(57)【要約】  本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板、表示装置およびその黒点欠陥修復方法を提供する。該ＯＬＥＤアレイ基板は、電源線（２０２）および接続部材と、画素領域内に設けられた画素構造（２０５）と、を含み、該画素構造（２０５）は、駆動トランジスタ（２０７）とＯＬＥＤ素子（２０８）とを含み、ＯＬＥＤ素子は、第１電極（２１１）と第２電極（２１２）とを含み、第１電極（２１１）は、駆動トランジスタ（２０７）の第１ソース・ドレイン電極（２０９）に電気的に接続され、接続部材（２１３）は、ＯＬＥＤアレイ基板を修復する前に第１電極（２１１）と電源線（２０２）とを電気的に絶縁させるように配置され、接続部材（２１３）は、さらにＯＬＥＤアレイ基板を修復する時に第１電極（２１１）と電源線（２０２）とを電気的に接続させるように配置される。本発明によれば、接続部材によってＯＬＥＤ素子の第１電極（２１１）（アノードまたはカソード）と電源線（２０２）とを電気的に接続してから、ＯＬＥＤ素子（２０８）のアノードとカソードとの間の導電性異物を溶融させることで、表示装置に対して簡単な操作で、周辺回路へ悪影響を及ぼすことなく黒点欠陥修復を行う。
2020503636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられた電源線および接続部材と、
駆動トランジスタとＯＬＥＤ素子とが含まれ、画素領域内に設けられた画素構造と、を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板であって、
前記駆動トランジスタは、ゲート電極と、前記ＯＬＥＤ素子に接続された第１ソース・ドレイン電極と、前記電源線に接続された第２ソース・ドレイン電極と、を含み、
前記ＯＬＥＤ素子は、前記駆動トランジスタの第１ソース・ドレイン電極に電気的に接続される第１電極と、第２電極とを含み、
前記接続部材は、前記ＯＬＥＤアレイ基板を修復する前に、前記第１電極と前記電源線とを電気的に絶縁させるように配置され、
前記接続部材は、さらに前記ＯＬＥＤアレイ基板を修復する時に、前記第１電極と前記電源線とを電気的に接続させるように配置される、ＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項２】
前記接続部材は、前記第１電極に電気的に接続され、あるいは前記第１電極に溶接可能に設置される第１端と、前記第２ソース・ドレイン電極または前記電源線に電気的に接続され、あるいは前記第２ソース・ドレイン電極または前記電源線に溶接可能に設置される第２端と、を有するとともに、前記溶接の前に前記第１電極を前記電源線に電気的に接続しない、請求項１に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項３】
前記接続部材は、スイッチング素子を含み、前記スイッチング素子は、第１端が前記第１電極に電気的に接続され、前記第２端が前記電源線に電気的に接続される、請求項１に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項４】
前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタである、請求項３に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項５】
前記接続部材は前記電源線と同層であり、前記第１端は前記第１電極に溶接可能に設置され、前記第２端は前記電源線に電気的に接続される、請求項２に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項６】
前記接続部材は前記第１電極と同層であり、前記第１端は前記第１電極に電気的に接続されるように設置され、前記第２端は前記電源線に溶接可能である、請求項２に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項７】
前記接続部材は前記第２ソース・ドレイン電極と同層であり、前記第１端は前記第１電極に溶接可能に設置され、前記第２端は前記第２ソース・ドレイン電極に電気的に接続される、請求項２に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項８】
前記接続部材は、線状構造であり、前記ベース基板に平行な方向において、前記電源線、前記第１電極または前記第２ソース・ドレイン電極の少なくとも１つの外部に延在し、
前記接続部材は、前記ベース基板に垂直な方向において、前記第１電極と重なるとともに、前記電源線または前記第２ソース・ドレイン電極の少なくとも１つと重なる、請求項１〜２および５〜７のいずれか一項に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項９】
ゲート線とデータ線とをさらに含み、前記画素構造は、前記ゲート線および前記データ線に接続されたスイッチングトランジスタをさらに含み、前記駆動トランジスタのゲート電極は前記スイッチングトランジスタに接続され、前記電源線は前記ゲート線と同層であり、前記電源線と前記ゲート線とは接続されていない、請求項８に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項１０】
ゲート線とデータ線とをさらに含み、前記画素構造は、前記ゲート線および前記データ線に接続されたスイッチングトランジスタをさらに含み、前記駆動トランジスタのゲート電極は前記スイッチングトランジスタに接続され、前記電源線は前記ゲート線と別層であり、前記電源線は面状の電源線となる、請求項８に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項１１】
前記第１電極はアノードであり、前記第２電極はカソードであり、あるいは、前記第１電極はカソードであり、前記第２電極はアノードである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項１２】
前記アノードの材料には透明導電材料が含まれ、前記カソードの材料には導電性金属材料が含まれ、前記電源線の材料には導電性金属材料が含まれ、前記接続部材の材料には透明導電材料または導電性金属材料が含まれている、請求項１１に記載のＯＬＥＤアレイ基板。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のＯＬＥＤアレイ基板を含む表示装置。
【請求項１４】
請求項１〜２および５〜１２のいずれか一項に記載のＯＬＥＤアレイ基板、または請求項１３に記載の表示装置の黒点欠陥修復方法であって、
前記電源線と前記第１電極とを電気的に接続するステップと、
前記第１電極と前記第２電極を短絡しないように、前記電源線によって前記第１電極に電圧を印加するステップと、
前記電源線と前記第１電極とを前記接続部材によって電気的に接続しないようにするステップと、を含む、黒点欠陥修復方法。
【請求項１５】
前記電源線と前記第１電極とを電気的に接続するように、修復すべき前記画素構造に対応する前記接続部材に対して、一回目のレーザ照射を行って溶接する、請求項１４に記載の黒点欠陥修復方法。
【請求項１６】
前記接続部材が前記電源線と同層であり、前記第１端が前記第１電極に溶接可能であり、前記第２端が前記電源線に電気的に接続されると、前記一回目のレーザ照射によって前記第１端と前記第１電極を溶接する、請求項１５に記載の黒点欠陥修復方法。
【請求項１７】
前記接続部材が前記第１電極と同層であり、前記第１端が前記第１電極に電気的に接続され、前記第２端が前記電源線に溶接可能であると、前記一回目のレーザ照射によって前記第２端と前記電源線を溶接する、請求項１５に記載の黒点欠陥修復方法。
【請求項１８】
前記接続部材が前記第２ソース・ドレイン電極と同層であり、前記第１端が前記第１電極に溶接可能であり、前記第２端が前記第２ソース・ドレイン電極に電気的に接続されると、前記一回目のレーザ照射によって前記第１端と前記第１電極を溶接する、請求項１５に記載の黒点欠陥修復方法。
【請求項１９】
前記電源線を前記第１電極から電気的に遮断するように、修復すべき前記画素構造に対応する前記接続部材に対して二回目のレーザ照射を行う、請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の黒点欠陥修復方法。
【請求項２０】
請求項４に記載のＯＬＥＤアレイ基板の黒点欠陥修復方法であって、
前記電源線と前記第１電極とを電気的に接続するように、薄膜トランジスタに導通信号を供給するステップと、
前記第１電極と前記第２電極を短絡しないように、前記電源線によって前記第１電極に電圧を印加するステップと、
