(57)【要約】  調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイスは、初期の予め応力を与えられた非作動のエタロン状態において、前部ミラー及び後部ミラーと物理的に接触する後部ストッパ構造体によって決定される、予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法を有するギャップだけ離される前部ミラー及び後部ミラーであって、ギャップが、予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法より大きい作動ギャップ寸法を有する、少なくとも１つの作動状態をとるようエタロンが構成される、前部ミラー及び後部ミラーと、アンカー構造体と、入射する光に面した前部ミラーの第１の表面で前部ミラーと固定的に連結されたフレーム構造体と、アンカー構造体及びフレーム構造体に取り付けられるが、前部ミラーには取り付けられない屈曲構造体と、アンカー構造体を後部ミラーから離すスペーサ構造体であって、前部ミラー及びスペーサ構造体は同じ単一のガラス層に形成されるスペーサ構造体とを備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前部ミラー及び後部ミラーを備え、前記前部ミラー及び前記後部ミラーは、初期の予め応力を与えられた非作動状態では、予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法を有するギャップだけ離されており、前記ギャップが、前記予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法よりも大きい作動ギャップ寸法を有する、少なくとも１つの作動状態をとるようにエタロンが構成される、調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２】
前記予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法は、前記前部ミラー及び前記後部ミラーと物理的に接触している後部ストッパ構造体によって決定される、請求項１に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項３】
アンカー構造体、前記前部ミラーに固定的に連結されたフレーム構造体、並びに前記アンカー構造体及び前記フレーム構造体に取り付けられるが、前記前部ミラーには取り付けられない屈曲構造体をさらに備える、請求項１に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項４】
前記アンカー構造体を前記後部ミラーから離すスペーサ構造体をさらに備える、請求項３に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項５】
前記前部ミラー及び前記スペーサ構造体は、同じ単一の層で形成される、請求項４に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項６】
前記単一の層は、ガラス、プラスチック、シリコン、及びゲルマニウムのうちのいずれか１種の材料でできている、請求項５に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項７】
前記アンカー構造体、前記フレーム構造体、及び前記屈曲構造体は、同じ単一の層で形成される、請求項３に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項８】
前記単一の層は、ガラス、プラスチック、シリコン、及びゲルマニウムのうちのいずれか１種の材料でできている、請求項７に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項９】
前記後部ミラーは、透過的又は半透過的材料でできた層に一体化される、請求項１に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項１０】
前記透過的又は半透過的材料は、ガラス、プラスチック、シリコン、及びゲルマニウムのうちのいずれか１種の材料である、請求項９に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項１１】
前記透過的又は半透過的な層は、前記予め応力を与えられた非作動状態を増強するために、屈曲構造体に予め応力を与えるのを補助するための凹部をさらに有する、請求項９に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項１２】
前記後部ミラーは、少なくとも２種の材料のうちの第１の材料が透過的又は半透過的であり、前記少なくとも２種の材料のうちの第２の材料が前記第１の材料よりも剛性である、前記少なくとも２種の材料の組合せを有するハイブリッド構造体に含まれる、請求項１に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項１３】
異なる前記材料は、ガラス及びシリコンを含む、請求項１２に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項１４】
前部ミラーに対して被写体側に配置されるキャップ・プレートをさらに備える、請求項１に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項１５】
前記前部ミラーとキャップ・プレートとの間の最小ギャップを決定する前部ストッパ構造体をさらに備える、請求項１４に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項１６】
前記キャップ・プレートは、前記前部ミラーと前記後部ミラーとの間のギャップ寸法を制御するよう構成された作動機構の少なくとも一部を収容する、請求項１４に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項１７】
前記キャップ・プレートは、フレーム構造体に面するキャップ表面上に形成される少なくとも１つの第１の電極を備え、前記フレーム構造体は、第２の電極として作動するよう構成され、前記第１及び前記第２の電極を使用する静電作動によって移動可能である、請求項１４に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの第１の電極は、互いに電気的に絶縁された複数の電極を含む、請求項１７に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項１９】
前記フレーム構造体と前記少なくとも１つの第１の電極との間の、最小静電ギャップを決定する前部ストッパ構造体をさらに備える、請求項１７に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２０】
前記キャップ・プレートは、透過的又は半透過的材料を有し、それによって、２つの透過的又は半透過的プレート間に囲まれた、調整可能なエタロンを提供する、請求項１４に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２１】
前記キャップの前記透過的又は半透過的材料は、ガラス、プラスチック、シリコン、及びゲルマニウムのうちのいずれか１種の材料である、請求項２０に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２２】
前記キャップ・プレートは、少なくとも２種の材料のうちの第１の材料が透過的又は半透過的であり、前記少なくとも２種の材料のうちの第２の材料が前記第１の材料よりも剛性である、前記少なくとも２種の材料の組合せを有するハイブリッド構造体でできている、請求項１４に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの第１の電極として機能するＳｉ層をさらに備え、前記フレーム構造体は、第２の電極として作動するよう構成され、前記第１及び前記第２の電極を使用する静電作動によって移動可能である、請求項１から２２までのいずれか一項に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２４】
前記Ｓｉ層は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハのハンドル層である、請求項２３に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの第１の電極は、ＳＯＩウェハのハンドル層に形成される複数の第１の電極を含み、前記第１の電極は、互いに機械的に連結され、電気的に絶縁される、請求項２３に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２６】
前記Ｓｉ層を前記フレーム構造体から分離する埋込酸化（ＢＯＸ）層をさらに有し、前記ＢＯＸ層は、前記予め応力を与えられた非作動のデバイス状態における前記前部ミラーと前記第１の電極との間の静電ギャップを決定する厚さを有する、請求項２３に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２７】
前記前部ミラー及び前記後部ミラーへの光の通過を可能にするため、ＳＯＩウェハのハンドル層内に開口部をさらに備える、請求項２３に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２８】
前記後部ミラーと一体化された第１のレンズ、及び前記キャップと一体化された第２のレンズをさらに備える、請求項１４に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項２９】
前記前部ミラー及び前記後部ミラーのそれぞれと一体化された、それぞれのレンズをさらに備える、請求項１９から２２まで、又は請求項２４から２７までのいずれか一項に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項３０】
前記後部ミラー及び前記キャップと一体化された、それぞれのレンズをさらに備える、請求項１９から２２まで、又は請求項２４から２７までのいずれか一項に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項３１】
第１の状態及び第２の状態のそれぞれにおける前記ギャップにより、所定の波長範囲の光が前記エタロンを通過することが可能になる、請求項２から２２まで、又は請求項２４から２７までのいずれか一項に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項３２】
前記前部ミラーと前記後部ミラーとの間の前記作動ギャップ寸法は、フレーム構造体とキャップとの間を離す前部ストッパによって画定される、請求項２５の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項３３】
前記作動機構は、圧電アクチュエータを備える、請求項１６に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項３４】
前記作動機構は、ケルビン・フォース作動電極を備える、請求項１６に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項３５】
第１の状態及び第２の状態のうちの１つをとるよう設計され、前記第１及び前記第２の状態のそれぞれにおける前記ギャップにより、所定の波長範囲の光が前記エタロンを通過することが可能になり、前記第１の状態は、前記前部ミラーと前記後部ミラーとの間に非作動ギャップ寸法を有する、前記初期の予め応力を与えられた非作動状態であり、前記非作動ギャップ寸法は、前記後部ストッパにより画定され、前記第２の状態は、前記前部ミラーと前記後部ミラーとの間の前記ギャップ寸法が、前記予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法より大きい作動ギャップ寸法を有する作動状態である、請求項１から２２までのいずれか一項に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項３６】
前記前部ミラーと前記後部ミラーとの間の前記作動ギャップ寸法は、前部ストッパによって画定される、請求項３５の調整可能なエタロン・デバイス。
【請求項３７】
ａ）前部ミラー及び後部ミラーを備える調整可能なエタロン・デバイスであって、前記前部ミラー及び前記後部ミラーは、初期の予め応力を与えられた非作動状態では、予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法を有するギャップだけ離されており、前記ギャップが、前記予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法よりも大きい作動ギャップ寸法を有する、少なくとも１つの作動状態をとるようにエタロンが構成される、調整可能なエタロン・デバイスと、
ｂ）画像センサと、
ｃ）前記調整可能なエタロン・デバイスを調整し、前記画像センサを介して画像データを取り込むよう構成され、且つそのように動作可能なコンロトーラと
を備える、撮像デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１６年１１月２０日に出願され、同じ名称を有し、その全体が参照により本明細書に組み入れられる、米国仮特許出願第６２／４２４，４７２号の利益を主張する。
【０００２】
本開示の主題は、概して、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍｓ）に関し、より詳細には、調整可能なＭＥＭＳベースの分光フィルタに関する。
【背景技術】
【０００３】
本開示の主題に背景技術として関連していると考えられる参考文献が、非特許文献１〜３として列挙される。
【０００４】
本明細書における上記参考文献を確認することは、これらが本開示の主題の特許性に何らかの形で関連することを意味すると判断するべきではない。
【０００５】
カラー撮像は、カラー・フィルタ・アレイ（ＣＦＡ：ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ  ａｒｒａｙ）、たとえばベイヤ型ＣＦＡで覆われた画素化された画像センサを備えるデジタル・カメラを使用することが一般に知られており、行われている。最近、順次撮像を用いたカラー撮像のシステム及び方法が提案されてきている。たとえば、共同譲渡された特許文献１を参照のこと。かかるシステム及び方法により、改善された色忠実度及び／又はハイパー・スペクトル・カラー情報を用いて、色彩に富んだ画像を取り込むことができる。
【０００６】
一般に、順次撮像は、カメラ画像センサの視線に沿って配置された、調整可能な分光フィルタを利用する。画像センサは、調整可能な分光フィルタの分光透過率を変えながら、一連の画像を短時間のシーケンスで取得するように動作する。従って、一連の各画像は、それぞれの画像が撮影されたときに設定されたフィルタの分光透過率の状態／プロファイルに従って、取り込まれたシーンの異なる色成分に対応する。
【０００７】
上記のような順次撮像に使用することができる調整可能な分光フィルタの実例は、エタロンである。エタロンは、２つの平行ミラーを備える。分光透過率プロファイルは、ミラー間のギャップによって決定される。エタロンに印加される電圧を調整することにより、ミラー間のギャップ（いわゆる「光学空洞」をもたらす）が調整され、さらに分光透過率プロファイルが調整される。２つのミラーは、たとえば半透過的前部ミラー及び半透過的後部ミラーであり得る。ある実例では、後部ミラーは、たとえば静止していてもよく、一方前部ミラーは、ミラー間の距離（光学空洞）を変化させ、それによって分光透過率プロファイルを調整するために、後部ミラーに向かって／後部ミラーから離れて移動可能であってもよい。
【０００８】
エタロンは、光通信チャネルに沿って伝送されるレーザ光ビームなどの光信号の特性をフィルタ処理、変調、及び／又は制御するために、光通信で広く使用されている。しかし光通信を考慮すると、フィルタは限られた（たとえば数ナノメートルの）スペクトル帯域でのみ正確且つ効率的に動作することを要求されることが多く、多くの場合順次スペクトル撮像用途に対して要求されるような、特定の／広い透過率プロファイルを提供することは、要求されない（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２０１４／２０７７４２号
【特許文献２】国際公開第２０１７／００９８５０号
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】A. Ya’akobovitz, S. Krylov, ”Influence of Perforation on Electrostatic and Damping Forces in Thick SOI MEMS Structures,” J. Micromech. Microeng. 22, pap.115006, 2012.
