(57)【要約】  非発光式の可変透過デバイスは、アクティブ・スタックと、アクティブ・スタックを覆う透明導電層と、透明導電層を覆い、孔部を画定している反射防止層と、導電性テープを含むバス・バーであって、導電性テープは、孔部の中へ延在し、透明導電層に接触している、バス・バーとを含むことが可能である。バス・バーの適正な材料の選択及び設計は、下にある透明導電層をカットする必要なしに、透明導電層への電気的な接続部が作製されることを可能にすることができる。非発光式の可変透過デバイスを形成する方法は、透明導電層まで延在する孔部を画定するように、反射防止層をパターニングするステップを含むことが可能である。パターニングにおける改善された制御は、反射防止層が比較的に薄くなること、及び、下にある透明導電層を除去し過ぎないことを可能にする。
2020536290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ・スタックと、
前記アクティブ・スタックを覆う第１の透明導電層と、
前記第１の透明導電層を覆い、第１の孔部を画定している中間層と、
第１の導電性テープを含む第１のバス・バーであって、前記第１の導電性テープは、前記第１の孔部の中へ延在し、前記第１の透明導電層に接触している、第１のバス・バーと
を備える、非発光式の可変透過デバイス。
【請求項２】
第２の導電性テープを含む第２のバス・バーをさらに含み、前記第２のバス・バーの前記第２の導電性テープは、前記中間層の第２の孔部の中へ延在し、第２の透明導電層に接触しており、前記第１の孔部は、前記第２の孔部から離間されている、請求項１に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項３】
前記第１のバス・バーは、前記アクティブ・スタックの任意の層又は前記第２の透明導電層に接触しない、請求項１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項４】
前記第１の孔部及び前記第２の孔部のうちの少なくとも１つは、前記中間層を通って前記第１の透明導電層へ延在する孔部のパターンを含む、請求項１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項５】
前記第１の透明導電層は、前記第１の孔部の下の場所において第１の厚さを有しており、前記第１の孔部から離間されている別の場所において第２の厚さを有しており、前記第１の厚さは、前記第２の厚さよりも小さい、請求項１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項６】
前記第１の厚さは、前記第２の厚さの少なくとも９０％の厚さである、請求項５に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項７】
前記第１の厚さと前記第２の厚さとの間の差は、２ｎｍ以下である、請求項５又は６に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項８】
前記第１の導電性テープは、バッキング基板及び導電性接着剤を含む、請求項１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項９】
前記導電性接着剤は、銀を含有していない、請求項８に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項１０】
前記第１のバス・バー及び前記第２のバス・バーのうちの少なくとも１つは、１μΩｃｍから７μΩｃｍの範囲にある抵抗率を有するバッキング基板を有している、請求項１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項１１】
非発光式の可変透過デバイスを形成する方法であって、
アクティブ・スタックを提供するステップと、
前記アクティブ・スタックの上に第１の透明導電層を形成するステップと、
前記第１の透明導電層の上に中間層を形成するステップと、
前記第１の透明導電層まで延在する第１の孔部を画定するように、前記中間層をパターニングするステップと、
前記中間層に隣接して第１のバス・バーを配設するステップであって、前記第１のバス・バーは、前記第１の孔部の中へ延在し、前記第１の透明導電層に接触している、ステップと
を含む、方法。
【請求項１２】
レーザー・アブレーション加工が、最大で１０００フェムト秒のパルス持続期間を有するレーザーを使用して実施される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記中間層は、絶縁層を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記中間層は、反射防止層である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記アクティブ・スタックは、エレクトロクロミック・スタックである、請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、非発光式の可変透過デバイス及びそれを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
非発光式の可変透過デバイスは、エレクトロクロミック・スタックを含むことが可能であり、エレクトロクロミック・スタックにおいては、透明導電層が、当該スタックの適正な動作のための電気的な接続を提供するために使用されている。非発光式の可変透過デバイスを形成するときに、下側の透明導電層が、基板の上に堆積され、パターン化されて、その後に形成されるバス・バーが、互いに対して電気的に短絡しないように、又は、許容できないくらいに高い漏洩電流を有しないように維持する。代替的に、下側の透明導電層は、非発光式の可変透過デバイス中でパターン化されておらず、バス・バーは、銀を含有するインクを上側の透明導電層の上に直接的にプリントすることによって形成される。インク又はインクの成分は、下にある層中の微視的欠陥を通って移動する可能性があり、下側の透明導電層への電気的短絡、又は、許容できないくらいに高い漏洩電流を結果として生じさせる可能性がある。非発光式の可変透過デバイスにおけるさらなる改善が望まれている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
実施例は、実例として図示されており、添付の図に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】基板及び１セットの層を含むワークピースの一部分の断面図である。
【図２】孔部を画定するために層をパターニングする、図１のワークピースの断面図である。
【図３】一実施例による、上側の透明導電層への接触を行うための孔部パターンの上面図である。
【図４】別の実施例による、上側の透明導電層への接触を行うための別の孔部パターンの上面図である。
【図５】さらなる実施例による、上側の透明導電層への接触を行うためのさらなる孔部パターンの上面図である。
【図６】パターン化された１セットの層の上にバス・バーを配設した後の、図３のワークピースの断面図である。
【図７】一実施例による、図６のワークピースを含む断熱ガラス・ユニットの断面図である。
【図８】別の実施例による、図６のワークピースを含む別の断熱ガラス・ユニットの断面図ある。
【図９】バス・バーが、反射防止層の上に、及び、反射防止層を通って延在する孔部の中に配設された後の、ワークピースの一部分の走査型電子顕微鏡画像である。
【図１０】本明細書で説明されているような一実施例による、反射防止層を通って延在する孔部を形成した後のワークピースの一部分の走査型電子顕微鏡画像である。
【図１１】本明細書で説明されているような一実施例による、反射防止層を通って延在する孔部を形成した後のワークピースの一部分の走査型電子顕微鏡画像である。
【図１２】比較例による、反射防止層を通って延在する孔部を形成した後のワークピースの一部分の走査型電子顕微鏡画像である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
図の中の要素は、簡単及び明確にするために図示されており、必ずしも正しい寸法で描かれているわけではないことを当業者は認識する。たとえば、図の中の要素のうちのいくつかの寸法は、本発明の実施例の理解を改善することを助けるために、他の要素に対して誇張されている可能性がある。
【０００６】
