Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月30日(2018.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体からコンテンツを読み出して再生する再生装置であって、
符号化された映像情報である基本ビデオストリームと、符号化された映像情報であって、前記基本ビデオストリームの輝度を拡張するための拡張ビデオストリームとを前記記録媒体から読み出して復号する第１の復号部と、
符号化されたグラフィックスデータを前記記録媒体から読み出して復号する第２の復号部と、
前記基本ビデオストリームを復号して得られる前記映像情報に前記拡張ビデオストリームを復号して得られる前記映像情報を重畳し拡張高輝度映像情報とする第１の重畳部と、
前記拡張高輝度映像情報を格納する第１のビデオプレーンと、
前記拡張高輝度映像情報の階調に合わせて、前記符号化されたグラフィックスデータを復号して得られるグラフィックス映像情報の階調を変換する第１の処理部と、
前記第１のビデオプレーンに格納された前記拡張高輝度映像情報に、前記第１の処理部で変換後の前記グラフィックス映像情報を重畳する第２の重畳部と、
前記基本ビデオストリームを復号して得られる前記映像情報を高輝度映像情報として格納する第２のビデオプレーンと、
前記高輝度映像情報の階調に合わせて、前記符号化されたグラフィックスデータを復号して得られるグラフィックス映像情報の階調を変換する第２の処理部と、
前記第２のビデオプレーンに格納された前記高輝度映像情報に、前記第２の処理部で変換後の前記グラフィックス映像情報を重畳する第３の重畳部と、
前記第２の重畳部、又は前記第３の重畳部の重畳結果を出力する出力部と、
を備える再生装置。
【請求項２】
前記第１の処理部は、前記グラフィックス映像情報の階調を、８ビットから１２ビットに変換し、
前記第２の処理部は、前記グラフィックス映像情報の階調を、８ビットから１０ビットに変換する、
請求項１に記載の再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一態様に係る再生装置は、記録媒体からコンテンツを読み出して再生する再生装置であって、符号化された映像情報である基本ビデオストリームと、符号化された映像情報であって、前記基本ビデオストリームの輝度を拡張するための拡張ビデオストリームとを前記記録媒体から読み出して復号する第１の復号部と、符号化されたグラフィックスデータを前記記録媒体から読み出して復号する第２の復号部と、前記基本ビデオストリームを復号して得られる前記映像情報に前記拡張ビデオストリームを復号して得られる前記映像情報を重畳し拡張高輝度映像情報とする第１の重畳部と、前記拡張高輝度映像情報を格納する第１のビデオプレーンと、前記拡張高輝度映像情報の階調に合わせて、前記符号化されたグラフィックスデータを復号して得られるグラフィックス映像情報の階調を変換する第１の処理部と、前記第１のビデオプレーンに格納された前記拡張高輝度映像情報に、前記第１の処理部で変換後の前記グラフィックス映像情報を重畳する第２の重畳部と、前記基本ビデオストリームを復号して得られる前記映像情報を高輝度映像情報として格納する第２のビデオプレーンと、前記高輝度映像情報の階調に合わせて、前記符号化されたグラフィックスデータを復号して得られるグラフィックス映像情報の階調を変換する第２の処理部と、前記第２のビデオプレーンに格納された前記高輝度映像情報に、前記第２の処理部で変換後の前記グラフィックス映像情報を重畳する第３の重畳部と、前記第２の重畳部、又は前記第３の重畳部の重畳結果を出力する出力部と、を備える。
本発明の一態様に係る記録媒体は、符号化された映像情報である少なくとも１つのビデオストリームと、前記記録媒体の全体に関する属性を示す管理情報ファイルとが記録され、前記管理情報ファイルは、前記少なくとも１つのビデオストリームのうち、前記記録媒体が再生装置に挿入されたときに最初に再生される初期ビデオストリームの輝度のダイナミックレンジが、第１のダイナミックレンジか、前記第１のダイナミックレンジよりも広い第２のダイナミックレンジかを示す属性情報を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月12日(2018.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取引で使用可能なクーポンを電子化した電子クーポン情報を識別するクーポン識別情報と、そのクーポン識別情報で識別される前記電子クーポン情報の配信対象である客を識別する客識別情報と、その客による前記電子クーポン情報の使用回数を表す情報とを記憶する記憶部と、
日付を計時する計時手段と、
使用可能な期間の開始日が前記計時手段によって計時される日付と一致する前記電子クーポン情報を取得し、その電子クーポン情報の前記クーポン識別情報を、そのクーポン識別情報で識別される前記電子クーポン情報の配信対象である客の前記客識別情報、及び、その客による前記電子クーポン情報の使用回数を表す情報と関連付けて、前記記憶部に追加する追加手段と、
前記取引で使用された前記電子クーポン情報の前記クーポン識別情報とその取引の対象である客の前記客識別情報とを含むデータの受信に応答して、前記記憶部で前記データに含まれる前記クーポン識別情報及び客識別情報と関連付けて記憶されている前記使用回数を表す情報を使用回数が増加するように更新する更新手段と、
前記客識別情報を含むクーポン要求コマンドの受信に応答して、当該クーポン要求コマンドに含まれる前記客識別情報と関連付けて前記記憶部に記憶されている前記クーポン識別情報のうち、前記客識別情報と関連付けて記憶されている前記使用回数を表す情報から配信が許容される前記クーポン識別情報で識別される前記電子クーポン情報を当該クーポン要求コマンドの送信元に送信する配信手段と、
を具備したことを特徴とするサーバ装置。
【請求項２】
前記客識別情報と前記クーポン識別情報とを含む回数要求コマンドの受信に応答して、当該回数要求コマンドに含まれる前記客識別情報と前記クーポン識別情報とに関連付けて前記記憶部に記憶されている前記使用回数を表す情報を前記回数要求コマンドの送信元に送信する応答手段、をさらに具備したことを特徴とする請求項１記載のサーバ装置。
【請求項３】
前記客識別情報に関連付けて前記電子クーポン情報の配信を禁止する情報を記憶する禁止情報記憶部と、
前記応答手段により応答する前記使用回数を表す情報から前記配信が許容されない場合に、前記禁止情報記憶部に、前記回数要求コマンドに含まれる前記客識別情報に関連付けて前記電子クーポン情報の配信を禁止する情報を記憶させる制御手段と、をさらに具備したことを特徴とする請求項２記載のサーバ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか１に記載のサーバ装置と、
取引の決済により電子レシート情報を生成し、この電子レシート情報を前記サーバ装置に出力する会計装置と、を備え、
前記サーバ装置は、前記電子レシート情報を、その取引の対象である客の客識別情報と関連付けて記憶することを特徴とする電子レシートシステム。
