(57)【要約】  【課題】  本発明はＯＬＥＤ表示パネル及びその製造方法を提供する。  【解決手段】  ＯＬＥＤ表示パネルは、そのＯＬＥＤバックプレート（１００）とパッケージカバープレート（２００）との間にて画素間隔領域に対応する上方に光遮蔽層（３００）を設けて、画素の側面方向の光漏れを遮蔽するため、各々のＴＥ型ＯＬＥＤ（１２０）が出射した光をその対応する画素内で限定して出射させて、ひいては画素の側面方向での光漏れ及び混色する問題の発生を効果的に防止することができる。ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法は、画素間隔領域に対応する上方にてＯＬＥＤバックプレート（１００）とパッケージカバープレート（２００）との間に光遮蔽層（３００）を設けることで、画素の側面方向の光漏れを遮蔽するため、各々のＴＥ型ＯＬＥＤ（１２０）が出射した光をその対応する画素内で限定して出射させて、ひいては画素の側面方向での光漏れ及び混色する問題の発生を効果的に防止することができる。  【選択図】      図２
2020528209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤ表示パネルであって、対向して設けられているＯＬＥＤバックプレートと、パッケージカバープレートと、前記パッケージカバープレートのＯＬＥＤバックプレートに近接する側に設けられて前記ＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間に位置している光遮蔽層とを備え、
前記ＯＬＥＤバックプレートは、ＴＦＴアレイ基板と、前記ＴＦＴアレイ基板上にアレイ配置されている複数のＴＥ型ＯＬＥＤとを備えており、
前記ＯＬＥＤバックプレートは、画素間隔領域と、前記画素間隔領域により仕切られて前記複数のＴＥ型ＯＬＥＤと一対一で対応している複数の画素発光領域とを有しており、
前記光遮蔽層は前記ＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間に位置するとともに前記ＯＬＥＤバックプレートの画素間隔領域上に対応して当接している、ことを特徴とするＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項２】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示パネルにおいて、前記光遮蔽層は有機フォトレジスト材料又は無機材料である、ＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項３】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示パネルにおいて、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤは、上から下に順次積層されて前記ＴＦＴアレイ基板上に設けられているアノードと、有機発光材料層と、透明カソードとを備えるものである、ＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項４】
請求項３に記載のＯＬＥＤ表示パネルにおいて、前記ＯＬＥＤバックプレートは更に、ＴＦＴアレイ基板と、アノード上に設けられている画素定義層を備えており、前記画素定義層はアノードを部分的に露出させるビアホールを有しており、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤの有機発光材料層は一つの前記ビアホール内に対応して設けられており、
前記ＯＬＥＤバックプレートが前記画素定義層に対応している領域は画素間隔領域となり、前記ビアホールに対応している領域は画素発光領域となり、
前記光遮蔽層は前記画素定義層の上方に対応して設けられている、ＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項５】
請求項３に記載のＯＬＥＤ表示パネルにおいて、前記有機発光材料層の材料は有機蒸着材料又はインクジェットプリント材料である、ＯＬＥＤ表示パネル。
【請求項６】
ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法であって、アレイ配置されている複数のＴＥ型ＯＬＥＤをＴＦＴアレイ基板上に形成して、ＯＬＥＤバックプレートを得る、前記ＴＦＴ基板を提供する工程Ｓ１と、
前記ＯＬＥＤバックプレートは画素間隔領域と、前記画素間隔領域により仕切られて前記複数のＴＥ型ＯＬＥＤと一対一で対応している複数の画素発光領域とを有しており、
パッケージカバープレート上にて前記ＯＬＥＤバックプレートの画素間隔領域に対応して光遮蔽層を製作する、パッケージカバープレートを提供する工程Ｓ２と、
