(57)【要約】  本発明は、表示技術分野に属し、具体的に画素回路及びその駆動方法、表示装置に関する。該画素回路において、復帰プリチャージサブ回路は、走査補償サブ回路と発光制御サブ回路に接続され、復帰信号に応じて発光制御サブ回路をリセットし、走査信号に応じて走査補償サブ回路における蓄積容量をプリチャージすることに用いられ、走査補償サブ回路は、さらに駆動サブ回路と発光制御サブ回路に接続され、走査信号に応じて走査補償サブ回路における蓄積容量を充電することで、前記駆動サブ回路を補償することに用いられ、駆動サブ回路は、さらに発光制御サブ回路に接続され、発光制御サブ回路を介して発光素子へ駆動電流を提供することに用いられ、発光制御サブ回路は、さらに発光素子に接続され、発光制御信号に応じて発光素子を発光するように制御することに用いられる。
2020531880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、復帰プリチャージサブ回路と、蓄積容量を有する走査補償サブ回路と、駆動サブ回路と、発光制御サブ回路と、を含む画素回路であって、
前記発光素子は、前記発光制御サブ回路による制御の下に発光して表示を行い、
前記復帰プリチャージサブ回路は、前記走査補償サブ回路と前記発光制御サブ回路に接続され、復帰信号に応じて前記発光制御サブ回路をリセットし、走査信号に応じて前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量をプリチャージすることに用いられ、
前記走査補償サブ回路は、さらに前記駆動サブ回路と前記発光制御サブ回路に接続され、走査信号に応じて前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量を充電することで、前記駆動サブ回路を補償することに用いられ、
前記駆動サブ回路は、さらに前記発光制御サブ回路に接続され、前記発光制御サブ回路を介して前記発光素子へ駆動電流を提供することに用いられ、
前記発光制御サブ回路は、さらに前記発光素子に接続され、発光制御信号に応じて前記発光素子を発光するように制御することに用いられる
画素回路。
【請求項２】
前記走査補償サブ回路は、第一トランジスタと、第二トランジスタと、第四トランジスタと、をさらに含み、
前記第一トランジスタの制御極が走査信号を受信し、第一極が前記蓄積容量の第一端に接続され、第二極がデータ信号を受信し、
前記第二トランジスタの制御極が走査信号を受信し、第一極が前記駆動サブ回路と前記発光制御サブ回路に接続され、第二極が前記第四トランジスタの第二極と復帰プリチャージサブ回路に接続され、
前記第四トランジスタの制御極が走査信号を受信し、第一極が前記蓄積容量の第二端と前記駆動サブ回路に接続され、第二極がさらに前記復帰プリチャージサブ回路に接続され、
前記蓄積容量の第一端がさらに前記発光制御サブ回路に接続され、第二端がさらに前記駆動サブ回路に接続され、前記蓄積容量の第一端を第一ノードとし、第二端を第二ノードとする
請求項1に記載の画素回路。
【請求項３】
前記駆動サブ回路は、第三トランジスタを含み、前記第三トランジスタの制御極が前記第二ノードに接続され、第一極はそれぞれ前記第二トランジスタの第一極と前記発光制御サブ回路に接続され、第二極が第一電圧を受信する
請求項2に記載の画素回路。
【請求項４】
前記発光制御サブ回路は、第五トランジスタと第六トランジスタを含み、
前記第五トランジスタの制御極が第一極に接続されるとともに、前記発光制御信号を受信し、第二極が前記第一ノードに接続され、
前記第六トランジスタの制御極が前記発光制御信号を受信し、第一極が前記復帰プリチャージサブ回路に接続されるとともに、さらに前記発光素子に接続され、第二極はそれぞれ前記第三トランジスタの第一極と、前記第二トランジスタの第一極に接続される
請求項3に記載の画素回路。
【請求項５】
前記復帰プリチャージサブ回路は、第七トランジスタと第八トランジスタを含み、
前記第七トランジスタの制御極が第一極に接続されるとともに、復帰信号を受信し、第二極が前記第四トランジスタの第二極に接続され、
