(57)【要約】  本明細書は遠心蒸発源を提供する。これらの蒸発源はマニフォールド本体と、るつぼと、膨張チャンバと、遠心分離機チャンバと、噴出ノズルとを含む。【選択図】図１
2020512486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マニフォールド本体と、
ある量の蒸発物を収容するように構成されると共に、円形断面と、底部と、上部へりと、前記上部へりを超えて前記マニフォールド本体の天井に延びて、前記マニフォールド本体の内壁と環（ａｎｎｕｌｕｓ）を形成し、少なくとも３の制限オリフィスを形成する側壁エクステンションと、を含むるつぼと、
前記少なくとも３の制限オリフィスを介して前記蒸発物の上の蒸気空間に流動可能に接続される膨張チャンバと、
前記蒸発物の上と前記膨張チャンバの下とに流動可能に接続され、前記るつぼの内部を周回する遠心分離機チャンバと、
を備え、
前記遠心分離機チャンバは、第１端及び第２端を備え、前記遠心分離機チャンバの前記第１端は前記膨張チャンバに流動可能に接続され、前記遠心分離機チャンバの前記第２端は１以上の噴出ノズルに流動可能に接続される、
遠心蒸発源。
【請求項２】
前記遠心分離機チャンバの少なくとも１の壁は、前記遠心分離機チャンバの前記少なくとも１の壁を、３００℃と１６００℃との間の温度に加熱可能な加熱素子を備える請求項１に記載の蒸発源。
【請求項３】
前記１以上の噴出ノズルは、前記１以上の噴出ノズルを、独立して、３００℃と１６００℃との間の温度に加熱可能な加熱素子を備える請求項１に記載の蒸発源。
【請求項４】
前記マニフォールド本体は、前記マニフォールド本体を、３００℃と１６００℃との間の温度に加熱可能な加熱素子を備える請求項１に記載の蒸発源。
【請求項５】
前記マニフォールド本体の前記天井は、前記マニフォールド本体の前記天井を、３００℃から１６００℃の間の温度に加熱可能な加熱素子を備える請求項１に記載の蒸発源。
【請求項６】
前記遠心分離機チャンバはＮ−ヘリカル遠心分離機チャンバであり、Ｎは１重、２重、３重、４重、５重、６重、７重、８重、９重、または１０重であり、各ヘリカルは独立して前記膨張チャンバに流動可能に接続される第１端と前記１以上の噴出ノズルに流動可能に接続される第２端とを有する請求項１に記載の蒸発源。
【請求項７】
前記遠心分離機チャンバは１重ヘリカル遠心分離機チャンバである請求項１に記載の蒸発源。
【請求項８】
前記１以上の噴出ノズルは、熱蒸発源からの蒸気流を、鉛直下方向に、１以上の水平方向に、または１以上の鉛直下方向と水平方向との間の１以上の方向に向けるように、方向が定められている請求項１に記載の蒸発源。
【請求項９】
前記るつぼは窒化ホウ素で形成されるるつぼである請求項１に記載の蒸発源。
【請求項１０】
前記蒸発源は、蒸気流を鉛直下向きに生じさせるように構成される噴出ノズルを含む請求項１に記載の蒸発源。
【請求項１１】
前記少なくとも３の制限オリフィスは前記るつぼの周囲に等間隔に間をあけて配置される８のオリフィスを備える請求項１に記載の蒸発源。
【請求項１２】
さらに前記るつぼに取り付けられた蓋を備え、前記蓋は１以上の追加の制限オリフィスを含む請求項１に記載の蒸発源。
【請求項１３】
前記蓋は追加の膨張空間を提供する請求項１２に記載の蒸発源。
【請求項１４】
前記蓋は、前記蓋を、３００℃から１６００℃の間の温度に加熱可能な加熱素子を備える請求項１２に記載の蒸発源。
【請求項１５】
前記マニフォールド本体はグラファイトで形成される請求項１に記載の蒸発源。
【請求項１６】
前記遠心分離機チャンバの前記第１端は前記蒸発物に流動可能に接続される請求項１に記載の蒸発源。
【請求項１７】
前記遠心分離機チャンバの前記第２端は前記マニフォールドに流動可能に接続され、前記マニフォールドは１以上の噴出ノズルに流動可能に接続される請求項１に記載の蒸発源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
この出願は、２０１７年３月２２日に出願された米国仮特許出願第６２／４７５０００号の優先権を主張し、その内容を参照により本明細書に取り込む。
【０００２】
（共同研究契約）
３５Ｕ．Ｓ．Ｃの１０２条（ｃ）（１−３）に準じて、本発明の出願日の前又は出願日に有効であった共同研究契約における１以上の契約当事者またはその代理人によって、ここに開示される内容が開発され、請求された発明がなされたものである。共同研究契約は、９４９４１  カリフォルニア州ミルバレーにあるＪＬＮ  Ｓｏｌａｒ  Ｉｎｃと、デラウェア州の法律の下で認可された教育非営利団体  １９７１６  デラウェア州ニューアークにあるデラウェア大学との間でなされている。請求された発明は、共同研究契約の範囲内における責務での活動結果としてなされ、申請された発明における特許出願は共同研究契約の契約当事者の名前を開示する。
【背景技術】
【０００３】
真空蒸着は、薄膜の堆積に広く使用されている。このプロセスにおいて、蒸発材料（「蒸発物」）は、容器に保持され、その蒸気圧が基板に向け得る蒸気の流れを生成するまで加熱され、その結果、ある所望の速度で膜が成長する。このプロセスは、気相または蒸気相の衝突を蒸発容器から基板への経路途中で最小限にし、蒸発容器から基板へのそれらの移動が実質的に遮られないように、真空チャンバ内で行われる。
【０００４】
真空蒸着で頻繁に発生する問題は、蒸発源内で液滴が生成されることと、基板に液滴が放出されることとである。これを発生させ得るメカニズムは、少なくとも３つ考えられる。第１に、蒸発物の蒸気圧がゼロではなく、蒸発源が真空で動作しているとき、蒸発物の沸騰とそれに伴う液滴の生成との条件が満たされる。昇華するインゴットまたは粉末から粒子が生成されることもある。第二に、蒸発源において温度の不均一性が十分に大きくなると、蒸発源内の一部の表面が蒸気の露点温度より低下することで、これらの表面に液滴が凝縮することが考えられる。最後に、流れが制限されている蒸発源の場合、膨張した蒸気が冷却されることで、流れの中に小さな凝縮物の集まりが形成される。液滴の凝縮が生じ得る他のメカニズムがあり得る。固体粒子も同様のメカニズムで生成され得る。製造規模において、通常、蒸発源の動作状態は、蒸発源から基板に向かって液滴を進ませるのに十分な液滴への力を生成することができる。
【０００５】
第一に液滴の形成を防ぐためのあらゆる努力をすることに加えて、凝縮された液滴または粒子を生成できる方法が多数あり、蒸気流から液滴を除去する機構も組み込み、堅牢な蒸発源設計が冗長になり得る。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書は、静的遠心分離機を組み組む真空蒸発源と、静的遠心分離機と少なくとも１の加熱素子とを組み込む真空蒸発源を提供する。また、本明細書は、
マニフォールド本体と、
ある量の蒸発物を収容するように構成されると共に、円形断面と、底部と、上部へりと、上部へりを超えてマニフォールド本体の天井に延びて、マニフォールド本体の内壁と環（ａｎｎｕｌｕｓ）を形成し、少なくとも３の制限オリフィスを形成する側壁エクステンションとを含むるつぼと、
少なくとも３の制限オリフィスを介して蒸発物の上の蒸気空間に流動可能に接続される膨張チャンバと、
蒸発物の上と膨張チャンバの下とに流動可能に接続され、るつぼの内部を周回する遠心分離機チャンバと、
を備え、
遠心分離機チャンバは、第１端及び第２端を備え、遠心分離機チャンバの第１端は膨張チャンバに流動可能に接続され、遠心分離機チャンバの第２端は１以上の噴出ノズルに流動可能に接続される、
遠心蒸発源を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、内向きスパイラル遠心分離機１００の概念設計の実施形態を示す。蒸気１０４は、天井板１０７（図示せず）の上部の穴１０２を通って入り、円形経路の周りを回転し、次に、半径方向内向きに流れ、フロア板１０５の穴１０３を通って落ちる。
【図２】図２は、図１の遠心分離機１００の中を時計回りに流れるＣｕ蒸気の速度プロフィールを示す。重量流量計算における流れ断面を破線で示す。
【図３】図３は、図１の遠心分離機１００の中を時計回りに流れるＣｕ蒸気の圧力プロフィールを示す。
【図４】図４は、図１の遠心分離機１００の中を時計回りに流れるＣｕ蒸気の密度プロフィールを示す。重量流量計算における流れ断面を破線で示す。
【図５】図５は、図１の遠心分離機１００の中を時計回りに流れるＣｕ蒸気の温度プロフィールを示す。
【図６】図６は、図２に示される流れ断面を横切る蒸気流速度を表すグラフである。平均流量は４５．６ｍ／秒である。
【図７】図７は、図４に示された流れ断面に横切る重量蒸気密度を表すグラフである。平均蒸気密度は５.９３×１０−５ｋｇ／ｍ３である。
【図８】図８は、遠心分離機１００の周りにおける様々な直径を有する液滴の予測された軌跡を示す。直径が0.0022ミクロン（2.2 nm）より小さい液滴は遠心分離機１００から漏れ出るが、大きなものは外壁１０１に衝突して蒸気流１０４から除去される。
