(57)【要約】  本発明の実施形態は、高度なパターン形成用途のためのインサイチュでの選択的堆積及びエッチングの方法を提供する。１つの実施形態によれば、方法は、金属含有層を上に有する基板を処理チャンバ内に設けることと、この基板をガスパルスシーケンスに暴露して、プラズマがない状態で金属含有層をエッチングすることであって、このガスパルスシーケンスが、任意の順序で、ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスに基板を暴露することと、アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに基板を暴露することと、を含むことと、を含む。別の実施形態によれば、基板は、暴露された第１の材料層及び暴露された第２の材料層を有し、ガスパルスシーケンスに暴露することが、追加の材料層を暴露された第１の材料層上に選択的に堆積するが、暴露された第２の材料層上には堆積しない。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
金属含有層を上に有する基板を処理チャンバ内に設けることと、
前記基板をガスパルスシーケンスに暴露して、プラズマがない状態で前記金属含有層をエッチングすることであって、前記ガスパルスシーケンスが、任意の順序で、
ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスに前記基板を暴露することと、
アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに前記基板を暴露することと、
を含むことと、を含む方法。
【請求項２】
前記金属含有層が、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＨｆＯ２、ＨｆＮ、ＺｒＯ２、ＺｒＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ハロゲン含有ガスが、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３、及びＣＣｌ４からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ハロゲン含有ガスが、ＴｉＦ４、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、及びＴｉＩ４からなる群から選択されるチタンハロゲン化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アルキルアルミニウムが、ＡｌＭｅ３、ＡｌＥｔ３、ＡｌＰｒ３、及びＡｌＢｕ３からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板の温度が、約３００℃〜約５００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
基板を処理する方法であって、
暴露された第１の材料層及び暴露された第２の材料層を有する基板を処理チャンバ内に設けることと、
前記基板をガスパルスシーケンスに暴露して、追加の材料層を前記暴露された第１の材料層上に選択的に堆積するが、前記暴露された第２の材料層上には堆積しないことであって、前記ガスパルスシーケンスが、任意の順序で、
ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスに前記基板を暴露することと、
アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに前記基板を暴露することと、
を含むことと、を含む方法。
【請求項８】
前記暴露された第１の材料層がアルミニウムを含んでいる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記暴露された第１の材料層が、Ａｌ金属、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記暴露された第２の材料層が、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＨｆＯ２、ＨｆＮ、ＺｒＯ２、ＺｒＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記ハロゲン含有ガスが、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３、又はＣＣｌ４からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記ハロゲン含有ガスが、ＴｉＦ４、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、及びＴｉＩ４からなる群から選択されるチタンハロゲン化物を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記アルキルアルミニウムが、ＡｌＭｅ３、ＡＥｔ３、ＡｌＰｒ３、及びＡｌ（ｉ−Ｂｕ）３からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板の温度が、約３００℃〜約５００℃である、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記追加の材料がＴｉＡｌＯＸを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板を前記ガスパルスシーケンスに前記暴露することが、前記第２の材料層をエッチングする、請求項７に記載の方法。
