(57)【要約】【課題】本発明は、I‐VII族化合物から構成された量子点ナノ構造が含まれた量子点発光素子、発光素子パッケージ及びバックライトユニットを提供する。【解決手段】前記量子点発光素子は第１電極、第２電極、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層を含み、前記発光層は前記量子点ナノ構造を含んでいてもよい。また、前記発光素子パッケージはハウジング、発光素子、及び光変換部を含み、前記発光素子は前記ハウジング内部に配置されてもよい。また、前記光変換部は前記発光素子上部に配置され、内部に量子点ナノ構造が分散されてもよい。また、前記バックライトユニットは前記量子点発光素子または、前記発光素子パッケージが配置される光源及び前記光源から放出された光の方向を均一に分散させる導光板を含んでいてもよい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極上部に配置される第２電極と、
前記第１電極と前記第２との間に位置し、量子点ナノ構造を含む発光層と、
前記第１電極と前記発光層との間に配置される正孔注入層と、
前記正孔注入層と前記発光層との間に配置され、前記発光層と前記正孔注入層との間のポテンシャル障壁が減少する正孔輸送層と、
前記発光層と前記第２電極との間に位置し、前記第２電極から前記発光層に電子を移動させる電子注入層と、
前記電子注入層と前記発光層との間に配置され、前記電子注入層によって移動される電子を前記発光層に伝達する電子輸送層と、を含み、
前記量子点ナノ構造はコア層及び前記コア層を取り囲むシェル層からなり、前記コア層及び前記シェル層のうちいずれか一つ、または２つ全部は銅族及びハロゲン族から構成されたＩ‐VII族化合物を含むことを特徴とする量子点発光素子。
【請求項２】
前記I‐VII族化合物は、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕI、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ、ＣｕＦ、ＡｇＦ、ＡｇＣｌ、ＡｕＦ、ＡｕＣｌ、ＡｕＢｒ、ＡｕＩ、ＣｕＦＣｌ、ＣｕＢｒＦ、ＣｕＦＩ、ＣｕＣｌＢｒ、ＣｕＣｌＩ、ＣｕＢｒＩ、ＡｇＦＣｌ、ＡｇＦＢｒ、ＡｇＦＩ、ＡｇＣｌＢｒ、ＡｇＣｌＩ、ＡｇＢｒＩ、ＡｕＦＣｌ、ＡｕＦＢｒ、ＡｕＦＩ、ＡｕＣｌＢｒ、ＡｕＣｌＩ、ＡｕＢｒＩ、ＣｕＦ−ＣｌＢｒ、ＣｕＦＣｌＩ、ＣｕＦＢｒＩ、ＣｕＩＢｒＣｌ、ＡｇＦＣｌＢｒ、ＡｇＦＣｌＩ、ＡｇＦＢｒＩ、ＡｇＣｌＢｒＩ、ＡｕＦＣｌＢｒ、ＡｕＦＣｌＩまたはＡｕＣｌＢｒＩのうちいずれか一つ、またはそれらの任意の組合を含むことを特徴とする請求項１に記載の量子点発光素子。
【請求項３】
前記I‐VII族化合物は、銅族元素が同一で、ハロゲン元素はコア層の原子番号がシェル層の原子番号より高く形成されることを特徴とする請求項２に記載の量子点発光素子。
【請求項４】
前記量子点ナノ構造は、直径１ｎｍ〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の量子点発光素子。
【請求項５】
前記発光層は燐光物質及び蛍光物質のうちいずれか一つまたは２つ以上の混合物をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の量子点発光素子。
【請求項６】
ハウジングと、
前記ハウジング内部に配置される発光素子と、
前記発光素子上部に配置され、量子点ナノ構造が分散される光変換部と、を含み、
前記量子点ナノ構造はコア層及び前記コア層を取り囲むシェル層からなり、前記コア層及び前記シェル層のうちいずれか一つまたは２つ全部は銅族及びハロゲン族から構成されたI‐VII族化合物を含むことを特徴とする発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記I‐VII族化合物は、 ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕI、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ、ＣｕＦ、ＡｇＦ、ＡｇＣｌ、ＡｕＦ、ＡｕＣｌ、ＡｕＢｒ、ＡｕＩ、ＣｕＦＣｌ、ＣｕＢｒＦ、ＣｕＦＩ、ＣｕＣｌＢｒ、ＣｕＣｌＩ、ＣｕＢｒＩ、ＡｇＦＣｌ、ＡｇＦＢｒ、ＡｇＦＩ、ＡｇＣｌＢｒ、ＡｇＣｌＩ、ＡｇＢｒＩ、ＡｕＦＣｌ、ＡｕＦＢｒ、ＡｕＦＩ、ＡｕＣｌＢｒ、ＡｕＣｌＩ、ＡｕＢｒＩ、ＣｕＦ−ＣｌＢｒ、ＣｕＦＣｌＩ、ＣｕＦＢｒＩ、ＣｕＩＢｒＣｌ、ＡｇＦＣｌＢｒ、ＡｇＦＣｌＩ、ＡｇＦＢｒＩ、ＡｇＣｌＢｒＩ、ＡｕＦＣｌＢｒ、ＡｕＦＣｌＩまたはＡｕＣｌＢｒＩのうちいずれか一つ、またはそれらの任意の組合を含むことを特徴とする請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記I‐VII族化合物は銅族言語が同一で、ハロゲン元素はコア層の原子番号がシェル層の原子番号より高く形成されることを特徴とする請求項７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記量子点ナノ構造は直径１〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記光変換部は燐光物質及び蛍光物質のうちいずれか一つまたは２つ以上の混合物をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記発光素子は青色波長の光を発散し、前記光変換部は白色または昼光色波長の光を出光するように黄色または緑色波長の光を吸収することを特徴とする請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の量子点発光素子または、請求項６〜請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子パッケージが配置される光源と、
前記光源から放出される光の方向を均一に分散させる導光板と、を含むことを特徴とするバックライトユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光素子に関わり、より詳細には量子点を用いて光効率を増大させる発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的または光学的励起によって半導体材料内で形成された励起子のボア半径（Bohr  radius）より半導体ナノ粒子の大きさが小さくなると強い量子制限効果（Quantum  Confinement  effect）が現れ、このような範囲の粒子大きさを有する半導体ナノ粒子を量子点（Quantum  dot）材料とする。量子井戸構造は通常バンドギャップの大きい半導体の間にそれよりバンドギャップの小さい他の種類の半導体が入っている形態の構造として井戸の厚さによって量子閉じ込め効果による遷移エネルギー（transition  energy）を調節することができ、井戸と障壁物質の間の格子常数差異による遷移エネルギーが変わるようになる。
【０００３】
従来技術にはＣｄＳｅを用いた量子点が大衆的である。ＣｄＳｅの量子点の場合、ボアー半径が４．９ｎｍ程度であるので、量子点の直径が約１０ｎｍ以下になると量子制限効果によってバンドギャップエネルギーが大きくなる。それを発光スペクトラム次元で見ると、バルク状態では赤い色（バンドギャップエネルギー１．８４ｅＶ）を発光するが量子点形態になると大きさ減少させるほど青い色、緑色、青色などより短い波長の色を示す。即ち、量子点大きさを制御すると発光色を調節することができる。
【０００４】
このような量子点を用いたディスプレーに適用して完璧な色彩表現と低電力消費が可能となっている。しかも、薄くて撓われるディスプレーの製作が可能な長所によって現在ＬＣＤとＯＬＥＤが大勢であるディスプレー市場で次世代ディスプレー製品となり活発な研究が進行中である。量子点ディスプレー（ＱＤ−ＬＥＤ）を用いて色再現率が２０〜３０％以上向上されたが、高い製造費用対比光効率が期待に及ばないのである。それは量子点ナノ粒子の大きさによって発散する波長が変わり、量子点ナノ粒子の大きさを減少させるに限界があるからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明が解決しようとする課題は、I‐VII族量子点ナノ構造を用いて発光素子の光効率を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような課題を解決するための本発明による量子点発光素子は、第１電極、第２電極、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、及び電子輸送層を含む。