(57)【要約】  第２の基板表面に対して第１の基板表面上に選択的に膜を堆積させる方法が記載される。この方法は、基板をブロッキング分子に曝露して、第１の表面上にブロッキング層を選択的に堆積させることを含む。第２の表面上に層が選択的に形成され、層の欠陥がブロッキング層上に形成される。第１の表面上のブロッキング層から欠陥が除去される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択的堆積の方法であって、
第１の表面を有する第１の材料と、第２の表面を有する第２の材料とを有する、基板を提供すること、
前記第２の表面に対して前記第１の表面上に選択的にブロッキング層を堆積させるために、少なくとも１つのブロッキング分子を含むブロッキング化合物に、前記基板を曝露すること、
前記第１の表面に対して前記第２の表面上に選択的に層を形成すると共に、前記層を含む欠陥を、前記第１の表面上に生成すること、および
前記第１の表面上の前記ブロッキング層から、前記欠陥を除去すること
を含む、方法。
【請求項２】
前記第１の表面から前記欠陥を除去することが、前記基板を所定の時間、金属−ハロゲン前駆体に曝露することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属−ハロゲン前駆体が、ＷＣｌｘ、ＨｆＣｌｘ、ＮｂＣｌｘ、またはＲｕＣｌｘのうちの１つ以上を含み、ｘは１から６である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記金属−ハロゲン前駆体が金属オキシハロゲン化物を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記金属−ハロゲン前駆体が実質的にフッ素原子を含まない、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記欠陥を除去することが熱処理を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の材料が金属酸化物または誘電体材料を含み、前記第２の材料が金属またはシリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の材料が本質的に酸化ケイ素からなる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の材料が金属酸化物または誘電体材料を含み、前記第１の材料が金属またはシリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の表面が本質的に酸化ケイ素からなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
膜が金属酸化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属酸化物が、エッチング停止層またはマスク層である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ブロッキング分子が１つよりも多い反応性部分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記反応性部分が、直鎖状または分岐状に配置される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ブロッキング化合物が、少なくとも２つの異なるブロッキング分子を含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、一般に、自己組織化単層を使用して膜の選択的堆積を強化する方法に関する。より具体的には、本開示の実施形態は、化学エッチングによって膜の選択的堆積から欠陥を除去する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業は、デバイスの微細化を追求するにあたり、ナノスケールの特徴部の急速なスケーリングなど多くの課題に直面している。このような課題には、複数のリソグラフィおよびエッチング工程を用いた複雑なデバイス製造が含まれることが多い。さらに、半導体産業では、複雑なアーキテクチャをパターニングするのに、高コストのＥＵＶに対する低コストの代替物が求められている。デバイス微細化の頻度を維持し、チップ製造コストを下げるには、選択的堆積が有望であることが立証されている。選択的堆積は、集積スキームを単純化することで高価なリソグラフィ工程を排除できる潜在性を有している。
