(57)【要約】本開示は、有機電界発光表示基板を提供する。前記有機電界発光表示基板は、ベースと、表示領域と、遷移領域と、前記表示領域から前記遷移領域まで延在する封止薄膜と、貫通孔とを含む。前記表示領域は、前記ベース上に設置された絶縁層と、前記絶縁層上に設置された有機電界発光素子とを含む。前記遷移領域は、前記絶縁層を貫通する凹み部と、前記ベース上に設置され且つ前記凹み部内に位置する冗長層とを含む。前記凹み部の少なくとも一部の前記ベースから離れる側の開口サイズは、前記ベースに近接する側の開口サイズより大きくない。前記冗長層と前記有機電界発光素子における少なくとも一つの層とは同種の材料から作られ、前記冗長層と前記有機電界発光素子とは断ち切られている。前記封止薄膜は、前記有機電界発光素子及び前記凹み部を覆う。前記貫通孔は、対応する前記凹み部の所在する領域内で前記封止薄膜、前記冗長層及び前記ベースを貫通する。
2020531881.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電界発光表示基板であって、
ベースと
表示領域と、
遷移領域と、
前記表示領域から前記遷移領域まで延在する封止薄膜と、
貫通孔と
を含み、
前記遷移領域は、前記表示領域と前記貫通孔との間に位置し、
前記表示領域は、前記ベース上に設置された絶縁層と、前記絶縁層上に設置された有機電界発光素子とを含み、
前記遷移領域は、前記絶縁層を貫通する凹み部と、前記ベース上に設置され且つ前記凹み部内に位置する冗長層とを含み、
前記凹み部の少なくとも一部の前記ベースから離れる側の開口サイズは、前記ベースに近接する側の開口サイズより大きくなく、
前記冗長層と前記有機電界発光素子における少なくとも一つの層とは同種の材料から作られ、前記冗長層と前記有機電界発光素子とは断ち切られており、
前記封止薄膜は前記有機電界発光素子及び前記凹み部の少なくとも一部を覆い、
前記貫通孔は、対応する前記凹み部の所在する領域内で前記封止薄膜、前記冗長層及び前記ベースを貫通することを特徴とする有機電界発光表示基板。
【請求項２】
前記有機電界発光素子は、前記絶縁層上に設置された下部電極と、前記下部電極上に設置された発光層と、発光層上に設置された上部電極とを含み、
前記表示領域は、前記ベース上に設置された薄膜トランジスタと、前記ゲート絶縁層に設置され且つ前記薄膜トランジスタを覆う第３平坦化層とを更に含み、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設置された活性層と、ソース電極と、ドレイン電極とを含み、
前記下部電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項３】
前記ゲート絶縁層と前記第３平坦化層とは前記絶縁層を形成し、
前記凹み部は、前記ゲート絶縁層における第１開口と前記第３平坦化層における第２開口からなり、
前記ベースに垂直である方向において、前記第１開口と第２開口とは少なくとも部分的に重なり、
前記第１開口の開口サイズは、前記第２開口の開口サイズより小さくないことを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項４】
前記冗長層は、前記ベース上に設置された第１層と、前記第１層上に重畳して設けられた第２層とを含み、
前記第１層と前記発光層とは、同種の材料から作られ且つ互いに断ち切られており、
前記第２層と前記上部電極とは、同種の材料で作られ且つ互いに断ち切られていることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項５】
前記貫通孔は、前記封止薄膜、前記第２層、前記第１層及び前記ベースを順次に貫通することを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項６】
前記貫通孔は、上下孔径が等しい円筒孔であることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項７】
前記遷移領域は、前記凹み部内に充填された第１平坦化層を更に含み、
前記第１平坦化層は、前記第１層と前記発光層とを隔離させ、且つ前記第２層と前記上部電極とを隔離させることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項８】
前記第１平坦化層は前記第２層の一部のみを覆い、
前記第１平坦化層に遷移凹溝を有し、
前記遷移凹溝の前記ベースから離れる側の開口サイズは、前記ベースに近接する側の開口サイズより大きく、
前記封止薄膜は、前記有機電界発光素子、前記第１平坦化層、前記遷移凹溝及び前記第２層における前記第１平坦化層により覆われていない部分を覆うことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項９】
前記封止薄膜は、前記有機電界発光素子、前記第１平坦化層及び前記第２層における前記第１平坦化層により覆われていない部分それぞれと直接接触することを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項１０】
前記貫通孔は、対応する前記遷移凹溝の所在する領域内で前記有機電界発光表示基板全体を貫通することを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項１１】
前記貫通孔の前記ベースにおける投影は完全に前記遷移凹溝の前記ベースにおける投影内に含まれ、前記貫通孔の前記ベースにおける投影の境界と前記遷移凹溝の前記ベースにおける投影の境界とは重畳しないことを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項１２】
前記第１平坦化層の勾配は３０度から９０度の間であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項１３】
前記ゲート絶縁層は無機絶縁層であり、
前記第３平坦化層は有機絶縁層であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項１４】
前記遷移領域は、前記凹み部の外周に設けられた少なくとも一つの切り欠きと、前記ベース上に設置され且つ前記切り欠き内に位置する冗長層とを更に含み、
前記ベースに垂直である方向において、前記切り欠きの少なくとも一部の前記ベースから離れる側の幅は、前記ベースに近接する側の幅より大きくなく、
前記切り欠き内に位置する前記冗長層と前記有機電界発光素子における少なくとも一つの層とは同種の材料から作られ、前記切り欠き内に位置する前記冗長層と前記有機電界発光素子とは断ち切られており、
前記封止薄膜は前記切り欠きを覆うことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項１５】
前記切り欠きはリング状の切り欠きであり、前記リング状の切り欠きは前記凹み部の外周の周囲に設けられることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項１６】
