(57)【要約】本発明は高純度の１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンと、その製造方法と、主として１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンを含む組成物の半導体業界での洗浄剤としての使用に関するものである。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（ｉ）および（ｉｉ）を含む高純度の１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンの製造方法：
（ｉ）最大で９９重量％の１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンを含む流れを用意し、
（ｉｉ）上記の流れを処理して、少なくとも９９．４重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で０．６重量％のヘキサフルオロプロペン、シス／トランス−１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ（Ｚ／Ｅ））、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｃ）、１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｃ）、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、シス／トランス−１，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ（Ｚ／Ｅ））、３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２４３ｚｆ）、１，１，１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＣ−２２７ｅａ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｆａ）、１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ）、１，１，１，２−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｅｂ）、１，１，１，３−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｆｂ）、１，１，１−トリフルオロプロパン（ＨＦＣ−２６３ｆｂ）、１，１，２−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３）、ヘキサフルオロシクロプロパン（シクロＣ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（シクロＣ4Ｆ8）、シス／トランス−１、１、１、４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−３５６ｍｆｆ（Ｚ／Ｅ））、水、水素、窒素、酸素、ＣＯ2、ＣＯおよびＨＦの中から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含む組成物を作り、この処理は少なくとも１つの分離および／または精製工程を含むのが好ましい。
【請求項２】
下記の（ｉ）および（ｉｉ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法：
（ｉ）ヘキサフルオロプロペンを水素化、好ましくは触媒水素化して１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンを含み、場合によってはさらに未反応ヘキサフルオロプロペン、未反応の水素、シス／トランス−１、２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ（Ｚ／Ｅ））、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｃ）、１，１，１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｃ）、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、シス／トランス−１，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ（Ｚ／Ｅ））、３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２４３ｚｆ）、１，１，１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｆａ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ）、１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）、１，１，１，２−テトラフルオロエタン（ＨＦＣ−２５４ｅｂ）、１，１，１，３−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｆｂ）、１，１，１−トリフルオロプロパン（ＨＦＣ−２６３ｆｂ）、１，１，２−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３）、ヘキサフルオロシクロプロパン（シクロ−Ｃ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン）（シクロＣ4Ｆ8）、シス／トランス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−３５６ｍｆｆ（Ｚ／Ｅ））、水、窒素、酸素、ＣＯ2、ＣＯおよびＨＦから選ばれる少なくとも１種の化合物を含む流れを作り、
