(57)【要約】  一実施形態において、本発明はオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法に関し、本方法は、Ａ）ボリュームエミッタである放射放出半導体チップを一時的なキャリアに取り付ける工程と、Ｂ）放射に対し透明な透明ポッティングを、透明ポッティングの厚さがチップ側面から離れる方向において単調または厳密に単調に減少するようにチップ側面上に直接施す工程と、Ｃ）反射要素と透明ポッティングとが、チップ側面から離れて位置する、透明ポッティングの外面で接触するように、チップ側面に面する反射要素を製造する工程と、Ｄ）半導体チップを一時的なキャリアから取り外し、各半導体チップを、半導体チップの光出射主面がそれぞれ部品キャリアとは反対側を向くように部品キャリアに取り付ける工程と、を有し、工程Ｃ）は工程Ｄ）の後に実行される。【代表図】図１Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体部品（１）を製造するための方法であって、
Ａ）放射放出半導体チップ（３）を中間キャリア（２）に取り付ける工程であって、前記半導体チップ（３）は、光出射主面（３０）における、またさらにチップ側面（３４）における光放出のために構成されたボリュームエミッタである工程と、
Ｂ）発生した放射に対して透過性である透明ポッティング（４）を前記チップ側面（３４）上に直接施す工程であって、前記チップ側面（３４）がほとんどまたは完全に前記透明ポッティング（４）によって覆われるように、および前記透明ポッティング（４）の厚さがいずれの場合も前記光出射主面（３０）から離れる方向において単調減少または狭義単調減少するように施す工程と、
Ｃ）反射要素（５）を製造する工程であって、前記反射要素（５）と前記透明ポッティング（４）とが、前記チップ側面（３４）の反対側に位置する、前記透明ポッティング（４）の外面（４４）で接触するように前記反射要素（５）を製造する工程と、
Ｄ）前記半導体チップ（３）を前記中間キャリア（２）から取り外し、前記半導体チップ（３）の前記光出射主面（３０）が部品キャリア（６）とは反対側を向くように前記部品キャリア（６）に取り付ける工程と、を有する方法であって、
−工程Ａ）および工程Ｂ）の際、前記光出射主面（３０）が前記中間キャリア（２）に面しており、方法工程がＡ）、Ｂ）、Ｄ）、Ｃ）の順である、または
−工程Ａ）および工程Ｂ）の際、前記光出射主面（３０）が前記中間キャリア（２）とは反対側を向いており、前記方法工程がＡ）、Ｃ）、Ｂ）、Ｄ）の順である、方法。
【請求項２】
工程Ａ）および工程Ｂ）の際、前記光出射主面（３０）が前記中間キャリアに面しており、
前記方法工程がＡ）、Ｂ）、Ｄ）、Ｃ）の順である、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程Ａ）および工程Ｂ）の際、前記光出射主面（３０）が前記中間キャリア（２）から離れており、
前記方法工程がＡ）、Ｃ）、Ｂ）、Ｄ）の順である、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
工程Ｃ）において、前記反射要素（５）はペーストとして格子状に施され、
工程Ｂ）において、前記反射要素（５）は前記透明ポッティング（４）で完全に覆われる、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
工程Ｂ）の後、および工程Ｄ）の前に実行される工程Ｇ）をさらに有し、
工程Ｂ）において、前記透明ポッティング（４）は連続して途切れないように製造され、かつ工程Ｇ）において、個片化が前記反射要素（５）を通して、および前記透明ポッティング（４）を通して行われる、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
工程Ｂ）の後、および工程Ｄ）の前に実行される工程Ｈ）をさらに有し、
工程Ｂ）において、１つの半導体チップ（３）に対し厳密に１つの透明ポッティング（４）が前記中間キャリア（２）上に製造されるため、連続的な透明ポッティング（４）ではなく、複数のそれぞれ別個に、前記反射要素（５）上に延在する透明ポッティング（４）が得られ、
工程Ｈ）において、個片化は前記反射要素（５）を通してのみ行われる、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
工程Ｂ）において、１つの半導体チップ（３）に対し正確に１つの透明ポッティング（４）が前記中間キャリア（２）上に形成されるため、連続的な透明ポッティング（４）ではなく、複数のそれぞれ別個に存在する、前記透明ポッティング（４）の領域が得られる、
請求項２に記載の方法。
【請求項８】
工程Ｂ）において、連続的な透明ポッティング（４）が前記中間キャリア（２）上に製造され、前記透明ポッティング（４）は全ての半導体チップ（３）にわたって延在し、
工程Ｄ）の前、および工程Ｃ）の前に実行される追加の工程Ｅ）において、個片化は前記透明ポッティング（４）を通してのみ行われる、
請求項２に記載の方法。
【請求項９】
工程Ｂ）において、前記透明ポッティング（４）の前記外面（４４）の形状は、前記透明ポッティング（４）のための材料の量によって、および濡れによって定められる、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記外面（４４）は、前記光出射主面（３０）に垂直な断面で見た時、直線的な部分のように延びており、
前記外面（４４）と、前記光出射主面（３０）に垂直な面との間の角度は、２０°以上および７０°以下である、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記外面（４４）は、前記光出射主面（３０）に垂直な断面で見た時、
−連続して外側に向かって湾曲している、または
−前記光出射主面（３０）と同一面から始まる第１の領域において、前記チップ側面（３４）と平行に延び、残りの第２の領域全体において外側に向かって連続的に湾曲しており、かつ前記チップ側面（３４）に沿って前記第１の領域は、前記半導体チップ（３）の厚さの５０％以上の割合を占めており、
外側に向かって湾曲するとは、前記各半導体チップ（３）から見て、前記透明ポッティング（４）の幅が断面で見た時、前記光出射主面（３０）から離れる方向に進むにつれ、よりゆっくりと減少していくように前記外面（４４）が凹状に湾曲していることを意味する、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
工程Ｃ）において、前記反射要素（５）は、マトリックス材料（５１）と、その中に埋め込まれた反射性散乱粒子（５２）とによって形成され、
前記反射要素（５）は、前記各光出射主面（３０）と同一平面上で終わっている、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