【図９】図９は、真空蒸発源、３次元ヘリカル構成を利用する遠心分離機構成である、ヘリカル遠心分離機２１０を備える真空蒸発源、真空蒸発源２００の実施形態を示す。この実施において、遠心分離機２１０は蒸発物２０１（例えば、Ｃｕ溶融物）の上に位置され、蒸発物２０１（例えば、Ｃｕ液体）を沸騰させることで発生するスピットを除去する。スピット除去の後、蒸気２１４（例えば、Ｃｕ蒸気）は、マニフォールド本体２０６内の囲まれた膨張チャンバ２０３に流れ出て、噴出ノズル２０２に流れ落ち、基板（図示せず）に向かって流れ出る。
【図１０】図１０は、下向き蒸発、シングルノズル（３０２）蒸発源３００における遠心分離機３１０の位置についての実施形態を示す。
【図１１】図１１は、下向き蒸発、マルチノズル（４０２）蒸発源４００における遠心分離機４１０の配置についての実施形態を示す。
【図１２】図１２は、上向き蒸発、シングルノズル（５０２）蒸発源５００における遠心分離機５１０の位置についての実施形態を示す。
【図１３】図１３は、上向き蒸発、マルチノズル（６０２）蒸発源６００における遠心分離機６１０の配置についての実施形態を示す。
【図１４】図１４は、横向き蒸発、シングルノズル（７０２）蒸発源７００における遠心分離機７１０の位置についての実施形態を示す。
【図１５】図１５は、横向き蒸発、マルチノズル（８０２）蒸発源８００における遠心分離機８１０の位置についての実施形態を示す。
【図１６】図１６は、下向き蒸発噴出蒸発源９００の実施の形態の概要を示す。
【図１７】図１７は、蒸発速度Ｆ＝１３．４ｇ／ｈｒで堆積された１０μｍＣｕ膜を示し、１０ｓｐｉｔｓ／ｎｍ２の密度で直径約５μｍのスピットが見られる。
【図１８】図１８は、蒸発源１０００内の膨張チャンバ１００３の温度に対する蓋加熱器の効果を示す。左側において、蓋１００７は加熱されておらず、蒸発源本体１００８は加熱され（２５４０Ｗ）、噴出ノズル１００２は加熱されている（１３７０Ｗ）。右側において、蓋１００８は加熱され（９００Ｗ）、蒸発源本体１００８は加熱され（１４４０Ｗ）、噴出ノズルは加熱されている（１３８０Ｗ）
【図１９】図１９はフロア中心点から膨張オリフィスまでの蒸発チャンバ壁温度プロフィールに対する蓋の能力による効果を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本明細書において、遠心蒸発源を提供する。これらの蒸発源は、マニフォールド本体と、るつぼと、膨張チャンバと、遠心分離機チャンバと、噴出ノズルとを含む。
【０００９】
ガス流から微粒子を除去するためのいくつかの技術には、遠心分離が含まれる。一般的に言えば、より高密度の粒子が流れの外縁に向かって移動するように、ある量のガスと浮遊微粒子とが円形の軌道を流れる。その時、クリーンガスは、回転軸の近くに排出される。様々な構成、例えば静的なもの（言い換えると、可動部品がないもの）、回転を誘発する羽根車を備えたものが開発されている。
【００１０】
本明細書では、静的遠心分離機を組み込んだ真空蒸発源を提供する。遠心分離器には、１８０°内を超える、言い換えると１／２回転を超える円軌道をたどるように流れる蒸気を導く流路（１又は複数）が組み込まれている。２の構成を記載するが、これらの構成に限定されるものではない。 第１は、内向きのスパイラル構成を導く２次元の流れ軌道である。第２の構成は、３次元のヘリカル流路である。いずれかの構成、またはその両方の構成を選択するか、そして、設計、すなわちいずれかの構成において回転する数とは、所望の分離性能（流路を長くするとより小さい液滴を除去する）（分離機内における許容圧力と分離機に組み込んで使用できる蒸発源の容量に対して）（分離機内の流路が長くなると、圧力低下が大きくなり、蒸発源からの流れにおいて全体的な減少を引き起こすため）を考慮して決定される。ある実施形態では、分離機を、蒸気を基板に向けて誘く噴出ノズルの直前に設けることができ、蒸気が遠心分離機の中を流れた後に蒸発源内での液滴の飛沫同伴の可能性を防ぐことができる。シングルまたはマルチ噴出ノズル蒸発源（各ノズルに遠心分離機を持つ）と、上向き、下向き、または横向きの噴出蒸発源と、スパイラル遠心分離機またはヘリカル遠心分離機との順列組合せの複数の構成が可能である。
【００１１】
遠心分離機の性能を予測する場合、一般に、蒸気流の圧力と蒸気流の速度とが要求される。そこで、これは、浮遊液滴への力を予測するためのエプスタインの式で使用され得る。この力は、外向きの慣性力と下向きの重力の両方の点から液滴の軌道を予測するために使用され得る。
【００１２】
製造用途における蒸発源は、通常、粘性も自由分子もない「過渡的な」流動様式において動作する。過渡的な流動の数式は、限定された数のある流れの形状、すなわちチューブに対してのみ存在する。従って、遠心分離器中の流れのモデリングは、遠心分離機中の流れを同一の流れ断面積を持つ直線状のチューブとしてモデル化することも有用な結果が得られるが、直接モンテカルロシミュレーション法（ＤＳＭＣ）を用いて最適に実現される。
【００１３】
遠心分離機の一実施形態を図１に示す。蒸気は、上部プレート（図示せず）の穴を通って入り、分離機の周りを回転し、分離機の出口を通って半径方向内向き下方に流れる。分離機のフロア（１１０）にある一連のリブ（１１１）は、液滴がフロアを横切って分離機の出口に引きずられることを防ぐ。ある実施形態において、分離機には、分離機のフロアに一連のリブ（例えば、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、または１０個のリブ）が含まれる。ある実施形態において、分離機の蒸気流路は１８０°を超えている。ある実施形態において、分離機には、分離機のフロアに一連のリブ（例えば、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、または１０個のリブ）が含まれ、かつ、分離機の蒸気流路は１８０°を超えている。
【００１４】
図１の遠心分離機を通過する１４５０℃（１７２３Ｋ）のＣｕ蒸気の流れについて、分離機の簡略化された２次元ＤＳＭＣモデルの結果を図２〜５に示す。外径と内径とはそれぞれ６．７ｃｍと２．９ｃｍである。蒸気入口は約２０．５Ｐａの直線状の定圧面（ｃｏｎｓｔａｎｔ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｓｕｒｆａｃｅ）で近似され、蒸気出口は１３．５Ｐａの直線状の定圧面で近似される。速度と、圧力と、重量蒸気密度と、温度とが示されている。重量蒸気流量は、図６、７に示すように、蒸気出口を横切る平均重量密度と速度とをかけることで近似される。モデルデータにおけるばらつきは、ＤＳＭＣ法の確率的性質に起因している。平均流束は０．００２７ｋｇ／ｍ２／ｓまたは０．０００２７ｇ／ｃｍ２／ｓである。３．８ｃｍの流路幅と２．９ｃｍの流路高さで示された遠心分離機において、流量は１０．７ｇ／ｈｒである。
【００１５】
ＤＳＭＣ法により生成された速度と圧力の平均値を考慮すると、エプスタインの力の式を用いて様々な液滴の軌跡を算出できる。位置に依存しない４５．６ｍ／ｓの一定速度と１７Ｐａの一定圧力とを用いた簡易化された流れが用いられる。液滴への力は、「Ｕｎｉｆｏｒｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ」の（ケース１）条件でも適用できるが、「Ｄｉｆｆｕｓｅ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  ａｃｃｏｍｍｏｄａｔｉｏｎ  ‐  ｐｅｒｆｅｃｔ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ」のエプスタインの（ケース４ｂ）モデルを用いて近似される。いずれにせよ、これらの定量的な抗力予測は、平均値から±１６％だけ逸脱する。分離機の周りの予想される液滴の軌跡を図８に示す。ある実施形態において、遠心分離機は、直径が約０．００２２ミクロン（２．２ｎｍ）（例えば、０．００２２ミクロンの±１６％、０．００２２〜０．００３ミクロン、０．００３〜０．００４ミクロン、０．００４〜０．００５ミクロン）より大きなすべての液滴を除去できる。
【００１６】
第２の実施形態において、ヘリカル遠心分離機（２１０）を図９に示す。ある実施形態において、流路断面を減少することなく流路を長くできるため、２次元スパイラル設計よりも有利である。また、２次元スパイラル設計を用いると、より簡単に製造できる。スパイラル状に切断された外側の溝を有する円柱を円筒状の容器に挿入するだけで、簡単に、ヘリカル流路を形成できる。
【００１７】
様々な蒸発源への遠心分離機の組み込み方を図１０〜１５に示す。一実施形態では、図１０に示すように、スパイラル遠心分離機３１０は、下向き蒸発源３００において噴出ノズル３０２に上に位置する。ある実施形態では、本明細書で提供されるスパイラル遠心分離機、または、遠心分離機は、ヘリカル遠心分離機である。
