(57)【要約】  電子デバイス製造システムが、熱流センサを有する質量流量コントローラ（MFC）を含む。熱流センサは、質量流量を測定し、内側バリア層を形成するように材料で被覆された内面を有するセンサチューブを含み得る。内側バリア層は、腐食性の反応が内面上で生じることを防止し又はその可能性を実質的に低減させ得る。それにより、MFCが、MFCの質量流量の精度仕様を超えてドリフトすることを防止し又はその可能性を低減させることができる。これにより、MFCによる流れ検出の再現性を改善することができる。他の態様では、電子デバイス製造システム内の質量流量を測定し制御する方法も提供される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量流量コントローラであって、
入口、
出口、
前記質量流量コントローラを通って流れるガスの質量流量を測定するように構成された熱流センサであって、前記入口に連結された入力部、出力部、内面、及び外面も有するセンサチューブを有し、前記内面が内側バリア層を形成するように材料で被覆されている、熱流センサ、
前記センサチューブの前記出力部と前記出口との間に連結された流量制御弁であって、前記質量流量コントローラを通って流れる前記ガスの前記質量流量を増加させるか又は低減させるように構成された流量制御弁、並びに
前記熱流センサからセンサ情報を受け取り、前記流量制御弁を動作させるように構成されたコントローラを備える、質量流量コントローラ。
【請求項２】
前記センサチューブの前記外面が、外側バリア層を形成するように前記材料で被覆されている、請求項１に記載の質量流量コントローラ。
【請求項３】
前記材料が、酸化アルミニウム又は五酸化タンタルを含む、請求項１に記載の質量流量コントローラ。
【請求項４】
前記内側バリア層が、約５０nmから１５０nmの厚さを有する、請求項１に記載の質量流量コントローラ。
【請求項５】
前記センサチューブが、約１．３mmから１．７mmの内径を有する、請求項１に記載の質量流量コントローラ。
【請求項６】
前記センサチューブが、ステンレス鋼又はニッケル‐クロム‐モリブデン合金を含む、請求項１に記載の質量流量コントローラ。
【請求項７】
前記入口と前記流量制御弁との間に連結されたバイパス流路を更に備え、前記バイパス流路が、前記熱流センサと並列に連結されている、請求項１に記載の質量流量コントローラ。
【請求項８】
基板支持体を有するプロセスチャンバ、
ガス供給源及び質量流量コントローラを含むガス供給システムであって、前記質量流量コントローラが、入力部、出力部、内面、及び外面を有するセンサチューブを有する熱流センサを含み、前記内面が内側バリア層を形成するように材料で被覆されている、ガス供給システム、並びに
前記プロセスチャンバ及び前記ガス供給システムを動作させるように構成されたシステムコントローラを備える、電子デバイス製造システム。
【請求項９】
前記センサチューブの前記外面が、外側バリア層を形成するように前記材料で被覆されている、請求項８に記載の電子デバイス製造システム。
【請求項１０】
前記材料が、酸化アルミニウム又は五酸化タンタルを含み、原子層堆積を介して付けられる、請求項８に記載の電子デバイス製造システム。
【請求項１１】
前記内側バリア層が、単一の層を備え、約５０nmから１５０nmの厚さを有する、請求項８に記載の電子デバイス製造システム。
【請求項１２】
電子デバイス製造システム内の質量流量を測定し制御する方法であって、
入力部、出力部、内面、及び外面を有するセンサチューブを有する熱流センサを備え、前記内面が内側バリア層を形成するように材料で被覆されている、質量流量コントローラを提供すること、
前記熱流センサによって質量流量を測定すること、並びに
前記測定したことに応答して、前記質量流量コントローラによって前記質量流量を必要に応じて調整することを含む、方法。
【請求項１３】
