(57)【要約】【課題】表示基板及びその製造方法、表示装置を提供する。【解決手段】該表示基板は、下地（１００）と、下地（１００）に設置される少なくとも１つの突起（２００）及び封止層（３００）とを含み、下地（１００）は表示領域（１１０）及び表示領域（１１０）の周囲に位置する非表示領域（１２０）を含み、突起（２００）は非表示領域（１２０）の下地（１００）に設置され、封止層（３００）は下地（１００）に設置され、突起（２００）は下地（１００）と封止層（３００）との間に位置し、封止層（３００）は少なくとも部分的に突起（２００）を被覆する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示基板であって、
表示領域及び前記表示領域の周囲に位置する非表示領域を含む下地と、
前記非表示領域の前記下地に設置される少なくとも１つの突起と、
前記下地に設置される封止層と、を含み、
前記突起は、前記下地と前記封止層との間に位置し、
前記封止層は、少なくとも部分的に前記突起を被覆することを特徴とする、
表示基板。
【請求項２】
前記突起と前記下地との間に設置される絶縁層をさらに含み、
且つ前記突起は、前記絶縁層と前記封止層との間に位置することを特徴とする、
請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記絶縁層は、パッシベーション層であり、前記突起が前記パッシベーション層に接することを特徴とする、
請求項２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記絶縁層は、層間絶縁層であり、前記突起が前記層間絶縁層に接することを特徴とする、
請求項２に記載の表示基板。
【請求項５】
前記表示領域の前記下地は、複数の画素領域を含み、
各前記画素領域の前記下地に少なくとも１つの有機発光素子が設置され、
前記有機発光素子が前記絶縁層と前記封止層との間に位置することを特徴とする、
請求項２〜４のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項６】
前記下地に設置される画素画定層をさらに含み、
前記有機発光素子は、前記画素画定層が限定した領域内に設置されることを特徴とする、
請求項５に記載の表示基板。
【請求項７】
前記突起の少なくとも一部は、前記画素画定層と同層に配置され、且つ同一の材料で製造されることを特徴とする、
請求項６に記載の表示基板。
【請求項８】
各前記突起は、少なくとも第１突起層と第２突起層の積層を含むように配置され、
前記第１突起層は、前記第２突起層と前記下地との間に位置し、
前記第１突起層は、前記画素画定層と同層に配置され、且つ同一の材料で製造されることを特徴とする、
請求項７に記載の表示基板。
【請求項９】
前記第２突起層の製造材料は、フォトレジスト材料であることを特徴とする、
請求項８に記載の表示基板。
【請求項１０】
前記突起の製造材料は、フォトレジスト材料を含むことを特徴とする、
請求項２〜８のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項１１】
前記絶縁層の前記下地から離れた一方側に設置される平坦層をさらに含み、
前記平坦層は、前記突起と前記絶縁層との間に位置することを特徴とする、
請求項６に記載の表示基板。
【請求項１２】
前記突起の前記下地における正投影は、前記平坦層の前記下地における正投影内に位置することを特徴とする、
請求項１１に記載の表示基板。
【請求項１３】
前記突起の少なくとも一部は、前記平坦層と同層に配置され、且つ同一の材料で製造されることを特徴とする、
請求項１１に記載の表示基板。
【請求項１４】
各前記突起は、少なくとも第１突起層、第２突起層、第３突起層の積層を含むように配置され、
前記第１突起層は、前記第２突起層と前記下地との間に位置し、
前記第３突起層は、前記第１突起層と前記下地との間に位置し、
前記第１突起層は、前記画素画定層と同層に配置され、且つ同一の材料で製造され、
前記第３突起層は、前記平坦層と同層に配置され、且つ同一の材料で製造されることを特徴とする、
請求項１３に記載の表示基板。
【請求項１５】
前記第２突起層の製造材料は、フォトレジスト材料であることを特徴とする、
請求項１４に記載の表示基板。
【請求項１６】
前記突起は、環状構造として前記表示領域を囲むように設置され、
各前記突起は、一体化した閉環状構造として設置され、又は
各前記突起は、互いに離間した少なくとも２つの突起段を含むように設置されることを特徴とする、
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項１７】
前記表示基板の同じ側に、前記突起段の長さと前記表示基板の辺長との比が１／３以上であることを特徴とする、
請求項１６に記載の表示基板。
【請求項１８】
前記突起は、少なくとも、前記表示領域を囲んで順に配列された第１突起及び第２突起を含み、
前記第１突起は、前記第２突起と隣接して設置され、
且つ前記第１突起は、前記第２突起の内側に位置することを特徴とする、
請求項１〜１７のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項１９】
前記下地が位置する面に垂直な方向において、前記第２突起の高さは、前記第１突起の高さより大きくなることを特徴とする、
請求項１８に記載の表示基板。
【請求項２０】
前記第２突起の高さと前記第１突起の高さとの差が、０．５〜３ミクロンであることを特徴とする、
請求項１９に記載の表示基板。
【請求項２１】
前記突起の高さは、２〜１５ミクロンであり、及び／又は
前記下地が位置する面に平行な方向において、前記突起の幅は、３０〜１００ミクロンであり、及び／又は
前記下地が位置する面に平行な方向において、前記第１突起と前記第２突起の間隔は、３０〜１００ミクロンであることを特徴とする、
請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項２２】
前記封止層は、前記下地に順に設置される第１封止層、第２封止層及び第３封止層の積層を含むように配置され、
前記第１封止層と前記第３封止層の製造材料は、無機材料を含み、
前記第２封止層の製造材料は、有機材料を含むことを特徴とする、
請求項１〜２１のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項２３】
前記第１封止層と前記第３封止層は、前記突起を被覆するように配置され、
前記突起の前記下地における正投影は、前記第２封止層の前記下地における正投影外に位置することを特徴とする、
請求項２２に記載の表示基板。
【請求項２４】
請求項１〜２３のいずれか一項に記載の表示基板を含むことを特徴とする、
表示装置。
【請求項２５】
表示基板の製造方法であって、
表示領域及び前記表示領域の周囲に位置する非表示領域を含む下地を提供するステップと、
前記下地の前記非表示領域に少なくとも１つの突起を形成するステップと、
前記下地に封止層を形成するステップと、を含み、
前記突起は、前記下地と前記封止層との間に形成され、
