(57)【要約】  外殻と、第１の円盤状コンデンサと、第２の円盤状コンデンサと、インダクタとを少なくとも備えるフィルタ装置が開示されている。外殻は、積層方向に細長い。第１の円盤状コンデンサおよび第２の円盤状コンデンサは、外殻内に配設され、第１の円盤状コンデンサは、積層方向に沿って第２の円盤状コンデンサの上に積層されている。インダクタは、外殻内に配設される第１のパターン形成された導電線を備える。第１のパターン形成された導電線は、第１の円盤状コンデンサと第２の円盤状コンデンサの間に結合される。第１のパターン形成された導電線は、積層方向を横切る巻き方向に巻かれる。【選択図】図１
2020532196.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層方向に細長い外殻と、
前記外殻内の第１の円盤状コンデンサと、
前記外殻内の第２の円盤状コンデンサであって、前記第１の円盤状コンデンサが前記積層方向に沿って前記第２の円盤状コンデンサの上に積層されている第２の円盤状コンデンサと、
前記外殻内の第１のパターン形成された導電線を備えたインダクタであって、前記第１のパターン形成された導電線は、前記第１の円盤状コンデンサと前記第２の円盤状コンデンサの間に結合され、前記第１のパターン形成された導電線は、前記積層方向を横切る巻き方向に巻かれるインダクタと
を備えるフィルタ装置。
【請求項２】
前記第１の円盤状コンデンサは、前記積層方向に沿った第１の筒状を有する第１の電極と、前記積層方向に沿った第２の筒状を有する第２の電極とを備え、前記第２の電極の断面は、前記第１の電極の断面を囲む、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項３】
前記第１の円盤状コンデンサおよび前記第２の円盤状コンデンサは、多層セラミックコンデンサである、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項４】
前記第１のパターン形成された導電線は、液晶ポリマー、窒化アルミニウム、およびセラミックの少なくとも１つで構成される本体上に形成される、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項５】
前記第１のパターン形成された導電線は、前記積層方向に沿った筒状を有する本体上に形成される、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項６】
前記第１のパターン形成された導電線は、前記積層方向に沿って高さが増加している本体上に形成され、前記高さは、前記積層方向に直交する方向に測定される、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項７】
前記第１のパターン形成された導電線は、前記積層方向に沿って高さが減少している本体上に形成され、前記高さは、前記積層方向に直交する方向に測定される、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項８】
前記第１のパターン形成された導電線は、本体上に形成され、前記本体は、前記積層方向に直交する第１の断面と、前記積層方向に直交する第２の断面と、前記積層方向に直交する第３の断面とを有し、前記第１の断面は前記第２の断面よりも前記第１の円盤状コンデンサに近く、前記第３の断面は前記第２の断面よりも前記第２の円盤状コンデンサに近い、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項９】
前記積層方向に直交する前記第１の断面の第１の高さは、前記積層方向に直交する前記第２の断面の第２の高さよりも大きく、前記積層方向に直交する前記第３の断面の第３の高さは、前記第２の高さよりも大きい、請求項８に記載のフィルタ装置。
【請求項１０】
前記積層方向に直交する前記第１の断面の第１の高さは、前記積層方向に直交する前記第２の断面の第２の高さよりも小さく、前記積層方向に直交する前記第３の断面の第３の高さは、前記第２の高さよりも小さい、請求項８に記載のフィルタ装置。
【請求項１１】
前記外殻内の第３の円盤状コンデンサと、
前記外殻内の第２のパターン形成された導電線を備える第２のインダクタであって、前記第２のパターン形成された導電線は前記第２の円盤状コンデンサと前記第３の円盤状コンデンサの間に結合される、第２のインダクタと
をさらに備える、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項１２】
前記外殻は、微細研磨された銅で構成される、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項１３】
積層方向に細長い外殻と、
電気信号入力ポートと、
電気信号出力ポートと、
前記電気信号入力ポートと前記電気信号出力ポートの間に結合された前記外殻内の第１の円盤状コンデンサと、
前記第１の円盤状コンデンサと前記電気信号出力ポートの間に結合された前記外殻内の第２の円盤状コンデンサと、
前記外殻内のパターン形成された導電線と、を備え、前記パターン形成された導電線は、前記第１の円盤状コンデンサと前記第２の円盤状コンデンサの間に結合され、前記パターン形成された導電線は、前記積層方向を横切る巻き方向に巻かれる、フィルタ装置。
【請求項１４】
