(57)【要約】  第１の電極（ＥＬ１）と、少なくとも１つのエレクトロルミネセント有機層を含む半導体有機層のスタック（ＥＯ）であって、前記第１の電極の上に堆積される半導体有機層のスタック（ＥＯ）と、前記スタックの面に堆積される第２の電極（ＥＬ２）であって、前記面は、前記第１の電極と反対側である、第２の電極（ＥＬ２）とを含む有機発光ダイオードにおいて、前記第１の電極は、前記エレクトロルミネセント有機層の前記放出波長で局在プラズモンモード（ＰＬＬ）の励起を可能にするのに適している形状を有する、半導体有機層のスタックと電気的に接触する少なくとも１つの領域（ＰＣ）を含むことを特徴とする有機発光ダイオード。半導体有機層のスタックを共有する複数のこのようなダイオードを含む表示デバイス。このようなダイオード及びこのような表示デバイスを製造する方法。
2020515009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極（ＥＬ１）と、少なくとも１つのエレクトロルミネセント有機層を含む半導体有機層のスタック（ＥＯ）であって、前記第１の電極の上に堆積される半導体有機層のスタック（ＥＯ）と、前記スタックの面に堆積される第２の電極（ＥＬ２）であって、前記面は、前記第１の電極と反対側である、第２の電極（ＥＬ２）とを含む有機発光ダイオードにおいて、前記半導体有機層のスタックは、前記エレクトロルミネセント有機層の少なくとも１つの放出波長で前記第１及び第２の電極間においてファブリ−ペローモードの存在を可能にするのに不十分な厚さを有することと、前記第１の電極は、前記半導体有機層のスタックと電気的に接触する少なくとも１つの領域（ＰＣ）を含み、前記領域は、前記スタックから電気的に絶縁されている１つ又は複数の領域（ＲＩ）によって囲まれ、前記スタックと電気的に接触する前記領域又はそれぞれの前記領域は、前記エレクトロルミネセント有機層の前記放出波長で局在プラズモンモード（ＰＬＬ）の励起を可能にするように、
【数１】
2020515009.tif 000009
（式中、ｍは、ゼロ以上の整数であり、λは、前記波長であり、及びｎｅｆｆは、前記半導体有機層のスタックにおいて前記電極間に局在されているプラズモンについての実効屈折率である）
に等しい少なくとも１つの横寸法を有することとを特徴とする有機発光ダイオード。
【請求項２】
前記横寸法は、
【数２】
2020515009.tif 000010
に等しい、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項３】
前記有機層の前記スタックの前記厚さは、１００ｎｍ未満であり、好ましくは２０〜８５ｎｍ、更に好ましくは３０〜７０ｎｍに含まれる、請求項１又は２に記載の有機発光ダイオード。
【請求項４】
第１の電極（ＥＬ１ａ、ＥＬ１ｂ）のマトリックスアレイ（ＭＥＬ）と、少なくとも１つのエレクトロルミネセント有機層を含む半導体有機層のスタック（ＥＯ）であって、前記第１の電極の上に堆積される半導体有機層のスタック（ＥＯ）と、前記スタックの面に堆積される第２の電極（ＥＬ２）であって、前記面は、前記第１の電極のマトリックスアレイと反対側である、第２の電極（ＥＬ２）とを含む表示デバイスであって、それぞれの第１の電極は、前記第２の電極及び前記半導体有機層のスタックと一緒にファブリ−ペロー光共振器を形成する、表示デバイスにおいて、
−  前記半導体有機層のスタックは、前記エレクトロルミネセント有機層の放出スペクトルの少なくとも１つの部分で前記共振器においてファブリ−ペローモードの存在を可能にするのに不十分な厚さを有し、及び
−  前記マトリックスアレイは、第１の電極の複数の系統を含み、所与の系統の前記第１の電極は、前記エレクトロルミネセント有機層の前記放出波長で局在プラズモンモード（ＰＬＬ）の励起を可能にするように、
【数３】
2020515009.tif 000011
（式中、ｍは、ゼロ以上の整数であり、λは、前記波長であり、及びｎｅｆｆは、前記半導体有機層のスタックにおいて前記電極間に局在されているプラズモンについての実効屈折率である）
に等しい少なくとも１つの横寸法を有することを特徴とする表示デバイス。
【請求項５】
前記横寸法は、
【数４】
2020515009.tif 000012