（ｉｉ）少なくとも１回の分離および／または精製工程を行って、少なくとも９９．４重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で０．６重量％のヘキサフルオロプロペン、シス／トランス−１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ（Ｚ／Ｅ））、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｃ）、１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｃ）、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、シス／トランス−１，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ（Ｚ／Ｅ））、３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２４３ｚｆ）、１，１、１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｆａ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ）、１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）、１，１，１，２−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｅｂ）、１，１，１，３−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｆｂ）、１，１，１−トリフルオロプロパン（ＨＦＣ−２６３ｆｂ）、１，１，２−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３）、ヘキサフルオロシクロプロパン（シクロＣ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（シクロＣ4Ｆ8）、シス／トランス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−３５６ｍｆｆ（Ｚ／Ｅ））、水、窒素、酸素、ＣＯ2、ＣＯおよびＴＨから選ばれる少なくとも１種の化合物とを含む組成物にする。
【請求項３】
上記分離工程が凝縮、蒸発、デカンテーション、吸収、洗浄および液−液抽出から選択される請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
上記精製工程が光塩素、蒸留、好ましくは抽出蒸留および／または共沸蒸留、固体上での吸着、好ましくはモレキュラーシーブ、アルミナまたは活性炭上または膜上での吸着から選択される請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
上記の流れの処理が少なくとも一回のＨＦの除去工程、好ましくは活性アルミナによる除去工程および／または少なくとも一回の水の除去工程、好ましくは分子篩、有利には３〜５Åの分子篩による除去工程および／または少なくとも一回の蒸留工程を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
蒸留工程を２つの蒸留塔を使用して行う請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
ＨＦの除去工程の前に光塩素の工程を含む請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
上記水素化工程を希釈剤の存在下で行う請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
（ｉ）の工程の最後に、流れを部分凝縮工程に送って凝縮留分と非凝縮留分に分け、非凝縮留分を水素化工程へ再循環する請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
凝縮した画分を蒸発させ、次いで少なくとも１回の分離および／または精製工程に送る請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも９９．４重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で０．６重量％のヘキサフルオロプロペン、１，１，１，２−テトラフルオロプロパン、１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン、水およびＨＦの中から選択される少なくとも１種の化合物とを含む組成物。
【請求項１２】
少なくとも９９．４重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で０．６重量％のヘキサフルオロプロペン、シス／トランス−１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ（Ｚ／Ｅ））、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｃ）、１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｃ）、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、シス／トランス−１，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ（Ｚ／Ｅ））、３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２４３ｚｆ）、１，１，１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｆａ）、１，１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）、１，１，１，２−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｅｂ）、１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ）、１，１，１，３−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｆｂ）、１，１，１−トリフルオロプロパン（ＨＦＣ−２６３ｆｂ）、１，１，２−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３）、ヘキサフルオロシクロプロパン（シクロＣ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（シクロＣ4Ｆ8）、シス／トランス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−３５６ｍｆｆ（Ｚ／Ｅ））、水、窒素、酸素、ＣＯ2、ＣＯおよびＨＦの中から選択される少なくとも１種の化合物とを含む組成物。
