(57)【要約】  イオン注入システムのための加熱チャックは、クランプ面を選択的に加熱するためのヒーターを有するキャリアプレートにワークピースを選択的にクランプする。加熱チャックのベースプレートとキャリアプレートとの間のギャップは、伝熱媒体を含む。冷却流体源は、ベースプレート内の冷却チャネルに結合される。コントローラは、加熱されたチャックを第１のモードおよび第２のモードで動作させる。第１のモードでは、コントローラは、ヒーターを作動させず、冷却チャネルを通って冷却流体を流し、ここで、熱は、伝熱媒体を通って冷却流体に伝達される。第２のモードでは、コントローラは、ヒーターを作動させ、任意選択で、冷却チャネルから冷却流体をパージするか、そうでなければ、その冷却能力を変更する。第１および第２のモードにおける熱伝達をさらに制御するために、ギャップ内にガスを選択的に供給することができる。
2020514973.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピース処理システムであって、
ワークピースにイオンを注入するように構成されたイオン注入システムと、
前記ワークピースを選択的にクランプするように構成された、処理チャンバ内に配置された加熱チャックと、
冷却流体源と、
前記イオン注入システムを第１のモードおよび第２のモードのうちの一方で選択的に動作させるように構成されたコントローラと、
を備えており、
前記加熱チャックは、
前記ワークピースをクランプするためのクランプ面を有し、前記クランプ面を選択的に加熱するように構成された１つ以上のヒーターが埋め込まれたキャリアプレートと、
前記キャリアプレートに動作可能に結合されたベースプレートであって、当該ベースプレートと前記キャリアプレートとの間にはギャップが設けられており、１つ以上の冷却チャネルが当該ベースプレートに規定されたベースプレートと、
前記ギャップ内に配置された伝熱媒体と、
を有しており、
前記冷却流体源は、前記冷却チャネルに選択的に動作可能に結合されており、
前記コントローラは、
前記第１のモードでは、前記１つ以上のヒーターを作動させず前記冷却チャネルを通じて冷却流体が流れるように制御して、熱を、前記キャリアプレートと前記ベースプレートとの間の前記伝熱媒体を通じて伝達させることにより、前記冷却流体まで伝達させ、
前記第２のモードでは、前記１つ以上のヒーターを所定の温度まで加熱させる、
ワークピース処理システム。
【請求項２】
ガス源と、真空源とを、さらに備えており、
前記伝熱媒体は、ガスを含み、
前記コントローラは、
前記第１のモードでは、前記ガス源を制御して前記ガス源から前記ギャップに所定の圧力で前記ガスを選択的に供給することにより、前記キャリアプレートを前記ベースプレートに選択的に熱的に結合させ、
前記第２のモードでは、前記真空源を制御して前記ギャップを選択的に排気することにより、前記キャリアプレートを前記ベースプレートから選択的に熱的に絶縁させる、
請求項１に記載のワークピース処理システム。
【請求項３】
前記第２のモードでは、前記冷却チャネルから前記冷却流体をパージすることをさらに含む、請求項２に記載のワークピース処理システム。
【請求項４】
前記ギャップは、約１０ミクロンである、請求項１に記載のワークピース処理システム。
【請求項５】
前記伝熱媒体が、前記キャリアプレートと前記ベースプレートとの間で熱を伝達するように構成された、ゲル、可撓性材料、およびペーストのうちの１つ以上を含む、請求項１に記載のワークピース処理システム。
【請求項６】
前記加熱チャックは、前記ワークピースを所定の処理温度に加熱する、請求項１に記載のワークピース処理システム。
【請求項７】
前記所定の処理温度は、約１００℃〜約２００℃の範囲である、請求項６に記載のワークピース処理システム。
【請求項８】
予熱ステーションおよび後冷却ステーションのうちの１つ以上をさらに含む、請求項１に記載のワークピース処理システム。
【請求項９】
複数のモードにおいてワークピースにイオンを注入する方法であって、
第１のモードおよび第２のモードのうちの一方でイオン注入システムの加熱チャックを選択的に動作させ、
前記第１のモードでは、前記加熱チャック内の１つ以上のヒーターを作動させず、冷却流体を前記加熱チャック内の冷却チャネルを通って流して、熱を、キャリアプレートと前記加熱チャックのベースプレートとの間のギャップ内に配置された伝熱媒体を通じて伝達させることにより、前記冷却流体まで伝達させて、
前記第２のモードでは、前記１つ以上のヒーターを所定の温度まで加熱させる、
方法。
【請求項１０】
前記伝熱媒体は、ガスを含み、
前記第１のモードでは、前記ガスが所定の圧力で前記ギャップに供給されることにより、前記キャリアプレートを前記ベースプレートに熱的に結合させ、
前記第２のモードでは、前記ギャップが排気されることにより、前記キャリアプレートを前記ベースプレートから概ね熱的に絶縁する、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２のモードでは、前記冷却チャネルから前記冷却流体をパージすることをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ギャップが約１０ミクロンである、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記伝熱媒体が、前記キャリアプレートと前記ベースプレートとの間で熱を伝達するように構成された、ゲル、可撓性材料、およびペーストのうちの１つ以上を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記加熱チャックは、前記ワークピースを所定の処理温度に加熱する、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記所定の温度は、前記第１のモードではほぼ室温であり、前記第２のモードでは約１００℃〜約２００℃の範囲である、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記ワークピースにイオン注入を行うことをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
イオン注入の前に前記ワークピースを予熱すること、および、イオン注入の後に前記ワークピースを後冷却すること、のうちの１つ以上をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ワークピースを前記加熱チャックのクランプ面に静電的にクランプすることをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１９】
