(57)【要約】  基板を処理するための真空処理システムが記述される。処理システムは、第１のクラスタチャンバに接続された第１の処理チャンバ；第１の処理チャンバ内で基板を処理するための第１の処理ステーション；第２のクラスタチャンバに接続された第２の処理チャンバ；第１のクラスタチャンバと第２のクラスタチャンバとに接続された第１の移送チャンバであって、第１のクラスタチャンバと第２のクラスタチャンバとの間に延びる第１の長さを有し、基板を収容できる大きさに作られている第１の移送チャンバ；第２のクラスタチャンバに接続された第２の移送チャンバであって、第１の長さよりも短い第２の長さを有する第２の移送チャンバ；基板を、垂直から１５°以下ずれた向きで、第１の処理チャンバ、第２の処理チャンバ、第１のクラスタチャンバ、第２のクラスタチャンバ、第１の移送チャンバ、および第２の移送チャンバを通ってルーティングするように設けられた基板搬送装置を含む。【選択図】図３Ａ
2020515026.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための真空処理システムであって、
第１のクラスタチャンバに接続された第１の処理チャンバと、
前記第１の処理チャンバ内で前記基板を処理するための第１の処理ステーションと、
第２のクラスタチャンバに接続された第２の処理チャンバと、
前記第１のクラスタチャンバと前記第２のクラスタチャンバとに接続された第１の移送チャンバであって、前記第１のクラスタチャンバと前記第２のクラスタチャンバとの間に延びる第１の長さを有し、前記基板を収容できる大きさである第１の移送チャンバと、
前記第２のクラスタチャンバに接続され、前記第１の長さよりも短い第２の長さを有する第２の移送チャンバと、
前記基板を、垂直から１５°以下ずれた向きで、前記第１の処理チャンバ、前記第２の処理チャンバ、前記第１のクラスタチャンバ、前記第２のクラスタチャンバ、前記第１の移送チャンバ、および前記第２の移送チャンバを通ってルーティングするように設けられた基板搬送装置と
を備える真空処理システム。
【請求項２】
前記第２の移送チャンバの前記第２の長さが、前記基板の水平方向の寸法よりも短い、請求項１に記載の真空処理システム。
【請求項３】
前記第１の移送チャンバが、前記基板を一時停止させるように構成されている、請求項１または２に記載の真空処理システム。
【請求項４】
基板搬送装置が、前記第１の処理チャンバ内に２つの基板搬送経路を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の真空処理システム。
【請求項５】
前記第１のクラスタチャンバが、第１の真空回転チャンバであり、前記基板搬送装置が、前記第１の真空回転チャンバ内に２つの基板回転位置を備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の真空処理システム。
【請求項６】
前記基板搬送装置が、前記第１の移送チャンバ内に２つの基板搬送経路を備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の真空処理システム。
【請求項７】
前記基板搬送装置が、前記２つの基板搬送経路に隣接する基板一時停止位置を備える、請求項６に記載の真空処理システム。
【請求項８】
前記第１の処理チャンバと前記第２の処理チャンバのうちの少なくとも１つの処理チャンバ内にマスクをルーティングするように構成されたマスク搬送装置を、
さらに備える、請求項６または７に記載の真空処理システム。
【請求項９】
基板上に複数の層を堆積させるための真空処理システムであって、
真空チャンバに接続され、第１の長さを有する第１の移送チャンバと、
真空チャンバに接続され、前記第１の長さよりも短い第２の長さを有する第２の移送チャンバと
を備える真空処理システム。
【請求項１０】
前記真空チャンバが、前記基板を垂直軸の周りに、ある角度移動させるように構成されたローターを有する真空回転チャンバである、請求項９に記載の真空処理システム。
【請求項１１】
前記第２の移送チャンバが、前記基板の少なくとも１つの寸法よりも短い長さを有する、請求項９または１０に記載の真空処理システム。
【請求項１２】
前記第１の移送チャンバが、前記基板を一時停止させるように構成されている、請求項９から１１のいずれか一項に記載の真空処理システム。
【請求項１３】
真空処理システムを動作させる方法であって、
第１の期間中に、第１の基板上に材料層を堆積させることと、
前記第１の期間中に、第２の基板を第１の移送チャンバ内で一時停止させることと、
前記第１の期間中に、第３の基板を第２の移送チャンバ内で搬送することと
を含む方法。
【請求項１４】
前記第１の期間が、前記材料層の堆積の開始で始まり、前記第１の期間が、前記材料層の堆積の終了で終わる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の移送チャンバが、前記第１の移送チャンバの第１の長さよりも短い第２の長さを有する、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の期間中に第４の基板を前記第１の移送チャンバ内で前記第２の基板を通り越して移動させることを、さらに含む、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］本開示の実施形態は、特に２つ、３つまたはそれ以上の異なる材料を複数の基板上に堆積させるための真空処理システムおよび真空処理システムを動作させる方法に関する。実施形態は、特に、基板キャリアによって保持されている基板が、基板搬送経路に沿って真空処理システム内を、例えば、さまざまな堆積モジュールにそしてさまざまな堆積モジュールから、搬送される、真空処理システムおよび真空処理システムを動作させる方法に関する。さらに、実施形態は、特に、基板が基板キャリアによって本質的に垂直な向きで支持されている真空処理システムおよび真空処理システムを動作させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
［０００２］有機材料を利用する光電子デバイスは、いくつかの理由でますます普及してきている。そのようなデバイスを製造するために使用される材料の多くは、比較的安価であるので、有機光電子デバイスは、無機デバイスよりもコスト面で有利になる可能性がある。可撓性などの有機材料の固有の特性は、可撓性または非可撓性基板上への堆積などの用途に有利であり得る。有機光電子デバイスの例には、有機発光デバイス、有機ディスプレイ、有機フォトトランジスタ、有機光電池、および有機光検出器が含まれる。
【０００３】
［０００３］ＯＬＥＤデバイスの有機材料は、従来の材料を上回る性能上の利点を有し得る。例えば、有機発光層が発光する波長は、適切なドーパントで容易に調整することができる。ＯＬＥＤデバイスは、デバイスに電圧が印加されたときに発光する有機薄膜を利用する。ＯＬＥＤデバイスは、フラットパネルディスプレイ、照明、およびバックライトなどの用途に使用するための、ますます興味深い技術になりつつある。
【０００４】
［０００４］材料、詳細には有機材料は、典型的には、大気圧未満の圧力下で真空処理システム内の基板上に堆積される。堆積中、マスク装置が、基板の前に配置されてもよく、マスク装置は、例えば蒸発によって、基板上に堆積させるべき材料パターンに対応する開口パターンを画定する少なくとも１つの開口部または複数の開口部を有することができる。基板は通常、堆積中、マスク装置の後ろに配置され、マスク装置に対して位置合わせされる。