前記電源線と前記第１電極とを前記薄膜トランジスタによって電気的に接続しないように、薄膜トランジスタに切断信号を供給するステップと、を含む、黒点欠陥修復方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明に係る実施例は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板、表示装置およびその黒点欠陥修復方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示素子は、自己発光素子であり、主流を占める薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＴＦＴ−ＬＣＤ）に比べると、ＯＬＥＤ素子が高コントラスト、広視野角、低電力、軽量薄型などの利点を持つため、ＯＬＥＤに対する関心が高まっている。
【０００３】
ＯＬＥＤ素子は、アノードと、カソードと、アノードとカソードとの間に配設される発光層と、を含む。アノードとカソードとの間に電圧が印加されると、ホールと電子が発光層に移動して、ホールと電子との発光層での再結合により発光する。ＯＬＥＤ表示素子の製造中には、残留した不純物に起因してアノードとカソードとの間に部分短絡が発生しやすいので、黒点欠陥が発生する場合がある。ＯＬＥＤ表示素子の使用中には、画素ユニット全体が１つの点灯不可能な常時消灯の画素になるまで、黒点のサイズが徐々に大きくなるため、ＯＬＥＤ表示素子の信頼性が低下してしまう。または、画素構造におけるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの部材の欠陥（例えば、アノードと電源線との短絡）に起因してＯＬＥＤ表示素子に輝点欠陥が発生するおそれがある。
【０００４】
黒点欠陥への通常の修復方法としては、レーザによって短絡領域における不純物を除去することがあるが、周辺の表示領域を損傷してしまう。輝点欠陥への通常の修復方法としては、アレイ基板上にバックアップ回路を作り込み、またはデータ線を切断してから、ＴＦＴのＯＬＥＤ寄りの一端を固定電位に接続するように溶接することで、ＯＬＥＤのカソードとアノードを同電位に保持して、輝点欠陥を解消することがあるが、配線スペースを占め、ひいては開口率に悪影響を与えてしまう。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の少なくとも１つの実施例は、ベース基板と、前記ベース基板上に設けられた電源線および接続部材と、駆動トランジスタとＯＬＥＤ素子とが含まれ、画素領域内に設けられた画素構造と、を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板であって、前記駆動トランジスタは、ゲート電極と、前記ＯＬＥＤ素子に接続された第１ソース・ドレイン電極と、前記電源線に接続された第２ソース・ドレイン電極と、を含み、前記ＯＬＥＤ素子は、前記駆動トランジスタの第１ソース・ドレイン電極に電気的に接続される第１電極と、第２電極とを含み、前記接続部材は、前記ＯＬＥＤアレイ基板を修復する前に、前記第１電極と前記電源線とを電気的に絶縁させるように配置され、前記接続部材は、さらに前記ＯＬＥＤアレイ基板を修復する時に、前記第１電極と前記電源線とを電気的に接続させるように配置されるＯＬＥＤアレイ基板を提供する。
【０００６】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記接続部材は、前記第１電極に電気的に接続され、あるいは前記第１電極に溶接可能に設置される第１端と、前記第２ソース・ドレイン電極または前記電源線に電気的に接続され、あるいは前記第２ソース・ドレイン電極または前記電源線に溶接可能に設置される第２端と、を有するとともに、前記溶接の前に前記第１電極を前記電源線に電気的に接続しない。
【０００７】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記接続部材は、スイッチング素子を含み、前記スイッチング素子は、第１端が前記第１電極に電気的に接続され、前記第２端が前記電源線に電気的に接続される。
【０００８】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタである。
【０００９】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記接続部材は前記電源線と同層であり、前記第１端は前記第１電極に溶接可能に設置され、前記第２端は前記電源線に電気的に接続される。
【００１０】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記接続部材は前記第１電極と同層であり、前記第１端は前記第１電極に電気的に接続されるように設置され、前記第２端は前記電源線に溶接可能である。
【００１１】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記接続部材は前記第２ソース・ドレイン電極と同層であり、前記第１端は前記第１電極に溶接可能に設置され、前記第２端は前記第２ソース・ドレイン電極に電気的に接続される。
【００１２】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記接続部材は、線状構造であり、前記ベース基板に平行な方向において、前記電源線、前記第１電極または前記第２ソース・ドレイン電極の少なくとも１つの外部に延在し、前記接続部材は、前記ベース基板に垂直な方向において、前記第１電極と重なるとともに、前記電源線または前記第２ソース・ドレイン電極の少なくとも１つと重なる。
【００１３】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板は、ゲート線とデータ線とをさらに含み、前記画素構造は、前記ゲート線および前記データ線に接続されたスイッチングトランジスタをさらに含み、前記駆動トランジスタのゲート電極は前記スイッチングトランジスタに接続され、前記電源線は前記ゲート線と同層であり、前記電源線と前記ゲート線とは接続されていない。
【００１４】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板は、ゲート線とデータ線とをさらに含み、前記画素構造は、前記ゲート線および前記データ線に接続されたスイッチングトランジスタをさらに含み、前記駆動トランジスタのゲート電極は前記スイッチングトランジスタに接続され、前記電源線は前記ゲート線と別層であり、前記電源線は面状の電源線となる。
【００１５】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記第１電極はアノードであり、前記第２電極はカソードであり、あるいは、前記第１電極はカソードであり、前記第２電極はアノードである。
【００１６】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板において、前記アノードの材料には透明導電材料が含まれ、前記カソードの材料には導電性金属材料が含まれ、前記電源線の材料には導電性金属材料が含まれ、前記接続部材の材料には透明導電材料または導電性金属材料が含まれている。
【００１７】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例は、上述のいずれか１つのＯＬＥＤアレイ基板を含む表示装置をさらに提供する。
【００１８】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例は、上述のいずれか１つのＯＬＥＤアレイ基板、または上述の表示装置の黒点欠陥修復方法であって、前記電源線と前記第１電極とを電気的に接続するステップと、前記第１電極と前記第２電極を短絡しないように、前記電源線によって前記第１電極に電圧を印加するステップと、前記電源線と前記第１電極とを前記接続部材によって電気的に接続しないようにするステップと、を含む黒点欠陥修復方法をさらに提供する。
【００１９】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係る黒点欠陥修復方法において、前記電源線と前記第１電極とを電気的に接続するように、修復すべき前記画素構造に対応する前記接続部材に対して、一回目のレーザ照射を行って溶接する。
【００２０】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係る黒点欠陥修復方法において、前記接続部材が前記電源線と同層であり、前記第１端が前記第１電極に溶接可能であり、前記第２端が前記電源線に電気的に接続されると、前記一回目のレーザ照射によって前記第１端と前記第１電極を溶接する。
