(57)【要約】  本出願は、表示基板を開示する。前記表示基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に位置する画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に位置する平坦化層と、複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層とを含む。前記表示基板は、平坦化層内に延び且つ前記表示基板のサブピクセル間領域に位置する溝を含む。前記表示基板は、前記溝内に位置する溝充填層を更に含む。前記溝充填層は、前記平坦化層の光透過率より低い光透過率を有する。【選択図】  図５
2020520041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に位置する画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に位置する平坦化層と、
複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層とを備える表示基板であって、
前記表示基板は、前記平坦化層内に延び且つ前記表示基板のサブピクセル間領域に位置する溝を含み、
前記表示基板は、前記溝内に位置する溝充填層を更に含み、
前記溝充填層は、前記平坦化層の光透過率より低い光透過率を有することを特徴とする表示基板。
【請求項２】
前記溝充填層は、前記ピクセル限定層に直接接触していることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記溝充填層は、前記溝内に延びる前記ピクセル限定層と一体化された一部であることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項４】
前記ピクセル限定層は、ある深さまで前記溝内に延び、
前記深さと前記平坦化層の厚さの比は、約０．４：１乃至約１：１の範囲内にあることを特徴とする請求項３に記載の表示基板。
【請求項５】
前記溝は、前記平坦化層を貫通するスルーホールであることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項６】
前記溝は、部分的に前記平坦化層内に延びるブラインドビアホールであり、
前記ピクセル限定層は、前記平坦化層の前記複数の薄膜トランジスタから遠い側に位置することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項７】
前記ピクセル限定層の前記ベース基板における正射投影は、前記溝の前記ベース基板における正射投影を実質的に覆うことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項８】
前記溝の前記ベース基板における正射投影は、前記ピクセル限定層の前記ベース基板における正射投影と実質的に重なることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項９】
前記溝は、約１μｍ乃至約３０μｍの範囲内にある幅を有することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１０】
それぞれ前記複数のサブピクセル領域内に位置する複数の有機発光ダイオードを更に含み、
前記複数の有機発光ダイオードの各々は、前記平坦化層上に位置する第１電極と、前記第１電極の前記平坦化層から遠い側に位置する有機発光層と、前記有機発光層の前記第１電極から遠い側に位置する第２電極とを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１１】
前記表示基板は、ボトムエミッション型の表示基板であり、
前記有機発光層から出射された光は、前記平坦化層から離れる方向に沿って、前記ベース基板から前記表示基板の外部に出射されることを特徴とする請求項１０に記載の表示基板。
【請求項１２】
前記平坦化層と前記ベース基板の間に位置するカラーフィルターを更に含み、
前記カラーフィルターは、それぞれ実質的に前記複数のサブピクセル領域の一つに位置する複数のカラーフィルターブロックを含み、
前記有機発光層から出射される光は、白色光であることを特徴とする請求項１０に記載の表示基板。
【請求項１３】
前記ピクセル限定層は、遮光性材料からなることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の表示基板を含む表示装置。
【請求項１５】
表示基板の製造方法であって、
ベース基板上に前記表示基板の画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に平坦化層を形成するステップと、
複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層を形成するステップとを含み、
前記表示基板は、前記平坦化層内に延び且つ前記表示基板のサブピクセル間領域に位置する溝を含むように形成され、
前記方法は、
前記溝内に溝充填層を形成するステップを更に含み、
