(57)【要約】  本開示は、表示基板（ＤＰ）及び表示装置（ＤＡ）を提供する。前記表示基板（ＤＰ）は、ベース基板（１）と、前記ベース基板（１）の上に透かし部分を有する画素規定層（６）とを備える。前記透かし部分（６１）は、画素規定層（６）の側壁（ＳＷ）によって囲まれてなり、底部に１つの導電性表面（５１）の一部を露出させる。前記表示基板（ＤＰ）の断面図では、前記側壁（ＳＷ）は、前記透かし部分（６）の相反両側にそれぞれ位置する２つの側辺（ｃ）として示され、各前記側辺（ｃ）は少なくとも前記導電性表面と直接接触する第１の直線セグメント（ｃ；ｃ２）を含み、前記第１の直線セグメント（ｃ；ｃ２）と前記導電性表面（５１）との間の第１の挟角は２０°よりも大きく、３５°よりも小さい。これにより、有機発光層の堆積の厚さを均一にすることができ、表示基板の表示品質をさらに向上させることができる。【選択図】図３
2020532044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板の上に位置されると共に、透かし部分を有する画素規定層とを備える表示基板であって、
前記透かし部分は、画素規定層の側壁によって囲まれてなり、底部に１つの導電性表面の一部を露出させ、
前記表示基板の断面図では、前記側壁は、前記透かし部分の相反両側にそれぞれ位置する２つの側辺として示され、各側辺は少なくとも前記導電性表面と直接接触する第１の直線セグメントを含み、前記第１の直線セグメントと前記導電性表面との間の第１の挟角は２０°よりも大きく、３５°よりも小さい、
表示基板。
【請求項２】
前記第１の挟角が２３°よりも大きく３０°よりも小さい請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記透かし部分は、１つの対称軸に関して対称である、請求項１または２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記表示基板の前記断面図において、前記第１の直線セグメントは、前記画素規定層の前記ベース基板から離れた表面と交わる、請求項１〜３のいずれかに記載の表示基板。
【請求項５】
前記表示基板の前記断面図において、各側辺は、前記ベース基板から離れた前記画素規定層の表面に交わる第２の直線セグメントと、前記第１の直線セグメントと前記第２の直線セグメントとを接続する第３の直線セグメントとをさらに含む、請求項１〜３のいずれかに記載の表示基板。
【請求項６】
前記第２の直線セグメントは前記第１の直線セグメントと平行であり、かつ前記第３の直線セグメントは前記導電性表面と平行である、請求項５に記載の表示基板。
【請求項７】
前記表示基板は発光領域を有し、前記導電性表面の、前記画素規定層の前記透かし部分から露出された部分の、前記ベース基板における正投影は、前記発光領域のベース基板における正正投影と完全に重なる、請求項１〜６のいずれかに記載の表示基板。
【請求項８】
前記画素規定層の厚さ１．０〜３．０μｍである、請求項１〜７のいずれかに記載の表示基板。
【請求項９】
前記ベース基板上に配置された駆動ユニットと、
前記駆動ユニットを覆うパッシベーション層と
前記パッシベーション層上に配置された第１電極と、
前記透かし部分内に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層および前記画素規定層を覆う第２電極とをさらに備え、前記導電性表面は、前記第１電極の前記ベース基板から離れた表面である、請求項１〜８のいずれかに記載の表示基板。
【請求項１０】
ベース基板と、
前記ベース基板の上に透かし部分を有する画素規定層とを備える表示基板、
前記透かし部分は、画素規定層の側壁によって囲まれてなり、底部に１つの導電性表面の一部を露出させ、
前記表示基板の断面図において、前記側壁は、前記透かし部分の相反両側にそれぞれ位置する２つの側辺を含み、各側辺は円弧セグメントであり、前記円弧セグメントは、前記導電性表面に交わる第１の端点と、前記ベース基板から離れた前記画素規定層の表面に交わる第２の端点とを有し、前記第１の端点と前記第２の端点とを結ぶ仮想直線接続線と、前記導電性表面との間の第２の挟角は２０°を超え、前記円弧セグメントの各点における接線と前記導電性表面との間の第３の挟角は３５°未満である。
【請求項１１】
前記第２の挟角は２３°よりも大きく、前記第３の挟角は３０°よりも小さい、請求項１０に記載の表示基板。
【請求項１２】
前記仮想直線接続線は透かし部分内に位置する、
または
前記仮想直線接続線は透かし部分の外に位置する、請求項１０または１１に記載の表示基板。
【請求項１３】
前記表示基板は発光領域を有し、前記導電性表面の、前記画素規定層の前記透かし部分から露出された部分の、前記ベース基板における正投影は、前記発光領域のベース基板における正正投影と完全に重なる、請求項１０〜１２のいずれかに記載の表示基板。
【請求項１４】
前記画素規定層の厚さは１．０〜３．０μｍである、請求項１０〜１３のいずれかに記載の表示基板。
【請求項１５】
前記ベース基板上に配置された駆動ユニットと、
前記駆動ユニットを覆うパッシベーション層と
前記パッシベーション層上に配置された第１電極と、
前記透かし部分内に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層および前記画素規定層を覆う第２電極とをさらに備え、前記導電性表面は、前記第１電極の前記ベース基板から離れた表面である、請求項１０〜１４のいずれかに記載の表示基板。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載の表示基板を備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施例は、表示基板及び表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＡＭＯＬＥＤディスプレイ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ、アクティブマトリックス有機発光ディスプレイ）は、従来の液晶ディスプレイと比較して、自発光、高速応答、視野角が広い、高輝度、色が鮮やか、軽薄などの利点があり、広い市場用途を有する。ＡＭＯＬＥＤディスプレイのコア構造の１つは、透かし部分を有する画素規定層を利用して画素の発光領域を規定するＯＬＥＤデバイスである。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本開示の実施例は、ベース基板と、前記ベース基板の上に透かし部分を有する画素規定層とを備える表示基板を提供し、前記透かし部分は、前記画素規定層の側壁によって囲まれてなり、その底部に１つの導電性表面の一部を露出させ、前記表示基板の断面図では、前記側壁は、前記透かし部分の相反両側にそれぞれ位置する２つの側辺として示され、各前記側辺は少なくとも前記導電性表面と直接接触する第１の直線セグメントを含み、前記第１の直線セグメントと前記導電性表面との間の第１の挟角は２０°よりも大きく、３５°よりも小さい。
