(57)【要約】  画素回路及びその駆動方法、ディスプレイパネル。該画素回路（１００）は第１選択回路（１０２）、第１駆動回路（１０１）、第１コンデンサ（１２１）、第１検知回路（１０３）、第１有機発光素子（１３１）、第２コンデンサ（１２２）及びコンデンサ制御回路（１２３）を備える。第１選択回路（１０２）は第１コンデンサ（１２１）に電気的に接続され且つ第１選択回路（１０２）と第１コンデンサ（１２１）は第１駆動回路（１０１）を制御し、第１駆動回路（１０１）は第１有機発光素子（１３１）に電気的に接続され且つ第１有機発光素子（１３１）を駆動し、第１検知回路（１０３）は第１駆動回路（１０１）と第１有機発光素子（１３１）に電気的に接続され且つ第１駆動回路（１０１）又は第１有機発光素子（１３１）を検知し、コンデンサ制御回路（１２３）は第１コンデンサ（１２１）と第２コンデンサ（１２２）を互いに並列接続し又は遮断する。
2020519913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１選択回路、第１駆動回路、第１コンデンサ、第１検知回路、第１有機発光素子、第２コンデンサ及びコンデンサ制御回路を備え、
前記第１選択回路は前記第１コンデンサに電気的に接続され、且つ前記第１選択回路と前記第１コンデンサは前記第１駆動回路を制御するように配置され、
前記第１駆動回路は前記第１有機発光素子に電気的に接続され、且つ前記第１有機発光素子を駆動するように配置され、
前記第１検知回路は前記第１駆動回路と前記第１有機発光素子に電気的に接続され、且つ前記第１駆動回路又は前記第１有機発光素子を検知するように配置され、
前記コンデンサ制御回路は前記第１コンデンサと前記第２コンデンサを並列接続し又は遮断するように配置されることを特徴とする画素回路。
【請求項２】
前記第１コンデンサは前記第１検知回路に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の画素回路。
【請求項３】
さらに第２選択回路、第２駆動回路及び第２有機発光素子を備え、
前記第２選択回路と前記第２コンデンサは前記第２駆動回路を制御するように配置され、
前記第２駆動回路は前記第２有機発光素子に電気的に接続され、且つ前記第２有機発光素子を駆動するように配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の画素回路。
【請求項４】
さらに第２検知回路を備え、前記第２検知回路は前記第２駆動回路と前記第２有機発光素子に電気的に接続され、且つ前記第２駆動回路又は前記第２有機発光素子を検知するように配置されることを特徴とする請求項３に記載の画素回路。
【請求項５】
さらに第１制御回路と第２制御回路を備え、前記第１制御回路は前記第１駆動回路が第１電源端子に電気的に接続されるか否かを制御するように配置され、前記第２制御回路は前記第２駆動回路が前記第１電源端子に電気的に接続されるか否かを制御するように配置されることを特徴とする請求項４に記載の画素回路。
【請求項６】
さらに第１ノードと第２ノードを備え、
前記第１駆動回路は第１トランジスタを含み、
前記第１選択回路は第２トランジスタを含み、
前記第１検知回路は第３トランジスタを含み、
前記コンデンサ制御回路は第４トランジスタを含み、
前記第１トランジスタの第１端子は前記第１電源端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタの第２端子は第１ノードに電気的に接続され、前記第１トランジスタの制御端子は第２ノードに電気的に接続され、
前記第２トランジスタの第１端子は第１データラインに電気的に接続され、前記第２トランジスタの第２端子は第２ノードに電気的に接続され、
前記第３トランジスタの第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第３トランジスタの第２端子は第１監視ラインに電気的に接続され、
前記第４トランジスタの第１端子は前記第２ノードに電気的に接続され、前記第４トランジスタの第２端子は前記第２コンデンサの第１端子に電気的に接続され、
前記第２コンデンサの第２端子は第１ノードに電気的に接続され、
前記第１コンデンサの第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第１コンデンサの第２端子は前記第２ノードに電気的に接続され、
前記第１有機発光素子の第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第１有機発光素子の第２端子は第２電源端子に電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載の画素回路。
【請求項７】
さらに第１ノードと第２ノードを備え、
前記第１駆動回路は第１トランジスタを含み、
前記第１選択回路は第２トランジスタを含み、
前記第１検知回路は第３トランジスタを含み、
前記コンデンサ制御回路は第４トランジスタと第５トランジスタを含み、
前記第１トランジスタの第１端子は前記第１電源端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタの第２端子は第１ノードに電気的に接続され、前記第１トランジスタの制御端子は第２ノードに電気的に接続され、
前記第２トランジスタの第１端子は第１データラインに電気的に接続され、前記第２トランジスタの第２端子は第２ノードに電気的に接続され、
前記第３トランジスタの第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第３トランジスタの第２端子は第１監視ラインに電気的に接続され、
前記第４トランジスタの第１端子は前記第２ノードに電気的に接続され、前記第４トランジスタの第２端子は前記第２コンデンサの第１端子に電気的に接続され、
前記第５トランジスタの第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第５トランジスタの第２端子は前記第２コンデンサの第２端子に電気的に接続され、
前記第１コンデンサの第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第１コンデンサの第２端子は前記第２ノードに電気的に接続され、
前記第１有機発光素子の第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第１有機発光素子の第２端子は第２電源端子に電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載の画素回路。
【請求項８】
さらに第３ノードと第４ノードを備え、
前記第２駆動回路は第６トランジスタを含み、
前記第２選択回路は第７トランジスタを含み、
前記第６トランジスタの第１端子は前記第１電源端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタの第２端子は第３ノードに電気的に接続され、前記第６トランジスタの制御端子は第４ノードに電気的に接続され、
前記第７トランジスタの第１端子は第２データラインに電気的に接続され、前記第７トランジスタの第２端子は前記第４ノードに電気的に接続され、
前記第２コンデンサの第１端子は前記第４ノードに電気的に接続され、前記第２コンデンサの第２端子は前記第３ノードに電気的に接続され、
前記第２有機発光素子の第１端子は前記第３ノードに電気的に接続され、前記第２有機発光素子の第２端子は前記第２電源端子に電気的に接続されることを特徴とする請求項６又は７に記載の画素回路。
【請求項９】
前記第２検知回路は第８トランジスタを含み、前記第８トランジスタの第１端子は前記第３ノードに電気的に接続され、前記第８トランジスタの第２端子は第２監視ラインに電気的に接続されることを特徴とする請求項８に記載の画素回路。
【請求項１０】
前記第１制御回路は第９トランジスタを含み、前記第２制御回路は第１０トランジスタを含み、
前記第９トランジスタの第１端子は前記第１トランジスタの第１端子に電気的に接続され、前記第９トランジスタの第２端子は前記第１電源端子に電気的に接続され、
前記第１０トランジスタの第１端子は前記第６トランジスタの第１端子に電気的に接続され、前記第１０トランジスタの第２端子は前記第１電源端子に電気的に接続されることを特徴とする請求項９に記載の画素回路。
【請求項１１】
前記第４トランジスタの制御端子と前記第５トランジスタの制御端子は同一信号ラインに電気的に接続されることを特徴とする請求項７に記載の画素回路。
【請求項１２】
前記第２電源端子は接地端子であることを特徴とする請求項７−１０のいずれかに記載の画素回路。
【請求項１３】
前記第１有機発光素子と前記第２有機発光素子は異なる色の光を発光することを特徴とする請求項２−１０のいずれかに記載の画素回路。
【請求項１４】
請求項１−１３のいずれかに記載の画素回路を備えることを特徴とするディスプレイパネル。
【請求項１５】
請求項１に記載の画素回路の駆動方法であって、
第１監視段階において、前記コンデンサ制御回路によって前記第１コンデンサと前記第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ前記第１検知回路によって前記第１駆動回路又は前記第１有機発光素子を監視することを含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１６】
発光段階において、前記コンデンサ制御回路によって前記第１コンデンサと前記第２コンデンサを互いに遮断し、且つ前記駆動回路によって前記第１有機発光素子が動作するように駆動することをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の駆動方法。
【請求項１７】
