(57)【要約】極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための供給システムは、プラズマ状態でＥＵＶ光を生成するターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成された装置を含む。装置は２つ以上のターゲット形成ユニットを含み、ターゲット形成ユニットの各々は、リザーバからターゲット材料を受け入れるように構成されたノズル構造であって、ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを含むノズル構造を含む。供給システムは更に、ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するためターゲット形成ユニットのうち特定の１つを選択するように構成された制御システムを含む。極端紫外線（ＥＵＶ）光源の供給システムのための装置は、半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムを含む。ＭＥＭＳシステムは、リザーバに流体結合されるように構成されたノズル構造を含む。【選択図】図２Ａ
2020524292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための供給システムであって、
プラズマ状態でＥＵＶ光を生成するターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成された装置を備え、前記装置は２つ以上のターゲット形成ユニットを備え、前記ターゲット形成ユニットの各々は、
前記リザーバから前記ターゲット材料を受け入れるように構成されたノズル構造であって、前記ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを備えるノズル構造を備え、
前記供給システムは更に、前記ターゲット材料を前記プラズマ形成位置へ放出するため前記ターゲット形成ユニットのうち特定の１つを選択するように構成された制御システムを備える、供給システム。
【請求項２】
前記制御システムは、前記装置における熱量を制御するように構成された温度システムを備え、前記制御システムは、前記温度システムを制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化又は非活性化のため選択するように構成されている、請求項１に記載の供給システム。
【請求項３】
前記温度システムは２つ以上のヒータを備え、各ターゲット形成ユニットは前記ヒータのうち１つ以上に関連付けられ、前記制御システムは、前記特定のターゲット形成ユニットに関連付けられた前記ヒータのうち特定の１つ以上を制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化のため選択するように構成されている、請求項２に記載の供給システム。
【請求項４】
各ターゲット形成ユニットは、前記リザーバと前記オリフィスとの間のチャネルと、前記チャネルにおける１つ以上のフィルタと、を更に備える、請求項１に記載の供給システム。
【請求項５】
各ターゲット形成ユニットは、前記チャネルに流体結合された作動チャンバと、前記作動チャンバに結合された変調器と、を更に備え、前記変調器は前記作動チャンバ内の圧力を変調するように構成され、
各ターゲット形成ユニットの前記チャネルは、前記リザーバと向かい合う前記各ターゲット形成ユニットの第１の端部から前記作動チャンバまで延出している２つ以上の分岐と、前記作動チャンバに流体結合された出口チャネルと、を備え、前記出口チャネルは前記作動チャンバから前記オリフィスまで延出している、請求項４に記載の供給システム。
【請求項６】
前記ターゲット形成ユニットのうち任意の２つの間に断熱材が配置されている、請求項２に記載の供給システム。
【請求項７】
前記温度システムは２つ以上のアクティブ温度制御機構を備え、各ターゲット形成ユニットは前記アクティブ温度制御機構のうち１つ以上に関連付けられ、ターゲット形成ユニットに関連付けられた前記１つ以上のアクティブ温度制御機構はそのターゲット形成ユニットを加熱又は冷却するように構成されている、請求項２に記載の供給システム。
【請求項８】
前記装置は一体的な単一部材である、請求項１に記載の供給システム。
【請求項９】
前記装置は半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳ（マイクロ電子機械）システムを含む、請求項８に記載の供給システム。
【請求項１０】
前記装置は半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムを含む、請求項１に記載の供給システム。
【請求項１１】
前記装置を収容するホルダを更に備え、前記装置及び前記ホルダは相互に対して移動するように構成されている、請求項１に記載の供給システム。
【請求項１２】
前記装置を収容するホルダを更に備え、前記ホルダは前記プラズマ形成位置に対して移動するように構成されている、請求項１に記載の供給システム。
【請求項１３】
前記装置を収容するホルダを更に備え、各ターゲット形成ユニットは複数の毛細管のうち少なくとも１つを含み、前記複数の毛細管は前記ホルダから離れる方へ延出している、請求項１に記載の供給システム。
【請求項１４】
前記制御システムは、（ａ）前記プラズマ形成位置で生成された前記ＥＵＶ光の量の指示、（ｂ）前記プラズマ形成位置に前記ターゲット材料が存在しないことの指示、及び（ｃ）人のオペレータからの入力、のうち１つ以上に基づいて、前記特定のターゲット形成ユニットを選択するように構成されている、請求項１に記載の供給システム。
【請求項１５】
各ターゲット形成ユニットは、前記オリフィスに流体結合された作動チャンバと、前記作動チャンバに結合された変調器と、を更に備え、前記変調器は前記作動チャンバ内の圧力を変調するように構成され、前記制御システムは更に、前記特定のターゲット形成ユニットの前記アクチュエータを２つ以上の周波数で駆動するように構成され、前記周波数のうち少なくとも１つは前記特定のターゲット形成ユニットのジオメトリ構成に基づいている、請求項１に記載の供給システム。
【請求項１６】
極端紫外線（ＥＵＶ）光源の供給システムのための装置であって、前記供給システムはターゲット材料をプラズマ形成位置へ供給するように構成され、前記装置は、
前記供給システムの筐体に収容されるように構成され、半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムを備え、前記ＭＥＭＳシステムは、
プラズマ状態でＥＵＶ光を生成する前記ターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成されたノズル構造であって、前記ターゲット材料を前記プラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを備えるノズル構造を備える、装置。
【請求項１７】
前記ＭＥＭＳシステムは、
前記リザーバと前記オリフィスとの間のチャネルと、
前記チャネルにおける１つ以上のフィルタと、
を更に備える、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記ＭＥＭＳシステムは、
前記リザーバと前記オリフィスとの間のチャネルと、
前記チャネルに流体結合され、前記チャネルから前記ターゲット材料を受け入れるように構成されたチャンバと、
前記チャンバに結合され、前記チャンバ内の圧力を変調するように構成された変調器と、
を更に備える、請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記チャネルは、前記チャンバに流体結合された１つ以上の供給チャネルと、前記チャンバ及び前記オリフィスに流体結合された出口チャネルと、を備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
稼働使用時、前記変調器は前記チャンバ内の前記ターゲット材料と実質的に同一の圧力又は前記ターゲット材料の部分的圧力のもとにある、請求項１８に記載の装置。
【請求項２１】
ＥＵＶ源であって、
光ビームを生成するように構成された光源と、
プラズマ形成位置で前記光ビームを受光するように構成された容器と、
供給システムであって、
プラズマ状態でＥＵＶ光を生成するターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成された装置であって、前記装置は２つ以上のターゲット形成ユニットを備え、前記ターゲット形成ユニットの各々は、
前記リザーバから前記ターゲット材料を受け入れるように構成されたノズル構造であって、前記ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを備えるノズル構造を備える、装置と、
前記ターゲット材料を前記プラズマ形成位置へ放出するため前記ターゲット形成ユニットのうち特定の１つを選択するように構成された制御システムと、を備える、供給システムと、を備え、前記光源によって生成された前記光ビームは前記放出されたターゲット材料をプラズマに変換するように構成されている、ＥＵＶ源。
【請求項２２】
前記制御システムは、前記装置における熱量を制御するように構成された温度システムを備え、前記制御システムは、前記温度システムを制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化又は非活性化のため選択するように構成されている、請求項２１に記載のＥＵＶ源。
【請求項２３】
前記温度システムは２つ以上のヒータを備え、各ターゲット形成ユニットは前記ヒータのうち１つ以上に関連付けられ、前記制御システムは、前記特定のターゲット形成ユニットに関連付けられた前記ヒータのうち特定の１つ以上を制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化のため選択するように構成されている、請求項２２に記載のＥＵＶ源。
【請求項２４】
前記装置は一体的な単一部材である、請求項２１に記載のＥＵＶ源。
【請求項２５】
前記装置は半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムを含む、請求項２１に記載のＥＵＶ源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[0001]  本出願は、（１）２０１７年６月２０日に出願された米国仮特許出願第６２／５２２，３８３号、及び、（２）２０１８年４月２５日に出願された米国特許出願第１５／９６２，３０７号の優先権を主張する。これらは双方とも参照により全体が本願に含まれる。
【０００２】
[0002]  本記載は、極端紫外線光源のための供給システムに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  例えば、２０ナノメートル（ｎｍ）以下、５〜２０ｎｍの間、又は１３〜１４ｎｍの間の波長の光を含む、１００ｎｍ以下の波長を有する（時として軟ｘ線とも称される）電磁放射のような極端紫外線（「ＥＵＶ」：extreme ultraviolet）光は、フォトリソグラフィプロセスで使用されて、レジスト層において重合を開始することにより、例えばシリコンウェーハのような基板に極めて小さいフィーチャを生成することができる。
【０００４】
[0004]  ＥＵＶ光を発生する方法は、必ずしも限定ではないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズのような、ＥＵＶ範囲に輝線を有する元素を含む材料をプラズマ状態に変換することを含む。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」：laser produced plasma）と呼ばれる１つのそのような方法では、例えば材料の小滴、プレート、テープ、流れ、又はクラスタの形態であるターゲット材料を、駆動レーザと称されることのある増幅光ビームで照射することにより、必要なプラズマを生成できる。この目的のため、プラズマは通常、例えば真空チャンバのような密閉容器内で生成され、様々なタイプのメトロロジ機器を用いて監視される。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  １つの全体的な態様において、極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための供給システムは、プラズマ状態でＥＵＶ光を生成するターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成された装置を含む。装置は２つ以上のターゲット形成ユニットを含み、ターゲット形成ユニットの各々は、リザーバからターゲット材料を受け入れるように構成されたノズル構造であって、ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを含むノズル構造を含む。供給システムは更に、ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するためターゲット形成ユニットのうち特定の１つを選択するように構成された制御システムを含む。
【０００６】
[0006]  実施は、以下の特徴（feature）のうち１つ以上を含み得る。制御システムは、装置における熱量を制御するように構成された温度システムを含むことができ、制御システムは、温度システムを制御することによって特定のターゲット形成ユニットを活性化又は非活性化のため選択するように構成されている。温度システムは２つ以上のヒータを含み、各ターゲット形成ユニットはヒータのうち１つ以上に関連付けることができる。制御システムは、特定のターゲット形成ユニットに関連付けられたヒータのうち特定の１つ以上を制御することによって特定のターゲット形成ユニットを活性化のため選択するように構成できる。ターゲット形成ユニットのうち任意の２つの間に断熱材を配置することができる。いくつかの実施において、温度システムは２つ以上のアクティブ温度制御機構を含み、各ターゲット形成ユニットはアクティブ温度制御機構のうち１つ以上に関連付けられ、ターゲット形成ユニットに関連付けられた１つ以上のアクティブ温度制御機構はそのターゲット形成ユニットを加熱又は冷却するように構成されている。
【０００７】
[0007]  各ターゲット形成ユニットは、リザーバとオリフィスとの間のチャネルと、チャネルにおける１つ以上のフィルタと、を更に含むことができる。各ターゲット形成ユニットは、チャネルに流体結合された作動チャンバと、作動チャンバに結合された変調器と、を更に含むことができ、変調器は作動チャンバ内の圧力を変調するように構成されている。各ターゲット形成ユニットのチャネルは、リザーバと向かい合う各ターゲット形成ユニットの第１の端部から作動チャンバまで延出している２つ以上の分岐と、作動チャンバに流体結合された出口チャネルと、を含むことができ、出口チャネルは作動チャンバからオリフィスまで延出している。
【０００８】
[0008]  リザーバに流体結合するように構成された装置は、半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムとすればよい。リザーバに流体結合するように構成された装置は、一体的な単一部材（piece）とすることができる。単一の一体部材は、半導体デバイス製造技術で製造されたマイクロ電子機械（ＭＥＭＳ）システムとすればよい。
【０００９】
[0009]  いくつかの実施において、供給システムは、装置を収容するホルダも含むことができる。装置及びホルダは相互に対して移動するように構成できる。ホルダは、プラズマ形成位置に対して移動するように構成できる。装置の各ターゲット形成ユニットは、複数の毛細管のうち少なくとも１つを含むことができ、複数の毛細管はホルダから離れる方へ延出し得る。
【００１０】
[0010]  制御システムは、（ａ）プラズマ形成位置で生成されたＥＵＶ光の量の指示、（ｂ）プラズマ形成位置にターゲット材料が存在しないことの指示、及び（ｃ）人のオペレータからの入力、のうち１つ以上に基づいて、特定のターゲット形成ユニットを選択するように構成できる。
【００１１】
[0011]  いくつかの実施において、各ターゲット形成ユニットは、オリフィスに流体結合された作動チャンバと、作動チャンバに結合された変調器と、を更に含むことができる。変調器は、作動チャンバ内の圧力を変調するように構成できる。制御システムは更に、特定のターゲット形成ユニットのアクチュエータを２つ以上の周波数で駆動するように構成することができ、周波数のうち少なくとも１つは特定のターゲット形成ユニットのジオメトリ構成に基づいている。
【００１２】
[0012]  別の全体的な態様において、極端紫外線（ＥＵＶ）光源の供給システムのための装置は、供給システムの筐体に収容されるように構成されたＭＥＭＳシステムを含む。供給システムは、ターゲット材料をプラズマ形成位置へ供給するように構成されている。ＭＥＭＳシステムは半導体デバイス製造技術で製造される。ＭＥＭＳシステムは、プラズマ状態でＥＵＶ光を生成するターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成されたノズル構造であって、ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを含むノズル構造を含む。
【００１３】