前記溝充填層は、前記平坦化層の光透過率より低い光透過率を有するように形成されることを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記溝充填層は、前記ピクセル限定層に直接接触するように形成されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記溝充填層は、前記溝内に延びる前記ピクセル限定層と一体化された一部として形成されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記平坦化層を形成するステップは、
前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に絶縁性材料層を形成するステップと、
前記絶縁性材料層の一部を除去することによって、前記溝及び前記平坦化層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記絶縁性材料層の一部をある深さまで除去して、前記深さと前記絶縁性材料層の厚さの比が約０．４：１乃至約１：１の範囲にあるようにすることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記溝は、部分的に前記平坦化層内に延びるブラインドビアホールであり、
前記絶縁性材料層の一部を除去するステップは、
第１区間及び第２区間を含むグレートーン又はハーフトーンマスクを用いて前記絶縁性材料層を露光し、且つ前記第１区間に対応する前記絶縁性材料層の第１部分は、部分的に露光され、前記第２区間に対応する前記絶縁性材料層の第２部分は、実質的に露光されないステップと、
前記絶縁性材料層を現像することによって、前記溝と前記平坦化層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記溝は、前記平坦化層を貫通するスルーホールであることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１７年５月１２日に中国特許庁に提出された中国特許出願第２０１７１０３３３７４０．０号の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる。
【０００２】
本発明は、表示技術に関し、特に、表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示装置は、自己発光装置であり、バックライトを必要としない。また、ＯＬＥＤ表示装置は、従来の液晶表示（ＬＣＤ）装置と比べると、より鮮やかな色彩及びより広い色域を提供する。更に、ＯＬＥＤ表示装置は、一般的なＬＣＤと比べると、より柔軟に、薄く、軽く製造できる。
【０００４】
一般的に、ＯＬＥＤ表示装置は、アノードと、有機発光層を有する有機層と、カソードとを含む。ＯＬＥＤは、ボトムエミッション型のＯＬＥＤでも可能であり、トップエミッション型のＯＬＥＤでも可能である。ボトムエミッション型のＯＬＥＤにおいて、光は、アノード側から取り出される。ボトムエミッション型のＯＬＥＤにおいて、アノードは、通常的に透明である反面、カソードは、通常的に光を反射する。トップエミッション型のＯＬＥＤにおいて、光は、カソード側から取り出される。カソードは、光学的に透明である反面、アノードは、光を反射する。
【発明の概要】
【０００５】
一態様において、本発明は、ベース基板と、前記ベース基板上に位置する画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に位置する平坦化層と、複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層とを含む表示基板であって、前記表示基板は、前記平坦化層内に延び且つ前記表示基板のサブピクセル間領域に位置する溝を含み、前記表示基板は、前記溝内に位置する溝充填層を更に含み、前記溝充填層は、前記平坦化層の光透過率より低い光透過率を有することを特徴とする表示基板を提供する。
【０００６】
選択可能に、前記溝充填層は、前記ピクセル限定層に直接接触している。
【０００７】
選択可能に、前記溝充填層は、前記溝内に延びる前記ピクセル限定層と一体化された一部である。
【０００８】
選択可能に、前記ピクセル限定層は、ある深さまで前記溝内に延び、前記深さと前記平坦化層の厚さの比は、約０．４：１乃至約１：１の範囲内にある。
【０００９】
選択可能に、前記溝は、前記平坦化層を貫通するスルーホールである。
【００１０】
選択可能に、前記溝は、部分的に前記平坦化層内に延びるブラインドビアホールであり、前記ピクセル限定層は、前記平坦化層の前記複数の薄膜トランジスタから遠い側に位置する。
【００１１】
選択可能に、前記ピクセル限定層の前記ベース基板における正射投影は、前記溝の前記ベース基板における正射投影を実質的に覆う。
【００１２】
選択可能に、前記溝の前記ベース基板における正射投影は、前記ピクセル限定層の前記ベース基板における正射投影と実質的に重なる。
【００１３】
選択可能に、前記溝は、約１μｍ乃至約３０μｍの範囲内にある幅を有する。
【００１４】
選択可能に、前記表示基板は、それぞれ前記複数のサブピクセル領域内に位置する複数の有機発光ダイオードを更に含み、前記複数の有機発光ダイオードの各々は、前記平坦化層上に位置する第１電極と、前記第１電極の前記平坦化層から遠い側に位置する有機発光層と、前記有機発光層の前記第１電極から遠い側に位置する第２電極とを含む。
【００１５】
