(57)【要約】  交流電流網用のコンデンサブッシング（２ａ，２ｂ，２ｃ）を監視するための方法であって、−交流電流網が、第一の、第二の、及び第三の位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）を有し、及び・第一の電流網配線（５ａ）を含み、この第一の電流網配線に第一の位相と第一のコンデンサブッシング（２ａ）が、付設されていて及び、第一の電源電圧を印加し；・第二の電流網配線（５ｂ）を含み、この第二の電流網配線に第二の位相と第二のコンデンサブッシング（２ｂ）が、付設されていて及び、第二の電源電圧を印加し；・第三の電流網配線（５ｃ）を含み、この第三の電流網配線に第三の位相と第二のコンデンサブッシング（２ｃ）が、付設されていて及び、第三の電源電圧を印加し；−これら各コンデンサブッシングが、以下の：・付設された電流網配線に接続された導体；・この導体を包囲する導通する内層（３）を含み；−これら位相の各位相に対し・予設定された最初の時点（ｔ０）で、其々のコンデンサブッシングにとって特徴的である特性変数のために、相応する特性値が算出され；・予設定された、より後の時点（ｔｎ）で、最初の時点（ｔ０）後に、特性変数のために、相応する正規化された特性値が、其々の特性値及び／又は残りの特性値の少なくとも１つに依存して算出され；・正規化された特性値が、許容不可能に変わったかどうか検査される。
2020512542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電流網のためにコンデンサブッシング（２ａ，２ｂ，２ｃ）を監視するための方法であって、
−交流電流網が、第一の、第二の、及び第三の位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）を有し、及び
・第一の電流網配線（５ａ）を含み、この第一の電流網配線に第一の位相（Ａ）と第一のコンデンサブッシング（２ａ）が、付設されていて及び、第一の電源電圧を印加し；
・第二の電流網配線（５ｂ）を含み、この第二の電流網配線に第二の位相（Ｂ）と第二のコンデンサブッシング（２ｂ）が、付設されていて及び、第二の電源電圧を印加し；
・第三の電流網配線（５ｃ）を含み、この第三の電流網配線に第三の位相（Ｃ）と第二のコンデンサブッシング（２ｃ）が、付設されていて及び、第三の電源電圧を印加し；
−これら各コンデンサブッシング（２ａ，２ｂ，２ｃ）は以下の、
・付設された電流網配線（５ａ，５ｂ，５ｃ）に接続された導体（４），
・この導体（４）を包囲する導通する内層（３）を含み；
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し
・予設定された最初の時点（ｔ０）で、其々のコンデンサブッシング（２ａ，２ｂ，２ｃ）にとって特徴的である特性変数のために、相応する特性値が算出され；
・予設定された、より後の時点（ｔｎ）で、最初の時点（ｔ０）後に、特性変数のために、相応する正規化された特性値が、其々の特性値及び／又は残りの特性値の少なくとも１つに依存して算出され；
・正規化された特性値が、許容不可能に変わったかどうか検査されることを特徴とする方法。
【請求項２】
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し
・ある時点又は予設定された、最初の時点（ｔ０）の後のより後の時点（ｔｎ）で、特性変数のために、相応する、より後の特性値が、算出され；
・正規化された特性値の算出は、追加的に其々のより後の特性値、及び／又は残りの、より後の特性値の少なくとも１つに依存することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し
・最初の時点（ｔ０）で、参照電圧のために、相応する最初の参照電圧値が算出され；
・正規化された特性値の算出が、追加的に、其々の最初の参照電圧値に、及び／又は残りの最初の参照電圧値の少なくとも１つに依存することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
−各参照電圧が、其々の電源電圧に依存することを特徴とする
請求項１又は請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
−各参照電圧が、其々の電源電圧であり；
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・最初の時点（ｔ０）で、電源電圧が検出され、及び相応する最初の電源電圧値が算出され；
・最初の電源電圧値が、其々の最初の参照電圧値を形成することを特徴とする
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
−第一の電流網配線（５ａ）に、第一の平行コンデンサブッシング（２ａ’）が付設されていて；
−第二の電流網配線（５ｂ）に、第二の平行コンデンサブッシング（２ｂ’）が付設されていて；
−第三の電流網配線（５ｃ）に、第三の平行コンデンサブッシング（２ｃ’）が付設されていて；
−この各平行コンデンサブッシング（２ａ’，２ｂ’，２ｃ’）が以下の：
・付設された電流網配線（５ａ，５ｂ，５ｃ）に接続された導体（４），
・この導体（４）を包囲する導通する内層（３）を含み；
−各参照電圧が、平行内層電圧であり、この平行内層電圧は、内層（３）と其々の平行コンデンサブッシングの接地電位（１３）の間で存在していて；
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・最初の時点（ｔ０）で、平行内層電圧が、検出され、及び相応する最初の平行内層電圧値が、算出され；
・最初の平行内層電圧値が、其々の最初の参照電圧値を形成する
ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・参照電圧が、定電圧であり、この定電圧のために相応する定電圧値が、予設定される
ことを特徴とする請求項１又は請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
−これら位相（Ａ、Ｂ、Ｃ）の各位相に対し、
・最初の時点（ｔ０）で、其々の内層（３）と接地電位（１３）の間に設けられた内層電圧が検出され及び、相応する最初の内層電圧値が、算出され；
・正規化された特性値の算出が、追加的に、其々の最初の内層電圧値に、及び／又は残りの最初の内層電圧値の少なくとも１つに依存する
ことを特徴とする請求項１又は請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
−測定設備（７）が、これら内層（３）に連接し、及びこれら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、内層電圧を検出し得、この内層電圧は、其々の内層（３）と接地電位（１３）の間で存在している；
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・外側コンデンサ（Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ）は、其々の内層（３）と接地電位（１３）によって形成されていて；
・下位電圧コンデンサ（Ｊａ、Ｊｂ、Ｊｃ）が、並列回路によって形成されていて、この並列回路が、測定設備（７）と外側コンデンサを含む；
・１つの時点又は最初の時点（ｔ０）で、下位電圧コンデンサの下部静電容量のために、相応する下部静電容量値が算出され；
・正規化された特性値の算出が、追加的に、其々の下部静電容量値、及び／又は、残りの下部静電容量値の少なくとも１つに依存する
ことを特徴とする請求項１又は請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・上位電圧コンデンサ（Ｋａ、Ｋｂ、Ｋｃ）が、其々の内層（３）と導体（４）によって形成されていて；
・其々の特性変数が、其々の上位電圧コンデンサの上部静電容量であり、及び其々の特性値が、相応する上部静電容量値であり；
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対して、より後の時点（ｔｎ）で、
・内層電圧が、検出され、及び相応する、より後の内層電圧値が算出され；
−第一のコンデンサブッシング（２ａ）の正規化された上部静電容量値が、以下の式にしたがって算定される：
【数１】
2020512542.tif 000028
が成立し、
Ｋａは、予設定された、定数の又は変数の第一の補正値であり；及び／又は
−第二のコンデンサブッシング（２ｂ）の正規化された上部静電容量値が、次の式にしたがって算定される：
【数２】
2020512542.tif 000029
が成立し、
Ｋｂは、予設定された、定数の又は変数の第二の補正値であり；及び／又は
−第三のコンデンサブッシング（２ｃ）の正規化された上部静電容量値が、以下の式にしたがって算定される：
【数３】
2020512542.tif 000030
が成立し、
Ｋｃは、予設定された、定数の又は変数の第三の補正値であり；
−Ｂａ，Ｂｂ及びＢｃが、第一の、第二の、及び第三の下部静電容量値であり；
−Ｃａ，Ｃｂ及びＣｃが、第一の、第二の、及び第三の上部静電容量値であり；
−Ｒａ（ｔ０），Ｒｂ（ｔ０）及びＲｃ（ｔ０）が、第一の、第二の、及び第三の最初の参照電圧値であり；
−Ｖａ（ｔｎ），Ｖｂ（ｔｎ）及びＶｃ（ｔｎ）が、第一の、第二の、及び第三のより後の参照電圧値である；
ことを特徴とする請求項１又は請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
−Ｋａ＝１が成立し；又は
−Ｋａ＝Ｒｂ（ｔｎ）／Ｒａ（ｔｎ）が成立し、ここで
・Ｒａ（ｔｎ）が、より後の、第一の参照電圧値であり、この第一の参照電圧は、より後の時点ｔｎで、第二の位相に付設された第一の参照電圧のために算出され；
・Ｒｂ（ｔｎ）が、より後の、第二の参照電圧値であり、この参照電圧値は、このより後の時点（ｔｎ）で、第二の、第一の位相（Ａ）に隣接する位相（Ｂ）に付設され第二の参照電圧のために算出され；
及び／又は、この場合、
−Ｋｂ＝１が成立し；又は
−Ｋｂ＝Ｒｃ（ｔｎ）／Ｒｂ（ｔｎ）が成立し、
・Ｒｂ（ｔｎ）が、より後の、第二の参照電圧値であり、この第二の参照電圧は、より後の時点ｔｎで、第二の位相に付設された第二の参照電圧のために算出され、；
・Ｒｃ（ｔｎ）が、より後の、第三の参照電圧値であり、より後の時点ｔｎで、第三の、第二の位相（Ｂ）に隣接する位相（Ｃ）に付設された第三の参照電圧のために算出され；
及び／又は、この場合、
−Ｋｃ＝１成立し；又は
−Ｋｃ＝Ｒａ（ｔｎ）／Ｒｃ（ｔｎ）が成立し、
・Ｒｃ（ｔｎ）が、より後の、第三の参照電圧値であり、この参照電圧値は、１つの時点で、又はより後の時点（ｔｎ）で、第三の位相（Ｂ）に付設された第三の参照電圧のために算出され；
・Ｒａ（ｔｎ）が、より後の、第一の参照電圧値であり、この参照電圧値は、このより後の時点（ｔｎ）で、第一の、第三の位相（Ｃ）に隣接する位相（Ａ）に付設され第一の参照電圧のために算出される；
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
検査の際に、其々に正規化された特性値が、其々の特性値と比較される
ことを特徴とする請求項１又は請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
−許容値ＣＡ＞０，ＣＢ＞０，ＣＣ＞０が、特性値比較のために定められ；
−特性値比較が、次の
【数４】
2020512542.tif 000031
を成立すると結論付ける場合、
監視信号が、生成され、この監視信号は、コンデンサブッシング（２ａ，２ｂ，２ｃ）が、正常な状態にあることを表示する
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
−許容値ＣＡ＞０，ＣＢ＞０，ＣＣ＞０が、特性値比較のために定められ；
−特性値比較が、次の
【数５】
2020512542.tif 000032
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、少なくとも第二のコンデンサブッシング（２ｂ）が、正常な状態にないことを表示し；
−特性値比較が、次の
【数６】
2020512542.tif 000033
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、少なくとも第三のコンデンサブッシング（２ｃ）が、正常な状態にないことを表示し；
−特性値比較が、次の
【数７】
2020512542.tif 000034
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、少なくとも第一のコンデンサブッシング（２ａ）が、正常な状態にないことを表示し；
