(57)【要約】  折り畳み式電子デバイスモジュールは、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ、約２０〜１４０ＧＰａの弾性率、並びに第１及び第２の主面を有する、ガラス含有カバー要素；スタックであって、（ａ）約０．０１〜１０ＧＰａの弾性率及び約５０〜２００μｍの厚さを有する中間層と、（ｂ）約１００〜２００μｍの厚さを有するフレキシブル基板と、を備えたスタック；並びに、スタックをカバー要素に接合し、かつ約０．００１〜１０ＧＰａの弾性率及び約５〜２５μｍの厚さを含む第１の接着剤を備えている。さらに、該モジュールは、ペン落下試験で衝撃を加えたときに、カバー要素の第１及び第２の主面において、それぞれ、約４１００ＭＰａ未満及び約８３００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含む。
2020537185.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、及び約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）前記中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
前記スタックを前記カバー要素の前記第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする、第１の接着剤
を備えており、
前記デバイスモジュールが、ペン落下試験で前記カバー要素に衝撃を加えたときに、前記カバー要素の前記第１の主面における約４１００ＭＰａ未満の引張応力及び前記カバー要素の前記第２の主面における約８３００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含み、前記中間層が約５ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率を含み、前記中間層が約１２５μｍ〜約２００μｍの厚さを含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【請求項２】
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、及び約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）前記中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
前記スタックを前記カバー要素の前記第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする、第１の接着剤
を備えており、
前記デバイスモジュールが、前記カバー要素の前記第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験で前記モジュールを曲げたときに、前記デバイスモジュールにおける約１１０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【請求項３】
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、及び約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）前記中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
前記スタックを前記カバー要素の前記第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする、第１の接着剤
を備えており、
前記デバイスモジュールが、前記カバー要素の前記第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験で前記モジュールを曲げたときに、前記カバー要素の前記第２の主面における約２００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【請求項４】
前記中間層が約０．０１ＧＰａ〜約５ＧＰａの弾性率を含む、請求項２又は３に記載のデバイスモジュール。
【請求項５】
前記中間層が約５０μｍ〜約１２５μｍの厚さを含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載のデバイスモジュール。
【請求項６】
前記フレキシブルデバイス基板がフレキシブル有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）基板であり、
前記第１の接着剤が、エポキシ、ウレタン、アクリレート、アクリル、スチレンコポリマー、ポリイソブチレン、ポリビニルブチラール、エチレン酢酸ビニル、ケイ酸ナトリウム、光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ）、感圧接着剤（ＰＳＡ）、高分子発泡体、天然樹脂、及び合成樹脂のうちの１つ以上を含み、
さらに、前記中間層が、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、酢酸酪酸セルロース、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル、スチレンメチルメタクリレート、ガラス繊維強化ポリマー（ＧＦＲＰ）、シリカ粒子、ジルコニア粒子、チタニア粒子、及びシリカゾルゲルのうちの１つ以上を含む、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のデバイスモジュール。
【請求項７】
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１４０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）前記中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
前記スタックを前記カバー要素の前記第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、
を備えており、
前記デバイスモジュールが、ペン落下試験で前記カバー要素への一連の衝撃に対して約６ｃｍ以上の平均ペン落下高さを特徴とする耐衝撃性を含み、前記デバイスモジュールが、ペン落下試験で前記カバー要素への一連の衝撃に対して約７．２ｃｍ以上の平均ペン落下高さを特徴とする耐衝撃性を含み、前記第１の接着剤が、約５μｍの厚さを有し、かつＵＶ硬化フォトポリマーを含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、その内容が依拠され、その全体がここに参照することによって本願に援用される、２０１７年１０月１１日出願の米国仮特許出願第６２／５７１，０２８号の米国法典第３５編特許法１１９条に基づく優先権の利益を主張する。
【技術分野】
【０００２】
本開示は、概して、折り畳み式電子デバイスモジュール及び物品に関する。より詳細には、本開示は、折り畳み式ディスプレイデバイス用途のためのガラス含有カバーを有する折り畳み式電子デバイスモジュールに関する。
【背景技術】
【０００３】
本来は伝統的に剛性の製品及び構成部品のフレキシブルなバージョンが、新しい用途のために概念化されている。例えば、フレキシブル電子デバイスは、曲面ディスプレイ及びウェアラブルデバイスなどの新しい用途のための機会を提供する、薄く、軽量でフレキシブルな特性を提供することができる。これらのフレキシブル電子デバイスの多くは、これらのデバイスの電子部品を保持し、取り付けるためのフレキシブル基板を組み込んでいる。金属箔には、熱安定性及び耐薬品性を含む幾つかの利点があるが、コストが高く、光透過性に欠けるという欠点がある。高分子箔には、低コスト及び耐衝撃性を含む幾つかの利点があるが、わずかな光透過性、熱安定性の欠如、気密性の制限、及び繰り返し疲労性能という欠点がある。
【０００４】
これらの電子デバイスの一部には、フレキシブル・ディスプレイを利用できるものもある。光透過性及び熱安定性は、フレキシブル・ディスプレイ用途にとって望ましい特性であることが多い。加えて、フレキシブル・ディスプレイは、特に、タッチスクリーン機能を備えているフレキシブル・ディスプレイ及び／又は折り畳み可能なフレキシブル・ディスプレイの場合に、小さい曲げ半径での破損に対する耐性を含む、高い疲労抵抗性及び穿刺抵抗性を備えている必要がある。さらには、フレキシブル・ディスプレイは、ディスプレイの意図される用途に応じて、消費者が容易に曲げたり折り畳んだりできるものでなければならない。
【０００５】
一部のフレキシブルガラス及びガラス含有材料は、フレキシブルで折り畳み可能な基板及びディスプレイ用途に多くの有益な特性を提供する。しかしながら、これらの用途のためにガラス材料を利用する努力には困難があった。概して、ガラス基板は、曲げ半径をさらに小さくするために、非常に薄い厚さレベル（＜２５μｍ）へと製造することができる。これらの「薄い」ガラス基板は、穿刺抵抗性の制限という欠点がある。同時に、より厚いガラス基板（＞１５０μｍ）は、優れた穿刺抵抗性を伴って製造することができるが、これらの基板は適切な耐疲労性及び曲げるときの機械的信頼性に欠ける。
【０００６】
さらには、これらのフレキシブルガラス材料は、電子部品（例えば、薄膜トランジスタ（「ＴＦＴ」）、タッチセンサなど）、追加の層（例えば、高分子電子デバイスパネル）、及び接着剤（例えば、エポキシ、光学的に透明な接着剤（「ＯＣＡ」））も含めた、モジュールのカバー要素として使用されることから、これらのさまざまな構成要素と要素との相互作用は、最終製品、例えば電子ディスプレイデバイス内のモジュールの使用中に存在する、ますます複雑な応力状態を生じる可能性がある。これらの複雑な応力状態は、カバー要素が受ける応力レベル及び／又は応力集中係数の増加につながりうる。このように、これらのカバー要素は、モジュール内の凝集及び／又は層間剥離の故障モードの影響を受けやすい場合がある。さらには、これらの複雑な相互作用は、消費者がカバー要素を曲げたり折り畳んだりするための曲げ力の増加につながりうる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、さまざまな電子デバイス用途、特にフレキシブルな電子ディスプレイデバイス用途、より具体的には折り畳み式ディスプレイデバイス用途で使用するために、これらの材料を使用するフレキシブルなガラス含有材料及びモジュール設計が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の第１の態様によれば、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；スタックであって、（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、（ｂ）約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、を備えたスタック；及び、該スタックをカバー要素の第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、を含む、折り畳み式電子デバイスモジュールが提供される。さらには、デバイスモジュールは、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに（後述するように）、カバー要素の第１の主面における約４１００ＭＰａ未満の引張応力及びカバー要素の第２の主面における約８３００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含む。デバイスモジュールはまた、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに、カバー要素の第１の主面における約３９００ＭＰａ未満の引張応力及びカバー要素の第２の主面における約７０００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性も含みうる。
【０００９】
本開示の第２の態様によれば、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；スタックであって、（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、（ｂ）約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、を備えたスタック；及び、該スタックをカバー要素の第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、を含む、折り畳み式電子デバイスモジュールが提供される。さらには、デバイスモジュールは、カバー要素の第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、デバイスモジュールにおける約１１０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を含む。デバイスモジュールはまた、カバー要素の第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、デバイスモジュールにおける約７０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗も含みうる。
【００１０】
本開示の第３の態様によれば、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；スタックであって、（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、（ｂ）約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、を備えたスタック；及び、該スタックをカバー要素の第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、を含む、折り畳み式電子デバイスモジュールが提供される。さらには、デバイスモジュールは、カバー要素の第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、カバー要素の第２の主面における約２００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を含む。デバイスモジュールはまた、カバー要素の第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、カバー要素の第２の主面における約１５０ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性も含みうる。
【００１１】