【非特許文献２】C. G. Agudelo, M. Packirisamy, G. Zhu, L. Saydy, “Nonlinear control of an electrostatic micromirror beyond pull-in with experimental validation,” J. MEMS 18, 914-923, 2009.
【非特許文献３】J. Wei “Wafer Bonding Techniques for Microsystem Packaging,”Journal of Physics: Conference Series 34 (2006) 943-948
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
たとえば通常の（たとえばＲＧＢ）カラー画像データ取得、ＩＲ画像データ取得、及び／又は高スペクトル撮像など、いくつかの撮像用途において、エタロンはしばしば、広い分光透過率プロファイル及び広い自由スペクトル領域を有することが必要とされる（それは、エタロンのミラー間に、短い距離を強いる可能性がある）ばかりでなく、エタロンがその前に配置されている画像センサの全視野を覆うように、横方向に十分に広いことが必要とされ得る。
【００１２】
その結果、順次スペクトル・カラー撮像に使用するための調整可能なエタロンは、その幅とそのミラー間の距離との間の、非常に高いアスペクト比を有することが多い。
【００１３】
エタロン動作の一般的な原理はよく知られているが、従来のエタロン構成のいくつかの制限要因は、順次スペクトル撮像用途でのエタロンの使用を妨げる。１つのかかる制限要因は、エタロン・ミラー間のギャップの調整範囲及び分解能に関係し、これは従来の調整可能なエタロン構成では制限される。以下で詳細に説明するように、この問題は、本明細書に開示されているある実例において、新規のエタロン構成を提供することによって解決される。従来のエタロン構成の別の制限要因は、かかるエタロン内で使用される高性能アクチュエータ（作動機構及び／又はフィードバック機構）が高価であり、量産には適していないことである。対照的に、本明細書に開示されるＭＥＭＳベースのエタロンは、比較的低コストで量産できる。
【００１４】
１つの課題は、歪んだ透過スペクトルで表されることになる、製造上のばらつきである。従って、本明細書に開示される調整可能なエタロンＭＥＭＳデバイスの設計は、合理的な製造公差を推定し、スペクトル歪みを定量化し、それに応じて取得された信号を較正する、光機械式のモデルに基づいて開発された。
【００１５】
本明細書に開示される、静電作動が使用される、ある実例では、前部ミラーと後部ミラーとの間の移動／ギャップ及び平行度を、（たとえば、作動機構を担持し、機能的機械層の一部である、作動基板を有する）作動層上に形成され、実質的に互いに電気的に絶縁された、電極の２つ以上の領域間に電位差を加え、機能的機械層上に形成されたほぼ平行な一組の電極が、それによって電極間に静電気力を生じさせることで、調整することができる。機能層は、ここでは、作動力を加えると移動する層と見なされる。
【００１６】
電極がシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ：ｓｉｌｉｃｏｎ  −  ｏｎ  −  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハのハンドル層に形成される実例では、電極を、層内の溝によって互いに電気的に絶縁することができる。
【００１７】
本明細書で開示される実施例は、いくつかの調整可能なＭＥＭＳエタロン・アーキテクチャ及び作動パラダイムを教示する。全ての実施例における共通の特徴は、前部ミラー（２つのミラーのうち、入射光に面するミラー）が、ＭＥＭＳの機能的機械層に取り付けられることである。ＭＥＭＳアクチュエータの使用により、提案されたエタロンの低コストでの量産が可能となり、それを家電機器に実装するのに好適なものにする。ある実例によれば、機能的機械層への前部ミラーの取付けは、当技術分野で知られているように、ピック・アンド・プレース技法によって行われる。
【００１８】
上記の特徴に加えて、本開示の主題のこの態様による方法は、任意の技術的に可能な組合せ又は置換えで、以下に列挙される特徴（ｉ）〜（ｘｉｘ）のうちの１つ又は複数を任意選択で有することができる。
【００１９】
本開示の主題の一実例によれば、前部ミラー及び後部ミラーを備える調整可能なエタロン・デバイスが提供され、前部ミラー及び後部ミラーは、初期の非作動のエタロン状態では、予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法を有するギャップだけ離されている。エタロンは、そのギャップが、予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法よりも大きい作動ギャップ寸法を有する、少なくとも１つの作動状態をとるように構成される。
【００２０】
上記の特徴に加えて、ある実例では、本開示の主題は、任意の技術的に可能な組合せ又は置換えで、以下に列挙される特徴（ｉ）〜（ｘｘｘｉｖ）のうちの１つ又は複数をさらに有することができる。
ｉ）予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法は、前部ミラー及び後部ミラーと物理的に接触している後部ストッパ構造体によって決定される。
ｉｉ）後部ストッパ構造体は、最初に、どちらか一方のミラー上に形成され得る。
ｉｉｉ）本明細書で開示される調整可能なエタロン・デバイスは、ＭＥＭＳ技術を使用して製造され、それによって、それはまた調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイスとも呼ばれる。
ｉｖ）本明細書で開示される調整可能なエタロン・デバイスは、アンカー構造体、前部ミラーに固定的に連結されたフレーム構造体、並びにアンカー構造体及びフレーム構造体に取り付けられるが、前部ミラーには取り付けられない屈曲構造体をさらに備える。
ｖ）本明細書で開示される調整可能なエタロン・デバイスは、アンカー構造体を後部ミラーから離すスペーサ構造体をさらに備え、前部ミラー及びスペーサ構造体は、同じ単一の層に形成される。
ｖｉ）後部ミラーは、透過的又は半透過的材料で作られる層に含まれる。ある実例では、透過的又は半透過的材料は、ガラス、プラスチック、シリコン、及びゲルマニウムのうちのいずれか１種の材料であり得る。
ｖｉｉ）透過的又は半透過的な層は、予め応力を与えられた非作動状態を増強するために、屈曲構造体に予め応力を与えるのを補助するための凹部をさらに有する。
ｖｉｉｉ）アンカー構造体、フレーム構造体、及び屈曲構造体は、シリコン（Ｓｉ：ｓｉｌｉｃｏｎ）でできている。
ｉｘ）アンカー構造体、フレーム構造体、及び屈曲構造体は、同じ単一の層で形成される、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘ）単一の層は、ガラス、プラスチック、シリコン、及びゲルマニウムのうちのいずれか１種の材料でできている、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｉ）後部ミラーは、透明的又は半透明的な材料（たとえば、ガラス、プラスチック、シリコン、及びゲルマニウムのうちのいずれか１種の材料を含む）でできている層に一体化された、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｉｉ）後部ミラーは、少なくとも２種の材料のうちの第１の材料が透過的又は半透過的であり、少なくとも２種の材料のうちの第２の材料が第１の材料よりも剛性である、少なくとも２種の材料の組合せを有するハイブリッド構造体に含まれる、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｉｉｉ）異なる材料は、たとえばガラス及びシリコンを含む、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｉｖ）前部ミラーに対して被写体側に配置されるキャップ・プレートをさらに備える、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｖ）前部ミラーとキャップ・プレートとの間の最小ギャップを決定する前部ストッパ構造体をさらに備える、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｖｉ）キャップ・プレートは、前部ミラーと後部ミラーとの間のギャップ寸法を制御するよう構成された作動機構の少なくとも一部を収容する、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｖｉｉ）キャップ・プレートは、フレーム構造体に面するキャップ表面上に形成される少なくとも１つの第１の電極を備え、フレーム構造体は、第２の電極として作動するよう構成され、第１及び第２の電極を使用する静電作動によって移動可能である、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｖｉｉｉ）少なくとも１つの第１の電極は、互いに電気的に絶縁された複数の電極を含む、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｉｘ）フレーム構造体と少なくとも１つの第１の電極との間の、最小静電ギャップを決定する前部ストッパ構造体をさらに備える、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘ）キャップ・プレートは、透過的又は半透過的材料を有し、それによって、２つの透過的又は半透過的プレート間に囲まれた、調整可能なエタロンを提供する、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｉ）少なくとも１つの第１の電極として機能するＳｉ層をさらに備え、フレーム構造体は、第２の電極として作動するよう構成され、第１及び第２の電極を使用する静電作動によって移動可能である、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｉｉ）Ｓｉ層は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハのハンドル層であり、デバイスは「ＳＯＩデバイス」である、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｉｉｉ）少なくとも１つの第１の電極は、ＳＯＩウェハのハンドル層に形成される複数の第１の電極を含み、第１の電極は互いに機械的に連結され、電気的に絶縁される、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｉｖ）Ｓｉ層をフレーム構造体から分離する埋込酸化（ＢＯＸ：ｂｕｒｉｅｄ  ｏｘｉｄｅ）層をさらに有し、ＢＯＸ層は、予め応力を与えられた非作動のデバイス状態における前部ミラーと第１の電極との間の静電ギャップを決定する厚さを有する、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｖ）前部ミラー及び後部ミラーへの光の通過を可能にするため、ＳＯＩウェハのハンドル層内に開口部をさらに備える、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｖｉ）後部ミラーと一体化された第１のレンズ、及びキャップと一体化された第２のレンズをさらに備える、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｖｉｉ）前部ミラー及び後部ミラーのそれぞれと一体化された、それぞれのレンズをさらに備える、請求項１９から２２まで、又は請求項２４から２７までのいずれか一項に記載の、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｖｉｉｉ）後部ミラー及びキャップと一体化された、それぞれのレンズをさらに備える、請求項１９から２２まで、又は請求項２４から２７までのいずれか一項に記載の、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｉｘ）第１及び第２の状態のそれぞれにおけるギャップにより、所定の波長範囲の光がエタロンを通過することが可能になる、請求項２から２２まで、又は請求項２４から２７までのいずれか一項に記載の、調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｘ）前部ミラーと後部ミラーとの間の作動ギャップ寸法は、フレーム構造体とキャップとの間を離す前部ストッパによって画定される、請求項２５に記載の調整可能なエタロン・デバイス。
ｘｘｘｉ）作動機構は、圧電アクチュエータを備える。
ｘｘｘｉｉ）作動機構は、ケルビン・フォース作動電極を備える。
ｘｘｘｉｉｉ）請求項１から３７までのいずれか一項に記載の調整可能なエタロン・デバイスは、第１の状態及び第２の状態のうちの１つをとるよう設計され、第１及び第２の状態のそれぞれにおけるギャップにより、所定の波長範囲の光がエタロンを通過することが可能になり、第１の状態は、前部ミラーと後部ミラーとの間に非作動ギャップ寸法を有する、初期の予め応力を与えられた非作動状態であり、非作動ギャップ寸法は、後部ストッパにより画定され、第２の状態は、前部ミラーと後部ミラーとの間のギャップ寸法が、予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法より大きい作動ギャップ寸法を有する、作動状態である。
ｘｘｘｉｖ）前部ミラーと後部ミラーとの間の作動ギャップ寸法は、前部ストッパによって画定される。
【００２１】
本開示の主題の別の態様によれば、以下を備える撮像デバイスが提供される。
ａ）前部ミラー及び後部ミラーを備える調整可能なエタロン・デバイスであって、前部ミラーと後部ミラーとは、初期の予め応力を与えられた非作動状態では、予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法を有するギャップだけ離されており、そのギャップが、予め応力を与えられた非作動ギャップ寸法よりも大きい作動ギャップ寸法を有する、少なくとも１つの作動状態をとるようにエタロンが構成される、エタロン・デバイス
ｂ）画像センサ、並びに
ｃ）調整可能なエタロン・デバイスを調整し、画像センサを介して画像データを取り込むよう構成され、且つそのように動作可能なコンロトーラ
【００２２】
本開示の主題による撮像デバイスは、必要な変更を加えれば、上記で列挙した特徴（ｉ）から（ｘｘｘｉｖ）のうちの１つ又は複数を、任意の所望の組合せ又は置換えで任意選択的に有することができる。
【００２３】
本明細書に開示されている実施例の非限定的な実例を、この段落の後に列挙されている添付の図面を参照して、以下に説明する。図面及び説明は、本明細書に開示されている実施例を明らかにし、明確にすることを意図しており、決して制限するものと見なされるべきではない。相異なる図面中の同じ要素は、同じ数字で示されることがある。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】本開示の主題の実例による、調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイスの模式的な等角図である。
【図１Ｂ】本開示の主題の実例による、図１Ａのデバイスの模式的な断面図である。
【図２Ａ】本開示の主題の実例による、初期の、製造時のままの、応力が与えられていない非作動状態における図１Ｂのデバイスの図である。
【図２Ｂ】本開示の主題の実例による、初期の、予め応力が与えられた非作動状態における図２Ａのデバイスの図である。
【図２Ｃ】本開示の主題の実例による、作動状態における図２Ｂのデバイスの図である。
【図３】本開示の主題の実例による、図１Ａ又は図１Ｂのデバイスの中の機能的機械層の模式的な上面図である。
【図４】本開示の主題の実例による、複数の電極がその上に形成された、図１Ａ又は図１Ｂのデバイスの中のキャップの模式的な上面図である。
【図５Ａ】本開示の主題の実例による、初期の、製造時のままの、応力が与えられていない非作動状態における、調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイスの模式的な断面図である。
【図５Ｂ】本開示の主題の実例による、初期の、予め応力が与えられた非作動状態における図５Ａのデバイスの図である。
【図５Ｃ】本開示の主題の実例による、作動状態における図５Ｂのデバイスの図である。
【図６】本開示の主題の実例による、図５Ａ又は図５Ｂのデバイスの中のＳＯＩウェハのハンドル層の底面図である。
【図７】本開示の主題の実例による、光学素子が一体化された、本明細書で開示されたデバイスを備える組立体の図である。
【図８】本開示の主題の実例に従って構成された、順次撮像システムの模式的な構成図である。
【図９】本開示の主題の実例による、本明細書で開示されたＧＳＧ型調整可能ＭＥＭＳエタロン・デバイスの製造プロセスにおける段階の模式的な図である。
【図１０Ａ】本開示の主題の実例による、初期の、製造時のままの、応力が与えられていない非作動状態における、調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイスの模式的な断面図である。
【図１０Ｂ】本開示の主題の実例による、初期の、予め応力が与えられた非作動状態における図１０Ａのデバイスの図である。
