Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月16日(2017.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を集光するレンズ群と、
前記レンズ群が集光した光を反射させるプリズムと、
前記プリズムにより反射された光を受光して光電変換を行うことにより電気信号を生成する受光部を有する撮像素子と、
を備え、前記プリズムは前記受光部上に実装されるとともに、前記レンズ群は前記撮像素子表面に直接実装されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮像素子と接する前記レンズ群の底面に平面状をなす平坦部が形成されることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像素子の表面上に、前記レンズ群の位置を規定するレンズ位置規定手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記レンズ位置規定手段は、鉛直断面がＶ字状をなすシリコンブロックであることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記レンズ位置規定手段は、前記撮像素子表面に成膜された薄膜に形成された凹部であることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記レンズ位置規定手段は、前記撮像素子表面に形成されたアライメントマークであることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記レンズ群は、複数の対物レンズと、前記複数の対物レンズの間に配列される複数のスペーサと、絞り部材とが一体化された部組とされ、前記撮像素子上に前記部組の位置を規定する際、前記部組から入力された画像情報をもとに前記部組の搭載位置を調整することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記レンズ群は、複数の対物レンズと、前記複数の対物レンズの間に配列される複数のスペーサと、絞り部材と、からなり、
前記複数の対物レンズ、前記複数のスペーサおよび前記絞り部材は、前記撮像素子表面に直接実装されることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項９】
生体内に挿入され、生体内を撮像する撮像装置を備えた内視鏡装置において、
前記撮像装置は、請求項１〜８のいずれか一つに記載の撮像装置であることを特徴とする内視鏡装置。
【請求項１０】
入射光を集光するレンズ群と、
前記レンズ群が集光した光を反射させるプリズムと、
前記プリズムにより反射された光を受光して光電変換を行うことにより電気信号を生成する受光部を有する撮像素子と、
を備える撮像装置が挿入部の先端部に設けられ、前記挿入部を生体内に挿入して生体内情報を取得する内視鏡装置において、
前記撮像素子は前記先端部の構成物によって支持されていることを特徴とする内視鏡装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月27日(2017.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を生成する光源と、
前記光を上部方向にガイドする導光板と、
前記光源を固定し、前記光源及び前記導光板の間で上部に放出される光を拡散させて上部方向に提供する第１フレーム部材と、
前記導光板を固定する第２及び第３フレーム部材と、
前記導光板の下部に配置されて前記導光板の下部に放出される光を前記上部方向に反射させる反射板と、
前記導光板及び前記第１乃至第３フレーム部材の上部に配置されて前記第１フレーム部材及び前記導光板から提供された前記光を拡散させ、前記上部方向に集光する光学シートと、を含むバックライトユニット。
【請求項２】
前記第１フレーム部材は、前記光源を固定する第１延長部を含み、
第１方向で、前記導光板の一側の所定の領域は、前記第１延長部とオーバーラップされ、
前記第１延長部は、前記第１方向と垂直に交差する第２方向に延長される請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項３】
前記第１延長部は、
前記第２方向に長辺を有し、前記第１方向及び前記第２方向と垂直に交差する第３方向に短辺を有し、前記第３方向に第１高さを有する第１＿１延長部と、
前記第１＿１延長部の内面に連結され、前記第２方向に長辺を有し、前記第１方向に短辺を有する第１＿２延長部と、
前記第１＿２延長部に連結される第１傾斜部と、
前記第１＿２延長部の下面に配置される第１反射部材と、を含み、
前記第１方向で前記第１＿２延長部の一側面は、前記第１＿１延長部の上部で下部に前記第１高さより小さい第２高さだけ離隔されて前記第１＿１延長部の内面に連結され、前記第１＿２延長部の他側面は、前記第１傾斜部の一側面に連結され、前記第１傾斜部の他側面は、前記第１方向を基準に下部に所定の角度に傾いた傾斜面に形成される請求項２に記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記光源は、前記第１＿２延長部の下部で前記第１＿１延長部の内面に連結され、前記第１方向で前記第１＿２延長部の所定の領域及び前記第１傾斜部は、前記導光板の前記一側の所定の領域とオーバーラップされるように配置される請求項３に記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記第１＿２延長部は、
樹脂モールド部材と、
前記樹脂モールド部材に収容され、前記樹脂モールド部材と異なる屈折率を有する複数の拡散部材と、を含む請求項３に記載のバックライトユニット。
【請求項６】
前記樹脂モールド部材は、ポリカーボネートを含み、前記拡散部材は、複数のシリコン粒子を含む請求項５に記載のバックライトユニット。
【請求項７】
前記拡散部材の粒子数は、１３０００００／ｍｍ3乃至２００００００／ｍｍ3に形成される請求項５に記載のバックライトユニット。
【請求項８】
前記第１方向で前記光源と前記導光板の一側面は、第１距離を置いて配置され、
前記第１反射部材は、前記第１方向に、前記導光板の前記一側面から前記光源が配置された側へと前記第１距離の半分に対応する第２距離だけ延長され、前記導光板の前記一側面から、前記光源が配置された側とは反対の側へと、前記第２距離より大きい第３距離だけ延長される請求項３に記載のバックライトユニット。
【請求項９】
前記導光板の下面に配置されて入射された光を上部方向に反射及び拡散させ、複数の行及び列に配列された複数の散乱パターンをさらに含む請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項１０】
前記第１、第２、及び第３フレーム部材は、ポリカーボネートを含む請求項１に記載のバックライトユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月26日(2017.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウム、ガリウムおよび亜鉛を有する酸化物半導体層の処理方法であって、