選択可能に、前記表示基板は、ボトムエミッション型の表示基板であり、前記有機発光層から出射された光は、前記平坦化層から離れる方向に沿って、前記ベース基板から前記表示基板の外部に出射される。
【００１６】
選択可能に、前記表示基板は、前記平坦化層と前記ベース基板の間に位置するカラーフィルターを更に含み、前記カラーフィルターは、それぞれ実質的に前記複数のサブピクセル領域の一つに位置する複数のカラーフィルターブロックを含み、前記有機発光層から出射される光は、白色光である。
【００１７】
選択可能に、前記ピクセル限定層は、遮光性材料からなる。
【００１８】
他の一態様において、本発明は、ここに記載される表示基板又はここに記載される方法により製造される表示基板を含む表示装置を提供する。
【００１９】
他の一態様において、本発明は、表示基板の製造方法であって、ベース基板上に前記表示基板の画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタを形成するステップと、前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に平坦化層を形成するステップと、複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層を形成するステップとを含み、前記表示基板は、前記平坦化層内に延び且つ前記表示基板のサブピクセル間領域に位置する溝を含むように形成され、前記方法は、前記溝内に溝充填層を形成するステップを更に含み、前記溝充填層は、前記平坦化層の光透過率より低い光透過率を有するように形成されることを特徴とする方法を提供する。
【００２０】
選択可能に、前記溝充填層は、前記ピクセル限定層に直接接触するように形成される。
【００２１】
選択可能に、前記溝充填層は、前記溝内に延びる前記ピクセル限定層と一体化された一部として形成される。
【００２２】
選択可能に、前記平坦化層を形成するステップは、前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に絶縁性材料層を形成するステップと、前記絶縁性材料層の一部を除去することによって、前記溝及び前記平坦化層を形成するステップとを含む。
【００２３】
選択可能に、前記絶縁性材料層の一部をある深さまで除去して、前記深さと前記絶縁性材料層の厚さの比が約０．４：１乃至約１：１の範囲にあるようにする。
【００２４】
選択可能に、前記溝は、部分的に前記平坦化層内に延びるブラインドビアホールであり、前記絶縁性材料層の一部を除去するステップは、第１区間及び第２区間を含むグレートーン又はハーフトーンマスクを用いて前記絶縁性材料層を露光し、且つ前記第１区間に対応する前記絶縁性材料層の第１部分は、部分的に露光され、前記第２区間に対応する前記絶縁性材料層の第２部分は、実質的に露光されないステップと、前記絶縁性材料層を現像することによって、前記溝と前記平坦化層を形成するステップとを含む。
【００２５】
選択可能に、前記溝は、前記平坦化層を貫通するスルーホールである。
【００２６】
以下の図面は、ただ開示された様々な実施例によるただ説明の目的で使用された例であり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】従来の表示基板の構成を示す模式図である。
【図２】従来の表示基板の構成を示す模式図である。
【図３】従来の表示基板の構成を示す模式図である。
【図４】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構成を示す模式図である。
【図５】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構成を示す模式図である。
【図６】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構成を示す模式図である。
【図７Ａ】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するプロセスを示す。
【図７Ｂ】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するプロセスを示す。
【図７Ｃ】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するプロセスを示す。
【図７Ｄ】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するプロセスを示す。
【図８Ａ】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するプロセスを示す。
【図８Ｂ】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するプロセスを示す。
【図８Ｃ】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するプロセスを示す。
【図８Ｄ】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するプロセスを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
