(57)【要約】  コーティングされた物品は、銀、金などの物質からなる少なくとも１つの赤外線（ＩＲ）反射層、並びに酸化チタン及び少なくとも１種の追加金属からなる又はこれを含む少なくとも１つの高屈折率層を有する低放射率（低Ｅ）コーティングを含む。ドープ酸化チタン層は、熱焼き戻しなどの任意選択の加熱処理（ＨＴ）に一層良好に耐性を示すよう、及びヘイズを低減するよう、低Ｅコーティングにアモルファス又は実質的にアモルファス（結晶性の反対）となるように設計して、堆積される。高屈折率層は、好ましい実施形態では、熱安定性を持たせることに加えて、反射防止目的、及び／又は色調調節目的のために設けてもよい、透明な高屈折率誘電層であってもよい。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス製基材により支持されているコーティングを含むコーティングされた物品であって、前記コーティングが、
前記ガラス製基材上の第１の透明な誘電層と、
少なくとも前記第１の透明な誘電層の上に位置する、前記ガラス製基材上の、銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層と、
少なくとも前記ＩＲ反射層の上に位置する、前記ガラス製基材上の第２の透明な誘電層と、
を含み、
前記第１及び第２の透明な誘電層の少なくとも１つが、アモルファス又は実質的にアモルファスであり、並びにＮｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａのうちの少なくとも１種をドープしたＴｉ酸化物を含み、前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層の金属含有率が、約７０〜９９．５％のＴｉ及び約０．５〜３０％のＮｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａ（原子％）のうちの少なくとも１種を含む、前記コーティングされた物品。
【請求項２】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層の金属含有率が、約８０〜９９％のＴｉ、及び約１〜２０％の、Ｎｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａ（原子％）のうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載のコーティングされた物品。
【請求項３】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層の金属含有率が、約８７〜９９％のＴｉ、及び約１〜１３％の、Ｎｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａ（原子％）のうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載のコーティングされた物品。
【請求項４】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層が、少なくとも２．１２の屈折率（ｎ）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項５】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層が、少なくとも２．２０の屈折率（ｎ）を有する、請求項４に記載のコーティングされた物品。
【請求項６】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層が、少なくとも２．２５の屈折率（ｎ）を有する、請求項４に記載のコーティングされた物品。
【請求項７】
前記コーティングが、低Ｅコーティングであり、０．２以下の垂直放射率（Ｅｎ）を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項８】
前記コーティングが、低Ｅコーティングであり、０．１０以下の垂直放射率（Ｅｎ）を有する、請求項７に記載のコーティングされた物品。
【請求項９】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層が、Ｔｉ及びＮｂの酸化物、並びに約７０〜９９．５％のＴｉ及び約０．５〜３０％のＮｂ（原子％）の金属含有率を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項１０】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層が、Ｔｉ及びＮｂ酸化物、並びに約８０〜９９％のＴｉ及び約１〜２０％のＮｂ（原子％）を含む金属含有率を含む、請求項９に記載のコーティングされた物品。
【請求項１１】
前記第１の誘電層が、前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層であり、前記ガラス製基材と前記ＩＲ反射層との間に位置する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項１２】
前記コーティングが、窒化ケイ素を含む層を含むオーバーコートを備える、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項１３】
前記コーティングが、少なくとも前記ガラス製基材と前記第１の透明な誘電層との間に位置する、窒化ケイ素を含む層を更に備える、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項１４】
前記コーティングが、前記ＩＲ反射層の下に直接、接触して位置する、酸化亜鉛を含む層を更に備える、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項１５】
前記コーティングが、前記ＩＲ反射層の上に直接、接触して位置する、Ｎｉ及び／又はＣｒの酸化物を含む層を更に備える、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項１６】
前記コーティングされた物品が、熱的に焼き戻しされる、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項１７】
少なくとも５０％の可視透過率を有する、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項１８】
前記コーティングが、銀を含むＩＲ反射層の上に設けられたオーバーコートであって、ＴｉＮｂＯｘを含む層を含む前記オーバーコート、酸化亜鉛を含む層、及び窒化ケイ素を含む層を備え、酸化亜鉛を含む前記層が、ＴｉＮｂＯｘを含む前記層と窒化ケイ素を含む前記層との間に直接接触して位置する、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