前記画素回路はさらに第２選択回路、第２駆動回路及び第２有機発光素子を含み、前記第２選択回路と前記第２コンデンサは前記第２駆動回路を制御するように配置され、前記第２駆動回路は前記第２有機発光素子に電気的に接続され、且つ前記第２有機発光素子を駆動するように配置され、
前記駆動方法は、
第２監視段階において、前記コンデンサ制御回路によって前記第１コンデンサと前記第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ前記第１検知回路によって前記第２駆動回路又は前記第２有機発光素子を監視することをさらに含むことを特徴とする請求項１５又は１６に記載の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施例は画素回路及びその駆動方法、ディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）の表示装置は、広視野角、高コントラスト、高応答速度及び無機発光表示装置よりも高い発光輝度、より低い駆動電圧等の長所を有するため、注目されてきた。
有機発光ダイオード表示装置では、表示画面が素子劣化による影響を受けにくいようにするために、一般的に外部補正が必要であり、薄膜トランジスタを流れる電流又は有機発光ダイオードを流れる電流を検出することにより、薄膜トランジスタ又は有機発光ダイオードの劣化程度を把握して、更に対応したデータ信号補正値を取得できる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本開示の一実施例は、第１選択回路、第１駆動回路、第１コンデンサ、第１検知回路、第１有機発光素子、第２コンデンサ及びコンデンサ制御回路を備える画素回路を提供する。第１選択回路は第１コンデンサに電気的に接続され、且つ第１選択回路と第１コンデンサは第１駆動回路を制御するように配置され、第１駆動回路は第１有機発光素子に電気的に接続され、且つ第１有機発光素子を駆動するように配置され、第１検知回路は第１駆動回路と第１有機発光素子に電気的に接続され、且つ第１駆動回路又は第１有機発光素子を検知するように配置され、コンデンサ制御回路は第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し又は遮断するように配置される。
【０００４】
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、前記第１コンデンサは前記第１検知回路に電気的に接続される。
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、該画素回路はさらに第２選択回路、第２駆動回路及び第２有機発光素子を備え、前記第２選択回路と前記第２コンデンサは前記第２駆動回路を制御するように配置され、前記第２駆動回路は前記第２有機発光素子に電気的に接続され、且つ前記第２有機発光素子を駆動するように配置される。
【０００５】
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、該画素回路はさらに第２検知回路を備え、前記第２検知回路は前記第２駆動回路と前記第２有機発光素子に電気的に接続され、且つ前記第２駆動回路又は前記第２有機発光素子を検知するように配置される。
【０００６】
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、該画素回路はさらに第１制御回路と第２制御回路を備え、前記第１制御回路は前記第１駆動回路が第１電源端子に電気的に接続されるか否かを制御するように配置され、前記第２制御回路は前記第２駆動回路が前記第１電源端子に電気的に接続されるか否かを制御するように配置される。
【０００７】
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、該画素回路はさらに第１ノードと第２ノードを備え、前記第１駆動回路は第１トランジスタを含み、前記第１選択回路は第２トランジスタを含み、前記第１検知回路は第３トランジスタを含み、前記コンデンサ制御回路は第４トランジスタを含み、前記第１トランジスタの第１端子は前記第１電源端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタの第２端子は第１ノードに電気的に接続され、前記第１トランジスタの制御端子は第２ノードに電気的に接続され、前記第２トランジスタの第１端子は第１データラインに電気的に接続され、前記第２トランジスタの第２端子は第２ノードに電気的に接続され、前記第３トランジスタの第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第３トランジスタの第２端子は第１監視ラインに電気的に接続され、前記第４トランジスタの第１端子は前記第２ノードに電気的に接続され、前記第４トランジスタの第２端子は前記第２コンデンサの第１端子に電気的に接続され、前記第２コンデンサの第２端子は第１ノードに電気的に接続され、前記第１コンデンサの第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第１コンデンサの第２端子は前記第２ノードに電気的に接続され、前記第１有機発光素子の第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第１有機発光素子の第２端子は第２電源端子に電気的に接続される。
【０００８】
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、該画素回路はさらに第１ノードと第２ノードを備え、前記第１駆動回路は第１トランジスタを含み、前記第１選択回路は第２トランジスタを含み、前記第１検知回路は第３トランジスタを含み、前記コンデンサ制御回路は第４トランジスタと第５トランジスタを含み、前記第１トランジスタの第１端子は前記第１電源端子に電気的に接続され、前記第１トランジスタの第２端子は第１ノードに電気的に接続され、前記第１トランジスタの制御端子は第２ノードに電気的に接続され、前記第２トランジスタの第１端子は第１データラインに電気的に接続され、前記第２トランジスタの第２端子は第２ノードに電気的に接続され、前記第３トランジスタの第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第３トランジスタの第２端子は第１監視ラインに電気的に接続され、前記第４トランジスタの第１端子は前記第２ノードに電気的に接続され、前記第４トランジスタの第２端子は前記第２コンデンサの第１端子に電気的に接続され、前記第５トランジスタの第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第５トランジスタの第２端子は前記第２コンデンサの第２端子に電気的に接続され、前記第１コンデンサの第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第１コンデンサの第２端子は前記第２ノードに電気的に接続され、前記第１有機発光素子の第１端子は前記第１ノードに電気的に接続され、前記第１有機発光素子の第２端子は第２電源端子に電気的に接続される。
【０００９】
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、該画素回路はさらに第３ノードと第４ノードを備え、前記第２駆動回路は第６トランジスタを含み、前記第２選択回路は第７トランジスタを含み、前記第６トランジスタの第１端子は前記第１電源端子に電気的に接続され、前記第６トランジスタの第２端子は第３ノードに電気的に接続され、前記第６トランジスタの制御端子は第４ノードに電気的に接続され、前記第７トランジスタの第１端子は第２データラインに電気的に接続され、前記第７トランジスタの第２端子は前記第４ノードに電気的に接続され、前記第２コンデンサの第１端子は前記第４ノードに電気的に接続され、前記第２コンデンサの第２端子は前記第３ノードに電気的に接続され、前記第２有機発光素子の第１端子は前記第３ノードに電気的に接続され、前記第２有機発光素子の第２端子は前記第２電源端子に電気的に接続される。
【００１０】
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、前記第２検知回路は第８トランジスタを含み、前記第８トランジスタの第１端子は前記第３ノードに電気的に接続され、前記第８トランジスタの第２端子は第２監視ラインに電気的に接続される。
【００１１】
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、前記第１制御回路は第９トランジスタを含み、前記第２制御回路は第１０トランジスタを含み、前記第９トランジスタの第１端子は前記第１トランジスタの第１端子に電気的に接続され、前記第９トランジスタの第２端子は前記第１電源端子に電気的に接続され、前記第１０トランジスタの第１端子は前記第６トランジスタの第１端子に電気的に接続され、前記第１０トランジスタの第２端子は前記第１電源端子に電気的に接続される。
【００１２】
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、前記第４トランジスタの制御端子と前記第５トランジスタの制御端子は同一信号ラインに電気的に接続される。
【００１３】
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、前記第２電源端子は接地端子である。
たとえば、本開示の一実施例による画素回路において、前記第１有機発光素子と前記第２有機発光素子は異なる色の光を発光する。
【００１４】
本開示の別の実施例は、上記画素回路を備えたディスプレイパネルを提供する。
本開示のさらに別の実施例は画素回路の駆動方法を提供し、該画素回路の駆動方法は、第１監視段階において、コンデンサ制御回路で第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第１検知回路で第１駆動回路又は第１有機発光素子を監視することを含む。
