(57)【要約】    （Ａ）Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド（ＤＥＡＣ）からなる第１の成分と、（Ｂ）３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド（Ｍ３ＤＭＰＡ）からなる第２の成分と、（Ｃ）１つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートからなる任意の第３の成分と、から本質的になる溶媒、あるいは、（１）式(Ｉ)の１つ以上の非環式アミドからなる第１の成分と、（２）ＤＥＡＣ、Ｍ３ＤＭＰＡ、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、１つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテート、および式(ＩＩ〜ＩＶ)の１つ以上の環式アミドのうちの１つ以上からなる任意の第２の成分と、から本質的になる溶媒。  【化１】2020531596.tif 000023  【選択図】なし
2020531596.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒であって、
（Ａ）Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド（ＤＥＡＣ）からなる第１の成分と、
（Ｂ）３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド（Ｍ３ＤＭＰＡ）からなる第２の成分と、
（Ｃ）１つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートからなる任意の第３の成分とから本質的になる、溶媒。
【請求項２】
前記任意の第３の成分が存在しない、請求項１に記載の溶媒。
【請求項３】
前記任意の第３の成分が存在する、請求項１に記載の溶媒。
【請求項４】
前記任意の第３の成分が、前記溶媒の前記第１、第２および第３の成分の総重量に基づいて＞０〜≦２０重量％の量で存在する、請求項３に記載の溶媒。
【請求項５】
前記任意の第３の成分が、エチレングリコールもしくはプロピレングリコールのアルキルエーテルまたはアルキルエーテルアセテートのうちの１つ以上である、請求項４に記載の溶媒。
【請求項６】
溶媒であって、
（Ａ）式Ｉの非環式アミドからなる第１の成分であって、
【化１】
2020531596.tif 000019
式中、
（１）Ｒ１およびＲ２のそれぞれが、独立して、水素またはＣ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、
（２）Ｒ３が、Ｃ２〜Ｃ７のアルキル基またはアルコキシ基であり、
ただし、
（ａ）前記式Ｉの非環式アミドが、６個以上の炭素原子を含み、
（ｂ）Ｒ１およびＲ２が、同時に水素ではなく、
（ｃ）Ｒ３が、Ｃ３〜Ｃ７のアルキル基またはアルコキシ基である場合、Ｒ１およびＲ２は、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基またはアルコキシ基であり、
（ｄ）Ｒ３が、Ｃ２のアルキル基またはアルコキシ基である場合、Ｒ１およびＲ２は、Ｃ３〜Ｃ４のアルキル基またはアルコキシ基であることを条件とする、第１の成分と、
（Ｂ）第２の成分であって、
（１）ＤＥＡＣ、または
（２）Ｍ３ＤＭＰＡ、または
（３）Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、または
（４）１つ以上のグリコールエーテルもしくはグリコールエーテルアセテート、または
（５）式ＩＩ〜ＩＶの１つ以上の環式アミドのうちの少なくとも１つからなり、
【化２】
2020531596.tif 000020
式中、Ｒ２’が、Ｃ５〜Ｃ９の脂肪族基であり、Ｒ１’が、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはアルコキシ基であり、環式環の炭素原子が、Ｃ１〜Ｃ２のアルキル置換基またはアルコキシ置換基を有することができるか、あるいは
【化３】
2020531596.tif 000021
式中、Ｒ１”およびＲ２”が、水素またはＣ１〜Ｃ２のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、Ｒ３”が、任意にエーテル結合を含むＣ２〜Ｃ４のアルキル基であり、Ｒ４”が、水素またはＣ１〜Ｃ３のアルキル基もしくはアルコキシ基であるか、あるいは
【化４】
2020531596.tif 000022
式中、Ｒ１”’が、Ｃ５〜Ｃ９の脂肪族基であり、Ｒ２”’が、水素またはＣ１〜Ｃ３のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、環式環の炭素原子が、Ｃ１〜Ｃ２のアルキル置換基またはアルコキシ置換基を有することができる、第２の成分と、から本質的になる、溶媒。
【請求項７】
式Ｉの１つ以上の非環式アミドおよび式ＩＩ〜ＩＶの１つ以上の環式アミドから本質的になる、請求項６に記載の溶媒。
【請求項８】