前記遷移領域は、前記切り欠き内に充填された第２平坦化層を更に含み、
前記第２平坦化層に遷移切り欠きを有し、前記遷移切り欠きは前記凹み部の外周に設けられ、前記遷移切り欠きの前記ベースから離れる側の幅は、前記ベースに近接する側の幅より大きく、
前記封止薄膜は前記遷移切り欠きを覆うことを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示基板。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の有機電界発光表示基板を含む表示装置。
【請求項１８】
前記有機電界発光表示基板の前記貫通孔に設置されたカメラ、センサ、受話器のうち少なくとも一つを更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
有機電界発光表示基板の製造方法であって、
ベース上に絶縁層を形成し、前記絶縁層に凹み部を形成するステップにおいて、前記凹み部の少なくとも一部のベースから離れる側の開口サイズは、ベース一に近接する側の開口サイズより大きくないステップと、
前記絶縁層上に機電界発光素子を形成し、同時に前記ベース上に且つ前記凹み部内に冗長層を形成するステップにおいて、前記冗長層と前記有機電界発光素子における少なくとも一つの層とは同種の材料から作られ、前記冗長層と前記有機電界発光素子とは断ち切られているステップと、
前記有機電界発光素子及び前記凹み部の少なくとも一部を覆う封止薄膜を形成するステップと
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２０】
対応する前記凹み部の所在する領域内に前記封止薄膜、前記冗長層及び前記ベースを順次に貫通する貫通孔を開設するステップを更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２１】
前記有機電界発光素子及び前記凹み部の少なくとも一部を覆う封止薄膜を形成するステップの前に、前記製造方法は、
前記凹み部内に第１平坦化層を充填するステップにおいて、前記第１平坦化層は前記冗長層の一部のみを覆い、且つ前記冗長層と前記有機電界発光素子とを隔離させるステップと、
前記第１平坦化層に遷移凹溝を形成するステップにおいて、前記遷移凹溝の前記ベースから離れる側の開口サイズは、前記ベースに近接する側の開口サイズより大きいステップと
を更に含み、
前記有機電界発光素子及び前記凹み部の少なくとも一部を覆う封止薄膜を形成するステップの後に、前記封止薄膜は、前記有機電界発光素子、前記第１平坦化層、前記遷移凹溝及び前記冗長層における前記第１平坦化層により覆われていない部分を覆い、
前記貫通孔は、対応する前記遷移凹溝の所在する領域内で前記有機電界発光表示基板全体を貫通することを特徴とする請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２２】
前記ベース上に絶縁層を形成し、前記絶縁層に凹み部を形成するステップは、
前記ベース上に無機絶縁層及び有機絶縁層を順次に形成するステップと、
前記有機絶縁層に対して露光、現像を行って、前記有機絶縁層に第２開口を形成するステップと、
前記有機絶縁層に対して硬化を行うステップと、
硬化された有機絶縁層を遮断手段として、ドライエッチングにより前記第２開口の所在する領域に対応する前記無機絶縁層の部分を除去して、前記無機絶縁層に第１開口を形成するステップとを含み、
前記ベースに垂直である方向において、前記第１開口と第２開口とは少なくとも部分的に重なり、前記第１開口の開口サイズは、前記第２開口の開口サイズより小さくないことを特徴とする請求項１９に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１７年８月３１日に中国特許庁に提出された中国特許出願第２０１７１０７７１０２９．３号の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる。
【０００２】
本開示は、表示技術分野に関し、特に、有機電界発光表示基板、その製造方法及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）は、国内外で非常にホットな新興平面ディスプレイ製品となっている。これは、ＯＬＥＤディスプレイが自発光可能、広い視野角、短い応答時間、高い発光効率、広い色域、低い動作電圧、薄いパネル、大型サイズに製造可能、フレキシブルなパネル及び簡単な製造プロセスといった特徴を持ち、且つ低コスト化のポテンシャルを有するからである。
【０００４】
フレキシブルＯＬＥＤ表示装置は、紙のように折り畳まれ又は巻き取られることができ、フレキシブル表示装置の縁を折り畳むと、スリムベゼル表示、ひいてはベゼルフリー表示を実現でき、表示装置の画面占有率を向上させる。スリムベゼル又はベゼルフリー表示を移動端末製品に応用する場合、フレキシブルＯＬＥＤ表示装置の表示領域に、移動端末機器に前面カメラ、受話器又はホームボタン等のハードウェアの装着位置を予め取り置くための装着孔を開設すべきである。しかしながら、ＯＬＥＤは水蒸気及び酸素に非常に敏感であり、水・酸素が装着孔を介してＯＬＥＤに浸入しやすく、製品の寿命を大きく短縮させる。
【発明の概要】
【０００５】
本開示の実施例は、有機電界発光表示基板を提供する。前記有機電界発光表示基板は、ベースと、表示領域と、遷移領域と、前記表示領域から前記遷移領域まで延在する封止薄膜と、貫通孔とを含む。前記遷移領域は、前記表示領域と前記貫通孔との間に位置する。前記表示領域は、前記ベース上に設置された絶縁層と、前記絶縁層上に設置された有機電界発光素子とを含む。前記遷移領域は、前記絶縁層を貫通する凹み部と、前記ベース上に設置され且つ前記凹み部内に位置する冗長層とを含み、前記凹み部の少なくとも一部の前記ベースから離れる側の開口サイズは、前記ベースに近接する側の開口サイズより大きくなく、前記冗長層と前記有機電界発光素子における少なくとも一つの層とは同種の材料から作られ、前記冗長層と前記有機電界発光素子とは断ち切られており、前記封止薄膜は前記有機電界発光素子及び前記凹み部の少なくとも一部を覆い。前記貫通孔は、対応する前記凹み部の所在する領域内で前記封止薄膜、前記冗長層及び前記ベースを貫通する。
【０００６】
選択的に、前記有機電界発光素子は、前記絶縁層上に設置された下部電極と、前記下部電極上に設置された発光層と、発光層上に設置された上部電極とを含む。前記表示領域は、前記ベース上に設置された薄膜トランジスタと、前記ゲート絶縁層に設置され且つ前記薄膜トランジスタを覆う第３平坦化層とを更に含む。前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設置された活性層と、ソース電極と、ドレイン電極とを含む。前記下部電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続される。
【０００７】
