(57)【要約】  表示パネルの補償方法、補償装置及び表示機器である。表示パネルは、複数の画素ユニットを含み、各画素ユニットは、画素回路と発光素子（ＥＬ）とを含み、補償方法は、画素回路における駆動トランジスタ（Ｔ３）の閾値電圧（Ｖｔｈ）を検出するステップ（Ｓ１０１）と、発光素子（ＥＬ）の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧（Ｖｇｓ１）を検出するステップ（Ｓ１０２）と、閾値電圧（Ｖｔｈ）、最大データ電圧（Ｖｇｓ１）及び予想表示輝度（Ｌ）に基づいて計算して、正常表示の場合に前記表示パネルに対して補償を行った後の補償表示データ電圧（Ｖｇｓ）を取得するステップ（Ｓ１０３）と、を含み、表示パネルの低階調での補償効果を効果的に改善し、低階調損失の事象を低減又は軽減し、補償効果を向上させることができる。【選択図】図２
2020525825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルの補償方法であって、
前記表示パネルは、複数の画素ユニットを含み、各画素ユニットは、画素回路と、発光素子と、を含み、
前記補償方法は、
前記画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧を検出するステップと、
前記発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出するステップと、
前記閾値電圧、前記最大データ電圧及び予想表示輝度に基づいて計算して、正常表示の場合に前記表示パネルに対して補償を行った後の補償表示データ電圧を取得するステップと、を含む、
補償方法。
【請求項２】
前記画素回路は、前記駆動トランジスタの第１極に接続される感知線を含み、
前記画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧を検出するステップは、
前記画素回路のデータ信号入力端に第１のデータ電圧を印加して前記感知線を充電し、前記画素回路における駆動トランジスタがオフになる場合、前記感知線における第１の感知電圧を検出するステップと、
前記第１のデータ電圧と前記第１の感知電圧とに基づいて、前記駆動トランジスタの閾値電圧を算出するステップと、を含む、
請求項１に記載の補償方法。
【請求項３】
前記閾値電圧は、下記計算式によって得られ、
Ｖｔｈ＝Ｖｄａｔａ１−Ｖｓｅ１
Ｖｔｈが前記駆動トランジスタの閾値電圧であり、Ｖｄａｔａ１が前記第１のデータ電圧であり、Ｖｓｅ１が前記第１の感知電圧である、
請求項２に記載の補償方法。
【請求項４】
前記画素回路は、前記駆動トランジスタの第１極に接続される感知線を含み、
前記発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出するステップは、
前記画素回路のデータ信号入力端に第２のデータ電圧を印加して前記感知線を充電するステップと、
前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における第２の感知電圧を取得するステップと、
前記第２の感知電圧が目標感知電圧に等しいことが特定されると、前記データ信号入力端に印加される、前記発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧である前記第２のデータ電圧を検出するステップと、を含む、
請求項１に記載の補償方法。
【請求項５】
前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における第２の感知電圧を取得するステップは、
前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における前記第２の感知電圧を検出ステップと、
前記第２の感知電圧と前記目標感知電圧とを比較して、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧より大きいことが特定される場合、前記データ信号入力端に印加される前記第２のデータ電圧を減少させるステップと、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧より小さいことが特定される場合、前記データ信号入力端に印加される前記第２のデータ電圧を増大させるステップと、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧に等しいことが特定される場合、前記感知線における第２の感知電圧を取得するステップと、を含む、
請求項４に記載の補償方法。
【請求項６】
前記目標感知電圧を特定するように、前記表示パネルに対して局所点灯試験を行うステップをさらに含む、
請求項４に記載の補償方法。
【請求項７】
前記補償表示データ電圧は、下記計算式により算出され、
【数１】
2020525825.tif 000012
Ｖｇｓが前記補償表示データ電圧であり、Ｖｇｓ１が前記最大データ電圧であり、Ｌが前記予想表示輝度であり、Ｖｔｈが前記駆動トランジスタの閾値電圧である、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の補償方法。
【請求項８】
表示パネルの補償装置であって、
前記表示パネルは、複数の画素ユニットを含み、各画素ユニットは、画素回路と発光素子とを含み、
前記補償装置は、
前記画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧を検出するための閾値電圧検出器と、
前記発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出するための最大データ電圧検出器と、
前記閾値電圧、前記最大データ電圧及び予想表示輝度に基づいて計算して、正常表示の場合に前記表示パネルに対して補償を行った後の補償表示データ電圧を取得するためのプロセッサと、を含む、
補償装置。
【請求項９】
前記画素回路は、前記駆動トランジスタの第１極に接続される感知線を含み、
前記閾値電圧検出器は、
前記画素回路のデータ信号入力端に第１のデータ電圧を印加して前記感知線を充電し、
前記画素回路における駆動トランジスタがオフになる場合、前記感知線における第１の感知電圧を検出し、
前記第１のデータ電圧と前記第１の感知電圧とに基づいて、前記駆動トランジスタの閾値電圧を算出して取得する、
請求項８に記載の補償装置。
【請求項１０】
前記閾値電圧は、下記計算式により得られ、
Ｖｔｈ＝Ｖｄａｔａ１−Ｖｓｅ１
Ｖｔｈが前記駆動トランジスタの閾値電圧であり、Ｖｄａｔａ１が前記第１のデータ電圧であり、Ｖｓｅ１が前記第１の感知電圧である、
請求項９に記載の補償装置。
【請求項１１】
前記画素回路は、前記駆動トランジスタの第１極に接続される感知線を含み、
前記最大データ電圧検出器は、
各前記画素回路のデータ信号入力端に第２のデータ電圧を印加して前記感知線を充電し、
前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における第２の感知電圧を取得し、
前記第２の感知電圧が目標感知電圧に等しいことが特定されると、前記データ信号入力端に印加される、前記発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧である前記第２のデータ電圧を検出する、
請求項８に記載の補償装置。
【請求項１２】
前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における第２の感知電圧を取得する動作は、
前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における前記第２の感知電圧を検出する動作と、
