(57)【要約】【課題】本発明の実施例は、電磁シールドフィルム、前記電磁シールドフィルムを含む回路基板及び電磁シールドフィルムの製造方法を提供する。【解決手段】前記電磁シールドフィルムがシールド層と接着膜層を含み、前記シールド層が対向する第１の表面と第２の表面を含み、前記第２の表面が起伏した非平坦表面であり、前記起伏した非平坦表面に凸状の導体粒子がさらに形成され、前記シールド層の第２の表面に前記接着膜層が設けられ、それにより前記電磁シールドフィルムの接着膜層が圧着過程で接着材を前記第２の表面の凹部に押圧し、接着剤収容量が増加し、層間剥離現象が発生しにくく、同時に、起伏した非平坦表面に一定の高さの導体粒子があり、圧着過程でシールド層が接着膜層を上手く刺し通すことを保証し、確実な接地を達成し、実用性が高い。
2020516052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シールド層及び接着膜層を含む電磁シールドフィルムであって、前記シールド層が対向する第１の表面と第２の表面を含み、前記第２の表面が起伏した非平坦表面であり、前記起伏した非平坦表面に凸状の導体粒子がさらに形成され、前記シールド層の第２の表面に前記接着膜層が設けられることを特徴とする電磁シールドフィルム。
【請求項２】
前記導体粒子の高さは、０．１μｍ〜３０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の電磁シールドフィルム。
【請求項３】
前記シールド層の厚さは、０．１μｍ〜４５μｍであり、前記接着膜層の厚さは、１μｍ〜８０μｍであることを特徴とする請求項２に記載の電磁シールドフィルム。
【請求項４】
前記シールド層の起伏状の非平坦表面は、若干の凸部と凹部を含み、前記導体粒子が前記凸部に集中して分布することを特徴とする請求項１に記載の電磁シールドフィルム。
【請求項５】
前記接着膜層は、導電粒子を含有する粘着層を含むことを特徴とする請求項１に記載の電磁シールドフィルム。
【請求項６】
前記接着膜層は、導電粒子を含有しない粘着層を含むことを特徴とする請求項１に記載の電磁シールドフィルム。
【請求項７】
前記シールド層は、金属シールド層、カーボンナノチューブシールド層、フェライトシールド層及びグラフェンシールド層のうちの１種又は複数種を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電磁シールドフィルム。
【請求項８】
前記金属シールド層は、単金属シールド層及び／又は合金シールド層を含み、前記単金属シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか１種の材料で製造され、前記合金シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造されることを特徴とする請求項７に記載の電磁シールドフィルム。
【請求項９】
前記電磁シールドフィルムは、保護フィルム層をさらに含み、前記シールド層の第１の表面に前記保護フィルム層が形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電磁シールドフィルム。
【請求項１０】
プリント回路基板及び請求項１〜９のいずれか１項に記載の電磁シールドフィルムを含む回路基板であって、前記電磁シールドフィルムがその接着膜層により前記プリント回路基板と互いに圧着され、前記シールド層の第２の表面上の導体粒子が前記接着膜層を刺し通し、前記プリント回路基板のグランド層まで延伸することを特徴とする回路基板。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電磁シールドフィルムの製造に適用される電磁シールドフィルムの製造方法であって、
対向する第１の表面と第２の表面を含み、前記第２の表面が起伏した非平坦表面であるシールド層を形成するステップＳ１と、
前記シールド層の起伏した非平坦表面に導体粒子を形成するステップＳ２と、
前記シールド層の第２の表面に接着膜層を形成するステップＳ３と、を含むことを特徴とする電磁シールドフィルムの製造方法。
【請求項１２】
ステップＳ１において、
キャリアフィルムに、前記第１の表面が積層される保護フィルム層を形成し、前記保護フィルム層にシールド層を形成することにより、前記シールド層を形成するか、或いは、
キャリア付き剥離可能層の表面にシールド層を形成し、前記シールド層に、前記シールド層の第１の表面が積層される保護フィルム層を形成し、前記キャリア付き剥離可能層を剥離することにより、前記シールド層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の電磁シールドフィルムの製造方法。
【請求項１３】
前記保護フィルム層／キャリア付き剥離可能層にシールド層を形成することは、具体的には、
前記保護フィルム層／キャリア付き剥離可能層の平坦表面又は非平坦表面にシールド層を形成し、物理的粗面化、化学メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、蒸着メッキ、スパッタリングメッキ、電気メッキ及び混合メッキのうちの１種又は複数種のプロセスにより前記シールド層に表面処理を行うこと、又は、
