(57)【要約】  本発明はＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリング及びその製造方法、モジュール並びにシステムに関し、狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池と、前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池同士をオーム接続するための導電性部材（９）と、を備え、狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池の裏面は交互に配列されるｐ＋エミッタ領域（１）とｎ＋ベース領域（３）を含み、ｐ＋エミッタ領域（１）にｐ＋エミッタコンタクト電極（２）が設けられ、ｎ＋ベース領域（３）にｎ＋ベースコンタクト電極（４）が設けられ、ｐ＋エミッタコンタクト電極（２）に設置されるｐ＋電極合流点（５）と、ｎ＋ベースコンタクト電極（４）に設置されるｎ＋電極合流点（６）と、を更に備え、合流点の周囲領域に絶縁バリア層（７）が設置され、導電性部材（９）が隣接する狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池の間に設置される。その有益な効果は、本発明が絶縁バリア層（７）及び導電性部材（９）を用いる方法でＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングを実現し、電池接点間の隙間を０．２ｍｍ以下に制御することができるため、モジュールの電力が従来の電池ストリング接続方式より高く、また、モジュールの製造プロセスが簡単であり、コストが低いことである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングであって、
狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池と、前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池同士をオーム接続するための導電性部材と、を備え、前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池の裏面は交互に配列されるｐ＋エミッタ領域とｎ＋ベース領域を含み、前記ｐ＋エミッタ領域にｐ＋エミッタコンタクト電極が設けられ、前記ｎ＋ベース領域にｎ＋ベースコンタクト電極が設けられ、前記ｐ＋エミッタコンタクト電極に設置されるｐ＋電極合流点と、前記ｎ＋ベースコンタクト電極に設置されるｎ＋電極合流点と、を更に備え、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点の周囲領域にいずれも絶縁バリア層が設置され、前記導電性部材は隣接する前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池の間に設置されるＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリング。
【請求項２】
前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池はＮ型結晶シリコン基板を備え、前記Ｎ型結晶シリコン基板の前面は内から外まで順にｎ＋ドープ前面電界と前面不動態化反射防止フィルムであり、前記Ｎ型結晶シリコン基板の裏面は内から外まで順に交互に配列される裏面ｐ＋領域と裏面ｎ＋領域、裏面不動態化フィルム及び裏面電極であり、前記裏面電極はｐ＋エミッタコンタクト電極とｎ＋ベースコンタクト電極を含むことを特徴とする請求項１に記載のＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリング。
【請求項３】
前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池のシリコン基板は、抵抗率が１〜３０Ω・ｃｍであり、厚さが１００〜２００μｍであり、前記ｐ＋エミッタ領域と前記ｎ＋ベース領域はストリップ状を呈するように太陽電池基板の裏面に互いに配置されることを特徴とする請求項２に記載のＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリング。
【請求項４】
前記ｐ＋エミッタ領域の幅は５００〜１５００μｍであり、前記ｎ＋ベース領域の幅は２００〜５００μｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載のＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリング。
【請求項５】
前記ｐ＋エミッタコンタクト電極と前記ｎ＋ベースコンタクト電極の幅はいずれも５０〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリング。
【請求項６】
前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点は電池にストリップ状に整然として配列され、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点はいずれも直径５００μｍのドット又は辺長５００μｍの四角形点又は面積に相当する他の形状の金属点であることを特徴とする請求項１に記載のＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリング。
【請求項７】
前記ｐ＋エミッタコンタクト電極と前記ｎ＋ベースコンタクト電極はいずれも金属銀微細グリッド線電極であり、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点はいずれも金属銀点であることを特徴とする請求項１又は６に記載のＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリング。
【請求項８】
