(57)【要約】  発光デバイスは、基板と、該基板の第１の表面上に形成された発光ダイオード（ＬＥＤ）とを含み得る。ＬＥＤは、一次光を放ち得る。基板の第２の表面にフェンス構造が取り付けられ得る。フェンス構造は、セルを画成するように配置された複数の壁を含み得る。セル内で基板の第２の表面上に光変換構造が配置され得る。光変換構造は、一次光の少なくとも一部を、一次光の波長とは異なる波長を持つ二次光へと変換し得る。フェンス構造の複数の壁の外面上、基板の側壁上、及びＬＥＤの側壁上に、反射層が形成され得る。この反射素子と光変換構造とが、フェンス構造の複数の壁の反対側に配置され得る。
2020537349.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１の表面上に形成された発光ダイオード（ＬＥＤ）であり、一次光を放つように構成されたＬＥＤと、
前記基板の第２の表面に取り付けられたフェンス構造であり、セルを画成するように配置された複数の壁を含むフェンス構造と、
前記セル内で前記基板の前記第２の表面上に配置された光変換構造であり、前記一次光の少なくとも一部を、前記一次光の波長とは異なる波長を持つ二次光へと変換するように構成された光変換構造と、
前記フェンス構造の前記複数の壁の外面上、前記基板の側壁上、及び前記ＬＥＤの側壁上に形成された反射層であり、当該反射素子と前記光変換構造とが、前記フェンス構造の前記複数の壁の反対側に配置されている、反射層と、
を有する発光デバイス。
【請求項２】
前記フェンス構造は、ガラス材料、金属材料、ポリマー材料、及びセラミック材料のうちの少なくとも１つで形成されている、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記フェンス構造の前記複数の壁の各々が、前記基板の異なるエッジに隣接して形成されている、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記反射層は、無機反射材料の膜を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記フェンス構造は、前記フェンス構造のフットプリントに少なくとも部分的に一致する接合パターンを介して、前記基板の前記第２の表面に取り付けられている、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項６】
当該発光デバイスは更に、前記基板の前記第２の表面上に形成された反射パターンを有し、該反射パターンは、複数のラインを含み、各ラインが、前記フェンス構造の異なる壁と少なくとも部分的に一致する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項７】
当該発光デバイスは更に、前記セル内に配置された光拡散構造を有し、該光拡散構造は、前記光変換構造から放たれる二次光を拡散させるように構成される、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記ＬＥＤ上に形成されたコンタクト、を更に有する請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項９】
基板と、
前記基板の第１の表面上に形成された発光ダイオード（ＬＥＤ）であり、一次光を放つように構成されたＬＥＤと、
前記基板の第２の表面上に形成された反射ラインと、
前記反射ライン上に形成された接合層と、
前記接合層に取り付けられたフェンス構造であり、セルを画成するように配置された複数の壁を含むフェンス構造と、
前記複数の壁の内面上に形成された第１の反射層と、
前記セル内で前記基板の前記第２の表面上に配置された光変換構造であり、前記一次光の少なくとも一部を、前記一次光の波長とは異なる波長を持つ二次光へと変換するように構成された光変換構造と、
前記複数の壁の外面上、前記基板の側壁上、及び前記ＬＥＤの側壁上に形成された第２の反射層であり、当該反射素子と前記光変換構造とが、前記フェンス構造の前記複数の壁の反対側に配置されている、反射層と、
を有する発光デバイス。
【請求項１０】
前記接合層は、前記反射ラインの幅よりも大きい幅を持つ、請求項９に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記フェンス構造は、ガラス材料、金属材料、ポリマー材料、及びセラミック材料のうちの少なくとも１つで形成されている、請求項９に記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記フェンス構造の前記複数の壁の各々が、前記基板の異なるエッジに隣接して形成されている、請求項９に記載の発光デバイス。
【請求項１３】
前記第１の反射層は、無機反射材料の膜を有する、請求項９に記載の発光デバイス。
【請求項１４】
前記第２の反射層は、無機反射材料の膜を有する、請求項９に記載の発光デバイス。
【請求項１５】
当該発光デバイスは更に、前記セル内に配置された光拡散構造を有し、該光拡散構造は、前記光変換構造から放たれる二次光を拡散させるように構成される、請求項９に記載の発光デバイス。
【請求項１６】
前記ＬＥＤ上に形成されたコンタクト、を更に有する請求項９に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願は、２０１７年１０月１０日に出願された米国特許出願第１５／７２９，２６９号、及び２０１８年１月１７日に出願された欧州特許出願第１８１５２１１８．８号の利益を主張するものであり、それらの内容をここに援用する。
【０００２】
本開示は、該して発光デバイスに関し、より具体的には、コンバータ閉じ込めを含む発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージに関する。
【背景技術】
【０００３】
ＬＥＤは、様々な用途で光源として一般的に使用されている。ＬＥＤの主たる機能を果たす部分は、逆の導電型（ｐ型及びｎ型）の２つの注入層と、キャリアの注入が行われる放射再結合のための発光活性層とを有する半導体チップであるとし得る。半導体チップは、通常、振動及び熱的ダメージに対する保護に加えて半導体チップと外部との間の電気接続を提供するパッケージ内に配置される。ＬＥＤパッケージは、半導体チップに加えて、光コンバータ、反射素子、及び種々の他のコンポーネントをも含み得る。これらのコンポーネントは、異なる熱膨張係数を持ち得るものであり、このことが、それらを、クラック形成、剥離、及び様々な他のタイプの機械的ダメージを受け易いものにしている。
【０００４】
従って、異なる熱膨張係数を持つ素子が同一ＬＥＤパッケージ内で使用されるときに機械的ダメージの可能性を低減させるＬＥＤパッケージ設計に対するニーズが存在する。
【発明の概要】
【０００５】
発光デバイス及びそれを製造する方法がここに記載される。発光デバイスは、基板と、該基板の第１の表面上に形成された発光ダイオード（ＬＥＤ）とを含み得る。ＬＥＤは、一次光を放つように構成され得る。基板の第２の表面にフェンス構造が取り付けられ得る。フェンス構造は、セルを画成するように配置された複数の壁を含み得る。セル内で基板の第２の表面上に光変換構造が配置され得る。光変換構造は、一次光の少なくとも一部を、一次光の波長とは異なる波長を持つ二次光へと変換するように構成され得る。フェンスの複数の壁の外面上、基板の側壁上、及びＬＥＤの側壁上に、反射層が形成され得る。この反射素子と光変換構造とが、フェンス構造の複数の壁の反対側に配置され得る。
【０００６】
