(57)【要約】  本発明は、内燃機関の排気ガス中の煤を検出するための抵抗式の粒子センサであって、当該粒子センサは、センサ素子（１１３）を有し、センサ素子（１１３）は、粒子量を抵抗によって検出するための２つの導体路（２５，２６）を有し、２つの導体路（２５，２６）は、センサ素子（１１３）のうちの排気ガスに暴露可能な領域において相互に離間して延在しており、導体路（２５，２６）同士は、静電容量（３０，３１）を介して相互に接続されており、導体路（２５，２６）同士は、センサ素子（１１３）のうちの排気ガスに暴露可能な領域においてメアンダ構造（２５２，２６２）の形態で相互に平行に延在している、抵抗式の粒子センサに関する。
2020520459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関の排気ガス中の煤を検出するための抵抗式の粒子センサであって、
当該粒子センサは、センサ素子（１１３）を有し、
前記センサ素子（１１３）は、粒子量を抵抗によって検出するための２つの導体路（２５，２６）を有し、
前記２つの導体路（２５，２６）は、前記センサ素子（１１３）のうちの排気ガスに暴露可能な領域において相互に離間して延在しており、
前記導体路（２５，２６）同士は、静電容量（３０，３１）を介して相互に接続されており、
前記導体路（２５，２６）同士は、前記センサ素子（１１３）のうちの前記排気ガスに暴露可能な領域においてメアンダ構造（２５２，２６２）の形態で相互に平行に延在している、
抵抗式の粒子センサ。
【請求項２】
前記導体路（２５，２６）は、分岐のない導体路（２５，２６）であり、
前記導体路（２５，２６）は、それぞれ、前記センサ素子（１１３）のコンタクトのための、前記排気ガスに暴露可能な領域の外側に配置されたコンタクト面（２５１，２６１）を起点として、当該コンタクト面（２５１，２６１）から前記センサ素子（１１３）のうちの前記排気ガスに暴露可能な領域へと導かれており、
前記排気ガスに暴露可能な領域では、前記導体路（２５，２６）が、それぞれメアンダ構造（２５２，２６２）の形態で延在しており、続いて、前記排気ガスに暴露可能な領域から再び出て、前記センサ素子（１１３）のコンタクトのための別のコンタクト面（２５６，２６６）へと導かれており、
前記導体路（２５，２６）は、２つの前記別のコンタクト面（２５６，２６６）を介して前記静電容量（３０，３１）を介して相互に接続されている、
請求項１に記載の抵抗式の粒子センサ。
【請求項３】
前記静電容量（３０，３１）は、前記粒子センサ（１１０）内、特に前記粒子センサ（１１０）のハウジング内において前記センサ素子（１１３）とは別個に配置されたコンデンサ（３１）である、
請求項１又は２に記載の抵抗式の粒子センサ。
【請求項４】
前記粒子センサは、ケーブル（３０１）及び／又は差込接続部（３０２）を介して制御装置（３０３）に電気的に接続可能であり、
前記静電容量（３０，３１）は、前記ケーブル（３０１）内及び／又は前記差込接続部（３０２）内に配置されたコンデンサ（３１）である、
請求項１又は２に記載の抵抗式の粒子センサ。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の抵抗式の粒子センサ（１１０）と、ケーブル（３０１）及び／又は差込接続部（３０２）を介して前記粒子センサ（１１０）に電気的に接続された制御装置（３０３）とを含む、粒子センサユニットにおいて、
前記静電容量（３０，３１）は、前記制御装置（３０３）内に配置されたコンデンサ（３１）である、
ことを特徴とする、粒子センサユニット。
【請求項６】
前記導体路（２５，２６）は、分岐のない導体路（２５，２６）であり、
前記導体路（２５，２６）は、それぞれ、前記センサ素子（１１３）のコンタクトのための、前記排気ガスに暴露可能な領域の外側に配置されたコンタクト面（２５１，２６１）を起点として、当該コンタクト面（２５１，２６１）から前記センサ素子（１１３）のうちの前記排気ガスに暴露可能な領域へとそれぞれ導かれており、前記排気ガスに暴露可能な領域では、メアンダ構造（２５２，２６２）の形態で延在しており、続いて、前記静電容量（３０）へと導かれている、
請求項１に記載の抵抗式の粒子センサ。
