(57)【要約】  本発明によれば、ＯＬＥＤ背板の製造方法が提供される。この方法によれば、第１酸化物半導体層、第２酸化物半導体層及び第３酸化物半導体層を順に積層することで、薄膜トランジスタのソース層を取得し、第１酸化物半導体層及び第３酸化物半導体層を積層する際に導入されるアルゴン及び酸素の流量比を、第２酸化物半導体層を積層する際に導入されるアルゴン及び酸素の流量比よりも大きくすることで、第１酸化物半導体層及び第３酸化物半導体層の酸素含有量を、第２酸化物半導体層の酸素含有量よりも大きくさせ、薄膜ドランジスタ機器のソース層の導電性及び安定性を向上させるとともに、界面欠陥を減少させることができる。【選択図】図１２
2020532877.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤ背板の製造方法であって、
緩衝層が形成されるベース基板を提供するステップＳ１と、
第１酸化物半導体層を前記緩衝層に積層するとともに、流量比が第１比例値であるアルゴン及び酸素を導入するステップＳ２と、
第２酸化物半導体層を前記第１酸化物半導体層に積層するとともに、流量比が第２比例値である前記アルゴン及び前記酸素を導入するステップＳ３と、
第３酸化物半導体層を前記第２酸化物半導体層に積層するとともに、流量比が第３比例値である前記アルゴン及び前記酸素を導入することにより、前記第１酸化物半導体層、前記第２酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層を含むソース層を取得するステップＳ４と、
前記ソース層にゲート電極絶縁層及び前記ゲート電極絶縁層に位置するゲート電極を形成するステップＳ５と、
前記ソース層、前記ゲート電極及び前記ゲート電極絶縁層に層間絶縁層を覆わせるステップＳ６と、
前記層間絶縁層にソース電極とドレイン電極を形成するステップＳ７と、を有する、
前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも前記第２比例値より大きい、ＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項２】
前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも４：１から２：１であり、
前記第２比例値は、２０：１から１０：１である、請求項１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項３】
前記第１酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層の厚みは、５０から１００Åであり、
前記第２酸化物半導体層の厚みは、２００から８００Åである、請求項１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項４】
前記第１酸化物半導体層、前記第２酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層の材料は、いずれもＩＧＺＯであり、
前記緩衝層及び前記ゲート電極絶縁層の材料は、いずれも酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの一方又は両方の組み合わせである、請求項１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項５】
前記ステップＳ１は、前記ベース基板と前記緩衝層との間に前記ソース層を遮蔽する遮光層を形成することを有する、請求項１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項６】
前記ステップＳ５は、
前記ソース層及び前記緩衝層にゲート電極絶縁薄膜を積層し、前記ゲート電極絶縁薄膜にゲート電極金属薄膜を積層することと、
前記ゲート電極金属薄膜をフォトマスクプロセスによりパターニングすることで、前記ゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極絶縁薄膜へのエッチングを前記ゲート電極により遮蔽することで、前記ゲート電極絶縁層を形成することと、を有する、請求項１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項７】
前記ステップＳ５において、前記ソース層の中央を前記ゲート電極及び前記ゲート電極絶縁層により覆うことで、前記ソース層の両端を露出させ、
前記ステップＳ５と前記ステップＳ６との間には、前記ソース層の両端の抵抗が低下するように前記ソース層に対しプラズマ処理を行うことで、Ｎ＋導体層を形成するステップをさらに有する、請求項１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項８】
前記ステップＳ６は、前記層間絶縁層をパターニングすることにより、前記ソース層の両端をそれぞれ露出させる第１貫通孔及び第２貫通孔を形成することを有し、