前記第２の感知電圧と前記目標感知電圧とを比較して、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧より大きいことが特定される場合、前記データ信号入力端に印加される前記第２のデータ電圧を減少させる動作と、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧より小さいことが特定される場合、前記データ信号入力端に印加される前記第２のデータ電圧を増大させる動作と、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧に等しいことが特定される場合、前記感知線における第２の感知電圧を取得する動作と、を含む、
請求項１１に記載の補償装置。
【請求項１３】
前記目標感知電圧を特定するように、前記表示パネルに対して局所点灯試験を行うための点灯試験器をさらに含む、
請求項１１に記載の補償装置。
【請求項１４】
前記補償表示データ電圧は、下記計算式により算出され、
【数２】
2020525825.tif 000013
Ｖｇｓが前記補償表示データ電圧であり、Ｖｇｓ１が前記最大データ電圧であり、Ｌが前記予想表示輝度であり、Ｖｔｈが前記駆動トランジスタの閾値電圧である、
請求項８〜１３のいずれか一項に記載の補償装置。
【請求項１５】
前記画素回路は、データ書込みトランジスタと、感知トランジスタと、記憶コンデンサと、をさらに含み、
前記駆動トランジスタは、発光するように前記発光素子を駆動するように構成され、
前記データ書込みトランジスタは、オンの場合、データ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に書き込むように構成され、
前記記憶コンデンサは、前記データ電圧を記憶し、それを前記駆動トランジスタのゲート電極に保持するように構成され、
前記感知トランジスタは、前記感知線を充電するように構成される、
請求項９〜１４のいずれか一項に記載の補償装置。
【請求項１６】
前記感知トランジスタの第１極が前記駆動トランジスタの第１極に電気的に接続され、
前記感知トランジスタの第２極が前記感知線に電気的に接続され、
前記感知トランジスタのゲート電極は、第２の制御信号を受信するように構成され、
前記駆動トランジスタの第１極が前記発光素子のアノードに更に電気的に接続され、
前記駆動トランジスタの第２極が第１の電源端に電気的に接続され、
前記駆動トランジスタのゲート電極が前記データ書込みトランジスタの第１極に電気的に接続され、
前記データ書込みトランジスタのゲート電極は、第１の制御信号を受信するように構成され、
前記データ書込みトランジスタの第２極は、前記データ電圧を受信するように構成され、
前記記憶コンデンサの一端が前記駆動トランジスタの第１極に電気的に接続され、
前記記憶コンデンサの他端が前記駆動トランジスタのゲート電極に電気的に接続される、
請求項１５に記載の補償装置。
【請求項１７】
表示パネルの補償装置であって、
非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令を記憶するためのメモリと、
前記非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令を実行するためのプロセッサと、を含み、
前記非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令が、前記プロセッサによって実行されるとき、請求項１〜７のいずれか一項に記載の補償方法を実行する、
補償装置。
【請求項１８】
請求項８〜１６のいずれか一項に記載の補償装置を含む、表示機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１７年０６月３０日に提出された中国特許出願第２０１７１０５２６３８９．７号の優先権を主張し、本出願の一部として、上記中国特許出願によって開示された内容の全文をここに援用する。
【０００２】
本開示の実施例は、表示パネルの補償方法、補償装置及び表示機器に関する。
【背景技術】
【０００３】
表示技術の進歩に伴って、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）表示パネルは、現在のフラットパネルディスプレイ研究分野のホットテーマの１つとなっており、ますます多くのアクティブマトリクス有機発光ダイオード（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＡＭＯＬＥＤ）表示パネルが市場に投入される。従来の薄膜トランジスタ液晶表示パネル（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＴＦＴ  ＬＣＤ）と比較して、ＡＭＯＬＥＤは、より速い応答速度、より高いコントラスト、及び、より広い視野角を有する。
【発明の概要】
【０００４】
本開示の少なくとも１つの実施例は、表示パネルの補償方法であって、前記表示パネルは、複数の画素ユニットを含み、各画素ユニットは、画素回路と、発光素子と、を含み、前記補償方法は、前記画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧を検出するステップと、前記発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出するステップと、前記閾値電圧、前記最大データ電圧及び予想表示輝度に基づいて計算して、正常表示の場合に前記表示パネルに対して補償を行った後の補償表示データ電圧を取得するステップと、を含む、表示パネルの補償方法を提供する。
【０００５】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償方法において、前記画素回路は、前記駆動トランジスタの第１極に接続される感知線を含み、前記画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧を検出するステップは、前記画素回路のデータ信号入力端に第１のデータ電圧を印加して前記感知線を充電し、前記画素回路における駆動トランジスタがオフになる場合、前記感知線における第１の感知電圧を検出するステップと、前記第１のデータ電圧と前記第１の感知電圧とに基づいて、前記駆動トランジスタの閾値電圧を算出するステップと、を含む。
【０００６】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償方法において、前記閾値電圧は、下記計算式によって得られる。
Ｖｔｈ＝Ｖｄａｔａ１−Ｖｓｅ１
Ｖｔｈが前記駆動トランジスタの閾値電圧であり、Ｖｄａｔａ１が前記第１のデータ電圧であり、Ｖｓｅ１が前記第１の感知電圧である。
【０００７】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償方法において、前記画素回路は、前記駆動トランジスタの第１極に接続される感知線を含み、前記発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出するステップは、前記画素回路のデータ信号入力端に第２のデータ電圧を印加して前記感知線を充電するステップと、前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における第２の感知電圧を取得するステップと、前記第２の感知電圧が目標感知電圧に等しいことが特定されると、前記データ信号入力端に印加される、前記発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧である前記第２のデータ電圧を検出するステップと、を含む。