前記保護フィルム層／キャリア付き剥離可能層の非平坦表面に一定の起伏度を有するシールド層を形成することであることを特徴とする請求項１２に記載の電磁シールドフィルムの製造方法。
【請求項１４】
ステップＳ２において、前記シールド層の起伏した非平坦表面に導体粒子を形成することは、具体的には、
物理的粗面化、化学メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、蒸着メッキ、スパッタリングメッキ、電気メッキ及び混合メッキのうちの１種又は複数種のプロセスにより前記シールド層の起伏した非平坦表面に導体粒子を形成することであることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の電磁シールドフィルムの製造方法。
【請求項１５】
ステップＳ３において、前記シールド層の第２の表面に接着膜層を形成することは、具体的には、
離型フィルムに接着膜層を塗布し、次に前記接着膜層を前記シールド層の第２の表面に圧着し移転することにより、前記シールド層の第２の表面に前記接着膜層を形成すること、又は、
前記シールド層の第２の表面に接着膜層を直接塗布することにより、前記シールド層の第２の表面に前記接着膜層を形成することであることを特徴とする請求項１１に記載の電磁シールドフィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子の分野に関し、特に、電磁シールドフィルム、回路基板及び電磁シールドフィルムの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子工業の急速な発展に伴い、電子製品の小型化、軽量化、実装の高密度化がいっそう進み、フレキシブル回路基板の発展を大幅に推進し、それにより素子装置と導線との一体化接続を達成する。フレキシブル回路基板は、携帯電話、液晶表示、通信及び宇宙航空等の業界に広く応用することができる。
【０００３】
国際市場の推進で、機能的フレキシブル回路基板は、フレキシブル回路基板市場で主導的地位を占め、機能的フレキシブル回路基板の性能を評価する１つの重要な指標が電磁シールド（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ  Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ、ＥＭＩ  Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇと略称する）である。携帯電話等の通信装置の機能の結合に伴い、その内部部品は急激に高周波化と高速化となっている。例えば、携帯電話の機能は、従来の音声配信機能に加えて、カメラ機能が既に必要な機能となり、かつＷＬＡＮ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋｓ、無線ローカルエリアネットワーク）、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ、全地球測位システム）及びインターネット機能が既に普及され、さらに将来の感知部品との結合を加えて、部品の急激な高周波化と高速化の傾向が不可避となる。高周波と高速化による部品内部と外部の電磁干渉、信号の伝送における減衰及び挿入損失とジッタの問題は徐々に深刻となっている。
【０００４】
現在、従来の回路基板によく用いられているシールドフィルムは、シールド層と接着膜層を含み、シールド層は主に平坦な金属表面に粗面が形成され、該粗面が圧着時に接着膜層を突き刺し、それにより回路基板のグランド層と接触する。上記構造では、シールド層は粗面により圧着時に接着膜層を突き刺して回路基板のグランド層と接地し導通する。圧着過程で、シールド層の粗面の凹部のみは接着剤収容可能であるため、接着剤の収容量が小さく、層間剥離現象が発生しやすく、さらに接地故障を起こし、干渉電荷を導出することができない。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の実施例は、従来技術において接着剤収容量が不足であるため高温層間剥離現象が発生しやすいということを効果的に解決し、穿刺力が強く、剥離強度が高く、層間剥離現象が発生しない電磁シールドフィルム、回路基板及び電磁シールドフィルムの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の実施例は、シールド層及び接着膜層を含む電磁シールドフィルムを提供し、前記シールド層が対向する第１の表面と第２の表面を含み、前記第２の表面が起伏した非平坦表面であり、前記起伏した非平坦表面に凸状の導体粒子がさらに形成され、前記シールド層の第２の表面に前記接着膜層が設けられる。
【０００７】
上記解決手段の改良として、前記導体粒子の高さは、０．１μｍ〜３０μｍである。
【０００８】
上記解決手段の改良として、前記シールド層の厚さは、０．１μｍ〜４５μｍであり、前記接着膜層の厚さは、１μｍ〜８０μｍである。
【０００９】
上記解決手段の改良として、前記シールド層の起伏状の非平坦表面は、若干の凸部と凹部を含み、前記導体粒子が前記凸部に集中して分布する。
【００１０】
上記解決手段の改良として、前記接着膜層は、導電粒子を含有する粘着層を含む。
【００１１】
