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【手続補正書】
【提出日】平成29年9月26日(2017.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂、着色剤、炭化水素ワックス及びワックス分散剤を含む樹脂組成物を溶融混練して得られた混練物を冷却し、得られた冷却物を粉砕して得られた樹脂粒子を熱処理する工程を経て製造されたトナー粒子を有するトナーであって、
該ワックス分散剤が、ポリプロピレンにスチレンアクリル系ポリマーがグラフト重合している重合体であり、
該スチレンアクリル系ポリマーが、シクロアルキル（メタ）アクリレート由来のモノマーユニットを有する重合体であり、
該ポリプロピレンの融点（℃）をＭｐ（ｐ）とし、該炭化水素ワックスの融点（℃）をＭｐ（ｗ）としたときに、下記式１及び式２を満足することを特徴とするトナー。
７０≦Ｍｐ（ｐ）≦９０                （式１）
｜Ｍｐ（ｐ）−Ｍｐ（ｗ）｜≦２０      （式２）
【請求項２】
前記シクロアルキル（メタ）アクリレート由来のモノマーユニットが、下記式（３）で表されるモノマーユニットである、請求項１に記載のトナー。
2017151428.tif 000001
［前記式（３）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２はシクロアルキル基を表す。］
【請求項３】
前記式（３）中のＲ１が、メチル基である、請求項２に記載のトナー。
【請求項４】
前記シクロアルキル（メタ）アクリレートが、シクロヘキシルメタクリレートである、請求項１に記載のトナー。
【請求項５】
前記結着樹脂が、結晶性ポリエステル樹脂及び非晶性ポリエステル樹脂を含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項６】
前記結晶性ポリエステル樹脂が、
炭素数６以上１２以下の脂肪族ジオール及びこれらの誘導体からなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物を含有するアルコール成分と、
炭素数６以上１２以下の脂肪族ジカルボン酸及びこれらの誘導体からなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物を含有するカルボン酸成分と
の縮重合物であり、
該結晶性ポリエステル樹脂の含有量が、該非晶性ポリエステル樹脂１００質量部に対して、１．０質量部以上１５．０質量部以下である、請求項５に記載のトナー。
【請求項７】
前記結晶性ポリエステル樹脂は、炭素数１０以上２０以下の脂肪族モノカルボン酸及び炭素数１０以上２０以下の脂肪族モノアルコールからなる群より選ばれた一種以上の脂肪族化合物が縮合した分子鎖末端を有する、請求項５又は６に記載のトナー。
【請求項８】
結着樹脂、着色剤、炭化水素ワックス及びワックス分散剤を含む樹脂組成物を溶融混練し混練物を得る工程、
該混練物を冷却し冷却物を得る工程、
該冷却物を粉砕して樹脂粒子を得る工程、
該樹脂粒子を熱処理する工程、を含み、
該ワックス分散剤が、ポリプロピレンにスチレンアクリル系ポリマーがグラフト重合している重合体であり、
該スチレンアクリル系ポリマーが、シクロアルキル（メタ）アクリレート由来のモノマーユニットを有する重合体であり、
該ポリプロピレンの融点（℃）をＭｐ（ｐ）とし、該炭化水素ワックスの融点（℃）をＭｐ（ｗ）としたときに、下記式１及び式２を満足することを特徴とするトナーの製造方法。
７０≦Ｍｐ（ｐ）≦９０                （式１）
｜Ｍｐ（ｐ）−Ｍｐ（ｗ）｜≦２０      （式２）
【請求項９】
前記シクロアルキル（メタ）アクリレート由来のモノマーユニットが、下記式（３）で表されるモノマーユニットである、請求項８に記載のトナーの製造方法。
2017151428.tif 000002
［前記式（３）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２はシクロアルキル基を表す。］
【請求項１０】
前記式（３）中のＲ１が、メチル基である、請求項９に記載のトナーの製造方法。
【請求項１１】
前記シクロアルキル（メタ）アクリレートが、シクロヘキシルメタクリレートである、請求項８に記載のトナーの製造方法。
【請求項１２】
前記結着樹脂が、結晶性ポリエステル樹脂及び非晶性ポリエステル樹脂を含有する、請求項８〜１１のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項１３】
前記結晶性ポリエステル樹脂が、
炭素数６以上１２以下の脂肪族ジオール及びこれらの誘導体からなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物を含有するアルコール成分と、
炭素数６以上１２以下の脂肪族ジカルボン酸及びこれらの誘導体からなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物を含有するカルボン酸成分と
の縮重合物であり、
該結晶性ポリエステル樹脂の含有量が、該非晶性ポリエステル樹脂１００質量部に対して、１．０質量部以上１５．０質量部以下である、請求項１２に記載のトナーの製造方法。 
【請求項１４】
前記結晶性ポリエステル樹脂は、炭素数１０以上２０以下の脂肪族モノカルボン酸及び炭素数１０以上２０以下の脂肪族モノアルコールからなる群より選ばれた一種以上の脂肪族化合物が縮合した分子鎖末端を有する、請求項１２又は１３に記載のトナーの製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のトナー、及び、
磁性キャリア
を含有する二成分系現像剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トナー、トナーの製造方法および二成分系現像剤
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、
結着樹脂、着色剤、炭化水素ワックス及びワックス分散剤を含む樹脂組成物を
溶融混練して得られた混練物を冷却し、得られた冷却物を粉砕して得られた樹脂粒子を熱処理する工程を経て製造されたトナー粒子を有するトナーであって、
該ワックス分散剤が、ポリプロピレンにスチレンアクリル系ポリマーがグラフト重合している重合体であり、
該スチレンアクリル系ポリマーが、シクロアルキル（メタ）アクリレート由来のモノマーユニットを有する重合体であり、
該ポリプロピレンの融点（℃）をＭｐ（ｐ）とし、該炭化水素ワックスの融点（℃）をＭｐ（ｗ）としたときに、下記式１及び式２を満足することを特徴とするトナーに関する。
７０≦Ｍｐ（ｐ）≦９０                （式１）
