(57)【要約】  一実施形態では、外周を有する基板支持体、外周の外側に配置された複数の中央支持体部材、及び基板支持体の対向する辺上に配置されたエッジ支持体部材を含む基板搬送装置が提供される。【選択図】図１Ａ
2020501364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周を有する基板支持体と、
前記外周の外側に配置される複数の中央支持体部材と、
を備える基板搬送装置。
【請求項２】
前記基板支持体の対向する辺上に配置されるエッジ支持体部材を更に備える、請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記中央支持体部材の各々、及び前記エッジ支持体部材の各々は、アクチュエータに連結された支持体シャフトを備える、請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記アクチュエータは複数の第１のアクチュエータを備え、第１のアクチュエータの各々は前記中央支持体部材のそれぞれの支持体シャフトに連結される、請求項３に記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記第１のアクチュエータの各々は、リニアアクチュエータ及び回転式アクチュエータである、請求項４に記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記アクチュエータは複数の第２のアクチュエータを備え、第２のアクチュエータの各々は前記エッジ支持体部材のそれぞれの支持体シャフトに連結される、請求項３に記載の基板搬送装置。
【請求項７】
前記複数の第２のアクチュエータの各々はリニアアクチュエータである、請求項６に記載の基板搬送装置。
【請求項８】
前記中央支持体部材の前記支持体シャフトの各々は、前記基板支持体の前記外周の外側に配置される、請求項３に記載の基板搬送装置。
【請求項９】
前記エッジ支持体部材の前記支持体シャフトの各々は、前記基板支持体の前記外周の内側に配置される、請求項３に記載の基板搬送装置。
【請求項１０】
前記基板支持体は、穿孔されていない基板受容面を含む、請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項１１】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された外周を有する基板支持体と、
前記チャンバ内に配置された基板搬送装置であって、前記外周の外側に配置された複数の中央支持体部材を備える基板搬送装置と、
を備える、プラズマ処理システム。
【請求項１２】
前記基板支持体の対向する辺上に配置されたエッジ支持体部材を更に備える、請求項１１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１３】
前記基板支持体は、穿孔されていない基板受容面を含む、請求項１１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１４】
前記中央支持体部材の各々、及び前記エッジ支持体部材の各々は、アクチュエータに連結された支持体シャフトを備える、請求項１１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１５】
前記アクチュエータは複数の第１のアクチュエータを備え、第１のアクチュエータの各々は前記中央支持体部材のそれぞれの支持体シャフトに連結される、請求項１４に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１６】
前記第１のアクチュエータの各々は、リニアアクチュエータ及び回転式アクチュエータである、請求項１５に記載のプラズマ処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］  本開示の実施形態は概して、ソーラーパネル基板、フラットパネル基板、又は半導体基板などの基板を、サセプタ又は基板支持体との間で搬送するための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
関連技術の説明