【００１５】
たとえば、本開示のさらに別の実施例による画素回路の駆動方法において、発光段階において、前記コンデンサ制御回路で前記第１コンデンサと前記第２コンデンサを互いに遮断し、且つ前記駆動回路で前記第１有機発光素子の動作を駆動することをさらに含む。
たとえば、本開示のさらに別の実施例による画素回路の駆動方法において、前記画素回路はさらに第２選択回路、第２駆動回路及び第２有機発光素子を備え、前記第２選択回路と前記第２コンデンサは前記第２駆動回路を制御するように配置され、前記第２駆動回路は前記第２有機発光素子に電気的に接続され、且つ前記第２有機発光素子を駆動するように配置され、前記駆動方法は、第２監視段階において、前記コンデンサ制御回路で前記第１コンデンサと前記第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ前記第１検知回路で前記第２駆動回路又は前記第２有機発光素子を監視することをさらに含む。
【００１６】
本開示の実施例の技術案をより明瞭に説明するために、以下、実施例又は関連技術の説明に使用される図面について簡単に説明するが、勿論、以下の説明における図面は本開示の実施例の一部に過ぎず、本開示を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１Ａ】本開示の一実施例による画素回路の概略ブロック図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示される画素回路の例示的な回路図である。
【図２Ａ】図１Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の発光段階での等価回路図である。
【図２Ｂ】図１Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第１監視段階での等価回路図である。
【図２Ｃ】図１Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第１監視段階での別の等価回路図である。
【図２Ｄ】検知回路が取得した検知電圧値の経時的な変化の曲線である。
【図３Ａ】本開示の一実施例による別の画素回路の概略ブロック図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示される画素回路の例示的な回路図である。
【図４Ａ】図３Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の発光段階での等価回路図である。
【図４Ｂ】図３Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第１監視段階での等価回路図である。
【図４Ｃ】図３Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第１監視段階での別の等価回路図である。
【図４Ｄ】図３Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第１監視段階でのさらに別の等価回路図である。
【図５Ａ】図３Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第２監視段階での等価回路図である。
【図５Ｂ】図３Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第２監視段階での別の等価回路図である。
【図５Ｃ】図３Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第２監視段階でのさらに別の等価回路図である。
【図６Ａ】本開示の一実施例によるさらに別の画素回路の概略ブロック図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示される画素回路の例示的な回路図である。
【図７Ａ】本開示の一実施例によるさらに別の画素回路の概略ブロック図である。
【図７Ｂ】図７Ａに示される画素回路の例示的な回路図である。
【図８Ａ】図７Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の発光段階での等価回路図である。
【図８Ｂ】図７Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第１監視段階での等価回路図である。
【図８Ｃ】図７Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第１監視段階での別の等価回路図である。
【図８Ｄ】図７Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第１監視段階でのさらに別の等価回路図である。
【図９Ａ】図７Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第２監視段階での第１監視方法の等価回路図である。
【図９Ｂ】図７Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第２監視段階での第１監視方法の別の等価回路図である。
【図９Ｃ】図７Ｂに示される画素回路の例示的な回路図の第２監視段階での第１監視方法のさらに別の等価回路図である。
【図１０】本開示の別の実施例によるディスプレイパネルの概略ブロック図である。
【図１１Ａ】本開示のさらに別の実施例による画素回路の駆動方法の例示的なフローチャートである。
【図１１Ｂ】図１１Ａに示される駆動方法の例示的なタイミング図である。
【図１２Ａ】本開示のさらに別の実施例による別の画素回路の駆動方法の例示的なフローチャートである。
【図１２Ｂ】図１２Ａに示される駆動方法の例示的なタイミング図である。
【図１３Ａ】本開示のさらに別の実施例によるさらに別の画素回路の駆動方法の例示的なフローチャートである。
【図１３Ｂ】図１３Ａに示される駆動方法の例示的なタイミング図である。
【図１４】本開示の一実施例によるさらに別の画素回路の例示的な回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本開示の実施例の目的、技術案及び利点をより明瞭にするために、以下、本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案を明瞭且つ完全に説明する。勿論、説明される実施例は、本開示の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。説明される本開示の実施例に基づいて、当業者が創造的な努力を必要とせずに想到し得るすべての他の実施例は、本開示の保護範囲に属する。
特に定義しない限り、ここで使用されている技術用語又は科学用語は当業者が理解できる通常の意味を有する。本開示に使用されている「第１」、「第２」及び類似する用語は、順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するためのものにすぎない。同様に、「含む」又は「備える」等の類似する用語は、「含む」又は「備える」の前に記載された素子又は部材が、「含む」又は「備える」の後に挙げられる素子又は部材及びその同等物を含むが、ほかの素子又は部材を排除しないことを意味する。「接続」又は「連結」等の類似する用語は、物理的又は機械的接続に限定されず、直接接続されるか間接的に接続されるかに関わらず、電気的接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」等は、相対位置関係を示すだけであり、説明対象の絶対位置が変わると、該相対位置関係も変わる。
【００１９】
本開示の実施例は、画素回路及びその駆動方法、ディスプレイパネルを提供し、検知段階の充電速度を高めて、検知値の精度を向上させ、さらに画素回路の補正効果を向上させて、ディスプレイパネルの表示均一性を高め、表示効果を向上させる。
【００２０】
本開示の少なくとも１つの実施例は画素回路を提供し、該画素回路は第１選択回路、第１駆動回路、第１コンデンサ、第１検知回路、第１有機発光素子、第２コンデンサ及びコンデンサ制御回路を備える。第１選択回路と第１コンデンサは第１駆動回路を制御するように配置され、第１駆動回路は第１有機発光素子に電気的に接続され且つ第１有機発光素子を駆動するように配置され、第１検知回路は第１駆動回路と第１有機発光素子に電気的に接続され且つ第１駆動回路又は第１有機発光素子を検知するように配置され、コンデンサ制御回路は第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し又は遮断するように配置される。
【００２１】
たとえば、図１Ａは本開示の一実施例による画素回路の概略ブロック図であり、図１Ａに示されるように、該画素回路は第１選択回路１０２、第１駆動回路１０１、第１コンデンサ１２１、第１検知回路１０３、第１有機発光素子１３１、第２コンデンサ１２２及びコンデンサ制御回路１２３を備える。たとえば、第１選択回路１０２、第１駆動回路１０１、第１コンデンサ１２１、第１検知回路１０３、第１有機発光素子１３１、第２コンデンサ１２２及びコンデンサ制御回路１２３の具体的な形態は、実際の用途の要件に応じて設定されることができ、本開示では、それについて具体的に制限しない。たとえば、本開示の一実施例による画素回路は、図１Ｂに示される回路図のように実現できる。
【００２２】
