(57)【要約】  高集積モジュールは、多層セラミックで作られた熱伝導性基板を含み、多層セラミックは、少なくとも１つのＬＥＤと、ＬＥＤのためのドライバ回路を実現するための受動ＳＭＤ部品と共に組み立てられる。さらなる受動素子、特にＥＳＤ保護素子が基板の中に集積される。さらに、廃熱を水平方向および垂直方向に放散するための手段が設けられる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層セラミックからなる熱伝導性基板（１１）と、
前記基板上の少なくとも１つのＬＥＤ（１、２）と、
前記基板上に配置された受動ＳＭＤ部品（４、５、６、８、９）と、
前記基板（１１）に集積された受動部品（３）と、
廃熱を水平方向（１７）および垂直方向（１４）に放散する手段と、
を有することを特徴とするＬＥＤモジュール。
【請求項２】
サーマルビア（１４）が、廃熱を放散するための手段として基板（１１）を貫通して設けられている、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項３】
構造化金属層（１７）が、前記多層セラミックの中および／または接して設けられ、
前記金属層のうちの少なくとも１つは、廃熱を放散するための手段として水平の放熱層として設計されている、請求項１または２に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項４】
ＥＳＤ保護素子が、前記基板のセラミックに集積され、前記ＥＳＤ保護素子は、バリスタ（３）として実現されている、請求項１から３のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項５】
能動半導体素子が、前記基板（１１）の表面に実装されている、請求項１から４のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項６】
受動部品が、コンデンサ（５）、コイル（８）、抵抗器、ＰＴＣ素子、及びＮＴＣ素子（４）から選択されて、前記基板（１１）の上面または底面に実装されている、請求項１から５のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項７】
配線層（１７）が、前記基板（１１）内に設けられ、前記セラミック上及びセラミック内に集積された全ての部品の配線及び再配線を行う、請求項１から６までのいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項８】
金属コアボードとの接続を確立するための端子（１５）が配置された底面には、硬質フレックスボードまたはフレックスボード（７）が配置されている、請求項１から７のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項９】
前記基板（１１）は、異なる機能性セラミック（１６）の複数の層から構成され、コンデンサ、コイル、抵抗器、ＥＳＤ保護素子（３）及びＮＴＣ素子の中から選択された異なる受動部品が、機能性セラミックスの異なる層（１６）の中で実行される、請求項１から８のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１０】
前記基板（１１）は、ＡｌＯｘ、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＭｎＮｉセラミック、及びバリスタセラミックの中から選択されるセラミックを含む、請求項１から９のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１１】
前記基板（１１）は、ＭｎＮｉセラミックを含み、
前記ＭｎＮｉセラミックは、ＮＴＣ機能を有し、
ＮＴＣ素子が前記ＭｎＮｉセラミックに形成されている、請求項１から１０のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１２】
前記基板内にキャビティが形成され、前記キャビティは、前記モジュール内外の適宜の構成部品と共にＬＥＤからの光の妨害光相互作用を減少させる、請求項１から１１のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１３】