前記提供することが、原子層堆積を介して前記材料を前記内面に付けることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記提供することが、外側バリア層を形成するように前記材料で被覆された前記外面を提供することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記材料が、酸化アルミニウム又は五酸化タンタルを含む、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、2016年12月31日に出願された、「METHODS AND APPARATUS FOR ENHANCED FLOW DETECTION REPEATABILITY OF THERMAL-BASED MASS FLOW CONTROLLERS (MFCS)」と題する米国特許通常出願第15／396,619号（代理人整理番号24591／米国）に対する優先権を主張する。当該通常出願は、すべての目的のために、その全体が参照により本明細書に援用される。
【０００２】
本開示は、電子デバイス製造に関し、特に、電子デバイス製造で使用される質量流量コントローラに関する。
【背景技術】
【０００３】
電子デバイス製造システムは、１以上の質量流量コントローラ（MFC）を含み得る。MFCは、電子デバイスの製造で使用されるプロセスガスの質量流量を測定し制御する。プロセスガスは、例えば、洗浄ガス、堆積ガス、及びエッチャントガス、並びにその他のガスを含み得る。それらのガスは、１以上のプロセスチャンバに供給され得る。その中で、電子回路が、半導体ウエハ、ガラスプレート、又は同様な基板上に製作され得る。ある電子デバイス製造システムでは、例えば微視的に小さい寸法を有する電子デバイスを製造するために、プロセスガスが、例えば＋／−１％ぐらいの高精度の質量流量で精密に供給される必要があるだろう。ある質量流量コントローラ（MFC）は、初期的に、そのような高精度の質量流量を提供し、更に、他の精度の許容範囲も満たすことができるが、時間を経て、あるMFCは、指定された質量流量の精度における「ドリフト」又はシフトを経験し、それらの指定された許容範囲を超える場合がある。これは、製造されている電子デバイスの製造に悪影響を与え得る。したがって、改善されたMFCが望まれる。
【発明の概要】
【０００４】
第１の態様によれば、質量流量コントローラが提供される。質量流量コントローラは、入口、出口、熱流センサ、流量制御弁、及びコントローラを備える。熱流センサは、質量流量コントローラを通って流れるガスの質量流量を測定するように構成されている。熱流センサは、センサチューブを有し、センサチューブは、入口に連結された入力部を有する。センサチューブは、出力部、内面、及び外面も有する。内面は、内側バリア層を形成するように材料で被覆されている。流量制御弁は、センサチューブの出力部と出口との間に連結されている。流量制御弁は、質量流量コントローラを通って流れるガスの質量流量を増加させ又は低減させるように構成されている。該コントローラは、熱流センサからセンサ情報を受け取り、流量制御弁を動作させるように構成されている。
【０００５】
第２の態様によれば、電子デバイス製造システムが提供される。電子デバイス製造システムは、プロセスチャンバ、ガス供給システム、及びシステムコントローラを備える。プロセスチャンバは基板支持体を有し、ガス供給システムはガス供給源及び質量流量コントローラを含む。質量流量コントローラは、センサチューブを有する熱流センサを含む。センサチューブは、入力部、出力部、内面、及び外面を有する。内面は、内側バリア層を形成するように材料で被覆されている。システムコントローラは、プロセスチャンバ及びガス供給システムを動作させるように構成されている。
【０００６】
