(57)【要約】  イオンエネルギーをブーストするための方法及び装置が本明細書で企図される。一実施形態では、方法及び装置は、コントローラと、ウェハを処理するように構成された対称プラズマ源を有する処理チャンバと、処理チャンバに結合され、プラズマ密度を生成する以上の高周波数（ＶＨＦ）源と、１以上のＶＨＦ源に対して低周波数を生成し、処理チャンバの底部電極に結合され、底部電極上のプラズマシース内のエネルギーを散逸させるように構成された２以上の低周波数発生器を備え、コントローラは１以上のＶＨＦ源を制御してＶＨＦ信号を生成し、２以上の低周波数発生器を制御して２以上の低周波数信号を生成する。
2020511786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置であって、
コントローラと、
ウェハを処理するように構成された対称プラズマ源を有する処理チャンバと、
処理チャンバに結合され、プラズマ密度を生成する以上の高周波数（ＶＨＦ）源と、
１以上のＶＨＦ源に対して低周波数を生成し、処理チャンバの底部電極に結合され、底部電極上のプラズマシース内のエネルギーを散逸させるように構成された２以上の低周波数発生器を備え、
コントローラは１以上のＶＨＦ源を制御してＶＨＦ信号を生成し、２以上の低周波数発生器を制御して２以上の低周波数信号を生成するプラズマ処理装置。
【請求項２】
１以上のＶＨＦ源と処理チャンバの間でインピーダンス整合するように構成されたＶＨＦ整合器と、
底部電極と２以上の低周波数発生器の間でインピーダンス整合するように構成された２以上の低周波数整合器を備えた請求項１記載の装置。
【請求項３】
２以上の低周波数を分離するように構成された２以上のアイソレータを備えた請求項２記載の装置。
【請求項４】
処理チャンバは、
ＶＨＦ整合器に結合され、２以上の低周波数発生器のための低インピーダンスグランドリターンとして作用するように構成された複数の対称導体と、
複数の対称導体に結合された上部電極と、
ウェハを支持するように構成された静電チャックを備え、
処理チャンバはＤＣグランドに接続される請求項２記載の装置。
【請求項５】
処理チャンバは、
複数の対称的な導体を含み、伝導性であり且つＲＦホットである中空円筒と、
ＤＣグランドとして作用し、上部電極に結合された外側中空円筒と内側中空円筒を備える請求項４記載の装置。
【請求項６】
１以上のＶＨＦ源のうちの少なくとも１つは、約３０ＭＨｚを超える周波数を有する信号を生成し、２以上の低周波数信号は、４ＭＨｚ未満の周波数を有する請求項１〜５のいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
２以上の低周波数発生器のうちの第１周波数発生器は２ＭＨｚの周波数の信号を生成し、２以上の低周波数発生器のうちの第２周波数発生器は４００ｋＨｚの周波数の信号を生成する請求項１〜５のいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
２以上の低周波数信号のうちの１の信号は、２以上の低周波数信号のうちの他の信号の周波数の高調波である周波数を有する請求項１〜５のいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
底部電極に結合された高電圧プローブを備える請求項１〜５のいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
プラズマ処理方法であって、
処理チャンバを用いてウェハを処理する工程と、
１以上のＶＨＦ源で１以上の高周波数（ＶＨＦ）信号を対称導体を介して処理チャンバの上部電極に提供する工程と、
２以上の低周波数発生器で２以上の低周波数信号を処理チャンバの底部電極に提供する工程を含む方法。
【請求項１１】
ＶＨＦ整合器を用いて、１以上のＶＨＦ源と処理チャンバとのインピーダンス整合を行う工程と、
２以上の低周波数整合器を各々用いて、底部電極と２以上の低周波数発生器のインピーダンス整合を行う工程を含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
２以上のアイソレータを用いて、２以上の低周波数を各々分離する工程を含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