【０００３】
材料の選択的堆積は、様々な方法で達成することができる。例えば、表面化学特性により、表面に対して固有の選択性を有するプロセスが存在する。これらのプロセスはかなり稀であり、通常、金属と誘電体のように、表面エネルギーが大きく異なる表面を有する必要がある。
【０００４】
表面が類似している場合（ＳｉＯ２とＳｉ−Ｈ末端またはＳｉＮ）、一方の表面と選択的に反応するが他方の表面とは反応しない表面処理を用いて、表面が選択的にブロックされ、後のＡＬＤまたはＣＶＤプロセス中に任意の表面反応を効果的にブロックすることができる。
【０００５】
自己組織化単層（ＳＡＭ）は、複数の材料表面上への選択的堆積を可能にする手法である。理想的には、ＳＡＭパッシベーションの間、ＳＡＭが全ての誘電体表面上に完璧に形成され、その後の堆積工程から金属酸化物堆積を１００％ブロックするので、金属酸化物が導体／金属表面上にのみ成長する。しかしながら、ＳＡＭパッシベーション層は、堆積時間およびサイクル数に応じて漸近的な厚さで成長するため、金属酸化物に対して１００％のブロッキングを提供する理想的なＳＡＭを達成することは極めて困難である。
【０００６】
さらに、高密度にパッキングされたＳＡＭ表面上での過剰なＳＡＭ前駆体露出により、液滴欠陥が生じ得る。その結果、少量の金属酸化物がＳＡＭパッシベーション面上に成長し、多くの小さな金属酸化物欠陥を残すことがある。このような金属酸化物欠陥は、その後のＳＡＭ除去およびマスク除去プロセスに影響を及ぼす可能性がある。
【０００７】
したがって、ＳＡＭ保護された選択的堆積プロセスの一部として形成された欠陥を除去する方法が、当技術分野で必要とされている。
【発明の概要】
【０００８】
本開示の一又は複数の実施形態は、膜を選択的に堆積させる方法を対象とする。第１の表面を有する第１の材料と、第２の表面を有する第２の材料とを有する基板が提供される。基板は、少なくとも１つのブロッキング分子を含むブロッキング化合物に曝露され、第２の表面に対して第１の表面上に選択的にブロッキング層を堆積させる。第１の表面に対して第２の表面上に選択的に層が形成され、該層を含む欠陥が、第１の表面上のブロッキング層上に生成される。欠陥は、第１の表面上のブロッキング層から除去される。
【０００９】
本開示のさらなる実施形態は、膜を選択的に堆積させる方法を対象とする。第１の表面を有する誘電体を含む第１の材料と、第２の表面を有する導体を含む第２の材料と、を含む基板が提供される。基板は、少なくとも１つのブロッキング分子を含むブロッキング化合物に曝露され、第２の表面に対して第１の表面上に選択的にブロッキング層を堆積させる。第１の表面に対して第２の表面上に選択的に層が形成され、ブロッキング層上に該層の欠陥を形成する。基板を所定の期間、欠陥除去プロセスに晒し、ブロッキング層から欠陥を除去する。欠陥除去プロセスは、金属−ハロゲン前駆体を含む。
【００１０】
本開示のさらなる実施形態は、膜を選択的に堆積させる方法を対象とする。誘電体を含む第１の材料と、導体を含む第２の材料と、を有する基板が提供される。基板は、少なくとも１つのブロッキング分子を含むブロッキング化合物に曝されて、導体に対して誘電体上に選択的にブロッキング層を堆積させる。誘電体に対して導体上に選択的に層が形成される。該層の形成により、ブロッキング層上に欠陥が成長する。基板を所定の期間、欠陥除去プロセスに晒し、ブロッキング層から欠陥を除去する。欠陥除去プロセスは、熱プロセスにおいて、ＷＣｌｘ、ＨｆＣｌｘ、ＮｂＣｌｘまたはＲｕＣｌｘ（式中、ｘは１〜６である）、または金属オキシハロゲン化物のうちの１つ以上を含む金属−ハロゲン前駆体への曝露を含む。
【００１１】
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、そのいくつかを添付の図面に示す。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の一又は複数の実施形態による処理方法を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本開示の一又は複数の実施形態は、ＳＡＭで促進された選択的堆積から欠陥を効率的に除去するための乾式化学エッチング方法を提供する。本開示のいくつかの実施形態は、選択的堆積プロセスを改善するプロセス統合のための方法を有利に提供する。いくつかの実施形態は、ＳＡＭまたはマスク除去プロセスを改善するための方法を有利に提供する。
【００１４】