前記絶縁バリア層の形状はストリップ状であり、その幅は５〜１０ｍｍであり、長さは１５６ｍｍであり、前記絶縁バリア層はそれぞれ前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点の位置するアレイに被覆され、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点は前記絶縁バリア層で被覆されていないことを特徴とする請求項１に記載のＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリング。
【請求項９】
Ｎ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングの製造方法であって、
太陽電池基板の裏面に交互に配列されるｐ＋エミッタ領域とｎ＋ベース領域を形成して、ｐ＋エミッタ領域にオーム接触するｐ＋エミッタコンタクト電極とｎ＋ベース領域に接触するｎ＋ベースコンタクト電極を製造し、更に前記ｐ＋エミッタコンタクト電極にｐ＋電極合流点を製造し、ｎ＋ベースコンタクト電極にｎ＋電極合流点を製造するステップ（１）と、
スクリーン印刷技術で絶縁ペーストを前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点のストリップに印刷し、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点では前記絶縁ペーストがリークするので、乾燥してから絶縁バリア層を形成するステップ（２）と、
前記絶縁バリア層の中心に沿ってＮ型ＩＢＣ太陽電池基板を複数枚の狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池に切断し、前記Ｎ型狭帯域ＩＢＣ電池の長辺の最外両側はそれぞれｐ＋電極合流点のストリップ状とｎ＋電極合流点のストリップ状であり、切断方式がレーザー切断であるステップ（３）と、
前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池を規則正しく配列し、隣接する２つの狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池の隣接する位置が一方の狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池のｐ＋電極合流点アレイと他方の狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池のｎ＋電極合流点アレイであり、導電性接着剤を前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点に塗布して、狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池の隣接する位置に導電性部材を設置することにより、隣接する狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池のｐ＋電極合流点とｎ＋電極合流点を前記導電性部材によって電気的に接続し、該ステップを繰り返すことにより、Ｎ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングを形成するステップ（４）と、を含むＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングの製造方法。
【請求項１０】
ステップ（１）では、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点はアレイ状に配列され、各列の前記ｐ＋電極合流点又は前記ｎ＋電極合流点の個数は１０〜２０個であって、均一に分布することを特徴とする請求項９に記載のＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングの製造方法。
【請求項１１】
ステップ（４）では、前記導電性部材は、幅が４〜８ｍｍであり、厚さが０．１〜０．５ｍｍであり、材質は錫メッキ銅ストリップであることを特徴とする請求項９に記載のＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングの製造方法。
【請求項１２】
太陽電池ストリングを備える太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池ストリングは請求項１〜８のいずれか１項に記載のＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングであることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項１３】
１つ以上の太陽電池モジュールを備える太陽電池システムであって、
前記太陽電池モジュールは請求項１２に記載の太陽電池モジュールであることを特徴とする太陽電池システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池の技術分野に関し、特にＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリング及びその製造方法、モジュール並びにシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は光エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体デバイスであり、より低い製造コスト及びより高いエネルギー変換効率は常に太陽電池産業で求められる目標である。従来の通常の太陽電池は、そのエミッタコンタクト電極及びベースコンタクト電極がそれぞれ電池接点の表面及び裏面に位置する。電池の表面は受光面であり、表面金属エミッタコンタクト電極の被覆に起因して入射された一部の太陽光が金属電極に反射遮蔽され、一部の光が損失してしまう。通常の結晶系シリコン太陽電池の表面金属電極の被覆面積は７％程度であり、金属電極の表面被覆を減少させることにより電池のエネルギー変換効率を直接向上させることができる。Ｎ型ＩＢＣ太陽電池はエミッタ及びベースコンタクト電極をいずれも電池の裏面（非受光面）に配置する電池であり、該電池の受光面はいかなる金属電極にも遮蔽されず、それにより電池接点の短絡電流を効果的に増加させ、電池接点のエネルギー変換効率を向上させる。
