(57)【要約】  本発明は、広くは、基板表面上の汚染粒子を低減する装置および方法に関する。一実施例で、該装置は、ヒータ台の上方に配置されてこれに連結されたヒータライナーを含むロードロックチャンバとして実現される。上部ヒータライナーは一般に、上部板および一以上の壁を含み、壁はヒータ台の上方で上部ヒータライナーを支持する。上部ヒータライナーは、ヒータ台と接触しているので、通常、汚染粒子が揮発する温度、例えば約１００度よりも高い温度まで加熱される。作動時、高温の上部ヒータライナーを通過しその近傍にある揮発性フッ素がガス状で残留して、ロードロックチャンバからポンプで排出される。したがって、上部ヒータライナーは基板表面上に汚染粒子が堆積することを有利に低減し、全体的な歩留まりを向上させる。【選択図】図２
2020509589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ壁およびチャンバ蓋を有し、前記チャンバ壁の内面および前記チャンバ蓋の底面が内部空間を画定している、チャンバ本体と、
前記内部空間に配置される、ヒータ台と、
前記ヒータ台に接触して配置される、上部ヒータライナーと
を含む、ロードロックチャンバであって、前記上部ヒータライナーが、
上部板、および
前記上部板および前記ヒータ台と接触して配置され、前記ヒータ台の上方に前記上部板を離間させ、１８０度離れて配置された２つの基板移送開口を有する、少なくとも１つの壁
を含む、ロードロックチャンバ。
【請求項２】
前記チャンバ蓋の前記底面と前記上部板との間の距離が、約５０ミル（ｍｉｌ）から約２００ミル（ｍｉｌ）である、請求項１に記載のロードロックチャンバ。
【請求項３】
前記チャンバ蓋の前記底面と前記上部板との間の前記距離が約１００ミルである、請求項２に記載のロードロックチャンバ。
【請求項４】
前記ヒータ台と前記上部板との間の距離が、約１０００ミルから約２０００ミルである、請求項１に記載のロードロックチャンバ。
【請求項５】
前記ヒータ台と前記上部板との間の前記距離が約１３００ミルであり、前記ヒータ台と前記上部板のサイズが等しい、請求項４に記載のロードロックチャンバ。
【請求項６】
前記上部板が、揮発した材料は通過させるが固化した汚染粒子が通過するのを防ぐ大きさの複数の開口を含む、請求項１に記載のロードロックチャンバ。
【請求項７】
前記上部ヒータライナーが、少なくとも、１８０度離間した第１の壁および第２の壁を含む、請求項１に記載のロードロックチャンバ。
【請求項８】
チャンバ壁およびチャンバ蓋を有し、前記チャンバ壁の内面と前記チャンバ蓋の底面が内部空間を画定している、チャンバ本体と、
前記内部空間に配置されるヒータ台と、
前記ヒータ台に接触して配置される上部ヒータライナーと
を含む、ロードロックチャンバであって、
前記上部ヒータライナーが、
上部板、
前記上部板および前記ヒータ台と接触して配置され、前記ヒータ台の上方に前記上部板を離間させている、少なくとも２つの壁、および
前記少なくとも２つの壁の間かつ前記上部板の下方に画定され、１８０度離れて配置される、２つの基板移送開口
を含む、ロードロックチャンバ。
【請求項９】
前記チャンバ蓋の前記底面と前記上部板との間の距離が、約５０ミル（ｍｉｌ）から約２００ミル（ｍｉｌ）である、請求項８に記載のロードロックチャンバ。
【請求項１０】
前記チャンバ蓋の前記底面と前記上部板との間の前記距離が約１００ミルである、請求項９に記載のロードロックチャンバ。
【請求項１１】
前記ヒータ台と前記上部板との間の距離が、約１０００ミルから約２０００ミルであり、前記ヒータ台と前記上部板の直径がほぼ同じである、請求項８に記載のロードロックチャンバ。
【請求項１２】
前記ヒータ台と前記上部板との間の前記距離が約１３００ミルである、請求項８に記載のロードロックチャンバ。
【請求項１３】
上部ヒータライナーアセンブリであって、
円筒形の上部板と
前記上部板から延伸して配置された少なくとも１つの壁であって、約１８０度離れて配置された２つの基板移送開口を有する、少なくとも１つの壁と
