(57)【要約】本発明は、エッチング用組成物および該エッチング用組成物を用いたエッチング工程を含む半導体素子の製造方法に関するものであり、前記エッチング用組成物は、第１無機酸、第１添加剤、及び溶媒を含む。前記エッチング用組成物は、酸化膜のエッチングレートを最小限に抑えながら窒化膜を選択的に除去することができ、素子特性に悪影響を及ぼすパーティクル発生などの問題点を有しない、高選択比のエッチング用組成物である。
2020503664.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１無機酸と、
下記化学式１で表される第１添加剤と、
溶媒と
を含むエッチング用組成物。
［化学式１］
2020503664.tif 000082
（上記化学式１にて、
前記ＸはＯまたはＮであり、
前記Ｒ１〜Ｒ６は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアミノアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、および炭素数１〜１０のシアノアルキル基からなる群より選択されるいずれか一つであり、
前記ｎ１１は０または１である。）
【請求項２】
前記ｎ１１が０である場合に、前記Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも２つ以上は炭素数１〜２０のアルコキシ基である、請求項１記載のエッチング用組成物。
【請求項３】
前記第１無機酸は、硫酸、硝酸、リン酸、ケイ酸、フッ酸、ホウ酸、塩酸、過塩素酸、およびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つである、請求項１記載のエッチング用組成物。
【請求項４】
前記エッチング用組成物は、前記第１添加剤を０．０１〜１５重量％、前記第１無機酸を７０〜９９重量％、および、残部の溶媒を含むものである、請求項１記載のエッチング用組成物。
【請求項５】
前記エッチング用組成物は、第２無機酸とシラン化合物とを反応させて調製されたシラン無機酸塩を含む第２添加剤を、さらに含むものである、請求項１記載のエッチング用組成物。
【請求項６】
前記エッチング用組成物は、前記エッチング用組成物の全体に対して、前記第２添加剤を０．０１〜１５重量％で含むものである、請求項５に記載のエッチング用組成物。
【請求項７】
請求項１によるエッチング用組成物を用いて行われるエッチング工程を含む半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング工程は、酸化膜に対して窒化膜を選択的にエッチングするものであり、
前記の窒化膜のエッチング工程は、５０〜３００℃の温度で行われるものである、請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング用組成物、特に酸化膜のエッチングレートを最小限に抑えながらも、窒化膜を選択的に除去することができる高選択比のエッチング用組成物およびこのエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含む半導体素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程において、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）などの酸化膜およびシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）などの窒化膜は、代表的な絶縁膜であって、それぞれ単独で、または１層以上の膜が交互に積層されて使用される。また、このような酸化膜および窒化膜は、金属配線などの導電性パターンを形成するためのハードマスクとしても使用される。
【０００３】
前記窒化膜を除去するためのウェットエッチング工程においては、通常、リン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ ａｃｉｄ）と脱イオン水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）との混合物が使用されている。前記脱イオン水は、エッチングレートの減少および酸化膜に対するエッチング選択性の変化を防止するために添加されるものだが、供給される脱イオン水の量の微細な変化によっても窒化膜エッチング除去工程に不具合が生じる問題がある。また、リン酸は、強酸として腐食性を有しており、取り扱いが難しい。
【０００４】
これを解決するために、従来、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）にフッ酸（ＨＦ）または硝酸（ＨＮＯ３）などを含むエッチング用組成物を用いて窒化膜を除去する技術が公知となっているが、むしろ窒化膜と酸化膜のエッチング選択比を阻害する結果を招いた。また、リン酸とケイ酸塩、またはケイ酸を含むエッチング用組成物を利用する技術も知られているが、ケイ酸やケイ酸塩は基板に影響を与え得るパーティクルを誘発し、むしろ半導体製造工程に適していないという問題がある。
【０００５】
図１および図２は、フラッシュメモリ素子の素子分離工程を示す工程断面図である。
【０００６】
まず、図１に示すように、基板１０上に、トンネル酸化膜１１、ポリシリコン膜１２、バッファ酸化膜１３およびパッド窒化膜１４をこの順に形成した後、ポリシリコン膜１２、バッファ酸化膜１３およびパッド窒化膜１４を選択的にエッチングしてトレンチを形成する。続いて、トレンチをギャップフィルするまでＳＯＤ酸化膜１５を形成した後、パッド窒化膜１４を研磨停止膜としてＳＯＤ酸化膜１５のＣＭＰ工程を実施する。
【０００７】
次に、図２に示すように、リン酸溶液を用いたウェットエッチングによってパッド窒化膜１４を除去した後、洗浄工程によってバッファ酸化膜１３を除去する。これにより、フィールド領域に素子分離膜１５Ａが形成される。しかし、このような窒化膜除去のためのウェットエッチング工程でリン酸を用いる場合、窒化膜と酸化膜とのエッチング選択比の低下により、窒化膜だけでなくＳＯＤ酸化膜までエッチングされ、有効酸化膜高さ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｈｅｉｇｈｔ、ＥＦＨ）を調節することが難しくなる。これにより、窒化膜を除去するために十分なウェットエッチング時間が確保できなかったり、追加の工程が必要となったりするのであり、変化を誘発して素子特性に悪影響を及ぼすことになる。
【０００８】
したがって、半導体製造工程において、酸化膜に対して窒化膜を選択的にエッチングしながらも、パーティクル発生などの問題のない高選択比のエッチング用組成物が求められるというのが実情である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、酸化膜のエッチングレートを最小限に抑えながら、窒化膜を選択的に除去することができ、素子特性に悪影響を及ぼすパーティクル発生などの問題点を持たない、高選択比のエッチング用組成物、および、これを用いた半導体素子の製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施例によると、第１無機酸、下記化学式１で表される第１添加剤、及び溶媒を含むエッチング用組成物を提供することができる。
【００１１】
［化学式１］
2020503664.tif 000003
【００１２】
前記化学式１において、前記Ｘは、ＯまたはＮであり得る。
【００１３】
前記Ｒ１〜Ｒ６は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアミノアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルカボニルオキシ基および炭素数１〜１０のシアノアルキル基からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。
【００１４】
前記ｎ１１は０または１であり得、前記ｎ１１が０である場合、前記Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも２つ以上は、炭素数１〜２０のアルコキシ基であり得る。
【００１５】
前記第１無機酸は、硫酸、硝酸、リン酸、ケイ酸、フッ酸、ホウ酸、塩酸、過塩素酸、およびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。
【００１６】
前記エッチング用組成物は、前記第１添加剤０．０１〜１５重量％、前記第１無機酸７０〜９９重量％、および残部の溶媒を含むものであり得る。
【００１７】
前記エッチング用組成物は、第２無機酸とシラン化合物とを反応させて調製されたシラン無機酸塩を含む第２添加剤をさらに含むものであり得る。
【００１８】
前記エッチング用組成物は、前記エッチング用組成物の全体に対して、前記第２添加剤を０．０１〜１５重量％で含むものであり得る。
【００１９】
本発明の他の一実施例によると、前記によるエッチング用組成物を用いて行われるエッチング工程を含む半導体素子の製造方法を提供することができる。
【００２０】
前記エッチング工程は、酸化膜に対して窒化膜を選択的にエッチングするものであり、前記の窒化膜のエッチング工程は５０〜３００℃の温度で行われるものであり得る。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係るエッチング用組成物は、酸化膜に対する窒化膜のエッチング選択比が高い特徴を有するので、酸化膜のエッチングレートを調節して、ＥＦＨを容易に調節することができる。
【００２２】
また、本発明のエッチング用組成物を用いると、窒化膜除去の際に酸化膜の膜質損傷や酸化膜のエッチングによる電気的特性の低下を防止し、パーティクルの発生を防止して、素子特性を向上させることができる。
【００２３】
したがって、本発明は、酸化膜に対して窒化膜の選択的除去が要求される半導体製造工程、例えば、フラッシュメモリ素子の素子分離工程、３Ｄフラッシュメモリ素子のパイプチャネル（ｐｉｐｅ  ｃｈａｎｎｅｌ）形成工程、相変化メモリのダイオード形成工程などといった様々な工程に広く適用され、プロセス効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、従来技術によるフラッシュメモリ素子の素子分離工程を示す工程断面図(1)である。
【図２】図２は、従来技術によるフラッシュメモリ素子の素子分離工程を示す工程断面図(2)である。
【図３】図３は、本発明の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子の素子分離工程を説明するための工程断面図(1)である。
【図４】図４は、本発明の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子の素子分離工程を説明するための工程断面図(2)である。
【図５】図５は、本発明の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子の素子分離工程を説明するための工程断面図(3)である。
【図６】図６は、本発明の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図(1)である。
【図７】図７は、本発明の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図(2)である。
【図８】図８は、本発明の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図(3)である。
【図９】図９は、本発明の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図(4)である。
