(57)【要約】容器内の残材の量を検出するための装置が開示されている。この装置は、特に材料が固相にある場合に、半導体処理装置と併用すると有益である。この装置は、容器内に配置された電極と、容器の外側との間のインピーダンスを測定して、容器がどれほど満杯であるかに関する決定を行う。特定の実施形態では、インピーダンスの大きさのみがこの計算に使用される。他の実施形態では、インピーダンスの大きさおよび位相が使用される。これを使用して、容器内の材料のトポロジーを決定することができる。【選択図】図１
2020524273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内の材料の量を測定するための装置であって、
開口部を有する容器であって、導電性である容器と、
前記開口部を通って前記容器に入り、前記容器の内部に延在する電極と、
インピーダンスを測定するためのデバイスであって、前記電極と前記容器の外面との間でインピーダンスを測定するデバイスと、
を含む、装置。
【請求項２】
前記デバイスは、静電容量を測定する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記インピーダンスを充填レベルに変換するために、前記デバイスと通信するコントローラを更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記充填レベルの指標を提供する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記容器は円筒形であり、前記開口部は上面に配置されており、かつ前記容器の中心と同心ではない、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記電極は、前記開口部を通過する上方部分と、前記容器の中心に整列された下方部分とを有する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記電極は、前記開口部を通過する下方部分と、上方部分とを備えたＵ字形状を有する、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記下方部分は、最も近い側壁から第１の距離に配置され、前記上方部分は、前記容器の反対側の側壁から前記第１の距離に配置されている、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
半導体処理システムであって、
半導体処理装置と、
内部に材料が配置された容器であって、前記半導体処理装置および開口部と連通する出口を含む容器と、
前記開口部を貫通して前記容器の内部に延在する電極と、
インピーダンスを測定するためのデバイスと、
前記容器内の残材の量を決定するために前記デバイスと通信するコントローラであって、前記デバイスによって測定されたインピーダンスが、前記容器内の残材の量を表しているコントローラと、
を含む、半導体処理システム。
【請求項１０】
前記コントローラは、前記容器内の残材の量の指標を提供する、請求項９に記載の半導体処理システム。
【請求項１１】
前記コントローラは、前記材料の量が所定の閾値未満である場合に、動作を終了するように前記半導体処理装置に命令する、請求項９に記載の半導体処理システム。
【請求項１２】
容器内の残材の量を決定する方法であって、
前記容器内に配置された電極と前記容器の外面との間のインピーダンスを測定するステップと、
前記測定されたインピーダンスに基づいて、前記容器内の残材の量を決定するステップと、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記決定は、前記容器内の材料の量と前記測定されたインピーダンスとの間の関係に基づいて実行され、前記関係は、
既知量の材料を前記容器に配置するステップと、
前記電極と前記容器の外面との間のインピーダンスを測定するステップと、
異なる量の材料を用いて配置および測定するステップを繰り返して、複数のデータポイントを取得するステップと、
前記複数のデータポイントを使用して前記関係を決定するステップと、
によって決定される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
材料レベルの指標を提供するステップ
を更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記材料の量が所定の閾値未満である場合に是正措置を講じるステップ
