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【手続補正書】
【提出日】平成29年4月24日(2017.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）：
【化１】
2015110646.tif 000001
（式中、Ｒ１はハロゲン原子、アミノ基またはシアノ基で１または２以上置換されていてもよい炭素数１から３のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素数１から３のアルキル基、水素原子、ハロゲン原子、水酸基またはアミノ基を示し、Ｒ３は水素原子またはハロゲン原子を示し、Ｒ４は水素原子またはフッ素原子を示し、Ｘはハロゲン原子を示す）で表される化合物またはその塩、並びに無機塩、クエン酸塩、コハク酸塩、酢酸塩、及びグルタミン酸塩からなる群から選択される１種または２種以上の塩析剤を含有する固形医薬組成物。
【請求項２】
ｐＨが３．５以下である酸性物質をさらに含有する、請求項１に記載の固形医薬組成物。
【請求項３】
前記酸性物質の２０℃における水への溶解度が１０％未満である、請求項２に記載の固形医薬組成物。
【請求項４】
前記２０℃における水への溶解度が１０％未満の酸性物質として、アルギン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、アジピン酸、コハク酸、メタクリル酸コポリマーＬ及びフマル酸からなる群より選ばれる1種または２種以上の化合物を含有する請求項３に記載の固形医薬組成物。
【請求項５】
前記酸性物質の２０℃における水への溶解度が１０％以上である、請求項２に記載の固形医薬組成物。
【請求項６】
前記２０℃における水への溶解度が１０％以上の酸性物質として、グルタミン酸塩酸塩、酒石酸、クエン酸及びリンゴ酸からなる群より選ばれる１種または２種以上の化合物を含有する請求項５に記載の固形医薬組成物。
【請求項７】
前記２０℃における水への溶解度が１０％以上の酸性物質が、前記塩析剤とは異なる化合物であり、当該酸性物質の割合が、前記一般式（１）で表される化合物またはその塩１質量部に対して、０．００１質量部以上０．０５質量部以下である、請求項５または請求項６に記載の固形医薬組成物。
【請求項８】
前記塩析剤として、クエン酸塩、コハク酸塩、酢酸塩、リン酸塩、炭酸塩、硫酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、塩化カルシウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化マグネシウム、水酸化ナトリウム、及びグルタミン酸塩からなる群から選択される１種または２種以上の化合物を含有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固形医薬組成物。
【請求項９】
前記塩析剤として、クエン酸二水素ナトリウム、クエン酸二ナトリウム、クエン酸ナトリウム、コハク酸二ナトリウム、酢酸カルシウム、酢酸ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、メタリン酸ナトリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸二カリウム、ポリリン酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、塩化カルシウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化マグネシウム、水酸化ナトリウム、Ｌ−グルタミン酸塩酸塩、及びグルタミン酸ナトリウムからなる群から選択される１種または２種以上の化合物を含有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固形医薬組成物。
【請求項１０】
前記塩析剤として、クエン酸塩を含有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固形医薬組成物。
【請求項１１】
前記塩析剤として、クエン酸二水素ナトリウムを含有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固形医薬組成物。
【請求項１２】
前記塩析剤としてクエン酸二水素ナトリウムを、前記酸性物質としてグルタミン酸塩酸塩を含有し、グルタミン酸塩酸塩の割合が、クエン酸二水素ナトリウム１質量部に対し０．０２質量部以上０．２０質量部以下である請求項２または請求項５乃至７のうちいずれか1つに記載の固形医薬組成物。
【請求項１３】
前記塩析剤且つ前記酸性物質である化合物として、グルタミン酸塩酸塩を含有する請求項２に記載の固形医薬組成物。
【請求項１４】
前記一般式（１）で表される化合物またはその塩、及び前記塩析剤を混合し、得られた混合物を乾式造粒法により造粒することを含む方法により得られる請求項１乃至１３のうちいずれか1つに記載の固形医薬組成物。
【請求項１５】
前記一般式（１）で表される化合物の塩として、塩酸塩を含有する請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の固形医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月27日(2017.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
染色用基体に付着された昇華性の染料を電磁波によって加熱し、前記染料を樹脂体に向けて昇華させることで前記樹脂体を染色する染色工程において使用される前記染色用基体であって、
シート状に形成された金属製のベースと、
少なくとも前記染料が付着される側の面の反対側に形成され、前記ベースに比べて高い電磁波吸収率を有する電磁波吸収層と
を備えたことを特徴とする染色用基体。
【請求項２】
請求項１に記載の染色用基体であって、
前記ベースの厚みが１μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする染色用基体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の染色用基体であって、
少なくとも前記染料が付着される側の面に、前記染料を保持する染料保持層を備えたことを特徴とする染色用基体。
【請求項４】
請求項３に記載の染色用基体であって、
前記染料保持層は親水性の高分子材料を含むことを特徴とする染色用基体。
【請求項５】
シート状に形成された金属製のベースと、前記ベースに比べて高い電磁波吸収率を有する電磁波吸収層とを備え、且つ昇華性の染料が付着された染色用基体を、前記染料が付着された面が樹脂体に対向するように真空中に配置する配置工程と、
前記配置工程において配置された前記染色用基体の前記電磁波吸収層に電磁波を照射することで、前記染料を加熱して前記樹脂体に向けて昇華させる蒸着工程と、
前記蒸着工程において前記染料が付着した前記樹脂体を加熱することで、前記樹脂体に前記染料を定着させる定着工程と、
を有することを特徴とする染色樹脂体の製造方法。
【請求項６】
