(57)【要約】標準セルのパワーグリッド接続をレイアウトするシステム及び方法を説明する。様々な実施形態では、標準セルは、複数の電源垂直金属３層トラック及び電源水平金属２トラックの各々に単方向トラックを使用する。複数の垂直金属３層ポストのうち１つ以上は、電源水平金属２層ストラップのピッチに基づく最短の長さでルーティングされる。電源接続又は接地接続に使用される１つ以上の垂直金属１ポストは、アクティブ領域の上部から下部にルーティングされ、複数の位置を、複数の電源水平金属２層ストラップのうち１つへの接続に使用可能にする。２つ以上の電源水平金属２層ストラップは、互いに接続されることなく、電源金属２層トラック内に配置される。【選択図】図３
2020518916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標準セルのパワーグリッドレイアウトであって、
各々が前記標準セル内のデバイスへの電源接続を提供する、第１金属層内の第１の複数の独立した電源ポストと、
各々が前記標準セルの高さ未満の長さを有する、前記第１金属層とは異なる第２金属層内の第２の複数の独立した電源ポストと、
前記第１金属層及び前記第２金属層の各々と異なる第３金属層内の複数の独立した電源ストラップであって、前記複数の独立した電源ストラップの各々が、前記第１の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストを、前記第２の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストに接続する、複数の独立電源ストラップと、を備える、
パワーグリッドレイアウト。
【請求項２】
前記複数の独立した電源ストラップの各々は、前記第１の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストと、前記第２の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストとの間よりも遠くにルーティングされない、
請求項１のパワーグリッドレイアウト。
【請求項３】
前記第２の複数の独立した電源ポストの各々の長さは、前記複数の独立した電源ストラップのピッチに基づく最短の長さである、
請求項１のパワーグリッドレイアウト。
【請求項４】
前記第２の複数の独立した電源ポスト及び前記複数の独立した電源ストラップの各々は、単方向信号ルートである、
請求項１のパワーグリッドレイアウト。
【請求項５】
前記第１金属層は垂直金属１層であり、前記第２金属層は水平金属２層であり、前記第３金属層は垂直金属３層である、
請求項１のパワーグリッドレイアウト。
【請求項６】
前記第１の複数の独立した電源ポストのうち１つ以上の電源ポストは、デバイスのアクティブ領域の上部から下部にルーティングされる、
請求項５のパワーグリッドレイアウト。
【請求項７】
同じ垂直金属３層トラックを共有する前記第２の複数の独立した電源ポストのうち少なくとも２つの電源ポストは、前記垂直金属３層トラック内のこれらの間の金属３層内に非電源信号ルートを有する、
請求項５のパワーグリッドレイアウト。
【請求項８】
金属０層内の複数の独立した電源ストラップのうち１つ以上の電源ストラップは、ゲート接続に使用されるトレンチシリサイドコンタクトと、前記第１の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストとの間よりも遠くにルーティングされない、
請求項５のパワーグリッドレイアウト。
【請求項９】
前記デバイスへの電源接続は、電源接続及び接地基準接続のうちの１つである、
請求項１のパワーグリッドレイアウト。
【請求項１０】
各々が標準セル内のデバイスへの電源接続を提供する第１の複数の独立した電源ポストを、第１金属層に配置することと、
各々が前記標準セルの高さ未満の長さを有する第２の複数の独立した電源ポストを、前記第１金属層とは異なる第２金属層に配置することと、
前記第１金属層及び前記第２金属層の各々と異なる第３金属層に複数の独立した電源ストラップを配置することであって、前記複数の独立した電源ストラップの各々が、前記第１の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストを前記第２の複数の独立した電源ポストのうち１つ電源ポストに接続する、ことと、を含む、
方法。
【請求項１１】
前記複数の独立した電源ストラップの各々を、前記第１の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストと、前記第２の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストとの間よりも遠くにルーティングしないことをさらに含む、
請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記第２の複数の独立した電源ポストの各々を、前記複数の独立した電源ストラップのピッチに基づく最短の長さでルーティングすることをさらに含む、
請求項１０の方法。
【請求項１３】
前記第２の複数の独立した電源ポスト及び前記複数の独立した電源ストラップの各々は、単方向信号ルートである、
請求項１０の方法。
【請求項１４】
前記第１金属層は垂直金属１層であり、前記第２金属層は水平金属２層であり、前記第３金属層は垂直金属３層である、
請求項１０の方法。
【請求項１５】
実行されると標準セルの集積回路レイアウトを生成する複数の命令を記憶するコンピュータ可読記憶媒体であって、
前記集積回路レイアウトは、
各々が標準セル内のデバイスへの電源接続を提供する、第１金属層内の第１の複数の独立した電源ポストと、
各々が前記標準セルの高さ未満の長さを有する、前記第１金属層とは異なる第２金属層内の第２の複数の独立した電源ポストと、