を更に含む、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容器に残っている前駆体の量を決定するための装置に関し、より詳細には、アンプルに残っている固体前駆体の量に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体は、ワークピースに複数のプロセスを施すことにより製造される。これらのプロセスの一部に、堆積、エッチング、およびイオン注入が含まれる。イオン注入を実行するには、ドーパント材料が使用され得る。このドーパント材料は、気体、液体、または固体の形態であり得る。エッチングプロセスを実行するには、エッチング材料が使用され得る。同様に、堆積プロセスに適切な材料を使用することができる。従って、これらのプロセスの全てに、気体、液体、または固体であり得る対象材料が存在し得る。対象材料は、アンプル等の容器に保管される場合が多い。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
プロセスが実行されている間、対象材料の量を監視することが有利な場合がある。例えば、対象材料が使い果たされると、処理中のワークピースに欠陥が生じる。更に、対象材料を保持している容器を取り外して交換するために、予期せぬ中断時間が発生する。
【０００４】
特定の材料について、残材の量を監視することができる。例えば、対象材料が気体である場合、気体の流量を使用して残材の量を決定することができる。対象材料が液体である場合にも、同様のアプローチが使用可能である。
【０００５】
残念ながら、対象材料が固体である場合、残材の量の測定はより複雑である。通常、対象材料は、キャリアガスを容器に流入させることにより抽出される。キャリアガスは、容器内で蒸発する対象の気相材料を誘導する。キャリアガスが容器内に流し込まれ、かつ気相材料が容器から流れ出ているため、対象材料の流量を正確に測定することは非常に困難である。
【０００６】
従って、容器内の残材の量を決定することができる装置があれば有益であろう。装置は材料の量を連続的に監視することができれば有利であろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
容器内の残材の量を検出するための装置が開示されている。この装置は、特に材料が固相にある場合に、半導体処理装置と併用すると有益であり得る。この装置は、容器内に配置された電極と、容器の外側との間のインピーダンスを測定して、容器がどれほど満杯であるかに関する決定を行う。特定の実施形態では、インピーダンスの大きさのみがこの計算に使用される。他の実施形態では、インピーダンスの大きさおよび位相が使用される。これを使用して、容器内の材料のトポロジーを決定することができる。
【０００８】
一実施形態によれば、容器内の材料の量を測定するための装置が開示されている。装置は、開口部を有する容器であって、導電性の容器と、開口部を通って容器に入り、容器の内部に延在している電極と、電極と容器の外面との間で測定されるインピーダンスを測定可能なデバイスとを含む。特定の実施形態では、装置は、インピーダンスを充填レベルに変換するためにデバイスと通信するコントローラを更に含む。特定の実施形態では、容器は円筒形であり、開口部は上面に配置されており、かつ容器の中心と同心ではない。特定の更なる実施形態では、電極は、開口部を通過する上部と、容器の中心に整列された下部とを有する。特定の更なる実施形態では、電極は、開口部を通過する下方部分と上方部分とを備えたＵ字形状を有する。
【０００９】
別の実施形態によれば、半導体処理システムが開示されている。半導体処理システムは、半導体処理装置と、内部に材料が配置された容器であって、半導体処理装置および開口部と連通する出口を含む容器と、開口部を貫通して容器の内部に延在する電極と、インピーダンスを測定するためのデバイスと、容器内の残材の量を決定するためにデバイスと通信するコントローラとを含み、デバイスによって測定されたインピーダンスは、容器内の残材の量を表している。特定の実施形態では、コントローラは、材料の量が所定の閾値未満である場合に、動作を終了するように半導体処理装置に命令する。
【００１０】
別の実施形態によれば、容器内の残材の量を決定する方法が開示されている。この方法は、容器内に配置された電極と容器の外面との間のインピーダンスを測定するステップと、測定されたインピーダンスに基づいて、容器内の残材の量を決定するステップとを含む。特定の実施形態では、決定は、容器内の材料の量と測定されたインピーダンスとの間の関係に基づいて実行される。いくつかの実施形態では、関係は、既知量の材料を容器に配置するステップと、電極と容器の外面との間のインピーダンスを測定するステップと、異なる量の材料を配置および測定するステップを繰り返して複数のデータポイントを取得するステップと、複数のデータポイントを使用して関係を決定するステップとによって決定される。いくつかの実施形態では、この方法は、材料レベルの指標を提供するステップ、または、材料の量が所定の閾値未満である場合に是正措置を講じるステップを更に含む。
【００１１】
本開示をより良く理解するために、参照により本明細書に組み込まれる添付の図面を参照する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態による、容器内の残材の量を決定するための装置を示す図である。
