(57)【要約】本発明は、微小機械圧力センサ（２００）のためのＭＥＭＳデバイス（１００）を製造する方法に関するものであり、該方法は、シリコン基板（１１）と、該シリコン基板（１１）内に形成された、センサ膜（１２）の下方の第１のキャビティ（１３）と、を含むＭＥＭＳウェハ（１０）を提供するステップと、ＭＥＭＳウェハ（１０）に層状の保護要素（２０）を付けるステップと、背面からセンサ中核部（１２、１３、１３ａ）を開放するステップであって、第２のキャビティ（１８）が、センサ中核部（１２、１３、１３ａ）とシリコン基板（１１）の表面との間に形成され、第２のキャビティ（１８）は、エッチングパラメータを所定のように変更して実施するエッチング処理によって形成される、ステップと、層状の保護要素（２０）を除去するステップと、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小機械圧力センサ（２００）のためのＭＥＭＳデバイス（１００）を製造する方法であって、
シリコン基板（１１）と、該シリコン基板（１１）の内部に形成された、センサ膜（１２）の下方の第１のキャビティ（１３）と、を含むＭＥＭＳウェハ（１０）を提供するステップと、
前記ＭＥＭＳウェハ（１０）に層状の保護要素（２０）を付けるステップと、
背面からセンサ中核部（１２、１３、１３ａ）を開放するステップであって、第２のキャビティ（１８）が、前記センサ中核部（１２、１３、１３ａ）と前記シリコン基板（１１）の表面との間に形成され、前記第２のキャビティ（１８）は、エッチングパラメータを所定のように変更して実施するエッチング処理によって形成される、ステップと、
前記層状の保護要素（２０）を除去するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記層状の保護要素（２０）は、ワニス又はフィルムである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のキャビティ（１８）を形成するために、前記エッチング処理は、異方性エッチングにより開始され等方性エッチングにより所定のように続行される深掘り反応性イオンエッチング処理である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のキャビティ（１８）を形成するために、垂直エッチング処理によって前記シリコン基板（１１）に入口開口（１７）が形成され、前記垂直エッチング処理は、横方向エッチング処理に変更され、前記横方向エッチング処理の結果生じた球状のエッチング前面が組み合わさる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記深掘り反応性イオンエッチング処理の後で、前記エッチング処理のパッシベーション及びスパッタリング部分を停止する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチング処理全体が、最初から所定のように等方的に形成される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項７】
前記エッチング処理によって、下方に向かって拡大する台形状のエッチング前面が形成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
シリコン基板（１１）内に形成されたセンサ中核部（１２、１３、１３ａ）であって、センサ膜（１２）を含み、該センサ膜（１２）には第１のキャビティ（１３）が形成されている、センサ中核部（１２、１３、１３ａ）と、
前記センサ中核部（１２、１３、１３ａ）の上方の前記シリコン基板（１１）に形成された第２のキャビティ（１８）と、
を含む、微小機械圧力センサ（２００）のためのＭＥＭＳデバイス（１００）であって、
前記第２のキャビティ（１８）は、エッチング処理により生成され、前記エッチング処理のエッチングパラメータは、前記エッチング処理の間に所定のように変更される、ＭＥＭＳデバイス（１００）。
【請求項９】
前記第２のキャビティ（１８）を形成するために、前記微小機械圧力センサ（１００）は、異方性エッチングにより開始され等方性エッチングにより続行される深掘り反応性イオンエッチング処理によって形成される、請求項８に記載のＭＥＭＳデバイス（１００）。
【請求項１０】
前記ＭＥＭＳウェハ（１０）は、ボンディングワイヤ（３０）によって、並置され又は上下に配置された状態でＡＳＩＣ（４０）と接続される、請求項８又は９に記載のＭＥＭＳデバイス（１００）。
【請求項１１】
