【手続補正書】
【提出日】平成29年2月10日(2017.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、金属酸化物膜と、を有する半導体装置であって、
前記金属酸化物膜は、結晶を有し、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す下記の図１において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、８：１４：７である第１の座標Ｋと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：５：７である第２の座標Ｌと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、５１：１４９：３００である第３の座標Ｍと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、４６：２８８：８３３である第４の座標Ｎと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、０：２：１１である第５の座標Ｏと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、０：０：１である第６の座標Ｐと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、１：０：０である第７の座標Ｑと、
前記第１の座標Ｋと、で囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする半導体装置。
2016189479.tif 000001
【請求項２】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、金属酸化物膜と、を有する半導体装置であって、
前記金属酸化物膜は、結晶を有し、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す下記の図２において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：２：１である第１の座標Ａと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２３：２７：２５である第２の座標Ｂと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、８：１２：３５である第３の座標Ｃと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、４：０：７である第４の座標Ｄと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：０：３である第５の座標Ｅと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、７：１：８である第６の座標Ｆと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、１５：５：８である第７の座標Ｇと、
前記第１の座標Ａと、で囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする半導体装置。
2016189479.tif 000002
【請求項３】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、金属酸化物膜と、を有する半導体装置であって、
前記金属酸化物膜は、結晶を有し、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す下記の図３において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、３５：２０：２２である第１の座標Ｈと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、７：４：１１である第２の座標Ｉと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、５：１：６である第３の座標Ｊと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２５：１０：１４である第４の座標Ｕと、
前記第１の座標Ｈと、で囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする半導体装置。
2016189479.tif 000003
【請求項４】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、金属酸化物膜と、を有する半導体装置であって、
前記金属酸化物膜は、結晶を有し、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す相図において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、８：１４：７である第１の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：５：７である第２の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、５１：１４９：３００である第３の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、４６：２８８：８３３である第４の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、０：２：１１である第５の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、０：０：１である第６の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、１：０：０である第７の座標と、
前記第１の座標と、を順に結んで囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、金属酸化物膜と、を有する半導体装置であって、
前記金属酸化物膜は、結晶を有し、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す相図において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：２：１である第１の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２３：２７：２５である第２の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、８：１２：３５である第３の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、４：０：７である第４の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：０：３である第５の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、７：１：８である第６の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、１５：５：８である第７の座標と、
前記第１の座標と、を順に結んで囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、金属酸化物膜と、を有する半導体装置であって、
前記金属酸化物膜は、結晶を有し、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す相図において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、３５：２０：２２である第１の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、７：４：１１である第２の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、５：１：６である第３の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２５：１０：１４である第４の座標と、
前記第１の座標と、を順番に結んだ領域内の組成を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、金属酸化物膜と、を有する半導体装置であって、
前記金属酸化物膜は、結晶を有し、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す相図において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：２：１である第１の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２３：２７：２５である第２の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、８：１２：３５である第３の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、４：０：７である第４の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：０：３である第５の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、７：１：８である第６の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、１０：４：７である第７の座標と、
前記第１の座標と、を順に結んで囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
結晶を有する金属酸化物膜であって、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す下記の図１において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、８：１４：７である第１の座標Ｋと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：５：７である第２の座標Ｌと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、５１：１４９：３００である第３の座標Ｍと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、４６：２８８：８３３である第４の座標Ｎと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、０：２：１１である第５の座標Ｏと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、０：０：１である第６の座標Ｐと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、１：０：０である第７の座標Ｑと、
前記第１の座標Ｋと、で囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする金属酸化物膜。
2016189479.tif 000004
【請求項９】
結晶を有する金属酸化物膜であって、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す下記の図２において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：２：１である第１の座標Ａと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２３：２７：２５である第２の座標Ｂと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、８：１２：３５である第３の座標Ｃと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、４：０：７である第４の座標Ｄと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：０：３である第５の座標Ｅと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、７：１：８である第６の座標Ｆと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、１５：５：８である第７の座標Ｇと、
前記第１の座標Ａと、で囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする金属酸化物膜。
2016189479.tif 000005
【請求項１０】
結晶を有する金属酸化物膜であって、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す下記の図３において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、３５：２０：２２である第１の座標Ｈと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、７：４：１１である第２の座標Ｉと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、５：１：６である第３の座標Ｊと、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２５：１０：１４である第４の座標Ｕと、
前記第１の座標Ｈと、で囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする金属酸化物膜。
2016189479.tif 000006
【請求項１１】
結晶を有する金属酸化物膜であって、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す相図において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、８：１４：７である第１の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：５：７である第２の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、５１：１４９：３００である第３の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、４６：２８８：８３３である第４の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、０：２：１１である第５の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、０：０：１である第６の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、１：０：０である第７の座標と、
前記第１の座標と、を順に結んで囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする金属酸化物膜。
【請求項１２】
結晶を有する金属酸化物膜であって、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す相図において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：２：１である第１の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２３：２７：２５である第２の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、８：１２：３５である第３の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、４：０：７である第４の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：０：３である第５の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、７：１：８である第６の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、１５：５：８である第７の座標と、
前記第１の座標と、を順に結んで囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする金属酸化物膜。
【請求項１３】
結晶を有する金属酸化物膜であって、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す相図において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、３５：２０：２２である第１の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、７：４：１１である第２の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、５：１：６である第３の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２５：１０：１４である第４の座標と、
前記第１の座標と、を順番に結んだ領域内の組成を有することを特徴とする金属酸化物膜。
【請求項１４】
結晶を有する金属酸化物膜であって、
前記結晶は、ｃ軸配向性を有し、
前記金属酸化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、の原子数比を示す相図において、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：２：１である第１の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２３：２７：２５である第２の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、８：１２：３５である第３の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、４：０：７である第４の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、２：０：３である第５の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、７：１：８である第６の座標と、
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎの原子数比が、１０：４：７である第７の座標と、
前記第１の座標と、を順に結んで囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする金属酸化物膜。