Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月18日(2017.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体を搬送する搬送経路に沿って、前記媒体の搬送方向に関する長さよりも狭い間隔ごとに順次配置され、前記媒体を挟持して搬送する第１、第２及び第３の搬送ローラと、
前記第１の搬送ローラ及び前記第２の搬送ローラの間に配置され、前記媒体から磁気を検知する磁気センサと、
前記第２の搬送ローラ及び前記第３の搬送ローラの間に配置され、シャフトを中心に回動することにより前記媒体の進行方向を切り替えるブレードと、
ソレノイドコイルを内蔵し、前記ブレードを駆動するアクチュエータと、
前記アクチュエータの周囲を囲み、前記アクチュエータの磁気を遮蔽する磁気シールドと、
非磁性材料からなり、前記アクチュエータから前記磁気シールドを離隔して支持する支持体と
を具えることを特徴とする媒体鑑別装置。
【請求項２】
前記アクチュエータの前記ソレノイドコイルは、前記搬送経路を挟んで前記磁気センサと反対側に配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の媒体鑑別装置。
【請求項３】
前記アクチュエータの前記ソレノイドコイルは、前記磁気センサに対して、前記シャフトよりも遠い位置に配置されている
ことを特徴とする請求項２に記載の媒体鑑別装置。
【請求項４】
非磁性材料からなり、前記搬送経路に沿って前記媒体を案内するガイド
をさらに具え、
前記磁気シールドは、前記ガイドに取り付けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の媒体鑑別装置。
【請求項５】
前記アクチュエータの筐体は磁性材料からなり、
前記磁気シールドは、前記搬送経路と交差する交差方向に関し、前記アクチュエータの筐体よりも広い範囲を覆う
ことを特徴とする請求項１に記載の媒体鑑別装置。
【請求項６】
前記磁気シールドは、前記交差方向の両端が開放されている
ことを特徴とする請求項５に記載の媒体鑑別装置。
【請求項７】
前記ブレードの前記シャフトは、磁性材料からなり、
前記アクチュエータの出力軸は、前記シャフトに対し非磁性材料でなる接続部材を介して接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の媒体鑑別装置。
【請求項８】
利用者との間で取引する媒体を搬送する搬送経路に沿って、前記媒体の搬送方向に関する長さよりも狭い間隔ごとに順次配置され、前記媒体を挟持して搬送する第１、第２及び第３の搬送ローラと、
前記第１の搬送ローラ及び前記第２の搬送ローラの間に配置され、前記媒体から磁気を検知する磁気センサと、
前記第２の搬送ローラ及び前記第３の搬送ローラの間に配置され、シャフトを中心に回動することにより前記媒体の進行方向を切り替えるブレードと、
ソレノイドコイルを内蔵し、前記ブレードを駆動するアクチュエータと、
前記アクチュエータの周囲を囲み、前記アクチュエータの磁気を遮蔽する磁気シールドと、
非磁性材料からなり、前記アクチュエータから前記磁気シールドを離隔して支持する支持体と
を具えることを特徴とする媒体処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
かかる課題を解決するため本発明の媒体鑑別装置においては、媒体を搬送する搬送経路に沿って、媒体の搬送方向に関する長さよりも狭い間隔ごとに順次配置され、媒体を挟持して搬送する第１、第２及び第３の搬送ローラと、第１の搬送ローラ及び第２の搬送ローラの間に配置され、媒体から磁気を検知する磁気センサと、第２の搬送ローラ及び第３の搬送ローラの間に配置され、シャフトを中心に回動することにより媒体の進行方向を切り替えるブレードと、ソレノイドコイルを内蔵し、ブレードを駆動するアクチュエータと、アクチュエータの周囲を囲み、アクチュエータの磁気を遮蔽する磁気シールドと、非磁性材料からなり、アクチュエータから磁気シールドを離隔して支持する支持体とを設けるようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明の媒体処理装置においては、利用者との間で取引する媒体を搬送する搬送経路に沿って、媒体の搬送方向に関する長さよりも狭い間隔ごとに順次配置され、媒体を挟持して搬送する第１、第２及び第３の搬送ローラと、第１の搬送ローラ及び第２の搬送ローラの間に配置され、媒体から磁気を検知する磁気センサと、第２の搬送ローラ及び第３の搬送ローラの間に配置され、シャフトを中心に回動することにより媒体の進行方向を切り替えるブレードと、ソレノイドコイルを内蔵し、ブレードを駆動するアクチュエータと、アクチュエータの周囲を囲み、アクチュエータの磁気を遮蔽する磁気シールドと、非磁性材料からなり、アクチュエータから磁気シールドを離隔して支持する支持体とを設けるようにした。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月25日(2017.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長方形柱の柱頭柱脚両端小口に共通の接合部を備え、梁の両端から約２等分の１中央部の上下両面それぞれに前記柱頭と柱脚の両端断面小口と共通一対の突起接合部を備え、前記梁端同士が複数平面的に直線状又は直交状に、梁中心軸の交点で接合する共通のピン接合突起仕口を梁端小口までの距離を均一に予め備えた、前記、柱頭小口接合部と梁中央部の下面突起接合部相互を剛接合したＴ型基本架構の連結体。
【請求項２】
前記、請求項１記載連結体の梁両端小口に梁端同士複数を接合する共通のピン接合突起仕口を予め備え、上下から共通一対の着脱する嵌合部品で接合する連結体。
【請求項３】
前記、請求項１及び２記載の連結体複数梁端同士が平面的に多様な角度で連結した連結体。
【請求項４】
前記、請求項１〜３記載の連結体の柱梁の断面が長方形の柱頭・柱脚の両断面小口短辺両側に、予め内設するＰＣ棒鋼等が梁を貫通して、柱と梁を圧着接合する接合部を予め備え、柱断面長辺を梁方向に合わせた、前記、請求項１から３のいずれか一つに記載の連結体。
【請求項５】
前記、請求項１〜４記載連結体の梁及び基礎梁の位置を同一垂直線上叉は基礎梁と柱が逆Ｔ型とした、前記、請求項１から４のいずれか一つに記載の連結体。
【請求項６】
前記、請求項１〜５記載の連結体を平面的に直線又は並行又は直交、又は多様な角度、又は円弧で囲む外郭線、又は円弧の放射角、又は放射角に直角、又は特定の梁を介し配置連結した、前記、請求項１から５いずれかの一つに記載の連結体。
【請求項７】
前記、請求項１〜６記載の連結体に一体的に組み込まれた、接合部品、基礎、床、内外装、開口部材、屋根、バルコニーそれぞれに使用する部材・部品・建材・設備。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月11日(2017.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気を吸入して昇圧させる圧縮機と、集光器で集めた太陽光の熱により前記圧縮機で昇圧された圧縮空気を加熱して昇温させる受熱器と、前記受熱器で加熱された圧縮空気を導入して前記圧縮機と発電機とを駆動する空気タービンと、前記圧縮機の下流側かつ前記受熱器の上流側に設けられ、前記空気タービンからの排気を加熱媒体として前記圧縮機で昇圧された圧縮空気を加熱する再生熱交換器と、前記圧縮機の下流側かつ前記再生熱交換器の上流側に設けられ、前記圧縮機で昇圧された圧縮空気を前記再生熱交換器の側と前記空気タービンの入口側であるバイパス側とに分配する分配装置とを備えた太陽熱空気タービン発電システムにおいて、
