(57)【要約】【解決手段】本発明は、ＴＦＴ基板、その製造方法及びＯＬＥＤパネルの製造方法を提供するものである。前記ＴＦＴ基板の製造方法において、まず、ゲート電極（６０）及び活性層（４０）を覆う第１層間絶縁層（７１）をバッファ層（３０）上に形成し、且つ第１層間絶縁層の材料を酸窒化ケイ素としているため、ゲート電極の表面の金属銅が酸化しないように保護され、ゲート電極の性能の安定性が確保されるとともに、過剰の水素が活性層中に導入されるのを防ぐことができる。さらに、第１層間絶縁層の上方に第２層間絶縁層（７２）を形成し、且つ第２層間絶縁層の材料を酸化ケイ素としているため、過剰の水素が活性層に導入されるのを回避し、活性層の性能の安定性が確保され、ＴＦＴ素子の動作安定性を向上させることができる。前記ＴＦＴ基板のゲート電極及び活性層の性能は安定しており、ＴＦＴ素子はより優れた動作安定性を有する。【選択図】図１２
2020532876.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記ステップＳ１乃至ステップＳ４を含むＴＦＴ基板の製造方法であって、
ステップＳ１において、ベース基板を提供し、前記ベース基板上に遮光層を形成し、前記遮光層を覆うバッファ層を前記ベース基板上に形成し、前記遮光層の上方に対応した活性層を前記バッファ層上に形成し、前記活性層の材料は金属酸化物半導体材料であり；
ステップＳ２において、前記活性層上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁層は上下方向において揃えられ、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層により、前記活性層は、前記ゲート絶縁層の下方に対応したチャネル領域と、前記チャネル領域の両側にそれぞれ位置するソースコンタクト領域及びドレインコンタクト領域とに画定され、
前記活性層の前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域に導体化処理を施すことで、前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域の金属酸化物半導体材料を導体とし、前記チャネル領域の金属酸化物半導体材料は半導体特性を維持し；
ステップＳ３において、前記ゲート電極及び前記活性層を覆う第１層間絶縁層を前記バッファ層上に形成し、前記第１層間絶縁層の材料は酸窒化ケイ素を含み、
前記第１層間絶縁層上に第２層間絶縁層を形成し、前記第２層間絶縁層の材料は酸化ケイ素を含み；及び
ステップＳ４において、前記ソースコンタクト領域の上方に対応した第１貫通孔、及び前記ドレインコンタクト領域の上方に対応した第２貫通孔をそれぞれ、前記第１層間絶縁層及び前記第２層間絶縁層上から形成し、
前記第２層間絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極はそれぞれ、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を介して前記活性層の前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域に電気的に接続され、ＴＦＴ基板が得られることを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項２】
前記酸窒化ケイ素は化学気相堆積法によって調製され、反応ガスとしては、シラン、アンモニア及び亜酸化窒素が含まれ、
前記酸化ケイ素は化学気相堆積法によって調製され、反応ガスとしては、シラン及び亜酸化窒素が含まれることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１層間絶縁層の厚さは、前記第２層間絶縁層の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１層間絶縁層の厚さは１００Å〜５００Åであり、前記第２層間絶縁層の厚さは３０００Å〜１００００Åであることを特徴とする請求項３に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項５】
前記ステップＳ２において、
前記活性層を覆う前記ゲート絶縁層を前記バッファ層上に形成し、前記ゲート絶縁層上にゲート金属層を堆積させ、
前記ゲート金属層上にフォトレジスト層を形成し、黄色光工程の利用により、前記フォトレジスト層にパターニング処理を施し、残存した前記フォトレジスト層によって前記ゲート金属層上にゲート電極パターンが画定され、
前記フォトレジスト層をバリア層として用い、前記ゲート金属層をエッチングすることで、前記活性層の上方に対応した前記ゲート電極が得られ、
前記フォトレジスト層及び前記ゲート電極をバリア層として用い、前記ゲート絶縁層をエッチングすることで、前記ゲート電極の下部に対応した部分のみを残し、その他の部分は全てエッチングにより除去され、残存した前記ゲート絶縁層は前記活性層上に位置し、且つ前記ゲート電極と上下方向において揃えられ、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層により、前記活性層は、前記ゲート絶縁層の下方に対応した前記チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にそれぞれ位置する前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域とに画定され、
前記フォトレジスト層、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層をバリア層として用い、前記活性層にプラズマ処理を施すことで、前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域の金属酸化物半導体材料を導体とし、前記チャネル領域の金属酸化物半導体材料は半導体特性を維持し、プラズマ処理工程が完了した後、前記フォトレジスト層を剥離させることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項６】
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられた遮光層と、
前記ベース基板上に設けられ、且つ前記遮光層を覆うバッファ層と、
前記バッファ層上に設けられ、且つ前記遮光層の上方に対応した活性層と、
前記活性層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、且つ前記ゲート絶縁層と上下方向において揃えられたゲート電極と、
前記バッファ層上に設けられ、且つ前記ゲート電極及び前記活性層を覆う第１層間絶縁層と、
前記第１層間絶縁層上に設けられた第２層間絶縁層と、
前記第２層間絶縁層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を含むＴＦＴ基板であって、
前記第１層間絶縁層の材料は酸窒化ケイ素を含み、前記第２層間絶縁層の材料は酸化ケイ素を含み、
前記活性層は、前記ゲート絶縁層の下方に対応したチャネル領域と、前記チャネル領域の両側にそれぞれ位置するソースコンタクト領域及びドレインコンタクト領域とを含み、前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域の材料は導体化した金属酸化物半導体材料であり、前記チャネル領域の材料は半導体特性を維持した金属酸化物半導体材料であり、
