(57)【要約】  本発明は、Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させて化学製品（１）を製造する製造施設の１つ以上の施設要素の稼働を停止させて製造中断している間に、この製造施設を稼働する方法に関し、低酸素のホスゲン含有排出ガス流および酸素を多く含むホスゲン含有排出ガス流が異なるホスゲン分解方向へ互いに別々に、空間的に異なる場所で燃焼装置へと案内され、停止されていない施設要素は閉鎖循環式の動作モードで稼働される。本発明はさらに、Ｈ官能性反応物をホスゲンと反応させて化学製品を製造するための、本発明の稼働方法に適した製造施設に関する。
2020525515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させて化学製品（１）を製造する製造施設を、製造停止した場合に稼働する方法であって、前記製造施設は、以下の施設構成要素、すなわち
Ａ）Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させるのに適した反応区間（１０００）であって、
Ａ．Ｉ）前記Ｈ官能性反応物（２）とホスゲン（３）を混合して反応混合物（５０）をもたらす混合領域（１１００）と、
Ａ．ＩＩ）前記混合領域（１１００）に接続され、Ａ．Ｉ）で得られる前記反応混合物（５０）を反応させて、前記化学製品（１）およびホスゲン（３）を含む液相（６０）およびホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）を生成する反応領域（１２００）と、
を有する反応区間（１０００）と、
Ｂ）前記反応区間（１０００）に接続された後処理区間（２０００）であって、
Ｂ．Ｉ）Ａ．ＩＩ）で得られる前記液相（６０）をホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）へ分離し、また前記化学製品（１）を含む液相（１００）へ分離する分離ユニット（２１００〜２５００）と、
を有する後処理区間（２０００）と、
Ｃ）前記化学製品（１）の製造中および製造停止している間に得られる複数のホスゲン含有オフガス流の後処理に適したオフガス後処理区間（３０００）であって、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）および第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）を備え、前記第１ホスゲン分解ユニットおよび前記第２ホスゲン分解ユニットはお互いに独立して複数のホスゲン含有オフガス流の流入を受けるように構成されている、オフガス後処理区間（３０００）と、
Ｄ）前記オフガス後処理区間（３０００）で得られる、後処理済みのオフガスの焼却に適した焼却ユニット（６０００）と、
を有し、
ホスゲン（３）は、前記反応区間（１０００）における前記化学製品（１）の製造中に前記Ｈ官能性反応物のすべての活性水素原子に対して化学量論的過剰で使用されて、前記反応領域（１２００）においてＡ．ＩＩ）で得られた前記ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）および前記分離ユニット（２１００〜２５００）においてＢ．Ｉ）で得られた前記ホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）が、それぞれ任意選択で更なる後処理ステップを通過した後に、前記第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ送られ、
前記化学製品（１）の製造は、前記Ｈ官能性反応物（２）を供給するスイッチを切ることでも一時的に中断され、
製造停止している間に、
Ａ）および／またはＢ）のうちの１つ以上の施設構成要素が停止され、停止されていない前記施設構成要素のうちの１つ以上において、この停止されていない施設構成要素のうちの１つ以上からの出力流が、
（ｉ）前記それぞれの施設構成要素へと案内される、または
（ｉｉ）上流または下流の施設構成要素へと案内された後、任意選択で停止されていない更なる施設構成要素を経由して元の前記施設構成要素へと再循環されて、
したがって前記それぞれの施設構成要素は循環モードとされて、循環モードにされた前記１つ以上の施設構成要素でプロセスオフガスが得られて、停止されている前記１つ以上の施設構成要素で酸素含有オフガス（４００−Ｘ）が得られて、
循環モードにされている前記１つ以上の施設構成要素からの前記プロセスオフガスは前記第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へと案内され、前記第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）は製造停止している間も稼働したままで、
停止されている前記１つ以上の施設構成要素からの前記酸素含有オフガス（４００−Ｘ）は前記第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）へ供給され、前記第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）は少なくとも製造停止している間は稼働していて、
前記第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）からの、ホスゲンが取り除かれたプロセスオフガス（２１０−Ｘ）、および、前記第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）からの、ホスゲンが取り除かれた酸素含有オフガス（４１０−Ｘ）が別々に、空間的に別の場所で前記焼却ユニット（６０００）へと供給されて、前記焼却ユニット内で燃焼される、
方法。
【請求項２】
前記化学製品（１）は有機カーボネート、特にポリカーボネートである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化学製品（１）は、イソシアネートであり、特にトリレンジイソシアネート、またはメチレンジフェニルジイソシアネートとポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートの混合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
Ｂ．Ｉ）の前記分離ユニット（２１００〜２５００）は、
液体流（６０）を、溶媒およびイソシアネートを含む液体流（８０）とホスゲンおよび塩化水素を含むガス状プロセスオフガス流（９０）へと分離する蒸留装置（２１００）と、
前記溶媒およびイソシアネートを含む液体流（８０）を、溶媒を含むプロセスオフガス流（１１０）とイソシアネートを含む液体流（１００）へと分離する蒸留装置（２２００）と、
前記溶媒を含むプロセスオフガス流（１１０）を、溶媒を含む液体流（１２０）とガス状のホスゲン含有プロセスオフガス流（１３０）へと分離する蒸留装置（２３００）と、
を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
Ｂ．Ｉ）の前記分離ユニット（２１００〜２５００）はまた、前記ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）、（９０）、および（１３０）が溶媒（４）で吸収されることで洗浄されて溶媒およびホスゲンを含む液体流（１６０）と塩化水素および溶媒を含むガス状プロセスオフガス流（１７０）が得られる吸収装置（２５００）も有し、前記ガス状ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）および（９０）は、まず好ましくは混合され、前記混合されたホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）および（９０）と前記ホスゲン含有プロセスオフガス流（１３０）がそれぞれ凝縮されて、液体の状態で前記吸収装置（２５００）へ導入される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
Ｂ）の前記後処理区間（２０００）は、Ｂ．Ｉ）の前記分離ユニット（２１００〜２５００）に加えて、
Ｂ．ＩＩ）前記ホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）から塩化水素を分離する分離ユニット（２６００）と、
を有し、
前記分離ユニット内で、前記ホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）は塩化水素を奪われ、好ましくは蒸気復水器（２６３０）の通過後に、溶媒および任意のガス状二次成分を含むガス状ホスゲン含有プロセスオフガス流（２００）が得られて、前記ホスゲン含有プロセスオフガス流（２００）が前記第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へと送られる、請求項３から５のいずれか一項、特に請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記分離ユニット（２６００）内の前記塩化水素の分離が水中、または塩酸の全質量に対して０．５０質量％から１５．０質量％の範囲の濃度の塩酸の中で塩化水素を吸収することで行われて、前記溶媒および任意のガス状二次成分を含むホスゲン含有プロセスオフガス流（２００）に加えて塩酸含有流（１９０）が得られる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
Ｂ）の前記後処理区間（２０００）は、Ｂ．Ｉ）の前記分離ユニット（２１００〜２５００）に加えて、また、Ｂ．ＩＩ）の前記分離ユニット（２６００）が存在する場合はこれに加えて、
Ｂ．ＩＩＩ）前記イソシアネートを含む液相（１００）の後処理用の蒸留ユニット（２４００）
を有し、
前記蒸留ユニット（２４００）は、任意選択でその上流側にポリメリックイソシアネート成分除去ユニット（２４１０）が置かれる、請求項３から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ポリメリックイソシアネート成分除去ユニット（２４１０）を有し、製造停止中に、
蒸留装置（２２００）の頂部から開始し、前記蒸留装置（２３００）を経由して前記蒸留装置（２２００）へと戻る第１循環モードと、
前記蒸留装置（２２００）の底部から開始し、前記ポリメリックイソシアネート成分除去ユニット（２４１０）を経由して前記蒸留装置（２２００）へと戻る第２循環モードと、
前記蒸留装置（２１００）から開始して、前記蒸留装置（２１００）へと戻る第３循環モードと、
塩化水素を分離する前記分離ユニット（２６００）から開始して、前記分離ユニット（２６００）へと戻る第４循環モードと、
が規定され、Ａ）の前記反応区間（１０００）が停止される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記製造施設は、一酸化炭素（３００）と塩素（３１０）からホスゲンを製造する装置（４０００）を備えるホスゲン製造区間（０）を有し、製造が停止された際に、前記Ｈ官能性反応物（２）を供給するスイッチが切られた後に任意選択で時間遅延を伴って、ホスゲンの前記製造が停止される、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
Ｂ）の前記後処理区間（２０００）の施設構成要素は、周囲圧力に対して少なくとも部分的に減圧されて稼働され、前記減圧は、前記第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ供給される複数のプロセスオフガス流が得られる複数の真空発生施設により生成される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）は別々に稼働される２つ以上のホスゲン分解施設構成要素（３０１１−１および３０１１−２）を有し、前記化学製品（１）の製造中にこれらの２つの前記ホスゲン分解施設構成要素のうちの１つ（３０１１−１）には前記複数の真空発生施設からの前記複数のプロセスオフガス流のみが供給され、一方で、他方のホスゲン分解施設構成要素（３０１１−２）にはすべての他のプロセスオフガス流が供給されて、製造停止している間は前記複数の真空発生施設は停止されて前記ホスゲン分解施設構成要素（３０１１−１）へ接続されたままとなっている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記化学製品の製造中に複数の酸素含有オフガス流（４１０−Ｘ）が得られ、酸素含有オフガス流用の前記第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）は前記化学製品（１）の製造中にも稼働されて、前記第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）には前記複数の酸素含有オフガス流（４１０−Ｘ）が供給される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）は並列に接続された２つ以上のホスゲン分解施設構成要素（３０１２−１および３０１２−２）を備え、前記ホスゲン分解施設構成要素のうちの１つ（３０１２−１）には前記化学製品の製造中に得られる前記複数の酸素含有オフガス流（４１０−Ｘ）のみが供給され、一方で、他方のホスゲン分解施設構成要素（３０１２−２）には、製造停止の場合に停止されている１つ以上の施設構成要素で得られる前記複数の酸素を多く含むオフガス流（４００−Ｘ）が供給される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させて化学製品（１）を製造する製造施設であって、以下の施設構成要素、すなわち、
Ａ）Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させるのに適した反応区間（１０００）であって、
Ａ．Ｉ）前記Ｈ官能性反応物（２）とホスゲン（３）を混合して反応混合物（５０）をもたらす混合領域（１１００）と、
Ａ．ＩＩ）前記混合領域（１１００）に接続され、Ａ．Ｉ）で得られる前記反応混合物（５０）を反応させて、前記化学製品（１）およびホスゲン（３）を含む液相（６０）およびホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）を生成する反応領域（１２００）と、
を有する反応区間（１０００）と、
Ｂ）前記反応区間（１０００）に接続された後処理区間（２０００）であって、
Ｂ．Ｉ）Ａ．ＩＩ）で得られる前記液相（６０）をホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）へ分離し、また前記化学製品（１）を含む液相（１００）へ分離する分離ユニット（２１００〜２５００）と、
を有する後処理区間（２０００）と、
