(57)【要約】電子モジュール（１００）は、少なくとも１つのパワー半導体（１０２）及び渦発生体（３０２）を備える。パワー半導体（１０２）が、ワンピース形状でレーザ焼結されたヒートシンク（３００）と、熱伝導的に接続されている。渦発生体（３０２）が、ヒートシンク（３００）のレーザ焼結された冷却チャネル（１０６）内に可動に配置され、１つの工程でヒートシンク（３００）と共にレーザ焼結されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子モジュール（１００）であって、
少なくとも１つのパワー半導体（１０２）及び渦発生体（３０２）を備え、前記パワー半導体（１０２）が、ワンピース形状でレーザ焼結されたヒートシンク（３００）と、熱伝導的に接続され、
前記渦発生体（３０２）が、前記ヒートシンク（３００）のレーザ焼結された冷却チャネル（１０６）内に可動に配置され、１つの工程で前記ヒートシンク（３００）と共にレーザ焼結されていることを特徴とする電子モジュール（１００）。
【請求項２】
請求項１に記載の電子モジュール（１００）であって、前記ヒートシンク（３００）が金属材料からレーザ焼結され、前記パワー半導体（１０２）が前記ヒートシンク（３００）上にはんだ付けされている電子モジュール（１００）。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子モジュール（１００）であって、前記パワー半導体（１０２）がＩＧＢＴである電子モジュール（１００）。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の電子モジュール（１００）であって、前記渦発生体（３０２）のレーザ焼結されたシャフト（４０８）は、前記冷却チャネル（１０６）内に回転可能に支承されている電子モジュール（１００）。
【請求項５】
請求項１〜３の何れか一項に記載の電子モジュール（１００）であって、前記渦発生体（３０２）が、前記冷却チャネル（１０６）内に配置されレーザ焼結された軸（４０４）上に、回転可能に支承されている電子モジュール（１００）。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の電子モジュール（１００）であって、前記渦発生体（３０２）が穿孔されている電子モジュール（１００）。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載の電子モジュール（１００）であって、前記渦発生体（３０２）が不規則な形状である電子モジュール（１００）。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載の電子モジュール（１００）であって、前記渦発生体（３０２）がプロペラ形状で構成されている電子モジュール（１００）。
【請求項９】
請求項１〜７の何れか一項に記載の電子モジュール（１００）であって、前記渦発生体（３０２）がパドル形状で構成されている電子モジュール（１００）。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載の電子モジュール（１００）であって、前記渦発生体（３０２）が、プラスチック材料からレーザ焼結されている電子モジュール（１００）。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか一項に記載の電子モジュール（１００）であって、前記冷却チャネル（１０６）内に可動に配置され１つの工程で前記ヒートシンク（３００）と共にレーザ焼結された、少なくとも１つの更なる渦発生体（３０２）を備える電子モジュール（１００）。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の電子モジュール（１００）を製造する方法（６００）であって、
パワー半導体（１０２）及びワンピース形状でレーザ焼結したヒートシンク（３００）を提供するステップ（６０２）であって、前記ヒートシンク（３００）が少なくとも１つの冷却チャネル（１０６）を備え、１つの工程で前記ヒートシンク（３００）と共にレーザ焼結した渦発生体（３０２）を前記冷却チャネル（１０６）内に配置する、提供するステップ（６０２）と、
前記パワー半導体（１０２）を前記ヒートシンク（３００）と接続するステップ（６０４）と、を含む方法（６００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子モジュール及び電子モジュールを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