前記第１金属層及び前記第２金属層の各々と異なる第３金属層内の複数の独立した電源ストラップであって、前記複数の独立した電源ストラップの各々が、前記第１の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストを、前記第２の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストに接続する、複数の独立した電源ストラップと、を備える、
コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１６】
前記複数の独立した電源ストラップの各々は、前記第１の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストと、前記第２の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストとの間よりも遠くにルーティングされない、
請求項１５のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１７】
前記第２の複数の独立した電源ポストの各々の長さは、前記複数の独立した電源ストラップのピッチに基づく最短の長さである、
請求項１５のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１８】
前記第２の複数の独立した電源ポスト及び前記複数の独立した電源ストラップの各々は、単方向信号ルートである、
請求項１５のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１９】
前記第１金属層は垂直金属１層であり、前記第２金属層は水平金属２層であり、前記第３金属層は垂直金属３層である、
請求項１５のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２０】
金属０層内の複数の独立した電源ストラップのうち１つ以上の電源ストラップは、ゲート接続に使用されるトレンチシリサイドコンタクトと、前記第１の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストとの間よりも遠くにルーティングされない、
請求項１９のコンピュータ可読記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
（関連技術の説明）
半導体製造プロセスが進歩し、オンダイ幾何学的寸法が減少するにつれて、半導体チップは、より少ないスペースでより多くの機能及び性能を提供する。多くの進歩がなされてきたが、潜在的な利益を制限する処理及び集積回路設計における現代の技術では、設計上の問題が依然として発生する。例えば、容量結合、エレクトロマイグレーション、リーク電流及びプロセス歩留まりは、デバイスの配置及び半導体チップのダイ全体に亘る信号のルーティングに影響を与える問題の一部である。したがって、これらの問題は、設計の完了を遅らせ、市販されるまでの時間に影響を及ぼす可能性がある。
【０００２】
半導体チップの設計サイクルを短縮するために、手動のフルカスタム設計を可能な限り自動化する。設計者は、Ｖｅｒｉｌｏｇ、ＶＨＤＬ等の高レベル記述言語で機能ユニット又は複合ゲートの記述を提供する。合成ツールは論理記述を受信し、論理ネットリストを提供する。論理ネットリストは、物理的なレイアウトを提供するために、配置配線（ＰＮＲ）ツールによって使用される。配置配線ツールは、セルレイアウトライブラリを使用して物理的なレイアウトを提供する。
【０００３】
セルレイアウトライブラリは、半導体チップによって使用される様々な機能を提供するための複数の標準セルレイアウトを含む。場合によっては、標準セルレイアウトは、手動で生成される。したがって、新たな標準セルレイアウトや変更される元の標準セルレイアウトの各々は、手動で生成される。他の場合には、配置配線ツールで使用されるルールを調整して、セルの生成を自動化することができる。しかし、自動化されたプロセスは、性能、消費電力、シグナルインテグリティ、プロセス歩留まり、内部クロス結合接続（internal cross coupled connections）を含むローカル及び外部の信号ルーティング、他のセルと一致するセルの高さ及び幅の寸法、ピンアクセス、電源レールの設計等に向けられた各ルールを満たさないことがある。したがって、設計者は、これらのセルを手動で生成して、複数の特性に対してより良い結果を得るか、又は、配置配線ツールのルールを書き換える。
【０００４】
概して、標準セルレイアウトは、ＶＤＤ電源レールとも呼ばれる電源電圧接続用の少なくとも１つの電源レールと、ＶＳＳ電源レールとも呼ばれる接地接続用の１つの電源レールと、を使用する。場合によっては、電源レール及び接地レールは、対応するビアに加えて、複数の金属層（例えば、水平金属０、垂直金属１、水平金属２、垂直金属３等）を利用する比較的長いワイヤを使用する。他の場合には、固定位置のポストを使用して、電源接続及び接地接続を行う。これらの場合の各々は、半導体チップ内で標準セルを配置するための柔軟性、及び、信号ルーティングの輻輳を緩和するための柔軟性を低減する。リアルタイムのルーティングの最適化は、制限されているか完全に除かれている。
【０００５】
上記の観点から、標準セル用のパワーグリッド接続をレイアウトするための効率的な方法及びシステムが望まれている。
【０００６】
本明細書に記載される方法及びメカニズムの利点は、添付の図面と併せて以下の説明を参照することによって、より良く理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】複合論理ゲートの標準セルレイアウトの平面図の一般化された図である。
【図２】複合論理ゲートの標準セルレイアウトの平面図の一般化された図である。
