(57)【要約】  本発明は、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブ並びにその製造方法及び使用に関する。本発明は、次の工程：（１）有機テンプレート、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるＦＡＵ型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と；（２）工程（１）で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析でめっきを行い、有機テンプレートとシリコンの種を次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程とを含む、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブの製造方法を提供する。本発明により提供されるろ液回収再利用方法は、アモルファス物質、劣化物質の次バッチの仕込みへの混入を効果的に回避し、ＡＥＩモレキュラーシーブの仕込み誤差を低減し、得られたＡＥＩモレキュラーシーブに良好な分散性及び相対的高い結晶化度を有させ、ＡＥＩモレキュラーシーブ合成の総収率を向上した。【選択図】図１ａ
2020529964.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程：
（１）有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるＦＡＵ型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
（２）工程（１）で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析でめっきを行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含む、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブの製造方法。
【請求項２】
工程（１）において、前記有機テンプレート剤が単環式又は多環式ピペリジン化合物であり、前記ピペリジン化合物が、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２，６−ジメチルピペリジン、１，１，２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、１，１，２，２，６，６−ヘキサメチル−４−オキソピペリジン、１，１，３，５−テトラメチル−４−オキソピペリジン、１−ヒドロキシ−１，１，２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、１，１−ジメチル−４，４−ジプロポキシピペリジン、３，５−ジメトキシ−１，１−ジメチルピペリジン、３，５−ジヒドロキシ−１，１−ジメチルピペリジン、４−エチル−１，１−ジメチル−３，５−ジオキソピペリジン、１−エチル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、１−エポキシプロピル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン及びＮ，Ｎ−ジメチル−２−エチルピペリジンの中から選ばれる１種又は２種以上である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
工程（１）において、前記ＦＡＵ型アルミノシリケートモレキュラーシーブがＹゼオライト及びＸゼオライトの中から選ばれる１種であり、好ましくは、前記Ｙゼオライトが、ＨＹゼオライト、ＵＳＹゼオライト及びＮａＹゼオライトの中から選ばれる１種であり、前記Ｘゼオライトが、ＮａＸゼオライト、ＫＸゼオライト及びＨＸゼオライトの中から選ばれる１種である、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
工程（１）において、前記水熱結晶化が２段階に分けて行なわれ：（１）第１段階の結晶化温度は１２０〜１５０℃、好ましくは１３０〜１５０℃であり；（２）第２段階の結晶化温度は１５０〜２００℃、好ましくは１６０〜１９０℃である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
工程（１）において、前記水熱結晶化が２段階に分けて行なわれ：（１）第１段階の結晶化時間は０．５〜３．０日、好ましくは０．５〜２．０日であり；（２）第２段階の結晶化時間は０．５〜６．０日、好ましくは１．０〜５．０日である、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
工程（１）において、原料として追加的なケイ素源を添加し、前記追加的なケイ素源が、ホワイトカーボンブラック、マクロポーラスシリカゲル、Ｃ型シリカゲル、Ａ型シリカゲル、薄層クロマトグラフィーシリカゲル、B型シリカゲル、メタケイ酸ナトリウム、シリカゾル、水ガラス、アルキルシリケート及び珪藻土の中から選ばれる１種又は２種以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
工程（１）において、前記アルカリ液が、ＮａＯＨ、Ｎａ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ２及びＫＯＨの中から選ばれる１種又は２種以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
工程（１）において、前記ケイ素源、アルミニウム源、アルカリ液、テンプレート剤及び水のモル比が、１．０：０．００８３３〜０．１６６７：０．１〜０．５：０．０５〜０．５：１０〜５０、好ましくは１．０：０．０１２１〜０．０４１７：０．２２〜０．３６：０．０８〜０．２０：１５〜２５である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
工程（２）において、前記電気透析が、４コンパートメント３膜電気透析、３コンパートメント２膜電気透析又は２コンパートメント１膜電気透析の中から選ばれる１種である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
工程（２）において、前記バイポーラ膜が、陽イオン交換層、界面親水層及び陰イオン交換層を複合してなるものである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法により製造されたＡＥＩ構造モレキュラーシーブ。
【請求項１２】
シリカとアルミナとの分子モル比が、５〜１００、好ましくは１０〜８０である請求項１１に記載のＡＥＩ構造モレキュラーシーブ。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法により製造されたＡＥＩ構造モレキュラーシーブ又は請求項１１若しくは１２に記載のＡＥＩ構造モレキュラーシーブを金属塩溶液でイオン交換して得られたＮＯＸ選択的接触還元触媒。
【請求項１４】
前記金属塩が、銅、鉄、コバルト、タングステン、ニッケル、亜鉛、モリブデン、バナジウム、スズ、チタン、ジルコニウム、マンガン、クロム、ニオブ、ビスマス、アンチモン、ルテニウム、ゲルマニウム、パラジウム、インジウム、白金、金又は銀の可溶性塩の中から選ばれる１種又は２種以上である、請求項１３に記載の選択的接触還元触媒。
【請求項１５】
前記金属塩が、銅塩又は鉄塩の中から選ばれ、好ましくは銅塩である、請求項１４に記載の選択的接触還元触媒。
【請求項１６】
前記銅塩が硝酸銅、塩化銅、酢酸銅及び硫酸銅の中から選ばれる１種又は２種以上であり、前記銅塩の銅イオンの濃度が０．１〜１．５ｍｏｌ／Ｌである、請求項１５に記載の選択的接触還元触媒。
【請求項１７】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法により製造されたＡＥＩ構造モレキュラーシーブ又は請求項１１若しくは１２に記載のＡＥＩ構造モレキュラーシーブを金属塩溶液に加えて、ＮＯＸ選択的接触還元触媒を得た、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の選択的接触還元触媒の製造方法。
【請求項１８】
多孔質規則性材料に、得られたＮＯＸ選択的接触還元触媒をバインダーを用いて付着させる工程をさらに含む、請求項１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記バインダーが、シリカゾル、水ガラス、擬ベーマイト及びアルミナゾルの中から選ばれる１種又は２種以上である、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記多孔質規則性材料が、ハニカム形状、板形状及び波形状の中から選ばれる１種である、請求項１８又は１９に記載の製造方法。
【請求項２１】
前記多孔質規則性材料が、コージェライト、α−アルミナ、炭化ケイ素、チタン酸アルミニウム、窒化ケイ素、ジルコニア、ムライト、スポジュメン、アルミナ−シリカ−マグネシア、ケイ酸ジルコニウム又は金属フレークの中から選ばれる１種、好ましくはコージェライトである、請求項１８〜２０のいずれか1項に記載の製造方法。
【請求項２２】
請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の選択的接触還元触媒又は請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の方法により製造された選択的接触還元触媒の、排ガス流れ、好ましくは自動車排ガス流れ浄化のための使用。