前記第１層間絶縁層及び前記第２層間絶縁層上からは、前記ソースコンタクト領域の上方に対応した第１貫通孔、及び前記ドレインコンタクト領域の上方に対応した第２貫通孔がそれぞれ形成されており、前記ソース電極及び前記ドレイン電極はそれぞれ、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を介して前記活性層の前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域に電気的に接続されていることを特徴とするＴＦＴ基板。
【請求項７】
前記第１層間絶縁層の厚さは、前記第２層間絶縁層の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項６に記載のＴＦＴ基板。
【請求項８】
前記第１層間絶縁層の厚さは１００Å〜５００Åであり、前記第２層間絶縁層の厚さは３０００Å〜１００００Åであることを特徴とする請求項７に記載のＴＦＴ基板。
【請求項９】
下記ステップＳ１０乃至ステップＳ６０を含むＯＬＥＤパネルの製造方法であって、
ステップＳ１０において、請求項１に記載のＴＦＴ基板の製造方法によりＴＦＴ基板を製造し；
ステップＳ２０において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆うパッシベーション層を、前記ＴＦＴ基板の前記第２層間絶縁層上に形成し、且つエッチングにより前記ソース電極の上方に対応した第１ビアホールを、前記パッシベーション層上から形成し、
前記パッシベーション層上に平坦化層を形成し、且つ黄色光工程の採用により、前記平坦化層上に第２ビアホールを形成し、前記第１ビアホールと前記第２ビアホールは上下方向において対応し、且つ相互に連通しており、共に第３貫通孔を構成し；
ステップＳ３０において、前記平坦化層上にＯＬＥＤアノードを形成し、前記ＯＬＥＤアノードは前記第３貫通孔を介して前記ソース電極と接触し；
ステップＳ４０において、前記平坦化層及び前記ＯＬＥＤアノード上にピクセル定義層を形成し、且つ黄色光工程の採用により、前記ＯＬＥＤアノードの上方に対応した開口を、前記ピクセル定義層上から形成し；
ステップＳ５０において、前記開口内の前記ＯＬＥＤアノード上に、有機発光層を形成し；及び
ステップＳ６０において、前記ピクセル定義層及び前記開口内の前記有機発光層上に、カソードを形成することを特徴とするＯＬＥＤパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスプレイ技術の分野に関するものであり、特にＴＦＴ基板とその製造方法、及びＯＬＥＤパネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）は、薄型、省電力、無輻射等の多くの利点を有し、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルカメラ、コンピューターディスプレイ又はノートパソコンのディスプレイ等に幅広く用いられている。
【０００３】
有機ＥＬディスプレイとしても知られる有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）ディスプレイは新興のフラットパネルディスプレイ装置であり、簡易な製造工程、低コスト、低消費電力、高輝度、広い動作温度範囲、薄型、高速応答、カラーディスプレイ及び大画面ディスプレイの実現容易性、集積回路ドライバとの整合の実現容易性、及びフレキシブルディスプレイの実現容易性等の利点を有するため、幅広い範囲での応用が期待されている。
【０００４】
ＯＬＥＤは駆動方式に応じて、パッシブマトリクス型ＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ、ＰＭＯＬＥＤ）と、アクティブマトリクス型ＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ、ＡＭＯＬＥＤ）の２つのタイプに大きく分類され、即ち、直接アドレッシングと、薄膜トランジスタを用いたマトリクスアドレッシングの２つのタイプである。ここでＡＭＯＬＥＤは、アレイ状に配列されたピクセルを有していて、アクティブ表示のタイプに属し、発光効率が高く、通常は高解像度の大型ディスプレイ装置に用いられる。
【０００５】
薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、略称ＴＦＴ）は目下、液晶ディスプレイ装置とアクティブマトリクス型ＯＬＥＤディスプレイ装置における主要な駆動素子であり、高性能フラットパネルディスプレイ装置の発展に直接関係するものである。薄膜トランジスタは様々な構造を有し、対応する構造を有する薄膜トランジスタの製造にも様々な材料が用いられ、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料は比較的一般に用いられる材料の１つである。しかしながら、液晶ディスプレイ装置及びＯＬＥＤディスプレイ装置は、大型化及び高解像度化に向けて開発が進められており、移動度がわずか１ｃｍ２／（Ｖｓ）程度である従来のａ−Ｓｉでは、既にそのような需要を満たすことができない。インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）に代表される金属酸化物材料は、１０ｃｍ２／（Ｖｓ）以上の移動度を有し、さらに対応する薄膜トランジスタの製造については、現存するａ−Ｓｉ半導体駆動型の薄膜トランジスタの生産ラインと互換性があり、近年急速にディスプレイ分野における研究開発の焦点となっている。
【０００６】
自己整合型トップ・ゲート構造の酸化物半導体ＴＦＴは、ＯＬＥＤパネルにおける一般的なＴＦＴのタイプである。自己整合型トップ・ゲート構造を有する酸化物半導体ＴＦＴの製造過程において、通常、酸化物半導体層とゲート電極とを層間絶縁層（Ｉｎｔｅｒ  Ｌａｙｅr  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ、ＩＬＤ）で覆う必要があり、層間絶縁層の材料は一般的に窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）から選択される。窒化ケイ素の化学気相堆積工程では、アンモニア（ＮＨ３）ガスに通す必要があり、アンモニアガスは過剰の水素を酸化物半導体層中に導入し易く、酸化物半導体層の性能を低下させることとなる。従って、本分野では通常、層間絶縁層を形成するのに酸化ケイ素材料を選択し、酸化物半導体層中に過剰の水素が導入されるのを回避している。しかしながら、酸化ケイ素の化学気相堆積工程では、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を導入する必要があり、亜酸化窒素はゲート電極表面の金属銅を酸化させ易いため、ＴＦＴ素子の性能に異常をきたす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的はＴＦＴ基板の製造方法を提供することであり、当該製造方法において、ゲート電極表面の金属銅は酸化しないように保護されるため、ゲート電極の性能の安定性が保証されるとともに、過剰の水素が活性層中に導入されるのを防ぐことができるため、活性層の性能の安定性が保証され、以ってＴＦＴ素子の動作安定性が向上する。
