(57)【要約】本発明は、基板処理装置の基板安置手段として、ディスク、前記ディスクの中心から放射状に配置され、基板がそれぞれ安置される複数の基板安置部を含み、前記基板安置部の上面が、前記ディスクの上面よりも上側にさらに突出した基板安置手段、および基板処理装置に関するものである。
2020532860.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置の基板安置手段として、
ディスク、および
前記ディスクの中心から放射状に配置され、基板がそれぞれ安置される複数の基板安置部を含み、
前記基板安置部の上面が、前記ディスクの上面よりも上側にさらに突出したことを特徴とする基板安置手段。
【請求項２】
前記基板安置部の上面と前記ディスクの上面の高さの差が、3mm超過30mm未満であることを特徴とする請求項１に記載の基板安置手段。
【請求項３】
前記基板安置部が、前記ディスクから分離可能であることを特徴とする請求項１に記載の基板安置手段。
【請求項４】
前記ディスクの中心から放射状に配置される複数の挿入部を含み、
前記複数の挿入部の一つが、前記複数の基板安置部のいずれか一つとの連結又は分離が可能なことを特徴とする請求項１に記載の基板安置手段。
【請求項５】
前記ディスクの中心から放射状に配置される複数の挿入部を含み、
前記複数の挿入部のそれぞれには、前記複数の基板安置部のいずれか一つが割り当てられ、前記基板安置部の一部が挿入されることを特徴とする請求項１に記載の基板安置手段。
【請求項６】
前記複数の基板安置部の中心が、前記ディスクの中心から同心円上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板安置手段。
【請求項７】
前記複数の挿入部のそれぞれが、前記ディスクの上面で第1内径を有し、前記ディスクの下面で第2内径を有し、
前記第1内径は、前記第2内径よりも大きいことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の基板安置手段。
【請求項８】
前記ディスクが、前記基板安置部を支持する複数の支持面を含み、
前記複数の支持面のうちの少なくとも一つは、前記ディスクの上面を基準に傾斜していることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の基板安置手段。
【請求項９】
前記ディスクが、前記基板安置部を支持する支持面を含み、
前記基板安置部は、前記支持面に接触するための傾斜面を含み、
前記支持面と、前記斜面のうち少なくとも一つは、前記ディスクの上面を基準に傾斜していることを特徴とする請求項３に記載の基板安置手段。
【請求項１０】
前記基板安置部が、前記ディスクに対して所定の方向に結合するようにするための整列部を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板安置手段。
【請求項１１】
前記ディスクが、前記複数の基板安置部それぞれが挿入されるための複数の挿入部、及び前記複数の挿入部のそれぞれの外側に形成された複数の整列溝を含み、
前記複数の基板安置部それぞれは、下面から突出した複数の整列突起を含み、前記整列突起が前記整列溝に挿入されることにより、前記ディスクに分離可能に結合されることを特徴とする請求項１に記載の基板安置手段。
【請求項１２】
前記複数の基板安置部それぞれには、N個（Nは1以上の整数）の整列突起が形成され、
前記ディスクには、前記複数の挿入部それぞれの外側にN個または2N個の整列溝が形成され、
前記整列突起は、前記複数の基板安置部それぞれの中心を基準に同じ角度で離隔するように配置されて、前記複数の基板安置部それぞれの中心を基準に回転した角度によって、互いに異なる整列溝に挿入されることを特徴とする請求項１１に記載の基板安置手段。
【請求項１３】
前記複数の基板安置部それぞれが、下面から下側に突出したセンタリング部材を含み、
前記センタリング部材は、それぞれ下側に突出するほど直径が減少するように形成され、
前記ディスクは、前記センタリング部材それぞれが挿入されるための複数の挿入部、及び前記挿入部のそれぞれに挿入されたセンタリング部材を支持する複数の支持面を含み、
前記支持面は、それぞれ下側に延長されるほど直径が減少するように傾斜するように形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板安置手段。
【請求項１４】
前記基板安置部が、基板の下面を支持する中央部、および基板の側面を支持する外郭段差部を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板安置手段。
【請求項１５】
前記外郭段差部には、少なくとも1つのガス流路が形成され、
前記ガス流路が、前記外郭段差部の内側及び前記ディスクの上面それぞれと連通することを特徴とする請求項１４に記載の基板安置手段。
【請求項１６】
前記複数の基板安置部の中心が、前記ディスクの中心から同心円状に配置され、
前記ガス流路は、前記同心円の外側に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の基板安置手段。
【請求項１７】
チャンバー、
前記チャンバー内に処理ガスを供給するガス噴射部、および
複数の基板が安置される基板安置手段を含み、
前記基板安置手段が、ディスク、および前記ディスクの中心から放射状に配置される複数の基板安置部を含み、
