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【手続補正書】
【提出日】平成30年3月1日(2018.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、電子機器、および照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、
前記第１乃至前記第４の発光素子は、それぞれ、反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、
前記第１乃至前記第４の発光素子がそれぞれ有する前記ＥＬ層は、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層と、を有し、
前記第１の発光素子は、赤色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第２の発光素子は、緑色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第３の発光素子は、青色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第４の発光素子は、黄色発光に対するマイクロキャビティ構造を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、
前記第１乃至前記第４の発光素子は、それぞれ、反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、
前記第１乃至前記第４の発光素子がそれぞれ有する前記ＥＬ層は、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層と、を有し、
前記第１の発光素子は、赤色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第２の発光素子は、緑色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第３の発光素子は、青色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第４の発光素子は、黄色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第１の発光素子は、第１のカラーフィルタを介して赤色発光を呈し、
前記第２の発光素子は、第２のカラーフィルタを介して緑色発光を呈し、
前記第３の発光素子は、第３のカラーフィルタを介して青色発光を呈し、
前記第４の発光素子は、カラーフィルタを介さずに黄色発光を呈することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子とを有し、
前記第１乃至前記第４の発光素子は、それぞれ、反射電極と、ＥＬ層と、半透過・半反射電極とを有し、
前記第１乃至前記第４の発光素子がそれぞれ有する前記ＥＬ層は、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層と、を有し、
前記第１の発光素子は、赤色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第２の発光素子は、緑色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第３の発光素子は、青色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第４の発光素子は、黄色発光に対するマイクロキャビティ構造を有し、
前記第１の発光素子は、第１のカラーフィルタを介して赤色発光を呈し、
前記第２の発光素子は、第２のカラーフィルタを介して緑色発光を呈し、
前記第３の発光素子は、第３のカラーフィルタを介して青色発光を呈し、
前記第４の発光素子は、第４のカラーフィルタを介して黄色発光を呈することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の発光層は、赤色発光を呈する発光物質を有し、
前記第２の発光層は、緑色発光を呈する発光物質を有し、
前記第３の発光層は、青色発光を呈する発光物質を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置を用いた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月12日(2018.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
就寝者の頭部に光を照射する照明装置と、その照明装置により照射される光の照度又は色温度を制御する制御装置と、起床時間を設定する時刻手段とを備え、前記制御装置によって前記起床時間に照射される前記光の照度又は色温度が制御される目覚まし照明装置において、
前記就寝者の頭部が収容される内部空間と、その内部空間から前記就寝者の首部を露出させる開口と、を有する本体を備え、
前記照明装置は前記本体の内周面に向かって光を照射することを特徴とする目覚まし照明装置。
【請求項２】
前記本体を上下方向で回動可能に支持するスタンドを備え、前記本体が上方に回動することにより就寝者の頭部が前記内部空間から開放されることを特徴とする請求項１記載の目覚まし照明装置。
【請求項３】
前記本体の高さを変更可能に支持するスタンドと、そのスタンドに対する本体の高さを固定する固定部材とを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の目覚まし照明装置。
【請求項４】
前記スタンドは、寝具が敷設される寝床面に載置され板状部材で形成される接地板と、その接地板から立設され前記本体を支持する柱部とを備えることを特徴とする請求項２又は３に記載の目覚まし照明装置。
【請求項５】
光を発する照明装置と、
外部から区画され前記就寝者の頭部が収容可能な内部空間を形成する本体と、を備え、
前記照明装置から発せられた光は、前記本体の内周面によって反射されて前記内部空間内で拡散される目覚まし照明装置。
【請求項６】
前記照明装置は、前記本体の内周面と対向して配置されている請求項５に記載の目覚まし照明装置。
【請求項７】
前記照明装置は、前記本体と別体に配置されている請求項５又は６に記載の目覚まし照明装置。
【請求項８】
前記本体を移動可能に支持するスタンドを更に備え、
前記照明装置は、前記スタンドに固定的に配置されている請求項５ないし７に記載の目覚まし照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月25日(2017.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第５のトランジスタと、
第１及び第２のノードと、
容量素子と、
ビット線と、
電源線と、を有し、
前記第１のノードは、前記第１のトランジスタを介して、前記ビット線に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第２のトランジスタを介して、前記ビット線に電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第３のトランジスタを介して、第１の電位が与えられ、