前記第１の円盤状コンデンサは、前記積層方向に沿った第１の筒状を有する第１の電極と、前記積層方向に沿った第２の筒状を有する第２の電極とを備え、前記第２の電極の断面は、前記第１の電極の断面を囲む、請求項１３に記載のフィルタ装置。
【請求項１５】
前記パターン形成された導電線は、前記積層方向に沿った筒状を有する本体上に形成される、請求項１３に記載のフィルタ装置。
【請求項１６】
前記パターン形成された導電線は、前記積層方向に沿って高さが増加している本体上に形成され、前記高さは、前記積層方向に直交する方向に測定される、請求項１３に記載のフィルタ装置。
【請求項１７】
前記パターン形成された導電線は、前記積層方向に沿って高さが減少している本体上に形成され、前記高さは、前記積層方向に直交する方向に測定される、請求項１３に記載のフィルタ装置。
【請求項１８】
前記パターン形成された導電線は、本体上に形成され、前記本体は、前記積層方向に直交する第１の断面と、前記積層方向に直交する第２の断面と、前記積層方向に直交する第３の断面とを有し、前記第１の断面は前記第２の断面よりも前記第１の円盤状コンデンサに近く、前記第３の断面は前記第２の断面よりも前記第２の円盤状コンデンサに近い、請求項１３に記載のフィルタ装置。
【請求項１９】
前記積層方向に直交する前記第１の断面の第１の高さは、前記積層方向に直交する前記第２の断面の第２の高さよりも大きく、前記積層方向に直交する前記第３の断面の第３の高さは、前記第２の高さよりも大きい、請求項１８に記載のフィルタ装置。
【請求項２０】
前記積層方向に直交する前記第１の断面の第１の高さは、前記積層方向に直交する前記第２の断面の第２の高さよりも小さく、前記積層方向に直交する前記第３の断面の第３の高さは、前記第２の高さよりも小さい、請求項１８に記載のフィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]関連出願の相互参照
本出願は、２０１７年８月１８日に出願した米国仮特許出願第６２／５４７，５３３号の優先権を主張するものであり、その開示全体は、いずれかのおよび全ての目的のために全体として参照により本明細書中に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
[0002]以下の説明は、読者の理解を助けるために与えられる。所与の情報または参考文献のいずれも先行技術と認められない。
【０００３】
[0003]無線周波（ＲＦ）フィルタ装置は、入力信号の帯域外部分を抑制し、入力信号の帯域内部分を通過または増幅させる構成部品である。帯域内部分は、ＲＦフィルタ装置の帯域内周波数に対応し、帯域外部分は、帯域外周波数に対応する。帯域外部分を抑制することによって、この帯域内部分は、さらなる信号処理またはテストのためにより良く解析され得る。例えば、ＲＦフィルタ装置が、不要な高調波または雑音を抑制するために、通信システムの２つの装置（例えば、アンテナ、低雑音増幅器、混合器、電力増幅器、ベースバンド回路など）間で接続され得る。別の例については、ある周波数帯域で通信システムの出力をテストするために、ＲＦフィルタ装置が、テスト用装置（例えば、スペクトルアナライザ、ネットワークアナライザなど）と通信システムの間に接続され得る。
【０００４】
[0004]一部のＲＦフィルタ装置は、インダクタおよびコンデンサなどの回路構成部品を備える。インダクタおよびコンデンサは、寄生インダクタンス、寄生容量、寄生抵抗などの寄生要素を有し得る。寄生要素は、インダクタのインダクタンスまたはコンデンサの静電容量を減少または増加させ得る。変更されたインダクタンスまたは静電容量により、ＲＦフィルタ装置の帯域内周波数は、目標周波数帯域から逸脱し得る。ＲＦフィルタ装置の帯域内周波数を目標周波数帯に調整することは、回路構成部品のいくつかを調節すること、さらなる回路構成部品を追加すること、または両方を含む。加えて、寄生要素は、回路構成部品のＱ値（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）を減少させることがある。寄生要素によるＱ値の損失を補償するために、回路構成部品の物理的寸法は、増大させられ得る。
【０００５】
[0005]したがって、一部のＲＦフィルタ装置の物理的寸法は帯域内周波数を調整するために加えられる追加の構成部品により増大し、または回路構成部品の物理的寸法はＱ値の損失を補償するために増大する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
[0006]外殻と、第１の円盤状コンデンサ（ｄｉｓｃｏｉｄａｌ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）と、第２の円盤状コンデンサと、インダクタとを少なくとも備えるフィルタ装置が開示されている。外殻は、積層方向に細長い。第１の円盤状コンデンサおよび第２の円盤状コンデンサは、外殻内に配設され、第１の円盤状コンデンサは、積層方向に沿って第２の円盤状コンデンサの上に積層されている。インダクタは、外殻内に配設される第１のパターン形成された導電線（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｌｉｎｅ）を備える。第１のパターン形成された導電線は、第１の円盤状コンデンサと第２の円盤状コンデンサの間に結合される。第１のパターン形成された導電線は、積層方向を横切る巻き方向に巻かれる。