基板（１１）に実装された部品は、温度センサ（４）及び光センサ（６）の中から選択されたセンサ（４，６）を含む、請求項１から１２のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１４】
ドライバ、マイクロコントローラ及び放電コンデンサ（５）が前記基板（１１）の上に実装されている、請求項１から１３のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１５】
カメラのフラッシュライトモジュールとして使用されるように設計され、前記カメラの光学部品、特にＣＭＯＳチップが前記モジュールに集積されている、請求項１から１４のいずれか一に記載のＬＥＤモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に閃光を生成するために設計されたマルチＬＥＤシステムに関する。このようなマルチＬＥＤシステムは、特に、スマートフォンやデジタルカメラなどのモバイルアプリケーションに必要とされる。
【背景技術】
【０００２】
２つの発光ダイオード（ＬＥＤ）を備えるのと同様に受動素子を備えたアセンブリと、基板とを備えたハイブリッド構造を有するマルチＬＥＤシステムが知られている。ＬＥＤは光変換層で覆われているので、例えば、温かな白色光と冷たい白色光の組み合わせが生成される。これは、フラッシュを使用するとき、より良好な照明及びより自然な色を保証するためである。既知の解決策は、金属コア基板上に実装されたＬＥＤサブモジュールを含む。このサブモジュールは、マルチＬＥＤシステム用のドライバと個々の受動部品と一緒にメイン基板上に実装されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特に、デジタルカメラ、スマートフォンなどのモバイルアプリケーションでは、省スペースの解決策がますます求められ、この解決策は、ハイブリッド構成を使用して実現することができない。
【０００４】
したがって、本発明の目的は、ＬＥＤフラッシュモジュールとして使用することに特に適した、より高集積化されたＬＥＤモジュールを特定することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の目的は、独立請求項１に記載のＬＥＤモジュールによって達成される。有利な実施形態は、従属請求項の対象である。
【０００６】
多層セラミックから成る熱伝導性の良好な基板上に形成されたＬＥＤモジュールが提供される。モジュールのすべての構成部品は、前記基板上に実装および／または一体化することができる。少なくとも１つのＬＥＤと、特にＬＥＤのためのドライバ回路を実現するための受動ＳＭＤ構成部品とが、基板上に配置される。また、少なくとも１つの受動部品が基板に集積される。さらに、モジュールは、水平方向および垂直方向に廃熱を放散するための手段を備える。
【０００７】
廃熱を放散するための手段及び熱伝導性基板のために、モジュールは、ＬＥＤおよび関連するドライバのように、熱を発生する半導体用に理想的に適している。熱的に良好な伝導性を有する基板は、２０Ｗ／ｍＫを超える熱伝導率を有する材料を有する基板を意味すると理解される。例えば、１００Ｗ／ｍＫを超えるより高い熱放散値を有する既存のセラミック材料が、より有利である。
【０００８】
基板として使用される多層セラミックは、複数のセラミック層を含み、それらの間に、構造化されたメタライゼーション層が配置される。２つの表面上にも、構造化された金属層を設けることができる。これらは、再配線のためのものであり、この目的のために、スルーコンタクトまたはいわゆるビアを介して互いに接続され、また、基板の上面上のコンタクトに、または基板の底面上の端子に接続される。
【０００９】
基板材料は、基板に集積された受動部品用に対し機能セラミックを構成するように選択される。一例として、バリスタ、コンデンサ、サーミスタ、抵抗器、ＮＴＣ素子、ＰＴＣ素子、およびコイルの中から選択される構成部品を集積することが可能である。
【００１０】
廃熱を放散するための手段は、サーマルビアを含む。サーマルビアは、基板を貫通するように設けられる。サーマルビアは、電気的スルーコンタクトとして機能するためにのみ最適化されたビアよりも大きな断面を有する場合がある。有利には、サーマルビアは、基板の上面のコンタクトから、直線状に基板を通過して基板の底面の端子まで設けられる。このようなビアは、通常、個々のセラミック層の複数のビアを一方の上に他方が来るように配置することによって製造されるので、積層ビアとも呼ばれる。基板の底面から、熱は、回路環境にさらに放散される。回路環境は、ヒートシンクを含むと共に、モジュールを組み込むことができる。改善された廃熱放散は、モジュールまたはその構成部品の過度の加熱を確実に防止する。