第３の態様によれば、電子デバイス製造システム内の質量流量を測定し制御する方法が提供される。該方法は、センサチューブを有する熱流センサを備えた質量流量コントローラを提供することを含む。センサチューブは、入力部、出力部、内面、及び外面を有する。内面は、内側バリア層を形成するように材料で被覆されている。該方法は、熱流センサによって質量流量を測定すること、及び、測定したことに応答して、質量流量コントローラによって質量流量を必要に応じて調整することも含む。
【０００７】
以下の詳細な説明、添付の特許請求の範囲、及び付随する図面から、本開示のこれらの及び他の実施形態による、更なる他の態様、特徴、及び利点が、明瞭なものとなるであろう。したがって、本明細書の図面及び説明は、本質的に例示的であると見なすべきであり、限定的であるとは見なすべきではない。
【０００８】
以下に記載される図面は、例示のためだけであり、必ずしも縮尺どおりには描かれていない。図面は、如何なるやり方においても、本開示の範囲を限定することを意図していない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の実施形態による、電子デバイス製造システムを示す。
【図２】本開示の実施形態による、電子デバイス製造システムの質量流量コントローラを示す。
【図３Ａ】本開示の実施形態による、質量流量コントローラの熱流センサを示す。
【図３Ｂ】本開示の実施形態による、図３Ａの３Ｂ‐３Ｂ切断線に沿って切り取られた熱流センサのセンサチューブの断面図を示す。
【図４】本開示の実施形態による、電子デバイス製造システム内の質量流量を測定し制御する方法を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に、付随する図面に示されている本開示の例示的な実施形態を、詳細に参照することになる。可能な限り、同一又は類似の部分について言及するために、同一の参照番号が図面全体を通じて使用されることになる。
【００１１】
電子デバイス製造は、電子デバイスの生産において、プロセスガスを精密に制御しプロセスチャンバへ供給することを含み得る。質量流量コントローラ（MFC）は、電子製造システムのガス供給システム内で使用されて、MFCを通って流れるプロセスガスの質量流量を測定し制御する。しかし、あるMFCは、特に腐食性プロセスガスと共に使用されてきた熱ベースのMFCは、時間を経た後では、もはやMFCを通って流れるプロセスガスの質量流量を正確に測定し制御することができない。すなわち、そのようなMFCは、MFCの指定された精度を超える質量流量のドリフト又はシフトを経験し得る。それらのドリフト又はシフトは、製造されている電子デバイスの歩留まりに悪影響を与える場合がある。
【００１２】
一態様では、電子デバイス製造システムが、本開示の１以上の実施形態による改善されたMFCを含む。改善されたMFCは、センサチューブを有する熱流センサを含み得る。センサチューブにおいて、MFCを通って流れるプロセスガスの質量流量が測定され得る。測定された質量流量、及びMFCの「設定点」（すなわち、所望の質量流量）に基づいて、MFCは、所定の精度の範囲内で設定点を維持するために、MFCの流量制御弁を必要に応じて動作させて、MFCを通って流れるガスの質量流量を増加させ又は低減させることができる。センサチューブは、内側バリア層を形成するように材料で被覆された内面を有してよい。内側バリア層は、センサチューブを通って流れる腐食性プロセスガスが、質量流量の測定値及びそれに続いてMFCによって実行される流量制御弁の動作の精度に悪影響を与えることを防止し又は実質的に遅らせることができる。
【００１３】
改善されたMFC、並びに、電子デバイス製造システム内の質量流量を測定し制御する方法を含む他の態様を、例示し説明する例示的な実施形態の更なる詳細が、図１から図４に関連して以下でより詳細に説明されることとなる。
【００１４】
