Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月27日(2017.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
灌流液源から灌流液を生体に供給し、前記生体の廃棄組織を前記灌流液と共に吸引する灌流吸引装置であって、
手術器具と前記灌流液源とを接続する灌流経路と、
流体の圧力を変化させることが可能な圧力源と、
前記手術器具と前記圧力源とを接続する吸引経路と、
前記灌流経路と前記吸引経路の間を結ぶベント経路と、
前記ベント経路を開閉するベントバルブと、
前記灌流吸引装置の動作を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記吸引経路の閉塞を解除するリフラックスを実行する場合、
前記ベント経路を開放させて、前記灌流液を前記吸引経路に流入させることで、前記吸引経路の流体を前記生体へ向けて逆流させる灌流リフラックスと、
前記圧力源を駆動させて、前記廃棄組織を吸引する場合と逆の圧力を前記吸引経路内の流体に加えることで、前記吸引経路の流体を逆流させる圧力源リフラックスと
を前記灌流吸引装置に実行させることが可能であることを特徴とする灌流吸引装置。
【請求項２】
請求項１に記載の灌流吸引装置であって、
前記圧力源は、可撓性を有する流路を押圧しながら回転することで、前記可撓性を有する流路内の流体の圧力を変化させる蠕動型ポンプを含み、
前記制御部は、前記廃棄組織を吸引する場合と逆方向に前記蠕動型ポンプを回転させることで、前記灌流吸引装置に前記圧力源リフラックスを実行させることを特徴とする灌流吸引装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の灌流吸引装置であって、
前記制御部は、リフラックスの実行指示が入力された場合、前記圧力源リフラックスよりも前に前記灌流リフラックスを前記灌流吸引装置に実行させることを特徴とする灌流吸引装置。
【請求項４】
手術器具と灌流液源とを接続する灌流経路と、
流体の圧力を変化させることが可能な圧力源と、
前記手術器具と前記圧力源とを接続する吸引経路と、
前記灌流経路と前記吸引経路の間を結ぶベント経路と、
前記ベント経路を開閉するベントバルブと、
を備えた灌流吸引装置によって実行される灌流吸引制御プログラムであって、
前記灌流吸引装置のプロセッサによって実行されることで、
前記ベント経路を開放させて、灌流液を前記吸引経路に流入させることで、前記吸引経路の流体を前記圧力源から遠ざかる方向に向けて逆流させる灌流リフラックス実行ステップと、
前記手術器具を介して廃棄組織を吸引する場合と逆の圧力を、前記圧力源を駆動させて前記吸引経路内の流体に加えることで、前記吸引経路の流体を逆流させる圧力源リフラックス実行ステップと
を前記灌流吸引装置に実行させることを特徴とする灌流吸引制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本開示における典型的な実施形態が提供する灌流吸引装置は、灌流液源から灌流液を生体に供給し、前記生体の廃棄組織を前記灌流液と共に吸引する灌流吸引装置であって、手術器具と前記灌流液源とを接続する灌流経路と、流体の圧力を変化させることが可能な圧力源と、前記手術器具と前記圧力源とを接続する吸引経路と、前記灌流経路と前記吸引経路の間を結ぶベント経路と、前記ベント経路を開閉するベントバルブと、前記灌流吸引装置の動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記吸引経路の閉塞を解除するリフラックスを実行する場合、前記ベント経路を開放させて、前記灌流液を前記吸引経路に流入させることで、前記吸引経路の流体を前記生体へ向けて逆流させる灌流リフラックスと、前記圧力源を駆動させて、前記廃棄組織を吸引する場合と逆の圧力を前記吸引経路内の流体に加えることで、前記吸引経路の流体を逆流させる圧力源リフラックスとを前記灌流吸引装置に実行させることが可能であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本開示における典型的な実施形態が提供する灌流吸引制御プログラムは、手術器具と灌流液源とを接続する灌流経路と、流体の圧力を変化させることが可能な圧力源と、前記手術器具と前記圧力源とを接続する吸引経路と、前記灌流経路と前記吸引経路の間を結ぶベント経路と、前記ベント経路を開閉するベントバルブと、を備えた灌流吸引装置によって実行される灌流吸引制御プログラムであって、前記灌流吸引装置のプロセッサによって実行されることで、前記ベント経路を開放させて、灌流液を前記吸引経路に流入させることで、前記吸引経路の流体を前記圧力源から遠ざかる方向に向けて逆流させる灌流リフラックス実行ステップと、前記手術器具を介して廃棄組織を吸引する場合と逆の圧力を、前記圧力源を駆動させて前記吸引経路内の流体に加えることで、前記吸引経路の流体を逆流させる圧力源リフラックス実行ステップとを前記灌流吸引装置に実行させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月28日(2017.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体を取り込んで利用者の気道に送り出す送風機と、
前記送風機に取り込まれる気体を、該送風機の上流側で加湿する上流側加湿器と、
前記送風機から送り出された気体を、該送風機の下流側で加湿する下流側加湿器と、を備えていることを特徴とする、
呼吸補助装置。
【請求項２】
前記送風機は、取り込んだ気体を暖めるヒーターを備えていることを特徴とする、
請求項１に記載の呼吸補助装置。
【請求項３】
前記送風機は、羽根車と、前記羽根車を回転させるモーターと、を備え、
前記モーターは、前記ヒーターを兼ねることを特徴とする、
請求項２に記載の呼吸補助装置。
【請求項４】
前記送風機は、前記利用者の顔の前方に配置されることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれかに記載の呼吸補助装置。
【請求項５】
前記上流側加湿器は、前記送風機内に結露が生じない程度の加湿量に設定されることを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載の呼吸補助装置。
【請求項６】
前記下流側加湿器は、利用者の気道で結露が生じる程度の加湿量に設定されることを特徴とする、
請求項１〜５のいずれかに記載の呼吸補助装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月31日(2017.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピッチp、伸び率eの波板に平板を貼り合わせた片面段ボールシートであって、該波板の波目に平行な方向の幅がwであるシートを該波目に平行な方向の幅に亘って切断する際に、該波目に平行な方向から次の角度θ以上に傾斜させた直線切断線で切断することを特徴とする段ボールシートの切断方法。