［０００２］  ソーラーパネルやフラットパネルディスプレイの製造には、半導体基板、ソーラーパネル基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、並びに発光ダイオード（ＬＣＤ）及び／又は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）基板などの基板に薄膜を堆積させ、その基板上に電子デバイスを形成するプロセスが数多く採用されている。通常、堆積は、温度制御された基板支持体の上に配置された基板を有する真空チャンバに前駆体ガスを導入することによって実行される。前駆体ガスは、典型的には、真空チャンバの上部付近に置かれたガス分配プレートを通して導かれる。チャンバに連結された一又は複数の高周波（ＲＦ）電源からのＲＦ電力をチャンバに印加することによって、真空チャンバ内の前駆体ガスは、エネルギーを与えられて（例えば、励起されて）プラズマになりうる。励起されたガスは反応して、温度制御された基板支持体の上に配置された基板の表面に材料の層を形成する。
【０００３】
［０００３］  電子デバイスを形成するための基板のサイズは通常１平方メートルを超えており、基板支持体のサイズはその表面積とほぼ同じか、若干大きくなっている。典型的には、基板支持体は、基板支持体の上に或いは基板支持体を貫通して配置された複数のリフトピンを含み、これらは基板支持体の表面との間での基板の搬送を容易にするために利用される。例えば、リフトピンは基板支持体の支持面から基板を離間するために利用され、これにより、ロボットブレード又はエンドエフェクタはその間を通過しうる。各リフトピンは、典型的には基板支持体の凹部ポケットに配置されるリフトピンヘッドを有する。基板支持体上にリフトピンヘッドがあることによって、基板支持体全体にわたる温度差、及び／又は基板支持体全体にわたる高周波（ＲＦ）カップリングの差が拡大する。例えば、リフトピンの位置は、その近傍の基板部分が基板の他の領域よりも冷却される原因となりうる。別の実施例では、リフトピンの位置は、その近傍の基板部分がより低い接地電位となり、プラズマ結合条件を変化させる原因となりうる。
【０００４】
［０００４］  一般的に、基板上に配置される薄膜には均一性が求められる。例えば、微結晶シリコン膜、又は多結晶シリコン膜などのアモルファスシリコン膜は、トランジスタや太陽電池に求められるＰＮ接合を形成するため、通常は基板上に配置される。アモルファスシリコン膜や多結晶シリコン膜の品質及び均一性は、金属酸化物膜と同様に、商業的な運用には重要である。温度の非均一性とＲＦカップリングの非均一性の一方又は両方は、基板の上に堆積される膜の特性を変化させ、非均一な堆積を引き起こしうる。加えて、リフトピンは、基板が接触する間に基板の表面を引っ掻くこと、或いは損傷を与えることがありうる。
【０００５】
［０００５］  したがって、膜の非均一性及び／又は損傷を最小限に抑える基板支持体が必要となる。
【発明の概要】
【０００６】
［０００６］  本開示の実施形態は、概して、半導体基板を処理するためのシステム及び装置に関する。一実施形態では、外周を有する基板支持体、外周の外側に配置された複数の中央支持体部材、及び基板支持体の対向する辺（ｏｐｐｏｓｉｎｇ  ｓｉｄｅｓ）上に配置されたエッジ支持体部材を含む基板搬送装置が提供される。
【０００７】
［０００７］  別の実施形態では、プラズマ処理システムが説明される。プラズマ処理システムは、チャンバ、チャンバ内に配置された外周を有する基板支持体、及びチャンバ内に配置された基板搬送装置を含む。基板搬送装置は、外周の外側に配置された複数の中央支持体部材、及び基板支持体の対向する辺上に配置されたエッジ支持体部材を備える。
【０００８】
［０００８］  別の実施形態では、基板を基板支持体の基板受容面に搬送するための方法が説明される。方法は、基板をチャンバに提供すること、一又は複数の中央支持体部材を用いて、その中央部で基板を支持すること、エッジ支持体部材を用いて、その対向する２つのエッジで基板を支持すること、基板支持体の外周を通過して一又は複数の中央支持体部材を回転すること、及び、基板の対向する２つのエッジを基板受容面に向かって下降させることを含む。
【０００９】
［０００９］  本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって、得ることができる。そのうちの幾つかの実施形態は添付の図面で例示されている。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】基板搬送装置の一実施形態を有するプラズマ処理システムの概略断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの基板搬送装置が格納された状態を示す。処理のため、基板支持体の基板受容面の上に基板が配置されている。
【図２Ａ−２Ｂ】基板搬送処理の一実施形態を示す基板搬送装置の一実施形態である。
【図３Ａ−３Ｂ】基板搬送処理の一実施形態を示す基板搬送装置の一実施形態である。
【図４Ａ−４Ｂ】基板搬送処理の一実施形態を示す基板搬送装置の一実施形態である。
