(57)【要約】  基板支持体および基板支持体を具備するプロセスチャンバの実施形態が提供される。いくつかの実施形態では、基板支持体が、第１の表面を有する支持本体と、第１の表面を通って支持本体内へ延びる１つまたは複数のレセプタクルと、それぞれ１つまたは複数のレセプタクルのうちの対応するレセプタクル内に配置され、第１の表面から突出する１つまたは複数の突起であって、第１の表面の上に実質的に平面の支持面を少なくとも部分的に画定する１つまたは複数の突起とを含む。裏側ウエハの損傷をなくす方法も開示される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面を有する支持本体と、
前記第１の表面を通って前記支持本体内へ延びる１つまたは複数のレセプタクルと、
それぞれ前記１つまたは複数のレセプタクルのうちの対応するレセプタクル内に配置され、前記第１の表面から突出する１つまたは複数の突起であって、前記第１の表面の上に実質的に平面の支持面を少なくとも部分的に画定する１つまたは複数の突起と、
を備える基板支持体。
【請求項２】
１つまたは複数の突起が、前記支持本体から交換可能または切離し可能である、請求項１に記載の基板支持体。
【請求項３】
前記１つまたは複数の突起が、前記第１の表面より柔軟である、請求項１または２に記載の基板支持体。
【請求項４】
前記１つまたは複数の突起が、熱可塑性材料から作られる、請求項１、２、または３に記載の基板支持体。
【請求項５】
前記１つまたは複数の突起が、基板に接触して支持するための平坦化された頂面を有する、請求項１、２、３、または４に記載の基板支持体。
【請求項６】
前記突起が、約２５ミクロン〜約２００ミクロンの高さを有する、請求項１、２、３、４、または５に記載の基板支持体。
【請求項７】
前記１つまたは複数のレセプタクルがねじ孔である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項８】
前記１つまたは複数の突起が、前記ねじ孔に嵌合するためのねじ山を含む、請求項７に記載の基板支持体。
【請求項９】
前記１つまたは複数の突起が、前記支持本体の周りに配置された複数の突起である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１０】
第１の表面を有する支持本体と、
前記第１の表面を通って前記支持本体内へ延びる１つまたは複数のレセプタクルと、
それぞれ前記１つまたは複数のレセプタクルのうちの対応するレセプタクル内に配置され、前記第１の表面から突出する１つまたは複数の突起であって、前記第１の表面の上に実質的に平面の支持面を少なくとも部分的に画定する１つまたは複数の突起と、
前記第１の表面と前記基板支持体上に配置されたときの基板の裏側との間に画定される空間にガスまたは真空を供給するように前記支持本体を通って前記第１の表面へ配置された少なくとも１つのチャネルと
を備える基板支持体。
【請求項１１】
前記支持本体の周縁部に配置されたシールバンドをさらに備える、請求項１０に記載のチャックアセンブリ。
【請求項１２】
前記シールバンドが、その摩擦係数を低減させる材料によってコーティングされる、請求項１１に記載のチャックアセンブリ。
【請求項１３】
前記１つまたは複数の突起のそれぞれが、前記基板を支持するための接触点を含み、前記接触点が、前記第１の表面より柔軟である、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のチャックアセンブリ。
【請求項１４】
前記接触点が、熱安定性プラスチックから作られる、請求項１３に記載のチャックアセンブリ。
【請求項１５】
前記支持本体が、前記支持面上に形成されて前記少なくとも１つのチャネルに結合された複数の溝を備える、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のチャックアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、一般に、半導体製造機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）の製造では、様々な化学的および／または物理的反応が生じるように、基板を高い温度に加熱することができる。通常、基板を加熱するために熱処理が使用される。アニーリングなどの典型的な熱処理では、短時間で比較的大量の熱エネルギーを基板に提供し、その後ウエハを急速に冷却して熱処理を終了する必要がある。これらの熱処理中にプロセスチャンバ内の基板を固定するために、加熱されたチャックが使用される。
【０００３】
