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【手続補正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像により第１の画像を取得する取得手段と、
前記第１の画像に基づいて生成された第２の画像を外部装置から受信する受信手段と、
前記外部装置との通信における通信品質を判断する判断手段と、
前記判断手段による判断の結果、前記通信品質の劣化の程度を示す値が第１の閾値を超えるまで前記第２の画像を表示部に表示させ、当該第１の閾値を超えた場合に前記第１の画像を表示部に表示させるように制御する表示制御手段と、
を有し、
前記表示制御手段は、前記通信品質の劣化の程度を示す値が前記第１の閾値を超えてから当該第１の閾値より低い第２の閾値を下回るまで前記第１の画像を表示させる、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記通信品質の劣化の程度を示す値は、前記第２の画像を受信する際の通信においてエラーが生じた第１の頻度を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の頻度が前記第１の閾値より低い第３の閾値を超えた場合に、前記第２の画像を受信する際に用いられる変調方式と誤り訂正符号との少なくともいずれかを、前記第１の頻度を下げるように変更する変更手段をさらに有する、
ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の画像または他の情報を前記他の装置に宛てて送信する送信手段をさらに有し、
前記変更手段は、さらに、前記第１の頻度が前記第３の閾値を超えた場合に、前記第１の画像または他の情報を送信する際の変調方式と誤り訂正符号との少なくともいずれかを変更する、
ことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記通信品質の劣化の程度を示す値は、前記表示制御手段によって画像を表示するタイミングに応じたタイミングまでに前記第２の画像の受信が完了しなかった第２の頻度を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の頻度が前記第１の閾値より低い第３の閾値を超えた場合に、前記第２の画像を送信する際の優先度を、前記第２の頻度を下げるように変更する変更手段をさらに有する、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の画像または他の情報を前記外部装置に宛てて送信する送信手段をさらに有し、
前記変更手段は、さらに、前記第２の頻度が前記第３の閾値を超えた場合に、前記第１の画像または他の情報を送信する際の優先度を変更する、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示制御手段は、前記通信品質が良好でない状態にあると判断された場合に、さらに、前記通信品質が良好でない状態にあることを示す情報を表示させる、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示制御手段は、前記通信品質が良好でない状態にあると判断された場合に、さらに、前記通信品質が良好でない状態にある原因を示す情報を表示させる、
ことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示装置は、頭部装着型の表示装置である、
ことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
撮像により第１の画像を取得する取得手段と、前記第１の画像に基づいて生成された第２の画像を外部装置から受信する受信手段とを有する表示装置の制御方法であって、
判断手段が、前記外部装置との通信における通信品質を判断する判断工程と、
表示制御手段が、前記判断工程における判断の結果、前記通信品質の劣化の程度を示す値が第１の閾値を超えるまで前記第２の画像を表示部に表示させ、当該第１の閾値を超えた場合に前記第１の画像を表示部に表示させるように制御する表示制御工程と、
を有し、
前記表示制御工程では、前記通信品質の劣化の程度を示す値が前記第１の閾値を超えてから当該第１の閾値より低い第２の閾値を下回るまで前記第１の画像を表示させる、
ことを特徴とする制御方法。
【請求項１２】
撮像により第１の画像を取得する取得手段と、前記第１の画像に基づいて生成された第２の画像を外部装置から受信する受信手段とを有する表示装置に備えられたコンピュータに、請求項１１に記載の制御方法を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の表示装置は、撮像により第１の画像を取得する取得手段と、前記第１の画像に基づいて生成された第２の画像を外部装置から受信する受信手段と、前記外部装置との通信における通信品質を判断する判断手段と、前記判断手段による判断の結果、前記通信品質の劣化の程度を示す値が第１の閾値を超えるまで前記第２の画像を表示部に表示させ、当該第１の閾値を超えた場合に前記第１の画像を表示部に表示させるように制御する表示制御手段と、を有し、前記表示制御手段は、前記通信品質の劣化の程度を示す値が前記第１の閾値を超えてから当該第１の閾値より低い第２の閾値を下回るまで前記第１の画像を表示させる、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】装置、コンピュータプログラム、及び方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、装置、コンピュータプログラム、及び方法に関し、特に、ジョブの履歴情報を格納する装置、コンピュータプログラム、及び方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の装置は、コンピュータプログラムを実行するプロセッサを有する装置であって、前記コンピュータプログラムは、所定のフォルダに保存されたファイルを検知し、当該検知したファイルに基づいて生成された送信データ及びジョブ名データをドライバモジュールに出力するための送信モジュールと、入力された前記送信データ及び前記ジョブ名データに基づいてログを生成し、前記送信データを送信先に送信する処理をジョブ処理装置に実行させるためのドライバモジュールと、前記生成されたログに含まれているユーザ情報を前記ジョブ名データの所定部分に含まれる情報に基づいて変更し、前記変更されたログに基づいて生成される履歴情報を保存するためのジョブ管理モジュールと、を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータプログラムを実行するプロセッサを有する装置であって、
前記コンピュータプログラムは、
所定のフォルダに保存されたファイルを検知し、当該検知したファイルに基づいて生成された送信データ及びジョブ名データをドライバモジュールに出力するための送信モジュールと、
