(57)【要約】【課題】  ガスの総量を保ちつつ、処理物中の乱流成分を増大させて処理物中の介在物の除去効率を向上することのできる真空脱ガス設備及び精錬方法を開示する。【解決手段】  内部に空間を有する真空槽と、真空槽の下部に取り付けられ、容器内の処理物に浸漬可能な複数本の浸漬管と、いずれか１本の浸漬管の内壁に周方向に隔設される複数本のノズルと、複数本のノズルに接続されるガス供給器、及び複数本のノズルにガスを非対称的に供給するようにガス供給器を制御する制御器を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に減圧可能な空間を有する真空槽と、
前記真空槽と連通され、前記真空槽の下側に配置された容器内の処理物に浸漬可能な複数本の浸漬管と、
いずれか１本の浸漬管の内壁に配設される複数本のノズルと、
前記複数本のノズルに接続されてガスを供給可能なガス供給器と、
前記ガス供給器が前記複数本のノズルにガスを非対称的に供給するように、前記ガス供給器を制御する制御器と、
を備える真空脱ガス設備。
【請求項２】
前記制御器は、前記複数本のノズルに供給するガスの総量を保ちつつ、少なくとも１本のノズルまたは少なくとも１つのノズルグループに供給するガス量を独立して調節できるように前記ガス供給器を制御する請求項１に記載の真空脱ガス設備。
【請求項３】
前記複数本のノズルは、周方向に配置され、前記ガス供給器に個別的にまたはグループ別に接続され、
前記制御器は、一部のノズルまたは一部のノズルグループに供給するガス量と、残りのノズルまたは残りのノズルグループに供給するガス量とが異なるように前記ガス供給器を制御する請求項１に記載の真空脱ガス設備。
【請求項４】
前記複数本の浸漬管は上昇管と下降管を備え、
前記上昇管は、内壁が複数の分面に仕切られ、
前記複数本のノズルは、各分面に少なくとも１本以上配設されて複数のノズルグループとして形成される請求項２に記載の真空脱ガス設備。
【請求項５】
前記複数の分面は、前記上昇管の内壁に周方向に離隔してそれぞれ上下方向に延びた領域線により仕切られる請求項４に記載の真空脱ガス設備。
【請求項６】
前記領域線は、９０°おきに離隔して前記上昇管の内壁を４分割し、
前記制御器は、いずれか１つの分面に配設されたノズルグループに前記ガスの総量の４０％〜５０％が供給されるように制御する請求項５に記載の真空脱ガス設備。
【請求項７】
前記制御器は、残りの分面にそれぞれ配設されたノズルグループに前記ガスの総量の５０％〜６０％が均等に分配されるように制御する請求項６に記載の真空脱ガス設備。
【請求項８】
前記制御器は、前記ガスの総量の４０％〜５０％が供給されるノズルグループが周期的にまたは連続的に変わるように制御する請求項６に記載の真空脱ガス設備。
【請求項９】
処理物が受鋼された容器を真空槽の下側に位置させる過程と、
前記真空槽と接続された複数本の浸漬管を前記処理物に浸漬する過程と、
前記真空槽の内部を減圧し、いずれか１本の浸漬管の内部にガスを供給して前記処理物を還流させる過程と、
前記いずれか１本の浸漬管の内部に前記ガスを非対称的に供給するようにガスの供給を制御する過程と、
を含む精錬方法。
【請求項１０】
前記処理物を還流させる過程を行い、前記処理物からガス成分を除去し、
前記処理物を還流させる過程中に、前記ガスの供給を制御する過程を行い、前記処理物内の乱流成分を増加させて前記処理物内の介在物の成長速度を向上させる請求項９に記載の精錬方法。
【請求項１１】
内部に前記ガスが供給される浸漬管を上昇管としたとき、
前記ガスの供給を制御する過程は、
前記上昇管の内壁に周方向に隔設された複数本のノズルに供給するガスの総量を保つ過程と、
少なくとも１本のノズルや少なくとも１つのノズルグループに供給するガス量を独立して調節する過程と、
を含む請求項９に記載の精錬方法。
【請求項１２】
前記ガス量を独立して調節する過程は、
一部のノズルまたは一部のノズルグループに高流量のガスを供給する過程と、
前記一部のノズルまたは前記一部のノズルグループを除く残りに低流量のガスを供給する過程と、
を含む請求項１１に記載の精錬方法。
【請求項１３】
前記ガス量を独立して調節する過程は、
前記上昇管の内壁を複数の分面に仕切り、各分面に配設された１本または複数本のノズルを各ノズルグループとして、少なくとも１つのノズルグループに供給するガス量を独立して増減する過程を含む請求項１１に記載の精錬方法。
【請求項１４】
前記複数の分面が、前記上昇管の内壁に周方向に離隔してそれぞれ上下方向に延びた領域線により仕切られて互いに面積と形状が対応する第１の分面、第２の分面、第３の分面及び第４の分面を含むとき、
前記ガス量を独立して増減する過程は、
前記複数の分面のうちのいずれか１つの分面に配設されたノズルグループに前記ガスの総量の４０％〜５０％を供給する過程を含む請求項１３に記載の精錬方法。
【請求項１５】
前記ガス量を独立して増減する過程は、
前記いずれか１つの分面を除く残りの分面にそれぞれ配設されたノズルグループに前記ガスの総量の５０％〜６０％を均等に分配する過程を含む請求項１４に記載の精錬方法。
【請求項１６】
前記ガス量を独立して増減する過程は、
前記ガスの総量の４０％〜５０％が供給されるノズルグループを周期的にまたは連続的に変更する過程を含む請求項１４に記載の精錬方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空脱ガス設備及び精錬方法に係り、さらに詳しくは、介在物の除去効率を向上することのできる真空脱ガス設備とこれを用いた精錬方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、還流式真空脱ガス設備は、転炉から出鋼された溶鋼の成分と温度を微細に調整し、脱ガス処理を行うように設けられた装置である。溶鋼は、還流式真空脱ガス設備において脱ガス処理されて高清浄溶鋼として生産される。
【０００３】
還流式真空脱ガス設備は、溶鋼が入った取鍋と、取鍋の上側に設けられて溶鋼の脱ガス処理に用いられ、内部に溶鋼を還流させる真空槽と、真空槽の下部に取り付けられ、溶鋼にそれぞれ浸漬される一対の浸漬管と、を備える。一対の浸漬管は、上昇管と下降管を備え、これらのうち、上昇管は、内壁に複数本のノズルが配設される。以下、還流式真空脱ガス設備を用いた溶鋼の精錬工程について説明する。
