(57)【要約】  表面にＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が担持され、炭化ケイ素を含む担体材料を含む組成物であって、前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９質量％が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＶの１種以上である四価元素Ｙ；Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＢの１種以上である三価元素Ｘ；Ｏ；並びにＨからなる組成物。
2020525376.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化ケイ素を含む担体材料を含む組成物であって、前記担体材料の表面に、ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が担持され、前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９質量％が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＶの１種以上である四価元素Ｙ；Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＢの１種以上である三価元素Ｘ；Ｏ；並びにＨからなる組成物。
【請求項２】
前記担体材料に含まれる前記炭化ケイ素が、α−炭化ケイ素、β−炭化ケイ素、及びγ−炭化ケイ素の１種以上、好ましくはα−炭化ケイ素を含み、さらに好ましくは、前記炭化ケイ素の少なくとも９０質量％、さらに好ましくは少なくとも９５質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、α−炭化ケイ素からなる請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記担体材料の少なくとも５０質量％、好ましくは少なくとも６０質量％、さらに好ましくは少なくとも６５質量％が炭化ケイ素からなり、前記担体材料が、任意にさらに元素ケイ素及びシリカの１種以上、好ましくは元素ケイ素及びシリカを含み、前記担体材料の好ましくは少なくとも９５質量％、さらに好ましくは少なくとも９８質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、炭化ケイ素、元素ケイ素、及びシリカからなる請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が、骨格型ＡＥＩを有するか、又は骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料、好ましくは骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料である請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が、骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料であり、Ｙは、好ましくはＳｉであり、Ｘは、好ましくはＡｌである請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
以下の特徴：
１００〜３００ｍ2／ｇの範囲、好ましくは１５０〜２５０ｍ2／ｇの範囲のＢＥＴ比表面積；
１００〜２５０ｍ2／ｇの範囲、好ましくは１５０〜２００ｍ2／ｇの範囲の比微小孔表面積；
２〜１０ｍ2／ｇの範囲、好ましくは３〜９ｍ2／ｇの範囲の外表面積；
０．０５〜０．２０ｃｍ3／ｇの範囲、好ましくは０．０８〜０．１５ｃｍ3／ｇの範囲の総細孔体積；
０．０４〜０．１５ｃｍ3／ｇの範囲、好ましくは０．０７〜０．１２ｃｍ3／ｇの範囲の微小孔体積を有する；
０．００２〜０．０２ｃｍ3／ｇの範囲、好ましくは０．００５〜０．０１５ｃｍ3／ｇの範囲の吸着累積細孔体積；
の１種以上を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
前記担体材料の前記ゼオライト材料による負荷が、５〜５０％の範囲、好ましくは１５〜４５％の範囲、さらに好ましくは２５〜４０％の範囲である請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
前記担体材料の表面に担持される前記ゼオライト材料の結晶子が、立方晶系の形態であり、前記立方晶系の少なくとも９０％が、１〜１０μｍの範囲、好ましくは１．５〜８．５μｍの範囲、さらに好ましくは２〜７μｍの範囲の辺長を有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
遷移金属をさらに含み、前記遷移金属が、好ましくはＣｕ及びＦｅの１種以上を含み、さらに好ましくはＣｕ、又はＦｅ、又はＣｕ及びＦｅであり、さらに好ましくは、前記遷移金属はＣｕを含み、さらに好ましくはＣｕである請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組成物において、前記ゼオライト材料に対する元素として計算される、前記遷移金属の質量比が、０．１：１〜５．０：１の範囲、好ましくは０．５：１〜４．０：１の範囲、さらに好ましくは１．０：１〜３．０：１の範囲である請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物を調製する方法であって、
（ｉ）Ｙ源、Ｘ源、塩基源、好ましくはＡＥＩ／ＣＨＡ骨格構造指向剤を含み、さらに炭化ケイ素を含む担体材料を含む水性合成混合物を調製する工程；
（ｉｉ）（ｉ）で調製された前記合成混合物を、水熱結晶化条件に供する工程であり、（ｉ）で調製された前記合成混合物を前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料の結晶化温度に、自家圧力下で加熱する工程、前記加熱した合成混合物をこの結晶化温度で、結晶化時間保持する工程、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト及び母液を含む結晶化混合物を得る工程を含む工程；
を含む方法。
【請求項１２】
ＹがＳｉであり、前記Ｙ源が、ケイ酸塩、シリカ、ケイ酸、コロイド状シリカ、ヒュームドシリカ、テトラアルコキシシラン、シリカ水酸化物、沈降シリカ、及び粘土の１種以上、好ましくは湿式法シリカ、乾式法シリカ、及びコロイド状シリカの１種以上を含み；
ＸがＡｌであり、前記Ｘ源が、金属アルミニウム、アルミン酸塩、アルミニウムアルコラート及び水酸化アルミニウムの１種以上、さらに好ましくは水酸化アルミニウム及びアルミニウムトリイソプロピラートの１種以上、さらに好ましくは水酸化アルミニウムであり；
前記塩基源が、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の１種以上の源、好ましくはアルカリ金属塩基、さらに好ましくはアルカリ金属水酸化物、さらに好ましくは水酸化ナトリウムである；
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
（ｉ）で調製され、（ｉｉ）に供される前記合成混合物において、ＹＯ2として計算されるＹ源の質量、及びＸ（ＯＨ）3として計算されるＸ源の質量の合計に対する前記塩基の質量比が、１．５：１より大きい、好ましくは２：１より大きい、さらに好ましくは３：１〜１０：１の範囲、さらに好ましくは４：１〜９：１の範囲、さらに好ましくは５：１〜８：１の範囲である請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ゼオライト材料が、骨格型ＣＨＡを有し、前記ＣＨＡ骨格構造指向剤が、Ｎ−アルキル−３−キヌクリジノール、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリアルキル−エキソアミノノルボルナン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンチルアンモニウム化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−２−アダマンチルアンモニウム化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルシクロヘキシルアンモニウム化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３，３−ジメチルピペリジニウム化合物、Ｎ，Ｎ−メチルエチル−３，３−ジメチルピペリジニウム化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−メチルピペリジニウム化合物、１，３，３，６，６−ペンタメチル−６−アゾニオ-ビシクロ（３．２．１）オクタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、及びＮ，Ｎ，Ｎ−トリメチルベンジルアンモニウム化合物の１種以上、好ましくはそれらの水酸化物を含み、さらに好ましくは前記ＣＨＡ骨格構造指向剤が、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンチルアンモニウム化合物の１種以上、さらに好ましくはＮ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンチルアンモニウム水酸化物を含む請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
（ｉｉ）に従う前記結晶化温度が、１３０〜２００℃の範囲、好ましくは１４０〜１９０℃の範囲、さらに好ましくは１５０〜１８０℃の範囲であり、前記結晶化時間が、好ましくは２４時間より長い、さらに好ましくは３６〜１４４時間の範囲、さらに好ましくは４２〜１２０時間の範囲である請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、遷移金属、好ましくはＣｕ及びＦｅの１種以上による、さらに好ましくはＣｕによるイオン交換に供する工程であって、好ましくは前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料、前記遷移金属源、前記金属Ｍ源用の溶媒、及び任意に酸、好ましくは有機酸を含む混合物を調製する工程であり、前記溶媒は、好ましくは水を含み、前記遷移金属源は、好ましくは遷移金属塩を含み、且つ前記酸は、好ましくは酢酸を含む工程；並びに得られた前記混合物を、３０〜９０℃の範囲、好ましくは４０〜８０℃の範囲の温度に加熱する工程、を含むイオン交換に供する工程をさらに含む請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の方法によって得られうる又は得られる請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１８】
触媒又は触媒成分としての、好ましくは排出ガス流の処理における、さらに好ましくはディーゼルエンジンの排出ガス流の処理における請求項１〜１０のいずれか１項、又は請求項１７に記載の組成物の使用方法であって、前記処理において、ディーゼルエンジンの排出ガス流中に含まれる窒素酸化物が、好ましくは選択的に還元される使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化ケイ素を含む担体材料を含む組成物であって、前記担体材料の表面に、ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が担持される組成物、前記組成物の調製方法、及び触媒又は触媒成分としてのその使用方法に関連する。
【背景技術】
【０００２】
ゼオライト材料は、ＮＨ3を用いるＳＣＲ等の触媒用途のために広く研究されている。そのようなゼオライト材料の骨格型は、例えば、ＭＦＩ又はＢＥＡを含む。言及され得るさらなる材料は、ＣＨＡ骨格型を有するＳＡＰＯ−３４及びＳＳＺ−１３、特に銅及び／又は鉄を含むものである。しかしながら、それらの安定性は、厳しい反応条件下での銅種の望ましくない焼結、並びにゼオライトの結晶性（crystallinity）及び多孔性の破壊のため、いまだに問題のままである。小さな細孔及び強酸性を有するＣＨＡ型ゼオライト材料、特に銅と交換されたＳＳＺ−１３ゼオライト材料は、良好なＮＨ3−ＳＣＲ活性及び選択性を示す。しかしながら、一般に、それぞれのゼオライト系触媒は、５５０℃を上回ると失活を示す場合がある。実際の用途において、前記温度は８００℃を超えて急上昇する可能性があり、前記触媒の耐久性が低下する場合が多い。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ａ．Ｓｈｉｓｈｋｉｎ，Ｈ. Ｋａｎｎｉｓｔｏ，Ｐ．Ａ．Ｃａｒｌｓｓｏｎ，Ｈ．Ｈａｒｅｌｉｎｄ，Ｍ．Ｓｋｏｇｌｕｎｄｈ；Ｃａｔａｌ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．ｎｏ．４ （２０１４）；ｐｐ．３９１７−３９２６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、特にディーゼルエンジンの排出ガス流の処理において、好ましくは触媒又は触媒成分として使用される場合に、改善された材料を提供することであった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