[0013]  実施は、以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。ＭＥＭＳシステムは、リザーバとオリフィスとの間のチャネルと、チャネルにおける１つ以上のフィルタと、を更に含むことができる。ＭＥＭＳシステムは、リザーバとオリフィスとの間のチャネルと、チャネルに流体結合され、チャネルからターゲット材料を受け入れるように構成されたチャンバと、チャンバに結合され、チャンバ内の圧力を変調するように構成された変調器と、を更に含むことができる。チャネルは、チャンバに流体結合された１つ以上の供給チャネルと、チャンバ及びオリフィスに流体結合された出口チャネルと、を含むことができる。稼働使用時、変調器はチャンバ内のターゲット材料と実質的に同一の圧力又はターゲット材料の部分的圧力（partial pressure）のもとにあり得る。
【００１４】
[0014]  別の全体的な態様において、ＥＵＶ源は、光ビームを生成するように構成された光源と、プラズマ形成位置で光ビームを受光するように構成された容器と、供給システムと、を含む。供給システムは、プラズマ状態でＥＵＶ光を生成するターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成された装置であって、装置は２つ以上のターゲット形成ユニットを備え、ターゲット形成ユニットの各々は、リザーバからターゲット材料を受け入れるように構成されたノズル構造であって、ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを含むノズル構造を含む、装置と、ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するためターゲット形成ユニットのうち特定の１つを選択するように構成された制御システムと、を含む。光源によって生成された光ビームは、放出されたターゲット材料をプラズマに変換するように構成されている。
【００１５】
[0015]  実施は、以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。制御システムは、装置における熱量を制御するように構成された温度システムを含むことができ、制御システムは、温度システムを制御することによって特定のターゲット形成ユニットを活性化又は非活性化のため選択するように構成されている。温度システムは２つ以上のヒータを含み得る。各ターゲット形成ユニットはヒータのうち１つ以上に関連付けられ、制御システムは、特定のターゲット形成ユニットに関連付けられたヒータのうち特定の１つ以上を制御することによって特定のターゲット形成ユニットを活性化のため選択するように構成できる。
【００１６】
[0016]  リザーバに流体結合するように構成された装置は、一体的な単一部材とすることができる。リザーバに流体結合するように構成された装置は、半導体デバイス製造技術で製造することができる。
【００１７】
[0017]  上述の技法のいずれかの実施は、ＥＵＶ光源、システム、方法、プロセス、デバイス、又は装置を含み得る。１つ以上の実施の詳細は、添付図面及び以下の記載に述べられている。他の特徴は、記載及び図面から、また特許請求の範囲から明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】[0018]  ＥＵＶ光源のための供給システムの一例のブロック図である。
【図２Ａ】[0019]  図１の供給システムと共に使用できるＭＥＭＳ（マイクロ電子機械）システムの一例の側断面のブロック図である。
【図２Ｂ】[0020]  ライン２Ｂ−２Ｂから見た図２ＡのＭＥＭＳシステムの上面のブロック図である。
【図２Ｃ】[0021]  図２Ａ及び図２ＢのＭＥＭＳシステムにおいて使用できるフィルタの斜視図である。
【図２Ｄ】[0022]  図２Ａ及び図２ＢのＭＥＭＳシステムの組み立てていない（unassembled）状態のブロック図である。
【図３Ａ】[0023]  図１の供給システムと共に使用できるＭＥＭＳシステムの別の例の側断面のブロック図である。
【図３Ｂ】[0024]  ライン３Ｂ−３Ｂから見た図３ＡのＭＥＭＳシステムの上面のブロック図である。
【図４】[0025]  ＥＵＶ光源のための供給システムの別の例のブロック図である。
【図５Ａ】[0026]  図４の供給システムと共に使用できるターゲット形成装置の一例の側断面のブロック図である。
【図５Ｂ】[0027]  図５Ａのターゲット形成装置の上面図である。
【図６】[0028]  図４の供給システムと共に使用できるターゲット形成装置の他の例の斜視図である。
【図７】[0028]  図４の供給システムと共に使用できるターゲット形成装置の他の例の斜視図である。
【図８】[0028]  図４の供給システムと共に使用できるターゲット形成装置の他の例の斜視図である。
【図９】[0029]  リソグラフィ装置の一例のブロック図である。
【図１０】[0030]  図９のリソグラフィ装置の更に詳細な図である。
【図１１】[0031]  ＥＵＶ光源の一例のブロック図である。
【図１２Ａ】[0032]  図１の供給システムと共に使用できるＭＥＭＳシステムの別の例の側断面のブロック図である。
【図１２Ｂ】[0033]  図１２ＡのＭＥＭＳシステムの上面のブロック図である。
【図１３Ａ】[0034]  図１の供給システムと共に使用できるＭＥＭＳシステムの別の例のブロック図である。
【図１３Ｂ】[0034]  図１の供給システムと共に使用できるＭＥＭＳシステムの別の例のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[0035]  図１を参照すると、ＥＵＶ光源１００において使用される供給システム１１０のブロック図が示されている。供給システム１１０は、ターゲット１２１ｐが真空チャンバ１０９内のプラズマ形成位置１２３へ送出されるようにターゲット流１２１を放出する。稼働使用時、供給システム１１０は、圧力Ｐのもとでターゲット材料を収容しているリザーバ１１２に流体結合されている。ターゲット材料は、プラズマ状態である場合にＥＵＶ光を放出する任意の材料である。例えばターゲット材料は、水、スズ、リチウム、及び／又はキセノンを含み得る。ターゲット材料は、例えばチャネル内に流入できる溶融状態とすることができる。ターゲット流内のターゲットは、ターゲット材料又はターゲットの小滴であると考えられる。
【００２０】
[0036]  供給システム１１０はターゲット形成装置１１６を含む。図１の例において、ターゲット形成装置１１６は筐体１１４内に収容されている。ターゲット形成装置１１６は、オリフィス１１９を画定するノズル構造１１８を含む。オリフィス１１９はリザーバ１１２に流体結合されている。例えばオリフィス１１９は、チャネル（図１には示されていない）を介してリザーバ１１２に流体結合することができる。真空チャンバ１０９内の圧力は、リザーバに加えられる圧力Ｐよりもはるかに低いので、ターゲット材料はオリフィス１１９を介して流れる。オリフィス１１９から放出されたターゲット材料はターゲット流１２１を形成する。プラズマ形成位置１２３は光ビーム１０６を受ける。光ビーム１０６は、光源１０５によって発生され、光路１０７を介して真空チャンバ１０９へ送出される。光ビーム１０６とターゲット１２１ｐのターゲット材料との間の相互作用が、ＥＵＶ光を放出するプラズマ１９６を生成する。
【００２１】
[0037]  ターゲット形成装置１１６は、半導体デバイス製造技術で製造されるＭＥＭＳシステム１１７を含むことができる。これらの実施において、ノズル構造１１８及びオリフィス１１９はＭＥＭＳシステム１１７の一部として形成され、ＭＥＭＳシステム１１７を含むターゲット形成装置１１６はＭＥＭＳベースのターゲット形成装置１１６であると考えることができる。供給システム１１０では、従来の機械加工技法を用いて製造されたターゲット形成装置でなくＭＥＭＳベースのターゲット形成装置１１６を用いることができる。
【００２２】
[0038]  ＭＥＭＳシステム１１７は、従来の機械加工技術でなく半導体デバイス製造技術で製造される。例えばＭＥＭＳシステム１１７は、ウェットエッチング及び／又はドライエッチング、放電加工（ＥＤＭ：electro discharge machining）、及び、小型デバイスを製造することができる他の任意の技術を用いて製造できる。従来の機械加工は、ＭＥＭＳシステム１１７の製造に使用されるものとは異なる技法を使用し得る。従来の機械加工技法は例えば、ソーイング、フライス加工（milling）、穿孔（drilling）、レーザ加工、及び／又は旋盤加工（turning）を含む。高強度金属（モリブデン、タングステン、又はチタン）に従来の機械加工を適用してフィーチャ（例えばオリフィス、チャネル、及び／又はチャンバ等）を形成することにより、ターゲット形成装置を製造することも可能である。しかしながら、高強度金属に従来の機械加工を適用すると、粗い表面、粒子、及び／又は化学的汚染を招く可能性がある。これらの効果は、エッチング、洗浄、及び／又は研摩のような表面処理によって軽減され得るが、軽減されない粒子及び／又は化学的汚染が、従来の機械加工技法を用いて作製されたターゲット形成装置の性能に影響を及ぼす恐れがある。
【００２３】
[0039]  例えば、従来の機械加工は、ターゲット材料が通過するオリフィスの直径よりも大きい粒子を生成することがある。これらの粒子は、洗浄によって除去されない場合、ターゲット材料の流れを閉塞する可能性がある。ターゲット材料がオリフィスから流れ出ない場合、ターゲット材料はプラズマ形成位置１２３に到達せず、ＥＵＶ光は生成されない。更に、このような閉塞はターゲット形成装置に損傷を与える結果となり得る。また、従来の機械加工は、オリフィスの直径よりも小さい粒子も生成することがある。これらの粒子はノズル又はオリフィスに詰まり、部分的にオリフィスを閉塞する恐れがある。オリフィス１１９が部分的に閉塞された場合、オリフィス１１９によって放出されたターゲット材料は予想経路から逸れた軌道上に放出され、プラズマ形成位置１２３に到達せず、このためＥＵＶの生成が低減するか又は皆無となる可能性がある。また、化学的に形成された汚染も、オリフィスを閉塞するか又は部分的に妨げることがある。
【００２４】
[0040]  しかしながら、ターゲット形成装置１１６はＭＥＭＳシステム１１７を含むので、従来の機械加工技法のみで形成されたターゲット形成装置ほど徹底的な洗浄を行うことなく、性能及び信頼性を向上させ得る。例えば、ＭＥＭＳシステム１１７は半導体デバイス製造技術を用いて製造されるので、クリーンルーム条件下において単一の場所で製造及び組み立てを行うことができる。ＭＥＭＳシステム１１７は、リソグラフィパターニング及び様々なエッチングプロセス（例えばウェットエッチング、リアクティブイオンエッチング、集束イオンビームエッチング等）や、化学気相成長法のような化学反応に基づく半導体デバイス製造技術で製造することができる。化学気相成長技法は、例えば大気圧化学気相成長法（ＡＰＣＶＤ：atmospheric pressure chemical vapor deposition）、原子層化学気相成長法（ＡＣＶＤ又はＡＬＣＶＤ：atomic layer chemical vapor deposition）、ホットフィラメント化学気相成長法（ＨＦＣＶＰ：hot filament chemical vapor deposition）、低圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ：low-pressure chemical vapor deposition）、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ：metal organic chemical vapor deposition）、マイクロ波プラズマ支援化学気相成長法（ＭＰＣＶＤ：microwave plasma-assisted chemical vapor deposition）、プラズマエンハンス化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ：plasma enhanced chemical vapor deposition）、急速熱化学気相成長法（ＲＴＣＶＤ：rapid thermal chemical vapor deposition）、遠隔プラズマエンハンス化学気相成長法（ＲＰＥＣＶＤ：remote plasma enhanced chemical vapor deposition）、超高真空化学気相成長法（ＵＨＶＣＶＤ：ultra high vacuum chemical vapor deposition）を含む。これらの様々な技法を用いて、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、及び／又は、例えば金、タングステン、クロム等の金属の薄い層を形成する。研摩性の（abrasive）製造ステップを含まないので、ＭＥＭＳシステム１１７では、従来の機械加工技法を用いて製造された装置よりも粒子及び／又は化学的汚染の少ないターゲット形成装置１１６が得られる。
【００２５】
[0041]  更に、ＭＥＭＳ技術ポートフォリオを用いてＭＥＭＳシステム１１７を形成することで、ターゲット形成装置１１６は、従来の機械加工技術を用いて作製された装置よりも厳しい公差での多数の再現が容易になり得る。例えば、いくつかのターゲット形成装置は、クオーツ又は同様の材料から手作業で形成された毛細管を含む。毛細管は、複雑な手作業のプロセスを経て形成された小さいオリフィスを画定するノズルを含み、これは、信頼性の高い再現が困難であると共に、粒子及び化学的汚染のない状態を保つことが難しい場合がある。更に、毛細管に使用される材料は亀裂を生じやすいので、従来の方法で形成された毛細管を最大で８，０００ポンド／平方インチ（ｐｓｉ）の圧力で使用することは難しい場合がある。ＭＥＭＳシステム１１７を含むターゲット形成装置１１６は、毛細管なしで動作できる。更に、ＭＥＭＳシステム１１７に使用され得る材料は、ターゲット材料と共に、８，０００ｐｓｉまでの圧力及びこれを超える圧力で使用するのに適している。いくつかの実施において、ＭＥＭＳシステム１１７はシリコン（Ｓｉ）で作製され、窒化物コーティングが用いられる。ＭＥＭＳシステム１１７を作製できる他の材料には、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、及び／又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が含まれる。更に、ＭＥＭＳシステム１１７で使用されるいずれの材料も窒化物でコーティングすることができる。例えばＭＥＭＳシステム１１７は、窒化物でコーティングされたＳｉＣ、窒化物でコーティングされたＳｉＮ、及び／又は窒化物でコーティングされたＳｉＯ２で作製できる。
【００２６】
[0042]  ターゲット形成装置１１６でＭＥＭＳシステム１１７を用いることにより、追加の利点が得られる。例えば、ＭＥＭＳシステム１１７にフィルタを一体化することができる。フィルタは、ターゲット形成装置１１６とリザーバ１１２との間に生じる粒子汚染を軽減するために使用できる。いくつかの実施において、フィルタは、ＭＥＭＳシステム１１７が外部環境に対して実質的に閉鎖されるように、（リザーバ１１２からオリフィス１１９への流れ方向で見た）ＭＥＭＳシステム１１７の始端及び終端に配置することができる。
【００２７】
[0043]  更に、ＭＥＭＳ技術で作製されたコンポーネントは、上述のような従来の機械加工技法で作製された同様のコンポーネントよりも著しく小さくすることができる。例えばＭＥＭＳ技術で作製されたコンポーネントは、従来の機械加工技法で作製された同様のコンポーネントよりも一桁小さくすることができる。従って、ＭＥＭＳシステム１１７自体を、従来の機械加工技法で作製された同様のコンポーネントよりも著しく小さくすることができ、このため、ＭＥＭＳシステム１１７を含むターゲット形成装置１１６を、ＭＥＭＳシステム１１７を含まないターゲット形成装置よりも小さくすることができる。供給システム１１０において利用できる全空間量が限定又は制約される可能性があるので、ターゲット形成装置１１６の小さい実装面積は有利となり得る。
【００２８】
[0044]  更に、ターゲット形成装置１１６にＭＥＭＳシステム１１７を含むことによって、ターゲット形成装置１１６は、各々がそれぞれＭＥＭＳシステムを含む３つ以上の個別に制御可能なターゲット形成装置を含む一体構造（monolithic structure）として製造することができる。図５Ａ及び図５Ｂは、この実施の一例を示す。一体構造内のターゲット形成装置は、これらのターゲット形成装置のうち任意のものを活性化してターゲット流１２１を生成するか、又は非活性化してターゲット流１２１を生成しないように、個別に制御可能である。従って、ターゲット形成装置のいずれかが故障するか、その性能が劣化するか、予想寿命の終わりに近付くか、又は他の何らかの理由で非稼働に切り換えることが望ましい場合、ＥＵＶ光源の生成が継続するようにターゲット形成装置の他のものを活性化することができる。
【００２９】
[0045]  ＭＥＭＳシステム１１７は、３つ以上のターゲット形成装置を含む一体構造を形成する場合の使用に大変適しているが、各々が従来の機械加工技法を用いて製造されたターゲット形成装置の一群を、同様に個別に制御して共に使用することも可能である。図６は、そのような実施の一例を示す。
【００３０】