前記第２電極は前記第１電極上部に配置され、前記発光層は前記第１電極と前記第２でとの間に位置し、量子点ナノ構造を含んでいてもよい。また、前記正孔輸送層は前記第１電極と前記発光層との間に配置されてもよい。また、前記正孔輸送層は前記正孔注入層と前記発光層との間に配置され、前記発光層と前記正孔注入層との間のポテンシャル障壁が減少する。また、前記電子注入層は前記発光層と前記第２電極との間に位置し、前記第２電極から前記発光層に電子を移動させる。また、前記電子輸送層は前記電子注入層と前記発光層との間に配置され、前記電子注入層によって移動される電子を前記発光層に伝達してもよい。また、前記量子点ナノ構造はコア層及び前記コア層を取り囲むシェル層からなり、前記コア層及び前記シェル層のうちいずれか一つ、または２つ全部は銅族及びハロゲン族から構成されたＩ‐VII族化合物を含んでいてもよい。
【０００７】
また、本発明による発光素子パッケージはハウジング、発光素子、及び光変換部を含んでいてもよい。前記発光素子は前記ハウジング内部に配置される。また、前記光変換部は前記発光素子上部に配置され、内部に量子点ナノ構造が分散されてもよい。また、前記量子点ナノ構造は
コア層及び前記コア層を取り囲シェル層からなり、前記コア層及び前記シェル層のうちいずれか一つまたは２つ全部は銅族及びハロゲン族から構成されたI‐VII族化合物を含んでいてもよい。
【０００８】
また、前記I‐VII族化合物は、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕI、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ、ＣｕＦ、ＡｇＦ、ＡｇＣｌ、ＡｕＦ、ＡｕＣｌ、ＡｕＢｒ、ＡｕＩ、ＣｕＦＣｌ、ＣｕＢｒＦ、ＣｕＦＩ、ＣｕＣｌＢｒ、ＣｕＣｌＩ、ＣｕＢｒＩ、ＡｇＦＣｌ、ＡｇＦＢｒ、ＡｇＦＩ、ＡｇＣｌＢｒ、ＡｇＣｌＩ、ＡｇＢｒＩ、ＡｕＦＣｌ、ＡｕＦＢｒ、ＡｕＦＩ、ＡｕＣｌＢｒ、ＡｕＣｌＩ、ＡｕＢｒＩ、ＣｕＦ−ＣｌＢｒ、ＣｕＦＣｌＩ、ＣｕＦＢｒＩ、ＣｕＩＢｒＣｌ、ＡｇＦＣｌＢｒ、ＡｇＦＣｌＩ、ＡｇＦＢｒＩ、ＡｇＣｌＢｒＩ、ＡｕＦＣｌＢｒ、ＡｕＦＣｌＩまたはＡｕＣｌＢｒＩのうちいずれか一つ、またはそれらの任意の組合を含んでいてもよい。
【０００９】
また、前記I‐VII族化合物は、銅族元素が同一で、ハロゲン元素はコア層の原子番号がシェル層の原子番号より高く形成されてもよい。
【００１０】
また、前記量子点ナノ構造は、直径１ｎｍ〜２０ｎｍであってもよい。
【００１１】
また、前記光変換部は、燐光物質及び蛍光物質のうちいずれか一つまたは２つ以上の混合物をさらに含んでいてもよい。
【００１２】
また、前記発光素子は青色波長の光を発散し、前記光変換部は白色または昼光色波長の光を出光するように黄色または緑色波長の光を吸収することができる。
【００１３】
本発明によるバックライトユニットは、本発明による量子点発光素子または前記発光素子パッケージが配置される光源、及び前記光源から放出された光の方向を均一に分散させる導光板を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、I−VII族化合物による量子点ナノ構造に起因して発光効率が向上され、特に、短波長領域（３００ｎｍ〜５００ｎｍ）で発光効率が優れている。
【００１５】
また、量子点ナノ構造の大きさを変形して発光波長領域を調節することができる。
【００１６】
また、量子点ナノ構造発光素子をディスプレーに適用してフレキシブルディスプレーに適用可能であり、有機物を用いたディスプレーに比べて原価を節減することができる。
【００１７】
また、I−VII族化合物の量子点ナノ構造を半導体として活用することができ、さらに優れた電気的特性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の例示的な一実施形態による量子点発光素子を示す。
【図２】本発明の例示的実施形態による量子点ナノ構造の断面を示す。
【図３】本発明の一実施形態による発光死すパッケージの断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による発光素子パッケージ断面図である。
