【事件の表示】
　平成１０年特許願第　６１２３１号「固体撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月２４日出願公開、特開平１１−２６１０４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年３月１２日の出願であって、平成１４年３月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月１日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年５月１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年５月１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正の内容は、発明の詳細な説明を補正するとともに、特許請求の範囲を
　「光電変換により発生した信号電荷を蓄積する蓄積領域を含む光電変換素子と、前記蓄積領域の信号電荷を転送するＭＯＳトランジスタよりなる転送スイッチ手段と、前記転送スイッチ手段を介して信号電荷を受けるフローティングデュフュージョン部と、前記フローティングデュフュージョン部の電位をリセットするためのＭＯＳトランジスタよりなるリセットスイッチ手段とを有する固体撮像装置において、
　前記蓄積領域の信号電荷を前記フローティングデュフュージョン部へ転送することにより前記蓄積領域を空乏化するとともに、
　電源電圧と異なる電圧を発生する電位設定手段を少なくともひとつ以上有し、前記電位設定手段は、前記フローティングデュフュージョン部のリセット電位よりも小さくかつ前記電源電圧よりも小さい電圧を前記転送スイッチ手段のゲートに印加することを特徴とする固体撮像装置。」
と補正するものであるところ、
　「フローティングデュフュージョン部」は、本願の平成１４年１月３１日までに補正された明細書を参酌すると、「フローティングディフュージョン部」の誤記であることは明らかであるから、特許請求の範囲請求項１に係る発明は、
　「光電変換により発生した信号電荷を蓄積する蓄積領域を含む光電変換素子と、前記蓄積領域の信号電荷を転送するＭＯＳトランジスタよりなる転送スイッチ手段と、前記転送スイッチ手段を介して信号電荷を受けるフローティングディフュージョン部と、前記フローティングディフュージョン部の電位をリセットするためのＭＯＳトランジスタよりなるリセットスイッチ手段とを有する固体撮像装置において、
　前記蓄積領域の信号電荷を前記フローティングディフュージョン部へ転送することにより前記蓄積領域を空乏化するとともに、
　電源電圧と異なる電圧を発生する電位設定手段を少なくともひとつ以上有し、前記電位設定手段は、前記フローティングディフュージョン部のリセット電位よりも小さくかつ前記電源電圧よりも小さい電圧を前記転送スイッチ手段のゲートに印加することを特徴とする固体撮像装置。」（以下、「補正発明」という。）であると認定した。
　
（２）本件補正についての検討
（２−１）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について
　本件補正は、特許請求の範囲について、請求項１を補正し、発明の詳細な説明の段落【００１４】を補正するものである。
　請求項１に係る発明の補正は、
平成１４年１月３１日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１（以下、「補正前の請求項１」という。）に記載された
　「光電変換素子と、前記光電変換素子に発生した信号電荷を転送するＭＯＳトランジスタよりなる転送スイッチ手段と、前記転送スイッチ手段を介して信号電荷を受けるフローティングディフュージョン部と、前記フローティングディフュージョン部の電位をリセットするためのＭＯＳトランジスタとよりなるリセットスイッチを有する固体撮像装置において、
　電源電圧と異なる電圧を発生する電位設定手段を少なくともひとつ以上有し、前記電位設定手段は、前記フローティングディフュージョン部のリセット電位よりも低くかつ前記電源電圧よりも低い電圧を前記転送スイッチ手段のゲートに印加することを特徴とする固体撮像装置。」
を補正するものであるところ、
補正前の請求項１の
（イ）「光電変換素子と、前記光電変換素子に発生した信号電荷を転送するＭＯＳトランジスタよりなる転送スイッチ手段と」と、
（ロ）「リセットスイッチ」及び、
（ハ）「前記電位設定手段は、前記フローティングディフュージョン部のリセット電位よりも低くかつ前記電源電圧よりも低い電圧を前記転送スイッチ手段のゲートに印加すること」とについて、それぞれ、
（イ）「光電変換により発生した信号電荷を蓄積する蓄積領域を含む光電変換素子と、前記蓄積領域の信号電荷を転送するＭＯＳトランジスタよりなる転送スイッチ手段と」と、
（ロ）「リセットスイッチ手段」及び、
（ハ）「前記電位設定手段は、前記フローティングディフュージョン部のリセット電位よりも小さくかつ前記電源電圧よりも小さい電圧を前記転送スイッチ手段のゲートに印加すること」と補正するとともに、
（ニ）「前記蓄積領域の信号電荷を前記フローティングディフュージョン部へ転送することにより前記蓄積領域を空乏化するとともに、」なる構成を、「固体撮像装置において、」の次に追加している。
