(57)【要約】  本発明の実施形態によるタッチ圧力検出が可能なタッチ入力装置は、ディスプレイモジュール、及び前記ディスプレイモジュールの下部に配置された圧力センサ層を含み、前記ディスプレイモジュールと前記圧力センサ層との間に接着層が存在して前記圧力センサ層を前記ディスプレイモジュールに接着させ、前記圧力センサ層は、基板の上面に第１ストレインゲージが形成され、前記基板の下面に第２ストレインゲージが形成された構造を含み、前記ディスプレイモジュールに圧力が印加されれば前記ディスプレイモジュールが撓み、前記ディスプレイモジュールが撓むことによって前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージそれぞれの電気的特性が変化し、前記基板のヤング率（Young's Modulus）は前記接着層のヤング率より大きい。【選択図】図４a
2020534593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチ圧力検出が可能なタッチ入力装置として、
ディスプレイモジュールと、
前記ディスプレイモジュールの下部に配置された圧力センサ層と、を含み、
前記ディスプレイモジュールと前記圧力センサ層との間に接着層が存在して前記圧力センサ層を前記ディスプレイモジュールに接着させ、
前記圧力センサ層は、基板の上面に第１ストレインゲージが形成され、前記基板の下面に第２ストレインゲージが形成された構造を含み、
前記ディスプレイモジュールに圧力が印加されれば前記ディスプレイモジュールが撓み、
前記ディスプレイモジュールが撓むことによって前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージそれぞれの電気的特性が変化し、
前記基板のヤング率（Young's Modulus）は、前記接着層のヤング率より大きい、タッチ入力装置。
【請求項２】
前記基板のヤング率は、５００ＧＰａより小さい、請求項１に記載のタッチ入力装置。
【請求項３】
前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージは、前記基板の反対面に互いに対応する位置に形成された、請求項１に記載のタッチ入力装置。
【請求項４】
前記第１ストレインゲージは前記基板の上面に複数個形成され、前記第２ストレインゲージは前記基板の下面に複数個形成された、請求項３に記載のタッチ入力装置。
【請求項５】
前記基板の互いに対応する位置に形成された前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージは、電気的に連結された、請求項３に記載のタッチ入力装置。
【請求項６】
タッチ圧力検出が可能なタッチ入力装置として、
ディスプレイモジュールと、
前記ディスプレイモジュールの下部に配置され、基板と前記基板の上面に形成された第１ストレインゲージと前記基板の下面に形成された第２ストレインゲージとを含む圧力センサ層と、
前記ディスプレイモジュールと前記圧力センサ層との間に形成されて、前記ディスプレイモジュールと前記圧力センサ層とを接着させる第１接着層と、
前記圧力センサ層の下部に配置される基板補強用物質層と、
前記圧力センサ層と前記基板補強用物質層との間に形成されて、前記圧力センサ層と前記基板補強用物質層とを接着させる第２接着層と、を含み、
前記ディスプレイモジュールに圧力が印加されれば前記ディスプレイモジュールが撓み、
前記ディスプレイモジュールが撓むことによって前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージそれぞれの電気的特性が変化し、
前記基板のヤング率（Young's Modulus）は、前記第１接着層のヤング率及び前記第２接着層のヤング率より大きい、タッチ入力装置。
【請求項７】
前記基板のヤング率は、５００ＧＰａより小さい、請求項６に記載のタッチ入力装置。
【請求項８】
前記第１接着層と前記第２接着層は同一物質で形成された、請求項６に記載のタッチ入力装置。
【請求項９】
前記第１接着層のヤング率は、前記第２接着層のヤング率より小さい、請求項６に記載のタッチ入力装置。
【請求項１０】
前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージは、前記基板の反対面に互いに対応する位置に形成された、請求項６に記載のタッチ入力装置。
【請求項１１】
前記第１ストレインゲージは前記基板の上面に複数個形成され、前記第２ストレインゲージは前記基板の下面に複数個形成された、請求項１０に記載のタッチ入力装置。
【請求項１２】
前記基板の互いに対応する位置に形成された前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージは、電気的に連結された、請求項１０に記載のタッチ入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ストレインゲージが形成された圧力センサ層がディスプレイモジュールの下部に配置されたタッチ入力装置に関するもので、具体的に、タッチ圧力に対する検出感度を向上させることができるタッチ入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピューティングシステムの操作のために多様な種類の入力装置が利用されている。例えば、ボタン（button）、キー（key）、ジョイスティック（joystick）、及びタッチスクリーンのような入力装置が利用されている。タッチスクリーンの容易で手軽な操作により、コンピューティングシステムの操作時のタッチスクリーンの利用が増加している。
【０００３】
タッチスクリーンは、タッチ−感応表面（touch-sensitive surface）を備えた透明なパネルであり得るタッチセンサパネル（touch sensor panel）を含むタッチ入力装置のタッチ表面を構成することができる。このようなタッチセンサパネルは、ディスプレイスクリーンの前面に付着され、タッチ−感応表面がディスプレイスクリーンの見える面を覆うことができる。ユーザが指などでタッチスクリーンを単純にタッチすることによって、ユーザがコンピューティングシステムを操作することができるようにする。一般的に、コンピューティングシステムは、タッチスクリーン上のタッチ及びタッチ位置を認識し、このようなタッチを解釈することによって、これに従い演算を遂行することができる。
【０００４】
この時、ディスプレイモジュールの性能を低下させないながらもタッチスクリーン上のタッチによるタッチ位置だけでなく、タッチの力の大きさを検出することができるタッチ入力装置に対する必要性が要求されている。タッチの力の大きさを検出するためのセンサとしてストレインゲージを含む圧力センサ層を用いることができるが、この時、タッチ圧力に対する検出感度を向上させることができるタッチ入力装置に対する要求が増加している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、タッチ圧力を検出することができるストレインゲージが含まれた圧力センサ層をタッチ入力装置に利用する場合に、圧力センサ層の基板のヤング率と接着層のヤング率との関係を具体化してタッチ入力装置のタッチ圧力検出強度を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置は、タッチ圧力検出が可能なタッチ入力装置として、ディスプレイモジュール、及び前記ディスプレイモジュールの下部に配置された圧力センサ層を含み、前記ディスプレイモジュールと前記圧力センサ層との間に接着層が存在して前記圧力センサ層を前記ディスプレイモジュールに接着させ、前記圧力センサ層は基板の上面に第１ストレインゲージが形成され、前記基板の下面に第２ストレインゲージが形成された構造を含み、前記ディスプレイモジュールに圧力が印加されれば前記ディスプレイモジュールが撓み、前記ディスプレイモジュールが撓むことによって前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージそれぞれの電気的特性が変化し、前記基板のヤング率（Young's Modulus）は前記接着層のヤング率より大きい。
【０００７】
ここで、前記基板のヤング率は、５００ＧＰａより小さくてもよい。
【０００８】
ここで、前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージは、前記基板の反対面に互いに対応する位置に形成されてもよい。
【０００９】
ここで、前記第１ストレインゲージは前記基板の上面に複数個形成され、前記第２ストレインゲージは前記基板の下面に複数個形成されてもよい。
【００１０】
ここで、前記基板の互いに対応する位置に形成された前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージは、電気的に連結されてもよい。
【００１１】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置は、タッチ圧力検出が可能なタッチ入力装置として、ディスプレイモジュール、前記ディスプレイモジュールの下部に配置され、基板と前記基板の上面に形成された第１ストレインゲージと前記基板の下面に形成された第２ストレインゲージを含む圧力センサ層、前記ディスプレイモジュールと前記圧力センサ層との間に形成され前記ディスプレイモジュールと前記圧力センサ層を接着させる第１接着層、前記圧力センサ層の下部に配置される基板補強用物質層、及び前記圧力センサ層と前記基板補強用物質層との間に形成され前記圧力センサ層と前記基板補強用物質層を接着させる第２接着層を含み、前記ディスプレイモジュールに圧力が印加されれば前記ディスプレイモジュールが撓み、前記ディスプレイモジュールが撓むことによって前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージそれぞれの電気的特性が変化し、前記基板のヤング率（Young's Modulus）は前記第１接着層のヤング率及び前記第２接着層のヤング率より大きい。
【００１２】
ここで、前記基板のヤング率は、５００ＧＰａより小さくてもよい。
【００１３】
ここで、前記第１接着層と前記第２接着層は、同一物質で形成されてもよい。
【００１４】
ここで、前記第１接着層のヤング率は、前記第２接着層のヤング率より小さくてもよい。
【００１５】
ここで、前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージは、前記基板の反対面に互いに対応する位置に形成されてもよい。
【００１６】
ここで、前記第１ストレインゲージは前記基板の上面に複数個形成され、前記第２ストレインゲージは前記基板の下面に複数個形成されてもよい。
【００１７】
ここで、前記基板の互いに対応する位置に形成された前記第１ストレインゲージと前記第２ストレインゲージは、電気的に連結されてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
前記構成によるストレインゲージを含む圧力センサ層を用いるタッチ入力装置によれば、タッチ圧力に対する検出感度を向上させることができる。
【００１９】
また、圧力センサ層の基板の互いに反対面に形成されるストレインゲージそれぞれの方向性確保に有利であるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１ａ】図１ａは、本発明によるタッチ入力装置に含まれる静電容量方式のタッチセンサ及びこの動作のための構成の概略図である。
【００２１】
【図１ｂ】図１ｂは、本発明によるタッチ入力装置に含まれる静電容量方式のタッチセンサ及びこの動作のための構成の概略図である。
【００２２】
【図２】図２は、本発明によるタッチ入力装置において、タッチ位置、タッチの力、及びディスプレイ動作を制御するための制御ブロックを例示する。
【００２３】
【図３ａ】図３ａは、本発明によるタッチ入力装置において、ディスプレイモジュールの構成を説明するための概念図である。
【００２４】
【図３ｂ】図３ｂは、本発明によるタッチ入力装置において、ディスプレイモジュールの構成を説明するための概念図である。
