【事件の表示】
　平成１１年特許願第　　７８３０号「窒化物半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月　６日出願公開、特開２０００−１５６５４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年１月１４日に出願した特許出願（優先権主張　平成１０年９月１７日）であって、原審において、平成１４年７月１６日付で拒絶査定がなされたところ、同年８月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正がなされ、これに対して、当審において、平成１６年９月２８日付で拒絶理由を通知したところ、同年１２月６日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　基板上にＩＩＩ族原料ガス及び窒素元素を含むＶ族原料ガスを導入することにより、前記基板上に第１の窒化物半導体からなる第１の半導体層を形成する第１の半導体層形成工程と、
　前記第１の半導体層形成工程の後に、前記窒素元素を含むＶ族原料ガスを導入したまま、前記ＩＩＩ族原料ガスの導入を停止するＩＩＩ族原料ガス停止工程と、
　前記第１の半導体層の上にＩＩＩ族原料ガス及びＶ族原料ガスを導入することにより、前記第１の半導体層の上に、インジウムを含む第２の窒化物半導体からなる第２の半導体層を形成する第２の半導体層形成工程とを備え、
　前記ＩＩＩ族原料ガス停止工程は、前記第１の半導体層の雰囲気を、前記窒素元素を含むＶ族原料ガスを含み且つ圧力が１気圧以上とする工程を含むことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。」
　　
２．引用例
　当審の拒絶の理由に引用された特開平７−２３５５０５号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、
　　
（ア）「【０００１】【産業上の利用分野】
　本発明は半導体層の結晶成長方法に関する。」、
（イ）「【００１１】本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は高い結晶品質を有する半導体層の結晶成長方法を提供するものである。
【００１２】【課題を解決するための手段】
　本発明による半導体層の結晶成長方法は、半導体層を構成する元素及を含む複数の原料ガスであって、このうち少なくとも１種類は有機金属化合物である複数の原料ガスを成長室に導入する工程と、該成長室内の成長圧力を１気圧以上に保ちながら、加熱された基板の表面近傍において該原料ガスを分解させることにより、該基板上に該半導体層をエピタキシャル成長させる工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達成される。」、
（ウ）「【００２６】【作用】
　
半導体層を成長させる際、成長圧力を１気圧以上の高圧にし
これにより、結晶の品質が向上する高温で半導体層を成長させても、飽和蒸気圧の高い元素が基板上にほぼ化学量論的に結晶成長できるとともに、成長した半導体層から構成元素が離脱することがない。
（エ）「【００５３】（実施例３）以下に図５及び図６を参照しながら、ＧａＮ系の発光ダイオードに用いられる半導体構造を形成する方法を説明する。
【００５４】・・・半導体成長装置１０２はキャリアガスとして用いられるＮ２を供給するＮ２ボンベ４１、ガリウムを供給するためのＴＭＧ（トリメチルガリウム）ボンベ４２、インジウムを供給するためのＴＭＩ（トリメチルインジウム）ボンベ４３、アルミニウムを供給するためのＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ボンベ４４、及び窒素を供給するためのＮＨ３（アンモニア）ボンベ４５、及びこれらのボンベ４１〜４５から流す原料ガスおよびキャリアガスの流量をコントロールするための流量制御計４６〜５０を更に備えている。
【００５５】図６に示されるように、本実施例で作製する半導体構造１０５は、非単結晶ＧａＮ層５３、非単結晶ＧａＮ層５３上に形成されたＧａＮ層５４、
ＧａＮ層５４上に形成されたＧａＩｎＮ層５５
を有している
【００５６】まず、脱脂洗浄した６Ｈ−ＳｉＣからなる基板５１をモリブデン製のサセプタ５２にセットする。そして、
流量制御計４６を用いて、窒素ガスを窒素ボンベ４１から成長室１に１０Ｌ／ｍｉｎの割合で導入し、成長室１の圧力を１〜５気圧程度、好ましくは２気圧に保つ。成長室１の圧力は圧力計１６で計測される。圧力計１６で検出した値に基づいて、流量制御計１７が自動的に制御され、一定の成長圧力に保たれる
【００５７】基板５１の温度が１２００℃になるようにサセプタ２を加熱し、基板５１の表面を清浄化する。その後、サセプタ２の加熱を調節し、基板５１の温度を６００℃に保つ。ＮＨ３ボンベ４５から成長室１へ５Ｌ／ｍｉｎの割合でアンモニアガスを流し、１分後、ＴＭＧボンベ４２から成長室１へ５０ｃｃ／ｍｉｎの割合でトリメチルガリウムを流すことにより、基板５１上に非単結晶ＧａＮ層５３を成長させる。非単結晶ＧａＮ層５３の厚さが約２０ｎｍに達したら、アンモニアガス及びトリメチルガリウムの供給を停止する。
【００５８】
次に、基板５１を約１０００℃に保ちながら、ＮＨ
３