【０００５】
［０００５］典型的には、例えばカラーディスプレイの製造のために、５層以上、さらには１０層以上の材料層を、順に基板に堆積させることができる。複数の基板上に異なる材料を堆積させるための複数の堆積モジュールを備える真空処理システムを取り扱うことは、困難であり得る。特に、異なる材料を堆積させるための大型の真空処理システムにおいて基板トラフィックおよびマスクトラフィックを取り扱うことは、困難であり得る。
【０００６】
［０００６］したがって、複数の基板上への材料の堆積のための信頼性のある真空処理システムおよび真空処理システムを高い信頼度で動作させる方法を提供することは、有益であろう。特に、タクトタイム、すなわち１つの層を堆積させることができる時間、を加速させることが、例えば真空処理システムのスループットを向上させるために有益である。
【発明の概要】
【０００７】
［０００７］上記に照らして、基板を処理するための真空処理システム、基板上に複数の層を堆積させるための真空処理システム、および真空処理システムを動作させる方法が、提供される。
【０００８】
［０００８］本開示の一態様によれば、基板を処理するための真空処理システムが提供される。処理システムは、第１のクラスタチャンバに接続された第１の処理チャンバ；第１の処理チャンバ内で基板を処理するための第１の処理ステーション；第２のクラスタチャンバに接続された第２の処理チャンバ；第１のクラスタチャンバと第２のクラスタチャンバとに接続された第１の移送チャンバであって、第１のクラスタチャンバと第２のクラスタチャンバとの間に延びる第１の長さを有し、基板を収容できる大きさに作られている第１の移送チャンバ；第２のクラスタチャンバに接続された第２の移送チャンバであって、第１の長さよりも短い第２の長さを有する第２の移送チャンバ；基板を、垂直から１５°以下ずれた向きで、第１の処理チャンバ、第２の処理チャンバ、第１のクラスタチャンバ、第２のクラスタチャンバ、第１の移送チャンバ、および第２の移送チャンバを通ってルーティングするように設けられた基板搬送装置を含む。
【０００９】
［０００９］本開示の別の態様によれば、基板上に複数の層を堆積させるための真空処理システムが、提供される。真空処理システムは、真空チャンバに接続された、第１の長さを有する第１の移送チャンバと、真空チャンバに接続された、第１の長さよりも短い第２の長さを有する第２の移送チャンバとを含む。
【００１０】
［００１０］本開示の別の態様によれば、真空処理システムを動作させる方法が、提供される。この方法は、第１の期間中に、第１の基板上に材料層を堆積させることと、第１の期間中に、第２の基板を第１の移送チャンバ内で一時停止させることと、第１の期間中に、第３の基板を第２の移送チャンバ内で搬送することとを含む。
【００１１】
［００１１］本開示のさらなる態様、利点、および特徴が、明細書、および添付の図面から明らかである。
【００１２】
［００１２］本開示の別の態様によれば、基板上に複数の層を堆積させるための真空処理システムが、提供される。真空処理システムは、水平な向きに対する第１の向きと、水平な向きに対する第２の向きとに基板を選択的に配置するように構成された基板再配置チャンバを含む。真空処理システムは、クラスタチャンバおよび真空チャンバとクラスタチャンバとの間のバッファチャンバを、さらに含む。バッファチャンバは、１つの基板搬送経路と、少なくとも１つのさらなる基板搬送位置とを含む。本開示のさらなる態様、利点、特徴および実施形態が、そのような態様と組み合わせることができる。
【００１３】
［００１３］本開示の上記列挙した特徴が詳細に理解できるように、上記で簡潔に要約した本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照してなされ得る。添付の図面は、本開示の実施形態に関するものであり、以下に説明される。典型的な実施形態が、図面に描かれており、以下の説明において詳述される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】クラスタ型基板処理システムの概略図である。
【図２】インライン型基板処理システムの概略図である。
【図３Ａ】２つ以上の真空クラスタチャンバと、そのうちの１つ以上の真空クラスタチャンバに接続された複数の処理チャンバとを有する、本開示の実施形態による真空処理システムの概略図である。
【図３Ｂ】本開示の実施形態による、真空処理システム内の例示的な基板トラフィックまたは基板の流れを示す、図３Ａの真空処理システムの概略図である。
【図４Ａ】２つ以上の真空クラスタチャンバと、そのうちの１つ以上の真空クラスタチャンバに接続された複数の処理チャンバとを有する、本開示の実施形態による別の真空処理システムの概略図である。
【図４Ｂ】本開示の実施形態による、真空処理システム内の例示的な基板トラフィックまたは基板の流れを示す、図４Ａの真空処理システムの概略図である。
【図５】本開示の実施形態による、第１のタイプの移送チャンバの概略図であり、図５Ａは側面図であり、図５Ｂは上面図である。
【図６】本開示の実施形態による、第２のタイプの移送チャンバの概略側面図である。
【図７】真空処理システムを動作させる方法の実施形態を例示するフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［００２３］次に、様々な実施形態が詳細に参照され、その１つ以上の例が、図に示されている。各例は、説明のために提供されており、限定を意味するものではない。例えば、１つの実施形態の一部として図示または説明された特徴は、他の実施形態で、またはそれと組み合わせて使用されて、さらに別の実施形態を生み出すことができる。本開示はそのような修正および変形を含むことが、意図されている。
【００１６】
［００２４］図面の以下の説明の中で、同じ参照番号は、同じまたは類似の構成要素を指す。一般に、個々の実施形態に関する相違点のみが、記載されている。特に明記しない限り、１つの実施形態におけるある部分または態様の記載は、別の実施形態における対応する部分または態様にも適用される。
【００１７】
［００２５］ＯＬＥＤフラットパネルディスプレイなどのＯＬＥＤデバイスは、複数の層を含み得る。例えば、５つ以上、または１０以上の層の組み合わせさえもが、提供され得る。典型的には、有機層および金属層が、バックプレーン上に堆積され、バックプレーンは、ＴＦＴ構造を含み得る。特に有機層は、封入前のガス環境（例えば、大気）に敏感であり得る。したがって、真空処理システム内で層スタック全体を製造することが、有益である。
【００１８】
［００２６］さらに、モバイル機器などのためのＯＬＥＤディスプレイに対する需要の増大は、真空処理システムの高スループットおよび高歩留まりに対する要求の増大をもたらす。スループットは、とりわけタクトタイムによって、すなわち１つの層が基板上に堆積される時間および／または基板がある処理ステーションから別の処理ステーションに搬送される時間によって規定される。スループットを向上させるために、本開示の実施形態に従って、準連続堆積を提供することができる。すなわち、処理チャンバ内の処理ステーションが、１つの基板を処理している間に、処理された基板が、処理チャンバから出され、新しい基板が、処理チャンバ内に入れられる。したがって、処理ステーションは、準連続的に、すなわち真空処理システムの動作時間の少なくとも８０％または少なくとも９０％動作することができる。
【００１９】