界面と流体との間の熱移動は、層流において、流体を僅かに垂直混合させることによって、垂直方向で制限される。流体が乱流を伴って界面を通過して流れると、熱移動を改善することができる。
【０００３】
米国公開特許第２００９  １８３  ８５７号は、熱交換管用のタービュレータを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国公開特許第２００９  １８３  ８５７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
こうした背景に鑑み本発明は、主請求項に記載の、改良された電子モジュール及び電子モジュールの改良された製造方法を提案する。有利な実施形態は、従属請求項及び以下の説明から明らかとなる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
電子モジュールは、少なくとも１つのパワー半導体及び渦発生体を備える。パワー半導体が、ワンピース形状でレーザ焼結されたヒートシンクと、熱伝導的に接続されている。渦発生体が、ヒートシンクのレーザ焼結された冷却チャネル内に可動に配置され、１つの工程でヒートシンクと共にレーザ焼結されている。
【０００７】
発生するパワー損失が冷却されないと、パワー半導体の半導体材料が不可逆的に損傷されるほどの高温に至る可能性がある。そのため、パワー半導体にとって、温度が重要である。従って、可能な限り最良にパワー半導体を冷却することが必要である。良好に熱伝導する接続は、例えば、熱伝導接着剤によって達成できる。レーザ焼結とは、本明細書中では、付加製造（additive Manufacturing）と理解することができる。選択的なレーザ焼結によって、ほとんど随意に、流れを最適化して耐熱性を最適化したヒートシンクを製造することができる。レーザ焼結の際に、粉末形態で存在する材料の個々の粒子は、粒子が原子のレベルで相互に結合するまで、レーザビームを用いて加熱される。部品はその際、層状に構成される。焼結は、材料の融点を下回る温度で実施できる。粒子が溶融して流れるまで、材料を加熱することもできる。その場合、製造方法は、選択的レーザ溶融、と呼ぶことができる。レーザ焼結によって、中空構造が一体化されたボディを製造できる。中空構造からの未焼結の粉末は、焼結工程の後に除去される。少なくとも１つの冷却チャネルは、そうした中空構造として製造されていてよい。渦発生体とヒートシンクとの間に、わずかな間隙が存在する可能性がある。未焼結の材料の残量によって、間隙が作られる可能性がある。
【０００８】
ヒートシンクは、金属材料からレーザ焼結されてよい。パワー半導体は、ヒートシンク上にはんだ付けされてよい。熱移動の抵抗を低減することによって、特に良好に冷却を達成することができる。このために、パワー半導体を、例えば熱抵抗の低い材料製のヒートシンク上にはんだ付けすることができる。材料は、例えば銅又はアルミニウムとすることができる。
【０００９】
パワー半導体は、ＩＧＢＴとすることができる。ＩＧＢＴを介して、高いパワーを切り替えることができる。ＩＧＢＴは、特に熱に敏感である可能性がある。
【００１０】
渦発生体のレーザ焼結されたシャフトは、冷却チャネル内に回転可能に支承されてよい。代替的に渦発生体が、冷却チャネル内に配置されレーザ焼結された軸上に、回転可能に支承されてもよい。支点は、三次元で形成されてよい。
【００１１】
渦発生体は、穿孔されてもよい。穿孔によって、冷却媒体の追加的な渦を発生させることができる。孔は、レーザ焼結の際には除外されてよい。
【００１２】
渦発生体は、不規則な形状であってよい。例えば、回転可能な渦発生体が、不規則なピッチを備えることができる。振動及び／又は共振を、不規則性によって防止することができる。そのため、ノイズを、不規則な形状によって防止できる。
【００１３】
渦発生体は、プロペラ形状で構成されてよい。代替的に、渦発生体はパドル形状で構成されてよい。プロペラは、冷却媒体の流れによって、回転へと励起させることができる。プロペラブレードは、この場合、冷却媒体内で渦を発生させる。この渦が、層流を乱流へと傾斜可能である。パドル形状の渦発生体は、冷却媒体の流れによって励起されて振動する可能性がある。この振動は、同様に冷却媒体内で渦を発生させることができる。この渦が、同様に層流を乱流へと傾斜可能である。