染色用基体に付着された昇華性の染料を電磁波によって加熱し、前記染料を樹脂体に向けて昇華させることで前記樹脂体を染色する染色工程において使用される前記染色用基体の製造方法であって、
シート状に形成された金属製のベースと、前記ベースの少なくとも一方の面側に形成され、前記ベースに比べて高い電磁波吸収率を有する電磁波吸収層とを既に備えた基体に対し、前記染料を含む染料層を形成する染料層形成工程を有し、
前記染料層形成工程では、少なくとも前記染料層の反対側の面に前記電磁波吸収層が位置するように前記染料層が形成されることを特徴とする染色用基体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月1日(2017.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記スチームエジェクタの外面を電熱ヒーターを用いて加熱する、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記スチームエジェクタの外面を電熱ヒーターを用いて加熱する、請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第一の発明における前記スチームエジェクタの外面は、スチームトレースを用いて加熱することが好ましく、電熱ヒーターを用いて加熱することも好ましい。
また、前記スチームエジェクタの外面を５０℃以上に加熱することが好ましい。
また、前記スチームエジェクタは多段であることも好ましく、前記スチームエジェクタの下流に液封式の真空ポンプが配置されることも好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第二の発明における前記易重合性化合物は、アクリル酸又はアクリル酸エステルであることが好ましく、プロパン、プロピレン又はアクロレインを原料とする気相接触酸化反応により得られたアクリル酸であることも好ましい。
また、前記スチームエジェクタの外面は、スチームトレースを用いて加熱することが好
ましく、電熱ヒーターを用いて加熱することも好ましい。
また、前記スチームエジェクタの外面を５０℃以上に加熱することが好ましい。
また、前記スチームエジェクタは多段であることも好ましく、前記スチームエジェクタの下流に液封式の真空ポンプが配置されることも好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、スチレン類とは、スチレン及び置換基を有するスチレン化合物を総称するものであり、そのうち少なくとも一種を指す。例えば、スチレン、α−メチルスチレン、パラクロロスチレン、パラメトキシスチレン等が挙げられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
加熱による好ましい温度範囲は、実績に基づけば、スチームエジェクタの外面温度は、通常５０℃以上、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上になるように加熱することが好ましい。
なお、上記スチームエジェクタの外面温度とは、スチームエジェクタの吸引口、真空室、およびディフューザーの各部位の外表面のうち、最も温度が低い部位の外表面温度を意味する。但し、該温度を測定する箇所として、フランジ部や支持部材との接合部に溶接された支柱など、スチームエジェクタ内部の空間からの距離が２５ｍｍを超える箇所については、これを含めない。該温度は、例えば、施工された加熱源の隙間や端部から温度計を挿入するか、放射温度計などの非接触型温度計を用いて測定することが出来る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
加熱方法としては特に限定されないが、例えば、蒸気配管（スチームトレース）を巻きつける、電熱ヒーターの電熱線を巻き付ける、等が挙げられる。このとき、緻密な温度制御が可能であることから電熱ヒーターの電熱線を巻き付けることが好ましく、熱源が容易に得られ、また温度制御が容易であることからスチームトレースを巻き付けることがより好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
巻き付け方法も特に限定されないが、例えば、図３に示すように、スチームエジェクタに、１本のスチームトレースやリボン状電熱ヒーターの電熱線を巻き付けてもよいし、数本用いて巻き付けてもよい。また、スチームエジェクタに巻き付けたスチームトレースの配管やリボン状電熱ヒーターの電熱線は、図３のように配管どうしや電熱線どうしで間隔が空いていてもよいし、空いていなくてもよい。要はスチームエジェクタの外面を所定温
度に加熱することができればよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
スチームエジェクタの稼動期間前から予め、スチームエジェクタの外面を加熱しておいてもよい。また、スチームエジェクタの稼働期間中、継続して外面を加熱することが好ましいが、仮に何らかの理由によって一時的に該外面の加熱が中断されたとしても、本発明の効果が失われるものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月18日(2017.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
消火剤を貯留したメインタンクと温度を検知するためのセンサとを備えており、
前記センサが所定の温度を検知すると、メインタンク内の消火剤を外部へ放出させることを特徴とするスプリンクラー消火装置であって、
横向きに設置された圧縮ガスを充填してなるサブタンクと、そのサブタンクの排出口が接続されているとともに前記メインタンクと連通するようにガス流路が設けられたハウジングと、付勢手段およびピン部材を有しており前記ハウジングに内蔵されたトリガーとを備えており、
前記センサが所定の温度を検知すると、前記付勢手段によって前記ピン部材を前記サブタンクに突き刺して、そのサブタンク内の圧縮ガスを水平方向に噴出させた後に前記メインタンク内へ流入させることによって、メインタンク内の消火剤を下向きに放出させることを特徴とするスプリンクラー消火装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の内、請求項１に記載された発明は、消火剤を貯留したメインタンクと温度を検知するためのセンサとを備えており、前記センサが所定の温度を検知すると、メインタンク内の消火剤を外部へ放出させることを特徴とするスプリンクラー消火装置であって、横向きに設置された圧縮ガスを充填してなるサブタンクと、そのサブタンクの排出口が接続されているとともに前記メインタンクと連通するようにガス流路が設けられたハウジングと、付勢手段およびピン部材を有しており前記ハウジングに内蔵されたトリガーとを備えており、前記センサが所定の温度を検知すると、前記付勢手段によって前記ピン部材を前記サブタンクに突き刺して、そのサブタンク内の圧縮ガスを水平方向に噴出させた後に前記メインタンク内へ流入させることによって、メインタンク内の消火剤を下向きに放出させることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１に記載のスプリンクラー消火装置は、スプリンクラーヘッドに設けられたセンサが所定の温度を検知すると、メインタンク内の消火剤をスプリンクラーヘッドから外部へ放出させるため、火事を敏感に検知することができる上、非常に効率的に鎮火することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１に記載のスプリンクラー消火装置は、サブタンク内の圧縮ガスを利用して、メインタンク内の消火剤をスプリンクラーヘッドから短時間の内に放出させることができるので、火災が拡がる事態を効果的に防止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１に記載のスプリンクラー消火装置は、火災の際にトリガーが確実に作動して、延焼する事態を効果的に防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月1日(2017.