前記ＭＥＭＳデバイス（１００）は、ピエゾ抵抗式又は容量性の検出素子を有する、請求項８〜１０のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイス（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微小機械圧力センサのためのＭＥＭＳデバイスを製造する方法に関する。さらに、本発明は、微小機械圧力センサのためのＭＥＭＳデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
センサ膜の変形の関数として圧力差を測定する微小機械圧力センサが、例えば、独国特許出願公開第１０２００４００６１９７号明細書に開示されている。
【０００３】
公知の微小機械圧力センサにおいて機械電気的変換器として利用される半導体抵抗は、センサ膜への圧力の影響によって生じる機械的なストレスのみならず、機械的外乱によるストレスも受ける。この場合、以下のような２つの重要な外乱がある。
−集積回路パッケージング技術（AVT:Aufbau- und Verbindungstechnik）の側から持ち込まれるストレス、以下に起因する：
・センサが取り付けられているプリント基板の変形、
・例えばはんだ付けによる、温度を介したハウジングの変形、
・利用される接着剤の温度挙動
−被覆層の温度挙動による、センサ素子からの内在応力
【０００４】
先に挙げた影響は部分的には、例えば誘導体被覆層では、適切な調整によって抑えられる。金属化と、ＡＶＴ側から持ち込まれるストレスとの影響は、（例えば、特にはんだ付け中又ははんだ付け後の金属のクリープによる）部品の履歴に著しく依存する。これらは、市場に部品を供給する前の調整によっては補償されえない。
【０００５】
独国特許出願公開第１０２０１５１１６３５３号明細書は、機械的に分離された、カプセル化されたマイクロ集積化ＭＥＭＳセンサと、その製造方法を開示している。これにおいては、ＳＯＩ基板に形成された圧力センサが、背面から、例えばＨＦ気相エッチングを用いて、埋め込まれた酸化層をエッチングにより除去することで開放される。この場合、エッチングガスの導入は、以前にウェハ裏面のシリコンに掘られた入口開口を通じて行われる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、微小機械圧力センサのＭＥＭＳデバイスのための製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本課題は、第１の観点によれば、微小機械圧力センサのためのＭＥＭＳデバイスを製造する方法であって、
−シリコン基板と、該シリコン基板内に形成された、センサ膜の下方の第１のキャビティと、を含むＭＥＭＳウェハを提供するステップと、
−ＭＥＭＳウェハに層状の保護要素を付けるステップと、
−背面からセンサ中核部を開放するステップであって、第２のキャビティが、センサ中核部とシリコン基板の表面との間に形成され、第２のキャビティは、エッチングパラメータを所定のように変更して実施するエッチング処理によって形成される、ステップと、
−層状の保護要素を除去するステップと、
を含む上記方法によって解決される。
【０００８】
このようにして、有利にも、応力分離された圧力センサ中核部を含むＭＥＭＳデバイスを提供することができる。微小機械圧力センサのために必要な電子部品（例えば、ＡＳＩＣ）を、処理技術的に、ＭＥＭＳデバイスに依存せずに製造することが可能であり、上記の２つの構成要素は、多様な組み合わせにより組み立てて微小機械圧力センサとすることができる。これにより有利に、微小機械圧力センサを設計するための大きな設計自由度がサポートされる。
【０００９】
結果的に、このようにして、圧力センサ膜があらゆる方面で開放されているＭＥＭＳデバイスを提供し、これにより、効率的な応力分離構造が実現される。エッチング形態の変更によって、このために必要な、シリコン基板内の第２のキャビティの提供が可能である。このようにして、微小機械圧力センサのエラー信号を減らすことが可能であり、これにより、圧力センサの動作特性が改善される。
【００１０】
第２の観点によれば、本課題は、
−シリコン基板内に形成されたセンサ中核部であって、センサ膜を含んでおり、センサ膜には第１のキャビティが形成されている、センサ中核部と、
−センサ中核部の上方のシリコン基板に形成された第２のキャビティと、
を含む、微小機械圧力センサのためのＭＥＭＳデバイスであって、
第２のキャビティが、エッチング処理によって生成され、エッチング処理のエッチングパラメータは、エッチング処理の間に所定のように変更される、上記ＭＥＭＳデバイスによって解決される。
