(57)【要約】  ＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法であって、ガラス基板を提供するステップＳ１０と、ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造するステップＳ２０と、第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造するステップＳ３０であって、前記ステップＳ３０は、第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造するステップＳ３０１と、イオン注入法によって、前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入し、酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成するステップＳ３０２とを含むステップＳ３０とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法であって、
ガラス基板を提供するステップＳ１０と、
前記ステップＳ１０は、
前記ガラス基板の表面でフォトレジスト層を製造するステップＳ１０１を含み、
前記ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造するステップＳ２０と、
前記第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造するステップＳ３０と、
前記ステップＳ３０は、
前記第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造するステップＳ３０１と、
イオン注入法によって前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入し、酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成するステップＳ３０２と、を含み、
前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造するステップＳ４０と、を含むＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法。
【請求項２】
前記ステップＳ３０２において、チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少している請求項１に記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項３】
前記ステップＳ３０２において、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である請求項２に記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項４】
前記ステップＳ４０の後に、
前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層を製造するステップＳ５０をさらに含む請求項１に記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項５】
前記ステップＳ５０の後に、
前記ガラス基板をレーザにより剥離するステップＳ６０をさらに含む請求項４に記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項６】
ＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法であって、
ガラス基板を提供するステップＳ１０と、
前記ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造するステップＳ２０と、
前記第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造するステップＳ３０と、
前記ステップＳ３０は、
前記第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造するステップＳ３０１と、
イオン注入法によって前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入し、酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成するステップＳ３０２と、を含み、
前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造するステップＳ４０と、を含むＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法。
【請求項７】
前記ステップＳ３０２において、チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少している請求項６に記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項８】
前記ステップＳ３０２において、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である請求項７に記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項９】
前記ステップＳ４０の後に、
前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層を製造するステップＳ５０をさらに含む請求項６に記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ステップＳ５０の後に、
前記ガラス基板をレーザにより剥離するステップＳ６０をさらに含む請求項９に記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項１１】
第１ポリイミド層と、
前記第１ポリイミド層の表面で製造されるバッファ層と、を含み、
前記バッファ層は、
前記第１ポリイミド層の表面で製造された酸化シリコン層であって、前記酸化シリコン層内にチタンイオンが注入される酸化シリコン層と、
前記バッファ層の表面で製造された多結晶シリコン層と、を含む請求項６に記載の製造方法により製造されるフレキシブル基板。
【請求項１２】
チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少している請求項１１に記載のフレキシブル基板。
【請求項１３】
前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である請求項１２に記載のフレキシブル基板。
【請求項１４】
前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層が製造されている請求項１１に記載のフレキシブル基板。
【請求項１５】