ボンベ４５から成長室１へ５Ｌ／ｍｉｎの割合でアンモニアガスを流し、１分後、ＴＭＧボンベ４２から成長室１へ１００ｃｃ／ｍｉｎの割合でトリメチルガリウムを流す。これにより、３μｍの厚さを有するＧａＮ層５４が非単結晶ＧａＮ層５３上に成長する。ＧａＮ層５４は十分な厚さを有しているため、基板５１と非単結晶ＧａＮ層５３との界面で発生した欠陥の影響は著しく低減され、ＧａＮ層５４の表面は平坦となる
【００５９】
次に、基板５１を約８００℃に保ちながら、ＮＨ
３
ボンベ４５から成長室１へ１０Ｌ／ｍｉｎの割合でアンモニアガスを流し、同時にＴＭＧボンベ４２及びＴＭＩボンベ４３から成長室１へそれぞれ５０ｃｃ／ｍｉｎ及び４００ｃｃ／ｍｉｎの割合でトリメチルガリウム及びトリメチルインジウムを流す。これにより、５ｎｍの厚さを有するＧａＩｎＮ層５５がＧａＮ層５４上に成長させられる
　　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例に記載された事項とを以下に対比する。
　　
（ａ）引用例の【００５８】に記載された「基板５１を約１０００℃に保ちながら、ＮＨ３ボンベ４５から成長室１へ５Ｌ／ｍｉｎの割合でアンモニアガスを流し、１分後、ＴＭＧボンベ４２から成長室１へ１００ｃｃ／ｍｉｎの割合でトリメチルガリウムを流す。これにより、３μｍの厚さを有するＧａＮ層５４が・・・成長する。」なる
ＧａＮ層５４を形成する工程
　　
（ｂ）同様に、引用例の【００５９】に記載された「次に、基板５１を約８００℃に保ちながら、ＮＨ３ボンベ４５から成長室１へ１０Ｌ／ｍｉｎの割合でアンモニアガスを流し、同時にＴＭＧボンベ４２及びＴＭＩボンベ４３から成長室１へそれぞれ５０ｃｃ／ｍｉｎ及び４００ｃｃ／ｍｉｎの割合でトリメチルガリウム及びトリメチルインジウムを流す。これにより、５ｎｍの厚さを有するＧａＩｎＮ層５５がＧａＮ層５４上に成長させられる。」なる
ＧａＩｎＮ層５５を形成する工程
　　
（ｃ）引用例の上記（エ）の記載事項によれば、引用例の上記「第１の半導体層形成工程」と上記「第２の半導体層形成工程」の間の期間において、基板５１の設定温度の変更、及び少なくともＩＩＩ族原料ガスの供給停止を含む原料ガスの変更が行われることは自明であり、またその間 、引用例の上記【００５６】に記載されているように、成長室１内には窒素ガスが導入され、同室内が１気圧以上の圧力に保たれているのは明らかであるから、当該期間は、本願発明の「前記第１の半導体層の雰囲気を、前記窒素元素を含み且つ圧力が１気圧以上とする工程を含むＩＩＩ族原料ガス停止工程」に相当する。
　　
　したがって、両者は、
「基板上にＩＩＩ族原料ガス及び窒素元素を含むＶ族原料ガスを導入することにより、前記基板上に第１の窒化物半導体からなる第１の半導体層を形成する第１の半導体層形成工程と、前記第１の半導体層の上にＩＩＩ族原料ガス及びＶ族原料ガスを導入することにより、前記第１の半導体層の上に、インジウムを含む第２の窒化物半導体からなる第２の半導体層を形成する第２の半導体層形成工程とを備え、前記第１の半導体層形成工程と第２の半導体層形成工程との間のＩＩＩ族原料ガス停止工程は、前記第１の半導体層の雰囲気を、前記窒素元素を含み且つ圧力が１気圧以上とする工程を含む窒化物半導体素子の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本願発明のＩＩＩ族原料ガス停止工程は、「
窒素元素を含むＶ族原料ガスを導入したまま
窒素元素を含むＶ族原料ガスを導入したまま
　　　
４．判断
　引用例には、第１の半導体層形成工程と第２の半導体層形成工程の間のＩＩＩ族原料ガス停止工程において、
窒素元素を含むＶ族原料ガスを導入したまま
　しかしながら、引用例に記載のものにおいては、少なくともその間キャリアガスである窒素ガスは引き続き成長室１内に導入されているものと解され、これにより当該工程の間も成長室１内は窒素を含む雰囲気を維持し、その圧力が１気圧以上に保たれていることは明らかであるから（上記（エ）の【００５６】）、本願発明の課題（「【００２４】　さらに、原料ガスの切り替え時の平衡状態において、半導体結晶の成長界面から構成原子の脱離を防ぐ第２の解決手段として、下地層の雰囲気を加圧状態の窒素元素を含むガス雰囲気とすると、下地層の上に成長する活性層の結晶品質が劣化しないという知見を得ている。」（本願明細書段落２４））を十分解決したものということができる。
　そして、引用例に記載のものにあっては、同工程の間、Ｖ族原料ガスの供給を停止してもしなくとも半導体層の結晶の質の良否に特段の影響を及ぼさないこと、また、Ｖ族原料ガスはアンモニアガス（ＮＨ３）であるから、ＩＩＩ族原料ガスに比べて格段に安価なものであること、第１の半導体層形成工程において成膜を中止するにはＩＩＩ族原料ガスのみ供給を停止すれば足りること、等々は当業者が容易に理解し得るところである。
　してみると、同工程の間、Ｖ族原料ガスの供給を停止するか、そのまま供給するかによっては、成膜を終了した第１の半導体層の結晶の性質に格別影響を与えないのであるから、当該操作は、当業者が適宜実施すべき事項というにすぎず、かかる操作を採用した本願発明は、引用例に記載された発明に基づき容易に想到し得たものである。
　　
　また、本願発明の作用効果も、引用例に記載された発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。