したがって、本発明は、炭化ケイ素を含む担体材料を含む組成物であって、前記担体材料の表面に、ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が担持され、前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９質量％が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＶの１種以上である四価元素Ｙ；Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＢの１種以上である三価元素Ｘ；Ｏ；並びにＨからなる組成物に関連する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施例１に詳細に記載される通り、ＳｉＣ担体材料、純粋なＣＨＡゼオライト材料及びＳｉＣ材料に担持された典型的なＣＨＡゼオライト材料のＸＲＤパターンを示す。
【図２】図２は、実施例１に詳細に記載される通り、非担持の状態、及び担持された状態のＳｉＣ担体材料のＳＥＭ画像を示す。
【図３】図３は、実施例１に詳細に記載される通り、異なる量のＮａＯＨ水溶液の存在下で調製されたＳｉＣ担体材料に担持されたＣＨＡ骨格型を有するゼオライト材料を含む組成物の結晶相及び形態を示す。
【図４】図４は、実施例１に詳細に記載される通り、異なる結晶化時間で調製されたＳｉＣ担体材料に担持されたＣＨＡ骨格型を有するゼオライト材料を含む組成物の結晶相及び形態を示す。
【図５】図５は、実施例１に詳細に記載される通り、骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料、ＳｉＣ担体材料、及びＳｉＣ担体材料に担持されたＣＨＡ骨格型を有するゼオライト材料を含む組成物の窒素吸着／脱着等温線（isotherm）、並びに合成時間の関数としてのＳｉＣ担体材料に担持されたＣＨＡ骨格型を有するゼオライト材料を含む組成物のＢＥＴ比表面積を示す。
【図６】図６は、ＣＨＡ骨格を有する非担持の銅含有ゼオライト材料と比較した、異なる銅含有量を有するＳｉＣ担体材料に担持されたＣＨＡ骨格型を有するゼオライト材料を含む銅含有組成物のＮＨ3−ＳＣＲ性能を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
一般に、前記担体材料に含まれる炭化ケイ素の化学的性質に関して、特に制限は存在しない。好ましくは、前記担体材料に含まれる炭化ケイ素は、α−炭化ケイ素、β−炭化ケイ素、及びγ−炭化ケイ素の１種以上を含む。さらに好ましくは、前記担体材料に含まれる炭化ケイ素は、α−炭化ケイ素、β−炭化ケイ素、及びγ−炭化ケイ素の１種以上であり、さらに好ましくはα−炭化ケイ素である。さらに好ましくは、前記担体材料に含まれる炭化ケイ素の少なくとも９０質量％、さらに好ましくは少なくとも９５質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、α−炭化ケイ素からなる。
【０００８】
一般に、前記担体材料は、炭化ケイ素からなるか、又は本質的に炭化ケイ素からなり得る。好ましくは、前記担体材料は、炭化ケイ素に加えて、１種以上のさらなる成分を含み、これらのさらなる成分の１種以上は、好ましくは、元素ケイ素、又はケイ素を含む化合物（この化合物は炭化ケイ素ではない）のいずれかとして、ケイ素を含む。さらに好ましくは、前記担体材料は、炭化ケイ素に加えて、ケイ素を含む１種以上のさらなる成分、さらに好ましくはケイ素及びシリカの１種以上、さらに好ましくはケイ素及びシリカを含む。前記担体材料の少なくとも９５質量％、さらに好ましくは少なくとも９８質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、炭化ケイ素、元素ケイ素、及びシリカからなることが好ましい。前記担体材料の少なくとも５０質量％、さらに好ましくは少なくとも６０質量％、さらに好ましくは少なくとも６５質量％が、炭化ケイ素からなることがさらに好ましい。好ましい担体材料は、例えば、前記担体材料の質量に基づいて、５０〜８０質量％の範囲、さらに好ましくは６０〜７５質量％の範囲、さらに好ましくは６５〜７０質量％の範囲の量で炭化ケイ素を含む。好ましい担体材料は、例えば、前記担体材料の質量に基づいて、５〜３０質量％の範囲、さらに好ましくは１０〜２５質量％の範囲、さらに好ましくは１５〜２０質量％の範囲の量で元素ケイ素を含む。好ましい担体材料は、例えば、前記担体材料の質量に基づいて、５〜３０質量％の範囲、さらに好ましくは１０〜２５質量％の範囲、さらに好ましくは１５〜２０質量％の範囲の量でシリカを含む。したがって、前記担体材料は、いずれの場合にも前記担体材料の質量に基づいて、５０〜８０質量％の範囲の量で炭化ケイ素、５〜３０質量％の範囲の量で元素ケイ素、及び５〜３０質量％の範囲の量でシリカを含むことが好ましく、好ましくは前記担体材料の少なくとも９５質量％、さらに好ましくは少なくとも９８質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、炭化ケイ素、元素ケイ素、及びシリカからなる。したがって、前記担体材料は、いずれの場合にも前記担体材料の質量に基づいて、６０〜７５質量％の範囲の量で炭化ケイ素、１０〜２５質量％の範囲の量で元素ケイ素、及び１０〜２５質量％の範囲の量でシリカを含むことがさらに好ましく、好ましくは前記担体材料の少なくとも９５質量％、さらに好ましくは少なくとも９８質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、炭化ケイ素、元素ケイ素、及びシリカからなる。したがって、前記担体材料は、いずれの場合にも前記担体材料の質量に基づいて、６５〜７０質量％の範囲の量で炭化ケイ素、１５〜２０質量％の範囲の量で元素ケイ素、及び１５〜２０質量％の範囲の量でシリカを含むことがさらに好ましく、好ましくは前記担体材料の少なくとも９５質量％、さらに好ましくは少なくとも９８質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、炭化ケイ素、元素ケイ素、及びシリカからなる。
【０００９】
一般に、前記担体材料は、限定されないが、噴霧粉末（spray-powder）を含む粉末、噴霧顆粒（spray-granulate）を含む顆粒、長方形、三角形、六角形、正方形、楕円形又は円形の断面を有する成形品を含むか、及び／又は星、タブレット、球体、円柱、ストランド、中空円柱、レンガ（brick）の形態である成形品を含む任意の考えられる形態で存在し得、前記成形品は、例えば、押出成形、加圧成形、又はその他の適切な方法で調製され得る。好ましくは、前記担体材料は成形品の形態である。本発明との関連で使用される用語「前記担体材料は成形品の形態である」は、１種の単一の成形品として存在する担体材料のことを称し、且つ多数の成形品等の２種以上の成形品として存在する担体材料のことも称することに留意する。好ましくは、前記成形品はレンガの形態であり、さらに好ましくは、開口入口端及び開口出口端を有する１種以上のチャネルを含むレンガの形態である。一般に、前記成形品の寸法は、本発明の組成物の目的とする用途に基づいて、具体的な要求に応じて調製され得る。
【００１０】
前記組成物に含まれるゼオライト材料に関しては、それは骨格型ＡＥＩを有するゼオライト材料、骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料、又は骨格型ＡＥＩを有するゼオライト材料及び骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料の混合物であることが好ましい。さらに好ましくは、前記ゼオライト材料は、骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を含むか、さらに好ましくは骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料である。
【００１１】
好ましくは、前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９．５質量％が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＶの１種以上である四価元素Ｙ；Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＢの１種以上である三価元素Ｘ；Ｏ；並びにＨからなる。Ｙに関しては、ＹはＳｉを含むことが好ましく、さらに好ましくは、ＹはＳｉである。Ｘに関しては、ＸはＡｌを含むことが好ましく、さらに好ましくは、ＸはＡｌである。したがって、本発明の組成物に含まれる前記ゼオライト材料は、骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料であって、前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９質量％、さらに好ましくは少なくとも９９．５質量％が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、及びＨからなるゼオライト材料であることが好ましい。前記ゼオライト材料の骨格中のＹのＸに対するモル比に関しては、特に制限は存在しない。好ましくは、ＹＯ2：Ｘ2Ｏ3として計算されるＹのＸに対する前記モル比は、少なくとも１０：１、好ましくは少なくとも１５：１、さらに好ましくは少なくとも２０：１である。したがって、ＹはＳｉであり、且つＸはＡｌであり、ＳｉＯ2：Ａｌ2Ｏ3として計算されるＳｉのＡｌに対する前記モル比は、少なくとも１０：１、好ましくは少なくとも１５：１、さらに好ましくは少なくとも２０：１であることが好ましい。通常、このモル比ＳｉＯ2：Ａｌ2Ｏ3は、「ＳＡＲ」と称される。さらに好ましくは、前記組成物に含まれる前記ゼオライト材料の骨格において、ＳｉＯ2：Ａｌ2Ｏ3として計算されるＳｉのＡｌに対する前記モル比は、２０：１〜１００：１の範囲、好ましくは２５：１〜７５：１の範囲、さらに好ましくは３０：１〜４０：１の範囲である。
【００１２】
本発明の第一の実施形態によれば、前記組成物の少なくとも９５質量％、好ましくは少なくとも９８質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％、例えば９９〜１００質量％等が、前記担体材料及び前記ゼオライト材料からなる。したがって、本発明は、好ましくは、炭化ケイ素を含む担体材料を含む組成物であって、前記担体材料の表面に、骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料が担持され、前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９質量％が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、及びＨからなり、且つ前記担体材料の少なくとも９５質量％、さらに好ましくは少なくとも９８質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、炭化ケイ素、元素ケイ素、及びシリカからなる組成物に関連する。
【００１３】