【０００４】
まず、精錬すべき溶鋼が入った取鍋を真空槽の下側に運び、一対の浸漬管を溶鋼に浸漬した後、真空槽の内部を減圧させて取鍋の溶鋼を真空槽に流入させる。次いで、複数本のノズルを介して上昇管の内部に還流ガスを注入する。
【０００５】
上昇管の内部に還流ガスを注入する間に、取鍋の溶鋼が上昇管を介して真空槽に流入し、真空槽の溶鋼が下降管を介して取鍋に戻るといった一連の循環流れ、例えば、還流が形成される。このとき、溶鋼が真空槽の内部において脱ガス処理され、溶鋼の成分と温度が微細に調整される。
【０００６】
還流を形成して溶鋼を脱ガス処理する上述した過程は、大きく、脱ガス区間と後還流区間とに分けられる。脱ガス区間の間に溶鋼中の炭素を除去し、脱ガス区間が終わるところで溶鋼中にアルミニウム成分を有する脱酸材を投入して後還流区間中に溶鋼中の酸素を介在物の形態として除去する。次いで、後還流区間が行われる間に、介在物は溶鋼内において互いに衝突して所定の大きさに成長し、浮上、分離されて取鍋の上部のスラグ（鉱滓）内に捕集され得る。
【０００７】
一方、後還流区間が終わった後、介在物が溶鋼内に残留すれば、以降の連続鋳造工程において浸漬ノズルの閉塞を引き起こし、鋳片の品質の欠陥をもたらす。したがって、後還流区間において介在物を除去することが非常に肝要である。
【０００８】
後還流区間において、介在物の除去は、介在物の合体、成長挙動をベースとする。すなわち、介在物は、互いに合体して粒子径が所定の大きさまで成長した後に溶鋼から浮上、分離され得る。このとき、介在物は、溶鋼との高い界面エネルギーにより粒子間の合体が容易であるが、これは、粒子間の衝突を前提とする。すなわち、介在物は、相互間の合体のために相互間の衝突が必要であり、相互の衝突なしには合体、成長することができず、その結果、浮上、分離され得ない。
【０００９】
後還流区間において介在物粒子間の衝突を引き起こすためには、溶鋼を攪拌することを余儀なくされるが、このための唯一の方法は、溶鋼の還流の形成にある。このとき、循環流れの速度が高ければ高いほど、乱流が強化されて溶鋼が上手に攪拌されて溶鋼内の介在物の相互間の衝突機会が高くなる。すなわち、還流式真空脱ガス設備を用いた溶鋼の精錬工程において介在物の除去効率を高めるためには、溶鋼の循環流れの速度を増大させなければならない。
【００１０】
一方、溶鋼の循環流れの速度を増大させる方式として、還流ガスの供給量を増加させる方式が挙げられるが、還流ガスの供給量が増加すれば、上昇管の耐火物の浸食速度もまた増加する。すなわち、還流ガスの供給量を増加させ、溶鋼の循環流れの速度を増大させる方式は、上昇管の耐火物の寿命を低下させるという副作用がある。
【００１１】
本発明の背景となる技術は、下記の特許文献に掲載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】韓国登録特許第１０−０７２３３７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上昇管内に注入される還流ガスの総量の変化なしに上昇管内の乱流を増大させることのできる真空脱ガス設備及び精錬方法を提供する。
【００１４】
本発明は、上昇管内の乱流を増大させて介在物の除去効率を向上することのできる真空脱ガス設備及び精錬方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の実施の形態に係る真空脱ガス設備は、内部に減圧可能な空間を有する真空槽と、前記真空槽の下部に取り付けられて前記真空槽と連通され、前記真空槽の下側に配置された容器内の処理物に浸漬可能な複数本の浸漬管と、いずれか１本の浸漬管の内壁に配設される複数本のノズルと、前記複数本のノズルに接続されてガスを供給可能なガス供給器と、前記ガス供給器が前記複数本のノズルにガスを非対称的に供給するように、前記ガス供給器を制御する制御器と、を備える。
【００１６】
前記制御器は、前記複数本のノズルに供給するガスの総量を保ちつつ、少なくとも１本のノズルまたは少なくとも１つのノズルグループに供給するガス量を独立して調節できるように前記ガス供給器を制御してもよい。
【００１７】
前記複数本のノズルは、周方向に配置され、前記ガス供給器に個別的にまたはグループ別に接続され、前記制御器は、一部のノズルまたは一部のノズルグループに供給するガス量と、残りのノズルまたは残りのノズルグループに供給するガス量とが異なるように前記ガス供給器を制御してもよい。
【００１８】
前記複数本の浸漬管は上昇管と下降管を備え、前記上昇管は、内壁が複数の分面に仕切られ、前記複数本のノズルは、周方向に離隔するように各分面に少なくとも１本以上配設されて複数のノズルグループとして形成されてもよい。
【００１９】
前記複数の分面は、前記上昇管の内壁に周方向に離隔してそれぞれ上下方向に延びた領域線により仕切られてもよい。
【００２０】
前記領域線は、９０°おきに離隔して前記上昇管の内壁を４分割し、前記制御器は、いずれか１つの分面に配設されたノズルグループに前記ガスの総量の４０％〜５０％が供給されるように制御してもよい。
【００２１】
前記制御器は、残りの分面にそれぞれ配設されたノズルグループに前記ガスの総量の５０％〜６０％が均等に分配されるように制御してもよい。
【００２２】
前記制御器は、前記ガスの総量の４０％〜５０％が供給されるノズルグループが周期的にまたは連続的に変わるように制御してもよい。
【００２３】
本発明の実施の形態に係る精錬方法は、処理物が受鋼された容器を真空槽の下側に位置させる過程と、前記真空槽と接続された複数本の浸漬管を前記処理物に浸漬する過程と、前記真空槽の内部を減圧し、いずれか１本の浸漬管の内部にガスを供給して前記処理物を還流させる過程と、前記いずれか１本の浸漬管の内部に前記ガスを非対称的に供給するようにガスの供給を制御する過程と、を含む。
【００２４】