パッケージカバープレート上に製作されている光遮蔽層を前記ＯＬＥＤバックプレートに向けて、前記パッケージカバープレートとＯＬＥＤバックプレートとの組に対して封止を行うことで、前記光遮蔽層を前記ＯＬＥＤバックプレートの画素間隔領域上に対応して当接させる、工程Ｓ３とを含む、ことを特徴とするＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法において、前記工程Ｓ２にて、前記光遮蔽層は有機フォトレジスト材料であり、前記光遮蔽層はフォトリソグラフィ工程により得られるものであり、又は、
前記光遮蔽層は無機材料であり、前記光遮蔽層は順次行われる成膜工程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により得られるものであり、
前記フォトリソグラフィ工程は順次行われるフォトレジスト塗布工程と、露光工程と、現像工程とを含み、
前記成膜工程は化学気相成長工程又は物理気相成長工程を採用しており、前記エッチング工程はドライエッチング工程又はウェットエッチング工程を採用している、ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法において、前記工程Ｓ１にて、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤは、上から下に順次積層されて前記ＴＦＴアレイ基板上に設けられているアノードと、有機発光材料層と、透明カソードとを備える、ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法において、前記工程Ｓ１にて、更に、ＴＦＴアレイ基板と、アノード上に画素定義層とを製作することを含み、前記画素定義層はアノードを部分的に露出させるビアホールを有しており、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤの有機発光材料層は一つの前記ビアホール内に対応して設けられており、
前記ＯＬＥＤバックプレートが前記画素定義層に対応している領域は画素間隔領域となり、前記ビアホールに対応している領域は画素発光領域となり、
前記工程Ｓ３にて、前記光遮蔽層は前記画素定義層の上方に対応して設けられている、ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法において、前記工程Ｓ１にて、前記有機発光材料層の材料は有機蒸着材料であり、前記有機発光材料層は蒸着工程により形成されるものであり、又は、
前記有機発光材料層の材料はインクジェットプリント材料であり、前記有機発光材料層はインクジェットプリント工程で形成されるものである、ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
ＯＬＥＤ表示パネルであって、対向して設けられているＯＬＥＤバックプレートと、パッケージカバープレートと、前記パッケージカバープレートのＯＬＥＤバックプレートに近接する側に設けられて前記ＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間に位置している光遮蔽層とを備えており、
前記ＯＬＥＤバックプレートは、ＴＦＴアレイ基板と、前記ＴＦＴアレイ基板上にアレイ配置されている複数のＴＥ型ＯＬＥＤとを備えており、
前記ＯＬＥＤバックプレートは、画素間隔領域と、前記画素間隔領域により仕切られて前記複数のＴＥ型ＯＬＥＤと一対一で対応している複数の画素発光領域とを有しており、
前記光遮蔽層は前記ＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間に位置するとともに前記ＯＬＥＤバックプレートの画素間隔領域上に対応して当接している、ＯＬＥＤ表示パネルであって、
前記光遮蔽層は有機フォトレジスト材料又は無機材料であり、
各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤは、上から下に順次積層されて前記ＴＦＴアレイ基板上に設けられているアノードと、有機発光材料層と、透明カソードとを備えており、
前記ＯＬＥＤバックプレートは更に、ＴＦＴアレイ基板と、アノード上に設けられている画素定義層とを備えており、前記画素定義層はアノードを部分的に露出させるビアホールを有しており、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤの有機発光材料層は一つの前記ビアホール内に対応して設けられており、
前記ＯＬＥＤバックプレートが前記画素定義層に対応している領域は画素間隔領域となり、前記ビアホールに対応している領域は画素発光領域となり、
前記光遮蔽層は前記画素定義層の上方に対応して設けられており、
