Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月1日(2017.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明によれば、骨ねじ山８は、骨（図示せず）と係合していると共に、それぞれの通路開口３、４、５の雌ねじとも係合している。骨ねじ２を雌ねじ内でしっかり保持することを確実可能にするために、骨ねじ山８がねじ頭部９のできる限り近くまで達している場合は、骨ねじを完全にねじ込むに際し、雌ねじと係合するための十分なねじ山長さが利用できるため、有利である。しかし、製造上の理由のために、図１、図２、図３および図４に示した骨ねじ２の実施形態の場合、不可能ではないにしても、ねじ頭部９の近くまで骨ねじ山８を延ばすことは困難である。骨ねじ２０の形態の図５に示した実施形態は、改善策として働く。軸部７および頭部９が一体形成されている図４に示した骨ねじ２とは異なり、図５の骨ねじ２０は、二部品で作製されている。骨ねじ２０は軸部７を備え、この軸部７は端部側でねじ頭部９の一部の中に広げられている。ねじ頭部９の軸部側の領域は、軸部７上へ押し付けられたリング２１によって形成される。このリング２１は、傾斜した面２２を軸部７側に備え、この面２２は軸部７と共に、溝状凹所１１を形成する。それにより、面２２は、外側の溝フランクを形成する。骨ねじ２０は、まず骨ねじ山８を形成し、続いてねじ頭部９の領域内でリング２１を軸部上へ押し付けることによって製造される。以下の項目は、本出願時の特許請求の範囲に記載の要素である。
［項目１］
インプラント・プレート（１）、特に項目７から１３の１項に記載のインプラント・プレート（１）を、骨に様々な角度でねじ止めするための骨ねじ（２、２０）であって、
骨ねじ山（８）を有する軸部（７）と、前記軸部（７）の一端におけるねじ頭部（９）とを備え、
円周方向に延びる溝状凹所（１１）が、前記ねじ頭部（９）の前記軸部（７）側の下面において前記ねじ頭部（９）に形成され、
前記溝状凹所（１１）が、インプラント・プレート（１）へのクランピング、締付け、またはロッキング用に設けられている溝フランク（１２、２２）を備える、骨ねじ（２、２０）。
［項目２］
クランピングまたはロッキング用に設けられている前記溝フランク（１２、２２）が、前記凹所（１１）の径方向外側の前記溝フランクであることを特徴とする項目１に記載の骨ねじ。
［項目３］
クランピングまたはロッキング用に設けられている前記溝フランク（１２、２２）が、前記軸部（７）の長手方向軸（１３）に対して軸方向に角度αだけ傾斜しており、αが好ましくは３０°から５０°の間、さらに好ましくは３５°から４５°の間の範囲内にあることを特徴とする項目１または２に記載の骨ねじ。
［項目４］
クランピングまたはロッキング用に設けられている前記溝フランク（１２、２２）が、半径ｒを有する部分球面形状または凹形であるように構成されることを特徴とする項目１または２に記載の骨ねじ。
［項目５］
前記ねじ頭部（９）が、リング（２１）によって少なくとも部分的に構成されており、前記リング（２１）、特に、前記軸部（７）から分離したリング（２１）は、前記軸部（７）の頭部側端に配置されると共に前記軸部（７）を半径方向に囲んでいることを特徴とする項目１から４の一項に記載の骨ねじ。
［項目６］
前記リング（２１）が、前記溝状凹所（１１）の前記径方向外側フランク（２２）を少なくとも形成するか、または前記溝状凹所（１１）が前記リング（２１）に形成されていることを特徴とする項目５に記載の骨ねじ。
［項目７］
骨ねじ（２、２０）、特に、項目１から６のいずれか一項に記載の骨ねじ（２、２０）を、骨に様々な角度でねじ止めするためのインプラント・プレート（１）であって、
前記骨ねじ（２、２０）を受け入れるための通路開口（３、４、５）を少なくとも備え、
前記インプラント・プレート（１）の側面（１４）であって、前記骨に置かれるように設けられた側面と対向している前記側面（１４）にある前記通路開口（３、４、５）が、円周方向に延びると共に軸方向に突出するカラー（１５）によって囲まれ、
前記カラー（１５）が、前記骨ねじ（２、２０）へのクランピング、締付け、またはロッキング用に設けられているカラー・フランク（１７）を備える、インプラント・プレート（１）。
［項目８］
クランピングまたはロッキング用に設けられている前記カラー・フランク（１７）が、前記通路開口（３、４、５）から離反する側にある前記カラー・フランク（１７）であることを特徴とする項目７に記載のインプラント・プレート。
［項目９］
前記カラー・フランク（１７）が、前記通路開口（３、４、５）の長手方向軸（１９）に対して軸方向に角度αだけ傾斜しており、αが、好ましくは２０°から４０°の間、さらに好ましくは２５°から３５°の間の範囲内にあることを特徴とする項目７または８に記載のインプラント・プレート。
［項目１０］
前記カラー・フランク（１７）が、半径Ｒを有する部分球面形状または凸形であるように構成されることを特徴とする項目７から９の一項に記載のインプラント・プレート。
［項目１１］
雌ねじが、前記通路開口（３、４、５）内に形成されていることを特徴とする項目７から１０の一項に記載のインプラント・プレート。
［項目１２］
円錐形の雌ねじが、前記通路開口（３、４、５）内に形成され、１６°または１８°の好ましいテーパ角γを有することを特徴とする項目７から１１の一項に記載のインプラント・プレート。
［項目１３］
少なくとも１つの通路開口（３、４、５）の前記軸（１９）が、前記インプラント・プレート（１）の法線（６）に対して角度βだけ傾斜しており、前記角度βが、好ましくは０°から１０°の間、さらに好ましくは２°から８，２°の間の範囲内にあることを特徴とする項目７から１２の一項に記載のインプラント・プレート。
［項目１４］
項目１から６の一項に記載の少なくとも１つの骨ねじ（２、２０）と項目７から１３の一項に記載のインプラント・プレート（１）とからなるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月22日(2017.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジメチルスルホキシドを５〜１０質量％含有し、ヒドロキシルエチルデンプンを４〜１０質量％またはデキストランを１〜５質量％含有する溶液中に間葉系細胞を含む混合物を凍結保存し、次いで、前記凍結保存した混合物を解凍した後に培養する工程を含む、間葉系細胞の製造方法。
【請求項２】
前記溶液が、さらにヒトアルブミンを０質量％より多く５質量％以下含有する溶液である請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記間葉系細胞が、間葉系細胞組成物に含まれる間葉系幹細胞である請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記間葉系細胞組成物に含まれる間葉系幹細胞がＣＤ９０陽性であり、前記間葉系細胞組成物においてＣＤ９０陽性間葉系幹細胞の含有率が７５％以上である、請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記間葉系細胞組成物が、