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターボ機械における半径方向に対向する回転部品と固定部品の間のシール装置であって、当該シール装置が、
第１の回転部品と、
第２の固定部品と、
第１の回転部品と第２の固定部品との間に半径方向に位置付けられたブラシシールと
を備えており、ブラシシールが、第２の固定部品に固定される軸方向に延びる部分と第１の部品と第２の部品の間のギャップにわたって延びる内向きに延びる部分とを有し、内向きに延びる部分から遠隔にあるブラシシールの軸方向に延びる部分の端部が、サイドレールのペア間に挟装され、第２の固定部品の内側リング部分が、ブラシシールの半径方向内向きに位置しているとともに、ブラシシールの軸方向に延びる部分及び内向きに延びる部分の少なくとも一部と係合状態にあり、サイドレールのペアが、ブラシシールの軸方向に延びる部分と第２の固定部品の外側リング部分との間に軸方向に延びる半径方向ギャップを残して、第２の固定部品の内側リング部分と外側リング部分との間に保持される、シール装置。
【請求項２】
外側リング部分が、ブラシシールの内向きに延びる部分から軸方向に離間して配置された半径方向内向きに配向された前方プレートを備える、請求項１に記載のシール装置。
【請求項３】
内側リング部分が、ブラシシールの下流側にシール歯を備える、請求項１に記載のシール装置。
【請求項４】
外側リング部分が、固定タービンノズルの内側カバー内に形成された相補的スロット内に受けられるよう適合されたフックフランジを備える、請求項１に記載のシール装置。
【請求項５】
外側リング部分の半径方向外側表面と相補的スロットの内向きに面する壁との間で半径方向にバネが位置付けられる、請求項４に記載のシール装置。
【請求項６】
内側リング部分が、サイドレール及びブラシシールを貫通して外側リング部分に取り付けられる、請求項１に記載のシール装置。
【請求項７】
内側リング部分が、該内側リング部分を貫通して、ブラシシール及び外側リング部分に延びる溶接部を用いて外側リング部分に取り付けられる、請求項６に記載のシール装置。
【請求項８】
外側リング部分が、ブラシシールの内向きに延びる部分を超えて軸方向に延びるプレート部分を備える、請求項１に記載のシール装置。
【請求項９】
第２の固定部品が、タービンノズルの内側カバーを含み、内側リング部分及び外側リング部分が内側カバーの一体部材であり、第１の回転部品がタービンロータを含む、請求項１に記載のシール装置。
【請求項１０】
第１の回転部品が、タービンバケット先端シュラウドを含み、第２の固定部品が、先端シュラウドに対向するステータ面を含む、請求項１に記載のシール装置。
【請求項１１】
ターボ機械における半径方向に対向する回転部品と固定部品の間のシール装置であって、
第１の回転部品と、
第２の固定部品と、
第１の回転部品と第２の固定部品との間に半径方向に位置付けられたブラシシールと、
を備え、ブラシシールが、第２の固定部品に固定される軸方向に延びる部分と第１の部品と第２の部品の間のギャップにわたって延びる内向きに延びる部分とを有し、
シール装置が更に、
ブラシシールの半径方向内向きに位置し、ブラシシールの軸方向に延びる部分及び内向きに延びる部分の少なくとも一部と係合状態にある内側リングと、
を備え、内向きに延びる部分から遠隔にあるブラシシールの軸方向に延びる部分の端部がサイドレールのペア間に挟装され、サイドレールのペアが、ブラシシールの軸方向に延びる部分と第２の固定部品の外側リングとの間に軸方向に延びる半径方向ギャップを残して、内側リングと外側リングとの間に保持され、外側リングが、固定タービンノズルの内側カバー内に形成された相補的スロット内に受けられるよう適合されたフックフランジを備える、シール装置。
【請求項１２】
外側リングが、ブラシシールの内向きに延びる部分から軸方向に離間して配置された半径方向内向きに配向された前方プレートを備える、請求項１１に記載のシール装置。
【請求項１３】
内側リングが、サイドレール及びブラシシールを貫通して外側リングに取り付けられる、請求項１１に記載のシール装置。
【請求項１４】
内側リングが、該内側リングを貫通して、ブラシシール及び外側リングに延びる溶接部を用いて外側リングに取り付けられる、請求項１３に記載のシール装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月16日(2016.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また，図３〜図７を参照して，循環路２３におけるローラ１０とセパレータ８との往復移動状態を説明する。図３には，ローラ１０とセパレータ８との循環路２３での往復移動に位置関係が全体的に示されている。図４には，この直動案内ユニットの上側の軌道路２０におけるローラ１０とセパレータ８との保持板５０による保持状態が拡大して示されている。保持板５０の形成された開口部５８の縁部に形成されたつば部である第１保持部５１及び第２保持部５２と，ケーシング３の軌道面１２との間には，両者がそれぞれ共働して軌道路２０の上下に凹溝５９が形成されており，凹溝５９には，セパレータ８に形成された第１突出部２７と第２突出部２８とが嵌挿し，凹溝５９によってセパレータ８とローラ１０とがガイドされて軌道路２０を往復移動するように構成されている。図５には，直動案内ユニットの軌道路２０におけるセパレータ８とローラ１０との往復移動の位置関係が示されている。ローラ１０は，セパレータ８で隔置されて等ピッチＰで軌道路２０でそれぞれ転動し，セパレータ８は，交互に向きが反対方向になって１．５Ｐの間隔に位置している（図１７）。図６には，方向転換路２２とリターン路２１との連通箇所におけるセパレータ８とローラ１０との位置関係が示されている。図７には，セパレータ８とローラ１０は，図６に示す位置からリターン路２１と方向転換路２２との連通位置で約４５°移動した状態が示されている。セパレータ８は，第１セパレータ部３１の外面を円弧状の凸曲面４４に形成することで，循環路２３の方向転換路２２内でローラ１０のローラ転動面３９となめらかに接触して，ローラ１０をスムーズに案内する（図７参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この発明によるセパレータを備えた直動案内ユニットは，半導体製造装置，精密機械，測定・検査装置，医療機器，各種ロボット，各種組立装置，搬送機械，工作機械，マイクロマシーン等の各種装置における摺動部に組み込んで利用して好ましいものである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月16日(2017.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体内部の３次元空間内での所定の生体活動制御場所の位置検出を行うための第１の検出と、
