【手続補正書】
【提出日】平成29年2月23日(2017.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、周端部に設けられ前記第１主面の一部を形成するシールリングと、を有し、多結晶セラミック焼結体であるセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面との間に介設され、前記セラミック誘電体基板に一体焼結された電極層と、
を備え、
前記電極層は、互いに離間して配設された複数の電極要素を含み、
前記第１主面と直交する方向にみて、前記セラミック誘電体基板の外周と、前記電極層の外周と、の間隔が均一となるように前記セラミック誘電体基板の外周が設けられ、
前記方向にみて、前記電極層の外周と前記セラミック誘電体基板の外周との間隔が、前記複数の電極要素の間隔よりも狭く、
前記シールリングの幅は、０．３ミリメートル以上３ミリメートル以下であり、
前記方向にみたときに、前記電極層が、前記シールリングと重複する幅は、−０．７ミリメートル以上２ミリメートル以下であることを特徴とする静電チャック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、周端部に設けられ前記第１主面の一部を形成するシールリングと、を有し、多結晶セラミック焼結体であるセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面との間に介設され、前記セラミック誘電体基板に一体焼結された電極層と、
を備え、
前記第１主面と直交する方向にみて、前記セラミック誘電体基板の外周と、前記電極層の外周と、の間隔が均一となるように前記セラミック誘電体基板の外周が設けられ、
前記セラミック誘電体基板の中央から外周方向に伸ばした第１仮想線上において、前記電極層の外周と、前記セラミック誘電体基板の外周と、の間隔の相互誤差が２００マイクロメートル以下であり、
前記シールリングの幅は、０．３ミリメートル以上３ミリメートル以下であり、
前記方向にみたときに、前記電極層が、前記シールリングと重複する幅は、−０．７ミリメートル以上２ミリメートル以下であることを特徴とする静電チャック。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、周端部に設けられ前記第１主面の一部を形成するシールリングと、を有し、多結晶セラミック焼結体であるセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面との間に介設され、前記セラミック誘電体基板に一体焼結された電極層と、
を備え、
前記第１主面と直交する方向にみて、前記セラミック誘電体基板の外周と、前記電極層の外周と、の間隔が均一となるように前記セラミック誘電体基板の外周が設けられ、
前記セラミック誘電体基板の中央から外周方向に伸ばした第１仮想線上において、前記電極層の外周と、前記セラミック誘電体基板の外周と、の間隔を間隔Ｘ１、前記セラミック誘電体基板の中央から外周方向に伸ばした仮想線であって前記第１仮想線とは反対側に伸ばした第２仮想線上において、前記電極層の外周と、前記セラミック誘電体基板の外周と、の間隔を間隔Ｘ２、前記電極層の外周における外径を外径Ｘ５、としたときに、｜Ｘ１−Ｘ２｜／Ｘ５が０％以上０．０７％以下であり、
前記シールリングの幅は、０．３ミリメートル以上３ミリメートル以下であり、
前記方向にみたときに、前記電極層が、前記シールリングと重複する幅は、−０．７ミリメートル以上２ミリメートル以下であることを特徴とする静電チャック。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、周端部に設けられ前記第１主面の一部を形成するシールリングと、を有し、多結晶セラミック焼結体であるセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面との間に介設され、前記セラミック誘電体基板に一体焼結された電極層と、
を備え、
前記第１主面と直交する方向にみて、前記セラミック誘電体基板の外周と、前記電極層の外周と、の間隔が均一となるように前記セラミック誘電体基板の外周が設けられ、
前記セラミック誘電体基板の中央から外周方向に伸ばした第１仮想線上において、前記電極層の外周と、前記セラミック誘電体基板の外周と、の間隔は、２ミリメートル以下とされ、
前記電極層の外周と、前記セラミック誘電体基板の外周と、の間隔の相互誤差が２００マイクロメートル以下であり、