θ＝arctan(((e−1)/2)×p/w)
【請求項２】
ピッチp、伸び率eの波板に平板を貼り合わせた片面段ボールシートを切断する装置であって、
該波板の波目に平行な方向の幅wに亘って切断する部分において、該波目に平行な方向と次の角度θ以上の角度を成した直線切断線を有する打ち抜き刃を備えることを特徴とする段ボールシートの切断装置。
θ＝arctan(((e−1)/2)×p/w)
【請求項３】
ピッチp、伸び率eの波板に平板を貼り合わせた片面段ボールシートを切断する装置であって、
a)片面段ボールシートを波目と直交する方向に搬送する搬送手段と、
b)前記搬送手段の搬送方向に対する角度が可変である直線切断刃と、
c)前記片面段ボールシートの波目のピッチp、伸び率e、幅wのデータを受け入れ、次式により角度θを算出する算出手段と、
θ＝arctan(((e−1)/2)×p/w)
d)前記直線切断刃の前記搬送方向に対する角度を（90°−θ）以下に設定する切断刃設定手段と
を備えることを特徴とする段ボールシートの切断装置。  
【請求項４】
ピッチp、伸び率e、幅wの片面段ボールシートから所定の形状のブランクを打ち抜くための切断刃であって、該切断刃の、前記片面段ボールシートの波板の波目に平行な部分を切断する部分が、該波目に平行な方向と次の角度θ以上の角度を成していることを特徴とする切断刃。
θ＝arctan(((e−1)/2)×p/w)
【請求項５】
ピッチp、伸び率eの波板に平板を貼り合わせた片面段ボールシートを、該波板の波目と平行及び垂直なL字形の切断線で切断する際に、該切断線のコーナー部分において、次の式で計算される距離dよりも深く、該波目方向に切り込むことを特徴とする段ボールシートの切断方法。
d＝((e−1)/2)×p/2
【請求項６】
ピッチp、伸び率eの波板に平板を貼り合わせた片面段ボールシートを、該波板の波目と平行及び垂直なL字形の切断線で切断する際に、該切断線のコーナー部分において、次の式で計算される距離dよりも深く、該波目方向に切り込むことを特徴とする段ボールシートの製造装置。
d＝((e−1)/2)×p/2
【請求項７】
ピッチp、伸び率eの片面段ボールシートから所定の形状のブランクを打ち抜くための切断刃であって、該切断刃の、該波板の波目と平行及び垂直なL字形の切断線のコーナー部分が、該波板の波目と平行な方向に、次の式で計算される距離dよりも深く切り込まれていることを特徴とする切断刃。
d＝((e−1)/2)×p/2
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために成された本発明の第１態様に係る片面段ボールシートの切断方法は、ピッチp、伸び率eの波板に平板を貼り合わせた片面段ボールシートであって、該波板の波目に平行な方向の幅がwであるシートを該波目に平行な方向の幅に亘って切断する際に、該波目に平行な方向から次の角度θ以上に傾斜させた直線切断線で切断することを特徴とする。
θ＝arctan(((e−1)/2)×p/w)    …(1)
ここで、ピッチpとは、波板の隣接する山と山（又は、谷と谷）の間の距離である。また、伸び率eとは、波板の波目に垂直な方向の長さl1と、それを真っ直ぐに（平板に）延ばした時の長さl2の比（e＝l2/l1、e>1）である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の第１態様に係る段ボールシートの切断装置は、次のように構成することもできる。
a)片面段ボールシートを波目と直交する方向に搬送する搬送手段と、
b)前記搬送手段の搬送方向に対する角度が可変である直線切断刃と、
c)前記片面段ボールシートの波目のピッチp、伸び率e、幅wのデータを受け入れ、次式により角度θを算出する算出手段と、
θ＝arctan(((e−1)/2)×p/w)
d)前記直線切断刃の前記搬送方向に対する角度を（90°−θ）以下に設定する切断刃設定手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月31日(2017.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ物体を操作するシステムであって、
空間と時間の両方で変化して、前記マイクロ物体を操作する力場を生成するように構成された電界生成器と、
前記マイクロ物体がその上で前記電界生成器によって操作される基板と、
を備え、
前記基板は、前記電界生成器に恒久的には取り付けられてなく、
前記電界生成器は、前記基板における前記マイクロ物体が位置する側とは反対側に位置し、且つ
前記基板は、前記力場が前記基板を通過可能とされている
システム。
【請求項２】
前記力場は、電場及び磁場の少なくとも１つである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電界生成器は、電場を生成するための感光体材料を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記基板は、電気絶縁材料からなる、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記基板は、ポリマーまたはセラミクスである、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記電界生成器は、前記磁場を生成するための複数のコイルを含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
前記電界生成器は、電界生成器上の摩耗を低減させるための可動ベルトを有している、請求項２に記載のシステム。
【請求項８】
前記基板は、非強磁性または常磁性の材料からなる、請求項２に記載のシステム。
【請求項９】
第２の基板と、
前記マイクロ物体の相対位置と相対方向を保持するよう、前記基板から前記第２の基板に前記マイクロ物体を移動させる装置と、をさらに含む請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記電界生成器に恒久的には取り付けられてなく、且つ前記マイクロ物体が定着される最終基板である前記基板と、
前記最終基板に前記マイクロ物体を定着させるように構成された定着装置と、
をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記マイクロ物体が、前記最終基板に、
前記基板の局所的加熱、
接着剤の局所的硬化、及び
エンボス加工
の少なくとも１つによって定着される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記基板が、前記電界生成器を通過する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記基板のある領域が、複数回に亘って前記電界生成器を通過する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