【図２】容器内の残材の静電容量、周波数、および量の間の関係を示すグラフである。
【図３】ある周波数における、容器内の残材の静電容量と量との間の関係を示すグラフである。
【図４】一実施形態によるフローチャートである。
【図５】容器内の材料が水平でない、図１の装置を示す図である。
【図６】図６Ａは、別の実施形態による、容器内の残材の量を決定するための装置を示す図である。図６Ｂは、別の実施形態による、容器内の残材の量を決定するための装置を示す図である。
【図７】材料の傾斜の関数として位相および大きさを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、第１の実施形態による、容器３０内の残材２０の量を決定するための装置１０を示す。容器３０は、金属等の導電性材料から製造され得る。特定の実施形態では、容器３０はステンレス鋼であってもよい。特定の実施形態では、容器３０はアンプルと呼ばれる場合がある。特定の実施形態では、容器３０は、底面３１、上面３２、および円筒形側壁３３を有する円筒形状であり得る。容器３０は、約６インチの直径および８インチの高さを有し得るが、他の寸法を使用することもできる。出力ポート３６は、半導体処理装置９０と連通しており、対象の気体材料を容器３０から半導体処理装置９０に輸送する。開口部３５は、以下に更に詳述するように、容器３０内の材料の量を決定するために使用される。容器３０の上面３２には２つの開口部のみが示されているが、複数の開口部があってもよいことが理解されよう。例えば、上述したように、キャリアガスを容器３０に入れることを可能にするために、第３の開口部を使用してもよい。更に、図１は、開口部３５が容器３０の中心からオフセットして配置されていることを示しているが、他の実施形態では、開口部３５は上面３２の中心にあってもよい。特定の実施形態では、開口部３５は、円筒形側壁３３上に配置されてもよい。
【００１４】
材料２０を容器３０内に配置する。上述したように、この材料２０は、堆積、エッチング、または注入プロセス等の半導体プロセスで使用されてもよい。この材料は固体形態であってもよいが、他の実施形態では液体形態であってもよい。この材料２０は蒸発し、半導体処理装置９０で使用され得る。従って、材料２０は前駆体とみなされ得る。この材料は、特定の実施形態では３よりも大きい比誘電率（ｋ）を有する。材料２０の実際の組成は、この開示によって限定されない。
【００１５】
上述したように、半導体処理装置９０は、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）またはプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）が可能な機械等の堆積機械であってもよい。あるいは、半導体処理装置９０は、ビームラインイオン注入装置またはプラズマチャンバ等のイオン注入装置であってもよい。更に、半導体処理装置はエッチング機であってもよい。
【００１６】
電極４０は、開口部３５を通して容器３０内に挿入される。電極４０は、金属等の導電性材料から製造される。特定の実施形態では、電極４０は真鍮であってもよいが、他の材料も使用可能である。電極４０は、底面３１の約５ｍｍ上で終端するように容器内に延在している。もちろん、電極４０は異なる深さまで延在していてもよい。特定の一実施形態では、電極４０の直径は４．５ｍｍであるが、他のサイズも本開示の範囲内である。電極４０は、絶縁体５０の使用により開口部３５内の所定の位置に保持される。絶縁体５０は、形状が円筒形であり、開口部３５の内半径にほぼ等しい外径を有することができる。また、絶縁体５０は、電極４０が通過する内側開口部を有する。絶縁体５０は、電極４０を機械的に支持し、かつ電極４０を容器３０から電気的に絶縁するために使用される。電極４０は、容器３０の外側でアクセス可能であるように、絶縁体５０の上面の上に延在している。特定の実施形態では、絶縁体５０はセラミックまたはポリマーから製造されている。
【００１７】
ネットワークアナライザ６０等のインピーダンスを測定することができるデバイスは、電極４０と容器３０との間に配置される。具体的には、ネットワークアナライザ６０は２本のリード線を有しており、即ち、電極４０と電気的に連絡している第１のリード線６１と、容器３０と電気的に連絡している第２のリード線６２とを有する。特定の実施形態では、第２のリード線６２は、容器３０の上面３２と連絡している。他の実施形態では、第２のリード線６２は、容器３０の外面の異なる部分と連絡している。ネットワークアナライザ６０は、好ましくは１つ以上の周波数でインピーダンスを測定することができるようにする。
【００１８】