【０００８】
本発明のさらなる目的として、上記のＴＦＴ基板の製造方法によって製造されたＴＦＴ基板を提供し、ＴＦＴ素子はより優れた動作安定性を有する。
【０００９】
本発明のさらなる目的として、ＯＬＥＤパネルの製造方法を提供し、当該ＯＬＥＤパネルの製造方法において、上記のＴＦＴ基板の製造方法を用いてＴＦＴ基板を製造するため、ＴＦＴ素子がより優れた動作安定性を有することを保証することができ、以ってＯＬＥＤパネルがより良好な発光安定性を有することを保証することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を実現するために、本発明はＴＦＴ基板の製造方法を提供し、当該ＴＦＴ基板の製造方法は、下記ステップＳ１乃至ステップＳ４を含み、
ステップＳ１において、ベース基板を提供し、前記ベース基板上に遮光層を形成し、前記遮光層を覆うバッファ層を前記ベース基板上に形成し、前記遮光層の上方に対応した活性層を前記バッファ層上に形成し、前記活性層の材料は金属酸化物半導体材料であり；
ステップＳ２において、前記活性層上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁層は上下方向において揃えられ、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層により、前記活性層は、前記ゲート絶縁層の下方に対応したチャネル領域と、前記チャネル領域の両側にそれぞれ位置するソースコンタクト領域及びドレインコンタクト領域とに画定され、
前記活性層の前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域に導体化処理を施すことで、前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域の金属酸化物半導体材料を導体とし、前記チャネル領域の金属酸化物半導体材料は半導体特性を維持し；
ステップＳ３において、前記ゲート電極及び前記活性層を覆う第１層間絶縁層を前記バッファ層上に形成し、前記第１層間絶縁層の材料は酸窒化ケイ素を含み、
前記第１層間絶縁層上に第２層間絶縁層を形成し、前記第２層間絶縁層の材料は酸化ケイ素を含み；及び
ステップＳ４において、前記ソースコンタクト領域の上方に対応した第１貫通孔、及び前記ドレインコンタクト領域の上方に対応した第２貫通孔をそれぞれ、前記第１層間絶縁層及び前記第２層間絶縁層上から形成し、
前記第２層間絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極はそれぞれ、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を介して前記活性層の前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域に電気的に接続され、ＴＦＴ基板が得られる。
【００１１】
前記酸窒化ケイ素は化学気相堆積法によって調製され、反応ガスとしては、シラン、アンモニア及び亜酸化窒素が含まれ、
前記酸化ケイ素は化学気相堆積法によって調製され、反応ガスとしては、シラン及び亜酸化窒素が含まれる。
【００１２】
前記第１層間絶縁層の厚さは、前記第２層間絶縁層の厚さよりも小さい。
【００１３】
前記第１層間絶縁層の厚さは１００Å〜５００Åであり、前記第２層間絶縁層の厚さは３０００Å〜１００００Åである。
【００１４】
前記ステップＳ２において、
前記活性層を覆う前記ゲート絶縁層を前記バッファ層上に形成し、前記ゲート絶縁層上にゲート金属層を堆積させ、
前記ゲート金属層上にフォトレジスト層を形成し、黄色光工程の利用により、前記フォトレジスト層にパターニング処理を施し、残存した前記フォトレジスト層によって前記ゲート金属層上にゲート電極パターンが画定され、
前記フォトレジスト層をバリア層として用い、前記ゲート金属層をエッチングすることで、前記活性層の上方に対応した前記ゲート電極が得られ、
前記フォトレジスト層及び前記ゲート電極をバリア層として用い、前記ゲート絶縁層をエッチングすることで、前記ゲート電極の下部に対応した部分のみを残し、その他の部分は全てエッチングにより除去され、残存した前記ゲート絶縁層は前記活性層上に位置し、且つ前記ゲート電極と上下方向において揃えられ、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層により、前記活性層は、前記ゲート絶縁層の下方に対応した前記チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にそれぞれ位置する前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域とに画定され、
前記フォトレジスト層、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層をバリア層として用い、前記活性層にプラズマ処理を施すことで、前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域の金属酸化物半導体材料を導体とし、前記チャネル領域の金属酸化物半導体材料は半導体特性を維持し、プラズマ処理工程が完了した後、前記フォトレジスト層を剥離させる。
【００１５】
本発明はさらにＴＦＴ基板を提供し、当該ＴＦＴ基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられた遮光層と、
前記ベース基板上に設けられ、且つ前記遮光層を覆うバッファ層と、
前記バッファ層上に設けられ、且つ前記遮光層の上方に対応した活性層と、
前記活性層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、且つ前記ゲート絶縁層と上下方向において揃えられたゲート電極と、
前記バッファ層上に設けられ、且つ前記ゲート電極及び前記活性層を覆う第１層間絶縁層と、
前記第１層間絶縁層上に設けられた第２層間絶縁層と、
前記第２層間絶縁層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を含み、
前記第１層間絶縁層の材料は酸窒化ケイ素を含み、前記第２層間絶縁層の材料は酸化ケイ素を含み、
前記活性層は、前記ゲート絶縁層の下方に対応したチャネル領域と、前記チャネル領域の両側にそれぞれ位置するソースコンタクト領域及びドレインコンタクト領域とを含み、前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域の材料は導体化した金属酸化物半導体材料であり、前記チャネル領域の材料は半導体特性を維持した金属酸化物半導体材料であり、
前記第１層間絶縁層及び前記第２層間絶縁層上からは、前記ソースコンタクト領域の上方に対応した第１貫通孔、及び前記ドレインコンタクト領域の上方に対応した第２貫通孔がそれぞれ形成されており、前記ソース電極及び前記ドレイン電極はそれぞれ、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を介して前記活性層の前記ソースコンタクト領域及び前記ドレインコンタクト領域に電気的に接続されている。
【００１６】
前記第１層間絶縁層の厚さは、前記第２層間絶縁層の厚さよりも小さい。
【００１７】
前記第１層間絶縁層の厚さは１００Å〜５００Åであり、前記第２層間絶縁層の厚さは３０００Å〜１００００Åである。