温度３００Ｋおよび波長５００ｎｍにおける、前記透明ポッティング（４）と前記マトリックス材料（５１）との間の屈折率の差は０．１以上であり、
−前記半導体チップ（３）はそれぞれ、ＡｌＩｎＧａＮからなる半導体積層体（３１）と、サファイアからなる成長基板（３２）を有し、
−前記半導体チップ（３）と接触するための電気接続面（８１）がそれぞれ前記光出射主面（３０）に配置されており、
−前記半導体チップ（３）はボンディングワイヤ（８２）によって、前記部品キャリア（６）に電気的に接続されており、
−前記部品キャリア（６）がプラスチックハウジング（６１）およびリードフレーム（６２）を有する、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
工程Ｃ）において、前記反射要素（５）は、１以上の反射性金属層（５３）によって形成され、
前記金属層（５３）は少なくとも部分的に、前記中間キャリア（２）とは反対側を向く、前記半導体チップ（３）の面を常に覆っている、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
工程Ｂ）および工程Ｃ）に続く工程Ｆ）をさらに有し、
工程Ｆ）において、注型材料（７１）と蛍光体粒子（７２）が施され、前記蛍光体粒子（７２）は前記光出射主面（３０）上および前記透明ポッティング（４）上に沈降する、
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法を提供する。
【０００２】
達成するべき目的は、高い光デカップリング効率（ｌｉｇｈｔ  ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を有する半導体部品を製造することができる方法を提供することである。
【０００３】
本目的は、とりわけ、独立請求項の特徴を有する方法によって達成される。好ましい発展形態が従属請求項の主題である。
【０００４】
少なくとも１つの実施形態によれば、本方法はオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するために使用される。製造される半導体部品は発光ダイオードであることが好ましい。さらに、製造される半導体部品は、表面実装可能であることが好ましく、そのため表面実装型デバイス（ＳＭＤ）部品とすることができる。
【０００５】
少なくとも１つの実施形態によれば、本方法は中間キャリアに半導体チップを取り付ける工程を有する。半導体チップは、放射、特に青色光などの可視光を発生および放出するように設計されている。半導体チップは発光ダイオードチップ（略してＬＥＤチップ）であってもよい。
【０００６】
少なくとも１つの実施形態によれば、中間キャリアは一時的なキャリアである。すなわち、中間キャリアは完成した半導体部品においてはすでに存在しない。中間キャリアは、複数の部品、特に、意図する用途において好ましくは曲がらないか、または大きく曲がらない、機械的に安定なキャリア基板、および／または離型フィルムを含むことができる。離型フィルムは熱剥離箔（ｔｈｅｒｍａｌ  ｒｅｌｅａｓｅ  ｆｏｉｌ）であり得る。
【０００７】
少なくとも１つの実施形態によれば、半導体チップはボリュームエミッタ（ｖｏｌｕｍｅ  ｅｍｉｔｔｅｒ）である。すなわち、半導体チップはチップ側面からも光を放出するように設計されている。この場合、チップ側面は横を向いており、特にそれぞれの半導体チップの光出射主面に対して垂直または略垂直である。光出射主面は、特に、半導体チップの２つの最大の面のうちの１つであり、半導体チップの半導体積層体の成長方向に対して垂直または略垂直に配向することが好ましい。各半導体チップは、厳密に２つの互いに反対側に位置する光出射主面、または厳密に１つの光出射主面を有することができる。特に正確に１つの光出射主面において、動作中に発生した放射の４０％、５０％、または６０％以上の割合が、関連する半導体チップから出るのが好ましい。完成した半導体部品において、光出射主面は部品キャリアから離れていることが特に好ましい。半導体チップの、光出射主面とは反対側の主面には、特に金属ミラーなど放射のためのミラーが、特に全面にわたって設けられていることが好ましい。
【０００８】
少なくとも１つの実施形態によれば、半導体チップの半導体積層体は、放射を生成するための活性領域を１つ以上有している。放射、特に可視光は電界発光によって発生する。
【０００９】
半導体積層体は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を含むことが好ましい。半導体材料は、例えば、ＡｌｎＩｎ１−ｎ−ｍＧａｍＮなどの窒化物化合物半導体材料、またはＡｌｎＩｎ１−ｎ−ｍＧａｍＰなどのリン化物化合物半導体材料、あるいはＡｌｎＩｎ１−ｎ−ｍＧａｍＡｓ、ＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＡｓｋＰ１−ｋなどのヒ化物化合物半導体材料であり、各化合物において、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１、および０≦ｋ＜１である。０＜ｎ≦０．８、０．４≦ｍ＜１、およびｎ＋ｍ≦０．９５、ならびに０＜ｋ≦０．５が、半導体積層体の少なくとも１の層またはすべての層に当てはまることが好ましい。半導体積層体はドーパントおよび追加の成分を有してもよい。しかしながら簡略化のため、半導体積層体の結晶格子の本質的な成分、すなわち、たとえこれらが少量の他の物質によって部分的に置き換わっているおよび／または補足されているとしても、Ａｌ、Ａｓ、Ｇａ、Ｉｎ、ＮまたはＰのみが言及されている。半導体積層体はＡｌＩｎＧａＮを含むことが好ましい。
【００１０】
少なくとも１つの実施形態によれば、本方法は、動作中に発生した放射を透過する透明ポッティングを施す工程を有する。透明ポッティングはチップ側面に直接施されることが好ましい。チップ側面を透明ポッティングでほとんど、または完全に覆うことができる。ほとんど、とは例えば、５０％、７０％または９０％以上である。
【００１１】
少なくとも１つの実施形態によれば、透明ポッティングの厚さは、中間キャリアから離れる方向において、単調減少または狭義単調減少する。狭義単調とは、厚さが中間キャリアから離れる方向において、連続して減少することを意味する。単調に、とは厚さが中間キャリアに向かう方向において、減少しないことを意味する。言い換えれば、中間キャリアから離れる方向において、厚さが減少する領域と、厚さが一定の領域が存在し得ることを指す。厚さに関しては、粗面化のような製造上の意図しない凹凸が考慮されないことが好ましい。
【００１２】
少なくとも１つの実施形態によれば、本方法は反射要素を製造する工程を有する。反射要素は動作中に発生した放射を反射するように設計されている。特に、関連するすべての放射入射角にわたって、および生成された放射の全スペクトル範囲にわたって平均される、反射要素の反射率は、８０％、９０％または９５％以上であることが好ましい。反射要素は、鏡面反射または拡散反射することができる。反射要素で生じる反射の少なくとも一部は、全反射に基づいて、例えば１０％、２０％または３０％以上の割合まで可能である。
