【事件の表示】
　平成　９年特許願第５４１３９８号「電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス―ＳＡＷデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１２月　４日国際公開、ＷＯ９７／４５９５５、平成１１年　９月１４日国内公表、特表平１１−５１０６６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続きの経緯
　本願は、平成９年５月２３日（優先権主張１９９６年５月２４日、ドイツ）を国際出願日とする出願（特願平９−５４１３９８号、特表平１１−５１０６６６号）であって、以下の手続等がなされたものである。
　平成１２年１２月１３日付け拒絶理由通知
　平成１３年４月２３日付け意見書及び手続補正書
　平成１３年６月１８日付け拒絶査定
　平成１３年９月２１日付け審判請求
　平成１３年１０月１８日付け手続補正書
　
【２】手続補正について
　平成１３年１０月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）について、以下のとおり決定する。
［結論］
　平成１３年１０月１８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲について、以下のとおり補正するものである。
「【請求項１】　基板（１；１０）上に導電構造（１１、１２）を含むデバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）がベースプレート（３；１３）上に電気的に接触化されて取付けられ、デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）を環境の影響に対して遮蔽する保護層（８；１９）が備えられている電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス（ＳＡＷデバイス）において、保護層が金属層から
なっていて蒸着、真空メタライジング又は電気めっきにより施され、
該表面と気密に結合し
　【請求項２】　デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）がフリップチップ法でベースプレート（３；１３）に取付けられていることを特徴とする請求項１記載のデバイス。
　【請求項３】　デバイスシステム（１）がベースプレート（３）上に取付けられ、接触用ワイヤ（３１）により電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載のデバイス。
　【請求項４】　保護層（８、１９）上に腐食保護層が備えられていることを特徴とする請求項１記載のデバイス。
　【請求項５】　保護層（８、１９）が電気的に接触化されていることを特徴とする請求項１記載のデバイス。
　【請求項６】　デバイスシステムとベースプレートとの接続範囲に囲み枠（７）が備えられていることを特徴とする請求項１記載のデバイス。
　【請求項７】　デバイスシステムの電気的接触のためにベースプレートを貫通する電気引込み線が設けられ、この引込み線が垂直方向にずらされていることを特徴とする請求項１記載のデバイス。
　【請求項８】　
保護層が銅、ニッケル又は金からなっている
　なお、補正前（平成１３年４月２３日付け手続補正書）の特許請求の範囲の記載は次のとおりである。
「1.　基板（１；１０）上に導電構造（１１、１２）を含むデバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）がベースプレート（３；１３）上に電気的に接触化されて取付けられ、デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）を環境の影響に対して遮蔽する保護層（８；１９）が備えられている電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス（ＳＡＷデバイス）において、保護層
が金属層からなり、しかもデバイスシステムとベースプレート
側の基板の表面に直接設けられかつベースプレートに達するまで延長され、ベスプレートと共に、前記デバイスシステムを環境の影響から隔離する
　２．　デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）がフリップチップ法でベースプレート（３；１３）に取付けられていることを特徴とする請求項１記載のデバイス。
　３．　デバイスシステム（１）がベースプレート（３）上に取付けられ、接触用ワイヤ（３１）により電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載のデバイス。
　
４
１記
　５．　
保護層（８、１９）が電気的に接触化されていることを特徴とする請求項１
　６．　
デバイスシステムとベースプレートとの接続範囲に囲み枠（７）が備えられていることを特徴とする請求項１
　７．　
デバイスシステムの電気的接触のためにベースプレートを貫通する電気引込み線が設けられ、この引込み線が垂直方向にずらされていることを特徴とする請求項１
　８．　
保護層が蒸着、真空メタライジング又は電気めっきにより施されていることを特徴とする請求項１
　９．　
保護層が銅、ニッケル又は金からなっていることを特徴とする請求項１
　
（２）当審の判断
（A）上記補正の目的の適否・新規事項の有無について
