【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年1月10日(2017.1.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成方法であって、
（ａ）１つ以上の被パターン化層を備える半導体基板を提供することと、
（ｂ）前記１つ以上の被パターン化層上にフォトレジスト層であって、酸不安定基を有するユニットを含むマトリックスポリマーと、光酸発生剤と、有機溶媒を含む組成物から形成される、フォトレジスト層を形成することと、
（ｃ）前記フォトレジスト層上にフォトレジストオーバーコート組成物であって、マトリックスポリマーと、添加剤ポリマーと、塩基性クエンチャーと、有機溶媒とを含み、前記添加剤ポリマーが前記マトリックスポリマーの表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを有し、前記添加剤ポリマーが前記オーバーコート組成物の全固形分に基づいて、１〜２０重量％の量で前記オーバーコート組成物中に存在する、フォトレジストオーバーコート組成物をコーティングすることと、
（ｄ）前記フォトレジスト層を活性化放射線に露光することと、
（ｅ）前記基板を露光後ベーキング方法で加熱することと、
（ｆ）有機溶媒現像液を用いて露光されたフィルムを現像することと、を含む、前記方法。
【請求項２】
前記添加剤ポリマーがケイ素原子を含有するユニットを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項３】
前記添加剤ポリマーがフッ素原子を含有するユニットを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項４】
前記添加剤ポリマーがフルオロアルコールを含有するユニットを含む、請求項３に記載の前記方法。
【請求項５】
前記マトリックスポリマーが、以下の一般式（Ｉ）のモノマーから形成されたユニットを含み、
【化１】
2016091016.tif 000001
式中、Ｒ１は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキルから選択され、Ｒ２は任意に置換されたＣ１〜Ｃ１５アルキルから選択され、Ｘ１は酸素もしくは硫黄であるか、または式ＮＲ３によって表され、式中、Ｒ３は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、Ｚ１は、単結合または、任意に置換された脂肪族及び芳香族炭化水素、ならびにそれらの組み合わせから選択され、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ４−から選択される１つ以上の結合部分を任意に有するスペーサーユニットであり、式中、Ｒ４は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択される、請求項１〜４のいずれかに記載の前記方法。
【請求項６】
前記添加剤ポリマーが、以下の一般式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）を有するモノマーから形成され、
【化２】
2016091016.tif 000002
式中、Ｒ１０は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキルから選択され、Ｒ１１は任意に置換されたＣ１〜Ｃ１５アルキルから選択され、Ｘ２は酸素もしくは硫黄であるか、または式ＮＲ１２によって表され、式中、Ｒ１２は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、Ｚ３は単結合または、任意に置換された脂肪族及び芳香族炭化水素、ならびにそれらの組み合わせから選択され、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨＳＯ２−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ１３−から選択される１つ以上の結合部分を任意に有するスペーサーユニットであり、式中、Ｒ１３は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、
【化３】
2016091016.tif 000003
式中、Ｒ１４は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキルから選択され、Ｒ１５は独立して、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１５アルキルから選択され、Ｘ３は酸素もしくは硫黄であるか、または式ＮＲ１６によって表され、式中、Ｒ１６は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、Ｚ４は単結合または、任意に置換された脂肪族及び芳香族炭化水素、ならびにそれらの組み合わせから選択され、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ１７−から選択される１つ以上の結合部分を任意に有するスペーサーユニットであり、式中、Ｒ１７は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択され、ｎは０〜２の整数である、請求項１〜５のいずれかに記載の前記方法。
【請求項７】