【図３】複合論理ゲートの標準セルレイアウトのパワーグリッド接続の平面図の一般化された図である。
【図４】複合論理ゲートの標準セルレイアウトのパワーグリッド接続の別の平面図の一般化された図である。
【図５】複合論理ゲートの標準セルレイアウトのパワーグリッド接続の別の平面図の一般化された図である。
【図６】複合論理ゲートの標準セルレイアウトのパワーグリッド接続の別の平面図の一般化された図である。
【図７】複合論理ゲートの標準セルレイアウトのパワーグリッド接続の別の平面図の一般化された図である。
【図８】複合論理ゲートの標準セルレイアウトのパワーグリッド接続の別の平面図の一般化された図である。
【図９】複合論理ゲートの標準セルレイアウトのパワーグリッド接続の別の平面図の一般化された図である。
【図１０】標準セルのパワーグリッド接続をレイアウトする方法の一般化された図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明は、様々な変更及び代替形態を受け入れることができるが、特定の実施形態を例として図面に示し、本明細書で詳細に説明する。しかしながら、図面及びその詳細な説明は、本発明を開示された特定の形態に限定することを意図するものではなく、逆に、本発明は、本発明は、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲内にある全ての変更、均等物及び代替物を包含するものであることを理解されたい。
【０００９】
以下の説明では、本明細書に提示される方法及びメカニズムの十分な理解を提供するために、多くの具体的な詳細が示されている。しかしながら、当業者は、様々な実施形態がこれらの具体的な詳細無しに実施され得ることを認識すべきである。いくつかの例では、周知の構造、コンポーネント、信号、コンピュータプログラム命令及び技術は、本明細書に記載されたアプローチを不明瞭にすることを避けるために、詳細に示されていない。説明を簡単且つ明確にするために、図に示される要素が必ずしも縮尺通りに描かれていないことが理解されるであろう。例えば、いくつかの要素の寸法は、他の要素と比較して誇張されている場合がある。
【００１０】
標準セルのパワーグリッド接続をレイアウトするシステム及び方法が考えられる。様々な実施形態では、標準セルは、第１金属層内の複数の独立した電源ポスト（power posts）を使用し、各電源ポストは、標準セル内のデバイス（トランジスタ）に電源接続を提供する。所定の金属層内の電源ポストは、電源ポストが所定の金属層内の他の電源ポストに接続されていない場合、独立した電源ポストと呼ばれる。電源ポストは、第１金属層内で独立しているので、第１金属層内で使用されない。一実施形態では、第１金属層は、垂直金属１（Ｍ１）層である。デバイスへの電源接続は、電源接続及び接地基準接続の何れかである。
【００１１】
様々な実施形態では、標準セルは、第１金属層とは異なる第２金属層内の複数の独立した電源ポストを使用する。第２金属層内の複数の電源ポストの各々は、第２金属層内の複数の電源ポストの別の電源ポストに接続されていない。したがって、第２金属層では、電源レールが使用されない。一実施形態では、第２金属層は、垂直金属３（Ｍ３）層である。いくつかの実施形態では、第２金属層内の複数の独立した電源ポストの各々は、標準セルの高さ未満の長さを有する。
【００１２】
いくつかの実施形態では、第２金属層内の独立した電源ポストの１つ以上は、単方向信号ルートである。屈曲もＬ字形状も有していない第２金属層内の信号ルートを、単方向ルートと呼ぶ。対照的に、屈曲及び／又はＬ字形状を有する第１金属層内の信号ルートを、双方向ルートと呼ぶ。双方向ルートは、オンダイ領域に重大なペナルティをもたらす。
【００１３】
様々な実施形態では、標準セルは、第１金属層及び第２金属層の各々とは異なる第３金属層内の複数の独立した電源ストラップ（power straps）を使用する。第３金属層内の複数の電源ストラップの各々は、第３金属層内の複数の電源ストラップの別の電源ストラップに接続されていない。したがって、第３金属層では、電源レールが使用されない。一実施形態では、第３金属層は、水平金属２（Ｍ２）層である。複数の独立した電源ストラップの各々は、第１金属層内の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストを、第２金属層内の複数の独立した電源ポストのうち１つの電源ポストに接続する。一実施形態では、独立した水平Ｍ２電源ストラップの各々は、独立した垂直Ｍ１電源ポストのうち１つの電源ポストを、独立した垂直Ｍ３電源ポストのうち１つの電源ポストに接続する。
【００１４】
一実施形態では、第２金属層内の複数の独立した電源ポストのうち１つ以上の電源ポストは、複数の独立した電源ストラップのピッチに基づく長さを有する。一実施形態では、第２金属層は垂直Ｍ３層であり、独立した電源ストラップは、水平Ｍ２層を用いてルーティングされる。この例では、垂直Ｍ３層内の１つ以上の独立した電源ポストは、水平Ｍ２層内の独立した電源ストラップのピッチに基づく長さを有する。いくつかの実施形態では、第１金属層内の複数の独立した電源ポストのうち１つ以上の電源ポストは、標準セル内のデバイスのアクティブ領域の上部から下部にルーティングされ、１つの独立した電源ストラップに接続するための複数の位置を提供する。複数の位置は、標準セルの配置配線アルゴリズムに柔軟性を提供する。一実施形態では、独立した電源ストラップの各々は、第１金属層内の１つの独立した電源ポストと、第２金属層内の１つの独立した電源ポストとの間よりも遠くにルーティングされない。
【００１５】
一例での垂直Ｍ３層等の第２金属層の電源ポストは独立しており、同様に、水平Ｍ２層等の第３金属層の電源ストラップも独立しているので、垂直方向の独立した電源ポスト間、及び、水平方向の独立した電源ストラップ間にギャップが生じる。ギャップは、非電源（non-power）信号ルート用の標準セル内で利用可能な空間を提供する。これらのギャップは、標準セル内の信号ルーティングの輻輳を緩和する。
