(57)【要約】  本出願は、タッチ制御ピクセル駆動回路を開示する。前記回路は、データ線及び読み取り線に接続される駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに接続される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とを含む。更に、前記回路は、前記データ線及び前記読み取り線に接続され、第１及び第２制御信号によりリセットされて、前記データ線からの生信号を前記読み取り線に送信し、タッチによる前記生信号の変化に応じた感知信号を発生し、前記感知信号を前記読み取り線に送信するための感光タッチサブ回路を含む。更に、前記回路は、前記駆動トランジスタに接続され、電源電圧及び前記第１、第２及び第３制御信号により制御されるデータ信号を利用して前記駆動トランジスタを充電及び放電し、前記ＯＬＥＤを駆動して発光させるための駆動サブ回路を含む。【選択図】  図１
2020520484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置におけるタッチ制御ピクセル駆動回路であって、
データ線及び読み取り線に接続される駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタ及び前記読み取り線に接続される第１電極と、基準電圧端子に接続される第２電極とを有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）と、
前記データ線及び前記読み取り線に接続され、第１制御信号及び第２制御信号によりリセットされて、前記データ線における高レベル電圧に基づいて生信号を前記読み取り線に送信し、タッチによる前記生信号の変化に応じた感知信号を発生し、前記感知信号を前記読み取り線に送信するための感光タッチサブ回路と、
前記駆動トランジスタに接続され、電源端子からの電源電圧及び前記第１制御信号、前記第２制御信号及び第３制御信号により制御される前記データ線からのデータ信号を利用して前記駆動トランジスタを充電及び放電し、前記ＯＬＥＤを駆動して発光させるための駆動サブ回路と
を含むことを特徴とする回路。
【請求項２】
前記感光タッチサブ回路は、
フォトトランジスタと、
前記フォトトランジスタ及び前記データ線に接続され、前記第１制御信号を受信するためのリセットサブサブ回路と、
前記フォトトランジスタ及び前記読み取り線に接続され、前記第２制御信号を受信するための伝送サブサブ回路と、
前記フォトトランジスタに接続され、光信号を感知する前記フォトトランジスタにより変換された電流信号を記憶するための記憶サブサブ回路と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記リセットサブサブ回路は、前記第１制御信号が提供される制御端子と、前記データ線に接続される第１端子と、前記フォトトランジスタの制御端子及び第２端子に接続される第２端子とを有する第１トランジスタを含み、
前記第１制御信号は、リセット期間でターンオン信号を提供し、前記第１トランジスタが導通状態となるようにして、前記データ線からの高電圧レベルの初期データ信号が前記生信号として前記フォトトランジスタに渡されるようにするためであることを特徴とする請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記フォトトランジスタは、外部光信号により照射される時、光電流信号を発生するためであり、前記光電流信号は、前記生信号の変化として前記生信号に追加されることを特徴とする請求項３に記載の回路。
【請求項５】
前記伝送サブサブ回路は、前記第２制御信号が提供される制御端子と、前記フォトトランジスタの第１端子に接続される第１端子と、前記読み取り線に接続される第２端子とを有する第２トランジスタを含み、
前記第２制御信号は、ターンオン信号を提供し、前記第２トランジスタが導通状態となるようにして、前記生信号又は前記フォトトランジスタからの前記生信号の変化が前記読み取り線に渡されるようにするためであることを特徴とする請求項４に記載の回路。
【請求項６】
前記記憶サブサブ回路は、前記フォトトランジスタの第１端子に接続される第１電極と、前記フォトトランジスタの制御端子に接続される第２電極とを有する第１キャパシタを含むことを特徴とする請求項２に記載の回路。
【請求項７】
前記駆動サブ回路は、充電器サブサブ回路と、レギュレータサブサブ回路とを含み、
前記充電器サブサブ回路は、前記電源端子、前記駆動トランジスタ及び前記基準電圧端子に接続されるように構成され、前記第１制御信号及び前記第２制御信号を受信して、前記電源端子からの前記電源電圧により前記駆動トランジスタの充電又は放電を制御するためであり、
前記レギュレータサブサブ回路は、前記データ線及び前記駆動トランジスタと接続されるように構成され、前記第３制御信号を受信して、前記駆動トランジスタの制御端子における電圧レベルを調整するためであることを特徴とする請求項１に記載の回路。
【請求項８】
前記充電器サブサブ回路は、更に、前記第２制御信号を受信して、前記駆動トランジスタが導通状態となるようにし、駆動電流を通過させて、前記ＯＬＥＤを駆動して発光させるためであることを特徴とする請求項７に記載の回路。
【請求項９】
前記充電器サブサブ回路は、
前記第２制御信号が提供される制御端子と、前記電源端子に接続される第１端子と、前記駆動トランジスタの第１端子に接続される第２端子とを有する第３トランジスタと、
前記第１制御信号が提供される制御端子と、前記第３トランジスタの第２端子に接続される第１端子と、前記駆動トランジスタの制御端子に接続される第２端子とを有する第４トランジスタと、
前記第１制御信号が提供される制御端子と、前記駆動トランジスタの第２端子に接続される第１端子と、前記基準電圧端子に接続される第２端子とを有する第５トランジスタと
を含むことを特徴とする請求項７に記載の回路。
【請求項１０】
前記レギュレータサブサブ回路は、第６トランジスタと、第２キャパシタとを含み、
前記第６トランジスタは、前記第３制御信号が提供される制御端子と、前記データ線に接続される第１端子と、前記第２キャパシタの第１電極に接続される第２端子とを有し、
前記第２キャパシタは、前記駆動トランジスタの制御端子に接続される第２電極を有することを特徴とする請求項７に記載の回路。
【請求項１１】
前記電源端子は、高電圧レベルの電源電圧を提供し、前記基準電圧端子は、低電圧レベルに接地されることを特徴とする請求項７に記載の回路。
【請求項１２】
第１期間と、第２期間と、第３期間と、第４期間とを含む駆動周期内で、請求項１乃至１１の何れか一項のタッチ制御ピクセル駆動回路を駆動する方法であって、
前記第１期間で、前記第１制御信号に基づいて前記感光タッチサブ回路をリセットして、更に前記第２制御信号に基づいて、電源電圧を前記駆動トランジスタの制御端子に充電するステップと、
前記第２期間で、前記第１制御信号を保ちながら、前記駆動トランジスタの制御端子を放電して、前記感光タッチサブ回路の前記第１期間と同一の状態を維持するステップと、
前記第３期間で、光信号を感知し、当該光信号を電流信号に変換させ、データ信号を前記第３制御信号により制御される前記駆動トランジスタの制御端子に書き込むステップと、