【請求項１３】
９９．９重量％、有利には９９．９９重量％、さらには９９．９９５重量％のＨＦＣの２３６ｅａと、最大で１９０ｐｐｍの水と最大で０．１重量％のＨＦ、好ましくは最大で１０ｐｐｍの水と最大で１ｐｐｍのＨＦ、有利には最大で１ｐｐｍの水と最大で０．１ｐｐｍのＨＦとを含む請求項１１または１２に記載の組成物。
【請求項１４】
少なくとも９９．４重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で０．６重量％のヘキサフルオロプロペン、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｃ）、１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｃ）、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、シス／トランス−１，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ（Ｚ／Ｅ））、３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２４３ｚｆ）、１，１，１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｆａ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ）、１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）、１，１，１，２−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｅｂ）、１，１，１，３−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｆｂ）、１，１，１−トリフルオロプロパン（ＨＦＣ−２６３ｆｂ）、１，１，２−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３）、ヘキサフルオロシクロプロパン（シクロＣ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（シクロＣ4Ｆ8）、シス／トランス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−３５６ｍｆｆ（Ｚ／Ｅ））、水、窒素、酸素、ＣＯ2、ＣＯおよびＴＨＦの中〜選択される少なくとも１種の化合物とを含む組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高純度の１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンと、その製造方法と、この１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンを主成分とする組成物の半導体業界での洗浄剤としての使用とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｅａ）は１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロペンを製造するための原料として、または１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパンおよび／または１，１，１，２−テトラフルオロペンの製造中間体として知られているハイドロフルオロカーボンである。これについては［特許文献１］（米国特許第５６７９８７５号明細書）、［特許文献２］（米国特許第５３９６００号明細書）、［特許文献３］（米国特許第８３５９９６４明細書）、［特許文献４］（米国特許第８３８９７７９明細書）を参照されたい。
【０００３】
特に、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンはヘキサフルオロプロペンの接触水素化で製造できる。
【０００４】
また、クロロジフルオロメタン（ＣＨＣｌＦ2）を１，１，１，２−テトラフルオロエタンの存在下で高温で熱分解して製造することができる。これに関しては［特許文献５］（国際公開第ＷＯ１９９６０２９２９６号公報）を参照されたい。
【０００５】
さらに、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンは金属酸化物から成る触媒の存在下で１，１，１，２，２−ペンタフルオロ−３，３−ジクロロプロパン（ＨＣＦＣ−２２５ｃａ）および／または１、１、２，２，３−ペンタフルオロ−１，３−ジクロロプロパン（ＨＣＦＣ−２２５ｃｂ）を水素で脱塩素フッ素化することで少なくとも一種のテトラフルオロクロロプロペンを作り、次いで、得られた生成物（（１，１，１、２−テトラフルオロ−３−クロロ−２−プロペン（ＨＣＦＯ−１２２４ｙｄ）、１、１、２，３−テトラフルオロ−１−クロロ−２−プロペン（ＨＣＦＯ−１２２４ｙｅ）および１，１，２，３−テトラフルオロ−３−クロロ−１−プロペン（ＨＣＦＯ−１２２４ｙｃ））を触媒の存在下でフッ素化してＨＦＣ−２３６ｅａを生成させるプロセスでも製造できる。これに関しては［特許文献６］（米国特許第５５３２４１８号明細書）を参照されたい。
【０００６】
［特許文献７］（米国特許第５５６３３０４号明細書）では、フッ化アルミニウム、フッ素化酸化アルミニウム、フッ素化アルミニウム担持金属、フッ素化アルミナ担持金属および三価クロム含有触媒からなる群から選択される触媒上で１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ）をフッ化水素と高温で反応させて１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンを製造している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第５６７９８７５号明細書
【特許文献２】米国特許第５３９６００号明細書
【特許文献３】米国特許第８３５９９６４号明細書
【特許文献４】米国特許第８３８９７７９号明細書
【特許文献５】国際公開第ＷＯ１９９６０２９２９６号公報
【特許文献６】米国特許第５５３２４１８号明細書