前記第八トランジスタの制御極が第一極に接続されるとともに、復帰信号を受信し、第二極が前記第六トランジスタの第一極に接続されるとともに、さらに前記発光素子に接続される
請求項4に記載の画素回路。
【請求項６】
前記第一トランジスタから前記第八トランジスタまでいずれもP型のトランジスタである
請求項2〜5のいずれか一項に記載の画素回路。
【請求項７】
前記発光素子は、有機発光ダイオード又は量子ドット発光ダイオードである
請求項1と請求項4、5のいずれか一項に記載の画素回路。
【請求項８】
複数の画素回路を含み、
前記画素回路は、請求項1に記載の画素回路を用いる
表示装置。
【請求項９】
画素回路は、発光素子と、復帰プリチャージサブ回路と、蓄積容量を有する走査補償サブ回路と、駆動サブ回路と、発光制御サブ回路と、を含み、
前記発光素子は、前記発光制御サブ回路による制御の下に発光して表示を行い、
前記復帰プリチャージサブ回路は、前記走査補償サブ回路と前記発光制御サブ回路に接続され、復帰信号に応じて前記発光制御サブ回路をリセットし、走査信号に応じて前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量をプリチャージすることに用いられ、
前記走査補償サブ回路は、さらに前記駆動サブ回路と前記発光制御サブ回路に接続され、走査信号に応じて前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量を充電することで、前記駆動サブ回路を補償することに用いられ、
前記駆動サブ回路は、さらに前記発光制御サブ回路に接続され、前記発光制御サブ回路を介して前記発光素子へ駆動電流を提供することに用いられ、
前記発光制御サブ回路は、さらに前記発光素子に接続され、発光制御信号に応じて前記発光素子を発光するように制御することに用いられ、
駆動方法は、
前記復帰信号と前記走査信号に応じて、前記復帰プリチャージサブ回路を復帰させるとともに、前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量をプリチャージする復帰プリチャージ段階と、
前記走査信号に応じて、前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量を充電することで、前記駆動サブ回路を補償する充電補償段階と、
前記発光制御信号と前記データ信号に応じて、前記発光素子が発光するように駆動させる発光駆動段階と、
を含む画素回路の駆動方法。
【請求項１０】
前記走査補償サブ回路は、第一トランジスタと、第二トランジスタと、第四トランジスタと、蓄積容量と、をさらに含み、前記蓄積容量の第一端を第一ノードとし、第二端を第二ノードとし、
前記駆動サブ回路は、第三トランジスタを含み、
前記発光制御サブ回路は、第五トランジスタと第六トランジスタを含み、
前記復帰プリチャージサブ回路は、第七トランジスタと第八トランジスタを含み、
前記復帰プリチャージ段階は、第一段階と第二段階を含み、前記第一段階において、前記復帰信号が有効で、前記第七トランジスタと前記第八トランジスタが導通され、前記第二段階において、前記復帰信号と前記走査信号が有効で、前記第一トランジスタと、前記第二トランジスタと、前記第四トランジスタと、が導通され、前記第一ノードに前記データ信号の電圧をプリチャージし、前記第二ノードの電位をローレベルとし、
前記充電補償段階では、前記走査信号が有効で、前記第一トランジスタと、前記第二トランジスタと、前記第四トランジスタと、が導通されることで、前記第三トランジスタの制御極が第一極に電気的に接続されるが、前記第一ノードの電位は変化しないとともに、前記第三トランジスタを経由して前記第二ノードの電圧を充電し、
前記発光駆動段階では、前記発光制御信号が有効で、前記第五トランジスタと前記第六トランジスタが導通され、前記第一ノードと前記第二ノードとの間の差圧は、前記充電補償段階が終了した時の前記第一ノードと前記第二ノードとの差圧に保持される
請求項9に記載の駆動方法。
【請求項１１】
前記復帰プリチャージ段階では、前記第一段階と前記第二段階の持続時間が同一である。
請求項10に記載の駆動方法。
【請求項１２】