前記第４期間で、前記電流信号を前記読み取り線に伝送し、前記第２制御信号を利用して、前記駆動トランジスタを通じて駆動電流を制御して前記ＯＬＥＤを発光させるステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記第２制御信号及び前記第３制御信号は、前記第１期間、前記第２期間、前記第３期間及び前記第４期間のうち同一の期間において高電圧レベル又は低電圧レベルに設定されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記駆動トランジスタ、前記フォトトランジスタ、前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、前記第４トランジスタ、前記第５トランジスタ及び前記第６トランジスタの各々は、Ｎ型薄膜トランジスタとして提供され、
前記第１制御信号は、前記第１期間及び前記第２期間で高電圧レベルに設定され、前記第３期間及び前記第４期間で低電圧レベルに設定され、
前記第２制御信号は、前記第１期間で前記高電圧レベルに設定され、前記第２期間及び前記第３期間で前記低電圧レベルに設定され、前記第４期間で前記高電圧レベルに設定され、
前記第３制御信号は、前記第１期間で前記低電圧レベルに設定され、前記第２期間及び前記第３期間で前記高電圧レベルに設定され、前記第４期間で前記低電圧レベルに設定されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２制御信号及び前記第３制御信号は、前記第１期間、前記第２期間、前記第３期間及び前記第４期間のうち同一の期間において同一の電圧レベルを有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記第６トランジスタは、Ｐ型薄膜トランジスタとして提供され、前記駆動トランジスタ、前記フォトトランジスタ、前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、前記第４トランジスタ及び前記第５トランジスタの各々は、Ｎ型薄膜トランジスタとして提供され、
前記第１制御信号は、前記第１期間及び前記第２期間で高電圧レベルに設定され、前記第３期間及び前記第４期間で低電圧レベルに設定され、
前記第２制御信号及び前記第３制御信号は、両方とも、前記第１期間で前記高電圧レベルに設定され、前記第２期間及び前記第３期間で前記低電圧レベルに設定され、前記第４期間で前記高電圧レベルに設定されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２トランジスタ及び前記第３トランジスタの各々は、Ｐ型薄膜トランジスタとして提供され、前記駆動トランジスタ、前記フォトトランジスタ、前記第１トランジスタ、前記第４トランジスタ、前記第５トランジスタ及び前記第６トランジスタの各々は、Ｎ型薄膜トランジスタとして提供され、
前記第１制御信号は、前記第１期間及び前記第２期間で高電圧レベルに設定され、前記第３期間及び前記第４期間で低電圧レベルに設定され、
前記第２制御信号及び前記第３制御信号は、両方とも、前記第１期間で前記低電圧レベルに設定され、前記第２期間及び前記第３期間で前記高電圧レベルに設定され、前記第４期間で前記低電圧レベルに設定されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
サブピクセル間領域により分かれるマトリクス配列に配置される複数のサブピクセル領域を有する表示領域を含むタッチ表示装置であって、
前記複数のサブピクセル領域の少なくとも一つのサブピクセルは、請求項１乃至１１のいずれか一項のタッチ制御ピクセル駆動回路の感光タッチサブ回路を含むことを特徴とするタッチ表示装置。
【請求項１９】
前記複数のサブピクセル領域の部分集合の各々は、前記感光タッチサブ回路を含み、前記複数のサブピクセル領域の部分集合は、前記表示領域内に周期的に配列されていることを特徴とする請求項１８に記載のタッチ表示装置。
【請求項２０】
前記感光タッチサブ回路により感知される光信号から変換された前記光電流信号を処理して、前記表示領域でタッチが発生するか否かを判定し、前記タッチが判定される場合、前記表示領域における対応するタッチ位置を判定するための信号処理ブロックを更に含み、
前記タッチは、レーザー光線照射又は指タッチであることを特徴とする請求項１８に記載のタッチ表示装置。
【請求項２１】
前記信号処理ブロックは、アンプと、プロセッサとを含み、
前記アンプは、前記感光タッチサブ回路に接続され、前記光電流信号を受信して、増幅された信号を発生し、
前記プロセッサは、前記アンプに接続され、前記増幅された信号と生信号の間の強度差と、非タッチ閾値とを比較し、前記強度差が前記非タッチ閾値より大きい場合、タッチの発生有り及び対応するタッチ位置を判定し、或いは、前記強度差が前記非タッチ閾値より小さい場合、タッチの発生が無いことを判定することを特徴とする請求項２０に記載のタッチ表示装置。
【請求項２２】
前記タッチ位置は、第２制御信号が出力される制御線位置に基づくＸ座標及び前記光電流信号が収集される読み取り線に沿う前記感光タッチサブ回路の位置に基づくＹ座標を利用して判定されることを特徴とする請求項２1に記載のタッチ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１７年５月１２日に中国特許庁に提出された中国特許出願第２０１７１０３３４８３３.５号の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる。
【０００２】
本発明は、表示技術に関し、特に、ピクセル駆動回路、ピクセル駆動方法、表示パネル及び表示パネルを有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
アクティブ・マトリクス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイは、表示装置分野における研究者の主な関心を引き付けている。ＡＭＯＬＥＤディスプレイは、低い電力消費、低い製造コスト、自発光、広い視野角、速い応答速度の点で他のタイプのディスプレイより実に多数の利点を示し、スマートフォン、ＰＤＡ、デジタルカメラ等のような幅広い製品に適用されている。
【０００４】
従来のＡＭＯＬＥＤディスプレイは、単にディスプレイの各ピクセルと関連付けられ、ただ対応する有機発光ダイオードを駆動して発光させるためのピクセル駆動回路により画像表示を行うのに用いられる。ディスプレイ技術の現在の傾向は、表示装置に、単に表示機能だけでなく、追加機能を持たせることである。例えば、表示装置、特にＡＭＯＬＥＤ表示装置にタッチ制御機能をも持たせることが望まれる。
【発明の概要】
【０００５】
一態様において、本開示は、表示装置におけるタッチ制御ピクセル駆動回路を提供する。前記回路は、データ線及び読み取り線に接続される駆動トランジスタを含む。加えて、前記回路は、前記駆動トランジスタ及び前記読み取り線に接続される第１電極を有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含む。更に、前記回路は、基準電圧端子に接続される第２電極を含む。更に、前記回路は、前記データ線及び前記読み取り線に接続され、第１制御信号及び第２制御信号によりリセットされて、前記データ線における高レベル電圧に基づいて生信号を前記読み取り線に送信し、タッチによる前記生信号の変化に応じた感知信号を発生し、前記感知信号を前記読み取り線に送信するための感光タッチサブ回路を含む。更に、前記回路は、前記駆動トランジスタに接続され、電源端子からの電源電圧及び前記第１制御信号、前記第２制御信号及び第３制御信号により制御される前記データ線からのデータ信号を利用して前記駆動トランジスタを充電及び放電し、前記ＯＬＥＤを駆動して発光させるための駆動サブ回路を含む。
【０００６】