本開示の第４の態様によれば、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；スタックであって、（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１４０ＧＰａの中間層弾性率、及び約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、（ｂ）約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、を備えたスタック；及び、該スタックをカバー要素の第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする、第１の接着剤、を含む、折り畳み式電子デバイスモジュールが提供される。さらには、デバイスモジュールは、ペン落下試験でカバー要素への一連の衝撃に対して約６ｃｍ以上の平均ペン落下高さを特徴とする耐衝撃性を含む。デバイスモジュールはまた、ペン落下試験でカバー要素への一連の衝撃に対して約７．２ｃｍ以上の平均ペン落下高さを特徴とする耐衝撃性も含みうる。加えて、第１の接着剤は、約５μｍの厚さ及びＵＶ硬化フォトポリマーをさらに含みうる。
【００１２】
追加の特徴及び利点は、以下の詳細な説明に記載され、一部には、その説明から当業者に容易に明らかとなり、あるいは、以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付の図面を含めた本明細書に記載される実施形態を実施することによって認識されよう。例えば、以下の実施態様に従い、本明細書のさまざまな特徴を組み合わせることができる。
【００１３】
実施態様１．
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
スタックをカバー要素の第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、
を備えており、
デバイスモジュールが、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに、カバー要素の第１の主面における約４１００ＭＰａ未満の引張応力及びカバー要素の第２の主面における約８３００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【００１４】
実施態様２．
デバイスモジュールが、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに、カバー要素の第１の主面における約３９００ＭＰａ未満の引張応力及びカバー要素の第２の主面における約７０００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含む、実施態様１に記載のデバイスモジュール。
【００１５】
実施態様３．
中間層が約５ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率を含む、実施態様１又は実施態様２に記載のデバイスモジュール。
【００１６】
実施態様４．
デバイスモジュールが、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに、カバー要素の第１の主面における約３７００ＭＰａ未満の引張応力及びカバー要素の第２の主面における約５５００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含む、実施態様１〜３のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【００１７】
実施態様５．
中間層が約１２５μｍ〜約２００μｍの厚さを含む、実施態様１〜４のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【００１８】
実施態様６．
デバイスモジュールが、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに、カバー要素の第１の主面における約３６５０ＭＰａ未満の引張応力及びカバー要素の第２の主面における約６０００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含む、実施態様５に記載のデバイスモジュール。
【００１９】
実施態様７．
フレキシブルデバイス基板がフレキシブル有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）基板であり、
第１の接着剤が、エポキシ、ウレタン、アクリレート、アクリル、スチレンコポリマー、ポリイソブチレン、ポリビニルブチラール、エチレン酢酸ビニル、ケイ酸ナトリウム、光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ）、感圧接着剤（ＰＳＡ）、高分子発泡体、天然樹脂、及び合成樹脂のうちの１つ以上を含み、
さらに、中間層が、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、酢酸酪酸セルロース、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル、スチレンメチルメタクリレート、ガラス繊維強化ポリマー（ＧＦＲＰ）、シリカ粒子、ジルコニア粒子、チタニア粒子、及びシリカゾルゲルのうちの１つ以上を含む、
実施態様１〜６のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【００２０】
実施態様８．
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
スタックをカバー要素の第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、
を備えており、
デバイスモジュールが、カバー要素の第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、デバイスモジュールにおける約１１０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【００２１】
実施態様９．
デバイスモジュールが、カバー要素の第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、デバイスモジュールにおける７０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を含む、実施態様８に記載のデバイスモジュール。
【００２２】
実施態様１０．
中間層が約５０μｍ〜約１２５μｍの厚さを含む、実施態様８又は実施態様９に記載のデバイスモジュール。
【００２３】
実施態様１１．
デバイスモジュールが、カバー要素の第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、デバイスモジュールにおける約６０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を含む、実施態様１０に記載のデバイスモジュール。
【００２４】
実施態様１２．
中間層が約０．０１ＧＰａ〜約５ＧＰａの弾性率を含む、実施態様８〜１１のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【００２５】
実施態様１３．
デバイスモジュールが、カバー要素の第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、デバイスモジュールにおける約７０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を含む、実施態様１２に記載のデバイスモジュール。
【００２６】
実施態様１４．
フレキシブルデバイス基板がフレキシブル有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）基板であり、
第１の接着剤が、エポキシ、ウレタン、アクリレート、アクリル、スチレンコポリマー、ポリイソブチレン、ポリビニルブチラール、エチレン酢酸ビニル、ケイ酸ナトリウム、光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ）、感圧接着剤（ＰＳＡ）、高分子発泡体、天然樹脂、及び合成樹脂のうちの１つ以上を含み、
さらに、中間層が、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、酢酸酪酸セルロース、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル、スチレンメチルメタクリレート、ガラス繊維強化ポリマー（ＧＦＲＰ）、シリカ粒子、ジルコニア粒子、チタニア粒子、及びシリカゾルゲルのうちの１つ以上を含む、
実施態様８〜１１のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【００２７】
実施態様１５．
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
スタックをカバー要素の第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、
を備えており、
デバイスモジュールが、カバー要素の第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、カバー要素の第２の主面における約２００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【００２８】
実施態様１６．
デバイスモジュールが、カバー要素の第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、カバー要素の第２の主面における約１５０ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を含む、実施態様１５に記載のデバイスモジュール。
【００２９】
実施態様１７．
中間層が約０．０１ＧＰａ〜約５ＧＰａの弾性率を含む、実施態様１５又は実施態様１６に記載のデバイスモジュール。
【００３０】
実施態様１８．
デバイスモジュールが、カバー要素の第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、カバー要素の第２の主面における約１４０ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を含む、実施態様１７に記載のデバイスモジュール。
【００３１】
実施態様１９．
中間層が約５０μｍ〜約１２５μｍの厚さを含む、実施態様１５〜１８のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【００３２】
実施態様２０．
デバイスモジュールが、カバー要素の第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、カバー要素の第２の主面における約８０ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を含む、実施態様１９に記載のデバイスモジュール。
【００３３】
実施態様２１．
フレキシブルデバイス基板がフレキシブル有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）基板であり、
第１の接着剤が、エポキシ、ウレタン、アクリレート、アクリル、スチレンコポリマー、ポリイソブチレン、ポリビニルブチラール、エチレン酢酸ビニル、ケイ酸ナトリウム、光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ）、感圧接着剤（ＰＳＡ）、高分子発泡体、天然樹脂、及び合成樹脂のうちの１つ以上を含み、
さらに、中間層が、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、酢酸酪酸セルロース、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル、スチレンメチルメタクリレート、ガラス繊維強化ポリマー（ＧＦＲＰ）、シリカ粒子、ジルコニア粒子、チタニア粒子、及びシリカゾルゲルのうちの１つ以上を含む、
実施態様１５〜２０のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【００３４】
実施態様２２．
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１４０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
スタックをカバー要素の第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、
を備えており、
デバイスモジュールが、ペン落下試験でカバー要素への一連の衝撃に対して約６ｃｍ以上の平均ペン落下高さを特徴とする耐衝撃性を含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【００３５】
実施態様２３．
デバイスモジュールが、ペン落下試験でカバー要素への一連の衝撃に対して約７．２ｃｍ以上の平均ペン落下高さを特徴とする耐衝撃性を含む、実施態様２２に記載のデバイスモジュール。
【００３６】
実施態様２４．
第１の接着剤が、約５μｍの厚さを有し、かつＵＶ硬化フォトポリマーを含む、実施態様２２又は実施態様２３に記載のデバイスモジュール。
【００３７】
前述の概要及び後述する詳細な説明はいずれも、単なる例示であり、特許請求の範囲の性質及び特徴を理解するための概観又は枠組みを提供することが意図されていることが理解されるべきである。添付の図面は、さらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれて、その一部を構成する。図面は、１つ以上の実施形態を例証しており、その説明とともに、さまざまな実施形態の原理及び動作を説明する役割を担う。本明細書で使用される方向用語（例えば、上、下、右、左、前、後、上部、底部）は、描かれた図を参照してのみ作られており、絶対的な方向を意味することは意図していない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本開示の幾つかの態様による折り畳み式電子デバイスモジュールの断面図
【図２Ａ】本開示の幾つかの態様による、曲げ抵抗及び曲げ応力耐性を測定するための２点曲げ試験装置における、曲がっていない構成の折り畳み式電子デバイスモジュールを示す図
【図２Ｂ】本開示の幾つかの態様による、曲げ抵抗及び曲げ応力耐性を測定するための２点曲げ試験装置における、曲がっている構成の折り畳み式電子デバイスモジュールを示す図
【図３】本開示の幾つかの態様による、耐衝撃性を測定するためのペン落下試験装置における折り畳み式電子デバイスモジュールを示す図