前記封止層は、少なくとも部分的に前記突起を被覆することを特徴とする、
製造方法。
【請求項２６】
前記突起と前記下地との間に絶縁層を形成するステップをさらに含み、
前記突起は、前記絶縁層に接し、
且つ前記絶縁層は、パッシベーション層又は層間絶縁層であることを特徴とする、
請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２７】
前記絶縁層の前記下地から離れた一方側において、前記突起と前記絶縁層との間に平坦層を形成するステップをさらに含み、
前記突起の少なくとも一部は、前記平坦層と同層にあり、且つ同一の材料で製造されることを特徴とする、
請求項２５又は２６に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は２０１７年８月３１日に提出した中国特許出願第２０１７２１１０６７３９．６号の優先権を主張し、ここで上記中国特許出願に開示されている全内容が引用により本願の一部として組み込まれている。
【０００２】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板及びその製造方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は有機薄膜電界発光素子であり、製造プロセスが簡単で、コストが低く、消費電力が少なく、輝度が高く、視野角が広く、コントラストが高く、フレキシブル表示が実現できる等の利点を有するため、人々から大きく注目されている。
【０００４】
しかしながら、ＯＬＥＤ電子表示製品の部材は侵入した水蒸気や酸素ガス等の影響によって破損し、ＯＬＥＤ電子表示製品の性能低下、耐用年数の短縮を招いてしまう。
【発明の概要】
【０００５】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、表示領域及び前記表示領域の周囲に位置する非表示領域を含む下地と、前記非表示領域の前記下地に設置される少なくとも１つの突起と、前記下地に設置される封止層と、を含み、前記突起は前記下地と前記封止層との間に位置し、前記封止層は少なくとも部分的に前記突起を被覆する。
【０００６】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記表示基板は、前記突起と前記下地との間に設置される絶縁層をさらに含み、且つ前記突起は前記絶縁層と前記封止層との間に位置する。
【０００７】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記絶縁層はパッシベーション層であり、前記突起が前記パッシベーション層に接する。
【０００８】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記絶縁層は層間絶縁層であり、前記突起が前記層間絶縁層に接する。
【０００９】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記表示領域の前記下地は複数の画素領域を含み、各前記画素領域の前記下地に少なくとも１つの有機発光素子が設置され、前記有機発光素子が前記絶縁層と前記封止層との間に位置する。
【００１０】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記表示基板は、前記下地に設置される画素画定層をさらに含み、前記有機発光素子は前記画素画定層が限定した領域内に設置される。
【００１１】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記突起は前記画素画定層と同層に配置され、且つ同一の材料で製造される。
【００１２】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記突起は、少なくとも第１突起層と第２突起層の積層を含むように配置され、前記第１突起層は前記第２突起層と前記下地との間に位置し、前記第１突起層は前記画素画定層と同層に配置され、且つ同一の材料で製造される。
【００１３】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第２突起層の製造材料はフォトレジスト材料である。
【００１４】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記突起の製造材料はフォトレジスト材料を含む。
【００１５】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記表示基板は、前記絶縁層の前記下地から離れた一方側に設置される平坦層をさらに含み、前記平坦層は前記突起と前記絶縁層との間に位置する。
【００１６】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記突起の前記下地における正投影は前記平坦層の前記下地における正投影内に位置する。
【００１７】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記突起の少なくとも一部は前記平坦層と同層に配置され、且つ同一の材料で製造される。
【００１８】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、各前記突起は少なくとも第１突起層、第２突起層、第３突起層の積層を含むように配置され、前記第１突起層は前記第２突起層と前記下地との間に位置し、前記第３突起層は前記第１突起層と前記下地との間に位置し、前記第１突起層は前記画素画定層と同層に配置され、且つ同一の材料で製造され、前記第３突起層は前記平坦層と同層に配置され、且つ同一の材料で製造される。
【００１９】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第２突起層の製造材料はフォトレジスト材料である。
【００２０】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記突起は環状構造として前記表示領域を囲むように設置され、各前記突起は一体化した閉環状構造として設置され、又は各前記突起は互いに離間した少なくとも２つの突起段を含むように設置される。
【００２１】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記表示基板の同じ側で、前記突起段の長さと前記表示基板の辺長との比が１／３以上である。
【００２２】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記突起は少なくとも、前記表示領域を囲んで順に配列された第１突起及び第２突起を含み、前記第１突起は前記第２突起と隣接して設置され、且つ前記第１突起は前記第２突起の内側に位置する。
【００２３】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記下地が位置する面に垂直な方向において、前記第２突起の高さは前記第１突起の高さより大きい。