入力された前記送信データ及び前記ジョブ名データに基づいてログを生成し、前記送信データを送信先に送信する処理をジョブ処理装置に実行させるためのドライバモジュールと、
前記生成されたログに含まれているユーザ情報を前記ジョブ名データの所定部分に含まれる情報に基づいて変更し、前記変更されたログに基づいて生成される履歴情報を保存するためのジョブ管理モジュールと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ジョブ名データの前記所定部分には、前記所定のフォルダに前記ファイルを保存したユーザを特定する情報が含まれ、
前記ジョブ管理モジュールは、前記生成されたログに含まれるユーザ情報を前記ユーザを特定する情報に基づいて変更し、前記変更されたログに基づいて生成される履歴情報を保存することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記装置は、前記ユーザを特定する情報に対応する具体値を規定するテーブルを更に有し、
前記ジョブ管理モジュールは、前記ユーザを特定する情報に対応する具体値を前記テーブルから取得し、前記生成されたログに含まれるユーザ情報を前記取得した具体値に基づいて変更し、前記変更されたログに基づいて生成される履歴情報を保存することを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
所定のフォルダに保存されたファイルを検知し、当該検知したファイルに基づいて生成された送信データ及びジョブ名データをドライバモジュールに出力するように、コンピュータを制御するための送信モジュールと、
入力された前記送信データ及び前記ジョブ名データに基づいてログを生成し、前記送信データを送信先に送信する処理をジョブ処理装置に実行させるように、コンピュータを制御するためのドライバモジュールと、
前記生成されたログに含まれるユーザ情報を前記ジョブ名データの所定部分に含まれる情報に基づいて変更し、前記変更されたログに基づいて生成される履歴情報を保存するように、コンピュータを制御するためのジョブ管理モジュールと、
を含むことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項５】
所定のフォルダに保存されたファイルを検知し、当該検知したファイルに基づいて生成された送信データ及びジョブ名データをドライバモジュールに出力するように、コンピュータを制御するためのステップと、
入力された前記送信データ及び前記ジョブ名データに基づいてログを生成し、前記送信データを送信先に送信する処理をジョブ処理装置に実行させるように、コンピュータを制御するためのステップと、
前記生成されたログに含まれるユーザ情報を前記ジョブ名データの所定部分に含まれる情報に基づいて変更し、前記変更されたログに基づいて生成される履歴情報を保存するように、コンピュータを制御するためのステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月18日(2017.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、
前記光電変換部で生じた電荷が保持されるフローティングディフュージョンと、
前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された増幅トランジスタと、
電極を有し、前記電極へ供給される信号により、前記フローティングディフュージョンへの電気的な接続状態が切り替え可能に配された容量と、を各々が含み、
各々が、前記接続状態を切り替えることで、前記増幅トランジスタの入力ノードの容量値が変更可能である、複数の画素を有する撮像装置であって、
前記複数の画素の各々は、平面視において、前記電極を挟むように配された、第１領域と、第２領域とを含む活性領域を有し、
前記活性領域の一部であって前記電極の下部に位置する部分が前記容量の少なくとも一部を構成しており、
前記第１領域には、前記フローティングディフュージョンの少なくとも一部を構成する第１導電型の第１半導体領域が配され、
前記第２領域には、前記第１導電型とは反対導電型である第２導電型の第２半導体領域が配されており、
前記第２半導体領域の上に、絶縁膜が配されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は、前記第２半導体領域と界面を構成していることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記活性領域は、絶縁体分離部によって区画され、
前記第２半導体領域は、前記第２領域において、前記絶縁体分離部の底の深さまでの少なくとも一部に配されていることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２半導体領域の下部に、前記第２導電型であって、前記第２半導体領域よりも低濃度である半導体領域が配されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記絶縁体分離部は、チャネルストップ領域と界面を構成していることを特徴とする請求項３又は４に記載の撮像装置。
【請求項６】
コンタクトプラグが、前記絶縁膜を貫通して、前記第２半導体領域に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
平面視において、前記第２半導体領域と前記電極との間には、前記第２半導体領域と同導電型であって、前記第２半導体領域よりも低濃度の半導体領域が配されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記活性領域は、前記光電変換部と前記第２導電型の第３半導体領域が配された第１活性領域と、前記第１半導体領域および前記第２半導体領域が配された第２活性領域とを有し、前記フローティングディフュージョンは、前記第１半導体領域と前記第３半導体領域とを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記複数の画素の各々は、更に、前記光電変換部の信号を前記第３半導体領域に転送する転送トランジスタを有し、
平面視において、
前記第１活性領域と前記第２活性領域とが第１方向に沿って並んで配されており、
前記第２活性領域には前記第１方向に直交する第２方向に沿って前記第１半導体領域と前記第２半導体領域が配され、前記第２活性領域の上には、前記第１半導体領域と前記第２半導体領域に挟まれるように前記電極が配され、
