(57)【要約】  本発明は、ジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物、およびそれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法に関し、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物は、反応性に優れ、熱的に安定しており、揮発性が高いジシリルアミン化合物をシリコン前駆体として含むことで、良質のシリコン含有薄膜を製造することができる。【選択図】図１
2020517825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１で表されるジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
［化学式１］
【化１】
2020517825.tif 000037
（前記化学式１中、
Ｒａ、Ｒｂ、およびＲ１〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、Ｃ１−Ｃ７アルキル、またはＣ２−Ｃ７アルケニルであり、但し、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除く。）
【請求項２】
前記化学式１において、ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、水素、Ｃ１−Ｃ５アルキル、またはＣ２−Ｃ５アルケニルであって、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き；
Ｒ１〜Ｒ３は水素であり；
Ｒ４〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、Ｃ１−Ｃ５アルキル、またはＣ１−Ｃ５アルケニルである、請求項１に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
【請求項３】
前記化学式１は、下記化学式２で表される、請求項１に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
［化学式２］
【化２】
2020517825.tif 000038
（前記化学式２中、ＲはＣ１−Ｃ７アルキルであり、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素、Ｃ１−Ｃ７アルキル、またはＣ２−Ｃ７アルケニルである。）
【請求項４】
前記化学式２において、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１−Ｃ５アルキルである、請求項３に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
【請求項５】
前記化学式１のジシリルアミン化合物は、下記化合物から選択されるものである、請求項１に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
【化３】
2020517825.tif 000039
【化４】
2020517825.tif 000040
【化５】
2020517825.tif 000041
【化６】
2020517825.tif 000042
【化７】
2020517825.tif 000043
【化８】
2020517825.tif 000044
【化９】
2020517825.tif 000045
【請求項６】
請求項１から５の何れか一項に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いたシリコン含有薄膜の製造方法。
【請求項７】
原子層蒸着法、気相蒸着法、有機金属化学気相蒸着法、低圧気相蒸着法、プラズマ強化気相蒸着法、またはプラズマ強化原子層蒸着法により行われる、請求項６に記載のシリコン含有薄膜の製造方法。
【請求項８】
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板の温度を３０〜４００℃に維持するステップと、
ｂ）キャリヤガスと、請求項１に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を注入するステップと、
ｃ）反応ガスを注入して前記基板上にシリコン含有薄膜を蒸着させるステップと、を含む、請求項６に記載のシリコン含有薄膜の製造方法。
【請求項９】
前記反応ガスは、酸素、オゾン、蒸留水、過酸化水素、一酸化窒素、亜酸化窒素、二酸化窒素、アンモニア、窒素、ヒドラジン、アミン、ジアミン、一酸化炭素、二酸化炭素、Ｃ１〜Ｃ１２の飽和または不飽和炭化水素、水素、アルゴン、およびヘリウムから選択される何れか１つまたは２つ以上である、請求項８に記載のシリコン含有薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物、およびそれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン含有薄膜は、半導体分野において、種々の蒸着工程によりシリコン膜（ｓｉｌｉｃｏｎ）、シリコン酸化膜（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ）、シリコン窒化膜（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、シリコン炭窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｏｎｉｔｒｉｄｅ）、およびシリコンオキシ窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）などの様々な形態で製造されており、その応用分野が広範囲である。特に、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜は、非常に優れた遮断特性および耐酸化性のため、装置の製作において、絶縁膜、拡散防止膜、ハードマスク、エッチング停止層、シード層、スペーサー、トレンチアイソレーション、金属間誘電物質、および保護膜層に用いられている。近年、多結晶シリコン薄膜が薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）、太陽電池などに用いられており、その応用分野が多様化しつつある。
【０００３】
シリコンが含有されている薄膜を製造するための公知の代表的な技術としては、混合されたガス形態のシリコン前駆体と反応ガスを反応させて基板の表面に膜を形成したり、基板の表面上と直接反応させて膜を形成したりする化学気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）法や、ガス形態のシリコン前駆体を基板の表面に物理的または化学的に吸着させた後、反応ガスを順に投入することにより膜を形成する原子層蒸着（ＡＬＤ）法が挙げられ、これを応用した低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）法、および低温で蒸着が可能なプラズマを利用した化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法と原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法などの種々の薄膜製造技術が次世代半導体およびディスプレイ素子の製造工程に適用され、超微細パターンの形成や、ナノ単位の厚さで均一で且つ優れた特性を有する極薄膜の蒸着に用いられている。
【０００４】
シリコン含有薄膜を形成するために用いられる前駆体は、シラン、シラン塩化物、アミノシラン、およびアルコキシシラン形態の化合物が代表的であり、一般に求められる前駆体の特徴は、次のとおりである。
○１  常温および常圧で液体形態の化合物と優れた揮発性を有する化合物
○２  化合物自体の高い熱安定性と低い活性化エネルギーを有し、反応性に優れた化合物
○３  薄膜の形成過程で不揮発性の副生物を生成しない化合物
○４  取り扱いおよび運送と保管が容易な化合物
【０００５】
現在、ジクロロシラン（ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ：ＳｉＨ２Ｃｌ２）およびヘキサクロロジシラン（ｈｅｘａｃｈｌｏｒｏｄｉｓｉｌａｎｅ：Ｃｌ３ＳｉＳｉＣｌ３）などのシラン塩化物形態の化合物と、トリシリルアミン（ｔｒｉｓｉｌｙｌａｍｉｎｅ：Ｎ（ＳｉＨ３）３）、ビスジエチルアミノシラン（ｂｉｓ−ｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｉｌａｎｅ：Ｈ２Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２）２）、およびジイソプロピルアミノシラン（ｄｉ−ｉｓｏｐｒｏｐｙｌａｍｉｎｏｓｉｌａｎｅ：Ｈ３ＳｉＮ（ｉ−Ｃ３Ｈ７）２）などのアミノシラン化合物などを用いたシリコン含有薄膜の蒸着に関する研究が種々の文献で報告されており、半導体の製造およびディスプレイの製造における量産工程で用いられている。しかしながら、素子の超高集積化による素子の微細化とアスペクト比の増加、および素子材料の多様化により、所望の低い温度で、均一で且つ薄い厚さを有し、優れた電気的特性を有する超微細薄膜を形成する技術が求められており、従来のシリコン前駆体を用いた６００℃以上の高温工程、ステップカバレッジ、エッチング特性、薄膜の物理的および電気的特性が問題となっている。
【０００６】
一方、素子で求められている、低い温度で、均一で且つ薄い厚さを有し、優れた電気的特性を有する超微細薄膜を形成しても、低い薄膜形成速度による生産性の問題が発生しており、向上した性能を有する新規なシリコン前駆体の開発が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、熱安定性が高いとともに、反応性に優れて、低い温度で優れた凝集力を有するジシリルアミン化合物をシリコン前駆体として含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を提供する。
【０００８】
また、本発明は、本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いて、高い蒸着率、優れたステップカバレッジなどの優れた物理的および電気的特性を有するシリコン含有薄膜が形成可能なシリコン含有薄膜の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、低い活性化エネルギーを有して反応性に優れ、熱的に安定しており、揮発性が強いため、薄膜蒸着用前駆体として非常に有用な、ジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を提供するものであって、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物に含まれるジシリルアミン化合物は、下記化学式１で表される。