【００２５】
【図４ａ】図４ａは、本発明の実施形態によるタッチ入力装置の一部を概略的に示した断面図である。
【００２６】
【図４ｂ】図４ｂは、本発明によるタッチ入力装置において、ストレインゲージが適用される例を例示する。
【００２７】
【図４ｃ】図４ｃは、本発明によるタッチ入力装置において、ストレインゲージが適用される例を例示する。
【００２８】
【図４ｄ】図４ｄは、本発明によるタッチ入力装置において、ストレインゲージが適用される例を例示する。
【００２９】
【図４ｅ】図４ｅは、本発明によるタッチ入力装置において、ストレインゲージが適用される例を例示する。
【００３０】
【図５ａ】図５ａは、本発明によるタッチ入力装置に使用されるタッチ圧力を感知することができる例示的な力センサの平面図である。
【００３１】
【図５ｂ】図５ｂは、本発明によるタッチ入力装置に適用され得る例示的なストレインゲージを示す。
【００３２】
【図５ｃ】図５ｃは、本発明によるタッチ入力装置に適用され得る例示的なストレインゲージを示す。
【００３３】
【図５ｄ】図５ｄは、本発明によるタッチ入力装置に使用されるタッチ圧力を感知することができる例示的な力センサの平面図である。
【００３４】
【図５ｅ】図５ｅは、本発明によるタッチ入力装置に使用されるタッチ圧力を感知することができる例示的な力センサの平面図である。
【００３５】
【図５ｆ】図５ｆは、本発明によるタッチ入力装置に使用されるタッチ圧力を感知することができる例示的な力センサの平面図である。
【００３６】
【図６ａ】図６ａは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００３７】
【図６ｂ】図６ｂは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００３８】
【図６ｃ】図６ｃは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００３９】
【図６ｄ】図６ｄは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００４０】
【図６ｅ】図６ｅは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００４１】
【図６ｆ】図６ｆは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００４２】
【図７ａ】図７ａは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００４３】
【図７ｂ】図７ｂは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００４４】
【図７ｃ】図７ｃは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００４５】
【図７ｄ】図７ｄは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００４６】
【図７ｅ】図７ｅは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００４７】
【図８ａ】図８ａは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００４８】
【図８ｂ】図８ｂは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００４９】
【図８ｃ】図８ｃは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００５０】
【図９ａ】図９ａは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００５１】
【図９ｂ】図９ｂは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００５２】
【図９ｃ】図９ｃは、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００５３】
【図１０】図１０は、本発明の他の実施形態によるタッチ入力装置の一部を概略的に示した断面図である。
【００５４】
【図１１】図１１は、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００５５】
【図１２】図１２は、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００５６】
【図１３】図１３は、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００５７】
【図１４】図１４は、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００５８】
【図１５】図１５は、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００５９】
【図１６】図１６は、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００６０】
【図１７】図１７は、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００６１】
【図１８】図１８は、本発明によるタッチ入力装置を説明するためのシミュレーション結果を示したグラフである。
【００６２】
【図１９ａ】図１９ａは、本発明によるタッチ入力装置に含まれる電極の形態を例示する図面である。
【００６３】
【図１９ｂ】図１９ｂは、本発明によるタッチ入力装置に含まれる電極の形態を例示する図面である。
【００６４】
【図１９ｃ】図１９ｃは、本発明によるタッチ入力装置に含まれる電極の形態を例示する図面である。
【００６５】
【図１９ｄ】図１９ｄは、本発明によるタッチ入力装置に含まれる電極の形態を例示する図面である。
【発明を実施するための形態】
【００６６】
本発明が実施され得る特定の実施形態を示した添付の図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。添付の図面に示された特定の実施形態に対し、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施するのに十分なように詳細に説明される。特定の実施形態以外の他の実施形態は互いに異なるが、相互に排他的である必要はない。さらに、後述する詳細な説明は限定的な意味として取ろうとするのではないことを理解しなければならない。
【００６７】
添付の図面に示された特定の実施形態に対する詳細な説明は、それに伴う図面と関連して読まれることになり、図面は全体の発明の説明に対する一部と見なされる。方向や指向性に対する言及は、説明の便宜のためのものに過ぎず、いかなる方式でも本発明の権利範囲を制限する意図を有しない。
【００６８】
具体的に、「下、上、水平、垂直、上側、下側、上向き、下向き、上部、下部」等の位置を示す用語や、これらの派生語（例えば、「水平に、下方に、上方に」など）は、説明されている図面と関連説明とをすべて参照して理解されなければならない。特に、このような相対語は、説明の便宜のためのものに過ぎないため、本発明の装置が特定の方向に構成されたり動作しなければならないことを要求はしない。
【００６９】
また、「装着された、付着された、連結された、つながった、相互に連結された」等の構成間の相互結合関係を示す用語は、別途の言及がない限り、個別の構成が直接的あるいは間接的に付着もしくは連結されたり固定された状態を意味することがあり、これは、移動可能に付着、連結、固定された状態だけでなく、移動不可能な状態まで含めた用語と理解されなければならない。
【００７０】
本発明によるタッチ入力装置は、スマートフォン、スマートウォッチ、タブレットＰＣ、ノートパソコン、ＰＤＡ（personal digital assistants）、ＭＰ３プレーヤ、カメラ、ビデオカメラ、電子辞典などのような携帯可能な電子製品をはじめとして、家庭用ＰＣ、ＴＶ、ＤＶＤ、冷蔵庫、エアコン、電子レンジなどの家庭用電子製品に利用されてもよい。また、本発明によるディスプレイモジュールを含むタッチ圧力検出が可能なタッチ入力装置は、産業用制御装置、医療装置などディスプレイと入力のための装置を必要とするすべての製品に制限なく利用されてもよい。
【００７１】
以下で、添付される図面を参照し、本発明の実施形態によるタッチ圧力検出が可能なタッチ入力装置について説明する。本発明におけるタッチ入力装置において、タッチ圧力検出のための駆動原理を説明するのに先立ち、まずタッチ位置を検出する駆動原理について説明する。ここでは、タッチ位置検出のための静電容量方式のタッチセンサ１０を例示するが、任意の方式でタッチ位置を検出することができるタッチセンサ１０が本発明で適用されてもよい。
【００７２】
図１ａは、本発明の実施形態によるタッチ入力装置に含まれる静電容量方式のタッチセンサ１０及びこの動作のための構成の概略図である。
【００７３】
図１ａを参照すると、タッチセンサ１０は、複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎ及び複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍを含み、前記タッチセンサ１０の動作のために複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎに駆動信号を印加する駆動部１２、及び複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍからタッチ表面に対するタッチによって変化する静電容量の変化量に対する情報を含む感知信号を受信して、タッチ及びタッチ位置を検出する感知部１１を含んでもよい。
【００７４】
図１ａに示されたように、タッチセンサ１０は、複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎと複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍを含んでもよい。図１ａではタッチセンサ１０の複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎと複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍとが直交アレイを構成するもので示されているが、本発明はこれに限定されず、複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎと複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍとが対角線、同心円、及び３次元ランダム配列等をはじめとする任意の数の次元、及びこの応用配列を有するようにすることができる。ここで、ｎ及びｍは、量の整数として互いに同じか、あるいは異なる値を有してもよく、実施形態により大きさが変わってもよい。
【００７５】
複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎと複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍとは、それぞれ互いに交差するように配列されてもよい。駆動電極ＴＸは、第１軸方向に延びた複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎを含み、受信電極ＲＸは、第１軸方向と交差する第２軸方向に延びた複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍを含んでもよい。
【００７６】