【０００８】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償方法において、前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における第２の感知電圧を取得するステップは、前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における前記第２の感知電圧を検出ステップと、前記第２の感知電圧と前記目標感知電圧とを比較して、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧より大きいことが特定される場合、前記データ信号入力端に印加される前記第２のデータ電圧を減少させるステップと、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧より小さいことが特定される場合、前記データ信号入力端に印加される前記第２のデータ電圧を増大させるステップと、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧に等しいことが特定される場合、前記感知線における第２の感知電圧を取得するステップと、を含む。
【０００９】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償方法は、前記目標感知電圧を特定するように、前記表示パネルに対して局所点灯試験を行うステップをさらに含む。
【００１０】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償方法において、前記補償表示データ電圧は、下記計算式により算出される。
【数１】
2020525825.tif 000003
Ｖｇｓが前記補償表示データ電圧であり、Ｖｇｓ１が前記最大データ電圧であり、Ｌが前記予想表示輝度であり、Ｖｔｈが前記駆動トランジスタの閾値電圧である。
【００１１】
本開示の少なくとも１つの実施例は、表示パネルの補償装置であって、前記表示パネルは、複数の画素ユニットを含み、各画素ユニットは、画素回路と発光素子とを含み、前記補償装置は、前記画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧を検出するための閾値電圧検出器と、前記発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出するための最大データ電圧検出器と、前記閾値電圧、前記最大データ電圧及び予想表示輝度に基づいて計算して、正常表示の場合に前記表示パネルに対して補償を行った後の補償表示データ電圧を取得するためのプロセッサと、を含む、表示パネルの補償装置をさらに提供する。
【００１２】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償装置において、前記画素回路は、前記駆動トランジスタの第１極に接続される感知線を含み、前記閾値電圧検出器は、前記画素回路のデータ信号入力端に第１のデータ電圧を印加して前記感知線を充電し、前記画素回路における駆動トランジスタがオフになる場合、前記感知線における第１の感知電圧を検出し、前記第１のデータ電圧と前記第１の感知電圧とに基づいて、前記駆動トランジスタの閾値電圧を算出して取得する。
【００１３】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償装置において、前記閾値電圧は、下記計算式により得られる。
Ｖｔｈ＝Ｖｄａｔａ１−Ｖｓｅ１
Ｖｔｈが前記駆動トランジスタの閾値電圧であり、Ｖｄａｔａ１が前記第１のデータ電圧であり、Ｖｓｅ１が前記第１の感知電圧である。
【００１４】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償装置において、前記画素回路は、前記駆動トランジスタの第１極に接続される感知線を含み、前記最大データ電圧検出器は、各前記画素回路のデータ信号入力端に第２のデータ電圧を印加して前記感知線を充電し、前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における第２の感知電圧を取得し、前記第２の感知電圧が目標感知電圧に等しいことが特定されると、前記データ信号入力端に印加される、前記発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧である前記第２のデータ電圧を検出する。
【００１５】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償装置において、前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における第２の感知電圧を取得する動作は、前記感知線を所定時間充電した後、前記感知線における前記第２の感知電圧を検出する動作と、前記第２の感知電圧と前記目標感知電圧とを比較して、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧より大きいことが特定される場合、前記データ信号入力端に印加される前記第２のデータ電圧を減少させる動作と、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧より小さいことが特定される場合、前記データ信号入力端に印加される前記第２のデータ電圧を増大させる動作と、前記第２の感知電圧が前記目標感知電圧に等しいことが特定される場合、前記感知線における第２の感知電圧を取得する動作と、を含む。
【００１６】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償装置は、前記目標感知電圧を特定するように、前記表示パネルに対して局所点灯試験を行うための点灯試験器をさらに含む。
【００１７】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償装置において、前記補償表示データ電圧は、下記計算式により算出される。
【数２】
2020525825.tif 000004
Ｖｇｓが前記補償表示データ電圧であり、Ｖｇｓ１が前記最大データ電圧であり、Ｌが前記予想表示輝度であり、Ｖｔｈが前記駆動トランジスタの閾値電圧である。
【００１８】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償装置において、前記画素回路は、データ書込みトランジスタと、感知トランジスタと、記憶コンデンサと、をさらに含み、前記駆動トランジスタは、発光するように前記発光素子を駆動するように構成され、前記データ書込みトランジスタは、オンの場合、データ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に書き込むように構成され、前記記憶コンデンサは、前記データ電圧を記憶し、それを前記駆動トランジスタのゲート電極に保持するように構成され、前記感知トランジスタは、前記感知線を充電するように構成される。
【００１９】
例えば、本開示の一実施例によって提供される補償装置において、前記感知トランジスタの第１極が前記駆動トランジスタの第１極に電気的に接続され、前記感知トランジスタの第２極が前記感知線に電気的に接続され、前記感知トランジスタのゲート電極は、第２の制御信号を受信するように構成され、前記駆動トランジスタの第１極が前記発光素子のアノードに更に電気的に接続され、前記駆動トランジスタの第２極が第１の電源端に電気的に接続され、前記駆動トランジスタのゲート電極が前記データ書込みトランジスタの第１極に電気的に接続され、前記データ書込みトランジスタのゲート電極は、第１の制御信号を受信するように構成され、前記データ書込みトランジスタの第２極は、前記データ電圧を受信するように構成され、前記記憶コンデンサの一端が前記駆動トランジスタの第１極に電気的に接続され、前記記憶コンデンサの他端が前記駆動トランジスタのゲート電極に電気的に接続される。