｜Ｍｐ（ｐ）−Ｍｐ（ｗ）｜≦２０      （式２）
また、本発明は、
結着樹脂、着色剤、炭化水素ワックス及びワックス分散剤を含む樹脂組成物を溶融混練し混練物を得る工程、
該混練物を冷却し冷却物を得る工程、
該冷却物を粉砕して樹脂粒子を得る工程、
該樹脂粒子を熱処理する工程、を含み、
該ワックス分散剤が、ポリプロピレンにスチレンアクリル系ポリマーがグラフト重合し
ている重合体であり、
該スチレンアクリル系ポリマーが、シクロアルキル（メタ）アクリレート由来のモノマーユニットを有する重合体であり、
該ポリプロピレンの融点（℃）をＭｐ（ｐ）とし、該炭化水素ワックスの融点（℃）をＭｐ（ｗ）としたときに、下記式１及び式２を満足することを特徴とするトナーの製造方法に関する。
７０≦Ｍｐ（ｐ）≦９０                （式１）
｜Ｍｐ（ｐ）−Ｍｐ（ｗ）｜≦２０      （式２）
さらに、本発明は、
前記トナー、及び、磁性キャリアを含有する二成分系現像剤に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月16日(2017.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されたモチーフに含まれる各ノートのピッチを変更することにより変形メロディを生成する変形メロディ生成処理と、
連続するノートのノートタイプと前記連続するノートの音高の差を示す隣接音程との組み合わせを評価するノート接続ルールにおける前記評価に基づいて、前記変形メロディ生成処理により生成された変形メロディに含まれる各ノートのピッチを夫々シフトさせることにより得られる複数通りのピッチ列に対して、前記ピッチ列ごとに適合度を算出する適合度算出処理と、
前記適合度算出処理により算出された適合度に応じて前記複数通りのピッチ列のなかから選択されるピッチ列に基づいて、メロディを生成するメロディ生成処理と、
を実行する制御部を備えることを特徴とする自動作曲装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記入力されたモチーフに含まれる各ノートのピッチをどのように変更するかを示す変形タイプをユーザに指定させる変形タイプ指定処理、
を実行し、
前記変形メロディ生成処理は、
前記変形タイプ指定処理により指定された変形タイプに基づいて、前記モチーフに含まれる各ノートのピッチを変更することを特徴する請求項１に記載の自動作曲装置。
【請求項３】
前記変形タイプは、前記各ノートのピッチを夫々ピッチシフトさせるタイプ、或いは、前記各ノートのピッチを小節内で左右反転させるタイプを含むことを特徴とする請求項２に記載の自動作曲装置。
【請求項４】
前記メロディ生成処理は、
前記入力されたモチーフに含まれる各ノートのピッチ及び前記選択されるピッチ列に基づいて、前記メロディを生成することを特徴する請求項１乃至３のいずれかに記載の自動作曲装置。
【請求項５】
自動作曲装置が、
入力されたモチーフに含まれる各ノートのピッチを変更することにより変形メロディを生成し、
連続するノートのノートタイプと前記連続するノートの音高の差を示す隣接音程との組み合わせを評価するノート接続ルールにおける前記評価に基づいて、前記変形メロディ生成処理により生成された変形メロディに含まれる各ノートのピッチを夫々シフトさせることにより得られる複数通りのピッチ列に対して、前記ピッチ列ごとに適合度を算出し、
前記算出された適合度に応じて前記複数通りのピッチ列のなかから選択されるピッチ列に基づいて、メロディを生成する、自動作曲方法。
【請求項６】
自動作曲装置として用いられるコンピュータに、
入力されたモチーフに含まれる各ノートのピッチを変更することにより変形メロディを生成させるステップと、
連続するノートのノートタイプと前記連続するノートの音高の差を示す隣接音程との組み合わせを評価するノート接続ルールにおける前記評価に基づいて、前記変形メロディ生成処理により生成された変形メロディに含まれる各ノートのピッチを夫々シフトさせることにより得られる複数通りのピッチ列に対して、前記ピッチ列ごとに適合度を算出するステップと、
前記算出された適合度に応じて前記複数通りのピッチ列のなかから選択されるピッチ列に基づいて、メロディを生成するステップと、
を実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
態様の一例では、入力されたモチーフに含まれる各ノートのピッチを変更することにより変形メロディを生成する変形メロディ生成処理と、連続するノートのノートタイプと前記連続するノートの音高の差を示す隣接音程との組み合わせを評価するノート接続ルールにおける前記評価に基づいて、前記変形メロディ生成処理により生成された変形メロディに含まれる各ノートのピッチを夫々シフトさせることにより得られる複数通りのピッチ列に対して、前記ピッチ列ごとに適合度を算出する適合度算出処理と、前記適合度算出処理により算出された適合度に応じて前記複数通りのピッチ列のなかから選択されるピッチ列に基づいて、メロディを生成するメロディ生成処理と、を実行する制御部を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月28日(2017.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、柔軟性を有し前記基板に接着するシート基材と、表示領域に位置する複数の画素の各々が備える発光層と、前記発光層を覆う封止層と、を含む積層体が形成された構造体を用意する工程と、
平面的に見て前記表示領域とは重畳しない遮光領域を前記基板に形成する遮光工程と、
前記遮光工程よりも後に、前記基板の前記シート基材が接していない側に光を照射する照射工程と、
前記照射工程よりも後に、前記基板を前記シート基材から剥離する剥離工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
前記剥離工程よりも前に、前記表示領域と前記遮光領域との間で前記積層体が除去された第１の仕切り線を設ける第１仕切り工程を更に含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された表示装置の製造方法において、
前記照射工程よりも前に、前記積層体の前記基板が配置される側とは反対側に保護フィルムを貼り付ける貼付工程を更に含み、
前記保護フィルムは、平面的に見て、前記表示領域を覆い、且つ前記第１の仕切り線を越えて前記遮光領域に伸びていることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載された表示装置の製造方法において、
前記剥離工程よりも前に、前記表示領域と前記遮光領域との間であって、且つ前記第１の仕切り線よりも前記遮光領域に近い位置に、前記積層体が除去された第２の仕切り線を設ける第２仕切り工程と、