前記酸化物半導体層は、
第１のインジウムと、
前記第１のインジウムと隣接している第１の酸素欠損と、
前記第１の酸素欠損に捕獲されている第１の水素と、
第２のインジウムと、
前記第２のインジウムと隣接している第２の酸素欠損と、
前記第２の酸素欠損に捕獲されている第２の水素と、
第１の過剰酸素と、
第２の過剰酸素と、を有し、
前記第１の過剰酸素を前記第１の水素と結合させて水酸基を生成し、
前記水酸基を前記第１の酸素欠損から脱離させ、
前記水酸基を前記第２の水素と結合させて水分子を生成し、
前記水分子を前記酸化物半導体層から脱離させ、
前記第２の過剰酸素を前記第１の酸素欠損に捕獲させて前記第１の酸素欠損を消失させる、ことを特徴とする酸化物半導体層の処理方法。
【請求項２】
インジウム、ガリウムおよび亜鉛を有する酸化物半導体層の処理方法であって、
絶縁膜が設けられ、
前記絶縁膜は複数の過剰酸素を有し、
前記酸化物半導体層は、
第１のインジウムと、
前記第１のインジウムと隣接している第１の酸素欠損と、
前記第１の酸素欠損に捕獲されている第１の水素と、
第２のインジウムと、
前記第２のインジウムと隣接している第２の酸素欠損と、
前記第２の酸素欠損に捕獲されている第２の水素と、を有し、
前記複数の過剰酸素を前記絶縁膜から前記酸化物半導体層に供給し、前記酸化物半導体層内部で結合している複数の酸素と置き換えることで、置き換えられた２つの酸素を第１の過剰酸素と第２の過剰酸素として原子間を移動させ、
前記第１の過剰酸素を前記第１の水素と結合させて水酸基を生成し、
前記水酸基を前記第１の酸素欠損から脱離させ、
前記水酸基を前記第２の水素と結合させて水分子を生成し、
前記水分子を前記酸化物半導体層から脱離させ、
前記第２の過剰酸素を前記第１の酸素欠損に捕獲させて前記第１の酸素欠損を消失させる、ことを特徴とする酸化物半導体層の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月9日(2017.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のベース部材と、
前記ベース部材の一方の面上に設けられた、第１の電極、電気機械変換膜及び第２の電極を有する電気機械変換素子と、を備えたアクチュエータであって、
前記ベース部材は、前記一方の面における前記電気機械変換素子が設けられた部分とは反対側の他方の面側から凹状に形成された薄肉部を有し、
前記電気機械変換膜は中央部から該電気機械変換膜の膜厚方向と交差する少なくとも一方向における両端部に向けて徐々に薄くなるように形成され、
前記電気機械変換膜の膜厚方向と交差する方向であって膜厚が変化している前記少なくとも一方向における幅をＷｐとし、該電気機械変換膜の膜厚変化方向における前記ベース部材の薄肉部の幅をＷｉとしたときに、Ｗｐ≧Ｗｉの関係を満たすことを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２】
請求項１のアクチュエータにおいて、
前記ベース部材は、基板と、該基板と前記電気機械変換素子との間に位置する振動板と、を有し、
前記ベース部材の薄肉部は、前記基板に形成された貫通孔と前記振動板とにより形成されていることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項３】
請求項１又は２のアクチュエータにおいて、
前記電気機械変換膜の少なくとも１つの断面において、膜厚分布形状が、式１：ｙ＝−ａｘ２＋ｂで近似される、ことを特徴とするアクチュエータ。
但し、前記式１中、ｘは、前記断面における、前記電気機械変換膜の断面中央を０とした、前記膜厚方向に垂直な方向の座標位置を表し、
ｙは、ｘにおける前記電気機械変換膜の膜厚を表す。
【請求項４】
請求項３のアクチュエータにおいて、
前記式１中、ａは、前記断面の中央における前記電気機械変換膜の膜厚Ｔｍと、前記電気機械変換膜のｘ軸方向の幅Ｗと、を用いて、０．８×{（２Ｔｍ）／Ｗ２}＜ａ＜１．２×{（２Ｔｍ）／Ｗ２}の関係を満たす、ことを特徴とするアクチュエータ。
【請求項５】
請求項３又は４のアクチュエータにおいて、
前記式１中、ｂは、前記断面の中央における前記電気機械変換膜の膜厚Ｔｍを用いて、０．８Ｔｍ＜ｂ＜１．２Ｔｍの関係を満たす、ことを特徴とするアクチュエータ。
【請求項６】
板状のベース部材の一方の面上に第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に塗布液を塗布する工程と、
前記塗布した塗布液の膜を乾燥させる乾燥工程とを含み、
前記塗布工程と前記乾燥工程とを含む膜形成工程を繰り返すことにより、電気機械変換膜を形成するアクチュエータの製造方法であって、
前記膜形成工程では、前記電気機械変換膜が中央部から端部に向けて徐々に薄くなるように形成され、
前記第１の電極に対向するように、前記ベース部材の一方の面とは反対側の他方の面側から凹状に形成された薄肉部を、前記ベース部材に形成する薄肉部形成工程を更に含み、
前記電気機械変換膜の膜厚方向と交差する方向であって膜厚が変化している膜厚変化方向における幅をＷｐとし、該電気機械変換膜の膜厚変化方向における前記ベース部材の薄肉部の幅をＷｉとしたときに、Ｗｐ≧Ｗｉの関係を満たすことを特徴とするアクチュエータの製造方法。
【請求項７】
請求項６のアクチュエータの製造方法において、
前記ベース部材は、基板と、該基板と前記第１の電極との間に位置する振動板と、を有し、
前記ベース部材の薄肉部を前記基板に形成された貫通孔と前記振動板とにより形成することを特徴とするアクチュエータの製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７のアクチュエータの製造方法において、
前記塗布工程は、パルス電圧が印加される電気機械変換素子を用いたインクジェット方式により前記塗布液の液滴を塗布することを特徴とするアクチュエータの製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれかのアクチュエータの製造方法において、
前記塗布液はゾルゲル液であり、
前記膜形成工程は、前記乾燥させた塗布液の膜を熱分解させる熱分解工程を含むことを特徴とするアクチュエータの製造方法。
【請求項１０】
請求項９のアクチュエータの製造方法において、
前記熱分解した膜を結晶化させる結晶化工程を更に含み、
前記膜形成工程及び前記結晶化工程を１回又は２回以上実行することを特徴とするアクチュエータの製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０のアクチュエータの製造方法において、
前記膜形成工程における前記塗布工程の前に、前記第１の電極に対して部分的に表面改質を行う表面改質工程を更に含むことを特徴とするアクチュエータの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１のアクチュエータの製造方法において、
