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【手続補正書】
【提出日】平成29年1月4日(2017.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素を含有する膜が配置された第一の試料を処理室内にてプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
プラズマを用いて被覆膜を前記処理室内に形成する第一の工程と、
前記第一の工程後、前記処理室内に配置された試料台に第二の試料を載置する第二の工程と、
前記第二の工程後、プラズマを用いて前記被覆膜を除去する第三の工程と、
前記第三の工程後、前記第二の試料を前記処理室から搬出する第四の工程と、
前記第四の工程後、前記第一の試料を前記試料台に載置するとともに前記第一の試料をプラズマ処理する第五の工程と、
前記第五の工程後、前記第一の試料のプラズマ処理により堆積した堆積膜を除去する第六の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第六の工程は、前記被覆膜に対して選択的に前記堆積膜を除去するプラズマ処理であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第三の工程後の被覆膜の膜厚をＺ、前記第一の試料の枚数をＮ、前記第六の工程にて除去される被覆膜の膜厚をＸとするとき、前記ＺがＺ＞Ｎ×Ｘを満たすように前記第一の工程により被腹膜が形成されることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の試料の枚数をＮとするとき、前記第五の工程と前記第六の工程を前記Ｎ回繰り返した後、プラズマを用いて前記試料台上の被覆膜を除去する第七の工程をさらに有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記第六の工程は、プラズマを用いて前記処理室内に堆積し金属元素を含有する堆積膜を除去する第一のクリーニング工程と、
前記第一のクリーニング工程後、プラズマを用いて前記処理室内に堆積し金属元素以外を含有する堆積膜を除去する第二のクリーニング工程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のクリーニング工程のプラズマは、Ｃｌ２ガスとＳｉＣｌ４ガスの混合ガスまたはＣｌ２ガスとＢＣｌ３ガスの混合ガスを用いて生成されることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記被覆膜がシリコンを含有する膜であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
金属元素を含有する膜が配置された試料を処理室内にてプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
プラズマを用いて被覆膜を前記処理室内に形成する第一の工程と、
前記第一の工程後、前記試料を前記試料台に載置するとともに前記試料をプラズマ処理する第二の工程と、
前記第二の工程後、プラズマを用いて前記処理室内に堆積し金属元素を含有する堆積膜を除去する第三の工程と、
前記第三の工程後、プラズマを用いて前記処理室内に堆積し金属元素以外を含有する堆積膜を除去する第四の工程と、
前記試料の所定の枚数だけ前記第二の工程ないし前記第四の工程を繰り返しした後、プラズマを用いて前記被覆膜を除去する第五の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記試料が載置される試料台と、前記試料台に流れる電流を検知する電流検知手段と、前記試料台に印加される電圧を検知する電圧検知手段と、前記試料台上に被覆する被覆膜の膜厚をモニタする膜厚モニタ手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記膜厚モニタ手段は、前記電流検知手段により検知された電流と前記電圧検知手段により検知された電圧を用いて求められたインピーダンスと、予め求められたインピーダンスと、の差分に基づいて前記膜厚と、所望の膜厚と、の大小関係を求め、
前記被覆膜が前記試料台上に被覆しているとき、前記求められた大小関係に基づいて前記試料のプラズマ処理を行う制御装置をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記膜厚が１０ｎｍ未満の場合、
前記試料台上に被覆する被覆膜の厚さが前記所望の膜厚に到達するまで前記試料台上に被覆膜を被覆した後、次の試料のプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２Ｂは、図２Ａに示すエッチング処理シーケンスを簡略化したシーケンス図である。図２Ｂに示す本実施例に係る他のプラズマ処理方法では以下の５つの要素で構成され、図２Ａに示す手順に対し、スループット向上を目的に“基板電極１０９上以外の被覆膜除去”の要素を省略してプロセスを簡略化したものである。すなわち、（１）壁面への被覆膜形成、（２）製品ウェハ処理、（３）塩素を主体としたプラズマクリーニング、（４）フッ素を主体としたプラズマクリーニング、（５）基板電極１０９上の残留被覆膜の除去、である。図２ＡにおけるステップＳ２０１、Ｓ２０５からＳ２１０が、図２ＢにおけるステップＳ２１１、Ｓ２１２からＳ２１７に対応する。図２Ａの処理手順同様、製品ウェハは任意の枚数が一度に連続処理され、製品ウェハ処理後には毎回必ず、塩素を主体としたプラズマクリーニングとフッ素を主体としたプラズマクリーニングが処理される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
絶縁膜３３０の絶縁層３３１は、トレンチ１２８から表面１１７におけるソース電極１４１の外縁端１４１ｅにわたって形成された第１の絶縁層である。絶縁膜３３０の絶縁層３３２は、絶縁層３３１の上からソース電極１４１の上にわたって形成された第２の絶縁層である。絶縁層３３２は、ソース電極１４１の外縁端１４１ｅより内側に位置する開口端１３０ｐを有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ボディ電極４４４を形成した後（工程Ｐ４３２）、製造者は、半導体層１１６の表面１１７にソース電極４４１を形成する（工程Ｐ４３４）。ソース電極４４１を形成する手法は、ボディ電極４４４の外側にソース電極４４１を形成する点を除き、第１実施形態と同様である。他の実施形態では、製造者は、ソース電極４４１を形成した後にボディ電極４４４を形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
ソース電極４４１を形成した後（工程Ｐ４３４）、製造者は、第１実施形態に準じて、絶縁膜を形成する工程Ｐ１４０からの工程を実施することによって、ゲート電極１４２、保護電極４４３およびドレイン電極１４５を形成する。これらの工程を経て、半導体装置４００が完成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