加熱媒体として前記再生熱交換器へ流入する前記空気タービンからの排気流量を調節することで、前記空気タービンの入口の空気温度を一定値になるように制御する制御装置を備えた
ことを特徴とする太陽熱空気タービン発電システム。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽熱空気タービン発電システムにおいて、
前記空気タービンの排気を前記再生熱交換器に導く再生熱交換器流入系統と、前記空気タービンの排気の前記再生熱交換器への流入をバイパスさせる再生熱交換器バイパス系統と、前記再生熱交換器バイパス系統に流入する排気流量を調節する流量調節弁とを備え、
前記制御装置は、前記流量調節弁の開度を制御する制御装置である
ことを特徴とする太陽熱空気タービン発電システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の太陽熱空気タービン発電システムにおいて、
前記圧縮機が吸入する前記空気を冷却する空気冷却器と、前記空気冷却器に冷水を循環させる冷水循環ポンプと、前記冷水を冷却するターボ冷凍機と、前記空気冷却器に流れる前記冷水の流量を制御する調整弁と、
前記調整弁の開度を制御する空気冷却器出口空気温度制御装置と、前記空気タービンの入口の空気温度を検出する第１温度センサと、前記空気冷却器の出口空気温度を検出する第２温度センサと、大気温度を検出する第３温度センサとを備え、  前記空気冷却器出口空気温度制御装置は、前記第１乃至第３温度センサが検出した前記空気タービンの入口の空気温度と前記空気冷却器の出口空気温度と大気温度とを読み込み、前記空気タービンの入口の空気温度が一定値となるように、前記空気冷却器の出口の空気温度を制御する
ことを特徴とする太陽熱空気タービン発電システム。
【請求項４】
請求項３に記載の太陽熱空気タービン発電システムにおいて、
前記分配装置は、前記圧縮機で昇圧された圧縮空気の流量を前記再生熱交換器の側と前記空気タービンの入口側であるバイパス側とに分配する３方空気流量切換え弁と、前記３方空気流量切換え弁の開度を制御する分配制御装置とを備え、
前記分配制御装置は、前記第１温度センサが検出した前記空気タービンの入口の空気温度と前記発電機の出力とを読み込み、前記空気タービンの入口の空気温度をプログラム制御するように、前記３方空気流量切換え弁の開度を制御する
ことを特徴とする太陽熱空気タービン発電システム。
【請求項５】
請求項４に記載の太陽熱空気タービン発電システムにおいて、
タワーの頂上部に配置された前記受熱器と反射装置を有する前記集光器とからなる太陽熱集熱装置と、前記太陽熱集熱装置の前記反射装置の反射位置を制御する太陽熱集熱制御装置と、前記太陽熱集熱装置の出口の空気温度を検出する第４温度センサと、前記空気タービンの入口側であるバイパス側の空気温度を検出する第５温度センサとを備え、
前記太陽熱集熱制御装置は、前記第１温度センサと前記第４温度センサと前記第５温度センサとが検出した前記空気タービンの入口の空気温度と前記太陽熱集熱装置の出口の空気温度と前記空気タービンの入口側であるバイパス側の空気温度とを読み込み、前記空気タービンに導入する熱量を加減するように、前記反射装置の反射位置を制御する
ことを特徴とする太陽熱空気タービン発電システム。
【請求項６】
請求項５に記載の太陽熱空気タービン発電システムにおいて、
前記発電機を前記空気タービンの駆動用電動機とするために、所内電力系統に設けられ、前記所内電力系統からの電力を可変周波数電源に変換して前記発電機に供給するインバータ装置と、
前記太陽熱集熱装置の入口側に設けた太陽熱集熱装置入口バタフライ弁と、前記太陽熱集熱装置の出口側に設けた太陽熱集熱装置出口バタフライ弁とを備え、
前日の運転終了後に前記太陽熱集熱装置入口バタフライ弁と前記太陽熱集熱装置出口バタフライ弁とを閉止することで太陽熱集熱装置の系統内にホットバンキングした高温空気を、前記空気タービンに導入して低速回転させ、
その後、前記インバータ装置で変換した所定の周波数電源を前記発電機に供給し、前記発電機を電動機として駆動させる
ことを特徴とする太陽熱空気タービン発電システム。
【請求項７】
請求項５または６に記載の太陽熱空気タービン発電システムにおいて、
前記太陽熱集熱装置の出口側に一端側が接続され他端側が大気に開放された圧力逃がし調整弁と、前記圧力逃がし調整弁の開度を制御する圧力逃がし制御装置と、前記太陽熱集熱装置の出口側の空気圧力を検出する圧力センサとを備え、
前記圧力逃がし制御装置は、前記圧力センサが検出した前記太陽熱集熱装置の出口側の空気圧力を読み込み、前記空気圧力が予め設定した圧力以上に増加した場合に、前記圧力逃がし調整弁を開動作させて大気へ前記空気を放出する
ことを特徴とする太陽熱空気タービン発電システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。本願は、上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、空気を吸入して昇圧させる圧縮機と、集光器で集めた太陽光の熱により前記圧縮機で昇圧された圧縮空気を加熱して昇温させる受熱器と、前記受熱器で加熱された圧縮空気を導入して前記圧縮機と発電機とを駆動する空気タービンと、前記圧縮機の下流側かつ前記受熱器の上流側に設けられ、前記空気タービンからの排気を加熱媒体として前記圧縮機で昇圧された圧縮空気を加熱する再生熱交換器と、前記圧縮機の下流側かつ前記再生熱交換器の上流側に設けられ、前記圧縮機で昇圧された圧縮空気を前記再生熱交換器の側と前記空気タービンの入口側であるバイパス側とに分配する分配装置とを備えた太陽熱空気タービン発電システムにおいて、加熱媒体として前記再生熱交換器へ流入する前記空気タービンからの排気流量を調節することで、前記空気タービンの入口の空気温度を一定値になるように制御する制御装置を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月24日(2017.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体と、
前記装置本体に設けられ、水が流れる流路と、
前記流路に設けられた発電部と、
前記流路と異なる前記装置本体の位置に設けられた電池と、
前記発電部に接続された蓄電部と、
前記蓄電部に蓄えられた電力又は前記電池の電力で駆動し、動作周期が基準周期又は前記基準周期よりも短い短周期に設定される人体検知センサと、
前記人体検知センサの検知結果に基づいて、前記流路を開閉する開閉手段と、
前記検知結果を、検知した時間と対応付けた使用履歴として記録する記録手段と、
前記使用履歴より、現在の時間枠を含む予め定められた数の時間枠における前記装置本体の使用頻度を予測し、各時間枠毎に予測した前記使用頻度に応じて順位を設定する予測手段と、