前記処理物を還流させる過程を行い、前記処理物からガス成分を除去し、前記処理物を還流させる過程中に、前記ガスの供給を制御する過程を行い、前記処理物内の乱流成分を増加させて前記処理物内の介在物の成長速度を向上させてもよい。
【００２５】
内部に前記ガスが供給される浸漬管を上昇管としたとき、前記ガスの供給を制御する過程は、前記上昇管の内壁に周方向に隔設された複数本のノズルに供給するガスの総量を保つ過程と、少なくとも１本のノズルや少なくとも１つのノズルグループに供給するガス量を独立して調節する過程と、を含んでいてもよい。
【００２６】
前記ガス量を独立して調節する過程は、一部のノズルまたは一部のノズルグループに高流量のガスを供給する過程と、前記一部のノズルまたは前記一部のノズルグループを除く残りに低流量のガスを供給する過程と、を含んでいてもよい。
【００２７】
前記ガス量を独立して調節する過程においては、前記上昇管の内壁を複数の分面に仕切り、各分面ごとに配設された１本または複数本のノズルを各ノズルグループとして、少なくとも１つのノズルグループに供給するガス量を独立して増減させてもよい。
【００２８】
前記複数の分面が、前記上昇管の内壁に周方向に離隔してそれぞれ上下方向に延びた領域線により仕切られて互いに面積と形状が対応する第１の分面、第２の分面、第３の分面および第４の分面を含むとき、前記ガス量を独立して増減させる過程は、前記複数の分面のうちのいずれか１つの分面に配設されたノズルグループに前記ガスの総量の４０％〜５０％を供給する過程を含んでいてもよい。
【００２９】
前記ガス量を独立して増減させる過程は、前記いずれか１つの分面を除く残りの分面にそれぞれ配設されたノズルグループに前記ガスの総量の５０％〜６０％を均等に分配する過程を含んでいてもよい。
【００３０】
前記ガス量を独立して増減させる過程は、前記ガスの総量の４０％〜５０％が供給されるノズルグループを周期的にまたは連続的に変更する過程を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の実施の形態によれば、上昇管内に注入される還流ガスの総量の変化なしに上昇管内の乱流を増大させて設備内を循環する処理物中の介在物の除去効率を向上することができる。その結果、処理物の清浄度を向上させることができる。
【００３２】
例えば、製鉄所の還流式真空脱ガス設備を用いて溶鋼を精錬する工程に適用される場合、上昇管の内部を放射状に４分割された複数の区間に仕切り、上昇管の内部に還流ガスを供給するとき、還流ガスの総量の変化なしに上述した複数の区間別に還流ガスの流量を独立して制御しつつ、上昇管の内部に還流ガスを非対称的に供給して溶鋼の流れを乱すことができる。
【００３３】
したがって、溶鋼の流れ内の乱流エネルギーと乱流消散率などの乱流指標を向上させることができ、溶鋼内の介在物が互いに衝突する可能性を向上させることができる。その結果、介在物が溶鋼内において合体、成長して介在物が浮上、分離される速度が加速化され、介在物の除去効果が増大され得る。よって、溶鋼の清浄度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施例に係る真空脱ガス設備の概略図である。
【図２】本発明の実施例に係る真空脱ガス設備の水平断面図である。
【図３】本発明の実験例に係る流動解析の結果を説明するための図である。
【図４】本発明の実験例に係る流動解析の結果を説明するための図である。
【図５】本発明の実験例に係る流動解析の結果を説明するための図である。
【図６】本発明の実験例に係る溶鋼の流動解析条件及び結果を説明するための表である。
【図７】本発明の実験例に係る溶鋼の流動解析条件及び結果を説明するための表である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、添付図面に基づいて、本発明の実施例をより詳しく説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施例に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化され得る。ひとえに本発明の実施例は本発明の開示を十分なものにし、当該分野において通常の知識を有する者に発明の範囲を十分に知らせるために提供されるものである。本発明の実施例を説明するために図面は誇張されてもよく、図中、同じ符号は、同じ構成要素を指し示す。
【００３６】
本発明は、各種の溶融物を還流し、様々な方式で処理する装置に適用され得る。本発明の実施例については、製鉄所において溶鋼の脱ガス精錬のために用いられる真空脱ガス設備を基準として説明する。
【００３７】
図１は、本発明の実施例に係る真空脱ガス設備の概略図であり、図２は、本発明の実施例に係る真空脱ガス設備の要部を示す水平断面図である。
【００３８】
図１を参照すると、本発明の実施例に係る真空脱ガス設備は、容器７００の上部に配置され、内部に減圧可能な空間を有する真空槽１００と、真空槽１００の下部に取り付けられ、真空槽１００の内部と連通し、真空槽１００の下側に配置された容器７００内の処理物Ｍに浸漬可能な複数本の浸漬管４００と、いずれか１本の浸漬管４００の内壁に配設される複数本のノズル５１１と、複数本のノズル５１１に接続されてガスを供給可能なガス供給器５２０、及びガス供給器５２０が複数本のノズル５１１にガスを非対称的に供給できるようにガス供給器５２０に接続されてガス供給器５２０を制御する制御器６００を備えていてもよい。
【００３９】
処理物Ｍは、真空脱ガス設備内に収容されて設備内を循環してもよい。ここで、「設備内を循環する」とは、設備の真空槽１００と容器７００との間の処理物の循環を意味する。処理物Ｍは、転炉精錬工程を終えて二次精錬工程を行っている溶鋼を含んでいてもよい。いうまでもなく、処理物Ｍは、溶鋼に加えて、多種多様な溶融物を含んでいてもよい。
【００４０】
真空槽１００は、容器７００内の処理物Ｍに含まれている不純物やガスを除去するために減圧可能な空間を内部に有していてもよい。真空槽１００の上部を貫通してランス２００が嵌設されてもよい。真空槽１００の下側には、容器７００が配置されてもよい。容器７００の上部が真空槽１００の下部を包み込むように真空槽１００または容器７００の高低が調節されて真空槽１００の下部が容器７００の上部に挿入されてもよい。真空槽１００は、真空ポンプに接続されてもよく、真空ポンプを用いて内部を減圧させることができる。真空槽１００は、ＲＨベッセル（ＲＨ  Ｖｅｓｓｅｌ）であってもよい。