【０００４】
一例では、前記第１の挟角は２３°よりも大きく、３０°よりも小さい。
【０００５】
一例では、前記透かし部分は１つの対称軸に対して対称である。
【０００６】
一例では、前記表示基板の前記断面図において、前記第１の直線セグメントは、前記画素規定層の前記ベース基板から離れた表面と交わる。
【０００７】
一例では、前記表示基板の前記断面図において、各前記側辺は、前記ベース基板から離れた前記画素規定層の表面に交わる第２の直線セグメントと、前記第１の直線セグメントと前記第２の直線セグメントとを接続する第３の直線セグメントとをさらに含む。
【０００８】
一例では、前記第２の直線セグメントは前記第１の直線セグメントに平行であり、かつ前記第３の直線セグメントは前記導電性表面に平行である。
【０００９】
一例では、前記表示基板は発光領域を有し、前記導電性表面の、前記画素規定層の前記透かし部分から露出された部分の、前記べース基板における正投影は、前記発光領域のベース基板における正正投影と完全に重なる。
【００１０】
一例では、前記画素規定層の厚さは、１．０〜３．０μｍである。
【００１１】
一例では、前記表示基板は、前記ベース基板上に配置された駆動ユニットと、前記駆動ユニットを覆うパッシベーション層と、前記パッシベーション層上に配置された第１電極と、前記透かし部分内に配置された有機発光層と、前記有機発光層および前記画素規定層を覆う第２電極とをさらに備え、前記導電性表面は、前記第１電極の前記ベース基板から離れた表面である。
【００１２】
本開示の別の実施例は、ベース基板と、前記ベース基板の上に透かし部分を有する画素規定層とを備える表示基板を提供し、前記透かし部分は、前記画素規定層の側壁によって囲まれてなり、底部に１つの導電性表面の一部を露出させ、前記表示基板の断面図では、前記側壁は、前記透かし部分の相反両側にそれぞれ位置する２つの側辺を有し、各前記側辺は円弧セグメントであり、前記円弧セグメントは、前記導電性表面に交わる第１の端点と、前記画素規定層の前記ベース基板から離れた表面に交わる第２の端点とを有し、前記第１の端点と前記第２の端点とを結ぶ仮想直線接続線と、前記導電性表面との間の第２の挟角は２０°よりも大きく、前記円弧セグメントの各点における接線と前記導電性表面との間の第３の挟角は３５°よりも小さいである。
【００１３】
本開示の実施例では、前記第２の挟角が２３°よりも大きく、前記第３の挟角が３０°よりも小さい。
【００１４】
本開示の実施例では、仮想直線接続線が前記透かし部分内に位置するか、または前記仮想直線接続線が前記透かし部分の外に位置する。
【００１５】
本開示の実施例では、前記表示基板は発光領域を有し、前記導電性表面の、前記画素規定層の前記透かし部分から露出された部分の、ベース基板における正投影は、前記発光領域のベース基板における正正投影と完全に重なる。
【００１６】
本開示の実施例では、前記画素規定層が１．０〜３．０μｍの厚さを有する。
【００１７】
本開示の実施例では、前記表示基板は、前記ベース基板上に配置された駆動ユニットと、前記駆動ユニットを覆うパッシベーション層と、前記パッシベーション層上に配置された第１電極と、前記透かし部分内に配置された有機発光層と、前記有機発光層および前記画素規定層を覆う第２電極とをさらに備え、前記導電性表面は、前記第１電極の前記ベース基板から離れた表面である。
【００１８】
本開示のさらに別の実施例は、上記いずれか１項の表示基板を含む表示装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
本開示の実施例の技術案をより明確に説明するために、実施例の説明で使用される図面について以下に簡単に説明するが、以下の説明における図面は、本開示の実施例の一部にすぎないことは明らかであり、当業者は、創造的な労働をすることなく、これらの図面に基づいて他の図面を得ることもできる。
【００２０】
【図１】ＡＭＯＬＥＤディスプレイの断面構造を示す図である。
【図２】本開示の実施例に係る表示基板の断面構造を示す図である。
【図３】本開示の実施例に係る表示基板の断面構造を示す図である。
【図４】本開示の実施例に係る表示基板の断面構造を示す図である。
【図５】本開示の実施例に係る表示基板の断面構造を示す図である。
【図６】本開示の実施例に係る表示基板の断面構造を示す図である。
【図７】本開示の実施例に係る表示基板の断面構造を示す図である。
【図８】本開示の実施例に係る表示基板の断面構造を示す図である。
【図９】本開示の実施例に係る表示装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本開示の実施例の図面を参照して、本開示の実施例における技術案について、明確かつ完全に説明するが、説明された実施例は、本開示の実施例の一部に過ぎず、すべての実施例ではないことは明らかである。本開示の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働を行わない前提で得られた全ての他の実施例は、いずれも本開示の保護範囲に属する。
【００２２】
特に定義されない限り、本開示の実施例で使用されるすべての用語（技術用語および科学用語を含む）は、本開示が属する分野の当業者によって一般に理解されるのと同じ意味を有することに留意されたい。また、通常の辞書で定義されているような用語は、関連技術の文脈における意味と一致する意味を持つものとして解釈されるべきであり、本明細書で明確に定義されていない限り、理想化または極端に形式化された意味で解釈されるべきではないことも理解されるべきである。
【００２３】