【図５Ａ−５Ｂ】基板搬送処理の一実施形態を示す基板搬送装置の一実施形態である。
【図６Ａ−６Ｂ】基板搬送処理の一実施形態を示す基板搬送装置の一実施形態である。
【図７Ａ−７Ｂ】基板搬送処理の一実施形態を示す基板搬送装置の一実施形態である。
【図８Ａ−８Ｂ】基板搬送処理の一実施形態を示す基板搬送装置の一実施形態である。
【図９Ａ−９Ｂ】基板搬送処理の別の実施形態を示す基板搬送装置の別の実施形態である。
【図１０Ａ−１０Ｂ】基板搬送処理の別の実施形態を示す基板搬送装置の別の実施形態である。
【図１１Ａ−１１Ｂ】基板搬送処理の別の実施形態を示す基板搬送装置の別の実施形態である。
【図１２Ａ−１２Ｂ】基板搬送処理の別の実施形態を示す基板搬送装置の別の実施形態である。
【図１３Ａ−１３Ｂ】基板搬送処理の別の実施形態を示す基板搬送装置の別の実施形態である。
【図１４Ａ−１４Ｂ】基板搬送処理の別の実施形態を示す基板搬送装置の別の実施形態である。
【図１５Ａ−１５Ｂ】基板搬送処理の別の実施形態を示す基板搬送装置の別の実施形態である。
【図１６Ａ】基板支持体の対向する辺上に配置されたエッジ支持体部材を有する基板支持体の等角平面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａに示した基板支持体の一部分の等角図である。
【図１６Ｃ】基板支持体及びその上に配置されたエッジ支持体部材の部分側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［００１７］  理解を容易にするため、可能な場合、図に共通する同一の要素を指し示すために同一の参照番号が使用されている。一実施形態の要素及び／又はステップは、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込むことができるように企図される。
【００１２】
［００１８］  本開示の実施形態は概して、従来のリフトピンを使用せずに基板支持体との間で基板を搬送する方法及び装置に関する。以下の説明では、大面積基板の上に膜を形成するプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバが参照されるが、本書に記載の実施形態は、幾つか例を挙げるならば、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、エッチングチャンバ、半導体ウエハ処理チャンバ、太陽電池処理チャンバ、有機発光ディスプレイ（ＯＬＥＤ）処理チャンバなど、他のチャンバでも実行されうる。使用可能な適切なチャンバは、米国カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．の子会社であるＡＫＴ  Ａｍｅｒｉｃａ，  Ｉｎｃ．から入手できる。本書で説明される実施形態は、他の製造会社から入手可能なチャンバでも実行されうることを理解されたい。
【００１３】
［００１９］  本開示の実施形態は概して、液晶ディスプレイ又はフラットパネル用の基板、及びソーラーパネル用の基板など、矩形の基板の処理に利用される。他の適切な基板は、半導体基板などの円形であってもよい。しかしながら、本開示は、約９０，０００ｃｍ２の（又はこれを超える）面積を有する基板を含む、約１５，６００ｃｍ２の面積を有する基板で特に有利となる。
【００１４】
［００２０］  図１Ａはプラズマ処理システム１００の一実施形態の概略断面図である。プラズマ処理システム１００は、プラズマを使用して大面積基板１０５を処理し、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、フラットパネルディスプレイ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、又は太陽電池アレイ用の光起電セルの製造に使用される構造やデバイスを大面積基板１０５の上に形成するように構成されている。基板１０５は、金属、プラスチック、有機材料、ケイ素、ガラス、石英、又はポリマー材料などの他の適切な材料の薄い板状のものであってよい。基板１０５は、約１平方メートルを超える面積、例えば、約２平方メートルを超える面積を有しうる。他の実施形態では、基板１０５は、約１５，６００ｃｍ２又はこれを超える面積、例えば、約９０，０００ｃｍ２（又はこれを超える）面積を含みうる。構造は、複数の逐次堆積とマスキングステップを含みうる薄膜トランジスタになりうる。他の構造は、光起電セル用のダイオードを形成するためのＰＮ接合を含みうる。
【００１５】