【図４Ａ】本開示の幾つかの態様による、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに折り畳み式電子デバイスモジュールのカバー要素の第１の主面に生成した、シミュレーションされた引張応力の周辺平均値
【図４Ｂ】本開示の幾つかの態様による、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに折り畳み式電子デバイスモジュールのカバー要素の第１の主面に生成した、シミュレーションされた引張応力のパレート図
【図４Ｃ】本開示の幾つかの態様による、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに折り畳み式電子デバイスモジュールのカバー要素の第２の主面に生成した、シミュレーションされた引張応力の周辺平均値
【図４Ｄ】本開示の幾つかの態様による、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに折り畳み式電子デバイスモジュールのカバー要素の第２の主面に生成した、シミュレーションされた引張応力のパレート図
【図５Ａ】カバー要素の第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、本開示の幾つかの態様による、折り畳み式電子デバイスモジュールのカバー要素の第１の主面に生成した、シミュレーションされた曲げ力の周辺平均値
【図５Ｂ】カバー要素の第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、本開示の幾つかの態様による、折り畳み式電子デバイスモジュールのカバー要素の第１の主面に生成した、シミュレーションされた曲げ力のパレート図
【図６Ａ】本開示の幾つかの態様による、２点曲げ試験でカバー要素を曲げたときに、折り畳み式電子デバイスモジュールのカバー要素の第２の主面に生成した、シミュレーションされた引張応力の周辺平均値
【図６Ｂ】本開示の幾つかの態様による、２点曲げ試験でカバー要素を曲げたときに、折り畳み式電子デバイスモジュールのカバー要素の第２の主面に生成した、シミュレーションされた引張応力のパレート図
【図７Ａ】本開示の態様による、ペン落下試験で試験した、折り畳み式電子デバイスモジュール及び比較デバイスモジュールについての平均ペン落下高さのプロット
【図７Ｂ】本開示の態様による、ペン落下試験で試験した、折り畳み式電子デバイスモジュール及び比較デバイスモジュールについての平均ペン落下高さのプロット
【図７Ｃ】本開示の態様による、ペン落下試験で試験した、折り畳み式電子デバイスモジュール及び比較デバイスモジュールについての平均ペン落下高さのプロット
【発明を実施するための形態】
【００３９】
これより、その例が添付の図面に示される、特許請求の範囲に従う実施形態について、詳細に説明する。可能な場合はいつでも、同一又は類似した部分についての言及には、図面全体を通して同じ参照番号が用いられる。本明細書では、範囲は、「約」１つの特定の値から、及び／又は「約」別の特定の値までとして表現することができる。このような範囲が表現される場合、別の実施形態は、その１つの特定の値から及び／又は他方の特定の値までを含む。同様に、例えば先行詞「約」の使用によって、値が近似値として表される場合、その特定の値は別の実施形態を形成することが理解されよう。明細書の範囲の数値又は端点が「約」を記載しているかどうかにかかわらず、範囲の数値又は端点は、「約」によって修飾されたものと、されていないものの２つの実施形態を含むことが意図されている。さらには、範囲の各々の端点は、他の端点に関連して、及び他の端点とは独立してのいずれにおいても重要であることが理解されよう。
【００４０】
本明細書で使用される用語「実質的な」、「実質的に」、及びそれらの変形は、記載された特徴が値又は説明に等しい又はほぼ等しいことを示すことが意図されている。例えば、「実質的に平坦な」表面は、平坦又はほぼ平坦な表面を示すことが意図されている。さらには、「実質的に」は、２つの値が等しいかほぼ等しいことを示すことが意図されている。幾つかの実施形態では、「実質的に」は、互いの約１０％以内、例えば、互いの約５％以内、又は互いの約２％以内などの値を意味しうる。
【００４１】
他の機能及び利点の中でもとりわけ、本開示の折り畳み式電子デバイスモジュール及び物品は、耐衝撃性、制限された曲げ抵抗（すなわち、消費者がデバイスを曲げるのが容易である）、及び曲げ応力耐性を提供し、これらはすべて、小さい曲げ半径での機械的信頼性（例えば、静的な張力及び疲労）と穿刺抵抗性に貢献することができる。機械的信頼性に関して、本開示の折り畳み式モジュールは、それらのガラス含有カバー要素の不具合を回避するように構成される。小さい曲げ半径及び穿刺抵抗性の能力は、曲げ可能なモジュールが、例えば、ディスプレイの一部がディスプレイの別の部分の上に折り返されるような、折り畳み式電子デバイスディスプレイで使用される場合に有益である。例えば、折り畳み式デバイスモジュールは、次のうちの１つ以上として使用することができる：穿刺抵抗性が特に望ましい箇所である、折り畳み式電子ディスプレイデバイスのユーザーに面する部分のカバー；電子部品が配置される、デバイス自体の内部に配置される基板モジュール；又は、折り畳み式電子ディスプレイデバイスの他の箇所。あるいは、本開示の折り畳み式モジュールはディスプレイを有しないデバイスで使用することができるが、ガラス又はガラス含有層は、その有益な特性のために使用され、折り畳み式ディスプレイと同様の方法で、狭い曲げ半径へと、折り曲げ又は他の方法で曲げられる。穿刺抵抗性は、折り畳み式モジュールがデバイスの外側において、ユーザーが操作する箇所に使用される場合に、特に有益である。さらにまた、これらのデバイスモジュール及び物品のある特定の構成を折り畳むか又は他の方法で曲げる、比較的低い曲げ力は、これらのモジュール及び物品が手動の曲げを含む用途（例えば、折り畳み式の財布のような形態のフレキシブル・ディスプレイデバイス）で使用される場合に特に有益である。
【００４２】
より具体的には、本開示の折り畳み式電子デバイスモジュールは、モジュール内で使用されるカバー要素、接着剤、及び中間層の材料特性及び厚さの制御を通じて、前述の利点の一部又はすべてを得ることができる。例えば、これらの折り畳み式モジュールは、中間層の厚さの増加、中間層の弾性率の増加、及び／又は第１の接着剤の弾性率の増加による、カバー要素の主面における引張応力の減少及び／又はペン落下試験で測定される平均ペン落下高さの増加を特徴とする、強化された耐衝撃性を示すことができる。これらの折り畳み式モジュールは、中間層の厚さ及び／又は弾性率の減少による、２点曲げ試験で測定される曲げ力の低下を特徴とする、強化された曲げ抵抗も示すことができる。加えて、これらの折り畳み式モジュールは、中間層の厚さ及び／又は弾性率の増加による、２点曲げ試験で測定されたカバー要素の第２の主面における引張応力の減少を特徴とする、強化された曲げ応力耐性を示すことができる。これらの低い引張応力、曲げ抵抗、及びペン落下高さ性能の向上は、特にモジュールが用途主導型の曲げ及び／又は衝撃の進展に供されるときのカバー要素の破壊抵抗に関して、モジュールの信頼性の向上につながりうる。さらには、本開示の実施形態及び概念は、カバー要素の主面での引張応力を低減し、モジュールを曲げる際の曲げ力を低減し、かつ破壊前の平均ペン落下高さを増加する、折り畳み式電子デバイスモジュールを設計する当業者に枠組みを提供するものであり、これらのすべてが、曲げと折り畳みの進展の程度及び量が異なるさまざまな用途に使用するためのこれらのモジュールの信頼性、製造性、及び適合性に貢献することができる。
【００４３】
図１を参照すると、カバー要素５０、第１の接着剤１０ａ、スタック９０ａ、中間層７５、電子デバイス１０２、及びフレキシブル電子デバイス基板６０を備えた、本開示の幾つかの態様による折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａが示されている。カバー要素５０は、厚さ５２、第１の主面５４、及び第２の主面５６を有する。厚さ５２は、約２５μｍ〜約２００μｍ、例えば、約２５μｍ〜約１７５μｍ、約２５μｍ〜約１５０μｍ、約２５μｍ〜約１２５μｍ、約２５μｍ〜約１００μｍ、約２５μｍ〜約７５μｍ、約２５μｍ〜約５０μｍ、約５０μｍ〜約１７５μｍ、約５０μｍ〜約１５０μｍ、約５０μｍ〜約１２５μｍ、約５０μｍ〜約１００μｍ、約５０μｍ〜約７５μｍ、約７５μｍ〜約１７５μｍ、約７５μｍ〜約１５０μｍ、約７５μｍ〜約１２５μｍ、約７５μｍ〜約１００μｍ、約１００μｍ〜約１７５μｍ、約１００μｍ〜約１５０μｍ、約１００μｍ〜約１２５μｍ、約１２５μｍ〜約１７５μｍ、約１２５μｍ〜約１５０μｍ、及び、約１５０μｍ〜約１７５μｍの範囲でありうる。他の態様では、厚さ５２は、約２５μｍ〜１５０μｍ、約５０μｍ〜１００μｍ、又は約６０μｍ〜８０μｍの範囲でありうる。カバー要素５０の厚さ５２は、前述の範囲及び値の間の他の厚さに設定することもできる。
【００４４】
図１に示される折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａは、約２０ＧＰａ〜１４０ＧＰａのカバー要素弾性率、例えば、約２０ＧＰａ〜約１２０ＧＰａ、約２０ＧＰａ〜約１００ＧＰａ、約２０ＧＰａ〜約８０ＧＰａ、約２０ＧＰａ〜約６０ＧＰａ、約２０ＧＰａ〜約４０ＧＰａ、約４０ＧＰａ〜約１２０ＧＰａ、約４０ＧＰａ〜約１００ＧＰａ、約４０ＧＰａ〜約８０ＧＰａ、約４０ＧＰａ〜約６０ＧＰａ、約６０ＧＰａ〜約１２０ＧＰａ、約６０ＧＰａ〜約１００ＧＰａ、約６０ＧＰａ〜約８０ＧＰａ、約８０ＧＰａ〜約１２０ＧＰａ、約８０ＧＰａ〜約１００ＧＰａ、及び約１００ＧＰａ〜約１２０ＧＰａのカバー要素弾性率を有するカバー要素５０を備える。カバー要素５０は、ガラス組成を有する構成要素とすることができ、あるいは、ガラス組成を有する少なくとも１つの構成要素を含むことができる。後者の場合には、カバー要素５０はガラス含有材料を含む１つ以上の層を含むことができ、例えば、要素５０は、ポリマーマトリックス内の第２相ガラス粒子で構成されたポリマー／ガラス複合体でありうる。幾つかの態様では、カバー要素５０は、約５０ＧＰａ〜約１００ＧＰａの弾性率、又はこれらの限界値間の任意の弾性率値によって特徴付けられるガラス要素である。他の態様では、カバー要素弾性率は、約２０ＧＰａ、３０ＧＰａ、４０ＧＰａ、５０ＧＰａ、６０ＧＰａ、７０ＧＰａ、８０ＧＰａ、９０ＧＰａ、１００ＧＰａ、１１０ＧＰａ、１２０ＧＰａ、１３０ＧＰａ、１４０ＧＰａ、又はこれらの間の任意の弾性率値である。
【００４５】
図１に示される折り畳み式モジュール１００ａのある特定の態様では、カバー要素５０はガラス層を含むことができる。他の態様では、カバー要素５０は、２つ以上のガラス層を含むことができる。このように、厚さ５２は、カバー要素５０を構成する個々のガラス層の厚さの合計を反映する。カバー要素５０が２つ以上の個々のガラス層を含むそれらの態様では、個々のガラス層のそれぞれの厚さは１μｍ以上である。例えば、モジュール１００ａに用いられるカバー要素５０は、該カバー要素５０の厚さ５２が約２４μｍになるように、それぞれ約８μｍの厚さを有する３つのガラス層を含むことができる。しかしながら、カバー要素５０は、複数のガラス層の間に挟まれた他の非ガラス層（例えば、コンプライアントポリマー層）を含みうることもまた理解されるべきである。モジュール１００ａの他の実装形態では、カバー要素５０は、ガラス含有材料を含む１つ以上の層を含むことができ、例えば、要素５０は、ポリマーマトリックス中の第２相ガラス粒子で構成されたポリマー／ガラス複合体でありうる。
【００４６】
図１では、ガラス材料を含むカバー要素５０を備えた折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａは、無アルカリアルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、ホウアルミノケイ酸塩、及びケイ酸塩ガラス組成物から製造することができる。カバー要素５０は、アルカリ含有アルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、ホウアルミノケイ酸塩、及びケイ酸塩ガラス組成物から製造することもできる。ある特定の態様では、アルカリ土類改質剤を、カバー要素５０のための前述の組成物のいずれかに加えることができる。幾つかの態様では、以下に従うガラス組成は、１つ以上のガラス層を有するカバー要素５０に適している：５０〜７５％のＳｉＯ２（モル％で）；５〜２０％のＡｌ２Ｏ３；８〜２３％のＢ２Ｏ３；０．５〜９％のＭｇＯ；１〜９％のＣａＯ；０〜５％のＳｒＯ；０〜５％のＢａＯ；０．１〜０．４％のＳｎＯ２；０〜０．１％のＺｒＯ２；並びに、０〜１０％のＮａ２Ｏ、０〜５％のＫ２Ｏ、及び０〜１０％のＬｉ２Ｏ。幾つかの態様では、以下によるガラス組成は、１つ以上のガラス層を有するカバー要素５０に適している：６４〜６９％のＳｉＯ２（モル％で）；５〜１２％のＡｌ２Ｏ３；８〜２３％のＢ２Ｏ３；０．５〜２．５％のＭｇＯ；１〜９％のＣａＯ；０〜５％のＳｒＯ；０〜５％のＢａＯ；０．１〜０．４％のＳｎＯ２；０〜０．１％のＺｒＯ２；及び、０〜１％のＮａ２Ｏ。他の態様では、次の組成はカバー要素５０に適している：約６７．４％のＳｉＯ２（モル％で）；約１２．７％のＡｌ２Ｏ３；約３．７％のＢ２Ｏ３；約２．４％のＭｇＯ；０％のＣａＯ；０％のＳｒＯ；約０．１％のＳｎＯ２；及び、約１３．７％のＮａ２Ｏ。さらなる態様では、次の組成もまたカバー要素５０に用いられるガラス層に適している：６８．９％のＳｉＯ２（モル％で）；１０．３％のＡｌ２Ｏ３；１５．２％のＮａ２Ｏ；５．４％のＭｇＯ；及び、０．２％のＳｎＯ２。他の態様では、カバー要素５０には次のガラス組成（「ガラス１」）を使用することができる：約６４％のＳｉＯ２（モル％で）；約１６％のＡｌ２Ｏ３；約１１モル％のＮａ２Ｏ；約６モル％のＬｉ２Ｏ；約１モル％のＺｎＯ；及び、約２％のＰ２Ｏ５。さらなる態様では、次の組成もまたカバー要素５０に用いられるガラス層に適している：６８．９％のＳｉＯ２（モル％で）；１０．３％のＡｌ２Ｏ３；１５．２％のＮａ２Ｏ；５．４％のＭｇＯ；及び、０．２％のＳｎＯ２。限定はしないが、傷の混入を最小限に抑えつつ薄い厚さレベルに製造することの容易さ；曲げ中に発生する引張応力を相殺するための圧縮応力領域の発達の容易さ；光透過性；及び、耐食性を含む、さまざまな基準を使用して、ガラス材料を含むカバー要素５０の組成を選択することができる。
【００４７】
折り畳み式モジュール１００ａに用いられるカバー要素５０は、さまざまな物理的形態及び形状を採用することができる。断面の観点から、要素５０は、単層又は多層として、平坦又は平面でありうる。幾つかの態様では、要素５０は、最終用途に応じて、非直線のシート状の形態で製造することができる。一例として、楕円形のディスプレイ及びベゼルを有するモバイルディスプレイデバイスには、概ね楕円形のシート状の形態を有するカバー要素５０を使用することができる。
【００４８】
