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【手続補正書】
【提出日】平成30年8月2日(2018.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
主題を例示的実施形態を参照して詳細に記載してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく、様々な変更がなされてもよく、等価物が利用されてもよいことは当業者に明らかであろう。上の背景技術の節で考察した全ての関連技術の参照は、参照することによって全体的に本明細書に組み込まれる。
以下の項目は、外国語出願時の特許請求の範囲に記載の要素である。
［項目１］
締結具（３０）であって、
頭部（３６）と、
前記頭部（３６）に接続されるシャフト（３８）と、
前記締結具（３０）の長手軸（Ｌ）の周りに延在し、かつ、前記長手軸（Ｌ）の周りで離間された複数の花弁状部分（４８）を含むカラー（４０）と、を備え、
前記頭部（３６）及び前記シャフト（３８）のうちの少なくとも一方は、複数の平坦表面（５２）を含み、
前記複数の花弁状部分（４８）のそれぞれは、前記頭部（３６）及び前記シャフト（３８）のうちの前記少なくとも一方が含む複数の平坦表面（５２）のそれぞれ１つに面する平坦表面（５４）を含む、締結具（３０）。
［項目２］
前記締結具（３０）は、
近位端部（３２）と、
遠位端部（３４）と、
前記近位端部（３２）から前記遠位端部（３４）まで延在する前記長手軸（Ｌ）と、を有し、
前記頭部（３６）は、前記締結具（３０）の前記近位端部（３２）に配置されており、
前記シャフト（３８）は、前記締結具（３０）の前記遠位端部（３４）まで延在し、
前記カラー（４０）は、長手軸方向において前記締結具（３０）の最近位表面から離間された最近位表面を有する、請求項１に記載の締結具（３０）。
［項目３］
前記カラー（４０）は、さらに、前記頭部（３６）及び前記シャフト（３８）うち前記少なくとも一方から離間された上縁部（４６）を含み、
前記締結具（３０）の前記近位端部（３２）を含む第１面（Ｐ１）は、前記カラー（４０）の前記上縁部（４６）を含む第２面（Ｐ２）から離間され、
前記第１面（Ｐ１）及び前記第２面（Ｐ２）は、前記長手軸（Ｌ）に対して実質的に垂直である、請求項２に記載の締結具（３０）。
［項目４］
前記カラー（４０）、前記シャフト（３８）、及び、前記頭部（３６）は、均質ユニットとして一体的に形成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の締結具（３０）。
［項目５］
前記複数の花弁状部分（４８）のそれぞれは、前記シャフトに片持ちされ、及び／又は、前記複数の花弁状部分（４８）の隣接する花弁状部分から所定の距離だけ離されている、請求項１から４のいずれか一項に記載の締結具（３０）。
［項目６］
前記複数の花弁状部分（４８）のそれぞれは、多角形、好ましくは六角形の形状を有し、
前記多角形は、好ましくは少なくとも１つの対称軸を含み、及び／又は、好ましくは特に前記花弁状部分（４８）のそれぞれの近位表面に面取り縁部を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の締結具（３０）。
［項目７］
前記複数の花弁状部分（４８）のそれぞれの前記平坦表面（５４）は、前記花弁状部分（４８）のそれぞれの外側表面と実質的に平行である、請求項１から６のいずれか一項に記載の締結具（３０）。
［項目８］
前記複数の花弁状部分（４８）のそれぞれは、
前記シャフト（３８）に接続された根元部（５０）と、
前記頭部（３６）に向かって延在する自由端部と、を含み、
前記自由端部は、前記根元部（５０）で測定された断面厚さより小さな断面厚さを有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の締結具（３０）。
［項目９］
前記複数の花弁状部分（４８）のそれぞれは、
根元部（５０）と、
自由端部と、を含み、
前記根元部（５０）は、前記頭部（３６）及び前記シャフト（３８）のうちの前記少なくとも一方に接続され、
前記自由端部は、前記頭部（３６）及び前記シャフト（３８）のうちの前記少なくとも一方から離間され、その結果、内側溝空間が、前記花弁状部分のそれぞれの前記自由端部と、前記頭部（３６）及び前記シャフト（３８）のうちの少なくとも一方と、の間に形成され、
前記自由端部は、前記締結具（３０）の長手軸に向かう方向において前記自由端部に力が適用される場合、前記溝空間に向かって曲がるように構成される、請求項１から７のいずれか一項に記載の締結具（３０）。
［項目１０］
前記締結具（３０）の前記長手軸（Ｌ）から垂直に延在する半径は、
頭部（３６）及び前記シャフト（３８）のうちの前記少なくとも一方と、前記溝空間と、交差するとともに、
前記複数の花弁状部分（４８）の少なくとも１つの花弁状部分の長さのかなりの部分に沿って、前記複数の花弁状部分（４８）のうちの前記少なくとも１つと交差する、請求項８又は９に記載の締結具（３０）。
［項目１１］
前記複数の花弁状部分は、前記長手軸の周りに均等に分散された６個の花弁状部分を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の締結具。
［項目１２］
前記頭部（３６）は、前記締結具（３０）の近位端部（３２）から前記締結具（３０）の遠位端部（３４）の方に延在する工具係合構造（４２）を含む、請求項２から１１のいずれか一項に記載の締結具（３０）。
［項目１３］
前記頭部（３６）は、さらに、前記締結具（３０）の近位端部（３２）にリップ（４４）を含む、請求項２から１２のいずれか一項に記載の締結具（３０）。
［項目１４］
取付けシステム（１００）であって、
請求項１から１３のうちのいずれか一項に記載の締結具（３０）と、
少なくとも１つの開口（２２ａ；２２ｂ）及び前記開口から離れる方向に延在するプレート面取り部（２４ａ、２４ｂ）を含むプレート（２０）と、を備え、
前記開口（２２ａ；２２ｂ）は、前記締結具（３０）が取付け構造に押し込まれる場合に、前記締結具（３０）を受け入れるように構成され、
前記プレート面取り部（２４ａ、２４ｂ）は、前記締結具（３０）が前記取付け構造物から抜かれる場合に、前記複数の花弁状部分（４８）のそれぞれを前記長手軸（Ｌ）に向かって移動させるように構成される、取付けシステム（１００）。
［項目１５］
取付けシステム（１００）であって、
請求項１から１３のうちのいずれか一項に記載の締結具（３０）と、
上側表面、反対側の下側表面、及び、少なくとも１つのケージ開口（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）を含むケージと、を備え、
前記少なくとも１つのケージ開口（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）は内壁によって画定されるとともに、前記締結具（３０）が前記少なくとも１つのケージ開口（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）に配置されるとき、椎骨（８１）との接続のために前記上側表面及び前記下側表面のうち少なくとも一方から前記締結具（３０）が延在することを可能にするように構成され、
