【手続補正書】
【提出日】平成29年8月30日(2017.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１有効領域及び前記第１有効領域から延長される第２有効領域を含む基板と、
前記基板上に配置され、位置を感知する感知電極と、
前記感知電極上に配置される保護層と、を含み、
前記第１有効領域及び前記第２有効領域は、入力装置の位置をそれぞれ感知し、
前記第１有効領域は、フラットであり、
前記第２有効領域は、前記第１有効領域から曲がり(bent)、
前記感知電極は、複数個の感知電極を含み、
前記保護層は、第１保護層及び第２保護層を含み、
前記第１保護層は、前記感知電極の上面上に配置され、
前記第２保護層は、前記基板の上面と前記感知電極の底面との間に配置され、
前記第１保護層の厚さは、前記感知電極の厚さより大きい、静電容量式タッチセンサ。
【請求項２】
前記第１保護層及び前記第２保護層のうちの少なくとも１つの保護層は、前記感知電極との屈折率の調節によってインデックスマッチングされる、請求項１に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項３】
前記第１保護層は、前記複数個の感知電極の間に配置され、
前記第１保護層は、前記複数個の感知電極と直接接触する、請求項１または２に記載のタッチ静電容量式タッチセンサ。
【請求項４】
前記第１保護層は、前記複数個の感知電極の間の前記第２保護層と直接接触する、請求項１から３のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項５】
前記感知電極は、前記第１有効領域上の第１感知電極と、前記第２有効領域上の第２感知電極を含み、
前記第１感知電極は、インジウムスズ酸化物(indium tin oxide)、インジウム亜鉛酸化物(indium zinc oxide)、銅酸化物(copper oxide)、スズ酸化物(tin oxide)、亜鉛酸化物(zinc oxide)またはチタニウム酸化物(titanium oxide)を含み、
前記第２感知電極は、ナノワイヤー、炭素ナノチューブ(CNT)、グラフェン(graphene)及び金属からなる群から選択された物質のいずれか１つを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項６】
前記保護層は、ポリマーを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項７】
前記保護層は、ポリウレタン、アクリレート、メタクリレート、エポキシ、ポリカーボネート、ポリエチレン及びポリスチレンからなる群から選択された物質のいずれか１つを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項８】
前記第１保護層及び前記第２保護層のうちの少なくとも１つの保護層の厚さは、１μｍから２０μｍである、請求項１から７のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項９】
前記基板は、フレキシブルである、請求項１から８のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項１０】
前記複数個の感知電極は、第１方向に延長される１つの感知電極及び前記第１方向と交差する第２方向に延長される他の電極を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項１１】
前記第１保護層及び前記第２保護層は、前記複数個の感知電極のうちの少なくとも１つの感知電極と直接接触する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項１２】
前記第１保護層は、複数個の保護部を含み、
前記複数個の保護部は、相互に離隔する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項１３】
前記複数個の保護部は、第１保護部と第２保護部を含み、
前記第１保護部と前記第２保護部は、側方向に離隔し、
前記第１保護層は、前記第１保護部と前記第２保護部が前記第１有効領域の両側に配置されるように複数の保護部に分割される、請求項１２に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項１４】
前記複数個の保護部は、第１保護部及び第２保護部を含み、
前記感知電極のうちの少なくとも１つの感知電極は、前記第１保護部と前記第２保護部との間に配置される、請求項１２に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項１５】
前記第１保護部及び前記第２保護部は、前記第１有効領域と前記第２有効領域との間に配置される、請求項１４に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項１６】
前記２つの隣接した感知電極は、相互に対向する側面を有し、
前記複数個の保護部のうちの少なくとも１つの保護部は、前記２つの隣接した感知電極の側面を覆う、請求項１２に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項１７】
前記第１保護層は、前記複数個の感知電極のうちの少なくとも１つの感知電極の上面及び側面のうちの少なくとも１つの面の上に配置される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項１８】
前記基板上のカバー基板をさらに含み、
前記カバー基板の形状は、前記基板の形状と対応する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項１９】
前記第２有効領域は、前記第１有効領域から前記基板の前面から後面方向に曲げられ、
前記感知電極は、前記基板の前面から垂直に突出する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項２０】
前記第１保護層の厚さは、前記第２保護層の厚さより厚い、請求項１から１１のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項２１】
前記第１保護層は、隣接する感知電極の間の領域で前記第２保護層と直接接触する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項２２】
前記基板上の樹脂層をさらに含み、
前記樹脂層は、陰刻部を含み、
前記感知電極は、前記陰刻部の内部に配置される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項２３】
前記第２領域は、前記第２領域の終端が曲がる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項２４】
前記第１感知電極と前記第２感知電極は、相互平行に離隔して配置される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項２５】
前記第１感知電極は、前記第２感知電極と接して(next to)配置される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の静電容量式タッチセンサ。
【請求項２６】
表示パネルと、
前記表示パネル上の静電容量式タッチセンサと、
前記静電容量式タッチセンサの上のカバー基板と、を含み、
前記表示パネルは、下部基板を含み、
前記下部基板上に薄膜トランジスタ(TFT)が配置され、
前記静電容量式タッチセンサは、
第１有効領域と前記第１有効領域から延長される第２有効領域を含む基板と、
前記基板上に配置され、位置を感知する感知電極と、
前記感知電極上に配置される保護層と、を含み、
前記第１有効領域及び前記第２有効領域は、入力装置の位置をそれぞれ感知し、
前記第１有効領域は、フラットであり、
前記第２有効領域は、前記第１有効領域から曲がり(bent)、
前記カバー基板は、前記第１有効領域及び前記第２有効領域と対応する形状を有し、
前記感知電極は、複数個の感知電極を含み、
前記保護層は、第１保護層及び第２保護層を含み、
前記第１保護層は、前記感知電極の上面上に配置され、
前記第２保護層は、前記基板の上面と前記感知電極の底面との間に配置され、
前記第１保護層の厚さは、前記感知電極の厚さより厚い、表示装置。
【請求項２７】
前記第１保護層及び前記第２保護層のうちの少なくとも１つの保護層は、前記感知電極との屈折率の調節によってインデックスマッチングされる、請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２８】
前記表示パネルは、液晶表示装置(LCD)、電界放出表示装置(Field Emission Display)、プラズマ表示装置(PDP)、有機発光表示装置(OLED)または電気泳動表示装置(EPD)を含む、請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２９】
前記第２領域は、前記表示パネルの方向に曲がる、請求項２６に記載の表示装置。