Ｃ）前記化学製品（１）の製造中および製造停止している間に得られる複数のホスゲン含有オフガス流の後処理に適したオフガス後処理区間（３０００）であって、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）および第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）を備え、前記第１ホスゲン分解ユニットおよび前記第２ホスゲン分解ユニットはお互いに独立して複数のホスゲン含有オフガス流の流入を受けるように構成されている、オフガス後処理区間（３０００）と、
Ｄ）前記オフガス後処理区間（３０００）で得られる、後処理済みのオフガスの焼却に適した焼却ユニット（６０００）であって、前記第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）内、および前記第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）内で得られるオフガス流が別々に前記焼却ユニット（６０００）へ送られるように、前記オフガス後処理区間（３０００）へ接続された焼却ユニット（６０００）と、
を有し、
前記製造施設は、製造停止の場合に前記Ｈ官能性反応物（２）の供給を停止すること、および１つ以上の施設構成要素を停止することで、この停止されていない１つ以上の施設構成要素からの出力流が、
（ｉ）前記それぞれの施設構成要素へと案内される、または
（ｉｉ）上流または下流の施設構成要素へと案内された後、任意選択で停止されていない更なる施設構成要素を経由して元の前記施設構成要素へと再循環されて、
したがって前記それぞれの施設構成要素は循環モードにすることができて、
前記製造施設はさらに、
循環モードにされた前記１つ以上の施設構成要素で得られる前記プロセスオフガスを前記第１ホスゲン分解ユニット（３１００）への案内、および
停止されている前記１つ以上の施設構成要素で得られる酸素含有オフガス（４００−Ｘ）を前記第２ホスゲン分解ユニット（３２００）への案内、
を、前記プロセスオフガスと前記酸素含有オフガス（４００−Ｘ）を互いに混合することなしにできるように構成されている、
製造施設。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させて化学製品（１）を製造する製造施設の１つ以上の施設構成要素が製造を停止した場合に、この製造施設を稼働する方法に関し、この施設では低酸素のホスゲン含有オフガス流および酸素を多く含むホスゲン含有オフガス流が異なるホスゲン分解方向へ別々に誘導され、空間的に異なる場所で別々に焼却ユニットへと誘導され、停止されていない施設構成要素は循環モードで稼働される。本発明はさらに、Ｈ官能性反応物をホスゲンと反応させて化学製品を製造するための、本発明の方法で稼働するのに適した製造施設に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの工業製造プロセス、特に化学製品の製造プロセスでは、製造プロセスの実際の生成物の他に複数のガス状のプロセス生成物が得られ、これらのガス状プロセス生成物は、経済的損失および環境への損害を最小化するため、オフガスとして環境へ放出される前に処理する必要がある。このような後処理（ｗｏｒｋｕｐ）ステップには様々な工程が含まれうる。このような洗浄作業の例として、スクラビング、（例えばＮＯｘの）吸収、吸着、凝縮、および濾過が挙げられる。先行技術では、予備洗浄のために行われたすべての洗浄作業の終了後に（および場合によってはさらに事前に）、このように予備洗浄を受けたそのような複数のガス状プロセス生成物を混合し、そのようにして得られたオフガス流を共通のオフガス焼却へと送ることが慣例であり、そこでオフガスが充分完全に燃焼されることで、公的環境規制を遵守しながら（必要であればさらに洗浄した後に、例えば塩基スクラビングにより酸性成分を結合して）焼却ガスを環境へ放出できる。
【０００３】
ガス状プロセス生成物が得られる工業製造プロセスの一例は、対応するアミンのホスゲン化によるイソシアネートの製造である。ホスゲン化では、塩化水素副産物および未反応ホスゲンを含むガス状プロセス流が得られる。通常は使用された溶媒の残留物（および、ホスゲン生成からの不活性物質あるいは過剰量の一酸化炭素）も中に存在する。その後の後処理ステップによってさらにガス状プロセス生成物がもたらされることがあり、その一部は溶媒も含む。これに関連して、工程の異なる場所で得られる様々なガス状プロセス生成物から溶媒を回収することは重要である。イソシアネート製造プロセスにおける蒸留による溶媒回収工程は、例えば欧州特許第１５７５９０８（Ｂ２）号明細書および第１５７５９０６（Ｂ１）号明細書で取り上げられている。
【０００４】
溶媒の回収に加え、塩化水素副産物および過剰量のホスゲンを最大限回収することが重要な役割を果たす。国際公開第２００４／０５６７５８（Ａ１）号明細書は、不純物（ホスゲンおよびクロロベンゼンの残留物）を吸着して塩化水素とホスゲンを分離することによる、更なる塩化水素の精製について記載している。
【０００５】
得られたガス状プロセス生成物からすべての有用な生成物が可能な限り回収されたら、残るのは依然として微量のホスゲンの成分を含みうるオフガス流であり、そのため、オフガス焼却へと導かれる前にホスゲン分解を通過する。先行技術では、得られた複数のオフガス流を混合し、このようにして得られたオフガス流全体を共通のホスゲン分解へと送り、その後焼却へと送る。通常運転では、この手順は概してまったく問題ない。しかし、製造を一時的に停止する必要がある場合、例えば施設構成要素へ修繕作業を行う必要がある場合、問題が発生する。修繕処置に時間がかかり過ぎないのであれば、そのような場合に製造施設全体を停止せずに修繕処置の影響を受ける施設構成要素のみを停止し、その一方で残りの施設構成要素が所望の標的生成物を製造せずに循環モードと呼ばれる状態でさらに稼働されるのは適切である。この手順は、一般的な化学製品の製造に関して国際公開第２０１５／１９７５２２（Ａ１）号明細書で、また特にイソシアネートの製造に関して国際公開第２０１７／０５０７７６（Ａ１）号明細書で概要が説明されている。また、これらの施設構成要素をオフガスシステムへ接続する導管が、施設が「呼吸（ｂｒｅａｔｈｉｎｇ）」できるようにするために循環モードの間も解放されたままというのであればいいが、循環モードで稼働される施設構成要素ではオフガス流が依然として得られることがある。この場合に得られるオフガス流は低酸素であるか、あるいは無酸素である。しかし、修繕目的で停止されている施設構成要素では、（例えば労働安全上の理由で作動された吸引の結果として）酸素を多く含む複数のオフガス流が得られることがあり、これらのオフガス流も安全上の理由で同様にホスゲン分解を通過して焼却される。しかし、これらの酸素を多く含むオフガス流は、上述した低酸素のオフガス流と直接混合させることができず、むしろ、例えば窒素によって十分に希釈した場合のみ、爆発性のガス混合物の生成を防ぐことができる。しかし、この希釈によって、希釈ガスそのものを与えたことにより発生する追加コスト、より大量の流れに対処する必要性、通常運転に比べて増大した不活性ガス成分に起因する焼却時の問題などを被ることになる。この場合は酸素を多く含む複数のオフガス流だけが得られるため、先行技術では製造施設全体が停止する場合のみ、これらの問題を回避できる。しかし、そうすると上記の循環モードの経済的利点を活用できなくなる。イソシアネート製造の例を使って説明されたこのジレンマは、Ｈ官能性反応物を使って化合物をホスゲン化することで得られるすべての化学製品の製造において生じる。
【０００６】
それゆえ、Ｈ官能性反応物をホスゲンと反応させることで化学製品を製造する製造施設が製造停止の場合に、この厄介な状況から脱する方法を提供する稼働方法を利用可能としておくことが望ましい。
【発明の概要】
【０００７】
この要求を考慮し、本発明は、Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させて化学製品（１）を製造する製造施設を、製造停止の場合に稼働する方法を提供し、この製造施設は、以下の施設構成要素、すなわち
Ａ）Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させるのに適した反応区間（１０００）であって、
Ａ．Ｉ）Ｈ官能性反応物（２）とホスゲン（３）を混合して反応混合物（５０）をもたらす混合領域（１１００）と、
Ａ．ＩＩ）混合領域（１１００）に接続され、Ａ．Ｉ）で得られる反応混合物（５０）を反応させて、化学製品（１）およびホスゲン（３）を含む液相（６０）およびホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）を生成する反応領域（１２００）と、
を有する反応区間（１０００）と、
Ｂ）反応区間（１０００）に接続された後処理区間（２０００）であって、
Ｂ．Ｉ）Ａ．ＩＩ）で得られる液相（６０）をホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）へ分離し、また化学製品（１）を含む液相（１００）へ分離する分離ユニット（２１００〜２５００）と、
を有する後処理区間（２０００）と、
Ｃ）化学製品（１）の製造中および製造停止している間に得られる複数のホスゲン含有オフガス流の後処理に適したオフガス後処理区間（３０００）であって、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）および第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）を備え、第１ホスゲン分解ユニットおよび第２ホスゲン分解ユニットはお互いに独立して複数のホスゲン含有オフガス流の流入を受けるように構成されている、オフガス後処理区間（３０００）と、
Ｄ）オフガス後処理区間（３０００）で得られる、後処理済みのオフガスの焼却に適した焼却ユニット（６０００）と、
を有し、
ホスゲン（３）は、反応区間（１０００）における化学製品（１）の製造中にＨ官能性反応物のすべての活性水素原子に対して化学量論的過剰で使用されて、反応領域（１２００）においてＡ．ＩＩ）で得られたホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）および分離ユニット（２１００〜２５００）においてＢ．Ｉ）で得られたホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）が、それぞれ任意選択で更なる後処理ステップを通過した後に、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ送られ、
化学製品（１）の製造は、Ｈ官能性反応物（２）を供給するスイッチを切ることでも一時的に中断され、
製造停止している間に、
Ａ）および／またはＢ）のうちの１つ以上の施設構成要素が停止され、停止されていない施設構成要素のうちの１つ以上において、この停止されていない１つ以上の施設構成要素からの出力流が、
（ｉ）それぞれの施設構成要素へと案内される、または
（ｉｉ）上流または下流の施設構成要素へと案内された後、任意選択で停止されていない更なる施設構成要素を経由して元の施設構成要素へと再循環されて、
したがってそれぞれの施設構成要素は循環モードとされて、循環モードにされた１つ以上の施設構成要素でプロセスオフガスが得られて、停止されている１つ以上の施設構成要素で酸素含有オフガス（４００−Ｘ）が得られて、
循環モードにされている１つ以上の施設構成要素からのプロセスオフガスは第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へと案内され、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）は製造停止している間も稼働したままで、
停止されている１つ以上の施設構成要素からの酸素含有オフガス（４００−Ｘ）は第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）へ供給され、第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）は少なくとも製造停止している間は稼働していて、
第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）からの、ホスゲンが取り除かれたプロセスオフガス（２１０−Ｘ）、および、第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）からの、ホスゲンが取り除かれた酸素含有オフガス（４１０−Ｘ）が別々に、空間的に別の場所で焼却ユニット（６０００）へと供給されて、焼却ユニット内で燃焼される。
【０００８】
本発明はさらに、Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させて化学製品（１）を製造する製造施設に関し、この製造施設は以下の施設構成要素、すなわち
Ａ）Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させるのに適した反応区間（１０００）であって、
Ａ．Ｉ）Ｈ官能性反応物（２）とホスゲン（３）を混合して反応混合物（５０）をもたらす混合領域（１１００）と、
Ａ．ＩＩ）混合領域（１１００）に接続され、Ａ．Ｉ）で得られる反応混合物（５０）を反応させて、化学製品（１）およびホスゲン（３）を含む液相（６０）およびホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）を生成する反応領域（１２００）と、
を有する反応区間（１０００）と、
Ｂ）反応区間（１０００）に接続された後処理区間（２０００）であって、
Ｂ．Ｉ）Ａ．ＩＩ）で得られる液相（６０）をホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）へ分離し、また化学製品（１）を含む液相（１００）へ分離する分離ユニット（２１００〜２５００）と、
を有する後処理区間（２０００）と、
Ｃ）化学製品（１）の製造中および製造停止している間に得られる複数のホスゲン含有オフガス流の後処理に適したオフガス後処理区間（３０００）であって、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）および第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）を備え、第１ホスゲン分解ユニットおよび第２ホスゲン分解ユニットはお互いに独立して複数のホスゲン含有オフガス流の流入を受けるように構成されている、オフガス後処理区間（３０００）と、
Ｄ）オフガス後処理区間（３０００）で得られる後処理済みのオフガスの焼却に適した焼却ユニット（６０００）であって、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）内、および第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）内で得られるオフガス流が別々に焼却ユニット（６０００）へ送られるように、オフガス後処理区間（３０００）へ接続された焼却ユニット（６０００）と、
