって選択されたクリップ方法に基づいて、前記第１の補正条件から前記第２の補正条件を求めることを特徴とする、
請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記設定手段は、第１位置での長さが補正前後で変化しない第２の補正条件を求め、前記第１位置での長さは、主走査方向の中央位置での副走査方向での長さであることを特徴とする、
請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記設定手段は、第２位置での長さが補正前後で変化しない第２の補正条件を求め、
前記第２位置での前記長さは、前記主走査方向の左端又は右端での副走査方向での長さであることを特徴とする、
請求項２に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の画像形成装置は、記録媒体上に画像を形成する画像形成手段と、所定のライン数の画像データを一時的に記憶するラインバッファと、補正条件に基づいて前記ラインバッファからの画像データの読み出しを制御することにより、形成された画像の歪みが補正されるように前記画像データに対して搬送方向に変倍処理を行う補正手段と、前記画像形成手段により形成されたテストチャートに基づいて第１の補正条件を設定し、該第１の補正条件に対応する前記ラインバッファのライン数が前記所定のライン数を超える場合に前記第１の補正条件から、対応するラインバッファの数が前記所定のライン数を超えない第２の補正条件を設定する設定手段と、前記補正手段は、前記第１の補正条件に対応する前記ラインバッファの前記ライン数が前記所定のライン数を超えない場合、前記第１の補正条件に基づいて前記ラインバッファからの前記画像データの読み出しを制御し、前記第１の補正条件に対応する前記ラインバッファの前記ライン数が前記所定のライン数を超える場合、前記第２の補正条件に基づいて前記ラインバッファからの前記画像データの読み出しを制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明によれば、ラインバッファのライン数が所定のライン数を超える場合と超えない場合とで補正条件を変更したうえで、ラインバッファからの画像データの読み出しを制御する。これにより、ラインバッファ消費量が予め想定した容量を超えた場合において生じる画像不良の発生を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月19日(2017.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器の内部に設けられた静電チャックに被処理体が載置されていない状態で、Ｃ及びＦを含む反応生成物が付着した前記静電チャックにＳｉ含有物又はＮ含有物を付着させる付着工程と、
前記処理容器の内部に前記被処理体が搬入された場合に、前記Ｓｉ含有物又は前記Ｎ含有物が付着した前記静電チャックによって前記被処理体を吸着する吸着工程と、
前記被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、
前記Ｓｉ含有物又は前記Ｎ含有物が付着した前記静電チャックからプラズマ処理された前記被処理体を離間させる離間工程と
を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記付着工程は、前記静電チャックに被処理体が載置されていない状態で、Ａｒ、Ｈｅ、Ｏ２及びＮ２の少なくともいずれか一つを含む処理ガスのプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンによりＳｉを含む部材をスパッタすることによって、前記Ｃ及びＦを含む反応生成物が付着した前記静電チャックに前記Ｓｉ含有物を付着させる
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記付着工程は、前記静電チャックに被処理体が載置されていない状態で、Ｎ２を含む処理ガスのプラズマを生成することによって、前記Ｃ及びＦを含む反応生成物が付着した前記静電チャックに前記Ｎ含有物を付着させる
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記静電チャックから離間された前記被処理体が前記処理容器の外部に搬出された後に、前記静電チャックに前記被処理体が載置されていない状態で、Ｏ２含有ガスのプラズマにより前記処理容器の内部に残存する、Ｃ及びＦを含む付着物を除去するクリーニング工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記付着工程は、前記クリーニング工程によって前記Ｃ及びＦを含む付着物が除去されてからプラズマ処理されていない前記被処理体が前記処理容器の内部に搬入されるまでの期間に、前記Ｃ及びＦを含む反応生成物が付着した前記静電チャックに前記Ｓｉ含有物又は前記Ｎ含有物を付着させる
ことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記プラズマ処理方法は、
プラズマ処理されていない前記被処理体が前記処理容器の内部に搬入される度に、前記吸着工程、前記プラズマ処理工程、前記離間工程及び前記クリーニング工程を実行する