前記第１の検出結果に基付いて生体活動の制御を行う方法であり、
前記第１の検出では前記生体内部の位置検出を行い、
特定波長の電磁波を含む電磁波を前記生体活動制御場所へ照射して制御を行うことを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項２】
請求項１記載の生体活動の制御方法において、前記特定波長は ０．８４０〜１１０μｍ であることを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項３】
請求項１記載の生体活動の制御方法において、０．８７５〜２．５０μｍの範囲内の波長を持った電磁波を利用して前記第１の検出を行うことを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項４】
請求項３記載の生体活動の制御方法において、前記第１の検出は前記生体からの画像を用いて行われることを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項５】
請求項４記載の生体活動の制御方法において、前記画像は検出信号パターンに相当することを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項６】
請求項５記載の生体活動の制御方法において、前記第１の検出はパターンマッチングを用いて行われることを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項７】
請求項６記載の生体活動の制御方法において、前記パターンマッチングは前記検出信号パターンと事前に記憶した検出信号パターンとの間の一致度を計算して行われることを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項８】
請求項３記載の生体活動の制御方法において、前記第１の検出は三角法を用いて行われることを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項９】
請求項１記載の生体活動の制御方法において、前記生体内の複数部位を制御することを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項１０】
請求項１記載の生体活動の制御方法において、前記生体活動の制御を用いてサービスを提供することを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項１１】
生体内部における３次元空間内での所定の生体活動制御場所に特定波長の電磁波を含む電磁波を集光させる局所的な生体活動の制御方法であり、
前記電磁波の光量を時系列的に切り替え、
前記光量を減らした時に生体活動の検出を行い、
前記光量を増加させた時に生体活動の制御を行うことを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の生体活動の制御方法において、前記特定波長は ０．８７５〜２．５０μｍであることを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の生体活動の制御方法において、前記生体内の複数部位を制御することを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の生体活動の制御方法において、前記生体活動の制御を用いてサービスを提供することを特徴とする生体活動の制御方法。
【請求項１５】
生体内部の３次元空間内での特定の生体活動制御場所の位置検出を行うための位置検出用モニター部と、
発光部から構成され、
前記位置検出用モニター部で前記生体内部の深さ方向の検出を行い、
前記発光部から放出された所定波長の電磁波を含む電磁波を前記生体活動制御場所に集光させて生体活動の制御を行うことを特徴とする生体活動制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月31日(2017.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードと、カソードと、アノードとカソードとの間の第１の発光層と、第１の発光層とカソードとの間の第２の発光層と、を含む有機発光素子であって、
第１の発光層はホール輸送材料と、第１のリン光性材料と、を含み、
第２の発光層は第２のリン光性材料を含み、
ホール輸送材料の最低三重項励起状態エネルギー準位は、（ａ）第２のリン光性材料の最低三重項励起状態より低く、（ｂ）第１のリン光性材料の最低三重項励起状態エネルギー準位以上であり、第２の発光層は第３のリン光性材料を含む、有機発光素子。
【請求項２】
第１のリン光性材料は、約５５０ｎｍより高く７００ｎｍ以下の範囲にピークを有する光ルミネッセンススペクトルを有する、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
第２のリン光性材料は、約４９０ｎｍより高く約５６０ｎｍ以下の範囲にピークを有する光ルミネッセンススペクトルを有する、請求項１または２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
第３のリン光性材料は、約４９０ｎｍ以下の範囲にピークを有する光ルミネッセンススペクトルを有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項５】
第３のリン光性材料の最低三重項励起状態エネルギー準位は、ホール輸送材料の最低三重項励起状態エネルギー準位より高い、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項６】
第２の発光層はホスト材料を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の有機発光素子。
【請求項７】
第１のリン光性材料は、ホール輸送材料に共有結合している、請求項１〜６のいずれかに記載の有機発光素子。
【請求項８】
ホール輸送材料はポリマー主鎖を有するポリマーであり、第１のリン光性材料は、ポリマー主鎖内に繰り返し単位として、ポリマー主鎖内に繰り返し単位の置換基として、またはポリマー主鎖の末端にエンドキャッピング単位として設けられている、請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項９】
アノードと、カソードと、アノードとカソードとの間の第１の発光層と、第１の発光層とカソードとの間の第２の発光層と、を含む有機発光素子であって、