[0046]  図２Ａ及び図２Ｂは、半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステム２１７を示す。ＭＥＭＳシステム２１７はＭＥＭＳシステム１１７（図１）の実施の一例である。ＭＥＭＳシステム２１７はターゲット形成装置１１６及び供給システム１１０（図１）において使用することができ、ＭＥＭＳシステム２１７は供給システム１１０を参照して検討される。図２ＡはＭＥＭＳシステム２１７の側断面のブロック図である。図２Ｂはライン２Ｂ−２Ｂから見たＭＥＭＳシステム２１７の上面のブロック図である。図２Ｂの点線は、ＭＥＭＳシステム２１７の第１の端部２２５の下方にある隠れた要素を表す。
【００３１】
[0047]  ＭＥＭＳシステム２１７は第１の端部２２５及び第２の端部２２６を含む。ＭＥＭＳシステム２１７において、第１の端部２２５及び第２の端部２２６は反対の側にある。第１の端部２２５からＸ軸に沿って第１のチャネル２２７が延出している。稼働使用時、第１の端部２２５はリザーバ１１２と向かい合うように配向され、リザーバ１１２からのターゲット材料は第１のチャネル２２７内へ流入する。各第１のチャネル２２７はそれぞれ中間チャネル２２９を介してチャンバ２２８に流体結合されている。チャンバ２２８は例えば、壁２３３によって部分的に形成されたディスク形ボリュームである。チャンバ２２８はディスク以外の形状を有することも可能である。例えば、チャンバ２２８を正方形又は矩形のボリュームとしてもよい。チャンバ２２８は第２のチャネル２３０に流体結合されている。第２のチャネル２３０は、オリフィス２１９を画定するノズル構造２１８に流体結合されている。
【００３２】
[0048]  ＭＥＭＳシステム２１７の例において、第１のチャネル２２７はＸ−Ｚ面内で鏡面対称を有する。他の実施において、第１のチャネル２２７はＸ−Ｚ面内で鏡面対称を持たない。例えばＭＥＭＳシステム２１７は、Ｙ−Ｚ面内で相互に１２０度離間した３つの第１のチャネル２２７を用いて実施できる。ＭＥＭＳシステム２１７において、Ｚ−Ｙ面内の第１のチャネル２２７の各々の直径は、Ｘ軸に沿った位置に応じて変動する。具体的には、ＭＥＭＳシステム２１７において、第１のチャネル２２７の直径は、中間チャネル２２９における部分２３８よりも第１の端部２２５における部分２３７の方が大きい。第１のチャネル２２７の直径の変化は、第１のチャネル２２７の上流の領域（例えばリザーバ１１２内）から発生する音響外乱（acoustic disturbance）を取り除くのに役立つ音響フィルタを形成する。
【００３３】
[0049]  ＭＥＭＳシステム２１７が、（圧力を加えられた）リザーバ１１２に流体結合されている場合、ターゲット材料はリザーバ１１２から第１のチャネル２２７及び中間チャネル２２９内へ流入する。ターゲット材料は中間チャネル２２９からチャンバ２２８内へ流入し、チャンバ２２８から第２のチャネル２３０内へ流入する。ターゲット材料はオリフィス２１９からターゲット材料のジェットとして放出され、これはターゲットへと分解する。第１のチャネル２２７、中間チャネル２２９、チャンバ２２８、第２のチャネル２３０、及びオリフィス２１９は、共に、第１の端部２２５から第２の端部２２６までのターゲット材料経路を形成する。
【００３４】
[0050]  ＭＥＭＳシステム２１７はフィルタ２４１ａ〜２４１ｄも含む。図２Ａ及び図２Ｂの例において、ＭＥＭＳシステム２１７は４つのフィルタを含む。すなわち、第１の端部２２５における第１のチャネル２２７内のフィルタ２４１ａ、２４１ｂと、チャンバ２２８と第２のチャネル２３０との間の第２のチャネル２３０内のフィルタ２４１ｃと、ノズル構造２１８内のオリフィス２１９の近傍におけるフィルタ２４１ｄである。フィルタ２４１ｄはオリフィス２１９に対してＸ方向に配置されている。従って、稼働使用時、ターゲット材料は第１の端部２２５においてフィルタ２４１ａ、２４１ｂを通って流れた後、第１のチャネル２２７内へ流入し、フィルタ２４１ｃを通って第２のチャネル２３０内に入り、フィルタ２４１ｄを通ってからオリフィス２１９を通過する。
【００３５】
[0051]  フィルタ２４１ａ〜２４１ｄは、例えば半導体デバイス製造技術で製造される任意のタイプのフィルタとすればよい。フィルタ２４１ａ〜２４１ｄは、ターゲット材料を通過させるフィルタチャネル又は開口のアレイと、フィルタチャネルの直径よりも大きい粒子を捕捉する濾過表面（filtration surface）とを含むことができる。例えばフィルタチャネルは、オリフィス２１９を閉塞するか又は部分的に閉塞する可能性のある粒子の直径よりも小さい直径を有し得る。粒子は濾過表面で捕捉され、フィルタ２４１ａ〜２４１ｄは、粒子デブリがオリフィス２１９の方へ移送されるのを防ぐように粒子デブリを保持することによってターゲット材料を濾過する。
【００３６】
[0052]  図２Ｃは、フィルタ２４１ｅ及びフィルタ２４１ｆの斜視図である。フィルタ２４１ｅ、２４１ｆはどちらも、フィルタ２４１ａ〜２４１ｄのいずれかとして使用できる。フィルタ２４１ｅ、２４１ｆは、それぞれ濾過表面２４８ｅ、２４８ｆ及びサポート２４９ｅ、２４９ｆを含む。濾過表面２４８ｅ、２４８ｆにおける点は、ターゲット材料が通過できるフィルタチャネル又は開口を表す。チャネル又は開口は、Ｘ軸に沿ってフィルタ２４１ｅ、２４１ｆ全体を貫通し得る。
【００３７】
[0053]  フィルタチャネルは、例えば１〜２０μｍの直径を有することができる。フィルタチャネルは、オリフィス２１９の直径よりも小さい直径を有し得る。例えばオリフィス２１９は２〜５μｍの直径を有し、フィルタチャネルは１〜２μｍ又はそれ以下の直径を有し得る。フィルタ２４１ａ〜２４１ｄは同一の特徴を有する場合があり、又はフィルタ２４１ａ〜２４１ｄは相互に異なる場合もある。例えばフィルタ２４１ｄは、フィルタ２４１ａ、２４１ｂ、又は２４１ｃのチャネルよりも小さい直径を有するチャネルを有し得る。いくつかの実施において、フィルタ２４１ａ及び２４１ｂは、より大きい粒子を阻止するためオリフィス２１９の直径よりも大きい直径を有するチャネルを有し、フィルタ２４１ｃは、オリフィス２１９の直径と同一の直径を有するチャネルを有し、フィルタ２４１ｄは、オリフィス２１９の直径よりも小さい直径を有するチャネルを有し得る。
【００３８】
[0054]  フィルタ２４１ａ〜２４１ｄは、サポートによって所定位置に保持された濾過領域を形成する膜を含む膜フィルタとすることができる。いくつかの実施において、フィルタ２４１ａ〜２４１ｄのうち１つ以上は高空隙率の微小ふるい（microsieve）フィルタである。フィルタは、１００バールよりも大きい（又は約１４５０ｐｓｉよりも大きい）破裂圧力を有するように製造できる。フィルタ２４１ａ〜２４１ｄは、音響的に透明とすることも可能である。
【００３９】
[0055]  再び図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、ＭＥＭＳシステム２１７は空間２３４内にアクチュエータ２３１も含む。アクチュエータ２３１はチャンバ２２８に結合されており、チャンバ２２８内の圧力を変調するように構成されている。ＭＥＭＳシステム２１７において、アクチュエータ２３１は膜２３２を介してチャンバ２２８に機械的に結合されている。膜２３２は、アクチュエータ２３１の変調がチャンバ２２８に伝達されるようにアクチュエータ２３１に機械的に結合されている。例えば、膜２３２の位置の変調はチャンバ２２８内の圧力の対応した変化を生成することができる。膜２３２はチャンバ２２８からアクチュエータ２３１を分離する。このため、膜２３２はチャンバ２２８内のターゲット材料からアクチュエータ２３１を保護するのに役立ち得る。ＭＥＭＳシステム２１７において、膜２３２の一部は壁２３３から形成されている。
【００４０】
[0056]  空間２３４は複数の壁によって画定されており、図２Ａではそのうち２つ（壁２４０及び２４３）が標示されている。壁２４０及び２４３はＸ軸に沿って分離されており、空間２３４の両側にある。いくつかの実施において、アクチュエータ２３１は壁２４０と２４３との間にクランプされている。これらの実施において、アクチュエータ２３１は、Ｘ軸に沿って膨張及び収縮することで膜２３２を移動させるように構成できる。別の実施において、アクチュエータ２３１は、例えばのり付け、はんだ付け、又はろう付けによって壁２４０及び膜２３２に堅固に取り付けられている。これらの実施において、アクチュエータ２３１は、壁２４０を背にして屈曲することで膜２３２を移動させるように構成できる。
【００４１】
[0057]  アクチュエータ２３１は、膜２３２の位置を変調することによってチャンバ２２８内の圧力の変調を可能とする任意の適切な作動機構とすればよい。例えばアクチュエータ２３１は、電界が印加された場合に伸長、屈曲、収縮、膨張、及び／又は他の形状変化を生じるような逆圧電効果を示すピエゾ材料を含むピエゾアクチュエータとすることができる。アクチュエータ２３１がピエゾアクチュエータである実施において、アクチュエータ２３１は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）又は同様の別の材料を含み得る。これらの実施において、アクチュエータ２３１は、単一のピエゾアクチュエータ（例えば、逆圧電効果を示す単一のピエゾプレートレット又は単一の材料層）、２つのピエゾアクチュエータ、又は多層ピエゾアセンブリとすることができる。いくつかの実施において、アクチュエータ２３１は、空間２３４と向かい合う膜２３２の壁又は側面２４０に直接堆積された単一のピエゾ材料層から形成される。
【００４２】
[0058]  アクチュエータ２３１がピエゾ材料を含むピエゾアクチュエータである実施において、ピエゾ材料は任意の形状を有し得る。例えばピエゾ材料の形状は、ディスク形、正方形、矩形、円筒形、チューブ形、又は環状とすることができる。アクチュエータ２３１がピエゾアクチュエータである実施において、ピエゾ材料の構成は、空間２３４内にどのようにピエゾアクチュエータを搭載するかに基づいて選択できる。上記で検討したように、アクチュエータ２３１は壁２４０と２４３との間にクランプすることができる。これらの実施では、電界の印加に応答してＸ軸に沿って形状を変化させる（例えば伸長する）ように構成されたピエゾアクチュエータを使用できる。アクチュエータ２３１が壁２４０に取り付けられるが壁２４３には取り付けられない実施では、電界の印加に応答して屈曲するピエゾアクチュエータを使用できる。
【００４３】
[0059]  ピエゾ材料の近傍に、ピエゾ材料に電界を印加するための電極（図示せず）を配置することができる。電界の変調によってピエゾ材料の機械的変調が生じる。電極により発生された電界は、信号制御線を用いて又は導管２３９（図２Ｂ）を介して電極に到達する同様の機構を用いてピエゾ材料に電界を印加するように制御できる。導管２３９は、Ｙ軸に沿ってＭＥＭＳシステム２１７を貫通している。導管２３９は、ＭＥＭＳシステム２１７の外部から空間２３４へのアクセスを与える。
【００４４】
[0060]  導管２３９（又は導管２３９と同様の別の導管）を用いて、空間２３４内の（アクチュエータ２３１における）圧力とチャンバ２２８内の圧力とが実質的に同一となるように空間２３４内の圧力を制御することができる。従って、膜２３２に加わる唯一の圧力差は、膜２３２を変調するアクチュエータ２３１から発生する圧力差である。
【００４５】
[0061]  リザーバ１１２内のターゲット材料に圧力Ｐ（図１）を加えると、ターゲット材料はターゲット材料ジェットとしてオリフィス２１９から出る。ターゲット材料ジェットは最終的にターゲットへと分解する。オリフィスから発する液体ジェットの自然な分裂は、レイリー分裂として知られている。レイリー周波数は、レイリー分裂による個々の小滴の生成率である。レイリー周波数は、オリフィス２１９におけるターゲット材料の平均（average）（又は算術平均（mean））速度とオリフィス２１９の直径に関連している。レイリー分裂は、チャンバ２２８内の圧力の変調を行わなくても発生し得る。しかしながら、チャンバ２２８内の圧力を変調すると、ターゲット材料ジェットの分裂をよりいっそう制御することが可能となる。例えば、レイリー周波数よりもはるかに低い周波数でチャンバ２２８の圧力を変調すると、オリフィスからのターゲット材料の放出速度も変調され、これによって、ターゲット流の分裂をよりいっそう制御して発生させることができる。
【００４６】
[0062]  上記で検討したように、アクチュエータ２３１はチャンバ２２８内の圧力を変調するために使用される。１つの実施では、アクチュエータ２３１に低周波数変調連続ジェット技法を適用してターゲット流１２１を形成することができる。低周波数変調連続ジェット技法において、アクチュエータ２３１は少なくとも２つの周波数を有する入力信号によって制御される。少なくとも２つの周波数は第１の周波数及び第２の周波数を含む。第１の周波数はメガヘルツ（ＭＨｚ）範囲とすることができる。第１の周波数はレイリー周波数に近いものとすることができる。第１の周波数でチャンバ２２８内の圧力を変調すると、ターゲット材料ジェットは所望の大きさ及び速度を有する比較的小さいターゲットへと分解する。
【００４７】
[0063]  第２の周波数は第１の周波数よりも低い。例えば、第２の周波数はキロヘルツ（ｋＨｚ）範囲とすることができる。第２の周波数は、ターゲット流内のターゲットの速度を変調すると共にターゲット生成率を決定するために用いられる。レイリー周波数よりもはるかに低い周波数でチャンバ２２８内の圧力を変調すると、ターゲット群が形成される。所与のターゲット群内で様々なターゲットは異なる速度で進む。速度の速いターゲットは、速度の遅いターゲットと合体して、ターゲット流１２１を構成する大きい合体ターゲットを形成することができる。これらの大きいターゲットは、合体していない小滴よりも大きい距離だけ相互に分離している。この大きい分離は、１つのターゲットから形成されたプラズマがターゲット流１２１内の後続ターゲットの軌道に及ぼす影響を軽減するのに役立つ。
【００４８】
[0064]  ターゲット流１２１内のターゲットは、約３０μｍの直径を有する概ね球形の形状であり得る。ターゲットは、例えば４０〜３１０ｋＨｚの間の周波数で発生させ、例えば４０〜１２０メートル／秒（ｍ／ｓ）又は最大で５００ｍ／ｓの速度でプラズマ形成位置１２３（図１）の方へ進むことができる。ターゲット流１２１内の２つの隣接ターゲット間の空間的分離は、例えば１〜３ミリメートル（ｍｍ）とすることができる。１００〜３００の初期小滴（レイリー小滴とも称される）が合体して単一の大きいターゲットを形成し得る。
【００４９】
[0065]  上記で検討したように、アクチュエータ２３１は少なくとも２つの周波数により駆動することができる。そのうち１つはレイリー周波数に近く、別の周波数（第２の周波数）は合体を促進する。合体を促進する第２の周波数は、ターゲットがプラズマ形成位置１２３に到達する周波数を決定する。
【００５０】
[0066]  ＭＥＭＳシステム２１７の機械的構造を用いて第２の周波数を決定することができる。例えば、ＭＥＭＳシステム２１７の共振周波数を第２の周波数として使用できる。ＭＥＭＳシステムのジオメトリに応じて、ヘルムホルツ周波数、又はＸ軸に沿った第２のチャネル２３０の長さにより決定される周波数を、第２の周波数として使用できる。
【００５１】
[0067]  ヘルムホルツ周波数（ｆＨｅｌｍｈｏｌｔｚ）を式（１）に示す。
【００５２】
【数１】
2020524292.tif 000003
【００５３】
ここで、ｃは、ターゲット材料の周囲のコンプライアンスに対して補正された（流れている）ターゲット材料中の音速であり、Ｖｃはチャンバ２２８の体積であり、Ａｏｒｉｆｉｃｅはオリフィス２１９の表面積であり、Ｌｏｒｉｆｉｃｅはオリフィス２１９の長さであり、Ａｔｈｒｏｔｔｌｅは中間チャネル２２９のうち１つの表面積であり、Ｌｔｈｒｏｔｔｌｅは中間チャネルのうち１つの長さであり、ｎは中間チャネル２２９の数である。チャネル２３０を含む実施（図２Ａの実施等）では、チャネル２３０の設計パラメータ又はジオメトリに基づいて第２の周波数が変化する可能性がある。
【００５４】
[0068]  周波数の４分の１波長がＸ軸に沿った第２のチャネル２３０及びノズル構造２１８を包含する４分の１波長周波数を、第２の周波数として使用することができる。音響補正を除いて、４分の１波長周波数（ｆｑｗ）を式（２）に示す。
【００５５】
【数２】
2020524292.tif 000004
【００５６】
ここで、ｃは、ターゲット材料の周囲のコンプライアンスに対して補正された（流れている）ターゲット材料中の音速であり、Ｌは、第２のチャネル２３０及びノズル構造２１８のＸ軸に沿った全長である。ＭＥＭＳシステム２１７では、４分の１波長周波数を第２の周波数として使用することができる。例えば、ｃが２０００ｍ／ｓであると仮定すると、３２０ｋＨｚの周波数でターゲットを発生させるためには、Ｌは１．５ｍｍである。
【００５７】
[0069]  ＭＥＭＳシステム２１７は、オリフィス２１９が直接チャンバ２２８に結合されるように第２のチャネル２３０なしで設計するか、又はオリフィスとチャンバ２２８との間に無視できる大きさを有する第２のチャネル２３０を用いて設計することも可能である。これらの実施では、第２の周波数はヘルムホルツ周波数（式１）によって定義される。図３Ａ及び図３Ｂはそのような実施の一例を示す。
【００５８】
[0070]  第２の周波数が第２のチャネル２３０の大きさによって決定される（例えば式２から）実施では、第２のチャネル２３０の大きさを制御するため、第２のチャネル２３０を含む層の厚さを厳しい公差内に収まるよう制御することができる。これにより、そのような実施は第２の周波数に対して厳しく制御された値を提供する。例えばいくつかの実施において、ＭＥＭＳシステム２１７は、できるだけ少ない層を有する平面状の（又は実質的に平坦な）構造として実施される。