選択可能に、前記感光タッチサブ回路は、フォトトランジスタと、前記フォトトランジスタ及び前記データ線に接続され、前記第１制御信号を受信するためのリセットサブサブ回路と、前記フォトトランジスタ及び前記読み取り線に接続され、前記第２制御信号を受信するための伝送サブサブ回路と、前記フォトトランジスタに接続され、光信号を感知する前記フォトトランジスタにより変換された電流信号を記憶するための記憶サブサブ回路とを含む。
【０００７】
選択可能に、前記リセットサブサブ回路は、前記第１制御信号が提供される制御端子と、前記データ線に接続される第１端子と、前記フォトトランジスタの制御端子及び第２端子に接続される第２端子とを有する第１トランジスタを含む。前記第１制御信号は、リセット期間でターンオン信号を提供し、前記第１トランジスタが導通状態となるようにして、前記データ線からの高電圧レベルの初期データ信号が前記生信号として前記フォトトランジスタに渡されるようにするためである。
【０００８】
選択可能に、前記フォトトランジスタは、外部光信号により照射される時、光電流信号を発生するためである。前記光電流信号は、前記生信号の変化として前記生信号に追加される。
【０００９】
選択可能に、前記伝送サブサブ回路は、前記第２制御信号が提供される制御端子と、前記フォトトランジスタの第１端子に接続される第１端子と、前記読み取り線に接続される第２端子とを有する第２トランジスタを含む。前記第２制御信号は、ターンオン信号を提供し、前記第２トランジスタが導通状態となるようにして、前記生信号又は前記フォトトランジスタからの前記生信号の変化が前記読み取り線に渡されるようにするためである。
【００１０】
選択可能に、前記記憶サブサブ回路は、前記フォトトランジスタの第１端子に接続される第１電極と、前記フォトトランジスタの制御端子に接続される第２電極とを有する第１キャパシタを含む。
【００１１】
選択可能に、前記駆動サブ回路は、充電器サブサブ回路と、レギュレータサブサブ回路とを含む。前記充電器サブサブ回路は、前記電源端子、前記駆動トランジスタ及び前記基準電圧端子に接続されるように構成され、前記第１制御信号及び前記第２制御信号を受信して、前記電源端子からの前記電源電圧により前記駆動トランジスタの充電又は放電を制御するためである。前記レギュレータサブサブ回路は、前記データ線及び前記駆動トランジスタと接続されるように構成され、前記第３制御信号を受信して、前記駆動トランジスタの制御端子における電圧レベルを調整するためである。
【００１２】
選択可能に、前記充電器サブサブ回路は、更に、前記第２制御信号を受信して、前記駆動トランジスタが導通状態となるようにし、駆動電流を通過させて、前記ＯＬＥＤを駆動して発光させるためである。
【００１３】
選択可能に、前記充電器サブサブ回路は、前記第２制御信号が提供される制御端子と、前記電源端子に接続される第１端子と、前記駆動トランジスタの第１端子に接続される第２端子とを有する第３トランジスタを含む。加えて、前記充電器サブサブ回路は、前記第１制御信号が提供される制御端子と、前記第３トランジスタの第２端子に接続される第１端子と、前記駆動トランジスタの制御端子に接続される第２端子とを有する第４トランジスタを含む。前記充電器サブサブ回路は、前記第１制御信号が提供される制御端子と、前記駆動トランジスタの第２端子に接続される第１端子と、前記基準電圧端子に接続される第２端子とを有する第５トランジスタを更に含む。
【００１４】
選択可能に、前記レギュレータサブサブ回路は、第６トランジスタと、第２キャパシタとを含む。前記第６トランジスタは、前記第３制御信号が提供される制御端子と、前記データ線に接続される第１端子と、前記第２キャパシタの第１電極に接続される第２端子とを有する。前記第２キャパシタは、前記駆動トランジスタの制御端子に接続される第２電極を有する。
【００１５】
選択可能に、前記電源端子は、高電圧レベルの電源電圧を提供し、前記基準電圧端子は、低電圧レベルに接地される。
【００１６】
他の一態様において、本開示は、第１期間と、第２期間と、第３期間と、第４期間とを含む駆動周期内で、ここに記載されるタッチ制御ピクセル駆動回路を駆動する方法を提供する。前記方法は、前記第１期間で、前記第１制御信号に基づいて前記感光タッチサブ回路をリセットして、更に前記第２制御信号に基づいて、電源電圧を前記駆動トランジスタの制御端子に充電するステップを含む。加えて、前記方法は、前記第２期間で、前記第１制御信号を保ちながら、前記駆動トランジスタの制御端子を放電して、前記感光タッチサブ回路の前記第１期間と同一の状態を維持するステップを含む。前記方法は、前記第３期間で、光信号を感知し、当該光信号を電流信号に変換させ、データ信号を前記第３制御信号により制御される前記駆動トランジスタの制御端子に書き込むステップを更に含む。更に、前記方法は、前記第４期間で、前記電流信号を前記読み取り線に伝送し、前記第２制御信号を利用して、前記駆動トランジスタを通じて駆動電流を制御して前記ＯＬＥＤを発光させるステップを含む。
【００１７】
選択可能に、前記第２制御信号及び前記第３制御信号は、前記第１期間、前記第２期間、前記第３期間及び前記第４期間のうち同一の期間において高電圧レベル又は低電圧レベルに設定される。
【００１８】
選択可能に、前記駆動トランジスタ、前記フォトトランジスタ、前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、前記第４トランジスタ、前記第５トランジスタ及び前記第６トランジスタの各々は、Ｎ型薄膜トランジスタとして提供される。前記第１制御信号は、前記第１期間及び前記第２期間で高電圧レベルに設定され、前記第３期間及び前記第４期間で低電圧レベルに設定される。前記第２制御信号は、前記第１期間で高電圧レベルに設定され、前記第２期間及び前記第３期間で低電圧レベルに設定され、前記第４期間で高電圧レベルに設定される。前記第３制御信号は、前記第１期間で低電圧レベルに設定され、前記第２期間及び前記第３期間で高電圧レベルに設定され、前記第４期間で低電圧レベルに設定される。
【００１９】
選択可能に、前記第２制御信号及び前記第３制御信号は、前記第１期間、前記第２期間、前記第３期間及び前記第４期間のうち同一の期間において同一の電圧レベルを有する。
【００２０】
選択可能に、前記第６トランジスタは、Ｐ型薄膜トランジスタとして提供され、前記駆動トランジスタ、前記フォトトランジスタ、前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、前記第４トランジスタ及び前記第５トランジスタの各々は、Ｎ型薄膜トランジスタとして提供される。前記第１制御信号は、前記第１期間及び前記第２期間で高電圧レベルに設定され、前記第３期間及び前記第４期間で低電圧レベルに設定される。前記第２制御信号及び前記第３制御信号は、両方とも、前記第１期間で高電圧レベルに設定され、前記第２期間及び前記第３期間で低電圧レベルに設定され、前記第４期間で高電圧レベルに設定される。
【００２１】
選択可能に、前記第２トランジスタ及び前記第３トランジスタの各々は、Ｐ型薄膜トランジスタとして提供され、前記駆動トランジスタ、前記フォトトランジスタ、前記第１トランジスタ、前記第４トランジスタ、前記第５トランジスタ及び前記第６トランジスタの各々は、Ｎ型薄膜トランジスタとして提供される。前記第１制御信号は、前記第１期間及び前記第２期間で高電圧レベルに設定され、前記第３期間及び前記第４期間で低電圧レベルに設定される。前記第２制御信号及び前記第３制御信号は、両方とも、前記第１期間で低電圧レベルに設定され、前記第２期間及び前記第３期間で高電圧レベルに設定され、前記第４期間で低電圧レベルに設定される。
【００２２】