を有し、
製造施設は、製造停止の場合にＨ官能性反応物（２）の供給を停止すること、および１つ以上の施設構成要素を停止することで、この停止されていない１つ以上の施設構成要素からの出力流が、
（ｉ）それぞれの施設構成要素へと案内される、または
（ｉｉ）上流または下流の施設構成要素へと案内された後、任意選択で停止されていない更なる施設構成要素を経由して元の施設構成要素へと再循環されて、
したがってそれぞれの施設構成要素は循環モードにすることができて、
製造施設はさらに、
循環モードにされた１つ以上の施設構成要素で得られるプロセスオフガスを第１ホスゲン分解ユニット（３１００）への案内、および
停止されている１つ以上の施設構成要素で得られる酸素含有オフガス（４００−Ｘ）を第２ホスゲン分解ユニット（３２００）への案内、
を、プロセスオフガスと酸素含有オフガス（４００−Ｘ）を互いに混合することなしにできるように構成されている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の文脈において、「Ｈ官能性反応物（２）」は、Ｎ、Ｏ、またはＳへ結合されてホスゲンと反応して塩化水素（本発明の文脈においては「活性水素原子」と呼ばれる）を放出できる１つ以上の水素原子を有する有機化合物である。本発明の文脈において、「化学製品（１）」は、生成された有機縮合物である。官能性は、Ｈ官能性反応物の１分子あたりの活性水素原子の数を意味すると理解される。特定の実施形態ではＨ官能性反応物は塩の形態で使用されることもあり、これはまた、本発明に従い、「Ｈ官能性反応物」という表現に包含されているともみなされる。
【００１０】
本発明の方法は、通常運転で継続的に運用される。これは、製造中、すなわちＨ官能性反応物の供給が中断されていない（そして、もちろんホスゲンの供給が中断されていない）間は、Ａ）およびＢ）の施設構成要素は継続的に適切な入力流で（例えば混合領域１１００はＨ官能性反応物およびホスゲンで）充填され、それぞれの生成物（例えば反応混合物５０）は継続的にそこから引き出される。もちろん、同じことがＣ）のオフガス後処理区間（３０００）およびＤ）の焼却ユニット（６０００）にもあてはまる。
【００１１】
「反応領域（１２００）においてＡ．ＩＩ）で得られたホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）および分離ユニット（２１００〜２５００）においてＢ．Ｉ）で得られたホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）が、それぞれ任意選択で更なる後処理ステップを通過した後に、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ送られる」という本発明の特徴は、２つのプロセスオフガス流のうちの１つがもう一方へと合流する実施形態も含む。この例がさらに後で説明される。
【００１２】
本発明の文脈において、すべての実施形態では、「Ａ）および／またはＢ）の施設構成要素が停止される」。このような施設構成要素の停止は、検査、修繕、保守管理または洗浄処置（これ以降では総称して「処置」）が行えるように施設構成要素を停止することを意味する。この目的で、通常運転でこの施設構成要素へ誘導される反応物の供給は停止され、問題の施設構成要素の製造施設の他の施設構成要素への接続は、任意選択で処置の間に必要な導管を別として、例えば施設構成要素を洗浄液で洗い流すために、閉じられる。
【００１３】
したがって、本発明によれば、用語「停止」は、本発明の意義（これに関しては以下の段落も参照）の範囲内でｎを自然数としてｎ個の施設構成要素が存在する場合は、これらの施設構成要素のうち最大でｎ−１個が停止することを含む。本発明によれば、それえゆえ上記の意味で、１つ以上の施設構成要素は「停止される」ことがない（つまり、１つ以上の施設構成要素は完全には停止されない）。好ましくは、本発明は１つ〜２つの施設構成要素が停止する場合に関し、より好ましくは、１つの施設構成要素が停止する場合に関する。それゆえ、本発明によれば、１つの施設構成要素（または２つ以上の施設構成要素だがすべての施設構成要素ではない）が停止する場合には、（Ｈ官能性反応物の供給が停止されるので、生成物をさらに製造することができないために）常に更なる生成物の生成が停止される。
【００１４】
「循環モード」は、本発明の文脈において、Ａ）および／またはＢ）の施設構成要素からの出力流が、最終的にはこの施設構成要素に対する入力流としてふたたび使用されることを意味すると理解される。製造を停止する結果、循環モードにおけるこれらの流れは通常運転時とは異なる組成を持っており、これは本発明の文脈において、それぞれの参照数字への添え字「−Ｘ」で示される。この循環モードは、出力流が直接同じ施設構成要素へと戻されて再循環されるように実行することができる。また、元の施設構成要素からの出力流が、１つまたは複数の更なる施設構成要素を通過した場合のみ、元の施設構成要素へ再循環されることも可能であり（そして望ましい）、この場合は、更なる施設構成要素が元の施設構成要素の上流または下流に接続されることがある。「Ａ）の施設構成要素」という表現は、反応区間（１０００）全体（すなわちＡ．Ｉ）およびＡ．ＩＩ）を含む）、または各構成要素Ａ．Ｉ）およびＡ．ＩＩ）のそれぞれのいずれかを指しうる。同じことが、（好適な実施形態では更なる構成要素Ｂ．ＩＩ）およびＢ．ＩＩＩ）を有することがある）後処理区間（２０００）にあてはまる。特定の実施形態では、施設構成要素は単一の装置で構成されていることがあり、今度はこの装置が、本発明の意義の範囲内で施設構成要素になりうる。そのような場合、循環モードは必ずしもその施設構成要素（全体）に対して及ぶ必要はなく、その中の個々の装置、すなわち施設の（サブ）構成要素へ限定されていてもよい。この一例はＢ．Ｉ）の「分離ユニット（２１００〜２５００）」であり、このユニットは複数の異なるサブユニット（２１００、２２００、２３００、および２５００）から形成されることがあり、これらサブユニットのそれぞれが、さらに後で詳細に説明されるように、今度は本発明の意義の範囲内で施設構成要素とみなされうる。多数の装置からなる施設構成要素の別の例は、特定の実施形態では反応領域（１０００）であり、これは混合領域（１１００）および反応領域（１２００）もまったく同一の装置（まったく同一の施設構成要素）の一部になりうるためで、この場合、この２つの間で厳密な空間的境界を定めることは、ある状況下ではもはや不可能である。したがって、本発明の循環モードは、例えば反応区間（１０００）全体（特に混合領域（１１００）および反応領域（１２００）が１つの装置内に実現されている場合であるが、これに限られない）、あるいはその一部だけを含むことがある。同様に、Ａ）の施設構成要素がＢ）の施設構成要素と共に共通の循環モードに含まれることもありうる。
【００１５】
施設の通常運転、または上で説明された循環モードで発生するオフガス流は、本発明の文脈において、「プロセスオフガス流」、または略して「プロセスオフガス」と呼ばれる。このようなプロセスオフガス流は、通常は体積比で多くても少量の酸素を含み、これは、どのような場合でも以下で説明される酸素含有オフガス流よりも（ずっと）少ない。体積比で多くても少量の酸素は、使用される反応物に溶解された少量の酸素成分に由来することがあり、または、施設構成要素が減圧下で稼働される場合は、真空システムに由来することがある。そのようなプロセスオフガス流における総体積を基にした酸素の体積比は、好ましくは３．９％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにいっそう好ましくは２．６％以下、非常に並外れて好ましくは２．０％以下である。
【００１６】
停止されている施設構成要素において処置がされた場合のみに、例えば安全上の理由で吸引作業が実施された結果として得られるオフガス流は、対照的に通常は相当な割合の酸素を含むので、本発明の文脈において、「酸素含有オフガス流」、または略して「酸素含有オフガス」（または、専門用語で廃空気（ｗａｓｔｅ  ａｉｒ））と呼ばれる。この文脈において、オフガス流は、酸素の体積比が総体積に基づいて４．０％以上の場合、酸素を含んでいる。
【００１７】
当業者は、オフガス流内の酸素含有量を判定するのに適した方法を心得ている。原理上、標準的な酸素定量法は、本発明の目的に対して重要ではないばらつきの範囲内でほぼ同じ結果を与える。疑義がある場合、常磁性交流圧力方式に基づいて動作する酸素センサでの測定結果が本発明の目的に対して極めて重要となる。適した測定装置は、例えばＳｉｅｍｅｎｓから（例えば「Ｏｘｉｍａｔ  ６」）調達できる。
【００１８】
本発明によれば、プロセスオフガス流および酸素含有オフガス流は、焼却ユニット（６０００）へ導入されるまではそれらが生成される場所から離されている。これは２つ以上のホスゲン分解ユニット（３０１１、３０１２、…）を使用することで可能であり、そのうち１つだけ（３０１１）がプロセスオフガス用であり、１つ（３０１２）は酸素含有オフガス用である（つまり、プロセスオフガスおよび酸素含有オフガスは同一のホスゲン分解ユニットには決して導入されない）。専用のオフガス導管が第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）から焼却ユニット（６０００）へと通じ、同様に酸素含有オフガス用の第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）から焼却ユニット（６０００）へと通じる。これらの、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）および第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）からの別々のオフガス導管により、プロセスオフガスおよび酸素を多く含むオフガスを事前混合することなしに焼却へ案内できる。プロセスオフガス用のオフガス導管および酸素含有オフガス用のオフガス導管は、２つの流れからの構成成分の混合が既に焼却が始まっている場合に限り始まるように、「空間的に別々の場所で」焼却ユニット（６０００）に開口している。したがって、本発明は、プロセスオフガスおよび酸素含有オフガスをそれぞれが生成される場所から焼却するまでお互いに離しておくことを可能とし、これにより不活性の希釈ガス、例えば窒素を追加で使用することなく、いかなる爆発のリスクも回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１ａ】
【図１ｂ】
【図２】
【図３】
【図４ａ】
【図４ｂ】
【発明を実施するための形態】
【００２０】
まず、本発明の様々な取り得る実施形態の簡潔な要約が続く。
本発明の第１実施形態では、化学製品（１）は有機カーボネートであり、特にポリカーボネートである。
【００２１】
本発明の第２実施形態では、化学製品（１）はイソシアネートであり、特にトリレンジイソシアネート、またはメチレンジフェニルジイソシアネートとポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートの混合物である。
【００２２】
本発明の第３実施形態では、これは第２実施形態の特定の実施形態であるが、Ｂ．Ｉ）の分離ユニット（２１００〜２５００）は、
液体流（６０）を溶媒およびイソシアネートを含む液体流（８０）と、ホスゲンおよび塩化水素を含むガス状プロセスオフガス流（９０）へと分離する蒸留装置（２１００）と、
溶媒およびイソシアネートを含む液体流（８０）を、溶媒を含むプロセスオフガス流（１１０）とイソシアネートを含む液体流（１００）へと分離する蒸留装置（２２００）と、
溶媒を含むプロセスオフガス流（１１０）を、溶媒を含む液体流（１２０）とガス状のホスゲン含有プロセスオフガス流（１３０）へと分離する蒸留装置（２３００）と、
を有する。
【００２３】
本発明の第４実施形態では、これは第３実施形態の特定の構成であるが、Ｂ．Ｉ）の分離ユニット（２１００〜２５００）はまた、ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）、（９０）、および（１３０）が溶媒（４）で吸収されることで洗浄されて溶媒およびホスゲンを含む液体流（１６０）と塩化水素および溶媒を含むガス状プロセスオフガス流（１７０）が得られる吸収装置（２５００）を有し、ガス状ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）および（９０）は、好ましくはまず混合され、混合されたホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）および（９０）とホスゲン含有プロセスオフガス流（１３０）がそれぞれ凝縮されて、液体の状態で吸収装置（２５００）へ導入される。
【００２４】
本発明の第５実施形態では、これは第２実施形態、第３実施形態、および第４実施形態の特定の構成、特に第４実施形態の特定の構成であるが、Ｂ）の後処理区間（２０００）は、Ｂ．Ｉ）の分離ユニット（２１００〜２５００）に加えて、
Ｂ．ＩＩ）ホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）から塩化水素を分離する分離ユニット（２６００）、
を有し、
この分離ユニット内で、ホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）は塩化水素を奪われ、好ましくは蒸気復水器（２６３０）の通過後に、溶媒および任意のガス状二次成分を含むホスゲン含有プロセスオフガス流（２００）が得られて、ガス状ホスゲン含有プロセスオフガス流（２００）が第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へと送られる。
【００２５】
本発明の第６実施形態では、これは第５実施形態の特定の構成であるが、分離ユニット（２６００）内の塩化水素の分離が水中、または塩酸の全質量に対して０．５０質量％から１５．０質量％の範囲の濃度の塩酸の中で塩化水素を吸収することで行われて、溶媒および任意のガス状二次成分を含むホスゲン含有プロセスオフガス流（２００）に加えて塩酸含有流（１９０）が得られる。
【００２６】
本発明の第７実施形態では、これは第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態、第５実施形態、および第６実施形態の特定の構成であるが、Ｂ）の後処理区間（２０００）は、Ｂ．Ｉ）の分離ユニット（２１００〜２５００）に加えて、また、Ｂ．ＩＩ）の分離ユニット（２６００）が存在する場合はこれに加えて、
Ｂ．ＩＩＩ）イソシアネートを含む液相（１００）の後処理用の蒸留ユニット（２４００）
を有し、
蒸留ユニット（２４００）は、任意選択でその上流側にポリメリックイソシアネート成分除去ユニット（２４１０）が置かれる。