【００１４】
渦発生体は、プラスチック材料からレーザ焼結されてよい。渦発生体は、熱移動に直接には関与していないため、それほど、良好に熱伝導する材料製でなくてよい。
【００１５】
電子モジュールは、冷却チャネル内に可動に配置され１つの工程でヒートシンクと共にレーザ焼結された、少なくとも１つの更なる渦発生体を備えることができる。複数の渦発生体を連続して冷却媒体内に配置することによって、流れを、より長い距離に亘って、乱流に保つことができる。
【００１６】
さらに、本明細書で提案するアプローチによる電子モジュールを製造する方法は、パワー半導体及びワンピース形状でレーザ焼結したヒートシンクを提供するステップであって、ヒートシンクが少なくとも１つの冷却チャネルを備え、１つの工程でヒートシンクと共にレーザ焼結した渦発生体を冷却チャネル内に配置する、提供するステップと、パワー半導体をヒートシンクと接続するステップと、を含む。
【００１７】
本明細書で提案するアプローチの実施形態を、図に示し、以下の記載で詳述する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】従来の電子モジュールの図である。
【図２】ピンフィン構造を備える電子モジュールの図である。
【図３】本発明の実施形態による電子モジュールの図である。
【図４】本発明の実施形態によるプロペラ形状の渦発生体の図である。
【図５】本発明の実施形態によるパドル形状の渦発生体の図である。
【図６】本発明の実施形態による電子モジュールを製造する方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の好適な実施形態に関する以下の記載において，異なる図面に記された類似の作用を有する素子に関しては同一又は類似の符号を使用し，これら素子を繰り返して記載することを控えている。
【００２０】
図１は、従来の電子モジュール１００を示す。電子モジュール１００は、パワー半導体１０２及び底板１０４を備える。底板１０４のパワー半導体１０２と反対側には、冷却媒体１０８用の冷却チャネル１０６が形成されている。底板１０４は、冷却チャネル１０６の側面を構成する。冷却媒体１０８は、冷却チャネル１０６を通って流れる。
【００２１】
パワー半導体１０２において、動作中に熱１１０の形態で、放散されなければならないパワー損失が発生する。底板１０４は、例えば銅のような熱伝導性の材料製である。パワー半導体１０２は、底板１０４上にはんだ付けされており、これによって熱伝導的に接続されている。熱１１０は底板１０４を貫通し、底板１０４と冷却媒体１０８との間の接触面１１２において、冷却媒体１０８へと移動する。
【００２２】
冷却媒体１０８は、層流１１４で冷却チャネル１０６を通って流れる。その際、冷却媒体１０８の流速は、冷却チャネル１０６の中央部において最大であり、冷却チャネル１０６の縁部に対して一定に減少する。接触面１１２の領域において、層流１１４のために、流速が低い境界層１１６が構成されている。さらに冷却媒体１０８は、層流１１４によって、流れ方向に対して横方向では僅かに混合されるのみである。両方の効果によって冷却媒体１０８は、実質的に境界層１１６の領域でのみ、熱１１０を吸収することになる。
【００２３】
発熱する部品１０２を冷却する又は放熱させるために、熱１１０を媒体１０８に伝達し、運び去ってから、周囲に放出する装置１００が必要である。
【００２４】
熱１１０を冷却媒体１０８に伝達する装置１００として、多様な種類の熱交換器１０４を使用できる。パワー半導体１０２から放熱する領域において、流体冷却による放熱コンセプトを追求できる。このコンセプトにおいて、熱１１０は、例えば銅のような良好に熱伝導する材料１０４を通って、熱移動面１１２に導かれる。この移動面１１２は、熱交換に至るよう、比較的冷たい冷却媒体１０８によって接触され、洗われる。冷却媒体１０８としては、多くの場合、例えばグリコール等の適切な不凍液と共に、水が使用される。
【００２５】
水‐グリコール混合溶液１０８を導くために、開放型又は多分岐型の冷却チャネル１０６を使用し、パワー半導体１０２又はパワー半導体が存在するモジュールの間を交換し、良好な移動特性を有するヒートシンク１０４を使用することができる。
【００２６】