【請求項７】
前記静電容量（３０）は、前記センサ素子（１１３）のうちの前記排気ガスに暴露可能な領域の外側で、前記センサ素子（１１３）の表面上に配置されており、及び／又は、完全に又は部分的に前記センサ素子（１１３）の内部に配置されている、
請求項６に記載の抵抗式の粒子センサ。
【請求項８】
前記静電容量（３０）は、上下に重なり合って配置された２つの金属製の完全面状の層（２５４，２６４）と、前記２つの金属製の完全面状の層（２５４，２６４）の間に配置された絶縁層（２７）とからなる、
請求項６又は７に記載の抵抗式の粒子センサ。
【請求項９】
前記静電容量（３０）は、上下に重なり合って配置された２つの金属製の格子又は上下に重なり合って配置された２つの金属製の線構造と、前記２つの金属製の格子又は前記２つの金属製の線構造の間に配置された絶縁層（２７）とからなる、
請求項６又は７に記載の抵抗式の粒子センサ。
【請求項１０】
前記静電容量（３０）は、絶縁体上に隣り合って配置され、櫛状に相互に噛み合っており、かつ、相互に離間した２つの金属製の構造（２５４，２６４）からなる、
請求項６又は７に記載の抵抗式の粒子センサ。
【請求項１１】
前記静電容量（３０）は、前記センサ素子（１１３）に被着された保護層によって被覆される、
請求項１０に記載の抵抗式の粒子センサ。
【請求項１２】
前記静電容量（３０，３１）の値は、５０乃至８００ｐＦ（ピコファラド）である、
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の抵抗式の粒子センサ。
【請求項１３】
請求項１０又は１１に記載の抵抗式の粒子センサを製造するための方法であって、
絶縁体上に隣り合って配置され、櫛状に相互に噛み合っている前記２つの金属製の構造は、レーザ放射によって相互に分離されており、
前記静電容量（３０）の値を、調整し、特に制御する、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
従来技術
米国特許出願公開第２０１２／０１１９７５９号明細書から、内燃機関の排気ガス中の煤を検出するための抵抗式の粒子センサであって、当該粒子センサは、センサ素子を有し、センサ素子は、粒子量を抵抗によって検出するための２つの導体路を有し、２つの導体路は、センサ素子のうちの排気ガスに暴露可能な領域において相互に離間して延在している、抵抗式の粒子センサが既に公知である。
【０００２】
この際には、これらの導体路の間の導電率を用いて粒子量が検知される。
【背景技術】
【０００３】
排気ガス中の煤の不在と、粒子センサの完全性の欠如とを区別することができるようにするために、従来技術によれば、導体路同士を相互に接続する１つの抵抗器が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１２／０１１９７５９号明細書
【特許文献２】米国特許第８８６０４３９号明細書
【特許文献３】独国特許出願公開第１０１３３３８４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この配置構成の欠点は、導体路同士の間に粒子量が存在していて、その結果として導体路同士の間に導電性の接続が形成されている場合には、粒子センサの完全性を一義的に判断することがもはや不可能であるということである。
【０００６】
同様にして、米国特許第８８６０４３９号明細書からも、内燃機関の排気ガス中の煤を検出するための抵抗式の粒子センサであって、当該粒子センサは、センサ素子を有し、センサ素子は、粒子量を抵抗によって検出するための２つの導体路を有し、２つの導体路は、センサ素子のうちの排気ガスに暴露可能な領域において相互に離間して延在している、抵抗式の粒子センサが公知である。これらの導体路は、それぞれ「プレート導体（plate conductors）」に接続されており、センサ素子のうちの排気ガスに暴露可能な領域において直線状に相互に離間されて延在している。従って、導体路同士の間の相互作用領域は、比較的短い。粒子センサの感度も、これに応じて低くなっている。
【０００７】
