Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年11月21日(2016.11.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
この目的のために、本発明は、サービス要求をローカル・エリア・ネットワーク内でハンドリングする方法に関し、以下のステップを含む。すなわち、サービス要求をユーザ・デバイスから受け取るステップであって、サービス要求が、サービスを実施するのに必要とされる１以上の要件に関する情報を含むもの、サービス要求内の情報に基づいてコンピュータ実行可能情報を取得するために、公衆ネットワーク内のローカライゼーション・サービスによってダウンロード位置をローカライズするステップ、ダウンロード位置からのサービスを実施するためにコンピュータ実行可能情報を抽出し、ローカル・エリア・ネットワーク内のネットワーク・デバイスにコンピュータ実行可能情報のインストールをアレンジするステップ、および、ローカル・エリア・ネットワーク内のサービスの可用性に関するメッセージをユーザ・デバイスに送るステップである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
サービス・タイプおよび１以上の要件に関する情報に基づいて、ＳＬＯＣは、次いで、動作１５において、要求されたサービスが、公衆ネットワーク、例えばワイド・エリア・ネットワークＷＡＮ内でダウンロードを使用可能である位置について、ローカライズ、換言すれば識別する。この例では、ＳＬＯＣは、要求されたサービスに関連するソフトウェアを、サービス・レポジトリにおいて他のものの中に見つけることができるということがわかる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サービス要求をローカル・エリア・ネットワーク内でハンドリングするためのモジュールであって、当該モジュールが、ローカル・エリア・ネットワークおよびワイド・エリア・ネットワークの間の通信インターフェイスを提供するインターフェイス・デバイスに通信可能に結合するように構成され、当該モジュールが更に、
コンピュータ実行可能情報を前記ローカル・エリア・ネットワーク内にインストールするのを可能にするネットワーク・デバイスと、
前記ローカル・エリア・ネットワーク内で利用可能なサービスを登録するためのサービス・レジストリと、
前記ローカル・エリア・ネットワーク内で前記サービス要求をハンドリングするためのデバイスであって、
前記サービスを実施するのに必要とされる１つ以上の要件に関する情報を含むサービス要求をユーザ・デバイスから受け取り、
前記サービス要求内の前記情報に基づいてコンピュータ実行可能情報を取得するために、公衆ネットワーク内のローカライゼーション・サービスによってダウンロード位置をローカライズし、
前記サービスを実施するために前記ダウンロード位置からコンピュータ実行可能情報を抽出し、前記ネットワーク・デバイスへの前記コンピュータ実行可能情報のインストールをアレンジし、  前記ローカル・エリア・ネットワーク内の前記サービスの可用性に関するメッセージを前記ユーザ・デバイスに送る、
ように構成されるデバイスと、
を含む、モジュール。
【請求項２】
サービス要求をローカル・エリア・ネットワーク内でハンドリングするためのデバイスであって、
サービスを実施するのに必要とされる１つ以上の要件に関する情報を含むサービス要求をユーザ・デバイスから受け取り、
前記サービス要求を受け取ったことに応答して、暫定的な応答を前記ユーザ・デバイスに送り、
前記サービス要求内の前記情報に基づいてコンピュータ実行可能情報を取得するために、公衆ネットワーク内のローカライゼーション・サービスによってダウンロード位置をローカライズし、
前記サービスを実施するために前記ダウンロード位置からコンピュータ実行可能情報を抽出し、前記ローカル・エリア・ネットワーク内でネットワーク・デバイスへの前記コンピュータ実行可能情報のインストールをアレンジし、
前記ローカル・エリア・ネットワーク内の前記サービスの可用性に関するメッセージを前記ユーザ・デバイスに送る、
ように構成される、デバイス。
【請求項３】
請求項２記載のデバイスにおいて、前記暫定的な応答が、前記サービスの可用性に関する情報を含む、デバイス。
【請求項４】
請求項２記載のデバイスにおいて、前記暫定的な応答が、前記ローカル・エリア・ネットワークにおいて前記サービスを利用可能にする時間に関する情報を含む、デバイス。
【請求項５】
請求項２記載のデバイスにおいて、前記暫定的な応答が、前記ローカル・エリア・ネットワークにおいて前記サービスの可用性に対しより確実性を得るための予測時間に関する情報を含む、デバイス。
【請求項６】
請求項５または６記載のデバイスにおいて、前記ユーザ・デバイスが、前記暫定的な応答に基づいて、前記サービス要求を終了しないうちに待ち時間を延長するように構成される、デバイス。
【請求項７】
サービス要求をハンドリングするためのネットワーク・アーキテクチャであって、
少なくとも１つのユーザ・デバイスを備えるローカル・エリア・ネットワーク、サービス位置について位置特定するためのサービス・ロケータ・システム、およびサービスを実施するためのコンピュータ実行可能情報を格納するためのサービス・レポジトリと、
前記サービス要求をハンドリングするためのシステムであって、
ローカル・エリア・ネットワークおよびワイド・エリア・ネットワークの間の通信インターフェイスを提供するインターフェイス・デバイスと、
前記ローカル・エリア・ネットワーク内にコンピュータ実行可能情報をインストールするのを可能にするネットワーク・デバイスと、
前記ローカル・エリア・ネットワーク内で前記サービス要求をハンドリングするために、前記インターフェイス・デバイスおよび前記ネットワーク・デバイスに通信可能に結合するように構成されるデバイスであって、
前記サービスを実施するのに必要とされる１つ以上の要件に関する情報を含むサービス要求をユーザ・デバイスから受け取り、
前記サービス要求内の前記情報に基づいてコンピュータ実行可能情報を取得するために、公衆ネットワーク内のローカライゼーション・サービスによってダウンロード位置をローカライズし、
前記サービスを実施するために前記ダウンロード位置からコンピュータ実行可能情報を抽出し、前記ローカル・エリア・ネットワーク内で前記ネットワーク・デバイスへの前記コンピュータ実行可能情報のインストールをアレンジし、
前記ローカル・エリア・ネットワーク内の前記サービスの可用性に関するメッセージを前記ユーザ・デバイスに送る、
ように構成されるデバイスと、
を備えるシステムと、