式Ｉの１つ以上の非環式アミドおよび１つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートから本質的になる、請求項６に記載の溶媒。
【請求項９】
式Ｉの１つ以上の非環式アミドならびにＤＥＡＣ、Ｍ３ＤＭＰＡおよびＮ，Ｎ−ジメチル−プロピオンアミドのうちの１つ以上から本質的になる、請求項６に記載の溶媒。
【請求項１０】
基板からフォトレジストを剥離するためのプロセスであって、請求項１〜９のいずれか一項に記載の溶媒と前記フォトレジストを接触させる工程を含む、プロセス。
【請求項１１】
電子部品または装置の汚染物質を洗浄するためのプロセスであって、前記電子部品または装置上の前記汚染物質を請求項１〜１０のいずれか一項に記載の溶媒と接触させる工程を含む、プロセス。
【請求項１２】
フォトレジストを基板から剥離するためのプロセスであって、式Ｉの１つ以上の非環式アミドから本質的になる溶媒と前記フォトレジストを接触させる工程を含む、プロセス。
【請求項１３】
電子部品または装置の汚染物質を洗浄するためのプロセスであって、前記電子部品または装置上の前記汚染物質を、式Ｉの１つ以上の非環式アミドから本質的になる溶媒と接触させる工程を含む、プロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の洗浄および剥離のための溶媒系に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などの一部の極性溶媒には生殖毒性があり、世界規模でこれらの材料に関連する安全性および規制上の懸念が高まっている。例えば、ＮＭＰは、欧州ＧＨＳ（化学品の分類および表示に関する世界調和システム（Ｇｌｏｂａｌｌｙ  Ｈａｒｍｏｎｉｚｅｄ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｏｆ  Ｃｌａｓｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｌａｂｅｌｌｉｎｇ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ））およびＲＥＡＣＨ規則付属書ＸＶＩＩのＳＶＨＣ（高懸念物質（Ｓｕｂｓｔａｎｃｅ  ｏｆ  Ｖｅｒｙ  Ｈｉｇｈ  Ｃｏｎｃｅｒｎｓ））のリストに記載されており、製造、市場への投入、ならびに特定の危険な物質、混合物および物品の使用に対する制約が明記されている。
【０００３】
ポリイミドポリマー（ＰＩ）は、半導体およびディスプレイ装置などの電子部品の製造を含む様々な用途において有用である。ポリ（アミド酸）（ＰＡＡ）ポリマーは、ＰＩポリマーの加工可能な可溶性前駆体ポリマーである。ＮＭＰおよび類似の溶媒が、電子部品および装置の汚染物質を洗浄し、電子部品からフォトレジストを剥離するために電子産業で使用されている。このような毒性溶媒の相当量が毎年消費されてきた。ＮＭＰの洗浄および剥離性能を達成しつつも、より優れた環境プロファイルを備えた溶媒を開発することが、電子部品業界から緊急に要求されている。
【発明の概要】
【０００４】
１つの実施形態では、本発明は、
（Ａ）Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド（ＤＥＡＣ）からなる第１の成分と、
（Ｂ）３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド（Ｍ３ＤＭＰＡ）からなる第２の成分と、
（Ｃ）１つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートからなる任意の第３の成分と、から本質的になる溶媒である。
【０００５】
１つの実施形態では、本発明は、基板からフォトレジストを除去するプロセスであって、このプロセスは、
（Ａ）ＤＥＡＣからなる第１の成分と、
（Ｂ）Ｍ３ＤＭＰＡからなる第２の成分と、
（Ｃ）１つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートからなる任意の第３の成分と、から本質的になる溶媒とフォトレジストを接触させる工程を含む。
【０００６】
１つの実施形態では、本発明は、溶媒であり、この溶媒は、
（Ａ）式Ｉの非環式アミドからなる第１の成分であって、
【化１】
2020531596.tif 000003
式中、
（１）Ｒ１およびＲ２のそれぞれが、独立して、水素またはＣ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、
（２）Ｒ３は、Ｃ２〜Ｃ７のアルキル基またはアルコキシ基であり、
ただし、
（ａ）式Ｉの非環式アミドが６個以上の炭素原子を含み、
（ｂ）Ｒ１および２が同時に水素ではなく、
（ｃ）Ｒ３が、Ｃ３〜Ｃ７のアルキル基またはアルコキシ基である場合、Ｒ１およびＲ２は、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基またはアルコキシ基であり、
（ｄ）Ｒ３が、Ｃ２のアルキル基またはアルコキシ基である場合、Ｒ１およびＲ２は、Ｃ３〜Ｃ４のアルキル基またはアルコキシ基であることを条件とする、第１の成分と、
（Ｂ）第２の成分であって、
（１）ＤＥＡＣ、または
