(57)【要約】  本発明は、第1透湿防止膜、前記第1透湿防止膜上に形成される第2透湿防止膜、前記第2透湿防止膜上に形成される第3透湿防止膜を含み、前記第2透湿防止膜での酸素（O）の濃度は、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜の酸素の濃度よりも高い透湿防止膜と当該透湿防止膜を用いた有機発光素子を提供する。本発明はまた、化学気相堆積法で第1透湿防止膜を形成する第1透湿防止膜形成工程と、前記第1透湿防止膜上に原子層堆積法で第2透湿防止膜を形成する第2透湿防止膜形成工程、および前記第2透湿防止膜上に化学気相堆積法で第3透湿防止膜を形成する第3透湿防止膜形成工程を含む透湿防止膜の製造方法をも提供する。【選択図】図6
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1透湿防止膜、
前記第1透湿防止膜上に形成される第2透湿防止膜、および
前記第2透湿防止膜上に形成される第3透湿防止膜を含み、前記第2透湿防止膜での酸素（O）の濃度は、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜の酸素の濃度よりも高い、透湿防止膜。
【請求項２】
前記第2透湿防止膜が、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜に比べて窒素（N）の濃度が低い、請求項１に記載の透湿防止膜。
【請求項３】
前記第2透湿防止膜のウェットエッチング速度（wet etch rate）が、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜のウェットエッチング速度よりも大きい、請求項１に記載の透湿防止膜。
【請求項４】
前記第2透湿防止膜のウェットエッチング速度（wet etch rate）が、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜のウェットエッチング速度の10倍以上100倍以下の大きさである、請求項３に記載の透湿性防止膜。
【請求項５】
前記第2透湿防止膜の厚さが、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜の厚さよりも薄い、請求項１に記載の透湿防止膜。
【請求項６】
前記第1透湿防止膜と前記第2透湿防止膜の間に結晶化した層が形成されない、請求項１に記載の透湿防止膜。
【請求項７】
前記第2透湿防止膜と前記第3透湿防止膜の間に結晶化した層が形成されない、請求項１に記載の透湿防止膜。
【請求項８】
基板、
前記基板上に形成される発光部、および
前記発光部上に形成される透湿防止膜を含み、
前記透湿防止膜が、前記透湿防止膜の下部から上部まで膜内に含まれる酸素（O）の濃度は、漸次に増加した後に減少し、窒素（N）の濃度は、漸次に減少した後に増加する、有機発光素子。
【請求項９】
前記透湿防止膜が、単一層で形成され、前記透湿防止膜の内部では、前記酸素の濃度と前記窒素の濃度が漸次的に変化する、請求項８に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
化学気相堆積法で第1透湿防止膜を形成する第1透湿防止膜形成工程と、
前記第1透湿防止膜上に原子層堆積法で第2透湿防止膜を形成する第2透湿防止膜形成工程、および
前記第2透湿防止膜上に化学気相堆積法で第3透湿防止膜を形成する第3透湿防止膜形成工程を含む透湿防止膜の製造方法。
【請求項１１】
前記第1透湿防止膜〜前記第3透湿防止膜が、一つのチャンバー内で形成される、請求項１０に記載の透湿防止膜の製造方法。
【請求項１２】
前記第2透湿防止膜が、シリコン（Si）を含むソースガスと亜酸化窒素（N2O）を含む第2反応ガスが反応して形成される、請求項１０に記載の透湿防止膜の製造方法。
【請求項１３】
前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜が、シリコン（Si）を含む前記ソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む第1反応ガスが反応して形成される、請求項１０に記載の透湿防止膜の製造方法。
【請求項１４】
前記第2透湿防止膜の堆積速度（deposiotion rate）が、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜の堆積速度よりも遅い、請求項１０に記載の透湿防止膜の製造方法。
【請求項１５】
前記第2透湿防止膜の堆積速度（deposiotion rate）が、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜の堆積速度よりも4倍以上10倍以下遅い、請求項１４に記載の透湿防止膜の製造方法。
【請求項１６】
前記第1透湿防止膜形成工程前にのみシーズニング（seasoning）工程をさらに含む請求項１０に記載の透湿防止膜の製造方法。
【請求項１７】
