(57)【要約】  多層複合構造体を形成するための方法は、第１及び第２グラフェン層により挟まれた銅含有層を備える第１シートを準備する工程と、前記第１シートを巻いて第１ロッドを形成する工程と、前記第１ロッドを圧縮して第１多層複合構造体を形成する工程と、を備える。【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２グラフェン層により挟まれた銅含有層を備える第１シートを準備する工程と、
前記第１シートを巻いて第１ロッドを形成する工程と、
前記第１ロッドを圧縮して第１多層複合構造体を形成する工程と、
を備える多層複合構造体を形成するための方法。
【請求項２】
前記圧縮工程は、第１の細長い多層複合バンドを形成する工程を備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記圧縮工程は、圧延工程、特に熱間圧延工程を備える、
請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１グラフェン層及び前記第２グラフェン層のうちの少なくとも一方は、５ｎｍ以下の厚さを有する、
請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記第１グラフェン層及び前記第２グラフェン層のうちの少なくとも一方は、２ｎｍ以下の厚さを有する、
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記第１シートを準備する工程は、前記銅含有層の第１面側に前記第１グラフェン層を堆積させる工程と、前記銅含有層の第２面側に前記第２グラフェン層を堆積させる工程と、を備え、
前記第２面側は前記第１面側の反対にある、
請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第１グラフェン層を堆積させる工程は、化学蒸着工程により行われる、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記方法は、前記第１多層複合構造体の第１面側及び前記第１多層複合構造体の第２面側のうちの少なくとも一方をエッチングする工程を更に備え、
前記第２面側は、前記第１面側の反対にある、
請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記方法は、第２シート形成工程を更に備え、
前記第２シート形成工程は、第３グラフェン層を前記第１多層複合構造体の第１面側に堆積させる工程を備える、
請求項１乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記方法は、第４グラフェン層を前記第１多層複合構造体の第２面側に堆積させる工程を更に備え、
前記第２面側は、第１面側の反対にある、
請求項１乃至９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
第３グラフェン層及び第４グラフェン層の各々は、５ｎｍ以下の厚さを有する、
請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
第３グラフェン層及び第４グラフェン層の各々は、２ｎｍ以下の厚さを有する、
請求項９乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記第２シートを巻いて第２ロッドを形成する工程と、
前記第２ロッドを圧縮して第２多層複合構造体を形成する工程と、
を更に備える、
請求項９乃至１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記圧縮工程は、圧延工程を備える、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記圧延工程は、熱間圧延工程である、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２多層複合構造体を巻いて第３ロッドを形成する工程を更に備える、
請求項１３乃至１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記方法は、前記第３ロッドを伸線してワイヤにする工程を更に備え、
前記ワイヤは、楕円形断面及び円形断面のうちの一方を有する、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第３ロッドを圧縮して第３多層複合構造体を形成する工程を更に備える、
請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第３多層複合構造体をスライスして複数の細長い切片を形成する工程を更に備える、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
第１面側と前記第１面側とは反対の第２面側とを有するシートを搬送する搬送ユニットと、
前記シートの前記第１面側に第１グラフェン層を堆積させるとともに、前記シートの前記第２面側に第２グラフェン層を堆積させて、被覆シートを形成する堆積ユニットと、
前記堆積ユニットの下流の巻きユニットであって、前記被覆シートを巻いてロッドにする巻きユニットと、
前記巻きユニットの下流の圧縮ユニットであって、前記ロッドを圧縮して圧縮シートにする圧縮ユニットと、
前記巻きユニットの下流の戻しユニットであって、前記圧縮シートを前記堆積ユニットに戻す戻しユニットと、
を備える多層複合構造体を形成するためのシステム。
【請求項２１】
前記シート及び前記圧縮シートのうちの少なくとも一方を、前記堆積ユニットをバイパスさせて送るバイパスユニットを更に備える、
請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記堆積ユニットの上流のエッチングユニットであって、前記シートの前記第１面側及び前記第２面側をエッチングするエッチングユニットを更に備える、
請求項２０又は２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記エッチングユニットは、前記圧縮シートの第１面側及び第２面側のうちの少なくとも一方をエッチングするように更になされ、
前記圧縮シートの前記第２面側は、前記圧縮シートの前記第１面側の反対にある、
請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記システムは、前記巻きユニットの下流の伸線ユニットであって、前記ロッドを伸線してワイヤにする伸線ユニットを更に備え、
前記ワイヤは、楕円形断面及び円形断面のうちの一方を有する、
請求項２０乃至２３のいずれかに記載のシステム。
【請求項２５】
前記システムは、前記圧縮ユニットの下流のスライスユニットを更に備え、
前記スライスユニットは、前記圧縮シートをスライスして複数の細長い切片にするように構成される、
請求項２０乃至２４のいずれかに記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、多層複合構造体の形成、及び対応する製造装置に関し、特に、優れた電気伝導性、熱伝導性、及び／又は機械的強度を有する銅を製造するための多層複合構造体の形成、及び対応する製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅は、最も費用対効果が高く信頼性の高い導電性材料として知られており、その導電性能力は銀に次ぐものである。電力需要の増加や、電気をより効率的に且つ環境に優しく生成して送る必要性により、高い電気伝導性を有する導体が模索されている。
【０００３】
応用物理ジャーナル（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ）（２０１３、１１４、０６３１０７）にＴ．Ｇａｏ等により記載されているように、銅薄膜に比べて銅ナノワイヤの電気性能を改良する集中的な研究が実施された。しかし、一般に、このようなナノワイヤの有効導電率は、その理想的なバルク値より顕著に高いものではなく、技術的制約に大きく依存する場合がある。
【発明の概要】
【０００４】
従来知られている先行技術を考慮すると、必要とされているものは、グラフェンを高い体積割合で有する多層複合構造体を効率的に大量生産することを可能にする、多層複合構造体を形成するための優れた方法である。
【０００５】
この目的は、各独立請求項１及び２０に記載の多層複合構造体を形成するための方法及びシステムにより達成される。従属請求項は、好適な実施形態に関する。
【０００６】
多層複合構造体を形成するための方法は、第１及び第２グラフェン層により挟まれた銅含有層を備える第１シートを準備する工程と、前記第１シートを巻いて第１ロッド（第１棒状物）を形成する工程と、前記第１ロッドを圧縮して第１多層複合構造体を形成する工程と、を備える。
【０００７】
前記シートを巻いて圧縮することにより、グラフェン層によりそれぞれ挟まれた複数の銅層を備えた多層複合構造体を形成する効率的な技術が提供される。このような多層複合構造体は、面内方向において優れた電気伝導性、熱伝導性及び機械的強度を有する。更に、巻き及び／又は圧縮の程度により、前記多層複合構造体内の各層の層数、ひいては、得られる前記多層複合構造体の寸法や電気的、機械的及び熱的特性を慎重に調節及び調整することができる。
【０００８】