［００２７］例えば１０以上の層を有する層スタック全体が１つのシステム内で製造される真空処理システムおよび真空処理システムを動作させる方法では、複数の基板が、同時に処理される、すなわち真空処理システム内に配置される。基板は、システム内でタクトタイムに従ってルーティングされる。基板トラフィック、すなわち基板がシステム内を移動して処理されるタイミングは、非常に困難な場合がある。これは、大面積基板、例えば１ｍ２以上のサイズを有する基板に特に関連する。大面積基板の場合、真空処理システムの設置面積が、真空処理システムを構築するための利用可能な選択肢に対するさらなる制限を提供する。システムの設置面積の制限と所望のタクトタイムとの組み合わせが、さらに課題を増大させる。
【００２０】
［００２８］図１は、真空処理システム１０１０を示す。真空処理システム１０１０は、クラスタ構成を有し、処理されるべき基板は、ロードロックチャンバ１０１２を通って中央移送チャンバ１０１３にロードされる。中央移送チャンバから、処理されるべき基板は、処理チャンバ１０１４Ａ、１０１４Ｂ、１０１４Ｃ、および１０１４Ｄなどの様々な処理チャンバに移動することができる。基板は、水平な向きで移動する。堆積源１０１６Ａ、１０１６Ｂ、１０１６Ｃ、および１０１６Ｄなどの堆積源が、それぞれの処理チャンバ内の水平に配向された基板の下に設けられる。現在処理されていない基板を格納するためのバッファチャンバ１０１８を有することが、さらに可能である。図１は、工場の建物内に設けられている支柱１０２０をさらに示している。真空処理システムのクラスタ構成は、中央移送チャンバ１０１３に接続される処理チャンバの数に対する制限を含む。したがって、クラスタ構成を有する真空処理システム１０１０の設置面積が制限されて、工場の建物の床スペース、例えば支柱１０２０の間に設置することができる。
【００２１】
［００２９］図２は、別の真空処理システム１０１１を示す。真空処理システム１０１１は、インライン構成を有し、基板は、システムの一端にある第１の処理チャンバから、さらなる後続の処理チャンバに移動される。第１の処理チャンバと、さらなる後続の処理チャンバとは、一列に配置されている。基板は、一般に、ある処理チャンバから次のチャンバへ移動する。次々に処理チャンバの各々で、層を堆積させることができ、または基板処理ステップを提供することができる。例えば、図２に示すように、第１のロードロックチャンバ１０１２を、真空処理システム１０１１の一端に設けることができる。第１のロードロックチャンバは、基板を真空処理システム内にロードするために設けることができる。第２のロードロックチャンバ１０１２’を、真空処理システム１０１１の他端に設けることができる。第２のロードロックチャンバは、基板を真空処理システムからアンロードするために設けることができる。別の例によれば、基板は、処理チャンバ１０１５Ａ、１０１５Ｂ、１０１５Ｃ、および１０１５Ｄなどの後続のチャンバ内で処理され、処理チャンバを通って後方に、例えば処理されることなく、移動して、第１のロードロックチャンバ１０１２でアンロードされることができる。現在処理されていない基板を格納するためのバッファチャンバ１０１８を有することが、さらに可能である。真空処理システム１０１１のインライン構成のため、床スペースまたは設置面積の制限は、主に一次元でのみ提供され、すなわち、１０以上の層を堆積させるように構成された真空処理システム１０１１は、過度に長くなり得る。
【００２２】
［００３０］図３Ａは、本開示の実施形態による真空処理システム１１００を示す。真空処理システム１１００は、クラスタ構成とインライン構成との組み合わせを提供する。複数の処理チャンバ１１２０が、配置されている。処理チャンバ１１２０は、真空回転チャンバ１１３０に接続することができる。真空回転チャンバ１１３０は、インライン構成で配置されている。真空回転チャンバ１１３０は、処理チャンバ１１２０に出入りさせるように基板を回転させることができる。クラスタ構成とインライン構成の組み合わせは、ハイブリッド構成と見なすことができる。ハイブリッド構成を有する真空処理システム１１００は、複数の処理チャンバ１１２０を可能にする。真空処理システムの長さは、一定の限界をまだ超えていない。
【００２３】
［００３１］本開示の実施形態によれば、クラスタチャンバまたは真空クラスタチャンバは、２つ以上の処理チャンバが接続されているように構成されたチャンバ、例えば移送チャンバである。したがって、真空回転チャンバ１１３０は、クラスタチャンバの例である。クラスタチャンバは、ハイブリッド構成においてインライン構成で配置することができる。
【００２４】
［００３２］真空回転チャンバまたは回転モジュール（本明細書では「ルーティングモジュール」または「ルーティングチャンバ」とも呼ばれる）は、１つ以上のキャリアの搬送方向を変えるように構成された真空チャンバとして理解することができ、搬送方向は、回転モジュール内のトラック上に配置された１つ以上のキャリアを回転させることによって変えることができる。例えば、真空回転チャンバは、キャリアを支持するように構成されたトラックを、回転軸、例えば垂直回転軸の周りに回転させるように構成された回転装置を含むことができる。いくつかの実施形態では、回転モジュールは、回転軸の周りに回転することができる少なくとも２つのトラックを含む。第１のトラック、詳細には第１の基板キャリアトラックは、回転軸の第１の側に配置することができ、第２のトラック、詳細には第２の基板キャリアトラックは、回転軸の第２の側に配置することができる。
【００２５】
［００３３］いくつかの実施形態では、回転モジュールは、４つのトラック、詳細には２つのマスクキャリアトラックと２つの基板キャリアトラックとを含み、それらは回転軸の周りを回転することができる。
【００２６】
［００３４］回転モジュールが、ｘ°、例えば９０°の角度だけ回転するとき、トラック上に配置された１つ以上のキャリアの搬送方向は、ｘ°、例えば９０°の角度だけ変わることができる。回転モジュールの１８０°の角度の回転は、トラックスイッチに対応することができ、すなわち、回転モジュールの第１の基板キャリアトラックの位置と、回転モジュールの第２の基板キャリアトラックの位置とを、交換または入れ替えることができ、および／または回転モジュールの第１のマスクキャリアトラックの位置と、回転モジュールの第２のマスクキャリアトラックの位置とを、交換または入れ替えることができる。いくつかの実施形態によれば、回転モジュールは、基板を回転させることができるローターを含むことができる。
【００２７】
［００３５］本開示内では、互いに接続されているチャンバが、参照される。接続されているチャンバは、例えば、１つのチャンバのフランジが隣接するチャンバのフランジに接続されているように、直接に接続されていてもよい。あるいは、チャンバは、例えば真空シールもしくは他の接続要素を提供するか、または２つの隣接するチャンバ間に設けられたスリットバルブもしくは他の要素を提供する接続ユニットによって互いに接続されてもよい。接続ユニットは、大面積基板の長さと比較して非常に短く、真空チャンバと区別することができる。例えば、接続ユニットは、基板の長さの２０％以下の長さを有する。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、第１のチャンバが第２のチャンバに接続されているというのは、第１のチャンバが、例えば中間チャンバなしで、第２のチャンバに隣接していると理解することができる。上述したように、第１のチャンバは、第２のチャンバに直接に、または接続ユニットを介して接続することができる。
【００２８】