［００２１］  プラズマ処理システム１００は、限定するものではないが、誘電体材料（例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘＮｙ、これらの誘導体又はこれらの組合せ）、半導体材料（例えば、Ｓｉ及びそのドーパント）、バリア材料（例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ又はこれらの誘導体）など、様々な材料を大面積基板１０５の上に堆積するように構成されうる。プラズマ処理システム１００によって大面積基板上に形成又は堆積される誘電体材料及び半導体材料の具体的な例には、エピタキシャルシリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、マイクロ結晶シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、これらのドーパント（例えば、Ｂ、Ｐ、又はＡｓ）、これらの誘導体又はこれらの組合せなどが含まれうる。プラズマ処理システム１００はまた、アルゴン、水素、窒素、ヘリウム、又はこれらの組み合わせなどのガスを、パージガス又はキャリアガス（例えば、Ａｒ、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、これらの誘導体、又はこれらの組み合わせ）として受容するように構成されている。システム１００を用いて大面積基板１０５の上にシリコン薄膜を堆積する一実施例は、シランを水素キャリアガス内の処理ガスとして使用することによって実現されうる。
【００１６】
［００２２］  図１Ａに示したように、プラズマ処理システム１００は概して、少なくとも部分的に処理空間１２５を画定する底部１１５と側壁１２０を含むチャンバ本体１１０を備える。基板支持体１３０は、処理空間１２５の中に配置される。基板支持体１３０は、基板１０５の搬送を容易にするため、基板支持体を少なくとも垂直に移動し、及び／又は基板１０５とシャワーヘッドアセンブリ１４０との間の距離を調整するように適合されたアクチュエータ１３５に連結されている。基板支持体１３０は、処理中に基板受容面１４５の上に基板１０５を支持するように適合されている。
【００１７】
［００２３］  プラズマ処理システム１００は、基板支持体１３０の基板受容面１４５から基板１０５を上昇又は下降させるように適合された基板搬送装置１５０を含む。図１Ａでは、基板１０５は基板搬送装置１５０によって基板受容面１４５から持ち上げられて示されている。基板１０５の裏面１５５と基板支持体１３０の基板受容面１４５との間の空間は、従来のロボット又はエンドエフェクタ（どちらも図示せず）が通過するように設けられている。基板搬送装置１５０が図１Ａに示した位置にあるとき、基板１０５は搬送ポート１６０を通ってチャンバ本体１１０の内外へ搬送されうる。
【００１８】
［００２４］  図１Ｂは格納された基板搬送装置１５０を示しており、処理のため、基板１０５を基板受容面１４５の上に配置している。基板搬送装置１５０は、基板１０５の裏面１５５に接触するように適合された複数の支持体部材を含みうる。複数の支持体部材は、エッジ支持体部材１６２（図１Ａ及び図１Ｂに１つのみを示す）と中央支持体部材１６４を含みうる。エッジ支持体部材１６２は、基板１０５のエッジに接触し、支持するように利用されうる。中央支持体部材１６４は、基板１０５のエッジ内側の基板１０５の領域に接触し、支持するように利用されうる。エッジ支持体部材１６２及び中央支持体部材１６４は、基板支持体１３０に対して（Ｘ−Ｙ平面内で）横方向に、及び／又は回転的に移動するように適合されている。エッジ支持体部材１６２及び中央支持体部材１６４は、基板支持体１３０に対して（Ｚ方向で）垂直に移動するように適合されている。
【００１９】
［００２５］  エッジ支持体部材１６２は、第１のアクチュエータ１６６に連結されうる。エッジ支持体部材１６２は、支持体シャフト１６５によって、第１のアクチュエータ１６６に連結されうる。支持体シャフト１６５は、幾つかの実施形態で示したように、基板支持体１３０の外周の外側に配置されうる。他の実施形態では、支持体シャフト１６５は、代替的に又は追加的に、支持体シャフト１６５が基板支持体１３０を通過するように配置されうる。中央支持体部材１６４は、基板支持体１３０の外周の外側に配置される支持体シャフト１６７に連結されうる。
【００２０】
［００２６］  中央支持体部材１６４は、第２のアクチュエータ１６８に連結されてもよい。第１のアクチュエータ１６６の各々は、エッジ支持体部材１６２を垂直方向（Ｚ方向）に移動するように適合されたリニア駆動装置であってよい。第２のアクチュエータ１６８の各々は、中央支持体部材１６４を上下（Ｚ方向）に移動するように、並びにＸ−Ｙ平面内の中央支持体部材１６４の運動に適合されたリニア及び回転式駆動装置であってよい。