前記ステップＳ７において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極をそれぞれ前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に貫通させることにより、前記ソース層の両端に接触させる、請求項１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項９】
前記層間絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極に不動態化層を積層してから、前記不動態化層をパターニングすることにより、前記ドレイン電極を露出させる第３貫通孔を形成するステップＳ８と、
前記第３貫通孔を貫通させて前記ドレイン電極に接触させる第１電極を前記不動態化層に形成するステップＳ９と、
前記第１電極及び前記不動態化層に画素定義層を形成してから、前記画素定義層をパターニングすることにより、前記第１電極を露出させる画素定義溝を形成するステップＳ１０と、
前記画素定義溝に有機発光層を形成してから、前記画素定義溝及び有機発光層に第２電極を形成するステップＳ１１と、をさらに有する、請求項１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１電極は、透明電極であり、
前記第２電極は、反射電極である、請求項９に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項１１】
ＯＬＥＤ背板の製造方法であって、
緩衝層が形成されるベース基板を提供するステップＳ１と、
第１酸化物半導体層を前記緩衝層に積層するとともに、流量比が第１比例値であるアルゴン及び酸素を導入するステップＳ２と、
第２酸化物半導体層を前記第１酸化物半導体層に積層するとともに、流量比が第２比例値である前記アルゴン及び前記酸素を導入するステップＳ３と、
第３酸化物半導体層を前記第２酸化物半導体層に積層するとともに、流量比が第３比例値である前記アルゴン及び前記酸素を導入することにより、前記第１酸化物半導体層、前記第２酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層を含むソース層を取得するステップＳ４と、
前記ソース層にゲート電極絶縁層及び前記ゲート電極絶縁層に位置するゲート電極を形成するステップＳ５と、
前記ソース層、前記ゲート電極及び前記ゲート電極絶縁層に層間絶縁層を覆わせるステップＳ６と、
前記層間絶縁層にソース電極とドレイン電極を形成するステップＳ７と、を有する、
前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも前記第２比例値より大きく、
前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも４：１から２：１であり、
前記第２比例値は、２０：１から１０：１であり、
前記第１酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層の厚みは、５０から１００Åであり、
前記第２酸化物半導体層の厚みは、２００から８００Åであり、
前記第１酸化物半導体層、前記第２酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層の材料は、いずれもＩＧＺＯであり、
前記緩衝層及び前記ゲート電極絶縁層の材料は、いずれも酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの一方又は両方の組み合わせであり、
前記ステップＳ１は、前記ベース基板と前記緩衝層との間に前記ソース層を遮蔽する遮光層を形成することを有し、
前記ステップＳ５は、
前記ソース層及び前記緩衝層にゲート電極絶縁薄膜を積層し、前記ゲート電極絶縁薄膜にゲート電極金属薄膜を積層することと、
前記ゲート電極金属薄膜をフォトマスクプロセスによりパターニングすることで、前記ゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極絶縁薄膜へのエッチングを前記ゲート電極により遮蔽することで、前記ゲート電極絶縁層を形成することと、を有する、ＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項１２】
前記ステップＳ５において、前記ソース層の中央を前記ゲート電極及び前記ゲート電極絶縁層により覆うことで、前記ソース層の両端を露出させ、
前記ステップＳ５と前記ステップＳ６との間には、前記ソース層の両端の抵抗が低下するように前記ソース層に対しプラズマ処理を行うことで、Ｎ＋導体層を形成するステップをさらに有する、請求項１１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項１３】
前記ステップＳ６は、前記層間絶縁層をパターニングすることにより、前記ソース層の両端をそれぞれ露出させる第１貫通孔及び第２貫通孔を形成することを有し、
前記ステップＳ７において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極をそれぞれ前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に貫通させることにより、前記ソース層の両端に接触させる、請求項１１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項１４】