マイクロ物体を操作する方法であって
力場を生成させるための複数の電極を有する電界生成器によって、空間と時間の両方で変化して前記マイクロ物体を操作する力場を生成するステップと、
その上で前記マイクロ物体が前記電界生成器により操作される基板であって、前記電界生成器が前記基板における前記マイクロ物体が位置する側とは反対側に位置し、前記電界生成器に恒久的には取り付けられてなく、前記力場が通過可能な基板を供給するステップと、を含む方法。
【請求項１５】
前記力場は、電場及び磁場の少なくとも一方である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記マイクロ物体の相対位置と相対方向を保持するよう、前記基板から第２の基板に前記マイクロ物体を移動させるステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記電界生成器に恒久的には取り付けられない基板上に前記マイクロ物体を位置させるステップを含み、前記基板は、最終基板である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記マイクロ物体が載置される前記最終基板は、複数の領域に分割され、それぞれが特定のマイクロ組立体に対応し、前記マイクロ組立体の少なくともあるものは、少なくともあるミクロ物体間の配線を含む加工がされる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板を、前記電界生成器に通過させるステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記電界生成器は、前記電界生成器上の摩耗を低減させるための可動ベルトを有する、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月30日(2017.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動通信システムにおいて基地局と通信を行うユーザ装置であって、
セルサーチを行うことにより、同一優先度の複数の周波数を検出する検出手段と、
前記複数の周波数の中から、品質以外の条件に基づいて、前記ユーザ装置が在圏すべきセルの周波数を選択する選択手段と、
を備えることを特徴とするユーザ装置。
【請求項２】
前記選択手段は、前記ユーザ装置の識別情報と前記複数の周波数の数とに基づいて、前記ユーザ装置が在圏すべきセルの周波数を選択する
ことを特徴とする請求項１に記載のユーザ装置。
【請求項３】
前記選択手段は、前記ユーザ装置の能力、又はアクセスクラスに基づいて、前記ユーザ装置が在圏すべきセルの周波数を選択する
ことを特徴とする請求項１に記載のユーザ装置。
【請求項４】
移動通信システムにおいて基地局と通信を行うユーザ装置が実行する周波数選択方法であって、
セルサーチを行うことにより、同一優先度の複数の周波数を検出する検出ステップと、
前記複数の周波数の中から、品質以外の条件に基づいて、前記ユーザ装置が在圏すべきセルの周波数を選択する選択ステップと、
を備えることを特徴とする周波数選択方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
すなわち、本実施の形態の基地局は、移動通信システムにおいてユーザ装置と通信を行う基地局であって、前記基地局が形成するセルにおける負荷を判定する負荷判定手段と、前記セルに在圏する前記ユーザ装置から接続要求を受信したときに、前記負荷判定手段により前記セルの負荷が所定の閾値以上であると判定された場合に、前記接続要求に対する応答の中に、前記ユーザ装置による前記セルへの接続を拒否するための所定の情報を含め、当該所定の情報を含む応答を前記ユーザ装置に送信する接続処理手段とを備える。前記応答は、ランダムアクセス手順におけるランダムアクセスレスポンスであり、前記所定の情報は、バックオフタイマが無限大の値であることを示す情報である。
本明細書には以下の構成が開示されている。
（第１項）
移動通信システムにおいて基地局と通信を行うユーザ装置であって、
セルサーチを行うことにより、同一優先度の複数の周波数を検出する検出手段と、
前記複数の周波数の中から、品質以外の条件に基づいて、前記ユーザ装置が在圏すべきセルの周波数を選択する選択手段と、
を備えることを特徴とするユーザ装置。
（第２項）
前記選択手段は、前記ユーザ装置の識別情報と前記複数の周波数の数とに基づいて、前記ユーザ装置が在圏すべきセルの周波数を選択する
ことを特徴とする第１項に記載のユーザ装置。
（第３項）
前記選択手段は、前記ユーザ装置の能力、又はアクセスクラスに基づいて、前記ユーザ装置が在圏すべきセルの周波数を選択する
ことを特徴とする第１項に記載のユーザ装置。
（第４項）
移動通信システムにおいて基地局と通信を行うユーザ装置であって、
前記基地局から、周波数毎の優先度を受信する受信手段と、
前記ユーザ装置が発信を行う際に、当該発信の種別に対応した優先度に基づく周波数の順番でセルサーチを行い、セルサーチにより検出された所定の品質条件を満たす周波数のセルに前記ユーザ装置を在圏させる在圏制御手段と
を備えることを特徴とするユーザ装置。
（第５項）
前記在圏制御手段は、所定の品質条件を満たす同一優先度の複数の周波数を検出した場合において、品質以外の条件に基づいて、前記ユーザ装置が在圏すべきセルの周波数を選択する
ことを特徴とする第４項に記載のユーザ装置。
（第６項）
移動通信システムにおいて基地局と通信を行うユーザ装置であって、
前記基地局に接続要求を送信し、当該基地局から当該接続要求に対する応答を受信する接続処理手段と、
前記接続処理手段により受信した前記応答に所定に情報が含まれている場合に、前記ユーザ装置が在圏しているセルの周波数と異なる周波数に対するセルサーチを行い、セルサーチにより検出された所定の品質条件を満たす周波数のセルに前記ユーザ装置を在圏させる在圏制御手段と
を備えることを特徴とするユーザ装置。
（第７項）
前記応答は、ランダムアクセス手順におけるランダムアクセスレスポンスであり、前記所定の情報は、バックオフタイマが無限大の値であることを示す情報である
ことを特徴とする第６項に記載のユーザ装置。
（第８項）
移動通信システムにおいてユーザ装置と通信を行う基地局であって、
前記基地局が形成するセルにおける負荷を判定する負荷判定手段と、
前記セルに在圏する前記ユーザ装置から接続要求を受信したときに、前記負荷判定手段により前記セルの負荷が所定の閾値以上であると判定された場合に、前記接続要求に対する応答の中に、前記ユーザ装置による前記セルへの接続を拒否するための所定の情報を含め、当該所定の情報を含む応答を前記ユーザ装置に送信する接続処理手段と
を備えることを特徴とする基地局。
（第９項）
前記応答は、ランダムアクセス手順におけるランダムアクセスレスポンスであり、前記所定の情報は、バックオフタイマが無限大の値であることを示す情報である