【００４１】
真空槽１００は、上槽１１０と下槽１２０を備えていてもよく、上槽１１０と下槽１２０が上下に互いに組み合わされてもよい。上槽１１０は、内部に減圧可能な空間を有し、下部が開かれてもよい。上槽１１０の上部を貫通してランス２００が嵌設されてもよい。上槽１１０は、外側壁に投入口１１０ａ、排出通路１１０ｂ及びサンプラー通路１１０ｃが設けられてもよい。投入口１１０ａに処理物Ｍの成分の調整のための投入物が投入されてもよく、排出通路１１０ｂから減圧雰囲気において処理物Ｍから除去されたガスが排出されてもよく、サンプラー通路１１０ｃを介して処理物Ｍの試料が採取されてもよい。
【００４２】
下槽１２０は、減圧可能であり、且つ、処理物Ｍが通過可能な内部空間を有し、上部と下部が開かれてもよい。下槽１２０は、上槽１１０の下部に接続されてもよい。下槽１２０の内部に処理物Ｍが還流され、脱ガス処理されてもよい。下槽１２０の下部に複数本の浸漬管４００が接続されてもよい。
【００４３】
真空槽１００の下部と複数本の浸漬管４００とをそれぞれ接続して複数本の還流管３００が取り付けられてもよい。複数本の還流管３００は、水平方向に互いに離隔してもよく、真空槽１００の下部にそれぞれ取り付けられてもよく、真空槽１００の内部にそれぞれ連通されてもよい。複数本の還流管３００は、第１の還流管３００ａと第２の還流管３００ｂを備えていてもよい。このとき、第１の還流管３００ａは上昇管の上部であり、第２の還流管３００ｂは下降管の上部であってもよい。
【００４４】
複数本の浸漬管４００は、複数本の還流管３００を介して真空槽１００の下部に取り付けられてもよい。複数本の浸漬管４００は、水平方向に互いに離隔し、複数本の還流管３００の下部にそれぞれ取り付けられてもよく、複数本の還流管３００の内部にそれぞれ連通されることにより、真空槽１００の内部に連通されてもよい。複数本の浸漬管４００は、真空槽１００の下側に運ばれた容器７００内の処理物Ｍにそれぞれ浸漬可能なように形成されてもよい。
【００４５】
複数本の浸漬管４００は、第１の浸漬管４００ａと第２の浸漬管４００ｂを備えていてもよい。このとき、第１の浸漬管４００ａは上昇管の下部であり、第２の浸漬管４００ｂは下降管の下部であってもよい。第１の浸漬管４００ａの上端が第１の還流管３００ａの下端に接続され、第２の浸漬管４００ｂの上端が第２の還流管３００ｂの下端に接続されてもよい。
【００４６】
第１の還流管３００ａと第１の浸漬管４００ａが上昇管の上下部を形成し、第２の還流管３００ｂと第２の浸漬管４００ｂが下降管の上下部を形成する。上昇管を通過して容器７００内の処理物Ｍが上昇し、下降管を通過して真空槽１００内の処理物Ｍが下降してもよい。上昇管と下降管が処理物Ｍの還流の通路の役割を果たす。
【００４７】
複数本のノズル５１１は、複数本の浸漬管４００のうちのいずれか１本の内壁を貫通して配設されてもよい。詳しくは、第１の浸漬管４００ａの内壁を放射状に貫通して複数本のノズル５１１が配設されてもよい。複数本のノズル５１１は、ガス供給管５３０を介してガス供給器５２０に接続されてもよい。ガス供給器５２０には、制御器６００が接続されてもよい。制御器６００の制御によりガス供給器５２０がガス供給管５３０にガスを供給すれば、ガス供給管５３０に接続された複数本のノズル５１１にガスが分散され、上昇管の内部にガスが噴射されて運動エネルギーを与えることができる。
【００４８】
複数本のノズル５１１は、第１の浸漬管４００ａの内壁に周方向に配置されてもよい。複数本のノズル５１１は、等間隔に離隔してもよい。いうまでもなく、複数本のノズル５１１は、ノズル間の離隔間隔が互いに異なっていてもよい。複数本のノズル５１１は、複数本のガス供給管５３０を介して、ガス供給器５２０に個別的に接続されてもよく、グループ別に接続されてもよい。
【００４９】
制御器６００は、複数本のノズル５１１のうちの一部のノズルまたは一部のノズルグループに供給するガス量と、残りのノズルまたは残りのノズルグループに供給するガス量とが異なるようにガス供給器５２０を制御する。すなわち、制御器６００は、複数本のノズル５１１のうちの一部のノズルに供給するガス量と、残りのノズルに供給するガス量とが異なるようにガス供給器５２０を制御する。あるいは、制御器６００は、複数本のノズル５１１のうちの一部のノズルグループに供給するガス量と、残りのノズルグループに供給するガス量とが異なるようにガス供給器５２０を制御する。
【００５０】
制御器６００は、一部のノズルまたは一部のノズルグループに相対的に高流量のガスが供給され、残りのノズルまたは残りのノズルグループに相対的に低流量のガスが供給されるようにガス供給器５２０を制御する。このとき、相対的に高流量のガスが供給されるノズルの本数の方が、相対的に低流量のガスが供給されるノズルの本数よりも少なくてもよい。あるいは、相対的に高流量のガスが供給されるノズルグループが占める第１の浸漬管４００ａの内壁の面積もしくは分面の方が、相対的に低流量のガスが供給されるノズルグループが占める第１の浸漬管４００ａの内壁の面積もしくは分面よりも小さくてもよい。
【００５１】
これにより、複数本のノズル５１１が上昇管の内部にガスを非対称的に供給することができる。ここで、「非対称的」とは、上昇管の上下方向の中心軸を中心として周方向への回転非対称を意味することがある。すなわち、上昇管の上下方向の中心軸を間に挟んで互いに水平方向に向かい合い、周方向に離隔した複数本のノズル５１１のうちの少なくともいずれか１本とこれを向かい合う少なくとももう１本のガスの噴射量が異なるようにガスを供給することをガスの非対称的な供給であるといえる。
【００５２】
容器７００は、取鍋を備えていてもよい。容器７００は、内部に処理物Ｍが収容可能な空間が形成され、上部が開かれてもよい。
【００５３】
