(57)【要約】  ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された要素をインシチュ、インラインでクリーニングするための方法及び装置が開示される。水素ガスから水素ラジカルを形成するために、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータが採用される。毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータは、動作中に抵抗的に加熱され、触媒によって水素ガスから発生した水素ラジカルが、表面をクリーニングするために要素の表面に送られるように、配向される。【選択図】  図３
2020512573.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された要素をクリーニングするための水素ラジカルを、水素ガスから発生させるための装置であって、
前記ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された第１の毛細管であって、前記第１の毛細管は、第１の毛細管の第１の端部及び第１の毛細管の第２の端部を有し、前記第１の毛細管は、熱的に誘起される触媒反応を介して前記水素ガスから前記水素ラジカルを発生させるように構成された触媒材料から形成される、少なくとも第１の毛細管の内部表面を有する、第１の毛細管と、
マニホルドであって、前記マニホルドと前記第１の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、前記第１の毛細管の第１の端部は前記マニホルドと結合している、マニホルドと、
前記第１の毛細管の第１の端部及び前記マニホルドのうちの少なくとも１つに第１の電圧を提供するための第１の電気端子と、
前記第１の毛細管の第２の端部に第２の電圧を提供するための第２の電気端子であって、それによって、前記第１の毛細管において前記熱的に誘起される触媒反応を容易にするために、前記第１の電圧及び前記第２の電圧が提供されるときに、前記第１の毛細管を抵抗的に加熱するために構成される、第２の電気端子と、
を備える、装置。
【請求項２】
前記第１の毛細管は、前記触媒材料とは異なる材料から形成される外側層を有する複合構造である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記触媒材料とは異なる前記材料は、少なくともニッケル及びクロムを含む合金である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記触媒材料は、少なくともタングステンを含む材料から形成される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記触媒材料は、少なくともタングステンを含む材料から形成される、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の毛細管は、前記触媒材料とは異なる材料から形成される外側層を有する複合構造である、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
第２の毛細管の第１の端部及び第２の毛細管の第２の端部を有する第２の毛細管であって、前記第２の毛細管は前記触媒材料から形成される、少なくとも第２の毛細管の内部表面を有し、前記第２の毛細管の第１の端部は、前記マニホルドと前記第２の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、前記マニホルドと結合している、第２の毛細管と、前記第２の毛細管の第２の端部に前記第２の電圧を提供するための第３の電気端子であって、それによって、前記第２の毛細管において前記熱的に誘起される触媒反応を容易にするために、前記第１の電圧及び前記第２の電圧が提供されるときに、前記第２の毛細管を抵抗的に加熱するために構成される、第３の電気端子と、を更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１の毛細管は、第１の気体輸送チャネルの外側表面と第２の気体輸送チャネルの内側表面との間に配設されるように、前記第２の気体輸送チャネル内に配設された前記第１の気体輸送チャネルを備える、２重壁構造である、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の気体輸送チャネルは前記水素ガスを第１の圧力で受け取るように構成され、前記第２の輸送チャネルは前記水素ガスを前記第１の圧力とは異なる第２の圧力で受け取るように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の気体輸送チャネルは少なくとも前記水素ガスを含む第１のガスを受け取るように構成され、前記第２の輸送チャネルは少なくとも前記水素ガス及び少なくとも１つの他のガスを含む前記水素ガス第２のガスを受け取るように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１の気体輸送チャネルは前記第１のガスを第１の圧力で受け取るように構成され、前記第２の輸送チャネルは前記第２のガスを前記第１の圧力とは異なる第２の圧力で受け取るように構成される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記水素ラジカルを発生させるための複数の他の毛細管を更に備え、前記複数の前記他の毛細管の各々は、前記マニホルドに結合された少なくとも１つの端部を有し、前記複数の他の毛細管は複数のセットを形成するように空間的にグループ化され、前記複数のセットの個々のセットは前記マニホルドに沿って空間的に不均一に分配される、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１の毛細管には暴露されたフィラメントが欠如している、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された集光ミラーをクリーニングするための水素ラジカルを、水素ガスから発生させるための装置であって、
前記ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された第１の毛細管であって、前記第１の毛細管は、第１の毛細管の第１の端部及び第１の毛細管の第２の端部を有し、前記第１の毛細管は、熱的に誘起される触媒反応を介して前記水素ガスから前記水素ラジカルを発生させるように構成された触媒材料から形成される、少なくとも第１の毛細管の内部表面を有する、第１の毛細管と、
前記ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された第２の毛細管であって、前記第２の毛細管は、第２の毛細管の第１の端部及び第２の毛細管の第２の端部を有し、前記第２の毛細管は、前記触媒材料から形成される、少なくとも第２の毛細管の内部表面を有する、第２の毛細管と、
マニホルドであって、前記マニホルドと前記第１の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、前記第１の毛細管の第１の端部は前記マニホルドと結合しており、前記マニホルドと前記第２の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、前記第２の毛細管の第１の端部は前記マニホルドと結合している、マニホルドと、
前記第１の毛細管の第１の端部及び前記第２の毛細管の第１の端部に第１の電圧を提供するための第１の電気端子と、
前記第１の毛細管の第２の端部に第２の電圧を提供するための第２の電気端子と、
前記第２の毛細管の第２の端部に前記第２の電圧を提供するための第３の電気端子であって、それによって、前記第１の毛細管及び前記第２の毛細管において前記熱的に誘起される触媒反応を容易にするために、前記第１の電圧及び前記第２の電圧が提供されるときに、前記第１の毛細管及び前記第２の毛細管を抵抗的に加熱するために構成される、第３の電気端子と、
を備える、装置。
【請求項１５】
前記第１の毛細管は、前記触媒材料とは異なる材料から形成される外側層を有する複合構造である、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記触媒材料とは異なる前記材料は、少なくともニッケル及びクロムを含む合金である、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記触媒材料は、少なくともタングステンを含む材料から形成される、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記触媒材料は、少なくともタングステンを含む材料から形成される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の毛細管は、前記触媒材料とは異なる材料から形成される外側層を有する複合構造である、請求項１４に記載の装置。
【請求項２０】
前記第１の毛細管及び前記第２の毛細管には暴露されたフィラメントが欠如している、請求項１４に記載の装置。
