(57)【要約】  本開示の実施形態は概して、摂氏２５０度を下回る温度で半導体基板を処理する方法に関する。一実施形態では、この方法は、堆積された膜を伴う基板を、圧力容器内に装填することと、約２バールを上回る圧力において、酸化剤を含む処理ガスに基板を曝露することと、圧力容器を、処理ガスの凝縮点と摂氏約２５０度との間のある温度に維持することとを、含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
表面上に堆積された膜を有する前記基板を、圧力容器内に装填することと、
約２バールを上回る圧力において、酸化剤を含む処理ガスに前記基板を曝露することと、
前記圧力容器を、前記処理ガスの凝縮点と摂氏約２５０度との間のある温度に維持することとを含む、
方法。
【請求項２】
前記膜が、
金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は酸窒化ケイ素のうちの一又は複数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化剤が、オゾン、酸素、水蒸気、重水、過酸化物、水酸化物を含有する化合物、酸素同位体、及び水素同位体からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化剤が水酸化イオンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記酸化剤が過酸化物である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
処理ガスに前記基板を曝露することが、
約５バールと約３５バールとの間のある圧力において、水蒸気に前記基板を曝露することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記圧力容器の温度は、摂氏約１５０度〜摂氏約２５０に維持される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基板を処理する方法であって、
各基板が表面上に堆積された膜を有する複数の基板を伴うカセットを、圧力容器内に装填することと、
約２バールを上回る圧力において、酸化剤を含む処理ガスに前記複数の基板を曝露することと、
前記圧力容器を、前記処理ガスの凝縮点と摂氏約２５０度との間のある温度に維持することとを含む、
方法。
【請求項９】
前記膜が、
金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は酸窒化ケイ素のうちの一又は複数を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸化剤が、オゾン、酸素、水蒸気、重水、過酸化物、水酸化物を含有する化合物、酸素同位体、及び水素同位体からなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化剤が水酸化イオンを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸化剤が過酸化物である、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
処理ガスに前記複数の基板を曝露することが、
約５バールと約３５バールとの間のある圧力において、水蒸気に前記複数の基板を曝露することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
基板を処理する方法であって、順に、
第１バルブを開くことと、
約２バールを上回る圧力において、膜が配置されている基板を内部に有するチャンバに、酸化剤を含む処理ガスを流入させることと、
前記処理ガスに前記基板を曝露することであって、前記処理ガスが、その凝縮点温度を上回り、かつ摂氏約２５０度を下回る温度に維持されている、前記基板を曝露することと、
前記第１バルブを閉じることと、
前記チャンバから前記処理ガスを除去するために第２バルブを開くこととを含む、
方法。
【請求項１５】
前記酸化剤が、オゾン、酸素、水蒸気、重水、過酸化物、水酸化物を含有する化合物、酸素同位体、及び水素同位体からなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］本開示の実施形態は、概して集積回路の製造に関し、特に、半導体基板に堆積された膜の品質を改善する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