また、対向する外側表面に前記第１及び第２グラフェン層を有する前記第１シートを巻くことにより、前記第１及び第２グラフェン層が直接的に機械的及び電気的接触するロッド（棒状物）が得られる。このようなロッドを圧縮するとグラフェン二層構造体（グラフェン二重層構造体）が形成される。当該グラフェン二層構造体は、前記多層複合構造体の面内方向及び面内方向に垂直な方向の両方において、前記複合構造体の電気伝導性を向上させるのに特に効果的である。
【０００９】
本開示の意味における銅含有層は、銅を含む任意の層であり得る。特に、前記銅含有層は、少なくとも部分的に（１１１）結晶方位の銅を含み得る。
【００１０】
一例において、前記銅含有層は、純銅を含む、又は少なくとも９０重量％の銅を含む。
【００１１】
別の例において、前記銅含有層は、少なくとも８０重量％の銅、又は少なくとも６０重量％の銅を含み得る。
【００１２】
一部の例において、前記銅含有層は、銅の他に銅とは異なる材料を含み得る。
【００１３】
一部の例において、前記銅含有層自体が、特に本方法の工程が反復して繰り返される複数工程プロセスサークルによってグラフェンと銅の両方を含む多層複合構造体等の複合構造体であってもよい。
【００１４】
一例において、前記複合構造体の銅の重量割合は、最大で５０％、特に最大で３０％であり得る。
【００１５】
一例において、前記銅含有層は、５００μｍ以下又は１００μｍ以下、特に５０μｍ以下の厚さを有する。
【００１６】
前記銅含有層は、２５μｍ以下、特に１０μｍ以下の厚さを有し得る。
【００１７】
厚さが薄い銅含有層は、得られた多層複合構造体内において、グラフェンの相対的な体積割合を増加させ、これにより、多層複合構造体は、改良された電気伝導性、熱伝導性及び機械的強度を有し得る。
【００１８】
更に、前記銅層の厚さを小さくすると、前記銅含有層内の非弾性電子散乱が減少し、更に電気伝導性が促進され得る。
【００１９】
一例において、前記銅含有層は、５μｍ以下、特に２μｍ以下の厚さを有する。
【００２０】
一例において、前記銅含有層は、少なくとも１μｍ、特に少なくとも５μｍの粒径を有する。
【００２１】
特に、前記銅含有層は、少なくとも１０μｍ、特に少なくとも５０μｍの粒径を有し得る。
【００２２】
本開示の意味における粒径は、結晶粒界間の平均距離を指し得る。
【００２３】
粒径の大きい銅含有層は、前記銅層内の非弾性散乱を減少させるため、更に電気伝導性を向上し得る。
【００２４】
一例において、前記圧縮工程は、第１の細長い多層複合バンドを形成する工程を備え得る。
【００２５】
一例において、前記圧縮工程は、圧延工程、特に熱間圧延工程を備え得る。
【００２６】
圧延工程により、前記第１ロッドを効果的且つ効率的に圧縮して第１多層複合構造体を形成することができる。
【００２７】
特に、熱間圧延工程は、前記銅含有層内の結晶粒の粗大化をもたらすため、結果として得られる多層複合構造体は、粒径が大きく、非弾性電子散乱が少なく、したがって電気伝導率が高い銅を含むことになる。
【００２８】
特に、前記圧縮工程は、少なくとも２５０℃、特に少なくとも４５０℃の温度での熱間圧延工程を備える。
【００２９】
一例において、前記圧縮工程は、最大で６５０℃、特に最大で５５０℃の温度での熱間圧延工程を備える。
【００３０】
このような温度範囲は、銅の再結晶温度より高く、効率的な結晶粒粗大化を可能にする。同時に、当該温度範囲は、前記銅含有層の熱応力を低減させ、結晶構造の再構成を防ぐとともに銅表面にナノクラックが形成されるリスクを低減させるように十分低い。
【００３１】
本開示の意味におけるグラフェンは、炭素原子がグラファイトのように六角形に配設されるとともに、一般にｓｐ２混成された炭素含有層を指し得る。結果として得られる構造は、融合した６員炭素環のハニカム状六角形パターンであり得る。
【００３２】
グラフェンという用語は、炭素単層からなる構成を指すことがあるが、実際には、少数の層をグラフェンと称することもある。
【００３３】
狭義では、グラフェンは炭素のみを含む。別の例において、グラフェンを、炭素原子とは異なる原子及び／又は分子を含むようにドーピングしてもよい。
【００３４】
一例において、第１グラフェン層及び／又は第２グラフェン層のそれぞれは、５ｎｍ以下、特に２ｎｍ以下の厚さを有する。
【００３５】
一例において、前記第１グラフェン層及び／又は前記第２グラフェン層は、最大で４つのグラフェン単層、特に最大で３つのグラフェン単層を備え得る。
【００３６】
特に、前記第１グラフェン層及び／又は前記第２グラフェン層は、グラフェン単層であってもグラフェン二層（グラフェン二重層）であってもよい。
【００３７】
一例において、前記第１グラフェン層及び前記第２グラフェン層は、前記第１シートの対向する外側表面に形成される。
【００３８】
一例において、前記第１シートを準備する工程は、前記銅含有層の第１表面側に前記第１グラフェン層を堆積させる工程と、前記銅含有層の第２表面側に前記第２グラフェン層を堆積させる工程と、を備え、前記第２表面側は前記第１表面側の反対にある。
【００３９】
第１及び第２グラフェン層を堆積させるために、任意の被覆技術が採用され得る。
【００４０】
特に、堆積工程は、化学蒸着工程を備え得る。
【００４１】
一例において、前記第１グラフェン層の堆積工程及び／又は前記第２グラフェン層の堆積工程は、低温プラズマ強化堆積工程（冷プラズマ強化堆積工程、冷間プラズマ強化堆積工程）、特に低温プラズマ強化化学蒸着工程（冷プラズマ強化化学蒸着工程、冷間プラズマ強化化学蒸着工程）を備える。
【００４２】
低温プラズマ強化堆積工程により、従来のグラフェン成長より低温で第１グラフェン層及び第２グラフェン層を堆積させることができる。これにより、銅表面の熱応力を低減させ得るとともに、有利なＣｕ（１１１）配向から銅表面の再構成が生じることが防止され得る。同時に、低温プラズマ強化堆積工程で達成可能な表面温度は、下層の銅含有層の結晶粒粗大化を促進するには十分高いため、結晶粒界での非弾性散乱を減少させる。
【００４３】
一例において、前記低温プラズマ強化堆積工程は、最大で８００℃、特に最大で７００℃の温度のプラズマを伴う。
【００４４】
前記低温プラズマ強化堆積工程は、少なくとも４５０℃、特に少なくとも６００℃の温度のプラズマを伴い得る。一部の例において、前記第１グラフェン層及び前記第２グラフェン層は、順次堆積させられ得る。
【００４５】
別の例において、前記第１グラフェン層及び前記第２グラフェン層は、同時に堆積させられ得る。
【００４６】
一例において、前記第１グラフェン層及び／又は前記第２グラフェン層に、金属原子、特にグラフェン環の環中心に位置する金属原子がドーピングされる。
【００４７】
前記金属原子は、グラフェン層を銅マトリックスに堅固に接続するための固定点として機能し得る。
【００４８】
一例において、前記金属原子は、銀原子を含む。
【００４９】
一例において、本方法は、前記第１多層複合構造体の第１表面側をエッチングする工程、及び／又は前記第１多層複合構造体の第２表面側をエッチングする工程を更に備え、前記第２表面側は前記第１表面側の反対にある。
【００５０】
例えば、前記第１表面側及び／又は前記第２表面側を、ＣＥ‐１００タイプの銅エッチング液等の市販のエッチング液を使用して、１乃至１０分間エッチングしてもよい。
【００５１】
特に、前記第１表面側及び／又は前記第２表面側は、圧縮工程後に無傷の表面を提供するようにエッチングされ得る。これは、上述の方法の反復プロセスのように、グラフェン層等の追加の層が多層複合構造体の前記第１表面側及び前記第２表面側に順次形成される構成において特に有用であり得る。
【００５２】
一例において前記方法は、前記第１シートから第２シートを形成する工程を更に備え、前記工程は、第３グラフェン層を前記第１多層複合構造体の第１表面側に堆積させる工程と、第４グラフェン層を前記第１多層複合構造体の第２表面側に堆積させる工程とを備え、前記第２表面側は前記第１表面側の反対にある。
【００５３】
したがって、前記第２シートは、前記第３グラフェン層及び前記第４グラフェン層により挟まれた、上述の第１多層複合構造体を備え得る。
【００５４】
前記第３及び第４グラフェン層を堆積させる工程は、任意の被覆技術を備え得る。
【００５５】
特に、前記第３グラフェン層及び／又は前記第４グラフェン層は、前記第１グラフェン層及び／又は前記第２グラフェン層の文脈で上述した技術を利用して形成され得る。
【００５６】
特に、前記第３グラフェン層及び／又は前記第４グラフェン層の堆積工程は、化学蒸着工程を備え得る。
【００５７】
一例において、第３グラフェン層の堆積工程及び／又は第４グラフェン層の堆積工程は、低温プラズマ強化堆積工程（冷プラズマ強化堆積工程、冷間プラズマ強化堆積工程）、特に低温プラズマ強化化学蒸着工程を備え得る。
【００５８】
前記第３グラフェン層及び前記第４グラフェン層は、順次堆積させられ得る。
【００５９】
別の例において、前記第３グラフェン層及び前記第４グラフェン層は、同時に堆積させられ得る。
【００６０】
一例において、前記第３グラフェン層及び／又は前記第４グラフェン層のそれぞれは、５ｎｍ以下、特に２ｎｍ以下の厚さを有し得る。
【００６１】
一例において、前記第３グラフェン層及び／又は前記第４グラフェン層は、最大で４つのグラフェン単層、特に最大で３つのグラフェン単層を備え得る。
【００６２】
特に、前記第３グラフェン層及び／又は前記第４グラフェン層は、グラフェン単層、又はグラフェン二層（グラフェン二重層）であってもよい。
【００６３】
一例において、本方法は、前記銅含有層を帯電させる工程を備え得る。
【００６４】
帯電した銅含有層は、静電引力により前記グラフェン層の堆積を支援し得る。
【００６５】
特に、本方法は、前記銅含有層の電荷とは反対の電荷で前駆体ガスを帯電させる工程を更に備え得る。
【００６６】