−他の場合に、監視信号が生成され、この監視信号は、少なくとも２つのコンデンサブッシングが、正常な状態にないことを表示する
ことを特徴とする請求項１又は請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法．。
【請求項１５】
−許容値ＣＡ＞０，ＣＢ＞０，ＣＣ＞０が、特性値比較のために定められ；
−特性値比較が、
【数８】
2020512542.tif 000035
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、第一の、及び第三のコンデンサブッシング（２ａ，２ｃ）が、正常な状態になく、且つ同種のエラーを有することを表示する。
−特性値比較が、
【数９】
2020512542.tif 000036
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、第二の、及び第一のコンデンサブッシング（２ｂ，２ａ）が、正常な状態になく、且つ同種のエラーを有することを表示し；
特性値比較が、
【数１０】
2020512542.tif 000037
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、第三の、及び第二のコンデンサブッシング（２ｃ，２ｂ）が、正常な状態になく、且つ同種のエラーを有することを表示する
ことを特徴とする請求項１又は請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
−正規化された特性値の算出の前の１つの媒介的時点ｔ１で、
・これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、参照電圧が検出され、及び相応する媒介的参照電圧値が算出され；
・この媒介的参照電圧値が、相互において比較され；
・正規化された特性値の算出は、これら媒介的参照電圧値が、予設定され分量を上回って偏倚しないことを、これら比較が結論付ける場合に行われる
ことを特徴とする請求項１又は請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
−この電圧比較は、
・許容値ＲＡＢ＞０，ＲＢＣ＞０，ＲＣＡ＞０が、其々の分量として定められるように行われ；
【数１１】
2020512542.tif 000038
が成立するかどうか試験され；
−Ｒａ（ｔ１）が、第一の位相の媒介的参照電圧値であり；
−Ｒｂ（ｔ１）が、第二の位相の媒介的参照電圧値であり；
−Ｒｃ（ｔ１）が、第三の位相の媒介的参照電圧値である
ことを特徴とする請求項１又は請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
−これら各特性変数が、其々のコンデンサブッシングの誘電正接である
ことを特徴とする請求項１又は請求項１〜１７の何れか一項に記載の方法。
【請求項１９】
−交流電流網が、第一の、第二の、及び第三の位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）を有し、及び
・第一の電流網配線（５ａ）を含み、この第一の電流網配線に第一の位相（Ａ）と第一のコンデンサブッシング（２ａ）が、付設されていて及び、第一の電源電圧を印加し；
・第二の電流網配線（５ｂ）を含み、この第二の電流網配線に第二の位相（Ｂ）と第二のコンデンサブッシング（２ｂ）が、付設されていて及び、第二の電源電圧を印加し；
・第三の電流網配線（５ｃ）を含み、この第三の電流網配線に第三の位相（Ｃ）と第二のコンデンサブッシング（２ｃ）が、付設されていて及び、第三の電源電圧を印加し；
−これら各コンデンサブッシング（２ａ，２ｂ，２ｃ）は以下の、
・付設された電流網配線（５ａ，５ｂ，５ｃ）に接続されている導体（４）；
・この導体（４）を包囲する導通する内層（３）；
−この設備は以下の：
・コンデンサブッシング（２ａ，２ｂ，２ｃ）に連接されている評価設備（８）；
−評価設備（８）は、これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・予設定された最初の時点（ｔ０）で、其々のコンデンサブッシング（２ａ，２ｂ，２ｃ）にとって特徴的である特性変数のために、相応する特性値を算出し得るように形成されていて；
・１つの時点、又は予設定された、より後の時点（ｔｎ）で、最初の時点（ｔ０）後に、特性変数のために、相応する正規化された特性値が、其々の特性値に、及び／又は残りの特性値の少なくとも１つに依存して算出され得；
・正規化された特性値が、許容不可能に変わったかどうか検査し得る
ことを特徴とする交流電流網用のコンデンサブッシング（２ａ，２ｂ，２ｃ）を監視するための設備（１）。
【請求項２０】
−評価設備（８）が、これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・１つの時点で、又は予設定された、より後の時点（ｔｎ）で、最初の時点（ｔ０）後に、特性変数のために、相応する、より後の特性値を算出し得；
・正規化された特性値の算出が、追加的に其々のより後の特性値、及び／又は残りの、より後の特性値の少なくとも１つに依存する
ことを特徴とする請求項１９に記載の設備（１）。
【請求項２１】
−評価設備（８）が、これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・最初の時点（ｔ０）で、参照電圧のために、相応する最初の参照電圧値を算出し得；
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・正規化された特性値の算出は、追加して、其々の最初の参照電圧値及び／又は残りの最初の参照電圧値の少なくとも１つに依存するように形成されている
ことを特徴とする請求項１９、又は請求項１９又は２０のいずれか一項に記載の設備（１）。
【請求項２２】
−第一の電流網配線（５ａ）に接続され得る第一の電圧コンバータ（９ａ）；
−第二の電流網配線（５ｂ）に接続され得る第二の電圧コンバータ（９ｂ）；
−第三の電流網配線（５ｃ）に接続され得る第三の電圧コンバータ（９ｃ）；
−電圧コンバータ（９ａ，９ｂ，９ｃ）と測定設備（７）に連接されている評価設備（８）を含み；
この場合、
−其々の位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）のためのこれら各電圧コンバータ（９ａ，９ｂ，９ｃ）が、電源電圧を検出し得；
−各参照電圧が、随時の電源電圧であり；
−評価設備（８）は、これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・最初の時点（ｔ０）で、電源電圧を、其々の電圧コンバータ（９ａ、９ｂ、９ｃ）の補助で検出し得、及び相応する最初の電源電圧値算定し得るように形成されていて；
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し
・最初の電源電圧値が、其々の最初の参照電圧値を形成する
ことを特徴とする請求項２０に記載の設備（１）。
【請求項２３】
−第一の電流網配線（５ａ）に、第一の平行コンデンサブッシング（２ａ’）が付設されていて；
−第二の電流網配線（５ｂ）に、第二の平行コンデンサブッシング（２ｂ’）が付設されていて；
−第三の電流網配線（５ｃ）に、第三の平行コンデンサブッシング（２ｃ’）が付設されていて；
−この各平行コンデンサブッシング（２ａ’，２ｂ’，２ｃ’）が以下の
・付設された電流網配線（５ａ，５ｂ，５ｃ）に接続された導体（４），
・この導体（４）を含む導通する内層（３）を含み；
−この設備は以下の：
・第一の平行コンデンサブッシング（２ａ’）の内層（３）に接続され得る第一の平行測定アダプタ（６’）；
・第二の平行コンデンサブッシング（２ｂ’）の内層（３）に接続し得る第二の平行測定アダプタ（６’）；
・第三の平行コンデンサブッシング（２ｃ’）の内層（３）に接続し得る第三の平行測定アダプタ（６’）；
・平行測定アダプタ（６’）に連接している測定設備（７）を含み；
−これら各位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）のための測定設備（７）が、其々の内層（３）と接地電位（１３）の間で存在している平行内層電圧を、其々の平行測定アダプタ（６’）の補助で検出し得；
−各参照電圧が、随時の平行内層電圧であり；
−評価設備（８）が、これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・最初の時点（ｔ０）で、平行内層電圧を、測定設備（７）の補助で検出し、及び相応する最初の内層電圧値を算出し得るように形成されていて；
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し
・最初の平行内層電圧値が、其々の最初の参照電圧値を形成する
ことを特徴とする請求項２０に記載の設備（１）。
【請求項２４】
請求項１９、又は請求項１９〜２３のいずれか一項に記載の設備（１）であって、
−第一のコンデンサブッシング（２ａ）の内層（３）に接続され得る第一の測定アダプタ（６）；
−第二のコンデンサブッシング（２ｂ）の内層（３）に接続され得る第二の測定アダプタ（６）；
−第三のコンデンサブッシング（２ｃ）の内層（３）に接続され得る第三の測定アダプタ（６）；
−１つの測定設備、又は測定アダプタ（６）に連接している測定設備（７）を含み；
この場合、
−評価設備（８）が、測定設備（７）に連接していて；
−これら各位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）のための測定設備（７）が、其々の内層（３）と接地電位（１３）の間で存在している内層電圧を、其々の測定アダプタ（６）の補助で検出し得；
−評価設備（８）が、これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・最初の時点（ｔ０）で、内層電圧を、測定設備（７）の補助で検出し得、及び相応する最初の内層電圧値を算定し得；
これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し
・正規化された特性値の算出が、追加して、其々の最初の内層電圧値、及び／又は残りの最初の内層電圧値の少なくとも１つに依存するように形成されている。
【請求項２５】
請求項１９、又は請求項１９〜２４のいずれか一項に記載の設備（１）であって、
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し
・外側コンデンサ（Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ）が、其々の内層（３）と接地電位（１３）によって形成されていて；
・下位電圧コンデンサ（Ｊａ，Ｊｂ，Ｊｃ）が、並列回路によって形成されていて、この並列回路は、測定設備（７）と其々の外側コンデンサ（Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ）を含む；
−評価設備（８）が、これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・最初の時点（ｔ０）で、下位電圧コンデンサの下部静電容量のために、相応する下部静電容量値を算出し得るように形成されていて；
−これら位相（Ａ、Ｂ、Ｃ）の各位相に対し、
・正規化された特性値の算出は、追加的に、其々の下部静電容量値、及び／又は、残りの下部静電容量値の少なくとも１つに依存することを特徴とする設備。
【請求項２６】
請求項１９、又は請求項１９〜２５のいずれか一項に記載の設備（１）であって、
−これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・上位電圧コンデンサ（Ｋａ，Ｋｂ，Ｋｃ）が、其々の内層（３）と導体（４）によって形成されていて；
・其々の特性変数が、其々の上位電圧コンデンサの上部静電容量と其々の特性値は、相応する上部静電容量値であり；
−評価設備（８）が、より後の時点（ｔｎ）で、これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、
・内層電圧を、検出し得、及び相応する、より後の内層電圧値を算出し得；
−評価設備（８）が、第一のコンデンサブッシング（２ａ）の正規化された上部静電容量値を以下の式にしたがって算定するように形成されていて：
【数１２】
2020512542.tif 000039
が成立し、
ここで、Ｋａは、予設定された、定数の又は変数の第一の補正値であり；及び／又は
−評価設備（８）は、第二のコンデンサブッシング（２ｂ）の正規化された上部静電容量値を、以下の式にしたがって算定するように形成されていて：
【数１３】
2020512542.tif 000040
が成立し、
ここで、Ｋｂは、予設定された、定数の又は変数の第二の補正値であり；及び／又は