関連技術の説明
［０００２］半導体デバイス（例えばメモリデバイス、論理デバイス、マイクロプロセッサなど）の形成は、半導体基板を覆うように膜を堆積させることを伴う。この膜は、デバイスを製造するための電気回路を作り出すために使用される。従来型の方法を使用して堆積され、摂氏２５０度を上回る温度で処理される材料は、この高温によって損傷されうる。しかし、低い熱収支において（例えば摂氏２５０度未満の温度で）形成される膜は、多くの場合、多孔性が増大し、密度が低下することにより、品質が悪くなる。このような膜では、かかる品質問題により、エッチングが速くなりやすい。
【０００３】
［０００３］ゆえに、摂氏２５０度を下回る温度において、半導体基板に堆積された膜の品質を改善する方法が、必要とされている。
【発明の概要】
【０００４】
［０００４］本開示の実施形態は概して、摂氏２５０度を下回る温度で基板を処理する方法に関する。一実施形態では、この方法は、堆積された膜を伴う基板を、圧力容器内に装填することと、約２バールを上回る圧力において、酸化剤を含む処理ガスに基板を曝露することと、圧力容器を、処理ガスの凝縮点と摂氏約２５０度との間のある温度に維持することとを、含む。
【０００５】
［０００５］本開示の別の実施形態では、方法は、各基板が表面上に堆積された膜を有している複数の基板を伴うカセットを、圧力容器内に装填することと、約２バールを上回る圧力において、酸化剤を含む処理ガスに複数の基板を曝露することと、圧力容器を、処理ガスの凝縮点と摂氏約２５０度との間のある温度に維持することとを、含む。
【０００６】
［０００６］本開示の更に別の実施形態では、方法は、第１バルブを開くことと、約２バールを上回る圧力において、膜が配置されている基板を内部に有するチャンバに、酸化剤を含む処理ガスを流入させることと、処理ガスに基板を曝露することであって、この処理ガスが、その凝縮点温度を上回り、かつ摂氏約２５０度を下回る温度に維持されている、基板を曝露することと、第１バルブを閉じることと、チャンバから処理ガスを除去するために第２バルブを開くこととを、含む。
【０００７】
［０００７］本開示の上述の特徴を詳しく理解しうるように、上記で簡単に要約した本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られる。一部の実施形態は、付随する図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態を許容しうるので、付随する図面は例示的な実施形態のみを示しており、したがって、実施形態の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】［０００８］摂氏２５０度を下回る温度において、基板に堆積された膜の品質を改良するための圧力容器の、簡略化された正面断面図である。
【図２Ａ】［０００９］半導体基板に堆積された低品質の膜の、簡略化された断面図である。
【図２Ｂ】［００１０］本書に記載の方法を実施した後の、品質が改善された膜の簡略化された断面図である。
【図３】［００１１］摂氏２５０度を下回る温度において、半導体基板に堆積された膜の品質を改善する方法のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［００１２］理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうると想定されている。
【００１０】