前記有機発光材料層の材料は有機蒸着材料又はインクジェットプリント材料である、ことを特徴とするＯＬＥＤ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示技術分野に関し、とりわけＯＬＥＤ表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ，ＯＬＥＤ）ディスプレイは自発光、駆動電圧が低い、発光効率が高い、応答時間が短い、明晰度及びコントラストが高い、広視野角、使用温度範囲が広い、フレキシブル表示及び大面積でフルカラー表示等の諸々の長所を備えており、産業界では最も発展潜在力を有する表示装置として認識されている。現在、ＯＬＥＤを応用した製品は主に小サイズの携帯電話機、タブレットＰＣ（Ｐａｄ）及び大サイズのテレビジョン（ＴＶ）画面等に見られる。
【０００３】
ＯＬＥＤは基板上に順に形成されているアノード、有機発光材料層及びカソードを有する。大サイズのＯＬＥＤディスプレイの応用面において、市販されている製品の大多数はＢＥ型（Ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）構造を採用しており、ＯＬＥＤのカソードには厚めの金属層を採用しており、この構造を採用しているＯＬＥＤ表示パネルでは、有機発光材料層が出射した光はその下方の平坦化層（ＰＬＮ）及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層を透過しなければならないことから、発光効率が低下するため、よって、解像度の上昇に伴って、ＢＥ型ＯＬＥＤでは開口率の制限を受けて、高解像度を実現するのが難しく、ますます多くの当業者が、ＴＥ型（Ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）ＯＬＥＤを開発して、発光効率を高めるとともに高解像度を実現するという方向転換に精力を注ぐようになってきている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、フルカラー表示のＴＥ型ＯＬＥＤ表示パネルについては、図１に示すように、各々の画素（ｐｉｘｅｌ）のＯＬＥＤ１１は単に垂直にカバー２０に向けて出射するものではなく、放射に似た方式でＯＬＥＤバックプレート１０上方に光を出射し、しかもカバー２０及びＯＬＥＤバックプレート１０は各画素の間に遮蔽物は設けていないことから、本画素のＯＬＥＤ１１が出射した光が他の画素領域内に出射して画素の側面方向への光漏れをもたらすという問題を招きやすく、ひいては各画素の間で、つまり図中の円で表示した箇所で混色する問題が生じてしまう。  
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の目的は、ＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間にて画素間隔領域に対応する上方に光遮蔽層を設けているため、各々のＴＥ型ＯＬＥＤが出射した光をその対応する画素内で限定して出射させて、ひいては画素の側面方向での光漏れ及び混色する問題の発生を効果的に防止することができるＯＬＥＤ表示パネルを提供するところにある。
【０００６】
本発明の目的は更に、画素間隔領域に対応する上方にてＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間に光遮蔽層を設けているため、各々のＴＥ型ＯＬＥＤが出射した光をその対応する画素内で限定して出射させて、ひいては画素の側面方向での光漏れ及び混色する問題の発生を効果的に防止することができるＯＬＥＤ表示パネルの製造方法を提供するところにある。
【０００７】
上記目的を実現するために、本発明では、対向して設けられているＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートと、前記パッケージカバープレートとのＯＬＥＤバックプレートに近接する側に設けられている光遮蔽層とを備えるＯＬＥＤ表示パネルを提供するものであり、
前記ＯＬＥＤバックプレートは、ＴＦＴアレイ基板と、前記ＴＦＴアレイ基板上にアレイ配置されている複数のＴＥ型ＯＬＥＤとを備え、
前記ＯＬＥＤバックプレートは、画素間隔領域と、前記画素間隔領域により仕切られて前記複数のＴＥ型ＯＬＥＤと一対一で対応している複数の画素発光領域とを有し、
前記光遮蔽層は前記ＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間に位置するとともに前記ＯＬＥＤバックプレートの画素間隔領域上に対応して当接している。
【０００８】
前記光遮蔽層は有機フォトレジスト材料又は無機材料である。
【０００９】
各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤは、上から下に順次積層されて前記ＴＦＴアレイ基板上に設けられているアノードと、有機発光材料層と、透明カソードとを備える。
【００１０】
前記ＯＬＥＤバックプレートは更に、ＴＦＴアレイ基板と、アノード上に設けられている画素定義層とを備えており、前記画素定義層はアノードを部分的に露出させるビアホールを有しており、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤの有機発光材料層は一つの前記ビアホール内に対応して設けられており、前記ＯＬＥＤバックプレートが前記画素定義層に対応している領域は画素間隔領域となり、前記ビアホールに対応している領域は画素発光領域となり、