【００１８】
横向き噴出ノズルへの組み込みを考慮すると、力による加速度は、重力加速度による力よりも数桁大きいオーダーであることに注意されたい。したがって、遠心分離器の性能は、方向により影響を受ける場合はない。しかし、ある実施形態では、遠心分離機は、蒸気が分離機の出口オリフィスに向かって上方に流れるように、方向を定められ得る。この上向きへの流れは、液滴が外壁から出口オリフィスに落ちることを防ぐ。
【００１９】
噴出速度は自由分子流領域において圧力に比例し、遷移過程において圧力の２乗に比例することを考慮すると、分離機は３８％から６２％の噴出速度の減少を引き起こす。一例として図３に示すように、蒸気が分離機の中を流れると圧力は２１Ｐａから１３Ｐａに低下する。
【００２０】
本明細書で提供される装置は、低蒸気圧蒸発物、例えば、光起電用途のためのＣｕ（ＩｎＧａ）Ｓｅ２もしくは（ＡｇＣｕ）（ＩｎＧａ）Ｓｅ２薄膜の蒸着に用いられるＡｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、およびＧａ、インジウムスズ酸化物の透明導電膜の蒸着に用いられるＩｎおよびＳｎ、またはＩＩＩ−Ｖ族薄膜の蒸着に用いられるＡｌ、Ｇａ、およびＩｎと共に使用され得る。しかし、真空蒸着が必然的に沸騰の条件を満たす、つまり、周りを囲む周囲圧力を蒸発物の飽和圧力が超えるため、遠心分離機は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイの真空蒸着を含む真空蒸発による薄膜の蒸着に一般に関係している。粉末または固体材料の昇華により、流れる蒸気に飛沫同伴される特定の大きさの範囲外の粒子を生じ得る。蒸気が、粉末または固体材料が昇華したものであるとき、流れる蒸気中の粒子を特定の大きさの範囲に制限するために、遠心分離を使用し得る。昇華材料は、限定されることなく、ペロブスカイト薄膜の蒸着に用いられるハロゲン化鉛ＰｂＸ２の化合物（ここで、Ｘはハロゲン、例えばＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである）、および、ハロゲン化メチルアンモニウムＣＨ３ＮＨ３Ｘの化合物（ここで、Ｘはハロゲン、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである）、並びにＩＩ−ＶＩ族化合物（Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ）（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）を含み得る。本明細書に記載される装置は、表面欠陥（例えば、蒸発源のスピッティングによる欠陥）が最小化される蒸着光学コーティングを調整するために使用されてもよい。
【００２１】
ある実施形態において、真空蒸発源は蓋を備える。ある実施形態において、真空蒸発源は蓋加熱素子を備える。ある実施形態において、蓋加熱素子は、蒸気の飽和、および、その後の凝縮とスピッティングを防ぐ蒸発源の温度プロフィールの制御を改善する。
【００２２】
ある実施形態において、真空蒸発源は、遠心分離機を備える。ある実施形態において、遠心分離機は、ヘリカル遠心分離機である。
【００２３】
ある実施形態において、遠心分離機は、直径が約０．００１ミクロンより大きい（例えば約０．００２２ミクロンより大きい、例えば約０．００３ミクロンより大きい、例えば約０．００４ミクロンより大きい、例えば約０．００５ミクロンより大きい、例えば約０．０１ミクロンより大きい、例えば約０．１ミクロンより大きい）すべてのまたは実質的にすべての液滴を除去する。ある実施形態において、実質的にすべての液滴を除去することとは、特定の大きさの粒子の約８０％より多く、約９０％より多く、約９５％より多く、約９６％より多く、約９７％より多く、約９８％より多く、または約９９％より多く除去することを意味する。
【００２４】
ある実施形態において、真空蒸発源は、約５Ｐａから約１００Ｐａ（例えば、約５Ｐａから約５０Ｐａ、約５Ｐａから約２５Ｐａ、約１０Ｐａから約２５Ｐａ、約１０Ｐａから約２０Ｐａ、約１３Ｐａから約２１Ｐａ，約１７Ｐａ）の内圧を備える。ある実施形態において、噴出ノズルに向かって分離機の中を蒸気が流れると、約２５Ｐａから約１０Ｐａに内圧は低下する。ある実施形態において、噴出ノズルに向かって分離機の中を蒸気が流れると、約２１Ｐａから約１３Ｐａに内圧は低下する。ある実施形態において、噴出ノズルに向かって分離機の中を蒸気が流れると、約２０Ｐａから約１０Ｐａに内圧は低下する。
【００２５】
ある実施形態において、真空蒸発源は、１５から３０ｇ／ｈｒ（例えば、１５から２０ｇ／ｈｒ、２０から２５ｇ／ｈｒ、２５から３０ｇ／ｈｒ、１５から２５ｇ／ｈｒ、２０から３０ｇ／ｈｒ、１５ｇ／ｈｒ、２０ｇ／ｈｒ、２５ｇ／ｈｒ、または、３０ｇ／ｈｒ）のスピッティングのないＣｕ蒸気速度を可能にする。
【００２６】
ある実施形態において、真空蒸発源は、１５から３０ｇ／ｈｒ（例えば、１５から２０ｇ／ｈｒ、２０から２５ｇ／ｈｒ、２５から３０ｇ／ｈｒ、１５から２５ｇ／ｈｒ、２０から３０ｇ／ｈｒ、１５ｇ／ｈｒ、２０ｇ／ｈｒ、２５ｇ／ｈｒ、または、３０ｇ／ｈｒ）のスピッティングのないＩｎ蒸気速度を可能にする。
【００２７】
ある実施形態において、真空蒸発源は、１５から３０ｇ／ｈｒ（例えば、１５から２０ｇ／ｈｒ、２０から２５ｇ／ｈｒ、２５から３０ｇ／ｈｒ、１５から２５ｇ／ｈｒ、２０から３０ｇ／ｈｒ、１５ｇ／ｈｒ、２０ｇ／ｈｒ、２５ｇ／ｈｒ、または、３０ｇ／ｈｒ）のスピッティングのないＧａ蒸気速度を可能にする。
【００２８】
ある実施形態において、真空蒸発源は、１５から３０ｇ／ｈｒ（例えば、１５から２０ｇ／ｈｒ、２０から２５ｇ／ｈｒ、２５から３０ｇ／ｈｒ、１５から２５ｇ／ｈｒ、２０から３０ｇ／ｈｒ、１５ｇ／ｈｒ、２０ｇ／ｈｒ、２５ｇ／ｈｒ、または、３０ｇ／ｈｒ）のスピッティングのないＳｅ蒸気速度を可能にする。
【００２９】
ある実施形態において、真空蒸発源は、１５から３０ｇ／ｈｒ（例えば、１５から２０ｇ／ｈｒ、２０から２５ｇ／ｈｒ、２５から３０ｇ／ｈｒ、１５から２５ｇ／ｈｒ、２０から３０ｇ／ｈｒ、１５ｇ／ｈｒ、２０ｇ／ｈｒ、２５ｇ／ｈｒ、または、３０ｇ／ｈｒ）のスピッティングのないＣｕＩｎＧａＳｅ蒸気速度を可能にする。
【００３０】
ある実施形態において、真空蒸発源は、１５から３０ｇ／ｈｒ（例えば、１５から２０ｇ／ｈｒ、２０から２５ｇ／ｈｒ、２５から３０ｇ／ｈｒ、１５から２５ｇ／ｈｒ、２０から３０ｇ／ｈｒ、１５ｇ／ｈｒ、２０ｇ／ｈｒ、２５ｇ／ｈｒ、または、３０ｇ／ｈｒ）のスピッティングのないＣｕＡｇＩｎＧａＳｅ蒸気速度を可能にする。
【００３１】
ある実施形態において、真空蒸発源はマニフォールド本体を備える。ある実施形態において、マニフォールド本体は加熱素子を備える。
【００３２】
ある実施形態において、真空蒸発源は噴出ノズルを備える。ある実施形態において、噴出ノズルは加熱素子を備える。
【００３３】
ある実施形態において、真空蒸発源は天井を備える。ある実施形態において、天井は加熱素子を備える。
【００３４】
（蒸発源）
ある実施形態において、本明細書で提供される遠心蒸発源は、マニフォールド本体と、ある量の蒸発物を収容するように構成されたるつぼと、膨張チャンバと、遠心分離機とを備える。
【００３５】
ある実施形態において、遠心分離機チャンバは、蒸発物の上と、膨張チャンバの下とに流動可能に接続できる。
【００３６】
ある実施形態において、遠心分離機チャンバは、るつぼの内部を周回できる。ある実施形態において、遠心分離機チャンバは、蒸発源の他の位置を周回できる。
【００３７】
ある実施形態において、遠心分離機チャンバは第１端及び第２端を備え、遠心分離機チャンバの第１端はるつぼに流動可能に接続され、遠心分離機チャンバの第２端は１以上の噴出ノズルに流動可能に接続される。他の実施形態において、遠心分離機チャンバの第１端は膨張チャンバに流動可能に接続される。
【００３８】
一態様において、本明細書で提供される遠心蒸発源は、
マニフォールド本体と、
ある量の蒸発物を収容するように構成されると共に、円形断面と、底部と、上部へりと、上部へりを超えてマニフォールド本体の天井に延びて、マニフォールド本体の内壁と環を形成し、少なくとも３の制限オリフィスを形成する側壁エクステンションとを含むるつぼと、
少なくとも３の制限オリフィスを介して蒸発物の上の蒸気空間に流動可能に接続される膨張チャンバと、
蒸発物の上と膨張チャンバの下とに流動可能に接続され、るつぼの内部を周回する遠心分離機チャンバと
を備え、
遠心分離機チャンバは、第１端及び第２端を備え、遠心分離機チャンバの第１端は膨張チャンバに流動可能に接続され、遠心分離機チャンバの第２端は１以上の噴出ノズルに流動可能に接続される。
【００３９】