上記解決手段の改良として、前記接着膜層は、導電粒子を含有しない粘着層を含む。
【００１２】
上記解決手段の改良として、前記シールド層は、金属シールド層、カーボンナノチューブシールド層、フェライトシールド層及びグラフェンシールド層のうちの１種又は複数種を含む。
【００１３】
上記解決手段の改良として、前記金属シールド層は、単金属シールド層及び／又は合金シールド層を含み、ここで、前記単金属シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか１種の材料で製造され、前記合金シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造される。
【００１４】
上記解決手段の改良として、前記電磁シールドフィルムは、保護フィルム層をさらに含み、前記シールド層の第１の表面に前記保護フィルム層が形成される。
【００１５】
従来技術に比べて、本発明の実施例に係る電磁シールドフィルムでは、そのシールド層の第２の表面が起伏した非平坦表面であり、前記起伏した非平坦表面に凸状の導体粒子がさらに形成され、圧着過程でシールド層が接着膜層を上手く刺し通すことを保証することができ、接地が確実であり、実用性が高いという利点を有する。
【００１６】
本発明の実施例は、回路基板をさらに提供し、前記回路基板は、プリント回路基板及び上記いずれか１項に記載の電磁シールドフィルムを含み、前記電磁シールドフィルムがその接着膜層により前記プリント回路基板と互いに圧着され、前記シールド層の第２の表面上の導体粒子が前記接着膜層を刺し通し、前記プリント回路基板のグランド層まで延伸する。
【００１７】
従来技術に比べて、本発明の実施例に係る回路基板は、上記いずれか１項に記載の電磁シールドフィルムを用いることにより、前記電磁シールドフィルムの接着膜層が圧着過程で接着材を前記第２の表面の凹部に押圧し、接着剤収容量が増大し、層間剥離現象が発生しにくく、同時に、起伏した非平坦表面に一定の高さの導体粒子があり、圧着過程でシールド層が接着膜層を上手く刺し通すことを保証し、確実な接地を達成し、実用性が高い。
【００１８】
本発明の実施例は、
Ｓ１、対向する第１の表面と第２の表面を含み、前記第２の表面が起伏した非平坦表面であるシールド層を形成するステップと、
Ｓ２、前記シールド層の起伏した非平坦表面に導体粒子を形成するステップと、
Ｓ３、前記シールド層の第２の表面に接着膜層を形成するステップと、を含む電磁シールドフィルムの製造方法をさらに提供する。
【００１９】
上記解決手段の改良として、ステップＳ１において、
キャリアフィルムに、前記第１の表面が積層される保護フィルム層を形成し、前記保護フィルム層にシールド層を形成することにより前記シールド層を形成するか、或いは、
キャリア付き剥離可能層の表面にシールド層を形成し、前記シールド層に、前記シールド層の第１の表面が積層される保護フィルム層を形成し、前記キャリア付き剥離可能層を剥離することにより前記シールド層を形成する。
【００２０】
上記解決手段の改良として、前記保護フィルム層／キャリア付き剥離可能層にシールド層を形成することは、具体的には、
前記保護フィルム層／キャリア付き剥離可能層の平坦表面又は非平坦表面にシールド層を形成し、物理的粗面化、化学メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、蒸着メッキ、スパッタリングメッキ、電気メッキ及び混合メッキのうちの１種又は複数種のプロセスにより前記シールド層に表面処理を行うこと、又は、
前記保護フィルム層／キャリア付き剥離可能層の非平坦表面に一定の起伏度を有するシールド層を形成することである。
【００２１】
上記解決手段の改良として、ステップＳ２において、前記シールド層の起伏した非平坦表面に導体粒子を形成することは、具体的には、
物理的粗面化、化学メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、蒸着メッキ、スパッタリングメッキ、電気メッキ及び混合メッキのうちの１種又は複数種のプロセスにより前記シールド層の起伏した非平坦表面に導体粒子を形成することである。
【００２２】
上記解決手段の改良として、ステップＳ３において、前記シールド層の第２の表面に接着膜層を形成することは、具体的には、
離型フィルムに接着膜層を塗布し、次に前記接着膜層を前記シールド層の第２の表面に圧着し移転することにより前記シールド層の第２の表面に前記接着膜層を形成すること、又は、
前記シールド層の第２の表面に接着膜層を直接塗布することにより前記シールド層の第２の表面に前記接着膜層を形成することである。
【００２３】
従来技術に比べて、本発明の実施例に係る電磁シールドフィルムの製造方法は、シールド層の起伏した非平坦表面に導体粒子を形成し、その後に前記シールド層の第２の表面に接着膜層を形成することにより、上記いずれか１項に記載の電磁シールドフィルムを形成することができ、さらに起伏した非平坦表面に一定の高さの導体粒子があり、圧着過程でシールド層が接着膜層を上手く刺し通すことを保証し、確実な接地を達成し、実用性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明の実施例１における電磁シールドフィルムの構造を示す概略図である。