【請求項１９】
前記オーバーコートが、ＡｌＳｉＢＯｘを含む最上部層を更に備える、請求項１８に記載のコーティングされた物品。
【請求項２０】
ガラス製基材により支持されているコーティングを含むコーティングされた物品であって、前記コーティングが、
前記ガラス製基材上の第１の透明な誘電層と、
少なくとも前記第１の透明な誘電層の上に位置する、前記ガラス製基材上の赤外線（ＩＲ）反射層と、
少なくとも前記ＩＲ反射層の上に位置する、前記ガラス製基材上の第２の透明な誘電層と、
を含み、
前記第１及び第２の透明な誘電層の少なくとも１つが、アモルファス又は実質的にアモルファスであり、並びにＴｉ及びＮｂの酸化物を含み、前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層の金属含有率が、以下のいずれか：（ａ）約３０〜７０％のＴｉ及び約３０〜７０％のＮｂ（原子％）、又は（ｂ）約７０〜９９．５％のＴｉ及び約０．５〜３０％の少なくとも１種のＮｂ、より好ましくは約８０〜９９％のＴｉ及び約１〜２０％の少なくとも１種のＮｂ、並びに時には約８７〜９９％のＴｉ及び約１〜１３％のＮｂ（原子％）を含む、前記コーティングされた物品。
【請求項２１】
ガラス製基材により支持されているコーティングを含むコーティングされた物品を作製する方法であって、前記方法が、
前記ガラス製基材上に第１の透明な誘電層をスパッタリング堆積するステップと、
少なくとも前記第１の透明な誘電層の上に位置する、前記ガラス製基材上に、銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層をスパッタリング堆積するステップと、
少なくとも前記ＩＲ反射層の上に位置する、前記ガラス製基材上の第２の透明な誘電層をスパッタリング堆積するステップと、
を含み、
前記第１及び第２の透明な誘電層のうちの少なくとも１つが、アモルファス又は実質的にアモルファスとなるよう、スパッタリング堆積され、Ｔｉの酸化物、並びにＮｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａのうちの少なくとも１種を含む、方法。
【請求項２２】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層の金属含有率が、約７０〜９９．５％のＴｉ、及び約０．５〜３０％（原子％）の、Ｎｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａのうちの少なくとも１種を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
アモルファス又は実質的にアモルファスになるよう、スパッタリング堆積された前記第１及び第２の透明な誘電層のうちの少なくとも１つが、酸素不足雰囲気中でスパッタリング堆積され、その結果、スパッタリング中の金属の半径の差異が格子乱れを引き起こし、前記層のアモルファス構造又は実質的なアモルファス構造がもたらされる、請求項２１〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記コーティングが、低Ｅコーティングであり、０．２以下の垂直放射率（Ｅｎ）を有する、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記コーティングをその上に備えるガラス製基材を熱的に焼き戻すステップを更に含む、請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記コーティングされた物品が、少なくとも５０％の可視透過率を有する、請求項２１〜２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層が、Ｔｉ及びＮｂの酸化物、並びに約７０〜９９．５％のＴｉ及び約０．５〜３０％のＮｂ（原子％）を含む金属含有率を含む、請求項２１〜２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層が、Ｔｉ及びＮｂ酸化物、並びに約８０〜９９％のＴｉ及び約１〜２０％のＮｂ（原子％）を含む金属含有率を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層が、Ｔｉ及びＮｂの酸化物を含み、前記Ｔｉ及びＮｂの酸化物を堆積させるスパッタリング過程の間、前記層を、２０〜６０％の酸素ガスを含む、酸素不足雰囲気中でスパッタリング堆積させる、請求項２１〜２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層が、Ｔｉ及びＮｂの酸化物を含み、前記Ｔｉ及びＮｂの酸化物を堆積させるスパッタリング過程の間、前記層を、２５〜４０％の酸素ガスを含む、酸素不足雰囲気中でスパッタリング堆積させる、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
ガラス製基材により支持されているコーティングを含むコーティングされた物品を作製する方法であって、前記方法が、
前記ガラス製基材上に第１の透明な誘電層をスパッタリング堆積するステップと、
少なくとも前記第１の透明な誘電層の上に位置する、前記ガラス製基材上に、銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層をスパッタリング堆積するステップと、
少なくとも前記ＩＲ反射層の上に位置する、前記ガラス製基材上の第２の透明な誘電層をスパッタリング堆積するステップと、
を含み、
前記第１及び第２の透明な誘電層のうちの少なくとも１つが、アモルファス又は実質的にアモルファスとなるよう、スパッタリング堆積され、Ｔｉ及びＮｂの酸化物を含み、
前記Ｔｉ及びＮｂの酸化物を含む前記層を堆積させるスパッタリング過程の間、前記層を、２０〜６０％の酸素ガスを含む、酸素不足雰囲気中でスパッタリング堆積させる、方法。
【請求項３２】
前記酸素不足雰囲気が、２５〜４０％の酸素ガスを含有する、請求項３１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、その全体の開示が参照により本明細書に組み込まれている、２０１７年３月３日（本発明者の参照番号３６９１−３９４８）に出願の米国特許出願第１５／４４８，７３９号に関する。
【０００２】