前記基板安置部の上面は、前記ディスクの上面よりも上側にさらに突出したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１８】
前記ディスクが、前記複数の基板安置部それぞれが挿入されるための複数の挿入部、及び前記複数の挿入部のそれぞれの外側に形成された複数の整列溝を含み、
前記複数の基板安置部それぞれは、下面から突出した複数の整列突起を含み、前記整列突起が前記整列溝に挿入されることにより、前記ディスクに分離可能に結合されることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記複数の基板安置部それぞれには、N個（Nは1以上の整数）の整列突起が形成され、
前記ディスクには、前記複数の挿入部それぞれの外側にN個または2N個の整列溝が形成され、
前記整列突起が、前記複数の基板安置部それぞれの中心を基準に同じ角度で離隔するように配置されて、前記複数の基板安置部それぞれの中心を基準に回転した角度によって、互いに異なる整列溝に挿入されることを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
前記複数の基板安置部それぞれが、下面から下側に突出したセンタリング部材を含み、
前記センタリング部材は、下側に突出するほど大きさが減少するように形成され、
前記ディスクは、前記センタリング部材それぞれが挿入されるための複数の挿入部、及び前記挿入部のそれぞれに挿入されたセンタリング部材を支持する複数の支持面を含み、
前記支持面は、それぞれ下側に延長されるほど直径が減少するように傾斜するように形成されたことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、基板に対する堆積工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、太陽電池（Solar Cell）、半導体素子、フラットパネルディスプレイ等を製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学的パターンを形成しなければならない。このため、基板に特定物質の薄膜を堆積する堆積工程、感光性物質を使用して薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出された部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板に対する処理工程が行われる。このような基板に対する処理工程は、基板処理装置によって行われる。
【０００３】
図1は、従来技術による基板処理装置の概略的な一部側断面図である。
【０００４】
図1を参照すると、従来技術による基板処理装置１０は、基板（S）が搬入されて処理する空間を提供するチャンバー１１、複数の基板（S）を搭載支持するディスク１２、前記ディスク１２側にガスを噴射する噴射ユニット（未図示）が設置される。前記ディスク１２は、前記チャンバー１１の内部に設置される。前記噴射ユニットが基板（S）にガスを噴射することにより、前記ディスク１２に支持された基板（S）の処理工程が行われる。
【０００５】
ここで、従来の技術による基板処理装置１０は、基板（S）の上面（S1）が、前記ディスク１２の上面１２１と同一平面上に位置する。つまり、基板（S）の上面（S1）及び前記ディスク１２の上面１２１は、同じ高さに位置する。これにより、従来の技術による基板処理装置１０は、前記ディスク１２とチャンバー１１との間の空間を介して、ガスが円滑に排気されないので、堆積工程、エッチング工程などの処理工程を経た薄膜の品質が低下するという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述のような問題点を解決しようと案出されたもので、チャンバー内に供給されたガスを円滑に排出させることができる基板安置手段および、基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述したような課題を解決するために、本発明は、下記のような構成を含むことができる。
【０００８】
本発明に係る基板安置手段は、基板処理装置の基板安置手段として、ディスク、および前記ディスクの中心から放射状に配置され、基板をそれぞれ安置する複数の基板安置部を含むことができる。前記基板安置部の上面は、前記ディスクの上面よりも上側にさらに突出することができる。
【０００９】
本発明に係る基板処理装置は、チャンバー;前記チャンバー内に処理ガスを供給するガス噴射部;および複数の基板を安置する基板安置手段を含むことができる。前記基板安置手段は、ディスク、および前記ディスクの中心から放射状に配置される複数の基板安置部を含むことができる。前記基板安置部の上面は、前記ディスクの上面よりも上側にさらに突出することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、次のような効果を図ることができる。
【００１１】
本発明は、処理ガスを円滑に排気させることができるように具現されることによって、基板の処理工程に使用された後に残存する処理ガスの量を減少させることができるので、堆積工程、エッチング工程などの処理工程を経た薄膜の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来技術による基板処理装置に対する概略的な一部側断面図。
【図２】本発明に係る基板処理装置の概略的な分解斜視図。
【図３】本発明に係る基板処理装置の概略的な側断面図。