前記第１活性領域には、前記第２方向に沿って前記光電変換部と前記第３半導体領域とが配され、前記第１活性領域の上には、前記光電変換部と前記第３半導体領域に挟まれるように前記転送トランジスタのゲート電極が配されることを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記容量は表面型ＭＯＳ容量又は、埋め込み型ＭＯＳ容量を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記容量はＰＮ接合容量を有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の撮像装置において、前記光電変換部に信号電荷を蓄積する期間であって、且つ前記入力ノードのリセットを行う期間に、前記容量を電気的に接続状態にすることを特徴とする撮像装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月4日(2017.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準位置を含む予め定められた操作範囲内で操作可能な或る操作子と、
前記或る操作子に割り当てられている第１パラメータを別の第２パラメータに変更した際に、前記或る操作子が指し示している位置が前記基準位置以外にある場合、前記指し示している位置に対応する前記第２パラメータの値に変化させない制御を実行するパラメータ制御手段と、
を備えることを特徴とする楽音制御装置。
【請求項２】
複数種類のパラメータのいずれかを前記或る操作子に割り当てるパラメータ割り当て手段をさらに備え、
前記パラメータ制御手段は、前記パラメータ割り当て手段によって前記或る操作子に割り当てられていた前記第１パラメータが別の前記第２パラメータに変更された後に、前記或る操作子が指し示している位置を前記基準位置の方向へ移動させる操作をしても前記第２パラメータの値を変化させない制御を継続することを特徴とする請求項１に記載の楽音制御装置。
【請求項３】
複数種類のパラメータのいずれかを前記或る操作子に割り当てるパラメータ割り当て手段をさらに備え、
前記パラメータ制御手段は、前記パラメータ割り当て手段によって前記或る操作子に割り当てられていた前記第１パラメータが別の前記第２パラメータに変更された後に、前記或る操作子が指し示している位置を前記基準位置の方向とは逆方向へ移動させる操作がされた場合、前記或る操作子が指し示している位置に応じて、前記第２パラメータの値を変化させることを特徴とする請求項１に記載の楽音制御装置。
【請求項４】
前記パラメータ制御手段は、前記或る操作子が指し示している位置を当該第２パラメータの設定値に対応させる制御と、前記或る操作子が指し示している位置を当該第２パラメータの値の変更速度に対応させる制御との少なくともいずれかを実行することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の楽音制御装置。
【請求項５】
前記パラメータ制御手段は、前記パラメータ割り当て手段によって前記或る操作子に前記第２パラメータが割り当てられている際に、前記或る操作子が指し示している位置が前記基準位置の方向とは逆方向へ操作された場合、前記或る操作子が指し示している位置への前記基準位置からの変化に応じて、前記第２パラメータの値を変化させることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の楽音制御装置。
【請求項６】
前記パラメータ制御手段は、前記パラメータ割り当て手段によって前記或る操作子に前記第２パラメータが割り当てられている際に、前記或る操作子が指し示している位置が前記基準位置の方向とは逆方向へ操作された場合、前記第２パラメータが割り当てられた時点における前記或る操作子が指し示していた位置からの変化に応じて、前記第２パラメータの値を変化させることを特徴とする請求項２に記載の楽音制御装置。
【請求項７】
前記基準位置は、前記操作範囲内で或る幅を持っている範囲を前記基準位置としてもよいことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の楽音制御装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の楽音制御装置と、
前記楽音制御装置によって制御された楽音を出力する楽音出力手段とを備える電子楽器。
【請求項９】
基準位置を含む予め定められた操作範囲内で操作可能な或る操作子を備える楽音制御装置に用いられる楽音制御方法であって、
前記或る操作子に割り当てられている第１パラメータを別の第２パラメータに変更した際に、前記或る操作子が指し示している位置が前記基準位置以外にある場合、前記指し示している位置に対応する前記第２パラメータの値に変化させない制御を実行することを特徴とする楽音制御方法。
【請求項１０】
基準位置を含む予め定められた操作範囲内で操作可能な或る操作子を備える楽音制御装置に用いられるコンピュータに、
前記或る操作子に割り当てられている第１パラメータを別の第２パラメータに変更した際に、前記或る操作子が指し示している位置が前記基準位置以外にある場合、前記指し示している位置に対応する前記第２パラメータの値に変化させない制御を実行するパラメータ制御機能を実現させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、複数種類のパラメータを共通の操作子で適切に操作できる楽音制御装置等を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の楽音制御装置は、
基準位置を含む予め定められた操作範囲内で操作可能な或る操作子と、
前記或る操作子に割り当てられている第１パラメータを別の第２パラメータに変更した際に、前記或る操作子が指し示している位置が前記基準位置以外にある場合、前記指し示している位置に対応する前記第２パラメータの値に変化させない制御を実行するパラメータ制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、複数種類のパラメータを共通の操作子で適切に操作できる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月13日(2017.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
一方、リング発振器のトポロジだと注入同期用のトランジスタを用いる必要がないため高周波の多相発振器を実現することができる。しかし、リング発振器は、奇数段の増幅器で構成されるのが通常であり、増幅器が偶数段のリング発振器は安定状態になりやすい。このため、リング発振器は、ＱＰＳＫや８相ＰＳＫなどの偶数位相が必要な無線通信システムの局部発振器としては用いられない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明によると、高周波発振器の回路構成を理論的に最適なものにしてデバイスの極限の性能を引き出して１００ＧＨｚ以上の高周波の多相出力を実現することができる。また、増幅器の段数に応じて偶数の出力位相数はもちろん、任意の出力位相数を実現することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