【００２４】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第２突起の高さと前記第１突起の高さとの差が０．５〜３ミクロンである。
【００２５】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記突起の高さは２〜１５ミクロンであり、及び／又は前記下地が位置する面に平行な方向において、前記突起の幅は３０〜１００ミクロンであり、及び／又は前記下地が位置する面に平行な方向において、前記第１突起と前記第２突起の間隔は３０〜１００ミクロンである。
【００２６】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記封止層は前記下地に順に設置される第１封止層、第２封止層及び第３封止層の積層を含むように配置され、前記第１封止層と前記第３封止層の製造材料は無機材料を含み、前記第２封止層の製造材料は有機材料を含む。
【００２７】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第１封止層と前記第３封止層は前記突起を被覆するように配置され、前記突起の前記下地における正投影は前記第２封止層の前記下地における正投影外に位置する。
【００２８】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示装置を提供し、上記実施例のいずれかに記載の表示基板を含む。
【００２９】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板の製造方法を提供し、表示領域及び前記表示領域の周囲に位置する非表示領域を含む下地を提供するステップと、前記下地の前記非表示領域に少なくとも１つの突起を形成するステップと、前記下地に封止層を形成するステップと、を含み、前記突起は前記下地と前記封止層との間に形成され、前記封止層は少なくとも部分的に前記突起を被覆する。
【００３０】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法は、前記突起と前記下地との間に絶縁層を形成するステップをさらに含み、前記突起は前記絶縁層に接し、且つ前記絶縁層はパッシベーション層又は層間絶縁層である。
【００３１】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法は、前記絶縁層の前記下地から離れた一方側において前記突起と前記絶縁層との間に平坦層を形成するステップをさらに含み、前記突起の少なくとも一部は前記平坦層と同層にあり、且つ同一の材料で製造される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
本発明の実施例の技術案をより明確に説明するために、以下、実施例の図面を簡単に説明し、もちろん、以下説明される図面は単に本発明のいくつかの実施例に関するものに過ぎず、本発明を制限するものではない。
【００３３】
【図１】本開示の一実施例に係る表示基板の平面図である。
【図２】図１に示される表示基板のＭ−Ｎ線の断面図である。
【図３Ａ】本開示の一実施例に係る別の表示基板の部分断面図である。
【図３Ｂ】本開示の一実施例に係る別の表示基板の部分断面図である。
【図４】本開示の一実施例に係る別の表示基板の部分断面図である。
【図５】本開示の一実施例に係る別の表示基板の平面図である。
【図６】本開示の一実施例に係る別の表示基板の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の実施例の目的、技術案及び利点をより明瞭にするために、以下、本発明の実施例の図面を参照しながら本発明の実施例の技術案を明瞭かつ完全に説明する。勿論、説明する実施例は本発明の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。説明する本発明の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働を必要とせずに想到しうるほかの実施例はいずれも本発明の保護範囲に属する。
【００３５】
特に断らない限り、本開示に使用されている技術用語又は科学用語は、当業者が理解しうる一般的な意味である。本開示に使用されている「第１」、「第２」及び類似した用語は、いかなる順番、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成部分を区別するためのものに過ぎない。「含む」又は「備える」などの類似した用語は、該用語の前に記載の素子又は物品が該単語の後に挙げられている素子又は物品及びその同等物を含み、ほかの素子又は物品を排除しないことを意味する。「接続」又は「繋がる」などの類似した用語は、物理的又は機械的接続に限定されず、直接的接続か間接的接続かにもかかわらず、電気的接続も含む。「上」、「下」、「左」、「右」などは、相対位置関係を示すものに過ぎず、説明された対象の絶対位置が変化すると、該相対位置関係もそれに対応して変化する。
【００３６】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）電子表示製品の発光層、金属陰極等の素子が空気中の水蒸気や酸素ガス等の外部物質に非常に敏感であり、且つ外部から侵入した水、酸素等と反応しやすいため、ＯＬＥＤ電子表示製品の性能を損ない、ＯＬＥＤ電子表示製品の耐用年数を短縮させる。従って、ＯＬＥＤ電子表示製品を封止し、ＯＬＥＤ電子表示製品の内部素子への保護を強化する必要がある。
【００３７】
本開示の一実施例は表示基板を提供し、該表示基板は下地、及び下地に設置される少なくとも１つの突起と封止層を含み、下地は表示領域及び表示領域の周囲に位置する非表示領域を含み、突起は非表示領域の下地に設置され、封止層は下地に設置され、且つ突起は下地と封止層との間に位置し、封止層は少なくとも部分的に突起を被覆する。非表示領域において、突起は下地に向く封止層の面の表面積を増加させ、水、酸素等の物質が表示基板の内部に侵入する経路を増加させ、表示基板の部材を保護し、また、突起の設置によって封止層と表示基板との接面積を増加させ、それにより封止層の表示基板の設置の堅牢性を高め、表示基板の封止効果を向上させる。
【００３８】
以下、図面を参照して本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板及びその製造方法、表示装置を説明する。
【００３９】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、図１は本開示の一実施例に係る表示基板の平面図であり、図２は図１に示される表示基板のＭ−Ｎ線の断面図である。たとえば、図１及び図２に示すように、表示基板は下地１００、及び下地１００に設置される封止層３００と少なくとも１つの突起２００を含み、下地１００は表示領域１１０及び表示領域の周囲に位置する非表示領域１２０を含み、突起２００は非表示領域１２０の下地１００に設置され、且つ下地１００と封止層３００との間に位置し、封止層３００は少なくとも部分的に突起２００を被覆する。図２に示すように、非表示領域１２０に、封止層３００が突起２００に沿って設置され、それにより、下地１００に向く封止層３００の面の表面積を増加させ、外部の水、酸素が表示基板の内部に入る経路を増加させ、且つ封止層３００の表示基板における付着面積を増加させ、表示基板の封止効果を向上させる。たとえば、封止層３００はすべての突起２００を被覆してもよく、すなわち突起２００の下地１００における正投影は封止層３００の下地１００における正投影内に位置してもよい。