【００２１】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係る黒点欠陥修復方法において、前記接続部材が前記第１電極と同層であり、前記第１端が前記第１電極に電気的に接続され、前記第２端が前記電源線に溶接可能であると、前記一回目のレーザ照射によって前記第２端と前記電源線を溶接する。
【００２２】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係る黒点欠陥修復方法において、前記接続部材が前記第２ソース・ドレイン電極と同層であり、前記第１端が前記第１電極に溶接可能であり、前記第２端が前記第２ソース・ドレイン電極に電気的に接続されると、前記一回目のレーザ照射によって前記第１端と前記第１電極を溶接する。
【００２３】
例えば、本発明の少なくとも１つの実施例に係る黒点欠陥修復方法において、前記電源線を前記第１電極から電気的に遮断するように、修復すべき前記画素構造に対応する前記接続部材に対して二回目のレーザ照射を行う。
【００２４】
本発明の少なくとも１つの実施例は、上述の少なくとも１つのＯＬＥＤアレイ基板の黒点欠陥修復方法であって、前記電源線と前記第１電極とを電気的に接続するように、薄膜トランジスタに導通信号を供給するステップと、前記第１電極と前記第２電極を短絡しないように、前記電源線によって前記第１電極に電圧を印加するステップと、前記電源線と前記第１電極とを前記薄膜トランジスタによって電気的に接続しないように、薄膜トランジスタに切断信号を供給するステップと、を含む黒点欠陥修復方法をさらに提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
以下、本発明の実施例による技術手段をより明確に説明するために、実施例に対応する図面を簡単に説明するが、下で述べる図面は勿論、単なる本発明の実施例の一部に触れており、本発明はこれらに限定するものではない。
【００２６】
【図１】図１は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の成膜層の構造模式図である。
【図２】図２は導電性異物によって図１におけるＯＬＥＤ素子のアノードとカソードを導通した後の構造模式図である。
【図３】図３は本発明の一実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を模式的に示す平面図である。
【図４ａ】図４ａは本発明の一実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を模式的に示す部分断面図である。
【図４ｂ】図４ｂは本発明の一実施例に係る他の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を模式的に示す断面図である。
【図４ｃ】図４ｃは本開示の一実施例に係る別の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を模式的に示す断面図である。
【図４ｄ】図４ｄは４ｃにおける電源線および接続部材の構造を模式的に示す平面図である。
【図５】図５は本発明の一実施例に係る接続部材の構造を模式的に示す平面図である。
【図６】図６は本発明の一実施例に係る他の接続部材の構造を模式的に示す平面図である。
【図７】図７は本発明の一実施例に係る駆動トランジスタが短絡された後の回路図である。
【図８ａ】図８ａは本発明の一実施例に係る他の駆動トランジスタが短絡された後の回路図である。
【図８ｂ】図８ｂは本発明の一実施例に係る別の駆動トランジスタが短絡された後の回路図である。
【図９ａ】図９ａは本発明の一実施例に係る２Ｔ１Ｃ画素回路の模式図である。
【図９ｂ】図９ｂは本発明の一実施例に係る３Ｔ１Ｃ画素回路の模式図である。
【図１０】図１０は本発明の一実施例に係る黒点欠陥修復方法の流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施例の目的、技術手段、およびメリットをより明白にするため、本発明の実施例による技術手段について本発明の実施例の図面を参照しながら全体として明確に説明する。説明された実施例が本発明の一部の実施例のみであり、本発明の全ての実施例ではないことは明白であろう。当業者には、開示された本発明の実施例に基づき、容易に成し遂げることができた他の実施例の全ては本発明の精神から逸脱しない。
【００２８】
特に定義しない限り、本開示に使用された技術用語または科学用語は、当業者に理解される一般的な意味である。本開示に使用された「第１」、「第２」及び類似する用語は、順番、数量や重要度を表すものではなく、異なる構成要素を区別させるものに過ぎない。「備える」、「含む」および類似する用語は、挙げられた要素に加えて、他の要素が共存してもよいことを意味する。「接続」、「連結」および類似する用語は、物理的や機械的接続に限定されず、直接または間接の電気的接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」などの用語は、相対的位置関係を表すものに過ぎず、説明しようとする対象の絶対的位置が変わると、その相対的位置関係の変化の可能性もある。
【００２９】
本発明の実施例に係るＯＬＥＤアレイ基板は、通常、各パターンの寸法が実際の製品においてミクロン以下のオーダーであり、明確には、本開示の実施例の図面における各構造の寸法が拡大され、特に説明しない限り、実際の寸法や比率を意味するものではない。
【００３０】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の製造プロセス（例えば、各成膜層の堆積、フォトレジストの塗布、フォトレジストの剥離、および成膜層パターンの形成など）において、黒点現象が発生する場合があり、その理由としては、導電性異物により画素構造におけるＯＬＥＤ素子のアノードとカソードが導通されるので、ＯＬＥＤ素子両端の電圧がゼロとなり、それによってＯＬＥＤ素子における発光層が正常発光しかねてしまい、対応する画素構造に黒点現象が発生することである。
【００３１】
例えば、図１は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の成膜層の構造模式図であり、図１に示すように、該ＯＬＥＤ素子は、ベース基板１０１と、ベース基板１０１上に設けられたアノード１０２、発光層１０３およびカソード１０４とを含み、必要に応じて該ＯＬＥＤ素子はベース基板上に設けられた無機絶縁層１０５、有機絶縁層１０６またはカバープレート１０７などをさらに含んでもよい。例えば、ＯＬＥＤ素子が外力により押圧されると、該無機絶縁層および／または有機絶縁層が緩衝作用をなし、発光層１０３などが水および酸素に敏感であるので、該無機絶縁層および／または有機絶縁層が水を吸いまたは水や酸素を遮る作用をなし、該発光層１０３を保護することができる。例えば、ＯＬＥＤの発光原理は、ＯＬＥＤのアノードとカソードとの間の電圧が発光ダイオードのオン電圧よりも大きくなると、発光層が励起されて発光することである。
【００３２】
図２は導電性異物によってＯＬＥＤ素子のアノードとカソードを導通した後の構造模式図であり、図２に示すように、残留した導電性異物によってＯＬＥＤのアノードとカソードが導通されると、ＯＬＥＤのアノードとカソードとの間に電圧差がないので、有機発光層が発光できず、対応する画素構造に黒点欠陥が発生する。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の設計されたアスペクト比に制限されるため、薄膜トランジスタを流れる電流が通常、マイクロアンペアオーダーであるが、該導電性異物を溶融させるために必要な電流がミリアンペアオーダーであるので、電源線によりＴＦＴを駆動してそれに接続されたＯＬＥＤのアノードまたはカソードに電流を印加することで導電性異物を溶融させることができない。本発明は、パッシブマトリクス構造を形成することで、ＯＬＥＤのアノードまたはカソードを電源線に電気的に接続し、それによってＯＬＥＤのアノードまたはカソードに電源電圧を直接に印加するので、導電性異物を流れる大電流が形成され、それによって導電性異物の溶融が図れる。
【００３３】
黒点欠陥によるＯＬＥＤ表示素子への悪影響を避けるために、黒点欠陥を修復する必要がある。本発明の実施例は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板を提供しており、該ＯＬＥＤアレイ基板は、ベース基板と、ベース基板上に設けられた電源線および接続部材と、駆動トランジスタとＯＬＥＤ素子とが含まれ画素領域内に設けられた画素構造と、を含み、該駆動トランジスタは、ゲート電極と、ＯＬＥＤ素子に接続された第１ソース・ドレイン電極と、電源線に接続された第２ソース・ドレイン電極と、を含み、ＯＬＥＤ素子は、駆動トランジスタの第１ソース・ドレイン電極に電気的に接続される第１電極と、第２電極とを含み、接続部材は、ＯＬＥＤアレイ基板を修復する前に、第１電極と電源線とを電気的に絶縁させるように配置され、接続部材は、さらにＯＬＥＤアレイ基板を修復する時に、第１電極と電源線とを電気的に接続させるように配置される。
