(57)【要約】  本発明は、キャリア基板上に層２１を移転するプロセスで特に使用されるべきドナー基板１の内側の所定の分離ゾーン１９を形成するためのプロセスに関する。このプロセスは、ドナー基板１の縁部５のゾーンの注入量２５が熱アニール中の粒子の形成を限定するためにドナー基板１の中央ゾーン９の注入量２７より少ないように、実行される注入ステップ１７を含む。本発明は、上で説明されたプロセスによって生産されるキャリア基板上に薄い層を移転するためのプロセス用のドナー基板１にも関する。本発明は、注入領域をドナー基板１の縁部５のゾーンに限定するためのデバイスにも関する。【選択図】  図１ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア基板（１１）上に層を移転するプロセスで特に使用されるべきドナー基板（１）の内側の所定の分離ゾーン（１９）を形成するためのプロセスにおいて、
前記ドナー基板（１）の縁部（５）のゾーンの注入量（２５）が前記ドナー基板（１）の中央ゾーン（９）の注入量（２７）より少ないように実行される原子及び／又はイオン注入ステップ（１７）を含む、ことを特徴とするプロセス。
【請求項２】
前記注入ステップ（１７）が、前記注入（１７）が前記ドナー基板（１）の前記中央ゾーン（９）に限定されるように実行される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記ドナー基板（１）の前記縁部（５）の前記ゾーンが、前記ドナー基板（１）の前記縁部の面取りゾーン（７）を含むか又はそれに限定される、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記基板（１）の前記縁部（５）の前記ゾーンの幅が、１ｍｍ〜５ｍｍで構成され、特に、１ｍｍ〜２ｍｍで構成される、請求項１〜３の少なくとも１項に記載のプロセス。
【請求項５】
前記注入（１７）が、マスク（４３）を使用して、前記ドナー基板（１）の前記縁部（５）の前記ゾーンの上又は上方で実行される、請求項１〜４の少なくとも１項に記載のプロセス。
【請求項６】
前記注入（１７）が、前記ドナー基板（１）の前記縁部（５）の前記ゾーンに向けた注入量が前記ドナー基板（１）の前記中央ゾーン（９）の注入量より少ないように、特に、前記注入（１７）が前記ドナー基板（１）の前記中央ゾーン（９）に限定されるように、前記ドナー基板をイオンビームで走査することによって実行される、請求項１〜５の少なくとも１項に記載のプロセス。
【請求項７】
前記注入（１７）が、ヘリウムイオン（Ｈｅ）の注入、又は、ヘリウムイオン及び水素イオン（Ｈｅ−Ｈ）の同時注入、を含む、ことを特徴とする請求項１〜６の少なくとも１項に記載のプロセス。
【請求項８】
特に、前記第１の注入ステップより少ない注入量で前記ドナー基板（１）の面全体の上に実行される、第２の原子及び／又はイオン注入ステップ（１７）を含む、ことを特徴とする請求項１〜７の少なくとも１項に記載のプロセス。
【請求項９】
前記第１の注入ステップ（１７）が、ヘリウムイオンの注入であり、前記第２の注入ステップ（１７）が、水素イオンの注入である、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記ドナー基板の前記縁部（５）の前記ゾーンの前記注入量（２５）が、１ｅ１６ａｔ／ｃｍ２より少なく、特に、０．５ｅ１６ａｔ／ｃｍ２〜１ｅ１６ａｔ／ｃｍ２で構成される、請求項１〜９の少なくとも１項に記載のプロセス。
【請求項１１】
キャリア基板上に層を移転するプロセスのためのドナー基板であって、所定の分離ゾーン（１９）を含み、前記ドナー基板の前記縁部（５）のゾーンの前記注入量（２５）が、特に、請求項１〜１０の少なくとも１項に記載の前記プロセスによって生産される、前記ドナー基板の中央ゾーン（９）の注入量（２７）より少ない、ドナー基板。
【請求項１２】
キャリア基板上にドナー基板の層を移転するプロセスであって、
（ａ）請求項１１に係るドナー基板（１）をキャリア基板（１１）に取着するステップと、
（ｂ）前記ドナー基板の残部（２３）を前記キャリア基板（１１）に移転された前記層（２１）から脱離するために、所定の分離ゾーン（１９）の部位で脱離作業を実行するステップと、を含む、プロセス。