【００１６】
図１を参照すると、標準セルレイアウト１００の平面図の一般化された図が示されている。ここでは、説明を容易にするために、アクティブ領域が標準セルレイアウト１００に示されていない。ＰＭＯＳ  ＦＥＴＳ（ｐｆｅｔｓ）は、標準セルレイアウト１００の上部にあり、ＮＭＯＳ  ＦＥＴＳ（ｎｆｅｔｓ）は、標準セルレイアウト１００の下部にある。図示した実施形態では、標準セルレイアウト１００は、複合論理ゲート用である。
【００１７】
いくつかの実施形態では、標準セルレイアウト１００のデバイスは、液浸リソグラフィ技術、ダブルパターニング技術、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶ）技術、及び、誘導自己組織化（ＤＳＡ）リソグラフィ技術のうち１つによって製造される。いくつかの実施形態では、ＥＵＶ技術は、他の技術と比較して、ビア及びコンタクトモジュールに対してより多くの柔軟性を提供する。
【００１８】
様々な実施形態では、標準セルレイアウト１００のデバイス（トランジスタ）は、非平面デバイス（トランジスタ）である。非平面トランジスタは、短チャネル効果を低減するための半導体処理における最近の開発である。トライゲートトランジスタ、フィン電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）及びゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）トランジスタは、非平面トランジスタの例である。図示するように、標準セルレイアウト１００は、垂直方向の金属ゲート１１０と、垂直方向のソース領域及びドレイン領域用のトレンチシリサイドコンタクト１２０と、水平方向のローカル相互接続用の金属０（Ｍ０又は金属０）１３０と、金属ゲート１１０を金属０  １３０に接続するためのコンタクト１４０と、トレンチシリサイドコンタクト１２０を金属０  １３０に接続するためのコンタクト１４２と、を使用する。
【００１９】
レイアウト１００は、水平金属０  １３０ローカル相互接続を用いて３つの水平信号ルートをルーティングするために、上部のトリプレットグループ（triplet group）を使用する。さらに、レイアウト１００は、水平金属０  １３０ローカル相互接続を用いて３つの水平信号ルートをルーティングするために、下部のトリプレットグループを使用する。２つのトリプレットグループ間には、追加の信号ルーティングトラックに使用可能なスペーシングが存在する。
【００２０】
いくつかの実施形態では、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶ）技術を使用して、トリプレットグループの水平金属０  １３０ルートの幅及びピッチの各々の分解能を提供する。ＥＵＶ技術は、極端紫外線波長を使用して、４０ナノメートル未満の分解能に達する。極端紫外線波長は、約１３．５ナノメートルである。ＥＵＶビームを得るために比較的高温で高密度のプラズマが使用される。他の実施形態では、幅及びピッチの各々の分解能を得るために誘導自己組織化（ＤＳＡ）リソグラフィ技術が使用される。ＤＳＡ技術は、ナノスケール寸法を達成するために、材料の自己組織化特性を利用する。
【００２１】
さらに他の実施形態では、トリプレットグループの水平金属０  １３０ルートの幅及びピッチの各々の分解能は、液浸リソグラフィ技術によって設定される。液浸リソグラフィでは、撮像装置のレンズとウェハ表面との間に純水等の液状媒体が使用される。以前は、ギャップスペースは空気のみであった。この技術によって達成される分解能は、液状媒体の屈折率によって増加する撮像装置の分解能である。いくつかの例では、増加した分解能は、８０ナノメートルを超える。
【００２２】
他の実施形態では、ダブルパターニング技術を使用して、トリプレットグループの水平金属０  １３０ルートの幅及びピッチの各々の分解能を得る。ダブルパターニング技術は、液浸リソグラフィシステムを使用して、４０ナノメートル〜８０ナノメートルの分解能を有するフィーチャ（features）を定義する。自己整合ダブルパターニング（ＳＡＤＰ）技術又はリソエッチリソエッチ（ＬＥＬＥ）技術の何れかが使用される。ダブルパターニング技術は、ウェハ上のフィーチャの最小寸法が照明光源の１９３ナノメートル波長未満である場合に生じる光リソグラフィの回折の効果を弱める。光リソグラフィにおける回析の効果を弱めるために使用される技術の他の例は、位相シフトマスク、光近接効果補正（ＯＰＣ）技術、光学装置の改良、及び、コンピュータリソグラフィである。
【００２３】
液浸リソグラフィ、ダブルパターニング、ＥＵＶ技術及びＤＳＡ技術、並びに、他の技術を選択する場合、コストは、液浸リソグラフィからＥＵＶに増加するものとして考えられる。しかしながら、時間の経過と共に、これらの技術のコストが調整され、トリプレットグループの水平金属０  １３０ルートの幅及びピッチに対して比較的高い分解能を提供するために追加の新たな技術が開発されている。したがって、様々なリソグラフィ技術のうち１つが、比較的高い分解能を幅及びピッチに提供するために使用される。
【００２４】
幅及びピッチの比較的高い分解能は、トレンチシリサイドコンタクト１２０及び金属ゲート１１０にコンタクトを配置するための３つの位置（「ヒットポイント」又は「スポット」と呼ばれることもある）を可能にする。これらの３つの位置は、効率的な信号及び電源ルーティングを提供する。例えば、レイアウト１００の上部のｐｆｅｔｓは、コンタクト用の３つの可能な位置へのアクセスを有し、同様に、レイアウト１００の下部のｎｆｅｔｓは、コンタクト用の３つの可能な位置へのアクセスを有する。コンタクト用の３つの可能な位置によって提供される柔軟性は、他の金属相互接続（例えば、垂直金属１又は水平金属２等）、並びに、信号及び電源をルーティングするための対応するコンタクトを使用することを排除する。