また一つの態様において、本開示は、サブピクセル間領域により分かれるマトリクス配列に配置される複数のサブピクセル領域を有する表示領域を含むタッチ表示装置を提供する。前記複数のサブピクセル領域の少なくとも一つのサブピクセルは、ここに記載される前記タッチ制御ピクセル駆動回路の感光タッチサブ回路を含む。
【００２３】
選択可能に、前記複数のサブピクセル領域の部分集合の各々は、前記感光タッチサブ回路を含む。前記複数のサブピクセル領域の部分集合は、前記表示領域内に周期的に配列されている。
【００２４】
選択可能に、前記タッチ表示装置は、前記感光タッチサブ回路により感知される光信号から変換された前記光電流信号を処理して、前記表示領域でタッチが発生するか否かを判定し、前記タッチが判定される場合、前記表示領域における対応するタッチ位置を判定するための信号処理ブロックを更に含む。前記タッチは、レーザー光線照射又は指タッチである。
【００２５】
選択可能に、前記信号処理ブロックは、アンプと、プロセッサとを含む。前記アンプは、前記感光タッチサブ回路に接続され、前記光電流信号を受信して、増幅された信号を発生する。前記プロセッサは、前記アンプに接続され、前記増幅された信号と生信号の間の強度差と、非タッチ閾値とを比較し、前記強度差が前記非タッチ閾値より大きい場合、タッチの発生有り及び対応するタッチ位置を判定し、或いは、前記強度差が前記非タッチ閾値より小さい場合、タッチの発生が無いことを判定する。
【００２６】
選択可能に、前記タッチ位置は、第２制御信号が出力される制御線位置に基づくＸ座標及び前記光電流信号が収集される読み取り線に沿う前記感光タッチサブ回路の位置に基づくＹ座標を利用して判定される。
【００２７】
以下の図面は、ただ開示された様々な実施例による説明の目的で使用された例であり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本開示の一実施例に係るタッチ制御ピクセル駆動回路の簡素化されたブロック図である。
【図２】本開示の他の一実施例に係るタッチ制御ピクセル駆動回路の簡素化されたブロック図である。
【００２９】
【図３】本開示の一実施例に係るタッチ制御ピクセル駆動回路の回路構造である。
【図４】本開示の一実施例に係る一つの駆動周期内で図３のタッチ制御ピクセル駆動回路を動作させるタイミング図である。
【図５】本開示の一実施例に係る第１期間において動作させられるタッチ制御ピクセル駆動回路の回路構造である。
【図６】本開示の一実施例に係る第２期間において動作させられるタッチ制御ピクセル駆動回路の回路構造である。
【図７】本開示の一実施例に係る第３期間において動作させられるタッチ制御ピクセル駆動回路の回路構造である。
【図８Ａ】本開示の一実施例に係る前記タッチ制御ピクセル駆動回路でタッチが発生する時、前記読み取り線で検出された信号変化を示す模式図である。
【図８Ｂ】本開示の他の一実施例に係る前記タッチ制御ピクセル駆動回路でタッチが発生する時、前記読み取り線で検出された信号変化を示す模式図である。
【図９】本開示の一実施例に係る第４期間において動作させられるタッチ制御ピクセル駆動回路の回路構造である。
【図１０】従来のピクセル駆動回路の回路構造である。
【図１１】本開示の他の一実施例に係るタッチ制御ピクセル駆動回路の回路構造である。
【図１２】本開示の他の一実施例に係る図１１のタッチ制御ピクセル駆動回路を動作させるタイミング図である。
【図１３】本開示のまた一つの実施例に係るタッチ制御ピクセル駆動回路の回路構造である。
【図１４】本開示の他の一実施例に係る図１３のタッチ制御ピクセル駆動回路を動作させるタイミング図である。
【図１５】本開示の一実施例に係るタッチ表示装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
次に、以下の実施例を参照しながら本開示をより具体的に説明する。説明すべきことは、幾つかの実施例に対する以下の説明は、ただ解釈及び説明の目的でここに記載される。これは、網羅的であること又は開示された正確な形式に限ることを意図するものではない。
【００３１】
現在のディスプレイ技術の発展傾向の下で、タッチ制御技術は、幾つかの従来の表示装置に実施されている静電容量式タッチ技術を含む。選択可能なタッチ技術は、感光タッチ技術である。静電容量式タッチ技術とは異なり、感光タッチ技術は、光強度変化を利用してタッチ位置を感知し、タッチモーションに対する高感度及び表示装置におけるタッチセンサーモジュールの寸法の独立性を提供する。加えて、感光タッチ技術は、直接な指タッチ制御をサポートするだけでなく、遠い距離からのレーザーペンタッチ制御もサポートする。感光タッチ機能をＡＭＯＬＥＤ表示装置に実施して画像表示並びに感光タッチ制御サポートができるようにすることが望ましい。
【００３２】
従って、本開示は、特に、関連技術の限界及び欠点による１つ又はそれ以上の問題点を顕著に避けることのできるタッチ制御ピクセル駆動回路、表示パネル、表示パネルを有する表示装置及びその駆動方法を提供する。
【００３３】
一態様において、本開示は、ＡＭＯＬＥＤ表示パネルのタッチ制御ピクセル駆動回路を提供する。図１は、本開示の一実施例に係るタッチ制御ピクセル駆動回路の簡素化されたブロック図である。図１を参照すると、前記タッチ制御ピクセル駆動回路は、感光タッチサブ回路１と、駆動サブ回路２と、駆動トランジスタＤＴＦＴと、有機発光ダイオードＯＬＥＤとを含む。
【００３４】
前記感光タッチサブ回路１は、第１走査線Ｓｃａｎ１に接続される第１制御端子と、第２走査線Ｓｃａｎ２に接続される第２制御端子と、データ線ＤＡＴＡに接続される第１端子と、読み取り線に接続される第２端子とを有する。本実施例において、前記感光タッチサブ回路は、前記第１制御端子で前記第１走査線Ｓｃａｎ１から受信した第１制御信号及び前記第２制御端子で前記第２走査線Ｓｃａｎ２から受信した第２制御信号の制御下でリセット動作を行うためにある。更に、前記感光タッチサブ回路は、前記読み取り線に初期信号を送信してタッチを感知し、対応するタッチ信号を前記読み取り線に送信するためにある。
【００３５】
前記駆動サブ回路２は、前記第１走査線Ｓｃａｎ１に接続される第１制御端子と、前記第２走査線Ｓｃａｎ２に接続される第２制御端子と、第３走査線ＥＭに接続される第３制御端子と、前記データ線ＤＡＴＡに接続される第１端子と、電源ＶＤＤに接続される第２端子と、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの第２端子に接続される第３端子と、前記駆動トランジスタＤＴＦＴのゲートの制御端子に接続される第４端子と、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの第１端子に接続される第５端子と、基準電圧端子ＶＳＳ及び前記ＯＬＥＤの第２端子に接続される第６端子と、を有する。
【００３６】
本実施例において、前記駆動サブ回路２は、Ｓｃａｎ１からの前記第１制御信号、Ｓｃａｎ２からの前記第２制御信号及び前記第３走査線ＥＭからの第３制御信号の制御下で、前記電源電圧ＶＤＤ及び前記データ線ＤＡＴＡからのデータ信号を利用して前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子を充電又は放電するためにある。更に、前記駆動サブ回路は、前記ＯＬＥＤを駆動して発光させるためにある。
【００３７】