発光デバイス及びそれを製造する方法がここに記載される。発光デバイスは、基板と、該基板の第１の表面上に形成されたＬＥＤとを含み得る。ＬＥＤは、一次光を放つように構成され得る。基板の第２の表面上に反射ラインが形成され得る。反射ライン上に接合層が形成され得る。接合層にフェンス構造が取り付けられ得る。フェンス構造は、セルを画成するように配置された複数の壁を含み得る。これら複数の壁の内面上に第１の反射層が形成され得る。セル内で基板の第２の表面上に光変換構造が配置され得る。光変換構造は、一次光の少なくとも一部を、前記一次光の波長とは異なる波長を持つ二次光へと変換するように構成され得る。上記複数の壁の外面上、基板の側壁上、及びＬＥＤの側壁上に、第２の反射層が形成され得る。この反射素子と光変換構造とが、フェンス構造の複数の壁の反対側に配置され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】開示の態様に従った、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージの一例の側断面図である。
【図１Ｂ】開示の態様に従った、図１のＬＥＤパッケージの一例の上面図である。
【図２Ａ】開示の態様に従った、ＬＥＤパッケージを製造するプロセスの一部を例示するフローチャートである。
【図２Ｂ】開示の態様に従った、ＬＥＤパッケージを製造するプロセスの別の一部を例示するフローチャートである。
【図３Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第１段階にて形成されるフェンス構造の一例の上面図である。
【図３Ｂ】開示の態様に従った、図３Ａのフェンス構造の側面図である。
【図４Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第２段階における図３Ａのフェンス構造の上面図である。
【図４Ｂ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第２段階における図４Ａのフェンス構造の側断面図である。
【図５Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第３段階にて形成される複数のＬＥＤを含むウエハの上面図である。
【図５Ｂ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第３段階における図５Ａのウエハの側断面図である。
【図６Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第４段階における図５Ａのウエハの上面図である。
【図６Ｂ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第４段階における図５Ａのウエハの側断面図である。
【図７Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第５段階における図５Ａのウエハの上面図である。
【図７Ｂ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第５段階における図５Ａのウエハの側断面図である。
【図８Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第６段階における図５Ａのウエハの上面図である。
【図８Ｂ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第６段階における図５Ａのウエハの側断面図である。
【図９Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第７段階における図５Ａのウエハの上面図である。
【図９Ｂ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第７段階における図５Ａのウエハの側断面図である。
【図１０Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第８段階における図５Ａのウエハの上面図である。
【図１０Ｂ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第８段階における図５Ａのウエハの側断面図である。
【図１１Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第９段階における図５Ａのウエハの上面図である。
【図１１Ｂ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第９段階における図５Ａのウエハの側断面図である。
【図１２Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第１０段階における図５Ａのウエハの上面図である。
【図１２Ｂ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第１０段階における図５Ａのウエハの側断面図である。
【図１２Ｃ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第１０段階における図５Ａのウエハの別の側断面図である。
【図１３】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスの第１１段階におけるＬＥＤパッケージの側断面図である。
【図１４Ａ】開示の態様に従った、図２Ａ−２Ｂのプロセスを実行することの結果として形成されるＬＥＤパッケージの側断面図である。
【図１４Ｂ】開示の態様に従った、図１４ＡのＬＥＤパッケージの上面図である。
【図１５】開示の態様に従った、ＬＥＤパッケージを製造する別のプロセスのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）化された発光ダイオード（ＬＥＤ）が、とりわけ、ルミレッズ（登録商標）、日亜（登録商標）、オスラム（登録商標）、ＴＳＭＣ（登録商標）、東芝（登録商標）、ソウルセミコンダク（登録商標）などから、何年も販売に供され又は商業的に発表されてきた。しかしながら、大抵の場合、これらのＬＥＤは、ウエハスケールの高スループット半導体製造技術を用いて製造された、はんだ付け可能な一次光（例えば、青色光）ＬＥＤとして開始し、それが、光変換構造及び追加のパッケージ材料と共にパッケージされて、完成したＬＥＤパッケージが作り出される。光変換構造を付加することの目的は、一次光（例えば、青色光）を二次光（例えば、白色光）へと変換することである。一部の例において、付加されたパッケージング及び光変換構造は、一次光及び二次光の双方をパッケージの表面に向けるように働く。これは、例えばカメラフラッシュレンズ用途及び自動車ヘッドライト用途などの、補助光学系を必要とする空間制約的な用途において望ましいチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）化された発光デバイスを作り出す。
【０００９】
信頼性ある一次光ＣＳＰ  ＬＥＤは、透明な成長基板（例えば、サファイア）が無傷のまま残されてデバイスの本質的な支持構造（又はボリュームバルク）になることを可能にするウエハ製造技術を用いて達成されることができる。しかしながら、成長基板の透明性は、生成された一次光（例えば、青色光）を５方向（４側面、１頂面）に放射するあまり意図しない“ボリュームエミッタ”の生成につながり得る。従って、ダイ製造の後に、例えば薄膜金属又は薄膜分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）などの反射素子を基板の側壁上に配置することが、ボリュームエミッタの生成を防止するように働き得る。
【００１０】