処理チャンバは、
ＶＨＦ整合器に結合され、２以上の低周波数発生器のための低インピーダンスグランドリターンとして作用するように構成された複数の対称導体と、
複数の対称導体に結合された上部電極と、
ウェハを支持するように構成された静電チャックを備え、
処理チャンバはＤＣグランドに結合される請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
２以上の低周波数信号は４ＭＨｚ未満の周波数を有する請求項１０〜１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
約３０ＭＨｚより大きいＶＨＦの信号を生成する工程と、
２以上の低周波数信号の周波数として、２ＭＨｚの第１周波数を有する第１信号と４００ｋＨｚの第２周波数を有する第２信号とを生成する工程を含む請求項１０〜１３のいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【分野】
【０００１】
本明細書に開示される実施形態は、概して、プラズマ支援基板処理技術のための方法及び装置に関する。
【背景】
【０００２】
半導体製造業界では、基板（例えば、半導体ウェハ等）上にエッチングされるフィーチャのサイズは減少し続け、トランジスタ構造はますます複雑になっている。例えば、縦型ＮＡＮＤメモリ構造の場合のように、横方向ではなく縦方向にトランジスタのチェーンを形成する傾向が増大している。これらの垂直構造は、電気経路のためのインフラストラクチャを築くことができるようにコンタクト又は深いトレンチを作るために非常に高いアスペクト比のホールを作らなければならないので、それら自身の特有の課題を伴う。
【０００３】
これらの高アスペクト比のホールのエッチングは、豊富な供給（イオンフラックス）における高イオンエネルギーの使用を必要とする。エッチング中に穴が曲がったりねじれたりしないこと、及び穴が深くなってもエッチング速度が著しく損失しないように穴が一貫性を維持することが重要である。通常採用されている解決策には幾つかの問題がある。第１に、既存の解決法は、同じ駆動電極に周波数を印加することが多く、プラズマシースに影響を及ぼすことによりイオンエネルギーとイオンフラックスとを密接に結び付ける。実用上の問題として、すべての周波数を同じ駆動電極に結合することは、より高いフラックス（より高いＶＨＦ）が必要とされるときに、より高い、及びより高い低周波数電力（イオンエネルギーに関与する）を必要とする。既存の技術に関する第２問題は、チャンバ及びウェハ搬送基板への伝送線への熱負荷が過度であるということである。
【０００４】
従って、本発明者らは、イオンエネルギーとイオンフラックスとを分離し、プラズマ処理における伝送線への熱負荷を低減するプラズマ処理のための方法及び装置を提供した。
【概要】
【０００５】
低周波数イオンエネルギーブーストを用いたプラズマ処理のための方法及び装置が本明細書で提供される。幾つかの実施形態では、イオンエネルギーをブーストする装置は、コントローラと、基板（例えば、ウェハ）を処理するように構成された対称プラズマ源を有する処理チャンバと、処理チャンバに結合され、プラズマ密度を生成する１以上の高周波数（ＶＨＦ）源と、１以上のＶＨＦ源に対して低周波数を生成し、処理チャンバの底部電極に結合され、プラズマシース内のエネルギーを散逸させるように構成された２以上の低周波数発生器を備え、コントローラは１以上のＶＨＦ源を制御してＶＨＦ信号を生成し、２以上の低周波数発生器を制御して２以上の低周波数信号を生成する。
【０００６】
他の実施形態では、低周波数イオネネルギーブーストを用いたプラズマ処理方法は、処理チャンバ内で対称プラズマ源を用いてウェハを処理する工程と、プラズマシース内のエネルギーを散逸させるため所定の閾値未満の２以上の周波数を提供する工程であって、周波数は処理チャンバの底部電極に提供される工程と、１以上のフラックス生成周波数を対称プラズマ源に提供する工程と、バイアス周波数のため低周波数ＤＣグランドを提供する工程を含む。
【０００７】
他の及び更なる実施形態を以下で説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