式（１４）、（１５）で表されるＳＭＯＳ、ＳＭＮは、Ｋｕｒｏｋａｗａの一般化Ｓ行列である。そして、ＳＭＮが得られれば、ＳＭＮをＹパラメータやＺパラメータに変換することによって、図３（ａ）に示したようなΠ型の整合回路や、図３（ｂ）に示したようなＴ型の整合回路を得ることができる。なお、図中の「Ｙ１１」、「Ｚ１１」などはＹパラメータやＺパラメータである。これら以外に、例えば、Ｌ型の整合回路も構成可能である。図３に示した整合回路中の各素子は、素子値の周波数特性によってトポロジが決定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
本発明に係る高周波発振器は、１００ＧＨｚ以上の高周波の任意の位相数の多相出力を実現することができるため、テラヘルツセンサや３００ＧＨｚ帯の無線通信システムなどの局部発振器として有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面部分がＳｉとＯとのネットワーク構造である被処理体の表面に有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法であって、
前記被処理体に対し、その表面状態が、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する状態となるような表面処理を行う工程と、
前記表面処理後の被処理体に前記有機単分子膜材料を供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程と
を有し、
前記表面処理により、第１の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域と第２の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第１の有機単分子膜材料を供給して１回目の有機単分子膜を形成し、引き続き第２の有機単分子膜材料を供給して２回目の有機単分子膜を形成することを特徴とする有機単分子膜形成方法。
【請求項２】
少なくとも表面部分がＳｉとＯとのネットワーク構造である被処理体の表面に有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法であって、
前記被処理体に対し、その表面状態が、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する状態となるような表面処理を行う工程と、
前記表面処理後の被処理体に前記有機単分子膜材料を供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程と
を有し、
前記表面処理により、第１の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域と第２の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第１の有機単分子膜材料と前記第２の有機単分子膜材料を一度に供給して有機単分子膜を形成することを特徴とする有機単分子膜形成方法。
【請求項３】
前記有機単分子膜は、自己組織化単分子膜であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機単分子膜形成方法。
【請求項４】
前記表面処理を行う工程は、水素を含むプラズマにより、用いようとする有機単分子膜材料に応じて被処理体表面のＨの量およびＯの量を制御することを特徴とする請求項３に記載の有機単分子膜形成方法。
【請求項５】
前記第１の有機単分子膜材料および前記第２の有機単分子材料のいずれかは、末端にＣの二重結合を有する化合物であり、前記表面処理は、水素を含み酸素を含まないプラズマを用いて行われ、このプラズマにより、被処理体表面に、前記末端にＣの二重結合を有する化合物の結合サイトとして機能するＳｉ−Ｈ結合が形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機単分子膜形成方法。
【請求項６】
前記第１の有機単分子膜材料および前記第２の有機単分子材料のいずれかは、シランカップリング剤であり、前記表面処理は、水素および酸素を含むプラズマを用いて行われ、このプラズマにより、被処理体表面にシランカップリング剤の結合サイトとして機能するＳｉ−Ｈ結合およびＯ−Ｈ結合が形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機単分子膜形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機単分子膜形成方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、自己組織化単分子膜に代表される有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、少なくとも表面部分がＳｉとＯのネットワーク構造を有する被処理体の表面に有機単分子膜を高密度で形成することができる有機単分子膜形成方法を提供することを課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、少なくとも表面部分がＳｉとＯとのネットワーク構造である被処理体の表面に有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法であって、前記被処理体に対し、その表面状態が、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する状態となるような表面処理を行う工程と、前記表面処理後の被処理体に前記有機単分子膜材料を供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程とを有し、前記表面処理により、第１の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域と第２の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第１の有機単分子膜材料を供給して１回目の有機単分子膜を形成し、引き続き第２の有機単分子膜材料を供給して２回目の有機単分子膜を形成することを特徴とする有機単分子膜形成方法を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第２の観点は、少なくとも表面部分がＳｉとＯとのネットワーク構造である被処理体の表面に有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法であって、前記被処理体に対し、その表面状態が、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する状態となるような表面処理を行う工程と、前記表面処理後の被処理体に前記有機単分子膜材料を供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程とを有し、前記表面処理により、第１の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域と第２の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第１の有機単分子膜材料と前記第２の有機単分子膜材料を一度に供給して有機単分子膜を形成することを特徴とする有機単分子膜形成方法を提供する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月12日(2017.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成用基板上のインプリント材と型のパターンとを接触させて、前記インプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント方法であって、