一次光（例えば、青色）ＬＥＤの上に光変換構造が配置される場合、本質的に散乱光により、光変換構造として別のボリュームエミッタが再び生成される。光変換構造がボリュームエミッタとして作用することを防止するために、光変換構造の側面に反射素子（例えば、反射膜）が形成されることがある。しかしながら、そうすることは、光変換構造と反射素子とが異なる熱膨張係数（ＣＴＥ）を持つときに、所与のＬＥＤパッケージの信頼性及び／又は発光出力を低下させてしまい得る。
【００１１】
より具体的には、典型的な光変換構造は、無機マトリクス内に懸濁された無機蛍光体粒子を含み、最も一般的にはシリコーンであるそれらのマトリクス材料によって支配される機械的特性を持ち得る。典型的な光変換構造の熱膨張係数が２００ｐｐｍのオーダーであり得るのに対し、薄膜反射素子は遥かに低いＣＴＥを持ち得る。例えば、銀（Ａｇ）は２０ｐｐｍのＣＴＥを持ち得るものであり、ΤｉＯ２／ΑｌＯ２スタックは７−９ｐｐｍのＣＴＥを持ち得るものである。従って、（閉じ込められた光源を生み出すように）そのような光変換構造を典型的な反射素子と密着させて配置することは、典型的なアセンブリ及び動作温度サイクルの間に反射素子がクラックして剥離することをもたらし得る。
【００１２】
この問題に対する一つのソリューションは、発光デバイスに、それらデバイス内の光変換構造を取り囲むように配置されたフェンスを設けて、光変換構造とフェンスの外側に形成される反射素子との間に物理的バリアを提供することである。これに関連し、開示の態様によれば、一次光を放つように構成された発光ダイオードと、光変換構造と、該光変換構造を取り囲むフェンスとを含む発光デバイスが開示される。フェンスは、フェンスの外面に形成された反射素子（例えば、反射側面コーティング）から光変換構造を隔てるように構成された、剛性材料で形成された構造体とし得る。反射素子は、光変換構造とは異なる熱膨張係数（ＣＴＥ）を持ち得る。しかしながら、フェンスは剛性材料で形成されてので、光変換構造と反射素子との不均等な熱膨張から生じる力に耐えることができ、それにより、反射素子が光変換構造と直接接触していた場合に起こり得る反射素子のクラック形成及び剥離を防止することができる。
【００１３】
開示の態様によれば、発光デバイスを製造する方法が提供され、当該方法は、ウエハの第１の表面上に複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を形成することと、複数のセル（個室）を画成するように構成された複数の壁を含むフェンス構造を形成することと、第１の表面とは反対側のウエハの第２の表面に、フェンス構造を、複数のセルの各々を複数のＬＥＤのうちの異なる１つにアライメントすることによって結合することと、ウエハの第２の表面上に光変換材料を設けて、複数のセルの各々内に異なるそれぞれの光変換構造を形成することと、フェンス構造の壁と、フェンス構造の壁に結合されたウエハの部分と、を長手方向に切断して、複数の発光デバイスを形成することと、を有する。
【００１４】
発光素子を製造する当該方法の１つの特徴は、ウエハ製造プロセスへの、ガラス又は他の材料で形成されたフェンス構造の追加である。フェンス構造は、ウエハの表面に化学的又は機械的に接合されることができ、後に、ウエハが個片化プロセスを受けるときに、ウエハと同時にダイシング又はその他の方法で個片化されることができる。従って、発光デバイスを製造する当該方法は、その光生成及びソースの品質／閉じ込めが主にウエハレベルで達成されるチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）化デバイスを作り出し、故に、一次光ＬＥＤの製造に続く追加のプロセス工程を最小化する。
【００１５】
以下、添付の図面を参照して、複数の異なる発光デバイスの例がいっそう十分に説明される。これらの例は、相互に排他的なものではなく、更なる実装を達成するために、１つの例に見られる特徴を、１つ以上の他の例に見られる特徴と組み合わせることができる。従って、理解されることには、添付の図面に示される例は、単に例示の目的で提供されており、それらは決して本開示を限定することを意図していない。全体を通して、同様の要素は似通った符号で参照する。
【００１６】
理解されることには、様々な要素を記述するために、ここでは第１、第２などの用語が使用されることがあるが、それらの要素はこれらの用語によって限定されるべきでない。これらの用語は、単に、１つの要素を別の要素から区別するために使用される。例えば、本発明の範囲から逸脱することなく、第１の要素が第２の要素と称されてもよく、同様に、第２の要素が第１の要素と称されてもよい。ここで使用されるとき、用語“及び／又は”は、関連して列挙されるアイテムのうちの１つ以上のアイテムの任意の及び全ての組み合わせを含む。
【００１７】
理解されることには、例えば層、領域、又は基板などの要素が他の要素の“上に”ある又は“上へと”延在するとして言及されるとき、それが直に他の要素の上にある又は直にその上へと延在してもよいし、あるいは、介在する要素も存在してもよい。対照的に、或る要素が他の要素の“直上に”ある又は“直に上へと”延在するとして言及されるときには、介在する要素は存在しない。これまた理解されることには、或る要素が他の要素に“接続される”又は“結合される”として言及されるとき、それは直に他の要素に接続又は結合されてもよいし、あるいは、介在する要素が存在してもよい。対照的に、或る要素が他の要素に“直に接続される”又は“直に結合される”として言及されるときには、介在する要素は存在しない。理解されることには、これらの用語は、図に描かれる向きに加えて、異なる向きの要素を包含することが意図される。
【００１８】
ここでは、図に示されるときの、１つの要素、層又は領域と別の要素、層又は領域との関係を記述するために、例えば“下方”又は“上方”又は“上側”又は“下側”又は“水平”又は“鉛直”などの相対的な用語が使用されることがある。理解されることには、これらの用語は、図に描かれる向きに加えて、異なる向きのデバイスを包含することが意図される。
【００１９】
図１Ａは、開示の態様に従った、発光デバイス１００の一例の側断面図であり、図１Ｂは、発光デバイス１００の上面図である。発光デバイス１００は、第１の表面と第２の表面とを持つ基板１１０を含む。第１の表面上に、コンタクト１２２及び１２４を持つ発光ダイオード（ＬＥＤ）１２０が形成されている。第２の表面上に、セル１３４（破線の長方形で示す）を画成するように構成された複数の壁１３２を含むフェンス１３０が形成されている。セル１３４の内部には、ＬＥＤ１２０から放たれた一次光を、一次光の波長とは異なる波長を持つ二次光へと変換するように構成された光変換構造１４０が配置されている。フェンス１３０の外面１３６上、ＬＥＤ１２０のエッジ１２６上、及び基板１１０のエッジ１１２上に、反射素子１５０が配置されている。
【００２０】
基板１１０は、本例ではサファイア基板を含み得る。しかしながら、基板１１０がＧａＡｓ基板、Ｓｉ基板、及び／又は他の好適タイプの基板を含む代わり実装も可能である。
【００２１】
ＬＥＤ１２０は、如何なる好適な発光半導体構造を含んでいてもよい。一部の実装において、ＬＥＤ１２０は、周知の堆積技術を用いて基板１１０上にエピタキシャル成長されたｐ型層、ｎ型層、及び活性層を含み得る。活性層は、ｎ型層とｐ型層との間に配置され得るとともに、コンタクト１２２及び１２４を介してＬＥＤ１２０に順バイアスが印加されるときに光を発し得る。ＬＥＤ１２０は、例えば、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）材料、アルミニウムガリウムインジウム燐（ＡｌＧａＩｎＰ）材料、アルミニウムガリウム砒素（ＡＩＧａＡｓ）材料、又はガリウム燐（ＧａＰ）材料などの様々な材料を用いて形成され得る。
【００２２】