【請求項５】
請求項２または３に記載のサーバ装置と、
取引の決済により電子レシート情報を生成し、この電子レシート情報を前記サーバ装置に出力する会計装置と、を備え、
前記会計装置は、
前記客識別情報を読み取る第１の読取手段と
前記クーポン識別情報を読み取る第２の読取手段と、
前記第１の読取手段により読み取られた前記客識別情報と前記第２の読取手段により読み取られた前記クーポン識別情報とを含む前記回数要求コマンドを前記サーバ装置に送信する送信手段と、
前記回数要求コマンドの送信に応答して前記サーバ装置から返信される前記使用回数を表す情報から前記クーポン識別情報で識別される電子クーポン情報の使用可否を判定し、使用可の場合に前記第１の読取手段により読み取られた前記客識別情報と前記第２の読取手段により読み取られた前記クーポン識別情報とを含むデータを前記サーバ装置に送信する処理手段と、を具備し、
前記サーバ装置は、前記電子レシート情報を、その取引の対象である客の客識別情報と関連付けて記憶することを特徴とする電子レシートシステム。
【請求項６】
取引で使用可能なクーポンを電子化した電子クーポン情報を識別するクーポン識別情報とそのクーポン識別情報で識別される前記電子クーポン情報の配信対象である客を識別する客識別情報とその客による前記電子クーポン情報の使用回数を表す情報とを記憶する記憶部に対して情報の入出力を行うコンピュータに、
日付を計時する計時手段によって計時される日付が更新される毎に、使用可能な期間の開始日が前記計時手段によって計時される日付と一致する前記電子クーポン情報を取得し、その電子クーポン情報の前記クーポン識別情報を、そのクーポン識別情報で識別される前記電子クーポン情報の配信対象である客の前記客識別情報、及び、その客による前記電子クーポン情報の使用回数を表す情報と関連付けて、前記記憶部に追加する機能と、
前記取引で使用された前記電子クーポン情報の前記クーポン識別情報とその取引の対象である客の前記客識別情報とを含むデータの受信に応答して、前記記憶部で当該データに含まれる前記クーポン識別情報及び客識別情報と関連付けて記憶されている前記使用回数を表す情報を使用回数が増加するように更新する機能と、
前記客識別情報を含む電子クーポン要求コマンドの受信に応答して、当該電子クーポン要求コマンドに含まれる前記客識別情報と関連付けて前記記憶部に記憶されている前記クーポン識別情報のうち、前記客識別情報と関連付けて記憶されている前記使用回数を表す情報から配信が許容される前記クーポン識別情報で識別される前記電子クーポン情報を当該電子クーポン要求コマンドの送信元に送信する機能と、を実現させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一実施形態において、サーバ装置は、記憶部と、計時手段と、追加手段と、更新手段と、配信手段と、を含む。記憶部は、取引で使用可能なクーポンを電子化した電子クーポン情報を識別するクーポン識別情報と、そのクーポン識別情報で識別される電子クーポン情報の配信対象である客を識別する客識別情報と、その客による電子クーポン情報の使用回数を表す情報とを記憶する。計時手段は、日付を計時する。追加手段は、使用可能な期間の開始日が計時手段によって計時される日付と一致する電子クーポン情報を取得し、その電子クーポン情報のクーポン識別情報を、そのクーポン識別情報で識別される電子クーポン情報の配信対象である客の客識別情報、及び、その客による電子クーポン情報の使用回数を表す情報と関連付けて、記憶部に追加する。更新手段は、取引で使用された電子クーポン情報のクーポン識別情報とその取引の対象である客の客識別情報とを含むデータの受信に応答して、記憶部でデータに含まれるクーポン識別情報及び客識別情報と関連付けて記憶されている使用回数を表す情報を使用回数が増加するように更新する。配信手段は、客識別情報を含むクーポン要求コマンドの受信に応答して、当該クーポン要求コマンドに含まれる客識別情報と関連付けて記憶部に記憶されているクーポン識別情報のうち、客識別情報と関連付けて記憶されている使用回数を表す情報から配信が許容されるクーポン識別情報で識別される電子クーポン情報を当該クーポン要求コマンドの送信元に送信する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月23日(2018.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から入射した光を導光し、その一部を光出射面から出射させる導光板とを備え、
前記導光板に、入射した光の方向を変えて前記光出射面から出射させる光出射構造部を１以上含む画素領域が設けられており、前記画素領域のそれぞれからの出射光量を変化させることによって階調を有する所定の画像を表示するとともに、
所定の範囲の階調を表示する前記画素領域の出射光量が、第１光量値、または、前記第１光量値よりも大きい第２光量値となるようにランダムに設定されており、
前記所定の画像における全ての階調の範囲を複数の部分階調範囲に分割するとともに、前記部分階調範囲毎に、前記第１光量値および前記第２光量値が設定されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記部分階調範囲の数が１０以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記部分階調範囲の数が５以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
最も高い前記部分階調範囲の前記第２光量値が、最も低い前記部分階調範囲の前記第２光量値の３倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
ある部分階調範囲の前記第２光量値と、該部分階調範囲よりも一段階低い部分階調反値の前記第２光量値との差を光量値差とすると、全ての階調の範囲における前記光量値差が一定ではないことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記画素領域のそれぞれに含まれる前記光出射構造部の数が同じであるとともに、前記光出射構造部の形状を異ならせることによって前記画素領域の出射光量を変化させることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記光出射構造部が、入射した光の方向を変える光学面を備えるとともに、前記光出射面側から見て、前記光源から入射する光の方向に垂直な第１方向における前記光学面の長さを異ならせることによって前記画素領域の出射光量を変化させることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記光出射構造部が、入射した光の方向を変える光学面を備えるとともに、前記光出射面側から見て、前記光源から入射する光の方向に平行な第２方向における前記光学面の長さを異ならせることによって前記画素領域の出射光量を変化させることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記画素領域に含まれる前記光出射構造部の数を異ならせることによって前記画素領域の出射光量を変化させることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記光源から入射する光の方向に垂直な第１方向に並ぶ複数の前記画素領域をまたがるように、前記第１方向に延伸する光出射構造領域が複数平行に設けられているとともに、