【００１８】
本発明はさらにＯＬＥＤパネルの製造方法を提供し、当該ＯＬＥＤパネルの製造方法は下記ステップＳ１０乃至ステップＳ６０を含み、
ステップＳ１０において、請求項１に記載のＴＦＴ基板の製造方法によりＴＦＴ基板を製造し；
ステップＳ２０において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆うパッシベーション層を、前記ＴＦＴ基板の前記第２層間絶縁層上に形成し、且つエッチングにより前記ソース電極の上方に対応した第１ビアホールを、前記パッシベーション層上から形成し、
前記パッシベーション層上に平坦化層を形成し、且つ黄色光工程の採用により、前記平坦化層上に第２ビアホールを形成し、前記第１ビアホールと前記第２ビアホールは上下方向において対応し、且つ相互に連通しており、共に第３貫通孔を構成し；
ステップＳ３０において、前記平坦化層上にＯＬＥＤアノードを形成し、前記ＯＬＥＤアノードは前記第３貫通孔を介して前記ソース電極と接触し；
ステップＳ４０において、前記平坦化層及び前記ＯＬＥＤアノード上にピクセル定義層を形成し、且つ黄色光工程の採用により、前記ＯＬＥＤアノードの上方に対応した開口を、前記ピクセル定義層上から形成し；
ステップＳ５０において、前記開口内の前記ＯＬＥＤアノード上に、有機発光層を形成し；及び
ステップＳ６０において、前記ピクセル定義層及び前記開口内の前記有機発光層上に、カソードを形成する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のＴＦＴ基板の製造方法において、まず、ゲート電極及び活性層を覆う第１層間絶縁層をバッファ層上に形成し、且つ第１層間絶縁層の材料を酸窒化ケイ素としているため、ゲート電極の表面の金属銅が酸化しないように保護され、ゲート電極の性能の安定性が確保されるとともに、過剰の水素が活性層中に導入されるのを防ぐことができる。さらに、第１層間絶縁層の上方に第２層間絶縁層を形成し、且つ第２層間絶縁層の材料を酸化ケイ素としているため、過剰の水素が活性層に導入されるのを回避し、活性層の性能の安定性が確保され、ＴＦＴ素子の動作安定性を向上させることができる。本発明のＴＦＴ基板は、上記のＴＦＴ基板の製造方法を用いて製造されたものであり、そのゲート電極及び活性層の性能は安定しており、ＴＦＴ素子はより優れた動作安定性を有する。本発明のＯＬＥＤパネルの製造方法において、上述のＴＦＴ基板の製造方法を用いてＴＦＴ基板を製造するため、ＴＦＴ素子はより優れた動作安定性を有することが保証され、以ってＯＬＥＤパネルはより良好な発光安定性を有することが保証される。
【００２０】
本発明の特徴及び技術内容をより理解するために、以下の本発明の詳細な説明及び添付の図面を参照されたい。ここで、添付の図面は単に参考及び説明に供するためのものであり、本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
以下において、添付の図面を参照して、本発明に係る具体的な実施形態について詳述することで、本発明の技術案及びその他の有益な効果を明らかにする。
【００２２】
添付の図面において、
【図１】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法のフローチャートである。
【図２】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法のステップＳ１を示す図である。
【図３】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法のステップＳ２を示す図である。
【図４】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法のステップＳ２を示す図である。
【図５】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法のステップＳ２を示す図である。
【図６】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法のステップＳ２を示す図である。
【図７】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法のステップＳ２を示す図である。
【図８】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法のステップＳ２を示す図である。
【図９】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法のステップＳ３を示す図である。
【図１０】従来の自己整合型トップ・ゲート構造を有する酸化物半導体ＴＦＴの製造工程において、酸化ケイ素材料による層間絶縁層が形成された後の状態を示す顕微鏡写真である。
【図１１】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法において、第２層間絶縁層が形成された後の状態を示す顕微鏡写真である。
【図１２】本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法のステップＳ４を示す図であり、且つ本発明のＴＦＴ基板の構造を示す図である。
【図１３】本発明におけるＯＬＥＤパネルの製造方法のフローチャートである。
【図１４】本発明におけるＯＬＥＤパネルの製造方法のステップＳ２０乃至ステップＳ６０を示す参考図であり、且つ本発明のＯＬＥＤパネルの構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明で採用されている技術的手段及びその効果についてさらに説明するために、以下において、本発明の好ましい実施形態及び添付の図面を組み合わせた上で詳述する。
【００２４】
図１を参照されたい。本発明はＴＦＴ基板の製造方法を提供し、当該方法は以下のステップを含む。
【００２５】
ステップＳ１：図２に示すように、ベース基板１０を提供し、前記ベース基板１０上に遮光層２０を形成し、前記遮光層２０を覆うバッファ層３０を前記ベース基板１０上に形成し、前記遮光層２０の上方に対応した活性層４０を前記バッファ層３０上に形成し、前記活性層４０の材料は金属酸化物半導体材料である。
【００２６】
具体的には、遮光層２０を形成する前に、前記ベース基板１０を洗浄する必要がある。
【００２７】
具体的には、ベース基板１０上に一層の金属を堆積させ、且つ黄色光の利用及びエッチング工程により、前記遮光層２０が得られる。
【００２８】
具体的には、前記遮光層２０の面積は前記活性層４０の面積よりも大きく、且つ前記遮光層２０のベース基板１０上への正投影は、前記活性層４０のベース基板１０上への正投影を包含するため、前記遮光層２０が活性層４０を完全に遮ることができるようになり、活性層４０が光線の照射を受けてＴＦＴの閾値電圧が負にドリフトするのを防止し、ＴＦＴの動作安定性を向上させることができる。
【００２９】
具体的には、前記ベース基板１０はガラス基板である。
【００３０】
具体的には、前記遮光層２０の厚さは５００Å〜２０００Åであり、前記遮光層２０の材料は金属である。好ましくは、前記遮光層２０の材料は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びチタン（Ｔｉ）うちの１種又はこれら２種以上の合金を含む。
【００３１】