前記表面改質工程では、前記第１の電極上にチオール化合物が形成され、形成された該チオール化合物をフォトリソグラフィーエッチング処理により部分的に除去することを特徴とするアクチュエータの製造方法。
【請求項１３】
請求項６乃至１２のいずれかのアクチュエータの製造方法において、
前記膜形成工程では、前記電気機械変換膜の少なくとも１つの断面において、膜厚分布形状が、式１：ｙ＝−ａｘ２＋ｂで近似される、ことを特徴とするアクチュエータの製造方法。
但し、前記式１中、ｘは、前記断面における、前記電気機械変換膜の断面中央を０とした、前記膜厚方向に垂直な方向の座標位置を表し、
ｙは、ｘにおける前記電気機械変換膜の膜厚を表す。
【請求項１４】
請求項１３のアクチュエータの製造方法において、
前記式１中、ａは、前記断面の中央における前記電気機械変換膜の膜厚Ｔｍと、前記電気機械変換膜のｘ軸方向の幅Ｗと、を用いて、０．８×{（２Ｔｍ）／Ｗ２}＜ａ＜１．２×{（２Ｔｍ）／Ｗ２}の関係を満たす、ことを特徴とするアクチュエータの製造方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４のアクチュエータの製造方法において、
前記式１中、ｂは、前記断面の中央における前記電気機械変換膜の膜厚Ｔｍを用いて、０．８Ｔｍ＜ｂ＜１．２Ｔｍの関係を満たす、ことを特徴とするアクチュエータの製造方法。
【請求項１６】
液滴を吐出するノズルと、該ノズルが連通する加圧室と、該加圧室内の液体に圧力を発生させる圧力発生手段と、を備えた液滴吐出ヘッドにおいて、
前記圧力発生手段は、請求項１乃至５のいずれかのアクチュエータ、又は、請求項６乃至１５のいずれかのアクチュエータの製造方法により得られたアクチュエータであることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項１７】
請求項１６の液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置。
【請求項１８】
液滴吐出ヘッドから画像形成用の液滴を吐出させて記録媒体に画像を形成する画像形成装置であって、
前記液滴吐出ヘッドとして、請求項１６の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月22日(2017.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜を有するトランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成する工程は、
前記酸化物半導体膜を覆うように、第１の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜上に、第２の導電膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜と重なる領域の前記第２の導電膜を、選択的に除去する工程と、
前記第２の導電膜を覆い、かつ前記第２の導電膜から露出した前記第１の導電膜と接するように、第３の導電膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜と重なる領域の前記第１の導電膜と前記第３の導電膜とを選択的に除去する工程と、
前記除去した後、洗浄処理を行う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜を有するトランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成する工程は、
前記酸化物半導体膜を覆うように、第１の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜上に、第２の導電膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜と重なる領域の前記第２の導電膜を、選択的に除去する工程と、
前記第２の導電膜を覆い、かつ前記第２の導電膜から露出した前記第１の導電膜と接するように、第３の導電膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜と重なる領域の前記第１の導電膜と前記第３の導電膜とを選択的に除去し、かつ前記酸化物半導体膜の上面を選択的に除去する工程と、
前記除去した後、洗浄処理を行う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の導電膜は、銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜よりも融点が高い材料を含み、
前記第３の導電膜は、前記第２の導電膜よりも融点が高い材料を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の導電膜は、タングステン、チタン、モリブデン、クロム、またはタンタルを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第３の導電膜は、タングステン、チタン、モリブデン、クロム、またはタンタルを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第３の導電膜は、金属窒化物または金属酸化物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記洗浄処理に、リン酸を含む溶液を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月10日(2017.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線又はガンマ線を用いて画像を取得する撮像装置であって、
受光素子と、
前記受光素子と電気的に接続された回路部と、を有し、
前記回路部は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、
絶縁表面上のゲート電極と、
前記ゲート電極上に第１の絶縁膜、第２の絶縁膜の順で積層されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極と重なる酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の一部と接するソース電極層およびドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層上の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁膜は窒化珪素膜であり、
前記第２の絶縁膜は酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜であり、
前記第１の絶縁膜の膜厚は１００ｎｍ乃至４００ｎｍであり、