図１９ａ及び図１９ｂに示されたように、本発明の実施形態によるタッチセンサ１０において、複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎと複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍとは、互いに同一の層に形成されてもよい。例えば、複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎと複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍとは、後述することになるディスプレイパネル２００Ａの上面に形成されてもよい。
【００７７】
また、図１９ｃに示されたように、複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎと複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍとは、互いに異なる層に形成されてもよい。例えば、複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎと複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍの何れか一つは、ディスプレイパネル２００Ａの上面に形成され、残りの一つは後述することになるガラス層２００Ｂの下面に形成されるか、あるいはディスプレイパネル２００Ａの内部に形成されてもよい。
【００７８】
複数の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎと複数の受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍとは、透明伝導性物質（例えば、酸化スズ（SnO2）及び酸化インジウム（In2O3）等からなるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）又はＡＴＯ（Antimony Tin Oxide））等から形成されてもよい。しかし、これは単に例示に過ぎず、駆動電極ＴＸ及び受信電極ＲＸは、他の透明伝導性物質又は不透明伝導性物質から形成されてもよい。例えば、駆動電極ＴＸ及び受信電極ＲＸは、銀インク（silver ink）、銅（copper）、銀ナノ（nano silver）、及び炭素ナノチューブ（CNT：Carbon Nanotube）のうちの少なくとも何れか一つを含んで構成されてもよい。また、駆動電極ＴＸ及び受信電極ＲＸは、メタルメッシュ（metal mesh）で具現されてもよい。
【００７９】
本発明の実施形態による駆動部１２は、駆動信号を駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎに印加することができる。本発明の実施形態において、駆動信号は第１駆動電極ＴＸ１から第ｎ駆動電極ＴＸｎまで順次一度に一つの駆動電極に対して印加されてもよい。このような駆動信号の印加は、再度反復して成されてもよい。これは単に例示に過ぎず、実施形態により多数の駆動電極に駆動信号が同時に印加されてもよい。
【００８０】
感知部１１は、受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍを介して駆動信号が印加された駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎと受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍとの間に生成された静電容量Ｃｍ：１０１に関する情報を含む感知信号を受信することによって、タッチの有無及びタッチ位置を検出することができる。例えば、感知信号は駆動電極ＴＸに印加された駆動信号が駆動電極ＴＸと受信電極ＲＸとの間に生成された静電容量Ｃｍ：１０１によりカップリングされた信号であってもよい。このように、第１駆動電極ＴＸ１から第ｎ駆動電極ＴＸｎまで印加された駆動信号を受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍを介して感知する過程は、タッチセンサ１０をスキャン（scan）すると指称することができる。
【００８１】
例えば、感知部１１は、それぞれの受信電極ＲＸ１〜ＲＸｍとスイッチを介して連結された受信機（図示せず）を含んで構成されてもよい。前記スイッチは、当該受信電極ＲＸの信号を感知する時間区間にオン（on）になって受信電極ＲＸから感知信号が受信機で感知され得るようにする。受信機は、増幅器（図示せず）及び増幅器の負（−）入力端と増幅器の出力端との間、すなわち帰還経路に結合された帰還キャパシタを含んで構成されてもよい。この時、増幅器の正（＋）入力端は、グランド（ground）に接続されてもよい。また、受信機は、帰還キャパシタと並列に連結されるリセットスイッチをさらに含んでもよい。リセットスイッチは、受信機によって遂行される電流から電圧への変換をリセットすることができる。増幅器の負入力端は、当該受信電極ＲＸと連結されて静電容量Ｃｍ：１０１に対する情報を含む電流信号を受信した後、積分して電圧に変換することができる。感知部１１は、受信機を介して積分されたデータをデジタルデータに変換するＡＤＣ（図示せず：analog to digital converter）をさらに含んでもよい。その後、デジタルデータはプロセッサ（図示せず）に入力され、タッチセンサ１０に対するタッチ情報を取得するように処理されてもよい。感知部１１は受信機とともに、ＡＤＣ及びプロセッサを含んで構成されてもよい。
【００８２】
制御部１３は、駆動部１２と感知部１１の動作を制御する機能を遂行することができる。例えば、制御部１３は、駆動制御信号を生成した後、駆動部１２に伝達して駆動信号が所定の時間にあらかじめ設定された駆動電極ＴＸに印加されるようにすることができる。また、制御部１３は、感知制御信号を生成した後、感知部１１に伝達して感知部１１が所定の時間にあらかじめ設定された受信電極ＲＸから感知信号の入力を受けて、あらかじめ設定された機能を遂行するようにすることができる。
【００８３】
図１ａにおいて、駆動部１２及び感知部１１は、タッチセンサ１０に対するタッチの有無及びタッチ位置を検出することができるタッチ検出装置（図示せず）を構成することができる。タッチ検出装置は、制御部１３をさらに含んでもよい。タッチ検出装置は、タッチセンサ１０を含むタッチ入力装置において、タッチセンシング回路であるタッチセンシングＩＣ（touch sensing Integrated Circuit）上に集積されて具現されてもよい。タッチセンサ１０に含まれた駆動電極ＴＸ及び受信電極ＲＸは、例えば伝導性トレース（conductive trace）及び／又は回路基板上に印刷された伝導性パターン（conductive pattern）等を介してタッチセンシングＩＣに含まれた駆動部１２及び感知部１１に連結されてもよい。タッチセンシングＩＣは、伝導性パターンが印刷された回路基板上に位置することができる。実施形態により、タッチセンシングＩＣは、タッチ入力装置の作動のためのメインボード上に実装されていてもよい。
【００８４】
以上で詳しく見たように、駆動電極ＴＸと受信電極ＲＸの交差地点ごとに所定値の静電容量Ｃｍが生成され、指のような客体がタッチセンサ１０に近接する場合、このような静電容量の値が変更され得る。図１ａにおいて、前記静電容量は、相互静電容量Ｃｍ（mutual capacitance）を表わすことができる。このような電気的特性を感知部１１で感知し、タッチセンサ１０に対するタッチの有無及び／又はタッチ位置を感知することができる。例えば、第１軸と第２軸とからなる２次元平面からなるタッチセンサ１０の表面に対するタッチの有無及び／又はその位置を感知することができる。
【００８５】
より具体的に、タッチセンサ１０に対するタッチが生じる時、駆動信号が印加された駆動電極ＴＸを検出することによって、タッチの第２軸方向の位置を検出することができる。これと同様に、タッチセンサ１０に対するタッチの際に受信電極ＲＸを介して受信された受信信号から静電容量の変化を検出することによって、タッチの第１軸方向の位置を検出することができる。
【００８６】
上では、駆動電極ＴＸと受信電極ＲＸとの間の相互静電容量の変化量に基づいて、タッチ位置を感知するタッチセンサ１０の動作方式について説明したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、図１ｂのように、自己静電容量（self capacitance）の変化量に基づいてタッチ位置を感知することも可能である。
【００８７】
図１ｂは、本発明の他の実施形態によるタッチ入力装置に含まれる他の静電容量方式のタッチセンサ１０、及びこの動作を説明するための概略図である。
【００８８】
図１ｂに示されたタッチセンサ１０には、複数のタッチ電極３０が備えられる。複数のタッチ電極３０は、図１９ｄに示されたように、一定の間隔を置いて格子状に配置され得るが、これに限定されない。
【００８９】
制御部１３０により生成された駆動制御信号は駆動部１２に伝達され、駆動部１２は駆動制御信号に基づいて、所定の時間にあらかじめ設定されたタッチ電極３０に駆動信号を印加する。また、制御部１３により生成された感知制御信号は感知部１１に伝達され、感知部１１は感知制御信号に基づいて、所定の時間にあらかじめ設定されたタッチ電極３０から感知信号の入力を受ける。この時、感知信号は、タッチ電極３０に形成された自己静電容量の変化量に対する信号であってもよい。
【００９０】
この時、感知部１１が感知した感知信号により、タッチセンサ１０に対するタッチの有無及び／又はタッチ位置が検出される。例えば、タッチ電極３０の座標をあらかじめ知っているので、タッチセンサ１０の表面に対する客体のタッチの有無及び／又はその位置を感知できるようになる。
【００９１】
以上では、便宜上、駆動部１２と感知部１１とが別個のブロックに分かれて動作するものと説明されたが、タッチ電極３０に駆動信号を印加し、タッチ電極３０から感知信号の入力を受ける動作を一つの駆動部及び感知部で遂行することも可能である。
【００９２】
以上でタッチセンサ１０として静電容量方式のタッチセンサパネルが詳細に説明されたが、本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００において、タッチの有無及びタッチ位置を検出するためのタッチセンサ１０は、前述した方法以外の表面静電容量方式、プロジェクテッド（projected）静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式（SAW：surface acoustic wave）、赤外線（infrared）方式、光学的イメージング方式（optical imaging）、分散信号方式（dispersive signal technology）、及び音声パルス認識（acoustic pulse recognition）方式等の任意のタッチセンシング方式を用いて具現されてもよい。
【００９３】
図２は、本発明によるタッチ入力装置において、タッチ位置、タッチの力、及びディスプレイ動作を制御するための制御ブロックを例示する。
【００９４】
ディスプレイ機能及びタッチ位置の検出に加えてタッチの力（タッチ圧力）を検出できるように構成されたタッチ入力装置１０００において、制御ブロックは前述したタッチ位置を検出するためのタッチセンサ制御器１１００、ディスプレイパネルを駆動するためのディスプレイ制御器１２００、及び力を検出するための力センサ制御器１３００を含んで構成されてもよい。ディスプレイ制御器１２００は、タッチ入力装置１０００の作動のためのメインボード（main board）上の中央処理ユニットであるＣＰＵ（central processing unit）又はＡＰ（application processor）などから入力を受けてディスプレイパネル２００Ａに所望する内容をディスプレイするようにする制御回路を含んでもよい。このような制御回路は、ディスプレイパネル制御ＩＣ、グラフィック制御ＩＣ（graphic controller IC）、及びその他のディスプレイパネル２００Ａの作動に必要な回路を含んでもよい。
【００９５】
力センサを介して力を検出するための力センサ制御器１３００は、タッチセンサ制御器１１００の構成と類似するように構成され、タッチセンサ制御器１１００と類似するように動作することができる。
【００９６】
