【手続補正書】
【提出日】平成29年2月17日(2017.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）露光用マスクブランクにそれぞれ生じている少なくとも１つ以上の欠陥の位置を示す、ＥＵＶ露光用マスクブランク毎の欠陥位置データを計測し、記録する工程と、
描画対象となる図形パターンが定義されたパターンデータを入力する工程と、
パターンデータに定義される前記図形パターンの配置位置を元に、前記複数のＥＵＶ露光用マスクブランクの中から、前記ＥＵＶ露光用マスクブランク毎の欠陥位置データを用いて、前記図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように前記図形パターンを配置可能なＥＵＶ露光用マスクブランクを探索する工程と、
前記図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が前記閾値以下になるように前記図形パターンを配置可能な前記ＥＵＶ露光用マスクブランクが特定される場合に、荷電粒子ビームを用いて、特定された前記ＥＵＶ露光用マスクブランクに、前記遮光領域に配置されない欠陥数が前記閾値以下になるように前記図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【請求項２】
探索される前記複数のＥＵＶ露光用マスクブランクの個数は、対象とするスキャナーで転写する所定のパターン内部の遮光領域の面積率（遮光領域の面積を遮光領域と非遮光領域との和の面積で割ったもの）を平均欠陥個数乗した値の逆数以上であることを特徴とする請求項１記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項３】
前記探索する工程は、内部工程として、前記図形パターンの配置位置では、遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下にならない場合に、前記図形パターンの配置位置をシフト、あるいは、回転、あるいは縮小する工程の少なくとも一つを有することを特徴とする請求項１又は２記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項４】
複数の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）露光用マスクブランクにそれぞれ生じている少なくとも１つ以上の欠陥の位置を示す、ＥＵＶ露光用マスクブランク毎の欠陥位置データを計測し、記憶する第１の記憶部と、
描画対象となる図形パターンが定義されたパターンデータを入力し、記憶する第２の記憶部と、
パターンデータに定義される前記図形パターンの配置位置を元に、前記複数のＥＵＶ露光用マスクブランクの中から、前記図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように前記図形パターンを配置可能なＥＵＶ露光用マスクブランクを探索する探索部と、
前記図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が前記閾値以下になるように前記図形パターンを配置可能な前記ＥＵＶ露光用マスクブランクが特定される場合に、荷電粒子ビームを用いて、特定された前記ＥＵＶ露光用マスクブランクに、前記遮光領域に配置されない欠陥数が前記閾値以下になるように前記図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする露光用マスクの製造システム。
【請求項５】
複数の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）露光用マスクブランクにそれぞれ生じている少なくとも１つ以上の欠陥の位置を示す、ＥＵＶ露光用マスクブランク毎の欠陥位置データを計測し、記録する工程と、
描画対象となる図形パターンが定義されたパターンデータを入力する工程と、
パターンデータに定義される前記図形パターンの配置位置を元に、前記複数のＥＵＶ露光用マスクブランクの中から、前記ＥＵＶ露光用マスクブランク毎の欠陥位置データを用いて、前記図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように前記図形パターンを配置可能なＥＵＶ露光用マスクブランクを探索する工程と、
前記図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が前記閾値以下になるように前記図形パターンを配置可能な前記ＥＵＶ露光用マスクブランクが特定される場合に、荷電粒子ビームを用いて、特定された前記ＥＵＶ露光用マスクブランクに、前記遮光領域に配置されない欠陥数が前記閾値以下になるように前記図形パターンを描画する工程と、
前記図形パターンが描画されたＥＵＶ露光用マスクを用いて、半導体基板に前記図形パターンを転写する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一態様の露光用マスクの製造方法は、
複数の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）露光用マスクブランクにそれぞれ生じている少なくとも１つ以上の欠陥の位置を示す、ＥＵＶ露光用マスクブランク毎の欠陥位置データを計測し、記録しておく工程と、
描画対象となる図形パターンが定義されたパターンデータを入力する工程と、
パターンデータに定義される図形パターンの配置位置を元に、複数のＥＵＶ露光用マスクブランクの中から、前記ＥＵＶ露光用マスクブランク毎の欠陥位置データを用いて、図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように図形パターンを配置可能なＥＵＶ露光用マスクブランクを探索する工程と、
図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように図形パターンを配置可能な前記ＥＵＶ露光用マスクブランクが特定される場合に、荷電粒子ビームを用いて、特定されたＥＵＶ露光用マスクブランクに、遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように前記図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の一態様の露光用マスクの製造システムは、