前記インプリント材と前記型のパターンとの接着力を低減させる接着力低減処理の要否を判断する判断工程を含み、
前記判断工程において前記接着力低減処理が必要と判断した場合に、前記パターン形成用基板とは異なる接着力低減用基板上の接着力低減用材料と前記型のパターンとを接触させることにより前記接着力低減処理を行った後、前記インプリント処理を行い、
前記判断工程において前記接着力低減処理が不要と判断した場合に、前記接着力低減処理を行わずに、前記インプリント処理を行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記判断工程において、前記パターン形成用基板上のインプリント材への前記型のパターンの転写の回数が所定の回数を超えた場合に、前記接着力低減処理が必要と判断することを特徴とする、請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記判断工程において、前記パターン形成用基板上のインプリント材への前記型のパターンの転写を複数回行う際において、前記インプリント材を前記型のパターンに充填する時間の総時間が所定の時間を超えた場合に、前記接着力低減処理が必要と判断することを特徴とする、請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記判断工程において、前記パターン形成用基板と前記型との間に混入した異物の個数が所定の個数を超えた場合に、前記接着力低減処理が必要と判断することを特徴とする、請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記接着力低減用基板は、前記パターン形成用基板が保管される保管機構とは異なる基板保管機構から搬送されることを特徴とする、請求項１ないし４のうちいずれか1項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記接着力低減用基板は、前記パターン形成用基板の搬送経路とは異なる経路で基板搬送機構により搬送されることを特徴とする、請求項１ないし５のうちいずれか1項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
パターン形成用基板上のインプリント材と型のパターンとを接触させて、前記インプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント処理を制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記インプリント材と前記型のパターンとの接着力を低減させるための接着力低減処理の要否を判断し、
前記接着力低減処理が必要と判断した場合に、前記パターン形成用基板とは異なる接着力低減用基板上の接着力低減用材料と前記型のパターンとを接触させることにより前記接着力低減処理を行うように制御した後、前記インプリント処理を行うように制御し、
前記接着力低減処理が不要と判断した場合に、前記接着力低減処理を行わずに、前記インプリント処理を行うように制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項８】
請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板上のイン
プリント材にパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
を含み、加工された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
マスク１０２は、融解石英、有機ポリマー、金属を含むが、それらの材料のみに限定される必要はない。マスク１０２は、図３に示すように、中央部に掘り込まれたくぼみ部３０２を有する。くぼみ部３０２の厚みは、１ｍｍ程度が適当である。くぼみ部３０２のない側のマスク面を第１面、くぼみ部３０２のある側のマスク面を第２面とする。第１パターン部３０１は、第１面側のくぼみ領域の中心に形成される。第１パターン部３０１は、第１パターン基部３０５とパターンとからなり、第１パターン基部３０５は、３０μｍ程度の厚みで構成される。第１パターン部３０１は、生産用に使用するパターンが形成される場合、例えば微小なパターンでは数ｎｍ、十数ｎｍのパターンが形成されることもある。このような場合、第１パターン凸部３０４から凹部３０３のパターン深さは、数十ｎｍから数百ｎｍ程度で構成される。また、第１パターン基部３０５は、軸上アライメントスコープ１１６で使用するためのマスク側マーク３０６を備える。本発明では第１パターン凸部３０４から凹部３０３の深さ差のないいわゆるフラットパターンを備えたマスク１０２を使用する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図４にインプリント時にマスクの第１パターン部３０１と基板１０３との間に異物が存在した場合の充填カメラ１１４での観察のされ方を示す。図４（ａ）は、マスク１０２（の第１パターン部３０１）および基板１０３と異物４０１ａとの関係を示している。このように異物４０１ａが基板１０３とマスク１０２との間に存在する場合、光硬化性樹脂２０１の厚みは約５０μｍ、異物４０１ａの大きさは数μｍ〜十数μｍ以下、基板１０３およびマスク１０２の第１パターン部３０１の厚みは７００〜１０００μｍである。また、マスク１０２と光硬化性樹脂２０１の屈折率は、充填カメラ１１４の撮像波長において、充填カメラ１１４が検知しえないほど近しいものとする。図４（ｂ）は、光硬化性樹脂２０１を回路パターンへ充填した後、マスク１０２を光硬化性樹脂２０１から離型する前の充填カメラ１１４による観察画像４０２を示している。異物４０１ａの存在が光硬化性樹脂２０１の充填を阻害し、光硬化性樹脂２０１の第１パターン部３０１の間に膜厚むら、空隙ができる。このため、離型前の充填カメラ画像では、異物４０１ａに対応する観察異物４０１ｂが充填カメラ画像で観察される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月8日(2017.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱輸送流体を流通させて発熱体を冷却する液冷ジャケットであって、