選択的に、前記ゲート絶縁層と前記第３平坦化層とは前記絶縁層を形成し、前記凹み部は、前記ゲート絶縁層における第１開口と前記第３平坦化層における第２開口からなり、前記ベースに垂直である方向において、前記第１開口と第２開口とは少なくとも部分的に重なり、前記第１開口の開口サイズは、前記第２開口の開口サイズより小さくない。
【０００８】
選択的に、前記冗長層は、前記ベース上に設置された第１層と、前記第１層上に重畳して設けられた第２層とを含み、前記第１層と前記発光層とは、同種の材料から作られ且つ互いに断ち切られており、前記第２層と前記上部電極とは、同種の材料で作られ且つ互いに断ち切られている。
【０００９】
選択的に、前記貫通孔は、前記封止薄膜、前記第２層、前記第１層及び前記ベースを順次に貫通する。
【００１０】
選択的に、前記貫通孔は、上下孔径が等しい円筒孔である。
【００１１】
選択的に、前記遷移領域は、前記凹み部内に充填された第１平坦化層を更に含み、前記第１平坦化層は、前記第１層と前記発光層とを隔離させ、且つ前記第２層と前記上部電極とを隔離させる。
【００１２】
選択的に、前記第１平坦化層は前記第２層の一部のみを覆い、前記第１平坦化層に遷移凹溝を有し、前記遷移凹溝の前記ベースから離れる側の開口サイズは、前記ベースに近接する側の開口サイズより大きく、前記封止薄膜は、前記有機電界発光素子、前記第１平坦化層、前記遷移凹溝及び前記第２層における前記第１平坦化層により覆われていない部分を覆う。
【００１３】
選択的に、前記封止薄膜は、前記有機電界発光素子、前記第１平坦化層及び前記第２層における前記第１平坦化層により覆われていない部分のそれぞれと直接接触する。
【００１４】
選択的に、前記貫通孔は、対応する前記遷移凹溝の所在する領域内で前記有機電界発光表示基板全体を貫通する。
【００１５】
選択的に、前記貫通孔の前記ベースにおける投影は完全に前記遷移凹溝の前記ベースにおける投影内に含まれ、前記貫通孔の前記ベースにおける投影の境界と前記遷移凹溝の前記ベースにおける投影の境界とは重畳しない。
【００１６】
選択的に、前記第１平坦化層の勾配は３０度から９０度の間である。
【００１７】
選択的に、前記ゲート絶縁層は無機絶縁層であり、前記第３平坦化層は有機絶縁層である。
【００１８】
選択的に、前記遷移領域は、前記凹み部の外周に設けられた少なくとも一つの切り欠きと、前記ベース上に設置され且つ前記切り欠き内に位置する冗長層とを更に含み、前記ベースに垂直である方向において、前記切り欠きの少なくとも一部の前記ベースから離れる側の幅は、前記ベースに近接する側の幅より大きくない。前記切り欠き内に位置する前記冗長層と前記有機電界発光素子における少なくとも一つの層とは同種の材料から作られ、前記切り欠き内に位置する前記冗長層と前記有機電界発光素子とは断ち切られている。前記封止薄膜は前記切り欠きを覆う。
【００１９】
選択的に、前記切り欠きはリング状の切り欠きであり、前記リング状の切り欠きは前記凹み部の外周の周囲に設けられる。
【００２０】
選択的に、前記遷移領域は、前記切り欠き内に充填された第２平坦化層を更に含む。前記第２平坦化層に遷移切り欠きを有し、前記遷移切り欠きは前記凹み部の外周に設けられ、前記遷移切り欠きの前記ベースから離れる側の幅は、前記ベースに近接する側の幅より大きい。前記封止薄膜は前記遷移切り欠きを覆う。
【００２１】
本開示の実施例は、上記の有機電界発光表示基板を含む表示装置を更に提供する。
【００２２】
選択的に、前記表示装置は、前記有機電界発光表示基板の前記貫通孔に設置されたカメラ、センサ、受話器のうち少なくとも一つを更に含む。
【００２３】
本開示の実施例は、有機電界発光表示基板の製造方法を更に提供する。前記製造方法は、ベース上に絶縁層を形成し、前記絶縁層に凹み部を形成するステップにおいて、前記凹み部の少なくとも一部のベースから離れる側の開口サイズは、ベース一に近接する側の開口サイズより大きくないステップと、前記絶縁層上に機電界発光素子を形成し、同時に前記ベース上に且つ前記凹み部内に冗長層を形成するステップにおいて、前記冗長層と前記有機電界発光素子における少なくとも一つの層とは同種の材料から作られ、前記冗長層と前記有機電界発光素子とは断ち切られているステップと、前記有機電界発光素子及び前記凹み部の少なくとも一部を覆う封止薄膜を形成するステップとを含む。
【００２４】
選択的に、前記製造方法は、対応する前記凹み部の所在する領域内に前記封止薄膜、前記冗長層及び前記ベースを順次に貫通する貫通孔を開設するステップを更に含む。
【００２５】
選択的に、前記有機電界発光素子及び前記凹み部の少なくとも一部を覆う封止薄膜を形成するステップの前に、前記製造方法は、前記凹み部内に第１平坦化層を充填するステップにおいて、前記第１平坦化層は前記冗長層の一部のみを覆い、且つ前記冗長層と前記有機電界発光素子とを隔離させるステップと、前記第１平坦化層に遷移凹溝を形成するステップにおいて、前記遷移凹溝の前記ベースから離れる側の開口サイズは、前記ベースに近接する側の開口サイズより大きいステップとを更に含む。前記有機電界発光素子及び前記凹み部の少なくとも一部を覆う封止薄膜を形成するステップの後に、前記封止薄膜は、前記有機電界発光素子、前記第１平坦化層、前記遷移凹溝及び前記冗長層における前記第１平坦化層により覆われていない部分を覆う。前記貫通孔は、対応する前記遷移凹溝の所在する領域内で前記有機電界発光表示基板全体を貫通する。
【００２６】
選択的に、前記ベース上に絶縁層を形成し、前記絶縁層に凹み部を形成するステップは、前記ベース上に無機絶縁層及び有機絶縁層を順次に形成するステップと、前記有機絶縁層に対して露光、現像を行って、前記有機絶縁層に第２開口を形成するステップと、前記有機絶縁層に対して硬化を行うステップと、硬化された有機絶縁層を遮断手段として、ドライエッチングにより前記第２開口の所在する領域に対応する前記無機絶縁層の部分を除去して、前記無機絶縁層に第１開口を形成するステップとを含む。前記ベースに垂直である方向において、前記第１開口と第２開口とは少なくとも部分的に重なり、前記第１開口の開口サイズは、前記第２開口の開口サイズより小さくない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
本開示の実施例又は関連技術における技術方案をより明確に説明するために、以下では、実施例又は関連技術の記述に使用されるべき図面を簡単に紹介することにする。以下の記述における図面は単に本開示の幾つかの実施例であり、本技術分野における通常の知識を有する者にとって、創造的な労働をしないという前提でこれらの図面に基づいて他の図面を更に得ることができることは明らかである。
【００２８】
【図１】関連技術における有機電界発光表示基板の構造模式図である。
【図２】図１のＡ−Ａに沿った局部断面図である。
【図３】本開示の実施例に係る有機電界発光表示基板の構造模式図である。
【図４】図３における有機電界発光表示基板の断面模式図である。
【図５】本開示の実施例に係る有機電界発光表示基板の製造過程を示す模式図である。
【図６】図５のＡ−Ａの沿った局部断面図である。
【図７】本開示の実施例に係る有機電界発光表示基板の製造過程を示す模式図である。