（２）Ｍ３ＤＭＰＡ、または
（３）Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、または
（４）１つ以上のグリコールエーテルもしくはグリコールエーテルアセテート、または
（５）式ＩＩ〜ＩＶのうちの１つ以上の環式アミドのうちの少なくとも１つからなり、
【化２】
2020531596.tif 000004
式中、Ｒ２’が、Ｃ５〜Ｃ９の脂肪族基であり、Ｒ１’が、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはアルコキシ基であり、環式環の炭素原子が、Ｃ１〜Ｃ２のアルキル置換基またはアルコキシ置換基を有することができるか、あるいは
【化３】
2020531596.tif 000005
式中、Ｒ１”およびＲ２”が、水素またはＣ１〜Ｃ２のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、Ｒ３”が、任意にエーテル結合を含むＣ２〜Ｃ４のアルキル基であり、Ｒ４”が、水素またはＣ１〜Ｃ３のアルキル基もしくはアルコキシ基であるか、あるいは
【化４】
2020531596.tif 000006
式中、Ｒ１”’が、Ｃ５〜Ｃ９の脂肪族基であり、Ｒ２”’が、水素またはＣ１〜Ｃ３のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、環式環の炭素原子が、Ｃ１〜Ｃ２のアルキル置換基またはアルコキシ置換基を有することができる、第２の成分と、から本質的になる。
【０００７】
１つの実施形態では、溶媒は、式ＩＩ〜ＩＶの１つ以上の環式アミドと組み合わせた式Ｉの１つ以上の非環式アミドから本質的になる。１つの実施形態では、溶媒系は、式Ｉの１つ以上の非環式アミドおよび１つ以上のグリコールエーテルから本質的になる。１つの実施形態では、溶媒は、式Ｉの１つ以上の非環式アミドならびにＤＥＡＣ、Ｍ３ＤＭＰＡおよびＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドのうちの１つ以上から本質的になる。
【０００８】
１つの実施形態では、本発明は、基板からフォトレジストを除去するプロセスであり、このプロセスは、
（Ａ）式Ｉのアミドからなる第１の成分であって、
【化５】
2020531596.tif 000007
式中、
（１）Ｒ１およびＲ２のそれぞれが、独立して、水素またはＣ１〜Ｃ４のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、
（２）Ｒ３が、Ｃ２〜Ｃ７のアルキル基またはアルコキシ基であり、
ただし、
（ａ）式Ｉのアミドが、６個以上の炭素原子を含み、
（ｂ）Ｒ１およびＲ２が、同時に水素ではなく、
（ｃ）Ｒ３が、Ｃ３〜Ｃ７のアルキル基またはアルコキシ基である場合、Ｒ１およびＲ２は、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基またはアルコキシ基であり、
（ｄ）Ｒ３が、Ｃ２のアルキル基またはアルコキシ基である場合、Ｒ１およびＲ２は、Ｃ３〜Ｃ４のアルキル基またはアルコキシ基であることを条件とする、第１の成分と、
（Ｂ）任意の第２の成分であって、
（１）ＤＥＡＣ、または
（２）Ｍ３ＤＭＰＡ、または
（３）Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、または
（４）１つ以上のグリコールエーテルもしくはグリコールエーテルアセテート、または
（５）式ＩＩ〜ＩＶの１つ以上の環式アミドのうちの少なくとも１つからなり、
【化６】
2020531596.tif 000008
式中、Ｒ２’が、Ｃ５〜Ｃ９の脂肪族基であり、Ｒ１’が、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基またはアルコキシ基であり、環式環の炭素原子が、Ｃ１〜Ｃ２のアルキル置換基またはアルコキシ置換基を有することができるか、あるいは
【化７】
2020531596.tif 000009
式中、Ｒ１”およびＲ２”が、水素またはＣ１〜Ｃ２のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、Ｒ３”が、任意にエーテル結合を含むＣ２〜Ｃ４のアルキル基であり、Ｒ４”が、水素またはＣ１〜Ｃ３のアルキル基もしくはアルコキシ基であるか、あるいは
【化８】
2020531596.tif 000010
式中、Ｒ１”’が、Ｃ５〜Ｃ９の脂肪族基であり、Ｒ２”’が、水素またはＣ１〜Ｃ３のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、環式環の炭素原子が、Ｃ１〜Ｃ２のアルキル置換基またはアルコキシ置換基を有することができる、第２の成分と、から本質的になる溶媒とフォトレジストを接触させる工程を含む。
【０００９】
