(57)【要約】  本開示の実施態様は、処理システムに関する。一態様では、処理システムが、蓋と、蓋の下方に配置されたガス供給プレートであって、ガス供給プレートの直径にわたり配置された貫通孔を有するガス供給プレートと、ガス供給プレートの下方に配置されたペデスタルであって、ペデスタルとガス供給プレートが、それらの間にプラズマ励起領域を画定する、ペデスタルと、蓋に配置された第１のガスインレットに連結された第１のガスアウトレットを有する第１のRPSユニットであって、第１のガスアウトレットがプラズマ励起領域と流体連通している、第１のRPSユニットと、蓋に配置された第２のガスインレットに連結された第２のガスアウトレットを有する第２のRPSユニットであって、第２のガスアウトレットがプラズマ励起領域と流体連通しており、第２のガスアウトレットと蓋の第２のガスインレットの間に配置されたイオンフィルタを有する第２のRPSユニットとを含む。【選択図】図１
2020517103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムであって、
プラズマ源ユニットであって、
蓋、
前記蓋の下方に配置されたガス供給プレートであって、前記ガス供給プレートの直径にわたり配置された複数の貫通孔を有するガス供給プレート、並びに
前記ガス供給プレートの下方に配置されたペデスタルであって、前記ペデスタルと前記ガス供給プレートが、それらの間にプラズマ励起領域を画定する、ペデスタルを備える、プラズマ源ユニットと、
前記蓋に配置された第１のガスインレットに連結された第１のガスアウトレットを有する第１の遠隔プラズマ源（RPS）ユニットであって、前記第１のガスアウトレットが前記プラズマ励起領域と流体連通している、第１のRPSユニットと、
前記蓋に配置された第２のガスインレットに連結された第２のガスアウトレットを有する第２のRPSユニットであって、前記第２のガスアウトレットが前記プラズマ励起領域と流体連通しており、前記第２のガスアウトレットと前記蓋の前記第２のガスインレットの間に配置されたイオンフィルタを有する第２のRPSとを備える、基板処理システム。
【請求項２】
前記プラズマ源ユニットが、容量結合プラズマ（CCP）ユニット、誘導結合プラズマ（ICP）源、又は低圧放電若しくは大気圧放電を使用するプラズマ源である、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記プラズマ源ユニットが、容量結合プラズマ（CCP）ユニットである、請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記第１のRPSが、フッ素を含む第１のガス源に連結され、前記第２のRPSが、窒素を含む第２のガス源に連結されている、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記蓋に配置された第３のガスインレットであって、シリコン含有前駆体及び窒素含有前駆体を含む第３のガス源と流体連通している第３のガスインレットを更に備える、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記シリコン含有前駆体が、シラン、ハロゲン化シラン、有機シラン、又はそれらの組み合わせを含み、前記窒素含有前駆体が、窒素（N2）、亜酸化窒素（N2O）、一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、アンモニア（NH3）、又はそれらの組み合わせを含む、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項７】
基板処理システムであって、
プラズマ源ユニットであって、
蓋、
前記蓋の下方に配置された二重チャネルガス供給プレートであって、
前記二重チャネルガス供給プレートの厚みを横断する第１の組のチャネルであって、前記二重チャネルガス供給プレートの直径にわたり配置された第１の組のチャネル、及び
前記二重チャネルガス供給プレート内に配置された第２の組のチャネルであって、前記二重チャネルガス供給プレートの前記厚みの一部分を横断する第２の組のチャネルを有する、二重チャネルガス供給プレート、並びに
前記二重チャネルガス供給プレートの下方に配置されたペデスタルであって、前記ペデスタルと前記二重チャネルガス供給プレートが、それらの間にプラズマ励起領域を画定する、ペデスタルを備えた、プラズマ源ユニットと、
前記蓋に配置された第１のガスインレットに連結された第１のガスアウトレットを有する第１の遠隔プラズマ源（RPS）ユニットであって、前記第１のガスアウトレットが前記プラズマ励起領域と流体連通している、第１のRPSユニットと、
前記蓋に配置された第２のガスインレットに連結された第２のガスアウトレットを有する第２のRPSユニットであって、前記第２のガスアウトレットが前記プラズマ励起領域と流体連通しており、前記第２のガスアウトレットと前記蓋の前記第２のガスインレットの間に配置されたイオンフィルタを有する第２のRPSユニットとを備える、基板処理システム。
【請求項８】
前記プラズマ源ユニットが、容量結合プラズマ（CCP）ユニット、誘導結合プラズマ（ICP）源、又は低圧放電若しくは大気圧放電を使用するプラズマ源である、請求項７に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記第１のRPSが、フッ素を含む第１のガス源に連結され、前記第２のRPSが、窒素を含む第２のガス源に連結されている、請求項７に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
前記第２の組のチャネルが、前記プラズマ源ユニットの側壁に配置された側壁ガスインレットを介して第３のガス源と流体結合している、請求項７に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
基板処理システムであって、
蓋と、
前記蓋の相対的に下方に配置されたガス供給プレートであって、前記ガス供給プレートの直径にわたり配置された複数の貫通孔を有するガス供給プレートと、
前記ガス供給プレートの相対的に下方に配置されたイオン抑制要素であって、それぞれがテーパが付けられた部分及び円筒状部分を有する複数の貫通孔を有し、前記イオン抑制要素と前記ガス供給プレートが第１のプラズマ励起領域を画定する、イオン抑制要素と、