上記で簡単に要約され、以下でより詳細に論じられる本開示の実施形態は、添付図面に示される本開示の例示的実施形態を参照することにより理解することができる。しかしながら、添付図面は本開示の典型的な実施形態のみを例示しており、従って本開示は他の同等に有効な実施形態を含み得るため、その範囲を限定するものと解釈されない。
【図１】本明細書に開示される例示的実施形態によるイオンエネルギーをブーストするための処理チャンバのブロック図である。
【図２】本明細書に開示される例示的実施形態による図１の処理チャンバの上部のより詳細なブロック図である。
【図３】本開示の例示的実施形態によるコントローラのブロック図である。
【図４】本明細書に開示される例示的実施形態によるイオンエネルギーをブーストするための方法のフロー図である。
【図５】本明細書に開示される処理チャンバに提供することができる幾つかの波形を示す。
【図６】本明細書に開示される例示的実施形態によるイオンエネルギー分布を示す。
【図７】本明細書に開示される例示的実施形態によるイオンエネルギー分布の複数のグラフを示す。
【０００９】
理解を容易にするために、可能な場合、図面に共通の同一の要素を示すために同一の参照番号が使用されている。図は一定の縮尺で描かれておらず、明確にするために簡略化されている場合がある。一実施形態の要素及び特徴は、更なる言及なしに他の実施形態に有益に組み込むことができる。
【詳細な説明】
【００１０】
イオンエネルギーブーストのための方法及び装置の実施形態が本明細書に提供される。一実施形態によれば、基板（例えば、半導体ウェハ等）を処理するための装置が提供される。装置は、上部電極に結合された対称ＶＨＦプラズマ源と、バルクプラズマではなくプラズマシース内の電力を散逸させる２以上の低周波数源に結合された底部電極とを備える。 ２以上の低周波数が選択され、個々の低周波数ではなく、これら２つの低周波数が組み合わせて使用されると、これらは十分な振幅変調（例えば、より高いピーク‐ピーク間電圧を提供するため、０．２〜１の変調深さ）を提供する。対称ＶＨＦプラズマ源は、底部電極に印加される低周波数のため上部電極を介した低インピーダンスリターンを提供し、一方、上部電極はＲＦホットであり、１以上のＶＨＦ周波数がプラズマ密度を生成する。上部電極の低インピーダンスグランドは、バイアス電流が低周波数発生器に戻ることを可能にする。幾つかの実施形態では、処理チャンバは、上部電極に印加されるＶＨＦに感受性のある、又は底部電極に印加される２以上の低周波数の共鳴周波数に感受性のある補助電極を更に含む。
【００１１】
図１は、例示的実施形態によるイオンエネルギーをブーストするための装置１００のブロック図である。
【００１２】
装置１００は、ＶＨＦ源１０１と、ＶＨＦ整合器１０２と、処理チャンバ１１１と、第１周波数発生器１４０と、第２周波数発生器１５０と、第１低周波数整合器１０４と、第２低周波数整合器１２２と、第１アイソレータ１１０と、第２アイソレータ１１２と、コントローラ１７０を備える。幾つかの実施形態では、高電圧（ＨＶ）プローブ１３０が底部電極１０６の底部に結合される。
【００１３】
処理チャンバ１１１は、１以上の対称導体１０３と、上部電極１０５と、底部電極１０６と、ウェハ１０７を支持するための静電チャック１０９を備える。
【００１４】
ＶＨＦ源１０１は、約３０ＭＨｚ〜約３００ＭＨｚの高周波数（ＶＨＦ）信号を生成する。ＶＨＦ源１０１は伝送ラインを介してＶＨＦ整合器１０２に結合される。ＶＨＦ整合器１０２は、ＶＨＦ源１０１のインピーダンスを負荷（例えば、処理チャンバ１１１）のインピーダンスと整合させるインピーダンス整合回路であり、伝送ライン上で最大の電力伝達を維持する。ＶＨＦ源１０１は、プラズマ密度を増加させ、従って処理チャンバ１１１内でイオン流を誘導させる。幾つかの実施形態では、処理チャンバ１１１に結合される２以上のＶＨＦ源がある。このような実施形態では、各々のＶＨＦ源は各々の整合回路に接続され、その出力は処理チャンバ１１１に結合される。
【００１５】
