(57)【要約】  チャンバ内のワークピース上にダイヤモンドライクカーボンを堆積させる方法は、チャンバの天井から吊り下げられた上部電極に面する、チャンバ内のワークピースを支持する工程と、炭化水素ガスをチャンバに導入する工程と、上部電極に第１周波数で第１高周波電力を印加して、この高周波電力によってチャンバ内でプラズマを生成し、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの堆積物を生成する工程とを含む。高周波電力を印加することで、上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成して、炭化水素ガスのイオン化を増進する。
2020514554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側壁を有するプラズマチャンバと、
上部電極と、
上部電極に面したワークピースを保持するワークピース支持体であって、支持体上のワークピースから上部電極がはっきりと見えている支持体と、
前記上部電極に接続された第１高周波電源と、
ガス供給部と、
チャンバに接続されて、チャンバを排気する真空ポンプと、
コントローラであって、
第１高周波電源を操作して、高周波電力を上部電極に印加するように、及び
ガス分配器と真空ポンプを操作して、
上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成させる、チャンバの上部のプラズマと、
ワークピースを含むチャンバの下部の低電子温度プラズマとを
作り出すように構成されたコントローラとを備える電子ビームプラズマリアクタ。
【請求項２】
コントローラは、第１高周波電源を操作して、上部電極から放出された電子ビームの少なくとも一部が低電子温度プラズマを生成するように構成されている、請求項１に記載のリアクタ。
【請求項３】
ワークピース支持体に接続されたバイアス電圧発生器を備える、請求項１に記載のリアクタ。
【請求項４】
前記上部電極が、シリコン、カーボン、炭化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、又は酸化ジルコニウムのうちの１つを含む、請求項１に記載のリアクタ。
【請求項５】
チャンバの上部に隣接して囲む第１電磁石又は永久磁石と、
チャンバの下部に隣接して囲む第２電磁石又は永久磁石とを備える、請求項１に記載のリアクタ。
【請求項６】
チャンバの上部の側壁にある窓と、
窓の周りのコイルアンテナと、
コイルアンテナに接続された高周波発生器とを備える請求項１に記載のリアクタ。
【請求項７】
ガス供給部は、不活性ガスをチャンバに供給するように構成されている、請求項１に記載のリアクタ。
【請求項８】
ガス供給部は、処理ガスをチャンバに供給するように構成されている、請求項１に記載のリアクタ。
【請求項９】
上部電極とワークピース支持体との間の距離が、チャンバを垂直に通るプラズマの温度勾配を確立するのに十分な大きさである、請求項１に記載のリアクタ。
【請求項１０】
チャンバの下部における低電子温度プラズマは、ダイヤモンドライクカーボンの層を堆積又はアニールする電子温度以下の電子温度を有する、請求項１に記載のリアクタ。
【請求項１１】
ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンを堆積させる方法であって、
ワークピースを上部電極に向けて、チャンバ内でワークピースを支持する工程と、
炭化水素ガスをチャンバに導入する工程と、
上部電極に第１周波数で第１高周波電力を印加して、この高周波電力によってチャンバ内でプラズマを生成し、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの堆積物を生成する工程であって、高周波電力を印加することで、上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成して、炭化水素ガスのイオン化を増進する工程とを含む方法。
【請求項１２】
ワークピース上のダイヤモンドライクカーボンの層を処理する方法であって、
ダイヤモンドライクカーボンの層を上部電極に向けて、チャンバ内でワークピースを支持する工程と、
不活性ガスをチャンバに導入する工程と、
上部電極に第１周波数で第１高周波電力を印加して、この高周波電力によってチャンバ内でプラズマを生成し、上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成している工程であって、電子ビームはダイヤモンドライクカーボンの層に衝突している工程とを含む方法。
【請求項１３】
ワークピース上のダイヤモンドライクカーボンの層を処理する方法であって、
ダイヤモンドライクカーボンの層を上部電極に向けて、チャンバ内でワークピースを支持する工程と、
不活性ガスをチャンバに導入する工程と、
上部電極に第１周波数で第１高周波電力を印加することで、不活性ガスのプラズマがチャンバ内で生成され、ダイヤモンドライクカーボンの層が不活性ガスのプラズマに曝されている工程とを含む方法。
【請求項１４】
側壁を有するプラズマチャンバと、
上部電極と、
前記上部電極に接続された第１高周波源電力発生器と、
炭化水素ガスを供給するガス供給部と、
炭化水素ガスをチャンバに分配するガス分配器と、
チャンバに接続されて、チャンバを排気する真空ポンプと、
上部電極に面したワークピースを保持するワークピース支持台座と、
コントローラであって、
上部電極、ガス分配器、真空ポンプを操作して、チャンバ内にプラズマを生成し、このプラズマによってワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの堆積物を生成するように、及び
第１高周波源によって高周波電力を印加して、この高周波電力によって上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成し、炭化水素ガスのイオン化を増進するように構成されたコントローラとを備える電子ビームプラズマリアクタ。
【請求項１５】
側壁を有するプラズマチャンバと、
上部電極と、
前記上部電極に接続された第１高周波源電力発生器と、
不活性ガスを供給するガス供給部と、
不活性ガスをチャンバに分配するガス分配器と、
チャンバに接続されて、チャンバを排気する真空ポンプと、
上部電極に面したワークピースを保持するワークピース支持台座と、
コントローラであって、