前記イオン抑制要素の相対的に下方に配置された二重チャネルガス供給プレートであって、
前記二重チャネルガス供給プレートの厚みを横断する第１の組のチャネルであって、前記二重チャネルガス供給プレートの直径にわたり配置された第１の組のチャネル、及び
前記二重チャネルガス供給プレート内に配置された第２の組のチャネルであって、前記二重チャネルガス供給プレートの前記厚みの一部分を横断する第２の組のチャネルを有する、二重チャネルガス供給プレートと、
前記イオン抑制要素と前記二重チャネルガス供給プレートの間に配置されたプラズマ抑制器であって、前記プラズマ抑制器の直径にわたり配置された複数の貫通孔を有するプラズマ抑制器と、
前記二重チャネルガス供給プレートの下方に配置されたペデスタルであって、前記ペデスタルと前記二重チャネルガス供給プレートが、それらの間に第２のプラズマ励起領域を画定する、ペデスタルと、
前記蓋に配置された第１のガスインレットに連結された第１のガス源であって、前記第１のガスインレットが前記第１のプラズマ励起領域と流体連通している、第１のガス源と、
前記基板処理システムの側壁に配置された第２のガスインレットに連結された第２のガス源とを備える、基板処理システム。
【請求項１２】
前記蓋及び／又は前記ガス供給プレートがRF発電機に接続され、前記イオン抑制要素が接地されている、請求項１１に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
前記二重チャネルガス供給プレートがRF発電機に接続され、前記ペデスタルが接地されている、請求項１１に記載の基板処理システム。
【請求項１４】
前記第１のガス源が窒素を含む、請求項１１に記載の基板処理システム。
【請求項１５】
前記第２のガス源が、シリコン含有前駆体及び窒素含有前駆体を含み、前記シリコン含有前駆体が、シラン、ハロゲン化シラン、有機シラン、又はそれらの任意の組み合わせを含み、前記窒素含有前駆体が、窒素（N2）、亜酸化窒素（N2O）、一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、アンモニア（NH3）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項１１に記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本開示の実施態様は、広くは、半導体基板処理チャンバ内で基板を処理するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] ３次元垂直NAND（V-NAND）メモリデバイスなどのメモリデバイスは、シリコン基板上に酸化物及び窒化物の交互層（ONON）を有する垂直な構造体を含み得る。垂直な構造体のそれぞれの間に、高アスペクト比の開口部が形成され得る。メモリデバイス内に電気接点を生成するために、高アスペクト比の開口部には、金属が充填され得る。
【０００３】
[0003] より高いスループット（処理量）のために且つ堆積チャンバをより活用するために、酸化物及び窒化物の堆積は、同じ堆積チャンバ内で実行され得る。しかし、任意の所与の酸化物又は窒化物の堆積は、独特な圧力、電極間隔、プラズマ電力、ガス流量比、及び基板温度を必要とする。したがって、堆積中及び堆積間の移行段階中の異なる膜に対するパラメータの変化によって、全体のスループットがしばしば損なわれる。特に、窒化ケイ素に対する堆積時間は、全体のスループットの減少の主たる原因であることが観察されてきた。
【０００４】
[0004] したがって、所望の膜特性を維持しながら、窒化物の堆積速度を増加させることができる改善された装置が、当該技術分野で必要とされている。
【発明の概要】
【０００５】
[0005] 本開示の実施態様は、容量結合プラズマ（CCP）源や誘導結合プラズマ（ICP）源などの主たるプラズマ源と、遠隔プラズマ源（RPS）などの二次的なプラズマ源とを組み合わせた、プラズマ処理システムに関する。一実施態様では、基板処理システムが提供される。処理システムは、蓋と、蓋の下方に配置されたガス供給プレートであって、ガス供給プレートの直径にわたり配置された貫通孔を有するガス供給プレートと、ガス供給プレートの下方に配置されたペデスタルであって、ペデスタルとガス供給プレートが、それらの間にプラズマ励起領域を画定する、ペデスタルと、蓋に配置された第１のガスインレットに連結された第１のガスアウトレットを有する第１のRPSユニットであって、第１のガスアウトレットがプラズマ励起領域と流体連通している、第１のRPSユニットと、蓋に配置された第２のガスインレットに連結された第２のガスアウトレットを有する第２のRPSユニットであって、第２のガスアウトレットがプラズマ励起領域と流体連通しており、第２のガスアウトレットと蓋の第２のガスインレットの間に配置されたイオンフィルタを有する第２のRPSユニットとを含む。
【０００６】
[0006] 別の一実施態様では、基板処理システムが、蓋並びに蓋の相対的に下方に配置された二重チャネルガス供給プレートを備えたプラズマ源ユニットであって、二重チャネルガス供給プレートが、二重チャネルガス供給プレートの厚みを横断する第１の組のチャネルであって、二重チャネルガス供給プレートの直径にわたり配置された第１の組のチャネル、及び二重チャネルガス供給プレート内に配置された第２の組のチャネルであって、二重チャネルガス供給プレートの厚みの一部分を横断する第２の組のチャネルを有する、プラズマ源ユニットを含む。更に、基板処理システムは、二重チャネルガス供給プレートの下方に配置されたペデスタルであって、ペデスタルと二重チャネルガス供給プレートが、それらの間にプラズマ励起領域を画定する、ペデスタルと、蓋に配置された第１のガスインレットに連結された第１のガスアウトレットを有する第１の遠隔プラズマ源（RPS）ユニットであって、第１のガスアウトレットがプラズマ励起領域と流体連通している、第１のRPSユニットと、蓋に配置された第２のガスインレットに連結された第２のガスアウトレットを有する第２のRPSユニットであって、第２のガスアウトレットがプラズマ励起領域と流体連通しており、第２のガスアウトレットと蓋の第２のガスインレットの間に配置されたイオンフィルタを有する第２のRPSユニットとを含む。
【０００７】