【００３４】
本発明の実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板は、ＯＬＥＤアレイ基板の画素構造におけるＯＬＥＤ素子の第１電極（アノードまたはカソード）を電源線に直接に接続することで、駆動トランジスタの入力端子と出力端子、すなわち駆動トランジスタのソース電極とドレイン電極、を短絡してから、電源線によってＯＬＥＤ素子の第１電極に高電圧を印加することにより、黒点欠陥が発生したＯＬＥＤ素子の第１電極と第２電極との間に瞬時の大電流を発生させており、該大電流が第１電極と第２電極との間の導電性異物を流れて導電性異物を溶融させ、それによって導電性異物により第１電極と第２電極を導通しないようにするため、黒点が輝点になり、そしてＯＬＥＤアレイ基板の第１電極を電源線から電気的に遮断することで、駆動トランジスタの入力端子と出力端子を短絡しないようにし、電源線による高電圧を第１電極に直接に印加できなくなり、それによって輝点が除去され、対応する画素が正常に復帰する。該黒点欠陥修復方法は、操作が簡単で、周辺回路へ悪影響が及ぼされない。
【００３５】
本発明の実施例は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板を提供しており、例えば、図３は本発明の実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を模式的に示す平面図であり、図４ａは本発明の実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を模式的に示す断面図であり、図４ｂは本発明の実施例に係る他の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を模式的に示す断面図である。
【００３６】
図３および図４ａ、図４ｂに示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板は、ベース基板２０１と、ベース基板２０１上に設けられた電源線２０２、接続部材（図３、図４ａおよび図４ｂのいずれにも図示せず）、ゲート線２０３およびデータ線２０４と、スイッチングトランジスタ２０６、駆動トランジスタ２０７およびＯＬＥＤ素子２０８が含まれゲート線２０３とデータ線２０４が交差して区画される領域内に設けられた画素構造２０５と、を含む。スイッチングトランジスタ２０６は、ゲート線２０３およびデータ線２０４に接続され、駆動トランジスタ２０７は、ゲート電極２２０、第１ソース・ドレイン電極２０９および第２ソース・ドレイン電極２１０を含み、ゲート電極２２０は、スイッチングトランジスタ２０６に接続され、第１ソース・ドレイン電極２０９は、ＯＬＥＤ素子２０８に接続され、第２ソース・ドレイン電極２１０は、電源線２０２に接続され、ＯＬＥＤ素子２０８は、第１電極２１１および第２電極２１２を含み、第１電極２１１は、駆動トランジスタ２０７の第１ソース・ドレイン電極２０９に電気的に接続される。
【００３７】
例えば、スイッチングトランジスタ２０６のゲート電極はゲート線２０３に接続され、スイッチングトランジスタ２０６の入力端子（例えばソース電極またはドレイン電極）はデータ線２０４に電気的に接続され、その出力端子（例えば相応的にドレイン電極またはソース電極）は駆動トランジスタ２０７のゲート電極２２０に電気的に接続される。ＯＬＥＤ素子２０８の発光層は、第１電極２１１と第２電極２１２との間に介設される。駆動トランジスタ２０７は、第１ソース・ドレイン電極２０９がソース電極またはドレイン電極であり、それに応じて第２ソース・ドレイン電極２１０がドレイン電極またはソース電極である。
【００３８】
例えば、図３では、それぞれ白色光（Ｗ）、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）および青色光（Ｂ）の発光に用いられ、互いに並列する４つの画素構造だけが示されているが、当業者には、本発明の実施例に係るアレイ基板に含まれている画素構造が図示された４つに限られず、それ以上を含んでもよく、ＯＬＥＤ素子が発光する光の具体的な色にも限られないと理解すべきである。
【００３９】
画素構造毎には、互いに対向して設置される第３電極および第４電極を有する蓄積容量がさらに含まれている。第３電極２２１および第４電極２２２は、図３に示すように、いずれもブロック状になり、それらの間に絶縁材料からなる誘電体層が設けられている。
【００４０】
例えば、該ＯＬＥＤアレイ基板は、表示領域および表示領域以外の周辺領域を含み、ただし、表示領域は、ＡＡ（Ａｃｔｉｖｅ  Ａｒｅａ）領域とも呼ばれ、一般的に表示に用いられており、周辺領域は、駆動回路や表示パネルの封止構造などの設置に用いられる。上記画素構造、ゲート線およびデータ線はいずれも表示領域に位置する。例えば、該ＯＬＥＤアレイ基板には、ゲート線やデータ線などのリード線に加えて、画素ユニットと検出用集積回路とを接続する検出補償線が含まれてもよく、該検出補償線が表示領域内に位置してもよい。
【００４１】
例えば、図４ａは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を模式的に示す部分断面図であり、図４ａにおける駆動トランジスタがボトムゲート型薄膜トランジスタである。図４ａに示すように、該駆動トランジスタは、ベース基板２０１と、ベース基板２０１上に設けられたゲート電極２２０および電源線２０２と、を含む。電源線２０２とゲート電極２２０とは、例えば、同じ材料からなり、かつ同層に配設される。ゲート電極２２０上にはゲート絶縁層２１５が形成され、ゲート絶縁層２１５上には活性層２１４が設けられ、活性層２１４上には第１ソース・ドレイン電極２０９および第２ソース・ドレイン電極２１０が設けられ、第１ソース・ドレイン電極２０９および第２ソース・ドレイン電極２１０上にはパッシベーション層２１６が設けられ、パッシベーション層２１６上には第１電極２１１、画素画定層２１８、発光層２１７および第２電極２１２が設けられ、第１電極２１１はパッシベーション層２１６を貫通する第１ビアホール構造３０１によって第１ソース・ドレイン電極２０９に電気的に接続され、電源線２０２はゲート絶縁層２１５に設けられた第３ビアホール構造３０３によって第２ソース・ドレイン電極２１０に電気的に接続される。
【００４２】
例えば、図４ｂは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を模式的に示す部分断面図であり、図４ｂにおける駆動トランジスタがトップゲート型薄膜トランジスタである。図４ｂに示すように、該駆動トランジスタは、ベース基板２０１と、ベース基板２０１上に設けられた活性層２１４と、活性層２１４上に設けられた第１ソース・ドレイン電極２０９および第２ソース・ドレイン電極２１０と、第１ソース・ドレイン電極２０９および第２ソース・ドレイン電極２１０上に設けられたゲート絶縁層２１５と、ゲート絶縁層２１５上に設けられたゲート電極２２０および電源線２０２と、を含む。電源線２０２とゲート電極２２０とは、同じ材料からなり、かつ同層に配設置される。ゲート電極２２０上にはパッシベーション層２１６が設けられ、パッシベーション層２１６上には第１電極２１１、画素画定層２１８、発光層２１７および第２電極２１２が設けられ、第１電極２１１はパッシベーション層２１６を貫通する第１ビアホール構造３０１によって第１ソース・ドレイン電極２０９に電気的に接続され、電源線２０２はゲート絶縁層２１５に設けられた第３ビアホール構造３０３によって第２ソース・ドレイン電極２１０に電気的に接続される。
【００４３】
なお、電源線がゲート線と同層に配設される場合、同一のパターニングプロセスにて電源線とゲート線とを形成するとともに、電源線とゲート線とを接続しなくてもよいので、プロセスを簡素化し、生産コストを削減することができる。
【００４４】
例えば、電源線は、ゲート電極と別層に配設されてもよい。ゲート線が位置する領域が駆動トランジスタ、蓄積容量の領域に非常に近いので、電源線を画素構造と少なくとも部分的に重なるように画素構造の下方に配設してもよい。例えば、図４ｃは本発明の実施例に係る別の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を模式的に示す断面図である。図４ｃに示される構造は、電源線２０２がゲート電極２２０の下層に設けられる点以外、図４ａに示される構造と同様であり、本例示において、電源線がゲート電極２２０の下層に設けられるが、ゲート電極の上層に設けられてもよい。図４ｃに示すように、電源線２０２と画素構造との間には絶縁層２１９が設けられ、絶縁層２１９には第２ビアホール構造３０２が設けられ、電源線２０２が第２ビアホール構造３０２によって駆動トランジスタに接続される。電源線２０２を画素構造の下方に配設することで、ＯＬＥＤアレイ基板の開口率が上げられつつ、表示領域の画素から電源線までのインピーダンスが下げられる。