【図４】本発明に係る基板処理装置に対する概略的な一部側断面図。
【図５】本発明に係る基板処理装置において、ディスクおよび基板安置部の概念的な平面図。
【図６】本発明に係る基板処理装置において、基板安置部およびディスクに対する概略的な分解側断面図。
【図７】センタリング機能を説明するために、図6のA部分を拡大して示した概略的な側断面図。
【図８】センタリング機能を説明するために、図6のA部分を拡大して示した概略的な側断面図。
【図９】本発明に係る基板処理装置において、整列部を説明するための概念的な平面図。
【図１０】本発明に係る基板処理装置において、整列部を説明するための概念的な平面図。
【図１１】本発明の変形された実施例に係る基板処理装置の概略的な一部側断面図。
【図１２】本発明の変形された実施例に係る基板処理装置の概略的な一部側断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下では、本発明に係る基板処理装置の実施例を添付の図を参照して詳細に説明する。本発明に係る基板安置手段は、本発明に係る基板処理装置に含まれ得るので、本発明に係る基板処理装置の実施例を説明しながら、一緒に説明する。
【００１４】
図2〜図4を参照すると、本発明に係る基板処理装置１は、基板（S）の処理工程を行うものである。例えば、本発明に係る基板処理装置１は、基板（S）に薄膜を堆積する堆積工程および、基板（S）に堆積された薄膜の一部を除去するエッチング工程の中で少なくとも一つを行うことができる。例えば、本発明に係る基板処理装置１は、CVD（Chemical Vapor Deposition）、ALD（Atomic Layer Deposition）などの堆積工程を行うことができる。本発明に係る基板処理装置１は、チャンバー２、ガス噴射部３、および基板安置手段４を含む。
【００１５】
図2及び図3を参照すると、前記チャンバー２は、前記の処理工程が行われる処理空間を提供するものである。前記チャンバー２には、前記ディスク５が結合し得る。
【００１６】
前記チャンバー２は、上面が開放された本体２１、及び前記本体２１の開放された上端面に結合したリード２２を含むことができる。前記本体２１と前記リード２２が相互に結合して、相対的に下側（DD矢印の方向）と上側（UD矢印の方向）にそれぞれ位置することができる。これにより、前記チャンバー２の下部は、前記本体２１に該当し、前記チャンバー２の上部は、前記リード２２に該当することができる。前記リード２２は、前記本体２１に結合することにより、前記処理空間を密閉させることができる。前記リード２２および、前記チャンバー２は、図2に示すように円筒状の構造で形成することができるが、これに限定されず、楕円形の構造、多角形構造などで形成することもできる。
【００１７】
前記チャンバー２には、前記の処理空間に存在するガスなどを排気させるための排気口２３を設置することができる。前記排気口２３は、前記チャンバー２の本体２１に設置することができる。
【００１８】
前記チャンバー２には、基板出入口２４を形成することができる。前記基板出入口２４は、基板（S）が出入りするための通路である。基板（S）は、前記基板出入口２４を介して前記チャンバー２の内部に搬入され得、前記チャンバー２の外部に搬出され得る。前記基板出入口２４は、開閉ユニット（未図示）によって開閉することができる。前記基板出入口２４は、前記チャンバー２の本体２１に形成することができる。
【００１９】
図2〜図4を参照すると、前記ガス噴射部３は、処理ガスを噴射するものである。前記ガス噴射部３は、前記リード２２に結合され、前記ディスク５と前記基板安置部６に向かって処理ガスを噴射することができる。これにより、前記ガス噴射部３は、前記基板安置部６に安置された基板（S）に向かって処理ガスを噴射することができる。前記ガス噴射部３は、前記基板安置部６の上側（UD矢印の方向）に位置するように前記リード２２に結合することができる。前記ガス噴射部３は、複数のガス噴射モジュールを含むことができる。前記ガス噴射モジュールの中の少なくとも一つは、ソースガスを噴射することができる。前記ガス噴射モジュールの中の少なくとも一つは、反応ガスを噴射することができる。前記ガス噴射モジュールの中の少なくとも一つは、パージガスを噴射することができる。前記ガス噴射モジュールは、互いに離隔した位置で前記リード２２に結合することができる。これにより、前記ガス噴射モジュールは、互いに異なる空間に処理ガスを噴射することができる。前記ガス噴射部３が噴射した処理ガスは、前記の処理工程に使用された後に前記ディスク５と前記チャンバー２との間の空間に流動して前記チャンバー２に設置された排気部を通じて前記チャンバー２の外部に排気することができる。
【００２０】
図2〜図4を参照すると、前記基板安置手段４は、基板（S）を支持するものである。前記基板安置手段４には、複数の基板（S）を安置することができる。前記基板安置手段４は、前記チャンバー２の内部に位置することができる。前記基板安置手段４は、前記ガス噴射部３の下側（DD矢印の方向）に位置するように、前記チャンバー２に結合することができる。
【００２１】
前記基板安置手段４は、本発明に係る基板安置手段として具現することができる。前記基板安置手段４は、ディスク５および、複数の基板安置部６を含むことができる。
【００２２】
図2〜図4を参照すると、前記ディスク５は、前記基板安置部６を支持するものである。前記ディスク５は、前記基板安置部６を支持することにより、前記基板安置部６のそれぞれに安置された基板（S）を支持することができる。前記ディスク５は、前記チャンバー２の内部に位置するように、前記チャンバー２に結合することができる。
