【事件の表示】
　特願２０００−２３３８１０「半導体結晶物の処理システムおよび半導体ウェハの処理システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年２月１５日出願公開、特開２００２−５０５９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１２年８月２日の特許出願であって、同１５年２月２４日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１５年３月２７日に意見書と共に明細書について手続補正書が提出されたが、同１５年４月１５日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１５年５月９日に本件審判の請求がされ、その後、同１５年５月１４日に明細書について再度手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成１５年５月１４日付けの補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年５月１４日付けの補正を却下する。
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲について補正するものであって、補正前後の記載を示すと以下のとおりである。
（１）補正前の特許請求の範囲
【請求項１】　半導体結晶物を加工することで発生した被除去物を含む流体を第１のフィルタに通過させて、前記第１のフィルタに前記被除去物から成る層状の第２のフィルタを形成し、前記第２のフィルタが形成された第１のフィルタを介して前記流体を濾過する半導体結晶物の処理システムにおいて、
　酸性を示す物質を前記流体に混入することで前記流体のＰＨを中性若しくは弱酸性に調整することにより、前記第２のフィルタを離間可能な状態に保ち、
　前記第２のフィルタの表層に外力を加えて、濾過中に前記第２のフィルタの表層を離間させながら、前記流体を濾過することを特徴とする半導体結晶物の処理システム。
【請求項２】　前記被除去物は、シリコンインゴットをブロックにカットする工程、前記ブロックを円柱状にする工程、前記円柱状のブロックにオリエンテーションフラットを形成する工程、前記ブロックからウェハに切断する工程、前記ウェハを研磨する工程、または、前記ウェハを個々の半導体素子に切断する工程で発生する半導体加工屑であることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項３】　前記酸性を示す物質は、水に溶けて酸性を示す液体、または気体であることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項４】　前記酸性を示す物質は、炭酸ガスであることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項５】　前記被除去物は大きさの異なる粒子を含み、前記第１のフィルタの孔の大きさは最小の前記粒子の粒径よりも大きく且つ最大の前記粒子の粒径よりも小さく、前記第２のフィルタは大きさの異なる粒子で形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項６】　前記外力は、気泡の上昇力であることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項７】　酸性を示す物質を前記流体に混入することにより流体のＰＨを中性若しくは弱酸性に調整し、
　前記流体を用いて半導体結晶物を加工することで発生した被除去物を含む前記流体を回収し、
　濾過装置を用いて前記流体を濾過することで、前記被除去物を除去することを特徴とする半導体結晶物の処理システム。
【請求項８】　前記濾過装置は、第１のフィルタと、前記第1のフィルタの表面に形成された被除去物から成る層状の第２のフィルタとから成ることを特徴とする請求項７記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項９】　前記第２のフィルタの表面に外力を与えて、濾過中に前記第２のフィルタの表層を取り除きながら、前記流体を濾過することを特徴とする請求項８記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項１０】　前記外力は、気泡の上昇力であることを特徴とする請求項９記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項１１】　前記酸性を示す物質は、水に溶けて酸性を示す液体、または気体であることを特徴とする請求項７記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項１２】　前記酸性を示す物質は、炭酸ガスであることを特徴とする請求項７記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項１３】　前記被除去物は大きさの異なる粒子を含み、前記第１のフィルタの孔の大きさは最小の前記粒子の粒径よりも大きく且つ最大の前記粒子の粒径よりも小さく、前記第２のフィルタは大きさの異なる粒子で形成されることを特徴とする請求項８記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項１４】　前記被除去物は、シリコンインゴットをブロックにカットする工程、前記ブロックを円柱状にする工程、前記円柱状のブロックにオリエンテーションフラットを形成する工程、前記ブロックからウェハに切断する工程、前記ウェハを研磨する工程、または、前記ウェハを個々の半導体素子に切断する工程で発生する半導体加工屑であることを特徴とする請求項７記載の半導体結晶物の処理システム。