を備える、ネットワーク・アーキテクチャ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報管理装置、情報管理プログラム、及び情報管理システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報管理装置、情報管理プログラム、及び情報管理システムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月1日(2017.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
決済対象の商品の取引内容を示す電子レシート情報を、当該取引に係る消費者を識別する消費者コードと対応付けて管理するとともに、当該電子レシート情報に含まれる要素が所定の条件に該当する場合に、当該所定の条件に対応する付加情報を対応付けて管理する管理手段と、
消費者の消費者コードに対応付けられた情報処理装置の表示部に対し、当該消費者コードに対応付けられている前記電子レシート情報を表示可能にするとともに、当該電子レシート情報に前記付加情報が対応付けられていた場合に、当該付加情報の表示を指示するための操作子を、前記電子レシート情報と同一の画面内に表示されるようにする電子レシート提供手段と、
を備える電子レシート管理サーバ。
【請求項２】
前記電子レシート提供手段は、前記情報処理装置から前記操作子に対する操作を受け付けると、当該操作子に対応する前記付加情報を表示可能にする請求項１に記載の電子レシート管理サーバ。
【請求項３】
前記管理手段は、前記電子レシート情報に含まれる要素が過去の購買実績を踏まえた所定の条件に該当する場合に、当該所定の条件に対応するインセンティブを与える付加情報を対応付ける請求項１又は２に記載の電子レシート管理サーバ。
【請求項４】
前記管理手段は、前記会員コードに対応付けられた指定期間内の過去の電子レシート情報に対して解析を行って、前記受信手段により受信した前記電子レシート情報に含まれる要素が過去の購買実績を踏まえた所定の条件に該当するか否かを判断する請求項３記載の電子レシート管理サーバ。
【請求項５】
電子レシート管理サーバで実行される電子レシート提供方法であって、
決済対象の商品の取引内容を示す電子レシート情報を、当該取引に係る消費者を識別する消費者コードと対応付けて管理するとともに、当該電子レシート情報に含まれる要素が所定の条件に該当する場合に、当該所定の条件に対応する付加情報を対応付けて管理するステップと、
消費者の消費者コードに対応付けられた情報処理装置の表示部に対し、当該消費者コードに対応付けられている前記電子レシート情報を表示可能にするとともに、当該電子レシート情報に前記付加情報が対応付けられていた場合に、当該付加情報の表示を指示するための操作子を、前記電子レシート情報と同一の画面内に表示されるようにするステップと、
を含む電子レシート提供方法。
【請求項６】
電子レシート管理サーバのコンピュータを、
決済対象の商品の取引内容を示す電子レシート情報を、当該取引に係る消費者を識別する消費者コードと対応付けて管理するとともに、当該電子レシート情報に含まれる要素が所定の条件に該当する場合に、当該所定の条件に対応する付加情報を対応付けて管理する管理手段と、
消費者の消費者コードに対応付けられた情報処理装置の表示部に対し、当該消費者コードに対応付けられている前記電子レシート情報を表示可能にするとともに、当該電子レシート情報に前記付加情報が対応付けられていた場合に、当該付加情報の表示を指示するための操作子を、前記電子レシート情報と同一の画面内に表示されるようにする電子レシート提供手段と、
して機能させるためのプログラム。
【請求項７】
消費者が操作する情報処理装置のコンピュータを、
決済対象の商品の取引内容を示す電子レシート情報を、当該取引に係る消費者を識別する消費者コードと対応付けて管理するとともに、当該電子レシート情報に含まれる要素が所定の条件に該当する場合に、当該所定の条件に対応する付加情報を対応付けて管理する電子レシート管理サーバと通信を行う通信手段と、
自己の情報処理装置を操作する消費者の消費者コードに対応付けて管理されている前記電子レシート情報を表示部に表示するとともに、当該電子レシート情報に前記付加情報が対応付けられていた場合に、当該付加情報の表示を指示するための操作子を、前記電子レシート情報と同一の画面内に表示する電子レシート表示手段と、
して機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子レシート管理サーバ、電子レシート提供方法およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子レシート管理サーバ、電子レシート提供方法およびプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、小売業者や消費財メーカーが対象商品の過去の購買実績（購入頻度、購入数合計、購入金額合計など）に応じた販促を行うことができる電子レシート管理サーバ、電子レシート提供方法およびプログラムを提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
実施形態の電子レシート管理サーバは、決済対象の商品の取引内容を示す電子レシート情報を、当該取引に係る消費者を識別する消費者コードと対応付けて管理するとともに、当該電子レシート情報に含まれる要素が所定の条件に該当する場合に、当該所定の条件に対応する付加情報を対応付けて管理する管理手段と、消費者の消費者コードに対応付けられた情報処理装置の表示部に対し、当該消費者コードに対応付けられている前記電子レシート情報を表示可能にするとともに、当該電子レシート情報に前記付加情報が対応付けられていた場合に、当該付加情報の表示を指示するための操作子を、前記電子レシート情報と同一の画面内に表示されるようにする電子レシート提供手段と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月5日(2016.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気鉄道システムにおけるトロリ線とパンタグラフのすり板との離線箇所で発生するアーク放電に含まれる紫外光を含む光を発する光半導体素子と、
前記光半導体素子を所定時間に亘って発光させる発光制御部であって、所定の発振周波数で発振する発振器と、前記発振器の発振出力に応答して計数を開始し、計数値が所定の設定値に到達したときに計数を停止する計数器と、前記計数器の計数結果に基づいて前記光半導体素子を駆動する駆動回路とを有する発光制御部と、
前記光半導体素子が発した光を検出する光検出部と、
前記光検出部の検出結果に基づき、前記発振周波数を制御することにより前記光半導体素子の発光時間を修正する発光時間修正部と、