１つの実施形態では、溶媒は、式Ｉの１つ以上の非環式アミドから本質的になる。１つの実施形態では、溶媒は、式ＩＩ〜ＩＶの１つ以上の環式アミドと組み合わせた式Ｉの１つ以上の非環式アミドから本質的になる。１つの実施形態では、溶媒系は、式Ｉの１つ以上の非環式アミドおよび１つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートから本質的になる。１つの実施形態では、溶媒は、式Ｉの１つ以上の非環式アミドならびにＤＥＡＣ、Ｍ３ＤＭＰＡおよびＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドのうちの１つ以上から本質的になる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
定義
米国特許実務の目的のため、任意の参照される特許、特許出願、または公開の内容は、特に定義の開示（本開示に具体的に提供されるあらゆる定義と矛盾しない程度に）および当該技術分野における一般的知識に関して、それらの全体が参照により組み込まれる（またはその同等の米国版が参照によりそのように組み込まれる）。
【００１１】
本明細書に開示される数値範囲は、下限値および上限値を含む、下限値から上限値までの全ての値を含む。範囲が明確な値（例えば、１〜７）を含む範囲に関して、任意の２つの明確な値の間の任意の部分範囲が含まれる（例えば、１〜２、２〜６、５〜７、３〜７、５〜６など）。
【００１２】
「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する」という用語、およびそれらの派生語は、任意の追加の成分、工程、または手順が、本明細書で具体的に開示されているか否かに関わらず、それらの存在を除外するよう意図されない。疑義が生じないようにするために、「含む」という用語の使用を通じて主張される全ての組成物は、相反する記載がない限り、ポリマーであるか、ポリマーでないかに関わらず、任意の追加の添加剤、アジュバント、または化合物を含むことができる。対照的に、「本質的に〜からなる」という用語は、操作性に必須ではないものを除いて、あらゆる後続の記載の範囲から、任意の他の成分、工程、または手順を除外する。「からなる」という用語は、具体的に描写または列挙されていないあらゆる成分、プロセス、または手順を除外する。「または」という用語は、別途記載がない限り、列記されるメンバーを個別に、かつ任意の組み合わせで指す。単数形の使用には複数形の使用が含まれ、またその逆も同様である。
【００１３】
相反する記載がなく、文脈から暗示されておらず、または当該技術分野で慣例的でない限り、全ての部およびパーセントは重量に基づき、全ての試験方法は、本開示の出願日の時点で最新のものある。
【００１４】
「溶媒」および同様の用語は、別の物質（すなわち、溶質）を溶解させて、分子レベルまたはイオンサイズレベルで本質的に均一に分散する混合物（すなわち、溶液）を形成することができる物質を意味する。
【００１５】
「フォトレジスト」および同様の用語は、放射線で露光されるときに化学エッチングに対する耐性を失い、特に集積回路の製造中に回路パターンを半導体チップに転写するために使用される感光性樹脂を意味する。
【００１６】
「電子部品」および同様の用語は、半導体もしくはディスプレイ装置のような電子製品の製造プロセスの仕掛かり品もしくは完成品、または製品の構成要素を意味する。本発明の文脈において使用される電子部品は、製品を製造するために使用される装置を含む。
【００１７】
「仕掛かり品」および同様の用語は、未完成品または中間製品を意味する。仕掛かり品は、出発材料、例えば供給業者から受け取ったままの材料、または製造プロセスの開始時点の処理を受ける前の材料を含む。
【００１８】
「洗浄」および同様の用語は、本発明の文脈において、粒子状汚染物質および金属イオンを基板の表面から、普通、仕掛かり電子部品の表面から除去して、当該部品を引き続き処理する用意ができることを意味する。
【００１９】
「剥離」および同様の用語は、本発明の文脈において、ある層、例えばコーティングまたは膜を基板の表面から除去する、例えばフォトレジストを半導体基板の表面から除去することを意味する。
【００２０】
ポリ（アミド酸）は、ポリイミド合成における中間ポリマーである。それは、水素結合が強いため、極性溶媒に可溶性である。
【００２１】
ポリイミド（ＰＩ）はイミドモノマーのポリマーである。ポリイミドは通常、二無水物とジアミンとの反応により製造される。電子産業で使用される一般的なＰＩの１つは、ＫＡＰＴＯＮ（商標）である。これは、ピロメリト酸二無水物と４，４’−オキシジフェニルアミンの反応から生成され、続いてその中間体ポリアミド酸を熱および／または化学的手段を用いて脱水により閉環させて、ポリイミドを得る。
溶媒
【００２２】
１つの実施形態では、本発明の溶媒は、第１の成分および第２の成分から本質的になるか、またはこれらからなる。第１の成分は、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド（ＤＥＡＣ）（ＣＡＳ番号１２７−１９−５）から本質的になるか、またはこれからなる。第２の成分は、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド（Ｍ３ＤＭＰＡ）（ＣＡＳ番号５３１８５−５２−７）から本質的になるか、またはこれからなる。１つの実施形態では、第１および第２の成分は、二元混合物を形成し、その混合物は混和性である。１つの実施形態では、二元溶媒混合物は、二元溶媒混合物の重量に基づく重量パーセント（重量％）で、１〜９９重量％、または１０〜９０重量％、または２０〜８０重量％、または３０〜７０重量％、または４０〜６０重量％のＤＥＡＣと、９９〜１重量％、または９０〜１０重量％、または８０〜２０重量％、または７０〜３０重量％、または６０〜４０重量％のＭ３ＤＭＰＡとから本質的になるか、またはこれらからなる。１つの実施形態において、二元溶媒混合物は、５０重量％のＤＥＡＣと、５０重量％のＭ３ＤＭＰＡから本質的になるか、またはこれらからなる。