【請求項２１】
ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された集光ミラーを、水素ガスから発生した水素ラジカルを使用してクリーニングするための方法であって、
少なくとも、
前記ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された第１の毛細管であって、前記第１の毛細管は、第１の毛細管の第１の端部及び第１の毛細管の第２の端部を有し、前記第１の毛細管は、熱的に誘起される触媒反応を介して前記水素ガスから前記水素ラジカルを発生させるように構成された触媒材料から形成される、少なくとも第１の毛細管の内部表面を有する、第１の毛細管と、
マニホルドであって、前記マニホルドと前記第１の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、前記第１の毛細管の第１の端部は前記マニホルドと結合している、マニホルドと、
前記第１の毛細管の第１の端部に第１の電圧を提供するための第１の電気端子と、
前記第１の毛細管の第２の端部に第２の電圧を提供するための第２の電気端子と、
を備える、クリーニング装置を提供すること、
前記水素ガスを前記共通マニホルド内に流し入れること、及び、
前記第１の電圧及び前記第２の電圧を提供することであって、それによって、前記第１の毛細管において前記熱的に誘起される触媒反応を容易にするため、及び、前記水素ラジカルを発生させるために、前記第１の毛細管を抵抗的に加熱するために構成され、それによって前記水素ラジカルは、前記集光ミラーの前記表面をクリーニングするために、少なくとも部分的に前記第１の毛細管の配向によって前記集光ミラーの表面に向けて送られる、前記第１の電圧及び前記第２の電圧を提供すること、
を含む、集光ミラーをクリーニングするための方法。
【請求項２２】
前記第１の毛細管は、前記触媒材料とは異なる材料から形成される外側層を有する複合構造である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記触媒材料は、少なくともタングステンを含む材料から形成される、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本願は、２０１７年３月８日出願の米国出願第１５／４５３，８８４号に関し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  極端紫外線（「ＥＵＶ」）光、例えば、約５０ｎｍ以下の波長を有し（時には、軟Ｘ線とも呼ばれ）、約１３ｎｍの波長における光を含む、電磁放射は、基板、例えばシリコンウェーハ内に極端に小さなフィーチャを生成するためのフォトリソグラフィプロセスにおいて使用可能である。
【０００３】
[0003]  ＥＵＶ光を生成するための方法は、プラズマ状態においてＥＵＶレンジ内に輝線を伴う、元素、例えばキセノン、リチウム、又はスズを有する材料を変換することを含むが、必ずしも限定されない。こうした一方法において、しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる必須プラズマは、ドライブレーザと呼ばれる可能性のある増幅光ビームを用いて、例えば、材料の液滴、プレート、テープ、ストリーム、又はクラスタの形で、ターゲット材料を照射することによって生成可能である。このプロセスのために、プラズマは典型的には密閉容器、例えば真空チャンバ内で生成され、様々なタイプのメトロロジ機器を使用して監視される。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  本発明は、１つ以上の実施形態において、水素ガスから発生する水素ラジカルを使用した、ＥＵＶチャンバ部分のインシチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）インラインクリーニングに関する。水素ラジカルは、１つ以上の毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータを使用して発生する。毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータにおいて、各毛細管は触媒材料から形成される毛細管内部表面を有する。触媒材料は、触媒材料が指定された温度レンジまで加熱されたときに熱的に誘起される触媒反応を介して、ＥＵＶチャンバ部分をクリーニングするための水素ラジカルを発生させるように構成される。
【０００５】
[0005]  一実施形態において、ＥＵＶ発生チャンバ内の要素の表面をクリーニングするための水素ラジカルを、水素ガスから発生させるための装置が提供される。装置は、第１の毛細管の第１の端部及び第１の毛細管の第２の端部を有する第１の毛細管を含み、第１の毛細管は、熱的に誘起される触媒反応を介して水素ガスから水素ラジカルを発生させるように構成された触媒材料から形成される、少なくとも第１の毛細管の内部表面を有する。装置はマニホルドも含み、マニホルドと第１の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、第１の毛細管の第１の端部はマニホルドと結合している。装置は、第１の毛細管の第１の端部及びマニホルドのうちの少なくとも１つに第１の電圧を提供するための第１の電気端子を更に含む。装置は、第１の毛細管の第２の端部に第２の電圧を提供するための第２の電気端子も含み、それによって、第１の毛細管において熱的に誘起される触媒反応を容易にするために、第１の電圧及び第２の電圧が提供されるときに、第１の毛細管を抵抗的に加熱する。
【０００６】
[0006]  １つ以上の実施形態において、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータは触媒材料から一体構造として形成される。１つ以上の実施形態において、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータは複合構造である。１つ以上の実施形態において、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータは複数の気体輸送チャネルを含む。１つ以上の実施形態において、複数の毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータは電気的に並列に接続される。
【０００７】
[0007]  １つ以上の実施形態において、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータは、近接するジェネレータがＥＵＶチャンバ部分の周辺で均一に間隔を置くように配置される。１つ以上の実施形態において、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータは、ＥＵＶチャンバ部分の異なる領域への水素ラジカルの輸送を改良するために、セットにまとめられる。
【０００８】
[0008]  本発明の１つ以上の実施形態において、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータによって発生する水素ラジカルを使用して、インシチュ及びインライン様式でＥＵＶ部分をクリーニングするための方法が開示される。
【０００９】
[0009]  本発明は、添付の図面において限定的なものではなく例示的なものとして示され、同じ参照番号は同様の要素を指す。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】[00010]例示的なレーザ生成プラズマの極端紫外線（ＥＵＶ）光源を示すブロック図である。
【図２Ａ】[00011]集光ミラーをクリーニングするための水素ラジカルを発生させるための例示的なフィラメントベース手法を示す図である。
【図２Ｂ】[00012]フィラメントベースの水素ラジカルジェネレータのための並列接続配線手法を示す図である。
【図２Ｃ】[00013]フィラメントベースの水素ラジカルジェネレータのための直列接続配線手法を示す図である。
【図３】[00014]本発明の１つ以上の実施形態に従い、ＥＵＶ発生チャンバ内で（集光ミラー表面などの）要素をインラインクリーニングするために、水素ラジカルをインシチュで発生させるための、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータを示す図である。
【図４】[00015]本発明の１つ以上の実施形態に従い、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータのための並列接続配線手法を示す図である。
【図５】[00016]本発明の１つ以上の実施形態に従い、触媒によって裏打ちされた毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータを示す図である。
【図６】[00017]本発明の１つ以上の実施形態に従い、２重壁の毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータの例を示す図である。