ことを特徴とする第８項に記載の基地局。
（第１０項）
移動通信システムにおいて基地局と通信を行うユーザ装置が実行する周波数選択方法であって、
セルサーチを行うことにより、同一優先度の複数の周波数を検出する検出ステップと、
前記複数の周波数の中から、品質以外の条件に基づいて、前記ユーザ装置が在圏すべきセルの周波数を選択する選択ステップと、
を備えることを特徴とする周波数選択方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月21日(2016.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯端末に搭載される携帯端末用ＩＣカードであって、
前記携帯端末の通信を制限するエリアの情報を取得し、記憶部に記憶するエリア情報取得手段と、
現在位置の情報を取得する位置情報取得手段と、
前記エリアに前記現在位置が存在すると判断した場合、前記携帯端末用ＩＣカードの機能を制限する機能制限手段と、を有し、
前記携帯端末は、前記携帯端末用ＩＣカードの存在確認に失敗した場合に通信を制限し、
前記機能制限手段が前記機能を制限する場合、前記存在確認は失敗することを特徴とする携帯端末用ＩＣカード。
【請求項２】
前記機能制限手段は、前記現在位置の情報を取得する間隔が所定間隔より長いと判断した場合、前記携帯端末用ＩＣカードの機能を制限することを特徴とする請求項１に記載の携帯端末用ＩＣカード。
【請求項３】
前記エリア情報取得手段は、前記通信を制限するエリアを含む電波到達範囲を有する基地局と前記携帯端末が接続を開始した場合に、前記基地局から送信される前記エリアの情報を取得することを特徴とする請求項１または２に記載の携帯端末用ＩＣカード。
【請求項４】
前記基地局は、前記エリアにおいて通信制限を行う必要がなくなった場合に、前記エリアの設定を解除する信号を送信し、
前記機能制限手段は、前記機能を制限しているときに前記信号を受信した場合、前記機能の制限を解除することを特徴とする請求項３に記載の携帯端末用ＩＣカード。
【請求項５】
前記エリア情報取得手段は、前記基地局とは異なる基地局に前記携帯端末が接続した場合に、前記エリアの設定を解除することを特徴とする請求項３または４に記載の携帯端末用ＩＣカード。
【請求項６】
前記携帯端末は、衛星又は基地局からの電波に基づき前記現在位置を認識し、
前記位置情報取得手段は、前記携帯端末から所定間隔ごとに前記現在位置の情報を取得することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の携帯端末用ＩＣカード。
【請求項７】
前記携帯端末は、現在時刻を示す時刻情報を生成し、
前記位置情報取得手段は、前記現在位置の情報と共に前記時刻情報を前記携帯端末から取得し、
前記機能制限手段は、前記時刻情報に基づき、前記現在位置の情報を取得する間隔が所定間隔より長いと判断した場合、前記携帯端末用ＩＣカードの機能を制限することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の携帯端末用ＩＣカード。
【請求項８】
前記位置情報取得手段が取得した現在位置の情報が不正送信されたか否か判定する不正送信判定手段をさらに備え、
前記機能制限手段は、前記現在位置の情報が不正送信されたと判定した場合、前記携帯端末用ＩＣカードの機能を制限することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の携帯端末用ＩＣカード。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の携帯端末用ＩＣカードとしてコンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月27日(2017.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記第２の取得手段により前記リプレイス対象のネットワーク機器から前記設定情報を取得した後に、前記ネットワーク上のネットワーク機器との通信が所定期間を超えていない場合には、エラーを管理者に通知することを特徴とする請求項４に記載の管理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月20日(2016.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に多層反射膜と、保護膜と、ＥＵＶ光の位相をシフトさせる位相シフト膜と、エッチングマスク膜とがこの順に形成された反射型マスクブランクであって、
前記保護膜は、ルテニウムを主成分として含む材料からなり、
前記位相シフト膜は、タンタルを含むタンタル系材料層と、ルテニウムを含むルテニウム系材料層とを有する積層構造であって、タンタル系材料層、ルテニウム系材料層の順に積層され、
前記エッチングマスク膜は、タンタルを含むタンタル系材料からなることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項２】
前記エッチングマスク膜は、タンタルと窒素を含む材料からなることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記エッチングマスク膜に含まれる窒素の含有量は、１０原子％以上であることを特徴とする請求項２記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記エッチングマスク膜は、非晶質構造であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１つに記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記保護膜表面上または前記保護膜の一部として前記位相シフト膜と接する側に、前記位相シフト膜との相互拡散を抑止するルテニウムと酸素とを含む拡散防止層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１つに記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記拡散防止層の膜厚は０．２ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記多層反射膜の最上層は、ケイ素（Ｓｉ）であって、前記最上層と前記保護膜との間に、ケイ素と酸素とを含むケイ素酸化物層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか１つに記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７の何れか１つに記載の反射型マスクブランクを製造する反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記位相シフト膜を、スパッタリング法にて成膜し、成膜開始から成膜終了まで大気に曝さず連続して成膜した積層構造とすることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の反射型マスクブランクによって作製される反射型マスクの製造方法であって、
