(57)【要約】  本発明は、特に選択的レーザー溶融法又はレーザー焼結法についてのコンポーネントの付加製造のためのデバイス及び方法に関する。デバイスは、複数の空間的に分離されたビームガイドを有する処理ヘッド７であって、複数の空間的に分離されたビームガイドを介して、１つ以上のレーザービームを、空間的に分離されたビームパスに沿って処理平面８上に方向付けることができる、処理ヘッドと、１つ以上の光学切換えデバイス４であって、この１つ以上の光学切換えデバイスによって、それぞれのレーザービームのビームパスを、空間的に分離されたビームパスの間で切換えることができる、１つ以上の光学切換えデバイスとを備える。デバイスは、こうした種類の処理ヘッド７によって、異なるビームパス又は目標位置についてのレーザービーム源１の使用を可能にし、それにより、使用されるビーム源のよりよい利用、及び、より少数のレーザービーム源１によって作成されるコンポーネント幾何形状に対応する処理平面８の照射を達成することが可能である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に選択的レーザー溶融法又はレーザー焼結法についてのコンポーネントの付加製造のためのデバイスであって、
複数の空間的に分離されたビームガイドを有する処理ヘッド（７）であって、前記複数の空間的に分離されたビームガイドを介して、１つ以上のレーザービームを、空間的に分離されたビームパスに沿って処理平面（８）上に方向付けることができる、処理ヘッドと、
前記１つ以上のレーザービームを発生させるレーザービーム源組立体と、
前記処理平面（８）内に材料を供給するデバイスと、
移動デバイス（９，１０）であって、該移動デバイスによって、処理ヘッド（７）と処理平面（８）との間の相対的移動を行うことができる、移動デバイスと、
制御デバイスであって、該制御デバイスによって、前記移動デバイス（９，１０）を、前記相対的移動を行うために起動することができる、制御デバイスと、
を有し、
１つ以上の光学切換えデバイス（４）が存在し、該１つ以上の光学切換えデバイスによって、前記１つ以上のレーザービームのビームパスを、前記空間的に分離されたビームパスの間で切換えることができる、デバイス。
【請求項２】
前記レーザービーム源組立体は、複数のレーザービームを発生させる複数のレーザービーム源（１）を備え、専用光学切換えデバイス（４）が各レーザービームについて設けられることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
各ビームパスは、前記処理平面（８）内の１つの目標位置（５）で終端し、前記複数のビームパスの前記目標位置（５）のうちの少なくとも幾つかの目標位置は異なるレーザービームについて異なることを特徴とする、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
異なるレーザービームの隣接するビームパスは、共通目標位置（５）を有することを特徴とする、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記制御デバイスは、前記複数のレーザービーム源（１）によって発生されるレーザーパワーが、照射される各コンポーネント幾何形状について可能な限り最大限に利用されるように、前記１つ以上の光学切換えデバイス（４）を起動するように設計されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項６】
空間的に分離されるビームパスの数は、レーザービーム源（１）の数より少なくとも２倍だけ大きいことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記処理ヘッド（７）は複数の集束光学部品（２）を備え、該複数の集束光学部品（２）によって、前記レーザービームを前記処理平面（８）の方向に収束させることができることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記光学切換えデバイス（４）は電子光学要素によって形成されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記移動デバイス（９，１０）は、１つの併進軸又は互いに垂直な２つの併進軸を有し、該併進軸によって、前記処理ヘッド（７）は、前記処理平面（８）に平行な平面内で可動であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のデバイスによるコンポーネントの付加製造のための方法において、前記コンポーネント用の粒子材料は、１つ以上のレーザービーム源（１）からのレーザー放射による照射によって処理平面（８）内の複数の層内で溶融される、方法であって、
