【手続補正書】
【提出日】平成29年1月6日(2017.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、前記インピーダンスマッチング回路をチューニングするために前記第１の値を提供することと、
前記変数が極小値でないことを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの第２の値に変更することと、
前記パラメータが前記第２の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定すること、もしくは
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定すること、または
これらの組み合わせ、を含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記変数の振動が不足している場合に、前記変数は安定である、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、
前記変数が最小値と最大値との間で振動し、前記最小値と前記最大値との間の範囲が所定の範囲を超える場合、前記変数は不安定である、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記方法は前記パラメータの学習値を用いることなく実施される、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記パラメータは、周波数、静電容量、インダクタンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記情報は、電圧、電流、電力、またはこれらの組み合わせを含み、
前記変数は、ガンマ、反射電力、複素電圧反射係数、プラズマインピーダンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記極小値は絶対最小値ではなく、
前記絶対最小値はゼロワットの反射電力を含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記プロセッサはホストシステム内にあり、
前記ホストシステムは、高周波（ＲＦ）電源に結合され、
前記ＲＦ電源は前記インピーダンスマッチング回路を介して前記プラズマチャンバに結合される、方法。
【請求項１１】
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、高周波（ＲＦ）信号を生成するために前記第１の値を供給することであって、前記ＲＦ信号は前記第１の値に対応し、前記ＲＦ信号は前記プラズマチャンバへ送信されるようになっている、供給することと、
前記変数が極小値でないことを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの第２の値に変更することと、
前記パラメータが前記第２の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定すること、もしくは
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定すること、または
これらの組み合わせ、を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
前記情報は、電圧、電流、電力、またはこれらの組み合わせを含み、
前記変数は、ガンマ、反射電力、複素電圧反射係数、プラズマインピーダンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
【請求項１４】
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、前記パラメータの前記第１の値が学習値の限界範囲内であるかどうかを決定することであって、前記学習値は学習ルーチン中に決定される、決定と、
前記パラメータの前記第１の値が前記限界範囲内であることを決定すると、高周波（ＲＦ）信号を生成するため、または前記インピーダンスマッチング回路をチューニングするために、前記学習値を供給することと、
前記パラメータが前記限界範囲外の前記第１の値を有することを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの前記第２の値に変更することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定することと、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定することと、を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記変数が最小値と最大値との間で振動し、前記最小値と前記最大値との間の範囲が所定の範囲を超える場合、前記変数は不安定である、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記変数の前記振動が不足している場合、前記変数は安定である、方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、
基板の処理中に実行される、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
【請求項２０】
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値である場合に達成される、前記変数の極小値を決定することと、
前記第１の値を前記パラメータの１つまたは複数の他の値に変更することによって、前記パラメータをチューニングすることと、
前記パラメータが前記１つまたは複数の他の値を有する場合に前記変数が不安定となるイベントの数を決定することと、