実施形態により、タッチセンサ制御器１１００、ディスプレイ制御器１２００、及び力センサ制御器１３００は、互いに異なる構成要素としてタッチ入力装置１０００に含まれてもよい。例えば、タッチセンサ制御器１１００、ディスプレイ制御器１２００、及び力センサ制御器１３００は、それぞれ互いに異なるチップ（chip）で構成されてもよい。この時、タッチ入力装置１０００のプロセッサ１５００は、タッチセンサ制御器１１００、ディスプレイ制御器１２００、及び力センサ制御器１３００に対するホスト（host）プロセッサとして機能することができる。
【００９７】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００は、携帯電話（cell phone）、ＰＤＡ（Personal Data Assistant）、スマートフォン（smartphone）、タブレットＰＣ（tablet Personal Computer）、ＭＰ３プレーヤ、ノートパソコン（notebook）などのようなディスプレイ画面及び／又はタッチスクリーンを含む電子装置を含んでもよい。
【００９８】
このようなタッチ入力装置１０００を薄く（slim）軽量（light weight）に製作するために、上述したように別個に構成されるタッチセンサ制御器１１００、ディスプレイ制御器１２００、及び力センサ制御器１３００が、実施形態により、一つ以上の構成で統合されてもよい。これに加えて、プロセッサ１５００にこれらそれぞれの制御器が統合されることも可能である。これと共に、実施形態により、ディスプレイパネル２００Ａにタッチセンサ１０及び／又は力センサが統合されてもよい。
【００９９】
実施形態によるタッチ入力装置１０００において、タッチ位置を検出するためのタッチセンサ１０がディスプレイパネル２００Ａの外部または内部に位置してもよい。実施形態によるタッチ入力装置１０００のディスプレイパネル２００Ａは、液晶表示装置（LCD：Liquid Crystal Display）、ＰＤＰ（Plasma Display Panel）、有機発光表示装置（Organic Light Emitting Diode：OLED）などに含まれたディスプレイパネルであってもよい。これにより、ユーザは、ディスプレイパネルに表示された画面を視覚的に確認しながらタッチ表面にタッチを行って入力行為を遂行することができる。
【０１００】
図３ａ及び図３ｂは、本発明によるタッチ入力装置１０００において、ディスプレイモジュール２００の構成を説明するための概念図である。
【０１０１】
まず、図３ａを参照して、ＬＣＤパネルを用いるディスプレイパネル２００Ａを含むディスプレイモジュール２００の構成を説明することにする。
【０１０２】
図３ａに示されたように、ディスプレイモジュール２００は、ＬＣＤパネルであるディスプレイパネル２００Ａ、ディスプレイパネル２００Ａの上部に配置される第１偏光層２７１及びディスプレイパネル２００Ａの下部に配置される第２偏光層２７２を含んでもよい。また、ＬＣＤパネルであるディスプレイパネル２００Ａは、液晶セル（liquid crystal cell）を含む液晶層２５０、液晶層２５０の上部に配置される第１基板層２６１及び液晶層２５０の下部に配置される第２基板層２６２を含んでもよい。この時、第１基板層２６１はカラーフィルタガラス（color filter glass）であってもよく、第２基板層２６２はＴＦＴガラス（TFT glass）であってもよい。また、実施形態により、第１基板層２６１及び第２基板層２６２のうちの少なくとも一つは、プラスチックのようなベンディング（bending）可能な物質で形成されてもよい。図３ａにおいて、第２基板層２６２は、データライン（data line）、ゲートライン（gate line）、ＴＦＴ、共通電極（Vcom：common electrode）、及びピクセル電極（pixel electrode）等を含む多様な層から成っていてもよい。これら電気的構成要素は、制御された電場を生成して液晶層２５０に位置した液晶を配向させるように作動することができる。
【０１０３】
次に、図３ｂを参照して、ＯＬＥＤパネルを用いるディスプレイパネル２００Ａを含むディスプレイモジュール２００の構成を説明することにする。
【０１０４】
図３ｂに示されたように、ディスプレイモジュール２００は、ＯＬＥＤパネルであるディスプレイパネル２００Ａ、ディスプレイパネル２００Ａの上部に配置される第１偏光層２８２を含んでもよい。また、ＯＬＥＤパネルであるディスプレイパネル２００Ａは、ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）を含む有機物層２８０、有機物層２８０の上部に配置される第１基板層２８１、及び有機物層２８０の下部に配置される第２基板層２８３を含んでもよい。この時、第１基板層２８１はエンカプセレーションガラス（Encapsulation glass）であってもよく、第２基板２８３はＴＦＴガラス（TFT glass）であってもよい。また、実施形態により、第１基板層２８１及び第２基板層２８３のうちの少なくとも一つは、プラスチックのようなベンディング（bending）可能な物質で形成されてもよい。
【０１０５】
図３ｂに示されたＯＬＥＤパネルの場合、ゲートライン、データライン、第１電源ライン（ELVDD）、第２電源ライン（ELVSS）等のディスプレイパネル２００Ａの駆動に使用される電極を含んでもよい。ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）パネルは、蛍光または燐光有機物薄膜に電流を流すと、電子と正孔が有機物層で結合して光が発生する原理を用いた自己発光型ディスプレイパネルとして、発光層を構成する有機物質が光の色を決定する。
【０１０６】
具体的に、ＯＬＥＤは、ガラスやプラスチックの上に有機物を塗布して電気を流せば、有機物が光を発散する原理を用いる。すなわち、有機物の陽極と陰極にそれぞれ正孔と電子を注入して発光層に再結合させると、エネルギーが高い状態である励起子（excitation）を形成し、励起子がエネルギーが低い状態に落ちながらエネルギーが放出され、特定の波長の光が生成される原理を用いるわけである。この時、発光層の有機物によって光の色が変わる。
【０１０７】
ＯＬＥＤは、ピクセルマトリックスを構成しているピクセルの動作特性により、ライン駆動方式のＰＭ−ＯＬＥＤ（Passive-matrix Organic Light-Emitting Diode）と個別駆動方式のＡＭ−ＯＬＥＤ（Active-matrix Organic Light-Emitting Diode）とが存在する。両者は共にバックライトを必要としないため、ディスプレイモジュールを非常に薄く具現することができ、角度によって明暗比が一定であり、温度に伴う色の再現性が良いという長所を有する。また、未駆動ピクセルは電力を消耗しないという点で非常に経済的である。
【０１０８】
動作面において、ＰＭ−ＯＬＥＤは高い電流でスキャニング時間（scanning time）の間だけ発光し、ＡＭ−ＯＬＥＤは低い電流でフレーム時間（frame time）の間、続けて発光状態を維持する。したがって、ＡＭ−ＯＬＥＤはＰＭ−ＯＬＥＤに比べて解像度が良く、大面積ディスプレイパネルの駆動が有利であり、電力消耗が少ないという長所がある。また、薄膜トランジスタ（TFT）を内蔵して各素子を個別的に制御できるため、精巧な画面を具現しやすい。
【０１０９】
また、有機物層２８０は、ＨＩＬ（Hole Injection Layer、正孔注入層）、ＨＴＬ（Hole Transfer Layer、正孔輸送層）、ＥＩＬ（Electron Injection Layer、電子注入層）、ＥＴＬ（Electron Transfer Layer、電子輸送層）、ＥＭＬ（Emission Material Layer、発光層）を含んでもよい。
【０１１０】
各階について簡略に説明すると、ＨＩＬは正孔を注入させ、ＣｕＰｃなどの物質を用いる。ＨＴＬは注入された正孔を移動させる機能をして、主に、正孔の移動性（hole mobility）が良い物質を用いる。ＨＴＬはアリールアミン（arylamine）、ＴＰＤなどが用いられてもよい。ＥＩＬとＥＴＬは電子の注入と輸送のための層であり、注入された電子と正孔はＥＭＬで結合して発光する。ＥＭＬは発光する色を表現する素材として、有機物の寿命を決定するホスト（host）と色感と効率を決定する不純物（dopant）とで構成される。これは、ＯＬＥＤパネルに含まれる有機物層２８０の基本的な構成を説明したに過ぎず、本発明は、有機物層２８０の層構造や素材などに限定されない。
【０１１１】
有機物層２８０は、アノード（Anode）(図示せず)とカソード（Cathode）(図示せず)との間に挿入され、ＴＦＴがオン（On）状態になれば、駆動電流がアノードに印加されて正孔が注入され、カソードには電子が注入されて、有機物層２８０に正孔と電子が移動して光を発散する。
【０１１２】
当該技術分野の当業者には、ＬＣＤパネルまたはＯＬＥＤパネルがディスプレイ機能を遂行するために他の構成をさらに含んでもよく、変形が可能であることは自明であろう。
【０１１３】
本発明によるタッチ入力装置１０００のディスプレイモジュール２００は、ディスプレイパネル２００Ａ及びディスプレイパネル２００Ａを駆動するための構成を含んでもよい。具体的に、ディスプレイパネル２００ＡがＬＣＤパネルである場合、ディスプレイモジュール２００は第２偏光層２７２の下部に配置されるバックライトユニット（図示せず：backlight unit）を含んで構成されてもよく、ＬＣＤパネルの作動のためのディスプレイパネル制御ＩＣ、グラフィック制御ＩＣ、及びその他の回路をさらに含んでもよい。
【０１１４】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００において、タッチ位置を検出するためのタッチセンサ１０は、ディスプレイモジュール２００の外部又は内部に位置することができる。
【０１１５】
タッチ入力装置１０００において、タッチセンサ１０がディスプレイモジュール２００の外部に配置される場合、ディスプレイモジュール２００の上部にはタッチセンサパネルが配置されてもよく、タッチセンサ１０がタッチセンサパネルに含まれてもよい。タッチ入力装置１０００に対するタッチ表面は、タッチセンサパネルの表面であってもよい。
【０１１６】
タッチ入力装置１０００において、タッチセンサ１０がディスプレイモジュール２００の内部に配置される場合、タッチセンサ１０がディスプレイパネル２００Ａの外部に位置するように構成されてもよい。具体的に、タッチセンサ１０が第１基板層２６１、２８１の上面に形成されてもよい。この時、タッチ入力装置１０００に対するタッチ表面は、ディスプレイモジュール２００の外面として、図３ａ及び図３ｂにおいて上部面又は下部面になり得る。
【０１１７】
タッチ入力装置１０００において、タッチセンサ１０がディスプレイモジュール２００の内部に配置される場合、実施形態により、タッチセンサ１０のうちの少なくとも一部はディスプレイパネル２００Ａ内に位置するように構成され、タッチセンサ１０のうちの少なくとも残りの一部は、ディスプレイパネル２００Ａの外部に位置するように構成されてもよい。例えば、タッチセンサ１０を構成する駆動電極ＴＸと受信電極ＲＸの何れか一つの電極は、ディスプレイパネル２００Ａの外部に位置するように構成されてもよく、残りの電極は、ディスプレイパネル２００Ａの内部に位置するように構成されてもよい。具体的に、タッチセンサ１０を構成する駆動電極ＴＸと受信電極ＲＸの何れか一つの電極は、第１基板層２６１、２８１の上面に形成されてもよく、残りの電極は、第１基板層２６１、２８１の下面又は第２基板層２６２、２８３の上面に形成されてもよい。
【０１１８】
タッチ入力装置１０００において、タッチセンサ１０がディスプレイモジュール２００の内部に配置される場合、タッチセンサ１０がディスプレイパネル２００Ａの内部に位置するように構成されてもよい。具体的に、タッチセンサ１０が第１基板層２６１、２８１の下面または第２基板層２６２、２８３の上面に形成されてもよい。
【０１１９】