前記第一トランジスタから前記第八トランジスタまでいずれもP型のトランジスタであり、前記復帰信号と、前記走査信号と、前記発光制御信号と、前記データ信号とは、いずれもローレベルが有効である
請求項10に記載の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
〔関連出願の相互参照〕
本願は、2017年8月23日に中国国家知識産権局へ提出された中国特許出願No. 201710731593.2の優先権を主張し、この出願のすべての内容を参照により本願に援用する。
【０００２】
本発明は、表示技術分野に属し、具体的に画素回路及びその駆動方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
科学技術の発展に伴い、平面型表示装置は、重たいCRT表示装置に替わって人々の日常生活に浸透しつつある。現在、常用される平面型表示装置には、LCD（Liquid Crystal Display：液晶表示装置）、OLED（Organic Light-Emitting Diode:有機発光ダイオード）表示装置及びQLED（Quantum Dot Light Emitting Diodes：量子ドット発光ダイオード）表示装置等がある。OLEDとQLEDは自発光性能を有するため、表示分野において幅広く研究されている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本公開の一の方面では、発光素子と、復帰プリチャージサブ回路と、蓄積容量を有する走査補償サブ回路と、駆動サブ回路と、発光制御サブ回路と、を含む画素回路であって、
前記発光素子は、前記発光制御サブ回路による制御の下に発光して表示を行い、
前記復帰プリチャージサブ回路は、前記走査補償サブ回路と前記発光制御サブ回路に接続され、復帰信号に応じて前記発光制御サブ回路をリセットし、走査信号に応じて前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量をプリチャージすることに用いられ、
前記走査補償サブ回路は、さらに前記駆動サブ回路と前記発光制御サブ回路に接続され、走査信号に応じて前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量を充電することで、前記駆動サブ回路を補償することに用いられ、
前記駆動サブ回路は、さらに前記発光制御サブ回路に接続され、前記発光制御サブ回路を介して前記発光素子へ駆動電流を提供することに用いられ、
前記発光制御サブ回路は、さらに前記発光素子に接続され、発光制御信号に応じて前記発光素子を発光するように制御することに用いられる画素回路を提供する。
【０００５】
一つの実施形態では、前記走査補償サブ回路は、第一トランジスタと、第二トランジスタと、第四トランジスタと、を含み、
前記第一トランジスタの制御極が走査信号を受信し、第一極が前記蓄積容量の第一端に接続され、第二極がデータ信号を受信し、
前記第二トランジスタの制御極が走査信号を受信し、第一極が前記駆動サブ回路と前記発光制御サブ回路に接続され、第二極が前記第四トランジスタの第二極と復帰プリチャージサブ回路に接続され、
前記第四トランジスタの制御極が走査信号を受信し、第一極が前記蓄積容量の第二端と前記駆動サブ回路に接続され、第二極がさらに前記復帰プリチャージサブ回路に接続され、
前記蓄積容量の第一端がさらに前記発光制御サブ回路に接続され、第二端がさらに前記駆動サブ回路に接続され、前記蓄積容量の第一端を第一ノードとし、第二端を第二ノードとする。
【０００６】
一つの実施形態では、前記駆動サブ回路は、第三トランジスタを含み、前記第三トランジスタの制御極が前記第二ノードに接続され、第一極はそれぞれ前記第二トランジスタの第一極と、前記発光制御サブ回路に接続され、第二極が第一電圧を受信する。
【０００７】
一つの実施形態では、前記発光制御サブ回路は、第五トランジスタと第六トランジスタを含み、
前記第五トランジスタの制御極が第一極に接続されるとともに、前記発光制御信号を受信し、第二極が前記第一ノードに接続され、