【００５９】
[0071]  他の技法を用いてチャンバ２２８内の圧力を変調することも可能である。例えばいくつかの実施では、第１の周波数と第２の周波数との間に高調波周波数を追加することによって合体を増強することができる。これに加えて又はこの代わりに、振幅変調に基づく技法を使用してもよい。更に、上記の例は第２の周波数として４分の１波長周波数を用いることを検討しているが、他の周波数も使用できる。例えば、周波数の４分の３波長がＸ軸に沿った第２のチャネル２３０及びノズル構造２１８を包含する周波数以上の周波数を、第２の周波数として使用できる。
【００６０】
[0072]  第２の端部２２６上に導電性コーティング２４２を形成することができる。導電性コーティング２４２は任意の導電性材料とすればよい。ノズル構造２１８、オリフィス２１９、及びＭＥＭＳシステム２１７の他の部分は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）のような絶縁材料から作製することができる。ターゲット材料と、ノズル構造２１８、第１のチャネル２２７、第２のチャネル２３０、及びＭＥＭＳシステム２１７の他の部分の壁との間の摩擦の結果として、第２の端部２２６及びＭＥＭＳシステム２１７の他の部分に電荷が蓄積する可能性がある。この電荷の存在は、ターゲット間のクーロン反発のため、合体ターゲットの形成を妨げる及び／又はターゲットの経路を変化させる可能性がある。これを軽減するため、導電性コーティングを接地して蓄積電荷を除去することができる。導電性コーティング２４２は、ターゲット材料（例えば溶融スズ）への露出による腐食又は他の劣化に対して耐性のある任意の導電性材料とすればよい。例えば導電性コーティングは、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、モリブデン、タングステン、タンタル、イリジウム、又はクロムとすることができる。
【００６１】
[0073]  ＭＥＭＳシステム２１７は組み立てた状態で使用される。図２Ａ及び図２Ｂは組み立てた状態のＭＥＭＳシステム２１７を示している。図２Ｄを参照すると、組み立てていない状態のＭＥＭＳシステム２１７のブロック図が示されている。ＭＥＭＳシステム２１７は層２４５ａ〜２４５ｆを含む。組み立てた状態では、層２４５ａ〜２４５ｆはＸ軸に沿って相互に接合されている。組み立てた状態において、ＭＥＭＳシステム２１７は、２つ以上の層から形成された一体部分と見なすことができる。ＭＥＭＳシステム２１７を形成する一体部分は、単一の統合された（integral）部品又は部分である。
【００６２】
[0074]  図２Ｄの例において、ノズル構造２１８、オリフィス２１９、及びフィルタ２４１ｄは、層２４５ａの一部として形成されている。層２４５ａは導電性コーティング２４２も含み得る。ノズル構造２１８は、例えばＳｉＮのコーティングを有し得る。第２のチャネル２３０は層２４５ｂの一部として形成されている。チャンバ２２８及び中間チャネル２２９は層２４５ｃとして形成されている。膜２３２及び第１のチャネル２２７の部分２３８は層２４５ｄとして形成されている。アクチュエータ２３１及び関連するコンポーネント（例えば電極）は層２４５ｅとして形成されている。第１のチャネル２２７の部分２３７及びフィルタ２４１ａ、２４１ｂは層２４５ｆとして形成されている。
【００６３】
[0075]  他の構成も可能である。例えば、層２４５ｂ及び２４５ｃのフィーチャを単一の層として製造することで、ＭＥＭＳシステム２１７内の層の合計数を５に減らすことができる。別の例では、層２４５ｃ、２４５ｄ、及び２４５ｅのフィーチャ（例えばチャンバ２２８及び膜２３２を形成する）を単一の層として製造することで、ＭＥＭＳシステム２１７内の層の合計数を４に減らすことができる。
【００６４】
[0076]  層２４５ａ〜２４５ｆは、組み立て後はこれらの層２４５ａ〜２４５ｆを損傷させずに相互に分離することができないように、例えば熱的結合、化学結合、及び／又は機械的結合によって永続的に接合され得る。他の実施では、ＭＥＭＳシステム２１７を組み立てた状態で使用している間、層２４５ａ〜２４５ｆは一時的に接合される。これらの実施において、層２４５ａ〜２４５ｆは、組み立て後は損傷させることなく相互に分離できる。層２４５ａ〜２４５ｆを一時的に接合するための技法は、例えば、クランプ又は機械的マウントを用いてＸ軸に沿って（Ｘ方向及び／又は−Ｘ方向に）層２４５ａ〜２４５ｆに対して力を加えることを含む。いくつかの実施では、層２４５ａ〜２４５ｆをクランプで永続的に接合及び保持することができる。
【００６５】
[0077]  層２４５ａ〜２４５ｆは別個に製造することができる。このため、層２４５ａ〜２４５ｆの各々に対して異なる半導体デバイス製造技術が使用され得る。更に、異なる機能を実行するＭＥＭＳシステム２１７のフィーチャを別個の層に製造することができる。例えば、アクチュエータ２３１及びノズル構造２１８は異なる層に製造される。オリフィス２１９は、エッチングによってシリコンウェーハの表面又はエッジに形成することができる。いくつかの実施では、２つ以上のオリフィス２１９をシリコンウェーハにエッチングして、ターゲット形成ユニット群を形成する。この実施の一例が図８に示されている。
【００６６】
[0078]  層２４５ａ〜２４５ｆの各々は半導体デバイス製造技術を用いて製造されるので、層２４５ａ〜２４５ｆは、従来の機械加工技法を用いて可能であるよりも著しく高い清浄度で製造される。更に、ＭＥＭＳシステム２１７の例において、フィルタ２４１ａ及び２４１ｂは組み立てた状態のＭＥＭＳシステム２１７の入口を閉鎖する。入口の閉鎖は、ＭＥＭＳシステム２１７の清浄度を更に向上させ得る。例えば、組み立て中及び稼働使用時、ＭＥＭＳシステム２１７の内部の汚染はフィルタ２４１ａ及び２４１ｂによって限定される。
【００６７】
[0079]  任意のタイプの半導体デバイス製造技術を用いて層２４５ａ〜２４５ｆを形成することができる。例えば、層２４５ａ〜２４５ｆの各々はシリコンウェーハから形成できる。層２４５ａ〜２４５ｆを形成した後、各層を隣接する１又は複数の層に結合することにより、これらの層を接合することができる。層２４５ａ〜２４５ｆを結合した後、コーティングが塗布される（例えば、酸化物及び／又は窒化物のコーティングを各層に塗布すればよい）。いくつかの実施では、層２４５ａ〜２４５ｆの各々が形成され、層２４５ａ〜２４５ｆの各々にコーティングが塗布された後に、層２４５ｆ〜２４５ｆが接合される。既知のように、結合強度は結合される表面の表面ラフネスに依存する。
【００６８】
[0080]  従ってＭＥＭＳシステム２１７は、比較的高い圧力（例えば８，０００ｐｓｉ）のもとに置かれた場合であっても動作可能であると予想される。更に、いくつかの実施において、ターゲット形成装置１１６はアイソスタティックに（iso-static）動作及び／又は設計される。これらの実施において、アクチュエータ２３１及び／又はＭＥＭＳシステム２１７の他の部分、又はＭＥＭＳシステム２１７全体は、チャンバ２２８内のターゲット材料の圧力と同一の圧力であるか、又はチャンバ２２８内のターゲット材料の圧力に比べて部分的（又は低い）圧力である。
【００６９】
[0081]  図２Ａに示されている実施において、ＭＥＭＳシステム２１７は機械的サポート又はマウント２０３に配置されている。マウント２０３は、稼働使用時にＭＥＭＳシステム２１７の構造的完全性を維持するのに役立てるため、Ｘ方向及び／又は−Ｘ方向に沿って追加の力を加えるデバイス（例えばクランプ）を含み得る。図２Ａに示されている例では、マウント２０３はＭＥＭＳシステム２１７を取り囲んでいる。マウント２０３は、ＭＥＭＳシステム２１７がマウント２０３内にある場合にオリフィス２１９からターゲット材料を放出できるようにオリフィスと一致する開口２０４も含む。
【００７０】
[0082]  図３ＡはＭＥＭＳシステム３１７の側断面のブロック図である。図３Ｂはライン３Ｂ−３Ｂから見たＭＥＭＳシステム３１７の上面のブロック図である。図３Ｂの点線は、ＭＥＭＳシステム３１７の第１の端部３２５の下方にある隠れた要素を表す。
【００７１】
[0083]  ＭＥＭＳシステム３１７は、ＭＥＭＳシステム１１７（図１）の実施の別の例である。ＭＥＭＳシステム３１７は供給システム１１０（図１）において使用することができ、ＭＥＭＳシステム３１７は供給システム１１０を参照して検討される。ＭＥＭＳシステム３１７は、第２のチャネル２３０のような第２のチャネルを含まない点を除いて、ＭＥＭＳシステム２１７と同様である。
【００７２】
[0084]  ＭＥＭＳシステム３１７は、端部３２５からＸ軸に沿って延出する第１のチャネル３２７を含む。図３Ｂに示されているように、ＭＥＭＳシステム３１７は、相互に半径方向に６０度離間した６つの第１のチャネル３２７を含む。簡略化のため、図３Ｂには第１のチャネル３２７のうち１つのみが標記されている。第１のチャネル３２７の各々は、中間チャネル３２９を介してチャンバ３２８に流体結合されている。チャンバ３２８は、オリフィス３１９を画定するノズル構造３１８に流体結合されている。図３Ａに示されているように、ＭＥＭＳシステム３１７は、フィルタ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｄ、及びアクチュエータ２３１も含む。図３Ｂには示されていないが、第１のチャネル３２７の各々は、端部３２５に位置決めされたフィルタ２４１ａ又はフィルタ２４１ｂと同様のフィルタを含む。
【００７３】
[0085]  ＭＥＭＳシステム３１７が圧力を加えられたリザーバ１１２に流体結合されている場合、ターゲット材料はリザーバ１１２から第１の端部３２５におけるフィルタ（例えば図３Ａに示されているフィルタ２４１ａ、２４１ｂ）を介して第１のチャネル３２７内に流入する。ターゲット材料は中間チャネル３２９からチャンバ３２８内へ、更にチャンバ３２８からフィルタ２４１ｄ内へ、次いでノズル構造３１８内へ流入する。ターゲット材料はオリフィス３１９からターゲット材料のジェットとして放出され、これはターゲットへと分解する。第１のチャネル３２７、中間チャネル３２９、チャンバ３２８、及びオリフィス３１９は、共に、第１の端部３２５から第２の端部３２６までのターゲット材料経路を形成する。
【００７４】
[0086]  アクチュエータ２３１は、ＭＥＭＳシステム２１７のアクチュエータ２３１と同様の方法でチャンバ３２８に結合されている。ＭＥＭＳシステム３１７において、アクチュエータ２３１は、レイリー周波数に近い周波数を含む２つ以上の周波数によって駆動することができる。第２の周波数は、式（１）に示されているヘルムホルツ周波数とすればよい。式（１）に示されているように、ヘルムホルツ周波数は、中間チャネル３２９の数、並びに中間チャネル３２９の表面積及び長さに依存する。このため、第２の周波数（従ってターゲット生成の周波数）は、中間チャネル３２９の数を増やすこと及び／又は中間チャネル３２９のジオメトリを変更することによって調節できる。
【００７５】
[0087]  ＭＥＭＳシステム３１７は組み立てた状態で示されている。ＭＥＭＳシステム３１７は、３つの層３４５ａ、３４５ｂ、及び３４５ｃを含む。図３Ａにおいて、これらの層の境界が２本の破線で示されている。層３４５ａ、３４５ｂ、及び３４５ｃは別個に製造することができ、これらの層を接合することで、組み立てたＭＥＭＳシステム３１７が形成される。組み立てたＭＥＭＳシステム３１７は、図２Ａのマウント２０３のようなマウントに収容することができる。
【００７６】
[0088]  ＭＥＭＳシステム１１７の他の実施も可能である。例えば、ＭＥＭＳシステム２１７及び３１７は、ＭＥＭＳシステムの２つの対向する側の間にターゲット材料経路があるように構成されている。しかしながら、他の構成も使用できる。例えば、ＭＥＭＳシステムの対向する側でない端部からターゲット材料経路が延出するように、ターゲット材料がＺ軸に沿ってＭＥＭＳシステムに入って−Ｘ方向でＭＥＭＳシステムから出ることも可能である。ＭＥＭＳシステム２１７は６つの第１のチャネル２２７を含むが、他の実施はもっと多いか又はもっと少ない第１のチャネルを含み得る。例えばいくつかの構成では、単一のチャネルが第１の端部２２５からチャンバ２２８まで延出し得る。ＭＥＭＳシステム２１７及び３１７は、図２Ｄ及び図３に示されている各例よりも多いか又は少ない層を含み得る。
【００７７】
[0089]  更に、第１のチャネル２２７は部分２３７及び２３８を含み、第１のチャネル３３７は部分３３７及び３３８を含む。部分２３８に対する部分２３７の相対的な寸法、及び部分３３８に対する部分３３７の寸法は、異なる実施では異なる可能性がある。例えば、ＭＥＭＳシステム３１７のいくつかの実施では、部分３３８全体が層３４５ｂ内にあるように、部分３３７は層３４５ｃの全長にわたってＸ軸に沿って延出することができる。同様に、ＭＥＭＳシステム２１７のいくつかの実施では、部分２３８が別個の層内にあるように、部分２３７は層２４５ｆの全長にわたってＸ軸に沿って延出することができる。
【００７８】
[0090]  図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、及び図１３Ｂは、ＭＥＭＳシステム１１７の追加の例示的な実施を示す。ＭＥＭＳシステムの他の例示的な実施について検討する前に、図４から図８を検討する。図４から図８は、２つ以上の制御可能ターゲット形成ユニットを含む供給システムの例を与える。
【００７９】
[0091]  図４を参照すると、供給システム４００のブロック図が示されている。供給システム４００はＥＵＶ光源で使用することができる。供給システム４００は、ターゲット形成装置４１６及び制御システム４５０を含む。ターゲット形成装置４１６は、ｎ個のターゲット形成ユニット４６２を含む（４６２＿１から４６２＿ｎと標示されている）。ｎは２以上の任意の整数である。ターゲット形成ユニット４６２の各々は、オリフィス４１９を画定するノズル構造４１８を含む。図４において、ノズル構造４１８は４１８＿１から４１８＿ｎと標示され、各ノズルの各オリフィス４１９は４１９＿１から４１９＿ｎと標示されている。
【００８０】
[0092]  ターゲット形成ユニット４６２はＭＥＭＳベースとすることができる。例えば、ターゲット形成ユニット４６２の各々はＭＥＭＳシステム１１７（図１）の事例（instance）とすることができる。そのような実施の例が図５Ａ及び図５Ｂに示されている。他の実施では、ターゲット形成ユニット４６２はＭＥＭＳベースでなく、従来の機械加工技法を用いて作製される。例えばターゲット形成ユニット４６２の各々は、従来の機械加工技法を用いて機械加工された高強度金属から形成されるが、毛細管を含まないノズルを有し得る。図６に示されているようないくつかの実施では、ターゲット形成ユニット４６２の各々は従来の機械加工技法によって作製され、毛細管も含む。
【００８１】
[0093]  ターゲット形成装置４１６は、図１のリザーバ１１２のようなターゲット材料を収容しているリザーバに流体結合されるように構成されている。稼働使用時、圧力を加えられたターゲット材料がリザーバからオリフィス４１９のいずれかに流入できるように、オリフィス４１９はリザーバに流体結合されている。ターゲット形成ユニット４６２の各々を活性化又は非活性化することができる。制御システム４５０は、ターゲット形成ユニット４６２のうち特定の１つ以上を活性化又は非活性化することにより、ｎ個のターゲット形成ユニット４６２のうちどれが所与の時点でターゲットを生成できるかを制御する。特定のターゲット形成ユニット４６２は活性化されると各オリフィス４１９からターゲット材料を放出することができる。特定のターゲット形成ユニット４６２は非活性化されると各オリフィス４１９からターゲット材料を放出することができない。
【００８２】
[0094]  制御システム４５０は、ターゲット形成ユニット４６２の非活性化及び／又は活性化を制御する。図４に示されている実施を含むいくつかの実施において、制御システム４５０は、ターゲット形成ユニット４６２における熱量を制御するよう構成された温度システム４５３を含む。上記で検討したように、ターゲット材料は流動し得る溶融状態とすることができる。例えば、ターゲット材料は溶融スズを含み得る。これらの実施において、温度システム４５３は、ターゲット形成装置４１６及び／又はターゲット形成ユニット４６２のうち特定のものに対して熱を追加又は除去することができる。熱を追加すると、ターゲット材料が溶融状態を維持することを保証できる。熱を除去するか、又はターゲット形成装置４１６及び／又はターゲット形成ユニット４６２のうち特定のものを冷却すると、ターゲット材料は凝固する。ターゲット材料が溶融状態である場合、ターゲット材料をオリフィス４１９から放出することができ、ターゲット形成ユニット４６２はアクティブである。ターゲット材料が凝固している場合、ターゲット材料はオリフィス４１９から放出されず、ターゲット形成ユニット４６２はアクティブでない。
【００８３】
[0095]  温度システム４５３は、個別の温度システム４６３＿１〜４６３＿ｎを含むことができ、これら温度システム４６３＿１〜４６３＿ｎのそれぞれにターゲット形成ユニット４６２＿１〜４６２＿ｎの各々が関連付けられている。温度システム４６３＿１〜４６３＿ｎの各々は、１つ以上の冷却デバイス及び／又は１つ以上の加熱デバイスを含み得る。冷却デバイスは、関連付けられたターゲット形成ユニットの温度を低下させることができる任意のデバイスである。例えば冷却デバイスは、熱を吸収する要素とすればよい。加熱デバイスは、関連付けられたターゲット形成ユニットの温度を上昇させることができる任意のデバイスである。例えば加熱デバイスは、ヒータ又はヒータ群とすればよい。加熱デバイス及び／又は冷却デバイスは、例えばペルチェデバイスを用いて実施できる。ペルチェデバイスは、デバイスの一方側から他方側へ熱を伝達する固体アクティブヒートポンプである。ペルチェデバイスは、ペルチェヒートポンプ、ペルチェクーラ、ペルチェヒータ、熱電ヒートポンプ、固体冷却装置（solid state refrigerator）、又は熱電冷却器（ＴＥＣ：thermoelectric cooler）と称されることもある。