独国特許出願公開第１０１３３３８４号明細書からは、別の抵抗式の粒子センサが公知であり、当該粒子センサは、粒子量を抵抗によって検出するための櫛形の導体路と、センサ素子に組み込まれ、櫛形の導体路に電気的に接続されたプレートコンデンサとを有する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
発明の開示
本発明に係る粒子センサは、静電容量を介して相互に接続された導体路を有する。こうすることによって、粒子センサの完全性を判断することが可能となる。
【０００９】
本発明によれば、導体路同士が、感受性を有する領域においてメアンダ構造の形態で相互に平行に延在している。特に本出願の文脈における導体路とは、特に局所的に長手方向の拡がりを有すると共に、この長手方向の拡がりに対して相互に垂直に、横方向の拡がり及び高さ方向の拡がりを有する金属製の構造を意味するものと理解されるべきであり、なお、長手方向の拡がりは、特に横方向の拡がり及び高さ方向の拡がりよりも格段に大きい。
【００１０】
特に本出願の文脈における相互に平行に延在している導体路又は導体路区分とは、長手方向の拡がりが局所的に同じ方向を向いている導体路又は導体路区分を意味すると理解されるべきである。
【００１１】
特に本出願の文脈におけるメアンダの形態で延在している導体路とは、特に相互に平行又は実質的に平行に延在している少なくとも２つ、好ましくは少なくとも３つ又は少なくとも４つの導体路区分を有する導体路を意味すると理解されるべきであり、特に隣り合う導体路区分の間には、特に１５０°乃至２１０°の角度を有する曲線である、導体路の方向転換部が配置されている。
【００１２】
特に本出願の文脈における静電容量とは、特に上述した導体路とは異なる、相互に絶縁された２つの電気的な導体からなる構造を意味すると理解されるべきである。本発明の意味における静電容量を評価するために、相互に絶縁された２つの電気的な導体は、特に電位差が１ボルトである場合に電荷量５０乃至８００ｐＣ（ピコクーロン）を蓄積することが可能となるように構成されており、かつ、相互に離間されている。換言すれば、静電容量の値は、特に５０乃至８００ｐＦ（ピコファラド）である。
【００１３】
さらに、静電容量の値が１００ｐＦ以上及び／又は４００ｐＦ以下であれば、特に好ましい。
【００１４】
特に本出願の文脈におけるセンサ素子のコンタクトのためのコンタクト面とは、導体路のうちの、導体路の横方向の拡がりが特に増大されている領域、例えば端部領域を意味すると理解されるべきである。
【００１５】
特に本出願の文脈におけるコンデンサとは、特に少なくとも基本的に、センサ素子とは別個に、特に別々に取り扱い可能である電子部品を意味すると理解されるべきである。
【００１６】
本発明の実施形態によれば、導体路は、分岐のない導体路であり、導体路は、それぞれ、センサ素子のコンタクトのための、排気ガスに暴露可能な領域の外側に配置されたコンタクト面を起点として、当該コンタクト面からセンサ素子のうちの排気ガスに暴露可能な領域へと導かれており、排気ガスに暴露可能な領域では、導体路が、それぞれメアンダ構造の形態で延在しており、続いて、排気ガスに暴露可能な領域から再び出て、センサ素子のコンタクトのための別のコンタクト面へと導かれており、導体路は、２つの別のコンタクト面を介して静電容量を介して相互に接続されている。
【００１７】
この場合には有利には、静電容量は、それ自体が一般的な電子部品として利用可能であるコンデンサであってよく、このコンデンサを簡単に、粒子センサのハウジング内においてセンサ素子とは別個に配置することができ、粒子センサに接続されたケーブル内に配置することができ、粒子センサに接続された差込接続部内に配置することができ、及び／又は、粒子センサに接続された制御装置内に配置することができる。
【００１８】
本発明の他の実施形態によれば、導体路は、分岐のない導体路であり、導体路は、それぞれ、センサ素子のコンタクトのための、排気ガスに暴露可能な領域の外側に配置されたコンタクト面を起点として、当該コンタクト面からセンサ素子のうちの排気ガスに暴露可能な領域へとそれぞれ導かれており、排気ガスに暴露可能な領域では、メアンダ構造の形態で延在しており、続いて、静電容量へと導かれている。
【００１９】