パワーモジュール１０２又はＩＧＢＴ１０２のパワー損失は、ＩＧＢＴ１０２を加熱する。ＩＧＢＴ１０２は、可及的に迅速かつ効率的に熱１１０を放出すべきである。そのために、これは、はんだ層及びセラミック層によって冷却プレート１０４上に配置されている。冷却プレート１０４は、多くの場合、例えば銅又はアルミニウムのような、良好に熱伝導する材料製であり、冷却媒体１０８と直に接触する。矢印を用いて、流れの方向を示す。
【００２７】
図１において、構造の無い平坦な界面１１２を備える、単なる層流１１４が示される。タービュレータが全く無く平坦に実現された底板１０４によって、水１０８と銅プレート１０４との間の界面１１２に、冷却媒体１０８の層流１１４が発生する。冷却媒体１０８が、銅プレート１０４の温度にほぼ達するとすぐに、もはや更なる熱量を吸収できない。しかしながら、この場合に負のｚ方向で更に下方に存在する冷却剤１０８は、依然としてより低い温度を有することができる。
【００２８】
図２は、ピンフィン構造２００を備える電子モジュール１００を示す。電子モジュール１００は、実質的に、図１の電子モジュールに対応する。これに加えて、冷却チャネル１０６の領域で、ピンフィン構造２００が、底板１０４上に配置されている。ピンフィン構造２００は、熱伝導性の材料製の突起部２０２を備える。突起部２０２が、冷却チャネル１０６内に突出する。ピンフィン構造２００は、底板１０４と熱伝導的に接続された、独自の基板を備えてもよい。
【００２９】
冷却媒体１０８は、ピンフィン構造２００の周りを流れる。ピンフィン構造２００によって、接触面１１２が拡大されている。熱１１０は、ピンフィン構造２００の突起部２０２において、流れ中心の方向に運ばれる。そのため、熱１１０が、より大きな割合の冷却媒体１０８によって吸収され、運び去られる。しかしながらこの場合、底板１０４から離れるにつれて、突起部２０２の温度が下がる。そのため、突起部２０２と冷却媒体１０８との間の温度勾配が減少するために、底板１０４から離れるにつれて、冷却媒体１０８に放出される熱１１０が益々減少する。
【００３０】
ピンフィン構造２００によって、冷却チャネル１０６の流動抵抗が高まる。従って、特定の流速から、ピンフィン構造２００の領域の流れが乱流になる。乱流によって、接触面１１２と冷却媒体１０８との間の熱移動が改善される。しかしながらピンフィン構造２００は、流れ方向に対して横方向の冷却媒体１０８の混合を妨げる。
【００３１】
ヒートシンク１０４は、固定された構造２０２を備えてよい。固定された構造２０２が冷却媒体１０８内に突出し、そのために、一方では界面１１２を十分に大きく形成し、他方では流れを乱流に形成する。この種の構造２０２は、いわゆるピンフィン構造２００として実現されてよい。ピン２０２は、銅製であり、冷却媒体１０８内に突出する。この構造２００は、堅牢であり、冷却チャネル１０６及びヒートシンク１０４の２つの部分からなる構成を必要とする。なぜなら、他の方法ではこの構造２００を製造できないためである。冷却チャネル１０６及びヒートシンク１０４は、接続技術によって閉じられ、封止されている。これは、ゴムシールを用いて、又は例えば摩擦攪拌溶接のような溶接技術を使用して行われる。
【００３２】
図２において、冷却媒体１０８内に突出する構造２０２として、ピンフィン構造２００を備える層流を示す。銅プレート１０４から屹立する銅製ピン２０２のような、静止素子２０２を使用することによって、冷却媒体１０８の渦が引き起こされる。熱１１０は、ピン２０２によって更に冷却剤１０８内に入り込む。同時に、屹立するピン２０２によってｙ方向への流れの渦が引き起こされる。冷却媒体１０８内に屹立する素子２０２は、例えば平面、隆起部、翼状輪郭のような、多様な他の幾何学的形状をとることができる。
【００３３】
乱流を確実にするために、固定されて流れに影響する素子２０２を、冷却チャネル１０６内に導入する。素子２０２が、部分的な渦を引き起こす。
【００３４】
図３は、本発明の一実施形態による電子モジュール１００の図を示す。電子モジュール１００は、実質的に、図１の電子モジュールに対応する。それとは対照的に、パワー半導体１０２は、この場合、レーザ焼結されたヒートシンク３００上に配置され、これと熱伝導的に接続されている。さらに、冷却チャネル１０６は、ワンピース形状でレーザ焼結されたヒートシンク３００における凹部として実現されている。冷却チャネル１０６内には、ヒートシンク３００と同じ焼結工程で製造された渦発生体３０２が配置されている。層流１１４は、渦発生体３０２に衝突し、それを動かす。この動きが、層流１１４を乱流３０４に変化させるよう作用する。乱流３０４によって、境界層１１６は接触面１１２において最小となり、接触面１１２と冷却媒体１０８との間の熱移動が改善される。流れ方向に対して横方向の冷却媒体１０８の混合が妨げられないため、冷却媒体１０８は、継続的に、流れ中心から接触面１１２へと導かれる。一方、温められた冷却媒体１０８は、接触面１１２から離れるよう導かれる。実質的に妨げられない冷却チャネル１０６は、流動抵抗が低い。