［００１３］本開示の実施形態は概して、摂氏２５０度を下回る温度において、半導体基板に堆積された膜の品質を改善する方法に関する。この方法により、摂氏２００度を下回る温度において低品質な膜が堆積された領域が、修復される。一部の実施形態では、膜は、カリフォルニア州Ｓａｎｔａ  ＣｌａｒａのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＰｒｏｄｕｃｅｒ（登録商標）Ａｖｉｌａ（商標）プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバを使用して生成される。他の実施形態では、膜は、何らかの化学気相堆積（ＣＶＤ）又は物理的気相堆積（ＰＶＤ）の技法（その他の製造業者によって製造されたチャンバにおけるものを含む）によって生成されうる。膜は、膜の密度を高めるために、本書で開示されている堆積後アニーリングプロセスにおいて、高圧の、酸化剤を含む処理ガスに曝露される。処理ガスは、膜層内に深く浸透して、酸化プロセスを通じて多孔性を低減し、ひいては、基板に堆積された膜の密度及び品質を向上させる。バッチ処理チャンバ（図１に示している本書に記載の圧力容器１００などであるが、それに限定されるわけではない）が、高圧アニーリングプロセスを実施するという目的のために利用される。しかし、本書に記載の方法は、単一の基板チャンバ内に配置された単一の基板にも等しく適用されうる。
【００１１】
［００１４］図１は、高圧アニーリングプロセスための圧力容器１００の、簡略化された正面断面図である。圧力容器１００は、処理領域１１５を封入する外表面１１２と内表面１１３とを伴う、本体１１０を有する。図１に示しているような一部の実施形態では本体１１０は環状断面を有しているが、他の実施形態では、本体１１０の断面は、長方形でありうるか、又は任意の閉鎖形状でありうる。本体１１０の外表面１１２は、ステンレス鋼などであるがそれに限定されるわけではない耐食鋼（ＣＲＳ）から、作製されうる。本体１１０の内表面１１３は、高い耐食性を示すニッケルベースの鋼合金（ＨＡＳＴＥＬＬＯＹ（登録商標）などであるがそれに限定されるわけではない）から、作製されうる。
【００１２】
［００１５］圧力容器１００は、本体１１０内の処理領域１１５を密封式に封入するよう構成されたドア１２０を有し、これにより、ドア１２０が開放されている時の処理領域１１５へのアクセスが可能になる。高圧シール１２２は、処理のために処理領域１１５を密封するようにドア１２０を本体１１０に密封するために、利用される。高圧シール１２２は、ポリマー（パーフルオロエラストマなどであるがそれに限定されるわけではない）から作製されうる。処理中に、高圧シール１２２の最高安全動作温度を下回る温度に高圧シール１２２を維持するために、冷却チャネル１２４が、高圧シール１２２に隣接して、ドア１２０に配置される。高圧シール１２２を摂氏約１５０度と摂氏約２５０度との間のある温度に維持するために、冷却チャネル１２４の中で、冷却剤（不活性で誘電性でありかつ／又は高性能の熱伝達流体などであるが、それに限定されるわけではない）が循環しうる。冷却チャネル１２４内の冷却剤の流れは、温度センサ１１６又は流れセンサ（図示せず）から受信されるフィードバックを通じて、コントローラ１８０によって制御される。
【００１３】
［００１６］圧力容器１００は、本体１１０を通るポート１１７を有する。ポート１１７は、それを通るパイプ１１８であって、ヒータ１１９に連結されているパイプ１１８を有する。パイプ１１８の一端は、処理領域１１５に接続されている。パイプ１１８の他端は、二股に分かれて入口導管１５７と出口導管１６１とに至る。入口導管１５７は、分離バルブ１５５を介してガスパネル１５０に流体接続される。入口導管１５７はヒータ１５８に連結されている。出口導管１６１は、分離バルブ１６５を介して凝縮装置（コンデンサ）１６０に流体接続されている。出口導管１６１はヒータ１６２に連結されている。ヒータ１１９、１５８、及び１６２は、パイプ１１８、入口導管１５７、及び出口導管１６１のそれぞれを通る処理ガスの流れを、処理ガスの凝縮点と摂氏約２５０度との間のある温度に維持するよう、構成される。ヒータ１１９、１５８、及び１６２は、電源１４５によって電力供給される。
【００１４】
［００１７］ガスパネル１５０は、加圧された、酸化剤を含む処理ガスを、パイプ１１８を通じて処理領域１１５内に送るために、入口導管１５７内に提供するよう構成される。処理領域１１５に導入される処理ガスの圧力は、本体１１０に連結された圧力センサ１１４によってモニタされる。凝縮装置１６０は、冷却流体と流体連結されており、かつ、パイプ１１８を通じて処理領域１１５から除去された後に出口導管１６１を通って流れるガス状生成物を、凝縮するよう構成される。凝縮装置１６０は、ガス状生成物をガス相から液相へと変換する。ポンプ１７０が、凝縮装置１６０に流体接続されており、液化された生成物を凝縮装置１６０から吸い出す（ｐｕｍｐｓ  ｏｕｔ）。ガスパネル１５０、凝縮装置１６０、及びポンプ１７０の動作は、コントローラ１８０によって制御される。