イオン注入システム用の加熱チャックであって、
キャリアプレートと、
内部に冷却チャネルが規定されたベースプレートと、
１つ以上のヒーターと、
を備え、
前記ベースプレートは、前記キャリアプレートと動作可能に結合され、前記キャリアプレートと前記ベースプレートとの間にはギャップが規定され、前記ギャップ内には伝熱媒体が選択的に提供され、
前記加熱チャックは、第１のモードおよび第２のモードで選択的に動作可能であるように構成され、
前記第１のモードでは、前記１つ以上のヒーターは作動せず、冷却流体が前記ベースプレート内の前記冷却チャネルを通って流れ、熱が、前記キャリアプレートと前記ベースプレートとの間の前記伝熱媒体を通じて伝達され、
前記第２のモードでは、前記１つ以上のヒーターが所定の温度まで加熱させられる、
加熱チャック。
【請求項２０】
請求項１９に記載のイオン注入システムであって、
前記冷却チャネルに選択的に動作可能に結合された冷却流体源と、
前記１つ以上のヒーター、前記冷却流体源、および前記伝熱媒体を制御して、前記第１のモードおよび前記第２のモードにおける前記加熱チャックの動作を選択的に制御するコントローラと、
をさらに備えている、イオン注入システム。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔関連出願の参照〕
本出願は、その内容全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０１７年１月１０日に出願された「イオン注入システムのためのワークピースの能動的な加熱または冷却」という名称の米国仮出願第６２／４４４，６２０号の利益を主張する。
【０００２】
〔本発明の分野〕
本開示は、概して、ワークピースを処理するためのワークピース処理システムおよび方法に関し、より具体的には、イオン注入システムにおいて同じ静電チャックを利用して、複数のモードでワークピースの温度を制御するためのシステムおよび方法に関する。
【０００３】
〔本発明の背景〕
半導体処理では、イオン注入のような多くの操作が、ワークピースまたは半導体ウェハ上で実行されてもよい。イオン注入処理技術が進歩するにつれて、ワークピースにおける様々なイオン注入温度を実施して、ワークピースにおける様々な注入特性を達成することができる。例えば、従来のイオン注入処理では、３つの温度レジーム、すなわち、ワークピースにおける処理温度が室温より低い温度に維持されるコールドインプラント、ワークピースにおける処理温度が典型的には１００〜６００℃の範囲の高温に維持されるホットインプラント、および、ワークピースにおける処理温度が室温よりわずかに高いが、高温インプラントにおいて使用される温度より低い温度に維持され、準室温インプラント温度が典型的には５０〜１００℃の範囲である、いわゆる準室温インプラントが典型的に考慮される。
【０００４】
例えば、ホット注入は、より一般的になりつつあり、それによって、処理温度は、典型的には、加熱チャックとも呼ばれる専用の高温静電チャック（ＥＳＣ：electrostatic chuck）を介して達成される。加熱チャックは、注入中にワークピースをその表面に保持またはクランプする。従来の高温ＥＳＣは、例えば、ＥＳＣおよびワークピースを処理温度（例えば、１００℃〜６００℃）に加熱するためにクランプ表面の下に埋め込まれた一組のヒーターを含み、それによって、気体界面は、従来、クランプ表面からワークピースの裏側への熱界面を提供する。典型的には、高温ＥＳＣは、バックグラウンド内のチャンバ表面へのエネルギーの放射によって冷却される。
【０００５】
また、冷却イオン注入処理も一般的であり、従来は、室温のワークピースが冷却チャック上に配置され、冷却チャックが冷却温度（例えば、室温より低い温度）に冷却され、それによってワークピースが冷却される。冷却チャックを冷却することは、イオン注入からワークピースに与えられる熱エネルギーの除去を提供し、一方、冷却されたチャックを通る熱の除去を介して、注入の間、チャックおよびワークピースを冷却された温度にさらに維持する。
【０００６】
イオン注入処理はまた、いわゆる「準室温」（例えば、５０〜６０℃など、室温よりわずかに高いが、高温イオン注入処理ほど高くない温度）で実行され、それによって、低熱チャック（例えば、１００℃未満の温度に加熱するように構成されたチャック）が、従来、注入中にワークピースの温度を制御するために使用されてきた。
【０００７】
典型的には、高温ＥＳＣ（例えば、加熱チャック）は、少なくとも部分的に、その中のヒーターの構成、およびインプラントの温度を制御するための制御機構に起因して、所望の処理が高温処理（例えば、１００℃〜６００℃）から準室温処理（例えば、＜１００℃）に変更される場合に問題を提起するので、高温インプラントにのみ利用される。したがって、高温インプラントから準室温インプラントに変更する場合、加熱チャックは低熱チャックに置き換えられ、それによって、加熱チャックおよび低熱チャックは、所望の処理温度のために特別に設計された異なる熱伝達能力を有する。
【０００８】
〔発明の概要〕
本発明は、単一の加熱された静電チャック上にワークピースを注入するためのシステムおよび方法を提供することによって、従来技術の制限を克服し、それによって、システムおよび方法は、加熱された静電チャックを物理的に変更することなく、高温および準室温の両方の注入のための構成を提供する。
【０００９】
したがって、以下は、本発明のいくつかの態様の基本的な理解を提供するために、本発明の簡略化された概要を提示する。この要約は、本発明の広い概観ではない。これは、本発明の重要な素子を識別しかつ正確に概説するものでもない。この目的は、後に記載する詳細な説明の序文として、本発明のいくつかの概念を単純化した形で示すことにある。
【００１０】
本発明は、概して、ワークピースにイオンを注入するように構成されたイオン注入システムに関する。例えば、加熱チャックは、処理チャンバ内に配置され、加熱チャックは、ワークピースをそのクランプ面に選択的にクランプするように構成される。加熱チャックは、例えば、ワークピースをクランプするためのクランプ面を有するキャリアプレートを備える。キャリアプレートは、その中に埋め込まれているかそれと共にある１つ以上のヒーターを有し、１つ以上のヒーターは、クランプ表面を選択的に加熱するように構成される。ベースプレートは、キャリアプレートに動作可能に結合され、ベースプレートとキャリアプレートとの間にギャップが提供される。１つまたは複数の冷却チャネルが、ベースプレート内にさらに規定される。伝熱媒体が、ギャップ内にさらに選択的に配置される。一例によれば、冷却流体源は、冷却チャネルにさらに選択的に動作可能に結合される。