前記イベントの数が限界を超えるかどうかを決定することと、
前記イベントの数が前記限界を超えることを決定すると、前記パラメータのチューニングの方向を反転することと、
前記イベントの数が前記限界を超えないことを決定すると、前記パラメータの更なるチューニングを中止することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、
前記変数の前記極小値を決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えないことを決定することと、および
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であることを決定すること
を含む、方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の方法であって、
前記パラメータのチューニングの前記方向を反転することは、前記パラメータの値を増大させること、または前記パラメータの値を減少させることを含む、方法。
【請求項２３】
請求項２０に記載の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記方法は、前記パラメータの学習値に関する知識を用いることなく実行され、
前記極小値は絶対最小値ではなく、
前記プロセッサはホストシステム内にあり、前記ホストシステムは高周波（ＲＦ）電源に結合され、前記ＲＦ電源は前記インピーダンスマッチング回路を介して前記プラズマチャンバに結合される、方法。
【請求項２４】
請求項２０に記載の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
その一方で、パラメータが第１の値１２４を有する場合に変数１０６が極小値１１４ではないことを決定すると、操作１２２において、第１の値１２４は別の値、例えば第２の値１２６に変化する。例としては、第１の値１２４の供給に続いて、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のプロセッサによってＡ ＭＨｚ  ＲＦ電源のＤＡＳに他の値を供給する。即ち、第１の値１２４を供給した後、第１の値１２４と第２の値１２６との間には、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のプロセッサによってＡ ＭＨｚ  ＲＦ電源のＤＡＳに供給される値はない。さらに別の例としては、ホストシステムによってモータシステムに第２の値１２６を供給して、インピーダンスマッチング回路内で第２の値１２６の静電容量、またはインダクタンスを達成する。別の例としては、ホストシステムによってＡ ＭＨｚ ＲＦ電源に第２の値１２６を供給して、インピーダンスマッチング回路の第２の値１２６の動作周波数を達成する。さらに別の例としては、ホストシステムによってモータシステムに静電容量を供給し、ホストシステムによってモータシステムにインダクタンスを供給し、および／またはホストシステムによってインピーダンスマッチング回路を制御して、第２の値１２６を達成する周波数で動作させる。さらに別の例としては、ホストシステムによってモータシステムに静電容量を供給し、インピーダンスマッチング回路のインダクタに電流を供給し、および／またはホストシステムによってインピーダンスマッチング回路を制御して、第２の値１２６を達成する周波数で動作させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
パラメータ１１０が第２の値１２６を有する場合、Ａ ＭＨｚ  ＲＦ電源のセンサは伝送ラインにおいて情報を測定する。プラズマシステムの１つまたは複数のプロセッサは、パラメータ１１０が第２の値１２６を有する場合に測定した情報に基づいて、変数１０６の１つまたは複数の値を決定する。さらに、操作１１２では、パラメータ１１０が第２の値１２６を有する場合の変数１０６の１つまたは複数の値が極小値であるかどうかを決定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
操作１４０の後、本方法１３６を繰り返す。例えば、第１の値１２４の代わりに学習値に対して、操作１０４、１１２、１２２、および１３８を実施する。即ち、パラメータ１１０が学習値を有する場合、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のＤＡＳは、学習値に対応する値を有するＲＦ信号を生成して、伝送ラインを介してプラズマチャンバにこのＲＦ信号を供給する。学習値に対応する値を有するＲＦ信号をプラズマチャンバに供給する際、変数１０６の１つまたは複数の値を決定するための情報を受信する。パラメータ１１０が学習値を有する場合、Ａ ＭＨｚ  ＲＦ電源のセンサは伝送ラインにおいて情報を測定する。変数１０６の１つまたは複数の値は、パラメータ１１０が学習値を有する場合の測定情報に基づいて、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のプロセッサによって決定される。さらに、操作１１２では、パラメータ１１０が学習値を有する場合の変数１０６の１つまたは複数の値が極小値であるかどうかを決定する。また、操作１２２では、パラメータ１１０が学習値を有する場合に変数１０６の１つまたは複数の値が極小値でないことを決定すると、学習値を別の値に変更する。別の例としては、モータシステムがインピーダンスマッチング回路のキャパシタを制御して学習値を達成する場合、プラズマシステムの１つまたは複数のセンサは、伝送ライン上の順方向電力、および反射電力を感知する。１つまたは複数のセンサは、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のＤＳＰを介してホストシステムに順方向電力値、および反射電力値を供給する。ホストシステムは、順方向電力値、および反射電力値から反射電力を決定し、反射電力値が極小値であるかどうかを決定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