選択可能に、前記タッチ制御ピクセル駆動回路は、ＡＭＯＬＥＤ表示装置に適用され、その内、前記感光タッチサブ回路１及び前記駆動サブ回路は、同一のＡＭＯＬＥＤ表示装置において、それぞれタッチ制御機能及び表示機能を持つ。即ち、前記タッチ制御ピクセル駆動回路は、前記ＡＭＯＬＥＤ表示装置を駆動して画像表示を行い、前記ＡＭＯＬＥＤ表示装置を駆動して、感光タッチ機能に基づいて、その表示パネルにタッチ制御動作を行うことができ、前記ＡＭＯＬＥＤ表示装置の価値を高める。前記ＡＭＯＬＥＤ表示パネルは、駆動電流を利用して各サブピクセル内のＯＬＥＤを駆動して発光させるように構成され、グレースケール表示媒体としての液晶材料を必要としないため、前記感光タッチ制御が画像表示に影響することがない。
【００３８】
図１を参照すると、前記タッチ制御ピクセル駆動回路は、前記第１走査線Ｓｃａｎ１、前記第２走査線Ｓｃａｎ２及び前記第３走査線ＥＭからの三つの制御信号のみを利用して、前記感光タッチサブ回路１及び駆動サブ回路２がそれぞれの機能を実現可能にする。このような回路構造は、従来の手法に比べ、走査線の数量を大幅に減らし、特に、前記タッチ制御ピクセル駆動回路にタッチ制御信号を提供するのに用いられる信号線の数量を減らす。こうして、ここに開示される前記タッチ制御ピクセル駆動回路は、タッチ制御機能をＡＭＯＬＥＤ表示装置で実施する複雑さを軽減する。
【００３９】
図２は、本開示の他の一実施例に係るタッチ制御ピクセル駆動回路の簡素化されたブロック図である。図２を参照すると、一実施例において、前記感光タッチサブ回路１は、フォトトランジスタＴ０と、リセットサブサブ回路１１と、伝送サブサブ回路１２と、記憶サブサブ回路１３とを含む。前記リセットサブサブ回路１１は、前記第１走査線Ｓｃａｎ１に接続される制御端子と、データ線ＤＡＴＡに接続される第１端子と、前記フォトトランジスタＴ０の制御端子及び第２端子に接続される第２端子とを有する。本実施例において、前記リセットサブサブ回路１１は、前記第１走査線Ｓｃａｎ１からの第１制御信号及び前記第２走査線Ｓｃａｎ２からの第２制御信号の制御下で、前記フォトトランジスタＴ０及び前記記憶サブサブ回路１３をリセットするためにある。
【００４０】
図２を参照すると、前記伝送サブサブ回路１２は、前記第２走査線Ｓｃａｎ２に接続される制御端子と、前記フォトトランジスタＴ０の第１端子に接続される第１端子と、読み取り線に接続される第２端子とを有する。本実施例において、前記伝送サブサブ回路１２は、前記第２制御信号の制御下で、前記フォトトランジスタＴ０の初期信号を前記読み取り線に渡すためにある。前記フォトトランジスタＴ０は、外部光信号を感知し、前記光信号を電気信号に変換するためにある。前記記憶サブサブ回路１３は、前記フォトトランジスタＴ０の制御端子及び第１端子に接続され、前記フォトトランジスタにより前記光信号から変換された前記電気信号を記憶する。前記伝送サブサブ回路１２は、更に、前記第２制御信号の制御下で、前記電気信号を前記読み取り線に渡すためにある。
【００４１】
再度図２を参照すると、前記駆動サブ回路２は、充電器サブサブ回路２１と、レギュレータサブサブ回路２２とを含む。前記充電器サブサブ回路２１は、前記第１走査線Ｓｃａｎ１に接続される第１制御端子と、前記第２走査線Ｓｃａｎ２に接続される第２制御端子と、電源ＶＤＤに接続される第１端子と、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの第２端子に接続される第２端子と、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子又はゲートに接続される第３端子と、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの第１端子に接続される第４端子と、基準電圧端子ＶＳＳに接続される第５端子とを有する。本実施例において、前記充電器サブサブ回路２１は、前記第１制御信号及び前記第２制御信号の制御下で、前記電源ＶＤＤから前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子を充電又は放電するためにある。この過程において、前記電源ＶＤＤは、前記ＯＬＥＤに伝送されないように制御される。
【００４２】
また図２を参照すると、前記レギュレータサブサブ回路２２は、第３走査線ＥＭに接続される制御端子と、前記データ線ＤＡＴＡに接続される第１端子と、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子又はゲートに接続される第２端子とを有する。本実施例において、前記レギュレータサブサブ回路２２は、前記第３走査線ＥＭからの第３制御信号の制御下で、前記データ線ＤＡＴＡからのデータ信号を前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子に書き込んで、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子における電圧レベルを安定化するためにある。更に、前記充電器サブサブ回路２１は、前記第２制御信号の制御下で、前記駆動トランジスタを導通状態に変換して、前記ＯＬＥＤを駆動して発光させるためにある。
【００４３】
図３は、本開示の一実施例に係るタッチ制御ピクセル駆動回路の回路構造である。図３を参照すると、具体的な一実施例において、前記リセットサブサブ回路１１は、前記第１走査線Ｓｃａｎ１に接続される制御端子又はゲートと、前記データ線ＤＡＴＡに接続される第１端子と、前記フォトトランジスタＴ０の制御端子又はゲート及び前記第２端子に接続される第２端子とを有する第１トランジスタＴ１を含む。前記伝送サブサブ回路１２は、前記第２走査線Ｓｃａｎ２に接続される制御端子又はゲートと、前記フォトトランジスタＴ０の第１端子に接続される第１端子と、前記読み取り線に接続される第２端子とを有する第２トランジスタＴ２を含む。前記記憶サブサブ回路１３は、前記フォトトランジスタＴ０の第１端子に接続される第１プレート端子と、前記フォトトランジスタＴ０の制御端子に接続される第２プレート端子とを有する第１キャパシタＣ１を含む。
【００４４】
図３を参照すると、前記駆動サブ回路２内の充電器サブサブ回路２１は、第３トランジスタＴ３と、第４トランジスタＴ４と、第５トランジスタＴ５とを含む。前記第３トランジスタＴ３は、前記第２走査線Ｓｃａｎ２に接続される制御端子と、前記電源ＶＤＤに接続される第１端子と、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの前記第１端子に接続される第２端子とを有する。前記第４トランジスタＴ４は、前記第１走査線Ｓｃａｎ１に接続される制御端子と、前記第３トランジスタＴ３の第２端子に接続される第１端子と、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子に接続される第２端子とを有する。前記第５トランジスタＴ５は、前記第１走査線Ｓｃａｎ１に接続される制御端子と、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの第２端子に接続される第１端子と、前記基準電圧端子ＶＳＳに接続される第２端子とを有する。
【００４５】
前記駆動サブ回路２内の前記レギュレータサブサブ回路２２は、第６トランジスタＴ６と、第２キャパシタＣ２とを含む。前記第６トランジスタＴ６は、前記第３走査線ＥＭに接続される制御端子と、前記データ線ＤＡＴＡに接続される第１端子と、前記第２キャパシタＣ２の第１プレート端子に接続される第２端子とを有する。前記第２キャパシタＣ２の第２プレート端子は、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子に接続される。
【００４６】