【００１５】
［００１８］分離バルブ１５５及び１６５は、一時に１つの流体だけが、パイプ１１８を通って処理領域１１５へ流入することが可能になるよう、構成される。分離バルブ１５５が開いている時に分離バルブ１６５は閉じており、これにより、入口導管１５７を通って流れる処理ガスは処理領域１１５に入り、この処理ガスが凝縮装置１６０に流入することは防止される。その一方で、分離バルブ１６５が開いている時には、分離バルブ１５５は閉じており、これにより、ガス状生成物は、処理領域１１５から除去されて、出口導管１６１を通って流れ、このガス状生成物がガスパネル１５０に流入することは防止される。
【００１６】
［００１９］一又は複数のヒータ１４０が、本体１１０に配置されており、かつ、圧力容器１００内の処理領域１１５を加熱するよう構成される。一部の実施形態では、ヒータ１４０は、図１に示しているように本体１１０の外表面１１２上に配置されるが、他の実施形態では、本体１１０の内表面１１３上に配置されることもある。ヒータ１４０の各々は、抵抗性コイル、ランプ、セラミックヒータ、グラファイトベースの炭素繊維複合物（ＣＦＣ）ヒータ、ステンレス鋼ヒータ、又はアルミニウムヒータでありうるが、それらに限定されるわけではない。ヒータ１４０は、電源１４５によって電力供給される。ヒータ１４０への供給電力は、温度センサ１１６から受信されるフィードバックを通じて、コントローラ１８０によって制御される。温度センサ１１６は、本体１１０に連結されており、処理領域１１５の温度をモニタする。
【００１７】
［００２０］アクチュエータ（図示せず）に連結されたカセット１３０が、処理領域１１５を出入りするように動かされる。カセット１３０は、上面１３２、底面１３４、及び壁１３６を有する。カセット１３０の壁１３６は、複数の基板ストレージスロット１３８を有する。基板ストレージスロット１３８の各々は、カセット１３０の壁１３６に沿って均等に離間している。基板ストレージスロット１３８の各々は、内部に基板１３５を保持するよう構成される。カセット１３０は、基板１３５を保持するための、５０個程度の基板ストレージスロット１３８を有しうる。カセット１３０は、圧力容器１００を出入りするように複数の基板１３５を移送することと、処理領域１１５内で複数の基板１３５を処理することの両方のための、効率的な輸送体を提供する。
【００１８】
［００２１］コントローラ１８０は、圧力容器１００の動作を制御する。コントローラ１８０は、ガスパネル１５０、凝縮装置１６０、ポンプ１７０、及び分離バルブ１５５と１６５の動作だけでなく、電源１４５の動作も制御する。コントローラ１８０は更に、温度センサ１１６、圧力センサ１１４、及び冷却チャネル１２４に通信可能に接続されている。コントローラ１８０は、中央処理装置（ＣＰＵ）１８２、メモリ１８４、及びサポート回路１８６を含む。ＣＰＵ１８２は、産業用設定で使用されうる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサでありうる。メモリ１８４は、ランダムアクセスメモリ、読み出し専用メモリ、フロッピー若しくはハードディスクドライブ、又はその他の形態のデジタルストレージでありうる。サポート回路１８６が、従来的にはＣＰＵ１８２に接続されており、キャッシュ、クロック回路、入／出力システム、電力供給源などを含みうる。
【００１９】
［００２２］圧力容器１００は、摂氏２５０度を下回る温度において、複数の基板１３５に堆積された膜の品質を改善する方法を実施するための、利便性の高いチャンバを提供する。稼働中、ヒータ１４０は、オンにされて圧力容器１００を予加熱し、かつ、処理領域１１５を摂氏２５０度を下回る温度に維持する。これと同時に、ヒータ１１９、１５８、及び１６２もオンにされて、パイプ１１８、入口導管１５７、及び出口導管１６１のそれぞれを予加熱する。
【００２０】