前記材料を照射するために、前記レーザービームは、前記処理平面（８）上にわたって誘導され、切換えは、前記材料の１つの層が、各場合において、所望のコンポーネント幾何形状に従って溶融されるように前記ビームパスの間で実施され、前記レーザービーム源（１）によって発生されるレーザーパワーは可能な限り最大限に利用される、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に選択的レーザー溶融法又はレーザー焼結法についてのコンポーネントの付加製造のためのデバイスに関し、デバイスは、複数の空間的に分離されたビームガイドを有する処理ヘッドを備え、複数の空間的に分離されたビームガイドを介して、１つ以上のレーザービームが、空間的に分離されたビームパスに沿って処理平面上に方向付けられ得る。本発明は、提案されるデバイスを使用することができる、コンポーネントの付加製造のための対応する方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
選択的レーザー溶融法（ＳＬＭ：Selective Laser Melting）等の粉末床型ビーム溶融結合法において、３次元コンポーネントは、３Ｄ  ＣＡＤモデルから付加的に直接調製される。反復プロセスにおいて、薄い、通常１００μｍ厚未満の粉末の層は、拡散機構によって基板プレートに塗布され、後続のステップにおいて、１つ以上のエネルギービームの助けを借りて、３Ｄ  ＣＡＤモデルに含まれる幾何形状情報に従って選択的に溶融される。この循環プロセスは、構造的複雑性の点での制限を少数しか有しない３次元コンポーネントの生産を可能にする。ＳＬＭにおいて、コンポーネントの圧縮成形は、粉末の完全な溶融及び先行する層（preceding layer）に依存する。こうして、最大１００％のコンポーネント密度及び従来の製造方法に匹敵する機械的特性を達成することが可能である。
【０００３】
こうした方法において、プロセスチェーンは、図１に図表で示すように、生産プラント内の構築プラットフォームに対して順次実施される。層の対応する複数のエリアがエネルギービームによって選択的に溶融される価値付加照射プロセスは、層塗布として、調製及びフォローアップ処理を処理する非価値付加プロセスによって中断される。使用されるプラント機器に応じて、例えば、ガルバノメータースキャナーがビームを操向させるために使用される場合、価値付加照射プロセスは、その間、ビームを偏向するために必要とされるスキャナーミラーが移動されるが、照射は起こらない、技術的に不可避の照射デッドタイムによって更に中断される。これは、例えば、次々に照射されるスキャンベクトルが幾何学的に互いにすぐ隣でないときに当てはまる。また、他の非生産的タイムは、スキャナーミラーの加速及び減速フェーズ中に発生する。そのため、ビーム源は、照射のためにその全能力まで使用されない。
【０００４】
（関連技術）
また、代替の照射概念は、過去に主に使用された上流又は下流の集束光学部品を有するガルバノメータースキャナーに基づくビーム偏向システムの他にも知られている。これらは、大部分は、移動デバイスによって、照射される表面上にわたって誘導される、複雑でない光学部品システムである。これは、基本的な機器構造を変更する必要なしで、設置空間の寸法及び／又は溶融パワーの考えられるスケーリングを可能にする利点を提供する。
【０００５】
そのため、例えば、特許文献１は、照射又は処理ヘッドが軸方向システムの助けを借りて粉末床上にわたって移動するデバイスを開示している。処理ヘッドは、光学デバイスを使用して、固定位置組立体内の複数のレーザービームを、例えば、処理ヘッドの移動方向に垂直にリニア配置で、処理平面上にレーザースポットとして並んで又は部分的にオーバラップして投射する。この文脈で、レーザービームはそれぞれ、別個のビーム源によって発生され、光ファイバーによって処理ヘッドまで誘導され、処理ヘッドの移動と同時に作成されるコンポーネント幾何形状に応じて変調又はスイッチオン及びスイッチオフされる。特許文献２は、それぞれのビーム源が光ファイバーなしで処理平面上に直接放射を方向付ける同様のデバイスを開示している。しかし、これらのデバイスは、処理平面内のそれぞれの個々のレーザースポットについて別個のビーム源を必要とする。これは、スポット配置が、ビーム源の数を増加させることによって事実上制限なしで幅広化され得ることを実際に意味する。しかし、それは、直線的なコストの増加にも関連する。さらに、構築コストが、相応して増加する。
【０００６】
特許文献３は、単一ビーム源からの照射が１つ以上のビームスプリッターによって複数の部分ビームに分離される照射デバイスを記述している。部分ビームは、その後それぞれ、それ自身の偏向ユニットによって処理平面上に別々にかつ独立して方向付けられる。しかし、この配置によって、個々の部分ビームの間のレーザーパワーの一定の分離を考慮すると、それぞれのビーム偏向デバイスによって照射されるエリアが同一であることを保証する手はずが整えられなければならない。