具体的には、前記バッファ層３０の厚さは１０００Å〜５０００Åであり、前記バッファ層３０の材料は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を含む。
【００３２】
具体的には、前記活性層４０の厚さは１００Å〜１０００Åであり、前記金属酸化物半導体材料は、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウム・亜鉛・スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、及びインジウム・ガリウム・亜鉛・スズ酸化物（ＩＧＺＴＯ）のうちの１種又は２種以上を含む。
【００３３】
ステップＳ２：図３乃至図８に示すように、前記活性層４０上にゲート絶縁層５０を形成し、前記ゲート絶縁層５０上にゲート電極６０を形成し、前記ゲート電極６０とゲート絶縁層５０は上下方向において揃えられる。前記ゲート電極６０及びゲート絶縁層５０により、活性層４０は、ゲート絶縁層５０の下方に対応したチャネル領域４１と、チャネル領域４１の両側にそれぞれ位置するソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３とに画定される。
【００３４】
活性層４０のソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３に導体化処理を施すことで、ソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３の金属酸化物半導体材料を導体とし、チャネル領域４１の金属酸化物半導体材料は半導体特性を維持する。
【００３５】
具体的には、前記ステップＳ２は以下の工程を含む。
【００３６】
図３に示すように、前記活性層４０を覆うゲート絶縁層５０を前記バッファ層３０上に形成し、前記ゲート絶縁層５０上にゲート金属層５１を堆積させる。
【００３７】
図４に示すように、前記ゲート金属層５１上にフォトレジスト層５２を形成し、黄色光工程の利用により、前記フォトレジスト層５２にパターニング処理を施し、残存したフォトレジスト層５２によって前記ゲート金属層５１上にゲート電極パターンが画定される。
【００３８】
図５に示すように、前記フォトレジスト層５２をバリア層として用い、前記ゲート金属層５１をエッチングすることで、活性層４０の上方に対応したゲート電極６０が得られる。
【００３９】
図６に示すように、前記フォトレジスト層５２及びゲート電極６０をバリア層として用い、ゲート絶縁層５０をエッチングすることで、ゲート電極６０の下部に対応した部分のみを残し、その他の部分は全てエッチングにより除去される。残存したゲート絶縁層５０は活性層４０上に位置し、且つゲート電極６０と上下方向において揃えられる。前記ゲート電極６０及びゲート絶縁層５０により、活性層４０は、ゲート絶縁層５０の下方に対応したチャネル領域４１と、チャネル領域４１の両側にそれぞれ位置するソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３とに画定される。
【００４０】
図７に示すように、フォトレジスト層５２、ゲート電極６０及びゲート絶縁層５０をバリア層として用い、活性層４０にプラズマ処理を施すことで、ソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３の金属酸化物半導体材料を導体とし、チャネル領域４１の金属酸化物半導体材料は半導体特性を維持する。図８に示すように、プラズマ処理工程が完了した後、フォトレジスト層５２を剥離させる。
【００４１】
活性層４０に対してプラズマ処理を施すことで、ソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３における金属酸化物半導体材料中の酸素の含有量を減少させ、金属酸化物半導体材料の抵抗率を下げ、当該金属酸化物半導体材料を導体へと変化させることができる。
【００４２】
具体的には、前記ゲート絶縁層５０の厚さは１０００Å〜３０００Åであり、前記ゲート絶縁層５０の材料は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を含む。
【００４３】
具体的には、前記ゲート電極６０の厚さは２０００Å〜８０００Åであり、前記ゲート電極６０は、前記ゲート絶縁層５０上に設けられた第１ゲート層と、前記第１ゲート層上に設けられた第２ゲート層とを含む。前記第１ゲート層の材料は、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、又はモリブデン−チタン合金であり、前記第２ゲート層の材料は銅（Ｃｕ）である。
【００４４】
具体的には、前記プラズマは、ヘリウムプラズマ、アルゴンプラズマ及びアンモニアプラズマのうちの１種又は２種以上を含む。
【００４５】
具体的には、前記金属酸化物半導体材料がインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）である場合、プラズマ処理前において、前記インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物中のインジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素のモル比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：Ｘ１であり、Ｘ１は１から１０の間である。プラズマ処理後において、前記インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物中のインジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素のモル比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：Ｘ２であり、Ｘ２は１未満である。従って、活性層４０に対してプラズマ処理を施した後において、前記活性層４０のソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３におけるインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物中のインジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素のモル比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：Ｘ２となり、Ｘ２は１未満となる；前記活性層４０のチャネル領域４１のインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物中のインジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素のモル比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：Ｘ１となり、Ｘ１は１から１０の間となる。
【００４６】
本発明は自己整合型トップ・ゲート構造を採用しており、ゲート電極６０及びゲート絶縁層５０により、活性層４０が、ゲート絶縁層５０の下方に対応したチャネル領域４１と、チャネル領域４１の両側にそれぞれ位置するソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３とに画定されることを利用して、活性層４０に対してプラズマ処理を施す過程において、活性層４０のチャネル領域４１が導体化しないように、前記ゲート電極６０及びゲート絶縁層５０は当該チャネル領域４１を保護することができる。