前記光出射構造領域に光出射構造部を設けるか否かによって、前記画素領域に含まれる前記光出射構造部の数を異ならせることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表示装置を備えており、
遊技の進行に応じて前記表示装置での表示が行われることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月24日(2018.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送システムにおける受信エンティティが転送パケットを受信する方法であって、
パケットヘッダー及びペイロードを含む転送パケットを受信するステップと、
ここで、前記パケットヘッダーは、前記転送パケットが、アプリケーション階層順方向エラー訂正(ＡＬ−ＦＥＣ）符号化により保護されないパケット及び前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されるパケットのうちいずれか一つであることを示す順方向エラー訂正(ＦＥＣ）タイプ情報を有し、
前記ＦＥＣタイプ情報に基づいて前記転送パケットが前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されないパケット及び前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されるパケットのうちのいずれか一つであることを決定するステップと、を含み、
前記ＦＥＣタイプ情報が第１の値で設定された場合、前記転送パケットは、前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化によって保護されないパケットであり、
前記ＦＥＣタイプ情報が第２の値で設定された場合、前記転送パケットは、前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化によって保護されるパケットであり、
前記パケットヘッダーは、前記ペイロードに含まれたペイロードデータの複数のタイプのうち一つを指示するタイプ情報をさらに含み、前記ペイロードデータの複数のタイプは、前記ペイロードデータがメディア処理ユニット（ＭＰＵ）のフラグメントを含む第１のタイプ及び前記ペイロードデータがシグナリングメッセージを含む第２のタイプを含むことを特徴とする受信方法。
【請求項２】
前記パケットヘッダーは、前記転送パケットの転送時間を指示するタイムスタンプ情報をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の受信方法。
【請求項３】
前記転送パケットは、フラグメント状態を指示する情報を含み、
前記ペイロードデータが前記ＭＰＵのフラグメントを含む場合、前記フラグメント状態を指示する情報は、前記ＭＰＵのフラグメントのフラグメント状態を指示することを特徴とする請求項１に記載の受信方法。
【請求項４】
前記転送パケットのペイロードデータは、前記ＭＰＵのフラグメントを含み、
前記方法は、
前記ＭＰＵが属するアセットを識別する識別情報を含む他の転送パケットを受信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の受信方法。
【請求項５】
前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されるパケットは、入力パケットに第１のペイロード識別子（ＩＤ）を追加することにより生成されたことを特徴とする請求項１に記載の受信方法。
【請求項６】
前記第１のペイロードＩＤは、前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されるパケットにより送信されたソースシンボルを識別し、
前記ソースシンボルは、前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化のために、前記入力パケットから生成されることを特徴とする請求項５に記載の受信方法。
【請求項７】
放送システムにおける転送パケットを受信する受信エンティティであって、
パケットヘッダー及びペイロードを含む転送パケットを受信し、前記パケットヘッダーに含まれた順方向エラー訂正(ＦＥＣ)タイプ情報に基づいて前記転送パケットがアプリケーション階層順方向エラー訂正(ＡＬ−ＦＥＣ)符号化により保護されないパケット及びＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されるパケットのうちいずれか一つであることを決定する制御部を含み、
前記ＦＥＣタイプ情報は、前記転送パケットが、ＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されないパケット及びＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されるパケットのうちのいずれか一つであることを示し、
前記ＦＥＣタイプ情報が第１の値で設定された場合、前記転送パケットは前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されないパケットであり、
前記ＦＥＣタイプ情報が第２の値で設定された場合、前記転送パケットは前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されるパケットであり、
前記パケットヘッダーは、前記ペイロードに含まれたペイロードデータの複数のタイプのうちの一つを指示するタイプ情報をさらに含み、前記ペイロードデータの複数のタイプは前記ペイロードデータがメディア処理ユニット（ＭＰＵ）のフラグメントを含む第１のタイプ及び前記ペイロードデータがシグナリングメッセージを含む第２のタイプを含むことを特徴とする受信装置。
【請求項８】
前記パケットヘッダーは、前記転送パケットの転送時間を指示するタイムスタンプ情報をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の受信装置。
【請求項９】
前記転送パケットは、フラグメント状態を指示する情報を含み、
前記ペイロードデータが前記ＭＰＵのフラグメントを含む場合、前記フラグメント状態を指示する情報は、前記ＭＰＵのフラグメントのフラグメント状態を指示することを特徴とする請求項７に記載の受信装置。
【請求項１０】
前記転送パケットのペイロードデータは、前記ＭＰＵのフラグメントを含み、
前記制御部は、
前記ＭＰＵが属するアセットを識別する識別情報を含む他の転送パケットをさらに受信することを特徴とする請求項７に記載の受信装置。
【請求項１１】