次に、以下の実施例を参照しながら本開示をより詳しく説明する。説明すべきことは、幾つかの実施例に対する以下の説明は、ただ解釈及び説明の目的でここに記載される。これは、網羅的であること又は開示された正確な形式に限ることを意図するものではない。
【００２９】
従来の有機発光ダイオード基板は、ピクセル限定層により限定される複数のサブピクセル領域を含む。前記複数のサブピクセル領域は、例えば、白色光、赤色光、緑色光、青白色光のような様々な色の光を発することができる。従来の有機発光ダイオード基板では、隣接するサブピクセル領域間の光漏れ及び混色の問題点が存在する。例えば、発光の等方性が原因で、赤色サブピクセル領域から出射される光が隣接する緑色サブピクセル領域に入射し、緑色サブピクセル領域での混色を招く。
【００３０】
図１乃至図３は、従来の表示基板の構成を示す模式図である。図１乃至図３を参照すると、従来の有機発光ダイオード基板は、ピクセル限定層７により限定される複数のサブピクセル領域を含む。前記複数のサブピクセル領域は、異なる色の光を発する。図１及び図２に示すように、前記ピクセル限定層７が透明材料からなる場合、一つのサブピクセル領域から出射される光が隣接するサブピクセル領域に入射し、その結果、隣接するサブピクセル領域間の光漏れ及び混色を招く。例えば、発光の等方性が原因で、赤色サブピクセル領域２１から出射される光が、図１及び図２に描かれた光路に沿って、隣接する緑色サブピクセル領域２２に入射する可能性があり、その結果、緑色サブピクセル領域２２での混色を起こす。図３に示すように、これらの問題点は、不透明な材料からなるピクセル限定層７を有する有機発光ダイオード基板に残っている。
【００３１】
従って、本開示は、特に、関連技術の限界及び欠点に起因する１つ又はそれ以上の問題点を顕著に避けることのできる表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法を提供する。一態様において、本開示は、表示基板を提供する。幾つかの実施例において、前記表示基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に位置する画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に位置する平坦化層と、複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層とを含む。選択可能に、前記表示基板は、前記平坦化層内に延び且つ前記表示基板のサブピクセル間領域に位置する溝を含む。幾つかの実施例において、前記表示基板は、前記溝内に位置する溝充填層を更に含む。選択可能に、前記溝充填層は、前記平坦化層の光透過率より低い光透過率を有する。選択可能に、溝充填層は、遮光性材料からなる。選択可能に、溝充填層は、前記ピクセル限定層に直接接触している。選択可能に、前記溝充填層は、前記溝内に延びる前記ピクセル限定層と一体化された一部である。
【００３２】
ここで使用されるように、サブピクセル領域とは、液晶ディスプレー内のピクセル電極に対応する領域又は有機発光ダイオード表示パネル内の発光層に対応する領域のようなサブピクセルの発光領域を意味する。選択可能に、一つのピクセルは、前記ピクセル内の多数個のサブピクセルに対応する多数個の別個の発光領域を含む。選択可能に、サブピクセル領域は、赤色サブピクセルの発光領域である。選択可能に、サブピクセル領域は、緑色サブピクセルの発光領域である。選択可能に、サブピクセル領域は、青色サブピクセルの発光領域である。選択可能に、サブピクセル領域は、白色サブピクセルの発光領域である。ここで使用されるように、サブピクセル間領域とは、液晶ディスプレー内のブラックマトリックスに対応する領域又は有機発光ダイオード表示パネル内のピクセル限定層に対応する領域のような、隣接するサブピクセル領域間の領域を意味する。選択可能に、前記サブピクセル間領域は、同一のピクセル内の隣接するサブピクセル領域間の領域である。選択可能に、前記サブピクセル間領域は、隣接する二つのピクセルからの隣接する二つのサブピクセルの間の領域である。選択可能に、前記サブピクセル間領域は、赤色サブピクセルのサブピクセル領域と隣接する緑色サブピクセルのサブピクセル領域の間の領域である。選択可能に、前記サブピクセル間領域は、赤色サブピクセルのサブピクセル領域と隣接する青色サブピクセルのサブピクセル領域の間の領域である。選択可能に、前記サブピクセル間領域は、緑色サブピクセルのサブピクセル領域と隣接する青色サブピクセルのサブピクセル領域の間の領域である。
【００３３】
図４は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構成を示す模式図である。図５は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構成を示す模式図である。図４及び図５を参照すると、幾つかの実施例における表示基板は、ベース基板１と、ベース基板１上に位置する画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタ２３及び複数の信号ライン３０と、前記複数の薄膜トランジスタ２３のベース基板１から遠い側に位置する平坦化層３と、複数のサブピクセル領域１００を限定するピクセル限定層７とを含む。選択可能に、前記表示基板は、前記平坦化層３内に延びる溝Ｒを含む。前記ピクセル限定層７の一部は、溝Ｒ内に位置し、例えば、前記ピクセル限定層７は、実質的に溝Ｒ内に充填される。前記溝Ｒは、前記表示基板のサブピクセル間領域２００内に位置する。幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層７の前記ベース基板１における正射投影は、前記溝Ｒの前記ベース基板１における正射投影を実質的に覆う。選択可能に、前記溝Ｒの前記ベース基板１における正射投影は、前記ピクセル限定層７の前記ベース基板１における正射投影と実質的に重なる。