【００２７】
本発明の第８実施形態では、これは第７実施形態の特定の構成であるが、ポリメリックイソシアネート成分除去ユニット（２４１０）が存在して、製造停止中に以下の循環モード、すなわち
蒸留装置（２２００）の頂部から開始し、蒸留装置（２３００）を経由して蒸留装置（２２００）へと戻る第１循環モードと、
蒸留装置（２２００）の底部から開始し、ポリメリックイソシアネート成分除去ユニット（２４１０）を経由して蒸留装置（２２００）へと戻る第２循環モードと、
蒸留装置（２１００）から開始して、蒸留装置（２１００）へと戻る第３循環モードと、
塩化水素を分離する分離ユニット（２６００）から開始して、分離ユニット（２６００）へと戻る第４循環モードと、
が規定され、
Ａ）の反応区間（１０００）が停止される。
【００２８】
本発明の第９実施形態では、これはすべての他の実施形態を組み合わせたものでありうるが、製造施設は、一酸化炭素（３００）と塩素（３１０）からホスゲンを製造する装置（４０００）を備えるホスゲン製造区間（０）を有し、製造が停止された際に、Ｈ官能性反応物（２）を供給するスイッチが切られた後に任意選択で時間遅延を伴って、ホスゲンの製造が停止される。
【００２９】
本発明の第１０実施形態では、これはすべての他の実施形態を組み合わせたものでありうるが、Ｂ）の後処理区間（２０００）の施設構成要素は、周囲圧力に対して少なくとも部分的に減圧されて稼働され、減圧は、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ供給される複数のプロセスオフガス流が得られる複数の真空発生施設により生成される。
【００３０】
本発明の第１１実施形態では、これは第１０実施形態の特定の構成であるが、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）は別々に稼働される２つ以上のホスゲン分解施設構成要素（３０１１−１および３０１１−２）を有し、化学製品（１）の製造中にこれらの２つのホスゲン分解施設構成要素のうちの１つ（３０１１−１）には複数の真空発生施設からの複数のプロセスオフガス流のみが供給され、一方で、他方のホスゲン分解施設構成要素（３０１１−２）にはすべての他のプロセスオフガス流が供給されて、製造停止している間は複数の真空発生施設は停止されてホスゲン分解施設構成要素（３０１１−１）へ接続されたままとなっている。
【００３１】
本発明の第１２実施形態では、これはすべての他の実施形態を組み合わせたものでありうるが、化学製品の製造中に酸素含有オフガス流（４１０−Ｘ）が得られ、酸素含有オフガス流用の第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）は化学製品（１）の製造中にも稼働されて、第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）には酸素含有オフガス流（４１０−Ｘ）が供給される。
【００３２】
本発明の第１３実施形態では、これは第１２実施形態の特定の構成であるが、第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）は並列に接続された２つ以上のホスゲン分解施設構成要素（３０１２−１および３０１２−２）を備え、ホスゲン分解施設構成要素のうちの１つ（３０１２−１）には化学製品の製造中に得られる酸素含有オフガス流（４１０−Ｘ）のみが供給され、一方で、他方のホスゲン分解施設構成要素（３０１２−２）には、製造停止の場合に停止されている１つ以上の施設構成要素で得られる酸素を多く含むオフガス流（４００−Ｘ）が供給される。
【００３３】
上で簡潔にその概要が説明された実施形態および本発明の更なる取り得る構成は以下で詳細に説明される。様々な実施形態は、当業者にそうでないことが文脈から明らかでない限りは、望むように互いに組み合わせることができる。
【００３４】
本発明の方法は、塩化水素の脱離を伴うＨ官能性反応物のホスゲンとの縮合反応により生成される任意の化学製品（１）の製造に根源的に適している。縮合反応で生成される塩化水素の所在は手順に依存する。
ｉ．塩化水素が中和されておらず、水性溶媒なしに反応が起こる場合、塩化水素は相当な割合がホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）へ入る（同様にそれ以上の割合が液相（６０）に溶解されることがある）。この場合、Ｂ）の後処理区間（２０００）はＢ．ＩＩ）の施設構成要素、およびＡ．ＩＩ）で得られるホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）から（およびＢ．Ｉ）で得られる気相（１７０）から）塩化水素を分離する分離ユニット（２６００）も含み、塩化水素の含有量は液相（６０）に溶解されて塩化水素が枯渇したホスゲン含有プロセスオフガス流（２００）および塩化水素含有（または塩酸含有）流（１９０）を生成する塩化水素に由来し、これについては以下でさらに詳細に説明される。
ｉｉ．反応が（ａ）水性溶媒の存在下で起こる場合、または（ｂ）化学製品を含んだ液相（６０）が反応終了後直ちに水性溶媒で洗浄される場合、水性液相（６１）が得られ、塩化水素はこの中へ移動する。特に水性溶媒が塩基を含む場合にこのようになり、塩化水素が塩へ変えられる。塩化水素の水性液相（６１）への移動の完全度次第で、後処理構成要素Ｂ．ＩＩ）を省くことができる。
【００３５】
通常運転においてプロセスオフガスからの塩化水素の分離を伴わない、本発明の方法の最も単純な実施形態が図１ａに示されている。
Ａ．ＩＩ）の反応領域（１２００）または反応領域へ一体化された分離領域（１２１０）で得られるホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）は直接または後処理段階Ｂ．Ｉ）を通過した後に第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ誘導される。後処理段階Ｂ．Ｉ）が実行される場合、ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）が最終的にホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）の一部となるように、ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）を後処理段階の中で得られるプロセスオフガス流と混合するのは適切である。
【００３６】
図１ｂは、通常運転においてプロセスオフガスからの塩化水素の分離を伴わない、本発明の方法の一実施形態を示す。
Ａ．ＩＩ）の反応領域（１２００）または反応領域へ一体化された分離領域（１２１０）で得られるホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）は直接または後処理段階Ｂ．Ｉ）を通過した後にＢ．ＩＩ）の塩化水素分離ユニット（２６００）へ誘導される。後処理段階Ｂ．Ｉ）が実行される場合、ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）が最終的にホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）の一部となるように、ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）を後処理段階の中で得られる処理後のオフガス流と混合するのは適切である。
【００３７】
このようにして得ることができる化学製品（１）の既知の例が有機カーボネートであり、特に（有機アルコール、特に多価アルコールとホスゲンとの反応による）ポリカーボネート、および（第一級有機アミンとホスゲンとの反応による）イソシアネートである。ポリカーボネート（１）製造での塩基性水溶液中のアルコール塩（２）と有機溶媒（４）に溶解されたホスゲン（３）の界面重縮合は、前述の方法のバージョンｉｉの変形（ａ）の例である。対応する第一級アミン（２）をホスゲン化することによるイソシアネート（１）の製造は、方法のバージョンｉの例である。本発明は、以下で例として有機カーボネート、特にポリカーボネート、およびイソシアネートの製造を参照して説明されるが、本発明はそれに限定されない。
【００３８】
本発明の方法は任意の有機カーボネート、特にポリカーボネートの製造方法へ適用できる。本発明の方法は、ビスフェノールＳ、ジヒドロキシジフェニルスルフィド、テトラメチルビスフェノールＡ、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ＢＰＴＭＣ）、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン（ＴＨＰＥ）、またはビスフェノールＡに由来するポリカーボネートを製造する方法で好ましくは使用される。ビスフェノールＡが特に望ましい。
【００３９】
本発明の方法は、任意の芳香族、脂肪族、および芳香脂肪族イソシアネートの製造方法へ適用できる。本発明の方法は、（メチレンジフェニレンジアミンから）メチレンジフェニルジイソシアネート、（ポリメチレンポリフェニレンポリアミンから）ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート、メチレンジフェニルジイソシアネートとポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートの混合物、（トリレンジアミンから）トリレンジイソシアネート、（キシリレンジアミンから）キシリレンジイソシアネート、（ペンタン−１，５−ジアミンから）ペンタン１，５−ジイソシアネート、（ヘキサメチレンジアミンから）ヘキサメチレンジイソシアネート、（イソホロンジアミンから）イソホロンジイソシアネート、および（ナフチルジアミンから）ジイソシアナトナフタレン、より好ましくはメチレンジフェニルジイソシアネート、メチレンジフェニルジイソシアネートとポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートの混合物、およびトリレンジイソシアネートを製造するのに使用することが好ましい。本発明の方法は、最も好ましくはメチレンジフェニルジイソシアネート、およびメチレンジフェニルジイソシアネートとポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートの混合物の製造に適している。
【００４０】
通常運転におけるＡ）の反応区間（１０００）におけるＨ官能性反応物のホスゲンとの反応は、変換されるＨ官能性反応物に応じて、気相または液相で起こすことができる。
【００４１】
液相反応の場合は、本発明の方法ではＨ官能性反応物（２）および／またはホスゲン（３）を有機溶媒（４）に溶解し、２つの共反応物を混合（Ａ．Ｉ））した後に、２つの共反応物を反応させる（Ａ．ＩＩ））のが慣例であり、また想定される。ここで、両方の共反応物を有機溶媒（４）に溶解させること、あるいは一つだけを溶解させることが可能であり、後者の場合、他方はきれいに（事前に溶解させることなく）使われる、または水溶液に入れて使われる。
【００４２】
気相反応の場合は、本発明の方法では、直接冷却によって（すなわち冷却媒体との物理的接触で）または間接冷却によって（すなわち冷却媒体との物理的接触なしに）、（最初に気相に残り、下流の後処理ステップで回収される、場合によっては小さな成分とは別に）生じる所望の化学製品（１）が液相で得られる程度までガス状粗生成物を液化するのが慣例であり、また想定される。適した冷却媒体は、特に有機溶媒（４）、再循環され冷却される化学製品（１）、または２つの混合物である。このようにして、気相反応でも化学製品（１）を含む液相（６０）が得られる。
【００４３】
（ポリ）カーボネート（１）をもたらすアルコール（２）のホスゲン（３）との反応は、液相で、好ましくは界面重縮合として起こる。ここでアルコール（２）は塩基（好ましくはアルカリ金属水酸化物、特に水酸化ナトリウム）の水溶液中で、すなわちアルコキシドの形態で、有機溶媒（４）（好ましくはハロゲン置換された脂肪族炭化水素、特にモノクロロメタン、ジクロロメタン、もしくはトリクロロメタン、またはテトラクロロエチレン）に溶解されたホスゲン（３）と反応させられる。生成された（ポリ）カーボネート（１）は有機相へ移動し、放出された塩化水素は対応する塩の形態で水相（６１）へ移動する。この方法バージョンでは、混合領域（１１００）と反応領域（１２００）は互いから厳密に分離されるべきではなく、それゆえ使用される混合・反応装置全体が１つの施設構成要素（１１００〜１２００）であるとみなす必要がある。過剰量のホスゲン（３）は、一部は液相（６０）に溶解されて残り、液状反応混合物を介して一部はガス空間へ（ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）へ）移動する。（ポリ）カーボネート（１）を含む（有機）液相（６０）と使用された塩基の塩の形態で放出された塩化水素を含む水性液相（６１）は、互いから分離される。少なくとも液相（６０）はＢ）で後処理される。
【００４４】
本発明の一実施形態では、イソシアネートをもたらす第一級有機アミンのホスゲンとの反応は液相で起こる。ここで、アミン（２）とホスゲン（３）は有機溶媒（４）に溶解され、こうして得られた溶液が混合されて反応を起こす。混合領域（１１００）での混合は、（ｉ）静的混合ユニット（好ましくはノズル）、または（ｉｉ）動的混合ユニット（好ましくはロータ・ステータ混合器）を使って実現できる。前者（ｉ）のケースでは、混合領域および反応領域は好ましくは単一の装置（単一の施設構成要素１１００〜１２００）内に配置され、例えばこの中では、出発物質のうちの１つを供給するノズルチューブ（任意選択で、さらに多数のノズルチューブ）が、このノズルチューブ（任意選択で多数のノズルチューブ）を取り囲み、他の出発物質がその中を流れる管状反応装置へ突き出している。後者（ｉｉ）のケースでは、混合領域および反応領域は好ましくは２つの装置内、すなわち、下流に滞留時間反応装置（１２００）を有する動的混合器（１１００）内に配置される。しかし、（ｉｉ）のケースの他の構成（例えば、１つの装置内に動的混合ユニットおよび滞留領域）は排除されない。いずれの場合でも、連続流反応領域（１２００）の終端で、イソシアネート（１）（ならびに溶媒（４）ならびに溶解されたホスゲンおよび塩化水素の成分）を含む液相（６０）、および（この実施形態では塩化水素も含む）ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）が得られ、この両方がＢ）で後処理される。
【００４５】