を含む、上部ヒータライナーアセンブリ。
【請求項１４】
前記上部板が中実であり、前記上部板および前記少なくとも１つの壁が伝導性材料から製造されている、請求項１３に記載の上部ヒータライナーアセンブリ。
【請求項１５】
前記上部板が穿孔されており複数の開口が形成されている、請求項１３に記載の上部ヒータライナーアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の例は、広くは、半導体基板処理システムにおける基板上の粒子形成を低減する装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイおよび集積回路などの電子機器は通常、基板上に層を堆積させ、堆積した材料が所望のパターンにエッチングされるという一連のプロセスによって製造される。該プロセスは一般に、物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）および他のプラズマ処理方法を含む。
【０００３】
様々な処理段階において直面する問題の１つに、基板の表面におけるフッ素副生成物などの汚染粒子の濃度がある。処理後の基板がロードロックチャンバにおいてヒータ台上で加熱される際、これらの汚染粒子は一般にガスへと揮発して固化し、ロードロックチャンバにおいてより低温である天井や側壁に蓄積する。さらに加熱することにより、蓄積した粒子に亀裂が入ってロードロックチャンバの天井や側壁からはがれ落ち、基板表面に舞い戻ってくる。これらの表面汚染粒子は、装置機能にとって有害である。汚染粒子を低減すべく、より低温の天井または側壁を含めロードロックチャンバ全体を加熱するなどということは非効率であり、より高温で動作できなくなり得るチャンバの様々な構成要素の機能を低下させてしまうことがある。
【０００４】
したがって、当技術分野において、エッチング処理後に基板表面上の汚染粒子の生成を効率的に低減する改良された装置および方法が必要となっている。
【発明の概要】
【０００５】
本開示は、広くは、半導体基板処理システムのロードロックチャンバにおけるヒータ台の上方の上部ヒータライナーを使用して、基板表面上の汚染粒子を低減する装置および方法に関する。一例では、該装置はロードロックチャンバである。ロードロックチャンバはチャンバ壁およびチャンバ蓋を有したチャンバ本体を含む。チャンバ壁の内面およびチャンバ蓋底面は、内部空間を画定している。内部空間にヒータ台が配置される。ヒータ台と接触して上部ヒータライナーが配置される。上部ヒータライナーは上部板を含む。上部板およびヒータ台と接触して少なくとも１つの壁が配置され、上部板をヒータ台の上方に離間させている。該少なくとも１つの壁は、１８０度離れて配置される２つの基板移送開口を有する。
【０００６】
別の例では、該装置はロードロックチャンバである。該ロードロックチャンバは、チャンバ壁およびチャンバ蓋を有したチャンバ本体を含む。チャンバ壁の内面およびチャンバ蓋の底面は、内部空間を画定している。内部空間にヒータ台が配置される。ヒータ台と接触して上部ヒータライナーが配置される。上部ヒータライナーは上部板を含み、上部板およびヒータ台と接して少なくとも２つの壁が配置され、上部板をヒータ台の上方に離間させている。該少なくとも２つの壁の間かつ上部板の下方には２つの基板移送開口が画定され、該基板移送開口は１８０度離れて配置される。
【０００７】
さらに別の例で、該装置は上部ヒータライナーである。上部ヒータライナーは円筒形の上部板を含み、上部板と接触して少なくとも１つの壁が配置される。該少なくとも１つの壁は、１８０度離れて配置された２つの基板移送開口を有する。
【０００８】
上記で説明した本開示の特徴を詳細に理解することができるよう、上記で概説した本開示の記載の更なる詳細が、実施例の参照によって得られる。それらのいくつかは、添付の図面に描かれている。しかし、添付図面は例示的実施例のみを示すものであって範囲を限定するものではなく、他の同様に有効な実施例を許容し得ることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本書に記載の実施例による、例示的な基板処理システムの概略上面図である。