【００３４】
幾つかの実施例において、ピクセル限定層７は、前記複数のサブピクセル領域１００の一つから出射される光が前記複数のサブピクセル領域１００の隣接するサブピクセル領域に入射することを実質的に阻止する深さＤまで前記溝Ｒ内に延びる。この設計を有することにより、前記溝Ｒ内の前記ピクセル限定層７の一部により、前記複数のサブピクセル領域１００の一つから出射される光が前記複数のサブピクセル領域１００の隣接するサブピクセル領域に入射することを阻止する（例えば、吸収又は反射される）ことになる。従って、前記複数のサブピクセル領域１００の隣接するサブピクセル領域間の光漏れ及び混色を効果的に避けることができる。ここで使用されるように、用語「実質的に阻止」とは、前記複数のサブピクセル領域１００の一つから出射される光の０．５％以下（例えば、０．２％以下、０．１％以下、０．０５％以下、０．０２％以下、０．０１％以下）の光が前記複数のサブピクセル領域１００の隣接するサブピクセル領域に入射することを阻止することを意味する。
【００３５】
一例において、図４に示すように、前記溝Ｒは、前記平坦化層３を貫通するスルーホールであり、例えば、前記ピクセル限定層７及び前記平坦化層３は、実質的に同一の水平面上に位置し、前記溝Ｒの深さＤは、前記平坦化層３の厚さと実質的に同一である。
【００３６】
他の一例において、図５に示すように、前記溝Ｒは、部分的に前記平坦化層３内に延びるブラインドビアホールであり、例えば、前記ピクセル限定層７は、前記平坦化層３の前記複数の薄膜トランジスタ２３から遠い側に位置し、前記溝Ｒの深さＤは、前記平坦化層３の厚さより小さい。この設計を有することにより、前記表示基板の前記サブピクセル間領域２００は、少なくとも部分的に平坦化されることができる。更に、前記ピクセル限定層７と前記平坦化層３の間の段差が比較的に小さく、前記ピクセル限定層７の形成ステップでの当該領域における急斜面による問題点を避ける。
【００３７】
前記溝Ｒの深さＤが大きいほど、隣接するサブピクセル領域間の光漏れをより効果的に阻止する。優れた光漏れ防止効果を得るために、幾つかの実施例において、前記溝Ｒの深さと前記平坦化層３の厚さの比は、約０．４：１乃至約１：１の範囲内にあり、例えば、約０．４：１乃至約１：１、約０．６：１乃至約１：１、約０．７：１乃至約１：１、約０．８：１乃至約１：１、約０．９：１乃至約１：１、約０．４：１乃至約０．９：１、約０．４：１乃至約０．９：１、約０．４：１乃至約０．９９：１である。
【００３８】
前記溝Ｒの幅が広いほど、隣接するサブピクセル領域間の光漏れをより効果的に阻止する。優れた光漏れ阻止効果及び比較的に高い開口率を達成するために、幾つかの実施例における前記溝Ｒは、約１μｍ乃至約３０μｍの範囲内にある、例えば、約１μｍ乃至約１０μｍ、約１０μｍ乃至約２０μｍ、約２０μｍ乃至約３０μｍである幅Ｗを有する。
【００３９】
幾つかの実施例において、前記表示基板は、複数の有機発光ダイオードと前記ベース基板の間に位置するカラーフィルターを更に含む。図４及び図５を参照すると、カラーフィルター２０は、前記平坦化層３と複数の薄膜トランジスタ２３の間に位置する。選択可能に、前記カラーフィルターは、それぞれ実質的に前記複数のサブピクセル領域１００の一つに位置する複数のカラーフィルターブロックを含む。図４及び図５は、複数のカラーフィルターブロックの内の二つ、例えば、赤色カラーフィルターブロック２１及び緑色カラーフィルターブロック２２を示す。
【００４０】
幾つかの実施例において、前記表示基板は、有機発光ダイオード表示基板であり、且つそれぞれ複数のサブピクセル領域１００に位置する複数の有機発光ダイオードを更に含む。幾つかの実施例において、前記複数の有機発光ダイオードの各々は、平坦化層３上に位置する第１電極４と、前記第１電極４の前記平坦化層３から遠い側に位置する有機発光層５と、前記有機発光層５の前記第１電極４から遠い側に位置する第２電極６とを含む。選択可能に、前記ピクセル限定層７は、前記複数の有機発光ダイオードの一つの有機発光層５から出射される光が前記複数のサブピクセル領域１００の隣接するサブピクセル領域に入射することを実質的に阻止する深さＤまで前記溝Ｒ内に延びる。
【００４１】
有機発光層５は、前記第１電極と前記第２電極６の間の電位差により駆動される時、発光する。選択可能に、前記有機発光層５は、白色光有機発光層である。選択可能に、前記有機発光層５は、例えば、赤色光、緑色光、青色光のような単一色の光を発する有機発光層である。
【００４２】
選択可能に、前記第１電極４は、アノードであり、前記第２電極６は、カソードである。選択可能に、前記第１電極４は、カソードであり、前記第２電極６は、アノードである。選択可能に、前記第１電極４は、前記複数の薄膜トランジスタ２３の一つのドレイン電極に電気的に接続される。選択可能に、前記第１電極４は、透明電極である。選択可能に、前記第１電極４は、金属電極である。選択可能に、前記第２電極６は、金属電極である。選択可能に、前記第２電極６は、透明電極である。