再び図１を参照すると、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａは、約１００μｍ〜６００μｍの厚さ９２ａを有するスタック９０ａ；及び、該スタック９０ａをカバー要素５０の第２の主面５６に接合するように構成された第１の接着剤１０ａをさらに含み、該第１の接着剤１０ａは、厚さ１２ａと、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率、例えば、約０．００１ＧＰａ〜約８ＧＰａ、約０．００１ＧＰａ〜約６ＧＰａ、約０．００１ＧＰａ〜約４ＧＰａ、約０．００１ＧＰａ〜約２ＧＰａ、約０．００１ＧＰａ〜約１ＧＰａ、約０．０１ＧＰａ〜約８ＧＰａ、約０．０１ＧＰａ〜約６ＧＰａ、約０．０１ＧＰａ〜約４ＧＰａ、約０．０１ＧＰａ〜約２ＧＰａ、約０．１ＧＰａ〜約８ＧＰａ、約０．１ＧＰａ〜約６ＧＰａ、約０．１ＧＰａ〜約４ＧＰａ、約０．２ＧＰａ〜約８ＧＰａ、約０．２ＧＰａ〜約６ＧＰａ、及び、約０．５ＧＰａ〜約８ＧＰａの弾性率とを特徴とする。折り畳み式モジュール１００ａの第１の態様の幾つかの実装形態によれば、第１の接着剤１０ａは、約０．００１ＧＰａ、０．００２ＧＰａ、０．００３ＧＰａ、０．００４ＧＰａ、０．００５ＧＰａ、０．００６ＧＰａ、０．００７ＧＰａ、０．００８ＧＰａ、０．００９ＧＰａ、０．０１ＧＰａ、０．０２ＧＰａ、０．０３ＧＰａ、０．０４ＧＰａ、０．０５ＧＰａ、０．１ＧＰａ、０．２ＧＰａ、０．３ＧＰａ、０．４ＧＰａ、０．５ＧＰａ、０．６ＧＰａ、０．７ＧＰａ、０．８ＧＰａ、０．９ＧＰａ、１ＧＰａ、２ＧＰａ、３ＧＰａ、４ＧＰａ、５ＧＰａ、６ＧＰａ、７ＧＰａ、８ＧＰａ、９ＧＰａ、１０ＧＰａの弾性率、又はこれらの弾性率値の間の任意の値又は範囲の弾性率を特徴とする。折り畳み式モジュール１００ａの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の接着剤の弾性率と比較して、例えば約１ＧＰａ〜約１０ＭＰａの比較的高い弾性率を有する接着剤１０ａを組み込む。比較的高い弾性率値を有するこのような接着剤１０ａの使用により、ペン落下試験で測定された平均ペン落下高さの増加で明示されるように、衝撃に対する耐性が予想外に向上する。
【００４９】
再び図１に示される折り畳み式モジュール１００ａを参照すると、第１の接着剤１０ａは、約５μｍ〜約６０μｍの厚さ１２ａ、例えば、約５μｍ〜約５０μｍ、約５μｍ〜約４０μｍ、約５μｍ〜約３０μｍ、約５μｍ〜約２０μｍ、約５μｍ〜約１５μｍ、約５μｍ〜約１０μｍ、約１０μｍ〜約６０μｍ、約１５μｍ〜約６０μｍ、約２０μｍ〜約６０μｍ、約３０μｍ〜約６０μｍ、約４０μｍ〜約６０μｍ、約５０μｍ〜約６０μｍ、約５５μｍ〜約６０μｍ、約１０μｍ〜約５０μｍ、約１０μｍ〜約４０μｍ、約１０μｍ〜約３０μｍ、約１０μｍ〜約２０μｍ、約１０μｍ〜約１５μｍ、約２０μｍ〜約５０μｍ、約３０μｍ〜約５０μｍ、約４０μｍ〜約５０μｍ、約２０μｍ〜約４０μｍ、及び、約２０μｍ〜約３０μｍの厚さ１２ａによって特徴付けられる。他の実施形態は、約５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍ、５０μｍ、５５μｍ、６０μｍ、又はこれらの厚さの値の間の任意の厚さ範囲又は値の厚さ１２ａを特徴とする、第１の接着剤１０ａを有する。幾つかの態様では、第１の接着剤１０ａの厚さ１２ａは約５μｍ〜２５μｍである。折り畳み式モジュール１００ａの幾つかの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の接着剤の厚さに比べて、例えば約５μｍ〜約１０μｍの比較的薄い厚さを有する接着剤１０ａを組み込む。比較的薄い厚さ値を有するこのような接着剤１０ａの使用により、ペン落下試験で測定された平均ペン落下高さの増加で明示されるように、衝撃に対する耐性は予想外に向上する。
【００５０】
図１に示される折り畳み式モジュール１００ａの幾つかの実施形態では、第１の接着剤１０ａは、さらに、約０．１〜約０．５のポアソン比、例えば、約０．１〜約０．４５、約０．１〜約０．４、約０．１〜約０．３５、約０．１〜約０．３、約０．１〜約０．２５、約０．１〜約０．２、約０．１〜約０．１５、約０．２〜約０．４５、約０．２〜約０．４、約０．２〜約０．３５、約０．２〜約０．３、約０．２〜約０．２５、約０．２５〜約０．４５、約０．２５〜約０．４、約０．２５〜約０．３５、約０．２５〜約０．３、約０．３〜約０．４５、約０．３〜約０．４、約０．３〜約０．３５、約０．３５〜約０．４５、約０．３５〜約０．４、及び、約０．４〜約０．４５のポアソン比を特徴とする。他の実施形態は、約０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５のポアソン比、若しくはこれらの値の間の任意のポアソン比又は範囲のポアソン比を特徴とする第１の接着剤１０ａを含む。幾つかの態様では、第１の接着剤１０ａのポアソン比は約０．１〜約０．２５である。
【００５１】
上記のように、図１に示される折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａは、ある特定の材料特性（例えば、約０．００１ＧＰａ〜１０ＧＰａの弾性率）を有する接着剤１０ａを含む。モジュール１００ａの接着剤１０ａとして使用可能な例となる接触剤には、光学的に透明な接着剤（「ＯＣＡ」）（例えば、Ｈｅｎｋｅｌ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ＬＯＣＴＩＴＥ（登録商標）液体ＯＣＡ）、エポキシ、及びスタック９０ａ（例えば、中間層７５及びフレキシブル電子デバイス基板６０）をカバー要素５０の第２の主面５６に接合するのに適した当業者に理解される他の接合材料が含まれる。モジュール１００ａの接着剤１０ａとして使用可能な他の例となる接触剤には、エポキシ、ウレタン、アクリレート、アクリル、スチレンコポリマー、ポリイソブチレン、ポリビニルブチラール、エチレン酢酸ビニル、ケイ酸ナトリウム、光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ）、感圧接着剤（ＰＳＡ）、高分子発泡体、天然樹脂、及び合成樹脂のうちの１つ以上が含まれる。
【００５２】
再び図１を参照すると、折り畳み式モジュール１００ａのスタック９０ａはさらに、第１及び第２の主面６４、６６、厚さ６２、並びに、約３００ＭＰａ〜約１０ＧＰａのデバイス基板弾性率、例えば、約３００ＭＰａ〜８０００ＭＰａ、約３００ＭＰａ〜６０００ＭＰａ、約３００ＭＰａ〜４０００ＭＰａ、約３００ＭＰａ〜２０００ＭＰａ、約３００ＭＰａ〜１０００ＭＰａ、約３００ＭＰａ〜５００ＭＰａ、約５００ＭＰａ〜８０００ＭＰａ、約５００ＭＰａ〜６０００ＭＰａ、約５００ＭＰａ〜４０００ＭＰａ、約５００ＭＰａ〜２０００ＭＰａ、約５００ＭＰａ〜１０００ＭＰａ、約１０００ＭＰａ〜８０００ＭＰａ、約１０００ＭＰａ〜６０００ＭＰａ、約１０００ＭＰａ〜４０００ＭＰａ、約１０００ＭＰａ〜２０００ＭＰａ、約２０００ＭＰａ〜８０００ＭＰａ、約２０００ＭＰａ〜６０００ＭＰａ、約２０００ＭＰａ〜４０００ＭＰａ、約４０００ＭＰａ〜８０００ＭＰａ、約４０００ＭＰａ〜６０００ＭＰａ、及び、約６０００ＭＰａ〜８０００ＭＰａの弾性率、若しくは前述の間の任意の弾性率値又は範囲のデバイス基板弾性率を有する、フレキシブル電子デバイス基板６０（例えば、ＯＬＥＤ含有基板）を含む。さらには、折り畳み式モジュール１００ａの実施形態では、基板６０は、約２５μｍ〜約２００μｍ、例えば、約２５μｍ〜約１９０μｍ、約２５μｍ〜約１８０μｍ、約２５μｍ〜約１７０μｍ、約２５μｍ〜約１６０μｍ、約２５μｍ〜約１５０μｍ、約２５μｍ〜約１４０μｍ、約２５μｍ〜約１３０μｍ、約２５μｍ〜約１２０μｍ、約２５μｍ〜約１１０μｍ、約２５μｍ〜約１０５μｍ、約２５μｍ〜約９５μｍ、約２５μｍ〜約８５μｍ、約２５μｍ〜約７５μｍ、約２５μｍ〜約６５μｍ、約２５μｍ〜約５５μｍ、約２５μｍ〜約４５μｍ、約１００μｍ〜約２００μｍ、例えば、約１００μｍ〜約１９０μｍ、約１００μｍ〜約１８０μｍ、約１００μｍ〜約１７０μｍ、約１００μｍ〜約１６０μｍ、約１００μｍ〜約１５０μｍ、約１００μｍ〜約１４０μｍ、約１００μｍ〜約１３０μｍ、約１００μｍ〜約１２０μｍ、約１００μｍ〜約１１０μｍ、約１００μｍ〜約１０５μｍの厚さ６２、又はこれらの厚さ範囲の間の任意の厚さ又は厚さ範囲の厚さ６２を有する。
【００５３】
モジュール１００ａの基板６０として使用することができる適切な材料には、電子デバイス１０２の取り付けに適しており、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａに関連する、曲げに供したときに高い機械的完全性及び柔軟性を有する、例えばポリイミドなどのさまざまな熱硬化性及び熱可塑性材料が含まれる。例えば、基板６０は有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）ディスプレイパネルでありうる。基板６０用に選択された材料はまた、モジュール１００ａの適用環境及び／又はその処理条件に関連する材料特性の変化及び／又は劣化に抵抗する高い熱安定性を示すこともできる。
【００５４】
図１に示される折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａのスタック９０ａはまた、フレキシブル電子デバイス基板６０に結合された１つ以上の電子デバイス１０２も含むことができる。これらの電子デバイス１０２は、例えば、従来のＯＬＥＤ含有ディスプレイデバイスに用いられる従来の電子デバイスである。例えば、スタック９０ａの基板６０は、タッチセンサ、偏光子などの形態及び構造をした１つ以上の電子デバイス１０２、並びに他の電子デバイスを、これらのデバイスを基板６０に接合するための接着剤又は他の化合物とともに含むことができる。さらには、電子デバイス１０２は、基板６０内及び／又はその主面６４、６６の１つ以上の上に配置することができる。また図１にも示されているように、スタック９０ａはスタック要素７５を含むこともできる。スタック要素７５は、その最終用途に応じて、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａに関連するさまざまな特徴を含むことができる。
【００５５】
再び図１を参照すると、折り畳み式モジュール１００ａのスタック９０ａは、中間層の厚さ７６を有する中間層７５をさらに含む。中間層７５は、さらに、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａ、例えば、約０．０１ＧＰａ〜約８ＧＰａ、約０．０１ＧＰａ〜約６ＧＰａ、約０．０１ＧＰａ〜約４ＧＰａ、約０．０１ＧＰａ〜約２ＧＰａ、約０．１ＧＰａ〜約８ＧＰａ、約０．１ＧＰａ〜約６ＧＰａ、約０．１ＧＰａ〜約４ＧＰａ、約０．２ＧＰａ〜約８ＧＰａ、約０．２ＧＰａ〜約６ＧＰａ、約０．５ＧＰａ〜約８ＧＰａの弾性率、又はこれらの範囲の間の任意の弾性率値又は範囲を特徴とする。折り畳み式モジュール１００ａの幾つかの態様によれば、中間層７５は、約０．０１ＧＰａ、０．０２ＧＰａ、０．０３ＧＰａ、０．０４ＧＰａ、０．０５ＧＰａ、０．０６ＧＰａ、０．０７ＧＰａ、０．０８ＧＰａ、０．０９ＧＰａ、０．１ＧＰａ、０．２ＧＰａ、０．３ＧＰａ、０．４ＧＰａ、０．５ＧＰａ、０．６ＧＰａ、０．７ＧＰａ、０．８ＧＰａ、０．９ＧＰａ、１ＧＰａ、２ＧＰａ、３ＧＰａ、４ＧＰａ、５ＧＰａ、６ＧＰａ、７ＧＰａ、８ＧＰａ、９ＧＰａ、１０ＧＰａの弾性率、若しくは、これらの弾性率値の間の任意の量又は量範囲の弾性率を特徴とする。実施形態では、中間層７５は、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、酢酸酪酸セルロース、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル、スチレンメチルメタクリレート、ガラス繊維強化ポリマー（ＧＦＲＰ）、シリカ粒子、ジルコニア粒子、チタニア粒子、及びシリカゾルゲルのうちの１つ以上を含みうる。
【００５６】
折り畳み式モジュール１００ａの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の弾性率と比較して、例えば約５ＧＰａ〜約１０ＭＰａの比較的高い弾性率を有する中間層７５を組み込む。比較的高い弾性率値を有するこのような中間層７５の使用により、ペン落下試験でカバー要素５０に衝撃が加わったときに、カバー要素５０の主面５４、５６で観察される引張応力の減少に明示されるように、衝撃に対する耐性が予想外に向上する。折り畳み式モジュール１００ａの他の態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の弾性率と比較して、例えば約０．０１ＧＰａ〜約５ＧＰａの比較的低い弾性率を有する中間層７５を組み込む。比較的低い弾性率値を有するこのような中間層７５の使用により、２点曲げ試験でモジュール１００ａを曲げるときの曲げ力の減少に明示されるように、曲げに対する耐性が予想外に向上する。さらなる折り畳み式モジュール１００ａの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の弾性率と比較して、例えば約５ＧＰａ〜約１０ＧＰａの比較的高い弾性率を有する中間層７５を組み込む。比較的高い弾性率値を有するこのような中間層７５の使用により、２点曲げ試験においてモジュール１００ａを曲げたときにカバー要素５０の主面５６で観察される引張応力の減少に明示されるように、曲げ応力耐性が予想外に向上する。
【００５７】
再び図１を参照すると、折り畳み式モジュール１００ａのスタック９０ａは、中間層の厚さ７６を有する中間層７５をさらに含む。中間層７５は、約５０μｍ〜約２００μｍ、例えば、約５０μｍ〜約１７５μｍ、約５０μｍ〜約１５０μｍ、約５０μｍ〜約１２５μｍ、約５０μｍ〜約１００μｍ、約５０μｍ〜約７５μｍ、約７５μｍ〜約１７５μｍ、約７５μｍ〜約１５０μｍ、約７５μｍ〜約１２５μｍ、約７５μｍ〜約１００μｍ、約１００μｍ〜約１７５μｍ、約１００μｍ〜約１５０μｍ、約１００μｍ〜約１２５μｍ、約１２５μｍ〜約１７５μｍ、約１２５μｍ〜約１５０μｍ、及び、約１５０μｍ〜約１７５μｍの範囲でありうる厚さ７６によってさらに特徴付けることができる。他の態様では、中間層７５の厚さ７６は、約５０μｍ〜２００μｍ、約７５μｍ〜１７５μｍ、又は約１００μｍ〜１５０μｍの範囲でありうる。中間層７５の厚さ７６は、他の厚さ又は前述の範囲の間の厚さ範囲に設定することもできる。
【００５８】