【図８】図７のＡ−Ａに沿った局部断面図である。
【図９】本開示の実施例に係る有機電界発光表示基板の製造過程を示す模式図である。
【図１０】図９のＡ−Ａに沿った局部断面図である。
【図１１】本開示の実施例に係る絶縁層の凹み部の外周にリング状の切り欠きを有する構造模式図である。
【図１２】図１１のＡ−Ａに沿った局部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
ＯＬＥＤは、水蒸気及び酸素に非常に敏感である。水・酸素がＯＬＥＤに浸入するのを防止するために、通常、図１及び図２に示すように、薄膜封止の方式によりＯＬＥＤの保護を行っている。しかしながら、フレキシブル表示装置上に装着孔１’を開設すべきである場合、封止薄膜３’は装着孔の縁の箇所で断ち切られ（図１及び図２に示すものを結び付ける）、装着孔１’周辺のＯＬＥＤ２’が封止薄膜３’の保護を受けることができなくなり、製品の寿命を深刻に短縮させる。
【００３０】
表示領域に表示基板全体を貫通する装着孔を開設する場合、ＯＬＥＤが装着孔の縁の箇所で断ち切られ、封止薄膜の保護を受けることができないという問題点を解決するために、本発明は、有機電界発光表示基板、その製造方法及び表示装置を提供する。
【００３１】
以下、図面及び実施例を結び付けて、本開示の具体的な実施形態を更に詳細に記述することにする。以下の実施例は、本開示を説明するために用いられるが、本開示の範囲を制限するものではない。
【００３２】
図３及び図４、並びに図５及び図６に示すものを結び付けて、本実施例は、有機電界発光表示基板の製造方法を提供する。前記有機電界発光表示基板は表示領域を含み、前記表示領域は複数のピクセル領域を含み、各々のピクセル領域は有機電界発光素子を含む。
【００３３】
前記製造方法は、下記のステップを含む。
【００３４】
図５及び図６に示すように、ベース１００上に絶縁層１を形成し、絶縁層１に凹み部５を形成する。凹み部５は、ベース１００に近接する第１開口５２と、ベース１００から離れる第２開口５４とを含み、第２開口５４の開口サイズは、第１開口５２の開口サイズより大きくない（即ち、より小さいか又はそれに等しい）。
【００３５】
絶縁層１が形成されているベース１００上に前記有機電界発光素子を形成し、凹み部５全体のベース１００における正投影は、有機電界発光素子のベース１００における正投影内に位置し、前記有機電界発光素子は、前記絶縁層１のベースから離れた表面に位置する第１部分２と、凹み部５内に位置する第２部分４とを含み、凹み部５の第２開口５４は、第１部分２と第２部分４とを完全に断ち切られるようにする。
【００３６】
前記有機電界発光素子及び凹み部５を覆う封止薄膜３を形成する。
【００３７】
封止薄膜３を形成した後、対応する凹み部５の所在する領域内に前記有機電界発光表示基板全体を貫通する貫通孔８を開設する。
【００３８】
前記有機電界発光素子の第１部分２は有効発光領域であり、第２部分４は非発光領域であるため、第１部分２を単独で有機電界発光素子と称し、第２部分４を冗長層又はダミー層と称して良い。
【００３９】
上記の製造方法において、有機電界発光素子（以下、ＯＬＥＤと略称）を形成する前に、まず絶縁層を形成し、絶縁層に凹み部を形成し、前記凹み部はＯＬＥＤの所在する領域内に位置し、前記ＯＬＥＤは、絶縁層の表面に位置する第１部分と、前記凹み部内に位置する第２部分とを含み、前記第１部分はＯＬＥＤの有効発光領域であり、前記第２部分は非発光領域である。前記凹み部の少なくとも一部が、上が小さくて下が大きい形状をなすように制御することによって、前記第１部分と第２部分とが完全に断ち切られるようにし、水・酸素が第２部分から第１部分に浸入できなくなる。対応する前記凹み部の所在する領域内に前記有機電界発光表示基板全体を貫通する貫通孔８を開設する場合、ＯＬＥＤ及び前記凹み部を覆う封止薄膜及び第２部分４、即ち、冗長層又はダミー層は、水・酸素が側面からＯＬＥＤ第１部分内に浸入するのを遮断でき、製品の使用寿命を延長させる。
【００４０】
貫通孔８はカメラ、受話器又はホームボタン等のハードウェアを装着するために用いられて良い。一実施例において、貫通孔８は、凹み部５で有機電界発光表示基板を貫通するものであって良い。実際生産において、レーザー穿孔方式により封止薄膜３、第２部分４、即ち、冗長層又はダミー層及びベース１００を貫通する貫通孔を形成して良い。一実施例において、図３に示すように、貫通孔８は、上下孔径が等しい円筒孔であって良い。
【００４１】
ＯＬＥＤの第２部分４は、ＯＬＥＤの全ての膜層を含み、即ち、ＯＬＥＤの全ての膜層は前記凹み部の孔壁の箇所で断ち切られて良く、ＯＬＥＤの一部の膜層（図４及び図５に示すものを結び付けて、例えば、発光層の凹み部５内に位置する第３副部分４１、上部電極の凹み部５内に位置する第４副部分４２）のみを含み、即ち、ＯＬＥＤの一部の膜層は前記凹み部の孔壁の箇所で断ち切られても良く、具体的には、凹み部の位置及びＯＬＥＤの構造により決定され、ここでは限定しないことにする。
【００４２】
少なくともＯＬＥＤを設置すべき発光層と金属電極（陰極又は陽極）とは前記凹み部の孔壁の箇所で断ち切られ、前記凹み部の前記ベースにおける正投影は前記発光層及び金属電極の前記ベースにおける正投影内に位置する。そうすると、ＯＬＥＤ及び前記凹み部を覆う封止薄膜及びＯＬＥＤが凹み部の箇所で断ち切られる設置は、水・酸素が側面から発光層の有効発光領域に位置する第１副部分２１及び金属電極の有効発光領域に位置する第２副部分２２に浸入するのを遮断でき、ＯＬＥＤの有効発光領域を保護し、製品の使用寿命を延長させる。
【００４３】
説明すべきことは、本開示における「上」は薄膜のベースから離れる側を指し、「下」は薄膜のベースに近接する側を指す。
【００４４】
前記封止薄膜が前記絶縁層における凹み部を覆うのを実現しやすくするために、本実施例において、図９及び図１０に示すものを結び付けて、前記有機電界発光素子のベースから離れる側及び前記凹み部の側壁に封止薄膜を形成するステップの前に、前記製造方法は、下記のステップを更に含む。
【００４５】
凹み部５内に第１平坦化層３０を充填し、第１平坦化層３０に遷移凹溝６を形成する。前記貫通孔８は遷移凹溝６の所在する領域内に位置し、遷移凹溝６のベース１００から離れる側の開口サイズは、ベース１００に近接する側の開口サイズより大きい。
【００４６】
そうすると、図４及び図１０に示すものを結び付けて、所示封止薄膜３は、具体的に、遷移凹溝６を覆い、従って凹み部５を覆う。
【００４７】
上記のステップは、凹み部５内に平坦化層３０を充填し、平坦化層３０に上が大きくて下が小さい遷移凹溝６を形成することによって、封止薄膜３が前記遷移凹溝６の側壁を覆えるようにし、従って封止薄膜３が前記凹み部５を覆うのを実現する。同時に、遷移凹溝６を設置することによって、封止薄膜の断裂を防止することも可能になり、封止薄膜の完全性を保持し、封止効果を向上させる。
【００４８】