本発明によれば、前記組成物は、好ましくは、１００〜３００ｍ2／ｇの範囲、好ましくは１５０〜２５０ｍ2／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．１に記載された通り測定される、ＢＥＴ比表面積を有する。本発明によれば、前記組成物は、好ましくは、１００〜２５０ｍ2／ｇの範囲、好ましくは１５０〜２００ｍ2／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．２に記載された通り測定される、比微小孔表面積（specific micropore surface area）（Ｓmic）を有する。本発明によれば、前記組成物は、好ましくは、２〜１０ｍ2／ｇの範囲、好ましくは３〜９ｍ2／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．３に記載された通り測定される、外表面積（external surface area）（Ｓext）を有する。本発明によれば、前記組成物は、好ましくは、０．０５〜０．２０ｃｍ3／ｇの範囲、好ましくは０．０８〜０．１５ｃｍ3／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．４に記載された通り測定される、総細孔体積（total pore volume）（Ｖt）を有する。本発明によれば、前記組成物は、好ましくは、０．０４〜０．１５ｃｍ3／ｇの範囲、好ましくは０．０７〜０．１２ｃｍ3／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．５に記載された通り測定される、微小孔体積（micropore volume）（Ｖmic）を有する。本発明によれば、前記組成物は、好ましくは、０．００２〜０．０２ｃｍ3／ｇの範囲、好ましくは０．００５〜０．０１５ｃｍ3／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．６に記載された通り測定される、吸着累積細孔体積（adsorption cumulative pore volume）（ＶBJH）を有する。本発明によれば、前記組成物は、好ましくは、５〜５０％の範囲、好ましくは１５〜４５％の範囲、さらに好ましくは２５〜４０％の範囲の、本明細書の参考例１．７に記載された通り測定される、前記担体材料の前記ゼオライト材料による負荷（loading）を有する。
【００１４】
好ましくは、前記担体材料の表面に担持される前記ゼオライト材料の結晶子が、立方晶系の形態であるか、又は本質的に立方晶系の形態であり、前記立方晶系の少なくとも９０％が、１〜１０μｍの範囲、好ましくは１．５〜８．５μｍの範囲、さらに好ましくは２〜７μｍの範囲の、本明細書の参考例１．８に記載された通り測定される、辺長（edge length）を有する。
【００１５】
本発明によれば、前記組成物は、上記の担体材料及びゼオライト材料に加えて、遷移金属をさらに含み得、前記遷移金属は、好ましくはＣｕ及びＦｅの１種以上を含み、さらに好ましくはＣｕ、又はＦｅ、又はＣｕ及びＦｅである。さらに好ましくは、前記遷移金属は、Ｃｕを含み、さらに好ましくはＣｕである。
【００１６】
前記組成物に含まれる遷移金属、好ましくはＣｕの量に関しては、特に制限は存在しない。好ましくは、前記量は、前記組成物の目的とする用途に従うそれぞれの要求に応じて調製される。好ましくは、前記組成物において、前記ゼオライト材料に対する元素として計算される、前記遷移金属の質量比が、０．１：１〜５．０：１の範囲、さらに好ましくは０．５：１〜４．０：１の範囲、さらに好ましくは１．０：１〜３．０：１の範囲である。さらに好ましくは、前記組成物において、前記ゼオライト材料に対する元素として計算される、前記遷移金属の質量比が、１．０：１〜２．５：１の範囲、さらに好ましくは１．５：１〜２．０：１の範囲である。
【００１７】
一般に、前記遷移金属は、前記組成物において、任意の考えられる位置又は複数の位置に含まれ得る。好ましくは、前記遷移金属は、前記担体材料の表面に担持される前記ゼオライト材料に含まれるか、又は本質的に完全に含まれる。さらに好ましくは、前記遷移金属は、前記担体材料の表面に担持される前記ゼオライト材料に含まれるか、又は本質的に完全に含まれ、前記組成物に含まれ得る前記遷移金属は、前記担体材料の表面に担持される前記ゼオライト材料を含む組成物中に、好ましくは、以下に記載される通り、適切な前記遷移金属源を、前記担体材料の表面に担持されるゼオライト材料を含む前記組成物に含浸することによって導入される。
【００１８】
本発明によれば、前記組成物に含まれる前記遷移金属の総質量の少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９８％、さらに好ましくは少なくとも９９％が、前記ゼオライト材料の交換部位（exchange site）に存在することが好ましい可能性がある。さらに、前記組成物において、前記遷移金属は、少なくとも部分的に、好ましくは本質的に完全に、１種以上の酸化物の形態で存在することが好ましい。
【００１９】
したがって、本発明の第二の実施形態によれば、前記組成物の少なくとも９５質量％、好ましくは少なくとも９８質量％、より好ましくは少なくとも９９質量％、例えば９９〜１００質量％が、前記担体材料、前記ゼオライト材料、前記遷移金属及びＯからなることが好ましい。したがって、本発明は、好ましくは、炭化ケイ素を含む担体材料を含む組成物であって、前記担体材料の表面に、骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料が担持され、前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９質量％が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、及びＨからなり、且つ前記担体材料の少なくとも９５質量％、さらに好ましくは少なくとも９８質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、炭化ケイ素、元素ケイ素、及びシリカからなり、前記組成物が、好ましくは１種以上の酸化物の形態で存在する遷移元素、好ましくはＣｕをさらに含み、好ましくは、前記組成物に含まれる前記遷移金属の総質量の少なくとも９０％、さらに好ましくは９８％、さらに好ましくは少なくとも９９％が、前記ゼオライト材料の交換部位に存在する組成物に関連する。
【００２０】
さらに、本発明は、上記の組成物を調製する方法に関連する。この方法がどのように実施されるかに関しては、前記それぞれの組成物が得られるという条件で、特に制限は存在しない。好ましくは、本発明は、上記の組成物を調製する方法であって、
（ｉ）Ｙ源、Ｘ源、塩基源、好ましくはＡＥＩ／ＣＨＡ骨格構造指向剤を含み、さらに炭化ケイ素を含む担体材料を含む水性合成混合物を調製する工程；
（ｉｉ）（ｉ）で調製された前記合成混合物を、水熱結晶化条件に供する工程であり、（ｉ）で調製された前記合成混合物を前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料の結晶化温度に、自家圧力下で加熱する工程、前記加熱した合成混合物をこの結晶化温度で、結晶化時間保持する工程、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト及び母液を含む結晶化混合物を得る工程を含む工程；
を含む方法に関連する。
【００２１】
（ｉｉ）の後、前記母液は、前記結晶化混合物からの適切な分離の後、任意に１工程以上の精製及び／又は後処理（work-up）工程の後、前記合成プロセスへ再循環され得る。
【００２２】
前記Ｙ源、Ｘ源、及び塩基源に関しては、（ｉｉ）に従って、前記担体材料の表面に担持されるＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が得られるという条件で、特に制限は存在しない。
【００２３】
好ましくは、ＹがＳｉである場合、前記Ｙ源は、ケイ酸塩、シリカ、ケイ酸、コロイド状シリカ、ヒュームドシリカ、テトラアルコキシシラン、シリカ水酸化物、沈降シリカ、及び粘土の１種以上、好ましくは湿式法（wet-process）シリカ、乾式法（dry-process）シリカ、及びコロイド状シリカの１種以上を含み、さらに好ましくは、ケイ酸塩、シリカ、ケイ酸、コロイド状シリカ、ヒュームドシリカ、テトラアルコキシシラン、シリカ水酸化物、沈降シリカ、及び粘土の１種以上、好ましくは湿式法シリカ、乾式法シリカ、及びコロイド状シリカの１種以上である。これに関連して、いわゆる「湿式法二酸化ケイ素」、及びいわゆる「乾式法二酸化ケイ素」の両方が使用され得る。コロイド状二酸化ケイ素は、とりわけ、Ｌｕｄｏｘ（登録商標）、Ｓｙｔｏｎ（登録商標）、Ｎａｌｃｏ（登録商標）、又はＳｎｏｗｔｅｘ（登録商標）として市販されている。「湿式法」二酸化ケイ素は、とりわけ、Ｈｉ−Ｓｉｌ（登録商標）、Ｕｌｔｒａｓｉｌ（登録商標）、Ｖｕｌｃａｓｉｌ（登録商標）、Ｓａｎｔｏｃｅｌ（登録商標）、Ｖａｌｒｏｎ−Ｅｓｔｅｒｓｉｌ（登録商標）、Ｔｏｋｕｓｉｌ（登録商標）又はＮｉｐｓｉ（登録商標）として市販されている。「乾式法」二酸化ケイ素は、とりわけ、Ａｅｒｏｓｉｌ（登録商標）、Ｒｅｏｌｏｓｉｌ（登録商標）、Ｃａｂ−Ｏ−Ｓｉｌ（登録商標）、Ｆｒａｎｓｉｌ（登録商標）又はＡｒｃＳｉｌｉｃａ（登録商標）として市販されている。例えば、テトラエトキシシラン又はテトラプロポキシシラン等のテトラアルコキシシランが言及され得る。
【００２４】
好ましくはＸがＡｌである場合、前記Ｘ源は、金属アルミニウム、アルミン酸塩、アルミニウムアルコラート及び水酸化アルミニウムの１種以上、さらに好ましくは水酸化アルミニウム及びアルミニウムトリイソプロピラートの１種以上、さらに好ましくは水酸化アルミニウムを含み、さらに好ましくは、金属アルミニウム、アルミン酸塩、アルミニウムアルコラート及び水酸化アルミニウムの１種以上、さらに好ましくは水酸化アルミニウム及びアルミニウムトリイソプロピラートの１種以上、さらに好ましくは水酸化アルミニウムである。
【００２５】
好ましくは、前記塩基源は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の１種以上の源、好ましくはアルカリ金属塩基、さらに好ましくはアルカリ金属水酸化物、さらに好ましくは水酸化ナトリウムである。
【００２６】
前記Ｙ源、前記Ｘ源、前記塩基源のそれぞれの量は、（ｉ）で調製され、（ｉｉ）に供される前記合成混合物において、ＹＯ2として計算されるＹ源の質量、及びＸ（ＯＨ）3として計算されるＸ源の質量の合計に対する前記塩基の質量比が、１．５：１より大きい、好ましくは２：１より大きい、さらに好ましくは３：１〜１０：１の範囲、さらに好ましくは４：１〜９：１の範囲、さらに好ましくは５：１〜８：１の範囲であることが好ましい。
【００２７】
前記ゼオライト材料が、骨格型ＡＥＩを有する場合、前記ＡＥＩ骨格構造指向剤は、１種以上の第４級ホスホニウムカチオン含有化合物及び／又は１種以上の第４級アンモニウムカチオン含有化合物を含むことが好ましく；
前記１種以上のホスホニウムカチオン含有化合物は、１種以上のＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｐ+−含有化合物を含み、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、互いに独立して、任意に置換された、及び／又は任意に分岐した（Ｃ1−Ｃ6）アルキル、好ましくは（Ｃ1−Ｃ5）アルキル、さらに好ましくは（Ｃ1−Ｃ4）アルキル、さらに好ましくは（Ｃ2−Ｃ3）アルキル、さらにいっそう好ましくは任意に置換されたメチル又はエチルを表し、さらにいっそう好ましくは、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、任意に置換されたエチル、好ましくは非置換のエチルを表し；
前記１種以上の第４級アンモニウムカチオン含有化合物は、１種以上のＮ，Ｎ−ジアルキル−ジアルキルピペリジニウムカチオン含有化合物、好ましくは１種以上のＮ，Ｎ−（Ｃ1−Ｃ3）ジアルキル−（Ｃ1−Ｃ3）ジアルキルピペリジニウムカチオン含有化合物、さらに好ましくは１種以上のＮ，Ｎ−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキル−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキルピペリジニウムカチオン含有化合物を含み、さらに好ましくは、前記１種以上の第４級アンモニウムカチオン含有化合物は、Ｎ，Ｎ−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキル−２，６−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキルピペリジニウムカチオン及びＮ，Ｎ−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキル−３，５−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキルピペリジニウムカチオン含有化合物からなる群から、さらに好ましくはＮ，Ｎ−ジメチル−２，６−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキルピペリジニウムカチオン及びＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキルピペリジニウムカチオン含有化合物からなる群から、さらに好ましくはＮ，Ｎ−ジメチル−２，６−ジメチルピペリジニウムカチオン及びＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジニウムカチオン含有化合物からなる群からなる群から選択され；