前記第２の絶縁膜の膜厚は５ｎｍ乃至２０ｎｍであることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記受光素子および前記回路部上にシンチレータを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記受光素子は、フォトダイオードであることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記受光素子は、一対の電極間に半導体層を有する可変抵抗素子であることを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月6日(2017.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有し、
前記第２の導電層の下面は、前記第１の導電層と接する領域を有し、
前記第２の導電層の上面は、前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
前記第２の導電層の側面は、前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
前記半導体層の上面は、前記第１の導電層と接する領域を有し、
前記第２の導電層は、銅、アルミニウム、金、又は銀を含み、
前記第２の導電層の側面は、前記第１の導電層の側面より内側に位置し、かつ、前記第１の絶縁層の側面より内側に位置する半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有し、
前記第２の導電層の下面は、前記第１の導電層と接する領域を有し、
前記第２の導電層の上面は、前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
前記第２の導電層の側面は、前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
前記半導体層の上面は、前記第１の導電層と接する領域を有し、
前記第２の導電層は、銅、アルミニウム、金、又は銀を含み、
前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層の上面と接する領域と、かつ、前記第１の絶縁層の下面と接する領域と、を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の導電層は、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンの単体若しくは合金、又は窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン若しくは窒化モリブデンで形成される半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記半導体層において、前記第１の導電層と接する領域の膜厚は、前記第１の導電層と接しない領域の膜厚よりも大きい半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記半導体層は、インジウム、ガリウム又は亜鉛を含有する酸化物半導体層である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月5日(2017.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、下引き層と、電荷発生層と、正孔輸送層と、をこの順に有する電子写真感光体の製造方法であって、該製造方法が、
２５℃１気圧における水に対する溶解度が３．０質量％以下の液体、および電子輸送物質を含有する溶液を調製する工程と、
該溶液を水に分散させて乳化液を調製する工程と、
該乳化液の塗膜を該支持体上に形成し、該塗膜を加熱することにより、該下引き層を形成する工程と、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記溶液が、さらに、２５℃１気圧における水に対する溶解度が５．０質量％以上の液体を含有する請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記２５℃１気圧における水に対する溶解度が５．０質量％以上の液体が、テトラヒドロフラン、ジメトキシメタン、２−ブタノン、１，２−ジオキサン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、１，３，５−トリオキサン、メタノール、２−ペンタノン、エタノール、テトラヒドロピラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコール−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、メチルアセテート、エチルアセテート、ｎ−プロピルアルコール、３−メトキシブタノール、３−メトキシブチルアセテートおよびエチレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群より選択される少なくとも１つである請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記２５℃１気圧における水に対する溶解度が５．０質量％以上の液体が、テトラヒドロフラン、２−ブタノンおよびメタノールからなる群より選択される少なくとも１つである請求項３に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記溶液が、さらに、樹脂を含有する請求項２から４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記電子輸送物質が、重合性官能基を有する電子輸送物質であり、
前記樹脂が、重合性官能基を有し、
前記溶液が、さらに、架橋剤を含有する
請求項５に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記電子輸送物質が、重合性官能基を有する電子輸送物質であり、
前記溶液が、さらに、架橋剤を含有する
請求項２から４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
前記乳化液における（ｗ）と（ａ＋ｂ＋ｒ＋ｃｔ＋ｋ）との比（ｗ／（ａ＋ｂ＋ｒ＋ｃｔ＋ｋ））が、５／５〜７／３である請求項６に記載の電子写真感光体の製造方法。
（ｗは、前記乳化液中の前記水の質量を示す。ａは、前記乳化液中の前記２５℃１気圧における水に対する溶解度が３．０質量％以下の液体の質量を示す。ｂは、前記乳化液中の前記２５℃１気圧における水に対する溶解度が５．０質量％以上の液体の質量を示す。ｃｔは、前記乳化液中の前記電子輸送物質の質量を示す。ｒは、前記乳化液中の前記樹脂の質量を示す。ｋは、前記乳化液中の前記架橋剤の質量を示す。）
【請求項９】
前記乳化液における（ａ）と（ｂ）との比（ａ／ｂ）が、１／９〜９／１である請求項２から８のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
（ａは、前記乳化液中の前記２５℃１気圧における水に対する溶解度が３．０質量％以下の液体の質量を示す。ｂは、前記乳化液中の前記２５℃１気圧における水に対する溶解度が５．０質量％以上の液体の質量を示す。）
【請求項１０】