本開示の実施例は、ＯＬＥＤを製造する前に、絶縁層を形成し、前記絶縁層において対応するＯＬＥＤの所在する領域に少なくとも一部が、上が小さくて下が大きい凹み部を形成することによって、ＯＬＥＤが凹み部の孔壁の箇所で断ち切られるのを実現する。対応する凹み部の所在する領域内に基板全体を貫通する貫通孔を開設する場合、前記凹み部を覆う封止薄膜及び第２部分、即ち、冗長層又はダミー層は、水・酸素が側面からＯＬＥＤの前記絶縁層の表面に位置する第１部分内に浸入するのを遮断することができる。
【００４９】
具体的な一実施形態において、図５及び図６に示すものを結び付けて、絶縁層１に上記の形状を有する凹み部５を形成するために、絶縁層１を無機絶縁層１０及び有機絶縁層１１の複合構造に設置する。そうすると、前記絶縁層を形成するステップは、無機絶縁層１０及び有機絶縁層１１を順次に形成するステップを含む。
【００５０】
そうすると、絶縁層１に前記凹み部を形成するステップは、下記のステップを含む。
【００５１】
無機絶縁層１０に第１開口５２を形成し、有機絶縁層１１に第２開口５４を形成し、凹み部５は位置が対応される第１開口５２と第２開口５４とからなり、前記第１開口５２の開口サイズは、前記第２開口５４の開口サイズより小さくない（即ち、より大きいか又はそれに等しい）。
【００５２】
上記の製造方法により製造された凹み部５は、位置が対応される第１開口５２と第２開口５４とからなり、無機絶縁層と有機絶縁層のエッチングレートが異なるため、下方に位置する無機絶縁層における第１開口の開口サイズが第２開口の開口サイズより小さくないのを実現できる。従って、絶縁層が形成されているベース上にＯＬＥＤを形成する場合、ＯＬＥＤは、絶縁層のベースから離れた表面における第１部分と、凹み部の孔底に位置する第２部分とを含み、前記凹み部は、前記第１部分と第２部分とが完全に断ち切られるようにする。
【００５３】
前記無機絶縁層に第１開口を形成し、前記有機絶縁層に第２開口を形成するステップは、具体的に、下記のとおりであって良い。
【００５４】
前記有機絶縁層に対して露光、現像を行って、前記有機絶縁層のパターンを形成し、前記有機絶縁層に第２開口を有する。
【００５５】
前記有機絶縁層に対して硬化を行う。
【００５６】
硬化された有機絶縁層を遮断手段として、ドライエッチングにより第２開口の所在する領域に対応する無機絶縁層を除去し、前記無機絶縁層に第１開口を形成し、前記第１開口と第２開口の位置は対応され、前記第１開口の開口サイズは、前記第２開口の開口サイズより小さくない。
【００５７】
上記のステップは、一回フォトエッチング工程を通じて、無機絶縁層及び有機絶縁層を貫通する凹み部を形成し、且つ、エッチング工程において、無機絶縁層と有機絶縁層のエッチングレートが異なるため、下方に位置する無機絶縁層における第１開口の開口サイズが第２開口の開口サイズより小さくないのを実現することができる。
【００５８】
さらに、前記ベースに垂直である方向において、前記無機絶縁層の厚さが１μｍ〜１．５μｍであるようにして、第１開口の深さが、ＯＬＥＤの第１部分と第２部分とが完全に断ち切られるように確保できるようにする。
【００５９】
当該実施形態において、製造工程を簡略化するために、前記絶縁層が有機電界発光表示基板における既存の絶縁構造を多重使用するように設置する。幾つかの実施例において、絶縁層は単一層の絶縁層であっても良い。
【００６０】
アクティブマトリクス有機電界発光表示基板を例として、前記製造方法は、各々のピクセル領域に薄膜トランジスタを形成するステップを更に含む。薄膜トランジスタを形成するステップは、ゲート絶縁層を形成するステップと、薄膜トランジスタを覆う第３平坦化層を形成するステップとを含む。
【００６１】
そうすると、前記絶縁層は、前記ゲート絶縁層と第３平坦化層とからなって良く、即ち、前記無機絶縁層は前記ゲート絶縁層であり、前記有機絶縁層は前記第３平坦化層である。第３平坦化層を形成した後に、前記製造方法は、第３平坦化層及びゲート絶縁層を貫通する凹み部を形成するステップを更に含み、前記凹み部は、前記ゲート絶縁層における第１開口と前記第３平坦化層における第２開口とからなり、前記第１開口の開口サイズは、前記第２開口の開口サイズより小さくない。
【００６２】
アクティブマトリクス有機電界発光表示基板にとって、ＯＬＥＤを形成するステップは、下部電極と、前記下部電極のベースから離れる側に位置する上部電極と、前記下部電極と上部電極の間に位置する発光層とを形成するステップを含み、前記下部電極は対応する薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続される。
【００６３】
前記凹み部の前記ベースにおける正投影は、前記有機電界発光素子の上部電極及び発光層の前記ベースにおける正投影内に位置し、即ち、前記上部電極と発光層とは前記凹み部の孔壁の箇所で断ち切られ、ＯＬＥＤ的第１部分は、前記発光層の絶縁層のベースから離れた表面に位置する第１副部分と、前記上部電極の絶縁層のベースから離れた表面に位置する第２副部分とを含み、従って前記凹み部の所在する領域内に表示基板全体を貫通する貫通孔を開設する場合、凹み部を覆う封止薄膜は、水・酸素が発光層の有効発光領域に位置する第１副部分及び上部電極の有効発光領域に位置する第２副部分内に浸入して素子の性能に影響を及ぼすのを遮断することができる。上記の技術方案は、特にボトムエミッション型の有機電界発光表示基板に適用される。これは、その上部電極は金属材料で作られ、且つ表示基板全体を覆う板状電極であり、金属材料は水・酸素により腐蝕しやすいからである。上記の技術方案を採用することで、貫通孔の開設によって下部電極が水・酸素により腐蝕する問題点を回避することができる。
【００６４】
説明すべきことは、上記のものは単にアクティブマトリクス有機電界発光表示基板を例として、本開示に必要な絶縁層がどのように有機電界発光表示基板における既存の絶縁構造を多重使用する場合を具体的に説明したものであり、本開示の技術方案が有源有機電界発光表示基板のみに適用されるように限定するものではない。
【００６５】
水・酸素遮断に対する効果を向上させるために、本実施例において、図１１及び図１２に示すものを結び付けて、有機電界発光表示基板の製造方法は、下記のステップを更に含む。
【００６６】
絶縁層１に少なくとも一つの切り欠き７を形成し、切り欠き７は、凹み部５の外周に設けられ、ベース１００に垂直である方向において、切り欠き７の少なくとも一部のベース１００から離れる側の幅は、ベース１００に近接する側の幅より大きくなく、前記有機電界発光素子は、切り欠き７内に位置する第３部分を更に含み、切り欠き７の前記少なくとも一部は、ＯＬＥＤの前記第１部分と第３部分とが完全に断ち切られるようにする。
【００６７】
そうすると、前記封止薄膜は、切り欠き７を更に覆う。
【００６８】
一実施例において、第３部分は、採用与図４に示す第２部分４が凹み部５に設置される方式と同じ方式を採用して切り欠き７に設置されて良く、封止薄膜も図４に示す封止薄膜が凹み部を覆う方式と同じ方式を採用して切り欠きを覆って良い。図１１及び図１２に示す実施例において、切り欠き７はリング状の切り欠きであり、前記リング状の切り欠きは凹み部５の外周の周囲に設けられて良い。
【００６９】