本発明の別の実施形態では、イソシアネートをもたらす第一級有機アミンのホスゲンとの反応は気相で起こる。アミン（２）およびホスゲン（３）は気相へ移動し、（依然として気体状態で）混合されて反応が起こる。ここで、混合は、好ましくは上記の液相反応用のノズルを用いて行われる。そして、混合領域および反応領域は単一の混合反応装置（１１００〜１２００）に配置される。得られた粗製ガス状プロセス生成物は急冷液（溶媒（４）および／または再循環されたイソシアネート）に接触させることで、イソシアネート（１）の沸点より下で対応するカルバモイルクロリドの分解点より上の温度で急速に冷却され、生成されたイソシアネートが生成された液相へ移動する。このようにして、イソシアネート（１）（ならびに使用された急冷液ならびに溶解されたホスゲンおよび塩化水素の成分）を含む液相（６０）、および（この実施形態では塩化水素も含む）ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）が得られ、この両方がＢ）で後処理される。
【００４６】
有機溶媒（４）が使用される本発明のすべての実施形態では、有機溶媒（４）は好ましくは、ハロゲン置換がない脂肪族炭化水素（好ましくはデカヒドロナフタレン）、ハロゲン置換のある脂肪族炭化水素（好ましくはモノクロロメタン、ジクロロメタン、もしくはトリクロロメタン、またはテトラクロロエチレン）、ハロゲン置換がない芳香族炭化水素（好ましくはトルエンまたはキシレン、特にトルエン）、ハロゲン置換のある芳香族炭化水素（好ましくはクロロベンゼン、パラジクロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン、クロロトルエン、またはクロロナフタレン、特にオルトジクロロベンゼン）、および前記の有機溶媒の混合物からなる群から選択される。製造には、モノクロロベンゼン（ＭＣＢ）またはオルトジクロロベンゼン（ＯＤＢ）が使われるのが好ましい。
【００４７】
通常運転においてＡ．ＩＩ）で得られる化学製品（１）を含む液相（６０）およびＡ．ＩＩ）で得られるホスゲンを含む気相の後処理は、変換されるＨ官能性反応物およびＡ）での手順に応じて様々な方法で実行することができるが、いずれの場合でも、分離ユニット（２１００〜２５００）内の液相（６０）からのホスゲンガスの分離を含む。目的に適した装置は当業者によく知られているものであり、蒸留塔または多数の蒸留塔の配列を使用するのがこの目的には好ましい。ここではホスゲンが枯渇し化学製品（１）を含む液相（１００）および除去されるホスゲンを含むプロセスオフガス流（１７０）も得られる。こうして得られたホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）は、任意選択で更なる後処理ステップを通過した後に、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ送られ、その動作モードはさらに後で説明される。
【００４８】
そのような任意選択で実行される更なる後処理ステップは、既に上で述べた施設構成要素Ｂ．ＩＩ）の分離ユニット（２６００）内のホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）からの塩化水素の分離を特に含む。この実施形態は、化学製品（１）を含む液相（６０）がかなりの割合の塩化水素を含む場合に実行され、これは通常はＡ）での反応が、特にイソシアネートの製造の場合に、生成された塩化水素が中和されずに水性溶媒なしに起こる場合である。この場合、Ａ．ＩＩ）で得られるホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）は、同様に分離ユニット（２６００）で適切に除去される相当な割合の塩化水素も含む。ガス状流から塩化水素を除去するのに適した方法は当業者に知られており、本発明の文脈において使用することもできる。例として、水または希塩酸（０．５０質量％から１５．０質量％の範囲の濃度の塩酸）内での塩化水素の吸収が挙げられる。正確な手順とは関係なく、塩化水素が枯渇したホスゲン含有プロセスオフガス流（２００）および塩化水素含有（または水性溶媒中での吸収の場合は塩酸含有）流（１９０）がＢ．ＩＩで得られる。
【００４９】
本発明の好適な実施形態では、ホスゲンが枯渇し化学製品（１）を含む液相（１００）は、最大の純度で作られた化学製品（１）が得られるように、Ｂ．ＩＩＩ）の精製ユニット（２４００）で精製される。精製ユニット（２４００）は好ましくは蒸留塔または直列に接続された多数の蒸留塔の配列を備える。
【００５０】
通常運転において、後処理区間（３０００）におけるＢ．Ｉ）またはＢ．ＩＩ）で得られるプロセスオフガス流（１７０）または（２００）のＣ）の後処理は、１段階以上のホスゲン分解を含む。本発明によれば、プロセスオフガス流は第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ誘導される。このユニットは好ましくは、ホスゲンが触媒作用により、好ましくは活性炭の上で５．０℃〜５０．０℃、好ましくは２０．０℃〜４０．０℃の範囲の温度の水流を使って分解されるように稼働される。水流は水、特に供給水（ｓｅｒｖｉｃｅ  ｗａｔｅｒ）、復水（つまり、特に熱交換器などの凝縮装置で得られる凝縮された蒸気）、脱塩水、またはこれらの２つ以上の混合物であってよい。同様に、水流として１％から３％の塩酸（塩酸の全質量に基づくパーセント）を使用できる。ここで一つのオプションは、ホスゲンの加水分解により塩酸を含むホスゲン分解ユニット内で得られる水流を再循環することで、この場合、塩酸を含む水流の一部が過度に高い濃度を防ぐために排出されうる。復水が使用されるのが望ましく、特にホスゲン分解ユニットからの塩酸を含んだ再循環流と共に使用されるのが望ましい。ホスゲンは８００ｍｂａｒ〜１０００ｍｂａｒ（絶対圧）の範囲、好ましくは８５０ｍｂａｒ〜９５０ｍｂａｒ（絶対圧）の範囲の圧力で分解され、この圧力は好ましくはホスゲン分解ユニット（３０１１）の先に設置された換気装置を用いてもたらされる。第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）は多数の施設構成要素、特に多数の、または特に２つの直列に接続された、「ホスゲン破壊塔」と呼ばれる管状反応装置を備えることがある。ここで、好ましくは存在する換気装置をホスゲン分解用の各施設構成要素の先に設置する、あるいは流れ方向でホスゲン分解用の最後の施設構成要素の先だけに設置することができる。
【００５１】
後処理区間（３０００）へ誘導されるプロセスオフガスがかなりの割合の溶媒（４）を依然として含んでいる場合、この溶媒をホスゲン分解の下流の溶媒吸着（図面では示されていない）で吸着して除去するのは適切でありうる。
【００５２】
本発明によれば、Ｃ）の後処理区間（３０００）は、プロセスオフガス流用の１つ以上の第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）および酸素含有オフガス流用の１つ以上の第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）を備える。酸素含有オフガス流用の１つ以上の第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）が、上述したようにプロセスオフガス流用の１つ以上の第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）に対して好ましくは構成され、好ましくは稼働される。１つ以上の第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）は、通常運転では必ずしも必要とされないが、多くの場合、通常運転中においても稼働させておくことが適切である。これにより、まず、この目的のために特に提供される複数のユニットを介してサンプリング点からの酸素含有ガス流（４１０−Ｘ）の処理が可能となる。サンプリング点からの酸素含有オフガス流を除去するためのこれらのユニットは（固定された配管の形で）恒久的に設置される導管であってもよく、または、プラスチック（好ましくはポリエチレン）、ゴム、または特に金属でできたホースなどの柔軟取り付けが可能な装置であってもよく、それぞれの場合で（固定された配管の形、または柔軟な配管の形のいずれであるかにかかわらず）、酸素含有オフガス流を除去するユニットを導電性材料から製造することが望ましい。これとは関係なく、次に、すべてのホスゲン誘導用施設構成要素から１つ以上の第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）への固定された配管の形で導管を使える状態に保っておくことは、原理上は可能であり、そうすることで、漏出で施設構成要素を緊急停止する場合に、まず緊急停止に対する前提条件を時間のかかる方法で規定する必要もなしに酸素含有オフガスをホスゲン分解へ送ることができる。
【００５３】
Ｄ）の焼却ユニット（６０００）でのＣ）で得られる後処理済みのプロセスオフガス（２１０）の焼却は、原理上は先行技術で知られるように行うことができる。
【００５４】
安全上の理由で、本発明のすべての実施形態では、Ａ）における反応を起こすのに必要とされるホスゲンは、ホスゲン製造用の装置（４０００）を備えるホスゲン製造区間（０）において一酸化炭素（３００）を塩素（３１０）と反応させることでその場で用意することが望ましい。このステップを実行するため、欧州特許第１６４０３４１（Ｂ１）号明細書による「低温混合器」または欧州特許第０１３４５０６（Ｂ１）号明細書による「高温混合器」を利用できる。それぞれの方法により、一酸化炭素およびホスゲンの残留物を含むプロセスオフガス流（３２０）がもたらされ、このプロセスオフガス流は、特に更なる精製ステップの通過後に、好ましくは第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ送られる。本発明のすべての実施形態では、製造停止する場合、製造が再開するまでは中間で保管しておかなければいけないホスゲンが大量に生成されるのを防ぐために、Ｈ官能性反応物（２）の供給の停止後に任意選択で時間遅延を伴って、ホスゲンの更なる製造を停止するのが望ましい。
【００５５】
本発明の方法では、個々の施設構成要素は通常運転および周囲圧力に対して減圧での循環モードで稼働できる。これは特にＢ）の後処理区間（２０００）の施設構成要素に関連する。この目的で必要とされる複数の真空発生施設（図面には示されていない）がプロセスオフガス流を生成する。これらのプロセスオフガス流は、（任意選択で混入した溶媒（４）の除去などの更なる精製ステップの通過後に、ただし塩化水素の除去は一般的に必要ではなく、それゆえ好ましくは省略される）凝縮または液滴生成によって、同様に第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ供給される。
【００５６】
好適な実施形態では、真空システムからのオフガスは真空システムのみに提供される専用のホスゲン分解ユニットへ送られる。そのような場合、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）は、別々に稼働される２つ以上のホスゲン分解施設構成要素（３０１１−１および３０１１−２）からなる。これらのホスゲン分解施設構成要素（３０１１−１、３０１１−２）は、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）に対して上述したように設置され、稼働される。通常運転での化学製品（１）の製造中は、これらの２つのホスゲン分解施設構成要素のうちの一つ（３０１１−１）には複数の真空発生施設からのプロセスオフガス流のみが供給され、一方で、他方のホスゲン分解施設構成要素（３０１１−２）には、すべての他のプロセスオフガス流が供給される。複数の真空発生施設に漏出または類似した重大な問題がある場合、これらの真空発生施設は停止されるが、これらの真空発生施設の内部で得られるオフガス流のすべてが、酸素を含むかどうかにかかわらず、すべての他のオフガス流から離された専用のホスゲン分解へ供給されるように、これらの真空発生施設はそれらへ割り当てられたホスゲン分解施設構成要素（３０１１−１）と接続されたままとなる。その後、製造施設の他の施設構成要素を説明された方法で循環モードにすることができる。この場合、ホスゲン分解施設構成要素（３０１１−１）はすべての他の場合における第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）と同じ役割を果たす。
【００５７】
製造停止の場合の本発明の手順が、Ａ）の反応区間（１０００）全体が停止する例を使い、図２に示されている。通常運転で反応物および生成物を供給し、除去する導管は閉じられている（対応する導管において「ｘ」で示されている）。反応領域（１２００）からの、または、反応領域と一体化された分離領域（１２１０）からの酸素含有オフガス（４００−Ｘ）が、この目的のために特別に提供されるユニットを介して第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）へ供給される。この酸素含有オフガス（４００−Ｘ）を除去するユニットは、（固定された配管の形で）恒久的に設置される導管であってもよい。しかし、この目的では、プラスチック（好ましくはポリエチレン）、ゴム、または特に金属でできたホースなどの柔軟取り付けが可能な装置を使用することも同様に可能であり、いずれの場合でも（固定された配管の形、または柔軟な配管の形のいずれかにかかわらず）、酸素含有オフガスを除去する装置を導電性材料から製造することが望ましい。図２の実施形態では、この循環モードはＢ．Ｉからの液状出力流（１００−Ｘ）およびＢ．ＩＩからの液状出力流（１９０−Ｘ）がそれぞれの施設構成要素へと再循環されることで実行される（添え字「Ｘ」は、通常運転での対応する流れ、（１００）および（１９０）とは異なる組成を流れが持っていることを示す）。Ｂ．Ｉ）からＢ．ＩＩ）へのガス経路は、（流れ（１７０−Ｘ）を介して）開放されている。Ｂ．ＩＩ）からＣ）へのガス経路も同様に開放されており、これはプロセスオフガス（２００−Ｘ）が第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ入ることを意味する。ホスゲンが取り除かれた、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）で得られるプロセスオフガス流（２１０−Ｘ）、および、ホスゲンが取り除かれた、第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）で得られるプロセスオフガス流（４１０−Ｘ）が、別の導管を経由してＤ）の焼却ユニット（６０００）の空間的に別の場所へ供給されて、内部で燃焼される。
【００５８】
製造停止の場合の本発明の手順をより良く理解するため、通常運転でのイソシアネート（１）、これは本発明の文脈においてより好ましくは化学製品（１）、の製造の特に好適な実施形態が以下で詳細に説明される（図３を参照）。
【００５９】