第１の発光層はホール輸送材料と、第１のリン光性材料と、を含み、
第２の発光層は第２のリン光性材料を含み、
ホール輸送材料の最低三重項励起状態エネルギー準位は、（ａ）第２のリン光性材料の最低三重項励起状態より低く、（ｂ）第１のリン光性材料の最低三重項励起状態エネルギー準位以上であり、
第１のリン光性材料は、第２の発光層のいずれかの材料のＬＵＭＯレベルよりも真空からは程遠いＬＵＭＯレベルを有する、有機発光素子。
【請求項１０】
第１のリン光性材料は、第２の発光層のいずれかの材料のＬＵＭＯレベルよりも真空からは少なくとも０．１ｅＶ程遠いＬＵＭＯレベルを有する、請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
第１のリン光性材料は、第２の発光層のいずれかの材料のＬＵＭＯレベルよりも真空から０．０５〜０．３０ｅＶの範囲にあるＬＵＭＯレベルを有する、請求項１０に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
白色光を発光する、請求項１〜１１のいずれかに記載の有機発光素子。
【請求項１３】
素子によって発光される実質的にすべての光はリン光性の光である、請求項１〜１２のいずれかに記載の有機発光素子。
【請求項１４】
ホール輸送材料は、第１のリン光性材料の最低励起状態三重項エネルギー準位より高い最低励起状態三重項エネルギー準位を有する、請求項１〜１３のいずれかに記載の有機発光素子。
【請求項１５】
アノードと、カソードと、アノードとカソードとの間の第１の発光層と、第１の発光層とカソードとの間の第２の発光層と、を含む有機発光素子であって、
第１の発光層はホール輸送材料と、第１のリン光性材料と、を含み、
第２の発光層は第２のリン光性材料を含み、
ホール輸送材料の最低三重項励起状態エネルギー準位は、（ａ）第２のリン光性材料の最低三重項励起状態より低く、（ｂ）第１のリン光性材料の最低三重項励起状態エネルギー準位以上である、該有機発光素子を形成する方法であって、
アノード上に第１の発光層を形成するステップと、第１の発光層上に第２の発光層を形成するステップと、第２の発光層上にカソードを形成するステップと、を含み、
第２のリン光性材料と、１以上の溶媒と、を含む配合物を第１の発光層上に堆積し、１以上の溶媒を蒸発させることによって第２の発光層が形成される、有機発光素子を形成する方法。
【請求項１６】
ホール輸送材料と、第１のリン光性材料と、１以上の溶媒と、を含む配合物をアノード上に堆積し、１以上の溶媒を蒸発させることによって第１の発光層が形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
第２の発光層の形成に先立って第１の発光層が架橋される、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月27日(2017.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１画素と、複数の第２画素とを有する固体撮像装置であって、
前記複数の第１画素の各々は、赤外光の透過率よりも可視光の透過率のほうが高い第１フィルタと、前記第１フィルタを透過した可視光を受ける第１光電変換部とを有し、前記複数の第２画素の各々は、可視光の透過率よりも赤外光の透過率のほうが高い第２フィルタと、前記第２フィルタを透過した赤外光を受ける第２光電変換部とを有し、
前記複数の第２画素は、それぞれが少なくとも２つの第２画素を含む複数のグループに分けられていて、
前記固体撮像装置は、各グループに含まれる前記少なくとも２つの第２画素の信号から１つの信号を合成する合成部を備える、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
各グループを構成する前記少なくとも２つの第２画素は、第１画素を挟むように同一行に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
各グループを構成する前記少なくとも２つの第２画素は、第１画素を挟むように同一列に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
各第２画素は、フローティングディフュージョンと、前記第２光電変換部で発生した電荷を前記フローティングディフュージョンに転送する転送トランジスタとを含み、
前記合成部は、各グループを構成する前記少なくとも２つの第２画素のそれぞれの前記フローティングディフュージョンを相互に電気的に接続する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記合成部は、各グループを構成する前記少なくとも２つの第２画素のそれぞれの前記フローティングディフュージョンを入力される信号に応じて相互に接続するスイッチを含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
各グループを構成する前記少なくとも２つの第２画素の個数を変更する変更部を更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
第１画素および第２画素が交互に配置された行と、第１画素のみが配置された行とを有する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第２のフィルタは、可視光を遮断し、赤外光を透過させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記複数の第１画素は、それぞれが少なくとも２つの第２画素を含む複数の第１グループに分けられていて、
前記固体撮像装置は、各第１グループに含まれる前記少なくとも２つの第１画素の信号から１つの信号を合成する第１合成部を更に備え、
各グループに含まれる前記少なくとも２つの第２画素の数が各第１グループに含まれる前記少なくとも２つの第１画素の数より多い、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記複数の第１画素の信号は、合成されることなく出力される、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月30日(2016.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１入賞領域と第２入賞領域とを備えた遊技機であって、
前記第１入賞領域に設けられ前記第１入賞領域を遊技媒体が通過したことを検出するための第１検出手段と、
前記第２入賞領域に設けられ前記第２入賞領域を遊技媒体が通過したことを検出するための第２検出手段と、
前記第１検出手段が遊技媒体の通過を検出している状態が所定期間継続する度に、連続検出エラーが発生したと判定する第１連続検出エラー判定手段と、
前記第２検出手段が遊技媒体の通過を検出している状態が所定期間継続する度に、連続検出エラーが発生したと判定する第２連続検出エラー判定手段と、
前記第１連続検出エラー判定手段または前記第２連続検出エラー判定手段によって連続検出エラーが発生したと判定される度に、共通の出力手段を用いて特定期間にわたって連続検出エラー情報を出力する連続検出エラー情報出力手段とを備えた
