(57)【要約】  実施例に係る発光素子パッケージは、フラットな下面、下面と平行な上面、及び上面と下面を貫通する第１及び第２開口部を含む第１パッケージ本体と、第１パッケージ本体の上に配置され、上面と下面を貫通するオープニングを含む第２パッケージ本体と、オープニング内に配置され、第１ボンディング部及び第２ボンディング部を含む発光素子と、を含むことができる。  実施例によれば、第１パッケージ本体の上面は、第２パッケージ本体の下面と結合され、第１ボンディング部は、第１開口部の上に配置され、第２ボンディング部は、第２開口部の上に配置される。
2020533778.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラットな下面、前記下面と平行な上面、及び前記上面と下面を貫通する第１及び第２開口部を含む第１パッケージ本体と、
前記第１パッケージ本体の上に配置され、上面と下面を貫通するオープニングを含む第２パッケージ本体と、
前記オープニング内に配置され、第１ボンディング部及び第２ボンディング部を含む発光素子と、
を含み、
前記第１パッケージ本体の上面は、前記第２パッケージ本体の下面と結合され、
前記第１ボンディング部は、前記第１開口部の上に配置され、
前記第２ボンディング部は、前記第２開口部の上に配置される、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体のうちの少なくとも１つは、波長変換物質を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体のうちの少なくとも１つは、透明樹脂から構成される、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体のうちの少なくとも１つは、反射性樹脂から構成される、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、相互異なる物質を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、PPA、PCT、EMC、SMC、PIから選択された相互異なる物質を含み、
前記第１パッケージ本体は、反射物質を含み、
前記第２パッケージ本体は、波長変換物質を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、PPA、PCT、EMC、SMC、PIから選択された相互異なる物質を含み、
前記第１パッケージ本体は、波長変換物質を含み、
前記第２パッケージ本体は、反射物質を含む、請求項１に記載の光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、PPA、PCT、EMC、SMC、PIから選択された相互異なる物質を含み、
前記第１パッケージ本体は、透明樹脂から構成され、
前記第２パッケージ本体は、波長変換物質または反射物質のうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体の間に配置された接着層を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１パッケージ本体は、上面から下面方向に凹んだリセスを含み、
前記リセスは、前記第１開口部と前記第２開口部の間に配置され、
前記リセスに配置され、前記発光素子の下面に接触した第１樹脂を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施例は、半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法、光源装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
GaN、AlGaN等の化合物を含む半導体素子は、広くて調整が容易なバンドギャップエネルギーを有する等の多様な長所を有することから、発光素子、受光素子及び各種ダイオード等に多様に用いられている。
【０００３】
特に、ＩＩＩ族‐Ｖ族またはＩＩ族‐ＶＩ族化合物半導体物質を利用した発光ダイオード(Light Emitting Diode)やレーザダイオード(Laser Diode)のような発光素子は、薄膜成長技術及び素子材料の開発により赤色、緑色、青色及び紫外線等多様な波長帯域の光を具現できる長所がある。また、ＩＩＩ族‐Ｖ族またはＩＩ族‐ＶＩ族化合物半導体物質を利用した発光ダイオードやレーザダイオードのような発光素子は、蛍光物質を利用したり色を組合わせることで、効率のよい白色光源も具現可能である。このような発光素子は、蛍光灯、白熱灯等既存の光源に比べて、低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性の長所を有する。
【０００４】
さらに、光検出器や太陽電池のような受光素子も、ＩＩＩ族‐Ｖ族またはＩＩ族‐ＶＩ族化合物半導体物質を利用して製作する場合、素子材料の開発により多様な波長領域の光を吸収して光電流を生成することで、ガンマ線からラジオ波長領域まで多様な波長領域の光を利用することができる。また、このような受光素子は、速い応答速度、安全性、環境親和性及び素子材料の容易な調節といった長所を有することで、電力制御または超高周波回路や通信用モジュールにも容易に利用することができる。
【０００５】
従って、半導体素子は、光通信手段の送信モジュール、LCD(Liquid Crystal Display)表示装置のバックライトを構成する冷陰極管(CCFL：Cold Cathode Fluorescence Lamp)を代替できる発光ダイオードバックライト、蛍光灯や白熱電球を代替できる白色発光ダイオード照明装置、自動車ヘッドライト及び信号灯及びガスや火災を感知するセンサ等にまで応用が拡散している。また、半導体素子は、高周波応用回路やその他電力制御装置、通信用モジュールにまで応用が拡大されつつある。
【０００６】
発光素子(Light Emitting Device)は、例えば周期律表上のＩＩＩ族‐Ｖ族元素またはＩＩ族‐ＶＩ族元素を利用して電気エネルギーが光エネルギーに変換される特性のｐ-ｎ接合ダイオードとして提供され、化合物半導体の組成比を調節することで、多様な波長を具現することができる。
【０００７】
例えば、窒化物半導体は、高い熱的安定性と幅広いバンドギャップエネルギーによって、光素子及び高出力電子素子の開発分野で大きな注目を浴びている。特に、窒化物半導体を利用した青色(Blue)発光素子、緑色(Green)発光素子、紫外線(UV)発光素子、赤色(RED)発光素子等は、商用化されて広く用いられている。
【０００８】
例えば、紫外線発光素子の場合、２００nm〜４００nmの波長帯に分布している光を発生する発光ダイオードとして、前記波長帯域において、短波長の場合、殺菌、浄化等に用いられ、長波長の場合、露光装置または硬化装置等に用いられる。
【０００９】
紫外線は、波長が長い順にUV-A(３１５nm〜４００nm)、UV-B(２８０nm〜３１５nm)、UV-C(２００nm〜２８０nm)の３種類に分けられる。UV-A(３１５nm〜４００nm)領域は産業用UV硬化、印刷インク硬化、露光装置、偽札鑑別、光触媒殺菌、特殊照明(水族館/農業用等)等の多様な分野に応用されており、UV-B(２８０nm〜３１５nm)領域は医療用として用いられ、UV-C(２００nm〜２８０nm)領域は空気浄化、浄水、殺菌製品等に適用されている。
【００１０】
一方、高出力を提供できる半導体素子が求められており、高電源を印加して出力を高めることができる半導体素子に対する研究が行われている。
【００１１】
また、半導体素子パッケージにおいて、半導体素子の光抽出効率を向上させ、パッケージ端における光度を向上させることができる方案に対する研究が行われている。また、半導体素子パッケージにおいて、パッケージ電極と半導体素子の間のボンディング結合力を向上させることができる方案に対する研究が行われている。
【００１２】
また、半導体素子パッケージにおいて、工程効率の向上及び構造変更により、製造コストを減らし製造収率を向上させることができる方案に対する研究が行われている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
実施例は、光抽出効率及び電気的特性を向上させることができる半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法、光源装置を提供することを目的とする。
【００１４】
また、実施例は、工程効率を向上させ新たなパッケージ構造を提示して、製造コストを減らし製造収率を向上させることができる半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法、光源装置を提供することを目的とする。
【００１５】
また、実施例は、半導体素子パッケージが基板等に再ボンディングされる過程で、半導体素子パッケージのボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生することを防止できる半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
実施例に係る発光素子パッケージは、フラットな下面、前記下面と平行な上面、及び前記上面と下面を貫通する第１及び第２開口部を含む第１パッケージ本体と、前記第１パッケージ本体の上に配置され、上面と下面を貫通するオープニングを含む第２パッケージ本体と、前記オープニング内に配置され、第１ボンディング部及び第２ボンディング部を含む発光素子と、を含み、前記第１パッケージ本体の上面は、前記第２パッケージ本体の下面と結合され、前記第１ボンディング部は、前記第１開口部の上に配置され、前記第２ボンディング部は、前記第２開口部の上に配置される。
【００１７】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体のうちの少なくとも１つは、波長変換物質を含むことができる。
【００１８】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体のうちの少なくとも１つは、透明樹脂から構成される。
【００１９】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体のうちの少なくとも１つは、反射性樹脂から構成される。
【００２０】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、相互異なる物質を含むことができる。
【００２１】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、PPA、PCT、EMC、SMC、PIから選択された相互異なる物質を含み、前記第１パッケージ本体は、反射物質を含み、前記第２パッケージ本体は、波長変換物質を含むことができる。
【００２２】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、PPA、PCT、EMC、SMC、PIから選択された相互異なる物質を含み、前記第１パッケージ本体は、波長変換物質を含み、前記第２パッケージ本体は、反射物質を含むことができる。
【００２３】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、PPA、PCT、EMC、SMC、PIから選択された相互異なる物質を含み、前記第１パッケージ本体は、透明樹脂から構成され、前記第２パッケージ本体は、波長変換物質または反射物質のうち少なくとも１つを含むことができる。
【００２４】
実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体の間に配置された接着層を含むことができる。
【００２５】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体は、上面から下面方向に凹んだリセスを含み、前記リセスは、前記第１開口部と前記第２開口部の間に配置され、前記リセスに配置され、前記発光素子の下面に接触した第１樹脂を含むことができる。
【発明の効果】
【００２６】
実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法によれば、光抽出効率及び電気的特性と信頼性を向上させることができる。
【００２７】
実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法によれば、工程効率を向上させ新たなパッケージ構造を提示して、製造コストを減らし製造収率を向上させることができる。
【００２８】
実施例に係る半導体素子パッケージは、反射率が高い本体を提供することで、反射体が変色しないように防止することができ、半導体素子パッケージの信頼性を改善できる長所がある。
【００２９】
実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子の製造方法によれば、半導体素子パッケージが基板等に再ボンディングまたは熱処理される過程で、半導体素子パッケージのボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生することを防止できる長所がある。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例に係る発光素子パッケージを示した図面である。
【図２】本発明の実施例に係る発光素子パッケージを説明する分解斜視図である。
【図３】本発明の実施例に係る発光素子パッケージのパッケージ本体、リセス、開口部の配置関係を説明する図面である。
【図４】本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図面である。
【図５】本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図面である。
【図６】本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図面である。
【図７】本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図面である。
【図８】本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する図面である。
【図９】本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例を示した図面である。
【図１０】本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。
【図１１】本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。
【図１２】本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用された発光素子を説明する平面図である。
【図１３】図１２に示された発光素子のＡ‐Ａ線断面図である。
【図１４】本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用された発光素子の別の例を説明する平面図である。
【図１５】図１４に示された発光素子のＦ‐Ｆ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付された図面を参照して実施例を説明する。実施例の説明において、各層(膜)、領域、パターンまたは構造物が基板、各層(膜)、領域、パッドまたはパターンの「上」または「下」に形成されると記載される場合、「上」と「下」は「直接」または「他の層を介して」形成されるものも含む。また、各階の上または下に対する基準は、図面を基準に説明するが、実施例がこれに限定されるものではない。
【００３２】
以下、添付された図面を参照して、本発明の実施例に係る半導体素子パッケージ及び半導体素子パッケージの製造方法に対して詳しく説明する。以下では、半導体素子の例として、発光素子が適用された場合を基に説明する。
【００３３】
先ず、図１〜図３を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージを説明する。図１は本発明の実施例に係る発光素子パッケージを示した図面であり、図２は本発明の実施例に係る発光素子パッケージを説明する分解斜視図であり、図３は本発明の実施例に係る発光素子パッケージのパッケージ本体、リセス、開口部の配置関係を説明する図面である。
【００３４】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１〜図３に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
【００３５】
前記パッケージ本体１１０は、第１パッケージ本体１１３と第２パッケージ本体１１７を含むことができる。前記第２パッケージ本体１１７は、前記第１パッケージ本体１１３の上に配置される。前記第２パッケージ本体１１７は、前記第１パッケージ本体１１３の上部面の周りに配置される。前記第２パッケージ本体１１７は、前記第１パッケージ本体１１３の上部面の上にキャビティＣを提供することができる。前記第２パッケージ本体１１７は、上面と下面を貫通するオープニングを含むことができる。
【００３６】
別の表現として、前記第１パッケージ本体１１３は、下部本体と称することができ、前記第２パッケージ本体１１７は、上部本体と称することもできる。また、実施例によれば、前記パッケージ本体１１０は、前記キャビティを提供する第２パッケージ本体１１７を含まず、平坦な上部面を提供する前記第１パッケージ本体１１３のみを含んでもよい。
【００３７】
前記第２パッケージ本体１１７は、前記発光素子１２０から放出される光を上部方向に反射させることができる。前記第２パッケージ本体１１７は、前記第１パッケージ本体１１３の上面に対して傾斜するように配置される。
【００３８】
前記パッケージ本体１１０は、前記キャビティＣを含むことができる。前記キャビティは、底面と、前記底面から前記パッケージ本体１１０の上面に傾斜した側面を含むことができる。
【００３９】
実施例によれば、前記パッケージ本体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されてもよく、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されてもよい。
【００４０】
例えば、前記パッケージ本体１１０は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PI(Poly Imide)、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(Al２O３)等を含む群から選択された少なくとも１つから形成される。また、前記パッケージ本体１１０は、TiO２とSiO２のような高屈折フィラーの反射物質を含むことができる。前記パッケージ本体１１０は、量子ドット、蛍光体等の波長変換物質を含むことができる。
【００４１】
一方、実施例によれば、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、相互異なる物質を含むことができる。例えば、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、相互異なる工程で相互異なる物質で形成された後結合される。例えば、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、接着層１６０を介して結合される。
【００４２】
前記接着層１６０は、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７の間に配置される。前記接着層１６０は、前記第１パッケージ本体１１３の上面に配置される。前記接着層１６０は、前記第２パッケージ本体１１７の下面に配置される。前記接着層１６０は、前記発光素子１２０の周りに配置され、前記キャビティを提供することができる。
【００４３】
前記接着層１６０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記接着層１６０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着層１６０が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコン(white silicone)を含むこともできる。
【００４４】
一方、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７のそれぞれは、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、PI(Poly Imide)等を含む樹脂物質から選択された少なくとも１つをベース物質として含むことができる。
【００４５】