一貫した熱均一性のために、チャックと基板との間で特定の量の制御された接触が必要とされ、本発明者らは、加熱されたチャックの支持面と基板との間の接触面積が問題となり、たとえば低温の基板が加熱によって膨張したとき、基板のうち支持面に接触する側に損傷を引き起こす可能性があることを観察した。接触面積を最小にする試みがなされてきたが、本発明者らは、接触表面積を最小にすることによって、増大された力が基板に作用し、基板の下面への損傷を集中および増大させることを観察した。本発明者らは、基板が接触領域より柔軟な材料であるとき、くぼみまたは引っ掻き傷の形で基板の裏側に追加の損傷が生じる可能性があるため、この状況がさらに問題となることを観察した。
【０００４】
本発明者らは、チャックの継続使用により、基板支持体の反りおよび／または基板支持体と基板との間の接触領域の摩耗が生じる可能性もあることをさらに観察した。本発明者らは、反りおよび摩耗が基板の完全性および平面性にとって好ましくないことを観察した。
【０００５】
したがって、本発明者らは、基板支持体の改善された実施形態を提供する。
【発明の概要】
【０００６】
基板支持体および基板支持体を具備するプロセスチャンバの実施形態が提供される。いくつかの実施形態では、基板支持体が、第１の表面を有する支持本体と、第１の表面を通って支持本体内へ延びる１つまたは複数のレセプタクルと、それぞれ１つまたは複数のレセプタクルのうちの対応するレセプタクル内に配置され、第１の表面から突出する１つまたは複数の突起であって、第１の表面の上に実質的に平面の支持面を少なくとも部分的に画定する１つまたは複数の突起とを含む。裏側ウエハの損傷をなくす方法も開示される。
【０００７】
いくつかの実施形態では、基板支持体は、第１の表面を有する支持本体と、第１の表面を通って支持本体内へ延びる１つまたは複数のレセプタクルと、それぞれ１つまたは複数のレセプタクルのうちの対応するレセプタクル内に配置され、第１の表面から突出する１つまたは複数の突起であって、第１の表面の上に実質的に平面の支持面を少なくとも部分的に画定する１つまたは複数の突起と、基板支持体上に配置されたときに第１の表面と基板の裏側との間に画定される空間にガスまたは真空を供給するように支持本体を通って第１の表面へ配置された少なくとも１つのチャネルとを含む。
【０００８】
いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、側壁および底部を有するチャンバ本体と、チャンバ本体内に配置された基板支持体とを含む。基板支持体は、本明細書に開示する実施形態のいずれかに記載のとおりである。
【０００９】
本発明の他のさらなる実施形態は、以下に説明する。
【００１０】
上記で簡単に要約し、以下により詳細に論じる本開示の実施形態は、添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうるため、添付の図面は本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって範囲の限定であると解釈されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示のいくつかの実施形態による基板支持体を有するプロセスチャンバの概略的な横断面図である。
【図２Ａ−２Ｃ】本開示のいくつかの実施形態による基板支持体の概略的な断面図である。
【図３Ａ】本開示のいくつかの実施形態による基板支持体で使用するための突起の例示的な形状の概略的な側断面図である。
【図３Ｂ−３Ｃ】本開示のいくつかの実施形態による基板支持体で使用するための突起の概略的な等角図である。
【図４Ａ−４Ｂ】本開示のいくつかの実施形態による突起を有する基板支持体の概略的な断面図である。
【図５】本開示のいくつかの実施形態による真空チャックアセンブリの概略的な上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
理解を容易にするために、可能な場合、これらの図に共通する同一の要素を指すために、同一の参照番号を使用した。これらの図は、原寸に比例して描かれたものではなく、見やすいように簡略化されていることがある。さらなる記述がなくても、一実施形態の要素および特徴を他の実施形態に有益に組み込むことができる。
【００１３】
本開示の実施形態は、従来の基板支持装置と比較すると、基板のうち基板支持体に接触する側（たとえば、裏側）に沿った基板の損傷を低減または解消する、改善された基板支持体および処理装置を提供する。本開示の実施形態は、有利には、半導体プロセスチャンバにおける基板のチャッキングなどの製造プロセス中に裏側基板の損傷を回避または低減することができ、基板の反りおよび不均一性をさらに制限または防止することができる。本開示の実施形態は、チャッキングを利用するプロセス、たとえば真空または静電チャックを使用するシリコンウエハ処理において、基板に接触する基板支持体で使用することができる。