前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されるパケットは、入力パケットに第１のペイロード識別子（ＩＤ）を追加することにより生成されたことを特徴とする請求項７に記載の受信装置。
【請求項１２】
前記第１のペイロードＩＤは、前記ＡＬ−ＦＥＣ符号化により保護されるパケットにより転送されたソースシンボルを識別し、
前記ソースシンボルは、ＡＬ−ＦＥＣ符号化のために、前記入力パケットから生成されることを特徴とする請求項１１に記載の受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月4日(2018.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体から少なくとも１つの固体部分を分離する方法であって、
レーザーによって前記固体の結晶格子を改質する工程を少なくとも含み、
前記結晶格子において複数の改質が引き起こされ、
前記結晶格子は、前記改質の結果、該改質を囲む領域で少なくともそれぞれ１つの部分において、そこから亀裂を生じ、
前記改質の領域における前記亀裂によって剥離領域が定められ、
レーザー光線は、研磨された表面を通って少なくとも部分的に透明な前記固体に入射し、
複数の前記亀裂は未臨界であり、かつ、前記固体内におけるその広がりは５ｍｍよりも小さく、
複数の前記未臨界の亀裂の大部分が、レーザー光線が入射する前記固体の表面に平行な平面に広がり、
前記固体は炭化ケイ素を含むか若しくは炭化ケイ素からなり、
前記固体はインゴットであり、
前記固体は前記剥離領域に沿って少なくとも２つの部分に分離される、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記亀裂は、水平方向に実質的に延びている、ことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
前記亀裂は、異なる平面上に延び得る、ことを特徴とする請求項１又は２の方法。
【請求項４】
レーザー光線によって発生した前記改質が結晶幾何学的配向に適合するように、前記インゴットの配向が利用される、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの方法。
【請求項５】
前記剥離領域が或る定義された形状をなすように、前記未臨界の亀裂が１つの層において定義された形態で広がる、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの方法。
【請求項６】
前記結晶格子は、各改質の中心Ｚから離れている部分において少なくとも大部分の亀裂を生じる、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの方法。
【請求項７】
前記剥離領域は、前記改質の一側において前記固体の長さ方向に延在し、前記研磨された表面が前記改質の反対側に位置する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの方法。
【請求項８】
前記改質は、前記固体から固体層を分離した後に残された残存固体の部分から完全に取り除かれる、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかの方法。
【請求項９】
前記残存固体は、前記固体層の分離後に前記改質の残りを示さない、ことを特徴とする請求項８の方法。
【請求項１０】
前記レーザー光線の波長は、固体の線吸収が０．１ｃｍ-1未満になるように選ばれる、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかの方法。
【請求項１１】
レーザー光線のエネルギーは、少なくとも１つの方向における前記固体における物質変化が、レイリー長の３倍より小さくなるように選ばれることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれかの方法。
【請求項１２】
前記レーザーのパルス繰り返し周波数が１６ｋＨｚ以上２０ＭＨｚ以下である、ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかの方法。
【請求項１３】
前記レーザー光線は、１００ｎＪ／μｍ2以上１００００ｎＪ／μｍ2以下のパルス密度で前記固体に入射される、ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかの方法。
【請求項１４】
前記レーザー光線は、回折する光学部材によって複数のレーザー光線に分離され、該レーザー光線の分離によってそれに対応する数の改質が発生される、請求項１乃至１３のいずれかの方法。
【請求項１５】
前記レーザー光線の焦点は、前記固体の入射面から１０００μｍ未満離れており、少なくとも個々の光線部分が該入射面を介して前記固体に入射して物理的な改質を生成する、請求項１乃至１４のいずれかの方法。
【請求項１６】
前記複数の改質の配置に加えて又はその代わりに、焦点及び／又はエネルギー量及び／又は照射時間が異なるように設定される、請求項１乃至１５のいずれかの方法。
【請求項１７】
制御ユニットにより、前記固体の材料特性に依存して、前記改質の発生を制御することを特徴とする、請求項１乃至１６のいずれかの方法。
【請求項１８】
前記レーザー光線を焦点合わせするための光学装置は、０．１以上０．９以下の開口数を有することを特徴とする、請求項１乃至１７のいずれかの方法。
【請求項１９】
前記改質は、５０μｍ未満の垂直な広がりを有する、請求項１乃至１８のいずれかの方法。
【請求項２０】
ピコ秒レーザーを使用し、前記レーザーが８００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の波長を持つ、請求項１乃至１９のいずれかの方法。
【請求項２１】
前記レーザー光線は物質変化を引き起し、該物質変化の結果として無定形相が生じる、請求項１乃至２０のいずれかの方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年9月10日(2018.9.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体、光学及び磁性基板の少なくとも１つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、研磨パッドは、イソシアネート末端反応生成物を形成するためのポリプロピレングリコールとトルエンジイソシアネートとのプレポリマー反応から形成されるキャスト成形ポリウレタンポリマー材料を含み、トルエンジイソシアネートは、５重量％未満の脂肪族イソシアネートを有し、イソシアネート末端反応生成物は、５．５５〜５．８５重量％の未反応ＮＣＯを有し、イソシアネート末端反応生成物は、４，４’−メチレン−ビス（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）硬化剤で硬化され、硬化ポリマーは、非多孔性状態で測定すると、ねじり固定具を使用して２０と１００℃の間で測定するとき０．０４〜０．１０のtan δ（ASTM 5279）、室温で１４０〜２４０MPaのヤング率（ASTM-D412）及び室温で４４〜５６のショアＤ硬度（ASTM-D2240）を有する、研磨パッド。