前記ケージ（１０）は、前記少なくとも１つのケージ開口（１１ｃ）の前記内壁（１３）から延在するロック構造（１３ａ−ｆ）を含み、前記ロック構造（１３ａ−ｆ）は、前記締結具（３０）を、前記ケージ（１０）に対して所定の位置に保持するために前記締結具（３０）の前記カラー（４０）と協働する、取付けシステム（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月23日(2018.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、所定の治具に装着されて使用され、複数層からなる清掃用ドライシートであって、表面層と裏面層とにそれぞれ設けられる繊維層と、これらの前記繊維層に挟まれる中間層に設けられる不織布層と、前記繊維層と前記不織布層とが交絡された交絡部とを備え、前記交絡部には、前記表面層と前記裏面層とにおいて、低交絡部と、前記低交絡部よりも繊維密度が高く交絡され凹状に形成された高交絡部が設けられ、前記高交絡部は、前記表面層と前記裏面層との対応する略同一箇所に設けられており、前記表面層及び裏面層の繊維は、ポリエチレンテレフタレート繊維の配合率が８０％以上であり、前記ポリエチレンテレフタレート繊維の繊維径は、３．３ｄｔｅｘ以上であり、前記高交絡部は、前記表面層および前記裏面層の平面視における表面積に対して２０−９０％の面積率で形成されており、前記高交絡部と前記低交絡部とは、前記清掃用ドライシートの拭き方向に対して略直角方向に延設され、前記拭き方向に沿って交互に連続して形成されていることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１記載の発明によれば、清掃用ドライシートにおいて、表面層と裏面層とにおいて、交絡部の中で低交絡部よりも繊維密度が高く交絡された高交絡部が設けられており、表面層及び裏面層の繊維を上記のように構成したので、清掃用ドライシートの表面層および裏面層に繊維密度の異なる箇所を有することとなる。
このため、繊維密度の異なる低交絡部と高交絡部のそれぞれの箇所において、捕集性能や捕集特性が異なり、様々な重量や大きさの被捕集物をそれぞれの箇所において好適に捕集することができる。
このため、清掃用ドライシートを嵩高にすることができ、捕集性能をより向上させることができる。
また、高交絡部は、表面層と裏面層との対応する略同一箇所に設けられているので、例えば、異なる箇所に高交絡部を設ける場合、片面側だけ水流交絡することとなるが、実際には反対面側も交絡されてしまい、想定する嵩高が得られないというおそれがない。すなわち、水流が当てられる箇所が両面ともに高交絡部となるので、低交絡部が過剰に交絡されるおそれがない。
また、疎水性繊維層を構成するポリエチレンテレフタレート繊維の繊維径が３．３ｄｔｅｘ以上なので、繊維の剛性（クッション性）が向上し、軽い力でも操作できるようになる。また、３．３ｄｔｅｘ以上の太い繊維径のポリエチレンテレフタレート繊維により、繊維間空隙が確保され、被捕集物を好適に捕集することができる。
また、高交絡部が表裏面の平面視における表面積に対して２０−９０％の面積率で形成されているので、繊維密度の異なる箇所の分布や比率を好適なものとすることができる。
また、高交絡部と低交絡部とが清掃用ドライシートの拭き方向に対して略直角方向に延設され、拭き方向に沿って交互に連続して形成されるので、清掃用ドライシートの繊維密度の高い箇所と低い箇所とで交互にごみやダストを捕集することができ、高交絡部と低交絡部とでそれぞれ異なったごみやダストを捕集することができ、複数の高交絡部と低交絡部とで交互にそれぞれ異なったごみやダストを捕集することができ、良好な捕集性能を発揮することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
パターニング部３１は、清掃用ドライシート１が使用される際、拭き方向（ＣＤ方向）となる向きに対して直角な方向（ＭＤ方向）に沿って延設されている。また、パターニング部３１は、所定の間隔に離間して複数列に形成されている。また、これらのパターニング部３１は、清掃用ドライシート１の表面ないし裏面の平面視における表面積に対して、２０−９０％の面積率となるように形成されている。具体的には、ＣＤ方向において、１つのパターニング部３１の幅寸法と１つの非パターニング部３２の幅寸法を単位長さとして面積率を算出している。例えば、パターニング部３１の幅寸法が３ｍｍであり、非パターニング部３２の幅寸法が１２ｍｍの場合は、面積率は２０％である。ここで、面積率とは、パターニング部３１の平面視における表面積となるパターニング表面Ａと、非パターニング部３２の平面視における表面積となる非パターニング表面Ｂとの割合を示しており、面積率は、以下の式により算出されている。
面積率（％）＝Ａ/（Ａ＋Ｂ）×１００・・・（式１）
なお、外層３は、パターニングの観点から片面の目付が２０−２５ｇ/ｍ２の範囲が好
ましく、また、２種類以上の化学繊維（合成繊維）を組み合わせることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本実施形態によれば、パターニング部３１が表裏面に対して平面視において２０−９０％の面積率で形成されているので、繊維密度の異なる箇所の分布や比率を好適なものとすることができ、多様なごみに対して良好な捕集性能を発揮することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
〔比較例４〕
比較例４の清掃用ドライシート１は、外層３を実施例と同様の繊維を用いて配合比率を変更して評価した。
すなわち、PET3.3 dtex70％、バインダー繊維1.7dtex 30％とする外層３に、実施例２
と同じように、パターニング部の幅寸法6mm、非パターニング部の幅寸法6mm(パターニング率50％）とした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の治具に装着されて使用され、複数層からなる清掃用ドライシートであって、表面層と裏面層とにそれぞれ設けられる繊維層と、これらの前記繊維層に挟まれる中間層に設けられる不織布層と、前記繊維層と前記不織布層とが交絡された交絡部とを備え、
前記交絡部には、前記表面層と前記裏面層とにおいて、低交絡部と、前記低交絡部よりも繊維密度が高く交絡され凹状に形成された高交絡部とが設けられ、
前記高交絡部は、前記表面層と前記裏面層との対応する略同一箇所に設けられており、
前記表面層及び裏面層の繊維は、
ポリエチレンテレフタレート繊維の配合率が８０％以上であり、
前記ポリエチレンテレフタレート繊維の繊維径は、３．３ｄｔｅｘ以上であり、
前記高交絡部は、前記表面層および前記裏面層の平面視における表面積に対して２０−９０％の面積率で形成されており、
前記高交絡部と前記低交絡部とは、前記清掃用ドライシートの拭き方向に対して略直角方向に延設され、
前記拭き方向に沿って交互に連続して形成されていることを特徴とする清掃用ドライシート。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月5日(2018.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子（Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１〜Ｔ２６，Ｔ３１〜Ｔ３６）及び該スイッチング素子と電気的に接続された板状の端子（２５）を備えた半導体装置（２１）に対して配置される電流センサ装置であって、