また、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７のそれぞれは、反射物質と波長変換物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、反射物質と波長変換物質を含まなくてもよい。前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、透明樹脂から構成されてもよい。
【００４６】
前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、相互異なるベース物質を含むことができる。
【００４７】
例えば、前記第１パッケージ本体１１３は、反射物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、波長変換物質を含むことができる。また、前記第１パッケージ本体１１３は、波長変換物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、反射物質を含むことができる。
【００４８】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体１１３は、反射物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、反射物質と波長変換物質を含むこともできる。また、前記第１パッケージ本体１１３は、反射物質と波長変換物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、波長変換物質を含むこともできる。
【００４９】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、相互異なるベース物質を含む第１パッケージ本体１１３と第２パッケージ本体１１７が、相互異なる工程で別途に形成され、応用製品で必要とする特性を満たすことができる選択的な組合せにより、モジュラ(modular)方式で製造される。実施例に係る発光素子パッケージの製造方法は、後でまた詳述する。
【００５０】
実施例によれば、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【００５１】
前記発光素子１２０は、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の間に配置された活性層を含むことができる。前記第１ボンディング部１２１は、前記第１導電型半導体層と電気的に連結される。また、前記第２ボンディング部１２２は、前記第２導電型半導体層と電気的に連結される。
【００５２】
前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第１パッケージ本体１１３の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第２パッケージ本体１１７によって提供される前記キャビティＣ内に配置される。
【００５３】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
【００５４】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１パッケージ本体１１３の間に配置される。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第１パッケージ本体１１３の間に配置される。
【００５５】
前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、Ti、Al、Sn、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITOを含む群から選択された１つ以上の物質または合金を利用して、単層または多層に形成される。
【００５６】
一方、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１〜図３に示されたように、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
【００５７】
前記パッケージ本体１１０は、前記キャビティＣの底面で前記パッケージ本体１１０の下面を貫通する前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記パッケージ本体１１０は、前記キャビティＣの底面で前記パッケージ本体１１０の下面を貫通する前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
【００５８】
例えば、前記第１パッケージ本体１１３は、フラットな下面を含むことができ、前記下面と平行な上面を含むことができる。前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３の上面と下面を貫通することができる。
【００５９】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッケージ本体１１３に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッケージ本体１１３を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッケージ本体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
【００６０】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供される。
【００６１】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
【００６２】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供される。
【００６３】
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
【００６４】
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が、前記第１ボンディング部１２１の幅より小さくまたは同一に提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２ボンディング部１２２の幅より小さくまたは同一に提供される。
【００６５】
また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が、前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅Ｗ２より小さくまたは同一に提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅より小さくまたは同一に提供される。
【００６６】
前記第１開口部ＴＨ１は、下部領域から上部領域に行くほど幅が漸減する傾斜した形態で提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、下部領域から上部領域に行くほど幅が漸減する傾斜した形態で提供される。
【００６７】
ただし、これに限定されるものではなく、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域と下部領域の間の傾斜面は、傾きが相互異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は曲率を有して配置される。前記第１パッケージ本体１１３の下面領域で、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２の間の幅は数百μmに提供される。前記第１パッケージ本体１１３の下面領域で、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２の間の幅は１００μm〜１５０μmに提供される。
【００６８】
前記第１パッケージ本体１１３の下面領域で、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２の間の幅は、実施例に係る発光素子パッケージ１００が以後回路基板、サブマウント等に実装される場合に、ボンディング部の間の電気的な短絡(short)が発生することを防止するために、一定距離以上に提供されるように選択される。
【００６９】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１〜図３に示されたように、リセスＲを含むことができる。前記リセスＲは、前記キャビティＣの底面で、前記パッケージ本体１１０の下面に凹むように提供される。
【００７０】
前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。
【００７１】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に提供され、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２の間に提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に、前記発光素子１２０の短軸方向に延長されて提供される。
【００７２】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１に示されたように、第１樹脂１３０を含むことができる。
【００７３】
前記第１樹脂１３０は、前記リセスＲに配置される。前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０と前記第１パッケージ本体１１３の間に配置される。前記第１樹脂１３０は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２の間に配置される。例えば、前記第１樹脂１３０は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面に接触して配置される。
【００７４】
前記第１樹脂１３０は、前記第１ボンディング部１２１の周りに配置され、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域を密封することができる。前記第１樹脂１３０は、前記第２ボンディング部１２２の周りに配置され、前記第２開口部ＴＨ１の上部領域を密封することができる。
【００７５】
前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０と前記第１パッケージ本体１１３の間の安定した固定力を提供することができる。前記第１樹脂１３０は、例えば前記第１パッケージ本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
【００７６】
例えば、前記第１樹脂１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記第１樹脂１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコン(white silicone)を含むことができる。前記第１樹脂１３０が反射機能を含む場合、前記第１樹脂１３０は、例えばTiO２、SiO２等を含む物質で構成される。前記第１樹脂１３０は、接着剤と称することもできる。
【００７７】
実施例によれば、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは前記第２開口部ＴＨ２の深さより小さく提供される。
【００７８】
前記リセスＲの深さは、前記第１樹脂１３０の接着力を考慮して決定される。また、前記リセスＲの深さＴ１は、前記第１パッケージ本体１１３の安定した強度を考慮したり、及び/または前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１００にクラックが発生しないように決定される。
【００７９】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記第１パッケージ本体１１３の上面の間に前記第１樹脂１３０が十分に提供されるように、第１深さ以上に提供される。また、前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３の安定した強度を提供するために、第２深さ以下に提供される。
【００８０】
前記リセスＲの深さと幅は、前記第１樹脂１３０の形成位置及び固定力に影響を及ぼす。前記リセスＲの深さと幅は、前記第１パッケージ本体１１３と前記発光素子１２０の間に配置される前記第１樹脂１３０によって十分な固定力が提供されるように決定される。
【００８１】
例えば、前記リセスＲの深さは数十μmに提供される。前記リセスＲの深さは４０μm〜６０μmに提供される。
【００８２】
また、前記リセスＲの幅は数百μmに提供される。前記リセスＲの幅は１４０μm〜１６０μmに提供される。例えば、前記リセスの幅Ｗ３は１５０μmに提供される。
【００８３】
前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記第１パッケージ本体１１３の厚さに対応して提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記第１パッケージ本体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供される。
【００８４】
例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さは数百μmに提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さは１８０μm〜２２０μmに提供される。例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さは２００μmに提供される。
【００８５】
例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは、少なくとも１００μm以上に選択される。これは、前記第１パッケージ本体１１３のクラックフリー(crack free)を提供できる射出工程の厚さが考慮されたものである。
【００８６】
実施例によれば、第１開口部ＴＨ１の深さは、前記リセスＲの深さの２倍〜１０倍で提供される。例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さが２００μmに提供される場合、前記リセスＲの深さは２０μm〜１００μmに提供される。
【００８７】
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１に示されたように、第２樹脂１４０を含むことができる。
【００８８】
前記第２樹脂１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記第２樹脂１４０は、前記第１パッケージ本体１１３の上に配置される。前記第２樹脂１４０は、前記第２パッケージ本体１１７によって提供されたキャビティＣに配置される。
【００８９】
前記第２樹脂１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記第２樹脂１４０は、前記発光素子１２０から放出される光を受けて、波長変換された光を提供する波長変換物質を含むことができる。例えば、前記第２樹脂１４０は、蛍光体、量子ドット等を含むことができる。
【００９０】
また、実施例によれば、前記発光構造物１２３は、化合物半導体からなることができる。前記発光構造物１２３は、例えばＩＩ族‐ＶＩ族またはＩＩＩ族‐Ｖ族化合物半導体からなることができる。例えば、前記発光構造物１２３は、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、リン(P)、ヒ素(As)、窒素(N)から選択された少なくとも２つ以上の元素を含んで提供される。
【００９１】
前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を含むことができる。
【００９２】
前記第１及び第２導電型半導体層は、ＩＩＩ族‐Ｖ族またはＩＩ族‐ＶＩ族化合物半導体のうち少なくとも１つによって具現することができる。前記第１及び第２導電型半導体層は、例えばInxAlyGa１-x-yN(０≦x≦１、０≦y≦１、０≦x+y≦１)の組成式を有する半導体材料から形成される。例えば、前記第１及び第２導電型半導体層は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等を含む群から選択された少なくとも１つを含むことができる。前記第１導電型半導体層は、Si、Ge、Sn、Se、Te等のｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型半導体層からなることができる。前記第２導電型半導体層は、Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等のｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型半導体層からなることができる。
【００９３】
前記活性層は、化合物半導体から具現することができる。前記活性層は、例えばＩＩＩ族‐Ｖ族またはＩＩ族‐ＶＩ族化合物半導体のうち少なくとも１つによって具現することができる。前記活性層が多重井戸構造で具現された場合、前記活性層は、交互に配置された複数の井戸層と複数の障壁層を含むことができ、InxAlyGa１-x-yN(０≦x≦１、０≦y≦１、０≦x+y≦１)の組成式を有する半導体材料で配置される。例えば、前記活性層は、InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP、InP/GaAsを含む群から選択された少なくとも１つを含むことができる。
【００９４】
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
【００９５】
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅より小さく提供される。
【００９６】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第１ボンディング部１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅より大きく提供される。
【００９７】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッケージ本体１１３によって取囲まれるように配置される。
【００９８】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅より小さく提供される。
【００９９】
前記第２ボンディング部１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第２ボンディング部１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅より大きく提供される。
【０１００】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第１パッケージ本体１１３によって取囲まれるように配置される。
【０１０１】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択された少なくとも１つの物質またはその合金を含むことができが、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２として導電性機能を確保できる物質を用いることができる。
【０１０２】
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成される。例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
【０１０３】
実施例によれば、前記第１導電層３２１が前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され、前記第２導電層３２２が前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結される。例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に外部電源が供給され、これによって前記発光素子１２０が駆動される。
【０１０４】