図と組み合わせた以下の説明は、本明細書で開示されている教示を理解することを支援するために提供されている。以下の議論は、本教示の特定の実装例及び実施例に焦点を合わせることとなる。この焦点は、本教示を説明することを支援するために提供されており、本教示の範囲又は適用可能性に対する限定として解釈されるべきではない。
【０００７】
本明細書で使用されているように、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」という用語、又は、それらの任意の他の変化形は、非排他的な包含をカバーすることが意図されている。たとえば、特徴のリストを含むプロセス、方法、物品、又は装置は、必ずしもそれらの特徴のみに限定されるわけではなく、明示的に列挙されていない他の特徴、又は、そのようなプロセス、方法、物品、若しくは装置に固有の他の特徴を含むことが可能である。さらに、逆のことが明示的に述べられていない限り、「又は」は、包含的な「又は」を表しており、排他的な「又は」を表していない。たとえば、条件Ａ又はＢは、以下のいずれか１つによって満たされる：Ａは真であり（又は、存在している）、且つ、Ｂは偽である（又は、存在していない）；Ａは偽であり（又は、存在していない）、且つ、Ｂは真である（又は、存在している）；並びに、Ａ及びＢの両方が真である（又は、存在している）。
【０００８】
パターン化された特徴（それは、バス・バー、孔部、孔部などを含む）は、幅、深さ、又は厚さ、及び長さを有することが可能であり、ここにおいて、長さは、幅及び深さ又は厚さよりも大きい。本明細書で使用されているように、直径が、円形に関する幅であり、短軸が、楕円に関する幅である。
【０００９】
「通常の動作」及び「通常の動作状態」という用語は、非発光式の可変透過デバイスが動作するように設計された条件を表している。条件は、電圧、電流、静電容量、抵抗、又は他の電気的な条件に関するデータシート又は他の情報から取得され得る。したがって、通常の動作は、非発光式の可変透過デバイスをその設計限界を超えて良好に動作させることを含まない。
【００１０】
「ａ」又は「ａｎ」の使用は、本明細書で説明されている要素及びコンポーネントを説明するために用いられている。これは、単に便宜上行われているに過ぎず、本発明の範囲の一般的な意味を与えるために行われている。この記載は、「１つの」又は「少なくとも１つの」を含むように読まれるべきであり、それがそうでないことを意味していることが明確でない限り、単数形は、複数形も含み、又は、その逆も同様である。
【００１１】
「約」、「おおよそ」、又は「実質的に」の語句の使用は、パラメーターの値が、記述されている値又は位置に近いことを意味するように意図されている。しかし、わずかな差は、記述されているように値又は位置が正確であることを妨げる可能性がある。したがって、値に関して最大で１０パーセント（１０％）の差は、正確に説明されているような理想的な目標からの合理的な差である。
【００１２】
別段の定義がない限り、本明細書で使用されているすべての技術的な及び科学的な用語は、本発明が属する当業者によって一般に理解されるものと同じ意味を有している。材料、方法、及び実例は、単に例示目的のものに過ぎず、限定するものであることは意図されていない。本明細書で説明されていない範囲において、特定の材料及び加工行為に関する多くの詳細は、従来のものであり、ガラス技術、蒸着技術、及びエレクトロクロミック技術の中のテキストブック及び他のソースの中に見出され得る。
【００１３】
非発光式の可変透過デバイスは、エレクトロクロミック・スタックと、エレクトロクロミック・スタックを覆う透明導電層と、透明導電層を覆い、孔部を画定している中間層と、導電性テープを含むバス・バーであって、導電性テープは、孔部の中へ延在し、透明導電層に接触している、バス・バーとを含むことが可能である。一実施例では、上側の透明導電層に関するバス・バーの適正な材料の選択及び設計は、下側の透明導電層をカットする必要なしに、上側の透明導電層への電気的な接続部が作製されることを可能にする。とりわけ、バス・バーに関する材料の選択は、バス・バーの中の材料及び下にある層のいずれか中の材料との著しい有害な相互作用なしに、十分な導電性を提供する。したがって、通常動作時の導電性の下では高過ぎる電気的短絡又は漏洩電流が軽減され得る。
【００１４】
別の態様では、非発光式の可変透過デバイスを形成する方法は、エレクトロクロミック・スタックを提供するステップと、エレクトロクロミック・スタックの上に透明導電層を形成するステップと、透明導電層の上に中間層を形成するステップと、透明導電層まで延在する孔部を画定するように、中間層をパターニングするステップと、中間層に隣接してバス・バーを配設するステップであって、バス・バーは、孔部の中へ延在し、透明導電層に接触している、ステップとを含むことが可能である。パターニングにおける改善された制御は、比較的に薄い中間層が使用されることを可能にする。パターニングがアブレーションを使用して実施されるときには、レーザーに関する動作パラメーターは、下にある層（たとえば、透明導電層など）を除去し過ぎることなく、中間層の選択的な除去を可能にするように選択され得る。
【００１５】
上記に説明されているプロセス・フローは、フレキシブルなものであり、孔部又はカッティング・レーン（ｃｕｔｔｉｎｇ  ｌａｎｅ）を形成する際のパターニング動作のうちの多くは、多くの異なる順序で実施され得る。したがって、プロセス・フローは、そのような動作が実施され得る特定の用途又は設備若しくは設備の組み合わせに関する必要性又は要望に適合され得る。
【００１６】
図に図示されているような、及び、下記に説明されているような実施例は、本明細書で説明されているような概念を実装するための特定の用途を理解する際に役に立つ。実施例は、例示的なものであり、添付の特許請求の範囲を限定することは意図されていない。
【００１７】
Ａ．  １セットの層１２０の形成
図１は、透明基板１００に隣接して１セットの層１２０を形成した後の部分的に製作された非発光式の可変透過デバイスの断面図の図示を含む。一実施例では、基板１００は、ガラス基板、サファイヤ基板、酸窒化アルミニウム基板、又はスピネル基板を含むことが可能である。別の実施例では、基板１００は、透明なポリマー、たとえば、ポリアクリル化合物、ポリアルケン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリイミド、ポリスルホン、ポリサルファイド、ポリウレタン、ポリビニルアセテートなど、別の適切な透明なポリマー、又は、先述のもののコポリマーを含むことが可能である。基板１００は、可撓性であってもよく、又は、可撓性でなくてもよい。特定の実施例では、基板１００は、フロート・ガラス又はホウケイ酸ガラスであることが可能であり、０．５ｍｍから４ｍｍ厚さの範囲にある厚さを有することが可能である。別の特定の実施例では、基板１００は、５０ミクロンから３００ミクロンの範囲にある厚さを有するミネラル・ガラスである超薄型ガラスを含むことが可能である。特定の実施例では、基板１００は、形成されている多くの異なる非発光式の可変透過デバイスのために使用され得、マザーボードと称され得る。
【００１８】
１セットの層１２０の中の層の組成及び厚さが、それらの形成を説明される前に説明される。透明導電層１２２及び１３０は、導電性金属酸化物又は導電性ポリマーを含むことが可能である。実例は、酸化スズ若しくは酸化亜鉛（そのいずれかは、Ａｌ、Ｇａ、若しくはＩｎなどのような三価の元素によってドープされ得る）、フッ素化された酸化スズ、又はスルホン化ポリマー、たとえば、ポリアニリン、ポリピロール、又はポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）などを含むことが可能である。別の実施例では、透明導電層１２２及び１３０は、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、又は、それらの任意の組み合わせを含むことが可能である。透明導電層１２２及び１３０は、同じ又は異なる組成を有することが可能である。
【００１９】