【００１０】
［化学式１］
【化１】
2020517825.tif 000003
（前記化学式１中、
Ｒａ、Ｒｂ、およびＲ１〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルであり、但し、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除く。）
【００１１】
好ましくは、本発明の一実施形態に係る前記化学式１において、ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ５）アルケニルであって、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き；Ｒ１〜Ｒ３は水素であり；Ｒ４〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ１−Ｃ５）アルケニルであってもよい。
【００１２】
好ましくは、本発明の前記化学式１で表されるジシリルアミン化合物は、下記化学式２で表されてもよい。
【００１３】
［化学式２］
【化２】
2020517825.tif 000004
（前記化学式２中、Ｒは（Ｃ１−Ｃ７）アルキルであり、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルである。）
【００１４】
純度および耐久性にさらに優れた薄膜を蒸着する点から、好ましくは、本発明の一実施形態に係る前記化学式２において、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ５）アルキルであってもよい。
【００１５】
具体的に、本発明の前記化学式１のジシリルアミン化合物は、下記化合物から選択されるものであってもよいが、これに限定されるものではない。
【００１６】
【化３】
2020517825.tif 000005
【化４】
2020517825.tif 000006
【化５】
2020517825.tif 000007
【化６】
2020517825.tif 000008
【化７】
2020517825.tif 000009
【化８】
2020517825.tif 000010
【化９】
2020517825.tif 000011
【００１７】
また、本発明は、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いたシリコン含有薄膜の製造方法を提供する。
【００１８】
本発明のシリコン含有薄膜の製造方法は、原子層蒸着（ＡＬＤ）法、気相蒸着（ＣＶＤ）法、有機金属化学気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）法、低圧気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）法、プラズマ強化気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法、またはプラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法により行われてもよい。
【００１９】
本発明のシリコン含有薄膜の製造方法は、具体的に、
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板の温度を３０〜４００℃に維持するステップと、
ｂ）キャリヤガスと、請求項１に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を注入するステップと、
ｃ）反応ガスを注入して前記基板上にシリコン含有薄膜を蒸着させるステップと、を含んでもよい。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る反応ガスは、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、蒸留水（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アミン、ジアミン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、Ｃ１〜Ｃ１２の飽和または不飽和炭化水素、水素、アルゴン、およびヘリウムから選択される何れか１つまたは２つ以上であってもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物は、シリコン含有薄膜蒸着用前駆体として、低い活性化エネルギーを有することで反応性に優れており、熱安定性に優れるとともに、揮発性が高いジシリルアミン化合物を含むことで、高い蒸着率および優れたステップカバレッジなどの優れた物理的、電気的特性を有し、純度および耐久性が高い薄膜を製造することができる。
【００２２】
さらに、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物に含まれるジシリルアミン化合物は、室温および取り扱い可能な圧力下で液体状態で存在するため、取り扱いが容易であり、シリコン含有薄膜の製造がより容易である。
【００２３】
また、本発明のシリコン含有薄膜の製造方法は、熱安定性が高く、反応性に優れたジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いてシリコン含有薄膜を製造することで、シリコンの含量が高く、熱安定性および耐久性に優れた高品質のシリコン含有薄膜の製造を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施例１で製造されたビスジメチルシリルメチルジシリルアミンの蒸気圧を測定したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明のジシリルアミン化合物、その製造方法、およびそれを含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物について詳述する。
【００２６】
本発明に記載の「アルキル」は、直鎖状、分岐状、および環状の飽和、不飽和炭化水素を意味し、１〜７個の炭素原子、好ましくは１〜５個、より好ましくは１〜３個の炭素原子を有し、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチルなどを含む。
【００２７】
本明細書に記載の「ハロゲン」は、ハロゲン族元素を意味し、例えば、フルオロ、クロロ、ブロモ、およびヨードを含む。
【００２８】
本発明に記載の、単独、または他の基の一部としての用語「アルケニル」は、２〜７個の炭素原子、および１個以上の炭素−炭素二重結合を含有する、直鎖状、分岐状、または環状の炭化水素ラジカルを意味する。より好ましいアルケニルラジカルは、２〜５個の炭素原子を有する低級アルケニルラジカルである。最も好ましい低級アルケニルラジカルは、約２〜３個の炭素原子を有するラジカルである。また、アルケニル基は、任意の利用可能な付着点で置換されてもよい。アルケニルラジカルの例としては、エテニル、プロペニル、アリル、ブテニル、および４−メチルブテニルを含む。用語「アルケニル」および「低級アルケニル」は、シス（ｃｉｓ）およびトランス（ｔｒａｎｓ）配向、または代案的に、ＥおよびＺ配向を有するラジカルを含む。
【００２９】
本発明は、反応性および熱安定性に優れるとともに、室温で殆ど液体で存在するため取り扱いが容易な、下記化学式１で表されるジシリルアミン化合物を薄膜蒸着用前駆体として含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を提供する。
【００３０】
［化学式１］
【化１０】
2020517825.tif 000012
（前記化学式１中、
Ｒａ、Ｒｂ、およびＲ１〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルであり、但し、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除く。）
【００３１】
本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物に含まれるジシリルアミン化合物は、窒素原子の非共有電子対が分子中のシリコン原子にさらに提供されることで、シリコンと窒素原子の結合エネルギーが増加し、窒素原子に３個のシリコン原子が結合されている平面三角形のＳｉ３Ｎ分子構造を有して、低い活性化エネルギーを有するため、反応性に優れるとともに、熱安定性が高い。したがって、シリコン含有薄膜の前駆体として非常に有用である。
【００３２】
また、本発明のジシリルアミン化合物は、常温および常圧で殆ど液体形態の化合物であって、優れた揮発性を有しており、分子中のシリコン原子の含量が高いため、それを含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物は、高い蒸着率で良質のシリコン含有薄膜を製造することができる。
【００３３】
好ましくは、本発明の前記化学式１において、ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ５）アルケニルであって、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き；Ｒ１〜Ｒ３は水素であり；Ｒ４〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ１−Ｃ５）アルケニルであってもよい。より好ましくは、ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ５）アルキルであり、但し、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き、Ｒ１〜Ｒ３は水素であり；Ｒ４〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ１−Ｃ５）アルケニルであってもよい。
【００３４】
より好ましくは、本発明の前記化学式１は、下記化学式２で表されてもよい。
【００３５】
［化学式２］
【化１１】
2020517825.tif 000013
（前記化学式２中、Ｒは（Ｃ１−Ｃ７）アルキルであり、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルである。）
【００３６】
本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物に含まれるシリコン前駆体である、前記化学式２で表されるジシリルアミン化合物は、窒素原子の非共有電子対が分子中のシリコン原子にさらに提供されることで、シリコンと窒素原子の結合エネルギーが増加し、窒素原子に３個のシリコン原子が結合されている平面三角形のＳｉ３Ｎ分子構造を有するだけでなく、陽電荷の特性を有する３個の水素を含んでいる２個のシリコン原子
が結合され（
【化１２】
