【手続補正書】
【提出日】平成28年12月20日(2016.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子銃と、
該荷電粒子銃から放出された荷電粒子ビームをステージに載置した試料上に照射して走査する電子光学系と、
前記試料から発生する二次電子、または反射電子を検出する検出部と、
前記二次電子、または反射電子の進路を前記検出部の方向へ偏向させる直交電磁偏向部と、を有し、
前記直交電磁偏向部は、磁界を発生させて前記荷電粒子ビームの軌跡を変化させる磁界偏向器と、電界を発生させて前記荷電粒子ビームの軌跡を変化させる電界偏向器と、前記磁界偏向器に電流を供給する電流源回路と、前記電界偏向器に電圧を供給する電圧源回路と、前記電流と前記電圧との関係を調整するゲイン調整部と、を備え、
前記磁界偏向器と前記電界偏向器は、前記磁界と前記電界とが互いに直交し重畳するように配置され、
前記電流源回路に電圧を印加する電圧発生部と、前記電圧源回路に電圧を印加する電圧発生部とが一つに共通化され、
二次ビームのエネルギーに応じて、
前記ゲイン調整部により、前記磁界により進路が偏向される量と前記電界により進路が偏向される量とが一致するように、前記電流と前記電圧との関係が調整される、ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記直交電磁偏向部が、前記荷電粒子銃から放出される荷電粒子ビームの進路方向に２つ並置された２段構成であり、
前記２段構成のそれぞれの直交電磁偏向部が、前記磁界偏向器と前記電界偏向器と前記電流源回路と前記電圧源回路と前記ゲイン調整部と、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子銃と、
該荷電粒子銃から放出された荷電粒子ビームをステージに載置した試料上に照射して走査する電子光学系と、
前記試料から発生する二次電子、または反射電子を検出する検出部と、
前記二次電子、または反射電子の進路を前記検出部の方向へ偏向させる直交電磁偏向部と、を有し、
前記直交電磁偏向部は、前記荷電粒子銃から放出される荷電粒子ビームの進路方向に交わる第１の方向に電界および磁界のそれぞれを印加する第１の電界偏向器及び第１の磁界偏向器と、前記第１の方向に直交する第２の方向に電界および磁界のそれぞれを印加する第２の電界偏向器及び第２の磁界偏向器と、前記第１及び第２の磁界偏向器のそれぞれに電流を供給する第１及び第２の電流源回路と、前記第１及び第２の電界偏向器のそれぞれに電圧を供給する第１及び第２の電圧源回路と、前記電流と前記電圧との関係を調整する第１及び第２のゲイン調整部と、をそれぞれ備え、
前記第１及び第２の磁界偏向器は、磁界を発生させて前記荷電粒子ビームの軌跡を変化させ、前記第１及び第２の電界偏向器は、電界を発生させて前記荷電粒子ビームの軌跡を変化させ、
前記第１及び第２の磁界偏向器と前記第１及び第２の電界偏向器は、それぞれの磁界と電界とが互いに直交し重畳するように配置され、
前記第１の電流源回路に電圧を印加する電圧発生部と、前記第１の電圧源回路に電圧を印加する電圧発生部とが一つに共通化された第１の電圧発生部と、
前記第２の電圧源回路に電圧を印加する電圧発生部と、前記第２の電圧源回路に電圧を印加する電圧発生部とが一つに共通化された第２の電圧発生部と、を有し、
前記第１の電圧発生部と前記第２の電圧発生部とは互いに独立して電圧を制御し、
二次ビームのエネルギーに応じて、
前記第１のゲイン調整部により、前記第１の磁界偏向器により磁界の進路が偏向される量と前記第１の電界偏向器の電界により進路が偏向される量とが一致するように、前記電流と前記電圧との関係が調整され、
前記第２のゲイン調整部により、前記第２の磁界偏向器により磁界の進路が偏向される量と前記第２の電界偏向器の電界により進路が偏向される量とが一致するように、前記電流と前記電圧との関係が調整される、ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子銃と、
該荷電粒子銃から放出された荷電粒子ビームをステージに載置した試料上に照射して走査する電子光学系と、
前記試料から発生する二次電子、または反射電子を検出する検出部と、