に等しい、請求項４に記載の表示デバイス。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機発光ダイオードを製造する方法であって、
−  前記半導体有機層のスタックから電気的に絶縁されるように意図される前記１つ又は複数の領域をエッチングすることにより、前記第１の電極（ＥＬ１）を形成する金属層を構造化するステップと、
−  前記構造化された第１の電極の上に誘電体層（ＣＤ）を堆積させるステップと、
−  前記半導体有機層のスタックと電気的に接触するように意図される前記第１の電極の少なくとも１つの未エッチング領域（ＰＣ）を除覆するステップと、
−  前記第１の電極の上に前記半導体有機層のスタック（ＥＯ）を堆積させ、且つ前記スタックの面に前記第２の電極（ＥＬ２）を堆積させるステップであって、前記面は、前記第１の電極と反対側である、ステップと
を含む方法。
【請求項７】
請求項４又は５に記載の表示デバイスを製造する方法であって、
−  金属層をエッチングし、前記第１の電極（ＥＬ１ａ、ＥＬ１ｂ）を形成する未エッチング領域を画定することによって構造化するステップと、
−  前記構造化された金属層の上に誘電体層（ＣＤ）を堆積させるステップと、
−  前記第１の電極を除覆するステップと、
−  前記第１の電極の上に前記半導体有機層のスタック（ＥＯ）を堆積させ、且つ前記スタックの面に前記第２の電極（ＥＬ２）を堆積させるステップであって、前記面は、前記第１の電極と反対側である、ステップと
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に関し、より詳細には、上部放出ＯＬＥＤに関する。このようなダイオードは、特に表示用途（ＯＬＥＤディスプレイ）に適用され得るが、照明などの他の用途にも適する。
【０００２】
本発明は、複数のこのようなダイオードを含むＯＬＥＤディスプレイなどの表示デバイスにも関する。
【背景技術】
【０００３】
ＯＬＥＤは、少なくとも１つの放出層を含む半導体有機層のスタックからなり、前記スタックは、金属で形成されることが多い２つの電極間に設置される。有機スタックは、少なくとも１つの正孔輸送層、（エレクトロルミネセント）放出層及び電子輸送層からなる。有機ゾーンの厚さは、一般的に、可視光のための半波長ファブリ−ペロー共振器を形成するように約１００ｎｍに設定される（有機層の屈折率は、典型的に約１．７である）。電極間に電位差を加えると、電子及び正孔は、有機スタックに注入され、放出層において放射で再結合する。
【０００４】
放出体は、波長に対して電極からかなり短い距離であり、これにより、有効な放射垂直ファブリ−ペローモードに加えて、電極の面でプラズモンを励起する。これらのプラズモンは、横伝搬の特定の距離後に金属によって完全に吸収される平面導波モードである。
【０００５】
文献国際公開第２０１４／１９１７３３号パンフレットは、上部放出有機発光ダイオード（即ち基板の面と反対側の面を介して放出する有機発光ダイオード）を記載しており、光を放出する上部電極は、回折格子を形成するように周期的に構造化される。一方、文献米国特許出願公開第２０１３／０１５３８６１号明細書は、底部放出有機発光ダイオード（即ち基板を介して放出する有機発光ダイオード）を記載しており、このダイオードは、構造化された底部電極である。同様に、文献国際公開第２０１４／０６９５７３Ａ１号パンフレットは、底部放出有機発光ダイオードを記載しており、底部電極は、有機層のスタックと電気的に接触する少なくとも１つの領域を含み、有機層と接触する１つ又は複数の領域は、放出波長でプラズモンモードの励起を可能にする適切な形状を有する。これらの３つの場合、格子との結合により、それ自体既知の方法でプラズモンモード及びファブリ−ペローモードを引き出すことができ、従って放射効率を向上させることができる。
【０００６】
この手法により、プラズモンの一部のエネルギーを取り出すことができるが、エネルギーに関する損失を完全に除去できるわけではない。従って、放射効率は、依然として５０％よりもはるかに低いままである。更に、上部放出ダイオード（国際公開第２０１４／１９１７３３号パンフレット）の場合、上部電極の構造化は、有機スタックの劣化を招く危険性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１４／１９１７３３号