本書および添付の特許請求の範囲で使用される用語「基板」および「ウエハ」は交換可能に使用され、ともにプロセスが作用する表面または表面の一部をさす。また、基板への言及は、文脈上別途明確に示されない限り、基板の一部のみをさし得ることも当業者には理解されよう。さらに、基板上への堆積に対して言及がなされる場合、ベア基板と、一又は複数の膜又は特徴部が上部に堆積あるいは形成された基板と、の両方を意味することもあり得る。
【００１５】
本書で使用される「基板」は、任意の基板、または基板上の材料表面であって製造プロセス中に膜処理が実行される基板上に形成される表面を指す。例えば、処理を行うことができる基板表面には、ケイ素、酸化ケイ素、歪みシリコン、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）、炭素ドープ酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどの材料、および、金属、金属窒化物、金属合金、および他の導電性材料などの任意の他の材料が用途に応じて含まれる。基板は、限定しないが、半導体ウエハを含む。基板は、基板表面を研磨、エッチング、還元、酸化、ヒドロキシル化（または他の方法で化学官能性を付与するために標的化学部分を生成またはグラフト）、アニール、および／またはベークするための前処理プロセスに曝されてもよい。本開示では、開示されるフィルム処理ステップのいずれも、基板自体の表面上に直接膜処理することに加えて、以下でより詳細に開示するように、基板上に形成される下層上で実行されてもよく、用語「基板表面」は、文脈が示す場合そのような下層を含むことが意図される。したがって、例えば基板表面上に膜／層または部分的な膜／層が堆積されている場合には、新たに堆積させた膜／層の露出面が、基板表面となる。所与の基板表面が何を含むかは、どのような膜が堆積されるか、および使用される具体的な化学的性質に依存する。一又は複数の実施形態で、第１の基板表面が、金属、金属酸化物、またはＨ末端ＳｉｘＧｅ１−ｘを含み、第２の基板表面がＳｉ含有誘電体を含み得るか、あるいはその逆も可能である。いくつかの実施形態では、基板表面は、特定の官能基（例えば、−ＯＨ、−ＮＨなど）を含んでもよい。
【００１６】
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される用語「反応性ガス」、「前駆体」、「反応物」などは、基板表面と反応する種を含むガスを意味するのに、交換可能に使用される。例えば、第１の「反応性ガス」は、単に基板の表面に吸着し、第２の反応性ガスとのさらなる化学反応に利用可能であってもよい。
【００１７】
数十年にわたり、半導体コミュニティは、リソグラフィ工程をより低コスト、処理時間の短縮、及びより小さな特徴部サイズにつながる代替物に置き換えることにより、集積回路（ＩＣ）処理を改善する試みを行ってきた。これら代替物の多くは、「選択的堆積」の包括的分類に入る。一般に、選択的堆積とは、目標とする基板材料上の正味の堆積レートが他の基板材料よりも高いため、他の基板材料上への堆積がより少ないかまたは無視できる程度で、目標のターゲット基板材料上に所望の膜厚が達成されるようなプロセスをさす（「無視できる」程度とは、プロセスの制約によって定義される）。
【００１８】
本開示の実施形態は、典型的には自己組織化単層（ＳＡＭ）と呼ばれるブロッキング層を含む。自己組織化単層（ＳＡＭ）は、表面に吸着した自発的に集合した有機分子の規則的な配列からなる。これらの分子は、典型的には、基板に対する親和性を有する一又は複数の部分（頭部基）と、比較的長く、不活性で、直鎖状の炭化水素部分（尾部基）とで構成される。
【００１９】
この場合、ＳＡＭ形成は、表面での分子頭部基の迅速な吸着と、ファンデルワールス相互作用による分子尾部基のゆっくりとした相互結合によって起こる。ＳＡＭ前駆体は、堆積中にブロックされるべき基板材料と頭部基が選択的に反応するように選択される。次いで堆積が行われ、ＳＡＭは、熱分解（任意の副生成物の脱着を伴う）または集積化に適合したアッシング処理によって、除去することができる。このようなＳＡＭの理想的な形成と使用による選択的堆積の成功は多くのシステムについて実証されているものの、その成功は、溶液ベースのＳＡＭ形成（すなわち、湿式官能化）手法に本質的に限定されたものである。湿式官能化手法は、真空ベースの集積化スキームと不適合であるだけでなく、物理吸着したＳＡＭ前駆体を除去するために、ＳＡＭ形成後に超音波処理を必要とすることも多い。このことは、物理吸着を伴わない全体的な選択的化学吸着の成果を得るべく、（１つの基板に対して別の基板に）選択的にＳＡＭを形成することを成功させるには、官能化処理のみに頼ることができないということを示唆する。