を備えた試験装置。
【請求項２】
前記光半導体素子は、紫外線発光ダイオードである、請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記発振器は、
可変抵抗とコンデンサとからなる時定数回路を備え、前記可変抵抗の抵抗値と前記コンデンサの容量値により定まる時定数に応じた周波数で発振する、請求項１または２に記載の試験装置。
【請求項４】
電気鉄道システムにおけるトロリ線とパンタグラフのすり板との離線箇所で発生するアーク放電に含まれる紫外光を含む光を発する光半導体素子を所定時間に亘って発光させる発光制御段階を含み、
前記発光制御段階は、
発振器が所定の発振周波数で発振する段階と、
計数器が、前記発振器の発振出力に応答して計数を開始し、計数値が所定の設定値に到達したときに計数を停止する段階と、
駆動回路が、前記計数器の計数結果に基づいて前記光半導体素子を駆動する段階と、
前記光半導体素子が発した光を検出する段階と、
前記光を検出した検出結果に基づき、前記発振周波数を制御することにより前記光半導体素子の発光時間を修正する段階と、
を含む試験方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は以下の試験装置および試験方法を提案している。
本発明の一態様による試験装置は、電気鉄道システムにおけるトロリ線とパンタグラフのすり板との離線箇所で発生するアーク放電に含まれる紫外光を含む光を発する光半導体素子と、前記光半導体素子を所定時間に亘って発光させる発光制御部と、を備えた試験装置の構成を有する。
また、前記試験装置において、例えば、前記発光制御部は、所定の発振周波数で発振する発振器と、前記発振器の発振出力に応答して計数を開始し、計数値が所定の設定値に到達したときに計数を停止する計数器と、前記計数器の計数結果に基づいて前記光半導体素子を駆動する駆動回路と、を備える。
また、前記試験装置において、例えば、前記光半導体素子が発した光を検出する光検出部と、前記光検出部の検出結果に基づき、前記光半導体素子の発光時間を修正する発光時間修正部と、を更に備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記試験装置において、例えば、前記光半導体素子は、紫外線発光ダイオードである。
上記構成によれば、トロリ線とすり板との離線箇所で発生するアーク放電を模擬することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一態様による試験方法は、電気鉄道システムにおけるトロリ線とパンタグラフのすり板との離線箇所で発生するアーク放電に含まれる紫外光を含む光を発する光半導体素子を所定時間に亘って発光させる発光制御段階を含み、前記発光制御段階は、発振器が所定の発振周波数で発振する段階と、計数器が、前記発振器の発振出力に応答して計数を開始し、計数値が所定の設定値に到達したときに計数を停止する段階と、駆動回路が、前記計数器の計数結果に基づいて前記光半導体素子を駆動する段階と、前記光半導体素子が発した光を検出する段階と、前記光を検出した検出結果に基づき、前記発振周波数を制御することにより前記光半導体素子の発光時間を修正する段階と、を含む試験方法を有する。
上記構成によれば、前述した試験装置に係る発明と同様の技術的効果を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
なお、図２において、点線により示される波形部分は、光パルスの発光時間を増加させるために、計数器１２２の所定の設定値を増加させた場合の波形の一例を示している。この例では、時刻ｔ３の後の時刻ｔ３’において計数信号ＣＮＴがハイレベルからローレベルに遷移し、計数器１２２の設定値の増分に応じて、光パルスの発光時間が延長される。ただし、この例に限らず、光パルスの発光時間が減少するように、上記設定値を減少させることもできる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
光検出部１３は、光源１１が発生させた光パルスを受光し、この光パルスを受光している期間、ローレベルの検出信号ＳＥＮを発光時間修正部１４に供給する。発光時間修正部１４は、光検出部１３から供給される検出信号ＳＥＮがローレベルに維持される時間を計測する。そして、発光時間修正部１４は、検出信号ＳＥＮがローレベルに維持される時間と所望の発光時間との差分が縮小するように、計数器１２２の設定値を調整する。即ち、発光時間修正部１４は、光源１１の発光時間が所定時間（所望の発光時間）となるように計数器１２２の設定値をフィードバック制御する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
なお、本実施形態では、計数器１２２の設定値をフィードバック制御することにより光源１１の発光時間を制御するものとしているが、発振器１２１の発振周波数を制御することにより光源１１の発光時間を制御するものとしてもよく、光源１１の発光時間を制御することができることを限度として、任意の回路パラメータを調整してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
第２実施形態によれば、光源１１の発光時間が所定時間となるように計数器１２２の設定値をフィードバック制御するので、第１実施形態に比較して、光源１１が発生させる光パルスの発光時間の精度を向上させることができる。
従って、電気鉄道システムにおけるトロリ線とパンタグラフのすり板との離線箇所で発生するアーク放電を検出する検出装置の動作確認や校正の精度を改善することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月1日(2016.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関本体から排出された排ガスから熱回収することによって主蒸気を生成する排ガスエコノマイザと、
主に該排ガスエコノマイザから導かれた前記主蒸気によって駆動される蒸気タービンと、
前記排ガスエコノマイザにて熱回収する温度よりも低温とされた低温熱源から熱回収することによって有機媒体の蒸気を生成する有機流体熱交換器と、
前記有機流体熱交換器で生成された前記有機流体の蒸気によって駆動される有機流体タービンと、
前記蒸気タービン及び前記有機流体タービンのうち少なくも一つからの出力によって発電する発電機と、
燃料の燃焼熱によって補助蒸気を生成する補助ボイラと、
を備え、
前記有機流体タービンは、前記蒸気タービンの速度調整に従属した速度で運転され、
前記排ガスエコノマイザで生成された前記主蒸気の圧力が閾値以下となった場合に、前記補助ボイラで生成された前記補助蒸気が前記蒸気タービンに供給され、