前記第２のノードは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記電源線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第４のトランジスタを介して前記ビット線に電気的に接続される、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第５のトランジスタと、
第１及び第２のノードと、
容量素子と、
第１及び第２のビット線と、
電源線と、を有し、
前記第１のノードは、前記第１のトランジスタを介して、前記第１のビット線に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第２のトランジスタを介して、前記第１のビット線に電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第３のトランジスタを介して、第１の電位が与えられ、
前記第２のノードは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記電源線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第４のトランジスタを介して前記第２のビット線に電気的に接続される、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１乃至第５のトランジスタと、
第１及び第２のノードと、
容量素子と、
第１乃至第３のビット線と、
電源線と、を有し、
前記第１のノードは、前記第１のトランジスタを介して、前記第１のビット線に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第５のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第２のトランジスタを介して、前記第２のビット線に電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第３のトランジスタを介して、第１の電位が与えられ、
前記第２のノードは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記電源線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第４のトランジスタを介して前記第３のビット線に電気的に接続される、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１乃至第４のトランジスタと、
第１及び第２のノードと、
第１及び第２の容量素子と、
ビット線と、電源線と、を有し、
前記第１のノードは、前記第１のトランジスタを介して、前記ビット線に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第２のトランジスタを介して、前記ビット線に電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第３のトランジスタを介して、第１の電位が与えられ、
前記第２のノードは、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記電源線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記ビット線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１乃至第４のトランジスタと、
第１及び第２のノードと、
第１及び第２の容量素子と、
第１及び第２のビット線と、電源線と、を有し、
前記第１のノードは、前記第１のトランジスタを介して、前記第１のビット線に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第２のトランジスタを介して、前記第１のビット線に電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第３のトランジスタを介して、第１の電位が与えられ、
前記第２のノードは、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記電源線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２のビット線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１乃至第４のトランジスタと、
第１及び第２のノードと、
第１及び第２の容量素子と、
第１乃至第３のビット線と、電源線と、を有し、
前記第１のノードは、前記第１のトランジスタを介して、前記第１のビット線に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第２のトランジスタを介して、前記第２のビット線に電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第３のトランジスタを介して、第１の電位が与えられ、
前記第２のノードは、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記電源線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３のビット線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１乃至第３のトランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有する、ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月1日(2018.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第１の回路と、第２の回路と、を有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタの第１の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の回路の第１の端子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２の回路の第１の端子と電気的に接続され、
前記第１の回路は、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第２のトランジスタの第１の端子は、前記第１の回路の第１の端子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１の容量素子の第１の端子と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの第１の端子は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の回路は、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記第４のトランジスタの第１の端子は、前記第２の回路の第１の端子と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の第１の端子と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタの第１の端子は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続されている半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