ディスプレイパネル２００Ａの内部にタッチセンサ１０が配置される場合、タッチセンサの動作のための電極が追加で配置されてもよいが、ディスプレイパネル２００Ａの内部に位置する多様な構成及び／又は電極が、タッチセンシングのためのタッチセンサ１０として用いられてもよい。具体的に、ディスプレイパネル２００ＡがＬＣＤパネルである場合、タッチセンサ１０に含まれる電極のうちの少なくとも何れか一つは、データライン（data line）、ゲートライン（gate line）、ＴＦＴ、共通電極（Vcom：common electrode）、及びピクセル電極（pixel electrode）のうちの少なくとも何れか一つを含んでもよく、ディスプレイパネル２００ＡがＯＬＥＤパネルである場合、タッチセンサ１０に含まれる電極のうちの少なくとも何れか一つは、データライン（data line）、ゲートライン（gate line）、第１電源ライン（ELVDD）、及び第２電源ライン（ELVSS）のうちの少なくとも何れか一つを含んでもよい。
【０１２０】
この時、タッチセンサ１０は、図１ａで説明された駆動電極及び受信電極で動作し、駆動電極及び受信電極の間の相互静電容量によりタッチ位置を検出することができる。また、タッチセンサ１０は、図１ｂで説明された単一電極３０で動作し、単一電極３０それぞれの自己静電容量によりタッチ位置を検出することができる。この時、タッチセンサ１０に含まれる電極がディスプレイパネル２００Ａの駆動に用いられる電極である場合、第１時間区間にディスプレイパネル２００Ａを駆動し、第１時間区間と異なる第２時間区間にタッチ位置を検出することができる。
【０１２１】
本発明によるタッチ入力装置１０００において、圧力センサ層４５０はディスプレイモジュール２００の下部に接着層３００により接着されてもよい。図４ａないし図４ｅは、本発明によるタッチ入力装置においてストレインゲージが適用される例を例示する。
【０１２２】
本発明によるタッチ入力装置１０００では、ディスプレイモジュール２００の下部に圧力センサ層４５０が配置されるものの、圧力センサ層４５０は、基板４００と基板４００の上面に形成された第１ストレインゲージ４５１と基板４００の下面に形成された第２ストレインゲージ４５２とを含むことができる。この時、接着層３００は、ディスプレイモジュール２００と圧力センサ層４５０との間に形成されて、圧力センサ層４５０をディスプレイモジュール２００の下部に接着させることができる。
【０１２３】
第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２とは、例えば、グラフェンを含む混合物などのインク成分で構成されてもよい。基板４００の上面に第１ストレインゲージ４５１をインク成分で蒸着したり、基板４００の下面に第２ストレインゲージ４５２をインク成分で蒸着したりする方法は、プリント方法、インクジェット（Inkjet）方法などを用いることができる。ここで、インク成分のヤング率（Young's Modulus）は、大きいほど有利である。
【０１２４】
このような圧力センサ層４５０が適用された本発明によるタッチ入力装置１０００において、タッチ位置を検出するためのタッチセンサが形成されたカバー層１００とディスプレイパネル２００Ａを含むディスプレイモジュール２００との間がＯＣＡ（Optically Clear Adhesive）のような接着剤でラミネーションされていてもよい。これにより、タッチセンサのタッチ表面を介して確認することができるディスプレイモジュール２００のディスプレイの色の鮮明度、視認性、及び光透過性が向上され得る。
【０１２５】
図４ｂ及び以下の一部の図面において、ディスプレイパネル２００Ａがカバー層１００に直接ラミネーションされて付着されたもので示されているが、これは単に説明の便宜のためのものであり、第１偏光層２７１、２８２がディスプレイパネル２００Ａの上部に位置したディスプレイモジュール２００がカバー層１００にラミネーションされて付着されてもよく、ＬＣＤパネルがディスプレイパネル２００Ａである場合、第２偏光層２７２及びバックライトユニットがさらに追加で形成されてもよい。
【０１２６】
図４ｂないし図４ｅを参照した説明において、本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００としてタッチセンサが形成されたカバー層１００が、図４ａに示された、ディスプレイモジュール２００上に接着剤でラミネーションされて付着されたものを例示しているが、本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００は、タッチセンサ１０が、図４ａに示されたディスプレイモジュール２００の内部に配置される場合を含んでもよい。より具体的に、図４ｂないし図４ｅにおいて、タッチセンサが形成されたカバー層１００がディスプレイパネル２００Ａを含むディスプレイモジュール２００を覆うことが示されているが、タッチセンサ１０はディスプレイモジュール２００の内部に位置し、ディスプレイモジュール２００がガラスのようなカバー層１００で覆われたタッチ入力装置１０００が本発明の実施形態として用いられてもよい。
【０１２７】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００は、携帯電話（cell phone）、ＰＤＡ（Personal Data Assistant）、スマートフォン（smartphone）、タブレットＰＣ（Tablet Personal Computer）、ＭＰ３プレーヤ、ノートパソコン（notebook）などのようなタッチスクリーンを含む電子装置を含んでもよい。
【０１２８】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００において、フレーム基板３３０Ａは、例えばタッチ入力装置１０００の最外郭機構であるハウジング３２０と共にタッチ入力装置１０００の作動のための回路基板及び／又はバッテリが位置し得る実装空間３１０などを覆う機能を遂行することができる。この時、タッチ入力装置１０００の作動のための回路基板には、メインボード（main board）として中央処理ユニットであるＣＰＵ（central processing unit）又はＡＰ（application processor）などが実装されていてもよい。フレーム基板３３０Ａを介してディスプレイモジュール２００とタッチ入力装置１０００の作動のための回路基板及び／又はバッテリが分離され、ディスプレイモジュール２００で発生する電気的ノイズ及び回路基板で発生するノイズが遮断され得る。
【０１２９】
タッチ入力装置１０００において、タッチセンサ１０またはカバー層１００がディスプレイモジュール２００、フレーム基板３３０Ａ、及び実装空間３１０より広く形成されてもよく、これにより、ハウジング３２０がタッチセンサ１０と共にディスプレイモジュール２００、フレーム基板３３０Ａ、及び回路基板を覆うように、ハウジング３２０が形成されてもよい。
【０１３０】
以下で、タッチセンサ１０に含まれた電極と区分が明確なように、タッチ圧力を検出するための圧力センサを第１ストレインゲージ４５１と第２ストレーンゲージ４５２と指称する。
【０１３１】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００は、タッチセンサ１０を介してタッチ位置を検出し、ディスプレイモジュール２００の下部に接着された圧力センサ層４５０からタッチ圧力を検出することができる。この時、タッチセンサ１０は、ディスプレイモジュール２００の内部又は外部に位置してもよい。
【０１３２】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００は、エアギャップ（airgap）からなるスペーサ層４２０を含んで構成されてもよい。この時、スペーサ層４２０は、実施形態により、衝撃吸収物質からなってもよい。スペーサ層４２０は、実施形態により、誘電物質（dielectric material）で満たされてもよい。
【０１３３】
この時、圧力センサ層４５０は、ディスプレイモジュール２００の前面でない後面に配置されるので、透明物質だけでなく不透明物質で構成されることも可能である。ディスプレイモジュール２００内に含まれたディスプレイパネル２００ＡがＬＣＤパネルである場合、バックライトユニットから光が透過されなければならないので、圧力センサ層４５０はＩＴＯのような透明な物質で構成され得る。
【０１３４】
この時、スペーサ層４２０を保持するために、フレーム基板３３０Ａの上部の縁に沿って所定の高さを有するフレーム３３０Ｂが形成されてもよい。この時、フレーム３３０Ｂは、接着テープ（図示せず）でカバー層１００に接着されてもよい。図４ｃにおいて、フレーム３３０Ｂは、フレーム基板３３０Ａのすべての縁（例えば、四角形の４面）に形成されたものが示されているが、フレーム３３０Ｂはフレーム基板３３０Ａの縁のうちの少なくとも一部（例えば、四角形の３面）にだけ形成されてもよい。実施形態により、フレーム３３０Ｂはフレーム基板３３０Ａの上部面にフレーム基板３３０Ａと一体型に形成されてもよい。本発明の実施形態において、フレーム３３０Ｂは弾性がない物質で構成されてもよい。本発明の実施形態において、カバー層１００を介してディスプレイモジュール２００に力が印加される場合、カバー層１００と共にディスプレイモジュール２００が撓み得るので、フレーム３３０Ｂが力によって形体の変形がなくても、タッチ圧力の大きさを検出することができる。
【０１３５】
図４ｄは、本発明の実施形態によるストレインゲージを含むタッチ入力装置の断面図である。図４ｄに示されたように、本発明の実施形態による圧力センサ層４５０は、ディスプレイモジュール２００の下部に接着されてもよい。
【０１３６】
図４ｅは、図４ｄに示されたタッチ入力装置１０００に圧力が印加された場合の断面図である。フレーム基板３３０Ａの上部面は、ノイズ遮蔽のためにグランド（ground）電位を有してもよい。客体５００を介してカバー層１００の表面に力を印加する場合、カバー層１００及びディスプレイモジュール２００は撓んだり押圧され得る。ディスプレイモジュール２００が撓むことにより、ディスプレイモジュール２００の下部に接着された圧力センサ層４５０が変形され、それに従って圧力センサ層４５０に含まれた第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２の抵抗値が変わり得る。このような抵抗値の変化からタッチ圧力の大きさを算出することができる。
【０１３７】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００において、ディスプレイモジュール２００は、圧力を印加するタッチによって撓んだり押圧され得る。ディスプレイモジュール２００は、タッチによって変形を示すように撓んだり押圧され得る。実施形態により、ディスプレイモジュール２００が撓んだり押圧される時、最も大きい変形を示す位置は前記タッチ位置と一致しないこともあるが、ディスプレイモジュール２００は少なくとも前記タッチ位置で撓みを示すことができる。例えば、タッチ位置がディスプレイモジュール２００の縁及び端などに近接する場合、ディスプレイモジュール２００が撓んだり押圧される程度が最も大きい位置はタッチ位置と異なることがあるが、ディスプレイモジュール２００は、少なくとも前記タッチ位置で撓み又は押圧を示すことができる。
【０１３８】
図５ａ、図５ｄないし図５ｆは、本発明によるタッチ入力装置に用いられるタッチ圧力を感知できる例示的な力センサの平面図である。この場合、力センサは、ストレインゲージ（strain gauge）であってもよい。ストレインゲージは、ストレインの量に比例して電気抵抗が変わる装置で、一般的に金属が結合されたストレインゲージが使用されてもよい。
【０１３９】