前記端子の厚み方向において前記端子に接続されるバスバー（３１）と、
前記バスバーに流れる電流を検出する磁電変換素子（１４）と、
前記磁電変換素子及び前記バスバーを一体的に保持する樹脂部（３２）と、を備え、
前記バスバーは、前記樹脂部から突出する一端（３１０）に、壁面（３１５）によって区画され、前記バスバーの板厚方向において前記バスバーを貫通する貫通部と、前記壁面として、互いに対向する一対の対向壁面（３１５ａ，３１５ｂ）と、を有し、
一対の前記対向壁面の少なくとも一方が前記端子に接続され、
前記貫通部は、前記バスバーの外周面（３１４）に開口する切り欠き（３１３）であり、
前記対向壁面は、前記外周面に連なっており、
前記切り欠きは、一対の前記対向壁面間の幅が狭くされ、前記対向壁面に前記端子が接続される狭幅部（３１３ａ）と、前記幅の方向及び前記板厚方向の両方向に直交する方向において前記外周面への開口側の端部とは反対の底側の端部に設けられ、前記狭幅部よりも幅の広い底側拡幅部（３１３ｃ）と、を有する電流センサ装置。
【請求項２】
前記切り欠きは、前記直交する方向において前記外周面への開口側の端部に設けられた開口側拡幅部（３１３ｂ）を有し、
前記開口側拡幅部において、前記外周面に近いほど一対の前記対向壁面間の対向距離が長くなるように、一対の前記対向壁面の少なくとも一方がテーパ形状をなしている請求項１に記載の電流センサ装置。
【請求項３】
スイッチング素子（Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１〜Ｔ２６，Ｔ３１〜Ｔ３６）及び該スイッチング素子と電気的に接続された板状の端子（２５）を備えた半導体装置（２１）に対して配置される電流センサ装置であって、
前記端子の厚み方向において前記端子に接続されるバスバー（３１）と、
前記バスバーに流れる電流を検出する磁電変換素子（１４）と、
前記磁電変換素子及び前記バスバーを一体的に保持する樹脂部（３２）と、を備え、
前記バスバーは、前記樹脂部から突出する一端（３１０）に、壁面（３１５）によって区画され、前記バスバーの板厚方向において前記バスバーを貫通する貫通部と、前記壁面として、互いに対向する一対の対向壁面（３１５ａ，３１５ｂ）と、を有し、
一対の前記対向壁面の少なくとも一方が前記端子に接続され、
前記貫通部は、貫通孔（３１６）であり、
前記貫通孔は、一対の前記対向壁面間の幅が狭くされ、前記対向壁面に前記端子が接続される狭幅部（３１６ａ）と、前記幅の方向及び前記板厚方向の両方向に直交する方向において少なくとも一方の端部に設けられ、前記狭幅部よりも幅の広い拡幅部（３１６ｂ，３１６ｃ）と、を有する電流センサ装置。
【請求項４】
前記バスバーは、前記一端から前記一端とは反対の他端（３１１）まで前記板厚方向を同じとして延設されている請求項１〜３いずれか１項に記載の電流センサ装置。
【請求項５】
一対の前記対向壁面は、互いに平行な部分を有し、
前記対向壁面の平行部分に、前記端子が接続される請求項１〜４いずれか１項に記載の電流センサ装置。
【請求項６】
互いに並設された複数の前記半導体装置に対して配置される請求項１〜５いずれか１項に記載の電流センサ装置であって、
各半導体装置の前記端子に対応して設けられた複数の前記バスバーと、
複数の前記バスバーそれぞれに流れる電流を検出する複数の前記磁電変換素子と、
複数の前記バスバー及び複数の前記磁電変換素子を一体的に保持する前記樹脂部と、を備え、
各バスバーに前記貫通部が形成されている電流センサ装置。
【請求項７】
複数の前記バスバーは、板厚方向が互いに同じ方向となり、且つ、前記板厚方向に直交する板幅方向に並ぶように、前記樹脂部に保持され、
各バスバーは、隣りに位置する前記バスバーとの対向面に切断痕（３１７）を有する請求項６に記載の電流センサ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本開示のひとつである電流センサ装置は、スイッチング素子（Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１〜Ｔ２６，Ｔ３１〜Ｔ３６）及び該スイッチング素子と電気的に接続された板状の端子（２５）を備えた半導体装置（２１）に対して配置される電流センサ装置であって、
端子の厚み方向において端子に接続されるバスバー（３１）と、
バスバーに流れる電流を検出する磁電変換素子（１４）と、
磁電変換素子及びバスバーを一体的に保持する樹脂部（３２）と、を備え、
バスバーは、樹脂部から突出する一端（３１０）に、壁面（３１５）によって区画され、バスバーの板厚方向においてバスバーを貫通する貫通部と、壁面として、互いに対向する一対の対向壁面（３１５ａ，３１５ｂ）と、を有し、
一対の対向壁面の少なくとも一方が端子に接続され、
貫通部は、バスバーの外周面（３１４）に開口する切り欠き（３１３）であり、
対向壁面は、外周面に連なっており、
切り欠きは、一対の対向壁面間の幅が狭くされ、対向壁面に端子が接続される狭幅部（３１３ａ）と、幅の方向及び板厚方向の両方向に直交する方向において外周面への開口側の端部とは反対の底側の端部に設けられ、狭幅部よりも幅の広い底側拡幅部（３１３ｃ）と、を有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年6月27日(2018.6.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
図５は本開示の一実施形態により提供される充電制御装置５００の構成モジュール図であり、充電制御装置５００が充電スタンドに配置される。図５に示すように、充電制御装置５００は受信モジュール５０１と、取得モジュール５０２と、実行モジュール５０３とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月28日(2018.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部材、振動部材及び弾性コネクターを備える振動モーターであって、
前記固定部材は、収納空間を有するハウジング、ハウジングの外側に固定されるフレキシブル回路基板、前記ハウジング内に設けられているコイル架台、及び前記コイル架台に設けられると共に前記フレキシブル回路基板に電気的に接続されるコイルを含み、
前記ハウジングは底板を含み、
前記コイル架台は、前記コイルを支持するための支持部と、前記支持部から屈曲して延在していると共に前記ハウジングに接続されているマウントとを含み、
前記振動部材は、第１の磁石鋼セット、前記第１の磁石鋼セットを収容する第１の質量ブロック、第２の磁石鋼セット及び前記第２の磁石鋼セットを収容する第２の質量ブロックを含み、
前記第１の磁石鋼セット及び前記第２の磁石鋼セットは、それぞれ前記コイルの両側に設けられ、且つ前記コイルに対向して設けられることにより前記第１の磁石鋼セット及び第２の磁石鋼セットによって形成される磁界が閉ループに形成され、
前記第１の質量ブロックは凹溝を有し、前記凹溝は底部及び前記底部の両側から延在している側壁を有し、
前記第２の質量ブロックは、前記凹溝の前記側壁の間に係合され、かつ、前記凹溝の底部とは一定の距離を置き、
前記コイル架台の支持部は、第１の質量ブロックと第２の質量ブロックとの間に位置し、前記支持部の延在方向は、振動部材の振動方向に対して垂直であり、