容器７００の内部に処理物Ｍを収容した後、真空槽１００の下側に運び、真空槽１００や容器７００の高低を調節して上昇管と下降管を処理物Ｍに浸漬する。次いで、真空槽１００の内部を減圧して処理物Ｍを上昇管と下降管及び真空槽１００の内部に流入させながら複数本のノズル５１１を用いて上昇管の内部にガス、例えば、還流ガスを注入する。このとき、還流ガスとして、アルゴンガスをはじめとする各種の不活性ガスを用いることができる。
【００５４】
上昇管の内部にガスが注入されれば、上昇管の内部の処理物Ｍと下降管の内部の処理物Ｍとの間に比重差が生じ、上昇管の内部に上昇流れが形成され下降管の内部に下降流れが形成されて処理物Ｍの還流が形成される。次いで、処理物Ｍが真空槽１００の内部において真空槽１００の減圧により処理物Ｍ内の色々なガス成分が脱ガス処理される。
【００５５】
一方、処理物Ｍを脱ガス処理しながら処理物Ｍ中の酸素成分を除去するために、脱酸元素であるアルミニウムを脱酸材として処理物Ｍに投入する。脱酸材は、処理物Ｍ内において酸素と反応して酸化アルミニウム介在物を生成する方式で処理物Ｍ中の酸素を除去する。
【００５６】
介在物は、処理物Ｍ内において粒子間の衝突により合体、成長することができ、所定の大きさまで成長した介在物は、浮力により浮上して容器７００内において処理物Ｍの上面を浮遊するスラグに捕集され得る。介在物の有効な成長のために、処理物Ｍを高速にて還流させて乱流を形成し、乱流を用いて介在物の粒子を衝突させなければならない。
【００５７】
本発明の実施例においては、上昇管の内部に注入されるガスの総量（総流量）を保ちつつ、処理物Ｍ内の乱流成分を増大させることができる。
【００５８】
上昇管の内部に注入されるガスの総量（総流量）を保ちつつ、処理物Ｍ内の乱流成分を増大させるために、複数本のノズル５１１とガス供給管５３０とガス供給器５２０との接続構造を下記のように構成する。
【００５９】
図２を参照すると、上昇管の下部の内壁は、複数の分面に仕切られてもよい。すなわち、第１の浸漬管４００ａの内壁は、複数の分面に仕切られてもよい。複数の分面は、上昇管の内壁に周方向に離隔してそれぞれ上下方向に延びた領域線（図示せず）により仕切られてもよい。このとき、上昇管の中心軸（図示せず）を中心として周方向に領域線が９０°おきに互いに離隔して上昇管の内壁を、例えば、４分割することにより、第１の浸漬管４００ａの内壁に４つの分面、例えば、第１の分面Ｓ１、第２の分面Ｓ２、第３の分面Ｓ３及び第４の分面Ｓ４が形成可能である。いうまでもなく、分割方式と分面の数は、種々に変更可能である。例えば、２分割、３分割及び５分割など分割方式が種々に変更可能であり、これにより、分面の数も種々に変更可能である。なお、各分面は、面積が異なっていてもよい。例えば、領域線は、所定の角度範囲内において互いに異なる間隔で離隔してもよい。言い換えれば、領域線は、９０°よりも大きなあるいは小さな所定の角度範囲内においてその間隔が異なっていてもよい。
【００６０】
複数本のノズル５１０は、周方向に離隔して各分面に少なくとも１本以上配設されてもよく、各分面に配設されたノズル同士がノズルグループを形成して、複数本のノズル５１０が複数のノズルグループを形成してもよい。
【００６１】
例えば、１つの分面に６本のノズルが配設される。例えば、第１の分面Ｓ１に第１のノズル＃１から順番に配設され、第２の分面Ｓ２に第７のノズル＃７から順番に配設され、第３の分面Ｓ３に第１３のノズル＃１３から順番に配設され、第４の分面Ｓ４に第１９のノズル＃１９から順番に配設されてもよい。いうまでもなく、各分面内のノズルの本数は、種々に変更可能である。
【００６２】
各分面に配設されるノズルを各ノズルグループにグループ分けするように、複数本の分配管５１２が各分面に配設されてもよい。１分面に１分配管が配設されて１分面内のノズルに接続される方式により、複数本の分配管５１２が各分面内に配設されて各分面内のノズルに接続されてもよい。
【００６３】
ガス供給管５３０は、複数本設けられてそれぞれの分配管とガス供給器５２０とを接続したり、１本のガス供給管５３０の上昇管側の端部が複数に分岐されて各分配管に接続したりしてもよい。
【００６４】
ガス供給器５２０は、複数本のガス供給管５３０を介して複数本のノズルグループにそれぞれ接続されて、複数本のノズル５１１にガスを供給してもよい。このとき、各ノズルグループ別にガスの供給を調節してもよい。この作動は、制御器６００により制御されてもよい。
【００６５】
図１を参照すると、制御器６００は、上昇管の内部の乱流成分を増大させるために、上昇管の内部に注入されるガスの総量（総流量）を保ちつつ、少なくともいずれか１つの分面に配設されたノズルグループに供給されるガスの供給流量が少なくとももう１つの分面に配設されたノズルグループに供給されるガスの供給流量とは異なるように制御してもよい。すなわち、上昇管の内部にガスが非対称的に供給されるように制御してもよい。
【００６６】
言い換えれば、制御器６００は、複数本のノズル５１１に供給するガスの総量を保ちつつ、少なくとも１本のノズルまたは少なくとも１つのノズルグループに供給するガス量を独立して調節できるようにガス供給器５２０を制御してもよい。
【００６７】
制御器６００は、介在物、例えば、脱酸介在物を有効に除去するための還流ガスの非対称的な吹き込みパターンを有する。制御器６００が還流ガスの非対称的な吹き込みパターンを用いてガス供給器５２０の作動を制御すれば、上昇管の内部に注入されるガスの総量（全流量）を保ちつつ、上昇管の内部の乱流成分を増加させることができる。その結果、介在物の衝突頻度が増加して成長が促されることが可能になり、したがって、介在物の浮上、分離が円滑に行われる。このとき、ガスの総量が保たれるので、上昇管の内壁の耐火物の浸食が加速化されることを抑制または防止することができる。
【００６８】
このとき、制御器６００は、いずれか１つの分面に配設されたノズルグループにガスの総量の４０％〜５０％が供給されるように制御しつつ、残りの分面にそれぞれ配設されたノズルグループにガスの総量の５０％〜６０％が均等に分配されるようにガス供給器５２０を制御してもよい。
【００６９】
また、制御器６００は、ガスの総量の４０％〜５０％が供給されるノズルグループが周期的にまたは連続的に変わるようにガス供給器５２０を制御してもよい。いうまでもなく、制御器６００は、上記の制御方式に加えて、種々の還流ガスの非対称的な吹き込みパターンをさらに有していてもよい。