折り畳み式モジュール１００ａの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の厚さと比較して、例えば約１２５μｍ〜約２００μｍの比較的厚い厚さ７６を有する中間層７５を組み込む。比較的高い厚さ７６値を有するこのような中間層７５の使用により、ペン落下試験でカバー要素５０に衝撃が加わったときに、カバー要素５０の主面５４、５６で観察される引張応力の減少に明示されるように、衝撃に対する耐性が予想外に向上する。折り畳み式モジュール１００ａの他の態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の厚さと比較して、約５０μｍ〜約１２５μｍの比較的薄い厚さ７６を有する中間層７５を組み込むことができる。比較的薄い厚さ７６値を有するこのような中間層７５の使用により、２点曲げ試験においてモジュール１００ａを曲げたときにカバー要素５０の主面５４、５６で観察される曲げ力及び／又は引張応力の減少に明示されるように、曲げに対する耐性及び／又は曲げ抵抗が予想外に向上する。
【００５９】
図２Ａ及び２Ｂを参照すると、本開示の幾つかの態様による、２点曲げ試験装置２００における、それぞれ、曲がっていない構成及び曲がっている構成の折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａ（図１参照）が示されている。折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａに関連する特徴の幾つかは、明確にするために、図２Ａ及び２Ｂには示されていないことが理解されるべきである。図２Ａでは、モジュール１００ａは、二点試験装置２００内の曲がっていない構成で示されている（試験装置２００を示す図２Ｂを参照）。
【００６０】
本明細書で用いられる場合、「２点曲げ試験」又は「２点抗折試験」は、図２Ａ及び２Ｂに示される試験装置２００を用いて行われ、２つの垂直プレート２５０が一定の曲げ力Ｆｂｅｎｄでモジュール１００ａに対して内側に押される。試験装置２００に関連する固定具（図示せず）は、Ｆｂｅｎｄ力がプレート２５０を介してモジュールに印加されたときに、モジュールが上向きに凹む方向に曲げられることを確実にする。図２Ｂを参照すると、プレート２５０は、特定の曲げ半径２２０が達成されるまで一緒に一斉に動かされる。概して、曲げ半径２２０は、プレート２５０間の距離Ｄの約半分である。前述のように、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａは、２点装置２００のモジュールを、第１の主面５４が圧縮される（すなわち、点「Ｃ」）ように、約２０ｍｍ〜約２ｍｍの曲げ半径２２０へと曲げたときに、カバー要素５０の第２の主面５６（図１参照）（すなわち、点「Ｔ」）で発生する応力（主に引張）を特徴とする。図２Ｂに示されるように、曲げ半径２２０は、カバー要素５０の第１の主面５４の上の中心点からフレキシブル電子デバイス基板６０の第２の主面６６まで測定される。この中心点は、モジュール１００ａに関する対称線２１０上に位置している。
【００６１】
有利なことに、２点曲げ試験は、有限要素解析（「ＦＥＡ」）技術を使用してモデル化することができる。特に明記しない限り、モジュール１００ａ内のカバー要素の主面５４、５６における応力と曲げ力Ｆｂｅｎｄをシミュレートするために本開示で採用されたＦＥＡモデリングは、本開示の当業者に理解されるように、ある特定のモデル仮定に従って行われた。これらの仮定には次のものが含まれる：モジュール１００ａの要素に対する線形弾性又は超弾性材料特性の使用；大変形解析法の使用；及び、準定常状態解析法の使用。さらには、２点曲げ試験のすべてのモデリングは、モジュール１００ａが室温にあり、プレートとモジュール１００ａとの間に非常に小さい摩擦係数が存在すると仮定して行われた。さらには、特に明記されていない限り、すべてのモデル化された条件について、６ｍｍのプレート間隔Ｄが仮定された。加えて、カバー要素５０は、７１ＧＰａの弾性率及び０．２２のポアソン比を有すると仮定された。基板６０は、５０μｍの厚さ、０．３ＧＰａの弾性率、及び０．４９のポアソン比を有する光学接着剤層；並びに、１００μｍの厚さ、３ＧＰａの弾性率、及び０．３８のポアソン比を有するポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）層からなると仮定された。
【００６２】
折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａ（図１参照）のある特定の実装形態では、モジュールは、第１の主面５４が凹面になるように、試験装置２００（図２Ａ及び２Ｂ参照）を用いて２点曲げ試験で６ｍｍのプレート間隔への推定曲げを行ったときに、モジュール１００ａにおける約１１０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を示しうる。予期せぬことに、２点曲げ試験のこのようなモデリングを通じて理解されるように、第１の主面５４が凹面になるように、試験装置２００（図２Ａ及び２Ｂ参照）を用いて２点曲げ試験で６ｍｍのプレート間隔への推定曲げを行ったときに、モジュール１００ａに約７０Ｎ未満の曲げ力が存在するように、中間層７５及び／又はその厚さ７６の特性を調整して、モジュール１００ａの曲げ抵抗をさらに高めることができる。特に、折り畳み式モジュール１００ａの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の弾性率と比較して、例えば約０．０１ＧＰａ〜約５ＧＰａの低い弾性率を有する中間層７５を組み込む。比較的低い弾性率値を有するこのような中間層７５の使用により、２点曲げ試験中のモジュール１００ａの曲げ力の減少に明示されるように、曲げに対する耐性が予想外に向上する。折り畳み式モジュール１００ａの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の厚さと比較して、例えば約５０μｍ〜約１２５μｍの比較的薄い厚さ７６を有する中間層７５も組み込むことができる。比較的薄い厚さ７６値を有するこのような中間層７５の使用により、２点曲げ試験を６ｍｍのプレート間隔で曲げたときにモジュール１００ａで観察された曲げ力の減少に明示されるように、曲げに対する耐性が予想外に向上する。中間層７５のこのようなモデリング及び設計では、モジュール１００ａ内の曲げ力は、約１１０Ｎ未満、約１００Ｎ未満、約９０Ｎ未満、約８０Ｎ未満、約７０Ｎ未満、約６０Ｎ未満、約５０Ｎ未満、約４０Ｎ未満、約３０Ｎ未満、約２０Ｎ未満、又はそれ以下に低減することができる。
【００６３】
折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａ（図１参照）の追加の実装形態では、モジュールは、第１の主面５４が凹面になるように、試験装置２００（図２Ａ及び２Ｂ参照）を用いた２点曲げ試験で６ｍｍのプレート間隔への推定曲げを行ったときに、カバー要素５０の第２の主面５６における約２００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を示しうる。予期せぬことに、２点曲げ試験のこのようなモデリングを通じて理解されるように、中間層７５及び／又はその厚さ７６の特性は、第１の主面５４が凹面になるように、試験装置２００（図２Ａ及び２Ｂ参照）を用いた２点曲げ試験で６ｍｍのプレート間隔への推定曲げを行ったときに、カバー要素５０の第２の主面５６に約１５０ＭＰａ未満の引張応力が存在するように、モジュール１００ａの曲げ応力耐性をさらに高めるように調整することができる。特に、折り畳み式モジュール１００ａの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の弾性率と比較して、例えば約０．０１ＧＰａ〜約５ＧＰａの低い弾性率を有する中間層７５を組み込む。比較的低い弾性率値を有するこのような中間層７５の使用により、２点曲げ試験中にカバー要素５０の第２の主面５６における引張応力の減少で明らかなように、曲げ応力に対する耐性が予想外に向上する。折り畳み式モジュール１００ａの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の厚さと比較して、例えば約５０μｍ〜約１２５μｍの比較的薄い厚さ７６を有する中間層７５を組み込むこともできる。比較的薄い厚さ７６値を有するこのような中間層７５の使用により、２点曲げ試験を６ｍｍのプレート間隔で曲げたときにカバー要素５０の第２の主面５６で観察された引張応力の減少で明らかなように、曲げ応力に対する耐性が予想外に向上する。中間層７５のこのようなモデリング及び設計では、モジュール１００ａ内のカバー要素５０の第２の主面５６における引張応力は、（例えば、この場所が圧縮応力を示すように）約２００ＭＰａ未満、約１９０ＭＰａ未満、約１８０ＭＰａ未満、約１７０ＭＰａ未満、約１６０ＭＰａ未満、約１５０ＭＰａ未満、約１４０ＭＰａ未満、約１３０ＭＰａ未満、約１２０ＭＰａ未満、約１１０ＭＰａ未満、約１００ＭＰａ未満、約９０ＭＰａ未満、約８０ＭＰａ未満、約７０ＭＰａ未満、約６０ＭＰａ未満、約５０ＭＰａ未満、約４０ＭＰａ未満、約３０ＭＰａ未満、約２０ＭＰａ未満、約１０ＭＰａ未満、又はそれ以下に低減することができる。
【００６４】
次に図３を参照すると、ペン落下試験装置３００が示されている。本明細書で用いられる場合、「ペン落下試験」をペン落下装置３００で実施して、不具合が生じる前の平均ペン落下高さを特徴とする、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａ（図１参照）の耐衝撃性を評価した。本明細書で説明及び参照するように、ペン落下試験は、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの試料が、カバー要素５０の露出面、すなわち主面５４に与えられた荷重（すなわち、ある特定の高さで落下するペンによる）で試験されるように行われる。折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの反対側、例えば、主面６６（図１参照）は、アルミニウムプレート（６０６３アルミニウム合金、４００グリットの紙を用いてある表面粗さに研磨されている）によって支持されている。落下試験に準拠して、１つのチューブを使用してペン３１０を試料へと誘導し、チューブの長手軸が試料の上面にほぼ垂直になるように、チューブを試料の上面に接触させる。各チューブは、外径２．５４ｃｍ（１インチ）、内径１．４ｃｍ（９／１６インチ）、長さ９０ｃｍである。アクリロニトリルブタジエン（「ＡＢＳ」）シムを使用して、各試験について、ボールペンを第１の表面５４上の所望の高さ３１４に保持する。各落下後、試料に対してチューブを再配置して、ペンを試料上の別の衝撃位置に誘導する。ペン落下試験で使用されるペン３１０は、直径０．３４ｍｍのボールペン先３１２、及びキャップを含めて５．７グラムの重量を有する。
【００６５】
図３に示されるペン落下試験によれば、ボールペン先３１２が試験試料、すなわち、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａと相互作用できるように、ペン３１０は、キャップが上端（すなわち、先端とは反対側の端）に取り付けられた状態で落下される。ペン落下試験による落下シーケンスでは、１つのペン落下が最初の高さ１ｃｍで行われ、続いて２ｃｍ刻みで９０ｃｍの最大ペン落下高さまで連続して落下される。さらには、各落下が行われた後、観察可能な破損、故障、又は折り畳み式電子デバイスアセンブリ又はカバー要素への損傷の他の証拠のいずれかの存在が、特定のペン落下高さとともに記録される。ペン落下試験下では、複数の試料を同じ落下シーケンスに従って試験して、平均ペンドロップ高さの決定を含めて統計が改善された母集団を生成することができる。
【００６６】
有利なことに、図３に示されるペン落下試験は、ＦＥＡ技術を使用してモデル化され、１０ｃｍの固定されたペン落下高さ３１４に基づいてカバー要素５０の主面５４、５６で生成される引張応力を推定した。２点曲げ試験モデリングに関連して前に述べたのと同じ材料特性の使用を含めて、本開示の分野の当業者によってさらに理解されるように、このモデリングを実施する際にある特定の仮定を行った。ペン落下試験のモデリングに関して、次の追加の仮定を行った：ペン先３１２をペン先変形のない剛体としてモデル化した；モジュール１００ａの４分の１対称スライスを使用した；モジュール１００ａ内のすべての界面は、層間剥離せず、分析中に完全に結合されていると仮定した；ペン落下試験装置３００に関連して参照されるアルミニウム支持板を剛体アルミニウム板としてモデル化した；モジュール１００ａとアルミニウム支持板との接触には摩擦がないと仮定した；ペン先３１２はモジュール１００ａのカバー要素５０を貫通しなかったと仮定した；モジュール１００ａの要素に対する線形弾性又は超弾性材料特性の使用；大変形アプローチの使用；及び、模擬試験中、モジュール１００ａは室温にあったと仮定した。
【００６７】
折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａ（図１参照）のある特定の実装形態では、モジュールは、１０ｃｍのペン落下高さ３１４（図３参照）でモデル化されたペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに、カバー要素５０の第１の主面５４における約４１００ＭＰａ未満の引張応力及びカバー要素５０の第２の主面５６における約８３００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を示しうる。予期せぬことに、ペン落下試験のこのようなモデリングを通じて理解されるように、ペン落下試験でカバー要素に衝撃を加えたときに、カバー要素５０の第１の主面５４において約３９００ＭＰａ未満の引張応力、カバー要素５０の第２の主面５６において約７０００ＭＰａ未満の引張応力になるように、中間層７５及び／又はその厚さ７６の特性を調整して、モジュール１００ａの耐衝撃性をさらに高めることができる。特に、折り畳み式モジュール１００ａの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の弾性率と比較して、例えば約５ＧＰａ〜約１０ＧＰａの比較的高い弾性率を有する中間層７５を組み込む。比較的高い弾性率値を有するこのような中間層７５の使用により、ペン落下試験でカバー要素５０に衝撃が加わったときに、カバー要素５０の主面５４、５６で観察される引張応力の減少に明示されるように、衝撃に対する耐性が予想外に向上する。折り畳み式モジュール１００ａの態様は、このような電子デバイス用途で用いられる従来の中間層の厚さと比較して、例えば約１２５μｍ〜約２００μｍの比較的高い厚さ７６を有する中間層７５も組み込むことができる。比較的高い厚さ７６値を有するこのような中間層７５の使用により、ペン落下試験でカバー要素５０に衝撃が加わったときに、カバー要素５０の主面５４、５６で観察される引張応力の減少に明示されるように、衝撃に対する耐性が予想外に向上する。中間層７５のこのようなモデリング及び設計では、カバー要素５０の第１の主面５４における引張応力を、約４１００ＭＰａ未満、４０００ＭＰａ、３９００ＭＰａ、３８００ＭＰａ、３７００ＭＰａ、３６００ＭＰａ、３５００ＭＰａ、３４００ＭＰａ、３３００ＭＰａ、３２００ＭＰａ、３１００ＭＰａ、３０００ＭＰａ、及びそれ以下に低減することができる。同様に、カバー要素５０の第２の主面５６における引張応力は、約８３００ＭＰａ未満、８０００ＭＰａ、７５００ＭＰａ、７０００ＭＰａ、６５００ＭＰａ、６０００ＭＰａ、５５００ＭＰａ、５０００ＭＰａ、４５００ＭＰａ、４０００ＭＰａ、３５００ＭＰａ、３０００ＭＰａ、及びそれ以下に低減することができる。