たとえば、図１Ａと図１Ｂに示されるように、第１駆動回路１０１は第１有機発光素子１３１（たとえば、図１Ｂに示されるＥＬ１）に電気的に接続され且つ第１有機発光素子１３１を駆動するように配置される。たとえば、第１駆動回路１０１は第１トランジスタＴ１を含み、第１トランジスタＴ１は第１端子、第２端子及び制御端子を含み、制御端子は、オン信号（たとえば、高レベル信号）を受信する場合は、第１端子と第２端子をオンさせる。たとえば、画素回路はさらに第１ノード１５１と第２ノード１５２を備え、第１トランジスタＴ１の第１端子は第１電源端子ＯＶＤＤに電気的に接続され、第１トランジスタＴ１の第２端子は第１ノード１５１に電気的に接続され、第１トランジスタＴ１の制御端子は第２ノード１５２に電気的に接続される。たとえば、第１電源端子ＯＶＤＤは一定の正電圧を出力するために電圧源としてもよく、電流源等としてもよい。
【００２３】
たとえば、図１Ａと図１Ｂに示されるように、第１有機発光素子１３１の第１端子は第１ノード１５１に電気的に接続され、第１有機発光素子１３１の第２端子は第２電源端子ＶＳＳに電気的に接続される。たとえば、第１有機発光素子１３１は有機発光ダイオードであり、第２電源端子ＶＳＳは接地端子である。たとえば、第１トランジスタＴ１の制御端子がオン信号を受信する場合、第１電源端子ＯＶＤＤからの電気信号（たとえば、電流信号）は第１有機発光素子１３１（たとえば図１Ｂに示されるＥＬ１）の発光を駆動できる。
【００２４】
たとえば、図１Ａと図１Ｂに示されるように、第１選択回路１０２と第１コンデンサ１２１（たとえば、図１Ｂに示されるＣ１）は、第１駆動回路１０１を制御するように配置される。たとえば、第１選択回路１０２は第２トランジスタＴ２を含み、第２トランジスタＴ２の第１端子は第１データラインＤＡＴＡ１に電気的に接続され、第２トランジスタＴ２の第２端子は第２ノード１５２に電気的に接続される。たとえば、第２トランジスタＴ２の制御端子がオン信号を受信する場合、第１データラインＤＡＴＡ１からの電気信号は第２トランジスタＴ２によって第１トランジスタＴ１の制御端子に伝送されて、第１コンデンサＣ１に記憶され、第２ノード１５２の電圧を変えて、それによって、次に第１トランジスタＴ１を必要に応じてオンさせて、第１有機発光素子ＥＬ１を駆動する。たとえば、第１コンデンサ１２１の第１端子は第１ノード１５１に電気的に接続され、第１コンデンサ１２１の第２端子は第２ノード１５２に電気的に接続される。
【００２５】
たとえば、図１Ａと図１Ｂに示されるように、コンデンサ制御回路１２３は第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに並列接続し又は遮断するように配置される。たとえば、コンデンサ制御回路１２３は第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５を含み、第４トランジスタＴ４の第１端子は第２ノード１５２に電気的に接続され、第４トランジスタＴ４の第２端子は第２コンデンサ１２２の第１端子に電気的に接続され、第５トランジスタＴ５の第１端子は第１ノード１５１に電気的に接続され、第５トランジスタＴ５の第２端子は第２コンデンサ１２２の第２端子に電気的に接続される。たとえば、実際の用途の要件に応じて、第４トランジスタＴ４の制御端子と第５トランジスタＴ５の制御端子は同一信号ライン又は異なる信号ラインに電気的に接続される。たとえば、第４トランジスタＴ４の制御端子と第５トランジスタＴ５の制御端子がオン信号（たとえば、高レベル信号）を受信する場合、第４トランジスタＴ４の第１端子と第２端子はオンになり、且つ第５トランジスタＴ５の第１端子と第２端子はオンになり、このとき、コンデンサ制御回路１２３は第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに並列接続する。また、たとえば、第４トランジスタＴ４の制御端子と第５トランジスタＴ５の制御端子がオフ信号（たとえば、低レベル信号）を受信する場合、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５はともにオフ（遮断）状態になり、このとき、コンデンサ制御回路１２３は第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに遮断する。
【００２６】
たとえば、図１Ａと図１Ｂに示されるように、第１検知回路１０３は第１駆動回路１０１と第１有機発光素子１３１に電気的に接続され且つ第１駆動回路１０１又は第１有機発光素子１３１を検知するように配置される。たとえば、第１検知回路１０３は第３トランジスタＴ３を含み、第３トランジスタＴ３の第１端子は第１ノード１５１に電気的に接続され、第３トランジスタＴ３の第２端子は第１監視ラインＳＥＮＳＥ１に電気的に接続される。たとえば、第３トランジスタＴ３がオンになった場合、第１監視ラインＳＥＮＳＥ１を介して画素回路が出力した電気信号を取得し、又は、第１監視ラインＳＥＮＳＥ１を介して画素回路へ電気信号を入力する。
【００２７】
発光段階において、第４トランジスタＴ４の制御端子と第５トランジスタＴ５の制御端子はオフ信号（たとえば、低レベル信号）を受信し、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５はオフ状態になり、図１Ｂに示される回路図は図２Ａに示される回路図に相当する。この場合、コンデンサ制御回路１２３は第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに遮断し、このとき、監視を必要としないため、第３トランジスタＴ３の制御端子はオフ信号（たとえば、低レベル信号）を受信し、それにより第３トランジスタＴ３はオフ状態になり、又は、第３トランジスタＴ３はオン状態になり、第１監視ラインＳＥＮＳＥ１に低レベル電圧が印加される。第２トランジスタＴ２の制御端子はオン信号（たとえば、高レベル信号）を受信し且つ第１端子はデータ信号を受信して第１コンデンサＣ１を充電し、第２ノード１５２の電圧を上げて、第１トランジスタＴ１をオン状態にし、図１Ｂに示される画素回路は、第１有機発光素子１３１を駆動して正常に発光させ、すなわち、図１Ｂに示される画素回路は、上記条件において発光段階にある。
【００２８】
たとえば、監視段階において、第１駆動回路１０１及び／又は第１有機発光素子１３１が監視される。第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５の制御端子はオン信号を受信し、図１Ｂに示される回路図は図２Ｂに示される回路図に相当する。このとき、コンデンサ制御回路１２３は第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに並列接続し、従って、図２Ｂに示される回路図はまた図２Ｃに示される回路図に相当し、このようにして、第１駆動回路１０１を制御するための容量値はＣ１からＣ１＋Ｃ２に増加する。第１駆動回路のパラメータを監視するために、制御信号が印加されて第２トランジスタＴ２と第３トランジスタＴ３をオンさせ、第１データラインＤＡＴＡ１からの電気信号（すなわちデータ信号、たとえば、基準データ信号）はオンした第２トランジスタＴ２によって並列接続された第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２を充電して、第１トランジスタＴ１はオン状態になり、それにより、駆動電流は第１電源端子ＯＶＤＤから第１トランジスタＴ１、第１有機発光素子ＥＬ１を流れ、且つ該駆動電流は第１検知回路１０３により取得され（たとえば、オンした第３トランジスタＴ３によって第１監視ラインＳＥＮＳＥ１に出力される）、それによって、第１検知回路１０３は第１駆動回路１０１（たとえば、第１トランジスタＴ１）を経た電気信号を監視して、第１駆動回路１０１のパラメータ（たとえば第１トランジスタＴ１の閾値電圧）を取得し、たとえば、該第１駆動回路１０１のパラメータによってデータ信号への補正値が決定される。
【００２９】
たとえば、第１有機発光素子ＥＬ１のパラメータを監視するために、図１Ｂに示されるように、第３トランジスタＴ３の制御端子がオン信号（たとえば、高レベル信号）を受信し、第２トランジスタＴ２の制御端子がオフ信号（たとえば、低レベル信号）を受信し且つ第１データラインＤＡＴＡ１がたとえば高レベル信号を出力する場合、第３トランジスタＴ３はオン状態になり、第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２はオフ状態になり、必要に応じて、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５をオフ状態にして、第１検知回路１０３で第１有機発光素子１３１へ電気信号を入力することによって、第１有機発光素子１３１を経た電気信号を監視し、さらに第１有機発光素子１３１を監視して、第１有機発光素子１３１のパラメータ（たとえば第１有機発光素子１３１の内部抵抗）を取得し、たとえば、該パラメータによって駆動電流への補正値が決定される。
【００３０】
たとえば、図２Ｄは検知回路が取得した検知電圧値の経時的な変化の曲線であり、図２Ｄに示されるように、駆動回路を制御する容量値が０．２ｐＦから１ｐＦに増加する場合、検知段階の充電速度が高まり、且つ検知値がさらに正確になる（検知回路が取得した検知電圧値は３．７４Ｖから４．８Ｖに増加する）。たとえば、本開示の一実施例による画素回路では、第１監視段階において、第１駆動回路１０１を制御するための容量値がＣ１＋Ｃ２に増加するため、検知段階の充電速度を高めて、第１検知回路１０３が取得した検知値の精度を向上させ、さらに画素回路補正時により正確な電気信号を提供して、画素回路の補正効果を向上させる。
【００３１】
たとえば、第１監視段階と表示段階の設定方式について実際の用途に応じて設定でき、本開示の実施例では、それについて具体的に限定しない。たとえば、本開示の一実施例による画素回路を備えたディスプレイパネルの表示周期ごとに、第１監視段階と表示段階が含まれ、各表示周期の第１監視段階が表示段階前にあってもよいため、第１駆動回路１０１及び／又は第１有機発光素子１３１の劣化状況をタイムリーに検知して、さらに表示周期ごとに更新した検知値を用いて画素回路を補正し、より良好な画素回路の補正効果を実現できる。また、たとえば、該画素回路を含むディスプレイパネルを起動させた後の初期段階だけに第１検知回路１０３で検知値を取得し、取得した検知値で画素回路を補正してもよく、このようにして、画素回路補正をより行う上に、省電力を実現する。