羊膜を、コラゲナーゼと、サーモリシン及び／又はディスパーゼとにより酵素処理することにより得られる請求項３又は４に記載の製造方法。
【請求項６】
コラゲナーゼの濃度が５０ＣＤＵ／ｍｌ〜１０００ＣＤＵ／ｍｌであり、サーモリシン及び／又はディスパーゼの濃度が１００ＰＵ／ｍｌ〜８００ＰＵ／ｍｌである、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記酵素処理の前に、羊膜をトリプシンで処理する請求項５又は６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記間葉系幹細胞が、間葉系細胞培養組成物に含まれる間葉系幹細胞である請求項１から７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記間葉系細胞培養組成物が、前記間葉系細胞組成物を０．０５質量％より多く５質量％以下のアルブミンを含有する培地にて培養することにより得られる請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか１項に記載の方法により得られる間葉系細胞を、輸液製剤により２倍以上に希釈する工程を含む、間葉系細胞投与用組成物を製造する方法。
【請求項１１】
請求項１から９の何れか１項に記載の方法により得られる間葉系細胞を有効成分として含む細胞治療剤。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法により得られる間葉系細胞投与用組成物を有効成分として含む細胞治療剤。
【請求項１３】
注射用製剤である、請求項１１又は１２に記載の細胞治療剤。
【請求項１４】
細胞塊又はシート状構造の移植用製剤である、請求項１１又は１２に記載の細胞治療剤。
【請求項１５】
移植片対宿主病、炎症性腸疾患、全身性エリテマトーデス、肝硬変、又は放射線腸炎から選択される疾患の治療剤である、請求項１１から１４の何れか１項に記載の細胞治療剤。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月31日(2017.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ物体を操作するシステムであって、
その上で前記マイクロ物体が操作される表面と、
電界生成器であって
前記マイクロ物体と前記表面の間の静摩擦に少なくとも部分的に打ち勝つための周波数および振幅で駆動力を生成し、
前記マイクロ物体を前記表面の上で２次元で操作する、空間的にプログラム可能な操作力を生成するよう構成された電界生成器と、
を含むシステム。
【請求項２】
前記マイクロ物体は、サイズが１〜５００ミクロンである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電界生成器は、さらに前記駆動力を前記操作力の上に重ね合わせて、前記マイクロ物体の動きを実現するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記操作力を加える時間の一部において、前記駆動力が前記操作力に重なり合う、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記駆動力の前記周波数および前記振幅が、少なくとも部分的に前記マイクロ物体と前記表面の間の静摩擦に打ち勝つ、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記駆動力が前記操作力に重なり合うとき、前記駆動力の前記周波数および前記振幅により減衰量が制御される、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記駆動力の周波数は、前記操作力の周波数よりも少なくとも一桁大きい、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記駆動力は、繰り返される力の段階変化または繰り返される段階パルスである、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記電界生成器は、さらに
前記駆動力を前記マイクロ物体に加え、
前記駆動力を前記マイクロ物体に加えた後に、前記操作力を前記マイクロ物体に加えるように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記操作力は、前記操作力の源の一部分における操作力の周波数よりも少なくとも１桁高い周波数成分を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記電界生成器は、さらに、前記マイクロ物体の一部の群にのみ駆動力を加えるように構成されている、請求項１のシステム。  
【請求項１２】
前記電界生成器は、さらに、前記マイクロ物体に電界として駆動力を加えるように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
電界を生成するのに使用される２次元の電極のアレイを更に含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記電界生成器は、前記アレイの第１群の電極を用いて前記マイクロ物体に駆動力を加え、
前記電界生成器は、さらに、前記アレイの第２群の電極を用いて前記マイクロ物体に電界として操作力を加えるように構成され、ここで、前記第２群の電極は、前記第１群の電極とは異なる、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記電界生成器は、前記アレイの第１群の電極を用いて前記マイクロ物体に駆動力を加え、
前記電界生成器は、さらに、前記アレイの第２群の電極を用いて前記マイクロ物体に電界として操作力を加えるように構成され、ここで、前記第２群の電極は、前記第１群の電極と同一である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
電界を生成する１以上の感光性電極を更に含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１７】
前記電界生成器は、さらに、前記マイクロ物体に磁界として駆動力を加えるように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
磁界を生成するのに使用される２次元のコイルのアレイを更に含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記電界生成器は、前記アレイの第１群のコイルを用いて前記マイクロ物体に駆動力を加え、