【００２１】
［００２７］  動作中、シャワーヘッドアセンブリ１４０は、処理ガス源１７０から処理ガスを処理空間１２５に供給するように構成されている。プラズマ処理システム１００はまた、負圧を処理空間１２５に印加するように構成された排気システム１７２を備える。シャワーヘッドアセンブリ１４０は概して、実質的に平行な関係で基板支持体１３０に対向するように配置される。
【００２２】
［００２８］  シャワーヘッドアセンブリ１４０は、ガス分配プレート１７４とバッキングプレート１７６とを備える。バッキングプレート１７６は、ガス分配プレート１７４とバッキングプレート１７６との間にガス空間の形成を可能にする遮蔽板として機能しうる。ガス源１７０は、導管１７８によってガス分配プレート１７４に接続されている。一実施形態では、遠隔プラズマ源１８０は、活性化されたガスのプラズマをガス分配プレート１７４を経由して処理空間１２５へ供給するための導管１７８に連結されている。遠隔プラズマ源１８０からのプラズマは、処理空間１２５内に配置されたチャンバ構成要素を洗浄するための活性化されたガスを含みうる。一実施形態では、活性化された洗浄ガスは処理空間１２５へ流される。洗浄に適したガスには、フッ素（Ｆ２）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、及びフッ化炭素などの炭素／フッ素含有ガス（例えば、オクタフルオロテトラヒドロフラン（Ｃ４Ｆ８Ｏ）、フッ化カルボニル（ＣＯＦ２）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、パーフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８））、並びにこれらの組み合わせがある。炭素及び酸素含有ガスも使用されうるが、炭素及び／又は酸素の汚染の可能性があるため望ましくない。
【００２３】
［００２９］  ガス分配プレート１７４、バッキングプレート１７６、及び導管１７８は概して、導電性材料から形成され、互いに電気的に連通している。チャンバ本体１１０も、導電性金属材料から形成されている。チャンバ本体１１０は概して、シャワーヘッドアセンブリ１４０から電気絶縁されている。一実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ１４０は、絶縁体１８２によってチャンバ本体１１０に装着されている。
【００２４】
［００３０］  一実施形態では、基板支持体１３０はまた、導電性材料から作られ、基板支持体１３０とシャワーヘッドアセンブリ１４０は対向する電極となるように構成され、処理中に、及び／又は前処理中又は後処理中に、両者の間に処理ガスのプラズマ１８４を生成する。追加的に、基板支持体１３０及びシャワーヘッドアセンブリ１４０は、洗浄処理中に洗浄ガスのプラズマを支持するように利用されうる。基板支持体１３０はまた、抵抗加熱素子（図示せず）などによって加熱されてよく、及び／又は、配置された基板の温度を制御するため、流体を循環するための流体チャネル（図示せず）を含みうる。
【００２５】
［００３１］  高周波（ＲＦ）電源１８６は概して、処理前、処理中及び処理後に、シャワーヘッドアセンブリ１４０と基板支持体１３０との間にプラズマ１８４を生成するために使用される。幾つかの実行形態では、基板支持体１３０は接地電位になっている。ＲＦ電源１８６はまた、励起された核種の維持、又は遠隔プラズマ源１８０から供給される洗浄ガスを更に励起するために使用されうる。インピーダンス整合回路１８８は、電源１８６とシャワーヘッドアセンブリ１４０との間に連結されうる。幾つかの実施形態では、フレーム部材１９０（図１Ｂに示す）は、基板１０５の外周付近に配置されうる。フレーム部材１９０は、処理中に基板１０５の上にガスを閉じ込めるために利用されうる。
【００２６】
［００３２］  図２Ａ〜図８Ｂは、基板搬送処理の一実施形態を示す基板搬送装置１５０の様々な図である。図２Ａ、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、及び図８Ａは、基板１０５及び基板支持体１３０の上面図で、一方、図２Ｂ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂ、及び図８Ｂは、図２Ａ、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、及び図８Ａに描かれた処理を示す立面図である。
【００２７】