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１３／０１５３８６１号明細書
【特許文献３】国際公開第２０１４／０６９５７３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、先行技術の欠点を克服することを目的とする。より詳細には、本発明は、有機発光ダイオード、特に先行技術で可能であった放射効率よりも高い放射効率を有する上部放出有機発光ダイオードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、有機スタックの放出波長でファブリ−ペローモードを支持することができない薄い有機スタック及び適切な寸法の導電パッドの形態で構造化された底部電極を用いてこの目的が達成される。導電パッドは、連続上部電極と一緒に、プラズモンのための共振器を形成する。従って、完全に吸収されるまで非構造化電極の面の上を伝搬するプラズモンを有する代わりに、導電パッドのエッジによって回折され、ＯＬＥＤから離れて伝搬する放射電磁モードと結合する局在プラズモンモード（定常波）を生成する。動作原理は、ファブリ−ペロー共振器を含む従来のＯＬＥＤの動作原理と基本的に異なること、及びプラズモンは、損失の原因でなく、光放出の源であることに留意されたい。これは、先行技術のように伝搬しない局在プラズモンの問題であるという事実によって可能になる。
【００１０】
本発明によるＯＬＥＤは、同じエレクトロルミネセント層を含む従来のダイオードの放出スペクトルよりも狭い放出スペクトル、導電パッドの形状に応じた放出ピークを有する。
【００１１】
従って、本発明の１つの主題は、第１の電極と、少なくとも１つのエレクトロルミネセント有機層を含む半導体有機層のスタックであって、前記第１の電極の上に堆積される半導体有機層のスタックと、前記スタックの面に堆積される第２の電極であって、前記面は、前記第１の電極と反対側である、第２の電極とを含む有機発光ダイオードであって、第１及び第２の電極と半導体有機層のスタックとは、ファブリ−ペロー光共振器を形成する、有機発光ダイオードにおいて、前記半導体有機層のスタックは、前記エレクトロルミネセント有機層の少なくとも１つの放出波長で前記共振器においてファブリ−ペローモードの存在を可能にするのに不十分な厚さを有することと、前記第１の電極は、半導体有機層のスタックと電気的に接触する少なくとも１つの領域を含み、前記領域は、前記スタックから電気的に絶縁されている１つ又は幾つかの領域によって囲まれ、スタックと電気的に接触する前記領域又はそれぞれの前記領域は、前記エレクトロルミネセント有機層の前記放出波長で局在プラズモンモードの励起を可能にするのに適している形状を有することとを特徴とする有機発光ダイオードである。
【００１２】
このような有機発光ダイオードの特定の一実施形態によれば、半導体有機層のスタックと電気的に接触する第１の電極の前記領域又はそれぞれの前記領域は、
【数１】
2020515009.tif 000003
（式中、ｍは、ゼロ以上の整数であり、λは、前記波長であり、及びｎｅｆｆは、半導体有機層のスタックにおいて電極間に局在されているプラズモンについての実効屈折率である）
に等しい少なくとも１つの横寸法を有し得る。より詳細には、前記横寸法は、
【数２】
2020515009.tif 000004
に等しいことができる。
【００１３】
本発明の別の主題は、このような有機発光ダイオードを製造する方法であって、
−  前記半導体有機層のスタックから電気的に絶縁されるように意図される１つ又は複数の領域をエッチングすることにより、前記第１の電極を形成する金属層を構造化するステップと、
−  構造化された第１の電極の上に誘電体層を堆積させるステップと、
−  前記半導体有機層のスタックと電気的に接触するように意図される第１の電極の少なくとも１つの未エッチング領域を除覆するステップと、
−  前記第１の電極の上に前記半導体有機層のスタックを堆積させ、且つ前記スタックの面に第２の電極を堆積させるステップであって、前記面は、前記第１の電極と反対側である、ステップと
を含む方法である。
【００１４】
