【事件の表示】
　特許第５７０５６４２号「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７０５６４２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１ないし５、７、８について訂正することを認める。
　特許第５７０５６４２号の請求項１ないし５、７、８に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第５７０５６４２号の請求項１ないし８に係る発明についての出願は、平成２３年５月１０日に特許出願され、平成２７年３月６日に特許の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人により特許異議の申立てがなされ、平成２７年１２月２２日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２８年１月２８日に意見書の提出及び訂正請求があったものである。
　　　
２　訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は以下のアないしウのとおりである。
ア　請求項６を削除する。
イ　請求項７の「請求項１〜６のいずれかに記載の」を「請求項１〜５のいずれかに記載の」に訂正する。
ウ　請求項８の「請求項１〜７のいずれかに記載の」を「請求項１〜５及び請求項７のいずれかに記載の」に訂正する。
　　　　
（２）訂正要件の検討
　上記アの訂正は、請求項６を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、このため、当該訂正は特許明細書に記載した事項の範囲内においてなされたもので、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、上記イ及びウの訂正は、請求項６の削除に伴い、請求項７及び８における請求項６の引用を削除するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり、このため、当該訂正は特許明細書に記載した事項の範囲内においてなされたもので、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　そして、これら訂正は一群の請求項ごとに請求されたものである。
　　　　
（３）小活
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので訂正を認める。
　　　　　
３　特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　本件訂正請求により訂正された訂正請求項１ないし５、７、８に係る発明（以下、請求項の項番に従い「本件発明１」などという。）は、その特許請求の範囲の請求項１ないし５、７、８に記載された事項により特定される、次のとおりのものである（訂正された箇所を下線で示す。）。
「　【請求項１】
　下記酸化物Ａと、ＩｎＧａＺｎＯ４とを含有し、
　全体の９５重量％以上１００重量％以下がＩｎ、Ｇａ及びＺｎの酸化物であるスパッタリングターゲット。
　酸化物Ａ：Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により得られるチャートにおいて、下記のＡ〜Ｋの領域に回折ピークが観測される酸化物。
Ａ．２θ＝７．０°〜８．４°
Ｂ．２θ＝３０．６°〜３２．０°
Ｃ．２θ＝３３．８°〜３５．８°
Ｄ．２θ＝５３．５°〜５６．５°
Ｅ．２θ＝５６．５°〜５９．５°
Ｆ．２θ＝１４．８°〜１６．２°
Ｇ．２θ＝２２．３°〜２４．３°
Ｈ．２θ＝３２．２°〜３４．２°
Ｉ．２θ＝４３．１°〜４６．１°
Ｊ．２θ＝４６．２°〜４９．２°
Ｋ．２θ＝６２．７°〜６６．７°
　　【請求項２】
　ＺｎＧａ２Ｏ４で表されるスピネル構造のＸ線回折測定（Ｃｕｋα線）によるピークが、最大ピークの３％以下である請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
　　【請求項３】
　インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）の原子比が、下記式（１）及び（２）を満たす請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
　　０．２５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５５　　（１）
　　０．１５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．３３　　（２）
　　【請求項４】
　インジウム元素（Ｉｎ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）の原子比が、下記式（３）を満たす請求項３に記載のスパッタリングターゲット。
　　０．５１≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．６８　　（３）
　　【請求項５】
　インジウム元素（Ｉｎ）及びガリウム元素（Ｇａ）の原子比が、下記式（４）を満たす請求項３に記載のスパッタリングターゲット。
　　Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．５８　　（４）
　　【請求項６】
（削除）
　　【請求項７】
　抵抗が１０ｍΩｃｍ以下、相対密度９５％以上である請求項１〜
５
　　【請求項８】
　請求項１〜
５及び
　　　　
（２）取消理由の概要
　本件発明６及び７に係る特許に対して平成２７年１２月２２日付けで特許権者に通知した取消理由は、要旨次のとおりである。
　本件発明６及び７に係る特許は、特許請求の範囲の記載が同法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、取り消されるべきものである。
　　　
（３）判断
　本件訂正請求による訂正により、請求項６は削除され、請求項７及び８における請求項６の引用は削除された。
　したがって、明確性要件違反を根拠とする上記取消理由は解消した。
　　　
４　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由によっては、本件請求項１ないし５、７、８に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし５、７、８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年２月２２日（２０１６．２．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　下記酸化物Ａと、ＩｎＧａＺｎＯ４とを含有し、
　全体の９５重量％以上１００重量％以下がＩｎ、Ｇａ及びＺｎの酸化物であるスパッタリングターゲット。
　酸化物Ａ：Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により得られるチャートにおいて、下記のＡ〜Ｋの領域に回折ピークが観測される酸化物。
Ａ．２θ＝７．０°〜８．４°
Ｂ．２θ＝３０．６°〜３２．０°
Ｃ．２θ＝３３．８°〜３５．８°
Ｄ．２θ＝５３．５°〜５６．５°
Ｅ．２θ＝５６．５°〜５９．５°
Ｆ．２θ＝１４．８°〜１６．２°
Ｇ．２θ＝２２．３°〜２４．３°
Ｈ．２θ＝３２．２°〜３４．２°
Ｉ．２θ＝４３．１°〜４６．１°
Ｊ．２θ＝４６．２°〜４９．２°
Ｋ．２θ＝６２．７°〜６６．７°
　【請求項２】
　ＺｎＧａ２Ｏ４で表されるスピネル構造のＸ線回折測定（Ｃｕｋα線）によるピークが、最大ピークの３％以下である請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
　【請求項３】
　インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）の原子比が、下記式（１）及び（２）を満たす請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
　０．２５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５５　　（１）
　０．１５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．３３　　（２）
　【請求項４】
　インジウム元素（Ｉｎ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）の原子比が、下記式（３）を満たす請求項３に記載のスパッタリングターゲット。
　０．５１≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．６８　　（３）
　【請求項５】
　インジウム元素（Ｉｎ）及びガリウム元素（Ｇａ）の原子比が、下記式（４）を満たす請求項３に記載のスパッタリングターゲット。
　Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．５８　　（４）
　【請求項６】
（削除）
　【請求項７】
　抵抗が１０ｍΩｃｍ以下、相対密度９５％以上である請求項１〜
５
　【請求項８】
　請求項１〜
５及び