１セットの層１２０は、アクティブ・スタックをさらに含み、アクティブ・スタックは、透明導電層１２２と１３０との間に配設されている層１２４、１２６、及び１２８をさらに含む。一実施例では、アクティブ・スタックは、エレクトロクロミック・スタックである。層１２４及び１２８は、電極層であり、層のうちの一方は、エレクトロクロミック層であり、層のうちの他方は、イオン貯蔵層（対電極層とも称される）である。エレクトロクロミック層は、無機金属酸化物の電気化学的に活性の材料、たとえば、ＷＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＣｕＯ、Ｉｒ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３など、又は、それらの任意の組み合わせを含むことが可能であり、５０ｎｍから２０００ｎｍの範囲にある厚さを有することが可能である。イオン貯蔵層は、エレクトロクロミック層に関して列挙されている材料のいずれか、又は、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、又は、それらの任意の組み合わせを含むことが可能であり、また、酸化ニッケル（ＮｉＯ、Ｎｉ２Ｏ３、又は、その２つの組み合わせ）、及びＬｉ、Ｎａ、Ｈ、又は別のイオンをさらに含むことが可能であり、８０ｎｍから５００ｎｍの範囲にある厚さを有することが可能である。イオン導電層１２６（電解質層とも称される）が、電極層１２４と１２８との間に配設されており、２０ミクロンから６０ミクロンの範囲にある厚さを有している。イオン導電層１２６は、イオンがそれを通って移動することを可能にし、相当な数の電子がそれを通過することを許容しない。イオン導電層１２６は、リチウム、アルミニウム、ジルコニウム、リン、ホウ素を伴うか若しくは伴わないケイ酸塩；リチウムを伴うか若しくは伴わないホウ酸塩；リチウムを伴うか若しくは伴わない酸化タンタル；リチウムを伴うか若しくは伴わないランタニド系の材料；別のリチウム系のセラミック材料；又は、それに類するものを含むことが可能である。イオン導電層１２６は、随意的なものであり、存在するときには、堆積によって形成され得、又は、スタック１２０の中に他の層を堆積させた後に、電極層１２４及び１２８などのような２つの異なる層の一部分を反応させ、イオン導電層１２６を形成することによって形成され得る。この明細書を読んだ後に、当業者は、層１２２、１２４、１２６、１２８、及び１３０に関して、他の組成及び厚さが、本明細書で説明されている概念の範囲から逸脱することなく使用され得ることを認識することとなる。
【００２０】
透明導電層１３０とその後に形成されるバス・バーとの間に配設されることとなる中間層１４０が使用され得る。一実施例では、中間層１４０は、透明導電層１３０とその後に形成されるバス・バーとの間の接着と比較して、その後に形成されるバス・バーへのより良好な接着を提供することが可能である。一実施例では、中間層１４０は、絶縁層を含むことが可能である。特定の実施例では、中間層は、反射防止層であることが可能であり、反射防止層は、反射を低減させることを助けるために使用され得る。反射防止層は、下にある層（下にある層の屈折率は、おおよそ２．０であり得る）と、清浄で乾燥した空気又は不活性ガス、たとえば、Ａｒ又はＮ２など（多くのガスは、おおよそ１．０の屈折率を有している）との間の屈折率を有している。一実施例では、反射防止層は、１．４から１．６の範囲にある屈折率を有している。反射防止層は、適切な屈折率を有する絶縁材料を含むことが可能である。特定の実施例では、反射防止層は、シリカを含む。反射防止層の厚さは、薄くなるように、及び、十分な反射防止特性を提供するように選択される。反射防止層に関する厚さは、１セットの層１２０の屈折率に少なくとも部分的に依存することが可能である。中間層１４０の厚さは、２０ｎｍから１００ｎｍの範囲にあることが可能である。
【００２１】
層１２２、１２４、１２６、１２８、１３０、及び１４０は、任意の介在するパターニング・ステップなく、真空を破壊することなく、又は、すべての層が形成される前に、空気へ中間層を露出させることなく、基板１００の上に形成され得る。一実施例では、層１２２、１２４、１２６、１２８、１３０、及び１４０は、直列に堆積され得る。層１２２、１２４、１２６、１２８、１３０、及び１４０は、物理蒸着又は化学蒸着を使用して形成され得る。特定の実施例では、層１２２、１２４、１２６、１２８、１３０、及び１４０は、スパッタ蒸着される。
【００２２】
Ｂ．  １セットの層１２０のパターニング部分
加工は、所望の場所において、１セットの層１２０の中の層のうちの１つ又は複数の部分を選択的に除去することによって継続することが可能である。層の一部分を選択的に除去すること及びバス・バーを配設することに関するいくつかのアクションを実施する順序は、提示されているものとは異なる順序で実施され得る。したがって、本明細書を読んだ後に、当業者は、１つの設備又は異なる設備の中の特定の用途又は機器構成に関する必要性又は要望を満たすために、どの順序でアクションを実施するかを決定することができることとなる。
【００２３】
１．  下側の透明導電層１２２への孔部２２２
孔部２２２は、バス・バーが下側の透明導電層１２２に電気的に接続されることとなる領域に対応している。孔部２２２は、層１４０、１３０、１２８、１２６、及び１２４を通って下側の透明導電層１２２へ延在している。別の実施例では、孔部２２２は、下側の透明導電層１２２を通って延在することが可能であり、バス・バーは、下側の透明導電層１２２の側壁部に接触することが可能である。さらなる実施例では、孔部２２２は、異なる層を通って延在することが可能である。孔部２２２の幅は、下側の透明導電層１２２に対する低い接触抵抗を可能にするのに十分である。一実施例では、孔部２２２は、下側の透明導電層１２２に接触することとなるバス・バーと同じ幅であるか、又は、それよりも狭い。孔部２２２は、ある長さ（図面の中へ及び図面から外へ延在する）を有しており、その長さは、カッティング・レーンまで完全に延在することが可能であり、又は、そのようなカッティング・レーンに到達する前に停止することが可能である。孔部２２２は、アブレーション、スパッタ・エッチング、又はイオン・ミーリング技法を使用して画定され得る。
【００２４】
２．  上側の透明導電層１３０を切断するための孔部２３０
孔部２３０は、孔部２２２の中の下側導電層１２２に接触することとなるバス・バーが、非発光式の可変透過デバイスを制御する際に使用される上側の透明導電層１３０の部分に電気的に接続されないように維持する。したがって、孔部２３０は、少なくとも中間層１４０及び上側の透明導電層１３０を通って延在している。図示されているような実施例では、孔部２３０は、中間層１４０、上側の透明導電層１３０、及び上側電極１２８を通って延在している。別の実施例では（図示せず）、孔部２３０は、イオン導電層１２６を通って延在することが可能であり、又は、下側電極層１２４を通ってさらに延在することが可能である。孔部２３０は、孔部２４０よりも、孔部２２２に近い。特定の実施例では、孔部２３０は、孔部２２２から離間されており、孔部２２２の中の下側の透明導電層１２２に接触することとなるバス・バーが、孔部２３０の中の上側の透明導電層１３０と非意図的な接触を行わない。しかし、孔部２３０が孔部２２２からより遠くにあるとき、非発光式の可変透過領域（可変の光学的な透過が起こる領域）の有効エリアが低減される。したがって、孔部２３０は、孔部２２２から、５０ミクロンから４ｃｍの範囲にあることが可能である。別の実施例では、孔部２３０は、以前に説明されている範囲と比較して、孔部２２２からより近く又はより遠くにあることが可能である。孔部２３０は、ある長さ（図面の中へ及び図面から外へ延在する）を有しており、その長さは、カッティング・レーンまで完全に延在することが可能であり、又は、そのようなカッティング・レーンに到達する前に停止することが可能である。孔部２３０は、孔部２２２に関して以前に説明されている技法のいずれかを使用して画定され得る。孔部２３０を画定するために使用される技法は、孔部２２２を画定するためのものと比較して、同じであるか若しくは異なることが可能であり、又は、それらの任意の組み合わせであることが可能である。
【００２５】
３．  上側の透明導電層１３０を露出させるための孔部２４０
中間層１４０を通る孔部２４０は、バス・バーが上側の透明導電層１３０に電気的に接続されることとなる領域に対応している。したがって、孔部２４０は、少なくとも中間層１４０を通って延在している。図示されているような実施例では、孔部２４０は、中間層１４０を通って部分的に上側の透明導電層１３０の中へ延在している。孔部２４０は、非発光式の可変透過デバイスのための上側の透明導電層１３０に接触するための唯一の孔部であることが可能であり、又は、１つ若しくは複数の他の孔部も形成され得る。孔部２４０、又は、孔部２４０を含む複数の孔部は、上側の透明導電層１３０のためのバス・バーと同じ幅又はそれよりも狭い幅を有することが可能である。孔部２４０、又は、孔部２４０を含む複数の孔部のためのパターンは、ある長さ（図面の中へ及び図面から外へ延在する）を有しており、その長さは、カッティング・レーンまで完全に延在することが可能であり、又は、そのようなカッティング・レーンに到達する前に停止することが可能である。孔部２４０のパターニングは、以前に説明されているような技法のいずれかを使用することが可能である。