【００１４】
図１は、本開示のいくつかの実施形態による基板支持体１０２を有するプロセスチャンバ１００の断面図を概略的に示す。プロセスチャンバ１００は、処理中に基板を支持する任意の基板処理チャンバとすることができる。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバ１００は、半導体基板処理チャンバ、たとえば半導体ウエハを処理するチャンバとすることができる。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバ１００は、支持されている基板を高い温度に加熱するように構成することができる。いくつかの非限定的な例では、プロセスチャンバ１００は、アニーリングチャンバとすることができ、これはカリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なものなどの半導体処理システムの一部とすることができ、またはプロセスチャンバ１００は、「Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｃｈｕｃｋ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ」という名称のＬｅｒｎｅｒらの米国特許第８，６９８，０４８号に記載されているものなどの処理チャンバとすることができる。他の製造者から入手可能なものを含む他の処理チャンバを、本開示からの利益を得られるように適合することもできる。
【００１５】
プロセスチャンバ１００は、概して、チャンバ本体１０１を含む。チャンバ本体１０１は、プロセス体積１１４を画定する側壁１０６、底部１０８、およびリッド１１０を有する。プロセス体積１１４は、典型的に、チャンバ本体１０１のプロセス体積１１４の内外への基板１２０の動きを容易にする側壁１０６内のバルブ（図示せず）を介してアクセスされる。チャンバ本体１０１の側壁１０６および底部１０８は、概して、プロセス化学反応に適合している単体のアルミニウムまたは他の材料から製作されるが、複数片構造を含む他の構成を使用することもできる。
【００１６】
基板支持体１０２は、チャンバ本体１０１内で中心に配置され、処理中に基板１２０を支持する。基板支持体１０２は、概して、第１の表面１１８を有する支持本体１１６を含む。実施形態では、支持本体１１６は、底部１０８を通って延びるシャフト１２２によって支持される。支持本体１１６は、概して円形の形状であり、石英、アルミナなどのセラミック、またはステンレス鋼、２相ステンレス鋼、チタン、合金鋼、工具鋼組成物などの金属組成物、およびこれらの組合せなどの材料から製作することができる。実施形態では、支持本体１１６は、以下にさらに説明するように、その摩擦係数を低減させるための材料によって少なくとも部分的にコーティングされる。
【００１７】
実施形態では、支持本体１１６は、１つまたは複数のレセプタクル１３６と、１つまたは複数の突起１３８とを含み、１つまたは複数の突起１３８は、以下にさらに説明するように、レセプタクル１３６から切離し可能にレセプタクル１３６内に配置され、またはレセプタクル１３６に取外し可能に結合される。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のレセプタクル１３６は、第１の表面１１８を通って支持本体１１６内へ延びる。１つまたは複数の突起１３８は、それぞれ１つまたは複数のレセプタクル１３６のうちの対応するレセプタクル内に配置され、第１の表面１１８から突出する。１つまたは複数の突起１３８は、第１の表面１１８の上に実質的に平面の支持面１０３を少なくとも部分的に画定する。図１を参照すると、Ｄ１は、第１の表面１１８の上の平面の支持面の高さを表し、平面の支持面１０３と第１の表面１１８との間の間隙を示す。実施形態では、平面の支持面は、第１の表面１１８の上に約０．０５ミリメートル〜５ミリメートル、または０．１ミリメートル〜１ミリメートル、または約０．１５ミリメートルである。実施形態では、平面の支持面は、支持本体１１６の第１の表面１１８全体の上に位置する。
【００１８】