（２）補正後の特許請求の範囲
【請求項１】　半導体結晶物を加工することで発生した被除去物を含む流体を第１のフィルタに通過させて、前記第１のフィルタに前記被除去物から成る層状の第２のフィルタを形成し、前記第２のフィルタが形成された第１のフィルタを介して前記流体を濾過する半導体結晶物の処理システムにおいて、
　酸性を示す物質を前記流体に混入することで前記流体のＰＨを中性若しくは弱酸性に調整することにより、前記第２のフィルタを構成する前記被除去物を離間可能な状態に保ち、
　前記第２のフィルタの表層に外力を加えて、濾過中に前記第２のフィルタの表層の前記被除去物を離間させながら、前記流体を濾過することを特徴とする半導体結晶物の処理システム。
【請求項２】　前記被除去物は、シリコンインゴットをブロックにカットする工程、前記ブロックを円柱状にする工程、前記円柱状のブロックにオリエンテーションフラットを形成する工程、前記ブロックからウェハに切断する工程、前記ウェハを研磨する工程、または、前記ウェハを個々の半導体素子に切断する工程で発生する半導体加工屑であることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項３】　前記酸性を示す物質は、水に溶けて酸性を示す液体、または気体であることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項４】　前記酸性を示す物質は、炭酸ガスであることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項５】　前記被除去物は大きさの異なる粒子を含み、前記第１のフィルタの孔の大きさは最小の前記粒子の粒径よりも大きく且つ最大の前記粒子の粒径よりも小さく、前記第２のフィルタは大きさの異なる粒子で形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項６】　前記外力は、気泡の上昇力であることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項７】　前記加工を行う前に、前記流体のＰＨを調整することを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項８】　前記加工を行った後に、前記流体のＰＨを調整することを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項９】　前記被除去物を再利用することを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項１０】　前記被除去物を、ウェハ用のインゴット、瓦の材料、セメントまたはコンクリートの材料として再利用することを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
【請求項１１】　前記被除去物は、シリコン、Ｓｉカーバイト、ダイヤモンドまたはジルコニアであることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶物の処理システム。
　
２．請求項７〜請求項１１の補正についての判断
　補正後の請求項７〜請求項１１は、いずれも補正後の請求項１を引用するものであって、削除された補正前の請求項７〜請求項１４とは関係のないものである。
　そうしてみると、この補正は、補正前の特許請求の範囲には存在しない請求項を新たに付加するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとすることはできず、また、請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれかを目的とするものでもない。
　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年法律第４７号による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明についての判断
１．本件発明