上部電極、ガス分配器、真空ポンプを操作して、チャンバ内にプラズマを生成し、このプラズマによってワークピース上のダイヤモンドライクカーボンの層をアニールするように、及び
第１高周波源によって高周波電力を印加して、この高周波電力によって上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成し、ダイヤモンドライクカーボンの層に衝突させるように構成されたコントローラとを備える電子ビームプラズマリアクタ。
【請求項１６】
側壁を有するプラズマチャンバと、
上部電極と、
前記上部電極に接続された第１高周波源電力発生器と、
炭化水素ガスを供給する第１ガス供給部と、
不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、
炭化水素ガスと不活性ガスをチャンバに分配するガス分配器と、
チャンバに接続されて、チャンバを排気する真空ポンプと、
上部電極に面したワークピースを保持するワークピース支持台座と、
コントローラであって、
上部電極、ガス分配器、真空ポンプを操作して、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの層を堆積させる工程と、ワークピースを上部電極からの電子ビームで処理する工程とを交互に行うように構成されたコントローラとを備える電子ビームプラズマリアクタ。
【請求項１７】
ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの層を形成する方法であって、
ワークピースを上部電極に向けて、チャンバ内でワークピースを支持する工程と、
複数の連続した副層を形成して、ダイヤモンドライクカーボンの層を形成する工程であって、そのために、チャンバ内のワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの副層を堆積させる工程と、不活性ガスのプラズマ又は上部電極からの電子ビームで副層を処理する工程を交互に行っている工程とを含む方法。
【請求項１８】
チャンバ内のワークピース上のダイヤモンドライクカーボンの層を処理する又は堆積させる方法であって、
チャンバ内の台座でワークピースを支持する工程であって、ワークピースはチャンバの天井から吊り下げられた上部電極に向けられている工程と、
不活性ガス及び／又は炭化水素ガスをチャンバに導入する工程と、
上部電極に第１周波数で第１高周波電力を印加して、この高周波電力によってチャンバ内で不活性ガス及び／又は炭化水素ガスのプラズマを生成し、基板上のダイヤモンドライクカーボンの層をアニールしている、又はワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの堆積物を生成している工程と、
台座の下部電極に複数の離散的な周波数で第２高周波電力を同時に印加する工程であって、複数の周波数は、第２周波数と、第１周波数よりも高い第３周波数とを含んでいる工程とを含む方法。
【請求項１９】
側壁を有するプラズマチャンバと、
上部電極と、
前記上部電極に接続された第１高周波源電力発生器と、
第１周波数で第１高周波電力を上部電極に印加するように構成された第１高周波源電力発生器と、
炭化水素ガスを供給する第１ガス供給部と、
不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、
炭化水素ガスと不活性ガスをチャンバに分配するガス分配器と、
チャンバに接続されて、チャンバを排気する真空ポンプと、
上部電極に面したワークピースを保持するワークピース支持台座と、
下部電極と、
下部電極に接続された第２高周波源電力発生器であって、
第２高周波源電力発生器は、複数の周波数で第２高周波電力を同時に下部電極に印加するように構成され、
複数の周波数は、第２周波数と、第１周波数よりも高い第３周波数とを含んでいる高周波源電力発生器と、
コントローラであって、上部電極、下部電極、ガス分配器、真空ポンプを操作して、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの層を堆積又はアニールするように構成されたコントローラとを備える電子ビームプラズマリアクタ。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（技術分野）
本開示は、プラズマリアクタ、及びプラズマリアクタ内での半導体ウェハなどのワークピース上のダイヤモンドライクカーボンの堆積又は処理に関する。
【０００２】
（背景説明）
ワークピースを処理するためのいくつかのプラズマ源は、ビーム経路を有する電子ビーム源を含み、このビーム経路は、グリッドフィルターによって基板から隔てられた処理チャンバ領域を通過する。
【０００３】
ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）は、工業用ツール、医療機器などのさまざまな用途でコーティングとして使用されている。ダイヤモンドライクカーボンをいくらか含むカーボン層が、一部の半導体製造処理のエッチャントマスクとして使用されている。ダイヤモンドライクカーボンはプラズマによって堆積される。
【概要】
【０００４】
一態様では、チャンバ内のワークピース上にダイヤモンドライクカーボンを堆積させる方法は、チャンバの天井から吊り下げられた上部電極に面する、チャンバ内のワークピースを支持する工程と、炭化水素ガスをチャンバに導入する工程と、上部電極に第１周波数で第１高周波電力を印加して、この高周波電力によってチャンバ内でプラズマを生成し、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの堆積物を生成する工程を含む。高周波電力を印加することで、上部電極からワークピースに向かう電子ビームが生成されて、炭化水素ガスのイオン化を増進する。
【０００５】
諸実施例には、以下の構成の１つ以上が含まれてもよい。
【０００６】
第１周波数は、１００ｋＨｚから２７ＭＨｚの間であってもよい。第１周波数は１２ＭＨｚ未満であってもよく、例えば、第１周波数は約２ＭＨｚであってもよい。ワークピースを支持する台座の下部電極に第２周波数で第２高周波電力を印加してもよく、その間も、第１高周波電力は上部電極に印加されている。第１周波数は、第２周波数以下であってもよい。
【０００７】
不活性ガスをチャンバに導入することで、プラズマを、炭化水素ガスと不活性ガスの両方のプラズマとしてもよい。
【０００８】
ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの層を堆積した後、炭化水素ガスをチャンバから除去してもよい。炭化水素ガスを除去した後、不活性ガスをチャンバに導入してもよく、第３高周波電力を第３周波数で上部電極に印加して、この高周波電力によってチャンバ内で不活性ガスのプラズマを生成し、上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成してもよい。ここで、この電子ビームはダイヤモンドライクカーボンの層に衝突する。ダイヤモンドライクカーボンの層に電子ビームを衝突させると、層内の内部応力が低下する場合がある。第４高周波電力を第４周波数で、ワークピースを支持する台座の下部電極に印加してもよい。その間も、第３高周波電力は上部電極に印加されている。
【０００９】
別の一態様では、ワークピース上のダイヤモンドライクカーボンの層を処理する方法は、ダイヤモンドライクカーボンの層を上部電極に向けて、チャンバ内でワークピースを支持する工程と、不活性ガスをチャンバに導入する工程と、上部電極に第１周波数で第１高周波電力を印加して、この高周波電力によってチャンバ内でプラズマを生成し、上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成している工程であって、電子ビームはダイヤモンドライクカーボンの層に衝突している工程とを含む。
【００１０】
諸実施例には、以下の構成の１つ以上が含まれてもよい。
【００１１】
ダイヤモンドライクカーボンの層に電子ビームを衝突させると、層内の内部応力が低下する場合がある。ワークピースを支持する台座の下部電極に第２周波数で第２高周波電力を印加してもよい。第１周波数は、第２周波数以下であってもよい。不活性ガスはアルゴン又はヘリウムを含んでもよい。
【００１２】
別の一態様では、ワークピース上のダイヤモンドライクカーボンの層を処理する方法は、ダイヤモンドライクカーボンの層を上部電極に向けて、チャンバ内でワークピースを支持する工程と、不活性ガスをチャンバに導入する工程と、上部電極に第１周波数で第１高周波電力を印加することで、不活性ガスのプラズマがチャンバ内で生成され、ダイヤモンドライクカーボンの層が不活性ガスのプラズマに曝されている工程とを含む。
【００１３】
諸実施例には、以下の構成の１つ以上が含まれてもよい。
【００１４】
不活性ガスはアルゴン又はヘリウムを含んでもよい。ワークピースを支持する台座の下部電極に第２周波数で第２高周波電力を印加してもよい。
【００１５】
別の一態様では、電子ビームプラズマリアクタは、側壁を有するプラズマチャンバと、上部電極と、上部電極に接続された第１高周波源電力発生器と、炭化水素ガスを供給するガス供給部と、炭化水素ガスをチャンバに分配するガス分配器と、チャンバに接続されて、チャンバを排気する真空ポンプと、上部電極に面したワークピースを保持するワークピース支持台座と、コントローラであって、上部電極、ガス分配器、真空ポンプを操作して、チャンバ内にプラズマを生成し、このプラズマによってワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの堆積物を生成するように、及び第１高周波源によって高周波電力を印加して、この高周波電力によって上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成し、炭化水素ガスのイオン化を増進するように構成されたコントローラとを備える。
【００１６】
別の一態様では、電子ビームプラズマリアクタは、側壁を有するプラズマチャンバと、上部電極と、上部電極に接続された第１高周波源電力発生器と、不活性ガスを供給するガス供給部と、不活性ガスをチャンバに分配するガス分配器と、チャンバに接続されて、チャンバを排気する真空ポンプと、上部電極に面したワークピースを保持するワークピース支持台座と、コントローラであって、上部電極、ガス分配器、真空ポンプを操作して、チャンバ内にプラズマを生成し、このプラズマによってワークピース上のダイヤモンドライクカーボンの層をアニールするように、及び第１高周波源によって高周波電力を印加して、この高周波電力によって上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成し、ダイヤモンドライクカーボンの層に衝突させるように構成されたコントローラとを備える。
【００１７】
別の一態様では、電子ビームプラズマリアクタは、側壁を有するプラズマチャンバと、上部電極と、前記上部電極に接続された第１高周波源電力発生器と、炭化水素ガスを供給する第１ガス供給部と、不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、炭化水素ガスと不活性ガスをチャンバに分配するガス分配器と、チャンバに接続されて、チャンバを排気する真空ポンプと、上部電極に面したワークピースを保持するワークピース支持台座と、コントローラであって、上部電極、ガス分配器、真空ポンプを操作して、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの層を堆積させる工程と、ワークピースを上部電極からの電子ビームで処理する工程とを交互に行うように構成されたコントローラとを備える。
【００１８】
諸実施例には、以下の構成の１つ以上が含まれてもよい。
【００１９】
コントローラを構成して、ガス分配器によって、炭化水素ガスを第１ガス供給部からチャンバに分配してもよく、第１高周波電源によって、第１高周波電力を第１周波数で上部電極に印加して、チャンバ内でプラズマを生成し、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの層の堆積物を生成してもよい。下部電極及び第２高周波源電力発生器を、下部電極に接続して、第２周波数で第２高周波電力を上部電極に印加するように構成してもよい。コントローラを構成して、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの層を堆積させた後に、真空ポンプによってチャンバから炭化水素ガスを除去してもよい。コントローラを構成して、炭化水素ガスを除去した後に、ガス分配器によって不活性ガスを第２ガス供給部からチャンバに分配してもよく、第１高周波電源によって第３周波数で第３高周波電力を上部電極に印加して、チャンバ内で不活性ガスのプラズマを生成し、上部電極からワークピースに向かう電子ビームを生成してもよい。ここでは、この電子ビームがダイヤモンドライクカーボンの層に衝突してワークピースを処理する。