第３の容量素子を有し、
前記第３の容量素子の第１の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続されている半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
第６のトランジスタを有し、
前記第６のトランジスタの第１の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続されている半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のトランジスタの第２の端子は、前記第３のトランジスタの第２の端子と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタの第２の端子は、前記第５のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されている半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、チャネル領域において、単結晶シリコンを有し、
前記第２乃至第５のトランジスタの各々は、チャネル領域において、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項６】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の回路と、第２の回路と、を有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、第１の配線と第２の配線との間に、直列接続で、電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第１の端子は、前記第２のトランジスタの第１の端子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の回路の第１の端子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２の回路の第１の端子と電気的に接続され、
前記第１の回路は、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第３のトランジスタの第１の端子は、前記第１の回路の第１の端子と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１の容量素子の第１の端子と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタの第１の端子は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の回路は、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記第５のトランジスタの第１の端子は、前記第２の回路の第１の端子と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の第１の端子と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタの第１の端子は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続されている半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
第７のトランジスタを有し、
前記第７のトランジスタの第１の端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続されている半導体装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記第３のトランジスタの第２の端子は、前記第４のトランジスタの第２の端子と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタの第２の端子は、前記第６のトランジスタの第２の端子と電気的に接続されている半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと、同じ極性を有する半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、チャネル領域において、単結晶シリコンを有し、
前記第３乃至第６のトランジスタの各々は、チャネル領域において、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の回路は、１ビット以上の大きさの情報を記憶することができる機能を有し、
前記第２の回路は、１ビット以上の大きさの情報を記憶することができる機能を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月15日(2017.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商用交流電源の出力に基づいてＤＣ電圧を出力するコンバータと、
トランスを有し、前記トランスの一次側に設けたスイッチング回路を駆動するための駆動信号のデューティ比と前記トランスの一次側に供給される前記コンバータからの前記ＤＣ電圧とに応じたＡＣ電圧を前記トランスの二次側に生成するＡＣ電圧生成手段と、
前記ＤＣ電圧の電圧値を検出する電圧検出手段と、
予め定められたデューティ比の前記駆動信号により前記ＡＣ電圧が予め定められた振幅となるときの前記ＤＣ電圧の電圧値を基準値とし、前記電圧検出手段で検出した前記電圧値の前記基準値からの変動量に基づいて、前記駆動信号のデューティ比を調整する制御手段と、を有することを特徴とする、
電源装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記電圧検出手段で検出した電圧値が前記基準値よりも低くなると、前記駆動信号のデューティ比を大きくし、前記電圧検出手段で検出した電圧値が前記基準値よりも高くなると、前記駆動信号のデューティ比を小さくするよう前記デューティ比を調整することを特徴とする、
請求項１記載の電源装置。
【請求項３】
前記ＡＣ電圧生成手段は、前記スイッチング回路を構成する複数のスイッチ素子を有するブリッジ回路を含み、前記トランスの一次側の両端にそれぞれブリッジ回路のスイッチ素子が接続されることを特徴とする、
請求項１または２に記載の電源装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記トランスの一次側の一端に接続されるスイッチ素子を駆動するための第１の駆動信号のデューティ比と、前記トランスの一次側の他端に接続されるスイッチ素子を駆動するための第２の駆動信号のデューティ比とを、前記電圧検出手段で検出した前記電圧値の前記基準値からの変動量に基づいて調整することを特徴とする、
請求項３記載の電源装置。