【図１０Ｃ】本開示の主題の実例による、作動状態における図１０Ｂのデバイスの図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１Ａは、本明細書に開示され、１００と番号づけされた調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイスの第１の実例を、等角図で模式的に示す。図１Ｂは、Ａ−Ａとマークされた平面に沿った、デバイス１００の等角断面図を示す。デバイス１００は、以下の全ての図面にも適用できるＸＹＺ座標系と共に示されている。図２Ａ、図２Ｂ、及び図２Ｃは、３種類の構成（状態）、すなわち製造時のままの（応力を与えられていない）非作動状態（図２Ａ）、予め応力を与えられた非作動状態（図２Ｂ）、及び作動状態（図２Ｃ）での、平面Ａ−Ａにおけるデバイス１００の断面図を示す。デバイス１００は、２つの実質的に平らで平行なミラー／反射面である、底部（又は「後部」）ミラー１０２、及び「後部」ギャップで離された上部（又は「開口」）ミラー１０４を備える。本明細書で使用される用語「前部」及び「後部」は、光線へ向かうデバイスの向きを反映している。
【００２６】
図示のように、前部（上部）ミラーは、エタロンに入る光線の経路における最初のミラーである。一実例では、ミラーは、調整可能なエタロン・フィルタが透過させる所望の波長範囲の光に対して透過的又は半透過的材料で作られた、平らなプレート又はウェハに形成される（たとえばガラス）。以下の議論では、用語「ガラス」は、汎用の非限定的な実例として使用される。ガラスという用語は、限定するものと解釈されるべきではなく、エタロン及び画像センサが所望のやり方で機能するために必要な波長範囲の光に対して好適な透過性をもつ、任意の材料又は材料の組合せを含む他の材料、たとえば、プラスチック、シリカ、ゲルマニウム、又はシリコン（シリコンは、おおよそ１〜８μｍの波長に対して透過的である）もまた意図していることに留意されたい。本明細書で使用される用語「プレート」、「ウェハ」又は「層」は、２つの平行な平面によって画定された厚さを有し、その厚さより実質的に大きい幅及び長さをもつ、実質的に二次元の構造体を指す。「層」はまた、はるかに薄い構造体（他の層における一般的なマイクロメートルの厚さではなく、ナノメートルの厚さまで）もまた指す場合がある。
【００２７】
実施例では、後部ミラー１０２は、デバイスの基板としても機能する、ガラス層に形成されている。他の実施例では、後部ミラー１０２は、光線が通過する中央部分（「開口」）が、光の波長に対して透過的であるように「ハイブリッド」プレート又はハイブリッド材料で形成され得る（たとえばガラス製）。一方開口を囲むプレート部は、異なる材料、たとえばシリコンでできている。ハイブリッドの態様は、ミラーの剛性と強度を高めることができる。
【００２８】
図２Ａの、製造時のままの状態では、前部ミラーと後部ミラーとの間の後部ギャップは、ｇ０でマークされた寸法を有する。図２Ｂの非作動状態では、後部ギャップはｇ１でマークされた寸法を有する。図２Ｃの作動状態では、後部ギャップは、ｇ２でマークされた寸法を有する。ミラーは互いに対して移動可能であり、それにより後部ギャップは、所定の最小（ｇＭｎ）ギャップ寸法と最大（ｇＭｘ）ギャップ寸法との間で調整することができる。図示されている特定の座標系では、Ｚ方向に移動する。具体的には、本明細書に開示される特定の実例によれば、後部ミラー１０２（前部ミラーに対してセンサ側を向いている）は固定され、前部ミラー１０４（後部ミラーに対して被写体側を向いている）は移動可能である。ギャップ寸法は、予め応力を与えられた非作動状態において最小であり、従ってｇ１＝ｇＭｎである。最大後部ギャップ寸法ｇＭｘは、「最大」作動状態に対応する。後部ギャップがｇＭｎとｇＭｘとの間の値ｇ２を有する、多くの作動状態（さらには状態の連続する範囲も）がもちろん存在する。
【００２９】
デバイス１００はさらに、画像センサに到達するよう設計された、光線を遮断しないようなやり方で、ミラー１０２と１０４との間に配置された第１のストッパ構造体（「後方ストッパ」とも呼ばれる）１０６を備える。後部ストッパ１０６は、どちらのミラー上にでも形成することができる。図２Ａの、初期の製造時のままの非作動状態では、２つのミラーは互いに非常に接近して配置され、最小ギャップ距離ｇＭｎは、移動リミッタとして機能する後方ストッパ１０６によって画定される。ストッパ１０６のさらなる機能は、外部の衝撃及び振動による前部ミラーの望ましくない移動を防ぐことである。後部ストッパ１０６は、ミラー間の接触を防ぎ、ｇＭｎが決してゼロにならないことを保証するよう設計されている。後部ストッパの寸法が小さく、それらが光信号を著しく覆い隠さない場合、それらは光開口領域内に配置されてもよい。光開口領域内の後部ストッパの位置は、可動前部ミラー１０４の移動が最小になるようなやり方で、最適化することができる。ある実例では、後部ストッパ１０６は、パターン形成したＣｒ−Ａｕ層、Ｔｉ−Ａｕ層、又はＴｉ−Ｐｔ層などの金属で作られる。上部ミラー及び後部ミラーの反射性／透過性の程度は、エタロンの所望の分光透過特性に従って選択される。ある実例によれば、各ミラーは、少なくともある程度は半反射性である。
【００３０】
デバイス１００は、開口部（「開口」）１１０を有する取付フレーム構造体（又は単に「フレーム」）１０８をさらに備える。フレーム１０８は、透過的又は半透過的材料（たとえば単結晶シリコン）で作られており、前部ミラー１０４に（たとえば接合によって）固定的に取り付けられている。すなわち、ミラー１０４はフレーム１０８上に「取り付けられ」ており、従ってフレーム１０８と一緒に移動する。開口部１１０は、光線が前部ミラーを通ってエタロンに入ることを可能にする。従って、前部ミラーはまた「開口ミラー」とも呼ばれる。
【００３１】
ある実例では、後部ミラー１０２及び場合によって前部ミラー１０４は、ガラス層／基板上に堆積された酸化チタン（ＴｉＯ２）層を有する。ある実例では、本明細書に開示されるデバイスは、後部ミラー１０２上の、フレーム１０８に面する表面上に形成された１つ又は複数の電極（図示せず）を備えることができ、後部ミラーに向かってフレーム構造体を作動させる（それによって前部ミラーを移動させる）ことを可能にする。代替の作動機構、たとえば、圧電作動、ケルビン・フォースなどを適用することができる。後部ミラーに向かって又は後部ミラーから離れるように前部ミラーが移動すると、エタロンの分光透過帯域プロファイルが調整される。
【００３２】
デバイス１００は、透過的又は半透過的材料（たとえば、単結晶シリコン）で作られたアンカー構造体（又は単に「アンカー」）１１２をさらに備える。アンカー１１２とフレーム１０８とは、屈曲／吊下げ構造体によって互いに取り付けられている。吊下げ構造体は、たとえば、曲げばね、又は捩りばね、かかるばねの組合せの形で、或いは前部ミラーを担持するよう構成された薄いドーナツ形の膜としてパターン形成された、アンカー構造体１１２の一領域であり得る。デバイス１００では、吊下げ構造体は、複数の吊下げばね／屈曲部を含む。ある実例によれば、デバイス１００では、複数の吊下げばね／屈曲部は、透過的又は半透過的材料（たとえば、単結晶シリコン）で作られた４つのばね１１４ａ、１１４ｂ、１１４Ｃ、及び１１４ｄを備える。フレーム１０８、アンカー１１２、及びばね１１４は、全体として、図３の上面図に示される「機能的機械層」３００を形成する。以下の議論では、用語「シリコン」を、一般的で非限定的な実例として使用する。シリコンという用語は、限定するものと解釈されるべきではなく、屈曲構造体が所望のやり方で機能するために必要とされる好適な可撓性及び耐久性をもつ任意の材料又は材料の組合せ、たとえばプラスチック又はガラスを含む他の材料もまた意図していることに留意されたい。
【００３３】
図２Ａ〜図２Ｃは、入射光に面する前部ミラー１０４の表面が、フレーム１０８に取り付けられていることを示す。前部ミラー１０４及びフレーム１０８の異なる構成を、図１０を参照して以下に説明する。図１０はまた、４つのばね１１４ａ、１１４ｂ、１１４Ｃ及び１１４ｄ（図３参照）を備える屈曲構造体が、アンカー１１２及びフレーム構造体１０８に取り付けられているが、前部ミラーには取り付けられていないことを示している。
【００３４】
ある実例では、フレーム１０８は、スペーサ構造体（又は単に「スペーサ」）１１６によって、後部ミラー１０２から離隔されている。ある実例によれば、スペーサ１１６は、ガラス材料で形成することができる。スペーサ１１６は、ミラー１０２が形成されているプレートから、フレーム及びスプリングを離すために使用される。原理的に、シリコンのアンカー１１２は、スペーサ１１６なしで底部プレートに直接取り付けることができるが、これにより、ばねの非常に大きな変形が必要となる。採用した幾何形状では、この変形は、ばね材料の強度限界を超えており、これによりスペーサ層１１６の存在が必要となる。技術的な理由により、ある実例では、可動前部ミラー１０４とスペーサ１１６との両方が、同じガラス・プレート（ウェハ）から製造されている。これにより、ガラス・ウェハとシリコン・ウェハとがウェハ・レベルで接合されるので、製造が簡単になる。このため、デバイス１００は、本明細書ではガラス−シリコン−ガラス（ＧＳＧ）デバイスと呼ばれる。
【００３５】