前記閾値は、前記蒸気タービンが前記排ガスエコノマイザから供給される主蒸気によって単独運転できる最小圧力を基準に定められることを特徴とする排熱回収装置。
【請求項２】
前記補助ボイラは、前記内燃機関に供給される燃料油を加熱する蒸気を生成する燃料加熱用ボイラとされていることを特徴とする請求項１に記載の排熱回収装置。
【請求項３】
内燃機関本体と、
請求項１又は２に記載された排熱回収装置と、
を備えていることを特徴とする内燃機関システム。
【請求項４】
請求項３に記載された内燃機関システムを備えていることを特徴とする船舶。
【請求項５】
内燃機関本体から排出された排ガスから熱回収することによって主蒸気を生成する主蒸気生成工程と、
該主蒸気生成工程で得られた主蒸気によって蒸気タービンを駆動する蒸気タービン駆動工程と、
前記主蒸気生成工程にて熱回収する温度よりも低温とされた低温熱源から熱回収することによって有機流体の蒸気を生成する有機流体蒸気生成工程と、
該有機流体蒸気生成工程で得られた前記有機流体の蒸気によって有機流体タービンを駆動する有機流体タービン駆動工程と、
前記蒸気タービン駆動工程及び前記有機流体タービン駆動工程の少なくとも一つの工程で得られた出力によって発電を行う発電工程と、
燃料の燃焼熱によって補助蒸気を生成する補助蒸気生成工程と、
を有し、
前記有機流体タービンを、前記蒸気タービンの速度調整に従属した速度で運転し、
前記主蒸気生成工程で生成される主蒸気の圧力が閾値以下となった場合に、前記補助蒸気生成工程で生成された前記補助蒸気を前記蒸気タービンに供給する排熱回収方法であって、
前記閾値は、前記蒸気タービンが前記主蒸気によって単独運転できる最小圧力を基準に定められることを特徴とする排熱回収方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の排熱回収装置、内燃機関システムおよび船舶、並びに排熱回収方法は以下の手段を採用する。
すなわち、本発明にかかる排熱回収装置は、内燃機関本体から排出された排ガスから熱回収することによって主蒸気を生成する排ガスエコノマイザと、主に該排ガスエコノマイザから導かれた前記主蒸気によって駆動される蒸気タービンと、前記排ガスエコノマイザにて熱回収する温度よりも低温とされた低温熱源から熱回収することによって有機媒体の蒸気を生成する有機流体熱交換器と、前記有機流体熱交換器で生成された前記有機流体の蒸気によって駆動される有機流体タービンと、前記蒸気タービン及び前記有機流体タービンのうち少なくも一つからの出力によって発電する発電機と、燃料の燃焼熱によって補助蒸気を生成する補助ボイラとを備え、前記有機流体タービンは、前記蒸気タービンの速度調整に従属した速度で運転され、前記排ガスエコノマイザで生成された前記主蒸気の圧力が閾値以下となった場合に、前記補助ボイラで生成された前記補助蒸気が前記蒸気タービンに供給され、前記閾値は、前記蒸気タービンが前記排ガスエコノマイザから供給される主蒸気によって単独運転できる最小圧力を基準に定められることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の排熱回収方法は、内燃機関本体から排出された排ガスから熱回収することによって主蒸気を生成する主蒸気生成工程と、該主蒸気生成工程で得られた主蒸気によって蒸気タービンを駆動する蒸気タービン駆動工程と、前記主蒸気生成工程にて熱回収する温度よりも低温とされた低温熱源から熱回収することによって有機流体の蒸気を生成する有機流体蒸気生成工程と、該有機流体蒸気生成工程で得られた前記有機流体の蒸気によって有機流体タービンを駆動する有機流体タービン駆動工程と、前記蒸気タービン駆動工程及び前記有機流体タービン駆動工程の少なくとも一つの工程で得られた出力によって発電を行う発電工程と、燃料の燃焼熱によって補助蒸気を生成する補助蒸気生成工程とを有し、前記有機流体タービンを、前記蒸気タービンの速度調整に従属した速度で運転し、前記主蒸気生成工程で生成される主蒸気の圧力が閾値以下となった場合に、前記補助蒸気生成工程で生成された前記補助蒸気を前記蒸気タービンに供給する排熱回収方法であって、前記閾値は、前記蒸気タービンが前記主蒸気によって単独運転できる最小圧力を基準に定められることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月11日(2017.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に少なくとも発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層とが順に積層された積層構造を有し、
前記第１の発光層は、第１の発光性材料と、第１の正孔輸送性材料と、第１の電子輸送性材料と、を有し、
前記第２の発光層は、第２の発光性材料と、第２の正孔輸送性材料と、第２の電子輸送性材料と、を有し、
前記第３の発光層は、第３の発光性材料と、第３の正孔輸送性材料と、第３の電子輸送性材料と、を有し、
前記第１の発光層および前記第３の発光層から得られる発光は、発光色が同じであり、かつ前記第２の発光層から得られる発光よりも短波長であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極間に少なくとも発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層とが順に積層された積層構造を有し、
前記第１の発光層は、第１の発光性材料と、第１の正孔輸送性材料と、第１の電子輸送性材料と、を有し、
前記第２の発光層は、第２の発光性材料と、第２の正孔輸送性材料と、第２の電子輸送性材料と、を有し、
前記第３の発光層は、第３の発光性材料と、第３の正孔輸送性材料と、第３の電子輸送性材料と、を有し、
前記第１の発光性材料と前記第３の発光性材料とは、同一の材料であり、かつ前記第２の発光性材料よりも発光ピークが短波長である材料であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
一対の電極間に少なくとも発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層とが順に積層された積層構造を有し、
前記第１の発光層は、第１の発光性材料と、第１の正孔輸送性材料と、第１の電子輸送性材料と、を有し、
前記第２の発光層は、第２の発光性材料と、第２の正孔輸送性材料と、第２の電子輸送性材料と、を有し、
前記第３の発光層は、第３の発光性材料と、第３の正孔輸送性材料と、第３の電子輸送性材料と、を有し、
前記第１の正孔輸送性材料と、前記第２の正孔輸送性材料と、前記第３の正孔輸送性材料とは、同一の材料であり、