【００２０】
別の一態様では、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの層を形成する方法は、ワークピースを上部電極に向けて、チャンバ内でワークピースを支持する工程と、複数の連続した副層を形成して、ダイヤモンドライクカーボンの層を形成する工程であって、そのために、チャンバ内のワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの副層を堆積させる工程と、不活性ガスのプラズマ又は上部電極からの電子ビームで副層を処理する工程を交互に行っている工程とを含む。
【００２１】
諸実施例には、以下の構成の１つ以上が含まれてもよい。
【００２２】
ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの副層を堆積させる工程は、炭化水素ガスをチャンバに導入する工程と、上部電極に第１周波数で第１高周波電力を印加して、この高周波電力によってチャンバ内でプラズマを生成し、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの副層の堆積物を生成する工程を含む。第１高周波電力を印加することで、上部電極からワークピースに向かう電子ビームが生成されて、炭化水素ガスのイオン化を増進する。
【００２３】
副層を処理する工程は、不活性ガスをチャンバに導入する工程と、上部電極に第２周波数で第１高周波電力を印加して、この高周波電力によってチャンバ内に不活性ガスのプラズマを生成する工程を含む。第２高周波電力を印加することで、上部電極から電子ビームが生成されて、この電子ビームが、ワークピース上のダイヤモンドライクカーボンの副層に衝突し得る。
【００２４】
別の一態様では、チャンバ内のワークピース上のダイヤモンドライクカーボンの層を処理する又は堆積させる方法は、チャンバ内の台座でワークピースを支持する工程であって、ワークピースはチャンバの天井から吊り下げられた上部電極に向けられている工程と、不活性ガス及び／又は炭化水素ガスをチャンバに導入する工程と、上部電極に第１周波数で第１高周波電力を印加して、この高周波電力によってチャンバ内で不活性ガス及び／又は炭化水素ガスのプラズマを生成し、基板上のダイヤモンドライクカーボンの層をアニールしている、又はワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの堆積物を生成している工程と、台座の下部電極に複数の離散的な周波数で第２高周波電力を同時に印加する工程であって、複数の周波数は、第２周波数と、第２周波数よりも高い第３周波数とを含んでいる工程とを含む。
【００２５】
諸実施例には、以下の構成の１つ以上が含まれてもよい。
【００２６】
第１周波数は、第３周波数より低くてもよい。第１周波数は、第２周波数以下であってもよい。第２周波数は２ＭＨｚ未満であってもよい。第３周波数は２ＭＨｚを超えてもよい。
【００２７】
別の一態様では、電子ビームプラズマリアクタは、側壁を有するプラズマチャンバと、上部電極と、前記上部電極に接続された第１高周波源電力発生器と、第１周波数で第１高周波電力を上部電極に印加するように構成された第１高周波源電力発生器と、炭化水素ガスを供給する第１ガス供給部と、不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、炭化水素ガスと不活性ガスをチャンバに分配するガス分配器と、チャンバに接続されて、チャンバを排気する真空ポンプと、上部電極に面したワークピースを保持するワークピース支持台座と、下部電極と、下部電極に接続された第２高周波源電力発生器であって、第２高周波源電力発生器は、複数の周波数で第２高周波電力を同時に下部電極に印加するように構成され、複数の周波数は、第２周波数と、第２周波数よりも高い第３周波数とを含んでいる高周波源電力発生器と、コントローラであって、上部電極、下部電極、ガス分配器、真空ポンプを操作して、ワークピース上にダイヤモンドライクカーボンの層を堆積又はアニールするように構成されたコントローラとを備える。
【００２８】
諸実施例には、以下の構成の１つ以上が含まれてもよい。
【００２９】
下部電極は、ワークピース支持台座によって支持されてもよい。
【００３０】
第１周波数は、第３周波数より低くてもよい。第１周波数は、第２周波数以下であってもよい。第２周波数は２ＭＨｚ未満であってもよい。第３周波数は２ＭＨｚを超えてもよい。
【００３１】
実施例には以下の利点の１つ以上が含まれてもよいが、これらに限定されるものではない。グリッドフィルターを介さずに、電子ビームを基板に照射することができるので、電子密度を向上させ得る。例えば中間出力レベルで６μｍ／ｈを超えるところまで、堆積を増加させ得る。電子ビームは、炭化水素ガスのイオン化を増進し、炭化水素の密度を高め得る。高エネルギー電子の割合を増やし得る。イオン−中性種比を増やし得る。これにより、膜密度を、例えば約２ｇ／ｃｍ３まで高め得る。加えて、電子ビームは、堆積したダイヤモンドライクカーボン膜を「養生」させ、膜応力を低減させ得る。例えば、膜応力は５００ＭＰａ未満になり得る。ワークピースの支持台座を加熱する必要はない。
【００３２】
１つ以上の実施例の詳細が、添付図面及び以下の説明に記載されている。他の潜在的な構成、態様、及び利点は、説明、図面、及び特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】プラズマリアクタを示す。
【図２】第２実施形態によるプラズマリアクタの別の実施例を示す。
【図３】ダイヤモンドライクカーボンの膜を堆積させる方法のブロック図フローチャートである。
【図４】ダイヤモンドライクカーボンの膜を処理する方法のブロック線図フローチャートである。
【００３４】
さまざまな図面における同様の参照番号及び名称は、同様の要素を示している。
【詳細な説明】
【００３５】
（序論）
いくつかの処理では、低エネルギーのプラズマが存在する条件下にワークピースがある間に、ワークピースを電子ビームにさらすことが望ましい。一般に、この種の電子ビームの生成には、高エネルギープラズマが伴う。１つの手法は、上部チャンバと下部チャンバの間にグリッドフィルターを挿入することである。すなわち、上部チャンバの電極から生成した二次電子は、グリッドフィルターを通って下部チャンバに伝播することができ、ここで低エネルギーのプラズマが生成され、ワークピースが保持されている。グリッドフィルターは、高エネルギープラズマがワークピースに到達するのを防ぎ、また、所望の伝播方向（通常は、ワークピースの表面に垂直）を持つ電子が下部チャンバに入ることを確実にする。しかし、グリッドフィルターは、電子ビームの密度も制限する。