【図２】図２は、本発明の実施例１における他の電磁シールドフィルムの構造を示す概略図である。
【図３】図３は、本発明の実施例２における電磁シールドフィルムの構造を示す概略図である。
【図４】図４は、本発明の実施例３における回路基板の構造を示す概略図である。
【図５】図５は、本発明の実施例３における回路基板を示す電子顕微鏡図である。
【図６】図６は、本発明の実施例３における他の回路基板を示す電子顕微鏡図である。
【図７】図７は、本発明の実施例４における回路基板の構造を示す概略図である。
【図８】図８は、本発明の実施例４における回路基板を示す電子顕微鏡図である。
【図９】図９は、本発明の実施例４における他の回路基板を示す電子顕微鏡図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施例５に係る電磁シールドフィルムの製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施例における図面を参照しながら、本発明の実施例における技術的解決手段を明確に、完全に説明するが、明らかに、説明された実施例は本発明の一部の実施例に過ぎず、全ての実施例ではない。本発明における実施例に基づいて、当業者が創造的労働を行わずに得られる他の全ての実施例は、いずれも本発明の保護の範囲に属する。
【００２６】
図１は、本発明の実施例１における電磁シールドフィルムの構造を示す概略図である。
【００２７】
図１に示すように、前記電磁シールドフィルムは、シールド層１及び接着膜層２を含み、前記シールド層１が対向する第１の表面１１と第２の表面１２を含み、前記第２の表面１２が起伏した非平坦表面であり、前記起伏した非平坦表面１２に凸状の導体粒子１２１がさらに形成され、前記シールド層の第２の表面１２に前記接着膜層２が設けられ、前記接着膜層２が導電粒子を含有しない粘着層を含む。
【００２８】
具体的な実施において、図１に示すように、まずシールド層１を形成し、その後に他のプロセスによりシールド層１の第２の表面１２に導体粒子１２１を形成してよい。当然のことながら、図２に示すように、シールド層１と導体粒子１２１は、一次成形プロセスにより形成された一体構造であってもよい。
【００２９】
好ましくは、前記導体粒子１２１は、前記接着膜層２の外表面から一定の距離離れてもよいし、前記接着膜層２の外表面と接触してもよく、或いは、前記接着膜層２の外表面から突き出てもよい。また、前記接着膜層２の外表面は、起伏しない平坦表面であってもよく、緩やかに起伏した非平坦表面であってもよい。
【００３０】
前記シールド層１の第１の表面１１は、如何なる形状の表面であってもよく、例えば、平坦表面であってもよく、図１に示した前記第２の表面１２とマッチングした起伏状の非平坦表面、又は他の粗面であってもよい。本発明の図面は、第１の表面１１と第２の表面１２とがマッチングした起伏状の非平坦表面のみを例として説明し、他の任意の形状の第１の表面がいずれも本発明の保護範囲内にある。
【００３１】
なお、図１に示した導体粒子１２１の形状は、例示的な形状に過ぎず、プロセス手段及びパラメータの違いにより、前記導体粒子１２１は、クラスタ状、氷掛け状、鍾乳石状、樹枝状等の他の形状であってもよい。また、本発明における導体粒子１２１は、図示及び上記形状に限定されず、刺し通し及び導電機能を有する導体粒子であれば、いずれも本発明の保護範囲内にある。
【００３２】
具体的には、第２の表面１２は、起伏状の非平坦表面であり、若干の凸部１２３と凹部１２２を含み、前記導体粒子１２１は、好ましくは前記凸部１２２に集中して分布し、それにより前記シールド層１が圧着過程で接着膜層２を刺し通しやすく、確実な接地を達成し、電磁シールドの品質を向上させる。
【００３３】
上記構造によれば、前記シールド層１の第２の表面１２が起伏した非平坦表面であり、接着膜層２が圧着過程で第２の表面の凸部１２２の導体粒子１２１での接着剤を前記第２の表面の凹部１２３に押圧するため、接着剤収容量が小さいため層間剥離現象が発生しやすく、さらに接地故障現象を起こすことを回避し、同時に、起伏した非平坦表面に一定の高さの導体粒子１２１があり、圧着過程でシールド層１が接着膜層２を上手く刺し通すことを保証し、実用性が高い。また、前記接着膜層２は、導電粒子を含有しない粘着層であり、それにより使用過程における回路基板の挿入損失を低減し、シールド性能を向上させるとともに、回路基板の折り曲げ性を改善することができる。
【００３４】
好ましくは、前記導体粒子１２１の高さは、０．１μｍ〜３０μｍである。
【００３５】
前記シールド層１の厚さは、０．１μｍ〜４５μｍであり、前記接着膜層２の厚さは、１μｍ〜８０μｍである。前記接着膜層２に用いられる材料は、変性エポキシ樹脂系、アクリル酸系、変性ゴム系、変性熱可塑性ポリイミド系から選択される。理解されるように、前記シールド層１が良好な導電性を有することを保証するために、前記シールド層１は、金属シールド層、カーボンナノチューブシールド層、フェライトシールド層及びグラフェンシールド層のうちの１種又は複数種を含む。
【００３６】