【００８４】
[0096]  制御システム４５０は、通信リンク４５２を介して送信される活性化信号及び非活性化信号によって温度システム４６３＿１〜４６３＿ｎを制御することができる。通信リンク４５２は、データ及び電気信号を送信できる任意のタイプの通信リンクとすればよい。制御システム４５０は、通信リンク４５２を介してターゲット形成装置４１６及び／又はターゲット形成装置４１６の任意のコンポーネントとデータ及び／又は情報を交換する。制御システム４５０は、電子プロセッサ４５４、電子ストレージ４５６、及び入出力（Ｉ／Ｏ）インタフェース４５８も含む。電子プロセッサ４５４は、汎用又は特殊用途マイクロプロセッサのようなコンピュータプログラムの実行に適した１つ以上のプロセッサや、任意の種類のデジタルコンピュータの１つ以上のプロセッサを含む。一般に電子プロセッサは、読み取り専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、又はそれら双方から命令及びデータを受信する。電子プロセッサ４５４は任意のタイプの電子プロセッサとすればよい。
【００８５】
[0097]  電子ストレージ４５６は、ＲＡＭ等の揮発性メモリ、又は不揮発性メモリとすることができる。いくつかの実施において、電子ストレージ４５６は不揮発性及び揮発性の部分又はコンポーネントを含む。電子ストレージ４５６は、制御システム４５０及び／又は制御システム４５０のコンポーネントの動作に使用されるデータ及び情報を記憶することができる。
【００８６】
[0098]  電子ストレージ４５６は、コンピュータプログラムとして命令を記憶することができる。命令が実行された場合、電子プロセッサ４５４は、制御システム４５０のコンポーネント、ターゲット形成装置４１６、及び／又はターゲット形成装置４１６を含むＥＵＶ光源のコンポーネントと通信を行う。
【００８７】
[0099]  Ｉ／Ｏインタフェース４５８は任意の種類の電子インタフェースであり、これによって制御システム４５０は、人のオペレータ、ターゲット形成装置４１６、及び／又はターゲット形成装置４１６を含むＥＵＶ光源、及び／又は別の電子デバイス上で実行している自動化プロセスとの間で、データ及び信号を受信及び／又は送出することができる。例えばＩ／Ｏインタフェース４５８は、視覚ディスプレイ、キーボード、及び通信インタフェースのうち１つ以上を含み得る。いくつかの実施において、Ｉ／Ｏインタフェース４５８は、インターネット等のネットワークを介して遠隔コンピュータに接続し通信を行うよう構成できる。
【００８８】
[0100]  制御システム４５０は、Ｉ／Ｏインタフェース４５８で受信した情報に応答して、ターゲット形成装置４１６と通信を行ってターゲット形成ユニット４６２のうち特定の１つを活性化又は非活性化のため選択することができる。例えばＩ／Ｏインタフェース４５８は、ターゲット形成装置４１６を含むＥＵＶ光源から、ＥＵＶ光が生成されていないという指示を受信し得る。別の例において制御システム４５０は、生成されているＥＵＶ光量の指示を受信し、この量を電子ストレージ４５６に記憶された予想値と比較することができる。制御システム４５０は、ＥＵＶ光が生成されていないこと又は予想値未満である量の指示に応答して、異なるターゲット形成ユニットを活性化することができる。別の例では、人のオペレータがＩ／Ｏインタフェース４５８と相互作用して、ターゲット形成ユニット４６２＿１〜４６２＿ｎのうち特定の１つを活性化又は非活性化のため選択することができる。
【００８９】
[0101]  制御システム４５０は、ターゲット形成装置４１６の他の面（aspect）を制御することも可能である。例えば制御システム４５０は、ターゲット形成装置４１６が搭載されている機械的位置決めステージ又は同様のデバイスを活性化することにより、ターゲット形成装置４１６を移動させるように構成できる。いくつかの実施において、制御システム４５０は、アクチュエータ２３１のようなターゲット形成ユニット内のアクチュエータを制御することができる。例えば、制御システム４５０を用いて、アクチュエータ２３１の近傍の電極に第１及び第２の周波数を与えることができる。
【００９０】
[0102]  図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、ターゲット形成装置５１６が示されている。ターゲット形成装置５１６はマウント５７０に収容されている。図５Ａは、ターゲット形成装置５１６及びマウント５７０の側断面のブロック図である。図５Ｂは、ターゲット形成装置５１６及びマウント５７０の上面のブロック図である。ターゲット形成装置５１６はターゲット形成装置４１６（図４）の実施の一例であり、ターゲット形成装置５１６は制御システム４５０と共に使用できる。
【００９１】
[0103]  ターゲット形成装置５１６は、個別に制御可能なＭＥＭＳベースのターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３を有するＭＥＭＳベースの供給システムの一例である。ターゲット形成装置５１６は、図２Ａから図２Ｄに関して上記で検討したＭＥＭＳシステム２１７の３つの事例を含む。ターゲット形成装置５１６は、接合された層から形成された一体部分である。３つの事例はターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３である。ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３の各々は、ＭＥＭＳシステム２１７の特徴を含む。マウント５７０に収容された場合、ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３の各々の第１の端部２２５は、ターゲット材料を収容しているリザーバと向かい合っている。図示の例において、ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３は、Ｚ軸に沿って延出する線形アレイ状に配置されている。ＭＥＭＳベースのターゲット形成装置５１６は比較的小型である。例えば、ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３の各々のオリフィスは、Ｚ軸に沿って相互に約１ｍｍ分離させることができる。
【００９２】
[0104]  ターゲット形成装置５１６は、ターゲット形成ユニット５１７＿１と５１７＿２との間の断熱部５６５＿１と、ターゲット形成ユニット５１７＿２と５１７＿３との間の断熱部５６５＿２も含む。ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３が形成される材料は、比較的高い熱伝導率を有し得る。例えば、ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３はシリコンで作製できる。断熱部５６５＿１及び５６５＿２は、隣接するターゲット形成ユニット間の熱バリアを提供するか、又は隣接するターゲット形成ユニット間の熱伝達量を低減させる。これにより、ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３が良好な熱導体である材料で作製された場合であっても、ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３を個別に制御可能とすることができる（例えば１度に１つずつ活性化又は非活性化することができる）。
【００９３】
[0105]  断熱部５６５＿１及び５６５＿２は、ＭＥＭＳシステムにおける使用に適した任意の断熱材で作製することができる。例えば断熱部５６５＿１及び５６５＿２の各々は、空気、ストーンウール（stone wool）、又は折り畳んだポリイミドフォイルを充填したキャビティとすることができる。いくつかの実施では、断熱部５６５＿１及び５６５＿２の位置に小さい穴をエッチングし、エッチングした穴に二酸化ケイ素又はシリコンの層を配置することができる。二酸化ケイ素の熱伝導率は約５〜１０Ｗ／ｍ／Ｋであり、シリコンの熱伝導率は１３０Ｗ／ｍ／Ｋであり、これらの材料の一方又は双方で作製された層は断熱性を与える。断熱部５６５＿１及び５６５＿２は同一の形状及び／又は材料とすることができる。いくつかの実施では、ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３の各々にアクティブな加熱及び／又は冷却機構（ペルチェデバイス等）を関連付けて、特定のターゲット形成ユニットをアクティブに加熱又は冷却すると共に、各ターゲット形成ユニットの温度の精密な制御を行う。
【００９４】
[0106]  ターゲット形成装置５１６は、ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３にそれぞれ関連付けられた温度システム５６３＿１、５６３＿２、及び５６３＿３も含む。ターゲット形成装置５１６において、温度システム５６３＿１、５６３＿２、及び５６３＿３は関連付けられたターゲット形成ユニットの一部であり、これらも半導体デバイス製造技術で製造される。例えばターゲット形成装置５１６は、ターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３、温度システム５６３＿１、５６３＿２、及び５６３＿３、並びに断熱部５６５＿１及び５６５＿２を含む一体部分とすることができる。
【００９５】
[0107]  稼働使用時、温度システム５６３＿１、５６３＿２、及び５６３＿３は、制御システム４５０から制御信号を受信する。制御信号は温度システム５６３＿１、５６３＿２、及び５６３＿３を活性化又は非活性化させ、これによってターゲット形成ユニット５１７＿１、５１７＿２、及び５１７＿３のうち特定の１つを任意の所与の時点で活性化することができる。
【００９６】
[0108]  ターゲット形成装置５１６は、例えばＯリング又は他の任意の密閉デバイスによってマウント５７０内の所定位置に保持することができる。マウント５７０に収容された場合、ホルダとターゲット形成装置５１６との間に空間５７１が形成され得る。空間５７１は、空間２３４（アクチュエータ２３１を保持する）及びチャンバ２２８と同じ部分的圧力とすることができる。
【００９７】
[0109]  図５Ａ及び図５Ｂの例は、各々がＭＥＭＳシステム２１７の事例である３つのターゲット形成ユニットを含む供給システムを示している。しかしながら、他の構成も可能である。例えば、ＭＥＭＳシステム２１７のもっと多いか又は少ない事例を使用すること、及び／又はそれらの事例を線形アレイ以外のジオメトリ構成に配置することも可能である。ターゲット形成装置５１６において、ＭＥＭＳシステム２１７以外のＭＥＭＳシステムを使用してもよい。
【００９８】
[0110]  図６を参照すると、ターゲット形成装置６１６の斜視図が示されている。ターゲット形成装置６１６はターゲット形成装置４１６（図４）の実施の別の例であり、ターゲット形成装置６１６は制御システム４５０と共に使用できる。ターゲット形成装置６１６はＥＵＶ光源と共に使用される。
【００９９】
[0111]  ターゲット形成装置６１６は、個別に制御可能であるがＭＥＭＳベースでないターゲット形成ユニット６６２を含む。ターゲット形成装置６１６は３つ以上のターゲット形成ユニット６６２を含む。ターゲット形成ユニット６６２は従来の機械加工技法を用いて製造される。各ターゲット形成ユニット６６２は、ピエゾアクチュエータ（図示せず）によって取り囲まれてフィルタ６７３に嵌め込まれた少なくとも１つの毛細管６７１を含む。図６にはターゲット形成ユニット６６２のうち１つのみが標示されているが、図示のように、ターゲット形成装置６１６の他のユニットも同様の特徴を有する。
【０１００】
[0112]  ターゲット形成装置６１６のターゲット形成ユニット６６２はブロック６７０に搭載されている。ブロック６７０はＥＵＶ光源の真空チャンバ（例えば図１の真空チャンバ１０９）内に搭載されている。また、ブロック６７０はリザーバ１１２にも搭載されて、圧力を加えられたリザーバ内のターゲット材料がターゲット形成ユニット６６２内へ流入すると共に毛細管のオリフィスから放出することが可能となっている。ブロック６７０は、ターゲット形成ユニットの方へ流れるターゲット材料を加熱又は冷却できる温度システム（図示せず）を含む。ターゲット形成ユニット６６２の各々は、制御システム４５０によって制御可能である関連付けられた温度システムを有する。制御システム４５０は、特定のターゲット形成ユニットを活性化するため、そのターゲット形成ユニットのターゲット材料の溶融状態を維持するように温度システムを制御する。特定のターゲット形成ユニットを非活性化するため又はそのターゲット形成ユニットを活性化するため、制御システム４５０は、ターゲット材料がそのターゲット形成ユニットを介して流れないように凝固するまでこれを冷却するか、又はターゲット材料がそのターゲット形成ユニットを介して流れるようにこれを加熱するよう、関連付けられた温度システムを制御する。
【０１０１】
[0113]  いくつかの実施において、ターゲット形成ユニット６６２は軸６７７を中心としてブロック６７０内で回転するように構成できる。これらの実施では、ターゲット形成ユニット６６２をブロック６７０に対して回転させて、活性化したターゲット形成から放出されたターゲットをプラズマ形成位置１２３の方へ誘導する。他の実施では、ターゲット形成ユニット６６２の全てがプラズマ形成位置１２３に照準を合わせるようにターゲット形成ユニット６６２はブロック６７０内に搭載されている。これらの実施では、ターゲット形成ユニット６６２はブロック６７０に対して回転しない。更に別の実施では、ブロック６７０及びターゲット形成ユニット６６２は共に、プラズマ形成位置１２３に対して移動して、活性化したターゲット形成ユニットから放出されたターゲットをプラズマ形成位置１２３の方へ誘導する。この実施において、ブロック６７０及びターゲット形成ユニット６６２は、弧Ａに沿って軸６７７を中心として回転する及び／又はプラズマ形成位置１２３に対して任意の方向に並進することができる。例えば、ブロック６７０及びターゲット形成ユニット６６２は共に、経路Ｐ及び／又は経路Ｐ’に沿って移動できる。ブロック６７０及び／又はターゲット形成ユニット６７２が移動する実施では、制御システム４５０を用いて移動を制御することができる。
【０１０２】
[0114]  図７を参照すると、ターゲット形成装置７１６の斜視図が示されている。ターゲット形成装置７１６はターゲット形成装置４１６（図４）の実施の別の例であり、ターゲット形成装置７１６は制御システム４５０と共に使用できる。ターゲット形成装置７１６はＥＵＶ光源と共に使用される。
【０１０３】
[0115]  ターゲット形成装置７１６は、個別に制御可能であるターゲット形成ユニット７６２を含む。図７にはターゲット形成ユニット７６２のうち１つのみが標示されているが、図示のように、他のユニットも同様の特徴を有する。ターゲット形成装置７１６は３つ以上のターゲット形成ユニット７６２を含む。ターゲット形成ユニット７６２はＭＥＭＳベースであり、各ターゲット形成ユニット７６２はＭＥＭＳシステム７１７を含む。ＭＥＭシステム７１７は、ＭＥＭＳシステム１１７、２１７、もしくは３１７と同様とすることができるか、又は、ＭＥＭＳシステム７１７は異なる構成を有することも可能である。各ターゲット形成ユニット７６２において、ＭＥＭＳシステム７１７は、ブロック６７５に搭載されたフィルタ６７３上に搭載されている。
【０１０４】
[0116]  図８を参照すると、ターゲット形成装置８１６の斜視図が示されている。ターゲット形成装置８１６はターゲット形成装置４１６（図４）の実施の別の例であり、ターゲット形成装置８１６は制御システム４５０と共に使用できる。ターゲット形成装置８１６はＥＵＶ光源と共に使用される。
【０１０５】
[0117]  ターゲット形成装置８１６は、個別に制御可能であるターゲット形成ユニット８６２を含む。図８にはターゲット形成ユニット８６２のうち１つのみが標示されているが、図示のように、他のユニットも同様の特徴を有する。ターゲット形成装置８１６は３つ以上のターゲット形成ユニット８６２を含む。ターゲット形成ユニット８６２はＭＥＭＳベースであり、各ターゲット形成ユニット８６２はＭＥＭＳシステム８１７を含む。ＭＥＭシステム８１７は少なくとも１つのフィルタを含み、ＭＥＭＳシステム２１７もしくは３１７と同様とすることができるか、又は、ＭＥＭＳシステム８１７は異なる構成を有することも可能である。ＭＥＭＳシステム８１７は、シリコンウェーハにエッチングされた複数のオリフィスとして製造することができる。各ターゲット形成ユニット８６２において、ＭＥＭＳシステム８１７はブロック６７０に直接搭載されている。
【０１０６】
[0118]  ターゲット形成装置７１６及び８１６は、ターゲット形成装置６１６の実施と同様、ブロック６７０に対して及び／又はブロック６７０と共に移動するよう実施できる。更に、ブロック６７０及び制御システム４５０の温度システムによって、ターゲット形成装置７１６及び８１６のターゲット形成ユニット７６２及び８６２を、ターゲット形成装置６１６に関して検討したように個別に制御することができる。更に、ターゲットの２つ以上の流れがプラズマ形成位置１２３の方へ放出されるように、任意の所与の時点で２つ以上のターゲット形成ユニットを活性化することも可能である。