【００４０】
本開示の実施例は下地の製造材料を制限しない。たとえば、下地の製造材料はガラス下地、石英下地又は樹脂類材料であってもよく、樹脂類材料は、たとえば、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレート等のうちの１種又は複数種を含む。
【００４１】
たとえば、図１及び図２に示すように、表示基板の下地１００を基準として三次元空間直交座標系を作成して、表示基板の各部材を配向する。上記三次元空間直交座標系において、Ｘ軸とＹ軸の方向は下地１００が位置する面に平行する方向であり、Ｚ軸は下地１００が位置する面に垂直する方向である。
【００４２】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、表示基板は突起と下地との間に設置される絶縁層をさらに含み、且つ突起は該絶縁層と封止層との間に位置する。突起は外部の水、酸素等が上記絶縁層と封止層との間の界面に沿って表示基板の内部に侵入する経路を増加させ、それにより表示基板の封止効果を向上させる。
【００４３】
たとえば、本開示のいくつかの実施例では、上記絶縁層はパッシベーション層であってもよく、突起は該パッシベーション層に接するように設置される。絶縁層がパッシベーション層である場合、表示基板の構造は図２に示したようになる。たとえば、本開示のほかのいくつかの実施例では、上記絶縁層は層間絶縁層であってもよく、突起は該層間絶縁層に接するように設置される。絶縁層が層間絶縁層である場合、表示基板の構造は図６に示される。
【００４４】
以下、絶縁層がパッシベーション層であることを例として、本開示の以下の少なくとも１つの実施例の技術案を説明する。
【００４５】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図１及び図２に示すように、表示基板は突起２００と下地１００との間に設置されるパッシベーション層４００をさらに含み、且つ突起２００はパッシベーション層４００と封止層３００との間に位置する。たとえば、突起２００はパッシベーション層４００に接する。
【００４６】
本開示の実施例はパッシベーション層４００の製造材料を制限しない。たとえば、パッシベーション層４００の製造材料は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）又はほかの適切な材料を含んでもよい。
【００４７】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図１及び図２に示すように、表示領域１１０の下地１００は複数の画素領域１１１を含み、各画素領域１１１の下地１００に少なくとも１つの有機発光素子６００が設置され、有機発光素子６００は絶縁層（たとえば、パッシベーション層４００）と封止層３００との間に位置する。突起２００は水、酸素が封止層３００とパッシベーション層４００の界面に沿って拡散する経路を増加させ、それにより外部の水、酸素等が有機発光素子６００に侵入することを阻止又は軽減させ、有機発光素子６００を保護する。本開示の実施例は有機発光素子６００の構造を制限しない。たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図２に示すように、有機発光素子６００は第１電極６１０、第２電極６２０及び有機発光層６３０を含んでもよく、有機発光層６３０は第１電極６１０と第２電極６２０との間に位置する。有機発光素子６００の構造は上記内容に限定されず、たとえば、有機発光素子６００は第１電極６１０と第２電極６２０との間に位置する正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の構造をさらに含んでもよく、更に、正孔バリア層及び電子バリア層を含んでもよく、正孔バリア層は、たとえば、電子輸送層と有機発光層との間に設置されてもよく、電子バリア層は、たとえば、正孔輸送層と有機発光層との間に設置されてもよい。
【００４８】
本開示の実施例は有機発光素子６００の第１電極６１０及び第２電極６２０の製造材料を制限しない。たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、第１電極６１０及び第２電極６２０のうちの一方は陽極で、他方は陰極であってもよい。陽極は、たとえば、高仕事関数を有する透明導電材料から形成され、陽極の電極材料は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）及びカーボンナノチューブ等を含んでもよく、陰極は、たとえば、高導電性及び低仕事関数の材料から形成され、陰極の電極材料はマグネシウムアルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウムアルミニウム合金（ＬｉＡｌ）等の合金又はマグネシウム、アルミニウム、リチウム、銀等の単一金属を含んでもよい。
【００４９】
本開示の実施例は有機発光素子６００の有機発光層６３０の製造材料を制限しない。たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、有機発光層６３０の材料はその異なる発光色に応じて選択できる。たとえば、有機発光層６３０の製造材料は蛍光発光材料又は燐光発光材料を含む。たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、有機発光層６３０はドーピング系を使用でき、すなわち、ホスト発光材料にドーピング材料を混入させて利用可能な発光材料を得られる。たとえば、ホスト発光材料は金属化合物材料、アントラセンの誘導体、芳香族ジアミン類化合物、トリフェニルアミン化合物、芳香族トリアミン類化合物、ビフェニルジアミン誘導体、又はトリアリールアミン重合体等を使用してもよい。
【００５０】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図２に示すように、表示基板は下地１００に設置される画素画定層７００をさらに含んでもよく、有機発光素子６００は画素画定層７００が限定した領域内に設置される。
【００５１】
