(57)【要約】  優秀な放熱性能と優秀な耐食性を有するヒートシンクを具備するマグネシウムＬＥＤ照明灯が開示される。本発明の一態様に係るマグネシウムＬＥＤ照明灯は、ＬＥＤ基板、ヒートシンク、ヒートシンクサポート、ガラスを含む。ＬＥＤ基板は一面に少なくとも一つのＬＥＤ素子が装着される。ヒートシンクはＬＥＤ基板の他面に結合されてマグネシウム押出物で製作される。ヒートシンクサポートはマグネシウムダイカストで製作され、ＬＥＤ基板を収容するように形成され、貫通口を具備して貫通口にヒートシンクが突出するように結合される。ガラスはヒートシンクサポートに結合されてＬＥＤ基板を覆う。
2020518089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に少なくとも一つのＬＥＤ素子が装着されたＬＥＤ基板；
前記ＬＥＤ基板の他面に結合されてマグネシウム押出物で製作されたヒートシンク；
マグネシウムダイカストで製作され、前記ＬＥＤ基板を収容するように形成され、貫通口を具備して前記貫通口に前記ヒートシンクが突出するように結合されるヒートシンクサポート；および
前記ヒートシンクサポートに結合されて前記ＬＥＤ基板を覆うガラス；を含む、マグネシウムＬＥＤ照明灯。
【請求項２】
前記ヒートシンクはプラズマ電解酸化法でコーティングされた、請求項１に記載のマグネシウムＬＥＤ照明灯。
【請求項３】
プラズマ電解酸化法に利用される電解液は、水酸化カリウムとケイ酸ナトリウムを含有し、水酸化カリウムの濃度は０．１〜１０ｇ／Ｌであり、ケイ酸ナトリウムの濃度は０．１〜１０ｇ／Ｌである、請求項２に記載のマグネシウムＬＥＤ照明灯。
【請求項４】
プラズマ電解酸化法を遂行する時の印加電圧は５３０〜６３０Ｖであり、電流密度は８〜１５Ａ／ｄｍ２である、請求項３に記載のマグネシウムＬＥＤ照明灯。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマグネシウムＬＥＤ照明灯に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＬＥＤ照明灯に使用されるＬＥＤ（ＬＥＤ、ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）素子はＮ型半導体とＰ型半導体を接合した光電変換素子であって、電力消費が少なく、高輝度であり、街路灯などの照明装置に有用に活用されている。しかし、ＬＥＤ照明灯は放熱処理が必ず要求される。ＬＥＤで発生する熱を外部に迅速に放出させないと、ＬＥＤ素子の性能が急激に低下したり、ＬＥＤ素子の破損により故障が発生するためである。
【０００３】
このような放熱を目的に、主にヒートシンクが使用される。ところで、ヒートシンクは外部に露出しているため、そのまま使用する場合、美観上にも悪く腐食の恐れもあるため、コーティングを施して使用する。ところが、コーティングが不良の場合、放熱性能はもちろん、耐食性も低下して腐食が発生するという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、優秀な放熱性能と優秀な耐食性を有するヒートシンクを具備するマグネシウムＬＥＤ照明灯を提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前述した課題を達成するための本発明の一態様に係るマグネシウムＬＥＤ照明灯は、ＬＥＤ基板、ヒートシンク、ヒートシンクサポート、ガラスを含む。ＬＥＤ基板は一面に少なくとも一つのＬＥＤ素子が装着される。ヒートシンクはＬＥＤ基板の他面に結合され、マグネシウム押出物で製作される。ヒートシンクサポートはマグネシウムダイカストで製作され、ＬＥＤ基板を収容するように形成され、貫通口を具備して貫通口にヒートシンクが突出するように結合される。ガラスはヒートシンクサポートに結合されてＬＥＤ基板を覆う。
【０００６】
本発明の他の態様によると、ヒートシンクはプラズマ電解酸化法でコーティングされたものであり得る。
【０００７】
本発明のさらに他の態様によると、プラズマ電解酸化法を遂行する時の印加電圧は５３０〜６３０Ｖであり、電流密度は８〜１５Ａ／ｄｍ２であり得る。
【０００８】
本発明のさらに他の態様によると、プラズマ電解酸化法に利用される電解液は水酸化カリウムとケイ酸ナトリウムを含有し、水酸化カリウムの濃度は０．１〜１０ｇ／Ｌであり、ケイ酸ナトリウムの濃度は０．１〜１０ｇ／Ｌであり得る。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、マグネシウムＬＥＤ照明灯のヒートシンクの外観および放熱性能、耐腐食性が優秀となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施例に係るマグネシウムＬＥＤ照明灯の斜視図。
【図２】図１に図示されたマグネシウムＬＥＤ照明灯を別の方向から見た斜視図。
【図３】図１に図示されたマグネシウムＬＥＤ照明灯の分解斜視図。
【図４】図１に図示されたマグネシウムＬＥＤ照明灯の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
前述した、そして追加的な態様は後述する実施例を通じて明確となるはずである。本明細書において、各図面の対応する構成要素は同じ番号で参照される。また、構成要素の形状や大きさなどは実際より誇張され得る。そして、関連した公知技術に対する説明が本発明の要旨を不要に曖昧にする恐れがあると思われる場合、その公知技術に対する説明は省略する。
【００１２】
図１は本発明の一実施例に係るマグネシウムＬＥＤ照明灯の斜視図、図２は図１に図示されたマグネシウムＬＥＤ照明灯を別の方向から見た斜視図、図３は図１に図示されたマグネシウムＬＥＤ照明灯の分解斜視図、図４は図１に図示されたマグネシウムＬＥＤ照明灯の断面図である。