【請求項２】
研磨パッドが、非多孔性である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
イソシアネート末端反応生成物及び４，４’−メチレン−ビス（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）が、８０〜１２０％のＮＣＯに対するＮＨ２の化学量論比を有する、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項４】
研磨パッドが、２００μm未満の平均径を有する細孔を包含する、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項５】
研磨パッドが、細孔を形成するためのポリマーミクロスフェアを包含する、請求項４に記載の研磨パッド。
【請求項６】
半導体、光学及び磁性基板の少なくとも１つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、研磨パッドは、イソシアネート末端反応生成物を形成するためのポリプロピレングリコールとトルエンジイソシアネートとのプレポリマー反応から形成されるキャスト成形ポリウレタンポリマー材料を含み、トルエンジイソシアネートは、５重量％未満の脂肪族イソシアネートを有し、イソシアネート末端反応生成物は、５．５５〜５．８５重量％の未反応ＮＣＯを有し、イソシアネート末端反応生成物は、４，４’−メチレン−ビス（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）硬化剤で硬化され、硬化ポリマーは、非多孔性状態で測定すると、ねじり固定具を使用して２０と１００℃の間で測定するとき０．０４〜０．１０のtan δ（ASTM 5279）、室温で１８０〜２４０MPaのヤング率（ASTM-D412）及び室温で４６〜５４のショアＤ硬度（ASTM-D2240）を有する、研磨パッド。
【請求項７】
研磨パッドが、非多孔性である、請求項６に記載の研磨パッド。
【請求項８】
イソシアネート末端反応生成物及び４，４’−メチレン−ビス（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）が、１００〜１１２％のＮＣＯに対するＮＨ２の化学量論比を有する、請求項６に記載の研磨パッド。
【請求項９】
研磨パッドが、５〜１００μmの平均径を有する細孔を包含する、請求項６に記載の研磨パッド。
【請求項１０】
研磨パッドが、細孔を形成するためのポリマーミクロスフェアを包含する、請求項９に記載の研磨パッド。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
発明の陳述
本発明の１つの態様は、半導体、光学及び磁性基板の少なくとも１つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、イソシアネート末端反応生成物を形成するためのポリプロピレングリコールとトルエンジイソシアネートとのプレポリマー反応から形成されるキャスト成形ポリウレタンポリマー材料を含む、研磨パッドを提供するが、ここで、このトルエンジイソシアネートは、５重量％未満の脂肪族イソシアネートを有しており、そしてこのイソシアネート末端反応生成物は、５．５５〜５．８５重量％の未反応ＮＣＯを有しており、このイソシアネート末端反応生成物は、４，４’−メチレン−ビス（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）硬化剤で硬化され、この硬化ポリマーは、非多孔性状態で測定すると、ねじり固定具（torsion fixture）を使用して２０と１００℃の間で測定するとき０．０４〜０．１０の誘電正接（tan δ）（ASTM 5279）、室温で１４０〜２４０MPaのヤング率（ASTM-D412）及び室温で４４〜５６のショアＤ硬度（ASTM-D2240）を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の別の態様は、半導体、光学及び磁性基板の少なくとも１つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、イソシアネート末端反応生成物を形成するためのポリプロピレングリコールとトルエンジイソシアネートとのプレポリマー反応から形成されるキャスト成形ポリウレタンポリマー材料を含む、研磨パッドを提供するが、ここで、このトルエンジイソシアネートは、５重量％未満の脂肪族イソシアネートを有しており、そしてこのイソシアネート末端反応生成物は、５．５５〜５．８５重量％の未反応ＮＣＯを有しており、このイソシアネート末端反応生成物は、４，４’−メチレン−ビス（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）硬化剤で硬化され、この硬化ポリマーは、非多孔性状態で測定すると、ねじり固定具を使用して２０と１００℃の間で測定するとき０．０４〜０．１０のtan δ（ASTM 5279）、室温で１８０〜２４０MPaのヤング率（ASTM-D412）及び室温で４６〜５４のショアＤ硬度（ASTM-D2240）を有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
【図１】図１は、異なる硬化剤で硬化したパッド材料の硬度に対するヤング率のプロットを表す。
【図２】図２は、異なる硬化剤で調製したパッドポリマーを比較する０〜１００℃の間で測定するときのtan δのプロットである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
試料１とI-2との間のＤＭＡ比較は、Rheometric Scientific RDA3 DMAツール上のTorsion Rectangular固定具を使用して、５０％の湿度室において室温で５日間のコンディショニング後、１０ラジアン/秒の速度及び毎分３℃の加熱速度で、４０mm×６．５mm×１．２７mmの標本寸法を有する非多孔性試料を用いて、ASTM 5279により行った。図２から分かるように、５．７５重量％（５．５５〜５．８５重量％）ＮＣＯを含むＭＣＤＥＡ硬化配合物は、ＭＯＣＡ硬化配合物と比較して予想外の平坦なtan δを提供した。特にこの組合せは、２０と１００℃の間で測定されるとき、０．０４〜０．１０のtan δを提供する。５．５５重量％未満及び５．８５重量％を超えるＮＣＯを有するＭＯＣＡ硬化パッドでの研磨は、類似のＭＣＤＥＡ硬化配合物で達成される、平坦化及び低ディッシングの改善された組合せを欠いている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
培養皿の収納が可能な培養皿収納容器であって、
前記培養皿の出し入れが可能な開口部を有する容器本体と、
前記開口部を覆い、前記容器本体から取り外し可能に設けられた蓋体を備えることを特徴とする、培養皿収納容器。
