【手続補正書】
【提出日】平成29年2月15日(2017.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上述したようにカップ排気口５２を介して回収カップ５０内の雰囲気が吸引され、且つ、チャンバ排気口５４を介して回収カップ５０の外側の処理空間２５内の雰囲気が吸引されているため、整流板２３から下向きに流出するエアの流れは、回収カップ５０内および回収カップ５０の半径方向外側の空間内に向かって流れる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
まず、未処理のウエハＷが、基板搬送装置１７のアーム（図1参照）により処理ユニット１６内に搬入し、このウエハＷは図３に示すように基板保持機構３０により保持される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
乾燥工程においては、ＩＰＡの気化により温度が下がったウエハＷ表面への結露を防止するために、内部空間２２内の雰囲気の湿度（露点）を低下させることが好ましい。この目的のため、チャンバ２０内の雰囲気を高湿度雰囲気（クリーンルーム空気の湿度と概ね同じであるか、あるいは処理液の影響によりクリーンルーム空気の湿度より高い湿度の雰囲気）から低湿度雰囲気に置換する。遅くとも乾燥工程の開始時点（すなわち、遅くともウエハＷ上へのＩＰＡの供給が停止された時点）において、チャンバ２０の内部空間２２内の湿度が十分に低下していることが好ましい。従って、乾燥工程の開始前、すなわちＩＰＡ置換工程の実行中に、上記通常給排気状態を終了し、低湿度雰囲気への雰囲気置換を開始することが好ましい。なお、雰囲気置換の開始は上記のタイミングが好ましいのであるが、これに限定されるものではなく、乾燥工程の開始と同時あるいはやや後であってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
上記実施形態では、ドライエア供給路８２の下流端をダクト２１１に接続したが、これには限定されない。ドライエア供給路８２の下流端をチャンバ２０のバッファ空間２４に接続してもよい。但し、この場合には、上記低湿度維持段階にチャンバ排気口５４から排出されるエアに含まれるパーティクルがチャンバ２０に戻されることを防止するために、三方弁６０とエジェクタ８５との間の戻し路５９に、フィルタを設けることが望ましい。または、エジェクタ８５とバッファ空間２４との間のドライエア供給路８２に、フィルタを設けることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
第１変形例では、ドライエア供給部８０からエジェクタ８５が除去されている。ドライエア供給部８０の下流端は、チャンバ２０のバッファ空間２４に接続されている。戻し路５９は、位置２７において、チャンバ２０の処理空間２５に接続されている。位置２７は、チャンバ排気口５４よりも高い位置にある。位置２７は、例えば、回収カップ５０の上端よりもやや高い位置に設けることができる。戻し路５９には、ファン６１およびフィルタ６２（例えばＵＬＰＡフィルタ）が順次介設されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
上記の第１変形例においても、迅速な雰囲気置換と経済的な運用を両立することができる。第１変形例においては、戻し路５９がドライエア供給部８０と接続されていないので、低湿度維持段階において戻し路５９を通って流れるガスの流量を任意の値に調整することが容易である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
図３に示す実施家形態では、戻し路５９が三方弁６０を介してチャンバ排気路５５から分岐していたが、これには限定されない。図８に示すように、チャンバ排気路５５と戻し路５９が分離されていてもよい。図８に示す第２変形例では、チャンバ排気路５５は専用のチャンバ排気口５４Ａに接続され、戻し路５９は専用のチャンバ排気口５４Ｂに接続される。チャンバ排気路５５にはダンバ５８Ａおよび開閉弁６０Ａが設けられ、戻し路５９にはダンバ５８Ｂおよび開閉弁６０Ｂが設けられている。図８において、図３の実施形態と同一部材には同一符号を付し、これら同一部材についての重複説明は省略する。この第２変形例では、開閉弁６０Ａを開き開閉弁６０Ｂを閉じることにより図３の実施形態における第１状態と実質的に等価な状態を実現することができる。さらに、開閉弁６０Ａを閉じて開閉弁６０Ｂを開くことにより図３の実施形態における第２状態と実質的に等価な状態を実現することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