前記第六トランジスタの制御極が前記発光制御信号を受信し、第一極が前記復帰プリチャージサブ回路に接続されるとともに、さらに前記発光素子に接続され、第二極はそれぞれ前記第三トランジスタの第一極と前記第二トランジスタの第一極に接続される。
【０００８】
一つの実施形態では、前記復帰プリチャージサブ回路は、第七トランジスタと第八トランジスタを含み、
前記第七トランジスタの制御極が第一極に接続されるとともに、復帰信号を受信し、第二極が前記第四トランジスタの第二極に接続され、
前記第八トランジスタの制御極が第一極に接続されるとともに、復帰信号を受信し、第二極が前記第六トランジスタの第一極に接続されるとともに、さらに前記発光素子に接続される。
【０００９】
一つの実施形態では、前記第一トランジスタから前記第八トランジスタまでいずれもP型のトランジスタである。
【００１０】
一つの実施形態では、前記発光素子は、有機発光ダイオード又は量子ドット発光ダイオードである。
【００１１】
本公開のもう一の方面では、複数の画素回路を含み、前記画素回路は上記の画素回路を用いる表示装置を提供する。
【００１２】
本公開のもう一の方面では、画素回路は、発光素子と、復帰プリチャージサブ回路と、蓄積容量を有する走査補償サブ回路と、駆動サブ回路と、発光制御サブ回路と、を含み、
前記発光素子は、前記発光制御サブ回路による制御の下に発光して表示を行い、
前記復帰プリチャージサブ回路は、前記走査補償サブ回路と前記発光制御サブ回路に接続され、復帰信号に応じて前記発光制御サブ回路をリセットし、走査信号に応じて前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量をプリチャージすることに用いられ、
前記走査補償サブ回路は、さらに前記駆動サブ回路と前記発光制御サブ回路に接続され、走査信号に応じて前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量を充電することで、前記駆動サブ回路を補償することに用いられ、
前記駆動サブ回路は、さらに前記発光制御サブ回路に接続され、前記発光制御サブ回路を介して前記発光素子へ駆動電流を提供することに用いられ、
前記発光制御サブ回路は、さらに前記発光素子に接続され、発光制御信号に応じて前記発光素子を発光するように制御することに用いられ、
駆動方法は、
前記復帰信号と前記走査信号に応じて、前記復帰プリチャージサブ回路を復帰させるとともに、前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量をプリチャージする復帰プリチャージ段階と、
前記走査信号に応じて、前記走査補償サブ回路における前記蓄積容量を充電することで、前記駆動サブ回路を補償する充電補償段階と、
前記発光制御信号と前記データ信号に応じて、前記発光素子が発光するように駆動させる発光駆動段階と、
を含む上記の画素回路の駆動方法を提供する。
【００１３】
一つの実施形態では、
前記走査補償サブ回路は、第一トランジスタと、第二トランジスタと、第四トランジスタと、蓄積容量と、をさらに含み、前記蓄積容量の第一端を第一ノードとし、第二端を第二ノードとし、
前記駆動サブ回路は、第三トランジスタを含み、
前記発光制御サブ回路は、第五トランジスタと第六トランジスタを含み、
前記復帰プリチャージサブ回路は、第七トランジスタと第八トランジスタを含み、
前記復帰プリチャージ段階は、第一段階と第二段階を含み、前記第一段階において、前記復帰信号が有効で、前記第七トランジスタと前記第八トランジスタが導通され、前記第二段階において、前記復帰信号と前記走査信号が有効で、前記第一トランジスタと、前記第二トランジスタと、前記第四トランジスタと、が導通され、前記第一ノードに前記データ信号の電圧をプリチャージし、前記第二ノードの電位をローレベルとし、
前記充電補償段階では、前記走査信号が有効で、前記第一トランジスタと、前記第二トランジスタと、前記第四トランジスタと、が導通されることで、前記第三トランジスタの制御極が第一極に電気的に接続され、前記第一ノードの電位は変化せず、前記第三トランジスタを経由して前記第二ノードの電圧を充電し、