前記１種以上の第４級ホスホニウムカチオン含有化合物及び／又は前記１種以上の第４級アンモニウムカチオン含有化合物は、好ましくはハロゲン化物、好ましくは塩化物及び／又は臭化物、さらに好ましくは塩化物、水酸化物、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩、酢酸塩、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、さらに好ましくは塩化物、水酸化物、硫酸塩、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択される塩であり、さらに好ましくは、前記１種以上の第４級ホスホニウムカチオン含有化合物及び／又は前記１種以上の第４級アンモニウムカチオン含有化合物は、水酸化物及び／又は塩化物であり、さらにいっそう好ましくは水酸化物であり、
さらに好ましくは、前記ＡＥＩ骨格構造指向剤は、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３,５−ジメチルピペリジニウム水酸化物を含み、好ましくはＮ，Ｎ−ジメチル−３,５−ジメチルピペリジニウム水酸化物である。
【００２８】
前記ゼオライト材料が、骨格型ＣＨＡを有する場合、前記ＣＨＡ骨格構造指向剤は、Ｎ−アルキル−３−キヌクリジノール、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリアルキル−エキソアミノノルボルナン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンチルアンモニウム化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−２−アダマンチルアンモニウム化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルシクロヘキシルアンモニウム化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３，３−ジメチルピペリジニウム化合物、Ｎ，Ｎ−メチルエチル−３，３−ジメチルピペリジニウム化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−メチルピペリジニウム化合物、１，３，３，６，６−ペンタメチル−６−アゾニオ−ビシクロ（３．２．１）オクタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、及びＮ，Ｎ，Ｎ−トリメチルベンジルアンモニウム化合物の１種以上、好ましくはそれらの水酸化物を含むことが好ましく、さらに好ましくは、前記ＣＨＡ骨格構造指向剤は、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンチルアンモニウム化合物の１種以上、さらに好ましくはＮ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンチルアンモニウム水酸化物を含む。任意に、この適切な１−アダマンチルトリメチルアンモニウム化合物は、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルベンジルアンモニウム（ベンジルトリメチルアンモニウム）化合物若しくはテトラメチルアンモニウム化合物、又はベンジルトリメチルアンモニウム及びテトラメチルアンモニウム化合物の混合物等の少なくとも１種のさらなる適切なアンモニウム化合物と組み合わせて使用され得る。
【００２９】
（ｉｉ）に従う前記水熱合成は、任意の適切な容器で実施され得る。好ましくは、（ｉ）で調製された前記合成混合物を、（ｉｉ）に従う水熱結晶化条件に供する工程は、オートクレーブ中で実施される。
【００３０】
好ましくは、（ｉｉ）に従う前記結晶化温度は、１３０〜２００℃の範囲、さらに好ましくは１４０〜１９０℃の範囲、さらに好ましくは１５０〜１８０℃の範囲である。好ましくは、前記結晶化時間は、２４時間より長い、さらに好ましくは３６〜１４４時間の範囲、さらに好ましくは４２〜１２０時間の範囲である。
【００３１】
好ましくは、（ｉｉ）の後、前記方法は、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）から得られた前記結晶化混合物を、好ましくは１０〜５０℃の範囲、さらに好ましくは２０〜３５℃の範囲の前記結晶化混合物の温度に冷却する工程をさらに含む。
【００３２】
好ましくは（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）の後、好ましくは（ｉｉｉ）の後、前記方法は、
（ｉｖ）（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）から、好ましくは（ｉｉｉ）から得られた前記結晶化混合物から、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を分離する工程をさらに含む。
【００３３】
好ましくは、（ｉｖ）に従う前記分離工程は、
（ｉｖ．１）（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）から、好ましくは（ｉｉｉ）から得られた前記結晶化混合物を、好ましくは、ろ過又は遠心分離、さらに好ましくは、ろ過を含む固液分離方法（solid-liquid separation method）に供し、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を得る工程；
（ｉｖ．２）好ましくは、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、好ましくは水で洗浄する工程；
（ｉｖ．３）（ｉｖ．１）から、好ましくは（ｉｖ．２）から得られた前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、乾燥する工程；
を含み、
（ｉｖ．３）に従って、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料は、好ましくは、７５〜１５０℃の範囲、さらに好ましくは８５〜１３０℃の範囲、さらに好ましくは９５〜１１０℃の範囲の温度を有するガス雰囲気で乾燥される。乾燥工程に使用される前記ガス雰囲気は、好ましくは酸素を含み、さらに好ましくは、酸素、空気、合成空気、又は希薄空気（lean air）である。
【００３４】
好ましくは、（ｉｖ）の後、前記方法は、
（ｖ）（ｉｖ）から得られた前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料をか焼する工程をさらに含み；
（ｖ）に従って、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料は、好ましくは、４５０〜７００℃の範囲、さらに好ましくは４７５〜６５０℃の範囲、さらに好ましくは５００〜６００℃の範囲の温度を有するガス雰囲気でか焼される。か焼工程に使用される前記ガス雰囲気は、好ましくは酸素を含み、さらに好ましくは、酸素、空気、合成空気、又は希薄空気である。（ｉ）に従って調製された前記合成混合物が、前記構造指向剤を含まない場合、したがって、（ｉｉ）に従う前記水熱合成が、前記構造指向剤の非存在下で実施される場合、（ｖ）に従う前記か焼工程が実施されないことが好ましい可能性がある。
【００３５】
調製される前記組成物の目的とする用途に応じて、前記組成物中に遷移金属をさらに組み込むことが好ましい可能性がある。この目的のため、特に制限は存在しない。例えば、ゼオライト材料が、既に遷移金属を含む担体材料の表面に担持されることが考えられ得る。さらに、（ｉ）に従って、上記の成分に加えて、適切な遷移金属源を含む合成混合物が調製され、それにより（ｉｉ）に従う前記水熱合成の間、前記遷移金属が、水熱合成の間に前記ゼオライト材料に適切に組み込まれることが考えられ得る。好ましくは、本発明によれば、前記遷移金属は、上記の方法に従って調製される前記組成物の適切な後処理（post-treatment）において組み込まれる。したがって、前記方法は、好ましくは、
（ｖｉ）前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、遷移金属、好ましくはＣｕ及びＦｅの１種以上による、さらに好ましくはＣｕによるイオン交換に供する工程をさらに含む。
【００３６】
好ましくは、（ｖｉ）に従う前記イオン交換は、
（ｖｉ．１）前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料、前記遷移金属源、前記金属Ｍ源用の溶媒、及び任意に酸、好ましくは有機酸を含む混合物を調製する工程であって、前記溶媒は、好ましくは水を含み、前記遷移金属源は、好ましくは遷移金属塩を含み、且つ前記酸は、好ましくは酢酸を含む工程；
（ｖｉ．２）（ｖｉ．１）で調製された前記混合物を、３０〜９０℃の範囲、好ましくは４０〜８０℃の範囲の温度に加熱する工程を含む。
【００３７】
好ましくは、前記遷移金属源用の溶媒は水である。好ましくは、前記遷移金属源は無機塩であり、さらに好ましくは硝酸塩である。
好ましくは、前記方法は、
（ｖｉ．３）（ｖｉ．２）から得られた前記混合物を、好ましくは１０〜５０℃の範囲、さらに好ましくは２０〜３５℃の範囲の混合物の温度に冷却する工程をさらに含む。
【００３８】
好ましくは、前記方法は、
（ｖｉ．４）（ｖｉ．２）又は（ｖｉ．３）から、好ましくは（ｖｉ．３）から得られた前記混合物から、前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を分離する工程をさらに含み；
前記分離工程は、好ましくは、
（ｖｉ．４．１）前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を任意に洗浄する工程；
（ｖｉ．４．２）（ｖｉ．３）又は（ｖｉ．４．１）から得られた前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、ガス雰囲気で、好ましくは、９０〜２００℃の範囲、さらに好ましく１００〜１５０℃の範囲のガス雰囲気の温度で乾燥する工程であり、前記ガス雰囲気は、好ましくは酸素を含む工程；
をさらに含む。
【００３９】
好ましくは、前記方法は、
（ｖｉ．５）（ｖｉ．４）から得られた前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、ガス雰囲気で、好ましくは、３５０〜６００℃の範囲、さらに好ましく４００〜５５０℃の範囲のガス雰囲気の温度でか焼する工程であり、前記ガス雰囲気は、好ましくは酸素を含む工程；
をさらに含む。
【００４０】
さらに、本発明は、上記の方法によって得られうる若しくは得られる、又は調製され得る若しくは調製される上記の組成物に関連する。
【００４１】
好ましい実施形態によれば、本発明は、炭化ケイ素を含む担体材料を含む組成物であって、前記担体材料の表面に、骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料が担持され、前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９質量％が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、及びＨからなり、前記担体材料の少なくとも９５質量%、さらに好ましくは少なくとも９８質量%、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、炭化ケイ素、元素ケイ素、及びシリカからなり、前記組成物が、好ましくは１種以上の酸化物の形態で存在する、遷移金属、好ましくはＣｕをさらに含み、好ましくは、前記組成物に含まれる前記遷移金属の総質量の少なくとも９０％、さらに好ましくは９８％、さらに好ましくは少なくとも９９％が、前記ゼオライト材料の交換部位に存在し、前記組成物が、
（ｉ）Ｓｉ源、Ａｌ源、塩基源、好ましくはＣＨＡ骨格構造指向剤を含み、炭化ケイ素を含む担体材料をさらに含む水性合成混合物を調製する工程；
（ｉｉ）（ｉ）で調製された前記合成混合物を、水熱結晶化条件に供する工程であり、（ｉ）で調製された前記合成混合物を、前記骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料の結晶化温度に、自家圧力下で加熱する工程、前記加熱した合成混合物をこの結晶化温度で、結晶化時間保持する工程、前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料及び母液を含む結晶化混合物を得る工程を含む工程；
（ｉｉｉ）好ましくは、（ｉｉ）で得られた前記結晶化混合物を、好ましくは１０〜５０℃の範囲、さらに好ましくは２０〜３５℃の範囲の前記結晶化混合物の温度に冷却する工程；