デバイス１００は、前部ミラーと後部ミラーとの間のギャップ寸法を制御するよう構成された作動機構の少なくとも一部を収容する、キャップ・プレート（又は単に「キャップ」）１１８をさらに備える。図示のように、キャップ１１８は、入射光の方向で、前部ミラー１０４に対して被写体側に配置されている。静電作動の実例では、キャップ１１８は、その上に形成された、又はそれに取り付けられた電極１２０を収容する（図２Ａから図２Ｃ参照）。電極１２０は、たとえばキャップ１１８の底部側（ミラーに面する）に配置することができる。電極１２０は、キャップ１１８の反対（上部）側に配置された１つ又は複数の接合パッド１２６と、１つ又は複数の貫通するガラスのビア１２４を介して、恒久的に電気的に接触している。電極１２０は、フレーム１０８を作動させるために使用される（それによって、前部ミラー１０４を移動させる）。キャップは、フレーム１０８と電極１２０との間に「前部」（「静電」とも呼ばれる）ギャップｄを設けるための、第１の凹部（空洞）１１９を備える。製造時のままの構成（デバイスを後部ミラーに接合する前）である図２Ａにおいて、ギャップｄは、寸法ｄ０を有する。接合後、図２Ｂに示す、予め応力を与えられた非作動状態において、ギャップｄは、最大寸法ｄＭｘを有する。任意の作動状態において（図２Ｃのように）、ギャップｄは、寸法ｄ２を有する。デバイス１００はさらに、フレーム１０８とキャップ１１８との間を離す前部ストッパ１２２を備える。ある実例では、前部ストッパ１２２は、フレーム１０８をキャップ電極１２０から電気的に絶縁する（フレームとキャップ電極との間の電気的短絡を防止する）。ある実例では、前部ストッパ１２２は、前部ミラー１０４と後部ミラー１０２との間の最大ギャップを画定する。
【００３６】
一実例では、キャップはガラス材料でできている。他の実例では、キャップ１１８は、光線が通過する中央部分（「開口」）が、光の波長に対して透過的であるように「ハイブリッド」プレート又はハイブリッド材料で作られ得る（たとえばガラス製）。一方開口を囲むプレート部は、異なる材料、たとえばシリコンでできている。ハイブリッドの態様は、キャップの剛性と強度を高めることができる。
【００３７】
ある実例では、特に撮像用途が対象となる場合、ミラー１０２及び１０４の長さＬ及び幅Ｗ（図１Ａ）は、一方では、比較的広い多画素の画像センサへの光の通過を可能にするのに十分な大きさでなければならない（たとえば、数百マイクロメートル（μｍ）から数ミリメートル（ｍｍ）程度）。他方では、最小ギャップｇＭｎは、エタロンの所望の分光透過特性を可能にするのに十分な小ささでなければならない（たとえば、数十ナノメートル（ｎｍ））。これは、ミラー間の光学空洞の大きなアスペクト比（たとえば、横方向の寸法Ｗ及びＬと、最小ギャップ距離ｇＭｎとの間の）をもたらし、それによりエタロンの、その幅／横の空間方向に沿った色空間透過帯域の、空間歪みを低減又は防止するために、ミラー間の正確な角度の整合状態を維持することが必要となる。ある実例では、ｇＭｎは、最小２０ナノメートル（ｎｍ）までの値を有することができ、一方ｇＭｘは、最大２μｍまでの値を有することができる。一実例によれば、ｇＭｘの値は３００から４００ｎｍの間であり得る。具体的な値は、要求される光学波長に依存し、特定の用途により定められる。従って、ｇＭｘは、ｇＭｎよりも１桁から２桁大きい可能性がある。ある実例では、Ｌ及びＷは、それぞれ約２ミリメートル（ｍｍ）であってもよく、ばね１１４は、それぞれ約５０μｍの厚さ、約３０μｍの幅、及び約１．４ｍｍの長さであってもよい。ある実例では、キャップ１１８、後部ミラー１０２、及び前部ミラー１０４のガラス層の厚さは、約２００μｍであってもよい。ある実例では、Ｌ＝Ｗである。
【００３８】
全ての寸法は実例としてのみ与えられており、決して限定するものとして見なされるべきではないことを理解されたい。
【００３９】
図２Ａ〜図２Ｃは、デバイス１００の構造体及びその要素のいくつかの機能に関する追加の情報を提供する。上記のように、図２Ａは、初期の製造時のままの、且つ非作動時で応力を与えられていない状態のデバイス１００を示す。製造時のままの状態では、前面ミラー１０４は、後部ストッパ１０６に接触していない。図２Ｂは、前部ミラー１０４が後部ストッパ１０６に物理的に接触している、初期の、予め応力を与えられた、非作動状態にある、図２Ａのデバイスを示す。この物理的接触は、スペーサ１１６を後部ミラー１０２のガラス・プレートに共晶接合するために、スペーサ層１１６をガラス・ウェハ基板（後部ミラー１０２を含む）と強制的に接触させたときに、ばねがフレームに加える応力によって引き起こされる。以下の図９（ｃ）を参照のこと。従って、図２Ｂに示される構成は（図５Ｂにおいても同様に）、「予め応力を与えられた」と言われる。図２Ｃは、後部ストッパ１０６と前部ストッパ１２２との間の中間位置にある前部ミラー１０４が、後部ミラー１０２から離れるように移動する、作動状態にあるデバイスを示す。
【００４０】
ある実例では、後部ミラー１０２は、組立／接合後に事前のばね応力を与えるように設計された、深さｔを有する第２の凹部１２８を有する。ある実例によれば、凹部の深さｔは、一方では、ばねの変形及び可動前部ミラー１０４の後部ストッパ１０６への付着によって生じる接触力が、デバイスの通常の取扱中に衝撃及び振動がある場合に、接触を維持するのに十分な大きさであるよう選択される。他方では、ある実例では、凹部深さｔに最大必要移動距離（最大後部ギャップ寸法）ｇＭｘを加えた組合せの値は、キャップ上に配置された電極によってフレームの安定した制御可能な静電動作を提供するために、電極１２０とフレーム１０８との間のギャップの、製造時のままの（「静電」）ギャップ寸法ｄ０（図２Ａ）の１／３より小さい。ある実例では、製造時のままの静電ギャップｄ０は、約３〜４μｍの値を有し、ｔは約０．５〜１μｍの値を有してもよい。容量性アクチュエータの安定移動距離は、製造時のままの静電ギャップの１／３、すなわちｄ０／３であるため、安定動作のための要件はｔ＋ｇＭｘ＜ｄ０／３である。
【００４１】
ある実例では、非作動状態は、可動ミラー１０４が吊り下げられ、後部ストッパ１０６又は前部ストッパ１２２のいずれにも触れない構成を含むことができることに留意されたい。
【００４２】
図２Ｃに示す作動状態では、取付リング及び前部ミラーは、後部ミラーから離れる方向に移動する。これは、作動させる電極として機能する作動基板の１つ又は複数の領域／電極１２０と、フレーム１０８の１つ又は複数の領域との間に、電圧Ｖを印加することによって実施される。
【００４３】
ある実例によれば、デバイス１００は完全に透過的である。デバイス１００は、透過的後部ミラー（１０２）、透過的前部ミラー（１０４）及び透過的キャップ（１１８）、並びに透過的機能的機械層３００を備える。完全な透過性の１つの利点は、デバイスを両側から光学的に観察できることである。別の利点は、このアーキテクチャが、ミラー、回折格子、又はレンズなどの可動の機械的／光学的要素を組み込んでいる、他の多くの光学デバイスにとって有用であり得ることである。ある実例では、デバイス１００は、完全ガラス構造体として構成され、ここで機能的機械層は、上部ミラーを担持する吊下げ構造体を収容／画定するようパターン形成されたガラス基板を備え、吊下げ構造体は複数のガラスばね／屈曲部を有する。
【００４４】
図３は、機能的機械層３００の上面図を模式的に示す。この図は、前部ミラー１０４の外側輪郭３０２、開口１１０、アンカー構造体１１２、ばね１１４ａ〜１１４ｄ（屈曲構造体）、並びに以下の図４を参照しながらさらにより詳細に説明する、共晶接合フレーム１２１及びキャップ・スペーサ１２２を取り囲む輪郭３０４もまた示している。
【００４５】
図４は、ここでは１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ及び１２０ｄとマークされた複数の電極１２０を有する、キャップ１１８の上面図を模式的に示す。図示される電極１２０の数及び形状は、例示するためにだけ示しており、限定するものと解釈されるべきでない。ある実例によれば、３つの電極１２０が、Ｚ方向のフレームの移動と、Ｘ軸及びＹ軸の周りのフレームの傾斜との両方を制御するために必要である。たとえば図４に示す複数の電極領域を、前部ミラー１０４をＺ方向に沿った上下自由度（ＤＯＦ：ｄｅｇｒｅｅ  ｏｆ  ｆｒｅｅｄｏｍ）で作動させることができ、また追加の角度ＤＯＦを提供するため、（たとえば２つの軸Ｘ及びＹに対して）傾斜させることができるように、キャップ１１８上に製作することができる。これにより、前部ミラー１０４と後部ミラー１０２との間の角度の整合を調整することができる。ある実例によれば、キャップ１１８は、堆積した共晶接合材１２１を有することができる。さらに、スペーサ１２２を使用して、キャップ電極１２０と、第２の電極として機能するアクチュエータ・フレーム１０８との間の静電ギャップを、精密に制御することができる。本開示の主題によれば、共晶接合材１２１を、フレームの形状をとるようにすることができる。その場合は、スペーサ１２２をフレームの両側（内側及び外側）に配置することができ、それによって接合プロセス中に共晶接合が収縮する結果としてキャップに作用する曲げモーメントを、最小限に抑えることができる。
