(57)【要約】  化学気相成長（ＣＶＤ）反応装置用の処理チャンバ（Ｃ）。処理チャンバは、部分真空エンクロージャを画定する本体（Ｂ）内に、注入システム（３）の温度を略一定に制御または維持するための熱制御システム（２）を備える。熱制御システム（２）は、注入システム（３）との界面領域（ＺＩ）を有する。この処理チャンバ（Ｃ）は，界面領域（ＺＩ）に、少なくとも１つの熱移動領域（ＺＴ）をさらに備える。熱移動領域（ＺＴ）は、（ｉ）圧力および汚染種の拡散からの絶縁障壁によって部分真空エンクロージャ（Ｅ）から絶縁されており、（ｉｉ）熱界面材料（１０）により充填されている。ＣＶＤ蒸着法を実施する用途、とりわけパルスＣＶＤ蒸着。
2020505508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学気相成長（ＣＶＤ）の反応装置（Ｒ）用の処理チャンバ（Ｃ）であって、該処理チャンバは、部分真空エンクロージャを画定する本体（Ｂ）内に、
支持要素（５）上に配置された基板（８）に蒸着させる反応種を注入するための注入システム（３）と、
前記注入システム（３）の温度を略一定に制御または維持するための熱制御システム（２）であって、前記注入システム（３）との界面領域（ＺＩ）を有する前記熱制御システム（２）と
を備える前記処理チャンバ（Ｃ）において、
前記処理チャンバ（Ｃ）は、前記界面領域（ＺＩ）に、少なくとも１つの熱移動領域（ＺＴ）をさらに備え、該熱移動領域（ＺＴ）は、
（ｉ）圧力および汚染種の拡散からの絶縁障壁によって部分真空エンクロージャ（Ｅ）から絶縁されており、
（ｉｉ）熱界面材料（１０）により充填されていることを特徴とする、処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項２】
前記熱界面材料が、小さい熱抵抗係数を有することを特徴とする請求項１に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項３】
前記熱界面材料が、空気の熱伝導率と等しいかそれよりも大きい熱伝導率を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項４】
前記熱調整システム（２）が、前記反応装置（Ｒ）の蓋（Ｌ）と一体化した部分であり、該蓋（Ｌ）が、反応種を導入するための入口オリフィス（１）を備えることを特徴とする請求項１に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項５】
前記注入システム（３）が、前記界面領域（ＺＩ）及び前記熱調整システム（２）を介して前記蓋（Ｌ）と一体化されており、前記注入システム（３）は、前記蓋を取り外すことによってアクセス可能になっていることを特徴とする請求項４に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項６】
少なくとも２つの連結絶縁障壁によって画定された熱移動領域を備えることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項７】
前記画定された熱移動領域は環状領域であることを特徴とする請求項６に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項８】
前記界面領域に分布され、かつそれぞれが絶縁障壁によって区切られた複数の熱移動領域を有することを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項９】
前記絶縁障壁が、前記部分真空エンクロージャ（Ｅ）と前記熱移動領域（ＺＴ）とに異なる圧力を印加することを可能にする１つまたは複数の封止領域を前記熱移動領域（ＺＴ）の周りに形成するように配置されることを特徴とする請求項６から請求項８までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項１０】
前記絶縁障壁が、大気圧の前記熱移動領域（ＺＴ）を前記部分真空エンクロージャ（Ｅ）から分離するように配置された１つまたは複数の封止体の列を備えることを特徴とする請求項６から請求項９までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項１１】
前記熱制御システム（２）が、前記熱界面材料（１０)を大気圧下に置くために設けられた１つまたは複数の孔（９）を備えることを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項１２】