前記発光駆動段階では、前記発光制御信号が有効で、前記第五トランジスタと前記第六トランジスタが導通され、前記第一ノードと前記第二ノードとの間の差圧は、前記充電補償段階が終了した時の前記第一ノードと前記第二ノードとの差圧に保持される。
【００１４】
一つの実施形態では、前記復帰プリチャージ段階では、前記第一段階と前記第二段階の持続時間が同一である。
【００１５】
一つの実施形態では、前記第一トランジスタから前記第八トランジスタまでいずれもP型のトランジスタであり、前記復帰信号と、前記走査信号と、前記発光制御信号と、前記データ信号とは、いずれもローレベルが有効である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本公開の一つの実施形態による画素回路の構造ブロック図である。
【図２】図1における画素回路の回路構成図である。
【図３】本公開の一つの実施形態による画素回路の駆動方法のフロー図である。
【図４】図3における画素回路の駆動方法のタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本公開の技術案を当業者がより明確に理解できるよう、以下では図面と具体的な実施形態を組合せて、本公開による画素回路及びその駆動方法、表示装置をさらに詳細に説明する。
【００１８】
表示装置において、画素回路内の駆動トランジスタの閾値電圧Vthのドリフト等の原因により電流が不安定になり、OLEDとQLEDに同様なデータ駆動信号DATAを提供するが、異なる駆動電流が得られ、さらに表示画面全体の均一性及び表示画質を影響する。
【００１９】
画素回路の閾値補償機構は、常に当業者が求めてやまない研究の焦点となっている。
【００２０】
本公開では従来技術の上記不足に対し、駆動トランジスタの閾値電圧VthがOLED又はQLEDの駆動電流に及ぼす影響を有効的に除去できる画素回路及びその駆動方法、表示装置を提供する。
【００２１】
本公開の一つの実施形態では、OLED又はQLED等に対して自律発光の電流駆動原理を実現し、画素回路内の閾値電圧Vthのドリフトが駆動電流に及ぼす影響を補償し、駆動トランジスタの閾値電圧VthがOLED又はQLEDの駆動電流に及ぼす影響による不均一な発光を除去して、発光が均一な表示装置が得られる。
【００２２】
図1は本公開の一つの実施形態による画素回路の構造ブロック図である。図1に示すように、該画素回路は、発光素子1と、復帰プリチャージサブ回路2と、蓄積容量Csを有する走査補償サブ回路3と、駆動サブ回路4と、発光制御サブ回路5と、を含み、
発光素子1は、発光制御サブ回路5による制御の下に発光して表示を行い、
復帰プリチャージサブ回路2は、走査補償サブ回路3と発光制御サブ回路5に接続され、復帰信号RSTに応じて発光制御サブ回路5をリセットし、走査信号GATEに応じて走査補償サブ回路3における蓄積容量Csをプリチャージすることに用いられ、 
走査補償サブ回路3は、さらに駆動サブ回路4と発光制御サブ回路5に接続され、走査信号GATEに応じて走査補償サブ回路3における蓄積容量Csを充電することで、駆動サブ回路4を補償することに用いられ、
駆動サブ回路4は、さらに発光制御サブ回路5に接続され、発光制御サブ回路5を介して発光素子1へ駆動電流を提供することに用いられ、
発光制御サブ回路5は、さらに発光素子1に接続され、発光制御信号EMに応じて発光素子1を発光するように制御することに用いられる。
【００２３】
一つの実施形態では、図1における画素回路の回路構成図は図2に示す通りで、以下では各サブ回路を詳細に説明する。
【００２４】
走査補償サブ回路3は、第一トランジスタT1と、第二トランジスタT2と、第四トランジスタT4と、蓄積容量Csと、を含み、
第一トランジスタT1の制御極が走査信号GATEを受信し、第一極が蓄積容量Csの第一端に接続され、第二極がデータ信号DATAを受信し、
第二トランジスタT2の制御極が走査信号GATEを受信し、第一極が駆動サブ回路4と発光制御サブ回路5に接続され、第二極が第四トランジスタT4の第二極と復帰プリチャージサブ回路に接続され、