フェンス１３０は、光変換構造１４０と反射素子１５０との間に配置され得る。フェンス１３０は、光変換構造１４０を閉じ込め、光変換構造１４０と反射素子１５０との間の物理的バリアとして作用し得る。これに関連し、フェンス１３０は、光変換構造１４０を反射素子１５０から離隔させて、それらそれぞれの熱膨張係数（ＣＴＥ）間の不一致を補償し得る。より具体的には、光変換構造１４０が、反射素子１５０のＣＴＥよりも何倍も高い（例えば、５倍高い、１０倍高い、１５倍高い、等々）ＣＴＥを持つとき、フェンス１３０は、そうでなく反射素子１５０が光変換構造１４０上に直接形成されていた場合に起こり得る反射素子１５０のクラック形成及び剥離を防止し得る。
【００２３】
フェンス１３０は、本例では、ガラスで形成され得るとともに、１００−１２０ｕｍ程度の高さを持ち得る。しかしながら、本開示は、フェンス１３０の特定の寸法又は材料に限定されるものではない。フェンス１３０が他の好適タイプの材料で形成されて任意の好適な高さ及び／又は他の寸法を持つ代わりの実装も可能である。例えば、一部の実装において、フェンス１３０は、アルミニウム、陽極酸化されたアルミニウム、シリコン、及び／又は他の好適タイプの金属で形成され得る。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、フェンス１３０は、例えばシリコンなどの半導体材料で形成されてもよい。一部の実装において、フェンス１３０は、誘電体コーティングで被覆された金属で形成されてもよい。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、フェンス１３０は、誘電体コーティングで被覆された例えばシリコンなどの半導体材料で形成されてもよい。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、フェンスは、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などのセラミック材料で形成されてもよい。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、フェンス１３０は、発光デバイス１００の温度上昇によって光変換構造１４０が膨張することの結果として生成される力に、自身の形状を変えることなく耐えるのに十分な剛性を持つ材料で形成され得る。それに加えて、あるいは代えて、フェンス１３０は、任意の金属材料、セラミック材料、及び／又は任意の他の好適タイプの材料で形成され得る。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、フェンス１３０は（反射材料で被覆されるときに）例えばＬＣＰ又はポリイミドなどの高温安定ポリマーで形成されてもよい。
【００２４】
光変換構造１４０は、如何なる好適タイプの材料で形成されてもよい。例えば、光変換構造１４０は、マトリクス材料の中に光変換材料を懸濁させたもので形成され得る。一部の実装において、光変換材料は、例えば黄色蛍光体、赤色蛍光体、青色蛍光体などの任意の好適タイプの蛍光体を含み得る。マトリクス材料は、シリコンバインダ、ガラス、及び／又は他の好適タイプの材料を含み得る。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、光変換構造１４０は、マトリクス材料内に懸濁されるのではなく、焼結された光変換材料で形成されてもよい。
【００２５】
反射素子１５０は、発光デバイス１００の側面を１つ以上の材料で被覆することによって形成された反射膜を含み得る。一部の実装において、反射素子１５０は、ＬＥＤパッケージの側面を銀又は例えばアルミニウムなどの他の金属で被覆することによって形成され得る。それに加えて、あるいは代えて、反射素子１５０は、発光デバイス１００の側面を、例えばＳｉＯ２、ＴｉＯ２、又はＳｉ３Ｎ４、ＡｌＯ２などの１つ以上の誘電材料で被覆することによって形成され得る。それに加えて、あるいは代えて、反射素子１５０は、異なる屈折率を持つ材料の交互スタック（例えば、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２スタック）を含む分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）であってもよい。
【００２６】
図２は、開示の態様に従った、発光デバイスを製造するプロセス２００の一例のフローチャートである。
【００２７】
ステップ２０５にて、フェンス構造３００が形成される。図３Ａ−３Ｂに例示するように、フェンス構造３００は、セル３２０を形成するように構成された複数の壁３１０を含み得る。一部の実装において、壁３１０のうちのいずれの高さＨも、１００−１２０ｕｍの範囲内とし得る。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、壁３１０のうちのいずれかの厚さＴ１も、３−３０ミクロンの範囲内とすることができ、それは、フェンス構造３００を形成するのに使用される材料の機械的堅牢性に依存し得る。
【００２８】
一部の実装において、フェンス構造３００は、例えばショットガラス（登録商標）によって製造されているＦｏｔｕｒｏｎ（登録商標）ガラスなどの、感光性ガラスで形成され得る。フェンス構造３００は、例えばフォトパターニング又はウェットエッチングなどの好適なエッチング技術を用いてガラスシート内にセル３２０をエッチングすることによって形成され得る。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、フェンス構造３００は、例えばアルミニウム、陽極酸化されたアルミニウム、及び／又は他の好適金属などの金属で形成されてもよい。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、フェンス構造３００は、例えばシリコンなどの半導体材料で形成されてもよい。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、フェンス構造３００は、石英、機械加工可能なセラミック、成形可能なセラミック、及び／又は感光性セラミックで形成されてもよい。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、フェンス構造３００は、それが切断又はエッチングされたときに滑らかな表面を形成することができる材料で作製され得る。これに関連し、本開示は、フェンス構造３００を製造する特定の材料及び／又はプロセスに限定されるものではない。本例では、フェンス構造３００は、複数の矩形セルを含むグリッドであるが、フェンス構造３００が、例えば円形セル、八角形セル、六角形セルなどの任意の好適形状のセルを含み得る代わりの実装も可能である。
【００２９】
ステップ２１０にて、フェンス構造３００上に反射素子４１０が形成される。図４Ａ−４Ｂに例示するように、反射素子４１０は、フェンス構造３００の壁３１０を、例えばＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｇ、又はＡｌなどの１つ以上の誘電材料及び／又は導電材料で被覆することによって形成される反射膜とし得る。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装においては、反射素子４１０は、異なる屈折率を持つ材料の交互スタックを含む分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）であってもよい。例えば、一実装において、反射素子４１０は、ＳｉＯ２層とΤｉΟ２層との交互スタックを含み得る。本例では、側面３１２及び頂面３１４が、反射素子４１０によって覆われる。反射素子４１０は、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、及び／又は他の好適堆積技術を用いて形成され得る。本例では、壁３１０の底面３１６は反射素子４１０によって覆われないが、底面３１６も覆われる代わりの実装も可能である。