本発明の更に別の主題は、第１の電極のマトリックスアレイと、少なくとも１つのエレクトロルミネセント有機層を含む半導体有機層のスタックであって、前記第１の電極の上に堆積される半導体有機層のスタックと、前記スタックの面に堆積される第２の電極であって、前記面は、前記第１の電極のマトリックスアレイと反対側である、第２の電極とを含む表示デバイスであって、それぞれの第１の電極は、第２の電極及び半導体有機層のスタックと一緒にファブリ−ペロー光共振器を形成する、表示デバイスにおいて、
−  前記半導体有機層のスタックは、前記エレクトロルミネセント有機層の放出スペクトルの少なくとも１つの部分で前記共振器においてファブリ−ペローモードの存在を可能にするのに不十分な厚さを有し、及び
−  前記マトリックスアレイは、第１の電極の複数の系統を含み、所与の系統の第１の電極は、前記エレクトロルミネセント有機層の前記放出スペクトルの所与の波長で局在プラズモンモードの励起を可能にするのに適している形状を有し、前記波長は、他の系統の波長と異なることを特徴とする表示デバイスである。
【００１５】
このような表示デバイスの特定の一実施形態によれば、前記第１の電極又はそれぞれの前記第１の電極は、
【数３】
2020515009.tif 000005
（式中、ｍは、ゼロ以上の整数であり、λは、前記波長であり、及びｎｅｆｆは、半導体有機層のスタックにおいて電極間に局在されているプラズモンについての実効屈折率である）
に等しい少なくとも１つの横寸法を有し得る。より詳細には、前記横寸法は、
【数４】
2020515009.tif 000006
に等しいことができる。
【００１６】
本発明の更に別の主題は、このような表示デバイスを製造する方法であって、
−  金属層をエッチングし、前記第１の電極を形成する未エッチング領域を画定することによって構造化するステップと、
−  構造化された金属層の上に誘電体層を堆積させるステップと、
−  前記第１の電極を除覆するステップと、
−  前記第１の電極の上に前記半導体有機層のスタックを堆積させ、且つ前記スタックの面に第２の電極を堆積させるステップであって、前記面は、前記第１の電極と反対側である、ステップと
を含む方法である。
【００１７】
本発明の他の特徴、詳細及び利点は、それぞれ一例として与えられる添付図面を参照して与えられる説明を読むことで明瞭になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】先行技術によるＯＬＥＤである。
【図２】放出波長に応じた、図１におけるＯＬＥＤの放射効率のグラフである。
【図３】本発明の一実施形態によるＯＬＥＤである。
【図４】半導体有機層のスタックの厚さに応じた、５５０ｎｍの波長での図３におけるＯＬＥＤの放射効率のグラフである。
【図５】放出波長に応じた、図３におけるＯＬＥＤの放射効率のグラフである。
【図６】本発明の別の実施形態による表示デバイスである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１（原寸に比例していない）における有機発光ダイオードは、底部から開始して、以下を含む。
−  例えば、ガラス又はケイ素で形成され得る基板ＳＵＢ。
−  基板の面の上に（例えば、物理気相成長、即ちＰＶＤによって）堆積された、ＡｌＣｕ合金で形成された底部電極。この電極は、不透明であり、比較的厚いことができる（数百ナノメートル又は数ミクロン）。
−  過剰な吸収を回避し、電極ＥＬ１からの反射光の量を減らすために有利には１０ｎｍ未満（典型的には約５ｎｍ）の厚さを有する、例えばＰＶＤ、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）又はＡＬＤ（原子層成長）によって堆積された、ＴｉＮで形成された緩衝層ＣＴ。
−  典型的に８０〜３００ｎｍに含まれる厚さ（例えば、１００ｎｍ）を有する、例えば湿式処理又はＰＶＤによって堆積された有機スタックＥＯ。このスタックの中央に、５５０ｎｍの波長を中心とした放出を有するエレクトロルミネセント層がある。図は、この層を示さず、点放出体（層の１点）ＥＰのみを示す。参照ＲＥは、点放出体によって放出された光放射線を参照するために使用され、前記放射線は、基板の面と実質的に垂直な方向に伝搬する。上述したように、スタックＥＯの厚さは、λ／２ｎＯＬＥＤに等しいように選択され、式中、λは、エレクトロルミネセント層の放出スペクトルに属する波長（好ましくは中心波長又は放射率ピークに対応する波長）であり、及びｎＯＬＥＤは、この波長におけるスタックの平均屈折率である。このようにして、このスタックは、放出放射線のためのファブリ−ペロー共振器を形成する。