【特許文献７】米国特許第５５６３３０４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、高純度の１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明方法は、最大で９９重量％の１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンを含む流れを用意し、次いで、この流れを処理して、少なくとも９９．４重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと最大で０．６重量％のヘキサフルオロプロペン、シス／トランス−１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ（Ｚ／Ｅ））、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｃ）、１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｃ）、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、シス／トランス−１，３，３，３−テトラフルオロロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ（Ｚ／Ｅ））、３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２４３ｚｆ）、１，１，１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｆａ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ）、１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）、１，１，１，２−テトラフルオロエタン（ＨＦＣ−２５４ｅｂ）、１，１，１，３−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｆｂ）、１，１，１−トリフルオロプロパン（ＨＦＣ−２６３ｆｂ）、１，１，２−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３）、ヘキサフルオロシクロプロパン（シクロＣ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（シクロＣ4Ｆ8）、シス／トランス−１、１、１、４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−３５６ｍｆｆ（Ｚ／Ｅ））、水、水素、窒素、酸素、ＣＯ2、ＣＯおよびＨＦの中から選択される少なくとも１種の化合物とを含む組成物とすることを含む。上記処理は少なくとも一つの分離および／または精製ステップを含む。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
上記の最大で９９重量％の１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンを含む流れは、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンを製造することができる任意の方法で得ることができるが゛これはヘキサフルオロプロペンの接触水素化プロセスで得るのが好ましい。
【００１１】
上記の分離ステップとしては凝縮、蒸発、デカンテーション、吸収、洗浄、液体−液体抽出を挙げることができる。
【００１２】
上記の精製ステップは光塩素（photochloration）、蒸留、例えば、抽出蒸留、共沸蒸留、固体上の吸着、特にモレキュラーシーブ、アルミナ、活性炭上での吸着および膜分離などにすることができる。
【００１３】
本発明のより具体的な対象は、下記の（ｉ）と（ｉｉ）とを含む１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンの製造プロセスにある：
（ｉ）ヘキサフルオロプロペン（ＨＦＰ）を水素化して１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパンを含み、場合によっては未反応ヘキサフルオロプロペン、未反応の水素、シス／トランス−１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ）（Ｚ／Ｅ）））、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｃ）、１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｃ）、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、シス／トランス−１，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ（Ｚ／Ｅ））、３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２４３ｚｆ）、１，１，１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｆａ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ）、１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）、１，１，１，２−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｅｂ）、１，１，１，３−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｆｂ）、１，１，１，３−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｆｂ）、１，１，１−トリフルオロプロパン（ＨＦＣ−２６３ｆｂ）、１，１，２−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３）、ヘキサフルオロシクロプロパン（シクロＣ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（シクロＣ4Ｆ8）、シス／トランス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−３５６ｍｆｆ（Ｚ／Ｅ）、水およびＴＨＦをさらに含む流れを作り、