前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ本体１１０に安定的に固定させる機能をすることができる。また、前記第１樹脂１３０は、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の周りに配置される。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１樹脂１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が、前記第２樹脂１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置される。
【０１０５】
前記第１樹脂１３０によって、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１及び第２導電層３２１、３２２が、前記発光素子１２０の外側方向に流れることが防止される。
【０１０６】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散することがある。このように、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が電気的に短絡することがある。また、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することがある。
【０１０７】
しかし、実施例によれば、前記第１樹脂１３０によって前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の周りの領域が密封されるので、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２領域を超えて外部方向に移動することが防止される。
【０１０８】
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００によれば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され、前記発光素子１２０が電気的に短絡することが防止されて、光抽出効率が向上する。
【０１０９】
以下、図４〜図８を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明する。
【０１１０】
図４〜図８を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法を説明することにおいて、図１〜図３を参照して説明された内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
【０１１１】
先ず、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図４に示されたように、支持フレームＢと前記支持フレームＢ内に配置された複数の第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４が提供される。
【０１１２】
前記支持フレームＢは、前記複数の第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４を安定的に支持することができる。前記支持フレームＢは、絶縁性フレームから提供されてもよく、導電性フレームから提供されてもよい。
【０１１３】
例えば、前記複数の第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は、射出工程等により形成される。
【０１１４】
図４は、前記支持フレームＢに４つの第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４が配置された場合を基準に図示されているが、前記複数の第１本体アレイは、３つ以下に提供されてもよく、５つ以上提供されてもよい。また、前記複数の第１本体アレイは、複数の行と複数の列を有する形状に配置されてもよく、１つの行と複数の列を有する形状に配置されてもよい。
【０１１５】
複数の第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４のそれぞれは、複数のサブ本体アレイＡ１１、Ａ１２、…を含むことができる。
【０１１６】
それぞれのサブ本体アレイＡ１１、Ａ１２、…は、図１〜図３を参照して説明されたように、第１パッケージ本体１１３、第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２、リセスＲを含むことができる。また、それぞれのサブ本体アレイＡ１１、Ａ１２、…は、相互類似する構造で形成される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッケージ本体１１３に提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッケージ本体１１３を貫通して提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッケージ本体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
【０１１７】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
【０１１８】
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。
【０１１９】
前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。
【０１２０】
次に、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図５に示されたように、それぞれのサブ本体アレイＡ１１、Ａ１２、…に発光素子１２０がそれぞれ配置される。
【０１２１】
図１〜図３を参照して説明されたように、前記リセスＲに第１樹脂１３０が提供されて前記発光素子１２０が実装される。
【０１２２】
前記第１樹脂１３０は、前記リセスＲ領域に、DOTING方式等により提供される。例えば、前記第１樹脂１３０は、前記リセスＲが形成された領域に一定量提供され、前記リセスＲを溢れるように提供される。
【０１２３】
そして、前記第１パッケージ本体１１３の上に前記発光素子１２０が提供される。
【０１２４】
実施例によれば、前記発光素子１２０が前記第１パッケージ本体１１３の上に配置される過程で、前記リセスＲは一種のアラインキー(align key)の役割をするように活用される。
【０１２５】
前記発光素子１２０は、前記第１樹脂１３０によって前記第１パッケージ本体１１３に固定される。前記リセスＲに提供された前記第１樹脂１３０の一部は、前記第１ボンディング部１２１と第２ボンディング部１２２方向に移動して硬化する。これによって、前記発光素子１２０の下面と前記第１パッケージ本体１１３の上面の間の広い領域に前記第１樹脂１３０が提供され、前記発光素子１２０と前記第１パッケージ本体１１３の間の固定力が向上する。
【０１２６】
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供される。
【０１２７】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供される。
【０１２８】
前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ本体１１０に安定的に固定させる機能をすることができる。また、前記第１樹脂１３０は、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の周りに配置される。
【０１２９】
次に、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、それぞれのサブ本体アレイＡ１１、Ａ１２、…の第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に、図１〜図３を参照して説明されたように、第１及び第２導電層３２１、３２２がそれぞれ形成される。
【０１３０】
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅より小さく提供される。
【０１３１】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第１ボンディング部１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅より大きく提供される。
【０１３２】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッケージ本体１１３によって取囲まれるように配置される。
【０１３３】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅より小さく提供される。
【０１３４】
前記第２ボンディング部１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第２ボンディング部１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅より大きく提供される。
【０１３５】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第１パッケージ本体１１３によって取囲まれるように配置される。
【０１３６】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択された１つの物質またはその合金を含むことができが、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２として導電性機能を確保できる物質を用いることができる。
【０１３７】
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成される。例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
【０１３８】
前記第１樹脂１３０によって前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域が密封されるので、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の下面の下で拡散して移動することが防止される。
【０１３９】
このように、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記第１樹脂１３０によって密封されるので、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記第１パッケージ本体１１３の上部面の上に移動することが防止される。
【０１４０】
一方、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図６に示されたように、第２本体アレイＤが提供される。
【０１４１】
前記第２本体アレイＤは、複数のサブ本体アレイＥ１１、Ｅ１２、…を含むことができる。例えば、前記第２本体アレイＤは、図６に示されたように、一方向に配置された複数のサブ本体アレイＥ１１、Ｅ１２、…を含むことができる。また、前記第２本体アレイＤは、複数の列と複数の行に配列されたマトリックス状を有する複数のサブ本体アレイＥ１１、Ｅ１２、…を含むこともできる。
【０１４２】
前記複数のサブ本体アレイＥ１１、Ｅ１２、…、それぞれは、図６に示されたように、上面から下面方向に貫通する開口部を含むことができる。
【０１４３】
次に、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、図７に示されたように、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４の上に前記第２本体アレイＤが提供される。
【０１４４】
前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４と前記第２本体アレイＤは、図１〜図３を参照して説明されたように、接着層１６０を介して結合される。
【０１４５】
例えば、サブ本体アレイＡ１１の上にサブ本体アレイＥ１１が配置され、サブ本体アレイＡ１２の上にサブ本体アレイＥ１２が配置される。
【０１４６】
一方、実施例によれば、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４と前記第２本体アレイＤは、相互異なる物質を含むことができる。例えば、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４と前記第２本体アレイＤは、相互異なる工程で相互異なる物質で形成された後、前記接着層１６０を介して結合される。
【０１４７】
前記接着層１６０は、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４と前記第２本体アレイＤの間に配置される。前記接着層１６０は、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４の上面に配置される。前記接着層１６０は、前記第２本体アレイＤの下面に配置される。
【０１４８】
前記接着層１６０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記接着層１６０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着層１６０が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコン(white silicone)を含むこともできる。
【０１４９】
一方、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４と前記第２本体アレイＤのそれぞれは、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、PI(Poly Imide)等を含む樹脂物質から選択された少なくとも１つをベース物質として含むことができる。
【０１５０】
また、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４と前記第２本体アレイＤのそれぞれは、反射物質と波長変換物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４と前記第２本体アレイＤは、反射物質と波長変換物質を含まなくてもよい。
【０１５１】
前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４と前記第２本体アレイＤは、相互異なるベース物質を含むことができる。
【０１５２】
例えば、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は、反射物質を含み、前記第２本体アレイＤは、波長変換物質を含むことができる。また、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は、波長変換物質を含み、前記第２本体アレイＤは、反射物質を含むことができる。
【０１５３】
実施例によれば、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は、反射物質を含み、前記第２本体アレイＤは、反射物質と波長変換物質を含むこともできる。また、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は、反射物質と波長変換物質を含み、前記第２本体アレイＤは、波長変換物質を含むこともできる。
【０１５４】
実施例に係る発光素子パッケージは、相互異なるベース物質を含む第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４と第２本体アレイＤが、相互異なる工程で別途に形成され、応用製品で必要とする特性を満たすことができる選択的な組合せにより、モジュラ(modular)方式で製造される。
【０１５５】
次に、前記第２本体アレイＤの開口部によって提供されたキャビティに、図１〜図３を参照して説明されたように、第２樹脂１４０が形成される。
【０１５６】
前記第２樹脂１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記第２樹脂１４０は、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４の上に配置される。前記第２樹脂１４０は、前記第２本体アレイＤによって提供されたキャビティＣに配置される。
【０１５７】
前記第２樹脂１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記第２樹脂１４０は、前記発光素子１２０から放出される光を受けて、波長変換された光を提供する波長変換物質を含むことができる。例えば、前記第２樹脂１４０は、蛍光体、量子ドット等を含むことができる。
【０１５８】
次に、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４と前記第２本体アレイＤが結合された状態で、ダイシングまたはスクライビング等の分離工程によって、図８に示されたような個別発光素子パッケージを製造することができる。
【０１５９】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図８に示されたように、モジュラ(modular)方式で第１パッケージ本体１１３と第２パッケージ本体１１７が製造されて結合されたパッケージ本体１１０を含むことができる。
【０１６０】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、図１〜図７を参照して説明されたように、前記パッケージ本体１１０の形成において、従来のリードフレームが適用されない。
【０１６１】
従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームを形成する工程が追加で必要であるが、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、リードフレームを形成する工程を必要としない。これによって、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、工程時間が短縮されるだけでなく、材料も節減できる長所がある。
【０１６２】
また、従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームの劣化防止のために銀等のメッキ工程が追加で必要となるが、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、リードフレームが不必要であるので、銀メッキ等の追加工程を必要としない。このように、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、製造コストを削減し、製造収率を向上させることができる長所がある。
【０１６３】
また、従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージに比べて小型化が可能な長所がある。
【０１６４】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１開口部ＴＨ１に提供された前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２に提供された前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結される。
【０１６５】
これによって、前記第１ボンディング部１２１及び前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動されることになる。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供されることになる。
【０１６６】
一方、以上で説明された実施例に係る発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
【０１６７】
ところで、従来の発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)または熱処理工程等の高温工程が適用されることがある。このとき、リフローまたは熱処理工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子の間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
【０１６８】
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２を通じて駆動電源が提供される。そして、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の溶融点が、一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