特に、静電容量は、完全に又は部分的にセンサ素子のうちの排気ガスに暴露可能な領域に配置されており、特に、センサ素子の表面上に配置されており、及び／又は、完全に又は部分的にセンサ素子の内部に配置されている。この場合には、導体路を特に短くすることができる。
【００２０】
代替的に、特に、静電容量は、完全に又は部分的にセンサ素子のうちの排気ガスに暴露可能な領域の外側に配置されており、特に、センサ素子の表面上に配置されており、及び／又は、完全に又は部分的にセンサ素子の内部に配置されている。この場合には、静電容量が、高温又は大きい温度変動にさほど暴露され得なくなる。
【００２１】
特に、静電容量は、上下に重なり合って配置された２つの金属製の完全面状の層と、２つの金属製の完全面状の層の間に配置された絶縁層とからなる。この場合には、静電容量の値が特に高くなる。
【００２２】
代替的に、金属製の完全面状の層の代わりに、特に金属製の格子又は金属製の線構造を使用することができる。この場合には、静電容量の過圧性能がより良好になる。
【００２３】
それぞれ、２つの金属製の完全面状の層のうちの一方、又は、２つの金属製の格子のうちの一方、又は、２つの金属製の線構造のうちの一方を、センサ素子の表面において露出させ、その一方で、これら一方の部材と絶縁層とによってそれぞれの他方の部材を被覆することが可能である。代替的に、静電容量を、完全にセンサ素子の内部に配置することも可能であり、センサ素子が平面状のフィルムから構成されている場合には、このようなフィルムの間に例えば完全に配置することも可能である。この場合には、導体路は、好ましくは、少なくとも１つのそのようなフィルムを貫通するビアを含む。
【００２４】
代替的な実施形態では、特に、静電容量は、絶縁体上に隣り合って配置され、櫛状に相互に噛み合っており、かつ、相互に離間した２つの金属製の構造からなる。
【００２５】
この静電容量を、特に、センサ素子に被着された保護層によって被覆することができる。この静電容量は、例えば、絶縁体上に相互に隣り合って配置され、櫛状に相互に噛み合っている２つの金属製の構造を、例えば厚膜技術で、まず始めに途切れ目なく生成し、その後、例えばレーザ放射によって相互に分離することによって製造することができる。この場合には、静電容量の値を調整すること、特に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１の実施例による本発明に係る粒子センサの概要を示す図である。
【図２】第１の実施形態における図１の粒子センサのセンサ素子を示す図である。
【図３】第２の実施形態における図１の粒子センサのセンサ素子を示す図である。
【図４】第２の実施例による粒子センサのセンサ素子を示す図である。
【図５】図５ａ，図５ｂ，図５ｃ及び図５ｄは、第２の実施例の複数の異なる実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
実施形態
図１は、本発明に係る粒子センサ１１０の概要を、粒子センサ１１０の長手軸線に沿った断面図で示す。この粒子センサ１１０は、貫通孔１１２を有する金属製のハウジング１１１を有し、このハウジング１１１内ではセラミック製のセンサ素子１１３が、シールパッキング１３１と、排気ガス側の絶縁スリーブ１３２及びコンタクト側の絶縁スリーブ１１４とによって固定されている。センサ素子のコンタクト側の端部領域２３２には、例えば４乃至６個のコンタクトばね１１５が押し付けられており、これらのコンタクトばね１１５自体は、コンタクトホルダ２１４内に保持されている。保護スリーブ１１６は、排気ガスとは反対の側においてシーリンググロメット１２２によって閉鎖されており、コンタクトばね１１５に電気的に接続された絶縁導体１２３が、このシーリンググロメット１２２を貫通して導かれている。
【００２８】
金属製のハウジング１１１の、排気ガスの方を向いた側では、２つの同軸の保護管１４１，１４２が、１つの共通の周状の溶接シーム１６０によってハウジング１１１の排気ガス側のカラー部１６１に固定されている。保護管１４１，１４２は、開口部を有しており、センサ素子の排気ガス側の端部領域２３３を覆っている。従って、センサ素子のこの排気ガス側の端部領域２３３は、センサ素子１１３のうちの排気ガスに暴露可能な領域である。これに対して、センサ素子のコンタクト側の端部領域２３２は、本発明の意味において排気ガスに暴露不可能な領域である。