前記弾性コネクターの一端は前記ケーシングに固定接続され、他端は前記第１の質量ブロックの側壁に接続され、
振動モーターの厚み方向において、前記フレキシブル回路基板は、第１の磁石鋼セットおよび第２の磁石鋼セットよりもハウジングに近いことを特徴とする振動モーター。
【請求項２】
前記第１の質量ブロックの凹溝の底部に第１の貫通孔が開設され、前記第１の磁石鋼セットは前記第１の貫通孔内に設けられ、前記第２の質量ブロックに第２の貫通孔が開設され、
前記第２の磁石鋼セットは前記第２の貫通孔内に設けられることを特徴とする請求項１に記載の振動モーター。
【請求項３】
前記第１の質量ブロック及び第２の質量ブロックは一体成形されていることを特徴とする請求項２に記載の振動モーター。
【請求項４】
当該振動モーターは、減衰部品をさらに備え、前記減衰部品は、前記第１の質量ブロックに接続され、且つ前記第１の質量ブロックと前記弾性コネクターとの間に位置していることを特徴とする請求項１に記載の振動モーター。
【請求項５】
前記振動モータ全体は、前記底板に垂直な方向に略矩形の投影を有し、前記矩形の長手が位置する方向は長手方向であり、前記矩形の短手が位置する方向は、短手方向であることを特徴とする請求項１に記載の振動モーター。
【請求項６】
前記第１の質量ブロックの側壁は、長手方向に対称的に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の振動モーター。
【請求項７】
前記弾性コネクターは、長手方向に質量ブロックの両端に対称的に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の振動モーター。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月28日(2018.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３’末端側から５’末端側への方向に第１の配列、対象配列及び第２の配列を含む一本鎖の核酸又は該一本鎖を含む二本鎖核酸である標的核酸を定量するためのキットであって、
５’末端側から３’末端側への方向に特定配列、ランダム配列及び第１の配列に相補的な配列を含み、かつ、ランダム配列の種類の数に応じて複数種類の第１のプライマー及び核酸合成酵素を含み、かつ、ヌクレアーゼ、第２の配列を含む第２のプライマー及び特定配列を含む第３のプライマーを含まない第１の溶液と、
ヌクレアーゼを含む第２の溶液と、
前記第２のプライマー、前記第３のプライマー及び核酸合成酵素を含み、かつ、前記第１のプライマーを含まない第３の溶液と
を含み、かつ、
前記第１の溶液は、前記第２の溶液及び前記第３の溶液とは異なる個別の溶液として存在する、前記キット。
【請求項２】
前記標的核酸の１分子ごとに、前記ランダム配列の１種類が対応した一本鎖の核酸を得るように使用される、請求項１に記載のキット。
【請求項３】
前記ランダム配列は４〜２０のいずれかの塩基数を有するランダム配列であり；又は、前記ランダム配列の種類の数は１０２〜１０１５のいずれかの数である、請求項１又は２に記載のキット。
【請求項４】
前記キットは、前記標的核酸及び前記第１の溶液を用いて核酸伸長反応を実施し、次いで該核酸伸長反応後の溶液に前記第２の溶液を加えてヌクレアーゼ反応及びヌクレアーゼ失活反応を実施し、次いで該ヌクレアーゼ失活反応後の溶液を前記第３の溶液に加えてＰＣＲを実施して二本鎖核酸を得ることを含むように使用され、かつ、
前記第１の溶液、前記第２の溶液及び前記第３の溶液はそれぞれ個別の溶液として存在する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のキット。
【請求項５】
前記標的核酸は、前記ランダム配列の種類の数並びに前記キットを使用して測定された前記対象配列及び前記ランダム配列の組み合わせの数により、下記数式（１）
【数１】
2018068317.tif 000001
（１）
（式中、Ｎは標的核酸の数を表わし；Ｃはランダム配列の種類の数を表わし；及び、Ｈは測定された対象配列及びランダム配列の組み合わせの数を表わす）
により定量される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月16日(2018.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質炭素粒子、導電助材、酸化タングステン粉末、およびバインダーを含む分極性電極材と、導電材およびポリ−Ｎ−ビニルアセトアミド（ＰＮＶＡ）系バインダーを含む導電性接着剤と、シート状集電体と、を含み、
該分極性電極材において該酸化タングステン粉末が該シート集電体から遠ざけて分散されていることを特徴とする電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項２】
該分極性電極材、該導電性接着剤、および該シート状集電体が、この順で、積層されることを特徴とする、請求項１に記載の電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項３】
該ポリ−Ｎ−ビニルアセトアミド系バインダーは、Ｎ−ビニルアセトアミド単独重合体およびＮ−ビニルアセトアミド共重合体からなる群より選択されることを特徴とする、請求項１または２に記載の電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項４】
該Ｎ−ビニルアセトアミド共重合体が、ポリ−Ｎ−ビニルアセトアミドおよびアクリル酸ナトリウムの共重合体であることを特徴とする、請求項３に記載の電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項５】
該ポリ−Ｎ−ビニルアセトアミドおよび該アクリル酸ナトリウムの重合比が、９/１〜５/５であることを特徴とする、請求項４に記載の電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項６】
該導電材がカーボンブラックを含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項７】
該シート状集電体がプレーンアルミニウム箔を含んでなることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気二重層キャパシタ用電極。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月30日(2018.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信されるフレームを構成する複数のスロットのそれぞれが、有効スロットであるのか、または無効スロットであるのかを示すスロット属性情報を含むように前記フレームを生成する情報生成手段を備え、
前記情報生成手段は、前記複数のスロットのそれぞれに対応するスロットの伝送モードを示す伝送モード情報を含む、スロットに個別の情報と、前記複数のスロットに共通し、前記複数のスロットのそれぞれの伝送モードに関する情報を含む、フレームに共通する情報とを含むように前記複数のスロットのそれぞれを設定する
ことを特徴とする信号構成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の信号構成装置と、