【００４３】
幾つかの実施例において、表示基板は、ボトムエミッション型の表示基板であり、前記サブピクセル領域１００（例えば、前記有機発光層５）から出射される光は、前記ベース基板１から前記表示基板の外部に出射される。選択可能に、前記第１電極４は、透明電極である。
【００４４】
幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層７は、遮光性材料からなる。選択可能に、前記ピクセル限定層７は、光を吸収するための黒色材料からなる。選択可能に、前記ピクセル限定層７は、光を反射可能な材料からなり、これにより、前記複数のサブピクセル領域１００の一つから出射される光が前記複数のサブピクセル領域１００の隣接するサブピクセル領域に入射することを阻止する。選択可能に、前記ピクセル限定層７は、光吸収及び光反射両方とも可能な材料からなる。
【００４５】
図６は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構成を示す模式図である。図６を参照すると、幾つかの実施例における前記表示基板は、ベース基板１と、ベース基板１上に位置する画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタ２３及び複数の信号ライン３０と、前記複数の薄膜トランジスタ２３の前記ベース基板１から遠い側に位置する平坦化層３と、複数のサブピクセル領域１００を限定するピクセル限定層７とを含む。選択可能に、前記表示基板は、前記平坦化層３内に延びる溝Ｒを含む。前記溝Ｒは、前記表示基板のサブピクセル間領域２００内に位置する。前記溝Ｒは、前記平坦化層３の前記ピクセル限定層７から近い側、即ち、前記平坦化層３の前記ベース基板１から遠い側に位置する。前記表示基板は、前記溝Ｒ内に位置する溝充填層７ａを更に含む。選択可能に、前記溝充填層７ａは、前記溝Ｒ内に充填される。選択可能に、前記溝充填層は、遮光性材料を含む。選択可能に、前記溝充填層７ａは、前記平坦化層３の前記ピクセル限定層７から近い側、即ち、前記平坦化層３の前記ベース基板１から遠い側に位置する。幾つかの実施例において、前記ピクセル限定層７の前記ベース基板１における正射投影は、前記溝Ｒ及び前記溝充填層７ａの前記ベース基板１における正射投影を実質的に覆う。選択可能に、前記溝Ｒ及び前記溝充填層７ａの前記ベース基板１における正射投影は、前記ピクセル限定層７の前記ベース基板１における正射投影と実質的に重なる。
【００４６】
幾つかの実施例において、前記溝充填層７ａ及び前記ピクセル限定層７は、異なる材料からなる。例えば、前記溝充填層７ａは、遮光性材料からなり、前記ピクセル限定層７は、実質的な透明材料からなる。選択可能に、前記溝充填層７ａ及びピクセル限定層７は、二つの異なるパターニング工程で形成される。
【００４７】
幾つかの実施例において、前記溝充填層７ａは、前記複数のサブピクセル領域１００の一つから出射される光が前記複数のサブピクセル領域１００の隣接するサブピクセル領域に入射することを実質的に阻止する深さＤまで前記溝Ｒ内に延びる。この設計を有することにより、前記溝Ｒ内の前記溝充填層７ａにより、前記複数のサブピクセル領域１００の一つから前記複数のサブピクセル領域１００の隣接するサブピクセル領域に向けて出射される光が阻止される（例えば、吸収又は反射される）。従って、前記複数のサブピクセル領域１００の隣接するサブピクセル領域間の光漏れ及び混色を効果的に避けることができる。選択可能に、図６に示すように、前記溝Ｒは、部分的に前記平坦化層３内に延びるブラインドビアホールであり、例えば、前記溝充填層７ａは、前記平坦化層３の前記複数の薄膜トランジスタ２３から遠い側に位置し、前記溝Ｒの深さＤは、前記平坦化層３の厚さより小さい。選択可能に、前記溝Ｒは、前記平坦化層３を貫通するスルーホールであり、例えば、前記溝充填層７ａ及び前記平坦化層３は、実質的に同一の水平面上に位置し、前記溝Ｒの深さＤは、前記平坦化層３の厚さと実質的に同一である。選択可能に、前記溝Ｒの深さＤと前記平坦化層３の厚さの比は、約０．４：１乃至約１：１の範囲内にあり、例えば、約０．４：１乃至約１：１、約０．６：１乃至約１：１、約０．７：１乃至約１：１、約０．８：１乃至約１：１、約０．９：１乃至約１：１、約０．４：１乃至約０．９：１、約０．４：１乃至約０．９：１、約０．４：１乃至約０．９９：１である。選択可能に、幾つかの実施例における前記溝Ｒは、約１μｍ乃至約３０μｍの範囲内にある幅、例えば、約１μｍ乃至約１０μｍ、約１０μｍ乃至約２０μｍ、約２０μｍ乃至約３０μｍである幅を有する。
【００４８】
他の一態様において、本開示は、表示基板の製造方法を提供する。幾つかの実施例において、前記方法は、ベース基板上に前記表示基板の画像表示を駆動するための複数の薄膜トランジスタを形成するステップと、前記複数の薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に平坦化層を形成するステップと、複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層を形成するステップとを含む。前記表示基板は、前記平坦化層内に延び且つ前記表示基板のサブピクセル間領域に位置する溝を含むように形成される。選択可能に、前記方法は、前記溝内に溝充填層を形成するステップを更に含む。選択可能に、前記溝充填層は、前記平坦化層の光透過率より低い光透過率を有するように形成される。選択可能に、前記溝充填層は、前記ピクセル限定層に直接接触するように形成される。選択可能に、前記溝充填層は、前記溝内に延びる前記ピクセル限定層と一体化された一部として形成される。