前記塩基性クエンチャーが前記マトリックスポリマー上に塩基性部分を含む、請求項１〜６のいずれかに記載の前記方法。
【請求項８】
前記塩基性クエンチャーが前記マトリックスポリマーとは別の添加剤を含む、請求項１〜７のいずれかに記載の前記方法。
【請求項９】
前記添加剤ポリマーが、前記オーバーコート組成物の全固形分に基づいて、３〜１５重量％の量で前記オーバーコート組成物中に存在する、請求項１〜７のいずれかに記載の前記方法。
【請求項１０】
前記フォトレジスト層が、液浸リソグラフィー方法で前記活性化放射線に露光される、請求項１〜９のいずれかに記載の前記方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
現像されたレジストパターン内のコンタクトホールのネッキング、及び線ならびにトレンチパターンのＴ−トッピングの形成におけるＮＴＤ処理の問題点が知られており、米国出願公開第２０１３／０２４４４３８Ａ１号に記載されている。そのような問題点は、フォトマスク不透明パターンの縁部の下で迷光が散乱し、それによって、レジスト表面におけるそれらの「暗」領域内に、望ましくないことに、極性切り替えが生じることが原因であると考えられている。この問題点に対処するために、’４３８公開は、塩基性クエンチャーと、ポリマーと、有機溶媒フォトレジストとを含むオーバーコートの使用を開示する。液浸リソグラフィーを目的として、’４３８公開は、フォトレジスト成分が液浸液体内に浸出するのを回避するための障壁層を形成するため、かつ露光スキャン速度を上昇させるための望ましい接触角特性を液浸液体に提供するために使用可能であるオーバーコート組成物をさらに開示する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の態様によると、電子デバイスを形成する方法が提供される。本方法は、（ａ）１つ以上の被パターン化層を備える半導体基板を提供することと、（ｂ）前記１つ以上の被パターン化層上にフォトレジスト層であって、酸不安定基を有するユニットを含むマトリックスポリマーと、光酸発生剤と、有機溶媒を含む組成物から形成されるフォトレジスト層を形成することと、（ｃ）前記フォトレジスト層上にフォトレジストオーバーコート組成物をコーティングすることであって、オーバーコート組成物がマトリックスポリマーと、添加剤ポリマーと、塩基性クエンチャーと、有機溶媒とを含み、前記添加剤ポリマーが、前記マトリックスポリマーの表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを有し、前記添加剤ポリマーが、前記オーバーコート組成物の全固形分に基づいて、１〜２０重量％の量で前記オーバーコート組成物内に存在する、コーティングすること、（ｄ）前記フォトレジスト層を活性放射線に露光することと、（ｅ）前記基板を露光後ベーキング方法で加熱することと、（ｆ）有機溶媒現像液を用いて露光されたフィルムを現像することと、を含む。本方法は、半導体製造業界において特定の適用性を有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
フォトレジストオーバーコート組成物
フォトレジストオーバーコート組成物は、マトリックスポリマーと、添加剤ポリマーと、塩基性クエンチャーと、有機溶媒とを含む。添加剤ポリマーは、マトリックスポリマーの表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを有する。ネガティブトーン現像方法によりフォトレジスト層上にコーティングされたときに有用である本発明の組成物は、液浸液体を用いて改善された接触角特性、改善された焦点寛容度、改善された露光寛容度、低減した欠陥性、フォトレジスト及びオーバーコート成分が液浸液体内に浸出するのを回避するための効果的な障壁層性質、幾何学的に均一なレジストパターン、ならびにレジスト露光中の低下した反射性等のうちの１つ以上の様々な利点を提供することができる。本組成物を乾式リソグラフィーまたは液浸リソグラフィー方法で使用することができる。露光波長は、フォトレジスト組成物以外には特に限定されず、２４８ｎｍ、または１９３ｎｍ等の２００ｎｍ以下（液浸または乾式リソグラフィー）、もしくはＥＵＶ波長（例えば１３．４ｎｍ）が典型的である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
マトリックスポリマーは、添加剤ポリマーを用いて、オーバーコート組成物から形成された層に有益な障壁性質を付与し、フォトレジスト成分が液浸液体内に移動するのを最小限に抑えるまたはそれを防止することができる。また、添加剤ポリマーは、好ましくは、オーバーコート組成物内の塩基性クエンチャー等の成分が液浸液体内に移動するのを防止することも可能である。オーバーコート／液浸液体界面での液浸液体の高い後退接触角（ＲＣＡ）等の有益な接触角特性を提供することができ、それによって、露光ツールのスキャン速度をより高速にすることが可能となる。オーバーコート組成物の層は、乾燥状態では典型的には、７０°〜８９°、好ましくは、７５〜８５°の水後退接触角を有する。句「乾燥状態では」は、オーバーコート組成物に基づいて、８重量％以下の溶媒を含有していることを意味する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