【図１０】図１０は、本発明の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図(5)である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図(6)である。
【図１２】図１２は、本発明の他の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含む相変化メモリにおけるダイオード形成工程を説明するための工程断面図(1)である。
【図１３】図１３は、本発明の他の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含む相変化メモリにおけるダイオード形成工程を説明するための工程断面図(2)である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明は、様々な変換を加えることができ、様々な実施例を有することができるので、特定の実施例を例示して詳細な説明に詳しく説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変換、均等物ないし代替物を含むものと理解されるべきである。
【００２６】
本発明で使用した用語は、単に特定の実施例を説明するために使用されたもので、本発明を限定する意図ではない。単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味でない限り、複数の表現を含んでいる。本発明において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加の可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。
【００２７】
本発明の一実施例に係るエッチング用組成物は、第１無機酸、下記化学式１で表される第１添加剤、および溶媒を含む。
【００２８】
［化学式１］
2020503664.tif 000004
【００２９】
前記化学式１において、前記ＸはＯまたはＮであり得る。
【００３０】
前記Ｒ１〜Ｒ６は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアミノアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルカボニルオキシ基および炭素数１〜１０のシアノアルキル基からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。
【００３１】
前記ｎ１１は０または１でありうるのであり、前記ｎ１１が０である場合に、前記Ｒ１〜Ｒ４のうち少なくとも２以上は、炭素数１〜２０のアルコキシ基であり得る。
【００３２】
前記ｎ１１が０である場合は下記化学式２で表されうるのであり、前記ｎ１１が１である場合は下記化学式３で表され得る。
【００３３】
［化学式２］
2020503664.tif 000005
【００３４】
［化学式３］
2020503664.tif 000006
【００３５】
前記化学式２および３において、前記Ｘ、Ｒ１〜Ｒ６は前記化学式１で定義されたものと同様に定義され得る。
【００３６】
前記化学式１で表される第１添加剤は、前記の構造を有することにより、高温のエッチング工程中に発生するシリコンイオンの成長方向の制御と、シリコンイオンのエンドキャッピングとにより、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜のエッチングレートおよび選択比を向上させることができる。また、シリコンイオンの線形成長構造を制御して、エッチング工程中に発生するシリコンパーティクルの数を減少させることができるのであり、シリコンイオンのエンドキャッピングにより、シリコンイオンの自己結合および反応を防止し、シリコンウェーハの歩留まりを向上させることができる。
【００３７】
前記第１添加剤の含有量は、前記のエッチング用組成物の全体の重量に対して、０．０１〜１５重量％、好ましくは０．１〜１５重量％、より好ましくは０．１〜１０重量％、さらに好ましくは０．１〜５重量％であり得る。前記第１添加剤の含有量が０．０１重量％未満である場合は、窒化膜に対する高いエッチング選択比を得ることができず、１５重量％を超過する場合は、含有量の増加によるそれ以上の効果の上昇を期待し難く、むしろ添加剤の熱分解が効果を減少させ得る。
【００３８】
一方、前記エッチング用組成物は、前記第１添加剤とともに、下記のような第２添加剤をさらに含むことができる。
【００３９】
前記第２添加剤は、第２無機酸とシラン化合物とを反応させて調製されたシラン無機酸塩を含むことができる。前記シラン無機酸塩は、酸化膜のエッチングレートを調節して、有効酸化膜高さ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｈｅｉｇｈｔ、  ＥＦＨ）の調整を容易にしうる。
【００４０】
一実施例において、前記シラン無機酸塩は、前記第２無機酸と前記シラン化合物とを反応させて調製することができる。前記シラン無機酸塩は、前記第２無機酸と前記シラン化合物とを反応させて調製することによって、単一の化学式の構造ではなく、様々な化学式の構造を有するシラン無機酸塩が混合されたものであり得る。すなわち、前記第２添加剤は、互いに異なる化学式の構造を有する少なくとも２種以上のシラン無機酸塩の混合物を含むことができる。しかし、本発明はこれらに限定されるものではなく、前記第２添加剤は、１種のシラン無機酸塩だけを含むこともできる。
【００４１】
前記第２無機酸は、硫酸、発煙硫酸、硝酸、リン酸、無水リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、およびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つであり、好ましくは硫酸、硝酸、リン酸であり得る。
【００４２】
前記シラン化合物は、下記化学式１０で表される化合物、化学式２０で表される化合物およびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。
【００４３】
［化学式１０］
2020503664.tif 000007
【００４４】
前記化学式１０において、前記Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記Ｒ１〜Ｒ４のうち少なくとも一つは、ハロゲン原子または炭素数１〜１０のアルコキシ基である。
【００４５】
前記ハロゲン原子は、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、またはヨード基であり得、好ましくはフルオロ基またはクロロ基であり得る。
【００４６】
具体的に、前記化学式１０で表される化合物は、ハロシランまたはアルコキシシラン化合物であり得る。
【００４７】
前記ハロシラン化合物は、トリメチルクロロシラン、トリエチルクロロシラン、トリプロピルクロロシラン、トリメチルフルオロシラン、トリエチルフルオロシラン、トリプロピルフルオロシラン、ジメチルジクロロシラン、ジエチルジクロロシラン、ジプロピルジクロロシラン、ジメチルジフルオロシラン、ジエチルジフルオロシラン、ジプロピルジフルオロシラン、エチルトリクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、メチルトリフルオロシラン、エチルトリフルオロシラン、プロピルトリフルオロシランおよびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。
【００４８】
前記アルコキシシラン化合物は、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、テトラプロポキシシラン、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）、メチルトリプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン（ＰｒＴＭＯＳ）、プロピルトリエトキシシラン（ＰｒＴＥＯＳ）、プロピルトリプロポキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジプロキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルプロキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリエチルプロポキシシラン、トリプロピルメトキシシラン、トリプロピルエトキシシラン、トリプロピルプロポキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、［３−（２−アミノエチル）アミノプロピル］トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルトリメトキシシラン、３−アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、およびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。
【００４９】
［化学式２０］
2020503664.tif 000008
【００５０】
前記化学式２０において、前記Ｒ５〜Ｒ１０はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記Ｒ５〜Ｒ１０のうちの少なくとも一つは、ハロゲン原子または炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、前記ｎは１〜１０の整数である。
【００５１】
前記ハロゲン原子は、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、またはヨード基であり得、好ましくはフルオロ基またはクロロ基であり得る。
【００５２】
具体的には、前記化学式２０で表される化合物は、クロロジメチルシロキシ−クロロジメチルシラン、クロロジエチルシロキシ−クロロジメチルシラン、ジクロロメチルシロキシ−クロロジメチルシラン、ジクロロエチルシロキシ−クロロジメチルシラン、トリクロロシロキシ−クロロジメチルシラン、フルオロジメチルシロキシ−クロロジメチルシラン、ジフルオロメチルシロキシ−クロロジメチルシラン、トリフルオロシロキシ−クロロジメチルシラン、メトキシジメチルシロキシ−クロロジメチルシラン、ジメトキシジメチルシロキシ−クロロジメチルシラン、トリメトキシシロキシ−クロロジメチルシラン、エトキシジメチルシロキシ−クロロジメチルシラン、ジエトキシメチルシロキシ−クロロジメチルシラン、トリエトキシシロキシ−クロロジメチルシラン、クロロジメチルシロキシ−ジクロロメチルシラン、トリクロロシロキシ−ジクロロメチルシラン、クロロジメチルシロキシ−トリクロロシラン、ジクロロメチルシロキシ−トリクロロシラン、またはトリクロロシロキシ−トリクロロシラン等であり得る。
【００５３】
前記シラン無機酸塩は、前記第２無機酸に前記シラン化合物を添加した後、２０〜３００℃、好ましくは５０〜２００℃の温度で反応させて調製することができる。この際、前記反応は、空気および水分を除去しながら行うことができる。前記反応温度が２０℃未満である場合、前記シラン化合物が結晶化したり、低い反応速度により前記シラン化合物が気化したりし得るのであり、３００℃を超える場合、前記第２無機酸が蒸発し得る。
【００５４】