図１は、１以上の実施形態による、電子デバイス製造システム１００を示している。電子デバイス製造システム１００は、ガス供給システム１０２、プロセスチャンバ１０４、及びシステムコントローラ１０６を含み得る。ガス供給システム１０２は、１以上のプロセスガスを１以上の所望の質量流量でプロセスチャンバ１０４に供給することができる。ガス供給システム１０２は、第１のMFC１１０ａを介してプロセスチャンバ１０４に連結された第１のガス供給源１０８ａ、及び第２のMFC１１０ｂを介してプロセスチャンバ１０４に連結された第２のガス供給源１０８ｂを含み得る。他の実施形態では、更なる又はより少ないガスをプロセスチャンバ１０４に供給するために、更なる又はより少ないガス供給源及びMFCが設けられてよい。
【００１５】
MFC１１０ａと１１０ｂは、各々、それらのそれぞれのガス供給源１０８ａと１０８ｂからMFC１１０ａと１１０ｂを通ってプロセスチャンバ１０４の中へ流れるガスの流量を測定し制御するために使用され得る。すなわち、MFC１１０ａと１１０ｂは、各々、MFC１１０ａと１１０ｂを通って流れるガスの質量流量を測定し、その後、必要な場合には、それぞれのMFCの設定点に従って流量制御弁を調整する。その設定点は、ユーザ及び／又はシステムコントローラ１０６によって規定されてよい。MFC１１０ａと１１０ｂは、各々、図２から図４に関連して以下で説明されるように、それらの定格精度を維持するように構成されてよい。
【００１６】
プロセスチャンバ１０４は、１以上の基板に対して、例えば、物理的気相堆積（PVD）、化学気相堆積（CVD）、エッチング、アニール処理、予洗浄、金属又は金属酸化物の除去などといった、１以上の処理を実行するための任意の適切なプロセスチャンバであってよい。他のプロセスも、プロセスチャンバ内の基板に対して実行されてよい。ある実施形態では、プロセスチャンバ１０４が、１以上のプロセスガスを予め規定されたパターンでプロセスチャンバ１０４の中へ供給するためのシャワーヘッド１１２を含んでよい。予め規定されたパターンは、シャワーヘッド１１２の構成（例えば、シャワーヘッド１１２内のガス供給開口の数、サイズ、及び／又は配置）に依存し得る。他の実施形態では、代替的に又は更に、１以上のプロセスガスを供給するために、１以上の種類のノズル及び／又は付属部品（fixture）が、プロセスチャンバ１０４内で使用されてよい。
【００１７】
プロセスチャンバ１０４は、プロセスチャンバ１０４内で基板１１６の処理中に、上に基板１１６を保持するように構成された基板支持体１１４も含んでよい。基板１１６は、例えば、半導体ウエハ、ガラスプレート、又はその上に様々な電気的若しくは他の種類のデバイスを製作するための他の適切な種類の基板であってよい。基板支持体１１４は、例えば、静電チャック又はガイドピンなどの、基板１１６を適所に位置決めし且つ／又は保持するための１以上の機構を含んでよい。ある実施形態では、基板支持体１１４が、基板１１６を上げ下げし、基板１１６に熱を供給し及び／若しくは基板１１６から熱を除去し、並びに／又は電気バイアスを提供するための、適切な装備も含んでよい。
【００１８】
システムコントローラ１０６は、プロセスチャンバ１０４内でプロセスを実行するために、個別に又は調和しての何れかで、電子デバイス製造システム１００の１以上の構成要素に連結され且つ／又はそれらの構成要素を制御するように構成された、任意の適切なコンピュータプロセッサであってよい。システムコントローラ１０６は、中央処理装置、マイクロコントローラ、又は他の適切なコンピュータ処理デバイス、メモリ、及びサポート回路を含んでよい。システムコントローラ１０６は、プロセスチャンバ１０４の動作に関連したプログラミング指示命令を実行し、且つ／又は、例えば、設定点をMFC１１０ａ及び若しくは１１０ｂに提供するなど、電子デバイス製造システム１００の他のコントローラに指示命令を提供するように構成されてよい。
【００１９】