第四トランジスタT4の制御極が走査信号GATEを受信し、第一極が蓄積容量Csの第二端と駆動サブ回路4に接続され、第二極がさらに復帰プリチャージサブ回路2に接続され、
前記蓄積容量の第一端がさらに前記発光制御サブ回路に接続され、第二端がさらに前記駆動サブ回路に接続され、蓄積容量Csの第一端を第一ノードN1とし、第二端を第二ノードN2とする。
【００２５】
駆動サブ回路4は、第三トランジスタT3を含み、第三トランジスタT3の制御極が第二ノードN2に接続され、第一極はそれぞれ第二トランジスタT2の第一極と、発光制御サブ回路5に接続され、第二極が外部から入力される第一電圧Vddを受信する。
【００２６】
発光制御サブ回路5は、第五トランジスタT5と第六トランジスタT6を含み、
第五トランジスタT5の制御極が第一極に接続されるとともに、発光制御信号EMを受信し、第二極が第一ノードN1に接続され、
第六トランジスタT6の制御極が発光制御信号EMを受信し、第一極が復帰プリチャージサブ回路2に接続されるとともに、さらに発光素子1に接続され、第二極はそれぞれ第三トランジスタT3の第一極と、第二トランジスタT2の第一極に接続される。
【００２７】
復帰プリチャージサブ回路2は、第七トランジスタT7と第八トランジスタT8を含み、
第七トランジスタT7の制御極が第一極に接続されるとともに、復帰信号RSTを受信し、第二極が上記のように第四トランジスタT4の第二極に接続され、
第八トランジスタT8の制御極が第一極に接続されるとともに、復帰信号RSTを受信し、第二極が第六トランジスタT6の第一極に接続されるとともに、さらに発光素子1に接続される。
【００２８】
本公開の実施形態で用いるトランジスタは、薄膜トランジスタ又は電界効果トランジスタ又は他の特性が同一な装置であっても良い。本公開で用いるトランジスタのソース、ドレインは対称的であるため、ソースとドレインには区別がない。トランジスタの制御極、即ち、ゲートを除く2極を区別するため、1つの極をソース、もう一つの極をドレインと称する。また、トランジスタの特性によって、トランジスタをN型のトランジスタ又はP型のトランジスタに分けることができ、実用では状況に応じて、画素回路における各部品の種類を柔軟に選択することができる。本実施形態の画素回路において、第一トランジスタT1から第八トランジスタT8までいずれもP型のトランジスタである。もう一つの実施形態において、第一トランジスタT1から第八トランジスタT8までいずれもN型のトランジスタであっても良い。他の実施形態において、第一トランジスタT1から第八トランジスタT8までの一部がN型のトランジスタであっても良く、一部がP型のトランジスタであっても良い。容易に理解されるのは、N型のトランジスタを用いる時、第一極はソースであっても良く、第二極はドレインであっても良く、P型のトランジスタを用いる時、第一極はドレインであっても良く、第二極はソースであっても良いということである。
【００２９】
相応に、本実施形態では、駆動トランジスタの閾値電圧Vthを補償するのに用いてOLED又はQLEDの駆動電流に及ぼす影響を除去することによって、発光が均一な画素回路を得るための上記の画素回路の駆動方法をさらに提供する。
【００３０】
図3は、本公開の一つの実施形態による画素回路の駆動方法のフロー図である。図3に示すように、該駆動方法は、
復帰信号と走査信号に応じて、復帰プリチャージサブ回路を復帰させるとともに、走査補償サブ回路における蓄積容量をプリチャージする復帰プリチャージ段階と、
走査信号に応じて、走査補償サブ回路における蓄積容量を充電することで、駆動サブ回路を補償する充電補償段階と、
発光制御信号とデータ信号に応じて、発光素子が発光するように駆動させる発光駆動段階と、を含む。
【００３１】
該駆動方法は、図1と図2に示す画素回路を駆動させるのに用いることができる。例えば、該駆動方法における復帰プリチャージサブ回路、走査補償サブ回路、駆動サブ回路、蓄積容量、発光素子は、図1と図2に示す復帰プリチャージサブ回路2、走査補償サブ回路3、駆動サブ回路4、蓄積容量Cs、発光素子1であっても良く、該駆動方法における復帰信号、走査信号、発光制御信号、データ信号は、図1と図2に示す復帰信号RST、走査信号GATE、発光制御信号EM、データ信号DATAであっても良い。