2020517825.tif 000014
）、電子的に敏感なＳｉ２分子構造の形態を有する。これにより、さらに低い活性化エネルギーを有するため、より優れた反応性を有し、高い蒸着率で容易にシリコン含有薄膜が蒸着可能である。
【００３７】
さらに、熱安定性にも優れるため、耐久性が高く、且つ純度の高い薄膜を製造することができる。
【００３８】
より優れたシリコン含有薄膜を製造する点から、より好ましくは、前記化学式２において、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ５）アルキルであってもよく、より好ましくは、Ｒは（Ｃ１−Ｃ３）アルキルであり、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ３）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ３）アルケニルであってもよい。
【００３９】
本発明の一実施形態に係る化学式１は、下記化学式１−１または化学式１−２で表されてもよい。
【００４０】
［化学式１−１］
【化１３】
2020517825.tif 000015
【００４１】
［化学式１−２］
【化１４】
2020517825.tif 000016
（前記化学式１−１および１−２中、
ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、（Ｃ１−Ｃ７）アルキルであり、Ｒ２１およびＲ２２は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルである。）
【００４２】
具体的に、本発明の前記化学式１のジシリルアミン化合物は、下記化合物から選択されるものであってもよいが、これに限定されるものではない。
【００４３】
【化１５】
2020517825.tif 000017
【化１６】
2020517825.tif 000018
【化１７】
2020517825.tif 000019
【化１８】
2020517825.tif 000020
【化１９】
2020517825.tif 000021
【化２０】
2020517825.tif 000022
【化２１】
2020517825.tif 000023
【００４４】
また、本発明は、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物に含まれる前記化学式１の化合物を提供する。
【００４５】
好ましくは、本発明の前記化学式１において、ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ７）アルキルであって、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き、Ｒ１〜Ｒ３は水素であり；Ｒ４〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ１−Ｃ５）アルケニルであってもよく、より好ましくは、前記化学式２で表されてもよい。
【００４６】
好ましくは、本発明の一実施形態に係る前記化学式２において、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ５）アルキルであってもよい。
【００４７】
本発明の一実施形態に係る前記化学式１のジシリルアミン化合物は、下記化合物から選択されるものであってもよいが、これに限定されるものではない。
【００４８】
【化２２】
2020517825.tif 000024
【化２３】
2020517825.tif 000025
【化２４】
2020517825.tif 000026
【化２５】
2020517825.tif 000027
【化２６】
2020517825.tif 000028
【化２７】
2020517825.tif 000029
【化２８】
2020517825.tif 000030
【００４９】
また、本発明は、本発明の一実施形態に係る化学式１の化合物の製造方法を提供し、その製造方法は、本発明の技術分野における当業者が認識できる範囲内であれば何れも可能であるが、具体的な一例として、
塩基の存在下で、下記化学式３の化合物と、下記化学式４の化合物とを反応させることで、化学式５の化合物を製造するステップと、
還元剤の存在下で、下記化学式５の化合物を還元させることで、下記化学式１のジシリルアミン化合物を製造するステップと、を含んで、下記化学式１のジシリルアミン化合物を製造することができる。
【００５０】
［化学式１］
【化２９】
2020517825.tif 000031
【００５１】
［化学式３］
【化３０】
2020517825.tif 000032
【００５２】
［化学式４］
【化３１】
2020517825.tif 000033
【００５３】
［化学式５］
【化３２】
2020517825.tif 000034
（前記化学式１および化学式３〜５中、Ｒａ、Ｒｂ、およびＲ１〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルであり、但し、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き；
Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立して、ハロゲンである。）
【００５４】
本発明のジシリルアミン化合物の製造方法の一実施形態において、塩基は、本発明の技術分野における当業者が認識できる範囲内であれば何れも可能であるが、好ましくは、トリ（Ｃ１−Ｃ５）アルキルアミンまたはピリジンであってもよく、具体的に、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどが挙げられる。塩基と前記化学式４とのモル比は１：１〜１：２の範囲であり、反応を迅速に完了するために、１：１〜１：１．５のモル比で用いられ、より好ましくは、１：１．２５のモル比で用いられてもよい。
【００５５】
本発明のジシリルアミン化合物の製造方法の一実施形態において、前記還元剤は、これに制限されるものではないが、好ましくは、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、またはＭＨ（ここで、Ｍはアルカリ金属である。）であってもよく、前記アルカリ金属は、Ｌｉ、Ｎａ、またはＫであってもよい。
【００５６】
本発明の還元剤は、前記化学式５の化合物とのモル比が１：１．２５〜１：６であり、好ましくは１：１．２５〜１：５．５のモル比で用いられてもよい。前記化学式３の化合物は、前記化学式２の化合物１モルに対して、１〜２のモル比で用いられてもよい。
【００５７】
本発明の製造方法で用いられる溶媒としては、通常の有機溶媒であれば何れも可能であるが、ヘキサン、ペンタン、ジクロロメタン（ＤＣＭ）、ジクロロエタン（ＤＣＥ）、トルエン（Ｔｏｌｕｅｎｅ）、アセトニトリル（ＭｅＣＮ）、ニトロメタン（Ｎｉｔｒｏｍｅｔｈａｎｅ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラエチレングリコールジメチルエタン、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ポリエーテル（Ｄｉｇｌｙｍｅ、Ｔｒｉｇｌｙｍｅおよび／またはＴｅｔｒａｇｌｙｍｅ）からなる群から選択される１種以上を用いることが好ましい。
【００５８】
反応温度は、通常の有機合成で用いられる温度であれば可能であるが、反応物質および出発物質の量によって変わり得て、ＮＭＲなどにより、出発物質が完全に消耗されたことを確認してから反応を完結させる。反応が完結されると、抽出過程の後に、減圧下で溶媒を蒸留させた後、カラムクロマトグラフィーなどの通常の方法により目的物を分離精製してもよい。
【００５９】
また、本発明は、本発明のジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を提供する。
【００６０】
本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物は、前記化学式１で表されるジシリルアミン化合物を前駆体として必ず含み、ジシリルアミン化合物を１つ以上含んでもよい。シリコン含有薄膜蒸着用組成物中のジシリルアミン化合物の含量は、薄膜の成膜条件または薄膜の厚さ、特性などを考慮して、当業者が認識できる範囲内で含まれてもよい。
【００６１】
また、本発明は、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いたシリコン含有薄膜の製造方法を提供する。
【００６２】
本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜の製造方法は、常温で液体であって、揮発性が高く、熱安定性に優れた、前記化学式１で表されるジシリルアミン化合物を前駆体として含む本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いて薄膜を製造することで、前駆体の取り扱いが容易であり、種々の薄膜が製造可能であるとともに、シリコンの含量が高く、高い蒸着率および優れたステップカバレッジを有する高純度の薄膜を製造することができる。
【００６３】
本発明のシリコン含有薄膜の製造方法は、本技術分野における当業者が認識できる範囲内で可能な方法であれば何れも可能であるが、好ましくは、原子層蒸着（ＡＬＤ）法、気相蒸着（ＣＶＤ）法、有機金属化学気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）法、低圧気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）法、プラズマ強化気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法、またはプラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法により行われてもよく、より好ましくは、プラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法またはプラズマ強化気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法であってもよい。
【００６４】
本発明のシリコン含有薄膜の製造方法は、具体的に
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板の温度を３０〜４００℃に維持するステップと、
ｂ）キャリヤガスと、本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜蒸着用組成物を注入するステップと、
ｃ）反応ガスを注入して前記基板上にシリコン含有薄膜を蒸着させるステップと、を含んでもよい。
【００６５】