絶縁膜７３０の絶縁層７３１は、トレンチ１２８から表面１１７におけるソース電極５４１の外縁端５４１ｅにわたって形成された第１の絶縁層である。絶縁層７３１の開口端７３０ｐは、ボディ電極４４４の外縁端４４４ｅより内側に位置する。絶縁膜７３０の絶縁層７３２は、絶縁層７３１の上からソース電極５４１の上にわたって形成された第２の絶縁層である。絶縁層７３２は、ソース電極５４１の外縁端５４１ｅより内側に位置する開口端７３０ｐを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
トレンチ１２８およびリセス４２９を形成した後（工程Ｐ７１０）、製造者は、トレンチ１２８から表面１１７を通じてリセス４２９にわたって絶縁層７３１を形成する（工程Ｐ７２２）。本実施形態では、製造者は、原子層堆積法（ＡＬＤ）によって、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から主に成る絶縁層７３１を形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
絶縁層７３１を形成した後（工程Ｐ７２２）、製造者は、表面１１７の一部およびリセス４２９を露出させる開口部を絶縁層７３１に形成する（工程Ｐ７２４）。本実施形態では、製造者は、リセス４２９を露出させる開口部を、ウェットエッチングによって絶縁層７３１に形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
ボディ電極４４４を形成した後（工程Ｐ７３０）、製造者は、第３実施形態に準じて、開口部を形成する工程Ｐ３２４からの工程を実施することによって、ソース電極５４１、絶縁層７３２、ゲート電極１４２、保護電極５４３およびドレイン電極１４５を形成する。これらの工程を経て、半導体装置７００が完成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
半導体装置８００の基板８１０は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる板状を成す半導体である。本実施形態では、基板８１０は、ケイ素（Ｓｉ）から主に成る。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2016072265.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2016072265.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月22日(2017.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に複数のカーボンナノチューブを形成する工程と、
常温の雰囲気で四角形状のシリコーンゴムシートの四辺の縁部をローラにそれぞれ固定し、前記シリコーンゴムシートを前記ローラに巻き付けて引き伸ばした状態にし、前記複数のカーボンナノチューブの上端部を前記シリコーンゴムシートの下面に突き刺して仮固定する工程と、
前記基板から前記複数のカーボンナノチューブを引き剥がす工程と、
常温の雰囲気で前記引き伸ばしたシリコーンゴムシートを元に戻す工程と
を有することを特徴とするカーボンナノチューブシートの製造方法。
【請求項２】
前記シリコーンゴムシートを元に戻す工程の後に、
前記複数のカーボンナノチューブの隙間に樹脂を含浸させる工程と、
前記複数のカーボンナノチューブを前記シリコーンゴムシートから引き剥がす工程とを有することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブシートの製造方法。
【請求項３】
前記複数のカーボンナノチューブの隙間に樹脂を含浸させる工程において、
前記シリコーンゴムシート側の前記カーボンナノチューブの基端部の周囲が空隙になるように、前記樹脂を含浸させることを特徴とする請求項２に記載のカーボンナノチューブシートの製造方法。
【請求項４】
前記複数のカーボンナノチューブの上端部を前記シリコーンゴムシートの下面に突き刺して仮固定する工程において、
押圧ローラで前記シリコーンゴムシートを下側に押圧することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブシートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以下の開示の一観点によれば、基板の上に複数のカーボンナノチューブを形成する工程と、常温の雰囲気で四角形状のシリコーンゴムシートの四辺の縁部をローラにそれぞれ固定し、前記シリコーンゴムシートを前記ローラに巻き付けて引き伸ばした状態にし、前記複数のカーボンナノチューブの上端部を前記シリコーンゴムシートの下面に突き刺して仮固定する工程と、前記基板から前記複数のカーボンナノチューブを引き剥がす工程と、常温の雰囲気で前記引き伸ばしたシリコーンゴムシートを元に戻す工程とを有するカーボンナノチューブシートの製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月17日(2017.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムに貼り付けられた複数のダイのうち、前記フィルムから剥離する対象とする剥離対象ダイを吸着するための吸着部と、
前記剥離対象ダイの周辺の一部の前記フィルム若しくは前記ダイを押さえるための押さえ手段と、
前記押さえ手段による前記フィルム若しくは前記ダイの押さえる位置を変更できる位置変更手段と、
を有する実装装置。
【請求項２】
請求項１に記載の実装装置において、
前記剥離対象ダイの大きさ若しくは形状に対応する位置に前記押さえ手段が移動するように前記位置変更手段を駆動する位置変更駆動手段と、
前記位置変更駆動手段を制御するための位置変更駆動制御手段と、
を有する実装装置。
【請求項３】
請求項１若しくは２に記載の実装装置において、
２本の第１のレール状部材と、
前記２本の第１のレール状部材と交差する２本の第２のレール状部材と、
を備え、
前記位置変更手段は、前記第１のレール状部材と第２のレール状部材の交差点の少なくとも一か所に、其々のレール状部材が往復運動できるように連結された２軸ガイドブロックを備えた前記位置変更手段である実装装置。
【請求項４】
請求項３に記載の実装装置において、
前記２本の第１のレール状部材間の距離と前記２本の第２のレール状部材間の距離とを独立して変更させる前記位置変更駆動手段を備え、
前記位置変更駆動制御手段が前記位置変更手段を移動させて、前記押さえ手段が前記周辺対象物を押さえる位置を制御する実装装置。
【請求項５】
請求項３若しくは４に記載の実装装置において、