【０１０７】
[0119]  図９は、１つの実施に従ったソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置９００を概略的に示す。ターゲット形成装置１１６、４１６、５１６、６１６、７１６、及び８１６は、ソースコレクタモジュールＳＯにおいて使用できるターゲット形成装置又は小滴ジェネレータの例である。リソグラフィ装置９００は、
放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するよう構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳと、を含む。
【０１０８】
[0120]  照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせ等、様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【０１０９】
[0121]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かのような他の条件に応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造は、機械式、真空式、静電式、又は他のクランプ技法を使用してパターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルとすることができ、必要に応じて固定式又は可動式とすればよい。支持構造は、例えば投影システムに対してパターニングデバイスが所望の位置にあることを保証できる。
【０１１０】
[0122]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するため使用できる任意のデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されるパターンは、集積回路等のターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当し得る。
【０１１１】
[0123]  パターニングデバイスは透過性又は反射性とすることができる。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、小型ミラーのマトリクス配列を使用しており、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。
【０１１２】
[0124]  投影システムＰＳは、照明システムＩＬと同様、使用する露光放射、又は真空の使用のような他の要因に合わせて適宜、例えば屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせ等、様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用に真空を使用することが望ましい場合がある。従って、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に真空環境を提供することができる。
【０１１３】
[0125]  本明細書で示すように、この装置は反射型である（例えば反射マスクを使用する）。
【０１１４】
[0126]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプとすることができる。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、又は、１つ以上のテーブルを露光に使用している間に１つ以上の他のテーブルで準備ステップを実行することができる。
【０１１５】
[0127]  図９を参照すると、イルミネータＩＬはソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受光する。ＥＵＶ光を生成する方法は、例えばキセノン、リチウム、又はスズのようなＥＵＶ範囲内に１つ以上の輝線がある少なくとも１つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含むが、必ずしもこれに限定されない。そのような方法のうちの１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ：laser produced plasma」）と呼ばれる方法では、必要な線発光元素を有する材料の小滴、流れ、又はクラスタ等の燃料をレーザビームで照射することにより、必要なプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図９には図示されていない）を含むＥＵＶ放射システムの一部とすることができる。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射のような出力放射を放出し、この出力放射はソースコレクタモジュール内に配置された放射コレクタを用いて集光される。例えば二酸化炭素（ＣＯ２）レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザとソースコレクタモジュールは別個の構成要素である可能性がある。
【０１１６】
[0128]  そのような場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを用いて渡される。その他の場合、例えば放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合は、放射源はソースコレクタモジュールの一体部分である可能性がある。
【０１１７】
[0129]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。通常、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側半径範囲及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。更に、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス及びファセット瞳ミラーデバイスのような様々な他のコンポーネントも含むことができる。イルミネータＩＬを用いて、放射ビームが断面において所望の均一性と強度分布を有するように調節することができる。
【０１１８】
[0130]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）を使用して、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を用いて、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。
【０１１９】
[0131]  図示されている装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用可能である。
１．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に維持しながら、放射ビームに付与されたパターン全体を１回でターゲット部分Ｃに投影する（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴをＸ方向及び／又はＹ方向に移動させる。
２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンしながら、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって決定することができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持されると共に基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後に又はスキャン中の連続した放射パルスと放射パルスとの間に、プログラマブルパターニングデバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【０１２０】
[0132]  上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【０１２１】
[0133]  図１０は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置９００の一実施形態を更に詳細に示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、このソースコレクタモジュールＳＯの閉鎖構造１０２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置されている。システムＩＬ及びＰＳも同様にそれら自身の真空環境内に収容されている。レーザ生成ＬＰＰプラズマ源によって、ＥＵＶ放射を発するプラズマ２を形成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯの機能は、プラズマ２からのＥＵＶ放射ビーム２０を仮想光源点に合焦させるように送出することである。仮想光源点は一般に中間焦点（ＩＦ）と称される。ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造１０２０の開口１０２１に又はその近傍に位置するように構成されている。仮想光源点ＩＦは、放射を発するプラズマ２の像である。
【０１２２】
[0134]  中間焦点ＩＦにおけるアパーチャ１０２１から、放射は、この例ではファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含む照明システムＩＬを横断する。これらのデバイスはいわゆる「フライアイ（fly’s eye）」イルミネータを形成する。これは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布を与えると共に、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与える（参照番号１０６０で示されている）ように配置されている。支持構造（マスクテーブル）ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡでビーム２１が反射されると、パターン付きビーム２６が形成される。このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。基板Ｗ上のターゲット部分Ｃを露光するため、基板テーブルＷＴ及びパターニングデバイステーブルＭＴが同期した移動を行って照明スリットを通してパターニングデバイスＭＡ上のパターンをスキャンすると同時に、放射パルスを発生させる。
【０１２３】
[0135]  各システムＩＬ及びＰＳは、閉鎖構造１０２０と同様の閉鎖構造によって画定されたそれら自身の真空環境又は近真空（near-vacuum）環境内に配置されている。一般に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳ内には、図示するよりも多くの要素が存在し得る。更に、図示するよりも多くのミラーが存在する場合がある。例えば、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内には、図１０に示すもの以外に１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。
【０１２４】
[0136]  ソースコレクタモジュールＳＯについて更に詳しく検討すると、レーザ１０２３を含むレーザエネルギソースが、ターゲット材料を含む燃料にレーザエネルギ１０２４を堆積するように配置されている。ターゲット材料は、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）等、プラズマ状態でＥＵＶ放射を放出する任意の材料とすればよい。プラズマ２は、数１０電子ボルト（ｅＶ）の電子温度を有する高度に電離したプラズマである。例えばテルビウム（Ｔｂ）及びガドリニウム（Ｇｄ）のような他の燃料材料によって、より高いエネルギのＥＵＶを発生させることも可能である。これらのイオンの脱励起及び再結合中に発生した高エネルギ放射がプラズマから放出され、近法線入射コレクタ３によって収集され、アパーチャ１０２１に合焦される。プラズマ２及びアパーチャ１０２１は、それぞれコレクタＣＯの第１及び第２の焦点に位置付けられている。
【０１２５】
[0137]  図１０に示されているコレクタ３は単一の曲面ミラーであるが、コレクタは他の形態をとってもよい。例えばコレクタは、２つの放射収集面を有するシュヴァルツシルトコレクタとしてもよい。一実施形態においてコレクタは、相互に入れ子状になった複数の実質的に円筒形のリフレクタを含むかすめ入射コレクタとしてもよい。
【０１２６】
[0138]  例えば液体スズである燃料を送出するため、高周波数の小滴の流れ１０２８をプラズマ２の所望の位置に向けて発射するよう配置された小滴ジェネレータ１０２６が、閉鎖部（enclosure）１０２０内に配置されている。動作の際、レーザエネルギ１０２４は小滴ジェネレータ１０２６の動作と同期して送出され、各燃料小滴をプラズマ２に変えるための放射インパルスを送出する。小滴ジェネレータ１０２６は、上記で検討したターゲット形成装置１１６、４１６、５１６、６１６、７１６、又は８１６のうち任意のものとするか、又はそれを含むことができる。小滴送出の周波数は数キロヘルツとすることができ、例えば５０ｋＨｚである。実際には、レーザエネルギ１０２４は少なくとも２つのパルスで送出される。すなわち、燃料材料を小さいクラウドに気化させるため、限られたエネルギのプレパルスがプラズマ位置に到達する前の小滴へ送出され、次いで、プラズマ２を発生させるため、レーザエネルギのメインパルス１０２４が所望の位置のクラウドへ送出される。閉鎖構造１０２０の反対側にトラップ１０３０が設けられ、何らかの理由でプラズマに変わらない燃料を捕捉する。
【０１２７】
[0139]  小滴ジェネレータ１０２６は、燃料液体（例えば溶融スズ）を収容するリザーバ１００１、フィルタ１０６９、及びノズル１００２を備えている。ノズル１００２は、燃料液体の小滴をプラズマ２の形成位置の方へ放出するように構成されている。リザーバ１００１内の圧力とピエゾアクチュエータ（図示せず）によってノズルに加えられる振動との組み合わせによって、燃料液体の小滴をノズル１００２から放出させることができる。
【０１２８】
[0140]  当業者に既知のように、基準軸Ｘ、Ｙ、及びＺは、装置、装置の様々なコンポーネント、及び放射ビーム２０、２１、２６のジオメトリ及び挙動を測定及び記述するために規定できる。装置の各部分において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の局所基準フレームを規定することができる。Ｚ軸は、システム内の所与のポイントにおいて光軸Ｏ方向とほぼ一致し、概ねパターニングデバイス（レチクル）ＭＡの面に垂直であると共に基板Ｗの面に垂直である。ソースコレクタモジュールにおいて、Ｘ軸は燃料の流れ１０２８の方向とほぼ一致し、Ｙ軸は図１０に示されているように、Ｘ軸に直交し、紙面から出ていく方向である。一方、レチクルＭＡを保持する支持構造ＭＴの近傍において、Ｘ軸は、Ｙ軸と位置合わせされたスキャン方向を概ね横断する。便宜上、図１０の概略図のこのエリアでは、Ｘ軸は図示されているように紙面から出ていく方向である。これらの指定は当技術分野において従来からのものであり、本明細書でも便宜的に採用される。原理上、装置及びその挙動を記述するため任意の基準フレームを選択することができる。
【０１２９】
[0141]  典型的な装置においては、全体としてソースコレクタモジュール及びリソグラフィ装置９００の動作に使用される多数の追加コンポーネントが存在するが、ここには図示されていない。これらには、例えばコレクタ３及び他の光学系に損傷を与えるかそれらの性能を低下させる燃料材料の堆積を防止するように、閉鎖された真空内の汚染の効果を低減又は軽減するための構成が含まれる。存在するが詳述しない他の特徴部（feature）は、リソグラフィ装置９００の様々なコンポーネント及びサブシステムの制御に関与するセンサ、コントローラ、及びアクチュエータである。
【０１３０】
[0142]  図１１を参照すると、ＬＰＰ  ＥＵＶ光源の実施が示されている。図１１はＬＰＰ  ＥＵＶ光源１１００を示す。光源１１００は、リソグラフィ装置９００におけるソースコレクタモジュールＳＯとして使用できる。更に、光源１１００と共に、ターゲット形成装置１１６、４１６、５１６、６１６、７１６、及び８１６のうち任意のものを使用できる。例えば、光源１１００の供給システム１１２５と共に、ターゲット形成装置１１６、４１６、５１６、６１６、７１６、及び８１６のうち任意のものを使用できる。更に、図１の光源１０５を駆動レーザ１１１５の一部とすること、制御システム４５０をマスタコントローラ１１５５の一部とすること、マスタコントローラ１１５５のコンポーネントのいずれかとすること、又は別個の制御システムとして実施することも可能である。
【０１３１】