【請求項１７】
基板を処理する方法であって、
暴露された金属含有材料及び暴露された誘電体材料を含んでいる基板を処理チャンバ内に設けることと、
前記誘電体材料上に金属含有層を、及び前記金属含有層上に追加の金属含有層を堆積することであって、前記追加の金属含有層の量が前記金属含有層の量よりも少量であることと、
前記基板をガスパルスシーケンスに暴露して、プラズマがない状態で前記金属含有層から前記追加の金属含有材料を除去することであって、前記ガスパルスシーケンスが、任意の順序で、
ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスに前記基板を暴露することと、
アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに前記基板を暴露することと、
を含むことと、を含む方法。
【請求項１８】
前記金属含有層が、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＨｆＯ２、ＨｆＮ、ＺｒＯ２、ＺｒＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ハロゲン含有ガスが、ＴｉＦ４、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、及びＴｉＩ４からなる群から選択されるチタンハロゲン化物を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記アルキルアルミニウムが、ＡｌＭｅ３、ＡｌＥｔ３、ＡｌＰｒ３、及びＡｌ（ｉ−Ｂｕ）３からなる群から選択される、請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１７年５月１５日に出願された米国仮特許出願第６２／５０６，２９９号明細書に関するものであり、その優先権を主張し、その全内容が、参照により本願明細書に援用される。本出願は、２０１７年７月１日に出願された米国仮特許出願第６２／５２８，０６１号明細書にもまた関するものであり、その優先権を主張し、その全内容が、参照により本願明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、半導体処理及び半導体デバイスに関し、より詳細には、高度なパターン形成用途のためのインサイチュでの選択的堆積及びエッチングに関する。
【背景技術】
【０００３】
より小型のトランジスタが製造されるにつれて、パターン形成されたフィーチャの限界寸法（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）又は解像度により、生産の難易度がますます高くなっている。サブ１０ｎｍ技術ノードは、設計仕様に対し、厳格な厚さ、均一性、及び原子レベルでほぼマージンや変動がないことが要求される。ＥＵＶ導入後であってもコスト効率の良いスケーリングが継続できるようにするには、自己整合パターン形成が、オーバーレイ駆動パターン形成（ｏｖｅｒｌａｙ−ｄｒｉｖｅｎ  ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）に取って代わる必要がある。薄膜の選択的エッチング及び堆積は、高度にスケーリングされた技術ノードをパターン形成する際の重要なステップである。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の実施形態は、高度なパターン形成用途のためのインサイチュでの選択的堆積及びエッチングの方法を提供する。１つの実施形態によれば、方法は、金属含有層を上に有する基板を処理チャンバ内に設けることと、この基板をガスパルスシーケンスに暴露して、プラズマがない状態で金属含有層をエッチングすることであって、このガスパルスシーケンスが、任意の順序で、ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスに基板を暴露することと、アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに基板を暴露することと、を含むことと、を含む。
【０００５】
別の実施形態によれば、方法は、暴露された第１の材料層及び暴露された第２の材料層を有する基板を処理チャンバ内に設けることと、この基板をガスパルスシーケンスに暴露して、追加の材料層を暴露された第１の材料層上に選択的に堆積するが、暴露された第２の材料層上には堆積しないことであって、このガスパルスシーケンスが、任意の順序で、ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスに基板を暴露することと、アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに基板を暴露することと、を含むことと、を含む。１つの実施形態によれば、ガスパルスシーケンスに基板を暴露することが、第２の材料層をエッチングする。
【０００６】
添付の図面は、この明細書に組み入れられ、この明細書の一部を構成するが、それらは、本発明の実施形態を図示し、上記の本発明の全般的な説明、及び下記の詳細な説明とともに、本発明を説明する役割を果たす。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態による、基板を処理するためのガスパルスシーケンスを概略的に示す。