【００２３】
１つの実施形態では、本発明の溶媒は、第１の成分、第２の成分および任意の第３の成分から本質的になるか、またはこれらからなる。１つの実施形態では、第１の成分は、ＤＥＡＣから本質的になるか、またはこれからなり、第２の成分は、Ｍ３ＤＭＰＡから本質的になるか、またはこれからなり、任意の第３の成分は、グリコールエーテルもしくはグリコールエーテルアセテートから本質的になるか、またはこれからなる。グリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートは、エチレングリコールまたはプロピレングリコールのアルキルエーテルに基づく化合物である。代表的なグリコールエーテルには、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、およびトリプロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられるが、これらに限定されない。代表的なグリコールエーテルアセテートには、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられるが、これらに限定されない。任意の第３の成分は、１つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートからなり得る。１つの実施形態では、任意の第３の成分は、１つのグリコールエーテルまたは１つのグリコールエーテルアセテートからなる。１つの実施形態では、任意の第３の成分は、２つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートからなる。１つの実施形態では、任意の第３の成分は、エチレングリコールアルキルエーテルまたはエチレングリコールアルキルエーテルアセテートである。１つの実施形態では、任意の第３の成分は、プロピレングリコールアルキルエーテルまたはプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートである。１つの実施形態では、エチレンまたはプロピレングリコールエーテルのアルキル成分は、２〜１２個、または３〜１０個、または３〜８個の炭素原子のアルキル基である。１つの実施形態では、任意の第３の成分は、エチレングリコールモノブチルエーテル（ＣＡＳ番号１１１−７６−２）から本質的になるか、またはこれからなる。１つの実施形態では、第１の成分がＤＥＡＣであり、第２の成分がＭ３ＤＭＰＡであり、任意の第３の成分が、溶媒の第１、第２ならびに第３の成分の総重量に基づいて、ゼロ超（＞０）〜≦２０重量％、もしくは＞０〜１５重量％、もしくは＞０〜１０重量％の量で存在する１つ以上のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテート（例えば、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートおよびジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのうちの１つ以上）である。
【００２４】
１つの実施形態では、溶媒は、式Ｉの非環式アミドから本質的になるか、またはこれからなる第１の成分と、ならびにＤＥＡＣ、Ｍ３ＤＭＰＡ、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、１つ以上のグリコールエーテルおよび式ＩＩ〜ＩＶの１つ以上の環式アミドのうちの少なくとも１つから本質的になるか、またはこれらのうちの少なくとも１つからなる第２の成分とから本質的になるか、またはこれらからなる。式ＩのＲ１、Ｒ２およびＲ３のアルキル基またはアルコキシ基のそれぞれは、独立して、直鎖または分枝鎖であり得る。式Ｉの炭素原子の総数は、少なくとも６、または７、または８、または９、または１０である。式Ｉの非環式アミドの代表例には、Ｎ，Ｎ−ジメチルイソブチルアミド（ＣＡＳ番号２１６７８−３７−５）、３−ブトキシ−Ｎ−メチルプロピオンアミド（ＣＡＳ番号８４５５４４−４２−５）、２−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド（ＣＡＳ番号９０２３３−４６−８）およびＮ，Ｎ−ジブチルアセトアミド（ＣＡＳ番号１５６３−９０−２）が挙げられるが、これらに限定されない。
【００２５】
１つの実施形態では、溶媒は、式Ｉの非環式アミドから本質的になるか、またはこれからなる第１の成分と、ＤＥＡＣから本質的になるか、またはこれからなる第２の成分とから本質的になるか、またはこれらからなる二元混合物である。
【００２６】