一例において、本方法は、前記多層複合構造体を帯電させる工程を備え得る。
【００６７】
本方法は、特に前記多層複合構造体の電荷とは反対の電荷で前駆体ガスを帯電させる工程を更に備え得る。
【００６８】
本方法は、前記第３グラフェン層及び／又は前記第４グラフェン層に、金属原子、特にグラフェン環の環中心に位置する金属原子をドーピングする工程を備え得る。
【００６９】
一例において、前記金属原子は、銀原子を含む。
【００７０】
一例において、本方法は、前記第１シートについて説明した工程を、前記第２シートにおいて繰り返す工程を更に備える。したがって、本開示による方法を、プロセスサークルにおける被覆工程、巻き工程及び圧縮工程を順次備えるように繰り返して、複数の銅含有層及び複数のグラフェン層を備えた多層複合構造体を形成してもよい。特に、プロセスサークルにより、得られる多層複合構造体のグラフェンの体積割合を高めたり調整したりすることができる。
【００７１】
特に、本方法は、前記第２シートを巻いて第２ロッド（第２棒状物）を形成する工程と、前記第２ロッドを圧縮して第２多層複合構造体を形成する工程と、を備え得る。
【００７２】
特に、前記圧縮工程は、第２の細長い多層複合バンドを形成する工程を備え得る。
【００７３】
一例において、前記圧縮工程は、圧延工程、特に熱間圧延工程を備える。
【００７４】
前記圧縮工程は、少なくとも２５０℃、特に少なくとも４５０℃の温度での熱間圧延工程を備え得る。
【００７５】
一例において、前記圧縮工程は、最大で６５０℃、特に最大で５５０℃の温度での熱間圧延工程を備え得る。
【００７６】
本方法の上述のプロセス工程は、何回でも反復したり繰り返したりすることができる。
【００７７】
一例において、本方法は、前記第２多層構造体を巻いて第３ロッドを形成する工程を備える。
【００７８】
一部の例において、この巻き工程は、上述のプロセスサークルを終了する工程であり得る。前記第３ロッドは、多層複合構造体を有するロッドであり得るとともに、高い電気伝導性、熱伝導性及び／又は機械的強度を有する導電体として使用され得る。
【００７９】
一例において、前記第２多層構造体を、当該第２多層構造体にグラフェンを堆積させる先行の工程を実施せずに巻いてもよい。
【００８０】
反復の最後の堆積工程を省略することにより、グラフェンのない表面が提供され得る。グラフェンのない表面は、結果として得られるワイヤをソケットやプラグ等に接続するのに最適な条件を有する。
【００８１】
一例において、本方法は、前記第３ロッドを伸線してワイヤにする、特に、楕円形断面又は円形断面を有するワイヤにする工程を備える。
【００８２】
伸線工程は、調整された長さ及び寸法を有するワイヤを前記ロッドから形成するのに効率的であり得る。
【００８３】
代替例において、本方法は、前記第３ロッドを圧縮して第３多層複合構造体を形成する工程を更に備える。
【００８４】
特に、前記圧縮工程は、第３の細長い多層複合バンドを形成する工程を含み得る。
【００８５】
前記圧縮工程は、圧延工程、特に熱間圧延工程を備え得る。
【００８６】
一例において、前記圧縮工程は、少なくとも２５０℃、特に少なくとも４５０℃の温度での熱間圧延工程を備え得る。
【００８７】
前記圧縮工程は、最大で６５０℃、特に最大で５５０℃の温度での熱間圧延工程を備え得る。
【００８８】
一部の例において、前記第３多層複合構造体をスライスして複数の細長い切片（細長いスライス片）を形成してもよい。
【００８９】
このような技術により、長方形又は正方形断面を有する多層導電体を形成することができる。
【００９０】
本開示は、多層複合構造体を形成するためのシステムにも関する。本システムは、第１表面側と前記第１表面側とは反対の第２表面側とを有するシートを搬送する搬送ユニットと、前記シートの前記第１表面側に第１グラフェン層を堆積させるとともに、前記シートの前記第２表面側に第２グラフェン層を堆積させて被覆シートを形成する堆積ユニットと、前記堆積ユニットの下流の巻きユニットであって、前記被覆シートを巻いてロッドにする巻きユニットと、前記巻きユニットの下流の圧縮ユニットであって、前記ロッドを圧縮して圧縮シートにする圧縮ユニットと、前記巻きユニットの下流の戻しユニットであって、前記圧縮シートを前記堆積ユニットに戻す戻しユニットと、を備える。
【００９１】
本開示の意味における下流方向とは、堆積ユニットから巻きユニットへそして圧縮ユニットへ処理されたシートが移動し、且つ戻しユニットによって堆積ユニットに戻る方向を指し得る。
【００９２】
前記搬送ユニットは、前記被覆シートを前記堆積ユニットから前記巻きユニットへ搬送し得る、及び／又は前記ロッドを前記巻きユニットから前記圧縮ユニットへ搬送し得る。
【００９３】
前記搬送ユニットは、前記戻しユニットも備え得る。
【００９４】
一部の例において、前記戻しユニットは、前記シートが、所定の回数だけ前記の堆積ユニット、巻きユニット及び圧縮ユニットを連続して循環することを可能にする。
【００９５】
一部の例において、前記搬送ユニット、前記堆積ユニット、前記巻きユニット、前記圧縮ユニット、及び／又は前記戻しユニットは、別個のユニットであり得る。別の例において、前記搬送ユニット、前記堆積ユニット、前記巻きユニット、前記圧縮ユニット、及び／又は前記戻しユニットのいずれか又は全ては統合されて共通のユニットとされ得る。
【００９６】
一例において、前記堆積ユニットは、少なくとも低温プラズマユニット、特に低温プラズマ管を備える。
【００９７】
前記堆積ユニットは、前駆体ガスを前記第１表面側及び前記第２表面側に供給するとともに案内する供給ユニットを更に備え得る。
【００９８】
一例において、前記前駆体ガスは、炭素を含み得る、特に、メタン及び／又はブタン及び／又はプロパン及び／又はＣＯ及び／又はアセチレンを含み得る。
【００９９】
特に、前記供給ユニットは、前記低温プラズマユニット（冷プラズマユニット、冷間プラズマユニット）により生成された低温プラズマ（冷プラズマ、冷間プラズマ）を介して、前記前駆体ガスを前記第１表面側及び前記第２表面側に供給するように構成され得る。
【０１００】
前記搬送ユニットは、前記シートを前記堆積ユニット及び／又は前記巻きユニット及び／又は前記圧力ユニットを通過させて搬送し得る。
【０１０１】
一例において、前記搬送ユニットは、前記シートを搬送する第１ローラユニットと、前記第１ローラユニットの下流において前記シートを搬送する第２ローラユニットと、を備え、当該第２ローラユニットは、前記第１ローラユニットと反対方向に回転する。
【０１０２】
逆回転する前記の第１及び第２ローラは、前記シートの表面配向を逆にすることができる。特に、これにより、前記シートを最初に第１表面側に堆積させ、次いで前記シートを反転させて、前記第１表面側とは反対の第２表面側に堆積させることができる。
【０１０３】
したがって、一例において、前記堆積ユニットは、前記シートが前記第１ローラユニットで搬送されている間に、前記第１グラフェン層を前記シートの前記第１表面側に堆積させるように構成される。そして、前記堆積ユニットは、前記シートが前記第２ローラユニットで搬送されている間に、前記第２グラフェン層を前記シートの前記第２表面側に堆積させるように構成され得る。
【０１０４】
上述のシステム内のシートを前記圧縮シートに置換して、当該シートについて上述したのと同じ一連の工程を圧縮シートに対して実施してもよい。
【０１０５】
特に、前記堆積ユニットは、第３グラフェン層を前記圧縮シートの第１表面側に堆積させるとともに、第４グラフェン層を前記圧縮シートの第２表面側に堆積させて被覆圧縮シートを形成するように構成され得る。
【０１０６】
前記搬送ユニットは、前記圧縮シートを搬送する第１ローラユニットと、前記第１ローラユニットの下流において前記圧縮シートを搬送する第２ローラユニットと、を備え、当該第２ローラユニットは、前記第１ローラユニットと反対方向に回転する。
【０１０７】
前記堆積ユニットは、前記圧縮シートが前記第１ローラユニットで搬送されている間に、第３グラフェン層を前記圧縮シートの第１表面側に堆積させるように構成される。そして、前記堆積ユニットは、前記圧縮シートが前記第２ローラユニットで搬送されている間に、第４グラフェン層を圧縮シートの第２表面側に堆積させるように構成され得る。
【０１０８】
前記巻きユニットは、前記被覆圧縮シートを巻いて第２ロッドにするように構成され得る。
【０１０９】
前記圧縮ユニットは、前記第２ロッドを圧縮して第２圧縮シートにするように構成され得る。
【０１１０】
前記戻しユニットは、前記第２圧縮シートをもう一巡させるように前記堆積ユニットに戻すように適合され得る。
【０１１１】
一例において、前記搬送ユニットは、前記シート及び／又は前記圧縮シートを、前記堆積ユニットを通過させて少なくとも部分的に鉛直方向に搬送する。
【０１１２】
一例において、前記搬送ユニットは、前記シート及び／又は前記圧縮シートを、鉛直方向に対して最大で２０°、特に最大で１０°の角度をなす方向に沿って搬送する。
【０１１３】
前記鉛直方向は、前記システムが設置される重力場の方向を指し得る。
【０１１４】
一例において、前記システムは、前記シート及び／又は前記圧縮シートを帯電させる帯電ユニットを更に備える。
【０１１５】
前記帯電ユニットは、特に、前記シート又は前記圧縮シートそれぞれの電荷とは反対の電荷で、前記前駆体ガスを帯電させるように更に構成され得る。
【０１１６】
一例において、前記システムは、前記の第１、第２、第３又は第４グラフェン層のうちの少なくとも１つに、金属原子、特にグラフェン環の環中心に位置する金属原子をドーピングするドーピングユニットを更に備える。
【０１１７】