【００１１】
微小機械圧力センサのための微小機械デバイスを製造する方法の好ましい実施形態は、従属請求項の発明の主題である。
【００１２】
本方法の有利な実施形態では、層状の保護要素をワニス又はフィルムとすることを提供する。このようにして、有利にも、様々な保護要素を本方法のために利用することが可能である。本方法の他の有利な実施形態では、第２のキャビティを形成するために、エッチング処理を、異方性エッチングにより開始され等方性エッチングにより所定のように続行される深掘り反応性イオンエッチング処理とすることを提供する。このようにして、それ自体は公知のエッチング処理を、有利に、第２のキャビティの形成のために利用できる。
【００１３】
本発明の他の有利な実施形態では、第２のキャビティを形成するために、垂直エッチング処理によってシリコン基板に入口開口を形成し、垂直エッチング処理は、横方向エッチング処理に変更して、横方向エッチングの結果生じた球状のエッチング前面を組み合わせることを提供する。これにより、有利なやり方で、それ自体は公知のエッチング処理の固有の特性を、第２のキャビティを提供するために活用できる。
【００１４】
本方法の他の有利な実施形態は、深掘り反応性イオンエッチング処理の後で、このエッチング処理のパッシベーション及びスパッタリング部分を停止させることを特徴とする。これにより、効果が高いやり方で、第２のキャビティを作り出すためのそれ自体は公知のエッチング処理を調整する措置が取られる。
【００１５】
本発明の他の有利な実施形態では、エッチング処理全体を、最初から所定のように等方的にすることを提供する。このようにして有利に、代替的な製造方法を提供できる。
【００１６】
本方法の他の有利な実施形態では、エッチング処理によって、最初から下方に向かって拡大する台形状のエッチング前面を形成することを提供する。このようにして、有利に、下方に向かって形成され台形状に拡大するエッチング形態を提供し、これにより有利に、エッチングガスの導入が容易になる。さらにこれにより、エッチング時間を短縮でき、その処理全体をより良好に管理することができる。
【００１７】
以下では、本発明を他の特徴及び利点によって、複数の図を用いて詳細に説明する。同一又は機能的に同一の構成要素は、同じ符号を有する。図は特に、本発明に係る原理を明確にすることを意図しており、必ずしも縮尺通りには示していない。より分かりやすくするため、全図において全ての符号を付さないことがある。
【００１８】
開示する方法の特徴は、対応して開示する装置の特徴からも同様に明らかとなり、その逆また然りである。このことは特に、微小機械圧力センサのためのＭＥＭＳデバイスを製造する方法に該当する特徴、技術的利点、及び実現が、ＭＥＭＳデバイスの対応する実現、特徴、及び利点から同じように明らかとなり、その逆もまた然りであることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】提案するＭＥＭＳデバイスの断面図の上面図を示す。
【図２】微小機械圧力センサのためのＭＥＭＳデバイスを製造するための提案する方法を説明するための横断面の図を示す。
【図３】微小機械圧力センサのためのＭＥＭＳデバイスを製造するための提案する方法を説明するための横断面の図を示す。
【図４】微小機械圧力センサのためのＭＥＭＳデバイスを製造するための提案する方法を説明するための横断面の図を示す。
【図５】提案するＭＥＭＳデバイスを備えた微小機械圧力センサの上面図を示す。
【図６】提案するＭＥＭＳデバイスを備えた微小機械圧力センサの横断面を示す。
【図７】提案するＭＥＭＳデバイスを備えた微小機械圧力センサの横断面を示す。
【図８】微小機械圧力センサのためのＭＥＭＳデバイスを製造する方法の一実施形態の原則的なフローを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の核をなす構想は、微小機械圧力センサのＭＥＭＳデバイスのための製造方法を提供することである。このために、簡素で安価なＳｉ基板を用いて実施可能な特別に設計されたエッチング法を提案する。このようにして、効率的な応力分離構造が実現される。
【００２１】
図１は、ＭＥＭＳデバイス１００のセンサ膜１２の上面図、又はＭＥＭＳデバイス１００の断面図を示している。センサ膜１２は、周溝１４によって残りの基板から間隔を置かれており、これにより、弾性要素１９の形態による、圧力センサの中核部を残りの基板から分離するシリコンウエブ（Silizium-Steg）が形成されることが分かる。