前記電子輸送物質が、イミド化合物、キノン化合物およびベンズイミダゾール化合物からなる群より選択される少なくとも１つである請求項１から９のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１１】
前記２５℃１気圧における水に対する溶解度が３．０質量％以下の液体が、シクロヘキサノン、トルエンおよびキシレンからなる群より選択される少なくとも１つである請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、支持体と、下引き層と、電荷発生層と、正孔輸送層と、をこの順に有する電子写真感光体の製造方法であって、該製造方法が、
２５℃１気圧における水に対する溶解度が３．０質量％以下の液体、および電子輸送物質を含有する溶液を調製する工程と、
該溶液を水に分散させて乳化液を調製する工程と、
該乳化液の塗膜を該支持体上に形成し、該塗膜を加熱することにより、該下引き層を形成する工程と、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以下に、本発明の電子写真感光体の製造方法、および電子写真感光体を構成する材料に関して説明する。本発明の電子写真感光体は、支持体と、下引き層と、電荷発生層と、正孔輸送層と、をこの順に有する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月9日(2017.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を射出する放電灯と、
前記放電灯に駆動電力を供給する放電灯駆動装置と、
前記放電灯を冷却する冷却装置と、
前記冷却装置を制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、前記放電灯の電極間電圧と前記冷却装置の回転数との関係を示す制御情報に基づいて前記冷却装置を制御することを特徴とする光源装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光源装置であって、
前記冷却装置の回転数は、前記放電灯の電極間電圧を変数とする一次関数となることを特徴とする光源装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光源装置であって、
前記制御装置は、
前記電極間電圧が増加する場合、前記冷却装置の回転数を増加させ、
前記電極間電圧が減少する場合、前記冷却装置の回転数を減少させることを特徴とする光源装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の光源装置であって、
前記制御装置は、さらに前記冷却装置からの冷却風の送風位置および送風領域のうち少なくとも一方を前記制御情報に基づいて制御することを特徴とする光源装置。
【請求項５】
請求項１に記載の光源装置であって、
前記冷却装置の回転数は、前記放電灯の電極間電圧の所定の範囲に対して決められた値であることを特徴とする光源装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の光源装置であって、
前記制御装置は、前記制御情報と、前記駆動電力の情報と、に基づいて前記冷却装置を制御することを特徴とする光源装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の光源装置であって、
前記放電灯の温度分布に応じて、前記放電灯へ送風される前記冷却装置からの空気を調整する調整装置をさらに備えることを特徴とする光源装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の光源装置であって、
前記制御情報に含まれる前記回転数および前記電極間電圧は、前記放電灯の温度が適切な温度に維持されるように関連付けられていることを特徴とする光源装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の光源装置と、
前記光源装置から射出される光を映像信号に応じて変調する光変調素子と、
前記光変調素子により変調された光を投射する投射光学系と、
を備えることを特徴とするプロジェクター。
【請求項１０】
冷却装置を用いた放電灯の冷却方法であって、
前記放電灯の電極間電圧と前記冷却装置の回転数との関係を示す制御情報に基づいて前記放電灯を冷却するステップを備えることを特徴とする放電灯の冷却方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
本実施形態の制御情報ＣＩａは、図７に示すように、制御情報ＣＩａ１と、制御情報ＣＩａ２と、制御情報ＣＩａ３と、を含む。
制御情報ＣＩａ１は、ランプ電力ＷｌａがＷｌａ１の場合の制御情報である。制御情報ＣＩａ２は、ランプ電力ＷｌａがＷｌａ２の場合の制御情報である。制御情報ＣＩａ３は、ランプ電力ＷｌａがＷｌａ３の場合の制御情報である。図６に示したように、ランプ電力Ｗｌａが大きいほど、ランプ電圧Ｖｌａと放電灯温度Ｔとの関係を示す一次関数の傾きは、大きくなる。したがって、ランプ電力Ｗｌａが大きくなるほど、ランプ電圧Ｖｌａに対するファン電圧Ｖｆが上昇する割合、すなわち、ランプ電圧Ｖｌａと放電灯温度Ｔとの一次関数の傾きも大きくなる。すなわち、制御情報ＣＩａ１，ＣＩａ２，ＣＩａ３は、この順に一次関数の傾きが大きくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
１Ａ…プロジェクター、５…光源装置、１０…放電灯点灯装置（放電灯駆動装置）、４５…投射光学装置（投射光学系）、９０…放電灯、２００ｂ…ファン制御装置（制御装置）、４４２…液晶パネル（光変調素子）、５１０ａ…頂部、ＣＩ，ＣＩａ，ＣＩａ１，ＣＩａ２，ＣＩａ３…制御情報、ＣＵ２…第２冷却装置（冷却装置）、Ｔ…温度（放電灯温度）
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月24日(2017.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
これより図３を参照すると、平行６面体が曲げ半径に従って再計算された例が論じられている。与えられたポイントＡ１およびＢ１は、ベクトルに結合されて、もはや平行６面体の頂点上に配置されない。なぜならば、曲げ１および曲げ４に対して与えられた曲げ半径が順守されるように平行６面体が再計算されているからである。表示されているパスは、平行６面体のエッジＤ７、Ｄ２、およびＤ１０を備える。これら３つの連続する部分セグメント１、セグメント２、セグメント３は、互いに曲線曲げ２、曲げ３と結ばれ、ポイントＡ１は、曲線曲げ１を用いてセグメント１に連結され、ポイントＢ１は、曲線曲げ４を用いてセグメント３に連結される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