【請求項１３】
ステップ（ｂ）が、熱アニールステップを含む、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１４】
注入領域をドナー基板（１）、特に、請求項１１に記載のドナー基板、の前記縁部（５）のゾーンに限定するためのデバイスにおいて、前記デバイスが、前記ドナー基板（１）の前記縁部（５）のゾーンに向けた前記注入量（２５）が前記ドナー基板（１）の中央ゾーン（９）の前記注入量（２７）より少ないように、前記注入（１７）を実行するのに適した手段を含む、ことを特徴とするデバイス。
【請求項１５】
前記注入領域を前記ドナー基板（１）の前記中央ゾーン（９）に限定するための前記手段が、マスク（４３）を含むことがある、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記マスク（４３）が、前記ドナー基板（１）の上又はその上方に位置決めされたリングである、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記マスク（４３）が、ドナー基板（１）の前記縁部（５）の前記ゾーンを、１ｍｍ〜５ｍｍで、特に、１〜２ｍｍで構成される幅全体について、マスキングするように構成される、ことを特徴とする請求項１４〜１６の少なくとも１項に記載のデバイス。
【請求項１８】
請求項１４〜１７の少なくとも１項に記載のデバイスを含む、ドナー基板（１）にイオンを注入するためのイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体オンインシュレータ（ＳｅＯＩ：ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を製作する分野に関し、より詳細には、ドナー基板に対して実行されて前記ドナー基板の内部に所定の分離ゾーンを作り出すイオン注入ステップに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体オンインシュレータ（ＳｅＯＩ）基板は、スマートカットプロセスを用いて取得できる。このタイプのプロセスでは、層は、ドナー基板のインターフェースに沿って破砕波を伝播することによって、ドナー基板からキャリア基板に移転され、インターフェースは、熱アニール作業中にイオン注入によって事前に脆化される。破砕中に、特に、ＳｅＯＩ基板の縁部に、マイクロメータサイズの粒子が作り出される。
【０００３】
こうしてその後に必要になるのは、ＳｅＯＩ基板及び／又はドナー基板の残部を、ＲＣＡクリーニングプロセスを用いてクリーニングすることである。従って、これは、時間と資源の損失を意味する。
【発明の概要】
【０００４】
従って、本発明の目的である上記欠点の克服のために提供するプロセスは、ドナー基板から層をキャリア基板上に移転するための所定の分離ゾーンを備えたドナー基板を製作することを可能にし、移転された層を備えたキャリア基板をドナー基板の残部から脱離するステップおいて発生する粒子のレベルを低下させることを可能にする。
【０００５】
本発明の目的は、キャリア基板上に層を移転するプロセスで特に使用されるべきドナー基板の内側の所定の分離ゾーンを形成するためのプロセスによって達成され、プロセスは、ドナー基板の縁部のゾーンの注入量がドナー基板の中央ゾーンの注入量より少ないように実行されるイオン注入ステップを含む、ことを特徴とする。こうして、ドナー基板の縁部のゾーンは、キャリア基板との結合が無いことがあるが、ドナー基板の中央ゾーンより、注入ステップによる損傷が少ない。
【０００６】
こうして、このゾーンでは、キャリア基板の存在に起因する硬直する効果は何らあり得ず、少なめの注入量は、熱結合解除処理中にブリスタや剥離の形成を減少させ、最終的に、粒子の生成を減少させる。
【０００７】
本発明の１つの変形形態によれば、注入ステップは、注入がドナー基板の中央ゾーンに限定されるように実行されることがある。こうして、イオンは、基板の縁部のゾーンに注入されず、したがって、このゾーンは、注入されたイオンがなく、以て、アニール中の粒子の生成を更に減少させる。