また、前記金属シールド層は、単金属シールド層及び／又は合金シールド層を含み、ここで、前記単金属シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか１種の材料で製造され、前記合金シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造される。なお、図１に示すように、ここで、前記シールド層１の厚さは、前記シールド層１の第１の表面１１の最高点と前記第２の表面の最低点との間の距離Ｄ１であり、前記接着膜層２の厚さは、前記接着膜層２の最高点と最低点との間の距離Ｄ２である。
【００３７】
好ましくは、前記第２の表面の起伏度（即ち第２の表面の最高点と最低点との間の距離）は０．１μｍ〜３０μｍであり、第２の表面の起伏度を上記範囲内に設定すると、シールド層の貫通機能を強化し、シールド層１における干渉電荷を地面に上手く導入することを保証し、干渉電荷の蓄積による干渉源の形成を回避する。
【００３８】
好ましくは、前記接着膜層の厚さと、前記第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和が０．５〜２の比率関係を満たし、それにより十分な突刺し強度及び接着剤収容量を保証し、具体的には、接着膜層の厚さが第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和に対して小さすぎるため接着剤収容量が不足して層間剥離現象を起こすことを防止する一方、第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和が接着膜層の厚さに対して小さすぎるため突刺し強度が不足して接地故障現象を起こすことを防止する。
【００３９】
導体粒子１２１は、金属粒子、カーボンナノチューブ粒子及びフェライト粒子のうちの１種又は複数種を含む。また、前記金属粒子は、単金属粒子及び／又は合金粒子を含み、ここで、前記単金属粒子がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか１種の材料で製造され、前記合金粒子がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造される。なお、導体粒子１２１は、シールド層１と材料が同じであってもよく、異なってもよい。
【００４０】
好ましくは、前記電磁シールドフィルムは、保護フィルム層をさらに含み、前記シールド層１の前記第１の表面１１に接近した一側に前記保護フィルム層が設けられる。前記保護フィルム層は保護作用を果たすことにより、前記シールド層１が使用過程で割れられて破損しないように保証し、シールド層１の高シールド性能を維持する。前記保護フィルム層は、ＰＰＳフィルム層、ＰＥＮフィルム層、ポリエステルフィルム層、ポリイミドフィルム層、エポキシ樹脂インクが硬化して形成されたフィルム層、ポリウレタンインクが硬化して形成されたフィルム層、変性アクリル酸樹脂が硬化して形成されたフィルム層又はポリイミド樹脂が硬化して形成されたフィルム層を含む。
【００４１】
なお、本実施例の図面に係るシールド層は、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。また、実際の製造及び応用の需要に応じて、本実施例の図面に係るシールド層は、格子状、発泡状等に設置することができる。
【００４２】
図３は、本発明の実施例２に係る電磁シールドフィルムの構造を示す概略図である。
【００４３】
図３に示すように、前記電磁シールドフィルムは、シールド層１及び接着膜層２を含み、前記シールド層１が対向する第１の表面１１と第２の表面１２を含み、前記第２の表面１２が起伏した非平坦表面であり、前記起伏した非平坦表面１２に凸状の導体粒子１２１がさらに形成され、前記シールド層１の第２の表面１２に前記接着膜層２が設けられ、前記接着膜層２が導電粒子２１を含有する粘着層を含む。具体的な実施において、図３に示すように、まずシールド層１を形成し、その後に他のプロセスによりシールド層１の第２の表面１２に導体粒子１２１を形成してよい。当然のことながら、シールド層１と導体粒子１２１は、一次成形プロセスにより形成された一体構造であってもよい。
【００４４】
好ましくは、前記導体粒子１２１は、前記接着膜層２の外表面から一定の距離離れてもよいし、前記接着膜層２の外表面と接触してもよく、或いは、前記接着膜層２の外表面から突き出てもよい。また、前記接着膜層２の外表面は、起伏しない平坦表面であってもよく、緩やかに起伏した非平坦表面であってもよい。
【００４５】
前記第１の表面１１は、如何なる形状の表面であってもよく、例えば、平坦表面であってもよく、図３に示した前記第２の表面１２とマッチングした起伏状の非平坦表面、又は他の粗面であってもよい。本発明の図面は、第１の表面１１と第２の表面１２とがマッチングした起伏状の非平坦表面のみを例として説明し、他の任意の形状の第１の表面がいずれも本発明の保護範囲内にある。
【００４６】
なお、図３に示した導体粒子１２１の形状は、例示的な形状に過ぎず、プロセス手段及びパラメータの違いにより、前記導体粒子１２１は、クラスタ状、氷掛け状、鍾乳石状、樹枝状等の他の形状であってもよい。また、本発明における導体粒子１２１は、図示及び上記形状に限定されず、刺し通し及び導電機能を有する導体粒子であれば、いずれも本発明の保護範囲内にある。
【００４７】
理解されるように、前記起伏状の非平坦表面は、若干の凸部１２２と凹部１２３を含み、前記導体粒子１２１は、好ましくは前記凸部１２２に集中して分布し、それにより前記シールド層１が圧着過程で接着膜層２を刺し通しやすく、接地を達成し、電磁シールドの品質を向上させる。