本出願は、銀、金などの物質からなる少なくとも１つの赤外線（ＩＲ）反射層、及びドープ酸化チタン（例えば、ニオブなどの少なくとも１つの追加要素によりドープしたＴｉＯ２）からなる又はこれを含む少なくとも１つの高屈折率層を有する低放射率（低Ｅ）コーティングを含むコーティングされた物品に関する。ドープ酸化チタン層は、熱焼き戻しなどの任意選択の加熱処理（ＨＴ）に一層良好に耐性を示すよう、低Ｅコーティングでアモルファス又は実質的にアモルファス（結晶性の反対）となるように設計して堆積される。高屈折率層は、好ましい実施形態では、熱安定性を持たせることに加えて、反射防止／透過率目的及び／又は色調調節目的のために設けてもよい、透明な高屈折率誘電層であってもよい。ある種の例示的実施形態では、低Ｅコーティングは、モノリシックな又は絶縁性ガラス製（ＩＧ）窓ユニット、車両の窓のようなものなどの用途に使用することができる。
【背景技術】
【０００３】
コーティングされた物品は、絶縁性ガラス製（ＩＧ）窓ユニット、車両の窓、モノリシック窓などの窓用途に使用するためのものであることが当分野で公知である。
従来の低Ｅコーティングは、例えば、及び非限定的に、それらの開示が参照により本明細書に組み込まれている、特許文献１〜６に開示されている。
【０００４】
ある種の低Ｅコーティングは、反射防止及び／又は彩色目的のために、高屈折率（ｎ）を有する、酸化チタン（例えば、ＴｉＯ２）からなる少なくとも１つの透明な誘電層を利用する。例えば、特許文献２〜６を参照されたい。ＴｉＯ２などの高屈折率誘電性材料は公知であり、低Ｅコーティングに使用されているが、これらの物質は、熱的に安定ではなく、通常、堆積したままの状態又は焼き戻し後の状態のフィルム結晶化（又は、結晶化度の変化）により、約６５０Ｃで８分間の焼き戻し工程後に、熱的に安定ではなく、ひいては、フィルム積層体における隣接層に熱的応力又は格子応力を誘発するおそれがある。このような応力は、積層体の物理特性又は材料特性の変化を更に誘発し、こうしてＡｇ層に影響を及ぼし、低Ｅ積層体の性能の悪化をもたらすおそれがある。言い換えると、従来のＴｉＯ２層は、結晶構造を実現するよう、通常、スパッタリング堆積され、これは、上で説明したとおり、ＨＴ時に積層体に損傷をもたらす。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６，５７６，３４９号明細書
【特許文献２】米国特許第９，２１２，４１７号明細書
【特許文献３】米国特許第９，２９７，１９７号明細書
【特許文献４】米国特許第７，３９０，５７２号明細書
【特許文献５】米国特許第７，１５３，５７９号明細書
【特許文献６】米国特許第９，４０３，３４５号明細書
【発明の概要】
【０００６】
本発明の例示的実施形態は、これらの問題を、高屈折率（ｎ）を有し、かつ加熱処理（ＨＴ）時に実質的に安定な低Ｅコーティングに使用するための高屈折率ドープ酸化チタン層を設けることにより解決する。
【０００７】
「加熱処理」（ＨＴ）、並びに熱焼き戻し、熱強化及び／又は熱屈曲などの「加熱処理」及び「加熱処理された」などの類似用語は、本明細書において使用する場合、少なくとも５８０℃の温度で、少なくとも５分間、ガラス製基材及びその上のコーティングを加熱処理することを意味する。例となる加熱処理は、約６００〜６５０℃の温度で少なくとも８分間、加熱処理することである。
【０００８】
本発明の例示的実施形態では、コーティングされた物品は、銀、金などの物質からなる少なくとも１つの赤外線（ＩＲ）反射層、及びドープ酸化チタン（例えば、Ｎｂ、Ｓｎ、ＺｎＳｎ、Ｙ、Ｚｒ及び／又はＢａなどの少なくとも１種の追加要素をドープしたＴｉＯ２）からなる又はこれを含む少なくとも１つの高屈折率誘電層を有する低放射率（低Ｅ）コーティングを含む。ドープ酸化チタン層は、熱焼き戻しなどの任意選択の加熱処理（ＨＴ）に一層良好に耐性を示すよう、低Ｅコーティングでアモルファス又は実質的にアモルファス（結晶性の反対）となるように設計して、堆積される。例えば、酸素の欠如した雰囲気中で、ドープ酸化チタン層をスパッタリング堆積すると、ドープ酸化チタン層が、アモルファス又は実質的にアモルファス（結晶とは反対）な状態で堆積されて、かつ所望の透過率特徴を有し、ひいてはこの層及び全体的なコーティングが、ＨＴ時にかなり一層安定になることが、驚くべきことにかつ予期せぬことに見いだされた。高屈折率層は、熱安定性を持たせることに加えて、好ましい実施形態では、透明な高屈折率誘電層であってもよく、反射防止目的、透過率及び／又は色調調節目的のために設けることができる。ある種の例示的実施形態では、低Ｅコーティングは、モノリシックな又は絶縁性ガラス製（ＩＧ）窓ユニット、車両の窓などの用途に使用することができる。
【０００９】
本発明の例示的実施形態では、ガラス製基材によって支持されているコーティングを含むコーティングされた物品であって、コーティングが、ガラス製基材上の第１の透明な誘電層、少なくとも第１の透明な誘電層の上に位置する、ガラス製基材上に銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層、少なくともＩＲ反射層の上に位置する、ガラス製基材上の第２の透明な誘電層を含み、第１及び第２の透明な誘電層の少なくとも１つが、アモルファス又は実質的にアモルファスであり、並びにＮｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａのうちの少なくとも１種をドープしたＴｉ酸化物を含み、アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層の金属含有率が、約７０〜９９．５％のＴｉ、及び約０．５〜３０％のＮｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａ（原子％）のうちの少なくとも１種を含む、コーティングされた物品が提供される。
【００１０】
本発明の別の例示的な実施形態では、ガラス製基材によって支持されているコーティングを含むコーティングされた物品であって、コーティングが、ガラス製基材上の第１の透明な誘電層、少なくとも第１の透明な誘電層の上に位置する、ガラス製基材上に銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層、少なくともＩＲ反射層の上に位置する、ガラス製基材上の第２の透明な誘電層を含むコーティングを含み、第１及び第２の透明な誘電層の少なくとも１つが、アモルファス又は実質的にアモルファスであり、並びにＴｉ及びＮｂの酸化物を含み、アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層の金属含有率が、（ａ）約３０〜７０％のＴｉ及び約３０〜７０％のＮｂ（原子％）、又は（ｂ）約７０〜９９．５％のＴｉ及び約０．５〜３０％の少なくとも１種のＮｂ、より好ましくは約８０〜９９％のＴｉ及び約１〜２０％の少なくとも１種のＮｂ、及び時に約８７〜９９％のＴｉ及び約１〜１３％のＮｂ（原子％）のいずれかを含む、コーティングされた物品が提供される。