【請求項２】
前記培養皿収納容器内のガスを交換するためのガス交換手段をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の培養皿収納容器。
【請求項３】
前記蓋体に前記ガス交換手段が設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の培養皿収納容器。
【請求項４】
前記ガス交換手段がフィルターであることを特徴とする、請求項２又は３に記載の培養皿収納容器。
【請求項５】
縦方向に重ねた複数の培養皿の収納が可能であることを特徴とする、請求項１〜４の何れか１項に記載の培養皿収納容器。
【請求項６】
前記開口部が前記容器本体の上面及び／又は底面に設けられ、
前記容器本体の胴部には該胴部を伸縮可能にする伸縮手段が設けられていることを特徴とする、請求項１〜５の何れか１項に記載の培養皿収納容器。
【請求項７】
前記伸縮手段が蛇腹構造であることを特徴とする、請求項６に記載の培養皿収納容器。
【請求項８】
１以上の培養皿を載置することができる載置部を有する保持体をさらに備え、
前記保持体は前記容器本体に収納可能であり、前記開口部から出し入れ可能な大きさであることを特徴とする、請求項１〜７の何れか１項に記載の培養皿収納容器。
【請求項９】
前記開口部が容器本体の上面に設けられていることを特徴とする、請求項１〜８の何れか１項に記載の培養皿収納容器。
【請求項１０】
前記培養皿収納容器内に収納した培養皿を観察することができる観察部が設けられていることを特徴とする、請求項１〜９の何れか１項に記載の培養皿収納容器。
【請求項１１】
前記蓋体に前記観察部が設けられていることを特徴とする、請求項１０に記載の培養皿収納容器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月9日(2018.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第５のトランジスタを有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第４の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第５の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第６の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第７の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第７の配線に電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の信号を伝達する機能を有し、
前記第２の配線は、第２の信号を伝達する機能を有し、
前記第３の配線は、第３の信号を伝達する機能を有し、
前記第４の配線は、第４の信号を伝達する機能を有し、
前記第５の配線は、Ｈレベルの電位を伝達する機能を有し、
前記第６の配線は、Ｌレベルの電位を伝達する機能を有し、
前記第７の配線は、前記第５の配線の電位又は前記第６の配線の電位を伝達する機能を有し、
前記第１の信号は、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの導通状態を制御する機能を有し、
前記第２の信号は、前記第３のトランジスタの導通状態を制御する機能を有し、
前記第３の信号は、前記第４のトランジスタの導通状態を制御する機能を有し、
前記第４の信号は、前記第５のトランジスタの導通状態を制御する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第５のトランジスタを有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第４の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第５の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第６の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方、並びに前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第７の配線に電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の信号を伝達する機能を有し、
前記第２の配線は、第２の信号を伝達する機能を有し、
前記第３の配線は、第３の信号を伝達する機能を有し、
前記第４の配線は、第４の信号を伝達する機能を有し、
前記第５の配線は、Ｈレベルの電位を伝達する機能を有し、
前記第６の配線は、Ｌレベルの電位を伝達する機能を有し、
前記第７の配線は、前記第５の配線の電位又は前記第６の配線の電位を伝達する機能を有し、
前記第１乃至第４の信号は、前記第５のトランジスタを非導通状態として、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタを導通状態とすることで前記第５のトランジスタのソース及びドレインの他方をＬレベルとし、前記第５のトランジスタを導通状態として、前記第５のトランジスタのソース及びドレインの他方をＨレベルとする機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１乃至第４のトランジスタはｎチャネル型トランジスタであり、
前記第５のトランジスタは、ｐチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月15日(2018.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶回路と、プロセッサと、カウンタと、パワーマネージメントユニットと、レジスタと、比較回路と、を有する半導体装置であって、
前記記憶回路は、第１の期間においてプログラムを格納する機能と、第２の期間において前記プロセッサのための緩衝記憶装置として動作する機能と、を有し、
前記プロセッサは、前記第２の期間において前記プログラムを実行する機能を有し、
前記第１の期間は、電力の供給が遮断される期間を有し、
前記第２の期間は、前記電力の供給が行われる期間を有し、
前記カウンタは、前記第１の期間の長さを計測する機能を有し、
前記パワーマネージメントユニットは、前記第２の期間が開始されると、前記プロセッサへの前記電力の供給が開始されるように制御する機能を有し、
前記レジスタは、前記カウンタによって計測された前記第１の期間の長さのデータを格納する機能を有し、
前記比較回路は、前記記憶回路が前記緩衝記憶装置として動作する際に、前記プロセッサから要求されたデータが前記記憶回路に格納されているか否かを判断する機能を有し、