［００２３］複数の基板１３５はカセット１３０に装填される。基板１３５の各々は、カセット１３０に装填された時点では、図２Ａの半導体基板２００のようであることが確認される。図２Ａは、基板１３５がカセット１３０に装填される前の、半導体基板２００（基板１３５に類似している）に堆積された低品質の膜の、簡略化された断面図を示している。基板２００は、摂氏２００度を下回る温度において表面上に堆積された、膜２１０を有する。一部の実施形態では、膜２１０は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は酸窒化ケイ素を含むこともある。他の実施形態では、膜２１０は、金属酸化物、金属窒化物、又は金属酸窒化物も含みうる。膜２１０のトレンチ２２０内に複数のポア２２５が存在しているので、膜２１０の品質は低い。ポア２２５は、膜２１０のトレンチ２２０内の深いところにある空隙であり、膜２１０の低密度化をもたらす。
【００２１】
［００２４］圧力容器１００のドア１２０は、カセット１３０を処理領域１１５に入れるために開放される。ドア１２０は次いで、圧力容器１００内に高圧チャンバを提供するために、密封式に閉鎖される。ドア１２０が閉鎖されると、シール１２２により、処理領域１１５から圧力が漏れないことが確実になる。
【００２２】
［００２５］ガスパネル１５０によって、圧力容器１００内部の処理領域１１５内に処理ガスが提供される。処理ガスが、入口導管１５７及びパイプ１１８を通って処理領域１１５に流入することを可能にするために、分離バルブ１５５がコントローラ１８０によって開かれる。処理ガスは、約５００ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍの流量で、約１分間〜約１０分間にわたって導入される。この時、分離バルブ１６５は閉じたままである。処理ガスは、高圧で処理領域１１５に流入する酸化剤である。処理ガスに印加される圧力は、漸次増大する。酸化剤により、膜２１０は効率的に、特にトレンチ２２０のより深い部分において、より完全な酸化状態となる。本書に記載の実施形態では、処理ガスは、約５バ―ルと約３５バールとの間のある圧力に加圧された水蒸気（ｓｔｅａｍ）である。しかし、他の実施形態では、その他の酸化剤（オゾン、酸素、過酸化物、又は水酸化物を含有する化合物などであるがそれらに限定されるわけではない）が使用されうる。ガスパネル１５０によって十分な水蒸気が放出されると、分離バルブ１５５は、コントローラ１８０によって閉じられる。
【００２３】
［００２６］基板１３５の処理中、処理領域１１５だけでなく入口導管１５７、出口導管１６１、及びパイプ１１８も、処理ガスが気相に保たれるように、ある温度及び圧力に維持される。処理領域１１５の温度だけでなく入口導管１５７、出口導管１６１、及びパイプ１１８の温度も、印加されている圧力における処理ガスの凝縮点を上回るが、摂氏２５０度を下回る温度に、維持される。処理領域１１５だけでなく入口導管１５７、出口導管１６１、及びパイプ１１８も、適用されている温度における処理ガスの凝縮圧力を下回る圧力に、維持される。処理ガスは適宜選択される。本書に記載の実施形態では、圧力容器が摂氏約１５０度と摂氏約２５０との間のある温度に維持されている場合、約５バールと約３５バールとの間のある圧力に加圧された水蒸気が、有効な処理ガスとなる。これにより、水蒸気が凝縮して水になること（これにより、基板２００に堆積された膜２１０が損傷されうる）が、起こらないことが確実になる。
【００２４】
［００２７］膜が望ましい密度（この膜の湿式エッチング速度と、漏電及び絶縁破壊の特性とを試験することによって検証される）を有していることが確認されると、処理は完了する。次いで、処理領域１１５からパイプ１１８及び出口導管１６１を通じて、凝縮装置１６０に処理ガスを流入させるために、分離バルブ１６５が開かれる。処理ガスは、凝縮装置１６０において凝縮されて液相になる。液化された処理ガスは次いで、ポンプ１７０によって除去される。液化された処理ガスが完全に除去されると、分離バルブ１６５は閉じられる。次いで、ヒータ１４０、１１９、１５８、及び１６２がオフにされる。次いで、カセット１３０を処理領域１１５から取り出すために、圧力容器１００のドア１２０が開放される。基板１３５の各々は、カセット１３０から取り除かれる時点において、図２Ｂの半導体基板２００のようであることが確認される。図２Ｂは、基板２００に堆積された高品質の膜２１０の、簡略化された断面図である。高品質膜２１０のトレンチ２３０にはポアがなく、その結果として、膜２１０の多孔性が低くなり、密度は高くなる。
【００２５】