図２は、ネットワークアナライザ６０によって測定されるインピーダンスと周波数との間の関係を示す複数のグラフを示している。このグラフでは、インピーダンスは静電容量として表され、１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの周波数で測定される。このテストでは、８ｃｍの材料が完全に満たされていると見なされる。線１０１および線１０２はそれぞれ、容器３０内に材料２０が残っていない場合の関係を表す。ネットワークアナライザ６０は、周波数スペクトル全体にわたって静電容量をほとんど測定しないことに留意されたい。水平軸の中間付近の乱れは、共振状態を表す。線１０３は、容器３０に約１．５ｃｍの材料２０が残っている場合の関係を表す。線１０４および線１０５はそれぞれ、容器３０に約４ｃｍの材料２０が残っている場合の関係を表す。線１０６および線１０７はそれぞれ、容器３０に約８ｃｍの材料２０が残っている場合の関係を表す。従って、線１０６、線１０７は容器が満杯であることを表し、線１０１、線１０２は容器が空であることを表し、線１０４、線１０５は容器が半分だけ満杯であることを表している。共振条件を除き、全ての周波数にて、インピーダンスの大きさは、容器３０の残材２０の量を示していることに留意されたい。具体的には、測定されたインピーダンスが大きいほど、容器３０の残材２０の量が多くなる。
【００１９】
図３は、静電容量として表されるインピーダンスと、１００ｋＨｚであり得る、１つの特定の周波数における容器３０内の残材の量とのグラフを示す。図２においてこの特定の周波数で測定されたインピーダンスは、図３でも使用されている。更に、最適な線を表す線１１０が追加されている。充填レベルとインピーダンスとの間には線形関係があることに留意されたい。このグラフに基づいて、インピーダンスの関数として充填レベルを定義する方程式を決定することができる。従って、図１の装置を使用してインピーダンスを測定することにより、容器３０内の残材２０の量を推定することができる。このグラフは、特定の材料を使用して特定の周波数にて作成されていることに留意されたい。このグラフの線１１０の傾斜は、測定周波数の関数であり、材料２０の比誘電率の関数でもあり得る。更に、図３は、１００ｋＨｚで測定された関係を示しているが、本開示はこの特定の周波数に限定されない。図２において容易に分かるように、他の周波数を使用して、図３に示すグラフを生成することも可能である。更に、本開示は、図２に示される周波数スペクトルに限定されない。例えば、インピーダンスは、図２に示されるよりも低い周波数または高い周波数で測定され得る。
【００２０】
更に、図３は、インピーダンスと充填レベルとの間の線形関係を示すが、本開示はこの実施形態に限定されない。例えば、複数のポイントをプロットした後、線形ではない最適な線が引かれる場合もある。従って、関係は線形であることに限定されず、任意の次数の多項式、指数関数、対数関数、または他の関数であってもよい。
【００２１】
ネットワークアナライザ６０によって測定されたインピーダンスと容器３０内の残材２０の量との間に関係が存在すると判断すると、この情報はいくつかの方法でオペレータに示され得る。
【００２２】
特定の実施形態では、図１に示すように、ネットワークアナライザ６０は、コントローラ７０と通信することができる。コントローラ７０は、処理ユニットおよび関連するメモリデバイスを有する。このメモリデバイスは、処理ユニットによって実行されると、コントローラ７０が意図された機能を実行することを可能にする命令を含む。このメモリデバイスは、フラッシュＲＯＭ、電気的消去可能なＲＯＭ、または他の適切なデバイス等の不揮発性メモリであってもよい。他の実施形態では、メモリデバイスは、ＲＡＭまたはＤＲＡＭ等の揮発性メモリであってもよい。特定の実施形態では、メモリデバイスは、処理ユニットとともにパッケージングされていてもよい。処理ユニットは、汎用プロセッサ、特定用途向けプロセッサ、組み込みコントローラ、またはパーソナルコンピュータ（ＰＣ）を含むがこれらに限定されない、任意の適切なデバイスであり得る。
【００２３】
コントローラ７０を利用する実施形態では、コントローラ７０は、ネットワークアナライザ６０とインタフェースし得る。コントローラ７０は、容器３０内の残材２０の量の指標を提供し得る。例えば、コントローラ７０は、容器３０内の残材２０の量の指標を表示する表示装置とインタフェースする、または表示装置を含むことができる。これは、ゲージの形態、または他の適切な形式であってもよい。別の実施形態では、コントローラ７０は、材料の量が所定の閾値未満であることを示す音声アラートを含むことができる。更に別の実施形態では、充填レベルが所定の閾値を下回ると、コントローラ７０が半導体処理装置９０に更なるワークピースの処理を停止するよう指示するように、コントローラ７０は半導体処理装置９０と通信している。従って、コントローラ７０は、オペレータに指示を提供するために使用されてもよく、および／または半導体処理装置９０の動作を終了するために使用されてもよい。例えば、コントローラ７０は、第１の所定の閾値にてオペレータに指標を提供してもよく、これにより、オペレータは是正措置を講じることができる。材料レベルが第１の所定の閾値よりも低い第２の所定の閾値に達すると、コントローラ７０は半導体処理装置９０に動作を終了するように指示する。