【００２２】
弾性要素１９は、センサ中核部とセンサ膜１２との電気的接触及び機械的固定のために役立つ。この目的のために、弾性要素１９は有利に、センサ膜１２の変形を検知するピエゾ抵抗２２から電気信号を電子部品（図示せず）へと案内する導電経路２１を導くために利用する。
【００２３】
図２は、シリコン基板１１を含むＭＥＭＳウェハ１０の横断面を示しており、シリコン基板１１には誘導体被覆層１５を配置している。シリコン基板１１内では、第１の入口開口１４と、さらに、第１のキャビティ１３（「真空基準空洞」）と、を形成している。第１のキャビティ１３の下方にはバルクシリコン１３ａが見て取れる。金属化要素１６には、図３で説明するように、層状の保護要素２０を付ける。
【００２４】
図３は、図２の構成を１８０度回転させた状態を示しており、ここでは、ＭＥＭＳウェハ１０には、層状の保護要素２０の形態による表面保護部を付けており、好ましくは貼着している。ここでは、層状の保護要素２０は、ＭＥＭＳウェハ１０に塗布したワニス層として、又は、ＭＥＭＳウェハ１０に被せたフィルムとして形成してもよい。ＭＥＭＳウェハ１０は、本構成では、（例えば研磨によって）背面から薄くし、従って、後続のパターン化ステップにおける加工時間が短縮され、部品の高さは低くなる。
【００２５】
後続の加工ステップでは、フォトリソグラフィーによって、シリコン基板１１に孔のパタ−ンを生成する。この孔のパターンを利用して、シリコン基板１１にはエッチングを施し、好ましくは、深掘り反応性イオンエッチング（DRIE: deep reactive ion etching）の形態により、好ましくは、垂直エッチング処理又は異方性エッチング処理によって、エッチングを施す。これにより、第２の入口開口１７をシリコン基板１１に形成する。第２の入口開口１７のエッチングは、シリコン基板１１のバルクシリコン１３ａで止まる。このパターン化ステップは他の領域において、例えば、ボンディング領域（bondland）又は鋸歯状トレンチへの入口となる大きなエッチング孔（図示せず）を生成するために利用してもよい。
【００２６】
更に別のステップにおいて、先に挙げたＤＲＩＥエッチング処理におけるパッシベーション及びスパッタリング部分の停止により、方向付けがない又は等方的な更なるエッチングを用いて、第２の入口開口１７の底部にアンダーカットを実現する。このようにして、センサ中核部と機械的に接触しない空間の空いた格子を、止まり穴を設けられた領域から生成する。本ステップでは、ワイヤボンディング領域又は鋸歯状トレンチ領域を、エッチングせずにおくことができる。
【００２７】
図４は、先に説明したように第２の入口開口１７の形成中のエッチング形態の変更により得られた結果を示している。エッチングパラメータが変更されたことで、シリコン基板１１内で球状のエッチング前面が成長して一体化することにより第２のキャビティ１８を形成していることが分かる。第２のキャビティ１８は、シリコン基板１１に第１の入口開口１７によって形成された格子によって、残りの基板から隔てられている。センサ中核部は、このようにして、導電経路２１を案内している弾性要素１９（図示せず）によって残りの基板に接続される。
【００２８】
結果的に、今や貫通している第１の入口開口１４と、第２のキャビティ１８と、貫通している第２の入口開口１７とによって、センサ膜１２のためにあらゆる方向の開放と、これによる、外部から作用する機械的ストレスに抗する機械的な分離構造とを作り出している。これにより、圧力センサの機械的固定及び電気的接続を除いて、圧力センサ中核部のあらゆる方向での機械的分離を生み出し、有利にも、圧力センサ中核部へのチッブ縁部からの機械的な影響を最小に抑える。
【００２９】
従って、簡単なやり方で、上記構造のために必要な、第２のキャビティ１８の形態による中空を、実施中にエッチングパラメータを変更するエッチング処理によって提供した。等方性エッチング過程の結果、第２のキャビティ１８内に部分的に球状の面が形成されていることが見て取れる。
【００３０】
さらに、微小機械圧力センサ２００のためのＭＥＭＳデバイス１００を、代替的な方法に従って製造することも考えられる。この場合には、第２の入口開口１７を、シリコン基板１１の表面から下方に向かって台形状に拡大する均一に広がったエッチ前面を備えるように形成する。このことは、先に挙げたＤＲＩＥ処理を制御することにより、基板の背面で第２の入口開口１７により定められる個々のエッチング前面が、処理の経過につれて互いに交じり合い１つのまとまったエッチング前面として、圧力センサ中核部をシリコン基板１１の背面又は表面から分離する（図示せず）ようにすることで達成される。