【００１１】
例えば、コントローラは、第１のモード及び第２のモードのうちの１つでイオン注入システムを選択的に動作させるように構成される。第１のモードでは、コントローラは、１つ以上のヒーターを作動させず、冷却チャネルを通って冷却流体を流すように構成される。したがって、熱は、キャリアプレートとベースプレートとの間の伝熱媒体を通って伝達され、その中で熱を冷却流体に伝達する。第２のモードでは、コントローラは、１つ以上のヒーターを所定の温度まで作動させ、任意選択で冷却チャネルから冷却流体をパージするように構成される。
【００１２】
一例によれば、伝熱媒体がガスを含む、ガスおよび真空（バキューム）源がさらに提供される。コントローラは、例えば、ガスおよび真空源の制御を介して、第１のモードで所定の圧力でギャップにガスを選択的に供給するようにさらに構成される。したがって、キャリアプレートは、ベースプレートに選択的に熱的に結合される。コントローラは、例えば、第２のモードにおけるガスおよび真空源の制御を介してギャップを選択的に排気し、その中でキャリアプレートをベースプレートから選択的に熱的に隔離するようにさらに構成される。１つ以上の例では、前記所定の圧力とは約５Ｔｏｒｒであり、前記ギャップは約１０ミクロンである。
【００１３】
別の例によれば、伝熱媒体は、キャリアプレートとベースプレートとの間で熱を伝達するように構成されたゲル、可撓性材料、およびペーストのうちの１つまたは複数を含む。別の例では、加熱チャックは、処理温度が約１００℃〜約２００℃の範囲などの所定の処理温度までワークピースを加熱するように構成される。さらに別の例では、システムは、チャック上に配置される前または後にワークピースを予熱または後冷却するための予熱ステーションおよび後冷却ステーションのうちの１つ以上備える。
【００１４】
本開示の別の模範的な態様によれば、キャリアプレートと、冷却チャネルが中に規定されたベースプレートとを備える加熱チャックが提供される。ベースプレートは、キャリアプレートに動作可能に結合され、キャリアプレートとベースプレートとの間にギャップが規定され、ギャップ内に伝熱媒体が選択的に提供される。加熱チャックが、第１のモードおよび第２のモードで選択的に動作可能である、１つまたは複数がさらに提供される。第１のモードでは、１つ以上のヒーターは作動せず、冷却流体は、ベースプレート内の冷却チャネルを通って流れ、熱は、キャリアプレートとベースプレートとの間の伝熱媒体を通って伝達される。第２のモードでは、１つ以上のヒーターが所定の温度まで作動され、冷却流体を任意選択で冷却チャネルからパージすることができる。
【００１５】
一例では、冷却流体の供給源が、冷却チャネルに選択的に動作可能に結合されている。また、コントローラは、１つ以上のヒーター、冷却流体の供給源、および伝熱媒体の制御を介して、第１のモードおよび第２のモードで加熱チャックの動作を選択的に制御するように構成される。
【００１６】
本開示のさらに別の模範的な態様によれば、複数のモードでワークピースにイオンを注入する方法が提供される。この方法は、イオン注入システムの加熱チャックを第１のモードおよび第２のモードのうちの一方で選択的に動作させることを含む。この方法は、例えば、ワークピースを加熱チャックのクランプ面に静電的にクランプすることを含む。第１のモードでは、コントローラは、加熱チャック内の１つ以上のヒーターを停止させ、加熱チャック内の冷却チャネルを通して冷却流体を流す。第１のモードでは、熱は、キャリアプレートとチャックのベースプレートとの間のギャップに配置された伝熱媒体を介して伝達され、その中で熱を冷却流体に伝達する。第２のモードでは、１つ以上のヒーターが所定の温度まで作動され、冷却流体を冷却チャネルからパージすることができる。
【００１７】
一例では、伝熱媒体はガスを含み、第１のモードでは、ガスは所定の圧力でギャップに供給され、その中でキャリアプレートをベースプレートに熱的に結合する。第２のモードでは、ギャップは排気され、その中で一般にキャリアプレートをベースプレートから熱的に隔離する。例えば、加熱チャックは、ワークピースを所定の処理温度に加熱し、処理温度は、第１のモードではほぼ室温であり、第２のモードではほぼ１００℃からほぼ２００℃の範囲である。
【００１８】
さらに別の例では、この方法は、ワークピースにイオン注入を行うことをさらに含む。注入前にワークピースを予熱すること、および注入後にワークピースを後冷却することのうちの１つまたは複数をさらに実行することができる。
【００１９】
前述の及びこれに関連した目的を達成するために、本発明は、以下に詳細に記載されかつ特許請求項の範囲に特に示された特徴を含んでいる。以下の記載及び添付の図面は、本発明の例示的な実施形態を詳細に示している。しかし、これらの実施形態は、本発明の原理を用いる種々の方法の一部を示しているにすぎない。本発明の他の目的、利点及び新規な特徴は、図面を参照して、本発明の詳細な記載から明らかになるであろう。
【００２０】
〔図面の簡単な説明〕
図１は、本開示の一態様による例示的な加熱イオン注入システムのブロック図を示す。
【００２１】
図２は、本開示の一態様によるＥＳＣのクランプ面の上面の斜視図である。
【００２２】
図３は、本開示の一態様によるＥＳＣの底部の斜視図である。
【００２３】
図４Ａは、本開示の一態様によるＥＳＣの部分断面斜視図である。
【００２４】
図４Ｂは、本開示の一態様によるＥＳＣの部分側面図である。
【００２５】
図５は、本開示の別の模範的な態様による、ワークピースの室温イオン注入のための例示的な方法を示すブロック図である。
【００２６】
図６は、本開示の別の模範的な態様による、ワークピースの加熱イオン注入のための例示的な方法を示すブロック図である。
【００２７】
図７は、別の態様による例示的な制御システムを示すブロック図である。
【００２８】
〔本発明の詳細な説明〕
本発明は、一般に、イオン注入システムに関し、より詳細には、高温および準室温の両方の注入のために構成されたイオン注入システムおよびチャックに関する。したがって、本発明は、図面を参照して説明され、全体を通して、同様の参照番号は、同様の要素を指すために使用されてもよい。これらの態様の説明は、単に例示的なものであり、限定的な意味で解釈されるべきではないことを理解されたい。以下の説明では、説明目的のために、本発明の完全な理解を提供すべく、様々な特定の詳細が記載されている。当業者であれば、本発明は、これらの特定物でなくても実施できることが明らかであろう。