【００２０】
本開示の少なくとも１つの実施例は、表示パネルの補償装置であって、非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令を記憶するためのメモリと、前記非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令を実行するためのプロセッサと、を含み、前記非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令が、前記プロセッサによって実行されるとき、上記のいずれかに記載の補償方法を実行することができる、表示パネルの補償装置をさらに提供する。
【００２１】
本開示の少なくとも１つの実施例は、本開示のいずれかの実施例によって提供される補償装置を含む、表示機器をさらに提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
本開示の実施例の技術的手段をより明確に説明するために、実施例の図面について以下に簡単に説明する。下記説明における図面は、単なる本開示の一部の実施例に関するものであり、本開示を制限するものではないことは、明らかである。
【００２３】
【図１】本開示の一実施例によって提供される画素回路の構造概略図である。
【図２】本開示の一実施例によって提供される表示パネルの補償方法の概略的なフローチャートである。
【図３】本開示の一実施例によって提供される閾値電圧を検出する方法の概略的なフローチャートである。
【図４】本開示の一実施例によって提供される閾値電圧を検出するときの画素回路の作動タイミング図である。
【図５】本開示の一実施例によって提供される発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出する方法の概略的なフローチャートである。
【図６】図６ａ及び図６ｂは、それぞれ本開示の一実施例によって提供される発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出する画素回路の作動タイミング図である。
【図７】本開示の一実施例によって提供される補償装置の概略的なブロック図である。
【図８】本開示の一実施例によって提供される他の補償装置の概略的なブロック図である。
【図９】本開示の一実施例によって提供される表示機器の概略的なブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本開示の実施例の目的、技術的手段及び利点をより明確にするために、本開示の実施例の図面を参照して、本開示の実施例の技術的手段について以下に明確かつ全面的に説明する。明らかに、説明される実施例は、本開示の一部の実施例であり、すべての実施例ではない。説明される本開示の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をせずに得られるすべての他の実施例は、いずれも本開示の保護範囲に属する。
【００２５】
特に定義されない限り、本開示で使用される技術用語又は科学用語は、本開示が属する分野内の一般的な技能を有する者が理解する通常の意味とすべきである。本開示で使用される「第１」、「第２」といった文言は、何らかの順序、数又は重要性を表すものではなく、単なる異なる構成要素を区別するためのものである。同様に、「含む」又は「有する」及びそれらの変形が使用されている場合、列挙される素子又は物体、及びその均等物を包括することを意味し、他の素子又は物体を排除しない。「接続」又は「結合」及びそれらの変形が使用されている場合、物理的又は機械的な接続は何れも、直接的接続や間接的接続に限定せず、電気的な接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」などは、単なる相対的位置関係を表すものであり、記載対象の絶対位置が変化すると、当該相対的位置関係もそれに応じて変化する可能性がある。
【００２６】
現在、ＡＭＯＬＥＤ表示パネルの画素回路は、主として、駆動トランジスタと、選択トランジスタと、感知（Ｓｅｎｓｅ）トランジスタと、コンデンサと、を含む。当該画素回路は、データ線を介して画素回路に特定のデータ電圧を印加して、感知トランジスタを通過する感知電流を測定し、又は、感知線に電荷を蓄積して、感知電圧を検出し、その後、計算によりデータ電圧を調節して、補償の効果を達成する。
【００２７】
具体的な補償方式は、まず、感知線充電電圧の第１の目標電圧を予め設定し、データ線にデータ電圧を印加し、感知線を特定時間充電し、感知線における感知電圧を検出して、当該感知電圧値と予め設定された第１の目標電圧との大きさを比較し、感知線における感知電圧が第１の目標電圧より大きい場合、データ線に印加されるデータ電圧を減少させて、その後、再び検知を行い、感知線における感知電圧が第１の目標電圧より小さい場合、データ線に印加されるデータ電圧を増大させて、その後、再び検知を行う。それとともに、感知線における感知電圧と第１の目標電圧との差の大きさに基づいて、毎回のデータ電圧の増減量を決定することができ、複数回のループ状のフィードバックの後、ＡＭＯＬＥＤ表示パネルのすべての感知線における感知電圧が第１の目標電圧と一致することが認められ、第１の目標電圧に対応する輝度（この場合、第１のデータ電圧に対応すると想定する）で、ＡＭＯＬＥＤ表示パネルは、全画面均一の補償を実現する。同様に、第２の目標電圧に対応する第２のデータ電圧を取得することができる。第１のデータ電圧及び第２のデータ電圧により、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ及び定数Ｋ値を算出することができる。発光するように発光素子ＯＬＥＤを駆動する駆動電流の計算式（Ｉ＝Ｋ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２）に基づいて、ＡＭＯＬＥＤ表示パネルの全画面、全階調に対する補償を実現する。
【００２８】
しかし、このような補償方式の欠点は、駆動電流の計算式におけるＶｔｈ及びＫ値は、いずれも測定された第１のデータ電圧及び第２のデータ電圧により算出されるものであり、第１のデータ電圧及び第２のデータ電圧のうちいずれか一方に測定誤差が存在する場合でも、算出結果が不正確になるので、補償効果が好ましくない。特にＶｔｈについて、Ｖｔｈが不正確になると低階調の補償の均一性が悪くなるので、深刻な低階調の損失を招きかねない。そのため、表示パネルの低階調での補償効果を改善することにより、表示画面の輝度の均一性を向上させることは、当業者が早急に解決しなければならない技術的課題である。
【００２９】
本開示の実施例は、表示パネルの低階調での補償効果を効果的に改善し、低階調損失の事象を低減又は軽減し、補償効果を向上させる表示パネルの補償方法、補償装置及び表示機器を提供する。
【００３０】
以下に、本開示の実施例によって提供される表示パネルの補償方法、補償装置及び表示機器について、図面を参照して詳しく説明する。
【００３１】
本開示の実施例は、表示パネルの補償方法を提供する。図１は、本開示の一実施例によって提供される画素回路の構造概略図であり、図２は、本開示の一実施例によって提供される表示パネルの補償方法の概略的なフローチャートである。
【００３２】