【００７０】
このように、制御器６００が制御を行うことにより、ガス供給器５２０が上昇管の内部に注入されるガスの総量（総流量）を保ちつつ、複数本のノズル５１１にガスを非対称的に供給して処理物Ｍ内の乱流成分を増大させることができる。
【００７１】
複数本のノズル５１１から処理物Ｍ中に吹き込まれるガスの流量に応じて、処理物Ｍの還流速度及び還流量が決定され、ガスの吹き込み流量が増大されれば、処理物Ｍの還流量と還流速度が増加することにより、脱ガス効率と処理物Ｍの流れ中の乱流の形成による介在物の衝突と成長が増加可能である。このとき、実施例においては、ガスの総量が従来よりも増えるわけではないため、乱流が増加しても耐火物の寿命が低下しない。一方、１グループ内のノズルは、ガスが同量にて分配されて供給されてもよいが、これを特に限定するわけではない。
【００７２】
以下、図１及び図２に基づいて、本発明の実施例に係る精錬方法について説明する。本発明の実施例に係る精錬方法は、処理物Ｍが受鋼された容器７００を真空槽１００の下側に位置させる過程と、真空槽１００の下部に取り付けられた複数本の浸漬管４００を処理物Ｍに浸漬させる過程と、真空槽１００の内部を減圧させ、いずれか１本の浸漬管の内部にガスを供給して処理物Ｍを還流させる過程と、いずれか１本の浸漬管の内部にガスを非対称的に供給するようにガスの供給を制御する過程と、を含む。
【００７３】
まず、処理物Ｍが受鋼された容器７００を設け、容器７００を真空槽１００の下側に位置させる。次いで、容器７００を上昇させたり真空槽１００を下降させたりして、真空槽１００の下部に取り付けられた複数本の浸漬管４００を処理物Ｍに浸漬する。これらの過程を、容器７００と真空槽１００との組み合わせ過程であるといえる。
【００７４】
次いで、真空槽１００の内部を減圧させ、いずれか１本の浸漬管の内部にガスを供給して処理物Ｍを還流させる。このとき、第１の浸漬管４００ａの内部にガスを供給して処理物Ｍを還流させる。
【００７５】
次いで、第１の浸漬管４００ａの内部にガスを供給して処理物Ｍを還流させる上記の過程を行いながら、いずれか１本の浸漬管、例えば、第１の浸漬管４００ａの内部にガスを非対称的に供給するように制御器６００を用いてガス供給器５２０による複数本のノズル５１１へのガスの供給を制御する。
【００７６】
処理物Ｍを還流させる過程を行い、処理物Ｍからガス成分を除去することができ、この過程中に、ガスの供給を制御する過程を行って処理物Ｍ内の乱流成分を増加させて処理物Ｍ内の介在物の成長速度を向上させることができる。
【００７７】
このとき、真空槽１００内部は、例えば、２ｔｏｒｒ以下の低圧に減圧可能であり、この減圧雰囲気下において処理物Ｍ、例えば、溶鋼から除去されるガスは、例えば、一酸化炭素、水素及び窒素ガスを含んでいてもよい。
【００７８】
一方、内部にガスが供給される第１の浸漬管４００ａを、以上においては上昇管の下部と区別して称したが、説明のしやすさのために、以下では、第１の浸漬管４００ａを上下部の区別なしに上昇管と称する。
【００７９】
ガスの供給を制御するとき、上昇管の内壁に周方向に隔設された複数本のノズル５１１に供給するガスの総量を保ちつつ、少なくとも１本のノズルや少なくとも１つのノズルグループに供給するガス量を独立して調節する。
【００８０】
このとき、ガス量を独立して調節するとき、一部のノズルまたは一部のノズルグループに高流量のガスを供給しつつ、一部のノズルまたは一部のノズルグループを除く残りのノズルまたは残りのノズルグループに低流量のガスを供給して、上昇管の内部に還流ガスを非対称的に供給してもよい。
【００８１】
ここで、高流量のガスが供給されるノズルが周方向に互いに集まって１つのノズルグループをなし、低流量のガスが供給されるノズルもまた周方向に互いに集まって１以上のノズルグループをなしているが、高流量のガスが供給されるノズルの本数の方が、低流量のガスが供給されるノズルの本数よりも少なくてもよい。あるいは、高流量のガスが供給されるノズルグループが占める上昇管の内壁の面積や分面の数の方が、低流量のガスが供給されるノズルグループが占める上昇管の内壁の面積や分面の数よりも少なくてもよい。以下、ガス量を独立して調節する過程についてさらに詳しく説明する。
【００８２】
ガス量を独立して調節するとき、上昇管の内壁を複数の分面に仕切り、各分面に配設された１本または複数本のノズルを各ノズルグループとして、少なくとも１つのノズルグループに供給するガス量を独立して増減させる方式で、上昇管の内部に還流ガスを中心軸に対して、あるいは、中心軸を基準として非対称的に供給することができる。
【００８３】
このとき、複数の分面は、上昇管の内壁に周方向に離隔してそれぞれ上下方向に延びた領域線により仕切られて面積と形状が対応する第１の分面Ｓ１、第２の分面Ｓ２、第３の分面Ｓ３及び第４の分面Ｓ４を含む。このとき、「対応する」とは、面積と形状が同じであることを意味する。
【００８４】
ガス量を独立して増減させる方式は、複数の分面のうちのいずれか１つの分面に配設されたノズルグループにガスの総量の４０％〜５０％を供給しつつ、上述したいずれか１つの分面を除く残りの分面にそれぞれ配設されたノズルグループにガスの総量の５０％〜６０％を均等に分配する方式であってもよい。
【００８５】
すなわち、例えば、第１の分面Ｓ１に配設されたノズルグループにガスの総量の４０％が供給されれば、第２の分面Ｓ２から第４の分面Ｓ４にそれぞれ配設されたノズルグループにそれぞれガスの総量の２０％の還流ガスが供給されて、第２の分面Ｓ２から第４の分面Ｓ４に配設されたノズルグループに供給されるガス量を合算した数値が、ガスの総量の６０％となる。
【００８６】
また、ガス量を独立して増減させるとき、ガスの総量の４０％〜５０％が供給されるノズルグループを周期的にまたは連続的に変更して、上昇管の内壁の耐火物の浸食が所定の部位に集中することを防ぐことができる。つまり、第１の分面Ｓ１から第４の分面Ｓ４に配設された各ノズルグループは、互いに順番にもしくはランダムに交互にガスの総量の４０％〜５０％を上昇管内に噴射する。このとき、ガスの供給量の変更時間は、数秒〜数十秒の時間であってもよい。