【００２９】
加熱イオン注入処理は、１００℃〜２００℃の範囲の処理温度までワークピースを加熱することができる。処理温度は、例えば、部分的には、注入中にワークピースを支持する静電チャックで達成され、維持される。所有コストを低減するために、本開示は、加熱注入を行うことができるだけでなく、約１００℃未満の温度を維持する周囲（室温）温度で開始するワークピースを注入することができるイオン注入装置を提供する。これを達成するために、ワークピースの能動的な冷却も、この動作モードのために提供される。本開示は、ハードウェアに対する物理的な変更なしに、ワークピースの加熱と冷却との間の動作モードを迅速に変更することができるシステムを提供する。
【００３０】
さらに、静電チャック（ＥＳＣ）上でワークピースを加熱し、続いてワークピースを処理するシステムは、ワークピースのスループットに著しい影響を与え、所有コストが低くなる。Ａｘｃｅｌｉｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  ｏｆ  Ｂｅｖｅｒｌｙ、ＭＡは、ワークピースがＥＳＣに移送されて引き渡される前に、ワークピース温度をインプラント温度（例えば、約１００℃〜約２００℃の範囲）まで上昇させる予熱ステーションを設計している。それによってＥＳＣは、所望の注入処理に基づいて所望のインプラント温度に維持される。予熱ステーションは、第１のワークピースがＥＳＣ上で処理（例えば、注入）されている間に、後続のワークピースを加熱（例えば、予熱）することができるので、スループットに直接影響を及ぼすワークピースの平行（パラレル）な加熱の利点を追加する。さらに、加工中に使用される温度に比較的近い範囲の温度にワークピースを予熱することにより、熱膨張による粒子およびワークピースの損傷を発生させる危険性が大幅に軽減される。
【００３１】
したがって、本開示の一態様によれば、図１は、例示的なイオン注入システム１００を示す。本実施例におけるイオン注入システム１００は、例示的なイオン注入装置１０１を備えるが、プラズマ処理システムまたは他の半導体処理システムなど、様々な他のタイプの真空ベースの半導体処理システムも企図される。イオン注入装置１０１は、例えば、端末１０２と、ビームラインアセンブリ１０４と、エンドステーション１０６とを備えている。
【００３２】
一般的に言えば、端末１０２内のイオン源１０８は、電源１１０に結合されて、ドーパントガスを複数のイオンにイオン化し、イオンビーム１１２を形成する。本実施例におけるイオンビーム１１２は、質量分析装置１１４を通って、開口１１６からエンドステーション１０６に向かって導かれる。エンドステーション１０６では、イオンビーム１１２は、チャック１２０（例えば、静電チャック又はＥＳＣ）に選択的にクランプ又は取り付けられるワークピース１１８（例えば、シリコンウェハ、ディスプレイパネル等の基板）に衝突する。一旦、ワークピース１１８の格子に埋め込まれると、注入されたイオンは、ワークピースの物理的および／または化学的特性を変化させる。このため、イオン注入は、半導体デバイスの製造および金属仕上げ、ならびに材料科学研究における様々な用途に使用される。
【００３３】
本開示のイオンビーム１１２は、ペンシルビームまたはスポットビーム、リボンビーム、走査ビーム、またはイオンがエンドステーション１０６に向けられる任意の他の形態など、任意の形態をとることができ、そのような形態はすべて、本開示の範囲内に含まれると考えられる。
【００３４】
例示的な一態様によれば、エンドステーション１０６は、真空チャンバ１２４などの処理チャンバ１２２を備え、処理環境１２６が処理チャンバに関連付けられる。処理環境１２６は、一般に、処理チャンバ１２２内に存在し、一例では、処理チャンバに結合され、処理チャンバを実質的に排気するように構成された真空源１２８（例えば、真空ポンプ）によって生成される真空（バキューム）を備える。
【００３５】
一例では、イオン注入装置１０１は、高温イオン注入を提供するように構成され、ワークピース１１８は、処理温度（例えば、約１００〜６００℃）に加熱される。したがって、本例では、チャック１２０は、加熱チャック１３０を備え、加熱チャックは、ワークピース１１８を支持し、保持するように構成され、ワークピース１１８は、ワークピースにイオンビーム１１２が照射される前、その間、および／または後に、処理チャンバ１２２内でさらに加熱される。
【００３６】
加熱チャック１３０は、例えば、周囲又は外部環境１３２（例えば、「大気環境」とも呼ばれる）の周囲温度又は大気温度よりもかなり高い処理温度までワークピース１１８を加熱するように構成された静電チャック（ＥＳＣ）を含む。加熱システム１３４がさらに提供されてもよく、加熱システムは、加熱チャック１３０、次いで、その上に存在するワークピース１１８を所望の処理温度まで加熱するように構成される。加熱システム１３４は、例えば、加熱チャック１３０内に配置された１つ以上のヒーター１３６を介してワークピース１１８を選択的に加熱するように構成される。
【００３７】
いくつかの高温注入では、ワークピース１１８は、所望の温度に達するまで、処理環境１２６の真空内で加熱チャック１３０上に「浸漬」される。あるいは、イオン注入システム１００を通るサイクル時間を増加させるために、ワークピースは、予熱装置１５２を介して処理チャンバ１２２に動作可能に結合された１つ以上のチャンバ１３８Ａ、１３８Ｂ（例えば、１つ以上のロードロックチャンバ）内で予熱されてもよい。
【００３８】
ツールアーキテクチャ、処理、および所望のスループットに応じて、ワークピース１１８は、予熱装置１５２を介して第１の温度に予熱されてもよく、この場合、第１の温度は、処理温度以下であり、したがって、真空チャンバ１２４内の加熱チャック１３０上での最終的な熱均等化を可能にする。このようなシナリオにより、ワークピース１１８は、処理チャンバ１２２への移送中にいくらかの熱が失われ、処理温度への最終的な加熱は、加熱されたチャック１３０上で実行される。あるいは、ワークピース１１８は、予熱装置１５２を介して、処理温度よりも高い第１の温度に予熱されてもよい。したがって、第１の温度は、処理チャンバ１２２への移送中のワークピース１１８の冷却が、ワークピースが加熱されたチャック１３０上にクランプされるときに、ワークピースが所望の処理温度になるのにちょうど十分であるように最適化される。
【００３９】