【請求項２３】
前記排ガス流れが、モータービークルからの排ガス流れ、好ましくはリーン燃焼エンジンからの排ガス流れ、より好ましくはディーゼルエンジン排ガス流れである、請求項２２に記載の使用。
【請求項２４】
請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の選択的接触還元触媒又は請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の方法により製造された選択的接触還元触媒に、ＮＯＸ及び還元剤を含む自動車排ガス流れを接触させて、ＮＯＸをＮ２とＨ２Ｏに選択的に還元する、排ガス流れの浄化処理方法。
【請求項２５】
前記排気ガス流れを選択的接触還元触媒に接触させる前に、ＮＯＸ含有量を１００重量％とした場合、前記ＮＯ２含有量は、８０重量％以下、好ましくは５〜７０重量％、より好ましくは１０〜６０重量％、更に好ましくは１５〜５５重量％、特に好ましくは２０〜５０重量％である、請求項２４に記載の浄化処理方法。
【請求項２６】
窒素酸化物選択的接触還元触媒又は脱硝触媒である、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の選択的接触還元触媒又は請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の方法により製造された選択的接触還元触媒。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機多孔質材料の合成の分野に関し、さらに詳しくは、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブ並びにその製造方法及び使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡＥＩ構造モレキュラーシーブは、大きなケージを備えた３次元細孔系を有し、８員環を介して細孔径３．８×３．８Åの３次元細孔構造を形成することができ、ケージの構造がＣＨＡモレキュラーシーブと類似し、直径が７．３Åに達した球体を含むことができるケージサイズを有している。４員環を介して連結されている隣接する２つのビス６員環において、ＣＨＡ構造の隣接するビス６員環は空間的に平行であるのに対し、ＡＥＩ構造における２つの隣接するビス６員環は鏡面対称に分布している点で、相違している。このような構造的な相違により、ＡＥＩ構造における８員環細孔の細孔径が小さくなり、触媒活性がより一層高くなり、耐デポジット性がよりよくなる。ＡＥＩアルミノシリケートモレキュラーシーブとシリコアルミノホスフェートモレキュラーシーブの構造はそれぞれ具体的にＳＳＺ−３９とＳＡＰＯ−１８を代表としている。イオン交換又は金属活性成分担持をしたＡＥＩモレキュラーシーブ触媒は、独特の選択的還元反応（ＳＣＲ）活性を示し、窒素酸化物（ＮＯＸ）に対し良好な還元処理性を有する点から、広く注目されている。
【０００３】
窒素酸化物（ＮＯＸ）は、光化学スモッグ、酸性雨及び温室効果などの一連の環境的問題を引き起こし、人間の健康に深刻な被害を与えており、そしてモータービークルの数の増加及び工業の迅速な発展に伴って排出量が日々増加しており、その結果、深刻な生態・環境悪化を招くことがある。従って、ＮＯＸによる汚染問題の解決は危急の課題となっている。目下、ＮＯＸの主要な制御技術は、ＮＨ３選択的酸化還元（ＮＨ３−ＳＣＲ）であり、その重要なのは性能が優れた触媒を選択することであり、これにより、接触反応系全体の成功又は失敗が決定される。
【０００４】
一般に、ＳＣＲ触媒は、通常、担体としてゼオライトにＳＣＲ活性成分を担持することによって製造された結晶構造を持つモレキュラーシーブである。ゼオライトは、かなり規則的な細孔サイズを持つアルミノシリケート結晶材料であり、例えば、βゼオライト、Ｙゼオライト、Ｘゼオライト、フォージャサイト、モルデナイト、エリオナイト、ＺＳＭ−５、ＺＳＭ−８、ＺＳＭ−１１、ＺＳＭ−１２ゼオライトなどを挙げることができ、これらのゼオライトは、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｏなどの金属と交換できるか、又はゼオライト自体は一部のＣｕ、Ｆｅなどの金属を含有している。しかし、上記知られている金属修飾ゼオライト触媒は、窒素酸化物のアンモニア選択的接触還元において、狭い温度範囲で窒素酸化物を除去できるのみであり、２００℃以下で高活性のＮＯｘ除去性能を持たず、水熱安定性が劣り、低温条件下で低い活性を示している。
【０００５】
合成ＡＥＩモレキュラーシーブは、「テンプレート」又は「テンプレート剤」とも称される有機構造指向剤（ＯＳＤＡ）を用いて生産される。一般的に、ＯＳＤＡは、モレキュラーシーブ結晶が周囲に形成される鋳型として機能する。結晶が形成された後、ＯＳＤＡは当該結晶の内部構造から除去され、分子レベルで多孔性のモレキュラーシーブケージが残される。
【０００６】
典型的な合成方法では、固体モレキュラーシーブ結晶が、反応物、ケイ素源、アルミニウム源、アルカリ源及び有機テンプレート剤を含有する反応混合物から沈降する。そのような合成方法は、所望のモレキュラーシーブ結晶化を達成するのに長時間を要するのが通常である。モレキュラーシーブ結晶化が完了すると、モレキュラーシーブの固体生成物がろ過法により回収され、残存している廃液が排出される。この排出された廃液は、苛酷な反応条件によって劣化した未使用の有機テンプレート剤（ＯＳＤＡ）を含有している。
【０００７】
特許文献１では、ＡＥＩモレキュラーシーブ合成後の母液リサイクルにより、シリカ及び／又はＯＳＤＡでの収率を増加するが、母液をそのままリサイクルするため、母液に少量存在している劣化物質及び未結晶のアモルファス生成物が除去されず、製品の品質の不安定を引き起こしやすいので、収率が低いことによる高価及び環境汚染という課題は、解決不能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】中国特許出願公開第１０４５９１２０４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そのため、本発明は、次の工程：
（１）有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるＦＡＵ型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
（２）工程（１）で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析を行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含む、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブの製造方法を提供する。
【００１０】
本発明は、次の工程：
（１）有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるＦＡＵ型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
（２）工程（１）で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析でめっきを行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含む方法により製造されたＡＥＩ構造モレキュラーシーブを提供する。
【００１１】
本発明は、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブを金属塩溶液でイオン交換して得られたＮＯＸ選択的接触還元触媒を提供する。
【００１２】
また、本発明は、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブを金属塩溶液に加えて、ＮＯＸ選択的接触還元触媒を得たＮＯＸ選択的接触還元触媒の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
具体的に説明すると、本発明は、以下の技術方策を提出する。
【００１４】
本発明は、１つの実施形態において、次の工程：
（１）有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるＦＡＵ型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
（２）工程（１）で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析を行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含む、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブの製造方法を提供する。
【００１５】
好ましくは、前記製造方法においては、工程（１）において、前記有機テンプレート剤が単環式又は多環式ピペリジン化合物であり、前記ピペリジン化合物が、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２，６−ジメチルピペリジン、１，１，２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、１，１，２、２，６，６−ヘキサメチル−４−オキソピペリジン、１，１，３，５−テトラメチル−４−オキソピペリジン、１−ヒドロキシ−１，１，２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、１，１−ジメチル−４，４−ジプロポキシピペリジン、３，５−ジメトキシ−１，１−ジメチルピペリジン、３，５−ジヒドロキシ−１，１−ジメチルピペリジン、４−エチル−１，１−ジメチル−３，５−ジオキソピペリジン、１−エチル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、１−エポキシプロピル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン及びＮ，Ｎ−ジメチル−２−エチルピペリジンの中から選ばれる１種又は２種以上である。