【００４８】
なお、前記導電粒子２１は、互いに分離された導電粒子２１であってもよく、凝集した大粒子の導電粒子２１であってもよく、前記導電粒子２１が互いに分離された導電粒子２１である場合、電気接触の面積をさらに増加させ、電気接触の均一性を向上させることができ、前記導電粒子２１が凝集した大粒子の導電粒子２１である場合、突刺し強度を高めることができる。
【００４９】
実施例１に比べて、本実施例に係る電磁シールドフィルムの接着膜層２は、導電粒子２１を含有する粘着層を含み、それにより前記導電粒子２１が前記起伏状の非平坦表面１２上の凸状の導体粒子１２１と協力して接着膜層２を刺し通し、前記シールド層１との協力によって、より確実な貫通接地を達成し、干渉電荷を回路基板のグランド層に迅速に導入する。
【００５０】
好ましくは、前記導体粒子１２１の高さは、０．１μｍ〜３０μｍである。
【００５１】
前記シールド層１の厚さは、０．１μｍ〜４５μｍであり、前記接着膜層２の厚さは、１μｍ〜８０μｍである。前記接着膜層２に用いられる材料は、変性エポキシ樹脂系、アクリル酸系、変性ゴム系、変性熱可塑性ポリイミド系から選択される。ここで、前記シールド層１の厚さは、前記シールド層１の第１の表面１１の最高点と前記第２の表面の最低点との間の距離値であり、前記接着膜層２の厚さは、前記接着膜層２の最高点と最低点との間の距離である。また、前記シールド層１が良好な導電性を有することを保証するために、前記シールド層１は、金属シールド層、カーボンナノチューブシールド層、フェライトシールド層及びグラフェンシールド層のうちの１種又は複数種を含む。
【００５２】
また、前記金属シールド層は、単金属シールド層及び／又は合金シールド層であり、ここで、前記単金属シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか１種の材料で製造され、前記合金シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造される。
【００５３】
好ましくは、前記第２の表面の起伏度（即ち第２の表面の最高点と最低点との間の距離）は、０．１μｍ〜３０μｍであり、第２の表面の起伏度を上記範囲内に設定すると、シールド層の貫通機能を強化し、シールド層１における干渉電荷を地面に上手く導入することを保証し、干渉電荷の蓄積による干渉源の形成を回避する。
【００５４】
好ましくは、前記接着膜層の厚さと、前記第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和が０．５〜２の比率関係を満たし、それにより十分な突刺し強度及び接着剤収容量を保証し、具体的には、接着膜層の厚さが第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和に対して小さすぎるため接着剤収容量が不足して層間剥離現象を起こすことを防止する一方、第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和が接着膜層の厚さに対して小さすぎるため突刺し強度が不足して接地故障現象を起こすことを防止する。
【００５５】
導体粒子１２１は、金属粒子、カーボンナノチューブ粒子及びフェライト粒子のうちの１種又は複数種を含む。また、前記金属粒子は、単金属粒子及び／又は合金粒子を含み、ここで、前記単金属粒子がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか１種の材料で製造され、前記合金粒子がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造される。なお、導体粒子１２１は、シールド層１と材料が同じであってもよく、異なってもよい。
【００５６】
好ましくは、前記電磁シールドフィルムは、保護フィルム層をさらに含み、前記保護フィルム層が前記シールド層１の前記第１の表面１１に接近した一側に位置し、前記保護フィルム層は保護作用を果たすことにより、前記シールド層１が使用過程で割れられて破損しないように保証し、シールド層１の高シールド性能を維持する。前記保護フィルム層は、ＰＰＳフィルム層、ＰＥＮフィルム層、ポリエステルフィルム層、ポリイミドフィルム層、エポキシ樹脂インクが硬化して形成されたフィルム層、ポリウレタンインクが硬化して形成されたフィルム層、変性アクリル酸樹脂が硬化して形成されたフィルム層又はポリイミド樹脂が硬化して形成されたフィルム層を含む。
【００５７】
なお、本実施例の図面に係るシールド層は、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。また、実際の製造及び応用の需要に応じて、本実施例の図面に係るシールド層は、格子状、発泡状等に設置することができる。
【００５８】