【請求項５】
前記第１の駆動信号及び前記第２の駆動信号はＰＷＭ信号であり、
前記制御手段は、前記トランスの一次側の一端に接続されるスイッチ素子への前記第１の駆動信号の供給と、前記トランスの一次側の他端に接続されるスイッチ素子への前記第２の駆動信号の供給とを交互に行うように、前記第１の駆動信号及び前記第２の駆動信号の供給を制御することを特徴とする、
請求項４記載の電源装置。
【請求項６】
前記トランスの二次側の一端に、前記ＡＣ電圧に重畳するための第２のＤＣ電圧を生成するＤＣ電圧生成手段を備えることを特徴とする、
請求項１乃至５の何れか１項に記載の電源装置。
【請求項７】
感光体と、
前記感光体に静電潜像を形成する形成手段と、
前記形成手段により前記感光体に形成された静電潜像をトナーにより現像する現像手段と、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電源装置と、
を有し、
前記電源装置の前記トランスの二次側に生成される前記ＡＣ電圧が前記現像手段に現像バイアスとして供給されることを特徴とする、
画像形成装置。
【請求項８】
前記電源装置は、当該画像形成装置の起動時、当該画像形成装置により画像形成処理を実行するとき、及び前記画像形成処理の実行中の予め定められた期間ごと、の少なくとも１つのタイミングで、前記変動量の検出を行うことを特徴とする、
請求項７記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電源装置、画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の電源装置は、商用交流電源の出力に基づいてＤＣ電圧を出力するコンバータと、トランスを有し、前記トランスの一次側に設けたスイッチング回路を駆動するための駆動信号のデューティ比と前記トランスの一次側に供給される前記コンバータからの前記ＤＣ電圧とに応じたＡＣ電圧を前記トランスの二次側に生成するＡＣ電圧生成手段と、前記ＤＣ電圧の電圧値を検出する電圧検出手段と、予め定められたデューティ比の前記駆動信号により前記ＡＣ電圧が予め定められた振幅となるときの前記ＤＣ電圧の電圧値を基準値とし、前記電圧検出手段で検出した前記電圧値の前記基準値からの変動量に基づいて、前記駆動信号のデューティ比を調整する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部分及び前記第１の部分の上に形成された第２の部分を有するセンサ積層体を含み、前記第１の部分がセンサトラック幅を画定する幅を有し、前記第２の部分がセンサトラック幅を超えて延在する幅を有している磁気センサにおいて、
前記センサ積層体の前記第１の部分が、磁気自由層と、非磁性層と、第１の磁化固定層の第１の部分とを含み、前記非磁性層が、前記磁気自由層と前記第１の磁化固定層の前記第１の部分との間に挟まれていて、
前記センサ積層体の前記第２の部分が、前記第１の磁化固定層の第２の部分と、第２の磁化固定層と、前記第１の磁化固定層と前記第２の磁化固定層との間に挟まれた非磁性逆平行結合層と、前記第２の磁化固定層に交換結合する反強磁性材料層とを含む磁気センサ。
【請求項２】
前記センサ積層体が空気ベアリング面まで延在し、
前記センサ積層体の前記第１の部分が前記空気ベアリング面の反対側に後縁を有し、前記後縁と前記空気ベアリング面との間の距離がセンサストライプ高を画定し、
前記第２の部分が前記センサストライプ高を超えて延在している、請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記センサ積層体が空気ベアリング面まで延在し、前記反強磁性材料層が前記空気ベアリング面よりも凹んでいる、請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記センサ積層体が、第１及び第２の磁気シールドの間に配置されていて、前記反強磁性材料層と前記空気ベアリング面との間に配置された磁気台座を更に含む、請求項３に記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記磁気台座が前記第２の磁気シールドと磁気的に接続されている、請求項４に記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記センサ積層体の前記第２の部分が、前記センサ積層体の前記第１の部分に追随する方向に配置されている、請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項７】
前記反強磁性材料層が、前記磁気自由層の反対側で前記第２の磁化固定層の上に形成されている、請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項８】
前記センサ積層体の前記第１の部分の第１及び第２の側部の各々に隣接して形成された第１及び第２の磁気バイアス構造を更に含み、前記第１及び第２の磁気バイアス構造が磁気的に柔軟な材料で形成されている、請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項９】
前記磁気バイアス構造の各々が反強磁性材料層と交換結合されている、請求項８に記載の磁気センサ。
【請求項１０】
前記磁気バイアス構造の各々が、前記センサ積層体の前記第１の部分の下方及び前記磁気バイアス構造の各々の下方に延在する反強磁性材料層と交換結合されている、請求項８に記載の磁気センサ。
【請求項１１】
磁気バイアス構造を製造する方法であって、
磁気自由層と、前記磁気自由層の上に堆積された非磁性層と、前記非磁性層の上に堆積された第１の磁化固定層の第１の部分とを含む第１のセンサ積層部分を堆積させるステップと、
前記第１のセンサ積層部分のトラック幅及び後縁を画定するステップと、
前記第１のセンサ積層部分の上に第２のセンサ積層部分を堆積させるステップとを含み、前記第２のセンサ積層部分が、第１の磁化固定層の第２の部分と、前記第１の磁化固定層の前記第２の部分の上に堆積された非磁性逆平行結合層と、前記非磁性逆平行結合層の上に堆積された第２の磁化固定層と、前記第２の磁化固定層の上に堆積された反強磁性材料層とを含んでいる方法。
【請求項１２】
前記反強磁性材料層を堆積させた後で、空気ベアリング面の近傍で前記反強磁性材料層の一部を除去するステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記反強磁性材料層を堆積させた後で、
空気ベアリング面の近傍で前記反強磁性材料層の一部を除去するステップと、前記反強磁性材料が除去されたスペースを充填すべく磁性材料を堆積させるとをステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記反強磁性材料層を堆積させた後で、空気ベアリングの面から所望の距離に前縁が位置するマスクを形成するステップと、イオンミリングを実行して、前記反強磁性材料層の一部を除去するステップと、化学機械研磨を実行するステップとを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のセンサ積層部分のトラック幅及び後部を前記画定するステップが、
トラック幅を画定する幅が構成された第１のマスクを形成するステップと、
第１のイオンミリングを実行して、前記第１のマスクにより保護されていない前記第１のセンサ積層部分の一部分を除去するステップと、