あるいはまた、衝突解析は、ソリューションとして提案された１または複数のパス間の衝突を理解することができる設計者によって直接実行される。実際には、本発明に従ってすべてのソリューションの表現が現実的であるので、設計者は、シーンの他のオブジェクトとの衝突を理解することができ、従って好ましくないソリューションを選択しない。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月12日(2017.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
終了命令を含む操作命令および折り曲げ情報が供給される演算装置と、
前記操作命令および前記折り曲げ情報を供給する入出力装置と、を有し、
前記演算装置は、演算部および前記演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え、
前記入出力装置は、前記操作命令を供給することができる入力手段および折り曲げられた角度を検知して前記折り曲げ情報を供給することができる折り曲げセンサを備え、
前記プログラムは、
初期化する第１のステップと、
割り込み処理を許可する第２のステップと、
前記割り込み処理を実行し、且つ情報を処理する第３のステップと、
前記割り込み処理において前記終了命令が入力されなかった場合は前記第３のステップに戻り、前記終了命令が入力された場合は第５のステップに進む第４のステップと、
終了する第５のステップと、を備え、
前記割り込み処理は、
前記終了命令および前記折り曲げ情報を受けつける第６のステップと、
前記第６のステップで前記折り曲げ情報が供給されなかった場合は第１１のステップに進み、前記折り曲げ情報が供給された場合は第８のステップに進む第７のステップと、
前記折り曲げ情報が山折りでない場合は第９のステップに進み、山折りである場合は第１０のステップに進む第８のステップと、
第１の処理をする第９のステップと、
前記第１の処理とは異なる第２の処理をする第１０のステップと、
前記割り込み処理から復帰する第１１のステップと、を備える、情報処理装置。
【請求項２】
前記第１の処理は、
前記入力手段がジェスチャーを受けつける第１２のステップと、
前記第１２のステップで第１のジェスチャーまたは第２のジェスチャーを認識しなかった場合は第１７のステップに進み、前記第１のジェスチャーまたは前記第２のジェスチャーを認識して、前記操作命令が供給された場合は第１４のステップに進む第１３のステップと、
前記第１２のステップで前記第２のジェスチャーを認識しなかった場合は第１５のステップに進み、前記第２のジェスチャーを認識した場合は第１６のステップに進む第１４のステップと、
第１のジェスチャー処理をする第１５のステップと、
前記第１のジェスチャー処理と異なる第２のジェスチャー処理をする第１６のステップと、
前記第１の処理から復帰する第１７のステップと、を備える、請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記第２の処理は、
前記入力手段がジェスチャーを受けつける第１８のステップと、
前記第１８のステップで第１のジェスチャーまたは第２のジェスチャーを認識しなかった場合は第２３のステップに進み、前記第１のジェスチャーまたは前記第２のジェスチャーを認識して、前記操作命令が供給された場合は第２０のステップに進む第１９のステップと、
前記第１８のステップで前記第２のジェスチャーを認識しなかった場合は第２１のステップに進み、前記第２のジェスチャーを認識した場合は第２２のステップに進む第２０のステップと、
前記第１の処理の前記第１のジェスチャー処理とは異なる第１のジェスチャー処理をする第２１のステップと、
前記第１の処理の前記第２のジェスチャー処理とは異なる第２のジェスチャー処理をする第２２のステップと、
前記第２の処理から復帰する第２３のステップと、を備える、請求項１記載の情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月24日(2017.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効領域及び非有効領域が定義される基板と、
前記有効領域上に配置され、位置を感知する感知電極と、を含み、
前記有効領域は、
第１有効領域と、
前記第１有効領域に隣接して配置され、前記第１有効領域と異なる方式により駆動される第２有効領域と、を含み、
前記第１有効領域は平面領域であり、
前記第２有効領域は、前記第１有効領域から撓む曲面領域であり、
前記感知電極は、前記第１有効領域に配置される第１感知電極及び第２感知電極を含み、
前記感知電極は、前記第２有効領域に配置される第３感知電極を含むことを特徴とするタッチウィンドウ。
【請求項２】
前記第１感知電極、前記第２感知電極及び前記第３感知電極は、前記基板の一面上に直接接触して配置される、請求項１に記載のタッチウィンドウ。
【請求項３】
前記非有効領域は、前記有効領域の４側面のうち少なくとも一側面に配置され、
前記基板の非有効領域上には、外郭ダミー層、及び前記感知電極と電気的に連結される配線が配置される、請求項１又は２に記載のタッチウィンドウ。
【請求項４】
前記第３感知電極は、前記第１感知電極または前記第２感知電極のうちのいずれか１つから延びる、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のタッチウィンドウ。
【請求項５】
前記第２有効領域は、前記第１有効領域から撓む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のタッチウィンドウ。
【請求項６】
前記第２有効領域は、前記第１有効領域の側面に配置される、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のタッチウィンドウ。
【請求項７】
前記非有効領域は、前記第２有効領域の側面に配置される、請求項１ないし６のいずれか一項に記載のタッチウィンドウ。
【請求項８】
前記非有効領域は、前記第１有効領域の側面に配置される、請求項１ないし７のいずれか一項に記載のタッチウィンドウ。
【請求項９】
前記第１感知電極及び前記第２感知電極は互いに異なる物質を含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載のタッチウィンドウ。
【請求項１０】
前記第１感知電極、前記第２感知電極、及び前記第３感知電極のうちの少なくともいずれか１つは伝導性パターンを含む、請求項１ないし９のいずれか一項に記載のタッチウィンドウ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
神経新生又は神経細胞増殖を活性化するための組成物であって、有効成分としてＤＹＲＫ阻害能を有する化合物若しくはそのプロドラッグ又はその製薬上許容される塩を含有する、組成物。
【請求項２】
有効成分である前記化合物若しくはそのプロドラッグ又はその製薬上許容される塩が、さらにＣＬＫ阻害能を有する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
神経新生又は神経細胞増殖を活性化するための組成物であって、有効成分として下記一般式（Ｉ）及び／又は（ＩＩ）で表される化合物若しくはそのプロドラッグ又はその製薬上許容される塩を含有する、組成物。
【化１】