【０００８】
本発明の別の変形形態によれば、ドナー基板の縁部のゾーンは、ドナー基板の縁部の面取りゾーンを含むことがあり、或いは、それに限定されることがある。基板の面取りゾーンは、基板の縁部のゾーンに対応し、そこでは、縁部は、縁部の鋭角が壊れるように傾いている。基板の面取りゾーンの幅は、典型的には、０．５〜３ｍｍのオーダである。ドナー基板をキャリア基板に結合するとき、面取りゾーンは、未結合のままであり、したがって、熱アニール中のブリスタの形成は、このゾーンに限定されるか又は不存在であることがある。
【０００９】
本発明の１つの変形形態によれば、基板の縁部のゾーンの幅は、１ｍｍ〜５ｍｍで構成され、特に、１ｍｍ〜２ｍｍで構成されることがある。こうして、基板の縁部のゾーンは、面取りゾーンより僅かに大きいように選択されることがある。
【００１０】
本発明の１つの変形形態によれば、イオンの注入は、マスクを使用して、基板の縁部のゾーンの上又は上方で実行されることがある。本発明の１つの代替形態によれば、イオンの注入は、ドナー基板の縁部のゾーンの注入量がドナー基板の中央ゾーンの注入量より少ないように、特に、注入がドナー基板の中央ゾーンに限定されるように、基板をイオンビームで走査することによって実行されることがある。それらの２つのプロセス変形形態は、簡単なやり方で実行されることがある。
【００１１】
本発明の１つの変形形態によれば、イオンの注入は、水素イオン（Ｈ）の注入、又は、ヘリウムイオン及び水素イオン（Ｈｅ−Ｈ）の同時注入、を含むことがある。
【００１２】
本発明の別の変形形態によれば、プロセスは、特に、第１の注入ステップより少ない注入量で基板の面全体の上に実行される、第２のイオン注入ステップを含むことがある。同時注入の低めの濃度のおかげで、熱アニール作業中の粒子の生成は、回避されるか又は少なくとも減少されることがある。
【００１３】
本発明の１つの変形形態によれば、第１の注入ステップは、ヘリウムイオンの注入であることがあり、第２の注入ステップは、水素イオンの注入であることがある。
【００１４】
本発明の１つの変形形態によれば、ドナー基板の縁部のゾーンの注入量は、１ｅ１６ａｔ／ｃｍ２より少なく、特に、０．５ｅ１６ａｔ／ｃｍ２〜７ｅ１６ａｔ／ｃｍ２で構成されることがある。ドナー基板の縁部のゾーンのそういった注入量のために、熱アニール作業中の粒子の生成は、回避されるか又は少なくとも減少されることがある。
【００１５】
本発明の目的は、キャリア基板上に薄い層を移転するプロセスのためのドナー基板によっても達成され、所定の分離ゾーンを含み、ドナー基板の縁部のゾーンの注入量は、特に、上で説明されたプロセスによって生産される、ドナー基板の中央ゾーンの注入量より少ない。利点は、そういった基板の場合に、層移転プロセスの脱離ステップで生成される粒子のレベルの減少が得られるということである。
【００１６】
本発明の目的は、キャリア基板上にドナー基板の薄い層を移転するプロセスによっても達成されることがあり、（ａ）上で説明されたドナー基板をキャリア基板に取着するステップと、（ｂ）ドナー基板の残部をキャリア基板に移転された層から脱離するために、所定の分離ゾーンの部位で脱離作業を実行するステップと、を含む。本発明のドナー基板を使用するこのプロセスの場合、層は、少なめの粒子を生成しつつ移転されることがある。
【００１７】
本プロセスの１つの変形形態によれば、ステップ（ｂ）は、熱アニール作業を含むことがある。
【００１８】
本発明の目的は、注入領域をドナー基板、特に、上で説明されたようなドナー基板、の縁部のゾーンに限定するためのデバイスによっても達成されることがあり、デバイスは、ドナー基板の縁部のゾーンに向けた注入量がドナー基板の中央ゾーンの注入量より少ないように、注入を実行するのに適した手段を含む、ことを特徴とする。こうして、可能であるのは、基板上への注入ゾーンの着座を制御することであり、特に、注入ゾーンを基板の中央ゾーンに範囲決めすることであり、上で説明されたような層移転プロセスでの粒子の生成を減少させることができることである。
【００１９】