【００２６】
アブレーション技法が使用されるときに、プロセスは、孔部２２２及び２３０と比較して、より大きい程度に制御され得る。レーザーから放出される放射線の波長は、中間層１４０がアブレートされることを引き起こすのに十分である。可能な場合には、波長は、それが下にある層にそれほど影響を与えないように選択される。ときには、これは、可能でない可能性もある。一実施例では、レーザーは、５００ｎｍから６００ｎｍの範囲にある放射線を放出する。レーザーに関するパルス持続期間は、孔部２２２及び２３０を形成するときのパルス持続期間よりも短くすることが可能である。一実施例では、孔部２４０を形成するときのパルス持続期間は、最大でも１０００ｆｓであることが可能である。孔部２２２及び２３０は、１０ｐｓ以上などのような、より長いパルス持続期間を使用して形成され得る。孔部２４０に関するより短いパルス持続期間は、より良好な制御を提供することが可能であり、したがって、とりわけ、中間層１４０がより薄くなるにつれて、より短いパルス持続期間が、必要とされるか又は望まれ得る。したがって、孔部２４０に関するパルス持続期間は、最大でも７００ｆｓであるか、最大でも５００ｆｓであるか、又は、３００ｆｓ以下であることが可能である。典型的に、パルス持続期間は、少なくとも１ｆｓであることが可能である。特定の実施例では、パルス持続期間は、１１０ｆｓから５００ｆｓの範囲にあることが可能である。エネルギー密度は、レーザー・アブレーションが上側の透明導電層１３０の多くを除去し過ぎないように選択される。一実施例では、エネルギー密度は、０．０５Ｊ／ｃｍ２から１．０Ｊ／ｃｍ２の範囲にあることが可能である。
【００２７】
理想的には、開口部２４０を形成するときに、上側の透明導電層１３０は全く除去されない。実際には、上側の透明導電層１３０のうちのいくらかは除去されるが、その量は、比較的に小さくすることが可能である。一実施例では、中間層１４０によってカバーされている上側導電層１３０の一部分と孔部２４０の中の上側導電層１３０の別の部分との間の厚さの差は、最大でも２ｎｍである。アブレーション・プロセスのさらなる制御は、最大でも１．５ｎｍまで、最大でも１ｎｍまで、又は、最大でも０．５ｎｍまで、その差をさらに低減させることが可能である。アブレーションのために使用されるレーザーの継続的な開発に伴って、０．５ｎｍを下回る差を可能にする可能性がある。上側透明層１３０の部分同士の間の厚さの差は、中間層１４０によってカバーされる上側導電層１３０の部分と比較して、孔部２４０の下に露出される上側導電層１３０の厚さのパーセンテージとして表現され得る。露出された部分の厚さは、カバーされた部分の厚さの少なくとも９０％であることが可能である。アブレーション・プロセスのさらなる制御は、パーセンテージが少なくとも９５％又は少なくとも９９％になることを可能にすることができる。アブレーションのために使用されるレーザーの継続的な開発に伴って、パーセンテージの差が９９％よりも大きくなることを可能にする可能性がある。
【００２８】
孔部２４０は、中間層１４０を通る単一の孔部であることが可能であり、又は、多くの他の孔部のうちの１つであることが可能である。図３から図５は、中間層１４０を通る１つ又は複数の孔部２４０に関するパターンの部分の上面図を含む。図３は、単一の比較的に広くて長い孔部に対応するパターンを有しており、図４は、比較的に狭くて長い離間された１セットの孔部に対応するパターンを有しており、図５は、多くの孔部を含むスポット・パターンを有している。
【００２９】
図３及び図４は、パターニングの間にラインを使用して形成され得る。一実施例では、図３は、重なり合うラインに沿ってレーザー・アブレーションを使用して形成され得、したがって、図３は、１セットの重なり合うラインに対応するパターンを有することが可能である。別の実施例では、図４は、離間されたラインに沿ってレーザー・アブレーションを使用して形成され得、したがって、図４は、ラインに沿って向き付けられている離間された１セットの孔部に対応するパターンを有することが可能である。図４の中の比較的に狭くて長い離間された孔部は、おおよそ同じ幅又は著しく異なる幅（任意の２つの孔部の間で１０％を超える差）を有することが可能である。他のパターンも使用され得る。孔部のうちの１つ又は複数は、曲がりくねったパターン又は方形波パターンの形態であることが可能である。さらなる実施例では、図４の中の１セットの孔部は、曲がりくねったパターン、方形波パターン、又は別の適切なパターンを有する、より少ない孔部（場合によっては、単一の孔部でもよい）によって交換され得る。
【００３０】
図５の中の孔部は、スポット・パターンの形態であることが可能である。図５の中の孔部は、円形として図示されているが、他の形状も使用され得る。たとえば、形状は、他の多角形（たとえば、三角形、長方形、六角形、若しくは八角形など）、又は、他の２次元形状（たとえば、楕円、楕円形、不規則形状など）であることが可能である。孔部のすべては、たとえば、すべて円形など、おおよそ同じサイズ及びタイプの形状であることが可能であり、又は、形状は、異なるサイズ（任意の２つの形状の間で１０％を超える差）、異なる形状、又は、異なるサイズ及び形状の両方を有することが可能である。スポット・パターンは、（行及び列のそれぞれに沿った孔部に関して均一なピッチを備えた図５に図示されているように）均一なパターンであるか、又は、不均一なパターン（図示せず）であることが可能である。
【００３１】
さらなる実施例では（図示せず）、図４及び図５を参照して説明されている孔部のハイブリッドが使用され得る。たとえば、図５を参照して説明されている形状を有する１つ又は複数の孔部が、図４を参照して説明されているトレンチ同士の間に設置され得る。バス・バーの接着剤層が、上側の透明導電層１３０と比較して、中間層１４０へのより良好な接着を有するときに、図４及び図５が役に立つ可能性がある。この明細書を読んだ後に、当業者は、特定の用途に関する必要性又は要望を実現するために、１つの孔部が中間層１４０を通って延在することとなるか、又は、２つ以上の孔部がそうなるかどうか、及び、孔部のパターン、又は、孔部がそうなるかを決定することができることとなる。
【００３２】
Ｃ．  バス・バー６２２及び６３０
バス・バー６２２及び６３０は、それぞれ孔部２２２及び２４０の中に、及び、中間層１４０の一部分の上に配設されている。バス・バー６３０に関する詳細が、バス・バー６２２の前に説明される。その理由は、バス・バー６３０及び下にある層に関する問題が、バス・バー６２２と比較して、バス・バー６３０に関して使用される材料により多くの制限を加える可能性があるからである。しかし、いくつかの特性は、バス・バー６２２及び６３０の両方に共通とすることが可能である。一実施例では、バス・バー６２２及び６３０は、非貫通式のバス・バーであり、これは、バス・バー６２２及び６３０からの導電性材料が、透明導電層１２２及び１３０に移動せず、透明導電層１２２及び１３０とバス・バー６２２及び６３０とを互いに電気的に短絡させないことを意味している。したがって、バス・バー６３０は、下側の透明導電層１２２を介したバス・バー６２２とバス・バー６３０との間の電気的短絡を防止するようにパターン化された下側の透明導電層１２２を必要とすることなく、下側の透明導電層１２２の上に位置付けされ得る。バス・バー６２２は、下側の透明導電層１２２の露出された部分のすべてをカバーすることが可能である。バス・バー６３０は、上側の透明導電層１３０の露出された部分のすべて（たとえば、図３に対応するパターン）、又は、露出された部分（たとえば、図４又は図５に対応するパターン）をカバーすることが可能である。したがって、バス・バー６２及び６３０の幅は、それぞれ、透明導電層１２２及び１３０の露出された部分をカバーするのに十分とすることが可能である。
【００３３】
１．  バス・バー６３０
バス・バー６３０の組成は、バス・バー６３０とバス・バー６３０によってカバーされている下側の透明導電層１２２の部分との間に、電気的短絡又は過大な漏洩電流（非発光式の可変透過デバイスの通常動作の間の漏洩電流に関する仕様よりも高い）を形成しないように選択される。バス・バー６３０の組成は、上側導電層１３０の中に、銅、金、炭素、チタン、スズ、亜鉛、又は任意の金属元素を含むことが可能である。炭素が使用されるときには、それは、カーボンブラック、ナノワイヤー、又は別のフラーレン化合物の形態とすることが可能である。組成は、金属のうちの少なくとも１つを含む金属合金、又は、金属若しくは金属合金のうちの１つ又は複数を含む酸化物若しくは窒化物を含むことが可能である。別の実施例では、組成は、導電性ポリマーを含むことが可能である。バス・バー６３０の組成は、上側の透明導電層１３０を構成する構成要素を含むことが可能である。たとえば、上側導電層１３０が酸化スズ（たとえば、インジウムがドープされた酸化スズなど）を含むときには、組成は、スズ又は酸化スズを含むことが可能である。上側導電層１３０が酸化亜鉛（たとえば、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛など）を含むときには、組成は、亜鉛又は酸化亜鉛を含むことが可能である。