前記電界生成器は、さらに、前記アレイの第２群のコイルを用いて前記マイクロ物体に磁界として操作力を加えるように構成され、ここで、前記第２群のコイルは、前記第１群のコイルとは異なる、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記電界生成器は、前記アレイの第１群のコイルを用いて前記マイクロ物体に駆動力を加え、
前記電界生成器は、さらに、前記アレイの第２群のコイルを用いて前記マイクロ物体に磁界として操作力を加えるように構成され、ここで、前記第２群のコイルは、前記第１群のコイルと同一である、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】
マイクロ物体を操作する方法であって、
マイクロ物体と、その上に前記マイクロ物体が操作される表面との間の静摩擦に少なくとも部分的に打ち勝つための周波数および振幅で駆動力を生成するステップと、
前記マイクロ物体を前記表面の上で２次元で操作するための空間的にプログラム可能な操作力を生成するステップと、を含む方法。
【請求項２２】
前記マイクロ物体は、サイズが１〜５００ミクロンである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記駆動力を前記操作力に重ね合わせて、前記マイクロ物体の動きを実現するステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記マイクロ物体の一部の群にのみ前記駆動力を加えるステップをさらに含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
２次元の電極のアレイを用いて前記マイクロ物体に電界として前記駆動力を加える請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
２次元のコイルのアレイを用いて前記マイクロ物体に磁界として前記駆動力を加える請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月29日(2017.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被保護回路に結合される保護回路であって、
電源と特定のノードの間に結合されるとともに、特定の抵抗値を備えている第一抵抗素子と、
電源と特定のノードの間に結合される電圧調整器と、
前記特定のノードと接地部の間に結合されるバイパスコンデンサと、
前記特定のノードと被保護回路の間に結合される第二抵抗素子と、
前記被保護回路に提供されるバイアス電流の大きさが、前記被保護回路に関連した第一動作電流範囲内に留まり、前記被保護回路に関連したラッチアップ保持電流値より低く留まることを可能にするように、前記電源の電圧に基づいて、前記特定の抵抗値が選択される保護回路。
【請求項２】
更に、第一抵抗素子と電圧調整器に結合した被保護回路を含み、前記第一抵抗素子と電圧調整器を介して、バイアス電流を生成する、請求項１に記載の保護回路。
【請求項３】
電圧調整器と第一抵抗素子が、被保護回路と荷電粒子との衝突によって生じる高電流事象の影響を緩和するように構成されている、請求項１に記載の保護回路。
【請求項４】
バイアス電流の大きさが、ラッチアップ保持電流値より低いことで、被保護回路が、高電流事象後、ラッチアップ状態から通常動作状態に自動的に遷移可能である、請求項１に記載の保護回路。
【請求項５】
ラッチアップ状態から通常動作状態への被保護回路の遷移中、前記被保護回路が、一つ以上の電源に結合されたままである、請求項４に記載の保護回路。
【請求項６】
第一抵抗素子が、抵抗器を含んでいる、請求項１に記載の保護回路。
【請求項７】
第一抵抗素子が、電流源を含んでいる、請求項１に記載の保護回路。
【請求項８】
被保護回路にバイアス電流を提供し、前記バイアス電流が、被保護回路に結合した保護回路によって提供されることを含む方法であって、当該保護回路が、
電源と特定のノードの間に結合されるとともに、特定の抵抗値を備えている第一抵抗素子と、
電源と特定のノードの間に結合される電圧調整器と、
前記特定のノードと接地部の間に結合されるバイパスコンデンサと、
前記特定のノードと被保護回路の間に結合される第二抵抗素子と、
前記被保護回路に提供されるバイアス電流の大きさが、前記被保護回路に関連した第一動作電流範囲内に留まり、前記被保護回路に関連したラッチアップ保持電流値より低く留まることを可能にするように、前記電源の電圧に基づいて、前記特定の抵抗値が選択されるように構成されている、方法。
【請求項９】
前記被保護回路をラッチアップ状態に入らせる高電流事象中、前記保護回路のエネルギを散逸させ、前記保護回路が、十分なエネルギを散逸させ、前記被保護回路が、ラッチアップ状態から自動的に抜け出ることを可能にすることと、をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
保護回路のエネルギを散逸させることで、高電流事象中、被保護回路の温度を閾値温度より低く維持する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
保護回路のエネルギを散逸させることで、被保護回路がラッチアップ状態である時間を、潜在的損傷閾値ラッチアップ時間より短く維持する、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
保護回路が、バイパスコンデンサと、前記バイパスコンデンサと被保護回路の間に結合した抵抗素子と、を含み、時間が、前記抵抗素子の抵抗と、バイパスコンデンサの容量に基づいている、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月7日(2017.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングアセンブリ（１２）と、
前記ハウジングアセンブリ内に配置されるモータアセンブリ（８０）であって、該モータアセンブリがモータユニット（９０）と駆動ユニット（８４）とを備える、モータアセンブリ（８０）と、
前記ハウジングアセンブリに結合される係合力／傾き制限部材であって、該係合力／傾き制限部材が、中央開口部（４４）を有するとともに、構造体（５２）に塗布される空気力学的機能コーティング（２１４）のエアロコンタリング加工されるべき表面（５０）と接触するように構成される下端部（３２ｂ）を有する、係合力／傾き制限部材（２８）と、
前記駆動ユニットに結合されるとともに、前記係合力／傾き制限部材と非接触連通状態で前記中央開口部に挿通される研磨ユニット（６０）であって、前記駆動ユニットによって駆動されて前記表面上でランダム軌道運動（１３２）を成す研磨ユニット（６０）と、
を備え、
前記係合力／傾き制限部材は、前記表面に対する前記研磨ユニットの係合力および任意の傾動の両方を機械的に制限する、エアロコンタリング加工装置（１０）。
【請求項２】
前記ハウジングアセンブリ（１２）は、手動操作中に前記エアロコンタリング加工装置を手で保持するように構成されるグリップ部（２４）を備える、請求項１に記載の装置（１０）。