前記剥離工程よりも後に、前記第１の仕切り線と前記第２の仕切り線との間で前記積層体を切断する切断工程と、を更に含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された表示装置の製造方法において、
前記剥離工程よりも前に、前記積層体の前記基板が配置される側とは反対側に保護フィルムを貼り付ける貼付工程を更に含み、
前記保護フィルムは、平面的に見て、前記表示領域を覆い、且つ前記第２の仕切り線を越えて前記遮光領に伸びていることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記遮光領域は、前記表示領域を挟んで互いに向き合う少なくとも２つの領域を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記表示領域は、平面的に見て略矩形に構成されており、
前記遮光領域は、平面的に見て前記表示領域の少なくとも１辺に沿って伸びる領域を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記シート基材にフラットケーブルを取り付ける取付工程を更に含み、
前記遮光領域は、平面的に見て、前記フラットケーブルが取り付けられる領域とは重畳しないことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
可撓性を有するシート基材と、
前記シート基材の上に設けられ、表示領域に位置する複数の画素と、
前記複数の画素の各々に備えられる複数の発光層と、
前記発光層の上に位置し、前記発光層を覆う封止層と、
前記シート基材の端部と前記表示領域との間に位置し、前記シート基材と前記封止層とが存在しない溝と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載された表示装置において、
保護フィルムが、前記シート基材の前記封止層とは反対側に位置し、
前記溝は前記保護フィルムの上に位置することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０に記載された表示装置において、
前記表示領域は４つの辺を有し、
前記溝は前記４つの辺の内の３つの辺に沿って、連続して延びることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項９から請求項１１の何れか１項に記載された表示装置において、
前記シート基材の前記端部は、第１の辺と第２の辺と第３の辺と第４の辺とを含み、
前記溝は、前記第１の辺と前記第２の辺と前記第３の辺とに沿って、連続して延びることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載された表示装置において、
前記溝は、前記第４の辺と交差することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項９から請求項１３の何れか１項に記載された表示装置において、
前記シート基材と対向する第２シート基材を有し、
前記溝は、平面的に見て、前記第２シート基材の端部と前記表示領域との間に位置し、
前記第２シート基材は、平面的に見て前記溝と重なる領域には、位置しないことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月28日(2017.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の上に基材を配置し、
前記支持基板と前記基材の境界面のうち所定範囲の第１面には前記支持基板側からレーザを照射せず、前記支持基板と前記基材の前記境界面のうち前記所定範囲以外の第２面には前記支持基板側からレーザを照射して前記支持基板の一の部分を除去することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記支持基板の上に前記基材を配置した後であって前記レーザを前記第２面に照射する前に、
前記基材の上に電子部材を取付け、
前記電子部材と、前記基材と、前記支持基板と、を接着することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記電子部材と前記基材と前記支持基板との接着後であって前記レーザを前記第２面に照射する前に、
前記第２面と前記第１面との境目から前記第２面の方に所定距離離れた位置にて前記支持基板の面にスクライブ線を形成することを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記レーザを前記第２面に照射して前記支持基板の前記一の部分を除去した後に、
前記支持基板で除去された前記一の部分と残った他の部分との境界面にスペーサを配置し、
前記第２面が断面視でＵ字状になるように前記基材を折り曲げてＵ字状部を構成することを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記基材を折り曲げて前記Ｕ字状部を構成した後に、
前記第２面を、前記支持基板と接触するように更に折り曲げて前記基材の第１面と共に前記支持基板を挟むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
ガラス、セラミック、石英のいずれかで構成される基材支持部と、
前記基材支持部の上面を覆う第１平板状部、前記第１平板状部と連続すると共に断面視Ｕ字状に構成される断面Ｕ字状部、及び、前記断面Ｕ字状部と連続して構成されて前記基材支持部の下面を覆うと共に前記基材支持部よりも広く構成される第２平板状部を有する基材と、
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
基材支持部と、
前記基材支持部の上面を覆う第１平板状部、前記第１平板状部と連続すると共に断面視Ｕ字状に構成される断面Ｕ字状部、及び、前記断面Ｕ字状部と連続して構成されて前記基材支持部の下面を覆うと共に前記基材支持部よりも広く構成される第２平板状部を有する基材と、
を備え、
前記第１平板状部における前記基材支持部側の面よりも、前記断面Ｕ字状部と前記第２平板状部における前記基材支持部側の面は、表面粗さが粗いことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記基材支持部は断面視で四角形であることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記断面Ｕ字状部の内側に配置されるスペーサを備えることを特徴とする請求項７に記
載の表示装置。
【請求項１０】