例えば、表示パネルは、複数の画素ユニットを含み、図１に示すように、各画素ユニットは、画素回路と発光素子ＥＬとを含む。例えば、図２に示すように、当該補償方法は、
画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧を検出するステップＳ１０１と、
発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出するステップＳ１０２と、
閾値電圧、最大データ電圧及び予想表示輝度に基づいて計算して、正常表示の場合に前記表示パネルに対して補償を行った後の補償表示データ電圧を取得するステップＳ１０３と、を含むことができる。
【００３３】
本開示の実施例によって提供される補償方法において、閾値電圧及び最大輝度に対応する最大データ電圧を直接に検出し、さらに、閾値電圧、最大輝度に対応する最大データ電圧及び予想表示輝度によって表示パネルの補償表示データ電圧を特定することにより、表示パネルの全画面、全階調の補償表示を実現し、閾値電圧の値の計算に依存する誤差による補償均一性が悪くなる問題を効果的に改善することができるとともに、閾値電圧の不正確による低階調損失の問題を改善し、補償効果を向上させることができる。
【００３４】
なお、閾値電圧を検出するステップ及び最大データ電圧を検出するステップは、前後を問わず、具体的に実施するときに、ニーズに応じて調整することができ、ここでは限定されない。
【００３５】
例えば、発光素子ＥＬは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であってもよいが、これに限定されず、有機発光素子は、量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）などであってもよい。本開示は、これに対して制限しない。
【００３６】
例えば、図１に示すように、画素回路は、データ書込みトランジスタＴ１と、感知トランジスタＴ２と、駆動トランジスタＴ３と、記憶コンデンサＣと、を含むことができる。駆動トランジスタＴ３は、発光するように発光素子ＥＬを駆動するように構成される。感知トランジスタＴ２は、感知線Ｓｅを充電するように構成され、駆動トランジスタＴ３は、発光するように発光素子ＥＬを駆動するように構成され、データ書込みトランジスタＴ１は、オンの場合、対応する駆動トランジスタＴ３のゲート電極にデータ電圧を書き込むように構成され、記憶コンデンサＣは、データ電圧を記憶して、それを駆動トランジスタＴ３のゲート電極に保持するように構成される。
【００３７】
例えば、図１に示すように、画素回路は、感知線Ｓｅをさらに含むことができる。感知線Ｓｅは、感知トランジスタＴ２を介して駆動トランジスタＴ３の第１極に接続される。各画素回路内において、感知トランジスタＴ２の第１極は、駆動トランジスタＴ３の第１極に電気的に接続され、感知トランジスタＴ２の第２極は、感知線Ｓｅに電気的に接続され、感知トランジスタＴ２のゲート電極は、第２の制御信号Ｓ２を受信するように構成される。駆動トランジスタＴ３の第１極は、発光素子ＥＬのアノードに更に電気的に接続され、駆動トランジスタＴ３の第２極は、第１の電源端ＶＤＤに電気的に接続され、駆動トランジスタＴ３のゲート電極は、データ書込みトランジスタＴ１の第１極に電気的に接続される。データ書込みトランジスタＴ１のゲート電極は、第１の制御信号Ｓ１を受信するように構成され、データ書込みトランジスタＴ１の第２極は、データ線Ｄａに電気的に接続されてデータ電圧を受信する。記憶コンデンサＣの一端は、駆動トランジスタＴ３の第１極に電気的に接続され、記憶コンデンサＣの他端は、駆動トランジスタＴ３のゲート電極に電気的に接続される。発光素子ＥＬのカソードは、第２の電源端に電気的に接続され、第２の電源端は、例えば、接地される。
【００３８】
例えば、データ書込みトランジスタＴ１、感知トランジスタＴ２及び駆動トランジスタＴ３は、いずれも薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ又は他の特性が同じであるスイッチング素子であってもよい。薄膜トランジスタは、ポリシリコン（低温ポリシリコン又は高温ポリシリコン）薄膜トランジスタやアモルファスシリコン薄膜トランジスタ、酸化物薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタなどを含んでもよい。
【００３９】
例えば、トランジスタの特性に基づいて、トランジスタは、Ｎ型トランジスタとＰ型トランジスタとに分けることができ、明確化のように、本開示の実施例において、データ書込みトランジスタＴ１、感知トランジスタＴ２及び駆動トランジスタＴ３のいずれもＮ型トランジスタ（例えば、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ）であることを例として、本開示の技術的手段を詳しく説明するが、本開示の実施例は、これに限定されず、当業者は、実際のニーズに応じて具体的に設けることもできる。本開示の実施例において、トランジスタを区別するために、制御電極としてのゲート電極のほかに、そのうちの１つの電極が第１極であり、もう１つの電極が第２極であると直接説明するので、本開示の実施例における全部又は一部のトランジスタの第１極と第２極は、ニーズに応じて相互に置換することができる。
【００４０】
なお、本開示の実施例は、画素回路が３Ｔ１Ｃ構成を採用することを例として説明するが、本開示の実施例の画素回路は、３Ｔ１Ｃ構成に限定されない。例えば、ニーズに応じて、当該画素回路は、伝送トランジスタや検出トランジスタ、リセットトランジスタなどを含んでもよい。
【００４１】
図３は、本開示の一実施例によって提供される閾値電圧を検出する方法の概略的なフローチャートであり、例えば、図３に示すように、図２に示すステップＳ１０１は、
画素回路のデータ信号入力端に第１のデータ電圧を印加して感知線を充電し、画素回路における駆動トランジスタがオフになる場合、感知線における第１の感知電圧を検出するステップＳ２０１と、
第１のデータ電圧及び第１の感知電圧に基づいて、駆動トランジスタの閾値電圧を算出して取得するステップＳ２０２と、を含むことができる。
【００４２】
例えば、画素回路のデータ信号入力端は、データ書込みトランジスタＴ１の第２極であってもよい。
【００４３】
例えば、ステップＳ１０１において、プログレッシブ走査の順序に従って、１行の画素を単位として検出を行い、駆動トランジスタＴ３の閾値電圧を取得する。
【００４４】
図４は、本開示の一実施例によって提供される駆動トランジスタＴ３の閾値電圧Ｖｔｈを検出するときの画素回路の作動タイミング図である。例えば、図１及び図４に示すように、第１の制御信号Ｓ１は、オンになるようにデータ書込みトランジスタＴ１を制御し、第２の制御信号Ｓ２は、オンになるように感知トランジスタＴ２を制御し、データ線Ｄａに第１のデータ電圧Ｖｄａｔａ１を印加し、第１のデータ電圧Ｖｄａｔａ１は、データ書込みトランジスタＴ１を介して駆動トランジスタＴ３のゲート電極に伝送されて、オンになるように駆動トランジスタＴ３を制御する。その後、第１のデータ電圧Ｖｄａｔａ１は、順次にデータ書込みトランジスタＴ１、駆動トランジスタＴ３及び感知トランジスタＴ２を介して感知線Ｓｅを充電し、駆動トランジスタＴ３がオフになるまで、一定期間充電する。つまり、画素回路における駆動トランジスタＴ３がオフになるまで、感知線Ｓｅを充電するように、画素回路のデータ信号入力端にデータをロードし、駆動トランジスタＴ３がオフになる場合、感知線Ｓｅにおける第１の感知電圧Ｖｓｅ１を検出する。データ線Ｄａにおける第１のデータ電圧Ｖｄａｔａ１と感知線Ｓｅにおける第１の感知電圧Ｖｓｅ１との差は、すなわち、駆動トランジスタＴ３の閾値電圧Ｖｔｈであり、すなわち、閾値電圧Ｖｔｈ＝Ｖｄａｔａ１−Ｖｓｅ１。