好ましくは、本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜の製造を、プラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法またはプラズマ強化気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法により行う際に、ａ）ステップの後に、プラズマを発生させるステップをさらに含んでもよく、
ｂ）ステップのシリコン含有薄膜蒸着用組成物がキャリヤガスとともに注入されてもよい。
【００６６】
本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜の製造方法は、目的とする薄膜の構造または熱的特性に応じて蒸着条件が調節可能であり、本発明の一実施形態に係る蒸着条件としては、ジシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜蒸着用組成物の投入流量、反応ガス、キャリヤガスの投入流量、圧力、ＲＦパワー、基板温度などが挙げられる。かかる蒸着条件の非限定的な例として、シリコン含有薄膜蒸着用組成物の投入流量は１０〜１０００ｃｃ／ｍｉｎ、キャリヤガスは１０〜１０００ｃｃ／ｍｉｎ、反応ガスの流量は１〜１０００ｃｃ／ｍｉｎ、圧力は０．５〜１０ｔｏｒｒ、ＲＦパワーは２００〜１０００Ｗ、および基板温度は３０〜４００℃の範囲で調節可能であるが、これに限定されるものではない。
【００６７】
本発明のシリコン含有薄膜の蒸着方法は、本発明の一実施形態に係るジシリルアミン化合物を前駆体として含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いることで、低い基板温度である３０〜２００℃、より低い温度である３０〜１００℃の範囲でも薄膜を形成することができるため、非常に経済的であり、商業的な適用において非常に有利である。
【００６８】
本発明のシリコン含有薄膜の製造方法で用いられる反応ガスは、これに限定されるものではないが、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、蒸留水（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アミン、ジアミン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、Ｃ１〜Ｃ１２の飽和または不飽和炭化水素、水素、アルゴン、およびヘリウムから選択される何れか１つまたは２つ以上であり、キャリヤガスは、アルゴン、ヘリウム、および窒素から選択される１つまたは２つ以上であってもよい。
【００６９】
本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜の製造方法で用いられる基板は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣ、ＩｎＡｓ、およびＩｎＰのうち１つ以上の半導体材料を含む基板；ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板；石英基板；またはディスプレイ用ガラス基板；ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ、ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ  Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、Ｐｏｌｙ  Ｍｅｔｈｙｌ  ＭｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ、ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエステル（Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）などの可撓性プラスチック基板；であってもよいが、これに限定されるものではない。
【００７０】
また、前記シリコン含有薄膜は、前記基板に直ちに薄膜を形成することの他に、前記基板と前記シリコン含有薄膜との間に、多数の導電層、誘電層、または絶縁層などが形成されてもよい。
【００７１】
以下、本発明を下記実施例によってさらに具体的に説明する。それに先たち、本明細書および特許請求の範囲で用いられた用語や単語は、通常的または辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって、本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。
【００７２】
したがって、本明細書に記載された実施例と図面に示された構成は、本発明の最も好ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的思想の全部を代弁しているわけではないため、本出願時点においてこれらに代替可能な多様な均等物と変形例があり得ることを理解すべきである。
【００７３】
また、以下の全ての実施例は、常用化されたシャワーヘッド方式の２００ｍｍ枚葉式（ｓｉｎｇｌｅ  ｗａｆｅｒ  ｔｙｐｅ）ＡＬＤ装備（ＣＮ１、Ａｔｏｍｉｃ  Ｐｒｅｍｉｕｍ）を用いて、公知のプラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法により行った。また、常用化されたシャワーヘッド方式の２００ｍｍ枚葉式（ｓｉｎｇｌｅ  ｗａｆｅｒ  ｔｙｐｅ）ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）装備（ＣＮ１、Ａｔｏｍｉｃ  Ｐｒｅｍｉｕｍ）を用いて、公知のプラズマ気相化学蒸着法により行うことができる。
【００７４】
蒸着されたシリコン含有薄膜の厚さは、エリプソメータ（Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ、Ｍ２０００Ｄ、Ｗｏｏｌｌａｍ）および透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により測定し、赤外分光器（Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＩＦＳ６６Ｖ／Ｓ  ＆  Ｈｙｐｅｒｉｏｎ  ３０００、Ｂｒｕｋｅｒ  Ｏｐｔｉｋｓ）、Ｘ−線光電子分光分析器（Ｘ−ｒａｙ  ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、および二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、ＳＩＭＳ）を用いて、その組成を分析した。
【００７５】
［実施例１］ビスジメチルシリルメチルジシリルアミンの製造
１ステップ：ビスジメチルシリルテトラクロロメチルジシリルアミンの製造
【化３３】
2020517825.tif 000035
無水雰囲気および不活性雰囲気下で、乾燥された５ＬのＳｕｓ反応器に、メチルペンタクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ５ＣＨ３）２０００ｇ（８．０５ｍｏｌ）と有機溶媒のノルマルペンタン１５００ｍＬを入れて撹拌しながら、トリエチルアミン（（ＣＨ３ＣＨ２）３Ｎ）７５２．７ｇ（８．０５ｍｏｌ）を−２０℃に維持しながらゆっくりと添加した。添加が完了された後、さらにテトラメチルジシラザン（（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＨ）１０７３ｇ（８．０５ｍｏｌ）を−２０℃に維持しながらゆっくりと添加した。添加が完了された反応溶液を徐々に常温に昇温し、２５℃に維持しながら６時間撹拌した。反応が終わった反応混合物を濾過し、生成された白色の固体を除去した後、濾液を得た。この濾液から減圧下で溶媒を除去し、ビスジメチルシリルテトラクロロメチルジシリルアミン（（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｃｌ）２ＳｉＣｌ２ＣＨ３）を２５０１ｇ（７．２４ｍｏｌ）得た（収率９０％）。
【００７６】
１Ｈ  ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）：  δ０．１４  （ｄ，  １２Ｈ，  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｃｌ）２ＳｉＣｌ２ＣＨ３），  δ４．６０  （ｍ，  ２Ｈ，  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｃｌ）２ＳｉＣｌ２ＣＨ３），  δ０．１９  （ｓ，  ３Ｈ  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｃｌ）２ＳｉＣｌ２ＣＨ３）
【００７７】
ステップ２：ビスジメチルシリルメチルジシリルアミンの製造
【化３４】
2020517825.tif 000036
無水雰囲気および不活性雰囲気下で、乾燥された２０ＬのＳｕｓ反応器に、有機溶媒のテトラエチレングリコールジメチルエーテル（ＴＥＧＤＭＥ）２０００ｍｌを入れて撹拌しながら、リチウムアルミニウムヒドリド（ＬｉＡｌＨ４）３７９ｇ（９．９９ｍｏｌ）を−１０℃に維持しながらゆっくりと添加した。添加が完了された後、さらにビスジメチルシリルテトラクロロメチルジシリルアミン（（（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｃｌ）２ＳｉＣｌ２ＣＨ３）２５０１ｇ（７．２４ｍｏｌ）を−１０℃に維持しながらゆっくりと添加した。添加が完了された反応溶液を−１０℃に維持しながら２０時間撹拌した。反応が終わった反応混合物を濾過し、生成された白色の固体を除去した後、濾液を得た。この濾液から減圧下で溶媒を除去し、減圧蒸留により、ビスジメチルシリルメチルジシリルアミン（（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３）を７５２ｇ（３．６２ｍｏｌ）得た（収率５０％）。
【００７８】
１Ｈ  ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）：  δ０．１４  （ｄ，  １２Ｈ，  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３），  δ４．７６  （ｍ，  ２Ｈ，  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３），  δ４．６０  （ｍ，  ２Ｈ  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３），  δ３．８０  （ｍ，  ２Ｈ  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３），  δ０．２６  （ｍ，  ３Ｈ  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３）
【００７９】
