【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年2月28日(2017.2.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の変換セルを備える電力変換器によって電力を変換することと、
電力基準信号のレベルに基づいて、活性モード及び非活性モードのうちの一方で前記複数の変換セルのうちの少なくとも１つの変換セルを選択的に動作させることと、
を含み、
前記複数の変換セルのそれぞれは、セル電圧を受け取るように構成されるセル入力と、セル出力とを備え、
前記複数の変換セルの前記セル出力は並列接続され、前記複数の変換セルの前記セル出力を含む並列回路は、前記電力変換器の出力に結合され、
前記複数の変換セルは、前記電力基準信号に基づいて、出力電圧と、前記電力変換器の前記出力での出力電流とのうちの一方を制御するように構成され、
前記電力基準信号は、出力電流基準信号を含み、
前記少なくとも１つの変換セルを前記活性モード及び前記非活性モードのうちの一方で動作させることは、
前記出力電流基準信号の前記レベルに基づいて、前記非活性モードで動作すべき変換セルの数Ｋを選択することと、
最低セル入力電圧を受け取るＫ個の変換セルを識別することと、
前記識別された変換セルを前記非活性モードで動作させることと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの変換セルが前記非活性モードで動作する場合、前記複数の変換セルのうちの少なくとも１つの他の変換セルを活性モードで動作させることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の変換セルのうちの前記少なくとも１つの他の変換セルは、前記複数の変換セルのうちの残りを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの変換セルを前記非活性モードで動作させることは、前記少なくとも１つの変換セルによってゼロ電力を変換することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記電力基準信号の前記レベルに基づいて、前記活性モード及び前記非活性モードのうちの一方で前記少なくとも１つの変換セルを動作させることは、
前記電力基準信号の前記レベルが、所定の閾値を下回る場合、前記少なくとも１つの変換セルを前記非活性モードで動作させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの変換セルを前記活性モードで動作させることは、スイッチング周波数においてＰＷＭ（パルス幅変調）方式で、前記少なくとも１つの変換セル内の少なくとも１つのスイッチを動作させることを含み、
前記少なくとも１つの変換セルを前記非活性モードで動作させることは、前記スイッチング周波数の逆数の少なくとも１０倍である持続時間にわたり、前記非活性モードで前記少なくとも１つの変換セルを動作させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの変換セルを前記非活性モードで動作させることは、前記電力基準信号の前記レベルに基づいて前記非活性モードで動作する変換セルの数を設定することを含み、前記数は、前記レベルの低減に伴って増大する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記複数の変換セルのうちの前記少なくとも１つを前記活性モード及び前記非活性モードのうちの一方で動作させることは、前記出力電流基準信号のレベルが所定の電流閾値を下回る場合、前記複数の変換セルのうちの前記少なくとも１つを前記非活性モードで動作させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記選択すること、前記識別すること、及び前記動作させることを繰り返すことを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記繰り返すことは、定期的に繰り返すことを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記繰り返すことは、前記複数の変換セルのうちの１つの入力電圧の電圧レベルが、所定の電圧閾値を下回る場合に繰り返すことを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の変換セルは、出力電圧を略一定に制御するように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の変換セルのそれぞれの前記セル入力において、別の電力変換器によりセル入力電圧を提供することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記別の電力変換器は少なくとも１つの変換セルを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記電力変換器及び前記別の電力変換器は、複数のコンデンサによってリンクされる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記セル入力電圧のそれぞれは、前記複数のコンデンサのそれぞれ１つの電圧である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記別の電力変換器は、前記セル入力電圧の和を制御するように構成される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数の変換セルのそれぞれは、セル入力と、セル出力電圧を提供するように構成されるセル出力とを備え、
前記複数の変換セルの前記セル入力は並列接続され、前記複数の変換セルの前記セル入力を含む並列回路は、前記電力変換器の入力に結合される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数の変換セルは、前記電力基準信号に基づいて、入力電圧と、前記電力変換器の前記入力での入力電流とのうちの一方を制御するように構成され、
前記電力基準信号は、入力電流基準信号を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記複数の変換セルのうちの前記少なくとも１つを前記活性モード及び前記非活性モードのうちの一方で動作させることは、前記入力電流基準信号の電流レベルが、所定の電流閾値を下回る場合、前記複数の変換セルのうちの前記少なくとも１つを前記非活性モードで動作させることを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの変換セルを前記活性モード及び前記非活性モードのうちの一方で動作させることは、