前記基材の上に配置され、平面視で前記基材支持部と重なる電子部材を備えることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記電子部材、前記基材支持部、及び、前記基材を接着する単一の接着材を備えることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記基材支持部は、前記基材の中央側よりも端部側の位置にて前記基材の面と対向することを特徴とする請求項６乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１平板状部における前記基材支持部側の面よりも、前記断面Ｕ字状部と前記第２平板状部における前記基材支持部側の面は、炭素濃度が高いことを特徴とする請求項６乃至請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１平板状部における前記基材支持部側の面よりも、前記断面Ｕ字状部と前記第２平板状部における前記基材支持部側の面は、表面粗さが粗いことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記基材支持部は、少なくともガラス、セラミック、石英のいずれかで構成されることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月27日(2017.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力系統で発生し得ない既知信号を生成し、入力される前記電力系統のアナログ信号に前記既知信号を重畳し、当該既知信号が重畳された前記アナログ信号に対して、ホール素子を用いて所定の変換処理を行う入力変換部、を有する入力変換基板と、
前記入力変換基板から第１通信回線を介して供給されるアナログ信号から不要な高調波を除去してディジタル信号に変換するアナログ入力回路と、
前記アナログ入力回路通過後の前記既知信号成分の減衰率を基に、前記ホール素子を含む前記アナログ入力回路の健全性を判定する第１判定部と、を有する制御基板と、
を備えることを特徴とするディジタル保護制御装置。
【請求項２】
前記入力変換基板は、前記ホール素子の駆動電圧が規定値外となった場合に前記制御基板へ電源異常を通知する電源監視部をさらに備え、
前記制御基板は、前記電源監視部と第２通信回線を介して接続され、前記入力変換部の電源異常を判定する第２判定部をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載のディジタル保護制御装置。
【請求項３】
前記制御基板は、前記アナログ入力回路通過後の三相交流のディジタル信号を基に、前記アナログ入力回路が三相平衡となっていることを判定する第３判定部をさらに備え、
前記第３判定部は、前記アナログ入力回路が三相平衡となっていない場合、前記第１判定部および前記第２判定部にて異常が検出されていなければ、外部の電力系統側の故障と判定する
ことを特徴とする請求項２に記載のディジタル保護制御装置。
【請求項４】
前記既知信号は、定格周波数の１２倍の周波数の交流信号であるｆ１２高調波信号である
ことを特徴とする請求項１に記載のディジタル保護制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のディジタル保護制御装置は、電力系統で発生し得ない既知信号を生成し、入力される前記電力系統のアナログ信号に前記既知信号を重畳し、当該既知信号が重畳された前記アナログ信号に対して、ホール素子を用いて所定の変換処理を行う入力変換部、を有する入力変換基板と、前記入力変換基板から第１通信回線を介して供給されるアナログ信号から不要な高調波を除去してディジタル信号に変換するアナログ入力回路と、前記アナログ入力回路通過後の前記既知信号成分の減衰率を基に、前記ホール素子を含む前記アナログ入力回路の健全性を判定する第１判定部と、を有する制御基板と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月16日(2017.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器（１２）と、
前記Ａ／Ｄ変換器の出力をイコライズし符号間干渉を除去してデータ出力とするイコライザ（１３、１１３）と、
前記イコライザのデータ出力を用いてリカバリクロックを生成するタイミングリカバリ（１４）と、
前記入力信号が無信号状態から変化し予め定められた閾値に達したタイミングを検出する検出部（１５）と、
前記検出部により検出されるタイミング後に所定の時間経過したタイミングを前記タイミングリカバリによるリカバリクロックの初期位相とする初期位相設定部（１６）と、を備え、
前記タイミングリカバリは、基準クロックを出力するＰＬＬ（２４）と、前記ＰＬＬの基準クロックを分周するディバイダ（２５）と、を備え、
前記リカバリクロックを生成するときには、前記ＰＬＬが基準クロックを出力し、前記初期位相設定部により設定されたリカバリクロックの初期位相を起点として前記ディバイダが基準クロックの分周を開始して複相クロックを生成し、この複相クロックに応じて前記リカバリクロックを生成する受信機。
【請求項２】
請求項１記載の受信機において、
前記検出部は、前記Ａ／Ｄ変換器と並列して配置されたコンパレータ（２７）を用いて構成され、前記コンパレータにより閾値に達したタイミングを検出して出力信号とし、
前記初期位相設定部は、前記コンパレータの出力信号を所定の時間遅延して前記タイミングリカバリに出力することにより前記リカバリクロックの初期位相とするディレイ回路（１６）を用いて構成される受信機。
【請求項３】
請求項２記載の受信機において、
前記所定の時間は、前記Ａ／Ｄ変換器の入力信号が無信号状態から始めて変化して極値付近となるように予め定められる受信機。
【請求項４】
入力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器（１２）と、
前記Ａ／Ｄ変換器の出力をイコライズし符号間干渉を除去してデータ出力とするイコライザ（１３、１１３）と、
前記イコライザのデータ出力を用いてリカバリクロックを生成するタイミングリカバリ（１４）と、
前記入力信号が無信号状態から変化し予め定められた閾値に達したタイミングを検出する検出部（１５）と、
前記検出部により検出されるタイミング後に所定の時間経過したタイミングを前記タイミングリカバリによるリカバリクロックの初期位相とする初期位相設定部（１６）と、
前記入力信号をＣＡＮ規格に基づいてデータ受信するクラシックＣＡＮレシーバ（１２８）と、
前記クラシックＣＡＮレシーバのデータ出力と前記イコライザ（１１３）によりイコライズされ出力されるデータ出力との何れかを選択するセレクタ（１３３）と、
前記ＣＡＮ規格における調停フェーズ（ＡＦ１）のＦＤＦ値に応じて前記セレクタを選択制御することで、データフェーズ（ＤＦ）における前記クラシックＣＡＮレシーバのデータ出力と前記イコライザのデータ出力とを選択する選択制御部（１２９）と、を備える受信機。