【００４７】
ステップＳ３：図９に示すように、前記ゲート電極６０及び活性層４０を覆う第１層間絶縁層７１を前記バッファ層３０上に形成し、前記第１層間絶縁層７１の材料は酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）を含む。
【００４８】
前記第１層間絶縁層７１上に第２層間絶縁層７２を形成し、前記第２層間絶縁層７２の材料は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を含む。
【００４９】
具体的には、前記酸窒化ケイ素は化学気相堆積法によって調製され、反応ガスとしては、シラン、アンモニア（ＮＨ３）及び亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）が含まれる。前記シランは、好ましくはモノシラン（ＳｉＨ４）である。
【００５０】
具体的には、前記酸化ケイ素は化学気相堆積法によって調製され、反応ガスとしては、シラン及び亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）が含まれる。前記シランは、好ましくはモノシラン（ＳｉＨ４）である。
【００５１】
具体的には、前記第１層間絶縁層７１の厚さは、前記第２層間絶縁層７２の厚さよりも小さい。
【００５２】
好ましくは、前記第１層間絶縁層７１の厚さは１００Å〜５００Åであり、前記第２層間絶縁層７２の厚さは３０００Å〜１００００Åである。
【００５３】
既知の如く、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）の化学気相堆積工程で用いられる反応ガスには、シラン及びアンモニア（ＮＨ３）が含まれ、アンモニアは活性層４０中に水素を導入し易く、金属酸化物半導体材料の性能を低下させてしまう。一方、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の化学気相堆積工程では、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を導入する必要があるため、ゲート電極６０の表面の金属銅を酸化させ易い。本発明において、酸窒化ケイ素を第１層間絶縁層７１の材料としており、酸化ケイ素と比較して、亜酸化窒素の導入を減少させ、ゲート電極６０の表面の金属銅が酸化しないように保護することができる。また、窒化ケイ素と比較して、アンモニアの導入を減少させ、過剰の水素が活性層４０中に導入されるのを防ぐことができる。本発明において、酸化ケイ素を第２層間絶縁層７２の材料としており、窒化ケイ素と比較して、アンモニアが導入されるのを回避し、過剰の水素が活性層４０に導入されるのを防ぐことで、活性層４０の性能の安定性を確保し、ＴＦＴ素子の動作安定性を向上させることができる。
【００５４】
図１０は、従来の自己整合型トップ・ゲート構造を有する酸化物半導体ＴＦＴの製造工程において、酸化ケイ素材料による層間絶縁層が形成された後の状態を示す顕微鏡写真である。図１０からわかるように、ゲート金属層（灰色の領域）の表面の銅は著しく酸化しており、ゲート金属層の表面は粗く、不均一であるため、ＴＦＴ素子の性能が低下しやすく、動作が不安定なものとなる。図１１は、本発明におけるＴＦＴ基板の製造方法において、第２層間絶縁層が形成された後の状態を示す顕微鏡写真である。図１１からわかるように、ゲート金属層（白色の領域）の表面の銅は実質的に酸化しておらず、ゲート金属層の表面は滑らかであるため、ＴＦＴ素子の動作安定性を確保することができる。
【００５５】
ステップＳ４：図１２に示すように、ソースコンタクト領域４２の上方に対応した第１貫通孔７２１、及びドレインコンタクト領域４３の上方に対応した第２貫通孔７２２をそれぞれ、前記第１層間絶縁層７１及び第２層間絶縁層７２上から形成する。
【００５６】
前記第２層間絶縁層７２上にソース電極８１及びドレイン電極８２を形成し、前記ソース電極８１及びドレイン電極８２はそれぞれ、第１貫通孔７２１及び第２貫通孔７２２を介して活性層４０のソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３に電気的に接続され、ＴＦＴ基板１００が得られる。
【００５７】
具体的には、前記第２層間絶縁層７２上に金属層を堆積させ、且つパターニングを施すことで、前記ソース電極８１及びドレイン電極８２が得られる。
【００５８】
具体的には、前記ソース電極８１及びドレイン電極８２の厚さはいずれも、２０００Å〜８０００Åである。前記ソース電極８１及びドレイン電極８２はいずれも、前記第２層間絶縁層７２上に設けられた第１金属層と、前記第１金属層上に設けられた第２金属層とを含む。前記第１金属層の材料は、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、又はモリブデン−チタン合金であり、前記第２金属層の材料は銅（Ｃｕ）である。
【００５９】
上記のＴＦＴ基板の製造方法により製造されたＴＦＴは、自己整合型トップ・ゲート構造の酸化物半導体ＴＦＴである。即ち理論的には、前記ゲート電極６０及びゲート絶縁層５０は上下方向において揃えられており、寸法が一致するが、実際の生産で得られるゲート電極６０の寸法は往々にして、ゲート絶縁層５０の寸法よりもわずかに小さい。従って、本出願に記載の「前記ゲート電極６０とゲート絶縁層５０は上下方向において揃えられる」という技術的特徴は、単に本出願のＴＦＴが自己整合型トップ・ゲート構造を有することを示すためのものであり、「前記ゲート電極６０とゲート絶縁層５０は」如何なる寸法上の差異も有しないことを示すものではない。本発明の思想と同一であり、且つトップ・ゲート自己整合プロセスを用いて製造されたＴＦＴ構造及び製造方法はいずれも、本発明の保護範囲に属する。
【００６０】
上記のＴＦＴ基板の製造方法では、まず、ゲート電極６０及び活性層４０を覆う第１層間絶縁層７１をバッファ層３０上に形成し、且つ第１層間絶縁層７１の材料を酸窒化ケイ素としているため、ゲート電極６０の表面の金属銅が酸化しないように保護され、ゲート電極６０の性能の安定性が確保されるとともに、過剰の水素が活性層４０中に導入されるのを防ぐことができる。さらに、第１層間絶縁層７１の上方に第２層間絶縁層７２を形成し、且つ第２層間絶縁層７２の材料を酸化ケイ素としているため、過剰の水素が活性層４０に導入されるのを回避し、活性層４０の性能の安定性が確保され、ＴＦＴ素子の動作安定性を向上させることができる。
【００６１】
図１２を参照されたい。上記のＴＦＴ基板の製造方法に基づいて、本発明はさらにＴＦＴ基板１００を提供する。当該ＴＦＴ基板１００は、ベース基板１０と、前記ベース基板１０上に設けられた遮光層２０と、前記ベース基板１０上に設けられ、且つ前記遮光層２０を覆うバッファ層３０と、前記バッファ層３０上に設けられ、且つ前記遮光層２０の上方に対応した活性層４０と、前記活性層４０上に設けられたゲート絶縁層５０と、前記ゲート絶縁層５０上に設けられ、且つ前記ゲート絶縁層５０と上下方向において揃えられたゲート電極６０と、前記バッファ層３０上に設けられ、且つ前記ゲート電極６０及び活性層４０を覆う第１層間絶縁層７１と、前記第１層間絶縁層７１上に設けられた第２層間絶縁層７２と、前記第２層間絶縁層７２上に設けられたソース電極８１及びドレイン電極８２と、を含む。