連続的または半連続的な、好ましくは連続的な、Ａ）の反応区間（１０００）でのイソシアネートの製造は、先行技術で既知の方法の一つにより行うことができる。適したプロセスが、例えば欧州特許出願公開第２０７７１５０（Ａ１）号明細書、欧州特許出願公開第１６１６８５７（Ａ１）号明細書、欧州特許出願公開第１８７３１４２（Ａ１）号明細書、欧州特許出願公開第０７１６０７９（Ａ１）号明細書、および欧州特許第０３１４９８５（Ｂ１）号明細書（液相プロセス）、ならびに欧州特許出願公開第２１９６４５５（Ａ１）号明細書、欧州特許出願公開第１４４９８２６（Ａ１）号明細書、および国際公開第２０１５／１４４６８１（Ａ１）号明細書（気相プロセス）で説明されている。しかし、反応物のアミン（２）およびホスゲン（３）の濃度および流量は、好ましくはＡ．Ｉ）での共反応物の混合で第一級アミノ基に対するホスゲンのモル比が１．１：１〜３０：１、より好ましくは１．２５：１〜３：１が得られるように選択される。
【００６０】
本発明の好適な実施形態では、対応する貯蔵容器（１０２０、１０３０）からアミン（２）およびホスゲン（３）が（１１００）での混合に送られる。これは、好ましくは溶媒（４）中で溶液（２０、３０）の形態で行われる。気相プロセスの場合は、溶媒（４）での反応物の溶解は省くことができる。
【００６１】
ホスゲン（３）は、「ホスゲン混合器」と呼ばれる装置（４０００）の中で一酸化炭素（３００）を塩素（３１０）と反応させることで製造される。ここで得られるものは一酸化炭素およびホスゲンの残留物を含むプロセスオフガス流（３２０）であり、このプロセスオフガス流は、特に更なる洗浄ステップの通過後に、好ましくは第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ送られる。適した洗浄ステップには、吸収塔（「ホスゲンスクラビング器」、４０１０）内での０．０℃から２０．０℃の範囲の温度を持つ溶媒（４）の中でのプロセスオフガス流（３２０）の吸収が含まれ、ホスゲンの一部は、一酸化炭素およびホスゲンの残留物を含むプロセスオフガス流（３２０）の外にスクラブされる。こうして得られたスクラブ後のプロセスオフガス流（３３０）は、好ましくは図３に示されるように流れ（２００）と混合されて、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ送られる。
【００６２】
混合領域（１１００）の構成に適したユニットは先行技術で充分よく知られており、例として既に上で説明されている。混合後に反応混合物（５０）が反応領域（１２００）へ誘導される。これは、混合領域（１１００）で得られる混合物に対して反応が完了するのに充分な機会が与えられる滞留時間ユニットである。適した装置は先行技術で充分によく知られている。粗製プロセス生成物は、実際の反応領域そのものにおいて、またはＡ．ＩＩ）の一部とみなされるべき分離領域（１２１０）において、液相（６０）とホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）へ分離される。また、混合領域と反応領域、または混合領域と反応領域と分離領域、もしくは反応領域と分離領域を一体化して単一の装置（例えば、対応する反応装置）とすることができる。また、本発明によれば、多数の混合領域、および／もしくは多数の反応領域、ならびに／または、存在する場合は複数の分離領域を直列または並列に接続する、例えば、多数の直列接続された反応装置のカスケード接続の形とすることができる。反応領域（１２００）で得られるプロセス生成物は、所望のイソシアネートならびに溶解された塩化水素、過剰量溶解されたホスゲン、および溶媒を含む液相（６０）と、さらに塩化水素ガスおよびガス状溶媒を含むガス状プロセスオフガス流（７０）へ分離する。反応領域の後には、必要であれば、カルバモイルクロリドを開裂させる装置（図３には示されていない）があってもよい。そのような場合、液相（６０）はＢ）の後処理区間（２０００）で後処理される前にこの装置を通過する。その結果得られる、塩化水素を豊富に含む気相は、好ましくはホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）と混合されて、更なる後処理を一緒に受ける。
【００６３】
Ｂ）の後処理区間（２０００）での後処理は、まずＡ．Ｉ）からの液相（６０）を蒸留装置（２１００、「ホスゲン除去塔」）において溶媒およびイソシアネートを含む液体流（８０）とホスゲンおよび塩化水素を含むガス状プロセスオフガス流（９０）へと分離することで、液相（６０）のホスゲンおよび塩化水素を枯渇させるステップを含む。この「ホスゲン除去塔」は、先行技術で知られる任意の方法、好ましくは欧州特許第１８５４７８３（Ｂ１）号明細書の特に段落［００１８］および［００２３］に記載される方法で稼働できる。
【００６４】
こうして得られた液体流（８０）は蒸留装置（２２００、「溶媒塔」）において溶媒を依然として含むプロセスオフガス流（１１０）とイソシアネートを含む液体流（１００）へと分離される。この分離は、先行技術で知られる任意の方法、好ましくは欧州特許第１８５４７８３（Ｂ１）号明細書の特に段落［００２４］から［００２７］に記載される方法で行うことができる。また、蒸留装置（２２００）は２つ以上の直列に接続された蒸留塔を備えてもよい（このオプションは図３では図面を簡略化するという理由で示されていない）。
【００６５】
プロセスオフガス流（１１０）は、好ましくは凝縮装置（２３１０）における液化の後に、蒸留装置（２３００、「溶媒ストリッパー」）において溶媒を含む液体流（１２０）とガス状ホスゲンガス含有プロセスオフガス流（１３０）へと分離される。この分離は、先行技術で知られる任意の方法、好ましくは欧州特許第１８５４７８３（Ｂ１）号明細書の特に段落［００２７］および［００２８］に記載される方法で行うことができる。
【００６６】
こうして得られたホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）、（９０）、および（１３０）が吸収装置（２５００、「ホスゲン吸収装置」）において溶媒（４）で吸収されることで洗浄されて（すなわち、ホスゲンの大部分が取り除かれて）、溶媒およびホスゲンを含む液体流（１６０）と塩化水素および溶媒を含むガス状プロセスオフガス流（１７０）が得られる。好ましくは、まずガス状ホスゲン含有プロセスオフガス流（７０）および（９０）が混合され、（７０）および（９０）が混合されたホスゲン含有プロセスオフガス流と、ホスゲン含有プロセスオフガス流（１３０）とが、それぞれ凝縮されて、液体の状態で吸収装置（２５００）へ導入される。この洗浄は、先行技術で知られる任意のプロセス、好ましくは欧州特許出願公開第２０９３２１５（Ａ１）号明細書に記載されるプロセスで行うことができる。ホスゲンスクラビング器（４０１０）で得られたホスゲン含有溶媒流（３４０）は、同様に適切に吸収装置（２５００）へ送られる。
【００６７】
説明された実施形態では、ユニット（２１００）、（２２００）、（２３００）および（２５００）は、Ｂ．Ｉ）の施設構成要素（２１００〜２５００）（全体）の個々の施設（サブ）構成要素を構成する。
【００６８】
このようにして得られたホスゲン含有プロセスオフガス流（１７０）は、反応で生成された塩化水素を含み、それゆえ除去ユニット（２６００）内の塩化水素除去へ送られる。Ｂ．ＩＩ）の塩化水素含有量の枯渇は、好ましくは更なる吸収装置（２６００、「ＨＣｌ吸収塔」）において吸着剤（１８０）としての水または希塩酸内での塩化水素の吸収によりもたらされて、塩酸含有流（１９０）、および好ましくは蒸気復水器（２６３０）の通過後に、溶媒および任意選択でガス状二次成分を含むガス状ホスゲンガス含有プロセスオフガス流（２００）が得られる。このステップは先行技術で知られる任意の方法で実行することができる。欧州特許第２０２１２７５（Ｂ１）号明細書に記載されている手順が好ましい。
【００６９】
使用される吸着剤（１８０）は水（例えば復水）または０．５０質量％から１５．０質量％の範囲の濃度の塩酸（希塩酸）である。塩酸含有流（１９０）は塩酸タンク（２６１０）へ排出される。塩酸タンク（２６１０）と同様に、更なる貯蔵タンク（２６４０）が必要であれば流れ（１９０）を受け入れられるように配置される。「希酸タンク」（２６２０）は、製造停止の場合に発生する、流れ（１９０）の組成が塩酸に対して必要とされる仕様から著しく異なっている場合に利用される。
【００７０】
塩化水素の吸収で放出される熱は、流れ（１７０）に存在する溶媒を大部分、または完全にガス流（２００）へ移動させる。
【００７１】
蒸気復水器（２６３０）を使う好適な実施形態では、液体流（１９１）がその内部で得られる。流れ（１９１）は概して水性構成成分および有機構成成分を含む。それゆえ、この実施形態では、位相分離装置（２６４０）において流れ（１９１）を水相（１９２）と有機相（１９３）へ分離するのは適切でありうる。水相（１９２）は、特に好ましくは希酸タンク（２６２０）への排出後に、好ましくは吸着剤（１８０）の構成成分としてのＨＣｌ吸収塔（２６００）の中へ再循環される。水飽和した有機相（１９３）はさらに使用するために受容器（２６５０）で回収され、好ましくは（特に乾燥容器２６６０において分子ふるいを用いて）乾燥した後に、例えば有機相を流れ（８０）と混合して好ましくは蒸留塔（２２００）へ再循環される、または、図３に示されるように流れ（８０）とは無関係に蒸留塔へ導入される。
【００７２】
所望のイソシアネート（１）を純粋な形で製造するため、上記の溶媒塔（２２００）で得られる液相（１００）を、溶媒の除去後に蒸留ユニット（２４００）（Ｂ．ＩＩＩ））においてさらに蒸留するのが望ましい。ここで液状イソシアネート流（１４０）が液相（１００）から得られ、溶媒を含む、または含まない、二次成分を含むガス状流（１５０）が与えられる。任意選択で、Ｂ．ＩＩＩ）は上流のポリマー除去ユニット（２４１０）においてポリメリックイソシアネート成分を流れ（１４１）として除去することを備える。液相（１００）の蒸留による精製は、先行技術で知られる任意の方法で行うことができる。適した方法が欧州特許第１４７５３６７（Ｂ１）号明細書あるいは欧州特許第１３７１６３５（Ｂ１）号明細書に記載されている。
【００７３】
したがってこの実施形態では、流れ（１４０）は精製された状態のイソシアネート（１）を含む。また、この文脈では、２４００での蒸留が洗浄作業だけでなく異性体分離も含む場合、（１４０）は異なる異性体組成（１４０−１、１４０−２、．．．）の異なるイソシアネート流（１）を累積的に表すことがある。加えて、特定の実施形態で得られる流れ１４１はイソシアネート（１）も含み、流れ１４１は、特にポリメリックイソシアネート成分（すなわち重合アミン、例えば３つまたは４つのベンゼン「核」を有するポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートに由来しうるイソシアネート（１））を含む。特定の実施形態、すなわち、特に２４１０での上流ポリマー除去がされない実施形態で得られる、「残留物の流れ」１４３は、依然としてイソシアネート（１）も含み、この流れからイソシアネート（１）を得ることができる。後者の実施形態は、トリレンジイソシアネートの製造に特に適しており、この場合、蒸留装置２４００は好ましくは隔壁塔として構成されている。
【００７４】
蒸留装置（２２００）および（２３００）、ならびに、存在する場合は（２４１０）および（２４００）は、好ましくは周囲圧力に比べて減圧下で稼働される。ここで生成されるプロセスオフガス流は、任意選択で凝縮または液滴分離により溶媒を除去した後に、第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ送られる。
【００７５】
このようにして得られたホスゲン含有プロセスオフガス流（２００）は、Ｃ）の第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ送られる。ここでホスゲンは触媒作用によって、好ましくは活性炭の上で、水流（２６０）を使って分解されて、溶媒を任意選択で含みガス状二次成分を任意選択で含むガス状流と、希塩酸用タンク（２６２０）へ部分的に排出され、再循環されて水流（２６０）の構成成分として部分的に使用される液状塩酸流が得られる。好ましくは、プロセスオフガス流および水流（２６０）は並流で活性炭層を通って案内される。ガス状流は任意選択で溶媒吸着用の吸着装置（３０２０）（図３には示されていない）を通過し、プロセスオフガス流（２１０）が得られる。
【００７６】
ホスゲンが取り除かれ、このようにして得られたプロセスオフガス流（２１０）はＤ）の焼却ユニット（６０００）へ送られる。
【００７７】
イソシアネートの製造が停止する場合の、図３に示されるプロセスにおける本発明の循環モードの好適な実施形態は図４ａ〜４ｂに示されている。第１循環モードは、蒸留装置（２２００）からの主に溶媒（４）からなる留出物が蒸留装置（２３００）へと流されることで規定される。溶媒精製（２３００）の塔底は冷却されており（図示されていない）、貯蔵タンク（２４２０）（「クルードＭＤＩ貯蔵タンク」、図４ａを参照、図３には示されていない）へ突き当たる。蒸留装置（２３００）における溶媒精製作業はここで継続される。クルードＭＤＩ貯蔵タンク（２４２０）からの粗製イソシアネートは溶媒で希釈されて、ここから排出ポンプを用いて溶媒蒸留（２２００）へと戻り、したがって（２２００）→（２３００）→（２２００）の循環モードが規定される。
【００７８】
第２循環モードは、溶媒蒸留（２２００）からの粗製イソシアネート溶液がポリメリックイソシアネート成分除去ユニット（２４１０）を経由して、特に冷えた状態で（すなわち、塔底加熱（２４１０）のスイッチが切られて）、クルードＭＤＩ貯蔵タンク（２４２０）へと流され、それから溶媒蒸留（２２００）へと戻ることで規定され、したがって（２２００）→（２４１０）→（２２００）の循環モードが規定される（同様に図４ａを参照）。溶媒精製（２３００）が稼働している場合、ここからの留出物（１３０−Ｘ、ホスゲン（３）の痕跡を有する溶媒（４））がホスゲン吸収装置（２５００）へ注入されて、ホスゲン吸収装置（２５００）で回収される。必要であれば、過剰に大量な留出物はホスゲン吸収装置（２５００）からホスゲン溶解容器（１０３０）へと誘導される。第１および第２循環モードは、共通の特徴である貯蔵タンク（２４２０）から蒸留装置（２２００）への導管を有する。
【００７９】
第３循環モードは、ホスゲン除去塔（２１００）から取り出された粗製イソシアネート溶液を含む液相（８０−Ｘ）が循環して元の除去塔へ注入されることで規定される（同様に図４ａを参照）。このモードは、好ましくは蒸気加熱式循環蒸発器（図４ａには示されていない）を用いて実現される。
【００８０】
第４循環モードは、塩化水素吸収（２６００）からの流出が塩酸タンク（２６３０）から弱塩酸タンク（２６４０）へと切り替えられることで規定される。弱塩酸は、弱塩酸タンクから塩化水素吸収の吸収装置の頂部へと流され、このようにして（２６００）→（２６４０）→（２６００）の循環モードが規定される（図４ｂを参照）。ここで吸着剤（１８０）の更なる供給が停止され（対応する導管において「ｘ」で示されている）、Ｂ．Ｉ）からＢ．ＩＩ）を経由してＣ）のホスゲン分解へ入るオフガス経路は開放されたままである。
【００８１】