【図２】本発明の実施形態による、基板を処理する実験結果を示す。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による選択的堆積及びエッチングを概略的に示す。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態による選択的堆積及びエッチングを概略的に示す。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による、多色パターン形成のための選択的堆積及びエッチングの例示的な方法を概略的に示す。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による、多色パターン形成のための選択的堆積及びエッチングの例示的な方法を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の実施形態は、基板上の膜をガスパルスシーケンスに暴露することを含む方法を説明する。１つの実施形態によれば、この方法を使用して金属含有層を熱エッチングすることができる。別の実施形態によれば、この方法を使用して、他の金属含有層に材料を同時に堆積しながら金属含有層を選択的にエッチングすることができる。この方法は、半導体の製造に組み込むことができる。１つの例では、熱エッチング処理をゲートスタック形成及びパターン形成に組み込むことができる。別の例では、デバイスの仕事関数を調整するために、熱エッチング処理を正確な膜厚制御に使用することができる。
【０００９】
本発明のいくつかの実施形態は、金属含有層をエッチングするための等方性の熱原子層エッチング（ＡＬＥ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）処理を説明する。金属含有の例には、ハフニウム酸化物（例えば、ＨｆＯ２）、ハフニウム窒化物（例えば、ＨｆＮ）などのＨｆ含有化合物、ジルコニウム酸化物（例えば、ＺｒＯ２）及びジルコニウム窒化物（例えば、ＺｒＮ）などのＺｒ含有化合物、並びに、チタン酸化物（例えば、ＴｉＯ２）及びチタン窒化物（例えば、ＴｉＮ）などのＴｉ含有化合物が含まれる。金属酸化物のなかには（例えば、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、及びＺｒＯ２）、先端半導体デバイス用の有望なｈｉｇｈ−ｋ（ハイカッパ）誘電体材料として識別されているものもある。１つの例では、ＨｆＯ２がゲート誘電体材料として半導体デバイスで現在使用されている。
【００１０】
１つの実施形態によれば、方法は、金属含有層を上に有する基板を処理チャンバ内に設けることと、この基板をガスパルスシーケンスに暴露して、プラズマがない状態で金属含有層をエッチングすることであって、このガスパルスシーケンスが、任意の順序で、ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスに基板を暴露することと、アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに基板を暴露することと、を含むことと、を含む。ガスパルスシーケンスを少なくとも一度繰り返して、金属含有層をさらにエッチングすることができる。１つの実施形態によれば、方法は、第１の反応ガス及び第２の反応ガスに基板を暴露するステップの間で、不活性ガスで処理チャンバをパージすることをさらに含む。
【００１１】
１つの実施形態によれば、ハロゲン含有ガスは、ＴｉＦ４、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、及びＴｉＩ４からなる群から選択されるチタンハロゲン化物を含む。別の実施形態によれば、ハロゲン含有ガスは、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３、及びＣＣｌ４からなる群から選択することができる。１つの実施形態によれば、アルキルアルミニウムは、トリメチルアルミニウム（ＡｌＭｅ３）、トリエチルアルミニウム（ＡｌＥｔ３）、トリプロピルアルミニウム（ＡｌＰｒ３）、及びトリブチルアルミニウム（ＡｌＢｕ３）からなる群から選択することができる。他の実施形態は、混合配位子を有するアルキルアルミニウム、例えば、ＡｌＭｅ２Ｅｔ、又はＡｌＭｅＥｔ２の使用を含む。いくつかの実施形態によれば、基板の温度は、約２００℃〜５００℃未満、又は約３００℃〜約４００℃とすることができる。ハロゲン含有ガス及びアルキルアルミニウムへの暴露はいずれも、基板表面をハロゲン含有ガス及びアルキルアルミニウムで飽和させる飽和暴露とすることができる。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態による、基板を処理するためのガスパルスシーケンスを概略的に示す。ガスパルスシーケンスは、プラズマ励起がない状態での順次の反応ガスパルスのサイクルを含む。各サイクルは、ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスパルス１０１と、パージガスパルス１０２（例えば、Ａｒ）と、アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスパルス１０３と、パージガスパルス１０４（例えば、Ａｒ）と、を含む。第１の反応ガスパルス１０１及び第２の反応ガスパルス１０３は、不活性ガスをさらに含んでいる場合がある。別の実施形態によれば、パージガスパルス１０２及び１０４のうちの１つ以上は、省略することができる。
【００１３】
基板処理の例