複数のフィンで区画された複数の本体流路を有する液冷本体と、
前記発熱体が固定される固定用ピンと、
複数の前記本体流路の一端側に連結される上流側ヘッダーと、
複数の前記本体流路の他端側に連結される下流側ヘッダーと、
前記液冷本体、前記上流側ヘッダー及び前記下流側ヘッダーの一方側に配設される一方面材及び他方側に配設される他方面材と、を有し、
前記液冷本体には、前記本体流路に連通するとともに一方面側に開口する孔部が形成されており、
前記固定用ピンは、前記孔部に挿入されており、
前記液冷本体の一方面側に、前記発熱体に接触するとともに前記フィンと一体成形された受熱部が形成されており、
前記一方面材には、前記受熱部を露出させるための開口部が形成されていることを特徴とする液冷ジャケット。
【請求項２】
前記一方面材及び前記他方面材には、予めロウ材層が形成されており、
前記液冷本体、前記上流側ヘッダー及び前記下流側ヘッダーは、前記一方面材とロウ付けされるとともに、前記他方面材とロウ付けされていることを特徴とする請求項１に記載の液冷ジャケット。
【請求項３】
前記液冷本体と前記上流側ヘッダーとの間に、前記熱輸送流体の流れを整える整流板が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液冷ジャケット。
【請求項４】
発熱体を冷却する液冷ジャケットの製造方法であって、
熱輸送流体の流路となる複数の本体流路を有する形材を用意し、前記本体流路に連通する孔部を形成する準備工程と、
前記発熱体が固定される固定用ピンを前記孔部に挿入する挿入工程と、
前記形材と、複数の前記本体流路の一端側に連結される上流側ヘッダーと、複数の前記本体流路の他端側に連結される下流側ヘッダーとを、ロウ材層が積層された一方面材と他方面材との間に配置する配置工程と、
前記ロウ材層を溶融させるロウ付け工程と、を含むことを特徴とする液冷ジャケットの製造方法。
【請求項５】
前記一方面材に開口部を形成し、
前記配置工程では、前記形材の受熱部が前記開口部を介して露出するように前記一方面材を配置することを特徴とする請求項４に記載の液冷ジャケットの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記課題を解決するために、本発明は、熱輸送流体を流通させて発熱体を冷却する液冷ジャケットであって、複数のフィンで区画された複数の本体流路を有する液冷本体と、前記発熱体が固定される固定用ピンと、複数の前記本体流路の一端側に連結される上流側ヘッダーと、複数の前記本体流路の他端側に連結される下流側ヘッダーと、前記液冷本体、前記上流側ヘッダー及び前記下流側ヘッダーの一方側に配設される一方面材及び他方側に配設される他方面材と、を有し、前記液冷本体には、前記本体流路に連通するとともに一方面側に開口する孔部が形成されており、前記固定用ピンは、前記孔部に挿入されており、前記液冷本体の一方面側に、前記発熱体に接触するとともに前記フィンと一体成形された受熱部が形成されており、前記一方面材には、前記受熱部を露出させるための開口部が形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
かかる構成では、発熱体を固定するための固定用ピンが本体流路に連通する孔部に配置される。これにより、固定用ピンの外面に熱輸送流体が接触するようになるため、発熱体を固定するための締結具を介して固定用ピンに伝達される熱を効率よく排出することができる。つまり、発熱体を固定するための締結具を介しての熱リークを防ぐことができる。また、発熱体を固定するための固定用ピンが液冷本体の内部に配置されるため、液冷ジャケットの小型化を図ることができる。また、特許文献２のようにフィンから受熱面までの熱経路にロウ材等が介在していると熱伝導性が低下するが、受熱部とフィンとが一体形成されていれば、熱伝導性を高めることができる。また、一方面材及び他方面材で液冷本体、上流側ヘッダー及び下流側ヘッダーを挟むことで液冷ジャケットを一体化することができる。また、一方面材に、液冷本体の受熱部が露出する開口部が設けられているため、受熱部と発熱体とを直接接触させることができる。これにより、熱伝導性をより高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、前記一方面材に開口部を形成し、前記配置工程では、前記形材の受熱部が前記開口部を介して露出するように前記一方面材を配置することが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
貫通孔７３は、上下方向に貫通しており、下面材７０の左端の隅部に一対形成されている。貫通孔７３，７３は、それぞれ同等の大きさになっており、平面視円形を呈する。貫通孔７３の中心軸と切欠き孔３７，６２（図２参照）が対向して形成される切欠き孔の中心軸とは同軸になっている。また、貫通孔７３の中心軸と切欠き孔４７，６３（図２参照）が対向して形成される切欠き孔の中心軸とは同軸になっている。貫通孔７３の内径は、切欠き孔３７，６２が対向して形成される切欠き孔及び切欠き孔４７，６３が対向して形成される切欠き孔の内径よりも若干小さくなっている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
以上説明した本実施形態に係る液冷ジャケット１によれば、発熱体Ｈで発生した熱は、液冷本体１０の本体流路１６を流れる熱輸送流体によって外部に輸送される。これにより、発熱体Ｈを冷却することができる。本実施形態では、発熱体Ｈの下面を上側受熱部１２の受熱面１２ａに面接触させているため、冷却効率を高めることができる。また、図１１の（ａ）及び（ｂ）に示すように、受熱面１２ａの全面に複数のフィン１４が形成されているため、より冷却効率を高めることができる。さらに、液冷本体１０は押し出し成形によって一体成形されているため、フィン１４から受熱面１２ａまでの熱経路においてロウ材等の接合材が介在しない。これにより、熱伝導性の低下を防ぐことができるため、より冷却効率を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月1日(2017.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