【図７】[00018]本発明の１つ以上の実施形態に従い、近接する毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータ間の間隔が均一である、複数の毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータを示す図である。
【図８】[00019]本発明の１つ以上の実施形態に従い、集光ミラー周辺にセットで配置された複数の毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[00020]  次に、添付の図面に示されるようないくつかの実施形態を参照しながら、本発明を詳細に説明する。下記の説明において、本発明を十分に理解するために多数の特定の詳細を示している。しかしながら、当業者であれば、本発明がこれらの特定の詳細のうちのいくつか又はすべてがなくとも実施可能であることが明らかとなろう。他の例では、本発明を不必要に不明瞭にしないために、周知のプロセスステップ及び／又は構造は詳細に説明していない。
【００１２】
[00021]  チャンバ要素のインシチュ又はインラインクリーニングのための、インシチュラジカル（又は、本明細書では同義に使用されている用語として、フリーラジカル）を発生させるための方法及び装置が開示されている。ラジカルはデブリと結合し、要素の表面上に集合して抜くことが可能なガスを形成し、それによって表面からデブリを除去し、要素をクリーニングする。ラジカルは、インライン様式で（例えば、フォトリソグラフィのためにＥＵＶを生成している間に）及びインシチュで（すなわち、その動作環境から要素を除去せずに）、要素をクリーニングする。
【００１３】
[00022]  ラジカルは、不対価電子又はオープン電子殻を有する原子、分子、又はイオンであり、したがって、懸垂共有結合を有するものと見ることができる。懸垂結合は、ラジカルを高化学反応性にすることが可能であり、すなわちラジカルは、他の物質と容易に反応することができる。その反応性により、ラジカルを使用してオブジェクトから物質（デブリなど）を除去することができる。ラジカルは、例えばデブリのエッチング、デブリとの反応、及び／又はデブリの燃焼によって、デブリを除去することができる。
【００１４】
[00023]  レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）極端紫外線（ＥＵＶ）光源において、ターゲットミクスチャが増幅光ビームを用いて照射され、ＥＵＶ光を発するプラズマに変換される。プラズマ生成プロセスは、ターゲットミクスチャ内に存在する物質の粒子、蒸気残留物、又は部片の形のデブリも生成可能である。このデブリは、プラズマのパス内のオブジェクトの表面上に蓄積可能である。例えば、ターゲットミクスチャはスズなどの溶融金属を含むことが可能であり、スズ粒子及びスズ蒸気は、プラズマのパス内に存在する集光ミラー上に蓄積可能である。
【００１５】
[00024]  スズデブリの存在により、集光ミラーの性能が低下する可能性があり、したがって、ミラーのクリーニングはシステム性能にとって有益であり得る。しかしながら、集光ミラー（及び／又は、プラズマのパス内の他の要素）は、特定の光学アライメントにおいて、真空チャンバの内側に位置決めされる。クリーニングのためにＥＵＶ光源から集光ミラーを除去することで、結果としてロストシステム時間が生じる可能性がある。更に、集光ミラーのクリーニングの目的でフォトリソグラフィプロセスを中断することは、時間及び費用のかかることである。前述のように、本明細書における本発明の１つ以上の実施形態は、要素、例えば集光ミラーを、インシチュ（真空チャンバから要素を取り外すことなく）及び／又はインラインでの（前述のフォトリソグラフィプロセスを実行するためにＥＵＶの生成中に）クリーニングすることを目標としている。
【００１６】
[00025]  １つ以上の実施形態において、水素ラジカルは、１つ以上の毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータを使用して水素ガスから発生する。毛細管の各々は、触媒材料から形成される毛細管内部表面を有する。触媒材料は、触媒材料が指定された温度レンジまで加熱されたときに熱的に誘起される触媒反応を介して、水素ガスから水素ラジカルを発生させるように構成される。この熱的に誘起される触媒反応現象は周知である。１つ以上の実施形態において、触媒材料は、タングステン、イリジウム、プラチナ、及び／又はそれらの酸化物、及び／又は、それら自体又は他の希土類金属とのミクスチャ、或いは、熱的に誘起される触媒反応プロセスを介して、水素ガスから水素ラジカルを発生させることが可能な同様に好適な触媒材料である。
【００１７】
[00026]  １つ以上の実施形態において、毛細管は、集光ミラーの様々な部分をクリーニングするために水素ラジカルを効率良く発生させるために、水素ガスを搬送する共通マニホルドに結合された１つ以上の毛細管を用いて抵抗的に加熱される。
【００１８】
[00027]  １つ以上の実施形態において、毛細管全体は触媒材料から形成される（一体構造）。１つ以上の実施形態において、毛細管は、少なくとも触媒材料とは異なる外側層材料から形成される外側層、及び、触媒材料から形成される内側表面層を備える、複合構造であり得る。外側層材料は、ＥＵＶ生成プロセスに適応する任意の好適な材料であり得る。１つ以上の実施形態において、外側層材料は、少なくともニッケル及びクロムを含む合金である。
【００１９】
[00028]  本発明の１つ以上の実施形態において、毛細管は、第２の気体輸送チャネル内に配設された少なくとも第１の気体輸送チャネルを備えるため、格子間領域が第１の気体輸送チャネルの外側表面と第２の気体輸送チャネルの内側表面との間に配設されることになる、２重壁構造である。この設計の例示的実装が、結果として間に格子間領域を生じさせることになる導管内導管配置であるが、導管のうちの１つ以上が概して円筒形状であり得る（但し、必須又は限定的ではない）ことが理解されるべきである。低ラジカル再結合を有する温度及び材料を維持することは、こうした実施形態の全体効率において有益であり得る。
【００２０】
[00029]  水素ガスは、水素ラジカルへの触媒変換のために第１の気体輸送チャネル内に流入する。水素ガスは、第２の気体輸送チャネル内にも流入し得る。第２の気体輸送チャネル内のこの水素ガスは、部分的又は全体的に、水素ラジカルに変換されるか又は変換されないことが可能であり、水素ラジカルを第１の気体輸送チャネルのアウトレットから更に遠くへと運ぶのを助けるキャリア媒体の役目も有し得る。追加又は代替として、水素とは異なるキャリアガス（不活性ガス、又は、ＥＵＶ発生プロセスに適応する何らかの他のガスなど）が、同様のキャリアガスの目的を果たすために、第２の気体輸送チャネル内に流入し得る。
【００２１】
[00030]  １つ以上の実施形態において、第２の気体輸送チャネル内に流入するガスは、第１の気体輸送チャネル内に流入するガスに対して、同じ容積及び／又は圧力パラメータで提供される。１つ以上の実施形態において、第２の気体輸送チャネル内に流入するガスは、第１の気体輸送チャネル内に流入するガスに対して、異なる容積及び／又は圧力パラメータで提供される。
【００２２】
[00031]  １つ以上の実施形態において、毛細管は、毛細管のアウトレットがクリーニングのために集光ミラーの中心及び／又は様々な領域に向けて誘導されるように、集光ミラーの周辺、及び集光ミラーの外周に対して近接した関係で、配置される。１つ以上の実施形態において、毛細管は、近接する毛細管が均一に間隔を置くように配置される。代替又は追加として、１つ以上の実施形態において、毛細管のいくつか又はすべては様々な毛細管セットにグループ化され得、各セットは複数の毛細管を含む。個々の毛細管をセットにグループ化することで、セットの毛細管のアウトレットにおいて形成されることになる、水素ラジカル、及び／又は、水素ラジカルと気体物質のミクスチャの容積を、より大きくすることが可能である。こうしたグループ化は、出力されるガスジェットの形状化も容易にする。水素ラジカルは、相対的に軽く、容易に消散するため、このより大きな容積及び／又は形状化は、セットの毛細管によって出力される水素ラジカルのうちの少なくとも一部が、集光ミラーの内部領域を満足のいくようにクリーニングするために、こうした内部領域内へと十分遠くまで運ばれることを保証する。
【００２３】
[00032]  次に、本発明の１つ以上の実施形態に従って、水素ラジカル発生及び／又はクリーニングの装置及び方法の詳細を考察する前に、例示的なＥＵＶ光源について考察する。本明細書で考察するＥＵＶ光源は単なる例示的なものであり、本開示が与えられた当業者であれば、本発明の実施形態は、所望に応じて、他のＥＵＶ光源で動作するように容易に適応され得ることに留意されたい。
【００２４】
