(57)【要約】本発明は、るつぼの底面を効率的に加熱できる真空蒸発源を提供することが、その技術的課題である。このために、本発明の真空蒸発源は、ケースの内部空間部にるつぼが備えられた真空蒸発源において、前記るつぼの底面と前記内部空間部の床面との間をなす下部空間の上半部に位置する底面反射部と、前記内部空間部の前記床面に備えられて前記底面反射部を支える支え部と、前記内部空間部の側面と前記るつぼの外部側面との間に位置すると共に前記底面反射部の上面まで延びるヒーターとを含む。
2020532656.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケースの内部空間部にるつぼを備えた真空蒸発源において、
前記るつぼの底面と前記内部空間部の床面との間をなす下部空間の上半部に位置する底面反射部と、
前記内部空間部の前記床面に備えられて前記底面反射部を支える支え部と、
前記内部空間部の側面と前記るつぼの外部側面との間に位置すると共に前記底面反射部の上面まで延びるヒーターと、
を含む、真空蒸発源。
【請求項２】
前記底面反射部は、
複数の反射板が重なってなるモジュール形態を有する、請求項１に記載の真空蒸発源。
【請求項３】
前記複数の反射板のうち最も高いところに位置する最上位反射板は、絶縁材質からなり、
前記ヒーターの下端は、前記最上位反射板の上面に支持される、請求項２に記載の真空蒸発源。
【請求項４】
前記最上位反射板は、
前記絶縁材質としてセラミックが使用され、
ディスクタイプを有する、請求項３に記載の真空蒸発源。
【請求項５】
前記支え部は、
前記内部空間部の前記床面に垂直に置かれる垂直支持台と、
前記垂直支持台の上端に備えられ、前記内部空間部の前記床面と水平になるように備えられ、前記底面反射部が安着する水平支持台とを含み、
前記垂直支持台は、
前記底面反射部が前記下部空間の前記上半部に置かれるようにその高さが定められる、請求項１に記載の真空蒸発源。
【請求項６】
前記真空蒸発源は、
前記内部空間部の前記床面に備えられる床反射板をさらに含む、請求項１に記載の真空蒸発源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハーや基板上に薄膜を形成するために用いられる真空蒸発源に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に真空蒸発源は、高真空のチャンバー内に配置された基板上に所定の薄膜を形成するために薄膜形成用物質を加熱して蒸発させるものであり、半導体の製造工程においてウェハー表面に特定物質からなる薄膜を形成したり、大型平板ディスプレイ装置の製造工程においてガラス基板などの表面に所望する物質の薄膜形成に用いられている。
【０００３】
図１は従来の真空蒸発源を概略的に示す図である。
【０００４】
従来の真空蒸発源は、図１に示すように、支持棒１２等によって支持されて内部空間部１１を有するケース１０と、内部空間部１１に備えられて薄膜形成用物質が入れられるるつぼ２０と、内部空間部１１の側面とるつぼ２０の外部側面との間に位置してるつぼ２０の側面を加熱するヒーター３０と、内部空間部１１の側面とヒーター３０との間に備えられてヒーター３０の熱をるつぼ２０の側面に反射させる側面反射板４０と、ケース１０の下に置かれる下部電装部５０（電源供給装置や温度センサなどを含む。）にヒーター３０の熱が相対的に少なく伝達されるように内部空間部１１の床部に位置する床反射板６０を含む。特に、図１に示すように、床反射板６０は、内部空間部１１の床部に位置し、ヒーター３０の下端は、るつぼ２０の下端とほぼ一致する高さに置かれる。
【０００５】
したがって、従来の真空蒸発源は、床反射板６０が内部空間部１１のうちのるつぼ２０から遠く離れた床部に位置すると共にるつぼ２０の下にはヒーター３０が置かれないので、るつぼ２０の底面にヒーター３０の熱が相対的に少なく伝達される問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の技術的課題は、るつぼの底面を効率的に加熱できる真空蒸発源を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明の実施形態による真空蒸発源は、ケースの内部空間部にるつぼが備えられた真空蒸発源において、前記るつぼの底面と前記内部空間部の床面との間をなす下部空間の上半部に位置する底面反射部と、前記内部空間部の前記床面に備えられて前記底面反射部を支える支え部と、前記内部空間部の側面と前記るつぼの外部側面との間に位置すると共に前記底面反射部の上面まで延びるヒーターとを含む。
【０００８】
前記底面反射部は、複数の反射板が重なってなるモジュール形態を有し得る。
【０００９】
前記複数の反射板のうち最も高いところに位置する最上位反射板は絶縁材質からなり、前記ヒーターの下端は前記最上位反射板の上面に支持され得る。
【００１０】
前記最上位反射板は、前記絶縁材質としてセラミックが使用され、ディスクタイプを有し得る。
【００１１】
前記支え部は、前記内部空間部の前記床面に垂直に置かれる垂直支持台と、前記垂直支持台の上端に備えられ、前記内部空間部の前記床面と水平になるように備えられ、前記底面反射部が安着する水平支持台とを含み得、前記垂直支持台は、前記底面反射部が前記下部空間の前記上半部に置かれるようにその高さが定められ得る。
【００１２】
上述した本発明の実施形態による真空蒸発源は、前記内部空間部の前記床面に備えられる床反射板をさらに含み得る。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明の実施形態による真空蒸発源は、次のような効果を有することができる。
【００１４】
本発明の実施形態によれば、底面反射部、支え部、及びヒーターを含む技術構成を提供するので、るつぼの底面に近接して底面反射部が置かれることができ、ヒーターの下端が底面反射部の上面まで延びることができ、るつぼの底面を効率的に加熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来の真空蒸発源を概略的に示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による真空蒸発源を概略的に示す図である。