図１に、実施例１で製造されたビスジメチルシリルメチルジシリルアミンの蒸気圧を測定したグラフを示した。図１から、本発明のジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いて、容易に薄膜蒸着が可能であることが分かる。
【図１】
2020517825.tif 000046
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月29日(2019.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物、およびそれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン含有薄膜は、半導体分野において、種々の蒸着工程によりシリコン膜（ｓｉｌｉｃｏｎ）、シリコン酸化膜（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｉｄｅ）、シリコン窒化膜（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、シリコン炭窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｏｎｉｔｒｉｄｅ）、およびシリコンオキシ窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）などの様々な形態で製造されており、その応用分野が広範囲である。特に、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜は、非常に優れた遮断特性および耐酸化性のため、装置の製作において、絶縁膜、拡散防止膜、ハードマスク、エッチング停止層、シード層、スペーサー、トレンチアイソレーション、金属間誘電物質、および保護膜層に用いられている。近年、多結晶シリコン薄膜が薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）、太陽電池などに用いられており、その応用分野が多様化しつつある。
【０００３】
シリコンが含有されている薄膜を製造するための公知の代表的な技術としては、混合されたガス形態のシリコン前駆体と反応ガスを反応させて基板の表面に膜を形成したり、基板の表面上と直接反応させて膜を形成したりする化学気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）法や、ガス形態のシリコン前駆体を基板の表面に物理的または化学的に吸着させた後、反応ガスを順に投入することにより膜を形成する原子層蒸着（ＡＬＤ）法が挙げられ、これを応用した低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）法、および低温で蒸着が可能なプラズマを利用した化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法と原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法などの種々の薄膜製造技術が次世代半導体およびディスプレイ素子の製造工程に適用され、超微細パターンの形成や、ナノ単位の厚さで均一で且つ優れた特性を有する極薄膜の蒸着に用いられている。
【０００４】
シリコン含有薄膜を形成するために用いられる前駆体は、シラン、シラン塩化物、アミノシラン、およびアルコキシシラン形態の化合物が代表的であり、一般に求められる前駆体の特徴は、次のとおりである。
○１  常温および常圧で液体形態の化合物と優れた揮発性を有する化合物
○２  化合物自体の高い熱安定性と低い活性化エネルギーを有し、反応性に優れた化合物
○３  薄膜の形成過程で不揮発性の副生物を生成しない化合物
○４  取り扱いおよび運送と保管が容易な化合物
【０００５】
現在、ジクロロシラン（ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ：ＳｉＨ２Ｃｌ２）およびヘキサクロロジシラン（ｈｅｘａｃｈｌｏｒｏｄｉｓｉｌａｎｅ：Ｃｌ３ＳｉＳｉＣｌ３）などのシラン塩化物形態の化合物と、トリシリルアミン（ｔｒｉｓｉｌｙｌａｍｉｎｅ：Ｎ（ＳｉＨ３）３）、ビスジエチルアミノシラン（ｂｉｓ−ｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｉｌａｎｅ：Ｈ２Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２）２）、およびジイソプロピルアミノシラン（ｄｉ−ｉｓｏｐｒｏｐｙｌａｍｉｎｏｓｉｌａｎｅ：Ｈ３ＳｉＮ（ｉ−Ｃ３Ｈ７）２）などのアミノシラン化合物などを用いたシリコン含有薄膜の蒸着に関する研究が種々の文献で報告されており、半導体の製造およびディスプレイの製造における量産工程で用いられている。しかしながら、素子の超高集積化による素子の微細化とアスペクト比の増加、および素子材料の多様化により、所望の低い温度で、均一で且つ薄い厚さを有し、優れた電気的特性を有する超微細薄膜を形成する技術が求められており、従来のシリコン前駆体を用いた６００℃以上の高温工程、ステップカバレッジ、エッチング特性、薄膜の物理的および電気的特性が問題となっている。
【０００６】
一方、素子で求められている、低い温度で、均一で且つ薄い厚さを有し、優れた電気的特性を有する超微細薄膜を形成しても、低い薄膜形成速度による生産性の問題が発生しており、向上した性能を有する新規なシリコン前駆体の開発が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、熱安定性が高いとともに、反応性に優れて、低い温度で優れた凝集力を有するジシリルアミン化合物をシリコン前駆体として含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を提供する。
【０００８】
また、本発明は、本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いて、高い蒸着率、優れたステップカバレッジなどの優れた物理的および電気的特性を有するシリコン含有薄膜が形成可能なシリコン含有薄膜の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、低い活性化エネルギーを有して反応性に優れ、熱的に安定しており、揮発性が強いため、薄膜蒸着用前駆体として非常に有用な、ジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を提供するものであって、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物に含まれるジシリルアミン化合物は、下記化学式１で表される。
【００１０】
［化学式１］
【化１】
2020517825.tif 000047
（前記化学式１中、
Ｒａ、Ｒｂ、およびＲ１〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルであり、但し、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除く。）
【００１１】
好ましくは、本発明の一実施形態に係る前記化学式１において、ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ５）アルケニルであって、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き；Ｒ１〜Ｒ３は水素であり；Ｒ４〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ５）アルケニルであってもよい。
【００１２】
好ましくは、本発明の前記化学式１で表されるジシリルアミン化合物は、下記化学式２で表されてもよい。
【００１３】
［化学式２］
【化２】
2020517825.tif 000048
（前記化学式２中、Ｒは（Ｃ１−Ｃ７）アルキルであり、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルである。）
【００１４】
純度および耐久性にさらに優れた薄膜を蒸着する点から、好ましくは、本発明の一実施形態に係る前記化学式２において、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ５）アルキルであってもよい。
【００１５】
具体的に、本発明の前記化学式１のジシリルアミン化合物は、下記化合物から選択されるものであってもよいが、これに限定されるものではない。
【００１６】
【化３】
2020517825.tif 000049
【化４】
2020517825.tif 000050
【化５】
2020517825.tif 000051
【化６】
2020517825.tif 000052
【化７】
2020517825.tif 000053
【化８】
2020517825.tif 000054
【化９】
2020517825.tif 000055
【００１７】
また、本発明は、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いたシリコン含有薄膜の製造方法を提供する。
【００１８】
本発明のシリコン含有薄膜の製造方法は、原子層蒸着（ＡＬＤ）法、気相蒸着（ＣＶＤ）法、有機金属化学気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）法、低圧気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）法、プラズマ強化気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法、またはプラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法により行われてもよい。
【００１９】
本発明のシリコン含有薄膜の製造方法は、具体的に、
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板の温度を３０〜４００℃に維持するステップと、
ｂ）キャリヤガスと、請求項１に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を注入するステップと、
ｃ）反応ガスを注入して前記基板上にシリコン含有薄膜を蒸着させるステップと、を含んでもよい。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る反応ガスは、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、蒸留水（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アミン、ジアミン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、Ｃ１〜Ｃ１２の飽和または不飽和炭化水素、水素、アルゴン、およびヘリウムから選択される何れか１つまたは２つ以上であってもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物は、シリコン含有薄膜蒸着用前駆体として、低い活性化エネルギーを有することで反応性に優れており、熱安定性に優れるとともに、揮発性が高いジシリルアミン化合物を含むことで、高い蒸着率および優れたステップカバレッジなどの優れた物理的、電気的特性を有し、純度および耐久性が高い薄膜を製造することができる。