例えば、本開示の明細書および特許請求の範囲で使用される用語「第１」、「第２」、および類似の用語は、いかなる順序、数量、または重要性も示さなく、単に異なる構成部分を区別するために使用される。「含む」または「包含」などの類似の用語は、その用語の前に存在する要素または物品が、その用語の後にある要素または物品およびその均等物を包含することを意味し、他の要素または物品を排除するものではない。「上／上方」、「下／下方」などの向きまたは位置関係を示す用語は、図面に示される向きまたは位置関係に基づくものであり、本開示の技術案を便利に説明するための簡単な説明に過ぎず、言及される装置または要素が特定の向きを有しなければならず、特定の向きで構成および操作されなければならないことを示すまたは示唆するものではなく、したがって本開示を限定するものと解釈されるべきではない。
【００２４】
本開示の実施例は、画素規定層の透かし部分に有機発光層が堆積される場合、該画素規定層の側辺の特定の角度の設計は、有機発光層が重力の作用によって摺動し、透かし部分の角に蓄積する程度を減少し、有機発光層の堆積の厚さの均一性を向上させ、表示基板の表示品質をさらに向上させることができる表示基板及び表示装置を提供する。
【００２５】
図１は、ＡＭＯＬＥＤディスプレイの構造を示す概略図である。ＯＬＥＤデバイスを駆動する薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴと略称、図中、ＴＦＴと記す）はベース基板１上に形成され、ベース基板１上には、さらにＴＦＴのゲートと半導体層とを分離するゲート絶縁層２と、ＴＦＴのゲートとソース、ドレインとを分離する層間絶縁層３とが形成されている。ＴＦＴの上には、自体を覆うパッシベーション層４が形成されている。パッシベーション層４上には、ＴＦＴのドレインを露出するビアホールが形成されている。ＯＬＥＤ素子のアノード５１は、パッシベーション層４上に形成され、前述したビアホールを介してドレインと電気的に接続されている。画素規定層６は、パッシベーション層４及びアノード５１上に位置し、画素規定層６の透かし部分６１（すなわち、開口）は、アノード５１の一部を露出させる。ＯＬＥＤデバイスの有機発光層５２は、アノード５１上に堆積され、ＯＬＥＤデバイスのカソード５３は、有機発光層５２および画素規定層６を覆う。
【００２６】
しかしながら、有機発光層５２は、通常、蒸着、スピンコーティング、またはインクジェット印刷によって画素規定層６の透かし部分６１内に積層され、図１に示すように、画素規定層６の側辺と基板表面との挟角（図中δと記す）が比較的大きく、すなわち、画素規定層６の透かし部分６１の勾配が急であるため、重力の作用により、有機発光層５２が積層時に透かし部分６１の角に堆積しやすく（図中点線の丸の部分で示す）、画素規定層６とアノード電極５１との境界における有機発光層５２の厚さが、アノード電極５１の中央領域における有機発光層５２の厚さよりも大きくなり、これにより、中央領域の発光が比較的明るく、画素規定層６とアノード電極５１との境界における発光が比較的暗くなり、ＯＬＥＤデバイスの輝度が不均一になって表示品質に影響を与える。
【００２７】
図２に示すように、本開示の実施例では、ベース基板１と、ベース基板１上に設けられた画素規定層６とを備える表示基板を提供し、画素規定層６は、複数の間隔を空けて配置された透かし部分６１を含む（図には１つのみ示す）；ベース基板１に垂直な方向において、透かし部分６１の断面形状は、ベース基板１に平行である対向して配置された第１の辺ａと第２の辺ｂと、第１の辺ａと第２の辺ｂとを結ぶ２つの側辺ｃとからなり、そのうち、第１の辺ａは第２の辺ｂよりも大きく、第２の辺ｂはベース基板１と第１の辺ａとの間に位置し、側辺ｃと第２の辺ｂの延長線との挟角を第１の挟角（図中θ１と記す）とし、第１の挟角θ１は２０°よりも大きく３５°よりも小さい。
【００２８】
ここで、第１の辺ａと第２の辺ｂは、いずれも仮想的な辺であり、実在する辺ではない。
【００２９】
画素規定層６は、ベース基板１上に設けられていればよく、両者の間に他の構造層が設けられていてもよい。
【００３０】
前記第１の挟角θ１が３５°未満であると、重力による有機発光層への摺動作用が小さく、透かし部分６１内に積層する有機発光層の厚さを均一にすることができる。一定の面積を有する画素規定層６において、透かし部分６１の数が決まると、透かし部分６１の側辺ｃの角度が小さいほど、透かし部分６１（すなわち、表示基板に対応する画素領域）の有効発光面積が小さくなるので、画素規定層６を表示基板に適用した後の画素発光面積の要求を考慮して、前記第１の挟角θ１は、３５°未満であると同時に、２０°よりも大きい。
【００３１】
さらに、前記第１の挟角θ１は２３°よりも大きく３０°よりも小さい。
【００３２】
側辺ｃと第２の辺ｂの延長線との第１の挟角θ１が２０°よりも大きく３５°よりも小さいという前提で、いずれの透かし部分６１についても、透かし部分６１が１つの立体領域であり、ベース基板１に垂直な方向に沿った断面が複数あるため、各断面パターンにおける側辺ｃと第２の辺ｂの延長線とのそれぞれの第１の挟角θ１は同一であっても異なっていてもよい。工程の簡略化を考慮して、いずれの透かし部分６１の各断面パターンにおける各側辺ｃと第２の辺ｂの延長線との第１の挟角θ１を同じ値に設定してもよい。例えば、透かし部分６１は、対称軸ＡＸに対して対称である。対称軸ＡＸは、ベース基板１に垂直である。
【００３３】
同一断面内の異なる透かし部分６１について、それぞれの透かし部分６１の断面パターンにおけるそれぞれの側辺ｃと第２の辺ｂの延長線との第１の挟角θ１は、同一であっても異なっていてもよい。工程の簡略化を考慮して、いずれの透かし部分６１の断面パターンにおける各側辺ｃと第２の辺ｂの延長線との第１の挟角θ１を同じ値に設定してもよい。また、上記に加えて、図３に示すように、前記表示基板は、複数の発光領域ＬＥ（図３では１つのみ示す）に区画されている。図２に示す画素規定層６の透かし部分６１は、発光領域ＬＥと一対一に対応している。
【００３４】