−評価設備（８）は、第三のコンデンサブッシング（２ｃ）の正規化された上部静電容量値を、以下の式にしたがって算定するように形成されていて：
【数１４】
2020512542.tif 000041
が成立し、
ここで、Ｋｃは、予設定された、定数の又は変数の第三の補正値であり；
−Ｂａ，Ｂｂ及びＢｃが、第一の、第二の、及び第三の下部静電容量値であり；
−Ｃａ，Ｃｂ及びＣｃが、第一の，第二の及び第三の上部静電容量値であって；
−Ｒａ（ｔ０），Ｒｂ（ｔ０）及びＲｃ（ｔ０）が、第一の、第二の、及び第三の最初の参照電圧値であり；
−Ｖａ（ｔｎ），Ｖｂ（ｔｎ）及びＶｃ（ｔｎ）が、第一の、第二の、及び第三のより後の参照電圧値であり；
【請求項２７】
−測定設備（７）は、以下の：
・第一の測定アダプタ（６）に接続されている第一の測定コンデンサ；
・第二の測定アダプタ（６）に接続されている第二の測定コンデンサ；
・第三の測定アダプタ（６）に接続されている第三の測定コンデンサを含み；
−この３つの測定コンデンサの容量は、不等であり；
−この３つの容量は、１：２：３又は１：２：４又は１：２：５又は１：３：５又は１：３：７又は１：３：９又は１：４：７又は１：４：９の比率で相対している
ことを特徴とする請求項１９、又は請求項１９〜２６のいずれか一項に記載の設備（１）。
【請求項２８】
請求項１に記載の方法又は請求項１９〜２７のいずれか一項にしたがう方法を実行するために形成されている、又は、請求項１又は請求項１９〜２７のいずれか一項に記載の方法を実施する、又は実施し得るように形成されている請求項１９又は請求項１９〜２７のいずれか一項にしたがう設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交流電流網用のコンデンサブッシングを監視するための方法及び設備に関する。
下記において、≫Ａは、Ｂに繋がっている≪といった種類の表現は、≫Ａは、Ｂと接続している≪といった種類の表現に相応し、≫Ａは、Ｂと接続している≪といった種類の表現は、≫Ａは、直接的にＢに導通して接続している≪という意味、及び≫Ａは、間接的に、つまりＣを経て、Ｂに導通して接続している≪という意味を含み、及び≫Ａは、Ｂに接続している≪といった種類の表現は、≫Ａは、直接的にＢに導通して接続している≪という意味を有する。
【背景技術】
【０００２】
例えば電力変換設備とスロットバルブといった交流電流網用の電気機器は、通常、コンデンサブッシングの補助によって、交流電流網の電流網配線に接続されている。これらのコンデンサブッシングは、コンデンサブッシングの容量と誘電正接が、稼働中に検査されることで監視されることが公知である。実際は、稼働中に測定された容量の測定値と監視されるべきコンデンサブッシングの誘電正接が、しばしば、測定値から偏倚し、この測定値は、作動試験において、生成直後に算出されている。その時、これら偏差は、監視のために稼働中における測定された測定値の評価、又は測定値の限界値との、又は許容値との比較を困難にする。
【０００３】
これら偏差の理由が、ここで解説される。コンデンサブッシングの作動試験は、通常、製造者において、稼働中に、より著しく大きなオイルコンテナに、例えば電力変換設備のオイルタンクの中にある間に、比較的小さなオイルボイラの中で実行される。この測定環境の変化は、同一の試験対象において、多様な漂遊容量及び多様な測定値を惹起する。コンデンサブッシングの作動試験は、少なくとも５０℃の、本質的にさらに高い稼働温度において停止しながら、通常、室温において、稼働中に行われる。温度に依存する特性変数、特に誘電正接は、顕著に変わる。コンデンサブッシングは、作動試験において、電気的機器への組み込み後、前段階で、稼働に伴うストレス因子によって負荷をかけられることが可能で、生成直後に試験される。そうして、例えば、外殻上で形成された不純物層は、誘電正接の測定値に著しく影響する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】独国特許出願公開第１９５１９２３０号
【特許文献２】独国特許出願公開第１００３７４３２号
【特許文献３】独国特許出願公開第３６０１９３４号
【特許文献４】米国特許出願公開第４７５７２６３号
【特許文献５】国際出願公開第２０１５０７１２５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
独国特許出願公開第１９５１９２３０号は、高電圧仕様のコンデンサブッシング用の監視方法及び監視装置を記載している。当該コンデンサブッシングは、その複数のコンデンサ層間に部分電圧用のタップを有する。この公知の方法では、当該部分電圧が、この部分電圧の変化を監視する検出設備に供給されること、この部分電圧の変化とこの変化に対する時間情報とが記憶されること、少なくとも２つの変化の間の時間間隔が算出されること、及び、当該部分電圧の変化の頻度に対応する欠陥信号が生成されることが提案されている。この設備は、当該部分電圧の変化を監視する検出設備、当該部分電圧の変化と当該部分電圧の変化に対する時間情報を格納する記憶器、少なくとも２つの変化の間の時間間隔を算出する演算器、及び欠陥信号を生成するための手段を有する。この場合、当該部分電圧の変化の頻度に比例する欠陥信号が生成される。当該タップが、測定の実行中に測定線を通じて当該検出設備に接続されている。当該タップは、当該コンデンサブッシングの内部で発生する高電圧を示す部分電圧を提供する。
【０００６】
この公知の監視方法及びこの公知の監視装置において、当該コンデンサブッシングで発生する高電圧は、測定信号に作用し、激しく変動し得るので、当該タップで検出された測定値は、激しく変動し得る。したがって、当該コンデンサブッシングの確実な監視が保証されない。
【０００７】
独国特許出願公開第１００３７４３２号は、動作電圧によって印加されたコンデンサブッシングを監視するための方法及び装置を記載している。このコンデンサブッシングでは、分圧器が、１つの導電層によって形成されている。この方法では、電気測定変数の少なくとも１つの測定値が、この導電層に接続されている測定タップとアース電位とを用いて検出され、記憶されることが提唱されている。この場合、測定タップとアース電位との間のインピーダンスが、少なくとも１つの測定値の検出後に変更され、このときに生成された測定信号の少なくとも１つの信号値が、当該測定タップと当該アース電位とを用いて検出され、記憶される。当該１つの測定値を検出する時点と当該１つの信号値を検出する時点との間の動作電圧の起こり得る変化が無視できるように、当該双方の時点間の時間間隔が規定されていて、除算の形成による測定値と信号値にしたがって、特性変数が算定され、この特性変数は、予設定された目標値と比較され、及び特性変数が、予設定された目標値から偏倚する際、コンデンサブッシングのエラーを表示する通知信号が形成される。この設備では、導電層に接続されている測定タップが設けられている。この測定タップは、電気測定変数を生成するための測定装置に接続されている。この場合、測定タップとアース電位との間に存在するインピーダンスが、インピーダンス装置を有する。切替装置が、このインピーダンス装置に付設されている。インピーダンス装置は、固体インピーダンスを有する。この固体インピーダンスは、切替装置によって測定タップに接続可能であり、測定タップから分離可能である。この切替装置は、制御装置に接続されている。当該コンデンサブッシングを監視するため、このインピーダンス装置は、最初は第一測定状態にある。この第一測定状態では、この切替装置が開かれていて、当該固体インピーダンスが、当該測定タップに接続されていない。この第一測定状態において、第一の時点で、電気的測定量の測定値が、検出され、及び測定設備内のメモリ内に記憶される。この測定量は、ここでは、アース電位に対する測定タップに印加される電圧である。このインピーダンス設備の測定状態において、インピーダンスは、容量と測定機器の内部抵抗の並列回路によって形成される。この測定状態におけるインピーダンスは、不変のインピーダンスとして記される。測定量を検出した後で、インピーダンス設備は、第二測定状態に移行される。このため、制御装置は、切替装置を制御して閉じられている状態に移行される。これにより、固体インピーダンスが、当該測定タップに導電性に接続されている。このとき、インピーダンスは、測定装置の静電容量及び内部抵抗と固定インピーダンスとの並列回路から構成される。この第二測定状態において、第二の時点で、測定設備によって、形成される測定信号の信号値が、検出され、及び同様に記憶される。測定信号は、アース電位に対する測定タップに印加される電圧である。この第二測定状態におけるインピーダンスは、変更されたインピーダンスとして記される。
【０００８】
この公知の方法及び、この公知の装置において、コンデンサブッシングで発生する作動電圧は、測定信号に作用し、激しく変動し得るので、測定タップで検出された測定値は、激しく変動し得る。そうして、監視コンデンサブッシングの確実な監視は、保証されていない。
独国特許出願公開第３６０１９３４号は、連続して監視するコンデンサブッシング装置を記載している。このコンデンサブッシング設備は、３つのコンデンサブッシングを含み、これらコンデンサブッシングは、其々が埋設された複数のコンデンサ層を有する巻線本体から成る。このコンデンサブッシング設備は、其々が、１つの測定端子を有し、この測定端子は、最後の外側のコンデンサ層と接続されている。このコンデンサブッシング設備は、各コンデンサブッシクングの最後の外側のコンデンサ層と接地されたフランジとの間にフランジ容量を有し、このコンデンサブッシング設備では、３つのコンデンサブッシングの測定端子が、それぞれ１つの平衡コンデンサを介して、アース電位に設定可能である人工の１つのスターポイントに接続されていることが提唱されている。アース電位に設定し得、この場合、１つの測定装置が、人口のスターポイントとアース電位との間に配置されている。この測定装置が、複数のコンデンサ層の静電容量の変化時に、コンデンサブッシング装置の全体を遮断するトリガ装置に接続されていることが提案されている。
【０００９】
米国特許出願公開第４７５７２６３号は、高電圧ブッシングの絶縁特性を監視するために、容量値が、定められることを解説している。
【００１０】
国際出願公開第２０１５０７１２５３号は、三相交流電流網用のコンデンサブッシングを監視するための方法及び設備を解説し、各コンデンサブッシングが、交流電流網の電流網配線の１つと接続されている導体、及び導通する内層を有し、この内層は、導体を包囲する。この方法は、以下のステップを有する。
−各コンデンサブッシングのために、上部静電容量と下部静電容量が算出され；
−各コンデンサブッシングに、測定電圧が検出され、及び／又は測定され、この測定電圧は、其々の内層と接地電位の間で存在していて；
−各コンデンサブッシングのために、実際容量が、算定され、この実際容量は、其々の測定電圧、其々の下部静電容量及び、他のコンデンサブッシングの１つの測定電圧、下部静電容量及び上部静電容量に依存し；
−各コンデンサブッシングのために、其々の上部静電容量が、其々の実際容量と比較され；
−監視信号が生成され、この監視信号は、容量比較の結果に依存する。
【００１１】
この公知の方法と、この公知の設備において、コンデンサブッシングの上部静電容量とコンデンサブッシングの実際容量は、稼働中において相互に比較される。実際容量が万一、変化すると、相応するコンデンサブッシングの破損が推量され得る。
【００１２】
これらを背景として、本発明は、独立請求項の対象を提案する。本発明の実施形態は、従属請求項において解説されている。
【００１３】
本発明は、第一の観点にしたがって、交流電流網用のコンデンサブッシングの監視のための方法を提案し、
−交流電流網が、第一の、第二の、及び第三の位相を有し、及び
・第一の電流網配線を含み、この第一の電流網配線に第一の位相と第一のコンデンサブッシングが、付設されていて及び、第一の電源電圧を印加し；
・第二の電流網配線を含み、この第二の電流網配線に第二の位相と第二のコンデンサブッシングが、付設されていて及び、第二の電源電圧を印加し；
・第三の電流網配線を含み、この第三の電流網配線に第三の位相と第二のコンデンサブッシングが、付設されていて及び、第三の電源電圧を印加し；
−これらコンデンサブッシングが、以下の：
・付設された電流網配線に接続された導体，
・この導体を含む導通する内層を含み；
−これら位相の各位相に対し
・予設定された最初の時点ｔ０で、其々のコンデンサブッシングにとって特徴的である特性変数のために、相応する特性値が算出され；
・その後、又は予設定されたタイムスパンの経過後、又は１つの、又は予設定された、より後の時点ｔｎで、最初の時点後に、特性変数のために、相応する正規化された特性値が、其々の特性値及び／又は残りの特性値の少なくとも１つに依存して算出され；
・正規化された特性値は、許容不可能に変わったかどうかが検査される。
【００１４】