（ｉｉ）上記流れに対して少なくとも１つの分離および／または精製ステップを行って少なくとも９９．４重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で０．６重量％のヘキサフルオロプロペン、シス／トランス−１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ（Ｚ／Ｅ））、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｃ）、１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｃ）、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、シス／トランス−１，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅ（Ｚ／Ｅ））、３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２４３ｚｆ）、１，１，１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｆａ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ）、１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）、１，１，１，２−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｅｂ）、１，１，１，３−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｆｂ）、１，１，１−トリフルオロプロパン（ＨＦＣ−２６３ｆｂ）、１，１，２−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３）、ヘキサフルオロシクロプロパン（シクロＣ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（シクロＣ4Ｆ8）、シス／トランス）−ｌ，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−３５６ｍｆｆ（Ｚ／Ｅ））、水、水素、窒素、酸素、ＣＯ2、ＣＯおよびＨＦの中から選ばれる少なくとも１種の化合物と含む組成物とする。
【００１４】
上記の分離および／または精製ステップは下記の中から選択できる：
−吸着、例えば活性アルミナおよび／またはモレキュラーシーブ上での吸着、
−蒸留、
−膜分離、
−水による洗浄、
−光塩素化。
【００１５】
上記の分離および／または精製工程は少なくとも一つの吸着工程、好ましくは活性アルミナおよび／またはモレキュラーシーブによる吸着工程と、少なくとも一つの蒸留工程とを含むことができる。
【００１６】
上記の分離および／または精製工程は（ａ）活性アルミナ上での吸着または膜分離による少なくとも一回のＨＦの除去工程と、および／または（ｂ）孔径が３Åおよび５Åであるモレキュラーシーブ上での吸着による少なくとも一回の水の除去工程、および／または（ｃ）少なくとも１回の蒸留工程を含むのが好ましい。
【００１７】
上記の分離および／または精製工程は（ａ）少なくとも一回のＨＦの除去工程と、（ｂ）少なくとも１回の水除去工程と、（ｃ）少なくとも１回の蒸留工程とを含むのが有利である。
【００１８】
上記蒸留工程（ｃ）は蒸留塔によって実施することができ、この蒸留塔ではカラムヘッドから精製ＨＦＣ−２３６ｅａを取得し、塔底部から重質化合物を回収するか、蒸留塔の塔頂で軽質化合物を回収し、カラムのサイドから精製したＨＦＣ−２３６ｅａを抜き出し、底部から重質化合物を回収することができる。
【００１９】
蒸留工程の終了後にＨＦＣ−２３６ｅａを細孔サイズが４Å以上のモレキュラーシーブを用いた最終精製（ｄ）で精製する。
【００２０】
上記蒸留工程（ｃ）は１〜１５絶対バールの圧力、好ましくは３〜１０絶対バールの圧力で実施することができまる。
【００２１】
上記蒸留工程（ｃ）は２つの蒸留塔を使用して実施することができる。最初の蒸留塔を用いて軽質化合物、例えばＨＦＰ、ＨＦＯ−１２３４ｙｆ、ＨＦＯ−１２４３ｚｆ、ＨＦＯ−１２２５ｙｅ（Ｚ／Ｅ）、ＨＦＯ−１２３４ｚｅ（Ｚ／Ｅ）、ＨＦＯ−１２２５ｚｃ、ＨＦＣ−２２７ｅａ、ＨＦＣ−２３６ｆａ、ＨＦＣ−２５４ｅｂ、シクロ−ＨＦＰを除去し、第二の蒸留塔を用いて重質化合物、例えばＨＦＣ−２４５ｆａ、ＨＦＣ−２４５ｅｂ、ＨＦＯ−３５６ｍｆｆ（Ｚ／Ｅ）、ＨＦＣ−２５４ｆｂを除去することができ。精製されたＨＦＣ−２３６ｅａは第二の蒸留塔の頂部で得られる。資本およびエネルギーの両方を節約するために、これらの２つの蒸留塔または側流を有する蒸留塔を単一の分割壁蒸留塔（seule colonne de distillation 濬och paroiに有利に置換することができる。
【００２２】
別の好ましい実施形態では、ＨＦの除去工程（ａ）を水での洗浄で行うことがで、必要な場合にはさらに水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム溶液で洗浄して痕跡量の残留酸を中和することができる。
【００２３】
別の好ましい実施形態では、ＨＦの除去工程（ａ）を、ＨＦＣ−２３６ｅａ中に存在するオレフィンを光塩素化（photochloratio）のステップ（ａ０）で実施することができる。この場合には、ＨＦの除去工程（ａ）でＨＦのみを除去するだけではなく、光塩素化ステップによって形成するＨＣｌと残留Ｃｌ2を吸収することができる水性溶液で洗浄するのが好ましい。
【００２４】
上記のステップ（ａ０）はランプと透明窓とを備えた光塩素化反応器内で液相または気相で行うことができる。塩素と不飽和フッ素化生成物を含むＨＦＣ−２３６ｅａを含む流れの混合物を光塩素化反応器に導入する。この反応は気相で行うのが好ましい。得られるＨＦＣ−２３６ｅａとクロロフッ素化飽和生成物は含む流れは次の精製工程に直接送られる。
【００２５】
上記の水素化工程は触媒の存在下で行うのが好ましい。
【００２６】