2015107945.tif 000001
［式（Ｉ）において、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6炭化水素鎖であり、Ｒ3は、
【化２】
2015107945.tif 000002
であり、Ｚは、ａ及びｂで印をつけた原子と共に、１つのベンゼン環、１つの複素芳香族環、１つ以上のベンゼン環が縮合した芳香族環、１つ以上の複素芳香族環が縮合した複素芳香族環、１つ以上のベンゼン環と１つ以上の複素芳香族環とが縮合した混合縮合多環、及び、環状脂肪族からなる群から選択される環を形成し、前記環は水素原子、ハロゲン原子又はＣ1-6アルキル基である置換基を１つ以上有してもよく、Ｒ4は、水素原子、ハロゲン原子又はＣ1-6アルキル基である。
式（ＩＩ）において、Ｒ21及びＲ23は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ1-6直鎖若しくは分枝若しくは環状のアルキル基、ベンジル若しくはヘテロアリールメチル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｒ22は、−Ｒ26、−Ｃ≡Ｃ−Ｒ26、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ26、及び−Ｏ−（ＣＨ2）ｎ−Ｒ26からなる群から選択され、ｎは１〜６であり、Ｒ26は、水素原子、水酸基、Ｃ1-8アルキル基、−Ｓｉ（Ｒ27）3、並びに、置換若しくは無置換のフェニル基、単環式複素芳香環基及び環状脂肪族基からなる群から選択され、或いは、Ｒ21とＲ22は結合して環を形成し、−Ｒ21−Ｒ22−が、−（ＣＨ2）ｍ−ＣＨ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ2）ｍ−Ｏ−、及び、ハロゲン原子で置換されたこれらのものからなる群から選択され、ｍは１〜６であり、Ｒ27は水素原子、Ｃ1-6アルキル基、トリハロメチル基、又は水酸基であり、−Ｓｉ（Ｒ27）3中の３つのＲ27はそれぞれ異なっていてもよい。Ｒ24、Ｒ25は、水素原子又はＣ1-6アルキル基である］
【請求項４】
神経新生又は神経細胞増殖の活性化のための組成物であって、有効成分として
【化３】
2015107945.tif 000003
で表される化合物若しくはそのプロドラッグ又はその製薬上許容される塩を含有する、組成物。
【請求項５】
神経新生又は神経細胞増殖の活性化のための組成物であって、有効成分として
【化４】
2015107945.tif 000004
で表される化合物若しくはそのプロドラッグ又はその製薬上許容される塩を含有する、組成物。
【請求項６】
前記有効成分が、ＤＹＲＫ阻害能を有する、請求項３から５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
前記有効成分が、さらにＣＬＫ阻害能を有する、請求項３から６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
医薬組成物である、請求項１から７のいずれかに記載の組成物。
【請求項９】
中枢及び／又は末梢神経系の疾患又は障害の予防、改善、進行抑制、及び／又は、治療のための請求項１から８のいずれかに記載の組成物。
【請求項１０】
神経細胞又は神経幹細胞を調製するための請求項１から８のいずれかに記載の組成物。
【請求項１１】
神経新生を活性化する方法であって、請求項１から９のいずれかに記載の組成物を対象（ヒトを除く）に投与することを含む、活性化方法。
【請求項１２】
神経細胞増殖を活性化する方法であって、請求項１から８のいずれかに記載の組成物を含有する培地で神経細胞を培養することを含む、方法。
【請求項１３】
神経細胞又は神経幹細胞を調製する方法であって、請求項１から８のいずれかに記載の組成物を含有する培地で神経細胞を培養することを含む、調製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本開示は、一又は複数の実施形態において、神経新生又は神経細胞増殖を活性化するための組成物であって、有効成分として下記一般式（Ｉ）及び／又は（ＩＩ）で表される化合物若しくはそのプロドラッグ又はその製薬上許容される塩を含有する組成物に関する。
【化１】
2015107945.tif 000005
［式（Ｉ）において、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6炭化水素鎖であり、Ｒ3は、
【化２】
2015107945.tif 000006
であり、Ｚは、ａ及びｂで印をつけた原子と共に、１つのベンゼン環、１つの複素芳香族環、１つ以上のベンゼン環が縮合した芳香族環、１つ以上の複素芳香族環が縮合した複素芳香族環、１つ以上のベンゼン環と１つ以上の複素芳香族環とが縮合した混合縮合多環、及び、環状脂肪族からなる群から選択される環を形成し、前記環は水素原子、ハロゲン原子又はＣ1-6アルキル基である置換基を１つ以上有してもよく、Ｒ4は、水素原子、ハロゲン原子又はＣ1-6アルキル基である。
式（ＩＩ）において、Ｒ21及びＲ23は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ1-6直鎖若しくは分枝若しくは環状のアルキル基、ベンジル若しくはヘテロアリールメチル基、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｒ22は、−Ｒ26、−Ｃ≡Ｃ−Ｒ26、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ26、及び−Ｏ−（ＣＨ2）ｎ−Ｒ26からなる群から選択され、ｎは１〜６であり、Ｒ26は、水素原子、水酸基、Ｃ1-8アルキル基、−Ｓｉ（Ｒ27）3、並びに、置換若しくは無置換のフェニル基、単環式複素芳香環基及び環状脂肪族基からなる群から選択され、或いは、Ｒ21とＲ22は結合して環を形成し、−Ｒ21−Ｒ22−が、−（ＣＨ2）ｍ−ＣＨ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ2）ｍ−Ｏ−、及び、ハロゲン原子で置換されたこれらのものからなる群から選択され、ｍは１〜６であり、Ｒ27は水素原子、Ｃ1-6アルキル基、トリハロメチル基、又は水酸基であり、−Ｓｉ（Ｒ27）3中の３つのＲ27はそれぞれ異なっていてもよい。Ｒ24、Ｒ25は、水素原子又はＣ1-6アルキル基である。］
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月24日(2016.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物を含有することを特徴とする、涙液分泌促進剤。
【請求項２】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物を含有することを特徴とする、眼精疲労予防・改善剤。
【請求項３】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物を含有することを特徴とする、眼の調節力低下予防・改善剤。