　ここで、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要と認める事項に関して検討するに、（イ）については、光電変換素子が「蓄積領域」を備えること、「光電変換素子」で光電変換により発生した信号電荷が光電変換素子の「蓄積領域」に蓄積されること、及びＭＯＳトランジスタは「蓄積領域」に蓄積された信号電荷を転送するものであることを技術的に限定するものであり、特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内におけるものであって、かつ、同法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、
（ロ）については、「リセットスイッチ」に「手段」を付加して、「リセットスイッチ手段」と限定するものであり、特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内におけるものであって、かつ、同法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、
（ハ）については、電圧の大小について、「前記電位設定手段は、前記フローティングディフュージョン部のリセット電位よりも低くかつ前記電源電圧よりも低い電圧」を「前記電位設定手段は、前記フローティングディフュージョン部のリセット電位よりも小さくかつ前記電源電圧よりも小さい電圧」と補正することにより、電圧が相対的に「低い」のみでなく、「小さい」ことも含むように技術的に限定したものであって、特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内におけるものであって、かつ、同法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、
（ニ）については、「前記転送スイッチ手段を介して信号電荷を受けるフローティングディフュージョン部」の作用を技術的に限定するために、「前記蓄積領域の信号電荷を前記フローティングディフュージョン部へ転送すること」なる記載を追加するとともに、「前記蓄積領域の信号電荷を前記フローティングディフュージョン部へ転送する」ことにより、「前記蓄積領域」が「空乏化」されるとの技術的限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内におけるものであって、かつ、同法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　したがって、上記（イ）ないし（ニ）に記載される技術的事項は、いずれも、特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものであって、かつ、同法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　
　また、発明の詳細な説明の上記段落の補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載から自明の事項の範囲内におけるものであるから、特許法第１７条の２第３項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものである。
　
（２−２）独立特許要件について
　本件補正後の発明
　本件補正後のその請求項１に係る発明は、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定されるとおりの補正発明である。
　
（２−３）刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平６−１３５９７号公報
　刊行物１は、「増幅型固体撮像素子（発明の名称）」に関するものであって、図５〜図８とともに以下のとおり記載されている。
「【請求項１】　光の入射量に依存して光電荷を発生させる光電変換部を有し、該光電荷を各画案ごとに形成された増幅素子の制御用入力端子に導き、光の入射量に依存した電気信号を各画素ごとに増幅して読み出す増幅型固体撮像素子において、前記光電変換部にて発生した光電荷を蓄積する光電変換部の容量部と、増幅素子の制御用入力端子に導入される光電荷が蓄積される増幅素子の容量部と、該両容量部を電気的に接続・分離の切換えを可能とし、各画素ごとに設置された任意の制御部とから成ることを特徴とする増幅型固体撮像素子。
　【請求項２】　前記増幅素子に導入された光電荷が蓄積される容量の大きさが、光電変換部にて発生した光電荷が蓄積される容量の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項１記載の増幅型固体撮像素子。
　【請求項３】　前記各画素ごとに設置された制御部の他に、増幅素子の制御用入力端子の電位を任意期間、任意の電位に固定することが可能な他の制御部を設けたことを特徴とする請求項１記載の増幅型固体撮像素子。」（特許請求の範囲請求項１ないし３）　
「【００２１】次に、請求項３に記載の本発明の増幅型固体撮像素子の構成及び動作を以下に説明する。図５は、請求項３に記載の増幅型固体撮像素子の１画素の光入力回路部の構造を示す図である。図中、２０１は半導体基板、２０２は高不純物濃度領域、２０３はゲート酸化膜、２０４はゲート電極、２０５は層間絶縁膜、２０６は金属電極、２０７は第２層間絶縁膜、２０８は第２金属電極、２０９は保護膜である。