[00033]  図１を参照すると、例示的なＬＰＰ  ＥＵＶ光源１００が示されている。ＬＰＰＥＵＶ光源１００内のＥＵＶ光は、ターゲットロケーション１０５におけるターゲットミクスチャ１１４を、ターゲットミクスチャ１１４に向けてビームパスに沿って進行する増幅光ビーム１１０を用いて照射することによって形成される。ターゲットロケーション１０５は照射サイトとも呼ばれ、真空チャンバ１３０の内部１０７内にある。増幅光ビーム１１０がターゲットミクスチャ１１４に衝突すると、ターゲットミクスチャ１１４内のターゲット材料は、ＥＵＶレンジ内に輝線を伴う要素を有するプラズマ状態に変換される。作成されるプラズマは、ターゲットミクスチャ１１４内のターゲット材料の組成に依存する或る特徴を有する。これらの特徴は、プラズマによって生成されるＥＵＶ光の波長、及び、プラズマから解放されるデブリのタイプ及び量を含むことができる。
【００２５】
[00034]  光源１００は、液滴、液体ストリーム、固体粒子又はクラスタ、液滴内に含まれる固体粒子、或いは液体ストリーム内に含まれる固体粒子の形で、ターゲットミクスチャ１１４を送達、制御、及び誘導する、ターゲット材料デリバリシステム１２５も含む。ターゲットミクスチャ１１４は、例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、又は、プラズマ状態に変換されたときにＥＵＶレンジ内に輝線を有する任意の材料などの、ターゲット材料を含む。例えば、元素スズは、純スズ（Ｓｎ）として、例えばＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４などのスズ化合物として、例えばスズガリウム合金、スズインジウム合金、スズインジウムガリウム合金、又はこれらの合金の任意の組み合わせなどの、スズ合金として、使用可能である。ターゲットミクスチャ１１４は、非ターゲット粒子などの不純物を含む可能性もある。したがって、不純物が存在しない状況では、ターゲットミクスチャ１１４はターゲット材料のみで構成される。ターゲットミクスチャ１１４は、ターゲット材料デリバリシステム１２５によって、チャンバ１３０の内部１０７及びターゲットロケーション１０５へと送達される。
【００２６】
[00035]  光源１００は、レーザシステム１１５の利得媒体内での反転分布に起因して増幅光ビーム１１０を生成する、ドライブレーザシステム１１５を含む。光源１００は、レーザシステム１１５とターゲットロケーション１０５との間にビームデリバリシステムを含み、ビームデリバリシステムは、ビーム伝送システム１２０及びフォーカスアセンブリ１２２を含む。ビーム伝送システム１２０は、レーザシステム１１５から増幅光ビーム１１０を受け取り、増幅光ビーム１１０を必要に応じてステアリング及び修正し、増幅光ビーム１１０をフォーカスアセンブリ１２２へと出力する。フォーカスアセンブリ１２２は、増幅光ビーム１１０を受け取り、ビーム１１０をターゲットロケーション１０５へとフォーカスする。
【００２７】
[00036]  いくつかの実装において、レーザシステム１１５は、１つ以上のメインパルス、及び場合によっては１つ以上のプリパルスを提供するための、１つ以上の光増幅器、レーザ、及び／又はランプを含むことができる。各光増幅器は、高利得で所望の波長を光学的に増幅することが可能な利得媒体、励振源、及び内部光学系を含む。光増幅器は、レーザミラー、又はレーザキャビティを形成する他のフィードバックデバイスを有するか、又は有さない場合がある。したがってレーザシステム１１５は、たとえレーザキャビティが存在しない場合であっても、レーザ増幅器の利得媒体における反転分布に起因して、増幅光ビーム１１０を生成する。更にレーザシステム１１５は、レーザシステム１１５に十分なフィードバックを提供するためのレーザキャビティが存在する場合、コヒーレントレーザビームである、増幅光ビーム１１０を生成することができる。「増幅光ビーム」という用語は、単に増幅されるが必ずしもコヒーレントなレーザ発振ではないレーザシステム１１５からの光、及び、増幅され、コヒーレントなレーザ発振でもあるレーザシステム１１５からの光のうちの、１つ以上を包含する。
【００２８】
[00037]  レーザシステム１１５における光増幅器は、利得媒体としてＣＯ２を含む充填ガスを含むことが可能であり、約９１００ｎｍから約１１０００ｎｍの間、及び特に、約１０６００ｎｍの波長で、１００よりも大きいか又は等しい利得で、光を増幅することが可能である。レーザシステム１１５内での使用に適した増幅器及びレーザは、
例えば１０ｋＷ又はそれ以上の相対的に高パワーで、及び例えば４０ｋＨｚ又はそれ以上の高繰り返しパルスレートで動作する、例えば、ＤＣ又はＲＦ励起と共に、約９３００ｎｍ又は約１０６００ｎｍでの放射を生成する、パルスレーザデバイス、例えばパルスガス放電ＣＯ２レーザデバイスを含むことができる。レーザシステム１１５内の光増幅器は、レーザシステム１１５がより高いパワーで動作しているときに使用可能な、水などの冷却システムを含むこともできる。
【００２９】
[00038]  再度図１を参照すると、光源１００は、増幅光ビーム１１０が通過してターゲットロケーション１０５に到達できるようにするためのアパーチャ１４０を有する、集光ミラー１３５を含む。集光ミラー１３５は、例えば、ターゲットロケーション１０５における１次フォーカス及び中間ロケーション１４５における２次フォーカス（中間フォーカスとも呼ばれる）を有する、楕円ミラーとすることが可能であり、ここでＥＵＶ光は光源１００から出力可能であり、例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力可能である。光源１００は、増幅光ビーム１１０がターゲットロケーション１０５に到達可能である一方で、フォーカスアセンブリ１２２及び／又はビーム伝送システム１２０に入るプラズマ生成デブリの量を減少させるために、集光ミラー１３５からターゲットロケーション１０５に向かって先細りになる、オープンエンドの中空円錐シュラウド１５０（例えば、ガスコーン）を含むこともできる。このために、ターゲットロケーション１０５に向かって誘導されるガスフローをシュラウド内に提供することができる。
【００３０】
[00039]  光源１００は、液滴位置検出フィードバックシステム１５６、レーザ制御システム１５７、及びビーム制御システム１５８に接続される、マスタコントローラ１５５も含むことができる。光源１００は、例えばターゲットロケーション１０５に対する液滴の位置を示す出力を提供し、この出力を、例えば、液滴ごと又は平均のいずれかで液滴位置エラーが計算可能な、液滴の位置及び軌道を計算することができる、液滴位置検出フィードバックシステム１５６に提供する、１つ以上のターゲット又は液滴イメージャ１６０を含むことができる。したがって、液滴位置検出フィードバックシステム１５６は、液滴位置エラーをマスタコントローラ１５５への入力として提供する。したがってマスタコントローラ１５５は、レーザの位置、方向、及びタイミング訂正信号を、例えば、レーザタイミング回路を制御するために使用可能な例えばレーザ制御システム１５７へと、並びに／或いは、チャンバ１３０内のビーム焦点スポットのロケーション及び／又は焦点パワーを変更するように、ビーム伝送システム１２０の増幅光ビームの位置及び形状化を制御するために、ビーム制御システム１５８へと、提供することができる。
【００３１】
[00040]  ターゲット材料デリバリシステム１２５は、マスタコントローラ１５５からの信号に応答して、所望のターゲットロケーション１０５に到達する液滴におけるエラーを訂正するために、例えば、液滴がターゲット材料供給装置１２７によって解放される際の液滴の解放ポイントを修正するように動作可能な、ターゲット材料デリバリ制御システム１２６を含む。
【００３２】
[00041]  加えて、光源１００は、パルスエネルギー、波長の関数としてのエネルギー分布、特定の波長帯域内のエネルギー、特定の波長帯域外のエネルギー、及び、ＥＵＶの強度及び／又は平均パワーの角度分布を含むが、限定されない、１つ以上のＥＵＶ光パラメータを測定する、光源ディテクタ１６５及び１７０を含むことができる。光源ディテクタ１６５は、マスタコントローラ１５５による使用のためのフィードバック信号を発生させる。フィードバック信号は、効果的及び効率的なＥＵＶ光生成のために、液滴を正しい場所及びタイミングで適切に遮断するために、例えばレーザパルスのタイミング及びフォーカスなどのパラメータにおけるエラーを示すことができる。
【００３３】
[00042]  光源１００は、光源１００の様々なセクションをアライメントするため、又は、増幅光ビーム１１０をターゲットロケーション１０５にステアリングする際に支援するために使用可能な、ガイドレーザ１７５も含むことができる。ガイドレーザ１７５に関連して、光源１００は、ガイドレーザ１７５及び増幅光ビーム１１０からの光の一部をサンプリングするために、フォーカスアセンブリ１２２内に配置される、メトロロジシステム１２４を含む。他の実装において、メトロロジシステム１２４はビーム伝送システム１２０内に配置される。メトロロジシステム１２４は、光のサブセットをサンプリング又は方向転換する、光学要素を含むことが可能であり、こうした光学要素は、ガイドレーザビーム及び増幅光ビーム１１０のパワーに耐え得る任意の材料で構成される。マスタコントローラ１５５は、ガイドレーザ１７５からサンプリングされた光を分析し、この情報を使用して、ビーム制御システム１５８を介してフォーカスアセンブリ１２２内のコンポーネントを調節することから、メトロロジシステム１２４及びマスタコントローラ１５５からビーム分析システムが形成される。