前記圧縮ユニットは、圧延ユニット、特に熱間圧延ユニットを備え得る。
【０１１８】
前記圧延ユニットは、少なくとも２５０℃、特に少なくとも４５０℃の温度で前記ロッドを熱間圧延するように構成され得る。
【０１１９】
前記圧延ユニットは、最大で６５０℃、特に最大で５５０℃の温度で前記ロッドを熱間圧延するように更に構成され得る。
【０１２０】
一例において、前記システムは、前記シート及び／又は前記圧縮シートを、前記堆積ユニットをバイパスさせて送るバイパスユニットを更に備える。
【０１２１】
前記システムは、前記堆積ユニットの上流のエッチングユニットであって、前記シートの前記第１表面側及び前記第２表面側をエッチングする、及び／又は前記圧縮シートの第１表面側及び第２表面側をエッチングするエッチングユニットを更に備え得る。前記圧縮シートの当該第２表面側は、前記圧縮シートの前記第１表面側の反対にある。
【０１２２】
前記システムは、前記巻きユニットの下流の伸線ユニットであって、前記ロッドを伸線してワイヤにする、特に楕円形断面又は円形断面を有するワイヤにする伸線ユニットを更に備え得る。
【０１２３】
前記システムは、前記圧縮ユニットの下流のスライスユニットであって、前記圧縮シートを長手方向においてスライスして複数の細長い切片（複数の細長いスライス片）にするスライスユニットを更に備え得る。
【０１２４】
上述の説明では、多層複合構造体を形成するための方法及びシステムの特徴を別個に記載している。しかしながら、一部の例において、これらの特徴の一部又は全部を組み合わせてもよい。
【０１２５】
本開示の効果及び多数の利点が、添付図面を参照してなされる実施例の詳細な説明からより明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】一例による複合構造体の概略断面図。
【図２】一例による複合構造体の電子トンネル効果を示す概略断面図。
【図３】一例による、複合二層構造体（複合二重層構造体）の概略断面図。
【図４】一例による複合構造体を形成するための方法を示すフロー図。
【図５】一例による複合構造体を形成するためのシステムを示す概略図。
【図６】一例による逆回転ローラを有する搬送ユニットの概略図。
【図７】一例によるプラズマ管を採用して複合構造体を形成するためのシステムの概略図。
【図８】一例による複合構造体を形成するためのシステムを示す概略図。
【図９】一例による複合構造体における結晶粒界散乱の効果を説明するための概略断面図。
【図１０】一例による被覆及び結晶粒粗大化の効果を示す概略図。
【図１１ａ】一例による金属原子を有するグラフェン層のヘキサ−ヘプタ官能化を示す図。
【図１１ｂ】一例による金属原子を有するグラフェン層のヘキサ−ヘプタ官能化を示す図。
【図１２】一例による多層複合構造体を形成するための方法を示すフロー図。
【図１３】一例による多層複合構造体を形成するための方法を示すサイクル図。
【図１４】一例による多層複合構造体を形成するためのシステムの概略図。
【図１５】別の例による多層複合構造体を形成するためのシステムの概略図。
【図１６】一例による巻かれた被覆シートを示す図。
【図１７ａ】一例による圧縮ユニットを概略的に示す図。
【図１７ｂ】一例による圧縮ユニットを概略的に示す図。
【図１８ａ】一例による巻かれた被覆シートを圧縮する結果を概略的に示す図。
【図１８ｂ】一例による巻かれた被覆シートを圧縮する結果を概略的に示す図。
【図１８ｃ】一例による巻かれた被覆シートを圧縮する結果を概略的に示す図。
【図１９】一例による伸線方法を示すフロー図。
【図２０】一例による伸線システムを概略的に示す図。
【図２１】一例によるバンド螺旋体を形成するように引き出された複合巻き体の概略斜視図。
【図２２ａ】一例による伸線システムの機能を示す図。
【図２２ｂ】一例による伸線システムの機能を示す図。
【図２３ａ】一例による二層グラフェン構造体（二重層グラフェン構造体）における積層モードを示す図。
【図２３ｂ】一例による二層グラフェン構造体（二重層グラフェン構造体）における別の積層モードを示す図。
【図２３ｃ】一例による二層グラフェン構造体（二重層グラフェン構造体）における別の積層モードを示す図。
【図２４ａ】一例による二層グラフェン構造体（二重層グラフェン構造体）の異なる積層モード間の変換を示す図。
【図２４ｂ】一例による二層グラフェン構造体（二重層グラフェン構造体）の異なる積層モード間の変換を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０１２７】
図１は、一例による複合構造体１０を断面図にて概略的に示す。複合構造体１０は、第１（下方）グラフェン層１４ａと第２（上方）グラフェン層１４ｂとにより挟まれた銅層１２を備える。
【０１２８】
銅層１２は、特に（１１１）結晶方位における純銅（Ｃｕ）で形成され得る。しかし、別の例において、銅層は、銅以外の追加材料、例えば以下に詳細に記載するようなドープ原子又はナノ粒子等を含む。
【０１２９】
図１に示す銅層１２は、第１グラフェン層１４ａと第２グラフェン層１４ｂとの間において、幅又は厚さｄ１を有して延びる。ｄ１は、一般に２５μｍ以下である。例えば、銅層１２は、２０μｍ又は１０μｍの厚さで形成され得る。別の例において、銅層１２は、２μｍ以下又は１μｍ以下の厚さで形成され得る。
【０１３０】
第１グラフェン層１４ａ、及び第２グラフェン層１４ｂは、一般に銅層１２よりはるかに薄く、特に、単一のグラフェン単層又は複数のグラフェン単層を含むグラフェン層であり得る。図１において、グラフェン層１４ａ、１４ｂの幅又は厚さを、それぞれｄａ及びｄｂで示す。例えば、ｄａ及びｄｂは、両者とも５ｎｍ、２ｎｍ、又はこれ未満であり得る。
【０１３１】
グラフェン単層構造において、伝導バンドは、原子価バンドに、ディラック点と称される単一点において接触する。無限の小さなバンドギャップは、グラファイトとは対照的なグラフェン単層の優れた導電性を説明する。
【０１３２】
第１グラフェン層１４ａ及び第２グラフェン層１４ｂは、銅層１２に化学的に接続又は結合可能である。例えば、以下で更に詳細に説明するように、第１グラフェン層１４ａ及び第２グラフェン層１４ｂを、化学蒸着（化学気相成長、化学気相蒸着）によって銅層１２に堆積させる（積層する、成膜する）。
【０１３３】
図１の概略図において、幅方向ｄ１、ｄａ及びｄｂが、ｚ方向を規定する。銅層１２、第１グラフェン層１４ａ、及び第２グラフェン層１４ｂは、幅方向ｚに対して垂直な平面空間方向ｘ、ｙにおいて空間的に広く延び得る。これにより、複合構造体１０は、以下で詳述するように薄い箔を形成する。
【０１３４】
銅をグラフェン被覆することで、表面ひずみ等の機械的変形を防ぐ顕著な面内剛性が得られることが知られている。更に、グラフェン被覆は、銅を反応性の化学種又はガス種から保護する不透過性、並びに被覆後の銅表面電位の摂動を回避する低密度状態を呈する。これら全ての優れた物理的特性は、グラフェンを銅サンプルに対する理想的な非相互作用バリアとするとともに、全体的な酸化及び表面汚染を防止し、且つ複合構造体が優れたパラメータを有することに貢献し得る。
【０１３５】
更に図１は、銅層１２を移動する電子ｅの経路１６を概略的に示す。図１から理解されるように、電子ｅは、銅層１２と第１グラフェン層１４ａ及び第２グラフェン層１４ｂそれぞれとの境界で繰り返し散乱する。グラフェン層１４ａ、１４ｂは、銅層１２の表面を保護し、非常に滑らかで傷やしわのない層をもたらす。特に、Ｃｕ（１１１）表面で成長したグラフェンは、Ｃｕの表面状態と非常に弱くしか相互作用しない。グラフェンの炭素２ｐ軌道とＣｕ４ｐ軌道との比較的弱い結合により、主として弾性的な表面散乱が生じ、これにより、複合構造体１０の平面方向ｘ、ｙにおける導電性（電気伝導性）が低下する。
【０１３６】
また、グラフェン層１４ａ、１４ｂは、複合構造体１０の熱伝導性を向上させる。一般に、熱装置の設計は、電気工学及びマイクロプロセッサ工学の重要な一部になりつつある。グラフェン層１４ａ、１４ｂの高い熱伝導性により、熱伝導のための平行フォノン成分が提供され得る。
【０１３７】
また、グラフェン層１４ａ、１４ｂは、複合構造体１０の平面方向ｘ、ｙにおける機械的強度を高める。
【０１３８】
図２は、図１に全体的に対応する複合構造体１０の概略断面図であり、トンネル機構を示す。トンネル機構において、電子がグラフェン層１４ａ、１４ｂの一部を通り抜ける（トンネルする）ことにより、更に高い電気伝導性がもたらされる。薄い銅層１２、具体的には幅ｄ１が銅のわずかな電子平均自由経路長の範囲にある銅層１２を有する複合構造体１０は、電子がわずかな抵抗率しか受けない導波管のような構造を呈する。この効果は、量子電気力学的に説明される電子の波動性を利用するものである。特に、銅層１２を通過する電子は、グラフェン層１４ａ、１４ｂに形成される電子トンネル１８を通り抜ける（トンネルする）ことができる。電子は、理想的なグラフェン単層１４ａ、１４ｂを光束に近い速度で移動するが、銅層１２における電子の速度は一般にずっと遅く、且つ種々の散乱効果によっても制限される。このため、銅／グラフェン界面に近づく電子波は、衝突位置ではなく、（図２において右方への）流れ方向において更に下方に後方散乱しているように見える。図２の電子経路１６に示すように、電子は、グラフェン層１４ｂから銅層１２内に依然として後方散乱するが、これは、電子がグラフェン層１４ｂを移動した（トンネルした）距離に対応する変位を伴う。量子アプローチにおいては、銅とグラフェンとにおける電子速度には大きな差があるため、電子ｅは、従来の粒子アプローチよりはるかに高速で複合構造体１０内の特定距離を移動する。一般により速い電子速度がより良好な導電性に相当すると仮定すると、グラフェン層１４ａ、１４ｂに挟まれた薄い銅層１２を有する複合構造体１０において生じ得る電子トンネル現象は、導電性を向上させる。