【００３２】
たとえば、図３Ａは本開示の一実施例による別の画素回路の概略ブロック図であり、図１Ａに示される画素回路に比べて、図３Ａに示される画素回路は、第２選択回路１０７、第２駆動回路１０６及び第２有機発光素子１３２をさらに含む。たとえば、第２選択回路１０７、第２駆動回路１０６及び第２有機発光素子１３２の具体的な形態は、実際の用途の要件に応じて設定され、本開示では、それについて具体的に制限しない。たとえば、本開示の一実施例による画素回路は、図３Ｂに示される回路図のように実現できる。
【００３３】
たとえば、図３Ａと図３Ｂに示されるように、第２駆動回路１０６は第２有機発光素子１３２に電気的に接続され且つ第２有機発光素子１３２（たとえば図３Ｂに示されるＥＬ２）を駆動するように配置される。たとえば、第２駆動回路１０６は第６トランジスタＴ６を含む。たとえば、画素回路はさらに第３ノード１５３と第４ノード１５４を備え、第６トランジスタＴ６の第１端子は第１電源端子ＯＶＤＤに電気的に接続され、第６トランジスタＴ６の第２端子は第３ノード１５３に電気的に接続され、第６トランジスタＴ６の制御端子は第４ノード１５４に電気的に接続される。
【００３４】
たとえば、図３Ａと図３Ｂに示されるように、第２有機発光素子１３２の第１端子は第３ノード１５３に電気的に接続され、第２有機発光素子１３２の第２端子は第２電源端子ＶＳＳに電気的に接続される。たとえば、実際の用途の要件に応じて、第２有機発光素子１３２と第１有機発光素子１３１は、独立して駆動され且つ同一色又は異なる色の光を発光してもよく、本開示の実施例では、それについて具体的に限定しない。たとえば、第６トランジスタＴ６の制御端子がオン信号を受信する場合、第１電源端子ＯＶＤＤからの電気信号（たとえば、電流信号）は第２有機発光素子１３２を駆動して発光させる。
【００３５】
たとえば、図３Ａと図３Ｂに示されるように、第２選択回路１０７と第２コンデンサ１２２（たとえば、図３Ｂに示されるＣ２）は第２駆動回路１０６を制御するように配置される。たとえば、第２選択回路１０７は第７トランジスタＴ７を含み、第７トランジスタＴ７の第１端子は第２データラインＤＡＴＡ２に電気的に接続され、第７トランジスタＴ７の第２端子は第４ノード１５４に電気的に接続される。たとえば、第１データラインＤＡＴＡ１と第２データラインＤＡＴＡ２は２本の異なるデータラインであってもよい。たとえば、第７トランジスタＴ７がオン信号を受信する場合、第２データラインＤＡＴＡ２からの電気信号は、第７トランジスタＴ７によって第６トランジスタＴ６の制御端子に伝送されて、第２コンデンサＣ２に記憶され、第４ノード１５４の電圧を変え、このように、次に第６トランジスタＴ６は必要に応じてオンになり、第２有機発光素子ＥＬ２を駆動する。たとえば、第２コンデンサ１２２の第１端子は第４ノード１５４に電気的に接続され、第２コンデンサ１２２の第２端子は第３ノード１５３に電気的に接続される。
【００３６】
たとえば、発光段階において、第４トランジスタＴ４の制御端子と第５トランジスタＴ５の制御端子はオフ信号を受信し、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５はオフ状態になり、図３Ｂに示される回路図は図４Ａに示される回路図に相当する。このような場合、コンデンサ制御回路１２３は第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに遮断し、このとき、監視を必要としないため、第３トランジスタＴ３の制御端子はオフ信号（たとえば、低レベル信号）を受信し、それにより第３トランジスタＴ３はオフ状態になり、又は、第３トランジスタＴ３をオン状態にしてもよい。第１監視ラインＳＥＮＳＥ１に低レベル電圧が印加される。上記説明のとおり、第１信号ラインＤＡＴＡ１の信号に基づいて、第２トランジスタＴ２と第１コンデンサＣ１は協働して第１トランジスタＴ１を制御し、それと独立して、第２信号ラインＤＡＴＡ２の信号に基づいて、第７トランジスタＴ７と第２コンデンサＣ２は協働して第６トランジスタＴ６を制御し、このようにして、図３Ｂに示される画素回路は第１有機発光素子１３１と第２有機発光素子１３２を駆動して正常に発光させる。
【００３７】
たとえば、第１監視段階（たとえば、第１駆動回路１０１及び／又は第１有機発光素子１３１を監視する）において、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５の制御端子はオン信号を受信し、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５はオン状態になり、図３Ｂに示される回路図は図４Ｂに示される回路図に相当する。このとき、コンデンサ制御回路１２３は第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに並列接続し、また、第６トランジスタＴ６の第１端子と第１電源端子ＯＶＤＤはオフになり（たとえばフローティング）、従って、図４Ｂに示される回路図はさらに図４Ｃと図４Ｄに示される回路図に相当し、このため、第１駆動回路１０１を制御するための容量値がＣ１からＣ１＋Ｃ２に増加する。よって、同様に、第１駆動回路１０１及び／又は第１有機発光素子１３１を監視できる。
【００３８】
たとえば、本開示の一実施例による別の画素回路については、検知段階の充電速度を高めて、第１検知回路１０３が取得した検知値の精度及び画素回路の補正効果を向上させるだけでなく、それに隣接する画素のコンデンサを共用することで容量を増加させ画素回路の補正効果を向上させる。画素ごとにそれに並列接続されたコンデンサを増設したり、容量値がより大きいコンデンサを用いる必要がないため、製造コストを削減させて、該画素回路を備えたディスプレイパネルの開口率を増加することができる。
【００３９】
たとえば、第２監視段階（たとえば、第２駆動回路１０６及び／又は第２有機発光素子１３２を監視する）において、同様に、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５の制御端子はオン信号を受信し、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５はオン状態になり、図３Ｂに示される回路図は図５Ａに示される回路図に相当する。このとき、コンデンサ制御回路１２３は第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに並列接続し、また、第１トランジスタＴ１の第１端子と第１電源端子ＯＶＤＤはオフになり（たとえばフローティング）、従って、図５Ａに示される回路図はさらに図５Ｂと図５Ｃに示される回路図に相当し、このため、第２駆動回路１０６を制御するための容量値がＣ１からＣ１＋Ｃ２に増加する。よって、同様に、第２駆動回路１０６を監視できる。また、第２有機発光素子１３２を監視することもでき、具体的に、監視方法は図１Ｂの画素回路による第１有機発光素子１３１の監視方法を参照すればよいため、重複な説明を省略する。たとえば、第３トランジスタＴ３をオン状態にして、第１検知回路１０３で第１有機発光素子１３１と第２有機発光素子１３２へ電気信号を入力し、それによって、第１有機発光素子１３１と第２有機発光素子１３２を経た電気信号を監視することができ、従って、第２有機発光素子１３２の電気信号を含む情報を取得して、さらに第２有機発光素子１３２を監視して、第２有機発光素子１３２のパラメータを取得することができ、たとえば、該パラメータによって駆動電流への補正値が決定される。該方法で監視されたパラメータに第１有機発光素子１３１の情報も含まれているため、第２有機発光素子１３２の補正効果へ悪影響を与える可能性がある。
【００４０】
たとえば、本開示の一実施例による別の画素回路については、画素ごとにそれに並列接続されたコンデンサを増設したり、容量値がより大きいコンデンサを用いたりせずに、検知段階の充電速度を高めて、第１検知回路１０３が取得した検知値の精度及び画素回路の補正効果を向上させるだけでなく、２つの画素ごとに１つだけの検知回路が設置されることができるため、製造コストをさらに削減させて、該画素回路を備えたディスプレイパネルの開口率を増加する。
【００４１】
たとえば、図６Ａは、本開示の一実施例によるさらに別の画素回路の概略ブロック図であり、図３Ａに示される画素回路に比べて、図６Ａに示される画素回路はさらに第２検知回路１０８を含む。たとえば、第２検知回路１０８の具体的な形態は実際の用途の要件に応じて設定でき、本開示では、それについて具体的に制限しない。たとえば、本開示の一実施例による画素回路は、図６Ｂに示される回路図のように実現できる。
【００４２】
たとえば、図６Ａと図６Ｂに示されるように、第２検知回路１０８は第２駆動回路１０６と第２有機発光素子１３２に電気的に接続され且つ第２駆動回路１０６又は第２有機発光素子１３２を検知するように配置される。たとえば、第２検知回路１０８は、第８トランジスタＴ８を含み、第８トランジスタＴ８の第１端子は第３ノード１５３に電気的に接続され、第８トランジスタＴ８の第２端子は第２監視ラインＳＥＮＳＥ２に電気的に接続される。
【００４３】
たとえば、図７Ａは本開示の一実施例によるさらに別の画素回路の概略ブロック図であり、図６Ａに示される画素回路に比べて、図７Ａに示される画素回路はさらに第１制御回路１０９と第２制御回路１１０を備える。たとえば、第１制御回路１０９と第２制御回路１１０の具体的な形態は実際の用途の要件に応じて設定でき、本開示では、それについて具体的に制限しない。たとえば、本開示の一実施例による画素回路は、図７Ｂに示される回路図のように実現できる。
【００４４】