【００１１】
本発明の別の例示的な実施形態では、ガラス製基材上に第１の透明な誘電層をスパッタリング堆積するステップ、少なくとも第１の透明な誘電層の上に位置する、ガラス製基材上に銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層をスパッタリング堆積するステップ、少なくともＩＲ反射層の上に位置する、ガラス製基材上の第２の透明な誘電層をスパッタリング堆積するステップを含む、ガラス製基材によって支持されているコーティングを含むコーティングされた物品を作製する方法であって、第１及び第２の透明な誘電層の少なくとも１つが、アモルファス又は実質的にアモルファスとなるようにスパッタリング堆積され、Ｔｉ酸化物、並びにＮｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａのうちの少なくとも１種を含む、方法が提供される。アモルファス又は実質的にアモルファスになるよう、スパッタリング堆積された第１及び第２の透明な誘電層のうちの少なくとも１つは、酸素不足雰囲気中でスパッタリング堆積され得、その結果、スパッタリング中の金属の半径の差異が格子乱れを引き起こし、この層のアモルファス構造又は実質的にアモルファスな構造がもたらされる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。
【図２】本発明の別の例示的な実施形態による、コーティングされた物品の横断面図である。
【図３】Ｎｂドープ酸化チタン層がスパッタリング堆積されたチャンバ内の様々な酸素ガス含有率（３０％対５０％）の場合の、コーティングしたまま（ＡＣ）の状態における波長（ｎｍ）に対する、高屈折率Ｎｂドープ酸化チタン層を含む積層体の透過率（Ｔ）％、ガラス側面反射率（Ｇ）％及びフィルム側面反射率（Ｆ）％をプロットした、波長（ｎｍ）に対する百分率（％）のグラフである。
【図４】本発明の別の例示的な実施形態による、コーティングされた物品の横断面図である。
【図５】Ｎｂドープ酸化チタンからなる高屈折率誘電層を２層含む、実施例１の積層体を例示する。
【図６】モノリシックに測定された、実施例１の場合の、光学的／熱的データを記載するチャート図である。
【図７】実施例１と実施例２の両方の場合の、光学的／熱的データを記載するチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
これより図面を参照すると、同様の参照番号は、いくつかの図全体を通して同様の部分を示す。
本明細書におけるコーティングされた物品は、モノリシック窓、ＩＧ窓ユニット（住宅用窓など）、パティオ用ドア、車両の窓などの用途、及び／又はガラス製基材などの単一基材若しくは多重基材を含む任意の他の好適な用途に使用することができる。
【００１４】
可視領域の光の吸収が低い又はこれを吸収しない、ＴｉＯ２などの高屈折率物質は、窓用途における低Ｅコーティングに使用されることが多い。しかし、ＴｉＯ２は、通常、堆積したままの状態又は焼き戻し後状態のフィルム結晶化（又は、結晶化度の変化）により、約６５０Ｃで８分間のＨＴを含むような熱焼き戻し過程後に、熱的に安定ではなく、ひいては、フィルム積層体における隣接層に熱的応力又は格子応力を誘発するおそれがある。このような応力は、積層体の物理特性又は材料特性の変化を更に誘発することがあり、こうしてＡｇをベースとするＩＲ反射層に影響を及ぼし、低Ｅ積層体性能の悪化をもたらす。
【００１５】
本発明の例示的実施形態により、熱焼き戻しなどのＨＴ条件に関係なく、結晶性を抑制するよう設計された高屈折率ドープ酸化チタン誘電層が提供される。ただし、低Ｅコーティングに使用するための高屈折率ドープ酸化チタン誘電層２は、高屈折率（ｎ）を有し、アモルファス又は実質的にアモルファスであり、こうして、加熱処理（ＨＴ）時に、実質的に安定であることを条件とする。本発明の例示的実施形態では、コーティングされた物品は、銀、金などの物質からなる少なくとも１つの赤外線（ＩＲ）反射層４、及びＮｂ、Ｓｎ、ＺｎＳｎ、Ｙ、Ｚｒ及び／又はＢａなどの少なくとも１種の追加要素をドープしたドープ酸化チタン（例えば、ＴｉＯ２）からなる又はこれを含む少なくとも１つの高屈折率誘電層２（及び、可能性として６）を有する低放射率（低Ｅ）コーティングを含む。ドープ酸化チタン層２（及び、可能性として６）は、熱焼き戻しなどの任意選択の加熱処理（ＨＴ）に一層良好に耐性を示すよう、低Ｅコーティングでアモルファス又は実質的にアモルファス（結晶性の反対）となるように設計して、堆積される。酸素不足雰囲気中で、ドープ酸化チタン層２、６をスパッタリング堆積すると、ドープ酸化チタン層２、６が、アモルファス又は実質的にアモルファス（結晶とは反対）な状態で堆積され、所望の透過率特徴を有し、ひいては、驚くべきことにかつ予期せぬことに、この層及び全体的なコーティングがＨＴ時に一層安定になることが、見いだされた。Ｔｉとそのドーパントとの間（例えば、ＴｉとＳｎ、又はＴｉとＢａ、又はＴｉとＹの間など）の原子半径の差異は、層をスパッタリング堆積する際に使用するスパッタリング用ガス雰囲気中の酸素含有率を低下させることにより両原子の酸化状態を変えることによって、増大されて調節が行われ得、スパッタリング雰囲気中の酸素の減少により、格子乱れ（例えば、格子形成の破壊）が引き起こされて、堆積したドープ酸化チタン層における結晶の形成が妨げられ、こうして、スパッタリング堆積層２、６にとってアモルファス構造又は実質的なアモルファス構造となり、これは、高温での熱的焼き戻し時でさえも安定である。Ｔｉ及びドーパントイオンのイオン半径中の差異が大きいと、格子が乱れ、化合物の結晶成長を妨げることができる。イオン半径は、酸化状態及び配位数に依存する。スパッタリング用ガス雰囲気中の低酸素条件により、一層低い酸化状態及び／又は一層少ない配位をＴｉにもたらし、ひいては、ドーパント（例えば、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｂａ又はＹ）とのイオン半径の差異が一層大きくなる。その結果、酸素不足雰囲気中でスパッタリング堆積させたドープ酸化チタン層２、６は、例えば、イオン半径の大きな差異及び格子破壊により、アモルファス状態又は実質的にアモルファスの状態で堆積され、こうして、熱焼き戻し又は熱屈曲などの任意選択のＨＴ時に、熱安定性を有する。ドープ酸化チタン層２（及び／又は６）は、本発明のある種の例示的実施形態では、層２（及び／又は６）を堆積する際に使用される酸素不足のために、一部しか酸化されないよう、化学量論以下であってもよく、又はある種の例示的実施形態では、場合により完全に酸化されてもよいことが理解されよう。高屈折率層２、６は、好ましい実施形態では、熱安定性を持たせることに加えて、反射防止目的、透過率及び／又は色調調節目的のために設けてよい、高屈折率誘電層であってもよい。ある種の例示的実施形態では、低Ｅコーティングは、モノリシック窓ユニット又は絶縁性ガラス製（ＩＧ）窓ユニット、車両の窓などの用途に使用することができる。