前記第２無機酸と前記シラン化合物とについては、前記第２無機酸１００重量部に対して、前記シラン化合物０．００１〜５０重量部、好ましくは０．０１〜３０重量部を反応させることができる。前記シラン化合物の反応量が０．０１重量部未満である場合は、前記シラン化合物の小さい含量比により選択比の実現が難しくなりうるのであり、５０重量部を超過する場合は、前記シラン化合物が析出したり、非定型構造が生成したりし得る。
【００５５】
前記反応時に発生する揮発性副産物は、減圧下で蒸留によって除去することができる。前記反応生成物を精製して前記シラン無機酸塩を分離した後、これを前記エッチング用組成物に添加することもでき、前記反応生成物を精製せず前記エッチング用組成物に添加することも可能である。
【００５６】
前記反応は、非プロトン性溶剤の存在下または不存在下で行うことができるが、非プロトン性溶剤を使用する場合には、１００１３ｍｂａｒで１２０℃までの沸点または沸騰範囲を有する溶剤または溶剤混合物を好ましく使用することができる。前記溶剤としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル；塩素化炭化水素、例えば、ジクロロメタン、トリクロロメタン、テトラクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエチレン；炭化水素、例えば、ペンタン、ｎ−ヘキサン、ヘキサン異性体の混合物、ヘプタン、オクタン、ベンジン、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン；ケトン、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）；エステル、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸プロピル、酪酸エチル、イソ酪酸エチル、二硫化炭素およびニトロベンゼン、またはこれらの溶剤の混合物であり得る。
【００５７】
前記のように、前記シラン無機酸塩は、前記第２無機酸と前記シラン化合物とを反応させて調製することにより、単一の化学式の構造ではなく、様々な化学式構造を有するシラン無機酸塩が混合されたものであり得る。すなわち、前記シラン無機酸塩は、前記第２無機酸と前記シラン化合物とが交互に反応されたものであり得、前記シラン化合物のハロゲン原子の数および位置に応じて、直鎖状または分枝状に反応された、様々な化学式の構造を有するシラン無機酸塩の混合物であり得る。
【００５８】
前記様々な化学式の構造を有するシラン無機酸塩を具体的に例示すると、下記の化学式の通りである。しかし、本発明のシラン無機酸塩が、下記の化学式の構造に限定されるものではない。
【００５９】
［化学式５１］
2020503664.tif 000009
【００６０】
［化学式５２］
2020503664.tif 000010
【００６１】
［化学式５３］
2020503664.tif 000011
【００６２】
［化学式５４］
2020503664.tif 000012
【００６３】
［化学式５５］
2020503664.tif 000013
【００６４】
［化学式５６］
2020503664.tif 000014
【００６５】
［化学式５７］
2020503664.tif 000015
【００６６】
［化学式６１］
2020503664.tif 000016
【００６７】
［化学式６２］
2020503664.tif 000017
【００６８】
［化学式６３］
2020503664.tif 000018
【００６９】
［化学式６４］
2020503664.tif 000019
【００７０】
［化学式６５］
2020503664.tif 000020
【００７１】
［化学式６６］
2020503664.tif 000021
【００７２】
［化学式６７］
2020503664.tif 000022
【００７３】
［化学式７１］
2020503664.tif 000023
【００７４】
［化学式７２］
2020503664.tif 000024
【００７５】
［化学式７３］
2020503664.tif 000025
【００７６】
［化学式７４］
2020503664.tif 000026
【００７７】
［化学式７５］
2020503664.tif 000027
【００７８】
［化学式７６］
2020503664.tif 000028
【００７９】
［化学式７７］
2020503664.tif 000029
【００８０】
前記の化学式５１〜５７、６１〜６７および７１〜７７において、前記Ｒ１−１〜Ｒ１−８は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つで、前記ハロゲン原子はフルオロ基、クロロ基、ブロモ基、またはヨード基であり得、好ましくはフルオロ基またはクロロ基であり得る。
【００８１】
前記シラン無機酸塩の含有量は、前記エッチング用組成物の全体の重量に対して、０．０１〜１５重量％、好ましくは０．１〜１５重量％、より好ましくは０．１〜１０重量％、さらに好ましくは０．１〜５重量％であり得る。前記シラン無機酸塩の含有量が０．０１重量％未満である場合、窒化膜に対する高いエッチング選択比を得ることができず、１５重量％を超過する場合は含有量の増加によるそれ以上の効果上昇を期待し難く、むしろパーティクルの発生などの問題が生じることもありうる。
【００８２】
一実施例において、前記シラン無機酸塩は、ポリリン酸と、前記化学式１０で表されるシラン化合物とを反応させて調製することができる。ここで、前記シラン無機酸塩は下記化学式１００で表され得る。
【００８３】
［化学式１００］
2020503664.tif 000030
【００８４】
前記化学式１００において、前記Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つで、前記ハロゲン原子は、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、またはヨード基であり得、好ましくはフルオロ基またはクロロ基であり得る。
【００８５】
前記ｎ１は１〜４の整数であり、前記ｍ１は１〜１０の整数である。
【００８６】
前記Ｒ２〜Ｒ４は、それぞれ独立して水素原子である。ただし、任意選択的に、前記Ｒ２〜Ｒ４からなる群より選択される一つの水素は、下記化学式１２０で表される置換基で置換され得る。
【００８７】
［化学式１２０］
2020503664.tif 000031
【００８８】
前記化学式１２０において、前記Ｒ５のうちのいずれか一つは前記化学式１００との連結基であり、残りはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つである。すなわち、前記Ｒ５が４つの場合、１つは前記化学式１００との連結基であり、残りの３つはそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。また、前記Ｒ５が１つである場合、前記Ｒ５は前記化学式１００との連結基である。
【００８９】
前記ｎ２は０〜３の整数であり、前記ｍ２は１〜１０の整数である。
【００９０】
前記化学式１２０において、前記Ｒ２〜Ｒ４は、それぞれ独立して水素であるか、または第２の、化学式１２０で表される置換基で置換されるものであり得る。すなわち、前記Ｒ２〜Ｒ４の位置に、第２の、化学式１２０で表される置換基が置換されうるのであり、また、第２の化学式１２０で表される置換基における前記Ｒ２〜Ｒ４の位置に、第３の、化学式１２０で表示される置換基が、さらに置換されうる。
【００９１】
これは、前記シラン無機酸塩が、前記ポリリン酸と前記シラン化合物とを反応させて調製されたものだからである。すなわち、前記ポリリン酸と前記シラン化合物とが反応して、前記化学式１００で表される化合物が生成され、前記化学式１００で表される化合物において、前記ポリリン酸から由来された部分の前記Ｒ２〜Ｒ４位置のヒドロキシ基と、反応出発物質である前記シラン化合物とがさらに反応することができ、次いで、前記化学式１００で表される化合物と反応した前記シラン化合物と、反応出発物質である前記ポリリン酸がさらに反応することができ、このような反応は継続的に行われうる。
【００９２】
前記継続的な反応進行の結果による前記シラン無機酸塩の結果を例示すると、次の通りである。
【００９３】
前記化学式１００において、前記ｎ１は１であり、前記ｍ１は１であり、前記Ｒ２〜Ｒ４がいずれも水素である場合を例示すると、下記化学式１０１の通りである。ここで、Ｒ１−１〜Ｒ１−３の定義は前記Ｒ１の定義と同一である。
【００９４】
［化学式１０１］
2020503664.tif 000032
【００９５】
下記化学式１０２で表される化合物は、前記ｍ１が２であることを除いては、前記化学式１０１で表される化合物と同一の場合である。
【００９６】
［化学式１０２］
2020503664.tif 000033
【００９７】
前記化学式１００において、前記ｎ１は２であり、前記ｍ１は１であり、前記Ｒ２〜Ｒ４がいずれも水素である場合を例示すると、下記化学式１０３の通りである。ここで、Ｒ１−１〜Ｒ１−２の定義は前記Ｒ１の定義と同一である。
【００９８】
［化学式１０３］
2020503664.tif 000034
【００９９】
前記化学式１００において、前記ｎ１は１であり、前記ｍ１は１であり、前記Ｒ２およびＲ３が水素であり、前記Ｒ４に、前記化学式１２０で表される置換基が置換された場合を例示すると、下記化学式１０４の通りである。前記化学式１２０において、前記ｎ２は０であり、前記Ｒ５のうちの一つは前記化学式１００との連結基である。ここで、Ｒ１−１〜Ｒ１−６の定義は前記Ｒ１の定義と同一である。下記化学式１０４で表される化合物は、前記化学式１００で表される化合物における前記Ｒ４の置換基を有する前記ポリリン酸から由来した部分と、反応出発物質である前記シラン化合物とが再び反応して生成された結果物である。
【０１００】
［化学式１０４］
2020503664.tif 000035
【０１０１】
前記化学式１００において、前記ｎ１は１であり、前記ｍ１は１であり、前記Ｒ３およびＲ４が水素であり、Ｒ２に、前記化学式１２０で表される置換基が置換された場合を例示すると、下記化学式１０５の通りである。前記化学式１２０において、前記ｎ２は１であり、前記ｍ２は１であり、前記Ｒ５のうちの一つは前記化学式１００との連結基であり、Ｒ２〜Ｒ４はいずれも水素原子である。ここで、Ｒ１−１〜Ｒ１−５の定義は前記Ｒ１の定義と同一である。下記化学式１０５で表される化合物は、前記化学式１００で表される化合物において、前記ポリリン酸から由来した部分における前記Ｒ４の位置のヒドロキシ基と、反応出発物質である前記シラン化合物とが再び反応し、次いで、前記化学式１００で表される化合物と反応した前記シラン化合物と、反応出発物質である前記ポリリン酸とが再び反応して生成された結果物である。
【０１０２】
［化学式１０５］
2020503664.tif 000036
【０１０３】
下記化学式１０６および化学式１０７で表される化合物は、前記化学式１２０で表される置換基が、前記化学式１００のＲ２の位置ではなく、それぞれＲ３およびＲ４の位置に変更されたことを除けば、前記化学式１０５で表される化合物と同一である。
【０１０４】
［化学式１０６］
2020503664.tif 000037
【０１０５】
［化学式１０７］
2020503664.tif 000038
【０１０６】
前記化学式１００において、前記ｎ１は１であり、前記ｍ１は１であり、前記Ｒ２およびＲ３が水素であり、Ｒ４に、前記化学式１２０で表される置換基が置換され、前記化学式１２０で表される置換基のＲ４の位置に、第２の化学式１２０で表される置換基が置換された場合を例示すると、下記化学式１０８の通りである。前記化学式１２０において、前記ｎ２は１であり、前記ｍ２は１であり、前記Ｒ５のうちの一つは、前記化学式１００との連結基であり、Ｒ２〜Ｒ３は水素原子である。ここで、Ｒ１−１〜Ｒ１−７の定義は、前記Ｒ１の定義と同一である。下記化学式１０８で表される化合物は、前記化学式１０７で表される化合物における、右端の、前記ポリリン酸から由来した部分のヒドロキシ基と、反応出発物質である前記シラン化合物とがさらに反応し、次いで、前記化学式１０７で表される化合物と反応した前記シラン化合物と、反応出発物質である前記ポリリン酸とが再び反応して生成された結果物である。