ことを特徴とする請求項４又は５に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記吸着工程、前記プラズマ処理工程、前記離間工程及び前記クリーニング工程の各々が所定の回数実行された場合に、前記付着工程を再び実行する一連の処理を繰り返す
ことを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
前記付着工程の処理時間は、所定時間以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記付着工程の処理時間は、５秒以上６０秒以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記Ｎ２を含む処理ガスのプラズマの生成に用いられる高周波電力は、４００Ｗ以上２０００Ｗ以下であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記付着工程が実行される場合に、前記処理容器の内部の圧力は、６．６７Ｐａ以上１０７Ｐａ以下の範囲に維持されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
被処理体をプラズマ処理するための処理容器と、
前記処理容器の内部に配置され、前記被処理体を吸着するための静電チャックと、
前記処理容器の内部を減圧するための排気部と、
前記処理容器の内部に処理ガスを供給するためのガス供給部と、
前記静電チャックに被処理体が載置されていない状態で、Ｃ及びＦを含む反応生成物が付着した前記静電チャックにＳｉ含有物又はＮ含有物を付着させる付着工程と、前記処理容器の内部に前記被処理体が搬入された場合に、前記Ｓｉ含有物又は前記Ｎ含有物が付着した前記静電チャックによって前記被処理体を吸着する吸着工程と、前記被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、前記Ｓｉ含有物又は前記Ｎ含有物が付着した前記静電チャックからプラズマ処理された前記被処理体を離間させる離間工程とを実行する制御部と
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
続いて、プラズマ処理装置１は、Ｎ含有物が付着した静電チャック２０によって被処理体を吸着する吸着工程を行う（ステップＳ２０４）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月18日(2017.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
AdaptiveComponent要素は、適応選択対象のコンポーネントに関する情報が指定される。AdaptiveComponent要素は、adaptiveAttribute属性及びcomponentId属性の上位の要素となる。ただし、AdaptiveComponent要素の出現数は、n3(n3は１以上の整数)となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
adaptiveAttribute属性は、AdaptiveComponent要素に関して規定される属性を示し、適応選択対象の属性がm3種類(m3は０以上の整数)規定される。例えば、adaptiveAttribute属性には、上述したアダプティブレイヤにおける適応選択対象の属性として、コンポーネントの伝送経路やビットレートなどが個別に規定される。componentId属性は、コンポーネントのIDが指定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
MPDは、Period要素、AdaptationSet要素、Representation要素、及び、SubRepresentation要素が階層構造で記述されている。Period要素は、テレビ番組等のコンテンツの構成を記述する単位となる。また、AdaptationSet要素、Representation要素、又は、SubRepresentation要素は、ビデオやオーディオ、字幕等のそれぞれのストリームごとに利用され、それぞれのストリームの属性を記述できるようになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９２】
Component要素は、componentId属性、representationId属性、subRepresentationLevel属性、componentCategory属性、locationType属性、componentEncryption属性、compositePosition属性、targetedScreen属性、ContentAdvisoryDescriptor要素、AVCVideoDescriptor要素、HEVCVideoDescriptor要素、MPEG4AACAudioDescriptor要素、AC3AudioDescriptor要素、及び、CaptionDescriptor要素の上位要素となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９７】