【００２２】
さらに、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物に含まれるジシリルアミン化合物は、室温および取り扱い可能な圧力下で液体状態で存在するため、取り扱いが容易であり、シリコン含有薄膜の製造がより容易である。
【００２３】
また、本発明のシリコン含有薄膜の製造方法は、熱安定性が高く、反応性に優れたジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いてシリコン含有薄膜を製造することで、シリコンの含量が高く、熱安定性および耐久性に優れた高品質のシリコン含有薄膜の製造を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施例１で製造されたビス（ジメチルシリル）メチルジシリルアミンの蒸気圧を測定したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明のジシリルアミン化合物、その製造方法、およびそれを含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物について詳述する。
【００２６】
本発明に記載の「アルキル」は、直鎖状、分岐状、および環状の飽和、不飽和炭化水素を意味し、１〜７個の炭素原子、好ましくは１〜５個、より好ましくは１〜３個の炭素原子を有し、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチルなどを含む。
【００２７】
本明細書に記載の「ハロゲン」は、ハロゲン族元素を意味し、例えば、フルオロ、クロロ、ブロモ、およびヨードを含む。
【００２８】
本発明に記載の、単独、または他の基の一部としての用語「アルケニル」は、２〜７個の炭素原子、および１個以上の炭素−炭素二重結合を含有する、直鎖状、分岐状、または環状の炭化水素ラジカルを意味する。より好ましいアルケニルラジカルは、２〜５個の炭素原子を有する低級アルケニルラジカルである。最も好ましい低級アルケニルラジカルは、約２〜３個の炭素原子を有するラジカルである。また、アルケニル基は、任意の利用可能な付着点で置換されてもよい。アルケニルラジカルの例としては、エテニル、プロペニル、アリル、ブテニル、および４−メチルブテニルを含む。用語「アルケニル」および「低級アルケニル」は、シス（ｃｉｓ）およびトランス（ｔｒａｎｓ）配向、または代案的に、ＥおよびＺ配向を有するラジカルを含む。
【００２９】
本発明は、反応性および熱安定性に優れるとともに、室温で殆ど液体で存在するため取り扱いが容易な、下記化学式１で表されるジシリルアミン化合物を薄膜蒸着用前駆体として含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を提供する。
【００３０】
［化学式１］
【化１０】
2020517825.tif 000056
（前記化学式１中、
Ｒａ、Ｒｂ、およびＲ１〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルであり、但し、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除く。）
【００３１】
本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物に含まれるジシリルアミン化合物は、窒素原子の非共有電子対が分子中のシリコン原子にさらに提供されることで、シリコンと窒素原子の結合エネルギーが増加し、窒素原子に３個のシリコン原子が結合されている平面三角形のＳｉ３Ｎ分子構造を有して、低い活性化エネルギーを有するため、反応性に優れるとともに、熱安定性が高い。したがって、シリコン含有薄膜の前駆体として非常に有用である。
【００３２】
また、本発明のジシリルアミン化合物は、常温および常圧で殆ど液体形態の化合物であって、優れた揮発性を有しており、分子中のシリコン原子の含量が高いため、それを含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物は、高い蒸着率で良質のシリコン含有薄膜を製造することができる。
【００３３】
好ましくは、本発明の前記化学式１において、ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ５）アルケニルであって、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き；Ｒ１〜Ｒ３は水素であり；Ｒ４〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ５）アルケニルであってもよい。より好ましくは、ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ５）アルキルであり、但し、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き、Ｒ１〜Ｒ３は水素であり；Ｒ４〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ５）アルケニルであってもよい。
【００３４】
より好ましくは、本発明の前記化学式１は、下記化学式２で表されてもよい。
【００３５】
［化学式２］
【化１１】
2020517825.tif 000057
（前記化学式２中、Ｒは（Ｃ１−Ｃ７）アルキルであり、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルである。）
【００３６】
本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物に含まれるシリコン前駆体である、前記化学式２で表されるジシリルアミン化合物は、窒素原子の非共有電子対が分子中のシリコン原子にさらに提供されることで、シリコンと窒素原子の結合エネルギーが増加し、窒素原子に３個のシリコン原子が結合されている平面三角形のＳｉ３Ｎ分子構造を有するだけでなく、陽電荷の特性を有する３個の水素を含んでいる２個のシリコン原子
が結合され（
【化１２】
2020517825.tif 000058
）、電子的に敏感なＳｉ２分子構造の形態を有する。これにより、さらに低い活性化エネルギーを有するため、より優れた反応性を有し、高い蒸着率で容易にシリコン含有薄膜が蒸着可能である。
【００３７】
さらに、熱安定性にも優れるため、耐久性が高く、且つ純度の高い薄膜を製造することができる。
【００３８】
より優れたシリコン含有薄膜を製造する点から、より好ましくは、前記化学式２において、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ５）アルキルであってもよく、より好ましくは、Ｒは（Ｃ１−Ｃ３）アルキルであり、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ３）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ３）アルケニルであってもよい。
【００３９】
本発明の一実施形態に係る化学式１は、下記化学式１−１または化学式１−２で表されてもよい。
【００４０】
［化学式１−１］
【化１３】
2020517825.tif 000059
【００４１】
［化学式１−２］
【化１４】
2020517825.tif 000060
（前記化学式１−１および１−２中、
ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、（Ｃ１−Ｃ７）アルキルであり、Ｒ２１およびＲ２２は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルである。）
【００４２】
具体的に、本発明の前記化学式１のジシリルアミン化合物は、下記化合物から選択されるものであってもよいが、これに限定されるものではない。
【００４３】
【化１５】
2020517825.tif 000061
【化１６】
2020517825.tif 000062
【化１７】
2020517825.tif 000063
【化１８】
2020517825.tif 000064
【化１９】
2020517825.tif 000065
【化２０】
2020517825.tif 000066
【化２１】
2020517825.tif 000067
【００４４】
また、本発明は、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物に含まれる前記化学式１の化合物を提供する。
【００４５】
好ましくは、本発明の前記化学式１において、ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ７）アルキルであって、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き、Ｒ１〜Ｒ３は水素であり；Ｒ４〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ５）アルケニルであってもよく、より好ましくは、前記化学式２で表されてもよい。
【００４６】
好ましくは、本発明の一実施形態に係る前記化学式２において、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ５）アルキルであってもよい。
【００４７】
本発明の一実施形態に係る前記化学式１のジシリルアミン化合物は、下記化合物から選択されるものであってもよいが、これに限定されるものではない。
【００４８】
【化２２】
2020517825.tif 000068
【化２３】
2020517825.tif 000069
【化２４】
2020517825.tif 000070
【化２５】
2020517825.tif 000071
【化２６】
2020517825.tif 000072
【化２７】
2020517825.tif 000073
【化２８】
2020517825.tif 000074
【００４９】
また、本発明は、本発明の一実施形態に係る化学式１の化合物の製造方法を提供し、その製造方法は、本発明の技術分野における当業者が認識できる範囲内であれば何れも可能であるが、具体的な一例として、
塩基の存在下で、下記化学式３の化合物と、下記化学式４の化合物とを反応させることで、化学式５の化合物を製造するステップと、