【０１０７】
［化学式１０８］
2020503664.tif 000039
【０１０８】
本発明は、前記化学式１０１〜１０８に例示された化合物に限定されるものではなく、前記化合物を参考にして様々な変形が可能である。
【０１０９】
一方、前記ポリリン酸と反応して前記化学式１００で表されるシラン無機酸塩を調製することができる前記シラン化合物は、前記化学式１０で表される化合物であり得る。前記化学式１０で表される化合物については前記の通りである。
【０１１０】
前記ポリリン酸は、リン酸原子を２個含むピロリン酸であるか、またはリン酸原子を３個以上含むポリリン酸であり得る。
【０１１１】
前記ポリリン酸と前記シラン化合物とを反応させて前記シラン無機酸塩を調製する方法は、前記第２無機酸と前記シラン化合物とを反応させて前記シラン無機酸塩を調製する方法において、前記第２無機酸の代わりに前記ポリリン酸を使用することを除いては同一である。
【０１１２】
一実施例において、前記シラン無機酸塩は、リン酸、無水リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、およびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つの第２無機酸と、前記化学式２０で表されるシロキサン化合物を反応させて調製されたシロキサン無機酸塩であり得る。
【０１１３】
ここで、前記シロキサン無機酸塩は下記化学式２００で表され得る。
【０１１４】
［化学式２００］
2020503664.tif 000040
【０１１５】
前記化学式２００において、前記Ｒ１〜Ｒ２は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記ハロゲン原子は、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、またはヨード基であり得、好ましくはフルオロ基またはクロロ基であり得る。
【０１１６】
前記ｎ１は０〜３の整数であり、前記ｎ２は０〜２の整数であり、前記ｍ１は、０または１の整数であり、ｎ１＋ｎ２＋ｍ１≧１を満足する。すなわち、前記化学式２００は、前記リン酸などの第２無機酸に由来する原子団を少なくとも１つは含む。
【０１１７】
前記ｌ１は１〜１０の整数であり、前記Ｏ１〜Ｏ３はそれぞれ独立して０〜１０の整数である。
【０１１８】
前記Ｒ３〜Ｒ１１はそれぞれ独立して水素である。ただし、選択的に前記Ｒ３〜Ｒ１１からなる群より選択されるいずれか一つの水素は、下記化学式２２０で表される置換基で置換され得る。
【０１１９】
［化学式２２０］
2020503664.tif 000041
【０１２０】
前記化学式２２０において、前記複数のＲ１２および前記複数のＲ１３のうちのいずれか一つは、前記化学式２００との連結基であり、残りは、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つである。すなわち、前記Ｒ１２が２つであり、前記Ｒ１３が１つである場合、そのうちの１つは前記化学式２００との連結基であり、残りの２つはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。また、前記Ｒ１２が１つで、前記Ｒ１３が０個である場合、前記Ｒ１２は前記化学式２００との連結基である。
【０１２１】
前記ｎ３は０〜３の整数であり、前記ｎ４は０〜２の整数であり、前記ｍ１は０または１の整数である。前記ｌ１は１〜１０の整数であり、前記Ｏ１〜Ｏ３はそれぞれ独立して０〜１０の整数である。
【０１２２】
前記Ｒ３〜Ｒ１１は、それぞれ独立して、水素であるか、または第２の化学式２２０で表される置換基で置換されるものであり得る。すなわち、前記Ｒ３〜Ｒ１１の位置に前記第２の化学式２２０で表される置換基が置換され、前記第２の化学式２２０で表される置換基における前記Ｒ３〜Ｒ１１の位置に、第３の、化学式２２０で表される置換基がさらに置換されることもありうる。
【０１２３】
これは、前記シロキサン無機酸塩が、前記第２無機酸と前記シロキサン化合物とを反応させて調製されたものだからである。すなわち、前記第２無機酸と前記シロキサン化合物とが反応して前記化学式２００で表される化合物が生成されるのであり、前記化学式２００で表される化合物にあって、前記第２無機酸から由来した部分における前記Ｒ３〜Ｒ１１位置のヒドロキシ基と、反応出発物質である前記シロキサン化合物とがさらに反応することができ、次いで前記化学式２００で表される化合物と反応した前記シロキサン化合物と、反応出発物質である前記第２無機酸とが、再び反応することができ、これらの反応は継続的に行われうる。
【０１２４】
前記継続的な反応進行の結果による前記シロキサン無機酸塩の結果を例示すると、次の通りである。
【０１２５】
前記化学式２００において、前記ｎ１は１であり、前記ｎ２は０であり、前記ｍ１は０であり、前記ｌ１は１であり、前記Ｏ１〜Ｏ３は０であり、前記Ｒ３〜Ｒ１１がいずれも水素である場合を例示すると、下記化学式２０１の通りである。ここで、Ｒ１−１〜Ｒ１−２の定義は前記Ｒ１の定義と同一であり、Ｒ２−１〜Ｒ２−２の定義は前記Ｒ２の定義と同一である。
【０１２６】
［化学式２０１］
2020503664.tif 000042
【０１２７】
下記化学式２０２で表される化合物は、前記ｎ２が１である場合を除いては、前記化学式２０２で表される化合物と同一である。
【０１２８】
［化学式２０２］
2020503664.tif 000043
【０１２９】
下記化学式２０３で表される化合物は、前記Ｏ２およびＯ３が１である場合を除いては、前記化学式２０１で表される化合物と同一である。
【０１３０】
［化学式２０３］
2020503664.tif 000044
【０１３１】
下記化学式２０４で表される化合物は、前記ｌ１が２である場合を除いては前記化学式２０２で表される化合物と同一である。
【０１３２】
［化学式２０４］
2020503664.tif 000045
【０１３３】
前記化学式２００において、前記ｎ１およびｎ２が２であり、前記ｍ１は０であり、前記ｌ１は１であり、前記Ｏ１〜Ｏ３は０であり、前記Ｒ３〜Ｒ１１がいずれも水素である場合を例示すると、下記化学式２０５の通りである。
【０１３４】
［化学式２０５］
2020503664.tif 000046
【０１３５】
前記化学式２００において、前記ｎ１は１であり、前記ｎ２は１であり、前記ｍ１は０であり、前記ｌ１は１であり、前記Ｏ１〜Ｏ３は０であり、前記Ｒ６、Ｒ９およびＲ１１が水素であり、Ｒ８に、前記化学式２２０で表される置換基が置換された場合を例示すると、下記化学式２０６の通りである。前記化学式２２０において、前記ｎ３およびｎ４は０であり、前記ｍ１は０であり、前記ｌ１は１であり、前記Ｒ１２のうちのいずれか一つは前記化学式２００との連結基である。ここで、Ｒ１−１〜Ｒ１−７の定義は前記Ｒ１の定義と同一であり、前記Ｒ２−１の定義は前記Ｒ２の定義と同一である。下記化学式２０６で表される化合物は、前記化学式２００で表される化合物にあって、前記第２無機酸から由来した部分における前記Ｒ８の位置のヒドロキシ基と、反応出発物質である前記シロキサン化合物とが、再び反応して生成された結果物である。
【０１３６】
［化学式２０６］
2020503664.tif 000047
【０１３７】
前記化学式２００において、前記ｎ１は１であり、前記ｎ２は１であり、前記ｍ１は０であり、前記ｌ１は１であり、前記Ｏ１〜Ｏ３は０であり、前記Ｒ６、Ｒ９およびＲ１１が水素であり、前記Ｒ８に、前記化学式２２０で表される置換基が置換された場合を例示すると、下記化学式２０７の通りである。前記化学式２２０において、前記ｎ３とｎ４は１であり、前記ｍ１は０であり、前記Ｏ２およびＯ３は０であり、前記Ｒ１２のうちのいずれか一つは前記化学式２００との連結基であり、前記Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１１は水素である。ここで、Ｒ１−１〜Ｒ１−３、Ｒ２−１、Ｒ２−２、Ｒ３−１、およびＲ３−２の定義は、それぞれ前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の定義と同一である。下記化学式２０７で表される化合物は、前記化学式２００で表される化合物にあって、前記第２無機酸から由来した部分における前記Ｒ８の位置のヒドロキシ基と、反応出発物質である前記シロキサン化合物とがさらに反応し、次いで、前記化学式２００で表される化合物と反応した前記シロキサン化合物と、反応出発物質である前記第２無機酸とが、再び反応して生成された結果物である。
【０１３８】
［化学式２０７］
2020503664.tif 000048
【０１３９】
下記化学式２０８で表される化合物は、前記化学式２２０で表される置換基が、前記化学式２０７の前記Ｒ１−３の位置で前記化学式２００と結合されたことを除けば、前記化学式２０７で表される化合物と同一の場合である。
【０１４０】
［化学式２０８］
2020503664.tif 000049
【０１４１】
前記化学式２００において、前記ｎ１は１であり、前記ｎ２は１であり、前記ｍ１は０であり、前記ｌ１は１であり、前記Ｏ１〜Ｏ３は０であり、前記Ｒ３、Ｒ６、Ｒ９およびＲ１１が水素であり、前記Ｒ８に、第１の化学式２２０で表される置換基が置換され、前記第１の化学式２２０で表される置換基のＲ８に、第２の化学式２２０で表される置換基が置換された場合を例示すると、下記化学式２０９の通りである。前記第１の化学式２２０において、前記ｎ３およびｎ４は１であり、前記ｍ１は０であり、前記ｌ１は１であり、前記Ｏ２およびＯ３は０であり、前記Ｒ１２のうちのいずれか一つは前記化学式２００との連結基であり、前記Ｒ６、Ｒ９、およびＲ１１は水素であり、前記Ｒ８は前記第２の化学式２２０で表される置換基である。前記第２の化学式２２０で、前記ｎ３およびｎ４は１であり、前記ｍ１は０であり、前記ｌ１は１であり、前記Ｏ２およびＯ３は０であり、前記Ｒ１２のうちのいずれか一つは前記第１の化学式２２０との連結基であり、前記Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１１は水素である。ここで、Ｒ１−１〜Ｒ１−４、Ｒ２−１〜Ｒ２−３およびＲ３−１〜Ｒ３−３の定義は、それぞれ前記Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３の定義と同一である。
【０１４２】
下記化学式２０９で表される化合物は、前記化学式２０７で表される化合物における右端の、前記第２無機酸から由来した部分と、反応出発物質である前記シロキサン化合物とがさらに反応し、次いで、前記化学式２０７で表される化合物と反応した前記シロキサン化合物と、反応出発物質である前記第２無機酸とが、再び反応して生成された結果物である。
【０１４３】
［化学式２０９］
2020503664.tif 000050
【０１４４】
下記化学式２１０で表される化合物は、前記第２の化学式２２０で表される置換基が、前記化学式２０９における前記Ｒ１−４の位置で前記化学式２００と結合されたことを除けば、前記化学式２０９で表される化合物と同一の場合である。
【０１４５】
［化学式２１０］
2020503664.tif 000051
【０１４６】
本発明は、前記化学式２０１〜２１０に例示された化合物に限定されるものではなく、前記化合物を参考にして様々な変形が可能である。
【０１４７】