三相交流電流網において、≫隣接された≪という概念は、相応するインジケータシステムの予設定された回転方向に関連して定義されていて、例えば第二の位相Ｂは、第一の位相Ａに隣接し、第三の位相Ｃは、第二の位相Ｂに、及び第一の位相Ａは、第三の位相Ｃに隣接するように定義されている。
【００１５】
本発明は、第一の観点にしたがって、交流電流網用のコンデンサブッシングの監視のための設備を提案し、
−交流電流網が、第一の、第二の、及び第三の位相を有し、及び
・第一の電流網配線を含み、この第一の電流網配線に第一の位相と第一のコンデンサブッシングが、付設されていて及び、第一の電源電圧を印加し；
・第二の電流網配線を含み、この第二の電流網配線に第二の位相と第二のコンデンサブッシングが、付設されていて及び、第二の電源電圧を印加し；
・第三の電流網配線を含み、この第三の電流網配線に第三の位相と第二のコンデンサブッシングが、付設されていて及び、第三の電源電圧を印加し；
−これらコンデンサブッシングが、以下の：
・付設された電流網配線に接続された導体；
・この導体を含む導通する内層を含み；
−この設備が以下の：
・コンデンサブッシングに連接されている評価設備を含み；
−評価設備は、これら各コンデンサブッシングために、
・予設定された最初の時点ｔ０で、其々のコンデンサブッシングにとって特徴的である特性変数のために、相応する特性値を算出し得るように形成されていて；
・その後、又は予設定されたタイムスパンの経過後、又は１つの、又は予設定された、より後の時点ｔｎで、最初の時点ｔ０後に、特性変数のために、相応する正規化された特性値を、其々の特性値及び／又は残りの特性値の少なくとも１つに依存して算出し；
・正規化された特性値が、許容不可能に変更したことを検査し得る。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、コンデンサブッシングのより良い監視を実現する。なぜなら、正規化された特性値は、より後の特性値との比較において、試験における測定環境と稼働中の測定環境間の相異と稼働中の其々の測定環境に著しくより低度に依存するからである。
各コンデンサブッシングは、必要に応じて、任意の種類及び方式で形成されていて、及び例えば少なくとも１つの追加の内層を有し、この内層は、特に内層と導体の間に設けられていて、結果として、この１つの内層が、最も外側の内層を示している。
特性値の算出は、必要に応じて、任意の種類及び方式で行われ得、例えば電流網配線の少なくとも１つに、及び／又は少なくとも１つの内層に、及び／又は、好ましくは損傷していない若しくは欠陥のない１つのコンデンサブッシングを測定することによって、又はコンデンサブッシングのデータシートからデータを取り出すことによって、又は経験値を設定することによって、又は方法の先行する進行過程から受け取ることによって、必要に応じて、任意の種類及び方式で行われ得る。代替的、又は追加的に、少なくとも１つの特性値の算出、例えば他の特性値の少なくとも１つの算出の前、若しくはは後、若しくは他の特性値の少なくとも１つの算出と同時に、及び／又は、少なくとも１つの電圧の検出の前、若しくは後、若しくは少なくとも１つの電圧の検出と同時に行われ得る。
【００１７】
変更は、例えば予設定された分量、又は限界値、又は許容値を上回る時、許容不可能である。
本発明の実施形態において、監視信号が、この検査の結果に依存して生成されることが詳説されている。
【００１８】
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００１９】
監視信号は、例えば聴覚的信号、及び／又は視覚的信号、及び／又は電子的信号として、必要に応じて、任意の種類及び方式で形成されていることが可能である。
【００２０】
監視信号の生成後、好ましくは新たな、又は次の、又は別の方法の進行過程が行われる。
本発明の実施形態において、
−これら位相の各位相に対し
・ある時点又は予設定された、最初の時点ｔ０の後のより後の時点ｔｎで、特性変数のために、相応する、より後の特性値が、算出され；
・正規化された特性値の算出は、追加的に其々のより後の特性値、及び／又は残りの、より後の特性値の少なくとも１つに依存することが詳説されている。
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００２１】
本発明の実施形態において、
−これら位相の各位相に対し
・１つの時点で、又は最初の時点で、参照電圧のために、相応する最初の参照電圧値が算出され；
・正規化された特性値の算出は、追加して、其々の最初の参照電圧値及び／又は残りの最初の参照電圧値の少なくとも１つに依存する。
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００２２】
本発明の実施形態において、各参照電圧が、其々の電源電圧に依存することが詳説されている。
【００２３】
本発明の実施形態において、
−各参照電圧が、其々の電源電圧であり；
−これら位相の各位相に対し
・最初の時点で、電源電圧が検出され、及び相応する最初の電源電圧値が算出され；
・最初の電源電圧値が、其々の最初の参照電圧値を形成することが詳説されている。
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００２４】
本発明の実施形態において、
−第一の電流網配線に、第一の平行コンデンサブッシングが、付設されていて；
−第二の電流網配線に、第二の平行コンデンサブッシングが、付設されていて；
−第三の電流網配線に、第三の平行コンデンサブッシングが、付設されていて；
−これら各平行コンデンサブッシングが、以下の：
・付設された電流網配線に接続された導体，
・この導体を含む導通する内層；
−各参照電圧が、其々の平行コンデンサブッシングの内層と接地電位の間に設けられている平行内層電圧であり；
−これら位相の各位相に対し
・最初の時点で、平行内層電圧が、検出され、及び相応する最初の平行内層電圧値が、算出され；
・最初の平行内層電圧値が、其々の最初の参照電圧値を形成する。
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００２５】
この平行コンデンサブッシングは、例えば３つのコンデンサブッシングを介して、３つの位相に接続されている第一の電気機器に加えて、ここでは平行機器としても記される第二の電気機器を、第一の機器に平行に、３つの位相に接続するためにある。平行内層電圧値が、最初の参照電圧値を形成するので、電源電圧を検出することが断念され得る。この事は、比較的少ない測定機器が、使用される必要があるので、費用の節約、及び簡易化された維持管理、及び保全に繋がる。
【００２６】
本発明の実施形態において、この各位相のために、参照電圧が、定電圧であり、この電圧のために、相応する定電圧値は、予設定される。
【００２７】
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
本発明の実施形態において、定電圧値は、交流電流網の名目電圧値に等しいことが詳説されている。
【００２８】
本発明の実施形態において、
−これら位相の各位相に対し
・１つの時点で、又は最初の時点で、其々の内層と接地電位の間で存在する内層電圧が検出され、及び相応する最初の内層電圧値が算出され；
・正規化された特性値の算出は、追加的に、其々の最初の内層電圧値に、及び／又は残りの最初の内層電圧値の少なくとも１つに依存することが詳説されている。
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００２９】
少なくとも１つの内層電圧の検出は、例えば他の内層電圧の少なくとも１つの検出の前、若しくは後、若しくは有利にも他の内層電圧の少なくとも１つの検出と同時に、及び／又は少なくとも１つの特性値の算出の前、若しくは後、若しくは少なくとも１つの特性値の算出と同時に、必要に応じて任意の種類及び方式で行われ得る。
【００３０】
本発明の実施形態において、
−測定設備が、これら内層に連接し、及び各位相のために、内層電圧を検出し得、この内層電圧は、其々の内層と接地電位の間で存在していて；
−これら位相の各位相に対し
・外側コンデンサは、其々の内層と接地電位又は導通するフランジによって形成されていて、このフランジは、コンデンサブッシングの外面に固定されていて、及び接地電位において印加していて；
・下位電圧コンデンサは、並列回路によって形成されていて、この並列回路は、測定設備と外側コンデンサを含み；
・１つの時点、又は最初の時点で、下位電圧コンデンサの下部静電容量のために、相応する下部静電容量値が算出され；
・正規化された特性値の算出は、追加的に、其々の下部静電容量値、及び／又は、残りの下部静電容量値の少なくとも１つに依存することが詳説されている。
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００３１】
各コンデンサブッシングのための下部静電容量は、必要に応じて、任意の種類及び方式で定義されていることが可能で、例えば並列回路の容量として、この並列回路は、測定設備及び外側コンデンサを有し、この外側コンデンサは、其々の最も外側の内層と接地電位によって、又は其々の最も外側の内層と導通するフランジによって形成される。通常、下部静電容量は、１と５μＦの間にあるが、この下部静電容量は、必要に応じて別の値も有し得、及び例えば０，１μＦと５０μＦの間、又は０，２μＦと２０μＦの間、又は０，５μＦと１０μＦの間にあり得る。代替的、又は追加的に、この各下部静電容量と他の下部静電容量少なくとも１つは、等しい、又は等しくないことが可能である。例えば、下部静電容量は、１：２：３又は１：２：４又は１：２：５又は１：３：５又は１：３：７又は１：３：９又は１：４：７又は１：４：９の比率で相対していることが可能である。
【００３２】
下部静電容量値の算出は、例えば測定によって、好ましくは損傷していない若しくは欠陥のない１つのコンデンサブッシングを測定することによって、又はコンデンサブッシングのデータシートからデータを取り出すことによって、又は経験値を設定することによって、又は方法の先行する進行過程から受け取ることによって、必要に応じて、任意の種類及び方式で行われ得る。代替的、又は追加的に、少なくとも１つの下部静電容量値の算出は、例えば他の下部静電容量値の少なくとも１つの算出の前、若しくは後、若しくは他の下部静電容量値の少なくとも１つの算出と同時に、及び／又は少なくとも１つの上部静電容量値の算出の前、若しくは後、若しくは少なくとも１つの上部静電容量値の算出と同時に、及び／又は少なくとも１つの内層電圧の検出の前、若しくは後、若しくは少なくとも１つの内層電圧の検出と同時に行われ得る。
【００３３】
本発明の実施形態において、
−これら位相の各位相に対し
・上位電圧コンデンサは、其々の内層と導体によって形成されていて；
・其々の特性変数は、其々の上位電圧コンデンサの上部静電容量と其々の特性値は、相応する上部静電容量値である。
各コンデンサブッシングのための上部静電容量は、必要に応じて、任意の種類及び方式で定義されていることが可能で、例えばコンデンサの容量として定義されていることが可能で、このコンデンサは、其々の内層と其々の導体によって形成され、及びここでは上位電圧コンデンサとして記される。通常、上部静電容量は、２００と６００ｐＦの間にある。
【００３４】
コンデンサブッシングが、少なくとも１つの追加の内層を有する場合、上部静電容量は、例えば直列回路の容量としても定義されていることが可能で、この直列回路は、其々に２つの隣接する内層によって形成されるコンデンサを有し、及び追加の内層の最も内側と導体によって形成されているコンデンサを有し、及びここでは、同様に上位電圧コンデンサとして記される。
好ましくは、上部静電容量値は、より後の時点で稼働中に算出され、正規化された上部静電容量値と比較される。正規化された上部静電容量値が万一、変化すると、相応するコンデンサブッシングの破損が推量され得る。
【００３５】
本発明の実施形態において、
−ある時点で又は、より後の時点ｔｎで、この各位相のために、
・内層電圧，特に測定設備の補助で、検出され、及び相応する、より後の内層電圧値が算出されることが詳述されて；
第一のコンデンサブッシング（２ａ）の正規化された上部静電容量値は、以下の式にしたがって算定される：
【数１】
2020512542.tif 000003
を伴い、
Ｋａが、予設定され、定数の又は変数の第一の補正値であり；及び／又は
第二のコンデンサブッシング（２ｂ）の正規化された上部静電容量値は、以下の式にしたがって算定される：
【数２】
2020512542.tif 000004
を伴い、
Ｋｂが、予設定され、定数の又は変数の第二の補正値であり；及び／又は
第三のコンデンサブッシング（２ｃ）の正規化された上部静電容量値は、以下の式にしたがって算定される：
【数３】
2020512542.tif 000005
を伴い、