幾つかの実施例において、ここに記載されるタッチ制御ピクセル駆動回路は、発光及びタッチ感知を駆動する第１期間と、第２期間と、第３期間と、第４期間とを含む駆動周期の各々において動作するためにある。図４は、本開示の一実施例に係る一つの駆動周期内で図３のタッチ制御ピクセル駆動回路を動作させるタイミング図である。図４を参照すると、Ｓｃａｎ１で第１制御信号を示し、Ｓｃａｎ２で第２制御信号を示し、ＥＭで第３制御信号を示す。ＤＡＴＡは、データ信号を表す。ＲＬは、読み取り線により収集される信号を表す。選択可能に、図４における前記制御信号は、前記駆動トランジスタＤＴＦＴ、前記フォトトランジスタＴ０及び前記第１トランジスタＴ１乃至前記第６トランジスタＴ６を含むすべてのトランジスタがＮ型トランジスタとして選定される選択可能な回路設定に対応する。選択可能に、すべてのトランジスタは、低温ポリシリコン技術又はシリコンベースの製造工程により作られた薄膜トランジスタである。選択可能に、各薄膜トランジスタのゲートは、その制御端子を示し、各トランジスタのソースで第１端子を示し、各トランジスタのドレインで第２端子を示す。前記第１端子と、前記第２端子とは、相互交換されても良い。
【００４７】
図４に示す第１期間において、図３の回路の動作状態を図５に示す。特に、前記感光タッチサブ回路にとって、第１制御信号Ｓｃａｎ１は、高電圧レベルである。前記第１トランジスタＴ１は、導通状態である時オンされる。データ信号ＤＡＴＡは、Ｖｐの高電圧レベルとして提供される。当該データ信号は、前記第１キャパシタＣ１の第２プレート端子及び前記フォトトランジスタＴ０の制御端子及び第１端子をリセットでき、リセット後のフォトトランジスタＴ０がＶｐの電圧レベルを有する初期信号を有するようにする。当該期間において、前記第２制御信号Ｓｃａｎ２も高電圧レベルである。前記第２トランジスタＴ２は、オンされ、導通状態となる。前記フォトトランジスタＴ０における初期信号は、前記読み取り線、即ち、前記フォトトランジスタＴ０の初期信号Ｖｐを収集する前記読み取り線に渡されることができる。
【００４８】
前記駆動サブ回路にとって、前記第１制御信号Ｓｃａｎ１は、高電圧レベルであって、前記第４トランジスタＴ４及び前記第５トランジスタＴ５が導通状態となるようにする。前記第２制御信号Ｓｃａｎ２は、高電圧レベルであって、前記第３トランジスタＴ３が導通状態となるようにする。前記電源ＶＤＤは、電源電圧Ｖｄｄを提供し、当該電源電圧Ｖｄｄは、前記第３トランジスタＴ３及び前記第４トランジスタＴ４を介してノードa１に渡されることができる（図５参照）。当該ノードa１は、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子でもある。こうして、前記電源電圧Ｖｄｄは、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子を充電する。同時に、前記第３制御信号ＥＭは、低電圧レベルである。前記第６トランジスタは、非導通状態でオフされる。効果的に、前記第１期間において、ノードa１における電圧レベルは、Ｖa１＝Ｖｄｄである。
【００４９】
第１期間において、前記駆動トランジスタＤＴＦＴは、導通状態となる。第５トランジスタＴ５も導通状態となるため、前記第５トランジスタＴ５を流れる電流は、前記基準電圧端子ＶＳＳに流れ、前記ＯＬＥＤに流れず、前記ＯＬＥＤが駆動されて発光することがない。選択可能に、基準電圧端子ＶＳＳには、低電圧レベルが提供される。選択可能に、前記基準電圧端子ＶＳＳは、接地される端子である。
【００５０】
第２期間において、図３のタッチ制御ピクセル駆動回路の動作状態を図６に表す。感光タッチサブ回路にとって、第１制御信号Ｓｃａｎ１は、高電圧レベルであり、第１トランジスタＴ１は、オンされる。第１キャパシタＣ１及びフォトトランジスタＴ０は、依然としてリセット状態である。前記第２制御信号Ｓｃａｎ２は、低電圧レベルである。前記第２トランジスタＴ２は、オフされ、前記フォトトランジスタＴ０の第１端子をリセットする。この時、前記読み取り線は、相変わらず第１期間における初期信号Ｖｐと同一の信号を収集する。
【００５１】
駆動サブ回路にとって、第１制御信号Ｓｃａｎ１は、高電圧レベルであり、第４トランジスタＴ４及び第５トランジスタＴ５をオンする。ノードa１における電圧信号は、第４トランジスタＴ４、駆動トランジスタＤＴＦＴ及び第５トランジスタＴ５を介して基準電圧端子ＶＳＳに落ちることができ、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子を効果的に放電する。当該放電は、前記制御端子が前記駆動トランジスタＤＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈに達するまで継続される。前記第２制御信号Ｓｃａｎ２は、低電圧レベルであり、前記第３トランジスタＴ３をオフする。前記電源ＶＤＤからの電源電圧信号は、第３トランジスタＴ３を介してＯＬＥＤに到達できない。これと同じ期間において、第３制御信号ＥＭは、高電圧レベルであり、第６トランジスタＴ６をオンし、Ｖｐの電圧を有するデータ信号をノードｂ１に渡す（図６参照）。効果的に、第２期間において、ノードa１における電圧レベルは、Ｖａ１＝Ｖｔｈであり、ノードｂ１における電圧レベルは、Ｖｂ１＝Ｖｐであり、ノードａ１とノードｂ１の間の電圧差は、ΔＶ＝Ｖｔｈ−Ｖｐである。
【００５２】
今まで、上記の二つの期間では、タッチ制御が言及されなかったが、前記感光タッチ制御は、各駆動周期内の如何なる期間においても実行されることができる。加えて、指タッチ制御及びレーザーペンタッチ制御の両方とも実行することができる。例えば、図８Ａに示すように、レーザーペンがレーザー光線を放射して表示パネルを「タッチ」する時、前記フォトトランジスタＴ０は、レーザー光線照射による外部ソースからの高められた光強度を検出する。他の一例において、図８Ｂに示すように、指が表示パネルをタッチする時、指により外部ソースからの光が遮断されるため、前記フォトトランジスタＴ０は、外部ソースからの下げられた光強度を検出する。以下、第３期間において感光タッチ制御が発生する場合を示す。
【００５３】
第３期間において、図３のタッチ制御ピクセル駆動回路は、図７に示すように、特定の動作状態となっている。前記感光タッチサブ回路について、レーザーペンが光線を発生して前記回路を照射又は「タッチ」する。前記フォトトランジスタＴ０に照射される光線の異なる光強度について、前記フォトトランジスタＴ０は、外部ソースからの通常強度より高い強度を有する異なる光信号を検出する。前記フォトトランジスタＴ０は、前記光信号を電気信号に変換し、当該変換された電気信号は、第１キャパシタＣ１に貯蔵される。この期間において、第２制御信号Ｓｃａｎ２は、低電圧レベルであって、前記第２トランジスタＴ２をオフする。前記読み取り線は、依然としてＶｐの電圧レベルを有する初期信号と同一の電圧信号を読み取る。
【００５４】
駆動サブ回路にとって、前記第１制御信号Ｓｃａｎ１は、低電圧レベルであって、前記第４トランジスタＴ４及び前記第５トランジスタＴ５をオフする。前記第２制御信号Ｓｃａｎ２も低電圧レベルであり、前記第３トランジスタＴ３をオフする。前記第３トランジスタＴ３及び前記第４トランジスタＴ４が両方とも非導通状態となるため、前記駆動トランジスタも非導通状態となる。前記第３制御信号ＥＭは、高電圧レベルであり、第６トランジスタＴ６をオンして、この期間におけるデータ信号をノードb１に渡す。この期間におけるデータ信号は、初期レベルＶｐからＶｐ＋ΔＶＤＡＴＡまで上昇する。ノードa１は、この期間でフローティングにされ、従って、ノードa１とノードb１の間の電圧差は、依然としてΔＶ＝Ｖｔｈ−Ｖｐである。ノードb１の電圧レベルがＶｂ１＝Ｖｐ＋ΔＶＤＡＴＡに変わるため、ノードa１における電圧レベルは、Ｖａ１＝ΔＶＤＡＴＡ＋Ｖｔｈであると推論できる。この期間で、ノードa１及びノードb１における電圧レベルは、両方とも安定する。