シリコンを含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む第1反応ガスが反応して成膜され、前記シリコンを含むソースガスと亜酸化窒素（N2O）を含む第2反応ガスが反応して成膜され、前記シリコンを含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む前記第1反応ガスが反応して成膜される、透湿防止膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透湿防止膜に関するものであり、より詳細には、有機発光素子に適用することができる透湿防止膜及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子（Organic Light Emitting Device）は、電子（electron）を注入する陰極（cathode）と正孔（hole）を注入する陽極（anode）の間に発光層が形成された構造を有し、陰極で発生した電子および陽極で発生した正孔が発光層の内部に注入されると、注入された電子および正孔が結合して励起子（exciton）が生成され、生成された励起子が励起状態（excited state）から基底状態（ground state）に落ちながら発光を起こす素子である。
【０００３】
このような有機発光素子の場合、前記発光層に水分が浸透すると、前記発光層が容易に劣化して素子特性が低下し、寿命も短縮される。したがって、有機発光素子の上面には、前記発光層に水分が浸透することを防止するための透湿防止膜が形成される。
【０００４】
以下、図を参照して従来の有機発光素子について説明することにする。
【０００５】
図1は、従来の有機発光素子の概略的な断面図である。
【０００６】
図1に示すように、従来の有機発光素子は、基板１、発光部２、および透湿防止膜３を含む。
【０００７】
前記発光部２は、前記基板１上に形成されている。前記発光部２は、陽極、陰極、及び前記陽極と陰極の間に備えられた有機発光層を含む。
【０００８】
前記透湿防止膜３は、前記発光部２上に形成されて前記発光部２内に水分が浸透することを防止する。
【０００９】
このような従来の有機発光素子は、前記透湿防止膜３の材料として無機絶縁物を利用しているが、その形成工程の限界によって透湿防止効果が低下するという欠点がある。
【００１０】
無機絶縁物は、化学的気相堆積堆積（Chemical Vapor Deposition; CVD）工程によって形成するが、堆積堆積工程時に薄膜にピンホール（Pin hole）のような欠陥（defect）が発生すると、薄膜が成長しながら前記ピンホールのような欠陥も一緒に成長することになる。すなわち、前記ピンホールのような欠陥が、前記透湿防止膜３の下部から上部まで連続的に形成されるので、外部の水分が、前記欠陥のある領域を通って発光部２に簡単に浸透することができ、前記発光部２を容易に劣化させる問題がある。
【００１１】
また、無機絶縁物を原子層堆積法（Atomic Layer Deposition; ALD）で堆積堆積する場合には、透湿度は向上するが堆積堆積速度が遅く、生産性が落ちるという短所がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、前述した従来の問題点を解決するために考え出されたものであり、本発明は、ピンホールのような欠陥が下部から上部まで連続的に形成されることを防止して、水分の浸透防止効果が優れていて、堆積速度を向上させ、生産性が改良された透湿防止膜とその製造方法および当該透湿防止膜を用いた有機発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明は、第1透湿防止膜、前記第1透湿防止膜上に形成される第2透湿防止膜、前記第2透湿防止膜上に形成される第3透湿防止膜を含み、前記第2透湿防止膜での酸素（O）の濃度が、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜の酸素の濃度よりも高い透湿防止膜を提供する。
【００１４】
また、前記第2透湿防止膜は、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜に比べて窒素（N）の濃度が低いことがあり得る。
【００１５】
また、前記第2透湿防止膜のウェットエッチング速度（wet etch rate）が、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜のウェットエッチング速度よりも大きいことがあり得、前記第2透湿防止膜のウェットエッチング速度（wet etch rate）が、前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜のウェットエッチング速度の10倍以上100倍以下の大きさであり得る。
【００１６】
また、前記第2透湿防止膜の厚さが前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜の厚さよりも薄いことがあり得、前記第1透湿防止膜と前記第2透湿防止膜の間に結晶化された層が形成されないことがあり得、前記第2透湿防止膜と前記第3透湿防止膜の間に結晶化された層が形成されないことがあり得る。
【００１７】
本発明はまた、基板、前記基板上に形成される発光部、および前記発光部上に形成される透湿防止膜を含み、前記透湿防止膜は、前記透湿防止膜の下部から上部まで膜内に含まれる酸素（O）の濃度が次第に増加した後減少し、窒素（N）の濃度は、次第に減少した後に増加する有機発光素子を提供する。
【００１８】
また、前記透湿性防止膜は、単一層で形成され、前記透湿防止膜の内部では、前記酸素の濃度と前記窒素の濃度が漸次的に変化するし得る。
【００１９】