たとえば、図７Ａと図７Ｂに示されるように、第１制御回路１０９は、第１駆動回路１０１が第１電源端子ＯＶＤＤに電気的に接続されるか否かを制御するように配置され、第２制御回路１１０は、第２駆動回路１０６が第１電源端子ＯＶＤＤに電気的に接続されるか否かを制御するように配置される。たとえば、第１制御回路１０９は第９トランジスタＴ９を含み、第２制御回路１１０は第１０トランジスタＴ１０を含み、第９トランジスタＴ９の第１端子は第１トランジスタＴ１の第１端子に電気的に接続され、第９トランジスタＴ９の第２端子は第１電源端子ＯＶＤＤに電気的に接続され、第１０トランジスタＴ１０の第１端子は第６トランジスタＴ６の第１端子に電気的に接続され、第１０トランジスタＴ１０の第２端子は第１電源端子ＯＶＤＤに電気的に接続される。たとえば、第１制御回路１０９／第２制御回路１１０の制御端子がオン信号を受信する場合、第１駆動回路１０１／第２制御回路１１０は第１電源端子ＯＶＤＤに電気的に接続される。
【００４５】
たとえば、発光段階において、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５の制御端子はオフ信号を受信することで、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５はオフ状態になり、第２トランジスタＴ２、第７トランジスタＴ７及び第９トランジスタＴ９−第１０トランジスタＴ１０の制御端子はオン信号を受信し、第２トランジスタＴ２、第７トランジスタＴ７、第９トランジスタＴ９−第１０トランジスタＴ１０はオン状態になる。勿論、このとき、監視を必要としないため、第３トランジスタＴ３と第８トランジスタＴ８はオフ状態になり、又は、第３トランジスタＴ３と第８トランジスタＴ８はオン状態になる。第１監視ラインＳＥＮＳＥ１と第２監視ラインＳＥＮＳＥ２に低レベル電圧が印加される。上記説明のとおり、第１信号ラインＤＡＴＡ１の信号に基づいて、第２トランジスタＴ２と第１コンデンサＣ１は協働して第１トランジスタＴ１を制御し、それと独立して、第２信号ラインＤＡＴＡ２の信号に基づいて、第７トランジスタＴ７と第２コンデンサＣ２は協働して第６トランジスタＴ６を制御し、このように、図７Ｂに示される回路図は図８Ａに示される回路図に相当する。このとき、コンデンサ制御回路１２３は第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに遮断し、図７Ｂに示される画素回路は第１有機発光素子１３１と第２有機発光素子１３２を駆動して正常に発光させる。
【００４６】
たとえば、第１監視段階において、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５の制御端子はオン信号を受信し、第４トランジスタＴ４−第５トランジスタＴ５はオン状態になり、第９トランジスタＴ９はオン状態になり、第１０トランジスタＴ１０はオフ状態になり、図７Ｂに示される回路図は図８Ｂに示される回路図に相当する。このとき、コンデンサ制御回路１２３は、第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに並列接続し、それによって、図８Ｂに示される回路図はさらに図８Ｃと図８Ｄに示される回路図に相当し、第１駆動回路１０１を制御するための容量値がＣ１からＣ１＋Ｃ２に増加し、このようにして、検知段階の充電速度を高めて、第１検知回路１０３が取得した検知値の精度を向上させるとともに、さらに画素回路補正時により正確な電気信号を提供して、画素回路の補正効果を向上させる。
【００４７】
たとえば、第２監視段階において、同様に、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５の制御端子はオン信号を受信し、第４トランジスタＴ４−第５トランジスタＴ５はオン状態になり、第１０トランジスタＴ１０はオン状態になり、第９トランジスタＴ９はオフ状態になり、図７Ｂに示される回路図は図９Ａに示される回路図に相当する。このとき、コンデンサ制御回路１２３は、第１コンデンサ１２１と第２コンデンサ１２２を互いに並列接続し、このように、図９Ａに示される回路図はさらに図９Ｂと図９Ｃに示される回路図に相当し、それによって、第２駆動回路１０６を制御する容量値がＣ２からＣ１＋Ｃ２に増加し、このようにして、検知段階の充電速度を高めて、第２検知回路１０８が取得した検知値の精度を向上させるとともに、画素回路補正時により正確な電気信号を提供して、画素回路の補正効果を向上させる。勿論、第２監視段階において、第１検知回路１０３で第２駆動回路１０６及び／又は第２有機発光素子１３２を監視してもよく、具体的には図５Ａ−図５Ｃに示される実施例を参照すればよいため、ここで詳細な説明を省略する。
【００４８】
なお、コンデンサ制御回路１２３の設置形態は以上の実施例（たとえば、図７Ｂに示される実施例）に示される２つのトランジスタを含む形態（たとえば、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５）に制限されない。たとえば、図１４に示されるように、実際の用途の要件に応じて、コンデンサ制御回路１２３は１つのトランジスタを含んでもよく、たとえば、コンデンサ制御回路１２３は第４トランジスタＴ４のみ含む。たとえば、図７Ｂに示される画素回路に比べて、図１４に示される画素回路において、第２コンデンサＣ２の第１端子は第４トランジスタＴ４の第２端子に電気的に接続され、第２コンデンサＣ２の第２端子は第１ノードと第３ノードに電気的に接続され、第１コンデンサＣ１の第１端子は第１ノードと第３ノードに電気的に接続、第１コンデンサＣ１の第２端子は第２ノードに電気的に接続される。たとえば、図１４に示される実施例では、コンデンサ制御回路１２３は１つだけのトランジスタを含むため、画素回路の構造が簡素化されるとともに、画素回路のコストが低下する。
【００４９】
図１０は本開示の別の実施例によるディスプレイパネルの概略ブロック図である。該ディスプレイパネルはサブ画素アレイを備え、該サブ画素アレイは複数のサブ画素を含み、サブ画素はそれぞれ本開示の少なくとも一実施例による画素回路を含み、又は、２つの隣接するサブ画素は本開示の少なくとも一実施例による画素回路を含む。なお、該ディスプレイパネルのほかの構成部分（たとえばゲート駆動回路、データ駆動回路、電源駆動回路、検知駆動回路等）としては適用できる通常の部材が使用でき、以上は当業者が公知するものであるため、ここで詳細な説明を省略し、また、本開示の実施例の制限とならない。本開示の実施例によるディスプレイパネルは、検知段階の充電速度を高めて、検知値の精度を向上させ、さらに補正効果を向上させる。
【００５０】
なお、本開示の実施例では、使用されるトランジスタは薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ又は同一特性を有するほかのスイッチングデバイスであってもよい。ここで使用されているトランジスタのソース、ドレインが構造的に対称にしてもよいため、ソース、ドレインは構造的に同じであってもよい。本開示の実施例では、トランジスタの制御端子であるゲートを区別するために、残りの一方の電極を第１端子、他方の電極を第２端子として説明し、従って、本開示の実施例では、すべて又は一部のトランジスタの第１端子と第２端子は必要に応じて交換することができる。たとえば、本開示の実施例では、トランジスタの第１端子はソース、第２端子はドレインであり、又は、トランジスタの第１端子はドレイン、第２端子はソースである。また、トランジスタの特性に応じてトランジスタはＮ型とＰ型トランジスタに分類でき、本開示の実施例では、トランジスタのタイプについて限定がなく、当業者であれば、必要に応じてＮ型及び／又はＰ型トランジスタを用いて本開示の実施例を実施できる。
【００５１】
本開示の実施例は、上記図１Ａ〜図９Ｃに示される画素回路を含むが、それに制限されず、たとえば、画素回路はさらにほかのサブ回路を備えてもよく、たとえば、第１トランジスタゲートのリセットに用いるリセット回路を含み、又は、たとえば、内部補正回路等を含んでもよく、ここで詳細な説明を省略する。
本開示の実施例における有機発光素子は、たとえば有機発光ダイオードであり、該有機発光ダイオードは各種タイプのものであってもよく、たとえば、トップエミッションタイプ又はボトムエミッションタイプ、重合体タイプ又は小分子タイプなどがある。
【００５２】
本開示のさらに別の実施例は、画素回路の駆動方法を提供し、該画素回路の駆動方法は、第１監視段階において、コンデンサ制御回路で第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第１検知回路で第１駆動回路又は第１有機発光素子を監視することを含む。
たとえば、図１１Ａは本開示のさらに別の実施例による画素回路の駆動方法の例示的なフローチャートである。たとえば、図１Ａと図１Ｂに示される画素回路を例にすれば、図１１Ａに示されるように、該画素回路の駆動方法は以下のステップを含む。
【００５３】
ステップＳ１１０、第１監視段階Ｍ１において、コンデンサ制御回路で第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第１検知回路で第１駆動回路又は第１有機発光素子を監視する。
ステップＳ１２０、発光段階ＥＬにおいて、コンデンサ制御回路で第１コンデンサと第２コンデンサを互いに遮断し、且つ駆動回路で第１有機発光素子の動作を駆動する。
【００５４】
たとえば、図１１Ｂは図１１Ａに示される駆動方法の例示的なタイミング図である。たとえば、図１Ｂに示される第２トランジスタＴ２−第５トランジスタＴ５の制御端子はそれぞれＧ２−Ｇ５で示される。
【００５５】