componentEncryption属性には、コンポーネントIDにより識別されるコンポーネントごとに、暗号化されているかどうかが指定される。componentEncryption属性として"on"が定された場合には、当該コンポーネントが暗号化されていることを示し、"off"が指定された場合には、当該コンポーネントが暗号化されていないことを示している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2015201699.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月3日(2017.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示素子を照明する照明光学系であって、
光源から出射した光を分割する第１のレンズアレイと、
前記第１のレンズアレイからの光を受光する第２のレンズアレイと、
前記第２のレンズアレイからの光を前記画像表示素子に導く集光光学系と、を有し、
前記第１のレンズアレイの入射面から前記第２のレンズアレイの出射面までの光軸方向の空気換算長をＡ（ｉｎ  ａｉｒ）とし、前記第２のレンズアレイの焦点距離をＦ２とするとき、
０．０１０＜（Ａ（ｉｎ  ａｉｒ）−Ｆ２）／Ａ（ｉｎ  ａｉｒ）＜０．３００
を満足することを特徴とする照明光学系。
【請求項２】
前記第１のレンズアレイの入射面は、前記第１のレンズアレイの屈折面であることを特徴とする請求項１に記載の照明光学系。
【請求項３】
前記第１のレンズアレイの出射面は、前記第１のレンズアレイの屈折面であって、
前記画像表示素子の共役点は、前記第１のレンズアレイの出射面と、前記第２のレンズアレイの入射面との間に位置することを特徴とする請求項１に記載の照明光学系。
【請求項４】
前記第１のレンズアレイのレンズセル部の厚みをｔ１Ａ、前記第１のレンズアレイの屈折率をｎ１とするとき、
Ａ（ｉｎ  ａｉｒ）−Ｆ２＞ｔ１Ａ／ｎ１
を満足することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項５】
前記第１のレンズアレイ、前記第２のレンズアレイ、前記集光光学系、および、前記画像表示素子は、光源側から順に、該集光光学系の光軸方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項６】
前記第１のレンズアレイの焦点距離をＦ１とするとき、
０．７＜Ｆ２／Ｆ１＜１．０
を満たすことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項７】
前記第１のレンズアレイは、複数のセル、および、該複数のセルの間に形成されたセル境界部を有し、
前記セル境界部は、負の屈折力を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項８】
前記集光光学系は、前記第１のレンズアレイの前記セル境界部からの光を、前記集光光学系と前記画像表示素子との間の位置に集光させることを特徴とする請求項７に記載の照明光学系。
【請求項９】
前記第１のレンズアレイおよび前記第２のレンズアレイは、前記集光光学系の光軸に直交する面内の所定の方向において、該第１のレンズアレイおよび該第２のレンズアレイの各セルの曲率中心が該各セルの中心位置から偏心するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項１０】
前記第１のレンズアレイは、前記所定の方向において、該第１のレンズアレイの各セルの前記曲率中心が該各セルの前記中心位置に対して、前記集光光学系の光軸側に偏心するように構成されており、
前記第２のレンズアレイは、前記所定の方向において、該第２のレンズアレイの各セルの前記曲率中心が該各セルの前記中心位置に対して、前記光軸から離れる側に偏心するように構成されていることを特徴とする請求項９に記載の照明光学系。
【請求項１１】
前記所定の方向は、前記画像表示素子の短辺方向であることを特徴とする請求項９または１０に記載の照明光学系。
【請求項１２】
前記画像表示素子の前記短辺方向に関する共役点と前記画像表示素子との距離は、前記第１のレンズアレイと前記画像表示素子との距離よりも短く、
前記画像表示素子の長辺方向に関する共役点と前記画像表示素子との距離は、前記第１のレンズアレイと前記画像表示素子との距離よりも長いことを特徴とする請求項１１に記載の照明光学系。
【請求項１３】
前記第２のレンズアレイは、トーリック面を有し、前記短辺方向および前記長辺方向における各セルの曲率半径が互いに異なるように構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の照明光学系。
【請求項１４】
前記第２のレンズアレイの前記各セルは、前記長辺方向の曲率半径が前記短辺方向の曲率半径よりも大きいように構成されていることを特徴とする請求項１３に記載の照明光学系。
【請求項１５】
前記画像表示素子の共役点は、前記第１のレンズアレイの入射面と前記第２のレンズアレイの入射面との間に位置していることを特徴とする１乃至１４のいずれか１項に記載の照明光学系。
【請求項１６】
画像表示素子を照明する照明光学系であって、
光源から出射した光を分割する第１のレンズアレイと、
前記第１のレンズアレイからの光を受光する第２のレンズアレイと、