前記注入システム（３)と前記基板（８）との間に高周波（ＲＦ）電位を印加することによってプラズマを発生させるための高周波手段をさらに備え、
前記処理チャンバ（Ｃ）は、前記熱調整システム（２）を、前記処理チャンバ（Ｃ）の前記本体（Ｂ）の接地されている残りの部分から電気的に絶縁するための手段（４）をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項１３】
前記注入システムは、反応種を前記部分真空エンクロージャ（Ｅ）内に均一に注入するために設けられた複数のチャネル（３０）を有するシャワーヘッド（３）の形態で配置されていることを特徴とする請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項１４】
前記シャワーヘッド（３）が、反応種を別個に注入するための２組の別個のチャネルを有することを特徴とする請求項１３に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項１５】
前記シャワーヘッドは、位相シフトパルスの形態で反応種を注入するための２組の別個のチャネルを有することを特徴とする請求項１３に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項１６】
前記部分真空エンクロージャ（Ｅ）内の前記基板（８）の前記支持要素（５）の高さを調整するための手段をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項１５までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
【請求項１７】
化学気相成長（ＣＶＤ）の反応装置（Ｒ）用の処理チャンバ（Ｃ）に反応種を注入するためのシステム（３）を熱化する方法であって、前記チャンバが部分真空エンクロージャ（Ｅ）を画定する本体（Ｂ）内に、支持要素（５）に配置された基板（８）に蒸着させる反応種を注入するための注入システム（３）を備え、
前記方法は、前記注入システム(3)の温度を略一定に調整または維持するための熱調整を含み、
前記熱調整は、蓋を形成して前記注入システム（３）との界面領域（ＺＩ）を有する前記本体（Ｂ）の一部から実施される、前記方法において、
前記注入システム（３）と前記蓋（Ｌ）の上部との間での、熱界面材料（１０）を含む熱移動領域（ＺＴ）を介しての熱伝導による熱移動と、
前記部分真空エンクロージャ（Ｅ）に対する前記熱移動領域（ＺＴ)の圧力および汚染種の拡散からの絶縁と
を特徴とする方法。
【請求項１８】
シャワーヘッド（３）の形態の注入システムを備えた反応装置（Ｒ）で実施される請求項１７に記載された方法。
【請求項１９】
反応種を別個に注入するための２組の別個のチャネルを有するシャワーヘッドを用いて実施される請求項１８に記載された方法。
【請求項２０】
前記反応種がシフト位相パルスの形態で注入される請求項１９に記載された方法。
【請求項２１】
請求項１から請求項１６までのいずれか１項に記載された処理チャンバを有する化学気相成長（ＣＶＤ）反応装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応装置用の処理チャンバに関し、このチャンバ内で実行される熱化プロセスにも係るものである。より具体的には、ＣＶＤ反応装置におけるガス分配システムの熱的調整、およびこの反応装置における熱移動の最適化に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤ型の蒸着は、部分真空下の反応装置で行われる。この反応装置には、反応種(たとえば、反応物質および前駆体)を、シャワーヘッドと通常呼ばれる空間を通して処理チャンバに注入するものがある。シャワーヘッドは、処理すべき基板に面し、反応種を基板上の容積内に均一に注入するための複数のチャネルを有する。
【０００３】
例えば、国際公開第２００９／０１３６０１９号は、反応種を別々に注入するための２つの別個のチャネルを有する注入シャワーを備えた反応装置を記載している。
【０００４】
注入シャワーを備えたこの種類の反応装置は、ＣＶＤ型の蒸着技術を実施するために使用できる。また、例えば国際公開第２０１５／１４０２６１号に記載されているように、パルスＣＶＤ法を実施するためにも使用できる。この場合、２つの別個のチャネル群を有するシャワーが使用され、反応種は位相シフトしたパルスとして注入される。これは、例えば、成長速度が大きく、パターンの全ての側面に厚さの均一性の高い、すなわち高い厚さ均一性を有する被着物を形成することが可能になる。
【０００５】