前記バッファ層の膜厚は、前記第１ポリイミド層の膜厚の約３倍である請求項１１に記載のフレキシブル基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示技術分野に関し、特にＧＯＡ回路及び前記ＧＯＡ回路を有する液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとも呼ばれるＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ，有機発光ダイオード）ディスプレイは、新興のフラットパネル表示装置であり、製造工程が簡単で、コストが低く、消費電力が低く、発光輝度が高く、動作温度の適応範囲が広く、体積が軽量で薄く、応答速度が速く、カラー表示及び大画面表示が容易であり、集積回路ドライバとのマッチングが容易であり、フレキシブルディスプレイが容易であるなどの利点を有するため、広い将来性を有し、最近、フレキシブルＯＬＥＤパネルが有機発光素子の重要な研究方向となり、パネルの可撓性を実現するために、従来のガラス基板の代わりにフレキシブル基板を選択している。
【０００３】
フレキシブルＯＬＥＤパネルはパネル開発の新しい方向になり、次世代のフレキシブルＯＬＥＤパネルはフレキシブルＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ポリイミド）を基板とし、これはＰＩが高い性能を持たせるように求められ、ＰＩの欠陥をできるだけ減らし、フレキシブルＯＬＥＤパネルの製造歩留まりを向上させるため、ＯＬＥＤパネルの製造過程でＰＩのダメージを減らすべきである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、フレキシブルＯＬＥＤパネルの製造工程において、レーザアニール及びガラス基板をレーザにより剥離する際に、ＰＩに一定のダメージを与えることになり、ひいてはＰＩのボイド破れ現象が起こることがある。
【０００５】
製造工程におけるレーザによるＰＩへのダメージを低減するために、従来から該問題を解消するために、Ｂｕｆｆｅｒ（バッファ）層を用い、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）は、ガラス基板におけるＡｌ／Ｂａ／Ｎａ（アルミニウム／バリウム／ナトリウム）などのイオンがＰＩへの拡散をバリアし、漏れ電流を低減し、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）は、保温効果が優れており、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）の結晶化過程における熱の逃げを低減し、大きな結晶粒の製造に有利であり、ＳｉＮｘはイオンを遮断する能力が強くてガラスとの接触応力が小さく、ＳｉＯｘは多結晶シリコンとの界面濡れ角が良いため、ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘの積層方式を用いる。しかし、フレキシブルＯＬＥＤパネルの基板において、ＳｉＮｘ層がガラス基板に直接接触していないため、その作用効果が絶縁バッファ作用に限られる。ＳｉＯｘはＥＬＡ（レーザアニール）過程での保温効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージになりやすい。
【０００６】
以上のようにして、従来技術のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板のバッファ層は、ＰＩ層への保護効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージを引き起こしやすく、さらにＯＬＥＤ表示パネルの品質に影響を与えてしまう。
【０００７】
本発明は、従来技術のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板のバッファ層は、ＰＩ層への保護効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージを引き起こしやすく、さらにＯＬＥＤ表示パネルの品質に影響を与えてしまう問題を解消するために、ＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法を提供している。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の技術的課題を解決するために、本発明は下記の技術的手段を提供する。
【０００９】
本発明は、ＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法を提供し、前記方法はステップＳ１０〜ステップＳ４０を含む。
【００１０】
ステップＳ１０：ガラス基板を提供する。
【００１１】
前記ステップＳ１０はステップＳ１０１を含む。
【００１２】
ステップＳ１０１：前記ガラス基板の表面でフォトレジスト層を製造する。
【００１３】
ステップＳ２０：前記ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造する。
【００１４】
ステップＳ３０：前記第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造する。
【００１５】
前記ステップＳ３０はステップＳ３０１及びステップＳ３０２を含む。
【００１６】
ステップＳ３０１：前記第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造する。
【００１７】
ステップＳ３０２：イオン注入法によって前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入し、
酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成する。
【００１８】
ステップＳ４０：前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造する。
【００１９】
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ３０２において、前記チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少している。
【００２０】
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ３０２において、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である。
【００２１】
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ４０の後に、ステップＳ５０をさらに含む。
【００２２】
ステップＳ５０：前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層を製造する。
【００２３】
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ５０の後に、ステップＳ６０をさらに含む。
【００２４】
ステップＳ６０：前記ガラス基板をレーザにより剥離する。
【００２５】
本発明は、他のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法をさらに提供し、前記方法はステップＳ１０〜ステップＳ４０を含む。
【００２６】
ステップＳ１０：ガラス基板を提供する。
【００２７】
ステップＳ２０：前記ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造する。
【００２８】
ステップＳ３０：前記第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造する。
【００２９】