前記位置変更手段は、前記第１若しくは第２の各２本のレール状部材と回転可能に連結される２本の棒状部材と、前記棒状部材の各々を前記レール状部材と前記棒状部材が形成する平面と垂直な方向を軸として回転可能に固定する固定手段と、を備える実装装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の実装装置において、
前記押さえ手段の位置は、前記押さえ手段を前記レール状部材に連結させる連結箇所と、剥離対象ダイの間に位置づけられる実装装置。
【請求項７】
フィルムに貼り付けられた複数のダイのうち、前記フィルムから剥離する対象とする剥離対象ダイの周辺の一部の前記フィルム若しくは対象物を押さえるための押さえ手段の前記フィルム若しくは前記対象部の押える位置を変更できる位置変更ステップと、
前記押さえ手段による押さえステップと、
前記剥離対象のダイを吸着する吸着ステップと、
を有する実装方法。
【請求項８】
請求項７に記載の実装方法において、
第１及び第２のレールの交差する位置に、レール状部材が往復運動できるように連結された２軸ガイドブロックに押さえ手段が位置されることにより押さえ手段が位置変更できるステップをさらに有する実装方法。
【請求項９】
請求項８に記載の実装方法において
第１及び第２の各２本のレール状部材間の距離を独立に変更するステップをさらに有する実装方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか１項に記載の実装方法において、
前記押さえ手段を前記レール状部材に連結させる連結箇所と剥離対象ダイとの間の位置で、押さえるステップを有する実装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月10日(2017.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、  
前記処理室内に活性化された処理ガスを供給する放電室と、  
前記放電室内に供給された前記処理ガスを活性化させるプラズマ源と、  
前記処理室内を排気する排気系と、  
前記処理ガスを一時的に貯溜する貯溜部を備え、前記放電室に前記処理ガスを供給する処理ガス供給系と、  
前記貯溜部に貯溜された前記処理ガスを前記放電室内に間欠的に供給し、前記放電室内で活性化された前記処理ガスを、前記放電室から前記放電室内の圧力よりも低圧の前記処理室内に供給させる様前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される制御部と、  
を有する基板処理装置。  
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、 
前記放電室は前記処理室の内壁に設けられ、前記処理室と前記放電室とを隔離する隔離壁を有し、前記隔離壁には複数のガス供給孔が設けられている。  
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ源は容量結合型であり、前記放電室内に設置されている。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、 
前記処理ガスを前記放電室内に導入されるよりも前に、前記プラズマ源の電源が投入される様前記プラズマ源と前記処理ガス供給系を制御する様構成される。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記処理室内の圧力を低圧にした後に前記処理ガスを前記放電室内に導入する様に前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記貯留部に溜めた前記処理ガスを一気に前記放電室内に導入し、前記放電室内の圧力を急激に上昇させて前記処理ガスをプラズマ化する様に前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置であって、 
前記制御部は、前記放電室内の圧力をパッシェンの法則を満たす様な圧力となる迄上昇させる様に前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記貯留部の圧力が所定の圧力になる迄前記処理ガスを貯溜する様に前記処理ガス供給系を制御する様構成される。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記所定の圧力は、前記放電室内の圧力がパッシェンの法則を満たす様な圧力になる量の前記処理ガスが前記貯留部内に充填された時の圧力である。 
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記プラズマ源の電源が投入された状態で、前記処理ガスを間欠的に前記放電室内に供給する様に前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ源は高周波電源が印加する高周波電力を供給するラインの途中に、前記放電室内が前記処理ガスの供給により放電圧力迄上昇した後にプラズマを生じさせる様に整合定数を調整された整合器を有する。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記放電室内でのプラズマ発生後、前記整合器によるインピーダンス制御を停止する様に前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【請求項１３】
基板を収納する処理室内に基板を収容する収容工程と、  
前記処理室内を排気する排気工程と、  
処理ガス供給系に備えられた一時的に処理ガスを貯溜する貯溜部から前記処理ガスを放電室内に間欠的に供給し、前記処理ガスを活性化させる活性化工程と、  
前記放電室内で活性化された前記処理ガスを前記処理室内に供給する供給工程と、を有し、  
前記供給工程では、前記放電室内で活性化された前記処理ガスを、前記放電室内の圧力よりも低圧の前記処理室内に供給させる半導体装置の製造方法。  
【請求項１４】
基板処理装置の処理室内に基板を収容する収容手順と、  
前記処理室内を排気する排気手順と、
処理ガス供給系に備えられた一時的に処理ガスを貯溜する貯溜部から前記処理ガスを放電室内に間欠的に供給し、前記処理ガスを活性化させる活性化手順と、  
前記放電室内で活性化された前記処理ガスを前記処理室内に供給する供給手順と、を有し、  
前記供給手順では、前記放電室内で活性化された前記処理ガスを、前記放電室内の圧力よりも低圧の前記処理室内に供給させる手順を、コンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月18日(2016.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
軸体と、前記軸体の外周に配置された導電性発泡体層と、を備え、
前記導電性発泡体層が、下記の式（１）で示される金属塩をイオン導電剤の最大成分として含有するポリウレタンフォームからなり、かつ、下記の式（２）の関係を満たすことを特徴とする電子写真機器用導電性発泡ロール。
（ＦＳＯ２）２Ｎ・Ｍ          （１）