（A-1）上記した本件補正の内容は、特許請求の範囲に記載した発明に関するものであって、各請求項毎にその補正内容をみると、請求項１及び請求項８、９について以下のように補正するものである。
(i)請求項１について、「保護層
が金属層からなり、
なっていて蒸着、真空メタライジング又は電気めっきにより施され、
直接設けられ
該表面と気密に結合し
(ii)請求項８及び請求項９について、この請求項８を削除して請求項９を新たな請求項８とし、「
保護層が銅、ニッケル又は金からなっている
　
（A-2）判断
　そこで、前記各補正内容について、以下に検討すると、
　補正内容(i)のうち、「保護層
が金属層からなり、
なっていて蒸着、真空メタライジング又は電気めっきにより施され、
蒸着、真空メタライジング又は電気めっきにより施され
　しかしながら、「基板の表面に
直接設けられ
該表面と気密に結合し
　すなわち、発明の詳細な説明には、実施例と図面及びその記載を参酌すると、保護層である「金属層」は、「種々の方法で形成することができる」と記載（同第２頁第２１行）され、その図１には図示上からみて基板（１）とは間隔を有して保護層（８）が形成されており、また図２及び図３には、基板（１０）とはプラスチックカバー（１８）を介在して保護層（１９）が形成されているように、出願当初の明細書には基板（１）（１０）の表面に「間接」的に設けられることを主たる構成として記載されていたものであって、「直接設けられて
該表面と気密に結合
該表面と気密に結合
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものではないから、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　なお、補正内容(ii)は、実質的に請求項８を削除し、これに伴い、補正前の請求項９を新たな請求項８としたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
　
（B）独立特許要件について
　なお、本件補正は、前記(A)のとおり、特許請求の範囲の請求項１について、特許法第１７条の２第３項に規定する要件（新規事項）を満たすものではないが、仮に、この補正内容に係る構成要件の技術的意義が、単に基板の表面に直接設けられる構成を明りょうなものとなすものであって実質的に「
該表面と気密に結合
　
　そこで、念のため、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するものであるか）についても、以下に検討する。
（B-1）本願補正発明
「【請求項１】基板（１；１０）上に導電構造（１１、１２）を含むデバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）がベースプレート（３；１３）上に電気的に接触化されて取付けられ、デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）を環境の影響に対して遮蔽する保護層（８；１９）が備えられている電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス（ＳＡＷデバイス）において、保護層が金属層から
なっていて蒸着、真空メタライジング又は電気めっきにより施され、
該表面と気密に結合し
　
（B-2）引用刊行物
　(1)原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−９９４２０号公報（以下「引用例１」という。）には、その実施例及び図面とこれに係わる記載を参酌すると、以下のとおりの技術的事項が記載されている。
(1-1)「（実施例１）本発明による、弾性表面波素子実装回路の第１の実施例の構成の断面図を図１に示す。図１において、１は弾性表面波素子であり、例えばニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ほう酸リチウムまたは水晶等の圧電基板で構成されている。また、弾性表面波素子１上に入出力端子２、接地端子３及び櫛形電極部４が形成されており、これらはアルミニウムを主成分とする合金または金を主成分とする合金を用いて、公知のフォトリソグラフィ技術により電極パターンを形成している。５は金またはアルミニウムからなるバンプ、６は導電性樹脂、７は弾性表面波素子の保持強度を補強するための絶縁性樹脂である。８は多層基板である。また、多層基板８にはビアホール９、入出力電極１０、接地電極１１及びシールドパターン１２が形成されている。これらは、銅または銀を主成分とする導体で構成されている。１３は金属製の蓋、１４は多層基板８の弾性表面波素子１実装面に形成され、かつ弾性表面波素子１を囲むように形成された接地電極パターンである。蓋１３は、半田や導電性樹脂などからなる導電性接着層１５を介して接地電極パターン１４と接着し、さらに、接地電極パターン１４はビアホール９をして多層基板８に形成されている接地端子３と接続され、蓋１３を接地している。」（段落【0032】、第５頁左欄第３５行〜右欄第７行、図１参照）