［００３６］図３Ａは、真空処理システム１１００を示し、図３Ｂは、真空処理システム内の基板トラフィックを示す。基板は、例えば真空スイングモジュール１１１０において、真空処理システム１１００に入る。さらなる修正例によれば、ロードロックチャンバが、基板を真空処理システムにロードおよびアンロードするために、真空スイングモジュールに接続されてもよい。真空スイングモジュールは、通常、デバイス製造工場のインターフェースから直接に、またはロードロックチャンバを介して基板を受け取る。通常、インターフェースは、基板、例えば大面積基板を、水平な向きで提供する。真空スイングモジュールは、基板を、ファクトリインターフェースによって提供された向きから本質的に垂直な向きに移動させる。基板の実質的に垂直な向きは、基板が例えば水平な向きに戻されるまで、真空処理システム１１００内での基板の処理中、維持される。基板をスイングさせる、ある角度だけ移動させる、または回転させることは、図３Ｂの矢印１１９１によって示されている。したがって、本開示において、真空スイングモジュールは、詳細には非垂直な向きと非水平な向きとの間で、基板をある角度だけ移動させるための真空チャンバと呼ばれることもある。
【００２９】
［００３７］本開示の実施形態によれば、真空スイングモジュールは、第１の基板の向きから第２の基板の向きへの移動のための真空チャンバであってもよい。例えば、第１の基板の向きは、水平な向きなどの非垂直な向きとすることができ、第２の基板の向きは、垂直な向きまたは本質的に垂直な向きなどの非水平な向きとすることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、真空スイングモジュールは、その中の基板を、水平な向きに対する第１の向きおよび水平な向きに対する第２の向きに選択的に配置するように構成された基板再配置チャンバであってもよい。
【００３０】
［００３８］基板は、例えば矢印１１９２で示されるように、バッファチャンバ１１１２（図３Ａ参照）を通って移動される。基板は、真空回転チャンバ１１３０などのクラスタチャンバを通って処理チャンバ１１２０内に、さらに移動される。図３Ａおよび図３Ｂに関して説明したいくつかの実施形態では、基板は、処理チャンバ１１２０−Ｉに移動される。例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）を処理チャンバ１１２０−Ｉ内で基板上に堆積させることができる。
【００３１】
［００３９］本開示では、特にモバイル機器用のＯＬＥＤフラットパネルディスプレイの製造について言及する。しかしながら、他の基板処理用途に対しても同様の考察、例、実施形態および態様を提供することができる。ＯＬＥＤモバイルディスプレイの例では、一般的なメタルマスク（ＣＭＭ）が、処理チャンバ１１２０−Ｉ内に設けられている。ＣＭＭは、各モバイルディスプレイにエッジ除外マスクを提供する。各モバイルディスプレイは、１つの開口部でマスキングされ、ディスプレイ間の領域に対応する基板上の領域は、ＣＭＭによって大部分が覆われる。
【００３２】
［００４０］続いて、基板は、処理チャンバ１１２０から、隣接するクラスタチャンバ、例えば真空回転チャンバ１１３０へ移動され、第１の移送チャンバ１１８２を通り、さらなるクラスタチャンバを通り、処理チャンバ１１２０−ＩＩへ移動される。これは、図３Ｂに矢印１１９４で示されている。処理チャンバ１１２０−ＩＩにおいて、正孔輸送層（ＨＴＬ）が、基板上に堆積される。正孔注入層と同様に、正孔輸送層は、モバイルディスプレイごとに１つの開口部を有する一般的なメタルマスクを用いて製造される。さらに、基板は、処理チャンバ１１２０−ＩＩから、隣接するクラスタチャンバ、例えば真空回転チャンバ１１３０へ移動され、第２の移送チャンバ１１８４を通り、さらなるクラスタチャンバを通り、処理チャンバ１１２０−ＩＩＩへ移動される。これは、図３Ｂにさらなる矢印１１９４で示されている。
【００３３】
［００４１］移送チャンバまたは輸送モジュールは、少なくとも２つの他の真空モジュールまたは真空チャンバの間、例えば真空回転チャンバ間に挿入することができる真空モジュールまたは真空チャンバとして理解することができる。キャリア、例えばマスクキャリアおよび／または基板キャリアが、移送チャンバを通って移送チャンバの長さ方向に搬送されることができる。移送チャンバの長さ方向は、真空処理システムの主搬送方向、すなわちクラスタチャンバのインライン構成に対応し得る。
【００３４】
［００４２］処理チャンバ１１２０−ＩＩＩにおいて、電子ブロック層（ＥＢ）が、基板上に堆積される。電子ブロック層は、ファインメタルマスク（ＦＦＭ）を用いて堆積させることができる。ファインメタルマスクは、例えばミクロン範囲でサイズ設定された、複数の開口部を有する。複数の微細な開口部は、モバイルディスプレイの画素またはモバイルディスプレイの画素の色に対応する。したがって、ディスプレイ上の画素をミクロン範囲で位置合わせするために、ＦＦＭと基板とが、互いに対して非常に正確に位置合わせされる必要がある。
【００３５】
［００４３］基板は、処理チャンバ１１２０−ＩＩＩから処理チャンバ１１２０−ＩＶへ、続いて処理チャンバ１１２０−Ｖへ、そして処理チャンバ１１２０−ＶＩへ移動される。搬送経路、例えば２つの基板搬送経路の各々について、基板は、処理チャンバから、例えば真空回転チャンバへ移動され、移送チャンバを通って、真空回転チャンバを通って、次の処理チャンバへ移動される。例えば、赤色画素用のＯＬＥＤ層は、チャンバ１１２０−ＩＶ内で堆積させることができ、緑色画素用のＯＬＥＤ層は、チャンバ１１２０−Ｖ内で堆積させることができ、青色画素用のＯＬＥＤ層は、チャンバ１１２０−ＶＩ内で堆積させることができる。カラー画素のための各層は、ファインメタルマスクを用いて堆積される。異なる色の画素ドットが基板上で互いに隣接して、１つの画素の外観を与えるように、それぞれのファインメタルマスクは異なっている。処理チャンバ１１２０−ＶＩから処理チャンバ１１２０−ＶＩＩへ延びるさらなる矢印１１９４によって示されるように、基板は、処理チャンバからクラスタチャンバへ移動し、移送チャンバを通って、さらなるクラスタチャンバを通って、後続の処理チャンバへ移動することができる。処理チャンバ１１２０−ＶＩＩにおいて、電子輸送層（ＥＴＬ）が、一般的なメタルマスク（ＣＭＭ）を用いて堆積され得る。
【００３６】
［００４４］１つの基板について上述した基板トラフィックは、真空処理システム１１００において同時に処理される複数の基板についても同様である。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、システムのタクトタイム、すなわち期間は、１８０秒以下、例えば６０秒〜１８０秒であり得る。したがって、基板は、この期間、すなわち第１の例示的な期間Ｔ内で処理される。上述の処理チャンバおよび以下に説明する後続の処理チャンバでは、１つの基板が、第１の期間Ｔ内に処理され、処理されたばかりの別の基板が、第１の期間Ｔ内に処理チャンバから出され、さらに別の処理されるべき基板が、第１の期間Ｔ内に処理チャンバ内に入れられる。１つの基板が、各処理チャンバ内で処理されている間に、２つの別の基板が、この処理チャンバに関する基板トラフィックに参加することができる、すなわち、第１の期間Ｔの間に、１つの別の基板が、それぞれの処理チャンバからアンロードされ、１つの基板が、それぞれの処理チャンバにロードされる。
【００３７】