操作１５９では、イベントの数が限界を超えるかどうかを決定する。例えば、イベントの数が２、３、４、６、または別の正の整数を超えるかどうかを決定する。イベントの数が限界を超えないことを決定するのに対応して、操作１６４では、パラメータ１１０の更なるチューニングを中止する。例えば、操作１５８で達成された１つまたは複数の他の値は、パラメータ１１０の１つまたは複数の追加の値へと、さらに変化することはなく、これによってパラメータ１１０の更なるチューニングを中止する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図５は、パラメータ１１０をチューニングするためのプラズマシステム１７２の実施形態のブロック図である。プラズマチャンバ１０９は、下側電極１９６、上側電極１９４、および他の部品（図示せず）、例えば上側電極１９４を取り囲む上側絶縁リング、上側絶縁リングを取り囲む上側電極延長部、下側電極１９６を取り囲む下側絶縁リング、下側絶縁リングを取り囲む下側電極延長部、上側プラズマ排除領域（ｐｌａｓｍａ  ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ  ｚｏｎｅ：ＰＥＺ）リング、下側ＰＥＺリング等を含む。上側電極１９４は、下側電極１９６の反対側に、これに対面するよう配置される。例えば半導体ウエハ、電子構成部品を有する半導体ウエハ等である基板１３０は、下側電極１９６の上側表面１９７上に支持される。下側電極１９６は、例えば陽極酸化アルミニウム、アルミニウム合金等の金属製である。また上側電極１９４は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等の金属製である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
上側電極１９４と下側電極１９６との間にプロセスガスが供給されると、およびＲＦ電源１７４のＤＡＳ１８６が電力を生成して、インピーダンスマッチング回路１９２を介してこの電力を下側電極１９６に供給すると、プロセスガスは着火され、プラズマチャンバ１０９内でパルスプラズマ１０２が生成される。例えば、ＤＡＳ１８６は、プロセスガスに着火してプラズマ１０２を生成するために、電力を生成して、インピーダンスマッチング回路１９２を介してこの電力を供給する。以下で説明するように、下側電極１９６に供給されるＲＦ信号が２つの状態Ｓ１、およびＳ０の間で変化すると、プラズマ１０２はパルスを与えられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
インピーダンスマッチング回路は、インピーダンスマッチング回路に結合された電源のインピーダンスを、インピーダンスマッチング回路に結合された負荷のインピーダンスに適合させるための、例えば電気回路構成部品、インダクタ、キャパシタ等の電気部品を含む。例えば、インピーダンスマッチング回路１９２は、ＲＦ電源１７４の１つ、もしくは複数の部分（例えばＤＡＳ１８６等）、および／または伝送ライン１０８のインピーダンスを、プラズマチャンバ１０９の１つ、もしくは複数の部分（例えばプラズマ１０２、部品等）のインピーダンスに適合させる。ＲＦ電源１７４、伝送ライン１０８、またはこれらの組み合わせは電源の例であり、プラズマチャンバ１０９は負荷の例である。電源と負荷との間のインピーダンスの適合は、電力が負荷から電源へ反射する可能性を低減する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
電力値Ｐ１、および／または周波数値Ｆ１を受信するとすぐに、パラメータ制御１７６は電力値Ｐ１、および／または周波数値Ｆ１をＤＡＳ１８６のドライバ１８２に供給する。ドライバの例としては、電力ドライバ、電流ドライバ、電圧ドライバ、トランジスタ等が挙げられる。ドライバ１８２は、電力値Ｐ１、および／または周波数値Ｆ１を有するＲＦ信号を生成し、このＲＦ信号をＤＡＳ１８６の増幅器１８４に供給する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
増幅器１８４は、電力値Ｐ１、および／または周波数値Ｆ１を有するＲＦ信号を増幅し、ドライバ１８２から受信したＲＦ信号に対応するＲＦ信号１２０を生成する。例えば、ＲＦ信号１２０は、電力値Ｐ１より高い電力量を有する。別の例としては、ＲＦ信号１２０は電力値Ｐ１と同一の電力量を有する。ＲＦ信号１２０は、伝送ライン１０８、およびマッチング回路１９２を介して下側電極１９６に伝送され、これによってプラズマ１０２のインピーダンスを制御する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
増幅器１８４は、電力値Ｐ０、および／または周波数値Ｆ０を有するＲＦ信号を増幅し、ドライバ１８２から受信したＲＦ信号に対応するＲＦ信号１２１を生成する。例えば、ＲＦ信号１２１は、電力値Ｐ０より高い電力量を有する。別の例としては、ＲＦ信号１２１は電力値Ｐ０と同一の電力量を有する。ＲＦ信号１２１は、伝送ライン１０８、およびマッチング回路１９２を介して下側電極１９６に伝送され、これによってプラズマ１０２のインピーダンスを制御する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