図４及び図５は、本発明の実施例３に係る回路基板の構造を示す概略図及び電子顕微鏡図であり、前記回路基板は、プリント回路基板３及び電磁シールドフィルムを含み、前記電磁シールドフィルムが、シールド層１及び接着膜層２を含み、前記シールド層１が対向する第１の表面１１と第２の表面１２を含み、前記第２の表面１２が起伏した非平坦表面であり、前記起伏した非平坦表面１２に凸状の導体粒子１２１がさらに形成され、前記シールド層１の第２の表面１２に接着膜層２が設けられ、前記接着膜層２が導電粒子を含有しない粘着層を含み、前記電磁シールドフィルムがその接着膜層２により前記プリント回路基板３と互いに圧着され、前記シールド層１の第２の表面１２上の導体粒子１２１が前記接着膜層２を刺し通し、前記プリント回路基板３のグランド層まで延伸する。具体的な実施において、図４に示すように、まずシールド層１を形成し、その後に他のプロセスによりシールド層１の第２の表面１２に導体粒子１２１を形成してよい。当然のことながら、シールド層１と導体粒子１２１は、一次成形プロセスにより形成された一体構造であってもよい。
【００５９】
好ましくは、前記導体粒子１２１は、前記接着膜層２の外表面から一定の距離離れてもよいし、前記接着膜層２の外表面と接触してもよく、或いは、前記接着膜層２の外表面から突き出てもよい。また、前記接着膜層２の外表面は、起伏しない平坦表面であってもよく、緩やかに起伏した非平坦表面であってもよい。
【００６０】
前記第１の表面１１は、如何なる形状の表面であってもよく、例えば、平坦表面であってもよく、図４に示した前記第２の表面１２とマッチングした起伏状の非平坦表面、又は他の粗面であってもよい。本発明の図面は、第１の表面１１と第２の表面１２とがマッチングした起伏状の非平坦表面のみを例として説明し、他の任意の形状の第１の表面がいずれも本発明の保護範囲内にある。
【００６１】
なお、図４に示した導体粒子１２１の形状は、例示的な形状に過ぎず、プロセス手段及びパラメータの違いにより、前記導体粒子１２１は、クラスタ状、氷掛け状、鍾乳石状又は樹枝状等の他の形状であってもよい。また、本発明における導体粒子１２１は、図示及び上記形状に限定されず、刺し通し及び導電機能を有する導体粒子であれば、いずれも本発明の保護範囲内にある。
【００６２】
理解されるように、前記起伏状の非平坦表面は、若干の凸部１２２と凹部１２３を含み、前記導体粒子１２１は、好ましくは前記凸部１２２に集中して分布し、それにより前記シールド層１が圧着過程で接着膜層２を刺し通しやすく、確実な接地を達成し、電磁シールドの品質を向上させる。
【００６３】
好ましくは、前記プリント回路基板３は、フレキシブル片面、フレキシブル両面、フレキシブル多層板、リジッドフレキシブル結合板のうちのいずれか１種である。
【００６４】
上記構造によれば、圧着過程で、前記シールド層１の導体粒子１２１により接着膜層２を刺し通し、前記第２の表面１２の少なくとも一部と前記プリント回路基板３のグランド層とを接続させ、それによりシールド層１における干渉電荷を地面に導入することを達成し、干渉電荷の蓄積のため干渉源を形成し、回路基板の正常動作に影響を与えることを回避する。また、前記接着膜層２は、導電粒子を含有しない粘着層であり、それにより使用過程での回路基板の挿入損失を低減し、シールド性能を向上させるとともに、回路基板の折り曲げ性を改善することができる。
【００６５】
好ましくは、前記導体粒子１２１の高さは、０．１μｍ〜３０μｍである。
【００６６】
前記シールド層１の厚さは、０．１μｍ〜４５μｍであり、前記接着膜層２の厚さは、１μｍ〜８０μｍである。前記接着膜層２に用いられる材料は、変性エポキシ樹脂系、アクリル酸系、変性ゴム系、変性熱可塑性ポリイミド系から選択される。また、前記シールド層１が良好な導電性を有することを保証するために、前記シールド層１は、金属シールド層、カーボンナノチューブシールド層、フェライトシールド層及びグラフェンシールド層のうちの１種又は複数種を含む。
【００６７】
また、前記金属シールド層は、単金属シールド層及び／又は合金シールド層を含み、ここで、前記単金属シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか１種の材料で製造され、前記合金シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造される。合金シールド層は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造される。なお、前記シールド層１の厚さは、前記シールド層１の第１の表面１１の最高点と前記第２の表面の最低点との間の距離であり、前記接着膜層２の厚さは、前記接着膜層２の最高点と最低点との間の距離である。
【００６８】
好ましくは、前記第２の表面の起伏度（即ち第２の表面の最高点と最低点との間の距離）は、０．１μｍ〜３０μｍであり、第２の表面の起伏度を上記範囲内に設定すると、シールド層の貫通機能を強化し、シールド層１における干渉電荷を地面に上手く導入することを保証し、干渉電荷の蓄積による干渉源の形成を回避する。図６は、本発明の実施例に係る他の回路基板の電子顕微鏡図である。図から分かるように、図５と図６におけるシールド層の第２の表面は異なる起伏度を有し、かつ図５における第２の表面の起伏度は図６における第２の表面の起伏度よりも大きい。ただし、２種の回路基板のシールド層の第２の表面にいずれも一定の高さの導体粒子が成長し、いずれも突刺し強度を上げ、確実な接地を達成する効果を果たすことができる。
【００６９】