【００２２】半導体基板２０１はシリコン等による半導体基板を表し、硼素や燐等の不純物元素の意図的な混入によりｐ型又はｎ型の半導体特性を示す。高不純物濃度領域２０２は特に前記不純物元素を多量に混入させた箇所で電気抵抗が低く、Ｓ１又はＳC1又はＳC2のソース電極やドレイン電極を構成している。又、ＰＤ部では同２０２は光電変換部であるｐｎ接合の一端を担っている。ゲート酸化膜２０３はＳ１又はＳC1ＳC2のゲート酸化膜を示す。ゲート電極２０４はＳ１又はＳC1又はＳC2のゲート電極を示し、通常ｐｏｌｙＳｉもしくはシリサイドもしくはアルミニウム等が用いられる。ゲート電極２０４はＳ１又はＳC1又はＳC2の制御用入力端子の役目を果たしている。層間絶縁膜２０５はＳｉＯ2等により構成される層間絶縁膜であり、Ｓ１又はＳC1又はＳC2のソース電極、ゲート電極、ドレイン電極をそれぞれ絶縁するために設置されている。金属電極２０６はアルミニウム等の金属により形成される電極を表し、Ｓ１のソース電極及びＳC1のドレイン電極及びＳC2のソース電極、ドレイン電極を形成している。第２層間絶縁膜２０７は、任意の箇所の遮光の役目をする第２金属電極２０８と、金属電極２０６の絶縁をするための第２層間絶縁膜である。保護膜２０９は素子の高温高湿環境等での信頼性を確保し、外的要因による素子の破壊を防止するための保護膜であり、通常シリコン酸化膜やシリコン窒化膜が用いられる。
【００２３】図６は、図５に示した構造の増幅型固体撮像素子の光入力回路の等価回路を示す図である。ＰＤは入射した光の量に応じて光電荷が発生する光電変換部を表し、Ｓ１はＰＤの一方の電位Ｖｐを任意の電位Ｖｒｓ1に任意期間固定するためのＰＤリセットスイッチである。ＳC1及びＳC2は、請求項３に記載の本発明の特徴となる制御部である。ＳC1は、光電変換部にて発生した光電荷が蓄積される光電変換部の容量部と、増幅素子の制御用入力端子に導入される光電荷が蓄積される増幅素子の容量部を、電気的に接続・分離の切換えを行うために設けられている。ＳC2は、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGを任意期間、任意の電位Ｖｒｓ2に固定するために設けられている。ＶGは該増幅素子の制御用入力端子の電位を表し、ＰＤへの光の入射量に依存して発生し光電変換部の容量部に蓄積された光電荷が、ＳC1及びＳC2の制御により増幅素子の制御用入力端子に導かれ増幅素子の容量部に蓄積されると、ＶGの電位は変化し、ＶGの変化分に合わせた出力電圧又は出力電流が信号増幅されて、増幅素子以降の信号検出回路より検出される。φ１，φ２，φ３はそれぞれＳ１，ＳC1，ＳC2の制御用入力端子を表し、ＰＤのもう一方の電位ＧＮＤは常に接地されている。
【００２４】図７（ａ）〜（ｄ）は、請求項３に記載の本発明の固体撮像素子の動作時のタイミングチャートを示す図である。動作は、リセット動作・第１蓄積動作・第２蓄積動作・読み出し動作に大きく分けられるが、読み出し動作は信号出力回路の方式に従う。各時間ｔ1，ｔ2，ｔ3における光電変換部の光電荷蓄積容量部と増幅素子の光電荷蓄積容量部のポテンシャル図を図８（ａ）〜（ｄ）に示す。本発明の固体撮像素子は、特に光入力回路に特徴を有しているので、リセット動作・第１蓄積動作・第２蓄積動作について、本発明の固体撮像素子の特徴を図６〜図８（ａ）〜（ｄ）を用いて以下に説明する。
【００２５】リセット動作のｔ1の期間において、φ１とφ２及びφ３を同時に、それぞれＶφ1（２）、Ｖφ2（２）、Ｖφ3（１）の電位に設定することにより、光電変換部ＰＤの一方の電位Ｖｐが初期値Ｖｒｓ1に、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGが初期値Ｖｒｓに固定される。次に、ｔ2で示した第１蓄積動作において、φ１とφ３の電位を同時に、それぞれＶφ1（２）、Ｖφ3（２）として、Ｓ１，ＳC2を不導通状態とすることにより、Ｖｐ及びＶGはそれぞれフローティング状態となる。この時、逆バイアス状態のＰＤに光が入射することにより、光の入射量に合わせて光電荷Ｑ１が発生し、電子と正孔のどちらか一方の電荷が光電変換部の容量部ＣST（１）に蓄積される。それにより、Ｖｐの電位はＱ１とＣST（１）に依存したΔＶｐだけ変化する。ｔ3で示した第２蓄積動作において、φ２の電位をＶφ2（１）とすることにより、ＳC1のポテンシャル障壁が任意の値だけ減少し、ＣST（１）に蓄積されていた光電荷が増幅素子の光電荷蓄積容量部ＣST（２）に移動し蓄積される。それにより、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGは、Ｑ１とＣST（２）に依存したΔＶGだけ変化する。ＶGの電位の変化に応じて、信号出力回路より光情報に依存した電気信号が増幅されて検出される。」（第２１段落〜第２５段落）
「【００４３】
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明によると、以下のような効果がある。・・・
（３）請求項３に対応する効果：一般に、ＣPD及びＣGは他の容量に比べ、１〜２桁大きな値を示し、蓄積容量の大部分を占める。まれに、増幅素子に接合型電界効果トランジスタやバイポーラトランジスタを用いた場合に生じるＣDG-SUBの蓄積容量に占める割合が増えることがある。従来素子のように、ＰＤ部の光電荷蓄積容量部と増幅素子の光電荷蓄積容量部が常に導通している場合、蓄積容量部の容量の大きさは、常にＣPDとＣGを含むので大きな値を示し、増幅素子の制御用入力端子の電位の変化量ΔＶGは小さな値になってしまう。それに対し、本発明の請求項３に記載の増幅型固体撮像素子では、ＰＤ部の光電荷蓄積容量部と増幅素子の光電荷蓄積容量部が電気的に分離することが可能なので、光電荷蓄積容量はＣPDを含まない。それにより、増幅素子に於ける光電荷蓄積容量は少なくてもＣPD分の容量だけは小さくなり、従来素子に比べΔＶGが大きな値を示すことが可能になる。光の入射量に依存してのＶGの変化分ΔＶGが大きな値を示すということは、それだけ光感度特性が向上したことになり、本発明の利点である。さらに、請求項３に記載の増幅型固体撮像素子に於いて、Ｖｐ及びＶGのリセット用の電位として、それぞれ定電位Ｖｒｓ1，Ｖｔｓ2を用いることが出来る。請求項１に記載の増幅型固体撮像素子に於いては、リセット用電位として、周期的に変化するＶｒｓを用いなければならなかったが、定電位を用いることが可能になり、比較して制御が容易になる。」（第４３段落）