本開示の実施例は画素画定層７００の具体的な構造及び製造材料等を制限しない。たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、画素画定層７００は１層又は２層構造であってもよく、複数層の複合層構造であってもよい。たとえば、画素画定層７００は少なくとも第１画定層と第２画定層の積層を含み、第１画定層は、たとえば、親水性有機材料から形成され、第２画定層は、たとえば、疎水性有機材料から形成される。第１画定層は下地１００と第２画定層との間に位置し、たとえば、インクジェットプリントによって有機発光素子６００の部分構造（たとえば、有機発光層６３０等）を製造する場合、親水性を有する第１画定層は、画素画定層７００が限定した領域にインクジェット材料を吸着して固定し、疎水性を有する第２画定層は、それに落ちたインクジェット材料を滑らせて、画素画定層７００が限定した領域内に移動させ、それにより表示基板の製造の歩留まりを向上させることができる。
【００５２】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、表示基板の突起２００は画素画定層７００と同層に配置され、且つ同一の材料で製造されてもよい。例示的に、下地１００に画素画定層７００を製造する過程では、下地１００に１層の画素画定層材料を堆積し、次にパターニングプロセスをして画素画定層７００と突起２００を同時に形成し、それによりマスクの数を減少させ、表示基板の生産時間を短縮させ、表示基板の生産コストを低減させることができる。
【００５３】
本開示の実施例では、画素画定層７００の製造材料は高分子樹脂材料であってもよく、パターニングプロセスは、たとえばフォトエッチングパターニングプロセスであり、たとえば、パターニング対象の構造層にフォトレジスト材料（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）膜をスピンコーティング、ブレードコーティング又はロールコーティングの方式によってコーティングするステップと、続いて、マスクを用いてフォトレジスト材料層を露光し、露光したフォトレジスト材料層を現像してフォトレジスト材料パターンを得るステップと、次に、フォトレジスト材料パターンをマスクとして構造層をエッチングするステップと、最後に、残りのフォトレジスト材料を剥離して所要のパターン構造を形成するステップと、を含む。
【００５４】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、画素画定層７００の製造材料はフォトレジスト材料であってもよく、このとき、パターニングプロセスは、マスクを用いてフォトレジスト材料層を露光し、露光したフォトレジスト材料を現像して画素画定層７００と突起２００のパターンを得るステップを含む。
【００５５】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、表示基板の突起２００の少なくとも一部は画素画定層７００と同層に配置され、且つ同一の材料で製造されてもよい。図２に示すように、突起２００は少なくとも第１突起層２０１と第２突起層２０２の積層を含むように配置されてもよく、第１突起層２０１は第２突起層２０２と下地１００との間に位置し、且つ第１突起層２０１は、たとえば画素画定層７００と同層に配置され、且つ同一の材料で製造されてもよく、第２突起層２０２の製造材料は、たとえばフォトレジスト材料であってもよい。
【００５６】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例の一例では、同一のパターニングプロセスによって、画素画定層７００及び画素画定層７００と同層にあり、且つ同一の材料で製造される第１突起層２０１を得ることができる。パターニングプロセスは、たとえばフォトエッチングパターニングプロセスであり、たとえば、下地１００に高分子樹脂材料などの１層の画素画定層材料を堆積し、画素画定層材料上にフォトレジスト材料膜をスピンコーティング、ブレードコーティング又はロールコーティングの方式によってコーティングするステップと、続いて、マスクを用いてフォトレジスト材料層を露光し、露光したフォトレジスト材料層を現像してフォトレジスト材料パターンを得るステップと、次に、フォトレジスト材料パターンをマスクとして画素画定層材料をエッチングし、画素画定層７００及び画素画定層７００と同層にあり、且つ同一の材料で製造される第１突起層２０１を得て、第２突起層２０２をフォトレジスト材料で製造し、画素画定層７００及び第１突起２０１を形成した下地１００に１層のフォトレジスト材料を堆積し、露光、現像により第２突起層２０２のパターンを得るステップと、を含む。このようにして、突起２００の高さ（突起２００の高さは突起２００の下地１００から離れた一端から突起２００の下地１００に近い他端までの距離であり、図２では、突起２００の高さは突起２００の下地１００から離れた一端からパッシベーション層４００に位置する他端までの距離である）を増加させ、更に水、酸素が表示基板の内部に侵入する経路を増加させることができる。
【００５７】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例の別の例では、画素画定層７００の製造材料はフォトレジスト材料である。たとえば、同一のパターニングプロセスによって、画素画定層７００及び画素画定層７００と同層にあり、且つ同一の材料で製造される突起２００を得る過程は、下地１００に１層のフォトレジスト材料を堆積し、マスクを用いてフォトレジスト材料層を露光し、露光したフォトレジスト材料を現像して、画素画定層７００及び画素画定層７００と同層にあり、且つ同一の材料で製造される第１突起層２０１を得て、第２突起層２０２をフォトレジスト材料で製造し、画素画定層７００及び第１突起２０１を形成した下地１００に１層のフォトレジスト材料を堆積し、露光、現像により第２突起層２０２のパターンを得るステップを含む。このようにして、突起２００の高さ（突起２００の高さは突起２００の下地１００から離れた一端から突起２００の下地１００に近い他端までの距離であり、図２では、突起２００の高さは突起２００の下地１００から離れた一端からパッシベーション層４００に位置する他端までの距離である）を増加させ、更に水、酸素が表示基板の内部に侵入する経路を増加させることができる。
【００５８】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、突起２００は画素画定層と同層の材料で製造されるものでなくてもよく、例示的に、パターニングプロセスによって画素画定層７００を得た後、画素画定層７００を形成した下地１００に１層のフォトレジスト材料を堆積し、露光、現像により突起２００のパターンを得る。
【００５９】
本開示の実施例では、突起２００の構造設計は上記いくつかの組み合わせ方式に限定されず、実際の必要に応じて設計でき、本開示の実施例は突起２００の具体的な構造を制限しない。
【００６０】
本開示の実施例は表示基板の有機発光素子６００の駆動方式を制限しない。たとえば、表示基板の有機発光素子６００はアクティブ駆動方式のものやパッシブ駆動方式のものであってもよい。