【０１３９】
この効果は、クライン効果（Ｋｌｅｉｎ  ｅｆｆｅｃｔ）の観点から更に詳しく説明できる。ディラックハミルトニアン（Ｄｉｒａｃ  Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ）の特異な性質は、（電子等の）電荷キャリアを静電ポテンシャルによって閉じ込めることができないことである。従来の導体では、電子が電子の運動エネルギーを超えるポテンシャル高さを持つ静電バリアに衝突すると、電子波動関数はバリア内で消失し、バリアへの距離が増加するにつれて指数関数的に減衰する。これは、バリアの背が高く且つ幅が広くなるほど、電子波動関数が反対側に到達する前に更に減衰するであろうことを意味する。したがって、通常、バリアが高く且つ広くなるほど、電子量子がバリアを通り抜ける（トンネルする）確率が低くなる。
【０１４０】
しかしながら、粒子がディラック方程式により支配されている場合、バリアの高さが増加するにつれて粒子が透過する確率は実際には増加する。高いバリアに衝突したディラック電子は、ホールになって反対側に到達するまでバリアを伝わり得る。そして、反対側で、ホールは電子に戻り得る。この現象は、クライントンネル現象と呼ばれることもある。
【０１４１】
この現象について考えられる説明の１つは、バリアの高さが増加することで、バリア内のホールの波動関数とバリア外の電子との間のモードマッチングの度合いが増加し得るということである。モードが完全に一致する場合（これは、無限に高いバリアの場合に対応するかもしれない）、完全にバリアを透過し得る。
【０１４２】
これらの考察を、図２に示す複合構造体１０に適用すると、グラフェン層１４ａ、１４ｂは、電気的に見えないほど薄く、これにより、電子を、グラフェン及びトンネルの反対側の銅層を通して「見る」ことができる。電子が電子トンネル１８内に入るとすぐに、電子ははるかに高い伝導率を得て、主電流の方向において加速する。
【０１４３】
図３の概念断面図に示すように、図１及び２を参照して説明したような複数の複合構造体１０を積み重ねて（積層して）多層複合構造体２０を形成することができる。積層された多層複合構造体２０において、第１複合構造体１０の第１グラフェン層１４ａが、別の複合構造体１０’の第２グラフェン層１４’に直接接触して配置される。
【０１４４】
図３は、２つの基本複合構造体１０、１０’を有する多層複合構造体２０を示すが、一般に、多数の複合構造体を同様にして積層することができる。
【０１４５】
図３から理解されるように、多層複合構造体２０は、隣接する複合構造体１０、１０’の一対のグラフェン層１４ａ、１４ｂ’により形成されるグラフェン二層（グラフェン二重層）２２を備えている。
【０１４６】
グラフェン二層２２は、上述のクライン効果を特に活用する。なぜならば、グラフェン二層２２は、隣接する複合構造体１０の銅層１２間において、グラフェン層１４ａ、１４ｂ’に形成された電子トンネル１８、１８’を通って、電子が前後に移動する（トンネルする）ことを可能にするからである。図面を参照して説明すれば、グラフェン二層２２の隣接するグラフェン層１４ａ、１４ｂ’が、多層複合構造体２０を通過する高速トンネル経路を形成するため、優れた電気伝導性が得られる、ということである。
【０１４７】
この効果は、２つの隣接するグラフェン層１４ａ、１４ｂのみを有する多層複合構造体２０において特に顕著であり得る。３つ以上の層を有する場合には、少なくとも１つのグラフェン層が銅に直接接続しないであろう。
【０１４８】
図１乃至３を参照して説明した複合構造体１０及び多層複合構造体２０を、良好な電気伝導性を有する電気ケーブルやワイヤを形成するように採用することができる。
【０１４９】
図４は、複合構造体を形成する方法を示す概略フロー図である。
【０１５０】
第１工程Ｓ１０において、第１表面側（第１面側、第１面側部、第１表面側部）と第１表面側とは反対の第２表面側（第２面側、第２面側部、第２表面側部）とを有する銅箔を準備する。銅箔は、２５μｍ以下の厚さを有する。
【０１５１】
第２工程Ｓ１２において、銅箔の第１表面側に第１グラフェン層を堆積させ、銅箔の第２表面側に第２グラフェン層を堆積させる。
【０１５２】
複数の被覆技術を利用して、銅箔に第１グラフェン層及び第２グラフェン層を堆積させることができる。例えば、堆積は、化学蒸着（化学気相堆積）技術を含み得る。化学蒸着（ＣＶＤ）装置２４を、図５に概略的に示す。対応する装置は、Ｐｏｌｓｏｎ、ＭｃＮｅｒｎｅｙ、Ｖｉｓｗａｎａｔｈらにより、Ｎａｔｕｒｅ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｒｅｐｏｒｔｓ  ２０１５年５月、１０．１０３８／ｓｒｅｐ１０２５７に詳細に記載されている。
【０１５３】
図５に示すＣＶＤ装置２４は、複数の搬送ロール２６ａ、２６ｂを有する搬送ユニットであって、薄い銅箔２８をアニーリングゾーン３０、及びこのアニーリングゾーン３０の下流の成長ゾーン３２を順に通過させて搬送する搬送ユニットを備える。
【０１５４】
アニーリングゾーン３０において、銅箔２８は、純アルゴンガス流（図５に矢印で示される）の存在下で５００℃乃至１０００℃の範囲の温度に加熱され得る。銅箔２８を高温で２０乃至３０分間保持することにより、銅箔２８がアニーリングされて表面が非常に平滑になる。更に、粒成長が開始され得る。
【０１５５】
化学蒸着は、成長ゾーン３２において実施される。ここで、メタン等の前駆体ガスにより供給される炭素原子を銅箔２８の表面として堆積させる。前駆体ガスの流れも、図５に同様に矢印で示す。加熱ワイヤ３４ａ、３４ｂが、アニーリングゾーン３０及び成長ゾーン３４の長さに沿って配置され、アニーリング温度を提供するとともに前駆体ガスの分子を分解する。
【０１５６】
大気ＣＶＤ条件下でのグラフェン合成は、成長ゾーン３２において、アルゴンとメタンとの混合ガスを使用して５００℃乃至１０００℃の温度で実施され得る。０．２容量％乃至１容量％で変化するメタンガス濃度を利用した場合、総面積の９６％までの単層グラフェン成長が観察された。より高いメタン濃度にすれば、多層グラフェン構造体が形成されるであろう。
【０１５７】
高温で銅箔２８上にグラフェン単層を形成することにより、銅表面上に（１１１）結晶構造体が好適に形成されることも観察された。場合により、グラフェン層は、銅箔２８の銅表面に対して一種のテンプレートとして機能し得る。これにより、（１１１）結晶銅構造体の形成が促進される。なぜならば、この構成では、銅とグラフェンとの格子サイズがほとんど一致しているからである。
【０１５８】
図５に示すＣＶＤ装置２４を採用して、銅箔２８の単一の表面側（面側、面側部、表面側部）にグラフェン層を堆積させることができる。図１及び２を参照して説明した複合構造体１０を得るように銅箔２８の両側にグラフェン層１４ａ、１４ｂを堆積させるには、銅箔２８の表面の向きを反対にして、銅箔２８をＣＶＤ装置２４において２回通過させればよい。
【０１５９】
図６に示すように、表面の向きは、一対の逆回転搬送ロール３６ａ、３６ｂを備える搬送ユニットによって変更され得る。例えば、第１搬送ロール３６ａが、第１（時計回り）方向に回転しつつ、銅箔２８を反対（反時計回り）方向に回転する第２搬送ロール３６ｂに送って銅箔２８の向きを変更してもよい。
【０１６０】
選択的に、銅箔２８をＣＶＤ装置２４に供給する前に、サンプルを４５０℃で９０分間に亘って水素（７０容量−％）及びアルゴン（３０容量−％）ガス流に露出することでエッチングし、表面汚染物質を除去してもよい。
【０１６１】
図７は、本開示の複合構造体を形成するために採用され得る化学蒸着（ＣＶＤ）装置の概略図である。図７に示すＣＶＤ装置３８は、図５を参照して説明したＣＶＤ装置２４と全体的に同様であるが、加熱ワイヤ３４ａ、３４ｂによる電気加熱ではなく、低温プラズマ強化蒸着（冷プラズマ強化蒸着、冷間プラズマ強化蒸着）を採用する。
【０１６２】
より詳細には、低温プラズマＣＶＤ装置（冷プラズマＣＶＤ装置、冷間プラズマＣＶＤ装置）３８は、搬送ロール２６ａ、２６ｂを有する搬送ユニットであって、薄い銅箔２８を成長ゾーン３２を通過させて搬送する搬送ユニットを備える。（図７の概略図に示さない）供給ユニットが、炭素を含む前駆体ガスを成長ゾーン３２に案内する。これにより、図７の矢印で示すように、前駆体ガスは、銅箔２８をその両表面側（両面側、両面側部、両表面側部））において通過し循環する。例えば、前駆体ガスは、メタン及び／又はブタン及び／又はプロパンを含み得る。
【０１６３】
図７から更に理解されるように、プラズマ管を備えた複数のプラズマユニット４０が、成長ゾーン３２において銅箔２８の両側に設けられ、前駆体ガスの分子を分解する低温プラズマ放電（冷プラズマ放電、冷間プラズマ放電）を生成する。これにより、銅箔の両表面が炭素原子で被覆され、第１及び第２グラフェン層１４ａ、１４ｂが形成される。図７及び上記から理解されるように、低温プラズマＣＶＤ装置３８は、グラフェン層１４ａ、１４ｂを銅箔２８の両表面側に同時に堆積させることができるため、プロセス効率が向上してサイクル時間が短縮される。
【０１６４】
先行するエッチング及び／又はアニーリングは、図５を参照して上述したのと同じ態様で実施され得る。
【０１６５】
別の例による低温プラズマＣＶＤ装置（冷プラズマＣＶＤ装置、冷間プラズマＣＶＤ装置）３８’を、図８の斜視図に概略的に示す。
【０１６６】