【００３２】
図4は、図3における画素回路の駆動方法のタイミングチャートである。以下では、図4を参考に該駆動方法を用いる画素回路の作動原理を説明する。
【００３３】
復帰プリチャージ段階S1において、画素回路の操作はさらに第一段階と第二段階の2つの段階に分けることができる。第一段階において、復帰信号RSTが有効で、第七トランジスタT7と第八トランジスタT8が導通され、前フレームのデータ信号がリセットされ、第二段階において、復帰信号RSTと走査信号GATEが有効で、第一トランジスタT1と、第二トランジスタT2と、第四トランジスタT4と、が導通され、第一ノードN1をデータ信号DATAの電圧Vdataでプリチャージし、第二ノードN2の電位をローレベルとする。つまり、S1の第一段階（即ち、復帰信号RSTをローレベルとし、走査信号GATEをハイレベルとする）が復帰段階の時、第七トランジスタT7、第八トランジスタT8が導通され、第八トランジスタT8が導通されることで前フレームのデータ信号がリセットされ、S1の第二段階（即ち、復帰信号RSTをローレベルとし、走査信号GATEをローレベルとする）がプリチャージ段階の時、第一トランジスタT1、第二トランジスタT2、第四トランジスタT4及び第七トランジスタT7、第八トランジスタT8がいずれも導通され、第一ノードN1の電位がデータ信号DATAの電圧Vdataで、第二ノードN2の電位がRSTのローレベルである。
【００３４】
充電補償段階S2において、走査信号GATEが有効で、第一トランジスタT1と、第二トランジスタT2と、第四トランジスタT4と、が引き続き導通され、第三トランジスタT3がダイオード接続を形成し、第一ノードN1の電位はデータ信号DATAの電圧Vdataで、第二ノードN2の電圧はVdd+Vthであり、Vddは外部入力の第一電圧であり、Vthは前記第三トランジスタの閾値電圧である。つまり、充電補償段階S2において、走査信号GATEはローレベルであり、復帰信号RSTはハイレベルであり、第七トランジスタT7、第八トランジスタT8が遮断され、第一トランジスタT1、第二トランジスタT2、第四トランジスタT4が引き続き導通され、この際、第三トランジスタT3のゲートと第三トランジスタT3のドレインとが、T2とT4によって短絡してダイオード接続を形成し、この時、第三トランジスタT3は第一電圧Vddで充電を開始し、第二ノードN2の電位がVdd+Vthに充電され（即ち、第三トランジスタT3のゲートソース両端の差圧がVthである）、第一ノードN1の電圧は依然としてVdataであり、第二ノードN2と第一ノードN1との差圧は、Vdd+Vth-Vdataである。
【００３５】
発光駆動段階S3において、発光制御信号EMが有効で、第五トランジスタT5と第六トランジスタT6が導通され、第三トランジスタT3のゲートソース間電圧はVth-Vdata+VEMであり、VEMは発光制御信号の電圧、発光素子の電流はK（VEM-Vdata）2であり、該電流計算式から見られるように、発光素子の電流は駆動トランジスタの閾値電圧Vthと無関係である。具体的に、画素回路の発光駆動段階S3において、走査信号GATEはハイレベルであり、発光制御信号EMはローレベルであり、第五トランジスタT5と第六トランジスタT6が導通され、第一ノードN1の電位は、発光制御信号EMのレベルに変わり（即ち、VEM）、第二ノードN2は、第二トランジスタT2と第四トランジスタT4が遮断されることでフローティング（Floating）し、蓄積容量Csにブートストラップが生じ（コンデンサ両端の電圧は急激に変化できないため、第一ノードN1と第二ノードN2との間には差圧が存在し、第一ノードN1における電圧が変化する時、第二ノードN2における電圧も変化して、第一ノードN1間の元の差圧を保持する）、電荷保存則よりq=UCsであり、蓄積容量Cs両端の差圧△V（即ち、第一ノードN1と第二ノードN2との間の差圧）は充電補償段階S2と発光駆動段階S3で変わらず、この時の第二ノードN2における電位をXとし、Vdd+Vth-Vdata=X-VEMとし、X=Vdd+Vth-Vdata+VEMを導出する。駆動ランジスタとしての第三トランジスタT3に関しては、ゲートソース間電圧は、VGS=X-Vdd=Vth-Vdata+VEMである。電流駆動原理によって、この時第三トランジスタT3を流れる電流Iは、