【００１６】
好ましくは、前記製造方法においては、工程（１）において、前記ＦＡＵ型アルミノシリケートモレキュラーシーブがＹゼオライト及びＸゼオライトの中から選ばれる１種であり、好ましくは、前記ＹゼオライトがＨＹゼオライト、ＵＳＹゼオライト及びＮａＹゼオライトの中から選ばれる１種であり、前記ＸゼオライトがＮａＸゼオライト、ＫＸゼオライト及びＨＸゼオライトの中から選ばれる１種である。
【００１７】
好ましくは、前記製造方法においては、工程（１）において、前記水熱結晶化が２段階に分けて行なわれ：（１）第１段階の結晶化温度は、１２０〜１５０℃、 好ましくは１３０〜１５０℃であり；（２）第２段階の結晶化温度は、１５０〜２００℃、好ましくは１６０〜１９０℃である。
【００１８】
好ましくは、前記製造方法においては、工程（１）において、前記水熱結晶化が２段階に分けて行なわれ：（１）第１段階の結晶化時間は、０．５〜３．０日、好ましくは０．５〜２．０日であり;（２）第２段階の結晶化時間は、０．５〜６．０日、好ましくは１．０〜５．０日である。
【００１９】
好ましくは、前記製造方法においては、工程（１）において、原料として追加的なケイ素源を添加し、前記追加的なケイ素源が、ホワイトカーボンブラック、マクロポーラスシリカゲル、Ｃ型シリカゲル、Ａ型シリカゲル、薄層クロマトグラフィーシリカゲル、Ｂ型シリカゲル、メタケイ酸ナトリウム、シリカゾル、水ガラス、アルキルシリケート及び珪藻土の中から選ばれる１種又は２種以上である。
【００２０】
好ましくは、前記製造方法においては、工程（１）において、前記アルカリ液が、ＮａＯＨ、Ｎａ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ２及びＫＯＨの中から選ばれる１種又は２種以上である。
【００２１】
好ましくは、前記製造方法においては、工程（１）において、前記ケイ素源、アルミニウム源、アルカリ液、テンプレート剤及び水のモル比が、１．０：０．００８３３〜０．１６６７：０．１〜０．５：０．０５〜０．５：１０〜５０、好ましくは１．０：０．０１２１〜０．０４１７：０．２２〜０．３６：０．０８〜０．２０：１５〜２５である。
【００２２】
好ましくは、前記製造方法においては、工程（２）において、前記電気透析が、４コンパートメント３膜電気透析、３コンパートメント２膜電気透析又は２コンパートメント１膜電気透析の中から選ばれる１種である。
【００２３】
好ましくは、前記製造方法においては、工程（２）において、前記バイポーラ膜が、陽イオン交換層、界面親水層及び陰イオン交換層を複合してなるものである。
【００２４】
本発明は、上記のいずれか１つの製造方法により製造されたＡＥＩ構造モレキュラーシーブを提供する。
【００２５】
好ましくは、前記ＡＥＩ構造モレキュラーシーブにおいては、前記ＡＥＩ構造モレキュラーシーブにおけるシリカとアルミナとの分子モル比が、５〜１００、好ましくは１０〜８０である。
【００２６】
本発明は、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブを金属塩溶液でイオン交換して得られたＮＯＸ選択的接触還元触媒を提供する。
【００２７】
好ましくは、前記ＮＯＸ選択的接触還元触媒においては、前記金属塩が、銅、鉄、コバルト、タングステン、ニッケル、亜鉛、モリブデン、バナジウム、スズ、チタン、ジルコニウム、マンガン、クロム、ニオブ、ビスマス、アンチモン、ルテニウム、ゲルマニウム、パラジウム、インジウム、白金、金又は銀の可溶性塩の中から選ばれる１種又は２種以上である。
【００２８】
好ましくは、前記ＮＯＸ選択的接触還元触媒においては、前記金属塩が、銅塩又は鉄塩の中から選ばれ、好ましくは銅塩である。
【００２９】
好ましくは、前記ＮＯＸ選択的接触還元触媒においては、前記銅塩が硝酸銅、塩化銅、酢酸銅及び硫酸銅の中から選ばれる１種又は２種以上であり、前記銅塩の銅イオンの濃度が０．１〜１．５ｍｏｌ／Ｌである。
【００３０】
本発明は、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブを金属塩溶液に加えて、ＮＯＸ選択的接触還元触媒を得た、選択的接触還元触媒の製造方法を提供する。
【００３１】
好ましくは、前記製造方法においては、多孔質規則性材料に、得られたＮＯＸ選択的接触還元触媒をバインダーを用いて付着させる工程をさらに含む。
【００３２】
好ましくは、前記製造方法においては、前記バインダーが、シリカゾル、水ガラス、擬ベーマイト及びアルミナゾルの中から選ばれる１種又は２種以上である。
【００３３】
好ましくは、前記製造方法においては、前記多孔質規則性材料が、ハニカム形状、板形状及び波形状の中から選ばれる１種である。
【００３４】
好ましくは、前記製造方法においては、前記多孔質規則性材料が、コージェライト、α−アルミナ、炭化ケイ素、チタン酸アルミニウム、窒化ケイ素、ジルコニア、ムライト、スポジュメン、アルミナ−シリカ−マグネシア、ケイ酸ジルコニウム又は金属フレークの中から選ばれる１種、好ましくはコージェライトである。
【００３５】
選択的接触還元触媒の、排ガス流れ、好ましくは自動車排ガス流れ浄化のための使用。
【００３６】
好ましくは、前記使用においては、前記排ガス流れが、モータービークルからの排ガス流れ、好ましくはリーン燃焼エンジンからの排ガス流れ、より好ましくはディーゼルエンジン排ガス流れである。
【００３７】
本発明は、選択的接触還元触媒に、ＮＯＸ及び還元剤を含む自動車排ガス流れを接触させて、ＮＯＸをＮ２とＨ２Ｏに選択的に還元する、排ガス流れの浄化処理方法を提供する。
【００３８】
好ましくは、前記排ガス流れの浄化処理方法においては、前記排気ガス流を選択的接触還元触媒に接触させる前に、ＮＯＸ含有量を１００重量％とした場合、前記ＮＯ２含有量は、８０重量％以下、好ましくは５〜７０重量％、より好ましくは１０〜６０重量％、更に好ましくは１５〜５５重量％、特に好ましくは２０〜５０重量％である。
【００３９】
本発明により提供される選択的接触還元触媒は、窒素酸化物選択的接触還元触媒又は脱硝触媒である。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、次の有益な効果が得られた。本発明により提供される反応ろ液における有機テンプレート剤とシリコンの種とを分離回収する方法は、アモルファス物質、劣化物質の次バッチの仕込みへの混入を効果的に回避し、ＡＥＩモレキュラーシーブの仕込み誤差を低減し、得られたＡＥＩモレキュラーシーブに良好な分散性及び相対的高い結晶化度を有させた。最初の有機テンプレート剤とＦＡＵアルミノシリケートモレキュラーシーブ原料をそのまま用いて水熱結晶化させて得られたＡＥＩモレキュラーシーブの結晶化度１００％に対し、本発明のように反応後のろ液から有機テンプレート剤とシリコンの種を分離して製造されたＡＥＩモレキュラーシーブの相対結晶化度は９５％〜１０５％の範囲にあり、従来技術のように反応させた後のろ液をそのまま補充的な合成原料として反応に用いて得られたモレキュラーシーブの相対結晶化度は５６％〜８９％の範囲にあるから、本発明で得られたＡＥＩモレキュラーシーブの相対結晶化度が、いずれも従来技術で得られたＡＥＩモレキュラーシーブの相対結晶化度よりも顕著に高いことは、明らかであり、かつ本発明は、ＡＥＩモレキュラーシーブの合成の全体的な効率を向上するとともに、収率を大幅に向上しており、本発明によれば、シリカでの総相対収率は、従来技術での総相対収率より遥かに高く、最高で９７％と達することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１ａ】ＡＥＩモレキュラーシーブ合成後のろ液のバイポーラ膜電気分解の模式図。
【図１ｂ】ＡＥＩモレキュラーシーブ合成後のろ液の従来の電気透析の模式図。
【図２】実施例１で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉のＸＲＤパターン。
【図３】実施例５で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉のＸＲＤパターン。
【図４】比較例１で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉のＸＲＤパターン。
【図５】比較例３で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉のＸＲＤパターン。
【図６】比較例５で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉のＸＲＤパターン。
【図７】実施例１で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉のＳＥＭ画像。
【図８】実施例５で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉のＳＥＭ画像。
【図９】比較例１で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉のＳＥＭ画像。
【図１０】比較例３で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉のＳＥＭ画像。