本発明の１つの変形形態によれば、注入領域をドナー基板の中央ゾーンに限定するための手段は、マスクを含むことがある。本発明の別の代替形態によれば、マスクは、ドナー基板の上又はその上方に位置決めされたリングであることがある。本発明の１つの代替形態によれば、マスクは、ドナー基板の縁部のゾーンを、１ｍｍ〜５ｍｍで、特に、１〜２ｍｍで構成される幅全体について、マスキングするように構成されることがある。こうして、基板内の注入プロファイルは、様々な用量を有する注入ゾーンを１つの同じ基板に得るために、簡単なやり方で修正されて予め決定されることがある。
【００２０】
１つの代替形態によれば、本発明の目的は、上で説明されたようなデバイスを含むドナー基板にイオンを注入するためのイオン注入装置によって達成されることもある。こうして、イオン注入装置は、基板上への注入ゾーンの着座を制御すること、特に、注入ゾーンを基板の中央ゾーンに範囲決めすることに関して、より大きな可能性を提供することがある。
【００２１】
本発明は、以下の説明を、参照数値が本発明の要素を識別する添付の図面と共に、参照することによって、理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１ａ】本発明に従ってドナー基板からキャリア基板に薄い層を移転するプロセスの様々なステップを概略示す図である。
【図１ｂ】本発明に従ってドナー基板からキャリア基板に薄い層を移転するプロセスの様々なステップを概略示す図である。
【図１ｃ】本発明に従ってドナー基板からキャリア基板に薄い層を移転するプロセスの様々なステップを概略示す図である。
【図１ｄ】本発明に従ってドナー基板からキャリア基板に薄い層を移転するプロセスの様々なステップを概略示す図である。
【図１ｅ】本発明に従ってドナー基板からキャリア基板に薄い層を移転するプロセスの様々なステップを概略示す図である。
【図１ｆ】本発明に従ってドナー基板からキャリア基板に薄い層を移転するプロセスの様々なステップを概略示す図である。
【図２ａ】本発明の１つの変形形態に係る注入ステップでの基板の縁部をマスキングする図である。
【図２ｂ】本発明の１つの変形形態に係る注入作業中の基板の縁部のゾーンをマスキングするために使用されるマスクの上方からの概略図である。
【図２ｃ】本発明の１つの変形形態に係る注入ステップでの注入イオンビームで走査する作業を概略示す図である。
【図３ａ】ドナー基板が２つの連続的な注入ステップに晒される本発明の別の実施形態を概略示す図である。
【図３ｂ】ドナー基板が２つの連続的な注入ステップに晒される本発明の別の実施形態を概略示す図である。
【図４ａ】本発明の１つの変形形態に従って製作される所定の分離ゾーンを含むドナー基板の上方からの図である。
【図４ｂ】本発明の１つの変形形態に従って製作される所定の分離ゾーンを含むドナー基板のプロファイル図である。
【図４ｃ】本発明に係る例に従ったドナー基板の注入プロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明に係る薄い層をドナー基板からキャリア基板上に移転するプロセスは、図１ａ〜１ｆによって詳細に説明される。それは、所定の分離ゾーンをドナー基板に形成するステップ（図１ａ〜１ｃ）と、ドナー基板をキャリア基板に取着するステップ（図１ｄ）と、薄い層をドナー基板からキャリア基板上に脱離及び移転するステップ（図１ｅ及び１ｆ）と、を含む。
【００２４】
図１ａは、表面酸化物などの他の層を有するか又は有しないドナー基板１、例えば、シリコン基板や任意の他の半導体基板を示す。ドナー基板１は、その主面３上に、面取りされた部分７を含む基板の縁部５のゾーンを有する。典型的には、面取りゾーンの幅は、０．５ｍｍ〜３ｍｍに及ぶ。また、ドナー基板１は、縁部５のゾーン内に範囲決めされた中央ゾーン９を含む。
【００２５】
図１ｂは、主面１３を有するキャリア基板１１を示す。キャリア基板１１は、例えば、シリコン基板や任意の他の半導体基板であり、表面酸化物などの他の層を有するか又は有しない。ドナー基板１と同じように、キャリア基板１１は、面取りゾーン１５をその境界上に有することがある。
【００２６】