パラメータ制御１７８によって電力値Ｐ０、および／または周波数値Ｆ０がＤＡＳ１８６に供給され、ＲＦ信号１２１が生成されると、センサ１８８は伝送ライン１０８上で情報を感知する。センサ１８８はこの情報を制御システム１８７に送り、制御システム１８７はこの情報をアナログ形式からデジタル形式に変換する。制御システム１８７は、状態Ｓ０の間、センサ１８８から情報を受信し、センサ１８８から情報を受信し、方法１２９（図２）、方法１３６（図３）、または方法１５０（図４）を実行する。なお、方法１２９、１３６、および１５０は、デジタルパルス化信号１８５、またはプラズマ１２０のいずれかである状態中に実行される。例えば、ホストシステム１９０のプロセッサは、状態Ｓ０の間に測定された情報を受信するとすぐに、例えばＶＳＲ１８１を実行する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
図１２は、極小値が達成される供給電力を繰り返し制御できることを示すグラフ２４０、および２４２の実施形態を示す。この反復可能性により、基板１３０上で実施されるプロセスを制御できる（図５）。グラフ２４０は、供給電力信号ＳＧ１、ＳＧ２、およびＳＧ３を時間に対してプロットしたものであり、またグラフ２４２は、供給電力信号ＳＧ４、ＳＧ５、およびＳＧ６を時間に対してプロットしたものである。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
図１３は、ホストシステム１９０のある実施形態のブロック図である（図５）。ホストシステム１９０は、入力ハードウェア部（ＨＵ）２５０、出力ＨＵ２５２、入力／出力（Ｉ／Ｏ）インタフェース２５４、Ｉ／Ｏインタフェース２５６、ネットワークインタフェースコントローラ（ＮＩＣ）２５８、バス２６０、プロセッサ２６２、および記憶ＨＵ２６４を含む。プロセッサ２６２、記憶ＨＵ２６４、入力ＨＵ２５０、出力ＨＵ２５２、Ｉ／Ｏインタフェース２５４、Ｉ／Ｏインタフェース２５６、およびＮＩＣ２５８は、バス２６０を介して互いに結合される。入力ＨＵ２５０の例としては、マウス、キーボード、スタイラス等が挙げられる。出力ＨＵ２５２の例としては、ディスプレイ、スピーカー、またはこれらの組み合わせが挙げられる。ディスプレイは液晶ディスプレイ、発光ダイオードディスプレイ、陰極線管、プラズマディスプレイ等であってよい。ＮＩＣ２５８の例としては、ネットワークインタフェースカード、ネットワークアダプタ等が挙げられる。記憶ＨＵの例としては、記憶デバイス、ＲＯＭ、ＲＡＭ、またはこれらの組み合わせが挙げられる。例えば、記憶ＨＵはフラッシュドライブ、記憶ディスクの冗長アレイ、ハードディスク等であってよい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
上述の実施形態は、理解を容易にする目的で、いくつかの詳細について説明したが、添付の請求項の範囲内において特定の変更、および改変を実行できることは明らかであろう。従って、本明細書で説明した実施形態は、例示的なものであって限定的なものではないと考えるべきであり、これらの実施形態は、本明細書に挙げた詳細に限定されるものではなく、添付の請求項の範囲、および均等物の範囲内で改変してよい。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、前記インピーダンスマッチング回路をチューニングするために前記第１の値を提供することと、
前記変数が極小値でないことを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの第２の値に変更することと、
前記パラメータが前記第２の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例２：
適用例１の方法であって、
前記パラメータが第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定すること、もしくは
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定すること、または
これらの組み合わせ、を含む、方法。
適用例３：
適用例２の方法であって、
前記変数の振動が不足している場合に、前記変数は安定である、方法。
適用例４：
適用例２の方法であって、
前記変数が最小値と最大値との間で振動し、前記最小値と前記最大値との間の範囲が所定の範囲を超える場合、前記変数は不安定である、方法。
適用例５：
適用例１の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記方法は前記パラメータの学習値を用いることなく実施される、方法。
適用例６：
適用例５の方法であって、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
適用例７：
適用例１の方法であって、
前記パラメータは、周波数、静電容量、インダクタンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
適用例８：
適用例１の方法であって、
前記情報は、電圧、電流、電力、またはこれらの組み合わせを含み、
前記変数は、ガンマ、反射電力、複素電圧反射係数、プラズマインピーダンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
適用例９：
適用例１の方法であって、
前記極小値は絶対最小値ではなく、
前記絶対最小値はゼロワットの反射電力を含む、方法。
適用例１０：
適用例１の方法であって、
前記プロセッサはホストシステム内にあり、
前記ホストシステムは、高周波（ＲＦ）電源に結合され、
前記ＲＦ電源は前記インピーダンスマッチング回路を介して前記プラズマチャンバに結合される、方法。
適用例１１：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、高周波（ＲＦ）信号を生成するために前記第１の値を供給することであって、前記ＲＦ信号は前記第１の値に対応し、前記ＲＦ信号は前記プラズマチャンバへ送信されるようになっている、供給することと、