［００３３］  図２Ａ及び図２Ｂは、基板支持体１３０の上方で基板１０５を少なくとも部分的に支持する複数のフィンガ２０５を有するエンドエフェクタ２００を示す。エッジ支持体部材１６２は基板１０５の辺（ｓｉｄｅ）を支持するために利用され、一方、中央支持体部材１６４は基板１０５の辺の内側で基板１０５の領域を支持するために利用されうる。エッジ支持体部材１６２及び中央支持体部材１６４は、セラミック材料を含みうる。エッジ支持体部材１６２及び中央支持体部材１６４は、例えばＡｌ２Ｏ３を含みうる。基板１０５に接触するエッジ支持体部材１６２及び中央支持体部材１６４は、Ａｌ２Ｏ３、陽極酸化アルミニウム又はグラファイトであってよい。エッジ支持体部材１６２は、基板１０５の４つの辺すべてを、或いは基板１０５の２つの辺のみを支持するように利用されうる。エッジ支持体部材１６２は、エンドエフェクタ２００の動作に干渉しないように、フィンガ２０５の外側に配置される。中央支持体部材１６４の少なくとも一部は、エンドエフェクタ２００のフィンガ２０５と干渉しないようにオフセット（例えば、Ｌ字型に）されうる。
【００２８】
［００３４］  エンドエフェクタ２００は、図２Ａに示した基板支持体１３０の上方に基板１０５を搬送しうる。したがって、エッジ支持体部材１６２及び中央支持体部材１６４は、図２Ｂに示した位置まで駆動されうる。
【００２９】
［００３５］  図３Ａは、図２Ａ及び図２Ｂのエンドエフェクタ２００が格納された状態を示し、図３Ｂは、基板支持体１３０の上方に基板１０５を支持するエッジ支持体部材１６２及び中央支持体部材１６４を示す。図３Ｂに示したように、エッジ支持体部材１６２及び中央支持体部材１６４は、フィンガ２０５を基板１０５の裏面から取り除き、ひっかき傷を防止するため、基板支持体１３０からわずかに持ち上げられてもよい。
【００３０】
［００３６］  図４Ａ及び図４Ｂは、図３Ｂに示した図と比較して、基板１０５が基板支持体１３０に向かって下降していることを示している。加えて、中央支持体部材１６４の内側の組４００は、基板１０５の外周の外側の位置まで回転される。
【００３１】
［００３７］  図５Ａ及び図５Ｂは、図４Ｂに示した図と比較して、基板１０５が基板支持体１３０に向かって下降していることを示している。基板１０５の中心部は、基板支持体１３０の近傍まで一層近接している。
【００３２】
［００３８］  図６Ａ及び図６Ｂは、図５Ｂに示した図と比較して、基板１０５が基板支持体１３０に向かって下降していることを示している。加えて、中央支持体部材１６４の中央の組６００は、基板１０５の外周の外の位置まで回転されている。基板１０５の中心部は、図５Ｂに示した図と比較して、基板支持体１３０の近傍まで一層近接している。
【００３３】
［００３９］  図７Ａ及び図７Ｂは、図６Ｂに示した図と比較して、基板１０５が基板支持体１３０に向かって下降していることを示している。加えて、中央支持体部材１６４の外側の組７００は、基板１０５の外周の外側の位置まで回転されている。基板１０５の中心部は基板支持体１３０に接触している。基板１０５の辺は、エッジ支持体部材１６２によって支持されたままで、一方、中央支持体部材１６４は基板１０５の外周の外側に回転されている。
【００３４】
［００４０］  図８Ａ及び図８Ｂは、基板１０５が基板支持体１３０の上に下降していることを示している。この下降は、エッジ支持体部材１６２を基板支持体１３０に向かって下降させることによって実現される。幾つかの実施形態では、エッジ支持体部材１６２は、基板支持体１３０のエッジに沿って凹部の中へ下降される。この実施形態では、エッジ支持体部材１６２は、基板１０５と基板支持体１３０との間に配置される。
【００３５】
［００４１］  図９Ａ〜図１５Ｂは、基板搬送処理の別の実施形態を示す基板搬送装置１５０の別の実施形態の様々な図である。図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、図１３Ａ、図１４Ａ、及び図１５Ａは、基板１０５及び基板支持体１３０の上面図で、一方、図９Ｂ、図１０Ｂ、図１１Ｂ、図１２Ｂ、図１３Ｂ、図１４Ｂ、及び図１５Ｂは、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、図１３Ａ、図１４Ａ、及び図１５Ａに描かれた処理を示す立面図である。
【００３６】
［００４２］  基板搬送手順は、中央支持体部材１６４とエッジ支持体部材１６２との間の中央エッジ支持体部材９００を除くと、図２Ａ〜図８Ｂに示した実施形態と実質的に同様である。
【００３７】