前記第２のレンズアレイからの光を前記画像表示素子に導く集光光学系と、を有し、
前記画像表示素子の共役点は前記第１のレンズアレイの中にあることを特徴とする照明光学系。
【請求項１７】
画像表示素子と、
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の照明光学系と、を有することを特徴とする画像投射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面としての照明光学系は、画像表示素子を照明する照明光学系であって、光源から出射した光を分割する第１のレンズアレイと、前記第１のレンズアレイからの光を受光する第２のレンズアレイと、前記第２のレンズアレイからの光を前記画像表示素子に導く集光光学系とを有し、前記第１のレンズアレイの入射面から前記第２のレンズアレイの出射面までの光軸方向の空気換算長をＡ（ｉｎ  ａｉｒ）とし、前記第２のレンズアレイの焦点距離をＦ２とするとき、０．０１０＜（Ａ（ｉｎ  ａｉｒ）−Ｆ２）／Ａ（ｉｎ  ａｉｒ）＜０．３００を満足している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
０．０１０＜（Ａ（ｉｎ  ａｉｒ）−Ｆ２）／Ａ（ｉｎ  ａｉｒ）＜０．２００  …（２ａ）
式（２）、（２ａ）において、Ａ（ｉｎ  ａｉｒ）は、第１のフライアイレンズ２の入射面２ａから第２のフライアイレンズ３の出射面３ｂまでの光軸方向の空気換算長であり、Ｆ２は第２のフライアイレンズ３の焦点距離である。なお、Ａ（ｉｎ  ａｉｒ）は、以下の式（３）から求めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月16日(2017.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側辺に少なくとも１つの第１の円弧構造が設けられる光学部材と、
前記光学部材の周縁に設けられ、表面が前記光学部材と接合され、前記少なくとも１つの第１の円弧構造と互いに嵌合する少なくとも１つの第２の円弧構造を含むフレームと、
を備え、
前記少なくとも１つの第１の円弧構造の半径と前記少なくとも１つの第２の円弧構造の半径は、実質的に同等である光学アセンブリ。
【請求項２】
側辺に少なくとも１つの第１の係合構造が設けられる光学部材と、
前記光学部材の周縁に設けられ、前記少なくとも１つの第１の係合構造と係合可能な少なくとも１つの第２の係合構造を含むフレームと、
を備え、
前記光学部材に向かって拡張可能である前記少なくとも１つの第２の係合構造と連動して、前記少なくとも１つの第１の係合構造は前記フレームに向かって拡張可能であることにより、吸熱及び／又は吸湿によって前記第１の係合構造と前記第２の係合構造の間の空間が小さくなるように構成された光学アセンブリ。
【請求項３】
前記光学部材は、第１の軸方向及び第２の軸方向を有し、前記少なくとも１つの第１の円弧構造の円心及び前記少なくとも１つの第２の円弧構造の円心は、前記第１の軸方向と実質的に平行となる軸線に位置する請求項１に記載の光学アセンブリ。
【請求項４】
前記第１の円弧構造と前記第２の円弧構造の間に、前記第１の円弧構造における任意の点が前記第１の軸方向に実質的に平行となる方向に沿って前記第２の円弧構造に達する距離である第１の軸隙間と、前記第１の円弧構造における任意の点が前記第２の軸方向に実質的に平行となる方向に沿って前記第２の円弧構造に達する最短距離である第２の軸隙間と、を有し、前記第１の軸隙間が前記第２の軸隙間よりも大きい請求項３に記載の光学アセンブリ。
【請求項５】
前記フレームは、前記表面に接続され、その上に前記少なくとも１つの第２の円弧構造が設けられた側壁を更に含む請求項１、３及び４のいずれか１項に記載の光学アセンブリ。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第１の円弧構造は、ラグ又は凹陥部であり、前記少なくとも１つの第２の円弧構造は、前記少なくとも１つの第１の円弧構造に対応する凹陥部又はラグである請求項１及び３〜５のいずれか１項に記載の光学アセンブリ。
【請求項７】
前記フレームは、開口を含むＵ字状構造である請求項１及び３〜６のいずれか１項の何れか一項に記載の光学アセンブリ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの第１の円弧構造と前記少なくとも１つの第２の円弧構造は、前記開口に近接する請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項９】
請求項１〜６の何れか一項に記載の光学アセンブリと、
前記光学部材の一側に設けられた光源と、
を備えるバックライトモジュール。
【請求項１０】
請求項７又は８に記載の光学アセンブリと、
前記フレームの前記開口に設けられた光源と、
を備えるバックライトモジュール。
【請求項１１】
請求項９又１０に記載のバックライトモジュールと、
前記光学アセンブリの前記フレームに設けられた液晶パネルと、
を備える液晶ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月4日(2017.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、駆動電圧が印加されることにより発光する発光部とを有し、