いくつかの実施形態では、支持本体１１６は、少なくとも１つの加熱要素１２４（想像線で示す）を含む。いくつかの実施形態では、加熱要素１２４は、支持本体１１６内に封入される。電極または抵抗加熱要素などの加熱要素１２４は、電気コネクタアセンブリ１２６を介して電源１３０に結合されており、処理中に支持本体１１６および支持本体１１６上に位置する基板１２０を所定の温度に制御可能に加熱する。いくつかの実施形態では、加熱要素１２４は、処理中に基板１２０を約２０℃〜７５０℃の温度に加熱するように構成される。いくつかの実施形態では、第１の表面１１８と基板支持体上に配置されたときの基板１２０の裏側との間に画定される空間にガスまたは真空を供給するために、少なくとも１つのチャネル１２７（想像線で示す）が支持本体１１６を通って配置される。少なくとも１つのチャネル１２７は、ガスを提供するためにガス源１２８に結合することができ、または処理中に支持本体１１６上に位置する基板１２０に吸引力（たとえば、真空圧力）を提供するために真空源１２９に結合することができる。支持本体１１６は、静電チャックで使用するために好適なものなどのＤＣ電極１０４（想像線で示す）および追加の電源１０５（想像線で示す）を含むことができる。支持本体１１６は、冷却要素、ＲＦ電極、および／または裏側ガス供給などの非限定的な例など、超小型電子デバイスの製造のための基板支持体で一般に見られる追加の要素を含むことができる。説明を簡単にするために、これらの追加の要素は示されていない。
【００１９】
処理中、基板１２０は、チャンバ本体１０１内（たとえば、基板支持体の上）に配置することができる。基板１２０は、たとえば、ドープまたは非ドープシリコン基板、ＩＩＩ−Ｖ化合物基板、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）基板、エピ基板、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）ランプディスプレイなどのディスプレイ基板、発光ダイオード（ＬＥＤ）基板、太陽電池アレイ、太陽電池パネルなどとすることができる。いくつかの実施形態では、基板１２０は、半導体ウエハとすることができる。基板１２０は、何らかの特定のサイズまたは形状に限定されるものではない。基板は、とりわけ２００ｍｍの直径、３００ｍｍの直径、または４５０ｍｍなどの他の直径を有する円形のウエハとすることができる。基板はまた、フラットパネルディスプレイの製造で使用される多角形のガラス基板など、任意の多角形、方形、矩形、曲線形、または他の円形以外のワークピースとすることができる。
【００２０】
図２Ａを次に参照すると、本開示のいくつかの実施形態による基板支持体１０２の一部分の概略的な断面図が示されており、突起は基板支持体１０２に取り付けられていない。基板支持体１０２は、上述した支持本体１１６の実施形態を含むことができ、１つまたは複数のレセプタクル１３６を含む。各レセプタクル１３６は、レセプタクル体積２１４を画定する１つまたは複数の側壁２０６、底部２０８、および第１の表面２１８内の開口２１２を有する。１つまたは複数のレセプタクル１３６の側壁２０６および底部２０８は、概して、図１で上述した基板支持体１１６と同じ材料である。
【００２１】
いくつかの実施形態では、図２Ａに示すように、支持本体１１６の第１の表面２１８の上に、環状のシールバンド２２２（想像線で示す）を配置することができる。シールバンド２２２は、支持本体１１６と同じ材料から作ることができ、支持本体と一体化することができ、または支持本体に結合することができる。シールバンド２２２は、処理中に基板（図示せず）を基板の周縁部に沿って支持することができるような外径、内径、および高さを有する。第１の表面２１８の上のシールバンド２２２の高さは、複数の突起の高さと同じになるように選択することができ、したがってシールバンドおよび突起は、実質的に平面の支持面（たとえば、実質的に平面の支持面１０３、４２０）をともに画定する。シールバンド２２２は、基板（たとえば、１２０）と支持本体１１６との間のシールの形成を容易にし、したがっていくつかの実施形態では、基板を支持本体にチャッキングするために基板の裏側と支持本体との間の領域内で真空圧力を維持することができ、またはいくつかの実施形態では、たとえば基板支持体が静電チャックであるとき、基板の裏側と支持本体との間の領域に裏側ガスを提供することができる。図２Ａにのみ示すが、本明細書に記載するシールバンドは、具体的には図１、図２Ｂ〜図２Ｃ、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｂ、および図５に示されている、本明細書に開示する他の実施形態のいずれかと組み合わせて使用することができる。
【００２２】
図２Ａをさらに参照すると、いくつかの実施形態では、シールバンド２２２、および任意選択で第１の表面２１８は、その上に配置されたコーティング２１９を含むことができる。コーティング２１９は、シールバンド２２２および任意選択で第１の表面２１８の摩擦係数を低減させるのに十分な材料である。第１の表面２１８および／またはシールバンド２２２のコーティングは、その摩擦係数を低減させることができ、基板支持体の上に配置されたとき基板への損傷を低減または解消することができる。いくつかの実施形態では、本明細書に記載するように、第１の表面２１８全体をコーティングすることができる。実施形態では、コーティング２１９は、高温状態または高圧縮力状態下で長い寿命にわたって十分な構造的完全性を呈する。