【００３１】
これにより、結果として、第２のキャビティ１８を、台形状のエッチング前面からシリコン基板１１の表面に向かって及び側方へと形成する。結果として、このようにして、エッチングガスをより簡単に導入することが可能であり、エッチング処理全体を有利に良好に制御可能である。
【００３２】
図４は、図３に対して層状の保護要素２０を除去した構成を示しており、これにより結果として、完成したＭＥＭＳデバイス１００を提供する。完成したＭＥＭＳデバイス１００は更に例えばＡＳＩＣ４０又はそれ以外の電子部品と組み合わせて、微小機械圧力センサ１００とすることができる。有利にも、ＭＥＭＳデバイス１００の製造プロセスは、ＡＳＩＣ４０の製造プロセスから完全に切り離して実施することが可能となる。特に、ＭＥＭＳデバイス１００の処理のために、ＭＥＭＳウェハ１０とＡＳＩＣウェハとの共晶接合を行う必要がない。
【００３３】
図５〜図７は、提案するＭＥＭＳデバイス１００を用いて実現可能な微小機械圧力センサ２００の２つの変形例を示している。
【００３４】
図５は、微小機械圧力センサ２００の写真的な上面図を示し、ここでは、ＭＥＭＳデバイス１００を、ボンディングワイヤ３０によって並置した（英語：side-by-side）状態でＡＳＩＣ４０と電気的に接触させており、ＭＥＭＳデバイス１００とＡＳＩＣ４０との双方が基板５０に載置されている。この場合、ＭＥＭＳデバイス１００は、少なくとも１つのボンディングワイヤ３０によって、ＡＳＩＣ４０と電気的に接続されており、ＡＳＩＣ４０は、少なくとも１つのボンディングワイヤ３０によって、基板５０と電気的に接続されている。この構成全体は、ハウジング６０によって囲まれている。ハウジング６０には入口開口６１を形成しており、この入口開口６１を通じて、圧力センサ２００のＭＥＭＳデバイス１００のための媒体を供給することが可能である。
【００３５】
図６は、図５の微小機械圧力センサ２００を１８０度回転させた向きでの横断面を示している。
【００３６】
図７は、提案するＭＥＭＳデバイス１００を用いて実現可能な微小機械圧力センサ２００の更なる別の変形例の横断面を示している。この場合、ＭＥＭＳデバイス１００を、積層（英語：stacked）構成でＡＳＩＣ４０に接合しており、回路構造を有するＡＳＩＣ４０の下側が、フリップチップボンディング７０により基板５０と電気的に接続されている。
【００３７】
このようにして、微小機械圧力センサ２００の、スペースをとらない変形例を有利に実現できる。本変形例では、ＭＥＭＳデバイス１００を、少なくとも１つのボンディングワイヤ３０によって直接的に基板５０と電気的に接続することを提供する。
【００３８】
好ましくは、微小機械圧力センサ２００は、ピエゾ抵抗式の圧力センサとして構成するが、容量性の微小機械圧力センサとしての実現も考えられる。
【００３９】
図８は、微小機械圧力センサ２００のためのＭＥＭＳデバイス１００を製造するための提案する方法の時間的な流れを示している。
【００４０】
ステップ３００において、シリコン基板１１と、このシリコン基板１１内に形成した、センサ膜１２の下方の第１のキャビティ１３と、を含むＭＥＭＳウェハ１００の提供を行う。
【００４１】
ステップ３１０において、ＭＥＭＳウェハ１０への層状の保護要素２０のコーティングを行う。
【００４２】
ステップ３２０において、背面からのセンサ中核部１２、１３、１３ａの開放を行い、ここで、第２のキャビティ１８を、センサ中核部１２、１３、１３ａとシリコン基板１１の表面との間に形成する。第２のキャビティ１８は、エッチングパラメータを所定のように変更して行うエッチング処理によって形成する。
【００４３】
最後にステップ３３０において、層状の保護要素２０を除去する。
【００４４】
以上、本発明によって、安価でフレキシブルなやり方で応力分離の圧力検知構造を提供することが可能な、微小機械圧力センサのためのＭＥＭＳデバイスを製造する方法を提案した。これは、圧力センサ膜の上方の第１のウェハ内に第２のキャビティを形成する際のエッチング形態の変更により実現される。ＭＥＭＳデバイスの形成時は、一時的に、層状の保護要素を付け、これにより、ＭＥＭＳデバイスの処理を簡単なやり方で実施できる。
【００４５】
圧力センサ膜をあらゆる方向で開放した状態を保ちながら第２のウェハから分離することにより、複数の代替的なＡＶＴ（集積回路パッケージング）方法が得られる。特に、ＭＥＭＳデバイスを、第２のウェハ（例えば、ＡＳＩＣウェハ）に依存せずに設計することもできる。圧力センサ膜があらゆる方向で開放されていることにより、ＭＥＭＳデバイスをより安価に、例えばダイアタッチフィルム（Die-Attach-Film）による硬化する接着剤によって、ＡＶＴ（集積回路パッケージング）に組み込むことができる。