【００３６】
ところが、その種のグリッドフィルターを持たないチャンバで電子ビームを生成することが可能である。適切なリアクタ構成（例えば、電極とワークピース間の距離）を確立することにより、プラズマのエネルギーは、電子ビームを供給する二次電子を生成するために電極付近では高くなるが、ワークピース付近では低くなる。
【００３７】
加えて、ワークピース（例えば、集積回路の製造に使用される半導体ウェハ）上に堆積されたダイヤモンドライクカーボンの膜の密度を高めることが望ましい。例えば、膜密度が高くなると、エッチング停止層として優れた性能が得られる。また、膜密度が高くなると、ワークピース全体の限界寸法の変化も低下し得る。残念ながら、膜密度を高めると、膜応力が増加する可能性があり、そのために、ダイヤモンドライクカーボン膜がワークピースから剥がれたり、ワークピースが反ったりすることがある。例えば、２ｇ／ｃｍ３を超える密度、約１μｍの膜厚さ、５００ＭＰａ未満の応力、２００μｍ未満のワークピース反りを有するダイヤモンドライクカーボン膜は、優れた特性を提供し得る。
【００３８】
２つの技術を使用して、ダイヤモンドライクカーボンの膜の製造を改善し得る。第１に、堆積の間に、高エネルギー電子ビームを使用して、炭化水素ガスのイオン化を増進し得る。すなわち、これらの炭化水素イオンが成長中の膜に注入されて、膜密度を高める。第２に、堆積の間又は堆積後、ダイヤモンドライクカーボンの膜は、高エネルギーの電子ビームに曝される可能性がある。すなわち、これにより、ダイヤモンドライクカーボン膜が「養生」（すなわちアニール）され、膜応力が低減される。特定の理論に限定されることなく、この養生、すなわちアニールにより、カーボン膜の結合構造が変化し、例えば、ダングリングボンドが減少し、架橋が増加する。
【００３９】
（システム）
図１を参照する。電子ビームプラズマリアクタは、円筒形の側壁１０２を備えるチャンバ１００を画定する真空チャンバ本体を有する。天井１０６がチャンバ１００の上にあり、上部電極１０８を支持する。電極１０８は、シリコン、カーボン、シリコンカーボン化合物、又はシリコン酸化物化合物などの処理適合材料で、又は酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物で形成され得る。天井１０６及び上部電極１０８は、ディスク形状であってもよい。いくつかの実施例では、絶縁体又は誘電体リング１０９は、上部電極１０８を囲む。
【００４０】
ワークピース１１１を支持するためのワークピース支持台座１１０がチャンバ１００内に配置されている。台座１１０は、上部電極１０８に面するワークピース支持面１１０ａを有し、リフトサーボ１１２により軸方向に移動可能である。いくつかの実施例では、ワークピース支持台座１１０は、ワークピース支持面１１０ａを形成する絶縁パック３０２と、絶縁パック３０２内のワークピース電極３０４と、ワークピース電極３０４に接続されたチャッキング電圧源３０５を備える。さらに、絶縁パック３０２の下にあるベース層３０６は、循環供給部３１０から熱媒体（例えば、液体）を循環させるための内部流路３０８を有する。循環供給部３１０は、ヒートシンク又は熱源として機能し得る。
【００４１】
ＶＨＦ周波数（例えば、１６０ＭＨｚ）を有する高周波電力発生器１２０と、ＶＨＦ領域未満又はＨＦ領域未満（例えばＭＦ又はＬＦ領域、例えば２ＭＨｚ）の周波数を有する低周波域高周波電力発生器１２２は、インピーダンス整合器１２４を介して高周波給電導体１２３を通って上部電極１０８に接続される。インピーダンス整合器１２４を適合させて、高周波電力発生器１２０及び１２２の種々の周波数でインピーダンス整合を提供し得る。また、両発生器を互いに分離するためのフィルタリングも同様に提供し得る。高周波発生器１２０、１２２の出力電力レベルは、コントローラ１２６によって独立して制御される。以下で詳細に説明するように、高周波電力発生器１２０、１２２からの電力は、上部電極１０８に接続される。
【００４２】
いくつかの実施例では、天井１０６は導電性であり、上部電極１０８と電気的に接触していてもよい。インピーダンス整合器１２４からの電力は、天井１０６を通って上部電極１０８に伝導され得る。側壁１０２を金属で形成することができ、また接地させている。チャンバ１００内部の接地された内部表面の表面積は、上部電極１０８の表面積の少なくとも２倍であり得る。チャンバ１００内部の接地された内部表面を、シリコン、カーボン、シリコンカーボン化合物、シリコン酸化物化合物などの処理適合材料、又は酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムなどの材料でコーティングし得る。
【００４３】
いくつかの実施例では、天井１０６は、上部電極１０８の支持体であり、上部電極１０８に面するチャック電極１５２を含む絶縁層１５０を備える。ＤＣチャッキング電圧源１５４を、給電導体１５５を介してチャッキング電極１５２に接続して、電極１０８を天井１０６に静電的に押し付ける。ＤＣ阻止コンデンサ１５６を、インピーダンス整合器１２４の出力と直列に接続してもよい。コントローラ１２６は、ＤＣチャッキング電圧源１５４を制御し得る。インピーダンス整合器１２４から延びる高周波給電導体１２３は、上部電極１０８に直接接続されるのではなく、電極支持体又は天井１０６に接続され得る。この種の実施形態では、高周波給電導体１２３からの高周波電力は、電極支持体から電極１０８に容量結合され得る。
【００４４】
一実施形態では、ガスインジェクタ１３０は、弁１３２及び／又は弁１３４を介して１つ以上の処理ガスをチャンバ１００に供給する。真空ポンプ３２０を使用して、チャンバ１００を排気し得る。
【００４５】