ある実施形態において、遠心分離機チャンバの少なくとも１の壁は、３００℃から１６００℃の間の温度に遠心分離機チャンバの少なくとも１の壁を加熱可能な加熱素子を備える。ある実施形態において、温度は３００℃から１０００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から７００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から６００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から５００℃の間である。ある実施形態において、温度は４００℃から５００℃の間である。
【００４０】
ある実施形態において、１以上の噴出ノズルは、３００℃から１６００℃の間の温度に１以上の噴出ノズルを独立して加熱可能な加熱素子を備える。ある実施形態において、温度は３００℃から１０００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から７００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から６００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から５００℃の間である。ある実施形態において、温度は４００℃から５００℃の間である。
【００４１】
ある実施形態において、マニフォールド本体は、３００℃から１６００℃の間の温度にマニフォールド本体を加熱可能な加熱素子を備える。ある実施形態において、温度は３００℃から１０００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から７００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から６００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から５００℃の間である。ある実施形態において、温度は４００℃から５００℃の間である。
【００４２】
ある実施形態において、マニフォールド本体の天井は、３００℃から１６００℃の間の温度にマニフォールド本体の天井を加熱可能な加熱素子を備える。ある実施形態において、温度は３００℃から１０００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から７００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から６００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から５００℃の間である。ある実施形態において、温度は４００℃から５００℃の間である。
【００４３】
ある実施形態において、遠心分離機チャンバはＮ−ヘリカル遠心分離機チャンバであり、Ｎは１重、２重、３重、４重、５重、６重、７重、８重、９重、１０重であり、各螺旋は独立して、膨張チャンバに流動可能に接続される第１端と、１以上の噴出ノズルに流動可能に接続される第２端とを有する。ある実施形態において、Ｎは１重、２重、または３重である。ある実施形態において、遠心分離機チャンバは１重ヘリカル遠心分離機チャンバである。ある実施形態において、遠心分離機チャンバは、２重ヘリカル遠心分離機チャンバである。ある実施形態において、遠心分離機チャンバは、３重ヘリカル遠心分離機チャンバである。
【００４４】
ある実施形態において、１以上の噴出ノズルは、熱蒸発源からの蒸気流を、鉛直下方向に、１以上の水平方向に、または水平方向と鉛直下方向との間の１以上の方向に導くように方向が定められている。
【００４５】
ある実施形態において、るつぼは窒化ホウ素で形成されたるつぼである。ある実施形態において、るつぼはグラファイトで形成されたるつぼである。ある実施形態において、るつぼは窒化ホウ素とグラファイトとで形成されたるつぼである。
【００４６】
ある実施形態において、蒸発源は、鉛直下向きの蒸気流を生じさせるように構成された噴出ノズルを含む。
【００４７】
ある実施形態において、少なくとも３の制限オリフィスは、るつぼの周囲に等間隔に間をあけて配置された８のオリフィスを備える。
【００４８】
ある実施形態において、蒸発源はるつぼに取り付けられた蓋をさらに備え、蓋は１以上の追加の制限オリフィスを含む。
【００４９】
ある実施形態において、蓋は追加の膨張空間を提供する。
【００５０】
ある実施形態において、蓋は、３００℃から１６００℃の間の温度に蓋を加熱可能な加熱素子を備える。ある実施形態において、温度は３００℃から１０００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から７００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から６００℃の間である。ある実施形態において、温度は３００℃から５００℃の間である。ある実施形態において、温度は４００℃から５００℃の間である。
【００５１】
ある実施形態において、マニフォールド本体はグラファイトで形成されている。
【００５２】
ある実施形態において、遠心分離機チャンバの第１端は蒸発物に流動可能に接続されている。
【００５３】
ある実施形態において、遠心分離機チャンバの第２端はマニフォールドに流動可能に接続され、マニフォールドは１以上の噴出ノズルに流動可能に接続されている。
【００５４】
（シングルノズルヘリカル遠心蒸発源）
図９は、ヘリカル遠心蒸発源２００の１の構成可能な側断面図を示す。上から見たとき、蒸発源２００の断面は、円形、正方形、または長方形でもよい。ある実施形態において、蒸発源２００は、蒸発物２０１の交換を容易にするため、ねじ山を有する蓋と本体（図示せず）とを備えてもよい。
【００５５】
装置は、るつぼ２０４に収容されたある量の蒸発物２０１を含み、るつぼ２０４は蒸発物２０１の上に蒸気空間２０５も収容する。蒸気空間２０５からの蒸気２１４は、天井板２１７に含まれる穴２１２を通りヘリカル遠心分離機２１０に入り、フロア板２１５に含まれる穴２１３を通りマニフォールド本体２０６内の囲まれた膨張チャンバ２０３の中に出る。穴２１２（制限オリフィス）の１の機能によって、ヘリカル遠心分離機２１０は、膨張チャンバ２０３内の蒸発物２０１の蒸気圧を蒸発物２０１の熱力学的な飽和圧力より低くし、それによりマニフォールド本体２０６内または噴出ノズル２０２内での蒸発物２０１の凝縮を抑制する。
【００５６】
加熱素子（通常は単体）は、蒸発源２００の一部または全体を加熱する。単一加熱素子、または、２以上の加熱素子が存在してよい。ある実施形態において、蒸発物２０１を収容するるつぼ２０４を複数の加熱素子が加熱しながら、１の加熱素子は主にマニフォールド２０６、または蓋２０７を加熱する。ある実施形態において、複数の素子がマニフォールド本体２０６を加熱しながら、１の加熱素子は主にるつぼ２０４と蒸発物２０１とを加熱する。ある実施形態において、１の加熱素子が主に蓋２０７を加熱し、１の加熱素子が主にるつぼ２０４と蒸発物２０１とを加熱し、複数の素子がマニフォールド本体２０６を加熱する。ある実施形態において、複数の加熱素子が蒸発源本体２０８を加熱する。ある実施形態において、１または複数の加熱素子が噴出ノズル２０２を加熱する。ある実施形態において、加熱素子は、蒸発源２００（蒸発源本体２０８）の周囲にスパイラル状に巻かれていても、鉛直方向に向けられた加熱素子の直線状部（複数）を含み蛇行していてもよい。あるいは、鉛直方向に向けられた複数の単一直線状の加熱素子が蒸発源本体２０８の周りに設けられてもよい。ある実施形態において、加熱素子の材料はグラファイトである。ある実施形態において、加熱素子の材料は、窒化ホウ素などの高温電気絶縁体で蒸発源本体２０８から電気的に絶縁されている。
【００５７】
噴出ノズル２０２は、蒸発源２００の一方の面に位置している。蒸気２１４の噴出プルーム２０９は、噴出ノズル２０２から出て、基板上に堆積される。
【００５８】
動作中、蒸発源２００の一部または全体は、凝縮を防ぐため、蒸発源２００内で気化した蒸発物２０１の飽和点を超える温度が維持される。絶縁層は、通常、加熱素子のための電気的なフィードスルーと噴出ノズル２０２とを除き、実質的に蒸発源全体を取り囲んでいる。
【００５９】
蒸発物２０１は、光起電力吸収層の形成において高い真空蒸着特性を有する任意の元素またはその化合物でよい。ある実施形態において、元素またはその化合物は、銀と、銅と、インジウムと、ガリウムと、セレンとを含む。使用において、蒸発源２００の使用中に基板の移動方向は、図９に示す蒸発源２００の断面の平面に対して直交する。
【００６０】