シャワーヘッドは、磨耗部品であり、定期的に分解および交換しなければならない。しかし、パルスＣＶＤ法及び広くＣＶＤ法には、反応装置のシャワーヘッドの熱化又は温度維持に問題がある。実際、この部品は、使用されるプロセスに応じた正確な温度に維持されなければならない。このために、通常は、温度制御された反応装置の他の部分と接触させている。従って、熱移動は、二重機能(固定と熱移動の両方)を通して、真空中で金属どうしの間(または、金属どうし間に存在する材料との間)の熱接触によって達成される。真空中では熱伝導が存在しないで、この場合の熱移動は、主に固定点での熱伝導、すなわち非常に小さな表面での伝導、およびわずかな放射による。
【０００６】
シャワーヘッド内を循環する感熱性前駆体の完全性および基板への被着物の均一性を維持するために、このシャワーヘッドの温度は、その表面全体にわたって均一かつ一定であることが重要である。
【０００７】
しかし、シャワーヘッドはプロセスやステップに依存して、急激な繰り返しのエネルギー入力を受ける。それは、特に、ヒータ上に配置された基板がシャワーヘッドに接近するとき、チャンバ内の圧力が上昇するとき、または、チャンバ内でプラズマが発生するときである。
【０００８】
この構成では、シャワーヘッド材料と温度制御された真空チャンバとの間の接触は、温度制御された領域への十分な熱移動を保証するのに適切ではない。換言すれば、この界面の熱抵抗は、十分に速い熱移動を保証するには大きすぎる。
【０００９】
熱グリースのような熱抵抗の小さい界面材料を使用することにより、組立要素間の熱伝導性を向上させることも知られている。しかし、この解決法はＣＶＤチャンバに直接適用することはできない。なぜなら、汚染の危険性を回避するために関係プロセスに対して不活性な材料しか使用できず、熱伝導性を制限する真空の問題が依然として残るためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】国際公開第２００９／０１３６０１９号
【特許文献２】国際公開第２０１５／１４０２６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、ガスシャワーヘッドと熱調整システムとの間の熱移動を最適化する点で、従来技術の反応装置およびＣＶＤ処理チャンバに起こる欠点を克服することであり、基板およびシャワーヘッドへの交換を容易にするために容易に分解することのできる蓋構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この目的は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応装置用の処理チャンバを用いて達成され、このチャンバは、部分真空チャンバを画定する本体内に、支持要素上に配置された基板に蒸着させる反応種を注入するための注入システム、および注入システムの温度を略一定に調整または維持するための熱調整システムを備える。この熱調整システムは、注入システムとの界面領域を有する。
【００１３】
本発明によれば、処理チャンバは、界面領域に、少なくとも１つの熱移動領域も備える。熱移動領域は、（ｉ）圧力および汚染種の拡散からの絶縁障壁によって部分真空エンクロージャから絶縁されており、（ｉｉ)熱界面材料により充填されている。
【００１４】
材料の存在により、真空中に存在しない熱伝導による熱移動の存在が可能になる。熱界面材料は、小さい熱抵抗係数を有することが好ましい。
【００１５】
特に、熱界面材料は、(例えば、反応装置環境の温度および圧力条件下で)空気の熱伝導率と等しいか又はそれよりも大きい熱伝導率を有することができる。
【００１６】
絶縁障壁は、圧力損失及び熱界面材料の化合物が処理チャンバ内に拡散することを防止する。そうでなければ、その化合物は汚染種となる。
【００１７】
本発明により提供されるこの新しい技術により、良好な保守性を維持しながら、非常に効率的な熱界面を達成することが可能になる。
【００１８】
したがって、本発明は、シャワーヘッドと、熱調整システムと一体化したチャンバの上部との間の熱伝導性が良好であることから、プロセス中のガスシャワーヘッドの温度安定性を大幅に向上させることができる。
【００１９】
実際、この熱界面材料の存在により、熱伝導による熱移動が可能になる。これは、放射による非常に制限された熱移動のみが可能な真空下では不可能である。
【００２０】
このようにして形成された熱界面により、ガス注入システムが近づいたとき、またはガスが注入されてチャンバ内で圧力が上昇したときに、支持要素又は基板ホルダから吸収された熱をガス注入システムによって排出することが可能になる。
【００２１】