【００２３】
前記ディスク５は、前記チャンバー２に回転可能に結合することができる。前記ディスク５は、中心５aを回転軸にして回転することができる。前記ディスク５の中心５aは、前記ディスク５の外周面から同じ距離で離隔した地点である。前記チャンバー２には、前記ディスク５を回転させるための回転部２０（図3に示す）を結合することができる。
【００２４】
前記ディスク５が前記中心５aを回転軸にして回転することにより、前記基板安置部６および前記基板安置部６に安置された基板（S）は、前記ディスク５の中心５aを回転軸にして公転することができる。前記ディスク５は、前記ガス噴射部３の下側（DD矢印の方向）に位置することができる。これにより、前記ディスク５が前記中心５aを回転軸にして回転すると、前記基板安置部６に安置された基板（S）は、前記ガス噴射部３が有するガス噴射モジュールの下側（DD矢印の方向）を順次に通過することができる。
【００２５】
前記ディスク５の上面５１は、前記基板安置部６の上面６１より下側（DD矢印の方向）に位置することができる。この場合、前記基板安置部６の上面６１が、前記ディスク５の上面５１より上側（UD矢印の方向）にさらに突出することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、基板の上面とディスクの上面が同一平面上に位置する従来技術と対比すると、前記ディスク５の上側（UD矢印の方向）に、より広い排気空間（ES）を確保することができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、前記ガス噴射部３から噴射された処理ガスを円滑に排気させることができるので、基板（S）の処理工程に使用された後に残存する処理ガスの量を減少させることができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、堆積工程、エッチング工程などの処理工程を経た薄膜の品質を向上させることができる。前記ガス噴射部３が噴射した処理ガスは、前記の処理工程に使用された後に前記排気空間（ES）を経て、前記ディスク５と前記チャンバー２の間を通過して前記チャンバー２の外部に排気することができる。この場合、前記排気空間（ES）は、前記ディスク５において、前記基板安置部６が位置した部分の外側に配置され得る。
【００２６】
前記ディスク５において、前記基板安置部６が位置した部分を除いた残りの部分の上面５１は、前記基板安置部６の上面６１より下側（DD矢印の方向）に位置することができる。この場合、前記排気空間（ES）は、前記ディスク５において、前記基板安置部６が位置した部分の内側、及び前記ディスク５において、前記基板安置部６が位置した部分の外側に配置することができる。前記ディスク５において、前記基板安置部６が位置した部分の内側には、処理ガスを排気させるための排気口（未図示）を設置することができる。前記排気口は、前記ディスク５の中心５aに連結するように設置することができる。
【００２７】
前記ディスク５の上面５１と前記基板安置部６の上面６１の高さの差（H）は、3mmを超過30mm未満であり得る。前記高さの差（H）が3mm以下の場合には、前記排気空間（ES）の大きさの減少により、処理ガスを円滑に排気させることが難しい。前記高さの差（H）が30mm以上である場合には、前記排気空間（ES）の大きさの増加により、前記処理工程で使用されずに排気される処理ガスの量が増加するので、処理ガスが浪費され得る。本発明に係る基板処理装置１は、前記の高さの差（H）が3mmを超過30mm未満に具現することによって、処理ガスを円滑に排気させることができるとともに処理ガスの浪費を減らすことができる。
【００２８】
図2〜図5を参照すると、前記基板安置部６は、それぞれ基板（S）を支持するものである。前記基板（S）は、前記基板安置部６のそれぞれに安置されることで、前記基板安置部６のそれぞれに支持され得る。前記基板安置部６は、前記ディスク５の中心５aから放射状に配置することができる。この場合、前記基板安置部６は、前記ディスク５の中心５aを基準にして同じ角度で離隔するように配置することができる。図5に示すように、前記ディスク５に前記基板安置部６が6個配置される場合には、前記基板安置部６は、前記ディスク５の中心５aを基準にして60度ずつ離隔するように配置することができる。
【００２９】
前記基板安置部６の中心６a（図5に示す）は、前記ディスク５の中心５aから同心円（CC）上に形成することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板安置部６のそれぞれに安置された基板（S）に対して同じ工程環境を提供するように具現することができる。前記基板安置部６の中心６aは、前記基板安置部６のそれぞれの外周面から同じ距離で離隔した地点である。
【００３０】
前記基板安置部６の上面６１は、前記ディスク５の上面５１より上側（UD矢印の方向）により突出することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記排気空間（ES）の大きさを増やすことによって、処理ガスを円滑に排気させることができるように具現される。前記基板安置部６及び前記ディスク５は、一体に形成することができる。
【００３１】