【００３０】
ステップ２１５にて、ウエハ５００の第１の表面５０２上に複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）５１０が形成される（図５Ａ−５Ｂ）。各ＬＥＤ５１０は、如何なる好適タイプの発光半導体デバイスを含んでいてもよい。例えば、各ＬＥＤ５１０は、少なくとも、周知の堆積技術を用いてウエハ５００上に成長されたｐ型層、ｎ型層、及び活性層を含み得る。ＬＥＤ５１０が互いに一体化されているが、ＬＥＤ５１０が別々である代わりの実装も可能である。ＬＥＤ５１０は、例えば、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）材料、アルミニウムガリウムインジウム燐（ＡｌＧａＩｎＰ）材料、アルミニウムガリウム砒素（ＡＩＧａＡｓ）材料、又はガリウム燐（ＧａＰ）材料などの様々な材料を用いて形成され得る。
【００３１】
各ＬＥＤ５１０は、セル３２０の幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２を持ち得る。それに加えて、あるいは代えて、各ＬＥＤ５１０は、セル３２０の長さＬ１よりも大きい長さＬ２を持ち得る。それに加えて、あるいは代えて、各ＬＥＤ５１０は、セル３２０の面積よりも大きい頂面５１４を持ち得る。これに関連し、フェンス構造３００がウエハ５００上に取り付けられるとき、各セル３２０が、それぞれのＬＥＤ５１０の頂面５１４の上に、該頂面の外に延在することなく配置され得る。
【００３２】
ステップ２２０にて、ウエハ５００の第２の表面５０４上に反射パターン６１０が形成される。図６Ａ−６Ｂに例示するように、反射パターン６１０は、セル６２０を形成するように構成された複数の反射ライン６１２を含み得る。反射ライン６１２のうちのいずれも、例えばＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｇ、又はＡｌなどの１つ以上の導電材料及び／又は誘電材料で形成され得る。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装においては、いずれの反射ライン６１２も、異なる屈折率を持つ材料の交互スタックを含む分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を含み得る。例えば、反射ライン６１２のうちのいずれも、ＳｉＯ２層とΤｉＯ２層との交互スタックを含み得る。
【００３３】
一部の実装において、反射パターン６１０は、フェンス構造３００のフットプリントと一致し得る。フェンス構造３００のフットプリントは、図３Ａに示したフェンス構造３００の頂面と同じ又は同様のプロファイルを持ち得る。フェンス構造３００が反射パターン６１０の上に配置されるとき（以下のステップ２３０を参照）、反射ライン６１２の各々がフェンス構造３００の異なる壁３１０の下に位置することになり、それにより、フェンス構造の壁の底面３１６を通り抜けて光が進むことを防止し得る。
【００３４】
一部の実装において、反射ライン６１２うちの１つ以上が、それらのラインのそれぞれの長さに沿って延在するそれぞれの光透過部６１６を含んでもよい。各ラインの光透過部６１６は、図示のように、該ラインの２つの反射部の間に挟み込まれ得る。光透過部６１６は、レーザ光が反射パターン６１０中を進むことを可能にするために設けられ得る。更に後述するように、レーザ光は、ウエハ及び／又はフェンス構造３００を切断するために使用され得る。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、反射ライン６１２は中実（故に、光透過部を欠く）であってもよい。
【００３５】
一部の実装において、セル６２０の各々は、セル３２０の幅Ｗ１と実質的に同じ幅Ｗ３を持ち得る。それに加えて、あるいは代えて、セル６２０の各々は、セル３２０の長さＬ１と実質的に同じ長さＬ３を持ち得る。それに加えて、あるいは代えて、ライン６１２の各々は、フェンス構造３００の壁３１０の厚さＴ１に対して実質的に同じ厚さＴ３を持ち得る。
【００３６】
本例では、反射パターン６１０は、フェンスグリッドの寸法と実質的に同じ寸法を持つが、パターン６１０の寸法（例えば、セル幅、セル長、ライン厚さなど）のうちの１つ以上がフェンス構造３００のそれらと異なる代わりの実装も可能である。例えば、一部の実装において、ライン６１２の厚さＴ３がフェンス構造３００の壁３１０の厚さＴ１よりも小さく（又は大きく）てもよい。他の一例として、セル６２０の幅Ｗ３がセル３２０の幅Ｗ１よりも小さく（又は大きく）てもよい。更なる他の一例として、セル６２０の長さＬ３がセル３２０の長さＬ１よりも小さく（又は大きく）てもよい。
【００３７】
一部の実装において、反射パターン６１０は、フェンス構造３００のフットプリントと部分的にのみ一致してもよい。そのような場合、フェンス構造３００がウエハ５００上に配置されるとき（以下のステップ２３０を参照）、反射ライン６１２のうちの１つ以上が、部分的にのみ、フェンス構造３００の壁３１０の下に置かれ得る。それに加えて、あるいは代えて、そのような場合、反射ライン６１２のうちの１つ以上が壁３１０と全く重ならないなくてもよい。簡潔に述べると、一部の実装において、フェンス構造３００がウエハ５００上に取り付けられるとき、ライン６１２のうちの少なくとも１つが、所与の壁３１０と部分的にのみ一致する（又は壁３１０のうちのいずれとも一致しない）とし得る。
【００３８】
ステップ２２５にて、反射パターン６１０の上に接合（ボンディング）パターン７１０が形成される。図７Ａ−７Ｂに例示するように、接合パターン７１０は、セル７２０を形成するように構成された複数のライン７１２を含み得る。ライン７１２のいずれも、フェンス構造３００とウエハ５００との間の接合を支援することができる材料で形成され得る。例えば、一部の実装において、ライン７１２のうちの１つ以上は、シリコーン、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及び／又は他の好適材料で形成され得る。一部の実装において、接合パターン７１０は、フェンス構造のフットプリントと一致し得る。フェンス構造３００のフットプリントは、図３Ａに示したフェンス構造３００の頂面と同じ又は同様のプロファイルを持ち得る。フェンス構造３００が接合パターン７１０の上に配置されるとき、ライン７１２の各々がフェンス構造３００の異なる壁３１０の下に（完全に又は部分的に）位置することになり、それにより、その壁のウエハ５００の表面５０４への接合（以下のステップ２３０を参照）を支援し得る。
【００３９】
一部の実装において、セル７２０の各々は、セル３２０の幅Ｗ１と実質的に同じ幅Ｗ４を持ち得る。それに加えて、あるいは代えて、セル７２０の各々は、セル３２０の長さＬ１と実質的に同じ長さＬ４を持ち得る。それに加えて、あるいは代えて、ライン７１２の各々は、フェンス構造３００の壁３１０の厚さＴ１に対して実質的に同じ厚さＴ４を持ち得る。
【００４０】
本例では、接合パターン７１０は、フェンス構造３００の寸法と実質的に同じ寸法を持つが、接合パターン７１０の１つ以上の寸法（例えば、セル幅、セル長、ライン厚さなど）がフェンス構造３００のそれらと異なる代わりの実装も可能である。例えば、一部の実装において、ライン７１２の厚さＴ４がフェンス構造３００の壁３１０の厚さＴ１よりも小さく（又は大きく）てもよい。他の一例として、セル７２０の幅Ｗ４がセル３２０の幅Ｗ１よりも小さく（又は大きく）てもよい。更なる他の一例として、セル７２０の長さＬ４がセル３２０の長さＬ１よりも小さく（又は大きく）てもよい。