【００３４】
本発明者は、銀、銀を含有する化合物、及び、銀を含有する合金が、問題を引き起こす可能性があることを発見した。銀又は銀を含有する化合物若しくは合金が使用されるときには、電気的短絡又は過大な漏洩電流を形成する可能性が、バス・バー６３０の組成に関して説明されている他の材料よりも実質的に高い。理論に拘束されることを意味するものではないが、本発明者は、銀がエレクトロクロミック・スタック１２０の中のリチウムとの相互作用を有する可能性があると考えている。したがって、インターカレートする元素（たとえば、Ｈ、Ｌｉ、又はＮａ）と有害な相互作用を有すると考えられる任意の元素又は化合物は、バス・バー６３０の中に使用されなくてよい。問題の多い他の元素も、バス・バー６３０の組成の中に含まれなくてもよい。
【００３５】
バス・バー６３０の構築は、導電性テープであることが可能であり、導電性テープは、バッキング基板６３２及び接着剤層６３４を含む。バッキング基板６３２は、バス・バー６３０に沿った電流のほとんどを運搬する。バッキング基板６３２は、導電性金属、金属合金、金属を含有する化合物、又はポリマーを含むフォイルの形態であることが可能である。一実施例では、バッキング基板は、最大で９μΩｃｍの抵抗率を有している。別の実施例では、バッキング基板６３２は、１μΩｃｍから７μΩｃｍの範囲にあるか、又は、１．５μΩｃｍから６．５μΩｃｍの範囲にあるか、又は、２μΩｃｍから６μΩｃｍの範囲にある抵抗率を有している。バッキング基板６３２は、所定の厚さを有することが可能であり、それが、基板１００のエレベーションと中間層１４０のエレベーションとの間の移行部などのような、非発光式の可変透過デバイスのトポグラフィーにしたがうように作製され得るようになっている。一実施例では、厚さは、最大で９００ミクロンである。別の実施例では、厚さは、実質的により薄くすることが可能であり、たとえば、最大で３００ミクロン、又は、最大で９５ミクロンなどである。バス・バー６３０は、バッキング基板６３２が薄過ぎる場合にはハンドリングすることが困難になる可能性がある。一実施例では、バッキング基板６３２は、少なくとも２ミクロンの厚さを有することが可能である。
【００３６】
バス・バー６３０の線形抵抗は、バス・バーの長さに沿ってオーム／ｍとして表現され得、バッキング基板６３２の断面積によって制御され得る。より低い線形抵抗が望まれる場合には、相対的に厚いバッキング基板６３２、相対的に広いバッキング基板６３２、又は、相対的に厚いバッキング基板６３２及び広いバッキング基板６３２の組み合わせが使用され得る。より高い線形抵抗が望まれる場合には、相対的に薄いバッキング基板６３２、相対的に狭いバッキング基板６３２、又は、相対的に薄いバッキング基板６３２及び狭いバッキング基板６３２の組み合わせが使用され得る。この明細書を読んだ後に、当業者は、物理的な性能（たとえば、露出された上側の透明導電層１３０がない）及び電気的な性能（たとえば、許容可能な線形抵抗）を満たすように、バッキング基板６３２の厚さ及び幅を選択することができることとなる。
【００３７】
接着剤層６３４は、上側の透明導電層１３０とバッキング基板６３２との間の導電を可能にするために、導電性粒子を備えた接着剤材料を含むことが可能である。また、バッキング基板６３２に関して以前に説明されている材料の選択は、接着剤層６３４の中の導電性粒子にも適用することが可能である。一実施例では、接着剤層の中の接着剤成分は、感圧接着剤であることが可能である。接着剤層６３４の中の接着剤成分は、エポキシ、シリコーンゴム、ポリビニルブチラール、又はポリビニルアセテートなどであることが可能である。接着剤層６３４は、所定の厚さを有することが可能であり、それが中間層１４０の中の開口部２４０を通して上側の透明導電層１３０に直接的に接触することができるようになっている。バス・バー６２２（下記に説明されている）がバス・バー６３０と同一であるときには、接着剤層６３４は、所定の厚さを有することが可能であり、それが、層１２４、１２６、１２８、１３０、及び１４０を通って延在している開口部２２２を通して下側の透明導電層１２２に接触することができるようになっている。一実施例では、厚さは、最大で９００ミクロンである。より薄い接着剤層６３４は、上側の透明導電層１３０とバッキング基板６３２との間の抵抗を、より厚い接着剤層６３４よりも相対的に低く維持することを助けることが可能である。別の実施例では、厚さは、最大で３００ミクロン、又は、最大で９５ミクロンであることが可能である。接着剤層６３４がバッキング基板６３２の表面に沿って不連続的である場合には、バス・バー６３０は、適正に接着していない可能性がある。一実施例では、バス・バー６３０は、少なくとも１．１ミクロンの厚さを有することが可能である。
【００３８】
必要とされるか又は望まれる場合には、バス・バー６３０は、所望の形状を実現するために、カットされるか、又は、マシン・プレスなどされ得る。リリース・フィルム（図示せず）が除去され得、バス・バー６３０が適用され得、接着剤層６３４が孔部２４０を通って延在し、上側の透明導電層１３０に接触する。一実施例では、ローラーが使用され、バス・バー６３０を押し付け、上側の透明導電層１３０への適正な接着及び電気的接触を保証することが可能である。
【００３９】
２．  バス・バー６２２
バス・バー６２２に関する設計考慮事項は、バス・バー６３０と比較して厳しくない。一実施例では、バス・バー６２２は、バス・バー６３０に関して説明されているような材料、構成、及び設計のいずれかを含むことが可能である。バス・バー６２２及び６３０が同一であるときには、在庫管理がより容易になり、ミス加工（間違った透明導電層にバス・バーを取り付ける）の可能性が軽減される。
【００４０】
別の実施例では、バス・バー６２２は、バス・バー６３０とは異なる材料又は設計を有している。たとえば、バス・バー６２２は、デバイスにそれほど悪影響を与えることなく、銀を含むことが可能である。さらに、バス・バー６２２は、異なるプロセスを使用して形成され得る。たとえば、バス・バー６２２は、銀フリット（ｓｉｌｖｅｒ  ｆｒｉｔ）を含むインクなどのような導電性インクの形態で適用されて焼かれ得る。したがって、バス・バーと比較して、バス・バー６２２に対する選択の幅がより大きく存在する。
【００４１】
別の実施例では、中間層１４０から下側の透明導電層１２２へ移行するときのステップ高さは、透明導電層１２２に接触するバス・バー６２２の厚さと比較して重要である可能性がある。そのような実施例では、層１２４、１２６、１２８、１３０、及び１４０は、トレンチ２２２を画定するようにパターン化され得、トレンチ２２２がバス・バー６２２の幅よりも広くなる。より広いトレンチ２２２は、バス・バー６２２と下側の透明導電層１２２との間に、より良好な（より低い）接触抵抗を可能にすることができる。
【００４２】
さらなる実施例では、導電性材料は、バス・バー６２２を適用する前に、開口部２２２の中に形成され得る。導電性材料は、バス・バー６２２の接着剤層が孔部２２２の中へ延在するために必要とする深さを低減させることを助けることが可能である。導電性材料が使用されるときに、バス・バー６２２の中の接着剤層の厚さは、より薄くすることが可能であり、より低い抵抗接続を提供することが可能である。導電性材料は、導電性粒子を含むインクとして適用され得、バス・バー６２２及び６３０を適用する前に焼かれ得る。
【００４３】
Ｄ．  その後の加工