前記光遮蔽層は前記画素定義層の上方に対応して設けられている。
【００１１】
前記有機発光材料層の材料は有機蒸着材料又はインクジェットプリント材料である。
【００１２】
本発明は更に、ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法を提供するものであって、
アレイ配置されている複数のＴＥ型ＯＬＥＤを前記ＴＦＴアレイ基板上に形成して、ＯＬＥＤバックプレートを得る、ＴＦＴ基板を提供する工程Ｓ１と、前記ＯＬＥＤバックプレートは画素間隔領域と、前記画素間隔領域により仕切られて前記複数のＴＥ型ＯＬＥＤと一対一で対応している複数の画素発光領域とを有しており、
パッケージカバープレート上にて前記ＯＬＥＤバックプレートの画素間隔領域に対応して光遮蔽層を製作する、パッケージカバープレートを提供する工程Ｓ２と、
パッケージカバープレート上に製作されている光遮蔽層を前記ＯＬＥＤバックプレートに向けて、前記パッケージカバープレートとＯＬＥＤバックプレートとの組に対して封止を行うことで、前記光遮蔽層を前記ＯＬＥＤバックプレートの画素間隔領域上に対応して当接させる、工程Ｓ３と、を含む。
【００１３】
前記工程Ｓ２にて、前記光遮蔽層は有機フォトレジスト材料であり、前記光遮蔽層は具体的にフォトリソグラフィ工程により得られる、又は、
前記光遮蔽層は無機材料であり、前記光遮蔽層は具体的には順次行われる成膜工程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により得られ、
前記フォトリソグラフィ工程は順次行われるフォトレジスト塗布工程と、露光工程と、現像工程とを含み、
前記成膜工程は化学気相成長工程又は物理気相成長工程を採用しており、
前記エッチング工程はドライエッチング工程又はウェットエッチング工程を採用している。
【００１４】
前記工程Ｓ１にて、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤは、上から下に順次積層されて前記ＴＦＴアレイ基板上に設けられているアノードと、有機発光材料層と、透明カソードとを備える。
【００１５】
前記工程Ｓ１にて、更に、ＴＦＴアレイ基板と、アノード上に画素定義層を製作することを含み、前記画素定義層はアノードを部分的に露出させるビアホールを有しており、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤの有機発光材料層は一つの前記ビアホール内に対応して設けられており、
前記ＯＬＥＤバックプレートが前記画素定義層に対応している領域は画素間隔領域となり、前記ビアホールに対応している領域は画素発光領域となり、
前記工程Ｓ３にて、前記光遮蔽層は前記画素定義層の上方に対応して設けられている。
【００１６】
前記工程Ｓ１にて、前記有機発光材料層の材料は有機蒸着材料であり、前記有機発光材料層は蒸着工程により形成されるものであり、又は、
前記有機発光材料層の材料はインクジェットプリント材料であり、前記有機発光材料層はインクジェットプリント工程で形成されるものである。
【００１７】
本発明は更に、対向して設けられているＯＬＥＤバックプレートと、パッケージカバープレートと、前記パッケージカバープレートのＯＬＥＤバックプレートに近接する側に設けられて前記ＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間に位置している光遮蔽層とを備えるＯＬＥＤ表示パネルを提供するものであり、
前記ＯＬＥＤバックプレートは、ＴＦＴアレイ基板と、前記ＴＦＴアレイ基板上にアレイ配置されている複数のＴＥ型ＯＬＥＤとを備え、
前記ＯＬＥＤバックプレートは、画素間隔領域と、前記画素間隔領域により仕切られて前記複数のＴＥ型ＯＬＥＤと一対一で対応している複数の画素発光領域とを有し、
前記光遮蔽層は前記ＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間に位置するとともに前記ＯＬＥＤバックプレートの画素間隔領域上に対応して当接しており、
前記光遮蔽層は有機フォトレジスト材料又は無機材料であり、
各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤは、上から下に順次積層されて前記ＴＦＴアレイ基板上に設けられているアノードと、有機発光材料層と、透明カソードとを備えており、
前記ＯＬＥＤバックプレートは更に、ＴＦＴアレイ基板と、アノード上に設けられている画素定義層とを備えており、前記画素定義層はアノードを部分的に露出させるビアホールを有しており、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤの有機発光材料層は一つの前記ビアホール内に対応して設けられており、