【００２０】
参照ＰＬは、損失の原因である、有機スタックと上部及び底部電極との間の界面によって導かれたプラズモンを参照するために使用される。
−  Ａｇで形成され、且つ実質的に透明であるのに十分に小さい１０ｎｍの厚さを有する、有機スタックの上に堆積された上部電極ＥＬ２。
−  大気中の酸素、より一般的には任意の汚染から有機スタックを保護するために上部電極を覆う封入構造体ＳＥ。図１中のデバイスにおいて、この封入構造体は、２５ｎｍの厚さを有する、例えばＰＶＤによって製造されたＳｉＯｘ（ｘ≦２）の層からなる。他の実施形態は、より高性能の多層封入構造体を含み得る。例えば、原子層成長（ＡＬＤ）によって生成され、且つ５ｎｍほどの小さい厚さを有することができる、ＴｉＯ２又はＡｌ２Ｏ３で形成された第２の層を、ＳｉＯ２で形成された層の上に設けることが有利である。このような非常に緻密な層により、封入の密封性が向上する。
【００２１】
図２は、放出波長λに応じた、図１におけるＯＬＥＤの放射効率ηｒａｄのグラフである。放射効率は、下記のように、放射電力Ｐｒａｄと、同じ放射電力及び金属電極によって吸収された電力Ｐａｂｓの和との間の比として定義される。
【数５】
2020515009.tif 000007
【００２２】
最高（５５０〜６００ｎｍ）のスペクトル領域でも、この放射効率は、１０％をわずかに超えることが分かり得る。これは、プラズモンＰＬによって誘導された損失が主因である。
【００２３】
図３は、本発明の一実施形態によるＯＬＥＤの断面図を示す。図３のＯＬＥＤは、下記の２つの主な点で図１のＯＬＥＤと異なる。
−  有機スタックＥＯの厚さが１００ｎｍから５０ｎｍに減少される。これは、２つの結果をもたらす。一方では、この厚さは、エレクトロルミネセント層の放出が位置する可視スペクトルでファブリ−ペローモードの存在を可能にするのに不十分である。他方では、上部及び底部電極があまりにも近いため、それらのプラズモンモードは、高度に結合される。
−  下部電極ＥＬ１は、絶縁領域によって分離された導電パッドＰＣ  −  実際には、電極  −  及びそれを覆う緩衝層をエッチングすることによって得られる空洞又は溝  −  のセットに構造化され、且つＳｉＯ２又はレジストなどの誘電材料を充填される。
【００２４】
導電パッドＰＣの形状は、パッドと、正反対側の上部電極ＥＬ２の部分との間に局在プラズモンモードＰＬＬを閉じ込めるように選択される。実際には、パッドは、円形、正方形又は多角形であることが多く、この場合、パッドは、実効屈折率で割られた、エレクトロルミネセント層の放出スペクトルの波長λの奇数倍数の半分に等しい横寸法Ｌ（正方形の場合には辺長、円形の場合には直径、多角形の場合には２つの対辺間の距離など）を有する必要がある。
【数６】
2020515009.tif 000008
式中、ｍは、ゼロ以上の整数である。実効屈折率ｎｅｆｆは、有機スタックの平均屈折率よりも高いが、この平均屈折率に近い。最適構成は、ｍ＝０の選択である。詳細には、その選択は、放出放射モードＲＥと結合することにより、局在プラズモンモードが「逃げる」ことができるパッドのエッジによる回折である。次数ｍ、従ってパッドのサイズが増加すると、局在プラズモンの吸収、従って損失が単に増加する。
【００２５】
約１．７の実効屈折率を考えると、放出５５０ｎｍのために最適化されたパッドの幅は、約２００ｎｍである。
【００２６】
パッドによって形成されたプラズモン共振器は、互いに独立していることを理解することが重要である。換言すれば、格子効果がない。様々なパッドに局在されたプラズモン間の結合を防止するのに十分であることを条件として、パッド間の間隔は重要でない。典型的に、パッド間の間隔は、パッドの幅の２０％以上である。従って、構造体が周期的である必要がなく、連続して、ＯＬＥＤは、１つの単一パッドを含むこともできる（しかし、当然のことながら、これは、非常に小さい領域からの非常に集中した光放出、従って低い全輝度を意味する）。
【００２７】
図３におけるデバイスを製造する方法は、底部電極を構造化して、より薄い有機層を堆積させるステップを更に含むという点を除いて、従来のＯＬＥＤの方法と同様である。