【００１３】
少なくとも１つの実施形態によれば、反射要素および／または透明ポッティングは、チップ側面とは反対側の、透明ポッティングの外面で互いに接触するように施される。反射要素で透明ポッティングの外面を、完全にまたはほとんど覆うことが好ましい。言い換えれば、完成した半導体部品において、反射要素は、外面の全域において直接外面上に配置されることが好ましい。
【００１４】
少なくとも１つの実施形態によれば、本方法は中間キャリアから半導体チップを取り外す工程を有する。取り外しは、例えば離型フィルムを用いて行われ、その離型フィルムの半導体チップへの接着は、温度の作用によっておよび／または放射への暴露によって低減または除去される。
【００１５】
少なくとも１つの実施形態によれば、半導体チップは部品キャリアに搭載されている。部品キャリアは完成した半導体部品に存在し、完成した半導体部品において機械的に支持し、安定させる部品であることが好ましい。部品キャリアはこうして半導体チップにとり、常在のキャリアとなる。
【００１６】
少なくとも１つの実施形態によれば、半導体チップの光出射主面は部品キャリアとは反対側を向いている。完成した半導体部品の意図された使用において、部品キャリアを通って放射が放出されないことが好ましい。
【００１７】
少なくとも１つの実施形態によれば、透明ポッティングを施す工程は、半導体チップを中間キャリアから取り外す工程の前、および部品キャリアへの取り付けの前に実行する。特に、半導体チップがまだ中間キャリア上に配置されている限りにおいて、透明ポッティングは完全に形成および成形される。半導体チップを部品キャリアに搭載した時には、透明ポッティングをこれ以上処理しないことが好ましい。
【００１８】
少なくとも１つの実施形態において、本方法は、オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するように構成されており、以下の工程を有する。
Ａ）放射放出半導体チップを中間キャリアに取り付ける工程であって、半導体チップは、光出射主面およびチップ側面でも光を放出するように設計されたボリュームエミッタである工程。
Ｂ）発生した放射に対して透過性である透明ポッティングを、チップ側面がほとんどまたは好ましくは完全に透明ポッティングによって覆われるように、および透明ポッティングの厚さが光出射主面から離れる方向において単調減少または狭義単調減少するように、チップ側面上に直接施す工程。
Ｃ）反射要素と透明ポッティングが、チップ側面の反対側に位置する、透明ポッティングの外面で接触するように反射要素を製造する工程。
Ｄ）半導体チップを中間キャリアから取り外し、半導体チップの光出射主面が部品キャリアとは反対側を向くように半導体チップを部品キャリアに取り付ける工程であって、工程Ｂ）は工程Ｄ）の前に実行される。
【００１９】
サファイアチップのようなボリュームエミッタである発光ダイオードチップでは、チップ側面によって放出される光が、直接取り付けられた二酸化チタン反射体によって遮られるという問題が頻繁に発生する。その結果、反射性ポッティングの効果がわずかしかないだけではなく、光デカップリング効率がさらに低下することさえある。
【００２０】
本明細書に記載の方法においては、高い光デカップリング効率を確保するために、部品キャリアに搭載する前にチップの側面に透明ポッティングを施す。したがって、透明ポッティングによって、反射要素は少なくとも部分的にチップ側面から離れた場所に施される。透明ポッティングの外面は、部品キャリアから離れる方向に放射を案内するように構成された斜めの反射面を形成することが好ましい。
【００２１】
少なくとも１つの実施形態によれば、工程Ａ）および工程Ｂ）の際、光出射主面が中間キャリアに面している。上記に代えて、工程Ａ）および工程Ｂ）の際、光出射主面が中間キャリアとは反対側を向くことも可能である。
【００２２】
少なくとも１つの実施形態によれば、方法工程はＡ）、Ｂ）、Ｄ）、Ｃ）の順で実行される。
【００２３】
少なくとも１つの実施形態によれば、方法工程はＡ）、Ｃ）、Ｂ）、Ｄ）の順で実行される。
【００２４】
少なくとも１つの実施形態によれば、工程Ｃ）において反射要素はペーストとして施される。この場合、反射要素を格子状に設計することが好ましい。格子は、平面視において、正方形格子、長方形格子、または六角形格子であってもよい。半導体チップがそれぞれこの格子の網の目の中に配置されており、網の目１つごとに厳密に１つの半導体チップがあることが好ましい。反射要素用のペーストは、半導体チップを中間キャリアに搭載する前に、または半導体チップを中間キャリアに取り付けた後であっても形成することができる。
【００２５】
少なくとも１つの実施形態によれば、工程Ｂ）において、反射要素は透明ポッティングで完全に覆われる。これは、連続して途切れのない層が透明ポッティングによって形成され、反射要素がこの層と透明ポッティングとの間に配置されることを意味する。この場合、半導体チップに直接接する領域では、透明ポッティングは中間キャリアまで延在することが好ましい。特に、透明ポッティングは、反射要素を形成するペーストを完全に覆う。
【００２６】
上記に代えて、透明ポッティングを互いにつながっていない個々の領域に施すことが可能であり、これらの領域のそれぞれは半導体チップのうちの１つに割り当てられ、平面視において、前記領域はそれぞれ割り当てられた半導体チップの周囲に枠状に延びる。したがって、特にペーストによって形成された反射要素が、場所によっては透明ポッティングによって覆われないこと、および／または部分的に、中間キャリアから離れる方向において透明ポッティングを超えて突出することが可能である。しかしながら、場所によっては反射要素は透明ポッティングで覆われる。
【００２７】
少なくとも１つの実施形態によれば、本方法は工程Ｇ）をさらに有する。工程Ｇ）は工程Ｂ）の後、および工程Ｄ）の前に実行されることが好ましい。この場合、工程Ｂ）は工程Ｃ）に続くことが好ましい。工程Ｂ）において、連続して途切れのない透明ポッティングを製造する。工程Ｇ）において、個片化を実行する。個片化は反射要素および／または透明ポッティングを通して実行される。個片化は中間キャリアにまで到達することもできるが、反射要素および／または透明ポッティング内で終了することもできる。個片化は、１つ以上の段階を踏んで、例えば１つ以上のソーイング（ｓａｗｉｎｇ）工程によって、および／または１つ以上のレーザー処理によって実行することができる。
【００２８】