前記ステップＳ３０はステップＳ３０１及びステップＳ３０２を含む。
【００３０】
ステップＳ３０１：前記第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造する。
【００３１】
ステップＳ３０２：イオン注入法によって前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入し、
【００３２】
酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成する。
【００３３】
ステップＳ４０：前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造する。
【００３４】
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ３０２において、前記チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少している。
【００３５】
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ３０２において、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である。
【００３６】
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ４０の後に、ステップＳ５０をさらに含む。
【００３７】
ステップＳ５０：前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層を製造する。
【００３８】
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ５０の後に、ステップＳ６０をさらに含む。
【００３９】
ステップＳ６０：前記ガラス基板をレーザにより剥離する。
【００４０】
本発明の上記の目的によると、上記の製造方法により製造されたフレキシブル基板を提供し、前記フレキシブル基板は、
第１ポリイミド層と、
前記第１ポリイミド層の表面で製造されたバッファ層とを含み、前記バッファ層は、
前記第１ポリイミド層の表面で製造された酸化シリコン層であって、
前記酸化シリコン層内にチタンイオンが注入される酸化シリコン層と、
前記バッファ層の表面で製造された多結晶シリコン層とを含む。
【００４１】
本発明の好ましい実施例によると、前記チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少している。
【００４２】
本発明の好ましい実施例によると、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である。
【００４３】
本発明の好ましい実施例によると、前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層が製造されている。
【００４４】
本発明の好ましい実施例によると、前記バッファ層の膜厚は、前記第１ポリイミド層の膜厚の約３倍である。
【発明の効果】
【００４５】
本発明の有益な効果は以下の通りであり、従来のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板に比べて、本発明に係るＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板は、バッファ層が紫外レーザ光の吸収量を増加させ、紫外レーザ光の透過率を低下させ、レーザアニールによるＰＩ層へのダメージを減少させ、製品歩留まりを向上させ、従来技術のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板のバッファ層は、ＰＩ層への保護効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージを引き起こしやすく、さらにＯＬＥＤ表示パネルの品質に影響を与えてしまう問題を解消している。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
以下、実施例又は従来技術における技術的手段をより明確に説明するために、実施例又は従来技術の説明に使用する添付図面を簡単に説明するが、以下の説明における添付図面は、本発明のいくつかの実施例に過ぎなく、当業者にとっては創造的努力なしにこれらの図面から他の図面を導き出すこともできることは明らかである。
【図１】図１は、本発明のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明の製造方法により製造されたフレキシブル基板の構造概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下、本発明を実施するための特定の実施例を例示するために、添付されている図面を参照して各実施例を説明する。［上］、［下］、［前］、［後］、［左］、［右］、［内］、［外］、「側面］などの本発明で言及される方向の用語は、単に添付図面を参照する方向に過ぎない。従って、方向の用語は、本発明を説明して理解するために使用され、本発明を限定するためのものではない。図面において、構造的に同様の要素は同じ符号で示されている。
【００４８】
本発明は、従来のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板のバッファ層は、ＰＩ層への保護効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージを引き起こしやすく、さらにＯＬＥＤ表示パネルの品質に影響を与えてしまう欠陥について、本実施例により解決することができる。
【００４９】
図１に示すように、本発明に係るＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法はステップＳ１０〜ステップＳ４０を含む。
【００５０】
ステップＳ１０：ガラス基板を提供する。
【００５１】
ステップＳ２０：前記ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造する。
【００５２】
ステップＳ３０：前記第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造する。さらに、前記ステップＳ３０は、前記第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造するステップＳ３０１と、イオン注入法によって、前記酸化シリコン層にチタンイオン注入を行い、酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成するステップＳ３０２とを含む。
【００５３】
ステップＳ４０：前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造する。
【００５４】
前記ステップＳ２０において、前記第１ポリイミド層は、前記フレキシブル基板及びＯＬＥＤ表示パネルの保護層として高い屈曲性及び耐衝撃性を有する。
【００５５】
前記ステップＳ３０で製造されたバッファ層は、ＯＬＥＤ表示パネルがレーザアニール工程において、紫外レーザ光の透過率を低下させ、さらに紫外レーザ光による前記第１ポリイミド層へのダメージを減少させることができ、また、前記フレキシブル基板の製造が完了した後、前記フレキシブル基板の表面でＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層及びＯＬＥＤ発光層を製造し、ＯＬＥＤ表示パネルの製造が完了した後、紫外レーザ光によりステップＳ１０で提供されたガラス基板を剥離し、この場合に、前記バッファ層は紫外レーザ光の透過率を低下させ、紫外レーザ光が前記フレキシブル基板を透過して前記ＴＦＴ層にダメージを与えることを防止する。