【０００７】
[0007]１つまたは複数の実施形態では、第１の円盤状コンデンサは、積層方向に沿った第１の筒状を有する第１の電極と、積層方向に沿った第２の筒状を有する第２の電極とを備える。第２の電極の断面は、第１の電極の断面を囲むことができる。
【０００８】
[0008]１つまたは複数の実施形態では、第１の円盤状コンデンサおよび第２の円盤状コンデンサは、多層セラミックコンデンサである。
【０００９】
[0009]１つまたは複数の実施形態では、第１のパターン形成された導電線は、液晶ポリマー、窒化アルミニウム、およびセラミックの少なくとも１つで構成される本体上に形成される。
【００１０】
[0010]１つまたは複数の実施形態では、第１のパターン形成された導電線は、積層方向に沿った筒状を有する本体上に形成される。
【００１１】
[0011]１つまたは複数の実施形態では、第１のパターン形成された導電線は、積層方向に沿って高さが増加している本体上に形成され、高さは、積層方向に直交する方向に測定される。
【００１２】
[0012]１つまたは複数の実施形態では、第１のパターン形成された導電線は、積層方向に沿って高さが減少している本体上に形成され、高さは、積層方向に直交する方向に測定される。
【００１３】
[0013]１つまたは複数の実施形態では、第１のパターン形成された導電線は、本体上に形成される。本体は、積層方向に直交する第１の断面と、積層方向に直交する第２の断面と、積層方向に直交する第３の断面とを有することができる。第１の断面は、第２の断面よりも第１の円盤状コンデンサに近くすることができ、第３の断面は、第２の断面よりも第２の円盤状コンデンサに近くすることができる。
【００１４】
[0014]１つまたは複数の実施形態では、積層方向に直交する第１の断面の第１の高さは、積層方向に直交する第２の断面の第２の高さよりも大きくすることができ、積層方向に直交する第３の断面の第３の高さは、第２の高さよりも大きくすることができる。
【００１５】
[0015]１つまたは複数の実施形態では、積層方向に直交する第１の断面の第１の高さは、積層方向に直交する第２の断面の第２の高さよりも小さくすることができ、積層方向に直交する第３の断面の第３の高さは、第２の高さよりも小さくすることができる。
【００１６】
[0016]前述の概要は例示であり、いずれにしても限定であることは意図されていない。上記の例示の態様、実施形態、および特徴に加えて、さらなる態様、実施形態、および特徴は、以下の図面および詳細な説明を参照することにより明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】[0017]例示的実施形態による円盤状コンデンサとパターン形成された導電線とを備える同軸ＲＦフィルタ装置の平面図である。
【図２】[0018]例示的実施形態による、図１の線Ａ−Ａ’に沿った円盤状コンデンサの断面図である。
【図３】[0019]例示的実施形態による図１の同軸ＲＦフィルタ装置の概略回路図である。
【図４】[0020]別の例示的実施形態による円盤状コンデンサおよびパターン形成された導電線を備える同軸ＲＦフィルタ装置の平面図である。
【図５Ａ】[0021]例示的実施形態による図４の線Ｂ−Ｂ’に沿った第１のインダクタの断面図である。
【図５Ｂ】[0022]例示的実施形態による図４の線Ｃ−Ｃ’に沿った第１のインダクタの断面図である。
【図５Ｃ】[0023]例示的実施形態による図４の線Ｄ−Ｄ’に沿った第１のインダクタの断面図である。
【図６Ａ】[0024]例示的実施形態による図４の線Ｅ−Ｅ’に沿った第２のインダクタの断面図である。
【図６Ｂ】[0025]例示的実施形態による図４の線Ｆ−Ｆ’に沿った第２のインダクタの断面図である。
【図６Ｃ】[0026]例示的実施形態による図４の線Ｇ−Ｇ’に沿った第２のインダクタの断面図である。
【図７】[0027]例示的実施形態によるインダクタのパターン形成された導電線の平面図である。
【図８】[0028]別の例示的実施形態によるインダクタのパターン形成された導電線の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0029]本開示の前述および他の特徴は、添付図面と併せて以下の説明および添付の特許請求の範囲から明らかになろう。これらの図面が本開示によるいくつかの実施形態を示しており、したがってその範囲を限定するとみなされるべきではなく、本開示は、添付図面を使用することによってさらなる具体性および詳細で説明されることを理解されたい。
【００１９】
[0030]以下の詳細な説明では、その一部を形成する添付図面の参照がなされる。図面では、文脈上別段の指示がない限り、典型的には、同様の記号は、同様の構成部品を特定する。詳細な説明、図面、および特許請求の範囲に記載された例示的実施形態は、限定であることは意味されていない。本明細書中示された主題事項の趣旨または範囲から逸脱することなく、他の実施形態が利用されてもよく、他の変更は行われてもよい。本開示の態様は、本明細書中に概して説明されるとともに図に示されるとき、幅広い様々な構成で配置、置換、組み合わせ、および設計されてもよく、それらの全部は明示的に考慮され、本開示の一部をなすことは容易に理解されよう。
【００２０】