処理チャンバ１１１は、対称プラズマ源、即ち、集合的に対称導体１０３と称される複数の対称導体を含み、それらはＲＦ電力を均一で対称的な方法で上部電極１０５に供給する。対称導体１０３は中空円筒１５９内に収容される。中空円筒１５９は、複数（少なくとも３つ）の円筒状金属構造からなるＲＦ電力供給装置１８０に接続される。３つの中空円筒の例では、中央円筒１６０と内側円筒１６２は上部電極１０５で互いに結合される。内側円筒１６２は上部で環状リング１８２により外側円筒１６４に結合される。対称導体１０３は、環状リング１８２の開口１８４を介して中央円筒１６０に接続される。全ての円筒は全てチャンバグランドに接続されるので、上部電極１０５は低インピーダンスバイアス電流リターンを提供するＤＣ電位であるチャンバグランドに接続される。
【００１６】
従って、対称導体は、第１周波数発生器１４０及び第２周波数発生器１５０により発生される低周波数信号のための低インピーダンスグランドリターンとして作用する。上部電極１０５は、円筒を介して処理チャンバ１１１にＤＣグランドされ、従って、低周波数のための良好な低インピーダンスリターンとしても作用する。
【００１７】
処理されるウェハ１０７は、静電チャック１０９により支持される。底部電極１０６は静電チャック１０９の下方にあり、第１アイソレータ１１０及び第１低周波数整合器１０４を介して第１周波数発生器１４０に結合される。また、底部電極１０６は第２アイソレータ１１２及び第２低周波数整合器１２２を介して第２周波数発生器１５０に結合される。
【００１８】
第１低周波数整合器１０４及び第２低周波数整合器１２２は、各々、第１周波数発生器１４０及び第２周波数発生器１５０のインピーダンスをロードインピーダンスと整合させるインピーダンス整合回路である。第１低周波数整合器１０４及び第２低周波数整合器１２２は、結合される発生器の周波数に対応するように選択される。一実施形態では、例えば、第１周波数発生器１４０が２ＭＨｚの周波数信号発生器である場合、第１低周波数整合器１０４は２ＭＨｚの整合器となる。同様に、第２周波数発生器１５０が４００ｋＨｚの周波数信号発生器である場合、第２低周波数整合器１２２は４００ｋＨｚの整合器となる。
【００１９】
第１アイソレータ１１０及び第２アイソレータ１１２は、アイソレータに直接供給されている信号を除き、他のすべての周波数信号（反射信号）を除去するように選択される。例えば、第１周波数発生器１４０が２ＭＨｚの信号を発生し、第２周波数発生器１５０が４００ｋＨｚの信号を生成する場合、第１アイソレータ１１０は２ＭＨｚの整合器を介して２ＭＨｚの周波数発生器に結合される４００ｋＨｚのＲＦアイソレータであり、第２アイソレータ１１２は４００ｋＨｚの整合器を介して４００ｋＨｚの周波数発生器に結合される２ＭＨｚのアイソレータである。そして、第１アイソレータ１１０及び第２アイソレータ１１２からの分離信号が底部電極１０６に結合される。
【００２０】
例示的実施形態によれば、プローブ１３０は、底部電極１０６の電圧を測定するための高電圧プローブである。３つ以上の低周波数信号が底部電極１０６に供給される実施形態では、（対応する周波数のために選択された）対応する数のアイソレータと、（対応する周波数のために選択された）対応する数の低周波数インピーダンス整合器が用いられる。例えば、第１周波数発生器１４０が２である場合である。
【００２１】
コントローラ１７０は、ＶＨＦ源１０１により生成された超高周波数信号と、第１周波数発生器１４０及び第２周波数発生器１５０により発生された低周波数を制御する。
【００２２】
実施形態によれば、第１周波数発生器１４０及び第２周波数発生器１５０により発生された周波数は、ＶＨＦ源１０１により発生された信号の周波数よりも少なくとも一桁小さい。幾つかの実施形態では、３以上の周波数発生器があり、従って２以上の低周波数電圧を底部電極１０６に結合することが可能になる。
【００２３】
幾つかの実施形態では、第１周波数発生器１４０及び第２周波数発生器１５０は、４ＭＨｚ未満の周波数を有する信号（波形）を生成する。実施形態の一構成によれば、第１周波数発生器１４０は２ＭＨｚの周波数の信号を発生し、第２周波数発生器１５０は４００ｋＨｚの周波数の信号を生成する。他の実施形態では、周波数は同じでもよく、又は互いの高調波でもよい。高調波の場合（例えば、２ＭＨｚの周波数は４００ｋＨｚの周波数の５次の高調波である）、両方の低周波数間の位相コヒーレンスは、イオンエネルギーを操作するために使用される追加の調整点となる。