【０００７】
特許文献４は、１つの光源からの放出が、固定位置アレイで配置される複数の個々の光ファイバーによって処理平面に方向付けられる照射デバイスを提案している。ライトバルブは、各ファイバー端の背面に取付けられ、制御信号に応じて、ファイバーから出る放射を送信又は吸収することができる。こうして、コンポーネントに属するエリアは、ライトバルブのコンポーネント幾何形状に依存する、ファイバーアレイ及びコントローラーの移動によって処理平面内で選択的に照射され得る。このデバイスの作動中に、コンポーネントを構築するために必要とされない或る特定の被照射エリアについての放射は、関連するライトバルブに吸収されなければならない。しかし、実用的な使用において、これは、発生するレーザーパワーと実際に使用されるレーザーパワーとの間の低い比をもたらす。これは、上記で述べたデバイスの一部についても当てはまる。
【０００８】
上述した、既知のデバイスの欠点は、例えば、金属コンポーネントの連続生産において、粉末床型レーザービーム溶融法を経済的に使用することをより難しくする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２０１５／００３８０４号
【特許文献２】国際公開第２０１４／１９９１４９号
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１４／０１９８３６５号
【特許文献４】国際公開第００／２１７３５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、レーザー放射による粒子材料の層状化溶融によるコンポーネントの付加製造のためのデバイス及び方法を記述することであり、それによって、照射される或る特定のエリアに限定されることなく、使用されるビーム源の改善された活用が可能になる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的は、請求項１によるデバイス及び請求項１０による方法によって解決される。デバイス及び方法の有利な変形形態は、従属請求項の主題である、又は、以下の説明及び例示的な実施形態から理解することができる。
【００１２】
提案されるデバイスは、対応するビームガイド要素及び／又はビーム偏向要素を有する複数の空間的に分離されたビームガイドを有する処理ヘッドであって、複数の空間的に分離されたビームガイドによって、１つ以上のレーザービームを、空間的に分離されたビームパスに沿って処理平面上に方向付けることができる、処理ヘッドと、レーザービーム源組立体であって、このレーザービーム源組立体によって、１つ以上のレーザービームを発生させることができる、レーザービーム源組立体と、処理平面内に材料を供給するデバイスとを有する。デバイスは、移動デバイスであって、この移動デバイスによって、処理ヘッドと処理平面との間で、好ましくは互いに平行な平面内で相対的移動を行うことができる、移動デバイスと、制御デバイスであって、この制御デバイスによって、移動デバイスを、上記相対的移動を行うために起動することができる、制御デバイスとを更に備える。デバイスは、１つ以上の光学切換えデバイスが存在し、この１つ以上の光学切換えデバイスによって、１つ以上のレーザービームのビームパスを、空間的に分離されたビームパスの間で切換えることができることによって特に特徴付けられる。光学切換えデバイスは、好ましくはビームスイッチとして具現化される。光学切換えデバイスは、例えば光電子要素又は１つ以上の傾斜可能ミラー要素の形態を有することができる。
【００１３】
提案されるデバイスのこの変形形態は、それぞれのレーザービームを発生させるために使用されるビーム源のよりよい利用の可能性を可能にする。そのため例えば、粉末床型ビーム溶融結合法によって、レーザービームは、少なくとも一時的に第１のビームパスの目標位置における照射についてもはや必要とされないが、第２のビームパスの目標位置における照射が依然として必要とされる場合、第１のビームパスから第２のビームパスに切換えることができる。過去には、こうした状況の場合、２つのレーザービーム源が必要とされ、それぞれが一時的にスイッチオフされなければならなかったが、提案されるデバイスによって、１つのレーザービーム源のみを使用して同じ効果を達成することが可能であり、１つのレーザービーム源は、切換え能力によって時間の点でより効率的に利用される。もちろん、レーザービーム１つあたりの空間的に分離されたビームパスの数は２に限定されない。
【００１４】