基板上のＴｉＮ膜を本発明の一実施形態に従って処理した。ＴｉＣｌ４、Ａｒ、ＡｌＭｅ３、及びＡｒの順次暴露の複数のサイクルを使用して、ＴｉＮ膜を処理した。ＴｉＣｌ４のパルス長は５秒であり、ＡｌＭｅ３のパルス長は６秒であった。ＴｉＣｌ４パルス及びＡｌＭｅ３パルスはいずれも、飽和暴露であり、基板の温度は３５０℃であった。ＴｉＮ膜の厚さは、０回、５０回、１５０回、及び２５０回のサイクルの後にＸ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によって測定した。ＴｉＮ膜のエッチング速度は、約０．１Å／サイクルであった。
【００１４】
基板上のＨｆＯ２膜を本発明の一実施形態に従って処理した。ＴｉＣｌ４、Ａｒ、ＡｌＭｅ３、及びＡｒの順次暴露のサイクルを使用して、ＨｆＯ２膜を処理した。ＴｉＣｌ４のパルス長は５秒であり、ＡｌＭｅ３のパルス長は６秒であった。ＴｉＣｌ４パルス及びＡｌＭｅ３パルスはいずれも、飽和暴露であり、基板の温度は３５０℃であった。ＨｆＯ２膜の厚さは、０回、２０回、５０回、及び１００回のサイクルの後にＸＰＳによって測定した。ＨｆＯ２膜のエッチング速度は、約０．３７Å／サイクルであった。
【００１５】
基板上のＺｒＯ２膜を本発明の一実施形態に従って処理した。ＴｉＣｌ４、Ａｒ、ＡｌＭｅ３、及びＡｒの順次暴露のサイクルを使用して、ＺｒＯ２膜を処理した。ＴｉＣｌ４のパルス長は５秒であり、ＡｌＭｅ３のパルス長は６秒であった。ＴｉＣｌ４パルス及びＡｌＭｅ３パルスはいずれも、飽和暴露であり、基板の温度は３５０℃であった。ＺｒＯ２膜の厚さは、０回、２０回、５０回、及び１００回のサイクルの後にＸＰＳによって測定した。ＺｒＯ２膜のエッチング速度は、約０．５Å／サイクルであった。
【００１６】
図２は、本発明の実施形態による、基板を処理する実験結果を示す。上述のＴｉＮ膜、ＨｆＯ２膜、及びＺｒＯ２膜をエッチングした結果が示されており、基板上のＡｌ２Ｏ３膜を処理した実験結果もまた示されている。このＡｌ２Ｏ３膜は、図１に示されているＴｉＣｌ４、Ａｒ、ＡｌＭｅ３、及びＡｒの順次暴露のサイクルを使用して処理した。ＴｉＣｌ４のパルス長は５秒であり、ＡｌＭｅ３のパルス長は６秒であった。基板の温度は３５０℃であった。図２の実験結果は、ＨｆＯ２膜、ＺｒＯ２膜、及びＴｉＮがガス暴露によってエッチングされ、一方、Ａｌ２Ｏ３膜はエッチングされなかったことを示し、また、元素分析は、ＴｉＡｌＯＸ材料がＡｌ２Ｏ３膜上に堆積されたことを示した。
【００１７】
１つの実施形態によれば、熱エッチング処理を使用して、ハードマスク堆積及び縦方向の誘電体成長のための領域選択的堆積の際の選択性を維持することができる。１つの実施形態によれば、出発基板が、誘電体材料に象眼された金属含有材料を含んでいる場合がある。金属含有材料の例には、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、及び銅（Ｃｕ）などの金属が含まれる。誘電体材料の例には、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、及びスピンオン酸化物が含まれる場合がある。出発基板は、Ｈ２暴露、アニーリング、及びそれらの組み合わせを使用して、前処理することができる。１つの例では、その後、出発基板は、金属含有材料の上に有機化合物の自己組織化単分子層を形成する反応ガスに暴露されて、後続の誘電体材料上への選択的堆積を強化し易くすることができる。その後、少なくとも実質的に選択的に、金属含有層を誘電体材料の上に堆積させることができる。１つの例では、原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって金属含有層を堆積させることができる。金属含有材料の核生成サイトで少量の追加の金属含有層を堆積させることができる。追加の金属含有層の量は、金属含有層の量よりも少量であるが、領域選択的堆積の際の選択性を維持するためには、追加の金属含有材料を除去することが必要な場合がある。このため、金属含有材料の上の追加の金属含有層は、ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガス、及びアルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスを使用して、上述の熱エッチング処理によって除去することができる。その後、金属含有層の堆積、及び熱エッチングを少なくとも一度繰り返すことができる。
【００１８】
１つの実施形態によれば、仕事関数の調整のために熱エッチング処理を使用することができる。半導体デバイスでは、閾値電圧（Ｖｔ）を設定することによる仕事関数の調整は、トランジスタの動作にとって重要である。仕事関数を制御するための１つの方法は、ゲートスタックの厚さ全体にわたる。しかしながら、スケーリングされたノードの場合、デバイス上で利用可能な空間は重大な問題であり、また、これは複数のゲート金属を有するスタックを必要とする場合がある。１つの例では、部分的に製造されたデバイスが、ｈｉｇｈ−ｋ層上、又はｈｉｇｈｅｒ−ｋ酸化物（ＳｉＯ２よりもｋが高い）上に、初期金属含有層（例えば、ＴｉＮ）を有する２つのゲート構造を含んでいる。方法は、パターン形成されたマスキング層を形成し、その後、上述の熱エッチング処理を実行することによって、１つのゲート構造から初期金属含有層を除去すること、又は薄層化することを含む。その後、マスキング層を除去し、基板上に追加の金属含有層を堆積し、これにより、追加の金属含有層を有する第１のゲート構造、並びに初期金属含有層及び追加の金属含有層を有する第２のゲート構造を形成することができる。初期金属含有層及び追加の金属含有層は、２つのゲート構造が異なる仕事関数を有するように選択することができる。１つの例では、初期金属含有層及び追加の金属含有層の堆積、並びに熱エッチング処理は、同じ基板温度か、又はほぼ同等の基板温度を使用して、同じ処理チャンバ内で実行することができる。