【００２９】
排気系統に取り付けられるように粒子センサ１１０は、雄型ねじ１５１と、雄型六角成形部１５２とを有する。
【００３０】
図２は、第１の実施形態における図１の粒子センサ１１０のセンサ素子１１３を示す。センサ素子は、電気絶縁性セラミックとして構成されており、センサ素子の表面上に２つの導体路２５，２６を有し、これら２つの導体路２５，２６は、排気ガス側の端部領域２３３においてメアンダ構造２５２，２６２の形態で相互に平行に離間して延在している。
【００３１】
より詳細には、２つの導体路２５，２６は、それぞれ分岐がないように構成されており、それぞれ、センサ素子のコンタクト側の端部領域２３２に配置された、センサ素子１１３のコンタクトのために使用されるコンタクト面２５１，２６１を起点として、当該コンタクト面２５１，２６１からそれぞれセンサ素子の排気ガス側の端部領域２３３まで延在している。センサ素子の排気ガス側の端部領域２３３では、導体路２５，２６は、それぞれメアンダ構造２５２，２６２の形態で相互に平行に離間して延在しており、その後、続いて導体路２５，２６は、それぞれ給電線区分２５３，２６３において、コンタクト側の端部領域２３２に配置された静電容量素子２５４，２６４へとそれぞれ導かれている。２つの静電容量素子２５４，２６４は、完全面状に形成され、上下に重なり合って配置され、かつ、電気絶縁層２７によって相互に分離された導体路要素である。２つの静電容量素子２５４，２６４と絶縁層２７とが静電容量３０を形成しており、この静電容量３０の値は、この例では、１５０ｐＦ（ピコファラド）、２００ｐＦ、又は、３００ｐＦであり得る。
【００３２】
センサ素子１１３はさらに、センサ素子１１３の内部と、図２には図示されていない裏側とに、センサ素子１１３を加熱及び温度制御するための導体路構造を有する。
【００３３】
代替的に、給電線区分２５３，２６３をそれぞれ短縮して、静電容量３０と共に静電容量素子２５４，２６４を、排気ガスに暴露可能な領域、又は、排気ガス側の端部領域２３３に配置することも可能であり、及び／又は、給電線区分２５３，２６３と静電容量素子２５４，２６４との間に、センサ素子１１３の内部に通じるビアをそれぞれ設けて、これによって静電容量３０を、センサ素子１１３の内部に配置することも可能であり、ここでは、静電容量３０が経年劣化から良好に保護されている。
【００３４】
追加的又は代替的に、静電容量素子２５４，２６４を金属製の完全面として設けるのではなく、金属製の格子及び／又は金属製の線構造として設けることも可能である。
【００３５】
図３は、第２の実施形態における図１の粒子センサ１１０のセンサ素子１１３を示す。センサ素子１１３は、電気絶縁性セラミックとして構成されており、センサ素子１１３の表面上に２つの導体路２５，２６を有し、これら２つの導体路２５，２６は、排気ガス側の端部領域２３３においてメアンダ構造２５２，２６２の形態で相互に平行に離間して延在している。
【００３６】
より詳細には、２つの導体路２５，２６は、それぞれ分岐がないように構成されており、それぞれ、センサ素子のコンタクト側の端部領域２３２に配置された、センサ素子１１３のコンタクトのために使用されるコンタクト面２５１，２６１を起点として、当該コンタクト面２５１，２６１からそれぞれセンサ素子の排気ガス側の端部領域２３３まで延在している。センサ素子の排気ガス側の端部領域２３３では、導体路２５，２６は、それぞれメアンダ構造２５２，２６２の形態で相互に平行に離間して延在しており、その後、続いて導体路２５，２６は、それぞれ給電線区分２５３，２６３において、コンタクト側の端部領域２３２に配置された静電容量素子２５４，２６４へとそれぞれ導かれている。２つの静電容量素子２５４，２６４は、センサ素子１１３上に隣り合って配置され、櫛状に相互に噛み合っており、かつ、相互に離間した金属製の構造である。２つの静電容量素子２５４，２６４は、センサ素子１１３の絶縁性セラミックと相互作用して静電容量３０を形成しており、この静電容量３０の値は、この例では１５０ｐＦ（ピコファラド）である。
【００３７】