【００４５】
電源線２０２は、ＯＬＥＤアレイ基板に垂直な方向について、より広い領域で駆動トランジスタが位置する領域、蓄積容量が位置する領域と重なることで、ゲート線、駆動トランジスタおよび蓄積容量を含む領域において横方向の面積が大きい電源線領域が形成され、例えば、該電源線は金属メッシュからなる面状の電極構造（単一の長尺状または線状ではない）であり、該金属メッシュからなる面状の電極構造は複数のメッシュを含む。該面状の電源線は、電源線のＩＲドロップ（ＩＲ  ｄｒｏｐ）を低減させ、それによってＯＬＥＤアレイ基板の消費エネルギを減少させることができる。なお、平状構造の電源線とは、画素構造の幅方向および長手方向のいずれについても一定の寸法および延在範囲を持つことを意味する。
【００４６】
例えば、１つの例示では、各列の画素構造（サブ画素）に対して１本の面状の電源線を配設し、このようにして複数本の面状の電源線を接続し、一体構造を形成することで、電源線の面積を大きくして、ひいては電源線のＩＲドロップ（ＩＲ  ｄｒｏｐ）を低減させ、それによってＯＬＥＤアレイ基板の消費エネルギを減少させることができる。
【００４７】
例えば、１つの例示では、面状の電源線の画素構造、ゲート線およびデータ線に対応する領域には、刳り貫き構造が設けられてもよい。なお、該刳り貫き構造の寸法は、画素構造、ゲート線およびデータ線の寸法に対応し、上記金属メッシュにおけるメッシュの寸法より大きい。例えば、図４ｄは４ｃにおける電源線および接続部材の構造を模式的に示す平面図であり、図４ｄに示すように、電源線２０２の画素構造に対応する領域は、金属配線の遮光による光の透過率への悪影響を防止するように、刳り貫き構造に設置され、つまり、画素構造に対応する領域に刳り貫き構造を設置することで、光の透過率を増加させ、入射光を十分に利用することができる。また、電源線２０２のゲート線、データ線に対応する領域は、電源線とゲート線やデータ線との間にコンデンサを形成することを防止するように、刳り貫き構造に設置される。例えば、図４ｄに示すように、該刳り貫き構造２０には、複数の不連続なサブ刳り貫き構造２２４が含まれ（すなわち複数のサブ刳り貫き構造同士が隔てられる）、このように、面状構造の電源線が並列に接続される複数の領域に分けられ、同様に電源線のＩＲドロップを大幅に低減させることができる。図４ｄに示すように、接続部材２１３は、電源線２０２と同層であり且つ同じ材料からなる。接続部材２１３は、後続の溶接および切断を容易にするように、電源線２０２から突出して設置され、線状構造となる。
【００４８】
本発明の実施形態において、電源線は上記平状構造に限られず、データ線に平行して配線された線状構造となるとともに、各列の画素構造（サブ画素）に１本の電源線を提供するように形成されてもよく。
【００４９】
例えば、図４ａ〜４ｃに示すように、ＯＬＥＤ素子の第１電極２１１上に画素画定層２１８が形成され、画素画定層２１８の開口部に発光層２１７が形成され、発光層２１７上に第２電極２１２が形成され、ＯＬＥＤ素子の第２電極２１２が例えば接地される。例えば、第１電極２１１と第２電極２１２とは、それぞれＯＬＥＤ素子のアノードおよびカソードとなる。
【００５０】
なお、画素画定層の画素画定領域毎には１つの画素電極が対応され、画素画定構造における各列のサブ画素画定領域が同じ色のサブ画素画定領域であり、図３に示すように、サブ画素画定領域は白色サブ画素画定領域Ｗ、赤色サブ画素画定領域Ｒ、緑色サブ画素画定領域Ｇ、青色サブ画素画定領域Ｂを含む。１つのサブ画素画定領域は隣接する同じ色のサブ画素画定領域に接続され、各サブ画素画定領域は最大２つの隣接する同じ色のサブ画素画定領域に接続される。
【００５１】
例えば、図５は本発明の実施例に係る１つの接続部材の構造を模式的に示す平面図であり、図では図４ａにおける有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板を下から見た時の構造を模式的に示す平面図である。例えば、図５は、接続部材が電源線と同層に設置されることを例として説明する。図５に示すように、接続部材２１３と電源線２０２とは、同じパターニングプロセスにて同じ材料から製造されてなるので、プロセスを簡素化し、生産コストを削減することができる。従って、接続部材２１３の第１端２１３１は第１電極２１１に溶接され、接続部材２１３の第２端２１３２は電源線２０２に接続される。
【００５２】
なお、接続部材２１３の第２端２１３２は、第２ソース・ドレイン電極に電気的に接続されてもよい。それに応じて、接続部材２１３の第１端２１３１は、第１電極２１１に電気的に接続されるように設置されてもよく、接続部材２１３の第２端２１３２は第２ソース・ドレイン電極または電源線２０２に溶接可能に設置され、溶接する前に、接続部材２１３は第１電極２１１と電源線２０２とを電気的に接続していない。
【００５３】
例えば、図５に示すように、ゲート線２０３とデータ線２０４が交差して区画される画素領域内において、各画素ユニットは１つの接続部材２１３に対応し、ＯＬＥＤ素子の第１電極２１１と駆動トランジスタ２０７の第２ソース・ドレイン電極（図示せず）とは電気的に接続されている。
【００５４】
例えば、図５に示すように、該接続部材２１３は、線状構造でありつつ、１つの線状構造で構成される。画素構造領域毎には、１つの接続部材２１３が設けられている。
【００５５】
例えば、接続部材は、ベース基板に平行な方向について、電源線、第１電極または第２ソース・ドレイン電極の少なくとも１つの外部に延在し、ベース基板に垂直な方向について、第１電極と重なるとともに、電源線または第２ソース・ドレイン電極の少なくとも１つと重なる。なお、電源線、第１電極または第２ソース・ドレイン電極の少なくとも１つの外部に延在することは、１つの画素構造領域に対するものである。接続部材が第１電極と重なるとともに、電源線または第２ソース・ドレイン電極の少なくとも１つと重なることは、空間的な重なり合いおよび同じ平面上での接続を含み、つまり、「重なる」とは、ベース基板における投影が重なることを意味し、このように第１電極と電源線とを電気的に接続する操作要件が満たされる。
【００５６】
例えば、図５において、接続部材２１３が電源線２０２および第１電極２１１の外部に延在するので、後続の接続部材へのレーザ切断に寄与する。接続部材２１３と第１電極２１１とが異なる層に位置し、接続部材２１３の第１端２１３１が第１電極と空間的に重なり合うので、接続部材２１３の第１端２１３１を第１電極２１１に溶接でき、接続部材２１３の第２端が電源線２０２と同じ平面に位置しつつ電源線２０２に接続される。
【００５７】
例えば、図６は本発明の実施例に係る他の接続部材の構造を模式的に示す平面図であり、該接続部材２１３が複数の線状構造で構成される組合せ構成であり、画素構造領域毎に１つの組合せ構造である接続部材２１３が設けられている。接続部材２１３を複数の線形構造で構成される組合せ構成として設置することで、複数の線状構造の幅が狭く設定され、それによって後続の溶接に寄与し、第１電極２１１と電源線２０２との電気的接続を容易にするとともに、後続のレーザ切断工程にも寄与する。
【００５８】
例示的には、接続部材が第１電極と同層に設置されてもよく、該接続部材と第１電極とが同じパターニングプロセスにて同じ材料から製造されてなるので、プロセスを簡素化し、生産コストを削減することができる。接続部材の第１端は第１電極に接続され、接続部材の第２端と電源線とは互いに溶接される。
【００５９】
例示的には、接続部材が第２ソース・ドレイン電極と同層に設置されてもよく、該接続部材の第１端が第１電極に溶接され、該接続部材の第２端が第２ソース・ドレイン電極に接続される。
【００６０】
例えば、接続部材は、線状構造であり、ベース基板に平行する方向について、電源線、第１電極または第２ソース・ドレイン電極の少なくとも１つの外部に延在する。例えば、図５において、接続部材は、電源線と第１電極を遮断するための後続の接続部材への切断を容易にするように、電源線の外部に突出する。
【００６１】
例えば、該有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の検出プロセスにおいて、黒点現象が発生すると、図５および図６に示すように、レーザ照射によって第１電極２１１と電源線２０２とを電気的に接続することにより、黒点欠陥が発生する画素構造におけるＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとの間に瞬時の大電流（ミリアンペアオーダーの電流）を発生させる。該大電流は、ＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとの間の導電性異物を流れて、該導電性異物を溶融させる。従って、ＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとは導電性異物によって導通されなく、黒点は輝点になる。そして、ＯＬＥＤアレイ基板の第１電極を電源線から電気的に遮断する（互いに切断して電気的に接続しないようにする）ことで、電源線による高電圧をＯＬＥＤ素子の第１電極（アノードまたはカソード）に直接に印加できなくなり、それによって輝点が除去され、画素構造が正常に復帰する。