［００４５］処理チャンバ１１２０−Ｉから処理チャンバ１１２０−ＶＩＩへの、例示的な基板の上述のルートは、真空処理システム１１００の処理チャンバの一列、例えば、図３Ａおよび図３Ｂの下の列において提供される。真空処理システムの列または下の部分は、図３Ｂに矢印１０３２で示されている。
【００３８】
［００４６］本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、基板は、クラスタチャンバのインライン構成の一方の端から、真空処理システムのクラスタチャンバのインライン構成の反対の端まで、真空処理システムの一方の列または一方の部分において搬送され得る。インライン構成の反対の端、例えば、図３Ａの右側の真空回転チャンバ１１３０において、基板は、真空処理システムの他方の列または他方の部分に移される。これは、図３Ｂに矢印１１１５で示されている。図３Ｂの矢印１０３４で示される真空処理システムの他方の列または他方の部分において、基板は、クラスタチャンバのインライン構成の反対の端からクラスタチャンバのインライン構成の一方の端、すなわち開始端まで移動しながら、後続の処理チャンバ内で処理される。
【００３９】
［００４７］本開示の別の態様によれば、クラスタチャンバのインライン構成は、例えば、真空処理システムを、クラスタチャンバのインライン構成の一方の側に配置された処理チャンバの第１のサブセットと、クラスタチャンバのインライン構成の反対側に配置された処理チャンバの第２のサブセットとに、分離することができる。基板のルーティングは、基板を処理チャンバの第１のサブセットを通ってルーティングし、続いて基板を処理チャンバの第２のサブセットを通ってルーティングすることによって、提供される。そのような態様のさらなる態様、特徴、実施形態、または詳細は、本明細書に記載の他の実施形態の態様、特徴、実施形態、または詳細と組み合わせることができる。
【００４０】
［００４８］図３Ａに示す例では、例示的な基板は、処理チャンバ１１２０−ＶＩＩＩに移動され、続いて処理チャンバ１１２０−ＩＸに移動される。例えば、ＯＬＥＤデバイスのカソードを例示的に形成することができるメタライゼーション層を、例えば上述のような一般的なメタルマスクを用いて、処理チャンバ１１２０−ＶＩＩＩ内で堆積させることができる。例えば、以下の金属Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの１つ以上を、いくつかの堆積モジュール内で堆積させることができる。少なくとも１つの材料が、透明導電性酸化物材料、例えばＩＴＯであってもよい。少なくとも１つの材料が、透明材料であってもよい。その後、キャッピング層（ＣＰＬ）が、例えば一般的なメタルマスクを用いて処理チャンバ１１２０−ＩＸ内で堆積される。
【００４１】
［００４９］本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、さらなる処理チャンバ１１２０−Ｘを設けることができる。例えば、この処理チャンバは、他の処理チャンバのうちの１つがメンテナンス中である間、その処理チャンバに置き換わる代替の処理チャンバであり得る。
【００４２】
［００５０］最終処理ステップの後、基板を、バッファチャンバ１１１２を経由して真空スイングモジュール１１１０、すなわち基板再配置チャンバに移動させることができる。これは、図３Ｂに矢印１１９３で示されている。真空スイングモジュールにおいて、基板は、処理の向き、すなわち本質的に垂直な向きから、工場とのインターフェースに対応する基板の向き、例えば水平な向きに移動される。
【００４３】
［００５１］図３Ａおよび図３Ｂに関して説明した実施形態の特徴を組み込み得る別の実施形態が、図４Ａおよび図４Ｂに関して説明される。図４Ａおよび図４Ｂに示す真空処理システム１１００は、第２の真空スイングモジュール１２１０、すなわち第２の基板再配置チャンバを含む。さらに、クラスタチャンバと真空スイングモジュールとの間に第２のバッファチャンバ１２１２を設けることができる。したがって、例示的な基板は、クラスタチャンバのインライン構成の一方の端からクラスタチャンバのインライン構成の反対の端までルーティングされることができる。例えば、基板は、真空スイングモジュール１１１０にロードされ、本質的に、一方の端、すなわち図４Ａの左側から、反対の端、すなわち図４Ａの右側まで、システム内をルーティングされることができる。基板は、真空スイングモジュール１２１０、すなわち反対の端にある真空スイングモジュールを通って真空処理システムからアンロードされてもよい。いくつかの実施形態によれば、基板トラフィックは、１つの処理チャンバから後続の処理チャンバへ搬送されるとき、例えば図４Ｂの矢印１２９４によって示されるように、一方の列の処理チャンバ（図４Ｂの矢印１０３２を参照）から他方の列の処理チャンバ（図４Ｂの矢印１０３４を参照）へ切り替わることができる。その後、図４Ｂの矢印１２９６によって示されるように、基板は、さらなる後続の処理チャンバに移動するとき、真空処理システムの他方の列の中の後続の処理チャンバから真空処理システムの最初の列に戻されることができる。したがって、いくつかの実施形態によれば、例示的な基板は、真空処理システムの列または真空処理システムの部分（図４Ｂの矢印１０３２および１０３４を参照）を行ったり来たり切り替えることができる。
【００４４】
［００５２］図４Ａおよび図４Ｂに関して示され説明された真空処理システム１１００の実施形態は、ハイブリッドシステムの一方の端における基板のロードおよび他の端、例えばハイブリッドシステムの反対の端における基板のアンロードを提供する。したがって、工場への２つのインターフェースが、ロードおよびアンロードのために提供される。さらに、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、その上で基板が一方の端から反対の端に搬送されたキャリアは、空のまま真空処理システム１１００内を戻される。新しい基板をハイブリッドシステムのロード端でロードすることができる。
【００４５】
［００５３］上述したように、複数の基板が、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、および図４Ｂに関して説明した実施形態による真空処理システム内でルーティングされる。高スループット、したがって真空処理システムの所有コストの低減のために、タクトタイムは、できるだけ短くあるべきである。タクトタイムは、とりわけ、処理時間および／または１つの処理チャンバから次の処理チャンバへ基板を搬送するための時間によって、限界が定められ得る。さらに、最大数の基板が真空処理システム１１００内で同時に処理される場合、最良のスループットが提供される。したがって、各処理チャンバには、本質的に、定常状態のプロセス条件の間、処理のための基板がロードされている。
【００４６】
［００５４］これは、基板搬送または基板処理が、真空処理システム内のどこかの位置でタクトタイムを満たさない場合、基板トラフィック全体が危険にさらされるかまたは中断されるという事実をもたらす。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、基板搬送のために、基板、または基板を支持するキャリアは、基板搬送装置による搬送のために、それぞれ３ｍ／ｓ以上の速度に加速される。したがって、隣接するまたは続いている処理チャンバ間の距離を短くすることが、有益であると思われる。しかしながら、隣接するまたは続いている処理チャンバ間の距離を単に短くすることは、最良のスループット値をもたらさないことが、驚くべきことに見出された。本開示の実施形態によれば、隣接するまたは続いている（一列の）処理チャンバ間の２つ以上の異なる距離、すなわち隣接するクラスタチャンバ間、例えば真空回転チャンバ間の２つ以上の異なる距離が、提供される。
