【手続補正書】
【提出日】平成29年1月31日(2017.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されている複数の共振構造と、
前記複数の共振構造のうち、隣り合う２つの共振構造の間を接続する金属部と、を有し、
前記複数の共振構造のそれぞれは、
負性抵抗素子と、
前記負性抵抗素子に電気的に接して設けられた第一の導体と、
前記負性抵抗素子に電気的に接して設けられ、該負性抵抗素子を介して前記第一の導体の反対側に設けられた第二の導体と、を備え、
前記金属部は、前記２つの共振構造のそれぞれの前記第一の導体と容量結合しており、
前記２つの共振構造は、発振される電磁波の波長以下又は前記波長の整数倍の距離を隔てて配置されていることを特徴とする発振素子。
【請求項２】
前記複数の共振構造のそれぞれは、半波長共振器であることを特徴とする請求項１に記載の発振素子。
【請求項３】
前記第一の導体及び前記第二の導体のそれぞれは、金属を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の発振素子。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に配置されている複数の共振構造と、
前記複数の共振構造のうち、隣り合う２つの共振構造の間を接続する金属部と、を有し、
前記複数の共振構造のそれぞれは、
負性抵抗素子と、
前記負性抵抗素子に電気的に接して設けられた第一の導体と、を備え、
前記金属部は、前記第一の導体と誘導結合しており、
前記２つの共振構造は、発振される電磁波の波長以下又は前記波長の整数倍の距離を隔てて配置されていることを特徴とする発振素子。
【請求項５】
前記複数の共振構造のそれぞれは、四分の一波長共振器であることを特徴とする請求項４に記載の発振素子。
【請求項６】
前記第一の導体は、金属を含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の発振素子。
【請求項７】
前記２つの共振構造は、前記波長の半分以下の距離を隔てて配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項８】
前記複数の共振構造のそれぞれは、アンテナを含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項９】
前記複数の共振構造のそれぞれは、プラズモン導波路を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項１０】
前記複数の共振構造は、前記波長以下又は前記波長の整数倍のピッチで配置されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項１１】
前記複数の共振構造は、前記波長の半分以下のピッチで配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の発振素子。
【請求項１２】
基板上に配置されている第一の素子及び第二の素子と、
前記第一の素子と前記第二の素子とを接続する金属部と、を有し、
前記第一の素子及び前記第二の素子のそれぞれは、
第一の導体と、
第二の導体と、
前記第一の導体及び前記第二の導体のそれぞれと電気的に接しており、前記第一の導体と前記第二の導体との間に配置されている負性抵抗素子と、を備え、
前記金属部は、前記第一の素子の前記第一の導体及び前記第二の素子の前記第一の導体と容量結合しており、
前記第一の素子と前記第二の素子とは、発振される電磁波の波長以下、又は前記波長の整数倍の距離を隔てて配置されていることを特徴とする発振素子。
【請求項１３】
基板上に配置されている第一の素子及び第二の素子と、
前記第一の素子と前記第二の素子とを接続する金属部と、を有し、
前記第一の素子及び前記第二の素子のそれぞれは、
第一の導体と、
前記第一の導体と電気的に接している負性抵抗素子と、を備え、
前記金属部は、前記第一の素子の前記第一の導体及び前記第二の素子の前記第一の導体と誘導結合しており、
前記第一の素子と前記第二の素子とは、発振される電磁波の波長以下、又は前記波長の整数倍の距離を隔てて配置されていることを特徴とする発振素子。
【請求項１４】
前記第一の素子と前記第二の素子とは、前記波長の半分以下の距離を隔てて配置されていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の発振素子。
【請求項１５】
第三の素子を更に有し、
前記第一の素子、前記第二の素子及び前記第三の素子は、前記波長以下又は前記波長の整数倍のピッチで配置されていることを特徴とする請求項１２から１４のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項１６】
前記金属部は、電気長π又は２πの長さの伝送線であること特徴とする請求項１から１５のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項１７】
前記負性抵抗素子は、共鳴トンネルダイオードであることを特徴とする請求項１から１６のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項１８】
前記電磁波は、３０ＧＨｚ以上３０ＴＨｚ以下の周波数領域の一部を含むことを特徴とする請求項１から１７のいずれか１項に記載の発振素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の発振素子は、基板と、前記基板上に配置されている複数の共振構造と、前記複数の共振構造のうち、隣り合う２つの共振構造の間を接続する金属部と、を有し、前記複数の共振構造のそれぞれは、負性抵抗素子と、前記負性抵抗素子に電気的に接して設けられた第一の導体と、前記負性抵抗素子に電気的に接して設けられ、該負性抵抗素子を介して前記第一の導体の反対側に設けられた第二の導体と、を備える。そして、前記金属部は、前記２つの共振構造のそれぞれの前記第一の導体と容量結合しており、前記２つの共振構造は、発振される電磁波の波長以下又は前記波長の整数倍の距離を隔てて配置されている。或いは、本発明の発振素子は、基板と、前記基板上に配置されている複数の共振構造と、前記複数の共振構造のうち、隣り合う２つの共振構造の間を接続する金属部と、を有し、前記複数の共振構造のそれぞれは、負性抵抗素子と、前記負性抵抗素子に電気的に接して設けられた第一の導体と、を備える。そして、前記金属部は、前記第一の導体と誘導結合しており、前記２つの共振構造は、発振される電磁波の波長以下又は前記波長の整数倍の距離を隔てて配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の発振素子は、基板上に配置されている第一の素子及び第二の素子と、前記第一の素子と前記第二の素子とを接続する金属部と、を有し、前記第一の素子及び前記第二の素子のそれぞれは、第一の導体と、第二の導体と、前記第一の導体及び前記第二の導体のそれぞれと電気的に接しており、前記第一の導体と前記第二の導体との間に配置されている負性抵抗素子と、を備える。前記金属部は、前記第一の素子の前記第一の導体及び前記第二の素子の前記第一の導体と容量結合しており、前記第一の素子と前記第二の素子とは、発振される電磁波の波長以下、又は前記波長の整数倍の距離を隔てて配置されている。或いは、本発明の発振素子は、基板上に配置されている第一の素子及び第二の素子と、前記第一の素子と前記第二の素子とを接続する金属部と、を有し、前記第一の素子及び前記第二の素子のそれぞれは、第一の導体と、前記第一の導体と電気的に接している負性抵抗素子と、を備える。前記金属部は、前記第一の素子の前記第一の導体及び前記第二の素子の前記第一の導体と誘導結合しており、前記第一の素子と前記第二の素子とは、発振される電磁波の波長以下、又は前記波長の整数倍の距離を隔てて配置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の発振素子は、例えば、電磁波を共振させるための共振構造を基板上に複数有し、共振構造は、負性抵抗素子と、負性抵抗素子に互いに反対側から電気的に接した第一及び第二の導体と、を備える。そして、電力合成による発振出力を得ると共に寄生発振を抑制することができる様に、第一の導体と容量結合或いは誘導結合する金属部を用いて、隣接した共振構造の間が接続されている。