少なくとも１つの実施形態によれば、本方法は、好ましくは工程Ｂ）に続き、工程Ｄ）に先行する追加の工程Ｈ）を含み、ここでもまた工程Ｃ）が工程Ｂ）に先行することが好ましい。工程Ｂ）において、各半導体チップに対して厳密に１つの透明ポッティングが中間キャリア上に製造されるので、全体として連続的な透明ポッティングではなく、それぞれ特定の半導体チップに関連する、それぞれ別個に存在する複数の透明ポッティングが形成される。それぞれの透明ポッティングは関連する反射要素まで延在する。工程Ｈ）において、個片化は反射要素を通してのみ行われ、透明ポッティングは分離の影響を受けない。上記に代えて、平面視において、透明ポッティングがそれぞれの端部で個片化によって影響を受けることもあり得るが、個片化は実質的に反射要素に限定されている。
【００２９】
少なくとも１つの実施形態によれば、工程Ｂ）は工程Ｃ）の前に実行され、工程Ｄ）は工程Ｂ）と工程Ｃ）との間に実行されることが好ましい。工程Ｂ）において、１つの半導体チップに対し正確に１つの透明ポッティングが製造されるので、全体として連続的な透明ポッティングではなく、複数のそれぞれ別個に存在する、透明ポッティングの領域が形成される。
【００３０】
工程Ｂ）は工程Ｃ）に先行し、工程Ｄ）は好ましくは工程Ｂ）と工程Ｃ）との間に実行される、少なくとも１つの実施形態によれば、すべての半導体チップにわたって延在する、および／またはすべての半導体チップを互いに接続する、連続的な透明ポッティングが製造される。好ましくは工程Ｄ）と工程Ｃ）の前に実行される追加の工程Ｅ）において、個片化は透明ポッティングを通して実行される。特に、好ましくは後で製造される反射要素が個片化によって影響されないように、個片化は透明ポッティングを通してのみ実行される。
【００３１】
少なくとも１つの実施形態によれば、方法工程はＡ）、Ｂ）、Ｃ）、Ｄ）の順で実行される。
【００３２】
少なくとも１つの実施形態によれば、工程Ｂ）はサブ工程Ｂ１）およびサブ工程Ｂ２）を有し、工程Ｂ１）において、基体、好ましくは連続的な基体が少なくとも１つの透明ポッティングのために形成される。続く工程Ｂ２）において、基体の材料は部分的に除去されるため、工程Ｂ２）において外面が部分的にまたは完全に形成される。単独の工程Ｂ２）のみが実行されてもよく、または複数の工程Ｂ２）が実行されてもよい。
【００３３】
工程がＡ）、Ｂ）、Ｃ）、Ｄ）の順で実行される、少なくとも１つの実施形態によれば、個片化は工程Ｉ）において実行される。工程Ｉ）は工程Ｄ）に先行することが好ましい。工程Ｉ）において個片化は、透明ポッティングおよび／または反射要素を通して実行され、中間キャリアまで実行されることが好ましい。
【００３４】
少なくとも１つの実施形態によれば、工程Ｂ２）で形成された基体は、中間キャリア方向において部分的にしか除去されない。こうして工程Ｃ）で製造された反射要素が、中間キャリアにまで延在しないようにすることが可能になる。上記に代えて、工程Ｂ２）において基体が中間キャリアまで除去されてもよい。
【００３５】
少なくとも１つの実施形態によれば、中間キャリアに面する、反射要素の面は平坦および／または平面である。反射要素のその面は中間キャリアの主面に対して平行に配向してもよく、および／または光出射主面に対して平行に配向してもよい。上記に代えて、反射要素は、中間キャリアに対して斜めに延びる界面を有する。これは、特に工程Ｃ）の後、および／または工程Ｄ）の後に適用される。
【００３６】
少なくとも１つの実施形態によれば、透明ポッティングの外面の形状は、工程Ｂ）において透明ポッティングのための材料の量によって、および濡れに基づき決定される。濡れとは、透明ポッティングの形状が、中間キャリア、半導体チップおよび／または反射要素の表面特性から生じることを意味し、ここで、透明ポッティングの材料の表面エネルギーが考慮される。特に、チップ側面は透明ポッティングの材料に対して濡れるように設計されているので、透明ポッティングの材料はチップ側面において引き上げられる。中間キャリアとは反対側を向いた、半導体チップの面には、透明ポッティングの材料が存在しないままであることが好ましい。この形態は特に、チップ側面と、半導体チップの、中間キャリアとは反対側を向く面との間、特に光出射主面との間の鋭い端部によって得られる。よって、工程Ｂ）において、他の全ての実施形態においても好ましいが、透明ポッティングのための材料は液体として施される。
【００３７】
少なくとも１つの実施形態によれば、関連する半導体チップの光出射主面に対して垂直な断面で見た時、透明ポッティングの外面は、複数の部分に分かれて、または全体が直線的な部分のように延びる。すなわち、この断面で見ると、透明ポッティングは三角形、特に直角三角形または略直角三角形などになり得る。この直角または、略直角は、チップ側面と中間キャリアの間に配置されることが好ましい。
【００３８】
上記および下記の、平行または垂直または直角などの角度に関する情報について、「略」という用語は、好ましくは１５°、５°または２°以下の許容誤差を意味する。
【００３９】
少なくとも１つの実施形態によれば、外面と、光出射主面に垂直な面との間の角度は、１０°、２０°、または３０°以上、および／または７０°、５０°、４０°または３０°以下である。すなわち、外面は光出射主面に対して比較的急勾配に配向している。
【００４０】
少なくとも１つの実施形態によれば、外面は、光出射主面に垂直な断面で見た時に、部分的に外側にまたは連続して外側に向かって湾曲している。すなわち、半導体チップから見て、外面は部分的にまたは連続して凹状に湾曲している。外側に向かって湾曲しているとは、断面で見た時に、特に、外側に向かって湾曲している領域において、光出射主面から離れる方向に進むにつれ、透明ポッティングの幅が、よりゆっくりと減少していくことを意味する。
【００４１】
少なくとも１つの実施形態によれば、外面が断面で見た時に、チップ側面に平行な、またはチップ側面にほぼ平行な第１の領域内に延びている。第１の領域は光出射主面、および／または中間キャリアに面する面から始まることが好ましい。
【００４２】
少なくとも１つの実施形態によれば、外面は、光出射主面に垂直な断面で見た時、第２領域内において連続して外側に向かって湾曲している。この場合、外面は、第１の領域と第２の領域とによって形成されていることが好ましく、そのためそれ以外の領域が存在しない。したがって第２の領域は、透明ポッティングの、中間キャリアとは反対側を向く面に位置する。
【００４３】
少なくとも１つの実施形態によれば、第１の領域の割合は、チップ側面に沿った半導体チップの厚さの４０％、５０％、６０％、または７０％以上である。チップ側面に沿って、第２の領域の割合が、第１の領域よりも大きいことが特に好ましい。
【００４４】
少なくとも１つの実施形態によれば、工程Ｃ）において、反射要素は、マトリックス材料と、好ましくはその中に埋め込まれた反射性散乱粒子とによって形成される。マトリックス材料は、好ましくはシリコーンであり、特に、室温および波長５００ｎｍにおける屈折率が１．４６以下である低屈折率シリコーンである。散乱粒子は、例えば、直径が０．５μｍ以下である、例えば二酸化チタン粒子のような金属酸化物粒子によって形成される。