【請求項５】
入力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器（１２）と、
前記Ａ／Ｄ変換器の出力をイコライズし符号間干渉を除去してデータ出力とするイコライザ（１３、１１３）と、
前記イコライザのデータ出力を用いてリカバリクロックを生成するタイミングリカバリ（１４）と、
前記入力信号が無信号状態から変化し予め定められた閾値に達したタイミングを検出する検出部（１５）と、
前記検出部により検出されるタイミング後に所定の時間経過したタイミングを前記タイミングリカバリによるリカバリクロックの初期位相とする初期位相設定部（１６）と、を備え、
前記イコライザはタップ係数が設定されることで動作するように構成され、
ＣＡＮ規格に基づく識別符号（baseID）と前記タップ係数とが対応付けて保持され記憶部（１３４）を参照し、前記ＣＡＮ規格に基づく通信を行うときに前記記憶部に保持された識別符号に応じて前記タップ係数を切り替える切替部（１２９）をさらに備える受信機。
【請求項６】
入力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器（１２）と、
前記Ａ／Ｄ変換器の出力をイコライズし符号間干渉を除去してデータ出力とするイコライザ（１３、１１３）と、
前記イコライザのデータ出力を用いてリカバリクロックを生成するタイミングリカバリ（１４）と、
前記入力信号が無信号状態から変化し予め定められた閾値に達したタイミングを検出する検出部（１５）と、
前記検出部により検出されるタイミング後に所定の時間経過したタイミングを前記タイミングリカバリによるリカバリクロックの初期位相とする初期位相設定部（１６）と、を備え、
前記イコライザはタップ係数が設定されることで動作するように構成され、
前記イコライザのタップ係数を収束させるトレーニングモードと、
前記イコライザを通じてデータ受信する通常モードと、を備え、
前記トレーニングモードにおいて収束されたタップ係数を保持する記憶部（１３４）から前記タップ係数を読出し前記通常モードにおいて読出されたタップ係数を前記イコライザに設定してデータ受信させるデータ受信制御部（１２９）をさらに備える受信機。
【請求項７】
請求項５又は６記載の受信機において、
前記入力信号をＣＡＮ規格に基づいてデータ受信するクラシックＣＡＮレシーバ（１２８）と、
前記クラシックＣＡＮレシーバのデータ出力と前記イコライザ（１１３）によりイコライズされ出力されるデータ出力との何れかを選択するセレクタ（１３３）と、
前記ＣＡＮ規格における調停フェーズ（ＡＦ１）のＦＤＦ値に応じて前記セレクタを選択制御することで、データフェーズ（ＤＦ）における前記クラシックＣＡＮレシーバのデータ出力と前記イコライザのデータ出力とを選択する選択制御部（１２９）と、を備える受信機。
【請求項８】
請求項６又は７記載の受信機において、
前記イコライザはタップ係数が設定されることで動作するように構成され、
ＣＡＮ規格に基づく識別符号（baseID）と前記タップ係数とが対応付けて保持され記憶部（１３４）を参照し、前記ＣＡＮ規格に基づく通信を行うときに前記記憶部に保持された識別符号に応じて前記タップ係数を切り替える切替部（１２９）をさらに備える受信機。
【請求項９】
請求項４又は７記載の受信機において、
前記検出部は、前記Ａ／Ｄ変換器と並列して配置されたコンパレータ（２７）を用いて構成され、前記コンパレータにより閾値に達したタイミングを検出して出力信号とし、
前記初期位相設定部は、前記コンパレータの出力信号を所定の時間遅延して前記タイミングリカバリに出力することにより前記リカバリクロックの初期位相とするディレイ回路（１６）を用いて構成される受信機。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか一項に記載の受信機において、
車載機器（１０２〜１０５）に用いられる受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月2日(2017.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の基板に対して処理を行うために基板を載置する載置台と、
前記載置台に正常に載置されている基板の下方側に位置するように設けられ、当該載置台に載置された基板に渦電流を発生させ、渦電流の強度に基づいて基板までの距離を測定する渦電流センサーと、
前記渦電流センサーによる距離の測定結果に基づいて、前記載置台上の基板の載置状態を検出する検出部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記検出部により基板の載置状態が異常であることを検出したときにアラームを出力するアラーム出力部を備えていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記検出部による基板の載置状態の検出は、異物により基板が乗り上げているか否か、基板が反っているか否か、のうちの少なくとも一方を検出するものであることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記載置台には、基板の周縁部を支持するための複数の突起部が載置台の周方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記載置台は、基板を加熱または温度調整するための板部材を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記渦電流センサーは複数設けられ、
前記検出部は、前記複数の渦電流センサーにより測定された基板までの各測定距離同士の差分に基づいて、前記載置台上の基板の載置状態を検出するものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記検出部は、渦電流センサーにより測定された基板までの測定距離としきい値との差分に基づいて、前記載置台上の基板の載置状態を検出するものであり、
前記基板の裏面に形成されている膜の種別と前記しきい値とを対応付けたデータを記憶する記憶部と、前記膜の種別に対応するしきい値を選択する選択部と、を備えたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記載置台に正常に載置されている基板の周縁部の下方側に基板の周方向に沿って配置され、基板の横方向の位置ずれを検出するための複数の渦電流センサーを備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板に対して処理を行うために基板を載置台に載置する工程と、