良好な熱接触を保証することに加えて、本発明は、実施が簡単であり、追加の流体チャネルを必要とせず、保守作業を複雑にすることはない。
【００２２】
本発明によるチャンバの好ましい具体例によれば、熱調整システムは、反応種の入口を備えた、反応装置の蓋の一体部分である。
【００２３】
注入システムは、界面領域および熱調整システムを介して蓋に接続され、それにより蓋が取り外しできるために注入システムに容易にアクセスが可能であることが有利である。
【００２４】
処理チャンバの蓋のこの一体化された構成は、ガス注入システムの交換を容易にすることを助ける。
【００２５】
本発明による処理チャンバの特定の具体例では、処理チャンバは、少なくとも２つの連結絶縁障壁によって画定された熱移動領域を有する。
【００２６】
このようにして画定される熱移動領域は、例えば、円筒形の幾何学的形状を有する処理チャンバの場合には、環状の形状を有することができる。
【００２７】
本発明による処理チャンバのさらに別の特定の具体例では、処理チャンバは複数の熱移動領域を有し、複数の熱移動領域が、界面領域内に分布されて、それぞれが絶縁障壁によって区切られる。
【００２８】
この絶縁障壁は、熱移動領域の周囲に１つ又は複数の封止領域を提供するように配置でき、部分真空エンクロージャと熱移動領域とに異なる圧力を提供する。絶縁障壁は、例えば、大気圧の熱移動領域を部分真空エンクロージャから分離するように配置された１つ又は複数の封止体の列を有することができる。
【００２９】
熱制御システムは、熱界面材料を大気圧にするために設けられた１つ又は複数の孔を備えることができることが有利である。
【００３０】
本発明による処理チャンバは、注入システムと基板との間に高周波（ＲＦ）電位を印加することによってプラズマを発生させるために設けられた高周波手段をさらに備える。この処理チャンバは、熱調整システムを、接地された処理チャンバ本体の他の部分から電気的に絶縁するための手段をさらに備える。
【００３１】
注入システムは、反応種を部分真空チャンバに均一に注入するように設計された複数のチャネルを有する噴射又は分配シャワーの形態で配置されることが有利である。
【００３２】
この分配シャワーは、反応種を別々に注入するために、２組の別個のチャネルを有することもできる。この別個の注入は、連続的な蒸着に特に有用である。
【００３３】
反応種は、パルスＣＶＤ蒸着を達成するために、位相シフトされたパルスの形態で注入することができる。この場合、パルスは、チャンバ内の圧力および温度条件を強くかつ急速に変化させるので、熱移動を最適化することがより必要になる。
【００３４】
本発明による処理チャンバの特定の具体例では、この処理チャンバは、エンクロージャ内の基板支持要素の高さを調整するための手段も備えることができる。
【００３５】
本発明の別の観点によれば、化学気相成長（ＣＶＤ）反応装置の処理チャンバ内に反応種を注入するためのシステムを熱化する方法が提案される。この処理チャンバは、部分真空チャンバを画定する本体内に、支持要素上に配置された基板上に蒸着するための反応種を注入するための注入システムも備える。この方法は、注入システムの温度を略一定に調整または維持するための熱調整を含み、この熱調整は、本体の蓋の一部から行われ、注入システムとの界面領域を有する。
【００３６】
本発明によれば、熱化プロセスは、界面領域において、以下を含む。
熱界面材料を有する熱移動領域を介しての、注入システムと蓋の上部との間の熱移動、および
部分真空エンクロージャからの熱移動領域内の汚染種の拡散および圧力の絶縁。
【００３７】
本発明による熱化プロセスは、反応装置内で実施することができる。反応装置は、シャワーヘッドの形態をした注入システムを備える。このシャワーヘッドは、有利には、反応種を別々に注入するために、２つの別個のチャネル群を有することができる。反応種は、位相シフトされたパルスの形態で注入することができる。
【００３８】
他の特徴および利点は、添付図面を参照して、非限定的な実施例として与えられる、発明による処理チャンバを製造する方法の以下の説明において明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来技術を代表す化学気相成長反応装置用の処理チャンバの概略図。
【図２】本発明による化学気相成長反応装置用の処理チャンバの第１の具体例の概略図。
【図３】図２に示した処理チャンバの界面領域の部分拡大図。
【図４】本発明による化学気相成長反応装置用の処理チャンバの第２の具体例の概略図。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