【図１１】比較例５で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉のＳＥＭ画像。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
技術用語「ＡＥＩ」は、国際ゼオライト学会（ＩＺＡ）の構造委員会によって認定されるようにＡＥＩ型骨格を表す。
【００４３】
前述したように、本発明は、次の工程：
（１）有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるＦＡＵ型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
（２）工程（１）で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析を行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含むＡＥＩ構造モレキュラーシーブの製造方法を提供する。
【００４４】
本発明の１つの好ましい具体的な実施形態において、ケイ素源、アルミニウム源、アルカリ源、テンプレート剤及び水をモル比で１．０：０．００８３３〜０．１６６７：０．１〜０．５：０．０５〜０．５：１０〜５０の割合で混合し、水熱結晶化条件下で反応させ、前記水熱結晶化が2段階に分けて行なわれ：（１）第１段階にて、結晶化温度は１２０〜１５０℃、結晶化時間は０．５〜３．０日であり；（２）第２段階にて、結晶化温度は１５０〜２００℃、結晶化時間は０．５〜６．０日であり、その後、反応で得られた生成物をろ過し、ろ液に対し電気透析を行い、有機テンプレート剤と未反応のケイ素源を回収して、次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブ合成に原料を提供する。その中では、前記電気透析は、バイポーラ膜電気透析又は当業者が周知している電気透析から選ばれる。
【００４５】
その中では、前記ろ液はバイポーラ膜を用いて回収され、バイポーラ膜は、新規なイオン交換複合膜であって、通常、陽イオン交換層（Ｎ型膜）と、界面親水層（触媒層）と、陰イオン交換層（Ｐ型膜）とから複合してなる、真の意味での反応膜である。バイポーラ膜は、直流電界の作用により水を解離し、膜両側にそれぞれ水素イオンと水酸基イオンを得ることができる。この特徴を生かして、バイポーラ膜とその他の陰イオン・陽イオン交換膜とを組み合わせてなるバイポーラ膜電気透析システムは、新規な成分を導入せずに水溶液中の塩を対応する酸と塩基に変換することができ、このような方法は、バイポーラ膜電気透析法といわれる。
【００４６】
本発明は、ＡＢＳプラスチックを選択して電解槽を作製し、槽内を若干の等しい部分に分割した後、電解槽内にそれぞれＤＳＡ陽極電極、グラファイト陰極電極を取り付けた。電解槽の陽極と陰極の間には、事前に作製された予備の陰イオン交換膜、陽イオン交換膜及びバイポーラ膜が設けられている。
【００４７】
本発明の好ましい１つの具体的な実施形態において、前記ケイ素源はＳｉＯ２として記し、アルミニウム源はＡｌ２Ｏ３として記し、アルカリ溶液はＮａ２Ｏとして記し、有機テンプレートはＯＳＤＡとして記す。
【００４８】
本発明の１つの実施形態において、本発明は、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブを金属塩溶液でイオン交換して得られたＮＯＸ選択的接触還元触媒を提供する。
【００４９】
本発明の１つの好ましい具体的な実施形態において、それは、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブを可溶性金属塩溶液でイオン交換して得られたものであり、前記金属塩溶液は、好ましくは銅塩又は鉄塩、より好ましくは銅塩であり、前記銅塩前記銅塩は、硝酸銅、塩化銅、酢酸銅及び硫酸銅の中から選ばれる１種又は２種以上であり、前記銅塩の銅イオンの濃度は、０．１〜１．５ｍｏｌ／Ｌである。
【００５０】
本発明の1つのより好ましい実施形態において、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブを銅塩でイオン交換して銅修飾ＡＥＩ構造モレキュラーシーブを得た後、銅修飾ＡＥＩ構造モレキュラーシーブを、バインダーを用いて多孔質規則性材料に付着させ、触媒付け多孔質規則性材料を排ガス処理器に取り付けて、モータービークル排ガス処理器を構成して排ガス流れの処理を行なう。
【００５１】
前記バインダーは、シリカゾル、水ガラス、擬ベーマイト及びアルミナゾルの中から選ばれる１種又は２種以上である。
【００５２】
前記多孔質規則性材料は、ハニカム形状、板形状及び波形状の中から選ばれ、前記材質は、コージェライト、α−アルミナ、炭化ケイ素、チタン酸アルミニウム、窒化ケイ素、ジルコニア、ムライト、スポジュメン、アルミナ−シリカ−マグネシア、ケイ酸ジルコニウム又は金属フレークの中から選ばれ、好ましくはコージェライト多孔質体製のハニカム形状のフロースルー型モノリス担体であり、その担持量は１７０〜２７０ｇ／Ｌである。
【００５３】
１つの具体的な実施形態において、本発明は、ＳＣＲ触媒組成物に、ＮＯＸ及び還元剤を含む排ガス流れを接触させて、前記ＮＯＸの少なくとも一部を、Ｎ２とＨ２Ｏに選択的に還元する、排ガス流れの浄化処理方法を提供する。
【００５４】
前記含窒素還元剤は、アンモニア、ヒドラジン又は如何なる好適なアンモニア前駆体から選ばれ、前記如何なる好適なアンモニア前駆体は、尿素、炭酸アンモニウム、カルバミン酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム又はギ酸アンモニウムの中から選ばれる１種又は２種以上である。
【００５５】
本発明の１つの好ましい具体的な実施形態において、本発明による触媒は、より広い温度ウィンドウでＮＯＸ変換率を得ることを示している。変換率を上げるための温度範囲は、約１５０〜６５０℃、好ましくは２００〜６５０℃、より好ましくは２００〜５５０℃である。これらの温度範囲では、還元性雰囲気ないし還元性雰囲気及び高温（例えば、８５０℃と高く達する）にさらした後の変換効率は、５５％超え〜１００％であり得、より好ましくは９０％超えの変換効率、さらにより好ましくは９５％超えの変換効率である。
【００５６】
本発明の「相対収率」という用語は、所望の生成物中に組み込まれる反応物（又はその誘導体）の量を当該化学プロセス中に導入された反応物の全量の分数として意味するので、反応物の相対収率は下記式により算出され得る：
（相対収率）Ｒ＝（ＲＰ）／（ＲＴ）
式中、Ｒは反応物であり、ＲＰは所望の生成物中に組み込まれている反応物Ｒ（又はその誘導体）の総重量であり、ＲＴは当該化学プロセス中に導入された反応物Ｒの総重量である。「総相対収率」という用語とは、化学プロセス全体の相対収率を意味する。「シリカでの総相対収率」は、一又は複数の連続的なバッチ全体で生産されたゼオライトの総量に組み込まれているシリカの総量の、当該プロセス全体に導入されたシリカの総量に対するものを表す。「テンプレート剤での総相対収率」は、一又は複数の連続的なバッチのゼオライト骨格の構築に直接的に使用された有機テンプレート剤の量の、当該プロセスに導入されたシリカの量全体に対するものを表す。
【００５７】
以下、本実施例で使用される原料及び機器の製造業者、ならびに製品分析に使用される機器及び分析方法について説明する。ここで、前記化学物質のうちの明記されていないものは、いずれも化学的に純粋な一般的な試薬である。実施例で用いられた原材料の情報及び実験装置の情報を表１及び表２に示す。
【００５８】
【表１】
2020529964.tif 000003
【００５９】
【表２】
2020529964.tif 000004
【００６０】
［実施例１  ＡＥＩ型ゼオライトモレキュラーシーブの製造］
（１）有機テンプレート剤であるＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン水溶液（濃度：２０ｗｔ％）に、所定量のシリカとアルミナのモル比（ＳＡＲ）が２８．７である脱アルミニウムのＵＳＹゼオライトを加え、十分に攪拌し、さらにＮａＯＨ粒子（純度：９６ｗｔ％）を加え、脱イオン水を追加し、十分に攪拌し、得られた混合スラリーを、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように２時間連続攪拌した。以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Ｎａ２Ｏ：ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＯＳＤＡ：Ｈ２Ｏ
＝０．２２：１．０：０．０３４８４：０．２０：２５．０
であり；
得られた固体混合物を２０００ｍｌの水熱結晶化釜に移し、６０ｒｐｍの速度で攪拌しながら、１４０℃に昇温して２４時間結晶化し、続いて１７０℃に昇温して６０時間結晶化した。
【００６１】
（２）完全に結晶化した後、生成物を急冷し、吸引濾過による分離、洗浄を行なってろ液と固体物質とを得て、回収されたろ液から、バイポーラ膜電気透析法（図１ａに示される）により、有機テンプレート剤とケイ酸塩とを分離し、得られた有機テンプレート剤アルカリ性溶液（ＳＤＫ−１と記す）及びケイ酸溶液（ＳＡＡ−１と記す）を原料として次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブの合成に参与する。
【００６２】
固体物質を１２０℃で１２時間乾燥し、及び５４０℃で４時間焼成し、ＸＲＤによってＡＥＩ型モレキュラーシーブ（即ち、ＡＥＩモレキュラーシーブ原粉）であることが確認された。このＡＥＩモレキュラーシーブのＳＡＲは、１１．２であることが示され、これをＡと記し、モレキュラーシーブ合成用前駆体ゾルの配合割合、合成条件、相対結晶化度及び収率に係るパラメーターを表３及び表４に示す。