【００１６】
「実質的にアモルファスな」は、本明細書で使用する場合、大部分がアモルファスであること、及び結晶よりもアモルファスが多いことを意味する。例えば、「実質的にアモルファスな」とは、少なくとも６０％がアモルファス、少なくとも８０％がアモルファス、少なくとも９０％がアモルファス、及び完全なアモルファスであることを含む。アモルファス又は実質的にアモルファスな高屈折率ドープ酸化チタン層２、６は、好ましい実施形態では、透明な高屈折率誘電層であってもよく、酸化されていてもよく、かつ／又は窒化されていてもよく、熱的安定性を有することに加え、反射防止目的及び／又は色調調節目的のために設けられる。ドープ酸化チタン層２、６が窒化物である場合、窒素含有率は、０〜１０％、より好ましくは０〜５％（原子％）などの少量であることが好ましい。
【００１７】
したがって、本明細書において議論されているドープ酸化チタン層２（及び、可能性として６）は、アモルファス又は実質的にアモルファスなスパッタリング堆積層を実現するために、酸素不足雰囲気中で、スパッタリング堆積されてもよい。本発明のある種の例示的実施形態では、ドープ酸化チタン層２（及び、可能性として６）がスパッタリング堆積されるガス雰囲気の５０％以下しか、より好ましくは、４０％以下しか、更により好ましくは３５％以下しか、最も好ましくは２５％以下しか、酸素ガスで構成されていない。この雰囲気中のガスの残りは、アルゴンガスなどの不活性ガスとすることができる。例えば、スパッタリング用チャンバ中に２０％の酸素雰囲気となる例は、２０％の酸素ガス及び８０％のアルゴンガスから構成される。他の少量のガスも、意図的に又は偶発的に含まれてもよい。
【００１８】
図１は、本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。コーティングされた物品は、基材１の上に直接又は間接的のどちらかで設けられた、ガラス製基材１（例えば、透明、緑色、ブロンズ色又は青緑色のガラス製基材で、約１．０〜１０．０ｍｍの厚さ、より好ましくは約１．０ｍｍ〜６．０ｍｍの厚さ）及び多層コーティング（又は、層系）を含む。図１に示されるとおり、例となる低Ｅコーティングは、本明細書において議論されているドープ酸化チタンに基づくアモルファス又は実質的にアモルファスな透明な高屈折率誘電層２、酸化亜鉛及び／若しくはスズ酸亜鉛を含む接触層３（例えば、「ｘ」が約１とすることができるＺｎＯｘ、又はＺｎＡｌＯｘ）、ＩＲ（赤外）反射層４（銀、金などを含む又はこれらからなる）、Ｎｉ及び／又はＣｒの酸化物（例えば、ＮｉＣｒＯｘ）若しくは他の好適な物質からなる、又はこれらを含む上部側接触層５、並びに酸化亜鉛若しくはスズ酸亜鉛などの中屈折率層とすることができる、又は本明細書において議論されているドープ酸化チタンなどの高屈折率層とすることができる誘電層６からなる、又はこれを含む誘電性オーバーコート、酸化亜鉛、酸化スズ及び／若しくはスズ酸亜鉛又は他の好適な物質からなる、又はこれらを含む任意選択の中屈折率層７、並びに窒化ケイ素及び／若しくは酸窒化ケイ素、又は他の好適な物質からなる、あるいはこれらを含む誘電層８からなり得るか、又はこれらを含むことができる。窒化ケイ素を含む層（例えば、層８）は、Ａｌ、酸素などを更に含んでもよく、酸化亜鉛をベースとする層は、スズ及び／又はアルミニウムも含んでもよい。他の層及び／又は物質もまた、本発明のある種の例示的実施形態では、コーティング中に提供されてもよく、ある種の例示的な例では、ある種の層が除かれてもよい、又は分離されてもよいことがやはり可能である。例えば、酸化ジルコニウム層又はＡｌＳｉＢＯｘ層（図示せず）は、窒化ケイ素層８の真上に接触して設けられ得る。別の例として、窒化ケイ素などの中屈折率層は、ガラス製基材１と高屈折率層２との間に設けることができる。別の例として、例えば、酸化スズを含む誘電性積層体により離間配置された、２つの銀をベースとするＩＲ反射層が設けられてもよく、図１のオーバーコート及び／又はアンダーコートがそれらの間に使用されてもよい。更に、本発明のある種の例示的実施形態では、上で議論した１つ又は複数の層が、他の物質でドープされていてもよい。図１の積層体は、本明細書において議論している高屈折率ドープ酸化チタン層２及び／又は６の場合の例示的な位置を例示するために、単に例示目的で提示されているに過ぎないので、本発明は、図１に示されている積層体に限定されない。
【００１９】
モノリシックの例では、コーティングされた物品は、ガラス製基材１などの基材を１つしか含まない（図１を参照されたい）。しかし、本明細書におけるモノリシックなコーティングされた物品は、例えば、ＩＧ窓ユニットなどの装置に使用され得る。通常、ＩＧ窓ユニットは、離間配置された２つ以上の基材であって、それらの間に画定される空気間隔を有する基材を含むことができる。例となるＩＧ窓ユニットが例示されており、例えば、それらの開示がすべて参照により本明細書に組み込まれている、米国特許第５，７７０，３２１号、同第５，８００，９３３号、同第６，５２４，７１４号、同第６，５４１，０８４号及び米国特許出願公開第２００３／０１５０７１１号に記載されている。例えば、図１に示されているコーティングされたガラス製基材は、スペーサー、シーラントなどにより、別のガラス製基材に接合することができ、隙間は、ＩＧ窓ユニットにおいて、それらの間に画定される。ある種の例示的な例では、コーティングは、隙間に面するガラス製基材１の側面、すなわち表面＃２又は表面＃３上に設けられてもよい。他の例示的な実施形態では、ＩＧ窓ユニットは、追加のガラス製シートを含んでもよい（例えば、ＩＧユニットは、２つの代わりに３つの離間配置されたガラス製シートを含んでもよい）。
【００２０】
透明な高屈折率誘電層２（及び本明細書において議論されているドープ酸化チタンの場合、層６）は、少なくとも２．１２、より好ましくは少なくとも２．２０、より好ましくは少なくとも２．２５の屈折率（ｎ、５５０ｎｍで測定した場合）を好ましくは有する。これらの層は、１５％以下、より好ましくは１０％以下、最も好ましくは５％以下の窒素（原子％）などの少量の窒素を場合により含んでもよい。酸化チタン（例えば、ＴｉＯ２）は、高い酸素ガス含有率を含む通常のスパッタリング条件下で結晶性となるように、スパッタリング堆積される。しかし、低Ｅコーティング中の結晶性酸化チタン層は、熱焼き戻しなどのＨＴ時に不安定なので、問題である。
【００２１】