【００４６】
以下は、デバイス１００の使用方法の実例である。デバイス１００を作動させて、エタロンを初期の予め応力を与えられた非作動状態（図２Ｂ）から作動状態（たとえば図２Ｃのように）にする。作動させることにより、フレーム１０８及び前部ミラー１０４は、後部ミラー１０２から離れるように移動し、ミラー間の後部ギャップが広がる。後部ギャップの有利で安定した制御は、初期の製造時のままの（且つ応力が与えられていない）状態を有する、革新的な設計によって可能となる。より具体的には、この設計は、凹部深さｔと最大必要移動（後部ギャップ）寸法ｇＭｘとの組合せの、約３倍の大きさである、初期の最大の製造時のままの（且つ応力が与えられていない）前部ギャップ寸法ｄ０（図２Ａ）を含む。これは、並列コンデンサ型静電アクチュエータの安定範囲が、電極間の初期の距離の３分の１であるためである。
【００４７】
一実例によれば、デバイス１００は、特定のアプリケーション用に予め設定されたフィルタとして使用することができる。たとえば、（ストッパによって設定された）２つの状態のそれぞれ一方におけるミラー間のギャップが所望の波長に応じる、２つの相異なる状態をとるように、デバイスを予め設定することができる。たとえば、一方の状態は、第１の波長範囲がエタロンを通過することを可能にするフィルタを提供し、他方の状態は、第２の波長範囲がエタロンを通過することを可能にする。かかる「２つのモード」フィルタの設計は、２つの状態間のミラーの簡単で正確な変位に関連しており、製造を簡略化することを可能にする。
【００４８】
一実例によれば、一方の状態は、第１の波長範囲がエタロンを通過することを可能にするように選択された、初期の非作動のエタロンの状態ｇ１（ミラー間のギャップ寸法は、ストッパ１０６によって規定される）であり、他方の状態は、ギャップが、予め応力を与えられた非作動のギャップ寸法よりも大きい、作動されたギャップ寸法ｇ２を有し、前部ストッパ１２２の高さに等しい電気ギャップｄ２をもたらし、第２の波長範囲がエタロンを通過することを可能にするように選択された、一作動状態である。第２の状態では、フレーム１０８は、前方ストッパ１１２と接触している。
【００４９】
図５Ａ〜図５Ｃは、本明細書に開示され、５００と番号づけされた調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイスの第２の実例を、断面図で模式的に示す。図５Ａは、スペーサ１１６を後部ミラー１０２に接合する前の、製造時のままの（応力が与えられていない）構成のデバイス５００を示す。図５Ｂは、初期の予め応力を加えられた非作動状態にあるデバイス５００を示し、一方図５Ｃは、作動状態にあるデバイス５００を示す。デバイス５００は、ＳＯＩウェハ及びＳＯＩ製造技術を使用し、従って、ＧＳＧデバイス１００とは対照的に、本明細書では「ＳＯＩデバイス」と呼ばれる。デバイス５００は、デバイス１００の構造と類似の構造を有し、その要素の多くを備えている（従って、それらは同じ番号がつけられている）。ＳＯＩウェハ及び技術の両方が知られているので、以下では、この技術分野で知られているＳＯＩ用語を使用する。
【００５０】
図５Ａでは、前部ミラー１０４は後部ミラー１０２上の後部ストッパ１０６と物理的に接触していないが、図５Ｂでは、予め与えられた応力により、前部ミラー１０４と後部ストッパ１０６とが物理的に接触している。図５Ｃでは、前部ミラー１０４は後部ミラー１０２から離れるように移動し、後部ストッパ１０６と電極５２０との間の中間位置にあり、ここでＳＯＩデバイスにおいて、電極は、ＳＯＩウェハのハンドル層５０２で作られている。ＳＯＩウェハは、ハンドル層が、基板としてだけでなく電極５２０の製造にも役に立つように使用される。フレーム１０８は、対向電極として機能する領域を有する。ＳＯＩウェハのデバイスＳｉ層内のアンカー構造体（層）１１２は、ばね１１４ａ〜１１４ｄを介して、フレーム１０８に連結されている。アンカー構造体１１２は、ＢＯＸ層５１０を介して、ハンドル層５０２に取り付けられている。Ｓｉデバイスとハンドル層との間のギャップは、５３０で示されている。ギャップ５３０は、フレームの下及びばねの下に、ＢＯＸ層５１０をエッチングすることによって作成される。ハンドル層５０２には開口部５４０が形成され、前部ミラー１０４及び後部ミラー１０２を、−Ｚ方向の光線にさらす。
【００５１】
製造時のままの状態では、スペーサ１１６を、後部ミラー１０２を含むガラス・プレートに接合する前は、フレームとハンドル層との間のギャップ５３０は寸法ｄ０を有し、図５Ａに示すようにＢＯＸ層の厚さに等しい。接合後、ギャップ５３０は、ＢＯＸ層５１０の厚さから凹部１２８の深さｔを引き、且つ後部ストッパ１０６の高さを引いたものに等しい寸法ｄＭｘを有する。従って、前部ミラー１０４が後部ストッパ１０６に接触するとばねが変形し、解放されたギャップ５３０の寸法が減少するので、事前の応力のために、ｄＭｘはｄ０よりも小さい。図５Ｃの作動時に、フレーム１０８は、前部ミラー１０４を後部ミラー１０２から引き離し、ギャップ５３０のサイズをさらにｄ２に減少させ、後部ギャップの寸法を最大にする（最大で、最大寸法ｇＭｘまで）。
【００５２】
図６は、ＳＯＩウェハのハンドル層の底面図の概略説明図を示す。図は、電極５２０間の絶縁溝６０２を示す。ある実例では、ハンドル層の１つ又は複数の領域／電極５２０は、互いに実質的に電気的に絶縁されている２つ以上の領域を有することができる。従って、ハンドル層のこうした２つ以上の領域５２０と、フレーム１０８の領域との間に、相異なる電位を印加することにより、前部ミラーと後部ミラーとの間の平行度を調整することが可能になる。たとえば、ハンドル層の２つ以上の領域は、前部ミラーと後部ミラーとの間の平行度を２つの軸に対して二次元的に調整することができるように配置された、少なくとも３つの領域を含むことができる。
【００５３】
図７は、キャップの中若しくは上に形成された、又はキャップに取り付けられたレンズ７０２と、後部ミラーの中若しくは上に形成された、又は後部ミラーに取り付けられたレンズ７０４とを具備する、デバイス７００を備える組立体の概略説明図を示す。これにより、光学素子をエタロンと一体化して「光学素子一体型」調整可能エタロン・デバイスを提供することができる。やはり、２つのガラス間の空洞の内側が圧力下にある場合、かかるレンズを追加することにより、剛性が向上し、後部ミラー及びキャップの変形が減少する。他の要素は、デバイス１００にマークされた通りである。
【００５４】
デバイス１００及び５００において、本明細書に開示されている調整可能なエタロンは、撮像用途に使用することができる。たとえば、こうしたデバイスを、広いスペクトル帯域（たとえば、スペクトルの長波長側の赤外（ＩＲ：ｉｎｆｒａ−ｒｅｄ）又は近赤外（ＮＩＲ：ｎｅａｒ−ＩＲ）波長から、スペクトルの短波長側の紫及び／又は紫外（ＵＶ：ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）波長までの可視（ＶＩＳ：ｖｉｓｉｂｌｅ）領域まで延びる）にわたって調整可能な、広範な動的フィルタとして設計し、使用することができる。追加的に又は代替的に、かかるデバイスを、広い分光透過率プロファイル（たとえば、約６０〜１２０ｎｍの、分光透過率プロファイルの半値全幅（ＦＷＨＭ：ｆｕｌｌ  ｗｉｄｔｈ  ｈａｌｆ  ｍａｘｉｍｕｍ）であり、これは画像取得／撮像用途に好適である）を有し、且つ３０ｎｍ程度以上の、連続するピーク間の比較的大きな自由スペクトル領域（ＦＳＲ：ｆｒｅｅ  ｓｐｅｃｔｒａｌ  ｒａｎｇｅ）もまた有し、それによって良好な色分離を可能にするよう設計することができる。
【００５５】
本明細書に開示されるデバイスは、たとえば静電作動を使用して、エタロンの分光透過率及び他の特性を調整する。用語「静電」作動は、デバイスの２つの層のそれぞれの上の１つ又は複数の電極間の、平行プレートの静電気力によってもたらされる、近接ギャップ作動を指すのに使用される。たとえば、デバイス１００において、フレーム１０８の１つ又は複数の領域と、キャップ１１８の底面上に形成／堆積した１つ又は複数の電極１２０との間に電圧を印加することによって、静電作動が実行される。デバイス５００において、フレーム１０８の１つ又は複数の領域と、ハンドル層５０２の１つ又は複数の領域との間に電圧を印加することによって、静電作動が実行される。これは、ミラー間の移動の調整可能性を、それによってエタロンの調整可能性を実現する。
【００５６】