次いで、前記載置台に正常に載置されている基板の下方側に位置するように設けられた渦電流センサーにより、前記基板までの距離を測定する工程と、
前記渦電流センサーによる距離の測定結果に基づいて、前記載置台上の基板の載置状態を検出する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記渦電流センサーは複数設けられ、
前記基板の載置状態を検出する工程は、前記複数の渦電流センサーにより測定された基板までの各測定距離同士の差分に基づいて行われることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
基板を載置台に載置して当該基板に対して処理を行う装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、  
前記コンピュータプログラムは、請求項９または１０に記載の基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理システムであって、
第１平均ウェーハ搬送面を有する第１半導体処理ツール群と、
第２平均ウェーハ搬送面を有する第２半導体処理ツール群と、
を備え、
前記第２半導体処理ツール群が、前記第１平均ウェーハ搬送面と前記第２平均ウェーハ搬送面との間で測定された第１垂直距離だけ前記第１半導体処理ツール群から垂直にオフセットされ、
前記第１半導体処理ツール群および前記第２半導体処理ツール群が共有空間内にある、
半導体処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、１つまたは複数のビル・フロアが前記第１半導体処理ツール群と前記第２半導体処理ツール群との間に存在しない、半導体処理システム。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、前記共有空間がクリーンルームである、半導体処理システム。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、前記共有空間がビルの半導体製造室である、半導体処理システム。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体処理システムであって、更に、
ツール取付けアーキテクチャを備え、
前記第２半導体処理ツール群が前記ツール取付けアーキテクチャに係合されて取り付けられている、半導体処理システム。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体処理システムであって、前記ツール取付けアーキテクチャが懸架システム、フロア、壁、天井、フレーム、キャットウォーク、およびモジュール式システムのうちの１つまたは複数である、半導体処理システム。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体処理システムであって、前記第１垂直距離が５０フィート未満である、半導体処理システム。
【請求項８】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体処理システムであって、前記第２半導体処理ツール群が、前記第２平均ウェーハ搬送面に垂直な方向で見たときに前記第１半導体処理ツール群に少なくとも部分的に重なる、半導体処理システム。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体処理システムであって、
前記第１平均ウェーハ搬送面がｘ軸および前記ｘ軸に垂直なｙ軸を含み、
前記第２半導体処理ツール群が前記第１半導体処理ツール群から前記ｘ軸および前記ｙ軸の１つまたは複数に沿った方向にオフセットされている、
半導体処理システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体処理システムであって、前記第２半導体処理ツール群が前記第１半導体処理ツール群から前記ｘ軸に沿って第１水平距離だけオフセットされている、半導体処理システム。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体処理システムであって、前記第２半導体処理ツール群が前記第１半導体処理ツール群から前記ｙ軸に沿って第２水平距離だけオフセットされている、半導体処理システム。
【請求項１２】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体処理システムであって、更に、
フロアを有する製造階層を備え、
前記第１半導体処理ツール群が前記フロアに隣接して配置されている、半導体処理システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体処理システムであって、更に、
頭上ホイスト輸送システムを備え、
各半導体処理ツールが、ウェーハの容器を受け取る１つまたは複数のインタフェースを含み、
前記第１半導体処理ツール群および前記第２半導体処理ツール群が、前記第１半導体処理ツール群のウェーハの容器を受け取る前記１つまたは複数のインタフェース、および、第２半導体処理ツール群のウェーハの容器を受け取る前記１つまたは複数のインタフェースに前記頭上ホイスト輸送システムがアクセスすることができるように、配置されている、
半導体処理システム。
【請求項１４】
請求項１２に記載の半導体処理システムであって、更に、
中間の製造階層を備え、
前記第２半導体処理ツール群が前記中間の製造階層に配置されている、半導体処理システム。
【請求項１５】
請求項１２に記載の半導体処理システムであって、更に、
前記製造階層に隣接するサブ製造階層を備え、
ガスボックス用の保管庫および／または容器、水マニホールド、空気マニホールド、若しくは、高電圧高周波発生器のうちの１つまたは複数が前記サブ製造階層に少なくとも部分的に設置されている、半導体処理システム。
【請求項１６】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体処理システムであって、更に、
圧縮空気利用システムを備え、
前記圧縮空気利用システムが、フィルターされた空気を前記第１半導体処理ツール群および前記第２半導体処理ツール群へ提供する、半導体処理システム。
【請求項１７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体処理システムであって、更に、
第３平均ウェーハ搬送面を有する第３半導体処理ツール群を備え、
前記第３半導体処理ツール群が、前記第３平均ウェーハ搬送面と前記第１平均ウェーハ搬送面との間で測定された第２垂直距離だけ前記第１半導体処理ツール群から垂直にオフセットされている、半導体処理システム。
【請求項１８】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体処理システムであって、