一実施例において、前記シラン無機酸塩は、硫酸、発煙硫酸、およびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つの第２無機酸と、前記化学式２０で表されるシロキサン化合物とを反応させて調製されたシロキサン無機酸塩であり得る。
【０１４８】
ここで、前記シロキサン無機酸塩は下記化学式２３０で表示され得る。
【０１４９】
［化学式２３０］
2020503664.tif 000052
【０１５０】
前記化学式２３０において、前記Ｒ２１〜Ｒ２２は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記ハロゲン原子は、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、またはヨード基であり得、好ましくはフルオロ基またはクロロ基であり得る。
【０１５１】
前記ｎ１は０〜３の整数であり、前記ｎ２は０〜２の整数であり、前記ｍ１は０または１の整数であり、ｎ１＋ｎ２＋ｍ１≧１を満足する。すなわち、前記化学式２３０は、前記硫酸などの第２無機酸に由来する原子団を少なくとも１つは含んでいる。
【０１５２】
前記ｌ１は１〜１０の整数である。
【０１５３】
前記Ｒ２３〜Ｒ２５はそれぞれ独立して水素である。ただし、選択的に前記Ｒ２３〜Ｒ２５からなる群より選択される一つの水素は、下記化学式２５０で表される置換基で置換され得る。
【０１５４】
［化学式２５０］
2020503664.tif 000053
【０１５５】
前記化学式２５０において、前記複数のＲ２６および前記複数のＲ２７のうちのいずれか一つは、前記化学式２３０との連結基であり、残りは、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つである。すなわち、前記Ｒ２６が２つであり、前記Ｒ２７が１つである場合、そのうちの１つは前記化学式２３０との連結基であり、残りの２つはそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。また、前記Ｒ２６が１つであり、前記Ｒ２７が０個の場合、前記Ｒ２６は前記化学式２３０との連結基である。
【０１５６】
前記ｎ３は０〜３の整数であり、前記ｎ４は０〜２の整数であり、前記ｍ１は０または１の整数であり、前記ｌ１は１〜１０の整数である。
【０１５７】
前記Ｒ２３〜Ｒ２５はそれぞれ独立して水素であるか、または第２の化学式２５０で表される置換基が置換されるものであり得る。すなわち、前記Ｒ２３〜Ｒ２５の位置に、前記第２の化学式２５０で表される置換基が置換されうるのであり、前記第２の化学式２５０で表される置換基における前記Ｒ２３〜Ｒ２５の位置に、第３の化学式２５０で表される置換基がさらに置換されることもありうる。
【０１５８】
前記の継続的な反応進行の結果による前記シロキサン無機酸塩の結果を、前記化学式２０１〜化学式２１０の場合と同様に例示すると、下記化学式２３１〜化学式２３９の通りである。ここで、下記化学式２３１〜化学式２３９において、Ｒ１１−１〜Ｒ１１−７、Ｒ１２−１〜Ｒ１２−３およびＲ１３−１〜Ｒ１３−３の定義は、それぞれ前記Ｒ１１、Ｒ１２、およびＲ１３の定義と同一である。
【０１５９】
［化学式２３１］
2020503664.tif 000054
【０１６０】
［化学式２３２］
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【０１６１】
［化学式２３３］
2020503664.tif 000056
【０１６２】
［化学式２３４］
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【０１６３】
［化学式２３５］
2020503664.tif 000058
【０１６４】
［化学式２３６］
2020503664.tif 000059
【０１６５】
［化学式２３７］
2020503664.tif 000060
【０１６６】
［化学式２３８］
2020503664.tif 000061
【０１６７】
［化学式２３９］
2020503664.tif 000062
【０１６８】
本発明は、前記化学式２３１〜２３９に例示された化合物に限定されるものではなく、前記化合物を参考にして様々な変形が可能である。
【０１６９】
一実施例において、前記シラン無機酸塩は、硝酸を含む第２無機酸と、前記化学式２０で表されるシロキサン化合物とを反応させて調製されたシロキサン無機酸塩であり得る。
【０１７０】
ここで、前記シロキサン無機酸塩は下記化学式２６０で表され得る。
【０１７１】
［化学式２６０］
2020503664.tif 000063
【０１７２】
前記化学式２６０において、前記Ｒ３１〜Ｒ３２は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記ハロゲン原子は、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、またはヨード基であり得、好ましくはフルオロ基またはクロロ基であり得る。
【０１７３】
前記ｎ１は０〜３の整数であり、前記ｎ２は０〜２の整数であり、前記ｍ１は０または１の整数であり、ｎ１＋ｎ２＋ｍ１≧１を満足する。すなわち、前記化学式２６０は、前記硝酸を含む第２無機酸に由来する原子団を少なくとも１つは含んでいる。
【０１７４】
前記ｌ１は１〜１０の整数である。
【０１７５】
前記Ｒ３３〜Ｒ３５は、それぞれ独立して水素である。ただし、任意選択的に、前記Ｒ３３〜Ｒ３５からなる群より選択されるいずれか一つの水素は、下記化学式２８０で表される置換基で置換され得る。
【０１７６】
［化学式２８０］
2020503664.tif 000064
【０１７７】
前記化学式２８０において、前記複数のＲ３６および前記複数のＲ３７のうちのいずれか一つは前記化学式２６０との連結基であり、残りは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つである。すなわち、前記Ｒ３６が２つであり、前記Ｒ３７が１ある場合、そのうちの１つは前記化学式２６０との連結基であり、残りの２つは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。また、前記Ｒ３６が１つであり、前記Ｒ３７が０個の場合には、前記Ｒ３６が前記化学式２６０との連結基である。
【０１７８】
前記ｎ３は０〜３の整数であり、前記ｎ４は０〜２の整数であり、前記ｍ１は０または１の整数であり、前記ｌ１は１〜１０の整数である。
【０１７９】
前記Ｒ３３〜Ｒ３５は、それぞれ独立して水素であるか、または第２の化学式２８０で表される置換基が置換されるものであり得る。すなわち、前記Ｒ３３〜Ｒ３５の位置に、前記第２の化学式２８０で表される置換基が置換されうるのでり、前記第２の化学式２８０で表される置換基における前記Ｒ３３〜Ｒ３５の位置に、第３の化学式２８０で表される置換基が、さらに置換されることもありうる。
【０１８０】
前記の継続的な反応進行の結果による前記シロキサン無機酸塩の結果を、前記化学式２０１〜化学式２１０の場合と同様に例示すると、下記化学式２６１〜化学式２６９の通りである。ここで、下記化学式２６１〜化学式２６９において、Ｒ２１−１〜Ｒ２１−７、Ｒ２２−１〜Ｒ２２−３およびＲ２３−１〜Ｒ２３−３の定義は、それぞれ前記Ｒ２１、Ｒ２２およびＲ２３の定義と同一である。
【０１８１】
［化学式２６１］
2020503664.tif 000065
【０１８２】
［化学式２６２］
2020503664.tif 000066
【０１８３】
［化学式２６３］
2020503664.tif 000067
【０１８４】
［化学式２６４］
2020503664.tif 000068
【０１８５】
［化学式２６５］
2020503664.tif 000069
【０１８６】
［化学式２６６］
2020503664.tif 000070
【０１８７】
［化学式２６７］
2020503664.tif 000071
【０１８８】
［化学式２６８］
2020503664.tif 000072
【０１８９】
［化学式２６９］
2020503664.tif 000073
【０１９０】
本発明は、前記化学式２６１〜化学式２６９に例示された化合物に限定されるものではなく、前記化合物を参考にして様々な変形が可能である。
【０１９１】
一方、前記第２無機酸と反応して前記化学式２００で表されるシロキサン無機酸塩を調製することができる前記シロキサン化合物は、上記化学式２０で表される化合物であり得る。前記化学式２０で表される化合物については、前記の通りである。
【０１９２】
前記第２無機酸と前記シロキサン化合物とを反応させて前記シロキサン無機酸塩を調製する方法は、前記第２無機酸と前記シラン化合物とを反応させて前記シラン無機酸塩を調製する方法において、前記シラン化合物の代わりに前記シロキサン化合物を使用することを除いては同一である。
【０１９３】
また、前記第２添加剤は、下記化学式３００で表されるアルコキシシラン化合物を含むことができる。
【０１９４】
［化学式３００］
2020503664.tif 000074
【０１９５】
前記化学式３００において、前記Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜１０のアミノアルキル基、炭素数１〜１０のアミノアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも一つは、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜１０のアミノアルキル基または炭素数１〜１０のアミノアルコキシ基である。
【０１９６】
具体的に、前記化学式３００で表されるアルコキシシラン化合物は、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、テトラプロポキシシラン、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルトリエトキシシラン（ＭＴＥＯＳ）、メチルトリプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン（ＰｒＴＭＯＳ）、プロピルトリエトキシシラン（ＰｒＴＥＯＳ）、プロピルトリプロポキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジプロポキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリエチルプロポキシシラン、トリプロピルメトキシシラン、トリプロピルエトキシシラン、トリプロピルプロポキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、［３−（２−アミノエチル）アミノプロピル］トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、およびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つであり得、また、前記化学式３００で表されるアルコキシシラン化合物は、ブチル（メトキシ）ジメチルシラン、３−シアノプロピルジメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ヘキシルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、４−アミノブチルジメチルメトキシシラン、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリエトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、トリメチルペンチルシラン、３−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、トリス（ジメチルアミノ）シランおよびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つであることもあり得る。