【００２４】
４ＭＨｚ未満の２以上の低周波数の選択は、低周波数波形を強く増幅する。例えば、２ＭＨｚの信号は、４００Ｋｈｚのより低い周波数を強く振幅変調し、その結果、プラズマシース上のピーク電圧が著しく高くなり、従って、同じ電力で低いピーク電圧で動作する低周波数と比較して、イオンエネルギーが高くなる。第１周波数発生器１４０及び第２周波数発生器１５０により発生される周波数の選択は、低周波数信号を個別に使用するのとは対照的に、組み合わせて使用すると、より高いピーク‐ピーク間電圧を提供するのに十分な振幅変調を提供する。
【００２５】
図６は、プローブ１３０により測定された様々な周波数における波形を示す。プロット６００は、８ＫＷの電力を生成する２ＭＨｚの周波数での波形を示す。プロット６０２は、８ＫＷの電力を生成する４００ｋＨｚの周波数での波形を示す。最後に、プロット６０４はプローブ１３０による測定を示し、ここで２ＭＨｚ周波数信号は４００ｋＨｚ信号を振幅変調し、各信号は４ｋＷの低減された電力と、７．３１０ｋＶのピーク電圧とを有し、これはプロット６００、６０２に示される個々のピーク電圧より大きいか、又は同じ電力でより高い電圧である。
【００２６】
図６は例示的実施形態によるイオンエネルギー分布を示す。ＶＨＦ信号が上部電極に結合されている間に、底部電極に結合された２以上の低周波数信号を用いることにより達成される「エネルギーブースト」が、単一周波数の非変調信号と共に示される。
【００２７】
これらの周波数の信号は、底部電極１０６を搬送するウェハの上に形成されるプラズマシース内のエネルギー散逸の原因となる。４ＭＨｚ未満の周波数は、プラズマ生成には非効率的であり、プラズマシース上で動作し、高いインピーダンスが底部電極１０６にロードされるため、本実施形態では意図的に選択される。従って、４ＭＨｚ未満の周波数はプラズマシース内の電力を散逸させ、高電圧シースを生成する。
【００２８】
本実施形態によれば、ＶＨＦ信号と低周波数信号とが異なる電極に印加され、周波数分離が大きいので、ＶＨＦ源１０１は、第１周波数発生器１４０及び第２周波数発生器１５０により発生される低周波数信号から分離される。例えば、周波数分離は少なくとも３０ＭＨｚ以上である。高電圧を生成するための電力要件は、低及びＶＨＦ信号の両方が同じ電極に結合される構成から大幅に削減される。その結果、電力を供給する送電線への熱負荷も、単一電極の例と比較して著しく減少する。
【００２９】
図２は、例示的実施形態による図１の処理チャンバ１１１の上部のより詳細なブロック図である。
【００３０】
破線矢印２００はＶＨＦ電流の経路を示す。実線矢印２０２は、第１周波数発生器１４０と第２周波数発生器１５０により発生された信号の電流経路を示す。上部電極１０５はグランドされているので、第１周波数発生器１４０により発生された電流は、実線マーク経路により上部電極を用い、第１周波数発生器１４０に戻る。上部電極１０５がグランドされていなければ、上部電極１０５は、第１周波数発生器１４０から発生した電流が第１周波数発生器に戻るための主経路にならず、均一性は達成されないはずである。幾つかの実施形態では、処理チャンバ１１１は、ＤＣグランドされた上部電極を介して上部にガス導管を備える。
【００３１】
図３は、本開示の例示的実施形態によるコントローラ３００のブロック図である。
【００３２】
イオンエネルギーをブーストするための方法の様々な実施形態は、コントローラ３００により実行することができる。コントローラ３００は、図１のコントローラ１７０の例示的実施形態である。一実施形態によれば、コントローラ３００は、１つ以上のＣＰＵ１〜Ｎと、サポート回路３０４と、Ｉ／Ｏ回路３０６と、システムメモリ３０８を備える。更に、システムメモリ３０８は、制御パラメータ３２０及び周波数コントローラ３２２を含むことができる。ＣＰＵ１〜Ｎは、システムメモリ３０８内に存在する１以上のアプリケーションを実行するように動作可能である。コントローラ３００は、本明細書で説明される実施形態の他の任意のシステム、デバイス、要素、機能、又は方法を実装するために用いることができる。図示の実施形態では、コントローラ３００は、方法４００（図４）をプロセッサ実行可能プログラム命令として実行するように構成することができる。周波数コントローラ３２２は、制御パラメータ３２０を用いて装置１００内の信号発生器の周波数を制御し、制御パラメータ３２０は、１以上のＶＨＦ周波数、第１低周波数（ＶＨＦ周波数に対して）、及び第２低周波数（ＶＨＦ周波数に対して）の少なくとも１を含む。幾つかの実施形態では、３つ以上の低周波数があり、これらの周波数は制御パラメータ３２０として格納される。