前記層間絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極に不動態化層を積層してから、前記不動態化層をパターニングすることにより、前記ドレイン電極を露出させる第３貫通孔を形成するステップＳ８と、
前記第３貫通孔を貫通させて前記ドレイン電極に接触させる第１電極を前記不動態化層に形成するステップＳ９と、
前記第１電極及び前記不動態化層に画素定義層を形成してから、前記画素定義層をパターニングすることにより、前記第１電極を露出させる画素定義溝を形成するステップＳ１０と、
前記画素定義溝に有機発光層を形成してから、前記画素定義溝及び有機発光層に第２電極を形成するステップＳ１１と、をさらに有する、請求項１１に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１電極は、透明電極であり、
前記第２電極は、反射電極である、請求項１４に記載のＯＬＥＤ背板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示技術領域に関し、特にＯＬＥＤ背板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面表示機器は、薄型、省エネ及び無輻射等の点に優れており、幅広く応用されている。従来の平面表示機器は、主に液晶表示機器（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）及び有機発光ダイオード表示機器（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ，ＯＬＥＤ）を含む。
【０００３】
有機発光ダイオード表示機器は、自発発光、バック光源を必要とせず、コントラストが高く、厚みが薄く、視野が広く、応答速度が速く、可撓性パネルに用いることが可能であり、使用温度範囲が広く、構造及び製造プロセスが簡易である等の点に優れた特性を有するため、次世代の平面ディスプレイの応用技術として認定されている。ＯＬＥＤ表示装置は、通常、基板、基板に設けられる陽極、陽極に設けられる有機発光層、及び有機発光層に設けられる陰極を備える。そして、作動時に陽極からの正孔及び陰極からの電子が有機発光層に発射する。これらの電子及び正孔を組み合わせて励起電子−正孔対を生じ、励起電子−正孔対を励起状態から基底状態に変換させることにより、ＯＬＥＤ表示装置が発光される。
【０００４】
ＯＬＥＤ表示装置は、駆動方式に従って、パッシブマトリックスＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ，ＰＭＯＬＥＤ）及びアクティブマトリックスＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ，ＡＭＯＬＥＤ）の二種類、すなわち、ダイレクトアドレッシング及び薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）マトリックスアドレッシングの二種類に分類される。ここでは、ＡＭＯＬＥＤは、アレイに配列される画素を有し、自発表示型に属するため、発光効能が高く、性能に優れている。
【０００５】
従来技術によく用いられる薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜トランジスタ、低温ポリシリコン（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−ｓｉｌｉｃｏｎ，ＬＴＰＳ）薄膜トランジスタ及び酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）薄膜トランジスタを含む。酸化物半導体薄膜トランジスタは、高い電子遷移率を有し、かつ、低温ポリシリコン薄膜トランジスタに比べ酸化物半導体薄膜トランジスタの製造プロセスが簡易であり、アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造プロセスとの適合性が高いため、幅広く応用されている。
【０００６】
酸化物半導体薄膜トランジスタでは、ソース層（すなわち、酸化物半導体層）のうちの酸素含有量は、機器の特性に大きく影響している。現在、酸化物半導体薄膜トランジスタにおけるソース層は、一般的に単一の膜層の設計を用いており、このような単一膜層であるソース層は、一回の積層によって形成される。積層を行う際に酸素流量が大きくなると、ソース層の酸素含有量が高くなりすぎることにより、導電性が悪くなり、機器の遷移率が低下する。一方、積層を行う際に酸素流量が小さくなると、ソース層の酸素含有量が低くなりすぎて、酸素空孔が多くなりすぎることにより、ソース層と緩衝層との接触界面及びソース層とゲート電極絶縁層との接触界面における界面欠陥が増加してしまい、機器の安定性が悪くなる。
【発明の概要】
【０００７】