【請求項３】
前記ハウジングアセンブリ（１２）は、残骸収集システム（９７）に取り付けられるように構成される真空出口ポート（９８）を備える、請求項１または２に記載の装置（１０）。
【請求項４】
前記係合力／傾き制限部材（２８）が収束ノズル部（４０）と発散ノズル部（４２）とを備え、前記収束ノズル部（４０）と前記発散ノズル部（４２）は、共同して、エアロコンタリング加工されるべき前記表面（５０）における吸引推進空気流速度（５６ａ）を加速させて、研磨残骸（１３８）を前記残骸収集システム（９７）内に収集するべく取り込む、請求項３に記載の装置（１０）。
【請求項５】
前記係合力／傾き制限部材（２８）は、非四角縁部形態（３０）を伴う外縁部（２９）を有する機械加工されたリング部材（２８ａ）を備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置（１０）。
【請求項６】
前記係合力／傾き制限部材（２８）は、該係合力／傾き制限部材からエアロコンタリング加工されるべき表面（５０）へ向かう任意の汚染物質材料または残留材料の移動を防止するあるいは最小にする材料から形成される、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置（１０）。
【請求項７】
前記エアロコンタリング加工装置は、前記表面のタッチアップエアロコンタリング加工を行うように構成され、前記ハウジングアセンブリ（１２）は、前記エアロコンタリング加工装置を用いたタッチアップエアロコンタリング加工中に、オペレータが前記表面（５０）上のエアロコンタリング加工位置（１０５）を見ることができるようにする観察機能部（１０３）を形成する１つ以上の切り欠き部（１０２）を備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の装置（１０）。
【請求項８】
前記研磨ユニット（６０）は、第１の側（６３ａ）と第２の側（６３ｂ）とを有する研磨パッド（６２）と、前記第１の側に取り付けられ、かつ前記駆動ユニット（８４）に接続するように構成されるコネクタ要素（６６）と、前記第２の側に取り付けられ、かつ前記表面（５０）を研磨するように構成される研磨媒体（６４）とを備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置（１０）。
【請求項９】
前記研磨ユニット（６０）は、約１インチ（約２．５ｃｍ）〜約３インチ（約７．６ｃｍ）未満の範囲の長さの外径（７６）を有する、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置（１０）。
【請求項１０】
構造体（５２）に塗布される空気力学的機能コーティング（２１４）の表面（５０）をエアロコンタリング加工するための方法（１５０）において、
構造体に塗布される空気力学的機能コーティングのエアロコンタリング加工されるべき表面にエアロコンタリング加工装置（１０）を接触させるステップ（１５２）であって、前記エアロコンタリング加工装置が、
ハウジングアセンブリ（１２）と、
前記ハウジングアセンブリ内に配置されるモータアセンブリ（８０）であって、該モータアセンブリがモータユニット（９０）と駆動ユニット（８４）とを備える、モータアセンブリと、
前記ハウジングアセンブリに結合される係合力／傾き制限部材（２８）であって、該係合力／傾き制限部材が中央開口部（４４）を有する、係合力／傾き制限部材（２８）と、
前記駆動ユニットに結合されるとともに、前記係合力／傾き制限部材と非接触連通状態で前記中央開口部に挿通される研磨ユニット（６０）と、
を備える、ステップ（１５２）と、
前記表面を研磨して平滑化するために、前記エアロコンタリング加工装置を前記表面上でランダム軌道運動（１３２）で移動させるステップ（１５４）と、
前記係合力／傾き制限部材を用いて、前記表面に対する前記研磨ユニットの係合力および任意の傾動を機械的に制限するステップ（１５６）と、
前記表面に対する過度な係合力および前記表面の削り取りをもたらすことなく、前記表面上の任意の表面内包物（２２４）およびコーティングエッジ（２２２）を除去するあるいは最小にするステップ（１５８）と、
を備える方法（１５０）。
【請求項１１】
前記表面（５０）における吸引推進空気流速度（５６ａ）を加速させて研磨残骸（１３８）を残骸収集システム（９７）内に収集するべく取り込むために前記係合力／傾き制限部材（２８）を使用するステップ（１６０）を更に備える、請求項１０に記載の方法（１５０）。
【請求項１２】
吸引推進空気流速度（５６ａ）を加速させるために、前記係合力／傾き制限部材（２８）を使用する前記ステップ（１６０）は、前記吸引推進空気流速度を加速させるために前記係合力／傾き制限部材に形成される収束ノズル部（４０）と発散ノズル部（４２）とを使用するステップを備える、請求項１０または１１に記載の方法（１５０）。
【請求項１３】
前記表面上のエアロコンタリング加工位置（１０５）を見るための観察機能部（１０３）を形成するために１つ以上の切り欠き部（１０２）を前記ハウジングアセンブリ（１２）から除去することによって、前記エアロコンタリング加工装置（１０）を用いた前記表面（５０）上でのタッチアップエアロコンタリング加工を可能にするステップ（１６２）を更に備える、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法（１５０）。
【請求項１４】
前記表面（５０）に前記研磨ユニット（６０）を接触させる前記ステップ（１５２）は、約１インチ（約２．５ｃｍ）〜約３インチ（約７．６ｃｍ）未満の範囲の長さの外径（７６）を有する研磨ユニットと前記表面とを接触させるステップを備える、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法（１５０）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月14日(2017.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｙ３−ｘ−２ｙ−ｚＢｉｘＣａ２ｙ＋ｚＦｅ５−ｙ−ｚ−ａＶｙＺｒｚＡｌａＯ１２によって表される構造を備える合成ガーネット材料であって、ビスマスは十二面体部位のｘの式単位を占め、ジルコニウムは八面体部位のｚの式単位を占め、バナジウムは四面体部位のｙの式単位を占め、カルシウムは、ジルコニウムおよびバナジウムの存在に起因する原子価の不均衡を補償するために、前記十二面体部位の２ｙ＋ｚの式単位を占め、アルミニウムは、前記八面体部位にアルミニウムが実質的にない状態である一方で、前記四面体部位のａの式単位を占め、量ａは０より大きく、前記量ａが少なくとも０．６の上限値まで増加するにつれ、前記材料の飽和磁化は実質的に線形に減少する、合成ガーネット材料。
【請求項２】