【０１９７】
また、前記第２添加剤は、下記化学式３５０で表されるシロキサン化合物を含むことができる。
【０１９８】
［化学式３５０］
2020503664.tif 000075
【０１９９】
前記化学式３５０において、前記Ｒ２〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜１０のアミノアルキル基、炭素数１〜１０のアミノアルコキシ基および炭素数６〜３０のアリール基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記Ｒ２〜Ｒ５のうちの少なくとも一つは、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜１０のアミノアルキル基、または炭素数１〜１０のアミノアルコキシ基であり、前記ｎは１〜４の整数である。
【０２００】
具体的には前記化学式３５０で表されるシロキサン化合物は、トリス（トリメチルシロキシ）シラン（ｔｒｉｓ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘｙ）ｓｉｌａｎｅ）、テトラキス（トリメチルシロキシ）シラン（ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘｙ）ｓｉｌａｎｅ）、（アミノプロピル）トリス（トリメチルシロキシ）シラン（（ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌ）ｔｒｉｓ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘｙ）ｓｉｌａｎｅ）、（アミノプロピル）トリス（ジエチルアミノシロキシ）シラン（（ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌ）ｔｒｉｓ（ｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｉｌｏｘｙ）ｓｉｌａｎｅ）、（アミノプロピル）トリス（メチルエチルアミノシロキシ）シラン（（ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌ）ｔｒｉｓ（ｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｉｌｏｘｙ）ｓｉｌａｎｅ）、トリス（トリメチルシロキシ）メチルシラン（ｔｒｉｓ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘｙ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、トリス（ジエチルアミノシロキシ）メチルシラン（ｔｒｉｓ（ｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｉｌｏｘｙ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、トリス（メチルエチルアミノシロキシ）メチルシラン（ｔｒｉｓ（ｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｉｌｏｘｙ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、およびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。
【０２０１】
前記化学式３００で表されるアルコキシシラン化合物、または前記化学式３５０で表されるシロキサン化合物において、シリコン原子と酸素原子の結合は不安定なのでその結合が切れやすい。しかし、前記化学式３００で表されるアルコキシシラン化合物、または前記化学式３５０で表されるシロキサン化合物がアミノ基を含む場合、前記アミノ基を含む原子団はシリコン原子と酸素原子との結合を安定化させることができる。つまり、不安定なシリコン原子と酸素原子との結合が切れることにより発生し得る、反応副産物の生成を最小限に抑えることができる。したがって、エッチング工程の間に生成されるパーティクルを最小化することができ、パーティクルによって後続工程において発生し得る不具合を最小化することができる。
【０２０２】
また、前記化学式３００で表されるアルコキシシラン化合物、または前記化学式３５０で表されるシロキサン化合物に含まれている酸素は、酸化膜の表面に結合して酸化膜を保護することができる。一例として、前記化学式３００で表されるアルコキシシラン化合物、または前記化学式３５０で表されるシロキサン化合物に含まれている酸素は、酸化膜の表面にて水素結合され、窒化物がエッチングされる間に酸化膜がエッチングされることを最小化することができる。したがって、酸化膜に対する窒化物のエッチング選択性を増加させることができる。
【０２０３】
また、前記第２添加剤は、下記化学式４００で表されるオキシム化合物を含むことができる。前記エッチング用組成物が、前記化学式４００で表されるオキシムシラン化合物を含む場合、シリコン酸化膜のエッチングレートを最小化し、満足すべき、シリコン窒化膜のエッチングレートおよびエッチング速度を確保することができる。つまり、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜層が混在する場合、前記シリコン酸化膜に対してエッチングの影響をほとんど及ばさずに、前記シリコン窒化膜のみをエッチングする効果を得ることができる。また、前記化学式４００で表されるオキシム化合物を、前記化学式３００で表されるアルコキシシラン化合物または前記化学式３５０で表されるシロキサン化合物と一緒に使用する場合は、それらの溶解度を増加させ得る。
【０２０４】
［化学式４００］
2020503664.tif 000076
【０２０５】
前記化学式４００において、前記Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアミノアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のアルキルカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、および炭素数１〜１０のシアノアルキル基からなる群より選択されるいずれか一つである。
【０２０６】
具体的に、前記のオキシム化合物は、アセトンオキシム、メチルエチルケトンオキシム、アセトアルデヒドオキシム、シクロヘキサノンオキシム、アセトフェノンオキシム、シクロデカノンオキシム、およびこれらの混合物からなる群より選択されるいずれか一つであり得る。
【０２０７】
また、前記第２添加剤は、下記化学式５００で表されるオキシムシラン化合物を含むことができる。前記エッチング用組成物が前記化学式５００で表されるオキシムシラン化合物を含む場合、シリコン酸化膜のエッチングレートを最小化し、満足すべき、シリコン窒化膜のエッチングレートおよびエッチング速度を確保することができる。つまり、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜層が混在する場合、前記シリコン酸化膜に対してエッチングの影響をほとんど及ばさずに、前記シリコン窒化膜のみをエッチングする効果を得ることができる。また、通常のエッチング用組成物に比べて高いエチングレートと選択比を得ることができ、長時間使用してもシリコン窒化膜のエッチングレートが低下する問題が発生しないので、シリコン窒化膜の選択的エッチングを必要とする半導体素子の製造の際、効果的に適用され得る。
【０２０８】
［化学式５００］
2020503664.tif 000077
【０２０９】
前記化学式５００において、前記Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアリールアルキル基および炭素数１〜２０のアルキルカルボニル基からなる群より選択されるいずれか一つである。
【０２１０】
より具体的には、前記Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ビニル基、アセチル基、ベンジル基、またはフェニル基であり得る。
【０２１１】
前記化学式５００において、前記Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアリールアルキル基および炭素数１〜２０のアルキルカルボニル基からなる群より選択されるいずれか一つであるか、または前記Ｒ４およびＲ５は炭素数３〜１２のアルキル基として互いに結合して脂環族環を形成することができる。
【０２１２】
より具体的には、前記Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ベンジル基、フェニル基であるか、または、前記Ｒ４とＲ５とが互いに融合されてシクロヘキシル基を形成することもできる。
【０２１３】
前記化学式５００において、前記ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ独立して０〜３の整数であり、ｘ＋ｙ＋ｚは０〜３の整数である。
【０２１４】
具体的に、前記オキシムシラン化合物は、ジ（エチルケトキシム）シラン、モノ（エチルケトキシム）シラン、トリス（エチルケトキシム）シラン、テトラ（エチルケトキシム）シラン、メチルトリス（メチルエチルケトキシム）シラン、メチルトリス（アセトキシム）シラン、メチルトリス（メチルイソブチルケトキシム）シラン、ジメチルジ（メチルエチルケトキシム）シラン、トリメチル（メチルエチルケトキシム）シラン、テトラ（メチルエチルケトキシムシルラン）、テトラ（メチルイソブチルケトキシム）シラン、ビニルトリス（メチルエチルケトキシム）シラン、メチルビニルジ（メチルエチルケトキシム）シラン、ビニルトリス（メチルイソブチルケトキシム）シランおよびフェニルトリス（メチルエチルケトキシム）シランからなる群より選択されるいずれか一つであり得る。
【０２１５】
一方、前記第１無機酸は、窒化膜をエッチングするエッチング剤として添加されるものであり、前記窒化膜をエッチングできるものであればいずれも使用可能である。例えば硫酸、硝酸、リン酸、ケイ酸、フッ酸、ホウ酸、塩酸、過塩素酸、および混合物からなる群より選択されるいずれか一つを使用することができる。前記第１無機酸は、前記溶媒と予め混合した水溶液の状態で、前記第１添加剤と混合することができる。
【０２１６】
好ましくは、前記酸化膜に対する前記窒化膜のエッチング選択比を得るために、前記第１無機酸にはリン酸を使用することができる。前記リン酸は、前記エッチング用組成物内に水素イオンを提供して、エッチングを促進させる役割を果たせる。前記第１無機酸として前記リン酸を使用する場合、前記エッチング用組成物は、硫酸を添加物としてさらに含むことができる。前記硫酸は、前記リン酸を第１無機酸として含むエッチング用組成物の沸点を上昇させて窒化膜のエッチングに助けとなり得る。
【０２１７】
前記第１無機酸の含有量は、前記エッチング用組成物の総重量に対して７０〜９９重量％、好ましくは７０〜９０重量％、より好ましくは７５〜８５重量％であり得る。前記第１無機酸が７０重量％未満で含まれる場合、窒化膜が容易に除去されないのであり得、パーティクルが発生するおそれがあり、９９重量％を超えて含まれる場合、窒化膜に対する高い選択比を得ることができない。
【０２１８】
前記エッチング用組成物は、前述の成分を除いた含有量で溶媒を含むことができる。前記溶媒は、具体的に、水または脱イオン水などであり得る。
【０２１９】