図2〜図9を参照すると、前記基板安置部６は、それぞれ、前記ディスク５から分離可能に具現することもできる。図9には、前記基板安置部６が点線で示されているが、これは説明の便宜上である。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、次のような作用効果を図ることができる。
【００３２】
第一に、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板安置部６の中で損傷乃至破損したもののみを個別に交換、修理などのメンテナンス作業を行なえるように具現することができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、メンテナンス作業にかかるコストを削減することができ、メンテナンス作業にかかる時間を減らし、稼働率を増大させることができる。
【００３３】
第二に、本発明に係る基板処理装置１は、図9に示すように、前記基板安置部６が向かう方向を変更し得るように前記基板安置部６を前記ディスク５に対して、独立して回転させることができる。前記基板安置部６が中心６aを基準に自転することにより、前記基板安置部６に安置された基板（S）も一緒に自転すると、前記基板安置部６に安置された基板（S）は、前記ディスク５の中心５aに向かう部分が変更され得る。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、基板（S）上に位置した薄膜の厚さに対する均一性を向上させることができる。
【００３４】
例えば、前記基板安置部６に基板（S）が安置された状態では、前記ディスク５が中心５aを回転軸として回転して、第1サイクルで処理工程を行った後、前記基板安置部６は、中心６aを回転軸として180度自転することができる。その後、前記ディスク５は、中心５aを回転軸として回転して第2サイクルで処理工程を行うことができる。これにより、第1サイクルの処理工程を行うときには、前記ディスク５の中心５aを向いた部分が、第2サイクルで処理工程を行うときには、前記ディスク５の外側を向くように配置することができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、前記の処理工程を行う過程で、前記基板安置部６に安置された基板（S）において、前記ディスク５の中心５aを向く部分を変更することができるので、基板（S）に対して部分的に発生する工程環境の差を補正することができる。
【００３５】
図示していないが、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板安置部６を昇降及び回転させる方向変更部を含むことができる。前記方向変更部は、前記基板安置部６が前記ディスク５から離隔するように前記基板安置部６を昇降させた後、前記基板安置部６を回転させて基板（S）の方向を変更することができる。その後、前記方向変更部は、前記基板安置部６を下降させて前記ディスク５に安着させることができる。前記方向変更部は、前記基板安置部６の下側（DD矢印の方向）に位置するように、前記チャンバー２に結合することができる。前記基板安置部６を複数個具備した場合、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板安置部６の数に対応する数の前記方向変更部を含むことができる。
【００３６】
前記基板安置部６は、前記ディスク５に形成された複数の挿入部５２を介して前記ディスク５に分離可能に具現することができる。
【００３７】
前記挿入部５２は、前記ディスク５の中心５aから放射状に配置することができる。この場合、前記挿入部５２は、前記ディスク５の中心５aを基準にして同じ角度で離隔するように配置することができる。前記挿入部５２は、前記ディスク５を貫通して形成することができる。前記挿入部５２は、前記ディスク５に一定の深さで溝を加工して形成することもできる。本発明に係る基板処理装置１は、前記挿入部５２および前記基板安置部６を互いに同じ数で備えることができる。
【００３８】
前記挿入部５２の一つは、前記基板安置部６の一つと連結したり分離したりすることができる。これにより、前記基板安置部６は、それぞれ、前記ディスク５から分離可能に具現することができる。前記挿入部５２のそれぞれに前記基板安置部６の一つを割り当てることができる。この場合、前記基板安置部６の一部が前記挿入部５２に挿入され得る。これにより、前記基板安置部６は、前記ディスク５の支持面５３に支持されることにより、前記挿入部５２に挿入された状態で維持することができる。前記支持面５３は、前記ディスク５に前記挿入部５２が形成されることによって前記挿入部５２を向くように配置された面である。前記支持面５３は、円形のリング形態に形成することができる。
【００３９】
前記挿入部５２のそれぞれは、前記ディスク５の上面５１において第1内径５２１（図6に示す）を有し、前記ディスク５の下面で第2内径５２２（図6に示す）を有するように形成することができる。前記第1内径５２１は、前記第2内径５２２よりも大きく形成することができる。これにより、前記支持面５３は、前記ディスク５の上面５１を基準に傾斜して形成することができる。前記支持面５３は、下側（DD矢印の方向）に延長されるほど前記基板安置部６の中心６aに近づくように傾斜するように形成することができる。これにより、図7に示すように、前記基板安置部６が前記挿入部５２に対してずれて配置された場合にも、前記基板安置部６は、自重により前記支持面５３の傾斜に沿って移動して正確な位置に位置するように誘導することができる。つまり、前記挿入部５２及び前記支持面５３は、前記基板安置部６が正確な位置に位置するように誘導するセンタリング機能を備えることができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板安置部６のそれぞれが正確な位置に位置するように誘導することにより、前記基板安置部６に安置された基板（S）に対して同じ工程環境を提供するように具現することができる。この場合、前記挿入部５２及び前記支持面５３は、前記基板安置部６の中心６aが、前記ディスク５の中心５aから同心円（CC、図5に示す）上に配置されるように誘導することができる。前記支持面５３のうち少なくとも1つが前記ディスク５の上面５１を基準に傾斜して形成することができる。