前記蓄電部の電圧及び前記電池の電圧の差に基づいて、前記動作周期を前記短周期に設定可能な時間枠数を算出する算出手段と、
前記現在の時間枠の順位及び前記時間枠数に基づいて、前記動作周期を前記基準周期又は前記短周期に設定する設定手段と、を備えた自動水栓装置。
【請求項２】
前記設定手段は、前記現在の時間枠において、前記蓄電部の電圧と前記電池の電圧の差が予め定められた電圧差以下となる場合には、前記動作周期を前記基準周期に設定し、
前記蓄電部の電圧と前記電池の電圧の差が予め定められた電圧差より高くなる場合には、前記現在の時間枠の前記順位および前記時間枠数に基づいて、前記動作周期を前記基準周期又は前記短周期に設定する請求項１に記載の自動水栓装置。
【請求項３】
前期予測手段は、前記検知結果が多くなると予測される時間枠から前記順位を高く設定
し、
前期設定手段は、前記現在の時間枠の前記順位が、前記順位の最も高い時間枠から前記時間枠数以内であれば、前記動作周期を前記短周期に設定し、それ以外の場合には、前記動作周期を前記基準周期に設定する請求項１又は請求項２に記載の自動水栓装置。
【請求項４】
前記予測手段は、前記現在の時間枠および前記現在の時間枠の前後の時間枠に対して前記検知結果を予測する請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の自動水栓装置。
【請求項５】
前記短周期は、前記基準周期よりも短い複数の異なる前記動作周期を含み、
前記設定手段は、前記現在の時間枠の前記順位及び前記時間枠数に基づいて、前記動作周期を前記基準周期又は複数の前記短周期から選択して設定する請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の自動水栓装置。
【請求項６】
装置本体と、
前記装置本体に設けられ、水が流れる流路と、
前記流路に設けられた発電部と、
前記流路と異なる前記装置本体の位置に設けられた電池と、
前記発電部に接続された蓄電部と、
前記蓄電部に蓄えられた電力又は前記電池の電力で駆動し、動作周期が基準周期又は前記基準周期よりも短い短周期に設定される人体検知センサと、
前記人体検知センサの検知結果に基づいて、前記流路を開閉する開閉手段と、
前記検知結果を、検知した時間と対応付けた使用履歴として記録する記録手段、を備えた水栓装置に、
前記使用履歴より、現在の時間枠を含む予め定められた数の時間枠における前記装置本体の使用頻度を予測し、各時間枠毎に予測した前記使用頻度に応じて順位を設定する予測
手段、
前記蓄電部の電圧及び前記電池の電圧の差に基づいて、前記動作周期を前記短周期に設定可能な時間枠数を算出する算出手段、及び、
前記現在の時間枠の順位及び前記時間枠数に基づいて、前記動作周期を前記基準周期又は前記短周期に設定する設定手段、を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月21日(2017.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する基体と、
前記開口部を閉塞する振動膜と、
前記振動膜に支持される圧電素子と、を備え、
前記振動膜は、酸化シリコンに比べて小さい透水性を有する材料で形成される第１層と、前記第１層に密着して形成され、前記第１層を形成する材料よりも大きな靱性値を有する第２層と、
を含むことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電デバイスにおいて、前記基体は前記開口部を複数有し、前記第１層は隣接する前記開口部の間で連続することを特徴とする圧電デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電デバイスにおいて、前記振動膜は、前記第１層および前記第２層より前記開口部側に設けられ、かつ、前記基体の材質のエッチングレートと相違するエッチングレートを有する第３層を含むことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電デバイスにおいて、前記第２層はＺｒＯ２を含んで形成されることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の圧電デバイスにおいて、前記第１層はＡｌ２Ｏ３、ＴａＯｘおよびＨｆＯｘの少なくともいずれかを含んで形成されることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項６】
請求項３に記載の圧電デバイスにおいて、前記第３層はＳｉＯ２を含んで形成されることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の圧電デバイスにおいて、前記第２層はＺｒＯ２から形成され、前記第１層はＡｌ２Ｏ３から形成され、前記第１層は前記第２層および前記第３層の間に挟まれる位置に形成されることを特徴とする圧電デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電デバイス
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、圧電デバイス等に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月26日(2017.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに離間して配置された、画素電極を含む複数の電極と、
前記複数の電極を覆う光電変換膜と、
前記画素電極の上面の第１部分と前記光電変換膜との間に配置された絶縁膜と、
前記画素電極の前記上面の第２部分と前記光電変換膜との間に配置された絶縁部材と
を備え、
前記第２部分は前記第１部分よりも前記画素電極の側面の側に位置しており、
前記光電変換膜と前記第２部分との間の距離は、前記光電変換膜と前記第１部分との間の距離よりも大きいことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は、前記画素電極の前記側面と前記絶縁部材との間に延在しないことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記絶縁部材は、前記画素電極に接することを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記絶縁部材と前記光電変換膜との間に延在することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、前記絶縁部材と前記画素電極との間に延在することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記絶縁部材は、前記画素電極よりも厚い部分を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第２部分と前記光電変換膜との間における前記絶縁部材の厚みは、前記第１部分と前記光電変換膜との間における前記絶縁膜の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記絶縁部材は、前