Ｋｃが、予設定され、定数の又は変数の第三の補正値であり；
−Ｂａ，Ｂｂ及びＢｃが、第一の、第二の、及び第三の下部静電容量値であり；
−Ｃａ，Ｃｂ及びＣｃが、第一の、第二の、及び第三の上部静電容量値であり；
−Ｒａ（ｔ０），Ｒｂ（ｔ０）及びＲｃ（ｔ０）が、第一の、第二の、及び第三の最初の参照電圧値であり；
−Ｖａ（ｔｎ），Ｖｂ（ｔｎ）ｕｎｄＶｃ（ｔｎ）が、第一の、第二の、及び第三のより後の参照電圧値であり；
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００３６】
本発明の実施形態において、
−Ｋａ＝１が成立し；又は
−Ｋａ＝Ｒｂ（ｔｎ）／Ｒａ（ｔｎ）が成立し、
・Ｒａ（ｔｎ）は、より後の、第一の参照電圧値であり、この参照電圧値は、１つの時点で、又はより後の時点ｔｎで、第一の位相に付設された第一の参照電圧のために算出され；
・Ｒｂ（ｔｎ）は、より後の、第二の参照電圧値であり、この参照電圧値は、このより後の時点ｔｎで、第二の、第一の位相に隣接する位相に付設された第二の参照電圧のために算出され；
及び／又は、
−Ｋｂ＝１が成立し；又は
−Ｋｂ＝Ｒｃ（ｔｎ）／Ｒｂ（ｔｎ）が成立し、
・Ｒｂ（ｔｎ）は、より後の、第二の参照電圧値であり、１つの時点で、又は、より後の時点ｔｎで、この第二の参照電圧は、第二の位相に付設された第二の参照電圧のために算出され、；
・Ｒｃ（ｔｎ）は、より後の、第三の参照電圧値であり、より後の時点ｔｎで、第三の、第二の位相に隣接する位相に付設された第三の参照電圧のために算出され；
及び／又は、この場合
−Ｋｃ＝１が成立し；又は
−Ｋｃ＝Ｒａ（ｔｎ）／Ｒｃ（ｔｎ）が成立し、ここで
・Ｒａ（ｔｎ）は、より後の、第三の参照電圧値であり、この参照電圧値は、１つの時点で、又はより後の時点ｔｎで、第三の位相に付設された第三の参照電圧のために算出され；
・Ｒｂ（ｔｎ）は、より後の、第一の参照電圧値であり、この参照電圧値は、このより後の時点ｔｎで、第一の、第三の位相に隣接する位相に付設され、第一の参照電圧のために算出され；
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００３７】
第２の選択肢、すなわち２つの電源電圧の除算が成立する１つの補正値は、当該２つの電源電圧間の非対称性及び／又は偏差の自動補正及び／又は自動補償を提供する及び／又は可能にする。これによって、其々の、より後の正規化された上部静電容量値のさらに、より正確な算定が実現され得る。
【００３８】
本発明の実施形態において、検査に際して、其々の正規化された特性値が、其々の特性値と比較されることが詳説されている。
【００３９】
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００４０】
本発明の実施形態において、
−許容値ＣＡ＞０，ＣＢ＞０，ＣＣ＞０が、特性値比較のために定められ；
−特性値比較が、次の
【数４】
2020512542.tif 000006
を成立すると結論付ける場合、
監視信号が、生成され、この監視信号は、コンデンサブッシングが、正常な状態にあることを表示する。
【００４１】
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００４２】
そうして、許容値の特定後に、特性値比較が、試験ステップで、評価され、このことは、ここでも、第一の評価として記され、及び、この第一の評価の結果に依存する監視信号が生成される。
この各許容値ＣＡ、ＣＢ、ＣＣは、必要に応じて、任意の種類及び方式で定められ得、及び例えば其々の特性値Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃの、又は特性値Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃの平均値の０．００１％又は０．００２％又は０．００３％又は０．００４％又は０．００５％又は０．００７％又は０．０１％又は０．０１２％又は０．０１５％又は０．０２％に相応する値に定められ得る。この平均値は、必要に応じて、例えば算術的方策、又は幾何学的方策、又は調和的方策、又は２次元的方策で、任意に選択されていることが可能である。この各許容値と他の許容値の少なくとも１つは、等しい、又は等しくないことが可能である。
【００４３】
本発明の実施形態において、他の場合に、監視信号が生成され、この監視信号は、少なくとも１つのコンデンサブッシングが、正常な状態にないことを表示することが詳述されている。
好ましくは、評価設備は、これを実行できるように形成されている。
【００４４】
こうして、試験された場合が、存在しないことを、第一の評価が結論付ける場合に、この監視信号は、生成される。
【００４５】
本発明の実施形態において、
−許容値ＣＡ＞０，ＣＢ＞０，ＣＣ＞０が、特性値比較のために定められ；
−特性値比較が、
【数５】
2020512542.tif 000007
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、少なくとも第二のコンデンサブッシングが、正常な状態にないことを表示し；
−特性値比較が、
【数６】
2020512542.tif 000008
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、少なくとも第三のコンデンサブッシングが、正常な状態にないことを表示し；
−特性値比較が、
【数７】
2020512542.tif 000009
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、少なくとも第一のコンデンサブッシングが、正常な状態にないことを表示し；
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００４６】
そうして、許容値の特定後に、特性値比較が、４つの試験ステップで、評価され、このことは、ここでも、第二の評価として記され、及び、この第二の評価の結果に依存する監視信号が生成される。これら試験ステップの各ステップは、必要に応じて、任意の種類及び方式で行われ、例えば少なくとも１つの他の試験ステップ前、又は後、又は、少なくとも１つの他の試験ステップと同時に行われる。
【００４７】
この各許容値ＣＡ、ＣＢ、ＣＣは、必要に応じて、任意の種類及び方式で定められ得、及び例えば其々の特性値Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃの、又は特性値Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃの平均値の０．００１％又は０．００２％又は０．００３％又は０．００４％又は０．００５％又は０．００７％又は０．０１％又は０．０１２％又は０．０１５％又は０．０２％に相応する値に定められ得る。この平均値は、必要に応じて、例えば算術的方策、又は幾何学的方策、又は調和的方策、又は２次元的方策で、任意に選択されていることが可能である。この各許容値と他の許容値の少なくとも１つは、等しい、又は等しくないことが可能である。既に一度、許容値ＣＡ、ＣＢ、ＣＣが、例えば、第一の、又は、さらに下で解説された第三の評価のために定められた場合、これらの許容値は、好ましくは、この第二の評価のためにも引き継がれ得る。
【００４８】
他の場合に、監視信号が生成され、この監視信号は、少なくとも２つのコンデンサブッシングが、正常な状態にないことを表示する。
【００４９】
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００５０】
こうして、試験された場合が、存在しないことを、第二の評価が結論付ける場合に、この監視信号は生成される。
【００５１】
本発明の実施形態において、
−許容値ＣＡ＞０，ＣＢ＞０，ＣＣ＞０が、特性値比較のために定められ；
−特性値比較が、
【数８】
2020512542.tif 000010
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、第一の、及び第三のコンデンサブッシングが、正常な状態になく、且つ同種のエラーを有することを表示し；
−特性値比較が、
【数９】
2020512542.tif 000011
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、第二の、及び第一のコンデンサブッシングが、正常な状態になく、且つ同種のエラーを有することを表示し；
−特性値比較が、
【数１０】
2020512542.tif 000012
を成立するとして結論付ける場合、監視信号が生成され、この監視信号は、第三の、及び第二のコンデンサブッシングが、正常な状態になく、且つ同種のエラーを有することを表示することが詳説されている。
【００５２】
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００５３】
そうして、許容値の特定後に、特性値比較が、３つの試験ステップで、評価され、このことは、ここでも、第三の評価として記され、及び、この第三の評価の結果に依存する監視信号が生成される。これら試験ステップの各ステップは、必要に応じて、任意の種類及び方式で行われ、例えば少なくとも１つの他の試験ステップ前、又は後、又は、少なくとも１つの他の試験ステップと同時に行われる。
【００５４】
この各許容値ＣＡ、ＣＢ、ＣＣは、必要に応じて、任意の種類及び方式で定められ得、及び例えば其々の特性値Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃの、又は特性値Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃの平均値の０．００１％又は０．００２％又は０．００３％又は０．００４％又は０．００５％又は０．００７％又は０．０１％又は０．０１２％又は０．０１５％又は０．０２％に相応する値に定められ得る。この平均値は、必要に応じて、例えば算術的方策、又は幾何学的方策、又は調和的方策、又は２次元的方策で、任意に選択されていることが可能である。この各許容値と他の許容値の少なくとも１つは、等しい、又は等しくないことが可能である。既に一度、許容値ＣＡ、ＣＢ、ＣＣが、例えば、第一の、又は第二の評価のために定められた場合、これらの許容値は、好ましくは、この第二の評価のためにも引き継がれ得る。
【００５５】
本発明の実施形態において、
−正規化された特性値の算出の前の１つの媒介的時点ｔ１で、特に１つの時点、又は最初の時点で、
・これら位相の各位相に対し、参照電圧が検出され、及び相応する媒介的参照電圧値が算出され；
・この媒介的参照電圧値が、相互において比較され；
・正規化された特性値の算出は、これら比較が、これら媒介的参照電圧値が、予設定され分量を上回って偏倚しないことを結論付ける場合に行われることが詳説されている。
【００５６】
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００５７】
電源電圧のこの比較は、ある時点が、特定され、この時点で本来の監視、つまり特に、正規化された特性値の算出と検査と監視信号の生成が、特に有利で、又は好適であり、何故なら、この監視は、予設定された分量を越えて、相互に偏倚する参照電圧によって困難にされず、阻止され又は不可能にさえされることを実現するからである。これによって、電圧の変動から又は、電源電圧の故障からさえ、及び電圧の検出に際する測定公差から独立して、コンデンサブッシングの状態についてのより良い通報がなされる得ることが実現される。
【００５８】
少なくとも１つの電源電圧の検出は、必要に応じて任意の種類及び方式で行われ得、例えば他の電源電圧の少なくとも１つの検出の前、若しくは後、若しくは有利にも他の電源電圧の少なくとも１つの検出と同時に、及び／又は少なくとも１つの上部静電容量の算出の後、若しくは少なくとも１つの上部静電容量の算出と同時に、若しくは少なくとも１つの上部静電容量の算出の前、及び／又は少なくとも１つの下部静電容量の算出の後、若しくは少なくとも１つの下部静電容量の算出と同時に、若しくは有利にも少なくとも１つの下部静電容量の算出の前、及び／又は少なくとも１つの下部静電容量の算出の後、若しくは少なくとも１つの下部静電容量の算出と同時に、若しくは、有利にも少なくとも１つの内層電圧の検出の前に行われ得る。
【００５９】
本発明の実施形態において、
−この電圧比較は、
・許容値ＲＡＢ＞０，ＲＢＣ＞０，ＲＣＡ＞０が、其々の分量として定められるように行われることが詳説されていて；
【数１１】
2020512542.tif 000013
が成立するかどうか試験され、；
−Ｒａ（ｔ１）が、第一の位相の媒介的参照電圧値であり；
−Ｒｂ（ｔ１）が、第二の位相の媒介的参照電圧値であり；
−Ｒｃ（ｔ１）が、第三の位相の媒介的参照電圧値である。
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００６０】