【００２８】
構造化を幾つかのステップで実行する。第１に、金属層と、この金属層を覆う緩衝層ＣＴとのエッチングである。このエッチングの終わりに、金属部分間の孔に充填するのに十分に厚い誘電体（典型的にはＳｉＯ２）の厚い層を堆積させる。最後に、電極ＥＬ１の電気接点を除覆するために平坦化、例えば化学機械平坦化（ＣＭＰ）を実行する。次に、第２の電極及び封入構造体と同様に、有機スタックＥＯを（有機スタックＥＯが、先行技術よりも非常に小さい、求められる厚さを有することを保証するように注意しながら）従来の方法で堆積させる。
【００２９】
図４は、有機スタックＥＯの厚さｈｏｌｅｄ、即ち電極間の距離に応じた、本発明によるＯＬＥＤのλ＝５５０ｎｍにおける放射効率のグラフである。Ｌ＝２００ｎｍに設定されたパッドの幅を用いて計算を実行した。放射効率が５５％（図１における従来のＯＬＥＤの場合よりも約５倍だけ高い）に達した場合、放射効率は、ｈｏｌｅｄ＝５０ｎｍについて最高であり、４０〜６０ｎｍで殆ど変化しないことが分かり得る。
【００３０】
図５は、波長λに応じた、本発明によるＯＬＥＤのλ＝５５０ｎｍにおける放射効率のグラフである。Ｌ＝２００ｎｍに設定されたパッドの幅及びｈｏｌｅｄ＝５０ｎｍの電極間距離を用いて計算を実行した。図２と比較すると、パッドを寸法決定するために使用される波長（５５０ｎｍ）を中心として主に放射効率が向上することが観察され得る。従って、放出スペクトルは、先行技術の放出スペクトルよりも狭い。
【００３１】
放出スペクトルのこの狭さは、特定の用途、特に表示用途で有利である。詳細には、個別に制御され、異なる波長を中心とした放出スペクトルを得るように異なる寸法を有する複数の個別のパッド状底部電極を含むデバイスを製造することができる。図６の実施形態において、デバイスは、２つの系統に属する底部電極のマトリックスアレイを含み、電極ＥＬ１ａは、第１の横寸法Ｌａを有し、第１の放出ＲＥａの放出を可能にするのに適しており、電極ＥＬｂは、Ｌａよりも大きい第２の横寸法Ｌｂを有し、ＲＥａの波長よりも長い中心波長の第２の放出ＲＥｂの放出を可能にするのに適している。これらの電極を同じ基板ＳＵＢの上に堆積させ、絶縁領域ＲＩによって分離する。図３におけるＯＬＥＤのように、これらの電極を共通の有機スタックＥＯ（参照ＥＰａ及びＥＰｂは、このスタックの内部の点放出体を参照するために使用される）、共通の上部電極ＥＬ２及び封入層で覆う。実際には、３つ以上の異なる系統の下部電極の規則的配列を含む表示デバイスが優先的に使用される。例えば、赤色、緑色及び青色がそれぞれ強く出る放射線を放出するのに最適化された電極は、各電極が１つの部分画素に対応するＲＧＢスクリーンディスプレイを製造するために使用される可能性がある。本発明によって得られる色は、十分に飽和されず、部分画素の色フィルタリングに依存することを回避し得る。しかし、本発明により、このフィルタリングに対する制約を緩和し、且つ／又は色のレンダリングを向上させることができる。
【００３２】
本発明は、図３及び図６の実施形態を参照して主に説明されているが、多くの変型形態が可能である。
【００３３】
有機スタック、第２の電極及び封入構造体は、従来の素子であり、既知の方法で変更され得る。
【００３４】
下部電極は、一般的に、陰極としての機能を果たし、上部電極は、陽極であるが、逆も可能である。
【００３５】
有機スタックが十分に薄いことを条件として、様々な層の厚さは重要でない。
【００３６】
導電パッドは、現在までに考えられている形状よりも複雑な形状を有し得、例えば横寸法を単に特徴とすることができない形状を有し得る。重要な点は、導電パッドがＯＬＥＤのエレクトロルミネセント層の少なくとも１つの放出波長で局在プラズモンモードを支持できることである。
【図１】
2020515009.tif 000013
【図２】
2020515009.tif 000014
【図３】
2020515009.tif 000015
【図４】
2020515009.tif 000016
【図５】
2020515009.tif 000017
【図６】
2020515009.tif 000018
【国際調査報告】
2020515009.tif 000019
2020515009.tif 000020
2020515009.tif 000021
2020515009.tif 000022