ある実施形態において、蒸発源２００の体積に対する表面積の割合を最小化するため、蒸発源２００は形状が円柱状、すなわち上から見たときの断面が円形である。ある実施形態において、蒸発物２０１のチャンバの容積を増加することで動作時間を長くすることができるため、るつぼ２０４はマニフォールド本体２０６より大きい周囲の長さを有する。ある実施形態において、極端な蒸気圧低下を避けるためマニフォールドの内部に沿って十分な内部蒸気のコンダクタンスを維持しながら、蒸発源２００の熱負荷を減少させるため、マニフォールドの周囲の長さは制限される。これらの設計上の考慮事項は、蒸発源２００の設計を円柱形の設計に限定するものではない。加熱方法のなどの他の考慮事項も、周囲が円形の代わりとして正方形または長方形など、蒸発源２００の形状の選択に影響を与え得る。さらに、蒸発源２００を、低アスペクト比の断面に限定するものではない。面積に対する周囲の長さの比率が大きい高アスペクト比の断面が用いられてもよい。
【００６１】
（下向き蒸発シングルノズル遠心蒸発源）
図１０は、遠心蒸発源３００の１の構成可能な側断面図を示す。上から見たとき、蒸発源３００の断面は円形、正方形、または長方形でもよい。ある実施形態において、蒸発源３００は、蒸発物３０１の交換を容易にするため、ねじ山を有する蓋と本体（図示せず）とを備えてもよい。
【００６２】
装置は、るつぼ３０４に収容されたある量の蒸発物３０１を含み、るつぼ３０４は蒸発物３０１の上に蒸気空間３０５も収容する。蒸気空間３０５からの蒸気３１４は、膨張チャンバ３０３に入り、次に天井板３１７に含まれる穴３１２を通り遠心分離機３１０に入り、フロア板３１５に含まれる穴３１３を通り噴出ノズル３０２に囲まれた噴出頭部空間の中に出て、噴出ノズル３０２から蒸気プルーム３０９として出る。穴３１２（制限オリフィス）の１の機能によって、遠心分離機３１０は、噴出頭部空間内の蒸発物３０１の蒸気圧を蒸発物３０１の熱力学的な飽和圧力より低くし、それにより噴出頭部空間内での蒸発物３０１の凝縮を抑制する。
【００６３】
加熱素子（通常は単体）は、蒸発源３００の一部または全体を加熱する。単一加熱素子、または、２以上の加熱素子が存在してよい。ある実施形態において、蒸発物３０１を収容するるつぼ３０４を複数の加熱素子が加熱しながら、１の加熱素子は主に蒸発源本体３０８、または蓋３０７を加熱する。ある実施形態において、複数の素子が蒸発源本体３０８を加熱しながら、１の加熱素子は主にるつぼ３０４と蒸発物３０１とを加熱する。ある実施形態において、１の加熱素子が主に蓋３０７を加熱し、１の加熱素子が主にるつぼ３０４と蒸発物３０１とを加熱し、複数の素子が蒸発源本体３０８を加熱する。ある実施形態において、複数の加熱素子が蒸発源本体３０８を加熱する。ある実施形態において、１または複数の加熱素子が噴出ノズル３０２を加熱する。ある実施形態において、加熱素子は、蒸発源３００（蒸発源本体３０８）の周囲にスパイラル状に巻かれていても、鉛直方向に向けられた加熱素子の直線状部（複数）を含み蛇行していてもよい。あるいは、鉛直方向に向けられた複数の単一直線状の加熱素子が蒸発源本体３０８の周りに設けられてもよい。ある実施形態において、加熱素子の材料はグラファイトである。ある実施形態において、加熱素子の材料は、窒化ホウ素などの高温電気絶縁体で蒸発源本体３０８から電気的に絶縁されている。
【００６４】
噴出ノズル３０２は、蒸発源３００の一方の面に位置している。蒸気３１４の噴出プルーム３０９は、噴出ノズル３０２から出て、基板上に堆積される。
【００６５】
動作中、蒸発源３００の一部または全体は、凝縮を防ぐため、蒸発源３００内で気化した蒸発物３０１の飽和点を超える温度が維持される。絶縁層は、通常、加熱素子のための電気的なフィードスルーと噴出ノズル３０２とを除き、実質的に蒸発源全体を取り囲んでいる。
【００６６】
蒸発物３０１は、光起電力吸収層の形成において高い真空蒸着特性を有する任意の元素またはその化合物でよい。ある実施形態において、元素またはその化合物は、銀と、銅と、インジウムと、ガリウムと、セレンとを含む。使用において、蒸発源３００の使用中に基板の移動方向は、図１０に示す蒸発源３００の断面の平面に対して直交する。
【００６７】
ある実施形態において、蒸発源３００の体積に対する表面積の割合を最小化するため、蒸発源３００は形状が円柱状、すなわち上から見たときの断面が円形である。これらの設計上の考慮事項は、蒸発源３００の設計を円柱形の設計に限定するものではない。加熱方法などの他の考慮事項も、円形の周囲の代わりとして正方形または長方形の周囲など、蒸発源３００の形状の選択に影響を与え得る。さらに、蒸発源３００を、低アスペクト比の断面に限定するものではない。面積に対する周囲の長さの比率が大きい高アスペクト比の断面が用いられてもよい。
【００６８】
（下向き蒸発マルチノズル遠心蒸発源）
図１１は、遠心蒸発源４００の１の構成可能な側断面図を示す。上から見たとき、蒸発源４００の断面は円形、正方形、または長方形でもよい。ある実施形態において、蒸発源４００は、蒸発物４０１の交換を容易にするため、ねじ山を有する蓋と本体（図示せず）とを備えてもよい。
【００６９】
装置は、るつぼ４０４に収容されたある量の蒸発物４０１を含み、るつぼ４０４は蒸発物４０１の上に蒸気空間４０５も収容する。蒸気空間４０５からの蒸気４１４は、膨張チャンバ４０３に入り、次に天井板４１７に含まれる穴４１２を通り遠心分離機４１０に入り、フロア板４１５に含まれる穴４１３を通り噴出ノズル４０２に囲まれた噴出頭部空間の中に出て、噴出ノズル４０２から蒸気プルーム４０９として出る。穴４１２（制限オリフィス）の１の機能によって、遠心分離機４１０は、噴出頭部空間内の蒸発物４０１の蒸気圧を蒸発物４０１の熱力学的な飽和圧力より低くし、それにより噴出頭部空間内での蒸発物４０１の凝縮を抑制する。
【００７０】
加熱素子（通常は単体）は、蒸発源４００の一部または全体を加熱する。単一加熱素子、または、２以上の加熱素子が存在してよい。ある実施形態において、蒸発物４０１を収容するるつぼ４０４を複数の加熱素子が加熱しながら、１の加熱素子は主に蒸発源本体４０８、または蓋４０７を加熱する。ある実施形態において、複数の素子が蒸発源本体４０８を加熱しながら、１の加熱素子は主にるつぼ４０４と蒸発物４０１とを加熱する。ある実施形態において、１の加熱素子が主に蓋４０７を加熱し、１の加熱素子が主にるつぼ４０４と蒸発物４０１とを加熱し、複数の素子が蒸発源本体４０８を加熱する。ある実施形態において、複数の加熱素子が蒸発源本体４０８を加熱する。ある実施形態において、１または複数の加熱素子が噴出ノズル４０２を加熱する。ある実施形態において、加熱素子は、蒸発源４００（蒸発源本体４０８）の周囲にスパイラル状に巻かれていても、鉛直方向に向けられた加熱素子の直線状部（複数）を含み蛇行していてもよい。あるいは、鉛直方向に向けられた複数の単一直線状の加熱素子が蒸発源本体４０８の周りに設けられてもよい。ある実施形態において、加熱素子の材料はグラファイトである。ある実施形態において、加熱素子の材料は、窒化ホウ素などの高温電気絶縁体で蒸発源本体４０８から電気的に絶縁されている。
【００７１】
噴出ノズル４０２は、蒸発源４００の一方の面に位置している。蒸気４１４の噴出プルーム４０９は、噴出ノズル４０２から出て、基板上に堆積される。
【００７２】
動作中、蒸発源４００の一部または全体は、凝縮を防ぐため、蒸発源４００内で気化した蒸発物４０１の飽和点を超える温度が維持される。絶縁層は、通常、加熱素子のための電気的なフィードスルーと噴出ノズル４０２とを除き、実質的に蒸発源全体を取り囲んでいる。
【００７３】
蒸発物４０１は、光起電力吸収層の形成において高い真空蒸着特性を有する任意の元素またはその化合物でよい。ある実施形態において、元素またはその化合物は、銀と、銅と、インジウムと、ガリウムと、セレンとを含む。使用において、蒸発源４００の使用中に基板の移動方向は、図１１に示す蒸発源４００の断面の平面に対して直交する。
【００７４】
ある実施形態において、蒸発源４００の体積に対する表面積の割合を最小化するため、蒸発源４００は形状が円柱状、すなわち上から見たときの断面が円形である。これらの設計上の考慮事項は、蒸発源４００の設計を円柱形の設計に限定するものではない。加熱方法などの他の考慮事項も、円形の周囲の代わりとして正方形または長方形の周囲など、蒸発源４００の形状の選択に影響を与え得る。さらに、蒸発源４００を、低アスペクト比の断面に限定するものではない。面積に対する周囲の長さの比率が大きい高アスペクト比の断面が用いられてもよい。
【００７５】
（上向き蒸発シングルノズル遠心蒸発源）
図１２は、遠心蒸発源５００の１の構成可能な側断面図を示す。下から見たとき、蒸発源５００の断面は円形、正方形、または長方形でもよい。ある実施形態において、蒸発源５００は、蒸発物５０１の交換を容易にするため、ねじ山を有する蓋と本体（図示せず）とを備えてもよい。
【００７６】
装置は、るつぼ５０４に収容されたある量の蒸発物５０１を含み、るつぼ５０４は蒸発物５０１の上に蒸気空間５０５も収容する。蒸気空間５０５からの蒸気５１４は、天井板５１７に含まれる穴５１２を通り遠心分離機５１０に入り、フロア板５１５に含まれる穴５１３を通り噴出ノズル５０２に囲まれた噴出頭部空間の中に出て、噴出ノズル５０２から蒸気プルーム５０９として出る。穴５１２（制限オリフィス）の１の機能によって、遠心分離機５１０は、噴出頭部空間内の蒸発物５０１の蒸気圧を蒸発物５０１の熱力学的な飽和圧力より低くし、それにより噴出頭部空間内での蒸発物５０１の凝縮を抑制する。