【００６１】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、表示基板の有機発光素子６００はパッシブ駆動方式のものである。図２に示すように、有機発光素子６００の第１電極６１０と第２電極６２０は積層して設置され、有機発光層６３０は第１電極６１０と第２電極６２０との積層位置にあり、表示基板の駆動回路は、たとえば、テープキャリアパッケージ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ、ＴＣＰ）又はチップオングラス（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ、ＣＯＧ）等の接続方式によってボンディング（ｂｏｎｄｉｎｇ）される。
【００６２】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、表示基板の有機発光素子６００はアクティブ駆動方式のものである。図２に示すように、表示基板の各画素領域１１１に、有機発光素子６００を駆動する少なくとも１つの薄膜トランジスタ８００がさらに設置される。たとえば、薄膜トランジスタ８００は、アクティブ層、ゲート絶縁層８１０、ゲート電極、層間絶縁層８２０及びソースドレイン電極層（ソース電極及びドレイン電極を含む）等を含んでもよく、ドレイン電極は、たとえば有機発光素子６００の第１電極６１０に電気的に接続される。
【００６３】
本開示の実施例は薄膜トランジスタ８００のタイプ及び構造を制限しない。たとえば、薄膜トランジスタ７０はトップゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタ又はダブルゲート型薄膜トランジスタ等であってもよい。たとえば、表示基板はボトムエミッションモード又はトップエミッションモードを使用してもよく、両面エミッションモードを使用してもよい。たとえば、表示基板はボトムエミッションモードを使用する場合、その第１電極６１０（たとえば、陽極）は透明電極、たとえば酸化インジウム錫電極であってもよく、その第２電極６２０（たとえば、陰極）は不透明金属電極であってもよく、表示基板はトップエミッションモードを使用する場合、その第１電極６１０（たとえば、陽極）は反射型電極を使用してもよく、第２電極６２０（たとえば、陰極）は半透明電極を使用してもよい。
【００６４】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図３Ａは本開示の一実施例に係る別の表示基板の部分断面図である。たとえば、図３Ａに示すように、表示基板はパッシベーション層４００の下地１００から離れた一方側に設置される平坦層５００をさらに含んでもよい。表示基板の製造過程では、後続のプロセスに寄与するように、平坦層５００は表示基板を平坦化することができる。
【００６５】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図３Ａに示すように、Ｚ軸の方向に、突起２００の下地１００における正投影は平坦層５００の下地１００における正投影内に位置し、すなわち、平坦層５００は非表示領域１２０まで延長し且つ突起２００が設置された領域まで延長する。突起２００の高さは突起２００の下地１００から離れた一端から突起２００の下地１００に近い他端までの距離であり、図３Ａの突起２００の高さは突起２００の下地１００から離れた一端から平坦層５００に位置する他端までの距離である。
【００６６】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、非表示領域１２０に位置する平坦層５００の部分に対してパターニング設計を行って、該領域の平坦層５００を突起２００の部分構造として配置してもよい。図３Ｂは本開示の一実施例に係る別の表示基板の部分断面図である。たとえば、図３Ｂに示すように、非表示領域１２０の平坦層５００に対してパターニングプロセス処理を行い、残りの平坦層５００を突起２００の一部、たとえば第３突起層２０３とし、このようにして、突起２００の高さを増加させることができ、突起２００の高さは突起２００の下地１００から離れた一端から突起２００の下地１００に近い他端までの距離であり、図３Ｂの突起２００の高さは突起２００の下地１００から離れた一端からパッシベーション層４００に位置する他端までの距離であり、水、酸素が侵入する経路を更に増加させ、表示基板の封止効果を向上させることができる。
【００６７】
本開示の実施例は平坦層５００の製造材料を制限しない。たとえば、平坦層５００の製造材料は有機材料、たとえばエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、アクリル酸又はほかの適切な材料であってもよい。たとえば、平坦層５００の製造材料はフォトレジスト材料であってもよく、パッシベーション層４００を形成した下地１００に１層のフォトレジスト材料を堆積し、フォトレジスト材料を露光、現像し、平坦層５００及び第３突起層２０３のパターンを形成する。
【００６８】
本開示の実施例は封止層３００の構造を制限せず、封止層３００が少なくとも部分的に突起２００を被覆すればよい。
【００６９】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図２、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、非表示領域１２０の封止層３００は突起２００に対応する非平坦部分を有する。水、酸素が表示基板の内部に入る経路を増加させ、表示基板の封止効果を向上させる作用を奏する。
【００７０】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図２、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、封止層３００は単層構造であってもよい。たとえば、封止層３００は、表示基板の素子、たとえば有機発光素子６００を保護するように、下地１００の全面を被覆するように設置されてもよい。封止層３００の製造材料は無機材料、たとえば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）又はほかの適切な材料等であってもよい。
【００７１】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、封止層３００は２層以上の複合構造であってもよい。図４は本開示の一実施例に係る別の表示基板の部分断面図である。図４に示すように、封止層３００は、たとえば、下地１００に順に設置される第１封止層３１０、第２封止層３２０及び第３封止層３３０の積層を含んでもよい。たとえば、第１封止層３１０及び第３封止層３３０の製造材料は、無機材料、たとえば窒化ケイ素、酸化ケイ素等の材料を含んでもよく、無機材料の緻密性が高く、水、酸素等の侵入を防止でき、たとえば、第２封止層３２０の製造材料は有機材料、たとえば高分子樹脂等を含み、第２封止層３２０は第１封止層３１０及び第３封止層３３０の応力を軽減させることができ、且つ第２封止層３２０内に、たとえば乾燥剤等の材料が設置されてもよく、内部に侵入した水、酸素等の物質を吸収して表示基板の部材を保護することができる。