本発明は、薄膜トランジスタ機器のソース層の導電性を向上させるとともに、界面欠陥を減少することにより薄膜トランジスタ機器の安定性を向上させることができるＯＬＥＤ背板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
上記の目的を実現するために、本発明のある態様によれば、
緩衝層が形成されるベース基板を提供するステップＳ１と、
第１酸化物半導体層を前記緩衝層に積層するとともに、流量比が第１比例値であるアルゴン及び酸素を導入するステップＳ２と、
第２酸化物半導体層を前記第１酸化物半導体層に積層するとともに、流量比が第２比例値である前記アルゴン及び前記酸素を導入するステップＳ３と、
第３酸化物半導体層を前記第２酸化物半導体層に積層するとともに、流量比が第３比例値である前記アルゴン及び前記酸素を導入することにより、前記第１酸化物半導体層、前記第２酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層を含むソース層を取得するステップＳ４と、
前記ソース層にゲート電極絶縁層及び前記ゲート電極絶縁層に位置するゲート電極を形成するステップＳ５と、
前記ソース層、前記ゲート電極及び前記ゲート電極絶縁層に層間絶縁層を覆わせるステップＳ６と、
前記層間絶縁層にソース電極とドレイン電極を形成するステップＳ７と、を有する、
前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも前記第２比例値より大きい、ＯＬＥＤ背板の製造方法が提供される。
【０００９】
前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも４：１から２：１であり、前記第２比例値は、２０：１から１０：１である。
【００１０】
前記第１酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層の厚みは、５０から１００Åであり、前記第２酸化物半導体層の厚みは、２００から８００Åである。
【００１１】
前記第１酸化物半導体層、前記第２酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層の材料は、いずれもＩＧＺＯ（登録商標）であり、前記緩衝層及び前記ゲート電極絶縁層の材料は、いずれも酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの一方又は両方の組み合わせである。
【００１２】
前記ステップＳ１は、前記ベース基板と前記緩衝層との間に前記ソース層を遮蔽する遮光層を形成することを有する。
【００１３】
前記ステップＳ５は、
前記ソース層及び前記緩衝層にゲート電極絶縁薄膜を積層し、前記ゲート電極絶縁薄膜にゲート電極金属薄膜を積層することと、
前記ゲート電極金属薄膜をフォトマスクプロセスによりパターニングすることで、前記ゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極絶縁薄膜へのエッチングを前記ゲート電極により遮蔽することで、前記ゲート電極絶縁層を形成することと、を有する。
【００１４】
前記ステップＳ５において、前記ソース層の中央を前記ゲート電極及び前記ゲート電極絶縁層により覆うことで、前記ソース層の両端を露出させ、
前記ステップＳ５と前記ステップＳ６との間には、前記ソース層の両端の抵抗が低下するように前記ソース層に対しプラズマ処理を行うことで、Ｎ＋導体層を形成するステップをさらに有する。
【００１５】
前記ステップＳ６は、前記層間絶縁層をパターニングすることにより、前記ソース層の両端をそれぞれ露出させる第１貫通孔及び第２貫通孔を形成することを有し、
前記ステップＳ７において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極をそれぞれ前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に貫通させることにより、前記ソース層の両端に接触させる。
【００１６】
前記層間絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極に不動態化層を積層してから、前記不動態化層をパターニングすることにより、前記ドレイン電極を露出させる第３貫通孔を形成するステップＳ８と、
前記第３貫通孔を貫通させて前記ドレイン電極に接触させる第１電極を前記不動態化層に形成するステップＳ９と、
前記第１電極及び前記不動態化層に画素定義層を形成してから、前記画素定義層をパターニングすることにより、前記第１電極を露出させる画素定義溝を形成するステップＳ１０と、
前記画素定義溝に有機発光層を形成してから、前記画素定義溝及び有機発光層に第２電極を形成するステップＳ１１と、をさらに有する。
【００１７】
前記第１電極は、透明電極であり、前記第２電極は、反射電極である。
【００１８】
本発明の他の態様によれば、
ＯＬＥＤ背板の製造方法であって、
緩衝層が形成されるベース基板を提供するステップＳ１と、
第１酸化物半導体層を前記緩衝層に積層するとともに、流量比が第１比例値であるアルゴン及び酸素を導入するステップＳ２と、