厚膜部２３Ｔでは、その厚みが中央部に近い位置からゲート絶縁膜２３の縁まで同じとなっている。ゲート絶縁膜２３では、厚膜部２３Ｔとそれ以外の部分（厚膜部２３Ｔよりも厚みの小さい部分）との間に段差が生じており、例えば厚膜部２３Ｔは略直角の角部を有している。このようなゲート絶縁膜２３の厚膜部２３Ｔは、傾斜面１３Ｓを形成せずに絶縁材料膜１３Ｍのエッチングを行うことにより、形成することが可能である（図２Ｃ）。したがって、角部を有する厚膜部２３Ｔでは、酸化物半導体膜１２に局所的に生じる電界が若干大きくなる可能性があるものの、簡便な方法で形成することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図２０に、半導体装置１Ｃの電流電圧特性を半導体装置１Ａ，１０１とともに示す。図２０の横軸はドレイン―ソース間電圧Ｖｄｓを表し、縦軸はドレイン電流Ｉｄを表す。半導体装置１０１の構成は図７で説明したものと同様とし、半導体装置１Ａの構成は図１２で説明したものと同様とした。半導体装置１Ｃでは、酸化物半導体膜１２の厚みを５０ｎｍとし、厚膜部２３Ｔ以外の部分のゲート絶縁膜２３の厚みを１００ｎｍ、両側の厚膜部２３Ｔの厚みを２００ｎｍ、厚膜部２３Ｔの距離を０．５μｍとした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
＜適用例＞
図３０は、上記半導体装置１を駆動素子として備えた表示装置（表示装置５）の断面構成を表すものである。この表示装置５はアクティブマトリクス型の有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置であり、半導体装置１と半導体装置１により駆動される有機ＥＬ素子５０をそれぞれ複数有している。図３０には、一の半導体装置１および有機ＥＬ素子５０に対応する領域（サブピクセル）を示す。図３０には、半導体装置１を有する表示装置５を示したが、表示装置５は、半導体装置１に代えて、上記半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，２Ａ，２Ｂを備えていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
第１電極５１は、接続孔Ｈ３を埋め込むように平坦化膜１９上に設けられている。この第１電極５１は、例えばアノードとして機能するものであり、素子毎に設けられている。表示装置５がボトムエミッション方式である場合には、第１電極５１を透明導電膜、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）またはインジウム亜鉛オキシド（ＩｎＺｎＯ）等のいずれかよりなる単層膜またはこれらのうちの２種以上からなる積層膜により構成する。一方、表示装置５がトップエミッション方式である場合には、第１電極５１を、反射性の金属、例えば、アルミニウム，マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）のうちの１種からなる単体金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金よりなる単層膜、あるいは単体金属または合金を積層した多層膜により構成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
第２電極５３は、例えば、カソードとして機能するものであり、金属導電膜により構成されている。表示装置５がボトムエミッション方式である場合には、この第２電極５３を反射性の金属、例えば、アルミニウム，マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）のうちの１種からなる単体金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金よりなる単層膜、あるいは単体金属または合金を積層した多層膜により構成する。一方、表示装置５がトップエミッション方式である場合には、第２電極５３にＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を用いる。この第２電極５３は、第１電極５１と絶縁された状態で例えば各素子に共通して設けられている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
更にまた、本技術は、有機ＥＬ素子のほか、液晶表示素子、電気泳動型表示素子、無機エレクトロルミネッセンス素子などの他の表示素子を用いた表示装置にも適用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月29日(2017.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空隙を有する活物質成形体と、
前記活物質成形体の表面を覆う固体電解質と、を備え、
前記固体電解質は結晶質電解質と非晶質電解質とを含むことを特徴とする電極複合体。
【請求項２】
前記結晶質電解質は、前記活物質成形体を構成する粒子状の電解質の表面に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載の電極複合体。
【請求項３】
前記非晶質電解質は、前記結晶質電解質を覆うように形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電極複合体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電極複合体を備えたリチウム電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電極複合体及びリチウム電池
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電極複合体及びリチウム電池に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月15日(2017.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
いくつかの実施形態は、複数の直交面を有する試料を回転試料ホルダに連結し、複数の角度のそれぞれに対して試料の複数の直交面のそれぞれの面が荷電粒子ビーム装置によって生成される電子ビームにさらされかつ電子ビームに垂直にされるように、回転試料ホルダを複数の角度に回転させ、複数の角度のそれぞれにおいて、試料の複数の直交面のそれぞれを透過した電子ビームからの電子を検出し、試料の複数の直交面のそれぞれにおいて試料を透過した検出された電子から試料の複数の直交画像を生成するための、方法および試料を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム装置において試料の直交画像を得るための方法であって、
互いに平行でない３つの直交面を有する試料を回転試料ホルダに連結することと、
複数の角度のそれぞれにつき前記３つの直交面のうちの異なる１つの直交面が前記荷電粒子ビーム装置によって生成された電子ビームにさらされかつ前記電子ビームに対して垂直になるように、前記回転試料ホルダを前記複数の角度に回転させることと、
前記複数の角度のそれぞれにおいて、前記３つの直交面のそれぞれを透過した前記電子ビームからの前記電子を検出することと、