還元剤の存在下で、下記化学式５の化合物を還元させることで、下記化学式１のジシリルアミン化合物を製造するステップと、を含んで、下記化学式１のジシリルアミン化合物を製造することができる。
【００５０】
［化学式１］
【化２９】
2020517825.tif 000075
【００５１】
［化学式３］
【化３０】
2020517825.tif 000076
【００５２】
［化学式４］
【化３１】
2020517825.tif 000077
【００５３】
［化学式５］
【化３２】
2020517825.tif 000078
（前記化学式１および化学式３〜５中、Ｒａ、Ｒｂ、およびＲ１〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ７）アルキル、または（Ｃ２−Ｃ７）アルケニルであり、但し、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き；
Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立して、ハロゲンである。）
【００５４】
本発明のジシリルアミン化合物の製造方法の一実施形態において、塩基は、本発明の技術分野における当業者が認識できる範囲内であれば何れも可能であるが、好ましくは、トリ（Ｃ１−Ｃ５）アルキルアミンまたはピリジンであってもよく、具体的に、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどが挙げられる。塩基と前記化学式４とのモル比は１：１〜１：２の範囲であり、反応を迅速に完了するために、１：１〜１：１．５のモル比で用いられ、より好ましくは、１：１．２５のモル比で用いられてもよい。
【００５５】
本発明のジシリルアミン化合物の製造方法の一実施形態において、前記還元剤は、これに制限されるものではないが、好ましくは、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、またはＭＨ（ここで、Ｍはアルカリ金属である。）であってもよく、前記アルカリ金属は、Ｌｉ、Ｎａ、またはＫであってもよい。
【００５６】
本発明の還元剤は、前記化学式５の化合物とのモル比が１：１．２５〜１：６であり、好ましくは１：１．２５〜１：５．５のモル比で用いられてもよい。前記化学式３の化合物は、前記化学式２の化合物１モルに対して、１〜２のモル比で用いられてもよい。
【００５７】
本発明の製造方法で用いられる溶媒としては、通常の有機溶媒であれば何れも可能であるが、ヘキサン、ペンタン、ジクロロメタン（ＤＣＭ）、ジクロロエタン（ＤＣＥ）、トルエン（Ｔｏｌｕｅｎｅ）、アセトニトリル（ＭｅＣＮ）、ニトロメタン（Ｎｉｔｒｏｍｅｔｈａｎｅ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラエチレングリコールジメチルエタン、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ポリエーテル（Ｄｉｇｌｙｍｅ、Ｔｒｉｇｌｙｍｅおよび／またはＴｅｔｒａｇｌｙｍｅ）からなる群から選択される１種以上を用いることが好ましい。
【００５８】
反応温度は、通常の有機合成で用いられる温度であれば可能であるが、反応物質および出発物質の量によって変わり得て、ＮＭＲなどにより、出発物質が完全に消耗されたことを確認してから反応を完結させる。反応が完結されると、抽出過程の後に、減圧下で溶媒を蒸留させた後、カラムクロマトグラフィーなどの通常の方法により目的物を分離精製してもよい。
【００５９】
また、本発明は、本発明のジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を提供する。
【００６０】
本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物は、前記化学式１で表されるジシリルアミン化合物を前駆体として必ず含み、ジシリルアミン化合物を１つ以上含んでもよい。シリコン含有薄膜蒸着用組成物中のジシリルアミン化合物の含量は、薄膜の成膜条件または薄膜の厚さ、特性などを考慮して、当業者が認識できる範囲内で含まれてもよい。
【００６１】
また、本発明は、本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いたシリコン含有薄膜の製造方法を提供する。
【００６２】
本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜の製造方法は、常温で液体であって、揮発性が高く、熱安定性に優れた、前記化学式１で表されるジシリルアミン化合物を前駆体として含む本発明のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いて薄膜を製造することで、前駆体の取り扱いが容易であり、種々の薄膜が製造可能であるとともに、シリコンの含量が高く、高い蒸着率および優れたステップカバレッジを有する高純度の薄膜を製造することができる。
【００６３】
本発明のシリコン含有薄膜の製造方法は、本技術分野における当業者が認識できる範囲内で可能な方法であれば何れも可能であるが、好ましくは、原子層蒸着（ＡＬＤ）法、気相蒸着（ＣＶＤ）法、有機金属化学気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）法、低圧気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）法、プラズマ強化気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法、またはプラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法により行われてもよく、より好ましくは、プラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法またはプラズマ強化気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法であってもよい。
【００６４】
本発明のシリコン含有薄膜の製造方法は、具体的に
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板の温度を３０〜４００℃に維持するステップと、
ｂ）キャリヤガスと、本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜蒸着用組成物を注入するステップと、
ｃ）反応ガスを注入して前記基板上にシリコン含有薄膜を蒸着させるステップと、を含んでもよい。
【００６５】
好ましくは、本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜の製造を、プラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法またはプラズマ強化気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法により行う際に、ａ）ステップの後に、プラズマを発生させるステップをさらに含んでもよく、
ｂ）ステップのシリコン含有薄膜蒸着用組成物がキャリヤガスとともに注入されてもよい。
【００６６】
本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜の製造方法は、目的とする薄膜の構造または熱的特性に応じて蒸着条件が調節可能であり、本発明の一実施形態に係る蒸着条件としては、ジシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜蒸着用組成物の投入流量、反応ガス、キャリヤガスの投入流量、圧力、ＲＦパワー、基板温度などが挙げられる。かかる蒸着条件の非限定的な例として、シリコン含有薄膜蒸着用組成物の投入流量は１０〜１０００ｃｃ／ｍｉｎ、キャリヤガスは１０〜１０００ｃｃ／ｍｉｎ、反応ガスの流量は１〜１０００ｃｃ／ｍｉｎ、圧力は０．５〜１０ｔｏｒｒ、ＲＦパワーは２００〜１０００Ｗ、および基板温度は３０〜４００℃の範囲で調節可能であるが、これに限定されるものではない。
【００６７】
本発明のシリコン含有薄膜の蒸着方法は、本発明の一実施形態に係るジシリルアミン化合物を前駆体として含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いることで、低い基板温度である３０〜２００℃、より低い温度である３０〜１００℃の範囲でも薄膜を形成することができるため、非常に経済的であり、商業的な適用において非常に有利である。
【００６８】
本発明のシリコン含有薄膜の製造方法で用いられる反応ガスは、これに限定されるものではないが、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、蒸留水（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アミン、ジアミン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、Ｃ１〜Ｃ１２の飽和または不飽和炭化水素、水素、アルゴン、およびヘリウムから選択される何れか１つまたは２つ以上であり、キャリヤガスは、アルゴン、ヘリウム、および窒素から選択される１つまたは２つ以上であってもよい。
【００６９】
本発明の一実施形態に係るシリコン含有薄膜の製造方法で用いられる基板は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣ、ＩｎＡｓ、およびＩｎＰのうち１つ以上の半導体材料を含む基板；ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板；石英基板；またはディスプレイ用ガラス基板；ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ、ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ  Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、Ｐｏｌｙ  Ｍｅｔｈｙｌ  ＭｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ、ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエステル（Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）などの可撓性プラスチック基板；であってもよいが、これに限定されるものではない。
【００７０】
また、前記シリコン含有薄膜は、前記基板に直ちに薄膜を形成することの他に、前記基板と前記シリコン含有薄膜との間に、多数の導電層、誘電層、または絶縁層などが形成されてもよい。
【００７１】