【０００３】
Ｎ型ＩＢＣ構造の太陽電池は、現在、ソーラー産業で量産される結晶系シリコン太陽電池の中でエネルギー変換効率が最も高い電池であり、その高い変換効率、低いモジュールパッケージコストのため、常に人気がある。従来のＮ型ＩＢＣ太陽電池の製造プロセスにおいて、その金属化プロセスはプロセスのより複雑な電気めっきにより実現される場合が多いが、該方法はＮ型ＩＢＣ電池の直列抵抗を減少させ、電池の開路電圧を増加させる面で優れているが、該方法はプロセスが複雑であり、排出される廃棄物が環境を汚染し、且つ現在工業生産される主な金属化方法と互換性がないため、低コストの工業化推進にとって不利になる。同時に、Ｎ型ＩＢＣ電池をモジュールにパッケージ化する過程において、エミッタとベース電極の本数が多く、線幅がより狭いため、隣接する電池同士の位置決め溶接が非常に困難となる。一方、電池をモジュールにパッケージ化する過程において、電力損失は溶接抵抗及び溶接ストリップ抵抗に起因する場合が多く、モノリシック電池の短絡電流が高ければ高いほど、この部分の電力損失が大きくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、従来技術の欠点を克服し、Ｎ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングを提供することであり、その技術案は以下のとおりである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
Ｎ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングであって、狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池と、前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池同士をオーム接続するための導電性部材と、を備え、前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池の裏面は交互に配列されるｐ＋エミッタ領域とｎ＋ベース領域を含み、前記ｐ＋エミッタ領域にｐ＋エミッタコンタクト電極が設けられ、前記ｎ＋ベース領域にｎ＋ベースコンタクト電極が設けられ、前記ｐ＋エミッタコンタクト電極に設置されるｐ＋電極合流点と、前記ｎ＋ベースコンタクト電極に設置されるｎ＋電極合流点と、を更に備え、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点の周囲領域にいずれも絶縁バリア層が設置され、前記導電性部材は隣接する前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池の間に設置される。
【０００６】
本発明に係るＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングは更に以下の付属の技術案を含んでもよい。
【０００７】
前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池はＮ型結晶シリコン基板を備え、前記Ｎ型結晶シリコン基板の前面は内から外まで順にｎ＋ドープ前面電界と前面不動態化反射防止フィルムであり、前記Ｎ型結晶シリコン基板の裏面は内から外まで順に交互に配列される裏面ｐ＋領域と裏面ｎ＋領域、裏面不動態化フィルム及び裏面電極であり、前記裏面電極はｐ＋エミッタコンタクト電極とｎ＋ベースコンタクト電極を含む。
【０００８】
前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池のシリコン基板は、抵抗率が１〜３０Ω・ｃｍであり、厚さが１００〜２００μｍであり、前記ｐ＋エミッタ領域と前記ｎ＋ベース領域はストリップ状を呈するように太陽電池基板の裏面に互いに配置される。
【０００９】
前記ｐ＋エミッタ領域の幅は５００〜１５００μｍであり、前記ｎ＋ベース領域の幅は２００〜５００μｍである。
【００１０】
前記ｐ＋エミッタコンタクト電極と前記ｎ＋ベースコンタクト電極の幅はいずれも５０〜１５０μｍである。
【００１１】
前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点は電池にストリップ状に整然として配列され、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点はいずれも直径５００μｍのドット又は辺長５００μｍの四角形点又は面積に相当する他の形状の金属点である。
【００１２】
前記ｐ＋エミッタコンタクト電極と前記ｎ＋ベースコンタクト電極はいずれも金属銀微細グリッド線電極であり、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点はいずれも金属銀点である。
【００１３】
前記絶縁バリア層の形状はストリップ状であり、その幅は５〜１０ｍｍであり、長さは１５６ｍｍであり、前記絶縁バリア層はそれぞれ前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点の位置するアレイに被覆され、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点は前記絶縁バリア層で被覆されていない。
【００１４】
本発明は更にＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングの製造方法を提供し、
太陽電池基板の裏面に交互に配列されるｐ＋エミッタ領域とｎ＋ベース領域を形成して、ｐ＋エミッタ領域にオーム接触するｐ＋エミッタコンタクト電極とｎ＋ベース領域に接触するｎ＋ベースコンタクト電極を製造し、更に前記ｐ＋エミッタコンタクト電極にｐ＋電極合流点を製造し、ｎ＋ベースコンタクト電極にｎ＋電極合流点を製造するステップ（１）と、