【図２】本書に記載の実施例による、図１のロードロックチャンバの断面図である。
【図３】本書に記載の一実施例による、図２のロードロックチャンバの上部ヒータライナーの斜視図である。
【図４】図３の上部ヒータライナーを有するロードロックチャンバの概略図である。
【図５】本書に記載の別の実施例による、図２のロードロックチャンバの代替的な上部ヒータライナーの斜視図である。
【図６】図５の上部ヒータライナーを有するロードロックチャンバの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
理解を容易にするために、可能であれば、図面に共通の同一要素を指定するために同一の参照数字が使用されている。一実施例の要素および特徴は、さらなる説明なしに、他の実施例に有益に組み入れられ得ることが意図されている。
【００１１】
本開示は、広くは、半導体基板処理システムにおける基板表面上の汚染粒子を低減する装置および方法に関する。一例では該装置はロードロックチャンバとして実現される。該ロードロックチャンバは、ヒータ台の上方に配置され連結された上部ヒータライナーを含む。該上部ヒータライナーは、一般に、穿孔されているか或いは中実の上部板および一以上の壁を含み、壁は、ヒータ台の上方で上部ヒータライナーを支持する。上部ヒータライナーはヒータ台と接触しているため、上部ヒータライナーは、一般に、基板表面の汚染粒子が揮発する温度、例えば摂氏約１００度（℃）よりも高い温度まで加熱される。作動時、高温の上部ヒータライナーを通過するかその近傍にある揮発性のフッ素は、ガス状で残留しているので、ロードロックチャンバからポンプで排出される。したがって、上部ヒータライナーは基板表面上に汚染粒子が堆積する可能性を低減することを有利に支援し、全体的な歩留まりを向上させる。
【００１２】
図１は、本書に記載の実施例による例示的な基板処理システム１００の概略上面図である。例示的基板処理システム１００は、複数の処理チャンバ１０８ａ−ｆ、移送チャンバ１１２、ロードロックチャンバ１０５、およびファクトリインターフェース１１４を含む。移送チャンバ１１２は、ロードロックチャンバ１０５および処理チャンバ１０８ａ−ｆに連結されている。ロードロックチャンバ１０５は、ファクトリインターフェース１１４と移送チャンバ１１２との間に連結されている。
【００１３】
ファクトリインターフェース１１４は、実質的に大気圧で維持され、ファクトリインターフェース１１４に連結されたカセット１０２とロードロックチャンバ１０５との間で基板を移送するための一以上のロボット１０４を含む。ロードロックチャンバ１０５はファクトリインターフェース１１４から大気圧で基板を受け取り、次いでロードロックチャンバ１０５の内部空間を低圧にポンプダウン（すなわち真空引き）するように動作し、基板は一般に、移送チャンバ１１２に配置された第２のロボットアーム１１０によって、ロードロックチャンバ１０５から移送チャンバ１１２へ移送される。
【００１４】
第２のロボットのアーム１１０は、処理のために、基板を基板処理チャンバ１０８ａ−ｆへ移送させるように構成されている。各基板処理チャンバ１０８ａ−ｆは基板処理工程、例えばドライエッチング処理、周期的積層（ＣＬＤ）、原子積層（ＡＬＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、前洗浄、基板ガス除去、基板配向や他の基板処理などを実行するように装備され得る。基板処理チャンバ１０８ａ−ｆの少なくとも１つが、ハロゲン含有ガスを使用する処理を実行するように構成される。例えば、基板処理チャンバ１０８ａ−ｆの少なくとも１つが、フッ素またはフッ素含有ガスを使用して基板をエッチングするように構成される。一以上の基板処理チャンバ１０８ａ−ｆにおける処理後、基板は第２のロボットのアーム１１０によってロードロックチャンバ１０５に戻され、最終的にはファクトリインターフェース１１４を通過してカセット１０２に戻される。