(1-2)「多層基板８上に設けられ、入出力電極１０とビアホール９を介して接続された電極、および接地電極１１とビアホール９を介して接続された電極を、弾性表面波素子１上に形成されたバンプ５とをそれぞれ位置合わせを行った後、導電性樹脂６を硬化させ導通を図った。多層基板８には、誘電体としてアルミナ−ガラス系セラミックを用い、内部電極には酸化銅ペーストを還元性雰囲気で焼成した銅電極を用いた。ビアホール９における気密をより完全なものにするためには、ガラス成分を含有する電極ペーストを用いることが好ましい。また、外部電極となる銅電極には、ニッケル／金メッキを施した。さらに、高粘度の熱硬化性シリコン系絶縁性樹脂７を、弾性表面波素子１の周囲に、櫛形電極部４に接触しないように塗布し、１２０℃で硬化させ、弾性表面波素子１と多層基板８との接着強度を補強するとともに、気密の保持を行った。なお、絶縁性樹脂７にはシリコン系の熱硬化性樹脂を用いてもよい。さらに、金属からなる蓋１３を、前記弾性表面波素子１を囲むように設けられた接地電極パターン１４と、Ａｕ−Ｓｎ合金を用いて接着した。接地電極パターン１４はビアホール９を介してシールドパターン１２と接続され、金属からなる蓋１３が接地されている。したがって、弾性表面波素子実装回路の電磁遮蔽を充分にとることができ、良好な周波数特性を得ることができた。また、多層基板８に設けられた、入力電極と出力電極との間に、接地電極パターンを配することで、電磁遮蔽をより十分にとることができる。本実施例では、従来の弾性表面波素子実装回路に比べて、その帯域外抑圧度で約１０ｄＢの向上がみられた。」（段落【0034】、第５頁右欄第３２行〜第６頁左欄第１０行、図１参照）
(1-3)「（実施例４）本発明による弾性表面波素子実装回路の第４の実施例の構成の断面図を図４に示す。図４において１７は裏面電極であり、弾性表面波素子１の櫛形電極部４の形成されている面の裏面にアルミニウムまたは金を主成分とする金属膜により構成されている。１８は導電性樹脂であり、裏面電極１７と金属からなる蓋１３との導通を図る役目をしている。・・・（中略）・・・また、裏面電極パターン１７を介さず、弾性表面波素子の裏面を直接導電性樹脂を介して金属からなる蓋と接続しても、同様に特性の改善を図ることができる。」（段落【0040】〜【0042】、第６頁右欄第６〜２１行、図４参照）
　
　(2)同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−９０８７２号公報（以下「引用例２」という。）には、その実施例及び図面とこれに係わる記載を参酌すると、以下のとおりの技術的事項が記載されている。
(2-1)「【0017】基板上にレジスト膜を堆積させた後、フォトリソグラフィを用いて圧電体層４の周囲に環状の溝部６ａを有する第１のレジストパターン６を形成させた（図１（ｅ））。次に、マグネトロンスパッタによりＡｕ層７を形成した（図２（ａ））。その後、フォトリソグラフィを用いて圧電体層４および溝部６ａの上方にあのレジストパターン９を形成した（図２（ｂ））。続いて、Ａｕ層７をイオンミリングによりエッチングして、圧電体層４上方を全面的に覆いかつ溝部６ａの部分から立上がる複数の橋脚部１１を有するＡｕ層パターン１２を形成した（図２（ｃ））。その後、第１および第２のレジストパターン６および９を有機溶剤により除去して、複数の橋脚部１１により支持されたエアブリッジ１３を得た（図２（ｄ））。
【0018】次に、ＳｉＨ4 −Ｎ2 Ｏ系のプラズマＣＶＤによりＳｉＯ2 からなる絶縁膜１４を堆積させてパッシベーションを行なった。その結果、図２（ｅ）に示すように、ダイヤモンドの基板１上にくし型電極２ａおよび２ｂならびに圧電体層４を堆積し、その上からエアブリッジ１３を介して絶縁膜１４で覆った表面弾性波フィルタ２０が得られた。また、絶縁膜１４は減圧下で堆積されるため、エアブリッジ１３の内部は真空に近い状態に保持されている。表面弾性波フィルタ２０において、エアブリッジ橋脚部１１の隙間は絶縁膜１４によって塞がれている。このとき、橋脚部１１の隙間からエアブリッジ１３の内部に絶縁膜１４が侵入するが、圧電体層４までの距離が十分にとられているため、表面弾性波が伝播する部分にまで絶縁膜１４は至っていない。このような構造により、表面弾性波が伝播する部分に絶縁膜を接触させずに、すなわち素子の特性を変えることなく、パッシベーションを施した表面弾性波フィルタが得られた。なお、さらに指向性のよい成膜方法たとえば電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）−ＣＶＤを用いることによって、エアブリッジ橋脚部の隙間から侵入する絶縁膜の量をより低減することができる。」（第３頁左欄第３３行〜右欄第１８行、図２参照）
　
(3)同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１１１４３８号公報（以下「引用例３」という。）には、その実施例及び図面とこれに係わる記載を参酌すると、以下のとおりの技術的事項が記載されている。
(3-1)「また、後者の従来技術は、ＳＡＷ素子の側周及びその裏面を樹脂性接着剤等で覆うと共に、さらにその外側からＡｌ等の金属材で覆うものである。なお、樹脂性接着剤の外側から更に金属材で覆うのは、ＳＡＷ素子の交差指電極上の空間を樹脂のみで外部空間から遮蔽することができるものの、樹脂のみでは気密性の点で十分ではないからである。」（第３頁左欄第４７行〜右欄第３行）
(3-2)「また、後者の従来技術（特開平２−１８６６６２号公報）では、樹脂性接着材の外側を更に金属材で覆う方法として、真空容器内でのスパッタリングによる蒸着等が考えられるが、この場合、製造設備コストが嵩むと共に、金属材の成膜に時間がかかる。」（第３頁右欄第２９〜３４行）
　
（B-3）対比・判断