【００４０】
前記基板安置部６は、それぞれ下面から下側（DD矢印の方向）に突出したセンタリング部材６２を含むことができる。前記センタリング部材６２は、それぞれ下側（DD矢印の方向）に突出するほど直径が減少するように形成することができる。前記センタリング部材６２は、前記挿入部５２のそれぞれに挿入されることにより、前記支持面５３のそれぞれに支持され得る。この場合、前記支持面５３は、それぞれ下側（DD矢印の方向）に延長されるほど直径が減少するように傾斜するように形成することができる。これにより、図7に示すように、前記基板安置部６が前記挿入部５２に対してずれて配置された場合、本発明に係る基板処理装置１は、前記センタリング部材６２と、前記支持面５３のそれぞれの傾斜を利用して、前記基板安置部６が正確な位置に移動するように誘導することができる。すなわち、本発明に係る基板処理装置１は、前記センタリング部材６２と前記支持面５３のそれぞれの傾斜を利用して、前記のセンタリング機能をより強化することができる。
【００４１】
前記基板安置部６は、それぞれ傾斜面６２１を含むことができる。前記傾斜面６２１は、前記支持面５３のそれぞれに接触するものである。前記傾斜面６２１は、前記センタリング部材６２のそれぞれの外周面に対応することができる。前記傾斜面６２１と前記支持面５３のうちの少なくとも一つは、前記ディスク５の上面５１を基準に傾斜して形成することができる。前記傾斜面６２１が、前記ディスク５の上面５１を基準に傾斜して形成された場合、前記センタリング機能は、前記傾斜面６２１によって具現され得る。前記支持面５３が、前記ディスク５の上面５１を基準に傾斜して形成された場合、前記センタリング機能は、前記支持面５３によって具現され得る。前記傾斜面６２１および前記支持面５３の両方が前記ディスク５の上面５１を基準に傾斜して形成された場合、前記センタリング機能は、前記傾斜面６２１および前記支持面５３の両方によって具現され得る。この場合、前記傾斜面６２１および前記支持面５３は、互いに対応する角度で傾斜するように形成することができる。
【００４２】
前記傾斜面６２１および前記支持面５３の両方が前記ディスク５の上面５１を基準に傾斜して形成された場合、本発明に係る基板処理装置１は、前記傾斜面６２１および前記支持面５３が互いに接触すると、ガスが前記ディスク５および前記基板安置部６の間の隙間を通過するために移動しなければならない長さを増大させることができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記ガス噴射部３から噴射された処理ガスが前記ディスク５および前記基板安置部６の間の隙間を通過し難いように具現することができる。すなわち、本発明に係る基板処理装置１は、処理ガスに対するシール機能を強化することができる。従って、本発明に係る基板処理装置１は、処理ガスに対する浪費量をさらに減少させることができる。また、本発明に係る基板処理装置１は、堆積工程を行う場合、不必要な部分に堆積が行われることによって汚染が発生する程度を減少させることができる。
【００４３】
一方、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板安置部６の下側（DD矢印の方向）からの保護ガスを噴射するように具現することができる。保護ガスは、前記ディスク５および前記基板安置部６の間の隙間を介して処理ガスが侵入することを防止するものである。しかし、保護ガスの噴射力が強すぎると、保護ガスが前記ディスク５および前記基板安置部６の間の隙間を通過して処理工程に影響を与え得る。この場合、本発明に係る基板処理装置１は、前記傾斜面６２１および前記支持面５３の両方が前記ディスク５の上面５１を基準に傾斜して形成されて互いに接触することによって、保護ガスが前記ディスク５および前記基板安置部６の間の隙間を通過し難くいように具現することができる。すなわち、本発明に係る基板処理装置１は、保護ガスに対するシール機能を高めることができる。
【００４４】
図2〜図10を参照すると、本発明に係る基板処理装置１は、整列部７（図6に示す）を含むことができる。図10には、前記基板安置部６が点線で示されているが、これは説明の便宜上である。
【００４５】
前記整列部７は、前記基板安置部６が前記ディスク５に対して所定の方向に結合するようにするものである。図9及び図10に示すように、前記基板安置部６が向かう方向が変更するように回転した場合、前記の整列部７は、前記基板安置部６が既設定された方向の中でいずれか一つの方向に維持されるように整列することができる。例えば、前記整列部７は、前記基板安置部６が180度ずつ回転して2つの方向に変更するように前記基板安置部６を整列することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記の処理工程を行う過程で、前記基板安置部６および前記基板安置部６に安置された基板（S）の回転を介して基板（S）に対して部分的に発生する工程環境の違いを補正することができる。本発明に係る基板処理装置１は、前記整列部７を複数個含むことができる。