【００１５】
基板処理チャンバ１０８ａ−ｆの少なくとも１つは、ケイ素をエッチングする処理チャンバとして例示されている。しかし、本開示は他の処理を実行するために構成された処理チャンバにも当てはまる。上記で述べたように、様々な処理段階において直面する問題の１つに、基板の表面上の汚染粒子の濃度がある。例えば、フッ化ケイ素（ＳｉＦ）は、ケイ素エッチングの一般的な副生成物であり、摂氏約１００度よりも高い温度で揮発する。処理を通じて、フッ化ケイ素の表面汚染粒子、またはエッチング残留物が基板表面上に蓄積する。処理された基板がロードロックチャンバ１０５で大気圧にベントされると、これらの基板汚染粒子の少なくともいくらかが基板表面に残留する。基板がロードロックチャンバ１０５の対で加熱されると、表面の汚染粒子は揮発する。しかし、フッ化ケイ素からのフッ素を含む揮発した副生成物が、ロードロックチャンバ１０５のより低温の蓋または側壁に接触すると、フッ素が表面の金属と反応し、亀裂が入って剥がれ落ち、汚染物として基板表面に舞い戻りやすくなる。下記に述べるように、ロードロックチャンバ１０５の対は、基板表面の汚染粒子となる潜在性を有したロードロックチャンバ１０５の表面の膜生成の可能性を、実質的に低減するように構成される。
【００１６】
ロードロックチャンバ１０５は、１つの基板を支持するロードロックチャンバとして例示的に示されている。しかし、本開示は２つ以上の基板を支持するように構成されたロードロックチャンバにも当てはまる。例えば、本開示は下方のスロットおよび上方のスロットを有する積み重ね式のロードロックチャンバにも当てはまり、下方のスロットは第１の基板を支持するように構成され、上方のスロットは第２の基板を支持するように構成される。さらに、ロードロックチャンバ１０５は３００ミリメートル（ｍｍ）基板などの円形の基板を支持するように構成されたロードロックチャンバとして例示されている。しかし、本開示はいかなる形状およびいかなる寸法の基板、並びにそれらを支持するように構成されたロードロックチャンバにも当てはまる。
【００１７】
図２は、本開示に記載の実施例による、図１のロードロックチャンバ１０５の断面図である。ロードロックチャンバ１０５は一般に、チャンバ壁２０６およびチャンバ蓋２０８によって画定されるチャンバ本体２０４を含む。各チャンバ壁２０６は、内面２０６ａおよび外面２０６ｂを有する。内面２０６ａは、チャンバ本体２０４の内側に露出しており、外面２０６ｂは大気、すなわちチャンバ本体２０４の外側の環境に露出している。チャンバ壁２０６には２つのスリットバルブ開口２２２が形成されており、その１つが図２に示されている。スリットバルブ開口２２２は、チャンバ本体２０４をファクトリインターフェース１１４および移送チャンバ１１２に選択的に接続させる。チャンバ蓋２０８は上面２０８ａおよび底面２０８ｂを有する。チャンバ壁２０６の内面２０６ａおよびチャンバ蓋２０８の底面２０８ｂによって、内部空間２２４が画定される。ロードロックチャンバ１０５の内部空間２２４には真空ポンプ２１４が連結され、真空状態と大気状態の間で圧力を制御する。
【００１８】
内部空間２２４に、ヒータ台２１０および上部ヒータライナー２１２が配置される。ヒータ台２１０は、チャンバ本体２０４を通って延伸する支持軸２１６と連結される。抵抗式加熱要素２０２がヒータ台２１０に配置され、支持軸２１６を通って延伸するケーブル２１８によって電源（図示せず）に連結される。加熱要素２０２は代替的に、抵抗式ヒータ以外の適切な加熱要素であってもよい。
【００１９】
上部ヒータライナー２１２は一般に、上部板２６０および一以上の壁２６２を含む。上部板２６０がヒータ台２１０の上面２１０ａから距離２２６ぶん離間されている。該距離２２６は一般に、約１０００ミル（ｍｉｌ）〜約２０００ミル（ｍｉｌ）であり、例えば約１３００ミルである。上部板２６０はチャンバ蓋２０８の底面２０８ｂから距離２２８ぶん離間されている。該距離２２８は一般に、約５０ミル〜約２００ミルであり、例えば約１００ミルである。