静電作動の中心的課題の１つは、いわゆる引込不安定性（ｐｕｌｌ−ｉｎ  ｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｙ）の存在であり、これは接近する電極（たとえばデバイス１００及びデバイス５００の両方の取付フレーム１０８）が静止した電極（たとえば電極１２０又は５２０）へ向かう安定した移動を、初期の電極間のギャップの３分の１に制限する。従って、本明細書に開示される静電作動構成では、ハンドル層と取付フレームとの間、又は電極１２０と取付フレームとの間の初期ギャップは、必要とされる最大光学ギャップｇＭｘよりもかなり大きい（少なくとも４〜５倍）。従って、ｇＭｎからｇＭｘまでの範囲における前部ミラーと後部ミラーとの間のギャップは、アクチュエータの安定した範囲内にあり、引込不安定性はなくなる。
【００５７】
上記のように、静電作動は、前部ミラーと後部ミラーとの間のギャップを調整するために使用される作動機構の単なる一実例であり、これは本明細書に開示されるＭＥＭＳエタロン・デバイスに適用可能であり、限定するものとして解釈されるべきではない。本開示の主題は、さらに、圧電作動及びケルビン・フォース作動などの他の種類の作動機構も意図している。
【００５８】
具体的には、ある実例では、エタロン・システムは、電圧を印加することで、フレーム構造体が後部ミラーから離れて作動できる（それによって前部ミラーの移動がもたらされる）ように、フレーム又は屈曲構造体に取り付けられる、圧電作動構造を備える。ある実例では、作動時に、フレーム１０８は、前部ミラー１０４を後部ミラー１０２から引き離し、それによってミラー間のギャップの寸法を増大させ、従って後部ギャップの寸法を増大させる。フレームの様々な部品／屈曲部／ばねに、いくつかの圧電作動構造体を配置することによって、エタロンの開口ミラーと後部ミラーとの間の平行度を制御することができる。その全体が参照により本明細書に組み入れられる、本出願人による特許文献２は、圧電作動及びケルビン・フォース作動の埋め込みの実例を説明している。たとえば、図８ａ〜図８ｃ、図９ａ、及び図９ｂを参照のこと。
【００５９】
ここで図８を参照すると、本明細書に開示された実施例に従って構成された順次撮像システム８００を、構成図で模式的に示している。システム８００は、画像センサ８０２（たとえば、多画素センサ）、及び上記の本発明に従って構成された調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイス８０４を備える。調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイス８０４は、調整可能な分光フィルタとして機能し、センサ８０２に向かう光の伝搬の一般的な光路内に配置される（たとえば図中のＺ軸と交差する）。場合によっては、光学素子８０６（たとえば撮像レンズ）もまた、センサ８０２の光路内に配置される。
【００６０】
カラー画像の取得は、たとえば、本出願の譲受人に譲渡されており、参照により本明細書に組み入れられる特許文献１で説明されているのと同様のやり方で、デバイス８００によって実行することができる。調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイス８０４は、撮像システム８００内で使用されるとき、高い色忠実度を有する順次カラー撮像に好適な分光フィルタ処理プロファイルを提供するように構成される。
【００６１】
より具体的には、本明細書に開示される様々な実例によれば、エタロンの後部ミラー１０２及び前部ミラー１０８の材料並びに調整可能な後部ギャップの寸法は、エタロンの分光濾過プロファイルが、可視域、及び場合によっては、カラー画像の撮像に好適である（たとえば、ＲＧＢ空間又はハイパー・スペクトル・カラー空間に対応する色を含む）赤外／近赤外域のスペクトル範囲でもまた調整可能であるように構成される。また、前部ミラー及び後部ミラー並びに調整可能な後部ギャップ寸法は、エタロンの透過プロファイル特性（たとえば、ＦＷＨＭ及びＦＳＭを含む）もまた順次カラー撮像に好適となるよう構成され得る。たとえば、前部ミラー及び後部ミラーの材料並びに調整可能な後部ギャップ寸法を、エタロンの分光透過率プロファイルのＦＷＨＭが、従来のＲＧＢ空間における色のＦＷＨＭと一致するのに十分な広さになるように、また分光透過率プロファイルにおける連続する透過率ピーク間のＦＳＲが、混色を回避するのに十分な大きさになるように（センサが感知可能な、相異なる色／スペクトル領域のセンサへの同時透過を回避するために）、選択することができる。さらに、エタロンは、比較的横方向に広く（後部ギャップ寸法に対して）、その結果、光学素子８０６とセンサ８０２の全画素との間の光路に介在するのに十分な広さである。一方そのミラー間のギャップは、所望の分光透過特性及びエタロンの調整可能性をもたらすのに十分な小ささである。
【００６２】
システム８００はまた、画像センサ８０２及び調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイス８０４に動作可能に接続され、フィルタを調整して画像データを取り込むよう構成され、且つそのように動作可能な制御回路（コントローラ）８０８を備えることができる。たとえば、カラー画像データの取り込みは、センサからの様々な色（様々な分光プロファイル）に対応する単色フレームの順次取得を含むことができる。たとえば、コントローラ８０８は、３つ以上の相異なる分光フィルタ処理曲線／プロファイルを使って、その上に入射する光を順次フィルタ処理するため、調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイス８０４を順次動作させ、そして３つ以上の分光曲線によってそれぞれフィルタ処理された光の、３つ以上の画像（単色画像／フレーム）を取得するようセンサ８０２を動作させることによって、カラー画像データを作成する／取り込むよう構成され得る。調整可能な分光フィルタ（エタロン・デバイス）８０４は、対応するタイム・スロット継続時間に、分光フィルタ処理曲線のそれぞれを維持するように動作し、その間、センサ８０２は、こうしたタイム・スロットに適合するそれぞれの積分時間で、それぞれの単色画像を取り込むように動作する。従って、取り込まれた単色画像のそれぞれは、それぞれの相異なる分光フィルタ処理曲線によってフィルタ処理され、所定の積分時間にわたってセンサ８０２によって取り込まれた光に対応している。制御回路（たとえば、コントローラ）はさらに、センサから３つ以上の単色画像を示す読み出しデータを受信して処理し、カラー画像（すなわち、画像の各画素での少なくとも３色の強度に関する情報を含む画像）を示すデータを生成するよう構成され得る。
【００６３】
本明細書で使用される用語「コントローラ」は、本明細書で以下に開示するように、たとえば、コントローラと動作可能に接続されたコンピュータ・メモリに格納された命令を実行するよう構成される、コンピュータ・プロセッサ（たとえば、中央処理装置（ＣＰＵ：ｃｅｎｔｒａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ）、マイクロプロセッサ、電子回路、集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ：ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、マイクロコントローラ、現場でプログラム可能なゲート・アレイ（ＦＰＧＡ：ｆｉｅｌｄ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｇａｔｅ  ａｒｒａｙ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）などの特定のプロセッサ用に書かれた又はポーティングされたファームウェアなどのうちの１つ又は複数を含む）を含む、データ処理回路を有する任意の種類の電子デバイスを含むと広く解釈され得る。
【００６４】
図９（ａ）〜図９（ｓ）は、本開示の主題の一実例による、デバイス１００などのＧＳＧ型調整可能ＭＥＭＳエタロン・デバイスの製造プロセスにおける段階を模式的に示す。プロセスは、図９（ａ）に示す、ガラス・プレート（「ガラス・ウェハ」又は「ガラス層」とも呼ばれる）９０２及びシリコン・デバイス層９０４を有するシリコン・オン・グラス（ＳＯＧ）ウェハで始まる。上側可動ミラー１０４及びスペーサ１１６を形成するために使用されることになるガラス・プレートは、まず図９（ｂ）に示すように、光学コーティング９０６（たとえば、酸化チタン）によってコーティングされる。次いで、金属層が堆積され、リソグラフィによってパターン形成されて、図９（ｃ）に示すように、スペーサ１１６を底部ミラー１０２に共晶接合するためのはんだ材料として働く。次いで、ＳＯＧウェハを裏返し、Ｓｉデバイス層９０４は、エッチ・ストップとして使用されるガラス・ウェハを使って、深反応性イオン・エッチング（ＤＲＩＥ：ｄｅｅｐ  ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いてエッチングされる。次いで、図９（ｄ）に示すように、開口１１０、アンカー構造体１１２、及びばね１１４を有するフレーム構造体１０８が、Ｓｉデバイス層９０４に形成される。図９（ｅ）に示すように、反射防止（ＡＲ：ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ）コーティング９０８を、開口領域１１０内の前部（可動）ミラー上に堆積させる。これに続いて、図９（ｆ）に示すように、後部ストッパ１１６の領域の外側の金属層の除去及びガラスのエッチングが行われ、前部可動ミラー１０４及びストッパ１１６が形成される。