記複数の電極の間に位置する部分を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記絶縁部材の側面は、前記画素電極の前記上面と前記光電変換膜との間に位置することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記絶縁部材の前記側面は前記画素電極の前記上面に対して傾いていることを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記絶縁膜及び前記絶縁部材は、無機材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記光電変換膜は、前記画素電極に接しないことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記光電変換膜を介して前記複数の電極に対向する電極が前記光電変換膜に接することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
トランジスタを有する半導体基板と、
前記複数の電極と前記基板との間に配された配線層と、を備え、
前記画素電極は前記配線層を介して前記トランジスタに接続されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力された信号を処理する信号処理回路と
を含むことを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の撮像装置は、互いに離間して配置された、画素電極を含む複数の電極と、前記複数の電極を覆う光電変換膜と、前記画素電極の上面の第１部分と前記光電変換膜との間に配置された絶縁膜と、前記画素電極の前記上面の第２部分と前記光電変換膜との間に配置された絶縁部材とを備え、前記第２部分は前記第１部分よりも前記画素電極の側面の側に位置しており、前記光電変換膜と前記第２部分との間の距離は、前記光電変換膜と前記第１部分との間の距離よりも大きい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月13日(2017.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入射面を有する光電変換部を含む光電変換装置において、
前記光電変換部は、第１の電極と、前記第１の電極よりも光入射面側に配された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配された光電変換層と、を含み、
前記光電変換装置は、前記光電変換層と接する絶縁部材を有し、
前記光電変換層の前記部材に囲まれた部分の、前記光入射面に平行な第１の面の面積は、前記光電変換層の前記部材に囲まれた部分の、前記第１の面と前記第２の電極の間に配された第２の面の面積よりも小さく、
前記第１の電極の前記光入射面への正射影の面積は、前記第２の面の前記光入射面への正射影の面積よりも小さいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１の面の前記光入射面への正射影の面積は、前記第１の電極の前記光入射面への正射影の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記部分はテーパー形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記光電変換装置は、前記光電変換部とは別の第１の光電変換部を有し、
前記別の光電変換部は、第３の電極と、前記第３の電極よりも前記光入射面側に配された第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極との間に配された第１の光電変換層と、を含み、
前記光電変換装置は、前記第１の光電変換層と接し、前記第１の光電変換層と共に第１の導光路を構成する第１の部材を有し、
前記光電変換層の前記部材に囲まれた部分の前記光入射面に垂直な方向に沿った最大長さは、前記第１の光電変換層の前記第１の部材に囲まれた部分の前記光入射面に垂直な方向に沿った最大長さよりも長いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記光電変換装置は、前記光電変換部とは別の第１の光電変換部を有し、
前記別の光電変換部は、第３の電極と、前記第３の電極よりも前記光入射面側に配された第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極との間に配された第１の光電変換層と、を含み、
前記光電変換装置は、前記第１の光電変換層と接し、前記第１の光電変換層と共に第１の導光路を構成する第１の部材を有し、
前記光電変換層の前記部材に囲まれた部分の前記光入射面に平行な方向に沿った最大長さは、前記第１の光電変換層の前記第１の部材に囲まれた部分の前記光入射面に水平な方向に沿った最大長さよりも長いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第２の電極は、前記部材の上面と前記光電変換層の上面に接して設けられる
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記光電変換層は、前記部材の上面と前記第２の電極の下面に接して設けられる
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記光電変換層は、量子ドット層である
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記光電変換部は、前記第１の電極と前記光電変換層との間に、絶縁膜を有する
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記光電変換層と前記絶縁部材とが導波路を構成する
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
基板と、
光入射面を有する第１の電極と、前記第１の電極と前記基板との間に配された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配された光電変換層と、を含む光電変換部と、
前記光電変換層と接する絶縁部材と、を有し、
前記光電変換部の断面において、前記光電変換層は前記絶縁部材の第１部分と第２部分との間に配され、
前記断面において、前記基板からの第１の位置での前記第１部分と前記第２部分との第１の距離は、前記第１の位置より前記基板に近い第２の位置での前記第１部分と前記第２部分との第２の距離より長く、
前記断面において、前記第２の電極の幅は、前記第１の距離より小さく、かつ、前記第２の距離より大きい
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１２】
前記部分はテーパー形状を有することを特徴とする請求項１１に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記光電変換装置は、前記光電変換部とは別の第２の光電変換部を有し、