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、入賞領域における球詰まりの発生を検知することができる遊技機を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（手段Ａ）本発明による遊技機は、第１入賞領域（例えば、始動入賞口や大入賞口、入賞口、ゲート３２）と第２入賞領域（例えば、始動入賞口や大入賞口、入賞口、ゲート３２）とを備えた遊技機であって、第１入賞領域に設けられ第１入賞領域を遊技媒体が通過したことを検出するための第１検出手段（例えば、始動口スイッチ１４ａやカウントスイッチ２３、入賞口スイッチ２９ａ，３０ａ、ゲートスイッチ３２ａ）と、第２入賞領域に設けられ第２入賞領域を遊技媒体が通過したことを検出するための第２検出手段（例えば、始動口スイッチ１４ａやカウントスイッチ２３、入賞口スイッチ２９ａ，３０ａ、ゲートスイッチ３２ａ）と、第１検出手段が遊技媒体の通過を検出している状態が所定期間継続する度に、連続検出エラーが発生したと判定する第１連続検出エラー判定手段と、第２検出手段が遊技媒体の通過を検出している状態が所定期間継続する度に、連続検出エラーが発生したと判定する第２連続検出エラー判定手段と、第１連続検出エラー判定手段または第２連続検出エラー判定手段によって連続検出エラーが発生したと判定される度に、共通の出力手段を用いて特定期間にわたって連続検出エラー情報を出力する連続検出エラー情報出力手段とを備えたことを特徴とする。
そのような構成により、入賞領域における球詰まりの発生を検知することができる。
（手段１）本発明による他の遊技機は、第１入賞領域（例えば、始動入賞口や大入賞口、入賞口、ゲート３２）と第２入賞領域（例えば、始動入賞口や大入賞口、入賞口、ゲート３２）とを備えた遊技機であって、第１入賞領域に設けられ第１入賞領域を遊技媒体が通過したことを検出するための第１検出手段（例えば、始動口スイッチ１４ａやカウントスイッチ２３、入賞口スイッチ２９ａ，３０ａ、ゲートスイッチ３２ａ）と、第２入賞領域に設けられ第２入賞領域を遊技媒体が通過したことを検出するための第２検出手段（例えば、始動口スイッチ１４ａやカウントスイッチ２３、入賞口スイッチ２９ａ，３０ａ、ゲートスイッチ３２ａ）と、第１検出手段が遊技媒体の通過を検出した時点から第１監視期間（図１５に示す監視期間）を経過するまでに該第１検出手段が遊技媒体の通過を再度検出した回数を計数する第１計数手段（例えば、ＣＰＵ５６によって始動口スイッチ判定処理（ステップＳ２５９ａ）のステップＳ２５０７，Ｓ２５０８の処理が実行される部分）と、第２検出手段が遊技媒体の通過を検出した時点から第２監視期間（図１５に示す監視期間）を経過するまでに該第２検出手段が遊技媒体の通過を再度検出した回数を計数する第２計数手段（例えば、ＣＰＵ５６によって入賞口スイッチ判定処理（ステップＳ２５９ｂ）において始動口スイッチ判定処理（ステップＳ２５９ａ）のステップＳ２５０７，Ｓ２５０８に相当する処理が実行され部分）と、第１計数手段が計数した回数が所定回数となった場合に、エラーが発生したと判定する第１エラー判定手段（例えば、ＣＰＵ５６によって始動口スイッチ判定処理（ステップＳ２５９ａ）のステップＳ２５１１，Ｓ２５１２の処理が実行される部分）と、第２計数手段が計数した回数が所定回数となった場合に、エラーが発生したと判定する第２エラー判定手段（例えば、ＣＰＵ５６によって入賞口スイッチ判定処理（ステップＳ２５９ｂ）において始動口スイッチ判定処理（ステップＳ２５９ａ）のステップＳ２５１１，Ｓ２５１２に相当する処理が実行される部分）と、第１エラー判定手段または第２エラー判定手段によってエラーが発生したと判定された場合に、所定のエラー情報（セキュリティ信号）を出力するエラー情報出力手段（例えば、ＣＰＵ５６によって情報出力処理のステップＳ１００４〜Ｓ１０１５の処理が実行される部分）とを備え、エラー情報出力手段は、いずれのエラー判定手段によってエラーが発生したと判定されたかに関わらず、共通の出力手段（例えば、ターミナル基板１６０に設けられたコネクタＣＮ８）を用いて所定の出力期間（例えば、０．２秒）にわたってエラー情報を出力し、第１エラー判定手段の判定にもとづいてエラー情報を出力している出力期間内に第２エラー判定手段によってエラーが発生したと判定された場合には、該出力期間が経過し、さらに所定の待機期間が経過した後に共通の出力手段を用いて所定の出力期間にわたってエラー情報を出力し（例えば、ＣＰＵ５６によって情報出力処理のステップＳ１００４〜Ｓ１０１５の処理が実行される部分）、第１計数手段は、計数した回数が所定回数となったことにもとづいて第１エラー判定手段によってエラーが発生したと判定された場合には、計数した回数を初期化する（例えば、ＣＰＵ５６によってステップＳ２５１３の処理が実行される部分）ことを特徴とする。
そのような構成により、エラー情報を出力しているときに新たにエラーが発生した場合
にも、新たにエラーが発生したことにもとづくエラー情報を共通の出力手段を用いて出力
することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月11日(2017.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所与の周波数帯域を透過させるフィルタと、
生体データ取得部によって取得された生体データから、前記フィルタを用いて前記周波数帯域のデータを抽出する特定周波帯域抽出手段と、
抽出されたデータに基づいて前記生体データの取得時点における睡眠段階を判定する睡眠段階判定手段とを備えた睡眠段階推定装置であって、
前記フィルタは、
前記生体データに含まれるそれぞれ異なる周波数帯域を透過させる複数のバンドパスフィルタと、前記複数のバンドパスフィルタの内で推定に使用する周波数帯域を選ぶフィルタ生成部とを備え、
前記フィルタ生成部は、過去の複数の生体データから前記複数のバンドパスフィルタを用いて睡眠段階を判定した結果に対する評価値を得る処理を、確率モデルを用いた遺伝的アルゴリズムを適用して繰り返し行うことで、複数の評価値の高い解である準最適解を探索し、探索した準最適解に共通する特徴を表現したモデルを獲得し、その獲得したモデルに基づいて、前記複数のバンドパスフィルタの内で推定に使用する周波数帯域を選ぶようにした
ことを特徴とする睡眠段階推定装置。
【請求項２】
前記確率モデルを用いた遺伝的アルゴリズムは、過去の複数の生体データからランダムに抽出した２つの生体データを抽出して評価値を得る処理を行うようにした
請求項１に記載の睡眠段階推定装置。
【請求項３】
生体データ取得部によって取得された生体データから、所与の周波数帯域を透過させるフィルタを用いて前記周波数帯域のデータを抽出するステップと、
抽出されたデータに基づいて前記生体データの取得時点における睡眠段階を判定するステップとを有する睡眠段階推定方法であって、
前記フィルタは、前記生体データに含まれるそれぞれ異なる周波数帯域を透過させる複数のバンドパスフィルタを用意し、