【００７７】
加熱素子（通常は単体）は、蒸発源５００の一部または全体を加熱する。単一加熱素子、または、２以上の加熱素子が存在してよい。ある実施形態において、蒸発物５０１を収容するるつぼ５０４を複数の加熱素子が加熱しながら、１の加熱素子は主に蒸発源本体５０８を加熱する。ある実施形態において、複数の素子が蒸発源本体５０８を加熱しながら、１の加熱素子は主にるつぼ５０４と蒸発物５０１とを加熱する。ある実施形態において、複数の加熱素子が蒸発源本体５０８を加熱する。ある実施形態において、１または複数の加熱素子が噴出ノズル５０２を加熱する。ある実施形態において、加熱素子は、蒸発源５００（蒸発源本体５０８）の周囲にスパイラル状に巻かれていても、鉛直方向に向けられた加熱素子の直線状部（複数）を含み蛇行していてもよい。あるいは、鉛直方向に向けられた複数の単一直線状の加熱素子が蒸発源本体５０８の周りに設けられてもよい。ある実施形態において、加熱素子の材料はグラファイトである。ある実施形態において、加熱素子の材料は、窒化ホウ素などの高温電気絶縁体で蒸発源本体５０８から電気的に絶縁されている。
【００７８】
噴出ノズル５０２は、蒸発源５００の一方の面に位置している。蒸気５１４の噴出プルーム５０９は、噴出ノズル５０２から出て、基板上に堆積される。
【００７９】
動作中、蒸発源５００の一部または全体は、凝縮を防ぐため、蒸発源５００内で気化した蒸発物５０１の飽和点を超える温度が維持される。絶縁層は、通常、加熱素子のための電気的なフィードスルーと噴出ノズル５０２とを除き、実質的に蒸発源全体を取り囲んでいる。
【００８０】
蒸発物５０１は、光起電力吸収層の形成において高い真空蒸着特性を有する任意の元素またはその化合物でよい。ある実施形態において、元素またはその化合物は、銀と、銅と、インジウムと、ガリウムと、セレンとを含む。使用において、蒸発源５００の使用中に基板の移動方向は、図１２に示す蒸発源５００の断面の平面に対して直交する。
【００８１】
ある実施形態において、蒸発源５００の体積に対する表面積の割合を最小化するため、蒸発源５００は形状が円柱状、すなわち下から見たときの断面が円形である。これらの設計上の考慮事項は、蒸発源５００の設計を円柱形の設計に限定するものではない。加熱方法などの他の考慮事項も、円形の周囲の代わりとして正方形または長方形の周囲など、蒸発源５００の形状の選択に影響を与え得る。さらに、蒸発源５００を、低アスペクト比の断面に限定するものではない。面積に対する周囲の長さの比率が大きい高アスペクト比の断面が用いられてもよい。
【００８２】
上向き蒸発源の形態において、未使用の蒸発物５０１の材料を含む破片は、蒸発源５００の静止している内部に凝縮し、したがって、基板表面上または噴出ノズル５０２内に落下することができない。
【００８３】
（上向き蒸発マルチノズル遠心蒸発源）
図１３は、遠心蒸発源６００の１の構成可能な側断面図を示す。下から見たとき、蒸発源６００の断面は円形、正方形、または長方形でもよい。ある実施形態において、蒸発源６００は、蒸発物６０１の交換を容易にするため、ねじ山を有する蓋と本体（図示せず）とを備えてもよい。
【００８４】
装置は、るつぼ６０４に収容されたある量の蒸発物６０１を含み、るつぼ６０４は蒸発物６０１の上に蒸気空間６０５も収容する。蒸気空間６０５からの蒸気６１４は、天井板６１７に含まれる穴６１２を通り遠心分離機６１０に入り、フロア板６１５に含まれる穴６１３を通り噴出ノズル６０２に囲まれた噴出頭部空間の中に出て、噴出ノズル６０２から蒸気プルーム６０９として出る。穴６１２（制限オリフィス）の１の機能によって、遠心分離機６１０は、噴出頭部空間内の蒸発物６０１の蒸気圧を蒸発物６０１の熱力学的な飽和圧力より低くし、それにより噴出頭部空間内での蒸発物６０１の凝縮を抑制する。
【００８５】
加熱素子（通常は単体）は、蒸発源６００の一部または全体を加熱する。単一加熱素子、または、２以上の加熱素子が存在してよい。ある実施形態において、蒸発物６０１を収容するるつぼ６０４を複数の加熱素子が加熱しながら、１の加熱素子は主に蒸発源本体６０８を加熱する。ある実施形態において、複数の素子が蒸発源本体６０８を加熱しながら、１の加熱素子は主にるつぼ６０４と蒸発物６０１とを加熱する。ある実施形態において、複数の加熱素子が蒸発源本体６０８を加熱する。ある実施形態において、１または複数の加熱素子が噴出ノズル６０２を加熱する。ある実施形態において、加熱素子は、蒸発源６００（蒸発源本体６０８）の周囲にスパイラル状に巻かれていても、鉛直方向に向けられた加熱素子の直線状部（複数）を含み蛇行していてもよい。あるいは、鉛直方向に向けられた複数の単一直線状の加熱素子が蒸発源本体６０８の周りに設けられてもよい。ある実施形態において、加熱素子の材料はグラファイトである。ある実施形態において、加熱素子の材料は、窒化ホウ素などの高温電気絶縁体で蒸発源本体６０８から電気的に絶縁されている。
【００８６】
噴出ノズル６０２は、蒸発源６００の一方の面に位置している。蒸気６１４の噴出プルーム６０９は、噴出ノズル６０２から出て、基板上に堆積される。
【００８７】
動作中、蒸発源６００の一部または全体は、凝縮を防ぐため、蒸発源６００内で気化した蒸発物６０１の飽和点を超える温度が維持される。絶縁層は、通常、加熱素子のための電気的なフィードスルーと噴出ノズル６０２とを除き、実質的に蒸発源全体を取り囲んでいる。
【００８８】
蒸発物６０１は、光起電力吸収層の形成において高い真空蒸着特性を有する任意の元素またはその化合物でよい。ある実施形態において、元素またはその化合物は、銀と、銅と、インジウムと、ガリウムと、セレンとを含む。使用において、蒸発源６００の使用中に基板の移動方向は、図１３に示す蒸発源６００の断面の平面に対して直交する。
【００８９】
ある実施形態において、蒸発源６００の体積に対する表面積の割合を最小化するため、蒸発源６００は形状が円柱状、すなわち下から見たときの断面が円形である。これらの設計上の考慮事項は、蒸発源６００の設計を円柱形の設計に限定するものではない。加熱方法などの他の考慮事項も、円形の周囲の代わりとして正方形または長方形の周囲など、蒸発源６００の形状の選択に影響を与え得る。さらに、蒸発源６００を、低アスペクト比の断面に限定するものではない。面積に対する周囲の長さの比率が大きい高アスペクト比の断面が用いられてもよい。
【００９０】
上向き蒸発源の形態において、未使用の蒸発物６０１の材料を含む破片は、蒸発源６００の静止している内部に凝縮し、したがって、基板表面上または噴出ノズル６０２内に落下することができない。
【００９１】
（横向き蒸発マルチノズル遠心蒸発源）
図１４は、遠心蒸発源７００の１の構成可能な側断面図を示す。図１４に示される側方に直交する側方から見たとき、蒸発源７００の断面は円形、正方形、または長方形でもよい。ある実施形態において、蒸発源７００は、蒸発物７０１の交換を容易にするため、ねじ山を有する蓋と本体（図示せず）とを備えてもよい。
【００９２】
装置は、るつぼ７０４に収容されたある量の蒸発物７０１を含み、るつぼ７０４は蒸発物７０１の上に蒸気空間７０５も収容する。蒸気空間７０５からの蒸気７１４は、膨張チャンバ７０３に入り、次に側方板７１７に含まれる穴７１２を通り遠心分離機７１０に入り、側方板７１５に含まれる穴７１３を通り噴出ノズル７０２に囲まれた噴出頭部空間の中に出て、噴出ノズル７０２から蒸気プルーム７０９として出る。穴７１２（制限オリフィス）の１の機能によって、遠心分離機７１０は、噴出頭部空間内の蒸発物７０１の蒸気圧を蒸発物７０１の熱力学的な飽和圧力より低くし、それにより噴出頭部空間内での蒸発物７０１の凝縮を抑制する。
【００９３】
加熱素子（通常は単体）は、蒸発源７００の一部または全体を加熱する。単一加熱素子、または、２以上の加熱素子が存在してよい。ある実施形態において、蒸発物７０１を収容するるつぼ７０４を複数の加熱素子が加熱しながら、１の加熱素子は主に蒸発源本体７０８または蓋７０７を加熱する。ある実施形態において、複数の素子が蒸発源本体７０８を加熱しながら、１の加熱素子は主にるつぼ７０４と蒸発物７０１とを加熱する。ある実施形態において、１の加熱素子が主に蓋７０７を加熱し、１の加熱素子が主にるつぼ７０４と蒸発物７０１とを加熱し、複数の素子が蒸発源本体７０８を加熱する。ある実施形態において、複数の加熱素子が蒸発源本体７０８を加熱する。ある実施形態において、１または複数の加熱素子が噴出ノズル７０２を加熱する。ある実施形態において、加熱素子は、蒸発源７００（蒸発源本体７０８）の周囲にスパイラル状に巻かれていても、水平方向に向けられた加熱素子の直線状部（複数）を含み蛇行していてもよい。あるいは、水平方向に向けられた複数の単一直線状の加熱素子が蒸発源本体７０８の周りに設けられてもよい。ある実施形態において、加熱素子の材料はグラファイトである。ある実施形態において、加熱素子の材料は、窒化ホウ素などの高温電気絶縁体で蒸発源本体７０８から電気的に絶縁されている。