前記表示基板は、例えば、アレイ基板であり、図３を参照すると、前記表示基板は、ベース基板１上に設けられた駆動ユニット（図中、ＴＦＴと記す）と、駆動ユニットＴＦＴを覆うパッシベーション層４とをさらに備え、ＴＦＴのゲートと半導体層とはゲート絶縁層２により離間され、ＴＦＴのゲートとソース、ドレインとは層間絶縁層３により離間されている。上記表示基板は、パッシベーション層４上に設けられた平坦化層（図示していない）をさらに含んでもよい。上記表示基板は、パッシベーション層４上に間隔を空けて配置された複数のアノード５１と、透かし部分６１内に配置された有機発光層５２と、有機発光層５２と画素規定層６を覆うカソード５３とをさらに備え、前記画素規定層６の透かし部分６１はアノード５１の一部の領域に対応している。
【００３５】
ここで、第１の辺ａは第２の辺ｂよりも大きく、かつ第２の辺ｂはベース基板１と第１の辺ａとの間に位置するため、第１の辺ａは必然的に、透かし部分６１の断面パターンにおけるベース基板１から離れる上辺であり、対向する第２の辺ｂは必然的に透かし部分６１の断面パターンにおけるベース基板１に近い下辺であり、すなわち、透かし部分６１の断面パターンは逆台形である。
【００３６】
積層される有機発光層５２が一定の厚さを有する必要があることを考慮して、画素規定層６の厚さは、例えば１．０〜３．０μｍであってよく、これにより、有機発光層５２に一定の深さを有する積層空間を提供する。
【００３７】
図４または図５に示すように、本開示の実施例は、ベース基板１と、ベース基板１上に設けられた画素規定層６とを備える表示基板を提供する；画素規定層６は、複数の間隔を空けて配置された透かし部分６１を含む（図には１つのみ示す）；ベース基板１に垂直な方向において、透かし部分６１の断面形状は、ベース基板１に平行である対向して配置された第１の辺ａと、第２の辺ｂと、第１の辺ａと第２の辺ｂとを結ぶ２つの劣弧状の側辺ｃとからなる；ここで、第１の辺ａは第２の辺ｂよりも大きく、第２の辺ｂはベース基板１と第１の辺ａとの間に位置する；側辺ｃは、第１の辺ａに接する第１の端点（図中Ａと記す）と、第２の辺ｂに接する第２の端点（図中Ｂと記す）とを含む；第１の端点Ａと第２の端点Ｂを結ぶ線と第２の辺ｂの延長線との挟角は第２の挟角（図中θ２と記す）であり、第２の挟角θ２は２０°よりも大きい；側辺ｃ上の任意の点における接線と第２の辺ｂの延長線との挟角は第３の挟角（図中θ３と記す）であり、第３の挟角θ３は３５°よりも小さい。ここで、第１の辺ａと第２の辺ｂは、いずれも仮想的な辺であり、実在する辺ではない。
【００３８】
なお、画素規定層６は、ベース基板１の上に設けられていればよく、両者の間に他の構造層が設けられていてもよい。
【００３９】
画素規定層６は通常フォトレジスト樹脂材料で作られ、露光現像により画素規定層６１の透かし部分６１を形成するため、画素規定層６の側辺は完全な直線ではなく、湾曲した劣弧（すなわち、中心角が１８０°未満の円弧）を呈する。劣弧の両端点と前記第２の辺ｂの延長線との第２の挟角θ２が２０°以上であり、劣弧の任意の点における接線と前記第２の辺ｂの延長線との第３の挟角 θ３が３５°以下であることにより、重力による前記有機発光層の前記透かし部分６１の側辺における摺動作用が小さくなり、前記透かし部分６１内における前記有機発光層の厚さを均一にすることができる。
【００４０】
前記第２の挟角θ２はさらに２３°よりも大きく、かつ、前記第３の挟角θ３はさらに３０°よりも小さい。
【００４１】
劣弧における両端点と第２の辺ｂの延長線との第２の挟角θ２が２０°よりも大きく、劣弧における任意の点の接線と前記第２の辺ｂの延長線との第３の挟角θ３が３５°よりも小さいという前提のもと、いずれの透かし部分６１についても、透かし部分６１が１つの立体領域であり、ベース基板１に垂直な方向に沿った断面が複数あるため、各断面パターンにおける各側辺ｃの端点を結ぶ線と第２の辺ｂの延長線との第２の挟角θ２は同一であっても異なっていてもよく、各断面パターンにおける各側辺ｃの端点における接線と第２の辺ｂの延長線との第３の挟角θ３は同一であっても異なっていてもよい。工程の簡略化を考慮して、いずれの透かし部分６１の各断面パターンにおける各側辺ｃの端点を結ぶ線と第２の辺ｂの延長線との第２の挟角θ２を同じ値に設定してもよく、いずれの透かし部分６１の各断面パターンにおける各側辺ｃの任意の点における接線と第２の辺ｂの延長線との第３の挟角θ３を同じ値に設定してもよい。
【００４２】
同一断面内の異なる透かし部分６１について、それぞれの透かし部分６１の断面パターンにおける各側辺ｃと第２の辺ｂの延長線との第２の挟角θ２は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれの透かし部分６１の断面パターンにおける各側辺ｃ上の任意の点における接線と第２の辺ｂの延長線との第３の挟角θ３は、同一であっても異なっていてもよい。工程の簡略化を考慮して、各透かし部分６１の断面パターンにおける各側辺ｃと第２の辺ｂの延長線との第２の挟角θ２を同じ値に設定し、各透かし部分６１の断面形状における各側辺ｃ上の任意の点における接線と第２の辺ｂの延長線との第３の挟角θ３を同じ値に設定してもよい。例えば、透かし部分６１は、対称軸ＡＸに対して対称である。対称軸ＡＸは、ベース基板１に垂直である。
【００４３】
図４に示すように、側辺ｃは、第１の辺ａと第２の辺ｂとが対向する領域に凹んでいてもよく、すなわち、透かし部分６１に対して内側に凹んでいてもよく、劣弧の両端点を結ぶ線は、透かし部分６１の外側に位置する。
【００４４】
これに反して、図５に示すように、側辺ｃは、第１の辺ａおよび第２の辺ｂとが対向する領域から突出してもよく、すなわち、透かし部分６１に対して外側に突出し、劣弧の両端点を結ぶ線は、透かし部分６１内に位置する。
【００４５】
ここで、劣弧の両端点を結ぶ線は仮想的な直線である。
【００４６】
また、上記に加えて、図６に示すように、前記表示基板には、複数の発光領域ＬＥ（図６では１つのみ示す）が区画されている。図４または図５に示す画素規定層６の透かし部分６１は、発光領域ＬＥと一対一に対応している。
【００４７】
前記表示基板は、具体的にはアレイ基板であり、図６に示すように、前記表示基板は、ベース基板１上に設けられた駆動ユニット（図中、ＴＦＴと記す）と、駆動ユニットＴＦＴを覆うパッシベーション層４とを備え、ＴＦＴのゲートと半導体層とはゲート絶縁層２により離間され、ＴＦＴのゲートはソースとドレインから層間絶縁層３により離間されている。上記表示基板は、パッシベーション層４上に設けられた平坦化層（図示せず）をさらに含んでもよい。上記表示基板は、パッシベーション層４上に間隔を隔てて配置された複数のアノード５１と、透かし部分６１内に配置された有機発光層５２と、有機発光層５２と画素規定層６を覆うカソード５３とをさらに備え、前記画素規定層６の透かし部分６１はアノード５１の一部領域に対応している。