図８から理解されるように、低温プラズマＣＶＤ装置３８’は、図７の構成と同様に、複数の搬送ロール４２ａ乃至４２ｅを有する搬送ユニットを備え、搬送ロール４２ａ乃至４２ｅは銅箔２８を成長ゾーン３２に通過させて搬送する。供給ユニット４４が、メタン等の前駆体ガスを供給して成長ゾーン３２に案内する。これにより、図８の矢印で示すように、前駆体ガスは、銅箔２８をその両表面側において通過し循環する。プラズマ管を有する複数のプラズマユニット４０を備えた堆積ユニットが、低温プラズマ放電を提供して前駆体ガスの分子を分解する。これにより、炭素を、第１及び第２グラフェン層１４ａ、１４ｂとして銅箔の両表面側に堆積させる。
【０１６７】
なお、銅箔２８が成長ゾーン３２を水平方向に通過して搬送される図７の構成とは異なり、図８の構成では、搬送ロール４２ａ乃至４２ｅは、銅箔２８を成長ゾーン３２を鉛直方向に、すなわち、ＣＶＤ装置３８’が設置されている重力場の方向に対応する方向に搬送する。これにより、銅箔２８の両表面側をより均一に被覆することが可能となる。
【０１６８】
先行するエッチング及び／又はアニーリングは、図５を参照して上述したのと同じ態様で実施され得る。
【０１６９】
図８から更に理解されるように、低温プラズマＣＶＤ装置３８’は、銅箔２８を帯電させるように、搬送ロール４２ｂ、４２ｃに電気的に接続された帯電ユニット４６を更に備える。更に、帯電ユニット４６は、プラズマユニット４０に電気的に結合されて、銅箔２８の電荷とは反対の電荷で前駆体ガスを帯電させる。銅箔２８の静電帯電は、銅箔２８におけるグラフェン層１４ａ、１４ｂの成長を促進するとともに、グラフェン層１４ａ、１４ｂをより均質で均一なものとし得る。
【０１７０】
９００乃至１０００℃の温度に達する炉内での従来のグラフェン成長とは対照的に、低温プラズマ被覆技術（冷プラズマ被覆技術、冷間プラズマ被覆技術）により、およそ６５０℃程度でよいかなり低い温度でグラフェンを堆積させることができる。温度が低いことにより、銅表面の熱応力が低下し、効率的なグラフェン被覆に有害となり得る銅箔の表面の損傷や結晶再構成が防止される。
【０１７１】
同時に、低温プラズマ被覆技術で到達する温度は、複合構造体１０の銅層１２の制御された完璧な結晶粒粗大化を提供するように十分に高い。既に多数の（１１１）粒配向を有する銅層１２から開始することが有利となり得る。これは、次いで、グラフェン堆積後に、Ｃｕ原子間隔とグラフェン格子定数との良好な格子整合に支持されて完全な（１１１）粗粒配向になり得る。
【０１７２】
図９は、図１及び２に示した複合構造体に概ね対応する複合構造体１０の概略図であるが、銅層１２に存在し得る粒界４８を更に示す。粒界４８は、複合構造体１０の導電性を妨げ得る非弾性電子散乱の原因となり得る。低温プラズマ被覆プロセス（冷プラズマ被覆プロセス、冷間プラズマ被覆プロセス）の過程で供給される熱エネルギーは、図１０に概略的に示すように、結晶粒粗大化、すなわち少なくとも１０μｍ以上の大きな粒径をもたらし得る。大きい粒径は、銅層１２内部における電子の非弾性散乱の減少を伴い得るため、より高い導電性に寄与し得る。
【０１７３】
複合構造体１０又は多層複合構造体２０の個々の層同士の比較的弱い結合強度は、グラフェンをヘキサ−ヘプタ官能化のように化学的に官能化することにより、強化され得る。特に、銀ナノ粒子等のプラズモニック金属粒子は、六方格子特性を変えずにグラフェン層１４ａ、１４ｂに追加することができる。グラフェンの個々の炭素原子に分子を追加する（共有結合官能化）のではなく、ヘキサ−ヘプタ官能化又は環中心官能化により、銀ナノ粒子等の金属原子をグラフェン環の中心に追加する。結合は、グラフェン環内部で非局在化される。これにより、六角形の配列が歪まずに維持されるため、グラフェンはその独自の電気特性を有し続ける。同時に、金属原子は、グラフェン層１４ａ、１４ｂを下層の銅層１２に熱的に接続するための固定点として機能し得る。
【０１７４】
図１１ａ及び図１１ｂのそれぞれは、特徴的な六角形炭素環を有するグラフェン単層５０の平面図及び斜視図であり、炭素環の内部で非局在化したドープ環中心銀ナノ粒子５２を示す。
【０１７５】
上述のように、ヘキサ‐ヘプタ官能化は、無傷の銅（１１１）表面にグラフェン単層を成長させるＣＶＤの後に実施することができる。これは、２段階のプロセスで構成され得る。すなわち、η６−グラフェンＣｒ（Ｃｏ）３の合成とそれに続く銀ナノ粒子の付着である。対応する技術は、Ｓ．Ｃｈｅらにより、２０１７年６月６日のナノレターズ（Ｎａｎｏ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）に「環中心官能化及びナノインターフェースによるグラフェンのキャリア移動の保持及びプラズモニック光起電力の強化」に記載されている。
【０１７６】
多層複合構造体の形成
上述の製造技術により、図１及び図２に示すような、第１及び第２グラフェン層１４ａ、１４ｂにより挟まれた単一の銅層１２を有する複合構造体１０が提供される。図３に示すような多層複合構造体２０が優れた導電性を有するように、被覆銅箔２８を積層することができる。
【０１７７】
一例において、被覆銅箔２８を断片又はストライプに細断し、それらの一部を圧力下及び熱下（加熱下）において積層してもよい。
【０１７８】
一例において、加圧は、熱焼結、マイクロ波焼結、又は交流か直流を含む電場支援焼結等の焼結を伴い得る。
【０１７９】
例えば、焼結温度は、５００℃乃至１０００℃の範囲にあり得る。焼結温度及び焼結時間を適切に選択することにより、銅の粒径を更に改良することができる。また、焼結により、銅層がグラフェン結晶構造により良く適合可能となるとともに、これにより銅箔２８の銅に結晶学的（１１１）表面構造が形成されることが促進される。
【０１８０】
積層は、１０ＭＰａ乃至３００ＭＰａの範囲の機械的圧力下において、焼結及びプレスを組み合わせた装置において実施され得る。
【０１８１】
図１２乃至１８を参照して以下で更に詳細に説明する代替的構成において、多層複合構造体２０は、被覆銅箔２８を巻いて圧縮することにより提供され得る。
【０１８２】
図１２は、一例による複合構造体１０を積層したものを含む多層複合構造体２０を形成するための方法を示すフロー図である。
【０１８３】
第１工程Ｓ２０において、第１及び第２グラフェン層により挟まれた銅含有層を備える第１シート、例えば被覆銅箔２８を準備する。
【０１８４】
第２工程Ｓ２２において、第１シートを巻いて第１ロッド（第１棒状物）を形成する。
【０１８５】
第３工程Ｓ２４において、第１ロッドを圧縮して第１多層複合構造体を形成する。
【０１８６】
図１２に示す一連の工程を、複数回繰り返してもよい。特に、工程Ｓ２４から得られた多層複合構造体を図７及び８をそれぞれ参照して説明した低温プラズマＣＶＤ装置３８、３８’に戻すことにより、多層複合構造体の両側を再度被覆してもよい。これに続き、二回目又は複数回目の巻き工程及び圧縮工程を実施してもよい。
【０１８７】
例示的なプロセスサイクルを図１３に示す。
【０１８８】
工程１において、例えば低温プラズマＣＶＤ装置３８、３８’を利用して、グラフェン層を化学蒸着工程により銅含有箔の両側に堆積させる。
【０１８９】
続く工程２において、得られた箔を丸めて又は巻いて、丸められたグラフェン二層（グラフェン二重層）を形成する。
【０１９０】
続く工程３において、得られたロッド（棒状物）を圧延ミリング加工して二層ロール（二重層ロール）を二層箔（二重層箔）にする。
【０１９１】
続く（オプションの）工程４において、無傷の銅表面を得るように二層箔の外面をエッチングしてもよい。これは、箔を工程５においてグラフェンＣＶＤ設備に戻す前に実施される。
【０１９２】
プロセスサイクルは、以下の一連の工程により説明され得る。
０．カウンタをゼロに設定する。
１．ＣＶＤ被覆設備において、グラフェン単層を銅含有箔の両側に成長させる。
２．次に、被覆箔を巻いて、銅層と二層グラフェン層（二重層グラフェン層）とが交互になった円形の同心円構造のチューブ又はロッドを作製する。
３．次に、金属熱間圧延プレス等によりロッドを圧縮して、多数のグラフェン二層（グラフェン二重層）相２２を含む平坦な銅／グラフェン多層複合バンドを作製する。
４．次に、得られた複合バンドをその両側においてエッチングして、無傷の銅表面を得る。
５．ここで、カウンタを１カウントする。カウンタが所定閾値より小さい場合、得られた構造体をＣＶＤ被覆設備に戻すことによりプロセスは工程１に進む。
６．カウンタが所定閾値に達した場合、銅／グラフェン複合バンドを、被覆及び圧延サイクルから取り出す。
【０１９３】
上述のプロセスサークルを、「ＣＷＨ−サークル」（被覆（ｃｏａｔｉｎｇ）、巻き（ｗｒａｐｐｉｎｇ）、熱間圧延（ｈｏｔ‐ｒｏｌｌｉｎｇ））と呼んでもよい。プロセスサークルにより、グラフェンの体積分率が図１の単層複合構造体１０に比較して著しく高い多層複合構造体を得ることができる。特に、プロセスサークルは、サークルの反復回数を選択することで、マトリックス内のグラフェンの体積分率を変えることができる。これにより、銅／グラフェン複合材料の導電性、熱伝導性、及び／又は機械的強度を所望の値に増加させる及び／又は調整することができる。
【０１９４】
図１４は、上述の技術を利用して多層複合構造体を形成するシステム５４の概略図である。
【０１９５】
システム５４は、銅箔２８等のシート５８を堆積ユニット６０に搬送するための搬送ユニット５６、例えば複数の従動搬送ロールを備える。
【０１９６】
堆積ユニット６０は、図７及び８を参照して説明した低温プラズマＣＶＤ装置３８、３８’を備え得るとともに、一対のグラフェン層１４ａ、１４ｂをシート５８の第１及び第２表面に堆積させて、図１及び２を参照して説明した複合構造体１０を有する被覆シート６２とする。