必要とされるか又は望まれる場合には、基板１００は、個々のパネルへとカットされ得るマザーボードの形態とすることが可能である。層１２２、１２４、１２６、１２８、１３０、及び１４０のスタックの一部分は、マザーボードが個々の非発光式の可変透過パネルへとカットされることとなる領域において除去され得る。それぞれの個々のパネルは、電極層１２４及び１２８並びにイオン導電層１２６の一部分を含む非発光式の可変透過デバイスを含む。一実施例では、下側の透明導電層１２２を除去するために、及び、下にある基板１００を露出させるために、除去が拡張され得ることを除いて、除去は、孔部２２２に関して以前に説明されている技法のいずれかを使用して実施され得る。除去の後に、マザーボードはカットされ、マザーボードを個々の非発光式の可変透過デバイスへと分離することが可能である。カッティング・レーンに沿ってマザーボードを露出させるために層の一部分を除去すること、及び、マザーボードを個々の非発光式の可変透過デバイスへとカットすることは、バス・バー６２２及び６３０が１セットの層１２０の上に配設される前又は後に実施され得る。代替的な実施例では、基板１００は、層１２２、１２４、１２６、１２８、１３０、及び１４０を形成する前に、仕上げられた非発光式の可変透過デバイスに対応する形状を有することが可能である。したがって、除去動作又はカッティング動作は、すべての実施例において必要とされるわけではない。
【００４４】
図７は、例示的な断熱ガラス・ユニット７００の図示を含む。断熱ガラス・ユニット７００は、外側基板７３０、１セットの層１２０、及び基板１００を含む。図７の中では識別されないが、１セットの層１２０は、層１２２、１２４、１２６、１２８、１３０、及び１４０を含む。バス・バー６２２及び６３０は、存在しているが、図７には図示されていない。層間体７５０が、外側基板７３０と１セットの層１２０との間に配設されている。層間体７５０は、ラミネーション接着剤であることが可能である。層間体７５０は、熱可塑性物質、たとえば、ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）、又はポリビニルブチラール（ＰＶＢ）などを含むことが可能である。外側基板７３０は、ペイン７６０に連結されている。外側基板７３０及びペイン７６０のそれぞれは、強化された又は焼き戻しされたガラスであることが可能であり、２ｍｍから７ｍｍの範囲にある厚さを有することが可能である。低放射率層７４２が、ペイン７６０の内側表面に沿って配設され得る。基板１００及びペイン７６０は、スペーサー・バー７４３によって離間され得る。スペーサー・バー７４３は、シール７４４を介して基板１００及びペイン７６０に連結されている。シール７４４は、ポリイソブチレンなどのようなポリマーであることが可能である。接着ジョイント７４５は、基板１００及びペイン７６０を一緒に保持するように設計されており、基板１００及びペイン７６０の縁部の周囲全体に沿って提供されている。ＩＧＵ７００の内部スペース７７０は、希ガス又は清浄な乾燥空気などのような、比較的に不活性ガスを含むことが可能である。別の実施例では、内部スペース７７０は、真空にされ得る。
【００４５】
図８は、別の例示的な断熱ガラス・ユニット８００の図示を含む。断熱ガラス・ユニット８００は、１セットの層１２０が外側の別個の基板７３０の反対側にあることを除いて、断熱ガラス・ユニット７００のものと同様の非発光式の可変透過デバイスを含む。層間体７５０は、外側基板７３０と基板１００との間に配設されている。
【００４６】
別の実施例では、ＩＧＵに関する異なる構成が使用され得る。この明細書を読んだ後に、当業者は、特定の用途に関する必要性又は要望を満たすために、ＩＧＵに関する設計を決定することができることとなる。
【００４７】
非発光式の可変透過デバイスは、車両ウィンドウ、たとえば、ムーン・ルーフ又は乗客サイド・ウィンドウの一部などの形態とすることが可能である。曲げ動作又は成形動作が、たとえば、車両の湾曲に一致するようにわずかに湾曲しているなど、所望の形状を実現するために実施され得る。
【００４８】
別の後続の動作が、以前に説明されている別の動作とともに、又は、その代わりに実施され得る。したがって、後続の加工に関係付けられる実施例は、単に例示目的のものに過ぎず、添付の特許請求の範囲に定義されているような本発明の範囲を限定しない。
【００４９】
多くの異なる態様及び実施例が可能である。それらの態様及び実施例のうちのいくつかが、下記に説明されている。この明細書を読んだ後に、当業者は、それらの態様及び実施例が、単に例示目的のものに過ぎず、本発明の範囲を限定しないことを認識することとなる。例示的な実施例は、下記に列挙されているもののうちの任意の１つ又は複数にしたがっている可能性がある。
【００５０】
「実施例１」
エレクトロクロミック・スタックと、エレクトロクロミック・スタックを覆う第１の透明導電層と、第１の透明導電層を覆い、第１の孔部を画定している中間層と、第１の導電性テープを含む第１のバス・バーであって、第１の導電性テープは、第１の孔部の中へ延在し、第１の透明導電層に接触している、第１のバス・バーとを含む、非発光式の可変透過デバイス。
【００５１】
「実施例２」
中間層は、第１の透明導電層に直接的に接触している、実施例１に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００５２】
「実施例３」
エレクトロクロミック・スタックの下に配設されている第２の透明導電層をさらに含む、実施例１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００５３】
「実施例４」
エレクトロクロミック層をさらに含む、実施例３に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００５４】
「実施例５」
イオン貯蔵層、イオン導電層、又は、イオン貯蔵層及びイオン導電層の両方をさらに含む、実施例４に記載のエレクトロクロミック・デバイス。
【００５５】
「実施例６」
第２の導電性テープを含む第２のバス・バーをさらに含み、第２のバス・バーの第２の導電性テープは、中間層の第２の孔部の中へ延在し、第２の透明導電層に接触しており、第１の孔部は、第２の孔部から離間されている、実施例３から５までのいずれか１つに記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００５６】
「実施例７」
第１のバス・バーは、エレクトロクロミック・スタックの任意の層又は第２の透明導電層に接触しない、実施例３から６までのいずれか１つに記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００５７】
「実施例８」
第１の孔部及び第２の孔部のうちの少なくとも１つは、中間層を通って第１の透明導電層へ延在する孔部のパターンを含む、実施例１から７までのいずれか１つに記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００５８】
「実施例９」
孔部のパターンは、スポットの行列を含むスポット・パターン、離間された１セットのラインを含むライン・パターン、又は、１セットの重なり合うラインを含むライン・パターンを含む、実施例８に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００５９】
「実施例１０」
第１の透明導電層は、第１の孔部の下の場所において第１の厚さを有しており、第１の孔部から離間されている別の場所において第２の厚さを有しており、第１の厚さは、第２の厚さよりも小さい、実施例１から９までのいずれか１つに記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００６０】
「実施例１１」
第１の厚さは、第２の厚さの厚さの少なくとも９０％であるか、少なくとも９５％であるか、又は少なくとも９９％である、実施例１０に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００６１】
「実施例１２」
第１の厚さと第２の厚さとの間の差は、２ｎｍ以下であるか、１．５ｎｍ以下であるか、１ｎｍ以下であるか、又は０．５ｎｍ以下である、実施例１０又は１１に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００６２】
「実施例１３」
第１の導電性テープは、バッキング基板及び導電性接着剤を含む、実施例１から１２までのいずれか１つに記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００６３】
「実施例１４」
導電性接着剤は、第１の透明導電層の中にも含有される元素又は化合物を含む、実施例１３に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００６４】
「実施例１５」
導電性接着剤は、銅、金、炭素、チタン、スズ、亜鉛、これらの合金、これらの酸化物、これらの窒化物、又は、これらの任意の組み合わせを含む、実施例１３又は１４に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００６５】