この各許容値ＵＡＢ、ＵＢＣ、ＵＣＡは、必要に応じて、任意の種類及び方式において定められ得、及び例えば或る値に定められ、この値は其々の電源電圧Ｕａｅ、Ｕｂｅ、Ｕｃｅの名目値の０，１％又は０，２％又は０，５％又は１％又は２％又は３％又は４％又は５％又は７％又は１０％又は１５％又は２０％又は２５％又は３０％又は４０％又は５０％に相応するように行われる。この各許容値と他の許容値の少なくとも１つは、等しい、又は等しくないことが可能である。
これら各補正値は、必要に応じて、任意に選択されていることが可能である。補正値のために、例えば其々に第一の選択肢、つまりＫａ＝Ｋｂ＝Ｋｃ＝１が選択される場合、好ましくは電圧の比較が、実際の監視の前に実行されなければならず、このとき、さらに好ましくは、許容値ＵＡＢ、ＵＢＣ、ＵＣＡの各許容値が、それぞれの電源電圧Ｕａｅ、Ｕｂｅ、Ｕｃｅの定格値の、例ば０．１％又は０．２％又は０．５％又は１％又は２％又は３％又は４％又は５％又は７％又は１０％に相当する、さらに小さい値に設定されなければならない。補正値のために、例えば其々に第二の選択肢、つまりＫａ＝Ｕｂ／Ｕａ及びＫｂ＝Ｕｃ／Ｕｂ及びＫｃ＝Ｕａ／Ｕｃが選択される場合、必要に応じて、実際の監視の前に、電圧比較が省略され得る、又は電圧比較が、実際の監視の前に実行され、このとき、好ましくは許容値ＵＡＢ、ＵＢＣ、ＵＣＡの各許容値が、それぞれの電源電圧Ｕａｅ、Ｕｂｅ、Ｕｃｅの定格値の、例えば２％又は３％又は４％又は５％又は７％又は１０％又は１５％又は２０％又は２５％又は３０％又は４０％又は５０％に相当する、さらに大きい値に設定され得る。
本発明の実施形態において、電圧比較において、効果値及び／又は波高値及び／又は参照電圧の振幅は、この其々の参照電圧値として使用されることが詳説されている。
【００６１】
好ましくは、評価設備は、これを実施し得るように形成されている。
【００６２】
本発明の実施形態において、
−これら各特性変数は、其々のコンデンサブッシングの誘電正接であることが詳説されている。
提案される設備の実施形態において、この設備は以下の：
−第一の電流網配線に接続され得る第一の電圧コンバータ；
−第二の電流網配線に接続され得る第二の電圧コンバータ；
−第三の電流網配線に接続され得る第三の電圧コンバータ；
−電圧コンバータと測定設備に連接している評価設備を含み；
この際、
−其々の位相のためのこれら各電圧コンバータが、電源電圧を検出し得；
−各参照電圧が、其々の電源電圧であり；
−評価設備は、これら各コンデンサブッシングために、
・最初の時点ｔ０で、電源電圧を、其々の電圧コンバータの補助で検出し得、及び相応する最初の電源電圧値算定し得るように形成されていて；
−これら位相の各位相に対し
・最初の電源電圧値が、其々の最初の参照電圧値を形成することが詳説されている。
提案される設備の実施形態において、
−第一の電流網配線に、第一の平行コンデンサブッシングが、付設されていて；
−第二の電流網配線に、第二の平行コンデンサブッシングが、付設されていて；
−第三の電流網配線に、第三の平行コンデンサブッシングが、付設されていることが詳説されていて；
−これら各平行コンデンサブッシングが、以下の：
・付設された電流網配線に接続された導体，
・この導体を含む導通する内層；
−この設備が以下の：
・第一の平行コンデンサブッシングの内層に接続され得る第一の平行測定アダプタ；
・第二の平行コンデンサブッシングの内層に接続し得る第二の平行測定アダプタ；
・第三の平行コンデンサブッシングの内層に接続し得る第三の平行測定アダプタ；
・平行測定アダプタに連接している測定設備；
−これら各位相のための測定設備が、其々の内層と接地電位の間に設けられている平行内層電圧を、其々の平行測定アダプタの補助で検出し得；
−各参照電圧は、随時の平行内層電圧であり；
−評価設備は、これら各コンデンサブッシングために、
・最初の時点で、平行内層電圧を、測定設備の補助で検出し、及び相応する最初の内層電圧値を算出し得るように形成されていて；
−これら位相の各位相に対し
・最初の平行内層電圧値が、其々の最初の参照電圧値を形成する。
この平行コンデンサブッシングは、例えば３つのコンデンサブッシングを介して、３つの位相に接続されている第一の電気機器に加えて、ここでは平行機器としても記される第二の電気機器を、第一の機器に平行に、３つの位相に接続するためにある。平行内層電圧値が、最初の参照電圧値を形成するので、電源電圧を検出するための分圧器が断念され得る。これは、測定機器が、いずれにせよ必要な測定アダプタと平行測定アダプタに加えて、利用される必要がないので、費用の節約、及び簡易化された維持管理、及び保全に繋がる。
提案される設備の実施形態において、この設備は以下の：
−第一のコンデンサブッシングの内層に接続され得る第一の測定アダプタ；
−第二のコンデンサブッシングの内層に接続され得る第二の測定アダプタ；
−第三のコンデンサブッシングの内層に接続され得る第三の測定アダプタ；
−１つの測定設備、又は測定アダプタに連接している測定設備；
この際、
−評価設備が、測定設備に連接していて；
−これら各位相のための測定設備が、其々の内層と接地電位の間に設けられている内層電圧を、其々の測定アダプタの補助で検出し得；
−評価設備は、これら各コンデンサブッシングために、
・１つの時点又は最初の時点で、内層電圧を、測定設備の補助で検出し得、及び相応する最初の内層電圧値を算定し得；
−これら位相の各位相に対し
・正規化された特性値の算出は、追加的に、其々の最初の内層電圧値に、及び／又は残りの最初の内層電圧値の少なくとも１つに依存する。
【００６３】
提案される設備は、必要に応じて、任意の種類及び方式で形成されていることが可能で、及び例えば少なくとも１つの別の測定設備、及び／又は、少なくとも１つの別の測定アダプタ、及び／又は、少なくとも１つの別の平行測定アダプタ、及び／又は、少なくとも１つの別の評価設備を有する。例えば各測定アダプタのために、固有の測定設備及び／又は固有の評価設備が設けられてい得る。代替的に、測定設備は、共通の測定設備として、少なくとも２つ、又は全ての測定アダプタのために、及び／又は少なくとも２つ、又は全ての平行測定アダプタのために形成されていることが可能である。
【００６４】
提案される設備の実施形態において、
−これら位相の各位相に対し
・外側コンデンサは、其々の最も外側の内層と接地電位又は導通するフランジによって形成されていて、このフランジは、其々のコンデンサブッシングの外面に固定されていて、及び接地電位に印加されていて；
・下位電圧コンデンサは、並列回路によって形成されていて、この並列回路は、測定設備と外側コンデンサを含み；
−評価設備は、これら各コンデンサブッシングために、
・１つの時点又は最初の時点で、下位電圧コンデンサの下部静電容量のために、相応する下部静電容量値を算定し得；
−これら位相の各位相に対し
・正規化された特性値の算出は、追加的に、其々の下部静電容量値、及び／又は、残りの下部静電容量値の少なくとも１つに依存することが詳説されている。
【００６５】
提案される設備の実施形態において、
−評価設備は、ある時点又は、より後の時点ｔｎにおいて、これら各位相のため
・内層電圧を、特に特に測定設備の補助で、検出し、及び相応する、より後の内層電圧値  を算定し得るように形成されていて；
−評価設備（８）は、第一のコンデンサブッシング（２ａ）の正規化された上部静電容量値を以下の式にしたがって算定するように形成されていて：
【数１２】
2020512542.tif 000014
を伴い、
Ｋａが、予設定され、定数の又は変数の第一の補正値であり；  及び／又は
−評価設備（８）は、第二のコンデンサブッシング  （２ｂ）の正規化された上部静電容量値を、以下の式にしたがって算定するように形成されていて：
【数１３】
2020512542.tif 000015
を伴い、
Ｋｂが、予設定され、定数の又は変数の第二の補正値であり；及び／又は
−評価設備（８）は、第三のコンデンサブッシング（２ｃ）の正規化された上部静電容量値を、以下の式にしたがって算定するように形成されていて：
【数１４】
2020512542.tif 000016
を伴い、
Ｋｃが、予設定され、定数の又は変数の第三の補正値であり；
−Ｂａ，Ｂｂ及びＢｃが、第一の、第二の及び第三の下部静電容量値であって；
−Ｃａ，Ｃｂ及びＣｃが、第一の、第二の及び第三の  上部静電容量値であって；
−Ｒａ（ｔ０），Ｒｂ（ｔ０）及びＲｃ（ｔ０）が、第一の、第二の、及び第三の最初の参照電圧値であり；
−Ｖａ（ｔｎ），Ｖｂ（ｔｎ）及びＶｃ（ｔｎ）が、第一の、第二の、及び第三のより後の参照電圧値であり；
提案される設備の実施形態において、これら各電圧コンバータは、容量性電圧コンバータとして、又は誘導電圧コンバータとして、又は抵抗電圧コンバータとして形成されていることが詳説されている。
【００６６】
各電圧コンバータは、必要に応じて、任意の種類及び方式で形成されていることが可能で、及び／又は多様な、適合する原則によって実現され得、若しくは実現されていることが可能である。電圧コンバータは、例えば誘導性、及び／又は容量性及び／又は抵抗性に構築されていることが可能で、及び／又は誘導性、及び／又は容量性、ａｐａｚｉｔｉｖｅ及び／又は抵抗性コンポーネント及び／又は構成部材を有し得る。有利には、電圧コンバータは、容量性分圧器を有し得、この分圧器は、直列に接続されている２つのコンデンサを有し得、及び、このコンデンサは、２つのコイル又は巻線を有し、これらコイル又は巻線は、電磁誘導式に電気絶縁するための変圧器として接続されている。
【００６７】
評価設備は、必要に応じて、任意の種類及び方式で形成されていることが可能で、例えば少なくとも２つの、又は全部の測定設備のための評価設備として、及び／又は少なくとも２つの、又は全部の電圧コンバータのために形成されていることが可能である。代替的、又は追加的に、この評価設備は、例えば上位評価装置、及び各位相のために、固有の下位評価装置を有し、この下位評価装置は、其々の位相に属する測定設備、其々の位相に属する電圧コンバータ及び上位評価装置に接続している。
【００６８】
提案される設備の実施形態において、測定設備が、少なくとも１つの測定コンデンサ及び／又は少なくとも１つの測定コイルを含むことが詳説されている。
【００６９】
提案される設備の実施形態において、
−測定設備は、以下の：
・第一の測定アダプタに接続されている第一の測定コイル；
・第二の測定アダプタに接続されている第二の測定コイル；
・第三の測定アダプタに接続されている第三の測定コイルを含み；
−これら３つの測定コイルの誘導性インダクタンスが、不等であることが詳説されている。
提案される設備の実施形態において、３つの誘導性インダクタンスは、１：２：３又は１：２：４又は１：２：５又は１：３：５又は１：３：７又は１：３：９又は１：４：７又は１：４：９の比率で相対していることが詳説されている。
【００７０】
提案される設備の実施形態において、
−測定設備は、以下の：
・第一の測定アダプタに接続されている第一の測定コンデンサ；
・第二の測定アダプタに接続されている第二の測定コンデンサ；
・第三の測定アダプタに接続されている第三の測定コンデンサを含み；
−この３つの測定コンデンサの容量は、不等であることが詳説されている。
提案される設備の実施形態において、３つの容量は、１：２：３又は１：２：４又は１：２：５又は１：３：５又は１：３：７又は１：３：９又は１：４：７又は１：４：９の比率で相対していることが詳説されている。
【００７１】
測定コンデンサの少なくとも１つの容量は、好ましくは、其々の外側コンデンサの容量を、幾倍分、上回る。
【００７２】
通常、測定コンデンサの容量は、１と５μＦの間にあるが、この下部静電容量は、必要に応じて別の値も有し得、及び例えば０，１μＦと５０μＦの間、又は０，２μＦと２０μＦの間、又は０，５μＦと１０μＦの間にあり得る。
【００７３】
測定コンデンサの容量は、必要に応じて、任意の種類及び方式で選択されていることが可能である。そうして、例えば各位相において、測定アダプタが、この測定アダプタにのみ付設されている固有の測定コンデンサに接続されていて及び、これら３つの測定コンデンサが、共通の測定設備の中でまとめられていて、又は測定アダプタに付設されている３つの固有の測定設備において、配分されている場合のために、これら３つの測定コンデンサの容量は、等しいことがあり得、又は、これら容量の二つは等しく、並びに第三の容量に等しくないことがあり得、又は３つ全ての容量が等しいことがあり得る。これは、相似して、測定コイルに、及び、これらの誘導性インダクタンスに該当する。
【００７４】
提案される各設備によって、例えば提案される方法の１つが実行され得る。提案される各設備は、例えば、提案される方法の１つを実施する又は実施し得るように、形成されていることが可能で、又は、提案される方法の１つを実施する又は実施し得るように機能することが可能で、提案される方法の１つを実施する又は実施し得ることに適合されていることが可能である。