［００２８］図３は、本開示の一実施形態による、摂氏２５０度を下回る温度において、半導体基板に堆積された膜の品質を改善する方法のブロック図である。方法３００は、ブロック３１０において、カセット上の一又は複数の基板を圧力容器内に装填することで始まる。一部の実施形態では、基板は、表面上に堆積された、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は酸窒化ケイ素の膜を有する。他の実施形態では、基板は、表面上に堆積された金属酸化物、金属窒化物、又は金属酸窒化物の膜を有する。一部の実施形態では、複数の基板は、カセットに置かれ、圧力容器内に装填されうる。他の例では、カセットが用いられないこともある。
【００２６】
［００２９］ブロック３２０において、一又は複数の基板は、約２バールを上回る圧力において、酸化剤を含む処理ガスに曝露される。一部の実施形態では、処理ガスは、オゾン、酸素、水蒸気、重水、過酸化物、水酸化物を含有する化合物、酸素同位体（１４、１５、１６、１７、１８など）、及び水素同位体（１、２、３）、又はこれらの何らかの組み合わせ、のうちの一又は複数を含む、酸化剤である。過酸化物は、気相の過酸化水素でありうる。一部の実施形態では、酸化剤は水酸化イオン（水蒸気又は蒸気形態の重水などであるが、それに限定されるわけではない）を含む。一部の実施形態では、一又は複数の基板は、約５バールと約３５バールの間のある圧力において水蒸気に曝露され、この圧力は、約５バールから約３５バールまで漸次増大する。一部の実施形態では、水蒸気は、約５００ｓｃｃｍの流量で、約１分間にわたって導入される。
【００２７】
［００３０］ブロック３３０において、表面上に膜を伴う基板が処理ガスに曝露されている間、圧力容器は、処理ガスの凝縮点と摂氏約２５０度との間のある温度に維持される。約５バールと約３５バールとの間のある圧力において水蒸気が使用される実施形態では、圧力容器の温度は、摂氏約１５０度〜摂氏約２５０に維持される。
【００２８】
［００３１］処理ガスが高圧で酸化剤を含有する応用では、処理ガスからの高濃度の酸化種が、膜のトレンチ内に深く浸透することが可能になる。これにより、この酸化種が、膜をよりくまなく酸化させうる。圧力容器内部が高圧であることにより、トレンチ内の深部（より多孔性の領域が存在する）まで、酸化種が拡散する。処理後に得られる膜の品質は、この膜の湿式エッチング速度が、このプロセス以前の膜の品質と比較して約三分の一まで低下することによって、検証されうる。処理済みの膜の品質は、電気的特性（例えば破壊電圧、漏れ電流など）を試験することによっても検証されうる。摂氏２５０度を下回る比較的低い温度において実施されるプロセスの、膜品質の改善における成果は、大気圧において摂氏５００度で実施されるプロセスと、実質的に同様のものとなる。更に、摂氏約１５０度〜摂氏約２５０度で膜の高圧水蒸気アニーリングを完遂するのに必要な時間は、約３０分間である。これにより、このプロセスは、大気圧のもとで摂氏５００度において実施される従来型の水蒸気アニーリングプロセスと比較して、より迅速なものになる。
【００２９】
［００３２］高圧下における処理ガスの適用は、大気圧における従来型の水蒸気アニーリングプロセスを凌駕する利点を供する。大気圧における従来型の水蒸気アニーリングプロセスは、不十分なものであるが、これは、膜内への酸化種の拡散及び浸透深さが不足するからである。従来型の水蒸気アニーリングプロセスは、通常、膜層の深いところまで酸化種を送るものではない。その結果として、本書の開示は、摂氏２５０度を下回る温度において、半導体基板に堆積された高品質な膜を生成する有効な方法を、有利に論証している。この方法は、熱収支の範囲内で高品質な膜を生成することによって、膜上に電気回路を作り出して、望ましい応用の次世代型半導体デバイスを製造することを可能にする。
【００３０】
［００３３］上述の記載は、本開示の特定の実施形態を対象としているが、これらの実施形態は、本発明の原理及び応用の単なる例示であることを理解されたい。したがって、付随する特許請求の範囲により規定されている本発明の本質及び範囲から逸脱しなければ、例示的な実施形態には、他の実施形態に到達するよう多数の改変がなされうることを、理解すべきである。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【国際調査報告】
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