過去の複数の生体データから前記複数のバンドパスフィルタを用いて睡眠段階を判定した結果に対する評価値を得る処理を、確率モデルを用いた遺伝的アルゴリズムを適用して繰り返し行うことで、複数の評価値の高い解である準最適解を探索し、探索した準最適解に共通する特徴を表現したモデルを獲得し、その獲得したモデルに基づいて、前記複数のバンドパスフィルタの内で推定に使用する周波数帯域を選ぶようにした
ことを特徴とする睡眠段階推定方法。
【請求項４】
前記確率モデルを用いた遺伝的アルゴリズムは、過去の複数の生体データからランダムに抽出した２つの生体データを抽出して評価値を得る処理を行うようにした
請求項３に記載の睡眠段階推定方法。
【請求項５】
コンピュータに、
生体データ取得部によって取得された生体データから、所与の周波数帯域を透過させるフィルタを用いて前記周波数帯域のデータを抽出するステップと、
抽出されたデータに基づいて前記生体データの取得時点における睡眠段階を判定するステップとを実行させる睡眠段階推定プログラムであって、
前記フィルタは、前記生体データに含まれるそれぞれ異なる周波数帯域を透過させる複数のバンドパスフィルタを使用し、
過去の複数の生体データから前記複数のバンドパスフィルタを用いて睡眠段階を判定した結果に対する評価値を得る処理を、確率モデルを用いた遺伝的アルゴリズムを適用して繰り返し行うことで、複数の評価値の高い解である準最適解を探索し、探索した準最適解に共通する特徴を表現したモデルを獲得し、その獲得したモデルに基づいて、前記複数のバンドパスフィルタの内で推定に使用する周波数帯域を選ぶようにした
ことを特徴とする睡眠段階推定プログラム。
【請求項６】
前記確率モデルを用いた遺伝的アルゴリズムは、過去の複数の生体データからランダムに抽出した２つの生体データを抽出して評価値を得る処理を行うようにした
請求項５に記載の睡眠段階推定プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月11日(2017.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体はフィン形状を有し、
前記ゲート電極は、前記酸化物半導体の上面及び側面と面し、
前記ゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体と前記ゲート電極の間に設けられ、
前記ゲート電極は、少なくとも第１の層及び第２の層を含み、
前記第１の層は、前記ゲート絶縁膜と接し、
前記第１の層は、前記第２の層よりも酸素濃度が低い、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の層は、前記ゲート絶縁膜よりも酸化反応のギブス自由エネルギーが高い物質からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の層が、銀、銅、ルテニウム、イリジウム、白金および金から選ばれる一種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
酸化物半導体と、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、第１のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体はフィン形状を有し、
前記第１のゲート電極は、前記酸化物半導体の上面及び側面と面し、
前記第２のゲート電極は、前記酸化物半導体の下面と面し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体と前記第１のゲート電極の間に設けられ、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体と前記第２のゲート電極の間に設けられ、
前記第１のゲート電極は、少なくとも第１の層及び第２の層を含み、
前記第２のゲート電極は、少なくとも第３の層及び第４の層を含み、
前記第１の層は、前記第１のゲート絶縁膜と接し、
前記第３の層は、前記第２のゲート絶縁膜と接し、
前記第１の層は、前記第２の層よりも酸素濃度が低く、
前記第３の層は、前記第４の層よりも酸素濃度が低い、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の層は、前記第１のゲート絶縁膜よりも酸化反応のギブス自由エネルギーが高い物質からなり、
前記第３の層は、前記第２のゲート絶縁膜よりも酸化反応のギブス自由エネルギーが高い物質からなる、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の層及び前記第３の層が、銀、銅、ルテニウム、イリジウム、白金および金から選ばれる一種以上の元素を含む、ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月15日(2017.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜の側面、前記第２の酸化物半導体膜の側面および前記第２の酸化物半導体膜の上面と接する領域を有するソース電極およびドレイン電極と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、
前記第３の酸化物半導体膜上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上で接し、前記第２の酸化物半導体膜の上面および前記第２の酸化物半導体膜の側面に面する領域を有するゲート電極と、を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、ハフニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、
前記第３の酸化物半導体膜上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１の酸化物半導体膜の側面、前記第２の酸化物半導体膜の側面、前記第３の酸化物半導体膜の側面、前記第１のゲート絶縁膜の側面および前記第１のゲート絶縁膜の上面と接する領域を有するソース電極およびドレイン電極と、
前記第１のゲート絶縁膜上、前記ソース電極上および前記ドレイン電極上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上で接し、前記第２の酸化物半導体膜の上面および前記第２の酸化物半導体膜の側面に面する領域を有するゲート電極と、を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、ハフニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のゲート絶縁膜は、酸化ハフニウムを含み、
前記第２のゲート絶縁膜は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３において、
前記第１の酸化物半導体膜および前記第３の酸化物半導体膜の各々は、前記第２の酸化物半導体膜に含まれる金属元素を一種以上含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体膜のバンドギャップは、前記第１のゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さく、