【００４６】
以上、本発明を具体的な実施例によって説明してきたが、当業者は、本発明の要旨を逸脱することなく、本発明の以上に開示していない又は部分的にしか開示していない実施形態を実現することができるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年11月5日(2019.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小機械圧力センサ（２００）のためのＭＥＭＳデバイス（１００）を製造する方法であって、
シリコン基板（１１）と、該シリコン基板（１１）の内部に形成された、センサ膜（１２）の下方の第１のキャビティ（１３）と、を含むＭＥＭＳウェハ（１０）を提供するステップと、
前記ＭＥＭＳウェハ（１０）に層状の保護要素（２０）を付けるステップと、
背面からセンサ中核部（１２、１３、１３ａ）を開放するステップであって、第２のキャビティ（１８）が、前記センサ中核部（１２、１３、１３ａ）と前記シリコン基板（１１）の表面との間に形成され、前記第２のキャビティ（１８）は、エッチングパラメータを所定のように変更して実施するエッチング処理によって形成され、前記第２のキャビティ（１８）を形成するために、前記エッチング処理は、異方性エッチングにより開始され等方性エッチングにより所定のように続行される深掘り反応性イオンエッチング処理である、ステップと、
前記層状の保護要素（２０）を除去するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記層状の保護要素（２０）は、ワニス又はフィルムである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のキャビティ（１８）を形成するために、垂直エッチング処理によって前記シリコン基板（１１）に入口開口（１７）が形成され、前記垂直エッチング処理は、横方向エッチング処理に変更され、前記横方向エッチング処理の結果生じた球状のエッチング前面が組み合わさる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記深掘り反応性イオンエッチング処理の後で、前記エッチング処理のパッシベーション及びスパッタリング部分を停止する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記エッチング処理全体が、最初から所定のように等方的に形成される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチング処理によって、下方に向かって拡大する台形状のエッチング前面が形成される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
シリコン基板（１１）内に形成されたセンサ中核部（１２、１３、１３ａ）であって、センサ膜（１２）を含み、該センサ膜（１２）の下方には第１のキャビティ（１３）が形成されている、センサ中核部（１２、１３、１３ａ）と、
前記センサ中核部（１２、１３、１３ａ）の上方の前記シリコン基板（１１）に形成された第２のキャビティ（１８）と、
を含む、微小機械圧力センサ（２００）のためのＭＥＭＳデバイス（１００）であって、
前記第２のキャビティ（１８）は、球状のエッチング前面を有する、ＭＥＭＳデバイス（１００）。
【請求項８】
前記第２のキャビティ（１８）を形成するために、前記微小機械圧力センサ（１００）は、異方性エッチングにより開始され等方性エッチングにより続行される深掘り反応性イオンエッチング処理によって形成される、請求項７に記載のＭＥＭＳデバイス（１００）。
【請求項９】
前記ＭＥＭＳウェハ（１０）は、ボンディングワイヤ（３０）によって、並置され又は上下に配置された状態でＡＳＩＣ（４０）と接続される、請求項７又は８に記載のＭＥＭＳデバイス（１００）。
【請求項１０】
前記ＭＥＭＳデバイス（１００）は、ピエゾ抵抗式又は容量性の検出素子を有する、請求項７〜９のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイス（１００）。
【国際調査報告】
2020514738.tif 000011
2020514738.tif 000012
2020514738.tif 000013
2020514738.tif 000014