　平成１５年５月１４日付けの補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１〜１４に係る発明は、平成１５年３月２７日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に最初に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１４に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という。）及び請求項７に係る発明（以下「本件発明７」という。）は、それぞれ特許請求の範囲の請求項１及び請求項７に記載された事項により特定されるの次のとおりの「半導体結晶物の処理システム」であると認める。
（１）本件発明１
「半導体結晶物を加工することで発生した被除去物を含む流体を第１のフィルタに通過させて、前記第１のフィルタに前記被除去物から成る層状の第２のフィルタを形成し、前記第２のフィルタが形成された第１のフィルタを介して前記流体を濾過する半導体結晶物の処理システムにおいて、
　酸性を示す物質を前記流体に混入することで前記流体のＰＨを中性若しくは弱酸性に調整することにより、前記第２のフィルタを離間可能な状態に保ち、
　前記第２のフィルタの表層に外力を加えて、濾過中に前記第２のフィルタの表層を離間させながら、前記流体を濾過することを特徴とする半導体結晶物の処理システム。」
（２）本件発明７
「酸性を示す物質を前記流体に混入することにより流体のＰＨを中性若しくは弱酸性に調整し、
　前記流体を用いて半導体結晶物を加工することで発生した被除去物を含む前記流体を回収し、
　濾過装置を用いて前記流体を濾過することで、前記被除去物を除去することを特徴とする半導体結晶物の処理システム。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６２−６１６９１号公報（以下「引用例」という。）には以下の事項が記載されている。
（イ）「本発明は半導体ウェハーの製造工程より排出されるシリコン微粒子を含む排水を精密濾過膜や超濾過膜で濾過し、当該微粒子を除去した濾過水を前記製造工程用水として回収する方法に関するものである。」（第１頁左下欄第１３〜１７行）
（ロ）「・・・当該排水を滞留させるｐＨが高いと、前記濾過膜が比較的早期に目詰まりを起こし、また当該目詰まりを起こした物質を分析したところシリコン微粒子に粘着性の強いコロイドシリカが付着したものであることが判明した。」（第２頁左上欄第６〜１０行）　
（ハ）「・・・シリコン微粒子がコロイドシリカに変化する反応は、実施例に記載するように、系のｐＨによって大きく影響され、ｐＨが７．０以下では上記反応の進行が遅く、ｐＨが７．０を越えると反応の進行が速くなることを知見した。」（第２頁右上欄第１２〜１６行）　
（ニ）「第１図は本発明の実施態様の一例のフローを示す説明図であり、図中１は滞留槽、２は循環槽、３は濾過膜を装着した濾過器である。
　シリコン微粒子を含む・・・・・排水４をｐＨ検出槽５で受け、当該ｐＨ検出槽５に付設したｐＨ計６により当該排水の排出点直後のｐＨを測定し、当該排水のｐＨが７．０以上の場合は前述したごとくｐＨが４．０〜７．０の範囲に入るように酸７を添加する。次いでｐＨを調節した排水を滞留槽１に滞留させ、ポンプ８にて当該排水を循環槽２に送給し、さらにポンプ９にて循環槽２内の排水を濾過器３に送給して排水中のシリコン微粒子を膜面で濾過し、濾過水１０を得るとともに、シリコン微粒子を濃縮した濃縮水１１を循環槽２に循環する。」（第３頁右上欄第７行〜同頁左下欄第２行）
（ホ）「本発明によって得られる濾過水１０はそのままの状態で半導体ウェハーの製造用水として回収したり、・・・」（第３頁左下欄第１１〜１３行）
　これらの記載事項を本件発明１、７に照らして整理すると引用例には以下の発明が記載されていると認めることができる。
「半導体ウェハーの製造工程より排出されるシリコン微粒子を含む排水を濾過膜を装着した濾過器３を介して濾過する半導体ウェハーの処理システムにおいて、
　酸７を前記排水に混入することで前記排水のｐＨを７．０以下に調整して前記排水を濾過する半導体ウェハーの処理システム。」（以下、「引用発明１」という。）、及び、
「酸７を、シリコン微粒子を含む排水に混入することにより、前記排水のｐＨを７．０以下に調整し、半導体ウェハーの製造工程より排出されるシリコン微粒子を含む前記排水を回収し、濾過膜を装着した濾過器３を用いて前記排水を濾過することで、前記シリコン微粒子を除去する半導体ウェハーの処理システム。」（以下、「引用発明２」という。）
　
３．対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「半導体ウェハー」が本件発明１の「半導体結晶物」に相当し、同様に「半導体ウェハーの製造工程より排出されるシリコン微粒子」が「半導体結晶物を加工することで発生した被除去物」に、「シリコン微粒子を含む排水」が「被除去物を含む流体」に、「酸７」が「酸性を示す物質」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明１において「排水のｐＨを７．０以下に調整」することは、本件発明１において「流体のＰＨを中性若しくは弱酸性に調整」することにほかならない。