プラズマは、さまざまなバルクプロセスと表面プロセス（電子放出上部電極１０８の内表面の高エネルギーイオン衝撃を含む）によってチャンバ１００で生成し得る。上部電極１０８のイオン衝撃エネルギー及びプラズマ密度は、高周波電力発生器１２０及び１２２の両方の作用による。上部電極１０８のイオン衝撃エネルギーは、高周波電力発生器１２２からの低周波電力により実質的に制御され、チャンバ１００内のプラズマ密度は、高周波電力発生器１２０からのＶＨＦ電力により実質的に制御（強化）され得る。エネルギーの高い二次電子は、上部電極１０８の内表面から放出され得る。放出面からの高エネルギー電子の束は、電子ビームを含む場合があり、上部電極１０８の内表面に実質的に垂直な方向、及び上部電極１０８のイオン衝撃エネルギーとほぼ同じビームエネルギー（通常、約１０ｅＶから５０００ｅＶの範囲）を有し得る。種々の処理の衝突断面積は、電子エネルギーに依存する。低エネルギーでは、励起（及び分子ガスの解離）の断面積はイオン化よりも大きくなるが、高エネルギーでは逆になる。高周波電力レベルを有益に選択して、様々な非弾性電子衝突処理を対象とし得る。
【００４６】
いくつかの実施例では、チャンバ１００内のプラズマ密度は、任意選択の高周波電力発生器１７４及びコイルアンテナ１７２からの高周波電力により実質的に制御（強化）され得る。
【００４７】
電子ビームの少なくとも一部は、電極表面の高エネルギーイオン衝撃により上部電極１０８から放出された二次電子束からなり、チャンバ１００を伝播し、ビームエネルギーとビーム束に依存するプラズマ密度を有する低電子温度プラズマを生成する。また、このプラズマ密度は、圧力やガス組成などの他の要因にも同様に依存する。電子ビームは、電極１０８の表面とワークピースの表面の両方に実質的に垂直なビーム伝播方向を有する。高エネルギービーム電子は、ワークピース１１１又はワークピース支持台座１１０にも衝突する可能性がある。残されたプラズマは、電子ビーム束によって生じるいかなる表面電荷をも直ちに放電させる場合がある。
【００４８】
図１には、上部電極１０８とワークピース支持面１１０ａとの間にグリッドフィルター又は同様の障壁はない。しかしながら、上部電極１０８とワークピース支持表面１１０ａとの間の距離により、チャンバ１００を垂直に通るプラズマの温度勾配を確立し得る。特に、距離（及び磁石やコイルアンテナの位置などの他のチャンバ構成のフィーチャー）を、例えば約５ｃｍ以上のように十分に大きくすることで、プラズマは、上部電極１０８の近くの領域、例えばチャンバ１００の上部１００ａで、上部電極１０８から二次電子束を生成できるほど十分に高温になり、他方、ワークピース１１１の近くの領域、例えば下部１００ｂでは、低温プラズマ処理に適合するように十分に冷却され得る。加えて、上部電極１０８とワークピース支持面１１０ａとの間の距離を十分に大きくすることで、ワークピースに到達する二次電子の角度分布を制限し、それでも「ビーム」と見なし得るようになる。
【００４９】
電子ビームに実質的に平行で、かつ実質的に軸方向に向けられた磁場を任意選択で用いて、電子ビームの誘導を支援し、チャンバ１００を通るビーム輸送を改善し得る。低周波数バイアス電圧又は低繰り返し周波数の任意波形を、ワークピース支持台座１１０の上又は中にある下部電極１１４に印加してもよい。下部電極１１４は、ワークピース電極３０４によって提供され得るか、又は台座１１０の中又は上にある別個の電極であり得る。低周波バイアスの電圧又は波形は、プラズマから正又は負のイオンを選択的に又は交互に抽出し、それらのイオンを所望のエネルギーレベルで加速して、エッチング、クリーニング、堆積、又は他の材料改質のためにワークピース１１１の表面に衝撃を与え得る。
【００５０】
いくつかの実施例では、高周波バイアス電力発生器１４２は、インピーダンス整合器１４４を介してワークピース支持台座１１０のワークピース電極３０４に接続される。
【００５１】
いくつかの実施例では、磁石１６０がチャンバ１００を取り囲んでいる。磁石は、チャンバ１００の上部チャンバ部分１００ａ及び下部チャンバ部分１００ｂにそれぞれ隣接する一対の磁石１６０−１、１６０−２を備え得る。一対の磁石１６０−１、１６０−２は、電子ビームを閉じ込めるのに適した軸方向磁場を提供しており、この閉じ込められた電子ビームは、上部チャンバ部分１００ａから下部チャンバ部分１００ｂへ伝播している。
【００５２】
いくつかの実施例では、チャンバ１００を覗く側壁１０２の横窓１７０は、これを通過して高周波電力を誘導結合し得る材料（例えば、石英又は酸化アルミニウム）で形成される。誘導コイルアンテナ１７２は、横窓１７０を囲み、インピーダンス整合器１７６を介して高周波電力発生器１７４によって駆動される。図示のように、横窓１７０を、例えば、チャンバ１００の上部２５％内のように、ワークピース支持面１１０ａよりも上部電極１０８に著しく接近させ得る。遠隔プラズマ源２８０は、プラズマ種を下部チャンバ１００ｂに導入してもよい。
【００５３】
いくつかの実施例では、天井１０６内部の熱伝導性の液体又は媒体を導くための内部流路１７８を、熱媒体循環供給部１８０に接続している。熱媒体循環供給部１８０は、ヒートシンク又は熱源として機能する。電極１０８と天井１０６との間の機械的接触は、電極１０８と天井１０６との間の高い熱伝導性を維持するのに十分である。図１の実施形態では、機械的接触の力は、ＤＣチャッキング電圧源１５４によって提供される静電押し付け力によって調整される。
【００５４】
別の代替となる実施形態では、高周波駆動コイルアンテナ２９０を、天井１０６の上に設けてもよい。
【００５５】
マスターコントローラ１２８（例えば、汎用プログラマブルコンピュータ）が、プラズマリアクタの様々な構成要素の一部又はすべてに接続され、それらを制御するように動作可能になっている。それらの構成要素とは、例えば、高周波電源１２０、１２２、１４２、１５４、１７４、３５０、ポンプ及び弁１３２、１３６、１４０、３２０、アクチュエータ１１２、並びに循環供給部１８０、３１０である。
【００５６】
図２は、図１の実施形態の変形を示している。ここで、（高周波発生器１２０からの）高周波電力と（高周波発生器１２２からの）低周波域高周波電力は、別々の経路を通って電極１０８に配電される。図２の実施形態では、高周波発生器１２０は、電極１０８の縁部の上にある折り曲げ構造共振器１９５を通って電極１０８に接続されている。低周波域高周波発生器１２２は、高周波インピーダンス整合器１９４を通り、高周波給電導体１２３を介して電極１０８に接続される。ＤＣチャッキング電圧源１５４は、天井１０６の通路を通って延びる給電導体１５５を介してチャッキング電極１５２に接続される。
【００５７】
いくつかの処理では、炭化水素ガスがチャンバ１００に供給され、高周波電力が電極１０８に印加され、任意選択で、高周波電力がコイルアンテナ１７２に印加され、任意選択で、ＲＰＳ電力がリモートプラズマ源（ＲＰＳ）２８０に印加される。任意選択で、不活性ガスもチャンバに供給し得る。上部チャンバ１００でプラズマが生成され、電極１０８に接地及びプラズマに対する加速電圧が発生する。結果として生じる電極１０８の高エネルギーイオン衝撃は、電極表面から二次電子を放出させ、この二次電子放出は電極表面からの電子ビーム束を構成する。この電子ビーム束は、炭化水素ガスのイオン化を増進する電子ビームを提供する。