１つ以上のチャンバ（例えば、図１のチャンバ１３８Ａに示す）に関連する予熱装置１５２は、ワークピースを処理チャンバ１２０の処理環境１２６の真空にする前に、外部環境１３２の大気圧でワークピース１１８を有利に加熱することができる。例えば、処理チャンバ１２０内にあるような高真空環境におけるワークピース１１８への熱伝達は、主として放射によって支配される。例えば、３００〜５００℃の間の温度における結晶シリコンの全半球放射率は、約０．２〜０．６の範囲であり、したがって、ワークピース１１８の低率の照射熱吸収のために、高速の熱過渡現象にはうまく役立たない。
【００４０】
熱ランプアップを加速し、熱伝達のための追加の機構を可能にするために、ワークピース１１８の裏側は、加熱チャック１３０と導通させられる。この導通は、加熱チャック１３０とワークピース１１８との間の圧力制御された気体界面（「裏側（バックサイド）ガス」とも呼ばれる）を介して達成される。裏側ガスの圧力は、例えば、一般に、加熱チャック１３０の静電力によって制限され、一般に、５〜２０Ｔｏｒｒの範囲に維持することができる。一例では、裏側ガス界面の厚さ（例えば、ワークピース１１８と加熱チャック１３０との間の距離）は、ミクロンのオーダー（典型的には５〜２０μｍ）に制御され、したがって、この圧力レジームにおける分子平均自由行程は、界面の厚さがシステムを遷移および分子ガスレジームに押し込むのに十分に大きくなる。
【００４１】
あるいは、予熱装置１５２は、処理環境１２６の真空圧でワークピース１１８を加熱してもよい。さらに別の代替形態では、予熱装置１５２は、１つまたは複数のチャンバ１３８Ａ、１３８Ｂが大気圧から真空圧に移行するためにポンプダウンされているのと同じ時間枠の間に、ワークピース１１８を加熱することができる。
【００４２】
予熱装置１５２は、例えば、チャンバ１３８Ａ内に配置されたホットプレート１５４を含む。ホットプレート１５４は、例えば、ホットプレートに埋め込まれた加熱要素、ヒートポンプ、またはホットプレートからワークピース１１８に熱エネルギーを伝達するための他の加熱機構を含むことができる抵抗ヒーターを含む。あるいは、予熱装置１５２は、１つまたは複数のハロゲンランプ、発光ダイオード、および赤外線熱デバイスなどの放射熱源を備える。
【００４３】
本開示の別の態様によれば、チャンバ１３８Ｂは、イオン注入中にイオンが注入された後に、ワークピース１１８がチャンバ１３８Ｂ内に配置されると、ワークピースを冷却するように構成された冷却装置１６０を備える。冷却装置１６０は、例えば、冷却されたワークピース支持体１６２を含むことができ、冷却されたワークピース支持体は、その上に存在するワークピース１１８を熱伝導によって能動的に冷却するように構成される。冷却されたワークピース支持体１６２は、例えば、それを通過する１つ以上の冷却チャネルを有するコールドプレートを備え、冷却チャネルを通過する冷却流体は、コールドプレートの表面上に存在するワークピース１１８を実質的に冷却する。冷却されたワークピース支持体１６２は、ペルチェ冷却器又は当業者に知られている他の冷却機構のような他の冷却機構を含むことができる。
【００４４】
別の模範的な態様によれば、コントローラ１７０は、加熱システム１３４、予熱装置１５２、および冷却装置を選択的に作動させて、それぞれその上にあるワークピース１１８を選択的に加熱または冷却するように構成される。コントローラ１７０は、例えば、予熱装置１５２を介してチャンバ１３８Ａ内のワークピース１１８を加熱し、加熱チャック１３０および加熱システム１３４を介して処理チャンバ１２２内において所定の温度にワークピースを加熱し、イオン注入装置１０１を介してワークピースにイオンを注入し、冷却装置１６０を介してチャンバ１３８Ｂ内のワークピースを冷却し、ポンプおよび通気孔１７２、それぞれのチャンバ１３８Ａ、１３８Ｂのそれぞれの大気ドア１７４Ａ、１７４Ｂおよび真空ドア１７６Ａ、１７６Ｂ、ならびにワークピース移送装置１７８Ａ、１７８Ｂの制御を介して大気環境１３２と真空環境１２６との間でワークピースを選択的に移送するように構成されてもよい。
【００４５】
一例では、選択された正面開口統合ポッド（ＦＯＵＰ）１８０Ａ、１８０Ｂとチャンバ１３８Ａ、１３８Ｂとの間でワークピース移送装置１７８Ａを介してワークピースが移送されたり、さらに、チャンバ１３８Ａ、１３８Ｂと加熱チャック１３０との間でワークピース移送装置１７８Ｂを介してワークピースが移送されたりするように、ワークピース１１８は処理チャンバ１２２に送られたり送出されたりすることができる。コントローラ１７０は、例えば、ワークピース移送装置１７８Ａ、１７８Ｂの制御を介して、ＦＯＵＰ１８０Ａ、１８０Ｂと、チャンバ１３８Ａ、１３８Ｂと、加熱チャック１３０との間でワークピースを選択的に移送するようにさらに構成される。
【００４６】
前述のように、従来のイオン注入システムは、典型的には、異なる構成を有する様々な静電チャックを利用し、それによって、異なる温度範囲で実行される注入は、異なる熱伝達能力を有する異なる静電チャックをそれぞれ利用する。しかし、本開示の図１のシステム１００は、同じ加熱チャック１３０を利用しながら、高温インプラント（例えば、１００〜６００℃の範囲）および準室温インプラント（例えば、２０〜１００℃の範囲）の両方を実行するように有利に構成される。このような構成は、従来のイオン注入システムの従来の始動操作で一般的に見られる様々な欠陥を軽減しながら、構成の変化を最小限に抑えながら、図１のシステム１００を様々な注入方式で利用することができるので、単純性および生産性の両方において従来のシステムよりも有利である。
【００４７】
例示的な加熱チャック１３０が図２に示されており、それによって、ＥＳＣは、例えば、２つの機能、すなわち、図１のワークピース１１８をクランプすること、およびワークピースを加熱および／または冷却することに役立つ。例えば、図２に示す１つ以上の接地ピン１８２は、ワークピースを電気的に接地するために設けられ、メサ１８４は、図１のワークピース１１８との接触を最小にし、粒子汚染を除去するために、ＥＳＣ１３０の上面１８６上に設けられる。
【００４８】