【図５】本発明の実施形態及び比較例による量子点発光素子の発光特性を比べたグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明は多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することできる。ここでは、特定の実施形態を図面に例示し本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解されるべきである。各図面を説明しながら類似した参照符号を類似した構成要素に対して使用した。添付された図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より誇張して示したのである。
【００２０】
第１、第２などの用語は多用な構成要素を説明するのに使用されることがあるが、前記構成要素は前記用語によって限定解釈されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみとして使用される。例えば、本発明の権利範囲を外れることなく第１構成要素を第２構成要素ということができ、類似に第２構成要素も第１構成要素ということができる。
【００２１】
本出願において使用した用語は単なる特定の実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上明白に示さない限り、複数の表現を含む。本出願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書に記載された特徴、数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを意味し、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないこととして理解されるべきである。また、ＡとＢが‘連結される’、‘結合される’という意味はＡとＢが直接的で連結されるか結合されるの以外に他の構成要素ＣがＡとＢとの間に含まれてＡとＢが連結されるか結合されることを含まれるのである。
【００２２】
異なるように定義されない限り、技術的か科学的用語を含めてここで使用される全ての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者によって一般的に理解されるのと同一の意味を有している。一般的に使用される辞書に定義されているのと同じ用語は県連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、本出願で明白に定義しない限り、理想的か過度に形式的な意味で解釈されない。また、方法発明に対する特許請求範囲で、各段階が明確に順序に拘束されない限り、各段階はその順序が互いに変わってもよい。
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の好適な一実施形態をより詳細に説明する。
【００２４】
図１は本発明による量子点発光素子１０００を示し、図２は量子点ナノ構造３２０の断面図である。
【００２５】
図１を参照すると、前記量子点発光素子１０００は第１電極１００、第２電極２００、発光層３００、正孔注入層４００、正孔輸送層５００、電子注入層６００及び電子輸送層７００を含んでいてもよい。前記第２電極２００は前記第１電極１００上部に配置され、前記発光層３００は前記第１電極１００と前記第２電極２００との間に位置することができ、量子点ナノ構造３２０を含んでいてもよい。また、前記正孔注入層４００は前記第１電極１００と前記発光層３００との間に配置される。また、前記正孔輸送層５００は前記正孔注入層５００と前記発光層３００との間に配置され、前記発光層３００と前記正孔注入層４００との間のポテンシャル障壁を減少させることができる。また、前記電子注入層６００は前記発光層３００と前記第２電極２００との間に位置し、前記第２電極２００から前記発光層３００に電子を移動させることができる。また、前記電子輸送層７００は前記電子注入層６００と前記発光層３００との間に配置され、前記電子注入層６００によって移動される電子を前記発光層に伝達することができる。また、前記量子点ナノ構造３２０は図２のように、コア層３２２及び前記コア層３２２を取り囲むシェル層３２４からなり、前記コア層３２２及び前記シェル層３２４のうちいずれか一つ、または２つ全部は銅族及びハロゲン族から構成されたI‐VII族化合物を含んでいてもよい。前記コア層３２２の大きさによって色を異なるようにして具現することができ、前記コア層３２２を取り囲む前記シェル層３２４は発光特性を改善させる役割をすることができる。