乾燥工程の実行開始時あるいはその前若しくはその後に、チャンバ２０内の雰囲気を低湿度に移行しかつ低湿度に維持するときには、ＦＦＵ２１のファン２１３が停止されるとともにダンパ２１４が閉じられ、ドライエア供給部８０からダクト２１１を介してチャンバ２０内にドライエアが供給される。チャンバ２０内に供給されたエアの一部は回収カップ５０内を通ってカップ排気路５３から排出される。チャンバ２０内に供給されたガス（エア）の残りの部分は、ガス処理部９０に流入し、ガス処理部９０で分子状汚染物質および水分が除去され、チャンバ排気路５５に流出する。チャンバ排気路５５に流出したガスすなわち清浄化および除湿されたエアは、三方弁６０を経て、戻し路５９に流入する（チャンバ排気路５５の三方弁６０の下流側には流れない。）。すなわちチャンバ２０内に供給されるガスは、ドライエア供給部８０から供給されたドライエアと、清浄化および除湿されたエアとの混合ガスとなる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
シリカゲル層９３を構成するシリカゲルを再生する場合には、三方弁６０を切り替えて、ガス処理部９０からチャンバ排気路５５に流出したガスが、戻し路５９には流れずチャンバ排気路５５の下流側に流れるようにする。この状態でペルチェ素子集合体９４に通電して、シリカゲル層９３を加熱してシリカゲル層９３から水分を除去する。除去された水分は、チャンバ排気路５５およびカップ排気路５３を経て、工場排気系に廃棄される。このような再生処理は、例えば、１枚のウエハの処理が終了した後に次のウエハの処理が開始するまでの間、あるいはある製造ロットのウエハの処理が終了した後、次の製造ロットのウエハの処理が開始されるまでの間に行うことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持部と、
前記基板保持部の周囲を囲むカップと、
前記カップおよび前記基板保持部を収容する処理室と、
前記処理室内に第１ガスを供給する第１ガス供給部と、
前記カップ内のガスを排気するカップ排気路と、
前記カップ外の前記処理室内のガスを排気する処理室排気路と、
前記処理室から排気された前記カップ外の前記処理室内のガスを前記処理室に戻す戻し路と、
前記処理室から排気された前記カップ外のガスが前記処理室排気路から排気される第１状態と、前記処理室から排気された前記カップ外のガスが前記戻し路を通って前記処理室に戻される第２状態とを切り替える排気切替機構と、
を備えた基板処理装置。
【請求項２】
第１ガス供給部からの第１ガスを前記処理室へ供給している時に前記第１状態から前記第２状態に切り替えるように前記排気切替機構を制御する制御部を備えた、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１ガス供給部は、第１ガスの供給源から前記処理室に向けてガスを供給する第１ガス供給路を有し、前記戻し路は前記第１ガス供給路に合流し、前記排気切替機構が前記第２状態にあるときに、前記処理室から排気されたガスは、前記第１ガス供給路内で前記第１ガスの供給源から供給される前記第１ガスと混合された後に前記処理室内に戻される、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記戻し路と前記第１ガス供給路との合流部分にエジェクタが設けられ、前記第１ガス供給路を流れるガスの流れが前記エジェクタの駆動流であり、前記戻し路を流れる前記処理室から排気されたガスの流れが前記エジェクタの吸引流である、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記エジェクタは、前記合流部分の近傍において直線状に延びる前記第１ガス供給路の直線状部分と、当該直線状部分に対して角度を成して交わり当該直線状部分に接続される戻し路の末端部分により形成されている、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理室排気路は前記処理室に設けられた排気口に接続され、前記戻し路は前記処理室排気路から分岐しており、前記第２状態において前記処理室の前記排気口から排気された前記カップ外の前記処理室内のガスは、前記排気切替機構を介して前記戻し路に流入する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理室内に第２ガスを供給する第２ガス供給部と、
前記第１ガスが前記処理室内に供給される第１供給状態と前記第２ガスが前記処理室内に供給される第２供給状態とを切り替える供給ガス切替機構と、をさらに備え、