好適かつ有効なコーティングの非限定的な例には、高い強度および低い摩擦を呈し、ならびに多くのプロセス化学物質に耐えるものなどの減摩コーティングが含まれる。実施形態では、炭素もしくは炭素の窒化物化合物を含む薄膜コーティング２１９を施すことができ、ダイヤモンド様炭素を含むことができ、かつ／またはその組合せを含むことができる。この応用例に特に好適な１つの特有の減摩コーティングは、Ｂａｌｚｅｒｓ  Ｏｅｒｌｉｋｏｎによって提供されるＳＴＡＲ（登録商標）ＤＬＣおよびＢＡＬＩＮＩＴ（登録商標）ＤＬＣまたはＩｏｎｂｏｎｄによって提供されるａＤＬＣなどのダイヤモンド様コーティング（ＤＬＣ）である。しかし、これらの特徴を呈する他の減摩コーティングを施すこともできる。実施形態では、４面体非晶質炭素（ｔａ−Ｃ）を施すことができる。実施形態では、コーティングは、約０．０５μｍ〜約５μｍの厚さに施される。たとえば、シールバンド２２２および／または第１の表面２１８に、厚さ２μｍのみのコーティングを施すことができる。
【００２３】
図２Ｂを次に参照すると、本開示のいくつかの実施形態による基板支持体１０２の概略的な断面図が示されており、突起は基板支持体１０２に取り付けられていない。基板支持体１０２は、側壁２０６内に配置されたねじ山２２４を含むことができ、ねじ山２２４は、レセプタクル２３６内の底部２０８へ延びてねじ孔を作る。ねじ山２２４は、機械加工などの当技術分野で知られている任意の手段によって、レセプタクルに加えることができる。ねじ山２２４は、セラミック、アルミナ、もしくはステンレス鋼、２相ステンレス鋼、チタン、合金鋼、工具鋼組成物などの金属組成物、またはこれらの組合せなど、支持本体１１６と同じ材料から作ることができる。ねじ山２２４は、以下にさらに説明するように、突起からの嵌合または対応するねじ山に連結するようにサイズ設定および隔置することができる。
【００２４】
図２Ｃを次に参照すると、本開示のいくつかの実施形態による基板支持体１０２の概略的な断面図が示されており、突起は基板支持体１０２に取り付けられていない。基板支持体１０２は、支持本体１１６内に配置されたレセプタクル２４７を示す。実施形態では、レセプタクル２４７は、レセプタクル体積２１４を画定する側壁２０６、底部２０８、および開口２１２を有する。１つまたは複数のレセプタクルの側壁２０６および底部２０８は、基板支持体１１６の底部２０９に対して傾斜して形成される。いくつかの実施形態では、支持本体１１６の一部分は、レセプタクル２４７から突起を取り外さずに突起の上から基板を取り外すとき、支持本体１１６内に配置された１つまたは複数の突起（図示せず）に力を作用させることが可能である。
【００２５】
本発明者らは、支持すべき基板の硬度以下の硬度を有する材料から製作された基板支持要素を使用することによって、基板の損傷を防止しまたは実質的に最小にすることができることを観察した。好適な基板支持材料の非限定的な例には、たとえば、熱安定性プラスチック、またはＶＥＳＰＥＬ（登録商標）ブランドのポリイミド系プラスチック、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、およびＰＢＩ（ポリベンゾイミダゾール）のＣｅｌａｚｏｌｅ（登録商標）ブランドのサーモプラスチックなどの熱可塑性材料が含まれる。上述した柔軟特性を呈する他のプロセス適合材料を使用することもできる。いくつかの実施形態では、基板に接触する要素（たとえば、突起１３８、３０９）は、全体としてこの材料から形成することができる。いくつかの実施形態では、基板に接触する要素は、基板に接触する要素の少なくともいくつかの部分で、この材料から形成することができる。
【００２６】
図３Ａ〜図３Ｃを次に参照すると、本開示のいくつかの実施形態による突起の例示的な形状の概略図が示されている。突起３０９はすべて、同じ高さで形成され、基板（図示せず）の裏側に接触するように平坦化された頂面を有しており、突起３０９の頂面面積の和は、支持面３１０より大幅に小さく、それによって支持面３１０と基板（図示せず）との間の接触面積を低減させる。支持面３１０と基板（図示せず）との間の接触面積をより小さくすることで、実施形態では、支持面３１０全体を平坦化するのではなく、突起３０９だけを平面にする。さらに、接触面積をより小さくすることで、支持面３１３によって基板の裏側に損傷が引き起こされる可能性を低減させることができる。図３Ｃを参照すると、接触面積をさらに低減させるために、突起の頂面に小片３１５を加えることができる。いくつかの実施形態では、第１の表面の上の突起３０９の高さは、約２５ミクロン〜約２００ミクロン、たとえば約５０ミクロンとすることができ、突起３１２の幅または直径は、約５００ミクロン〜約５０００ミクロンとすることができる。
【００２７】