式中、Ｒ１は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキル、好ましくは、水素またはメチルから選択され、Ｒ２は任意に置換されたＣ１〜Ｃ１５アルキル、好ましくは、Ｃ４〜Ｃ８アルキル、より好ましくは、Ｃ４〜Ｃ６アルキルから選択され、Ｘ１は酸素もしくは硫黄であるか、または式ＮＲ３によって表され、式中、Ｒ３は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキル、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ５アルキルから選択され、Ｚ１は単結合または、任意に置換された脂肪族（Ｃ１〜Ｃ６アルキレン等）及び芳香族炭化水素、ならびにそれの組み合わせから選択され、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ４−から選択される１つ以上の結合部分を任意に有するスペーサーユニットであり、式中、Ｒ４は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキル、好ましくは、Ｃ２〜Ｃ６アルキルから選択される。一般式（Ｉ）のモノマーには、好ましくは、ケイ素及びフッ素が存在しない。ともに得た一般式（Ｉ）のユニットは、典型的には、マトリックスポリマーに基づいて、５０〜１００モル％、例えば、７０〜１００モル％、８０〜１００モル％、９０〜１００モル％、または１００モル％の量でマトリックスポリマー内に存在する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
式中、Ｒ５は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキル、好ましくは、水素またはメチルから選択され、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は独立して、水素またはＣ１〜Ｃ３アルキル基を表し、Ｚ２は単結合または、任意に置換された脂肪族（Ｃ１〜Ｃ６アルキレン等）及び芳香族炭化水素、ならびにそれらの組み合わせから選択され、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ９−から選択される１つ以上の結合部分を任意に有するスペーサーユニットであり、式中、Ｒ９は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキル、好ましくは、Ｃ２〜Ｃ６アルキルから選択される。一般式（Ｉ−１）のモノマーには、好ましくは、ケイ素及びフッ素が存在しない。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
マトリックスポリマーの１つ以上のユニットは塩基性部分を含み得る。この塩基性部分は、意図的に露光されない（暗領域）下地フォトレジスト層の領域内の酸を中和させることができ、酸は、迷光によってフォトレジスト層の表面領域内に発生する。そのような塩基性部分含有マトリックスポリマーは、オーバーコート組成物内で、塩基性クエンチャー添加剤として機能するのに加えて、塩基性クエンチャーとしても機能し得る、または塩基性クエンチャー添加剤の代替として機能し得る。好適な部分は、例えば、アミノエーテル、ピリジン、アニリン、インダゾール、ピロール、ピラゾール、ピラジン、グアニジニウム、及びイミン等のアミン、カルバマート、ピロリジノン、マレイミド、イミダゾール、及びイミド等のアミド、及びそれらの誘導体から選択される窒素含有基を含む。マトリックスポリマー内に存在する場合、マトリックスポリマー内の塩基性部分含有ユニット（複数可）の含有量は、典型的には、下地フォトレジスト層の暗領域内の酸誘導脱保護反応を実質的にまたは完全に除去するのに十分である一方で、そのような反応がその層の明領域（意図的に露光されるそれらの領域）で発生するのを可能にする。マトリックスポリマー内の塩基性部分含有ユニット（複数可）の望ましい含有量は、例えば、乾式リソグラフィー方法であれ液浸リソグラフィー方法であれ、フォトレジスト層内の光酸発生剤の含有量、及びオーバーコートの意図的な使用によって決定するであろう。乾式リソグラフィー方法のマトリックスポリマー内の塩基性部分含有ユニット（複数可）の含有量は、存在する場合、典型的には、マトリックスポリマーに基づいて、０．１〜１００モル％、０．１〜５０モル％、または０．５〜２０モル％となるであろう。塩基性部分を含有するモノマーの（水中の）ｐＫａは、好ましくは、５〜５０、より好ましくは８〜４０、最も好ましくは、１０〜３５である。塩基性部分含有モノマー及びマトリックスポリマー全体のｐＫａ値は、概して、典型的には、同じまたは実質的に同じ値を有する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