【００１１】
廃熱発生構成部品からの廃熱のより迅速な水平放散を達成するために、金属層を、水平放熱層、すなわちヒートスプレッダとして基板内に形成することができる。ここでも、これらの放熱層は、部品または構成部品の電気的コンタクトのみを提供する構造化金属層よりも、大きな断面または大きな表面を有して形成される。水平放熱、垂直放熱を高速化することにより、モジュールの可能性のある発熱をより低減することができる。
【００１２】
一実施形態では、ＥＳＤ保護素子は、基板のセラミックに集積される。このＥＳＤ保護素子は、バリスタの形状をとる。この目的のために、多層セラミック内のセラミック層の少なくともいくつかは、バリスタ材料から形成される。このための適切な材料は、例えば、ＺｎＯ−Ｂｉ、ＺｎＯ−ＢｉＳｂ、ＺｎＯ−Ｐｒ、ＳｉＣ、又はＳｒＴｉＯ３等の亜鉛酸化物をベースとした様々な材料である。
【００１３】
バリスタの形態をとるＥＳＤ保護素子は、２つの端子を有し、その各々は、多層セラミックの内部の複数の交互に重なり合う電極領域に接続されている。バリスタ電圧は、例えば、２つの隣り合う異なる電極の距離を介して調整することができる。
【００１４】
一実施形態では、半導体部品は、基板の表面上に実装される。ＬＥＤに加えて、この半導体部品は、ＬＥＤ及び／又はマイクロコントローラのためのドライバ回路のための集積回路を有することができる。
【００１５】
半導体構成部品は、ＳＭＤ部品として設計することができる。また、半導体部品をフリップチップ配置によって固定するか、またはそれを接着してそれをボンディングワイヤを介して基板の上側のコンタクトに接続することも可能である。これらの実装オプションは、基板の表面上に追加される残りの構成部品のために様々な形態で任意選択的に可能に使用することもできる。
【００１６】
しかし、モジュール上に部品および構成部品を実装するために、基板の底面を使用することも可能である。このようにして、構成部品を実装するために利用可能な表面がより大きく、故により高度に集積されたモジュールを得ることができる。
【００１７】
ＬＥＤモジュールの底面は、モジュールを回路基板に接続することができる外部コンタクトを有する。このような回路基板は、金属コア基板、リジッドフレックス基板、またはフレックス基板の中から選択することができる。フレックス基板またはリジッドフレックス基板は、さらなる回路基板またはＰＣＢへのフレキシブル接続を確立することができるという利点を有する。
【００１８】
一実施形態では、基板は、様々な機能性セラミックで作られた複数の層を有する。これらの様々な材料の中に、様々な受動部品が集積され、集積された部品は、機能定義層として機能性セラミックを使用する。このような受動部品は、コンデンサ、コイル、抵抗器、ＥＳＤ保護素子、またはＮＴＣ素子の中から選択することができる。１つまたは複数の構成部品をモジュール内に集積することができる。
【００１９】
受動素子が高品質要求または高性能要求を満たさなければならない場合、実装可能なディスクリート部品が好ましい。しかし、バリスタは、品質や性能を低下させることなく、基板内に集積することができる。
【００２０】
モジュールの基板は、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、または窒化アルミニウムから選択されるセラミックを含むことができる。これらの材料のうちの最初の２つは、２０Ｗ／ｍＫを超える熱伝導率を有するが、窒化アルミニウムは、１００Ｗ／ｍＫを超える熱伝導率を有する、特に良好な熱伝導体と考えることができる。
【００２１】
さらなる実施形態では、モジュールは、ＮＴＣ機能性を有するマンガンおよびＮｉをベースとするセラミックを含む。このタイプのセラミックでは、ＮＴＣ部品を保護素子として集積することができる。
【００２２】
一実施形態では、モジュールは、部品として基板に実装されるセンサを備える。このようなセンサは、構成部品を最適化し、または、例えば、構成部品の動作性能が温度または輝度のような外部パラメータに依存する場合、係る動作性能を最適化する役割を果たす。したがって、センサは、温度センサまたは光センサの形態で存在することができる。
【００２３】