前記第２の光電変換部は、第３の電極と、前記第３の電極と前記基板との間に配された第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極との間に配された第２の光電変換層と、を含み、
前記絶縁部材は前記光電変換層と前記第２の光電変換層との間に配される
ことを特徴とする請求項１１または１２に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記第１の電極は、前記絶縁部材の上面と前記光電変換層の上面に接する
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記光電変換層は、前記絶縁部材の上面と前記第２の電極の下面に接する
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
前記光電変換層は、量子ドット層である
ことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記光電変換部は、前記第２の電極と前記光電変換層との間に、絶縁膜を有する
ことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記光電変換層と前記絶縁部材とが導波路を構成する
ことを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号を処理する信号処理部と、を有する撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の光電変換装置の１つは、光入射面を有する光電変換部を含む光電変換装置において、前記光電変換部は、第１の電極と、前記第１の電極よりも光入射面側に配された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配された光電変換層と、を含み、前記光電変換装置は、前記光電変換層と接する絶縁部材を有し、前記光電変換層の前記部材に囲まれた部分の、前記光入射面に平行な第１の面の面積は、前記光電変換層の前記部材に囲まれた部分の、前記第１の面と前記第２の電極の間に配された第２の面の面積よりも小さく、前記第１の電極の前記光入射面への正射影の面積は、前記第２の面の前記光入射面への正射影の面積よりも小さい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月28日(2017.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１画素電極と、前記第１画素電極に隣り合う第２画素電極と、前記第１画素電極および前記第２画素電極を連続的に覆う光電変換膜と、前記光電変換膜を介して前記第１画素電極および前記第２画素電極に対向する対向電極と、を備える撮像装置であって、
前記光電変換膜は、前記第１画素電極および前記第２画素電極の側とは反対側の面に、前記第１画素電極と前記第２画素電極の間の部分に向かって凹んだ凹部を有しており、
前記凹部の深さが前記第１画素電極の厚さよりも大きく、かつ、前記第１画素電極から前記凹部までの最短距離が前記第１画素電極から前記第２画素電極までの最短距離よりも大きく、
前記対向電極が前記面に沿って連続的に設けられており、前記対向電極の一部が前記凹部の中に位置することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記凹部の幅が、前記第１画素電極から前記第２画素電極までの前記最短距離よりも大きい、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記対向電極が透明導電材料で構成されている、請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記対向電極は前記凹部に接触している、請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記凹部の前記深さ、前記第１画素電極から前記凹部までの前記最短距離、および、前記第１画素電極から前記第２画素電極までの前記最短距離が０．５μｍ未満である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記光電変換膜を介して前記第１画素電極および前記第２画素電極に対向し、前記光電変換膜の屈折率よりも低い屈折率を有する誘電体膜が、前記面に沿って連続的に設けられており、前記誘電体膜の一部は前記凹部に囲まれている、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第１画素電極と前記光電変換膜の間には絶縁膜が設けられている、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１画素電極の厚さが、前記第１画素電極から前記第２画素電極までの前記最短距離よりも小さい、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記第１画素電極と前記第２画素電極は共通の絶縁部材の上に配されており、前記絶縁部材の前記第１画素電極および前記第２画素電極の側の面は、前記第１画素電極と前記第２画素電極の間の部分から離れるように凹んだ溝を有している、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記光電変換膜は量子ドット膜である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置と、前記撮像装置から得られた信号を処理する信号処理装置と、を備える撮像システム。
【請求項１２】
複数のトランジスタが設けられた半導体基板の上に、第１接続部および第２接続部を有する導電部材と、前記第１接続部と前記第２接続部の間に溝を有する絶縁部材と、前記第１接続部の上に配された前記第１画素電極と、前記第２接続部の上に配された前記第２画素電極と、を有する部品を用意し、
前記第１画素電極、前記第２画素電極および前記溝を覆う光電変換膜を、前記光電変換膜の前記第１画素電極および前記第２画素電極の側とは反対側の面に、前記溝に対応した凹部が形成されるように成膜し、
前記光電変換膜を介して前記第１画素電極および前記第２画素電極に対向する対向電極を、前記対向電極の一部が前記凹部の中に位置するように形成することを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記溝を、前記半導体基板の上に設けられた絶縁部材の、前記第１接続部と前記第２接続部の間に位置する部分の少なくとも一部を除去することにより形成する、請求項１２に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１画素電極および前記第２画素電極を形成した後に、前記溝を形成する、請求項１２または１３に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１画素電極および前記第２画素電極を形成する工程では、前記絶縁部材の上に導電膜を形成し、前記導電膜の上にマスクを形成し、前記マスクを用いて前記導電膜をエッチングすることにより前記第１画素電極および前記第２画素電極を形成し、前記マスクを用いて前記絶縁部材をエッチングすることにより前記溝を形成する、請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１画素電極から前記凹部までの最短距離が前記第１画素電極から前記第２画素電極までの最短距離よりも大きくなるように前記溝および前記光電変換膜を形成する、請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置を製造する製造方法であって、