センサ素子１１３はさらに、センサ素子１１３の内部と、図３には図示されていない裏側とに、センサ素子１１３を加熱及び温度制御するための導体路構造を有する。
【００３８】
代替的に、給電線区分２５３，２６３をそれぞれ短縮して、静電容量３０と共に静電容量素子２５４，２６４を、排気ガスに暴露可能な領域、又は、排気ガス側の端部領域２３３に配置することも可能であり、及び／又は、給電線区分２５３，２６３と静電容量素子２５４，２６４との間に、センサ素子１１３の内部に通じるビアをそれぞれ設けて、これによって静電容量３０を、センサ素子１１３の内部に配置することも可能であり、ここでは、静電容量３０が経年劣化から良好に保護されている。代替的に、センサ素子１１３に追加的に被着された被覆層によって、静電容量素子２５４，２６４を保護することも可能である。
【００３９】
本実施形態における静電容量素子２５４，２６４は、例えば、完全面からレーザ切断によって分離することによって製造することが可能である。
【００４０】
図４は、第２の実施例による粒子センサ１１０のセンサ素子１１３を示す。
【００４１】
センサ素子１１３は、電気絶縁性セラミックとして構成されており、センサ素子１１３の表面上に２つの導体路２５，２６を有し、これら２つの導体路２５，２６は、排気ガス側の端部領域２３３においてメアンダ構造２５２，２６２の形態で相互に平行に離間して延在している。
【００４２】
より詳細には、２つの導体路２５，２６は、それぞれ分岐がないように構成されており、それぞれ、センサ素子のコンタクト側の端部領域２３２に配置された、センサ素子１１３のコンタクトのために使用されるコンタクト面２５１，２６１を起点として、当該コンタクト面２５１，２６１からそれぞれセンサ素子の排気ガス側の端部領域２３３まで延在している。センサ素子の排気ガス側の端部領域２３３では、導体路２５，２６は、それぞれメアンダ構造２５２，２６２の形態で相互に平行に離間して延在しており、その後、続いて導体路２５，２６は、それぞれ給電線区分２５３，２６３において、排気ガスに暴露可能な領域の外側に配置された、センサ素子１１３のコンタクトのための別のコンタクト面２５６，２６６へとそれぞれ導かれている。
【００４３】
センサ素子１１３はさらに、センサ素子１１３の内部と、図４には図示されていない裏側とに、センサ素子１１３を加熱及び温度制御するための導体路構造を有する。
【００４４】
図５ａ，図５ｂ，図５ｃ及び図５ｄは、それぞれ粒子センサ１１０からなる粒子センサシステム３００の全体概略図を示し、この粒子センサ１１０は、基本的には図１に図示されているように構成されており、この粒子センサ１１０には、図４に図示されたセンサ素子１１３が組み込まれている。粒子センサ１１０には、ケーブル３０１及び差込接続部３０２を介して制御装置３０３が、例えば内燃機関の機関制御装置が電気的に接続されている。
【００４５】
導体路２５，２６（図４を参照）は、センサ素子１１３の別のコンタクト面２５６，２６６（図４を参照）と、対応するコンタクトばね１１５（図１を参照）とを介して、コンデンサ３１として構成された静電容量３０に電気的に接続されており、この静電容量３０の値は、この例では３００ｐＦ（ピコファラド）である。
【００４６】
コンデンサ３１を、例えば、粒子センサ１１０のハウジング１１１内に、若しくは、粒子センサ１１０のハウジング１１１に固定された保護スリーブ１１６内に（図５ａを参照）配置することができ、又は、コンデンサ３１を、例えば、ケーブル３０１内に（図５ｂを参照）、若しくは、差込接続部３０２内に（図５ｃを参照）、若しくは、制御装置３０３内に（図５ｄを参照）配置することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
2020520459.tif 000009
【図５ｄ】
2020520459.tif 000010
【国際調査報告】
2020520459.tif 000011
2020520459.tif 000012
2020520459.tif 000013
2020520459.tif 000014
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