【００２６】
また、前記I‐VII族化合物は、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕI、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ、ＣｕＦ、ＡｇＦ、ＡｇＣｌ、ＡｕＦ、ＡｕＣｌ、ＡｕＢｒ、ＡｕＩ、ＣｕＦＣｌ、ＣｕＢｒＦ、ＣｕＦＩ、ＣｕＣｌＢｒ、ＣｕＣｌＩ、ＣｕＢｒＩ、ＡｇＦＣｌ、ＡｇＦＢｒ、ＡｇＦＩ、ＡｇＣｌＢｒ、ＡｇＣｌＩ、ＡｇＢｒＩ、ＡｕＦＣｌ、ＡｕＦＢｒ、ＡｕＦＩ、ＡｕＣｌＢｒ、ＡｕＣｌＩ、ＡｕＢｒＩ、ＣｕＦ−ＣｌＢｒ、ＣｕＦＣｌＩ、ＣｕＦＢｒＩ、ＣｕＩＢｒＣｌ、ＡｇＦＣｌＢｒ、ＡｇＦＣｌＩ、ＡｇＦＢｒＩ、ＡｇＣｌＢｒＩ、ＡｕＦＣｌＢｒ、ＡｕＦＣｌＩまたはＡｕＣｌＢｒＩのうちいずれか一つ、またはそれらの任意の組合を含んでいてもよい。
【００２７】
また、前記前記I‐VII族化合物は、銅族元素が同一で、ハロゲン元素はコア層の原子番号がシェル層の原子番号より高く形成されてもよい。それは即ち、前記コア層３２２のバンドギャップエネルギーがシェル層３２４のバンドギャップエネルギーより大きく形成されてもよい。例えば、コア層３２２/シェル層３２４の構造がＣｕＣｌ/ＣｕＢｒまたはＣｕＣｌ/ＣｕＩの構造から作られてもよい。従って、電子と正孔は相対的に前記シェル３２４に位置することができ、シェル層３２４の厚さによって発光波長を調節することができる。さらに、前記シェル層３２４によって前記コア層３２２の量子効率がより高くなってもよい。また、前記コア層３２２、前記シェル層３２４のうちいずれか一つまたは２つの層全部は複層から形成されて量子点の効率を変化させることができる。
【００２８】
また、前記量子点ナノ構造３２０は直径１ｎｍ〜２０ｎｍであってもよい。前記量子点ナノ構造３２０はボア半径以下で特定光を示すので２０ｎｍより大きいと量子効果が活発に起こりにくい。反面ボア半径より小さくなると、特定波長が光を発散し小さくなるほど赤い色から青い色に波長が短くなる。しかし、半径を１ｎｍ未満で小さくなると分散させることが難しいという短所がある。
【００２９】
また、前記発光層３００は燐光物質及び蛍光物質のうちいずれか一つまたは２つ以上の混合物をさらに含んでいてもよい。互いに異なる波長帯の光を発散して白色光を作り、多様な波長帯の光を発散するに容易して色再現率を向上させることができる。
【００３０】
図３及び図４は本発明に例示的実施形態による発光素子パッケージ２０００を示す。
【００３１】
図３及び図４を参照すると、本発明による発光素子パッケージ２０００はハウジング１０、発光素子２０、及び光変換部３０を含んでいてもよい。前記発光素子２０は前記ハウジング１０内部に配置される。また、前記光変換部３０は前記発光素子１０上部に配置され、量子点ナノ構造３２が前記光変換部３０内部に分散されてもよい。
【００３２】
この際、図３のように前記光変換部３０は前記ハウジング１０と前記発光素子２０の間に分散されてモールディングされてもよい。前記発光素子２０から放出される光が前記ハウジング１０外郭に抜け出す前に前記量子点ナノ構造３２によって変換されてもよい。
【００３３】
または、図４のように前記発光素子２０上部に前記光変換部３０が積層されてもよい。前記発光素子２０から発生される光の損失を最小化することができる。
【００３４】
また、前記量子点ナノ構造３２はコア層３２２及び前記コア層３２２を取り囲むシェル層３２４からなり、前記コア層３２２及び前記シェル層３２４のうちいずれか一つまたは２つ全部は銅族及びハロゲン族から構成されたI−VII族化合物を含んでいてもよい。
【００３５】
また、前記I‐VII族化合物は、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕI、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ、ＣｕＦ、ＡｇＦ、ＡｇＣｌ、ＡｕＦ、ＡｕＣｌ、ＡｕＢｒ、ＡｕＩ、ＣｕＦＣｌ、ＣｕＢｒＦ、ＣｕＦＩ、ＣｕＣｌＢｒ、ＣｕＣｌＩ、ＣｕＢｒＩ、ＡｇＦＣｌ、ＡｇＦＢｒ、ＡｇＦＩ、ＡｇＣｌＢｒ、ＡｇＣｌＩ、ＡｇＢｒＩ、ＡｕＦＣｌ、ＡｕＦＢｒ、ＡｕＦＩ、ＡｕＣｌＢｒ、ＡｕＣｌＩ、ＡｕＢｒＩ、ＣｕＦ−ＣｌＢｒ、ＣｕＦＣｌＩ、ＣｕＦＢｒＩ、ＣｕＩＢｒＣｌ、ＡｇＦＣｌＢｒ、ＡｇＦＣｌＩ、ＡｇＦＢｒＩ、ＡｇＣｌＢｒＩ、ＡｕＦＣｌＢｒ、ＡｕＦＣｌＩまたはＡｕＣｌＢｒＩのうちいずれか一つ、またはそれらの任意の組合を含んでいてもよい。