［００４３］  図９Ａ及び図９Ｂは、基板支持体１３０の上方で基板１０５を少なくとも部分的に支持する複数のフィンガ２０５を有するエンドエフェクタ２００を示す。エッジ支持体部材１６２並びに中央エッジ支持体部材９００は、基板１０５の辺を支持するために利用され、一方、中央支持体部材１６４は、基板１０５の辺の内側で基板１０５の領域を支持するために利用されうる。中央エッジ支持体部材９００は、セラミック材料を含みうる。エッジ支持体部材１６２は、エンドエフェクタ２００の動作に干渉しないように、フィンガ２０５の外側に配置される。中央エッジ支持体部材９００はエンドエフェクタ２００の動作に干渉しないように、フィンガ２０５の間に配置される。
【００３８】
［００４４］  図１０Ａは、図９Ａ及び図９Ｂのエンドエフェクタ２００が格納された状態を示し、図１０Ｂは、基板支持体１３０の上方に基板１０５を支持するエッジ支持体部材１６２及び中央支持体部材１６４を示す。図３Ｂに示したように、エッジ支持体部材１６２及び中央支持体部材１６４は、フィンガ２０５を基板１０５の裏面から取り除き、ひっかき傷を防止するため、基板支持体１３０からわずかに持ち上げられてもよい。
【００３９】
［００４５］  図１１Ａ及び図１１Ｂは、図１０Ｂに示した図と比較して、基板１０５が基板支持体１３０に向かって下降していることを示している。加えて、中央支持体部材１６４の内側の組４００は、基板１０５の外周の外側の位置まで回転される。
【００４０】
［００４６］  図１２Ａ及び図１２Ｂは、図１１Ｂに示した図と比較して、基板１０５が基板支持体１３０に向かって下降していることを示している。基板１０５の中心部は、基板支持体１３０の近傍まで一層近接している。
【００４１】
［００４７］  図１３Ａ及び図１３Ｂは、図１２Ｂに示した図と比較して、基板１０５が基板支持体１３０に向かって下降していることを示している。加えて、中央支持体部材１６４の中央の組６００は、基板１０５の外周の外の位置まで回転されている。基板１０５の中心部は、図１２Ｂに示した図と比較して、基板支持体１３０の近傍まで一層近接している。
【００４２】
［００４８］  図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１３Ｂに示した図と比較して、基板１０５が基板支持体１３０に向かって下降していることを示している。加えて、中央支持体部材１６４の外側の組７００は、基板１０５の外周の外側の位置まで回転されている。基板１０５の中心部は基板支持体１３０に接触させられる。基板１０５の辺は、エッジ支持体部材１６２によって支持されたままで、中央エッジ支持体部材９００及び基板１０５の中心部は、中央支持体部材１６４の外側の組によって支持されている。
【００４３】
［００４９］  図１５Ａ及び図１５Ｂは、基板１０５が基板支持体１３０の上に下降していることを示している。この下降は、エッジ支持体部材１６２及び中央エッジ支持体部材９００を基板支持体１３０に向かって下降させることによって実現される。加えて、中央支持体部材１６４の外側の組は、基板１０５の外周の外側に回転されている。
【００４４】
［００５０］  図１６Ａは、基板支持体１３０の対向する辺上に配置されたエッジ支持体部材１６２を有する基板支持体１３０の等角平面図である。加えて、フレーム部材１９０は、基板支持体１３０の上方に示されている。中央エッジ支持体部材９００はまた、基板支持体１３０の対向する辺上において、基板支持体１３０の上に配置された状態で示されている。また、中央エッジ支持体部材９００の対向する辺上に配置されたセラミックストリップ１６００も示されている。エッジ支持体部材１６２は、基板１０５を搬送するため、移動するように構成されているが、セラミックストリップ１６００は基板支持体１３０に連結された状態に留まりうる。この構成では、中央エッジ支持体部材９００は使用されない。セラミックストリップ１６００は１ピースであってよい（すなわち、中央エッジ支持体部材９００によって分割されていない）。
【００４５】
［００５１］  図１６Ｂは、図１６Ａに示す基板支持体１３０の一部分の等角図である。エッジ支持体部材１６２及びセラミックストリップ１６００は、基板１０５の外周１６０５の外側に配置されて示されている。また、フレーム部材１９０が配置されうる基板支持体１３０の凹んだ外周領域１６１０が示されている。
【００４６】
［００５２］  図１６Ｃは、基板支持体１３０及びその上に配置されたエッジ支持体部材１６２の部分側面断面図である。エッジ支持体部材１６２（この図では１つのみを示している）は、基板支持体１３０の基板受容面１４５の下方の凹部１６１５に配置されるように適合されている。凹部１６１５は、エッジ支持体部材１６２の幅を受容するようにサイズ決定されうる。凹部１６１５はまた、エッジ支持体部材１６２の上面１６２０が基板１０５の上面１６２５と実質的に同一平面上にあるように、エッジ支持体部材１６２の厚みを受容するようにサイズ決定されうる。フレーム部材１９０は、処理中にエッジ支持体部材１６２の上面１６２０を覆うように適合されるが、他の構成要素を示すために、この位置から離間されている。