【００４６】
前記整列部７は、それぞれの整列突起７１および整列溝７２を含むことができる。
【００４７】
前記整列突起７１は、それぞれ前記基板安置部６それぞれの下面から突出することができる。前記基板安置部６のそれぞれにセンタリング部材６２が備えられた場合、前記の整列突起７１は、前記センタリング部材６２の外側に配置することができる。これにより、前記整列突起７１は、前記センタリング部材６２が前記挿入部５２に挿入されることに干渉しないように配置することができる。前記整列突起７１は、それぞれ円筒形に形成することができるが、これに限定されず、前記の整列溝７２に挿入することができる形態であれば、多角形の形態などの他の形態に形成することもできる。前記整列突起７１は、それぞれ下側（DD矢印の方向）に延長されるほど大きさが減少するように形成することができる。
【００４８】
前記整列溝７２は、それぞれ前記ディスク５に形成することができる。前記整列溝７２は、前記挿入部５２のそれぞれの外側に形成することができる。前記基板安置部６は、それぞれ、前記の整列突起７１が、前記の整列溝７２それぞれに挿入されることにより、前記ディスク５に分離可能に結合することができる。前記整列突起７１は、前記整列溝７２のそれぞれに挿入して、前記ディスク５に支持されることにより、前記基板安置部６を前記ディスク５に対して所定の方向に結合した状態で維持することができる。
【００４９】
ここで、前記基板安置部６のそれぞれには、N個（Nは1以上の整数）の整列突起７１を形成することができる。前記整列突起７１は、前記基板安置部６それぞれの中心６aを基準に同じ角度で離隔するように配置することができる。この場合、前記ディスク５には、前記挿入部５２それぞれの外側にNまたは2N個の整列溝７２を形成することができる。これにより、前記基板安置部６それぞれの中心６aを基準に回転した角度によって、前記整列突起７１は、互いに異なる整列溝７２に挿入することができる。
【００５０】
例えば、一つの基板安置部６を基準に、前記の整列突起７１を2つずつ具備した場合、図9に示すように、前記ディスク５には、前記挿入部５２の外側に2個ずつの整列溝７２が形成され得る。この場合、前記基板安置部６が中心６aを回転軸にして180度ずつ回転すると、前記の整列突起７１は、前記の整列溝７２それぞれに挿入することができる。これにより、前記基板安置部６に安置された基板（S）は、前記基板安置部６の中心６aを回転軸にして180度ずつ回転して前記ディスク５の中心５aに向かう部分が変更され得る。前記整列溝７２は、前記挿入部５２の外側で前記基板安置部６の中心６aを基準に180度ずつ離隔するように配置することができる。前記整列突起７１は、前記基板安置部６の中心６aを基準に180度ずつ離隔するように配置することができる。
【００５１】
例えば、一つの基板安置部６を基準に、前記の整列突起７１を2つずつ備えた場合、図10に示すように、前記ディスク５には、前記挿入部５２の外側に4つずつの整列溝７２が形成され得る。この場合、前記基板安置部６が中心６aを回転軸にして90度ずつ回転すると、前記整列突起７１は、前記整列溝７２のそれぞれに挿入することができる。これにより、前記基板安置部６に安置された基板（S）は、前記基板安置部６の中心６aを回転軸にして90度ずつ回転して前記ディスク５の中心５aに向かう部分を変更することができる。前記整列溝７２は、前記挿入部５２の外側で前記基板安置部６の中心６aを基準に90度ずつ離隔するように配置することができる。前記整列突起７１は、前記基板安置部６の中心６aを基準に90度ずつ離隔するように配置することができる。
【００５２】
図示していないが、前記の整列突起７１は、前記挿入部５２のそれぞれの外側で上側（UD矢印の方向）に突出するように、前記ディスク５に形成することもできる。この場合、前記の整列溝７２は、前記基板安置部６それぞれの下面に形成することもできる。
【００５３】
図11及び図12を参照すると、本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１において、前記基板安置部６は、それぞれ中央部６３および外郭段差部６４を含むことができる。図11及び図12には、前記基板安置部６及び前記ディスク５が一体型に具現された実施例を示したが、これに限定されず、前記基板安置部６及び前記ディスク５は、分離型で具現される実施例にも適用することができる。
【００５４】
前記中央部６３は、基板（S）の下面を支持するものである。前記中央部６３は、前記外郭段差部６４の内側に位置するように配置することができる。前記中央部６３の上面は、前記ディスク５の上面５１よりも上側にさらに突出することができる。前記中央部６３は、基板（S）に対応する形態で形成することができる。
【００５５】