【００６２】
例えば、図７は本発明の実施例に係る駆動トランジスタが短絡された後の回路図である。例えば、図７に示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板の画素構造は、スイッチングトランジスタＴ１、駆動トランジスタＴ２、蓄積容量Ｃｓｔ、および有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。駆動トランジスタＴ２が短絡される前に、電流が電源線Ｖｄｄを介して駆動トランジスタＴ２を流れてから有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れており、駆動トランジスタＴ２の入力端子と出力端子が短絡された後、電源線Ｖｄｄに印加した高電圧がＯＬＥＤの両端に直接に印加され、大電流（ミリアンペアオーダー）が駆動トランジスタＴ２を流れずに（バイパスして）、接続部材２１３を通して発光ダイオードＯＬＥＤに直接に流れ、ミリアンペアオーダーの電流によって有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードとカソードとの間の導電性異物が溶融され、それによって有機発光ダイオードのアノードとカソードとの間に電圧差が生じて、正常に復帰する。例えば、図７に示される回路図において、接続部材２１３の第１端は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極に電気的に接続されまたは第１電極に溶接可能に設置され、該第１電極が有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードであり、接続部材２１３の第２端が電源線Ｖｄｄに接続される。
【００６３】
例えば、図８ａは本発明の実施例に係る他の駆動トランジスタが短絡された後の回路図である。例えば、図８ａに示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板の画素構造は同様に、スイッチングトランジスタＴ１、駆動トランジスタＴ２、蓄積容量Ｃｓｔおよび有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。ＯＬＥＤが駆動トランジスタＴ２の入力端子に位置することで、ＯＬＥＤのオン電圧の変化による駆動トランジスタＴ２の電流への影響が解消される。駆動トランジスタＴ２の入力端子と出力端子が短絡される前に、電流が電源線Ｖｄｄを介して発光ダイオードＯＬＥＤを流れてから、発光ダイオードＯＬＥＤを通して駆動トランジスタＴ２に流れており、駆動トランジスタＴ２が短絡された後、電源線Ｖｄｄに印加した高電圧がＯＬＥＤの両端に直接に印加され、大電流（ミリアンペアオーダー）が発光ダイオードＯＬＥＤに流れ、ミリアンペアオーダーの電流によって発光ダイオードのアノードとカソードとの間の導電性異物が溶融され、それによって発光ダイオードのアノードとカソードとの間に電圧差が生じて、正常に復帰する。図８ａに示される回路図において、接続部材２１３の第１端は、発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極に電気的に接続されまたは第１電極に溶接可能に設置され、該第１電極が発光ダイオードＯＬＥＤのカソードである。
【００６４】
例えば、他の実施形態において、接続部材はスイッチング素子を含む。該スイッチング素子は、第１端が第１電極に電気的に接続され、第２端が電源線に電気的に接続される。
【００６５】
例えば、該スイッチング素子は、薄膜トランジスタである。薄膜トランジスタに導通信号を供給することにより、電源線と第１電極とを電気的に接続し、それによって黒点欠陥が発生する画素構造におけるＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとの間に瞬時の大電流（ミリアンペアオーダーの電流）を発生させる。該大電流は、ＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとの間の導電性異物を流れて、該導電性異物を溶融させる。従って、ＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとは導電性異物によって導通されなく、黒点は輝点になる。そして、薄膜トランジスタに切断信号を供給することにより、電源線と第１電極とを薄膜トランジスタによって電気的に接続しないようにして、輝点が除去され、画素構造が正常に復帰する。
【００６６】
例えば、図８ｂは本発明の実施例に係る別の駆動トランジスタが短絡された後の回路図である。例えば、図８ｂに示すように、該ＯＬＥＤアレイ基板の画素構造は、同様に、スイッチングトランジスタＴ１、駆動トランジスタＴ２、蓄積容量Ｃｓｔ、および有機発光ダイオードＯＬＥＤを含み、それに加えて、接続部材２１３を機能させるスイッチング素子をさらに含み、該スイッチング素子が薄膜トランジスタである。ＯＬＥＤが駆動トランジスタＴ２の入力端子に位置することで、ＯＬＥＤのオン電圧の変化による駆動トランジスタＴ２の電流への影響が解消される。駆動トランジスタＴ２の入力端子と出力端子が短絡される前に、電流が電源線Ｖｄｄを介して発光ダイオードＯＬＥＤを流れてから、発光ダイオードＯＬＥＤを通して駆動トランジスタＴ２に流れており、駆動トランジスタＴ２が短絡された後、電源線Ｖｄｄに印加した高電圧がＯＬＥＤの両端に直接に印加され、大電流（ミリアンペアオーダー）が発光ダイオードＯＬＥＤに流れ、ミリアンペアオーダーの電流によって発光ダイオードのアノードとカソードとの間の導電性異物が溶融され、それによって発光ダイオードのアノードとカソードとの間に電圧差が生じて、正常に復帰する。図８ｂに示される回路図において、薄膜トランジスタは、第１端が第１電極に電気的に接続され、第２端が電源線に接続される。
【００６７】
なお、図７における接続部材２１３は、薄膜トランジスタであるスイッチング素子を採用してもよい。その実現原理は、上記図８ａについての関連説明を参照してもよい。
【００６８】
例えば、図９ａは、本発明の実施例に係る画素構造に用いられる２Ｔ１Ｃ画素回路の模式図である。図３および図９ａから分かるように、該画素構造２０５は、スイッチングトランジスタＴ１および駆動トランジスタＴ２に加えて、一端が駆動トランジスタの第１ソース・ドレイン電極２０９に接続され、他端が例えばスイッチングトランジスタＴ１のドレイン電極に接続される蓄積容量Ｃｓｔをさらに含む。本発明の実施例において、画素回路は、３Ｔ１Ｃ、４Ｔ２Ｃなどの構造であってもよく、例えば、図９ｂは本発明の実施例に係る３Ｔ１Ｃ画素回路の模式図であり、上記スイッチングトランジスタＴ１および駆動トランジスタＴ２に加えて、検出用トランジスタＴ３がされに含まれてもよく、それ以外、他の補償トランジスタ、リセットトランジスタなどが含まれてもよく、本発明の実施例はこれらに限定されない。
【００６９】
例えば、ベース基板は、透明なガラス基板または透明なプラスチック基板であってもよい。
【００７０】
例えば、第１電極および第２電極のうちの一方はアノードであり、他方はカソードである。アノードとしての電極材料は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、またはカーボンナノチューブなどを含み、カソードとしての電極材料は、マグネシウムアルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウムアルミニウム合金（ＬｉＡｌ）、またはマグネシウム、アルミニウム、リチウムなどの単金属を含む。
【００７１】
例えば、ＯＬＥＤ素子の発光層を形成する材料は、その発光色に応じて選ばれてもよい。発光層の材料は、蛍光発光材料または燐光発光材料を含む。現在、一般的にドーピング系が用いられ、つまり主発光材料にドーピング材料を混入させることで、利用可能な発光材料が得られる。例えば、主発光材料は、金属化合物材料、アントラセン誘導体、芳香族ジアミン化合物、トリフェニルアミン化合物、芳香族トリアミン化合物、ビフェニルジアミン誘導体、またはトリアリールアミンポリマーなどを用いてもよい。
【００７２】