【００７２】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図４に示すように、第１封止層３１０及び第３封止層３３０は、表示領域１１０全体を被覆し、少なくとも非表示領域１２０の突起２００を被覆するように配置され、たとえば、第１封止層３１０及び第３封止層３３０は更に下地１００の全面を被覆するように配置される。
【００７３】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図４に示すように、Ｚ軸に平行な方向に、突起２００の下地１００における正投影は第２封止層３２０の下地１００における正投影外に位置する。たとえば、第２封止層３２０は突起２００が位置する領域まで延長しない。有機材料からなる第２封止層３２０の厚さが大きく、第２封止層３２０が突起２００を避けていることで、第２封止層３２０が突起２００の両側の領域を満たすことを防止することができる。
【００７４】
本開示の実施例は封止層３００の厚さを制限しない。たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図４に示すように、Ｚ軸に平行な方向に、第１封止層３１０及び第３封止層３３０の厚さは１ミクロン以下であってもよく、第２封止層３２０の厚さは２〜１５ミクロンである。
【００７５】
本開示の実施例では、下地１００における突起２００の配列方式を制限せず、突起２００は、水、酸素等が表示基板の内部に侵入する経路を増加できるように設置されればよい。
【００７６】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図１に示すように、突起２００は部分的に表示領域１１０を囲むように設置されてもよく、又は環状構造として表示領域１１０を囲むように設置されてもよく、各突起２００は一体化した閉環状構造として設置されてもよい。このようにして、突起２００は表示領域１１０全体の部材を保護できる。
【００７７】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図５は本開示の一実施例に係る別の表示基板の平面図である。図５に示すように、各突起２００は互いに離間した少なくとも２つの突起段２３０を含む（たとえば、第１突起段２３１、第２突起段２３２等を含む）ように設置されてもよい。突起段２３０は、表示基板の厚さが大きすぎて後続の製造プロセスに不都合等をもたらすことを回避するように、表示基板の具体的な構造に応じて設置されている。
【００７８】
本開示の実施例は突起段２３０の長さを制限せず、実際のプロセス条件に応じて設計する。たとえば、図５に示すように、表示基板の同じ側に、突起段２３０の長さと表示基板の辺長との比は１／３以上であり、さらに好ましくは２／３以上である。例示的に、たとえば、図５に示すように、表示基板のＳ１側において、第１突起段２３１がＹ方向に平行に延長する長さと表示基板のＳ１側の辺長との比は１／３以上であり、表示基板のＳ２側において、第２突起段２３２がＸ方向に平行に延長する長さと表示基板のＳ２側の辺長との比は１／３以上である。同様に、表示基板のＳ３側及びＳ４側において、突起段２３０の長さと表示基板の辺長との比は１／３以上である。
【００７９】
本開示の実施例は突起２００の表示基板における延長形状を制限しない。たとえば、Ｚ軸に平行な方向から見れば、下地１００が位置する面に平行な方向における突起２００（たとえば、突起段２３０）の延長形状（屈曲段の延長形状を含まない）は直線状、波状等であってもよい。例示的に、図５に示すように、Ｙ軸に平行な方向における第１突起段２３１の延長形状又はＸ軸に平行な方向における第２突起段２３２の延長形状は直線状である。
【００８０】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図４に示すように、下地１００が位置する面に平行な方向に、突起２００は表示領域１１０を囲んで複数層設置されてもよい。たとえば、本開示の一実施例では、図４に示すように、突起２００は少なくとも、表示領域１１０を囲んで順に配列される第１突起２１０及び第２突起２２０を含み、第１突起２１０は第２突起２２０と隣接して設置され、且つ第１突起２１０は第２突起２２０の内側に位置する。複数層の突起２００は、外部の水、酸素が表示基板の内部に侵入する経路を更に増加させ、表示基板の封止効果を更に向上させることができる。
【００８１】
本開示の実施例は異なる層の突起２００の高さを制限せず、実際のプロセス条件に応じて設計する。たとえば、表示基板の外層に位置する突起２００の高さは内層の突起２００の高さより大きく設定されてもよい。例示的に、下地１００が位置する面に垂直な方向において、第２突起２２０の高さＨは第１突起２１０の高さｈより大きくなる。第２突起２２０の高さＨは第２突起２２０の下地１００から離れた一端から第２突起２２０の下地１００に近い他端までの距離であり、図４では、第２突起２２０の高さは第２突起２２０の下地１００から離れた一端からパッシベーション層４００に位置する他端までの距離であり、第１突起２１０の高さｈは第１突起２１０の下地１００から離れた一端から第１突起２１０の下地１００に近い他端までの距離であり、図４では、第１突起２１０の高さは第１突起２１０の下地１００から離れた一端からパッシベーション層４００に位置する他端までの距離であり、第１突起２１０と第２突起２２０が高度差を有することで、第１突起２１０と第２突起２２０との間に形成された溝の深さを低減させることができ、封止層が第１突起２１０と第２突起２２０を被覆する時の成膜の品質を向上させることに有利であり、外層に位置する第２突起２２０の高さＨが高いため、水、酸素が侵入する経路を増加させ、表示基板の封止効果を向上させることができる。
【００８２】
本開示の実施例では、隣接する突起２００の高度差を制限せず、実際のプロセス条件に応じて設計する。たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図４に示すように、第２突起２２０の高さＨと第１突起２１０の高さｈとの差は約０．３〜５ミクロンであり、たとえば更に好ましくは約０．５〜３ミクロンである。
【００８３】
本開示の実施例では、突起２００の寸法を制限せず、実際のプロセス条件に応じて設計する。たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図４に示すように、Ｚ軸に平行な方向における突起２００の高さは約２〜１５ミクロンである。図４に示すように、突起２００の高さは突起２００の下地１００から離れた一端から突起２００の下地１００に近い他端までの距離であり、且つ突起２００の高さは突起２００の下地１００から離れた一端からパッシベーション層４００に位置する他端までの距離である。たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図４に示すように、下地１００が位置する面に平行な方向における突起２００の幅Ｗは約３０〜１００ミクロンであり、たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図４に示すように、下地１００が位置する面に平行な方向において、隣接する突起２００（たとえば、第１突起２１０と第２突起２２０）の間隔Ｓは約３０〜１００ミクロンである。