【００６３】
［実施例２  ＡＥＩ型ゼオライトモレキュラーシーブの製造］
（１）実施例１で得られたＳＡＡ−１溶液に、所定量のＨＹゼオライト（シリカ対アルミナ比ＳＡＲは５．３）、水ガラス（Ｎａ２Ｏ：７．４４ｗｔ％，ＳｉＯ２：２７．４０ｗｔ％）を混合させた混合物に、実施例１で得られたＳＤＫ−１溶液、所定量のＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン水溶液（濃度：２０ｗｔ％）、脱イオン水及びＮａＯＨ粒子（純度：９６ｗｔ％）をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、２００ｒｐｍの速度で２時間連続攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Ｎａ２Ｏ：ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＯＳＤＡ：Ｈ２Ｏ
＝０．２４：１．０：０．０３２２６：０．１５：２５．０
であり；得られた固体混合物を２０００ｍｌの水熱結晶化釜に移し、６０ｒｐｍの速度で攪拌しながら、１３５℃に昇温して３６時間結晶化し、続いて１８０℃に昇温して４８時間結晶化した。
【００６４】
（２）完全に結晶化した後、生成物を急冷し、吸引濾過による分離、洗浄を行なってろ液と固体物質とを得て、この生成物のろ液を収集し、同様にバイポーラ膜電気透析法（図１ａに示される）により有機テンプレート剤アルカリ性溶液（ＳＤＫ−２と記す）とオルトケイ酸の溶液（ＳＡＡ−２）とを分離し、それらを原料として次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブの合成に参与する。
【００６５】
固体物質を１２０℃で１２時間乾燥し、及び５４０℃で４時間焼成し、ＸＲＤによってＡＥＩ型モレキュラーシーブ（即ち、ＡＥＩモレキュラーシーブ原粉）であることが確認された。このＡＥＩモレキュラーシーブのＳＡＲは、１５．６であることが示され、これをＢと記し、モレキュラーシーブ合成用前駆体ゾルの配合割合、合成条件、相対結晶化度及び収率に係るパラメーターを表３及び表４に示す。
【００６６】
［実施例３  ＡＥＩ型ゼオライトモレキュラーシーブの製造］
（１）実施例２で得られたＳＡＡ−２溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比（ＳＡＲ）が２０．６である脱アルミニウムのＵＳＹゼオライト、水ガラス（Ｎａ２Ｏ：７．４４ｗｔ％，ＳｉＯ２：２７．４０ｗｔ％）を混合させた。この混合物に、実施例２で得られたＳＤＫ−２溶液、所定量のＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン水溶液（濃度：２０ｗｔ％）、脱イオン水及びＮａＯＨ粒子（純度：９６ｗｔ％）をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、２００ｒｐｍの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Ｎａ２Ｏ：ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＯＳＤＡ：Ｈ２Ｏ
＝０．２６：１．０：０．０２４７５：０．１５：２５．０
であり；
得られた固体混合物を２０００ｍｌの水熱結晶化釜に移し、６０ｒｐｍの速度で攪拌しながら、１３０℃に昇温して４８時間結晶化し、続いて１８５℃に昇温して６０時間結晶化した。
【００６７】
（２）完全に結晶化した後、生成物を急冷し、吸引濾過による分離、洗浄を行なってろ液と固体物質とを得て、この生成物のろ液を収集し、同様にバイポーラ膜電気透析法（図１ａに示される）により有機テンプレート剤アルカリ性溶液（ＳＤＫ−３と記す）とオルトケイ酸の溶液（ＳＡＡ−３）とを分離し、それらを原料として次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブの合成に参与する。
【００６８】
固体物質を１２０℃で１２時間乾燥し、及び５４０℃で４時間焼成し、ＸＲＤによってＡＥＩ型モレキュラーシーブ（即ち、ＡＥＩモレキュラーシーブ原粉）であることが確認された。このＡＥＩモレキュラーシーブのＳＡＲは、２９．７であることが示され、これをＣと記し、モレキュラーシーブ合成用前駆体ゾルの配合割合、合成条件、相対結晶化度及び収率に係るパラメーターを表３及び表４に示す。
【００６９】
［実施例４  ＡＥＩ型ゼオライトモレキュラーシーブの製造］
（１）実施例３で得られたＳＡＡ−３溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比（ＳＡＲ）が２．７４であるＸゼオライト、水ガラス（Ｎａ２Ｏ：７．４４ｗｔ％，ＳｉＯ２：２７．４０ｗｔ％）を混合させた混合物に、実施例３で得られたＳＤＫ−３溶液、所定量のＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン水溶液（濃度：２０ｗｔ％）、脱イオン水及びＮａＯＨ粒子（純度：９６ｗｔ％）をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、２００ｒｐｍの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Ｎａ２Ｏ：ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＯＳＤＡ：Ｈ２Ｏ
＝０．２８：１．０：０．０２０４５：０．１５：２５．０
であり；
得られた固体混合物を２０００ｍｌの水熱結晶化釜に移し、６０ｒｐｍの速度で攪拌しながら、１５０℃に昇温して１２時間結晶化し、続いて１７０℃に昇温して７２時間結晶化した。
【００７０】
（２）完全に結晶化した後、生成物を急冷し、吸引濾過による分離、洗浄を行なってろ液と固体物質とを得て、この生成物のろ液を収集し、同様にバイポーラ膜電気透析法（図１ａに示される）により、有機テンプレート剤アルカリ性溶液（ＳＤＫ−４と記す）とオルトケイ酸の溶液（ＳＡＡ−４）とを分離し、それらを原料として次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブの合成に参与する。
【００７１】
固体物質を１２０℃で１２時間乾燥し、及び５４０℃で４時間焼成し、ＸＲＤによってＡＥＩ型モレキュラーシーブ（即ち、ＡＥＩモレキュラーシーブ原粉）であることが確認された。このＡＥＩモレキュラーシーブのＳＡＲは、３９．６であることが示され、これをＤと記し、モレキュラーシーブ合成用前駆体ゾルの配合割合、合成条件、相対結晶化度及び収率に係るパラメーターを表３及び表４に示す。
【００７２】
［実施例５  ＡＥＩ型ゼオライトモレキュラーシーブの製造］
（１）実施例４で得られたＳＡＡ−４溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比（ＳＡＲ）が２８．７である脱アルミニウムのＵＳＹゼオライト、水ガラス（Ｎａ２Ｏ：７．４４ｗｔ％，ＳｉＯ２：２７．４０ｗｔ％）を混合させた混合物に、実施例４で得られたＳＤＫ−４溶液、所定量のＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン水溶液（濃度：２０ｗｔ％）、脱イオン水及びＮａＯＨ粒子（純度：９６ｗｔ％）をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、２００ｒｐｍの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Ｎａ２Ｏ：ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＯＳＤＡ：Ｈ２Ｏ
＝０．３６：１．０：０．０１２１４：０．０８：２５．０
であり；
得られた固体混合物を２０００ｍｌの水熱結晶化釜に移し、６０ｒｐｍの速度で攪拌しながら、１４０℃に昇温して２４時間結晶化し、続いて１７０℃に昇温して６０時間結晶化した。
【００７３】
（２）完全に結晶化した後、生成物を急冷し、吸引濾過による分離、洗浄を行なってろ液と固体物質とを得て、この生成物のろ液を収集し、同様にバイポーラ膜電気透析法（図１ａに示される）により、有機テンプレート剤アルカリ性溶液（ＳＤＫ−５と記す）とオルトケイ酸の溶液（ＳＡＡ−５）とを分離し、それらを原料として次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブの合成に参与する。
【００７４】
固体物質を１２０℃で１２時間乾燥し、及び５４０℃で４時間焼成し、ＸＲＤによってＡＥＩ型モレキュラーシーブ（即ち、ＡＥＩモレキュラーシーブ原粉）であることが確認された。このＡＥＩモレキュラーシーブのＳＡＲは、７９．１であることが示され、これをＥと記し、モレキュラーシーブ合成用前駆体ゾルの配合割合、合成条件及び収率に係るパラメーターを表３及び表４に示す。
【００７５】
［実施例６  ＡＥＩ型ゼオライトモレキュラーシーブの製造］
（１）有機テンプレート剤である１−エチル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン水溶液（濃度：２０ｗｔ％）に、所定量のシリカとアルミナのモル比（ＳＡＲ）が２８．７である脱アルミニウムのＵＳＹゼオライト、シリカゾル（ＳｉＯ２：３０．０ｗｔ％）を加え、十分に攪拌し、更にＮａＯＨ粒子（純度：９６ｗｔ％）を加え、脱イオン水を追加し、十分に攪拌し、得られた混合スラリーを、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように２時間連続攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Ｎａ２Ｏ：ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＯＳＤＡ：Ｈ２Ｏ