ただし、Ｍは、ＫおよびＬｉのうちの少なくとも１種である。
（σ／μ）×１００≦５０        （２）
μ：セルの平均直径
σ：セル直径の標準偏差
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため本発明に係る電子写真機器用導電性発泡ロールは、軸体と、前記軸体の外周に配置された導電性発泡体層と、を備え、前記導電性発泡体層が、下記の式（１）で示される金属塩をイオン導電剤の最大成分として含有するポリウレタンフォームからなり、かつ、下記の式（２）の関係を満たすことを要旨とするものである。
（ＦＳＯ２）２Ｎ・Ｍ          （１）
ただし、Ｍは、ＫおよびＬｉのうちの少なくとも１種である。
（σ／μ）×１００≦５０        （２）
μ：セルの平均直径
σ：セル直径の標準偏差
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
導電性発泡体層１４は、また、下記の式（２）の関係を満たす。
（σ／μ）×１００≦５０        （２）
μ：セルの平均直径
σ：セル直径の標準偏差
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月27日(2017.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の所定の操作に対する介入を行う運転支援装置であって、
前記車両の挙動に関する領域である所定領域を設定する領域設定部と、
前記車両の運転者の、特定の走行環境における運転行動特性を示す運転行動特性情報を取得し、取得された前記運転行動特性情報を用いて予測される前記車両の挙動が所定の予測区間にわたって前記所定領域内に収まるために現時刻で許容される前記操作の範囲である許容制御入力範囲を算出する許容制御入力範囲算出部と、
現時刻の前記操作が前記許容制御入力範囲内にあるか否かを判定する判定部と、
現時刻の前記操作が前記許容制御入力範囲の外にあると判定された場合に、前記介入を実行する操作介入実行部と、を備える、運転支援装置。
【請求項２】
請求項１に記載の運転支援装置であって、
前記領域設定部は、特定の運転者の前記運転行動特性情報である特定運転行動情報を取得し、取得された前記特定運転行動情報を用いて前記所定領域を設定する、運転支援装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の運転支援装置であって、さらに、
前記車両の走行中に前記車両の挙動を示す挙動情報を前記車両の運転者に対応付けて蓄積し、蓄積された前記挙動情報を用いて前記運転行動特性情報を生成する運転行動特性情報管理部を備える、運転支援装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の運転支援装置であって、
前記許容制御入力範囲算出部は、前記車両の運動特性を示す車両特性情報を取得し、前記運転行動特性情報と前記車両特性情報とを用いて前記車両の挙動を予測する、運転支援装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の運転支援装置であって、さらに、
前記介入の程度を可変に決定する介入支援入力決定部を備える、運転支援装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の運転支援装置であって、
前記操作は、操舵操作であり、
前記車両の挙動は、前記車両のとる軌道を含む、運転支援装置。
【請求項７】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の運転支援装置であって、
前記操作は、制動操作と加速操作との少なくとも一方であり、
前記車両の挙動は、前記車両の速度を含む、運転支援装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の運転支援装置であって、
前記許容制御入力範囲算出部は、前記介入が実行されない場合の前記車両の挙動を予測する、運転支援装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月31日(2017.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子力プラントの過酷事故時に放射性ヨウ素を含むガスを、スクラビング容器内の、白金族金属を含むナノ粒子が存在する水の中に排出し、
前記水中において、前記放射性ヨウ素を、前記白金族金属を含むナノ粒子に含まれる前記白金族金属によって還元し、
前記還元によって生成された水溶性のヨウ素を前記スクラビング容器内の前記水中に保持することを特徴とするフィルタベント方法。
【請求項２】
前記水溶性のヨウ素の生成は、前記水中の前記放射性ヨウ素に、前記水中に存在する前記白金族金属を含むナノ粒子に含まれる前記白金族金属、及び前記水に含まれる還元剤によって行われる請求項１に記載のフィルタベント方法。
【請求項３】
前記還元剤として前記過酷事故時に生成されて前記水中に排出される前記ガスに含まれる水素を用いる請求項２に記載のフィルタベント方法。
【請求項４】
前記スクラビング容器内の前記水のｐＨが、７〜１５の範囲内にある請求項１または２に記載のフィルタベント方法。
【請求項５】
前記水のｐＨが測定される請求項２に記載のフィルタベント方法。
【請求項６】
前記白金族金属を含むナノ粒子が、シリカ、チタニア及びジルコニアの中から選ばれた一種の表面に白金族金属が添着された白金族金属を含むナノ粒子である請求項１または２に記載のフィルタベント方法。
【請求項７】
前記白金族金属を含むナノ粒子の粒径が１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内にある請求項１に記載のフィルタベント方法。
【請求項８】
原子力プラントの過酷事故時に放射性ヨウ素を含むガスを、スクラビング容器内の、銀ナノ粒子が存在する水中に排出し、
前記水中において、前記放射性ヨウ素が前記銀ナノ粒子に含まれる銀と反応してヨウ化銀が生成されることを特徴とするフィルタベント方法。
【請求項９】
スクラビング容器と、前記スクラビング容器に充填された水に含まれる白金族金属を含むナノ粒子と、前記スクラビング容器内に挿入されて前記白金族金属を含むナノ粒子が存在する前記水に一端部が浸漬される、放射性ヨウ素を導く第１配管とを備えたことを特徴とするフィルタベント装置。
【請求項１０】
前記白金族金属を含むナノ粒子が、シリカ、チタニア及びジルコニアの中から選ばれた一種の表面に白金族金属が添着された白金族金属を含むナノ粒子である請求項９に記載のフィルタベント装置。
【請求項１１】
前記白金族金属を含むナノ粒子の粒径が１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内にある請求項９または１０に記載のフィルタベント装置。
【請求項１２】
フィルタが前記スクラビング容器内で前記水の水面よりも上方に配置される請求項９に記載のフィルタベント装置。