【００８４】
本開示の実施例では、表示基板の絶縁層（突起は該絶縁層に設置される）は上記実施例のパッシベーション層に限定されない。図６は本開示の一実施例に係る別の表示基板の部分断面図である。
【００８５】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図６に示すように、表示基板の絶縁層は層間絶縁層８２０であってもよく、突起２００は層間絶縁層８２０に接するように設置されてもよい。たとえば、本開示の実施例では、表示基板にパッシベーション層が設置されなくてもよく、それにより、突起２００の設置によって、水、酸素等が表示基板の内部に侵入する経路を増加させ、表示基板の封止効果を向上させることができるだけでなく、表示基板の厚さを薄くすることができ、表示基板の軽量・薄型化に有利であり、また、非表示領域１２０に位置する表示基板の構造の複雑度を低減させ、表示基板（たとえば、表示基板はフレキシブル表示基板である）が湾曲等の操作をする過程で、非表示領域１２０における表示基板の破損（たとえば、破断による割れ目）の確率を低下させ、水、酸素等が割れ目に沿って表示基板の内部に侵入することを防止する。
【００８６】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例では、図６に示すように、層間絶縁層８２０に、図２に示されるパッシベーション層４００のかわりに、平坦層５００を設置してもよい。層間絶縁層５００の設置形態は上記実施例（図３Ａ及び図３Ｂに示される実施例）の関連内容を参照すればよく、本開示の実施例はここでは詳細説明を省略する。
【００８７】
本開示の少なくとも１つの実施例は、上記実施例のいずれかに記載の表示基板を含む表示装置を提供する。たとえば、表示装置の表示基板は、フレキシブル表示分野に適用できるようにフレキシブル下地であってもよい。たとえば、本開示の実施例に係る表示装置では、表示装置にタッチ表示機能を付与するように、表示基板にタッチ下地を設置してもよい。
【００８８】
たとえば、該表示装置はテレビ、デジタルカメラ、携帯電話、腕時計、タブレットＰＣ、ノートパソコン、ナビゲータなど表示機能を有する任意の製品又は部材であってもよい。
【００８９】
なお、説明の明瞭さの点から、該表示装置のすべての構造を説明していない。表示装置の必要な機能を実現するために、当業者は具体的な応用場面に応じてほかの構造を設置することができ、本開示ではそれを制限しない。
【００９０】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板の製造方法を提供し、表示領域及び表示領域の周囲に位置する非表示領域を含む下地を提供するステップと、下地の非表示領域に少なくとも１つの突起を形成するステップと、下地に封止層を形成するステップと、を含み、突起は下地と封止層との間に形成され、封止層は少なくとも部分的に突起を被覆する。上記製造方法に基づき得られた表示基板では、表示基板の非表示領域において、突起は下地に向く封止層の面の表面積を増加させ、水、酸素等の物質が表示基板の内部に侵入する経路を増加させ、表示基板の部材を保護し、また、突起の設置によって封止層と表示基板との接面積を増加させ、それにより封止層の表示基板の設置の堅牢性を高め、表示基板の封止効果を向上させる。
【００９１】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法は、突起と下地との間に絶縁層を形成するステップをさらに含み、突起は絶縁層に接し、且つ絶縁層はパッシベーション層又は層間絶縁層である。このようにして、突起によって封止層とパッシベーション層又は層間絶縁層との間の界面の表面積を増加させ、水、酸素等が該界面に沿って表示基板の内部に侵入する経路を増加させることができる。
【００９２】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法は、絶縁層の下地から離れた一方側において、突起と絶縁層との間に平坦層を形成するステップをさらに含み、且つ突起の少なくとも一部は平坦層と同層にあり、且つ同一の材料で製造される。このようにして、突起の高さを増加させ、それにより、水、酸素が侵入する経路を更に増加させ、表示基板の封止効果を向上させることができる。
【００９３】
なお、上記製造方法に基づき得られた表示基板の構造は上記実施例の関連内容を参照すればよく、ここで重複説明を省略する。
【００９４】
本開示の実施例は表示基板及びその製造方法、表示装置を提供し、以下の少なくとも１つの有益な効果を有する。
【００９５】
（１）本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、非表示領域に設置される突起によって、下地に向く封止層の面の面積を増加させ、水、酸素等が表示基板の内部に侵入する経路を増加させ、表示基板の封止効果を向上させることができる。
【００９６】
（２）本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、突起の設置によって封止層の表示基板にの付着の堅牢性を向上させ、表示基板の封止効果を向上させることができる。
【００９７】
本開示について、さらに以下の点を説明する。
【００９８】
（１）本開示の実施例の図面では、本開示の実施例に関する構造のみを示しており、ほかの構造は通常の設計を参照すればよい。
【００９９】
（２）明瞭さのために、本開示の実施例を説明するための図面において、層又は領域の厚さが拡大又は縮小されており、すなわち、これらの図面は実際の縮尺に応じて作成されるものではない。
【０１００】
（３）矛盾しない限り、本開示の実施例及び実施例における特徴を互いに組み合わせて新たな実施例を得ることができる。
【０１０１】
以上は本開示の具体的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲はこれに限定されず、本開示の保護範囲は特許請求の保護範囲に準じるべきである。
【符号の説明】
【０１０２】
１００  下地
１１０  表示領域
１１１  画素領域
１２０  非表示領域
２００  突起
２０１  第１突起層
２０２  第２突起層
２０３  第３突起層
２１０  第１突起
２２０  第２突起
２３０  突起段
２３１  第１突起段
２３２  第２突起段
３００  封止層
３１０  第１封止層
３２０  第２封止層
３３０  第３封止層
４００  パッシベーション層
５００  平坦層
６００  有機発光素子
６１０  第１電極
６２０  第２電極
６３０  有機発光層
７００  画素画定層
８００  薄膜トランジスタ
８１０  ゲート絶縁層
８２０  層間絶縁層
【図１】
2020532043.tif 000003
【図２】
2020532043.tif 000004
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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