前記ＯＬＥＤバックプレートが前記画素定義層に対応している領域は画素間隔領域となり、前記ビアホールに対応している領域は画素発光領域となり、
前記光遮蔽層は前記画素定義層の上方に対応して設けられており、
前記有機発光材料層の材料は有機蒸着材料又はインクジェットプリント材料である。  
【発明の効果】
【００１８】
本発明の有益な効果は以下の通りである：本発明のＯＬＥＤ表示パネルは、そのＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間にて画素間隔領域に対応する上方に光遮蔽層を設けて、画素の側面方向の光漏れを遮蔽するため、各々のＴＥ型ＯＬＥＤが出射した光をその対応する画素内で限定して出射させて、ひいては画素の側面方向での光漏れ及び混色する問題の発生を効果的に防止することができる。本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法は、画素間隔領域に対応する上方にてＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間に光遮蔽層を設けることで、画素の側面方向の光漏れを遮蔽するため、各々のＴＥ型ＯＬＥＤが出射した光をその対応する画素内で限定して出射させて、ひいては画素の側面方向での光漏れ及び混色する問題の発生を効果的に防止することができる。
【００１９】
本発明の特徴及び技術内容がより詳細に理解できるようにするために、本発明に関する以下の詳細な説明及び図面を参照されたい。しかしながら図面は参考及び説明用に過ぎず、本発明を制限するためのものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
以下、図面と合わせて本発明の具体的な実施形態を詳細に記述することで、本発明の技術的手法及びその他有益な効果を明確にする。
【００２１】
図中にて、
【図１】図１は、従来のＯＬＥＤ表示パネルに画素の側面方向の光漏れ及び混色が生じた模式図である。
【図２】図２は、本発明のＯＬＥＤ表示パネルの構造模式図である。
【図３】図３は、本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法のフローチャートである。
【図４】図４は、本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法の工程Ｓ１の模式図である。
【図５】図５は、本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法の工程Ｓ２の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明で採用する技術的手段及びその効果を更に詳述すべく、本発明の好ましい実施例をその図面と合わせて詳細に説明する。
【００２３】
図２を参照されたい。本発明ではまず、対向して設けられているＯＬＥＤバックプレート１００と、パッケージカバープレート２００と、前記パッケージカバープレート２００のＯＬＥＤバックプレート１００に近接する側に設けられて前記ＯＬＥＤバックプレート１００とパッケージカバープレート２００との間に位置している光遮蔽層３００とを備えるＯＬＥＤ表示パネルを提供する。
【００２４】
前記ＯＬＥＤバックプレート１００は、ＴＦＴアレイ基板１１０と、前記ＴＦＴアレイ基板１１０上にアレイ配置されている複数のＴＥ型ＯＬＥＤ１２０とを備える。
【００２５】
前記ＯＬＥＤバックプレート１００は、画素間隔領域と、前記画素間隔領域により仕切られて前記複数のＴＥ型ＯＬＥＤ１２０と一対一で対応している複数の画素発光領域とを有する。
【００２６】
前記光遮蔽層３００は前記ＯＬＥＤバックプレート１００の画素間隔領域上に対応して当接していることから、各々のＴＥ型ＯＬＥＤ１２０が出射した光をその対応する画素内で限定して出射して、画素の側面方向の光漏れを遮蔽することができる。
【００２７】
具体的には、前記光遮蔽層３００は有機フォトレジスト材料、例えばポリイミド（ＰＩ）、ブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ，ＢＭ）材料又はその他光透過率が低い有機フォトレジスト材料を採用することができ、具体的にはフォトリソグラフィ工程により製作して形成されており、このうち、前記フォトリソグラフィ工程は具体的に順次行われるフォトレジスト塗布（ｃｏａｔｉｎｇ）工程、露光工程及び現像工程を含む、又は、
前記光遮蔽層３００は、光透過率が低い無機材料を採用し、つまり具体的には順次行われる成膜工程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で製作して形成してもよい。このうち、前記成膜工程は化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ，ＣＶＤ）工程又は物理気相成長（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＰＶＤ）工程を採用している。前記フォトリソグラフィ工程は順次行われるフォトレジスト塗布工程と、露光工程と、現像工程とを含む。前記エッチング工程はドライエッチング工程又はウェットエッチング工程を採用している。