前記第１の電子輸送性材料と、前記第２の電子輸送性材料と、前記第３の電子輸送性材料とは、同一の材料であり、
前記第１の発光層および前記第３の発光層から得られる発光は、発光色が同じであり、かつ前記第２の発光層から得られる発光よりも短波長であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
一対の電極間に少なくとも発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層とが順に積層された積層構造を有し、
前記第１の発光層は、第１の発光性材料と、第１の正孔輸送性材料と、第１の電子輸送性材料と、を有し、
前記第２の発光層は、第２の発光性材料と、第２の正孔輸送性材料と、第２の電子輸送性材料と、を有し、
前記第３の発光層は、第３の発光性材料と、第３の正孔輸送性材料と、第３の電子輸送性材料と、を有し、
前記第１の正孔輸送性材料と、前記第２の正孔輸送性材料と、前記第３の正孔輸送性材料とは、同一の材料であり、
前記第１の電子輸送性材料と、前記第２の電子輸送性材料と、前記第３の電子輸送性材料とは、同一の材料であり、
前記第１の発光性材料と前記第３の発光性材料とは、同一の材料であり、かつ前記第２の発光性材料よりも発光ピークが短波長である材料であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項７】
請求項５に記載の発光装置を用いた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月2日(2017.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
制御ゲート電極と、
前記半導体層と前記制御ゲート電極との間に設けられた有機分子層と、
前記有機分子層と前記半導体層との間に設けられ、アルキル鎖を含む第１の層と、前記第１の層と前記有機分子層との間に設けられシロキサンを含む第２の層と、を有する第１の絶縁層と、
を備える半導体記憶装置。
【請求項２】
前記アルキル鎖の炭素数が４以上３０以下である請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記第１の層が単分子膜である請求項１又は請求項２記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第１の絶縁層と前記半導体層との間に設けられた無機物の第２の絶縁層を、更に備える請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記有機分子層と前記制御ゲート電極との間に第３の絶縁層を、更に備える請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記第１の層が前記半導体層に化学結合する請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記第１の層が前記第２の絶縁層に化学結合する請求項４記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記有機分子層が酸化還元分子を有する請求項１ないし請求項７いずれか一項記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記第１の絶縁層が、分子式（１）で記述される第１の前駆体と、分子式（２）で示される第２の前駆体が化学結合して形成された構造を含む請求項１ないし請求項８いずれか一項記載の半導体記憶装置。
【化１】
2016181567.tif 000001
【化２】
2016181567.tif 000002
（Ｘ、Ｙはシリルエーテル、ホスホリルエーテル、アルコキシ、カルボニル、エーテル、の中からそれぞれ独立に選択され、ｎは１以上の整数である。Ｒ１〜Ｒ４は水素、酸素、シリコン、炭化水素、ハロゲン、ハロゲン化シラン、アルコキシシラン、シリルエーテルからそれぞれ独立に選択され、ｍは１以上の整数である。）
【請求項１０】
半導体層を、分子式（１）で記述される第１の前駆体を含む第１の溶液に浸漬して前記半導体層の上に第１の層を形成し、
前記第１の層の表面を、分子式（２）で記述される第２の前駆体を含む第２の溶液に浸漬して前記第１の層の上に第２の層を形成し、
前記第２の層の表面に酸化還元分子を含む有機分子層を形成し、
前記有機分子層の上に制御ゲート電極を形成する半導体記憶装置の製造方法。
【化３】
2016181567.tif 000003
【化４】
2016181567.tif 000004
（Ｘ、Ｙはシリルエーテル、ホスホリルエーテル、アルコキシ、カルボニル、エーテル、の中からそれぞれ独立に選択され、ｎは１以上の整数である。Ｒ１〜Ｒ４は水素、酸素、シリコン、炭化水素、ハロゲン、ハロゲン化シラン、アルコキシシラン、シリルエーテルからそれぞれ独立に選択され、ｍは１以上の整数である。）  
【請求項１１】
前記第１の層を形成する前に、前記半導体層の上に無機物の絶縁層を形成する請求項１０記載の半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月2日(2017.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
制御ゲート電極と、
前記半導体層と前記制御ゲート電極との間に設けられ、分子式（１）で記述される分子構造を含む有機分子を有する有機分子層と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【化１】
2016181566.tif 000001
（分子式（１）中のＭ（＋）は、銅イオン、鉄イオン、ルテニウムイオン、コバルトイオン、イリジウムイオン、マンガンイオン、バナジウムイオン、チタンイオン、ジルコニウムイオン、銀イオン、及び白金イオンの群から選ばれる正電荷を帯びた金属イオンである。ｎは、金属イオンの種類に応じて変わる１以上の整数である。Ｘ１〜Ｘ１４の少なくとも一つは、前記有機分子を前記半導体層側又は前記制御ゲート電極側に化学結合させる化学修飾基である。（−）Ｉｏｎは、塩素イオン、臭素イオン、トリフレートイオン、パークロレートイオン、ヘキサフルオロリンイオン、及びテトラフルオロボロンイオンの群から選ばれる負電荷を帯びたイオンである。）
【請求項２】