（ｉｖ）好ましくは、（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）から、好ましくは（ｉｉｉ）から得られた前記結晶化混合物から、前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料を分離する工程であり、好ましくは、
（ｉｖ．１）（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）から、好ましくは（ｉｉｉ）から得られた前記結晶化混合物を、好ましくは、ろ過又は遠心分離、さらに好ましくは、ろ過を含む固液分離方法に供し、前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料を得る工程；
（ｉｖ．２）好ましくは、前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡのゼオライト材料を、好ましくは水で洗浄する工程；
（ｉｖ．３）（ｉｖ．１）から、好ましくは（ｉｖ．２）から得られた前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料を、乾燥する工程；
を含む前記分離する工程；
（ｖ）好ましくは、（ｉｖ）から得られた前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料をか焼する工程；
を含む方法によって、任意にそれらの工程からなる方法によって得られうる又は得られる組成物に関連する。
【００４２】
好ましい実施形態によれば、本発明は、炭化ケイ素を含む担体材料を含む組成物であって、前記担体材料の表面に、骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料が担持され、前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９質量％が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、及びＨからなり、前記担体材料の少なくとも９５質量%、さらに好ましくは少なくとも９８質量%、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、炭化ケイ素、元素ケイ素、及びシリカからなり、前記組成物が、
（ｉ）Ｓｉ源、Ａｌ源、塩基源、好ましくはＣＨＡ骨格構造指向剤を含み、炭化ケイ素を含む担体材料をさらに含む水性合成混合物を調製する工程；
（ｉｉ）（ｉ）で調製された前記合成混合物を、水熱結晶化条件に供する工程であり、（ｉ）で調製された前記合成混合物を、前記骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料の結晶化温度に、自家圧力下で加熱する工程、前記加熱した合成混合物をこの結晶化温度で、結晶化時間保持する工程、前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料及び母液を含む結晶化混合物を得る工程を含む工程；
（ｉｉｉ）好ましくは、（ｉｉ）で得られた前記結晶化混合物を、好ましくは１０〜５０℃の範囲、さらに好ましくは２０〜３５℃の範囲の前記結晶化混合物の温度に冷却する工程；
（ｉｖ）好ましくは、（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）から、好ましくは（ｉｉｉ）から得られた前記結晶化混合物から、前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料を分離する工程であり、好ましくは、
（ｉｖ．１）（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）から、好ましくは（ｉｉｉ）から得られた前記結晶化混合物を、好ましくは、ろ過又は遠心分離、さらに好ましくは、ろ過を含む固液分離方法に供し、前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料を得る工程；
（ｉｖ．２）好ましくは、前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡのゼオライト材料を、好ましくは水で洗浄する工程；
（ｉｖ．３）（ｉｖ．１）から、好ましくは（ｉｖ．２）から得られた前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料を、乾燥する工程；
を含む前記分離する工程；
（ｖ）好ましくは、（ｉｖ）から得られた前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料をか焼する工程；
（ｖｉ）前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有する前記ゼオライト材料を、遷移金属、好ましくはＣｕ及びＦｅの１種以上による、さらに好ましくはＣｕによるイオン交換に供する工程であり、好ましくは、
（ｖｉ．１）前記担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料、前記遷移金属源、前記遷移金属源用の溶媒、及び任意に酸、好ましくは有機酸を含む混合物を調製する工程であり、前記溶媒は、好ましくは水を含み、前記遷移金属源は、好ましくは遷移金属塩を含み、且つ前記酸は、好ましくは酢酸を含む工程；
（ｖｉ．２）（ｖｉ．１）で調製された前記混合物を、３０〜９０℃の範囲、好ましくは４０〜８０℃の範囲の温度に加熱する工程；
（ｖｉ．３）好ましくは、（ｖｉ．２）から得られた前記混合物を、好ましくは１０〜５０℃の範囲、さらに好ましくは２０〜３５℃の範囲の混合物の温度に冷却する工程；
（ｖｉ．４）（ｖｉ．２）又は（ｖｉ．３）から、好ましくは（ｖｉ．３）から得られた前記混合物から、前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を分離する工程であり、好ましくは、
（ｖｉ．４．１）前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を任意に洗浄する工程；
（ｖｉ．４．２）（ｖｉ．３）又は（ｖｉ．４．１）から得られた前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を、ガス雰囲気で、好ましくは、９０〜２００℃の範囲、さらに好ましく１００〜１５０℃の範囲のガス雰囲気の温度で乾燥する工程であり、前記ガス雰囲気は、好ましくは酸素を含む工程；
を含む前記分離する工程；
（ｖｉ．５）（ｖｉ．４）から得られた前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を、ガス雰囲気で、好ましくは、３５０〜６００℃の範囲、さらに好ましくは４００〜５５０℃の範囲のガス雰囲気の温度でか焼する工程であり、前記ガス雰囲気は、好ましくは酸素を含む工程；
を含む前記イオン交換に供する工程；
を含む方法によって、任意にそれらの工程からなる方法によって得られうる又は得られる組成物に関連する。
【００４３】
本発明に従う組成物は、例えば、モレキュラーシーブ、吸着剤、吸収剤として、又は触媒若しくは触媒成分等として、任意の考えられる用途に従って使用され得る。好ましくは、それは、触媒又は触媒成分として使用される。特に、前記組成物が遷移金属、好ましくはＣｕ及び／又はＦｅ、さらに好ましくはＣｕを含む場合、それは、好ましくは、排出ガス流の処理、好ましくはディーゼルエンジンの排出ガス流の処理における触媒又は触媒成分として使用される。それに応じて使用される場合、この使用は、排出ガス流中に含まれる窒素酸化物を選択的に還元することを可能にすることが好ましい。前記組成物は、さらにＣ１化合物の１種以上のオレフィンへの変換、好ましくはメタノールの１種以上のオレフィンへの変換、又は一酸化炭素及び水素を含む合成ガスの１種以上のオレフィンへの変換のための触媒又は触媒成分として使用されることも考えられる。
【００４４】
本発明は、以下の実施形態、並びにそれぞれの従属性及び後方参照により示される実施形態の組み合わせによって、さらに説明される。特に、例えば、「実施形態１〜４のいずれかに記載の組成物」等の用語に関連して、実施形態の範囲が言及される場合、この範囲のすべての実施形態は、当業者に開示されていることを意味し、すなわち、この用語の表現は、「実施形態１、２、３、及び４のいずれかに記載の組成物」と同義であると当業者に理解されるものである。
【００４５】
１．炭化ケイ素を含む担体材料を含む組成物であって、前記担体材料の表面に、ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が担持され、前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９質量％が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＶの１種以上である四価元素Ｙ；Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＢの１種以上である三価元素Ｘ；Ｏ；並びにＨからなる組成物。
【００４６】
２．前記担体材料に含まれる前記炭化ケイ素が、α−炭化ケイ素、β−炭化ケイ素、及びγ−炭化ケイ素の１種以上を含む実施形態１に記載の組成物。
【００４７】
３．前記担体材料に含まれる前記炭化ケイ素が、α−炭化ケイ素、β−炭化ケイ素、及びγ−炭化ケイ素の１種以上、好ましくはα−炭化ケイ素を含み、さらに好ましくは、前記炭化ケイ素の少なくとも９０質量％、さらに好ましくは少なくとも９５質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、α−炭化ケイ素からなる実施形態１又は２に記載の組成物。
【００４８】
４．前記担体材料の少なくとも５０質量％、好ましくは少なくとも６０質量％、さらに好ましくは少なくとも６５質量％が炭化ケイ素からなり、前記担体材料が、任意にさらに元素ケイ素及びシリカの１種以上、好ましくは元素ケイ素及びシリカを含む実施形態１〜３のいずれかに記載の組成物。
【００４９】
５．前記担体材料の少なくとも９５質量％、好ましくは少なくとも９８質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、炭化ケイ素、元素ケイ素、及びシリカからなる実施形態４に記載の組成物。
【００５０】
６．前記担体材料が、成形品の形態である実施形態１〜５のいずれかに記載の組成物。
【００５１】
７．前記成形品が、好ましくは開口入口端及び開口出口端を有する１種以上のチャネルを含む、好ましくはレンガの形態である実施形態６に記載の組成物。
【００５２】
８．前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が、骨格型ＡＥＩを有するゼオライト材料、又は骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料である実施形態１〜７のいずれかに記載の組成物。
【００５３】
９．前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が、骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料である実施形態１〜８のいずれかに記載の組成物。
【００５４】
１０．前記ゼオライト材料の骨格構造の少なくとも９９．５質量％が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＶの１種以上である四価元素Ｙ；Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＢの１種以上である三価元素Ｘ；Ｏ；並びにＨからなる実施形態１〜９のいずれかに記載の組成物。
【００５５】
１１．ＹがＳｉである実施形態１〜１０のいずれかに記載の組成物。
【００５６】
１２．ＸがＡｌである実施形態１〜１１のいずれかに記載の組成物。
【００５７】
１３．ＹがＳｉであり、且つＸがＡｌであり、ＳｉＯ2：Ａｌ2Ｏ3として計算されるＳｉのＡｌに対する前記モル比が、少なくとも１０：１、好ましくは少なくとも１５：１、さらに好ましくは少なくとも２０：１である実施形態１〜１２のいずれかに記載の組成物。
【００５８】
１４．ＳｉＯ2：Ａｌ2Ｏ3として計算されるＳｉのＡｌに対する前記モル比が、２０：１〜１００：１の範囲、好ましくは２５：１〜７５：１の範囲、さらに好ましくは３０：１〜４０：１の範囲である実施形態１〜１３のいずれかに記載の組成物。
【００５９】
１５．前記組成物の少なくとも９５質量％、好ましくは少なくとも９８質量％、さらに好ましくは少なくとも９９質量％が、前記担体材料及び前記ゼオライト材料からなる実施形態１〜１４のいずれかに記載の組成物。
【００６０】
１６．１００〜３００ｍ2／ｇの範囲、好ましくは１５０〜２５０ｍ2／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．１に記載された通り測定される、ＢＥＴ比表面積を有する実施形態１〜１５のいずれかに記載の組成物。