[0143]  ＬＰＰ  ＥＵＶ光源１１００は、プラズマ形成位置１１０５にあるターゲット混合物１１１４を、ビーム経路に沿ってターゲット混合物１１１４の方へ進行する増幅光ビーム１１１０で照射することによって形成される。図１から図８に関して検討されたターゲット材料は、ターゲット混合物１１１４であるか又はターゲット混合物１１１４を含むことができる。プラズマ形成位置１１０５は真空チャンバ１１３０の内部１１０７にある。増幅光ビーム１１１０がターゲット混合物１１１４に当たると、ターゲット混合物１１１４内のターゲット材料は、ＥＵＶ範囲内に輝線がある元素を有するプラズマ状態に変換される。生成されたプラズマは、ターゲット混合物１１１４内のターゲット材料の組成に応じた特定の特徴を有する。これらの特徴は、プラズマによって生成されるＥＵＶ光の波長、並びにプラズマから放出されるデブリの種類及び量を含み得る。
【０１３２】
[0144]  光源１１００は供給システム１１２５も含む。供給システム１１２５は、液体小滴、液体流、固体粒子もしくはクラスタ、液体小滴に含まれる固体粒子、又は液体流に含まれる固体粒子の形態であるターゲット混合物１１１４を、送出、制御、及び誘導する。ターゲット混合物１１１４はターゲット材料を含み、これは例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、又は、プラズマ状態に変換された場合にＥＵＶ範囲内に輝線を有する任意の材料である。例えば元素スズは、純粋なスズ（Ｓｎ）として、例えばＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４のようなスズ化合物として、例えばスズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金、又はこれらの合金の組み合わせのようなスズ合金として、使用され得る。ターゲット混合物１１１４は、非ターゲット粒子のような不純物も含み得る。従って、不純物が存在しない状況では、ターゲット混合物１１１４はターゲット材料でのみ構成される。ターゲット混合物１１１４は、供給システム１１２５によってチャンバ１１３０の内部１１０７へ、更にターゲット位置１１０５へ送出される。
【０１３３】
[0145]  光源１１００は駆動レーザシステム１１１５を含み、これは、レーザシステム１１１５の１又は複数の利得媒質内の反転分布のために増幅光ビーム１１１０を生成する。光源１１００は、レーザシステム１１１５とプラズマ形成位置１１０５との間にビームデリバリシステムを含む。ビームデリバリシステムは、ビーム伝送システム１１２０及びフォーカスアセンブリ１１２２を含む。ビーム伝送システム１１２０は、レーザシステム１１１５から増幅光ビーム１１１０を受光し、必要に応じて増幅光ビーム１１１０を方向操作及び変更し、増幅光ビーム１１１０をフォーカスアセンブリ１１２２に出力する。フォーカスアセンブリ１１２２は、増幅光ビーム１１１０を受光し、ビーム１１１０をプラズマ形成位置１１０５に合焦する。
【０１３４】
[0146]  いくつかの実施においてレーザシステム１１１５は、１以上のメインパルスを提供し、場合によっては１以上のプレパルスも提供するための、１以上の光増幅器、レーザ、及び／又はランプを含み得る。各光増幅器は、所望の波長を高い利得で光学的に増幅することができる利得媒質、励起源、及び内部光学系を含む。光増幅器は、レーザミラー、又はレーザキャビティを形成する他のフィードバックデバイスを有する場合も有しない場合もある。従ってレーザシステム１１１５は、レーザキャビティが存在しない場合であっても、レーザ増幅器の利得媒質における反転分布のために増幅光ビーム１１１０を生成する。更にレーザシステム１１１５は、レーザシステム１１１５に充分なフィードバックを与えるレーザキャビティが存在する場合、コヒーレントなレーザビームである増幅光ビーム１１１０を生成できる。「増幅光ビーム」という言葉は、増幅されているだけで必ずしもコヒーレントなレーザ発振でないレーザシステム１１１５からの光、及び増幅されていると共にコヒーレントなレーザ発振であるレーザシステム１１１５からの光のうち１つ以上を包含する。
【０１３５】
[0147]  レーザシステム１１１５における光増幅器は、利得媒質としてＣＯ２を含む充填ガスを含み、波長が約９１００ｎｍ〜約１１０００ｎｍ、特に約１０６００ｎｍの光を、８００以上の利得で増幅できる。レーザシステム１１１５で使用するのに適した増幅器及びレーザは、パルスレーザデバイスを含み得る。これは例えば、ＤＣ又はＲＦ励起によって約９３００ｎｍ又は約１０６００ｎｍの放射を生成し、例えば１０ｋＷ以上の比較的高いパワーで、例えば４０ｋＨｚ以上の高いパルス繰り返し率で動作するパルスガス放電ＣＯ２レーザデバイスである。パルス繰り返し率は、例えば、５０ｋＨｚであってもよい。また、レーザシステム１１１５における光増幅器は、レーザシステム１１１５をもっと高いパワーで動作させる場合に使用され得る水のような冷却システムも含むことができる。
【０１３６】
[0148]  光源１１００は、増幅光ビーム１１１０を通過させてプラズマ形成位置１１０５に到達させることができるアパーチャ１１４０を有するコレクタミラー１１３５を含む。コレクタミラー１１３５は例えば、プラズマ形成位置１１０５に主焦点を有すると共に中間位置１１４５に二次焦点（中間焦点とも呼ばれる）を有する楕円ミラーであり得る。中間位置１１４５でＥＵＶ光は光源１１００から出力し、例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力することができる。光源１１００は、端部が開口した中空円錐形シュラウド１１５０（例えばガス円錐（cone））も含むことができる。これは、コレクタミラー１１３５からプラズマ形成位置１１０５に向かってテーパ状であり、増幅光ビーム１１１０がターゲット位置１１０５に到達することを可能としながら、フォーカスアセンブリ１１２２及び／又はビーム伝送システム１１２０内に入るプラズマ生成デブリの量を低減させる。この目的のため、シュラウドにおいて、プラズマ形成位置１１０５の方へ誘導されるガス流を提供することができる。
【０１３７】
[0149]  光源１１００は、小滴位置検出フィードバックシステム１１５６と、レーザ制御システム１１５７と、ビーム制御システム１１５８と、に接続されているマスタコントローラ１１５５も含むことができる。光源１１００は１以上のターゲット又は小滴撮像器１１６０を含むことができ、これは、例えばプラズマ形成位置１１０５に対する小滴の位置を示す出力を与え、この出力を小滴位置検出フィードバックシステム１１５６に提供する。小滴位置検出フィードバックシステム１１５６は、例えば小滴の位置及び軌道を計算することができ、それらから小滴ごとに又は平均値として小滴位置誤差が計算され得る。従って、小滴位置検出フィードバックシステム１１５６は、小滴位置誤差をマスタコントローラ１１５５に対する入力として提供する。従ってマスタコントローラ１１５５は、例えばレーザ位置、方向、及びタイミング補正信号を、例えばレーザタイミング回路の制御に使用するためレーザ制御システム１１５７に提供し、及び／又はビーム制御システム１１５８に提供して、ビーム伝送システム１１２０の増幅光ビームの位置及び整形を制御し、チャンバ１１３０内のビーム焦点スポットの位置及び／又は集光力を変化させることができる。
【０１３８】
[0150]  供給システム１１２５はターゲット材料送出制御システム１１２６を含む。ターゲット材料送出制御システム１１２６は、マスタコントローラ１１５５からの信号に応答して動作可能であり、例えば、ターゲット材料供給装置１１２７によって放出される小滴の放出点を変更して、所望のプラズマ形成位置１１０５に到達する小滴の誤差を補正する。
【０１３９】
[0151]  更に、光源１１００は光源検出器１１６５及び１１７０を含むことができ、これらは、限定ではないが、パルスエネルギ、波長の関数としてのエネルギ分布、特定の波長帯内のエネルギ、特定の波長帯外のエネルギ、ＥＵＶ強度の角度分布、及び／又は平均パワーを含む１つ以上のＥＵＶ光パラメータを測定する。光源検出器１１６５は、マスタコントローラ１１５５によって使用されるフィードバック信号を発生する。フィードバック信号は、効果的かつ効率的なＥＵＶ光生成のため適切な時に適切な場所で小滴を正確に捕らえるために、例えばレーザパルスのタイミング及び焦点のようなパラメータの誤差を示すことができる。
【０１４０】
[0152]  光源１１００は、光源１１００の様々な領域を位置合わせするため又は増幅光ビーム１１１０をプラズマ形成位置１１０５へ方向操作するのを支援するために使用され得るガイドレーザ１１７５も含むことができる。ガイドレーザ１１７５に関連して、光源１１００は、フォーカスアセンブリ１１２２内に配置されてガイドレーザ１１７５からの光の一部と増幅光ビーム１１１０をサンプリングするメトロロジシステム１１２４を含む。他の実施では、メトロロジシステム１１２４はビーム伝送システム１１２０内に配置される。メトロロジシステム１１２４は、光のサブセットをサンプリング又は方向転換（re-direct）する光学素子を含むことができ、そのような光学素子は、ガイドレーザビーム及び増幅光ビーム１１１０のパワーに耐えられる任意の材料から作製される。マスタコントローラ１１５５がガイドレーザ１１７５からのサンプリングされた光を解析し、この情報を用いてビーム制御システム１１５８を介してフォーカスアセンブリ１１２２内のコンポーネントを調整するので、メトロロジシステム１１２４及びマスタコントローラ１１５５からビーム解析システムが形成されている。
【０１４１】
[0153]  従って、要約すると、光源１１００は増幅光ビーム１１１０を生成し、これはビーム経路に沿って誘導されてプラズマ形成位置１１０５のターゲット混合物１１１４を照射して、混合物１１１４内のターゲット材料を、ＥＵＶ範囲内の光を発するプラズマに変換する。増幅光ビーム１１１０は、レーザシステム１１１５の設計及び特性に基づいて決定される特定の波長（駆動レーザ波長とも称される）で動作する。更に、ターゲット材料がコヒーレントなレーザ光を生成するのに充分なフィードバックをレーザシステム１１１５に与える場合、又は駆動レーザシステム１１１５がレーザキャビティを形成する適切な光学フィードバックを含む場合、増幅光ビーム１１１０はレーザビームであり得る。
【０１４２】
[0154]  他の実施も特許請求の範囲の範囲内である。例えば、上記のように、ＭＥＭＳシステム１１７（図１）の他の実施が可能である。ＭＥＭＳシステム１１７のこれらの他の実施は、ターゲット形成装置１１６及び供給システム１１０におけるＭＥＭＳシステム１１７として使用できる。更に、ＭＥＭＳシステム１１７の他の実施は、ターゲット形成装置４１６（図４）において使用できる。例えば、ＭＥＭＳシステム１１７の別の実施の事例は、ターゲット形成ユニット４６２として使用できる。
【０１４３】
[0155]  図１２Ａ及び図１２Ｂは、半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステム１２１７を示す。ＭＥＭＳシステム１２１７はＭＥＭＳシステム１１７の実施である。図１２Ａは、Ｘ−Ｚ面におけるＭＥＭＳシステム１２１７の側断面のブロック図である。図１２Ａにおいて、ＭＥＭＳシステム１２１７はマウント１２０３に収容されている。図１２Ｂは、ライン１２Ｂ−１２Ｂから見たＹ−Ｚ面におけるＭＥＭＳシステム１２１７の上面のブロック図である。
【０１４４】
[0156]  ＭＥＭＳシステム１２１７は第１の端部１２２５及び第２の端部１２２６を含む。ＭＥＭＳシステム１２１７において、第１の端部１２２５及び第２の端部１２２６は反対側にある。ＭＥＭＳシステム１２１７はマウント１２０３に収容されている。マウント１２０３は、第１の端部１２２５及び第２の端部１２２６でＭＥＭＳシステム１２１７を保持するクランプである。マウント１２０３は、Ｘ軸に沿ってＭＥＭＳシステム１２１７に力を加える。マウント１２０３は、ＭＥＭＳシステム１２１７に対するターゲット材料の出入りを可能とする開口１２０４を含む。マウント１２０３はＭＥＭＳシステム１２１７に対して密閉することができる。図１２Ａの例では、シール１２４５がＭＥＭＳシステム１２１７のノズル１２１８をマウント１２０３に密閉する。シール１２４５は、例えばＯリングシール、又はノズル１２１８をマウント１２０３に密閉できる他のタイプの機構とすればよい。
【０１４５】
[0157]  第１の端部１２２５からＸ軸に沿って第１のチャネル１２２７が延出している。稼働使用時、ターゲット材料は、圧力を加えられたリザーバ（図１のリザーバ１１２等）からフィルタ１２４１ａを介して開口部１２０４内に流入し、第１のチャネル１２２７内へ流入する。第１のチャネル１２２７は、中間チャネル１２２９を介してチャンバ１２２８に流体結合されている。チャンバ１２２８は、部分的に壁１２３３によって形成されている。チャンバ１２２８は、Ｚ軸に沿ってチャンバ１２２８から離れる方へ延出している第２のチャネル１２３０に流体結合されている。このため、ＭＥＭＳシステム１２１７において、第１のチャネル１２２７及び第２のチャネル１２３０は相互に垂直である。第２のチャネル１２３０は、Ｘ軸に沿って延出しているノズル１２１８に流体結合されている。ノズルはオリフィス１２１９を画定する。
【０１４６】
[0158]  第１のチャネル１２２７、中間チャネル１２２９、チャンバ１２２８、第２のチャネル１２３０、及びオリフィスは、共に、第１の端部１２２５から第２の端部１２２６までのターゲット材料経路を形成する。ＭＥＭＳシステム１２１７は１つだけの第１のチャネル１２２７を含むので、２つ以上の第１のチャネルを含む実施に比べ、ＭＥＭＳシステム１２１７を流れるターゲット材料は、ＭＥＭＳシステム１２１７内でいっそう局所化することができる。このため、例えば、個別に制御可能な複数のターゲット形成ユニットを含む供給システムにおいてＭＥＭＳシステム１２１７をターゲット形成ユニットとして用いる場合、ＭＥＭＳシステム１２１７の温度をいっそう容易に制御することができる。
【０１４７】
[0159]  ＭＥＭＳシステム１２１７が圧力を加えられたリザーバ１１２に流体結合されている場合、ターゲット材料は、リザーバ１１２からフィルタ１２４１ａを介して第１のチャネル１２２７及び中間チャネル１２２９内へ、次いでチャンバ１２２８内へ流入する。チャンバ１２２８から、ターゲット材料は第２のチャネル１２３０及びノズル１２１８内へ流入し、フィルタ１２４１ｂを通過する。フィルタ１２４１ａ及び１２４１ｂは、上記で検討したフィルタのいずれかと同様とすることができる。フィルタ１２４１ｂを通過した後、ターゲット材料はオリフィス１２１９から放出される。
【０１４８】
[0160]  ＭＥＭＳシステム１２１７は空間１２３４内にアクチュエータ２３１も含む。アクチュエータ２３１はチャンバ１２２８に結合されており、チャンバ１２２８内の圧力を変調するように構成されている。アクチュエータ２３１は膜１２３２を介してチャンバ１２２８に機械的に結合されている。アクチュエータ２３１は、膜１２３２に対して空間１２３４の反対側にある壁１２４３に接触する。壁１２４３は、−Ｘ方向でアクチュエータ２３１に対して押圧されて、アクチュエータ２３１を膜１２３２に対していっそう堅固に機械的に結合することを可能とする。
【０１４９】
[0161]  図１２ＡはＭＥＭＳシステム１２１７を組み立てた状態で示している。ＭＥＭＳシステム１２１７は、２つの層１２４５ａ及び１２４５ｂから形成されている。図１２Ａにおいて、これらの層の境界がＺ軸に延出する破線で示されている。層１２４５ａ及び１２４５ｂは別個に製造することができ、これらの層を接合することで、組み立てたＭＥＭＳシステム１２１７が形成される。ＭＥＭＳシステム１２１７は２つだけの層を含むので、もっと多くの層を含む実施よりも簡単に製造できる。
【０１５０】
[0162]  図１３Ａ及び図１３Ｂは、ＭＥＭＳシステム１１７の実施の別の例であるＭＥＭＳシステム１３１７を示す。図１３ＡはＹ−Ｚ面におけるＭＥＭＳシステム１３１７の断面ブロック図である。図１３ＢはＸ−Ｚ面におけるＭＥＭＳシステム１３１７の断面ブロック図である。図１３ＢはＭＥＭＳシステム１３１７の層１３４５ａ、１３４５ｂ、及び１３４５ｃを示している。
【０１５１】
[0163]  ＭＥＭＳシステム１３１７は、第１の端部１３２５からＺ軸に沿って延出する第１のチャネル１３２７を含む。第１のチャネル１３２７は、中間チャネル１３２９、チャンバ１３２８、及び第２のチャネル１３３０に流体結合され、これらは全てＺ軸に沿って延出している。第２のチャネル１３３０は、Ｘ軸に沿って（図１３Ａの紙面内に向かう方へ）延出するノズル１３１８に流体結合されている。ノズル１３１８はオリフィス１３１９を画定する。ＭＥＭＳシステム１３１７は空間１３３４内にアクチュエータ２３１も含む。アクチュエータ２３１は、膜１３３２を介してチャンバ１３２８に機械的に結合されている。アクチュエータ２３１はチャンバ１３２８内の圧力を変調するように構成されている。
【０１５２】
[0164]  稼働使用時、第１のチャネル１３２７は、図１のリザーバ１１２のような圧力を加えられたリザーバからターゲット材料を受け入れる。ターゲット材料は、第１のチャネル１３２７から中間チャネル１３２９及びチャンバ１３２８内へ流入する。ターゲット材料は、チャンバ１３２８から第２のチャネル１３３０内へ流入する。第１のチャネル１３２７、中間チャネル１３２９、チャンバ１３２８、第２のチャネル１３３０、及びオリフィス１３１９は、共に、第１の端部１３２５（図１３Ａ）からＭＥＭＳシステム１３１７を介して第２の端部１３２６（図１３Ｂ）までのターゲット材料経路を形成する。図１３Ａ及び図１３Ｂの実施において、第１の端部１３２５及び第２の端部１３２６はＭＥＭＳシステム１３１７の反対側にない。第１の端部１３２５はＸ−Ｙ面に延出するＭＥＭＳシステム１３１７の側方にあり、第２の端部１３２６はＹ−Ｚ面に延出するＭＥＭＳシステム１３１７の側方にある。
【０１５３】
[0165]  