【００３３】
異なる実施形態では、コントローラ３００はいかなるタイプのデバイスでもよく、パーソナルコンピュータシステム、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ノートブックコンピュータ、又はネットブックコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ハンドヘルドコンピュータ、ワークステーション、ネットワークコンピュータ、モバイルデバイス（例えば、スマートフォンやＰＤＡ等）、コンシューマデバイス、又は、一般的に、いかなるタイプのコンピューティングデバイス又は電子デバイスを含むが、これらに限定されない。
【００３４】
様々な実施形態では、コントローラ３００は、１つのプロセッサを含むユニプロセッサシステム、又は幾つかのプロセッサ（例えば、２つ、４つ、８つ、又は他の適切な数）を含むマルチプロセッサシステムであってもよい。ＣＰＵ１〜Ｎは、命令を実行することができる任意の適切なプロセッサであってもよい。例えば、様々な実施形態では、ＣＰＵ１〜Ｎは、様々な命令セットアーキテクチャ（ＩＳＡ）のうちのいずれかを実行する汎用又は組み込みプロセッサであってもよい。マルチプロセッサシステムでは、ＣＰＵ１〜Ｎの各々は、必ずしもそうとは限らないが、一般的に同じＩＳＡを実装することができる。
【００３５】
システムメモリ３０８は、ＣＰＵ１〜Ｎによりアクセス可能なプログラム命令及び／又はデータを格納するように構成することができる。様々な実施形態では、システムメモリ３０８は、いかなる適切なメモリ技術（例えば、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、同期ダイナミックＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、不揮発性／フラッシュタイプのメモリ、又はその他のタイプのメモリ等）を用いて実装することができる。図示の実施形態では、上述の実施形態の要素のいずれかを実装するプログラム命令及びデータは、システムメモリ３０８内に格納することができる。他の実施形態では、プログラム命令及び／又はデータは、異なるタイプのコンピュータアクセス可能な媒体、又はシステムメモリ３０８又はコントローラ３００とは分離された同様の媒体で受信、送信又は格納することができる。
【００３６】
一実施形態では、Ｉ／Ｏ回路３０６は、ＣＰＵ１〜Ｎ、システムメモリ３０８、及びネットワークインターフェース又は他の周辺機器インターフェースを含むデバイス内のいかなる周辺デバイス（例えば、出力／入力デバイス）の間のＩ／Ｏトラフィックを調整するよう構成することができる。幾つかの実施形態では、Ｉ／Ｏ回路３０６は、必要なプロトコル、タイミング、又はある構成要素（例えば、システムメモリ３０８）からのデータ信号を他の構成要素（例えばＣＰＵ１〜Ｎ等）による使用に適したフォーマットに変換するためのデータ変換を実行することができる。幾つかの実施形態では、Ｉ／Ｏ回路３０６は、様々なタイプの周辺バスを介して接続されたデバイスのサポート（例えば、ＰＣＩ（Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）バス規格、又はＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ）規格等）を含むことができる。幾つかの実施形態では、Ｉ／Ｏ回路３０６の機能は２以上の分離したコンポーネント（例えば、ノースブリッジとサウスブリッジ等）に分割することができる。また、幾つかの実施形態では、Ｉ／Ｏ回路３０６の機能の幾つか又は全て（例えば、システムメモリへのインターフェース等）はＣＰＵ１〜Ｎに直接的に一体化することができる。
【００３７】