【数１】
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である。
【００３６】
そのうち、W/Lは、第三トランジスタT3の横縦比、Coxは、単位面積あたりのゲート酸化層容量、μは、キャリア移動度である。
【００３７】
上記式によって算出できるのは、本実施形態における第三トランジスタT3を流れる電流（即ち、発光素子1を流れる電流）は、K（VEM-Vdata）2の形で表すことができ、これで分かるように、発光素子1の電流は、駆動トランジスタ（即ち、第三トランジスタT3）の閾値電圧Vthと無関係である。
【００３８】
一つの実施形態における、上記駆動方法の復帰プリチャージ段階S1では、第一段階と第二段階の持続時間が同一である。当然ながら、復帰（第一段階）とプリチャージ（第二段階）との時間比を異なるように設けることもでき、ノードプリチャージに対する閾値補償を実現するだけで良く、ここでは制限しない。
【００３９】
一つの実施形態では、第一トランジスタT1から第八トランジスタT8までいずれもP型のトランジスタであり、当然ながら、本公開はこれに限定されない。他の実施形態において、第一トランジスタT1から第八トランジスタT8までいずれもN型のトランジスタであっても良い。他の実施形態において、第一トランジスタT1から第八トランジスタT8までの一部がN型のトランジスタで、一部がP型のトランジスタであっても良い。一つの実施形態では、例えば、第一トランジスタT1から第八トランジスタT8までいずれもP型のトランジスタである時、復帰信号RST、走査信号GATE、発光制御信号EM、データ信号DATAは、いずれもローレベルが有効であるが、本公開はこれに限定されない。他の実施形態において、復帰信号RST、走査信号GATE、発光制御信号EM、データ信号DATAの任意の1つ以上を需要に応じてハイレベルを有効とすることができる。
【００４０】
本実施形態の画素回路及び相応の画素回路の駆動方法では、駆動トランジスタの閾値電圧を補償することによって、駆動トランジスタの閾値電圧VthがOLED又はQLEDの駆動電流に及ぼす影響を除去できる。
【００４１】
本公開のもう一つの実施形態では表示装置を提供し、該表示装置は、上記実施形態による画素回路を複数含み、上記実施形態の画素回路の駆動方法を用いる。 
該表示装置は、デスクトップコンピュータ、タブレット、ラップトップ、携帯電話、PDA、GPS、カーディスプレイ、プロジェクションディスプレイ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、電子時計、電卓、電子機器、メーター、電子ペーパー、テレビ、モニター、デジタルフォトフレーム、ナビゲータ等のディスプレイ機能を備えた任意の製品やコンポーネントであっても良く、パブリックディスプレイ及びイリュージョンディスプレイ等の多くの分野に適用できる。
【００４２】
該実施形態の表示装置による画素回路は、駆動トランジスタの閾値電圧Vthの影響を受けないため、均一な発光効果を有し、より良い表示効果がある。
【００４３】
以上の実施形態は本公開の原理を説明するために用いた例示的な実施方法に過ぎず、本公開はこれに限定されない。当業者にとって、本公開の精神と実質的な状況を逸脱しない範囲で種々の変形と改良が可能であり、本公開の請求範囲にはそれらの変形と改良も含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１  発光素子
２  復帰プリチャージサブ回路
３  走査補償サブ回路
４  駆動サブ回路
５  発光制御サブ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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