【００４５】
少なくとも１つの実施形態によれば、反射要素は、関連する半導体チップの光出射主面と同一平面上で終わっている。これは特に工程Ｄ）の後で適用される。反射要素が半導体チップの両側の主面と同一平面上にあってもよい。
【００４６】
少なくとも１つの実施形態によれば、工程Ｃ）において、反射要素は、１以上の反射性金属層によって形成されるか、または１以上の反射性金属層を含む。上記１以上の金属層は、例えば、特に青色光または白色光に対する反射率が高い銀またはアルミニウムなどの金属を含む。半導体チップと金属層との間に電気絶縁パッシベーション層をさらに配置してもよい。さらに、反射要素は、１以上の金属層と、その上に当金属層が施されるペーストまたはポッティング体とからなっていてもよい。
【００４７】
少なくとも１つの実施形態によれば、反射要素、特に金属層は、工程Ｃ）の後および／または完成した半導体構成部品において、中間キャリアとは反対側を向く、半導体チップの面を部分的にまたは完全に覆っている。その結果、半導体チップのこの面上に常在のミラーを形成することができる。半導体チップのこの主面は光出射主面ではない。
【００４８】
少なくとも１つの実施形態によれば、本方法は、好ましくは工程Ｂ）および／または工程Ｃ）に続く工程Ｆ）を含む。工程Ｆ）において、変換要素が発生する。変換要素は、半導体チップが生成した放射を別のより長い波長の放射に、部分的にまたは完全に変換するように設計されている。例えば、半導体チップからの青色光と変換された放射によって白色光が発生し得る。
【００４９】
少なくとも１つの実施形態によれば、変換要素は注型材料と蛍光体粒子とを含む。工程Ｆ）において、蛍光体粒子を沈降させることもできる。沈降することにより、蛍光体粒子は光出射主面上および透明ポッティング上に沈殿することができる。その結果、透明ポッティングと光出射主面が互いに同一平面上で終わることが好ましく、垂直な断面で見た時、沈降した蛍光体粒子同士の間では段差が認められないことが好ましい。
【００５０】
少なくとも１つの実施形態によれば、透明ポッティングの材料と反射要素のマトリックス材料との間の屈折率の差は、０．０８または０．１または０．１５以上であり、特に温度３００Ｋおよび波長５００ｎｍの時に適用される。特に、透明ポッティングは、屈折率が１．５４または１．５６以上の高屈折率シリコーンである。
【００５１】
少なくとも１つの実施形態によれば、半導体積層体は材料系ＡｌＩｎＧａＮを含む。さらに、半導体チップは、その上に半導体積層体が成長する成長基板を有する。成長基板は、サファイア基板であることが好ましい。
【００５２】
少なくとも１つの実施形態によれば、半導体チップは電気接続面を有する。電気接続面は、半導体チップと電気的に接触するために設けられている。電気接続面は、好ましくは光出射主面に配置されるが、あるいは光出射主面と反対側の、半導体チップの主面に施されてもよい。
【００５３】
少なくとも１つの実施形態によれば、半導体チップはそれぞれ１または２のボンディングワイヤを用いて部品キャリアに電気的に接続されている。部品キャリアは、導電路、電気接触面および／またはリードフレームを有することが好ましい。部品キャリアがプラスチックハウジング、セラミックハウジングおよび／またはガラスハウジングを有することも可能であり、その中および／またはその上に接触面、導電路および／またはリードフレームが取り付けられる。
【００５４】
以下、本明細書に記載される方法を、例示的実施形態に基づいて図面を参照し、より詳細に説明する。同一の参照符号は、それぞれの図において同じ要素を示す。ここで、縮尺との関係は示されず、むしろ、個々の要素はより理解を深めるため、誇張されたサイズで表すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１Ａ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図１Ｂ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図１Ｃ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図１Ｄ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図１Ｅ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図１Ｆ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図１Ｇ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図１Ｈ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図２Ａ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図２Ｂ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図２Ｃ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図２Ｄ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図２Ｅ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図２Ｆ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図２Ｇ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図３Ａ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図３Ｂ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図３Ｃ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図３Ｄ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図３Ｅ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図３Ｆ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図３Ｇ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図４Ａ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図４Ｂ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図４Ｃ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図４Ｄ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図４Ｅ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図４Ｆ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図４Ｇ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図５Ａ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図５Ｂ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図５Ｃ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図５Ｄ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図５Ｅ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図５Ｆ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図５Ｇ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図６】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図７Ａ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【図７Ｂ】本明細書に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための、本明細書に記載の方法の例示的実施形態の方法工程を表す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５６】
オプトエレクトロニクス半導体部品１を製造するための方法の例示的実施形態を図１に示す。図１Ａによれば、中間キャリア２が提供される。中間キャリア２はキャリア基板２１と離型フィルム２２とを含む。離型フィルム２２は例えば、コーティングまたはホイルであり、その接着力は温度の作用または紫外線によって減少させることができる。対応する中間キャリア２は、他の全ての例示的実施形態においても使用されることが好ましい。
【００５７】
図１Ｂの方法工程において、複数の放射放出半導体チップ３を中間キャリアに取り付ける。半導体チップ３は、青色光を生成するための発光ダイオードチップであることが好ましい。半導体チップ３は成長基板３２、特に、例えばサファイアからなる光透過性基板を有する。特に材料系ＡｌＩｎＧａＮからなる半導体積層体３１が成長基板３２上に成長する。半導体チップ３を接触させるための電気接続面８１は、半導体積層体３１の、中間キャリア２に面している面に配置される。図１Ｂで表される構成からは外れるが、接続面８１は、半導体積層体３１を超えて、中間キャリア２に向かう方向において突出していてもよく、離型フィルム２２に埋め込まれていてもよい。対応する半導体チップ３は、他の全ての例示的実施形態においても使用されることが好ましい。
【００５８】
図１Ｃの方法工程において、透明ポッティング４の製造が示される。ここで、１つの半導体チップ３に対し１つの透明ポッティング４が存在する。透明ポッティング４は液体状態で施され、メニスカスが濡れにより、およびそれぞれの透明ポッティング４に対し、材料を対応するように計量することで半導体チップ３上に形成される。半導体チップ３のチップ側面３４は、それぞれの透明ポッティング４の材料で完全に濡れている。半導体チップ３から見て連続的に外側へ湾曲した、透明ポッティング４の外面４４がこうして得られる。すなわち、各半導体チップ３から見て、外面４４は凹状に湾曲しており、透明ポッティング４の幅は、光出射主面３０から離れる方向に進むにつれ、よりゆっくりと減少していく。例えば、それぞれの透明ポッティング４は、比較的高い屈折率を有する光透過性シリコーンからなる。透明ポッティング４を施した後、透明ポッティング４を例えば熱的または光化学的に硬化する。
【００５９】
図１Ｄに従い、中間キャリア２が除去され、半導体チップ３はそれぞれの透明ポッティング４と共に、部品キャリア６の凹部６３内にそれぞれ搭載されている。部品キャリア６は例えば、リードフレーム６２と、例えばプラスチックからなるハウジング６１を含む。リードフレーム６２は、動作中に発生した放射に対して反射性であることが好ましい。図１Ｄで表される構成とは異なり、その他のハウジングデザインを使用することもできる。
【００６０】
半導体チップ３は、元々中間キャリア２に面していた光出射面３０が導体フレーム６２から離れる、すなわち部品キャリア６から離れるように、リードフレーム６２に搭載されている。そして接続面８１は、例えばボンディングワイヤ８２を介してリードフレーム６２に電気的に接続されている。
【００６１】
図１Ｅによれば、反射要素５が凹部６３内に導入される。反射要素は、例えば、全ての例示的実施形態でも同様に、マトリックス材料５１と反射性散乱粒子５２とを含む。マトリックス材料５１は、低屈折率シリコーンによって形成されることが好ましく、散乱粒子５２は酸化チタン粒子であってもよい。
【００６２】
反射要素５は液体として凹部６３内に導入される。人が見ると好ましくは白色に見えるこの反射要素５は、液体であればハウジング６１の側壁を濡らす。透明ポッティング４に関し、反射要素５は、透明ポッティング４の、導体フレーム６２とは反対側を向く面を覆わないことが好ましい。その場合、透明ポッティング４は、リードフレーム６２から離れる方向において、光出射主面３０と同一平面上で終わっている。反射要素５もまた、透明ポッティング４の、リードフレーム６２とは反対側を向く面と同一平面上で終わることができる。透明ポッティング４から離れる方向における反射要素５の厚さを、ハウジング６１の側壁に向かう方向において反射要素５の厚さが再び増加する前に、減少させることも可能である。図１Ｅに示すように、反射要素５の、リードフレーム６２とは反対側を向く上面は、凸状に湾曲していてもよい。
【００６３】
チップ側面３４の上方、そして外面４４の上方では、反射要素５の厚さは、注型（ｃａｓｔｉｎｇ）によって製造された反射要素５による十分な反射率を確保するために、３０μｍまたは５０μｍ以上であることが好ましい。
【００６４】
任意である図１Ｆの方法工程において、変換要素７が凹部６３内に充填されていることが示される。変換要素７は、半導体チップ３、透明ポッティング４、ボンディングワイヤ８２および反射要素５を、完全にかつ直接覆っていることが好ましい。凹部６３は変換要素７で完全に充填できるため、ハウジング６１は変換要素７と同一平面上にある。
【００６５】