図２は、１以上の実施形態による、MFC２１０を示している。MFC２１０は、電子デバイス製造システム１００内で使用され、ある実施形態では、MFC１１０ａ及び／又は１１０ｂに同一又は類似であってよい。MFC２１０は、特定の圧力範囲内で動作し得る。その場合、その範囲の下方の圧力は、MFC２１０にガスを欠乏させ、MFC２１０がその設定点を実現し損ねることをもたらす。一方で、その範囲の上方の圧力は、質量流量を不安定にし得る。例えば、ある実施形態では、MFC２１０が、７psia（１平方インチ当たりの絶対ポンド）から５０psiaの圧力範囲内で動作し得る。MFC２１０は、他の適切な圧力範囲内で動作してもよい。
【００２０】
MFC２１０は、コントローラ２１８、熱流センサ２２０、流量制御弁２２２、入口２２４、出口２２６、及び入口２２４と出口２２６に連結され且つそれらの間にある流路２２８を含み得る。流路２２８は、センサ流路２３０とバイパス流路２３２に分離され得る。熱流センサ２２０は、図３Ａに関連して以下でより詳細に説明されるように、センサ流路２３０を介して受け取った、熱流センサ２２０を通って流れるガスの質量流量を測定することができる。バイパス流路２３２は、入口２２４と流量制御弁２２２との間に連結され、例えば、熱流センサ２２０と並列に連結されてよい。バイパス流路２３２は、熱流センサ２２０の上流及び下流の層流を確立することができる。更に、バイパス流路２３２は、熱流センサ２２０を通るはずの全流れの一部分を迂回させることによって、流量範囲を設定することもできる。更に、バイパス流路２３２は、熱流センサ２２０と全流れとの間の（ガスの温度及び圧力とは無関係な）流量の一定な比を維持することができる。例えば、平坦な円盤、環状スラグ、及びチューブの束などの、適切なバイパス形状（図示せず）が使用されてよい。センサ流路２３０及びバイパス流路２３２は、流量制御弁２２２に対する入力部で再接合し得る。
【００２１】
流量制御弁２２２は、コントローラ２１８が熱流センサ２２０から入力信号を受信したことに応答して、コントローラ２１８から信号を受信し、ガス流を調節することができる。ある実施形態では、流量制御弁２２２が、完全な閉位置（すなわち、０％の設定点、ガス流なし）から完全な開位置（すなわち、１００％の設定点、完全な流れ）へ、MFC２１０を通って流れるガスの質量流量を増加又は低減させるように構成され得る。ある実施形態では、流量制御弁２２２が、ボール・シートの組み合わせ（ball-seat combination）を有する。その場合、弁の可動部分は、シートに対して閉じるためにボールに連結され得る。ある実施形態では、流量制御弁２２２が、熱、比例ソレノイド、又は圧電アクチュエータ型の弁であってよい。他の適切な流量制御弁が使用されてよい。
【００２２】
コントローラ２１８は、熱流センサ２２０からセンサ情報を受け取り、流量制御弁２２２を動作させるように構成されてよい。更に、コントローラ２１８は、他の機能を実行し、且つ／又は、電子デバイス製造システムの他のデバイス及び／若しくはコントローラと通信するように構成されていてもよい。コントローラ２１８は、例えば、マイクロコントローラ又は他の適切なコンピュータ処理デバイス、１以上のA／D変換器、弁駆動機構、及び、例えばプリント基板上に取り付けられ得る他の調整素子などの、幾つかの電子部品を含んでよい。所望の質量流量を設定するために、コントローラ２１８は、ユーザ及び／又はシステムコントローラ、例えば、電子デバイス製造システム１００のシステムコントローラ１０６などから、設定点コマンドを受け取ることができる。ある実施形態では、設定点コマンドが、０％から１００％の質量流量を表す、０から５VDC又は０から２０mAの電気信号であってよい。ある実施形態では、MFC２１０が、完全な範囲未満内、例えば、完全な範囲の約１０％から約９０％で動作し得る。他の設定点コマンド値及び／又は動作範囲が可能である。更に、コントローラ２１８は、熱流センサ２２０からセンサ情報（例えば、質量流量の測定値）を受け取り、それに応答して、流量制御弁２２２に制御電圧を提供し、MFC２１０を通る質量流量を増加又は低減させて、設定点コマンドによって示された設定点を実現することができる。例えば、熱流センサ２２０から受け取った質量流量の測定値が設定点未満ならば、コントローラ２１８は、流量制御弁２２２を調整して、質量流量が設定点を実現するまで（又は例えば＋／−１％などの設定点の許容可能範囲内に入るまで）、MFC２１０を通る質量流量を増加させることができる。