ネットワークインターフェースは、コントローラ３００とネットワークに接続された他の装置（例えば、１以上のディスプレイ装置（図示せず）、又は１つ以上の外部システム等）の間、又はノード間でデータを交換できるように構成される。様々な実施形態では、ネットワークは１以上のネットワークを含むことができ、これらは、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）（例えば、イーサネット又はコーポレイトネットワーク）、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）（例えば、インターネット）、無線データネットワーク、幾つかの他の電子データネットワーク、又はこれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。様々な実施形態では、ネットワークインターフェースはコミュニケーションをサポートすることができ、これは、例えば、有線又は無線の一般データネットワーク（例えば、適切なタイプのイーサーネット等）、テレコミュニケーション／電話ネットワーク（例えば、アナログ音声ネットワーク又はデジタルファイバコミュニケーションネットワーク等）、ストレージエリアネットワーク（例えば、ファイバチャネルＳＡＮ等）、又は任意の他の適切なタイプのネットワーク及び／又はプロトコルを介する。
【００３８】
入力／出力装置は、幾つかの実施形態では、１以上のディスプレイ端末、キーボード、キーパッド、タッチパッド、走査装置、音声又は光学認識装置、又は１以上のコントローラによるデータの入力又はアクセスに適した他の装置を含むことができる。複数の入力／出力装置がコントローラ３００の様々なノードに存在又は分配されていてもよい。幾つかの実施形態では、同様な入力／出力装置はバイアス制御装置３００と別個にすることができ、ネットワークインターフェース等の有線又は無線接続を介してコントローラ３００の１以上のノードと相互作用することができる。
【００３９】
幾つかの実施形態では、図示のコンピュータシステムは、上述の方法のいずれか（例えば、図５のフローチャートにより示される方法等）を実行することができる。他の実施形態では、異なる要素及びデータを含むことができる。
【００４０】
図４は、例示的実施形態によるプラズマ処理においてイオンエネルギーをブーストするための方法４００のフロー図である。
【００４１】
コントローラ３００は、本開示の例示的実施形態による方法４００の例示的実装部分である。
【００４２】
方法は４０２で始まり、４０４に進む。４０４で、コントローラ３００は、ウェハを処理するために処理チャンバ（例えば、処理チャンバ１１１）を制御する。
【００４３】
方法は４０６に進み、ここでコントローラ３００は２以上の周波数発生器を制御し、処理チャンバの電極上のプラズマシース内のエネルギーを散逸させる低周波数信号を生成する。
【００４４】
４０６の後、４０８に進み、ここでコントローラ３００は１以上のＶＨＦ源を制御し、所定の閾値を超える周波数のフラックス生成（又は、ＶＨＦ）信号を生成し、その信号をプラズマチャンバ内の対称導体に結合する。
【００４５】
次に、方法４００は４１０に進み、ここでコントローラ３００はバイアス周波数信号（例えば、２以上の低周波数信号）のために低インピーダンスＤＣグランドを提供する。４１０で、方法は終了する。当業者は、上述のステップが、同期的に、非同期的に、又は両方の組み合わせで、順番に又は同時に実行されてもよいことを認識するであろう。
【００４６】
図７は、例示的実施形態によるイオンエネルギー分布の複数のグラフを示す。図示された各グラフの横軸は１０ｋＥｖまでのイオンエネルギーを表し、縦軸は任意の単位でのイオン振幅を表す。グラフに示されるように、２ＭＨｚと４００ｋＨｚの電力の比率が変わると、振幅とイオンエネルギーはそれに応じて影響を受ける。
【００４７】
上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の及び更なる実施形態は、その基本的な範囲から逸脱することなく創作することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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