【００６１】
１７．１００〜２５０ｍ2／ｇの範囲、好ましくは１５０〜２００ｍ2／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．２に記載された通り測定される、比微小孔表面積（Ｓmic）を有する実施形態１〜１６のいずれかに記載の組成物。
【００６２】
１８．２〜１０ｍ2／ｇの範囲、好ましくは３〜９ｍ2／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．３に記載された通り測定される、外表面積（Ｓext）を有する実施形態１〜１７のいずれかに記載の組成物。
【００６３】
１９．０．０５〜０．２０ｃｍ3／ｇの範囲、好ましくは０．０８〜０．１５ｃｍ3／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．４に記載された通り測定される、総細孔体積（Ｖt）を有する実施形態１〜１８のいずれかに記載の組成物。
【００６４】
２０．０．０４〜０．１５ｃｍ3／ｇの範囲、好ましくは０．０７〜０．１２ｃｍ3／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．５に記載された通り測定される、微小孔体積（Ｖmic）を有する実施形態１〜１９のいずれかに記載の組成物。
【００６５】
２１．０．００２〜０．０２ｃｍ3／ｇの範囲、好ましくは０．００５〜０．０１５ｃｍ3／ｇの範囲の、本明細書の参考例１．６に記載された通り測定される、吸着累積細孔体積（ＶBJH）を有する実施形態１〜２０のいずれかに記載の組成物。
【００６６】
２２．５〜５０％の範囲、好ましくは１５〜４５％の範囲、さらに好ましくは２５〜４０％の範囲の、本明細書の参考例１．７に記載された通り測定される、前記担体材料の前記ゼオライト材料による負荷を有する実施形態１〜２１のいずれかに記載の組成物。
【００６７】
２３．前記担体材料の表面に担持される前記ゼオライト材料の結晶子が、立方晶系の形態であり、前記立方晶系の少なくとも９０％が、１〜１０μｍの範囲、好ましくは１．５〜８．５μｍの範囲、さらに好ましくは２〜７μｍの範囲の、本明細書の参考例１．８に記載された通り測定される、辺長を有する実施形態１〜２２のいずれかに記載の組成物。
【００６８】
２４．遷移金属をさらに含む実施形態１〜２３のいずれかに記載の組成物。
【００６９】
２５．前記遷移金属が、Ｃｕ及びＦｅの１種以上を含み、さらに好ましくはＣｕ、又はＦｅ、又はＣｕ及びＦｅである実施形態２４に記載の組成物。
【００７０】
２６．前記遷移金属は、Ｃｕを含み、好ましくはＣｕである実施例２４又は２５に記載の組成物。
【００７１】
２７．前記組成物において、前記ゼオライト材料に対する元素として計算される、前記遷移金属の質量比が、０．１：１〜５．０：１の範囲、好ましくは０．５：１〜４．０：１の範囲、さらに好ましくは１．０：１〜３．０：１の範囲である実施形態２４〜２６のいずれかに記載の組成物。
【００７２】
２８．前記組成物において、前記ゼオライト材料に対する元素として計算される、前記遷移金属の質量比が、１．０：１〜２．５：１の範囲、さらに好ましくは１．５：１〜２．０：１の範囲である実施形態２４〜２７のいずれかに記載の組成物。
【００７３】
２９．前記組成物に含まれる前記遷移金属の総質量の少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９８％、さらに好ましくは少なくとも９９％が、前記ゼオライト材料の交換部位に存在する実施形態２４〜２８のいずれかに記載の組成物。
【００７４】
３０．前記組成物において、前記遷移金属が、少なくとも部分的に、１種以上の酸化物の形態で存在する実施形態２４〜２９のいずれかに記載の組成物。
【００７５】
３１．前記組成物の少なくとも９５質量％、好ましくは少なくとも９８質量％、より好ましくは少なくとも９９質量％が、前記担体材料、前記ゼオライト材料、前記遷移金属及びＯからなる実施形態２４〜３０のいずれかに記載の組成物。
【００７６】
３２．好ましくは、排出ガス流の処理における、さらに好ましくはディーゼルエンジンの排出ガス流の処理における、さらに好ましくはディーゼルエンジンの排出ガス流中に含まれる窒素酸化物の選択的触媒還元における、触媒又は触媒成分として使用するための実施形態２４〜３１のいずれかに記載の組成物。
【００７７】
３３．実施形態１〜３２のいずれかに記載の組成物を調製する方法であって、
（ｉ）Ｙ源、Ｘ源、塩基源、好ましくはＡＥＩ／ＣＨＡ骨格構造指向剤を含み、さらに炭化ケイ素を含む担体材料を含む水性合成混合物を調製する工程；
（ｉｉ）（ｉ）で調製された前記合成混合物を、水熱結晶化条件に供する工程であり、（ｉ）で調製された前記合成混合物を前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料の結晶化温度に、自家圧力下で加熱する工程、前記加熱した合成混合物をこの結晶化温度で、結晶化時間保持する工程、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト及び母液を含む結晶化混合物を得る工程を含む工程；
を含む方法。
【００７８】
３４．ＹがＳｉであり、前記Ｙ源が、ケイ酸塩、シリカ、ケイ酸、コロイド状シリカ、ヒュームドシリカ、テトラアルコキシシラン、シリカ水酸化物、沈降シリカ、及び粘土の１種以上、好ましくは湿式法シリカ、乾式法シリカ、及びコロイド状シリカの１種以上を含む実施形態３３に記載の方法。
【００７９】
３５．ＸがＡｌであり、前記Ｘ源が、金属アルミニウム、アルミン酸塩、アルミニウムアルコラート及び水酸化アルミニウムの１種以上、さらに好ましくは水酸化アルミニウム及びアルミニウムトリイソプロピラートの１種以上、さらに好ましくは水酸化アルミニウムを含む実施形態３３又は３４のいずれかに記載の方法。
【００８０】
３６．前記塩基源が、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の１種以上の源、好ましくはアルカリ金属塩基、さらに好ましくはアルカリ金属水酸化物、さらに好ましくは水酸化ナトリウムである実施形態３３〜３５のいずれかに記載の方法。
【００８１】
３７．（ｉ）で調製され、（ｉｉ）に供される前記合成混合物において、ＹＯ2として計算されるＹ源の質量、及びＸ（ＯＨ）3として計算されるＸ源の質量の合計に対する前記塩基の質量比が、１．５：１より大きい、好ましくは２：１より大きい、さらに好ましくは３：１〜１０：１の範囲、さらに好ましくは４：１〜９：１の範囲、さらに好ましくは５：１〜８：１の範囲である実施形態３６に記載の方法。
【００８２】
３８．前記ゼオライト材料が、骨格型ＡＥＩを有し、前記ＡＥＩ骨格構造指向剤は、１種以上の第４級ホスホニウムカチオン含有化合物及び／又は１種以上の第４級アンモニウムカチオン含有化合物を含み；
前記１種以上のホスホニウムカチオン含有化合物は、１種以上のＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｐ+−含有化合物を含み、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、互いに独立して、任意に置換された、及び／又は任意に分岐した（Ｃ1−Ｃ6）アルキル、好ましくは（Ｃ1−Ｃ5）アルキル、さらに好ましくは（Ｃ1−Ｃ4）アルキル、さらに好ましくは（Ｃ2−Ｃ3）アルキル、さらにいっそう好ましくは任意に置換されたメチル又はエチルを表し、さらにいっそう好ましくは、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、任意に置換されたエチル、好ましくは非置換のエチルを表し；
前記１種以上の第４級アンモニウムカチオン含有化合物は、１種以上のＮ，Ｎ−ジアルキル−ジアルキルピペリジニウムカチオン含有化合物、好ましくは１種以上のＮ，Ｎ−（Ｃ1−Ｃ3）ジアルキル−（Ｃ1−Ｃ3）ジアルキルピペリジニウムカチオン含有化合物、さらに好ましくは１種以上のＮ，Ｎ−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキル−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキルピペリジニウムカチオン含有化合物を含み、さらに好ましくは、前記１種以上の第４級アンモニウムカチオン含有化合物は、Ｎ，Ｎ−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキル−２，６−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキルピペリジニウムカチオン及びＮ，Ｎ−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキル−３，５−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキルピペリジニウムカチオン含有化合物からなる群から、さらに好ましくはＮ，Ｎ−ジメチル−２，６−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキルピペリジニウムカチオン及びＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−（Ｃ1−Ｃ2）ジアルキルピペリジニウムカチオン含有化合物からなる群から、さらに好ましくはＮ，Ｎ−ジメチル−２，６−ジメチルピペリジニウムカチオン及びＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジニウムカチオン含有化合物からなる群からなる群から選択され；
前記１種以上の第４級ホスホニウムカチオン含有化合物及び／又は前記１種以上の第４級アンモニウムカチオン含有化合物は、好ましくはハロゲン化物、好ましくは塩化物及び／又は臭化物、さらに好ましくは塩化物、水酸化物、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩、酢酸塩、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、さらに好ましくは塩化物、水酸化物、硫酸塩、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択される塩であり、さらに好ましくは、前記１種以上の第４級ホスホニウムカチオン含有化合物及び／又は前記１種以上の第４級アンモニウムカチオン含有化合物は、水酸化物及び／又は塩化物であり、さらにいっそう好ましくは水酸化物であり、
さらに好ましくは、前記ＡＥＩ骨格構造指向剤は、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３,５−ジメチルピペリジニウム水酸化物を含み、好ましくはＮ，Ｎ−ジメチル−３,５−ジメチルピペリジニウム水酸化物である実施形態３３〜３７のいずれかに記載の方法。
【００８３】
３９．前記ゼオライト材料が、骨格型ＣＨＡを有し、前記ＣＨＡ骨格構造指向剤は、Ｎ−アルキル−３−キヌクリジノール、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリアルキル−エキソアミノノルボルナン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンチルアンモニウム化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−２−アダマンチルアンモニウム化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルシクロヘキシルアンモニウム化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３，３−ジメチルピペリジニウム化合物、Ｎ，Ｎ−メチルエチル−３，３−ジメチルピペリジニウム化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−メチルピペリジニウム化合物、１，３，３，６，６−ペンタメチル−６−アゾニオ−ビシクロ（３．２．１）オクタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、及びＮ，Ｎ，Ｎ−トリメチルベンジルアンモニウム化合物の１種以上、好ましくはそれらの水酸化物を含み、さらに好ましくは、前記ＣＨＡ骨格構造指向剤は、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンチルアンモニウム化合物の１種以上、さらに好ましくはＮ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンチルアンモニウム水酸化物を含む実施形態３３〜３７のいずれかに記載の方法。
【００８４】
４０．（ｉ）で調製された前記合成混合物を、（ｉｉ）に従う水熱結晶化条件に供する工程が、オートクレーブ中で実施される実施形態３３〜３９のいずれかに記載の方法。