空気ベアリング面の反対側に後縁を画定すべく構成された第２のマスクを形成するステップと、
第２のイオンミリングを実行して、前記第２のマスクにより保護されていない前記第１のセンサ積層部分の一部分を除去するステップとを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のイオンミリングを実行した後で、磁気バイアス層を堆積させるステップを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
筐体と、
前記筐体内に移動可能に搭載された磁気媒体と、
磁気センサを載置する磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気媒体の表面に相対的に移動させるアクチュエータ機構とを含む磁気データ記録システムにおいて、
前記磁気センサが更に、
第１の部分と、前記第１の部分の上に形成される第２の部分とを有するセンサ積層体を更に含み、前記第１の部分がセンサトラック幅を画定する幅を有し、前記第２の部分が前記センサトラック幅を超えて延在する幅を有し、
前記センサ積層体の前記第１の部分が、磁気自由層と、非磁性層と、第１の磁化固定層の第１の部分とを含み、前記非磁性層が前記磁気自由層と前記第１の磁化固定層の第１の部分との間に挟まれ、
前記センサ積層体の前記第２の部分が、
前記第１の磁化固定層の第２の部分と、第２の磁化固定層と、前記第１の磁化固定層と前記第２の磁化固定層との間に挟まれた非磁性逆平行結合層と、前記第２の磁化固定層と交換結合された反強磁性材料層とを含む、磁気データ記録システム。
【請求項１８】
前記センサ積層体が空気ベアリング面まで延在し、
前記センサ積層体の前記第１の部分が、空気ベアリング面の反対側に後縁を有し、前記後縁と前記空気ベアリング面の間の距離がセンサストライプ高を画定し、
前記第２の部分が前記センサストライプ高を超えて延在する、請求項１７に記載の磁気データ記録システム。
【請求項１９】
前記センサ積層体が空気ベアリング面まで延在し、前記反強磁性材料層が前記空気ベアリング面よりも凹んでいる、請求項１７に記載の磁気データ記録システム。
【請求項２０】
前記センサ積層体が第１及び第２の磁気シールドの間に配置されていて、前記反強磁性材料層及び前記空気ベアリング面の間に配置された磁気台座を更に含む、請求項１９に記載の磁気データ記録システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月1日(2018.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紙基材またはプラスチック基材に印刷するためのグラビアインキであって、バインダー樹脂（Ａ）、炭化水素系ワックス（Ｂ）および有機溶剤を含有し、下記（１）〜（３）を満たすことを特徴とする有機溶剤系グラビアインキ。
（１）炭化水素系ワックス（Ｂ）の日本工業規格ＪＩＳ Ｋ ２２０７で規定された２５℃における硬度（針入度）が、０．５〜１２であり、かつ、平均粒子径が１〜１０μｍである。
（２）グラビアインキ１００質量％中、炭化水素系ワックス（Ｂ）を０．１〜２．５質量％含有する。
（３）バインダー樹脂（Ａ）は、ポリアミド樹脂（Ａ３）／セルロース系樹脂（Ａ２）、またはアクリル樹脂／セルロース系樹脂（Ａ２）いずれかの組み合わせである二種の樹脂を質量比９５／５〜３０／７０で含有する。
【請求項２】
表刷り用であることを特徴とする、請求項１に記載の有機溶剤系グラビアインキ。
【請求項３】
バインダー樹脂（Ａ）は、軟化点１００〜１４０℃のポリアミド樹脂（Ａ３）と、窒素分が１０．５〜１２．５質量％のニトロセルロースとを質量比９５／５〜３０／７０で含有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機溶剤系グラビアインキ。
【請求項４】
バインダー樹脂（Ａ）は、ガラス転移温度が４０〜１１０℃のアクリル樹脂と、窒素分が１０．５〜１２．５質量％のニトロセルロースとを質量比９５／５〜３０／７０で含有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機溶剤系グラビアインキ。
【請求項５】
炭化水素系ワックス（Ｂ）が、ポリエチレンワックス（ｂ１）、ポリプロピレンワックス（ｂ２）およびフィッシャー・トロプシュ・ワックス（ｂ３）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の有機溶剤系グラビアインキ。
【請求項６】
炭化水素系ワックス（Ｂ）の融点が９０〜１５０℃であることを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の有機溶剤系グラビアインキ。
【請求項７】
更に、脂肪酸アミド（Ｃ）を含有し、炭化水素系ワックス（Ｂ）がポリエチレンワックス（ｂ１）を含有し、
炭化水素系ワックス（Ｂ）と脂肪酸アミド（Ｃ）との質量比（Ｂ）／（Ｃ）が、８０／２０〜２０／８０の範囲内であり、グラビアインキ１００質量％中、脂肪酸アミド（Ｃ）とポリエチレンワックス（Ｂ）の合計は０．３〜３質量％であることを特徴とする請求項１〜６いずれかに記載の有機溶剤系グラビアインキ。
【請求項８】
脂肪酸アミド（Ｃ）が、炭素数１０〜２５の脂肪族炭化水素基を有する脂肪酸アミドを含有することを特徴とする請求項７に記載の有機溶剤系グラビアインキ。
【請求項９】
更にキレート架橋剤としてチタンキレートをグラビアインキ中に０．５〜２．０質量％含有することを特徴とする請求項１〜８いずれかに記載の有機溶剤系グラビアインキ。
【請求項１０】
請求項１〜９いずれかに記載の有機溶剤系グラビアインキにより印刷された印刷物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
（実施例２〜４４）［グラビアインキＳ２〜Ｓ４４の作成］
表３−１、表３−２に記載された原料および配合に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、グラビアインキＳ２〜Ｓ４４をそれぞれ得た。表中の略称は以下を表す。また、表中、単位の標記のない数値は、部を表し、空欄は配合していないことを表す。
バーサミド７５０：ＢＡＳＦ社製  軟化点１１６℃  末端アミノ基含有ポリアミド樹脂  （固形分３０％イソプロパノール溶液）
ＤＬＸ５−８：ＩＣＩ Ｎｏｖｅｌ ｅｎｔｅｒｐｒｉｓｅｓ社製 ニトロセルロース  窒
素分１２．０％  （固形分３０％イソプロパノール溶液）
ダイヤナールＢＲ−１０７：三菱レイヨン社製  アクリル樹脂  ３０％酢酸エチル／イソプロピルアルコール溶液、重量平均分子量６００００、ガラス転移温度５０℃、酸価３．５ｍｇＫＯＨ／ｇ。
なお、本明細書において実施例２３〜４４、６７〜８８以外は参考例である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月22日(2018.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に、
蒸着材料を真空蒸着法により成膜する工程と、ターゲット構成物質をスパッタリングにより成膜する工程とを繰り返し、
成膜材料の屈折率より小さい屈折率の膜を形成する成膜方法において、
得られた総膜重量に対する前記スパッタリングによる膜重量が、０．２〜２．１％である成膜方法。