【００６８】
さらに図１を参照すると、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａのカバー要素５０は、本開示のある特定の態様では、第１及び／又は第２の主面５４、５６からカバー要素５０の選択された深さまで延びる１つ以上の圧縮応力領域（図示せず）を有するガラス層又は構成要素を含むことができる。さらには、モジュール１００ａのある特定の態様では、要素５０の縁部から（例えば、主面５４、５６に垂直又は実質的に垂直に）選択された深さまで延びる縁部圧縮応力領域（図示せず）も発達させることができる。例えば、ガラスカバー要素５０に含まれる（一又は複数の）圧縮応力領域（及び／又は縁部圧縮応力領域）は、イオン交換（「ＩＯＸ」）プロセスによって形成することができる。別の例として、ガラスカバー要素５０は、層及び／又は領域に関連する熱膨張係数（「ＣＴＥ」）の不一致によって１つ以上のこのような圧縮応力領域を発達させるために使用することができる、さまざまな調整されたガラス層及び／又は領域を含むことができる。
【００６９】
ＩＯＸプロセスで形成された１つ以上の圧縮応力領域を有するカバー要素５０を備えたデバイスモジュール１００ａのこれらの態様では、（一又は複数の）圧縮応力領域は、複数のイオン交換可能な金属イオン及び複数のイオン交換金属イオンを含むことができ、イオン交換金属イオンは、（一又は複数の）圧縮応力領域に圧縮応力を生成するように選択される。（一又は複数の）圧縮応力領域を含むモジュール１００ａの幾つかの態様では、イオン交換された金属イオンは、イオン交換可能な金属イオンの原子半径よりも大きい原子半径を有する。イオン交換可能なイオン（例えば、Ｎａ＋イオン）は、イオン交換プロセスに供される前に、ガラスカバー要素５０中に存在している。イオン交換イオン（例えば、Ｋ＋イオン）をガラスカバー要素５０に組み込んで、最終的に（一又は複数の）圧縮応力領域となる要素５０の（一又は複数の）領域内のイオン交換可能なイオンの一部を置き換えることができる。カバー要素５０への例えばＫ＋イオンなどのイオン交換イオンの組み込みは、イオン交換イオン（例えば、溶融ＫＮＯ３塩）を含む溶融塩浴に要素５０を沈積することによって（例えば、完全なモジュール１００ａの形成の前に）行うことができる。この例では、Ｋ＋イオンは、Ｎａ＋イオンよりも大きな原子半径を有しており、例えば（一又は複数の）圧縮応力領域内に存在する場合は常に、ガラスカバー要素５０に局所圧縮応力を生成する傾向がある。
【００７０】
図１に示される折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａで用いられるカバー要素５０について採用されるイオン交換プロセス条件に応じて、イオン交換イオンは、カバー要素５０の第１の主面５４から第１のイオン交換深さ（図示せず、「ＤＯＬ」）まで伝えられ、イオン交換圧縮深さ（「ＤＯＣ」）を確立することができる。本明細書で用いられる場合、ＤＯＣとは、本明細書に記載される化学的に強化されたアルカリアルミノケイ酸塩ガラス物品の応力が圧縮から引張に変化する深さを意味する。ＤＯＣは、イオン交換処理に応じて、表面応力計（ＦＳＭ−折原製作所（日本所在）製造のＦＳＭ−６０００などの市販の機器を使用）又は散乱光偏光計（ＳＣＡＬＰ）で測定することができる。カリウムイオンをガラス物品内へと交換することによってガラス物品の応力が発生する場合には、ＦＳＭを使用してＤＯＣを測定する。ナトリウムイオンをガラス物品内へと交換することによって応力が発生する場合には、ＳＣＡＬＰを使用してＤＯＣを測定する。カリウムとナトリウムの両方のイオンをガラス内へと交換することによってガラス物品の応力が生じる場合には、ナトリウムの交換深さはＤＯＣを示し、カリウムイオンの交換深さは圧縮応力の規模の変化（ただし、圧縮から引張への応力変化ではない）を示すと考えられていることから、ＤＯＣはＳＣＡＬＰで測定される；このようなガラス物品中のカリウムイオンの交換深さは、ＦＳＭによって測定される。圧縮応力（表面ＣＳを含む）はＦＳＭによって測定される。表面応力測定は、ガラスの複屈折に関連する応力光学係数（ＳＯＣ）の正確な測定に依拠している。ＳＯＣは、その内容全体がここに参照することによって本明細書に組み込まれる、「ガラス応力−光学係数の測定のための標準試験方法（Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient）」と題されたＡＳＴＭ規格Ｃ７７０−１６に記載される手順Ｃ（ガラスディスク法）に準拠して測定される。同様に、第２の圧縮応力領域は、第２の主面５６から下に第２のイオン交換深さまで要素５０に発達させることができる。１００ＭＰａをはるかに超えるＤＯＣ内圧縮応力レベルを、このようなＩＯＸプロセスを用いて、最大で２０００ＭＰａまで、達成することができる。カバー要素５０内の（一又は複数の）圧縮応力領域における圧縮応力レベルは、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａを曲げるときにカバー要素５０に生成される引張応力を相殺するように機能することができる。
【００７１】
再び図１を参照すると、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａは、幾つかの実装形態では、第１及び第２の主面５４、５６に垂直な縁部でカバー要素５０内に１つ以上の縁部圧縮応力領域を含むことができ、それぞれ１００ＭＰａ以上の圧縮応力によって画成される。要素５０の形状又は形態に応じて、このような縁部圧縮応力領域は、その主面とは異なるその縁部又は表面のいずれかでカバー要素５０に生じうることが理解されるべきである。例えば、楕円形のカバー要素５０を有する折り畳み式モジュール１００ａの幾つかの実装形態では、要素の主面に垂直な（又は実質的に垂直な）（要素の）外縁から内側に、縁部圧縮応力領域を発達させることができる。主面５４、５６に近接して（一又は複数の）圧縮応力領域を生成するために用いられるものと本質的に同様のＩＯＸプロセスを展開して、これらの縁部圧縮応力領域を生成することができる。より具体的には、カバー要素５０内の任意のこのような縁部圧縮応力領域を使用して、例えば、カバー要素５０（及びモジュール１００ａ）の縁部にわたる曲げ及び／又はカバー要素５０の主面５４、４６における不均一な曲げによって、要素の縁部で生成された引張応力を相殺することができる。あるいは、又はそれに加えて、理論に拘束されるわけではないが、カバー要素５０に用いられる任意のこのような縁部圧縮応力領域は、モジュール１００ａ内の要素５０の縁部での又は縁部への衝撃又は摩耗事象からの悪影響を相殺することができる。
【００７２】
再び図１を参照すると、要素５０内の領域又は層のＣＴＥの不一致によって形成された１つ以上の圧縮応力領域を有するカバー要素５０を備えたデバイスモジュール１００ａの態様では、これらの圧縮応力領域は、要素５０の構造を調整することによって発達する。例えば、要素５０内のＣＴＥの差異は、要素内の１つ以上の圧縮応力領域を生成しうる。一例では、カバー要素５０は、それぞれ、要素の主面５４、５６に実質的に平行な、クラッド領域又は層によって挟まれたコア領域又は層を含むことができる。さらには、コア層は、（例えば、コア及びクラッド層又は領域の組成制御によって）クラッド領域又は層のＣＴＥよりも大きいＣＴＥへと調整される。カバー要素５０がその製造プロセスから冷却された後、コア領域又は層とクラッド領域又は層とのＣＴＥの差異は、冷却時に不均一な体積収縮を引き起こし、クラッド領域又は層内の主面５４、５６の下の圧縮応力領域の発達で表される残留応力の発達をカバー要素５０にもたらす。言い換えれば、コア領域又は層とクラッド領域又は層とは、高温で互いに密接に接触する；次に、これらの層又は領域は、低ＣＴＥクラッド領域（又は層）に対する高ＣＴＥコア領域（又は層）のより大きな体積変化がカバー要素５０内のクラッド領域又は層に圧縮応力領域を生成するように、低い温度へと冷却される。
【００７３】
ＣＴＥが発達した圧縮応力領域を備えた図１に示されるモジュール１００ａのカバー要素５０をさらに参照すると、ＣＴＥ関連の圧縮応力領域は、それぞれ、第１の主面５４から下に第１のＣＴＥ領域の深さまで及び第２の主面５６から第２のＣＴＥ領域の深さまで到達し、したがって、それぞれの主面５４、５６に関連する圧縮応力領域のそれぞれに、及びクラッド層又は領域内に、ＣＴＥ関連のＤＯＣを確立する。幾つかの態様では、これらの圧縮応力領域の圧縮応力レベルは１５０ＭＰａを超えうる。コア領域（又は層）とクラッド領域（又は層）との間のＣＴＥ値の差を最大化することにより、製造後の要素５０の冷却時に圧縮応力領域に発達する圧縮応力の大きさを増大させることができる。このようなＣＴＥ関連の圧縮応力領域を有するカバー要素５０を備えた折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａのある特定の実装形態では、カバー要素５０は、コア領域の厚さをクラッド領域の厚さの合計で割ったものに対して３以上の厚さ比を有する、コア領域及びクラッド領域を使用する。したがって、クラッド領域のサイズ及び／又はＣＴＥに対してコア領域のサイズ及び／又はそのＣＴＥを最大化することは、折り畳み式モジュール１００ａの圧縮応力領域で観察される圧縮応力レベルの大きさを増加させるのに役立ちうる。
【００７４】
他の利点の中でもとりわけ、（例えば、前述の段落で概説したＩＯＸ又はＣＴＥに関連した手法によって発達させた）圧縮応力領域を使用して、折り畳み式モジュール１００ａの曲げ時に要素に発生する引張応力、特に、曲げの方向に応じて主面５４、５６の一方において最大に達する引張応力を相殺することができる。ある特定の態様では、圧縮応力領域は、カバー要素５０の主面５４、５６に約１００ＭＰａ以上の圧縮応力を含むことができる。幾つかの態様では、主面の圧縮応力は約６００ＭＰａ〜約１０００ＭＰａである。他の態様では、カバー要素５０に圧縮応力を生成するために採用されるプロセスに応じて、圧縮応力は、主面において１０００ＭＰａを超え、最大で２０００ＭＰａになりうる。圧縮応力はまた、本開示の他の態様では、要素５０の主面において約１００ＭＰａ〜約６００ＭＰａの範囲でありうる。追加的な態様では、モジュール１００ａのカバー要素５０内の（一又は複数の）圧縮応力領域は、約１００ＭＰａ〜約２０００ＭＰａの圧縮応力、例えば、約１００ＭＰａ〜約１５００ＭＰａ、約１００ＭＰａ〜約１０００ＭＰａ、約１００ＭＰａ〜約８００ＭＰａ、約１００ＭＰａ〜約６００ＭＰａ、約１００ＭＰａ〜約４００ＭＰａ、約１００ＭＰａ〜約２００ＭＰａ、約２００ＭＰａ〜約１５００ＭＰａ、約２００ＭＰａ〜約１０００ＭＰａ、約２００ＭＰａ〜約８００ＭＰａ、約２００ＭＰａ〜約６００ＭＰａ、約２００ＭＰａ〜約４００ＭＰａ、約４００ＭＰａ〜約１５００ＭＰａ、約４００ＭＰａ〜約１０００ＭＰａ、約４００ＭＰａ〜約８００ＭＰａ、約４００ＭＰａ〜約６００ＭＰａ、約６００ＭＰａ〜約１５００ＭＰａ、約６００ＭＰａ〜約１０００ＭＰａ、約６００ＭＰａ〜約８００ＭＰａ、約８００ＭＰａ〜約１５００ＭＰａ、約８００ＭＰａ〜約１０００ＭＰａ、及び約１０００ＭＰａ〜約１５００ＭＰａの圧縮応力を示しうる。
【００７５】
折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａのカバー要素５０に用いられるこのような圧縮応力領域内では、圧縮応力は、主面から下に１つ以上の選択された深さまでの深さの関数として、一定にとどまるか、減少又は増加しうる。このように、さまざまな圧縮応力プロファイルを圧縮応力領域に使用することができる。さらには、圧縮応力領域の各々の深さは、カバー要素５０の主面５４、５６からおよそ１５μｍ以下に設定することができる。他の態様では、（一又は複数の）圧縮応力領域の深さは、それらが第１及び／又は第２の主面５４、５６からカバー要素５０の厚さ５２のおよそ１／３以下、又はカバー要素５０の厚さ５２の２０％以下になるように設定することができる。
【００７６】
再び図１を参照すると、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａは、第１及び／又は第２の主面５４、５６に、５μｍ以下の最大欠陥サイズを有する１つ以上の圧縮応力領域を有するガラス材料を含むカバー要素５０を備えることができる。最大欠陥サイズはまた、約２．５μｍ以下、２μｍ以下、１．５μｍ以下、０．５μｍ以下、０．４μｍ以下、又はさらに小さい欠陥サイズ範囲に保持することができる。ガラスカバー要素５０の圧縮応力領域における欠陥サイズを縮小することにより、折り畳み式モジュール１００ａ（図２Ａ、２Ｂ及び３参照）への曲げ及び／又は衝撃関連の力による引張応力の適用時に亀裂伝播によって要素５０が故障する傾向をさらに低減することができる。加えて、折り畳み式デバイスモジュール１００ａの幾つかの態様は、１つ以上の圧縮応力領域を使用せずに、制御された欠陥サイズ分布（例えば、第１及び／又は第２の主面５４、５６における０．５μｍ以下の欠陥サイズ）を有する表面領域を含むことができる。
【００７７】
再び図１を参照すると、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの他の実装形態は、欠陥サイズを縮小し及び／又は要素５０内の欠陥分布を改善するように調整されたさまざまなエッチングプロセスに供されたガラス材料を含むカバー要素５０を備えることができる。これらのエッチングプロセスを使用して、その主面５４、５６に近接して及び／又はその縁部（図示せず）に沿ってカバー要素５０内の欠陥分布を制御することができる。例えば、約１５体積％のＨＦ及び１５体積％のＨＣｌを含有するエッチング溶液を使用して、ガラス組成物を有するカバー要素５０の表面を軽くエッチングすることができる。軽いエッチングの時間及び温度は、要素５０の組成及びカバー要素５０の表面からの所望の材料除去レベルに従って、当業者に理解されるように、設定することができる。要素５０の幾つかの表面は、エッチング手順中にこのような表面にマスキング層などを使用することによって、エッチングされない状態のまま残すことができることも理解されるべきである。より具体的には、この軽いエッチングは、カバー要素５０の強度を有利に改善することができる。特に、カバー要素５０として最終的に用いられるガラス構造を切断するために用いられる切断又は単一化プロセスは、要素５０の表面内に傷及び他の欠陥を残す可能性がある。これらの傷及び欠陥は、適用環境及び使用法からの要素５０を含むモジュール１００ａへの応力の適用中に伝播し、ガラスの破損を引き起こしうる。選択的エッチングプロセスは、要素５０の１つ以上の縁部を軽くエッチングすることにより、傷及び欠陥の少なくとも一部を除去することができ、それによって軽くエッチングされた表面の強度及び／又は破壊耐性を高めることができる。加えて又は代替的に、軽いエッチング工程は、カバー要素５０の化学的焼戻し（例えば、イオン交換）の後に行うことができる。化学的焼戻し後のこのような軽いエッチングは、化学的焼戻しプロセス自体によって導入された欠陥を減じることができ、したがって、カバー要素の強度及び／又は耐破壊性を高めることができる。