【００２０】
図１を参照する。本開示の一又は複数の実施形態は、選択的堆積のための処理方法１００を対象とする。基板１０５には、第１の材料１１０および第２の材料１２０が提供されている。第１の材料１１０は第１の表面１１２を有し、第２の材料１２０は第２の表面１２２を有する。
【００２１】
いくつかの実施形態で、第１の材料は金属酸化物または誘電体材料を含み、第２の材料は金属またはシリコンを含む。いくつかの実施形態で、第１の材料は本質的に酸化ケイ素からなる。
【００２２】
いくつかの実施形態では、第２の材料が金属酸化物または誘電体材料を含み、第１の材料が金属またはシリコンを含む。いくつかの実施形態で、第２の材料は本質的に酸化ケイ素からなる。
【００２３】
本明細書および添付の特許請求の範囲において使用される用語「本質的に〜からなる」は、特定の材料の約９５％、９８％または９９％以上が記載された材料であることを意味する。
【００２４】
第１の表面１１２はブロッキング化合物に曝され、第２の表面１２２に対して第１の表面１１２上に選択的にブロッキング層１３０を堆積させる。ブロッキング層は重合開始剤に曝露され、ネットワーク化されたブロッキング層１３５が形成される。ブロッキング化合物は、少なくとも１つのブロッキング分子を含む。ブロッキング分子は、一般式Ａ−Ｌ−Ｚを有し、式中、Ａは反応性頭部基であり、Ｌは連結基であり、Ｚは反応性尾部基である。
【００２５】
このように使用される用語「頭部基」は、第１の表面１１２に関連付けられる化学部分であり、「尾部基」は、第１の表面１１２から離れて延在する化学部分である。
【００２６】
いくつかの実施形態では、第１の材料は、金属酸化物または誘電体材料を含み、Ａは、（Ｒ２Ｎ）（３−ａ）Ｒ’ａＳｉ−、Ｘ３Ｓｉ−、および（ＲＯ）３Ｓｉ−からなる群から選択され、各ＲおよびＲ’は、Ｃ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６シクロアキル（ｃｙｃｌｏａｋｙｌ）、およびＣ１−Ｃ６アリールから独立して選択され、ａは、０〜２の整数であり、各Ｘは、ハロゲンから独立して選択される。
【００２７】
いくつかの実施形態では、第１の材料は、金属またはシリコンを含み、Ａは、（ＨＯ）２ＯＰ−、ＨＳ−、およびＨ３Ｓｉ−からなる群から選択される。
【００２８】
上に列挙した反応性頭部基のいくつかは、連結基Ｌに結合する単一の反応性頭部基中に、１つよりも多い反応性部分を含む（例えば、Ｈ３Ｓｉは表面と３回まで結合し得る）。いくつかの実施形態では、Ａは、上に列挙した反応性部分の数より少ない反応性基から選択され、１つよりも多い連結基Ｌに結合している。これらの実施形態では、連結基は、同じであっても異なっていてもよい。これらの実施形態では、尾部基は同じであっても異なっていてもよい。
【００２９】
ブロッキング層１３０を形成するために、ブロッキング化合物は、単一の化合物として、または複数の化合物の連続曝露として、基板に送達することができる。いくつかの実施形態では、第１の表面１１２は、規則的または半規則的に表面上に組織化する単一の化合物に曝される。
【００３０】
いくつかの実施形態では、Ｌは−（ＣＨ２）ｎ−であり、ｎは４〜１８の整数である。
いくつかの実施形態では、連結基は分岐していてもよい。いくつかの実施形態では、連結基は置換されていてもよい。いくつかの実施形態では、連結基は不飽和であってもよい。いくつかの実施形態では、連結基は、シクロアルキル基またはアリール基を含んでもよい。
【００３１】
いくつかの実施形態では、連結基Ｌは、１８個未満の炭素原子を含む。いくつかの実施形態では、連結基は、１７、１６、１５、１４、１３、１２、１１１０、９、８、７、６、または５個未満の炭素原子を含む。
【００３２】
いくつかの実施形態では、Ｚは、アルケン、アルキン、アルコール、カルボン酸、アルデヒド、アシルハロゲン化物、アミン、アミド、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、およびニトリルから選択される一又は複数の反応性部分を含む基である。
【００３３】
いくつかの実施形態では、ブロッキング分子は、１つよりも多い反応性部分を含む。いくつかの実施形態において、ブロッキング分子が１つよりも多い反応性部分を含むように、Ａは、各々が反応性尾部基で終結する１つよりも多い連結基に連結される。いくつかの実施形態で、ブロッキング分子が１つよりも多い反応性部分を含むように、Ｌが分岐している。