各半導体処理ツールが、その半導体処理ツールの周辺部に隣接する１つまたは複数の排斥ゾーンを有し、
１つの半導体処理ツールの前記排斥ゾーンの１つまたは複数が、別の他の半導体処理ツールの１つまたは複数の排斥ゾーンと重なり合い、
前記第１半導体処理ツール群および前記第２半導体処理ツール群が、通常の半導体処理動作中に少なくとも１つの半導体処理ツールの前記周辺部が少なくとも１つの他の半導体処理ツールの前記１つまたは複数の排斥ゾーンに侵入しないように、配置されている、
半導体処理システム。
【請求項１９】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体処理システムであって、更に、
半導体処理設備を備え、
前記半導体処理設備が、ガスボックス用の保管庫および／または容器、水マニホールド、空気マニホールド、高電圧高周波発生器、パイプ、ワイヤ、ケーブル、管、導管、ポンプ、電源ボックス、冷却器、および削減固化装置のうちの１つまたは複数を含み、
前記第１半導体処理ツール群の半導体処理ツールの少なくとも１つが、前記第２半導体処理ツール群の半導体処理ツールの少なくとも１つと前記半導体処理設備の１つまたは複数を共有する、
半導体処理システム。
【請求項２０】
半導体処理システムであって、
各半導体処理ツールが水平の広がりおよび平均ウェーハ搬送面をそれぞれ有する半導体処理ツール群と、
共有の空間内のツール取付けアーキテクチャと、
を備え、
前記半導体処理ツール群が、第１の取り付けられたツール群の水平の広がりが第２の取り付けられたツール群の水平の広がりに重なり、前記第１の取り付けられたツール群の前記平均ウェーハ搬送面が前記第２の取り付けられたツール群の第２平均ウェーハ搬送面から垂直にオフセットされるように取り付けられている、半導体処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月3日(2017.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置されている有機化合物層と、を有する有機ＥＬ素子であって、
前記有機化合物層は、第一の発光層と第二の発光層とを有し、
前記第一の発光層は、前記第二の発光層よりも前記陰極側に配置され、前記第二の発光層と接しており、
前記第一の発光層は青色発光ドーパントを有し、前記第二の発光層は、緑色発光ドーパント及び赤色発光ドーパントを有し、前記青色発光ドーパント、前記緑色発光ドーパント及び前記赤色発光ドーパントは、いずれも蛍光ドーパントであり、
前記第一の発光層および前記第二の発光層で白色を発光する発光層であり、
前記第一の発光層は、前記第一の発光層が有するホストの最低空軌道準位のエネルギーをＬｈ１、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｈ１、前記第一の発光層が有するドーパントの最低空軌道準位のエネルギーをＬｇ１、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｇ１とした場合、
Ｌｈ１−Ｌｇ１＞Ｈｇ１−Ｈｈ１
を満たし、
前記第二の発光層は、前記第二の発光層が有するホストの最低空軌道準位のエネルギーをＬｈ２、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｈ２、前記緑色発光のドーパントの最低空軌道準位のエネルギーをＬｇ２、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｇ２とした場合、
Ｌｈ２−Ｌｇ２＞Ｈｇ２−Ｈｈ２
を満たすことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記赤色発光ドーパントの濃度は、前記緑色発光ドーパントの濃度の１／５以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記青色発光ドーパントの濃度は、前記緑色発光ドーパントの濃度よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
複数の画素を有する表示装置であって、前記画素は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子に接続されているスイッチング素子とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子に接続されているコンバーター回路と、を有することを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機ＥＬ素子、それを用いた照明装置及び表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置されている有機化合物層と、を有する有機ＥＬ素子であって、
前記有機化合物層は、第一の発光層と第二の発光層とを有し、
前記第一の発光層は、前記第二の発光層よりも前記陰極側に配置され、前記第二の発光層と接しており、
前記第一の発光層は青色発光ドーパントを有し、前記第二の発光層は、緑色発光ドーパント及び赤色発光ドーパントを有し、前記青色発光ドーパント、前記緑色発光ドーパント及び前記赤色発光ドーパントは、いずれも蛍光ドーパントであり、
前記第一の発光層および前記第二の発光層で白色を発光する発光層であり、
前記第一の発光層は、前記第一の発光層が有するホストの最低空軌道準位のエネルギーをＬｈ１、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｈ１、前記第一の発光層が有するドーパントの最低空軌道準位のエネルギーをＬｇ１、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｇ１とした場合、
Ｌｈ１−Ｌｇ１＞Ｈｇ１−Ｈｈ１
を満たし、
前記第二の発光層は、前記第二の発光層が有するホストの最低空軌道準位のエネルギーをＬｈ２、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｈ２、前記緑色発光のドーパントの最低空軌道準位のエネルギーをＬｇ２、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｇ２とした場合、
Ｌｈ２−Ｌｇ２＞Ｈｇ２−Ｈｈ２
を満たすことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月6日(2017.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子銃と、前記電子銃の下の第１の光学系と、前記第１の光学系の下の試料室と、前記試料室の下の第２の光学系と、前記第２の光学系の下に位置し、電子からエネルギーを受け取ることで発光する媒体を設置する領域を有する観察室と、前記領域を撮影できるように配置されたカメラと、を有することを特徴とする透過電子回折測定装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記カメラは、動画の撮影ができることを特徴とする透過電子回折測定装置。