前記入力電流基準信号の前記レベルに基づいて、前記非活性モードで動作すべき変換セルの数Ｋを選択することと、
最高セル出力電圧を有するＫ個の変換セルを識別することと、
前記識別された変換セルを前記非活性モードで動作させることと、
を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記選択すること、前記識別すること、及び前記動作させることを繰り返すことを更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記繰り返すことは、定期的に繰り返すことを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記繰り返すことは、複数の第２の変換セルのうちの１つの入力電圧の電圧レベルが、所定の電圧閾値を上回って上昇する場合に繰り返すことを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記複数の変換セルは、前記入力電圧を略一定に制御するように構成される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
前記複数の変換セルのそれぞれの前記セル出力において、別の電力変換器によりセル出力電圧を受け取ることを更に含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２７】
前記別の電力変換器は１つのみの変換セルを備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記電力変換器及び前記更なる電力変換器は、複数のコンデンサによってリンクされる、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記セル出力電圧のそれぞれは、前記複数のコンデンサのそれぞれ１つの電圧である、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
電力変換器を備える電力変換回路であって、
複数の変換セルと、
電力基準信号のレベルに基づいて、活性モード及び非活性モードのうちの一方で、前記複数の変換セルのうちの少なくとも１つの変換セルを動作させるように構成されるコントローラと、
を備え、
前記複数の変換セルのそれぞれは、セル入力電圧を受け取るように構成されるセル入力と、セル出力とを備え、
前記複数の変換セルの前記セル出力は並列接続され、前記複数の変換セルの前記セル出力を含む並列回路は、前記電力変換器の出力に結合され、
前記コントローラは、前記電力基準信号の前記レベルに基づいて、出力電圧と、前記電力変換器の前記出力での出力電流とのうちの一方を制御するように構成され、
前記電力基準信号は、出力電流基準信号を含み、
前記コントローラは、
前記出力電流基準信号の前記レベルに基づいて、前記非活性モードで動作すべき変換セルの数Ｋを選択し、
最低セル入力電圧を受け取るＫ個の変換セルを識別し、及び
前記識別された変換セルを前記非活性モードで動作させる
ように構成される、電力変換回路。
【請求項３１】
前記コントローラは、前記出力電流基準信号のレベルが、所定の電流閾値を下回る場合、前記非活性モードで前記複数の変換セルのうちの前記少なくとも１つを動作させるように構成される、請求項３０に記載の電力変換回路。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
電力変換回路は、入力ＩＮ１、ＩＮ２において入力電力を受け取るように構成される第１の変換器１０と、出力ＯＵＴ１、ＯＵＴ２において出力電力を提供するように構成される第２の電力変換器２０とを含む。第１の電力変換器１０及び第２の電力変換器のうちの少なくとも一方は、複数の電力変換セルを含み、複数の電力変換セルは、以下、変換セルと略して呼ばれる。図１に示される実施形態では、第１の電力変換器１０は複数の変換セル１１〜１Ｎ１を含み、第２の電力変換器２０は複数の変換セル２１〜２Ｎ３を含む。これらの変換セルは、図１において概略的にのみ示される。第１の電力変換器１０及び第２の電力変換器２０は、複数のコンデンサ１１１〜１１Ｎ２によってリンクされる。これらのコンデンサ１１１〜１１Ｎ２は、以下、ＤＣリンクコンデンサとも呼ばれる。個々のＤＣリンクコンデンサのキャパシタンスは、少数の例を挙げれば、出力電圧の入力電圧及び／又は出力電圧の波形又は電力変換器回路の電力定格等の幾つかの側面に依存する。一実施形態によれば、ＤＣリンクコンデンサのキャパシタンスは、２ｕＦ等の数マイクロファラデー（μＦ）〜９ｍＦ等の数ミリファラデー（ｍＦ）の範囲から選択される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２９２】
ボディダイオードが導通する場合、ＭＯＳＦＥＴのボディダイオードに蓄えられている電荷は、特に、ＭＯＳＦＥＴのいわゆる出力キャパシタンスに依存する。この出力キャパシタンス及びボディダイオードに蓄えられた電荷は、ＭＯＳＦＥＴの電圧遮断性能が増大するにつれて増大し、出力キャパシタンスは指数的に増大する。すなわち、出力キャパシタンスはＶＢｃの関数であり、但し、ｂ＞１であり、ＶＢは電圧遮断性能を示す。この比較的高い出力キャパシタンスにより、変換器シリコンＭＯＳＦＥＴは、トーテムポールトポロジを有する電力変換器でのスイッチの実施に適するものとして見なされなかった。これに関連して、（非特許文献３）が参照される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２９４】
ＩＳ又はＯＳ変換器では、全体オン抵抗は、１つのスイッチのオン抵抗のＮ１（又はＮ３）倍であり、したがって、オン抵抗は、変換セルの数が増えるにつれて線形に増大する。しかし、個々の変換セルのスイッチに蓄えられる全体逆回復電荷は、指数的に低減する。これは、一例として以下に示される。シリコンＭＯＳＦＥＴでは、ボディダイオードが順方向バイアス状態から逆方向バイアス状態に切り替わる場合、ＭＯＳＦＥＴから除去する必要があるオン抵抗と電荷との関係、すなわち、ＲＯＮ・ＱＲＥＶ＿ＲＥＣを記述する性能指数（ＦＯＭ）がある（ＱＲＥＶ＿ＲＥＣは、Ｑｒｒ＋Ｑｏｓｓと呼ばれることが多く、ここで、Ｑｏｓｓは出力キャパシタンスに蓄えられる電荷であり、Ｑｒｒは順方向電流から逆方向電流に切り換えられる場合にダイオードに蓄えられる電荷である）。オン抵抗は、ＭＯＳＦＥＴにより大きなチップ面積を設計することによって低減することができ、オン抵抗ＲＯＮは、チップ面積に略反比例する。しかし、ＱＲＥＶ＿ＲＥＣはチップ面積に略比例するため、上記で定義されるＦＯＭは、チップ面積から略独立し、主に、電圧遮断性能及び特定の設計に依存する。