【００５５】
第４期間において、図３のタッチ制御ピクセル駆動回路は、図９に示すように、動作状態となっている。前記感光タッチサブ回路にとって、前記第２制御信号Ｓｃａｎ２は、高電圧レベルであり、第２トランジスタＴ２をオンする。前記第１キャパシタＣ１に貯蔵された電気信号は、前記第３トランジスタＴ３を介して、前記読み取り線に渡されることができる。こうして、前記読み取り線は、図４に示すような信号変化、即ち、新たに追加された電気信号による電圧レベルのジャンピングを収集する。
【００５６】
前記駆動サブ回路にとって、前記第１制御信号Ｓｃａｎ１は、低電圧レベルである。前記第４トランジスタＴ４及び前記第５トランジスタＴ５は、オフされる。前記第２制御信号Ｓｃａｎ２は、高電圧レベルであり、前記第３トランジスタをオンする。前記第３制御信号ＥＭは、低電圧レベルであり、前記第６トランジスタＴ６をオフする。従って、電源ＶＤＤからの電源電圧信号Ｖｄｄは、前記第３トランジスタＴ３及び駆動トランジスタＤＴＦＴを介してＯＬＥＤに到達し、前記ＯＬＥＤを駆動して発光させる。
【００５７】
一実施例において、前記第４期間でタッチ制御ピクセル駆動回路が動作させられる時、前記駆動サブ回路のうち、前記第３トランジスタＴ３のみがオンされ、Ｔ４、Ｔ５、ＴT６のような他のトランジスタは、オフされる。従って、前記電源ＶＤＤのみが前記ＯＬＥＤに電源電圧を提供することを保証し、前記ＯＬＥＤの発光中、前記ＯＬＥＤに対する他のトランジスタの他の信号からの干渉がない。
【００５８】
従来のピクセル駆動回路では、例えば、図１０において、走査線からの制御信号により制御されるスイッチトランジスタＴと、制御端子が前記スイッチトランジスタＴに接続され、第１端子が電源ＶＤＤに接続され、第２端子がＯＬＥＤに接続される駆動トランジスタＤＴＦＴと、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子と第２端子の間に接続されるキャパシタＣとを含む２Ｔ１Ｃ回路構造を有する。前記駆動トランジスタから出力されて前記ＯＬＥＤを発光させるための駆動電流は、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈによって異なるため、製造工程変化及び時間の経過によるドリフトによる異なるサブピクセル内の異なる駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの非均一な値は、発光強度の異なる変化を招き、表示効果に影響する。
【００５９】
図３、図５、図６、図７及び図９のうち何れか一つに示す駆動サブ回路を有する本開示に開示されるタッチ制御ピクセル駆動回路において、前記第４期間でＯＬＥＤに流れ込む駆動電流は、下記の式（１）のように表すことができる。
ＩＯＬＥＤ＝Ｋ（ＶＧＳ−Ｖｔｈ）２                  式（１）
ここで、ＶＧＳは、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの制御端子と第１端子の間の電圧である。特に、ＶＧＳ＝ΔＶＤＡＴＡ＋Ｖｔｈ−ＶＯＬＥＤであり、ここで、ＶＯＬＥＤは、ＯＬＥＤ上の電圧降下（又は、前記ＯＬＥＤの第２端子に接地電圧レベルが提供されると仮定して、簡単にＯＬＥＤのアノード電圧と称する）である。従って、下記の式（２）が得られる。
ＩＯＬＥＤ＝Ｋ（ΔＶＤＡＴＡ−ＶＯＬＥＤ）２            式（２）
【００６０】
式（２）に基づいて、前記ＯＬＥＤを流れる駆動電流は、前記駆動トランジスタＤＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈとは独立しているため、閾値電圧の非均一なドリフトの前記ＯＬＥＤの発光に対する影響が避けられる。
【００６１】
図３、図５、図６、図７及び図９に示すような幾つかの実施例において、前記タッチ制御ピクセル駆動回路内のすべてのトランジスタは、Ｎ型トランジスタであり、前記第２制御信号と、前記第３制御信号とは、各駆動周期内の四つの期間のうち同一の期間において、反対の高/低電圧レベルに設定される。
【００６２】
選択可能な一実施例において、図１１に示すように、第６トランジスタＴがＰ型トランジスタで、他のすべてのトランジスタがＮ型トランジスタである他の一つのタッチ制御ピクセル駆動回路が提供される。本実施例において、当該タッチ制御ピクセル駆動回路の動作タイミング図を図１２に示し、前記第２制御信号及び前記第３制御信号は、前記第１期間で同一の高電圧レベルであり、前記第２及び第３期間で同一の低電圧レベルであり、前記第４期間でまた同一の高電圧レベルである。
【００６３】
他の一つの選択可能な実施例において、図１３に示すように、前記第２トランジスタＴ２及び第３トランジスタＴ３がＰ型トランジスタで、他のトランジスタ（ＤＴＦＴ、Ｔ０、Ｔ１、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６）がＮ型トランジスタである、また一つのタッチ制御ピクセル駆動回路が提供される。本実施例において、当該タッチ制御ピクセル駆動回路の動作タイミング図を図１４に示し、前記第２制御信号及び第３制御信号は、前記第１期間で同一の低電圧レベルであり、前記第２及び第３期間で同一の高電圧レベルであり、第４期間でまた同一の低電圧レベルである。
【００６４】
幾つかの実施例において、前記第１制御信号、前記第２制御信号及び前記第３制御信号のそれぞれのトランジスタに対する制御は、第２制御信号及び第３制御信号が各駆動周期の四つの期間で反対又は同一の高/低電圧レベルに設定されるか否かを問わず、原理的に類似している。
【００６５】
一実施例において、各駆動周期内の四つの期間のうち同一の期間で、前記第２制御信号及び前記第３制御信号が同一の高/低電圧レベルに設定される時、前記第２走査線Ｓｃａｎ２及び前記第３走査線ＥＭは、一つの走査線に結合されることができ、表示パネル内の走査線の数量を減らことにより、導線配置の過程を簡素化し、タッチ制御機能を表示装置に実施する複雑さを軽減する。
【００６６】
他の一態様において、本開示は、ここに記載される表示パネルにおけるタッチ制御ピクセル駆動回路を駆動する方法を提供する。前記方法は、第１期間と、第２期間と、第３期間と、第４期間とを含む発光及びタッチ感知を駆動する駆動周期内で、タッチ制御ピクセル駆動回路を動作させるステップを含む。前記方法は、前記第１期間で、前記第１制御信号に基づいて前記感光タッチサブ回路をリセットして、更に前記第２制御信号に基づいて、電源電圧を前記駆動トランジスタの制御端子に充電するステップと、前記第２期間で、前記第１制御信号を保ちながら、前記駆動トランジスタの制御端子を放電して、前記感光タッチサブ回路の前記第１期間と同一の状態を維持するステップと、前記第３期間で、光信号を感知し、当該光信号を電流信号に変換させ、データ信号を前記第３制御信号により制御される前記駆動トランジスタの制御端子に書き込むステップと、前記第４期間で、前記電流信号を前記読み取り線に伝送し、前記第２制御信号を利用して、前記駆動トランジスタを通じて駆動電流を制御し前記ＯＬＥＤを発光させるステップと、を含む。
【００６７】