[0007] 更に別の一実施態様では、基板処理システムが、蓋と、蓋の相対的に下方に配置されたガス供給プレートであって、ガス供給プレートの直径にわたり配置された複数の貫通孔を有するガス供給プレートと、ガス供給プレートの相対的に下方に配置されたイオン抑制要素であって、それぞれテーパが付けられた部分及び円筒状部分を有する複数の貫通孔を有し、イオン抑制要素及びガス供給プレートが第１のプラズマ励起領域を画定する、イオン抑制要素と、イオン抑制要素の相対的に下方に配置された二重チャネルガス供給プレートであって、二重チャネルガス供給プレートの厚みを横断する第１の組のチャネルであって、二重チャネルガス供給プレートの直径にわたり配置された第１の組のチャネル、及び、二重チャネルガス供給プレート内に配置された第２の組のチャネルであって、二重チャネルガス供給プレートの厚みの一部分を横断する第２の組のチャネルを有する、二重チャネルガス供給プレートとを備える。
【０００８】
[0008] 更に、基板処理システムが、イオン抑制要素と二重チャネルガス供給プレートとの間に配置されたプラズマ抑制器であって、プラズマ抑制器の直径にわたり配置された複数の貫通孔を有するプラズマ抑制器と、二重チャネルガス供給プレートの下方に配置されたペデスタルであって、ペデスタルと二重チャネルガス供給プレートが、それらの間に第２のプラズマ励起領域を画定する、ペデスタルと、蓋に配置された第１のプラズマ励起領域と流体連通している第１のガスインレットに連結された第１のガス源と、基板処理システムの側壁に配置された第２のガスインレットに連結された第２のガス源とを含む。
【０００９】
[0009] 上述の本開示の特徴を詳細に理解し得るように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実装を参照することによって得られ、一部の実装は、付随する図面に例示されている。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施態様も許容し得るため、添付の図面は、本開示の典型的な実施態様のみを示しており、したがって、本発明の範囲を限定すると見なすべきではないことは、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】[0010] 本開示の一実施態様による、処理システムの概略的な断面図を示す。
【図２】[0011] 本開示の別の一実施態様による、処理システムの概略的な断面図を示す。
【図３】[0012] 本開示の更に別の一実施態様による、処理システムの概略的な断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0013] 理解を容易にするために、図に共通する同一の要素を指し示すために、可能な場合には、同一の参照番号を使用した。一実施態様で開示された要素は、具体的な記述がなくても、他の実装態様で有益に利用できると想定されている。
【００１２】
[0014] 本開示の実施態様は、容量結合プラズマ（CCP）源や誘導結合プラズマ（ICP）源などの主たるプラズマ源と、遠隔プラズマ源（RPS）などの二次的なプラズマ源とを組み合わせた、ハイブリッドプラズマ処理システムに関する。主たるプラズマ源は、基板処理領域に隣接して位置決めされてよく、二次的なプラズマ源は、基板処理領域から更に離れて位置決めされてよい。一実施態様では、主たるプラズマ源が、基板処理領域と二次的なプラズマ源の間に位置決めされている。本開示では、CCPユニットが主たるプラズマ源の一実施例として説明されるが、誘導結合プラズマ（ICP）源などの低圧放電を使用する、若しくは容量性放電などの大気圧放電を使用する、任意のプラズマ源、又は任意の他の適切なプラズマ源が、本明細書で説明される実施態様において相互交換可能に使用されてよい。本開示の及び様々な実施態様の詳細が、以下に記載される。
【００１３】
[0015] 図１は、本開示の一実施態様による、処理システム１００の概略的な断面図を示している。処理システム１００は、概して、容量結合プラズマ（CCP）ユニット１０２、CCPユニット１０２に接続された第１の遠隔プラズマ源（RPS）ユニット１１４、及びCCPユニット１０２に接続された第２のRPSユニット１０５を含む。処理システム１００は、製造施設の周囲環境とは異なる内部圧力を保持することができる。例えば、処理システム１００の内側の圧力は、約１０mTorrから約２０Torrであってよい。
【００１４】
[0016] CCPユニット１０２は、処理システム１００の内側の第１のプラズマ源として機能することができる。CCPユニット１０２は、概して、蓋１０６及び蓋１０６の相対的に下方に配置されたガス供給プレート１１０を含む。ガス供給プレート１１０は、プラズマ励起領域１１２の中にガスを均一に供給することを可能にするために、ガス供給プレート１１０の直径にわたり配置された複数の貫通孔１０９を有する。蓋１０６及びガス供給プレート１１０は、高度にドープされたシリコン又は金属（アルミニウム、ステンレス鋼など）から作成されてよい。蓋１０６及びガス供給プレート１１０は、アルミナ又はイットリウム酸化物を含む保護層で被覆されてよい。ある実施態様では、蓋１０６及びガス供給プレート１１０が、蓋１０６とガス供給プレート１１０の間のガスをプラズマにイオン化するのに十分強い電場を生成するために、互いに対して電気的にバイアスされ得る導電性の電極である。
【００１５】
[0017] プラズマを生成するガス混合物（プラズマ生成ガス混合物）が、ガス源１３７から第１のガスインレット１０７を通してCCPユニット１０２に供給され得る。第１のガスインレット１０７は、蓋１０６に配置されてよい。シリコン含有層（例えば、窒化ケイ素）が基板上に形成される一実施態様では、ガス源１３７が、シリコン含有前駆体及び窒素含有前駆体を含んでよい。適切なシリコン含有前駆体には、シラン、ハロゲン化シラン、有機シラン、及びそれらの任意の組み合わせが含まれ得る。シランには、シラン（SiH4）、及び、ジシラン（Si2H6）、トリシラン（Si3H8）、テトラシラン（Si4H10）などの経験式SixH（2x+2）を有するより高次のシラン、又は、ポリクロロシランなどの他のより高次のシランが含まれ得る。適切な窒素含有前駆体には、窒素（N2）、亜酸化窒素（N2O）、一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、アンモニア（NH3）、及びそれらの任意の組み合わせが含まれ得る。一実施態様では、ガス源１３１がN2を含む。一実施態様では、シリコン含有前駆体がSiH4であり、窒素含有前駆体がN2である。