【０１６９】
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程によってボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない長所がある。
【０１７０】
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、導電性ペーストを利用して前記発光素子１２０を前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４に実装するので、発光素子パッケージを製造する工程で前記パッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、前記パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０１７１】
例えば、前記パッケージ本体１１０は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂、PI(Poly Imide)樹脂を含む群から選択された少なくとも１つの物質を含むことができる。
【０１７２】
以下、図９を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例を説明するようにする。図８は本発明の実施例に係る発光素子パッケージの別の例を示した図面である。
【０１７３】
図９に示された本発明の実施例に係る発光素子パッケージは、図１〜図８を参照して説明された発光素子パッケージ１００が回路基板３１０に実装されて供給される例を示したものである。
【０１７４】
図９を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１〜図８を参照して説明された内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
【０１７５】
実施例に係る発光素子パッケージは、図９に示されたように、回路基板３１０、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
【０１７６】
前記回路基板３１０は、第１パッド３１１、第２パッド３１２、支持基板３１３を含むことができる。前記支持基板３１３に前記発光素子１２０の駆動を制御する電源供給回路が提供される。
【０１７７】
前記パッケージ本体１１０は、前記回路基板３１０の上に配置される。前記第１パッド３１１と前記第１ボンディング部１２１が電気的に連結される。前記第２パッド３１２と前記第２ボンディング部１２２が電気的に連結される。
【０１７８】
前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn、Alを含む群から選択された少なくとも１つの物質またはその合金を含むことができる。前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、単層または多層で提供される。
【０１７９】
前記パッケージ本体１１０は、第１パッケージ本体１１３と第２パッケージ本体１１７を含むことができる。
【０１８０】
前記パッケージ本体１１０は、上面から下面まで第１方向に貫通する第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２を含むことができる。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面まで第１方向に貫通して提供される。
【０１８１】
一方、実施例によれば、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、相互異なる物質を含むことができる。例えば、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、相互異なる工程で相互異なる物質で形成された後、接着層１６０を介して結合される。
【０１８２】
前記接着層１６０は、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７の間に配置される。前記接着層１６０は、前記第１パッケージ本体１１３の上面に配置される。前記接着層１６０は、前記第２パッケージ本体１１７の下面に配置される。前記接着層１６０は、前記発光素子１２０の周りに配置され、前記キャビティを提供することができる。
【０１８３】
前記接着層１６０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記接着層１６０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着層１６０が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコン(white silicone)を含むこともできる。
【０１８４】
一方、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７のそれぞれは、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、PI(Poly Imide)等を含む樹脂物質から選択された少なくとも１つをベース物質として含むことができる。
【０１８５】
また、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７のそれぞれは、反射物質と波長変換物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、反射物質と波長変換物質を含まなくてもよい。
【０１８６】
前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、相互異なるベース物質を含むことができる。
【０１８７】
例えば、前記第１パッケージ本体１１３は、反射物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、波長変換物質を含むことができる。また、前記第１パッケージ本体１１３は、波長変換物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、反射物質を含むことができる。
【０１８８】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体１１３は、反射物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、反射物質と波長変換物質を含むこともできる。また、前記第１パッケージ本体１１３は、反射物質と波長変換物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、波長変換物質を含むこともできる。
【０１８９】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、相互異なるベース物質を含む第１パッケージ本体１１３と第２パッケージ本体１１７が、相互異なる工程で別途に形成され、応用製品で必要とする特性を満たすことができる選択的な組合せにより、モジュラ(modular)方式で製造される。
【０１９０】
前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０１９１】
前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第１パッケージ本体１１３の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第２パッケージ本体１１７により提供されるキャビティＣ内に配置される。
【０１９２】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
【０１９３】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１パッケージ本体１１３の間に配置される。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第１パッケージ本体１１３の間に配置される。
【０１９４】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供される。
【０１９５】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供される。
【０１９６】
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
【０１９７】
実施例に係る発光素子パッケージは、図９に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。
【０１９８】
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下部面に直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と垂直方向に相互重なって提供される。
【０１９９】
前記第１導電層３２１の上面は、前記第１パッケージ本体１１３の上面と同一平面に配置される。前記第１導電層３２１の下面は、前記第１パッケージ本体１１３の下面と同一平面に提供される。
【０２００】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下部面に直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と垂直方向に相互重なって提供される。
【０２０１】
前記第２導電層３２２の上面は、前記第１パッケージ本体１１３の上面と同一平面に配置される。前記第２導電層３２２の下面は、前記第１パッケージ本体１１３の下面と同一平面に提供される。
【０２０２】
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択された少なくとも１つの物質またはその合金を含むことができる。
【０２０３】
実施例に係る発光素子パッケージは、図９に示されたように、金属層４３０を含むことができる。
【０２０４】
前記金属層４３０は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の下に配置される。前記金属層４３０は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の下面に配置される。また、実施例によれば、前記金属層４３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と隣接した前記第１パッケージ本体１１３の下面にも提供される。
【０２０５】
前記金属層４３０は、Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、Pを含む群から選択された少なくとも１つの物質または選択的合金から形成される。
【０２０６】
実施例によれば、前記金属層４３０によって前記回路基板３１０の前記第１パッド３１１と前記第１導電層３２１が電気的に連結される。また、前記金属層４３０によって前記回路基板３１０の前記第２パッド３１２と前記第２導電層３２２が電気的に連結される。
【０２０７】
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図９に示されたように、リセスＲを含むことができる。前記リセスＲは、前記キャビティＣの底面で、前記パッケージ本体１１０の下面に凹むように提供される。
【０２０８】
前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。
【０２０９】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に提供され、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２の間に提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に、前記発光素子１２０の短軸方向に延長されて提供される。
【０２１０】
実施例に係る発光素子パッケージは、図９に示されたように、第１樹脂１３０を含むことができる。
【０２１１】
前記第１樹脂１３０は、前記リセスＲに配置される。前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０と前記第１パッケージ本体１１３の間に配置される。前記第１樹脂１３０は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２の間に配置される。例えば、前記第１樹脂１３０は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面に接触して配置される。
【０２１２】
前記第１樹脂１３０は、前記第１ボンディング部１２１の周りに配置され、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域を密封することができる。前記第１樹脂１３０は、前記第２ボンディング部１２２の周りに配置され、前記第２開口部ＴＨ１の上部領域を密封することができる。
【０２１３】
前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０と前記第１パッケージ本体１１３の間の安定した固定力を提供することができる。前記第１樹脂１３０は、例えば前記第１パッケージ本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
【０２１４】
例えば、前記第１樹脂１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記第１樹脂１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコン(white silicone)を含むことができる。前記第１樹脂１３０が反射機能を含む場合、前記第１樹脂１３０は、例えばTiO２、SiO２等を含む物質で構成される。前記第１樹脂１３０は、接着剤と称することもできる。
【０２１５】
実施例によれば、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは前記第２開口部ＴＨ２の深さより小さく提供される。
【０２１６】
前記リセスＲの深さは、前記第１樹脂１３０の接着力を考慮して決定される。また、前記リセスＲの深さＴ１は、前記第１パッケージ本体１１３の安定した強度を考慮したり、及び/または前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１００にクラックが発生しないように決定される。
【０２１７】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記第１パッケージ本体１１３の上面の間に前記第１樹脂１３０が十分に提供されるように、第１深さ以上に提供される。また、前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３の安定した強度を提供するために、第２深さ以下に提供される。
【０２１８】
前記リセスＲの深さと幅は、前記第１樹脂１３０の形成位置及び固定力に影響を及ぼす。前記リセスＲの深さと幅は、前記第１パッケージ本体１１３と前記発光素子１２０の間に配置される前記第１樹脂１３０によって十分な固定力が提供されるように決定される。
【０２１９】
例えば、前記リセスＲの深さは数十μmに提供される。前記リセスＲの深さは４０μm〜６０μmに提供される。
【０２２０】
また、前記リセスＲの幅Ｗ３は数百μmに提供される。前記リセスＲの幅Ｗ３は１４０μm〜１６０μmに提供される。例えば、前記リセスＲの幅Ｗ３は１５０μmに提供される。
【０２２１】
前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記第１パッケージ本体１１３の厚さに対応して提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記第１パッケージ本体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供される。
【０２２２】
例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さは数百μmに提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さは１８０μm〜２２０μmに提供される。例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さは２００μmに提供される。
【０２２３】
例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは、少なくとも１００μm以上に選択される。これは、前記第１パッケージ本体１１３のクラックフリー(crack free)を提供できる射出工程の厚さが考慮されたものである。
【０２２４】
実施例によれば、第１開口部ＴＨ１の深さは、前記リセスＲの深さの２倍〜１０倍で提供される。例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さが２００μmに提供される場合、前記リセスＲの深さは２０μm〜１００μmに提供される。
【０２２５】
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図９に示されたように、第２樹脂１４０を含むことができる。
【０２２６】
前記第２樹脂１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記第２樹脂１４０は、前記第１パッケージ本体１１３の上に配置される。前記第２樹脂１４０は、前記第２パッケージ本体１１７によって提供されたキャビティＣに配置される。
【０２２７】
実施例に係る発光素子パッケージは、図９を参照して説明されたように、前記パッケージ本体１１０の形成において、従来のリードフレームが適用されない。
【０２２８】
従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームを形成する工程が追加で必要であるが、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、リードフレームを形成する工程を必要としない。これによって、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、工程時間が短縮されるだけでなく、材料も節減できる長所がある。
【０２２９】
また、従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームの劣化防止のために銀等のメッキ工程が追加で必要となるが、本発明の実施例に係る発光素子パッケージによれば、リードフレームが不必要であるので、銀メッキ等の追加工程を省略することができる。よって、前記発光素子パッケージの実施例は、銀メッキ等の物質が変色する問題点を解決することができ、工程を省略できる長所により製造コストを節減できる。よって、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、製造コストを削減し製造収率及び製品の信頼性を向上させることができる長所がある。
【０２３０】
また、従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージに比べて小型化が可能な長所がある。
【０２３１】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１開口部ＴＨ１に提供された前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２に提供された前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結される。
【０２３２】
これによって、前記第１ボンディング部１２１及び前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動されることになる。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供されることになる。
【０２３３】
一方、以上で説明された実施例に係る発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
【０２３４】