【００３５】
換言すると、図３は一体化されたタービュレータ３０２を示す。タービュレータ３０２が、確実に、熱移動を改善するための乱流３０４を起こす。
【００３６】
本明細書で提示するアプローチでは、ワンピース形状の装置３００において、パワー半導体１０２から放熱させるために、一体化された可動式のタービュレータ３０２を使用する。可動式のタービュレータ３０２が、付加製造技術を用いて直にヒートシンク３００に一体化され、流体技術的に引き起された動きによって、乱流３０４を引き起こす。そのため、界面１１２を常に乱流が流れる。従って、付加製造によって、従来には発生させることのできなかった機能が一体化される。
【００３７】
放熱の際には、２つの媒体、つまり金属及び冷却媒体１０８が接触する界面１１２へと熱１１０を導き、そして冷却媒体１０８又は水とグリコールの混合溶液１０８へ熱１１０を伝達する、という課題が存在する。流体の冷却媒体１０８への放熱を可及的に最適化するために、層流１１４に替えて、加熱された面１１２における乱流３０４が求められる。理想的には、冷たい冷却水１０８を常に界面１１２へと流すために、更に、冷却媒体１０８を垂直方向で交換することを達成すべきである。
【００３８】
図３において、タービュレータ３０２として、一体化された例示的な可動式のプロペラ３０２を備える乱流３０４を示す。可動式のタービュレータ素子３０２を導入することによって、冷却チャネル１０６内で渦が引き起こされる。渦は、常に、冷たい冷却剤１０８を界面１１２へと運ぶ。渦は、ｚ方向で発生する。
【００３９】
図４は、本発明の一実施形態によるプロペラ形状の渦発生体３０２を示す。渦発生体３０２は、２つの図で示される。渦発生体３０２は、図３と同様に、冷却チャネル１０６内に配置されている。追加的に、この場合、渦発生体３０２の保持構造４００が示される。保持構造４００は、ワンピース形状でヒートシンクと接続されている。保持構造４００が、渦発生体３０２及びヒートシンクと同じ焼結工程で、レーザ焼結されている。渦発生体３０２は、この場合、プロペラ形状で構成されている。渦発生体３０２は、プロペラハブに対して径方向に整列された４つのプロペラブレードを備える。プロペラブレードは、流れ方向に対して１つの設定角度で調整されている。保持構造４００は、支材４０２及び回転軸４０４を備える。支材４０２は、冷却チャネル１０６に対して横方向に、渦発生体３０２の両側の２つの面に配置され、それぞれ十字を形成する。回転軸４０４は、支材４０２の交点の間に延在する。回転軸４０４が、実質的に、冷却チャネル１０６の中心軸上で冷却チャネル１０６に対して軸方向に整列されている。渦発生体３０２は、回転軸４０４を中心に回転可能に配置されている。このために、プロペラハブは貫通孔を備える。貫通孔内に、回転軸４０４が存在する。
【００４０】
一実施形態において、保持構造４００は、渦発生体３０２のプロペラシャフト４０８用の、支材４０２及び２つの支点４０６を備える。支点４０６は、渦発生体３０２の両側の２つの面において、支材４０２の交点に配置されている。支点４０６は、プロペラシャフト４０８のシャフトのスタブ用の、例えば貫通孔又は止まり穴として実現されてよい。
【００４１】
図４において、例示的に、冷却チャネル１０６内で保持ロッド４０２に取り付けられたプロペラ３０２を示す。付加製造方法又は金属の３Ｄ印刷を使用して、冷却チャネル１０５をワンピース形状で製造できる。２個以上の部品形状で相互にねじ留めされなければならない複雑なハウジング部分を、省略することができる。従って、この方法によって、追加的な機能の一体化が可能である。
【００４２】
冷却チャネル１０６は、ワンピース形状で実現されてよい。可動式の部分３０２は、製造時に既に一体化される。少なくとも１つの可動式の部分３０２は、直に冷却回路内に導入される。そのため、熱を放出する面における乱流が確実になる。可動式の部分３０２は、金属材料及びプラスチック材料から製造されてよい。
【００４３】