前記量ｘは、前記材料の誘電率の所望の増加を与えるように選択され、前記量ｚは、前記材料の３ｄｂのフェリ磁性共鳴線幅における所望の低減を与えるように選択され、前記量ｙは、前記飽和磁化の低減と前記材料の前記３ｄｂのフェリ磁性共鳴線幅の低減のいずれかまたは両方を与えるように選択される、請求項１に記載の材料。
【請求項３】
前記材料は少なくとも２５である誘電率値を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項４】
前記材料は５０エルステッド未満である３ｄｂのフェリ磁性共鳴線幅値を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項５】
前記材料は４００〜１０００ガウスの範囲において飽和磁化値を有する、請求項１に記載の材料。
【請求項６】
前記量ｘは、０より大きく、１．４以下である、請求項１に記載の材料。
【請求項７】
前記量ｙは、０より大きく、０．７以下である、請求項１に記載の材料。
【請求項８】
前記量ｚは、０より大きく、０．７以下である、請求項１に記載の材料。
【請求項９】
前記量ａの前記上限値は０．７５以下である、請求項１に記載の材料。
【請求項１０】
十二面体部位、八面体部位、および四面体部位を有する合成ガーネット材料を作製するための方法であって、
前記十二面体部位の少なくともいくつかにビスマスを導入するステップと、
前記四面体部位の少なくともいくつかにアルミニウムを導入して、結果として式Ｙ３−ｘ−２ｙ−ｚＢｉｘＣａ２ｙ＋ｚＦｅ５−ｙ−ｚ−ａＶｙＺｒｚＡｌａＯ１２によって表わされる組成をもたらすステップとを備え、アルミニウムは、前記八面体部位にアルミニウムが実質的にない状態である一方で、前記四面体部位のａの式単位を占め、量ａは０より大きく、前記量ａが少なくとも０．６の上限値まで増加するにつれ、前記材料の飽和磁化は実質的に線形に減少する、十二面体部位、八面体部位、および四面体部位を有する合成ガーネット材料を作製するための方法。
【請求項１１】
複数の信号ポートを有する導体と、
磁界を与えるように構成される１つ以上の磁石と、
前記磁界により無線周波数（ＲＦ）信号が前記信号ポートの間で選択的に経路設定されるように前記導体および前記１つ以上の磁石に対して実現される１つ以上のフェライトディスクとを備え、前記１つ以上のフェライトディスクの各々は、式Ｙ３−ｘ−２ｙ−ｚＢｉｘＣａ２ｙ＋ｚＦｅ５−ｙ−ｚ−ａＶｙＺｒｚＡｌａＯ１２によって表される構造を有する合成ガーネット材料を含み、ビスマスは十二面体部位のｘの式単位を占め、ジルコニウムは八面体部位のｚの式単位を占め、バナジウムは四面体部位のｙの式単位を占め、カルシウムは、ジルコニウムおよびバナジウムの存在に起因する原子価の不均衡を補償するために、前記十二面体部位の２ｙ＋ｚの式単位を占め、アルミニウムは、前記八面体部位にアルミニウムが実質的にない状態である一方で、前記四面体部位のａの式単位を占め、量ａは０より大きく、前記量ａが少なくとも０．６の上限値まで増加するにつれ、前記材料の飽和磁化は実質的に線形に減少する、サーキュレータ。
【請求項１２】
前記導体は、前記複数の信号ポートに対応する複数のインピーダンス変成器を含み、各インピーダンス変成器はストリップライン伝送線路を含む、請求項１１に記載のサーキュレータ。
【請求項１３】
前記ストリップライン伝送線路のまわりに実現される誘電体をさらに備え、前記誘電体は誘電率を有し、各ストリップライン伝送線路は、前記誘電体の前記誘電率の平方根分の１に比例する物理的な長さを有する、請求項１２に記載のサーキュレータ。
【請求項１４】
前記誘電体は３０〜５０の範囲において誘電率を有する、請求項１３に記載のサーキュレータ。
【請求項１５】
各フェライトディスクは少なくとも２５である誘電率値を有する、請求項１１に記載のサーキュレータ。
【請求項１６】
各フェライトディスクは５０エルステッド未満である３ｄｂのフェリ磁性共鳴線幅値を有する、請求項１５に記載のサーキュレータ。
【請求項１７】
各フェライトディスクは４００〜１０００ガウスの範囲において飽和磁化値を有する、請求項１６に記載のサーキュレータ。
【請求項１８】
前記サーキュレータは共鳴下装置である、請求項１７に記載のサーキュレータ。
【請求項１９】
前記サーキュレータはオクターブ帯域幅装置である、請求項１８に記載のサーキュレータ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月14日(2017.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、該光源からの光束を偏向して被走査面を主走査方向に光走査する偏向器と、前記光源からの光束を前記偏向器の偏向面に導光する入射光学系と、前記偏向器により偏向された光束を前記被走査面に導光する結像光学系と、を有する光走査装置であって、
前記入射光学系の副走査断面内における倍率をβｓｉ、前記結像光学系の副走査断面内における倍率をβｓｏ、とし、前記偏向器からの光束が軸上像高に向かうときの、前記光源と前記偏向面との光軸上における距離をＬｉ、前記偏向面と前記被走査面との光軸上における距離をＬｏ、とするとき、
０．５＜｜βｓｉ｜＜２．２
３．０＜｜βｓｏ｜＜１０．０
０．２＜Ｌｉ／Ｌｏ＜０．４
なる条件を満たすことを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
前記被走査面における有効走査幅をＡとするとき、
０．３８≦Ｌｏ／Ａ≦０．７５
なる条件を満たすことを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項３】
０．５≦Ｌｏ／Ａ≦０．７５
なる条件を満たすことを特徴とする請求項２に記載の光走査装置。
【請求項４】
１．０＜｜βｓｉ｜＜１．９
なる条件を満たすことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の光走査装置。
【請求項５】
３．０＜｜βｓｏ｜＜６．０
なる条件を満たすことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の光走査装置。
【請求項６】
前記結像光学系は、単一の光学素子から成ることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の光走査装置。
【請求項７】
前記入射光学系及び前記結像光学系の少なくとも一方は、回折面を含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の光走査装置。
【請求項８】
前記入射光学系は、単一の光学素子から成ることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の光走査装置。
【請求項９】
前記被走査面における軸上像高と軸外像高とで、光束の走査速度が異なることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の光走査装置。
【請求項１０】