【００３４】
いくつかの実施形態で、ブロッキング分子は１つよりも多い反応性部分を含み、反応性部分は直鎖状に配置される。いくつかの実施形態で、Ｚは、１つよりも多い反応性部分を含み、反応性部分は分岐して配置される。
【００３５】
このように使用される「直鎖状に配置された反応性部分」は、それらが同じ炭素鎖内に配置されるように、ブロッキング分子内に配置される。言い換えれば、それらは端と端を接して（ｅｎｄ−ｔｏ−ｅｎｄ）配置される。このように使用される「分岐して配置された反応性部分」は、それらが別々の炭素鎖上に配置されるように、ブロッキング分子内に配置される。言い換えれば、それらは端と端を接して配置されない。いくつかの実施形態では、反応性部分は、介在する原子によって分離されるが依然として端と端を接しているとされてもよい。
【００３６】
例えば、化合物Ｉが１つの反応性部分を含む。化合物ＩＩおよびＩＩＩは、２つの反応性部分を含む。化合物ＩＩは、直鎖状に配置された反応性部分を有する。化合物ＩＩＩは、分岐して配置された反応性部分を有する。
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【００３７】
いくつかの実施形態で、尾部基は、比較的遅いファンデルワールス相互作用によって互いに関連付けられる。いくつかの実施形態で、尾部基は、均質または不均質ＳＡＭが形成され得るように、同じであっても異なっていてもよい。いくつかの実施形態で、ブロッキング化合物は、不均質ＳＡＭが形成されるように、少なくとも２つの異なるブロッキング分子を含む。
【００３８】
いくつかの実施形態では、ブロッキング層１３０が重合開始剤に曝露されて、ネットワーク化ブロッキング層１３５を形成する。重合開始剤は、化学反応、ＵＶ露光、電子ビーム曝露および／または熱を含むがこれらに限定されない、任意の適切なプロセスであり得る。いくつかの実施形態では、重合開始剤が、放射処理、熱処理、プラズマ処理、または化学処理のうちの１つ以上を含む。いくつかの実施形態では、放射処理が、ブロッキング層を約１５０ｎｍ〜約９００ｎｍの範囲のＵＶ−可視放射に曝露することを含む。いくつかの実施形態では、熱処理が、ブロッキング分子に反応させるために基板をアニールすることを含む。いくつかの実施形態では、プラズマ処理が、遠隔プラズマ源、直接プラズマ源、マイクロ波プラズマ、またはこれらの源の組み合わせから生成されるプラズマを含む。いくつかの実施形態では、化学処理が、ブロッキング層を一又は複数の化学反応物に曝露することを含む。いくつかの実施形態では、重合開始剤が、本質的に放射処理または熱処理からなる。これらの実施形態で、ネットワーク化ブロッキング層は、ブロッキング層を化学反応物に曝すことによっては形成されない。
【００３９】
いくつかの実施形態で、重合開始剤は、過酸化物、有機金属錯体、またはアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）から選択されるラジカル開始剤を含む化学処理を含む。理論に束縛されるものではないが、これらの実施形態で、ブロッキング層は、ラジカル重合によってネットワーク化されたブロッキング層を形成する。いくつかの実施形態で、化学処理は、ブロッキング層を、複数の官能基を有する化学反応物に曝露することを含む。いくつかの実施形態で、化学処理は、ブロッキング層を、複数の官能基を有するアミンまたはアルコールに曝露することを含む。
【００４０】
理論に束縛されるものではないが、反応性基と重合開始剤との反応が、ネットワーク化されたブロッキング層を形成する。例えば、アルケンまたはアルキンと、ＵＶ、熱、化学反応物、またはプラズマとの反応が、炭素ベースのポリマーを生成し得る。カルボン酸、アルデヒド、またはアシルハロゲン化物とアミンとの反応が、ポリアミドを生成し得る。イソシアネート基とアルコールとの反応がポリウレタンを生成し得る。カルボン酸、アルデヒド、またはアシルハロゲン化物とアルコールとの反応が、ポリエステルを生成し得る。
【００４１】
ブロッキング層（ネットワーク化されていてもされていなくてもよい）の形成後、層１２５が、ネットワーク化されたブロッキング層１３５に対して第２の材料１２０の第２の表面１２２上に選択的に形成される。ブロッキング層は、第１の表面１１２上への層１２５の堆積を防止するかあるいは最小限に抑えるための保護基を提供する。いくつかの実施形態で、層１２５は、第２の材料１２０とは異なる材料である。いくつかの実施形態で、層１２５は、第２の材料１２０と同じ材料である。
【００４２】