【００６５】
図９（ｇ）に示すように、キャップ・ウェハの処理は、フレーム１０８に面するキャップ・ガラス・ウェハ１１８の表面へのＡＲコーティングの堆積から始まる。この工程の後に、図９（ｈ）に示すように、キャップ・ウェハの同じ表面上に前部ストッパ１２６がパターン形成される。図９（ｉ）に示すように、ガラス貫通ビア１２４形成の一部として、キャップ・ウェハのＡＲコーティング及びガラスが部分的にエッチングされる。次に、図９（ｊ）に示すように、金属（たとえば、Ｃｒ−Ａｕ又はＣｕ）を２段階で堆積させて、ビア１２４に金属被覆を与え、キャップ・ウェハをＳｉアンカー１１２に共晶接合するためのはんだ構造体を形成する。
【００６６】
図９（ｋ）に示すように、底部ミラーとして機能する底部ガラス・ウェハは、最初に光学コーティングで覆われ、底部ストッパ１０６は、コーティング９１６の表面上にリソグラフィで形成される。上記のように、及び別法として（図示せず）、別のプロセスの実施例では、底部ストッパ１０６は、ミラー１０４の表面上にリソグラフィで形成され得る。次いで、ガラス・ウェハの凹部１２８が、図９（ｌ）に示す浅いエッチング、次に図９（ｍ）に示す深いエッチングの２段階で形成される。浅いエッチングは、ばねの事前の応力を規定する正確な凹部の形成を目的としているのに対し、一方深いエッチングは、共晶接合用に金属をはんだづけする空間を設けるために必要である。図９（ｎ）に示すように、共晶接合用の金属が、深いエッチングがなされたガラス領域内に、堆積されパターン形成される。
【００６７】
図９（ｏ）に示すように、２つの共晶接合プロセスを使用して、ＳＯＧウェハのガラス層上に形成されたスペーサ１１６は、底部ガラス・ウェハに接合され、次いでキャップ・ウェハが、ＳＯＧウェハのＳｉ層に接合される。次いで、図９（ｐ）に示すように、キャップ・ウェハは、化学機械的に薄くされ、部分的にエッチングされたビア１２４が露出される。図９（ｒ）に示すように、金属接合パッド１２６が、リソグラフィにより、キャップ・ウェハの上面に形成される。最後に、追加のＡＲコーティングが、キャップ・ウェハの上部の開口領域内に堆積されパターン形成される。完成した、予め応力を与えられた、非作動のデバイスの断面図を、図９（ｓ）に模式的に示す。
【００６８】
図１０Ａ〜図１０Ｃは、本明細書に開示され、２００と番号づけされた調整可能なＭＥＭＳエタロン・デバイスの第３の実例を、断面図で模式的に示す。
【００６９】
図１０Ａは、アンカー構造体１１２を後部ミラー１０２に接合する前の、製造時のままの（応力が与えられていない）構成でのデバイス２００を示す。図１０Ｂは、初期の予め応力を加えられた非作動状態にあるデバイス２００を示し、一方図１０Ｃは、作動状態にあるデバイス２００を示す。デバイス２００は、デバイス１００の構造と類似の構造を有し、その要素の多くを備えている（従って、それらの要素は同じ番号がつけられている）。
【００７０】
ある実例では、前部ミラー１０４は、前部ミラーが透過的又は半透過的材料（調整可能なエタロン・フィルタによって透過される所望の範囲の光の波長に対して）で作られているハイブリッド層に形成され、アンカー１１２、屈曲部１１４、及びフレーム１０８の構造体は、比較的剛性の材料でできている。図１０Ａ〜図１０Ｃに示すように、前部ミラーは、片側からフレームに取り付けられるのではなく、フレーム１０８と整合した状態で（たとえば単一のウェハから）製造される。ある実例では、前部ミラーは、ガラス、プラスチック、又はゲルマニウムのうちのいずれか１種の材料でできている。一方、アンカー１１２、屈曲部１１４、及びフレーム１０８の構造体は、シリコンでできている。この材料のリストは網羅的なものではなく、限定的なものとして解釈されるべきではないことに留意されたい。
【００７１】
図１０Ａでは、前部ミラー１０４は後部ミラー１０２上の後部ストッパ１０６と物理的に接触していないが、図１０Ｂでは、予め与えられた応力により、前部ミラー１０４と後部ストッパ１０６とが物理的に接触している。図１０Ｃでは、前部ミラー１０４は、作動することで、後部ミラー１０２から遠ざかるように移動し、後部ストッパ１０６と電極１２０との間の中間位置にある。
【００７２】
製造時のままの状態では、前面ミラー１０４は、後部ストッパ１０６に接触していない。図１０Ｂは、前部ミラー１０４が後部ストッパ１０６に物理的に接触している、初期の、予め応力を与えられた、非作動状態にある、図１０Ａのデバイスを示す。この物理的接触は、後部ミラー１０２のガラス・プレートに共晶接合するために、アンカー構造体１１２をガラス・ウェハ基板（後部ミラー１０２を含む）と強制的に接触させたときに、ばねがフレームに加える応力によって引き起こされる。以下の図９（ｃ）を参照のこと。特に、後部ストッパ１０６とアンカーとの間の高さの差は、必要な応力を達成する助けとなる。従って、図１０Ｂに示される構成は、「予め応力を与えられた」と言われる。
【００７３】
図１０Ｃは、後部ストッパ１０６と前部ストッパ１２２との間の中間位置にある前部ミラー１０４が、後部ミラー１０２から離れるように移動する作動状態にあるデバイスを示す。ある実例では、作動は、作動させる電極として機能する作動基板の１つ又は複数の領域／電極１２０と、フレーム１０８の１つ又は複数の領域との間に、電圧Ｖを印加することによって実施される。
【００７４】
上記のように、ある実例では、最大必要移動距離（最大後部ギャップ寸法）ｇＭｘの組み合わされた値は、キャップ上に配置された電極によってフレームの安定した制御可能な静電動作を提供するために、電極１２０とフレーム１０８との間のギャップの、製造時のままの（「静電」）ギャップ寸法ｄ０（図１０Ａ）の１／３より小さい。ある実例では、製造時のままの静電ギャップｄ０は、約２〜４μｍの値を有する。容量性アクチュエータの安定移動距離は、製造時のままの静電ギャップの１／３、すなわちｄ０／３であるため、安定動作のための要件はｇＭｘ＜ｄ０／３である。
【００７５】
ある実例では、非作動状態は、可動ミラー１０４が吊り下げられ、後部ストッパ１０６又は前部ストッパ１２２のいずれにも触れない構成を含むことができることに留意されたい。
【００７６】
ある実例によれば、デバイス２００は完全に透過的である。デバイス２００は、透過的後部ミラー（１０２）、透過的前部ミラー（１０４）及び透過的キャップ（１１８）、並びに透過的アンカー１１２、屈曲部１１４、及びフレーム１０８の構造体を備える。完全な透過性の１つの利点は、デバイスを両側から光学的に観察できることである。別の利点は、このアーキテクチャが、ミラー、回折格子、又はレンズなどの可動の機械的／光学的要素を組み込んでいる、他の多くの光学デバイスにとって有用であり得ることである。
【００７７】
本出願において言及される全ての特許及び特許出願は、本明細書中に示される全ての目的のために、その全体が参照により本明細書に組み入れられる。本出願における任意の参考文献の引用又は特定は、かかる参考文献が利用可能であるか、又は従来技術として許容されることを認めるものとして解釈されないものとすることを強調しておく。
【００７８】
本開示は特定の実施例及び一般的に関連する方法に関して説明してきたが、実施例及び方法の変更及び置換が、当業者には明らかであろう。本開示は、本明細書に記載の特定の実施例によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲に示す範囲によってのみ限定されると理解されたい。
【図１Ａ】
2020500337.tif 000003
【図１Ｂ】
2020500337.tif 000004
【図２Ａ】
2020500337.tif 000005
【図２Ｂ】
2020500337.tif 000006
【図２Ｃ】
2020500337.tif 000007
【図３】
2020500337.tif 000008
【図４】
2020500337.tif 000009
【図５Ａ】
2020500337.tif 000010
【図５Ｂ】
2020500337.tif 000011
【図５Ｃ】
2020500337.tif 000012
【図６】
2020500337.tif 000013
【図７】
2020500337.tif 000014
【図８】
2020500337.tif 000015
【図９】
2020500337.tif 000016
【図１０Ａ】
2020500337.tif 000017
【図１０Ｂ】
2020500337.tif 000018
【図１０Ｃ】
2020500337.tif 000019
【国際調査報告】
2020500337.tif 000020
2020500337.tif 000021