【０１９７】
一例において、堆積ユニット６０は、図５を参照して説明したように、堆積成長ゾーンの上流にアニーリングゾーン３０を提供するアニーリングユニットを備え得る。
【０１９８】
搬送ユニット５６は、被覆シート６２を堆積ユニット６０から巻きユニット６４に搬送して、被覆シート６２を巻いてロッド（棒状物）６６にする。巻きユニット６４は、被覆シートを巻くための任意の技術を採用できる。例えば、被覆シートを細い円筒状ロールに巻き付け、そしてロールを取り外す。
【０１９９】
得られたロッド６６を、図１６に概略的に示す。図１６から理解されるように、ロッド６６は、巻き付けられる又は丸められることで、図３を参照して説明したように２つのグラフェン層１４ａ、１４ｂが直接接触しているグラフェン二層（グラフェン二重層）構造体を含み、これにより、上述の有利な伝導性を全て有する。
【０２００】
更に図１４を参照すると、搬送ユニット５６は、ロッド６６を、巻きユニット６４の下流の圧縮ユニット６８に搬送し得る。圧縮ユニット６８は、ロッド６６を圧縮して圧縮シート７０にすることができる。
【０２０１】
例えば、圧縮ユニット６８は、図１７ａの正面図及び図１７ｂの側面図に概略的に示すように、圧延プレス、特に熱間圧延プレスであってもよい。
【０２０２】
図１７ａ及び１７ｂから理解されるように、熱間圧延プレス６８は、ずらして配置された複数のプレスユニット７２ａ、７２ｂ、７２ｃを備え得る。これにより、ロッド６６はプレスユニット７２ａ、７２ｃを連続的に搬送方向（図１７ａ、１７ｂの中央の矢印で示す）において通過することで薄型の長いバンド（帯状）等の圧縮シート７０に変わる。
【０２０３】
図１７ａ及び１７ｂは、ずらして配置された３つのプレスユニット７２ａ、２７ｂ、７２ｃを有する圧縮ユニット６８を示す。しかしながら、これは単に例示であり、別の構成において、圧縮ユニット６８は、これより多い又は少ない個数のプレスユニットを備え得る。
【０２０４】
圧縮ユニット６８は、圧縮中にロッド６６を加熱する加熱ユニット（図示せず）を更に備え得る。熱間圧延は、２つの有利な効果を提供し得る。すなわち、一方で、熱間圧延により、図９及び図１０を参照して説明したように、銅の粒径を増大させることで、粒子散乱を減少させて優れた電気伝導性が提供される。他方で、熱間圧延により、銅（１１１）の結晶方位が促進され得るため、銅表面と成長したグラフェン層との格子対応性が高まり、機械的特性が向上した多層複合構造体が提供される。
【０２０５】
粒成長を効果的に生じさせるためには、処理温度は銅の再結晶温度である約２２７℃より十分に高くなければならない。しかしながら、銅表面のいかなるナノクラックも回避すべく、一部の例においては、熱間圧延温度を６５０℃未満に選択する必要がある。特に、熱間圧延温度は、４５０℃乃至５５０℃において選択され得る。
【０２０６】
図１８ａ乃至１８ｃの連続図は、ロッド６６を断面概略図で示すとともに、ロッド６６が圧縮ユニット６８のプレスユニット７２ａ、７２ｂ、７２ｃを通って進むにつれて圧縮シート７０に変わっていく様子を示す。
【０２０７】
上記の技術は、グラフェン層が比較的「滑らか」であり、一般にあまり互いにくっつかないという事実を利用している。この理由は、グラフェンがその原子同士の水平方向（単層の面内）における強い共有結合を有しているが、面内方向に垂直な方向においては比較的弱いファンデルワールス力しか有さないため、隣接する層に垂直方向に機械的に付着しないということである。他方で、グラフェンの格子定数とＣｕ（１１１）原子間隔とが良好に対応しているため、グラフェン層は、これを成長させた銅表面に機械的に強く結合する。
【０２０８】
これらの理由により、グラフェン／銅層同士は互いに対して比較的容易に摺動することができるため、個々のグラフェン層１４ａ、１４ｂとこれらを成長させた銅表面１２との間の良好な機械的接続を犠牲にすることなく、丸い形状のロッド６６は平坦なバンド（帯状物）７０へと変化することができる。同時に、銅表面は、機械的に非常に堅牢なグラフェン被覆によって保護されるため、大きな塑性変形に際して銅はいかなる機械的応力をも受けない。図１８ｃの挿入図に示すように、図３を参照して説明した複合構造体１０を積層したものに対応する二層複合構造体（二重層複合構造体）２０が結果として得られる。
【０２０９】
図１８ｂ及び１８ｃから更に理解されるように、圧縮シート７０内の複数のグラフェン層は依然として互いに相互接続されている。これは、圧縮シート７０が、単一の巻かれたグラフェン層を有するロッド６６を圧縮することで得られるという事実による。このような接続により、面内方向に垂直な方向における電気伝導性が促進される。
【０２１０】
更に図１４を参照すると、システム５４は、移送ローラを備え得る戻し（バックフィード）ユニット７４を更に備えている。この目的は、図１３のサークル図を参照して説明したように、化学蒸着、巻き及び圧縮をもう一度行うために圧縮シート７０を堆積ユニット６０に戻すことである。
【０２１１】
図１５は、別の例による多層複合構造体を形成するためのシステム５４’の概略図である。システム５４’は、図１４を参照して説明したシステム５４と設計及び機能が類似しており、対応する部品には同一の参照符号を使用する。ただし、システム５４’は、図１５に破線で示す単数又は複数のオプションのユニットを備えている。
【０２１２】
特に、システム５４は、堆積ユニット６０の上流にエッチングユニット７６を備え得る。エッチングユニット７６は、シート５８の第１表面側、及び／又は第２表面側、及び／又は戻された圧縮シート７０を化学エッチングによりエッチングし、堆積ユニット６０におけるその後の堆積のために無傷の銅表面を提供するように使用され得る。
【０２１３】
例えば、エッチングユニット７６は、石英管炉を備え得る。石英管炉は、シート５８を、水素（７０容量−％）及びアルゴン（３０容量−％）のガス流に、４５０℃の範囲の温度においておよそ９０分間露出させ得る。これにより、シート５８の表面から表面汚染物質を効率的に除去することができる。
【０２１４】
図１５から更に理解されるように、システム５４は、代替的に又は追加的に、シート５８又は圧縮シート７０を、堆積ユニット６０をバイパス（迂回）させて送るように構成されたバイパスユニット７８を備え得る。
【０２１５】
特に、サークルプロセスが所望の反復回数に達した後、得られた多層圧縮シート７０を、戻しユニット７４により最後にもう一度サークルに戻してもよい。ただし、グラフェン被覆工程を飛ばす（省く）。特に、バイパスユニット７８は、圧縮シートを、堆積ユニット６０に通過させずに巻きユニット６４に送ってもよい。これにより、巻きユニット６４により生成される最終巻きロッド６６において、単一層がグラフェン層により分断しないことが保証され得る。特に、図１９乃至２４を参照して以下に更に説明するように、伸線システム（線引きシステム）８０での後続の伸線技術（線引き技術）において、層の融合が促進され得る。伸線システム８０での伸線（線引き）は、ロッド６６を、電気的、熱的及び機械的特性が強化されたワイヤ８２に変換するための最終工程であり得る。
【０２１６】
或いは、図１５に更に示すように、システム５４は、圧縮ユニット６８の下流にあるスライスユニット８４であって、最大反復数（最大繰り返し数）に達した後の最終プロセス工程において圧縮シート７０を長手方向にスライスして複数の細長い切片（細長いスライス片）８６にするように適合されたスライスユニット８４を備え得る。これにより、断面が長方形又は正方形のワイヤが提供され得る。
【０２１７】
伸線方法及びシステム
図１５を参照して説明したように、伸線技術を利用して、多層複合構造体２０を備える多層複合ロッド（多層複合棒状物）６６をワイヤに変えることができる。
【０２１８】
図１９は、一例による伸線方法（線引き方法）を示すフロー図である。
【０２１９】
第１工程Ｓ３０において、巻かれたシートを備えるロッド（棒状物）を準備する。シートは、複数の銅層と複数のグラフェン層とを備えている。
【０２２０】
第２工程Ｓ３２において、巻かれたシートの内層を引き出して螺旋体又は渦巻体を形成する。
【０２２１】
第３工程Ｓ３４において、螺旋体を送ってダイユニットの開口を通過させることによりワイヤを形成する。
【０２２２】
図２０は、図１９のフロー図に示される方法の工程を実施するように構成され得る対応する伸線システム８０の概略図である。
【０２２３】
伸線システム８０は、巻かれたシートの内層を引き出して螺旋を形成するように適合された引出ユニット８８を備える。シートは、複数の銅層と複数のグラフェン層とを備えている。
【０２２４】
特に、巻かれたシートは、図１８ａを参照して説明した多層複合構造体を備えたロッド６６であり得る。引出ユニット８８は、例えばロッド６６の最内層を把持して引っ張ることにより引き出して、図２１の斜視図に示す渦巻体又は螺旋体（螺旋状物）９０を形成するように適合され得る。螺旋体９０において、個々のグラフェン二層（グラフェン二重層）２２は、両側においてこれを成長させた銅基板に直接接続されている。これにより、ワイヤの体積分率が大幅に増加して伝導性が向上し、超高伝導性及び高電流容量の両方が提供される。
【０２２５】
図１５を参照して説明したように、螺旋体９０の巻線は、外側にグラフェン被覆を有さないことが有利であり得る。これは、グラフェン被覆により、巻線が互いに均一に融合することが妨げられることがあるからである。また、グラフェンを含まない表面は、得られたワイヤ８２を、はんだ付け、クランプ、クリンプ留め等によってソケットやプラグに接続するのに最適な条件を提供する。
【０２２６】