【００２５】
標準セルレイアウト１００は、垂直方向のローカル相互接続のための金属１（Ｍ１又は金属１）１５０と、水平相互接続金属０  １３０を垂直相互接続金属１  １５０に接続するためのビア１５２と、をさらに使用する。レイアウト１００は、上部で電源ピンを使用し、下部で接地ピンを使用する。図示するように、レイアウト１００は、金属０  １３０内の全ての電源レールを使用していない。上部の垂直金属１  １５０のルーティングによって、電源接続を生じさせるための水平金属２（Ｍ２又は金属２）１７０への柔軟な接続が提供される。下部の垂直金属１  １５０のルーティングによって、接地接続を生じさせるための金属２  １７０トラックへの柔軟な接続が提供される。さらに、ビア１６０は、垂直金属１  １５０を水平金属２  １７０に接続するために使用される。図示するように、このような接続は、レイアウト１００の４つの隅の各々で行われる。
【００２６】
図２を参照すると、標準セルレイアウト２００の平面図の一般化されたブロック図が示されている。上述したレイアウト要素には、同じ符号が付されている。レイアウト１００と同様に、上部の電源接続及び下部の接地接続のポストの位置は、チップレベルで固定されておらず、標準セル内で移動することができる。ここで、レイアウト２００では、ビア１６０及びオプションの水平金属２  １７０のポストの配置は、レイアウト１００で使用される配置と異なる。ビア１６０によって提供される４つの接続は、レイアウト１００において、４つの接続が外側の角の近くに存在する配置よりも中央に存在する。金属１  １５０のルーティングは、電源及び接地のための接続の柔軟な配置を提供するために使用される。
【００２７】
図３を参照すると、マルチセルレイアウト３００の平面図の一般化されたブロック図が示されている。様々なタイプの複数の標準セルを使用してアレイが生成され、レイアウト３００は、パワーグリッドに接続された結果として得られるアレイのレイアウトである。ここで、説明を容易にするために、マルチセルレイアウト３００には、アクティブ領域及び金属ゲートが示されていない。さらに、説明を容易にするために、マルチセルレイアウト３００には、信号ルートだけでなく、金属ゲートと水平金属０との間のコンタクトも示されていない。図示されている垂直金属１及び金属１の下方の要素（例えば、金属０、トレンチシリサイドコンタクト等）は、対応する標準セルの一部である。
【００２８】
マルチセルレイアウト３００は、垂直方向のソース領域及びドレイン領域用のトレンチシリサイドコンタクト３１０と、水平方向のローカル相互接続用の金属０（Ｍ０又は金属０）３２０と、トレンチシリサイドコンタクト３１０を金属０  ３２０に接続するためのコンタクト３６０と、垂直方向の相互接続用の金属１（Ｍ１又は金属１）３３０と、金属０  ３２０を金属１  ３３０に接続するためのビア３７０と、を使用する。
【００２９】
また、マルチセルレイアウト３００は、水平方向の相互接続用の金属２（Ｍ２又は金属２）３４０と、金属１  ３３０を金属２  ３４０に接続するためのビア３７２と、を使用する。さらに、マルチセルレイアウト３００は、垂直方向の相互接続用の金属３（Ｍ３又は金属３）３５０と、金属２  ３４０を金属３  ３５０に接続するためのビア３７４と、を使用する。図示するように、金属２  ３４０の最上部の列は、上下反転されたかミラーリングされた部分的な第１標準セルからの電源（ＶＤＤ）を接続するために使用される。金属２  ３４０の第２列は、上下反転されていない異なる第２標準セルの電源を接続するために使用される。金属２  ３４０の第３列は、上下反転されていない同じ第２標準セルの接地（ＧＮＤ又はＶＳＳ）を接続するために使用される。金属２  ３４０の第４列は、上下反転されたかミラーリングされた部分的な第３標準セルレイアウトの接地接続に使用される。
【００３０】
マルチセルレイアウト３００は、金属０  ３２０の電源レールを使用しないので、金属０  ３２０におけるエレクトロマイグレーション（ＥＭ）の問題を回避する。電源及び接地への接続は、金属３  ３５０からビア３７４へ、金属２  ３４０へ、ビア３７２へ、金属１  ３３０へ、ビア３７０へ、金属０  ３２０へ、コンタクト３６０へ、対応する標準セル内のトレンチシリサイドコンタクト３１０へとルーティングされる。金属０  ３２０での電源接続及び接地接続は共用されない。マルチセルレイアウト３００は、水平金属０  ３２０及び水平金属２  ３４０の独立した電源ストラップに加えて、垂直金属１  ３３０及び垂直金属３  ３５０の各々の独立した電源ポストを使用する。所定の金属層の電源ポストは、所定の金属層の複数の電源ポストの別の電源ポストに接続されていない場合、独立した電源ポストと呼ばれる。したがって、所定の金属層では、電源レールが使用されない。
【００３１】
一実施形態では、垂直金属３  ３５０内の１つ以上の独立した電源ポストは、標準セルの高さ未満の長さを有する。一実施形態では、垂直金属３  ３５０の１つ以上の独立した電源ポストは、水平金属２  ３４０の独立した電源ストラップのピッチに基づく長さを有する。図示するように、水平金属０  ３２０及び水平金属２  ３４０の各々の独立した電源ストラップに加えて、垂直金属１  ３３０及び垂直金属３  ３５０の各々の独立した電源ポストは、単方向ルートでルーティングされる。屈曲やＬ字形状のない信号ルートを単方向ルートと呼ぶ。これに対して、屈曲及び／又はＬ字形状を有する信号ルートを双方向ルートと呼ぶ。双方向ルートは、オンダイ領域に重大なペナルティをもたらす。
【００３２】