触媒の例としてはＰｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｔｅ等の金属を挙げることができ、これらは担持されていてもよい。担体としては炭素、アルミナ、フッ素化アルミナ、ＡｌＦ3、酸化物、びＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｚｎのオキシフッ化物およびフッ化物、シリカおよび炭化ケイ素を挙げることができる。
【００２７】
担持物の場合、触媒中に存在する金属の量は０．００１〜１０重量％、好ましくは０，００１〜０．２重量％にすることができる。
【００２８】
上記の水素化工程はアルミナ上に担持されたＰｄ、好ましくは多形体アルファ形（la forme polymorphique alpha）Ｐｄの存在下で行うのが有利である。
【００２９】
上記の水素化工程は気相でも液相でも行うことができるが、気相が好ましい。
【００３０】
上記水素化工程は水素の存在下で、好ましくは水素／ヘキサフルオロプロペンのモル比を１〜５０、特に好ましくは２〜１５にして行うのが好ましい。
【００３１】
上記水素化工程は５０〜２００℃、好ましくは８０〜１２０℃の間の温度で行うのが好ましい
【００３２】
水素化工程の反応器入口の温度は３０〜１００℃、好ましくは４０〜８０℃
の間にするのが好ましい。
【００３３】
標準状態での総体積??流量に対する触媒床の体積比として定義される水素化工程の接触時間は０．１秒〜２０秒の間、有利には０．５〜５秒の間であるのが好ましい。
【００３４】
上記水素化工程は０．５〜２０絶対バール、有利には１〜５絶対バールの絶対圧力したで行うのが好ましい。
【００３５】
水素化工程は希釈剤の存在下で行うのが好ましく、この希釈剤は反応媒体中の反応体と一緒に供給することができる。希釈剤は水素化工程の条件下で反応しない不活性なガスである。希釈剤としては窒素、ヘリウムまたはアルゴンを挙げることができる。
【００３６】
水素化工程の反応器入口での希釈剤／反応物のモル比は１００：１〜１：１の間にすることができ、好ましくは１０：１〜１：１の間、有利には５：１〜１：１の間にするのが好ましい。
【００３７】
上記希釈剤はＨＦＣ−２３６ｅａの水素添加物であってもよい。この場合、反応器から出てくるガス流の一部がＨＦＣ−２３６ｅａと未反応の水素を含み、場合によってはさらに未反応ヘキサフルオロプロペン、１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）および１，１，１，２−テトラフルオロエタン（ＨＦＣ−２５４ｅｂ）を含むので、これを再循環し、反応器からの他の部分のガス流出物は分離および／または精製工程に送る。
【００３８】
再循環ループを含むガス流および反応物は反応器に導入する前に予熱することができる。
【００３９】
本発明方法では断熱反応器を用いるのが好ましい。
【００４０】
反応器に再循環される上記のガス流の一部は、反応器出口での全流出物の体積の少なくとも９０体積％、好ましくは少なくとも９３体積％であるのが有利である。より好ましくは、反応器へ再循環する上記の流出液の一部は反応器出口での全流出物の体積の９４〜９８体積％にする。
【００４１】
水素化工程終了時の流れは凝縮工程に送ることができる。この場合には、未反応の水素が凝縮されず、ステップ（ｉ）で形成されたＨＦＣ−２３６ｅａの一部が凝縮されるような条件で凝縮される。凝縮工程は０〜５０℃の温度、０．５〜２０絶対バール、好ましくは１〜５絶対バールの間の圧力で行うのが好ましい
【００４２】
上記凝縮工程は反応器を出るＨＦＣ−２３６ｅａの１〜３０重量％、有利には２〜１０％が凝縮されるような条件下で行うのが好ましい。
【００４３】
非凝縮フラクションは必要に応じて加熱した後に水素化工程（ｉ）へ再循環される。
【００４４】
次いで、凝縮フラクションは蒸発された後に上記の分離および／または精製工程へ送られる。
【００４５】
水素化反応中に炭素−フッ素の切断が起って少量のＨＦが形成されるのを観察できる。このＨＦは半導体業界でＨＦＣ−２３６ｅａを使用する際に有害となる。
【００４６】
ステップ（ｉ）後の分離後の流れは主としてＨＦＣ−２３６ｅａを含む流れであり、この流れを少なくとも１回の洗浄工程に送ってＨＦの含有量を減少させる。しかし、残留水が存在すると半導体産業での使用には適さなくなる。
【００４７】
本発明はさらに、少なくとも９９．４重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で０．６重量％のヘキサフルオロプロペン、シス／トランス−１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅ（Ｚ／Ｅ））、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｃ）、１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｃ）、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、シス／トランス−１，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｅを（Ｚ／Ｅ））、３，３，３−トリフルオロ（ＨＦＯ−１２４３ｚｆ）、１，１，１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｆａ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ）、１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）、１，１，１，２−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｅｂ）、１，１，１，３−テトラフルオロプロパン（ＨＦＣ−２５４ｆｂ）、１，１，１−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−２６３ｆｂ）、１，１，２−トリフルオロプロパン（ＨＦＣ−１４３）、ヘキサフルオロシクロプロパン（シクロＣ3Ｆ6）、オクタフルオロシクロブタン（シクロＣ4Ｆ8）、シス／トランス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−３５６ｍｆｆ（Ｚ／Ｅ））、水素、窒素、酸素、Ｃ０へ２、ＣＯおよびＨＦの中から選択される少なくとも１種の化合物とを含む組成物にも関するものである： 
【００４８】
好ましくは、ＨＦＣ−２３６ｅａをは、より量の大きい組成物中に存在するか、または９９．９重量％に等しい、より好ましくは大きい、好ましくはより大きいまたはそれ以上重量によって９９．９９％に等しいか又はそれにより９９．９９５パーセントに等しいです重量。  