透明な高屈折率誘電層２（及び、本明細書において議論されているドープ酸化チタンの場合、層６）は、酸化チタンに基づいており、Ｎｂ、Ｓｎ、ＺｎＳｎ、Ｙ、Ｚｒ及び／又はＢａのうちの１種又は複数をドープした酸化チタン（例えば、ＴｉＯ２又はＴｉＯｘであり、ｘは、１．５〜２．０であり、可能性として１．６〜１．９７である）を好ましくは含む。本発明のある種の例示的実施形態では、ドープ酸化チタン層２及び／又は６は、約７０〜９９．５％のＴｉ、より好ましくは約８０〜９９％のＴｉ、更により好ましくは約８７〜９９％のＴｉ、及び約０．５〜３０％のドーパント、より好ましくは約１〜２０％のドーパント、及び最も好ましくは約１〜１３％のドーパント（原子％）となる金属含有率を有しており、この場合、ドーパントは、Ｎｂ、Ｓｎ、ＺｎＳｎ、Ｙ、Ｚｒ及び／又はＢａのうちの１種又は複数からなるか、又はこれらを含む。これらのドーパント量は、本明細書において議論されている酸素不足時に、格子の十分な不釣り合いをもたらすのに十分であり、やはり、層に十分に高い屈折率（ｎ）を持たせるのに、十分に少ない。
【００２２】
透明な誘電性下部接触層３は、酸化亜鉛（例えば、ＺｎＯ）、スズ酸亜鉛又は他の好適な物質からなることができるか、又はこれらを含むことができる。ある種の例示的実施形態では、層３の酸化亜鉛は、同様に、Ａｌ（例えば、ＺｎＡｌＯｘを形成する）又はＳｎなどの他の材料を含有することができる。例えば、本発明のある種の例示的実施形態では、酸化亜鉛層３は、約１〜１０％のＡｌ（又はＢ）、より好ましくは約１〜５％のＡｌ（又はＢ）、及び最も好ましくは約２〜４％のＡｌ（又はＢ）でドープされてもよい。層４中の銀の下に酸化亜鉛３を使用すると、銀の優れた品質を実現させることが可能である。酸化亜鉛層３は、通常、結晶状態で堆積する。ある種の例示的実施形態（例えば、以下で議論される）では、酸化亜鉛を含む層３は、セラミックＺｎＯのスパッタリング、又は金属の回転可能なマグネトロンスパッタリング対象により形成することができる。
【００２３】
赤外線（ＩＲ）反射層４は、好ましくは、実質的に、又は完全に金属性及び／若しくは導電性であり、銀（Ａｇ）、金、又は任意の好適なＩＲ反射物質を含んでもよい、又はこれらから実質的になることができる。ＩＲ反射層４の銀には、ある種の例示的な実施形態では、Ｐｄ、Ｚｎ又はＣｕなどの他の物質がドープされてもよい。ＩＲ反射層４は、コーティングに、低い反射率、低シート耐性などの低Ｅ及び／又は良好な日射制御特徴を持たせる一助となる。しかし、ＩＲ反射層は、本発明のある種の実施形態では、わずかに酸化され得る。銀をベースとする複数のＩＲ反射層４は、本発明のある種の例示的実施形態では、本明細書において議論されているドープ酸化チタン層を含めた、２重又は３重の銀積層体中に、少なくとも１つの誘電層によって、低Ｅコーティング中に離間配置して設けられてもよい。
【００２４】
上部側接触層５は、ＩＲ反射層４の上に直接接触して位置づけられ、ある種の例示的な実施形態では、Ｎｉ及び／又はＣｒの酸化物からなってもよく、又はこれらを含んでもよい。ある種の例示的な実施形態では、上部側接触層５は、酸化ニッケル（Ｎｉ）、酸化クロム（ｃｈｒｏｍｉｕｍ）／酸化クロム（ｃｈｒｏｍｅ）（Ｃｒ）、若しくはニッケルクロム酸化物（ＮｉＣｒＯｘ）などのニッケル合金酸化物、又はＮｉＣｒＭｏＯｘ、ＮｉＣｒＭｏ、Ｔｉ、ＮｉＴｉＮｂＯｘ、ＴｉＯｘ、金属性ＮｉＣｒなどの他の好適な物質からなることができる、又はこれらを含むことができる。接触層５は、本発明の異なる実施例では、段階的に酸化されていてもよく、又は段階的に酸化されていなくてもよい。酸化の段階付けとは、層中の酸化度が、層の厚さにより変化して、その結果、例えば、接触層は、直接隣接しているＩＲ反射層４との接触界面では、直接隣接するＩＲ反射層から遠い距離、又は長い距離／最大距離の接触層の部分ほど酸化されていないように段階が設けられ得ることを意味する。接触層５は、本発明の異なる実施形態では、ＩＲ反射層４全体にわたり、連続していてもよく、又は連続していなくてもよい。
【００２５】
例示されている図１のコーティングの下側又は上側に他の層がやはり設けられてもよい。したがって、層系又はコーティングが、基材１の「上」に存在する、又は基材１「により支持されている」（直接又は間接的に）と同時に、他の層が、それらの間に設けられてもよい。したがって、例えば、図１のコーティングは、他の層が層２と基材１との間に設けられている場合でさえも、基材１の「上」に存在する、及び基材１「により支持されている」と見なすことができる。更に、例示されるコーティングのある種の層は、ある種の実施形態では、除かれてもよい一方、他の層が様々な層の間に追加されてもよく、又は様々な層が、本発明のある種の実施形態の総合的な趣旨から逸脱することなく、本発明の他の実施形態において、分離された区域の間に追加された他の層と分離されてもよい。例えば及び非限定的に、窒化ケイ素層５が除かれてもよい。
【００２６】
様々な厚さが、本発明の異なる実施形態において使用されてもよいが、図１の実施形態におけるガラス製基材１上の個々の層に関する例示的な厚さ及び物質は、ガラス製基材の外側方向から、以下のとおりとすることができる（例えば、ある種の例示的な例では、酸化亜鉛層及び窒化ケイ素層中のＡｌ含有率は、約１〜１０％、より好ましくは約１〜５％とすることができる）。厚さは、オングストローム（Å）の単位である。
【００２７】
【表１】
2020510597.tif 000002
【００２８】
本発明のある種の例示的実施形態では、本明細書におけるコーティングされた物品（例えば、図１を参照されたい）は、モノリシックに測定した場合、表２に記載されている、以下の低Ｅ（低放射率）日射及び／又は光学的特徴を有することができる。
【００２９】
【表２】
2020510597.tif 000003
【００３０】
透明な高屈折率誘電性ドープ酸化チタン層２（及び、可能性として６）が示されて、上の図１の低Ｅコーティングに関連して記載されているが、本発明はそのように限定されない。本明細書に記載されている透明な、ドープ酸化チタンの高屈折率誘電層（例えば、層２）は、ＩＲ反射層の上又は下のどちらか一方において、任意の好適な低Ｅコーティング中の高屈折率層として使用されてもよい。このようなドープ酸化チタン層２の１つ又は複数が、任意の好適な低Ｅコーティング中に設けられてもよい。例えば及び非限定的に、上記の及び／又は本明細書におけるアモルファス又は実質的にアモルファスなドープ酸化チタン層２を使用して、それらのすべてが参照により本明細書に組み込まれている、米国特許第９，２１２，４１７号、同第９，２９７，１９７号、同第７，３９０，５７２号、同第７，１５３，５７９号、同第９，３６５，４５０号及び同第９，４０３，３４５号のいずれかにおける、低Ｅコーティングのいずれかにおける、任意の高屈折率（例えば、ＴｉＯｘ又はＴｉＯ２）層を置き換えることができる。