　
  よって、刊行物１には以下の発明が記載されている。
　「光電変換部に発生した光電荷を蓄積する光電変換部の容量部と、増幅素子の制御用入力端子に導入される光電荷が蓄積される増幅素子の容量部と、該両容量部を電気的に接続・分離の切換えを可能とする制御部ＳＣ１と、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGをリセットするための制御部ＳＣ２とを備えた増幅型固体撮像素子において、
　制御部ＳＣ１はゲート電極である制御用入力端子φ２を備え、
　制御部ＳＣ２はゲート電極である制御用入力端子φ３を備え、
　制御部ＳＣ１と制御部ＳＣ２は、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGを任意期間、任意の電位に固定することが可能な制御部であることを特徴とする増幅型固体撮像素子。」
　
（２−４）対比・判断
  補正発明と刊行物１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
　
　引用発明の「光電変換部」が補正発明の「光電変換素子」に相当すること及び、引用発明の「光電荷」は光電変換により発生したものであるから、引用発明の「発生した光電荷」が補正発明の「光電変換により発生した信号電荷」に相当することは、当業者に明らかであって、引用発明においては、「光電変換部」で光の入射により発生した光電荷は「光電変換部の容量部」に蓄積されているから、引用発明の「光電変換部の容量部」は補正発明の「光電変換素子」の「蓄積領域」に相当する。
　また、「増幅型固体撮像素子」が「固体撮像装置」であることは明らかであるから、引用発明の「増幅型固体撮像素子」は、補正発明の「固体撮像装置」に相当する。
　
　引用発明において「制御部ＳＣ１はゲート電極である制御用入力端子φ２を備え」ること及び、刊行物１には、制御部ＳＣ１がソース電極及びドレイン電極を備えると記載されている（第２２段落参照）ことから、引用発明の「制御部ＳＣ１」がＭＯＳトランジスタであることは明らかである。また、
刊行物１には、「ｔ3で示した第２蓄積動作において、φ２の電位をＶφ2（１）とすることにより、ＳC1のポテンシャル障壁が任意の値だけ減少し、ＣST（１）に蓄積されていた光電荷が増幅素子の光電荷蓄積容量部ＣST（２）に移動し蓄積される。それにより、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGは、Ｑ１とＣST（２）に依存したΔＶGだけ変化する。ＶGの電位の変化に応じて、信号出力回路より光情報に依存した電気信号が増幅されて検出される。」と記載されている（第２５段落参照）ことから、引用発明の「制御部ＳＣ１」の「ゲート電極である制御用入力端子φ２」への電圧印加により、「光電変換部の容量部」に蓄積された光電荷を転送することができ、さらに、引用発明の「増幅素子の制御用入力端子に導入される光電荷が蓄積される増幅素子の容量部」は、制御部ＳＣ１のゲート電極へ印加される電位を変更することにより光電変換部の容量部からの蓄積電荷が移動蓄積される構成要素である。
　一方、補正発明について本願明細書及び図面には、転送スイッチの転送ゲート５０１により、フォトダイオード２，３，４に蓄積された光電荷をフローティングディフュージョン１１に転送することが記載されており（第１８段落及び図１参照）、また、補正発明の「フローティングディフュージョン部」は、光電変換素子の蓄積領域に蓄積された信号電荷が転送スイッチ手段により転送され、その信号電荷を受ける構成要素であるから、引用発明の「増幅素子の容量部」と、補正発明の「フローティングディフュージョン部」は実質的に同一の動作をする構成要素である。
　よって、引用発明の「増幅素子の制御用入力端子に導入される光電荷が蓄積される増幅素子の容量部」は、補正発明の「前記転送スイッチ手段を介して信号電荷を受けるフローティングディフュージョン部」に相当するとともに、引用発明の「該両容量部を電気的に接続・分離の切換えを可能とする制御部ＳＣ１」は、補正発明の「前記蓄積領域の信号電荷を転送するＭＯＳトランジスタよりなる転送スイッチ手段」に相当する。
　
　引用発明において「制御部ＳＣ２はゲート電極である制御用入力端子φ３を備え」ること及び、刊行物１には、制御部ＳＣ２がソース電極及びドレイン電極を備えると記載されている（第２２段落参照）ことから、制御部ＳＣ２がＭＯＳトランジスタであることは明らかである。また、引用発明において「制御部ＳＣ２」が「増幅素子の制御用入力端子の電位ＶG」、即ち、「増幅素子の容量部」の電位をリセットするためのものであり、さらに、上記のとおり、引用発明の「増幅素子の容量部」は補正発明の「フローティングディフィージョン部」に相当する。
　よって、引用発明の「増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGをリセットするための制御部ＳＣ２」は、補正発明の「前記フローティングディフュージョン部の電位をリセットするためのＭＯＳトランジスタよりなるリセットスイッチ手段」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　「光電変換により発生した信号電荷を蓄積する蓄積領域を含む光電変換素子と、前記蓄積領域の信号電荷を転送するＭＯＳトランジスタよりなる転送スイッチ手段と、前記転送スイッチ手段を介して信号電荷を受けるフローティングディフュージョン部と、前記フローティングディフュージョン部の電位をリセットするためのＭＯＳトランジスタよりなるリセットスイッチ手段とを有する固体撮像装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　補正発明が、「前記蓄積領域の信号電荷を前記フローティングディフュージョン部へ転送することにより前記蓄積領域を空乏化する」ものであるのに対して、