【００２４】
図４は、一実施形態による、容器３０内の材料２０のレベルを決定する方法を説明するフローチャートを示す。最初に、ボックス４００において、既知量の材料２０が容器３０に配置される。次に、ボックス４１０において、電極４０と容器３０との間のインピーダンスが１つ以上の周波数にて測定される。次いで、ボックス４００およびボックス４１０に示されるプロセスが、異なる量の材料２０に対して複数回繰り返される。これらのプロセスは、図２に示されるような一連の曲線をもたらし得る。十分な数のデータポイントが収集されると、ボックス４２０に示されるように、測定されたインピーダンスと材料の量との間の関係が決定される。これにより、図３のようなグラフが得られる。従って、ボックス４００、４１０、および４２０に示されるプロセスは、利用されるであろうインピーダンスと充填レベルとの間の関係を確立する、較正プロセスと見なすことができる。この関係は、この特定の材料に固有のものであり得る。従って、異なる材料が前駆体として使用される場合、較正プロセスが繰り返される場合がある。
【００２５】
一旦この関係が確立されると、装置を実稼働環境で使用することができる。これは、ボックス４３０に示されるように、半導体処理装置内に材料が配置された容器を設置することにより実行され得る。通常の動作中、電極４０と容器３０との間のインピーダンスは、ボックス４４０に示されるように測定され得る。この測定は、連続的に、ランダムに、または一定の時間間隔で実行され得る。次いで、ボックス４５０に示されるように、容器内の残材の量が、測定されたインピーダンスに基づいて決定される。これは、ボックス４２０に見られる関係を使用することによって実行され得る。ある時点で、ボックス４６０に示すように、容器３０内の材料２０のレベルは、所定の閾値を下回る。この時点で、ボックス４７０に示すように、何らかの措置を取ることができる。この措置には、材料レベルの指標の提供、アラートの提供、または何らかの是正措置の実行が含まれ得る。
【００２６】
特定の実施形態では、容器３０内の材料２０のトポロジーは、インピーダンス測定に影響を及ぼし得る。例えば、図５は、図１の装置を示す。しかしながら、この実施形態では、材料２０は水平ではない。むしろ、材料２０が右側よりも円筒形側壁３３の左側にはるかに多く延在するように装填されている。従って、図５に示されるシナリオでは、ネットワークアナライザ６０は、材料２０のトポロジーに起因して、予想よりも低いインピーダンスを測定する可能性がある。これは、電極４０が円筒形側壁３３の左側よりも円筒形側壁３３の右側により近いという事実に起因している。従って、電極４０と最も近い円筒形側壁３３との間に存在する材料の量がインピーダンス測定を支配し得る。
【００２７】
トポロジーによるこの不正確性は、様々な方法で対処可能である。第１に、開口部３５が容器３０の中心からオフセットしていることに留意されたい。開口部３５を容器３０と同心になるように配置することにより、この不正確性を低減または除去することができる。
【００２８】
しかしながら、特定の実施形態では、容器３０の開口部３５の位置は固定されており、変更することができない。従って、特定の実施形態では、電極の形状は、開口部３５の中心と容器３０の中心との間の差を補償するために変更される。図６Ａは、そのような一実施形態を示している。この実施形態では、電極１４０はＵ字形状に形成されている。Ｕ字形状は、下方部分１４１、上方部分１４３、および接続部分１４２を含む。接続部分１４２は、上方部分１４３および下方部分１４１と直角に交わることができる。しかしながら、本開示はこの実施形態に限定されない。接続部分１４２は、Ｕ字形状の下方部分１４１が円筒形側壁３３の右側に近接しているのと同じくらい、Ｕ字形状の上方部分１４３が円筒形側壁３３の左側に近接するように形成されてもよい。換言すると、下方部分１４１は、最も近い円筒形側壁３３から第１の距離に配置される。接続部分は、上方部分１４３が、容器３０の反対側にある側壁から同じ距離に配置されるように構成される。これにより、測定されたインピーダンスが材料２０の平均レベルを表すことが可能になる。別の実施形態では、Ｕ字形状の上方部分１４３は、容器３０のちょうど真ん中に配置されるように形成されてもよい。
【００２９】
図６Ｂは、使用され得る別の形状を示す。この実施形態では、電極２４０は、電極２４０の下部２４３が容器３０の中心に整列されるように形成される。従って、電極２４０は、開口部３５を通って出る上方部分２４１を含む。電極２４０は、容器３０の中心に整列された下方部分２４３を含む。電極２４０は、上方部分２４１を下方部分２４３に接続するように機能する接続部分２４２も有する。図６Ｂは、上方部分２４１および下方部分２４３に直角に交わる接続部分２４２を示しているが、本開示はこの実施形態に限定されない。例えば、接続部分２４２は湾曲していてもよい。