【００３４】
[00043]  したがって、要約すると、光源１００は、ミクスチャ１１４内のターゲット材料を、ＥＵＶレンジ内の光を放出するプラズマに変換するために、ターゲットロケーション１０５においてターゲットミクスチャ１１４を照射するように、ビームパスに沿って誘導される増幅光ビーム１１０を生成する。増幅光ビーム１１０は、レーザシステム１１５の設計及び特性に基づいて決定される、特定の波長（ドライブレーザ波長とも呼ばれる）で動作する。加えて、増幅光ビーム１１０は、コヒーレントレーザ光を生成するためにターゲット材料が十分なフィードバックをレーザシステム１１５に戻すとき、又は、ドライブレーザシステム１１５がレーザキャビティを形成するのに好適な光フィードバックを含む場合、レーザビームとすることができる。
【００３５】
[00044]  この時点で、本発明の実施形態の革新的な特徴及び利点を明確にする目的で、水素ラジカルを発生させるためのいくつかの例示的な従来技術手法を考察することも有用であり得る。１つの従来技術手法は、水素ラジカルを真空チャンバ外部でリモートに発生させた後、一連のクォーツ（又は同様の好適な材料）導管を介してクリーニングするために、水素ラジカルを集光ミラーに提供することである。しかしながら、この手法は、何らかの些細ではない距離を介する水素ラジカルの発生及び輸送のために、大幅な追加のハードウェアを含む。この手法は、水素ラジカルが、気相において、及び、長いクォーツ導管の内部側壁などの表面との衝突時の両方で、再結合する傾向があるため、多少の効率の低さに悩まされる。
【００３６】
[00045]  別の手法は、水素ラジカルをインシチュで発生させるために、フィラメントベースデバイスを採用することである。図２Ａは、集光ミラー２０２をクリーニングするために水素ラジカルを発生させるための例示的なフィラメントベース手法を示す。図２Ａにおいて、タングステンフィラメントを備える複数のフィラメントベースデバイス２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、及び２０４ｄが、集光ミラー２０２の周囲２０６周辺に配置される。図２Ａを見ればわかるように、近接するフィラメントベースデバイスは、均一に間隔を置いて配置される。水素ガスを水素ラジカルに変換するためにフィラメントが加熱される間に、水素ガスは、フィラメントベースデバイス２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ、及び２０４ｄの各々のタングステンフィラメントを横切って流れる。水素フローの方向は、集光ミラーの周囲２０６から中心２１０への方向であり、発生するいずれの水素ラジカルも集光ミラー２０２の半径に沿って誘導され、それによって集光ミラー２０２をクリーニングするという発想である。
【００３７】
[00046]  しかしながらこの手法は、いくつかの欠点も負っている。フィラメントはその設計により相対的に薄く表面積が小さいため、触媒反応を実施するためにフィラメントの表面積をそれほど多くは使用できない。加えて、フローがガイドされないため、水素ガスのごく一部のみが加熱されたフィラメントのわずかな表面積と接触する。したがって、変換効率は低い傾向にあり、いくつかの推定によればおよそ１％から５％である。
【００３８】
[00047]  効率が低いことにより、クリーニングのための十分な水素ラジカルを発生させるために多数のフィラメントベースデバイスを採用する必要がある。しかしこの手法は、使用中、多数の加熱されたフィラメントが存在することに起因してエネルギーを浪費し、大量の廃熱が、クリーニング作業を損ねるほど、集光器温度をその指定の動作温度よりも過度に高くする可能性がある。これは、スズデブリ及び水素ラジカルから形成されるスタンナン（ＳｎＨ４）ガスがかなり不安定であり、即時にポンプで排出する必要があるためである。高温の集光ミラー表面は、スタンナンガスが分解する速度を上昇させ、結果として、集光ミラー表面上にスズを再度堆積させることになる。熱バジェットの管理は、一般的にＥＵＶチャンバ動作において、及び特に集光ミラークリーニングにおいて、重要な問題である。
【００３９】
[00048]  フィラメントベース手法に伴う別の問題は、ロバストネスの欠如である。その性質により、フィラメントは脆弱である。更に、ほとんどのフィラメントはタングステンから形成される傾向があり、タングステンは加熱されると結晶化することが知られている。結晶化されると、結晶化タングステンはかなり壊れやすく脆弱である。１つ以上のフィラメントベースデバイスは、これらの理由から、ＥＵＶチャンバの出荷又は設置の間に１つ以上のフィラメントベースデバイスが故障することは珍しくない。
【００４０】
[00049]  多数のフィラメントベースデバイスが使用される傾向にあり、並列接続手法は、すべての電気接続に適応する（フィラメントベースデバイス当たり２本のワイヤを想定する）ために、チャンバ壁を介する多数のポートを必要とすることになるため、しばしば、多数のフィラメントベースデバイスを電気的に並列に接続することが実現困難になる。図２Ｂは、６つのポート２３０ａ〜２３０ｆが、３つの例示的フィラメントベースデバイス２３２ａ〜２３２ｃに結合した６つの導体に適応する必要がある、並列接続配線手法を示す。代わりに、フィラメントベースデバイスは、チャンバ壁を介する必要のあるポートの数を最小限にするために、共に連動された複数のフィラメントベースデバイスと直列に配線される傾向がある。
【００４１】
[00050]  図２Ｃにおいて、フィラメントベースデバイス２４２ａ〜２４２ｃは直列に配線され、したがって２つのポート２５０ａ〜２５０ｂのみが必要である。しかしながら、この直列配線は、フィラメントベースデバイス２４２ａ〜２４２ｃのいずれかの故障によって電気的接続性が失われ、直列に接続されたグループ内のすべての他のフィラメントベースデバイスが動作不能になることから、信頼性を低下させる。この直列接続に伴う別の問題は、３つのフィラメントにわたって３つの電圧降下が存在するため、ポート２５０ａ〜２５０ｂの間に大きな電位差が必要となることである（電位差は、３つよりも多くのフィラメントベースデバイスが直列に結合されている場合は更に大きくなる）。この大きな電圧差は、機器にとってのアーク関連ダメージの些細でないリスク、及び、人間のオペレータにとっての安全問題を表す。
【００４２】
[00051]  多数のフィラメントベースデバイス（低変換効率により、多くのデバイスが必要になる）は、直列又は並列のいずれの配線手法が採用されるかに関係なく、多数の電気コネクタの使用も必要とする。このことは、輝くフィラメントと周囲の真空チャンバとの間の温度差が大きいことは、フィラメントを導電体と結合するために採用されるいずれの電気コネクタも、コネクタ間の高い温度変動に耐えなければならないことを意味するため、信頼性に関してマイナス要素を有する。コネクタが多いほど、フィラメントベース手法に起こり得る障害ポイントが多いことを意味する。
【００４３】
[00052]  図３は、本発明の１つ以上の実施形態に従い、ＥＵＶ発生チャンバ内の要素（集光ミラー表面など）のインラインクリーニングのために水素ラジカルをインシチュで発生させるための、毛細管ベース手法を示す。第１の端部３０４及び第２の端部３０６を有する毛細管３０２が提供される。毛細管は、典型的には、例えば１０：１より高い、より好ましくは１００：１より高く、好ましくは７５０：１から２０００：１の間の、相対的に高いアスペクト比（長さ対毛細管の断面積）を有する。一実施形態において、アスペクト比は１０００：１の約＋／−１０％である。毛細管の内部表面３１０は、指定された温度レンジまで加熱されたとき、水素ラジカルを形成するために水素ガスとの熱的に誘起される触媒反応を提供することが可能な材料を用いて、形成、コーティング、裏打ち、又は一般的に言えばカバーされる。前述のように、タングステン又はその合金は、こうした触媒材料の１つである。他の触媒材料は、イリジウム、プラチナ、パラジウム、それらの酸化物、又はそれらの合金、或いは任意の他の好適な触媒材料を含み得る。
【００４４】
[00053]  高いアスペクト比は、通過して流れる水素ガスとの接触に使用可能な毛細管の内部表面を増加させる。言い換えれば、リモートに発生した水素ラジカルと輸送導管の内部壁との間の相互作用を最小限にすることが望ましい、リモートに発生した水素ラジカルを輸送するために採用される導管についての状況とは異なり、内部表面積が大きいほど触媒変換レートを上昇させることになる。毛細管内側の触媒表面が大きいと、薄いフィラメントの小さな表面積に伴う状況とは異なり、水素ガス分子に、水素ラジカルへの触媒作用を及ぼすための多くの機会も与える。
【００４５】
[00054]  毛細管３０２の第１の端部３０４は、毛細管３０２とマニホルド３２０との間で気体輸送伝達を可能にする様式で、共通マニホルド３２０に結合される。マニホルド３２０は、図３のページ内及びページ外の方向に走っており、複数の毛細管３０２内に水素ガスを流すために採用され、複数の毛細管３０２の各々は類似した様式でマニホルド３２０に結合される。マニホルド３２０は、ニクロム、ステンレス鋼、モリブデン、炭素、これらの材料を含むが限定されない多層構造、又は同様に好適な材料から形成され得る。使用中、単一のマニホルド又は複数のマニホルドは共に、集光ミラーの周囲を取り囲むか、又はほぼ取り囲むことができる。