【００４９】
幾つかの実施例において、上記方法は、複数のサブピクセル領域を限定するピクセル限定層を形成するステップを更に含む。選択可能に、前記溝充填層は、前記溝内に延びる前記ピクセル限定層の一部として形成される。選択可能に、ピクセル限定層は、前記溝内に延びるように形成され、例えば、前記ピクセル限定層の一部は、前記溝内に形成される。選択可能に、前記溝は、前記表示基板のサブピクセル間領域内に形成される。選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記複数のサブピクセル領域の一つから出射される光が前記複数のサブピクセル領域の隣接するサブピクセル領域に入射することを実質的に阻止する深さＤまで前記溝内に延びるように形成される。選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記溝を完全に充填するように形成される。
【００５０】
選択可能に、前記溝は、前記溝Ｒの深さＤと前記平坦化層３の厚さの比が約０．４：１乃至約１：１の範囲内にあるように、例えば、約０．４：１乃至約１：１、約０．６：１乃至約１：１、約０．７：１乃至約１：１、約０．８：１乃至約１：１、約０．９：１乃至約１：１、約０．４：１乃至約０．９：１、約０．４：１乃至約０．９：１、約０．４：１乃至約０．９９：１であるように形成される。
【００５１】
選択可能に、前記溝を形成するステップは、前記平坦化層を貫通するスルーホールを形成するステップを含む。選択可能に、前記溝を形成するステップは、部分的に前記平坦化層内に延びるブラインドビアホールを形成するステップを含み、前記ピクセル限定層は、前記平坦化層の前記複数の薄膜トランジスタから遠い側に形成される。
【００５２】
選択可能に、前記ピクセル限定層及び前記溝は、前記ピクセル限定層の前記ベース基板における正射投影が、前記溝の前記ベース基板における正射投影を実質的に覆うように形成される。選択可能に、前記ピクセル限定層及び前記溝は、前記溝の前記ベース基板における正射投影が、前記ピクセル限定層の前記ベース基板における正射投影と実質的に重なるように形成される。
【００５３】
選択可能に、前記溝は、約１μｍ乃至約３０μｍの範囲内にある幅、例えば、約１μｍ乃至約１０μｍ、約１０μｍ乃至約２０μｍ、約２０μｍ乃至約３０μｍである幅を有するように形成される。
【００５４】
幾つかの実施例において、前記方法は、前記複数のサブピクセル領域内にそれぞれ複数の有機発光ダイオードを形成するステップを更に含む。選択可能に、前記複数の有機発光ダイオードの各々は、前記平坦化層上に位置する第１電極と、前記第１電極の前記平坦化層から遠い側に位置する有機発光層と、前記有機発光層の前記第１電極から遠い側に位置する第２電極とを含むように形成される。選択可能に、前記ピクセル限定層は、前記複数の有機発光ダイオードの一つの有機発光層から出射される光が前記複数のサブピクセル領域の隣接するサブピクセル領域に入射することを実質的に阻止する深さＤまで前記溝内に延びるように形成される。
【００５５】
幾つかの実施例において、前記方法は、前記複数の有機発光ダイオードと前記ベース基板の間にカラーフィルターを形成するステップを更に含む。選択可能に、前記カラーフィルターを形成するステップは、それぞれ実質的に前記複数のサブピクセル領域の一つ内に形成される複数のカラーフィルターブロックを形成するステップを含む。
【００５６】
図７Ａ乃至図７Ｄは、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するプロセスを示す。図８Ａ乃至図８Ｄは、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造さるプロセスを示す。図７Ａ及び図８Ａを参照すると、ベース基板１上に複数の薄膜トランジスタ２３及び複数の信号ライン（例えば、ゲートライン及びデータライン）を形成する。次いで、前記複数の薄膜トランジスタ２３の前記ベース基板１から遠い側にカラーフィルター２０を形成する。前記カラーフィルター２０を形成するステップは、例えば、赤色カラーフィルターブロック２１及び緑色カラーフィルターブロック２２のような複数のカラーフィルターブロックを形成するステップを含む。選択可能に、前記ベース基板は、ガラス又は石英からなる。選択可能に、前記複数の薄膜トランジスタの各々は、対応するゲートラインに接続されるゲート電極及び対応するデータラインに接続されるソース電極を有するように形成される。
【００５７】