【００５６】
例えば、前記ステップＳ１０の後に、前記ガラス基板の表面でフォトレジスト層を製造するステップＳ１０１をさらに含み、前記第１ポリイミド層が前記フォトレジスト層の表面で製造されている。前記フォトレジスト層は、紫外レーザ光により前記ガラス基板を剥離する際に、紫外レーザ光がガラス基板を透過して前記第１ポリイミド層に与えるダメージを防止することができ、前記ガラス基板の剥離が完了した後に、前記フォトレジスト層を剥離する。
【００５７】
前記ステップＳ３０１において、前記第１ポリイミド層の表面で厚い酸化シリコン層を製造し、前記酸化シリコン層が優れた保温効果を有し、前記ステップＳ４０における多結晶シリコンの結晶化過程における熱の逃げを低減し、大きな結晶粒の製造に有利である。
【００５８】
前記ステップＳ３０２において、イオン注入法によって、前記酸化シリコン層にチタンイオン注入を行い、酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成する。酸化チタンの結晶粒径をナノメートルオーダーの範囲に制御することは、紫外光に対するバリア効果が大きい。
【００５９】
イオン注入装置により前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入する際に、イオンビームのエネルギーを制御することにより、イオン注入の横方向の面積及び注入深さを制御する。イオンビームを制御することにより、前記チタンイオンは横方向の分布において、分布範囲が前記酸化シリコン層の範囲に限りなく近く、前記チタンイオンは縦方向の分布において、チタンイオンの濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少し、さらに前記酸化シリコン層の導電性の可能性が低減される。
【００６０】
前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０であり、前記酸化シリコン層内には、前記酸化シリコン層内の前記第１ポリイミド層に近い位置に位置するノンドープ領域が含まれ、前記ノンドープ領域にはチタンイオンが注入されておらず、前記ノンドープ領域は、酸化チタンが前記酸化シリコン層の絶縁効果に影響を与えることを防止するように分離領域として機能する。
【００６１】
前記ステップＳ４０において、前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造し、前記多結晶シリコン層がアモルファスシリコンに換えられても良い。
【００６２】
前記ステップＳ４０の後に、前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層を製造するステップＳ５０をさらに含み、前記第２ポリイミド層は、前記第２ポリイミド層と共に前記フレキシブル基板の保護層とし 、前記ステップＳ４０における前記多結晶シリコン層は、前記第２ポリイミド層と前記バッファ層との接着層として用いられる。
【００６３】
前記ステップＳ５０の後に、前記ガラス基板をレーザにより剥離して屈曲可能な前記フレキシブル基板を形成するステップＳ６０をさらに含み、前記ステップＳ５０の後で前記ステップＳ６０の前に、前記第２ポリイミド層の表面でＴＦＴ層を製造するステップＳ５０１と、前記ＴＦＴ層の表面でＯＬＥＤ発光層を製造するステップＳ５０２とをさらに含む。
【００６４】
本発明の上記の目的によると、上記の製造方法により製造されたフレキシブル基板を提供し、図２に示すように、前記フレキシブル基板は、第１ポリイミド層１０１と、前記第１ポリイミド層１０１の表面で製造されたバッファ層１０２とを含み、前記バッファ層１０２は、前記第１ポリイミド層１０１の表面で製造された酸化シリコン層１０２１であって、前記酸化シリコン層１０２１内にチタンイオン１０２２が注入された酸化シリコン層１０２１と、前記バッファ層１０２の表面で製造された多結晶シリコン層１０３とを含む。
【００６５】
本発明の好ましい実施例によると、前記チタンイオン１０２２濃度分布は、前記酸化シリコン層１０２１の前記第１ポリイミド層１０１から遠い側から前記酸化シリコン層１０２１の前記第１ポリイミド層１０１に近い側にかけて徐々に減少している。
【００６６】
本発明の好ましい実施例によると、前記酸化シリコン層１０２１の前記第１ポリイミド層１０１に近い側のチタンイオン１０２２の相対含有量が０であり、前記酸化シリコン層１０２１内には、前記酸化シリコン層１０２１の前記第１ポリイミド層１０１に近接した位置に位置するノンドープ領域１０４が含まれており、前記ノンドープ領域１０４にはチタンイオン１０２２が注入されておらず、前記ノンドープ領域１０４は、酸化チタンが前記酸化シリコン層１０２１の絶縁効果に影響を与えることを防止するように分離領域として機能する。
【００６７】
本発明の好ましい実施例によると、前記多結晶シリコン層１０３の表面で第２ポリイミド層が製造されている。
【００６８】
本発明の好ましい実施例によると、前記バッファ層１０２の膜厚は、前記第１ポリイミド層１０１の膜厚の約３倍である。
【００６９】
この好ましい実施例のフレキシブル基板は、上記の好ましい実施例のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法によって製造されてなるが、具体的な原理は上記の好ましい実施例の製造方法と同一であるので、ここではその説明を省略する。
【００７０】
本発明の有益な効果は以下の通りであり、従来のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板に比べて、本発明に係るＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板は、バッファ層が紫外レーザ光の吸収量を増加させ、紫外レーザ光の透過率を低下させ、レーザアニールによるＰＩ層へのダメージを減少させ、製品歩留まりを向上させ、従来技術のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板のバッファ層は、ＰＩ層への保護効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージを引き起こしやすく、さらにＯＬＥＤ表示パネルの品質に影響を与えてしまう問題を解消している。
【００７１】
以上、本発明は、好ましい実施例を参照して説明したが、上述した好ましい実施例は、本発明を制限するためのものではなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲を逸脱しない限り、様々な変更や修飾を加えることができ、したがって、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって準じされる。
【図１】
2020529045.tif 000003
【図２】
2020529045.tif 000004
【国際調査報告】
2020529045.tif 000005
2020529045.tif 000006
2020529045.tif 000007
2020529045.tif 000008
2020529045.tif 000009