例えば、図３は、ＥＳＣ１３０の背面１８８を示し、複数の機械的および電気的インターフェース１９０がＥＳＣのために提供される。例えば、第１のインターフェース１９０Ａは、ワークピースをＥＳＣ１３０に静電的に引き付けるように構成された高電圧静電極層（図示せず）のために設けられる。第２のインターフェース１９０Ｂは、ＥＳＣ１３０に埋め込まれたデュアルゾーンヒーター１９１Ａ、１９１Ｂに電力を供給するために設けられる。図３に示されている概略図には明確には示されていないが、例えば、デュアルゾーンヒーター１９１Ａ、１９１Ｂは、ＥＳＣの様々な領域、例えば、中央領域および周辺領域のうちの１つ以上を加熱するためにＥＳＣ１３０内に配置されてもよく、ワークピースの所望の加熱のために軸方向および／または半径方向に配置されてもよい。例えば、第３のインターフェース１９０Ｃは、温度制御のためにＥＳＣ１３０に埋め込まれた測温抵抗体（ＲＴＤ）１９２を介した温度フィードバックのためにさらに提供される。
【００４９】
本開示の別の模範的な態様によれば、図４Ａは、ＥＳＣ１３０の一部２００を示す。例えば、上部キャリアプレート２０２が示され、それによって、１つ以上の高電圧電極２０４が、ワークピース（図示せず）をＥＳＣ１３０の上面１８６にクランプするように実装され得る。一例では、上部キャリアプレート２０２は、１つまたは複数の高電圧電極２０４が埋め込まれた、または他の方法で関連付けられたセラミック材料から構成される。上部キャリアプレート２０２は、例えば、ヒーター２０８（１つまたは複数の加熱素子）を有する加熱キャリアプレート２０６に結合される。例えば、ヒーターキャリアプレート２０６は、セラミック材料から構成されてもよく、それによって、ヒーター２０８は、上部キャリアプレート２０２と加熱キャリアプレートとの間の界面２１０またはその近傍に配置される。ヒーター２０８は、例えば、注入処理中に図１のワークピース１１８の温度を能動的に加熱または維持するように構成することができる。図４Ａのヒーター２０８は、例えば、所望に応じて、ワークピース温度を２００〜５００℃または様々な他の高温に加熱または他の方法で維持することができる。例えば、上部キャリアプレート２０２および加熱キャリアプレート２０６は、まとめてキャリアプレート２１２と呼ばれる。したがって、例えば、図１のワークピース１１８は、図４Ａのキャリアプレート２１２を介してワークピースに熱を伝達することによって加熱することができる。
【００５０】
一例では、図４Ｂは、図４Ｂに示されるＥＳＣ１３０の部分２００のさらなる拡大部分２１４を示し、ここでは、裏側ガス（図示せず）が、ワークピースを加熱または冷却するために、キャリアプレート２１２の上面１８６とその上に存在するワークピース１１８との間の裏側ギャップ２１６に提供される。例えば、裏側ガス層２１８（例えば、約１０ミクロン）が裏側ギャップ２１６に設けられて、冷却モードでワークピース１１８からチャック１３０に熱を伝導するか、またはヒーター２０８が、より高い温度を提供または維持するために、チャックからワークピースに熱を伝導することができる。
【００５１】
別の模範的な態様によれば、本開示は、キャリアプレート２１２とベースプレート２２４との間のギャップ２２２（例えば、約１０ミクロン）内に配置された伝熱媒体２２０をさらに提供し、それによって、同じＥＳＣ１３０を、室温（ＲＴ）動作および高温での加熱注入の両方に利用することができる。例えば、第１の実施形態では、伝熱媒体２２０（例えば、低い熱抵抗を有する延性材料）は、キャリアプレート２１２とベースプレート２２４との間に提供され、その結果、ワークピース１１８からの熱は、上部キャリアプレート２０２およびヒーターキャリアプレート２０６（ともにセラミックプレート）を通って、ベースプレート２２４（例えば、アルミニウムから構成される）内の１つ以上の冷却チャネル２２８内の冷却流体２２６に伝達され得る。伝熱媒体２２０は、例えば、高い熱伝達能力を有する可撓性又は延性材料を含むことができる。例えば、伝熱媒体２２０は、内部に配置された熱の炭素または他の適切な伝導体を有するシリコーンベースを備えてもよい。あるいは、伝熱媒体２２０は、可撓性ポリマーまたはゲル、サーマルペースト、またはキャリアプレート２１２とベースプレート２２４との間の良好な表面接触を提供する他の材料などの他の材料を備えてもよい。
【００５２】
第２の実施形態では、ガスの薄い層（図示せず）が、キャリアプレート２１２とベースプレート２２４との間のギャップ２２２内に伝熱媒体２２０として設けられる。例えば、室温動作では、伝熱ガスは、キャリアプレート２１２からベースプレート２２４へ、さらに図１に示される冷却流体システム２３０を介して１つまたは複数の冷却チャネル２２８内に提供される冷却流体２２６（例えば、水）へと熱を伝導するために、ギャップ２２２内の所定のガス圧力（例えば、約５Ｔｏｒｒ）で伝熱媒体２２０として提供され得る。あるいは、キャリアプレート２１２をベースプレート２２４から概して熱的に隔離するために、図４Ｂのギャップ２２２に真空を提供してもよく、したがって、概して、加熱動作中に存在し得る熱が、ベースプレート内の冷却チャネル２２８に移動することを防止する。
【００５３】
第１または第２の実施形態のいずれにおいても、１つ以上の冷却チャネル２２８内の冷却流体２２６は有利に真空になり得、冷却流体（例えば、水）の沸騰に関連する有害な問題が、ＥＳＣ１３０の加熱動作中に実質的に排除される。例えば、場合によっては、冷却流体２２６をＥＳＣ１３０からパージすることができ、それによって、それから冷却が提供されない。あるいは、冷却流体２２６は、より低い速度でＥＳＣ１３０を通って流されてもよく、または、冷却流体の外部冷却は、より少ない量の冷却がベースプレート２２４に提供されて、Ｏリング２３１またはＥＳＣ１３０に関連する他の特徴（複数可）に対する潜在的な熱損傷を軽減するように、変更されてもよい。
【００５４】
一例では、１つまたは複数の冷却チャネル２２８は、冷却流体２２６としての水で満たされ、ＥＳＣ１３０の室温動作に望ましいように、熱が裏側ガス層２１８、キャリアプレート２１２、および伝熱媒体２２０を通ってベースプレート２２４に伝導されるときに、ワークピース１１８から熱を伝導する（例えば、ワークピース１１８から熱を奪う）ために、水がそこを通って流れる。このような動作では、水は、ＥＳＣ１３０内の１つまたは複数の冷却チャネル２２６を通って流れ、ＥＳＣから熱を除去し、その熱を外部熱交換器に伝達する。
【００５５】
したがって、本実施例では、ＥＳＣを機械的に変更することなくＥＳＣの様々な動作モードを提供するために、ギャップ２２２内の伝熱媒体２２０としてガスが提供されるか、またはキャリアプレート２１２とベースプレート２２４との間のギャップから排気されるか、および／またはベースプレート２２４の１つまたは複数の冷却チャネル２２６内の水が１つまたは複数の冷却チャネルを通って流れるか、または１つまたは複数の冷却チャネルから排気されることを除いて、ＥＳＣ１３０の構造は、概して不変のままであり得る。
【００５６】