【請求項１３】
ｐＨ計が設けられて前記水が流入する第２配管が前記スクラビング容器に接続される請求項９に記載のフィルタベント装置。
【請求項１４】
原子炉格納容器と、請求項９ないし１３のいずれか１項に記載されたフィルタベント装置とを備え、
前記フィルタベント装置の前記第１配管が前記原子炉格納容器に接続されて前記原子炉格納容器内の空間に連絡されることを特徴とする原子力プラント。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月22日(2017.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
駆動電流を出力する駆動手段と、離れた２つの地点に配設された前記駆動電流が印加される２つの感磁体より成る２つの磁気インピーダンス素子を備え、前記感磁体の周辺の磁場強さに対応する磁場信号電圧を出力する２つの磁気検知手段と、
前記２つの磁気検知手段から出力される２つの磁場信号電圧の差を演算することにより、前記２つの地点の磁場の強さの差の信号を出力する差動演算手段とから成る差動型磁気センサにおいて、
前記駆動手段と前記差動演算手段との間に設けられ、検出感度の異なる前記２つの磁気インピーダンス素子を備えた前記２つの磁気検知手段が、前記感磁体の周辺の磁場強さが同じであれば同じレベルの磁場信号電圧を出力するように前記２つの磁気インピーダンス素子の異なる検出感度に応じて出力信号を調整する信号調整手段を備え、
互いに磁気インピーダンス素子の検出感度が略同じであると見做せるような出力信号を調整するようにして、前記２つの地点共通の背景磁場成分を相殺して、該背景磁場成分に比べて微弱な磁場を検出するように構成されている
ことを特徴とする差動型磁気センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以上の検討の結果得られた本発明（請求項１に記載の第１発明）の差動型磁気センサは、
駆動電流を出力する駆動手段と、離れた２つの地点に配設された前記駆動電流が印加される２つの感磁体より成る２つの磁気インピーダンス素子を備え、前記感磁体の周辺の磁場強さに対応する磁場信号電圧を出力する２つの磁気検知手段と、
前記２つの磁気検知手段から出力される２つの磁場信号電圧の差を演算することにより、前記２つの地点の磁場の強さの差の信号を出力する差動演算手段とから成る差動型磁気センサにおいて、
前記駆動手段と前記差動演算手段との間に設けられ、検出感度の異なる前記２つの磁気インピーダンス素子を備えた前記２つの磁気検知手段が、前記感磁体の周辺の磁場強さが同じであれば同じレベルの磁場信号電圧を出力するように前記２つの磁気インピーダンス素子の異なる検出感度に応じて出力信号を調整する信号調整手段を備え、
互いに磁気インピーダンス素子の検出感度が略同じであると見做せるような出力信号を調整するようにして、前記２つの地点共通の背景磁場成分を相殺して、該背景磁場成分に比べて微弱な磁場を検出するように構成されている
ものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記構成より成る第１発明の差動型磁気センサは、駆動電流を出力する駆動手段と、離れた２つの地点に配設された前記駆動電流が印加される２つの感磁体より成る２つの磁気インピーダンス素子を備え、前記感磁体の周辺の磁場強さに対応する磁場信号電圧を出力する２つの磁気検知手段と、前記２つの磁気検知手段から出力される２つの磁場信号電圧の差を演算することにより、前記２つの地点の磁場の強さの差の信号を出力する差動演算手段とから成る差動型磁気センサにおいて、前記駆動手段と前記差動演算手段との間に設けられた前記信号調整手段が、前記２つの磁気インピーダンス素子の異なる検出感度に応じて出力信号を調整することにより、検出感度の異なる前記２つの磁気インピーダンス素子を備えた前記２つの磁気検知手段が周辺の磁場強さが同じであれば同じレベルの磁場信号電圧を出力するように出力信号を調整し、互いに磁気検知手段の検出感度が略同じであると見做せるような出力信号を調整するようにして、前記２つの地点共通の背景磁場成分を相殺して、局所的な前記背景磁場成分に比べて微弱である磁場の検出を可能にするという効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月8日(2016.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアフラム部に形成される発熱抵抗体を有する半導体素子を有する熱式流量計において、
前記ダイアフラム部が露出するように前記半導体素子が樹脂で封止された状態である回路パッケージと、
前記半導体素子が副通路に配置されるように前記回路パッケージを固定するハウジングと、を備え、
前記ハウジングは、
前記副通路の壁面の一部を構成し、前記半導体素子の一部が前記副通路内に露出するように、前記回路パッケージを前記半導体素子よりも前記フランジ側で固定する第一の固定部を備え、
かつ、前記第一の固定部よりもフランジとは反対側には、回路パッケージを固定する固定部を有さない熱式流量計。
【請求項２】
前記第一の固定部は、帯状に形成されている請求項１に記載の熱式流量計。
【請求項３】
前記第一の固定部は、前記フランジ側の厚みが薄い薄肉形状を有する請求項１または２に記載の熱式流量計。
【請求項４】
前記回路パッケージの表面には、前記ハウジングを形成する樹脂から露出している部分が複数個所存在し、前記複数個所の内少なくとも２つが、前記第一の固定部により仕切られている請求項１乃至３の何れかに記載の熱式流量計。
【請求項５】
前記露出部の総面積は、前記ハウジングにより固定される面積よりも大きい請求項４に記載の熱式空気流量計。
【請求項６】
前記ハウジングは、前記フランジ側に沿って伸び、前記回路パッケージを固定する第二の固定部と、を有する請求項１乃至５の何れかに記載の熱式流量計。
【請求項７】
前記回路パッケージは、前記第一および第二の固定部のみで前記ハウジングに固定される請求項６に記載の熱式流量計。
【請求項８】
前記ハウジングは、外部端子と、上流側外壁と、下流側外壁と、を有し、
前記第二の固定部は、前記上流側外壁及び/又は下流側外壁と一体に形成されている請求項６または７に記載の熱式流量計。
【請求項９】
前記回路パッケージは、
温度検出素子と、該温度検出素子および前記流量検出素子の信号が入力される処理部と、をさらに前記半導体素子を封止する樹脂で封止して形成されており、
前記第二の固定部は、前記温度検出素子と前記処理部との間に設けられており、
前記温度検出素子は、ハウジング外に設けられている請求項６乃至８の何れかに記載の熱式流量計。
【請求項１０】
前記回路パッケージは、
前記処理部が設けられるパッケージ本体部と、前記パッケージ本体部から突出する突出部を有し、
前記突出部に前記温度検出素子が設けられる請求項９に記載の熱式流量計。
【請求項１１】
前記第二の固定部は、前記突出部の根本部の一部を覆わない窪み形状を有しており、
該窪み形状は、前記突出方向に平行である請求項１０に記載の熱式流量計。