第２酸化物半導体層を前記第１酸化物半導体層に積層するとともに、流量比が第２比例値である前記アルゴン及び前記酸素を導入するステップＳ３と、
第３酸化物半導体層を前記第２酸化物半導体層に積層するとともに、流量比が第３比例値である前記アルゴン及び前記酸素を導入することにより、前記第１酸化物半導体層、前記第２酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層を含むソース層を取得するステップＳ４と、
前記ソース層にゲート電極絶縁層及び前記ゲート電極絶縁層に位置するゲート電極を形成するステップＳ５と、
前記ソース層、前記ゲート電極及び前記ゲート電極絶縁層に層間絶縁層を覆わせるステップＳ６と、
前記層間絶縁層にソース電極とドレイン電極を形成するステップＳ７と、を有する、
前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも前記第２比例値より大きく、
前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも４：１から２：１であり、
前記第２比例値は、２０：１から１０：１であり、
前記第１酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層の厚みは、５０から１００Åであり、
前記第２酸化物半導体層の厚みは、２００から８００Åであり、
前記第１酸化物半導体層、前記第２酸化物半導体層及び前記第３酸化物半導体層の材料は、いずれもＩＧＺＯであり、
前記緩衝層及び前記ゲート電極絶縁層の材料は、いずれも酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの一方又は両方の組み合わせであり、
前記ステップＳ１は、前記ベース基板と前記緩衝層との間に前記ソース層を遮蔽する遮光層を形成することを有し、
前記ステップＳ５は、
前記ソース層及び前記緩衝層にゲート電極絶縁薄膜を積層し、前記ゲート電極絶縁薄膜にゲート電極金属薄膜を積層することと、
前記ゲート電極金属薄膜をフォトマスクプロセスによりパターニングすることで、前記ゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極絶縁薄膜へのエッチングを前記ゲート電極により遮蔽することで、前記ゲート電極絶縁層を形成することと、を有する、ＯＬＥＤ背板の製造方法が提供される。
【００１９】
本発明の態様は、下記の有益な効果を奏する。
本発明の態様に係るＯＬＥＤ背板の製造方法によれば、第１酸化物半導体層、第２酸化物半導体層及び第３酸化物半導体層を順に積層することで、薄膜トランジスタのソース層を取得し、第１酸化物半導体層及び第３酸化物半導体層を積層する際に導入されるアルゴン及び酸素の流量比を、第２酸化物半導体層を積層する際に導入されるアルゴン及び酸素の流量比よりも大きくすることで、第１酸化物半導体層及び第３酸化物半導体層の酸素含有量を、第２酸化物半導体層の酸素含有量よりも大きくさせ、薄膜ドランジスタ機器のソース層の導電性及び安定性を向上させるとともに、界面欠陥を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ１を示す概略図である。
【図２】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ１を示す概略図である。
【図３】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ２を示す概略図である。
【図４】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ３を示す概略図である。
【図５】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ４を示す概略図である。
【図６】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ５を示す概略図である。
【図７】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ６を示す概略図である。
【図８】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ７を示す概略図である。
【図９】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ８を示す概略図である。
【図１０】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ９を示す概略図である。
【図１１】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ１０を示す概略図である。
【図１２】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法のステップＳ１１を示す概略図である。
【図１３】本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の特徴及び技術内容をさらに理解するために、本発明に関する詳細な説明及び添付図面を参照されたい。なお、添付図面は、参考用及び説明用のものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