以下、本発明を下記実施例によってさらに具体的に説明する。それに先たち、本明細書および特許請求の範囲で用いられた用語や単語は、通常的または辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって、本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。
【００７２】
したがって、本明細書に記載された実施例と図面に示された構成は、本発明の最も好ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的思想の全部を代弁しているわけではないため、本出願時点においてこれらに代替可能な多様な均等物と変形例があり得ることを理解すべきである。
【００７３】
また、以下の全ての実施例は、常用化されたシャワーヘッド方式の２００ｍｍ枚葉式（ｓｉｎｇｌｅ  ｗａｆｅｒ  ｔｙｐｅ）ＡＬＤ装備（ＣＮ１、Ａｔｏｍｉｃ  Ｐｒｅｍｉｕｍ）を用いて、公知のプラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）法により行った。また、常用化されたシャワーヘッド方式の２００ｍｍ枚葉式（ｓｉｎｇｌｅ  ｗａｆｅｒ  ｔｙｐｅ）ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）装備（ＣＮ１、Ａｔｏｍｉｃ  Ｐｒｅｍｉｕｍ）を用いて、公知のプラズマ気相化学蒸着法により行うことができる。
【００７４】
蒸着されたシリコン含有薄膜の厚さは、エリプソメータ（Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ、Ｍ２０００Ｄ、Ｗｏｏｌｌａｍ）および透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により測定し、赤外分光器（Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＩＦＳ６６Ｖ／Ｓ  ＆  Ｈｙｐｅｒｉｏｎ  ３０００、Ｂｒｕｋｅｒ  Ｏｐｔｉｋｓ）、Ｘ−線光電子分光分析器（Ｘ−ｒａｙ  ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、および二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、ＳＩＭＳ）を用いて、その組成を分析した。
【００７５】
［実施例１］ビス（ジメチルシリル）メチルジシリルアミンの製造
１ステップ：ビス（ジメチルシリル）テトラクロロメチルジシリルアミンの製造
【化３３】
2020517825.tif 000079
無水雰囲気および不活性雰囲気下で、乾燥された５ＬのＳｕｓ反応器に、メチルペンタクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ５ＣＨ３）２０００ｇ（８．０５ｍｏｌ）と有機溶媒のノルマルペンタン１５００ｍＬを入れて撹拌しながら、トリエチルアミン（（ＣＨ３ＣＨ２）３Ｎ）７５２．７ｇ（８．０５ｍｏｌ）を−２０℃に維持しながらゆっくりと添加した。添加が完了された後、さらにテトラメチルジシラザン（（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＨ）１０７３ｇ（８．０５ｍｏｌ）を−２０℃に維持しながらゆっくりと添加した。添加が完了された反応溶液を徐々に常温に昇温し、２５℃に維持しながら６時間撹拌した。反応が終わった反応混合物を濾過し、生成された白色の固体を除去した後、濾液を得た。この濾液から減圧下で溶媒を除去し、ビス（ジメチルシリル）テトラクロロメチルジシリルアミン（（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｃｌ）２ＳｉＣｌ２ＣＨ３）を２５０１ｇ（７．２４ｍｏｌ）得た（収率９０％）。
【００７６】
１Ｈ  ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）：  δ０．１４  （ｄ，  １２Ｈ，  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｃｌ）２ＳｉＣｌ２ＣＨ３），  δ４．６０  （ｍ，  ２Ｈ，  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｃｌ）２ＳｉＣｌ２ＣＨ３），  δ０．１９  （ｓ，  ３Ｈ  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｃｌ）２ＳｉＣｌ２ＣＨ３）
【００７７】
ステップ２：ビス（ジメチルシリル）メチルジシリルアミンの製造
【化３４】
2020517825.tif 000080
無水雰囲気および不活性雰囲気下で、乾燥された２０ＬのＳｕｓ反応器に、有機溶媒のテトラエチレングリコールジメチルエーテル（ＴＥＧＤＭＥ）２０００ｍｌを入れて撹拌しながら、リチウムアルミニウムヒドリド（ＬｉＡｌＨ４）３７９ｇ（９．９９ｍｏｌ）を−１０℃に維持しながらゆっくりと添加した。添加が完了された後、さらにビス（ジメチルシリル）テトラクロロメチルジシリルアミン（（（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｃｌ）２ＳｉＣｌ２ＣＨ３）２５０１ｇ（７．２４ｍｏｌ）を−１０℃に維持しながらゆっくりと添加した。添加が完了された反応溶液を−１０℃に維持しながら２０時間撹拌した。反応が終わった反応混合物を濾過し、生成された白色の固体を除去した後、濾液を得た。この濾液から減圧下で溶媒を除去し、減圧蒸留により、ビス（ジメチルシリル）メチルジシリルアミン（（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３）を７５２ｇ（３．６２ｍｏｌ）得た（収率５０％）。
【００７８】
１Ｈ  ＮＭＲ（ｉｎ  ＣＤＣｌ３）：  δ０．１４  （ｄ，  １２Ｈ，  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３），  δ４．７６  （ｍ，  ２Ｈ，  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３），  δ４．６０  （ｍ，  ２Ｈ  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３），  δ３．８０  （ｍ，  ２Ｈ  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３），  δ０．２６  （ｍ，  ３Ｈ  （（（ＣＨ３）２）ＳｉＨ）２ＮＳｉ（Ｈ）２ＳｉＨ２ＣＨ３）
【００７９】
図１に、実施例１で製造されたビス（ジメチルシリル）メチルジシリルアミンの蒸気圧を測定したグラフを示した。図１から、本発明のジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いて、容易に薄膜蒸着が可能であることが分かる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１で表されるジシリルアミン化合物を含むシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
［化学式１］
【化１】
2020517825.tif 000081
（前記化学式１中、
Ｒａ、Ｒｂ、およびＲ１〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、Ｃ１−Ｃ７アルキル、またはＣ２−Ｃ７アルケニルであり、但し、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除く。）
【請求項２】
前記化学式１において、ＲａおよびＲｂは、互いに独立して、水素、Ｃ１−Ｃ５アルキル、またはＣ２−Ｃ５アルケニルであって、ＲａおよびＲｂがともに水素の場合は除き；
Ｒ１〜Ｒ３は水素であり；
Ｒ４〜Ｒ９は、互いに独立して、水素、Ｃ１−Ｃ５アルキル、またはＣ２−Ｃ５アルケニルである、請求項１に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
【請求項３】
前記化学式１は、下記化学式２で表される、請求項１に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
［化学式２］
【化２】
2020517825.tif 000082
（前記化学式２中、ＲはＣ１−Ｃ７アルキルであり、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素、Ｃ１−Ｃ７アルキル、またはＣ２−Ｃ７アルケニルである。）
【請求項４】
前記化学式２において、Ｒ１１〜Ｒ１４は、互いに独立して、水素またはＣ１−Ｃ５アルキルである、請求項３に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
【請求項５】
前記化学式１のジシリルアミン化合物は、下記化合物から選択されるものである、請求項１に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
【化３】
2020517825.tif 000083
【化４】
2020517825.tif 000084
【化５】
2020517825.tif 000085
【化６】
2020517825.tif 000086
【化７】
2020517825.tif 000087
【化８】
2020517825.tif 000088
【化９】
2020517825.tif 000089
【請求項６】
請求項１から５の何れか一項に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を用いたシリコン含有薄膜の製造方法。
【請求項７】
原子層蒸着法、気相蒸着法、有機金属化学気相蒸着法、低圧気相蒸着法、プラズマ強化気相蒸着法、またはプラズマ強化原子層蒸着法により行われる、請求項６に記載のシリコン含有薄膜の製造方法。
【請求項８】
ａ）チャンバー内に取り付けられた基板の温度を３０〜４００℃に維持するステップと、
ｂ）キャリヤガスと、請求項１に記載のシリコン含有薄膜蒸着用組成物を注入するステップと、
ｃ）反応ガスを注入して前記基板上にシリコン含有薄膜を蒸着させるステップと、を含む、請求項６に記載のシリコン含有薄膜の製造方法。
【請求項９】
前記反応ガスは、酸素、オゾン、蒸留水、過酸化水素、一酸化窒素、亜酸化窒素、二酸化窒素、アンモニア、窒素、ヒドラジン、アミン、ジアミン、一酸化炭素、二酸化炭素、Ｃ１〜Ｃ１２の飽和または不飽和炭化水素、水素、アルゴン、およびヘリウムから選択される何れか１つまたは２つ以上である、請求項８に記載のシリコン含有薄膜の製造方法。
【国際調査報告】
2020517825.tif 000090
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2020517825.tif 000092
2020517825.tif 000093
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