前記発光部は、前記陽極側から前記陰極側に積層された、第１の光を発光する第１の発光層と、前記第１の光と異なる色の第２の光を発光する第２の発光層と、前記第２の光と同色の第３の光を発光する第３の発光層とを備え、
前記第１、第２および第３の発光層は、それぞれ、発光材料と、ホスト材料と、アシストドーパント材料とを含んで構成され、
前記ホスト材料および前記アシストドーパント材料の一方は、電子輸送性の高い材料であり、他方は正孔輸送性の高い材料であり、
前記第１、第２および第３の発光層に含まれる前記アシストドーパント材料の含有量を、それぞれ、CAssist（EML１）、CAssist（EML２）およびCAssist（EML３）としたとき、下記関係式（Ａ）を満足することを特徴とする発光素子。
CAssist（EML１）≧CAssist（EML２）＞CAssist（EML３）≧０  ・・・（Ａ）
【請求項２】
前記ホスト材料が電子輸送性の高い材料であり、前記アシストドーパント材料が正孔輸送性の高い材料である請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１、第２および第３の発光層における正孔の移動度をμｈとし、電子の移動度をμｅとしたとき、前記第１の発光層および前記第２の発光層において、下記関係式（１）を満足する請求項２に記載の発光素子。
０．０１≦μe/μh≦１００  ・・・（１）
【請求項４】
前記第３の発光層において、下記関係式（２）を満足する請求項３に記載の発光素子。
μe/μh≧１００            ・・・（２）
【請求項５】
前記第２および第３の発光層の膜厚を、それぞれ、T（EML２）およびT（EML３）としたとき、下記関係式（Ｂ）を満足する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光素子。
T（EML２）≦T（EML３）  ・・・（Ｂ）
【請求項６】
前記ホスト材料は、アセン系化合物である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記アシストドーパント材料は、アミン系化合物である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記アミン系材料は、下記式（４）で示される化合物である請求項７に記載の発光素子。
【化１】
2015201498.tif 000001
【請求項９】
発光色として白色を発光するものである請求項１ないし８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月4日(2017.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、駆動電圧が印加されることにより発光する発光層とを有し、
前記発光層は、発光材料と、ホスト材料と、アシストドーパント材料とを含んで構成され、
前記ホスト材料および前記アシストドーパント材料の一方は、電子輸送性の高い材料であり、他方は正孔輸送性の高い材料であり、
前記ホスト材料におけるHOMO準位、LUMO準位、正孔の移動度および電子の移動度を、それぞれ、HOMOHost、LUMOHost、μhHostおよびμeHostとし、
前記アシストドーパント材料におけるHOMO準位、LUMO準位、正孔の移動度および電子の移動度を、それぞれ、HOMOAssist、LUMOAssist、μhAssistおよびμeAssistとしたとき、下記関係式（Ａ）を満足することを特徴とする発光素子。
【数１】
2015201497.tif 000001
【請求項２】
前記発光層における正孔の移動度をμｈとし、電子の移動度をμｅとしたとき下記式（Ｉ）の関係を満足する請求項１に記載の発光素子。
０．０１≦μe/μh≦１００    ・・・  （Ｉ）
【請求項３】
前記アシストドーパント材料は、前記発光層において、その含有量が２０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以下である請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記ホスト材料は、アセン系化合物である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記アシストドーパント材料は、アミン系化合物である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記アミン系化合物は、下記式（４）で示される化合物である請求項５に記載の発光素子。
【化１】
2015201497.tif 000002
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月4日(2017.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、駆動電圧が印加されることにより発光する発光層とを有し、
前記発光層は、発光材料と、ホスト材料と、アシストドーパント材料とを含んで構成され、
前記ホスト材料および前記アシストドーパント材料の一方は、電子輸送性の高い材料であり、他方は正孔輸送性の高い材料であり、