【００２２】
本発明の技術手段及び効果をより詳しく説明するために、本発明の好適実施例及びその添付図面を参照しながら詳しく説明する。
【００２３】
図１３に示すように、本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法は、以下のステップを有する。
【００２４】
図１及び図２に示すように、ステップＳ１において、緩衝層３が形成されるベース基板１を提供する。
【００２５】
具体的には、図１に示すように、前記ステップＳ１は、前記ベース基板１に遮光金属薄膜を積層することと、前記遮光金属薄膜をパターニングすることによりソース層４が形成される領域に対応して遮光層２を形成することと、前記遮光層２及び前記ベース基板１を前記緩衝層３により覆うことと、を有する。前記遮光層２は、後ほど形成されるソース層４を遮蔽するためのものであり、ソース層４への光照射による機器の性能変化を防止することができる。
【００２６】
前記緩衝層３の材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）及び窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）のうちの一方又は両方の組み合わせであり、前記緩衝層３の厚みは、５０００から１００００Åであることが好ましい。
【００２７】
ステップＳ２において、図３に示すように、第１酸化物半導体層４１を前記緩衝層３に積層するとともに、流量比が第１比例値であるアルゴン及び酸素を導入する。
【００２８】
具体的には、前記第１酸化物半導体層４１の厚みは、５０から１００Åである。
【００２９】
ステップＳ３において、図４に示すように、第２酸化物半導体層４２を前記第１酸化物半導体層４１に積層するとともに、流量比が第２比例値である前記アルゴン及び前記酸素を導入する。
【００３０】
具体的には、前記第２酸化物半導体層４２の厚みは、２００から８００Åである。
【００３１】
ステップＳ４において、図５に示すように、第３酸化物半導体層４３を前記第２酸化物半導体層４２に積層するとともに、流量比が第３比例値である前記アルゴン及び前記酸素を導入することにより、前記第１酸化物半導体層４１、前記第２酸化物半導体層４２及び前記第３酸化物半導体層４３を含むソース層４を取得する。
【００３２】
具体的には、前記第３酸化物半導体層４３の厚みは、５０から１００Åである。
【００３３】
ここでは、前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも前記第２比例値より大きい。前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも４：１から２：１であり、前記第２比例値は、２０：１から１０：１であることが好ましい。また、前記第１比例値及び前記第３比例値は、いずれも４：１であり、前記第２比例値は、２０：１であることがより好ましい。
【００３４】
前記第１酸化物半導体層４１、前記第２酸化物半導体層４２及び前記第３酸化物半導体層４３の材料は、いずれもＩＧＺＯであることが好ましい。
【００３５】
ステップＳ５において、図６に示すように、前記ソース層４にゲート電極絶縁層５及び前記ゲート電極絶縁層５に位置するゲート電極６を形成する。
【００３６】
具体的には、前記ステップＳ５は、前記ソース層４及び前記緩衝層３にゲート電極絶縁薄膜を積層し、前記ゲート電極絶縁薄膜にゲート電極金属薄膜を積層することと、前記ゲート電極金属薄膜をフォトマスクプロセスによりパターニングすることで、ゲート電極６を形成することと、前記ゲート電極絶縁薄膜へのエッチングを前記ゲート電極６により遮蔽することで、前記ゲート電極絶縁層５を形成することと、を有する。
【００３７】
さらに、前記ステップＳ５において、前記ソース層４の中央を前記ゲート電極６及び前記ゲート電極絶縁層５により覆うことで、前記ソース層４の両端を露出させる。
【００３８】
前記ゲート電極絶縁層５の材料は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの一方又は両方の組み合わせであることが好ましい。前記ゲート電極６の材料は、モリブデン、アルミニウム、銅、チタン等の金属のうちの一つ又は複数の組み合わせである。前記ゲート電極絶縁層５の厚みは、１０００から３０００Åであり、前記ゲート電極６の厚みは、２０００から８０００Åである。
【００３９】
ステップＳ６において、図７に示すように、前記ソース層４、前記ゲート電極６及びゲート電極絶縁層５に層間絶縁層７を覆わせる。
【００４０】
具体的には、前記ステップＳ５と前記ステップＳ６との間には、前記ソース層４の両端の抵抗が低下するように前記ソース層４に対しプラズマ処理を行うことで、Ｎ＋導体層を形成するステップをさらに有する。薄膜トランジスタ機器のチャネル領域としての前記ソース層４の中央は、前記ゲート電極絶縁層５及びゲート電極６によって遮蔽され、半導体特性を保つ。
【００４１】