「実施例１６」
第１の透明導電層及び第２の透明導電層のうちの少なくとも１つは、金属、金属酸化物、炭素系の材料、又は、それらの任意の組み合わせを含む、実施例１から１５までのいずれか１つに記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００６６】
「実施例１７」
金属酸化物は、酸化スズ若しくは酸化亜鉛、フッ素化された酸化スズ、又はスルホン化ポリマー、たとえば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）などを含み、酸化スズ又は酸化亜鉛のいずれかは、Ａｌ、Ｇａ、若しくはＩｎなどのような三価の元素によってドープされ得る、実施例１６に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００６７】
「実施例１８」
金属は、金、銀、銅、炭素、ニッケル、アルミニウム、又は、これらの任意の組み合わせを含む、実施例１６に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００６８】
「実施例１９」
導電性接着剤は、銀を含有していない、実施例１３から１８までのいずれか１つに記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００６９】
「実施例２０」
第１及び第２のバス・バーのうちの少なくとも１つは、１μΩｃｍから７μΩｃｍの範囲にあるか、１．５μΩｃｍから６．５μΩｃｍの範囲にあるか、又は、２μΩｃｍから６μΩｃｍの範囲にある抵抗率を有するバッキング基板を有している、実施例１から１９までのいずれか１つに記載の非発光式の可変透過デバイス。
【００７０】
「実施例２１」
非発光式の可変透過デバイスを形成する方法であって、本方法は、エレクトロクロミック・スタックを提供するステップと、エレクトロクロミック・スタックの上に第１の透明導電層を形成するステップと、第１の透明導電層の上に中間層を形成するステップと、第１の透明導電層まで延在する第１の孔部を画定するように、中間層をパターニングするステップと、中間層に隣接して第１のバス・バーを配設するステップであって、第１のバス・バーは、第１の孔部の中へ延在し、第１の透明導電層に接触している、ステップとを含む、方法。
【００７１】
「実施例２２」
非発光式の可変透過デバイスは、実施例１から２０までのいずれか１つに記載の非発光式の可変透過デバイスを含む、実施例２１に記載の方法。
【００７２】
「実施例２３」
中間層をパターニングするステップは、中間層にレーザー・アブレーション加工を実施するステップを含む、実施例２１又は２２に記載の方法。
【００７３】
「実施例２４」
レーザー・アブレーション加工が、最大で１０００フェムト秒の、最大で７００フェムト秒の、最大で５００フェムト秒の、又は最大で３００フェムト秒のパルス持続期間を有するレーザーを使用して実施される、実施例２１から２３までのいずれか１つに記載の方法。
【００７４】
「実施例２５」
中間層をパターニングするステップは、スポット・パターン又はライン・パターンを含む孔部のパターンを形成するステップを含む、実施例２１から２４までのいずれか１つに記載の方法。
【００７５】
「実施例２６」
パターンは、スポットの行列、１セットの個別のライン、又は１セットの重なり合うラインを含む、実施例２５に記載の方法。
【００７６】
「実施例２７」
孔部の下の場所における第１の透明導電層の厚さと、孔部を形成するために中間層をパターニングする前の場所における第１の透明導電層の厚さとの間の差は、最大で２ｎｍであるか、最大で１．５ｎｍであるか、最大で１ｎｍであるか、又は、最大で０．５ｎｍである、実施例２１から２６までのいずれか１つに記載の方法。
【００７７】
「実施例２８」
孔部の下の場所における第１の導電層の厚さは、孔部を形成するために中間層をパターニングする前の場所における透明導電層の厚さの少なくとも９０％、少なくとも９５％、又は少なくとも９９％である、実施例２１から２７までのいずれか１つに記載の方法。
【００７８】
「実施例２９」
第１のバス・バーを配設するステップは、中間層に隣接して導電性テープを適用するステップを含み、導電性テープは、バッキング基板及び導電性接着剤を含む、実施例２１から２８までのいずれか１つに記載の方法。
【００７９】
「実施例３０」
方法は、中間層に隣接して第２のバス・バーを配設するステップをさらに含み、第２のバス・バーは、中間層の中の第２の孔部の中へ延在し、第２の透明導電層に接触している、実施例２１から２９までのいずれか１つに記載の方法。
【００８０】
「実施例３１」
中間層は、絶縁層を含む、先行する実施例のいずれかに１つに記載の非発光式のデバイス又は方法。
【００８１】
「実施例３２」
中間層は、反射防止層である、先行する実施例のいずれかに１つに記載の非発光式のデバイス又は方法。
【００８２】
「実施例３３」
アクティブ・スタックは、エレクトロクロミック・スタックである、先行する実施例のいずれかに１つに記載の非発光式のデバイス又は方法。
【００８３】
Ｅ．  実例
反射防止層の中の孔部を通して上側の透明導電層に接触しているバス・バーを備えた非発光式の可変透過デバイスを実証するために、実例が提供されており、ここで、上側の透明導電層の一部分は、孔部の下で、及び、反射防止層の残りの部分の下で、ほぼ同じである。図９は、反射防止層９４０の中の孔部において上側の透明導電層９３０に接触しているバス・バー９６０を含む非発光式の可変透過デバイスを図示する走査型電子顕微鏡画像を含む。バス・バー９６０は、バッキング基板９６２及び接着剤層９６４を含む。
【００８４】
１セットの層９２０が、透明なガラス基板９００の上に形成された。層は、インジウムがドープされた酸化スズ（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）を含む下側の透明導電層９２２と、ＷＯ３を含むエレクトロクロミック層９２４と、シリカを含むイオン導電層９２６と、Ｌｉ−Ｎｉ−Ｗ酸化物材料を含むイオン貯蔵層９２８と、ＩＴＯを含む上側の透明導電層９３０と、シリカを含む反射防止層９４０とを含んでいた。層９２４、９２６、及び９２８のうちの１つ又は複数は、Ｌｉを含んでいた。形成されたときに、上側の透明導電層９３０は、４２０ｎｍの厚さを有しており、反射防止層９４０は、７５ｎｍの厚さを有していた。反射防止層９４０は、おおよそ０．５Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度、及び、５０％のレーザー・オーバーラップにおいて、３００ｆｓのパルス持続期間において、５１５ｎｍの波長を有するグリーン・レーザー・ビームを使用してパターン化された。バス・バー９６０は、反射防止層９４０の上に、及び、反射防止層９４０を通って延在する孔部９４２の中に配設された。バス・バー９６０は、３５ミクロン厚さの電子グレードのスズでコーティングされた銅フォイル、及び、２５ミクロン厚さの導電性接着剤を有する、ＥＬ−９００３８（商標）ブランドのバス・バー・テープ（Ｇｌｅｎ  Ｒｏｃｋ、ＰＡ、ＵＳＡのＡｄｈｅｓｉｖｅｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｉｎｃ．から入手可能である）であった。
【００８５】
図９において見られるように、反射防止層９４０の中の孔部９４２の下にある上側の透明導電層９３０のうちの非常にわずかが除去された。上側の透明導電層９３０のおおよそ２０ｎｍだけが、開口部の中で除去された。図１０は、わずかな角度における上面図を含む。上側の透明導電層９３０が、孔部の中で露出されており、下にある層はいずれも露出されていない。
【００８６】
図１１の中で使用されるパルス持続期間が１ｐｓであり、図１２の中で使用されるパルス持続期間が１０ｐｓであることを除いて、図１１及び図１２は、図９と同様である。図１１において見られるように、１ｐｓのパルス持続期間は、上側の透明導電層９３０の下にある任意の層を露出させることなく使用され得る。とりわけ、１ｐｓのパルス持続期間は、イオン貯蔵層９２８を露出させることなく使用され得る。上側の透明導電層９３０は、孔部１１４２の中に見ることができるが、イオン貯蔵層９２８の中に見ることはできない。図１２では、１０ｐｓのパルス持続期間が使用されている。図９から図１１に図示されている実施例とは異なり、孔部１２４２の中心の中の上側の透明導電層９３０の厚さ全体、及び、イオン貯蔵層９２８の一部分が、孔部を形成するときに露出されて損傷を与えられる。したがって、１ｐｓのパルス持続期間が使用され得る。しかし、１０ｐｓのパルス持続期間は、上側の透明導電層９３０を露出させるために反射防止層９４０をパターニングするときに、下にある層を露出させて損傷を与える重大なリスクを引き起こす。