【００１６】
[0018] 処理システム１００は、基板１５１（例えば、ウエハ基板）を支持し移動させるために動作可能なペデスタル１５０も含む。ペデスタル１５０は、接地されていてよい。ペデスタル１５０とガス供給プレート１１０の間の距離は、プラズマ励起領域１１２を画定する。ペデスタル１５０は、ガス供給プレート１１０を通過するガスに対して基板１５１を再位置決めすることによって、プラズマ励起領域１１２を増加又は減少させ、基板の堆積又はエッチングに影響を与えるために、処理チャンバ１００内で垂直方向すなわち軸方向に調整可能であってよい。ある場合では、ペデスタル１５０が、基板上の堆積／エッチングの化学物質の均一な分布を支援するために回転可能であってよい。ペデスタル１５０は、基板の温度を制御するために熱交換流体（例えば、水）が流れる、熱交換チャネル（図示せず）を有してよい。熱交換流体が循環することにより、基板の温度を比較的低い温度（例えば、摂氏約マイナス２０度から摂氏約９０度）に維持することが可能になる。ペデスタル１５０は、基板を所望の加熱された温度（例えば、摂氏約９０度から摂氏約１１００度）に維持するために、内部に埋め込まれた加熱要素（抵抗加熱要素など）を有するように構成されてもよい。
【００１７】
[0019] プラズマが生成されるときに、蓋１０６とガス供給プレート１１０が短絡することを防止するために、それらの間に電気絶縁体１０８が配置されてよい。プラズマ励起領域１１２内にプラズマを生成するために、蓋１０６、ガス供給プレート１１０、又はそれらの両方に電力（例えば、RF電力）を供給するように、電源１４０がCCPユニット１０２に電気的に接続されている。電源１４０は、実行されるプロセスに応じて、CCPユニット１０２に調整可能な量の電力を供給するように構成されていてよい。電源１４０は、プラズマ励起領域１１２内の活性ガスのイオン濃度を調整するために、ガス供給プレート１１０内で調整可能な電圧を生成するように動作可能である。ある場合では、電力が蓋１０６に印加されると共に、ガス供給プレート１１０が接地されてよい。
【００１８】
[0020] プラズマ励起領域１１２内でプラズマを生成することを可能にするために、絶縁体１０８が、蓋１０６とガス供給プレート１１０を電気的に絶縁してよい。絶縁体１０８は、セラミック材料から作成されてよく、スパークを回避するために高い破壊電圧を有してよい。所望であれば、CCPユニット１０２は、プラズマに暴露されたチャンバ構成要素の表面を、循環している冷媒（例えば、水）で冷却するための１以上の冷却流体チャネルを含む、冷却ユニット（図示せず）を更に含むことができる。
【００１９】
[0021] 第１のRPSユニット１１４は、処理システム１００の内側の第２のプラズマ源として機能することができる。第１のRPSユニット１１４は、イオン、ラジカル、及び電子のプラズマが生成される容器１１７を含む。容器１１７は、容器１１７の一端に配置されたガスインレット１１９、及び容器１１７の他端に配置されたガスアウトレット１２１を有する。ガスインレット１１９は、ガス源１２３に連結されている。ガス源１２３は、任意の適切なガス又はガス混合物を含んでよい。チャンバ洗浄が所望される場合、ガス源１２３は、NF3、CF4、C2F6、又はSF6などの、フッ素含有ガスを含んでよい。ガスアウトレット１２１は、第２のガスインレット１１６を介してプラズマ励起領域１１２と流体連通している。第２のガスインレット１１６は、蓋１０６に配置されていてよい。処理中、プラズマは、第１のRPSユニット１１４から第２のガスインレット１１６を通ってプラズマ励起領域１１２の中へ移動することができる。
【００２０】
[0022] 第１のRPSユニット１１４は、（ガス源１２３からの）プロセスガスをプラズマに励起させるために、励起エネルギーを供給するエネルギー源（図示せず）に接続されていてよい。エネルギー源は、マイクロ波、熱、UV、RF、電子シンクロトロン放射、又は任意の適切なアプローチによって、プロセスガスを励起することができる。第１のRPSユニット１１４からの励起した（１以上の）プロセスガスは、CCPユニット１０２の内側のプロセス残留物を洗浄し、プラズマ励起領域１１２内でプラズマを生成するために使用されてよく、又はプラズマ励起領域１１２内で既に生成されているプラズマを維持してよい。ある実施態様では、（１以上の）プロセスガスが、ガスインレット１１６を通ってCCPユニット１０２へ下流に移動する前に、第１のRPSユニット１１４内のプラズマ励起種の中へ既に変換（又は少なくとも部分的に変換）されているかもしれない。RPSプラズマ励起種には、中性種とラジカル種だけでなく、イオン荷電プラズマ種が含まれてよい。プラズマ励起種がプラズマ励起領域１１２に到達するときに、プラズマ励起種は、CCPユニット１０２内で更に励起されてよく、又は更なる励起なしにガス供給プレート１１０を通過してプラズマ励起領域１１２に至ることができる。
【００２１】
[0023] 任意選択的に、静電フィルタ、ワイヤー若しくはメッシュフィルタ、又は磁気フィルタなどの、適切なイオンフィルタ１０３を、第１のRPSユニット１１４とCCPユニット１０２との間に配置して、プラズマのラジカルだけがCCPユニット１０２へ流れるように、プラズマ内のイオンの大部分又は実質的に全てを除去することができる。ある場合では、CCPユニット１０２を少量の電力でオンにしてラジカル再生を促進し、流路によるラジカル損失を補償したり、異なるRF周波数やその他のパラメータを使用してラジカル組成を変更したりすることができる。代替的に、CCPユニット１０２の電極は、電力供給されなくてもよい。それによって、第１のRPSユニット１１４からのプラズマのラジカルが、ガス供給プレート１１０を迂回して、プラズマ励起領域１１２内で生じる望ましくない反応を回避又は最小化する。
【００２２】
[0024] 第２のRPSユニット１０５は、処理システム１００用のラジカル源として機能する。一実施形態では、第２のRPSユニット１０５が使用されて、窒素ラジカル源を提供する。窒素ラジカル源（すなわち、第２のRPSユニット１０５）をCCPユニット１０２に組み込むことによって、SiN膜の堆積速度を大幅に増加させることができる。というのも、より多くのラジカル窒素種が、表面反応のためにプラズマ励起領域１１２内に供給されるからである。背景技術のところで先に説明したように、堆積中及び堆積間の移行段階中の異なる膜に対するパラメータの変化によって、全体のスループットがしばしば損なわれる。特に、窒化ケイ素に対する堆積時間は、全体のスループットの減少の主たる原因であることが観察されてきた。窒化物の堆積速度は、処理ガス（例えば、SiH4）の流量、電力、圧力を増加させることによって増加し得るが、堆積した窒化物中のSi-H結合の濃度が増加するため、均一性などの膜特性が劣化する。Si-H結合は、容易に水素を失って、ダングリングボンドを形成すると考えられる。