前記記憶回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のインバータと、第２のインバータと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のインバータの出力端子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第１のインバータの入力端子は、前記第２のインバータの出力端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月5日(2018.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の出力ノードと、
ｋ個の第１の回路と（ｋは２以上の整数）、を有する半導体装置であって、
前記第１の回路は、
第２の出力ノードを有するメモリ回路と、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
キャパシタと、を有し、
ｋ個の第１の信号は、それぞれ、互いに異なるｋ個の前記第１の回路の何れか１に入力され、
前記キャパシタの一方の端子は前記第１の出力ノードに電気的に接続され、
前記キャパシタの他方の端子は前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは前記第１の出力ノードと前記第２の出力ノードとの間の導通状態を制御することができる機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタの前記ゲートへの前記第１の信号の供給を制御することができる機能を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
ｋ個の前記第１の回路において、前記第２のトランジスタは、共通の第２の信号により導通状態が制御される半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
第２の回路を有し、
前記第２の回路は、前記第１の出力ノードに第１の電位を印加することができる機能を有する回路である半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
第３のトランジスタおよび第３の回路を有し、
第３の信号は、前記第３のトランジスタの導通状態を制御することができる機能を有し、
前記第３のトランジスタは、前記第１の出力ノードと配線との間の導通状態を制御することができる機能を有し、
前記配線には、第１の電位が供給され、
前記第３の回路は、前記第３の信号およびｋ個の前記第１の信号を生成することができる機能を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項において、
前記第２のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体層を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月25日(2018.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１接続層とその片面に形成された第２接続層とを有する異方性導電フィルムであって、
第１接続層が、光重合樹脂層であり、
第２接続層が、熱又は光カチオン、アニオン若しくはラジカル重合性樹脂層であり、
第１接続層の第２接続層側表面に、異方性導電接続用の導電粒子が単層で配列されており、
第１接続層の第２接続層反対側表面に微細凹凸が設けられている
ことを特徴とする異方性導電フィルム。
【請求項２】
第１接続層とその片面に形成された第２接続層とを有する異方性導電フィルムであって、
第１接続層が、光重合樹脂層であり、
第２接続層が、熱又は光カチオン、アニオン若しくはラジカル重合性樹脂層であり、
第１接続層の第２接続層側表面に、異方性導電接続用の導電粒子が単層で一定の間隔で設けられており、
第１接続層の第２接続層反対側表面に微細凹凸が設けられている
ことを特徴とする異方性導電フィルム。
【請求項３】
該微細凹凸が規則的パターンで設けられている請求項１または２記載の異方性導電フィルム。
【請求項４】
該微細凹凸の凹部の底部から凸部の頂点までの平均距離が、導電粒子の平均粒子径の１／５０〜１０倍である請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項５】
該微細凹凸パターンのピッチが、導電粒子の平均粒子径の１／５０〜１０倍である請求項１〜４のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項６】
第１接続層が、アクリレート化合物と光ラジカル重合開始剤とを含む光ラジカル重合性樹脂層を光ラジカル重合させた光ラジカル重合樹脂層である請求項１〜５のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項７】
第１接続層が、更に、エポキシ化合物と熱又は光カチオン若しくはアニオン重合開始剤とを含有している請求項１〜６のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項８】
第２接続層が、エポキシ化合物と熱又は光カチオン若しくはアニオン重合開始剤とを含有する熱又は光カチオン若しくはアニオン重合性樹脂層、又はアクリレート化合物と熱又は光ラジカル重合開始剤とを含有する熱又は光ラジカル重合性樹脂層である請求項１〜７のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
【請求項９】
第２接続層が、エポキシ化合物と熱又は光カチオン若しくはアニオン重合開始剤とを含有する熱又は光カチオン若しくはアニオン重合性樹脂層である場合、更にアクリレート化合物と熱又は光ラジカル重合開始剤とを含有する請求項８記載の異方性導電フィルム。
【請求項１０】
請求項１記載の異方性導電フィルムの製造方法であって、以下の工程（Ａ）〜（Ｄ）：
工程（Ａ）
微細凹凸が形成された原盤を用いて、片面に微細凹凸が設けられた光重合性樹脂層を形成する工程；
工程（Ｂ）
片面に微細凹凸が設けられた光重合性樹脂層の他面に導電粒子を単層で配列させる工程；
工程（Ｃ）
導電粒子が配列した光重合性樹脂層に対して紫外線を照射することにより光ラジカル重合反応させ、片面に微細凹凸が設けられ、他面に導電粒子が固定化された第１接続層を形成する工程；及び
工程（Ｄ）
導電粒子が固定化された第１接続層の他面に、熱又は光カチオン、アニオン若しくはラジカル重合性樹脂層からなる第２接続層を形成する工程
を有する製造方法。
【請求項１１】
工程（Ｂ）の紫外線照射を、光重合性樹脂層の導電粒子が配列した側から行う請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の異方性導電フィルムの製造方法であって、以下の工程（ＡＡ）〜（ＥＥ）：
工程（ＡＡ）
微細凹凸が形成された原盤を用いて、片面に微細凹凸が設けられた光重合性樹脂層を形成する工程；
工程（ＢＢ）
片面に微細凹凸が設けられた光重合性樹脂層の他面に導電粒子を単層で配列させる工程；
工程（ＣＣ）