上記のステップにより製造された少なくとも一つのリング状の切り欠きは凹み部の外周の周囲に設けられ、前記切り欠きの少なくとも一部が、上が小さくて下が大きい形状となるように設置することによって、ＯＬＥＤが断ち切られるようにし、従って前記切り欠き及び凹み部を覆う封止薄膜は複数の遮断構造を形成でき、水・酸素がＯＬＥＤの側面から第１部分に浸入するのをより良好に遮断し、前記第１部分は有効発光領域であるため、水・酸素がＯＬＥＤの性能に影響を及ぼすのを阻む目的を達成することができる。
【００７０】
さらに、前記封止薄膜が前記切り欠きを覆うのを実現しやすくするために、前記製造方法は、下記のステップを含む。
【００７１】
前記切り欠き内に第２平坦化層を充填し、前記第２平坦化層に遷移切り欠きを形成し、前記遷移切り欠きのベースから離れる側の幅は、ベースに近接する側の幅より大きく、前記封止薄膜は、具体的に、前記遷移切り欠きを覆い、従って前記切り欠きを覆う。
【００７２】
上記のステップは、切り欠き内に平坦化層を充填し、平坦化層に上が大きくて下が小さい遷移切り欠きを形成することによって、封止薄膜が前記遷移切り欠きの孔壁を覆えるようにし、従って封止薄膜が前記切り欠きを覆うのを実現する。具体的な構造は、凹み部に第１平坦化層を充填し、前記第１平坦化層に遷移凹溝を形成するのと同一であり、ここでは図面により模式的に示さないことにする。
【００７３】
製造工程を簡略化するために、前記凹み部を覆う第１平坦化層と前記切り欠きを覆う第２平坦化層とは同一の平坦化層であって良い。
【００７４】
図３及び図４を結び付けて、図５乃至図８に示すように、アクティブマトリクス有機電界発光表示基板を例として、本実施例に係る製造方法は、具体的に、下記のステップを含む。
【００７５】
図５及び図６に示すように、ベース１００を提供し、ベース１００上に薄膜トランジスタ（不図示）を形成し、アクティブマトリクス有機電界発光表示基板の各々のピクセル領域はいずれも薄膜トランジスタを含み、薄膜トランジスタを形成するステップは、ゲート電極、ゲート絶縁層１０、活性層、ソース電極及びドレイン電極を形成するステップを含み、薄膜トランジスタを覆う第３平坦化層１１を形成し、第３平坦化層１１及びゲート絶縁層１０を貫通する凹み部５を形成し、凹み部５は、ゲート絶縁層１０における第１開口と第３平坦化層１１における第２開口からなり、前記第１開口と第２開口の位置は対応され、前記第１開口の開口サイズは、前記第２開口の開口サイズより大きい。
【００７６】
図７及び図８に示すように、第３平坦化層１１にＯＬＥＤを形成し、アクティブマトリクス有機電界発光表示基板の各々のピクセル領域は、いずれもＯＬＥＤを含む。ＯＬＥＤを形成するステップは、下記のステップを含む。第３平坦化層１１上に下部電極２０を形成し、下部電極２０上に発光層を形成し、発光層上に上部電極を形成し、下部電極は薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続される。凹み部５全体のベース１００における正投影は、前記発光層及び陰極のベース１００における正投影内に位置し、即ち、ＯＬＥＤ的発光層と陰極とは凹み部５の孔壁の箇所で断ち切られ、ＯＬＥＤの絶縁層１のベース１００から離れた表面に位置する第１部分２は、下部電極２０と、前記発光層の絶縁層１のベース１００から離れた表面に位置する第１副部分２１と、前記上部電極の絶縁層１のベース１００から離れた表面に位置する第２副部分２２とを含み、ＯＬＥＤの前記凹み部内に位置する第２部分４は、前記発光層の絶縁層１のベース１００から離れた表面に位置する第３副部分４１と、前記上部電極の絶縁層１のベース１００から離れた表面に位置する第４副部分４２とを含む。
【００７７】
図９及び図１０に示すように、前記凹み部内に第１平坦化層３０を充填し、前記第１平坦化層に遷移凹溝６を形成し、遷移凹溝６のベース１００から離れる側の開口サイズは、ベース１００に近接する側の開口サイズより大きい。
【００７８】
図３及び図４に示すものを参照すると、ＯＬＥＤ及び前記遷移凹溝を覆う封止薄膜３を形成し、封止薄膜３を形成した後、対応する前記遷移凹溝の所在する領域内に前記有機電界発光表示基板全体を貫通する貫通孔８を開設する。
【００７９】
ここに至って、アクティブマトリクス有機電界発光表示基板の製造を完成する。貫通孔は、カメラ、受話器又はホームボタン等のハードウェアを装着するために用いられて良い。ＯＬＥＤが凹み部で断ち切られる設置及び遷移凹溝を覆う封止薄膜は、水・酸素がＯＬＥＤの側面から有効発光領域に浸入するのを遮断でき、製品の使用寿命を延長させる。
【００８０】
アクティブマトリクス有機電界発光表示基板の薄膜トランジスタは、トップゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタ又はコプレーナ型薄膜トランジスタ等であって良い。
【００８１】
図３及び図４、並びに図５及び図６に示すものを結び付けて、本実施例は、有機電界発光表示基板を提供する。前記有機電界発光表示基板は表示領域を含み、前記表示領域は複数のピクセル領域を含み、各々のピクセル領域は有機電界発光素子を含む。
【００８２】
前記有機電界発光表示基板は、ベース１００上に設置された絶縁層１と、有機電界発光素子及び凹み部５を覆う封止薄膜３とを更に含む。絶縁層１に凹み部５を有し、凹み部５の少なくとも一部のベース１００から離れる側の開口サイズは、ベース１００に近接する側の開口サイズより大きくなく、有機電界発光素子は、絶縁層１のベース１００から離れた表面に位置する第１部分２と、凹み部５内に位置する第２部分４とを含み、凹み部５全体のベース１００における正投影は、前記有機電界発光素子のベース１００における正投影内に位置し、凹み部５の前記少なくとも一部は、第１部分２と第２部分４とが完全に断ち切られるようにする。対応する凹み部５の所在する領域内に前記有機電界発光表示基板を貫通する貫通孔８が開設されている。
【００８３】
上記の有機電界発光表示基板は、ＯＬＥＤの下方に位置する絶縁層に凹み部を有し、前記凹み部はＯＬＥＤの所在する領域内に位置する。前記ＯＬＥＤは、絶縁層の表面に位置する第１部分と、前記凹み部内に位置する第２部分とを含み、前記第１部分はＯＬＥＤの有効発光領域であり、前記第２部分は非発光領域である。前記凹み部の少なくとも一部が、上が小さくて下が大きい形状をなすように制御することによって、前記第１部分と第２部分とが完全に断ち切られるようにし、水・酸素は第２部分から第１部分に浸入できなくなる。対応する前記凹み部の所在する領域内に前記有機電界発光表示基板全体を貫通する貫通孔を開設する場合、ＯＬＥＤ及び前記凹み部を覆う封止薄膜は、水・酸素が側面からＯＬＥＤ第１部分内に浸入するのを遮断でき、製品の使用寿命を延長させる。
【００８４】
前記封止薄膜が前記絶縁層における凹み部を覆うのを実現しやすくするために、本実施例において、図９及び図１０に示すものを結び付けて、前記有機電界発光表示基板は、凹み部５内に充填された第１平坦化層３０を更に含む。
【００８５】