　引用発明においては、このことが記載されていない点。
　相違点２
　補正発明が、「電源電圧と異なる電圧を発生する電位設定手段を少なくともひとつ以上有し、前記電位設定手段は、前記フローティングディフュージョン部のリセット電位よりも小さくかつ前記電源電圧よりも小さい電圧を前記転送スイッチ手段のゲートに印加することを特徴とする」ものであるのに対して、
　引用発明は、「制御部ＳＣ１と制御部ＳＣ２は、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶＧを任意期間、任意の電位に固定することが可能な制御部であることを特徴とする」ものである点。
 　
　上記相違点について検討する。
　第１の相違点について
　引用発明において、光電変換部の容量部に蓄積された光電荷が、制御部ＳＣ１の制御用入力端子φ２に電圧が印加されることにより、増幅素子の容量部に移動・蓄積されており、この光電荷の移動・蓄積が、補正発明の蓄積領域の信号電荷のフローティングディフュージョン部への転送に相当することは明らかである。
　また、光電変換部の容量部に蓄積された光電荷を増幅素子の容量部へ移動・蓄積する際に、光電変換部の容量部に蓄積された光電荷の一部が、光電変換部の容量部に残ると、残った光電荷がノイズとなり、正しい光電荷量が検出できなくなることは明らかであり、一方、 引用発明においても、光電変換部の容量部に蓄積された光電荷を、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶＧが接続される高濃度不純物領域へ転送することは明らかであり（図５及び「
高不純物濃度領域２０２は特に前記不純物元素を多量に混入させた箇所で電気抵抗が低く、Ｓ１又はＳC1又はＳC2のソース電極やドレイン電極を構成している。」（第２２段落）参照）、さらに、光電変換により蓄積された光電荷を蓄積領域からの読み出しにおいて、蓄積された電荷を完全空乏化することは従来周知の技術であるから（必要とあらば、特開平１−１４７８６１号公報（「このとき、信号電荷の読み出された後のホトダイオード３１は、読み残し電荷のない完全空乏化された状態となるようにホトダイオード３１を設計しておくと、残像や雑音の抑制等の特性向上が図れる。」（５頁左下欄第１６行〜第２０行参照））及び刊行物１の図８及び第２５段落を参照されたい。）、引用発明においても、光電変換により蓄積された光電荷を蓄積領域から読み出し、増幅素子の容量部へ移動（転送）する際に、光電変換部の容量部を空乏化すること、即ち、補正発明の如く、「前記蓄積領域の信号電荷を前記フローティングディフュージョン部へ転送することにより前記蓄積領域を空乏化する」ことは、当業者が容易になしえたものである。
　
　第２の相違点について
　刊行物１の、「前記各画素ごとに設置された制御部の他に、増幅素子の制御用入力端子の電位を任意期間、任意の電位に固定することが可能な他の制御部を設けたことを特徴とする請求項１記載の増幅型固体撮像素子。」（特許請求の範囲請求項３）との記載、及び図８より、増幅素子の容量部をリセットするための制御部ＳC２の制御入力端子φ３に印加する電圧より、光電変換部の容量部から増幅素子の容量部へ電荷を送るための制御部ＳC1の制御入力端子φ２に印加する電圧が小さいことは明らかであり、また、通常、リセット電圧は、電源電圧と同等もしくは電源電圧より小さく設定することは、固体撮像素子の分野において、慣用的技術であるから、電源電圧より、光電変換部の容量部から増幅素子の容量部へ電荷を送るための制御部ＳC1の制御入力端子φ２に印加する電圧が小さいことも明らかであり、さらに、引用発明においても、制御部ＳC２の制御入力端子φ３に印加する電圧を発生するための手段（回路）及び制御部ＳC1の制御入力端子φ２に印加する電圧を発生するための手段（回路）をそれぞれ備えていることは当業者に明らかであるから、引用発明も、補正発明の如く、「電源電圧と異なる電圧を発生する電位設定手段を少なくともひとつ以上有し、前記電位設定手段は、前記フローティングディフュージョン部のリセット電位よりも小さくかつ前記電源電圧よりも小さい電圧を前記転送スイッチ手段のゲートに印加する」ための構成要素を実質的に備えている。
　したがって、上記の点は、実質的な相違点ではない。
　
　よって、補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　（３）むすび
　したがって、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。よって、本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないものであり、適法でない補正を含む本件補正は特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１４年５月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１４年１月３１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下、「本願発明」という。）