導電粒子が配列した光重合性樹脂層に対して紫外線を照射することにより光重合反応させ、片面に微細凹凸が設けられ、他面に導電粒子が仮固定化された仮第１接続層を形成する工程；
工程（ＤＤ）
仮第１接続層の導電粒子側表面に、熱カチオン、アニオン若しくはラジカル重合性樹脂層からなる第２接続層を形成する工程；及び
工程（ＥＥ）
第２接続層と反対側から仮第１接続層に紫外線を照射することにより光重合反応させ、仮第１接続層を本硬化させて第１接続層を形成する工程
を有する製造方法。
【請求項１３】
工程（ＣＣ）の紫外線照射を、光重合性樹脂層の導電粒子が配列した側から行う請求項１２記載の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれかに記載の異方性導電フィルムで第１電子部品を第２電子部品に異方性導電接続した接続構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月31日(2018.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、
前記陰極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の第２のＥＬ層と、
前記第２のＥＬ層上の陽極と、
中間層と、を有し、
前記中間層は、前記第１のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層との間に設けられ、
前記中間層は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、前記第２の層上の第３の層とを有し、
前記第１の層は、正孔輸送性材料と電子受容体とを有し、
前記第３の層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属を有し、
前記第２の層は、電子輸送性材料を有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
陰極と、
前記陰極上の複数のＥＬ層と、
前記複数のＥＬ層上の陽極と、
複数の中間層と、を有し、
前記複数の中間層のそれぞれは、前記複数のＥＬ層の間にそれぞれ設けられ、
前記複数の中間層は、それぞれ、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、前記第２の層上の第３の層とを有し、
前記第１の層は、正孔輸送性材料と電子受容体とを有し、
前記第３の層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属を有し、
前記第２の層は、電子輸送性材料を有することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の層は、前記アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属が第１の層に拡散することを抑制することができる機能を有することを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第３の層は、電子注入バッファー層としての機能を有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記陰極は、電界効果トランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項５において、
前記電界効果トランジスタは、ｎ型電界効果トランジスタであることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記電界効果トランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有することを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の発光素子と、カラーフィルターとを有する電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の発光素子と、タッチパネルとを有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月15日(2018.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶回路と、プロセッサと、カウンタと、パワーマネージメントユニットと、レジスタと、比較回路と、を有する半導体装置であって、
前記記憶回路は、第１の期間においてプログラムを格納する機能と、第２の期間において前記プロセッサのための緩衝記憶装置として動作する機能と、を有し、
前記プロセッサは、前記第２の期間において前記プログラムを実行する機能を有し、
前記第１の期間は、電力の供給が遮断される期間を有し、
前記第２の期間は、前記電力の供給が行われる期間を有し、
前記カウンタは、前記第１の期間の長さを計測する機能を有し、
前記パワーマネージメントユニットは、前記第２の期間が開始されると、前記プロセッサへの前記電力の供給が開始されるように制御する機能を有し、
前記レジスタは、前記カウンタによって計測された前記第１の期間の長さのデータを格納する機能を有し、
前記比較回路は、前記記憶回路が前記緩衝記憶装置として動作する際に、前記プロセッサから要求されたデータが前記記憶回路に格納されているか否かを判断する機能を有し、
前記記憶回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、記憶素子と、を有し、
前記記憶素子は、ＭＴＪ素子を有し、
前記記憶素子は、前記第１のトランジスタを介して入力される信号を記憶する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記記憶素子に記憶されている前記信号に従って、オンまたはオフが選択される機能を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月22日(2017.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
多くのアプリケーション（たとえば、半導体素子の熱圧着ボンディング）において、はんだ材料が導電性構造に含まれる。多くのそのような工程において、ボンディングされている半導体素子に熱が（たとえば、ボンドツールを保持するボンド・ヘッド・アセンブリの加熱装置を通じて）加えられる。加熱は、装置のスループット（たとえば、ＵＰＨ、すなわち毎時単位）が許容可能なレベルであるように迅速に達成されることが重要である。このような加熱は、加熱装置（または加熱装置の部分）が、異なる時間／場所において異なる温度（たとえば、熱圧着時のより高い温度とは対照的に、ウェハのような原料から構成要素を取り出す間はより低い温度）であることが望ましいため、困難である可能性がある。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許第６，１１３，７３２号明細書
（特許文献２）  米国特許出願公開第２０１３／０３３３７２６号明細書