【００９４】
噴出ノズル７０２は、蒸発源７００の一方の面に位置している。蒸気７１４の噴出プルーム７０９は、噴出ノズル７０２から出て、基板上に堆積される。
【００９５】
動作中、蒸発源７００の一部または全体は、凝縮を防ぐため、蒸発源７００内で気化した蒸発物７０１の飽和点を超える温度が維持される。絶縁層は、通常、加熱素子のための電気的なフィードスルーと噴出ノズル７０２とを除き、実質的に蒸発源全体を取り囲んでいる。
【００９６】
蒸発物７０１は、光起電力吸収層の形成において高い真空蒸着特性を有する任意の元素またはその化合物でよい。ある実施形態において、元素またはその化合物は、銀と、銅と、インジウムと、ガリウムと、セレンとを含む。使用において、蒸発源７００の使用中に基板の移動方向は、図１４に示す蒸発源７００の断面の平面に対して直交する。
【００９７】
ある実施形態において、蒸発源７００の体積に対する表面積の割合を最小化するため、蒸発源７００は形状が円柱状、すなわち側方から見たときの断面が円形である。これらの設計上の考慮事項は、蒸発源７００の設計を円柱形の設計に限定するものではない。加熱方法などの他の考慮事項も、円形の周囲の代わりとして正方形または長方形の周囲など、蒸発源７００の形状の選択に影響を与え得る。さらに、蒸発源７００を、低アスペクト比の断面に限定するものではない。面積に対する周囲の長さの比率が大きい高アスペクト比の断面が用いられてもよい。
【００９８】
（横向き蒸発マルチノズル遠心蒸発源）
図１５は、遠心蒸発源８００の１の構成可能な側断面図を示す。図１５に示される側方に直交する側方から見たとき、蒸発源８００の断面は円形、正方形、または長方形でもよい。ある実施形態において、蒸発源８００は、蒸発物８０１の交換を容易にするため、ねじ山を有する蓋と本体（図示せず）とを備えてもよい。
【００９９】
装置は、るつぼ８０４に収容されたある量の蒸発物８０１を含み、るつぼ８０４は蒸発物８０１の上に蒸気空間８０５も収容する。蒸気空間８０５からの蒸気８１４は、膨張チャンバ８０３に入り、次に側方板８１７に含まれる穴８１２を通り遠心分離機８１０に入り、側方板８１５に含まれる穴８１３を通り噴出ノズル８０２に囲まれた噴出頭部空間の中に出て、噴出ノズル８０２から蒸気プルーム８０９として出る。穴８１２（制限オリフィス）の１の機能によって、遠心分離機８１０は、噴出頭部空間内の蒸発物８０１の蒸気圧を蒸発物８０１の熱力学的な飽和圧力より低くし、それにより噴出頭部空間内での蒸発物８０１の凝縮を抑制する。
【０１００】
加熱素子（通常は単体）は、蒸発源８００の一部または全体を加熱する。単一加熱素子、または、２以上の加熱素子が存在してよい。ある実施形態において、蒸発物８０１を収容するるつぼ８０４を複数の加熱素子が加熱しながら、１の加熱素子は主に蒸発源本体８０８または蓋８０７を加熱する。ある実施形態において、複数の素子が蒸発源本体８０８を加熱しながら、１の加熱素子は主にるつぼ８０４と蒸発物８０１とを加熱する。ある実施形態において、１の加熱素子が主に蓋８０７を加熱し、１の加熱素子が主にるつぼ８０４と蒸発物８０１とを加熱し、複数の素子が蒸発源本体８０８を加熱する。ある実施形態において、複数の加熱素子が蒸発源本体８０８を加熱する。ある実施形態において、１または複数の加熱素子が噴出ノズル８０２を独立して加熱する。ある実施形態において、加熱素子は、蒸発源８００（蒸発源本体８０８）の周囲にスパイラル状に巻かれていても、水平方向に向けられた加熱素子の直線状部（複数）を含み蛇行していてもよい。あるいは、水平方向に向けられた複数の単一直線状の加熱素子が蒸発源本体８０８の周りに設けられてもよい。ある実施形態において、加熱素子の材料はグラファイトである。ある実施形態において、加熱素子の材料は、窒化ホウ素などの高温電気絶縁体で蒸発源本体８０８から電気的に絶縁されている。
【０１０１】
噴出ノズル８０２は、蒸発源８００の一方の面に位置している。蒸気８１４の噴出プルーム８０９は、噴出ノズル８０２から出て、基板上に堆積される。
【０１０２】
動作中、蒸発源８００の一部または全体は、凝縮を防ぐため、蒸発源８００内で気化した蒸発物８０１の飽和点を超える温度が維持される。絶縁層は、通常、加熱素子のための電気的なフィードスルーと噴出ノズル８０２とを除き、実質的に蒸発源全体を取り囲んでいる。
【０１０３】
蒸発物８０１は、光起電力吸収層の形成において高い真空蒸着特性を有する任意の元素またはその化合物でよい。ある実施形態において、元素またはその化合物は、銀と、銅と、インジウムと、ガリウムと、セレンとを含む。使用において、蒸発源８００の使用中に基板の移動方向は、図１５に示す蒸発源８００の断面の平面に対して直交する。
【０１０４】
ある実施形態において、蒸発源８００の体積に対する表面積の割合を最小化するため、蒸発源８００は形状が円柱状、すなわち上から見たときの断面が円形である。これらの設計上の考慮事項は、蒸発源８００の設計を円柱形の設計に限定するものではない。加熱方法などの他の考慮事項も、円形の周囲の代わりとして正方形または長方形の周囲など、蒸発源８００の形状の選択に影響を与え得る。さらに、蒸発源８００を、低アスペクト比の断面に限定するものではない。面積に対する周囲の長さの比率が大きい高アスペクト比の断面が用いられてもよい。
【０１０５】
（構築方法）
本明細書で提供される蒸発源は、通常、グラファイトまたは窒化ホウ素、またはその両方で構成されるが、他の材料を使用してもよい。構成材料は、使用される温度において、蒸発物の材料を通さず、蒸発物の材料と反応せず、その温度において、固体を維持し、構造的に強固なままである必要がある。温度は、通常、１０００〜１６００℃の範囲であるが、３００〜６００℃の温度で蒸発すると予想されるセレンなどの高蒸気圧の蒸発物の使用を除外しない。
【０１０６】
蒸発源を構成している異なる素子間の接合部から蒸気が漏出することを避けるため、すべての接合部は、通常、ねじ山が設けられ、平らな嵌合表面を有し、適切に密封される。必要に応じて、接合部は、狭い境界または平滑な嵌合表面のいずれかに組立てられてもよく、高温ガスケット材料、例えば、オハイオ州パルマのＧｒａｆＴｅｃｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌによって商品名ＧＲＡＦＯＩＬ（登録商標）で販売されているグラファイト箔を利用してもよい。
【０１０７】
横向き蒸発源の場合、ねじ山に切られた接合部は、半永久的にマニフォールドとるつぼとを接合するために利用されてもよい。加えて、実質的に蒸発源を分解することなく補充するために蒸発物を蒸発源に落とすことができるように、マニフォールドの上部にねじ山の切られた栓を組み込むことが好ましい場合がある。
【０１０８】
シングルノズル下向き蒸発源の場合、るつぼは、マニフォールドの上部に落とされ、半永久的に固定するように、所定の位置にねじ込むことができる。加えて、蒸発源に蒸発物を追加するため、るつぼの上部表面にねじ山の切られた栓を組み込むことができる。
【０１０９】
マルチノズル下向き蒸発源を製造する場合、材料の固体ビレットに複数の内部穴をあける必要がある。るつぼと膨張チャンバとを、ビレットの長さ全体を通過する穴をあけることで、製造してもよい。次に、それらのチャンバの端（複数）を、栓（複数）をねじ込み、挿入することで半永久的に閉じてもよい。同様に、るつぼと膨張チャンバとの間に複数の経路を形成することによって、まず、蒸発源の外壁（蒸発物側と膨張側とのいずれか）を通過し、内部の分離している壁面に接触するように穴をあけ、内部の分離している壁を通過するように続け、ドリルを外し、次に蒸発源の外壁にできた穴（複数）を永久的な方法でねじ込み、穴を塞ぐ必要がある。ある実施形態において、蒸発物を補充するために、るつぼの上の上面または側面に、取外し可能な、ねじ山の切られた１または複数の栓を組み込むことができる。
【０１１０】
加熱素子は、耐熱金属、好ましくはタンタル、またはそれほど望ましくはないがタングステン、またはグラファイトでもよい。形状（スパイラル巻き付け、蛇行など）と製造の困難性などの考慮事項は、耐熱金属とグラフファイトとのどちらを使用するのが好ましいかを判断するのに役に立つ。
【０１１１】
絶縁材は、低密度セラミック材料の厚くて硬いシート、例えばＺｉｃａｒ  ｃｅｒａｍｉｃｓが販売しているアルミナベースの発砲絶縁材のいずれかでもよい。あるいは、絶縁材は、複数の放射シールドを備えてもよい。放射シールドは、金属箔、グラファイト箔、または薄いセラミックシートを含んでもよい。
【０１１２】
蒸発源は、特定の実施形態を参照し、本明細書で例示され説明されているが、示された詳細に限定することを意図するものではない。むしろ、本明細書に記載の蒸発源から逸脱することなく、特許請求の範囲と、その均等物の範囲との中で詳細に様々な変形を加えてもよい。
【０１１３】