前記発光層における正孔の移動度をμｈとし電子の移動度をμｅとしたとき、μe/μhで表わされる移動度比が下記式（Ｉ）の関係を満足することを特徴とする発光素子。
０．０１≦μe/μh≦１００    ・・・  （Ｉ）
【請求項２】
前記アシストドーパント材料は、前記発光層において、その含有量が２０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以下である請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記ホスト材料が電子輸送性の高い材料であり、前記アシストドーパント材料が正孔輸送性の高い材料である請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記ホスト材料は、アセン系化合物である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記アシストドーパント材料は、アミン系化合物である請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記アミン系化合物は、下記式（４）で示される化合物である請求項５に記載の発光素子。
【化１】
2015201496.tif 000001
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月20日(2017.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有する半導体基板の前記第１面の側に開口した第１の孔を形成する第１の工程と、
絶縁部材を前記第１の孔に充填する工程と、
前記第１面の上に前記絶縁部材を覆う絶縁膜を成膜する工程と、
前記絶縁膜および前記絶縁部材に第２の孔を形成する工程と、
導電部材を前記第２の孔に充填する工程と、
前記半導体基板の前記第２面の側から、前記絶縁部材が露出するように前記半導体基板を薄化する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第２の孔を前記第１面の側から形成し、
前記導電部材を前記第１面の側から埋め込むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の孔を前記第１面の側とは反対側から形成し、
前記導電部材を前記第１面の側とは反対側から埋め込むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電部材に接続する電極を前記第１面の側とは反対側から形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の孔に埋め込まれる前記絶縁部材は、複数種類の絶縁層で構成され、
前記絶縁部材を充填する工程では、前記複数種類の絶縁層のうち、第１の種類の絶縁層を前記第１の孔の内壁に沿って成膜した後、第２の種類の絶縁層を前記第１の孔に充填することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の孔に埋め込まれる前記絶縁部材は、複数種類の絶縁層で構成され、
前記第２の孔を形成する工程では、深さ方向に前記第２の種類の絶縁層を貫通して前記第１の種類の絶縁層を露出させることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の種類の絶縁層は窒化シリコン層であって、前記第２の種類の絶縁層は酸化シリコン層であることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の孔に絶縁部材を埋め込んだ後、前記絶縁膜を成膜する前に、前記半導体基板の前記第１面の上に半導体素子を形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体基板は光電変換部を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体素子が設けられた第１面と、前記第１面と反対側の第２面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板を貫通する導電部材と、
前記導電部材と前記半導体基板との間に形成された絶縁部材とを備え、
前記絶縁部材は、それぞれが前記導電部材に接する第１の種類の絶縁層および第２の種類の絶縁層を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月22日(2017.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の集積回路チップと、
それぞれが前記第１の集積回路チップの第１面に積層された、複数の第２の集積回路チップと、を有し、
前記第１の集積回路チップは、前記第２の集積回路チップのそれぞれに接続するための複数の第１の接続部を備え、
前記第２の集積回路チップは、前記第１の集積回路チップの前記第１の接続部のいずれかに接続される第２の接続部を備え、
前記第１の集積回路チップは、前記第１の接続部から複数の前記第２の集積回路チップの前記第２の接続部のそれぞれに対して同じ種類の信号を出力することを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