前記エッチングマスク膜上にレジスト膜パターンを形成し、前記レジスト膜パターンをマスクにして、タンタル系材料を除去するエッチングガスにてエッチング処理してエッチングマスク膜パターンを形成する工程と、
前記エッチングマスク膜パターンをマスクにして、ルテニウム系材料を除去するエッチングガスにてエッチング処理してルテニウム系材料層パターンを形成し、その後、前記ルテニウム系材料層パターンをマスクにして、タンタル系材料を除去するエッチングガスにてエッチング処理して、タンタル系材料層パターンを形成する位相シフト膜パターン形成工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１０】
前記位相シフト膜パターン形成工程は、酸素ガスを含むエッチングガスにてエッチング処理してルテニウム系材料層パターンを形成すると同時に、前記レジスト膜パターンも除去する工程を有することを特徴とする請求項９記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項１１】
前記位相シフト膜パターン形成工程は、前記ルテニウム系材料パターンをマスクにしてタンタル系材料層パターンを形成すると同時に、前記エッチングマスク膜パターンも除去する工程を有することを特徴とする請求項１０記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項１２】
ＥＵＶ光を発する露光光源を有する露光装置に、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の反射型マスクの製造方法によって作製される反射型マスクをセットし、被転写基板上に形成されているレジスト膜に転写パターンを転写する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（構成５）
前記保護膜表面上または前記保護膜の一部として前記位相シフト膜と接する側に、前記位相シフト膜との相互拡散を抑止するルテニウムと酸素とを含む拡散防止層を有することを特徴とする構成１乃至構成４の何れか１つに記載の反射型マスクブランク。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
以上、本実施形態の反射型マスクブランク１０の構成について各層ごとに説明をした。なお、反射型マスクブランクとしては位相シフト膜１６上にレジスト膜を備えているものであってもよい。また、Ｒｕ系保護膜１４と位相シフト膜１６との間（Ｒｕ系保護膜１４の表面上またはＲｕ系保護膜１４の一部として位相シフト膜１６と接する側）に、拡散防止層を設けるようにしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
ここで、拡散防止層について説明をする。ＥＵＶ露光機は、まだ本格的な商用化に至っていない技術であり、露光光源のパワーも研究開発用として適したものが選択されている（現状で、１５Ｗ程度の光源が使用されている）が、本格的な商用化の際には当然に一定以上のスループットが得られる必要があり、そのためには露光光源のパワーを上げる必要がある。露光光源が高パワーになると、露光（パターンの転写）の際の反射型マスクにおける単位時間当たりの発熱量も多くなり（位相シフト膜で吸収した光のエネルギーが熱に変換されるため）、この熱による熱拡散により、保護膜とこれに隣接する位相シフト膜パターンの材料との間で相互拡散が生じる。このような相互拡散により、ＥＵＶ光に対する反射率に変動が生じてしまい、繰り返し使用により反射型のマスクとしての機能が低下する（設計通りのコントラストが得られなくなる）おそれがある。拡散防止層は、この課題を解決するための手段として、Ｒｕ系保護膜１４の表面上または前記保護膜の一部として前記位相シフト膜と接する側に備えられるものである。拡散防止層が形成されることで、露光光源が高パワー（８０Ｗ以上）の使用環境下でも保護膜と位相シフト膜の熱拡散が抑制されるので、ＥＵＶ光の反射率の低下が抑制される。従って、位相効果の低下を抑制した反射型マスクブランクが得られるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、前記一対の電極の間に配置されている有機化合物層とを有する有機発光素子であって、
前記有機化合物層のうち少なくとも一層は、下記一般式［１］で示されるリチウム錯体化合物を含有することを特徴とする有機発光素子。
【化１】
2015142037.tif 000001
〔式［１］において、Ｒ1乃至Ｒ16はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、フッ素置換されていても良いアルキル基、フッ素置換されていても良いアルコキシ基、置換あるいは無置換のアリール基からそれぞれ独立に選ばれる。〕
【請求項２】
前記一般式［１］で示されるリチウム錯体化合物を含有する層は、前記一対の電極のうちの一方と接することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記一般式［１］で示されるリチウム錯体化合物を含有する層が、陰極と接する層であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記一般式［１］で示されるリチウム錯体化合物を含有する層が、電子注入層または電子輸送層であることを特徴とする請求項３に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記一般式［１］で示されるリチウム錯体化合物を含有する層は、前記有機化合物層のうちの発光層と接しない層であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の有機発光素子。
【請求項６】
Ｒ1乃至Ｒ6は水素原子であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の有機発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子に接続しているスイッチング素子とを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
前記スイッチング素子はチャネル部に酸化物半導体を有することを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置。
【請求項９】