【００１３】
図１〜図４を参照すると、マグネシウムＬＥＤ照明灯１０は、ＬＥＤ基板１１０、ヒートシンク１２０、ヒートシンクサポート１３０、ガラス１４０、ガラスカバー１５０、ブラケット１６０を含む。
【００１４】
ＬＥＤ基板１１０の下面には多数のＬＥＤ素子１１２が装着されている。そして、ＬＥＤ素子１１２から出た光はレンズ１１５を通じて拡散する。
【００１５】
ヒートシンク１２０はＬＥＤ基板１１０の他面に結合され、マグネシウム押出物で製作される。ヒートシンク１２０は、ＬＥＤ基板１１０に結合される平板のベース１２１とベース１２１から上方に垂直に形成される多数の冷却フィン１２２で形成されている。ヒートシンク１２０は押出で成形されるため、冷却フィンの厚さがダイカストで製作されたヒートシンクよりも薄いことがある。また、押出品はダイカスト品よりも熱伝導率が高く、放熱特性も良いため、ヒートシンク１２０の大きさを減らすことができるという長所がある。ＬＥＤ基板１１０とヒートシンク１２０はねじを利用して結合されているが、これに限定されず、他の締結手段を利用して結合してもよい。
【００１６】
ヒートシンクサポート１３０はマグネシウムダイカストで製作され、ＬＥＤ基板を収容するように形成され、貫通口１３０ａを具備して貫通口１３０ａにヒートシンク１２０が突出するように結合される。ヒートシンク１２０とヒートシンクサポート１３０間の結合は、ねじを利用してもよく、他の締結手段を利用してもよい。また、ヒートシンクサポート１３０の両側端には、後述するブラケット１６０を結合するための結合部が備えられている。
【００１７】
ガラス１４０はヒートシンクサポート１３０に結合されてＬＥＤ基板１１０を覆う。ガラス１４０は四角形状からなる平板の形状になっている。ここでガラス１４０は、その名称がガラス１４０となってはいるものの、ガラスでもよく、透明のプラスチックでもよい。そして、ガラス１４０を衝撃から保護するために、ガラス１４０の縁には衝撃緩和材１４５が結合され得る。衝撃緩和材１４５は中が空いている□字状であり、その断面はガラスの縁が差し込まれ得るように溝が形成された「⊂」の形状であり得る。
【００１８】
ガラスカバー１５０は中が空いている□字状に形成され、ガラス１４０の角部位を覆うように製作され得る。そして、ヒートシンクサポート１３０と結合されてガラス１４０が安定して固定されてようにする。
【００１９】
ブラケット１６０は、マグネシウムＬＥＤ照明灯１０を壁や天井に固定できるようにする部材である。このためにブラケット１６０には結合具１６０ａが形成されている。
【００２０】
前述のように形成されたマグネシウムＬＥＤ照明灯１０は、ヒートシンク１２０が押出成形されるため冷却フィンの厚さが相対的に薄く、熱伝導率が高いため放熱特性が良いという長所がある。
【００２１】
一方、ヒートシンク１２０はプラズマ電解酸化法でコーティングされたものであり得る。プラズマ電解酸化法は、別名ＰＥＯ（Ｐｌａｓｍａ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）法とも呼ばれる表面処理方法であって、ヒートシンクの素材と対向する電極を離隔するように電解液の中に浸漬させ、ヒートシンクの素材と対向する電極にそれぞれ互いに異なる極性の電気を印加すると、ヒートシンクの素材の表面に酸化物および金属間化合物の形態が形成される。
【００２２】
電解液は基本的に、少量の強アルカリ性水溶液および酸化物層の一成分としての役割ができるすべての種類の水溶性塩のうち、一つまたはそれ以上の組み合わせで構成される。本発明に係る電解液は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）とケイ酸ナトリウム（Ｎａ２Ｏ−ｎＳｉＯ２、ｎ＝１〜４）を含有することが好ましい。水酸化カリウムの濃度は０．１〜１０ｇ／Ｌ程度であり、ケイ酸ナトリウムの濃度は０．１〜１０ｇ／Ｌであることが好ましい。水酸化カリウムの代わりに水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）のような強アルカリ性溶質を利用してもよく、ケイ酸ナトリウムの代わりにアルミン酸ナトリウム（Ｎａ２ＡｌＯ３）のような弱アルカリ性溶質を利用してもよい。
【００２３】
そして、プラズマ電解酸化法を遂行する時の印加電圧は５３０〜６３０Ｖであり、電流密度は８〜１５Ａ／ｄｍ２であることが好ましい。前記のように電解質の濃度を低くし、印加電圧および電流密度を高くする場合、高温のプラズマを生成することができるため、ＰＥＯ膜と素材とが強い接着力を有するようになる。また、皮膜の成長速度が遅いため、組織が緻密であり、気孔が少なく、硬度が優秀な皮膜が形成される。また、熱衝撃、耐食性、耐摩耗性が優秀であるという長所を有する。
【００２４】
本発明は添付された図面に図示された実施例を参照して説明されたが、これは例示に過ぎず、当該技術分野で通常の知識を有する者であればこれから多様な変形および均等な他の実施例が可能であることが理解できるはずである。したがって、本発明の真の保護範囲は添付された特許請求の範囲によってのみ定められるべきである。
【図１】
2020518089.tif 000003
【図２】
2020518089.tif 000004
【図３】
2020518089.tif 000005
【図４】
2020518089.tif 000006
【国際調査報告】
2020518089.tif 000007
2020518089.tif 000008
2020518089.tif 000009
2020518089.tif 000010