【００４９】
ＨＦＣ−２３６ｅａは組成物中に好ましくは９９．９重量％以上、有利には９９．９９重量％以上、さらには９９．９９５重量％以上の量で存在するのが好ましい。
【００５０】
本発明の一つの実施形態では、上記組成物は少なくとも９９．９重量％、有利には少なくとも９９．９９重量％、さらには少なくとも９９．９９５重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で０．１重量％、好ましくは最大で１ｐｐｍ、有利には最大で０．１ｐｐｍのＨＦとを含む。
【００５１】
本発明の一つの実施形態では、上記組成物は少なくとも９９．４重量％、好ましくは９９．９重量％、有利には９９．９９重量％、さらには９９．９９５重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で１９０ｐｐｍ、好ましくは最大で１０ｐｐｍ、有利には最大で１ｐｐｍの水とを含む。
【００５２】
本発明の一つの実施形態では、上記組成物は少なくとも９９．４重量％、好ましくは９９．９重量％、好ましくは９９．９９重量％、またはさらには９９．９９５重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で５ｐｐｍ、好ましくは最大で１ｐｐｍ、好ましくは最大で０．３ｐｐｍ、有利には最大で０．１ｐｐｍの水素とを含む。
【００５３】
本発明の一つの実施形態では、上記組成物は少なくとも９９．４重量％、好ましくは９９．９９重量％、より好ましくは９９．９９５重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で３５００ｐｐｍ、好ましくは最大で１５０ｐｐｍ、より好ましくは最大で７０ｐｐｍ、有利には最大で５ｐｐｍの窒素とを含む。
【００５４】
本発明の一つの実施形態では、上記組成物は少なくとも９９．４重量％、好ましくは９９．９９重量％、より好ましくは９９．９９５重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で１０００ｐｐｍ、好ましくは最大で２０ｐｐｍ、より好ましくは最大で１０ｐｐｍ、有利には最大で２ｐｐｍの酸素とを含む。
【００５５】
本発明の一つの実施形態では、上記組成物は少なくとも９９．４重量％、好ましくは９９．９９重量％、より好ましくは９９．９９５重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で１２５ｐｐｍ、好ましくは最大で２０ｐｐｍ、より好ましくは最大で５ｐｐｍ、有利には最大で２ｐｐｍのＣＯ2とを含む。
【００５６】
本発明の一つの実施形態では、上記組成物は少なくとも９９．４重量％、好ましくは９９．９９重量％、より好ましくは９９．９９５重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で９０ｐｐｍ、好ましくは最大で１５ｐｐｍ、より好ましくは最大で３ｐｐｍ、有利には最大で１．５ｐｐｍのＣＯとを含む。
【００５７】
本発明の一つの好ましい実施形態では、上記組成物は少なくとも９９．４重量％、好ましくは９９．９９重量％、より好ましくは９９．９９５重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、最大で１９０ｐｐｍの水と、最大で０．１重量％のＨＦとを含み、好ましくは最大で１０ｐｐｍの水と、最大で１重量％のＨＦとを含み、有利には最大で１ｐｐｍの水と、最大で０．１重量％のＨＦとを含む。
【００５８】
いずれの実施形態でも、本発明の組成物は、ヘキサフルオロプロペン、シス／トランス−１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｅの（Ｚ／Ｅ））、１、１，１，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｚｃ）、１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２２５ｙｃ）および３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２４３ｚｆ）から選択される少なくとも１種の化合物を最大で１０００ｐｐｍ、好ましくは最大で１００ｐｐｍ、有利には最大で１０ｐｐｍ含み且つヘキサフルオロシクロプロパン（シクロＣ3Ｆ6）およびオクタフルオロシクロブタン（シクロＣ4Ｆ8）から選択される少なくとも一つの化合物を最大で５０００ｐｐｍ、好ましくは最大で５００ｐｐｍ、有利には最大で５０ｐｐｍ含む。
【００５９】
いずれの実施形態でも、本発明の組成物は全有機不純物を最大で６０００ｐｐｍ、好ましくは最大で３０００ｐｐｍ、有利には最大で１００ｐｐｍ含む。
【実施例】
【００６０】
実験部分
テスト１
３２５ｇの約９７．８重量％のＨＦＣ−２３６ｅａ（予め洗浄済み）を還流冷却器を装着した理論段が約１０である「オールダーショー」付きのジャケットで覆ったガラス蒸留装置（−２０℃に冷却）に入れた。この混合物は下記の組成を有する：
【００６１】
【表１】
2020522481.tif 000002
【００６２】
蒸留は大気圧下で行った。１０℃のヘッド温度で全部で１２の画分を回収した。
【００６３】
【表２】
2020522481.tif 000003
【００６４】
純度＞９９．７％の画分をプールし、４Åのモレキュラーシーブを通過させて乾燥して最終バッチを形成した。
【００６５】
この最終ロットの分析結果から、ＨＦＣ−２３６ｅａの純度は＞９９．７重量％で、水の含有量はｌｌｐｐｍであった。酸は痕跡量も検出されなかった。
するために、。
【００６６】
テスト２
９９．８重量％のＨＦＣ−２３６ｅａと、２１７ｐｐｍのＨＦと、２７ｐｐｍの水とを含むガス流をＢＡＳＦのＨＦ−２００のアルミナ球（１／８"球）のベッド（長さ／直径比＝１０）と、シリポライト（siliporite）のモレキュラーシーブ（細孔径＝３Å）のベッドとを室温で８時間で通過させた。出力で得られる流れにＨＦおよび水はほとんど含まれない（ＨＦ＜１ｐｐｍ、水１０ｐｐｍ）。
【国際調査報告】
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2020522481.tif 000005
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