例えば、第１の動作モード（例えば、室温動作モード）では、ガスは、図１のガス送出システム２３２によって、図４Ｂのキャリアプレート２１２とベースプレート２２４との間のギャップ２２２に供給され、それによって、ガスは、１つまたは複数の冷却チャネル２２８内のワークピース１１８から冷却流体２２６に熱を伝達するための良好な熱伝導経路を提供するために、約５Ｔｏｒｒで送出され得る。このような第１の動作モードは、例えば、室温イオン注入において望ましいことがある。第１の動作モードは、例えば、伝熱媒体２２２がキャリアプレート２１２とベースプレート２２４との間の熱を１つ以上の冷却チャネル２２８内の冷却流体２２６に伝導する第１の実施形態において同様に実施されてもよい。
【００５７】
あるいは、第２の動作モード（例えば、加熱動作モード）では、図１のガス送出システム２３２は、１つ以上のヒーター２０８から１つ以上の冷却チャネル２２８内の冷却流体２２６への熱伝達を最小限に抑えるために、間隙２２２を選択的に排気して、キャリアプレート２１２とベースプレート２２４との間に真空を画定するように構成することができる。そのような第２の動作モードは、例えば、ワークピース１１８がより高い温度（例えば、２００℃より高い）に加熱される加熱イオン注入動作に望ましいことがある。この場合も、水または他の冷却流体２２６は、上述の第１の実施形態または第２の実施形態のいずれかにおける第２の動作モード（例えば、加熱動作）中に、図１の冷却流体システム２３０によって冷却チャネル２２８から排出されてもよい。
【００５８】
図４Ｂの伝熱媒体２２２として上述の可撓性材料を、冷却流体２２８として水を利用する加熱動作では、水を沸騰させる可能性を最小限に抑えるために、図１の冷却流体システム２３０を介して１つまたは複数の冷却チャネル２２８から水を排出することが好ましい場合があることに留意されたい。
【００５９】
したがって、本開示は、室温でワークピースを能動的に冷却および／または能動的に加熱する（例えば、注入処理の熱に伴うワークピースの熱を除去する能動的な冷却）、あるいはワークピースを高温に加熱する（例えば、加熱注入処理のためにワークピースに熱を能動的に加える）ことができるシステムを提供する。例えば、図１のイオン注入システム１０１は、上述のように、ＥＳＣ１３０および関連するシステムを有利に組み込むことができる。例えば、予熱装置１５２は、ワークピース１１８の温度を所望の温度まで上昇させるために利用することができ、それによってＥＳＣ１３０は、注入温度を維持または設定し、注入後に冷却装置１６０を介したワークピースの冷却がさらに提供される。
【００６０】
したがって、本開示のシステムは、システムを通過する動作条件または流体が単に変更または修正される一方で、システムの物理的構造が変化しない１つのシステムにおいて、上記の動作のいずれかまたはすべてを実行するように動作可能である。したがって、本開示は、同じ物理的加熱チャック１３０を利用する複数の動作モードを提供する。
【００６１】
本開示の別の態様では、図５は、第１の動作モードでワークピースを処理するための方法３００を示す。例示的な方法は、本明細書では一連の動作またはイベントとして図示および説明されているが、本開示は、いくつかのステップが、本開示に従って、本明細書で図示および説明されたものとは別の異なる順序で、および／または他のステップと同時に起こり得るので、そのような動作またはイベントの図示された順序によって限定されないことが理解されるであろうことに留意されたい。さらに、本開示による方法を実施するために、図示されたすべての工程が必要とされるわけではない。さらに、これらの方法は、ここで図示しかつ記載されたシステムに関連して、また、説明しない他のシステムとも関連して包含させることができる。
【００６２】
図５に示す方法３００は、第１の動作モード、すなわち、室温でイオンをワークピースに注入するための能動的な冷却で動作するシステムの一例を示す。最初に、図５に示されるように、水ポンプおよび／または弁システムは、動作３０２において、走査ロボットの冷却ラインおよびＥＳＣ内の冷却チャネルに冷却水を流す。ＥＳＣ内の１つ以上のヒーターは「オフ」に設定され、予熱ステーションは「オフ」に設定される。動作３０６において周囲温度が達成されると（例えば、約６０分で）、イオン注入システムは製造の準備が整う。伝熱媒体は、動作３０８で「オン」にされ、したがって、キャリアプレートとベースプレートとの間のギャップに熱伝達ガスを提供する。ワークピースの取り扱いおよびワークピースへのイオンの注入は、動作３１０で実行され、動作３１２でワークピースはＥＳＣから除去される。
【００６３】
図６に示す方法３５０は、例えば、２００℃での加熱注入の場合のような能動的な加熱を用いて第２の動作モードで動作するシステムの一例を示す。例えば、水ポンピングおよび／または弁システムは、任意選択で、動作３５２において、ＥＳＣおよび走査ロボット内のラインから冷却水をパージする（例えば、ＥＳＣを通って水が流れない）。例えば、場合によっては、冷却水をＥＳＣからパージすることができ、それによって、ＥＳＣからの冷却は提供されない。あるいは、冷却水は、より低い速度でＥＳＣを通って流されてもよく、または、冷却水の外部冷却は、（例えば、ＯリングまたはＥＳＣの他の特徴を熱的に保護するために）少量の冷却がベースプレートに提供されるように変更されてもよい。動作３５４において、ＥＳＣヒーターは約２０５℃に設定され、予熱ステーションは約２１０℃に設定される。動作３５６において所望の温度が達成されると（例えば、約６０分で）、システムは製造の準備が整う。ワークピースは、動作３５８において、ロードロック内で約２１０℃に予熱される。次に、ワークピースは、動作３６０においてＥＳＣ上に移送される。ワークピースがクランプされ、裏側ガス（ＢＳＧ）バルブが開き（例えば、約５Ｔｏｒｒの裏側ガス圧力（ＢＳＧＰ）を提供する）、イオン注入が動作３６２で開始する。ワークピースにイオンが注入された後、ワークピースは、動作３６４において、ＥＳＣから後冷却ステーションに移送され、ロードロックチャンバ内で約８０℃未満に冷却される。
【００６４】