【００６２】
前記第１層間絶縁層７１の材料は酸窒化ケイ素を含み、前記第２層間絶縁層７２の材料は酸化ケイ素を含む。
【００６３】
前記活性層４０は、ゲート絶縁層５０の下方に対応したチャネル領域４１と、チャネル領域４１の両側にそれぞれ位置するソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３とを含む。前記ソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３の材料は導体化した金属酸化物半導体材料であり、前記チャネル領域４１の材料は半導体特性を維持した金属酸化物半導体材料である。
【００６４】
前記第１層間絶縁層７１及び第２層間絶縁層７２上からは、ソースコンタクト領域４２の上方に対応した第１貫通孔７２１、及びドレインコンタクト領域４３の上方に対応した第２貫通孔７２２がそれぞれ形成されている。前記ソース電極８１及びドレイン電極８２はそれぞれ、第１貫通孔７２１及び第２貫通孔７２２を介して活性層４０のソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３に電気的に接続されている。
【００６５】
具体的には、前記遮光層２０の面積は前記活性層４０の面積よりも大きく、且つ前記遮光層２０のベース基板１０上への正投影は、前記活性層４０のベース基板１０上への正投影を包含するため、前記遮光層２０が活性層４０を完全に遮ることができるようになり、活性層４０が光線の照射を受けてＴＦＴの閾値電圧が負にドリフトするのを防止し、ＴＦＴの動作安定性を向上させることができる。
【００６６】
具体的には、前記ベース基板１０はガラス基板である。
【００６７】
具体的には、前記遮光層２０の厚さは５００Å〜２０００Åであり、前記遮光層２０の材料は金属である。好ましくは、前記遮光層２０の材料は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びチタン（Ｔｉ）うちの１種又はこれら２種以上の合金を含む。
【００６８】
具体的には、前記バッファ層３０の厚さは１０００Å〜５０００Åであり、前記バッファ層３０の材料は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を含む。
【００６９】
具体的には、前記活性層４０の厚さは１００Å〜１０００Åであり、前記金属酸化物半導体材料は、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウム・亜鉛・スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、及びインジウム・ガリウム・亜鉛・スズ酸化物（ＩＧＺＴＯ）のうちの１種又は２種以上を含む。
【００７０】
具体的には、前記ゲート絶縁層５０の厚さは１０００Å〜３０００Åであり、前記ゲート絶縁層５０の材料は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を含む。
【００７１】
具体的には、前記ゲート電極６０の厚さは２０００Å〜８０００Åであり、前記ゲート電極６０は、前記ゲート絶縁層５０上に設けられた第１ゲート層と、前記第１ゲート層上に設けられた第２ゲート層とを含む。前記第１ゲート層の材料は、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、又はモリブデン−チタン合金であり、前記第２ゲート層の材料は銅（Ｃｕ）である。
【００７２】
具体的には、前記ソース電極８１及びドレイン電極８２の厚さはいずれも、２０００Å〜８０００Åである。前記ソース電極８１及びドレイン電極８２はいずれも、前記第２層間絶縁層７２上に設けられた第１金属層と、前記第１金属層上に設けられた第２金属層とを含む。前記第１金属層の材料は、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、又はモリブデン−チタン合金であり、前記第２金属層の材料は銅（Ｃｕ）である。
【００７３】
具体的には、前記金属酸化物半導体材料がインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）である場合、前記活性層４０のソースコンタクト領域４２及びドレインコンタクト領域４３におけるインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物中のインジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素のモル比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：Ｘ２となり、Ｘ２は１未満となる。一方、前記活性層４０のチャネル領域４１のインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物中のインジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素のモル比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：Ｘ１となり、Ｘ１は１から１０の間となる。
【００７４】
具体的には、前記第１層間絶縁層７１の厚さは、前記第２層間絶縁層７２の厚さよりも小さい。
【００７５】
好ましくは、前記第１層間絶縁層７１の厚さは１００Å〜５００Åであり、前記第２層間絶縁層７２の厚さは３０００Å〜１００００Åである。
【００７６】
上記のＴＦＴ基板では、バッファ層３０上に形成され、且つゲート電極６０及び活性層４０を覆う第１層間絶縁層７１の材料を酸窒化ケイ素としているため、ゲート電極６０の表面の金属銅が酸化しないように保護され、ゲート電極６０の性能の安定性が確保されるとともに、過剰の水素が活性層４０中に導入されるのを防ぐことができる。さらに、第１層間絶縁層７１の上方に形成された第２層間絶縁層７２の材料を酸化ケイ素としているため、過剰の水素が活性層４０に導入されるのを回避し、活性層４０の性能の安定性が確保され、ＴＦＴ素子の動作安定性を向上させることができる。
【００７７】
図１３を参照されたい。上記のＴＦＴ基板の製造方法に基づいて、本発明はさらにＯＬＥＤパネルの製造方法を提供する。当該ＯＬＥＤパネルの製造方法は、以下のステップを含む。
【００７８】
ステップＳ１０：図１乃至図１２を参照されたい。上記のＴＦＴ基板の製造方法により、ＴＦＴ基板１００を製造する。
【００７９】
ステップＳ２０：図１４を参照されたい。ソース電極８１及びドレイン電極８２を覆うパッシベーション層９０を、前記ＴＦＴ基板１００の第２層間絶縁層７２上に形成し、且つエッチングによりソース電極８１の上方に対応した第１ビアホール９０１を、前記パッシベーション層９０上から形成する。
【００８０】
前記パッシベーション層９０上に平坦化層９１を形成し、且つ黄色光工程の採用により、前記平坦化層９１上に第２ビアホール９１２を形成する。前記第１ビアホール９０１と第２ビアホール９１２は上下方向において対応し、且つ相互に連通しており、共に第３貫通孔９１３を構成する。
【００８１】
具体的には、前記パッシベーション層９０の厚さは１０００Å〜５０００Åであり、前記パッシベーション層９０の材料は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を含む。