前記変数が極小値でないことを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの第２の値に変更することと、
前記パラメータが前記第２の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例１２：
適用例１１の方法であって、
前記パラメータが第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定すること、もしくは
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定すること、または
これらの組み合わせ、を含む、方法。
適用例１３：
適用例１１の方法であって、
前記情報は、電圧、電流、電力、またはこれらの組み合わせを含み、
前記変数は、ガンマ、反射電力、複素電圧反射係数、プラズマインピーダンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
適用例１４：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、前記パラメータの前記第１の値が学習値の限界範囲内であるかどうかを決定することであって、前記学習値は学習ルーチン中に決定される、決定と、
前記パラメータの前記第１の値が前記限界範囲内であることを決定すると、高周波（ＲＦ）信号を生成するため、または前記インピーダンスマッチング回路をチューニングするために、前記学習値を供給することと、
前記パラメータが前記限界範囲外の前記第１の値を有することを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの前記第２の値に変更することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例１５：
適用例１４の方法であって、
前記パラメータが第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定することと、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定することと、を含む、方法。
適用例１６：
適用例１５の方法であって、
前記変数が最小値と最大値との間で振動し、前記最小値と前記最大値との間の範囲が所定の範囲を超える場合、前記変数は不安定である、方法。
適用例１７：
適用例１６の方法であって、
前記変数の前記振動が不足している場合、前記変数は安定である、方法。
適用例１８：
適用例１５の方法であって、
基板の処理中に実行される、方法。
適用例１９：
適用例１８の方法であって、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
適用例２０：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値である場合に達成される、前記変数の極小値を決定することと、
前記第１の値を前記パラメータの１つまたは複数の他の値に変更することによって、前記パラメータをチューニングすることと、
前記パラメータが前記１つまたは複数の他の値を有する場合に前記変数が不安定となるイベントの数を決定することと、
前記イベントの数が限界を超えるかどうかを決定することと、
前記イベントの数が前記限界を超えることを決定すると、前記パラメータのチューニングの方向を反転することと、
前記イベントの数が前記限界を超えないことを決定すると、前記パラメータの更なるチューニングを中止することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例２１：
適用例２０の方法であって、
前記変数の前記極小値を決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えないことを決定することと、および
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であることを決定すること
を含む、方法。
適用例２２：
適用例２０の方法であって、
前記パラメータのチューニングの前記方向を反転することは、前記パラメータの値を増大させること、または前記パラメータの値を減少させることを含む、方法。
適用例２３：
適用例２０の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記方法は、前記パラメータの学習値に関する知識を用いることなく実行され、
前記極小値は絶対最小値ではなく、
前記プロセッサはホストシステム内にあり、前記ホストシステムは高周波（ＲＦ）電源に結合され、前記ＲＦ電源は前記インピーダンスマッチング回路を介して前記プラズマチャンバに結合される、方法。
適用例２４：
適用例２０の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2014146593.tif 000001
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2014146593.tif 000002
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2014146593.tif 000003
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2014146593.tif 000004
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2014146593.tif 000005
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2014146593.tif 000006