[0031]パターン形成された導電線を備えたインダクタと、円盤状コンデンサとを実装するフィルタ装置が開示されている。１つまたは複数の実施形態では、フィルタ装置は、外殻と、第１の円盤状コンデンサと、第２の円盤状コンデンサと、インダクタとを少なくとも含む。外殻は、積層方向に細長い。第１の円盤状コンデンサおよび第２の円盤状コンデンサは、外殻内に配設され、第１の円盤状コンデンサは、積層方向に第２の円盤状コンデンサの上に積層されている。インダクタは、外殻内に配設される第１のパターン形成された導電線を備える。第１のパターン形成された導電線は、第１の円盤状コンデンサと第２の円盤状コンデンサの間に結合される。第１のパターン形成された導電線は、積層方向を横切る巻き方向に巻かれる。
【００２１】
[0032]本明細書中のパターン形成された導電線は、金属（例えば、銅、金、銀等）などの硬質導電性材料で構成される導電線を指す。
【００２２】
[0033]本開示のフィルタ装置は、他のフィルタ装置よりも小さいフォームファクタで実現することができるので有利である。特に、パターン形成された導電線を備えるインダクタの実装によりは、より高いインダクタンスが単位長さあたりで実現されることを可能にする。また、円盤状コンデンサの実装により、より高い静電容量が単位長さあたりで実現されることを可能にする。さらに、本開示のインダクタおよび円盤状コンデンサは、改善されたＱ値、および低減された寄生要素を有することができる。したがって、インダクタおよびコンデンサの物理的寸法は、目標インダクタンス、静電容量、Ｑ値、またはそれらの任意の組み合わせを実現するために減少させることができ、それによってフィルタ装置の全体的な物理的寸法が減少させられることを可能にする。
【００２３】
同軸ＲＦフィルタ装置の例
[0034]図１を参照すると、例示的実施形態による円盤状コンデンサおよびパターン形成された導電線を備えた（本明細書中で「フィルタ装置１００」とも呼ばれる）同軸ＲＦフィルタ装置１００の平面図が示されている。フィルタ装置１００は、外殻１１０と、ポート１０５、１０８と、コネクタ１１５、１１８と、円盤状コンデンサ１２０Ａ、１２０Ｂ．．．１２０Ｅと、インダクタ１３０Ａ、１３０Ｂ．．．１３０Ｄとを備える。これらの構成部品は、ポート１０５で入力信号を受信し、入力信号の帯域外部分を抑制して、ポート１０８で出力信号を生成するように共に動作する。他の実施形態では、フィルタ装置１００は、図１に示されたものよりも多い、少ない、またはそれとは異なる構成部品を備える。
【００２４】
[0035]ポート１０５、１０８は、フィルタ装置１００および外部装置の各回路構成部品（例えば、円盤状コンデンサ１２０、およびインダクタ１３０）間のインタフェースである。ポート１０５は電気信号入力ポートとすることができ、ポート１０８は電気信号出力ポートとすることができる。代替として、ポート１０５は電気信号出力ポートであってもよく、ポート１０８は電気信号出力ポートであってもよい。外部装置の例は、テスト装置（例えば、スペクトルアナライザ、ネットワークアナライザなど）と、通信システムと、この通信システムの任意の装置（例えば、アンテナ、低雑音増幅器、混合器、電力増幅器、ベースバンド回路、など）と、それらの任意の組み合わせを含む。一実施では、（本明細書中で「積層方向」とも呼ばれる）ｘ方向に、ポート１０５は外殻１１０の一端に結合され、ポート１０８は外殻１１０の別の端に結合される。ポート１０５、１０８は、導電性材料を備えることができ、ＳＭＡポート、ＳＭＰポート、Ｕ．ＦＬポート、ＩＰＥＸポート、ＩＰ  ＡＸポート、ＩＰＸポート、ＡＭＣポート、ＭＨＦポート、ＵＭＣＣポート、ＴＮＣポート、ＭＭＣＸポート、または任意のＲＦポートとして実施することができる。
【００２５】
[0036]外殻１１０は、円盤状コンデンサ１２０およびインダクタ１３０などの回路構成部品を覆う。一実施では、外殻１１０は、ｘ方向に細長い筒状を有する。外殻１１０は、微細研磨された（ｍｉｃｒｏ−ｐｏｌｉｓｈｅｄ）銅などの導電性材料として実現され得る。微細研磨された銅は、銅を微細研磨または電解研磨することによって得ることができる。銅を微細研磨することによって表皮深さ効果（ｓｋｉｎ−ｄｅｐｔｈ  ｅｆｆｅｃｔ）の減少を可能にさせ、それによってフィルタ装置１００の電気特性を強化する。微細研磨された銅 外殻１１０は、外殻１１０内の回路構成部品を外部湿気が損傷することを防ぐのを助ける。図１に示されるように、外殻１１０内で、円盤状コンデンサ１２０はｘ方向に沿って積層することができ、そこでは、インダクタ１３０が２つの対応する円盤状コンデンサ１２０の間に入れられる。具体的には、外殻１１０内で、インダクタ１３０Ａは、円盤状コンデンサ１２０Ａ、１２０Ｂの間に結合され、インダクタ１３０Ｂは、円盤状コンデンサ１２０Ｂ、１２０Ｃの間に結合され、インダクタ１３０Ｃは、円盤状コンデンサ１２０Ｃ、１２０Ｄの間に結合され、インダクタ１３０Ｄは、円盤状コンデンサ１２０Ｄ、１２０Ｅの間に結合される。
【００２６】
[0037]コネクタ１１５、１１８は、ポート１０５、１０８をそれぞれ円盤状コンデンサ１２０Ａ、１２０Ｅに電気的に結合する金物構成部品である。コネクタ１１５、１１８は、電導性ワイヤまたはトレース（ｔｒａｃｅ）として実装されてもよい。一態様では、コネクタ１１５、１１８は、回路構成部品（例えば、円盤状コンデンサ、およびインダクタ１３０）と共に、ポート１０５で受信した入力信号の帯域外部分を抑制するように動作するインダクタであり得る。コネクタ１１５、１１８の長さおよびコネクタ１１５、１１８の材料は、適切な末端（例えば、５０Ωまたは７５Ωの末端）を与えるように決定することができる。