【００２３】
[0025] 第２のRPSユニット１０５を処理システム１００に組み込むことにより、堆積膜特性の品質を犠牲にすることなく、窒化ケイ素の堆積時間を増加させることができる。特に、堆積したSiN膜は、低Si-H結合で形成することができる（したがって、膜中の水素含有量は低くなる）。堆積したSiN膜内の低い水素含有量は、低減された内在応力（デルタ応力）をもたらす。低減された内在応力を伴って形成されたSiN膜は、その後に続く熱プロセス中の膜収縮を防止することができる。対照的に、高い内在応力を有するSiN膜は、測定可能な程度だけ下層の薄い基板を収縮させ曲げる恐れがある。それによって、基板は凹凸を有するようになる。第２のRPSユニット１０５を追加することによって、SiN膜内のSi-H結合の数を低減させることができる。というのも、第２のRPSユニット１０５は、豊富な窒素ラジカルを供給して、ガス混合物からのシリコン及び水素との好適な反応を促進し、それによって、堆積膜内のSi-H結合を低減させるからである。例えば、堆積中に、ガス源１３７からのプラズマ生成ガス混合物（例えば、SiH4及びNH3）は、第１のガスインレット１０７を通してCCPユニット１０２へ流される。ガス混合物の励起は、プラズマ励起領域１１２内で、イオン状態のSiH3、SiH2、SiH、NH2、及びNHなどを生成することができる。第２のRPSユニット１０５から生成されたラジカル窒素種（例えば、Nラジカル）は、Si-N結合エネルギー（３４３kJ／mol）と比較して、より低いSi-Si結合エネルギー（２２２kJ／mol）のため、シリコンと好適に反応することができる。ラジカル窒素種は、水素とも好適に反応することができる。というのも、SiH3-H結合エネルギー（３７８kJ／mol）は、NH2-H結合エネルギー（４３５kJ／mol）より低いからである。したがって、窒化ケイ素の表面反応のために利用可能な水素の量が低減される。したがって、堆積中の励起したガス混合物にラジカル窒素種を追加することにより、Si-N結合及びN-H結合によるSi-H結合の置き替えが促進される。今度はそれが、堆積したSiN膜内のSi-H結合の濃度を低減させる。結果として、堆積したSiN膜は、改善された膜品質を伴って形成され得る。というのも、SiN膜表面におけるダングリングボンドの数が低減されるからである。
【００２４】
[0026] 窒化ケイ素膜の堆積は、以下のプロセス条件によって実行されてよい。処理チャンバ（例えば、CCPユニット１０２）は、約１Torrから約１０Torrの圧力に維持されてよい。（ガス源１３１からのプロセスガスをプラズマに励起させるために使用される）第２のRPSユニット１０５に接続されたエネルギー源からのソース電力は、１２００ワット（W）から約２５００Wで供給されてよい。ソース電力は、約１０MHzから約６０MHzの範囲の無線周波数（RF）で印加されてよい。CCPユニット１０２の電極間隔は、約６００milから約１２００milであってよい。SiH4とNH3のプラズマ生成ガス混合物が、CCPユニット１０２の中に導入されてよい。SiH4のガス流は、約１００sccmから約５００sccmであってよく、NH3のガス流は、約２０００sccmから約５０００sccmであってよい。窒素含有ガス（例えば、N2）が、第２のRPSユニット１０５の中に導入されてよい。N2のガス流は、約８５０sccmから約１８００sccmであってよい。ヘリウムなどの搬送ガスが、プラズマ生成ガス混合物と共に流されてよく、Heのガス流は、約３５００sccmから約８０００sccmであってよい。プロセスガスの全流量は、約８０００sccmから約１６０００sccmであってよい。堆積速度は、約３５００Å／分以上、例えば、約３８００Å／分から約５０００Å／分である。
【００２５】
[0027] 以下の表Ｉは、窒化ケイ素膜の堆積のための３つの異なるプロセス条件を挙げている。膜＃１及び＃２は、RPS（すなわち、第２のRPSユニット１０５）をオンにして堆積したSiNである。膜＃３は、RPSをオフにして堆積したSiNである。以下の表ＩＩは、堆積した膜＃１、＃２、及び＃３の応力並びにFTIRスペクトルを示している。FTIRスペクトルは、Si-HのSi-Nに対するパーセンテージである。
2020517103.tif 000003
2020517103.tif 000004
【００２６】
[0028] 表Ｉ及び表ＩＩで見られ得るように、SiN膜＃１及び＃２は、SiN膜＃１がより低いRF電力及びより高い窒素の流量を使用して堆積したということを除いて、類似のプロセス条件下で堆積した。SiN膜＃１及び＃２は、RPSをオンにして（すなわち、第２のRPSユニット１０５からのラジカル窒素種を導入して）堆積したが、SiN膜＃２はより低い内在応力を有し、それは、SiN膜＃１の堆積中により多くの窒素が供給されたとしても、高められたRF電力は、堆積したSiN膜内により低い水素含有量をもたらし得ることを示唆している。更に、表ＩＩのSiN膜＃２は、SiN膜＃３と比較したときに低減された内在応力を示しており、それは、第２のRPSユニット１０５からのラジカル窒素種の導入が、堆積したSiN膜内のSi-H結合の濃度を低減させ得ることを示唆している。同様に、堆積したSiN膜の様々な位置におけるFTIRスペクトルは、SiN膜＃２が、SIN膜＃３と比較してより低いSi-HのSi-Nに対するパーセンテージを有することも示している。
【００２７】
[0029] 第２のRPSユニット１０５は、イオン、ラジカル、及び電子のプラズマが生成される容器１２５を含んでよい。容器１２５は、容器１２５の一端に配置されたガスインレット１２７、及び容器１２５の他端に配置されたガスアウトレット１２９を有してよい。ガスアウトレット１２９は、第３のガスインレット１３３を介して、プラズマ励起領域１１２と流体連通している。第３のガスインレット１３３は、蓋１０６に配置されてよい。ガスインレット１２７は、ガス源１３１に連結されている。ガス源１３１は、任意の適切なガス又はガス混合物を含んでよい。窒素含有材料が基板上に形成される場合、ガス源１３１は、窒素（N2）、亜酸化窒素（N2O）、一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、アンモニア（NH3）、及びそれらの任意の組み合わせなどの、窒素含有ガスを含んでよい。一実施態様では、ガス源１３１がN2を含む。