【００３６】
また、前記I‐VII族化合物は、銅族元素が同一で、ハロゲン元素はコア層の原子番号がシェル層の原子番号より高く形成されてもよい。
【００３７】
また、前記量子点ナノ構造３２は直径１ｎｍ〜２０ｎｍであってもよい。それは前述したように量子点ナノ構造３１の容易した分散と発光効率を極大化するためである。
【００３８】
また、前記光変換部３０は燐光物質及び蛍光物質のうちいずれか一つまたは２つ以上の混合物をさらに含んでいてもよい。
【００３９】
また、前記発光素子２０は青色波長の光を発散し、前記光変換部３０は白色または昼光色波長の光を出光するように黄色または緑色波長の光を吸収することができる。このように生成された白色光はディスプレーバックライトユニットに適用されて発光効率を極大化することができ色の鮮明度を高くすることができる。
【００４０】
図５及び図６は本発明の実施例及び比較例による発光素子パッケージの発光特定を測定したグラフである。
【００４１】
図５においては、ＣｕＣｌ、ＺｎＯ、ＧａＮの各量子点を５ｎｍ、１０ｎｍ及び１５ｎｍの直径で作り、各波長帯別に発散効率を測定した。本発明の例示的な一実施形態によるI−VII族化合物ＣｕＣｌ量子点は直径が小さくなることによって最も高い光効率を見せる波長帯が短い領域帯に移った。また、５ｎｍの時ＣｕＣｌ量子点の光効率が他のＺｎＯ及びＧａＮ量子点よりずっと優れていることが確認できる。反面、ＺｎＯ量子点は同様に大きさが小さくなるほど短い波長領域帯で発光特性を見せているが光効率が急激に落ちる現象がある。また、ＧａＮ量子点は３つの量子点のうち最も光効率が劣れ、大きさが５ｎｍになると光特性がむしろ高い波長帯に移動されることが確認できた。それは大きさが小さくなって分散安定度が劣れて凝集されたこととして予測される。
【００４２】
図６は本発明による例示的な実施形態としてＣｕＣｌ量子点ナノ構造を、比較例としてＣｄＳｅ量子点ナノ構造を使用した。この際、閃亜鉛石型構造（Zinc‐blend）結晶化有無及び直径による発光特性を比較したものである。２つの量子点の直径が３ｎｍの時ＣｕＣｌは３００ｎｍ帯の短波長で光効率が最も高くて、ＣｄＳｅの場合３５０ｎｍのと５００ｎｍの２個所の発光特性が高いのを見せている。また、ＣｄＳｅに比べてＣｕＣｌ量子点ナノ構造の光効率がずっと優れていることが確認できる。反面、閃亜鉛石型構造の有無による変換は目立たなかった。また、ＣｕＣｌ及びＣｄＳｅ量子点ナノ構造直径が５ｎｍの場合を見ると、ＣｄＳｅの発光領域が１００ｎｍ〜２００ｎｍ以上いざることが確認できる。反面、ＣｕＣｌの場合２０ｎｍ〜４０ｎｍ程度の差異のみ見せた。また、本発明によるＣｕＣｌ量子点ナノ粒子の光効率が目立って高いことが確認でき、閃亜鉛石型構造による差異が主要波長領域に影響を少なく及ばすことが確認できた。
【００４３】
従って、I−VII族化合物からなった量子点ナノ構造は発光特性の優れているので発光素子及び発光素子パッケージに適用した時、光効率を向上させることができる。
【００４４】
本発明によるバックライトユニットは、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の量子点発光素子１０００または、請求項６〜請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ２０００が配置される光源、及び前記光源から放出された光の方向を均一に分散させる導光板を含んでいてもよい。前記光源は量子点ナノ構造３２０、３２による発光で寿命が長くなって経済的である。しかも、発光効率が高いので電力消耗を減少させることができる。
【００４５】
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2020526864.tif 000009
2020526864.tif 000010
2020526864.tif 000011
2020526864.tif 000012