図２０を更に参照すると、伸線システム８０は、引出ユニット８８の下流に、螺旋体９０をダイユニット９４に供給するように適合された供給ユニット９２を更に備えている。ダイユニット９４は、螺旋体９０をワイヤ８２に変換する。
【０２２７】
或る例において、供給ユニット９２は、螺旋体９０をダイユニット９４に向けて押してこれを通過させる押しユニットを備え得る。
【０２２８】
或る例において、引出ユニットと供給ユニットとは別個のユニットである。
【０２２９】
別の例において、供給ユニットは、引出ユニットの一部であってもよい。例えば、供給ユニットが、螺旋体９０をダイユニット９４に向けて押してこれを通過させる押しユニットを備える構成において、押出力の結果として巻かれたシートの内層が押されて引き出され得る。
【０２３０】
図２２ａは、伸線システム９０で使用され得るダイユニット９４の概略側面図である。ダイユニット９４は、ずらして配置された複数のダイ９６ａ、９６ｂ、９６ｃを備える。ダイ９６ａ、９６ｂ、９６ｃのそれぞれは、各開口９８ａ、９８ｂ、９８ｃを備える。開口９８ａ、９８ｂ、９８ｃの直径又は表面積は、螺旋体９０がダイユニット９４を通過する搬送方向（図２２ａにおいて右方）において減少する。開口９８ａ、９８ｂ、９８ｃは、ワイヤ８２の所望の断面に応じて、円形又は楕円形の断面を有する開口であり得る。開口９８ａ、９８ｂ、９８ｃは、ロッド６６又は螺旋体９０の直径より小さい直径であって、巻かれた最内層より大きい直径を有し得るため、引張及び／又は押出力下でロッド６６及び螺旋体９０をワイヤへと順次変形させ得る。
【０２３１】
図２２ａは、ダイユニット９４の開口９８ａ、９８ｂ、９８ｃを介して螺旋体９０を引っ張る複数の引張ロール１０２ａ、１０２ｂを備える引張ユニット１００を更に示す。引張ユニット１００は、供給ユニット９２の一部を形成してもよいし、別部品であってもよい。
【０２３２】
図２２ｂから更に理解されるように、所望の外径及び形状を有するワイヤ８２を作製するように、引張ロール１０２ａ、１０２ｂはそれらの間に事前に選択可能な間隔を置いて伸ばされたワイヤの周りを回転又は周回するように構成され得る。
【０２３３】
図２２ａ及び２２ｂの構成では、螺旋体９０の搬送方向において直径が縮小する開口を持つ３つのダイ９６ａ、９６ｂ、９６ｃを有するダイユニット９４を示されている。しかしながら、一般に、ダイユニット９４は、ずらして配置された任意の個数のダイを備え得る。
【０２３４】
本開示による伸線技術は、図２３及び２４を参照して以下に説明するように、複合多層構造体の更なる伝導性の調整のために利用され得る。
【０２３５】
積層グラフェンは、内部に少なくとも２つのグラフェン単層１０４ａ、１０４ｂがそれらの間にねじり角度θを以て積層されており、独自の電気的、熱的及び磁気的特性を呈し得る。グラフェン単層１０４ａ、１０４ｂの互いに対する回転ねじれは、二層構造体（二重層構造体）の電気的特性に大きな影響を及ぼし得る。したがって、二層グラフェンフィルム（二重層グラフェンフィルム）同士のねじれ角θを制御することにより、所定の積層配向を有するねじれた二層グラフェンフィルムを調製することができ、これにより、それらの電気的、熱的及び磁気的特性の調節及び微調整が可能となる。
【０２３６】
図２３ａ乃至２３ｃは、二層グラフェン（二重層グラフェン）における３つの異なる基本積層モードを示す。
【０２３７】
ＡＢ積層（ベルナール積層とも称する）を図２３ａに示す。第２グラフェン層１０４ｂが、第１グラフェン層１０４ａの六角形に対して六角形リング構造の直径の半分だけ変位している。これにより、ねじれのない平行シフトとなっている。
【０２３８】
図２３ｂは、いわゆるＡＡ積層（非ベルナール積層とも称する）を概略的に示す。２つの層１０４ａ、１０４ｂの六角形が、互いの頂点でちょうど重なっている（シフトなし、ねじれなし）。
【０２３９】
図２３ｃは、ＡＡ’積層を示す。これは、ＡＡ積層に類似しているが、２つの層１０４ａ、１０４ｂの結晶軸が、互いに対して０°乃至６０°の角度θだけねじれている（シフトなし、ねじれ角θ）。
【０２４０】
θ＝６０°の角度で層をねじることにより、図２４ａ及び２４ｂに示すＡＢ構成をＡＡ構成に変えることができ、その逆も同様である。
【０２４１】
積層された銅グラフェン二層複合材料（銅グラフェン二重層複合材料）、具体的にはワイヤ８２の電気的、熱的及び磁気的特性を制御するために、層１０４ａ、１０４ｂ間のねじれ角θを、開口９８ａ、９８ｂ、９８ｃが螺旋体９０の送り方向に対して非ゼロの傾斜角を有するダイユニット９４により調整してもよい。
【０２４２】
図２２ａに示すように、主ねじれ角θは、ダイユニット９４の開口９８ａ、９８ｂ、９８ｃの傾斜角によって決定され得る。異なる開口９８ａ、９８ｂ、９８ｃは、螺旋体９０の送り方向に対して異なる傾斜角を有し得る。これにより、螺旋体９０の個々の層間のねじれ角の変更や微調整がもたらされ得る。
【０２４３】
実施形態及び図面に関する記載は、単に本開示の技術を例示するものであり、限定を意味すると理解されるべきではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲に基づいて決定されるべきである。
【０２４４】
本明細書に引用される出版物、特許出願、及び特許を含むすべての参考文献は、各参考文献が個別に及び具体的に参照により指示されて組み込まれ、且つその全体が本明細書に記載されたのと同じ程度に、参照により本明細書に組み込まれる。
【０２４５】
本発明を説明する文脈における（特に以下の特許請求の範囲の文脈における）「１つの」、「前記」及び「少なくとも１つの」という用語及び類似の指示語の使用は、本明細書で特に明記しない限り又は文脈により明らかに矛盾しない限り、単数又は複数の両方をカバーするものであると解釈されたい。単数又は複数のアイテムのリストが続く「少なくとも１つの」という用語（例えば、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」）の使用は、本明細書で特に明記しない限り又は文脈により明らかに矛盾しない限り、リストされたアイテムのうちから選択された１つのアイテム（Ａ又はＢ）、又はリストされたアイテムの２つ以上の任意の組み合わせ（Ａ及びＢ）を意味するものであると解釈されたい。「備える」、「有する」、「含む」、及び「持つ」という用語は、特に明記のない限り、制限の無い用語（すなわち、「含むが、これに限定されない」）と解釈されるべきである。本明細書における値の範囲の記載は、本明細書で特に明記しない限り、当該範囲に該当する個々の値を個別に参照する略記法として機能することのみが意図され、各個別の値は、本明細書で個別に引用されたかのごとく明細書に組み込まれる。本明細書に記載された全ての方法は、本明細書で特に明記しない限り又は文脈により明らかに矛盾しない限り、任意の適切な順序で実施され得る。本明細書に記載される全ての例、又は例示を示す言葉（例えば、「等」）は、本発明をより良く説明することをのみを意図し、特に断りのない限り、本発明の範囲を限定するものではない。明細書における言葉は、クレームされていない要素が本発明の実施に不可欠であると解釈されるべきではない。
【０２４６】
発明者が知る本発明を実施するための最良の形態を含む本発明の好適な実施形態が明細書に記載される。これらの好適な実施形態の変形例は、以上の説明を読むことにより当業者には明らかであろう。発明者は、当業者がこのような変形例を適切に利用することを期待する。また、発明者は、本発明が本明細書に詳細に記載された以外の方法で実施されることを意図する。したがって、本発明は適用法で認められるように、本明細書に添付された特許請求の範囲に記載された主題の全ての変形例及び同等例を含む。更に、想定される変形例における上述の要素の任意の組み合わせは、本明細書で特に明記しない限り又は文脈により明らかに矛盾しない限り、本明細書に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７ａ】
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【図１７ｂ】
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【図１８ａ】
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【図１８ｂ】
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【図１８ｃ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２ａ】
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【図２２ｂ】
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【図２３ａ】
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【図２３ｂ】
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【図２３ｃ】
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【図２４ａ】
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【図２４ｂ】
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【国際調査報告】
2020532433.tif 000034
2020532433.tif 000035