中断を出来る限り少なくしてレーザービーム源を作動させるための更なるオプションは、レーザービーム源をパルス式モードで作動させ、可能な限りパルス休止中にビームパスの間で切換えるためのプロセスを実行することにある。
【００１５】
個々のビームパスの目標位置が相応してリニアパターンで配置される場合、順次全てのビームパスを通ってパルス式又は連続波（ＣＷ：continuous wave）レーザービームを順次切換え、処理ヘッドと処理平面との間の相対速度を適切に制御することによって、処理平面上でレーザーラインを照射することが可能である。
【００１６】
概して、レーザービームの全パワーを単一ビームパスに切換えるのではなく、そのパワーを幾つかのビームパスの間で同時に分割するオプションが存在する。提案されるデバイスによって、考えられる目標位置、すなわち、処理平面内の個々のビームパスの終端位置の総数は、以下のテキストで処理位置と呼ばれる、同時に照射され得る位置の最大数より大きい。
【００１７】
提案されるデバイスの好ましい変形形態において、レーザービーム源組立体は、複数の別個のレーザービームを発生させる複数のレーザービーム源を備える。そして、レーザービームのそれぞれを複数の空間的に分離されたパスに切換えることが可能である専用光学切換えデバイスは、これらのレーザービームのそれぞれに割当てられる。この文脈において、各レーザービームが全ての利用可能なビームガイド又はビームパスを使用できるように光学切換えデバイスを構成するオプションが存在する。別の可能性は、異なるビームパスを各レーザービームに割当てることであり、それによって、レーザービームを、処理平面上に方向付けることができる。この場合、異なるレーザービームの隣接するビームパスは、好ましくは、共通目標位置を共有する。上述したオプションの組み合わせを実現することも可能である。
【００１８】
それぞれ割当てられた光学切換えデバイスを有する複数のレーザービーム源が使用される、先行するテキストで説明した変形形態は、個々のビームパスの間の切換え、及び同様に、（照射される幾何形状に応じて）処理ヘッドが処理平面上にわたって通過しなければならない回数の減少によって、レーザービーム源のよりよい利用を可能にする。これは、所与のエリアについて必要とされない放射を、光学切換えデバイスによって他のコンポーネント領域に方向付けることができることによって達成される（そうでなければ、当該他のコンポーネント領域への放射は、更なるパスによってでしか達成することができない）。
【００１９】
相応して、提案される方法において、コンポーネント用の粒子材料は、レーザー放射による照射によって処理平面内の複数の層内で溶融される。このプロセスにおいて、材料を照射するためのレーザービームは、処理平面上にわたって誘導され、材料の１つの層が、毎回、所望のコンポーネント幾何形状に対応して溶融されるようにビームパスの間で切換えられ、レーザービーム源によって発生されるレーザーパワーの使用は、切換えによって最適化される。
【００２０】
相対移動は、上記で引用した特許文献１に記載されている方法と同じ方法で行うことができる。
【００２１】
提案されるデバイスによって、構築レート及び設置空間寸法の単純なスケーラビリティによって可能にされる多数のレーザービーム源の使用は生産性の向上をもたらす。同時に、提案されるデバイスは、考えられる最小数の単一ビーム源によってこれらの利点を達成することも可能にする。また、これらのビーム源は、事実上全く中断なく、提案されるデバイスにおいて作動される。したがって、デバイスの作動は、最大効率（溶融作動のために使用されるレーザーパワーと設置された総レーザーパワーとの比によって規定される）を送出する。デバイス及び方法を、任意の粉末床型ビーム溶融結合法のために使用することができる。特に産業用製造環境におけるこうしたデバイスの使用は、有意の可能性を有する。デバイスは、価値創造を最大にしてコンポーネントの付加製造を可能にする。これは、対応する製造装置の生産性、またそれにより、有意の財政的利点の実質的な増加をもたらし、それは、産業用連続生産という観点で粉末床型ビーム溶融結合法の実装に強く有利に働く。
【００２２】
以下の節では、提案されるデバイス及び提案される方法は、図面と併せて、その例示的な実施形態を参照して再びより詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】選択的レーザー溶融法におけるプロセスチェーンを表す図である。
【図２】関連技術によるデバイスの照射ユニットと提案されるデバイスの変形形態の照射ユニットとの間の図表形態での非常に簡略化された比較を示す図である。
【図３】提案されるデバイスの変形形態を表す図である。
【図４】関連技術によるデバイスの照射プロセスと提案されるデバイスの変形形態の照射プロセスとの間の比較を示す図である。