【００１９】
本発明のいくつかの実施形態は、高度なパターン形成用途のためのインサイチュでの選択的堆積及びエッチングの方法を提供する。図３Ａ及び図３Ｂは、本発明の一実施形態による選択的堆積及びエッチングを概略的に示す。１つの例では、図３Ａのパターン形成された基板３は、膜３００（例えば、誘電体）内に、第２の材料層３０１（例えば、ＴｉＮ）で満たされた凹状フィーチャと、第１の材料層３０４（例えば、Ａｌ２Ｏ３）と、を含み、この層は、第１の材料層３０４上に選択的に形成されているが、第２の材料層３０１上には形成されない。図３Ｂは、パターン形成された基板３を、ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガス、及びアルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに交互に暴露することを含むガスパルスシーケンスに暴露した後に得られた構造を示す。ガスパルスへの暴露は、暴露された第１の材料層３０４上にＴｉＡｌＯＸの層を選択的に堆積するが、暴露された第２の材料層３０１はエッチングされて、第２の材料層３０１を凹んだ状態にする。１つの例では、暴露された第１の材料層３０４は、Ａｌ金属、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる。１つの例では、暴露された第２の材料層３０４は、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＨｆＯ２、ＨｆＮ、ＺｒＯ２、ＺｒＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる。
【００２０】
１つの実施形態によれば、多色パターン形成のための選択的堆積及びエッチングの方法が提供される。多色パターン形成とは、異なる材料の選択的エッチング、及びその後、得られたパターンを使用して、１つ又は複数の下地層をエッチングすることを指す。選択的エッチング及び堆積は、ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガス、及びアルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに交互に暴露することを含むガスパルスシーケンスを使用して行うことができる。
【００２１】
図４Ａ及び図４Ｂは、本発明の一実施形態による、多色パターン形成のための選択的堆積及びエッチングの例示的な方法を概略的に示す。図４Ａでは、平坦化後のパターン形成された基板４が、左から右に、交互に並んだ材料４０２、４０１、４０２、４０３、４０２、４０５、４０２を含んでいる。交互に並んだ材料は、ＡＢＡＣＡＤＡ、又は多色とも呼ばれる場合がある。１つの例では、材料４０２は、Ａｌ２Ｏ３を含有し、材料４０１は、ＨｆＯ２又はＺｒＯ２を含有し、材料４０３は、ＴｉＮを含有し、材料４０３は、ＴｉＯ２を含有している。１つの実施形態によれば、基板４は、ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガス、及びアルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに交互に暴露することを含むガスパルスシーケンスに暴露して、材料４０１（例えば、ＨｆＯ２）を選択的に除去し、材料４０３（例えば、ＴｉＮ）及び材料４０５（例えば、ＴｉＯ２）を部分的にエッチングし、そして、材料４０２（例えば、Ａｌ２Ｏ３）上に膜４０６（例えば、ＴｉＡｌＯＸ）を選択的に堆積することができる。この選択的堆積／エッチング処理は、凹状フィーチャ４０７、４０９及び４１１を形成し、複雑なリソグラフィパターン形成ステップに取って代わることができる。得られた基板４は、材料４０１（例えば、ＨｆＯ２）が選択的に除去されている新たなパターンに従って、下地層（すなわち、その基層４００）をエッチングすることによってさらに処理することができる。
【００２２】
高度なパターン形成用途のためのインサイチュでの選択的堆積及び熱エッチングの複数の実施形態について説明してきた。本発明の実施形態の上述の説明は、例示及び説明を目的として提示したものである。この説明は、網羅的であること、又は開示されている厳密な形態に本発明を限定することを意図するものではない。本明細書及び以下の特許請求の範囲は、説明目的でのみ使用される用語を含み、限定するものとして解釈されないものとする。関連する技術分野の当業者であれば、上記教示に照らして多くの修正及び変形が可能であることを理解することができる。当業者は、図に示されている様々な構成要素の様々な等価な組み合わせ及び置換を認識するであろう。したがって、本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、むしろ本明細書に添付の特許請求の範囲によって限定されることを意図している。
【図１】
2020520125.tif 000003
【図２】
2020520125.tif 000004
【図３Ａ】
2020520125.tif 000005
【図３Ｂ】
2020520125.tif 000006
【図４Ａ】
2020520125.tif 000007
【図４Ｂ】
2020520125.tif 000008
【国際調査報告】
2020520125.tif 000009
2020520125.tif 000010