前記二次電子、または反射電子の進路を前記検出部の方向へ偏向させる直交電磁偏向部と、を有し、
前記直交電磁偏向部は、前記荷電粒子銃から放出される荷電粒子ビームの進路方向に交わる第１の方向に電界および磁界のそれぞれを印加する第１の電界偏向器及び第１の磁界偏向器と、前記第１の方向に直交する第２の方向に電界および磁界のそれぞれを印加する第２の電界偏向器及び第２の磁界偏向器と、前記第１及び第２の磁界偏向器のそれぞれに電流を供給する第１及び第２の電流源回路と、前記第１及び第２の電界偏向器のそれぞれに電圧を供給する第１及び第２の電圧源回路と、前記電流と前記電圧との関係を調整する第１及び第２のゲイン調整部と、をそれぞれ備え、
前記第１及び第２の磁界偏向器は、磁界を発生させて前記荷電粒子ビームの軌跡を変化させ、前記第１及び第２の電界偏向器は、電界を発生させて前記荷電粒子ビームの軌跡を変化させ、
前記第１及び第２の磁界偏向器と前記第１及び第２の電界偏向器は、それぞれの磁界と電界とが互いに直交し重畳するように配置され、
前記第１の電流源回路に電圧を印加する電圧発生部と、前記第１の電圧源回路に電圧を印加する電圧発生部とが一つに共通化された第１の電圧発生部と、
前記第２の電圧源回路に電圧を印加する電圧発生部と、前記第２の電圧源回路に電圧を印加する電圧発生部とが一つに共通化された第２の電圧発生部と、を有し、
前記第１のゲイン調整部により、前記第１の磁界偏向器により磁界の進路が偏向される量と前記第１の電界偏向器の電界により進路が偏向される量とが一致するように、前記電流と前記電圧との関係が調整され、
前記第２のゲイン調整部により、前記第２の磁界偏向器により磁界の進路が偏向される量と前記第２の電界偏向器の電界により進路が偏向される量とが一致するように、前記電流と前記電圧との関係が調整され
前記第２の電圧発生部から出力される電圧のゲイン調整を行う第３のゲイン調整部と、
前記第１の電圧発生部から出力される電圧のゲイン調整を行う第４のゲイン調整部と、をさらに有し、
前記第１の電圧源回路に、前記第１の電圧発生部から出力される電圧が前記第１のゲイン調整部を介して調整された電圧と、前記第２の電圧発生部から出力される電圧が前記第３のゲイン調整部を介して調整された電圧とが加算された電圧が入力され、
前記第２の電圧源回路に、前記第１の電圧発生部から出力される電圧を前記第４のゲイン調整部を介して調整された電圧と、前記第２の電圧発生部から出力される電圧を前記第２のゲイン調整部を介して調整された電圧とが加算された電圧が入力されることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】
請求項４に記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記第１の電圧源回路からの第１電圧は、前記第１の電流源回路からの第１電流と前記第２の電流源回路からの第２電流とに依存し、
前記第２の電圧源回路からの第２電圧は、前記第１の電流源回路からの第１電流と前記第２の電流源回路からの第２電流とに依存することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】
二次電子・反射電子を検出部の方向へ偏向させ、直交する第１方向の電界偏向器及び磁界偏向器と、第２方向の電界偏向器及び磁界偏向器と、を有し、
前記第１及び第２の磁界偏向器、電界偏向器のそれぞれに電流、電圧をそれぞれ供給する第１及び第２の電流源回路と、電圧源回路と、及びゲイン調整部を有する第1と第２制御回路と、
前記第１の電流源回路と電圧源回路に電圧を供給する第１の共通電圧発生部と、
前記第２の電流源回路と前記第２の電圧源回路に電圧を供給する第２の共通電圧発生部と、
前記第１の共通電圧発生部からの電圧の調整する第１及び第２のゲイン調整部と、
前記第２の共通電圧発生部からの電圧の調整する第３及び第４のゲイン調整部と、を有し、
前記第１の制御回路は、前記第１のゲイン調整部と前記第３のゲイン調整部からの電圧を加算する第１の加算回路を有し、
前記第２の制御回路は、前記第２のゲイン調整部と前記第４のゲイン調整部からの電圧を加算する第２の加算回路を有することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。