すべての前述の循環モードが規定された場合、ホスゲン除去からのガス状出口流（９０−Ｘ）および溶媒蒸留からのガス状出口流（１３０−Ｘ）はホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）を通って流れ、そこから流れ（１７０−Ｘ）として塩化水素吸収（Ｂ．ＩＩ）、２６００）へ流れる。ここでホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）は好ましくは通常の運転圧および、通常の動作温度で通常運転したままで、溶媒（４）の供給だけが停止される。
【００８２】
前述の循環モードの１から４は、図２に示されるように、Ａ）の反応区間（１０００）が停止される場合に特に適している。
【００８３】
本発明は、少なくとも一時的に酸素含有オフガス（４００−Ｘ）の発生に関連する処置が施設構成要素内で実行される必要があるために化学製品の製造を停止する必要がある場合に関する。例えば停止されている施設構成要素が開放される必要がある場合、または施設構成要素内で漏出が発生した場合に、酸素は侵入できる。本発明によれば、その結果得られる酸素を多く含むオフガス流（４００−Ｘ）が１つ以上の第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）へ送られる。その動作モードは、原理上は第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）に対して説明されたように実行することができて、ここではそれに対する参照がなされる。ホスゲン分解ユニット（３０１２）は好ましくは１つまたは複数の、活性炭（例えばＮｏｒｉｔ  ＲＢ４Ｃ）で充填されたホスゲン分解施設構成要素（ホスゲン分解反応装置、ホスゲン破壊塔と呼ばれる）（３０１２−１、３０１２−２、．．．）を備え、周囲圧力に対して減圧で、特に一つの圧力で稼働される（第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）についての説明を参照）。ここで、ホスゲン分解ユニット（３０１２）も多数の、特に２つの、並列に接続されたホスゲン分解施設構成要素（３０１２−１、３０１２−２）を備えうる。これらのホスゲン分解施設構成要素（３０１２−１、３０１２−２）には様々な排出源からの酸素を多く含むオフガスが供給される（例えば、ホスゲン分解施設構成要素（３０１２−１）は、通常運転で発生し、特に分析目的のサンプリングを行う場合に得られる酸素を多く含むオフガス（４１０−Ｘ）に対して待機したままでありえて、別のホスゲン分解施設構成要素（３０１２−２）は処置を行う場合に得られる酸素を多く含むオフガス（４００−Ｘ）に対してのみ待機している）。ここで複数のホスゲン分解施設構成要素が上述したように構成されて稼働される。これらは例えば管状反応装置であってもよい。
【００８４】
本発明はさらに、Ｈ官能性反応物（２）をホスゲン（３）と反応させて化学製品（１）を製造するための製造施設に関し、この製造施設は既に上で説明されたように構成され、本発明の方法で稼働するのに適している。本発明の方法に関連して上で説明されたすべての望ましい構成、特に望ましい装置関連の構成に関連する構成は、もちろん本発明の製造施設へも適用できる。
【００８５】
本発明の方法は少なくとも以下の利点をもたらす：
Ｉ）爆発限界を確実に順守することによる、安全に関連する装置および装置に関連する要求の最小化、
ＩＩ）不活性ガスで過剰に希釈する必要なしに、酸素を多く含むオフガスを焼却ユニットへ制御しながら供給することにより、製造停止中の焼却ユニットへの天然ガスの供給の削減または回避する、
ＩＩＩ）影響を受ける領域の不活性化のための窒素供給装置の設置が省かれることによる、修繕および保守管理処置の所要時間の削減、
ＩＶ）サンプリング時の環境汚染物質の漏れの防止、
Ｖ）プロセスオフガスと酸素を多く含むオフガスを混合する際に化学製品が酸素および／または湿気と反応することで生じうる沈着（例えば、イソシアネートの場合は尿素の生成）の防止、
ＶＩ）塩化水素および／またはホスゲンの湿気との接触が減少することによる、製造施設の腐食損傷の防止、
ＶＩＩ）低酸素のオフガスと酸素を多く含むオフガスを別々に案内する場合にはオフガスのすべてを不活性ガスで希釈することによる爆発範囲の外側に保つ必要がないことによる、窒素などの不活性ガスの消費量の最小化、そしてその結果、
ＶＩＩＩ）焼却ユニットでの天然ガスの消費量の削減、
ＩＸ）修繕または保守管理処置の所要時間の削減。
【００８６】
ホスゲンのＨ官能性反応物との反応による化学製品の製造における既存のホスゲン分解ユニットの利用と比べて、第２ホスゲン分解ユニットを使って酸素を多く含むオフガスを別に処理する本発明の手順の成功は、当業者には驚きであった。酸素を多く含むオフガス用の１つ以上の第２ホスゲン分解ユニットによって、修繕および保守管理作業が明らかに短縮され、また労働安全および環境の面で、分析目的でのサンプリングが改善される。本発明の手順に関連する、不可避の高価な資本コストは、結果的に速やかに相殺され、これは当業者には予測できなかった。追加の保守管理費用は小さい（例えば、使用される活性炭の交換は、第２ホスゲン分解ユニットを優先して、通常は５年に１回だけ必要となる）。
【００８７】
本発明は実施例によってより詳細に説明される。
【実施例】
【００８８】
Ａ．一般的な条件
Ａ．Ｉ  通常運転でメチレンジフェニレンジアミンとポリメチレンポリフェニレンポリアミン（総称してＭＤＡ）の混合物をホスゲン化することによる、メチレンジフェニルジイソシアネートとポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート（総称してＭＤＩ）の混合物の製造に対する一般的な条件（図３も参照）
【００８９】
この手順は、原理上は国際公開第２０１７／０５０７７６（Ａ１）号明細書（３５ページおよび３６ページ）にて記載されたとおりで、以下に差異、または国際公開第２０１７／０５０７７６（Ａ１）号明細書に明示的に記述されていない方法管理の更なる詳細が記述される。
２０．４ｔ／ｈ（トン／時）のＭＤＡが出発物質として、５５．０ｔ／ｈのモノクロロベンゼン（ＭＣＢ）に混合されて２７．１％のＭＤＡ溶液を得る。
毎時１００ｔのホスゲン溶液がＭＤＡ溶液と混合される。
得られる底部生成物（１００）は２５．４５ｔ／ｈのＭＤＩである。
塩化水素吸収（方法段階Ｂ．ＩＩ）、国際公開第２０１７／０５０７７６（Ａ１）号明細書における方法段階ＶＩＩ）が、図３に関連して上で説明された追加のユニット（２６３０）、（２６４０）、（２６５０）および（２６６０）により作動される。
ホスゲン分解ユニットは直列に接続された２つのホスゲン破壊塔からなり、それぞれは１４ｍ３の活性炭（Ｎｏｒｉｔ  ＲＢ４Ｃ）で充填され、９３０ｍｂａｒ（絶対圧）の減圧で稼働され、ユニット内部でホスゲンが水（凝縮水および希塩酸）との反応により分解される。ホスゲン分解ユニット（３０１１）とオフガス焼却（６０００）との間には溶媒吸着段階（３０２１、図３には示されていない）がオフガス後処理（Ｃ、３０００）の更なる構成要素として存在し、その内部では残留溶媒（４）が活性炭への吸着によりプロセスオフガス流から除去される。
オフガスは、９３０ｍｂａｒ（絶対圧）の減圧を生成する換気装置を用いてオフガス後処理へ吸引される。そのような換気装置は、ホスゲン分解の先、および溶媒吸着の先にある。
【００９０】
Ａ．ＩＩ  ホスゲン製造に対する一般的な条件（工程段階０）（図３も参照）
この手順は、原理上は国際公開第２０１７／０５０７７６（Ａ１）号明細書（３６ページおよび３７ページ、対応する図では工程段階ＩＸと呼ばれる）にて記載されたとおりで、以下に差異、またはＷＯ２０１７／０５０７７６（Ａ１）号明細書に明示的に記述されていない方法管理の更なる詳細が記述される。
使用される出発物質は４４００ｍ３（ＳＴＰ）／ｈの塩素（３１０）および４６５０ｍ３（ＳＴＰ）／ｈの一酸化炭素（３００）である。
円筒多管式（ｓｈｅｌｌ  ａｎｄ  ｔｕｂｅ）ホスゲン生成器はそれぞれ１０トンの活性炭（Ｎｏｒｉｔ  ＲＢ４Ｃ）を含む。
４２．０ｔ／ｈのホスゲンがホスゲン溶解タンク（１０３０）へ案内される。
第２ホスゲン液化装置からの頂部生成物（３２０）である、１５０ｍ３／ｈの過剰一酸化炭素およびホスゲンの痕跡（オフガスの総量の０．５０％）が、オフガス後処理（３０００）へ導入される前に、−１７℃の冷えた溶媒（ＭＣＢ）を用いて稼働される吸収塔（（「ホスゲンスクラビング器」（４０１０））で予備洗浄を受け、ガス流からホスゲンの一部がスクラブされる。こうして得られたホスゲン含有ＭＣＢ溶液が液体流（３４０）としてホスゲン吸収（２５００）へ送られる。
アンモニアスクリュー圧縮機と呼ばれるものがホスゲン液化装置での冷却に使用される。このようにして、反応において利用されるＭＣＢ溶媒およびオフガス流の凝縮用の冷却器に供給されるＭＣＢ冷却剤が−１７℃まで冷却される。
【００９１】
Ｂ．実施例
実施例１（比較例）：製造施設（オフガス後処理（Ｃ，３０００）およびオフガス焼却（Ｄ，６０００）、ならびに窒素供給などの補助システムを除く）の完全な停止を備えるＭＤＩ製造施設の短時間の停止、修繕処置の実施、および製造施設の再始動
【００９２】
製造施設はＡにおいて説明されたように作動された。図３を離れ、オフガス、プロセスオフガス、および酸素を多く含むオフガスのすべて（通常運転では、最後のものは時々発生するサンプリング点からの流れに過ぎない）がまったく同一のホスゲン分解ユニット（３０１０）を通過して案内された。プロセスオフガス流（７０）用の、ホスゲン化塔（１２００）からホスゲン吸収（２５００）への蒸気管において漏出が発生し、この漏出は以下のように進めることで解決した。
【００９３】
製造施設（オフガス後処理（Ｃ，３０００）およびオフガス焼却（Ｄ，６０００）、ならびに窒素供給などの補助システムを除く）の停止
１．ＭＤＡの供給が停止され、これが混合ユニット（１１００）内の温度の降下にそのままつながった。タンク（１０４０）からのＭＣＢの供給およびタンク（１０３０）からのホスゲン溶液の供給はもう３分だけ維持され、その後、２つの流れは同様にスイッチが切られた。ホスゲン化塔に残った反応液は、緊急排出口を通じて緊急排出容器（図３には示されていない）へ出された。緊急排出容器内のガス空間がホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）に接続された。緊急排出容器に接続された装置内の圧力が９８０ｍｂａｒ（絶対圧）へ降下した。漏出によって、ホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）、塩化水素吸着（Ｂ．ＩＩ、２６００）を通してオフガス後処理（Ｃ）、３０００）へと誘導されたオフガスに酸素が導入された。
２．ＭＤＡ供給のスイッチが切られた後に、ホスゲン製造（０、４０００、４０１０）が停止され、そこへ通じるすべての注入口および排出口が閉じられた。これには３分を要した。
３．影響を受けている蒸気管まで窒素導管が伸ばされた。この組み立てには１５分を要した。窒素を吹き入れたことでオフガス内の酸素含有量が減少し、圧力がわずかに９９０ｍｂａｒ（絶対圧）まで上昇した。
４．影響を受けている蒸気管が、窒素が導入された状態で、ＭＣＢを使って浄化され、粘着性のＭＣＢがさらに窒素を導入することで追い出された。浄化に使われたＭＣＢは緊急排出容器へ案内された。この作業には３時間を要した。
５．１において反応を緊急停止させた後に、ホスゲン除去塔（Ｂ．Ｉ）、２１００）、ホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）、溶媒蒸留（Ｂ．Ｉ）、２２００）、溶媒精製（Ｂ．Ｉ）、２３００）、およびＭＤＩ蒸留（Ｂ．ＩＩＩ）、２４００、２４１０）が停止され、これには１０分を要した。言及された装置は、ホスゲンおよびＭＣＢで充填されたホスゲン吸収（２５００）を除いて溶媒およびＭＤＩで充填された。言及された装置が冷却されるように、これらの装置の加熱器のスイッチが切られた。ホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）へのガス経路は開放されたままとされた。
６．当初は塩化水素吸収（Ｂ．ＩＩ）、２６００）は稼働したままであった。通常運転では高かった気相（７０）の塩化水素の含有量は急速に低下した。５分以内に、流入する塩化水素の量は、弱塩酸のみが塩化水素吸収（Ｂ．ＩＩ）、２６００）で生成されるという程度まで低下し、生成された塩化水素はこの目的のために提供される弱塩酸用の塩酸タンク（２６２０）へ誘導された。反応区間（Ａ）、１０００）が停止されてから３０分後に、塩化水素吸収装置（２６００）が停止された。塩酸タンク（２６１０）への経路が閉じられた。希酸タンク（２６２０）への経路は開放されたままとされた。ホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）から塩化水素吸収（Ｂ．ＩＩ）、２６００）を通ってオフガス後処理（Ｃ）、３０００）へのガス経路は開放されたままとされた。ホスゲン分解（Ｃ、３０１０）および溶媒吸着（Ｃ）、３０２０）は稼働したままであった。
７．塩化水素吸収（Ｂ．ＩＩ）、２６００）が停止された後に、蒸留装置（２２００）、（２３００）、（２４１０）および（２４００）の真空システムが停止された。その後、周囲圧力が確立されるように、これらの蒸留装置へ窒素が加えられた。これらの作業には合計で１時間を要した。
８．ＭＣＢを冷却するための冷却は３０分以内に停止された。
９．オフガス後処理（Ｃ、３０００）全体は稼働したままであった。真空システムが停止された（７）後に、ホスゲン化塔、ホスゲン吸収、塩化水素吸収、およびそれぞれのガス導管（蒸気管）に存在するオフガスは、存在する換気装置を用いて、９３０ｍｂａｒ（絶対圧）の圧力が得られるまで吸い出され、これには８時間を要した。
【００９４】
修繕処置の手順
ホスゲン化塔内の問題の蒸気管にあるシール剤での漏出を修理するため、シール剤が変更された。これは、９３０ｍｂａｒ（絶対圧）の減圧の保守管理とともに行われる。新しいシール剤が取り付けられた後に、ホスゲン吸収の上流の蒸気管が、減圧から隔離するために弁を使って閉じられ、窒素を用いて漏出試験が行われる。その後、反応区間（Ａ、１０００）、ホスゲン吸収装置（Ｂ．Ｉ、２５００）、塩化水素吸収装置（Ｂ．ＩＩＩ）、２６００）、および（溶媒吸着を除いて）オフガス後処理（Ｃ）、３０００）が、酸素の最後の痕跡を除去するために窒素を用いて浄化される。修繕に要した時間は３時間で、窒素を用いた浄化に要した時間はさらに６時間であった。
【００９５】
不良シール剤の変更には合計で１８時間を要した。
【００９６】
製造施設の再始動
手順は以下のとおりである。
１．溶媒タンク（１０４０）からＭＣＢが空の状態の反応区間へ注入された。６時間後には充分な液位があった（ＭＣＢはホスゲン化塔からホスゲン除去塔へと流出した）。そしてホスゲン除去塔が作動された。
２．冷却および真空発生が作動状態に戻され、これには４時間を要した。