【００４５】
例えば、ステップＳ１０１の検出プロセスにおいて、第１のデータ電圧Ｖｄａｔａ１が変動せずに一定となる。
【００４６】
図５は、本開示の一実施例によって提供される発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出する方法の概略的なフローチャートである。例えば、ステップＳ１０２において、表示パネルの全画面に対して充電及び検出を行うことができ、各画素ユニットの感知線における第２の感知電圧が目標感知電圧に等しい場合、各画素回路のデータ信号入力端に印加される第２のデータ電圧は、すなわち、各発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧である。
【００４７】
例えば、図５に示すように、図２に示すステップＳ１０２は、
画素回路のデータ信号入力端に第２のデータ電圧を印加して感知線を充電するステップＳ３０１と、
感知線を所定時間充電した後、感知線における第２の感知電圧を取得するステップＳ３０２と、
第２の感知電圧が目標感知電圧に等しいとことが特定されると、データ信号入力端に印加される、発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧である第２のデータ電圧を検出するステップＳ３０３と、を含むことができる。
【００４８】
例えば、ステップＳ３０３において、表示パネルにおけるすべての画素ユニットに対して、ステップＳ３０２及びステップＳ３０１における充電及び検出のプロセスを少なくとも一回実行することができる。
【００４９】
例えば、ステップＳ３０２は、感知線を所定時間充電した後、感知線における前記第２の感知電圧を検出するステップと、前記第２の感知電圧と前記目標感知電圧とを比較して、第２の感知電圧が目標感知電圧より大きいことを特定する場合、データ信号入力端に印加される第２のデータ電圧を減少させるステップと、第２の感知電圧が目標感知電圧より小さいことを特定する場合、データ信号入力端に印加される第２のデータ電圧を増大させるステップと、第２の感知電圧が目標感知電圧に等しいことを特定する場合、感知線における第２の感知電圧を取得するステップと、を含むことができる。
【００５０】
例えば、ステップＳ３０２において、所定時間は、４００〜５００マイクロ秒であってもよいが、これに限定されず、所定時間は、実際のニーズに応じて具体的に設けることができる。
【００５１】
図６ａ及び６ｂのそれぞれは、発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧Ｖｇｓ１を検出する画素回路の作動タイミング図である。
【００５２】
例えば、図１及び図６ａに示すように、一例では、ｔ１段階において、第１の制御信号Ｓ１により、オンになるようにデータ書込みトランジスタＴ１を制御し、第２の制御信号Ｓ２により、オンになるように感知トランジスタＴ２を制御し、データ線Ｄａに第２のデータ電圧Ｖｄａｔａ２を印加することができ（図６ａ及び図６ｂに示す第２のデータ電圧Ｖｄａｔａ２は、実際のニーズに応じて調整することができ、すなわち、ステップＳ３０１を複数回実行する）、第２のデータ電圧Ｖｄａｔａ２は、データ書込みトランジスタＴ１を介して駆動トランジスタＴ３のゲート電極に伝送され、オンになるように駆動トランジスタＴ３を制御し、この場合、駆動トランジスタＴ３のゲート電極電圧が第２のデータ電圧Ｖｄａｔａ２である。ｔ２段階において、第１の制御信号Ｓ１により、オフになるようにデータ書込みトランジスタＴ１を制御し、第２の制御信号Ｓ２により、オンになるように感知トランジスタＴ２を制御し、ｔ２段階において電流が依然として駆動トランジスタＴ３及び感知トランジスタＴ２を介して感知線Ｓｅを充電するので、駆動トランジスタＴ３の第１極の電圧が引き続き上昇し、したがって、駆動トランジスタＴ３のゲート電極の電圧もそれに伴って上昇する。所定時間後、駆動トランジスタＴ３の第１極の電圧を検出し、この場合、駆動トランジスタＴ３の第１極の電圧は、すなわち、感知線Ｓｅにおける第２の感知電圧Ｖｓｅ２であり、駆動トランジスタＴ３のゲート電極の電圧は、第２のデータ電圧Ｖｄａｔａ２と第２の感知電圧Ｖｓｅ２との和である。
【００５３】
例えば、６ｂに示す例において、その作動原理は、図６ａに示す例とほぼ同じであり、相違点は、ｔ２段階において、第１の制御信号Ｓ１により、オンになるようにデータ書込みトランジスタＴ１を制御し、つまり、ｔ２段階において、データ書込みトランジスタＴ１がオン状態である。データ書込みトランジスタＴ１がオンになっているので、感知線Ｓｅを所定時間充電した後、駆動トランジスタＴ３の第１極の電圧が感知線Ｓｅにおける第２の感知電圧Ｖｓｅ２であり、駆動トランジスタＴ３のゲート電極の電圧が第２のデータ電圧Ｖｄａｔａ２である。
【００５４】
なお、図６ａに示す例において、第２の感知電圧Ｖｓｅ２は、所定時間内に線形的に増大し、一方、図６ｂに示す例において、第２の感知電圧Ｖｓｅ２は、所定時間内に非線形的に増大する。
【００５５】
例えば、実際の適用において、目標感知電圧（Ｔａｒｇｅｔ）を予め測定することができる。当該目標感知電圧は、表示パネルに対して局所点灯試験を行うことにより測定され、すなわち、表示パネルにおける局所領域の輝度をサンプリング検出することにより測定される。例えば、本開示の実施例によって提供される補償方法は、表示パネルの局所領域を選択し、当該局所領域に最大局所データ電圧を印加して感知線を充電するステップと、感知線を所定時間充電した後、感知線における、目標感知電圧である電圧を検出するステップと、をさらに含むことができる。
【００５６】
例えば、最大局所データ電圧は、局所領域における発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応するデータ電圧を表すことができる。当該最大局所データ電圧は、予め測定することで取得することができ、すなわち、局所領域にデータ電圧を印加し、局所領域の輝度が最大発光輝度に達するように、当該データ電圧を絶えず調節し、このとき、印加されるデータ電圧が最大局所データ電圧である。例えば、最大発光輝度は、実際の適用ニーズに応じて予め設けることができる。
【００５７】
例えば、局所領域は、表示パネルの中心領域であってもよい。局所領域の大きさは、実際の適用ニーズに応じて特定することができ、本開示は、これに対して制限しない。
【００５８】
図１に示すように、感知線Ｓｅにおける第２の感知電圧Ｖｓｅ２が目標感知電圧に達したように、感知線Ｓｅを特定時間充電する場合、当該発光素子ＥＬが最高輝度に達したと認められる。第２の感知電圧Ｖｓｅ２が目標感知電圧より高い場合、データ線Ｄａに印加される第２のデータ電圧Ｖｄａｔａ２を低減させ、第２の感知電圧Ｖｓｅ２が目標感知電圧より低い場合、データ線Ｄａに印加される第２のデータ電圧Ｖｄａｔａ２を増大させ、全画面の感知線Ｓｅにおける第２の感知電圧Ｖｓｅ２がいずれも目標感知電圧に等しくなるまで、このように複数回繰り返し、このときに各画素回路のデータ信号入力端に印加される第２のデータ電圧Ｖｄａｔａ２は、すなわち、各発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧Ｖｇｓ１であり、全画面は、最高輝度で均一に補償することができる。
【００５９】
例えば、ステップＳ１０３において、下記計算式により表示パネルの補償表示データ電圧を算出する。
【数３】
2020525825.tif 000005
Ｖｇｓが補償表示データ電圧であり、Ｖｇｓ１が最大データ電圧であり、Ｌが予想表示輝度であり、Ｖｔｈが駆動トランジスタＴ３の閾値電圧である。
【００６０】