次に、図１ｃに例証されているように、ドナー基板１は、イオン種や原子種１７を注入するステップに晒される。この注入プロセスは、衝撃面３に対してドナー基板１の所定の深さｄに最大濃度で種１７をドナー基板１に導入して、弱化ゾーン１９をその中に作り出す。
【００２７】
イオン種や原子種１７の注入は、単一の注入作業、即ち、例えば、水素、ヘリウム、又は任意の他の貴ガスを注入する作業などの単一の原子種の注入であることがある。注入は、イオン種や原子種１７の同時注入、即ち、例えば、ヘリウム（９５ｋｅＶ及び２．５ｅ１６ａｔ／ｃｍ２）と水素（６５ｋｅＶ及び１．５ｅ１６ａｔ／ｃｍ２）との同時注入などの少なくとも２つの異なった種を注入する作業であることもある。
【００２８】
弱化ゾーン１９は、ドナー基板１の層２１と残部２３との間の境界を形成する。弱化ゾーン１９は、本明細書では、所定の分離ゾーンとも呼ばれる。
【００２９】
本発明によれば、注入作業１７は、ドナー基板１の縁部５のゾーンの部位における注入量２５が、ドナー基板１の中央ゾーン９の注入量２７よりも少ないように、実行され、それは図１ｃの概略拡大図に示される。
【００３０】
本発明の１つの変形形態によれば、ドナー基板１の縁部５のゾーンでの注入イオンの用量は、１ｅ１６ａｔ／ｃｍ２未満であるか、さもなければ、前記ゾーンでさえも注入イオンなしである。
【００３１】
図１ｄは、キャリア基板１１が、２つの基板を共に接合するように、その主面１３の一方を介して、ドナー基板１の主面３と接触するステップを示す。２つの基板１及び１１の間の結合は、スタック３１を形成するために結合インターフェース２９において分子接着によって形成される。ドナー基板１及びキャリア基板１１のそれぞれの面取りゾーン７及び１５の部位において、結合３３の無いゾーンが観察されることがある。
【００３２】
図１ｅは、半導体基板３５を作り出す目的で、層２１をキャリア基板１１上に移転するように、ドナー基板１の残部２３から弱化ゾーン１９に沿って脱離するステップを示す。
【００３３】
例として、脱離作業は、熱処理を用いて、図１ｄに例証する多層スタック３１を熱アニール作業に晒すことによって、実行されることがあり、その間において、ドナー基板１の残部２３からの自発的な脱離は、所定の分離ゾーン１９に沿って起こる。この熱脱離作業は、炉内で摂氏１００度〜摂氏７００度、好ましくは、摂氏約５００度で典型的に実行される。代替形態として、熱脱離作業は、機械的な処理、例えば、所定の分離ゾーン１９に対するブレードの使用を伴うことがある。
【００３４】
図１ｆは、キャリア基板１１に移転層２１を有する最終の半導体基板３５を示す。従来技術の層移転プロセスと比較して、ドナー基板１の中央ゾーン９に対する縁部５のゾーンへの僅かなイオンの注入は、脱離作業中に半導体基板３５の面３７上とドナー基板１の残部２３の面上との両方で少なめの粒子が作り出されるという効果を有する。
【００３５】
具体的には、図１ｄに例証された多層スタック３１の結合２９の無いゾーンの理由から、このゾーンには、硬直する効果が存在せず、また、縁部５のゾーンへのイオンの大量注入は、従来技術で知られたプロセスに係る層移転プロセスの脱離ステップの熱処理中にブリスタや剥離の形成をもたらす。
【００３６】
粒子の生成を減少させる効果は、表面酸化物の無い半導体層の移転に関して特に目に見える。
【００３７】
図２ａは、マスクが図１ｃに示す注入ステップで使用されるときに、本発明に係るドナー基板１の縁部５のゾーンをマスキングする作業の１つの実施形態を示す。図２ｂは、本発明のこの変形形態に係る注入作業中のドナー基板１の縁部５のゾーンをマスキングするために使用されるマスクを示す。
【００３８】
上で説明したようなドナー基板１は、注入装置４１に配置され、また、上で説明したような原子種やイオン種の注入１７に晒される。従って、この注入プロセスは、所定の深さｄに最大濃度で注入種１７をドナー基板１に導入して、弱化ゾーン１９をその中に作り出す。
【００３９】
マスク４３は、ドナー基板１上に配置されて、縁部５のゾーンを注入作業１７からマスキングし、こうして、このゾーン５へのイオンの注入を回避する。本発明のこの変形形態によれば、マスク４３は、ドナー基板１の少なくとも面取りゾーン７をマスキングする。特に、マスク４３は、ドナー基板１の縁部５のゾーンを、１ｍｍ〜５ｍｍ、特に、１〜２ｍｍで構成される幅ｌ全体について、マスキングする。