【００７８】
図１に示される折り畳み式モジュール１００ａに用いられるカバー要素５０は、前述の強度を高める機能：（ａ）ＩＯＸ関連の圧縮応力領域；（ｂ）ＣＴＥ関連の圧縮応力領域；及び、（ｃ）より小さい欠陥サイズを有するエッチングされた表面、のうちのいずれか１つ以上を含むことができることも理解されるべきである。これらの強度を高める特徴を使用して、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの適用環境、使用法、及び処理に関連するカバー要素５０の表面で生成される引張応力を相殺又は部分的に相殺することができる。
【００７９】
幾つかの実装形態では、図１に示される折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａは、ディスプレイ、プリント回路基板、ハウジング、又は最終製品の電子デバイスに関連する他の機能に使用することができる。例えば、折り畳み式モジュール１００ａは、多数の薄膜トランジスタ（「ＴＦＴ」）を含む電子ディスプレイデバイス、又は低温ポリシリコン（「ＬＴＰＳ」）バックプレーンを含むＬＣＤ又はＯＬＥＤデバイスに使用することができる。折り畳み式モジュール１００ａがディスプレイに使用される場合、例えば、モジュール１００ａは実質的に透明でありうる。さらには、モジュール１００ａは、前述の段落で説明したように、鉛筆硬度、曲げ半径、穿刺抵抗性、及び／又は設計された曲げ力能力を有することができる。幾つかの実装形態では、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａは、例えば、時計、財布、又はブレスレットなどのウェアラブル電子デバイスで使用される。本明細書で定義されるように、「折り畳み式」には、完全な折り畳み、部分的な折り畳み、曲げ、屈曲、個別の曲げ、及び複数の折り畳み機能が含まれる；さらには、デバイスは折り畳むことができ、それによって、ディスプレイは折り畳まれたときにデバイスの外側に、又は折り畳まれたときにデバイスの内側にある。
【実施例】
【００８０】
モデリングの実施には、下記表１に示されるように、中心複合計画（ＣＣＤ）による折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａ（図１参照）の耐衝撃性のペン落下試験（ペン落下高さ１０ｃｍ）及び２点曲げ試験（プレート間隔６ｍｍ）、曲げ抵抗、及び曲げ応力耐性を用いた４要素実験計画法（ＤＯＥ）モデルを採用した。特に、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａは、下記表１に記載される中間層７５及び第１の接着剤１０ａの属性に従ってモデル化した。さらには、ペン落下試験及び２点曲げ試験に関連して前に概説したモデル化条件及び仮定を、表１に概説したＤＯＥ−ＣＣＤモデルに採用した。
【００８１】
【表１】
2020537185.tif 000003
【００８２】
図４Ａ及び４Ｂを参照すると、ペン落下高さ１０ｃｍのペン落下試験でカバー要素５０に衝撃が加わったときに、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａ（図１参照）のカバー要素５０の第１の主面５４に生成した、シミュレーションされた引張応力の周辺平均及びパレート図が提供されている。これらの図から明らかなように、引張応力は中間層の厚さ及び弾性率に特に敏感であり、したがって、これらの属性が増加すると、この位置での引張応力が減少する傾向がある。程度は低いが、第１の接着剤の弾性率の増加も同様の効果がある。有利なことに、この情報を使用して、本開示の折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの耐衝撃性を設計することができる。
【００８３】
次に、図４Ｃ及び４Ｄを参照すると、ペン落下高さ１０ｃｍのペン落下試験でカバー要素５０に衝撃が加わったときに、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａ（図１参照）のカバー要素５０の第２の主面５６に生成した、シミュレーションされた引張応力の周辺平均及びパレート図が提供されている。これらの図から明らかなように、引張応力は中間層の厚さ及び弾性率に特に敏感であり、したがって、これらの属性が増加すると、この位置での引張応力が減少する傾向がある。程度は低いが、第１の接着剤の弾性率の増加も同様の効果がある。有利なことに、この情報を使用して、本開示の折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの耐衝撃性を設計することができる。
【００８４】
次に、図５Ａ及び５Ｂを参照すると、カバー要素５０の第１の主面５４が凹面になり、かつ、平行なプレート間隔６ｃｍ（すなわち、約３ｃｍの曲げ半径）を有するように２点曲げ試験でモジュールを曲げたときに、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａ（図１参照）のカバー要素５０の第１の主面５４に生成した、シミュレーションされた曲げ力の周辺平均及びパレート図が提供されている。これらの図から明らかなように、曲げ力は中間層の厚さ及び弾性率に特に敏感であり、したがって、これらの属性が低下すると、モジュール内の曲げ力が低下する傾向がある。程度は低いが、第１の接着剤の弾性率の低下も同様の効果がある。有利なことに、この情報を使用して、本開示の折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの曲げ抵抗を設計することができる。
【００８５】
次に、図６Ａ及び６Ｂを参照すると、カバー要素５０の第１の主面５４が凹面になり、かつ、平行なプレート間隔６ｃｍを用いて２点曲げ試験でカバー要素を曲げたときに、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａのカバー要素５０の第２の主面５６に生成した、シミュレーションされた引張応力の周辺平均及びパレート図が提供されている。これらの図から明らかなように、引張応力は中間層の厚さ及び弾性率に特に敏感であり、したがって、これらの属性が増加すると、カバー要素５０の第２の主面における曲げ関連の引張応力が減少する傾向がある。第１の接着剤の弾性率の増加も同様の効果を有するが、程度は低い。有利なことに、この情報を使用して、本開示の折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの曲げ抵抗を設計することができる。
【００８６】
図４Ａ〜６Ｂは、第１の接着剤の厚さ及び弾性率はこれらのモジュールの耐衝撃性、曲げ応力関連の抵抗、及び曲げ抵抗に影響を与えるが、中間層の厚さ及び弾性率ほどの大きな影響はないことを実証していることもまた認識されるべきである。中間層の厚さ及び弾性率は、一方では曲げに対する耐性に関して、他方では耐衝撃性及び曲げ応力関連の抵抗に関して反対の効果を有する傾向があることも明らかである。したがって、図４Ａ〜６Ｂのプロットに示されているように、表１のＤＯＥ−ＣＣＤモデルからの結果を使用して、これらのモジュールの構成要素、特にそれらの中間層７５及び第１の接着剤１０ａの寸法及び特性を変更及び調整することにより、折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａ（図１参照）の耐衝撃性、曲げ抵抗、及び曲げ応力関連抵抗の特性を設計することができる。
【００８７】
次に下記表２を参照すると、この例のモデリング作業を（すなわち、表１のＤＯＥ−ＣＣＤモデルで前に詳述されているように）、本開示の折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの構成の設計に使用して、ペン落下試験に関連するシミュレートされた衝撃に由来する主面５４、５６で観察される引張応力を最小化することができる。表２に示されるように、１０．８３μｍの第１の接着剤層の厚さ、１０８．７５μｍの中間層の厚さ、及び１．８４５ＧＰａの中間層弾性率を有する「ベースライン」モジュールは、それぞれ、３９４９ＭＰａ及び７２１０ＭＰａの第１及び第２の主面５４、５６における引張応力を示す。表２から明らかなように、中間層弾性率が１０  ＧＰａに増加し、中間層の厚さが７３．９７μｍに減少し、第１の接着剤の厚さが２５μｍに増加したモジュール１００ａは、ペン落下試験における同じ衝撃条件について、主面５４、５６で観察された引張応力の１０％及び１３％の減少をもたらす。さらには、主面５４において１５％及び２０％のさらなる低減が望まれる用途では、第１の接着剤層の厚さ、中間層の厚さ、及び中間層弾性率は、モジュール試料＃３及び＃４の構成に列挙されているように設計して、これらの結果を達成することができる。
【００８８】
【表２】
2020537185.tif 000004
【００８９】
次に下記表３を参照すると、この例のモデリング作業を（すなわち、表１のＤＯＥ−ＣＣＤモデルで前に詳述されているように）、本開示の折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの構成を設計する別の手法で使用して、ペン落下試験に関連するシミュレートされた衝撃に由来する主面５４、５６で観察される引張応力を最小化することができる。表３に示されるように、１０．８３μｍの第１の接着剤層の厚さ、１０８．７５μｍの中間層の厚さ、及び１．８４５ＧＰａの中間層の弾性率を有する「ベースライン」モジュールは、それぞれ、３９４９ＭＰａ及び７２１０ＭＰａの第１及び第２の主面５４、５６における引張応力を示す。表３から明らかなように、モジュール試料＃３の７ＧＰａの中間層弾性率（例えば、７ＧＰａの弾性率をもたらす中間層７５についての用途主導型の材料選択に基づく）を有するモジュール１００ａは、モジュール試料＃２で同様に観察されるように、接着層の厚さと中間層の厚さの観点から設計して、第１の主面５４において同じ１０％の引張応力の低減を達成することができる。これも表３から明らかなように、モジュール試料＃４の、１００μｍの中間層の厚さ及び５ＧＰａの弾性率（例えば、中間層７５についての別の用途主導型の材料選択に基づく）を有するモジュール１００ａは、モジュール試料＃２で同様に観察されるように、接着層の厚さと弾性率の観点から設計して、第１の主面５４において同じ１０％の引張応力の低減を達成することができる。
【００９０】
【表３】
2020537185.tif 000005
【００９１】
次に下記表４を参照すると、この例のモデリング作業を（すなわち、表１のＤＯＥ−ＣＣＤモデルで前に詳述されているように）、本開示の折り畳み式電子デバイスモジュール１００ａの構成を設計するさらなる手法で使用して、ペン落下試験から主面５４で観察される引張応力と、２点曲げ試験に関連するシミュレートされた曲げに由来するモジュールの曲げ力とを最小化することができる。表２で先に示されたように、モジュール試料＃１の、１０．８３μｍの第１の接着剤層の厚さ、１０８．７５μｍの中間層の厚さ、及び１．８４５ＧＰａの中間層の弾性率を有する「ベースライン」モジュールは、３９４９ＭＰａの第１の主面５４における引張応力を示す。表４から明らかなように、それぞれ、１０ＧＰａの中間層弾性率及び０．００１ＧＰａの第１の接着剤弾性率（例えば、中間層７５及び第１の接着剤１０ａについての用途主導型の材料選択に基づく）を有するモジュール１００ａを表すモジュール試料＃１〜＃４は、接着剤層及び中間層の厚さの観点で設計して、表２のモジュール試料＃１と比較して第１の主面５４で観察される引張応力の低減と、５０Ｎ以下の曲げ力とを達成することができる。
【００９２】
【表４】
2020537185.tif 000006
【００９３】
次に図７Ａ〜７Ｃを参照すると、実際のペン落下試験で試験された（すなわち、ペン落下高さを変化させた）、折り畳み式電子デバイスモジュールと比較デバイスモジュールについての平均ペン落下高さのプロットが提供されている。図７Ａでは、ＯＣＡ（５０μｍ）及びＰＥＴ（１００μｍ）を含む基板とガラス含有カバー要素（２５μｍ）の３層構成を有する比較試料（比較例１）について、５．２ｃｍの平均ペン落下高さが示されている。図７Ａから明らかなように、第１の接着剤としてのＯＣＡと、グンゼＨＤフィルム（ＨＤＧＺ）、ガラス繊維（ＦＧＣ）、及びガラス（比較例２−１、２−３、２−４、及び２−５）の中間層とを有する他の５層のモジュール試料で観察された平均ペン落下高さは、３層モジュール（比較例１）で報告されているものと同様である。さらには、ＯＣＡとしての第１の接着剤の厚さを２５μｍ（比較例２−１）から１０μｍ（比較例２−２）まで低下させても、平均ペン落下高さに有意な差は生じなかった。それにもかかわらず、約２４ｃｍのかなり高い平均ペン落下高さが、第１の接着剤としてＬｅｎｓ  Ｂｏｎｄ  Ｐ−９２、中間層としてガラスを使用する５層モジュールで観察された。理論に縛られはしないが、ＯＣＡ材料の弾性率（約７０ＭＰａ）と比較してＰ−９２材料の弾性率（約１．７２ＧＰａ）が増加したことが、このモジュールの耐衝撃性の向上に貢献したと考えられる。
【００９４】
図７Ｂでは、ＯＣＡ（５０μｍ）及びＰＥＴ（１００μｍ）を含む基板とガラス含有カバー要素（２５μｍ）の３層構成を有する比較試料（比較例１）について、５．２ｃｍ及び３．６ｃｍの平均ペン落下高さが示されている。ガラスＡという見出しの下の第１のグループには、前述のガラス１の組成を採用した。ガラスＢという見出しの下の第２のグループもまた前述のガラス１の組成を採用したが、異なる延伸条件で製造した。さらには、図７Ｂはまた、２つの厚さ（５μｍ及び２５μｍ）を有するＬｅｎｓ  Ｂｏｎｄ  Ｐ−９２材料を含む１の接着剤と、さまざまな中間層材料（例えば、ガラス、Ｋｕｒａｒａｙ  Ｓｐａｌｌｓｈｉｅｌｄ（商標）ＣＰＥＴフィルム、ＰＥＴフィルム、及びＨＤＧＺフィルム）とを採用するさまざまな５層モジュール（実施例２−１から２−３及び３−１から３−５）についての平均ペン落下高さも示している。図７Ｂから明らかなように、第１の接着剤としてＰ−９２材料を採用する５層モジュールはすべて、ＨＤＧＺの脆弱な中間層材料を用いた実施例３−４を除いて、６ｃｍを超えるペン落下高さを示した。また図７Ｂから明らかなように、Ｐ−９２の第１の接着剤材料の厚さを減少させると、ガラス含有中間層を備えたモジュール構成において平均ペン落下高さが増加する傾向がある。
【００９５】
図７Ｃでは、また、ＯＣＡ（５０μｍ）及びＰＥＴ（１００μｍ）を含む基板とガラス含有カバー要素（３５μｍ）との３層構成を有する比較試料（比較例１）について、５．２ｃｍの平均ペン落下高さが示されている。図７Ｃから明らかなように、第１の接着剤としてのＰ−９２、同じカバー要素厚さ（３５μｍ）、及びＰＥＴ又はＫｕｒａｒａｙ  Ｓｐａｌｌｓｈｉｅｌｄ（商標）（すなわち、ＰＥＣフィルム）の中間層を有する他の５層のモジュール試料（実施例４−１及び４−２）で観察された平均ペン落下高さは、それぞれ、１０．６４ｃｍ及び８．６ｃｍで有意に高かった。