なお、説明を簡略化するために、様々な具体例において同一であるか又は同一の機能を有する要素には、同一の符号が付される。
【００４１】
これらの具体例は決して発明を限定するものではない。したがって、その特徴の選択が技術的効果を得るために十分であるか又は本発明を従来技術と区別するために十分である場合には、以下に記載または図示される特徴を他の特徴から分離して選択して（その選択が他の特徴を含む文内で分離される場合でも）本発明の変形例を考慮することが可能である。この選択には、構造上の詳細を伴わない少なくとも１つの有利な機能的特徴、および/または、技術的効果を得るために十分であるか又は本発明を従来技術と区別するために十分である場合には構造的詳細の一部のみを有する少なくとも１つの有利な機能的特徴を含む。
【００４２】
図１は、従来技術の典型的な化学気相成長ＣＶＤの反応装置ＲＯを概略的に示す。この反応装置は、支持要素または基板ホルダ５上に配置された基板８上にパルスＣＶＤまたはＣＶＤ蒸着を実行するように意図した処理チャンバＣＯを備え、例えば国際公開第２００９／０１３６０１９号に開示されているような２つの組のチャネルを有するタイプのシャワーヘッド３を備えている。シャワーヘッド３は、定期的に交換しなければならない摩耗部品である。
【００４３】
この従来技術の反応装置ＲＯは、シャワーヘッド３と基板ホルダ５上に配置された基板８との間に高周波（ＲＦ）電位を印加することによってプラズマ生成を任意に実施できる。
【００４４】
処理チャンバＣＯは、部分真空に維持されるエンクロージャＥＯを画定する本体ＢＯを有し、その上部に取外し可能な蓋ＬＯを備え、ガスをエンクロージャに導入するオリフィス１を有する。
【００４５】
プラズマ発生を使用するＣＶＤ反応装置での使用の場合、蓋ＬＯは、ＲＦ電位にアップグレードすることができる。この蓋ＬＯは熱調整システム２により一定の温度に維持される。熱調整システム２は、例えば、発熱抵抗体を備える、または、電磁誘導により作動するか、または、例えば、脱イオン水とエチレングリコールの混合物などの熱伝導流体または、Ｓｏｌｖａｙ  Ｇｒｏｕｐ社から市販されているＧａｌｄｅｎ(R)ブランドの熱伝達流体のような熱伝達流体の流れる回路を使用する。
【００４６】
熱制御システム２の主な機能は、シャワーヘッド３を一定の温度に維持することである。
【００４７】
電気絶縁体要素４が、チャンバＣＯのＲＦ電位が正である部分を、チャンバＣＯの接地された残りの部分から分離するために設けられる。
【００４８】
反応による副生成ガスは、処理チャンバＣＯの本体ＢＯの側方オリフィス６を通って排出される。
【００４９】
基板ホルダ５は、チャンバのタイプに応じて、浮遊電位、接地、または直流電圧もしくは交流電圧に分極することができるので、基板８の温度を保持し、また電気機能も実行する。基板ホルダ５は、−４０℃から＋８００℃ までの温度に維持することができる。
【００５０】
基板ホルダ５の高さは、処理性能および基板のロード/アンロードを最適化するように調整できる。基板ホルダ５はチャンバＣＯの一部分７内に配置され、この部分７の壁はゼロ電位に維持される。基板ホルダ５の近接およびガス注入時のチャンバＣＯの圧力上昇により、シャワーヘッド３との著しい熱交換が生じ、これによりシャワーヘッド３の温度が変化する可能性があることに注意すべきである。
【００５１】
このような反応装置を用いると、例えば、基板８上へのポリシリコンまたはアモルファスシリコンの高温蒸着を行うことが可能である。このプロセスには、６００℃〜７００℃の基板温度、および大気圧の３分の１に近い圧力が必要とされ、これは、熱制御システム２とシャワーヘッド３との間の熱伝導率を大きくすることに寄与する。シャワーヘッド３が十分に低い温度、例えば、８０℃のオーダーに維持されない場合、反応領域の前方で前駆体の劣化が起こり、過剰な粒子が生成されてプロセスに非常に損傷をもたらす。
【００５２】
他の種類の蒸着では、(約１００℃での)前駆体の昇華、次いで５００℃を超える温度での熱分解によりチャンバの上流領域で前駆体を活性化することを必要とするパリレンのようなポリマーを蒸着させることを望むことができる。活性化された前駆体は、チャンバに送られ、室温で基板上に定着させられる。活性化された前駆体と基質との温度差は、反応の重要なポイントの１つである。基板上方のガスシャワーヘッドが十分に高い温度に維持されない場合には、基板ではなくシャワーヘッド上で蒸着が起こる。この被着物は、その場で洗浄できないので、洗浄のためにチャンバの開口から次の開口までの間の平均作動時間は非常に短くなる。
【００５３】
図２を参照して、本発明によるＣＶＤ反応装置用の処理チャンバの第１の具体例を説明する。以下に説明する相違点を除いて、このチャンバＣは、図１を参照して前述したチャンバＣＯと共通の特性を有し、同様の方法で実施することができる。