１つの実施形態では、溶媒は、式Ｉの非環式アミドから本質的になるか、またはこれからなる第１の成分と、Ｍ３ＤＭＰＡから本質的になるか、またはこれからなる第２の成分とから本質的になる、またはこれらからなる二元混合物である。
【００２７】
１つの実施形態では、溶媒が、式Ｉの非環式アミドから本質的になるか、またはこれからなる第１の成分と、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドから本質的になるか、またはこれからなる第２の成分とから本質的になるか、またはこれらからなる二元混合物である。
【００２８】
１つの実施形態では、溶媒は、式Ｉの非環式アミドから本質的になるか、またはこれからなる第１の成分と、１つ以上のグリコールエーテルから本質的になるか、またはこれからなる第２の成分とから本質的になるか、またはこれらからなる二元混合物である。１つの実施形態では、第２の成分は、単一のグリコールエーテルもしくはグリコールエーテルアセテートから本質的になるか、またはこれからなる。１つの実施形態では、第２の成分は、２つ以上のグリコールエーテルもしくはグリコールエーテルアセテートから本質的になるか、またはこれからなる。第１の成分が式Ｉの非環式アミドである溶媒の第２の成分として使用され得るグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートは、第１の成分がＤＥＡＣであり、第２の成分がＭ３ＤＭＰＡである溶媒の任意の第３の成分として上記のグリコールエーテルまたはグリコールエーテルアセテートと同じである。
【００２９】
１つの実施形態では、溶媒は、式Ｉの非環式アミドから本質的になるか、またはこれからなる第１の成分と、式ＩＩ〜ＩＶの環式アミドのうちの少なくとも１つから本質的になるか、またはこれからなる第２の成分とから本質的になるか、またはこれらからなる二元混合物である。式ＩＩのＲ１’のアルキル基またはアルコキシ基およびＲ２の脂肪族基のそれぞれ、ならびに式ＩＩＩのＲ３”のアルキル基およびＲ４”のアルキル基またはアルコキシ基のそれぞれ、ならびに式ＩＶのＲ１”’の脂肪族基およびＲ２”’のアルキル基またはアルコキシ基は、独立して直鎖または分枝鎖である。式ＩＩ〜ＩＶの環式アミドの代表例には、Ｎ−エチル−ε−カプロラクタム（式ＩＩ）、Ｎ−アセチルモルホリン（式ＩＩＩ）、およびＮ−プロピオニル−ε−カプロラクタム（式ＩＶ）が含まれるが、これらに限定されない。
【００３０】
１つの実施形態では、溶媒は、二元溶媒混合物の重量に基づく重量パーセント（重量％）で、＞０〜（＜）１００重量％未満、または１０〜９０重量％、または２０〜８０重量％、または３０〜７０重量％、または４０〜６０重量％の式Ｉの非環式アミドと、＜１００〜＞０重量％、または９０〜１０重量％、または８０〜２０重量％、または７０〜３０重量％、または６０〜４０重量％のＤＥＡＣから本質的になるか、またはこれからなる二元混合物である。１つの実施形態では、二元溶媒混合物は、５０重量％の式Ｉの非環式アミドと、５０重量％のＤＥＡＣとから本質的になるか、またはこれらからなる。
【００３１】
１つの実施形態では、溶媒は、二元溶媒混合物の重量に基づく重量パーセント（重量％）で、＞０〜（＜）１００重量％未満、または１０〜９０重量％、または２０〜８０重量％、または３０〜７０重量％、または４０〜６０重量％の式Ｉの非環式アミドと、＜１００〜＞０重量％、または９０〜１０重量％、または８０〜２０重量％、または７０〜３０重量％、または６０〜４０重量％のＭ３ＤＭＰＡとから本質的になるか、またはこれらからなる二元混合物である。１つの実施形態では、二元溶媒混合物は、５０重量％の式Ｉの非環式アミドと５０重量％のＭ３ＤＭＰＡとから本質的になるか、またはこれらからなる。
【００３２】
１つの実施形態では、溶媒は、二元溶媒混合物の重量に基づく重量パーセント（重量％）で、＞０〜（＜）１００重量％未満、または１０〜９０重量％、または２０〜８０重量％、または３０〜７０重量％、または４０〜６０重量％の式Ｉの非環式アミドと、＜１００〜＞０重量％、または９０〜１０重量％、または８０〜２０重量％、または７０〜３０重量％、または６０〜４０重量％のＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドとから本質的になるか、またはこれらからなる二元混合物である。１つの実施形態では、二元溶媒混合物は、５０重量％の式Ｉの非環式アミドと５０重量％のＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドとから本質的になるか、またはこれらからなる。
【００３３】
１つの実施形態では、溶媒は、二元溶媒混合物の重量に基づいた重量パーセント（重量％）で、＞８０〜（＜）１００重量％未満、または８５〜＜１００重量％、または９０〜＜１００重量％の式Ｉの非環式アミドと、＜０〜（≦）２０重量％以下、または＞０〜１５重量％、または＞０〜１０重量％の１つ以上のグリコールエーテルとから本質的になるか、またはこれらからなる二元混合物である。
【００３４】