【００５８】
いくつかの処理では、不活性ガスがチャンバ１００に供給され、高周波電力が電極１０８に印加され、任意選択で、高周波電力がコイルアンテナ１７２に印加され、任意選択で、ＲＰＳ電力がリモートプラズマ源（ＲＰＳ）２８０に印加される。上部チャンバ１００でプラズマが生成され、電極１０８に接地及びプラズマに対する加速電圧が発生する。結果として生じる電極１０８の高エネルギーイオン衝撃は、電極表面から二次電子を放出させ、この二次電子放出は電極表面からの電子ビーム束を構成する。この電子ビーム束は、ワークピースの表面に衝突する電子ビームを提供する。
【００５９】
上記の電子ビームプラズマリアクタのいずれかを使用して、電子ビームプラズマリアクタでワークピースを処理する次の方法を実行してもよい。
【００６０】
ここで、図３を参照する。ガスをチャンバ１００に供給する（６１０）。以下で説明するように、そのガスを、炭化水素ガス及び／又は不活性ガスとし得るが、それは処理、例えば堆積又は「養生」に依存する。高周波電力を上部電極１０８に印加して、ビーム電子を含むプラズマを生成する（６２０）。ビーム電子は、電極１０８の表面とワークピース１１１の表面の両方に実質的に垂直なビーム伝播方向を有する電子ビームを提供する。この方法は、任意選択で、下部電極１１４に高周波電力を印加する工程を含み得る（６３０）。この方法は、バイアス電圧をワークピース１１１に印加する工程をさらに含み得る（６４０）。
【００６１】
ガスに炭化水素が含まれる場合、上部電極１０８に印加される高周波電力は、炭化水素ガスをイオン化し、解離させ得る。下部電極に印加される高周波電力は炭化水素イオンを加速して、成長中の膜に注入し得るが、炭化水素ガスをイオン化し、解離させることもできる。加えて、ビーム電子も炭化水素ガスをイオン化して解離させ得る。
【００６２】
ガスが純粋に不活性である場合、ビーム電子は、不活性ガスをイオン化し、解離させ得て、及びワークピースを通過し、衝突し得る。
【００６３】
コントローラ（例えばコントローラ１２６及び／又は１２８）は、デジタル電子回路、若しくはコンピュータソフトウェア、ファームウェア、又はハードウェア、若しくはそれらの組み合わせで実行され得る。コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラム製品、すなわち、情報キャリア（例えば、非一時的なマシン可読記憶媒体又は伝播信号）内に実際に具現化される１つ以上のコンピュータプログラムを含み得て、データ処理装置（例えば、プログラム可能なプロセッサ、コンピュータ又は複数のプロセッサ、若しくは諸コンピュータ）により実行する、又はその動作を制御する。コンピュータプログラム（プログラム、ソフトウェア、ソフトウェアアプリケーション又はコードとしても知られている）を、コンパイル又は翻訳された言語を含む任意の形式のプログラミング言語で記述し、独立型プログラムとして、若しくはモジュール、コンポーネント、サブルーチン、又は計算環境での使用に適した他のユニットとして配置することを含め、任意の形で配置し得る。コンピュータプログラムを、１つのコンピュータ又は１つのサイトの複数のコンピュータで実行するように配置することも、複数のサイトに分散させて、通信ネットワークで相互接続することもできる。
【００６４】
本明細書に記載の処理及び論理の流れは、１つ以上のコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプログラム可能なプロセッサによって実行され、入力データに対して動作し、出力を生成することによって諸機能を実行する。処理及び論理の流れはまた、例えばＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）又はＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）である専用論理回路によって実施することができ、この専用論理回路として装置を実装することもできる。
【００６５】
例えば、コントローラ１２８をプログラムして、制御信号を生成し、この制御信号により、プラズマリアクタの構成要素に、以下に説明する処理を実行させ得る。
【００６６】
（ダイヤモンドライクカーボンの堆積又は処理）
図１又は図２のリアクタを使用して、ダイヤモンドライクカーボンの膜の堆積又は処理を実行してもよい。一実施例では、ワークピース１１１は、半導体バルク層（例えば、単結晶シリコン）を備えており、その上にダイヤモンドライクカーボンの膜が堆積される。
【００６７】
ダイヤモンドライクカーボンの堆積処理では、原料ガスが、ガス供給部１３８によりチャンバ１００に供給される。原料ガスは、少なくともＣ２Ｈ２、ＣＨ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ６、ノルボルナジエンなどの炭化水素化合物を含む。
【００６８】
また、不活性ガス（例えば、アルゴン又はヘリウム）をチャンバ１００に供給し得る。不活性ガスを使用して、原料ガスを希釈し得る。すなわち、これにより、プラズマ密度を高め得る。不活性ガスを、チャンバ１００に供給する前に原料ガスと混合し得る、又は不活性ガスを、別個のノズル１３０、１３４によって供給して、チャンバ内で混合し得る。いくつかの実施例では、ガス供給部により、２〜１００ｍＴｏｒｒの総圧力（原料と不活性ガス）を確立し得る。
【００６９】
第１周波数で高周波電力が上部電極１０８に印加される。第１周波数は、一般に「低周波数」、例えば１００ｋＨｚから２７ＭＨｚである。第１周波数は、１３ＭＨｚ未満であり得て、例えば、第１周波数は２ＭＨｚであり得る。
【００７０】
第２周波数でも高周波電力が下部電極１１４に印加される。第２周波数は、一般に「低周波数」、例えば１００ｋＨｚから２７ＭＨｚである。いくつかの実施例では、第１周波数と第２周波数は同じ周波数であってもよい。いくつかの実施例では、第２周波数は第１周波数よりも高周波数である。例えば、第２周波数は２ＭＨｚより高い周波数であってもよく、例えば、第２周波数は約１３ＭＨｚであってもよい。
【００７１】
上部電極１０８に高周波電力を印加することで、チャンバ１００内でプラズマが点火する。プラズマが存在するだけで、炭化水素イオン（及び不活性ガスのイオン）がいくらか生成され、これをワークピースに堆積させて、ダイヤモンドライクカーボン膜を成長させ得る。