入力された複数の信号を互いに多重して前記信号構成装置に入力する多重装置とを備えた
ことを特徴とする信号構成システム。
【請求項３】
送信されるフレームを構成する複数のスロットのそれぞれが、有効スロットであるのか、または無効スロットであるのかを示すスロット属性情報を含むように前記フレームを生成する信号構成方法において、
前記複数のスロットのそれぞれに対応するスロットの伝送モードを示す伝送モード情報を含む、スロットに個別の情報と、前記複数のスロットに共通し、前記複数のスロットのそれぞれの伝送モードに関する情報を含む、フレームに共通する情報とを含むように前記複数のスロットのそれぞれを設定する
ことを特徴とする信号構成方法。
【請求項４】
コンピュータに、
送信されるフレームを構成する複数のスロットのそれぞれが、有効スロットであるのか、または無効スロットであるのかを示すスロット属性情報を含むように前記フレームを生成する情報生成処理と、
前記フレームに誤り訂正のための符号を付加する誤り訂正用処理とを実行させ、
前記情報生成処理で、前記複数のスロットのそれぞれに対応するスロットの伝送モードを示す伝送モード情報を含む、スロットに個別の情報と、前記複数のスロットに共通し、前記複数のスロットのそれぞれの伝送モードに関する情報を含む、フレームに共通する情報とを含むように前記複数のスロットのそれぞれを設定させる
ための信号構成用プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月15日(2018.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項４に記載の分析データ処理装置であって、
前記積算処理部、前記ハフマン木作成部、並びに、前記圧縮実行部又は前記第１及び第２の圧縮実行部は１チップのハードウエア回路に内蔵され、前記第１及び第２の記憶部は、該１チップのハードウエア回路に接続される汎用のメモリであることを特徴とする分析データ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月10日(2018.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
金属メッシュＭ５０は、マイクロホンユニットＭ２０と、マイクロホンユニットＭ２０と接続したマイクロホンコードＭ４０の前端側の一部と、共にマイクロホンケースＭ１０に収納される。金属メッシュＭ５０は、マイクロホンＭの内周面に取り付けられ、マイクロホンケースＭ１０の内側から後部音孔Ｍ１２ｈを覆う。コードブッシュＭ３０は、マイクロホンケースＭ１０の開口に嵌合されて、マイクロホンケースＭ１０の開口を後方から塞ぐ。マイクロホンケースＭ１０は、コードブッシュＭ３０と、ねじで締結される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
固定部材６０は、音響透過部材５０をマイクロホンケース１０の内部に固定して、マイクロホンケース１０の開口の一部を覆う。固定部材６０は、マイクロホンケース１０に収納されたコード接続部材４０や音響透過部材５０などが、マイクロホンケース１０の外部に抜け出るのを防ぐ。固定部材６０は、音響透過部材５０の後方側に配置される。固定部材６０は、板状であり、リング部６１と当接部６２とを備える。固定部材６０は、例えば、ＣＲ形止め輪である。リング部６１は、中央に挿通孔６１ｈを有するリング状である。当接部６２は、リング状の周縁から斜め後方に向けて放射状に延出する。リング部６１は、当接部６２と一体に形成される。当接部６２は、マイクロホンユニット２０の内周面に当接する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
連通路７３ｈは、空間Ｓとマイクロホンケース１０の外部とを連通させる。つまり、マイクロホンケース１０の外部は、連通路７３ｈと固定部材６０の当接部６２間の空間と音響透過部材５０と貫通孔４３ｈとを介して、空間Ｓと連通する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月10日(2018.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最上層の第１配線層と、
前記第１配線層を被覆する保護絶縁層と、
前記保護絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記第１配線層の上面の一部を露出する第１貫通孔と、を有し、
前記第１貫通孔は、前記保護絶縁層の上面に形成され、内壁面が曲面に形成された凹部と、前記凹部の底部に形成され、前記凹部よりも平面形状が小さく形成された開口部とが連通されてなり、
前記開口部から露出する前記第１配線層の上面に形成された表面処理層を有し、
前記表面処理層の上面は、前記凹部の内壁面の下端と前記開口部の内壁面の上端との接続部に形成された角部よりも下側に位置していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
最上層の第１配線層と、
前記第１配線層を被覆する保護絶縁層と、
前記保護絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記第１配線層の上面の一部を露出する第１貫通孔と、を有し、
前記第１貫通孔は、前記保護絶縁層の上面に形成され、内壁面が曲面に形成された凹部と、前記凹部の底部に形成され、前記凹部よりも平面形状が小さく形成された開口部とが連通されてなり、
前記開口部から露出する前記第１配線層の上面に形成された表面処理層を有し、
前記表面処理層の上面は、前記凹部の内壁面の下端と前記開口部の内壁面の上端との接続部に形成された角部よりも上側に位置していることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
最上層の第１配線層と、
前記第１配線層と同一平面上に形成され、前記第１配線層と離間して形成された最上層の第２配線層と、
前記第１配線層及び前記第２配線層を被覆する保護絶縁層と、
前記保護絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記第１配線層の上面の一部を露出する第１貫通孔と、
前記保護絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記第２配線層の上面の一部を露出する第２貫通孔と、を有し、
前記第１貫通孔は、前記保護絶縁層の上面に形成され、内壁面が曲面に形成された凹部と、前記凹部の底部に形成され、前記凹部よりも平面形状が小さく形成された開口部とが連通されてなり、
前記第１貫通孔の内壁面には、深さ方向の中途に段差が形成されており、
前記第２貫通孔は、前記凹部よりも平面形状が大きく形成されており、
前記第２貫通孔の内壁面には、深さ方向の中途に段差が形成されていないことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記開口部から露出する前記第１配線層の上面に形成された表面処理層を有し、
前記表面処理層の上面は、前記凹部の内壁面の下端と前記開口部の内壁面の上端との接続部に形成された角部よりも下側に位置していることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記開口部から露出する前記第１配線層の上面に形成された表面処理層を有し、