【００４０】
本発明の別の変形形態によれば、マスク４３は、ドナー基板１の上方に配置されることもあり、直接接触することがなく、しかしながら、依然としてイオンビーム１７の経路中にある。
【００４１】
図２ｂは、上から見たマスク４３を概略示す。非限定の様式では、マスク４３は、リングの形状を採る。こうして、ドナー基板１の縁部５のゾーンは、図２ａに例証されているように、イオンが到達していない場合がある。具体的には、イオンは、マスク４３の中に止められる。
【００４２】
マスク４３は、テフロン（登録商標）、アルミニウム、又は任意の他の適切な材料で作製されることがある。１つの変形形態によれば、マスク４３は、ドナー基板１上のレジスト、硬質酸化物、又は窒化物で作られた犠牲マスクであることもあり、それはドナー基板をキャリア基板に取着するステップの前に除去されるであろう。
【００４３】
ドナー基板１の半径Ｒに関して、マスク４３は、ドナー基板１の少なくとも面取り領域７をカバーすることのできる、Ｒから１〜５ｍｍを引いた内側半径ｒｍｉｎと、少なくともＲの外側半径ｒｍａｘと、を有する。
【００４４】
マスク４３を使用する代わりに、ドナー基板１は、図２ｃの矢印で例証されるように、ドナー基板１の面３上にイオンビーム４５を走査することによって、注入されることもある。イオンビーム４５の動きは、制御され、したがって、ドナー基板１の縁部５のゾーンは、イオン注入から除外され、或いは、ドナー基板１の中央ゾーン９よりも少ない注入量を含む。
【００４５】
図３ａ及び３ｂは、本発明の別の実施形態を例証している。ここで、ドナー基板１は、２つの連続的な注入ステップに晒され、したがって、ドナー基板の縁部のゾーンに向けた注入量は、ドナー基板の中央ゾーンでの注入量よりも少ない。上の図面と参照番号を共有するそれらの要素又は特徴については、再度詳細には説明されないが、参照は、それらに対して行われるであろう。
【００４６】
図３ａは、分離ゾーン５３をその中に作り出すための、マスク４３を使用する、ドナー基板１の中央領域９へのヘリウムイオンのイオン注入５１を示す（９５ｋｅＶ及び２．５ｅ１６ａｔ／ｃｍ２）。
【００４７】
図３ｂは、マスクを使用せずに水素イオンを使用する第２のイオン注入ステップ５５を例証する。水素注入量は、２ｅ１６ａｔ／ｃｍ２未満、好ましくは、０．５ｅ１６ａｔ／ｃｍ２〜１．５ｅ１６ａｔ／ｃｍ２でなければならない。その結果、注入された水素イオン５７は、中央ゾーン９にも、ドナー基板１の縁部５のゾーンにも、ドナー基板１内のヘリウムイオン５３と実質上同じ深さに、存在する。
【００４８】
図４ａ及び４ｂは、上で説明したような本発明に係る製作されたドナー基板の、プロファイル図及び上からの図をそれぞれ示す。図４ｃは、本発明に係るドナー基板の様々な例のイオン注入プロファイルを示す。上の図面と参照番号を共有するそれらの要素又は特徴については、再度詳細には説明されないが、参照は、それらに対して行われるであろう。
【００４９】
ドナー基板１、例えば、シリコンウエハは、ドナー基板１の主面３から距離ｄに所定の分離ゾーン１９を含む。ドナー基板１の縁部５のゾーンは、面取り領域７を含み、その幅は、典型的には、０．５〜３ｍｍである。
【００５０】
図４ａ及び４ｂは、起点０として主面３の中心からのドナー基板１の半径Ｒも示す。図４ａ及び４ｂの参照符号ｒ１は、中心０からの距離を表しており、そこにおいて、面取りゾーン７の開始部が、ドナー基板１の縁部から位置する。図４ａ及び図４ｂの参照符号ｒ２は、ドナー基板１の縁部５のゾーンを、したがって、ドナー基板１の中央ゾーン９に対して注入量が少なくなり始める領域を、範囲決めする半径を例証する。
【００５１】
所定の分離ゾーン１９の範囲決めは、図４ｃの例に係るドナー基板の注入プロファイルと相関することがある。
【００５２】
図４ｃでは、ドナー基板内の注入量ｃは、（対数）Ｙ軸上に示され、ドナー基板１の中心に起点０を有する半径方向ｒは、Ｘ軸上に示される。
【００５３】
実施例１