【請求項１２】
前記回路パッケージの、少なくとも前記第一の固定部により固定される部分は、粗化状態である請求項１乃至１１の何れかに記載の熱式流量計。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月16日(2016.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設置面に設置され且つ前記設置面と反対側に光源部を有する装置本体と、前記装置本体を前記設置面と反対側から覆う樹脂製の透光性カバーとを備える照明装置において、
前記装置本体は前記光源部を保護する保護部を有し、
前記保護部は前記透光性カバーを着脱自在に装着するための装着手段を有する
照明装置。
【請求項２】
前記保護部は透光性の樹脂材料により構成されている
請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記装置本体は前記光源部を搭載する搭載部を有し、
前記搭載部は中央に開口を有する板状をし、
前記光源部は前記搭載部の開口の周りに搭載され、
前記保護部は前記搭載部の開口に対向する部分に開口を有する
請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記装着手段は前記保護部の外周側に存在する
請求項３に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月20日(2017.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被解繊物を大気中で解繊する解繊部と、
解繊され水素結合し得る解繊物に、樹脂を含む粉末状の添加物を大気中で混合する混合部と、
前記解繊物と前記添加物とを混合した混合物を調湿する調湿部であって、調湿前の前記混合物１００質量部に対して水分量が０．５質量部以上２０質量部以下となるように調湿する調湿部と、
調湿した前記混合物を加熱する加熱部と、を備える、シート製造装置。
【請求項２】
前記添加物の粒径は、１μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１に記載のシート製造装置。
【請求項３】
前記調湿部は、調湿前の前記混合物１００質量部に対して水分量が５質量部以上１２質量部以下となるように調湿する、請求項１又は請求項２に記載のシート製造装置。
【請求項４】
前記混合部は、気流により流動している前記解繊物に前記添加物を供給する、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のシート製造装置。
【請求項５】
前記混合部は、前記解繊物に対して前記添加物の割合が５質量％以上７０質量％以下となるように混合する、請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のシート製造装置。
【請求項６】
被解繊物を大気中で解繊する解繊工程と、
解繊され水素結合し得る解繊物に、樹脂を含む粉末状の添加物を大気中で混合する混合工程と、
前記解繊物と前記添加物とを混合した混合物を調湿する工程であって、調湿前の前記混合物１００質量部に対して水分量が０．５質量部以上２０質量部以下となるように調湿する調湿工程と、
調湿した前記混合物を加熱する加熱工程と、を含む、シート製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係るシート製造装置の一態様は、被解繊物を大気中で解繊する解繊部と、解繊され水素結合し得る解繊物に、樹脂を含む粉末状の添加物を大気中で混合する混合部と、前記解繊物と前記添加物とを混合した混合物を調湿する調湿部であって、調湿前の前記混合物１００質量部に対して水分量が０．５質量部以上２０質量部以下となるように調湿する調湿部と、調湿した前記混合物を加熱する加熱部と、を備える。
本発明に係るシート製造装置において、前記添加物の粒径は、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このようなシート製造装置によれば、被解繊物の水分量、環境の湿度、及び温度の少なくとも１つの条件が変化しても、製造されるシートの機械的強度や耐水性の変動を抑制することができる。これによりさらに安定してシートを製造することができる。
本発明に係るシート製造装置において、前記混合部は、気流により流動している前記解繊物に前記添加物を供給してもよい。
本発明に係るシート製造装置において、前記混合部は、前記解繊物に対して前記添加物の割合が５質量％以上７０質量％以下となるように混合してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に係るシート製造方法の一態様は、被解繊物を大気中で解繊する解繊工程と、解繊され水素結合し得る解繊物に、樹脂を含む粉末状の添加物を大気中で混合する混合工程と、前記解繊物と前記添加物とを混合した混合物を調湿する工程であって、調湿前の前記混合物１００質量部に対して水分量が０．５質量部以上２０質量部以下となるように調湿する調湿工程と、調湿した前記混合物を加熱する加熱工程と、を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
混合部３０は、上述の解繊部２０よりも下流側に設けられる。また、混合部３０は、後述する加熱部５０よりも上流側に設けられる。混合部３０と加熱部５０との間には、後述する調湿部４０の他にも構成が含まれてもよい。そのような他の構成としては、混合された解繊物及び添加物の混合物をほぐすほぐし部７０、混合物をウェブ状に成形する堆積部７５、ウェブ状に堆積された混合物に圧力を印可する加圧部６０（いずれも後述する。）などが挙げられ、さらにこれらに限定されない。なお、混合部３０によって混ぜ合された混合物は、ほぐし部７０等の他の構成によってさらに混ぜ合されてもよいため、ほぐし部７０も混合部とみなすことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月25日(2017.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気である反応容器内にて、金属を含む有機材料からなる原料ガスと前記有機材料を酸化する酸化ガスとを基板に交互に複数回供給し、前記金属の酸化物からなる薄膜を基板上に成膜する成膜装置において、
前記反応容器内を排気路を介して排気する真空排気機構と、
前記排気路を流れるガス中の水分濃度を検出する水分検出部と、
前記反応容器内の雰囲気を置換するための置換用のガスを当該反応容器内に供給する置換用のガス供給部と、