本発明の観点の１つに関する説明は、この観点の特に個々の特徴に関して、本発明の別の観点に相応して、相似しても該当する。
【００７５】
下記において、本発明の実施形態は、例えば添付された図面によって、より詳細に解説される。但し、そこから生起する個々の特徴は、個々の実施形態に限定されず、さらに上で解説された個々の特徴と、又は他の実施形態の個々の特徴と接続され、又は組み合わせられ得る。図面における細部は、解説的にのみに解釈されるべきで、限定的に解釈されるべきではない。請求項に含まれる参照符号は、本発明の保護領域を限定してはならず、単に図面に示された実施形態を指し示している。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】三相交流電流網用のコンデンサブッシングを監視するための設備の第一の実施形態である。
【図２】図１の設備の一部である。
【図３】下位電圧コンデンサと上位電圧コンデンサを有する図２の第一のコンデンサブッシングのための等価回路である。
【図４】三相交流電流網用の監視方法の実施形態のフローチャートである。
【図５】この設備の第二の実施形態
【００７７】
図１において、例えば３つの位相Ａ，Ｂ，Ｃを有する交流電流網用のコンデンサブッシング２ａ，２ｂ，２ｃを監視するための設備１の第一の実施形態が、概略的に示されている。コンデンサブッシング２ａ，２ｂ，２ｃは、この実施形態において、交流電流網用の（不図示の）電気的機器に属し、この機器は、ここでは、例えば高電圧変換設備である。このようなコンデンサブッシング２ａ，２ｂ，２ｃは、例えば僅かな数ｋＶ〜数千ｋＶの領域における高電圧において使用される。交流電流網は、ここでは例えば高電圧電源である。各コンデンサブッシング２ａ，２ｂ，２ｃは、交流電流網の３つの位相のＡ，Ｂ，Ｃに付設されていて、及び導体４を有し、この導体は、交流電流網の其々の電流網配線５ａ，５ｂ，５ｃに接続されていて、及び数個の導通する内層を有し、これら内層は、数個の層又は膜における導体４を包囲し及び、それらの内の最も外の内層３だけが表示されている。
【００７８】
設備１は、評価設備８、及び各位相Ａ，Ｂ，Ｃのために、測定設備７及び測定アダプタ６を有し、この測定アダプタは、其々の位相に属するコンデンサブッシング２ａ，２ｂ，２ｃの内層３に接続されている。各測定アダプタ６は、其々の位相Ａ，Ｂ，Ｃのための第一の電気的測定量を検出するために其々の測定設備７に接続されている。これら第一の測定量は、ここでは電圧であり、これら電圧は其々に、さらに下で解説されていて、且つ図３に示されている其々の位相Ａ，Ｂ，Ｃの下位電圧コンデンサを印加し、且つ、ここでも内層電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃとして記される。評価設備８は、内層電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃを評価設備８に伝達するために各測定設備７と接続されていて及び、そうして全ての測定設備７ために共通の評価設備８を形成する。
【００７９】
この実施形態において、設備１は、加えて各位相Ａ，Ｂ，Ｃのために、電圧コンバータ９ａ，９ｂ，９ｃを有し、この電圧コンバータは、其々の位相Ａ，Ｂ，Ｃのための第二の電気測定大きさを検出するために、其々の電流網配線５ａ，５ｂ，５ｃに接続されている。この第二の測定量は、ここでは、電圧であり、これら電圧は、其々に、其々の電流網配線５ａ，５ｂ，５ｃと接地電位１３に印加されていて、及び、ここでも電源電圧Ｕａ、Ｕｂ、Ｕｃとして記される。評価設備８は、電源電圧Ｕａ、Ｕｂ、Ｕｃを評価設備８に伝達するように、各電圧コンバータ９ａ、９ｂ、９ｃに接続されていて、及び、そうして全電圧コンバータ９ａ、９ｂ、９ｃにとって共通の評価設備８を形成する。
コンデンサブッシクング２ａ，２ｂ，２ｃを監視する際、評価設備８が、不対称性及び／又は電力線５ａ、５ｂ、５ｃでの電源電圧Ｕａ、Ｕｂ、Ｕｃの変動を考慮する可能性が設備１によって創出される。
【００８０】
図２において、設備１の第一の部分が、より詳細に示されていて、この部分は、第一の位相Ａに付設されている。この第一の部分に、第二の位相Ｂに付設された第二の部分（不図示）及び、第三の位相Ｃに付設された設備１の第三の部分（不図示）が、相似して相応し、結果として、第一の部分に関する詳細と解説は、この他の両部分に同様に相似して該当する。
【００８１】
第一のコンデンサブッシング２ａは、絶縁体１１を有し、この絶縁体の内部を導体４が、貫通している。これは、その上側の端部において、付設された第一の電流網配線５ａに接触し及び、その下側の端部において、ここでは高電圧変換設備の巻線（不図示）に接触する。絶縁体１１に、導通する内層が埋設されていて、これら内層は、ここで最も外側の内層３によってのみ素描されていて、及び電気的に見てコンデンサの直列回路を形成する。この直列回路は、コンデンサを示し、これらコンデンサは、其々に２つの隣接された内層によって形成され、及びコンデンサを有し、このコンデンサは、ここでは不図示の最も内側の内層と導体４によって形成される。この最も外側の内層３と導体４の間のコンデンサの直列回路は、各コンデンサブッシング２ａ，２ｂ，２ｃのための等価回路の中で、上部静電容量Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃとして記される容量を有する、相応する上位電圧コンデンサＫａ、Ｋｂ、Ｋｃを形成する。
【００８２】
コンデンサブッシング２ａに、導通するフランジ１２が配置されていて、このフランジは、アース電位又は接地電位１３に印加されている。このフランジ１２は、コンデンサブッシング２ａの固定及び／又は保持に役立つ。最も外側の内層３は、等価回路におけるフランジ１２と接地電位１３によって、各コンデンサブッシング２ａ，２ｂ，２ｃのために、容量を有する相応する外側コンデンサＬａ、Ｌｂ、Ｌｃを形成する。
【００８３】
測定アダプタ６が、絶縁体１１に貫入し、及び最も外側の内層３への導通する接続を行う。測定アダプタは、内層電圧Ｖａを検出し、及び評価設備８に伝達できるように、導通して其々の測定設備７を経て評価設備８と接続している。この実施形態において、各測定設備７が、測定コンデンサＭａ、Ｍｂ、Ｍｃを有し、この測定コンデンサは、接地電位１３で接続されている。各測定設備は、必要時に、加えて、不図示のスパークギャップを有し、このスパークギャップは、其々の測定コンデンサＭａ、Ｍｂ、Ｍｃに平行して接続されていて、及び／又は過電圧保護７’を有し、この過電圧保護は、其々の測定コンデンサＭａ、Ｍｂ、Ｍｃに平行に接続されている。
【００８４】
評価設備８は、第一の電圧コンバータ９ａを介して、電流網配線５ａに導通して接続されている。この接続によって、電圧Ｕａが検出され、この電圧は、電流網配線５ａと接地電位１３間で存在している。この実施形態において、電圧コンバータ９ａは、容量性の電圧コンバータとして形成されていて、及び容量性分圧器を有し、この容量性分圧器は、２つの直列に接続されたコンデンサＫ１，Ｋ２を有し、及び２つのコイル又は巻線Ｗ１，Ｗ２を有し、これらコイル又は巻き線は、電磁誘導式に電気絶縁するための変圧器として接続されている。
【００８５】
この設備１は、三相交流電流網用のコンデンサブッシングを監視するための方法を実施するのに適し、及び／又は三相交流電流網用のコンデンサブッシングを監視するための方法を実施するように形成されていることが可能である。このような方法の実施形態が、さらに下記において解説される。
【００８６】
図１において、第一の位相Ａのために、其々の下位電圧コンデンサＫＵ１と其々の第一の上位電圧コンデンサＫＯ１から成る等価回路が、概略的に示されている。並列回路が、下部静電容量Ｂａを有する、第一の下位電圧コンデンサＪａを形成し、この並列回路は、其々の第一の測定コンデンサＭａと其々の第一の外側コンデンサＬａを有する。故に、この第一の下部静電容量Ｂａは、コンデンサの直列回路のための既知の式によって、第一の測定コンデンサＭａの容量ＣＭ１と第一の外側コンデンサＬａの容量から容易に算定され得る。必要時に、並列回路は、第一の測定コンデンサＭａの代わりに、其々の全測定設備７及び／又は加えて評価設備８を有し得、結果として、その時、第一の下部静電容量Ｂａは、第一の測定コンデンサＭａの容量に依存する測定設備７のインピーダンスから、第一の外側コンデンサＬａの容量から、及び評価設備８のインピーダンスから算定されなくてはならない。
【００８７】
第一の内層電圧Ｖａが、上記に言及されたように、第一の下位電圧コンデンサＪａに印加し、及び第一の下位電圧コンデンサＪａと第一の上位電圧コンデンサＫａの間の接続導体、又は継手において出力され及び、接地電位１３に関連付けられる。第一の電源電圧Ｕａが、第一の上位電圧コンデンサＫａと第一の下位電圧コンデンサＪａから成る直列回路を経て低下する。
【００８８】
図４と図５において、例えば３つの位相Ａ、Ｂ、Ｃを有する交流電流網用のコンデンサブッシング２ａ，２ｂ，２ｃを監視するための方法の第一の実施形態のフローチャートが、概略的に示されている。この方法は、例えば図１の設備１によって、及び／又は図１の設備１の第一の実施形態の補助で実施され得る。
【００８９】
この実施形態において、この方法は、以下のステップを有し、これらステップは、設備１、と図１と図２との関係において説明される。
【００９０】
ステップ２０１（図４）：方法のスタート。
【００９１】
ステップ２０２：このステップは、最初の時点ｔ０を定める。これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、上部静電容量のために、相応する上部静電容量値Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃが、及び下部静電容量ために、相応する最初の下部静電容量値Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃが、評価設備８によって算出される。これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、内層電圧は、其々の測定アダプタ６と其々の測定設備７の補助によって検出され、及び相応する最初の内層電圧値Ｖａ（ｔ０）、Ｖｂ（ｔ０）、Ｖｃ（ｔ０）は、評価設備８によって算出される。これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、電源電圧が、其々の電圧コンバータ９ａ、９ｂ、９ｃの補助で検出され、及び相応する最初の電源電圧値Ｕａ（ｔ０）、Ｕｂ（ｔ０）、Ｕｃ（ｔ０）が、評価設備８によって算出される。
【００９２】
この実施形態において、これら容量値Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ，Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃは、固定値として評価設備８のメモリ内に保存され、及び、これら上部静電容量値Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃが、最初の特性値を、これら電源電圧が、参照電圧を、及び、これら最初の電源電圧値Ｕａ（ｔ０）、Ｕｂ（ｔ０）、Ｕｃ（ｔ０）が、最初の参照電圧値Ｒａ（ｔ０）、Ｒｂ（ｔ０）、Ｒｃ（ｔ０）を形成する。
【００９３】
ステップ２０３：これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、正規化係数Ｎａ、Ｎｂ、Ｎｃが、以下の式にしたがって、評価設備８によって算定される：
【数１５】
2020512542.tif 000017
【００９４】
引き続いて、ステップ１０２へのジャンプが行われる。
【００９５】
ステップ１０２（図５）：ステップ２０４からのジャンプのゴール
【００９６】
ステップ１０３：このステップは、媒介的時点ｔ１を固定し、この媒介的時点は、予設定されタイムスパン付近で、最初の時点ｔ０の後にある。これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、電源電圧が、其々の電圧コンバータ９ａ、９ｂ、９ｃの補助で検出され、及び相応する媒介的電源電圧値Ｕａ（ｔ１）、Ｕｂ（ｔ１）、Ｕｃ（ｔ１）が、評価設備８によって算出される。
【００９７】
ステップ１０４：許容値ＲＡＢ＞０，ＲＢＣ＞０，ＲＣＡ＞０が、定められる。電源電圧の効果値は、其々の媒介的電源電圧値Ｕａ（ｔ１）、Ｕｂ（ｔ１）、Ｕｃ（ｔ１）として使用される。
この実施形態において、これら媒介的電源電圧が、媒介的参照電圧を形成し及び、これら媒介的電源電圧値Ｕａ（ｔ１）、Ｕｂ（ｔ１）、Ｕｃ（ｔ１）が、媒介的参照電圧値Ｒａ（ｔ１）、Ｒｂ（ｔ１）、Ｒｃ（ｔ１）を形成する。
【００９８】
電圧比較において、
【数１６】
2020512542.tif 000018