ストレインゲージに使用され得る材料としては、透明物質として、伝導性高分子（PEDOT：polyethyleneioxythiophene）、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＡＴＯ（Antimony tin oxide）、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ：carbon nanotubes）、グラフェン（graphene）、酸化ガリウム亜鉛（gallium zinc oxide）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（IGZO：indium gallium zinc oxide）、酸化スズ（SnO2）、酸化インジウム（In2O3）、酸化亜鉛（ZnO）、酸化ガリウム（Ga2O3）、and 酸化カドミウム（CdO）、その他のドーピングされた金属酸化物、圧電抵抗素子（piezoresistive element）、圧電抵抗半導体物質（piezoresistive semiconductor materials）、圧電抵抗金属物質（piezoresistive metal material）、銀ナノワイヤ（silver nanowire）、白金ナノワイヤ（platinum nanowire）、ニッケルナノワイヤ（nickel nanowire）、その他の金属ナノワイヤ（metallic nanowires）などが使用されてもよい。不透明物質としては、銀インク（silver ink）、銅（copper）、銀ナノ（nano silver）、炭素ナノチューブ（CNT：carbon nanotube）、コンスタンタン合金（Constantan alloy）、カルマ合金（Karma alloys）、ドーピングされた多結晶質シリコン（polycrystalline silicon）、ドーピングされた非結晶質シリコン（amorphous silicon）、ドーピングされた単結晶シリコン（single crystal silicon）、ドーピングされたその他の半導体物質（semiconductor material）などが使用されてもよい。
【０１４０】
図５ａに示されたように、金属ストレインゲージは格子型方式に整列された金属ホイールで構成されてもよい。格子型方式は、平行方向に変形されやすい金属ワイヤ又はホイールの変形量を極大化させることができる。この時、図５ａに示された第１ストレインゲージ４５１の垂直方向の格子断面は、せん断変形率（shear strain）とポアソン変形率（Poisson Strain）の効果を減少させるために最小化されてもよい。以下では、第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２の形状が実質的に同一であり得るので、第１ストレインゲージ４５１に対して説明することにし、これに関して第２ストレインゲージ４５２に対しても同一に適用され得る。
【０１４１】
図５ａの例において、第１ストレインゲージ４５１は休止（at rest）状態にある間、すなわち、ストレーンされなかったり異なるように変形されない間に接触はしないが、互いに近くに配置されたトレース（traces）を含み得る。ストレインゲージは、ストレイン又は力の不在時に、１．８ＫΩ±０．１％のような公称抵抗（nominal resistance）を有し得る。ストレインゲージの基本パラメータとして変形率に対する感度がゲージ係数ＧＦで表現されてもよい。この時、ゲージ係数は、長さの変化（変形率）に対する電気抵抗変化の比率で定義されてもよく、次のように、ストレインεの関数として表現することができる。
【０１４２】
2020534593.tif 000003
ここで、ΔＲはストレインゲージ抵抗の変化量であり、Ｒは非変形（undeformed）ストレインゲージの抵抗であり、ＧＦはゲージ係数である。
【０１４３】
この時、抵抗の小さい変化を測定するために、ストレインゲージは、多くの場合、電圧駆動ソースがあるブリッジ設定で使用される。図５ｂ及び図５ｃは、本発明によるタッチ入力装置に適用され得る例示的なストレインゲージを示す。図５ｂの例に示されたように、ストレインゲージは、４つの異なる抵抗（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４で示される）を有するホイートストーンブリッジ（Wheatstone bridge）３０００に含まれ、加えられた力を示す（他の抵抗器に対する）ゲージの抵抗変化を感知することができる。ブリッジ３０００は、力センサインターフェース（図示せず）に結合され、タッチ制御器（図示せず）から駆動信号（電圧VEX）を受信してストレインゲージを駆動し、処理のために加えられた力を示す感知信号（電圧VO）をタッチ制御器に送信することができる。この時、ブリッジ３０００の出力電圧ＶＯは、次のように表現することができる。
【０１４４】
2020534593.tif 000004
前記等式で、Ｒ１／Ｒ２＝Ｒ４／Ｒ３である場合、出力電圧ＶＯは０になる。この条件下で、ブリッジ３０００は均衡をなす状態である。この時、ブリッジ３０００に含まれた抵抗の何れか一つの抵抗値が変更されれば、０でない出力電圧ＶＯが出力される。
【０１４５】
この時、図５ｃに示されたように、第１ストレインゲージ４５１がＲＧであり、ＲＧが変化する場合、第１ストレインゲージ４５１の抵抗の変化はブリッジに不均衡をもたらし、０でない出力電圧ＶＯを生成する。第１ストレインゲージ４５１の公称抵抗がＲＧである時、変形で誘導された抵抗の変化ΔＲは、前記ゲージ係数の等式を介して、ΔＲ＝ＲＧ×ＧＦ×εで表現することができる。この時、Ｒ１＝Ｒ２であり、Ｒ３＝ＲＧと仮定する時、前記ブリッジの等式をＶＯ／ＶＥＸのストレインεに対する関数で再び書くと、次の通りである。
【０１４６】
2020534593.tif 000005
たとえ、図５ｃのブリッジがただ一つの第１ストレインゲージ４５１のみを含んだとしても、図５ｂのブリッジに含まれたＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４で示された位置に４つのストレインゲージまで使用されてもよく、この場合、ゲージの抵抗変化は加えられた力を感知するのに使用され得ることが理解されるだろう。
【０１４７】
図４ｄ及び図４ｅに示されたように、圧力センサ層４５０が接着されたディスプレイモジュール２００にタッチ圧力が加えられれば、ディスプレイモジュール２００は撓み、ディスプレイモジュール２００が撓むことによって基板４００の上面に形成された第１ストレインゲージ４５１の抵抗は減少し、基板４００の下面に形成された第２ストレインゲージ４５２の抵抗は増加することになる。加えられるタッチ圧力が増加することにより、第１ストレインゲージ４５１の抵抗と第２ストレインゲージ４５２の抵抗は、それに対応して変化（すなわち、抵抗が減少したり増加）することができる。したがって、力センサ制御器１３００が第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２の抵抗値の変化量を検出すれば、そのような抵抗値の変化量はディスプレイモジュール２００に加えられたタッチ圧力と解釈され得る。
【０１４８】
また他の実施形態において、ブリッジ３０００は力センサ制御器１３００と統合されてもよく、この場合、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうちの少なくとも一つ以上は、力センサ制御器１３００内の抵抗で代替されてもよい。例えば、抵抗Ｒ２，Ｒ３は、力センサ制御器１３００内の抵抗で代替され、第１ストレインゲージ４５１及び抵抗Ｒ１でブリッジ３０００を形成することができる。これでブリッジ３０００が占める空間を減らすことができる。
【０１４９】
図５ａに示された第１ストレインゲージ４５１のトレースは水平方向に整列されているので、水平方向の変形に対してトレースの長さ変化が大きいので、水平方向の変形に対する感度は高いが、垂直方向の変形に対してはトレースの長さ変化が相対的に小さいので、垂直方向の変形に対する感度は低い。図５ｄに示されたように、第１ストレインゲージ４５１が複数の細部領域を含み、それぞれの細部領域に含まれたトレースの整列方向を異なるように構成することができる。このように整列方向が異なるトレースを含む第１ストレインゲージ４５１を構成することによって、変形方向に対する第１ストレインゲージ４５１の感度差を減らすことができる。
【０１５０】
本発明によるタッチ入力装置１０００は、ディスプレイモジュール２００の下部に、図５ａ及び図５ｄに示されたように、一つの第１ストレインゲージ４５１を形成して単一チャネルで構成された力センサを備えることができる。また、本発明によるタッチ入力装置１０００は、ディスプレイモジュール２００の下部に、図５ｅに示されたように、複数の第１ストレインゲージ４５１を形成して複数チャネルで構成された力センサを備えることもできる。このような複数チャネルで構成された力センサを用いて、複数のタッチに対する複数の力それぞれの大きさを同時にセンシングすることもできる。
【０１５１】
温度増加は、加えられたタッチ圧力がなくてもディスプレイモジュール２００を膨張させ、その結果、ディスプレイモジュール２００の下部に形成された圧力センサ層４５０が増えることがあるため、温度変化は圧力センサ層４５０に悪影響を及ぼし得る。その結果、圧力センサ層４５０に含まれた第１ストレインゲージ４５１の抵抗が増加し、第１ストレインゲージ４５１に加えられたタッチ圧力と間違って解釈されることがある。
【０１５２】
温度変化を補償するために、図５ｃに示されたブリッジ３０００の抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうちの少なくとも一つ以上がサーミスタ（thermistor）で代替されてもよい。サーミスタの温度による抵抗変化は、ディスプレイモジュール２００の熱膨張による第１ストレインゲージ４５１の温度による抵抗変化に対応することができ、そうすることで温度による出力電圧ＶＯの変化を減らすことができる。
【０１５３】
また、二つのゲージを用いて温度変化の影響を最小化にすることができる。例えば、図５ｆに示されたように、水平方向への変形が起きる時、第１ストレインゲージ４５１のトレースは変形方向と平行な水平方向に整列されてもよく、ダミーゲージ４６１のトレースは変形方向と直交する垂直方向に整列されてもよい。この時、変形は、第１ストレインゲージ４５１に影響を及ぼし、ダミーゲージ４６１には影響をほぼ及ぼさないが、温度は、第１ストレインゲージ４５１及びダミーゲージ４６１共に同じ影響を及ぼす。したがって、温度変化が二つのゲージに同一に適用されるので、二つのゲージの公称抵抗ＲＧの比率は変わらない。この時、このような二つのゲージが、ホイートストーンブリッジの出力ノードを共有する場合、すなわち、二つのゲージが図５ｂのＲ１とＲ２である場合、あるいは、Ｒ３とＲ４である場合、ブリッジ３０００の出力電圧ＶＯもまた変わらないので、温度変化の影響を最小化にすることができる。
【０１５４】
以下では、図４ａ及び図６ａないし図６ｆを参照して、本発明の技術的思想及びこれに関するシミュレーション結果を説明する。
【０１５５】
図４ａを参照すると、本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００は、ディスプレイモジュール２００とディスプレイモジュール２００の下部に配置された圧力センサ層４５０とを含み、ディスプレイモジュール２００と圧力センサ層４５０との間に接着層３００が存在し、圧力センサ層４５０をディスプレイモジュール２００に接着させることができる。
【０１５６】
圧力センサ層４５０は基板４００の上面に第１ストレインゲージ４５１が形成され、基板４００の下面に第２ストレインゲージ４５２が形成された構造を含むことができる。この時、第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２は、基板４００の反対面に互いに対応する位置に形成されてもよく、実施形態により、第１ストレインゲージ４５１は基板４００の上面に複数個形成され、第２ストレインゲージ４５２は基板４００の下面に複数個形成されてもよい。また、基板４００において互いに対応する位置に形成された第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２は、電気的に連結されてもよい。