【００８２】
具体的には、前記平坦化層９１の厚さは１００００Å〜２００００Åであり、前記平坦化層９１の材料は有機フォトレジスト材料であり、前記有機フォトレジスト材料の組成及び種類は限定されない。
【００８３】
ステップＳ３０：図１４を参照されたい。前記平坦化層９１上にＯＬＥＤアノード９２を形成し、前記ＯＬＥＤアノード９２は第３貫通孔９１３を介してソース電極８１と接触する。
【００８４】
具体的には、前記ＯＬＥＤアノード９２の厚さは５００Å〜１０００Åであり、前記ＯＬＥＤアノード９２の材料は透明な導電性金属酸化物を含み、前記透明な導電性金属酸化物は好ましくは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。
【００８５】
ステップＳ４０：図１４を参照されたい。前記平坦化層９１及びＯＬＥＤアノード９２上にピクセル定義層９３を形成し、且つ黄色光工程の採用により、前記ＯＬＥＤアノード９２の上方に対応した開口９３５を、前記ピクセル定義層９３上から形成する。
【００８６】
具体的には、前記ピクセル定義層９３の厚さは１００００Å〜２００００Åであり、前記ピクセル定義層９３の材料は有機フォトレジスト材料であり、前記有機フォトレジスト材料の組成及び種類は限定されない。
【００８７】
具体的には、前記開口９３５の面積は前記ＯＬＥＤアノード９２の面積よりも小さく、前記開口９３５の底部が全てアノード材料で敷き詰められることを保証できる。
【００８８】
ステップＳ５０：図１４を参照されたい。前記開口９３５内のＯＬＥＤアノード９２上に、有機発光層９４を形成する。
【００８９】
具体的には、前記有機発光層９４は、前記ＯＬＥＤアノード９２上に下方から上方に向かって順次積層された、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む。
【００９０】
具体的には、前記有機発光層９４は、蒸着又はインクジェットプリンタ（ＩＪＰ）技術によって形成される。
【００９１】
ステップＳ６０：図１４を参照されたい。前記ピクセル定義層９３及び前記開口９３５内の有機発光層９４上に、カソード９５を形成する。以上で、ＯＬＥＤパネルの製造が完了する。
【００９２】
具体的には、前記カソード９５の材料は金属であり、好ましくは銀である。
【００９３】
具体的には、前記カソード９５は十分に薄い厚さと良好な光透過性を有し、有機発光層９４から発せられた光は、前記カソード９５を介して放出され得る。
【００９４】
上記のＯＬＥＤパネルの製造方法において、上述のＴＦＴ基板の製造方法によりＴＦＴ基板を製造するために、ゲート電極６０及び活性層４０の性能の安定性が保証され、ＴＦＴ素子の動作安定性が向上し、以ってＯＬＥＤパネルはより良好な発光安定性を有することが保証される。
【００９５】
図１４を参照されたい。上記のＯＬＥＤパネルの製造方法に基づいて、本発明はさらにＯＬＥＤパネルを提供する。当該ＯＬＥＤパネルは、上述のようなＴＦＴ基板１００と、前記ＴＦＴ基板１００の第２層間絶縁層７２上に設けられ、且つソース電極８１及びドレイン電極８２を覆うパッシベーション層９０と、前記パッシベーション層９０上に設けられた平坦化層９１と、前記平坦化層９１上に設けられたＯＬＥＤアノード９２と、前記平坦化層９１及びＯＬＥＤアノード９２上に設けられたピクセル定義層９３と、前記ピクセル定義層９３上から設けられ、且つ前記ＯＬＥＤアノード９２の上方に対応した開口９３５と、前記開口９３５内に設けられ、且つ前記ＯＬＥＤアノード９２上に位置する有機発光層９４と、前記ピクセル定義層９３及び有機発光層９４上に設けられたカソード９５と、を含む。
【００９６】
前記パッシベーション層９０及び平坦化層９１上には、ソース電極８１の上方に対応した第３貫通孔９１３が設けられており、前記ＯＬＥＤアノード９２は第３貫通孔９１３を介してソース電極８１と接触している。
【００９７】
具体的には、前記第３貫通孔９１３は、前記パッシベーション層９０上に設けられた第１ビアホール９０１と、前記平坦化層９１上に設けられた第２ビアホール９１２とを含む。前記第１ビアホール９０１と第２ビアホール９１２は上下方向において対応し、且つ相互に連通している。
【００９８】
具体的には、前記開口９３５の面積は前記ＯＬＥＤアノード９２の面積よりも小さく、前記開口９３５の底部が全てアノード材料で敷き詰められることを保証できる。
【００９９】
具体的には、前記有機発光層９４は、前記ＯＬＥＤアノード９２上に下方から上方に向かって順次積層された、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む。
【０１００】
具体的には、前記カソード９５の材料は金属であり、好ましくは銀である。
【０１０１】
上記のＯＬＥＤパネルは上述のＴＦＴ基板を含んでおり、そのゲート電極６０及び活性層４０の性能は安定しており、ＴＦＴ素子はより優れた動作安定性を有し、以ってＯＬＥＤパネルはより良好な発光安定性を有する。
【０１０２】
以上のように、本発明は、ＴＦＴ基板、その製造方法、及びＯＬＥＤパネルの製造方法を提供する。本発明のＴＦＴ基板の製造方法において、まず、ゲート電極及び活性層を覆う第１層間絶縁層をバッファ層上に形成し、且つ第１層間絶縁層の材料を酸窒化ケイ素としているため、ゲート電極の表面の金属銅が酸化しないように保護され、ゲート電極の性能の安定性が確保されるとともに、過剰の水素が活性層中に導入されるのを防ぐことができる。さらに、第１層間絶縁層の上方に第２層間絶縁層を形成し、且つ第２層間絶縁層の材料を酸化ケイ素としているため、過剰の水素が活性層に導入されるのを回避し、活性層の性能の安定性が確保され、ＴＦＴ素子の動作安定性を向上させることができる。本発明のＴＦＴ基板は、上記のＴＦＴ基板の製造方法を用いて製造されたものであり、そのゲート電極及び活性層の性能は安定しており、ＴＦＴ素子はより優れた動作安定性を有する。本発明のＯＬＥＤパネルの製造方法において、上述のＴＦＴ基板の製造方法を用いてＴＦＴ基板を製造するため、ＴＦＴ素子はより優れた動作安定性を有することが保証され、以ってＯＬＥＤパネルはより良好な発光安定性を有することが保証される。本発明のＯＬＥＤパネルは上記のＴＦＴ基板を含んでおり、そのＴＦＴ素子はより優れた動作安定性を有し、以ってＯＬＥＤパネルはより良好な発光安定性を有する。
【０１０３】
以上により、本分野における通常の技術者は、本発明の技術案及び技術的思想に依拠してその他各種の対応する改変及び変形を行なうことができ、これら改変及び変形はいずれも本発明の特許請求の範囲に属するものである。
【図１】
2020532876.tif 000003
【図２】
2020532876.tif 000004
【図３】
2020532876.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020532876.tif 000009
【図８】
2020532876.tif 000010
【図９】
2020532876.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2020532876.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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