画像を表示するための表示部と、画像情報を入力するための入力部と、を有し、前記表示部が、請求項７または８に記載の画像表示装置であることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１０】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子に接続しているスイッチング素子とを有することを特徴とする照明装置。
【請求項１１】
前記スイッチング素子はチャネル部に酸化物半導体を有することを特徴とする請求項１０に記載の照明装置。
【請求項１２】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子に接続しているスイッチング素子とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
前記スイッチング素子はチャネル部に酸化物半導体を有することを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の露光装置と、前記露光装置に露光される感光体とを有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の有機発光素子は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置されている有機化合物層とを有する有機発光素子であって、前記有機化合物層のうち少なくとも一層は、下記一般式［１］で示されるリチウム錯体化合物を含有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月9日(2016.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
反出力側の端部に断面Ｖ字形状の回転軸側凹部が形成された回転軸、および該回転軸の
外周面に固定された磁石を備えたロータと、
前記磁石の外周面に径方向外側で対向する筒状のステータと、
前記回転軸側凹部の錐面に当接する球体、および該球体を前記錐面との間に支持する軸
受部材を備えた反出力側軸受部と、
前記回転軸および前記軸受のうちの一方側部材に前記回転軸と前記球体とが接触しよう
とする第１方向の付勢力を印加する付勢部材と、
前記第１方向とは反対側の第２方向への前記一方側部材の移動を制限するストッパ部と
、
を有し、
前記一方側部材の前記第２方向への可動距離をｄとし、前記球体の半径をｒとし、前記
磁石の外周面と前記ステータとの間隔をＧとし、前記回転軸の中心軸線と前記錐面とが成
す角度をθとし、前記錐面の開口縁と前記回転軸の中心軸線との距離をＲとしたとき、
前記可動距離ｄ、前記半径ｒ、前記間隔Ｇ、前記角度θ、および前記距離Ｒは、以下の
条件式１および条件式２
条件式１：Ｒ＞ｒ・ｃｏｓθ＋ｄ・ｔａｎθ
条件式２：Ｇ＞ｄ・ｔａｎθ
を満たすことを特徴とするモータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係るモータは、反出力側の端部に断面Ｖ字形状の
回転軸側凹部が形成された回転軸、および該回転軸の外周面に固定された磁石を備えたロ
ータと、前記磁石の外周面に径方向外側で対向する筒状のステータと、前記回転軸側凹部
の錐面に当接する球体、および該球体を前記錐面との間に支持する軸受部材を備えた反出
力側軸受部と、前記回転軸および前記軸受のうちの一方側部材に前記回転軸と前記球体と
が接触しようとする第１方向の付勢力を印加する付勢部材と、前記第１方向とは反対側の
第２方向への前記一方側部材の移動を制限するストッパ部と、を有し、
前記一方側部材の前記第２方向への可動距離をｄとし、前記球体の半径をｒとし、前記
磁石の外周面と前記ステータとの間隔をＧとし、前記回転軸の中心軸線と前記錐面とが成
す角度をθとし、前記錐面の開口縁と前記回転軸の中心軸線との距離をＲとしたとき、
前記可動距離ｄ、前記半径ｒ、前記間隔Ｇ、前記角度θ、および前記距離Ｒは、以下の
条件式１および条件式２
条件式１：Ｒ＞ｒ・ｃｏｓθ＋ｄ・ｔａｎθ
条件式２：Ｇ＞ｄ・ｔａｎθ
を満たすことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本形態では、図４（ｂ）を参照して説明したように、回転軸２が傾いた状態で、モータ
軸線Ｌ０と回転軸２の中心軸線Ｌｓとがなす角度αが小さいことから、図３（ａ）に示す
ように、回転軸２がモータ軸線Ｌ０に直交する方向に変位するものと見做し、軸受部材７
が反出力側Ｌ２（第２方向）に可動距離ｄを移動した際に回転軸２が傾いても、回転軸２
が回転でき、回転軸２への負荷がなくなったときには、図４（ａ）に示す状態に復帰する
条件を検討した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
例えば、軸受部材７の反出力側Ｌ２への可動距離ｄを０．１６ｍｍとし、球体６の半径
ｒを０．５ｍｍとし、回転軸２の中心軸線Ｌｓと錐面２ｈとが成す角度θを３０°とした
場合、球体６の錐面２ｈの開口縁と回転軸２の中心軸線Ｌｓとの距離Ｒ（ｍｍ）、および
磁石３の外周面３ｃとステータ１０の内周面１０ｃとの間隔Ｇ（ｍｍ）は、以下の条件と
なる。
条件式１：Ｒ＞ｒ・ｃｏｓθ＋ｄ・ｔａｎθ
＝０．５×０．８６６＋０．１６×０．５７７
＝０．５２５
条件式２：Ｇ＞ｄ・ｔａｎθ
＝０．１６×０．５７７
＝０．０９２３
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
従って、球体６の錐面２ｈの開口縁と回転軸２の中心軸線Ｌｓとの距離Ｒが０．５２５
ｍｍ以上であればよい。また、磁石３の外周面３ｃとステータ１０の内周面１０ｃとの間
隔Ｇ（ｍｍ）は、０．０９２３ｍｍ以上であればよい。この場合、可動距離ｄは、間隔Ｇ
の１．７３倍に設定した条件となる。このように、本形態によれば、上記の条件式１、２
を満たせばよいので、磁石３の外周面３ｃとステータ１０の内周面１０ｃとの間隔Ｇを過
度に広く設定する必要がないので、大きなトルクを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月24日(2017.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気部品を駆動するための駆動信号を出力する第１の制御手段と、
前記第１の制御手段の状態を監視し、前記第１の制御手段の状態に基づいて、前記電気部品に前記駆動信号が出力されるのを停止するリセット信号を出力する監視手段と、
前記リセット信号が入力されたことに従って、前記電気部品を駆動するための前記駆動信号が前記電気部品に入力されるのを停止する第２の制御手段と、を有し、
前記第１の制御手段は、さらに、イネーブル信号を出力し、
前記監視手段は、前記イネーブル信号が入力されたことに従って、前記リセット信号の出力を停止し、
前記第２の制御手段は、さらに、前記イネーブル信号が入力されたことに従って、前記電気部品を駆動するための前記駆動信号が前記電気部品に入力されるのを停止する、ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記情報処理装置の電力状態は、前記情報処理装置に含まれる一部の回路への電源の供給が遮断される省電力状態を含み、