【００８７】
一方、複数の分面のうちのいずれか１つの分面に配設されたノズルグループにガスの総量の４０％未満でガスを供給しつつ、上述したいずれか１つの分面を除く残りの分面にそれぞれ配設されたノズルグループにガスの総量の６０％以上でガスを供給すれば、上昇管の上部区域に所望の分だけ渦流区域を拡大させることができない。また、複数の分面のうちのいずれか１つの分面に配設されたノズルグループにガスの総量の５０％超えでガスを供給しつつ、上述したいずれか１つの分面を除く残りの分面にそれぞれ配設されたノズルグループにガスの総量の５０％以下でガスを供給する場合には、複数の分面のうちのいずれか１つの分面に配設されたノズルグループにガスの総量の４０％〜５０％を供給しつつ、上述したいずれか１つの分面を除く残りの分面にそれぞれ配設されたノズルグループにガスの総量の５０％〜６０％を供給する場合よりも、乱流強度、乱流エネルギー及び乱流消散率が小さくなる。すなわち、効率が低下する。このような数値限定の臨界的な意義は、以下において最適な乱流強化還流パターンを導き出す過程を通して明らかに確認することができる。
【００８８】
次いで、処理物Ｍの脱ガス処理が完了すれば、容器７００から真空槽１００を取り外し、後続工程のための設備に容器７００を運んでもよい。
【００８９】
上述したように、本発明の実施例によれば、上昇管の内壁を４つの分面に分岐した後、各分面のノズルグループを別々にまたは独立して制御しつつ、上昇管の内部に還流ガスを非対称的なパターンで吹き込んで上昇管内の流動流れを乱して処理物Ｍ中の乱流を強化させることができる。
【００９０】
このように、還流ガスの供給パターンが還流ガスの供給量の総量を増加させないで、例えば、上昇管の内部を放射状に４分割して各領域を独立した流量に制御することにより、これにより実現される非対称的な還流ガスの供給により上昇管内の溶鋼の流れを乱して乱流エネルギー、乱流消散率などの乱流指標を向上させることができる。これは、上昇管を通る溶鋼内の介在物が互いに衝突して合体、成長する機会を増大させて介在物の浮上、分離を加速化させることができ、さらに、溶鋼の清浄度を向上させることができる。
【００９１】
以下、本発明の実施例が妥当であることを説明及び検証するために、実験例に係る溶鋼の精錬工程時の溶鋼の流動をコンピューターシミュレーションを用いて解析した過程と結果について詳しく説明する。このとき、各類型に伴うケース別に実験例の数値解析を行い、その結果から、非対称的な還流ガスの供給による溶鋼の流動を導き出した。その結果は、下記の通りである。
【００９２】
図３及び図４は、本発明の実験例に係る溶鋼の流動の解析結果を説明するための図である。図３の（ａ）は、流動解析のための設備のモデリング形状を示す図であり、図３の（ｂ）は、モデリングされた設備をもって流動解析を行った結果を示す図である。図３の（ｃ）は、図３の（ｂ）の結果をベクトル解析して結果を示す図である。図３のＡは正面を指し示し、Ｂは、上昇管側の側面を指し示す。図３は、後述する第１の実験例（Ｃａｓｅ  １）に対する図である。第１の実験例（Ｃａｓｅ  １）は、従来の真空脱ガス設備を用いた従来の精錬工程に相当する。第１の実験例（Ｃａｓｅ  １）を本発明の比較例と称する。
【００９３】
図４の（ａ）は、流動解析のための設備のモデリング形状を示す図であり、図４の（ｂ）は、モデリングされた設備をもって流動解析を行った結果を示す図である。図４の（ｃ）は、図４の（ｂ）の結果をベクトル解析して結果を示す図である。Ａは、正面を指し示し、Ｂは、上昇管側の側面を指し示す。図４は、後述する第５の実験例（Ｃａｓｅ  ５）に対する図である。第５の実験例（Ｃａｓｅ  ５）は、本発明の実施例に相当する。
【００９４】
図５の（ａ）は、図３の（ｂ）と図４の（ｂ）に相当する解析結果の平面図を対比して示しており、ここで、左側の平面図が図３の（ｂ）に相当する解析結果であり、右側の平面図が図４の（ｂ）に相当する解析結果である。図５の（ｂ）は、図５の（ａ）の結果をベクトル解析して示す平面図である。
【００９５】
図６は、本発明の実験例に係る溶鋼の流動解析条件を説明するための表である。図６を参照すると、基準となる１番の実験例（Ｃａｓｅ  １）は、比較例に対する解析条件である。各実験例をＣａｓｅ  １〜ｃａｓｅ  ６に分ける。ここで、各実験例を第１乃至第６の実験例と称する。図７は、本発明の実験例に係る溶鋼の流動の解析結果を説明するための表である。
【００９６】
図６及び図７に基づいて、実験例について説明する。
【００９７】
第１の実験例（Ｃａｓｅ  １）においては、既存の脱ガス工程を模写するために４つの分面に同量に４０Ｎｍ３／ｈｒの流量にて還流ガスを供給して総還流ガス供給量を１６０Ｎｍ３／ｈｒに制御する条件で溶鋼の流動を数値解析し、流動の解析結果を導き出した。
【００９８】
第２の実験例（Ｃａｓｅ  ２）と第３の実験例（Ｃａｓｅ  ３）は、既存と異なり、且つ、実施例とも異なるように工程を模写するために、還流ガスを対称的に供給する条件で数値解析を行った結果である。各実験例においては、ガスの総量をすべて１６０Ｎｍ３／ｈｒに制御するが、４つの分面のうち向かい合う２つの分面にそれぞれガスを５０Ｎｍ３／ｈｒ及び６０Ｎｍ３／ｈｒの高流量にて供給し、残りの２つの分面にそれぞれガスを３０Ｎｍ３／ｈｒ及び２０Ｎｍ３／ｈｒの低流量にて供給して溶鋼の流動を数値解析し、流動の解析結果を導き出した。
【００９９】
第４の実験例（Ｃａｓｅ  ４）と第６の実験例（Ｃａｓｅ  ６）は、実施例に近いように脱ガス工程を模写して溶鋼の流動を数値解析した結果であり、第５の実験例（Ｃａｓｅ  ５）は、実施例に含まれる実験例であって、実施例に係る条件で溶鋼の流動を数値解析し、流動の解析結果を導き出した。これらの実験例のガスの供給条件は、図６に示す通りである。
【０１００】
各実験例において、上昇管を介して貯留槽に上昇した溶鋼は、垂直方向にほとんどが移動するが、貯留槽の下部近くの上昇管と接続される部位において下降管を向く方向に切り換えられるが、これを横流と称する。横流が生成されることにより、溶鋼の全体の還流区間内の一部の区域において渦流が生じる。