前記結像光学系の部分倍率ずれに基づいて前記光源の発光を制御する制御部を有することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の光走査装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光走査装置と、該光走査装置により前記被走査面に形成される静電潜像をトナー像として現像する現像器と、現像された前記トナー像を被転写材に転写する転写器と、転写された前記トナー像を前記被転写材に定着させる定着器と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光走査装置と、外部機器から出力された信号を画像データに変換して前記光走査装置に入力するプリンタコントローラと、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するための、本発明の一側面としての光走査装置は、光源と、該光源からの光束を偏向して被走査面を主走査方向に光走査する偏向器と、前記光源からの光束を前記偏向器の偏向面に導光する入射光学系と、前記偏向器により偏向された光束を前記被走査面に導光する結像光学系と、を有し、前記入射光学系の副走査断面内における倍率をβｓｉ、前記結像光学系の副走査断面内における倍率をβｓｏ、とし、前記偏向器からの光束が軸上像高に向かうときの、前記光源と前記偏向面との光軸上における距離をＬｉ、前記偏向面と前記被走査面との光軸上における距離をＬｏ、とするとき、０．５＜｜βｓｉ｜＜２．２、３．０＜｜βｓｏ｜＜１０．０、０．２＜Ｌｉ／Ｌｏ＜０．４、なる条件を満たすことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月2日(2017.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１光伝送路を保持する保持部が突出して伸びるプラグであって、
第２光伝送路を配置するプラグ受けに接続の際に、前記プラグの保持部が長手方向に伸びた側面開口部から、前記プラグ受けの移動して来た前記第２光伝送路の側面を受入れることを特徴とするプラグ。
【請求項２】
付勢手段を備え、第１光伝送路を配置するプラグ受けであって、
第２光伝送路を保持する保持部が突出して伸びるプラグが接続の際に、前記付勢手段により、前記第１光伝送路の側面を前記プラグの前記保持部の長手方向に伸びた側面開口部に進入させることを特徴とするプラグ受け。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため本発明のプラグは、第１光伝送路を保持する保持部が突出して伸びるプラグであって、第２光伝送路を配置するプラグ受けに接続の際に、前記プラグの保持部が長手方向に伸びた側面開口部から、前記プラグ受けの移動して来た前記第２光伝送路の側面を受入れることを特徴とする。
本発明のプラグ受けは、付勢手段を備え、第１光伝送路を配置するプラグ受けであって、第２光伝送路を保持する保持部が突出して伸びるプラグが接続の際に、前記付勢手段により、前記第１光伝送路の側面を前記プラグの前記保持部の長手方向に伸びた側面開口部に進入させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところで、従来のプラグは、プラグ受けの移動して来た光伝送路の側面を受入れることができないと言った問題があった。
従来のプラグ受けは、光伝送路の側面をプラグに進入させることができないと言った問題があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、プラグ受けの移動して来た光伝送路の側面を受入れることができるプラグを提供することにある。
また、光伝送路の側面をプラグに進入させることができるプラグ受けを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、プラグは、プラグ受けの移動して来た光伝送路の側面を受入れることができる。
プラグ受けは、光伝送路の側面をプラグに進入させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月29日(2017.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜厚が１０〜４０μｍであり、
下記数式（１）および下記数式（２）：
【数１】
2017097352.tif 000001
式中、ｎｘはフィルム面内の遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙはフィルム面内の進相軸方向の屈折率を表し、ｎｚはフィルム厚み方向の屈折率を表し、ｄはフィルムの厚み（ｎｍ）を表す；屈折率は２３℃、５５％ＲＨの環境下、波長５９０ｎｍで測定
でそれぞれ表されるＲｏおよびＲｔｈが、
【数２】
2017097352.tif 000002
を満足し、長手方向および幅手方向の破断点応力がともに７５ＭＰａ以上であり、重量平均分子量（Ｍｗ）が１５００００以上のアクリル樹脂を含有する光学フィルムの製造方法であって、
ドープを支持体上に溶融流延して得られるフィルムを乾燥し、剥離した後に長手方向（ＭＤ方向）および幅手方向（ＴＤ方向）に延伸する工程を含む、ロール状光学フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記Ｒｔｈが、−３≦Ｒｔｈ≦３を満足する、請求項１に記載のロール状光学フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記膜厚が１０〜３０μｍである、請求項１または２に記載のロール状光学フィルムの製造方法。
【請求項４】
長手方向（ＭＤ方向）の延伸倍率および幅手方向（ＴＤ方向）の延伸倍率の一方が他方の１．０１倍以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のロール状光学フィルムの製造方法。
【請求項５】
幅手方向（ＴＤ方向）の延伸倍率が長手方向（ＭＤ方向）の延伸倍率よりも大きい、請求項４に記載のロール状光学フィルムの製造方法。
【請求項６】
長手方向（ＭＤ方向）の延伸倍率が１．５〜３．０倍である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のロール状光学フィルムの製造方法。
【請求項７】
得られるロール状光学フィルムにおいて、幅手方向（ＴＤ方向）の破断点応力が長手方向（ＭＤ方向）の破断点応力よりも大きい、請求項１〜６のいずれか１項に記載のロール状光学フィルムの製造方法。
【請求項８】
前記固有複屈折値が正の樹脂がセルロース樹脂である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のロール状光学フィルムの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のロール状光学フィルムの製造方法により光学フィルムを製造する工程と、
偏光子の吸収軸方向と前記光学フィルムの長手方向（ＭＤ方向）とが平行になるように積層する工程と、