【００４６】
[00055]  第２の端部３０６は、集光ミラーの外周又は外周の近位にあるため、複数の毛細管３０２が採用されるとき、いくつか又はほとんど又はすべての毛細管は、それらの第２の端部３０６が集光ミラーの中心を向くように配向されることになる。しかしながら、いくつかの毛細管は、クリーニングの目的で発生した水素ラジカルが集光器のすべての領域に達することを保証するために、集光ミラーの半径に対して別の角度で配向され得る。しかしながら、追加の実施形態において、コンポーネントをより完全にカバーし、より十分なクリーニングエリアを提供するために、毛細管水素ラジカルジェネレータの組み合わせを、集光器又は他のコンポーネントの中心から外側、及び外側から中心の、両方で配設することができる。
【００４７】
[00056]  端子３４０ａ及び３４０ｂは、毛細管を抵抗的に加熱するために、電位差を受け取るための電気接続として提供され、端子３４０ａは共通マニホルド（又は、共通マニホルドが導電体として使用されていない場合、複数の毛細管の第１の端部に結合される共通コネクタ）に結合される。端子３４０ｂは、毛細管の第２の端部（集光器に対向する端部）に結合される。このようにして、適切な電位差が端子３４０ａ及び３４０ｂを横切って提供されるとき、毛細管３０２は、その内部壁が前述の熱的に誘起される触媒反応プロセスを実行できるようにするために、抵抗的に加熱される。
【００４８】
[00057]  毛細管が電気的に並列に結合されるとき、ここでコネクタの数は２ＮではなくＮ＋１のみとなり、Ｎは毛細管の数を表すため、電気コネクタの数は従来技術のフィラメントベースデバイスの直列接続手法に比べて減少することに留意されたい（すべての毛細管はまとめて接続されることが想定され、これは実際には、本発明の要件でも制限でもない）。いずれのイベントにおいても、毛細管によって達成される変換効率が高いことは、（必要となるフィラメントベースデバイスの数に対して）所与の容積の水素ラジカルを発生させるために必要な毛細管ベースデバイスがＮ個よりも少なくなることを意味する。これにより、システムのロバスト性を更に向上させるためであっても、電気接続の数は減少することになる。
【００４９】
[00058]  本発明のいくつかの実施形態の毛細管ベース手法の変換効率は、フィラメントベース手法に比べて、少なくとも２倍又はそれ以上であり得ることが予期される。実際に、本発明のいくつかの実装について、ガスフローのパラメータ、触媒変換温度、及び適切な毛細管設計の、正しい組み合わせが与えられた場合、８０％＋効率（すなわち、入力水素フローの８０％又はそれ以上が水素ラジカルに変換される）が可能であり得ることが予期される。
【００５０】
[00059]  本発明の１つ以上の実施形態において、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータは、廃熱及びフィラメントの剥離又はアブレーションの可能性を最小限にするために、曝露無し加熱フィラメント様式で設計される。言い換えれば、毛細管本体の外側でフィラメントは使用されない。本発明の１つ以上の実施形態において、毛細管の本体自体が加熱要素である。従来技術の水素ラジカルがリモートに発生する手法の状況とは異なり、クリーニングのための水素ラジカルを局所的に発生させるために、毛細管はＥＵＶチャンバ内に配設される。好ましくは、毛細管はクリーニングすべき要素の近位に配置され、毛細管水素ラジカルはクリーニングすべき表面に向けて出力される。
【００５１】
[00060]  更に、毛細管ベース手法を用いて並列電気接続が可能である。これは図４の例に示されており、毛細管４０２、４０４、及び４０６はマニホルド４０８に結合され、共通端子（又はコネクタ）４１０はマニホルドに結合される。端子（又はコネクタ）４１２、４１４、及び４１６は、それぞれ毛細管４０２、４０４、及び４０６に結合される。図４は共通端子４１０が共通マニホルド４０８に直接結合されるように示しているが、共通端子４１０を、毛細管４０２、４０４、及び４０６の左端（図４を見た場合）にも電気的に結合される共通導体バーに結合することが可能であることに留意されたい。このようにして、端子４１０並びに端子４１２、４１４、及び４１６のセットを横切って電圧差が提供されるとき、毛細管４０２、４０４、及び４０６の各々に電圧が加えられる。更に、並列に接続された毛細管のいずれか（４０４など）が故障しても、他の並列に接続された毛細管（４０２及び４０６など）を介する電気的流れは遮断されない。この並列接続によって、（直列接続手法では必要とされるような）その端子を横切る高い電圧差の必要性もなくなる。したがって、本発明の１つ以上の実施形態において、アーク関連ダメージ及び人間のオペレータに与える有害な電気ショックの両方の可能性を軽減することができる。
【００５２】
[00061]  より重要なことには、毛細管のフォームファクタは本発明の実施形態の重要な利点である。触媒反応導管が提供される限り、毛細管の正確な断面形状に制限はないが、一般に、毛細管にとっては円筒形が良い働きをする傾向がある。毛細管のフォームファクタを用いると、フィラメントの脆弱性に関連付けられた欠点が回避される。脆弱及び／又は結晶化されたフィラメントは過去には信頼性欠如の原因であり、（必要に応じてロバスト性のために毛細管壁部が強化された）毛細管のフォームファクタは、本発明の１つ以上の実施形態において利点であり得るため、これは重要である。
【００５３】
[00062]  一実施形態において、毛細管全体は触媒材料又はそれらの合金から形成可能である（一体構造）。しかしながら、多くの触媒材料は製造及び作業が困難であり得る（例えば、いくつかは容易に溶接できない）ため、複合構造が望ましい場合がある。複合構造において、外側層は、毛細管の内部表面を裏打ちする触媒材料とは異なる材料で形成され得る。これは図５に示される例であり、複合毛細管５０２は少なくとも外側層５０４及び内側層５０６からなる。例えば、外側層５０４は、少なくともニッケル及びクロムを含む合金、ニクロムで形成され得る。代替として、モリブデン、炭素、抵抗的に加熱するのに適した他の金属又は合金の多層組み合わせなどの、ＥＵＶ発生チャンバ動作環境に適応可能な他の好適な外側層材料も、採用可能である。
【００５４】
[00063]  内側層５０６の内側表面の触媒材料は、タングステン又は別の好適な触媒材料であり得る。抵抗的な加熱のために提供される電気端子は、電流が外側層を横切って、触媒材料層を横切って、又はその両方で（一般的な毛細管端部対毛細管端部の方向に）横断するように配設され得る。代替又は追加として、抵抗的加熱ストリップ、或いは、触媒材料又は外側層材料のいずれとも異なる材料で形成される加熱層（図示せず）は、抵抗的加熱機能を提供するために、外側層の外側、又はより好ましくは外側層と触媒内側壁との間に提供可能である。
【００５５】
[00064]  このようにして、外側層は、その断熱又は放射熱閉じ込め能力（集光ミラーに潜在的に影響を与える廃熱を減少させるため）のため、及び／又はチャンバ動作環境との適合性のため、及び／又は抵抗的加熱効率のため、及び／又はその機械的又は製造可能性特性のために、選択され得る。触媒材料は、一例として、前述の特性のうちのいくつか又はすべてを過度に顧慮することなく、その高い触媒変換効率のために選択され得る。加熱ストリップ又は加熱層（採用される場合）は、例えばその抵抗的加熱特性のために選択され得る。したがって、毛細管の設計及び製造において、性能を低下させる妥協を行う必要が少なくなる。本発明のいくつかの実装において、複合毛細管の外側層の断熱能力（及び／又は、外側層によって提供される放射熱閉じ込め能力）は、チャンバ内の周囲環境及び／又は集光ミラーに対する放射熱が妨げられないフィラメントを採用する、非絶縁フィラメントベース手法を上回る重要な利点であることに注目されたい。本明細書における実施形態の代替又は追加として、水素ラジカルの再結合の影響を減少させ、本発明の実施形態における効率性を増加させるために、絶縁されるか又は絶縁されない外側熱閉じ込めセクションの外側の水などによる能動冷却が提供され得る。
【００５６】
[00065]  図６は、本発明の１つ以上の実施形態に従い、２つの一般に同軸に配設された気体輸送チャネル６０４及び６０６が、外側導管６０８と内側導管６１０との間に提供される、２重壁毛細管６０２の例を示す。内側導管６１０は、触媒材料から形成され得るか、又は上記で考察したような複合構造であり得る。外側導管６０８は、機械的支持及び／又は熱閉じ込め／断熱を提供し、及び／又は、外側導管６０８と内側導管６１０との間の格子間領域を占有する、気体輸送チャネル６０６のための外側エンクロージャとして機能する。依然として格子間領域６０６を介してガスが流れることが可能でありながら、外側導管６０８と内側導管６１０とを間隔を置いた関係で共に接続するために、適切な機械的構造６３０が提供され得る。
【００５７】