【０１５７】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００において、ディスプレイモジュール２００に圧力が印加されればディスプレイモジュール２００が撓み、このようなディスプレイモジュール２００が撓むことにより、第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２それぞれの電気的特性（例えば、抵抗値）が変化し、この時、基板４００のヤング率（Young's Modulus）は接着層３００のヤング率より大きく、５００ＧＰａより小さいことがある。
【０１５８】
本発明による技術的思想は、シミュレーションの結果により証明される結果であり、基板４００のヤング率が接着層３００のヤング率以下である場合にはタッチ圧力を検出する感度が著しく低く、基板４００のヤング率が接着層３００のヤング率より大きければタッチ圧力を検出する感度が増加して、５００ＧＰａ以上ではタッチ圧力を検出する感度が少しずつ減少することになる。
【０１５９】
図６ａないし図６ｃを参照すると、ディスプレイモジュール２００に含まれたガラス層２００Ｂのヤング率を変化させながらシミュレーションした結果が示されている。ここでは、基板４００がＰＥＴであることを前提にして、接着層３００のヤング率が基板４００のヤング率の１／１０,０００である場合を前提にする。グラフのｘ軸は、基板４００のヤング率比のガラス層２００Ｂのヤング率の比率を示す。例えば、Ｅ＋１は１０倍、Ｅ＋２は１００倍、Ｅ−１は１／１０倍、Ｅ−２は１／１００倍を意味する。実線の場合は基板４００の厚さが２５μｍある場合であり、点線の場合は基板４００の厚さが２００μｍである場合のシミュレーション結果である。ｔｏｐで表記された部分は第１ストレインゲージ４５１に対するシミュレーション結果であり、ｂｏｔで表記された部分は第２ストレインゲージ４５２に対するシミュレーション結果である。第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２に対するシミュレーション結果を一つに統合して分析すると、ガラス層２００Ｂのヤング率が基板４００のヤング率の１００倍以上でなければ、タッチ圧力の検出感度に影響を及ぼさない。すなわち、Ｅ＋２以前には抵抗変化量がほぼ一定であるということが分かる。また、ここで分かる点は、基板４００の厚さが厚いほど抵抗変化量の絶対値が大きく、これはタッチ圧力の検出感度が大きいことを意味する。
【０１６０】
図６ｄないし図６ｆを参照すると、ディスプレイモジュール２００に含まれたガラス層２００Ｂのヤング率を変化させながらシミュレーションした結果が示されている。ここでも、基板４００がＰＥＴであることを前提にして、接着層３００のヤング率が基板４００のヤング率の１／１００である場合を前提にする(図６ａないし図６ｃにおけるシミュレーションと相違点)。グラフのｘ軸は基板４００のヤング率比のガラス層２００Ｂのヤング率の比率を示す。例えば、Ｅ＋１は１０倍、Ｅ＋２は１００倍、Ｅ−１は１／１０倍、Ｅ−２は１／１００倍を意味する。実線の場合は基板４００の厚さが２５μｍである場合であり、点線の場合は基板４００の厚さが２００μｍである場合のシミュレーション結果である。ｔｏｐで表記された部分は第１ストレインゲージ４５１に対するシミュレーション結果であり、ｂｏｔで表記された部分は第２ストレインゲージ４５２に対するシミュレーション結果である。第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２に対するシミュレーション結果を一つに統合して分析すれば、基板４００の厚さが厚いほど抵抗変化量の絶対値が大きく、これは、タッチ圧力の検出感度が大きいことを意味する。また、ガラス層２００Ｂのヤング率が基板４００のヤング率に比べて低いヤング率を有してこそ（すなわち、Ｅ−３に行くほど（＋）方向と（−）方向への方向性がはっきりと表れる）第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２は方向性の確保が可能であることが分かる。
【０１６１】
図７ａないし図７ｄを参照すると、圧力センサ層４５０に含まれた基板４００のヤング率を変化させながらシミュレーションした結果が示されている。ここでは、ガラス層２００Ｂのヤング率がＰＥＴのヤング率の１０倍であることを前提にして、接着層３００のヤング率がＰＥＴの１／１００である場合を前提にする。グラフのｘ軸はＰＥＴのヤング率比の基板４００のヤング率の比率を示す。例えば、Ｅ＋１は１０倍、Ｅ＋２は１００倍、Ｅ−１は１／１０倍、Ｅ−２は１／１００倍を意味する。実線の場合は基板４００の厚さが２５μｍである場合であり、点線の場合は基板４００の厚さが２００μｍである場合のシミュレーション結果である。ｔｏｐで表記された部分は第１ストレインゲージ４５１に対するシミュレーション結果であり、ｂｏｔで表記された部分は第２ストレインゲージ４５２に対するシミュレーション結果である。第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２に対するシミュレーション結果を一つに統合して分析すれば、Ｅ＋２以降にＺ変位が減少するもので示されているので（図７ｄ参照）、基板４００が過度に堅い場合（例えば、基板４００のヤング率がＰＥＴ比の１００倍以上）にはタッチ圧力の検出感度が悪く、基板４００が非常に堅くて押せないと分析することができる。それゆえに、基板４００が過度に堅いものは、タッチ圧力の検出感度に悪影響を及ぼす。
【０１６２】
図７ｅを参照すると、圧力センサ層４５０に含まれた基板４００のヤング率を変化させながらシミュレーションした結果が示されている。ここでは、ガラス層２００Ｂのヤング率がＰＥＴのヤング率の１０倍であることを前提にして、接着層３００のヤング率がＰＥＴの１／１０である場合を前提にする（図７ａないし図７ｄにおけるシミュレーションと相違点）。グラフのｘ軸はＰＥＴのヤング率比の基板４００のヤング率の比率を示す。例えば、Ｅ＋１は１０倍、Ｅ＋２は１００倍、Ｅ−１は１／１０倍、Ｅ−２は１／１００倍を意味する。図７ｅのシミュレーション結果は基板４００の厚さが２５μｍである場合に対して示されている。ｔｏｐで表記された部分は第１ストレインゲージ４５１に対するシミュレーション結果であり、ｂｏｔで表記された部分は第２ストレインゲージ４５２に対するシミュレーション結果である。第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２に対するシミュレーション結果を一つに統合して分析すれば、基板４００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０以下、すなわち、接着層３００のヤング率以下である場合には、タッチ圧力に対する検出感度がほぼ０に収斂することが分かる。したがって、図７ｅを参照すると、基板４００のヤング率が接着層３００のヤング率より大きくてはじめてタッチ圧力に対する検出感度が存在することが分かる。
【０１６３】
図８ａないし図８ｃを参照すると、接着層３００のヤング率を変化させながらシミュレーションした結果が示されている。ここでは、ガラス層２００Ｂのヤング率がＰＥＴのヤング率の１０倍であることを前提にして、基板４００はＰＥＴである場合を前提にする。グラフのｘ軸はＰＥＴのヤング率比の接着層３００のヤング率の比率を示す。例えば、Ｅ＋１は１０倍、Ｅ＋２は１００倍、Ｅ−１は１／１０倍、Ｅ−２は１／１００倍を意味する。実線の場合は基板４００の厚さが２５μｍである場合であり、点線の場合は基板４００の厚さが２００μｍである場合のシミュレーション結果である。ｔｏｐで表記された部分は第１ストレインゲージ４５１に対するシミュレーション結果であり、ｂｏｔで表記された部分は第２ストレインゲージ４５２に対するシミュレーション結果である。第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２に対するシミュレーション結果を一つに統合して分析すれば、基板４００の厚さが厚いほど抵抗変化量の絶対値が大きく、これは、タッチ圧力の検出感度が大きいことを意味する。接着層３００のヤング率が小さくなってＥ−３である場合より接着層３００のヤング率が小さい場合に第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２の方向性の変化が示されることが分かる。
【０１６４】
図９ａないし図９ｃを参照すると、接着層３００の厚さを変化させながらシミュレーションした結果が示されている。図９ａでは、接着層３００のヤング率がＰＥＴの１／１０である場合に接着層３００の厚さを変化させながらシミュレーションした結果が示されており、図９ｂでは、接着層３００のヤング率がＰＥＴの１／１００である場合に接着層３００の厚さを変化させながらシミュレーションした結果が示されており、図９ｃでは、接着層３００のヤング率がＰＥＴの１／１０,０００である場合に接着層３００の厚さを変化させながらシミュレーションした結果が示されている。図９ａないし図９ｃを参照すると、接着層３００の厚さに関係なく、タッチ圧力の検出感度は実質的に同一であることが分かる。このような結果を分析すると、接着層３００の場合には厚さよりはヤング率に影響を多く受けると言える。
【０１６５】
図１０は、本発明の他の実施形態によるタッチ入力装置の一部を概略的に示した断面図である。
【０１６６】
図１０を参照すると、本発明の他の実施形態によるタッチ入力装置１０００は、ディスプレイモジュール２００とディスプレイモジュール２００の下部に配置された圧力センサ層４５０を含み、ディスプレイモジュール２００と圧力センサ層４５０との間に第１接着層３００が存在して圧力センサ層４５０をディスプレイモジュール２００に接着させることができる。
【０１６７】
そして、圧力センサ層４５０の下部には基板補強用物質層５００が配置され、圧力センサ層４５０と基板補強用物質層５００との間には第２接着層３０１が存在して、圧力センサ層４５０と基板補強用物質層５００とを接着させることができる。基板補強用物質層５００は、例えば、ステンレス鋼（SUS）、ゴム（rubber）などの物質で形成されてもよい。
【０１６８】
圧力センサ層４５０は、基板４００の上面に第１ストレインゲージ４５１が形成され、基板４００の下面に第２ストレインゲージ４５２が形成された構造を含んでもよい。この時、第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２は、基板４００の反対面に互いに対応する位置に形成されてもよく、実施形態により、第１ストレインゲージ４５１は基板４００の上面に複数個形成され、第２ストレインゲージ４５２は基板４００の下面に複数個形成されてもよい。また、基板４００において、互いに対応する位置に形成された第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２は電気的に連結されてもよい。
【０１６９】
第１接着層３００と第２接着層３０１は同一物質で形成されてもよいが、第１接着層３００のヤング率は第２接着層３０１のヤング率より小さいこともある。
【０１７０】
本発明の実施形態によるタッチ入力装置１０００において、ディスプレイモジュール２００に圧力が印加されればディスプレイモジュール２００が撓み、このようなディスプレイモジュール２００の撓みによって第１ストレインゲージ４５１と第２ストレインゲージ４５２それぞれの電気的特性（例えば、抵抗値）が変化し、この時、基板４００のヤング率（Young's Modulus）は接着層３００のヤング率より大きく、５００ＧＰａより小さいこともある。
【０１７１】
本発明による技術的思想は、シミュレーション結果によって証明される結果であり、基板４００のヤング率が接着層３００のヤング率以下である場合にはタッチ圧力を検出する感度が著しく低く、基板４００のヤング率が接着層３００のヤング率より大きければタッチ圧力を検出する感度が増加して、５００ＧＰａ以上ではタッチ圧力を検出する感度が少しずつ減少することになる。
【０１７２】
図１１を参照すると、基板補強用物質層５００の厚さを変化させながらシミュレーションした結果が示されている。グラフのｘ軸は基板補強用物質層５００の厚さを示す。図１１を参照して分析すると、基板補強用物質層５００の厚さが変わってもタッチ圧力の検出感度には影響を及ぼさないことが分かる。
【０１７３】