複数の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）露光用マスクブランクにそれぞれ生じている少なくとも１つ以上の欠陥の位置を示す、ＥＵＶ露光用マスクブランク毎の欠陥位置データを計測し、記憶する第１の記憶部と、
描画対象となる図形パターンが定義されたパターンデータを入力し、記憶する第２の記憶部と、
パターンデータに定義される図形パターンの配置位置を元に、複数のＥＵＶ露光用マスクブランクの中から、図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように図形パターンを配置可能なＥＵＶ露光用マスクブランクを探索する探索部と、
図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように図形パターンを配置可能なＥＵＶ露光用マスクブランクが特定される場合に、荷電粒子ビームを用いて、特定されたＥＵＶ露光用マスクブランクに、遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように前記図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、
複数の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）露光用マスクブランクにそれぞれ生じている少なくとも１つ以上の欠陥の位置を示す、ＥＵＶ露光用マスクブランク毎の欠陥位置データを計測し、記録する工程と、
描画対象となる図形パターンが定義されたパターンデータを入力する工程と、
パターンデータに定義される図形パターンの配置位置を元に複数のＥＵＶ露光用マスクブランクの中から、前記ＥＵＶ露光用マスクブランク毎の欠陥位置データを用いて、図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように前記図形パターンを配置可能なＥＵＶ露光用マスクブランクを探索する工程と、
図形パターンを描画する場合に遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように図形パターンを配置可能な前記ＥＵＶ露光用マスクブランクが特定される場合に、荷電粒子ビームを用いて、特定されたＥＵＶ露光用マスクブランクに、遮光領域に配置されない欠陥数が閾値以下になるように前記図形パターンを描画する工程と、
図形パターンが描画されたＥＵＶ露光用マスクを用いて、半導体基板に図形パターンを転写する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１におけるＥＵＶ露光用マスクの製造システムの構成を示す概念図である。図１において、ＥＵＶ露光用マスクの製造システム５００は、描画装置１００、管理装置３００、及びマスクブランクス収納装置４１２を備えている。管理装置３００は、磁気ディスク装置等の記憶装置３０２，３０４，３０６を有している。描画装置１００、管理装置３００、マスクブランクス収納装置４１２、及び記憶装置３０２，３０４，３０６は、図示しないバスで互い接続されている。記憶装置３０２には、複数の図形パターンが定義された描画データが格納される。描画装置１００が入力するものと同じ描画データを用いると好適である。或いは、描画データに変換される前の設計データ（ＣＡＤデータ）等であっても構わない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、探索部３１１内には、設定部３１４、比較部３１０、判定部３１２、判定部３１６、調整部３１８、及び判定部３１９が配置される。設定部３１４、比較部３１０、判定部３１２、判定部３１６、調整部３１８、及び判定部３１９といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。設定部３１４、比較部３１０、判定部３１２、判定部３１６、調整部３１８、及び判定部３１９に入出力される情報および演算中の情報はメモリ３２６にその都度格納される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。ＥＵＶ露光用マスクの製造システムにとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、描画装置１００、管理装置３００、及びマスクブランクス収納装置４１２には、マウスやキーボード等の入力装置、モニタ装置、及び外部インターフェース回路等が接続されていても構わない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
位相欠陥の検査が終了した各基板１０は、膜形成装置４２４にて、多層膜１２或いはキャップ膜１４上に、吸収体膜１６と反射防止膜１８が形成される。吸収体膜１６と反射防止膜１８は基板表面全面に形成される。吸収体膜１６と反射防止膜１８が形成された各基板１０は、ＥＵＶ露光用マスクブランクとして、マスクブランクス収納装置４１２に搬送される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
マスクブランクス収納装置４１２には、まだ何も描画されていない複数のＥＵＶ露光用マスクブランクス（基板１０）が収納される。マスクブランクス収納装置４１２には、ＥＵＶスキャナーで転写する典型的なＬＳＩパターンの遮光領域（吸収体膜の領域）の面積率Ａを平均欠陥個数Ｂ乗した値の逆数以上の個数Ｎのマスクブランクが収納されている。図形パターンに対応する遮光領域（吸収体膜の領域）の面積Ａは、予め描画データから求めておいてもよい。或いは、個数Ｎよりも十分に多いマスクブランクを収納しておいてもよい。ここでは、マスクブランク上にレジストが塗布されていない方がよい。多数のマスクブランクから描画に使用する１枚（或いは２〜３枚）のマスクブランクを選択することになるので、レジストの塗布は描画に使用することが決定された後に行った方が望ましい。但し、これに限るものではなく複数のＥＵＶ露光用マスクブランクス上にレジストが塗布されていてもよい。マスクブランクス収納装置４１２は、収納された複数のマスクブランクを識別する識別情報（例えば、マスクブランク番号）を管理装置３００に出力する。例えば、かかる複数のマスクブランクを識別する識別情報が定義された収納マスクブランクリストを作成して管理装置３００に出力すると好適である。かかる識別情報は、欠陥データに定義された複数のマスクブランクを識別する識別情報と一致或いは対応関係がわかるデータで定義する。管理装置３００では、かかる複数のマスクブランクを識別する識別情報が定義された収納マスクブランクリストを記憶装置３０４に格納する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