【００２８】
[0030] 第２のRPSユニット１０５は、ガス源１３１からのプロセスガスをプラズマに励起させるために、励起エネルギーを供給するエネルギー源（図示せず）に接続されていてよい。エネルギー源は、マイクロ波、熱、UV、RF、電子シンクロトロン放射、又は任意の適切なアプローチによって、プロセスガスを励起することができる。ガス源１３１がN2を含有する場合、第２のRPSユニット１０５内で、N2のエネルギー励起により、N*ラジカル、N+及びN2+などの正に帯電したイオン、及び電子が生成される。
【００２９】
[0031] イオンフィルタ１３５が、第２のRPSユニット１０５とCCPユニット１０２の間に配置されている。イオンフィルタ１３５は、第３のガスインレット１３３の長さに沿った任意の位置に配置されてよく、プラズマのラジカルだけがプラズマ励起領域１１２の中へ流れるように、第３のガスインレット１３３を通して流れるプラズマ内のイオンの大部分又は実質的に全てを除去することができる。イオンフィルタ１３５は、静電フィルタ、ワイヤー若しくはメッシュフィルタ、又は磁気フィルタなどの、任意の適切なイオンフィルタであってよい。イオンフィルタ１３５を使用することにより、第２のRPSユニット１０５は、第３のガスインレット１３３を通して、窒素含有ラジカルなどの前駆体を含有するラジカルを、プラズマ励起領域１１２の中へ供給することができる。
【００３０】
[0032] 処理チャンバ１００は、単一のCCPユニット１０２を伴って示されているが、単一のCCPユニット１０２は、タンデムの処理チャンバで置き替えられてよい。すなわち、CCPユニット１０２は、第１のRPSユニット１１４と第２のRPSユニット１０５を共有する、２つの個別の分離したCCPユニットであってよい。そのような場合、筐体が使用されて、タンデムCCPユニットのそれぞれをカバーしてよい。２つの個別のCCPユニットは、対称な又は非対称な様態で互いから隣接して位置決めされてよい。２つの個別のCCPユニット並びに第１及び第２のRPSユニット１１４、１０５は、プロセスの全体のスループットを更に増加させる。
【００３１】
[0033] 図２は、本開示の別の一実施態様による、処理システム２００の概略的な断面図を示している。処理システム２００は、第１のガスインレット１０７が、CCPユニット１０２の側壁２０３に配置されるように変更されたことを除いて、処理システム１００に類似する。更に、処理システム１００のガス供給プレート１１０も、二重チャネルガス供給プレート２０２で置き替えられている。二重チャネルガス供給プレート２０２は、第１及び第２のRPSユニット１１４、１０５から来た（１以上の）ガスが通過することを可能にし、CCPユニット１０２の側壁に配置された側壁ガスインレット２０６を通るガス源２０４から来た（１以上の）ガスが通過することを可能にするように構成されている。同様に、処理システム２００も、CCPユニット１０２、CCPユニット１０２に連結された第１のRPSユニット１１４、及びCCPユニット１０２に連結された第２のRPSユニット１０５を含む。CCPユニット１０２、第１及び第２のRPSユニット１１４、１０５、並びにそれらに関連付けられた構成要素の詳細な説明は、図１に関連して上述された記載に含まれ得る。
【００３２】
[0034] この実施態様では、二重チャネルガス供給プレート２０２が、蓋１０６の相対的に下方に配置されている。二重チャネルガス供給プレート２０２は、二重チャネルガス供給プレート２０２の厚みを横断する、第１の組のチャネル２０８を含む。第１の組のチャネル２０８は、プラズマ励起領域１１２の中へのガスの均一な供給を可能とするために、二重チャネルガス供給プレート２０２の直径にわたり配置されている。二重チャネルガス供給プレート２０２は、二重チャネルガス供給プレート２０２内に配置された、第２の組のチャネル２１０も含む。第２の組のチャネル２１０は、二重チャネルガス供給プレート２０２の厚みを横断し得ない。したがって、第２の組のチャネル２１０は、第１及び第２のRPSユニット１１４、１０５と流体連通していない。その代わりに、第２の組のチャネル２１０は、側壁ガスインレット２０６を介してガス源２０４と流体結合している。
【００３３】
[0035] 第１及び第２の組のチャネル２０８、２１０は、第２のRPSユニット１０５からのラジカル窒素種、及びガス源２０４からのガス／前駆体混合物が、プラズマ励起領域１１２に到達するまで混ざり合うことを防止する。ある実施態様では、第２の組のチャネル２１０が、プラズマ励起領域１１２に面している開口部において円環形状を有してよく、これらの円環状開口部は、第１の組のチャネル２０８の円形開口部の周りに同軸で並んでいてよい。
【００３４】
[0036] シリコン含有層（例えば、窒化ケイ素）が基板上に形成される場合、ガス源２０４は、シリコン含有前駆体及び窒素含有前駆体を含んでよい。適切なシリコン含有前駆体及び窒素含有前駆体は、図１に関して上述された。一実施例では、シリコン含有前駆体がシランであり、窒素含有前駆体がNH3である。しかし、ガス源１２３、１３１、及び２０４の含有物は、実行されるプロセスに応じて変化してよい。
【００３５】
[0037] 堆積中、窒素含有ラジカルなどの前駆体を含有するラジカルが、第２のRPSユニット１０５から第３のガスインレット１３３を通してプラズマ励起領域１１２の中へ導入される。順番に又は同時に、シリコン含有前駆体（例えば、SiH4）及び窒素含有前駆体（例えば、NH3）のガス混合物などの第２のガスが、ガス源２０４から側壁ガスインレット２０６及び第２の組のチャネル２１０を通してプラズマ励起領域１１２へ導入される。第２のガスの励起は、プラズマ励起領域１１２内で、イオン状態のSiH3、SiH2、SiH、NH2、及びNHなどを生成することができる。第２のRPSユニット１０５から生成されたラジカル窒素種は、Si-N結合エネルギー（３４３kJ／mol）と比較して、より低いSi-Si結合エネルギー（２２２kJ／mol）のため、シリコンと好適に反応する。ラジカル窒素種は、水素とも好適に反応することができる。というのも、SiH3-H結合エネルギー（３７８kJ／mol）は、NH2-H結合エネルギー（４３５kJ／mol）より低いからである。したがって、窒化ケイ素の表面反応に利用可能な水素の量が低減される。図２の構成を使用して励起したガス混合物にラジカル窒素種を追加することによっても、Si-N結合及びN-H結合によるSi-H結合の置き替えが促進され得る。今度はそれが、堆積したSiN膜内のSi-H結合の濃度を低減させる。結果として、堆積したSiN膜は、より低い内在応力を伴って形成される。窒素ラジカル源（すなわち、第２のRPSユニット１０５）をCCPユニット１０２に組み込むことによって、SiN膜の堆積速度が大幅に増加する。というのも、より多くのラジカル窒素種が、表面反応のためにプラズマ励起領域１１２内に供給されるからである。