【請求項３】
電子銃から放出された電子を、第１の光学系を介して試料室に配置された物質に照射し、
前記物質を通過した前記電子を、第２の光学系を介して電子からエネルギーを受け取ることで発光する領域に入射させ、
前記領域に現れたパターンを、カメラで撮影することを特徴とする透過電子回折パターンの測定方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記カメラは、動画を撮影することを特徴とする透過電子回折パターンの測定方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記物質における前記電子の照射位置を変化させながら、前記カメラで前記パターンを撮影することを特徴とする透過電子回折パターンの測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月2日(2017.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＣＤＣコンバータを有し、定電流パルスを供給する定電流電源と、
スタートスイッチを有し、前記スタートスイッチの開閉動作に伴い前記ＤＣＤＣコンバータへ制御パルス信号を供給する駆動回路と、
前記定電流パルスが供給される発光部と、
カメラと、を有し、
前記カメラにより写真を撮る際に、フラッシュとして、１ミリ秒以上１０００ミリ秒以下の範囲で、前記発光部から光を発し、
前記発光部の面積は、０．５ｃｍ２以上１ｍ２以下である電子機器。
【請求項２】
ＤＣＤＣコンバータを有し、定電流パルスを供給する定電流電源と、
スタートスイッチを有し、前記スタートスイッチの開閉動作に伴い前記ＤＣＤＣコンバータへ制御パルス信号を供給する駆動回路と、
前記定電流パルスが供給される発光部と、
カメラと、
周囲の明るさを検出する光センサと、を有し、
前記カメラにより写真を撮る際に、フラッシュとして、１ミリ秒以上１０００ミリ秒以下の範囲で、前記発光部から光を発し、
前記発光部の面積は、０．５ｃｍ２以上１ｍ２以下であり、
前記光センサにより検出された結果に応じて、前記発光部は発する光の量を調節する電子機器。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記発光部は、有機ＥＬ素子を有する電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記発光部は、可撓性を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月9日(2017.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水電解液電池に用いられる電解液用溶媒中の不純物含有量の判定方法であって、
前記電解液用溶媒にルイス酸を添加して反応液を得る反応工程と、
前記反応液のハーゼン値を測定するハーゼン値測定工程と、
前記ハーゼン値が所定の閾値以下であるか否かを判定する判定工程とを含む判定方法。
【請求項２】
前記電解液用溶媒がエチレンカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、及びプロピレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも１種であり、前記閾値が下記式：
２００×ａ＋６０×ｂ＋６０×ｃ＋８０×ｄ＋１６０×ｅ
（式中、ａは、エチレンカーボネートの体積分率であり、ｂは、エチルメチルカーボネートの体積分率であり、ｃは、ジエチルカーボネートの体積分率であり、ｄは、ジメチルカーボネートの体積分率であり、ｅは、プロピレンカーボネートの体積分率である。）
で表される請求項１に記載の判定方法。
【請求項３】
前記反応工程において、前記電解液用溶媒へのルイス酸の添加は、前記電解液用溶媒にＰＦ５、ＢＦ３、及びＢＦ３のジエチルエーテル錯体からなる群より選択される少なくとも１種を添加することにより行われる請求項１又は２に記載の判定方法。
【請求項４】
前記ルイス酸の添加量が前記電解液用溶媒に対し、１〜２０質量％である請求項１〜３のいずれかに記載の判定方法。
【請求項５】
請求項１に記載の判定方法により前記ハーゼン値が前記閾値以下であると判定された前記電解液用溶媒を電解質塩と混合する混合工程を含む電解液の製造方法。
【請求項６】
前記電解質塩が、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２、及びＬｉＮ（ＳＯ２Ｃ２Ｆ５）２からなる群より選択される少なくとも１種を含む請求項５に記載の電解液の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の判定方法により前記ハーゼン値が前記閾値以下であると判定された前記電解液用溶媒と、電解質塩とを含有する電解液。
【請求項８】
前記電解質塩が、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２、及びＬｉＮ（ＳＯ２Ｃ２Ｆ５）２からなる群より選択される少なくとも１種を含む請求項７に記載の電解液。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月7日(2017.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第６のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第７の配線に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第４のトランジスタ、及び第５のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
前記第３のトランジスタ、及び前記第６のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを含む記憶装置。
【請求項２】
第１乃至第６のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第４のトランジスタ、及び第５のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
前記第３のトランジスタ、及び前記第６のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを含む記憶装置。