【手続補正書】
【提出日】平成29年2月28日(2017.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
シンチレータ部３１では、反射板４０寄りの箇所での断面積が、受光面２０Ａ寄りの箇所での断面積よりも大きくなっている。なお、上記の断面積は、シンチレータ部３１における、受光面２０Ａと平行な断面の断面積を指している。そのため、互いに隣接する２つのシンチレータ部３１の間隙の幅ｄは、不連続面１５Ａ側から反射板４０側（シンチレータ部３１の上部側）に向かうにつれて、狭くなっている。結晶界面３１Ａは、例えば、図１に示したように、不連続面１５Ａ側から見たときに、凸状の曲面となっている。受光面２０Ａの端部における、結晶界面３１Ａと受光面２０Ａとのなす角θ１は、鈍角となっている。結晶界面３１Ａの接平面(tangent plane)３０Ｓと、受光面２０Ａとのなす角θ２は、９０°以上となっており、接平面３０Ｓの接点が受光面２０Ａ側から反射板４０側（シンチレータ部３１の上部側）に向かうにつれて、小さくなっている。そのため、シンチレータ部３１で発生し、受光面２０Ａ側に向かう光の一部は、結晶界面３１Ａで反射されて、受光面２０Ａに入射し得る。つまり、シンチレータ部３１が集光レンズとして機能する。互いに隣り合う結晶界面３１Ａの間は、空隙となっている。なお、互いに隣り合う結晶界面３１Ａの間に、不連続面１５Ａを結晶成長面として形成されたシンチレータ部が設けられていてもよい。この場合には、不連続面１５Ａを結晶成長面として形成されたシンチレータ部の側面が、結晶界面となっており、所定の間隙を介して素子２０の側面および結晶界面３１Ａと対向配置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
結晶界面３１Ａと受光面６０Ａとのなす角θ１は、鈍角となっている。そのため、シンチレータ部３１で発生した光は、結晶界面３１Ａで反射されて、受光面６０Ａに入射し得る。つまり、シンチレータ部３１が集光レンズとして機能する。互いに隣り合う結晶界面３１Ａの間は、空隙となっている。なお、互いに隣り合う結晶界面３１Ａの間に、不連続面５４Ａを結晶成長面として形成されたシンチレータ部が設けられていてもよい。この場合には、不連続面５４Ａを結晶成長面として形成されたシンチレータ部の側面が、結晶界面となっており、所定の間隙を介して素子６０の側面および結晶界面３１Ａと対向配置される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
素子基板２００は、例えば、図１９に示したように、支持基板２０１、固定層２０２および複数の素子６０を有している。各素子６０は、電極６２を上側に向けて、支持基板２０１上に配置されている。支持基板２０１は、複数の素子６０を支持するものであり、例えば、シリコン基板や、ガラス基板、樹脂基板などで構成されている。固定層２０２は、各素子６０を支持基板２０１に固定するとともに転写時に支持基板２０１から各素子６０を剥離させるものである。固定層２０２は、転写がレーザアブレーションによって行われる場合には、例えば、レーザ発振波長域の光を吸収する材料で構成されている。固定層２０２は、例えば、支持基板２０１の上面全体に形成されている。固定層２０２が、例えば、図１９に示したように、支持基板２０１と各素子６０との間隙だけに形成されていてもよい。転写性を考慮すると、図１９に示したように、固定層２０２が素子６０ごとに形成されていることが好ましい。プロセスの簡素さを考慮すると、固定層２０２が支持基板２０１の上面全体に形成されていることが好ましい。固定層２０２は、支持基板２０１に直接、接していてもよい。なお、固定層２０２と支持基板２０１との間に、接着層や、絶縁層、メタル層などが介在していてもよい。配線基板５０Ａは、上述の配線基板５０において埋込層５４が省略された構成となっている。従って、配線基板５０Ａの上面には、パッド電極５３が露出している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
[変形例その２]
上記第１の実施の形態では、複数の光電変換領域１２２が素子２０ごとに１つずつ設けられていた。しかし、例えば、図３２に示したように、複数の光電変換領域１２２が共通の基板７０内に設けられていてもよい。基板７０は、半導体基板上に、複数の光電変換領域１２２を含む半導体層を形成したものである。基板７０において、半導体基板が受光面２０Ａ側に配置されている。複数の光電変換領域１２２は、基板７０内において、互いに離間して配置されている。従って、光電変換領域１２２と対向する位置にある複数の受光面２０Ａも、半導体基板の上面において互いに離間して配置されている。基板７０（もしくは半導体基板）は、受光面２０Ａの周囲に溝７０Ａを有している。溝７０Ａの底面は、受光面２０Ａとの関係で不連続な不連続面７０Ｂとなっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
また、上記第２の実施の形態では、複数の光電変換領域１２２および画素回路ＩＣ１６０が素子６０ごとに１つずつ設けられていた。しかし、例えば、図３３に示したように、複数の光電変換領域１２２および画素回路ＩＣ１６０が共通の基板８０内に設けられていてもよい。基板８０は、半導体基板上に、複数の光電変換領域１２２を含む半導体層を形成したのち、その半導体層上に、複数の画素回路ＩＣ１６０を実装し、埋め込んだものである。基板８０において、半導体基板が受光面６０Ａ側に配置されている。複数の光電変換領域１２２は、基板８０内において、互いに離間して配置されている。従って、光電変換領域１２２と対向する位置にある複数の受光面６０Ａも、半導体基板の上面において互いに離間して配置されている。基板８０（もしくは半導体基板）は、受光面６０Ａの周囲に溝８０Ａを有している。溝８０Ａの底面は、受光面６０Ａとの関係で不連続な不連続面８０Ｂとなっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