【００３６】
[0038] 図３は、本開示の更に別の一実施態様による、処理システム３００の概略的な断面図を示している。処理システム３００は、概して、容量結合プラズマ（CCP）ユニット３０２、及びCCPユニット３０２の上に配置されたインシトゥプラズマ源ユニット３０４を含む。CCPユニット３０２は、処理システム３００の内側の第１のプラズマ源を生成するように機能する。インシトゥプラズマ源ユニット３０４は、概して、蓋３０６及び蓋３０６の相対的に下方に配置されたガス供給プレート３０８を含む。ガス供給プレート３０８は、図１に関連して上述されたガス供給プレート１１０に類似した構成を有する。
【００３７】
[0039] インシトゥプラズマ源ユニット３０４は、ガスインレット３０３を介して蓋３０６に連結されたガス源３０１も有する。ガスインレット３０３は、蓋３０６に配置されていてよい。ガス源３０１は、任意の適切なガス又はガス混合物を含んでよい。窒素含有材料が基板上に形成される場合、ガス源３０１は、窒素（N2）、亜酸化窒素（N2O）、一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、アンモニア（NH3）、及びそれらの任意の組み合わせなどの、窒素含有ガスを含んでよい。一実施態様では、ガス源３０１がN2を含む。窒素含有ガスは、ガス供給プレート３０８の貫通孔を通って、ガス供給プレート３０８とイオン抑制要素３１２の間に画定された第１のプラズマ励起領域３０７に流れる。
【００３８】
[0040] インシトゥプラズマ源ユニット３０４は、任意選択的に、ガス供給プレート３０８の相対的に下方に配置されたイオン抑制要素３１２を含んでよい。蓋３０６及び／又はガス供給プレート３０８は、蓋３０６及び／又はガス供給プレート３０８にRF電力を供給する、RF発電機３１３に接続されていてよい。イオン抑制要素３１２は、接地されていてよい。RF電力が供給される蓋３０６及び／又はガス供給プレート３０８は、カソード電極として働いてよく、一方で、接地されたイオン抑制要素３１２は、アノード電極として働いてよい。蓋３０６及び／又はガス供給プレート３０８並びにイオン抑制要素３１２は、第１のプラズマ励起領域３０７（すなわち、ガス供給プレート３０８とイオン抑制要素３１２の間の領域）内にRF電場を生成するように操作される。RF電場は、ガス源３０１からの（１以上の）プロセスガスを、第１のプラズマ励起領域３０７内のプラズマにイオン化する。
【００３９】
[0041] イオン抑制要素３１２は、概して、第１のプラズマ励起領域３０７からのイオン荷電種の移動を抑制すると共に、非荷電の中性種又はラジカル種が、イオン抑制要素３１２を通過して第２のプラズマ励起領域３１８の中へ至ることを可能にする、ように構成された複数の貫通孔３２２を含む。これらの荷電していない種には、貫通孔３２２を通して反応が弱い搬送ガスと共に搬送される非常に反応性の高い種が含まれてよい。したがって、貫通孔３２２を通るイオン種の移動を減らすことができ、ある場合には、完全に抑制することができる。イオン抑制要素３１２を通過するイオン種の量を制御することにより、下層の基板と接触することになるガス混合物に対する制御を高める。今度はそれが、ガス混合物の堆積特性の制御を高める。イオン抑制要素３１２は、高度にドープされたシリコン又は金属（アルミニウム、ステンレス鋼など）から作成されてよい。一実施態様では、貫通孔３２２が、第２のプラズマ励起領域３１８に面するテーパが付けられた部分、及び第１のプラズマ励起領域３０７に面する円筒状部分を含んでよい。
【００４０】
[0042] 第１の電気絶縁体３１０は、図１に関して上述された電気絶縁体１０８に類似し、イオン抑制要素３１２とガス供給プレート３０８の間に配置されている。
【００４１】
[0043] 図２に関して上述された二重チャネルガス供給プレート２０２などの、二重チャネルガス供給プレート３１６が、イオン抑制要素３１２の相対的に下方に配置されている。二重チャネルガス供給プレート３１６は、CCPユニット３０２の部分と考えられ得る。二重チャネルガス供給プレート３１６は、二重チャネルガス供給プレート３１６の厚みを横断する、第１の組のチャネル３１７を含む。第１の組のチャネル３１７は、第２のプラズマ励起領域３１８の中へのガスの均一な供給を可能とするために、二重チャネルガス供給プレート３１６の直径にわたり配置されている。二重チャネルガス供給プレート３１６は、二重チャネルガス供給プレート３１６内に配置された、第２の組のチャネル３１９も含む。第２の組のチャネル３１９は、二重チャネルガス供給プレート３１６の厚みを横断し得ない。したがって、第２の組のチャネル３１９は、第１のプラズマ励起領域３０７と流体連通していない。その代わりに、第２の組のチャネル３１９は、CCPユニット３０２の側壁３５４に配置された側壁ガスインレット３５２を介してガス源３３７と流体結合している。
【００４２】
[0044] 第１及び第２の組のチャネル３１７、３１９は、第１のプラズマ励起領域３０７からのラジカル窒素種、及びガス源３３７からのガス／前駆体混合物が、第２のプラズマ励起領域３１８に到達するまで混ざり合うことを防止する。ある実施態様では、プラズマ励起種のうちの少なくとも一部が、流れの方向を変えることなしに、貫通孔３２２、第１の組のチャネル３１７、及び貫通孔３１５を通過することを可能にするために、イオン抑制要素３１２内の貫通孔３２２のうちの１以上が、第１の組のチャネル３１７及びプラズマ抑制器３１４の貫通孔３１５のうちの１以上と整列していてよい。ある実施態様では、第２の組のチャネル３１９が、第２のプラズマ励起領域３１８に面している開口部において円環形状を有してよく、これらの円環状開口部は、第１の組のチャネル３１７の円形開口部の周りに同軸で並んでいてよい。