例えば、ステップＳ１０３において、予想表示輝度は、現のデータ電圧に基づいて特定されることができる。例えば、データ電圧と階調との間の対応関係に基づいて、計算式により表示パネルの予め設定された表示輝度を算出して取得することができる。
【００６１】
例えば、予想表示輝度Ｌが正規化輝度であり、すなわち、最大データ電圧に対応する最大表示輝度が１である。正常表示の場合、印加されるデータ電圧と予想表示輝度Ｌとの間の対応関係は、ガンマ変換により取得することができる。
【００６２】
例えば、発光素子ＥＬが最大発光輝度を発するとき、最大発光輝度に対応する最大データ電圧がＶｇｓ１であり、この場合、最大データ電圧がＶｇｓ１であり、対応する最大発光電流Ｉｍａｘは、下式で表すことができる。
【数４】
2020525825.tif 000006
Ｋは、駆動トランジスタＴ３の工程パラメータ及び幾何学的寸法に関する定数である。
【００６３】
計算式（１）を変形すると、下式が得られる。
【数５】
2020525825.tif 000007
【００６４】
表示パネルの正常表示時の駆動電流の計算式Ｉ＝Ｋ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２を変形すると、下式が得られる。
【数６】
2020525825.tif 000008
【００６５】
発光素子ＥＬの発光輝度と発光電流とが正比例するため、正常発光電流Ｉと最大発光電流Ｉｍａｘとの関係は、
【数７】
2020525825.tif 000009
式（４）において、Ｌが発光素子の予想表示輝度であり、Ｌｍａｘが最大表示輝度である。予想表示輝度Ｌ及び最大表示輝度Ｌｍａｘのいずれも正規化輝度であるため、最大表示輝度Ｌｍａｘ＝１であり、式（２）、式（４）を式（３）に代入すると、正常表示の場合に表示パネルに対して補償を行った後の補償表示データ電圧が得られる。
【数８】
2020525825.tif 000010
【００６６】
本開示の一実施例は、表示パネルの補償装置をさらに提供する。表示パネルは、複数の画素ユニットを含み、各画素ユニットは、画素回路と発光素子とを含む。図７は、本開示の一実施例によって提供される補償装置の概略的なブロック図であり、図７に示すように、補償装置は、各画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧を検出するための閾値電圧検出器１１と、各発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出するための最大データ電圧検出器１２と、閾値電圧、最大データ電圧及び予想表示輝度に基づいて計算して、正常表示の場合に前記表示パネルに対して補償を行った後の補償表示データ電圧を取得するためのプロセッサ１３と、を含むことができる。
【００６７】
本開示の実施例によって提供される上記補償装置は、閾値電圧検出器、最大データ電圧検出器により、画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ及び最大データ電圧Ｖｇｓ１を直接に検出することができ、その後、プロセッサにより、閾値電圧、最大データ電圧及び予想表示輝度に基づいて計算して、補償後の補償表示データ電圧を取得し、表示パネルの全画面、全階調の補償表示を実現し、閾値電圧の計算に依存する誤差による補償均一性が悪くなる問題を効果的に改善するとともに、閾値電圧の不正確による低階調損失の問題を改善し、補償効果を向上させることができる。
【００６８】
なお、画素回路に関する具体的な説明は、上記補償方法の実施例における関連説明を参照することができ、同様な内容は、詳しく説明しない。
【００６９】
例えば、閾値電圧検出器１１は、画素回路のデータ信号入力端に第１のデータ電圧を印加して感知線を充電し、画素回路における駆動トランジスタがオフになる場合、このときの感知線における第１の感知電圧を検出し、第１のデータ電圧及び第１の感知電圧に基づいて駆動トランジスタの閾値電圧を算出して取得する。
【００７０】
例えば、閾値電圧は、計算式Ｖｔｈ＝Ｖｄａｔａ１−Ｖｓｅ１により取得することができる。Ｖｔｈが駆動トランジスタの閾値電圧であり、Ｖｄａｔａ１が第１のデータ電圧であり、Ｖｓｅ１が第１の感知電圧である。
【００７１】
例えば、最大データ電圧検出器１２は、各画素回路のデータ信号入力端に第２のデータ電圧を印加して感知線を充電し、感知線を所定時間充電した後、感知線における第２の感知電圧を取得し、第２の感知電圧が目標感知電圧に等しいことが特定されると、データ信号入力端に印加される、発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧である第２のデータ電圧を検出する。
【００７２】
例えば、本開示の実施例によって提供される上記補償装置において、最大データ電圧検出器１２により、全画面に対して充電及び検出を行うことができ、すなわち、表示パネルにおけるすべての画素ユニットに対して充電及び検出のプロセスを少なくとも一回実行することができる。例えば、感知線を所定時間充電した後、感知線における第２の感知電圧を取得する動作は、感知線を所定時間充電した後、感知線における前記第２の感知電圧を検出する動作と、第２の感知電圧と目標感知電圧とを比較して、第２の感知電圧が目標感知電圧より大きいことが特定される場合、データ信号入力端に印加される第２のデータ電圧を減少させる動作と、第２の感知電圧が目標感知電圧より小さいことが特定される場合、データ信号入力端に印加される第２のデータ電圧を増大させる動作と、第２の感知電圧が目標感知電圧に等しいことが特定される場合、感知線における第２の感知電圧を取得する動作と、を含むことができる。
【００７３】
例えば、各画素ユニットの感知線における第２の感知電圧が目標感知電圧に等しい場合、各画素回路のデータ信号入力端に印加される第２のデータ電圧は、すなわち、各発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧である。
【００７４】
例えば、実際の適用において、まず目標感知電圧（Ｔａｒｇｅｔ）を測定することができ、当該目標感知電圧は、表示パネルに対して局所点灯試験を行うことにより測定されることができる。
【００７５】
例えば、図７に示すように、本開示の実施例によって提供される補償装置は、点灯試験器１４をさらに含むことができる。点灯試験器１４は、表示パネルに対して局所点灯試験を行って、目標感知電圧を特定する。つまり、点灯試験器１４は、選択された局所領域に最大局所データ電圧を印加して感知線を充電し、感知線を所定時間充電した後、感知線における、目標感知電圧である電圧を検出する。
【００７６】
例えば、局所領域は、表示パネルの中心領域であってもよい。局所領域の大きさは、実際の適用ニーズに応じて特定されることができ、本開示は、これに対して制限しない。
【００７７】
例えば、補償表示データ電圧は、下記計算式により算出することができる。
【数９】
2020525825.tif 000011
Ｖｇｓが正常表示の場合に前記表示パネルに対して補償を行った後の補償表示データ電圧であり、Ｖｇｓ１が最大データ電圧であり、Ｌが予想表示輝度であり、Ｖｔｈが駆動トランジスタの閾値電圧である。具体的な計算式の導出過程は、上述したとおりであり、ここでは詳しく説明しない。
【００７８】
例えば、閾値電圧検出器１１、最大データ電圧検出器１２、プロセッサ１３及び点灯試験器１４は、組込みソフトウェアと回路ハードウェアとの組み合わせにより実現可能である。
【００７９】
なお、閾値電圧検出器１１、最大データ電圧検出器１２、プロセッサ１３及び点灯試験器１４に関する具体的な作動プロセスは、上記表示パネルの補償方法の実施例における関連説明を参照することができ、同様な内容は、ここでは詳しく説明しない。