【００４８】
ここで、上記図６では、前記図４に例示した透かし部分６１が内側に凹む画素規定層６のみを例に挙げて説明するが、図５に例示した透かし部分６１が外側に突出する画素規定層６についても同様に適用できるので、ここではその詳細な説明は省略する。ここで、第１の辺ａは第２の辺ｂよりも大きく、かつ第２の辺ｂはベース基板１と第１の辺ａとの間に位置するため、第１の辺ａは必然的に、透かし部分６１の断面パターンにおけるベース基板１から離れる上辺であり、対向する第２の辺ｂは必然的に透かし部分６１の断面パターンにおけるベース基板１に近い下辺であり、すなわち、透かし部分６１の断面パターンは側辺が凹んだ劣弧または突出した劣弧となる逆台形となる。
【００４９】
ここで、堆積される有機発光層５２が一定の厚さを有する必要があることを考慮して、画素規定層６の厚さは、例えば１．０〜３．０μｍであってもよく、それにより、有機発光層５２に一定の深さを有する堆積空間を提供する。
【００５０】
図７に示すように、本開示の実施例は、ベース基板１と、ベース基板１上に設けられた画素規定層６とを備える表示基板を提供する；画素規定層６は、複数の間隔を空けて配置された透かし部分６１（図には１つのみ示す）と、透かし部分６１の内部に配置された少なくとも１つの階段とを含む；ベース基板１に垂直な方向において、透かし部分６１の断面形状は、ベース基板１に平行である対向して配置された第１の辺ａと第２の辺ｂと、第１の辺ａと第２の辺ｂとを結ぶ２つの折れ線状の側辺ｃとからなる；そのうち、第１の辺ａは第２の辺ｂよりも大きく、かつ、第２の辺ｂはベース基板１と第１の辺ａとの間に位置する；側辺ｃは、ベース基板１に平行する少なくとも１本の第１のセグメントｃ１と少なくとも２本の第２のセグメントｃ２とからなる；第２のセグメントｃ２と第２の辺ｂの延長線との挟角はいずれも第４の挟角（図中θ４と記す）とし、各第４の挟角はいずれも２０°よりも大きく、３５°よりも小さい。ここで、第１の辺ａと第２の辺ｂは、いずれも仮想的な辺であり、実在する辺ではない。
【００５１】
画素規定層６は、ベース基板１上に設けられていればよく、両者の間に他の構造層が設けられていてもよい。
【００５２】
図７に示すように、本開示の実施例は、上記透かし部分６１の内部の階段数が１つである、すなわち、透かし部分６１の断面形状において、側辺ｃは、層面に平行な１本の第１のセグメントｃ１、すなわち階段の断面（１本のセグメントとして示す）と、２本の第２のセグメントｃ２とからなることのみを例に挙げて説明するが、本開示の実施例は、階段の数に限定はなく、透かし部分６１のサイズや有機発光層の摺動を抑制する効果に応じて、具体的な階段の数を柔軟に設計することができる。
【００５３】
上記画素規定層６の透かし部分６１内にＯＬＥＤデバイスの有機発光層を形成した場合、有機発光層の一部の領域を階段の上に配置することができ、透かし部分６１の内部に突出する階段により、有機発光層が重力によって摺動して堆積する程度を緩和し、ＯＬＥＤデバイスのアノードと画素規定層６のエッジにおける有機発光層の厚さと、アノードの中央部における有機発光層の厚さとを均一にすることができ、表示品質をさらに改善することができる。
【００５４】
第４の挟角θ４が３５°未満であると、重力による有機発光層の摺動作用が小さく、透かし部分６１内に積層する有機発光層の厚さを均一にすることができる。一定の面積を有する画素規定層６において、透かし部分６１の数が決まると、透かし部分６１の側辺ｃの第２のセグメントの角度が小さいほど、透かし部分６１（すなわち、表示基板の画素領域に対応する）の有効発光面積が小さくなるので、画素規定層６を表示基板に適用した後の画素発光面積の要求を考慮して、前記第４の挟角θ４が、３５°よりも小さいと同時に、２０°よりも大きい必要がある。前記第４の挟角θ４はさらに２３°よりも大きく、３０°よりも小さい。
【００５５】
側辺ｃの第２のセグメントｃ２と第２の辺ｂの延長線との第４の挟角θ４が２０°よりも大きく３５°よりも小さいことを満たすという前提で、いずれの透かし部分６１についても、各側辺ｃの各第２のセグメントｃ２と第２の辺ｂの延長線との第４の挟角θ４は同一であっても異なっていてもよい。工程の簡略化を考慮して、いずれの透かし部分６１の各側辺ｃにおける第２のセグメントｃ２と第２の辺ｂの延長線との第４の挟角θ４を同じ値に設定してもよく、すなわち同一の側辺ｃにおける各第２のセグメントｃ２同士が平行になるように設定してもよい。
【００５６】
いずれの透かし部分６１についても、透かし部分６１が１つの立体領域であり、ベース基板１に垂直な方向に沿った断面が複数あるため、各断面パターンにおける各側辺ｃの第２のセグメントｃ２と第２の辺ｂの延長線との第４の挟角θ４は同一であっても異なっていてもよい。工程の簡略化を考慮して、いずれの透かし部分６１の各断面パターンにおける側辺ｃの各第２のセグメントｃ２と第２の辺ｂの延長線との第４の挟角θ４を同じ値に設定してもよい。
【００５７】
同一断面内の異なる透かし部分６１について、それぞれの透かし部分６１の断面パターンにおけるそれぞれの側辺ｃの各第２のセグメントｃ２と第２の辺ｂの延長線との第４の挟角θ４は、同一であっても異なっていてもよい。工程の簡略化を考慮して、いずれの透かし部分６１の断面パターンにおける各側辺ｃにおける各第２のセグメントｃ２と第２の辺ｂの延長線との第４の挟角θ４を同じ値に設定してもよい。例えば、透かし部分６１は、対称軸ＡＸに対して対称である。対称軸ＡＸは、ベース基板１に垂直である。
【００５８】
また、上記に加えて、図８に示すように、前記表示基板は、複数の発光領域ＬＥ（図８では１つのみ示す）に区画されている。図７に示す画素規定層６の透かし部分６１は、発光領域ＬＥと一対一に対応している。
【００５９】
前記表示基板は、具体的にはアレイ基板であり、図８に示すように、前記表示基板は、ベース基板１上に設けられた駆動ユニット（図中、ＴＦＴと記す）と、駆動ユニットＴＦＴを覆うパッシベーション層４とを備え、ＴＦＴのゲートと半導体層とはゲート絶縁層２により離間され、ＴＦＴのゲートはソースとドレインから層間絶縁層３により離間されている。上記表示基板は、パッシベーション層４上に設けられた平坦化層（図示せず）をさらに含んでもよい。上記表示基板は、パッシベーション層４上に間隔を空けて配置された複数のアノード５１と、透かし部分６１内に配置された有機発光層５２と、有機発光層５２と画素規定層６を覆うカソード５３とをさらに備え、前記画素規定層６の透かし部分６１はアノード５１の一部領域に対応している。
【００６０】
有機発光層５２の一部の領域は透かし部分６１内の階段の上に配置され、階段により、有機発光層５２の重力によって摺動して堆積する程度を緩和し、ＯＬＥＤデバイスのアノードと画素規定層６の端部における有機発光層５２の厚さと、アノード５１の中央部における有機発光層５２の厚さとを均一にすることができ、表示品質をさらに改善することができる。
【００６１】
ここで、第１の辺ａは第２の辺ｂよりも大きく、階段は透かし部分６１の内部に位置し、かつ第２の辺ｂはベース基板１と第１の辺ａとの間に位置するため、第１の辺ａは必然的に、透かし部分６１の断面パターンにおけるベース基板１から離れる上辺であり、対向する第２の辺ｂは必然的に透かし部分６１の断面パターンにおけるベース基板１に近い下辺であり、すなわち、透かし部分６１の断面パターンは側辺が階段を有する逆台形である。
【００６２】
ここで、堆積される有機発光層５２が一定の厚さを有する必要があることを考慮して、画素規定層６の厚さは、例えば１．０〜３．０μｍであってもよく、それにより、有機発光層５２に一定の深さを有する堆積空間を提供する。
【００６３】
上記の各実施例において、上記表示基板は、ＴＦＴのゲート電極と同じ層に配置されたゲート線、ゲート線引き回し線と、ＴＦＴのソースおよびドレインと同じ層に配置されたデータ線、データ線引き回し線とをさらに含む。ここで、ゲート線と、ＴＦＴのゲート電極と、ゲート線引き回し線とを含むパターン層、及びデータ線と、ＴＦＴのソース電極とドレイン電極と、データ線引き回し線とを含むパターン層は、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）及びＷ（タングステン）等の金属単体材料で構成されていてもよいし、これらの合金で構成されていてもよい。上記各パターン層の具体的な構造は、単層構造でもよいし、積層設計されたＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ及びＭｏ／Ｔｉ／Ｃｕ等の多層構造でもよい。
【００６４】
ＴＦＴは、具体的には、アモルファスシリコンＴＦＴ、ポリシリコンＴＦＴ、または酸化物半導体ＴＦＴであってもよく、その構造は、トップゲート型またはボトムゲート型であってもよい。
【００６５】
ここで、一部のＴＦＴ構造では、ゲート電極はゲート線の一部であってもよく（すなわち、ゲート線から延出した独立のゲートパターンではない）、ソース電極はデータ線の一部であってもよく（すなわち、データ線から延出した独立のソースパターンではない）、本開示の実施例は、ＴＦＴに関する具体的な構造を限定しなく、従来技術における様々なＴＦＴ構造を流用したり、または上記表示基板の具体的な構造要件に応じてＴＦＴの種類および／または構造を柔軟に選択することができる。
【００６６】
ゲート絶縁層２は、窒化ケイ素または酸化ケイ素材料を用いて構成することができ、その具体的な構造は、単層構造であってもよいし、多層構造、例えば、積層設計された酸化ケイ素／窒化ケイ素であってもよい。
【００６７】
ＴＦＴを覆うパッシベーション層４は、窒化ケイ素または酸化ケイ素材料を用いて構成することができ、その構造は、単層構造であってもよいし、多層構造、例えば、積層設計された酸化ケイ素／窒化ケイ素であってもよい。
【００６８】
平坦化層（上記図面には示されていない）は、樹脂材料を用いて構成されていてもよい。
アノード５１は、具体的には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、酸化インジウム亜鉛）、およびＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−Ｄｏｐｅｄ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、フッ素ドープ二酸化スズ）などの透明金属酸化物導電性材料で構成さてよく、また、上記の透明金属酸化物導電性材料と金属材料（例えば銀Ａｇ）との多層積層構造、例えば、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層からなるものを用いてもよい。
【００６９】
カソード５３は、アルミニウム（Ａｌ）および／または銀（Ａｇ）などの金属材料で構成することができ、その構造は単層又は多層積層構造でもよい。
【００７０】
上記実施例では、透かし部分６１は、画素規定層６の側壁ＳＷに囲まれ、かつその底部にアノード５１の上面の一部を露出させている。例えば、アノード５１の上面は、前記ベース基板の上面と平行である。
【００７１】
上記に基づいて、本開示の実施例は、上記各実施例で説明した表示基板ＤＰを含む表示装置ＤＡをさらに提供する。上記表示装置は、具体的にはＯＬＥＤ表示装置であってもよく、ＯＬＥＤディスプレイ、ＯＬＥＤテレビ、デジタルフォトフレーム、携帯電話、タブレットコンピューター、カーナビゲーション等、いかなる表示機能を有する製品又は部品であってもよい。
【００７２】
上記は本開示の具体的な実施形態に過ぎないが、本開示の範囲はこれに限定されず、本開示の技術的範囲内で当業者であれば容易に想到できる変更または置換は、すべて本開示の技術的範囲内に包含するものである。したがって、本開示の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲に準ずるものとする。
【００７３】
上記の説明は、本開示の例示的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲を制限するためのものではなく、本開示の保護範囲は、添付の特許請求の範囲によって決定される。
【００７４】
本出願は、２０１７年８月２４日に出願された出願番号が２０１７２１０７２７４１．６である中国特許出願を基礎出願とする優先権を主張し、前記中国特許出願の開示内容の全てが参照によって本出願の一部として本明細書に組み込まれる。
【図１】
2020532044.tif 000003
【図２】