【００２０】
図２はロードロックチャンバ１０５内に配置された基板２２０を例示的に示している。ヒータ台２１０は一般に、上部ヒータライナー２１２の壁２６２の間で基板２２０を収容するように寸法設定される。図２に示されているように、ヒータ台２１０および上部ヒータライナー２１２の直径は一般に実質的に等しい。ヒータ台２１０の直径および上部ヒータライナー２１２の直径は、基板２２０の直径よりも大きい。例えば、基板２２０の端部とヒータ台２１０の端部との間の距離２３０は、一般に約２００〜約５００ミルであり、例えば４７０ミルである。これらの例示的な距離は、例えば３００ｍｍの基板を用いるものであるが、ロードロックチャンバ１０５およびその構成要素は、他の形状および寸法の基板を収容するように構成されてもよい。
【００２１】
上部ヒータライナー２１２は、金属などの高い熱伝導率を有する材料、例えばアルミニウムから製造される。壁２６２は上部ヒータライナー２１２とヒータ台２１０を連結し、ヒータ台２１０から上部ヒータライナー２１２へ熱を伝導する。この連結によって、上部ヒータライナー２１２とヒータ台２１０の間のより確実な接触がもたらされる。上部ヒータライナー２１２とヒータ台２１０とが確実に接触していることで、ヒータ台２１０から穿孔された上部板２６０への熱伝導が向上する。
【００２２】
図３は、本明細書に記載の一実施例による、ヒータ台２１０と接触して配置された図２のロードロックチャンバ１０５の上部ヒータライナー２１２の斜視図である。上部ヒータライナー２１２の上部板２６０は、穿孔されているか或いは中実である。図３に示す例では、上部板２６０は一般に、ガスが通過できる複数の開口３０６を含む。上部板２６０は複数の壁２６２を有し、図３に図示されるように、第１の壁３０４ａ、第２の壁３０４ｂとして上部板２６０の底面２６０ａから延伸している。壁３０４が上部板２６０をヒータ台２１０に連結している。一以上の壁３０４は一般に、上部板２６０をヒータ台２１０に締結具または他の締結機構を通じて連結している。一例では、ヒータ台２１０は表面に形成された一以上の切込みあるいは凹部を含み、該一以上の切込みあるいは凹部を一以上の壁３０４に揃えて連結するように構成される。別の例では、一以上の壁３０４が、ねじ、ボルト、またはピンなどの締結具でヒータ台２１０に連結される締結ブラケットをさらに含む。さらに別の例では、上部ヒータライナー２１２とヒータ台２１０が、様々な構成要素を含む１つの単位であるように、１つの金属片から製造されてもよい。壁３０４を通じて上部ヒータライナー２１２とヒータ台２１０とが連結されていることにより、上部ヒータライナー２１２とヒータ台２１０とがより確実に接触する。上部ヒータライナー２１２とヒータ台２１０とが確実に接触していることで、ヒータ台２１０から穿孔された上部板２６０への熱伝導が向上する。
【００２３】
図３に示すように、上部板２６０は円筒形であり、第１の壁３０４ａは第２の壁３０４ｂから１８０度離間される。第１の壁３０４ａおよび第２の壁３０４ｂは湾曲しているので、壁３０４の外面はヒータ台２１０の外部端部の周囲と同一面上にある。第１の壁３０４ａおよび第２の壁３０４ｂにより、ヒータ台２１０と上部板２６０との間に２つの基板移送開口３０２が形成されている。２つの基板移送開口３０２は１８０度離れているため、２つの基板移送開口３０２は２つのスリットバルブ開口２２２と揃うことで、基板２２０をロードロックチャンバ１０５の両側の内外へ移送することを容易にする。
【００２４】