　さらに、引用発明１の「濾過膜を装着した濾過器３」は、「フィルタ」であるという限りで、本件発明１の「第１のフィルタ」と共通している。
　したがって、本件発明１と引用発明１とは、次の点で一致しているということができる。
「半導体結晶物を加工することで発生した被除去物を含む流体をフィルタを介して濾過する半導体結晶物の処理システムにおいて、
　酸性を示す物質を前記流体に混入することで前記流体のＰＨを中性若しくは弱酸性に調整して前記流体を濾過する半導体結晶物の処理システム」である点。
　そして、本件発明１と引用例記載の発明とは、次の点で相違している。
　本件発明１では、被除去物を含む流体を第１のフィルタに通過させて、前記第１のフィルタに前記被除去物から成る層状の第２のフィルタを形成し、前記第２のフィルタが形成された第１のフィルタを介して前記流体を濾過し、また、前記第２のフィルタを離間可能な状態に保ち、前記第２のフィルタの表層に外力を加えて、濾過中に前記第２のフィルタの表層を離間させながら、前記流体を濾過するのに対して、引用発明１では、フィルタに被除去物から成る層状の第２のフィルタを形成しているのかどうか明らかでなく、また、第２のフィルタの表層に外力を加えて、濾過中に前記第２のフィルタの表層を離間させる構成を備えていない点。
　そこで、上記相違点について検討するに、被除去物を含む流体をフィルタにより濾過する場合、当該流体をフィルタに通過させると、フィルタ表面に前記被除去物から成る層が形成され、この層が形成されたフィルタを介して前記流体を濾過することは、フィルタの如何を問わず従来から広く知られている事項である。
　そうしてみると、引用発明１においてもそのフィルタ表面に被除去物から成る層、すなわち、第２のフィルタが形成されており、この第２のフィルタが形成された第１のフィルタを介して被除去物を含む流体を濾過しているとみるのが相当である。また、引用発明１は、本件発明１と同様、被除去物を含む流体のＰＨを中性若しくは弱酸性に調整していることから、引用発明１の第２のフィルタを構成する被除去物であるシリコン微粒子は離間可能な状態に保たれていると考えられる。
　そうすると、本件発明１と引用発明１とは、被除去物を含む流体を第１のフィルタに通過させて、前記第１のフィルタに前記被除去物から成る層状の第２のフィルタを形成し、前記第２のフィルタが形成された第１のフィルタを介して前記流体を濾過し、また、前記第２のフィルタを構成する前記被除去物を離間可能な状態に保つ点でも一致しているということができる。
　したがって、本件発明１と引用発明１との最終的な相違は、本件発明１では、第２のフィルタの表層に外力を加えて、濾過中に前記第２のフィルタの表層を離間させながら、流体を濾過するのに対して、引用発明１ではそのような構成を備えていない点に帰着する。
　本件発明１において、第２のフィルタの表層に外力を加えて、濾過中に前記第２のフィルタの表層を離間させることは、見方を変えるとフィルタの目詰まりを適度に抑えることであるところ、フィルタの目詰まりを防止するために、フィルタの表面に外力を加えてフィルタの表面に形成される被除去物の層を排除することは、例えば、実願昭６３−１１９８６６号（実開平２−４０４０８号）のマイクロフィルムに示されているように従来周知である。
　そして、この周知の事項を引用発明１に適用して本件発明１のように構成することは当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
　また、本件発明１によってもたらされる効果も引用発明１及び上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
（２）本件発明７について
　本件発明７と引用発明２とを対比すると、両者は、以下の点で一致している。
「酸性を示す物質を流体に混入することにより流体のＰＨを中性若しくは弱酸性に調整し、
　半導体結晶物を加工することで発生した被除去物を含む前記流体を回収し、
　濾過装置を用いて前記流体を濾過することで、前記被除去物を除去する半導体結晶物の処理システム」である点。
　そして、本件発明７と引用発明２とは、次の点で相違している。
　本件発明７では、予めＰＨを中性若しくは弱酸性に調整した流体を用いて半導体結晶物を加工しているのに対して、引用発明２では、半導体結晶物を加工した後の被除去物を含む流体のＰＨを中性若しくは弱酸性に調整している点。
　そこで、この相違点について検討すると、原査定の際においてもその旨指摘しているように、ＰＨの調整は、加工後の被除去物を含む流体に対して行わなければならないとする理由はなく、また、引用例には、ＰＨを中性若しくは弱酸性に調整して回収された流体を用いて半導体結晶物を加工することが示唆されている。
　そうしてみると、加工前の流体のＰＨを調整することは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到し得た事項であるということができる。
　
４．むすび
　したがって、本件発明１及び本件発明７は、引用発明１又は２及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。