本発明は、また、化学気相堆積法で第1透湿防止膜を形成する第1透湿防止膜形成工程と、前記第1透湿防止膜上に原子層堆積法で第2透湿防止膜を形成する第2透湿防止膜形成工程、および前記第2透湿防止膜上に化学気相堆積法で第3透湿防止膜を形成する第3透湿防止膜形成工程を含む透湿防止膜の製造方法を提供する。
【００２０】
また、前記第1透湿防止膜〜前記第3透湿防止膜は、一つのチャンバー内で形成され得る。
【００２１】
また、前記第2透湿性防止膜は、シリコン（Si）を含むソースガスと亜酸化窒素（N2O）を含む第2反応ガスが反応して形成され得、前記第1透湿防止膜及び前記第3の透湿防止膜は、シリコン（Si）を含む前記ソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む第1反応ガスが反応して形成され得る。
【００２２】
また、前記第2透湿防止膜の堆積速度（deposiotion rate）が前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜の堆積速度よりも遅いことがあり得、前記第2透湿防止膜の堆積速度（deposiotion rate）が前記第1透湿防止膜及び前記第3透湿防止膜のよりも4倍以上10倍以下の遅いことがあり得る。
【００２３】
また、前記第1透湿防止膜形成工程の前にのみシーズニング（seasoning）工程をさらに含むことができる。
【００２４】
本発明は、また、シリコンを含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む第1反応ガスが反応して成膜され、前記シリコンを含むソースガスと亜酸化窒素（N2O）を含む第2反応ガスが反応して成膜され、前記シリコンを含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む前記第1反応ガスが反応して成膜される透湿防止膜の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２５】
以上のような本発明によれば、次のような効果がある。
【００２６】
本発明の一実施例に係る透湿性防止膜は、化学気相堆積法と原子層堆積法によって形成されるため、第1透湿防止膜に形成されたピンホールのような欠陥を第2透湿防止膜で治癒することができ、水分の浸透防止効果が向上し得、堆積速度が向上し、生産性が向上し得る。
【００２７】
また、本発明の一実施例に係る透湿性防止膜は、化学気相堆積法と原子層堆積法を一つのチャンバー内で行うことができるので、別途の大気解放工程とシーズニング（seasoning）工程を必要とせず工程時間が減って生産性を向上させることができる。また、化学気相堆積法と原子層堆積法によって形成される透湿防止膜を別途のチャンバーで進行する場合、パーティクル（particle）などが生じ得るのに対し、本発明によれば、パーティクルの生成を減らすことができ、透湿性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】従来の有機発光素子の概略的な断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る有機発光素子の概略的な断面図である。
【図３ａ】本発明の一実施例に係る透湿防止膜の深さによる酸素の濃度を示すグラフである。
【図３ｂ】本発明の一実施例に係る透湿防止膜の深さによる窒素の濃度を示すグラフである。
【図４ａ】本発明の一実施例に係る透湿防止膜の各透湿防止膜の間でのTEM（transmission delectron microscope;透過電子顕微鏡）写真である。
【図４ｂ】図4aでTEMを撮影した位置を示す断面図である。
【図５】別途のチャンバーで工程が進行される時の工程順序を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施例に係る一つのチャンバー内で工程が進行される時の工程順序を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は添付の図と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇によってのみ定義される。
【００３０】
本発明の実施例を説明するための図に開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知技術に対する詳細な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。本明細書で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合は、「〜だけ」が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数表現の場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。
【００３１】
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
【００３２】
位置関係の説明である場合には、例えば、「〜の上に」、「〜の上部に」、「〜の下部に」、「〜の隣に」など2つの部分の位置関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもできる。
【００３３】
時間の関係に対する説明である場合には、例えば、「〜の後」、「〜に続いて」、「〜次の」、「〜前に」などで時間的前後関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、連続していない場合も含むことができる。