１つの実施形態では、溶媒は、二元溶媒混合物の重量に基づいた重量パーセント（重量％）で、＞０〜（＜）１００重量％未満、または１０〜９０重量％、または２０〜８０重量％、または３０〜７０重量％、４０〜６０重量％の式Ｉの非環式アミドと、＜１００〜＞０重量％、または９０〜１０重量％、８０〜２０重量％、７０〜３０重量％、６０〜４０重量％の式ＩＩ〜ＩＶの１つ以上の環式アミドとから本質的になるか、またはこれらからなる二元混合物である。１つの実施形態において、二元溶媒混合物は、５０重量％の式Ｉの非環式アミドと５０重量％の式ＩＩ〜ＩＶの１つ以上の環式アミドとから本質的になるか、またはこれらからなる。
【００３５】
１つの実施形態では、溶媒は、式Ｉの非環式アミドから本質的になるか、またはこれからなる第１の成分と、ＤＥＡＣ、Ｍ３ＤＭＰＡ、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、グリコールエーテルもしくはグリコールエーテルアセテート、および式ＩＩ、ＩＩＩもしくはＩＶの環式アミドのうちの２つ、または３つ、または４つ、または５つから本質的になるか、またはこれらからなる第２の成分とから本質的になるか、またはこれらからなる。第２の成分中の個々の化合物の量は、広範囲にわたって、かつ便宜上変えることができる。
溶媒の調製
【００３６】
本発明の溶媒は、既知の装置および既知の技術を用いて製造される。溶媒の個々の成分は市販されており、大気状態（２３℃および大気圧）で液体であり、従来の混合装置および標準的な混合手順を使用して互いに簡単に混合され得る。成分は、同時を含む任意の順序で互いに添加され得る。
溶媒の使用
【００３７】
１つの実施形態では、本発明の溶媒は、電子工業において使用されるＮＭＰおよび他の極性溶媒の代わりに用いられることを意図している。そのため、それらは、電子部品および装置からＰＡＡなどの汚染物質を洗浄し、半導体ウェハなどの電子部品などの基板からフォトレジストを剥離するような動作で、ＮＭＰおよび他の極性溶媒と同じ方法で使用される。通常、これらの方法またはプロセスには、様々な条件のいずれか、例えば周囲条件のもと、または高温で、流動または撹拌の有無にかかわらず、除去されるどんな物質、例えばフォトレジストなどの汚染物質を溶解させるのに十分な時間をかけて、洗浄される部品もしくは剥離される基板を溶媒と接触させる工程を含む。次に、この接触工程の後に通常、すすぎ工程（１回以上の）および乾燥工程が続く。
【００３８】
１つの実施形態では、本発明は、電子部品または装置の汚染物質を洗浄するプロセスであり、このプロセスは、部品または装置を前述の実施形態で説明した溶媒のいずれかと接触させる工程を含む。１つの実施形態では、本発明は、基板、例えば電子部品からフォトレジストを剥離（除去）するプロセスであり、このプロセスは、基板上のフォトレジストを前述の実施形態で記載した溶媒のいずれかと接触させる工程を含む。
【００３９】
１つの実施形態では、本発明は、電子部品または装置の汚染物質を洗浄するプロセスであり、このプロセスは、部品または装置を、式Ｉの１つ以上の非環式アミドから本質的になるか、またはこれからなる溶媒と接触させる工程を含む。１つの実施形態では、本発明は、基板、例えば電子部品からフォトレジストを剥離（除去）するプロセスであり、このプロセスは、基板上のフォトレジストを、式Ｉの１つ以上の非環式アミドから本質的になるか、またはこれからなる溶媒と接触させる工程を含む。溶媒が、式Ｉの１つ以上の非環式アミドから本質的になるか、またはこれからなるこれらの実施形態では、ＤＥＡＣ、Ｍ３ＤＭＰＡなどの任意の第２の成分は、存在しない。
【００４０】
以下の実施例は、本発明の非限定的な実施例である。
【実施例】
【００４１】
材料
ポリアミド酸、ポリイミドの前駆体：ポリ（ピロメリット酸二無水物−ｃｏ−４，４’−オキシジアニリン）、アミド酸（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＮＭＰ中１５〜１６重量％溶解）。
【００４２】
ポリ（３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物−ｃｏ−ｐ−フェニレンジアミン）、アミド酸（ＵＢＥ製、ＮＭＰ中２０重量％溶解）。
【００４３】
フォトレジスト：ＳＦＰ−１４００（ＭＥＲＣＫ製）。
【００４４】
溶媒：Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミド（Ｘｉｎｘｉｎｇ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ、９９．５％）、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド（Ｔｉａｎｈｕａ  Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ、９８％）、Ｎ，Ｎ−ジメチルイソブチルアミド（ＴＣＩ、９８％）およびエチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル（Ｔｈｅ  Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ製、９９％）。
溶媒
【００４５】