図１Ｇは、図１Ｂおよび１Ｃの方法工程に対する代替を示す。ここでは、光出射主面３０は同じように中間キャリア２に向いているが、接続面８１は、中間キャリア２とは反対側を向いた面に配置される。
【００６６】
こうして、半導体チップ３は、図１Ｈに関連して示されるように、透明ポッティング４と共に搭載される。したがって、接続面８１は、部品キャリア６の電線および接触領域６２に通じており、ボンディングワイヤは不要である。ポッティングとして設計された反射要素５は、部品キャリア６のハウジング６１を同時に形成することができる。変換要素（図示せず）があってもよい。対応するハウジングデザイン、すなわちハウジング６１が反射要素５から形成されている、および／または反射要素５が滑らかで平らな上面を有するハウジングデザインも、他のすべての例示的実施形態において同様に使用することができる。
【００６７】
さらなる例示的実施形態それぞれにおいて、図１Ｂおよび図１Ｃに示すような半導体チップが参照される。同様に、図１Ｇおよび図１Ｈに関連して示すような半導体チップおよびハウジング構造を代替的に使用することもできる。
【００６８】
製造方法のさらなる例示的実施形態を図２に示す。図２Ａによれば、半導体チップ３は、図１Ｂの場合と同じように、中間キャリア２に搭載されている。
【００６９】
図２Ｂにおいて、透明ポッティング４が製造される。ここで透明ポッティング４の液体段階において、図１Ｃの場合よりも多くの材料が施されるため、全ての半導体チップ３にわたって延在する、密着し連続した透明ポッティング４が得られる。このような透明ポッティング４は図１Ｇおよび１Ｈにおいても同様に使用できる。
【００７０】
図２Ｃによれば、個片化が実行される。この時、透明ポッティング４は、例えばソーイングによって、隣接する半導体チップ３の間で完全に分割される。中間キャリア２は除去される。
【００７１】
外面４４は個片化により形成される。光出射主面３０上の領域において、外面４４は、チップ側面３４と平行に延びる領域を有する。残りの領域において、外面４４は図１Ｃの場合と同じように外側に向かって湾曲している。
【００７２】
図２Ｄによれば、図２Ｃで得られた部品が部品キャリア６に搭載され、ボンディングワイヤ８２を介して電気的に接触する。
【００７３】
図２Ｅは、反射要素５が図１Ｅの場合と同じように製造されることを示す。
【００７４】
続いて、変換要素７が製造される（図２Ｆ参照）。他の全ての例示的実施形態と同様に、変換要素７は注型材料７１と蛍光体粒子７２とを含む。蛍光体粒子７２が沈降し、半導体チップ３上および透明ポッティング４上に直接堆積することが可能である。反射要素５の場合と同様に、透明ポッティング４と半導体チップ３とはリードフレーム６２から離れる方向において、互いに同一平面上で終わっているため、沈降した蛍光体粒子７２同士の間では段差が存在しない。半導体チップ３に向かう方向において反射要素５の厚さが減少しているため、蛍光体粒子７２は、発光ダイオードチップ３の上方および透明ポッティング４の上方に、より集中するため蛍光体の使用総量を減らすことができる。
【００７５】
図２Ｂに代えて、反射要素５を、例えばアルミニウムまたは銀からなる１以上の反射性金属層５３から形成することができる（図２Ｇ参照）。金属層５３は、一定の層厚、例えば５０ｎｍ以上および／または３００ｎｍ以下の厚さを有する薄層として正確に成形され、透明ポッティング４および場合によっては半導体チップ３も覆う。このような金属層５３を使用すれば、図２Ｅの方法工程は省略できる。
【００７６】
図２Ｇに示されるデザインを図１Ｃにおいても適切に使用することができる。それに応じて、図１の方法も適用できる。
【００７７】
図３の方法の例示的実施形態においても、半導体チップ３は中間キャリア２上に搭載されている（図３Ａ参照）。図１Ｃの場合と同じように、透明ポッティング４を続いて製造する（図３Ｂ参照）。図３Ｂで表される構成とは異なり、図２Ｂに示されるような透明ポッティングも使用できる。あるいは、図１Ｇおよび図１Ｈに関連して示されるような配置も使用できる。
【００７８】
図１Ｅおよび２Ｅの場合とは異なり、図３Ｃでは反射要素５がすでに中間キャリア２上に製造されている。図３Ｃによれば、反射要素５は注型によるものであり、外面４４を完全に覆い、半導体チップ３の、中間キャリア２とは反対側を向く主面にまで延在する。図３Ｃに示す反射要素５のように注型によるのではなく、図２Ｇに示す金属層を同様に使用できる。
【００７９】
続いて、中間キャリア２が取り外され（図３Ｄ参照）、個片化が行われる（図３Ｅ参照）。その後すぐに、図３Ｅで製造した部品が、部品キャリア６に取り付けられる（図３Ｆ参照）。
【００８０】
図３Ｇは、凹部６３が図２Ｆの場合と同様に変換要素７で充填されていることを示す。
【００８１】
図４の方法においても、半導体チップ３は中間キャリア２に搭載されている（図４Ａ参照）。しかしながら、図４Ａの場合、接続面８１を有する光出射主面３０は、半導体チップ３の、中間キャリア２とは反対側を向いた位置に配置されている。
【００８２】
反射要素５は、その後、反射性の、好ましくは白色のペースト５４を用いて製造される（図４Ｂ参照）。ぺースト５４は、後程形成される外面４４のネガティブ形状を形成している。このようなペースト５４をグロブトップ（ｇｌｏｂ  ｔｏｐ）ともいう。ペーストは施した後、温度または放射により硬化させることができる。
【００８３】
その後すぐに、透明ポッティング４が製造される（図４Ｃ参照）。透明ポッティング４は反射要素５を完全に覆うことができ、一体に形成することができる。図４Ｃで表される構成の代わりに、反射要素５は、部分的に透明ポッティング４を越えて突出することもできるため、図１Ｃの場合と同じように、１つの透明ポッティング４が１つの半導体チップ３ごとに製造される。
【００８４】
続いて、個片化を実行し（図４Ｄ参照）、部品キャリア６へ取り付けを行い（図４Ｅ参照）、変換要素７を充填する（図４Ｆ参照）。
【００８５】
図４Ｃの工程に代わり、少なくとも１の金属層５３をペースト５４に施すこともできる。この場合、ペースト５４は透明であってもよい。このような金属層５３は、光出射主面３０とは反対側に金属層５３によるミラーが実現されるように、全面にわたって施されることが好ましい。この場合、半導体チップ３は、金属層５が製造された後に中間キャリア２に取り付けることが好ましい。同様に、図４Ａおよび４Ｂによれば、反射要素５および半導体チップ３を取り付ける順序を入れ替えることもできる。
【００８６】
図５Ａによれば、半導体チップ３は中間キャリア２に取り付けられ、この場合光出射主面３０は中間キャリア２に面している。図５Ｂによれば、透明ポッティング４のための基体４２が製造される。基体４２は、半導体チップ３と同じ厚さであることが好ましく、半導体チップ３を一体に取り囲む。
【００８７】
その後すぐに、基体４２は透明ポッティング４に分離され、外面４４が形成される（図５Ｃ参照）。個片化は、例えば鋸刃（ｓａｗ  ｂｌａｄｅ）９を用いて行われる。図５Ｃに示されるのとは異なり、外面４４は図２Ｃに関連して示されるように形成されてもよい。