2020532044.tif 000004
【図３】
2020532044.tif 000005
【図４】
2020532044.tif 000006
【図５】
2020532044.tif 000007
【図６】
2020532044.tif 000008
【図７】
2020532044.tif 000009
【図８】
2020532044.tif 000010
【図９】
2020532044.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月28日(2020.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板の上に位置されると共に、透かし部分を有する画素規定層とを備える表示基板であって、
前記透かし部分は、画素規定層の側壁によって囲まれてなり、底部に１つの導電性表面の一部を露出させ、
前記表示基板の前記ベース基板に垂直な方向に沿う断面図では、前記側壁は、前記透かし部分の相反両側にそれぞれ位置する２つの側辺を含み、各側辺は少なくとも前記導電性表面と直接接触する第１の直線セグメントを含み、前記第１の直線セグメントと前記導電性表面との間の第１の挟角は２０°よりも大きく、３５°よりも小さい、
表示基板。
【請求項２】
前記第１の挟角が２３°よりも大きく３０°よりも小さい請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記透かし部分は、１つの前記ベース基板に垂直な対称軸に関して対称である、請求項１または２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記表示基板の前記断面図において、前記第１の直線セグメントの延長線は、前記画素規定層の前記ベース基板から離れた表面と交わる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項５】
前記表示基板の前記断面図において、各側辺は、前記ベース基板から離れた前記画素規定層の表面に交わる第２の直線セグメントと、前記第１の直線セグメントと前記第２の直線セグメントとを接続する第３の直線セグメントとをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項６】
前記第２の直線セグメントは前記第１の直線セグメントと平行であり、かつ前記第３の直線セグメントは前記導電性表面と平行である、請求項５に記載の表示基板。
【請求項７】
前記表示基板は発光領域を有し、前記導電性表面の、前記画素規定層の前記透かし部分から露出された部分の、前記ベース基板における正投影は、前記発光領域のベース基板における正正投影と完全に重なる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項８】
前記画素規定層の厚さは、１．０〜３．０μｍである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項９】
前記ベース基板上に配置された駆動ユニットと、
前記駆動ユニットを覆うパッシベーション層と、
前記パッシベーション層上に配置された第１電極と、
前記透かし部分内に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層および前記画素規定層を覆う第２電極とをさらに備え、前記導電性表面は、前記第１電極の前記ベース基板から離れた表面である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項１０】
ベース基板と、
前記ベース基板の上に透かし部分を有する画素規定層とを備える表示基板であって、
前記透かし部分は、画素規定層の側壁によって囲まれてなり、底部に１つの導電性表面の一部を露出させ、
前記表示基板の前記ベース基板に垂直な方向に沿う断面図において、前記側壁は、前記透かし部分の相反両側にそれぞれ位置する２つの側辺を含み、各側辺は円弧セグメントであり、前記円弧セグメントは、前記導電性表面に交わる第１の端点と、前記ベース基板から離れた前記画素規定層の表面に交わる第２の端点とを有し、前記第１の端点と前記第２の端点とを結ぶ仮想直線接続線と、前記導電性表面との間の第２の挟角は２０°を超え、前記円弧セグメントの各点における接線と前記導電性表面との間の第３の挟角は３５°未満である、
表示基板。
【請求項１１】
前記第２の挟角は２３°よりも大きく、前記第３の挟角は３０°よりも小さい、請求項１０に記載の表示基板。
【請求項１２】
前記仮想直線接続線は透かし部分内に位置する、
または
前記仮想直線接続線は透かし部分の外に位置する、請求項１０または１１に記載の表示基板。
【請求項１３】
前記表示基板は発光領域を有し、前記導電性表面の、前記画素規定層の前記透かし部分から露出された部分の、前記ベース基板における正投影は、前記発光領域のベース基板における正正投影と完全に重なる、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項１４】
前記画素規定層の厚さは１．０〜３．０μｍである、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項１５】
前記ベース基板上に配置された駆動ユニットと、
前記駆動ユニットを覆うパッシベーション層と
前記パッシベーション層上に配置された第１電極と、
前記透かし部分内に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層および前記画素規定層を覆う第２電極とをさらに備え、前記導電性表面は、前記第１電極の前記ベース基板から離れた表面である、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の表示基板を備える表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本開示の実施例は、ベース基板と、前記ベース基板の上に透かし部分を有する画素規定層とを備える表示基板を提供し、前記透かし部分は、前記画素規定層の側壁によって囲まれてなり、その底部に１つの導電性表面の一部を露出させ、前記表示基板の前記ベース基板１に垂直な方向に沿う断面図では、前記側壁は、前記透かし部分の相反両側にそれぞれ位置する２つの側辺を含み、各前記側辺は少なくとも前記導電性表面と直接接触する第１の直線セグメントを含み、前記第１の直線セグメントと前記導電性表面との間の第１の挟角は２０°よりも大きく、３５°よりも小さい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