を含む、偏光板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月6日(2017.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦部と屈曲部を持つ基板と、
前記屈曲部の内側に貼り合わされる両面テープと、
を有し、
前記両面テープは、前記屈曲部の内側に貼り合わされる第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有し、
前記両面テープは前記第２面が内側になるように折り返され、
前記第２面の第１部分と前記第２面の第２部分とは、互いに対向し、
前記第１部分は前記第２部分と貼り合わされることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記平坦部は、前記屈曲部と隣接する第１領域と、前記屈曲部と前記第１領域とは反対の側で隣接する第２領域とを含み、
前記第１領域と前記第１部分と前記第２部分と前記第２領域とが、この順で重なることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載された表示装置において、
前記第１部分は、第１先端面を含む第１先端部を有し、
前記第２部分は、第２先端面を含む第２先端部を有し、
前記第１先端面と前記第２先端面とは、同一面上に位置することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載された表示装置において、
前記第１先端部と前記第２先端部とは、平面的に見て重なっていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載された表示装置において、
前記第１先端部と前記第２先端部とは、平面的に見てずれていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置において、
前記基板の一部は、前記第２先端面と接していることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１又は請求項２に記載された表示装置において、
前記第１部分は、第１先端部を有し、
前記第２部分は、第２先端部を有し、
平面的に見て、前記第１先端部と前記第２先端部とはずれており、且つ前記第１部分が前記第２部分から突出していることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載された表示装置において、
前記基板の一部は、前記第１部分の前記第２部分から突出している領域と貼り合わされることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記両面テープは基材を有し、
前前記基材は、屈曲しており、且つ屈曲している部分に他の部分よりも薄くなった薄肉部を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載された表示装置において、
前記薄肉部は、前記基材の一方の主面に位置する窪みを含み、
前記基材には、粘着剤が配置され、
前記粘着剤は、前記窪みには位置しないことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記平坦部には、複数の画素と、薄膜トランジスタを含む回路と、配線と、が設けられ、
前記配線は、平坦部と屈曲部とに跨って位置していることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載された表示装置において、
前記屈曲部の前記両面テープとは反対側には、樹脂が位置し、
前記配線は、前記基板と前記樹脂との間に位置することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月25日(2017.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体（１）に搭載され、投影部材（３）に画像を投影することにより、前記画像を乗員により視認可能に虚像表示するヘッドアップディスプレイ装置であって、
光源光を発する光源部（１２）と、
一対の液晶用偏光子（６１，６２）と、前記液晶用偏光子間の液晶層（６４）とを、互いに積層した状態で一体的に有することにより、前記光源光のうち一部を透過させることで前記画像を形成する液晶パネル（６０）と、
前記光源部と前記液晶パネルとの間の光路上において配置される追加の偏光子（４０）と、を備え、
前記追加の偏光子及び前記一対の液晶用偏光子は、透過軸（４０ａ，６１ａ，６２ａ）に沿った偏光を透過させ、前記透過軸と交差する遮光軸（４０ｂ，６１ｂ，６２ｂ）に沿った偏光を遮光する性質を有し、
前記追加の偏光子は、前記一対の液晶用偏光子のうち前記光源部側の液晶用偏光子（６１）と前記透過軸（４０ａ，６１ａ）及び前記遮光軸（４０ｂ，６１ｂ）を互いに合わせて配置され、前記遮光軸に沿った偏光を前記光源部側に反射する性質を有する反射型偏光子であり、
前記追加の偏光子よりも前記光源部側に配置され、前記追加の偏光子により反射された前記光源光を、再び前記液晶パネル側へ向けて反射する反射部（５０）と、
前記反射部と前記追加の偏光子との間の光路上に配置され、前記光源部から入射する前記光源光を集光すると共に、前記反射部に反射されて再び前記追加の偏光子に到達する前記光源光に対して、透過経路によって偏極状態を変化させる集光部（２０）と、をさらに備えるヘッドアップディスプレイ装置。
【請求項２】
前記光源部と前記液晶パネルとの間の光路上に配置され、前記光源光を拡散する拡散部（３０，２３０）をさらに備え、
前記追加の偏光子は、前記拡散部と前記液晶パネルとの間の光路上に配置される請求項１に記載のヘッドアップディスプレイ装置。
【請求項３】
前記追加の偏光子は、前記液晶パネルと貼り合わされている請求項１又は２に記載のヘッドアップディスプレイ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、移動体（１）に搭載され、投影部材（３）に画像を投影することにより、画像を乗員により視認可能に虚像表示するヘッドアップディスプレイ装置であって、
光源光を発する光源部（１２）と、
一対の液晶用偏光子（６１，６２）と、液晶用偏光子間の液晶層（６４）とを、互いに積層した状態で一体的に有することにより、光源光のうち一部を透過させることで画像を形成する液晶パネル（６０）と、
光源部と液晶パネルとの間の光路上において配置される追加の偏光子（４０）と、を備え、
追加の偏光子及び一対の液晶用偏光子は、透過軸（４０ａ，６１ａ，６２ａ）に沿った偏光を透過させ、透過軸と交差する遮光軸（４０ｂ，６１ｂ，６２ｂ）に沿った偏光を遮光する性質を有し、
追加の偏光子は、一対の液晶用偏光子のうち光源部側の液晶用偏光子（６１）と透過軸（４０ａ，６１ａ）及び遮光軸（４０ｂ，６１ｂ）を互いに合わせて配置され、遮光軸に沿った偏光を光源部側に反射する性質を有する反射型偏光子であり、