【００２８】
具体的には、前記ＴＦＴアレイ基板１１０は、アレイ配置されて前記ＴＥ型ＯＬＥＤ１２０を駆動する複数のＴＦＴ（図示せず）を付帯しており、前記ＴＦＴのタイプには制限はなく、低温ポリシリコン型（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ−ｓｉｌｉｃｏｎ，ＬＴＰＳ）、酸化物型（Ｏｘｉｄｅ）又は固相成長（Ｓｏｌｉｄ−Ｐｈａｓｅ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ，ＳＰＣ）等の任意のタイプのＴＦＴとすることができる。
【００２９】
具体的には、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤ１２０は、上から下に順次積層されて前記ＴＦＴアレイ基板１１０上に設けられているアノード１２１と、有機発光材料層１２２と、透明カソード１２３とを備える。
【００３０】
具体的には、前記ＯＬＥＤバックプレート１００は更に、ＴＦＴアレイ基板１１０と、アノード１２１上に設けられている画素定義層（Ｐｉｘｅｌ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ  ，ＰＤＬ）１３０とを備えており、前記画素定義層１３０はアノード１２１を部分的に露出させるビアホール１３１を有しており、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤ１２０の有機発光材料層１２２は一つの前記ビアホール１３１内に対応して設けられている。
【００３１】
具体的には、前記ＯＬＥＤバックプレート１００が前記画素定義層１３０に対応している領域は画素間隔領域となり、前記ビアホール１３１に対応している領域は画素発光領域となる。
【００３２】
具体的には、前記光遮蔽層３００は前記画素定義層１３０の上方に対応して設けられている。
【００３３】
具体的には、前記有機発光材料層１２２は有機蒸着材料を採用することができ、蒸着工程により製作形成されており、前記画素定義層１３０は常規的な非疎水性ＰＤＬ材料を採用すればよく、又は、
前記有機発光材料層１２２はインクジェットプリント（Ｉｎｋ Ｊｅｔ  Ｐｒｉｎｔｉｎｇ，ＩＪＰ）材料を採用してもよく、前記有機発光材料層１２２はインクジェットプリント工程により製作形成されており、前記画素定義層１３０は疎水性のＰＤＬ材料を採用しなければならない。
【００３４】
本発明のＯＬＥＤ表示パネルは、そのＯＬＥＤバックプレート１００とパッケージカバープレート２００との間にて画素間隔領域に対応する上方に光遮蔽層３００を設けて、画素の側面方向の光漏れを遮蔽するため、各々のＴＥ型ＯＬＥＤ１２０が出射した光をその対応する画素内で限定して出射させて、ひいては画素の側面方向での光漏れ及び混色する問題の発生を効果的に防止することができる。
【００３５】
図３を参照されたい。上記したＯＬＥＤ表示パネルによれば、本発明では、以下の工程を含むＯＬＥＤ表示パネルの製造方法を更に提供する。
【００３６】
工程Ｓ１、図４に示すように、ＴＦＴ基板１１０を提供する。アレイ配置されている複数のＴＥ型ＯＬＥＤ１２０を前記ＴＦＴアレイ基板１１０上に形成して、ＯＬＥＤバックプレート１００を得る。前記ＯＬＥＤバックプレート１００は画素間隔領域と、前記画素間隔領域により仕切られて前記複数のＴＥ型ＯＬＥＤ１２０と一対一で対応している複数の画素発光領域とを有する。
【００３７】
具体的には、前記ＴＦＴアレイ基板１１０は、アレイ配置されて前記ＴＥ型ＯＬＥＤ１２０を駆動する複数のＴＦＴを付帯しており、前記ＴＦＴのタイプには制限はなく、低温ポリシリコン型、酸化物型又は固相成長等の任意のタイプのＴＦＴとすることができる。
【００３８】
具体的には、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤ１２０は、上から下に順次積層されて前記ＴＦＴアレイ基板１１０上に設けられているアノード１２１と、有機発光材料層１２２と、透明カソード１２３とを備える。
【００３９】
具体的には、前記工程Ｓ１は更に、前記複数のＴＥ型ＯＬＥＤ１２０の有機発光材料層１２２を製作する前に、前記ＴＦＴアレイ基板１１０とアノード１２１上に画素定義層１３０を製作することを含み、前記画素定義層１３０はアノード１２１を部分的に露出させるビアホール１３１を有しており、各々の前記ＴＥ型ＯＬＥＤ１２０の有機発光材料層１２２は一つの前記ビアホール１３１内に対応して設けられている。前記ＯＬＥＤバックプレート１００が前記画素定義層１３０に対応している領域は画素間隔領域となり、前記ビアホール１３１に対応している領域は画素発光領域となる。