前記省電力状態に移行する条件が成立すると、前記第１の制御手段は、前記イネーブル信号を前記監視手段及び前記第２の制御手段に出力し、
前記第２の制御手段は、前記イネーブル信号が入力されたことに従って、前記駆動信号が前記電気部品に入力されるのを停止する、ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記第１の制御手段は、ＣＰＵであり、
前記省電力状態では、前記ＣＰＵの内部クロックが停止する、ことを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記監視手段は、前記第１の制御手段から周期的に出力される繰り返し信号を検知する場合に、前記第１の制御手段が異常でないと判断し、前記繰り返し信号を検知しない場合に、前記第１の制御手段が異常であると判断する、ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記監視手段は、前記第１の制御手段が異常であると判断したことに基づいて、前記リセット信号を出力する、ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記監視手段は、ウォッチドックタイマである、ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記第１の制御手段は、Ｄフリップフロップと、第１の２入力論理和回路と、第２の２入力論理和回路と、を有する、ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記リセット信号は、前記Ｄフリップフロップに入力される、ことを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記イネーブル信号は、前記第１の２入力論理和回路に入力される、ことを特徴とする請求項７又は８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
電気部品を駆動するための駆動信号を出力する第１の制御工程と、
前記第１の制御工程の状態を監視し、前記第１の制御工程の状態に基づいて、前記電気部品に前記駆動信号が出力されるのを停止するリセット信号を出力する監視工程と、
前記リセット信号が入力されたことに従って、前記電気部品を駆動するための前記駆動信号が前記電気部品に入力されるのを停止する第２の制御工程と、を有し、
前記第１の制御工程は、さらに、イネーブル信号を出力し、
前記監視工程は、前記イネーブル信号が入力されたことに従って、前記リセット信号の出力を停止し、
前記第２の制御工程は、さらに、前記イネーブル信号が入力されたことに従って、前記電気部品を駆動するための前記駆動信号が前記電気部品に入力されるのを停止する、ことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の情報処理装置は、電気部品を駆動するための駆動信号を出力する第１の制御手段と、前記第１の制御手段の状態を監視し、前記第１の制御手段の状態に基づいて、前記電気部品に前記駆動信号が出力されるのを停止するリセット信号を出力する監視手段と、前記リセット信号が入力されたことに従って、前記電気部品を駆動するための前記駆動信号が前記電気部品に入力されるのを停止する第２の制御手段と、を有し、前記第１の制御手段は、さらに、イネーブル信号を出力し、前記監視手段は、前記イネーブル信号が入力されたことに従って、前記リセット信号の出力を停止し、前記第２の制御手段は、さらに、前記イネーブル信号が入力されたことに従って、前記電気部品を駆動するための前記駆動信号が前記電気部品に入力されるのを停止する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月21日(2016.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１に示すように、本実施形態のコモンレール式燃料噴射装置は、燃料を貯留する燃料タンク１１と、燃料を圧送する圧送ポンプ１２と、高圧燃料を蓄圧するコモンレール１３と、ディーゼルエンジン（以下、単にエンジンという）１４の筒内に燃料を直接噴射する複数のインジェクタ１５と、制御装置としてのＥＣＵ２０とを備えている。なお、本実施形態において、エンジン１４は４気筒エンジンとして示されているが、単気筒や４気筒以外の多気筒エンジンであってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
コモンレール１３は、圧送ポンプ１２から高圧配管１６を介して供給される高圧燃料を蓄圧する。コモンレール１３には、供給配管を介して各インジェクタ１５がそれぞれ接続されており、これらインジェクタ１５には高圧燃料が常時供給されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
１１  燃料タンク
１２  圧送ポンプ
１２Ｅ  第１の流量調整弁（第１ＰＣＶ）
１２Ｆ  第２の流量調整弁（第２ＰＣＶ）
１３  コモンレール
１４  エンジン
１５  インジェクタ
１８  減圧弁
１９  コモンレール圧センサ
２０  ＥＣＵ
２１  第１駆動回路
２２  第２駆動回路
３１  電磁駆動部
３２  電磁駆動部
３３  電磁駆動部
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月14日(2017.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮空気流を生成するように構成されるコンプレッサと、
前記圧縮空気流を前記コンプレッサから受け、かつ、燃焼後ガス流を生成するために燃料流を燃焼させるように構成されるコンバスタと、
動力および３０ｐｐｍ未満レベルのＮＯxを含む排ガス流を生成するために、前記燃焼後ガス流を前記コンバスタから受けるためのタービンと、
熱回収システムから出る冷却ガス流を生成するために、前記排ガス流を前記タービンから受けるように構成される、熱回収システムと、
前記熱回収システムからの前記冷却ガス流を受け、二酸化炭素を除去し、二酸化炭素流を生成する二酸化炭素捕獲システムであって、前記冷却ガス流の残りの部分が、前記二酸化炭素捕獲システムから排出される、前記二酸化炭素捕獲システムと、
１３%未満の酸素を含む、冷却圧縮ガス流を生成するために、少なくとも前記冷却ガス流の一部を前記二酸化炭素捕獲システムから受けるように構成される補助コンプレッサと、を含むタービンシステムであって、
前記補助コンプレッサからの前記冷却圧縮ガス流の第１の部分は前記コンバスタに入力されて、前記コンバスタの露出部分上に膜を生成し、
前記冷却圧縮ガス流の第２の部分は前記タービンに入力されて、冷却フローを提供する、タービンシステム。
【請求項２】