前記分子式（１）中のＸ１〜Ｘ１４が、エーテル基、シリルエーテル基、ジメチルシリルエーテル基、ジエチルシリルエーテル基、カルボキシエステル基、スルホニルエステル基、ホスホン酸エステル基、アミド基、チオエーテル基、エステル基、及びチオエステル基の群から選ばれる基を含む化学修飾基、又は、ヒドロキシル基、ヒドロキシシリル基、トリメトキシシリル基、ジエチルメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、ジメチルエトキシシリル基、ジエチルエトキシシリル基、トリクロロシリル基、ジメチルクロロシリル基、ジエチルクロロシリル基、ホスホン酸、スルホン酸、アミノ酸、カルボキシル基、チオール基、炭化水素で構成されるアルキル基、ハロゲン基、水素から選ばれる化学構造である。Ｘ１〜Ｘ８は、同一であっても異なっていても構わず、ただし、Ｘ１〜Ｘ８の少なくとも一つは、エーテル基、シリルエーテル基、ジメチルシリルエーテル基、ジエチルシリルエーテル基、カルボキシエステル基、スルホニルエステル基、ホスホン酸エステル基、アミド基、チオエーテル基、エステル基、及びチオエステル基の群から選ばれる基を含む化学修飾基である請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記有機分子層が単分子膜である請求項１又は請求項２記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記有機分子が分子式（２）で記述される分子構造を含む請求項１記載の半導体記憶装置。
【化２】
2016181566.tif 000002
（分子式（２）中のＸ１〜Ｘ２８の少なくとも一つは、前記有機分子を前記半導体層側又は前記制御ゲート電極側に化学結合させる化学修飾基である。（−）Ｉｏｎは、塩素イオン、臭素イオン、トリフレートイオン、パークロレートイオン、ヘキサフルオロリンイオン、及びテトラフルオロボロンイオンの群から選ばれる負電荷を帯びたイオンである。）
【請求項５】
前記有機分子が分子式（３）で記述される分子構造を含む請求項１記載の半導体記憶装置。
【化３】
2016181566.tif 000003
（分子式（３）中のＬＸは、前記有機分子を前記半導体層側又は前記制御ゲート電極側に化学結合させる化学修飾基である。（−）Ｉｏｎは、塩素イオン、臭素イオン、トリフレートイオン、パークロレートイオン、ヘキサフルオロリンイオン、及びテトラフルオロボロンイオンの群から選ばれる負電荷を帯びたイオンである。）
【請求項６】
前記有機分子が分子式（４）で記述される分子構造を含む請求項１記載の半導体記憶装置。
【化４】
2016181566.tif 000004
（分子式（４）中のｍは０以上の整数である。（−）Ｉｏｎは、塩素イオン、臭素イオン、トリフレートイオン、パークロレートイオン、ヘキサフルオロリンイオン、及びテトラフルオロボロンイオンの群から選ばれる負電荷を帯びたイオンである。）
【請求項７】
前記有機分子が分子式（５）で記述される分子構造を含む請求項１記載の半導体記憶装置。
【化５】
2016181566.tif 000005
【請求項８】
前記有機分子が分子式（６）で記述される分子構造を含む請求項１記載の半導体記憶装置。
【化６】
2016181566.tif 000006
【請求項９】
前記有機分子が分子式（７）で記述される分子構造を含む請求項１記載の半導体記憶装置。
【化７】
2016181566.tif 000007
【請求項１０】
前記有機分子が分子式（８）で記述される分子構造を含む請求項１記載の半導体記憶装置。
【化８】
2016181566.tif 000008
【請求項１１】
前記有機分子が分子式（９）で記述される分子構造を含む請求項１記載の半導体記憶装置。
【化９】
2016181566.tif 000009
【請求項１２】
前記有機分子層と前記制御ゲート電極との間に設けられるブロック絶縁膜を、さらに備える請求項１ないし請求項１１いずれか一項記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記半導体層と前記有機分子層との間に設けられるトンネル絶縁膜を、さらに備えることを特徴とする請求項１ないし請求項１２いずれか一項記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記ブロック絶縁膜が、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化ジルコニウム、及び酸化チタンの群から選ばれる少なくとも一つの金属酸化物を含む請求項１２記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】
前記トンネル絶縁膜が酸化シリコン膜又は酸化アルミニウム膜を含む請求項１３記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月20日(2017.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（１３）上記形態の製造方法において、更に、前記イオン注入工程に先立って、結晶成長によって前記半導体層の上にｐ型半導体層を形成する工程を備え、前記イオン注入工程は、前記ｐ型半導体層を介して前記半導体層にイオン注入によって前記ｐ型不純物を注入する工程であってもよい。この形態によれば、イオン注入後にｐ型半導体層を半導体層の上に再成長させる場合と比較して、ｐ型半導体層の再成長界面にｎ型不純物が混入することによる不具合を防止できる。また、イオン注入によるｐ型半導体領域と、結晶成長によるｐ型半導体層との接触抵抗（コンタクト抵抗）を抑制できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明は、半導体装置およびその製造方法以外の種々の形態で実現することも可能であり、例えば、上記形態の半導体装置を備える電力変換装置、上記形態の半導体装置が組み込まれた電気機器、並びに、上記形態の半導体装置を製造する製造装置などの形態で実現できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
半導体装置１００のリセス１２４は、ｎ型半導体層１１６の＋Ｚ軸方向側からｐ型半導体層１１４にわたって窪んだ凹部である。本実施形態では、リセス１２４は、各半導体層に対するドライエッチングによって形成された構造である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