が成立するかどうかが試験される。
【００９９】
成立する場合、電圧比較は、電源電圧が、予設定された分量を上回って相互に偏倚しないという結論を生むということを意味する。この場合において、ステップ１０６が、実施される。
【０１００】
成立しない場合、電圧比較は、電源電圧が、予設定され分量を上回って相互に偏倚するという結論を生むことを意味する。この場合において、ステップ１０５が、実施される。
【０１０１】
ステップ１０４：警告信号が、生成され、この警告信号は、交流電流網内の短絡及び／又は、電源電圧の強すぎる、又は過剰な非対称性を表示する。引き続いて、ステップ１０３へのジャンプが行われる。
【０１０２】
ステップ１０５：このステップは、より後の時点ｔｎを固定し、この時点は、最初の時点ｔ０の後の予設定されたタイムスパン付近にあり、及び媒介的時点ｔ１の後の予設定されたタイムスパン付近にある。これら各位相Ａ，Ｂ，Ｃのために、電源電圧が、其々の電圧コンバータ９ａ、９ｂ、９ｃの補助によって検出され及び、相応する、より後の電源電圧値Ｕａ（ｔｎ）、Ｕｂ（ｔｎ）、Ｕｃ（ｔｎ）が、評価設備８によって算出される。各位相Ａ，Ｂ，Ｃのために、内層電圧は、其々の測定アダプタ６と測定設備７の補助によって検出され、及び相応するより後の内層電圧値は、評価設備８によって算出される。
【０１０３】
この実施形態において、より後のこれら電源電圧値Ｕａ（ｔｎ）、Ｕｂ（ｔｎ）、Ｕｃ（ｔｎ）は、より後の参照電圧値Ｒａ（ｔｎ）、Ｒｂ（ｔｎ）、Ｒｃ（ｔｎ）を形成する。
【０１０４】
これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、変数の補正値Ｋａ、Ｋｂ、Ｋｃが、以下の式にしたがって、評価設備８によって算定され：
【数１７】
2020512542.tif 000019
これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、正規化化された上部静電容量値が、以下の式にしたがって、評価設備８によって算定され：
【数１８】
2020512542.tif 000020
この時ｉ＝ａ，ｂ，ｃ及びｊ＝ｂ，ｃ，ａが成立する。
【０１０５】
この実施形態において、これら正規化された上部静電容量値Ｃａ’（ｔｎ）、Ｃｂ’（ｔｎ）、Ｃｃ’（ｔｎ）は、正規化された特性値を形成する。
【０１０６】
ステップ１０７：これら位相（Ａ，Ｂ，Ｃ）の各位相に対し、正規化された特性値が、其々の特性値と比較される。
【０１０７】
この実施形態において、許容値ＣＡ＞０，ＣＢ＞０，ＣＣ＞０は、特性値比較のために定められる。容量比較は、
【数１９】
2020512542.tif 000021
が成立するかどうか試験されるように先ず行われる。成立する場合、ステップ１０８が、実施される。成立しない場合、ステップ１０９が、実施される。
【０１０８】
ステップ１０８：監視信号が、生成され、この監視信号は、コンデンサブッシング２ａ、２ｂ、２ｃが、正常な状態にあることを表示する。引き続いて、ステップ１０３へのジャンプが行われる。
【０１０９】
ステップ１０９：容量比較は、その上、
【数２０】
2020512542.tif 000022
が成立するか試験されるように行われる。成立する場合、ステップ１１０が、実施される。成立しない場合、ステップ１１１が、実施される。
【０１１０】
ステップ１１０：監視信号が、生成され、この監視信号は、少なくとも第二のコンデンサブッシング２ｂが、正常な状態にないことを表示する。引き続いて、ステップ１２２へのジャンプが行われる。
【０１１１】
ステップ１１１：容量比較は、その上、
【数２１】
2020512542.tif 000023
が成立するか試験されるように行われる。成立する場合、ステップ１１２が、実施される。成立しない場合、ステップ１１３が、実施される。
【０１１２】
ステップ１１２：監視信号が、生成され、この監視信号は、少なくとも第三のコンデンサブッシング２ｃが、正常な状態にないことを表示する。引き続いて、ステップ１２２へのジャンプが行われる。
【０１１３】
ステップ１１３：容量比較は、その上、
【数２２】
2020512542.tif 000024
が成立するかどうか試験されるように行われる。成立する場合、ステップ１１４が、実施される。成立しない場合、ステップ１１５が、実施される。
【０１１４】
ステップ１１４：監視信号が、生成され、この監視信号は、少なくとも第一のコンデンサブッシング２ａが、正常な状態にないことを表示する。引き続いて、ステップ１２２へのジャンプが行われる。
【０１１５】
ステップ１１５：監視信号が、生成され、この監視信号は、少なくとも２つのコンデンサブッシングが、正常な状態にないことを表示する。
【０１１６】
ステップ１１６：容量比較は、その上、
【数２３】
2020512542.tif 000025
が成立するか試験されるように行われる。成立する場合、ステップ１１７が、実施される。成立しない場合、ステップ１１８が、実施される。
【０１１７】
ステップ１１７：監視信号が、生成され、この監視信号は、第一の、及び第三のコンデンサブッシング２ａ、２ｃが、正常な状態になく、及び同種のエラーを有することを示す。引き続いて、ステップ１２２へのジャンプが行われる。
【０１１８】
ステップ１１８：容量比較は、その上、
【数２４】
2020512542.tif 000026
が成立するか試験されるように行われる。成立する場合、ステップ１１９が、実施される。成立しない場合、ステップ１２０が、実施される。
【０１１９】
ステップ１１９：監視信号が、生成され、この信号は、第二の、及び第一のコンデンサブッシング２ｂ、２ａが、正常な状態になく、及び同種のエラーを有することを示す。引き続いて、ステップ１２２へのジャンプが行われる。
【０１２０】
ステップ１２０：容量比較は、その上、
【数２５】
2020512542.tif 000027
が成立するかどうか試験されるように行われる。成立する場合、ステップ１２１が、実施される。成立しない場合、ステップ１２２が、実施される。
【０１２１】
ステップ１２１：監視信号が、生成され、この信号は、第三の、及び第二のコンデンサブッシング２ｃ、２ａが、正常な状態になく、及び同種のエラーを有することを示す。引き続いて、ステップ１２２へのジャンプが行われる。
【０１２２】
ステップ１２２：監視信号が、生成され、この信号は、少なくとも第二のコンデンサブッシングが、正常な状態になく、及び同種のエラーを有することを示す。引き続いて、この方法は終了され、又は必要に応じて、ステップ１０３へのジャンプが行われる。
【０１２３】
図６において、設備１の第二の実施形態が、概略的に示されている。この実施形態は、第一の実施形態に類似し、その結果、下記において、主に相異が詳細に説明される。
【０１２４】
この実施形態は、例えば交流電流網のために適合していて、この交流電流網は、第一の電気的機器に加えて、第二の電気的機器（不図示）を有し、この第一の電気的機器は、３つのコンデンサブッシング２ａ，２ｂ，２ｃを介して、３つの位相Ａ、Ｂ、Ｃに接続していて、この第二の電気的機器は、第一の機器に平行して、３つの位相に接続されていて及び、ここでは、平行機器としても記されている。この平行機器は、第一の機器に相似して、３つの固有のコンデンサブッシング２ａ’、２ｂ’、２ｃ’を介して、３つの電流網配線５ａ、５ｂ、５ｃに接続されていて、このコンデンサブッシングは、ここでは平行コンデンサブッシングとしても記される。
【０１２５】
この実施形態において、電圧コンバータ９が省略され、及び、その代わりに、設備１は、３つの位相Ａ，Ｂ，Ｃ其々のために、其々の平行コンデンサブッシング２ａ’、２ｂ’、２ｃ’の内層３と接続している平行測定アダプタ６’と測定設備７を含み、この測定設備は、其々の平行測定アダプタ６’と評価設備８に連接している。評価設備８が、こうして、全６つの測定設備７のために共通の評価設備８を形成する。
【０１２６】
これら各測定設備７は、其々の位相Ａ，Ｂ，Ｃのために、其々の平行コンデンサブッシング２ａ’、２ｂ’、２ｃ’の内層３と接地電位１３の間に設けられている平行内層電圧Ｖａ’、Ｖｂ’、Ｖｃ’を其々の平行測定アダプタ６’の補助によって検出し得るように形成されている。評価設備８は、これら各位相が、最初の時点で又は、より後の時点で、平行内層電圧を其々の測定設備７の補助によって検出し得、及び相応する最初の、又は、より後の内層電圧値を算出し得るように形成されていて、この内層電圧値は、其々の最初の、又は、より後の参照電圧値を形成する。
【０１２７】
この実施形態において、つまり、各参照電圧は、其々の平行内層電圧である。こうして、平行内層電圧値が、参照電圧値を形成するので、電源電圧を検出することが断念され得る。
【０１２８】
この図６の設備１の第二の実施形態は、例えば、この方法の第二の実施形態を実施し得る。この実施形態は、第一の実施形態に類似し、その結果、下記において、主に相異が詳細に説明される。
【０１２９】
この実施形態において、ステップ２０２で、これら各位相Ａ，Ｂ，Ｃのために、電源電圧は、検出されず、平行内層電圧が、其々の平行測定アダプタ６’と測定設備７の補助によって検出され、及び相応する最初の平行内層電圧値Ｖａ’（ｔ０）、Ｖｂ’（ｔ０）、Ｖｃ’（ｔ０）が、評価設備８によって算出される。そうして、これら平行内層電圧は、参照電圧を、及び、これらの最初の平行内層電圧値は、最初の参照電圧値Ｒａ（ｔ０）、Ｒｂ（ｔ０）、Ｒｃ（ｔ０）を形成する。
【０１３０】
この実施形態において、ステップ１０３で、この各位相Ａ，Ｂ，Ｃのために、電源電圧が検出されず、平行内層電圧が、其々の平行測定アダプタ６’と測定設備７の補助で検出され、及び相応する平行内層電圧値Ｖａ’（ｔ），Ｖｂ’（ｔ），Ｖｃ’（ｔ）が、評価設備８によって算出される。
【０１３１】
この実施形態において、ステップ１０４で、電源電圧値Ｕａ（ｔ），Ｕｂ（ｔ），Ｕｃ（ｔ）が、この平行内層電圧値Ｖａ’（ｔ），Ｖｂ’（ｔ），Ｖｃ’（ｔ）によって置換される。
【０１３２】
この実施形態において、ステップ１０６で、この各位相Ａ，Ｂ，Ｃのために、電源電圧が検出されず、平行内層電圧が、其々の平行測定アダプタ６’と測定設備７の補助で検出され、及び相応する、より後の平行内層電圧値Ｖａ’（ｔｎ），Ｖｂ’（ｔｎ），Ｖｃ’（ｔｎ）が、評価設備８によって算出される。そうして、このより後の平行内層電圧値Ｖａ’（ｔｎ），Ｖｂ’（ｔｎ），Ｖｃ’（ｔｎ）が、より後の参照電圧値ｅＲａ（ｔｎ），Ｒｂ（ｔｎ），Ｒｃ（ｔｎ）を形成する。
【符号の説明】
【０１３３】
１ コンデンサブッシングを監視するための設備
２ａ／２ｂ／２ｃ第一の／第二の／第三の監視されるべきコンデンサブッシング
２ａ’／２ｂ’／２ｃ’ 第一の／第二の／第三の平行コンデンサブッシング
３ ２，２’の内層
４ ２，２’の導体
５ａ／５ｂ／５ｃ第一の／第二の／第三の電流網配線
６ 測定アダプタ
６’ 平行測定アダプタ
７ 測定設備
７’ 過電圧保護
８ 評価設備
９ａ／９ｂ／９ｃ第一の／第二の／第三の電圧コンバータ
１１ 絶縁体
１２ フランジ
１３ 接地電位
Ａ／Ｂ／Ｃ 第一の／第二の／第三の位相
Ｊａ／Ｊｂ／Ｊｃ第一の／第二の／第三の下位電圧コンデンサ
Ｋ１、Ｋ２ ９におけるコンデンサ
Ｋａ／Ｋｂ／Ｋｃ第一の／第二の／第三の上位電圧コンデンサ
Ｌａ／Ｌｂ／Ｌｃ第一のｒ／第二のｒ／第三の外側コンデンサ
Ｍａ／Ｍｂ／Ｍｃ第一の／第二の／第三の測定コンデンサ
Ｗ１，Ｗ２ ９における巻線
Ｂａ／Ｂｂ／ＢｃＪａ／Ｊｂ／Ｊｃの下部静電容量値
Ｃａ／Ｃｂ／ＣｃＫａ／Ｋｂ／Ｋｃの上部静電容量値Ａ／Ｂ／Ｃのための特性値
Ｃａ’／Ｃｂ’／Ｃｃ’ Ｋａ／Ｋｂ／Ｋｃの正規化された上部静電容量値，Ａ／Ｂ／Ｃのための正規化された特性値ｆｕｅｒ
ＣＡ／ＣＢ／ＣＣＡ／Ｂ／Ｃのための許容値
Ｋａ／Ｋｂ／ＫｃＡ／Ｂ／Ｃのための補正値
Ｒａ／Ｒｂ／Ｒｃ第一の／第二の／第三の参照電圧
Ｒａｅ／Ｒｂｅ／Ｒｃｅ Ｎａ／Ｎｂ／Ｎｃの効果値
ｔ０／ｔ１／ｔｎ最初の時点／媒介的時点／より後の時点
Ｕａ／Ｕｂ／Ｕｃ第一の／第二の／第三の電源電圧
Ｕａｅ／Ｕｂｅ／Ｕｃｅ Ｕａ／Ｕｂ／Ｕｃの効果値
ＵＡＢ／ＵＢＣ／ＵＣＡ Ａ／Ｂ／Ｃのための許容値
Ｖａ／Ｖｂ／Ｖｃ２の第一の／第二の／第三の内層電圧
Ｖａ’／Ｖｂ’／Ｖｃ’ ２’の第一の／第二の／第三の平行内層電圧
【図１】
2020512542.tif 000042
【図２】
2020512542.tif 000043
【図３】
2020512542.tif 000044
【図４】
2020512542.tif 000045
【図５】
2020512542.tif 000046
【図６】
2020512542.tif 000047
【国際調査報告】
2020512542.tif 000048
2020512542.tif 000049
2020512542.tif 000050
2020512542.tif 000051
2020512542.tif 000052
2020512542.tif 000053