[00066]  使用中、水素ガスは、水素ラジカルへの触媒変換のために、第１の気体輸送チャネル６０４内に流れ込む。水素ガスは、第２の気体輸送チャネル６０６内にも流れ込むことができる。第２の気体輸送チャネル６０６内のこの水素ガスは、（例えば、加熱された触媒表面が格子間スペース内に存在するかどうかに依存して）部分的又は全体的に、水素ラジカルに変換されるか又は変換されない場合があり、一方又は両方のチャネル内で発生した水素ラジカルを、図６の２重壁毛細管のアウトレット（図６の右側端部）から更に遠くへ運ぶのを助けるための、キャリア媒体として働き得る。
【００５８】
[00067]  代替又は追加として、水素とは異なる（ＥＵＶ生成プロセスに適応する不活性ガス又は何らかの他のガスなどの）キャリアガスが、同様のキャリアガスを供給する目的で、第２の気体輸送チャネル６０６内に流れ込むことができる。１つ又は複数の実施形態において、第２の気体輸送チャネル６０６内に流れ込むガスは、第１の気体輸送チャネル６０４内に流れ込むガスに対して同じ容積及び／又は圧力パラメータで提供される。１つ以上の実施形態において、第２の気体輸送チャネル６０６内に流れ込むガスは、第１の気体輸送チャネル６０４内に流れ込むガスに対して異なる容積及び／又は圧力パラメータで提供される。このようにして、集光ミラー内部への及び集光ミラー表面にわたる最良の水素ラジカルカバレッジのために、（出力フローの形状、ガス出力フローの総容積などに関して）水素ラジカル及び／又はキャリアガスミクスチャの出力プロファイルを形成することが可能である。変換効率はフィラメントベース手法に対してかなり高いため、キャリアガスの追加が、ＥＵＶチャンバ内での適切なＥＵＶ発生についての問題を提示することはない。
【００５９】
[00068]  ２重壁（又は、所望であれば追加の気体輸送チャネルを同軸に配設することができるため、複数壁）手法は、外側導管は、熱がチャンバ内部及び／又は集光ミラーの周囲温度に過度に影響を与えるのを防ぐために、更に断熱するように及び／又は放射熱を閉じ込めるように働くことができるため、熱バジェット管理に関して追加の利点も提供する。
【００６０】
[00069]  概して、毛細管内部での触媒材料の閉じ込めは、デブリ閉じ込めの利点を有することを理解されたい。従来技術のフィラメントベースデバイスのフィラメントは脆弱であり、使用中に剥離又はアブレートする可能性があり、これらの材料は水素ラジカルによってクリーニングされないことになるため、特に集光ミラーに影響を与えるデブリ問題に更に寄与し得る。本発明の実施形態はこうした加熱された触媒材料を毛細管内部に包含するため、剥離又はアブレーションが減少する。
【００６１】
[00070]  毛細管は、水素ラジカル再結合を加速させる欠点を過度に被ることなく、発生した水素ラジカルに対して輸送機能及びフローガイド機能を提供することも理解されたい。これは、発生した水素ラジカルのための「ガイド管」の加熱された触媒表面全体それ自体が、触媒変換の現場であるためである。これは、クォーツ輸送管の内部表面が水素ラジカル再結合のための現場を表す、従来技術のリモートに発生した水素ラジカル状況とは異なる。これは、フィラメントベース手法を上回る利点でもある。フィラメントによって発生した水素ラジカルをガイドするために提供されるいかなるガイド管も、水素ラジカル再結合を増加させ、フィラメントベース手法の既に低い変換効率を低下させるための、１つ以上の表面を提示することになる。
【００６２】
[00071]  １つ以上の実施形態において、集光ミラー中心領域内への浸透を向上させること、及び／又は集光ミラー表面にわたるカバレッジを向上させること、及び／又は特定の層流又は乱流プロファイルを作成することなどの、特定の目的のために、水素ラジカル及び／又はキャリアガスを最適化するために、毛細管のアウトレットにおいて物理構造が提供され得る。こうしたフロー最適化のための物理構造は、ベンチュリ効果構造、１つ以上の翼、などを含み得る。これらのフロー最適化構造は、１つ以上の実施形態において所望であれば、触媒材料からも形成され得、更にまた変換効率全体に更に寄与するために抵抗的に加熱され得る。
【００６３】
[00072]  前述のように、毛細管は、集光ミラー外周の周辺に、及び集光ミラー外周に対して近位関係に配置可能であるため、毛細管のアウトレットは、クリーニングの目的で集光ミラーの中心及び／又は様々な領域方向に向けられることになる。１つ以上の実施形態において、毛細管は、近接する毛細管が均一に間隔を置くように配置される。これは図７の例であり、毛細管７０２、７０４、７０６、７０８、及び７１０はすべて、隣との間に均一の間隔を有する。
【００６４】
[00073]  代替又は追加として、１つ以上の実施形態において、毛細管のうちのいくつか又はすべてを毛細管の様々なセットにグループ化することが可能であり、各セットは複数の毛細管を含む。これは図８の例であり、毛細管８０２、８０４、及び８０６はセットＡにグループ化され、毛細管８１２、８１４、及び８１６はセットＢにグループ化される。たとえ複数のセットのうちの各セットが、集光ミラーの外周周辺で互いに均一に間隔を置かれ得る場合（所望であるが必須ではない場合）であっても、すべての毛細管は図７の例に示されるように均一に間隔を置かれないことに留意されたい。
【００６５】
[00074]  個々の毛細管（８１２、８１４、及び８１６など）をセット（セットＢなど）にグループ化することで、セットの毛細管のアウトレット端部８３０において、水素ラジカル及び／又は水素ラジカル及び気体物質のミクスチャのより大きな容積を形成することが可能となる。水素ラジカルは相対的に軽く、容易に消散するため、このより大きな容積のフローは、セットの毛細管によって出力される水素ラジカルのうちの少なくとも一部が、集光ミラーの内部領域内へと十分遠くまで運ばれ、こうした内部領域を満足のいくようにクリーニングすることを保証する。
【００６６】
[00075]  本発明の実施形態は、ＥＵＶチャンバ内部の要素を、インシチュ及びインライン様式でクリーニングするための方法も含む。要素は、例えば集光ミラーであり得る。方法は、ＥＵＶチャンバ内の共通マニホルドに結合された前述の毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータのうちの１つ以上を提供することを含む。方法は、加えて、水素ガスを共通マニホルド内へと流し入れることを含む。方法は任意選択として、前述の様式で、キャリアガスを毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータ内へと流し入れることを含み得る。方法は更に、触媒毛細管内壁を抵抗的に加熱するため、及び水素ラジカルを発生させるために、毛細管ベースの水素ラジカルジェネレータに電力を提供することを更に含む。方法は、水素ラジカルを用いて要素をクリーニングすること、及び、水素ラジカル及び任意のデブリから形成される排出ガスをポンプで汲み出すことも含む。
【００６７】
[00076]  上記から理解できるように、本発明の実施形態は、変換効率を向上させ、機械的及び電気的信頼性を向上させるために水素ラジカル発生装置のロバスト性を強化し、廃熱を減少させる。より重要なことには、本発明のいくつかの実施形態は、形状化／ガイドの際に水素ラジカル再結合のペナルティを回避しながら、クリーニングを向上させるために、集光ミラーの任意の領域（中心領域を含む）に向けて水素ラジカルフローを形状化及びガイドするように、容易に最適化することができる。こうした要因は、よりロバストで効率的なインシチュ、インラインのクリーニング技法に寄与し得、ＥＵＶチャンバ、及びより具体的には集光ミラーをクリーンに保ち、従来技術の手法を使用することで可能なよりも長く動作できるようにする。
【００６８】
[00077]  本発明について、いくつかの好ましい実施形態に関して説明してきたが、本発明の範囲内に入る改変、置換、及び等価物が存在する。本発明はこれらの改変、置換、及び等価物も包含するものと理解されたい。本発明の方法及び装置を実装する多くの代替手法が存在することにも留意されたい。本明細書には様々な例が提供されているが、これらの例は例示的なものであり、本発明に関して限定的なものではないことが意図される。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2020512573.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年10月10日(2019.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された要素をクリーニングするための水素ラジカルを、水素ガスから発生させるための装置であって、
前記ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された第１の毛細管であって、前記第１の毛細管は、第１の毛細管の第１の端部及び第１の毛細管の第２の端部を有し、前記第１の毛細管は、熱的に誘起される触媒反応を介して前記水素ガスから前記水素ラジカルを発生させるように構成された触媒材料から形成される、少なくとも第１の毛細管の内部表面を有する、第１の毛細管と、