【００２７】
[0038]各インダクタ１３０は、２つの対応する円盤状コンデンサ１２０の間に入れられる。各インダクタ１３０は、本体１３４と、この本体１３４に巻かれたパターン形成された導電線１３８とを含む。パターン形成された導電線１３８は、堆積プロセスまたはエッチングプロセスによって形成することができる。本体１３４は、ｘ方向に沿って延びる筒状を有することができ、ＬＣＰ、窒化アルミニウム、セラミック、または低誘電率および低誘電正接を有する任意の材料で構成することができる。いくつかの実施形態では、本体１３４は、ｙ方向に沿って変化する高さを有することができる。ＬＣＢ、窒化アルミニウム、またはセラミックで本体１３４を実現することにより、パターン形成された導電線１３８が低誘電率を有する本体１３４の剛体面上に形成されることを可能にする。パターン形成された導電線１３８は、２つの対応する円盤状コンデンサ１２０間に結合され、ｘ方向を横切る巻き方向に本体１３４上で巻かれる。いくつかの実施形態では、パターン形成された導電線１３８は、金属（例えば、銅、金、銀等）などの硬質材料で構成される。パターン形成された導電線１３８は、堆積またはエッチングプロセスによって本体１３４上にパターン形成することができる。有益には、本開示のインダクタは、本明細書中で開示されるように、本体１３４およびパターン形成された導電線１３８を実装することによって、（ｉ）ｘ方向に沿って単位長さあたりより高いインダクタンス、（ｉｉ）低減された寄生要素、および（ｉｉｉ）他のインダクタよりも高いＱ値を実現することができる。また、例えば、他のインダクタのＴｅｆｌｏｎ（テフロン）（登録商標）ロッド上に巻かれた可撓性ワイヤよりも、パターン形成された導電線１３８がより高い剛性であることにより、本開示のインダクタは、その特性の変化の影響を受けにくい。したがって、パッキングプロセス（ｐａｃｋｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）中の可撓性ワイヤの調節またはさらなる回路構成部品の追加によるＲＦフィルタ１００の帯域内周波数の調整が省略可能である。
【００２８】
[0039]いくつかの実施形態では、異なるインダクタ１３０が、異なる構成で実現される。詳細には、インダクタ１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄは、異なるＱ値と共に異なるインダクタンスを実現するために、本体１３４の異なる寸法（例えば、ｘ方向に沿った長さ、ｘ方向に直角な断面の本体１３４の半径、またはそれらの組み合わせ）、本体１３４の異なる幾何学的形状、パターン形成された導電線１３８の異なる巻き数、ｘ方向に対して異なる角度の巻き線、本体１３４もしくはパターン形成された導電線１３８のために実現される異なる材料、またはそれらの任意の組み合わせを有することができる。
【００２９】
[0040]各円盤状コンデンサ１２０は、対応するインダクタ１３０を介してその隣接した円盤状コンデンサ１２０に結合される。一態様では、各円盤状コンデンサ１２０は、向き合うとともにｘ方向に沿って延びる２つの筒状電極を備える。電極は、電極の中間に誘電材料を備えた導電性材料で構成することができる。いくつかの実施形態では、円盤状コンデンサ１２０は、多層セラミック円盤状コンデンサである。円盤状コンデンサ１２０の構造の詳細な説明は、図２に関して以下に示される。有益には、円盤状コンデンサ１２０は、向き合った筒状を有する２つの電極を実現することによって、（ｉ）ｘ方向に沿って単位長さあたりより高い静電容量、（ｉｉ）低減された寄生要素、および（ｉｉｉ）他のコンデンサよりも高いＱ値を実現することができる。
【００３０】
[0041]いくつかの実施形態では、異なる円盤状コンデンサ１２０は、異なる構成で実現される。詳細には、円盤状コンデンサ１２０Ａ、１２０Ｂ、１２０Ｃ、１２０Ｄ、１２０Ｅは、異なるＱ値で異なる静電容量を実現するために、ｘ方向に沿った異なる長さ、ｘ方向に直角な断面の電極の異なる半径、ｙ方向に沿った電極の異なる厚さ、電極の異なる幾何学的形状、電極または誘電材料のために実現される異なる材料、またはそれらの任意の組み合わせを有することができる。
【００３１】
[0042]図２を参照すると、例示的実施形態による図１の線Ａ−Ａ’に沿った円盤状コンデンサ１２０の断面図が示されている。いくつかの実施形態では、円盤状コンデンサ１２０の断面は、外側電極２２０と、内側電極２３０と、電極２２０、２３０間の空間と、内側電極２３０によって取り囲まれた空間２３５とを備える。他の実施形態では、円盤状コンデンサ１２０の断面は、図２に示されたものよりもより多い、より少ない、または異なる構成部品を含む。
【００３２】