【００３４】
第1、第2などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第1構成要素は、本発明の技術的思想内で第2構成要素であることもある。
【００３５】
本発明の複数の実施例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに独立して実施可能であり得、関連の関係で一緒に実施することもできる。
【００３６】
以下、図を参照して、本発明の好ましい実施例について詳細に説明することにする。
【００３７】
図2は、本発明の一実施例に係る有機発光素子の概略的な断面図である。
【００３８】
図2を参照して説明すると、本発明の一実施例に係る有機発光素子は、基板１０は、発光部２０および透湿防止膜３０を含んでなり得る。
【００３９】
前記基板１０は、ガラスまたはプラスチックからなり得る。
【００４０】
発光部２０は、前記基板１０の一面、例として前記基板１０の上面上に形成されている。発光部２０は、第1電極、有機発光層、及び第2電極を含む。前記第1の電極は、ITOのような陰極（Anode）からなり得る。前記有機発光層は、前記第1電極の上面上に順番に積層された正孔注入層（Hole Injecting Layer）、正孔輸送層（Hole Transporting Layer）、発光層（Emitting Layer）、電子輸送層（Electron Transporting Layer）、および電子注入層（Electron Injecting Layer）の組み合わせからなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではない。前記第2電極は、前記有機発光層の上面上に積層されたAgまたはAlなどの陰極（Cathode）からなり得る。前期発光部２０の詳細な構成および形成工程は、当業界に公知された多様な構造および工程に変更することができる。
【００４１】
一方、図に示していないが、前記基板１０と、前記発光部２０の間に薄膜トランジスタが追加で形成され、前記発光部２０の発光が前記薄膜トランジスタによって調節され得る。このように薄膜トランジスタが備えられた有機発光素子は、画像を表示する表示装置として用いることができる。
【００４２】
前記透湿防止膜３０は、第1透湿防止膜３１、第2透湿防止膜３２及び第3透湿防止膜３３を含む。
【００４３】
前記第1透湿防止膜３１は、前記発光部２０の上面上に形成されている。前記第1透湿防止膜３１は、シリコン（Si）系絶縁物からなり得る。前記第1透湿防止膜３１は、化学気相堆積（Chemical Vapor Deposition; CVD）法により形成することができる。前記第1透湿防止膜３１は、シリコン（Si）を含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む第1反応ガスが反応して形成され得る。前記シリコンを含むソースガスは、例としてシラン（Silane; SiH4）、ジシラン（Disilane; Si2H6）、トリシラン（Trisilane; Si3H8）、TEOS（Tetraethylorthosilicate）、DCS（Dichlorosilane）、HCD（Hexachlorosilane）、TriDMAS （Tri-dimethylaminosilane）およびTSA（Trisilylamine）、HMDSO（Hexamethyldisiloxane）、およびHMDSN（Hexamethyldisilazane）からなるガスのうち少なくとも一つのガスからなり得るが、これに限定されるものではない。前記第1透湿防止膜３１は、シリコン（Si）を含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む前記第1反応ガスが反応して形成されるため、第1透湿防止膜３１は、窒素（N）の濃度が高いことがあり得る。
【００４４】
前記第2透湿防止膜３２は、前記第1透湿防止膜３１の上面上に形成されている。前記第2透湿防止膜３２は、シリコン（Si）系絶縁物からなり得る。前記第2透湿防止膜３２は、原子層堆積（Atomic Layer Deposition; ALD）法により形成することができる。前記第2透湿防止膜３２は、シリコン（Si）を含むソースガスと亜酸化窒素（N2O）を含む第2反応ガスが反応をして形成することができる。前記第2透湿防止膜３２は、シリコン（Si）を含むソースガスと亜酸化窒素（N2O）を含む前記第2反応ガスが反応して形成されるため、第2透湿防止膜３２は、酸素（O）の濃度が高いことがあり得る。
【００４５】
前記第3透湿防止膜３３は、前記第2透湿防止膜３２の上面上に形成されている。前記第3透湿防止膜３３は、シリコン（Si）系絶縁物からなり得る。前記第3透湿防止膜３３は、化学気相堆積（Chemical Vapor Deposition; CVD）法により形成することができる。前記第3透湿防止膜３３は、シリコン（Si）を含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む前記第1反応ガスが反応して形成され得る。前記第3透湿防止膜３３は、シリコン（Si）を含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む前記第1反応ガスが反応して形成されるため、第3透湿防止膜３３は、窒素（N）の濃度が高いことがあり得る。