たとえば、図１１Ｂに示されるように、第１監視段階Ｍ１において、第２トランジスタＴ２−第５トランジスタＴ５の制御端子Ｇ２−Ｇ５はすべて高レベル信号を受信し、第１信号ラインＤＡＴＡ１はたとえば高レベル信号を出力し、第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２は充電され、このように第２ノード１５２の電圧が高くなり、従って、第１トランジスタＴ１の制御端子も高レベル信号を受信する。また、第１監視ラインＳＥＮＳＥ１はたとえばフローティング状態になり、第１電源端子ＯＶＤＤは高レベル状態にある。従って、第１監視段階Ｍ１において、第１トランジスタＴ１−第５トランジスタＴ５はオンになり、図１Ｂに示される回路図は図２Ｂと図２Ｃに示される回路図に相当し、すなわち、コンデンサ制御回路は第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第１検知回路は第１駆動回路を監視し、また、第１監視段階Ｍ１において、第１有機発光素子についても監視することができ、具体的な駆動タイミング図は、画素回路の実施例及び図１１Ｂを参照して取得できるため、ここで詳細な説明を省略する。
【００５６】
たとえば、図１１Ｂに示されるように、発光段階ＥＬにおいて、たとえば、第２トランジスタＴ２−第３トランジスタＴ３の制御端子Ｇ２−Ｇ３は高レベル信号を受信し、第４トランジスタＴ４−第５トランジスタＴ５の制御端子Ｇ４−Ｇ５は低レベル信号を受信し、第１信号ラインＤＡＴＡ１は、たとえば高レベル信号を出力し、第１コンデンサＣ１は充電され、このようにして、第２ノード１５２の電圧が高くなり、従って、第１トランジスタＴ１の制御端子も高レベル信号を受信する。また、第１監視ラインＳＥＮＳＥ１はたとえば低レベル状態にあり、第１電源端子ＯＶＤＤは高レベル状態にある。従って、発光段階ＥＬにおいて、第１トランジスタＴ１−第３トランジスタＴ３はオンになり、第４トランジスタＴ４−第５トランジスタＴ５はオフになり、図１Ｂに示される回路図は図２Ａに示される回路図に相当し、すなわち、コンデンサ制御回路は第１コンデンサと第２コンデンサを互いに遮断し、且つ駆動回路は第１有機発光素子を駆動して正常に動作させる。たとえば、本開示のさらに別の実施例による画素回路の駆動方法の詳細は図１と図２に示される画素回路の実施例を参照すればよいため、ここで詳細な説明を省略する。
【００５７】
たとえば、図１２Ａは本開示のさらに別の実施例による別の画素回路の駆動方法の例示的なフローチャートである。たとえば、図３Ａと図３Ｂに示される画素回路を例にすれば、図１２Ａに示されるように、該画素回路の駆動方法は以下のステップを含む。
【００５８】
ステップＳ２１０、第１監視段階Ｍ１において、コンデンサ制御回路で第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第１検知回路で第１駆動回路又は第１有機発光素子を監視する。
ステップＳ２２０、第２監視段階Ｍ２において、コンデンサ制御回路で第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第１検知回路で第２駆動回路又は第２有機発光素子を監視する。
ステップＳ２３０、発光段階ＥＬにおいて、コンデンサ制御回路で第１コンデンサと第２コンデンサを互いに遮断し、且つ駆動回路で第１有機発光素子及び／又は第２有機発光素子の動作を駆動する。
【００５９】
たとえば、図１２Ｂは図１２Ａに示される駆動方法の例示的なタイミング図である。たとえば、図３Ｂに示される第２トランジスタＴ２−第５トランジスタＴ５及び第７トランジスタＴ７の制御端子はそれぞれＧ２−Ｇ５、Ｇ７で示される。
【００６０】
たとえば、図１２Ｂに示されるように、第１監視段階Ｍ１において、第２トランジスタＴ２−第５トランジスタＴ５の制御端子Ｇ２−Ｇ５は高レベル信号を受信し且つ第７トランジスタＴ７の制御端子Ｇ７は低レベル信号を受信し、第１信号ラインＤＡＴＡ１は高レベル信号を出力し、第２信号ラインＤＡＴＡ２は低レベル信号を出力し、第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２は充電され、このようにして、第２ノード１５２の電圧が高くなり、従って、第１トランジスタＴ１の制御端子は高レベル信号を受信する。また、第６トランジスタＴ６の第１端子と第１電源端子ＯＶＤＤを遮断する。たとえば、第１監視ラインＳＥＮＳＥ１はフローティング状態になり、第１電源端子ＯＶＤＤは高レベル状態にある。従って、第１監視段階Ｍ１において、第１トランジスタＴ１−第５トランジスタＴ５はオンになり、第７トランジスタＴ７はオフになり、第６トランジスタＴ６はオンになったものの、第１端子が第１電源端子ＯＶＤＤと遮断するため、監視操作に悪影響を与えることがなく、図３Ｂに示される回路図は図４Ｂ−図４Ｄに示される回路図に相当し、すなわち、コンデンサ制御回路は第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第１検知回路は第１駆動回路を監視し、また、第１監視段階Ｍ１において、第１有機発光素子についても監視することができ、具体的な駆動タイミング図は画素回路の実施例及び図１２Ｂを参照して取得することができるため、ここで詳細な説明を省略する。
【００６１】
たとえば、図１２Ｂに示されるように、第２監視段階Ｍ２において、第３トランジスタＴ３−第５トランジスタＴ５、第７トランジスタＴ７の制御端子Ｇ３−Ｇ５、Ｇ７は高レベル信号を受信し、且つ第２トランジスタＴ２の制御端子Ｇ２は低レベル信号を受信し、第１信号ラインＤＡＴＡ１は低レベル信号を出力し、第２信号ラインＤＡＴＡ２は高レベル信号を出力し、第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２は充電され、このようにして、第４ノード１５４の電圧が高くなり、従って、第１トランジスタＴ１と第６トランジスタＴ６の制御端子は高レベル信号を受信する。また、第１トランジスタＴ１の第１端子と第１電源端子ＯＶＤＤを遮断する。第１監視ラインＳＥＮＳＥ１はフローティング状態にあり、第１電源端子ＯＶＤＤは高レベル状態にある。従って、第２監視段階Ｍ２において、第３トランジスタＴ３−第７トランジスタＴ７はオンになり、第２トランジスタＴ２はオフになり、第１トランジスタＴ１はオンになったものの、第１端子が第１電源端子ＯＶＤＤと遮断するため、監視操作に悪影響を与えることがなく、図３Ｂに示される回路図は図５Ａ−図５Ｃに示される回路図に相当し、すなわち、コンデンサ制御回路は第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第１検知回路は第２駆動回路を監視し、また、第２監視段階Ｍ２において、第２有機発光素子についても監視することができ、具体的な駆動タイミング図は画素回路の実施例及び図１２Ｂを参照して取得することができ、ここで詳細な説明を省略する。
【００６２】
たとえば、図１２Ｂに示されるように、発光段階において、第２トランジスタＴ２−第３トランジスタＴ３、第７トランジスタＴ７の制御端子Ｇ２−Ｇ３、Ｇ７は高レベル信号を受信し、且つ第４トランジスタＴ４の制御端子と第５トランジスタＴ５の制御端子Ｇ４−Ｇ５は低レベル信号を受信し、第１信号ラインＤＡＴＡ１と第２信号ラインＤＡＴＡ２はたとえば高レベル信号を出力し、第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２はそれぞれ独立して充電され、このようにして、第２ノード１５２と第４ノード１５４の電圧がデータラインＤＡＴＡ１とＤＡＴＡ２のデータ電圧に応じてそれぞれ高くなり、従って、第１トランジスタＴ１と第６トランジスタＴ６の制御端子も高レベル信号を受信する。また、第１監視ラインＳＥＮＳＥ１は低レベル状態にあり、第１電源端子ＯＶＤＤは高レベル状態にある。従って、発光段階ＥＬにおいて、第１トランジスタＴ１−第３トランジスタＴ３、第６トランジスタＴ６−第７トランジスタＴ７はオンになり、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５はオフになり、図３Ｂに示される回路図は図４Ａに示される回路図に相当し、すなわち、コンデンサ制御回路は第１コンデンサと第２コンデンサを互いに遮断し、且つ駆動回路は第１有機発光素子と第２有機発光素子の動作を駆動する。たとえば、本開示のさらに別の実施例による別の画素回路の駆動方法の詳細は図３−図５に示される画素回路の実施例を参照すればよいため、ここで詳細な説明を省略する。
【００６３】
たとえば、図１３Ａは本開示のさらに別の実施例によるさらに別の画素回路の駆動方法の例示的なフローチャートである。たとえば、図７Ａと図７Ｂに示される画素回路を例にすれば、図１３Ａに示されるように、該画素回路の駆動方法は以下のステップを含む。
【００６４】
ステップＳ３１０、第１監視段階Ｍ１において、コンデンサ制御回路で第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第１検知回路で第１駆動回路又は第１有機発光素子を監視する。
ステップＳ３２０、第２監視段階Ｍ２において、コンデンサ制御回路で第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第２検知回路で第２駆動回路又は第２有機発光素子を監視する。
ステップＳ３３０、発光段階ＥＬにおいて、コンデンサ制御回路で第１コンデンサと第２コンデンサを互いに遮断し、且つ駆動回路で第１有機発光素子及び／又は第２有機発光素子の動作を駆動する。
【００６５】
たとえば、図１３Ｂは図１３Ａに示される駆動方法の例示的なタイミング図である。たとえば、図７Ｂに示される第２トランジスタＴ２−第５トランジスタＴ５、第７トランジスタＴ７−第１０トランジスタＴ１０の制御端子はそれぞれＧ２−Ｇ５、Ｇ７−Ｇ１０で示される。
【００６６】