スクリーン印刷技術で絶縁ペーストを前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点のストリップに印刷し、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点では前記絶縁ペーストがリークするので、乾燥してから絶縁バリア層を形成するステップ（２）と、
前記絶縁バリア層の中心に沿ってＮ型ＩＢＣ太陽電池基板を複数枚の狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池に切断し、前記Ｎ型狭帯域ＩＢＣ電池の長辺の最外両側がそれぞれｐ＋電極合流点のストリップ状とｎ＋電極合流点のストリップ状であり、切断方式がレーザー切断であるステップ（３）と、
前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池を規則正しく配列し、隣接する２つの狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池の隣接する位置が一方の狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池のｐ＋電極合流点アレイと他方の狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池のｎ＋電極合流点アレイであり、導電性接着剤を前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点に塗布して、狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池の隣接する位置に導電性部材を設置することにより、隣接する狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池のｐ＋電極合流点とｎ＋電極合流点を前記導電性部材によって電気的に接続し、該ステップを繰り返すことにより、Ｎ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングを形成するステップ（４）と、を含む。
【００１５】
本発明に係るＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングの製造方法は更に以下の付属の技術案を含んでもよい。
【００１６】
ステップ（１）では、ｐ＋電極合流点とｎ＋電極合流点はアレイ状に配列され、各列の前記ｐ＋電極合流点又は前記ｎ＋電極合流点の個数は１０〜２０個であって、均一に分布する。
【００１７】
ステップ（４）では、前記導電性部材は、幅が４〜８ｍｍであり、厚さが０．１〜０．５ｍｍであり、材質は錫メッキ銅ストリップである。
【００１８】
本発明は更に太陽電池モジュールを提供し、太陽電池ストリングを備え、前記太陽電池ストリングは上記Ｎ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングである。
【００１９】
本発明は更に太陽電池システムを提供し、１つ以上の太陽電池モジュールを備え、前記太陽電池モジュールは上記太陽電池モジュールである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の実施は以下の技術的効果を有する。
【００２１】
本発明はスライス後のＮ型ＩＢＣ電池接点同士をスプライス接続する方式を用いることにより、電池接点間の隙間を大幅に小さくし、単位面積当たりの電池接点の配置数を増加させ、それにより該電池ストリングで製造されたモジュールの電力を増加させ、且つ、絶縁バリア層及び導電性部材を用いる方法でＮ型ＩＢＣ電池をスプライス接続する電池ストリングを実現し、絶縁層の使用によって装置の位置決め精度への要求を大幅に低くし、それによりモジュールの製造は溶接を必要とせず、操作しやすく、同時に、導電性部材は更に水平合流作用を果たし、キャリアの電極間での水平伝送損失を減少させ、電池の曲線因子を向上させ、狭帯域電池の一部を用いて直列接続するため、モジュールの短絡電流を減少させ、それによりモジュールパッケージ損失を著しく減少させる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施例のＮ型ＩＢＣ太陽電池の裏面構造の模式図である。
【図２】本発明の実施例のＮ型ＩＢＣ太陽電池に絶縁バリア層を印刷した裏面構造の模式図である。
【図３】本発明の実施例のＮ型ＩＢＣ太陽電池を狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池に切断する模式図である。
【図４】本発明の実施例の狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池が規則正しく配列されて合流点に導電性接着剤を塗布した後の模式図である。
【図５】本発明の実施例のＮ型ＩＢＣ太陽電池ストリングの製造方法における導電性部材により直列に接続された狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照しながら実施例によって本発明を詳しく説明する。ただし、説明される実施例は本発明を理解するためのものであって、本発明を制限するためのものではない。
【００２４】
図１〜図５に示すように、本実施例に係るＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングは、狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池と、前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池同士をオーム接続するための導電性部材と、を備え、前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池の裏面は交互に配列されるｐ＋エミッタ領域１とｎ＋ベース領域３を含み、前記ｐ＋エミッタ領域１にｐ＋エミッタコンタクト電極２が設けられ、前記ｎ＋ベース領域３にｎ＋ベースコンタクト電極４が設けられ、ｐ＋エミッタコンタクト電極２に設置されるｐ＋電極合流点５と、ｎ＋ベースコンタクト電極４に設置されるｎ＋電極合流点６と、を更に備え、前記ｐ＋電極合流点５とｎ＋電極合流点６は電流を収集して外部回路に伝送することに用いられ、前記ｐ＋電極合流点と前記ｎ＋電極合流点の周囲領域にいずれも絶縁バリア層が設置され、前記導電性部材は隣接する前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池の間に設置される。