スルー絶縁膜９１２を除去した後（工程Ｐ１２５）、製造者は、半導体装置１００ｄに対して第１の加熱工程を行う（工程Ｐ１２６）。第１の加熱工程（工程Ｐ１２６）において、製造者は、アンモニア（ＮＨ３）を含有する第１の雰囲気ガスの中で、第１の温度Ｔ１に半導体装置１００ｄを加熱する。本実施形態では、製造者は、半導体装置１００ｄを載置した炉の中に流量３０ｓｌｍでアンモニア（ＮＨ３）を供給することによって、半導体装置１００ｄの周囲に第１の雰囲気ガスを形成する。その後、製造者は、第１の雰囲気ガスの中で、第１の温度Ｔ１として１０５０℃に半導体装置１００ｄを加熱する。その後、製造者は、１０分間、第１の温度Ｔ１で半導体装置１００ｄを保持する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図４の説明に戻り、第１の加熱工程（工程Ｐ１２６）を行った後、製造者は、半導体装置１００ｄに対して第２の加熱工程を行う（工程Ｐ１２９）。第２の加熱工程（工程Ｐ１２９）において、製造者は、酸素（Ｏ２）を含有する第２の雰囲気ガスの中で、第１の温度Ｔ１より低い第２の温度Ｔ２に半導体装置１００ｄを加熱する。本実施形態では、製造者は、半導体装置１００ｄを載置した炉の中に、流量１００ｓｌｍで窒素（Ｎ２）を供給するとともに流量２ｓｌｍで酸素（Ｏ２）を供給することによって、半導体装置１００ｄの周囲に第２の雰囲気ガスを形成する。その後、製造者は、第２の雰囲気ガスの中で、第２の温度Ｔ２として７００℃に半導体装置１００ｄを加熱する。その後、製造者は、５分間、第２の温度Ｔ２で半導体装置１００ｄを保持する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
上述の実施形態において、イオン注入用マスク９１４を除去する工程（工程Ｐ１２４）は、第１の加熱工程（工程Ｐ１２６）を行った後に実施されてもよい。スルー絶縁膜９１２の除去を容易にする観点からは、上述の実施形態のように、第１の加熱工程（工程Ｐ１２６）を行った後にイオン注入用マスク９１４を除去する工程（工程Ｐ１２４）を行うことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月15日(2017.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
半導体装置１０のＮ型半導体層１２０は、基板１１０の＋Ｘ軸方向側に積層され、Ｙ軸およびＺ軸によって規定される面方向に沿って広がる半導体層である。Ｎ型半導体層１２０は、主に、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物半導体により形成されている。本実施形態において、Ｎ型半導体層１２０は、主に、窒化ガリウム（ＧａＮ）から形成されている。Ｎ型半導体層１２０は、ケイ素（Ｓｉ）をドナーとして含有する。Ｎ型半導体層１２０は、「ｎ-−ＧａＮ」とも呼ばれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図５（Ｃ）における破線ｌ４で示されるとおり、半導体装置１０は保護素子２００を備えるため、電圧Ｖｄｓは、保護素子２００の特性によって決定される電圧以上になることはない。つまり、素子分離領域に係る電圧及び縦型ＭＯＳトランジスタ３００のドレイン電極・ソース電極間電圧は、素子分離領域や縦型ＭＯＳトランジスタ３００の耐圧破壊が起きる電圧よりも小さい電圧が印加されるのみである。例えば、本実施形態の半導体装置１０の外部から半導体装置１０へ、素子分離領域や縦型ＭＯＳトランジスタ３００の耐圧破壊が起きるほどの高い電圧が印加されたとする。このような場合においても、半導体装置１０は保護素子２００を備えるため、素子分離領域や縦型ＭＯＳトランジスタ３００に係る電圧は、保護素子２００がアバランシェ崩壊する電圧まで抑制される。このため、半導体装置１０の耐圧破壊を抑制できる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月21日(2017.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、例えば、接続部材３の第一シールド部材１側の周面の第一層を構成する金属と第一シールド部材を構成する金属との標準電極電位差が、第一層以外の部分である第二層を構成する金属と第一シールド部材を構成する金属との標準電極電位差よりも小さいことも考えられる。この場合、第一シールド部材１と接続部材３との間の腐食を抑制できる。なお、第一層を、メッキ層と称してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、本実施形態において、凹部２１は、その深さが、第一シールド部材１の素線１０の外径よりも小さい溝である。換言すれば、凸部２２の深さが、第一シールド部材１の素線１０の外径よりも小さい。この場合、接続部材３でかしめられる際に、凹部２１に素線１０全体がはまり、接続部材３で素線１０が第二シールド部材２に押し付けられないといった状況を回避できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
そして、接続部材３がかしめられることで第一シールド部材１と第二シールド部材２とが接続される。ここでは、図４に示されるように、接続部材３がかしめられることで、接続部材３の内周面によって押された素線１０は、引き伸ばされ、凸部２２間の凹部２１側に押し込まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月9日(2017.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体電解質層と、この固体電解質層の一側に積層して設けられた第１の電極層と、他側に積層して設けられた第２の電極層とを備える固体電解質積層体であって、
少なくとも燃料極を構成する上記第１の電極層は、上記固体電解質層に接合された細孔を備える接合層と、上記接合層に一体的に積層形成されるとともに連続気孔を有する多孔質層とを備え、
上記接合層と上記多孔質層とが金属材料から形成され、
上記多孔質層は、外殻と、中空又は／及び導電性を有する芯部とからなる骨格を備え、上記骨格が一体的に連続する３次元網目構造を構成している、固体電解質積層体。
【請求項２】
上記固体電解質層が、プロトン導電性の固体電解質から形成されているとともに、
上記第１の電極層がアノード電極として機能する、請求項１に記載の固体電解質積層体。
【請求項３】
上記多孔質層の気孔率が９０％以上である、請求項１又は請求項２に記載の固体電解質積層体。
【請求項４】
上記接合層の気孔率が１０％以上、４０％以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固体電解質積層体。
【請求項５】
上記接合層の厚みが１００μｍ以上、１０００μｍ以下である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の固体電解質積層体。
【請求項６】
上記接合層が、Ｎｉ−Ｆｅ合金から形成されているとともに、