[変形例その３]
上記第１の実施の形態では、複数の光電変換領域１２２が素子２０ごとに１つずつ設けられていた。しかし、例えば、図３４に示したように、複数の光電変換領域１２２が共通の基板７３内に設けられていてもよい。基板７３は、半導体基板上に、複数の光電変換領域１２２を含む半導体層を形成したものである。基板７３において、半導体基板が受光面２０Ａ側に配置されている。複数の光電変換領域１２２は、基板７３内において、互いに離間して配置されている。従って、光電変換領域１２２と対向する位置にある複数の受光面２０Ａも、半導体基板の上面において互いに離間して配置されている。本変形例に係る放射線検出器１は、基板７３（もしくは半導体基板）の上面のうち、受光面２０Ａの周囲に遮光層７４を有している。遮光層７４は、光不透過性の材料を含んで構成されている。遮光層７４の上面は、受光面２０Ａとの関係で不連続な不連続面７４Ａとなっている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
また、上記第２の実施の形態では、複数の光電変換領域１２２および画素回路ＩＣ１６０が素子６０ごとに１つずつ設けられていた。しかし、例えば、図３５に示したように、複数の光電変換領域１２２および画素回路ＩＣ１６０が共通の基板８１内に設けられていてもよい。基板８１は、半導体基板上に、複数の光電変換領域１２２を含む半導体層を形成したのち、その半導体層上に、複数の画素回路ＩＣ１６０を実装し、埋め込んだものである。基板８１において、半導体基板が受光面６０Ａ側に配置されている。複数の光電変換領域１２２は、基板８１内において、互いに離間して配置されている。従って、光電変換領域１２２と対向する位置にある複数の受光面６０Ａも、半導体基板の上面において互いに離間して配置されている。基板８１（もしくは半導体基板）は、受光面６０Ａの周囲に遮光層８２を有している。遮光層８２は、光不透過性の材料を含んで構成されている。遮光層８２の上面は、受光面６０Ａとの関係で不連続な不連続面８２Ａとなっている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
＜８．第６の実施の形態＞
次に、第６の実施の形態に係る撮像システム８について説明する。図４３は、撮像システム８の概略構成の一例を表したものである。撮像システム８は、撮像表示システム５において、画像処理部６で処理された後の撮像信号（３ＤＣＡＤ（computer-aided design）信号Ｄ２）に基づいて立体物を成型する成型装置９をさらに備えたものである。成型装置９は、例えば、３Ｄプリンタである。画像処理部６は、撮像信号Ｄｏｕｔに対して所定の画像処理を施すことにより、３ＤＣＡＤ信号Ｄ２を生成するものである。なお、必要に応じて表示装置７が省略されてもよい。また、成型装置９が撮像システム８に対して後付け可能に構成されていてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
１，２，３…放射線検出器、４…撮像装置、５…撮像表示システム、６…画像処理部、７…表示装置、８…撮像システム、９…成型装置、１０，１０Ａ…回路基板、１１…支持基板、１２…回路層、１３…画素回路、１４…パッド電極、１５…埋込層、１５Ａ…不連続面、２０…素子、２０Ａ…受光面、２１…機能部、２２…電極、２３…バンプ、３０…シンチレータ層、３０Ｓ…接平面、３１，３２…シンチレータ部、３１Ａ…結晶界面、４０…反射板、５０，５０Ａ…配線基板、５１…支持基板、５２…配線層、５３…パッド電極、５４…埋込層、５４Ａ…不連続面、６０…素子、６０Ａ…受光面、６１…機能部、６２…電極、６３…バンプ、７０…基板、７０Ａ…溝、７０Ｂ…不連続面、７３…基板、７４…遮光層、７４Ａ…不連続面、８０…基板、８０Ａ…溝、８０Ｂ…不連続面、８１…基板、８２…遮光層、８２Ａ…不連続面、９０…配線基板、９１…支持基板、９２…配線層、９３…パッド電極、９４…埋込層、９４Ａ…不連続面、１００…素子基板、１０１…支持基板、１０２，１０３…固定層、１０３Ａ…不連続面、１０４…空隙、１１１…絶縁層、１１２，１１３…絶縁層、１１４…パッド電極、１１５…配線層、１１６，１１７…接続部、１１８，１１９…保護膜、１１８Ａ，１１９Ａ…不連続面、１２０…光電変換素子、１２１…基板、１２２…光電変換領域、１２３…電極、１２４…バンプ、１５１，１５２…絶縁層、１５３…パッド電極、１５４…配線層、１５５…接続部、１６０…画素回路ＩＣ、１６１…画素回路部、１６２…電極、１６３…バンプ、２００…素子基板、２０１…支持基板、２０２，２０３…固定層、２０３Ａ…不連続面、２０４…空隙、３００…放射線源、４００…被写体、４１０…基板、４２０…画素部、４３０…行走査部、４４０…水平選択部、４５０…列走査部、４６０…システム制御部、４７０…画素駆動線、４７１…行選択線、４７２…リセット制御線、４８０…垂直信号線、４９０…水平信号線、Ｄ１…表示信号、Ｄ２…３ＤＣＡＤ信号、Ｄｏｕｔ…撮像信号、Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３…トランジスタ、Ｃｓ…容量成分、θ１，θ２…角。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４３】
2015064332.tif 000001