＝０．２９：１．０：０．０１４５１：０．１２：１５．０
であり；
得られた固体混合物を２０００ｍｌの水熱結晶化釜に移し、６０ｒｐｍの速度で攪拌しながら、１３５℃に昇温して２４時間結晶化し、続いて１８０℃に昇温して４８時間結晶化した。
【００７６】
（２）完全に結晶化した後、生成物を急冷し、吸引濾過による分離、洗浄を行なってろ液と固体物質とを得て、回収されたろ液から、電気透析法により有機テンプレート剤とアモルファスシリコンとを分離して、有機テンプレート剤アルカリ性溶液（ＳＤＬ−１と記す）とケイ酸溶液（ＳＡＢ−１）とを得た。
【００７７】
固体物質を１１０℃で２４時間乾燥し、及び５４０℃で４時間焼成し、ＸＲＤによってＡＥＩ型モレキュラーシーブ（即ち、ＡＥＩモレキュラーシーブ原粉）であることが確認された。このＡＥＩモレキュラーシーブのＳＡＲは、３１．２であることが示され、これをＦと記し、モレキュラーシーブ合成用前駆体ゾルの配合割合、合成条件、相対結晶化度及び収率に係るパラメーターを表３及び表４に示す。
【００７８】
［実施例７  ＡＥＩ型ゼオライトモレキュラーシーブの製造］
（１）実施例６で得られたＳＡＢ−１溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比（ＳＡＲ）が１３．３である脱アルミニウムのＵＳＹゼオライト、シリカゾル（ＳｉＯ２：３０．０ｗｔ％）を混合させた混合物に、実施例６で得られたＳＤＬ−１溶液、所定量の１−エチル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン水溶液（濃度：２０ｗｔ％）、脱イオン水及びＮａＯＨ粒子（純度：９６ｗｔ％）をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、２００ｒｐｍの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Ｎａ２Ｏ：ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＯＳＤＡ：Ｈ２Ｏ
＝０．３５：１．０：０．０１２６：０．０８：１５．０
であり；
得られた固体混合物を２０００ｍｌの水熱結晶化釜に移し、６０ｒｐｍの速度で攪拌しながら、１３５℃に昇温して４８時間結晶化し、続いて１９０℃に昇温して３６時間結晶化した。
【００７９】
（２）完全に結晶化した後、生成物を急冷し、吸引濾過による分離、洗浄を行なってろ液と固体物質とを得て、この生成物のろ液を収集し、従来の電気透析法（図１ｂに示される）により有機テンプレート剤アルカリ性溶液（ＳＤＬ−２と記す）とオルトケイ酸の溶液（ＳＡＢ−２）とを分離し、それらを原料として次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブの合成に参与する。
【００８０】
固体物質を１１０℃で２４時間乾燥し、及び５４０℃で４時間焼成し、ＸＲＤによってＡＥＩ型モレキュラーシーブ（即ち、ＡＥＩモレキュラーシーブ原粉）であることが確認された。このＡＥＩモレキュラーシーブのＳＡＲは、４１．８であることが示され、これをＧと記し、モレキュラーシーブ合成用前駆体ゾルの配合割合、合成条件、相対結晶化度及び収率に係るパラメーターを表３及び表４に示す。
【００８１】
［実施例８  ＡＥＩ型ゼオライトモレキュラーシーブの製造］
（１）実施例７で得られたＳＡＢ−２溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比（ＳＡＲ）が５．３であるＮａＹゼオライト、シリカゾル（ＳｉＯ２：３０．０ｗｔ％）を混合させた混合物に、実施例７で得られたＳＤＬ−２溶液、所定量の１−エチル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン水溶液（濃度：２０ｗｔ％）、脱イオン水及びＮａＯＨ粒子（純度：９６ｗｔ％）をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、２００ｒｐｍの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Ｎａ２Ｏ：ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＯＳＤＡ：Ｈ２Ｏ
＝０．３４：１．０：０．０１２４４：０．１０：１５．０
であり；
得られた固体混合物を２０００ｍｌの水熱結晶化釜に移し、６０ｒｐｍの速度で攪拌しながら、１３５℃に昇温して２４時間結晶化し、続いて１６０℃に昇温して１２０時間結晶化した。
【００８２】
（２）完全に結晶化した後、生成物を急冷し、吸引濾過による分離、洗浄を行なってろ液と固体物質とを得て、この生成物のろ液を収集し、従来の電気透析法（図１ｂに示される）により有機テンプレート剤アルカリ性溶液（ＳＤＬ−３と記す）とオルトケイ酸の溶液（ＳＡＢ−３）とを生産し、それらを原料として次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブの合成に参与する。
【００８３】
固体物質を１１０℃で２４時間乾燥し、及び５４０℃で４時間焼成し、ＸＲＤによってＡＥＩ型モレキュラーシーブ（即ち、ＡＥＩモレキュラーシーブ原粉）であることが確認された。このＡＥＩモレキュラーシーブのＳＡＲは、４５．３であることが示され、これをＨと記し、モレキュラーシーブ合成用前駆体ゾルの配合割合、合成条件、相対結晶化度及び収率に係るパラメーターを表３及び表４に示す。
【００８４】
［実施例９  ＡＥＩ型ゼオライトモレキュラーシーブの製造］
（１）実施例８で得られたＳＡＢ−３溶液に、所定量のＨＹゼオライト（シリカ対アルミナ比５．３、アルミニウム源とケイ素源の一部とを与える）、シリカゾル（ＳｉＯ２：３０．０ｗｔ％）を混合させた混合物に、実施例８で得られたＳＤＬ−３溶液、所定量の１−エチル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン水溶液（濃度：２０ｗｔ％）、脱イオン水及びＮａＯＨ粒子（純度：９６ｗｔ％）をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、２００ｒｐｍの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Ｎａ２Ｏ：ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＯＳＤＡ：Ｈ２Ｏ
＝０．２８：１．０：０．０２２２７：０．１２：１５．０
であり；
得られた固体混合物を２０００ｍｌの水熱結晶化釜に移し、６０ｒｐｍの速度で攪拌しながら、１４０℃に昇温して２４時間結晶化し、続いて１８０℃に昇温して７２時間結晶化した。
【００８５】
（２）完全に結晶化した後、生成物を急冷し、吸引濾過による分離、洗浄を行なってろ液と固体物質とを得て、この生成物のろ液を収集し、従来の電気透析法（図１ｂに示される）により有機テンプレート剤アルカリ性溶液（ＳＤＬ−４と記す）とオルトケイ酸の溶液（ＳＡＢ−４）とを分離し、それらを原料として次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブの合成に参与する。
【００８６】
固体物質を１１０℃で２４時間乾燥し、及び５４０℃で４時間焼成し、ＸＲＤによってＡＥＩ型モレキュラーシーブ（即ち、ＡＥＩモレキュラーシーブ原粉）であることが確認された。このＡＥＩモレキュラーシーブのＳＡＲは、３６．６であることが示され、これをＩと記し、モレキュラーシーブ合成用前駆体ゾルの配合割合、合成条件、相対結晶化度及び収率に係るパラメーターを表３及び表４に示す。
【００８７】
［実施例１０  ＡＥＩ型ゼオライトモレキュラーシーブの製造］
（１）実施例９で得られたＳＡＢ−４溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比（ＳＡＲ）が２８．７である脱アルミニウムのＵＳＹゼオライトを混合させた混合物に、実施例９で得られたＳＤＬ−４溶液、所定量の１−エチル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン水溶液（濃度：２０ｗｔ％）、脱イオン水及びＮａＯＨ粒子（純度：９６ｗｔ％）をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、２００ｒｐｍの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Ｎａ２Ｏ：ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＯＳＤＡ：Ｈ２Ｏ
＝０．２６：１．０：０．０２７７８：０．１５：１５．０
であり；
得られた固体混合物を２０００ｍｌの水熱結晶化釜に移し、６０ｒｐｍの速度で攪拌しながら、１３５℃に昇温して２４時間結晶化し、続いて１７０℃に昇温して９６時間結晶化した。
【００８８】
（２）完全に結晶化した後、生成物を急冷し、吸引濾過による分離、洗浄を行なってろ液と固体物質とを得て、この生成物のろ液を収集し、従来の電気透析法（図１ｂに示される）により、有機テンプレート剤アルカリ性溶液（ＳＤＬ−５と記す）とオルトケイ酸の溶液（ＳＡＢ−５）とを分離し、それらを原料として次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブの合成に参与する。
【００８９】