単純なタイプの温度センサは、ＮＴＣ素子を含む。光センサは、光電素子、フォトダイオードまたは太陽電池からなる。
【００２４】
ＬＥＤモジュールがＬＥＤフラッシュモジュールとして使用される場合、ＬＥＤモジュールは、さらに、放電コンデンサ、マイクロコントローラ、インダクタンス、および抵抗器を備え、これらの部品は、モジュールがフラッシュモジュールとして動作される場合に必要である。これらの構成部品はすべて、基板上または基板の下にディスクリート部品として実装される。
【００２５】
提案したセラミックモジュールのセラミックが非常に低い熱容量と、モジュールの個々の部品の良好なサーマルカップリングとを示すので、このセラミックモジュールは、応答時間が改善された（低減した）ＬＥＤモジュールの実現を可能にする。これは、フラッシュライト用途、特に多重及び／又は超短パルスを備えたフラッシュライト用途に特に有利である。
【００２６】
本モジュールは、極めてコンパクトな設計を有し、周知のハイブリッドモジュールとは対照的に、実質的にワンピースデバイスである。したがって、モジュールは、いわゆるＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）モジュールを構成する。熱量は、高い集積密度のために一般に高く、モジュールの動作中に放散されなければならないが、少なくとも、熱放散のための提供された手段によって補償される。モジュールのいくつかの実施形態において、より多量の廃熱も補償され、そのため、そのタイプのモジュールは、周知のＬＥＤモジュールよりも、動作中に低い温度上昇を示す。
【００２７】
セラミック多層構造としてのＬＥＤモジュールのコンパクトな設計のために、個々のＬＥＤの間の距離が非常に短い、カメラ用のフラッシュライトとして使用されるＬＥＤマトリクスを実施することも可能である。このようにして、ＬＥＤマトリックス上の光学系を非常に小さく作製することも可能であり、その結果、より良好な光学特性を、より低い製造コストで得ることができる。
【００２８】
特に、ＬＥＤモジュールをカメラ用のフラッシュライトモジュールとして設計するためには、ＬＥＤとカメラとの間の光学的クロストークを抑制する対策を講じることができる。例えば、キャビティをモジュール内に形成することができ、このキャビティは、基板内の光の伝搬を低減し又は遮断する。これらのキャビティは、ＬＥＤマトリックスの全周に、好ましくは１つ以上のニアサーフェス層の中に効果的に設けることができる。
【００２９】
さらに、カメラの電気的または光学的構成部品を、例えばＣＭＯＳチップ、特にイメージセンサとして機能することができるものなど、モジュールの内部やモジュール上に設けることができる。
【００３０】
モジュールは、公知のモジュールよりも体積が小さく、したがって、スマートフォンまたはデジタルカメラなどの小型化またはモバイルデバイスに容易に組み込むことができる。フラッシュモジュールとして使用されることとは別に、照明モジュールとして、特にトーチ機能のために必要とされるような、またはビデオ記録のためのバックライトとして、設計することもできる。
【００３１】
以下において、本発明を、例示的な実施形態および対応する図面を用いてより詳細に説明する。図面は、概略的な表現にすぎず、また、縮尺通りには描かれていない。故に、図面は、絶対的な寸法も相対的な寸法も特徴としない。説明のために、個々の部品を拡大または最小化されている。同一または同一に動作する部品は、同一の参照符号で示される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明によるＬＥＤモジュールの概略断面図を示す。
【図２】図２は、フレキシブルキャリア上のＬＥＤモジュールの実施形態の概略上面図を示す。
【図３】図３は、ＬＥＤモジュールのさらなる実施形態の上面図を示す。
【図４】図４は、フレキシブルキャリア上のＬＥＤモジュールの概略断面図を示す。
【図５】図５は、時間の関数としての温度曲線による、本発明によるモジュールの改善された温度挙動を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１は、例えば、集積されたドライバ、温度センサ、光センサ、放電コンデンサ、インダクタンス及び抵抗を有するＬＥＤフラッシュモジュールとして設計されたＬＥＤモジュールの概略断面図を示す。ＬＥＤモジュールは、多層セラミックからなる基板１１を備えている。基板内には、複数のセラミック層１６が配置され、各セラミック層は構造化された金属化層１７の間に配置されている。