【００２３】
図３Ａは、１以上の実施形態による、熱流センサ３２０を示している。ある実施形態では、熱流センサ３２０が、熱流センサ２２０と同一又は類似であり、且つ／又はMFC２１０（図２）並びに／若しくはMFC１１０ａ及び／若しくは１１０ｂ（図１）内で使用され得る。熱流センサ３２０は、回路３３４、温度検知／ヒータコイル３３６ａ及び３３６ｂ、並びにセンサチューブ３４０を含み得る。センサチューブ３４０は、図２のセンサ流路２３０を介して入口（例えば、入口２２４など）に連結された入力部３４２を有し得る。センサチューブ３４０は、流量制御弁（例えば、図２の流量制御弁２２２など）の入力部に連結された出力部３４４も有し得る。ある実施形態では、センサチューブ３４０が、ステンレス鋼又はHastelloy（登録商標）（ニッケル‐クロム‐モリブデン合金）から、より具体的には、ある実施形態では、ステンレス鋼316L若しくはHastelloy（登録商標）C-22又は別のNi-Cr-Mo合金鋼から作成され又はそれらを含み得る。ある実施形態では、センサチューブ３４０が、真空状態下、摂氏約1,000度の上でアニーリングプロセスを受けてよい。ある実施形態では、センサチューブ３４０が、約１．３mmから１．７mmの図３Ｂで示されている内径Dを有してよい。センサチューブ３４０の他の適切な内径が可能である。
【００２４】
ある実施形態では、温度検知／ヒータコイル３３６ａ及び３３６ｂが、ヒータと抵抗温度検出器として二重の役割を有してよい。質量流量は、熱流センサ３２０を通って流れるガスの熱伝導率に基づいて、熱流センサ３２０によって測定される。ガスが、センサチューブ３４０の入力部３４２を通って熱流センサ３２０に入ったときに、温度検知／ヒータコイル３３６ａ及び３３６ｂは、そのガスを温め得る。他の実施形態は、代替的な且つ／又は更なるヒータを有してよい。質量流量は、温度変化に比例して決定され、回路３３４によってMFCコントローラ（例えば、図２のコントローラ２１８など）に送信される電気信号へ変換され得る。より具体的には、温度検知／ヒータコイル３３６ａ及び３３６ｂが、図３Ａで示されているように、センサチューブ３４０の周りに巻き付けられていてよい。所与の温度における温度検知／ヒータコイル３３６ａ及び３３６ｂの抵抗値並びにそれらの精度は既知であり得る。温度検知／ヒータコイル３３６ａ及び３３６ｂは、回路３３４のブリッジ回路に接続され、回路３３４から調節された電流が供給され得る。ある実施形態では、コイルの温度が、周囲温度よりも摂氏約７０度だけ高くてよい。センサチューブ３４０を通ってガスが流れるときに、温度検知／ヒータコイル３３６ａ及び３３６ｂによって導入された熱は下流へと運ばれ得る。このガス流により、上流の温度検知／ヒータコイル３３６ａは、下流の温度検知／ヒータコイル３３６ｂより冷たい温度を検出することができる。その温度差が、センサチューブ３４０を通って流れるガスの質量流量に直接的に比例し得る。回路３３４は、検知されたコイルの温度に基づいて質量流量を決定し、その決定された質量流量を表す電気信号を出力することができる。したがって、熱流センサ３２０の出力は、質量流量の関数であり、異なるガスによって大幅に変動し得る。
【００２５】
腐食性ガス（例えば、塩素（Cl2）又は臭化水素（HBr）など）が、MFCのセンサチューブを通って流れる従来のMFCでは、センサチューブ材料との腐食性の反応が、湿気が存在する加熱領域で生じ得る。加熱領域は、例えば、摂氏１００度以上の高められた温度を有し、温度検知／ヒータコイル３３６ａ及び３３６ｂなどのヒータ又はその近傍の場所として特定され得る。そのような腐食性の反応は、センサチューブの熱伝導特性を変化させ得る。それが、不正確な質量流量の測定をもたらし、それに応じて、流量制御弁の不正確な又は不必要な調整がもたらされる場合がある。