前記第１画素電極および前記第２画素電極を覆う第１光電変換層を形成し、前記第１画素電極と前記第２画素電極の間の部分に対応して、前記第１光電変換層に溝を形成することにより、前記第１画素電極の上に位置する第１光電変換部と、前記第１光電変換部に前記溝を介して隣り合う、前記第２画素電極の上に位置する第２光電変換部と、を形成し、
前記第１光電変換部および前記第２光電変換部を覆う第２光電変換層を、前記第２光電変換層の前記第１画素電極および前記第２画素電極の側とは反対側の面に、前記溝に対応した凹部が形成されるように成膜することを特徴とする撮像装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月21日(2017.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換装置において、
第１の領域と第２の領域を有し、表面を有する基板と、
前記第１の領域の前記表面の上に設けられ、第１の電極と前記第１の電極の上に設けられた光電変換層とを含む光電変換部と、
前記第１の領域に設けられた読み出し回路と、
前記第２の領域に設けられた周辺回路と、
前記第２の領域の前記表面の上に設けられ、配線パターンを含む第１の配線層と、
前記第１の電極の下面と接し、導電体からなり、前記光電変換層と前記読み出し回路と電気的に接続する第１の接続部と、
前記配線パターンの下面と接し、導電体からなり、前記周辺回路と電気的に接続する第２の接続部と、を有し、
前記第１の電極の下面と前記表面との最短距離は、前記配線パターンの下面と前記表面との最短距離よりも短く、
前記第１の領域の前記第１の電極と前記表面との間に設けられた配線層の数は、
前記第２の領域の前記第１の配線層と前記表面との間に設けられた配線層の数より少ないことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
光電変換装置において、
第１の領域と第２の領域を有し、表面を有する基板と、
前記第１の領域の前記表面の上に設けられ、第１の電極と前記第１の電極の上に設けられた光電変換層とを含む光電変換部と、
前記第１の領域に設けられた読み出し回路と、
前記第２の領域に設けられた周辺回路と、
前記第２の領域の前記表面の上に設けられ、配線パターンを含む第１の配線層と、
前記配線パターンの下面と接し、導電体からなり、前記周辺回路と電気的に接続する接続部と、を有し、
前記基板は、半導体基板であり、
前記読み出し回路は、第１の半導体領域を有するトランジスタを含み、
前記第１の電極は、前記表面に直接接し、前記第１の半導体領域に電気的に接続されており、
前記第１の電極の下面と前記表面との最短距離は、前記配線パターンの下面と前記表面との最短距離よりも短いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
前記光電変換部は、前記光電変換層の上に設けられた第２の電極を有することを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第２の電極の上面と前記表面との最短距離は、前記配線パターンの下面と前記表面との最短距離よりも短いことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２の電極の上面と前記表面との最短距離は、前記配線パターンの下面と前記表面との最短距離よりも長く、前記配線パターンの上面と前記表面との最短距離よりも短い
ことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第２の電極の上面と前記表面との最短距離は、前記配線パターンの上面と前記表面との最短距離と等しいことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１の配線層は、前記第２の領域の一部へ入射する光を低減する遮光膜として機能することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記光電変換層は、量子ドット層であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記光電変換部は、前記第１の電極と前記光電変換層との間に、絶縁膜を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号を処理する信号処理部と、を有する撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月15日(2017.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
複合水酸化物粒子とリチウム化合物との混合には、一般的な混合機を使用することができ、例えば、シェーカーミキサー、レーディゲミキサー、ジュリアミキサー、Ｖブレンダー等を用いることができる。なお、混合工程では、熱処理粒子等の形骸が破壊されない程度に、複合水酸化物粒子とリチウム化合物とが十分に混合されればよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
第１焼成段階の焼成温度が４００℃未満であると、マンガンとリチウム混合物の反応が十分に進まない。一方、第１焼成段階の焼成温度が５５０℃を超えると、マンガンのみならずニッケル及びコバルトもリチウム混合物と反応するため、二次粒子の外殻部のマンガン濃度を濃くすることはできない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
その後、実施例１では、窒素ガスを流通させ反応槽内の酸素濃度を低下させながら、液温２５℃を基準として測定するｐＨ値を１１．６（粒子成長ｐＨ）になるまで、２５％水酸化ナトリウム水溶液の供給のみを一時停止し、液温２５℃を基準として測定するｐＨ値を１１．６に到達した後、再度２５％水酸化ナトリウム水溶液の供給を再開した。ｐＨ値を１１．６に制御したまま、２時間の晶析を継続し、反応槽内が満水になったところで晶析を停止し撹拌を止めて静置することで、生成物の沈澱を促した。上澄み液を半量抜き出した後に、晶析を再開した。２時間の晶析を行った後（計４時間）、晶析を終了させて、生成物を水洗し、濾過し、乾燥させた。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月27日(2017.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元状に配列された複数の画素を有する固体撮像素子であって、
前記複数の画素のそれぞれは、画素電極と、前記画素電極の上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層を前記画素電極とで挟むように設けられた対向電極と、前記対向電極の上に設けられたカラーフィルタと、を含む光電変換部を複数備え、