【請求項４】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物を有効成分として含有することを特徴とする、涙液分泌促進用、眼精疲労予防・改善用、又は眼の調節力低下予防・改善用組成物。
【請求項５】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物を含有する涙液分泌促進用、眼精疲労予防・改善用又は眼の調節力低下予防・改善用飲食品組成物。
【請求項６】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物を含有する涙液分泌促進用、眼精疲労予防・改善用又は眼の調節力低下予防・改善用飲食品。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月24日(2016.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物及びルテオリンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする、ムスカリン受容体活性化剤。
【請求項２】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物及びルテオリンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする、唾液分泌促進剤。
【請求項３】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物及びルテオリンからなる群から選ばれる少なくとも１種を有効成分として含有することを特徴とする、ムスカリン受容体活性化用又は唾液分泌促進用組成物。
【請求項４】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物及びルテオリンからなる群から選ばれる少なくとも１種を１〜５０質量％含有することを特徴とする、請求項３記載の組成物。
【請求項５】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物及びルテオリンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有するムスカリン受容体活性化用又は唾液分泌促進用飲食品組成物。
【請求項６】
アスパラサス・リネアリス（Ａｓｐａｌａｔｈｕｓ  ｌｉｎｅａｒｉｓ）抽出物及びルテオリンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有するムスカリン受容体活性化用又は唾液分泌促進用飲食品。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月26日(2017.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ結晶グラファイト自立薄膜の製造方法であって：
−  アモルファスカーボン自立薄膜を供する工程；
−  不活性雰囲気中で又は真空中で前記自立薄膜を高温にまで局所的に加熱する工程；及び、
−  前記自立薄膜の冷却を可能にする工程；
を有し、前記工程の結果、ナノ結晶グラファイト自立薄膜が生成される、
方法。
【請求項２】
前記局所的に加熱する工程が、前記自立薄膜にレーザービームを照射することによって実行される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記レーザーの波長、前記レーザーの出力、前記の照射された領域のサイズ、及び、前記薄膜の厚さが、前記自立薄膜が、局所的に0.1MW/m2〜20MW/m2を、より好ましくは0.75MW/m2〜12MW/m2を吸収するようなものである、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
局所的に加熱する間、前記自立薄膜の温度が、局所的に1000K乃至3700K、より好ましくは1625K乃至3250Kにまで上昇する、請求項1乃至3のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記自立薄膜が少なくとも1秒間局所的に加熱される、請求項1乃至4のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記自立薄膜が、1μm未満の、より詳細には250nm未満の、最も詳細には100nm未満の厚さを有する、請求項1乃至5のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記自立薄膜が、500K未満の環境中でより詳細には室温の環境中で冷却可能である、請求項1乃至6のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記自立薄膜が、1ms以内に、より詳細には0.25ms以内に1000K未満の温度に冷却可能である、請求項1乃至7のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記自立薄膜が、TEMグリッド、好ましくは金属又はシリコンのTEMグリッドによって支持される、請求項1乃至8のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
非回折電子ビーム又は回折電子ビームを通過させる1つ以上の孔を前記膜内に生成する追加工程をさらに有する請求項1乃至9のうちいずれか一項に記載の方法であって、当該追加工程の結果、透過型電子顕微鏡用位相板又は位相マスクが生成される、方法。
【請求項１１】
ナノ結晶グラファイトの自立薄膜を含む又はナノ結晶グラファイトの自立薄膜からなる透過型電子顕微鏡用部品。
【請求項１２】
位相板、位相マスク、及び、試料キャリアからの群からのものである請求項11に記載の部品。
【請求項１３】
請求項11又は12に記載の部品を含む透過型電子顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月25日(2017.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イソキサゾリン化合物が高分子化合物に分散した組成物
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はイソキサゾリン化合物が高分子化合物に分散した組成物および動物の外部寄生虫の防除方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、産業動物や愛玩動物の体表、体毛またはそれに近い位置等に寄生する寄生虫（所謂、外部寄生虫）等の種々害虫を防除するため、イソキサゾリン化合物の使用が知られている。（例えば、特許文献１参照）。イソキサゾリン化合物を含み、外部寄生虫に対してさらに優れた防除効力を有する組成物の開発が望まれている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、イソキサゾリン化合物が高分子化合物に分散した組成物を提供することを課題とする。