【０１０１】
このように、渦流が生じる区間においては、溶鋼流が互いに衝突し、乱流エネルギーが増加する。なお、溶鋼中の介在物もまた、衝突機会が増加して、衝突後に合体、成長することにより、体積が増加し、浮力により溶鋼の内部において溶鋼の上部に位置するスラグに浮上、分離される。
【０１０２】
すなわち、上記の実験例は、上昇管と真空槽内の渦流区域を増加させることにより、乱流の強度と乱流エネルギーを増加させ、溶鋼流れの衝突機会を増加させるべく、４つの分面の流量を異なるように制御する５つの実験例と、基準とするための４つの分面の流量を同量にする１つの実験例とを選定して、合計で６つの実験例の数値解析を行ったものである。すなわち、第１の実験例は、流量を同量に制御し、第２及び第３の実験例は、流量を異なるように制御するが、対称的に制御し、第４乃至第６の実験例は、流量を異なるように制御しつつ、非対称的に制御した実験例である。
【０１０３】
各実験例における数値解析の結果は、図７の通りである。図７の表から明らかなように、既存の操業方法である第１の実験例（Ｃａｓｅ  １）を基準とするとき、乱流強度、乱流エネルギー及び乱流消散率が最も大幅に増加した第５の実験例（Ｃａｓｅ  ５）の場合の方が、最も介在物の相互間の衝突機会を増加させ得る方法であると認められ、したがって、本発明の実施例が妥当であることを検証することができるのである。
【０１０４】
さらに、図４を参照して、最も乱流強度、乱流エネルギー及び乱流消散率が高い第５の実験例（Ｃａｓｅ  ５）の流動の解析結果を参照すると、上昇管の上部に渦流区域が拡大することを確認することができる。なお、図５から明らかなように、第５の実験例の場合、真空槽内の溶鋼の流動においても溶鋼の流れの衝突区域が下降管の直ぐ上部に生じてさらなる介在物の相互間の衝突もまた起きる可能性があることを予想することができる。
【０１０５】
一方、以上において述べたように、第５の実験例のように操業を行う最中に高流量が供給される分面を周期的に変更して、耐火物の局部的な浸食の抑制及び乱流の発生効率を増大させることができる。すなわち、最初には、図６に示すように、４／４分面に７０Ｎｍ３／ｈｒの流量を供給し、１０〜６０秒の範囲の周期にて１／４分面、２／４分面、３／４分面に高流量である７０Ｎｍ３／ｈｒを供給するようにパターンを適用することができる。
【０１０６】
このように、最適な乱流強化還流パターンは、４つの４分面のうちの１つの４分面に総流量の４０％〜５０％の流量を供給し、残りの３つの４分面に総流量のうち１つの４分面に供給した流量を除く流量を３等分して供給するパターンで、総流量の４０％〜５０％の高流量を供給する４分面を約１０〜６０秒の周期をもって変更するものを含む。いうまでもなく、これらに加えて、様々なパターンがあり得る。
【０１０７】
ＲＨベッセルを用いた還流操業中に脱酸生成物の有効な除去のための乱流強化還流方法が求められ、これは、耐火物の寿命の確保のために還流ガスの流量を増大させない範囲において考慮されるべきである。
【０１０８】
本発明の実施例によれば、例えば、ＲＨベッセルを用いて溶鋼を還流させ、脱ガス処理する工程中に脱酸生成物（介在物）の有効な除去のために乱流を強化しなければならず、実施例においては、ガスの総量を既存にしつつ、ガスを非対称的に供給して乱流を有効に増大することができる。
【０１０９】
すなわち、本発明の実施例は、還流ガスの全体の流量の増大なしに上昇管内の溶鋼の流れに乱流を強化させるために、上昇管に供給される還流ガスを位置別に吹き込み流量を異なるように制御して上昇管に沿って上昇する溶鋼の流れに乱れを与えることができる。
【０１１０】
このために、上昇管に配設されたノズルを４つのノズルグループにグループ分けして、各グループを各分面内に配置した後、グループ別に制御して各分面から供給される還流ガスの流量を独立して制御することにより、非対称的な還流ガスの供給を達成することができ、溶鋼の流れに乱流の攪拌を強化して介在物間の衝突機会を増大することができる。
【０１１１】
その結果、上昇管の内部に還流ガスを均一にまたは対称的に吹き込むときよりも、介在物の相互間の衝突が優勢になって、介在物の合体、成長がさらに円滑に行われ得る。なお、乱流が強化されるに当たって、還流ガスの総量が増加するわけではなく、従来と同量に保たれるので、上昇管の耐火物の寿命を確保することができる。
【０１１２】
本発明の前記実施例は本発明の説明のためのものであり、本発明の制限のためのものではない。本発明の前記実施例に開示されている構成と方式は、互いに結合したり交換したりして種々の形態に変形でき、これらの変形例もまた、本発明の範囲に収まるものとみなせるということに留意すべきである。すなわち、本発明は、請求範囲及びこれと均等な技術的思想の範囲内において互いに異なる種々の形態に具体化でき、本発明が該当する技術分野における業者は、本発明の技術的思想の範囲内において種々の実施例が可能であるということを理解できる筈である。
【符号の説明】
【０１１３】
１００    真空槽
１１０    上槽
１１０ａ  投入口
１１０ｂ  排出通路
１１０ｃ  サンプラー通路
１２０    下槽
２００    ランス
３００    還流管
３００ａ  第１の還流管
３００ｂ  第２の還流管
４００    浸漬管
４００ａ  第１の浸漬管
４００ｂ  第２の浸漬管
５１０    ノズル
５１１    ノズル
５１２    分配管
５２０    ガス供給器
６００    制御器
７００    容器
【図１】
2020535308.tif 000003
【図２】
2020535308.tif 000004
【図３】
2020535308.tif 000005
【図４】
2020535308.tif 000006
【図５】
2020535308.tif 000007
【図６】
2020535308.tif 000008
【図７】
2020535308.tif 000009
【国際調査報告】
2020535308.tif 000010
2020535308.tif 000011
2020535308.tif 000012
2020535308.tif 000013