　本願補正発明と引用例1に記載された発明とを対比すると、引用例１における「弾性表面波素子１」「入出力端子２、接地端子３」「弾性表面波素子１〜４」「多層基板８」「金属製の蓋１３」及び「弾性表面波素子実装回路」は、それぞれ本願補正発明における「基板（１；１０）」「導電構造（１１、１２）」「ベースプレート（３；１３）」「デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）」「保護層（８；１９）」及び「電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス（ＳＡＷデバイス）」に相当する。
　したがって、両者は、以下のとおりの一致点及び相違点を有するものと認められる。
　
（一致点）
「基板（１；１０）上に導電構造（１１、１２）を含むデバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）がベースプレート（３；１３）上に電気的に接触化されて取付けられ、デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）を環境の影響に対して遮蔽する保護層（８；１９）が備えられている電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス（ＳＡＷデバイス）において、保護層が金属層から
なっていて
　
（相違点）
　保護層が、本願補正発明にあっては、「保護層が金属層から
なっていて蒸着、真空メタライジング又は電気めっきにより施され、
該表面と気密に結合し
　　
（検討）
　前記相違点について検討する。
　本願補正発明の「基板の表面に直接設けられて該表面と気密に結合」する構成を明示した記載は上記（A-2）において述べたように本願明細書内に見あたらず、“気密に結合”することの目的・効果が不明である。しかし、一般に表面弾性波素子を気密中に構成することが周知慣用技術であることから、保護層が基板の表面に直接設けられる構成により“基板の表面と気密に結合する”構成が結果的に生じるものと推定する。
　一方、引用例２に、ＳＡＷデバイスの製造過程において、スパッタにより金属層（Ａｕ層）を形成することが示されており、また、「エアブリッジ１３の内部は真空に近い状態に保持されている」（上記(2-1)の記載参照。）ことから圧電体層は気密に保持されていることは明かである。引用例１および引用例３に記載されているように表面弾性波素子において気密にすることは周知慣用技術である。また、引用例３においても金属材で覆う方法として蒸着等が考えられることが明記されている（他に必要であれば「特開平２−１８６６６２号公報」を参照のこと。）。
　一般に、電子部品の分野において、金属層を形成する際にスパッタ、蒸着、真空メタライジング又は電気メッキなどで形成することは周知慣用技術であり、この際にどのような方法で層を形成するかは当業者が必要に応じて適宜選択する程度の設計的事項である。
　また、引用例１の実施例４（上記(1-3)および図４の記載参照。）及び引用例３に金属層が基板の表面と結合される構成が記載されており、間接的に設ける構成を直接的に設ける構成とすることは当業者が適宜になし得るものである。
　したがって、引用例１に記載されたものにおいても、表面弾性波素子を気密にすることを前提とし、前記引用例２等に見られるような金属層を設ける手段として「
蒸着、真空メタライジング又は電気めっきにより
該表面と（気密に）結合する
　また、本願発明により奏する作用効果も、当業者が予測し得る程度のものであって格別のものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１〜３及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（B-4）むすび
　以上のとおりであって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
【３】本願発明について
　
（１）本願発明
　本願の平成１３年１０月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１３年４月２３日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、以下のとおりのものである。
「基板（１；１０）上に導電構造（１１、１２）を含むデバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）がベースプレート（３；１３）上に電気的に接触化されて取付けられ、デバイスシステム（１、２；１０、１１、１２）を環境の影響に対して遮蔽する保護層（８；１９）が備えられている電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス（ＳＡＷデバイス）において、保護層
が金属層からなり、しかもデバイスシステムとベースプレート
側の基板の表面に直接設けられかつベースプレートに達するまで延長され、ベスプレートと共に、前記デバイスシステムを環境の影響から隔離する
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物及びその記載事項は、前記【２】(2)(B)(B-2)の「引用刊行物」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、前記【２】で検討した本願補正発明における「保護層」の構成について、その限定事項である「保護層が金属層から
なっていて蒸着、真空メタライジング又は電気めっきにより施され
該表面と気密に結合し
　
（４）むすび
　以上のとおりであって、本願の請求項１に係る発明は、引用例１〜３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。