[0043]いくつかの実施形態では、外側電極２２０の断面は、内側電極２３０の断面を囲む。詳細には、厚さｔ１を有する内側電極２３０の断面は、中心点Ｃに対して第１の半径ｒ１を有する円形形状を有することができる。厚さｔ２を有する外側電極２２０の断面は、中心点Ｃに対して第２の半径ｒ２を有する円形形状を有することができ、ただし、第２の半径ｒ２は、第１の半径ｒ１よりも大きくすることができる。内側電極２３０と外側電極２２０の間の空間２２５は、誘電材料、多層セラミック、または空気で満たされてもよい。さらに、内側電極２３０の断面内の空間２３５は、誘電材料、多層セラミック、または空気で満たされてもよい。いくつかの実施形態では、電極２２０、２３０間の空間２２５は、多層セラミックコンデンサを形成するようにそれぞれの外部電極に交互に結合されている複数の交互配置電極プレートを備えることができる。この構成では、円盤状コンデンサの寄生インダクタンスが、例えば、２つの平行な平坦電極を有する他のコンデンサと比べて減少し得る。
【００３３】
[0044]図３は、例示的実施形態による図１のフィルタ装置１００の概略回路図３００である。フィルタ装置１００は、ノードごとに分路コンデンサを備えた交互順序のインダクタＬｓｌ、Ｌｓ２．．．Ｌｓ６、およびコンデンサＣｓ１、Ｃｓ２．．．Ｃｓ５の直列接続としてモデル化することができる。一態様では、コンデンサＣｓｌ、Ｃｓ２．．．Ｃｓ５は、それぞれ円盤状コンデンサ１２０Ａ、１２０Ｂ．．．１２０Ｅに対応することができるともに、インダクタＬｓ１、Ｌｓ２．．．Ｌｓ６はそれぞれコネクタ１１５、インダクタ１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄ、およびコネクタ１１８に対応することができる。分岐コンデンサＣｐｌ１、Ｃｐｌ２、Ｃｐ２１．．．Ｃｐ５２は、インダクタおよびコンデンサの寄生静電容量を対応するノードで組み込むことができる。図２に概略的に示されるように、インダクタＬｓｌ、Ｌｓ２．．．Ｌｓ６、およびコンデンサＣｓｌ、Ｃｓ２．．．Ｃｓ５の直列悦族を交互順序で実現することによって、フィルタ装置１００は、例えば、１ＧＨｚから６ＧＨｚの間で、帯域内周波数でバンドパスフィルタとして動作することができる。
【００３４】
[0045]図４は、別の例示的実施形態による円盤状コンデンサおよびパターン形成された導電線を備えるフィルタ装置４００の平面図である。図４のフィルタ装置４００は、図１のインダクタ１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄが変化する高さを有するインダクタ４３０Ａ、４３０Ｂ、４３０Ｃ、４３０Ｄで置き換えられることを除いて、図１のフィルタ装置１００と同様である。したがって、その重複する内容の詳細な説明は、簡潔にするために本明細書では省略される。他の実施形態では、フィルタ装置４００は、図４に示されたものよりもより多い、より少ない、または異なる構成部品を含む。
【００３５】
[0046]いくつかの実施形態では、各インダクタ４３０は、ｘ方向に沿って非均一な外形を備える本体４３４と、本体４３４上に巻かれたパターン形成された導電線とを有する。具体的には、各本体４３４は、Ｘ軸に沿って変化する高さｈを有し、ただし、本体４３４の高さｈは、ｘ方向に直交するｙ方向に測定される。例えば、インダクタ４３０の高さｈは、ｘ方向に沿って増加または減少することができる。一態様では、インダクタ４３０Ａ、４３０Ｂ、４３０Ｄの本体は、凹形状を有し、インダクタ４３０Ｃの本体は、凸形状を有する。本体４３４の変化する高さｈは、インダクタ４３０のＱ値Ｑを可能にする。非均一な外形を備えたインダクタ４３０の実現により、各インダクタは、図１に示されるような均一な外形またはソレノイド形状を有するインダクタと比べて、より小さいフォームファクタ（例えば、ｘ方向に沿ってより小さい長さ）で実現されることが可能になる。
【００３６】
[0047]図５Ａから図５Ｃは、インダクタ４３０Ｃの変化する高さをより良く示すように図４の線Ｂ−Ｂ’、線Ｃ−Ｃ’、Ｄ−Ｄ’に沿ったインダクタ４３０Ｃの断面５００Ａ、５００Ｂ、５００Ｃを示す。
【００３７】
[0048]図５Ａでは、図４の線Ｂ−Ｂ’に沿ったインダクタ４３０Ｃの断面５００Ａが示されている。一実施では、本体５１０Ａの断面は、高さｈ１（または直径）を備える円形形状を有し、そこにはパターン形成された導電線５０５Ａが本体５１０Ａ上に配設されている。本体５１０Ａは、図４のインダクタ４３０Ｃの本体４３４とすることができ、パターン形成された導電線５０５Ａは、図４のインダクタ４３０Ｃのパターン形成された導電線４３８であり得る。パターン形成された導電線５０５Ａの断面は、楕円形を有することができる。他の実施形態では、パターン形成された導電線５０５Ａの断面は、異なる形状（例えば、平坦形状、円形形状、湾曲形状、多角形形状、またはそれらの任意の組み合わせ）を有することができる。
【００３８】
[0049]図５Ｂでは、図４の線Ｃ−Ｃ’に沿ったインダクタ４３０Ｃの断面５００Ｂが示されている。インダクタ４３０Ｃの断面５００Ｂは、 本体５１０Ｂの断面が本体５１０Ａの断面の高さｈ１よりも大きい高さｈ２（または直径）を有する円形形状を有することを除いて、図５Ａに示されたインダクタ４３０Ｃの断面５００Ａと同様である。
【００３９】
[0050]図５Ｃでは、図４の線Ｄ−Ｄ’に沿ったインダクタ４３０Ｃの断面５００Ｃが示されている。インダクタ４３０Ｃの断面５００Ｃは、本体５１０Ｃの断面が本体５１０Ｂの断面の高さｈ２よりも小さい高さｈ３（または直径）を有する円形形状を有することを除いて、図５Ａに示されたインダクタ４３０Ｃの断面５００Ａと同様である。高さｈ３は、本体５１０Ａの断面の高さｈ１と同じであってもよくまたはそれとは異なってもよい。
【００４０】