【００４６】
したがって、前記第1透湿防止膜３１上に前記第2透湿防止膜３２が形成され、前記第2透湿防止膜３２上に前記第3透湿防止膜３３が形成され、前記第2透湿防止膜３２での酸素の濃度は、前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３の酸素の濃度よりも高いことがあり得る。また、前記第2透湿防止膜３２は、前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３に比べて窒素の濃度が低いことがあり得る。
【００４７】
前記第2透湿防止膜３２の厚さは、前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３の厚さよりも薄いことがあり得る。前記第2透湿防止膜３２は、原子層堆積法によって形成され、前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３は、化学気相堆積法によって形成されるので、前記第2透湿防止膜３２を形成するのにより長い時間がかかり得る。したがって、生産性を向上させるために、前記第2透湿防止膜３２の厚さが前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３の厚さよりも薄く形成され得る。
【００４８】
前記第2透湿防止膜３２のウェットエッチング速度（wet etch rate）が、前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３のウェットエッチング速度よりも大きいことがあり得る。より詳細には、前記第2透湿防止膜３２のウェットエッチング速度が、前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３のウェットエッチング速度よりも10倍以上100倍以下で大きいことがあり得る。
【００４９】
ウェットエッチング速度は、時間当たり湿式エッチングされる程度を示したもので、前記第2透湿防止膜３２は、前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３に比べて酸素の濃度が高く、窒素の濃度が低いため、ウェットエッチング速度が大きくなり得る。前記第2透湿防止膜３２のウェットエッチング速度が、前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３のウェットエッチング速度よりも10倍以下である場合、前記第2透湿防止膜３２の透湿性が落ちることがあり得、100倍以上である場合には、前記第2透湿防止膜３２を形成することが難しくなり得る。
【００５０】
前記第2透湿防止膜３２の堆積速度（deposiotion rate）が前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３の堆積速度よりも遅いことがあり得る。より詳細には、前記第2透湿防止膜３２の堆積速度が前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３の堆積速度よりも4倍以上10倍以下遅いことがあり得る。
【００５１】
前記第2透湿防止膜３２は、原子層堆積法によって形成されるため、化学気相堆積法で形成される前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３に比べて堆積速度が遅いことがあり得る。前記第2透湿防止膜３２の堆積速度が前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３の堆積速度よりも4倍以下である場合、前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３の堆積速度が遅く、生産性が低下することがあり、10倍以上である場合、前記第2透湿防止膜３２の堆積速度が速く透湿性が低下し得る。
【００５２】
前記第2透湿防止膜３２は、前記第1透湿防止膜３１および前記第3透湿防止膜３３を形成する際に比べてプラズマの強度が弱いことがあり得る。
【００５３】
図3aは、本発明の一実施例に係る透湿防止膜３０の深さによる酸素の濃度を示すグラフであり、図3bは、本発明の一実施例に係る透湿防止膜３０の深さによる窒素の濃度を示すグラフである。
【００５４】
図3a及び図3bを参照して説明すると、前記透湿防止膜３０の深さによる酸素と窒素の濃度は、前記第2透湿防止膜３２で酸素の濃度は最大となり、窒素の濃度は最小になり得る。
【００５５】
また、前記第1透湿防止膜３１〜前記第3透湿防止膜３３が一つのチャンバー内で形成される場合、前記第1透湿防止膜３１と前記第2透湿防止膜３２の間及び前記第2透湿防止膜３２と間及び前記第3透湿防止膜３３の間に結晶化された層が形成されないことがあり得る。前記第1透湿防止膜３１と前記第2透湿防止膜３２の間及び前記第2透湿防止膜３２と間及び前記第3透湿防止膜３３の間に結晶化された層が形成されないことがあり得るので、酸素と窒素は、単一の透湿防止膜内で他の透湿防止膜内に拡散（Diffusion）が容易に起こるので、酸素と窒素の濃度は急激に変化せず、漸次的に変化することができる。
【００５６】
したがって、本発明の実施例に係る透湿防止膜３０を含む有機発光素子において、前記透湿防止膜３０が一つのチャンバー内で形成される場合には、前記第1透湿防止膜３１〜前記第3透湿防止膜３３は、なんらかの境界を有して形成されることはなく、一つの単一層のように形成されて、酸素と窒素の濃度のみが、変化し得る。