基板移送開口３０２の高さは、第２のロボットアーム１１０などのロボットと基板２２０が通過するのに十分である。第１の壁３０４ａと第２の壁３０４ｂは離れているため、基板移送開口３０２も、通過する基板２２０を収容するのに十分広い。３００ｍｍ基板を使用する例では、基板移送開口３０２は一般に３５０ｍｍよりも広い。４５０ｍｍ基板を使用する例では、空間３０２は一般に５００ｍｍよりも広い。２００ｍｍ基板を使用する一例では、基板移送開口３０２は、一般に２５０ｍｍよりも広い。図３に示す例では、第１の壁３０４ａと第２の壁３０４ｂが１８０度離間しており、基板伝達開口３０２の高さがヒータ台２１０から上部板２６０へと延びている。しかしながら、上部ヒータライナー２１２が２つの基板伝達開口３０２を有する１つの壁３０４を含んでいてもよく、各基板伝達開口３０２の高さは、ヒータ台２１０と上部板２６０の間の高さより低いものの基板２２０と共に通過するロボットを収容するのには十分高く、基板伝達開口３０２の幅は、通過する基板２２０を収容するのに十分広い。
【００２５】
上部板２６０の開口面積、または開口３０６のサイズおよび密度は一般に、基板表面またはより低温のチャンバ壁および蓋の上のエッチング残留物の効率的な揮発を容易にするように選択され、揮発した材料４５０が通過できるようにする。言い換えれば、開口面積は、エッチング残留物がガス状の揮発した材料４５０へと揮発するのを容易にするように選択される。上部板２６０の開口面積は一般に、エッチング残留物の予想される粒子サイズに応じて選択されるので、エッチング残留物剥片に対する物理的バリアがもたらされる。
【００２６】
上記で述べたように、様々な処理段階において、エッチング残留物が一般に、基板２２０の表面上に蓄積する。ケイ素エッチングなどの様々な処理を実施した後、基板２２０がロードロックチャンバ１０５へと入る際には、エッチャントＳｉＦ副生成物が基板２２０の表面上に蓄積してしまっている。ロードロックチャンバ１０５において、基板２２０がヒータ台２１０上にて加熱される。ヒータ台２１０は一般に、約２００度〜約３５０度の温度に加熱される一方、チャンバ本体は一般に、約６５度〜約９０度の温度である。これに対して上部板２６０は一般に、壁３０４の伝導性に起因して、約１００度よりも高い温度、あるいはエッチング残留物が揮発する温度に加熱される。
【００２７】
図４に示すように、基板２２０がヒータ台２１０で加熱される際、基板に存在するエッチング残留物４７０が揮発し、チャンバ本体２０４のより低温の表面、一般には、揮発した材料４５０の矢印によって示されるように、チャンバ蓋２０８の底面２０８ｂに移動して接触する。エッチング残留物がチャンバ本体２４０で凝結し、エッチング残留物４７０の膜を形成する。チャンバ蓋２０８の加熱や冷却により、エッチング残留物４７０の蓄積した膜に亀裂が入り剥がれ落ちる。従来のシステムでは、エッチング残留物４７０の膜の剥片は一般に、落ちて基板２２０の表面に堆積する。しかし、上部ヒータライナー２１２の存在が剥片を再揮発し、剥片が基板表面２２０に到達してこれを汚染することを実質的に低減し抑制する。より詳細には、ヒータ台２１０が約２００度〜約３５０度に加熱される際、アルミニウムなどの伝導性材料から製造される一以上の壁３０４が、ヒータ台２１０にて生成された熱を、壁３０４を通じて上部板２６０へと伝導する。それによって、穿孔された上部板２６０の温度は、約１５０度〜約３５０度となる。上部ヒータライナー２１２は約１５０度〜約３５０度の温度であるため、揮発して上部板２６０を通過するか或いは上部板２６０の近傍のエッチング残留物は揮発したままであり、基板２２０の表面に蓄積しない。言い換えれば、上部ヒータライナー２１２により、基板２２０の表面に蓄積したエッチング残留物からの揮発材料４５０が、チャンバ本体２０４に向かって上方へと移動することが可能となる。上部ヒータライナー２１２は、チャンバ本体２０４から剥がれ落ちるエッチング残留物４７０の膜に由来する材料が、基板２２０の表面に舞い戻ることも防ぐ。したがって、上部ヒータライナー２１２は、チャンバ本体２０４および上部ヒータライナー２１２の間に画定される捕捉領域４１６にて、揮発材料４５０を捕捉する。次いで揮発材料４５０は一般に、真空ポンプによって、ロードロックチャンバ１０５から排出口を通してポンプで排出される（図２参照）。
【００２８】