固体物質を１１０℃で２４時間乾燥し、及び５４０℃で４時間焼成し、ＸＲＤによってＡＥＩ型モレキュラーシーブ（即ち、ＡＥＩモレキュラーシーブ原粉）であることが確認された。このＡＥＩモレキュラーシーブのＳＡＲは、３３．８であることが示され、これをＪと記し、モレキュラーシーブ合成用前駆体ゾルの配合割合、合成条件、相対結晶化度及び収率に係るパラメーターを表３及び表４に示す。
【００９０】
【表３】
2020529964.tif 000005
【００９１】
［比較例１−５］
特許文献１の実施例における方法に従って、有機テンプレート剤としてＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン水溶液を用い、リサイクル母液中でＡＥＩゼオライトを合成した。
【００９２】
シリカとアルミナのモル比ＳＡＲが１０．７であるＵＳＹゼオライト３６ｇと水１０９３ｇとを混合した。この混合物に対し、攪拌しながら、テンプレート剤としてＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン１９５ｇとケイ酸ナトリウム溶液（２８．８ｗｔ％のＳｉＯ２）４２７ｇとを緩やかに注いだ。形成された混合物を密閉された反応容器内で２００ｒｐｍで攪拌しながら、１４５℃に加熱し、２日結晶化反応した後、形成された結晶混合物を分液漏斗に移した。静止状態で、固相沈殿物と上澄み液体層とを数時間にわたって分離した。清澄な母液の大部分を収集し、これを第１の過程の母液（ＭＬ−Ｐ１）と記す。底部スラリー中の固体を回収し、ＸＲＤによってＡＥＩであることを確認し、これをＶＳ１と記す。
【００９３】
ＭＬ−Ｐ１  １５８２ｇに、ＳＡＲが３０である脱アルミニウムのＵＳＹゼオライト３８ｇと、ＳＡＲが１０．７であるＵＳＹゼオライト２１ｇとを混合させた。この混合物に、テンプレート剤としてＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン４５ｇと水３１ｇとをこの順に添加した。この混合物に対し、攪拌しながら、ケイ酸ナトリウム液体（２８．８ｗｔ％のＳｉＯ２）３４ｇを緩やかに注いだ。この反応混合物をステンレス鋼製反応容器内で２００ｒｐｍで攪拌しながら、約１４５℃に加熱した。２０〜３５時間結晶化反応した後、形成された固体を取り除き、ＸＲＤによってＡＥＩであることが確認され、ＶＳ２と記す。この母液を収集し、第２の過程の母液（ＭＬ−Ｐ２と記す）と指定される。
【００９４】
ＭＬ−Ｐ２を同様の方式で利用してＭＬ−Ｐ３を生成し、生成されたＡＥＩゼオライトをＶＳ３と記し、順次でＭＬ−Ｐ３を用いてＭＬ−Ｐ４を生成し、生成されたＡＥＩゼオライトをＶＳ４と記し、ＭＬ−Ｐ４を用いてＭＬ−Ｐ５を生成し、生成されたＡＥＩゼオライトをＶＳ５と記す。モレキュラーシーブ合成に用いられた回収液体、相対結晶化度及び収率に係るパラメーターを表４に示す。
【００９５】
【表４】
2020529964.tif 000006
【００９６】
上記表中の結果は、テンプレート剤であるＮ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジンとテンプレート剤である１−エチル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジンを電気透析法により複数回回収して有機テンプレート剤アルカリ性溶液として再利用可能であること、また、ろ液中のケイ酸塩溶液も電気透析法により分離・回収してＡＥＩモレキュラーシーブ合成用原料として再利用可能であること、そうして、シリカでの総相対収率とテンプレート剤での総相対収率とを向上させることを示している。例えば、異なるシリカ対アルミナ比（ＳＡＲ）値などの異なる特性を有するＡＥＩモレキュラーシーブ結晶を得るために、結晶化前駆体ゲルの組成及びプロセスパラメーターを変化させてもよい。
【００９７】
実施例１で得られたＡＥＩモレキュラーシーブの結晶化度を１００％とし、即ち、最初の有機テンプレート剤とＦＡＵアルミノシリケートモレキュラーシーブ原料をそのまま用いて水熱結晶化させて得られたＡＥＩモレキュラーシーブの結晶化度を１００％とした（有機テンプレート剤とシリコンの種の回収が行なわれていない）場合、当該ＡＥＩモレキュラーシーブの結晶化度１００％に対し、本発明の実施例２〜１０及び比較例１〜５で得られたＡＥＩモレキュラーシーブの相対結晶化度を計算した結果、得られた本発明の実施例で製造されたＡＥＩモレキュラーシーブの相対結晶化度は、９５％〜１０５％の範囲にあるのに対し、比較例１〜５の試料の相対結晶化度は、５６％〜８９％の範囲にあるから、実施例１〜１０で得られた試料の相対結晶化度が、いずれも比較例１〜５の試料の相対結晶化度よりも顕著に高いことは、明らかである。また、本発明の実施例１〜１０で得られたモレキュラーシーブのテンプレート剤での総相対収率は、３０％〜９５％の範囲内にあるのに対し、比較例１〜５で得られたモレキュラーシーブのテンプレート剤での総相対収率は、２０％〜７５％であるから、最高で９５％と到達することが可能であり、比較例の総相対収率より遥かに高いことが分かった。本発明の実施例１〜１０で得られたモレキュラーシーブのシリカでの総相対収率は３９％〜９７％の範囲内にあるのに対し、比較例１〜５で得られたモレキュラーシーブのシリカでの総相対収率は３２％〜８７％であるから、最高で９７％と到達することが可能であり、比較例の総相対収率より遥かに高いことが分かった。また、図３及び図６から分かったように、比較例５で得られたモレキュラーシーブ試料では、雑結晶のピークが見られるから、比較例における母液再利用の方法では、仕込み安定性が劣り、高純度ＡＥＩモレキュラーシーブを得ることが困難であることが、判明された。添付図面の走査電子顕微鏡ＳＥＭ図から検討すると、実施例で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ試料は、良好な分散性及び比較的に規則性のよいモレキュラーシーブ結晶外観を有しており、比較例で得られたＡＥＩモレキュラーシーブ試料は結晶粒が顕著に凝集し、結晶粒の分散性が劣ることが分かった。
【００９８】
［実施例１１−２３］
濃度が０．３ｍｏｌ／ＬであるＣｕ(ＮＯ３)２・３Ｈ２Ｏ水溶液１００．０ｇに、実施例１〜８及び比較例１〜５で合成されたＡＥＩモレキュラーシーブ原粉１０．０ｇを加え、均一になるように１時間攪拌した後、耐熱性容器に入れたものを、減圧弁付き乾燥器に入れた。乾燥器内の圧力を真空ポンプにより１０Ｔｏｒｒ以下にした後、室温下で１時間脱気処理し、その後、９０℃の温度に昇温して１２時間乾燥し、乾燥した試料を正常な大気圧下で５００℃の温度で４時間焼成して、前記銅修飾ＡＥＩモレキュラーシーブを得た。ＩＣＰ分析の結果によれば、製造された触媒において、モレキュラーシーブ触媒の総重量に対し、銅（ＩＩ）イオンの割合は表５に示す通りである。
【００９９】
［ＳＣＲ触媒の試験］
実施例１〜８で合成されたＡＥＩモレキュラーシーブで製造された１０〜２０メッシュのＡ１〜Ｈ１、比較例１〜５で合成されたＡＥＩモレキュラーシーブで製造された１０〜２０メッシュのＶＳ１〜ＶＳ５触媒粒子を反応器（φ２５×５００×１）に入れ、５００ｐｐｍのＮＯ、５００ｐｐｍのＮＨ3、１０容積％のＯ２、５容積％の水蒸気、及びバランスガスとしてＡｒを含む混合ガスを、１６０ｍＬ／ｍｉｎで予熱機（１００℃に設定した）通し、次いでＳＣＲ反応器に導入した。試料を、１５０〜６５０℃の反応温度及び４８０００ｈ−１の体積ベースでの時間当たりのガス空間速度で試験した。上記温度を試料の位置で内部熱電対によって監視した。
【０１００】
使用済みの上記実施例及び比較例における各フレッシュなＳＣＲ触媒を水熱耐久処理して、時効後ＳＣＲ触媒を得て、水熱耐久処理試験の条件は、以下である。
空間速度ＳＶ：３００００／ｈ
温度：８００℃
時間：１６時間
水分濃度：１０％
酸素濃度：１０％
窒素濃度：バンラス
【０１０１】
上記パラメーターで水熱時効処理した後、続いてＳＣＲ触媒としてＮＯｘ接触還元反応の評価試験に用いる：
【０１０２】
ＮＯ変換率又は「ＤｅＮＯｘ」活性は、定常状態条件下で、Ｂｒｕｋｅｒ ＥＱＵＩＮＯＸ ５５型ＦＴ−ＩＲスペクトロメータを用いて、出口でＮＯｘ、ＮＨ３及びＮ２Ｏ濃度を測定することによって求めた。
【数１】
2020529964.tif 000007
【０１０３】
実施例と比較例で製造されたＣｕ担持ＳＣＲ触媒に対し、上記ＳＣＲ触媒活性のラボ評価装置を用いてＮＯｘの選択的接触還元性評価を行い、その結果を表５に示す。
【０１０４】
【表５】
2020529964.tif 000008
【０１０５】
上記表から、実施例１１〜１８で得られたＣｕ−ＡＥＩモレキュラーシーブ触媒は、良好な低温ライトオフ性能及び高温活性を有することが分かった。１５０〜６５０℃の温度範囲内において、実施例１１〜１８では、ＳＣＲがフレッシュな触媒を用いる場合、ＮＯｘの変換率は４１．８％〜９９．６％の範囲にあり、ＳＣＲが時効後触媒を用いる場合、ＮＯｘの変換率は３６．２％〜９８．８％の範囲にあるので、ＳＣＲ触媒は、「フレッシュ」な状態又は「時効後」の状態にかかわらず、比較例１〜５で得られた触媒試料ＶＳ１〜ＶＳ５より活性が顕著に優れている。従って、実施例１１〜１８で得られた結果は、本発明のＣｕ−ＡＥＩモレキュラーシーブ触媒材料及びそれを用いて得られた触媒は、特に、例えばディーゼル車用途におけるＮＯｘの処理において、典型的な低温始動条件等の低い変換温度で、改良されたＳＣＲ触媒活性を有することを示している。他のＳＣＲ用途に関して、本発明のＣｕ−ＡＥＩモレキュラーシーブ触媒材料は、より低い温度で、より高い変換が可能であり、それ故に同等の変換率で、より高い効率が可能であり、例えば、工業プロセスからの排ガス等のＮＯｘ含有排ガスの高いエネルギー効率での処理が可能である。
【０１０６】