線８１は、本発明の第１の実施例に係るドナー基板１内の注入プロファイルを表す。ヘリウムイオンは、ドナー基板１の面取りゾーン７に対応するドナー基板１の縁部５のゾーンをマスキングするために、図２ｄに示すようなマスク４３を使用して、注入量ｃ１（９５ｋｅＶ及び２．５ｅ１６ａｔ／ｃｍ２）で注入される。
【００５４】
このケースでは、ｒ１＝ｒ２であり、注入量ｃ１で注入されるドナー基板１の中央ゾーン９は、中心Ｏからｒ１まで延びる。距離ｒ１から、注入量は、マスク４３がこの距離ｒ１から縁部５のゾーンをマスキングしたと仮定すると、急速にゼロになる。
【００５５】
実施例２
本発明に係る第２の実施例によれば、マスク４３は、選択されることがあり、したがって、ドナー基板１の縁部５のゾーンが、ドナー基板１の面取りゾーン７より広く、ヘリウムイオンの注入量が、中央ゾーン９の注入量よりも少ない。従って、ｒ２＜ｒ１である。
【００５６】
こうして、第２の実施例に用いられるべきマスク４３は、ｒ１より小さく、したがって、第１の実施例のそれよりも小さい内側半径ｒｍｉｎを有する。図４ｃは、点線８３で本実施例の注入プロファイルを表す。ｒ＜ｒ２まで、注入量は、第１の実施例におけると同じようにｃ１である。ｒ＞ｒ２の間、注入イオンの用量は、ゼロになる。
【００５７】
注入作業からマスキングされるドナー基板１の縁部５のゾーンの幅、即ち、Ｒ−ｒ２は、少なくとも面取りゾーン７（実施例１のように）をカバーするために、１ｍｍ〜５ｍｍ、特に、１〜２ｍｍで構成され、その結果、ドナー基板１に存在する所定の分離ゾーン１９は、縁部５のこのゾーンにイオンが注入されていない。
【００５８】
ドナー基板１が両実施例においてイオン注入されていないゾーンを有すると考えると、観察できるのは、図１（ａ）〜１（ｆ）に説明されているような層移転プロセスにおける粒子の減少である。具体的には、脱離ステップの熱処理中に粒子を作り出すかもしれない、図１（ｄ）に示された結合２９の無い部分には、熱処理中に剥離ブリスタの形成がない。
【００５９】
実施例３
図３ａ及び３ｂを参照して説明されたような本発明の別の実施例によれば、第２の注入ステップは、第１の注入作業後にドナー基板に実行され、対応する注入プロファイルは、図３ｃの一点鎖線８５で示される。
【００６０】
第１の注入ステップは、実施例２に対応する基板の縁部５のゾーンをマスキングするために、マスク４３を使用して実行され、第２の注入ステップは、第１の注入ステップのそれよりも少ない水素イオンの注入量ｃ３で、ドナー基板の面３全体を通して実行される。例えば、水素イオンの注入のため、注入量ｃ３は、１ｅ１６ａｔ／ｃｍ２より少なく、典型的には、０．５ｅ１６ａｔ／ｃｍ２〜１ｅ１６ａｔ／ｃｍ２で構成される。この例では、注入イオンが、基板の縁部まで、所定の分離ゾーン１９全体に存在する。
【００６１】
第２の注入作業が、基板の面取りゾーン７に対応するドナー基板の縁部５のゾーンで低い用量で実行されたと考えると、それも、図１（ａ）〜１（ｆ）に示されるような層移転プロセスでの熱脱離処理中に剥離ブリスタを形成するリスクを減少させる。
【００６２】
本発明の特定の数の実施形態について説明してきた。しかしながら、理解されるであろうことは、様々な修正や改善が本発明の範囲から逸脱することなしに行えるということである。
【図１Ａ）】
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【図１Ｂ）】
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【図１Ｃ）】
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【図１Ｄ）】
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【図１Ｅ）】
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【図１Ｆ）】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【国際調査報告】
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