前記複数の光電変換部は、第１の光電変換部と第２の光電変換部とを有し、
１つのマイクロレンズにより集光された光が、前記カラーフィルタを透過し、前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部とに入射し、
位相差検出用の信号と撮像用の信号が、前記複数の光電変換部から読み出されることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記複数の画素のそれぞれに含まれる複数の光電変換部は、前記画素電極と対向電極の一方が共通であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記複数の画素のそれぞれに含まれる複数の光電変換部は、前記光電変換層が共通であることを特徴とすることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記複数の画素のそれぞれに含まれる光電変換部は、前記光電変換層の間に遮光部材および絶縁性部材の少なくとも一方を含んで成る光電変換層分離部を持つことを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記対向電極と前記カラーフィルタとの間であって、隣接する２個の画素の間に遮光膜を持つことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記遮光膜と前記カラーフィルタとの間に、保護層が設けられたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記光電変換層は、イントリンシックな水素化アモルファスシリコン、化合物半導体および有機半導体のいずれかからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記複数の画素のそれぞれに含まれる光電変換部に対して、前記対向電極に互いに異なる配線を介して信号が与えられることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記複数の画素の各々は、信号読み出し回路をさらに有し、
前記信号読み出し回路は、一方のノードが前記画素電極に接続された駆動容量を備えたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
前記駆動容量を介して前記画素電極の電位を制御する画素電極制御手段を有することを特徴とする請求項９に記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記複数の画素の各々は、前記複数の光電変換部と前記マイクロレンズとの間に別の光電変換部を備えることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
二次元状に配列された複数の画素を有する固体撮像素子であって、
前記複数の画素のそれぞれは、
画素電極と、前記画素電極の上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層を前記画素電極とで挟むように設けられた対向電極と、前記対向電極の上に設けられたカラーフィルタと、を含む光電変換部および
前記光電変換部の上に配置されたマイクロレンズを備え、
前記複数の画素が備える前記画素電極および前記対向電極の少なくとも一方は、互いに独立に制御可能な複数の部分電極を含んで成り、
前記複数の部分電極は、第１の部分電極と第２の部分電極とを有し、
位相差検出用の信号と撮像用の信号が、前記複数の部分電極から読み出されることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項１３】
前記画素電極が、前記複数の部分電極を含んで成ることを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像素子。
【請求項１４】
前記対向電極が、前記複数の部分電極を含んで成ることを特徴とする請求項１２または１３に記載の固体撮像素子。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の固体撮像素子と、
前記複数の画素に像を形成する光学系と、
前記固体撮像素子から出力された信号を処理して画像データを生成する映像信号処理部と、を備えたこと
を特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
画素電極３０３の上に設けられた層間絶縁層３０４は、画素電極３０３と光電変換層３０５との間で電子およびホールが通過することを阻止するための層であって、たとえば水素化アモルファス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮ：Ｈ）で形成される。層間絶縁層３０４の厚さは、トンネル効果による電子およびホールの通過が生じない程度の厚さに設定される。具体的には、５０ｎｍ以上の厚さにすることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
画素電極３０３の上に、層間絶縁層３０４を介して設けられた光電変換層３０５は、入射光を受けると電子−ホール対を生成する、光電変換能力を備える層である。光電変換層３０５を構成する材料として、真性の（イントリンシックな）水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、化合物半導体や有機半導体を用いることができる。化合物半導体の例としては、ＢＮ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｌＡｓＰなどのＩＩＩ−Ｖ化合物半導体やＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＨｄＴｅなどのＩＩ−ＩＶ化合物半導体が挙げられる。また、有機半導体の例としては、フラーレン、クマリン６（Ｃ６）、ローダミン６Ｇ（Ｒ６Ｇ）、キナクリドン、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）等のフタロシアニン系材料、ナフタロシアニン系材料が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月24日(2017.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元状に配列された複数の画素を有する固体撮像素子であって、
前記複数の画素のそれぞれは、
画素電極と、前記画素電極の上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層を前記画素電極とで挟むように設けられた対向電極とを含む光電変換部と、
前記光電変換部の上に配置されたマイクロレンズと、
前記対向電極と前記マイクロレンズとの間に設けられたカラーフィルタと、
前記対向電極と前記カラーフィルタとの間に設けられた層と、を備え、
前記複数の画素は第１の画素と複数の第２の画素を含み、