マニホルドであって、前記マニホルドと前記第１の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、前記第１の毛細管の第１の端部は前記マニホルドと結合している、マニホルドと、
前記第１の毛細管の第１の端部及び前記マニホルドのうちの少なくとも１つに第１の電圧を提供するための第１の電気端子と、
前記第１の毛細管の第２の端部に第２の電圧を提供するための第２の電気端子であって、それによって、前記第１の毛細管において前記熱的に誘起される触媒反応を容易にするために、前記第１の電圧及び前記第２の電圧が提供されるときに、前記第１の毛細管を抵抗的に加熱するために構成される、第２の電気端子と、
を備える、装置。
【請求項２】
前記第１の毛細管は、前記触媒材料とは異なる材料から形成される外側層を有する複合構造である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記触媒材料とは異なる前記材料は、少なくともニッケル及びクロムを含む合金である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記触媒材料は、少なくともタングステンを含む材料から形成される、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
第２の毛細管の第１の端部及び第２の毛細管の第２の端部を有する第２の毛細管であって、前記第２の毛細管は前記触媒材料から形成される、少なくとも第２の毛細管の内部表面を有し、前記第２の毛細管の第１の端部は、前記マニホルドと前記第２の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、前記マニホルドと結合している、第２の毛細管と、前記第２の毛細管の第２の端部に前記第２の電圧を提供するための第３の電気端子であって、それによって、前記第２の毛細管において前記熱的に誘起される触媒反応を容易にするために、前記第１の電圧及び前記第２の電圧が提供されるときに、前記第２の毛細管を抵抗的に加熱するために構成される、第３の電気端子と、を更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の毛細管は、第１の気体輸送チャネルの外側表面と第２の気体輸送チャネルの内側表面との間に配設されるように、前記第２の気体輸送チャネル内に配設された前記第１の気体輸送チャネルを備える、２重壁構造である、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の気体輸送チャネルは前記水素ガスを第１の圧力で受け取るように構成され、前記第２の輸送チャネルは前記水素ガスを前記第１の圧力とは異なる第２の圧力で受け取るように構成される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第１の気体輸送チャネルは少なくとも前記水素ガスを含む第１のガスを受け取るように構成され、前記第２の輸送チャネルは少なくとも前記水素ガス及び少なくとも１つの他のガスを含む前記水素ガス第２のガスを受け取るように構成される、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の気体輸送チャネルは前記第１のガスを第１の圧力で受け取るように構成され、前記第２の輸送チャネルは前記第２のガスを前記第１の圧力とは異なる第２の圧力で受け取るように構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記水素ラジカルを発生させるための複数の他の毛細管を更に備え、前記複数の前記他の毛細管の各々は、前記マニホルドに結合された少なくとも１つの端部を有し、前記複数の他の毛細管は複数のセットを形成するように空間的にグループ化され、前記複数のセットの個々のセットは前記マニホルドに沿って空間的に不均一に分配される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１の毛細管には暴露されたフィラメントが欠如している、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された集光ミラーをクリーニングするための水素ラジカルを、水素ガスから発生させるための装置であって、
前記ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された第１の毛細管であって、前記第１の毛細管は、第１の毛細管の第１の端部及び第１の毛細管の第２の端部を有し、前記第１の毛細管は、熱的に誘起される触媒反応を介して前記水素ガスから前記水素ラジカルを発生させるように構成された触媒材料から形成される、少なくとも第１の毛細管の内部表面を有する、第１の毛細管と、
前記ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された第２の毛細管であって、前記第２の毛細管は、第２の毛細管の第１の端部及び第２の毛細管の第２の端部を有し、前記第２の毛細管は、前記触媒材料から形成される、少なくとも第２の毛細管の内部表面を有する、第２の毛細管と、
マニホルドであって、前記マニホルドと前記第１の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、前記第１の毛細管の第１の端部は前記マニホルドと結合しており、前記マニホルドと前記第２の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、前記第２の毛細管の第１の端部は前記マニホルドと結合している、マニホルドと、
前記第１の毛細管の第１の端部及び前記第２の毛細管の第１の端部に第１の電圧を提供するための第１の電気端子と、
前記第１の毛細管の第２の端部に第２の電圧を提供するための第２の電気端子と、
前記第２の毛細管の第２の端部に前記第２の電圧を提供するための第３の電気端子であって、それによって、前記第１の毛細管及び前記第２の毛細管において前記熱的に誘起される触媒反応を容易にするために、前記第１の電圧及び前記第２の電圧が提供されるときに、前記第１の毛細管及び前記第２の毛細管を抵抗的に加熱するために構成される、第３の電気端子と、
を備える、装置。
【請求項１３】
前記第１の毛細管は、前記触媒材料とは異なる材料から形成される外側層を有する複合構造である、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記触媒材料とは異なる前記材料は、少なくともニッケル及びクロムを含む合金である、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記触媒材料は、少なくともタングステンを含む材料から形成される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記触媒材料は、少なくともタングステンを含む材料から形成される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１の毛細管及び前記第２の毛細管には暴露されたフィラメントが欠如している、請求項１２に記載の装置。
【請求項１８】
ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された集光ミラーを、水素ガスから発生した水素ラジカルを使用してクリーニングするための方法であって、
少なくとも、
前記ＥＵＶ発生チャンバ内に配設された第１の毛細管であって、前記第１の毛細管は、第１の毛細管の第１の端部及び第１の毛細管の第２の端部を有し、前記第１の毛細管は、熱的に誘起される触媒反応を介して前記水素ガスから前記水素ラジカルを発生させるように構成された触媒材料から形成される、少なくとも第１の毛細管の内部表面を有する、第１の毛細管と、
マニホルドであって、前記マニホルドと前記第１の毛細管の第１の端部との間の気体輸送伝達を容易にするために、前記第１の毛細管の第１の端部は前記マニホルドと結合している、マニホルドと、
前記第１の毛細管の第１の端部に第１の電圧を提供するための第１の電気端子と、
前記第１の毛細管の第２の端部に第２の電圧を提供するための第２の電気端子と、
を備える、クリーニング装置を提供すること、
前記水素ガスを前記共通マニホルド内に流し入れること、及び、
前記第１の電圧及び前記第２の電圧を提供することであって、それによって、前記第１の毛細管において前記熱的に誘起される触媒反応を容易にするため、及び、前記水素ラジカルを発生させるために、前記第１の毛細管を抵抗的に加熱するために構成され、それによって前記水素ラジカルは、前記集光ミラーの前記表面をクリーニングするために、少なくとも部分的に前記第１の毛細管の配向によって前記集光ミラーの表面に向けて送られる、前記第１の電圧及び前記第２の電圧を提供すること、
を含む、集光ミラーをクリーニングするための方法。
【請求項１９】
前記第１の毛細管は、前記触媒材料とは異なる材料から形成される外側層を有する複合構造である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記触媒材料は、少なくともタングステンを含む材料から形成される、請求項１８に記載の方法。
【国際調査報告】
2020512573.tif 000013