【００８７】
新しいバス・バー・アーキテクチャー及び形成する方法が、導電性を改善した（より低い抵抗）。新しいバス・バー・アーキテクチャーは、バス・バー長さのおおよそ３．３ｍオーム／ｍの抵抗を有している。バス・バーのための銀フリット・インクを使用する比較例のアーキテクチャーは、バス・バー長さのおおよそ５．４ｍオーム／ｍの抵抗を有している。したがって、抵抗は、新しいバス・バー・アーキテクチャーによって、おおよそ４０％低くなる。
【００８８】
Ｆ．  利益
実施例は、非発光式の可変透過デバイスに関する従来の設計及びプロセスと比較して、利益を提供することが可能である。上側の透明導電層に関するバス・バーの適正な材料の選択及び設計は、下側の透明導電層をカットする必要なしに、上側の透明導電層への電気的な接続部が作製されることを可能にする。とりわけ、バス・バーに関する材料の選択は、バス・バーの中の材料及び下にある層の中の材料との著しい有害な相互作用なしに、十分な導電性を提供する。したがって、通常動作時の導電性の下では高過ぎる電気的短絡又は漏洩電流が軽減され得る。改善された制御は、比較的に薄い反射防止性を可能にすることができる。
【００８９】
パターニングにおける改善された制御は、比較的に薄い中間層が使用されることを可能にする。パターニングがアブレーションを使用して実施されるときには、レーザーに関する動作パラメーターは、下にある層（たとえば、上側の透明導電層など）の多くを除去し過ぎることなく、中間層の選択的な除去を可能にするように選択され得る。
【００９０】
上記に説明されているプロセス・フローは、フレキシブルなものであり、孔部、孔部、又は高抵抗領域を形成する際のパターニング動作のうちの多くは、多くの異なる順序で実施され得る。したがって、プロセス・フローは、そのような動作が実施され得る特定の用途又は設備若しくは設備の組み合わせに関する必要性又は要望に適合され得る。
【００９１】
全体的な説明又は実例の中に上記に説明されている活動のすべてが必要とされるわけではないこと、特定の活動の一部分は必要とされない可能性があること、及び、説明されているものに加えて１つ又は複数のさらなる活動が実施され得ることに留意されたい。さらには、活動が列挙されている順序は、必ずしも、それらが実施される順序であるわけではない。
【００９２】
明確化のために別個の実施例の文脈において本明細書で説明されている特定の特徴は、また、単一の実施例の中で組み合わせて提供され得る。逆に、簡潔化のために単一の実施例の文脈において説明されているさまざまな特徴が、また、別個に又は任意のサブコンビネーションで提供され得る。さらに、範囲で記述されている値への参照は、その範囲の中のそれぞれの値及びすべての値を含む。
【００９３】
利益、他の利点、及び、課題に対する解決策が、特定の実施例に関して上記に説明されてきた。しかし、利益、利点、課題に対する解決策、並びに、任意の利益、利点、又は解決策が起こること又はより顕著になることを引き起こすことができる任意の特徴は、任意の又はすべての請求項の重要な、必要な、又は必須の特徴として解釈されるべきではない。
【００９４】
本明細書、及び、本明細書で説明されている実施例の図示は、さまざまな実施例の構造の一般的な理解を提供することが意図されている。本明細書及び図示は、本明細書で説明されている構造又は方法を使用する装置及びシステムの要素及び特徴のすべての徹底的な及び包括的な説明としての役割を果たすことを意図していない。また、別個の実施例が、単一の実施例の中に組み合わせて提供され得、逆に、簡潔化のために単一の実施例の文脈において説明されているさまざまな特徴が、また、別個に又は任意のサブコンビネーションで提供され得る。さらに、範囲で記述されている値への参照は、その範囲の中のそれぞれの値及びすべての値を含む。多くの他の実施例が、この明細書を読んだ後にのみ、当業者に明らかになり得る。他の実施例が、本開示から使用及び導出され得、構造的置換、論理的置換、又は別の変更が、本開示の範囲から逸脱することなく行われ得る。したがって、本開示は、制限的なものであるというよりもむしろ例示目的のものとして見なされるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年3月11日(2020.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ・スタックと、
前記アクティブ・スタックを覆う第１の透明導電層と、
前記第１の透明導電層を覆い、第１の孔部を画定している中間層と、
第１の導電性テープを含む第１のバス・バーであって、前記第１の導電性テープは、前記第１の孔部の中へ延在し、前記第１の透明導電層に接触している、第１のバス・バーと
を備える、非発光式の可変透過デバイス。
【請求項２】
第２の導電性テープを含む第２のバス・バーをさらに含み、前記第２のバス・バーの前記第２の導電性テープは、前記中間層の第２の孔部の中へ延在し、第２の透明導電層に接触しており、前記第１の孔部は、前記第２の孔部から離間されている、請求項１に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項３】
前記第１のバス・バーは、前記アクティブ・スタックの任意の層又は前記第２の透明導電層に接触しない、請求項１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項４】
前記第１の孔部及び前記第２の孔部のうちの少なくとも１つは、前記中間層を通って前記第１の透明導電層へ延在する孔部のパターンを含む、請求項１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項５】
前記第１の透明導電層は、前記第１の孔部の下の場所において第１の厚さを有しており、前記第１の孔部から離間されている別の場所において第２の厚さを有しており、前記第１の厚さは、前記第２の厚さよりも小さい、請求項１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項６】
前記第１の厚さは、前記第２の厚さの少なくとも９０％の厚さである、請求項５に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項７】
前記第１の厚さと前記第２の厚さとの間の差は、２ｎｍ以下である、請求項６に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項８】
前記第１の導電性テープは、バッキング基板及び導電性接着剤を含む、請求項１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項９】
前記導電性接着剤は、銀を含有していない、請求項８に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項１０】
前記第１のバス・バー及び前記第２のバス・バーのうちの少なくとも１つは、１μΩｃｍから７μΩｃｍの範囲にある抵抗率を有するバッキング基板を有している、請求項１又は２に記載の非発光式の可変透過デバイス。
【請求項１１】
非発光式の可変透過デバイスを形成する方法であって、
アクティブ・スタックを提供するステップと、
前記アクティブ・スタックの上に第１の透明導電層を形成するステップと、
前記第１の透明導電層の上に中間層を形成するステップと、
前記第１の透明導電層まで延在する第１の孔部を画定するように、前記中間層をパターニングするステップと、
前記中間層に隣接して第１のバス・バーを配設するステップであって、前記第１のバス・バーは、前記第１の孔部の中へ延在し、前記第１の透明導電層に接触している、ステップと
を含む、方法。
【請求項１２】
レーザー・アブレーション加工が、最大で１０００フェムト秒のパルス持続期間を有するレーザーを使用して実施される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記中間層は、絶縁層を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記中間層は、反射防止層である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記アクティブ・スタックは、エレクトロクロミック・スタックである、請求項１１に記載の方法。
【国際調査報告】
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