幾つかの実施例において、前記方法は、感光タッチサブ回路及び駆動サブ回路の両方とも駆動して、各駆動周期の異なる期間で共に動作させることができる。幾つかの実施例において、前記方法は、ＡＭＯＬＥＤ表示装置で実施されるタッチ制御ピクセル駆動回路を駆動して、同一の表示パネルにおけるその表示機能及びタッチ制御機能を実現する。一実施例において、タッチ制御ピクセル駆動回路（図３参照）における前記駆動トランジスタ、前記フォトトランジスタ、前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、前記第４トランジスタ、前記第５トランジスタ及び前記第６トランジスタの各々は、Ｎ型薄膜トランジスタとして提供され、前記方法は、前記第１制御信号を、前記第１期間及び前記第２期間で高電圧レベルに設定し、前記第３期間及び前記第４期間で低電圧レベルに設定するステップと、前記第２制御信号を、前記第１期間で高電圧レベルに設定し、前記第２期間及び前記第３期間で低電圧レベルに設定し、前記第４期間で高電圧レベルに設定すするステップと、前記第３制御信号を、前記第１期間で低電圧レベルに設定し、前記第２期間及び前記第３期間で高電圧レベルに設定し、前記第４期間で低電圧レベルに設定するステップとを含む。
【００６８】
幾つかの実施例において、前記方法は、前記第１期間、前記第２期間、前記第３期間及び前記第４期間の同一の期間内で、前記第２制御信号と、前記第３制御信号とを反対の高又は低電圧レベルに設定するステップを含む。
【００６９】
他の一実施例において、タッチ制御ピクセル駆動回路（図１１参照）において、前記第６トランジスタＴ６は、Ｐ型薄膜トランジスタとして提供され、前記駆動トランジスタ、前記フォトトランジスタ、前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、前記第４トランジスタ及び前記第５トランジスタの各々は、Ｎ型薄膜トランジスタとして提供され、前記方法は、前記第１制御信号を、前記第１期間及び前記第２期間で高電圧レベルに設定し、前記第３期間及び前記第４期間で低電圧レベルに設定するステップと、前記第２制御信号及び前記第３制御信号を、両方とも、前記第１期間で高電圧レベルに設定し、前記第２期間及び前記第３期間で低電圧レベルに設定し、前記第４期間で高電圧レベルに設定するステップを含む。
【００７０】
また一つの実施例において、タッチ制御ピクセル駆動回路（図１３参照）において、前記第２トランジスタ及び前記第３トランジスタの各々は、Ｐ型薄膜トランジスタとして提供され、前記駆動トランジスタ、前記フォトトランジスタ、前記第１トランジスタ、前記第４トランジスタ、前記第５トランジスタ及び前記第６トランジスタの各々は、Ｎ型薄膜トランジスタとして提供され、前記方法は、前記第１制御信号を、前記第１期間及び前記第２期間で高電圧レベルに設定し、前記第３期間及び前記第４期間で低電圧レベルに設定するステップと、前記第２制御信号及び前記第３制御信号を、両方とも、前記第１期間で低電圧レベルに設定し、前記第２期間及び前記第３期間で高電圧レベルに設定し、前記第４期間で低電圧レベルに設定するステップと、を含む。
【００７１】
他の一態様において、本開示は、表示機能及びタッチ制御機能の両方とも有するタッチ表示装置を提供する。図１５は、本開示の一実施例に係るタッチ表示装置の模式図である。図１５を参照すると、前記表示装置は、サブピクセル間領域１５１０により分かれるマトリクス配列に配置される複数のサブピクセル領域１５０１を有する表示領域を含む。選択可能に、前記複数のサブピクセル領域１５０１の少なくとも一つのサブピクセルＡは、前記タッチ制御ピクセル駆動回路の感光タッチサブ回路１５２０を含む。選択可能に、前記複数のサブピクセル領域１５０１の部分集合があり、当該部分集合の各々は、感光タッチサブ回路１５２０を含むサブピクセルＡと同様である。選択可能に、前記サブピクセルＡの部分集合は、周期的に配列されている。前記感光タッチサブ回路１５２０を含むサブピクセルＡの部分集合と、残りの前記感光タッチサブ回路１５２０なしのサブピクセルＢの部分集合とを含む各サブピクセルは、少なくとも、一列のサブピクセルと平行なデータ線ＤＡＴＡに接続される駆動サブ回路を含む。各感光タッチサブ回路１５２０（一列内）は、一列のサブピクセルと平行な読み取り線ＲＥＡＤに接続される。一行のサブピクセルと平行な各ＧＡＴＡ線が模式的に提供され、一行のサブピクセル内のタッチ制御ピクセル駆動回路に制御信号を提供するための走査線（例えば、Ｓｃａｎ１、Ｓｃａｎ２又はＥＭ、図３参照）の一つを表す。
【００７２】
一実施例において、前記タッチ表示装置は、各感光タッチサブ回路に対応する読み取り線を介して接続され、各感光タッチサブ回路により感知された光信号から変換された光電流信号を処理して、前記表示領域でタッチが発生するか否かを判定し、前記タッチが判定される場合、前記表示領域における対応するタッチ位置を判定するためにある信号処理ブロック１５３０を更に含む。選択可能に、前記タッチは、レーザー光線照射である。選択可能に、前記タッチは、指タッチである。具体的な一実施例において、前記信号処理ブロック１５３０は、アンプ１５３１と、プロセッサ１５３５とを含む。前記アンプ１５３１は、前記感光タッチサブ回路１５２０に前記読み取り線ＲＥＡＤを介して接続され、前記光電流信号を受信して、増幅された信号を発生する。前記プロセッサ１５３５は、前記アンプ１５３１に接続され、前記増幅された信号と生信号の間の強度差と、非タッチ閾値とを比較する。選択可能に、前記プロセッサ１５３５は、前記強度差が前記非タッチ閾値より大きい場合、タッチの発生有り及び対応するタッチ位置を判定するためにある。選択可能に、前記プロセッサ１５３５は、前記強度差が前記非タッチ閾値より小さい場合、タッチの発生が無いことを判定するためにある。選択可能に、前記タッチ位置は、第２制御信号が出力される第２走査線Ｓｃａｎ２の位置に基づくＸ座標及び前記光電流信号が収集される読み取り線ＲＥＡＤに沿う前記感光タッチサブ回路１５２０の位置に基づくＹ座標を利用して判定される。
【００７３】
以上、本発明の実施例に対する説明は、ただ解釈及び説明の目的で提出されたものである。これは、網羅的であること、或いは本発明を開示された正確な形式又は開示された例示的な実施例に限定することを意図するものではない。従って、以上の説明は、限定的なものではなく、説明的なものと見なされるべきである。明らかに、当業者にとって、多様な修正及び変更が自明である。これらの実施例を選択及び記載して、本発明の原理及びその最適モードの実際応用を説明することによって、当業者が、本発明が特定用途又は考慮される実施形態に適用される様々な実施例及び様々な変形を理解できるようにする。本発明の範囲は、ここに添付される特許請求の範囲及びその等価物により限定され、その内、別段の表示がない限り、すべての用語は、その最も広い合理的な意味を意味することを意図する。従って、「発明」、「本発明」等の用語は、必ずしも特許請求の範囲を具体的な実施例に限定するものではなく、本発明の例示的な実施例に対する参照は、本発明に対する限定を意味するものではなく、且つこのような限定を推論できない。本発明は、添付された請求項の範囲の精神及び範囲のみにより限定される。なお、これらの請求項は、名詞又は要素が後ろに付く「第１」、「第２」等の用語の使用が言及される可能性がある。このような用語は、命名法として理解されるべきであり、既に具体的な数量が与えられていない限り、このような命名法により修飾される要素の数量に対する限定として解釈されるべきではない。記載された如何なる効果及び利点が本発明のすべての実施例に適用されない可能性がある。理解すべきことは、以下の請求項により限定される本発明の範囲を逸脱せずに、当業者は、記載された実施例に対する変形を行うことができる。なお、要素又は構成部品が以下の請求項に明示的に記述されているか否かを問わず、本発明には、公衆に貢献しようとする要素及び構成要部品がない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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