ところで、従来の発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)等の高温工程が適用されることがある。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子の間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
【０２３５】
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記第１及び第２導電層３２１、３２２を通じて駆動電源が提供される。そして、前記第１及び第２導電層３２１、３２２の溶融点が、一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
【０２３６】
よって、実施例に係る発光素子パッケージ１００は、メイン基板等にリフロー(reflow)工程によってボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない長所がある。
【０２３７】
また、実施例に係る発光素子パッケージ１００及び発光素子パッケージの製造方法によれば、導電性ペーストを利用して前記発光素子１２０を前記第１本体アレイＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４に実装するので、発光素子パッケージを製造する工程で前記パッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、前記パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０２３８】
例えば、前記パッケージ本体１１０は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)、PI(Poly Imide)樹脂を含む群から選択された少なくとも１つの物質を含むことができる。
【０２３９】
一方、図１０は本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。実施例に係る発光素子パッケージは、図１０に示されたように、図１〜図９を参照して説明された発光素子パッケージに比べてフレーム１７０をさらに含むことができる。
【０２４０】
例えば、前記フレーム１７０は、前記第１パッケージ本体１１３の両端に配置される。前記フレーム１７０は、前記パッケージ本体１１０に機構的構造を提供することができる。前記フレーム１７０は絶縁性支持部材から提供される。また、前記フレーム１７０は導電性支持部材から提供されてもよい。
【０２４１】
一方、以上で説明された実施例に係る発光素子パッケージの場合、各ボンディング部の下に１つの開口部が提供された場合を基準に説明された。
【０２４２】
しかし、別の実施例に係る発光素子パッケージによれば、各開口部の下に複数の開口部が提供されてもよい。また、複数の開口部は、相互異なる幅を有する開口部として提供されてもよい。
【０２４３】
また、実施例に係る開口部の形状は、多様な形状を有することができる。
【０２４４】
例えば、実施例に係る開口部は、上部領域から下部領域まで同じ幅で提供されてもよい。
【０２４５】
また、実施例に係る開口部は、多段構造の形状で提供されてもよい。例えば、開口部は２段構造の相互異なる傾斜角を有する形状で提供されてもよい。また、開口部は３段以上の相互異なる傾斜角を有する形状で提供されてもよい。
【０２４６】
また、開口部は、上部領域から下部領域に行きながら幅が変わる形状で提供されてもよい。例えば、開口部は上部領域から下部領域に行きながら曲率を有する形状で提供されてもよい。
【０２４７】
また、実施例に係る発光素子パッケージによれば、パッケージ本体１１０は上面が平坦な第１パッケージ本体１１３のみを含み、第１パッケージ本体１１３の上に配置された第２パッケージ本体１１７を含まないように提供されてもよい。
【０２４８】
次に、図１１を参照して実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を説明する。
【０２４９】
図１１は本発明の実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例を示した図面である。図１１を参照して実施例に係る発光素子パッケージを説明することにおいて、図１〜図１０を参照して説明された内容と重なる事項に対しては、説明を省略する場合もある。
【０２５０】
実施例に係る発光素子パッケージは、図１１に示されたように、パッケージ本体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
【０２５１】
前記パッケージ本体１１０は、第１パッケージ本体１１３と第２パッケージ本体１１７を含むことができる。前記第２パッケージ本体１１７は、前記第１パッケージ本体１１３の上に配置される。前記第２パッケージ本体１１７は、前記第１パッケージ本体１１３の上部面の周りに配置される。前記第２パッケージ本体１１７は、前記第１パッケージ本体１１３の上部面の上にキャビティＣを提供することができる。
【０２５２】
実施例によれば、前記パッケージ本体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されてもよく、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されてもよい。
【０２５３】
例えば、前記第１パッケージ本体１１３は、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、セラミック、PI(Poly Imide)、PSG(photo sensitive glass)、サファイア(Al２O３)等を含む群から選択された少なくとも１つから形成される。また、前記第１パッケージ本体１１３は、TiO２とSiO２のような高屈折フィラーの反射物質を含むことができる。前記パッケージ本体１１０は、量子ドット、蛍光体等の波長変換物質を含むことができる。
【０２５４】
一方、実施例によれば、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、相互異なる物質を含むことができる。例えば、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、相互異なる工程で相互異なる物質で形成された後、接着層１６０を介して結合される。
【０２５５】
前記接着層１６０は、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７の間に配置される。前記接着層１６０は、前記第１パッケージ本体１１３の上面に配置される。前記接着層１６０は、前記第２パッケージ本体１１７の下面に配置される。前記接着層１６０は、前記発光素子１２０の周りに配置され、前記キャビティを提供することができる。
【０２５６】
前記接着層１６０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記接着層１６０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着層１６０が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコン(white silicone)を含むこともできる。
【０２５７】
一方、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７のそれぞれは、PPA(Polyphthalamide)、PCT(Polychloro Tri phenyl)、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PA9T(Polyamide9T)、シリコン、EMC(Epoxy Molding Compound)、SMC(Silicone Molding Compound)、PI(Poly Imide)等を含む樹脂物質から選択された少なくとも１つをベース物質として含むことができる。
【０２５８】
また、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７のそれぞれは、反射物質と波長変換物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、反射物質と波長変換物質を含まなくてもよい。
【０２５９】
前記第１パッケージ本体１１３と前記第２パッケージ本体１１７は、相互異なるベース物質を含むことができる。
【０２６０】
例えば、前記第１パッケージ本体１１３は、反射物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、波長変換物質を含むことができる。また、前記第１パッケージ本体１１３は、波長変換物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、反射物質を含むことができる。
【０２６１】
実施例によれば、前記第１パッケージ本体１１３は、反射物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、反射物質と波長変換物質を含むこともできる。また、前記第１パッケージ本体１１３は、反射物質と波長変換物質を含み、前記第２パッケージ本体１１７は、波長変換物質を含むこともできる。
【０２６２】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、相互異なるベース物質を含む第１パッケージ本体１１３と第２パッケージ本体１１７が、相互異なる工程で別途に形成され、応用製品で必要とする特性を満たすことができる選択的な組合せにより、モジュラ(modular)方式で製造される。
【０２６３】
実施例によれば、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０２６４】
前記発光素子１２０は、図１１に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記第１パッケージ本体１１３の間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２が配置される。
【０２６５】
前記発光素子１２０は、前記パッケージ本体１１０の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第１パッケージ本体１１３の上に配置される。前記発光素子１２０は、前記第２パッケージ本体１１７によって提供される前記キャビティＣ内に配置される。
【０２６６】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下部面に配置される。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下部面で相互離隔して配置される。
【０２６７】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１パッケージ本体１１３の間に配置される。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第１パッケージ本体１１３の間に配置される。
【０２６８】
一方、実施例に係る発光素子パッケージは、図１１に示されたように、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
【０２６９】
前記パッケージ本体１１０は、前記キャビティＣの底面で前記パッケージ本体１１０の下面を貫通する前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記パッケージ本体１１０は、前記キャビティＣの底面で前記パッケージ本体１１０の下面を貫通する前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
【０２７０】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供される。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１第１パッケージ本体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供される。
【０２７１】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３に提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３を貫通して提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供される。
【０２７２】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供される。
【０２７３】
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、相互離隔して配置される。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下部面の下で相互離隔して配置される。
【０２７４】
実施例によれば、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅が前記第１ボンディング部１２１の幅より大きく提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２ボンディング部１２２の幅より大きく提供される。
【０２７５】
実施例によれば、前記第１ボンディング部１２１の下部領域が前記第１開口部ＴＨ１の上部領域内に配置される。前記第１ボンディング部１２１の底面が前記第１パッケージ本体１１３の上面より低く配置される。
【０２７６】
また、前記第２ボンディング部１２２の下部領域が前記第２開口部ＴＨ２の上部領域内に配置される。前記第２ボンディング部１２２の底面が前記第１パッケージ本体１１３の上面より低く配置される。
【０２７７】
また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅が前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅より小さくまたは同一に提供される。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅より小さくまたは同一に提供される。
【０２７８】
前記第１開口部ＴＨ１は、下部領域から上部領域に行くほど幅が漸減する傾斜した形態で提供される。前記第２開口部ＴＨ２は、下部領域から上部領域に行くほど幅が漸減する傾斜した形態で提供される。
【０２７９】
ただし、これに限定されるものではなく、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域と下部領域の間の傾斜面は、傾きが相互異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は曲率を有して配置される。
【０２８０】
前記第１パッケージ本体１１３の下面領域で、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２の間の幅は数百μmに提供される。前記第１パッケージ本体１１３の下面領域で、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２の間の幅は、例えば１００μm〜１５０μmに提供される。
【０２８１】
前記第１パッケージ本体１１３の下面領域で、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２の間の幅は、実施例に係る発光素子パッケージが以後回路基板、サブマウント等に実装される場合に、パッドの間の電気的な短絡(short)が発生することを防止するために、一定距離以上に提供されるように選択される。
【０２８２】
また、実施例に係る発光素子パッケージは、第１樹脂１３０を含むことができる。
【０２８３】
前記第１樹脂１３０は、前記第１パッケージ本体１１３と前記発光素子１２０の間に配置される。前記第１樹脂１３０は、前記第１パッケージ本体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面の間に配置される。
【０２８４】
また、実施例に係る発光素子パッケージはリセスＲを含むことができる。前記リセスＲは、前記キャビティＣの底面で、前記パッケージ本体１１０の下面に凹むように提供される。
【０２８５】
前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３に提供される。前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３の上面から下面方向に凹むように提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置される。
【０２８６】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に提供され、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２の間に提供される。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に、前記発光素子１２０の短軸方向に延長されて提供される。
【０２８７】
前記第１樹脂１３０は、前記リセスＲに配置される。前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０と前記第１パッケージ本体１１３の間に配置される。前記第１樹脂１３０は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２の間に配置される。例えば、前記第１樹脂１３０は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面に接触して配置される。
【０２８８】
前記第１樹脂１３０は、前記第１ボンディング部１２１の周りに配置され、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域を密封することができる。前記第１樹脂１３０は、前記第２ボンディング部１２２の周りに配置され、前記第２開口部ＴＨ１の上部領域を密封することができる。
【０２８９】
前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０と前記第１パッケージ本体１１３の間の安定した固定力を提供することができる。前記第１樹脂１３０は、例えば前記第１パッケージ本体１１３の上面に直接接触して配置される。また、前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０の下部面に直接接触して配置される。
【０２９０】
例えば、前記第１樹脂１３０は、エポキシ(epoxy)系の物質、シリコン(silicone)系の物質、エポキシ系の物質とシリコン系の物質を含むハイブリッド(hybrid)物質のうち少なくとも１つを含むことができる。また、前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記第１樹脂１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤はホワイトシリコン(white silicone)を含むことができる。前記第１樹脂１３０が反射機能を含む場合、前記第１樹脂１３０は、例えばTiO２、SiO２等を含む物質で構成される。前記第１樹脂１３０は、接着剤と称することもできる。
【０２９１】
実施例によれば、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは前記第２開口部ＴＨ２の深さより小さく提供される。
【０２９２】
前記リセスＲの深さは、前記第１樹脂１３０の接着力を考慮して決定される。また、前記リセスＲの深さＴ１は、前記第１パッケージ本体１１３の安定した強度を考慮したり、及び/または前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１００にクラックが発生しないように決定される。
【０２９３】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下部に一種のアンダーフィル(under fill)工程を実行できる適正空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記第１パッケージ本体１１３の上面の間に前記第１樹脂１３０が十分に提供されるように、第１深さ以上に提供される。また、前記リセスＲは、前記第１パッケージ本体１１３の安定した強度を提供するために、第２深さ以下に提供される。
【０２９４】
前記リセスＲの深さと幅は、前記第１樹脂１３０の形成位置及び固定力に影響を及ぼす。前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記第１パッケージ本体１１３と前記発光素子１２０の間に配置される前記第１樹脂１３０によって十分な固定力が提供されるように決定される。