前記第１ガスは、前記第２ガスよりも湿度が低いかあるいは酸素濃度が低い、請求項１から６のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記排気切替機構を前記第１状態とするとともに前記供給ガス切替機構を前記第２供給状態としつつ、処理液供給部から前記基板に処理液を供給して、基板に液処理を施す工程と、
その後、前記排気切替機構を前記第１状態とするとともに前記供給ガス切替機構を前記第１供給状態として、前記基板を乾燥させる工程と、
その後、前記排気切替機構を前記第２状態とするとともに前記供給ガス切替機構を前記第１供給状態とし、前記基板を乾燥させる工程と、
が実行されるように制御を行う制御部をさらに備えた、請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理室内に第２ガスを供給する第２ガス供給部をさらに備え、前記第１ガスは、前記第２ガスよりも湿度が低いかあるいは酸素濃度が低く、
前記第２ガス供給部は、前記第２ガスを前記処理室に向けて流す第２ガス供給路と、前記第２ガス供給路を流れる空気からパーティクルを除去するフィルタと、前記第２ガス供給路を前記第２ガスが前記処理室に向けて流れる状態と、流れていない状態とを切り替える第２ガス供給制御機器と、を有し、
前記戻し路は前記第２ガス供給制御機器よりも下流側で前記第２ガス供給路に接続される、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１ガス供給部は、第１ガスの供給源から前記処理室に向けてガスを流す第１ガス供給路を有し、前記戻し路は前記第１ガス供給路に合流するとともに前記第１ガス供給路を介して前記第２ガス供給路に接続されており、前記排気切替機構が前記第２状態にあるときに、前記処理室から排気された前記カップ外の前記処理室内のガスは、前記第１ガス供給路内で前記第１ガスと混合された後に前記第２ガス供給路に供給される、請求項７記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板保持部と、
前記基板保持部の周囲を囲むカップと、
前記カップおよび前記基板保持部を収容する処理室と、
前記処理室内の雰囲気を形成する第１ガスを前記処理室に供給する第１ガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を形成する第２ガスを前記処理室に供給する第２ガス供給部と、
前記カップ内のガスを排気するカップ排気路と、
前記処理室から排気された前記カップ外の前記処理室内のガスを、前記処理室に戻さずに排出する処理室排気路と、
前記処理室から排気された前記カップ外の前記処理室内のガスを前記処理室に戻す戻し路と、
前記処理室から排気された前記カップ外の前記処理室内のガスが前記戻し路を通って前記処理室に戻されることなく前記処理室排気路から排気される第１状態と、前記処理室から排気された前記カップ外の前記処理室内のガスが前記戻し路を通って前記処理室に戻される第２状態とを切り替える排気切替機構と、を備えた基板処理装置を用いて行われる基板処理方法であって、
前記第１ガスは、前記第２ガスよりも湿度が低いかあるいは酸素濃度が低く、
前記基板処理方法は、
前記第２ガス供給部により前記第２ガスを前記処理室に供給し、かつ基板に処理液を供給しながら、前記基板に液処理を施す工程と、
前記第１ガス供給部により前記第１ガスを前記処理室に供給しながら、前記液処理が施された基板を乾燥させる乾燥工程と、を備え、
前記第１ガス供給部により前記第１ガスを前記処理室に供給するときに、前記第１ガスの供給の開始時に前記排気切替機構を前記第１状態とし、その後第２状態に切り替えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
基板処理装置の動作を制御するコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項１１記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
【請求項１３】
基板保持部と、
前記基板保持部の周囲を囲むカップと、
前記カップおよび前記基板保持部を収容する処理室と、
前記処理室内の雰囲気を形成するガスを前記処理室に供給するガス供給路と、
前記カップ内のガスを排気するカップ排気路と、
前記カップ外の前記処理室内のガスを排気する処理室排気路と、
前記カップ外の前記処理室内に設けられ、前記カップ外の前記処理室内のガスが前記処理室排気路から排出される前に、当該ガスの湿度を低下させること、および当該ガスから汚染物質を除去することのうちの少なくとも一方を行うガス処理部と、
前記処理室排気路に接続され、前記ガス処理部により処理された後に前記処理室から出たガスを前記処理室に戻す戻し路と、
を備えた基板処理装置。