【手続補正書】
【提出日】平成29年6月23日(2017.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、
前記基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合してなる活性種含有処理液を貯めおく供給タンクを有する処理液生成機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に供給する処理液供給機構と、
前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有処理液を前記供給タンクに戻す処理液戻し機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る移送機構と、
を有する基板処理システム。
【請求項２】
前記基板処理機構において前記基板と同種の所定基板に前記処理液を与え、前記処理液と前記所定基板との反応によって活性種を生じさせつつ前記所定基板を処理した後の活性種含有処理液を前記処理液回収機構が回収し、この回収された前記活性種含有溶液を予め前記活性種含有溶液として前記貯液機構に貯めておく請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
処理液を用いてシリコン製基板のエッチング処理を行う基板処理機構と、
前記シリコン製基板の処理の活性化に寄与する活性種としての亜硝酸（HNO2）を含む亜硝酸含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）を含むエッチング処理液とを混合してなる活性種含有エッチング処理液を貯めおく供給タンクを有する処理液生成機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に供給する処理液供給機構と、
前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の活性種含有エッチング処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記供給タンクに戻す処理液戻し機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有エッチング処理液を前記貯液機構に送る移送機構と、
を有する基板処理システム。
【請求項４】
前記基板処理機構において所定シリコン製基板に前記エッチング処理液を与え、前記エッチング処理液と前記所定シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸（HNO2）を生じさせつつ前記所定シリコン製基板を処理した後の活性種含有エッチング処理液を前記処理液回収機構が回収し、この回収された前記活性種含有エッチング処理液を予め前記亜硝酸含有溶液として前記貯液機構に貯めおく請求項３に記載の基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ等の基板に処理液を供給して当該基板を処理する基板処理システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、特に高濃度の処理液を用いなくても効率よく基板の処理を行いうる基板処理システムを提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る基板処理システムは、
処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、
前記基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合してなる活性種含有処理液を貯めおく供給タンクを有する処理液生成機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に供給する処理液供給機構と、
前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有処理液を前記供給タンクに戻す処理液戻し機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る移送機構と、
を有する構成となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係る基板処理システムは、
処理液を用いてシリコン製基板のエッチング処理を行う基板処理機構と、
前記シリコン製基板の処理の活性化に寄与する活性種としての亜硝酸（HNO2）を含む亜硝酸含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸（HF）及び硝酸（HNO3）を含むエッチング処理液とを混合してなる活性種含有エッチング処理液を貯めおく供給タンクを有する処理液生成機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に供給する処理液供給機構と、
前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の活性種含有エッチング処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記供給タンクに戻す処理液戻し機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有エッチング処理液を前記貯液機構に送る移送機構と、
を有する構成となる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る基板処理システムによれば、特に高濃度の処理液を使わずに当該処理液の利用効率の低下を防止しつつ、活性種の作用によって、処理液により効率よく基板を処理することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
なお、回収タンク２１には調節弁Ｖｃ９を通して希釈用の水（純水）を供給することができ、回収タンク２１に貯められた使用後のエッチング処理液を、開閉弁Ｖ７を通して排出（Drain）することができる。溶液貯留タンク２２に貯められた溶液を、開閉弁Ｖ６を通して排出（Drain）することができる。また、第１供給タンク２３に貯められたエッチング処理液を、ポンプＰ４の動作によって、開閉弁Ｖ３及びＶ５を通して排出（Drain）することができ、第２供給タンク２４に貯められたエッチング処理液も、ポンプＰ４の動作によって、開閉弁Ｖ４及びＶ５を通して排出（Drain）することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上記のようにしてスピン処理装置１０において粗面化シリコンウェーハＷのエッチング処理がなされている過程で排出されるエッチング処理液が、シリコン（Si）の溶解した亜硝酸（HNO2）含有溶液として、回収タンク２１に貯められる。そして、図１０の太線で示すように、回収タンク２１からそのシリコン（Si）が溶解した亜硝酸含有溶液（使用後のエッチング処理液）がポンプＰ１の動作により、開放された開閉弁Ｖ１を通して溶液貯留タンク２２に供給される（Ｓ０１７）。その後、溶液貯留タンク２２での上限の液量が上限センサＨにて検出されると、図１１に示すように、開閉弁Ｖ１が閉じられ、回収タンク２１から溶液貯留タンク２２への亜硝酸含有溶液の供給が停止される（Ｓ０１８）。なお、適当なタイミングにおいて、調節弁Ｖｃ５が閉じられて第１供給タンク２３からのエッチング処理液の供給が停止されるとともに、調節弁Ｖｃ６が所定の開度に調整されて、図１１の太線で示すように、第２供給タンク２４から調節弁Ｖｃ６の開度に応じた流量にてエッチング処理液がスピン処理装置１０（ＳＰＭ）に供給される（Ｓ０１５）。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
第２供給タンク２４からライフタイムの満了した上記活性種含有エッチング処理液の全てが排出されると、前述した第１供給タンクの場合（図４ＣにおけるＳ４３〜Ｓ４６参照）と同様に、第２供給タンク２４において、薬液供給ユニットからの各薬液（HF、HNO3、CH3COOH、H2O）により調合された新たなエッチング処理液と、溶液貯留タンク２２からの活性種含有溶液（ライフタイムの満了した活性種含有エッチング処理液）とが混合されて新たな活性種含有エッチング処理液が生成される（Ｓ５３〜Ｓ５５）。そして、第２供給タンク２４において、その新たな活性種含有エッチング処理液が、所定温度に調整されつつ循環され（Ｓ５６）、活性種含有エッチング処理液の濃度の均一化が図られる。