一実施形態において、少なくとも１つのプロペラ形状の部品３０２は、冷却チャネル１０６内に導入されている。可動式の部分３０２は、支材４０２に固定されている。次いで、内部のプロペラ３０２が、流れによって動かされ、それによって乱流を供給する。
【００４４】
多様な実施形態において、例えば穿孔する又は不規則にする等、複数のプロペラ３０２をカスケード式に導入することによって、流れが最適化された複数の変更形態を構築できる。
【００４５】
図５は、本発明の一実施形態によるパドル形状の渦発生体３０２を示す。渦発生体３０２は、３つの図で示される。渦発生体３０２は、図４と同様に、冷却チャネル１０６内の中心に配置されている。保持構造４００は、図４と同様に、支材４０２を備える。図４とは対照的に、支材は、この場合、渦発生体３０２の上流への流れ方向で、１つの面に配置されている。支材４０２は、図４と同様に、冷却チャネル１０６に対して横方向で十字形状に配置されている。渦発生体３０２は、支材４０２の交点で、支材４０２と振動可能に接続されている。
【００４６】
渦発生体３０２は、この場合、ビーバーの尾のような形状で平坦な振動体として構成されている。渦発生体３０２は、その上流側の端部で、保持構造４００と接続されている。冷却媒体が渦発生体３０２の周りを流れると、渦発生体３０２の反対側の平坦面には、対向する渦が形成される。この渦が渦発生体３０２を、往復して振動させ又ははためかせ、これによって、今度は渦の形成が強化される。渦は、流れ後方の縁部で渦発生体３０２から離れ、流れ方向に対して横方向に冷却剤を混合させることになる。
【００４７】
一実施形態において、少なくとも１つの可動式の素子３０２が、冷却チャネル１０６内に刻印されている。可動式の素子３０２は、流体の流れにおいて釣用ルアー３０２の様に動く。この素子は、同様に保持ロッド４０２によって冷却チャネル１０６内で保持され、チャネル１０６内の流れによって、冷却剤を渦巻かせる。
【００４８】
少なくとも２つの渦発生体３０２を連続して取り付けることによって、更なる渦を引き起こすことができる。
【００４９】
図６は、本発明の一実施形態による電子モジュールを製造する方法６００のフローチャートである。方法は、提供するステップ６０２及び接続するステップ６０４を含む。提供するステップ６０２において、パワー半導体及びワンピース形状でレーザ焼結したヒートシンクを提供する。ヒートシンクが少なくとも１つの冷却チャネルを備え、１つの工程でヒートシンクと共にレーザ焼結した渦発生体を冷却チャネル内に配置する。接続するステップ６０４において、パワー半導体をヒートシンクと熱伝導的に接続する。
【００５０】
上述及び図示の実施形態は、単に例示的に選択されたものである。異なる実施形態を、全体としてまたは個々の特徴に関して組み合わせ可能である。実施形態はまた，更なる実施形態の特徴により補完可能である。
【００５１】
さらに、本発明に従う方法のステップは繰り返し可能であり、及び上述の順番とは異なる順番で実行可能である。
【００５２】
実施形態は第１の特徴及び第２の特徴の間を「及び／又は」とした結合を含むため、１つの実施形態による実施例は第１の特徴と第２の特徴の双方を有し、更なる実施形態による実施例は第１の特徴又は第２の特徴の何れか一方のみを有すると解釈可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１００  電子モジュール
１０２  パワー半導体
１０４  底板
１０６  冷却チャネル
１０８  冷却媒体
１１０  熱
１１２  接触面
１１４  層流
１１６  境界層
２００  ピンフィン構造
２０２  突起部
３００  ヒートシンク
３０２  渦発生体
３０４  乱流
４００  保持構造
４０２  支材
４０４  回転軸
４０６  支点
４０８  プロペラシャフト
６００  製造する方法
６０２  提供するステップ
６０４  接続するステップ
【図１】
2020513686.tif 000003
【図２】
2020513686.tif 000004
【図３】
2020513686.tif 000005
【図４】
2020513686.tif 000006
【図５】
2020513686.tif 000007
【図６】
2020513686.tif 000008
【国際調査報告】
2020513686.tif 000009
2020513686.tif 000010
2020513686.tif 000011
2020513686.tif 000012
2020513686.tif 000013
2020513686.tif 000014