【００３１】
図２は、本発明の別の例示的な実施形態による、コーティングされた物品の横断面図である。層２〜８は、上記の層２〜８と同じであり、図２は、例えば、オーバーコート、及びＡｌＳｉＢＯｘからなる又はそれを含むキャップ層中の、高屈折率層２、６として使用するためのＮｂ−ドープしたＴｉＯｘ（例えば、ＴｉＮｂＯ２）層を例示している。
【００３２】
図４は、本発明の別の例示的な実施形態による、コーティングされた物品の横断面図である。図４は、図４の実施形態において、窒化ケイ素又は酸化亜鉛などの物質からなる、又はこれらを含む中屈折率（ｎ）層２３が、ガラス製基材１及びドープ酸化チタン層２との間に、直接、接触するように設けられており、かつＳｉＯ２などの物質からなる低屈折率層２１が層８の代わりに設けられていることを除いて、図１と同様である。本明細書において議論されているドープ酸化チタンは、図４の実施形態中の接触層５の真上の層に使用されることに留意されたい。
【００３３】
高透過率及び高い日射熱取得値（高ＳＧＨＣ値）を有する窓用コーティングに、ＮｉＴｉＮｂ／ＴｉＮｂＯｘ／Ｓｉ３Ｎ４／ＡｌＢＳｉＯｘなどのＴｉＮｂＯｘ／ＺｎＯ又はＳｎＺｎＯ／Ａｇ／接触からなる組合せを用いた図２に示されているものなどの、新規なスループットオーバーコート（overcaot）設計が実現される。この積層体は、コーティング後に焼き戻しすることができ、このことは、ＴｉＯ２の高屈折率層を有するものなどの、実用的に焼き戻しすることができないフィルムと比べて、かなりの利点となることが見いだされた。高い日射熱取得率（ＳＨＧＣ）の低Ｅコーティングガラスが、寒冷気候では望ましい。
【００３４】
本発明の例示的な実施形態による実施例１の積層体は、Ｎｂ−ドープしたＴｉＯ２の２つの層を含む積層体と共に、図５に示されている。この積層体は、熱処理可能であり、モノリシック窓用途及びＩＧ窓用途などの、低Ｅ用途において、良好な光学的及び熱的性能を実現することができる。
【００３５】
図６は、実施例１の図５の積層体の光学的／熱的特徴を記載したチャート図である。コーティングされた物品は、高い可視透過率、実質的に無彩色、低放射率、熱処理性及び高いＳＨＧＣ値及びＬＳＧ値の組合せを実現することがわかり得る。本発明のある種の例示的実施形態では、コーティングされた物品は、少なくとも５３、より好ましくは少なくとも５５、より好ましくは少なくとも５７のＳＨＧＣ値を実現することが望ましいことがある。優れた性能は、ＴｉＮｂＯｘ物質と直接、関係がある：ＴｉＮｂＯｘが、ＺｎＳｎＯ又はＳｉ３Ｎ４により置き換えられた場合、この性能は、Ｔｖｉｓ（可視透過率）及びＳＨＧＣの低下を受ける。更に、実施例１は、熱焼き戻し可能である。
【００３６】
固有のオーバーコートＴｉＮｂＯｘ／ＺｎＯ／Ｓｉ３Ｎ４／ＡｌＳｉＢＯｘが有利である。オーバーコート中にＺｎＯが存在しないと、吸収は２％増加し、Ｔｖｉｓが２％低下する。更に、ＺｎＯがＳｉ３Ｎ４に置き換わると、フィルムは、焼き戻し工程後に、ＨＴによる放射率の上昇、及びＨＴによる可視透過率の低下を含めた、不良な性能へと変化した。したがって、オーバーコートのＴｉＮｂＯｘ／ＺｎＯ／Ｓｉ３Ｎ４部分の組合せが、驚くほど有利である。キャップ層としてのＡｌＳｉＢＯｘを使用すると、ＳＨＧＣは、５６〜５７％向上する。したがって、このキャップ層もまた、予想外に有利であることが見いだされた。
【００３７】
ＴｉＮｂＯｘのスパッタリング堆積過程は、特定の酸素ガス含有率の範囲にあるべきであることも見いだされた。特に、酸素不足雰囲気が最良であることが見いだされ、最良範囲は、スパッタリング用チャンバ雰囲気中、２０〜６０％、より好ましくは２５〜４０％の酸素ガスである。実験では、ＴｉＮｂＯｘを堆積させる時に、３０％のＯ２流が、最適条件である。スパッタリング雰囲気中の酸素ガス含有率が、あまりにも低い（例えば、２０％未満）場合、ＴｉＮｂＯｘは、一層金属に類似し、高い吸収率となり、したがって、透過率は低すぎることになろう。一方、スパッタリングチャンバ中の酸素ガス含有率が５０％以上など高すぎる場合、透過率は低下し、放射率は一層高くなり、ＩＲ領域での反射率は低く、それらは、窓用コーティングでは、すべてが望ましくない性能である。この点で、図３は、Ｎｂドープ酸化チタン層がスパッタリング堆積されたチャンバ内の様々な酸素ガス含有率（３０％対５０％）の場合の、コーティングしたまま（ＡＣ）の状態における波長（ｎｍ）に対する、高屈折率Ｎｂドープ酸化チタン層を含む積層体の透過率（Ｔ）％、ガラス側面反射率（Ｇ）％及びフィルム側面反射率（Ｆ）％をプロットした波長（ｎｍ）グラフに対する百分率（％）である。これらの例に関する光学的結果が記載されており、図７で比較されている。
【００３８】
本発明の例示的実施形態では、ガラス製基材によって支持されているコーティングを含むコーティングされた物品であって、コーティングが、ガラス製基材上の第１の透明な誘電層、少なくとも第１の透明な誘電層の上に位置する、ガラス製基材上に銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層、少なくともＩＲ反射層の上に位置する、ガラス製基材上の第２の透明な誘電層を含む、コーティングを含み、第１及び第２の透明な誘電層の少なくとも１つが、アモルファス又は実質的にアモルファスであり、並びにＮｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａのうちの少なくとも１種をドープしたＴｉ酸化物を含み、アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層の金属含有率が、約７０〜９９．５％のＴｉ、及び約０．５〜３０％のＮｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａ（原子％）のうちの少なくとも１種を含む、コーティングされた物品が提供される。
【００３９】
直前の段落のコーティングされた物品では、アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層の金属含有率は、約８０〜９９％のＴｉ、及び約１〜２０％（原子％）の、Ｎｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａのうちの少なくとも１種を含むことができる。
【００４０】
前の２つの段落のいずれかのコーティングされた物品において、アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層の金属含有率は、約８７〜９９％のＴｉ、及び約１〜１３％（原子％）の、Ｎｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａのうちの少なくとも１種を含むことができる。