　
　「光電変換素子と、前記光電変換素子に発生した信号電荷を転送するＭＯＳトランジスタよりなる転送スイッチ手段と、前記転送スイッチ手段を介して信号電荷を受けるフローティングディフュージョン部と、前記フローティングディフュージョン部の電位をリセットするためのＭＯＳトランジスタとよりなるリセットスイッチを有する固体撮像装置において、
　電源電圧と異なる電圧を発生する電位設定手段を少なくともひとつ以上有し、前記電位設定手段は、前記フローティングディフュージョン部のリセット電位よりも低くかつ前記電源電圧よりも低い電圧を前記転送スイッチ手段のゲートに印加することを特徴とする固体撮像装置。」
　
４．刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平６−１３５９７号公報
　刊行物１は、「増幅型固体撮像素子（発明の名称）」に関するものであって、図５〜図８とともに以下のとおり記載されている。
「【請求項１】　光の入射量に依存して光電荷を発生させる光電変換部を有し、該光電荷を各画案ごとに形成された増幅素子の制御用入力端子に導き、光の入射量に依存した電気信号を各画素ごとに増幅して読み出す増幅型固体撮像素子において、前記光電変換部にて発生した光電荷を蓄積する光電変換部の容量部と、増幅素子の制御用入力端子に導入される光電荷が蓄積される増幅素子の容量部と、該両容量部を電気的に接続・分離の切換えを可能とし、各画素ごとに設置された任意の制御部とから成ることを特徴とする増幅型固体撮像素子。
　【請求項２】　前記増幅素子に導入された光電荷が蓄積される容量の大きさが、光電変換部にて発生した光電荷が蓄積される容量の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項１記載の増幅型固体撮像素子。
　【請求項３】　前記各画素ごとに設置された制御部の他に、増幅素子の制御用入力端子の電位を任意期間、任意の電位に固定することが可能な他の制御部を設けたことを特徴とする請求項１記載の増幅型固体撮像素子。」（特許請求の範囲請求項１ないし３）　
「【００２１】次に、請求項３に記載の本発明の増幅型固体撮像素子の構成及び動作を以下に説明する。図５は、請求項３に記載の増幅型固体撮像素子の１画素の光入力回路部の構造を示す図である。図中、２０１は半導体基板、２０２は高不純物濃度領域、２０３はゲート酸化膜、２０４はゲート電極、２０５は層間絶縁膜、２０６は金属電極、２０７は第２層間絶縁膜、２０８は第２金属電極、２０９は保護膜である。
【００２２】半導体基板２０１はシリコン等による半導体基板を表し、硼素や燐等の不純物元素の意図的な混入によりｐ型又はｎ型の半導体特性を示す。高不純物濃度領域２０２は特に前記不純物元素を多量に混入させた箇所で電気抵抗が低く、Ｓ１又はＳC1又はＳC2のソース電極やドレイン電極を構成している。又、ＰＤ部では同２０２は光電変換部であるｐｎ接合の一端を担っている。ゲート酸化膜２０３はＳ１又はＳC1ＳC2のゲート酸化膜を示す。ゲート電極２０４はＳ１又はＳC1又はＳC2のゲート電極を示し、通常ｐｏｌｙＳｉもしくはシリサイドもしくはアルミニウム等が用いられる。ゲート電極２０４はＳ１又はＳC1又はＳC2の制御用入力端子の役目を果たしている。層間絶縁膜２０５はＳｉＯ2等により構成される層間絶縁膜であり、Ｓ１又はＳC1又はＳC2のソース電極、ゲート電極、ドレイン電極をそれぞれ絶縁するために設置されている。金属電極２０６はアルミニウム等の金属により形成される電極を表し、Ｓ１のソース電極及びＳC1のドレイン電極及びＳC2のソース電極、ドレイン電極を形成している。第２層間絶縁膜２０７は、任意の箇所の遮光の役目をする第２金属電極２０８と、金属電極２０６の絶縁をするための第２層間絶縁膜である。保護膜２０９は素子の高温高湿環境等での信頼性を確保し、外的要因による素子の破壊を防止するための保護膜であり、通常シリコン酸化膜やシリコン窒化膜が用いられる。
【００２３】図６は、図５に示した構造の増幅型固体撮像素子の光入力回路の等価回路を示す図である。ＰＤは入射した光の量に応じて光電荷が発生する光電変換部を表し、Ｓ１はＰＤの一方の電位Ｖｐを任意の電位Ｖｒｓ1に任意期間固定するためのＰＤリセットスイッチである。ＳC1及びＳC2は、請求項３に記載の本発明の特徴となる制御部である。ＳC1は、光電変換部にて発生した光電荷が蓄積される光電変換部の容量部と、増幅素子の制御用入力端子に導入される光電荷が蓄積される増幅素子の容量部を、電気的に接続・分離の切換えを行うために設けられている。ＳC2は、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGを任意期間、任意の電位Ｖｒｓ2に固定するために設けられている。ＶGは該増幅素子の制御用入力端子の電位を表し、ＰＤへの光の入射量に依存して発生し光電変換部の容量部に蓄積された光電荷が、ＳC1及びＳC2の制御により増幅素子の制御用入力端子に導かれ増幅素子の容量部に蓄積されると、ＶGの電位は変化し、ＶGの変化分に合わせた出力電圧又は出力電流が信号増幅されて、増幅素子以降の信号検出回路より検出される。φ１，φ２，φ３はそれぞれＳ１，ＳC1，ＳC2の制御用入力端子を表し、ＰＤのもう一方の電位ＧＮＤは常に接地されている。
【００２４】図７（ａ）〜（ｄ）は、請求項３に記載の本発明の固体撮像素子の動作時のタイミングチャートを示す図である。動作は、リセット動作・第１蓄積動作・第２蓄積動作・読み出し動作に大きく分けられるが、読み出し動作は信号出力回路の方式に従う。各時間ｔ1，ｔ2，ｔ3における光電変換部の光電荷蓄積容量部と増幅素子の光電荷蓄積容量部のポテンシャル図を図８（ａ）〜（ｄ）に示す。本発明の固体撮像素子は、特に光入力回路に特徴を有しているので、リセット動作・第１蓄積動作・第２蓄積動作について、本発明の固体撮像素子の特徴を図６〜図８（ａ）〜（ｄ）を用いて以下に説明する。