[0051]一態様では、インダクタ４３０Ｃの断面５００Ｂは、インダクタ４３０Ｃの断面５００Ａよりも円盤状コンデンサ１２０Ｄに近く、インダクタ４３０Ｃの断面５００Ｃは、インダクタ４３０Ｃの断面５００Ｂよりも円盤状コンデンサ１２０Ｄに近い。したがって、インダクタ４３０Ｃの高さは、ｘ方向に沿って、円盤状コンデンサ１２０Ｃの一端から円盤状コンデンサ１２０Ｃ、１２０Ｄ間の点に向かって増加し、次いでこの点から円盤状コンデンサ１２０Ｄの一端向かって減少して、例えば凸形状を形成する。
【００４１】
[0052]図６Ａから図６Ｃは、インダクタ４３０Ｄの変化する高さをより良く示すために、図４の線Ｅ−Ｅ’、Ｆ−Ｆ’、Ｇ−Ｇ’に沿ったインダクタ４３０Ｄの断面６００Ａ、６００Ｂ、６００Ｃを示す。
【００４２】
[0053]図６Ａでは、図４の線Ｅ−Ｅ’に沿ったインダクタ４３０Ｄの断面６００Ａが示されている。一実施では、本体６１０Ａの断面は、高さｈ４（または直径）を有する円形形状を有し、そこでパターン形成された導電線６０５Ａは、本体６１０Ａ上に配設される。本体６１０Ａは、図４インダクタ４３０Ｄの本体４３４とすることができ、パターン形成された導電線６０５Ａは、図４のインダクタ４３０Ｄのパターン形成された導電線４３８とすることができる。
【００４３】
[0054]図６Ｂでは、図４の線Ｆ−Ｆ’に沿ったインダクタ４３０Ｄ断面６００Ｂが示されている。インダクタ４３０Ｄの断面６００Ｂは、本体６１０Ｂの断面が本体６１０Ａの断面の高さｈ４よりも小さい高さｈ５（または直径）を有する円形形状を有するのを除いて、図６Ａに示されたインダクタ４３０Ｄの断面６００Ａに類似する。
【００４４】
[0055]図６Ｃでは、図４の線Ｇ−Ｇ’に沿ったインダクタ４３０Ｄの断面６００Ｃが示されている。インダクタ４３０Ｄの断面６００Ｃは、本体６１０Ｃの断面が本体６１０Ｂの断面の高さｈ５よりも大きい高さｈ６（または直径）を備えた円形形状を有することを除いて、図６Ａに示されたインダクタ４３０Ｄの断面６００Ａと同様である。高さｈ６は、本体６１０Ａの断面の高さｈ４と同じでも異なってもよい。
【００４５】
[0056]一構成では、インダクタ４３０Ｄの断面６００Ｂは、インダクタ４３０Ｄの断面６００Ａよりも円盤状コンデンサ１２０Ｅに近く、インダクタ４３０Ｄの断面６００Ｃは、インダクタ４３０Ｄの断面６００Ｂよりも円盤状コンデンサ１２０Ｅに近い。したがって、インダクタ４３０Ｄの高さは、ｘ方向に沿って円盤状コンデンサ１２０Ｄの一端から円盤状コンデンサ１２０Ｄ、１２０Ｅ間の点に向かって減少し、次いでこの点から円盤状コンデンサ１２０Ｅの一端に向かって増加して、例えば凹形状を形成する。
【００４６】
[0057]図７は、例示的実施形態によるインダクタのパターン形成された導電線７００の平面図である。パターン形成された導電線７００は、フェルマーの螺旋状（Ｆｅｒｍａｔ’ｓ  ｓｐｉｒａｌ  ｓｈａｐｅ）を有する。パターン形成された導電線７００は、図４のインダクタ４３０Ｄのパターン形成された導電線４３８であり得る。一手法では、パターン形成された導電線７００は、以下の式に従って形成することができる。
【００４７】
【数１】
2020532196.tif 000003
【００４８】
ただし、Ｚは、ｚ方向に従った座標であり、Ｙは、ｙ方向に従った座標であり、Ｘは、ｘ方向に従った座標であり、αは、定数である。
【００４９】
[0058]図８は、別の例示的実施形態によるインダクタのパターン形成された導電線８００の斜視図である。パターン形成された導電線８００は、円錐螺旋形状を有する。一手法では、パターン形成された導電線８００は、以下の式に従って形成することができる。
【００５０】
【数２】
2020532196.tif 000004
【００５１】
ただし、Ｘは、ｘ方向に従った座標であり、Yは、ｙ方向に従った座標であり、Ｚは、ｚ方向に従った座標であり、ｈは、ｙ方向に沿ったインダクタの最大高さであり、αは、定数である。
【００５２】
[0059]本明細書中に記載された主題事項は、異なる構成部品であって、他の異なる構成部品内に収容された、または他の異なる構成部品と接続された異なる構成部品を示す場合がある。そのように示されたアーキテクチャは、例示にすぎず、実際には、同じ機能を実現する他の多くのアーキテクチャが実施され得ることを理解されたい。概念的な意味では、同じ機能を実現するための構成部品の任意の配置は、所望の機能が実現されるように有効に「関連」している。したがって、特定の機能を実現するために本明細書中で組み合わされる任意の２つの構成部品は、アーキテクチャまたは中間構成部品に関わらず、所望の機能が実現されるように互いに「関連」していると見ることができる。同様に、そのように関連した任意の２つの構成部品は、所望の機能を実現するために互いに「動作可能に接続」されているまたは「動作可能に結合」されていると見ることもでき、そのように関連していることができる任意の２つの構成部品は、所望の機能を実現するために互いに「動作可能に結合可能」であると見ることもできる。動作可能に結合可能の特定の例は、物理的に接続し合う（ｍａｔｅａｂｌｅ）および／または物理的に相互作用する構成部品、ならびに／あるいは無線で相互作用可能なおよび／または無線で相互作用する構成部品、ならびに／あるいは論理的に相互作用するおよび／または論理的に相互作用可能な構成部品を含み、これに限定されない。
【００５３】