【図５】提案されるデバイスの更なる変形形態を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
選択的レーザー溶融法等の粉末床型ビーム溶融結合法において、価値付加照射プロセスは、層塗布、プロセス準備、及びフォローアップ処理等の価値を付加しない処理によって中断される。このプロセスチェーンは、図１において図表で示され、図１は、規定されたシーケンスで、プロセス準備プロセス１２、層塗布プロセス１３、照射プロセス１４、及びフォローアップ処理プロセス１５を示す。層塗布プロセス１３及び照射プロセス１４は、３次元コンポーネントが完全に構築されるまで、一度に１つの層ずつ反復される。提案される方法及び関連するデバイスは照射プロセスが最適化されることを可能にする。
【００２５】
提案されるデバイスによって、レーザービーム源の能力利用は、例えば、特許文献１に記載されるような関連技術によるデバイスと比較して増加し得る。関連技術のこのデバイスを用いる場合、光ファイバー６を介して処理ヘッドに接続された複数のレーザービーム源１が使用される。処理ヘッドは、各レーザービーム源１用の集束光学部品２を有するビームガイドを有し、そのガイドを介して、それぞれのレーザービームは、規定されたビームパス上で処理平面８内の目標位置に方向付けられる。これは、レーザースポット３の配置が処理平面８内で生成されることを可能にし、レーザースポット３のスポットの数は、設置されるレーザービーム源の数に等しい。これは、図２の左部分に図表で示される。
【００２６】
これと比較して、図２の右部分は、上側パネルにおいて本発明によるデバイスを示し、そのデバイスの場合、この例では、１つのレーザービーム源１のみが使用され、光ファイバー６又は他の光伝達デバイスを介して光学切換えデバイス４に接続され、その切換えデバイスによって、レーザービームは、任意の１つ以上のビームパス、その結果、処理平面８内の任意の１つ以上の目標位置５上に操向され得る。ここで同様に必要とされる集束光学部品を有する別個のビームガイドは図に示されない。図の下側パネルは、この配置の上面図を示す。したがって、そのビームが、光学切換えデバイス４によって種々のビームパスに必要に応じて切換えられ得る１つのレーザービーム源１のみが、図表で示す５つのビームパスについて必要とされる。
【００２７】
複数の目標位置の同時照射のために、複数のレーザービーム源１及び複数の光学切換えデバイス４が、図３で例示の目的のために示すように、提案されるデバイスにおいて使用される。こうした場合、光学切換えデバイス４のうちの１つの光学切換えデバイスは、各レーザービーム源１に割当てられ、複数のビームパス及び目標位置に応じてレーザービームを切換えることができる。光学切換えデバイス４はそれぞれ、処理ヘッド７に一体化される。レーザービーム源１も処理ヘッド７に一体化することができる、又は、レーザービーム源１を、処理ヘッド７の外部に配置し、例えば光ファイバーを介して処理ヘッド７に接続することもできる。
【００２８】
図３の例において、それぞれがビーム源１に接続される４つの光学切換えデバイス４が処理ヘッド７の内部に位置する。処理ヘッド７は、リニア軸１０上に固定され、リニア軸１０は、それ自身、リニア軸１０に垂直に整列した２つのリニア軸９上に搭載される。もちろん、１つのドライブ軸のみが、ドライブ軸用の更なるガイドとともに設けられることも可能である。こうして、処理ヘッド７は、処理平面８全体上にわたって移動し得る。ビーム源１は、この例では、リニア軸１０上に配置される。ビーム源１を他のポイントに配置することもできる。
【００２９】
光学要素４は、それぞれ隣接する光学要素４の１つであるが好ましくは複数の目標位置が１つの光学要素によって照射され得るように配置される。これらの目標位置は処理平面内のレーザースポット３として図３に示される。個々の目標位置は、図に概略的に示すように、好ましくは列として位置する。こうして、レーザーラインを、例えば、処理平面内に作成することができる。コンポーネントを構築するために、処理ヘッド７は、例えば、蛇行横断部に沿って処理平面上にわたって移動し、光学切換えデバイス４は、生成されるコンポーネント幾何形状の一部を形成する、処理ヘッド７の現在の照射フィールド内に位置するそれぞれの目標位置が照射されるようにこのプロセス中に起動される。
【００３０】