【００４１】
前の３つの段落のいずれかのコーティングされた物品では、アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層は、少なくとも２．１２、より好ましくは少なくとも２．２０及び最も好ましくは少なくとも２．２５（５５０ｎｍ）の屈折率（ｎ）を有することができる。
【００４２】
前述の４つの段落のいずれかのコーティングされた物品において、コーティングは、低Ｅコーティングであってもよく、０．２以下、より好ましくは０．１０以下の垂直放射率（Ｅｎ）を有する。
【００４３】
前述の５つの段落のいずれかのコーティングされた物品において、アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層は、以下：（ｉ）Ｔｉ及びＳｎの酸化物、並びに約７０〜９９．５％のＴｉ及び約０．５〜３０％のＳｎ（原子％）の金属含有率（Ｚｎを場合により更に含んでもよい）、（ｉｉ）Ｔｉ及びＳｎの酸化物、並びに約８０〜９９％のＴｉ及び約１〜２０％のＳｎ（原子％）を含む金属含有率、（ｉｉｉ）Ｔｉ、Ｓｎ及びＺｎの酸化物；（ｉｖ）Ｔｉ及びＹの酸化物、並びに約７０〜９９．５％のＴｉ及び約０．５〜３０％のＹ（原子％）、より好ましくは約８０〜９９％のＴｉ及び約１〜２０％のＹ（原子％）を構成する金属含有率、（ｖ）Ｔｉ及びＢａの酸化物、並びに約７０〜９９．５％のＴｉ及び約０．５〜３０％のＢａ（原子％）、より好ましくは約８０〜９９％のＴｉ及び約１〜２０％のＢａ（原子％）を構成する金属含有率、（ｖｉ）Ｔｉ及びＺｒの酸化物、並びに約７０〜９９．５％のＴｉ及び約０．５〜３０％のＺｒ（原子％）、より好ましくは約８０〜９９％のＴｉ及び約１〜２０％のＺｒ（原子％）を構成する金属含有率、並びに／又は（ｖｉｉ）Ｔｉ及びＮｂの酸化物、並びに約７０〜９９．５％のＴｉ及び約０．５〜３０％のＮｂ（原子％）、より好ましくは約８０〜９９％のＮｂ及び約１〜２０％のＮｂ（原子％）を構成する金属含有率のうちの１つ又は複数を含むことができる。
【００４４】
前述の６つの段落のいずれかのコーティングされた物品において、第１の誘電層は、前記アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層であり、ガラス製基材とＩＲ反射層との間に位置しており、ガラス製基材と直接、接触していてもよい。
【００４５】
前述の７つの段落のいずれかのコーティングされた物品において、コーティングは、窒化ケイ素を含む層を含むオーバーコートを備えてもよい。
前述の８つの段落のいずれかのコーティングされた物品において、コーティングは、少なくともガラス製基材と第１の透明な誘電層との間に位置する窒化ケイ素を含む層を更に備えてもよい。
【００４６】
前述の９つの段落のいずれかのコーティングされた物品において、コーティングは、ＩＲ反射層の下にこれに直接、接触して位置する、酸化亜鉛及び／又はスズ酸亜鉛を含む層を更に備えてもよい。
【００４７】
前述の１０の段落のいずれかのコーティングされた物品において、コーティングは、ＩＲ反射層の上に直接、接触して位置するＮｉ及び／又はＣｒの酸化物を含む層を更に備えてもよい。
【００４８】
前述の１１の段落のいずれかのコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、熱的に焼き戻しされてもよい。
前述の１２の段落のいずれかのコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、少なくとも５０％、より好ましくは少なくとも６０％、更により好ましくは少なくとも７０％、更により好ましくは少なくとも８０％、又は少なくとも８５％（例えば、モノリシックに測定する）の可視透過率を有することができる。
【００４９】
前述の１３の段落のいずれかのコーティングされた物品は、ガラス製基材上に第１の透明な誘電層をスパッタリング堆積するステップ、少なくとも第１の透明な誘電層の上に位置する、ガラス製基材上に銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層をスパッタリング堆積するステップ、少なくともＩＲ反射層の上に位置する、ガラス製基材上の第２の透明な誘電層をスパッタリング堆積するステップを含む方法によって作製することができ、第１及び第２の透明な誘電層の少なくとも１つが、金属又はセラミック製対象により、アモルファス又は実質的にアモルファスとなるようにスパッタリング堆積され、Ｔｉ酸化物、並びにＮｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａのうちの少なくとも１種を含む。本方法では、アモルファス又は実質的にアモルファスになるよう、第１及び第２の透明な誘電層のうちの少なくとも１つは、酸素不足雰囲気中でスパッタリング堆積され得、その結果、スパッタリング中の金属のイオン半径の差異が、格子乱れを引き起こし、この層のアモルファス構造又は実質的なアモルファス構造がもたらされる。アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層をスパッタリング堆積する間、スパッタリング堆積中の酸素は、Ｔｉとドーパント金属との間のイオン半径の少なくとも１５ｐｍ（より好ましくは少なくとも２０ｐｍ）の平均差異を引き起こすよう、スパッタリング雰囲気中の酸素ガス及び／又はスパッタリング用対象材料中の酸素の制御により制御され得、こうして、格子の乱れが、スパッタリング堆積された層にアモルファス構造又は実質的なアモルファス構造がもたらされる。Ｔｉの酸化物、並びにＮｂ、Ｓｎ、ＳｎＺｎ、Ｚｒ、Ｙ及びＢａのうちの少なくとも１種を含む、アモルファスな層又は実質的にアモルファスな層をスパッタリング堆積する間、スパッタリング雰囲気は、５０％以下の酸素ガス、より好ましくは４０％以下の酸素ガス、最も好ましくは３５％以下の酸素ガスしか含有しないよう制御され得、これらのガスの残りは、アルゴンガス、及び／又は任意の他の好適なガスとすることができる。
【００５０】
本発明は、現在実用的で好ましい実施形態と考えられるものと関連して説明されたが、本発明は、開示される実施形態に限定されるものではなく、寧ろ、添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲内に含まれる様々な修正及び同等の構成を網羅することを意図するものであることを理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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