【００４７】
［００５３］  また、開口部１６３０が基板支持体１３０の外周領域１６３５に示されている。開口部１６３０は、支持体シャフト１６４０を受容し、支持体シャフト１６４０が通過できるようにサイズ決定されうる。図１６Ｃには１つの開口部１６３０しか示されていないが、基板支持体１３０の外周領域１６３５は他の開口部を有しうる。支持体シャフト１６４０は、エッジ支持体部材１６２の支持体シャフト１６５であってよく、また、中央エッジ支持体部材９００の支持体シャフトであってもよい。開口部１６３０は、それぞれの支持体シャフト１６５がエッジ支持体部材１６２に接触し、エッジ支持体部材１６２を上昇及び下降させるように利用されうる。
【００４８】
［００５４］  基板搬送装置１５０の実施形態は、本書に記載のように多くの利点をもたらす。この利点には、基板支持体１３０でのリフトピンの除去、並びに基板支持体１３０のリフトピンポケットが含まれる。基板支持体１３０の基板受容面１４５は、基板１０５上のコールドスポットを減らす又は除去する任意の貫通孔を含まない（すなわち、穿孔されていない）。基板エッジ支持体（１６２及び９００）は膜特性に影響を及ぼし、ＲＦ結合への影響が最小限になるように、最小の幅を有する。基板搬送装置１５０のもう１つの利点として、基板１０５の裏面への損傷が少ないことが挙げられる。基板を引っ掻く傾向にあるリフトピンは除去され、これにより、基板の引っ掻き傷は最小限に抑えられるか、なくなる。基板搬送装置１５０は、（図２Ｂ〜図８Ｂ及び図９Ｂ〜図１５Ｂに示したように）中央支持体部材１６４を中心から徐々に取り除くことによって、基板を基板支持体１３０上で、基板の中心から基板のエッジへと外側に向かうように配置する。基板１０５の中心と基板支持体１３０との最初の接触は、搬送動作中の基板１０５の動きを最小限に抑える。基板搬送装置１５０はまた、応力を（例えば、約１００ＭＰａ未満に）制御するため、基板１０５形状を維持する（例えば、変形を最小限に抑える）ように機能する。
【００４９】
［００５５］  上記の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱しなければ、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって決まる。
【図１Ａ】
2020501364.tif 000003
【図１Ｂ】
2020501364.tif 000004
【図２Ａ】
2020501364.tif 000005
【図２Ｂ】
2020501364.tif 000006
【図３Ａ】
2020501364.tif 000007
【図３Ｂ】
2020501364.tif 000008
【図４Ａ】
2020501364.tif 000009
【図４Ｂ】
2020501364.tif 000010
【図５Ａ】
2020501364.tif 000011
【図５Ｂ】
2020501364.tif 000012
【図６Ａ】
2020501364.tif 000013
【図６Ｂ】
2020501364.tif 000014
【図７Ａ】
2020501364.tif 000015
【図７Ｂ】
2020501364.tif 000016
【図８Ａ】
2020501364.tif 000017
【図８Ｂ】
2020501364.tif 000018
【図９Ａ】
2020501364.tif 000019
【図９Ｂ】
2020501364.tif 000020
【図１０Ａ】
2020501364.tif 000021
【図１０Ｂ】
2020501364.tif 000022
【図１１Ａ】
2020501364.tif 000023
【図１１Ｂ】
2020501364.tif 000024
【図１２Ａ】
2020501364.tif 000025
【図１２Ｂ】
2020501364.tif 000026
【図１３Ａ】
2020501364.tif 000027
【図１３Ｂ】
2020501364.tif 000028
【図１４Ａ】
2020501364.tif 000029
【図１４Ｂ】
2020501364.tif 000030
【図１５Ａ】
2020501364.tif 000031
【図１５Ｂ】
2020501364.tif 000032
【図１６Ａ】
2020501364.tif 000033
【図１６Ｂ】
2020501364.tif 000034
【図１６Ｃ】
2020501364.tif 000035
【国際調査報告】
2020501364.tif 000036
2020501364.tif 000037
2020501364.tif 000038