【００８５】
４１．（ｉｉ）に従う前記結晶化温度が、１３０〜２００℃の範囲、好ましくは１４０〜１９０℃の範囲、さらに好ましくは１５０〜１８０℃の範囲である実施形態３３〜４０のいずれかに記載の方法。
【００８６】
４２．前記結晶化時間が、２４時間より長い、好ましくは３６〜１４４時間の範囲、さらに好ましくは４２〜１２０時間の範囲である実施形態３３〜４１のいずれかに記載の方法。
【００８７】
４３．（ｉｉｉ）（ｉｉ）から得られた前記結晶化混合物を、好ましくは１０〜５０℃の範囲、さらに好ましくは２０〜３５℃の範囲の前記結晶化混合物の温度に冷却する工程；
をさらに含む実施形態３３〜４２のいずれかに記載の方法。
【００８８】
４４．（ｉｖ）（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）から、好ましくは（ｉｉｉ）から得られた前記結晶化混合物から、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を分離する工程；
をさらに含む実施形態３３〜４３のいずれかに記載の方法。
【００８９】
４５．（ｉｖ．１）（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）から、好ましくは（ｉｉｉ）から得られた前記結晶化混合物を、好ましくは、ろ過又は遠心分離、さらに好ましくは、ろ過を含む固液分離方法に供し、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を得る工程；
（ｉｖ．２）好ましくは、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、好ましくは水で洗浄する工程；
（ｉｖ．３）（ｉｖ．１）から、好ましくは（ｉｖ．２）から得られた前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、乾燥する工程；
を含む実施形態４４に記載の方法。
【００９０】
４６．（ｉｖ．３）に従って、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が、７５〜１５０℃の範囲、好ましくは８５〜１３０℃の範囲、さらに好ましくは９５〜１１０℃の範囲の温度を有するガス雰囲気で乾燥される実施形態４５に記載の方法。
【００９１】
４７．前記ガス雰囲気が、酸素を含み、好ましくは、酸素、空気、合成空気、又は希薄空気である実施形態４６に記載の方法。
【００９２】
４８．（ｖ）（ｉｉ）から、好ましくは（ｉｉｉ）から、さらに好ましくは（ｉｖ）から得られた前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料をか焼する工程；
をさらに含む実施形態３３〜４７、好ましくは４３〜４７、さらに好ましくは４４〜４７のいずれかに記載の方法。
【００９３】
４９．（ｖ）に従って、前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料が、４５０〜７００℃の範囲、好ましくは４７５〜６５０℃の範囲、さらに好ましくは５００〜６００℃の範囲の温度を有するガス雰囲気でか焼される実施形態４８に記載の方法。
【００９４】
５０．前記ガス雰囲気は、酸素を含み、好ましくは、酸素、空気、合成空気、又は希薄空気である実施形態４９に記載の方法。
【００９５】
５１．（ｖｉ）前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、遷移金属、好ましくはＣｕ及びＦｅの１種以上による、さらに好ましくはＣｕによるイオン交換に供する工程；
をさらに含む実施形態４４〜５０のいずれかに記載の方法。
【００９６】
５２．（ｖｉ）が、
（ｖｉ．１）前記担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料、前記遷移金属源、前記遷移金属源用の溶媒、及び任意に酸、好ましくは有機酸を含む混合物を調製する工程であって、前記溶媒は、好ましくは水を含み、前記遷移金属源は、好ましくは遷移金属塩を含み、且つ前記酸は、好ましくは酢酸を含む工程；
（ｖｉ．２）（ｖｉ．１）で調製された前記混合物を、３０〜９０℃の範囲、好ましくは４０〜８０℃の範囲の温度に加熱する工程；
を含む実施形態５１に記載の方法。
【００９７】
５３．（ｖｉ．３）（ｖｉ．２）から得られた前記混合物を、１０〜５０℃の範囲、さらに好ましくは２０〜３５℃の範囲の混合物の温度に冷却する工程；
をさらに含む実施形態５２に記載の方法。
【００９８】
５４．（ｖｉ．４）（ｖｉ．２）又は（ｖｉ．３）から、好ましくは（ｖｉ．３）から得られた前記混合物から、前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を分離する工程；
をさらに含む実施形態５２又は５３、好ましくは５３に記載の方法。
【００９９】
５５．前記分離する工程が、
（ｖｉ．４．１）前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を任意に洗浄する工程；
（ｖｉ．４．２）（ｖｉ．３）又は（ｖｉ．４．１）から得られた前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、ガス雰囲気で、好ましくは、９０〜２００℃の範囲、さらに好ましく１００〜１５０℃の範囲のガス雰囲気の温度で乾燥する工程であり、前記ガス雰囲気は、好ましくは酸素を含む工程；
を含む実施形態５４に記載の方法。
【０１００】
５６．（ｖｉ．５）（ｖｉ．４）から得られた前記遷移金属を含む担体材料の表面に担持される前記ＡＥＩ／ＣＨＡ族のゼオライト材料を、ガス雰囲気で、好ましくは、３５０〜６００℃の範囲、さらに好ましく４００〜５５０℃の範囲のガス雰囲気の温度でか焼する工程であり、前記ガス雰囲気は、好ましくは酸素を含む工程；
をさらに含む実施形態５４又は５５に記載の方法。
【０１０１】
５７．実施形態３３〜５０のいずれかに記載の方法によって、得られうる若しくは得られる、又は調製され得る若しくは調製される実施形態１〜２３のいずれかに記載の組成物。
【０１０２】
５８．実施形態３３〜５６のいずれか、好ましくは実施形態５１〜５６のいずれかに記載の方法によって、得られうる若しくは得られる、又は調製され得る若しくは調製される実施形態２４〜３２のいずれかに記載の組成物。
【０１０３】
５９．実施形態１〜３２又は５７若しくは５８のいずれかに記載の組成物の、触媒又は触媒成分としての使用方法。
【０１０４】
６０．排出ガス流の処理、好ましくはディーゼルエンジンの排出ガス流の処理における実施形態５９に記載の使用方法。
【０１０５】
６１．前記処理において、ディーゼルエンジンの排出ガス流中に含まれる窒素酸化物が、選択的に還元される実施形態６０に記載の使用方法。
【０１０６】
６２．排出ガス流、好ましくはディーゼルエンジンの排出ガス流を処理する方法であって、前記排出ガス流を、実施形態１〜３２又は５７若しくは５８のいずれかに記載の組成物を含む触媒に接触させる工程を含む方法。
【０１０７】
６３．前記排出ガス流を、実施形態１〜３２又は５７若しくは５８のいずれかに記載の組成物を含む触媒に接触させる工程によって、ディーゼルエンジンの排出ガス流中に含まれる窒素酸化物が、選択的に還元される実施形態６２に記載の方法。
【実施例】
【０１０８】
本発明は、以下の参考例、実施例、及び参考例によってさらに説明される。
［参考例１．１：ＢＥＴ比表面積の測定］
前記ＢＥＴ比表面積を、ＤＩＮ６６１３１に従い、Ｑｕａｎｔａｃｈｒｏｍｅ  ＱＵＡＤＲＡＳＯＲＢ ＳＩシステムを使用し、７７ ＫでのＮ2吸脱着（adsorption-desorption）によって測定した。前記試料の比表面積を、Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ（ＢＥＴ）式によって計算した。
【０１０９】
［参考例１．２：Ｓmicの測定］
前記比微小孔表面積（Ｓmic）を、参考例１．１の方法に従って測定し、Ｔ−Ｐｌｏｔ法によって計算した。
【０１１０】
［参考例１．３：Ｓextの測定］
前記外表面積（Ｓext）を、参考例１．１に従って測定した前記ＢＥＴ比表面積と、参考例１．２に従って測定した前記比微小孔表面積Ｓmicの差として計算した。
【０１１１】
［参考例１．４：Ｖtの測定］
前記総細孔体積（Ｖt）を、ＤＩＮ６６１３に従い、物理吸着等温線（physisorption isotherm）におけるピーク値（ｐ／ｐ0＝０．９９４で吸着される体積）に基づいて測定した。
【０１１２】
［参考例１．５：Ｖmicの測定］
前記微小孔体積（Ｖmic）を、参考例１．１の方法に従って測定し、Ｔ−Ｐｌｏｔ法によって計算した。
【０１１３】
［参考例１．６：ＶBJHの測定］
ＶBJH、１７．０００〜３．０００．０００オングストロームの直径の細孔の前記吸着累積体積を、Ｂａｒｒｅｔｔ−Ｊｏｉｎｅｒ−Ｈａｌｅｎｄａ（ＢＪＨ）法に従って、計算した。
【０１１４】
［参考例１．７：前記担体材料の前記ゼオライト材料の負荷の測定］
前記担体材料の前記ゼオライト材料による負荷を、式：
Ｌ＝［ＳBET（ＺＭ＠ＳｉＣ）］／［ＳBET（ＳｉＣ）＋ＳBET（ＺＭ）］
［式中、
ＳBET（ＺＭ＠ＳｉＣ）＝ＳｉＣ担体材料に担持されるゼオライト材料の比表面積
ＳBET（ＳｉＣ）＝ＳｉＣ担体材料の比表面積
ＳBET（ＺＭ）＝ゼオライト材料の比表面積
前記それぞれの比表面積は、本明細書の参考例１．１に記載された通りの方法に従って測定されるＢＥＴ比表面積である］
に従って計算した。
【０１１５】
［参考例１．８：ＳＥＭによる結晶子サイズの測定］
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を、ＦＥＩ  Ｑｕａｎｔａ２００Ｆ顕微鏡、加速電圧０．５〜３０ｋＶ、倍率１２０〜５０００で実施した。
【０１１６】
［参考例１．９：粉末ＸＲＤパターンの測定］
粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）を、Ｐａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｘ’ｐｅｒｔ  Ｅｍｐｙｒｅａｎ−１００回折計で、Ｃｕ  Ｋα源（λ＝１．５４１８オングストローム）を４０ｋＶ及び４０ｍＡで用いて実施した。前記パターンを、２θ＝５〜５０°の範囲で記録した。
【０１１７】
［参考例１．１０：Ｃｕ負荷の測定］
前記Ｃｕ負荷を、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ７３００ ＤＶ誘導結合プラズマ発光分析（ＩＣＰ−ＯＥＳ）で測定した。
【０１１８】
［参考例２．１：骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料の調製］
ＮａＯＨをＳｉｎｏｐｈａｒｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｒｅａｇｅｎｔ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．から購入した。Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アンモニウムアダマンタン（ＴＭＡｄａＯＨ）をＩｎｎｏｃｈｅｍから購入し、Ａｌ（ＯＨ）3をＴｉａｎｊｉｎ Ｋｅｍｅｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｒｅａｇｅｎｔ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．から購入した。ＳｉＯ2微粉末をＳｈｅｎｙａｎｇ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｉｎｄｕｓｔｒｙ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．から購入した。すべての化学物質は、さらなる精製に供することなく、直接使用した。
【０１１９】
骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を、Ｓｈｉｓｈｋｉｎらに報告された方法に従って、水熱合成によって合成した。４ｇの水を３ｇのＮａＯＨ水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ）に添加し、続いて４ｇのＴＭＡｄａＯＨ（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−２−アダマンチルアンモニウム水酸化物）を添加した。３０分間撹拌した後、０．１ｇのＡｌ（ＯＨ）3及び１．２ｇのＳｉＯ2を、前記混合物に添加した。結果として得られた懸濁液を容量５０ｍＬのテフロン（登録商標）裏打ちステンレス鋼製（Teflon-lined stainless-steel）オートクレーブ中に移した。前記オートクレーブを密封し、ロータリーオーブン（０．７ｒｐｍ）中、１６０℃で２日間保持し、その後室温に冷却した。白色粉末を吸引ろ過により、エタノール及び脱イオン水で、それぞれ３回洗浄し、続いて、空気中１００℃で一晩乾燥し、最後に５５０℃で５時間か焼した。