一例では、前記透かし部分は１つの前記ベース基板１に垂直な対称軸に対して対称である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
一例では、前記表示基板の前記断面図において、前記第１の直線セグメントの延長線は、前記画素規定層の前記ベース基板から離れた表面と交わる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本開示の別の実施例は、ベース基板と、前記ベース基板の上に透かし部分を有する画素規定層とを備える表示基板を提供し、前記透かし部分は、前記画素規定層の側壁によって囲まれてなり、底部に１つの導電性表面の一部を露出させ、前記表示基板の前記ベース基板１に垂直な方向に沿う断面図では、前記側壁は、前記透かし部分の相反両側にそれぞれ位置する２つの側辺を有し、各前記側辺は円弧セグメントであり、前記円弧セグメントは、前記導電性表面に交わる第１の端点と、前記画素規定層の前記ベース基板から離れた表面に交わる第２の端点とを有し、前記第１の端点と前記第２の端点とを結ぶ仮想直線接続線と、前記導電性表面との間の第２の挟角は２０°よりも大きく、前記円弧セグメントの各点における接線と前記導電性表面との間の第３の挟角は３５°よりも小さいである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
しかしながら、有機発光層５２は、通常、蒸着、スピンコーティング、またはインクジェット印刷によって画素規定層６の透かし部分６１内に積層され、図１に示すように、画素規定層６の側辺とベース基板の表面との挟角（図中δと記す）が比較的大きく、すなわち、画素規定層６の透かし部分６１の勾配が急であるため、重力の作用により、有機発光層５２が積層時に透かし部分６１の角に堆積しやすく（図中点線の丸の部分で示す）、画素規定層６とアノード電極５１との境界における有機発光層５２の厚さが、アノード電極５１の中央領域における有機発光層５２の厚さよりも大きくなり、これにより、中央領域の発光が比較的明るく、画素規定層６とアノード電極５１との境界における発光が比較的暗くなり、ＯＬＥＤデバイスの輝度が不均一になって表示品質に影響を与える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
前記表示基板は、例えば、アレイ基板であり、図３を参照すると、前記表示基板は、ベース基板１上に設けられた駆動ユニット（図中、ＴＦＴと記す）と、駆動ユニットＴＦＴを覆うパッシベーション層４とをさらに備え、ＴＦＴのゲートと半導体層とはゲート絶縁層２により離間され、ＴＦＴのゲートとソース、ドレインとは層間絶縁層３により離間されている。上記表示基板は、パッシベーション層４上に設けられた平坦化層（図示していない）をさらに含んでもよい。上記表示基板は、パッシベーション層４上に間隔を空けて配置された複数のアノード５１（即ち第１の電極）と、透かし部分６１内に配置された有機発光層５２と、有機発光層５２と画素規定層６を覆うカソード５３とをさらに備え、前記画素規定層６の透かし部分６１はアノード５１の一部の領域（即ち、導電性表面上の一部の領域）に対応している。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図４または図５に示すように、本開示の実施例は、ベース基板１と、ベース基板１上に設けられた画素規定層６とを備える表示基板を提供する；画素規定層６は、複数の間隔を空けて配置された透かし部分６１を含む（図には１つのみ示す）；ベース基板１に垂直な方向において、透かし部分６１の断面形状は、ベース基板１に平行である対向して配置された第１の辺ａと、第２の辺ｂと、第１の辺ａと第２の辺ｂとを結ぶ２つの弧状セグメント（即ち、劣弧状の側辺ｃ）とからなる；ここで、第１の辺ａは第２の辺ｂよりも大きく、第２の辺ｂはベース基板１と第１の辺ａとの間に位置する；側辺ｃは、第１の辺ａに接する第１の端点（図中Ａと記す）と、第２の辺ｂに接する第２の端点（図中Ｂと記す）とを含む；第１の端点Ａと第２の端点Ｂを結ぶ線と第２の辺ｂの延長線との挟角は第２の挟角（図中θ２と記す）であり、第２の挟角θ２は２０°よりも大きい；側辺ｃ上の任意の点における接線と第２の辺ｂの延長線との挟角は第３の挟角（図中θ３と記す）であり、第３の挟角θ３は３５°よりも小さい。ここで、第１の辺ａと第２の辺ｂは、いずれも仮想的な辺であり、実在する辺ではない。第１の辺ａは導電性表面内に位置し、第２の辺ｂは、画素規定層６のベース基板１から離反する表面が所在する面内に位置する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図７に示すように、本開示の実施例は、上記透かし部分６１の内部の階段数が１つである、すなわち、透かし部分６１の断面形状において、側辺ｃは、層面に平行な１本の第１のセグメントｃ１、すなわち階段の断面（１本のセグメントとして示す）と、２本の第２のセグメントｃ２とからなることのみを例に挙げて説明するが、本開示の実施例は、階段の数に限定はなく、透かし部分６１のサイズや有機発光層の摺動を抑制する効果に応じて、具体的な階段の数を柔軟に設計することができる。２つの第２のセグメントｃ２のうち、ベース基板１に近い１つの第２のセグメントｃ２は第１の直線セグメント、もう１つの第２のセグメントｃ２は第２の直線セグメントであり、第１のセグメントｃ１は、第３の直線セグメントである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2020532044.tif 000012
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2020532044.tif 000013
【国際調査報告】
2020532044.tif 000014
2020532044.tif 000015
2020532044.tif 000016
2020532044.tif 000017
2020532044.tif 000018