【００４０】
具体的には、前記有機発光材料層１２２は有機蒸着材料を採用することができるものであって、前記工程Ｓ１において、蒸着工程により製作形成するものであり、前記画素定義層１３０は常規的な非疎水性ＰＤＬ材料を採用すればよく、又は、
前記有機発光材料層１２２はインクジェットプリント材料を採用してもよく、前記工程Ｓ１において、前記前記有機発光材料層１２２はインクジェットプリント工程により製作形成するものであり、前記画素定義層１３０は疎水性のＰＤＬ材料を採用しなければならない。
【００４１】
工程Ｓ２、図５に示すように、パッケージカバープレート２００を提供する。前記パッケージカバープレート２００上にて前記ＯＬＥＤバックプレート１００の画素間隔領域に対応して光遮蔽層３００を製作する。
【００４２】
具体的には、前記光遮蔽層３００は有機フォトレジスト材料、例えばポリイミド、ブラックマトリクス材料又はその他光透過率が低い有機フォトレジスト材料を採用することができ、前記工程Ｓ３において、前記光遮蔽層３００は具体的にはフォトリソグラフィ工程により製作して形成されており、このうち、前記フォトリソグラフィ工程は具体的に順次行われるフォトレジスト塗布工程、露光工程及び現像工程を含む。又は、
前記光遮蔽層３００は、光透過率が低い無機材料を採用してもよく、前記工程Ｓ３において、つまり順次行われる成膜工程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で製作して得られる。このうち、前記成膜工程は化学気相成長工程又は物理気相成長工程を採用している。前記フォトリソグラフィ工程は順次行われるフォトレジスト塗布工程と、露光工程と、現像工程とを含む。前記エッチング工程はドライエッチング工程又はウェットエッチング工程を採用している。
【００４３】
工程Ｓ３で、パッケージカバープレート２００上に製作されている光遮蔽層３００を前記ＯＬＥＤバックプレート１００に向けて、前記パッケージカバープレート２００とＯＬＥＤバックプレート１００との組に対して封止を行って、前記光遮蔽層３００を前記ＯＬＥＤバックプレート１００の画素間隔領域上に対応して当接させることで、図２に示すようなＯＬＥＤ表示パネルが得られるため、前記光遮蔽層３００は各々のＴＥ型ＯＬＥＤ１２０が出射した光をその対応する画素内で限定して出射し、画素の側面方向の光漏れを遮蔽することができる。
【００４４】
具体的には、前記工程Ｓ３において、前記パッケージカバープレート２００とＯＬＥＤバックプレート１００との組に対して封止を行った後、前記光遮蔽層３００は前記画素定義層１３０の上方に対応して設けられる。
【００４５】
本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法は、画素間隔領域上方にてそのＯＬＥＤバックプレート１００とパッケージカバープレート２００との間にて画素間隔領域に対応する上方に光遮蔽層３００を設けて、画素の側面方向の光漏れを遮蔽するため、各々のＴＥ型ＯＬＥＤ１２０が出射した光をその対応する画素内で限定して出射させ、ひいては画素の側面方向での光漏れ及び混色する問題の発生を効果的に防止することができる。
【００４６】
上記をまとめるに、本発明のＯＬＥＤ表示パネルは、そのＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間にて画素間隔領域に対応する上方に光遮蔽層を設けて、画素の側面方向の光漏れを遮蔽するため、各々のＴＥ型ＯＬＥＤが出射した光をその対応する画素内で限定して出射させ、ひいては画素の側面方向での光漏れ及び混色する問題の発生を効果的に防止することができる。本発明のＯＬＥＤ表示パネルの製造方法は、画素間隔領域に対応する上方にてＯＬＥＤバックプレートとパッケージカバープレートとの間に光遮蔽層を設けることで、画素の側面方向の光漏れを遮蔽するため、各々のＴＥ型ＯＬＥＤが出射した光をその対応する画素内で限定して出射させ、ひいては画素の側面方向での光漏れ及び混色する問題の発生を効果的に防止することができる。
【００４７】
上記したことは、当業者にとっては、本発明の技術手法及び技術思想に基づいて、各種相応するその他変更及び変形を行うことができるものであって、全てのこれら変更及び変形はいずれも本発明における特許請求の範囲の保護範囲内に属するものである。
【図１】
2020528209.tif 000003
【図２】
2020528209.tif 000004
【図３】
2020528209.tif 000005
【図４】
2020528209.tif 000006
【図５】
2020528209.tif 000007
【国際調査報告】
2020528209.tif 000008
2020528209.tif 000009
2020528209.tif 000010
2020528209.tif 000011
2020528209.tif 000012