【００４７】
［００５５］図３Ａおよび図３Ｂは、例えば回転チャンバを作るクラスタチャンバ間に設けられている移送チャンバを示している。図３Ａおよび図３Ｂは、第１の移送チャンバ１１８２と第２の移送チャンバ１１８４を示す。隣接するまたは続いている処理チャンバ間の距離を短くすること、ならびに真空処理システムの設置面積を小さくすることは、移送チャンバの長さを短くすることを示唆するように思われる。移送チャンバの長さの部分的な増加は、真空処理システム１１００のタクトタイムを改善することが、驚くべきことに見出された。本明細書に記載の実施形態によれば、真空処理システムは、少なくとも、第１の長さの第１のタイプの移送チャンバ、すなわち第１の移送チャンバ１１８２と、第１の長さとは異なる第２の長さを有する第２のタイプの移送チャンバ、すなわち第２の移送チャンバ１１８４とを含む。
【００４８】
［００５６］本開示の実施形態によれば、基板上に複数の層を堆積させるための真空処理システムを提供することができる。真空処理システムは、真空チャンバに接続された、第１の長さを有する第１の移送チャンバと、真空チャンバに接続された、第１の長さよりも短い第２の長さを有する第２の移送チャンバとを含む。
【００４９】
［００５７］例えば、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、さらなる実施形態によれば、基板を処理するための真空処理システムは、第１のクラスタチャンバに接続された第１の処理チャンバ；第１の処理チャンバ内で基板を処理するための第１の処理ステーション；第２のクラスタチャンバに接続された第２の処理チャンバ；第１のクラスタチャンバと第２のクラスタチャンバとに接続された第１の移送チャンバであって、第１のクラスタチャンバと第２のクラスタチャンバとの間に延びる第１の長さを有し、基板を収容できる大きさに作られている第１の移送チャンバ；第２のクラスタチャンバに接続された第２の移送チャンバであって、第１の長さよりも短い第２の長さを有する第２の移送チャンバ；基板を、垂直から１５°以下ずれた向きで、第１の処理チャンバ、第２の処理チャンバ、第１のクラスタチャンバ、第２のクラスタチャンバ、第１の移送チャンバ、および第２の移送チャンバを通ってルーティングするように設けられた基板搬送装置を含む。
【００５０】
［００５８］第１の長さを有する第１の移送チャンバは、基板を収容することを可能にする。基板を第１の移送チャンバ内に一時停止させることができる。基板の一時停止は、基板を容易に利用可能にすることを可能にする。これにより、全体のタクトタイムを短縮することができる。第１の長さよりも短い第２の長さを有する第２の移送チャンバは、隣接するまたは続いている処理チャンバ間の距離を短くする。第１の長さよりも短い第２の長さを有する第２の移送チャンバは、追加的にまたは代替的に、真空処理システムの設置面積を小さくする。
【００５１】
［００５９］上記以外に、異なる長さを有する２つのタイプの移送チャンバを有することは、通常あらかじめ決められた環境であり得る工場ホールの構造に設置面積を適合させることを可能にする。図３Ａおよび図３Ｂは、支柱１０２０を示す。支柱１０２０は、図１および図２に関して前述した。支柱は、製造ホールによって提供される境界条件であり、例えば構造工学計算の考慮によって定められる。長さの異なる２つのタイプの移送チャンバを有することは、さらに、真空処理システムを製造ホールに適合させることを可能にする。移送チャンバの長さを延ばすことにより、一列中で隣接している２つの処理チャンバ間に支柱１０２０を有することが可能になり、一時停止位置を提供することが可能になる。
【００５２】
［００６０］本開示の実施形態は、驚くべきことに、設置面積の縮小、タクトタイムの短縮、ならびに製造ホール内の構造条件への適合を含む利点の組み合わせをもたらす。
【００５３】
［００６１］本開示のさらなる特徴、修正、および実施形態によれば、真空処理システム、詳細には１つのシステム内で５つ以上、または１０以上の層さえも提供する真空処理システムの設置面積は、基板、詳細には大面積基板を、本質的に垂直な向きに有することによって、縮小することができる。
【００５４】
［００６２］本明細書で使用される「本質的に垂直な向き」は、垂直な向き、すなわち重力ベクトルから１５°以下、１０°以下、詳細には５°以下のずれを有する向きとして理解され得る。例えば、基板（またはマスク装置）の主面と重力ベクトルとの間の角度は、＋１０°と−１０°の間、詳細には０°と−５°の間であってもよい。いくつかの実施形態では、基板（またはマスク装置）の向きは、搬送中および／または堆積中に正確に垂直ではなく、垂直軸に対してわずかに傾いていてもよく、例えば０°と−５°の間、詳細には−１°と−５°の間の傾斜角だけ傾いていてもよい。負の角度は、基板（またはマスク装置）が下向きに傾いている基板（またはマスク装置）の向きを指す。堆積中に重力ベクトルから基板の向きをずらすことは有益であり、より安定した堆積プロセスをもたらすかもしれず、あるいは、フェイスダウンの向きは、堆積中に基板上の粒子を減少させるために適しているかもしれない。しかしながら、搬送中および／または堆積中の正確に垂直な向きもまた、可能である。
【００５５】
［００６３］基板サイズが典型的には世代（ＧＥＮ）において増大し得る大面積基板の増大する基板サイズにとって、真空処理システムの設置面積が減少するため、垂直な向きが、水平な向きと比較して有利である。ファインメタルマスク（ＦＦＭ）を用いた大面積基板上への堆積プロセスの本質的に垂直な向きは、重力がファインメタルマスクの表面に沿って垂直な向きに作用するという意味で、さらに予想外である。ミクロン範囲でのピクセルの位置決めおよび位置合わせは、水平な向きと比較して垂直な向きについてより複雑である。したがって、水平真空堆積システム用に開発されたコンセプトは、大面積システム用の垂直真空堆積システム、詳細にはＦＦＭを利用する真空堆積システムに移転されないことがある。
【００５６】
［００６４］本明細書に記載の実施形態は、例えばディスプレイの製造のために、コーティングされた大面積基板を検査するために利用することができる。本明細書に記載されている装置および方法が、それに対して構成されているところの基板または基板受入領域は、例えば１ｍ２以上のサイズを有する大面積基板であり得る。例えば、大面積の基板またはキャリアは、約０．６７ｍ２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に対応するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．２９ｍ２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、または約８．７ｍ２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０でさえあり得る。ＧＥＮ１１およびＧＥＮ１２などのさらに大きな世代ならびに対応する基板面積も、同様に実施することができる。例えば、ＯＬＥＤディスプレイ製造のために、ＧＥＮ６を含む上記の基板世代の半分のサイズが、材料を蒸発させるための装置の蒸発によってコーティングされることができる。基板世代の半分のサイズは、いくつかのプロセスがフル基板サイズに実行され、前に処理された基板の半分に後続のプロセスが実行されることの結果として、生じ得る。