【００２５】リセット動作のｔ1の期間において、φ１とφ２及びφ３を同時に、それぞれＶφ1（２）、Ｖφ2（２）、Ｖφ3（１）の電位に設定することにより、光電変換部ＰＤの一方の電位Ｖｐが初期値Ｖｒｓ1に、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGが初期値Ｖｒｓに固定される。次に、ｔ2で示した第１蓄積動作において、φ１とφ３の電位を同時に、それぞれＶφ1（２）、Ｖφ3（２）として、Ｓ１，ＳC2を不導通状態とすることにより、Ｖｐ及びＶGはそれぞれフローティング状態となる。この時、逆バイアス状態のＰＤに光が入射することにより、光の入射量に合わせて光電荷Ｑ１が発生し、電子と正孔のどちらか一方の電荷が光電変換部の容量部ＣST（１）に蓄積される。それにより、Ｖｐの電位はＱ１とＣST（１）に依存したΔＶｐだけ変化する。ｔ3で示した第２蓄積動作において、φ２の電位をＶφ2（１）とすることにより、ＳC1のポテンシャル障壁が任意の値だけ減少し、ＣST（１）に蓄積されていた光電荷が増幅素子の光電荷蓄積容量部ＣST（２）に移動し蓄積される。それにより、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGは、Ｑ１とＣST（２）に依存したΔＶGだけ変化する。ＶGの電位の変化に応じて、信号出力回路より光情報に依存した電気信号が増幅されて検出される。」（第２１段落〜第２５段落）
「【００４３】
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明によると、以下のような効果がある。・・・
（３）請求項３に対応する効果：一般に、ＣPD及びＣGは他の容量に比べ、１〜２桁大きな値を示し、蓄積容量の大部分を占める。まれに、増幅素子に接合型電界効果トランジスタやバイポーラトランジスタを用いた場合に生じるＣDG-SUBの蓄積容量に占める割合が増えることがある。従来素子のように、ＰＤ部の光電荷蓄積容量部と増幅素子の光電荷蓄積容量部が常に導通している場合、蓄積容量部の容量の大きさは、常にＣPDとＣGを含むので大きな値を示し、増幅素子の制御用入力端子の電位の変化量ΔＶGは小さな値になってしまう。それに対し、本発明の請求項３に記載の増幅型固体撮像素子では、ＰＤ部の光電荷蓄積容量部と増幅素子の光電荷蓄積容量部が電気的に分離することが可能なので、光電荷蓄積容量はＣPDを含まない。それにより、増幅素子に於ける光電荷蓄積容量は少なくてもＣPD分の容量だけは小さくなり、従来素子に比べΔＶGが大きな値を示すことが可能になる。光の入射量に依存してのＶGの変化分ΔＶGが大きな値を示すということは、それだけ光感度特性が向上したことになり、本発明の利点である。さらに、請求項３に記載の増幅型固体撮像素子に於いて、Ｖｐ及びＶGのリセット用の電位として、それぞれ定電位Ｖｒｓ1，Ｖｔｓ2を用いることが出来る。請求項１に記載の増幅型固体撮像素子に於いては、リセット用電位として、周期的に変化するＶｒｓを用いなければならなかったが、定電位を用いることが可能になり、比較して制御が容易になる。」（第４３段落）
　
  よって、刊行物１には以下の発明が記載されている。
　「光電変換部に発生した光電荷を蓄積する光電変換部の容量部と、増幅素子の制御用入力端子に導入される光電荷が蓄積される増幅素子の容量部と、該両容量部を電気的に接続・分離の切換えを可能とする制御部ＳＣ１と、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGをリセットするための制御部ＳＣ２とを備えた増幅型固体撮像素子において、
　制御部ＳＣ１はゲート電極である制御用入力端子φ２を備え、
　制御部ＳＣ２はゲート電極である制御用入力端子φ３を備え、
　制御部ＳＣ１と制御部ＳＣ２は、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGを任意期間、任意の電位に固定することが可能な制御部であることを特徴とする増幅型固体撮像素子。」
　　
５．対比・判断
  本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
　引用発明の「光電変換部」が本願発明の「光電変換素子」に相当すること及び、引用発明の「光電荷」は光電変換により発生したものであるから、引用発明の「発生した光電荷」が本願発明の「光電変換により発生した信号電荷」に相当することは当業者に明らかであって、引用発明においては、「光電変換部」で光の入射により発生した光電荷は「光電変換部の容量部」に蓄積されているから、引用発明の「光電変換部の容量部」は本願発明の「光電変換素子」の「蓄積領域」に相当する。
　また、「増幅型固体撮像素子」が「固体撮像装置」であることは明らかであるから、引用発明の「増幅型固体撮像素子」は、本願発明の「固体撮像装置」に相当する。
　
　引用発明において「制御部ＳＣ１はゲート電極である制御用入力端子φ２を備え」ること及び、刊行物１には、制御部ＳＣ１がソース電極及びドレイン電極を備えると記載されている（第２２段落参照）ことから、引用発明の「制御部ＳＣ１」がＭＯＳトランジスタであることは明らかである。また、