判定工程（Ｓ１１２）として、判定部３１６は、比較回数が予め設定された比較回数閾値以上かどうかを判定する。判定の結果、比較回数が比較回数閾値以上である場合には判定工程（Ｓ１１６）に進む。比較回数が比較回数閾値以上でない場合にはシフト、回転、拡大等調整処理工程（Ｓ１１４）に進む。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
以上のようにして、複数のマスクブランクの中から、遮光領域（吸収体膜１２が残る領域４４）に隠れきれない欠陥数を閾値以下にできるマスクブランクを探索し、抽出する。ここで、探索される複数のＥＵＶ露光用マスクブランクの個数は、図形パターンに対応する遮光領域の面積Ａの平均欠陥個数Ｂ乗した値の逆数以上にすると好適である。これにより、すべてがＮＧ基板になることを防止できる。例えば、図形パターンに対応する遮光領域が９０％（Ａ＝０．９）で、マスクブランクの平均欠陥個数が３０個（Ｂ＝３０）ならば、すべての欠陥が吸収体膜１６に隠れる確率Ｋは４．２％（Ｋ＝０．０４２）となる。よって、すべての欠陥を吸収体膜１６に隠すことが可能なマスクブランクを得るためには、少なくともかかる確率Ｋの逆数分（２４枚）以上のマスクブランクの用意をすれば足りる。よって、マスクブランクス収納装置４１２に、図形パターンに対応する遮光領域（吸収体膜の領域）の面積Ａの平均欠陥個数Ｂ乗した値の逆数以上の個数Ｎのマスクブランクを収納しておけばよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
選択工程（Ｓ１１８）として、選択部３２０は、判定工程（Ｓ１１０）において遮光領域に隠れきれない欠陥数が閾値以下になったマスクブランクを描画用のマスクブランクとして選択する。そして、シフト部３１８は、選択されたマスクブランクのシフト位置を示すデータ（シフトデータ）を記憶装置３０６に格納する。シフトデータは、出力部３２４によって、描画装置１００に出力される。また、選択部３２０は、選択されたマスクブランクの識別情報（マスクブランク番号等）をマスクブランクス収納装置４１２に出力する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
マスクブランクス収納装置４１２では、受信したマスクブランクの識別情報に対応するマスクブランクを搬出する。そして、レジスト塗布装置４２２によって、マスクブランク表面にレジストが塗布された後、描画装置１００に搬送される。マスクブランクス収納装置４１２に収納されている段階でレジストが塗布されている場合には、マスクブランクス収納装置４１２から描画装置１００に搬送されればよい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
制御計算機ユニット１１０内には、描画データ処理部５０、調整処理部５２、描画制御部５４、及び検出部５５が配置される。描画データ処理部５０、調整処理部５２、描画制御部５４、及び検出部５５といった各機能は、コンピュータを実行させるプログラム等のソフトウェアで構成しても構わない。或いは、電気機器若しくは電子機器等のハードウェアで構成しても構わない。或いは、ソフトウェアとハードウェアの組み合わせで構成しても構わない。或いは、ファームウェアとハードウェアの組み合わせで構成しても構わない。描画データ処理部５０、調整処理部５２、描画制御部５４、及び検出部５５の各機能で処理される入力情報および演算処理情報はその都度メモリ１１１に記憶される。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図１０は、実施の形態１におけるＥＵＶ露光装置の構成を示す概念図である。図１０において、ＥＵＶ露光装置６００では、光源６２０から照射されたＥＵＶ光を、反射光学系を構成する複数のミラー６３０ａ〜ｅ及びＥＵＶ露光用マスク６３１によって反射して、ステージ６１０上に配置された半導体基板６０１を照射する。ＥＵＶ露光用マスク６３１は、かかる反射光学系の一部となる。ＥＵＶ露光用マスク６３１は、マスクステージ６４１上に配置され、マスクステージ６４１は、例えばマスク駆動系６４２上に配置される。制御システムからは、ＥＵＶ露光用マスク６３１のシフト量、回転量等のデータ６４３がマスク駆動系６４２及びウェハステージ駆動系６４４に送信される。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
第２の例として、ブランクス上で、パターンを基準マークで決まる中心から０．１度回転させることで、ブランクス上の欠陥をすべて遮光体の下に隠すことができたとする。この場合ＥＵＶ露光装置でのパターン転写では、マスク駆動系６４２を利用して、マスクステージ６４１上で、基準マークで決まる中心からＥＵＶ露光用マスク６３１を−０．１度回転させてセットして、パターン転写すれば、目的とするパターンをウェハ上に転写できる。あるいは、マスクステージ６４１上では、標準位置にＥＵＶ露光用マスク６３１を置いて、ウェハ側でウェハステージ駆動系６４４を用いて、ウェハの回転を調整しセットして、パターン転写することでも、目的とするパターンをウェハ上に転写できる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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