【００５７】
［００６５］本明細書で使用される「基板」という用語は、詳細には、実質的に非可撓性の基板、例えば、ウェハ、サファイアなどの透明結晶のスライス、またはガラス板を包含し得る。しかし、本開示はそれに限定されず、「基板」という用語は、ウェブまたは箔などの可撓性基板を包含し得る。「実質的に非可撓性」という用語は、「可撓性」と区別されると解釈される。具体的には、実質的に非可撓性の基板は、例えば、０．５ｍｍ以下の厚さを有するガラス板のように、ある程度の可撓性を有することができ、実質的に非可撓性の基板の可撓性は、可撓性基板と比較して小さい。
【００５８】
［００６６］基板は、材料堆積に適した任意の材料から作られてよい。例えば、基板は、ガラス（例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、化合物材料、炭素繊維材料、金属、または堆積プロセスによってコーティングすることができる他の任意の材料もしくは材料の組み合わせからなる群から選択された材料で作られてもよい。
【００５９】
［００６７］本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる修正例のさらに別の実施形態によれば、本明細書に記載の垂直または本質的に垂直な向きの大面積基板のための真空処理システムは、真空システム内の搬送中に基板を支持するキャリアをさらに含むことができる。特に大面積基板の場合、真空処理システム内でのガラス破損は、キャリアを利用することによって低減することができる。したがって、基板は、後続の処理ステップのためにキャリア上に維持することができる。例えば、基板は、真空処理システムに入った直後または入るときに、キャリア上にロードすることができ、真空処理システムを出る直前または出るときに、同じキャリアからアンロードすることができる。
【００６０】
［００６８］本明細書に記載の実施形態による真空処理システムは、キャリア上で基板を搬送するように構成された基板搬送装置をさらに含むことができる。基板搬送装置は、キャリア搬送システムを含むことができる。図３Ａに示すように、キャリアは、搬送経路１１７１、１１７２、１１７４、１１７３に沿って搬送されてもよく、搬送位置１１７５などの搬送位置に設けられてもよい。キャリア搬送システムは、キャリアを持ち上げて保持するための保持システム、例えば磁気浮上システム、およびキャリア搬送経路に沿ったトラックに沿ってキャリアを移動させるための駆動システムを含み得る。例えば、基板搬送装置は、真空回転チャンバ内に２つの基板回転位置を含み得る。
【００６１】
［００６９］本開示の他の実施形態と組み合わせることができる、本開示の一実施形態による真空処理システムは、基板をある角度だけ移動させるための真空チャンバ、すなわち真空スイングモジュール、クラスタチャンバ、例えば真空回転チャンバ、および真空チャンバとクラスタチャンバとの間のバッファチャンバを含むことができる。バッファチャンバは、１つの基板搬送経路と、少なくとも１つのさらなる基板搬送位置とを含む。基板は、バッファチャンバ内で、例えば搬送位置１１７５で、待機するか、または一時停止して、真空スイングモジュールを通ってアンロードされるのを待つことができる。クラスタチャンバと真空スイングモジュールとの組み合わせの場合、２つ以上の基板を収容する能力を有する中間バッファチャンバが、タクトタイムをさらに改善することができる。
【００６２】
［００７０］本明細書で使用される「キャリア」という用語は、詳細には、キャリア搬送経路に沿った、例えば基板キャリアトラックに沿った搬送中に基板を保持するように構成された「基板キャリア」を指すことがある。いくつかの実施形態では、基板は、非水平な向きで、詳細には本質的に垂直な向きでキャリアに保持されてもよい。本明細書で使用される「キャリア」という用語は、搬送経路に沿った、例えば基板キャリアトラックに沿った搬送中に基板を保持するように構成された「基板キャリア」を指すことがある。
【００６３】
［００７１］キャリアは、基板またはマスク装置を、詳細には非水平な向きに、より詳細には本質的に垂直な向きに保持するように構成された保持面を有するキャリア本体を含み得る。いくつかの実施形態では、キャリア本体は、キャリア搬送経路に沿って案内されるように構成された被案内部を含み得る。例えば、キャリアは、保持装置によって、例えば磁気浮上システムによって、保持されてもよく、キャリアは、駆動装置によって、例えばマスクキャリアトラックに沿ってまたは基板キャリアトラックに沿って、移動されてもよい。例えば、基板は、チャッキング装置によって、例えば静電チャックおよび／または磁気チャックによって、基板キャリアに保持されてもよい。他の種類のチャッキング装置が、使用されてもよい。本明細書において、基板またはマスク装置を「搬送する」、「移動する」、「ルーティングする」、「置き換わる」または「回転させる」は、詳細には非水平な向きで、より詳細には本質的に垂直な向きで保持するキャリアのそれぞれの動きを指すことができる。
【００６４】
［００７２］いくつかの実施形態では、基板キャリアは、磁気浮上システムを含むことができる搬送システムによって搬送される。例えば、基板キャリアの重量の少なくとも一部が磁気浮上システムによって運ばれるように、磁気浮上システムが設けられてもよい。基板キャリアは、真空処理システムを通って基板キャリアトラックに沿って本質的に非接触で案内されることができる。基板キャリアトラックに沿ってキャリアを移動させるための駆動装置を、設けることができる。非接触浮上は、真空処理システム内の粒子発生を減少させる。これは、ＯＬＥＤデバイスの製造に特に有利であり得る。
【００６５】
［００７３］本明細書で使用される「キャリア」という用語は、搬送経路に沿った、例えばマスクキャリアトラックに沿った搬送中にマスク装置を保持するように構成された「マスクキャリア」を指すことがある。いくつかの実施形態では、マスク装置は、非水平な向きで、詳細には本質的に垂直な向きでキャリアに保持されてもよい。
【００６６】
［００７４］例えば、基板は、チャッキング装置によって、例えば静電チャックおよび／または磁気チャックによって、基板キャリアに保持されてもよい。例えば、マスク装置は、チャッキング装置によって、例えば静電チャックおよび／または磁気チャックによって、マスクキャリアに保持されてもよい。他の種類のチャッキング装置が、使用されてもよい。
【００６７】
［００７５］本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、さらに別の実施形態によれば、本質的に垂直に配向された大面積基板上への層堆積は、堆積源、例えば、線状源として提供することができる蒸発源１１８０（例えば図３Ａ参照）によって有利に提供され得る。線状源を基板の表面に沿って移動させて、例えば長方形の大面積基板上に材料を堆積させることができる。さらに別の実施形態によれば、２つ以上、例えば３つの線状源を堆積源のために設けることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、有機材料が同時蒸発されて、２つ以上の有機材料が、１つの材料層を形成することができる。
【００６８】
［００７６］堆積源、例えば蒸発した材料を１つ以上の基板に向けるように構成された蒸気源が、通常、処理チャンバまたは堆積モジュール内に配置される。例えば、堆積源は、処理チャンバ内に設けられ得る源搬送トラックに沿って移動可能であってもよい。堆積源は、蒸発した材料を１つ以上の基板に向けながら、源搬送トラックに沿って直線的に移動することができる。