【００３０】
図６Ａ〜図６Ｂは、特に開口部３５が容器３０の中心に整列されていない場合に、材料トポロジーを補償するために使用可能な２つの実施形態を示す。これらの実施形態は、電極の構造または形状の変更を利用する。更に、他の実施形態も可能である。
【００３１】
図２および図３は、ネットワークアナライザ６０によって測定されたインピーダンスを示すが、ネットワークアナライザ６０からより多くの情報を得ることができる。例えば、単にインピーダンスを捕捉および記録するのではなく、インピーダンスの大きさおよび位相を測定および記録することができる。
【００３２】
図７は、２つの異なる構成に対して、ネットワークアナライザ６０によって測定されたインピーダンスの大きさおよび位相を示している。一方の構成では、対象材料は容器３０の右側に向けて傾斜した。他方の構成では、対象材料は容器３０の左側に向けて傾斜した。線７０１、線７０２はそれぞれ、材料２０が容器３０の右側に向けて傾斜している場合の位相および大きさを示している。線７０３、線７０４はそれぞれ、材料２０が容器３０の左側に向けて傾斜している場合の位相および大きさを示している。従って、充填レベルの関数としてインピーダンスの大きさが変化するだけでなく、インピーダンスの位相も充填レベルおよび材料２０のトポロジーの関数としても変化する。具体的には、２つの構成は同量の材料を使用しているが、これら２つの構成に対するインピーダンスの位相および大きさは変化している。材料２０が左に傾斜している場合に、大きさがより大きくなる（線７０４参照）。しかしながら、材料２０が右に傾斜している場合に、位相がより大きくなる（線７０１参照）。従って、位相および大きさを使用することにより、オペレータは材料２０のトポロジーおよび実際の充填レベルを決定することができる。
【００３３】
本装置には多くの利点がある。半導体処理装置の容器の残材の量を推定することは困難である。結果的に、いくつかの実施形態では、材料が完全に使い果たされておらず、容器の補充が早過ぎてしまう。他の実施形態では、容器が補充される前に材料が完全に使い果たされる場合があり、その結果、不適切に処理されたワークピースがもたらされ、これらは廃棄される。更に、本装置は低周波インピーダンス測定を利用する故、高価な機器を利用しなくてもよい。従って、装置は、限られた経済的な影響で各半導体処理装置に取り付けることができる。
【００３４】
本開示は、本明細書に記載の特定の実施形態によって範囲が限定されるものではない。実際、本明細書に記載の実施形態に加えて、本開示の他の様々な実施形態および修正形態が、前述の説明および添付の図面から当業者には明らかであろう。従って、そのような他の実施形態および修正形態は、本開示の範囲内に含まれることが意図されている。更に、本開示は、特定の目的のための特定の環境における特定の実装の文脈で、本明細書に説明してきたが、当業者は、その有用性がそれに限定されず、本開示が任意の数の目的のために任意の数の環境で有益に実装され得ることを認識するであろう。従って、以下に記載される特許請求の範囲は、本明細書に記載される本開示の全容および精神を考慮して解釈されるべきである。
【図１】
2020524273.tif 000003
【図２】
2020524273.tif 000004
【図３】
2020524273.tif 000005
【図４】
2020524273.tif 000006
【図５】
2020524273.tif 000007
【図６Ａ】
2020524273.tif 000008
【図６Ｂ】
2020524273.tif 000009
【図７】
2020524273.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月24日(2019.12.24)
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記決定は、前記容器内の材料の量と前記測定されたインピーダンスとの間の関係に基づいて実行され、前記関係は、
既知量の材料を前記容器に配置するステップと、
前記電極と前記容器の外面との間の前記インピーダンスを測定するステップと、
異なる量の材料を用いて配置および測定するステップを繰り返して、複数のデータポイントを取得するステップと、
前記複数のデータポイントを使用して前記関係を決定するステップと、
によって決定される、請求項１２に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2020524273.tif 000011
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2020524273.tif 000012
【国際調査報告】
2020524273.tif 000013
2020524273.tif 000014