前記エッチング用組成物は、前記エッチング用組成物の全体に対して、アンモニウム系化合物を０．０１〜２０重量％でさらに含むことができる。前記エッチング用組成物が、前記アンモニウム系化合物をさらに含む場合、前記エッチング用組成物を長期間使用しても、エッチングレートの低下や選択比の変化が発生せず、エッチングレートを一定に維持する効果がある。
【０２２０】
前記アンモニウム系化合物が０．０１重量％未満で添加される場合、長期間使用時に選択度を維持する効果が減少し、２０重量％を超えて添加される場合、窒化膜とシリコン酸化膜のエッチングレートが変化するようになり、選択度が変化し得る。
【０２２１】
前記アンモニウム系化合物は、アンモニア水、塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、フッ化アンモニウムから選択されるいずれかまたは二つ以上の混合物を利用することができる。また、前記アンモニウム系化合物は、前記化合物に限定されるものではなく、アンモニウムイオン有するすべての化合物を含む。例えば、前記アンモニウム系化合物は、ＮＨ４とＨＣｌとを一緒に使用することもできる。
【０２２２】
前記エッチング用組成物は、前記エッチング用組成物全体に対して、フッ素系化合物を０．０１〜１重量％でさらに含むことができる。前記フッ素系化合物が０．０１重量％未満で添加される場合、窒化膜のエッチングレートが小さくなり窒化膜の除去が容易でないことがあり、１重量％を超える場合、窒化膜のエッチングレートは大幅に向上するが、酸化膜もエッチングされてしまうという欠点がある。
【０２２３】
前記フッ素系化合物は、フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウムから選択されるいずれかまたは二つ以上の混合物を利用することができる。より好ましくは、フッ化水素アンモニウムを使用することが、長期使用時に選択比を維持できるため好ましい。
【０２２４】
一方、前記エッチング用組成物は、エッチング性能を向上させるために、当業界で通常使用される任意の添加剤をさらに含むことができる。添加剤としては、界面活性剤、金属イオン封鎖剤、防腐剤などを使用することができる。
【０２２５】
前記エッチング用組成物は、前記シラン無機酸塩を含むことにより、著しく高い、酸化膜に対する窒化膜のエッチング選択比を示すので、窒化膜のエッチング工程に使用することができる。
【０２２６】
したがって、エッチング工程において、酸化膜のエッチングを最小化してＥＦＨを容易に調節することができる。また、エッチングによる窒化膜の選択的除去の際に酸化膜の膜質損傷や酸化膜のエッチングによる電気的特性の低下を防止し、パーティクル発生が防止され、素子特性を向上させることができる。
【０２２７】
本発明の他の一実施例に係る半導体素子の製造方法は、前記エッチング用組成物を用いて行われるエッチング工程を含む。
【０２２８】
一実施例において、このようなエッチング工程は窒化膜をエッチングすることを特徴とし、特に酸化膜に対して窒化膜を選択的にエッチングすることを特徴とする。
【０２２９】
前記窒化膜は、シリコン窒化膜、例えばＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜などを含むことができる。
【０２３０】
また、前記酸化膜は、シリコン酸化膜、例えば、ＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）膜、ＨＤＰ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ）膜、熱酸化膜（ｔｈｅｒｍａｌｏｘｉｄｅ）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈａｔｅ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＢＳＧ（Ｂｏｒｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＰＳＺ（Ｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ）膜、ＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＬＰ−ＴＥＯＳ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜、ＰＥＴＥＯＳ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜、ＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＭＴＯ（Ｍｅｄｉｕｍ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＵＳＧ（Ｕｎｄｏｐｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＡＰＬ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）膜、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜、ＰＥ−酸化膜（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｏｘｉｄｅ）、Ｏ３−ＴＥＯＳ（Ｏ３−Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜、およびその組み合わせからなる群より選択される少なくとも一つ以上の膜であり得る。
【０２３１】
前記エッチング用組成物を利用するエッチング工程は、当業界に周知のウェットエッチング法、例えば、浸漬法、噴射法などにより行うことができる。
【０２３２】
前記エッチング工程の際、工程温度は、５０〜３００℃、好ましくは１００〜２００℃の範囲であり得、適正温度は他の工程とその他の要因を考慮して、必要に応じて変更され得る。
【０２３３】
このように、前記エッチング用組成物を用いて行われるエッチング工程を含む半導体素子の製造方法によると、窒化膜と酸化膜とが交互に積層されるか混在している場合、窒化膜に対する選択的エッチングが可能である。また、従来のエッチング工程における問題であったパーティクルの発生を防止して、工程の安定性および信頼性を確保することができる。
【０２３４】
したがって、このような方法は、半導体素子の製造工程において、酸化膜に対して窒化膜の選択的エッチングを必要とする様々な過程に効率よく適用することができる。
【０２３５】
図３〜５は、本発明の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子の素子分離工程を説明するための工程断面図である。
【０２３６】
図３を参照すると、基板２０上にトンネル酸化膜２１、ポリシリコン膜２２、バッファ酸化膜２３、およびパッド窒化膜２４を順に形成する。
【０２３７】
次いで、フォトおよびエッチングの工程により、パッド窒化膜２４、バッファ酸化膜２３、ポリシリコン膜２２、およびトンネル酸化膜２１を選択的にエッチングして、基板２０の素子分離領域を露出させる。
【０２３８】
続いて、パッド窒化膜２４をマスクとして利用して、露出された基板２０を選択的にエッチングして表面から所定の深さを有するトレンチ２５を形成する。
【０２３９】
図４を参照すると、トレンチ２５をギャップフィルするまで、基板２０の全面に化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）などを用いて酸化膜２６を形成する。
【０２４０】
引き続き、パッド窒化膜２４を研磨停止膜として、酸化膜２６に化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ）工程を行う。
【０２４１】
続いて、ドライエッチングにより洗浄工程を行う。
【０２４２】
図５を参照すると、本発明に係るエッチング用組成物を利用するウェットエッチング工程によりパッド窒化膜２４を選択的に除去した後、洗浄工程によりバッファ酸化膜２３を除去する。これにより、フィールド領域に素子分離膜２６Ａが形成される。
【０２４３】
図５に示すように、本発明においては、酸化膜に対する窒化膜のエッチング選択比の高い、高選択比のエッチング用組成物を利用することにより、ＳＴＩパターンにギャップフィルされた酸化膜についてのエッチングは最小化しつつ、十分な時間の間に、窒化膜を完全に選択的に除去することができる。これにより、有効酸化膜高さ（ＥＦＨ）を容易に制御することができ、酸化膜の損傷やエッチングによる電気的特性の低下やパーティクルの発生を防止して、素子特性を向上させることができる。
【０２４４】
前記実施例は、フラッシュメモリ素子について説明したが、本発明による高選択比のエッチング用組成物は、ＤＲＡＭ素子の素子分離工程にも無論適用可能である。
【０２４５】
図６〜１１は、本発明の他の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のチャネル形成工程を説明するための工程断面図である。
【０２４６】
図６を参照すると、基板３０上にパイプチャネルを形成するための窒化膜３２が埋め込まれたパイプゲート電極膜３１を形成する。パイプゲート電極膜３１をなす第１および第２導電膜３１Ａおよび３１Ｂは、例えば、不純物がドープされたポリシリコンを含むことができる。
【０２４７】
より具体的には、基板３０上に第１導電膜３１Ａを形成し、第１導電膜３１Ａ上に窒化膜を蒸着し、該窒化膜をパターニングして、パイプチャネルを形成するための窒化膜３２を形成した後、窒化膜３２によって露出される第１導電膜３１Ａ上に第２導電膜３１Ｂを形成する。該第１および第２導電膜３１Ａおよび３１Ｂが、パイプゲート電極膜３１を形成する。
【０２４８】
次いで、前記工程の結果物の上に、垂直方向に積層される複数のメモリセルを形成するために、第１層間絶縁膜３３および第１ゲート電極膜３４を交互に積層する。以下、説明の便宜のために、第１層間絶縁膜３３および第１ゲート電極膜３４が交互に積層された構造物を、セルゲート構造物ＣＧＳということとする。
【０２４９】
ここで、第１層間絶縁膜３３は、複数層のメモリセル間の分離のためのもので、例えば、酸化膜を含むことができるのであり、第１ゲート電極膜３４は、例えば、不純物がドープされたポリシリコンを含むことができる。本実施例では、６層の第１ゲート電極膜３４が示されているが、これに限定されるものではない。
【０２５０】
続いて、セルゲート構造物（ＣＧＳ）を選択的にエッチングして窒化膜３２を露出させる一対の第１および第２ホールＨ１、Ｈ２を形成する。第１および第２ホールＨ１、Ｈ２は、メモリセルのチャネル形成のための空間である。
【０２５１】
図７を参照すると、第１および第２ホールＨ１、Ｈ２内に埋め込まれる窒化膜３５を形成する。この窒化膜３５は、後述するトレンチ形成工程（図３ｃを参照）にて、第１および第２ホールＨ１、Ｈ２によって第１ゲート電極膜３４が露出されている場合に発生し得る損傷を防止するためのものである。
【０２５２】
図８を参照すると、複数層の第１ゲート電極膜３４が、第１および第２ホールＨ１、Ｈ２のそれぞれごとに分離されるように、一対の第１および第２ホールＨ１、Ｈ２の間のセルゲート構造物（ＣＧＳ）を、選択的にエッチングして、トレンチＳを形成する。
【０２５３】
図９を参照すると、トレンチＳ内に埋め込まれる犠牲膜３６を形成する。
【０２５４】
図１０を参照すると、前記工程の結果物上に、選択トランジスタの形成のために第２層間絶縁膜３７、第２ゲート電極膜３８および第２層間絶縁膜３７を順次形成する。以下、説明の便宜のために、第２層間絶縁膜３７、第２ゲート電極膜３８および第２層間絶縁膜３７の積層構造物を、選択ゲート構造物ＳＧＳということとする。
【０２５５】