さらに、前記ステップＳ６は、前記層間絶縁層７をパターニングすることにより、前記ソース層４の両端をそれぞれ露出させる第１貫通孔７１及び第２貫通孔７２を形成することを有する。
【００４２】
前記層間絶縁層７の厚みは、２０００から１００００Åであることが好ましい。
【００４３】
ステップＳ７において、図８に示すように、前記層間絶縁層７にソース電極８１とドレイン電極８２を形成する。
【００４４】
具体的には、前記ステップＳ７において、前記ソース電極８１及び前記ドレイン電極８２をそれぞれ前記第１貫通孔７１及び前記第２貫通孔７２に貫通させることにより、前記ソース層４の両端に接触させる。
【００４５】
具体的には、前記ステップＳ７は、ソースドレイン電極金属薄膜を積層することと、ソースドレイン電極薄膜をフォトマスクプロセスによりパターニングすることで、ソース電極８１及びドレイン電極８２を形成することと、を有する。
【００４６】
前記ソース電極８１及び前記ドレイン電極８２の材料は、モリブデン、アルミニウム、銅、チタン等の金属のうちの一つ又は複数の組み合わせであり、前記ソース電極８１及び前記ドレイン電極８２の厚みは、２０００から８０００Åであることが好ましい。
【００４７】
ステップＳ８において、図９に示すように、前記層間絶縁層７、前記ソース電極８１、及び前記ドレイン電極８２に不動態化層９を積層してから、前記不動態化層９をパターニングすることにより、前記ドレイン電極８２を露出させる第３貫通孔９１を形成する。
【００４８】
前記不動態化層９の材料は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの一方又は両方の組み合わせであり、前記不動態化層９の厚みは、１０００から５０００であることが好ましい。
【００４９】
ステップＳ９において、図１０に示すように、前記第３貫通孔９１を貫通させて前記ドレイン電極８２に接触させる第１電極１０を前記不動態化層９に形成する。
【００５０】
前記第１電極１０は、透明電極であることが好ましく、その好適材料が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。前記第１電極１０は、有機発光ダイオードの陽極である。
【００５１】
ステップＳ１０において、図１１に示すように、前記第１電極１０及び前記不動態化層９に画素定義層１１を形成してから、前記画素定義層１１をパターニングすることにより、前記第１電極１０を露出させる画素定義溝１１１を形成する。
【００５２】
ステップＳ１１において、図１２に示すように、前記画素定義溝１１１に有機発光層１２を形成してから、前記画素定義層１１及び有機発光層１２に第２電極１３を形成する。
【００５３】
具体的には、前記有機発光層１２は、下方から上方に順に積層される正孔伝達機能層、発光機能層及び電子伝達機能層を含んでもよい。前記第２電極１３は、反射電極であることが好ましい。前記第２電極１３は、有機発光ダイオードの陰極である。
【００５４】
ここで説明しておきたいのは、前記第１比例値及び前記第３比例値をいずれも前記第２比例値よりも大きくすることにより、すなわち、前記第２酸化物半導体層４２を積層する際に導入される酸素量を、前記第１酸化物半導体層４１及び前記第３酸化物半導体層４３を積層する際に導入される酸素量よりも大きくすることにより、前記ソース層４の中間に位置する前記第２酸化物半導体層４２の酸素含有量を、前記緩衝層３と接触する前記第１酸化物半導体層４１及び前記ゲート電極絶縁層５と接触する前記第３酸化物半導体層４３の酸素含有量よりも大きくさせ、すなわち、前記ソース層４の中間の酸素含有量を高くさせ、前記ソース層４の両側の酸素含有量を低くさせることができる。前記第２酸化物半導体層４２の酸素含有量が高くなると、酸素空孔が多くなり、前記ソース層４の導電性を増大させることができ、薄膜トランジスタ機器の電子遷移率を向上させることができる。一方、前記第１酸化物半導体層４１及び前記第３酸化物半導体層４３の酸素含有量が低くなると、前記ソース層４と前記緩衝層３との接触界面、及び前記ソース層４と前記ゲート電極絶縁層５との接触界面の欠陥を減少させることができ、薄膜トランジスタ機器の安定性を向上させることができる。
【００５５】
上述のとおり、本発明に係るＯＬＥＤ背板の製造方法によれば、第１酸化物半導体層、第２酸化物半導体層及び第３酸化物半導体層を順に積層することで、薄膜トランジスタのソース層を取得し、第１酸化物半導体層及び第３酸化物半導体層を積層する際に導入されるアルゴン及び酸素の流量比を、第２酸化物半導体層を積層する際に導入されるアルゴン及び酸素の流量比よりも大きくすることで、第１酸化物半導体層及び第３酸化物半導体層の酸素含有量を、第２酸化物半導体層の酸素含有量よりも大きくさせ、薄膜ドランジスタ機器のソース層の導電性及び安定性を向上させるとともに、界面欠陥を減少させることができる。
【００５６】
上述のとおり、当業者が本発明の技術手段及び技術思想によってなし得るその他の改変及び変形は、いずれも本発明の特許請求の範囲に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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