前記３つの直交面のそれぞれにおいて前記試料を透過した前記検出された電子から前記試料の３つの直交する画像を生成することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記回転試料ホルダを複数の角度に回転させることが、ゼロ度、＋／−１２０度、および２４０度からなる群から選択された少なくとも２つの角度に前記回転試料ホルダを回転させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
互いに平行でない３つの直交面を有する試料を回転試料ホルダに連結することが、３つの直交面を有する立方体関心領域を含む円筒柱を、前記円筒柱の軸が前記立方体関心領域の対蹠的な頂点を通過するように、前記回転試料ホルダに連結することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記円筒柱を前記回転試料ホルダに連結することが、前記円筒柱を前記回転試料ホルダに溶接することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
互いに平行でない３つの直交面を有する試料を回転試料ホルダに連結することが、
針の軸が立方体試料の対蹠的な頂点を通過するように前記立方体試料を前記針に取り付けることと、
前記針を前記回転試料ホルダに連結することと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記針を前記回転試料ホルダに連結することが、前記針を前記回転試料ホルダに溶接することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記立方体試料を前記針に取り付けることが、
前記荷電粒子ビーム装置において環状集束イオン・ビーム・ミリングにより前記針を作ることと、
前記荷電粒子ビーム装置において集束イオン・ビームを使用してより大きい試料から前記立方体試料を作ることと、
前記針の軸が前記立方体試料の対蹠的な頂点を通過するように、前記針を前記立方体試料に溶接することと、
前記針に取り付けられた前記立方体試料を前記より大きい試料から分離することと
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記回転試料ホルダが、前記荷電粒子ビーム装置内の壁を斜めの角度で通過する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記回転試料ホルダが、歯車を介して斜めの角度で回転アームに連結され、また、前記回転アームが、前記荷電粒子ビーム装置内の壁を直角に通過する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記回転試料ホルダを複数の角度に回転させることが、前記回転アームの複数の角度への回転が前記歯車により前記回転試料ホルダの前記複数の角度への回転に伝達されるように前記回転アームを前記複数の角度に回転させることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記歯車が、斜交かさ歯車またはねじ歯車のうちの少なくとも１つである、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記試料は立方体試料であり、
前記立方体試料は、針の軸が前記立方体試料の対蹠的な頂点を通過するように前記回転試料ホルダに連結された針に取り付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
電子ビームを使用して多方向の観察を行う透過電子顕微鏡用の試料アセンブリであって、
互いに平行でない少なくとも３つの観察面を有する試料であって、前記観察面のそれぞれに直交する厚さが２００ｎｍ未満である試料と、
前記試料が取り付けられる針であって、２つ以上の軸の周りで回転可能であり、そのため前記観察面のうちの少なくとも３つの観察面を透過電子顕微鏡の電子ビームに対して垂直に配向することができる針を含む試料保持装置と
を備える、試料アセンブリ。
【請求項１４】
互いに平行でない少なくとも３つの観察面を有する試料に電子ビームを透過させるための電子ビーム源を備える電子顕微鏡と、
前記試料を保持するための試料ホルダであって、前記試料ホルダは前記試料を取り付けるための針を含み、前記針が、２つ以上の軸の周りで回転可能であり、前記試料を前記針に取り付けている間に、少なくとも３つの観察面のそれぞれを前記電子顕微鏡の前記電子ビームに対して垂直に配向することができる試料ホルダと、
前記電子ビームが、前記少なくとも３つの観察面のうちの１つの観察面に対して垂直な前記試料のそれぞれの配向において、前記試料を透過し前記試料から放出された前記電子ビームの電子を検出するよう構成された少なくとも１つの検出器と
を備える、荷電粒子ビーム装置。
【請求項１５】
前記針が、ゼロ度、＋／−１２０度、および２４０度からなる群から選択された少なくとも２つの角度に回転可能である、請求項１４に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１６】
前記試料が、前記針に溶接される、請求項１４に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１７】
前記試料ホルダが回転可能な軸を含み、
前記針が、前記回転可能な軸に溶接され、前記回転可能な軸の回転が前記針を回転させる、請求項１４に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１８】
前記試料ホルダが、前記荷電粒子ビーム装置内の壁を斜めの角度で通過する、請求項１４に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１９】
前記試料ホルダが、歯車を介して斜めの角度で回転アームに連結され、前記回転アームが、前記荷電粒子ビーム装置内の壁を直角に通過する、請求項１４に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項２０】
前記回転アーム、前記回転歯車、前記回転試料ホルダが、
前記回転アームの第１の回転軸の周りの回転により、前記歯車が前記回転試料ホルダを、前記第１の回転軸とは異なる第２の回転軸の周りで回転させ、
前記回転アームを回転させることにより、前記回転試料ホルダを複数の角度に回転させることができ、
前記複数の角度のそれぞれについて、前記少なくとも３つの観察面のうちの異なる１つの観察面が、前記電子ビームにさらされかつ前記電子ビームに対して垂直である
ように構成される、請求項１９に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項２１】
前記歯車が、斜交かさ歯車またはねじ歯車のうちの少なくとも１つである、請求項１９に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項２２】
前記試料の表面が、互いに平行でない３つの直交面で構成される、請求項１に記載の方法。