１．極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための供給システムであって、
プラズマ状態でＥＵＶ光を生成するターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成された装置を備え、前記装置は２つ以上のターゲット形成ユニットを備え、前記ターゲット形成ユニットの各々は、
前記リザーバから前記ターゲット材料を受け入れるように構成されたノズル構造であって、前記ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを備えるノズル構造を備え、
前記供給システムは更に、前記ターゲット材料を前記プラズマ形成位置へ放出するため前記ターゲット形成ユニットのうち特定の１つを選択するように構成された制御システムを備える、供給システム。
２．前記制御システムは、前記装置における熱量を制御するように構成された温度システムを備え、前記制御システムは、前記温度システムを制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化又は非活性化のため選択するように構成されている、条項１に記載の供給システム。
３．前記温度システムは２つ以上のヒータを備え、各ターゲット形成ユニットは前記ヒータのうち１つ以上に関連付けられ、前記制御システムは、前記特定のターゲット形成ユニットに関連付けられた前記ヒータのうち特定の１つ以上を制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化のため選択するように構成されている、条項２に記載の供給システム。
４．各ターゲット形成ユニットは、前記リザーバと前記オリフィスとの間のチャネルと、前記チャネルにおける１つ以上のフィルタと、を更に備える、条項１に記載の供給システム。
５．各ターゲット形成ユニットは、前記チャネルに流体結合された作動チャンバと、前記作動チャンバに結合された変調器と、を更に備え、前記変調器は前記作動チャンバ内の圧力を変調するように構成され、
各ターゲット形成ユニットの前記チャネルは、前記リザーバと向かい合う前記各ターゲット形成ユニットの第１の端部から前記作動チャンバまで延出している２つ以上の分岐と、前記作動チャンバに流体結合された出口チャネルと、を備え、前記出口チャネルは前記作動チャンバから前記オリフィスまで延出している、条項４に記載の供給システム。
６．前記ターゲット形成ユニットのうち任意の２つの間に断熱材が配置されている、条項２に記載の供給システム。
７．前記温度システムは２つ以上のアクティブ温度制御機構を備え、各ターゲット形成ユニットは前記アクティブ温度制御機構のうち１つ以上に関連付けられ、ターゲット形成ユニットに関連付けられた前記１つ以上のアクティブ温度制御機構はそのターゲット形成ユニットを加熱又は冷却するように構成されている、条項２に記載の供給システム。
８．前記装置は一体的な単一部材である、条項１に記載の供給システム。
９．前記装置は半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳ（マイクロ電子機械）システムを含む、条項８に記載の供給システム。
１０．前記装置は半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムを含む、条項１に記載の供給システム。
１１．前記装置を収容するホルダを更に備え、前記装置及び前記ホルダは相互に対して移動するように構成されている、条項１に記載の供給システム。
１２．前記装置を収容するホルダを更に備え、前記ホルダは前記プラズマ形成位置に対して移動するように構成されている、条項１に記載の供給システム。
１３．前記装置を収容するホルダを更に備え、各ターゲット形成ユニットは複数の毛細管のうち少なくとも１つを含み、前記複数の毛細管は前記ホルダから離れる方へ延出している、条項１に記載の供給システム。
１４．前記制御システムは、（ａ）前記プラズマ形成位置で生成された前記ＥＵＶ光の量の指示、（ｂ）前記プラズマ形成位置に前記ターゲット材料が存在しないことの指示、及び（ｃ）人のオペレータからの入力、のうち１つ以上に基づいて、前記特定のターゲット形成ユニットを選択するように構成されている、条項１に記載の供給システム。
１５．各ターゲット形成ユニットは、前記オリフィスに流体結合された作動チャンバと、前記作動チャンバに結合された変調器と、を更に備え、前記変調器は前記作動チャンバ内の圧力を変調するように構成され、前記制御システムは更に、前記特定のターゲット形成ユニットの前記アクチュエータを２つ以上の周波数で駆動するように構成され、前記周波数のうち少なくとも１つは前記特定のターゲット形成ユニットのジオメトリ構成に基づいている、条項１に記載の供給システム。
１６．極端紫外線（ＥＵＶ）光源の供給システムのための装置であって、前記供給システムはターゲット材料をプラズマ形成位置へ供給するように構成され、前記装置は、
前記供給システムの筐体に収容されるように構成され、半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムを備え、前記ＭＥＭＳシステムは、
プラズマ状態でＥＵＶ光を生成する前記ターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成されたノズル構造であって、前記ターゲット材料を前記プラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを備えるノズル構造を備える、装置。
１７．前記ＭＥＭＳシステムは、
前記リザーバと前記オリフィスとの間のチャネルと、
前記チャネルにおける１つ以上のフィルタと、
を更に備える、条項１６に記載の装置。
１８．前記ＭＥＭＳシステムは、
前記リザーバと前記オリフィスとの間のチャネルと、
前記チャネルに流体結合され、前記チャネルから前記ターゲット材料を受け入れるように構成されたチャンバと、
前記チャンバに結合され、前記チャンバ内の圧力を変調するように構成された変調器と、
を更に備える、条項１６に記載の装置。
１９．前記チャネルは、前記チャンバに流体結合された１つ以上の供給チャネルと、前記チャンバ及び前記オリフィスに流体結合された出口チャネルと、を備える、条項１８に記載の装置。
２０．稼働使用時、前記変調器は前記チャンバ内の前記ターゲット材料と実質的に同一の圧力又は前記ターゲット材料の部分的圧力のもとにある、条項１８に記載の装置。
２１．ＥＵＶ源であって、
光ビームを生成するように構成された光源と、
プラズマ形成位置で前記光ビームを受光するように構成された容器と、
供給システムであって、
プラズマ状態でＥＵＶ光を生成するターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成された装置であって、前記装置は２つ以上のターゲット形成ユニットを備え、前記ターゲット形成ユニットの各々は、
前記リザーバから前記ターゲット材料を受け入れるように構成されたノズル構造であって、前記ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを備えるノズル構造を備える、装置と、
前記ターゲット材料を前記プラズマ形成位置へ放出するため前記ターゲット形成ユニットのうち特定の１つを選択するように構成された制御システムと、を備える、供給システムと、を備え、前記光源によって生成された前記光ビームは前記放出されたターゲット材料をプラズマに変換するように構成されている、ＥＵＶ源。
２２．前記制御システムは、前記装置における熱量を制御するように構成された温度システムを備え、前記制御システムは、前記温度システムを制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化又は非活性化のため選択するように構成されている、条項２１に記載のＥＵＶ源。
２３．前記温度システムは２つ以上のヒータを備え、各ターゲット形成ユニットは前記ヒータのうち１つ以上に関連付けられ、前記制御システムは、前記特定のターゲット形成ユニットに関連付けられた前記ヒータのうち特定の１つ以上を制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化のため選択するように構成されている、条項２２に記載のＥＵＶ源。
２４．前記装置は一体的な単一部材である、条項２１に記載のＥＵＶ源。
２５．前記装置は半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムを含む、条項２１に記載のＥＵＶ源。
【図１】
2020524292.tif 000005
【図２Ａ】
2020524292.tif 000006
【図２Ｂ】
2020524292.tif 000007
【図２Ｃ】
2020524292.tif 000008
【図２Ｄ】
2020524292.tif 000009
【図３Ａ】
2020524292.tif 000010
【図３Ｂ】
2020524292.tif 000011
【図４】
2020524292.tif 000012
【図５Ａ】
2020524292.tif 000013
【図５Ｂ】
2020524292.tif 000014
【図６】
2020524292.tif 000015
【図７】
2020524292.tif 000016
【図８】
2020524292.tif 000017
【図９】
2020524292.tif 000018
【図１０】
2020524292.tif 000019
【図１１】
2020524292.tif 000020
【図１２Ａ】
2020524292.tif 000021
【図１２Ｂ】
2020524292.tif 000022
【図１３Ａ】
2020524292.tif 000023
【図１３Ｂ】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年1月22日(2020.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための供給システムであって、
プラズマ状態でＥＵＶ光を生成するターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成された装置を備え、前記装置は２つ以上のターゲット形成ユニットを備え、前記ターゲット形成ユニットの各々は、
前記リザーバから前記ターゲット材料を受け入れるように構成されたノズル構造であって、前記ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを備えるノズル構造を備え、
前記供給システムは更に、前記ターゲット材料を前記プラズマ形成位置へ放出するため前記ターゲット形成ユニットのうち特定の１つを選択するように構成された制御システムを備える、供給システム。
【請求項２】
前記制御システムは、前記装置における熱量を制御するように構成された温度システムを備え、前記制御システムは、前記温度システムを制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化又は非活性化のため選択するように構成されている、請求項１に記載の供給システム。
【請求項３】
各ターゲット形成ユニットは、前記リザーバと前記オリフィスとの間のチャネルと、前記チャネルにおける１つ以上のフィルタと、を更に備える、請求項１に記載の供給システム。
【請求項４】
各ターゲット形成ユニットは、前記チャネルに流体結合された作動チャンバと、前記作動チャンバに結合された変調器と、を更に備え、前記変調器は前記作動チャンバ内の圧力を変調するように構成され、
各ターゲット形成ユニットの前記チャネルは、前記リザーバと向かい合う前記各ターゲット形成ユニットの第１の端部から前記作動チャンバまで延出している２つ以上の分岐と、前記作動チャンバに流体結合された出口チャネルと、を備え、前記出口チャネルは前記作動チャンバから前記オリフィスまで延出している、請求項３に記載の供給システム。
【請求項５】
前記温度システムは２つ以上のアクティブ温度制御機構を備え、各ターゲット形成ユニットは前記アクティブ温度制御機構のうち１つ以上に関連付けられ、ターゲット形成ユニットに関連付けられた前記１つ以上のアクティブ温度制御機構はそのターゲット形成ユニットを加熱又は冷却するように構成されている、請求項２に記載の供給システム。
【請求項６】
前記装置は一体的な単一部材である、請求項１に記載の供給システム。
【請求項７】
前記装置は半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳ（マイクロ電子機械）システムを含む、請求項６に記載の供給システム。
【請求項８】
前記装置は半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムを含む、請求項１に記載の供給システム。
【請求項９】
前記装置を収容するホルダを更に備え、前記装置及び前記ホルダは相互に対して移動するように構成されている、請求項１に記載の供給システム。
【請求項１０】
前記装置を収容するホルダを更に備え、前記ホルダは前記プラズマ形成位置に対して移動するように構成されている、請求項１に記載の供給システム。
【請求項１１】
各ターゲット形成ユニットは、前記オリフィスに流体結合された作動チャンバと、前記作動チャンバに結合された変調器と、を更に備え、前記変調器は前記作動チャンバ内の圧力を変調するように構成され、前記制御システムは更に、前記特定のターゲット形成ユニットの前記アクチュエータを２つ以上の周波数で駆動するように構成され、前記周波数のうち少なくとも１つは前記特定のターゲット形成ユニットのジオメトリ構成に基づいている、請求項１に記載の供給システム。
【請求項１２】
極端紫外線（ＥＵＶ）光源の供給システムのための装置であって、前記供給システムはターゲット材料をプラズマ形成位置へ供給するように構成され、前記装置は、
前記供給システムの筐体に収容されるように構成され、半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムを備え、前記ＭＥＭＳシステムは、
プラズマ状態でＥＵＶ光を生成する前記ターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成されたノズル構造であって、前記ターゲット材料を前記プラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを備えるノズル構造を備える、装置。
【請求項１３】
前記ＭＥＭＳシステムは、
前記リザーバと前記オリフィスとの間のチャネルと、
前記チャネルにおける１つ以上のフィルタと、
を更に備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ＭＥＭＳシステムは、
前記リザーバと前記オリフィスとの間のチャネルと、
前記チャネルに流体結合され、前記チャネルから前記ターゲット材料を受け入れるように構成されたチャンバと、
前記チャンバに結合され、前記チャンバ内の圧力を変調するように構成された変調器と、
を更に備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記チャネルは、前記チャンバに流体結合された１つ以上の供給チャネルと、前記チャンバ及び前記オリフィスに流体結合された出口チャネルと、を備える、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
ＥＵＶ源であって、
光ビームを生成するように構成された光源と、
プラズマ形成位置で前記光ビームを受光するように構成された容器と、
供給システムであって、
プラズマ状態でＥＵＶ光を生成するターゲット材料を収容するように構成されたリザーバに流体結合されるように構成された装置であって、前記装置は２つ以上のターゲット形成ユニットを備え、前記ターゲット形成ユニットの各々は、
前記リザーバから前記ターゲット材料を受け入れるように構成されたノズル構造であって、前記ターゲット材料をプラズマ形成位置へ放出するように構成されたオリフィスを備えるノズル構造を備える、装置と、
前記ターゲット材料を前記プラズマ形成位置へ放出するため前記ターゲット形成ユニットのうち特定の１つを選択するように構成された制御システムと、を備える、供給システムと、を備え、前記光源によって生成された前記光ビームは前記放出されたターゲット材料をプラズマに変換するように構成されている、ＥＵＶ源。
【請求項１７】
前記制御システムは、前記装置における熱量を制御するように構成された温度システムを備え、前記制御システムは、前記温度システムを制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化又は非活性化のため選択するように構成されている、請求項１６に記載のＥＵＶ源。
【請求項１８】
前記温度システムは２つ以上のヒータを備え、各ターゲット形成ユニットは前記ヒータのうち１つ以上に関連付けられ、前記制御システムは、前記特定のターゲット形成ユニットに関連付けられた前記ヒータのうち特定の１つ以上を制御することによって前記特定のターゲット形成ユニットを活性化のため選択するように構成されている、請求項１７に記載のＥＵＶ源。
【請求項１９】
前記装置は半導体デバイス製造技術で製造されたＭＥＭＳシステムを含む、請求項１６に記載のＥＵＶ源。
【国際調査報告】
2020524292.tif 000025
2020524292.tif 000026
2020524292.tif 000027
2020524292.tif 000028
2020524292.tif 000029