図４を参照すると、マルチセルレイアウト４００の別の平面図の一般化されたブロック図が示されている。上述したレイアウト要素には、同じ符号が付されている。ここで、マルチセルレイアウト４００は、マルチセルレイアウト３００と同じであるが、説明を容易にするために、金属１  ３３０、金属２  ３４０、金属３  ３５０、及び、対応するビアのみが示されている。実際に、金属２  ３４０用の２つのルートのみが示されている。１つのルートは電源接続用であり、別のルートは接地接続用である。マルチセルレイアウト４００は、アレイ内で電源及び接地を接続するための一実施形態を示している。
【００３３】
図示するように、電源接続及び接地接続は、信号をルーティングする前に行われる。各金属１  ３３０電源接続は、金属２  ３４０を使用して、最も近い金属３  ３５０ポストにルーティングされる。図示するように、上部の金属２  ３４０電源ストラップは、金属１  ３３０電源ルートを、最も近い金属３  ３５０ポストに接続する。同様に、各金属１  ３３０接地接続は、金属２  ３４０を使用して、最も近い金属３  ３５０にルーティングされる。図４に示す下部の金属２  ３４０接地ストラップは、金属１  ３３０接地ルートを、最も近い金属３  ３５０ポストに接続する。
【００３４】
図示した実施形態では、金属３  ３５０は、一対の垂直金属３  ３５０ポストを、別の一対の垂直金属３  ３５０ポストに対してどの程度近くに配置するかを示すピッチ４１０を有し、金属３  ３５０ポストは、電源接続及び接地接続のために使用される。また、ピッチ４１０は、グリッド４１０とも呼ばれる。ピッチ４１０は、例えば動作電圧、動作周波数、金属３  ３５０ポスト及びビア３７４当たりの電流量の限度等の１つ以上の様々な要因を使用して、設計者によって設定される。図示するように、電源及び接地用の各金属３  ３５０ポストは、最短の長さである長さ４２０を有する。いくつかの実施形態では、任意の金属２  ３４０電源ストラップ又は接地ストラップの長さは、金属２  ３４０の長さを比較的短い金属層の長さに制限するために、ピッチ４１０の幅の半分を超えない。他の実施形態では、ピッチ４１０の幅の半分以外の別の割合が、金属２  ３４０の電源ストラップ又は接地ストラップの制限のために選択される。
【００３５】
電源接続及び接地接続用の金属１  ３３０、金属２  ３４０及び金属３  ３５０の各々の比較的短い長さは、これらの金属層が、比較的長い長さを有する金属層よりも高い電流を処理することを可能にする。電源接続及び接地接続のに使用される金属層３３０，３４０，３５０の比較的短い長さは、比較的長い長さを有する金属層よりも高い信頼性を提供する。また、金属層３３０，３４０，３５０の比較的短い長さは、これらの金属層にＢｌｅｃｈ長さ緩和を提供する。さらに、比較的短い垂直金属３  ３５０ポストは、ボード外の（outboard）共用電源レールを使用するアプローチよりも消費するトラックが少ない。
【００３６】
さらに、金属１  ３３０、金属２  ３４０及び金属３  ３５０の各々の比較的短い長さは、信号ルーティングの輻輳を軽減又は完全に除去することができるこれらの金属層を使用するためのギャップを信号ルートに提供する。電源接続及び接地接続に使用される金属層の比較的短い長さは、ルーティングチャネル又はルーティングトラックを提供する。したがって、電源接続及び接地接続が比較的短い金属長で完了した後に信号ルーティングを実行する場合の配置配線ツールのルータの柔軟性が高められている。
【００３７】
図５を参照すると、マルチセルレイアウト５００の別の平面図の一般化されたブロック図が示されている。上述したレイアウト要素には、同じ符号が付されている。ここで、レイアウト５００は、レイアウト３００，４００と同じである。マルチセルレイアウト５００は、アレイ内で電源及び接地を接続するための一実施形態を示している。レイアウト５００は、説明を容易にするために、金属１  ３３０、金属２  ３４０、金属３  ３５０及び対応するビアのみを示している。レイアウト５００は他の電源及び接地金属１  ３３０スタブ又はポストの電源接続及び接地接続に加えて、レイアウト４００からの電源接続及び接地接続を使用する。
【００３８】
上述したように、電源接続及び接地接続は、信号をルーティングする前に行われ、各金属１  ３３０は、金属２  ３４０を使用して、最も近い金属３  ３５０にルーティングされる。同様に、各金属１  ３３０接地接続は、金属２  ３４０を使用して、最も近い金属３  ３５０にルーティングされる。任意の金属２  ３４０電源ストラップ又は接地ストラップの長さは、金属２  ３４０の長さを比較的短い金属層の長さに制限するために、ピッチ４１０の所定の割合（例えば、ピッチ４１０の幅の半分等）を超えない。また、金属層３３０，３４０，３５０の比較的短い長さは、これらの金属層にＢｌｅｃｈ長さ緩和を提供し、信号ルーティングの輻輳を軽減又は完全に除去することができるこれらの金属層を使用するためのギャップを信号ルートに提供する。金属２  ３４０及び金属３  ３５０のギャップの複数の例がレイアウト５００に示されている。電源ピン及び接地ピンは、ボード外レールを使用するのではなく、ボード内の（inboard）金属１  ３３０ポストであるため、配置配線ツールは、標準セルの固定位置を有するのではなく、金属２  ３４０及び金属３  ３５０の下で標準セルを移動させることができる。
【００３９】
図６を参照すると、マルチセルレイアウト６００の別の平面図の一般化されたブロック図が示されている。上述したレイアウト要素には、同じ符号が付されている。マルチセルレイアウト６００は、マルチセルレイアウト３００，４００，５００と同じであるが、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）の問題及び電圧ドループ（ＩＲ低下）の問題を低減するために、ギャップ内に余分なルートを有する。様々な実施形態では、配置配線ツールは、電源接続及び接地接続のルーティングを完了若しくはほぼ完了した後に、又は、ルーティング信号の終わりに、潜在的なエレクトロマイグレーション問題の領域が発見される信頼性を高めるために、余分な金属層を追加する。