第２層間絶縁膜３７は、例えば、酸化膜を含むことができるのであり、第２ゲート電極膜３８は、例えば、不純物がドープされたポリシリコンを含むことができる。
【０２５６】
続いて、選択ゲート構造物ＳＧＳを選択的にエッチングして、一対の第１および第２ホールＨ１、Ｈ２に埋め込まれた窒化膜３５を露出させる、第３および第４ホールＨ３、Ｈ４を形成する。第３および第４ホールＨ３、Ｈ４は、選択トランジスタのチャネルが形成される領域である。
【０２５７】
図１１を参照すると、第３および第４ホールＨ３、Ｈ４によって露出される窒化膜３５およびその下部の窒化膜３２を、本発明に係るエッチング用組成物を利用するウェットエッチング工程によって選択的に除去する。
【０２５８】
本工程の結果、メモリセルのチャネル膜が形成される一対のセルチャネルホールＨ５、Ｈ６と、セルチャネルホールＨ５、Ｈ６下部に配置されこれらを相互接続させるパイプチャネルホールＨ７が形成される。ここで、本発明に係る高選択比のエッチング用組成物を利用することにより、酸化膜の損失もなく、十分な時間の間に窒化膜を完全に選択的に除去して、プロファイルの損失もなく、パイプチャネルを正確に形成することができる。また、従来に問題とされたパーティクルの発生を防止することができ、工程の安定性および信頼性を確保することができる。
【０２５９】
以後、後続の工程、例えば、フローティングゲートの形成工程およびコントロールゲートの形成工程などを行い、フラッシュメモリ素子を形成する。
【０２６０】
図１２および１３は、本発明の他の一実施例に係るエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含む相変化メモリ素子におけるダイオードの形成工程を説明するための工程断面図である。
【０２６１】
図１２を参照すると、基板４０上に、導電領域４１を露出する開口部を有する絶縁構造物が提供される。導電領域４１は例えば、ｎ＋不純物の領域であり得る。
【０２６２】
次いで、開口部を一部埋めるようにポリシリコン膜４２を形成した後、不純物をイオン注入してダイオードを形成する。
【０２６３】
続いて、ポリシリコン膜４２の上にチタンシリサイド膜４３を形成する。チタンシリサイド膜４３は、チタン膜を形成した後、ポリシリコン膜４２と反応するように熱処理することによって形成することができる。
【０２６４】
続いて、チタンシリサイド膜４３の上にチタン窒化膜４４および窒化膜４５を順に形成する。
【０２６５】
続いて、ハードマスクを用いたドライエッチング工程を行い、形成されているダイオード同士の間の孤立された空間に酸化膜４６を形成した後、ＣＭＰ工程を行って、それぞれ分離された下部電極の１次構造を形成する。
【０２６６】
図１３を参照すると、前記工程の結果物に、本発明に係るエッチング用組成物を利用するウェットエッチング工程を実施し、上部の窒化膜４５を選択的に除去する。このように、窒化膜除去の際、本発明に係る高選択比のエッチング用組成物を利用することにより、酸化膜を損失することなく、十分な時間の間に、窒化膜を完全に選択的除去することができる。また、酸化膜の膜質損傷や、酸化膜のエッチングに起因する電気的特性の低下、およびパーティクル発生を防止して、素子特性を向上させることができる。
【０２６７】
続いて、窒化膜４５が除去された空間にチタンを蒸着して下部電極を形成する。
【０２６８】
前述した工程の外にも、本発明のエッチング用組成物を用いて行われるエッチング工程を含む半導体素子の製造方法は、特に、窒化膜の選択的除去が要求される工程に、例えば、窒化膜と酸化膜とが交互に積層されるか混在されている場合で、窒化膜に対する選択的エッチングが要求される工程に、効率的に適用可能である。
【０２６９】
（実施形態）
以下、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるよう、本発明の実施例について詳細に説明する。しかし、本発明は、様々な異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
【０２７０】
［調製例：エッチング用組成物の調製］
＜実施例１＞
第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）を９９重量％、第１添加剤としてジメチルジメトキシシラン１重量％を混合して、エッチング用組成物を調製した。
【０２７１】
＜実施例２＞
第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）を９８重量％、第１添加剤としてジエチルジエトキシシラン２重量％を混合して、エッチング用組成物を調製した。
【０２７２】
＜実施例３＞
第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）を９９．５重量％、第１添加剤としてヘキサメチルジシロキサン０．５重量％を混合して、エッチング用組成物を調製した。
【０２７３】
＜実施例４＞
第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）を９９重量％、第１添加剤としてヘキサメチルジシラザン１重量％を混合して、エッチング用組成物を調製した。
【０２７４】
＜実施例５＞
第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）を９８．５重量％、第１添加剤としてジエチルジエトキシシランを１重量％、第２添加剤として、前記化学式５３においてＲ１−１がメチル基である下記化学式５３−１で表される添加剤０．５重量％を混合して、エッチング用組成物を調製した。
【０２７５】
［化学式５３−１］
2020503664.tif 000078
【０２７６】
＜実施例６＞
第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）を９８．８重量％、第１添加剤としてジメチルジメトキシシランを１重量％、第２添加剤として、前記化学式５３−１で表される添加剤０．２重量％を混合して、エッチング用組成物を調製した。
【０２７７】
＜実施例７＞
第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）を９９重量％、第１添加剤としてヘキサメチルジシロキサンを０．５重量％、第２添加剤として、前記化学式５３−１で表される添加剤０．５重量％を混合して、エッチング用組成物を調製した。
【０２７８】
＜実施例８＞
第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）を９８．８重量％、第１添加剤としてヘキサメチルジシラザンを１質量％、第２添加剤として、前記化学式５３−１で表される添加剤０．２重量％を混合して、エッチング用組成物を調製した。
【０２７９】
＜比較例１＞
第１添加剤および第２添加剤を含まず、第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）１００重量％を用いて、エッチング用組成物を調製した。
【０２８０】
＜比較例２＞
第１添加剤を含まず、第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）９９．５重量％、第２添加剤として前記化学式５３−１で表される添加剤０．５重量％を用いてエッチング用組成物を調製した。
【０２８１】
＜比較例３＞
第１添加剤を含まず、第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）９９．８重量％、第２添加剤として前記化学式５３−１で表される添加剤０．２重量％を用いてエッチング用組成物を調製した。
【０２８２】
【表１】
2020503664.tif 000079
【０２８３】
［実験例１：調製されたエッチング用組成物の選択比の測定］
前記実施例および比較例において調製されたエッチング用組成物を用いて、１５７℃の工程温度で窒化膜および酸化膜に対するエッチングを実施し、薄膜の厚さ測定装置であるエリプソメトリー（ＮＡＮＯ  ＶＩＥＷ、ＳＥＭＧ−１０００）を用いて、窒化膜および酸化膜のエッチングレートおよび選択比を測定し、表２に示した。エッチングレートは、各膜を３００秒間エッチングした後、各膜のエッチング処理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチング時間（分）で割って算出した値であり、選択比は、酸化膜のエッチング速度に対する窒化膜のエッチング速度の比を示す。
【０２８４】
また、実際の高温リン酸工程を模写するために、前記調製されたエッチング用組成物に窒化シリコン膜を任意で溶かし、溶液内のシリコン濃度を高める前処理を行った。前記工程を行うと、窒化シリコン膜がエッチングされる際、溶液内のシリコン濃度が高くなり、これによってシリコン酸化膜のエッチングレートがさらに低下する。前記溶液内のシリコン濃度がそれぞれ５０ｐｐｍ、１００ｐｐｍ、１５０ｐｐｍ、および２００ｐｐｍになるまで、前記の前作業を行ってから、前記エッチングを実施しており、その結果を下記表２および表３に示した。
【０２８５】
【表２】
2020503664.tif 000080
【０２８６】
【表３】
2020503664.tif 000081
【０２８７】
前記表２および３に示すように、第１添加剤を含む実施例１〜８と、第１添加剤を含まない比較例１〜３の酸化膜に対する窒化膜のエッチング選択比を比較してみると、実施例１〜８の選択比が、より高いものとして示されていることが確認できた。特に第２添加剤をさらに含む実施例５〜８の選択比は、２２３〜６５１２と、著しく高い値を示すことが確認できた。
【０２８８】
前記本発明は、前述の実施例および添付の図面によって限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で様々な置換、変形および変更が可能であることは、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとり明らかである。
【符号の説明】
【０２８９】
２０、３０、４０：基板
２１：トンネル酸化膜
２２：ポリシリコン膜
２３：バッファ酸化膜
２４：パッド窒化膜
２５：トレンチ
２６：酸化膜
２６Ａ：素子分離膜
３１：パイプゲート電極膜
３２、３５：窒化膜
３３：第１層間絶縁膜
３４：第１ゲート電極膜
３６：犠牲膜
３７：第２層間絶縁膜
３８：第２ゲート電極膜
４１：導電領域
４２：ポリシリコン膜
４３：チタンシリサイド膜
４４：チタン窒化膜
４５：窒化膜
４６：酸化膜
【産業上の利用可能性】
【０２９０】
本発明は、エッチング用組成物、特に酸化膜のエッチングレートを最小限に抑えながら窒化膜を選択的に除去することができる高選択比のエッチング用組成物およびこのエッチング用組成物を用いたエッチング工程を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【図１】
2020503664.tif 000083
【図２】
2020503664.tif 000084
【図３】
2020503664.tif 000085
【図４】
2020503664.tif 000086
【図５】
2020503664.tif 000087
【図６】
2020503664.tif 000088
【図７】
2020503664.tif 000089
【図８】
2020503664.tif 000090
【図９】
2020503664.tif 000091
【図１０】
2020503664.tif 000092
【図１１】
2020503664.tif 000093
【図１２】
2020503664.tif 000094
【図１３】
2020503664.tif 000095
【国際調査報告】
2020503664.tif 000096
2020503664.tif 000097
2020503664.tif 000098
2020503664.tif 000099