【００３４】
基板の上面にはコンタクト１０が設けられており、このコンタクトによって、実装される部品を電気的に接続することができる。基板の底面側には、モジュールを外部回路環境に接続するための端子１５が設けられている。
【００３５】
構造化されたメタライゼーション層、またはむしろ導体パスおよびそれから生成される電極領域は、互いの間でスルーコンタクトまたはビア１４を介して、コンタクト１０および／または端子１５に接続されている。個々の、好ましくはいくつかの、または全てのビア１４が、サーマルビアの形状で存在することができる。
【００３６】
基板１１の内部には、受動部品が集積され、この受動部品は、図示され、バリスタ３として設計されている。このバリスタは、複数の重なり合う電極層１７を有し、電極層１７は、様々なビアに交互に接続されている。このようなバリスタは非線形素子であり、その抵抗は２つの電極に印加される電圧に依存する。過電圧が発生すると、バリスタは、他方の電極への短絡の形態でこの過電圧を無害に消散させる。ここで、バリスタの両方の電極を、保護すべき部品または構成部品、特にＬＥＤの２つの端子に接続することが可能である。しかしながら、バリスタの一方の電極のみを部品に接続し、バリスタの他方の電極を基板の底部側の接地接続部に接続することも可能である。
【００３７】
基板の上面側には、様々な構成部品が実装され、様々な実装オプションを提供することができる。例えば、図面は、光センサ６を示し、この光センサ６は、ＮＴＣ抵抗器として設計することができる。前記抵抗器の電極の一方は、直接スルーコンタクト１４に接続でき、他方の電極は、ボンディングワイヤを介して隣接するコンタクト１０に接続されている。参照番号２および２’は、基板の上面に接する２つのＬＥＤを示す。これらのＬＥＤは、同じ設計および／または同じ実装タイプを有することができる。しかしながら、ＬＥＤモジュールは、異なる光の色又は光強度を有する様々なＬＥＤを使用することが好都合である。ここで、上部に発光するＬＥＤ２、２’の上方には、光変換層１２、例えば、対応する変換材料で充填されたラッカーを塗布することができる。さらに、ＳＭＤ技術（ＳＭＤ  ＭＬＣＣ）５に適用されるセラミック積層コンデンサを、表面上に配置または実装させることができる。図１は、さらなるコンデンサ５’と同様に、ＳＭＤ実装ＮＴＣセンサ４を示す。
【００３８】
上側のコンタクト１０の各々は、基板１１の下側の１つの端子１５に割り当てることができる。通常、基板１１内の多層配線により、端子１５の数は、コンタクト１０の数に比べて減らされている。電気的接続として機能するビアの他に、熱放散のためだけに使用される熱的作用ビアも基板１１に設けられ、ビアの各々は、接地に接続されるべき底面の端子１５に導かれる。しかしながら、接地用の他の端子よりも大きな面積を有する１つ以上の端子を設け、それらの各々をいくつかのサーマルビアに接続することも可能である。
【００３９】
図２は、図１に概略的にのみ示されているＬＥＤモジュールの実施形態の上面図を示す。図２において、モジュールの基板１１上には、４つのＬＥＤ１、１’、２、２’が実装され、これらのＬＥＤは、２つの異なる設計からなる。温度センサは、ＮＴＣ部品４として設計することができる。コンデンサ５、５’、５”は、基板１１の表面に実装される放電コンデンサまたは整合コンデンサを表すことができる。さらに、ＬＥＤ９用のドライバ及びコイル８がここに示されており、これらの各々は、ディスクリートコンポーネントとして上面に実装されている。さらなるコンデンサは、５”’で示されている。感光性素子が、光センサ６の形態で存在する。
【００４０】
例示的な実施形態では、基板１１は、キャリアボード７、７’上に実装される。キャリアボードは、機械的により安定した中央部分７’と、より可撓性のある端子部分７とを含むことができる。回路基板と同様に、キャリア基板７、７’は、基板の端子に接続することができるコンタクト領域を有する。はんだ付けが、接続の好ましい方法である。
【００４１】
図３は、ＬＥＤモジュールのさらなる実施形態を概略上面図で示す。４つのＬＥＤ１、１’、２、２’が、基板１１に実装されている。少なくとも１つのコンデンサ５と、１つの温度センサ４と、１つの光センサ６とが、さらなるディスクリート部品として実装されている。このようなモジュールは、最小寸法で設計される。この寸法は、例えば図示の実施形態では１．８５×３．０６ｍｍである。