前記シールリングの内周側端部と前記電極層の外周端部との間の直線距離が、−２ミリ以上２ミリメートル以下であることを特徴とする静電チャック。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第１の発明は、処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、周端部に設けられ前記第１主面の一部を形成するシールリングと、を有し、多結晶セラミック焼結体であるセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面との間に介設され、前記セラミック誘電体基板に一体焼結された電極層と、を備え、前記電極層は、互いに離間して配設された複数の電極要素を含み、前記第１主面と直交する方向にみて、前記セラミック誘電体基板の外周と、前記電極層の外周と、の間隔が均一となるように前記セラミック誘電体基板の外周が設けられ、前記方向にみて、前記電極層の外周と前記セラミック誘電体基板の外周との間隔が、前記複数の電極要素の間隔よりも狭く、前記シールリングの幅は、０．３ミリメートル以上３ミリメートル以下であり、前記方向にみたときに、前記電極層が、前記シールリングと重複する幅は、−０．７ミリメートル以上２ミリメートル以下であることを特徴とする静電チャックである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第２の発明は、処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、周端部に設けられ前記第１主面の一部を形成するシールリングと、を有し、多結晶セラミック焼結体であるセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面との間に介設され、前記セラミック誘電体基板に一体焼結された電極層と、を備え、前記第１主面と直交する方向にみて、前記セラミック誘電体基板の外周と、前記電極層の外周と、の間隔が均一となるように前記セラミック誘電体基板の外周が設けられ、前記セラミック誘電体基板の中央から外周方向に伸ばした第１仮想線上において、前記電極層の外周と、前記セラミック誘電体基板の外周と、の間隔の相互誤差が２００マイクロメートル以下であり、前記シールリングの幅は、０．３ミリメートル以上３ミリメートル以下であり、前記方向にみたときに、前記電極層が、前記シールリングと重複する幅は、−０．７ミリメートル以上２ミリメートル以下であることを特徴とする静電チャックである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第３の発明は、処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、周端部に設けられ前記第１主面の一部を形成するシールリングと、を有し、多結晶セラミック焼結体であるセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面との間に介設され、前記セラミック誘電体基板に一体焼結された電極層と、を備え、前記第１主面と直交する方向にみて、前記セラミック誘電体基板の外周と、前記電極層の外周と、の間隔が均一となるように前記セラミック誘電体基板の外周が設けられ、前記セラミック誘電体基板の中央から外周方向に伸ばした第１仮想線上において、前記電極層の外周と、前記セラミック誘電体基板の外周と、の間隔を間隔Ｘ１、前記セラミック誘電体基板の中央から外周方向に伸ばした仮想線であって前記第１仮想線とは反対側に伸ばした第２仮想線上において、前記電極層の外周と、前記セラミック誘電体基板の外周と、の間隔を間隔Ｘ２、前記電極層の外周における外径を外径Ｘ５、としたときに、｜Ｘ１−Ｘ２｜／Ｘ５が０％以上０．０７％以下であり、前記シールリングの幅は、０．３ミリメートル以上３ミリメートル以下であり、前記方向にみたときに、前記電極層が、前記シールリングと重複する幅は、−０．７ミリメートル以上２ミリメートル以下であることを特徴とする静電チャックである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第４の発明は、処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、周端部に設けられ前記第１主面の一部を形成するシールリングと、を有し、多結晶セラミック焼結体であるセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面との間に介設され、前記セラミック誘電体基板に一体焼結された電極層と、を備え、前記第１主面と直交する方向にみて、前記セラミック誘電体基板の外周と、前記電極層の外周と、の間隔が均一となるように前記セラミック誘電体基板の外周が設けられ、前記セラミック誘電体基板の中央から外周方向に伸ばした第１仮想線上において、前記電極層の外周と、前記セラミック誘電体基板の外周と、の間隔は、２ミリメートル以下とされ、前記電極層の外周と、前記セラミック誘電体基板の外周と、の間隔の相互誤差が２００マイクロメートル以下であり、前記シールリングの内周側端部と前記電極層の外周端部との間の直線距離が、−２ミリ以上２ミリメートル以下であることを特徴とする静電チャックである。