【００４０】
図７を参照すると、マルチセルレイアウト７００の別の平面図の一般化されたブロック図が示されている。上述したレイアウト要素には、同じ符号が付されている。マルチセルレイアウト７００は、マルチセルレイアウト３００，４００，５００と同じであるが、ルータの選択を強調表示している。電源金属３  ３５０ポストは、２つの金属２  ３４０トラックを使用可能にするために、長さが拡大されている。配置配線ツールは、電源トラックの上方又は下方に沿って信号トラックを使用するオプションを有する。信号トラックは、電源接続に使用される金属３  ３５０ポスト上にビア３７４を有していない。信号トラックが電源トラックの上方にある場合、電源金属３  ３５０ポストの長さが拡大される。いくつかの実施形態では、金属２  ３４０トラックが最初に生成され、それがより良好であると判断される場合に、金属２  ３４０トラックが移動される。或いは、金属２  ３４０トラックは、ルーティングが行われると追加される。いくつかの実施形態では、２つの金属２  ３４０トラックのうち一方は、ルーティングが完了すると、配置配線ツールによって除去される。電源金属３  ３５０ポストの余分な長さは、配置配線ツールにさらなるルーティングの柔軟性を提供する。同様に、同じ概念を、接地金属３  ３５０ポストに使用することができる。
【００４１】
図８を参照すると、マルチセルレイアウト８００の別の平面図の一般化されたブロック図が示されている。上述したレイアウト要素には、同じ符号が付されている。マルチセルレイアウト８００は、マルチセルレイアウト７００と同じであるが、異なるルータの選択を強調表示している。電源金属３  ３５０ポストは、長さが拡大され、電源金属１  ３３０ポストも、３つの金属２  ３４０トラックを使用可能にするために、長さが拡大されている。配置配線ツールは、電源トラックの上方又は下方に沿って信号トラックを使用するオプションを有している。信号トラックは、電源接続に使用される金属３  ３５０ポスト上にビア３７４を有していない。電源金属１  ３３０ポストの長さを拡大する前に、電圧（ＩＲ）低下及びタイミングの設計ルールが検証される。
【００４２】
したがって、配置配線ツールは、金属３  ３５０の電源ポスト及び接地ポストを配置し、続いて、金属１  ３３０の電源ポスト及び接地ポストが標準セルに配置される。その後、信号ルーティング中に、配置配線ツールは、電源接続又は接地接続によって既に占有されているトラックを必要とする場合がある。レイアウト７００，８００に示す技術によって提供された柔軟性により、配置配線ツールは、所定の信号ルートに対して以前に占有された特定のトラックを使用するために、電源接続及び接地接続を増やす又は減らすことができる。レイアウト８００には３つのトラックが示されているが、他の実施形態では、３つよりも多い別の数のトラックが可能であり、配置配線ツールに利用可能になり、配置配線ツールの柔軟性を提供することが意図される。同様に、同じ概念を、接地金属３  ３５０ポストに使用することができる。
【００４３】
図９を参照すると、マルチセルレイアウト９００の別の平面図の一般化された図が示されている。上述したレイアウト要素には、同じ符号が付されている。マルチセルレイアウト９００は、マルチセルレイアウト８００と同じであるが、異なるルータの選択を強調表示している。接地金属３  ３５０ポストの余分な対が、接地金属２  ３４０トラックに配置される。配置配線ツールは、図示した２つの利用可能な対のうち何れか一方に接地接続又は信号ルートを配置するオプションを有する。
【００４４】
レイアウト３００〜９００に示す上述したパワーグリッドのアーキテクチャは、電源レールの下のセル配置の制限を除去し、パワーグリッドに使用されるワイヤルーティングを減少させ、パワーグリッドに使用されるトラックの数を減少させ、ルーティング効率を高め、ピンアクセスを増加し、より小さいルーティング設計を提供し、提供されたＢｌｅｃｈ長ベースのワイヤ緩和及び許容されるポストルート修正（post route fixes）を利用することによってエレクトロマイグレーション（ＥＭ）のリスク及びホットスポットを減少させ、信号ルーティングのために特定の位置にトラックを設けるパワーグリッドナッジング（nudging）を可能にする。したがって、レイアウト３００〜９００に示す上述したパワーグリッドのアーキテクチャは、ピッチによって定義された固定位置の電源垂直ポスト及び接地垂直ポスト並びに水平ストラップを回避し、金属０層〜金属３層での比較的長いワイヤを回避し、ボード外の共用電源レールの使用を回避し、金属１層及び金属２層の遮断に起因する標準セルの配置制限を回避する。極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶ）技術及び他のリソグラフィ技術の使用により、標準セルに使用される幅及びピッチを５ナノメートル以下に低減するので、上記のパワーグリッドアーキテクチャ技術は、上述した利点を提供し、上述した問題を低減する。
【００４５】
図１０を参照すると、標準セルのレイアウトパワーグリッド接続を生成する方法１０００の一実施形態が示されている。説明のために、本実施形態のステップを順番に示す。しかしながら、他の実施形態では、いくつかのステップが図示した順序と異なる順序で行われ、いくつかのステップが同時に行われ、いくつかのステップが他のステップと組み合わされ、いくつかのステップが存在しない。
【００４６】
単方向トラックは、複数の電源垂直金属３層トラック及び電源水平金属２トラックの各々に利用される（ブロック１００２）。屈曲もＬ字形状もない金属層トラック及びこれに応じたトラック内のルートは、単方向トラック及び単方向ルートと呼ばれる。屈曲及び／又はＬ字形状を有する金属層トラック並びにこれに応じたトラック内のルートは、双方向トラック及び双方向ルートと呼ばれる。双方向ルートは、オンダイ領域の重大なペナルティをもたらす。