前記表面処理層の上面は、前記凹部の内壁面の下端と前記開口部の内壁面の上端との接続部に形成された角部よりも上側に位置していることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項６】
前記表面処理層は、前記開口部に充填された基部と、前記凹部の底部に形成され、前記基部よりも平面形状が大きく形成された先端部とを有することを特徴とする請求項２又は５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記表面処理層に接合されたはんだバンプを有することを特徴とする請求項１，２，４，５，６のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
請求項７に記載の配線基板と、
前記はんだバンプに接合された接続端子を有し、前記配線基板にフリップチップ実装された半導体チップと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
最上層の第１配線層を被覆する保護絶縁層を形成する工程と、
フォトリソグラフィ法により、前記保護絶縁層の上面のうち前記第１配線層と平面視で重なる部分に、内壁面が曲面となる凹部を形成する工程と、
レーザ加工法により、前記凹部の底部に、前記凹部よりも平面形状が小さく形成され、前記第１配線層の上面の一部を露出する開口部を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
最上層の第１配線層及び第２配線層を、同一平面上に互いに離間して形成する工程と、
前記第１配線層及び前記第２配線層の一部を被覆する保護絶縁層を形成する工程と、
フォトリソグラフィ法により、前記保護絶縁層の上面のうち前記第１配線層と平面視で重なる部分に、内壁面が曲面となる凹部を形成するとともに、前記保護絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第２配線層の上面の一部を露出する第２貫通孔を形成する工程と、
レーザ加工法により、前記凹部の底部に、前記凹部よりも平面形状が小さく形成され、前記第１配線層の上面の一部を露出する開口部を形成し、前記凹部及び前記開口部が連通してなる第１貫通孔を形成する工程と、を有し、
前記第２貫通孔は、前記凹部よりも平面形状が大きく形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記開口部から露出する前記第１配線層の上面に表面処理層を形成する工程と、
前記表面処理層の上面にはんだボールを搭載する工程と、
リフロー処理により前記はんだボールを溶融し、前記表面処理層の上面にはんだバンプを形成する工程と、を有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、最上層の第１配線層と、前記第１配線層を被覆する保護絶縁層と、前記保護絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記第１配線層の上面の一部を露出する第１貫通孔と、を有し、前記第１貫通孔は、前記保護絶縁層の上面に形成され、内壁面が曲面に形成された凹部と、前記凹部の底部に形成され、前記凹部よりも平面形状が小さく形成された開口部とが連通されてなり、前記開口部から露出する前記第１配線層の上面に形成された表面処理層を有し、前記表面処理層の上面は、前記凹部の内壁面の下端と前記開口部の内壁面の上端との接続部に形成された角部よりも下側に位置している。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月11日(2018.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と、
前記配線層を被覆するバリア膜と、
前記バリア膜を被覆する絶縁層と、を有し、
前記バリア膜は、炭素原子含有率が０．２〜３．６ａｔｏｍｉｃ％の範囲となるアルミナ膜であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記バリア膜は、前記炭素原子含有率が０．２〜２．０ａｔｏｍｉｃ％の範囲となるアルミナ膜であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記バリア膜は、前記アルミナ膜中のＡｌ原子に結合したＣＨＸ基を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層を第１絶縁層としたときに、
上面に前記配線層が形成された第２絶縁層を更に有し、
前記バリア膜は、前記第２絶縁層の上面及び前記配線層の上面及び側面を被覆するように形成されており、
前記第１絶縁層は、前記バリア膜の上面及び側面を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記配線層のラインアンドスペースは、２μｍ／２μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
配線層を被覆するバリア膜を形成する工程と、
前記バリア膜を被覆する絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記バリア膜は、プリカーサとしてトリメチルアルミニウムを用い、反応ガスとしてＨ２Ｏ又はＯ３を用いて成膜温度を９０℃以下に設定したＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記バリア膜を形成する工程では、前記ＡＬＤ法における前記成膜温度を３０〜９０℃の範囲に設定したことを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記バリア膜を形成する工程では、前記ＡＬＤ法における前記成膜温度を５０〜９０℃の範囲に設定したことを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層を第１絶縁層としたときに、
前記バリア膜を形成する工程の前に、
第２絶縁層の上面に前記配線層を形成する工程を更に有し、
前記バリア膜は、前記第２絶縁層の上面及び前記配線層の上面及び側面を被覆するように形成され、
前記第１絶縁層は、前記バリア膜の上面及び側面を被覆するように形成されることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記配線層を第１配線層としたときに、
前記第１絶縁層及び前記バリア膜を厚さ方向に貫通し、前記第１配線層の上面の一部を露出するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを充填するビア配線を形成するとともに、前記ビア配線上及び前記第１絶縁層上に、前記ビア配線を介して前記第１配線層と電気的に接続される第２配線層を形成する工程と、を更に有する請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、配線層と、前記配線層を被覆するバリア膜と、前記バリア膜を被覆する第２絶縁層と、を有し、前記バリア膜は、炭素原子含有率が０．２〜３．６ａｔｏｍｉｃ％の範囲となるアルミナ膜である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