追加の偏光子よりも光源部側に配置され、追加の偏光子により反射された光源光を、再び液晶パネル側へ向けて反射する反射部（５０）と、
反射部と追加の偏光子との間の光路上に配置され、光源部から入射する光源光を集光すると共に、反射部に反射されて再び追加の偏光子に到達する光源光に対して、透過経路によって偏極状態を変化させる集光部（２０）と、をさらに備える。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月21日(2017.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮命令を解凍して実行する装置であって、
命令の解凍に用いられるX-インデックス、Y-インデックス、Ammミックスマスク、及びBmmミックスマスクを格納するメモリと、
前記X-インデックスに含まれるAxパターンと、前記Y-インデックスに含まれるAyパターンと、前記Ammミックスマスクとを用いて命令Aを解凍し、前記X-インデックスに含まれるBxパターンと、前記Y-インデックスに含まれるByパターンと、前記Bmmミックスマスクとを用いて命令Bを解凍する、デコーダと、を具備し、
前記Axパターンと前記Bxパターンとが、一部重複して前記メモリに格納される、前記装置。
【請求項２】
前記装置が、
実行パイプラインと、
L1命令キャッシュと、をさらに含み、
前記実行パイプラインは、前記L1命令キャッシュからの命令のフェッチを試み、命令が存在しない場合に、前記フェッチが前記メモリにリダイレクトされるように構成された、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置が、
圧縮コードがロードされるL2キャッシュであって、前記L2キャッシュは、XYMエントリーを有し、前記XYMエントリーは、前記X-インデックスの値と前記Y-インデックスの値とMインデックスの値とに分割され、マルチプレクサを通じて前記デコーダに渡されるように構成された、前記L2キャッシュと、
MMレジスタと、ダブルラインXレジスタと、ダブルラインYレジスタと、結合器と、を備えた前記デコーダと、を備え、
前記ダブルラインXレジスタは、前記X-インデックスの値と関連するアドレスにおいてフェッチされる前記Axパターンがロードされ、前記ダブルラインYレジスタは、前記Y-インデックスの値と関連するアドレスにおいてフェッチされるAyパターンがロードされ、前記MMレジスタは、Mインデックスの値と関連するアドレスにおいてフェッチされる前記Ammミックスマスクがロードされるように構成され、
前記結合器は、前記X-インデックスの値に基づいて前記ダブルラインXレジスタから選択された前記Axパターンと、前記Y-インデックスの値に基づいて前ダブルラインYレジスタから選択された前記Ayパターンと、を受け取るように構成され、
前記結合器は、前記Ammミックスマスクに従って、前記Axパターンからの適切なビットを前記Ayパターンからの適切なビットと組み合わせることによって、キャッシュラインに記憶され前記実行パイプラインに渡される元の命令を生成するようにさらに構成された、
請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記Axパターンと前記Bxパターンは、異なる数のビットであり、かつ前記Ayパターンと前記Byパターンは、異なる数のビットである、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記L2キャッシュが、X-インデックス、Y-インデックス、M-インデックス（ミックスマスクインデックス）をアドレス可能な位置に記憶する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記X-インデックスが9ビット、前記Y-インデックスが8ビット、前記M-インデックスが2ビットである、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
圧縮命令を解凍して実行する方法であって、
メモリに格納されたX-インデックスに含まれるAxパターンと、前記メモリに格納されたY-インデックスに含まれるAyパターンと、前記メモリに格納されたAmmミックスマスクとを用いて命令Aを解凍し、前記X-インデックスに含まれるBxパターンと、前記Y-インデックスに含まれるByパターンと、Bmmミックスマスクとを用いて命令Bをデコーダによって解凍する第１のステップを具備し、
前記Axパターンと前記Bxパターンとが、一部重複して前記メモリに格納される、前記方法。
【請求項８】
前記方法が、
実行パイプラインが、L1命令キャッシュからの命令のフェッチを試みる第２のステップと、
命令が存在しない場合に、前記フェッチが前記メモリにリダイレクトされる第３のステップと、を含む、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第３のステップが、
圧縮コードがロードされるL2キャッシュが有するXYMエントリーが、前記X-インデックスの値と前記Y-インデックスの値とMインデックスの値とに分割され、マルチプレクサを通じて前記デコーダに渡されるステップと、
前記デコーダのダブルラインXレジスタに、前記X-インデックスの値と関連するアドレスにおいてフェッチされる前記Axパターンをロードし、前記デコーダのダブルラインYレジスタに、前記Y-インデックスの値と関連するアドレスにおいてフェッチされるAyパターンをロードし、MMレジスタに、Mインデックスの値と関連するアドレスにおいてフェッチされる前記Ammミックスマスクをロードする、ステップと、
前記デコーダの結合器が、前記X-インデックスの値に基づいて前記ダブルラインXレジスタから選択された前記Axパターンと、前記Y-インデックスの値に基づいて前ダブルラインYレジスタから選択された前記Ayパターンと、を受け取るステップと、
前記デコーダの前記結合器が、前記Ammミックスマスクに従って、前記Axパターンからの適切なビットを前記Ayパターンからの適切なビットと組み合わせることによって、キャッシュラインに記憶され前記実行パイプラインに渡される元の命令を生成するステップと、を含む、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記Axパターンと前記Bxパターンは、異なる数のビットであり、及び前記Ayパターンと前記Byパターンは、異なる数のビットである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記L2キャッシュが、X-インデックス、Y-インデックス、M-インデックス（ミックスマスクインデックス）をアドレス可能な位置に記憶する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記X-インデックスが9ビット、前記Y-インデックスが8ビット、前記M-インデックスが2ビットである、請求項１１に記載の方法。