前記第１のゲート絶縁膜のバンドギャップは、前記第２のゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月12日(2017.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層と接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重なる酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接し、前記酸化物半導体層を介して前記ゲート絶縁層と重なる金属酸化物層と
前記金属酸化物層に接し、銅、アルミニウム、金又は銀を含む一対の電極層と、を有し、
前記金属酸化物層は、Ｉｎ−Ｍ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）で構成され、
前記金属酸化物層に含まれるＩｎとＭの原子数比をＩｎ：Ｍ＝ｘ：ｙとしたとき、ｙ／（ｘ＋ｙ）は、０．７５以上１未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層と接する第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層を介して前記第１のゲート電極層と重なる酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接し、前記酸化物半導体層を介して前記第１のゲート絶縁層と重なる金属酸化物層と
前記金属酸化物層に接し、銅、アルミニウム、金又は銀を含む一対の電極層と、
前記一対の電極層上に接する第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層及び前記金属酸化物層を介して、前記酸化物半導体層と重なる第２のゲート電極層と、を有し、
前記金属酸化物層は、Ｉｎ−Ｍ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）で構成され、
前記金属酸化物層に含まれるＩｎとＭの原子数比をＩｎ：Ｍ＝ｘ：ｙとしたとき、ｙ／（ｘ＋ｙ）は、０．７５以上１未満であり、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層は、電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記元素Ｍとして、ガリウムを含有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月7日(2017.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上の酸化物半導体層と、
前記第１の電極と重畳する、前記酸化物半導体層上の第２の電極と、
前記第１の電極、前記酸化物半導体層および前記第２の電極に接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層の側面を覆うゲート電極と、を有し、
前記第１の電極は前記酸化物半導体層と重畳する領域に開口部を有し、
前記開口部には前記酸化物半導体層と接する絶縁層が埋め込まれており、
前記絶縁層は酸素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の電極と、
前記第１の電極上の酸化物半導体層と、
前記第１の電極と重畳する、前記酸化物半導体層上の第２の電極と、
前記第２の電極上の第１の絶縁層と、
前記第１の電極、前記酸化物半導体層、前記第２の電極及び前記第１の絶縁層に接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層の側面を覆うゲート電極と、を有し、
前記第１の電極は酸化物半導体層と重畳する領域に第１の開口部を有し、
前記第１の開口部には前記酸化物半導体層と接する第２の絶縁層が埋め込まれており、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、酸素を含む絶縁層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２の電極は前記酸化物半導体層と重畳する領域に第２の開口部を有し、
前記第２の開口部において、前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月7日(2017.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体と、
前記半導体の上面と接する領域および前記半導体の側面と接する領域を有する第１の導電膜と、
前記半導体の上面と接する領域および前記半導体の側面と接する領域を有する第２の導電膜と、
前記半導体の上面と接する領域を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記半導体と面する領域を有する第３の導電膜と、
前記第１の導電膜と接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第１の導電膜が前記半導体の側面と接する領域において、前記第２の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と面する領域を有する第４の導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層よりも電子親和力の大きい第２の酸化物半導体層と、を有する多層膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体および前記第１の絶縁膜の間に、前記第２の酸化物半導体層よりも電子親和力の小さい第３の酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月15日(2017.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素を有する第１の表示領域と、第２の画素を有する第２の表示領域と、を有し、
前記第１の画素は、第１の副画素及び第２の副画素を有し、
前記第２の画素は、第３の副画素及び第４の副画素を有し、
前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、第１の方向に配列し、
前記第３の副画素及び前記第４の副画素は、第２の方向に配列し、
前記第１の方向は、前記第２の方向と異なることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の表示領域は駆動回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の表示領域は、屈曲または湾曲していることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の副画素及び前記第３の副画素は、第１の色を発する副画素であり、
前記第２の副画素及び前記第４の副画素は、第２の色を発する副画素であることを特徴とする表示装置。