【００９６】
特許請求の範囲の精神又は範囲から逸脱することなく、本開示の折り畳み式電子デバイスモジュールにさまざまな修正及び変更を行うことができることが当業者には明らかであろう。
【００９７】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【００９８】
実施形態１
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（Ｂ）中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
前記スタックを前記カバー要素の前記第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、
を備えており、
前記デバイスモジュールが、ペン落下試験で前記カバー要素に衝撃を加えたときに、前記カバー要素の前記第１の主面における約４１００ＭＰａ未満の引張応力及び前記カバー要素の前記第２の主面における約８３００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【００９９】
実施形態２
前記デバイスモジュールが、ペン落下試験で前記カバー要素に衝撃を加えたときに、前記カバー要素の前記第１の主面における約３９００ＭＰａ未満の引張応力及び前記カバー要素の前記第２の主面における約７０００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含む、実施形態１に記載のデバイスモジュール。
【０１００】
実施形態３
前記中間層が約５ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率を含む、実施形態１又は２に記載のデバイスモジュール。
【０１０１】
実施形態４
前記デバイスモジュールが、ペン落下試験で前記カバー要素に衝撃を加えたときに、前記カバー要素の前記第１の主面における約３７００ＭＰａ未満の引張応力及び前記カバー要素の前記第２の主面における約５５００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含む、実施形態２又は３に記載のデバイスモジュール。
【０１０２】
実施形態５
前記中間層が約１２５μｍ〜約２００μｍの厚さを含む、実施形態１〜４のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【０１０３】
実施形態６
前記デバイスモジュールが、ペン落下試験で前記カバー要素に衝撃を加えたときに、前記カバー要素の前記第１の主面における約３６５０ＭＰａ未満の引張応力及び前記カバー要素の前記第２の主面における約６０００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする耐衝撃性を含む、実施形態５に記載のデバイスモジュール。
【０１０４】
実施形態７
前記フレキシブルデバイス基板がフレキシブル有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）基板であり、
前記第１の接着剤が、エポキシ、ウレタン、アクリレート、アクリル、スチレンコポリマー、ポリイソブチレン、ポリビニルブチラール、エチレン酢酸ビニル、ケイ酸ナトリウム、光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ）、感圧接着剤（ＰＳＡ）、高分子発泡体、天然樹脂、及び合成樹脂のうちの１つ以上を含み、
さらに、前記中間層が、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、酢酸酪酸セルロース、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル、スチレンメチルメタクリレート、ガラス繊維強化ポリマー（ＧＦＲＰ）、シリカ粒子、ジルコニア粒子、チタニア粒子、及びシリカゾルゲルのうちの１つ以上を含む、
実施形態１〜６のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【０１０５】
実施形態８
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、及び約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）前記中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
前記スタックを前記カバー要素の前記第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、
を備えており、
前記デバイスモジュールが、前記カバー要素の前記第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験で前記モジュールを曲げたときに、前記デバイスモジュールにおける約１１０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【０１０６】
実施形態９
前記デバイスモジュールが、前記カバー要素の前記第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験で前記モジュールを曲げたときに、前記デバイスモジュールにおける７０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を含む、実施形態８に記載のデバイスモジュール。
【０１０７】
実施形態１０
前記中間層が約５０μｍ〜約１２５μｍの厚さを含む、実施形態８又は９に記載のデバイスモジュール。
【０１０８】
実施形態１１
前記デバイスモジュールが、前記カバー要素の前記第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験で前記モジュールを曲げたときに、前記デバイスモジュールにおける約６０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を含む、実施形態１０に記載のデバイスモジュール。
【０１０９】
実施形態１２
前記中間層が約０．０１ＧＰａ〜約５ＧＰａの弾性率を含む、実施形態８〜１１のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【０１１０】
実施形態１３
前記デバイスモジュールが、前記カバー要素の前記第１の主面が凹面になるように２点曲げ試験で前記モジュールを曲げたときに、前記デバイスモジュールにおける約７０Ｎ未満の曲げ力を特徴とする曲げ抵抗を含む、実施形態１２に記載のデバイスモジュール。
【０１１１】
実施形態１４
前記フレキシブルデバイス基板がフレキシブル有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）基板であり、
前記第１の接着剤が、エポキシ、ウレタン、アクリレート、アクリル、スチレンコポリマー、ポリイソブチレン、ポリビニルブチラール、エチレン酢酸ビニル、ケイ酸ナトリウム、光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ）、感圧接着剤（ＰＳＡ）、高分子発泡体、天然樹脂、及び合成樹脂のうちの１つ以上を含み、
さらに、前記中間層が、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、酢酸酪酸セルロース、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル、スチレンメチルメタクリレート、ガラス繊維強化ポリマー（ＧＦＲＰ）、シリカ粒子、ジルコニア粒子、チタニア粒子、及びシリカゾルゲルのうちの１つ以上を含む、
実施形態８〜１１のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【０１１２】
実施形態１５
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）前記中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
前記スタックを前記カバー要素の前記第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約０．００１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、
を備えており、
前記デバイスモジュールが、前記カバー要素の前記第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験で前記モジュールを曲げたときに、前記カバー要素の前記第２の主面における約２００ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【０１１３】
実施形態１６
前記デバイスモジュールが、前記カバー要素の前記第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験で前記モジュールを曲げたときに、前記カバー要素の前記第２の主面における約１５０ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を含む、実施形態１５に記載のデバイスモジュール。
【０１１４】
実施形態１７
前記中間層が約０．０１ＧＰａ〜約５ＧＰａの弾性率を含む、実施形態１５又は１６に記載のデバイスモジュール。
【０１１５】
実施形態１８
前記デバイスモジュールが、前記カバー要素の前記第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験で前記モジュールを曲げたときに、前記カバー要素の前記第２の主面における約１４０ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を含む、実施形態１７に記載のデバイスモジュール。
【０１１６】
実施形態１９
前記中間層が約５０μｍ〜約１２５μｍの厚さを含む、実施形態１５〜１８のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【０１１７】
実施形態２０
前記デバイスモジュールが、前記カバー要素の前記第１の主面が凹面になるように約６ｍｍのプレート間隔の２点曲げ試験で前記モジュールを曲げたときに、前記カバー要素の前記第２の主面における約８０ＭＰａ未満の引張応力を特徴とする曲げ応力耐性を含む、実施形態１９に記載のデバイスモジュール。
【０１１８】
実施形態２１
前記フレキシブルデバイス基板がフレキシブル有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）基板であり、
前記第１の接着剤が、エポキシ、ウレタン、アクリレート、アクリル、スチレンコポリマー、ポリイソブチレン、ポリビニルブチラール、エチレン酢酸ビニル、ケイ酸ナトリウム、光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ）、感圧接着剤（ＰＳＡ）、高分子発泡体、天然樹脂、及び合成樹脂のうちの１つ以上を含み、
さらに、前記中間層が、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、酢酸酪酸セルロース、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル、スチレンメチルメタクリレート、ガラス繊維強化ポリマー（ＧＦＲＰ）、シリカ粒子、ジルコニア粒子、チタニア粒子、及びシリカゾルゲルのうちの１つ以上を含む、
実施形態１５〜２０のいずれかに記載のデバイスモジュール。
【０１１９】
実施形態２２
折り畳み式電子デバイスモジュールにおいて、該モジュールが、
約２５μｍ〜約２００μｍの厚さ及び約２０ＧＰａ〜約１４０ＧＰａのカバー要素弾性率を有し、かつ、ガラス組成、第１の主面、及び第２の主面を有する構成要素をさらに含む、カバー要素；
スタックであって、
（ａ）第１及び第２の主面、約０．０１ＧＰａ〜約１４０ＧＰａの中間層弾性率、並びに約５０μｍ〜約２００μｍの厚さを有する中間層と、
（ｂ）前記中間層に結合された、約２５μｍ〜約２００μｍの厚さを有するフレキシブル電子デバイス基板と、
を備えたスタック；並びに
前記スタックを前記カバー要素の前記第２の主面に接合する第１の接着剤であって、約１ＧＰａ〜約１０ＧＰａの弾性率及び約５μｍ〜約２５μｍの厚さを特徴とする第１の接着剤、
を備えており、
前記デバイスモジュールが、ペン落下試験で前記カバー要素への一連の衝撃に対して約６ｃｍ以上の平均ペン落下高さを特徴とする耐衝撃性を含む、
折り畳み式電子デバイスモジュール。
【０１２０】
実施形態２３
前記デバイスモジュールが、ペン落下試験で前記カバー要素への一連の衝撃に対して約７．２ｃｍ以上の平均ペン落下高さを特徴とする耐衝撃性を含む、実施形態２２に記載のデバイスモジュール。
【０１２１】
実施形態２４
前記第１の接着剤が、約５μｍの厚さを有し、かつＵＶ硬化フォトポリマーを含む、実施形態２２又は２３に記載のデバイスモジュール。
【符号の説明】
【０１２２】
１０ａ  第１の接着剤
５０  カバー要素
５２  厚さ
５４  第１の主面
５６  第２の主面
６０  フレキシブル電子デバイス基板
７５  中間層
９０ａ  スタック
１００ａ  折り畳み式電子デバイスモジュール
１０２  電子デバイス
２００  ２点曲げ試験装置
２１０  対称線
２２０  曲げ半径
２５０  垂直プレート
３００  ペン落下試験装置
３１０  ペン
３１２  ボールペン先
【図１】
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【図２Ａ】
2020537185.tif 000008
【図２Ｂ】
2020537185.tif 000009
【図３】
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【図４Ａ】
2020537185.tif 000011
【図４Ｂ】
2020537185.tif 000012
【図４Ｃ】
2020537185.tif 000013
【図４Ｄ】
2020537185.tif 000014
【図５Ａ】
2020537185.tif 000015
【図５Ｂ】
2020537185.tif 000016
【図６Ａ】
2020537185.tif 000017
【図６Ｂ】
2020537185.tif 000018
【図７Ａ】
2020537185.tif 000019
【図７Ｂ】
2020537185.tif 000020
【図７Ｃ】
2020537185.tif 000021
【国際調査報告】
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