【００５４】
特に、チャンバＣは、シャワーヘッド３と熱制御システム２との間の界面領域ＺＩに、部分真空エンクロージャＥから絶縁された熱移動領域ＺＴが存在する点でチャンバＣＯとは異なる。
【００５５】
熱移動領域ＺＴは、圧力及び化学物質の拡散から絶縁する障壁によってエンクロージャＥから分離され離隔されている。それは、接触及び伝導による熱移動を確実にする熱界面材料１０で満たされる。従って、例えば図１に関して説明した真空界面により達成される熱抵抗係数と比較して非常に小さい熱抵抗係数を有する。
【００５６】
熱移動領域ＺＴは、自由体積または拘束体積を規定する座ぐりを有することができる。これは、それぞれが界面領域ＺＩ内に分布する絶縁障壁であるいくつかの領域の形態、または、界面領域ＺＩの全周にわたって２つの絶縁障壁の間の領域の形態で形成できる。
【００５７】
熱界面材料１０は、閉じ込められた空気、発泡体、導電性グリース又は可鍛性金属であることができる。
【００５８】
熱移動領域は、真空に曝されず、空気および/または他の材料を含む。この空気は、チャンバが部分排気されても閉じ込められたままであり、伝導による熱移動を確実にする。したがって、移動領域内の圧力は、組立中に大気圧以上に維持される。
【００５９】
熱移動領域の部分拡大図である図３に示すように、処理チャンバＣの蓋Ｌは、熱移動界面を大気圧にするように設計された一組の孔９を有する。
【００６０】
熱移動領域ＺＴは２つの封止領域１２．１，１２．２を有し、シャワーヘッド３の前のガス分配領域１1と、熱調整システム２を通して設けられた孔９を介して大気圧下に置かれた熱界面材料１０を含む熱接触領域と異なる圧力を有することを可能にする。２つの封止領域１２．１，１２．２は、熱移動領域ＺＴを囲む絶縁障壁を形成し、大気圧下の部分を低圧又は部分真空下の部分から分離するための封止体の列として設計することができる。使用される封止体は、溝内のＯリング、または、高温に耐えることのできる金属シールにできる。
【００６１】
次に、図４を参照して、本発明によるＣＶＤ反応装置の処理チャンバＣ’の第２の具体例を説明する。チャンバＣ’は、図２に示したチャンバＣと共通する全ての構成に加えて、シャワーヘッド３と基板ホルダ５上に配置された基板８との間に高周波ＲＦ電位を印加することによってプラズマを発生させるシステムをさらに備える。このプラズマ生成システムは、例えば、シャワーヘッド３に一体化された部分である。蓋Ｌは高周波源に接続され、処理チャンバＣ’の本体Ｂの下部は接地されている(ゼロ電位)。シャワーヘッド３は、界面領域ＺＩを介して蓋Ｌと電気接続され、絶縁体要素４によって本体Ｂの下部から電気的に絶縁されている。
【００６２】
本発明による処理チャンバは、それぞれが特定の種類の蒸着物若しくは基材または特定の用途に対応し、多種多様な構成を有することができる。したがって、本発明の文脈において、非網羅的な例として、以下の蒸着、チャンバおよび熱調整の組み合わせが考えられる。
ＣＶＤ構成
複数のチャネルを有するシャワーヘッド
２つの別個のチャネルの組を有するシャワーヘッド
均質なパルスＣＶＤにより注入される反応種
２つの別個のチャネルの組を有するシャワーヘッド
位相シフトパルス蒸着タイプの形態で注入される反応種
−基板上へのポリシリコンまたはシリコンの高温蒸着
−基板チャンバ上へのポリマーの蒸着
−反応種の注入順序に従ってチャンバ内で変化するガス圧力
−チャンバ内で生成されるＲＦプラズマ
温度調整
−加熱抵抗器
−電磁誘導。
−熱軸受流体。
【００６３】
当然、本発明は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく、これらの例に対して多数の変更を加えることができる。当然ながら、本発明の様々な特性、形状、代替的な解決策および具体例は、それらが矛盾しないか、または相互に排他的でない場合には、いつでも様々な組み合わせで関連付けることができる。
【図１】
2020505508.tif 000003
【図２】
2020505508.tif 000004
【図３】
2020505508.tif 000005
【図４】
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【国際調査報告】
2020505508.tif 000007
2020505508.tif 000008
2020505508.tif 000009
2020505508.tif 000010
2020505508.tif 000011
2020505508.tif 000012