刊行物１には、「ｔ3で示した第２蓄積動作において、φ２の電位をＶφ2（１）とすることにより、ＳC1のポテンシャル障壁が任意の値だけ減少し、ＣST（１）に蓄積されていた光電荷が増幅素子の光電荷蓄積容量部ＣST（２）に移動し蓄積される。それにより、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGは、Ｑ１とＣST（２）に依存したΔＶGだけ変化する。ＶGの電位の変化に応じて、信号出力回路より光情報に依存した電気信号が増幅されて検出される。」と記載されている（第２５段落参照）ことから、引用発明の「制御部ＳＣ１」の「ゲート電極である制御用入力端子φ２」への電圧印加により、「光電変換部の容量部」に蓄積された光電荷を転送することができ、さらに、引用発明の「増幅素子の制御用入力端子に導入される光電荷が蓄積される増幅素子の容量部」は、制御部ＳＣ１のゲート電極へ印加される電位を変更することにより光電変換部の容量部からの蓄積電荷が移動蓄積される構成要素である。
　一方、本願発明について本願明細書及び図面には、転送スイッチの転送ゲート５０１により、フォトダイオード２，３，４に蓄積された光電荷をフローティングディフュージョン１１に転送することが記載されており（第１８段落及び図１参照）、また、本願発明の「フローティングディフュージョン部」は、光電変換素子の蓄積領域に蓄積された信号電荷が転送スイッチ手段により転送され、その信号電荷を受ける構成要素であるから、引用発明の「増幅素子の容量部」と、本願発明の「フローティングディフュージョン部」は実質的に同一の動作をする構成要素である。
　よって、引用発明の「増幅素子の制御用入力端子に導入される光電荷が蓄積される増幅素子の容量部」は、本願発明の「前記転送スイッチ手段を介して信号電荷を受けるフローティングディフュージョン部」に相当するとともに、引用発明の「該両容量部を電気的に接続・分離の切換えを可能とする制御部ＳＣ１」は、本願発明の「前記蓄積領域の信号電荷を転送するＭＯＳトランジスタよりなる転送スイッチ手段」に相当する。
　
　引用発明において「制御部ＳＣ２はゲート電極である制御用入力端子φ３を備え」ること及び、刊行物１には、制御部ＳＣ２がソース電極及びドレイン電極を備えると記載されている（第２２段落参照）ことから、制御部ＳＣ２がＭＯＳトランジスタであることは明らかである。また、引用発明において「制御部ＳＣ２」が「増幅素子の制御用入力端子の電位ＶG」、即ち、「増幅素子の容量部」の電位をリセットするためのものであり、さらに、上記のとおり、引用発明の「増幅素子の容量部」は本願発明の「フローティングディフィージョン部」に相当する。
　よって、引用発明の「増幅素子の制御用入力端子の電位ＶGをリセットするための制御部ＳＣ２」は、本願発明の「前記フローティングディフュージョン部の電位をリセットするためのＭＯＳトランジスタよりなるリセットスイッチ手段」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　「光電変換により発生した信号電荷を蓄積する蓄積領域を含む光電変換素子と、前記蓄積領域の信号電荷を転送するＭＯＳトランジスタよりなる転送スイッチ手段と、前記転送スイッチ手段を介して信号電荷を受けるフローティングディフュージョン部と、前記フローティングディフュージョン部の電位をリセットするためのＭＯＳトランジスタよりなるリセットスイッチ手段とを有する固体撮像装置。」である点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
　相違点１
　本願発明が、「電源電圧と異なる電圧を発生する電位設定手段を少なくともひとつ以上有し、前記電位設定手段は、前記フローティングデュフュージョン部のリセット電位よりも低くかつ前記電源電圧よりも低い電圧を前記転送スイッチ手段のゲートに印加することを特徴とする」ものであるのに対して、
　引用発明は、「制御部ＳＣ１と制御部ＳＣ２は、増幅素子の制御用入力端子の電位ＶＧを任意期間、任意の電位に固定することが可能な制御部であることを特徴とする」ものである点において一応相違する。
 
　上記相違点について検討する。
　第１の相違点について
　刊行物１の、「前記各画素ごとに設置された制御部の他に、増幅素子の制御用入力端子の電位を任意期間、任意の電位に固定することが可能な他の制御部を設けたことを特徴とする請求項１記載の増幅型固体撮像素子。」（特許請求の範囲請求項３）との記載、及び図８より、増幅素子の容量部をリセットするための制御部ＳC２の制御入力端子φ３に印加する電圧より、光電変換部の容量部から増幅素子の容量部へ電荷を送るための制御部ＳC1の制御入力端子φ２に印加する電圧が小さい（低い）ことは明らかであり、また、通常、リセット電圧は、電源電圧と同等もしくはで電源電圧より小さく（低く）設定することは、固体撮像素子の分野において、慣用的技術であるから、電源電圧より、光電変換部の容量部から増幅素子の容量部へ電荷を送るための制御部ＳC1の制御入力端子φ２に印加する電圧が小さい（低い）ことも明らかであり、さらに、引用発明においても、制御部ＳC２の制御入力端子φ３に印加する電圧を発生するための手段（回路）及び制御部ＳC1の制御入力端子φ２に印加する電圧を発生するための手段（回路）をそれぞれ備えていることは当業者に明らかであるから、引用発明も、本願発明の如く、「電源電圧と異なる電圧を発生する電位設定手段を少なくともひとつ以上有し、前記電位設定手段は、前記フローティングディフュージョン部のリセット電位よりも低くかつ前記電源電圧よりも低い電圧を前記転送スイッチ手段のゲートに印加する」ための構成要素を実質的に備えている。
　したがって、上記の点は、実質的な相違点ではない。
　　
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。