前記複数の第１の接続部は、前記第１の集積回路チップの前記第１面に配置されることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３】
前記第１の接続部のそれぞれは、前記第１の集積回路チップの前記第１面に対称に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の集積回路装置。
【請求項４】
前記第２の集積回路チップの面積は、前記第１の集積回路チップの面積より広いことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の集積回路装置。
【請求項５】
前記第２の集積回路チップの面積は、前記第１の集積回路チップの面積より狭いことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の集積回路装置。
【請求項６】
前記第１の集積回路チップは撮像素子の画素が格子状に配置された集積回路チップであり、前記第２の集積回路チップは、前記撮像素子から出力される画像信号を取得することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の集積回路装置。
【請求項７】
前記第２の集積回路チップは、前記第１の集積回路チップから取得した画像信号を処理するための画像処理回路であることを特徴とする請求項６に記載の集積回路装置。
【請求項８】
前記撮像素子の各画素には、異なるカラーフィルタが配置され、
前記撮像素子の各画素のデータは、前記第１の接続部における各画素の色に対応した接続端子から出力され、前記画像処理回路の第２の集積回路チップそれぞれの第２の接続部の対応する接続端子へ出力されることを特徴とする請求項７に記載の集積回路装置。
【請求項９】
前記第１の集積回路チップから複数の前記第２の集積回路チップのそれぞれに対して同時に各画素のデータが出力されることを特徴とする請求項８に記載の集積回路装置。
【請求項１０】
前記第１の集積回路チップは、複数の前記第２の集積回路チップそれぞれから出力される制御信号に応じて、複数の前記第２の集積回路チップに画像データを出力することを特徴とする請求項８に記載の集積回路装置。
【請求項１１】
前記複数の第２の集積回路チップはそれぞれ、前記第１の集積回路チップに積層される前記第２の集積回路チップの数に応じた周期で前記第１の集積回路チップから入力した画像データを処理することを特徴とする請求項６から１０のいずれか１項に記載の集積回路装置。
【請求項１２】
画像信号を出力する撮像素子を備え、第１面に複数の第１接続部が配置された第１集積回路チップと
前記複数の第１接続部のうち１つと接続する第２接続部を備え、前記撮像素子から出力される画像信号を入力する第２集積回路チップと、
前記複数の第１接続部のうち他の１つと接続する第３接続部を備え、前記撮像素子から出力される画像信号を入力する第３集積回路チップと、を備え、
前記第２集積回路チップと前記第３集積回路チップとは、前記第１集積回路チップの前記第１面に積層されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１３】
前記第２集積回路チップは、前記第２集積回路チップの前記第２接続部が設けられた領域が前記第１集積回路チップの前記第１面に重なるように配置され、
前記第３集積回路チップは、前記第３集積回路チップの前記第３接続部が設けられた領域が前記第１集積回路チップの前記第１面に重なるように配置されることを特徴とする請求項１２に記載の集積回路装置。
【請求項１４】
前記複数の第１接続部は、前記第１集積回路チップの前記第１面上で、互いに対称に配置されることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の集積回路装置。
【請求項１５】
前記第２集積回路チップの面積および前記第３集積回路チップの面積は、前記第１集積回路チップの面積より狭いことを特徴とする請求項１２から１４のいずれか１項に記載の集積回路装置。
【請求項１６】
前記第２集積回路チップおよび前記第３集積回路チップは、それぞれメモリを有し、前記第１集積回路チップから入力した画像信号を前記メモリに記憶することを特徴とする請求項１２から１５のいずれか１項に記載の集積回路装置。
【請求項１７】
前記第２集積回路チップおよび前記第３集積回路チップは、入力された画像データに所定の画像処理を施して出力することを特徴とする請求項１２から１５のいずれか１項に記載の集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の集積回路装置は、第１の集積回路チップと、それぞれが前記第１の集積回路チップの第１面に積層された、複数の第２の集積回路チップと、を有し、前記第１の集積回路チップは、前記第２の集積回路チップのそれぞれに接続するための複数の第１の接続部を備え、前記第２の集積回路チップは、前記第１の集積回路チップの前記第１の接続部のいずれかに接続される第２の接続部を備え、前記第１の集積回路チップは、前記第１の接続部から複数の前記第２の集積回路チップの前記第２の接続部のそれぞれに対して同じ種類の信号を出力する。