第１平坦化層３０に遷移凹溝６を有し、前記貫通孔は遷移凹溝６の所在する領域内に位置し、遷移凹溝６のベース１００から離れる側の開口サイズは、ベース１００に近接する側の開口サイズより大きい。
【００８６】
そうすると、封止薄膜３は、具体的に、遷移凹溝６を覆って、前記凹み部を覆うのを実現する。
【００８７】
上記の技術方案は、凹み部内に平坦化層を充填し、平坦化層に上が大きくて下が小さい遷移凹溝を形成することによって、封止薄膜が前記遷移凹溝の孔壁を覆えるようにし、従って封止薄膜が前記凹み部を覆うのを実現する。同時に、封止薄膜の断裂を防止することも可能になり、封止薄膜の完全性を保持し、封止効果を向上させる。
【００８８】
本開示の技術方案は、ＯＬＥＤの下方に位置する絶縁層に凹み部を形成し、且つ前記凹み部の少なくとも一部が、上が小さくて下が大きい形状をなすようにすることによって、ＯＬＥＤが凹み部の孔壁の箇所で断ち切られるのを実現する。凹み部の所在する領域内に基板全体を貫通する貫通孔を開設する場合、ＯＬＥＤ及び前記凹み部を覆う封止薄膜は、水・酸素が側面からＯＬＥＤの絶縁層の表面に位置する第１部分内に浸入するのを浸遮断でき、第１部分はＯＬＥＤの有効発光領域であるため、水・酸素が浸入してＯＬＥＤの性能に影響を及ぼすのを阻む目的を達成することができる。
【００８９】
具体的な一実施形態において、図５及び図６に示すものを結び付けて、絶縁層１に上記の形状を有する凹み部５を形成するために、絶縁層１を無機絶縁層１０及び有機絶縁層１１の複合構造に設置する。
【００９０】
具体的に、絶縁層１は、無機絶縁層１０と、無機絶縁層１０のベース１００から離れた表面に設置された有機絶縁層１１とを含む。無機絶縁層１０に第１開口を有し、有機絶縁層１１に第２開口を有し、凹み部５は位置が対応される第１開と第２開口とからなり、前記第１開口の開口サイズは、前記第２開口の開口サイズより小さくない。
【００９１】
当該実施形態は、無機絶縁層と有機絶縁層のエッチングレートの違いを利用して、下方に位置する無機絶縁層における第１開口の開口サイズが前記第２開口の開口サイズより小さくないというのを実現でき、従って前記凹み部はＯＬＥＤが断ち切られるようにすることができ、ＯＬＥＤが絶縁層のベースから離れた表面に位置する第１部分と凹み部の孔底に位置する第２部分とからなり、前記第１部分と第２部分とは完全に断ち切られるようにする。
【００９２】
当該実施形態において、製造工程を簡略化するために、前記絶縁層が機電界発光表示基板における既存の絶縁構造を多重使用するように設置する。
【００９３】
アクティブマトリクス有機電界発光表示基板を例として、各々のピクセル領域は薄膜トランジスタを更に含み、前記薄膜トランジスタはゲート絶縁層を含む。前記有機電界発光表示基板は、薄膜トランジスタを覆う第３平坦化層を更に含む。
【００９４】
前記絶縁層は、前記ゲート絶縁層と第３平坦化層とからなって良い。即ち、前記無機絶縁層は前記ゲート絶縁層であり、前記有機絶縁層は前記第３平坦化層である。前記凹み部は、第３平坦化層及びゲート絶縁層を貫通し、前記ゲート絶縁層における第１開口と前記第３平坦化層における第２開口とからなり、前記第１開口と第２開口の位置は対応され、前記第１開口の開口サイズは、前記第２開口の開口サイズより小さくない。
【００９５】
アクティブマトリクス有機電界発光表示基板にとって、その各々のピクセル領域は、薄膜トランジスタと、ＯＬＥＤとを含む。ＯＬＥＤは、対応する薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続される下部電極と、前記下部電極のベースから離れる側に位置する上部電極と、前記下部電極と上部電極の間に位置する発光層とを含む。
【００９６】
前記上部電極が表示基板全体を覆う板状電極である場合、具体的に、前記凹み部の前記ベースにおける正投影が前記有機電界発光素子の上部電極及び発光層の前記ベースにおける正投影内に位置するように設置して良い。即ち、前記上部電極と発光層とは前記凹み部の孔壁の箇所で断ち切られる。従って、前記凹み部の所在する領域内に表示基板全体を貫通する貫通孔を開設する場合、凹み部を覆う封止薄膜及びＯＬＥＤが凹み部で断ち切られる設置は、水・酸素が発光層の絶縁層の表面に位置する第１副部分及び上部電極の絶縁層の表面に位置する第２副部分内に浸入して素子の性能に影響を及ぼすのを遮断することができる。
【００９７】
図１１及び図１２に示すものを結び付けて、本実施例において、水・酸素遮断の効果を向上させるために、絶縁層１に少なくとも一つのリング状の切り欠き７を形成する。切り欠き７は凹み部５の外周の周囲に設けられ、ベース１００に垂直である方向において、切り欠き７の少なくとも一部のベース１００から離れる側の幅は、ベース１００に近接する側の幅より大きくない。そうすると、前記封止薄膜は更に切り欠き７を覆い、ＯＬＥＤは切り欠き７内に位置する第３部分（不図示）を更に含み、切り欠き７の前記少なくとも一部はＯＬＥＤの前記第１部分と第３部分とが完全に断ち切られるようにする。
【００９８】
上記の技術方案は、少なくとも一つのリング状の切り欠きが凹み部の外周の周囲に設けられ、且つ前記切り欠きの少なくとも一部が、上が小さくて下が大きい形状をなすように設置して、ＯＬＥＤが切り欠き内に位置する第３部分を更に含み、ＯＬＥＤの絶縁層の表面に位置する前記第１部分と当該第３部分とが完全に断ち切られようにする。従って、前記切り欠き及び凹み部を覆う封止薄膜及びＯＬＥＤが前記切り欠き及び凹み部の箇所で断ち切られる設置は、複数の遮断構造を形成でき、水・酸素がＯＬＥＤの側面からＯＬＥＤの第１部分に浸入するのをより良好に遮断する。
【００９９】
さらに、前記有機電界発光表示基板は、前記切り欠き内に充填された第２平坦化層を更に含む。前記第２平坦化層に遷移切り欠きを有し、第２遷移切り欠きのベースから離れる側の幅は、ベースに近接する側の幅より大きく、前記封止薄膜は、具体的に、前記遷移切り欠きを覆い、従って前記切り欠きを覆う。
【０１００】
上記の技術方案は、前記切り欠き内に第２平坦化層を充填し、前記第２平坦化層に上が小さくて下が大きい遷移切り欠きを形成することによって、封止薄膜が前記遷移切り欠きを覆うのを実現しやすくし、従って前記封止薄膜が前記切り欠きを覆うのを実現する。具体的な構造は、凹み部に第１平坦化層を充填し、前記第１平坦化層に遷移凹溝を形成するのと同一であり、ここでは図面により模式的に示さないことにする。
【０１０１】
図３及び図４に示すものを結び付けて、アクティブマトリクス有機電界発光表示基板を例として、本実施例に係る有機電界発光表示基板は、具体的に、ベース１００と、ベース１００上に設置された薄膜トランジスタ１１０と、薄膜トランジスタを覆う第３平坦化層１１と、第３平坦化層１１及びゲート絶縁層１０を貫通する凹み部５と、第３平坦化層１１上に設置されたＯＬＥＤと、前記凹み部内に充填された第１平坦化層３０と、ＯＬＥＤ及び前記遷移凹溝６を覆う封止薄膜３とを含む。
【０１０２】
アクティブマトリクス有機電界発光表示基板の各々のピクセル領域は、いずれも薄膜トランジスタ１１０を含む、前記薄膜トランジスタ１１０は、ゲート電極１１０２と、ゲート絶縁層１０と、活性層１１０４と、ソース電極１１０６と、ドレイン電極１１０８とを含む。