【００８８】
続いて、反射要素５を図３Ｃの場合と同じように製造する（図５Ｄ参照）。図５Ｄに示されるものとは異なり、図２Ｇに関連して説明した金属層５３を使用することもできる。
【００８９】
中間キャリア２から離れた、個片化された部品を図５Ｅに示す。すぐに部品キャリア６への取り付けが行われ（図５Ｆ参照）、任意で変換要素７が施される（図５Ｇ参照）。
【００９０】
本方法のさらなる例示的実施形態を図６に示す。図６において、断面で見た時、透明ポッティング４の外面４４は直線として設計されており、図５Ｃでも示されるように、断面で見た時、透明ポッティング４は直角三角形に見える。対応する外面４４の構成もまた、図１Ｃ、３Ｂおよび図４Ｃの方法工程において使用することができる。図２Ｃにおいて外側に向かって弓なりに湾曲した領域についても同様に、三角形状あるいは直線状に延びた形状に代えることが可能であり、外面４は、チップ側面３４と平行に形成された領域と、斜めに直線状に延びた領域を有する。他の全ての例示的実施形態にも適用される。
【００９１】
図５に基づく、本方法のさらなる例示的実施形態を図７に示す。図５Ｃに関連して示されるものとは異なり、図７Ａによれば、第１個片化サブ工程において、透明ポッティング４のための基体４２は、中間キャリア２方向において、鋸刃９を介して部分的にしか除去されない。鋸刃９の断面は長方形であるが、その構成からは外れて、図５Ｃで説明したように斜めの側面とすることもできる。
【００９２】
基体４２から除去された領域は、反射要素５で充填される（図７Ｂ参照）。反射要素５の断面はこうして長方形となる。反射要素５と半導体チップ３との、光出射主面３０と平行な方向における距離は、２０μｍまたは４０μｍ以上および／または２００μｍまたは１００μｍ以下であることが好ましい。図７Ｂの工程に続くさらなる方法工程は、図５Ｅから５Ｇの場合と同じように実行することができる。
【００９３】
半導体部品１は本明細書に記載の方法を用いて製造され、サファイアチップを使用した場合であっても、光の取り出しが反射コーティングによって増大する。さらに沈降蛍光体（図２Ｆ参照）の場合には、変換されない光がチップ側面から出てくることができないため、色位置（ｃｏｌｏｒ  ｌｏｃａｔｉｏｎ）は角度にわたって一定である。こうして、既存のデザインを維持しながら効率を向上させることができる。
【００９４】
図面に示される部品は、特に記載が無い限り、好ましくは特定された順序で直接連なっている。図面中で接触していない層は互いに離間している。線が互いに平行に描かれている場合、対応する表面は同様に互いに平行に配向している。相対的な厚さの比、長さの比、および描かれた部品の互いに対する位置は、特に記載が無い限り、図面に正しく再現されている。
【００９５】
本明細書中に記載された発明は、例示的実施形態に基づく説明によって限定されない。むしろ、本発明は任意の新しい特徴、および特に特許請求の範囲の特徴の任意の組み合わせを含む、任意の特徴の組み合わせを、たとえこの特徴またはこの組み合わせ自体が特許請求の範囲または例示的実施形態において明示的に特定されていなくても、包含する。
【００９６】
本特許出願は、その内容が本明細書に参照によって援用される独国特許出願第１０２０１７１０４４７９．５の優先権を主張し、その開示内容は参照によって本明細書に援用される。
【符号の説明】
【００９７】
１  オプトエレクトロニクス半導体部品
２  中間キャリア
２１  キャリア基板
２２  離型フィルム
３  放射放出半導体チップ
３０  光出射主面
３１  半導体積層体
３２  成長基板
３４  チップ側面
４  透明ポッティング
４２  透明ポッティングのための基体
４４  透明ポッティングの外面
５  反射要素
５１  マトリックス材料
５２  反射性散乱粒子
５３  金属層
５４  ペースト
６  部品キャリア
６１  プラスチックハウジング
６２  リードフレーム
６３  凹部
７  変換要素
７１  注型材料
７２  蛍光体粒子
８１  電気接続面
８２  ボンディングワイヤ
９  鋸刃
【図１Ａ】
2020508565.tif 000003
【図１Ｂ】
2020508565.tif 000004
【図１Ｃ】
2020508565.tif 000005
【図１Ｄ】
2020508565.tif 000006
【図１Ｅ】
2020508565.tif 000007
【図１Ｆ】
2020508565.tif 000008
【図１Ｇ】
2020508565.tif 000009
【図１Ｈ】
2020508565.tif 000010
【図２Ａ】
2020508565.tif 000011
【図２Ｂ】
2020508565.tif 000012
【図２Ｃ】
2020508565.tif 000013
【図２Ｄ】
2020508565.tif 000014
【図２Ｅ】
2020508565.tif 000015
【図２Ｆ】
2020508565.tif 000016
【図２Ｇ】
2020508565.tif 000017
【図３Ａ】
2020508565.tif 000018
【図３Ｂ】
2020508565.tif 000019
【図３Ｃ】
2020508565.tif 000020
【図３Ｄ】
2020508565.tif 000021
【図３Ｅ】
2020508565.tif 000022
【図３Ｆ】
2020508565.tif 000023
【図３Ｇ】
2020508565.tif 000024
【図４Ａ】
2020508565.tif 000025
【図４Ｂ】
2020508565.tif 000026
【図４Ｃ】
2020508565.tif 000027
【図４Ｄ】
2020508565.tif 000028
【図４Ｅ】
2020508565.tif 000029
【図４Ｆ】
2020508565.tif 000030
【図４Ｇ】
2020508565.tif 000031
【図５Ａ】
2020508565.tif 000032
【図５Ｂ】
2020508565.tif 000033
【図５Ｃ】
2020508565.tif 000034
【図５Ｄ】
2020508565.tif 000035
【図５Ｅ】
2020508565.tif 000036
【図５Ｆ】
2020508565.tif 000037
【図５Ｇ】
2020508565.tif 000038
【図６】
2020508565.tif 000039
【図７Ａ】
2020508565.tif 000040
【図７Ｂ】
2020508565.tif 000041
【国際調査報告】
2020508565.tif 000042
2020508565.tif 000043
2020508565.tif 000044
2020508565.tif 000045
2020508565.tif 000046
2020508565.tif 000047