【００４１】
一部の実装において、接合パターン７１０は、フェンス構造３００のフットプリントと部分的にのみ一致してもよい。そのような場合、フェンス構造３００がウエハ５００上に配置されるとき（以下のステップ２３０を参照）、ライン７１２のうちの１つ以上が、部分的にのみ、フェンス構造３００の壁３１０の下に置かれ得る。それに加えて、あるいは代えて、そのような場合、ライン７１２のうちの１つ以上が壁３１０と全く重ならないなくてもよい。簡潔に述べると、一部の実装において、フェンス構造３００がウエハ５００上に取り付けられるとき、ライン７１２のうちの少なくとも１つが、所与の壁３１０と部分的にのみ一致する（又は壁３１０のうちのいずれとも一致しない）とし得る。
【００４２】
ステップ２３０にて、フェンス構造３００がウエハ５００の表面５０４に取り付けられる。図８Ａ−８Ｂに例示するように、フェンス構造３００が、接合パターン７１０上に、壁３１０の各々がライン７１２のうちの異なる１つとアライメントされるように配置され得る。結果として、接合パターン７１０のライン７１２の各々は、フェンス構造３００の異なる壁３１０の下に留まり得る。さらに、ライン７１２の各々は、それがその下に位置する壁３１０の長さに沿って延在し得る。同様に、反射パターン６１０の反射ライン６１２の各々も、フェンス構造３００の異なる壁３１０の下に留まり得る。さらに、ライン７１２と同様に、反射パターン６１０の反射ライン６１２の各々も、それがその下に位置する壁３１０の長さに沿って延在し得る。
【００４３】
フェンス構造３００は、例えば熱イオンボンディング、超音波ボンディング、及び／又は何らかの従来からのウエハボンディング技術などの、任意の好適タイプのボンディングプロセスを用いて、ウエハ５００の表面５０４に接合され得る。一部の実装において、フェンス構造３００がウエハ５００の表面５０４に取り付けられるときに、セル３２０の各々が、ＬＥＤ５１０のうちの異なる１つとアライメントされることになり得る。結果として、図示のように、セル３２０の各々が完全に、異なるＬＥＤ５１０の頂面５１４と重なり得る。一部の実装において、セル３２０とＬＥＤ５１０との間のアライメントは、ウエハ５００の表面５０４にフェンス構造３００を取り付けるときにウエハライナを使用することによって達成され得る。例えば、オーストリア、フロリアン・アム・インのＥＶＧ（登録商標）によって製造されているウエハボンドライナーを使用し得る。
【００４４】
ステップ２３５にて、ウエハ５００の表面５０４上に光変換材料９１０の層が堆積され、フェンス構造３００のセル３２０の各々内に異なる光変換構造９１２が形成される。図９Ａ−９Ｂに例示するように、セル３２０の各々が、光変換材料９１０で部分的にのみ充填され得る。しかしながら、セル３２０の各々が光変換材料９１０で完全に充填される代わりの実装も可能である。
【００４５】
一部の実装において、光変換材料９１０は、マトリクス材料内に懸濁された蛍光体を含み得る。蛍光体は、黄色蛍光体、赤色蛍光体、青色蛍光体などを含み得る。マトリクス材料は、シリコンバインダ、ガラス、及び／又は他の好適タイプの材料を含み得る。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、各光変換構造９１２は、マトリクス材料内に懸濁されるのではなく、焼結された光変換材料で形成されてもよい。
【００４６】
ステップ２４０にて、光変換材料９１０の層の上に光拡散材料１０１０の層が堆積され、複数の光拡散構造１０１２が形成される。光拡散材料は、ＴｉＯ２及び／又は他の好適タイプの材料を含み得る。図１０Ａ−１０Ｂに例示するように、各光拡散構造がフェンス構造３００の異なるセル３２０内に位置し得る。本例では、光拡散材料１０１０が、セル３２０内の残りの空間を完全に充たしながら、フェンス構造３００をオーバーフローしてもいるが、セル３２０の各々内の残りの空間が光拡散材料で部分的にのみ充填される代わりの実装も可能である。そのような場合、セル３２０の各々内に、別の材料の層を設けるための余地が残され得る。この材料は、所望の光出力を達成するために、光変換構造９１２から放たれる二次光を更に調節又はフィルタリングするために使用され得る。
【００４７】
ステップ２４５にて、所望厚さの光拡散構造１０１２を達成するために、光拡散材料１０１０の頂部が除去される。一部の実装において、図１１Ａ−１１Ｂに示すように、光拡散材料１０１０の層の頂部を除去すると共に、反射素子４１０の頂部及び／又はフェンス構造３００の壁３１０の頂部も除去され得る。光拡散材料１０１０の頂部は、例えばバックグラインディング、フライカッティング、研磨、又は摩耗ブラストなどの任意の好適技術を用いて除去され得る。
【００４８】
ステップ２５０にて、ステップ２０４−２４５を実行することによって形成されたアセンブリが切断されて、複数のＬＥＤパッケージ１２１０が作り出される。アセンブリを切断することは、図１２Ａに破線によって示すように、フェンス構造３００の壁３１０を長手方向に切断することを含み得る。それに加えて、あるいは代えて、アセンブリを切断することは、図１２Ｂに破線によって示すように、壁３１０に結合されたウエハ５００の部分（例えば、壁３１０の直下に位置するウエハ５００の部分）を切断することを含み得る。ウエハ５００及びフェンス構造の壁３１０は、互いに同時に切断され得る。ウエハ５００及びフェンス構造３００が切断された後、ＬＥＤパッケージ１２１０は、図１２Ｃに示すように、互いから分離され得る。この分離は、伸張テープ及び／又は他の好適技術を用いて実行され得る。
【００４９】
フェンス構造３００の切断を明確にするために、注目すべきことには、フェンス構造３００の各壁３１０が、各セクションが２つの隣接し合うセル３２０を隔てる複数のセクションを含む。壁３１０が長手方向に切断されるとき、そのようなセクションが各々、２つの断片（例えば、半分はんぶん）に分割され、一方の断片が１つのＬＥＤパッケージ１２１０上に残り、他方の断片が異なるＬＥＤパッケージ１２１０に残るようにし得る。各断片が本質的に、異なるＬＥＤパッケージ１２１０内の異なるフェンスの一部となり得る。これらのフェンスは、フェンス構造３００が切断されたときにフェンス構造３００から分離された個々の閉じ込め構造であることができ、これらは、光変換構造９１２及び／又は光拡散構造１０１２を収容するために使用され得る。
【００５０】
一部の実装において、フェンス構造３００の壁３１０及びウエハ５００は、並行して及び／又は同時に切断され得る。例えば、フェンス構造及びウエハ５００は、レーザを用いて切断され得る。そのような場合、反射ライン６１２の光透過部６１６に沿ってレーザ切断が行われ、光透過部６１６が、レーザ光が反射パターン６１０を横切って進んで壁３１０又はウエハ５００のいずれか内で散逸することを可能にする。
【００５１】
それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、フェンス構造３００の壁及びウエハ５００は、他のプロセスを用いて切断されてもよい。例えば、一部の実装において、フェンス構造３００及びウエハ５００は、異なる深さでステルスダイシングされ得る。他の一例として、鋸を使用してフェンス構造３００を切断してウエハ５００の表面５０４を露出させ、その後、レーザ個片化を使用して、ウエハ５００を貫く滑らかな切断を形成してもよい。他の一例として、鋸を使用してフェンス構造３００を切断してウエハ５００の表面５０４を露出させ、その後、レーザを使用してウエハ５００を切断してもよい。これに関連し、本開示は、複数のＬＥＤパッケージ１２１０を形成するためにウエハ５００及びフェンス構造３００を切断する特定の技術に限定されるものではない。
【００５２】