前記反応容器内に前記原料ガスを供給するステップと、次いで前記反応容器内の雰囲気を前記置換用のガスにより置換した後、当該反応容器内に前記酸化ガスを供給するステップと、続いて前記置換用のガスを前記反応容器内に供給するステップを含む雰囲気置換ステップと、を実行するように制御信号を出力すると共に、前記酸化用のガスを供給するステップの開始以降、前記原料ガスを供給するステップを開始する前までに前記水分検出部により検出した水分濃度と設定値とを比較し、前記水分濃度が設定値を越えているときには、前記雰囲気置換ステップの置換作用を増大させるための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記設定値は、第１回目の原料ガスを供給するステップが終了した後における水分濃度に基づいて設定された値であることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記雰囲気置換ステップは、ガスの供給を停止した状態で真空排気するガス排気ステップと、このステップの後に前記置換用のガスを前記反応容器内に供給するステップと、を含むことを特徴とする請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記設定値と比較される水分濃度は、前記ガス排気ステップの終了時に検出した水分濃度であり、
前記雰囲気置換ステップの置換作用を増大させるための制御信号は、前記ガス排気ステップを延長するための制御信号であることを特徴とする請求項３記載の成膜装置。
【請求項５】
前記設定値と比較される水分濃度は、前記置換用のガスを前記反応容器内に供給するステップの終了時に検出した水分濃度であり、
前記雰囲気置換ステップの置換作用を増大させるための制御信号は、前記置換用のガスを前記反応容器内に供給するステップを延長するための制御信号であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記設定値と比較される水分濃度は、前記置換用のガスを前記反応容器内に供給するステップの終了時に検出した水分濃度であり、
前記雰囲気置換ステップの置換作用を増大させるための制御信号は、前記置換用のガスを前記反応容器内に供給するステップを延長すること及び排気ステップを更に実施することの少なくとも一方を実施するための制御信号であることを特徴とする請求項３記載の成膜装置。
【請求項７】
前記設定値と比較される水分濃度は、反応容器内に前記酸化ガスを供給するステップが行われているときまたは当該ステップの終了時に検出した水分濃度であり、
前記雰囲気置換ステップの置換作用を増大させるための制御信号は、前記置換用のガスを前記反応容器内に供給するステップにおける置換用のガスの流量を増加するための制御信号であることを特徴とする請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項８】
前記設定値と比較される水分濃度は、反応容器内に前記酸化ガスを供給するステップが行われているときまたは当該ステップの終了時に検出した水分濃度であり、
前記雰囲気置換ステップの置換作用を増大させるための制御信号は、前記ガス排気ステップにおける排気速度を増加させること及び前記置換用のガスを前記反応容器内に供給するステップにおける置換用のガスの流量を増加させることの少なくとも一方を実施するための制御信号であることを特徴とする請求項３記載の成膜装置。
【請求項９】
真空雰囲気である反応容器内にて、金属を含む有機材料からなる原料ガスと前記有機材料を酸化する酸化ガスとを基板に交互に複数回供給し、前記金属の酸化物からなる薄膜を基板上に成膜する成膜方法において、
前記反応容器内に前記原料ガスを供給する工程と、
次いで前記反応容器内の雰囲気を前記置換用のガスにより置換した後、当該反応容器内に前記酸化ガスを供給する工程と、
続いて前記置換用のガスを前記反応容器内に供給するステップを含む雰囲気置換工程と、
前記酸化用のガスを供給する工程の開始以降、前記原料ガスを供給する工程を開始する前までに、前記反応容器内を真空排気するための排気路内の水分濃度を検出する工程と、
前記工程で検出した水分濃度と設定値とを比較し、前記水分濃度が設定値を越えているときには、前記雰囲気置換工程の置換作用を増大させることを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
真空雰囲気である反応容器と、真空排気機構と、水分検出部と、を備えた成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項９に記載の成膜方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月5日(2017.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る金属屋根材は、屋根下地の上に他の金属屋根材とともに並べて配置される金属屋根材であって、金属板を素材とする箱形の表基材と、表基材の開口を塞ぐように表基材の裏側に配置された裏基材と、表基材と裏基材との間に充填された発泡樹脂からなる芯材とを備え、表基材は、周方向に連続する側壁部を有するとともに、高さが４ｍｍ以上かつ８ｍｍ以下とされており、側壁部は、加工硬化により金属板よりも硬度が高められている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明に係る金属屋根材の製造方法は、金属板を素材とする箱形の表基材と、表基材の開口を塞ぐように表基材の裏側に配置された裏基材と、表基材と裏基材との間に充填された発泡樹脂からなる芯材とを備える金属屋根材の製造方法であって、金属板に絞り加工又は張出し加工を施して、周方向に連続する側壁部を有するとともに、高さが４ｍｍ以上かつ８ｍｍ以下とされている表基材を形成することを含み、側壁部は、加工硬化により金属板よりも硬度が高められている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明に係る屋根葺き構造は、金属板を素材とする箱形の表基材と、表基材の開口を塞ぐように表基材の裏側に配置された裏基材と、表基材と裏基材との間に充填された発泡樹脂からなる芯材とをそれぞれ有し、表基材は、周方向に連続する側壁部を有するとともに、高さが４ｍｍ以上かつ８ｍｍ以下とされており、側壁部は、加工硬化により金属板よりも硬度が高められている複数の金属屋根材を備え、互いの側壁部を突き合わせながら複数の金属屋根材が屋根下地の上に並べて配置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明に係る屋根葺き方法は、金属板を素材とする箱形の表基材と、表基材の開口を塞ぐように表基材の裏側に配置された裏基材と、表基材と裏基材との間に充填された発泡樹脂からなる芯材とをそれぞれ有し、表基材は、周方向に連続する側壁部を有するとともに、高さが４ｍｍ以上かつ８ｍｍ以下とされており、側壁部は、加工硬化により金属板よりも硬度が高められている複数の金属屋根材を用い、互いの側壁部を突き合わせながら複数の金属屋根材を屋根下地の上に並べて配置することを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屋根下地の上に他の金属屋根材とともに並べて配置される金属屋根材であって、
金属板を素材とする箱形の表基材と、