【００４７】
複数の垂直金属３層ポストの各々は、電源水平金属２層ストラップのピッチに基づく最短の長さでルーティングされる（ブロック１００４）。互いに接続されていない複数の電源垂直金属３層ポストは、標準セルの電源金属３層トラック内に配置される（ブロック１００６）。したがって、信号金属３ルートに利用可能な垂直金属３トラックにギャップが生成される。
【００４８】
電源接続又は接地接続に使用される１つ以上の垂直金属１ポストは、アクティブ領域の上部から下部にルーティングされ、複数の位置を、複数の電源水平金属２層ストラップのうち１つへの接続に使用可能にする（ブロック１００８）。複数の位置は、標準セルの配置配線アルゴリズムに柔軟性を提供する。複数の電源水平金属２層ストラップは、少なくとも２つの電源水平金属２層ストラップを互いに接続することなく、電源垂直金属３層ポストを垂直電源金属１ポストに接続するために電源金属２層トラックに配置される（ブロック１０１０）。したがって、信号金属２ルートに利用可能な水平金属２トラックにギャップが生成される。垂直方向に生成されたギャップと同様に、これらのギャップは、標準セル内の信号ルーティングの輻輳を軽減する。
【００４９】
上記の実施形態のうち１つ以上がソフトウェアを含むことに留意されたい。このような実施形態では、方法及び／又はメカニズムを実施するプログラム命令は、コンピュータ可読媒体に伝達又は記憶される。プログラム命令を記憶するように構成された多くのタイプの媒体が利用可能であり、これらには、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ、プログラム可能ＲＯＭ（ＰＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）及び他の様々な形態の揮発性又は不揮発性記憶装置が含まれる。一般的に言えば、コンピュータアクセス可能な記憶媒体は、命令及び／又はデータをコンピュータに提供するために使用中にコンピュータがアクセス可能な記憶媒体を含む。例えば、コンピュータアクセス可能な記憶媒体は、例えば磁気又は光学媒体（例えば、ディスク（固定若しくは取り外し可能）、テープ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、Ｂｌｕ−Ｒａｙ（登録商標））等の記憶媒体を含む。記憶媒体は、ＲＡＭ（例えば、同期型ダイナミックＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、ダブルデータレート（ＤＤＲ、ＤＤＲ２、ＤＤＲ３等）ＳＤＲＡＭ、低電力ＤＤＲ（ＬＰＤＤＲ２等）ＳＤＲＡＭ、ラムバスＤＲＡＭ（ＲＤＲＡＭ）、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）等）、ＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＵＳＢインタフェース等の周辺インタフェースを介してアクセス可能な不揮発性メモリ（例えば、フラッシュメモリ）等の揮発性又は不揮発性記憶媒体をさらに含む。記憶媒体は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）、並びに、ネットワーク及び／又は無線リンク等の通信媒体を介してアクセス可能な記憶媒体を含む。
【００５０】
また、様々な実施形態では、プログラム命令は、Ｃ等の高水準プログラミング言語、Ｖｅｒｉｌｏｇ、ＶＨＤＬ等の設計言語（ＨＤＬ）、又は、ＧＤＳ  ＩＩストリームフォーマット（ＧＤＳＩＩ）等のデータベースフォーマットにおけるハードウェア機能の動作レベル記述又はレジスタ転送レベル（ＲＴＬ）記述を含む。場合によっては、記述は合成ツールによって読み取られ、合成ツールは、記述を合成して、ゲートのリストを含むネットリストを合成ライブラリから生成する。ネットリストは、システムを含むハードウェアの機能を表すゲートのセットを含む。次に、ネットリストを配置してルーティングし、マスクに適用される幾何学的形状を記述するデータセットを生成する。次いで、マスクを様々な半導体製造工程で使用して、システムに対応する１つ以上の半導体回路を製造する。或いは、コンピュータアクセス可能な記憶媒体上の命令は、必要に応じて、ネットリスト（合成ライブラリを伴う若しくは伴わない）又はデータセットである。さらに、命令は、Ｃａｄｅｎｃｅ（登録商標）、ＥＶＥ（登録商標）及びＭｅｎｔｏｒ  Ｇｒａｐｈｉｃｓ（登録商標）等のベンダからのハードウェアベースタイプのエミュレータによるエミュレーションの目的で利用される。
【００５１】
上記の実施形態をかなり詳細に説明したが、上記の開示が十分に理解されれば、当業者には多くの変形及び修正が明らかになるであろう。添付の特許請求の範囲は、このような全ての変形及び修正を包含するように解釈されることを意図している。
【図１】
2020518916.tif 000003
【図２】
2020518916.tif 000004
【図３】
2020518916.tif 000005
【図４】
2020518916.tif 000006
【図５】
2020518916.tif 000007
【図６】
2020518916.tif 000008
【図７】
2020518916.tif 000009
【図８】
2020518916.tif 000010
【図９】
2020518916.tif 000011
【図１０】
2020518916.tif 000012
【国際調査報告】
2020518916.tif 000013
2020518916.tif 000014
2020518916.tif 000015