前記外郭段差部６４は、基板（S）の側面を支持するものである。前記中央部６３及び前記中央部６３に支持された基板（S）は、前記の外郭段差部６４の内側に位置することができる。前記外郭段差部６４は、前記中央部６３及び前記中央部６３に支持された基板（S）を囲むように形成することができる。例えば、前記外郭段差部６４は、円形のリング形態に形成することができる。前記外郭段差部６４は、前記中央部６３の上面５１よりも上側にさらに突出することができる。これにより、前記外郭段差部６４は、前記中央部６３に支持された基板（S）の側面を支持することにより、前記中央部６３に支持された基板（S）の移動を防止することができる。前記外郭段差部６４は、基板（S）に比べて、より大きな直径を有するように形成することができる。この場合、前記外郭段差部６４は、前記中央部６３に支持された基板（S）の側面を支持することにより、前記中央部６３に支持された基板（S）が移動可能な距離を制限することができる。
【００５６】
前記外郭段差部６４には、ガス流路６５を形成することができる。前記ガス流路６５は、前記外郭段差部６４の内側及び前記ディスク５の上面５１それぞれと連通するように形成することができる。これにより、前記処理工程で使用された後に前記外郭段差部６４の内側に残存する処理ガスは、前記ガス流路６５を介して前記外郭段差部６４を通過することができる。その後、処理ガスは、前記排気空間（ES）を経て排気することができる。したがって、本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１は、前記外郭段差部６４を備えた場合でも、前記ガス流路６５を介して処理ガスを円滑に排気させることができるように具現される。前記ガス流路６５は、前記外郭段差部６４を貫通して形成することができる。前記外郭段差部６４には、前記ガス流路６５を複数個形成することもできる。この場合、前記ガス流路６５は、互いに離隔した位置に配置することができる。
【００５７】
前記ガス流路６５は、前記同心円（CC、図5に示す）に対して外側に形成することができる。これにより、本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１は、処理ガスが前記ガス流路６５を介して前記ディスク５の中心５a（図5に示す）に向かって流動しないで、前記ディスク５の外側に流動するように具現することができる。
【００５８】
前記基板安置部６は、それぞれのエッジホーム６６（図12に示す）を含むことができる。
【００５９】
前記エッジホーム６６は、前記中央部６３に形成することができる。前記エッジホーム６６は、前記中央部６３及び前記外郭段差部６４の境界線に沿って形成することができる。前記エッジホーム６６は、処理ガスを収容することができる。これにより、本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１は、前記エッジホーム６６を介して前記中央部６３に支持された基板（S）の外郭部分で処理ガスが留まるように具現することによって、基板（S）の外郭部分に対する処理工程の効率を高めることができる。本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１が堆積工程を行う場合、前記基板（S）の外郭部分に堆積される薄膜の厚さをより厚くすることができる。本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１がエッチング工程を行う場合には、前記基板（S）の外郭部分に位置する薄膜に対するエッチング率をより高めることができる。前記エッジホーム６６は、円形のリング形態に形成することができる。
【００６０】
前記中央部６３において、前記エッジホーム６６が形成された床面の高さは、前記ディスク５の上面５１の高さと同じに具現することができる。前記中央部６３において、前記エッジホーム６６が形成された床面の高さは、前記ディスク５の上面５１の高さに比べて、より低く具現することもできる。この場合、前記エッジホーム６６に収容される処理ガスの流量を増やすことができるので、基板（S）の外郭部分の処理工程の効率をより高めることができる。このように、本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１は、前記エッジホーム６６の深さによって、基板（S）の外郭部分の処理工程の効率が調節されるように具現することができる。
【００６１】
前記ディスク５には、グルーブ５４を形成することができる。前記グルーブ５４は、前記ディスク５の上面５１に形成することができる。これにより、本発明の変形された実施例に係る基板処理装置１は、前記グルーブ５４を介して前記排気空間（ES）の大きさを増大させることができるので、処理ガスをより円滑に排出させることができる。前記グルーブ５４は、前記ディスク５の上面５１に一定の深さで溝を加工することによって形成することができる。前記グルーブ５４は、前記ディスク５の上面５１で前記基板安置部６の外側に配置することができる。前記基板安置部６は、前記グルーブ５４の内側に位置するように配置することができる。前記グルーブ５４は、円形のリング形態に形成することができる。
【００６２】
以上で説明した本発明は、前述した実施例及び添付の図に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、複数の置換、変形及び変更が可能であることが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020532860.tif 000009
【図８】
2020532860.tif 000010
【図９】
2020532860.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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