ステップ２５５にて、得られたＬＥＤパッケージ１２１０の各々上に反射素子１３１０が形成される。図１３に例示するように、反射素子１３１０は、ＬＥＤパッケージ１２１０の頂面１２１２（例えば、発光面）及び外側面１２１４を、例えばＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの誘電材料で被覆することによって形成される反射膜とし得る。一部の実装において、反射素子１３１０は、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）であってもよい。より具体的には、反射素子１３１０は、互いを覆って形成されるＳｉＯ２層及びＴｉＯ２層の交互スタックを含み得る。容易に理解され得るように、反射素子１３１０は、ＬＥＤパッケージ１２１０の各々においてＬＥＤ５１０を短絡させることがないように、誘電材料で形成され得る。しかしながら、各ＬＥＤ５１０の側面に予め絶縁被覆が設けられるのであれば、反射素子が例えばアルミニウム又は銀などの金属で形成される代わりの実装も可能である。
【００５３】
ステップ２６０にて、図１４Ａに示すように、ＬＥＤパッケージ１２１０の発光面１２１２を露出させるように、反射素子１３１０の頂部が除去される。反射素子１３１０の頂部は、例えばバックグラインディング、研磨、フライカッティング、又は摩耗ブラストなどの好適プロセスを用いて除去され得る。
【００５４】
プロセス２００は、単に一例として提供されている。プロセス２００内のステップのうちの１つ以上が省略されてもよい。例えば、一部の実装において、ステップ２２０がプロセス２００から省かれてもよい。そのような場合、ウエハ５００上に反射パターンが形成されないことになる。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、ステップ２２５がプロセス２００から省かれてもよい。そのような場合、ウエハ５００上に接合パターンが形成されないことになる。それに加えて、あるいは代えて、一部の実装において、ステップ２４０がプロセス２００から省かれてもよい。そのような場合、光変換構造９１２の上に光拡散構造が形成されないことになる。本例では、フェンス構造３００は矩形グリッドであるが、フェンス構造の壁３１０のうち少なくとも一部が湾曲される代わりの実装も可能である。そのような場合、反射パターン６１０がフェンス構造３００のフットプリントと一致するようにするために、反射パターン６１０のライン６１２のうち少なくとも一部も、壁３１０と実質的に同じ湾曲を持ち得る。さらに、そのような場合には、接合パターン７１０がフェンス構造３００のフットプリントと一致するようにするために、接合パターン７１０のライン７１２のうち少なくとも一部も、壁３１０と実質的に同じ湾曲を持ち得る。
【００５５】
図１４Ａ−１４Ｂは、図２Ａ−２Ｂのプロセス２００を実行することによって作り出されるＬＥＤパッケージ１２１０の一例を示している。ＬＥＤパッケージ１２１０は、基板５００ａを含んでいる。基板５００ａは、本質的に、ウエハ５００が切断されたときに分離されたウエハ５００の一部である。基板の第１の表面上に、一次光を放つするように構成されたＬＥＤ５１０が配置されている。基板の第２の表面上にフェンス３００ａが形成されている。フェンス３００ａは、フェンス構造３００が切断されたときに分離されたフェンス構造３００の一部である。図示のように、フェンス３００ａは、セル３１０ｂ（破線の長方形で示される）を画成する複数の壁３１０ａを含んでいる。セル３１０ｂは、ＬＥＤ５１０とアライメントされている。これに関連し、セルは、基板５００ａの第２の表面の内側に全体が含まれており、そのいずれの部分も、ＬＥＤ５１０のエッジを越えて延在してはいない。セルの内部に、ＬＥＤ５１０から放たれた一次光を、一次光とは異なる波長を持つ二次光へと変換するように構成された光変換構造９１２が配置されている。光変換構造９１２より上のセル内に、二次光を拡散させるように構成された光拡散構造１０１２が配置されている。さらに、図示のように、壁３１０ａの内面に反射素子４１０ａが配置され得る。反射素子４１０ａは、フェンス構造３００が切断されたときに分離された反射素子４１０の一部であることができる。
【００５６】
ライン６１２ａの各々は、ウエハ５００が切断されたるときに分離された所与のライン６１２の一部である。これに関連し、ライン６１２は、少なくとも部分的にフェンス３００ａのフットプリントに一致するパターンを画成する。このパターンは、本質的に、ウエハ５００が切断されたときに分離される反射パターン６１０の一部である。フェンス３００ａのフットプリントは、図１４Ｂに示されるフェンス３００ａの頂面と同じ又は同様のプロファイルを持ち得る。ライン６１２の各々が、図示のように、少なくとも部分的に、フェンス３００ａの異なる壁３１０の下に配置され得る。
【００５７】
ライン７１２ａの各々は、ウエハ５００が切断されたときに分離された所与のライン７１２の一部である。これに関連し、ライン７１２は、少なくとも部分的にフェンス３００ａのフットプリントと一致するパターンを画成する。このパターンは、本質的に、ウエハ５００が切断されたときに分離された接合パターン７１０の一部である。ライン７１２の各々が、図示のように、少なくとも部分的に、フェンス３００ａの異なる壁３１０の下に配置され得る。
【００５８】
図１５は、開示の態様に従った、発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造するプロセス１５００の一例のフローチャートである。ステップ１５１０にて、フェンス構造が形成される。フェンス構造は、フェンス構造３００と同じ又は同様とすることができ、セルのセットを画成するように構成された複数の壁を含み得る。ステップ１５２０にて、ウエハの第１の表面上に複数のＬＥＤが形成される。一部の実装において、ＬＥＤは、ＬＥＤ５１０と同じ又は同様とすることができ、ウエハは、ウエハ５００と同様とすることができる。また、一部の実装において、ステップ１５１０及び１５２０の順序を逆にしてもよく、又はそれらを同時に実行してもよい。ステップ１５３０にて、第１の表面とは反対側のウエハの第２の表面にフェンス構造は接合される。接合の結果として、フェンス構造内のセルの各々が、ウエハの第１の表面上のＬＥＤのうちの異なる１つとアライメントされ得る。一部の実装において、ステップ１５３０は、プロセス２００のステップ２３０と同じように又は同様にして実行され得る。ステップ１５４０にて、フェンス構造のセルの各々内に光変換材料が設けられて、光変換構造が形成される。一部の実装において、ステップ１５４０は、プロセス２００のステップ２３５と同じように又は同様にして実行され得る。ステップ１５５０にて、ステップ１５１０−１５４０を実行することの結果として形成されたアセンブリが切断されて、複数のＬＥＤパッケージが作り出される。ステップ１５５０は、ステップ２５０と同じ又は同様とし得る。ウエハが切断されてＬＥＤパッケージが分離された後、オプションで、各パッケージの側面上に反射膜が形成されることで、図１Ａ−１Ｂに示した発光デバイス１００と同じ又は同様の完成プロダクトが作り出され得る。
【００５９】
図１−１５は、単に例として提供されている。これらの図に関して説明されたステップのうちの少なくとも一部が、異なる順序で、組み合わせて、及び／又はまとめて省略されて編成されてもよい。これに関連し、理解されることには、ここに記載された例の提供、並びに、“例えば〜など”、“例えば”、“含む”、“一部の態様において”、“一部の実装において”のよう表現された節は、開示された主題を特定の例に限定するものとして解釈されるべきでない。
【００６０】
発明を詳細に説明してきたが、当業者が理解することには、本開示を所与として、ここに記載された発明概念の精神から逸脱することなく、発明に変更が為され得る。従って、発明の範囲が、図示して記述した特定の実施形態に限定されるという意図はない。