上記多孔質層は、Ｎｉ多孔質体又はＮｉ−Ｆｅ合金多孔質体から形成されている、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の固体電解質積層体。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の固体電解質積層体の製造方法であって、
固体電解質層と、この固体電解質層の一側に積層して設けられた上記接合層と、他側に積層して設けられた第２の電極層とを備える積層体を製造する工程と、
上記接合層に、上記多孔質層を積層形成する多孔質層形成工程とを含む、固体電解質積
層体の製造方法。
【請求項８】
上記多孔質層形成工程は、金属多孔質体を上記接合層に還元接合することにより行われる、請求項７に記載の固体電解質積層体の製造方法。
【請求項９】
上記多孔質層形成工程は、金属多孔質体を上記接合層に拡散接合することにより行われる、請求項７に記載の固体電解質積層体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載された複数の固体電解質積層体を、インターコネクタを介して積層して構成される、燃料電池。
【請求項１１】
請求項１０に記載の燃料電池において、上記多孔質層が燃料ガス流動路を構成している、燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月21日(2016.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子の表面に酸化グラフェンを形成し、
窒素を含む雰囲気で前記酸化グラフェンに熱処理を行うことで、前記酸化グラフェンを還元してグラフェンとするとともに、前記グラフェンに窒素を添加し、
窒素が添加された前記グラフェンは、炭素原子と結合する窒素原子による空孔を有することを特徴とする蓄電装置の電極の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記窒素を含む雰囲気は、アンモニアを含むことを特徴とする蓄電装置の電極の作製方法。
【請求項３】
粒子と酸化グラフェンとを有する混合物を形成し、
前記混合物に熱処理を行うことで、前記酸化グラフェンを還元してグラフェンにし、
前記熱処理の後に、前記グラフェンに窒素を添加し、
窒素が添加された前記グラフェンは、炭素原子と結合する窒素原子による空孔を有することを特徴とする蓄電装置の電極の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記熱処理は、真空中または不活性ガスの雰囲気で行われることを特徴とする蓄電装置の電極の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
窒素が添加された前記グラフェンに対する前記窒素の濃度は、０．４原子％以上４０原子％以下であることを特徴とする蓄電装置の電極の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記空孔は、９員環以上の多員環であることを特徴とする蓄電装置の電極の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月26日(2017.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子マネーを利用した支払いのためのシステムであって、前記システムはＡＴＭと接続されており、
支払金額を受信する手段と、
受取用ＩＤおよびパスワードを発行する手段であって、前記受取用ＩＤは、現金用の口座を特定するための情報ではない、手段と、
前記ＡＴＭから受信したＩＤおよびパスワードを前記受取用ＩＤおよびパスワードと照合する手段と、
前記受取用ＩＤおよびパスワードの照合が一致する場合、支払元の電子マネー用の口座の残高から前記支払金額分を減額して、前記ＡＴＭに、前記支払金額分の電子マネーを現金化してから出金させる手段であって、前記電子マネーは、銀行が発行した電子マネーである、手段と
を備えたことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記電子マネーとポイントサービスのポイントは、交換可能であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
ログイン用ＩＤおよびパスワードを発行する手段と、
顧客端末から受信したＩＤおよびパスワードを前記ログイン用ＩＤおよびパスワードと照合する手段とをさらに備え、
前記受取用ＩＤおよびパスワードの発行は、前記ログイン用ＩＤおよびパスワードの照合が一致する場合に行なわれること
を特徴とする請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ＡＴＭから、支払い方法を受信する手段と、
前記受信した支払い方法が、電子マネーによる支払いの場合、前記ＡＴＭに、前記支払金額分の電子マネーをチャージさせる手段と
をさらに備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
電子マネーを利用した支払いのための方法であって、
支払金額を受信するステップと、
受取用ＩＤおよびパスワードを発行するステップであって、前記受取用ＩＤは、現金用の口座を特定するための情報ではない、ステップと、
ＡＴＭから受信したＩＤおよびパスワードを前記受取用ＩＤおよびパスワードと照合するステップと、
前記受取用ＩＤおよびパスワードの照合が一致する場合、支払元の電子マネー用の口座の残高から前記支払金額分を減額して、前記ＡＴＭに、前記支払金額分の電子マネーを現金化してから出金させるステップであって、前記電子マネーは、銀行が発行した電子マネーである、ステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記電子マネーとポイントサービスのポイントは、交換可能であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ログイン用ＩＤおよびパスワードを発行するステップと、
顧客端末から受信したＩＤおよびパスワードを前記ログイン用ＩＤおよびパスワードと照合するステップとをさらに含み、
前記受取用ＩＤおよびパスワードを発行するステップは、前記ログイン用ＩＤおよびパスワードの照合が一致する場合に行なわれること
を特徴とする請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＡＴＭから、支払い方法を受信するステップと、
前記受信した支払い方法が、電子マネーによる支払いの場合、前記ＡＴＭに、前記支払金額分の電子マネーをチャージさせるステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
コンピュータに請求項５から８のいずれかに記載の方法を実行させるためのプログラム。