１０  配線基板
３１  絶縁層（第２絶縁層）
３２  配線層（第１配線層）
３３  バリア膜
３４  絶縁層（第１絶縁層）
３４Ｘ  ビアホール
３５  配線層（第２配線層）
３９  ビア配線
５０，６０  シード層
５１，５２，６１，６２  金属膜
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月14日(2018.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて物体の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記物体の前記被処理領域側とは反対側の面が対向するように前記物体を保持する保持部材と、
前記保持部材が前記物体を保持した状態で、前記反対側の面側に配置された放熱部材と、
前記型と前記物体を介して前記放熱部材に光を照射する光学系を有し、
前記放熱部材は、前記光学系から照射された光を受けて放熱し、前記被処理領域を変形させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記光学系が照射する光に対する吸収係数に関して、前記放熱部材における前記被処理領域の裏側の領域側の面の材料の前記吸収係数は、石英の前記吸収係数よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記放熱部材は、前記物体に設けられた凹部または前記保持部材に設けられた凹部に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記保持部材に設けられた供給口を介して前記凹部に気体を供給する気体供給部を有することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記気体はヘリウムであることを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記凹部は、前記被処理領域の裏側の領域と対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記放熱部材において前記被処理領域の裏側の領域と対向する面には、前記被処理領域の裏側の領域と対向する面を複数の領域に分割する溝が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記放熱部材は、前記保持部材の前記物体側に設けられた台の上に設けられ、前記台の熱伝導率は前記放熱部材の熱伝導率よりも低いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記放熱部材は、前記被処理領域に対して空間的な分布のある熱エネルギーを付与することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記放熱部材と前記物体は非接触であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
型を用いて物体の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記物体の前記被処理領域側とは反対側の面が対向するように前記物体を保持する保持部材と、
前記保持部材が前記物体を保持した状態で、前記反対側の面側に配置された発熱体を有し、
前記発熱体は、前記被処理領域の裏側の領域に向けて熱エネルギーを放出することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１２】
前記発熱体は、前記物体に設けられた凹部または前記保持部材に設けられた凹部に配置されていることを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記保持部材に設けられた供給口を介して前記凹部に気体を供給する気体供給部を有することを特徴とする請求項１２に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
前記気体はヘリウムであることを特徴とする請求項１３に記載のインプリント装置。
【請求項１５】
型を用いて物体の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記物体の前記被処理領域側とは反対側の面が対向するように前記物体を保持する保持部材と、
前記物体の前記被処理領域の形状を変形させる変形手段と、を有し、
前記変形手段は、前記保持部材が前記物体を保持している状態で前記物体と前記保持部材の間に生じる空間に位置し、前記型と前記物体を介して光が照射されることにより前記反対側の面における前記被処理領域の裏側の領域に向けて熱エネルギーを放出する放熱部材を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて、前記物体の前記被処理領域上に硬化した前記インプリント材のパターンを形成する工程と、
パターンが形成された前記物体を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、型を用いて物体の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記物体の前記被処理領域側とは反対側の面が対向するように前記物体を保持する保持部材と、前記保持部材が前記物体を保持した状態で、前記反対側の面側に配置された放熱部材と、前記型と前記物体を介して前記放熱部材に光を照射する光学系を有し、前記放熱部材は、前記光学系から照射された光を受けて放熱し、前記被処理領域を変形させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置は、
電流源を含むインバータを複数段有するリングオシレータと、
前記電流源の電流を制御する第１の電圧生成回路を有する制御回路と、
を備え、
前記制御回路は前記リングオシレータの発振周波数の電圧依存性および温度依存性を強調するように前記電流源を制御する。
【請求項２】
請求項１の半導体装置において、
前記制御回路は、前記リングオシレータの発振周波数は電源電圧の累乗に依存し、温度の指数に依存するように制御する。
【請求項３】
請求項１の半導体装置において、
前記第１の電圧生成回路は、
電源線に供給される電源電圧と基準線に供給される基準電圧との間の第１の電圧を出力する第１の出力線と、
前記電源電圧と前記基準電圧との間の第２の電圧を出力する第２の出力線と、
を備え、
前記インバータは、
そのソースが前記電源線に接続され、そのゲートが前記第２の出力線に接続される電流源ＰＭＯＳトランジスタと、
そのソースが前記基準線に接続され、そのゲートが前記第１の出力線に接続される電流源ＮＭＯＳトランジスタと、
を備える。
【請求項４】
請求項３の半導体装置において、
前記第１の電圧は前記電源電圧の１／２以下の電圧であり、
前記第２の電圧は前記電源電圧の１／２以上の電圧である。
【請求項５】
請求項３の半導体装置において、
前記リングオシレータの発振周波数は前記電源電圧の累乗に近い依存性および温度の指数に近い依存性を有する。
【請求項６】
請求項３の半導体装置において、
前記第１の電圧生成回路は、
前記電源線と前記第１の出力線との間に接続される第１のＰＭＯＳトランジスタと、
前記基準線と前記第２の出力線との間に接続される第１のＮＭＯＳトランジスタと、