【請求項２】
基板の表面に、
蒸着材料を真空蒸着法により成膜する工程と、ターゲット構成物質をスパッタリングにより成膜する工程とを繰り返し、
成膜材料の屈折率より小さい屈折率の膜を形成する成膜方法において、
前記成膜材料がＭｇＦ２であり、屈折率が１．３８より小さい膜を形成する成膜方法。
【請求項３】
前記成膜材料がＳｉＯ２であり、屈折率が１．４６より小さい膜を形成する請求項１に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記成膜材料がＭｇＦ２であり、屈折率が１．３８より小さい膜を形成する請求項１に記載の成膜方法。
【請求項５】
屈折率が１．４１以下の膜を形成する請求項３に記載の成膜方法。
【請求項６】
鉛筆硬度がＢ以上の膜を形成する請求項１〜５のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記スパッタリングによる膜重量が、前記真空蒸着法による膜重量より小さい請求項２〜５のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項８】
得られた総膜重量に対する前記スパッタリングによる膜重量が、０．２〜２．１％である請求項７に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記蒸着材料が、ＳｉＯ２，ＭｇＦ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５又はＨｆＯ２、前記ターゲット構成物質がＳｉ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｈｆ又はこれらの金属酸化物、前記基板がガラス基板又はプラスチック基板である請求項１〜８のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記蒸着材料と、前記蒸着材料とは異なる材質のターゲット構成物質とを用い、形成する膜の屈折率を制御する請求項１〜９のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項１１】
真空容器と、
前記真空容器の内部に回転可能に設けられ、基板保持面に前記基板を保持する基板ホルダと、
前記真空容器の内部の前記基板保持面の一部に対向して設けられ、前記真空容器の内部の他の領域と僅かな隙間を通じて連通した状態で物理的に隔離された差圧容器と、
前記差圧容器の内部に設けられたスパッタ機構と、
前記差圧容器の内部にスパッタガスを導入するガス導入系統と、
前記真空容器の内部に基板保持面に対向して設けられた真空蒸着機構と、を備える成膜装置を用い、
前記真空容器内で、前記基板の表面に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記真空容器内を減圧して、第１の圧力に調整し、
前記基板を保持する基板ホルダを回転させながら、前記差圧容器にスパッタガスを導入して、スパッタガスの流量と前記隙間の間隔とを調整することにより、前記差圧容器の内部圧力を、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に調整したのち、
前記差圧容器の内部のガスが、前記隙間を通じて、前記スパッタガスの流量と前記隙間の間隔により調整された流量で漏出している状態で、前記差圧容器の内部にプラズマを発生させ、前記基板保持面の一部に、スパッタリングにより前記基板の表面に成膜するスパッタ工程と、
前記基板ホルダを回転させながら、前記基板保持面のうち、前記差圧容器が対向しない部分に、真空蒸着法により前記基板の表面に成膜する蒸着工程と、を繰り返す請求項１〜１０のいずれか一項に記載の成膜方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月8日(2018.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可溶性錫塩と、錫より貴な金属の可溶性塩と、下記一般式（１）で示されるスルフィド化合物とを含む錫合金めっき液。式（１）中、ｎは１〜３である。
【化１】
2018123421.tif 000001
【請求項２】
更にアニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、非イオン系界面活性剤及び両性界面活性剤より選ばれる少なくとも１種又は２種以上の界面活性剤を含む請求項１記載の錫合金めっき液。
【請求項３】
前記錫より貴な金属が、銀、銅、金及びビスマスより選ばれる少なくとも１種又は２種以上の金属である請求項１又は請求項２記載の錫合金めっき液。
【請求項４】
更に酸化防止剤を含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の錫合金めっき液。
【請求項５】
更に錫用の錯体化剤を含む請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の錫合金めっき液。
【請求項６】
更にｐＨ調整剤を含む請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の錫合金めっき液。
【請求項７】
更に光沢化剤を含む請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の錫合金めっき液。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月28日(2018.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明は以下の構成を要旨とするものである。
（１）  平均アスペクト比が２．５以下の平均短径で０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶粒子。
（２）  嵩密度が０．８０ｇ／ｃｍ3以上である前記（１）に記載の次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶粒子。
（３）  嵩密度が０．８０ｇ／ｃｍ3以上である次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶粒子。
（４）  ４０〜４８質量％水酸化ナトリウム水溶液に塩素を導入して反応温度１５〜３２℃で塩素化する第１工程と、
析出した副生塩化ナトリウムの結晶を分離除去して次亜塩素酸ナトリウム濃度２４〜３４質量％の次亜塩素酸ナトリウム水溶液を回収する第２工程と、
冷却器と晶出器とが一体となった晶析槽において、前記第２工程で回収された次亜塩素酸ナトリウム５水和物を含む水溶液を冷却温度０〜２６℃まで冷却して次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶を析出させる第３工程であって、晶析槽内の前記水溶液を攪拌翼先端速度２．１〜７．５ｍ／秒で攪拌もしくはポンプ循環させる、または攪拌およびポンプ循環させる、第３工程と、
前記第３工程で析出した次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶を固液分離して次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶粒子を得る第４工程と