理論に束縛されるものではないが、ブロッキング化合物と基板との気相反応は、より高い揮発性またはより高い蒸気圧を有するブロッキング分子によって、促進される。いくつかの実施形態では、ブロッキング化合物は、２５℃で約０．１ｍｍＨｇ、２５℃で０．２ｍｍＨｇ、２５℃で０．３ｍｍＨｇ、２５℃で０．４ｍｍＨｇ、２５℃で０．５ｍｍＨｇ、２５℃で０．６ｍｍＨｇ、２５℃で０．７ｍｍＨｇ、２５℃で０．８ｍｍＨｇ、２５℃で０．９ｍｍＨｇ、２５℃で１ｍｍＨｇ、２５℃で５ｍｍＨｇ、２５℃で１０ｍｍＨｇ、２５℃で５０ｍｍＨｇ、２５℃で１００ｍｍＨｇ、２５℃で２００ｍｍＨｇ、２５℃で３００ｍｍＨｇ、２５℃で４００ｍｍＨｇ、または２５℃で５００ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する。
【００４３】
いくつかの実施形態では、第２の材料１２０上に層１２５を選択的に堆積させた後、ブロッキング層を第１の表面から除去する。いくつかの実施形態では、ブロッキング層が酸化によって表面から除去される。いくつかの実施形態では、ブロッキング層が表面からエッチングされる。いくつかの実施形態では、ブロッキング層が適切な溶媒（例えば、エタノール）に溶解される。
【００４４】
いくつかの実施形態では、基板が導体表面と誘電体表面の両方を含み、ＳＡＭパッシベーションが形成され、その後、金属酸化物堆積が続く。ＳＡＭ表面（すなわちブロッキング層）に金属酸化物欠陥が形成されるが、導体表面には一続きの金属酸化物が堆積する。
【００４５】
いくつかの実施形態では、ＳＡＭ表面上に形成された欠陥が、欠陥除去プロセスによって除去される。欠陥除去プロセスで、基板は金属およびハロゲン含有前駆体に曝され、揮発性副生成物が形成されることによって金属酸化物欠陥がエッチング除去される。この方法により、金属酸化物欠陥の大部分または全てを除去することができる。
【００４６】
いくつかの実施形態では、欠陥除去プロセスが熱処理である。このように使用される「熱処理」は、基板をプラズマまたは遠隔プラズマに曝さない。
【００４７】
いくつかの実施形態では、金属−ハロゲン前駆体が、一続きの金属酸化物層もエッチングする。金属−ハロゲン前駆体は一続きの金属酸化物層もエッチングするが、曝露表面積がより少ないため、同じ高さの欠陥と比較して、金属酸化物層の膜エッチング速度はより低い。平滑な一続きの金属酸化物層上の金属エッチングは、下にある導体への影響が最小限であるか、あるいは全く影響しないであろう。
【００４８】
欠陥除去のための適切な金属−ハロゲン前駆体には、ＷＣｌｘ、ＨｆＣｌｘ、ＮｂＣｌｘ、ＲｕＣｌｘが含まれるがこれらに限定されず、ｘは１〜６の範囲である。いくつかの実施形態では、金属−ハロゲン前駆体がオキシハロゲン化物（例えば、ＷＯＣｌ４）を含む。いくつかの実施形態では、金属ハロゲン前駆体が実質的にフッ素を含まない。このように使用される用語「実質的にフッ素を含まない」は、金属−ハロゲン前駆体のハロゲン含有量が、原子基準で約５％、２％または１％以下のフッ素であることを意味する。
【００４９】
欠陥除去プロセス中の基板温度は、約１５０℃〜約５５０℃の範囲とすることができる。いくつかの実施形態では、基板温度は、約３００℃〜約５００℃の範囲である。
【００５０】
いくつかの実施形態では、欠陥除去プロセスは、等方性エッチング処理を含む。等方性エッチング処理は、基板が金属−ハロゲン前駆体に曝される時間量によって制御される。いくつかの実施形態では、欠陥の除去は、所定の時間、基板を金属−ハロゲン前駆体に曝露することを含む。
【００５１】
本明細書の開示が、特定の実施形態を参照して説明されてきたが、これらの実施形態は、本開示の原理および用途の単なる例示であることを理解されたい。本開示の精神および範囲から逸脱することなく、本開示の方法および装置に様々な修正および変形を行うことができることは、当業者には明らかであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲およびその均等物の範囲内にある修正および変形を含むことが意図される。
【図１】
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【国際調査報告】
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2020533808.tif 000006
2020533808.tif 000007
2020533808.tif 000008
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