【００４２】
図２及び図３に示されていないものは、モジュール基板１１内に集積されて上方からは見えないバリスタ３である。
【００４３】
図４は、図１に示したものと同様のＬＥＤモジュール１１の概略断面図を示す。このＬＥＤモジュール１１は、可撓性キャリア７上に実装されている。図示の実施形態において、可撓性キャリアは、サーマルビア１４”を有し、このサーマルビア１４”は、可撓性キャリアを垂直方向に貫通する。キャリア７の底面では、サーマルビアは、さらなる端子領域に接続される。これらの端子領域は、回路環境とのさらなるコンタクト、またはＭＬＣＣコンデンサ５”またはインダクタンス８などのさらなる構成部品の実装に役立つ。キャリヤの底面でのこのような実装は、本実施形態では可撓性を有するように示され、熱生成が特に高く、故に、他の部品から距離を隔てて配置されるべき部品と同様に、大面積部品に対して特に適している。
【００４４】
可撓性キャリア７は、集積された金属層を含むことができる。金属層は、キャリアから横方向に引き出され、キャリアの可撓性部分によってメインボード上の所望のスポットに固定される。さらに、図６は、反射層１３を示し、反射層１３は、部品の一部を覆うラッカーの形態で付加される。反射ラッカー１３は、ＬＥＤの発光を改善するのに役立ち、あるいは、ＬＥＤモジュールの光出力を増加させるのに役立つ。
【００４５】
図５は、動作中の本発明による例示的なＬＥＤモジュールの温度挙動を示す。モジュールの動作中に発生した廃熱は、最初は温度上昇につながり、しかしながら、上方の曲線から分かるように、この温度上昇は、急速に消散することが示されている。関連する温度上昇を伴うフラッシュ事象の後、温度は再び急速に降下する。
【００４６】
下方の曲線は、ＬＥＤを使用しない場合の温度挙動を示す。待機動作中は、本質的により小さい温度上昇のみがモジュールで生じる。良好な又は改善された熱放散により、動作中に到達する最高温度は、例えば、この場合には１５０℃の許容温度限界をはるかに下回ったままとなる。この許容温度限界は、ＬＥＤの機能性にとって臨界温度である。
【００４７】
ＬＥＤモジュールは、いわゆるＣｅｒａＰａｄ（登録商標）モジュールとして設計することができる。基板１１上の構成部品を接続すると共に、モジュールを回路環境に接続するために、スズ、銀、および銅を含むはんだを使用することができる。キャリアボードにおいて、銅をベースとするヒートシンクを設けることができる。このヒートシンクは、高い導電性と十分な比熱との両方を呈する。
【００４８】
以下の表において、熱伝導率、密度および比熱が、例示的な実施形態において使用されるモジュールの材料に対して示されている。表は、内側メタライゼーション層及びヒートシンク同様に、メタライゼーション及びビアが、最大相対熱伝導率を呈することを示している。これに対して、セラミック材料の熱伝導率は低く、これは放熱手段の高い熱伝導率によって補償される。
【００４９】
【表１】
2020530665.tif 000003
【００５０】
本発明は、ほんの少数の例示的な実施形態によって説明されたものであり、したがって、後者に限定されるものではない。本発明の範囲は、請求項１に記載された特徴を有する全てのＬＥＤモジュールを包含するものとみなされる。特徴および構成部品は、適宜の個数および構成でモジュール上で組み合わされ、および／または集積されてもよい。さらに、モジュールは、本発明から逸脱することなく、ここに言及されない更なる部品を含むことができる。
【符号の説明】
【００５１】
１，２  ＬＥＤ
３  バリスタ／ＥＳＤ保護素子
４  ＮＴＣ素子／温度センサ
５  ＳＭＤ  ＭＬＣＣ
６  光センサ
７  回路基板
８  コイル
９  ドライバ
１０  コンタクト
１１  基板
１２  光変換層
１３  反射層
１４  ビア
１５  端子
１６  セラミック層
１７  メタライゼーション
【図１】
2020530665.tif 000004
【図２】
2020530665.tif 000005
【図３】
2020530665.tif 000006
【図４】
2020530665.tif 000007
【図５】
2020530665.tif 000008
【国際調査報告】
2020530665.tif 000009
2020530665.tif 000010
2020530665.tif 000011