溶媒は、ＮＭＰ、ＤＭＦ、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドなどのハンセン溶解度パラメーターに従って設計される。これらの商業化された溶媒は、ほとんどの有機電子材料用に強い溶解力を有する。溶媒を表１に記載する。
【表１−１】
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【表１−２】
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【００４６】
実験手順
ポリアミド酸溶解：脱イオン水（ＤＩ）水を用いて、ＮＭＰ溶媒から、ポリ（ピロメリット酸二無水物−ｃｏ−４，４’−オキシジアニリン）、アミド酸、ポリ（３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物−ｃｏ−ｐ−フェニレンジアミン）、アミド酸およびポリ（３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物−ｃｏ−４，４’−オキシジアニリン）、アミド酸溶液を析出させる。ポリアミド酸前駆体を、２４時間２１℃にて乾燥させ、溶解前に水と微量の溶媒を蒸発させる。実施例は、３０重量％のポリアミド酸前駆体と７０重量％の溶媒から調製される。４時間２１℃の状態に保持した後、ポリ（ピロメリット酸二無水物−ｃｏ−４，４’−オキシジアニリン）、アミド酸の溶解結果、ならびに２時間２１℃の状態に保持した後、ポリ（３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物−ｃｏ−ｐ−フェニレンジアミン）、アミド酸およびポリ（３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物−ｃｏ−４，４’−オキシジアニリン）、アミド酸の溶解結果を確認する。
【００４７】
フォトレジスト剥離：２ミリリットル（ｍＬ）のＳＦＰ−１４００フォトレジスト溶液を、１００ミリメートル（ｍｍ）×１００ｍｍ×１ｍｍサイズのガラス基板の表面に塗布する。次に、基板を５００回転／分（ｒｐｍ）の回転速度で１０秒（ｓ）間回転させて、フォトレジスト溶液を広げる。次に、回転速度を３０秒間１０００ｒｐｍに加速して、フォトレジストを均一にコーティングし、余分なフォトレジスト溶液を回転して飛ばす。コーティングされた基板を加熱して、１３０℃で１０分間かけて溶媒を蒸発させる。剥離工程では、１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×１２０ｍｍのシリカ容器に３０グラム（ｇ）のサンプル溶媒を準備する。容器内にベークした基板を置き、２１℃で振盪させて、完全に基板に付着したフォトレジストを除去するためのカウントタイムが測定される。
結果
【００４８】
ポリアミド酸溶解：各製品のポリアミド酸溶解度の結果を以下の表２に記載する。各実施例および比較サンプル中のポリマーの含有量は、３０重量％である。性能は、残留物があるか、または完全に溶解されているかを観察することにより判断される。全てのアミド溶媒サンプルは、３種類のポリアミド酸を完全に溶解でき、これは、本発明の組み合わせが、比較サンプルであるＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）と同等の性能を有することを示している。他の比較サンプルであるγ−ブチロラクトンおよび乳酸エチルについては、関連する溶解度は比較的、より低くなっている。ポリアミド酸は、残留物として残る。
【表２−１】
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【表２−２】
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【表３−１】
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【表３−２】
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【００４９】
フォトレジスト剥離：各組み合わせのフォトレジスト剥離結果を表４に記載する。性能は剥離時間で評価される。アミド溶媒サンプルは、３０秒以内にガラス基板からコーティングされたフォトレジストを完全に剥離できる。水系モノエタノールアミン／ジエチレングリコールブチルエーテルおよびモノエタノールアミン／Ｎ−メチル−２−ピロリドンの比較サンプルＤｏｎｇｊｉｎ（ＫＲ１４０３５１６Ｂ１）もまた、３０秒以内に剥離する。しかしながら、他の市販の組み合わせ、水分を含まないモノエタノールアミン／ジエチレングリコールブチルエーテルは、比較的遅い剥離速度を示す。したがって、サンプルは、ＳＦＰ−１４００フォトレジストに比較的良好な剥離性能を示す。
【表４−１】
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【表４−２】
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【国際調査報告】
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