以上に述べた内容は、本発明の好ましい実施態様に過ぎず、本発明に対し何らの限定を行なうものではない。本発明の思想及び原則内になされた修正、均等置換及び改良等は、いずれも本発明の保護範囲内に含まれるものとする。
【０１０７】
（付記）
（付記１）
次の工程：
（１）有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるＦＡＵ型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
（２）工程（１）で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析でめっきを行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのＡＥＩモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含む、ＡＥＩ構造モレキュラーシーブの製造方法。
【０１０８】
（付記２）
工程（１）において、前記有機テンプレート剤が単環式又は多環式ピペリジン化合物であり、前記ピペリジン化合物が、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２，６−ジメチルピペリジン、１，１，２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、１，１，２，２，６，６−ヘキサメチル−４−オキソピペリジン、１，１，３，５−テトラメチル−４−オキソピペリジン、１−ヒドロキシ−１，１，２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、１，１−ジメチル−４，４−ジプロポキシピペリジン、３，５−ジメトキシ−１，１−ジメチルピペリジン、３，５−ジヒドロキシ−１，１−ジメチルピペリジン、４−エチル−１，１−ジメチル−３，５−ジオキソピペリジン、１−エチル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、１−エポキシプロピル−１−メチル−２，２，６，６−ヘキサメチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン及びＮ，Ｎ−ジメチル−２−エチルピペリジンの中から選ばれる１種又は２種以上である、付記１に記載の製造方法。
【０１０９】
（付記３）
工程（1）において、前記ＦＡＵ型アルミノシリケートモレキュラーシーブがＹゼオライト及びＸゼオライトの中から選ばれる１種であり、好ましくは、前記Ｙゼオライトが、ＨＹゼオライト、ＵＳＹゼオライト及びＮａＹゼオライトの中から選ばれる１種であり、前記Ｘゼオライトが、ＮａＸゼオライト、ＫＸゼオライト及びＨＸゼオライトの中から選ばれる１種である、付記１又は２に記載の製造方法。
【０１１０】
（付記４）
工程（１）において、前記水熱結晶化が２段階に分けて行なわれ：（１）第１段階の結晶化温度は１２０〜１５０℃、好ましくは１３０〜１５０℃であり；（２）第２段階の結晶化温度は１５０〜２００℃、好ましくは１６０〜１９０℃である、付記１〜３のいずれか１つに記載の製造方法。
【０１１１】
（付記５）
工程（１）において、前記水熱結晶化が２段階に分けて行なわれ：（１）第１段階の結晶化時間は０．５〜３．０日、好ましくは０．５〜２．０日であり；（２）第２段階の結晶化時間は０．５〜６．０日、好ましくは１．０〜５．０日である、付記４に記載の製造方法。
【０１１２】
（付記６）
工程（１）において、原料として追加的なケイ素源を添加し、前記追加的なケイ素源が、ホワイトカーボンブラック、マクロポーラスシリカゲル、Ｃ型シリカゲル、Ａ型シリカゲル、薄層クロマトグラフィーシリカゲル、B型シリカゲル、メタケイ酸ナトリウム、シリカゾル、水ガラス、アルキルシリケート及び珪藻土の中から選ばれる１種又は２種以上である、付記１〜５のいずれか１つに記載の製造方法。
【０１１３】
（付記７）
工程（１）において、前記アルカリ液が、ＮａＯＨ、Ｎａ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ２及びＫＯＨの中から選ばれる１種又は２種以上である、付記１〜６のいずれか１つに記載の製造方法。
【０１１４】
（付記８）
工程（１）において、前記ケイ素源、アルミニウム源、アルカリ液、テンプレート剤及び水のモル比が、１．０：０．００８３３〜０．１６６７：０．１〜０．５：０．０５〜０．５：１０〜５０、好ましくは１．０：０．０１２１〜０．０４１７：０．２２〜０．３６：０．０８〜０．２０：１５〜２５である、付記１〜７のいずれか１つに記載の製造方法。
【０１１５】
（付記９）
工程（２）において、前記電気透析が、４コンパートメント３膜電気透析、３コンパートメント２膜電気透析又は２コンパートメント１膜電気透析の中から選ばれる１種である、付記１〜８のいずれか１つに記載の製造方法。
【０１１６】
（付記１０）
工程（２）において、前記バイポーラ膜が、陽イオン交換層、界面親水層及び陰イオン交換層を複合してなるものである、付記１〜９のいずれか１つに記載の製造方法。
【０１１７】
（付記１１）
付記１〜１０のいずれか１つに記載の方法により製造されたＡＥＩ構造モレキュラーシーブ。
【０１１８】
（付記１２）
シリカとアルミナとの分子モル比が、５〜１００、好ましくは１０〜８０である付記１１に記載のＡＥＩ構造モレキュラーシーブ。
【０１１９】
（付記１３）
付記１〜１０のいずれか１つに記載の方法により製造されたＡＥＩ構造モレキュラーシーブ又は付記１１若しくは１２に記載のＡＥＩ構造モレキュラーシーブを金属塩溶液でイオン交換して得られたＮＯＸ選択的接触還元触媒。
【０１２０】
（付記１４）
前記金属塩が、銅、鉄、コバルト、タングステン、ニッケル、亜鉛、モリブデン、バナジウム、スズ、チタン、ジルコニウム、マンガン、クロム、ニオブ、ビスマス、アンチモン、ルテニウム、ゲルマニウム、パラジウム、インジウム、白金、金又は銀の可溶性塩の中から選ばれる１種又は２種以上である、付記１３に記載の選択的接触還元触媒。
【０１２１】
（付記１５）
前記金属塩が、銅塩又は鉄塩の中から選ばれ、好ましくは銅塩である、付記１４に記載の選択的接触還元触媒。
【０１２２】
（付記１６）
前記銅塩が硝酸銅、塩化銅、酢酸銅及び硫酸銅の中から選ばれる１種又は２種以上であり、前記銅塩の銅イオンの濃度が０．１〜１．５ｍｏｌ／Ｌである、付記１５に記載の選択的接触還元触媒。
【０１２３】
（付記１７）
付記１〜１０のいずれか１つに記載の方法により製造されたＡＥＩ構造モレキュラーシーブ又は付記１１若しくは１２に記載のＡＥＩ構造モレキュラーシーブを金属塩溶液に加えて、ＮＯＸ選択的接触還元触媒を得た、付記１３〜１６のいずれか１つに記載の選択的接触還元触媒の製造方法。
【０１２４】
（付記１８）
多孔質規則性材料に、得られたＮＯＸ選択的接触還元触媒をバインダーを用いて付着させる工程をさらに含む、付記１７に記載の製造方法。
【０１２５】
（付記１９）
前記バインダーが、シリカゾル、水ガラス、擬ベーマイト及びアルミナゾルの中から選ばれる１種又は２種以上である、付記１８に記載の製造方法。
【０１２６】
（付記２０）
前記多孔質規則性材料が、ハニカム形状、板形状及び波形状の中から選ばれる１種である、付記１８又は１９に記載の製造方法。
【０１２７】
（付記２１）
前記多孔質規則性材料が、コージェライト、α−アルミナ、炭化ケイ素、チタン酸アルミニウム、窒化ケイ素、ジルコニア、ムライト、スポジュメン、アルミナ−シリカ−マグネシア、ケイ酸ジルコニウム又は金属フレークの中から選ばれる１種、好ましくはコージェライトである、付記１８〜２０のいずれか１つに記載の製造方法。
【０１２８】
（付記２２）
付記１３〜１６のいずれか１つに記載の選択的接触還元触媒又は付記１７〜２１のいずれか１つに記載の方法により製造された選択的接触還元触媒の、排ガス流れ、好ましくは自動車排ガス流れ浄化のための使用。
【０１２９】
（付記２３）
前記排ガス流れが、モータービークルからの排ガス流れ、好ましくはリーン燃焼エンジンからの排ガス流れ、より好ましくはディーゼルエンジン排ガス流れである、付記２２に記載の使用。
【０１３０】
（付記２４）
付記１３〜１６のいずれか１つに記載の選択的接触還元触媒又は付記１７〜２１のいずれか１つに記載の方法により製造された選択的接触還元触媒に、ＮＯＸ及び還元剤を含む自動車排ガス流れを接触させて、ＮＯＸをＮ２とＨ２Ｏに選択的に還元する、排ガス流れの浄化処理方法。
【０１３１】
（付記２５）
前記排気ガス流れを選択的接触還元触媒に接触させる前に、ＮＯＸ含有量を１００重量％とした場合、前記ＮＯ２含有量は、８０重量％以下、好ましくは５〜７０重量％、より好ましくは１０〜６０重量％、更に好ましくは１５〜５５重量％、特に好ましくは２０〜５０重量％である、付記２４に記載の浄化処理方法。
【０１３２】
（付記２６）
窒素酸化物選択的接触還元触媒又は脱硝触媒である、付記１３〜１６のいずれか１つに記載の選択的接触還元触媒又は付記１７〜２１のいずれか１つに記載の方法により製造された選択的接触還元触媒。
【図１ａ】
2020529964.tif 000009
【図１ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2020529964.tif 000019
【図１１】
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【国際調査報告】
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2020529964.tif 000022
2020529964.tif 000023
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