３．溶媒蒸留塔（Ｂ．Ｉ）、２２００）および溶媒精製（Ｂ．Ｉ）、２３００）が連続的にこの順番で作動された。
４．溶媒精製（Ｂ．Ｉ）、２３００）を始動後に、溶媒が溶媒タンク（１０４０）から反応区間（Ａ、１０００）およびホスゲン除去塔（Ｂ．Ｉ）、２１００）を経由して溶媒蒸留塔（Ｂ．Ｉ）、２２００）へと案内され、反応領域およびホスゲン除去塔の加熱のスイッチが入れられる。そして、溶媒蒸留は運転の準備が整い、溶媒精製、溶媒タンク、反応区間、およびホスゲン除去装置を通って循環する。この作業には８時間を要した。
５．溶媒蒸留および溶媒精製の開始に伴い、溶媒を含む気相（通常運転における流れ１３０）が得られ、この気相は凝縮されてホスゲン吸収へ送られた。溶媒精製からのホスゲンを含まない底部流れ（通常運転における流れ１２０）が溶媒タンクへ（１０４０）注入された。これらの作業には４時間を要した。
６．凝縮された溶媒含有ガス流が溶媒精製から到着したらすぐに、通常運転で得られたプロセスオフガス流（７０）および（９０）の凝縮用の冷却システムが、ホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）での使用に向けて準備が整えられ、ホスゲン吸収からホスゲン溶解タンク（１０３０）への流出が調整された。その後、ホスゲン溶解タンク（１０３０）から混合ユニット（１１００）、およびホスゲン化塔（１２００）への経路が開放された。
７．ホスゲン製造（０、４０００、４０１０）が４５分以内に始動され、ホスゲン溶解タンク（１０３０）内のホスゲン濃度が、継続的に所望の値（３５％）まで６時間以内に高められた。
８．溶媒で充填されたホスゲン化塔（１２００）が熱伝導材を用いて１０５℃まで加熱された。ホスゲン溶液濃度が２５％に達し次第、ＭＤＡ供給が開放された。始動中に、ＭＤＡに対して１４０％のホスゲンの化学量論的過剰が確立され、生産能力は所望の値である２５．４５ｔ／ｈのＭＤＩの１５％であった。ＭＤＡの流量は１時間後に目標生産能力の２５％まで高められた。この負荷に到達すると、ＭＤＡに対して１００％のホスゲンの化学量論的過剰が確立された。その後、溶媒中のＭＤＡ濃度は２８％に調整され、ホスゲン溶液（３０）中のホスゲンの濃度はいまや３５％に達した。
９．第１クルードＭＤＩ、溶媒、およびホスゲンが反応区間のホスゲン化塔（１２００）から流出してホスゲン除去塔（Ｂ．Ｉ）、２１００）に到着したらすぐに、１．６ｂａｒ（絶対圧）の圧力でホスゲン除去装置底部の蒸留底部が１５７℃の目標温度に調整されて、こうして作動された。
１０．ホスゲン化の開始後に、第１塩化水素がホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）を経由して塩化水素吸収（Ｂ．ＩＩ）、２６００）へ辿り着き次第、塩酸吸収装置（２６００）から流出する塩酸の濃度が３１％に調整された。塩酸タンク（２６１０）への塩酸の経路は開放され、希酸タンク（２６２０）への経路は閉じられた。そして、塩化水素吸収が作動された。この作業には２時間を要し、ホスゲン化の始動と並行して実行された。
１１．第２溶媒蒸留塔（Ｂ．Ｉ）、２３００、図面を簡潔にするために図３は１つの塔のみを示す）の頂部の圧力が７０ｍｂａｒ（絶対圧）で安定し、塔底温度が１２０℃に達したらすぐに、この第２溶媒蒸留塔の底部はポリメリックイソシアネート成分除去用の蒸留装置（Ｂ．Ｉ）、２４１０）への流入に切り替えられた。高分子底部生成物はＭＤＩ生成物タンクへ注入された。塔の頂部で得られた単量体ＭＤＩは更なる塔（Ｂ．Ｉ）、２４００）で精製された。
１２．そしてＭＤＩ施設は目標生産能力の２５％で稼働され、負荷が徐々にさらに高められた。目標生産能力である２５．４５ｔ／ｈのＭＤＩは、蒸留（Ｂ．ＩＩＩ）、２４１０、２４００）において仕様に従った生成物が得られるまでは達成されなかった。これには１２時間を要した。
【００９７】
漏出の修理を含む、施設の停止および始動で必要となるエネルギーおよび補助装置、ならびに所要時間の査定
製造施設が目標能力である２５．４５ｔ／ｈのＭＤＩで仕様に従った生成物をまた提供できるまでの処置の総所要時間は６４時間であった。これにより、生産量が１６２９トンのＭＤＩ、減少した。修繕処置の間（３時間）、および施設を窒素で不活性化する間（６時間）の窒素の消費量は４５０ｍ３（ＳＴＰ）であった。処置中のオフガス焼却（Ｄ）、６０００）での天然ガスの消費量は８４５０ｍ３（ＳＴＰ）であった。
【００９８】
（本発明に関連する）実施例２：製造施設の部分停止を備えるＭＤＩ製造施設の短時間の停止、停止されていない施設構成要素に対する循環モードの規定、修繕処置の実施、および製造施設の再始動
【００９９】
製造施設はＡにおいて説明されたように作動された。図３に示されるように、２つの（まったく同じように構成された）ホスゲン分解ユニット（３０１１、３０１２）があった。第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）はプロセスオフガスを収容する役割のみを果たす。第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）は、酸素含有オフガス流のためだけに使用される。第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）とオフガス焼却の間に接続された溶媒吸着段階はない。通常運転では、これらは時々得られるサンプリング点からの流れに過ぎず、ユニット（３０１２）は運転に対する準備が恒久的に整えられていた。移動可能なホースとの閉鎖可能な連結部を有する導電性ポリエチレンでできたパイプライン網が、酸素を多く含むオフガスをこの第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）へ案内するために、製造施設のすべての領域で利用可能であった。第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）からのプロセスオフガス（２１０−Ｘ）および第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）からあの酸素含有オフガス（４１０−Ｘ）は、お互いに別々にオフガス焼却（Ｄ、６０００）へ案内され、その中で焼却される。
【０１００】
プロセスオフガス流（７０）用の、ホスゲン化塔（１２００）からホスゲン吸収（２５００）への蒸気管において漏出が発生し、この漏出は以下のように進めることで解決した。
１．通常運転では流れ（７０）に対するホスゲン化塔（１２００）からのガス排出口は、弁を開放することにより、固定接続されたパイプライン網を介して第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）へ開放される。通常運転で使用される、反応区間（Ａ、１０００）から製造施設の他の部分への接続は、適切な弁を閉じることで閉鎖された。ホスゲン化塔内の圧力は９３０ｍｂａｒ（絶対圧）へ降下した。（ホスゲン化塔（１２００）の排出口と、通常運転では流れ（７０）用の導管内にある、いまや閉じられた弁との間にあった）漏出箇所では、ホースが接続され、このホースを用いて、第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）への接続が確立され、ここでも９３０ｍｂａｒ（絶対圧）の圧力が得られた。
２．ＭＤＡの供給が停止され、これが混合ユニット（１１００）内の温度の降下にそのままつながった。タンク（１０４０）からのＭＣＢの供給はもう３分だけ維持され、タンク（１０３０）からのホスゲン溶液はさらに３０秒間供給され、その後、両方の流れは同様に停止された。ホスゲン化塔に残った反応液は、緊急排出口を通じて緊急排出容器（図３には示されていない）へ出され、これには１５分を要した。この緊急排出容器は第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へ接続された。ホスゲン化塔が空とされた後に、ホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）を経由して第１ホスゲン分解ユニット（３０１１）へと続くオフガス経路が、緊急排出容器のガス排出口のすぐ先で閉鎖された。緊急排出容器はもはやホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）には接続されておらず、弁を開放することで固定接続されたオフガス導管を介して第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）にこのユニットへの酸素含有オフガス（４００−Ｘ）を除去するために接続された（緊急排出容器は図面を簡潔にするために省かれているが、図２も参照）。
３．ＭＤＡ供給のスイッチが切られた後に、ホスゲン製造（０、４０００、４０１０）が停止され、そこへ通じるすべての注入口および排出口が閉じられた。これには３分を要した。
４．影響を受けている蒸気管がＭＣＢを使って浄化され、粘着性のＭＣＢが窒素を導入することで追い出された。浄化に使われたＭＣＢは緊急排出容器へ案内された。
５．１において反応を緊急停止させた後に、ホスゲン除去塔（Ｂ．Ｉ）、２１００）、溶媒蒸留（Ｂ．Ｉ）、２２００）、溶媒精製（Ｂ．Ｉ）、２３００）、ポリマー除去ユニット（Ｂ．ＩＩＩ）、２４１０）蒸留装置（Ｂ．ＩＩＩ）、２４００）、および塩化水素吸収（Ｂ．ＩＩ）、２６００）が循環モードとされた。このモードは、図４ａおよび図４ｂを参照して上で説明されるように実現された。ホスゲン除去からのガス状出口流（９０−Ｘ）および溶媒蒸留からのガス状出口流（１３０−Ｘ）はホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）を通って流れ、そこから流れ（１７０−Ｘ）として塩化水素吸収（Ｂ．ＩＩ）、２６００）へ流れる。ここでホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）は標準運転圧力（１．６ｂａｒ（絶対圧））のままであり、溶媒タンク（１０４０）からホスゲン吸収の頂部への未使用のＭＣＢの供給のみが閉じられた。比較例とは対照的に、蒸留装置（２２００）、（２３００）、（２４１０）、および（２４００）の真空システムは稼働されたままであった。
６．ＭＣＢを冷却するための冷却も同様に稼働されたままであった。
７．オフガス後処理（Ｃ、３０００）全体は稼働したままであった。緊急停止の開始から、保守管理処置用の施設の準備が完了するまでに、合計で１９８分が経過した。
【０１０１】
修繕処置の手順
ホスゲン化塔内の問題の蒸気管にあるシール剤での漏出を修理するため、シール剤が変更された。これは、９３０ｍｂａｒ（絶対圧）の減圧の保守管理とともに行われる。新しいシール剤が取り付けられた後に、第２ホスゲン分解ユニット（３０１２）への接続が減圧から隔離するために閉じられ、窒素を用いて漏出試験が行われる。その後、反応区間（Ａ、１０００）は、酸素の最後の痕跡を除去するために窒素を用いて浄化される。修繕に要した時間は３時間で、窒素を用いた浄化に要した時間は１時間であった。
【０１０２】
不良シール剤の変更には合計で７．３時間を要した。
【０１０３】
製造施設の再始動
手順は以下のとおりである。
１．溶媒タンク（１０４０）からＭＣＢが空の状態の反応区間へ注入された。６時間後には充分な液位があった（ＭＣＢはホスゲン化塔からホスゲン除去塔へと流出した）。そしてホスゲン除去塔が作動された。
２．ホスゲン製造（０、４０００、４０１０）が始動され、ホスゲン溶解タンク（１０３０）内のホスゲン濃度が、継続的に所望の値（３５％）まで６時間以内に高められた。
３．溶媒で充填されたホスゲン化塔（１２００）が熱伝導材を用いて１０５℃まで加熱された。ホスゲン溶液濃度が２５％に達し次第、ＭＤＡ供給が開放された。始動中に、ＭＤＡに対して１４０％のホスゲンの化学量論的過剰が確立され、生産能力は所望の値である２５．４５ｔ／ｈのＭＤＩの１５％であった。ＭＤＡの流量は１時間後に目標生産能力の２５％まで高められた。この負荷に到達すると、ＭＤＡに対して１００％のホスゲンの化学量論的過剰が確立された。その後、溶媒中のＭＤＡ濃度は２８％に調整され、ホスゲン溶液（３０）中のホスゲンの濃度はいまや３５％に達した。
４．第１クルードＭＤＩ、溶媒、およびホスゲンが反応区間のホスゲン化塔（１２００）から流出してホスゲン除去塔（Ｂ．Ｉ）、２１００）に到着したらすぐに、１．６ｂａｒ（絶対圧）の圧力でホスゲン除去装置底部の蒸留底部が１５７℃の目標温度に調整されて、こうして作動された。
５．ホスゲン化の開始後に、第１塩化水素がホスゲン吸収（Ｂ．Ｉ）、２５００）を経由して塩化水素吸収（Ｂ．ＩＩ）、２６００）へ辿り着き次第、塩化水素吸収装置（２６００）から流出する塩酸の濃度が３１％に調整された。塩酸タンク（２６１０）への塩酸の経路は開放され、希酸タンク（２６２０）への経路は閉じられた。そして、塩化水素吸収が作動された。この作業には２時間を要し、ホスゲン化の始動と並行して実行された。
６．第２溶媒蒸留塔（Ｂ．Ｉ）、２３００、図面を簡潔にするために図３は１つの塔のみを示す）の頂部の圧力が７０ｍｂａｒ（絶対圧）で安定し、塔底温度が１２０℃に達したらすぐに、この第２溶媒蒸留塔の底部はポリメリックイソシアネート成分除去用の蒸留装置（Ｂ．Ｉ）、２４１０）への流入に切り替えられた。高分子底部生成物はＭＤＩ生成物タンクへ注入された。塔の頂部で得られた単量体ＭＤＩは更なる塔（Ｂ．Ｉ）、２４００）で精製され、所望の組成の異性体が与えられた。
７．そしてＭＤＩ施設は目標生産能力の２５％で稼働され、負荷が徐々にさらに高められた。目標生産能力である２５．４５ｔ／ｈのＭＤＩは、蒸留（Ｂ．ＩＩＩ）、２４１０、２４００）において仕様に従った生成物が得られるまでは達成されなかった。これには８時間を要した。
【０１０４】
漏出の修理を含む、施設の停止および始動で必要となるエネルギーおよび補助装置、ならびに所要時間の査定
製造施設が目標能力である２５．４５ｔ／ｈで仕様に従った生成物をまた提供できるまでの処置の総所要時間は２９時間１８分であった。これにより、生産量が７４６トンのＭＤＩ、減少した。修繕処置の間（１時間）、および施設を窒素で不活性化する間（１時間）の窒素の消費量は１００ｍ３（ＳＴＰ）であった。処置中のオフガス焼却（Ｄ）、６０００）での天然ガスの消費量は３２１１ｍ３（ＳＴＰ）であった。
【０１０５】
結論：本発明に関連する例２において、２つの別々に設置されるホスゲン分解ユニット（３０１１、３０１２）を備え、影響を受けない施設構成要素を循環モードにすることで、例１（比較例）での施設の完全な停止の場合よりも、６１％少ない一次エネルギー（蒸気および電力）および約８０％少ない窒素が消費された。加えて、作業全体（停止、処置、および始動）に対する所要時間がより短いので９０８トン多いＭＤＩが製造可能であり、施設の生産性が大幅に向上することがわかる。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【国際調査報告】
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