図１２を参照すると、第１接着層３００と第２接着層３０１は同一物質で形成されていることを前提にして、第１接着層３００と第２接着層３０１のヤング率を共に変化させながらシミュレーションした結果が示されている。グラフのｘ軸はＰＥＴのヤング率比の第１接着層３００または第２接着層３０１のヤング率の比率を示す。例えば、Ｅ＋１は１０倍、Ｅ＋２は１００倍、Ｅ−１は１／１０倍、Ｅ−２は１／１００倍を意味する。図１２を参照して分析すると、基板補強用物質層５００を付着する面の接着層（すなわち、第２接着層３０１）のヤング率はタッチ圧力の検出感度には影響を及ぼさないことが分かる。
【０１７４】
以下では、第１接着層３００と第２接着層３０１のヤング率が互いに異なるという前提の下にシミュレーションした結果について説明する。
【０１７５】
図１３を参照すると、ケース１の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１２５.０１０７である。
【０１７６】
ケース２の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１２１.２１６３である。
【０１７７】
ケース３の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０,０００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１１８.９１７４である。
【０１７８】
ケース４の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０,０００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１００の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１３５.４３０４である。
【０１７９】
図１３を参照して分析すると、第１接着層３００のヤング率が第２接着層３０１のヤング率より小さい場合に、タッチ圧力に対する検出感度や方向性確保面で有利であることが分かる。
【０１８０】
図１４を参照すると、ケース１の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０,０００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１１８.９２である。
【０１８１】
ケース２の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０,０００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１００の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１３５.４３である。
【０１８２】
ケース３の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０,０００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１,０００の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１３２.８２である。
【０１８３】
ケース４の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０,０００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０,０００の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１２１.９８である。
【０１８４】
図１４を参照して分析すると、第１接着層３００のヤング率が第２接着層３０１のヤング率より小さい場合（好ましくは、第１接着層３００のヤング率が第２接着層３０１のヤング率より１／１００程度）に、タッチ圧力に対する検出感度や方向性確保面で有利なことが分かる。
【０１８５】
図１５及び図１６は、第１接着層と第２接着層との間のヤング率の比率を固定した場合にシミュレーションした結果を示したグラフである。
【０１８６】
図１５を参照すると、ケース１の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１２１.２１６３である。
【０１８７】
ケース２の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１,０００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１００の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１３５.５１５０である。
【０１８８】
ケース３の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０,０００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１,０００の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１３２.８１６４である。
【０１８９】
図１６を参照すると、ケース１の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１,０００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１２０.１５８８である。
【０１９０】
ケース２の場合は、第１接着層３００のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１０,０００であり、第２接着層３０１のヤング率がＰＥＴのヤング率の１／１００の場合である。この時、タッチ圧力に対する検出感度は１３５.４３０４である。
【０１９１】
図１５及び図１６を参照して分析すると、タッチ圧力に対する検出感度は、第２接着層３０１のヤング率に影響をより多く受けることが分かる。
【０１９２】
図１７及び図１８は、基板補強用物質層の厚さを変化させながらシミュレーションした結果を示したグラフである。
【０１９３】
図１７を参照すると、第１接着層３００のヤング率はＰＥＴのヤング率の１／１００であり、第２接着層３０１のヤング率はＰＥＴのヤング率の１／１０の場合である。この時、基板補強用物質層５００の厚さを変化させる場合、すなわち、基板補強用物質層５００の厚さが５０μｍである場合にはタッチ圧力に対する検出感度は１３１.０３であり、基板補強用物質層５００の厚さが８０μｍである場合にはタッチ圧力に対する検出感度は１２５.２７であり、基板補強用物質層５００の厚さが１００μｍである場合にはタッチ圧力に対する検出感度は１２１.２２であり、基板補強用物質層５００の厚さが１５０μｍである場合にはタッチ圧力に対する検出感度は１１２.４８である。
【０１９４】
図１８を参照すると、第１接着層３００のヤング率はＰＥＴのヤング率の１／１０,０００であり、第２接着層３０１のヤング率はＰＥＴのヤング率の１／１０の場合である。この時、基板補強用物質層５００の厚さを変化させる場合、すなわち、基板補強用物質層５００の厚さが５０μｍである場合にはタッチ圧力に対する検出感度は１２７.２４であり、基板補強用物質層５００の厚さが８０μｍである場合にはタッチ圧力に対する検出感度は１２１.８７であり、基板補強用物質層５００の厚さが１００μｍである場合にはタッチ圧力に対する検出感度は１１８.９２であり、基板補強用物質層５００の厚さが１５０μｍである場合にはタッチ圧力に対する検出感度は１０８.９８である。
【０１９５】
図１７及び図１８を参照して分析すると、基板補強用物質層５００の厚さが厚いほどタッチ圧力に対する検出感度は減少し、Ｚ変位が減少することが分かる（すなわち、５０μｍ／１５０μｍにおけるＺ変位の差は１０μｍ）。第１接着層３００と第２接着層３０１のヤング率を互いに異なるように用いる場合、方向性確保が可能か否かは場合によって変わることになる。
【０１９６】
以上において、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の一つの実施形態に含まれ、必ずしも一つの実施形態にのみ限定される訳ではない。さらに、各実施形態において例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野における通常の知識を有する者によって、他の実施形態に対しても組み合わせ又は変形されて実施可能である。したがって、このような組み合わせや変形に関係した内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【０１９７】
また、以上において、実施形態を中心に説明したが、これは単に例示に過ぎず、本発明を限定する訳ではなく、本発明が属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性を外れない範囲で、以上に例示されない様々な変形と応用が可能であることが分かるはずである。例えば、実施形態に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る相違点は、添付の請求の範囲において規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１９８】
前記構成によるストレインゲージを含む圧力センサ層を用いるタッチ入力装置によれば、タッチ圧力に対する検出感度を向上させることができる。
【０１９９】
また、圧力センサ層の基板の互いに反対面に形成されるストレインゲージそれぞれの方向性確保に有利であるという利点がある。
【図１ａ】
2020534593.tif 000006
【図１ｂ】
2020534593.tif 000007
【図２】
2020534593.tif 000008
【図３ａ】
2020534593.tif 000009
【図３ｂ】
2020534593.tif 000010
【図４ａ】
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【図４ｂ】
2020534593.tif 000012
【図４ｃ】
2020534593.tif 000013
【図４ｄ】
2020534593.tif 000014
【図４ｅ】
2020534593.tif 000015
【図５ａ】
2020534593.tif 000016
【図５ｂ】
2020534593.tif 000017
【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図５ｅ】
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【図５ｆ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図６ｄ】
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【図６ｅ】
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【図６ｆ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図７ｅ】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図９ｃ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９ａ】
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【図１９ｂ】
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【図１９ｃ】
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【図１９ｄ】
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【国際調査報告】
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