【００２６】
そのような腐食性の反応が生じることを防止し又はそのような可能性を低減させるために、センサチューブ３４０は、バリア層を形成するように材料で被覆されてよい。図３Ｂで示されているように、センサチューブ３４０は、内面３４６及び外面３４８を有する。内面３４６は、内側バリア層３５２を形成するように材料３５０で被覆されてよい。ある実施形態では、外面３４８も、外側バリア層３５４を形成するように材料３５０で被覆されてよい。材料３５０は、原子層堆積（ALD）を介して付けられてよい。内面３４６及び／又は外面３４８に材料３５０を付ける他の適切な方法が、代替的に使用されてよい。ある実施形態では、材料３５０が、酸化アルミニウム（Al2O3）又は五酸化タンタル（Ta2O5）から作成され又はそれらを含み得る。内側バリア層３５２は、単一の層で形成され且つ／又は約５０nmから１５０nmの厚さを有してよい。外側バリア層３５４も、単一の層で形成され且つ／又は約５０nmから１５０nmの厚さを有してよい。内側バリア層３５２及び／又は外側バリア層３５４は、他の適切な厚さを有してよく、且つ／又は、ある実施形態では、複数の材料の種類から形成されてよい。ある実施形態では、内側バリア層３５２及び外側バリア層３５４が、種々の材料から形成されてよい。内側バリア層３５２及び／又は外側バリア層３５４は、それぞれ、腐食性の反応が内面３４６及び／又は外面３４８上で生じることを防止し又はその可能性を実質的に低減させ得る。それにより、MFC２１０（図２）などのMFCが、MFCの質量流量の精度仕様を超えてドリフトすることを防止し又はその可能性を低減させることができる。これにより、MFCによる流れ検出の再現性を改善することができる。
【００２７】
図４は、１以上の実施形態による、電子デバイス製造システム内の質量流量を測定し制御する方法４００を示している。プロセスブロック４０２では、方法４００が、センサチューブを有する熱流センサを備えたMFCを提供することを含み得る。センサチューブは、入力部、出力部、内面、及び外面を有し、内面は、内側バリア層を形成するように材料で被覆されている。例えば、MFCは、MFC１１０ａ、１１０ｂ（図１）、又は２１０（図２）であり、センサチューブ３４０を有する熱流センサ３２０（図３Ａ）を含み得る。その場合、センサチューブ３４０は、内側バリア層３５２（図３Ｂ）を形成するように材料３５０で被覆された内面３４６を有してよい。
【００２８】
プロセスブロック４０４では、熱流センサによって質量流量が測定され得る。例えば、MFC２１０（図２）を通って流れるガスの質量流量が、熱流センサ２２０（図２）又は熱流センサ３２０（図３Ａ）によって測定され得る。
【００２９】
プロセスブロック４０６では、方法４００が、測定したことに応答して、質量流量コントローラによって質量流量を必要に応じて調整することを含み得る。例えば、熱流センサ２２０（図２）又は熱流センサ３２０（図３）を用いて質量流量を測定したことに応答して、コントローラ２１８が、流量制御弁２２２を必要に応じて調整して、MFC２１０の設定点を実現するか又はMFC２１０の設定点の許容可能な範囲内に入るように質量流量を調整することができる。
【００３０】
前述の説明は、本開示の例示的な実施形態を開示しているにすぎない。上述の装置、システム、及び方法の修正例が、本開示の範囲内に含まれてよい。したがって、本開示の例示的な実施形態が説明されたが、以下の特許請求の範囲によって定義されるように、他の実施形態も本開示の範囲内に入り得ることを理解されたい。
【図１】
2020503615.tif 000003
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【国際調査報告】
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2020503615.tif 000009