[0060]本明細書における実質的に任意の複数形および／または単数形の用語の使用に関して、当業者は、内容および／または用途に適しているように、複数形から単数形へおよび／または単数形から複数形へ変換することができる。様々な単数形／複数形の入れ替えは、明確にするために、本明細書中に明記され得る。
【００５４】
[0061]通常、本明細書中で使用される用語、特に添付の特許請求の範囲（例えば、添付の特許請求の範囲の本体部）中で使用される用語は、全体を通じて「オープンな」用語として一般的に意図されていることが当業者によって理解されよう（例えば、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」は、「含むがそれに限定されない」と解釈されるべきであり、用語「有する（ｈａｖｉｎｇ）」は、「少なくとも有する」と解釈されるべきであり、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」は、「含むがそれに限定されない」と解釈されるべきである、など）。導入される請求項の記載に関して特定の数が意図される場合、そのような意図は、請求項において明示的に記載され、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが、当業者によってさらに理解されよう。例えば、理解を助けるものとして、添付の特許請求の範囲は、導入句「少なくとも１つの」および「１つまたは複数の」を使用して請求項の記載を導入することができる。しかしながら、そのような句の使用については、その請求項が導入句「１つまたは複数の」または「少なくとも１つの」、および「ａ」または「ａｎ」などの不定冠詞を含む場合であっても、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による請求項の記載の導入が、そのような導入された請求項の記載を含んでいる任意の特定の請求項をそのような記載をただ１つ含む発明に限定するということを示唆すると解釈されるべきではなく（例えば、「ａ」および／または「ａｎ」は、典型的には、「少なくとも１つの」または「１つまたは複数の」を意味すると解釈されるべきである）、同じことが、請求項の記載を導入するために使用される定冠詞の使用にも当てはまる。加えて、導入される請求項の記載に関して特定の数が明示的に記載されている場合でも、典型的には、そのような記載は、少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきであることが当業者には理解されよう（例えば、他の修飾語がない「２つの記載」の単なる記載は、通常、少なくとも２つの記載、または２つ以上の記載を意味する）。さらに、「Ａ、ＢおよびＣ、などの少なくとも１つ」に類似する慣例表現が使用されている例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ、およびＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に有するシステムなどを含むが、それに限定されない）。「Ａ、Ｂ、またはＣの少なくとも１つ、など」に類似する慣例表現が使用されている例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ、またはＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に有するシステムなどを含むが、それに限定されない）。２つ以上の選択可能な事項を示すほぼいかなる離接語および／または離接句も、明細書、特許請求の範囲、または図面のどこにあっても、その事項の１つ、その事項のいずれか、または両方の事項を含む可能性を考慮していると理解されるべきであることが、当業者によりさらに理解されよう。例えば、句「ＡまたはＢ」は、「Ａ」もしくは「Ｂ」または「ＡおよびＢ」の可能性を含むことが理解されよう。さらに、特段示されない限り、「おおよそ」、「約」、「あたり」、「実質的に」などの語の使用は、プラス１０パーセントまたはマイナス１０パーセントを意味する。
【００５５】
[0062]例示的実施形態の前述の説明は、例示および説明のために示されたものである。開示された正確な形態に関して網羅的または限定であることは意図されず、上記の教示に鑑みて修正および変更が可能であり、または開示された実施形態の実施から取得されてもよい。本発明の範囲は、本明細書に添付された特許請求の範囲およびその均等物によって定められることが意図される。
【図１】
2020532196.tif 000005
【図２】
2020532196.tif 000006
【図３】
2020532196.tif 000007
【図４】
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【図５Ａ】
2020532196.tif 000009
【図５Ｂ】
2020532196.tif 000010
【図５Ｃ】
2020532196.tif 000011
【図６Ａ】
2020532196.tif 000012
【図６Ｂ】
2020532196.tif 000013
【図６Ｃ】
2020532196.tif 000014
【図７】
2020532196.tif 000015
【図８】
2020532196.tif 000016
【国際調査報告】
2020532196.tif 000017
2020532196.tif 000018