【００４３】
[0045] プラズマ抑制器３１４は、任意選択的に、イオン抑制要素３１２と二重チャネルガス供給プレート３１６の間に配置されている。プラズマ抑制器３１４は、プラズマ抑制器３１４の直径にわたり配置された複数の貫通孔３１５を有する。貫通孔３１５のそれぞれの寸法及び断面形状は、第２のプラズマ励起領域３１８から第１のプラズマ励起領域３０７の中に戻る、プラズマの大幅な逆流を防止するように構成されている。特に、貫通孔３１５は、二重チャネルガス供給プレート３１６へのガスの通過を可能にするが、内部でのプラズマ放電の生成を防止するのに十分小さいように寸法決定されている。例えば、貫通孔３１５のそれぞれは、約0.050インチの直径を有してよい。このやり方で、プラズマ放電は、概して、プラズマ抑制器３１４を過ぎて第１の組のチャネル３１７の範囲内に存在することを防止される。
【００４４】
[0046] 図１に関して上述されたペデスタル１５０などのペデスタル３５０は、二重チャネルガス供給プレート３１６の相対的に下方に配置されている。ペデスタル３５０は、CCPユニット３０２の部分と考えられ得る。ペデスタル３５０は、接地されていてよい。二重チャネルガス供給プレート３１６は、RF発電機３２０に接続され、カソード電極として機能してよく、一方で、接地されたペデスタル３５０は、アノード電極として働いてよい。二重チャネルガス供給プレート３１６及び接地されたペデスタル３５０は、プラズマ励起領域３１８（すなわち、二重チャネルガス供給プレート３１６とペデスタル３５０の間の領域）内にRF電場を生成するように操作される。RF電場は、ガス源３３７からの（１以上の）プロセスガスを、第２のプラズマ励起領域３１８内のプラズマにイオン化する。ガス源３３７は、側壁ガスインレット３５２を介して第２のプラズマ励起領域３１８と流体連通している。側壁ガスインレット３５２は、CCPユニット３０２の側壁３５４に配置されている。第２のガスインレット３５２は、二重チャネルガス供給プレート３１６内の第２の組のチャネル３１９に連結する。
【００４５】
[0047] シリコン含有層（例えば、窒化ケイ素）が基板上に形成される一実施態様では、ガス源３３７が、シリコン含有前駆体及び窒素含有前駆体を含んでよい。適切なシリコン含有前駆体には、シラン、ハロゲン化シラン、有機シラン、及びそれらの任意の組み合わせが含まれ得る。シランには、シラン（SiH4）、及び、ジシラン（Si2H6）、トリシラン（Si3H8）、テトラシラン（Si4H10）などの経験式SixH（2x+2）を有するより高次のシラン、又は、ポリクロロシランなどの他のより高次のシランが含まれ得る。適切な窒素含有前駆体には、窒素（N2）、亜酸化窒素（N2O）、一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、アンモニア（NH3）、及びそれらの任意の組み合わせが含まれ得る。一実施態様では、シリコン含有前駆体がSiH4であり、窒素含有前駆体がNH3である。
【００４６】
[0048] 第２の電気絶縁体３５６は、図１に関して上述された電気絶縁体１０８に類似し、二重チャネルガス供給プレート３１６の下方の側壁３５４に配置されている。
【００４７】
[0049] 同様に、窒素含有ラジカルなどの前駆体を含有するラジカルは、堆積中に第２のプラズマ励起領域３１８の中に導入される。順番に又は同時に、シリコン含有前駆体（例えば、SiH4）及び窒素含有前駆体（例えば、NH3）のガス混合物などの第２のガスが、ガス源３３７から側壁ガスインレット３５２を通して第２のプラズマ励起領域３１８へ導入される。第２のガスの励起は、第２のプラズマ励起領域３１８内で、イオン状態のSiH3、SiH2、SiH、NH2、及びNHなどを生成することができる。図１及び図２に関して上述されたものと類似して、インシトゥプラズマ源ユニット３０４から生成されたラジカル窒素種は、Si-N結合エネルギーと比較してより低いSi-Si結合エネルギーのため、シリコンと好適に反応することができる。ラジカル窒素種は、水素とも好適に反応することができる。というのも、SiH3-H結合エネルギーは、NH2-H結合エネルギーより低いからである。したがって、窒化ケイ素の表面反応に利用可能な水素の量が低減される。図３の構成を使用して励起したガス混合物にラジカル窒素種を追加することによって、Si-N結合及びN-H結合によるSi-H結合の置き替えが促進され得る。今度はそれが、堆積したSiN膜内のSi-H結合の濃度を低減させる。結果として、堆積したSiN膜は、より低い内在応力を伴って形成され得る。窒素ラジカル源（すなわち、インシトゥプラズマ源ユニット３０４）を、処理システム３００内のCCPユニット３０２に組み込むことによって、SiN膜の堆積速度が大幅に増加する。というのも、より多くのラジカル窒素種が、表面反応のために第２のプラズマ励起領域３１８内に供給されるからである。
【００４８】
[0050] 要約すると、本開示の実施態様は、基板処理のためにCCPユニットにRPSユニットを組み込んだ改善されたプラズマ処理システムを提供する。RPSユニットを使用して、CCPユニット内のプラズマ励起領域内の励起したガス混合物に豊富な窒素ラジカル種を供給することによって、Si-N及びNH結合でSi-H結合を置き換えることができる。今度はそれが、堆積したSiN膜内のSi-H結合の濃度を低減させる。より低いSi-H結合は、堆積したSiN膜内のより低い内在応力をもたらす。結果として、堆積したSiN膜は、改善された膜品質を伴って形成される。窒素ラジカル種を追加することによって、SiN膜の堆積速度を増加させることもできる。というのも、より多くのラジカル窒素種が、表面反応のためにプラズマ励起領域内に供給されるからである。
【００４９】
[0051] 以上の記述は本開示の実施態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく本開示の他の実施態様及び更なる実施態様が考案されてよく、本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。
【図１】
2020517103.tif 000005
【図２】
2020517103.tif 000006
【図３】
2020517103.tif 000007
【国際調査報告】
2020517103.tif 000008
2020517103.tif 000009