前記コンバスタは、前記燃料流の燃料リッチ燃焼を可能にするように構成されるリッチ燃焼コンバスタである、請求項１記載のタービンシステム。
【請求項３】
前記熱回収システムから前記補助コンプレッサに対する前記冷却ガス流のフローを制御する排ガス再循環バルブをさらに含む、請求項１または２に記載のタービンシステム。
【請求項４】
前記排ガス流の一部は前記コンプレッサに再循環され、前記圧縮空気流を生成する、請求項１乃至３のいずれかに記載のタービンシステム。
【請求項５】
前記排ガスは、５ｐｐｍ未満レベルのＮＯxを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載のタービンシステム。
【請求項６】
前記膜は、前記コンバスタライナーの露出部分、コンバスタドームおよびタービン排気中空上に生成される、請求項１乃至５のいずれかに記載のタービンシステム。
【請求項７】
圧縮空気流を形成するために、外気および３０ｐｐｍ未満レベルのＮＯxを含む排ガス流の少なくとも一部を圧縮するように構成されるコンプレッサと、
前記圧縮空気流を前記コンプレッサから受け、かつ、燃焼のリッチ急冷リーン（ＲＱＬ）モードにおいて燃料流を燃焼させて燃焼後ガス流を生成するように構成されるコンバスタと、
電気と前記排ガス流を生成するために、前記燃焼後ガス流を前記コンバスタから受けるためのタービンと、
冷却ガス流を生成するために、前記排ガス流の一部を前記タービンから受けるように構成される熱回収システムと、
前記熱回収システムからの前記冷却ガス流を受け、二酸化炭素を除去し、二酸化炭素流を生成する二酸化炭素捕獲システムであって、前記冷却ガス流の残りの部分が、前記二酸化炭素捕獲システムから排出される、前記二酸化炭素捕獲システムと、
１３%未満の酸素を含む、冷却圧縮ガス流を生成するために、前記冷却ガス流を前記二酸化炭素捕獲システムから受けるように構成される補助コンプレッサと、を含むタービンシステムであって、
前記冷却圧縮ガス流の第１の部分は前記コンバスタに向けられて、前記コンバスタの露出部分上に膜を生成し、
前記冷却圧縮ガス流の第２の部分は前記タービンに向けられて、冷却フローを提供する、タービンシステム。
【請求項８】
前記熱回収システムは、前記排ガス流を前記タービンから受けるように構成される、水蒸気を生成するための熱回収水蒸気生成器（ＨＲＳＧ）である、請求項１乃至７のいずれかに記載のタービンシステム。
【請求項９】
前記コンバスタは、
前記燃料流の燃料リッチ燃焼を可能にするように構成されるリッチ区域と、
前記燃料リッチ燃焼を前記燃料流の燃料リーン燃焼に変換することができるように構成される急冷区域と、
前記燃料流の前記燃料リーン燃焼を可能にするように構成されるリーン区域と、を含む、請求項１乃至８のいずれかに記載のタービンシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月19日(2016.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動力伝達装置である供試体の入出力軸にトルクを与えるねじり試験装置であって、
前記供試体の入力軸に接続される第１駆動部と、
前記供試体の出力軸に接続される第２駆動部と、
前記第１駆動部及び前記第２駆動部を制御するコントローラと、
を備え、
前記第１及び第２駆動部は、
モータと、
前記供試体の入力軸又は出力軸と接続され、前記モータの回転を前記供試体の入力軸又は出力軸に伝達するスピンドルと、
前記スピンドルを介して前記供試体の入力軸又は出力軸に与えられるトルクを検出するトルクセンサと、
前記スピンドルの回転数を検出する回転計と、備え、
前記コントローラが、
前記第１駆動部及び前記第２駆動部の一方について、前記スピンドルが所定の回転数で回転するように制御し、
前記第１駆動部及び前記第２駆動部の他方について、前記供試体の入力軸又は出力軸に所定のトルクを与えるように制御する、ねじり試験装置。
【請求項２】
前記所定のトルクが前記供試体の入力軸又は出力軸の設計トルク以下に設定された歯当たり試験を行うことが可能な、
請求項１に記載のねじり試験装置。
【請求項３】
前記コントローラが、
前記一方について、前記スピンドルが一定の回転数で回転するように制御し、
前記他方について、前記供試体の入力軸又は出力軸に一定のトルクを与えるように制御し、
前記第１駆動部と前記第２駆動部とのスピンドルの回転の位相差が第１の基準値を超えたときに、前記供試体を不良と判定する、
請求項２に記載のねじり試験装置。
【請求項４】
前記第１駆動部と前記第２駆動部とのスピンドルの回転の位相差が、前記供試体の減速比で補正した値である、
請求項３に記載のねじり試験装置。
【請求項５】
前記コントローラが、
前記一方について、前記スピンドルが一定の回転数で回転するように制御し、
前記他方について、前記供試体の入力軸又は出力軸に一定のトルクを与えるように制御し、
前記他方の前記スピンドルの回転数が所定の範囲を超えて変動したときに、前記供試体を不良と判定する、
請求項２に記載のねじり試験装置。
【請求項６】
前記コントローラが、前記第１駆動部及び前記第２駆動部のいずれか一方のトルクセンサが検出したトルクの減少量が第２の基準値を超えたときに、前記供試体が破壊したと判定する、
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のねじり試験装置。
【請求項７】
前記コントローラが、前記第１駆動部及び前記第２駆動部のいずれか一方のトルクセンサが検出したトルクが第３の基準値を超えたときに、前記供試体を不良と判定する、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のねじり試験装置。
【請求項８】
前記所定のトルクが前記供試体の入力軸又は出力軸の設計トルクを超える値に設定された加速劣化試験を行うことが可能な、
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のねじり試験装置。
【請求項９】
前記歯当たり試験を行い、前記歯当たり試験において前記供試体が不良と判定されなかった場合に、続けて、前記加速劣化試験を行う、
請求項３又は請求項５を引用する請求項８に記載のねじり試験装置。
【請求項１０】
前記コントローラは、前記供試体が不良又は破壊したと判定したときに、前記第１駆動部及び前記第２駆動部の駆動を停止させる、
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のねじり試験装置。
【請求項１１】
静的ねじり試験を行うときに、前記所定の回転数がゼロ値に設定される、
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のねじり試験装置。
【請求項１２】
前記スピンドルに固定された、前記供試体の入力軸又は出力軸を取り付けるチャックを備えた、
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のねじり試験装置。