前述の開示は、例示的な実施形態である。本明細書で開示された装置、技術および方法が、本開示の実施において、十分に機能する代表的な実施形態を明らかにすることを当業者は理解すべきである。しかし、当業者は、本開示に照らして、開示された特定の実施形態において多くの変更を行い、本発明の精神および範囲から逸脱することなく同様または類似の結果を得ることができることを理解するはずである。
【０１１４】
特に明記しない限り、本明細書および特許請求の範囲に使用される成分および特性の量を表すすべての数字は、「約」という用語によってすべての場合に変更されると理解されるべきである。したがって、反対に示されない限り、本明細書および特許請求の範囲に記載された数値パラメータは、本発明によって得ることが求められる所望の特性に応じて変化し得る近似値である。少なくとも、均等論の適用を特許請求の範囲に限定する試みとしてではなく、各数値パラメータは、報告された有効数字の数値を考慮して、通常の丸め手法を適用することにより、少なくとも解釈されるべきである。本発明の広い範囲を説明する数値範囲およびパラメータが近似値であるが、説明される数値は可能な限り正確に記載している。数値は、各々のテスト測定に見られる標準偏差から必然的に生じる誤差を本質的に含んでいる。
【０１１５】
本発明を説明する文脈で（特に添付の特許明細書で）使用される「ａ」、「ａｎ」および「ｔｈｅ」という用語、並びに類似の指示物は、文脈に明らかな矛盾がない限り、または、特に明記しない限り、単数および複数の両方を包含すると解釈される。本明細書における値の範囲の列挙は、単に、その範囲内に入る個々の値を個別に参照する簡易伝達として機能することを意図している。本明細書で特に明記しない限り、個々の値は、本明細書で個別に引用されるように、本明細書に組み込まれる。本明細書で説明されるすべての方法は、本明細書で特に明記されない限り、または文脈により明らかな矛盾がない限り、任意の適切な順序で実行することができる。本明細書で提供されるすべての例または例示的な言葉（例えば「など」）の使用は、単に、本発明をよりよく説明することを意図しており、特許請求される本発明の範囲を限定するものではない。明細書中の文言は、本発明の実施に不可欠な、請求されていない要素を示すものと解釈されるべきではない。
【０１１６】
本開示は、択一のみと、「および／または」とを参照する定義を記載しているが、特許請求の範囲における「または」という用語の使用は、択一のみを指すように明示的に示されない限り、選択が互いに排他的でない限り、「および／または」の意味するために使用される。
【０１１７】
本明細書で開示される本発明の実施形態または他の要素のグループは、限定として解釈されるべきではない。各グループの要素は、個別に、または、グループの他の要素もしくは本明細書で見られる他の要素と任意に組み合わせて、参照および特許請求することができる。グループの１または複数の要素が、利便性および／または特許性の理由でグループに含まれたり、グループから削除されたりすることが理解される。そのような包含または削除が生じたとき、本明細書は、本明細書に修正されたグループを含むと見なされ、添付の特許請求の範囲で使用されるすべてのマーカッシュグループで記載された説明を充足する。
【０１１８】
本発明を実施するために発明者が知る最良の形態を含む、この発明の好ましい実施の形態が本明細書に記載されている。当然に、これらの好ましい実施形態の変形は、前述の説明を読めば、当業者には明らかになるであろう。発明者は、当業者がそのような変形を適切に使用することを期待し、本発明が本明細書で具体的に記載された以外の方法で実施されることを意図している。したがって、本開示は、適用法で許可されるように、本明細書に添付された特許請求の範囲に列挙された主題のすべての修正および均等物を含む。さらに、そのすべての可能な変形における上記要素の任意の組み合わせは、本明細書で特に明記しない限り、または、文脈により明らかに矛盾しない限り、本発明に含まれる。
【０１１９】
そのように請求される本発明の実施形態は、本明細書において本質的にまたは明示的に説明され、実施できる。
【０１２０】
さらに、本明細書で開示された本発明の実施形態は、本発明の原理の例示であることを理解されたい。適用され得る他の修正は本発明の範囲に含まれる。このため、限定ではなく例として、本発明の他の構成を本明細書の教示に従って利用することができる。したがって、本発明は、示され説明されたとおりのものに限定されない。
【０１２１】
（付記）
（付記１）
マニフォールド本体と、
ある量の蒸発物を収容するように構成されると共に、円形断面と、底部と、上部へりと、前記上部へりを超えて前記マニフォールド本体の天井に延びて、前記マニフォールド本体の内壁と環（ａｎｎｕｌｕｓ）を形成し、少なくとも３の制限オリフィスを形成する側壁エクステンションと、を含むるつぼと、
前記少なくとも３の制限オリフィスを介して前記蒸発物の上の蒸気空間に流動可能に接続される膨張チャンバと、
前記蒸発物の上と前記膨張チャンバの下とに流動可能に接続され、前記るつぼの内部を周回する遠心分離機チャンバと、
を備え、
前記遠心分離機チャンバは、第１端及び第２端を備え、前記遠心分離機チャンバの前記第１端は前記膨張チャンバに流動可能に接続され、前記遠心分離機チャンバの前記第２端は１以上の噴出ノズルに流動可能に接続される、
遠心蒸発源。
【０１２２】
（付記２）
前記遠心分離機チャンバの少なくとも１の壁は、前記遠心分離機チャンバの前記少なくとも１の壁を、３００℃と１６００℃との間の温度に加熱可能な加熱素子を備える付記１に記載の蒸発源。
【０１２３】
（付記３）
前記１以上の噴出ノズルは、前記１以上の噴出ノズルを、独立して、３００℃と１６００℃との間の温度に加熱可能な加熱素子を備える付記１に記載の蒸発源。
【０１２４】
（付記４）
前記マニフォールド本体は、前記マニフォールド本体を、３００℃と１６００℃との間の温度に加熱可能な加熱素子を備える付記１に記載の蒸発源。
【０１２５】
（付記５）
前記マニフォールド本体の前記天井は、前記マニフォールド本体の前記天井を、３００℃から１６００℃の間の温度に加熱可能な加熱素子を備える付記１に記載の蒸発源。
【０１２６】
（付記６）
前記遠心分離機チャンバはＮ−ヘリカル遠心分離機チャンバであり、Ｎは１重、２重、３重、４重、５重、６重、７重、８重、９重、または１０重であり、各ヘリカルは独立して前記膨張チャンバに流動可能に接続される第１端と前記１以上の噴出ノズルに流動可能に接続される第２端とを有する付記１に記載の蒸発源。
【０１２７】
（付記７）
前記遠心分離機チャンバは１重ヘリカル遠心分離機チャンバである付記１に記載の蒸発源。
【０１２８】
（付記８）
前記１以上の噴出ノズルは、熱蒸発源からの蒸気流を、鉛直下方向に、１以上の水平方向に、または１以上の鉛直下方向と水平方向との間の１以上の方向に向けるように、方向が定められている付記１に記載の蒸発源。
【０１２９】
（付記９）
前記るつぼは窒化ホウ素で形成されるるつぼである付記１に記載の蒸発源。
【０１３０】
（付記１０）
前記蒸発源は、蒸気流を鉛直下向きに生じさせるように構成される噴出ノズルを含む付記１に記載の蒸発源。
【０１３１】
（付記１１）
前記少なくとも３の制限オリフィスは前記るつぼの周囲に等間隔に間をあけて配置される８のオリフィスを備える付記１に記載の蒸発源。
【０１３２】
（付記１２）
さらに前記るつぼに取り付けられた蓋を備え、前記蓋は１以上の追加の制限オリフィスを含む付記１に記載の蒸発源。
【０１３３】
（付記１３）
前記蓋は追加の膨張空間を提供する付記１２に記載の蒸発源。
【０１３４】
（付記１４）
前記蓋は、前記蓋を、３００℃から１６００℃の間の温度に加熱可能な加熱素子を備える付記１２に記載の蒸発源。
【０１３５】
（付記１５）
前記マニフォールド本体はグラファイトで形成される付記１に記載の蒸発源。
【０１３６】
（付記１６）
前記遠心分離機チャンバの前記第１端は前記蒸発物に流動可能に接続される付記１に記載の蒸発源。
【０１３７】
（付記１７）
前記遠心分離機チャンバの前記第２端は前記マニフォールドに流動可能に接続され、前記マニフォールドは１以上の噴出ノズルに流動可能に接続される付記１に記載の蒸発源。
【図１】
2020512486.tif 000003
【図２】
2020512486.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020512486.tif 000009
【図８】
2020512486.tif 000010
【図９】
2020512486.tif 000011
【図１０】
2020512486.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2020512486.tif 000018
【図１７】
2020512486.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
2020512486.tif 000022