別の態様によれば、前述の方法は、コントローラ、汎用コンピュータ、またはプロセッサベースのシステムのうちの１つまたは複数の中のコンピュータプログラムコードを使用して実装され得る。図７に示すように、別の実施形態によるプロセッサベースのシステム４００のブロック図が提供される。プロセッサベースのシステム４００は、汎用コンピュータ・プラットフォームであり、本明細書で説明する処理を実施するために使用することができる。プロセッサベースのシステム４００は、デスクトップ・コンピュータ、ワークステーション、ラップトップ・コンピュータ、または特定のアプリケーション用にカスタマイズされた専用ユニットなどの処理部４０２を含むことができる。プロセッサベースのシステム４００は、ディスプレイ４１８と、マウス、キーボード、またはプリンタなどの１つまたは複数の入出力デバイス４２０とを備えることができる。処理部４０２は、中央処理部（ＣＰＵ）４０４、メモリ４０６、大容量記憶装置４０８、ビデオ・アダプタ４１２、およびバス４１０に接続された入出力（Ｉ／Ｏ）インターフェース４１４を含むことができる。
【００６５】
バス４１０は、メモリバスまたはメモリコントローラ、周辺バス、またはビデオバスを含む任意の種類のいくつかのバスアーキテクチャのうちの１つまたは複数とすることができる。ＣＰＵ３０４は、任意のタイプの電子データプロセッサを含むことができ、記憶３０６は、スタティックランダムアクセス記憶（ＳＲＡＭ）、ダイナミックランダムアクセス記憶（ＤＲＡＭ）、またはリードオンリ記憶（ＲＯＭ）などの任意のタイプのシステム記憶を含むことができる。
【００６６】
大容量記憶装置４０８は、データ、プログラム、および他の情報を記憶し、データ、プログラム、および他の情報を、バス４１０を介してアクセス可能にするように構成された任意のタイプの記憶装置を含むことができる。大容量記憶装置３０８は、例えば、ハードディスクドライブ、磁気ディスクドライブ、または光ディスクドライブのうちの１つまたは複数を含むことができる。
【００６７】
ビデオ・アダプタ４１２およびＩ／Ｏインターフェース４１４は、外部入出力装置を処理部４０２に結合するためのインターフェースを提供する。入出力装置の例には、ビデオ・アダプタ４１２に結合されたディスプレイ４１８と、Ｉ／Ｏインターフェース４１４に結合されたマウス、キーボード、プリンタなどのＩ／Ｏ装置４２０とが含まれる。他のデバイスが処理部４０２に結合されてもよく、追加のまたはより少ないインターフェースカードが利用されてもよい。例えば、シリアルインターフェースカード（図示せず）を使用して、プリンタ用のシリアルインターフェースを提供することができる。処理部４０２はまた、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）またはワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）４２２への有線リンクおよび／または無線リンクであり得るネットワークインターフェース４１６を含み得る。
【００６８】
プロセッサベースのシステム４００は、他の構成要素を含むことができることに留意されたい。例えば、プロセッサベースのシステム４００は、電源、ケーブル、マザーボード、取り外し可能な記憶媒体、ケースなどを含むことができる。これらの他の構成要素は、図示されていないが、プロセッサベースのシステム４００の一部とみなされる。
【００６９】
本開示の実施形態は、ＣＰＵ４０４によって実行されるプログラムコードなどによって、プロセッサベースのシステム４００上で実施することができる。また、上述した実施形態に係る各種の方法は、プログラムコードによって実現することができる。したがって、ここでの明示的な説明は省略する。
【００７０】
さらに、図１〜６中の様々なモジュールおよびデバイスが、図７の１つまたは複数のプロセッサベース・システム４００上に実装され、制御されることを付言する。異なるモジュールと装置との間の通信は、モジュールがどのように実装されるかに応じて変化し得る。モジュールが１つのプロセッサベースのシステム４００上に実装される場合、ＣＰＵ４０４による異なる工程のためのプログラムコードの実行の間に、データをメモリ４０６または大容量記憶装置４０８に保存することができる。次いで、データは、それぞれの工程の実行中にバス４１０を介してメモリ４０６または大容量記憶装置４０８にアクセスするＣＰＵ４０４によって提供され得る。モジュールが異なるプロセッサベースのシステム４００上に実装される場合、またはデータが別個のデータベースなどの別のストレージ・システムから提供される場合、データは、Ｉ／Ｏインターフェース４１４またはネットワークインターフェース４１６を介してシステム４００間に提供することができる。同様に、装置またはステージによって提供されるデータは、Ｉ／Ｏインターフェース４１４またはネットワークインターフェース４１６によって、１つまたは複数のプロセッサベースのシステム３００に入力され得る。当業者であれば、様々な実施形態の範囲内で企図されるシステムおよび方法を実施する際の他の変形形態および修正形態を容易に理解するであろう。
【００７１】
本開示は、特定の好ましい１つまたは複数の実施形態に関して示され、説明されてきたが、本明細書および添付の図面を読んで理解すると、同等の変更および修正が他の当業者に想起されることは明らかである。特に、上述の構成要素（アセンブリ、装置、回路など）によって実行される様々な機能に関して、そのような構成要素を説明するために使用されるターム（「手段」への言及を含む）は、本明細書に例示される本開示の例示的な実施形態において機能を実行する開示された構造と構造的に同等ではないが、別段の指示がない限り、説明される構成要素の指定された機能を実行する（すなわち、機能的に同等である）。さらに、本開示の特定の特徴は、いくつかの実施形態のうちの１つだけに関して開示されているが、そのような特徴は、任意の所与のまたは特定の用途に望ましく、有利であり得るように、他の実施形態の１つまたは複数の他の特徴と組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本開示の一態様による例示的な加熱イオン注入システムのブロック図を示す。
【図２】本開示の一態様によるＥＳＣのクランプ面の上面の斜視図である。
【図３】本開示の一態様によるＥＳＣの底部の斜視図である。
【図４Ａ】本開示の一態様によるＥＳＣの部分断面斜視図である。
【図４Ｂ】本開示の一態様によるＥＳＣの部分側面図である。
【図５】本開示の別の模範的な態様による、ワークピースの室温イオン注入のための例示的な方法を示すブロック図である。
【図６】本開示の別の模範的な態様による、ワークピースの加熱イオン注入のための例示的な方法を示すブロック図である。
【図７】別の態様による例示的な制御システムを示すブロック図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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