【０２９５】
例えば、前記リセスＲの深さは数十μmに提供される。前記リセスＲの深さは４０μm〜６０μmに提供される。
【０２９６】
また、前記リセスＲの幅は数百μmに提供される。前記リセスＲの幅Ｗ３は１４０μm〜１６０μmに提供される。例えば、前記リセスＲの幅Ｗ３は１５０μmに提供される。
【０２９７】
前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記第１パッケージ本体１１３の厚さに対応して提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記第１パッケージ本体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供される。
【０２９８】
例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さは数百μmに提供される。前記第１開口部ＴＨ１の深さは１８０μm〜２２０μmに提供される。例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さは２００μmに提供される。
【０２９９】
例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは、少なくとも１００μm以上に選択される。これは、前記第１パッケージ本体１１３のクラックフリー(crack free)を提供できる射出工程の厚さが考慮されたものである。
【０３００】
実施例によれば、第１開口部ＴＨ１の深さは、前記リセスＲの深さの２倍〜１０倍で提供される。例えば、前記第１開口部ＴＨ１の深さが２００μmに提供される場合、前記リセスＲの深さは２０μm〜１００μmに提供される。
【０３０１】
また、実施例によれば、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を向上させるために、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定される。
【０３０２】
また、実施例によれば、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定される。
【０３０３】
このように、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。また、前記発光素子１２０の下には反射特性がよい前記第１樹脂１３０が提供される。よって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記第１樹脂１３０に反射されて発光素子パッケージの上部方向に効果的に放出され、光抽出効率が向上する。
【０３０４】
また、実施例に係る発光素子パッケージは、図１１に示されたように、第２樹脂１４０を含むことができる。
【０３０５】
前記第２樹脂１４０は、前記発光素子１２０の上に提供される。前記第２樹脂１４０は、前記第１パッケージ本体１１３の上に配置される。前記第２樹脂１４０は、前記第２パッケージ本体１１７によって提供されたキャビティＣに配置される。
【０３０６】
前記第２樹脂１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記第２樹脂１４０は、前記発光素子１２０から放出される光を受けて、波長変換された光を提供する波長変換物質を含むことができる。例えば、前記第２樹脂１４０は、蛍光体、量子ドット等を含むことができる。
【０３０７】
実施例に係る発光素子パッケージは、図１１に示されたように、第１導電体２２１と第２導電体２２２を含むことができる。また、実施例に係る発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２を含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置される。
【０３０８】
前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置される。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結される。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１方向に重なって配置される。
【０３０９】
前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１導電層３２１の間に配置される。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１及び前記第１導電層３２１と電気的に連結される。
【０３１０】
前記第１導電体２２１の下面は、前記第１開口部ＴＨ１の上面より低く配置される。前記第１導電体２２１の下面は、前記第１導電層３２１の上面より低く配置される。
【０３１１】
前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１の上に配置される。また、前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１から前記第１開口部ＴＨ１の内部まで延長されて配置される。
【０３１２】
また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置される。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結される。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第１方向に重なって配置される。
【０３１３】
前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２導電層３２２の間に配置される。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２及び前記第２導電層３２２と電気的に連結される。
【０３１４】
前記第２導電体２２２の下面は、前記第２開口部ＴＨ２の上面より低く配置される。前記第２導電体２２２の下面は、前記第２導電層３２２の上面より低く配置される。
【０３１５】
前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２の上に配置される。また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２から前記第２開口部ＴＨ２の内部まで延長されて配置される。
【０３１６】
実施例によれば、前記第１導電体２２１の下面及び側面に前記第１導電層３２１が配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１導電体２２１の下面及び側面に直接接触して配置される。
【０３１７】
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供される。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置される。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅より大きく提供される。
【０３１８】
このように、実施例に係る発光素子パッケージによれば、前記第１導電体２２１によって、前記第１導電層３２１と前記第１ボンディング部１２１の間に電気的結合がより安定的に提供される。
【０３１９】
また、実施例によれば、前記第２導電体２２２の下面及び側面に前記第２導電層３２２が配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２導電体２２２の下面及び側面に直接接触して配置される。
【０３２０】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅より大きく提供される。
【０３２１】
このように、実施例に係る発光素子パッケージ２００によれば、前記第２導電体２２２によって、前記第２導電層３２２と前記第２ボンディング部１２２の間に電気的結合がより安定的に提供される。
【０３２２】
例えば、前記第１及び第２導電体２２１、２２２は、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２に、それぞれ別途のボンディング物質を介して安定的にボンディングされる。また、前記第１及び第２導電体２２１、２２２の側面及び下面が前記第１及び第２導電層３２１、３２２にそれぞれ接触する。よって、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の下面にそれぞれ直接的に接触する場合に比べて、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記第１及び第２導電体２２１、２２２とそれぞれ接触する面積がより大きくなる。これによって、前記第１及び第２導電体２２１、２２２を通じて、前記第１及び第２導電層３２１、３２２から前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２に電源がそれぞれ安定的に供給される。
【０３２３】
例えば、前記第１及び第２導電体２２１、２２２は、Al、Au、Ag、Pt等を含む群から選択された少なくとも１つの物質またはその合金から提供される。また、前記第１及び第２導電体２２１、２２２は、単層または多層で提供される。
【０３２４】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第１ボンディング部１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅より小さく提供される。
【０３２５】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置される。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結される。前記第１導電層３２１は、前記第１パッケージ本体１１３によって取囲まれるように配置される。
【０３２６】
前記第１開口部ＴＨ１の上部領域で、前記第１導電層３２１の上部部分は、前記第１ボンディング部１２１の下部部分の周りに配置される。前記第１導電層３２１の上面は、前記第１ボンディング部１２１の下面より高く配置される。
【０３２７】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供される。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置される。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅より大きく提供される。
【０３２８】
前記第２ボンディング部１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直な第２方向の幅を有することができる。前記第２ボンディング部１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅より小さく提供される。
【０３２９】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置される。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結される。前記第２導電層３２２は、前記第１パッケージ本体１１３によって取囲まれるように配置される。
【０３３０】
前記第２開口部ＴＨ２の上部領域で、前記第２導電層３２２の上部部分は、前記第２ボンディング部１２２の下部部分の周りに配置される。前記第２導電層３２２の上面は、前記第２ボンディング部１２２の下面より高く配置される。
【０３３１】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ag、Au、Pt、Sn、Cu等を含む群から選択された少なくとも１つの物質またはその合金を含むことができが、これに限定されるものではなく、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２として導電性機能を確保できる物質を用いることができる。
【０３３２】
例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを利用して形成される。前記導電性ペーストは、ソルダペースト(solder paste)、銀ペースト(silver paste)等を含むことができ、相互異なる物質から構成される多層または合金で構成された多層または単層に構成される。例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、SAC(Sn-Ag-Cu)物質を含むことができる。
【０３３３】
実施例によれば、前記第１導電層３２１が前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され、前記第２導電層３２２が前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結される。例えば、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２に外部電源が供給され、これによって前記発光素子１２０が駆動される。
【０３３４】
前記第１樹脂１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ本体１１０に安定的に固定させる機能をすることができる。また、前記第１樹脂１３０は、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の周りに配置される。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１樹脂１３０は、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が、前記第２樹脂１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置される。
【０３３５】
前記第１樹脂１３０によって、前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１及び第２導電層３２１、３２２が、前記発光素子１２０の外側方向に流れることが防止される。
【０３３６】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散することがある。このように、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が電気的に短絡することがある。また、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することがある。
【０３３７】
しかし、実施例によれば、前記第１樹脂１３０によって前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の周りの領域が密封されるので、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記第１及び第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２領域を超えて外部方向に移動することが防止される。
【０３３８】
よって、実施例に係る発光素子パッケージによれば、前記第１及び第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され、前記発光素子１２０が電気的に短絡することが防止されて、光抽出効率が向上する。
【０３３９】
実施例に係る発光素子パッケージは、図１１を参照して説明されたように、前記パッケージ本体１１０の形成において、従来のリードフレームが適用されない。
【０３４０】
従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームを形成する工程が追加で必要であるが、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、リードフレームを形成する工程を必要としない。これによって、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、工程時間が短縮されるだけでなく、材料も節減できる長所がある。
【０３４１】
また、従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームの劣化防止のために銀等のメッキ工程が追加で必要となるが、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、リードフレームが不必要であるので、銀メッキ等の追加工程を必要としない。このように、本発明の実施例に係る発光素子パッケージの製造方法によれば、製造コストを削減し、製造収率を向上させることができる長所がある。
【０３４２】
また、従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージに比べて小型化が可能な長所がある。
【０３４３】
実施例に係る発光素子パッケージ１００は、前記第１開口部ＴＨ１に提供された前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２に提供された前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結される。
【０３４４】
これによって、前記第１ボンディング部１２１及び前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動されることになる。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ本体１１０の上部方向に提供されることになる。
【０３４５】
一方、以上で説明された実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板等に実装されて供給されてもよい。
【０３４６】
ところで、従来の発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板等に実装される際に、リフロー(reflow)または熱処理工程等の高温工程が適用されることがある。このとき、リフローまたは熱処理工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子の間のボンディング領域で再溶解(re-melting)現象が発生して、電気的連結及び物理的結合の安定性が弱まることがある。
【０３４７】
しかし、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、実施例に係る発光素子のボンディング部は開口部に配置された導電層を通じて駆動電源が提供される。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が、一般的なボンディング物質の溶融点より高い値を有するように選択される。
【０３４８】
よって、実施例に係る発光素子パッケージは、メイン基板等にリフロー(reflow)工程によってボンディングされる場合にも、再溶解(re-melting)現象が発生しないので、電気的連結及び物理的ボンディング力が劣化しない長所がある。
【０３４９】
また、実施例に係る発光素子パッケージ及び発光素子パッケージの製造方法によれば、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ本体１１０が高温に露出する必要がなくなる。よって、実施例によれば、パッケージ本体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０３５０】
これによって、第１パッケージ本体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなる。実施例によれば、前記第１パッケージ本体１１３は、セラミック等の高価な物質だけでなく、相対的に安価な樹脂物質を利用して提供されてもよい。
【０３５１】
例えば、前記第１パッケージ本体１１３は、PPA(PolyPhtalAmide)樹脂、PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate)樹脂、EMC(Epoxy Molding Compound)樹脂、SMC(Silicone Molding Compound)樹脂、PI(Poly Imide)樹脂を含む群から選択された少なくとも１つの物質を含むことができる。
【０３５２】