更なる例示的な実施形態は、特許文献１のデバイス等の関連技術によるデバイスの使用と比較して図４に示される。この図において、上側部分は関連技術によるデバイスを用いた照射プロセスを示し、下側部分は、提案されるデバイスを用いた照射プロセスを示す。この比較の場合、両方のデバイスが同じ数のレーザービーム源１を有するが、提案されるデバイスが、より多い数の隣接する目標位置又はレーザースポットに、またしたがって、その切換え能力によってより大きい照射幅に届くことが仮定される。図４は、提案されるデバイスによって、示す層のコンポーネント幾何形状１１を、関連技術によるデバイスの場合に比べて、処理ヘッドの少ないパスで照射することができることを示す。示す例において、これは、単一パス中に必要とされない放射を、光学切換えデバイスによって他のコンポーネント領域に方向付けることができることによって可能であり、ここで、当該他のコンポーネント領域は、関連技術によるデバイスを使用すると、第２のパスによってでしか達することができないものである。図の実線矢印は照射されるパスを示し、破線矢印は照射されないパスを示す。図４の比較は、起動されたレーザービーム源が、この例ではコンポーネント層を溶融するために事実上中断なしで作動されるため、提案されるデバイスにおいてよりよく利用されることも示す。もちろん、関連技術のデバイスと比較した提案されるデバイスのより大きい有効性は、作成されるコンポーネント幾何形状にも依存する。
【００３１】
提案されるデバイスを、目標位置が、１つの列ではなく、縦に並んだ幾つかの列で配置されるように設計することもできる。第２の次元における目標位置のフィールドのこの拡張の例は同様に、図５において識別可能である。ここで、目標位置の第２の列は、更なる光学切換えデバイス４及び関連するレーザービーム源１によって生成される。ビーム源１は、この例においても、リニア軸１０上に配置される。ビーム源を他のポイントに配置することもできる。また、もちろん、提案されるデバイスは、示す目標位置配置に限定されない。目標位置を異なるように配置することができる。
【００３２】
光学切換えデバイス１つあたりの目標位置の数及び処理ヘッド１つあたりの光学切換えデバイスの数は、特に光学切換えデバイスのコンポーネントの寸法及び耐荷重能力に関する技術的制限に依存するだけでなく、大部分は、スポットサイズ、利用可能な設置空間の寸法、及び所望のプラント生産性にも依存する。本質的な設計基準は、設置されたレーザーパワーの考えられる最大の割合が照射プロセスにおいて溶融されるコンポーネント容積に変換され得るように、平均的な作動状況で事実上中断なしで使用されるビーム源を起動することが可能であるべきであることである。
【００３３】
デバイスは、連続波（ＣＷ）モードの代わりにパルス式又は変調式プロセス管理が使用されるときに特に有利に利用され得る。光学切換えデバイスは、レーザービームを異なるビームパスに切換え、したがって、１つの目標位置から次の目標位置にレーザービームを操向させるために或る特定の切換え時間を必要とする。この切換え時間が、使用されるデューティサイクル、すなわちパルス継続時間及びパルス休止に対する好ましい比内にある場合、処理ヘッドと処理平面との間の相対速度がコンポーネント幾何形状に対して調整されると、スポットライン全体を、スポット及び目標位置が存在するよりも著しく少数のビーム源を使用して照射することができる。
【００３４】
目標位置を、レーザースポットが処理平面内でオーバラップするように配置することもできる。処理ヘッドは、好ましくは、各目標位置が複数のレーザービーム源から照射され得るような光学切換えデバイスを持つように設計される。この文脈で、コンポーネント層は、処理ヘッドによる或るパス中に、利用可能な目標位置のフィールド内に位置する全てのコンポーネント領域が照射されるよう、個々の光学切換えデバイスが制御され得るように照射され、一方、関連するビーム源は、コンポーネント層を溶融するために中断を出来る限り少なくして放射を放出する。提案されるデバイスにおいて、放出されるパワーのレベルは、好ましくは、コンポーネント幾何形状及び関連する光学切換えデバイスの切換え位置に応じて制御デバイスによって変動する場合がある。
【符号の説明】
【００３５】
１  レーザービーム源
２  集束光学部品
３  レーザースポット
４  光学切換えデバイス
５  目標位置
６  光ファイバー
７  処理ヘッド
８  処理平面
９  リニア軸
１０  リニア軸
１１  コンポーネント幾何形状
１２  プロセス準備
１３  層塗布
１４  照射
１５  フォローアップ処理
【図１】
2020501008.tif 000003
【図２】
2020501008.tif 000004
【図３】
2020501008.tif 000005
【図４】
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【図５】
2020501008.tif 000007
【国際調査報告】
2020501008.tif 000008
2020501008.tif 000009
2020501008.tif 000010
2020501008.tif 000011