基板（図示せず）のくぼみおよび引っ掻き傷を防止するために、突起３０９の形状は、図３Ａに示す平坦化された支持面３１３を有する半球状の突起などとすることができる。いくつかの実施形態では、突起３０９は、図３Ｂに示す丸められた方形の土台または図３Ｃに示す円形の土台上に形成することができる。上述した突起の形状、サイズ、およびパターンは、単なる例として示されており、本開示はそれに限定されない。１つまたは複数の突起３０９は、円筒形の小山、支柱、角錐、円錐、方形のブロック、可変サイズの突起、処理中に基板の平面性を確保する任意の他の形状を含むことができる。実施形態では、突起３０９は、支持本体１１６から切離し可能になるように、ねじ付きシャフト３０６を含む。図３Ａおよび図３Ｃを参照すると、処理中にレセプタクル３３６から空気を逃すために、１つまたは複数の通気孔３１４を含むことができる。
【００２８】
図４Ａ〜図４Ｂは、本開示のいくつかの実施形態による突起を有する基板支持体の断面図を概略的に示す。図４Ａを参照すると、一実施形態では、複数の突起３１２および支持本体１１６は切離し可能であり、それぞれ１つまたは複数のレセプタクル４３６のうちの対応するレセプタクル内に配置され、第１の表面４１８から突出する。１つまたは複数の突起３１２は、第１の表面４１８の上に実質的に平面の支持面４２０を少なくとも部分的に画定する。一実施形態では、突起３０９の高さＤ１は、約１０ミクロン〜約５０ミクロン、たとえば約２５ミクロンとすることができ、突起３１２の幅または直径は、約５００ミクロン〜約５０００ミクロンとすることができる。処理中にレセプタクル３３６から空気を逃すために、１つまたは複数の通気孔４１４を含むことができる。
【００２９】
いくつかの実施形態では、図４Ｂに示すように、複数の突起３１２は、別個に形成され、支持本体１１６から切り離されており、または支持本体１１６に取外し可能に結合される。実施形態では、突起３０９は、支持本体１１６から切離し可能になるように、ねじのない平滑なシャフト３０６を含む。１つまたは複数の突起３１２は、第１の表面４１８の上に実質的に平面の支持面４２０を少なくとも部分的に画定する。
【００３０】
図５は、本開示の実施形態による真空チャックアセンブリの上面図を概略的に示す。支持本体５００は、その上に基板（図示せず）を支持する支持面５０１を有する。処理中に基板が静止することができる支持面５０１上に、複数の突起５０８が形成される。一実施形態では、支持面５０１は直径３００ｍｍであり、その上に配置された基板の裏側表面積の約１０％を占める１００〜５００個の突起、たとえば１５０〜２００個の突起を有する。一実施形態では、突起５０８は、支持面５０１を横切って実質的に線形の配置で配置される。別の実施形態では、突起５０８は、支持面の中心から始まる放射状のパターンで配置される。一実施形態では、支持面５０１は直径２００ｍｍである。円形として示されているが、支持面５０１は、方形または矩形などの他の形状を含むことができることを理解されたい。
【００３１】
図５をさらに参照すると、支持面５０１の周縁部にシールバンド５０２が配置される。処理中、シールバンド５０２は、支持面５０１と支持面５０１の上の平面の支持面（図示せず）との間に低圧領域を形成する。実施形態では、シールバンド５０２は、上述したように、その摩擦係数を低減させるのに好適な材料によってコーティングされる。支持面５０１は、支持面５０１と基板（図示せず）との間に１つまたは複数の接触点５１０をさらに含むことができる。実施形態では、１つまたは複数の接触点５１０は、上述したようにコーティングされず、支持面５０１および／または基板より柔軟である。
【００３２】
図５をさらに参照すると、支持面５０１は、複数の溝５０４を含む。複数の溝５０４は、基板が真空下で処理中に平面の支持面上に配置されたとき、吸引力、たとえば均一の吸引力を作用させるためのパターンで形成される。
【００３３】
上記は本開示の実施形態を対象とするが、上記の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することができる。
【図１】
2020533806.tif 000003
【図２Ａ】
2020533806.tif 000004
【図２Ｂ】
2020533806.tif 000005
【図２Ｃ】
2020533806.tif 000006
【図３Ａ】
2020533806.tif 000007
【図３Ｂ】
2020533806.tif 000008
【図３Ｃ】
2020533806.tif 000009
【図４Ａ】
2020533806.tif 000010
【図４Ｂ】
2020533806.tif 000011
【図５】
2020533806.tif 000012
【国際調査報告】
2020533806.tif 000013
2020533806.tif 000014