【図１Ａ】
2020537349.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
2020537349.tif 000023
【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
2020537349.tif 000025
【図１２Ｂ】
2020537349.tif 000026
【図１２Ｃ】
2020537349.tif 000027
【図１３】
2020537349.tif 000028
【図１４Ａ】
2020537349.tif 000029
【図１４Ｂ】
2020537349.tif 000030
【図１５】
2020537349.tif 000031
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月4日(2020.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板であって、
前記基板の第１の表面上に配置された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）と、
複数の穴が貫通した支持構造であり、当該支持構造の各穴が、前記複数のＬＥＤのうちの固有の１つからの光を通すように構成され、当該支持構造は、前記基板の前記第１の表面とは反対側の前記基板の第２の表面に取り付けられている、支持構造と、
前記支持構造と前記基板の前記第２の表面との間に配置された、複数の穴が貫通した反射パターンであり、当該反射パターンの各穴が、前記複数のＬＥＤのうちの固有の１つからの光を通すように構成され、当該反射パターンは、材料の交互スタックを有する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を含み、前記スタック内の前記材料のうち少なくとも一部が、前記スタック内の他の材料とは異なる屈折率を持つ、反射パターンと、
前記支持構造の前記穴及び前記反射パターンの前記穴の中に配置された蛍光体含有層と、
を有する基板。
【請求項２】
前記支持構造はガラスを有する、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記反射パターンは、前記基板の前記第２の表面と接触している、請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
前記反射パターンは更に、前記反射パターンを貫いて延在し且つ前記反射パターンの隣接する反射部の間に配置された光透過部を有する、請求項３に記載の基板。
【請求項５】
前記支持構造を前記反射パターンに接合するように構成された接合層、を更に有する請求項３に記載の基板。
【請求項６】
前記支持構造は更に、前記支持構造と前記接合層との間に配置された別の反射パターンを有する、請求項５に記載の基板。
【請求項７】
別の反射パターンは、材料の別の交互スタックを含む分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を有し、前記別のスタック内の前記材料のうち少なくとも一部が、前記別のスタック内の他の材料とは異なる屈折率を持つ、請求項６に記載の基板。
【請求項８】
前記支持構造はガラスを有し、前記別の反射パターンは前記ガラスに接触している、請求項６に記載の基板。
【請求項９】
前記支持構造は更に下地構造を有し、
前記別の反射パターンは更に、前記下地構造と各穴内の前記蛍光体含有層との間に配置されている、
請求項６に記載の基板。
【請求項１０】
前記支持構造の各穴内に配置された光拡散構造、を更に有する請求項１又は２に記載の基板。
【請求項１１】
当該基板は更に、前記支持構造の前記複数の穴の中に配置された別の蛍光体含有層を有し、前記光拡散構造は、前記蛍光体含有層と前記別の蛍光体含有層との間に配置されている、請求項１０に記載の基板。
【請求項１２】
基板であって、
前記基板の第１の表面上に配置された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）と、
前記基板の前記第１の表面とは反対側の前記基板の第２の表面に取り付けられた支持構造であり、
材料の交互スタックを有する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を含む反射パターンであり、前記スタック内の前記材料のうち少なくとも一部が、前記スタック内の他の材料とは異なる屈折率を持つ、反射パターン、及び
当該支持構造を貫いて延在する複数の穴であり、当該支持構造の各穴が、前記複数のＬＥＤのうちの固有の１つからの光を通すように構成されている、複数の穴、
を有する支持構造と、
前記反射パターンを前記基板の前記第２の表面に接合する接合層と、
前記支持構造の前記穴及び前記反射パターンの前記穴の中に配置された蛍光体含有層と、
を有する基板。
【請求項１３】
前記支持構造はガラスを有する、請求項１２に記載の基板。
【請求項１４】
前記反射パターンは前記ガラスと接触している、請求項１３に記載の基板。
【請求項１５】
前記支持構造は更に下地構造を有し、
前記下地構造と各穴内の前記蛍光体含有層との間に、別の反射パターンが更に配置されている、
請求項１２又は１３に記載の基板。
【請求項１６】
前記支持構造の各穴内に配置された光拡散構造、を更に有する請求項１２又は１３に記載の基板。
【請求項１７】
前記支持構造は更に下地構造を有し、
前記下地構造と各穴内の前記蛍光体含有層との間、及び前記下地構造と各穴内の前記光拡散構造との間に、別の反射パターンが更に配置されている、
請求項１６に記載の基板。
【請求項１８】
当該基板は更に、前記支持構造の前記複数の穴の中に配置された別の蛍光体含有層を有し、前記光拡散構造は、前記蛍光体含有層と前記別の蛍光体含有層との間に配置されている、請求項１６に記載の基板。
【請求項１９】
前記支持構造は更に下地構造を有し、
前記下地構造と各穴内の前記蛍光体含有層との間、前記下地構造と各穴内の前記光拡散構造との間、及び前記下地構造と各穴内の前記別の蛍光体含有層との間に、別の反射パターンが更に配置されている、
請求項１８に記載の基板。
【請求項２０】
発光構造体であって、
基板と、
前記基板の第１の表面上に配置された発光ダイオード（ＬＥＤ）と、
支持構造であり、当該支持構造は、当該支持構造を貫通して前記ＬＥＤからの光を通すように構成された穴を有し、当該支持構造は、前記基板の前記第１の表面とは反対側の前記基板の第２の表面に取り付けられている、支持構造と、
前記支持構造と前記基板の前記第２の表面との間に配置された、穴が貫通した反射パターンであり、当該反射パターンの前記穴は、前記ＬＥＤからの光を通すように構成され、当該反射パターンは、材料の交互スタックを有する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を含み、前記スタック内の前記材料のうち少なくとも一部が、前記スタック内の他の材料とは異なる屈折率を持つ、反射パターンと、
前記支持構造の前記穴及び前記反射パターンの前記穴の中に配置された蛍光体含有層と、
前記支持構造の、前記支持構造の前記穴とは反対側、に配置された反射層と、
を有する発光構造体。
【請求項２１】
当該発光構造体は更に、前記支持構造を前記反射パターンに接合するように構成された接合層を有し、前記反射パターンは、前記基板の前記第２の表面と接触しており、前記反射層は更に、前記支持構造の一部のみが前記反射パターンと重なるように、前記接合層と前記基板の前記第２の表面との間に配置されている、請求項２０に記載の発光構造体。
【国際調査報告】
2020537349.tif 000032
2020537349.tif 000033