例えば、電源線の材料は、導電性金属材料、例えば、銅系金属、クロム系金属を含む。例えば、銅（Ｃｕ）、銅モリブデン合金（ＣｕＭｏ）、銅チタン合金（ＣｕＴｉ）、銅モリブデンチタン合金（ＣｕＭｏＴｉ）、銅モリブデンタングステン合金（ＣｕＭｏＷ）、銅モリブデンニオブ合金（ＣｕＭｏＮｂ）など、クロムモリブデン合金（ＣｒＭｏ）、クロムチタン合金（ＣｒＴｉ）、クロムモリブデンチタン合金（ＣｒＭｏＴｉ）などが挙げられる。
【００７３】
例えば、接続部材の材料は、透明導電材料、導電性金属などの導電性材料を含み、例えば、接続部材を形成する透明導電材料は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、またはカーボンナノチューブなどを含み、接続部材を形成する導電性金属材料は、例えば、銅（Ｃｕ）、銅モリブデン合金（ＣｕＭｏ）、銅チタン合金（ＣｕＴｉ）、銅モリブデンチタン合金（ＣｕＭｏＴｉ）、銅モリブデンタングステン合金（ＣｕＭｏＷ）、銅モリブデンニオブ合金（ＣｕＭｏＮｂ）などの銅系金属を含んでもよく、例えば、クロムモリブデン合金（ＣｒＭｏ）、クロムチタン合金（ＣｒＴｉ）、クロムモリブデンチタン合金（ＣｒＭｏＴｉ）などのクロム系金属であってもよい。
【００７４】
本発明の実施例は、表示装置をさらに提供する。該表示装置は、上記いずれか１つの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板に加えて、ゲート駆動回路、データ駆動回路および電源などを含んでもよく、ゲート線がゲート駆動回路に接続され、データ線がデータ駆動回路に接続され、電源線が電源に接続される。該表示装置は、ＯＬＥＤパネル、携帯電話、タブレットＰＣ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲータなどの表示機能を持つ任意の製品または部材であってもよい。
【００７５】
本発明の実施例における表示装置に含まれている有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板は、構造が上記図４ａ、図４ｂおよび図４ｃのうちのいずれか１つに示される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板と同様であり、その技術的効果と実現原理も同様であるので、詳細な説明は省略する。なお、必要に応じて、図４ａ〜図４ｃにおける層構造に限らず、図４ａ〜図４ｃに他の層構造を追加してもよい。
【００７６】
また、該表示装置は、ボトムエミッションまたはトップエミッションモードを用いてもよく、両面発光モードを用いてもよい。例えば、表示装置には、図４ａ、４ｂまたは図４ｃに示されるＯＬＥＤアレイ基板が含まれている場合、ボトムエミッションモードが用いられる。図４ａ、４ｂまたは図４ｃにおけるアノードとカソードの位置が交換される場合、トップエミッションモードが用いられる。
【００７７】
本発明の実施例は、上記いずれか１つの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板およびいずれか１つの表示装置の黒点欠陥修復方法をさらに提供する。図１０は、本発明の実施例に係る黒点欠陥修復方法の流れ図である。該製造方法は、図１０に示すように、
電源線と第１電極とを電気的に接続するステップ１０１と、
第１電極と第２電極を短絡しないように、電源線によって第１電極に電圧を印加するステップ１０２と、
電源線を第１電極から電気的に遮断するステップ１０３と、を含む。
【００７８】
例えば、修復すべき画素構造に対応する接続部材に対して一回目のレーザ照射を行うことによりレーザ溶接を行い、レーザ照射によるエネルギおよび時間を制御することで、電源線と第１電極とを溶接して電気的に接続する。例えば、歩留まり試験によって黒点が位置する座標を検出し、ひいては黒点を修復する。
【００７９】
（実施例１）
電源線と第１電極とを電気的に接続する時には、接続部材の材料が導電性金属材料であると、一回目のレーザ照射エネルギが１３００〜１６００ｍＪであり、時間が６〜１０秒間であり、例えば、一回目のレーザ照射エネルギが１５００ｍＪであり、時間が８秒間である。例えば、接続部材が電源線と同層に設置され、接続部材の第１端が第１電極に溶接可能であり、第２端が前記電源線に電気的に接続されると、一回目のレーザ照射によって接続部材の第１端と前記第１電極を溶接する。金属材料が不透光であるので、電源線と第１電極をレーザ溶接する際にレーザエネルギの吸収率が高くなり、そのため、溶接が容易になり、それによって黒点欠陥修復率の向上が図れる。また、金属材料からなる接続部材が不透光であるので、それに対する修復点のマークが容易になり、それによって表示装置を修復する時の位置決めに寄与する。
【００８０】
例えば、表示装置が図４ａに示される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を含む場合には、電源線と第１電極との間にゲート絶縁層およびパッシベーション層が介在しており、電源線と第１電極をレーザ溶接する時に、電源線と第１電極との間には厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのゲート絶縁層および厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのパッシベーション層のみがある。例えば、ゲート絶縁層およびパッシベーション層の材料は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などである。接続部材が電源線と同層に設置され、かつ接続部材の材料が金属材料であると、図４ａにおける有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板に対して一回目のレーザ照射を行う時、表示装置を逆さにする（図４ａにおける有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の積層構造を逆さにする）必要があり、レーザがベース基板側から入射されてゲート絶縁層およびパッシベーション層を通過し、ゲート絶縁層およびパッシベーション層において通路を形成することで、溶融状態の接続部材（金属材料）が通路に沿って第１電極に流れ、通路内の溶融状態の金属材料の凝固によって第１電極と電源線とを電気的に接続する。
【００８１】
（実施例２）
電源線と第１電極を電気的に接続する時には、接続部材の材料が透明導電材料であると、一回目のレーザ照射エネルギが１２００〜１４００ｍＪであり、時間が６〜１０秒間であり、例えば、一回目のレーザ照射エネルギが１３００ｍＪであり、時間が８秒間である。接続部材が第１電極と同層に設置され、接続部材の第１端が第１電極に電気的に接続され、接続部材の第２端が電源線に溶接可能であると、一回目のレーザ照射を行うことにより接続部材の第２端と電源線を溶接する。接続部材の材料が透明な金属酸化物であり、透明な金属酸化物（例えば、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛など）の溶融に必要なレーザ照射エネルギが金属の溶融に必要なエネルギより低い。
【００８２】
例えば、表示装置が図４ａに示される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板の構造を含む場合には、同様に、電源線と第１電極との間に厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのゲート絶縁層および厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのパッシベーション層が介在する。
【００８３】
接続部材が第１電極と同層に設置され、かつ接続部材の材料が透明導電材料であると、図４ａにおける有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板に対して一回目のレーザ照射を行う必要がある場合、レーザが第２電極（カソード）側から入射され、一回目のレーザ照射によるエネルギを精確に制御することにより、レーザを第２電極（一回目のレーザ照射だけで第２電極を溶融させることができない）、画素画定層を通過させた後に第１電極に到達させ、一回目のレーザ照射によって第１電極を溶融させ、レーザがゲート絶縁層およびパッシベーション層を通過し、ゲート絶縁層およびパッシベーション層内に通路を形成することで、溶融状態の接続部材（透明導電材料）が通路に沿って電源線に流れ、通路内の溶融状態の透明導電材料の凝固によって第１電極と電源線とを電気的に接続する。
【００８４】
なお、実施例２では、溶融状態の接続部材（透明導電材料）が通路に沿って第２ソース・ドレイン電極に流れるようにしてもよい。通路内の溶融状態の透明導電材料の凝固によって第１電極と第２ソース・ドレイン電極とを電気的に接続しており、第２ソース・ドレイン電極と電源線とが電気的に接続されているので、このように第１電極と電源線とを電気的に接続することができる。