以下、添付された図面を参照して、本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用されたフリップチップ発光素子の例を説明する。
【０３５３】
図１２は本発明の実施例に係る発光素子を示した平面図であり、図１３は図１２に示された発光素子のＡ-Ａ線断面図である。
【０３５４】
一方、理解し易いように、図１２において、第１ボンディング部１１７１と第２ボンディング部１１７２の下に配置されるが、前記第１ボンディング部１１７１に電気的に連結された第１サブ電極１１４１と前記第２ボンディング部１１７２に電気的に連結された第２サブ電極１１４２が見えるように示されている。
【０３５５】
実施例に係る発光素子１１００は、図１２及び図１３に示されたように、基板１１０５の上に配置された発光構造物１１１０を含むことができる。
【０３５６】
前記基板１１０５は、サファイア基板(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geを含む群から選択される。例えば、前記基板１１０５は、上部面に凹凸パターンが形成されたPSS(Patterned Sapphire Substrate)として提供される。
【０３５７】
前記発光構造物１１１０は、第１導電型半導体層１１１１、活性層１１１２、第２導電型半導体層１１１３を含むことができる。前記活性層１１１２は、前記第１導電型半導体層１１１１と前記第２導電型半導体層１１１３の間に配置される。例えば、前記第１導電型半導体層１１１１の上に前記活性層１１１２が配置され、前記活性層１１１２の上に前記第２導電型半導体層１１１３が配置される。
【０３５８】
実施例によれば、前記第１導電型半導体層１１１１はｎ型半導体層として提供され、前記第２導電型半導体層１１１３はｐ型半導体層として提供される。もちろん、別の実施例によれば、前記第１導電型半導体層１１１１がｐ型半導体層として提供され、前記第２導電型半導体層１１１３がｎ型半導体層として提供されてもよい。
【０３５９】
以下では説明の便宜を図り、前記第１導電型半導体層１１１１がｎ型半導体層として提供され、前記第２導電型半導体層１１１３がｐ型半導体層として提供された場合を基準に説明する。
【０３６０】
実施例に係る発光素子１１００は、図１３に示されたように、透光性電極層１１３０を含むことができる。前記透光性電極層１１３０は、電流拡散を向上させて光出力を増加させることができる。
【０３６１】
例えば、前記透光性電極層１１３０は、金属、金属酸化物、金属窒化物を含む群から選択された少なくとも１つを含むことができる。前記透光性電極層１１３０は、透光性の物質を含むことができる。
【０３６２】
前記透光性電極層１１３０は、例えばITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZON(IZO nitride)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh、Pdを含む群から選択された少なくとも１つを含むことができる。
【０３６３】
実施例に係る発光素子１１００は、図１２及び図１３に示されたように、反射層１１６０を含むことができる。前記反射層１１６０は、第１反射層１１６１、第２反射層１１６２、第３反射層１１６３を含むことができる。前記反射層１１６０は、前記透光性電極層１１３０の上に配置される。
【０３６４】
前記第２反射層１１６２は、前記透光性電極層１１３０を露出させる第１開口部ｈ１を含むことができる。前記第２反射層１１６２は、前記透光性電極層１１３０の上に配置された複数の第１開口部ｈ１を含むことができる。
【０３６５】
前記第１反射層１１６１は、前記第１導電型半導体層１１１１の上部面を露出させる複数の第２開口部ｈ２を含むことができる。
【０３６６】
前記第３反射層１１６３は、前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２の間に配置される。例えば、前記第３反射層１１６３は、前記第１反射層１１６１と連結される。また、前記第３反射層１１６３は、前記第２反射層１１６２と連結される。前記第３反射層１１６３は、前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２に物理的に直接接触して配置される。
【０３６７】
実施例に係る前記反射層１１６０は、前記透光性電極層１１３０に提供された複数のコンタクトホールを介して前記第２導電型半導体層１１１３に接触する。前記反射層１１６０は、前記透光性電極層１１３０に提供された複数のコンタクトホールを介して前記第２導電型半導体層１１１３の上部面に物理的に接触する。
【０３６８】
前記反射層１１６０は、絶縁性反射層として提供される。例えば、前記反射層１１６０は、DBR(Distributed Bragg Reflector)層として提供される。また、前記反射層１１６０は、ODR(Omni Directional Reflector)層として提供される。また、前記反射層１１６０は、DBR層とODR層が積層されて提供されてもよい。
【０３６９】
実施例に係る発光素子１１００は、図１２及び図１３に示されたように、第１サブ電極１１４１と第２サブ電極１１４２を含むことができる。
【０３７０】
前記第１サブ電極１１４１は、前記第２開口部ｈ２内部で前記第１導電型半導体層１１１１と電気的に連結される。前記第１サブ電極１１４１は、前記第１導電型半導体層１１１１の上に配置される。例えば、実施例に係る発光素子１１００によれば、前記第１サブ電極１１４１は、前記第２導電型半導体層１１１３、前記活性層１１１２を貫通して第１導電型半導体層１１１１の一部領域まで配置されるリセス内で前記第１導電型半導体層１１１１の上面に配置される。
【０３７１】
前記第１サブ電極１１４１は、前記第１反射層１１６１に提供された第２開口部ｈ２を介して前記第１導電型半導体層１１１１の上面に電気的に連結される。前記第２開口部ｈ２と前記リセスは垂直に重なり、例えば前記第１サブ電極１１４１は、図１２及び図１３に示されたように、複数のリセス領域で前記第１導電型半導体層１１１１の上面に直接接触する。
【０３７２】
前記第２サブ電極１１４２は、前記第２導電型半導体層１１１３に電気的に連結される。前記第２サブ電極１１４２は、前記第２導電型半導体層１１１３の上に配置される。実施例によれば、前記第２サブ電極１１４２と前記第２導電型半導体層１１１３の間に前記透光性電極層１１３０が配置される。
【０３７３】
前記第２サブ電極１１４２は、前記第２反射層１１６２に提供された第１開口部ｈ１を介して前記第２導電型半導体層１１１３と電気的に連結される。例えば、前記第２サブ電極１１４２は、図１２及び図１３に示されたように、複数のＰ領域で前記透光性電極層１１３０を介して前記第２導電型半導体層１１１３に電気的に連結される。
【０３７４】
前記第２サブ電極１１４２は、図１２及び図１３に示されたように、複数のＰ領域で前記第２反射層１１６２に提供された複数の第１開口部ｈ１を介して前記透光性電極層１１３０の上面に直接接触する。
【０３７５】
実施例によれば、図１２及び図１３に示されたように、前記第１サブ電極１１４１と前記第２サブ電極１１４２は相互極性を有することができ、相互離隔して配置される。
【０３７６】
前記第１サブ電極１１４１は、例えば複数のライン形状に提供される。また、前記第２サブ電極１１４２は、例えば複数のライン形状に提供される。前記第１サブ電極１１４１は、隣接した複数の第２サブ電極１１４２の間に配置される。前記第２サブ電極１１４２は、隣接した複数の第１サブ電極１１４１の間に配置される。
【０３７７】
前記第１サブ電極１１４１と前記第２サブ電極１１４２が相互異なる極性で構成される場合、相互異なる個数の電極で配置される。例えば前記第１サブ電極１１４１がｎ電極で、前記第２サブ電極１１４２がｐ電極で構成される場合、前記第１サブ電極１１４１より前記第２サブ電極１１４２の個数が多い。前記第２導電型半導体層１１１３と前記第１導電型半導体層１１１１の電気伝導度及び/または抵抗が相互異なる場合、前記第１サブ電極１１４１と前記第２サブ電極１１４２により前記発光構造物１１１０に注入される電子と正孔のバランスを合わせることができ、よって前記発光素子の光学的特性が改善される。
【０３７８】
一方、実施例に係る発光素子が適用される発光素子パッケージで要求される特性に応じて、前記第１サブ電極１１４１と前記第２サブ電極１１４２の極性が相互反対に提供されてもよい。また、前記第１サブ電極１１４１と前記第２サブ電極１１４２の幅、長さ、形状及び個数等は、発光素子パッケージで要求される特性に応じて、多様に変形して適用することができる。
【０３７９】
前記第１サブ電極１１４１と前記第２サブ電極１１４２は、単層または多層構造で形成される。例えば、前記第１サブ電極１１４１と前記第２サブ電極１１４２はオーミック電極からなることができる。例えば、前記第１サブ電極１１４１と前記第２サブ電極１１４２は、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうちの少なくとも１つまたは２つ以上の物質の合金からなることができる。
【０３８０】
実施例に係る発光素子１１００は、図１２及び図１３に示されたように、保護層１１５０を含むことができる。
【０３８１】
前記保護層１１５０は、前記第２サブ電極１１４２を露出させる複数の第３開口部ｈ３を含むことができる。前記複数の第３開口部ｈ３は、前記第２サブ電極１１４２に提供された複数のＰＢ領域に対応して配置される。
【０３８２】
また、前記保護層１１５０は、前記第１サブ電極１１４１を露出させる複数の第４開口部ｈ４を含むことができる。前記複数の第４開口部ｈ４は、前記第１サブ電極１１４１に提供された複数のＮＢ領域に対応して配置される。
【０３８３】
前記保護層１１５０は、前記反射層１１６０の上に配置される。前記保護層１１５０は、前記第１反射層１１６１、前記第２反射層１１６２、前記第３反射層１１６３の上に配置される。
【０３８４】
例えば、前記保護層１１５０は絶縁物質にて提供される。例えば、前記保護層１１５０は、SixOy、SiOxNy、SixNy、AlxOyを含む群から選択された少なくとも１つの物質から形成される。
【０３８５】
実施例に係る発光素子１１００は、図１２及び図１３に示されたように、前記保護層１１５０の上に配置された第１ボンディング部１１７１と第２ボンディング部１１７２を含むことができる。
【０３８６】
前記第１ボンディング部１１７１は、前記第１反射層１１６１の上に配置される。また、前記第２ボンディング部１１７２は、前記第２反射層１１６２の上に配置される。前記第２ボンディング部１１７２は、前記第１ボンディング部１１７１と離隔して配置される。
【０３８７】
前記第１ボンディング部１１７１は、複数のＮＢ領域で前記保護層１１５０に提供された複数の前記第４開口部ｈ４を介して前記第１サブ電極１１４１の上部面に接触する。前記複数のＮＢ領域は、前記第２開口部ｈ２と垂直にずれるように配置される。前記複数のＮＢ領域と前記第２開口部ｈ２が垂直にずれる場合、前記第１ボンディング部１１７１から注入される電流が前記第１サブ電極１１４１の水平方向に均一に拡散し、よって前記複数のＮＢ領域で電流が均一に注入される。
【０３８８】
また、前記第２ボンディング部１１７２は、複数のＰＢ領域で前記保護層１１５０に提供された複数の前記第３開口部ｈ３を介して前記第２サブ電極１１４２の上部面に接触する。前記複数のＰＢ領域と前記複数の第１開口部ｈ１が垂直に重ならないようにする場合、前記第２ボンディング部１１７２から注入される電流が前記第２サブ電極１１４２の水平方向に均一に拡散し、よって前記複数のＰＢ領域で電流が均一に注入される。
【０３８９】
このように、実施例に係る発光素子１１００によれば、前記第１ボンディング部１１７１と前記第１サブ電極１１４１は、前記複数の第４開口部ｈ４領域で接触する。また、前記第２ボンディング部１１７２と前記第２サブ電極１１４２が複数の領域で接触する。これによって、実施例によれば、複数の領域を通じて電源が供給されるので、接触面積の増加及び接触領域の分散により電流の分散効果が発生し、動作電圧が減少する効果がある。
【０３９０】
また、実施例に係る発光素子１１００によれば、図１３に示されたように、前記第１反射層１１６１が前記第１サブ電極１１４１の下に配置され、前記第２反射層１１６２が前記第２サブ電極１１４２の下に配置される。これによって、前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２は、前記発光構造物１１１０の活性層１１１２から発光される光を反射させ、第１サブ電極１１４１と第２サブ電極１１４２で光吸収が発生することを最小化して光度(Po)を向上させることができる。
【０３９１】
例えば、前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２は、絶縁性材料からなり、かつ前記活性層１１１２から放出された光の反射のために反射率が高い材料、例えばDBR構造をなすことができる。
【０３９２】
前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２は、屈折率が異なる物質が交互に配置されたDBR構造をなすことができる。例えば、前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２は、TiO２、SiO２、Ta２O５、HfO２のうち少なくとも１つ以上を含む単層または積層構造で配置される。
【０３９３】
また、別の実施例によれば、これに限定されるものではなく、前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２は、前記活性層１１１２から発光する光の波長に応じて前記活性層１１１２から発光する光に対する反射度を調節できるように自在に選択される。
【０３９４】
また、別の実施例によれば、前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２は、ODR層として提供されてもよい。また、別の実施例によれば、前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２は、DBR層とODR層が積層された一種のハイブリッド(hybrid)形態で提供されてもよい。
【０３９５】
実施例に係る発光素子が、フリップチップボンディング方式で実装されて発光素子パッケージとして具現される場合、前記発光構造物１１１０から提供される光は、前記基板１１０５を介して放出される。前記発光構造物１１１０から放出される光は、前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２で反射されて前記基板１１０５方向に放出される。
【０３９６】
また、前記発光構造物１１１０から放出される光は、前記発光構造物１１１０の側面方向にも放出される。また、前記発光構造物１１１０から放出される光は、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２が配置された面のうち、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２が提供されていない領域を通じて外部に放出される。
【０３９７】
具体的に、前記発光構造物１１１０から放出される光は、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２が配置された面のうち、前記第１反射層１１６１、前記第２反射層１１６２、前記第３反射層１１６３が提供されていない領域を通じて外部に放出される。
【０３９８】
これによって、実施例に係る発光素子１１００は、前記発光構造物１１１０を取囲んだ６面方向に光を放出することができるようになり、光度を著しく向上させることができる。
【０３９９】
一方、実施例に係る発光素子によれば、発光素子１１００の上方向から見たとき、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の面積の和は、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２が配置された前記発光素子１１００の上部面の全体面積の６０％またはより小さく提供される。
【０４００】
例えば、前記発光素子１１００の上部面の全体面積は、前記発光構造物１１１０の第１導電型半導体層１１１１の下部面の横長及び縦長によって定義される面積に対応する。また、前記発光素子１１００の上部面の全体面積は、前記基板１１０５の上部面または下部面の面積に対応する。
【０４０１】
このように、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の面積の和が前記発光素子１１００の全体面積の６０％またはより小さく提供されるようにすることで、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２が配置された面に放出される光の量が増加する。これによって、実施例によれば、前記発光素子１１００の６面方向に放出される光の量が増加するので、光抽出効率が向上して光度(Po)が増加する。
【０４０２】
また、前記発光素子１１００の上方向から見たとき、前記第１ボンディング部１１７１の面積と前記第２ボンディング部１１７２の面積の和は、前記発光素子１１００の全体面積の３０％またはより大きく提供される。
【０４０３】
このように、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の面積の和が前記発光素子１１００の全体面積の３０％またはより大きく提供されるようにすることで、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２を介して安定した実装が行われ、前記発光素子１１００の電気的な特性を確保できることになる。
【０４０４】
実施例に係る発光素子１１００は、光抽出効率及びボンディングの安定性確保を考慮して、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の面積の和が前記発光素子１１００の全体面積の３０％以上６０％以下に選択される。
【０４０５】
即ち、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の面積の和が前記発光素子１１００の全体面積の３０％以上１００％以下である場合、前記発光素子１１００の電気的特性を確保し、発光素子パッケージに実装されるボンディング力を確保して安定した実装が可能となる。
【０４０６】
また、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の面積の和が前記発光素子１１００の全体面積の０％以上６０％以下である場合、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２が配置された面に放出される光量が増加して前記発光素子１１００の光抽出効率が向上し、光度(Po)が増加する。
【０４０７】
実施例では、前記発光素子１１００の電気的特性と発光素子パッケージに実装されるボンディング力を確保し、光度を増加させるために、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の面積の和が前記発光素子１１００の全体面積の３０％以上６０％以下に選択した。
【０４０８】
また、実施例に係る発光素子１１００によれば、前記第３反射層１１６３が前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の間に配置される。例えば、前記第３反射層１１６３の前記発光素子１１００の長軸方向の長さは、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の間の間隔に対応して配置される。また、前記第３反射層１１６３の面積は、例えば前記発光素子１１００の上部面全体の１０％以上２５％以下に提供される。
【０４０９】
前記第３反射層１１６３の面積が前記発光素子１１００の上部面全体の１０％以上である時、前記発光素子の下部に配置されるパッケージ本体が変色したり亀裂が発生することを防止することができ、２５％以下の場合、前記発光素子の６面に発光するようにする光抽出効率を確保し易くなる。
【０４１０】
また、別の実施例ではこれに限定されず、前記光抽出効率をより大きく確保するために、前記第３反射層１１６３の面積を前記発光素子１１００の上部面全体の０％以上１０％未満に配置することができ、前記パッケージ本体に変色または亀裂の発生を防止する効果をより大きく確保するために、前記第３反射層１１６３の面積を前記発光素子１１００の上部面全体の２５％以上１００％未満に配置することができる。
【０４１１】
また、前記発光素子１１００の長軸方向に配置された側面と隣接する前記第１ボンディング部１１７１または前記第２ボンディング部１１７２の間に提供された第２領域で前記発光構造物１１１０から生成された光が透過して放出される。
【０４１２】