【００２５】
好ましくは、前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池はＮ型結晶シリコン基板を備え、前記Ｎ型結晶シリコン基板の前面は内から外まで順にｎ＋ドープ前面電界と前面不動態化反射防止フィルムであり、裏面は内から外まで順に交互に配列される裏面ｐ＋領域１と裏面ｎ＋領域３、裏面不動態化フィルム及び裏面電極であり、前記裏面電極はｐ＋エミッタコンタクト電極２とｎ＋ベースコンタクト電極４を含む。
【００２６】
好ましくは、前記狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池のシリコン基板は、抵抗率が１〜３０Ω・ｃｍであり、厚さが１００〜２００μｍであり、前記ｐ＋エミッタ領域１と前記ｎ＋ベース領域３はストリップ状を呈するように太陽電池基板の裏面に互いに配置され、ｐ＋エミッタ領域１の幅は５００〜１５００μｍであり、ｎ＋ベース領域３の幅は２００〜５００μｍである。
【００２７】
好ましくは、Ｎ型ＩＢＣ太陽電池の裏面ｐ＋エミッタコンタクト電極２の幅は５０〜１５０μｍであり、ｎ＋ベースコンタクト電極の幅は５０〜１５０μｍであり、ｐ＋エミッタコンタクト電極２にｐ＋電極合流点５が設置され、ｎ＋ベースコンタクト電極４にｎ＋電極合流点６が設置され、ｐ＋電極合流点５とｎ＋電極合流点６は電池接点に配置されてストリップ状に整然として配列され、前記ｐ＋電極合流点５と前記ｎ＋電極合流点６はいずれも直径５００μｍのドット又は辺長５００μｍの四角形点又は面積に相当する他の形状の金属点であり、ｐ＋エミッタコンタクト電極２、ｐ＋電極合流点５、ｎ＋ベースコンタクト電極４、ｎ＋電極合流点６の電極材質はいずれも金属銀である。
【００２８】
好ましくは、図２に示すように、前記絶縁バリア層７の形状はストリップ状であり、その幅は５〜１０ｍｍであり、長さは１５６ｍｍであり、前記絶縁バリア層７はそれぞれ前記ｐ＋電極合流点５と前記ｎ＋電極合流点６の位置するアレイに被覆され、前記ｐ＋電極合流点５と前記ｎ＋電極合流点６は絶縁バリア層で被覆されていない。
【００２９】
本実施例に係るＮ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングの製造方法は、
図１に示すように、太陽電池基板の裏面に交互に配列されるｐ＋エミッタ領域１とｎ＋ベース領域３を形成して、ｐ＋エミッタ領域１にオーム接触するｐ＋エミッタコンタクト電極２とｎ＋ベース領域３に接触するｎ＋ベースコンタクト電極４を製造し、更に前記ｐ＋エミッタコンタクト電極３にｐ＋電極合流点５を製造し、ｎ＋ベースコンタクト電極４にｎ＋電極合流点６を製造するステップ（１）と、
図２に示すように、スクリーン印刷技術で絶縁ペーストをｐ＋電極合流点５とｎ＋電極合流点６のストリップに印刷し、前記ｐ＋電極合流点５と前記ｎ＋電極合流点６では前記絶縁ペーストがリークするので、乾燥してから絶縁バリア層７を形成するステップ（２）と、
図３に示すように、絶縁バリア層の中心に沿ってＮ型ＩＢＣ太陽電池基板を複数枚の狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池に切断し、Ｎ型狭帯域ＩＢＣ電池の長辺の最外両側がそれぞれｐ＋電極合流点のストリップ状とｎ＋電極合流点のストリップ状であり、切断方式が好ましくはレーザー切断であるステップ（３）と、
図４〜図５に示すように、狭帯域Ｎ型ＩＢＣ電池を規則正しく配列し、隣接する２つの狭帯域電池接点の隣接する位置は一方の電池接点のｐ＋電極合流点５アレイと他方の電池接点のｎ＋電極合流点６アレイであり、導電性接着剤８をｐ＋電極合流点５とｎ＋電極合流点６に塗布し、隣接する電池の境界付近に導電性部材９を設置し、導電性部材９の幅は４〜８ｍｍであり、厚さは０．１〜０．５ｍｍであり、材質は錫メッキ銅ストリップであり、導電性部材９によって隣接する狭帯域Ｎ型ＩＢＣ太陽電池のｐ＋電極合流点５とｎ＋電極合流点６をオーム接続し、該ステップを繰り返すことにより、Ｎ型ＩＢＣ太陽電池をスプライス接続する電池ストリングを形成するステップ（４）と、を含む。
【００３０】
好ましくは、ステップ（１）では、ｐ＋電極合流点５とｎ＋電極合流点６はアレイ状に配列され、各列のｐ＋電極合流点５又はｎ＋電極合流点６の個数は２０個であって、均一に分布し、
好ましくは、ステップ（４）では、導電性部材９は、幅が４〜８ｍｍであり、厚さが０．１〜０．５ｍｍであり、材質は錫メッキ銅ストリップである。
【００３１】
本実施例は更に太陽電池モジュールを提供し、太陽電池モジュールは太陽電池ストリングを備え、太陽電池ストリングは上記Ｎ型ＩＢＣ太陽電池ストリングである。
【００３２】
本実施例は更に太陽電池システムを提供し、太陽電池システムは１つ以上の太陽電池モジュールを備え、太陽電池モジュールは上記太陽電池モジュールである。
【００３３】
なお、以上の実施例は本発明の技術案を説明するためのものであって、本発明の保護範囲を制限するためのものではない。好適な実施例を参照して本発明を詳しく説明したが、当業者であれば、本発明の技術案の本質及び範囲を逸脱せずに、本発明の技術案に対して修正や等価置換を行うことができると理解すべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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2020510321.tif 000009
2020510321.tif 000010
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