を含むことを特徴とする次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶粒子の製造方法。
（５）  前記第３工程での、ポンプ循環が、１時間に、前記晶析槽中の水溶液量に対して０．５〜４.０倍の液量を循環させることで行われる前記（４）に記載の製造方法。
（６）  前記第３工程での、ポンプ循環が、１時間に、前記晶析槽中の水溶液量に対して０．５〜４.０倍の液量を循環し、尚且つ撹拌が、攪拌翼先端速度を２．１〜７．５ｍ／秒で行われる前記（４）に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均アスペクト比が２．５以下であって、平均短径が０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶粒子。
【請求項２】
嵩密度が０．８０ｇ／ｃｍ3以上である請求項１に記載の次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶粒子。
【請求項３】
嵩密度が０．８０ｇ／ｃｍ3以上である次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶粒子。
【請求項４】
４０〜４８質量％水酸化ナトリウム水溶液に塩素を導入して反応温度１５〜３２℃で塩素化する第１工程と、
析出した副生塩化ナトリウムの結晶を分離除去して次亜塩素酸ナトリウム濃度２４〜３４質量％の次亜塩素酸ナトリウム水溶液を回収する第２工程と、
冷却器と晶出器とが一体となった晶析槽において、前記第２工程で回収された次亜塩素酸ナトリウム５水和物を含む水溶液を冷却温度０〜２６℃まで冷却して次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶を析出させる第３工程であって、晶析槽内の前記水溶液を攪拌翼先端速度２．１〜７．５ｍ／秒で攪拌もしくはポンプ循環させる、または攪拌およびポンプ循環させる、第３工程と、
前記第３工程で析出した次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶を固液分離して次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶粒子を得る第４工程と
を含むことを特徴とする次亜塩素酸ナトリウム５水和物結晶粒子の製造方法。
【請求項５】
前記第３工程での、ポンプ循環が、１時間に、前記晶析槽中の水溶液量に対して０．５〜４.０倍の液量を循環させることで行われる請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記第３工程での、ポンプ循環が、１時間に、前記晶析槽中の水溶液量に対して０．５〜４.０倍の液量を循環し、尚且つ撹拌が、攪拌翼先端速度を２．１〜７．５ｍ／秒で行われる請求項４に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月29日(2018.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
通常、上記９個の部位のうち、外周の８個の部位の外周平均密度Ｄｏは、中央の部位の密度Ｄｃよりも大きい。上記密度Ｄｃと上記外周平均密度Ｄｏとの「密度Ｄｃ＜外周平均密度Ｄｏ」の関係は、上述のように最小の密度Ｄｍｉｎの部位が中央の部位かその左右隣りの一方の部位のいずれであっても満たし、最大の密度Ｄｍａｘの部位が外周の８個の部位のいずれであっても満たす。外周の８個の部位の外周平均密度Ｄｏに対する中央の部位の密度Ｄｃの密度減少率Ｄｄ２＝｛（Ｄｏ−Ｄｃ）／Ｄｏ｝×１００は、０．８％以下が好ましく、更には０．５％以下が好ましく、特に０．３％以下が好ましい。中央の部位の密度Ｄｃに対する外周の８個の部位の外周平均密度Ｄｏの密度増加率Ｄｉ２＝｛（Ｄｏ−Ｄｃ）／Ｄｃ｝×１００は、０．８％以下が好ましく、更には０．５％以下が好ましく、特に０．３％以下が好ましい。外周の８個の部位の外周平均密度Ｄｏと中央の部位の密度Ｄｃとの密度差ΔＤ２＝Ｄｏ−Ｄｃと、平均密度Ｄａｖとの密度比率ＤＲ２＝（ΔＤ２／Ｄａｖ）×１００は、０．８％以下が好ましく、更には０．５％以下が好ましく、特に０．３％以下が好ましい。密度差ΔＤ２は、０．０４ｇ／ｃｍ３以下が好ましく、更に０．０３ｇ／ｃｍ３が好ましく、特に０．０２ｇ／ｃｍ３が好ましい。上記密度Ｄｃは、５．５９ｇ／ｃｍ３以上が好ましく、更に５．６０ｇ／ｃｍ３以上、特に５．６１ｇ／ｃｍ３以上が好ましい。上記外周平均密度Ｄｏは、５．６３ｇ／ｃｍ３以上が好ましく、更に５．６３５ｇ／ｃｍ３以上が好ましく、特に５．６４ｇ／ｃｍ３以上が好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
〈温度条件〉
成形工程における温度条件は、溶融した樹脂の温度Ｔｒと金型の温度Ｔｄとの温度差（Ｔｒ−Ｔｄ）が、「１８０℃≦（Ｔｒ−Ｔｄ）」を満たすことが挙げられる。この温度差（Ｔｒ−Ｔｄ）が１８０℃以上を満たすことで、複合材料成形体１０を製造できる。上記温度差（Ｔｒ−Ｔｄ）は、更に「２００℃≦（Ｔｒ−Ｔｄ）」を満たすことが好ましい。上記温度差（Ｔｒ−Ｔｄ）は、「（Ｔｒ−Ｔｃ）≦２５０℃」を満たすことが好ましく、更に「（Ｔｒ−Ｔｄ）≦２３０℃」を満たすことが好ましく、特に「（Ｔｒ−Ｔｄ）≦２２０℃」を満たすことが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
各試料の中央部位３１２と外周部位３１３の密度は、種々変更した。試料Ｎｏ．２−１００の中央部位３１２と外周部位３１３の密度は、同一とした。試料Ｎｏ．２−１〜２−４の中央部位３１２の密度はそれぞれ、試料Ｎｏ．１−１〜１−４の最小の密度Ｄｍｉｎの部位と同等とし、試料Ｎｏ．２−１〜２−４の外周部位３１３の密度はそれぞれ、試料Ｎｏ．１−１〜１−４の最大の密度Ｄｍａｘの部位と同等とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
表４に示すように、上記Ｄｄ１≦１．８％を満たす試料Ｎｏ．２−３、２−４は、漏れ損が１０３以下であり、漏れ損が小さかったのに対し、上記Ｄｄ１＞１．８％の試料Ｎｏ．２−１，２−２は、漏れ損が１１０以上であり、漏れ損が大きかった。従って、試料Ｎｏ．２−３、２−４は、試料Ｎｏ．２−１，２−２に比較して漏れ磁束が少ないことが分かった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
上記Ｄｄ１＝０の試料Ｎｏ．２−１００の内側コア部は、図４に示すように、ほぼ全域に亘って均一的に青緑色であった。そして、図示は省略しているが、コイルの軸方向全長に亘って略同じ紫色であり、コイルのうちギャップに近接する箇所の色とギャップと外側コア部との間に位置する箇所の色とが略同じ紫色であった。即ち、上記密度差のない試料Ｎｏ．２−１００の内側コア部は、コイルへの磁束の影響が殆どないことから、ギャップでの漏れ磁束が少ないことが分かる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