図５は、図２のロードロックチャンバ１０５と共に利用され得る上部ヒータライナー５１２の別の実施例の斜視図である。上部ヒータライナー５１２は、上部ヒータライナー２１２と類似しているが、上部ヒータライナー５１２は、中実の上部板５０２および一以上の壁５０４を含む（第１の壁５０４ａおよび第２の壁５０４ｂが例示的に図示されている）。一以上の壁５０４が、中実の上部板５０２をヒータ台２１０に連結する。一以上の壁５０４は、中実の上部板５０２をヒータ台２１０に、締結具または他の締結機構を通じて連結する。一例では、ヒータ台２１０の表面に、一以上の壁５０４と揃って連結するように構成された一以上の切込みあるいは凹部が形成されている。別の例では、一以上の壁５０４が、ねじ、ボルトまたはピンなどの締結具でヒータ台２１０に連結される締結ブラケットをさらに含む。さらに別の例では、上部ヒータライナー５１２とヒータ台２１０は、様々な構成要素を含む単一のユニットとなるように、単一の金属片から製造される。
【００２９】
図５に示すように、中実の上部板５０２は円筒形であり、第１の壁５０４ａは第２の壁５０４ｂから１８０度離間される。第１の壁５０４ａおよび第２の壁５０４ｂは湾曲しているので、壁５０４の外面はヒータ台２１０の外側端部の周囲と同一面上にある。
【００３０】
上部ヒータライナー５１２の直径は、上部ヒータライナー２１２に関して上記に述べたように選択される。
【００３１】
エッチング残留物が一般に、様々な処理段階において基板２２０の表面上に蓄積する。ケイ素エッチングなどの様々な処理の実施後、基板２２０がロードロックチャンバ１０５に入る際、エッチャントＳｉＦ副生成物が基板２２０の表面上に蓄積している。ロードロックチャンバ１０５内において、基板２２０はヒータ台２１０上で加熱される。ヒータ台２１０は一般に、約２００℃〜約３５０℃の温度に加熱される一方、チャンバ本体は一般に、約６５℃〜約９０℃の温度である。
【００３２】
図６に示されるように、基板２２０がヒータ台２１０で加熱される際、エッチング残留物が揮発し、中実の上部板５０２に向かって上方へ移動する揮発した材料４５０を形成する。作動時、上部ヒータライナー５１２は、揮発した材料６５０をヒータ台２１０と中実の上部板５０２との間の空間に閉じ込め、揮発した材料４５０を基板表面と中実の上部板５０２との間で横に移動させる。より詳細には、ヒータ台２１０が約２００℃〜約３５０℃に加熱される際、アルミニウムなどの伝導性の材料から製造される一以上の壁５０４が、ヒータ台２１０にて生成された熱を、壁５０４を通じて中実の上部板５０２へ伝導するので、中実の上部板５０２の温度は、約１５０℃〜３５０℃となる。上部ヒータライナー５１２は、約１５０℃〜約３５０℃の温度であるため、基板２２０の表面から中実の上部板５０２に向かって上方へ移動する揮発した材料４５０は揮発したままである。言い換えれば、上部ヒータライナー５１２は、基板２２０の表面上に蓄積した揮発した材料４５０が中実の上部板５０２に向かって上方へ移動することを可能にし、上部板５０２の熱放射により揮発した材料４５０を揮発したガス状態に維持し、揮発した材料４５０を捕捉領域６１６に閉じ込める。次いで揮発した材料４５０は一般に、ロードロックチャンバ１０５から真空ポンプなど排出口を通じて排出される（図２参照）。
【００３３】
本明細書に記載の装置および方法の利点は、基板を処理した後、ロードロックチャンバ内における該基板の表面上の粒子汚染のさらなる低減または除去を含む。この基板表面の汚染粒子の低減または除去は、スループット、均一性そして半導体基板の機能を総合的に向上させることとなる。
【００３４】
上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のそしてさらなる実施形態は、本開示の基本的な範囲から逸脱することなしに考案され得る。そして本開示の範囲は、次の特許請求の範囲によって決定される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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