【００８５】
（実施例３）
接続部材が第２ソース・ドレイン電極と同層に設置され、接続部材の第１端が第１電極に溶接可能であり、接続部材の第２端が第２ソース・ドレイン電極に電気的に接続されると、一回目のレーザ照射を行うことにより第１端と第１電極を溶接する。
【００８６】
例えば、実施例１、実施例２および実施例３において、接続部材をより精確にレーザ溶接するため、一回目のレーザ照射を行う前に、接続部材にレーザ溶接マークを付けるステップをさらに含んでもよい。
【００８７】
例えば、電源線と第１電極とを電気的に接続した後、電源線によって第１電極（アノードまたはカソード）に電圧を印加することにより、黒点位置に瞬時の大電流を発生させ、該大電流がＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとの間の導電性異物を流れ、瞬時の大電流によって該導電性異物を溶融させることで、ＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとが導電性異物によって導通されなく、黒点が輝点になり、それによって第１電極を第２電極から電気的に遮断する。
【００８８】
例えば、修復すべき画素構造に対応する接続部材に対して二回目のレーザ照射を行うことによりレーザ切断を行い、それによって電源線を第１電極から電気的に遮断することで、輝点現象が解消され、画素構造が正常に復帰する。
【００８９】
例えば、接続部材の材料が透明導電材料であると、二回目のレーザ照射エネルギが７００〜９００ｍＪであり、時間が６〜１０秒間であり、例えば、二回目のレーザ照射エネルギが８００ｍＪであり、時間が８秒間である。接続部材の材料が導電性金属材料であると、二回目のレーザ照射エネルギが１０００〜１２００ｍＪであり、時間が６〜１０秒間であり、例えば、二回目のレーザ照射エネルギが１１００ｍＪであり、時間が８秒間である。二回目のレーザ照射によるエネルギの大きさおよび時間を制御することにより、接続部材を溶断させる。例えば、接続部材は延在する線状構造を有し、接続部材の延在された線状構造に二回目のレーザを照射して切断を行う。
【００９０】
例えば、接続部材の厚さが１００〜７００ｎｍであり、接続部材が電源線、第１電極または第２ソース・ドレイン電極層と同層に形成されると、接続部材の厚さが対応する同層の成膜層の厚さと一致する。例えば、電源線、第１電極または第２ソース・ドレイン電極層がそれぞれ６００ｎｍ、２００ｎｍおよび４００ｎｍであると、接続部材の厚さもそれぞれ６００ｎｍ、２００ｎｍおよび４００ｎｍである。なお、一回目のレーザ照射および二回目のレーザ照射によるエネルギの大きさおよび時間の長さは、接続部材の厚さに対して正の相関性を持つ。
【００９１】
例えば、他の実施形態において、接続部材は、スイッチング素子を含む。該スイッチング素子は、第１端が第１電極に電気的に接続され、第２端が電源線に電気的に接続される。
【００９２】
例えば、該スイッチング素子が薄膜トランジスタである。電源線と第１電極とを電気的に接続するように、薄膜トランジスタに導通信号を供給することで、黒点欠陥が発生する画素構造におけるＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとの間に瞬時の大電流（ミリアンペアオーダーの電流）を発生させる。該大電流は、ＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとの間の導電性異物を流れ、該導電性異物を溶融させる。
【００９３】
従って、ＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとは導電性異物によって導通されなく、黒点は輝点になる。そして、薄膜トランジスタに切断信号を供給することにより、電源線と第１電極とを薄膜トランジスタによって電気的に接続しないようにして、電源線による高電圧をＯＬＥＤ素子の第１電極（アノードまたはカソード）に直接に印加できなくなり、それによって輝点が除去され、画素構造が正常に復帰する。
【００９４】
本発明の実施例に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板、表示装置およびその黒点欠陥修復方法は以下の少なくとも１つの有益な効果を有する。（１）本開示に係る表示装置に対して黒点欠陥修復を行う時に、ＯＬＥＤ素子の第１電極（アノードまたはカソード）と電源線とを直接に接続し、駆動トランジスタを短絡してから、電源線に高電圧を印加することにより、黒点位置に瞬時の大電流を発生させ、該大電流がＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとの間の導電性異物を流れ、瞬時の大電流によって導電性異物を溶融させ、ＯＬＥＤ素子のアノードとカソードとが導電性異物によって導通されなく、黒点が輝点になり、そしてＯＬＥＤアレイ基板の第１電極を電源線から電気的に遮断することで、電源線による高電圧を第１電極に印加できなくなり、それによって輝点が除去され、画素が正常に復帰する。（２）該黒点欠陥修復方法は、操作が簡単で、周辺回路へ悪影響が及ぼされない。（３）該黒点欠陥修復方法は、偏光板を貼り付ける前の黒点欠陥修復以外、偏光板の貼り付け後の黒点欠陥修復にも適用できる。
【００９５】
なお、
（１）本発明の実施例の図面は、本発明の実施例に係る構造のみに関し、他の構造は通常の設計を参照すればよい。
（２）明確にするために、本開示の実施例を説明するための図面において、層または領域の厚さは拡大または縮小され、つまり、これらの図面は実際の比率で描かれるものではない。層、膜、領域や基板のような素子が他の素子の「上」または「下」に位置すると説明される場合、該素子が他の素子の「上」または「下」に「直接」に位置してもよく、または中間素子が介在してもよいと理解すべきである。
（３）矛盾がない限り、本発明の実施例または実施例における特徴を互いに組み合わせて新しい実施例を得ることができる。
【００９６】
以上、本発明の例示的な実施形態を説明したが、本発明の保護範囲はこれらに限定されるものではなく、添付した特許請求の範囲に定められる。
【００９７】
本願は、２０１６年１２月２８日に提出された中国特許出願番号２０１６１１２３７５４４．５の優先権を主張し、ここで上記中国特許出願に開示されている全ての内容は本願の一部として援用される。
【符号の説明】
【００９８】
２０  刳り貫き構造
１０１  ベース基板
１０２  アノード
１０３  発光層
１０４  カソード
１０５  無機絶縁層
１０６  有機絶縁層
１０７  カバープレート
２０１  ベース基板
２０２  電源線
２０３  ゲート線
２０４  データ線
２０５  画素構造
２０６  スイッチングトランジスタ
２０７  駆動トランジスタ
２０８  ＯＬＥＤ素子
２０９  第１ソース・ドレイン電極
２１０  第２ソース・ドレイン電極
２１１  第１電極
２１２  第２電極
２１３  接続部材
２１４  活性層
２１５  ゲート絶縁層
２１６  パッシベーション層
２１７  発光層
２１８  画素画定層
２１９  絶縁層
２２０  ゲート電極
２２１  第３電極
２２２  第４電極
２２４  サブ刳り貫き構造
３０１  第１ビアホール構造
３０２  第２ビアホール構造
３０３  第３ビアホール構造
２１３１  第１端
２１３２  第２端
【図１】
2020503636.tif 000003
【図２】
2020503636.tif 000004
【図３】
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【図４ａ】
2020503636.tif 000006
【図４ｂ】
2020503636.tif 000007
【図４ｃ】
2020503636.tif 000008
【図４ｄ】
2020503636.tif 000009
【図５】
2020503636.tif 000010
【図６】
2020503636.tif 000011
【図７】
2020503636.tif 000012
【図８ａ】
2020503636.tif 000013
【図８ｂ】
2020503636.tif 000014
【図９ａ】
2020503636.tif 000015
【図９ｂ】
2020503636.tif 000016
【図１０】
2020503636.tif 000017
【国際調査報告】
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2020503636.tif 000019
2020503636.tif 000020
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