前記表基材の開口を塞ぐように前記表基材の裏側に配置された裏基材と、
前記表基材と前記裏基材との間に充填された発泡樹脂からなる芯材と
を備え、
前記表基材は、周方向に連続する側壁部を有するとともに、高さが４ｍｍ以上かつ８ｍｍ以下とされており、
前記側壁部は、加工硬化により前記金属板よりも硬度が高められている
ことを特徴とする金属屋根材。
【請求項２】
前記表基材の素材である前記金属板は、溶融Ｚｎ系めっき鋼板、溶融Ａｌめっき鋼板、溶融Ｚｎ系めっきステンレス鋼板、溶融Ａｌめっきステンレス鋼板、ステンレス鋼板、塗装溶融Ｚｎ系めっき鋼板、塗装溶融Ａｌめっき鋼板、塗装溶融Ｚｎ系めっきステンレス鋼板、塗装溶融Ａｌめっきステンレス鋼板又は塗装ステンレス鋼板からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の金属屋根材。
【請求項３】
前記表基材を構成する前記金属板の板厚は０．２７ｍｍ以上かつ０．５ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の金属屋根材。
【請求項４】
前記裏基材は、アルミ箔、アルミ蒸着紙、水酸化アルミ紙、炭酸カルシウム紙、樹脂フィルム又はガラス繊維紙からなる
ことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の金属屋根材。
【請求項５】
金属板を素材とする箱形の表基材と、前記表基材の開口を塞ぐように前記表基材の裏側に配置された裏基材と、前記表基材と前記裏基材との間に充填された発泡樹脂からなる芯材とを備える金属屋根材の製造方法であって、
前記金属板に絞り加工又は張出し加工を施して、周方向に連続する側壁部を有するとともに、高さが４ｍｍ以上かつ８ｍｍ以下とされている前記表基材を形成すること
を含み、
前記側壁部は、加工硬化により前記金属板よりも硬度が高められている
ことを特徴とする金属屋根材の製造方法。
【請求項６】
金属板を素材とする箱形の表基材と、
前記表基材の開口を塞ぐように前記表基材の裏側に配置された裏基材と、
前記表基材と前記裏基材との間に充填された発泡樹脂からなる芯材とをそれぞれ有し、
前記表基材は、周方向に連続する側壁部を有するとともに、高さが４ｍｍ以上かつ８ｍｍ以下とされており、
前記側壁部は、加工硬化により前記金属板よりも硬度が高められている
複数の金属屋根材を備え、
互いの前記側壁部を突き合わせながら前記複数の金属屋根材が屋根下地の上に並べて配置されている
ことを特徴とする屋根葺き構造。
【請求項７】
金属板を素材とする箱形の表基材と、
前記表基材の開口を塞ぐように前記表基材の裏側に配置された裏基材と、
前記表基材と前記裏基材との間に充填された発泡樹脂からなる芯材とをそれぞれ有し、
前記表基材は、周方向に連続する側壁部を有するとともに、高さが４ｍｍ以上かつ８ｍｍ以下とされており、
前記側壁部は、加工硬化により前記金属板よりも硬度が高められている
複数の金属屋根材を用い、
互いの前記側壁部を突き合わせながら前記複数の金属屋根材を屋根下地の上に並べて配置すること
を含む
ことを特徴とする屋根葺き方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月10日(2017.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽光を反射する反射層と、
前記反射層に積層され、赤外線を放射する赤外線放射層とからなり、
前記赤外線放射層は、シリコーン材料で構成されるシリコーン層と、粘着剤層とを備え、
前記粘着剤層は、前記シリコーン層と前記反射層との間に設けられる可撓性熱制御材料。
【請求項２】
太陽光を反射する反射層と、
前記反射層に積層され、赤外線を放射する赤外線放射層とからなり、
前記赤外線放射層は、シルセスキオキサン層で構成される可撓性熱制御材料。
【請求項３】
前記粘着剤層は、シリコーン系粘着剤層である請求項１に記載の可撓性熱制御材料。
【請求項４】
前記反射層において、前記赤外線放射層が積層された面とは反対側の面に、支持層を更に積層してなる請求項１から３のいずれか１つに記載の可撓性熱制御材料。
【請求項５】
前記赤外線放射層において、前記反射層が積層された面とは反対側の面に、保護層を更に積層してなる請求項１から４のいずれか１つに記載の可撓性熱制御材料。
【請求項６】
前記保護層の上に導電層を更に積層してなる請求項５に記載の可撓性熱制御材料。
【請求項７】
前記保護層は、シルセスキオキサン層で構成される請求項５または６に記載の可撓性熱制御材料。
【請求項８】
前記反射層において、前記赤外線放射層が積層された面とは反対側の面に、酸化防止層を更に積層してなる請求項１から７のいずれか１つに記載の可撓性熱制御材料。
【請求項９】
前記酸化防止層は、前記反射層と前記支持層との間に設けられる請求項８に記載の可撓性熱制御材料。
【請求項１０】
接合層により被着体の表面に固定される請求項１から９のいずれか１つに記載の可撓性熱制御材料。
【請求項１１】
締結部材により被着体の表面に固定される請求項１から９のいずれか１つに記載の可撓性熱制御材料。
【請求項１２】
前記被着体が宇宙空間で使用されるロケット又は人工衛星の推進薬タンクである請求項１０又は１１に記載の可撓性熱制御材料。
【請求項１３】
前記推進薬タンクが液体水素タンクである請求項１２に記載の可撓性熱制御材料。
【請求項１４】
前記被着体の表面に、ポリイソシアヌレートフォーム（ＰＩＦ）断熱層又はポリイミド発泡体断熱層のいずれか一方又はこれらの積層体の断熱層を有する請求項１０から１３いずれか１つに記載の可撓性熱制御材料。
【請求項１５】
ポリイソシアヌレートフォーム（ＰＩＦ）断熱層又はポリイミド発泡体断熱層のいずれか一方又はこれらの積層体に、ガス抜き用溝を有する請求項１４に記載の可撓性熱制御材料。
【請求項１６】
推進薬タンク本体の表面に請求項１から１０のいずれか１つに記載の可撓性熱制御材料を固定してなる推進薬タンク。
【請求項１７】
前記推進薬タンク本体が液体水素タンク本体である請求項１６に記載の推進薬タンク。
【請求項１８】
前記推進薬タンク本体の表面に、ポリイソシアヌレートフォーム（ＰＩＦ）断熱層又はポリイミド発泡体断熱層のいずれか一方又はこれらの積層体の断熱層を有する請求項１６または１７に記載の推進薬タンク。
【請求項１９】
ポリイソシアヌレートフォーム（ＰＩＦ）断熱層又はポリイミド発泡体断熱層のいずれか一方又はこれらの積層体に、ガス抜き用溝を有する請求項１８に記載の推進薬タンク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】可撓性熱制御材料及び推進薬タンク
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、可撓性熱制御材料及び推進薬タンクに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記問題に鑑み、宇宙空間で用いる際、光学特性が良好な可撓性熱制御材料及び推進薬タンクを提供することを目的とする。