【０１０３】
前記凹み部５は、ゲート絶縁層１０における第１開口５２と第３平坦化層１１における第２開口５４とからなり、前記第１開口５２と第２開口５４の位置は対応され、前記第１開口５２の開口サイズは、前記第２開口５４の開口サイズより小さくない。
【０１０４】
アクティブマトリクス有機電界発光表示基板の各々のピクセル領域は、いずれもＯＬＥＤを含む。ＯＬＥＤは、第３平坦化層１１上に設置された下部電極２０と、下部電極２０上に設置された発光層と、発光層上に設置された上部電極とを含み、下部電極２０は薄膜トランジスタ１１０のドレイン電極１１０８に電気的に接続される。前記凹み部のベース１００における正投影は、発光層及び上部電極のベース１００における正投影内に位置し、即ち、ＯＬＥＤ的発光層と上部電極とは前記凹み部の孔壁の箇所で断ち切られる。前記発光層は、第３平坦化層１１のベース１００から離れた表面に位置する第１副部分２１と、前記凹み部内に位置する第３副部分４１とを含む。前記上部電極は、第３平坦化層１１のベース１００から離れた表面に位置する第２副部分２２と、前記凹み部内に位置する第４副部分４２とを含む。第１副部分２１と第３副部分４１とは断ち切られており、第２副部分２２と第４副部分４２とは断ち切られている。
【０１０５】
第１平坦化層３０に遷移凹溝６を有し、前記遷移凹溝６のベース１００から離れる側の開口サイズは、ベース１００に近接する側の開口サイズより大きい。第１副部分２１と第３副部分４１とは凹み部５及び凹み部５に充填された第１平坦化層３０を介して断ち切られ、第２副部分２２と第４副部分４２とは凹み部５及び凹み部５に充填された第１平坦化層３０を介して断ち切られる。
【０１０６】
対応する前記遷移凹溝６の所在する領域内に前記有機電界発光表示基板全体を貫通する貫通孔８が開設されている。
【０１０７】
貫通孔８は、カメラ、受話器又はホームボタン等のハードウェアを装着するために用いられて良い。ＯＬＥＤが前記凹み部で断ち切られる設置及び前記遷移凹溝を覆う封止薄膜は、水・酸素がＯＬＥＤの側面から浸入するのを遮断でき、製品の使用寿命を延長させる。
【０１０８】
なお、図３及び図４に示すアクティブマトリクス有機電界発光表示基板は、表示領域、遷移領域及び貫通孔に区画されてもよい。上記の区画によると、図３及び図４に示すアクティブマトリクス有機電界発光表示基板は、ベース１００と、表示領域２００と、遷移領域３００と、表示領域２００から遷移領域３００まで延在する封止薄膜３と、貫通孔８とを含んで良い。遷移領域３００は、表示領域２００と貫通孔８の間に位置し、貫通孔８は、封止薄膜３及びベース１００を貫通する。説明すべきことは、表示領域２００はベース１００上に位置する表示用の部品を指し、遷移領域３００はベース１００上に位置し且つ表示領域２００と貫通孔８の間に設置された部品を指す。なお、貫通孔８は遷移領域３００に位置するとも言える。
【０１０９】
具体的に、表示領域２００は、ベース１００上に設置された薄膜トランジスタ１１０と、薄膜トランジスタを覆う第３平坦化層１１と、第３平坦化層１１上に設置されたＯＬＥＤとを含む。
【０１１０】
前記薄膜トランジスタ１１０は、ゲート電極１１０２と、ゲート絶縁層１０と、活性層１１０４と、ソース電極１１０６と、ドレイン電極１１０８とを含む。
【０１１１】
ＯＬＥＤは、第３平坦化層１１上に設置された下部電極２０と、下部電極２０上に設置された発光層（即ち、上記の第１副部分２１）と、発光層上に設置された上部電極（即ち、上記の第２副部分２２）とを含み、下部電極２０は薄膜トランジスタ１１０のドレイン電極１１０８に電気的に接続される。
【０１１２】
遷移領域３００は、第３平坦化層１１及びゲート絶縁層１０を貫通する凹み部５と、ベース１００上に設置され且つ前記凹み部５内に位置する冗長層又はダミー層（即ち、上記の第２部分４）と、前記凹み部５内に充填された第１平坦化層３０とを含む。
【０１１３】
前記凹み部５は、ゲート絶縁層１０における第１開口５２と第３平坦化層１１における第２開口５４とからなり、前記第１開口５２と第２開口５４の位置は対応され、前記第１開口５２の開口サイズは、前記第２開口５４の開口サイズより小さくない。
【０１１４】
冗長層とＯＬＥＤの少なくとも一つの層とは同種の材料から作られる。例えば、冗長層は、ベース１００上に設置された第１層（即ち、上記の第３副部分４１）と、前記第１層上に重畳して設けられた第２層（即ち、上記の第４副部分４２）とを含み、第１層と発光層（即ち、上記の第１副部分２１）とは同種の材料で同期的に製造され、且つ互いに断ち切られており、第２層と上部電極（即ち、上記の第２副部分２２）とは同種の材料で同期的に製造され、且つ互いに断ち切られていて良い。
【０１１５】
第１平坦化層３０は、第１層と発光層とを断ち切り、且つ第２層と上部電極とを断ち切る。
【０１１６】
なお、第１平坦化層３０に遷移凹溝６を有する。前記遷移凹溝６のベース１００から離れる側の開口サイズは、ベース１００に近接する側の開口サイズより大きい。
【０１１７】
前記封止薄膜３は、表示領域２００から遷移領域３００まで延在する。具体的に、前記封止薄膜３は、ＯＬＥＤ、第１平坦化層３０及び前記遷移凹溝６を覆う。
【０１１８】
貫通孔８は、対応する前記遷移凹溝６の所在する領域内で前記有機電界発光表示基板全体を貫通する。図４に示す実施例において、貫通孔８は、上から下に、封止薄膜３、冗長層及びベース１００を順次に貫通する。
【０１１９】
本実施例は、上記のような有機電界発光表示基板を含む表示装置を更に提供する。これにより、対応する有機電界発光素子の所在する領域内に表示基板全体を貫通する装着孔（即ち、貫通孔）を開設する場合、水・酸素が側面からＯＬＥＤの有効発光領域内に浸入するのを遮断でき、製品の使用寿命を延長させ、製品の品質を向上させる。前記表示装置は、前記有機電界発光表示基板の前記貫通孔８に設置されたカメラ３００（図４に示す如く）を更に含む。
【０１２０】
前記表示装置は、ＯＬＥＤパネル、携帯電話、タブレットＰＣ、テレビ、ディスプレイ、ノート型パソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーター等のいかなる表示機能を持つ製品又は部材であって良い。
【０１２１】
本開示の技術方案は、特にスリムベゼル、ひいてはベゼルフリーを実現可能なフレキシブル表示装置に適用される。これは、スリムベゼル又はベゼルフリーの設計は、装着孔は表示領域のみに開設されるようにし、即ち、装着孔が有機電界発光素子の所在する領域内に位置するようにするからである。
【０１２２】
上記の記載は単に本開示の選択可能な実施形態であり、指摘すべきことは、本技術分野における通常の知識を有する者にとって、本開示の技術原理を逸脱しないという前提で若干の改善及び置き換えを更に行うことができ、これらの改善及び置き換えも本開示の保護範囲内に含まれるとみなされるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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