【００５７】
図4aは、本発明の一実施例に係る透湿防止膜３０の各透湿防止膜の間でのTEM（transmission delectron microscope;透過電子顕微鏡）写真であり、図4bは、図4aでTEMを撮影した位置を示す断面図ある。
【００５８】
図4aおよび図4bを参照して説明すると、図4bにおいて、前記第1透湿防止膜３１と前記第2透湿防止膜３２の間２００と前記第2透湿防止膜３２と前記第3透湿防止膜３３の間１００で、透過電子顕微鏡を用いて断面を撮影した写真を確認することができる。
【００５９】
これによると、独立チャンバー、つまり別途のチャンバーで、前記第1透湿防止膜３１および前記第2透湿防止膜３２を形成する場合は、各膜の境界で結晶化が進行したことを確認することができる。これにより膜の境界で結晶化がなされて小さな点のように見えることを確認することができる。一方、INチャンバー、すなわち一つのチャンバー内で、前記第1透湿防止膜３１および前記第2透湿防止膜３２を形成する場合は、各膜の境界で結晶化が進行していないことを確認することができる。これにより膜の境界で結晶化がなされないので、別途のチャンバーで行ったものとは違って、小さな点が確認されない。
【００６０】
図5は、別途のチャンバーで工程を進行した時の工程順序を示すグラフであり、図6は、本発明の一実施例に係る一つのチャンバー内で工程を進行した時の工程順序を示すグラフである。
【００６１】
図5および図6を参照して説明すると、図5は、前記第1透湿防止膜３１〜前記第3透湿防止膜３３が、すべて異なるチャンバー内で形成されることを示し、図6は、前記第1透湿防止膜３１〜前記第3透湿防止膜３３が同じチャンバー内で形成されることを示す。
【００６２】
図5では、まずシーズニング（seasoning）工程を進行した後、化学気相堆積法で発光部２０が形成された基板１０上に第1チャンバー内で前記第1透湿防止膜３１を形成することができる。前記第1透湿防止膜３１は、シリコンを含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む第1反応ガスが反応して形成され得る。
【００６３】
前記基板１０上に前記第1透湿防止膜３１が形成された後、前記第1チャンバー内で前記基板１０を第2チャンバーに移動させるために大気解放（venting）して、前記基板１０を移動させることができる。前記基板１０を前記第2チャンバーに移動させる前に、前記第2チャンバー内で再びシーズニング工程を進行した後、原子層堆積法で前記第2透湿防止膜３２を形成することができる。前記第2透湿防止膜３２は、シリコンを含むソースガスと亜酸化窒素（N2O）を含む第2反応ガスが反応して形成され得る。前記第2透湿防止膜３２は、前記第1透湿防止膜３１上に形成され得、前記第1透湿防止膜３１は、前記第1チャンバーから第2チャンバーに移動時に膜の表面で結晶化され得る。前記第2チャンバー内で前記第2透湿防止膜３２が形成され、前記基板１０は、再び前記第1チャンバーに移動することができる。
【００６４】
前記第2透湿防止膜３２が形成された前記基板１０を再前記第1チャンバーに移動させるために前記第2チャンバーを大気解放することができる。前記第2チャンバー大気解放し、前記基板１０を移動させる前に、前記第1チャンバーでシーズニング工程を進行することができる。その後、前記基板１０は、前記第1チャンバー内で前記第3透湿防止膜３３が形成され得る。前記第3透湿防止膜３３は、シリコンを含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む第1反応ガスが反応して形成され得る。前記第3透湿防止膜３３は、前記第2透湿防止膜３２上に形成され得、前記第2透湿防止膜３２は、前記第2チャンバーから前記第1チャンバーに移動時に膜の表面で結晶化がなされ得る。
【００６５】
一方、図6で、第1透湿防止膜３１〜第3透湿防止膜３３が一つのチャンバー内で形成される場合には、基板１０の移動時に必要な大気解放およびシーズニング工程が必要ないことがあり得る。これにより、一つのチャンバー内で、前記第1透湿防止膜３１〜前記第3透湿防止膜３３を形成する場合、工程時間及び工程数が減って、生産性が向上し得る。また、前記第1透湿防止膜３１形成工程前にのみシーズニング工程が進行され得る。
【００６６】
また、前記透湿防止膜３０は、シリコンを含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む第1反応ガスが反応して成膜され、前記シリコンを含むソースガスと亜酸化窒素（N2O）を含む第2反応ガスが反応して成膜され、前記シリコンを含むソースガスとアンモニア（NH3）および窒素（N2）を含む前記第1反応ガスが反応して成膜され得る。
【００６７】
以上、添付した図を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例で限定されるわけではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。従って、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、その同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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