一方、上記Ｄｄ１＞１．８％の試料Ｎｏ．２−１の内側コア部は、図５に示すように、中央部位と外周部位の色が不均一である。具体的には、中央部位が青色〜水色の間の色であるのに対し、外周部位が青緑色であった。そして、図示は省略しているが、コイルのうちギャップと外側コア部との間に位置する箇所の色が紫色であるのに対して、ギャップに近接する箇所の色は紫〜藍色であった。これは、ギャップで磁束が漏れて、コイルに対して影響を及ぼしたからだと考えられる。その結果、上記表４に示すように、漏れ損が大きくなったと考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月8日(2018.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御対象（１０１）を制御する電子制御ユニット（１）であって、
基板（１０）と、
前記基板の一方の面（１１）側に複数設けられ、作動時に発熱する発熱部品（２０）と、
熱伝導率が所定値以上の材料により形成され、少なくとも一部が複数の前記発熱部品の間に位置するよう前記基板の一方の面側に設けられた熱伝導部品（４０）と、
前記基板に設けられ、前記発熱部品の作動を制御することで前記制御対象を制御可能な制御部（６０）と、
を備え、
前記発熱部品および前記熱伝導部品は、前記基板上の一方の領域（Ｔ１）に設けられており、
前記制御部は、前記基板上の前記一方の領域とは反対側の領域である他方の領域（Ｔ２）に設けられている電子制御ユニット（１）。
【請求項２】
制御対象（１０１）を制御する電子制御ユニット（１）であって、
基板（１０）と、
前記基板の一方の面（１１）側に複数設けられ、作動時に発熱する発熱部品（２０）と、
熱伝導率が所定値以上の材料により形成され、少なくとも一部が複数の前記発熱部品の間に位置するよう前記基板の一方の面側に設けられた熱伝導部品（４０）と、
前記基板に設けられ、前記発熱部品の作動を制御することで前記制御対象を制御可能な制御部（６０）と、
を備え、
前記基板の一方の面に、複数の前記発熱部品のうち第１の発熱部品（２１）に対応する第１のプリント配線（３１）と、複数の前記発熱部品のうち第２の発熱部品（２３）に対応する第２のプリント配線（３３）とが隣り合うようにして配置されており、
前記熱伝導部品は、前記第１のプリント配線に位置する第１の熱伝導部品（４１、４４、４５）、および、前記第２のプリント配線に位置する第２の熱伝導部品（４２）を有し、
前記第１の熱伝導部品および前記第２の熱伝導部品は、前記発熱部品を囲むようにして設けられている電子制御ユニット（１）。
【請求項３】
前記発熱部品は、半導体モジュールであり、ドレインに電気的に接続される第１端子（２０３）、ソースに電気的に接続される第２端子（２０４）、および、ゲートに電気的に接続される第３端子（２０５）を有し、
前記第１の発熱部品の前記第１端子は、前記第１のプリント配線に接続され、
前記第１の発熱部品の前記第２端子は、前記第２のプリント配線に接続され、
前記第２の発熱部品の前記第１端子は、前記第２のプリント配線に接続されている請求項２に記載の電子制御ユニット。
【請求項４】
前記熱伝導部品は、少なくとも一部が前記発熱部品を囲むようにして設けられている請求項１に記載の電子制御ユニット。
【請求項５】
前記基板の一方の面に設けられ、前記発熱部品に電気的に接続している配線（３０）をさらに備え、
前記熱伝導部品は、前記配線に接している請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子制御ユニット。
【請求項６】
前記基板の一方の面側に設けられる電子部品（５１）をさらに備え、
前記熱伝導部品は、少なくとも一部が前記発熱部品と前記電子部品との間に位置するよう設けられている請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子制御ユニット。
【請求項７】
前記基板の一方の面側に設けられ、前記発熱部品および前記熱伝導部品からの熱を放熱可能な放熱体（７０）をさらに備える請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子制御ユニット。
【請求項８】
前記基板の一方の面と前記放熱体との間に設けられ、前記発熱部品および前記熱伝導部品からの熱を前記放熱体に伝導可能な熱伝導部材（７５）をさらに備える請求項７に記載の電子制御ユニット。
【請求項９】
前記放熱体は、前記基板に向かって延びるよう形成された柱状部（７２）を有し、
前記熱伝導部品は、少なくとも一部が前記柱状部から所定距離（Ｍ）の範囲（Ｒ２）内に位置するよう設けられている請求項７または８に記載の電子制御ユニット。
【請求項１０】
前記発熱部品と前記放熱体との距離（ｄ１）は、前記熱伝導部品と前記放熱体との距離（ｄ２）以下に設定されている請求項７〜９のいずれか一項に記載の電子制御ユニット。
【請求項１１】
前記発熱部品と前記放熱体との距離は、前記熱伝導部品と前記放熱体との距離より小さく設定されている請求項１０に記載の電子制御ユニット。
【請求項１２】
前記基板に設けられ、前記発熱部品を経由して前記制御対象へ供給される電流が流れる給電端子（８１、８２、８３、８４）、ならびに、前記制御部を介して前記制御対象を制御するための信号が流れる信号端子（８５）を有するコネクタ（８０）をさらに備え、
前記熱伝導部品は、少なくとも一部が前記発熱部品と前記コネクタとの間に位置するよう設けられている請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電子制御ユニット。
【請求項１３】
前記基板に直交する仮想平面（ＶＰ１）で前記基板を２つの領域（Ｔ１、Ｔ２）に分けたとき、前記発熱部品および前記給電端子は一方の領域（Ｔ１）側に設けられており、前記制御部および前記信号端子は他方の領域（Ｔ２）側に設けられている請求項１２に記載の電子制御ユニット。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の電子制御ユニット（１）と、
前記電子制御ユニットにより制御され、運転者による操舵を補助するアシストトルクを出力可能な前記制御対象（１０１）と、
を備える電動パワーステアリング装置（１００）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
熱伝導部品は、熱伝導率が所定値以上の材料により形成され、少なくとも一部が複数の発熱部品の間に位置するよう基板の一方の面側に設けられている。
制御部は、基板に設けられ、発熱部品の作動を制御することで制御対象を制御可能である。
本発明では、熱伝導部品の少なくとも一部が、複数の発熱部品の間に位置するよう設けられている。そのため、発熱部品の熱は、熱伝導部品に伝導する。これにより、発熱部品の温度が過度に上昇するのを抑制することができる。また、熱伝導部品は、少なくとも一部が複数の発熱部品の間に位置するため、各発熱部品間の熱干渉を抑制することができる。
本発明の第１の態様では、発熱部品および熱伝導部品は、基板上の一方の領域に設けられている。制御部は、基板上の一方の領域とは反対側の領域である他方の領域に設けられている。
また、本発明の第２の態様では、基板の一方の面に、複数の発熱部品のうち第１の発熱部品に対応する第１のプリント配線と、複数の発熱部品のうち第２の発熱部品に対応する第２のプリント配線とが隣り合うようにして配置されている。熱伝導部品は、前記第１のプリント配線に位置する第１の熱伝導部品、および、前記第２のプリント配線に位置する第２の熱伝導部品を有している。第１の熱伝導部品および第２の熱伝導部品は、発熱部品を囲むようにして設けられている。