また、前記発光素子１１００の短軸方向に配置された側面と隣接する前記第１ボンディング部１１７１または前記第２ボンディング部１１７２の間に提供された第３領域に前記発光構造物から生成された光が透過して放出される。
【０４１３】
実施例によれば、前記第１反射層１１６１の大きさは、前記第１ボンディング部１１７１の大きさに比べて数μm大きく提供される。例えば、前記第１反射層１１６１の面積は、前記第１ボンディング部１１７１の面積を完全に覆うことができる大きさで提供される。工程誤差を考慮して、前記第１反射層１１６１の１辺の長さは、前記第１ボンディング部１１７１の１辺の長さに比べて、例えば４μm〜１０μm程度大きく提供される。
【０４１４】
また、前記第２反射層１１６２の大きさは、前記第２ボンディング部１１７２の大きさに比べて数μm大きく提供される。例えば、前記第２反射層１１６２の面積は、前記第２ボンディング部１１７２の面積を完全に覆うことができる大きさで提供される。工程誤差を考慮して、前記第２反射層１１６２の１辺の長さは、前記第２ボンディング部１１７２の１辺の長さに比べて、例えば４μm〜１０μm程度大きく提供される。
【０４１５】
実施例によれば、前記第１反射層１１６１と前記第２反射層１１６２によって、前記発光構造物１１１０から放出される光が前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２に入射することなく反射されることにになる。これによって、実施例によれば、前記発光構造物１１１０から生成されて放出される光が前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２に入射して失われることを最小化することができる。
【０４１６】
また、実施例に係る発光素子１１００によれば、前記第３反射層１１６３が前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の間に配置されるので、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２の間から放出される光の量を調節できることになる。
【０４１７】
上述したように、実施例に係る発光素子１１００は、例えばフリップチップボンディング方式で実装されて発光素子パッケージ形態で提供される。このとき、発光素子１１００が実装されるパッケージ本体が樹脂等で提供される場合、前記発光素子１１００の下部領域で、前記発光素子１１００から放出される短波長の強い光によってパッケージ本体が変色したり亀裂が発生する場合がある。
【０４１８】
しかし、実施例に係る発光素子１１００によれば、前記第１ボンディング部１１７１と前記第２ボンディング部１１７２が配置された領域の間から放出される光の量を調節できるので、前記発光素子１１００の下部領域に配置されたパッケージ本体が変色したり亀裂が発生することを防止することができる。
【０４１９】
実施例によれば、前記第１ボンディング部１１７１、前記第２ボンディング部１１７２、前記第３反射層１１６３が配置された前記発光素子１１００の上部面の２０％以上面積で前記発光構造物１１１０から生成された光が透過して放出される。
【０４２０】
これによって、実施例によれば、前記発光素子１１００の６面方向に放出される光の量が増加するので、光抽出効率が向上して光度(Po)が増加する。また、前記発光素子１１００の下部面に近接するように配置されたパッケージ本体が変色したり亀裂が発生することを防止できる。
【０４２１】
また、実施例に係る発光素子１１００によれば、前記透光性電極層１１３０に複数のコンタクトホールＣ１、Ｃ２、Ｃ３が提供される。前記透光性電極層１１３０に提供された複数のコンタクトホールＣ１、Ｃ２、Ｃ３を介して、前記第２導電型半導体層１１１３と前記反射層１１６０が接着される。前記反射層１１６０が前記第２導電型半導体層１１１３に直接接触するので、前記反射層１１６０が前記透光性電極層１１３０に接触することに比べて接着力が向上される。
【０４２２】
前記反射層１１６０が前記透光性電極層１１３０のみに直接接触する場合、前記反射層１１６０と前記透光性電極層１１３０の間の結合力または接着力が弱くなることがある。例えば、絶縁層と金属層が結合される場合、物質相互間の結合力または接着力が弱くなることがある。
【０４２３】
例えば、前記反射層１１６０と前記透光性電極層１１３０の間の結合力または接着力が弱い場合、両層の間に剥離が発生する場合がある。このように、前記反射層１１６０と前記透光性電極層１１３０の間に剥離が発生すると、発光素子１１００の特性が劣化し、また発光素子１１００の信頼性を確保できなくなる。
【０４２４】
しかし、実施例によれば、前記反射層１１６０が前記第２導電型半導体層１１１３に直接接触するので、前記反射層１１６０、前記透光性電極層１１３０、前記第２導電型半導体層１１１３の間の結合力及び接着力が安定的に提供される。
【０４２５】
よって、実施例によれば、前記反射層１１６０と前記第２導電型半導体層１１１３の間の結合力が安定的に提供されるので、前記反射層１１６０が前記透光性電極層１１３０から剥離することを防止することができる。また、前記反射層１１６０と前記第２導電型半導体層１１１３の間の結合力が安定的に提供されるので、発光素子１１００の信頼性を向上させることができる。
【０４２６】
一方、以上で説明されたように、前記透光性電極層１１３０に複数のコンタクトホールＣ１、Ｃ２、Ｃ３が提供される。前記活性層１１１２から発光された光は、前記透光性電極層１１３０に提供された複数のコンタクトホールＣ１、Ｃ２、Ｃ３を介して前記反射層１１６０に入射して反射される。これによって、前記活性層１１１２から生成された光が前記透光性電極層１１３０に入射して失われることを減少させることができ、光抽出効率が向上される。よって、実施例に係る発光素子１１００によれば光度が向上される。
【０４２７】
次に、図１４及び１５を参照して本発明の実施例に係る発光素子に適用されたフリップチップ発光素子を説明する。
【０４２８】
図１４は本発明の実施例に係る発光素子パッケージに適用された発光素子の電極配置を説明する平面図であり、図１５は図１４に示された発光素子のＦ-Ｆ線断面図である。
【０４２９】
一方、理解し易いように、図１４の図示において、第１電極１２７と第２電極１２８の相対的な配置関係のみを概念的に図示した。前記第１電極１２７は、第１ボンディング部１２１と第１分岐電極１２５を含むことができる。前記第２電極１２８は、第２ボンディング部１２２と第２分岐電極１２６を含むことができる。
【０４３０】
実施例に係る発光素子は、図１４及び図１５に示されたように、基板１２４の上に配置された発光構造物１２３を含むことができる。
【０４３１】
前記基板１２４は、サファイア基板(Al２O３)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geを含む群から選択することができる。例えば、前記基板１２４は、上部面に凹凸パターンが形成されたPSS(Patterned Sapphire Substrate)として提供されてもよい。
【０４３２】
前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層１２３ａ、活性層１２３ｂ、第２導電型半導体層１２３ｃを含むことができる。前記活性層１２３ｂは、前記第１導電型半導体層１２３ａと前記第２導電型半導体層１２３ｃの間に配置される。例えば、前記第１導電型半導体層１２３ａの上に前記活性層１２３ｂが配置され、前記活性層１２３ｂの上に前記第２導電型半導体層１２３ｃが配置される。
【０４３３】
実施例によれば、前記第１導電型半導体層１２３ａはｎ型半導体層として提供され、前記第２導電型半導体層１２３ｃはｐ型半導体層として提供される。勿論、別の実施例によれば、前記第１導電型半導体層１２３ａがｐ型半導体層として提供され、前記第２導電型半導体層１２３ｃがｎ型半導体層として提供されてもよい。
【０４３４】
実施例に係る発光素子は、図１４及び図１５に示されたように、第１電極１２７と第２電極１２８を含むことができる。
【０４３５】
前記第１電極１２７は、第１ボンディング部１２１と第１分岐電極１２５を含むことができる。前記第１電極１２７は、前記第２導電型半導体層１２３ｃに電気的に連結される。前記第１分岐電極１２５は、前記第１ボンディング部１２１から分岐して配置される。前記第１分岐電極１２５は、前記第１ボンディング部１２１から分岐された複数の分岐電極を含むことができる。
【０４３６】
前記第２電極１２８は、第２ボンディング部１２２と第２分岐電極１２６を含むことができる。前記第２電極１２８は、前記第１導電型半導体層１２３ａに電気的に連結される。前記第２分岐電極１２６は、前記第２ボンディング部１２２から分岐して配置される。前記第２分岐電極１２６は、前記第２ボンディング部１２２から分岐された複数の分岐電極を含むことができる。
【０４３７】
前記第１分岐電極１２５と前記第２分岐電極１２６は、フィンガー(finger)状に交互に配置されてもよい。前記第１分岐電極１２５と前記第２分岐電極１２６によって、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される電源が前記発光構造物１２３全体に拡散して提供されることになる。
【０４３８】
前記第１電極１２７と前記第２電極１２８は、単層または多層構造に形成される。例えば、前記第１電極１２７と前記第２電極１２８は、オーミック電極からなることができる。例えば、前記第１電極１２７と前記第２電極１２８は、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうちの少なくとも１つまたはこれらのうち２つ以上の物質の合金からなることができる。
【０４３９】
一方、前記発光構造物１２３に保護層がさらに提供されてもよい。前記保護層は、前記発光構造物１２３の上面に提供される。また、前記保護層は、前記発光構造物１２３の側面に提供されてもよい。前記保護層は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２が露出するように提供される。また、前記保護層は、前記基板１２４の周り及び下面にも選択的に提供される。
【０４４０】
例えば、前記保護層は、絶縁物質からなることができる。例えば、前記保護層は、SixOy、SiOxNy、SixNy、AlxOyを含む群から選択された少なくとも１つの物質からなることができる。
【０４４１】
実施例に係る発光素子は、前記活性層１２３ｂから生成した光が発光素子の６面方向に発光する。前記活性層１２３ｂから生成した光が発光素子の上面、下面、４つの側面を通じて６面方向に放出される。
【０４４２】
参考として、図１〜図１１を参照して説明された発光素子の上下配置方向と図１４及び図１５に示された発光素子の上下配置方向は、相互反対に図示されている。
【０４４３】
実施例によれば、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を向上させるために、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に１０％以下に設定することができる。
【０４４４】
また、実施例によれば、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に提供される。実施例に係る発光素子パッケージによれば、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の面積の和は、前記基板１２４の上面面積を基準に０.７％以上に設定することができる。
【０４４５】
例えば、前記第１ボンディング部１２１の前記発光素子の長軸方向の幅は数十μmに提供される。前記第１ボンディング部１２１の幅は、例えば７０μm〜９０μmに提供される。また、前記第１ボンディング部１２１の面積は数千μm２に提供される。
【０４４６】
また、前記第２ボンディング部１２２の前記発光素子の長軸方向の幅は数十μmに提供される。前記第２ボンディング部１２２の幅は、例えば７０μm〜９０μmに提供される。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は数千μm２に提供される。
【０４４７】
このように、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることで、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大する。
【０４４８】
一方、図１〜図１１を参照して説明された実施例に係る発光素子パッケージは、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２が前記第１及び第２導電層３２１、３２２と直接接触する場合を基に説明された。
【０４４９】
しかし、実施例に係る発光素子パッケージのさらに別の例によれば、前記第１及び第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１及び第２導電層３２１、３２２の間に別途の導電性構成要素がさらに配置されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０４５０】
実施例に係る発光素子パッケージは、光源装置に適用することができる。
【０４５１】
また、光源装置は、産業分野によって、表示装置、照明装置、ヘッドランプ等を含むことができる。
【０４５２】
光源装置の例として、表示装置は、ボトムカバーと、ボトムカバーの上に配置される反射板と、光を放出し発光素子を含む発光モジュールと、反射板の前方に配置され、発光モジュールから発される光を前方に案内する導光板と、導光板の前方に配置されるプリズムシートを含む光学シートと、光学シートの前方に配置されるディスプレイパネルと、ディスプレイパネルと連結され、ディスプレイパネルに画像信号を供給する画像信号出力回路と、ディスプレイパネルの前方に配置されるカラーフィルターを含むことができる。ここで、ボトムカバー、反射板、発光モジュール、導光板及び光学シートは、バックライトユニット(Backlight Unit)を構成することができる。また、表示装置は、カラーフィルターを含まず、赤色(Red)、緑色(Gren)、青色(Blue)の光を放出する発光素子がそれぞれ配置される構造を有することもできる。
【０４５３】
光源装置の別の例として、ヘッドランプは、基板の上に配置される発光素子パッケージを含む発光モジュール、発光モジュールから照射される光を一定方向、例えば前方に反射させるリフレクター(reflector)、リフレクターによって反射される光を前方に屈折させるレンズ、及びリフレクターによって反射されてレンズに向かう光の一部分を遮断または反射して、設計者が所望する配光パターンをなすようにするシェード(shade)を含むことができる。
【０４５４】
光源装置の別の例である照明装置は、カバー、光源モジュール、放熱体、電源提供部、内部ケース、ソケットを含むことができる。また、実施例に係る光源装置は、部材とホルダーのうちいずれか１つ以上をさらに含むことができる。前記光源モジュールは、実施例に係る発光素子パッケージを含むことができる。
【０４５５】
以上の実施例で説明された特徴、構造、効果等は少なくとも１つの実施例に含まれ、必ず１つの実施例のみに限定されるものではない。さらに、各実施例で例示された特徴、構造、効果等は、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって別の実施例に組合せまたは変形して実施可能である。従って、そのような組合せと変形に係る内容は、実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【０４５６】
以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示にすぎず、実施例を限定するものではなく、実施例が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示されていない多様な変形と応用が可能であろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施可能であり、そしてそのような変形と応用に係る差異点は、添付された特許請求の範囲で設定する実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０４５７】
１１０  パッケージ本体、１１３  第１パッケージ本体、１１７  第２パッケージ本体、１２０  発光素子、１２１  第１ボンディング部、１２２  第２ボンディング部、１２３  発光構造物、１２４  基板、１３０  第１樹脂、１４０  第２樹脂、１６０  接着層、３１０  回路基板、３１１  第１パッド、３１２  第２パッド、３１３  支持基板、３２１  第１導電層、３２２  第２導電層、Ｒ  リセス、ＴＨ１  第１開口部、ＴＨ２  第２開口部。
【図１】
2020533778.tif 000003
【図２】
2020533778.tif 000004
【図３】
2020533778.tif 000005
【図４】
2020533778.tif 000006
【図５】
2020533778.tif 000007
【図６】
2020533778.tif 000008
【図７】
2020533778.tif 000009
【図８】
2020533778.tif 000010
【図９】
2020533778.tif 000011
【図１０】
2020533778.tif 000012
【図１１】
2020533778.tif 000013
【図１２】
2020533778.tif 000014
【図１３】
2020533778.tif 000015
【図１４】
2020533778.tif 000016
【図１５】
2020533778.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月7日(2020.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラットな下面、前記下面と平行な上面、及び前記上面と下面を貫通する第１及び第２開口部を含む第１パッケージ本体と、
前記第１パッケージ本体の上に配置され、上面と下面を貫通するオープニングを含む第２パッケージ本体と、
前記オープニング内に配置され、第１ボンディング部及び第２ボンディング部を含む発光素子と、
を含み、
前記第１パッケージ本体の上面は、前記第２パッケージ本体の下面と結合され、
前記第１ボンディング部は、前記第１開口部の上に配置され、
前記第２ボンディング部は、前記第２開口部の上に配置される、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体のうちの少なくとも１つは、波長変換物質を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体のうちの少なくとも１つは、透明樹脂から構成される、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体のうちの少なくとも１つは、反射性樹脂から構成される、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、相互異なる物質を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、PPA、PCT、EMC、SMC、PIから選択された相互異なる物質を含み、
前記第１パッケージ本体は、反射物質を含み、
前記第２パッケージ本体は、波長変換物質を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、PPA、PCT、EMC、SMC、PIから選択された相互異なる物質を含み、
前記第１パッケージ本体は、波長変換物質を含み、
前記第２パッケージ本体は、反射物質を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体は、PPA、PCT、EMC、SMC、PIから選択された相互異なる物質を含み、
前記第１パッケージ本体は、透明樹脂から構成され、
前記第２パッケージ本体は、波長変換物質または反射物質のうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１パッケージ本体と前記第２パッケージ本体の間に配置された接着層を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１パッケージ本体は、上面から下面方向に凹んだリセスを含み、
前記リセスは、前記第１開口部と前記第２開口部の間に配置され、
前記リセスに配置され、前記発光素子の下面に接触した第１樹脂を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【国際調査報告】
2020533778.tif 000018
2020533778.tif 000019
2020533778.tif 000020
2020533778.tif 000021