【０１２０】
［参考例２．２：Ｃｕを含む骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料の調製］
Ｃｕを含む骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料をイオン交換プロセスによって調製した。この目的のため、参考例２．１に従って調製した前記ゼオライト材料を、容量５０ｍＬのテフロン（登録商標）裏打ちステンレス鋼製オートクレーブ中の０．５ｍｏｌ／ＬのＣｕ（ＮＯ3）2水溶液に、０．５ｇ／３０ｍｌの固液比で入れた。前記オートクレーブを密封し、ロータリーオーブン（０．７ｒｐｍ）中、８０℃で５時間保持し、その後室温に冷却した。次に、前記固体を、脱イオン水を用いて３回超音波洗浄し、続いて、空気中１００℃で一晩乾燥し、最後に５５０℃で５時間か焼した。結果として得られた骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料は、４．０３質量％のＣｕを含有した。
【０１２１】
［実施例１：炭化ケイ素に担持された骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を含む組成物の調製］
炭化ケイ素に担持された骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を含む組成物を、炭化ケイ素担体上での水熱合成によりゼオライト材料を成長させることによって調製した。最初に、上記参考例２．１に記載された通り前記合成混合物を調製した。次に、０．５ｃｍ×０．５ｃｍ×１ｃｍの寸法を有する炭化ケイ素レンガ（６７質量％のα−ＳｉＣ、１８質量％のＳｉ、１５質量％のＳｉＯ2）を、５０ｍＬのオートクレーブ中の前記合成混合物に入れた。ロータリーオーブン（０．７ｒｐｍ）中、１６０℃でさまざまな期間（１〜５日間）結晶化した後、前記ゼオライト材料で担持された前記レンガを採取し、ビーカー中で超音波洗浄し、空気中１００℃で一晩乾燥した。５５０℃で５時間か焼した後、炭化ケイ素に担持された骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を含む最終組成物を得た。以下の組成物を得た（以下の表１を参照）。
【０１２２】
【表１】
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【０１２３】
図１は、ＳｉＣ担体材料、前記純粋なＣＨＡゼオライト材料及び前記ＳｉＣ材料に担持された典型的なＣＨＡゼオライト材料のＸＲＤパターンを示す。前記ＳｉＣ担体における２１．６°のピークは、立方晶系のＳｉＯ2（１１１）の結晶面（crystal plane）としてインデックス化され（ＰＤＦ＃２７−０６０５）、３４．１°、３５．６°、３８．１°、４１．４°、及び４５．３°のピークは、六方晶系のＳｉＣ（１０１）、（００６）、（１０３）、（１０４）及び（１０５）の特徴的な回折であり（ＰＤＦ＃４９−１４２８）、２８．４°及び４７．３°は、それぞれ立方晶系のＳｉ（１１１）及び（２２０）面としてインデックス化される。前記ＣＨＡゼオライト材料試料のＸＲＤパターンは、不純物を含まない十分に結晶化したＣＨＡ構造を示した。図１（ｃ）は、ＣＨＡゼオライトの層が、ＳｉＣ担体材料上で成長されたことを示す。さらに、前記ＳｉＣ担体材料の構造は、全ての特徴的な回折ピークが保持されているので、担持工程中に損傷を受けていなかった。前記ＳｉＣ担体に最初に存在していた前記ＳｉＯ2及びＳｉの回折ピークは消失した。いかなる理論に制約されるつもりはないが、これはおそらく、ＳｉＣ担体材料の表面でＣＨＡゼオライト材料を成長させる際に、ＳｉＯ2及びＳｉがケイ素源として消費されたためであることが留意される。
【０１２４】
図２は、未処理の前記ＳｉＣ担体材料がほとんど黒色であることを示す（図２（ａ））。ロータリーオーブン中５日間水熱合成した後（図２（ｄ））、淡い白色に変化し、結果として、前記ＳｉＣ担体材料の表面が、前記ＣＨＡゼオライト材料で成功裏に覆われたことを示す。最終的に得られた前記ＳｉＣ担体材料に担持された前記ゼオライト材料を含む組成物は、黒色の布片上で繰り返し擦られた場合、明らかな白色粉末の剥がれはなかった。これは、前記ＣＨＡゼオライト材料が、前記ＳｉＣ担体材料にかなり強く付着されたことを示していた。いかなる理論に制約されるつもりはないが、この強力な付着は、前記界面での化学結合による可能性があり、前記ＳｉＣ担体材料が、前記水熱合成中に前記ＣＨＡゼオライト材料の核生成（nucleation）及び結晶化のためのＳｉ源の機能を果たす、ＳｉＯ2及びＳｉを含んでいた事実による可能性がある。この結果は、ＸＲＤ分析と一致していた。図２（ｂ）及び図２（ｅ）の画像の比較は、ＳｉＣ担体材料の不規則な孔が、前記ＣＨＡゼオライト材料で充填されたため、前記表面がより滑らかになったことを示す。図２（ｆ）及びその挿入図のより精密な検査は、前記ＣＨＡゼオライト材料の特徴的な立方晶系の形態を明らかにする。
【０１２５】
表１の組成物及び化合物の窒素吸着／脱着曲線を図５（ａ）に示す。参考例１．２に従って調製された純粋なＣＨＡゼオライト材料は、微小孔性材料の特徴であるＩ型等温線を示す。そのＢＥＴ表面積は５６７．７ ｍ2ｇ-1であり、その総細孔体積及び微小孔体積は、それぞれ０．３１３及び０．３０３ ｃｍ3ｇ-1である。前記ＳｉＣ担体材料は、無視できるほどの細孔体積及び外表面積を示した。前記ＳｉＣ担体材料上の前記ＣＨＡゼオライト材料の成長の後、前記表面積は、前記合成時間とともに、２２．０から２０１．３ｍ2ｇ-1に増加した（１〜３日に相当する）。３日を過ぎると、比表面積は、それ以上変化しなかった（図５（ｂ））。ＳｉＣは、有意なＮ2の吸着及び比表面積を示さないので、前記合成時間とともに前記ＳｉＣ表面上での前記ＣＨＡゼオライト材料の負荷が増加した。ＳｉＣ自体が質量にのみ寄与し、細孔には寄与しないため、前記ＳｉＣ担体材料に担持された前記ＣＨＡゼオライト材料の前記ＢＥＴ比表面積及び微小孔体積は、純粋なＣＨＡゼオライト材料より低かったが、前記組成物（５日後）は、比較的高いＢＥＴ比表面積（１９６．８ ｍ2ｇ-1）、及び微小孔体積（０．１０１ ｃｍ3ｇ-1）を示した。
【０１２６】
前記合成を記載した通り繰り返したが、使用したＮａＯＨ水溶液の量を変化させた。要約すると、以下の量：２ｇ、３ｇ、４ｇ、５ｇ、６ｇを使用した。前記ＮａＯＨの量は、前記ＳｉＣ担体上での前記ゼオライト材料の成長に影響を及ぼすことが分かった。その結果を図３に示す。図３（ａ）は、２ｇのＮａＯＨ水溶液を使用した場合、結果として得られた前記ＳｉＣ担体上で成長した骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料が、比較的低い結晶性を表すことを示す。ＮａＯＨの量の増加とともに、不純物の回折ピークがより弱くなり、５ｇのＮａＯＨで最終的に消失した。前記ＮａＯＨの量を６ｇにさらに増加した場合、高い結晶性で純粋なＣＨＡ相のみが観察された。これは、図３（ｂ）〜図３（ｆ）に示す通り、ＳＥＭによって検証された。２ｇのＮａＯＨ溶液では、多くの乱雑な楕円形のブロックが形成されたが、小さなＣＨＡ立方晶は、前記担体上にほとんど散乱していなかった。４ｇのＮａＯＨの量では、より多くの立方晶が出現したが、不規則な形状を有する不純物は、徐々に数が減少し、最終的には消失した（図３（ｅ）及び図３（ｆ））。前記ＳｉＣ担体材料上の前記ゼオライト材料のこれらの立方晶の大きさは、２から７μｍに変化した。
【０１２７】
さらに、前記合成を記載した通り繰り返したが、結晶化時間を変化させた。要約すると、以下の時間：１日、２日、３日、４日、５日を使用した。前記ＮａＯＨ水溶液の量は５ｇであった。その結果を図４に示す。図４（ａ）におけるＸＲＤパターンは、前記合成が１日間だけで実施される場合、前記ゼオライト材料の特徴的な回折をほとんど示さない。図４（ｂ）は、いくつかの散在性の立方晶が、前記ＳｉＣ担体材料の表面に存在し、第１日後では、前記ＳｉＣ担体材料表面の一部が、まだ露出されていたことを示す。水熱合成時間を長くすると、前記結晶性がより高くなり、図４に示す通り、ＳＥＭ画像において、より大きく且つ角がある結晶に反映された。さらに、前記ＳｉＣ担体材料の表面は、２日後で完全に覆われた。２〜５日間で調製された前記試料は全て、前記ＸＲＤパターンにおいて観察される他の不純物相がない純粋相のＣＨＡ材料を示す。図４（ｃ）において、前記ＳｉＣ担体材料は、２日後で、ＣＨＡ結晶を敷き詰めたように覆われ（carpeted）、前記ＳｉＣ担体材料の表面は、完全に覆われたことが示される。
【０１２８】
［実施例２：Ｃｕを含み、且つ炭化ケイ素に担持された骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料の調製］
Ｃｕを含み、且つ炭化ケイ素に担持された骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を、イオン交換プロセスによって調製した。この目的のため、実施例１（水熱合成に使用したＮａＯＨの量：５ ｇ；結晶化時間：３日）に従って調製された炭化ケイ素に担持された骨格型ＣＨＡを有するゼオライト材料を含む最終組成物を０．５ｍｏｌ／ＬのＣｕ（ＮＯ3）2水溶液に０．８ｇ／３０ｍｌの固液比で入れた。前記オートクレーブを密封し、ロータリーオーブン（０．７ｒｐｍ）中、８０℃でさまざまな時間（５〜２０時間）保持し、その後室温に冷却した。次に、前記組成物を、脱イオン水を用いて３回超音波洗浄し、続いて、空気中１００℃で一晩乾燥し、最後に５５０℃で５時間か焼した。結果として得られた組成物は、０．３７質量％のＣｕ（８０℃で５時間保持）、１．７１質量％のＣｕ（８０℃で１０時間保持）、及び１．０２質量％のＣｕ（８０℃で２０時間保持）を含有していた。結果として得られた触媒は、Ｃｕ（ｘ）−ＳＳＺ−１３ ＠ ＳｉＣ（但し、ｘはＣｕ負荷（質量％）を表す）と名付けた。
【０１２９】
［実施例３：ＮＨ3−ＳＣＲ活性の測定］
４０〜６０メッシュの大きさを有する前記触媒を、内径６ｍｍの石英製の固定床管状マイクロリアクターに装填した。反応は以下の条件下で実施した：供給流の組成：５００ｐｐｍＮＨ3，５００ｐｐｍＮＯ、１０体積％ｌＯ2、５体積％Ｈ2Ｏ、残りのＮ2、４００ｍＬ／分の総ガス流量、８００００ｈ-1のガス毎時空間速度（gas hourly space velocity）（ＧＨＳＶ）。排出流（effluent stream）中のＮＯの濃度を、ＥＣＯＴＣＨ ＭＬ９８４１ＡＳアナライザーを使用して分析した。ＮＯ変換を、以下の式：
ＮＯ変換／％＝１００×［Ｃin（ＮＯ）−Ｃout（ＮＯ）］／Ｃin（ＮＯ）
［式中、
Ｃin（ＮＯ）＝供給流中のＮＯの濃度
Ｃout（ＮＯ）＝排出流中のＮＯの濃度］
に従って計算した。
【０１３０】
図６は、参考例１．２に従って調製された骨格型ＣＨＡを有する銅含有ゼオライト材料、及び実施例２に従って調製された銅含有組成物である種々のＣｕ負荷を有するＣｕ−ＳＳＺ−１３ ＠ ＳｉＣ触媒のＮＨ3−ＳＣＲ性能を示す。図６に示す通り、ＮＯ変換は、前記組成物のＣｕ負荷とともに増加した。０．３７質量％の負荷を有する触媒（Ｃｕ（０．３７）−ＳＳＺ−１３ ＠ ＳｉＣとして示される）は最低の活性を示した。低温では、ＮＯのＮ2への変換は、ほとんど観察されない。最高のＮＯ変換は、３５０℃で、わずか４４質量％である。１．０２質量％の負荷を有するＣｕ−ＳＳＺ−１３ ＠ ＳｉＣ（Ｃｕ（１．０２）−ＳＳＺ−１３ ＠ ＳｉＣ）は、より良好に行われ、前記ＮＯ変換は、２４０℃で９０％に達し、３８０℃まで９０％を超えている。Ｃｕ（１．７１）−ＳＳＺ−１３ ＠ ＳｉＣは、１９５℃という低い温度で、すでに９０％を超えるＮＯ変換に達し、４３５℃までこのレベルを維持したことから、適用温度を拡大する。図６は、Ｃｕ（４．０４）−ＳＳＺ−１３でのＮＯ変換が、２５０℃未満では、Ｃｕ（１．７１）−ＳＳＺ−１３ ＠ ＳｉＣでのＮＯ変換と、実質的に同等であったことを示す。しかしながら、それは温度の上昇とともに徐々に不活性化し、前記ＮＯ変換は、３６５℃で９０％未満に低下し、Ｃｕ（１．７１）−ＳＳＺ−１３ ＠ ＳｉＣのＮＯ変換より低下した。これは、高温での前記活性の向上、及び／又はＣｕ−ＳＳＺ−１３の安定化におけるＳｉＣの効果を明確に実証する。活性が１分間当たりにｇ−Ｃｕ当たりの変換されたＮＯとして表される場合、前記Ｃｕ（１．７１）−ＳＳＺ−１３ ＠ ＳｉＣ触媒は、３５．９ｍｏｌＮＯ／ｇ−Ｃｕ／分を示し、これは５５０℃でのＣｕ（４．０４）−ＳＳＺ−１３の７．３倍である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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