【００６９】
［００７７］本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態では、処理チャンバまたは堆積モジュールは、２つの堆積領域、すなわち第１の基板を配置するための第１の堆積領域および第２の基板を配置するための第２の堆積領域を含み得る。第１の堆積領域は、堆積モジュール内で第２の堆積領域の反対側に配置することができる。堆積源は、続いて、蒸発した材料を第１の堆積領域に配置された第１の基板と第２の堆積領域に配置された第２の基板とに向けるように、構成することができる。例えば、堆積源の蒸発方向は、例えば堆積源の少なくとも一部を、例えば１８０°の角度で、回転させることによって、可逆的であってもよい。
【００７０】
［００７８］本明細書に記載の実施形態によれば、第１の長さを有する第１の移送チャンバを、真空クラスタチャンバに接続することができる。さらに、第１の長さよりも短い第２の長さを有する第２の移送チャンバを、真空クラスタチャンバに接続することができる。
【００７１】
［００７９］図５Ａは、真空処理システムの一部を側面図で示す。第１の長さを有する第１の移送チャンバ１１８２が、２つの隣接するクラスタチャンバ、例えば真空回転チャンバ１１３０の間に設けられている。第１の長さは、その基板世代に対して真空処理システムが製造されている基板世代を有する基板を、第１の移送チャンバの内部に配置することができるようなサイズに対応している。基板または基板キャリアは、第１の移送チャンバ内に配置されているときに、必ずしもクラスタチャンバのうちの１つの中に延びているとは限らない。マスクまたはマスクキャリアは、第１の移送チャンバ内に配置されているときに、必ずしもクラスタチャンバのうちの１つの中に延びているとは限らない。
【００７２】
［００８０］図５Ａは、点線でマスクキャリアのマスクキャリア輪郭１３１０を例示的に示す。図５Ａは、破線で基板キャリアの基板キャリア輪郭１３１２を例示的に示す。マスクキャリアと基板キャリアの両方を、完全に第１の移送チャンバ１１８２の内部に配置することができる。したがって、マスクキャリアおよび基板キャリアを第１の移送チャンバ内に配置することができ、隣接する両方の真空回転チャンバを回転させることができる。真空回転チャンバ内を延びるマスクキャリアまたは基板キャリアによって、回転が妨げられることはない。
【００７３】
［００８１］図５Ｂは、真空処理システムの一部の上面図を示す。第１の移送チャンバが、隣接するクラスタチャンバ、例えば真空回転チャンバ１１３０の間に設けられている。基板搬送装置の一部が、基板搬送ユニット１３２０として示されている。基板搬送ユニット１３２０は、移送チャンバを通って基板キャリアを搬送するように構成されている。基板搬送装置は、２つの基板搬送経路を含み得る。２つの基板搬送ユニット１３２０が、２つの基板キャリア経路を生成するように設けられている。マスク搬送装置の一部が、マスク搬送ユニット１３２２として示されている。マスク搬送ユニット１３２２は、移送チャンバを通ってマスクキャリアを搬送するように構成されている。２つのマスク搬送ユニット１３２２が、２つのマスクキャリア経路を生成するように設けられている。基板搬送ユニットおよび／またはマスク搬送ユニットは、浮上要素および駆動要素を備えることができる。浮上要素は、キャリアを非接触で支持することができる。駆動要素は、経路に沿ってキャリアを非接触で駆動することができる。
【００７４】
［００８２］他の実施形態と組み合わせることができる本開示のいくつかの実施形態によれば、１つ以上の基板一時停止位置１３３０を、第１の移送チャンバ内に設けることができる。第１の移送チャンバの長さを考慮すると、基板キャリアは、第１の移送チャンバ内に一時停止することができる。第１の移送チャンバに隣接する真空回転モジュールの回転機能を低下させることなく、基板キャリアを一時停止させることができる。第１の移送チャンバは、基板キャリアを収容できる大きさに作られている。
【００７５】
［００８３］図６は、図５Ａおよび図５Ｂに示す第１の移送チャンバ１１８２の長さより短い第２の長さを有する第２の移送チャンバ１１８４を示す。第２の移送チャンバの第２の長さは、点線で示されているマスクキャリアのマスクキャリア輪郭１３１０と、破線で示されている基板キャリア輪郭１３１２とが、第２の移送チャンバの両側を越えて延びるような長さである。したがって、より短い第２の移送チャンバを有するので、真空処理システムの設置面積を減らすことができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、第２の移送チャンバの第２の長さは、基板の水平方向の寸法よりも短い。
【００７６】
［００８４］図７は、本開示の実施形態による、真空処理システムを動作させる方法のフローチャートを示す。上述のように、タクトタイムを有する真空処理システムは、動作することができる。例えば、タクトタイムは、材料層を堆積させる堆積プロセスの長さによって定めることができる期間の継続時間を有することができる。いくつかの実施形態によれば、基板を第１の移送チャンバの内部に収容することができ、例えば一時停止させることができる。例えば、第１の移送チャンバは、図５Ａに示すような移送チャンバ１１８２とすることができる。第１の移送チャンバは、基板または基板キャリアをそれぞれ収容するのに十分に大きい長さを有することができる。ボックス７０２によって示されるように、タクトタイムに対応する第１の期間中、基板を第１の移送チャンバ内に一時停止させることができる。さらに、ボックス７０４によって示されるように、第１の期間、すなわち同じ期間中に、別の基板を第２の移送チャンバを通って搬送することができる。詳細には、第２の移送チャンバは、第１の移送チャンバの第１の長さよりも短い第２の長さを有することができる。例えば、第２の移送チャンバは、それぞれ基板キャリアまたはマスクキャリアの対応する寸法よりも短い長さを有することができる。
【００７７】
［００８５］本開示の他の実施形態と組み合わせることができる、さらに別の実施形態によれば、同じ第１の期間中に、さらに別の基板を、第１の移送チャンバ内の一時停止基板を通り越して移動させることができる（ボックス７０６参照）。例えば、一時停止基板を、図５Ａに示すような基板一時停止位置１３３０に配置することができる。さらに、ボックス７０８によって示されるように、同じ第１の期間に、さらに別の基板を処理することができる。
【００７８】
［００８６］上記は、本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考え出すこともでき、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
・   
【図１】
2020515026.tif 000003
【図２】
2020515026.tif 000004
【図３Ａ】
2020515026.tif 000005
【図３Ｂ】
2020515026.tif 000006
【図４Ａ】
2020515026.tif 000007
【図４Ｂ】
2020515026.tif 000008
【図５Ａ】
2020515026.tif 000009
【図５Ｂ】
2020515026.tif 000010
【図６】
2020515026.tif 000011
【図７】
2020515026.tif 000012
【国際調査報告】
2020515026.tif 000013
2020515026.tif 000014