【００８０】
本開示の一実施例は、表示パネルの補償装置をさらに提供する。図８は、本開示の一実施例によって提供される他の表示パネルの補償装置の概略的なブロック図である。図８に示すように、補償装置７００は、メモリ７０とプロセッサ７２とを含むことができる。補償装置７００は、表示パネルに対して輝度補償を行う。
【００８１】
例えば、メモリ７０は、非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令を記憶する。プロセッサ７２は、非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令を実行し、非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令は、プロセッサ７２によって実行されるとき、上記いずれかの実施例に記載の補償方法における１つ又は複数のステップを実行することができる。
【００８２】
例えば、メモリ７０とプロセッサ７２とは、バスシステム及び／又は他の形態の接続機構（図示せず）により互いに接続することができる。
【００８３】
例えば、プロセッサ７２は、非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令を実行するとき、画素回路に第１の制御信号Ｓ１、第２の制御信号Ｓ２、第１のデータ電圧Ｖｄａｔａ１、第２のデータ電圧Ｖｄａｔａ２などを提供することができる。プロセッサ７２は、非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令を実行するとき、感知線Ｓｅにおける感知電圧の検出などの動作を実行することができる。
【００８４】
例えば、プロセッサ７２は、中央処理装置（ＣＰＵ）、又は、例えば、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）やテンサープロセッシングユニット（ＴＰＵ）などのデータ処理能力及び／又はプログラム実行能力を有する他の形態の処理ユニットであってもよい。例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）は、Ｘ８６やＡＲＭアーキテクチャなどであってもよい。
【００８５】
例えば、メモリ７０は、１つ又は複数のコンピュータプログラム製品の任意の組合せを含むことができ、コンピュータプログラム製品は、例えば、揮発性メモリ及び／又は不揮発性メモリのような、様々な形態のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を含むことができる。揮発性メモリは、例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）及び／又はキャッシュメモリ（ｃａｃｈｅ）などを含むことができる。不揮発性メモリは、例えば、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ハードディスク、消去可能プログラム可能読取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、コンパクトディスク読出し専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、ＵＳＢメモリ、フラッシュメモリなどを含むことができる。コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に、１つ又は複数のコンピュータプログラムを記憶させることができ、プロセッサ７２は、補償装置７００の様々な機能を実現するように、非一時的なコンピュータ読み取り可能な命令を実行することができる。コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に、様々なアプリケーションプログラム、様々なデータ及びアプリケーションプログラムによって使用及び／又は生成される様々なデータなどを記憶させることができる。
【００８６】
例えば、メモリ７０及びプロセッサ７２は、１つのチップに集積することができる。
【００８７】
本開示の一実施例は、表示機器をさらに提供する。図９は、本開示の一実施例によって提供される表示機器の概略的なブロック図である。図９に示すように、表示機器１００は、本開示のいずれかの実施例によって提供される補償装置１０１を含むことができる。
【００８８】
なお、補償装置１０１に関する関連説明は、上記補償装置の実施例の説明を参照することができ、ここでは詳しく説明しない。
【００８９】
例えば、図９に示すように、表示機器１００は、表示パネル１０２と、ゲート電極ドライバ１０３と、データドライバ１０４と、をさらに含む。表示パネル１０２は、画像を表示し、表示パネル１０２は、画素回路１１２を含むことができる。ゲート電極ドライバ１０３は、画素回路１１２に制御信号（例えば、第１の制御信号及び第２の制御信号）を提供して、オン又はオフになるように駆動トランジスタ及び感知トランジスタを制御するように構成される。データドライバ１０４は、データ線を介して画素回路１１２にデータ電圧（例えば、第１のデータ電圧及び第２のデータ電圧）を提供するように構成される。
【００９０】
例えば、当該表示機器１００は、携帯、タブレットＰＣ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーションなど、任意の表示機能を有する製品又は部品であってもよい。
【００９１】
なお、ここでは詳しく説明しないが、当該表示機器１００の他の必要な構成要素（例えば、制御装置、画像データ符号化／復号装置、行走査ドライバ、列走査ドライバ、クロック回路など）について、いずれも備えていることは、当業者であれば、理解すべきであり、本開示を制限するものではない。
【００９２】
本開示の実施例は、表示パネルの補償方法、補償装置及び表示機器を提供する。当該表示パネルは、複数の画素ユニットを含み、各画素ユニットは、画素回路と発光素子とを含み、当該補償方法は、画素回路における駆動トランジスタの閾値電圧を検出するステップと、発光素子の発光輝度が最大となる場合に対応する最大データ電圧を検出するステップと、閾値電圧、最大データ電圧及び予想表示輝度に基づいて計算して、正常表示の場合に前記表示パネルに対して補償を行った後の補償表示データ電圧を取得するステップと、を含む。当該補償方法は、閾値電圧及び最大データ電圧を直接に検出し、さらに、閾値電圧、最大輝度に対応する最大データ電圧及び予想表示輝度によって、表示パネルの補償表示データ電圧を特定することにより、表示パネルの全画面、全階調の補償表示を実現し、閾値電圧の値の計算に依存する誤差による補償均一性が悪くなる問題を効果的に改善することができるとともに、閾値電圧の不正確による低階調損失の問題を改善し、補償効果を向上させることができる。
【００９３】
明らかに、当業者は、本開示の要旨及び範囲を逸脱せずに本開示に対して様々な変更及び変形を行うことができる。このように、本開示のこれらの修正及び変形は、本開示の請求項及びその同等の技術の範囲に属する場合、本開示は、これらの変更及び変形を含むことも意図している。
【図１】
2020525825.tif 000014
【図２】
2020525825.tif 000015
【図３】
2020525825.tif 000016
【図４】
2020525825.tif 000017
【図５】
2020525825.tif 000018
【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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