式中、Ｒ１０は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキル、好ましくは、水素またはメチルから選択され、Ｒ１１は、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１５アルキル、好ましくは、Ｃ４〜Ｃ８アルキルまたはフルオロアルキル、より好ましくは、Ｃ４〜Ｃ６アルキルまたはフルオロアルキルから選択され、かつヘキサフルオロアルコール基等のフルオロアルコール基、または部分フッ素化もしくは過フッ素化シクロアルキル構造を有利に含んでよく、Ｘ２は酸素もしくは硫黄であるか、または式ＮＲ１２によって表され、式中、Ｒ１２は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキル、好ましくはＣ１〜Ｃ５アルキルから選択され、Ｚ３は単結合または、任意に置換された脂肪族（Ｃ１〜Ｃ６アルキレン等）及び芳香族炭化水素、ならびにそれらの組み合わせから選択され、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨＳＯ２−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ１３−から選択される１つ以上の結合部分を任意に有するスペーサーユニットであり、式中、Ｒ１３は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキル、好ましくはＣ２〜Ｃ６アルキルから選択される。一般式（Ｉ）のモノマーは、好ましくは、表面エネルギーを減少させる目的でフッ素を含有し、
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
式中、Ｒ１４は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ３アルキル、好ましくは、水素またはメチルから選択され、Ｒ１５は独立して、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１５アルキル、好ましくは、Ｃ４〜Ｃ８アルキル、より好ましくＣ４〜Ｃ６アルキルから選択され、かつフッ素原子基、またはヘキサフルオロアルコール基等のフルオロアルコール基、もしくは部分フッ素化あるいは過フッ素化シクロアルキル構造を有利に含んでよく、Ｘ３は酸素もしくは硫黄であるか、または式ＮＲ１６によって表され、式中、Ｒ１６は、水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキル、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ５アルキルから選択され、Ｚ４は単結合または、任意に置換された脂肪族（Ｃ１〜Ｃ６アルキレン等）及び芳香族炭化水素、ならびにそれらの組み合わせから選択され、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、及び−ＣＯＮＲ１７−から選択される１つ以上の結合部分を任意に有するスペーサーユニットであり、式中、Ｒ１７は水素及び任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０アルキル、好ましくはＣ２〜Ｃ６アルキルから選択され、ｎは０〜２の整数である。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
フォトレジストオーバーコート組成物は塩基性クエンチャーをさらに含む。塩基性クエンチャーは、フォトレジスト層の意図的に露光されていない（暗）領域の部分に到達する迷光によって下地フォトレジスト層の表面領域内で発生する酸を中和する目的で存在する。これにより、非露光領域内の不要な脱保護反応を制御することによって、デフォーカス領域内の焦点深度及び露光寛容度を改善することができる。その結果、形成されたレジストパターン内でのプロファイル、例えば、ネッキング及びＴ−トッピングにおける不規則性を最小限に抑えることができる、または回避することができる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
以上で考察されたように、塩基性クエンチャーはマトリックスポリマー内に存在し得る、または添加剤型であり得る。塩基性クエンチャーと下地フォトレジスト層の暗領域内で発生した酸との間で効果的に相互作用するのを可能にするために、塩基性クエンチャーは非界面活性剤型でなければならない。つまり、塩基性クエンチャーは、例えば、オーバーコート組成物の他の成分に対して表面自由エネルギーが低いために、オーバーコート層の頂面に移動する型であってはならない。そのような場合では、塩基性クエンチャーはフォトレジスト層界面に顕著には存在せず、発生した酸と相互作用して酸脱保護を防止することはないであろう。したがって、塩基性クエンチャーは、オーバーコート層を介して均一に分散されるか、傾斜または隔離層を界面に形成するかに関わらず、オーバーコート層／フォトレジスト層界面に存在する型でなければならない。そのような層は、オーバーコート組成物の他の成分に対して高い表面自由エネルギーを有する塩基性クエンチャーを選択することによって実現可能である。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
好適な塩基性クエンチャーは、例えば、直鎖及び環状アミドと、それらのＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ピバルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ１，Ｎ１，Ｎ３，Ｎ３−テトラブチルマロンアミド、１−メチルアゼパン−２−オン、１−アリルアゼパン−２−オン、及びｔｅｒｔ−ブチル１，３−ジヒドロキシ−２−（ヒドロキシメチル）プロパン−２−イルカルバマート等の誘導体と、ピリジン及びジ−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン等の芳香族アミンと、トリイソプロパノールアミン、ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルジエタノールアミン、トリス（２−アセトキシ−エチル）アミン、２，２’，２’’，２’’’−（エタン−１，２−ジイルビス（アザネトリイル））テトラエタノール、及び２−（ジブチルアミノ）エタノール，２，２’，２’’−ニトリロトリエタノール等の脂肪族アミンと、１−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−４−ヒドロキシピペリジン、ｔｅｒｔ−ブチル１−ピロリジンカルボキシレート、ｔｅｒｔ−ブチル２−エチル−１Ｈ−イミダゾール−１−カルボキシレート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルピペラジン−１，４−ジカルボキシレート、及びＮ（２−アセトキシ−エチル）モルホリン等の環状脂肪族アミンと、を含む。それらの塩基性クエンチャーの中では、１−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−４−ヒドロキシピペリジン及びトリイソプロパノールアミンが好ましい。塩基性クエンチャーの含有量は、例えば、下地フォトレジスト層内の光酸発生剤の含有量によって決定するが、塩基性クエンチャーは、典型的には、オーバーコート組成物の全固形分に基づいて、０．１〜５重量％、好ましくは０．５〜３重量％、より好ましくは１〜３重量％の量で存在する。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
フォトレジストオーバーコート組成物は１つ以上の任意の材料を含むことができる。例えば、その組成物は、化学線染料及び造影染料、ならびに抗ストリエーション剤等のうちの１つ以上を含むことができる。それらの中で、本組成物から形成された層の反射防止性質を促進するのに好ましいものは、化学線染料及び造影染料である。そのような任意の添加剤は、使用される場合、典型的には、オーバーコート組成物の全固形分に基づいて、０．１〜１０重量％等の少量で組成物内に存在する。オーバーコート組成物には、好ましくは、酸発生剤化合物、例えば、熱酸発生剤化合物及び光酸発生剤化合物が存在しないが、これは、そのような化合物がオーバーコート組成物内の塩基性クエンチャーの効果を無効にし得るためである。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
本明細書中に記載のオーバーコート組成物から形成されたフォトレジストオーバーコート層１０６は、フォトレジスト層１０４上に形成される。典型的には、そのオーバーコート組成物はスピンコーティングによって基板に適用する。コーティング溶液の固体含有量を調整して、使用される特定のコーティング装置、溶液の粘度、コーティングツールの速度、及びスピニングに許容される時間量に基づいて、望ましいフィルムの厚さをもたらすことができる。オーバーコート層の反射性を低下させるために、好ましくは、オーバーコート内の波長が到来波の波長の４分の１になるように、厚さが選択される。フォトレジストオーバーコート層１０６の典型的な厚さは２００〜１０００Åである。塩基性クエンチャーは、オーバーコート層１０６内に存在し、オーバーコート層を介して均一に分散可能である、または、隔離または段階的塩基性クエンチャー領域１０７として存在してオーバーコート層〜フォトレジスト層界面に配置可能である。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
フォトレジスト層１０４の露光に続いて、露光後ベーキング（ＰＥＢ）を行う。ＰＥＢは、例えば、ホットプレート上でまたはオーブン内で行うことができる。ＰＥＢの条件は、例えば、特定のフォトレジスト組成物及び層厚によって決定するであろう。ＰＥＢは、典型的には、約８０〜１５０℃の温度、及び約３０〜９０秒の時間で行われる。露光後ベーキングの後、塩基性クエンチャーは、極性切替領域と非切替領域（それぞれ、露光領域と非露光領域に対応する）との間の破線１０９によって示されるように、フォトレジスト層１０４の表面領域内に拡散すると考えられている。境界（破線）によって画定された潜像１１６は、図１Ｂに示されるように、フォトレジスト内で形成される。フォトレジスト内に拡散した塩基性クエンチャーは、フォトレジスト層の望ましくない暗領域内での極性切替を抑制することによって垂直壁を有する潜像をもたらすと考えられている。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１４】
レジストオーバーコート組成物（ＯＣ）の調製
レジストオーバーコート組成物を、表２に明記された成分及び量を使用して、オーバーコートマトリックスポリマー、添加剤ポリマー、及び塩基性クエンチャーを溶媒中で溶解することによって調製した。得た混合物を機械的ローラー上で３時間ロールし、次いで、０．２ミクロンの細孔径を有するテフロン（登録商標）フィルターを介して濾過した。その組成物を、到来波の波長の１／４に対応して、（約１５００ｒｐｍでスピンコーティングした後の）対象の厚さ２９０Åに基づいて配合したところ、オーバーコート表面での反射率が低下した。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１５】
【表２】
2016091016.tif 000004
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２５】
【表５】
2016091016.tif 000005