前記第１の画素と一方の前記第２の画素の間、または、前記一方の第２の画素と他方の前記第２の画素との間に設けられた遮光膜を有し、
前記層は前記遮光膜の上面を覆い、
前記複数の第２の画素は、前記第１の画素よりも前記画素電極および対向電極の少なくとも一方が小さいことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記複数の画素のうちの隣接する２個の画素の前記光電変換層を分離する光電変換層分離部が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記光電変換層分離部は、絶縁部材および遮光部材の少なくとも一方を含んでなることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記複数の第２の画素の各々の光電変換層は、前記第１の画素の光電変換層よりも小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記第２の画素の光電変換層と、該第２の画素に隣接する画素の光電変換層との間に、遮光部材が設けられたことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記遮光膜は、前記対向電極と前記カラーフィルタとの間に設けられることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記遮光膜と前記カラーフィルタとの間に、前記層が設けられたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記光電変換層は、イントリンシックな水素化アモルファスシリコン、化合物半導体および有機半導体のいずれかからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記複数の画素の各々は、信号読み出し回路をさらに有し、
前記信号読み出し回路は、画素内アンプを備え、
前記画素電極が前記画素内アンプの入力部に接続されたこと
を特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
平面視において、前記遮光膜は、前記複数の第２の画素の前記画素電極と重複しないことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
平面視において、前記遮光膜は、前記第１の画素の前記画素電極と重複しないことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の固体撮像素子と、
前記複数の画素に像を形成する光学系と、
前記固体撮像素子から出力された信号を処理して画像データを生成する映像信号処理部と、を備えたことを特徴とする撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月28日(2017.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷ジョブに基づきシートに画像を印刷する印刷手段と、
前記印刷手段によって画像が印刷された複数枚のシートからなるシート束に製本処理を実行する製本手段と、
前記製本手段によって製本処理が実行された前記シート束が積載される積載手段と、
前記積載手段に積載されたシート束の落下を防止するための、前記積載手段に設けられた移動可能なストッパーと、
前記ストッパーが前記積載手段に積載されたシート束の落下を防止する第１の位置にある場合は、前記積載手段に積載されたシート束が所定の積載量に達したことに応じて前記印刷ジョブに係る印刷処理を停止し、前記ストッパーが前記積載手段に積載されたシート束の落下を妨げない第２の位置にある場合は、前記積載手段に積載されたシート束が前記所定の積載量に達しても前記印刷処理を継続するように前記印刷手段を制御する制御手段と
を備えることを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
前記積載手段に積載されるシート束の積載量を制限する第１のモードと、前記積載手段に積載されるシート束の積載量を制限しない第２のモードの何れかをユーザ指示に基づき設定する設定手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記設定手段により前記第１のモードが設定された場合は前記ストッパーを前記第２の位置に移動させることを促す情報を表示部に表示させることを特徴とする請求項２に記載の印刷装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記設定手段により前記第２のモードが設定された場合は前記ストッパーを第２の位置に移動させることを促す情報を表示部に表示させることを特徴とする請求項２に記載の印刷装置。
【請求項５】
前記積載手段におけるシート束が積載される積載面は傾斜していることを特徴とする請求項２に記載の印刷装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記積載手段に積載されたシート束が取り除かれたことが、前記積載手段に設けられた積載センサーによって検知された場合に前記停止した印刷処理を再開することを特徴とする請求項５に記載の印刷装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記設定手段により前記第２のモードが設定された場合に、前記積載センサーが前記積載手段に積載されたシート束を検知しないように制御することを特徴とする請求項６に記載の印刷装置。
【請求項８】
前記ストッパーが前記第２の位置に移動したことに基づき前記積載センサーの検知機能が無効化されることを特徴とする請求項６に記載の印刷装置。
【請求項９】
前記製本処理は、中綴じ製本処理であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項１０】
前記製本処理は、中折り製本処理であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の印刷装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、印刷装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、印刷ジョブに基づきシートに画像を印刷する印刷手段と、前記印刷手段によって画像が印刷された複数枚のシートからなるシート束に製本処理を実行する製本手段と、前記製本手段によって製本処理が実行された前記シート束が積載される積載手段と、前記積載手段に積載されたシート束の落下を防止するための、前記積載手段に設けられた移動可能なストッパーと、前記ストッパーが前記積載手段に積載されたシート束の落下を防止する第１の位置にある場合は、前記積載手段に積載されたシート束が所定の積載量に達したことに応じて前記印刷ジョブに係る印刷処理を停止し、前記ストッパーが前記積載手段に積載されたシート束の落下を妨げない第２の位置にある場合は、前記積載手段に積載されたシート束が前記所定の積載量に達しても前記印刷処理を継続するように前記印刷手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】