たとえば、図１３Ｂに示されるように、第１監視段階Ｍ１において、第２トランジスタＴ２−第５トランジスタＴ５及び第９トランジスタＴ９の制御端子Ｇ２−Ｇ５、Ｇ９は高レベル信号を受信し、且つ第７トランジスタＴ７−第８トランジスタＴ８及び第１０トランジスタＴ１０の制御端子Ｇ７−Ｇ８、Ｇ１０は低レベル信号を受信し、第１信号ラインＤＡＴＡ１は高レベル信号を出力し、第２信号ラインＤＡＴＡ２は低レベル信号を出力し、第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２は充電され、このようにして、第２ノード１５２の電圧が高くなり、従って、第１トランジスタＴ１と第６トランジスタＴ１の制御端子は高レベル信号を受信する。また、第６トランジスタＴ６の第１端子と第１電源端子ＯＶＤＤを遮断し、第１監視ラインＳＥＮＳＥ１はフローティング状態になり、第１電源端子ＯＶＤＤは高レベル状態になる。従って、第１監視段階Ｍ１において、第１トランジスタＴ１−第５トランジスタＴ５及び第９トランジスタＴ９はオンになり、第７トランジスタＴ７、第８トランジスタＴ８及び第１０トランジスタＴ１０はオフになり、第６トランジスタＴ６はオンになったものの、第１端子が第１電源端子ＯＶＤＤと遮断するため、監視操作に悪影響を与えることがなく、図７Ｂに示される回路図は図８Ｂ−図８Ｄに示される回路図に相当し、すなわち、コンデンサ制御回路は第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第１検知回路は第１駆動回路を監視し、また、第１監視段階Ｍ１において、第１有機発光素子についても監視することができ、具体的な駆動タイミング図は画素回路の実施例及び図１３Ｂを参照して取得することができるため、ここで詳細な説明を省略する。
【００６７】
たとえば、図１３Ｂに示されるように、第２監視段階Ｍ２において、第４トランジスタＴ４−第５トランジスタＴ５、第７トランジスタＴ７−第８トランジスタＴ８及び第１０トランジスタＴ１０の制御端子Ｇ４−Ｇ５、Ｇ７−Ｇ８、Ｇ１０は高レベル信号を受信し且つ第２トランジスタＴ２−第３トランジスタＴ３及び第９トランジスタＴ９の制御端子Ｇ２−Ｇ３、Ｇ９は低レベル信号を受信し、第１信号ラインＤＡＴＡ１は低レベル信号を出力し、第２信号ラインＤＡＴＡ２は高レベル信号を出力し、第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２は充電され、このようにして、第４ノード１５４の電圧が高くなり、従って、第１トランジスタＴ１と第６トランジスタＴ６の制御端子は高レベル信号を受信する。また、第１トランジスタＴ１の第１端子と第１電源端子ＯＶＤＤを遮断させ、第１監視ラインＳＥＮＳＥ１はフローティング状態になり、第１電源端子ＯＶＤＤは高レベル信号を出力する。従って、第２監視段階Ｍ２において、第４トランジスタＴ４−第８トランジスタＴ８及び第１０トランジスタＴ１０はオンになり、第３トランジスタＴ３及び第９トランジスタＴ９はオフになり、第１トランジスタＴ１はオンになったものの、第１端子が第１電源端子ＯＶＤＤと遮断するため、監視操作に悪影響を与えることがなく、図７Ｂに示される回路図は図９Ａ−９Ｃに示される回路図に相当し、すなわち、コンデンサ制御回路は第１コンデンサと第２コンデンサを互いに並列接続し、且つ第２検知回路は第２駆動回路を監視し、また、第２監視段階Ｍ２において、第２有機発光素子についても監視することができ、具体的な駆動タイミング図は画素回路の実施例及び図１３Ｂを参照して取得することができるため、ここで詳細な説明を省略する。
【００６８】
たとえば、図１３Ｂに示されるように、発光段階ＥＬにおいて、第２トランジスタＴ２−第３トランジスタＴ３及び第７トランジスタＴ７−第１０トランジスタＴ１０の制御端子Ｇ２−Ｇ３、Ｇ７−Ｇ１０は高レベル信号を受信し、且つ第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５の制御端子Ｇ４−Ｇ５は低レベル信号を受信し、第１信号ラインＤＡＴＡ１と第２信号ラインＤＡＴＡ２は高レベル信号を出力し、第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２はそれぞれ独立して充電され、このようにして、第２ノード１５２と第４ノード１５４の電圧はデータラインＤＡＴＡ１とＤＡＴＡ２のデータ電圧に応じてそれぞれ高くなり、従って、第１トランジスタＴ１と第６トランジスタＴ６の制御端子も高レベル信号を受信する。また、第１監視ラインＳＥＮＳＥ１は低レベル状態にあり、第１電源端子ＯＶＤＤは高レベル状態にある。従って、発光段階ＥＬにおいて、第１トランジスタＴ１−第３トランジスタＴ３及び第６トランジスタＴ６−第１０トランジスタＴ１０はオンになり、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５はオフになり、図７Ｂに示される回路図は図８Ａに示される回路図に相当し、すなわち、コンデンサ制御回路は第１コンデンサと第２コンデンサを互いに遮断し、且つ駆動回路は第１有機発光素子と第２有機発光素子の動作を駆動する。上記説明から分かるように、第１有機発光素子と第２有機発光素子は互いに独立して動作するため、起動するか否か及び発光の輝度が、それぞれ第１データラインＤＡＴＡ１と第２データラインＤＡＴＡ２によって別々に制御できる。たとえば、本開示のさらに別の実施例によるさらに別の画素回路の駆動方法の詳細は図７−図９に示される画素回路の実施例を参照すればよく、ここで詳細な説明を省略する。
【００６９】
たとえば、図１１Ｂ、図１２Ｂ及び図１３Ｂはそれぞれ図１１Ａ、図１２Ａ及び図１３Ａに示される駆動方法のタイミング図を例示的に示している。たとえば、図１３Ｂでは、高レベルが示されているとき、第１監視段階Ｍ１、第２監視段階Ｍ２又は表示段階ＥＬにわたってすべてが高レベルが示されるが、本開示の実施例はそれに制限されず、たとえば、第２トランジスタＴ２−第３トランジスタＴ３、第７トランジスタＴ７−第８トランジスタＴ８は、高レベル信号が入力されたとき、１つの段階において一部の時間に高レベル信号（たとえば、発光段階の場合は、発光段階の初期にある信号書込み段階のみに、高レベル信号が入力される）が入力され、該段階の残りの時間に、低レベル信号が入力され、このようにして、画素回路駆動による消費電力が減少される。
【００７０】
たとえば、本開示の一実施例による駆動方法のタイミング図において、明瞭にするため、第１監視段階及び／又は第２監視段階及び発光段階のみ説明されているが、画素回路のほかの可能な動作段階はいずれも当業者の知見に基づいて存在することができ、ここで詳細な説明を省略し、本発明の実施例の制限とならない。
本開示のさらに別の実施例による画素回路の駆動方法は、検知段階の充電速度を高めて、検知値の精度を向上させ、さらに補正効果を向上させる。
【００７１】
以上、一般的な説明及び好ましい実施形態にて、本開示について詳細に説明したが、本開示の実施例に基づいて、いくつかの変更や改良をすることができることは、当業者にとって自明なことである。従って、本開示の趣旨を逸脱せずに行われるこれらの変更や改良はすべて本開示の保護範囲に属する。
【００７２】
以上は本開示の例示的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲を制限するものではなく、本開示の保護範囲は添付した特許請求の範囲により決定される。
本願は、２０１７年５月１２日に提出した中国特許出願第２０１７１０３３３２１２．５号に対して優先権を主張し、該中国特許出願の全内容は引用により本願の一部として組み入れる。
【図１Ａ】
2020519913.tif 000003
【図１Ｂ】
2020519913.tif 000004
【図２Ａ】
2020519913.tif 000005
【図２Ｂ】
2020519913.tif 000006
【図２Ｃ】
2020519913.tif 000007
【図２Ｄ】
2020519913.tif 000008
【図３Ａ】
2020519913.tif 000009
【図３Ｂ】
2020519913.tif 000010
【図４Ａ】
2020519913.tif 000011
【図４Ｂ】
2020519913.tif 000012
【図４Ｃ】
2020519913.tif 000013
【図４Ｄ】
2020519913.tif 000014
【図５Ａ】
2020519913.tif 000015
【図５Ｂ】
2020519913.tif 000016
【図５Ｃ】
2020519913.tif 000017
【図６Ａ】
2020519913.tif 000018
【図６Ｂ】
2020519913.tif 000019
【図７Ａ】
2020519913.tif 000020
【図７Ｂ】
2020519913.tif 000021
【図８Ａ】
2020519913.tif 000022
【図８Ｂ】
2020519913.tif 000023
【図８Ｃ】
2020519913.tif 000024
【図８Ｄ】
2020519913.tif 000025
【図９Ａ】
2020519913.tif 000026
【図９Ｂ】
2020519913.tif 000027
【図９Ｃ】
2020519913.tif 000028
【図１０】
2020519913.tif 000029
【図１１Ａ】
2020519913.tif 000030
【図１１Ｂ】
2020519913.tif 000031
【図１２Ａ】
2020519913.tif 000032
【図１２Ｂ】
2020519913.tif 000033
【図１３Ａ】
2020519913.tif 000034
【図１３Ｂ】
2020519913.tif 000035
【図１４】
2020519913.tif 000036
【国際調査報告】
2020519913.tif 000037
2020519913.tif 000038
2020519913.tif 000039
2020519913.tif 000040
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