【図３】図２の凹部を拡大して示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は、様々な異なる形態で具現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００１７】
図２は、本発明の一実施形態による真空蒸発源を概略的に示す図であり、図３は、図２の凹部を拡大して示す図である。
【００１８】
本発明の一実施形態による真空蒸発源は、図２及び図３に示すように、ケース１０の内部空間部１１にるつぼ２０が備えられた真空蒸発源であり、底面反射部１１０、支え部１２０、及びヒーター１３０を含む。以下、図２及び図３を引き続き参照して各構成要素について詳細に説明する。
【００１９】
底面反射部１１０は、ヒーター１３０の熱をるつぼ２０の底面に反射させる構成要素であり、図２及び図３に示すように、るつぼ２０の底面２１と内部空間部１１の床面１１ａとの間をなす下部空間の上半部に位置する。したがって、るつぼ２０の底面２１に近接して底面反射部１１０が置かれることができ、るつぼ２０の底面２１を効率的に加熱することができる。
【００２０】
例えば、底面反射部１１０は、図３に示すように、複数の反射板が重なってなるモジュール形態を有し得る。したがって、ヒーター１３０の熱が最上位反射板１１１（複数の反射板のうち最も高いところに位置する反射板）を越えて伝達されてもその次に置かれる反射板で反射する方式によって反射が行われ得、熱に対する反射効率を上げることができる。
【００２１】
さらに、図３に示すように、複数の反射板のうち最も高いところに位置する最上位反射板１１１は、絶縁材質からなり、ヒーター１３０の下端１３１は最上位反射板１１１の上面に支持され得る。したがって、ヒーター１３０の一部が上述した下部空間［るつぼ２０の底面２１と内部空間部１１の床面１１ａとの間をなす空間］の上半部に位置し得るため、ヒーター１３０と底面反射部１１０を介してるつぼ２０の底面２１を十分に加熱することができる。また、最上位反射板１１１が絶縁材質からなるので、最上位反射板１１１にヒーター１３０が接触してもヒーター１３０がショート（ｓｈｏｒｔ）することを防ぐなど、ヒーター１３０を安定的に支持することができる。
【００２２】
特に、最上位反射板１１１は、絶縁材質としてセラミックが使用され、ディスクタイプ（ｄｉｓｃ  ｔｙｐｅ）を有し得る。したがって、ヒーター１３０が熱膨張したり熱収縮しても最上位反射板１１１によって安定的に支持されることができる。また、ディスクタイプのセラミックの使用によってヒーター１３０の熱をより効率的にるつぼ２０の底面２１に反射させることができる。
【００２３】
支え部１２０は、底面反射部１１０を支える構成要素であり、図２及び図３に示すように内部空間部１１の床面１１ａに備えられる。
【００２４】
例えば、支え部１２０は、図３に示すように、垂直支持台１２１と水平支持台１２２を含み得る。垂直支持台１２１は、内部空間部１１の床面１１ａに垂直に置かれ、水平支持台１２２は、垂直支持台１２１の上端に備えられ、内部空間部１１の床面１１ａと水平になるように備えられ、底面反射部１１０がこれに安着する。
【００２５】
特に、垂直支持台１２１は、底面反射部１１０が上述した下部空間の上半部に置かれるようにその高さが定められ得る。したがって、るつぼ２０の底面２１が効率よく加熱するように、垂直支持台１２１によって底面反射部１１０がるつぼ２０の底面２１に近接して位置し得る。
【００２６】
ヒーター１３０は、るつぼ２０及び上述した底面反射部１１０に熱を加える構成要素であり、内部空間部１１の側面とるつぼ２０の外部側面との間に位置すると共にその下端１３１が底面反射部１１０の上面まで延びる。したがって、ヒーター１３０によってるつぼ２０の側面及び底面２１が直接加熱されたり、上述した底面反射部１１０を介してるつぼ２０の底面２１が間接的に加熱され得る。また、ヒーター１３０が熱膨張したり熱収縮しても上述したセラミック材質の最上位反射板１１１によって安定的に支持され得る。
【００２７】
これと共に、上述した本発明の一実施形態による真空蒸発源は、図２及び図３に示すように、内部空間部１１の床面１１ａに備えられる床反射板１４０をさらに含み得る。
【００２８】
したがって、底面反射部１１０を越えて伝達されたヒーター１３０の熱が再度床反射板１４０によって反射するので、電装部（図２の５０参照）にヒーター１３０の熱が伝達されることを最小化することができる。
【００２９】
また、図面に示していないが、電装部（図２の５０参照）に伝達されるヒーター１３０の熱をさらに最小化するために、このような床反射板１４０は幾重にも重なってなるモジュール形態を有することもできるであろう。
【００３０】
以上のように、本発明の一実施形態による真空蒸発源は、次のような効果を有することができる。
【００３１】
本発明の一実施形態によれば、底面反射部１１０、支え部１２０、及びヒーター１３０を含む技術構成を提供するので、るつぼ２０の底面２１に近接して底面反射部１１０が置かれることができ、ヒーター１３０の下端１３１が底面反射部１１０の上面まで延びることができ、るつぼ２０の底面２１を効率的に加熱することができる。
【００３２】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は真空蒸発源に関するものであるため、半導体などの製造に適用されることができ、産業上の利用可能性がある。
【図１】
2020532656.tif 000003
【図２】
2020532656.tif 000004
【図３】
2020532656.tif 000005
【国際調査報告】
2020532656.tif 000006
2020532656.tif 000007
2020532656.tif 000008
2020532656.tif 000009