を備える。
【請求項７】
請求項６の半導体装置において、
前記第１のＰＭＯＳトランジスタは、そのソースが前記電源線に接続され、そのゲートは前記第１の出力線に接続され、そのドレインは前記第１の出力線に接続され、
前記第１のＮＭＯＳトランジスタは、そのソースが前記電源線に接続され、そのゲートは前記第２の出力線に接続され、そのドレインは前記第２の出力線に接続される。
【請求項８】
請求項６の半導体装置において、
前記制御回路は、さらに、前記第１の電圧生成回路を制御する第２の電圧生成回路を備え、
前記第２の電圧生成回路は、
前記電源電圧と前記基準電圧との間の第３の電圧を出力する第３の出力線と、
前記電源電圧と前記基準電圧との間の第４の電圧を出力する第４の出力線と、
を備え、
前記第３の出力線および前記第４の出力線は前記第１の電圧生成回路に接続される。
【請求項９】
請求項８の半導体装置において、
前記第３の電圧は前記第４の電圧よりも高く、
前記第３の電圧は正の温度依存性を有し、
前記第４の電圧は負の温度依存性を有する。
【請求項１０】
請求項８の半導体装置において、
前記第１の電圧生成回路は、
前記第３の出力線に接続される第２のＮＭＯＳトランジスタと、
前記第４の出力線に接続される第２のＰＭＯＳトランジスタと、
を備える。
【請求項１１】
半導体装置はリングオシレータを備え、
前記リングオシレータは複数のインバータ遅延段と遅延回路とでループを構成し、
前記遅延回路は、前記リングオシレータの発振周波数の電圧依存性は強調しないで温度依存性を強調するように設定される。
【請求項１２】
請求項１１の半導体装置において、
前記遅延回路は、前記リングオシレータの発振周波数は温度の指数に依存するように制御する。
【請求項１３】
請求項１１の半導体装置において、
前記遅延回路は前記インバータ遅延段に接続されるリーク型プルアップ素子を備え、
前記リーク型プルアップ素子の出力がロウレベルからハイレベルに変化する時間は前記インバータ遅延段の遅延時間よりも大きい。
【請求項１４】
請求項１３の半導体装置において、
前記リーク型プルアップ素子はＰＭＯＳトランジスタであり、前記リングオシレータの発振周波数は温度の指数依存性を有する。
【請求項１５】
半導体装置は、
リングオシレータと、
前記リングオシレータの出力から得られる累積劣化ストレスカウント値を保持する累積劣化ストレス量保持回路と、
を備え、
前記累積劣化ストレスカウント値はクライテリアのカウント値と比較して、累積劣化ストレスアラームを生成するために使用され、
前記累積劣化ストレス量保持回路は、前記リングオシレータの発振周波数のｐ乗を定期的に取得して累積する。
【請求項１６】
請求項１５の半導体装置において、
前記累積劣化ストレス量保持回路は、
前記リングオシレータの出力または前記リングオシレータの出力を分周した出力を計数するカウンタと、
前記カウンタの値のｐ乗値を計算するｐ乗値計算回路と、
前記ｐ乗値計算回路の計算結果を累積するｐ乗値累積回路と、
を備える。
【請求項１７】
請求項１６の半導体装置において、
前記ｐ乗値累積回路は不揮発性記憶回路を備える。
【請求項１８】
請求項１６の半導体装置において、
前記ｐ乗値累積回路は電源が遮断されない領域に配置される。
【請求項１９】
請求項１５の半導体装置において、
前記リングオシレータは、
電流源を含むインバータと、
前記電流源の電流を制御する電圧生成回路と、
を備え、
前記リングオシレータの発振周波数は電源電圧の累乗に近い依存性および温度の指数に近い依存性を有する。
【請求項２０】
請求項１５の半導体装置において、
前記リングオシレータは、
ループを構成する複数段のインバータと、
前記複数段のインバータのループを遅延する遅延回路と、
を備え、
前記リングオシレータの発振周波数は温度の指数に近い依存性を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月14日(2018.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係る描画装置は、
所定の描画位置に配置された指の爪に描画を施す描画手段と、
前記描画手段の下方に配置され、複数の指を載置する載置部及び回転可能に形成された回転ステージを備える指載置機構と、
を備え、
前記指載置機構は、前記回転ステージを当該回転ステージの中心軸回りで回転させることにより、前記載置部に載置された前記複数の指の爪を前記描画位置に順次配置可能に形成されていることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の描画位置に配置された指の爪に描画を施す描画手段と、
前記描画手段の下方に配置され、複数の指を載置する載置部及び回転可能に形成された回転ステージを備える指載置機構と、
を備え、
前記指載置機構は、前記回転ステージを当該回転ステージの中心軸回りで回転させることにより、前記載置部に載置された前記複数の指の爪を前記描画位置に順次配置可能に形成されていることを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記載置部は略円柱状に形成された前記回転ステージの外周面上に配置されており、前記複数の指が当該略円柱状の外周面上に載置されることを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記指載置機構は、前記回転ステージの外周面上に、前記複数の指を周方向に位置決めする複数の位置決め手段を備えていることを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記載置部に載置された指の爪の傾斜角度を含む爪情報を検出する爪情報検出手段を備え、
前記指載置機構は、前記爪情報検出手段による検出結果に基づいて、前記回転ステージの周方向に隣り合う２つの位置決め手段の間に前記爪の傾斜角度を調整する調整用ローラを備えていることを特徴とする請求項３に記載の描画装置。
【請求項５】
前記指載置機構は、前記載置部に載置された前記複数の指のいずれかの指の爪が前記描画位置に配置される位置で前記回転ステージを係止する係止機構を備えていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記指載置機構は、前記回転ステージを前記中心軸回りに回転させるモータ及び当該モータの動作を制御する制御部を備えていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の描画装置。
【請求項７】
前記描画位置に配置された前記爪の高さ方向の位置を検出する高さ検出手段を備え、
前記指載置機構は、前記高さ検出手段による検出結果に基づいて、前記爪の高さ方向の位置を調整する昇降機構を備えていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の描画装置。
【請求項８】
指の爪に描画を施す描画装置の制御方法であって、
前記描画装置は、
所定の描画位置に配置された指の爪に描画を施す描画手段と、
前記描画手段の下方に配置され、複数の指を載置する載置部及び回転可能に形成された回転ステージを備える指載置機構と、
を備え、
前記指載置機構は、前記回転ステージを当該回転ステージの中心軸回りで回転させることにより、前記載置部に載置された前記複数の指の爪を前記描画位置に順次配置させることを特徴とする描画装置の制御方法。