【００７２】
加えて、電極１０８には、シース加速イオンから衝撃が加えられ、その結果、電極１０８は二次電子を放出する。二次電子は、プラズマシース電圧によって数百から数千電子ボルトのオーダーのエネルギーに加速され、こうして、ワークピース１１１に向かって伝播する上部電極１０８からの二次電子ビームが提供される。
【００７３】
特定の理論に限定されることなく、二次電子ビームの一部は、チャンバ１００内の炭化水素原料ガスをイオン化し、こうして、プラズマ内の炭化水素イオン密度が増加し得る。プラズマ中の炭化水素イオンは、下部電極１１４に印加されるバイアス電力によってワークピース１１１に向かって加速され得る。これにより、堆積中のダイヤモンドライクカーボン膜に炭化水素イオンを注入し、こうして、膜密度を増加させ得る。事実上、膜をイオン注入方式で成長させ得る。
【００７４】
やはり特定の理論に限定されることなく、この処理技術では、従来のプラズマと比較して、低エネルギー電子に対する高エネルギー電子の比率が高くなり、電極は高周波電磁界によって加熱されて、背景ガスを解離させ、かつイオン化させる。したがって、この処理技術は、従来のプラズマと比較してイオン−中性種比を増加させ得る。
【００７５】
この堆積処理は、比較的低い温度、例えば１０〜６０℃のワークピースを用いて実行し得る。その結果、ワークピース１１１を支持する台座１１０を加熱する必要はない。いくつかの実施例では、台座１１０は冷却される。冷却ガス（例えば、ヘリウム）は、台座１１０とワークピース１１１の背面との間を流れて、ワークピース１１１と台座１１０との間の熱伝達を改善し得る。ワークピース１１１を、台座１１０に静電的に押し付け得る。それは、例えば、チャッキング電圧を電極３０４に印加することで可能になる。
【００７６】
堆積処理は、例えば５〜１００秒間、続き得る。上記の指針に従って適切な電力レベル及びその他の処理条件を選択することで、６μｍ／ｈを超える堆積速度が得られる。加えて、結果として得られるダイヤモンドライクカーボンの膜は、２ｇ／ｃｍ３を超える密度を有し得る。
【００７７】
堆積のために、電極１０８を炭素で形成し得る。二次電子ビームの生成に加えて、スパッタされた炭素原子もワークピースに再堆積し得るので、炭化水素プラズマＤＬＣ堆積に寄与することになる。スパッタされた炭素原子には水素原子が結合していないため、このスパッタリング堆積成分は、膜密度を高める傾向がある。したがって、炭素電極を使用して、膜密度を高め、膜応力を調整し得る。
【００７８】
ダイヤモンドライクカーボン膜の「養生」処理は、基板上に既に形成されたダイヤモンドライクカーボンの膜から始まる。ダイヤモンドライクカーボンの膜は、上記の処理に従って、又は別の処理によって形成し得る。加えて、ダイヤモンドライクカーボン膜は、ダイヤモンドライクカーボン膜の堆積に使用したのと同じチャンバ内、又は別のチャンバ内で養生させ得る。同じチャンバ内で養生させる場合には、堆積工程と養生工程の間でワークピースをチャンバから取り出す必要はない。
【００７９】
「養生」処理では、不活性ガス（例えば、アルゴン又はヘリウム）がチャンバ１００に供給される（この処理では原料ガスは供給されない）。ガス供給部により、１０〜２００ｍＴｏｒｒの圧力を確立し得る。
【００８０】
上述のように、高周波電力を上部電極１０８及び下部電極１１４に供給する。いくつかの実施例では、養生に使用する周波数を、堆積に使用する周波数と同じにしてもよい。いくつかの実施例では、養生に使用する周波数は、堆積に使用する周波数とは異なる。その周波数を、１００ｋＨｚから８０ＭＨｚの範囲としてもよい。
【００８１】
ワークピースを、例えば２秒から５分間、これらの条件下に置き得る。
【００８２】
特定の理論に限定されることなく、二次電子ビームの一部は、不活性ガスのプラズマを通過し、ワークピース１１１上の層に直接衝突し得る。これらの電子は、層から水素を追い出し、ダングリングボンドを減らし、架橋を増加させ得る。その結果、堆積層の応力を低減し得る。
【００８３】
ダイヤモンドライクカーボン膜の「養生」の代替処理では、上記の処理のように、例えば不活性ガスのプラズマを使用して実行されるが、上部電極１０８及び下部電極１１４に印加される電力及び周波数は、二次電子ビームを生成しないものである。したがって、ワークピースは単に不活性ガスのプラズマに曝される。
【００８４】
いくつかの実施例では、ダイヤモンドライクカーボンの膜は、堆積処理と「養生」処理を交互に繰り返すことで成長し得る。同じチャンバを両方の処理に使用し得る。すなわち、各処理の間に、ワークピースを取り出す必要はない。例えば、ダイヤモンドライクカーボンの最初の層を堆積させた後、原料ガスをチャンバ１００から排気し、不活性ガスでチャンバ１００を再充満させ得る。次に、この不活性ガスを使用して「養生」処理を実行する。養生処理の後、原料ガスがチャンバ１００に再導入され、堆積処理が繰り返されて、最初の層の上にダイヤモンドライクカーボンの別の層を形成する。次に、ダイヤモンドライクカーボンの第２層に「養生」処理を施し得る。図４を参照する。堆積工程（６５０）及び「養生」工程（６６０）を繰り返す（６７０）ことで、連続した層をワークピースに堆積させて処理し、ついには、所望の厚さの膜を形成する。
【００８５】
いくつかの実施例では、複数の周波数でバイアス電力を同時に同じ電極（例えば、下部電極１１４）に印加し得る。複数の周波数でバイアス電力を使用すると、膜密度が向上し、膜応力が軽減される。低周波域高周波電力は、イオン衝撃エネルギーを高めることができ、高周波域高周波電力を同時に印加することで、イオン束を増加させ得る。各周波数は、１００ｋＨｚから８０ＭＨｚの範囲とし得る。低い方の周波数を２ＭＨｚ以下とし、他方、高い方の周波数は２ＭＨｚを超えてもよい。例えば、２ＭＨｚと１３ＭＨｚ、又は４００ｋＨｚと１３ＭＨｚなどの組み合わせを下部電極１１４に適用し得る。加えて、３つ以上の周波数を適用し得る。
【００８６】
上記は様々な実施例を対象にしているが、以下の特許請求の範囲内にある他の諸実施例を創作することができる。
【図１】
2020514554.tif 000003
【図２】
2020514554.tif 000004
【図３】
2020514554.tif 000005
【図４】
2020514554.tif 000006
【国際調査報告】
2020514554.tif 000007
2020514554.tif 000008