図７Ｂ及び図８Ｂを参照すると、前記カラーフィルター２０の前記複数の薄膜トランジスタ２３から遠い側に絶縁性材料層３’を形成する。図７Ｃ及び図８Ｃを参照すると、前記サブピクセル間領域２００内に位置する前記絶縁性材料層３’の一部を除去することによって、前記溝Ｒを形成する。図７Ｂを参照すると、幾つかの実施例において、ハーフトーン又はグレートーンマスク４０を利用し、前記絶縁性材料層３’の前記溝Ｒが形成されるべきである部分は、部分的に露光され、前記絶縁性材料層３’の残りの部分は露光されない。図７Ｃを参照すると、形成された前記溝Ｒは、ブラインドビアホールである。図８Ｂを参照すると、幾つかの実施例において、絶縁性材料層３’の前記溝Ｒが形成されるべきである部分は、完全に露光される。図８Ｃを参照すると、形成された前記溝Ｒは、スルーホールである。図７Ｃ及び図８Ｃを参照すると、前記溝Ｒを形成した後に、前記カラーフィルター２０の前記複数の薄膜トランジスタ２３から遠い側に前記平坦化層３を形成する。選択可能に、前記絶縁性材料層３’は、例えば、フォトレジスト樹脂のようなフォトレジスト材料からなる。選択可能に、前記絶縁性材料層３’上にフォトレジスト層を形成して、前記絶縁性材料層３’をパターニングする。
【００５８】
図７Ｄ及び図８Ｄを参照すると、ピクセル限定層７を形成することによって、前記表示基板内で複数のサブピクセル領域１００を限定する。前記ピクセル限定層７は、前記溝Ｒ内に延びるように形成され、例えば、前記ピクセル限定層７の一部は、前記溝Ｒ内に形成される。前記溝Ｒは、前記表示基板のサブピクセル間領域２００内に形成される。選択可能に、前記ピクセル限定層７は、遮光性材料を用いて形成される。
【００５９】
第１電極４は、前記複数のサブピクセル領域１００の各々のサブピクセル領域１００内に形成され、且つ前記複数の薄膜トランジスタ２３の一つのドレイン電極に電気的に接続されるように形成される。選択可能に、前記第１電極４は、透明導電性材料を用いて形成される。
【００６０】
次に、前記第１電極４の前記平坦化層３から遠い側に有機発光層５を形成し、前記有機発光層５の前記第１電極４から遠い側に第２電極６を形成する。
【００６１】
他の一態様において、本開示は、ここに記載される表示基板又はここに記載される方法により製造される表示基板を有する表示パネルを提供する。選択可能に、前記な表示パネルは、有機発光ダイオード表示パネルである。
【００６２】
他の一態様において、本開示は、ここに記載される表示基板又はここに記載される方法により製造される表示基板を有する表示装置を提供する。選択可能に、前記表示装置は、有機発光ダイオード表示装置である。適切な表示装置の例としては、電子ペーパー、移動電話、タブレットＰＣ、ＴＶ、モニター、ノートＰＣ、デジタルアルバム、ＧＰＳ等を含むが、これらに限定されない。
【００６３】
以上、本発明の実施例に対する説明は、ただ解釈及び説明の目的で提出されたものである。これは、網羅的であること、或いは本発明を開示された正確な形式又は開示された例示的な実施例に限定することを意図するものではない。従って、以上の説明は、限定的なものではなく、説明的なものと見なされるべきである。明らかに、当業者にとって、多様な修正及び変更が自明である。これらの実施例を選択及び記載して、本発明の原理及びその最適モードの実際応用を説明することによって、当業者が、本発明が特定用途又は考慮される実施形態に適用される様々な実施例及び様々な変形を理解できるようにする。本発明の範囲は、ここに添付される特許請求の範囲及びその等価物により限定され、その内、別段の表示がない限り、すべての用語は、その最も広い合理的な意味を意味することを意図する。従って、「発明」、「本発明」等の用語は、必ずしも特許請求の範囲を具体的な実施例に限定するものではなく、本発明の例示的な実施例に対する参照は、本発明に対する限定を意味するものではなく、且つこのような限定を推論できない。本発明は、添付された請求項の範囲の精神及び範囲のみにより限定される。なお、これらの請求項は、名詞又は要素が後ろに付く「第１」、「第２」等の用語の使用が言及される可能性がある。このような用語は、命名法として理解されるべきであり、既に具体的な数量が与えられていない限り、このような命名法により修飾される要素の数量に対する限定として解釈されないべきである。記載された如何なる効果及び利点が本発明のすべての実施例に適用されない可能性がある。理解すべきことは、以下の請求項により限定される本発明の範囲を逸脱せずに、当業者は、記載された実施例に対する変形を行うことができる。なお、要素又は構成部品が以下の請求項に明示的に記述されているか否かを問わず、本発明には、公衆に貢献しようとする要素及び構成部品がない。
【図１】
2020520041.tif 000003
【図２】
2020520041.tif 000004
【図３】
2020520041.tif 000005
【図４】
2020520041.tif 000006
【図５】
2020520041.tif 000007
【図６】
2020520041.tif 000008
【図７Ａ】
2020520041.tif 000009
【図７Ｂ】
2020520041.tif 000010
【図７Ｃ】
2020520041.tif 000011
【図７Ｄ】
2020520041.tif 000012
【図８Ａ】
2020520041.tif 000013
【図８Ｂ】
2020520041.tif 000014
【図８Ｃ】
2020520041.tif 000015
【図８Ｄ】
2020520041.tif 000016
【国際調査報告】
2020520041.tif 000017
2020520041.tif 000018