好ましくは、前記接着膜層の厚さと、前記第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和が０．５〜２の比率関係を満たし、それにより十分な突刺し強度及び接着剤収容量を保証し、具体的には、接着膜層の厚さが第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和に対して小さすぎるため接着剤収容量が不足して層間剥離現象を起こすことを防止する一方、第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和が接着膜層の厚さに対して小さすぎるため突刺し強度が不足して接地故障現象を起こすことを防止する。
【００７０】
導体粒子１２１は、金属粒子、カーボンナノチューブ粒子及びフェライト粒子のうちの１種又は複数種を含む。また、前記金属粒子は、単金属粒子及び／又は合金粒子を含み、ここで、前記単金属粒子がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか１種の材料で製造され、前記合金粒子がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造される。なお、導体粒子１２１は、シールド層１と材料が同じであってもよく、異なってもよい。
【００７１】
好ましくは、前記電磁シールドフィルムは、保護フィルム層をさらに含み、前記保護フィルム層が前記シールド層１の前記第１の表面１１に接近した一側に位置し、前記保護フィルム層が前記シールド層１の第１の表面１１に積層され、前記保護フィルム層は保護作用を果たすことにより、前記シールド層１が使用過程で割れられて破損しないように保証し、シールド層１の高シールド性能を維持する。前記保護フィルム層は、ＰＰＳフィルム層、ＰＥＮフィルム層、ポリエステルフィルム層、ポリイミドフィルム層、エポキシ樹脂インクが硬化して形成されたフィルム層、ポリウレタンインクが硬化して形成されたフィルム層、変性アクリル酸樹脂が硬化して形成されたフィルム層又はポリイミド樹脂が硬化して形成されたフィルム層を含む。
【００７２】
なお、本実施例の図面に係るシールド層は、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。また、実際の製造及び応用の需要に応じて、本実施例の図面に係るシールド層は、格子状、発泡状等に設置することができる。
【００７３】
図７及び図８は、本発明の実施例４に係る回路基板の構造を示す概略図及び電子顕微鏡図であり、前記回路基板は、プリント回路基板３及び電磁シールドフィルムを含み、前記電磁シールドフィルムが、シールド層１及び接着膜層２を含み、前記シールド層１が対向する第１の表面１１と第２の表面１２を含み、前記第２の表面１２が起伏した非平坦表面であり、前記起伏した非平坦表面１２に凸状の導体粒子１２１がさらに形成され、前記シールド層１の第２の表面１２に前記接着膜層２が設けられ、前記接着膜層２が導電粒子２１を含有する粘着層を含み、前記電磁シールドフィルムがその接着膜層２により前記プリント回路基板３と互いに圧着され、前記シールド層１の第２の表面１２上の導体粒子１２１が前記接着膜層２を刺し通し、前記プリント回路基板３のグランド層まで延伸する。
【００７４】
具体的な実施において、図７に示すように、まずシールド層１を形成し、その後に他のプロセスによりシールド層１の第２の表面１２に導体粒子１２１を形成してよい。当然のことながら、シールド層１と導体粒子１２１は、一次成形プロセスにより形成された一体構造であってもよい。
【００７５】
好ましくは、前記導体粒子１２１は、前記接着膜層２の外表面から一定の距離離れてもよいし、前記接着膜層２の外表面と接触してもよく、或いは、前記接着膜層２の外表面から突き出てもよい。また、前記接着膜層２の外表面は、起伏しない平坦表面であってもよく、緩やかに起伏した非平坦表面であってもよい。
【００７６】
前記第１の表面１１は、如何なる形状の表面であってもよく、例えば、平坦表面であってもよく、図５に示した前記第２の表面１２とマッチングした起伏状の非平坦表面、又は他の粗面であってもよい。本発明の図面は、第１の表面１１と第２の表面１２とがマッチングした起伏状の非平坦表面のみを例として説明し、他の任意の形状の第１の表面がいずれも本発明の保護範囲内にある。
【００７７】
なお、図７に示した導体粒子１２１の形状は、例示的な形状に過ぎず、プロセス手段及びパラメータの違いにより、前記導体粒子１２１はクラスタ状、氷掛け状、鍾乳石状、樹枝状等の他の形状であってもよい。また、本発明における導体粒子１２１は、図示及び上記形状に限定されず、刺し通し及び導電機能を有する導体粒子であれば、いずれも本発明の保護範囲内にある。
【００７８】
理解されるように、前記起伏状の非平坦表面は、若干の凸部１２２と凹部１２３を含み、前記導体粒子１２１は、好ましくは前記凸部１２２に集中して分布し、それにより前記シールド層１が圧着過程で接着膜層２を刺し通しやすく、確実な接地を達成し、電磁シールドの品質を向上させる。
【００７９】
なお、前記導電粒子２１は、互いに分離された導電粒子であってもよく、凝集した大粒子の導電粒子であってもよく、前記導電粒子２１が互いに分離された導電粒子である場合、電気接触の面積をさらに向上させることができ、前記導電粒子２１が凝集した大粒子の導電粒子である場合、突刺し強度を増加させることができる。
【００８０】
好ましくは、前記プリント回路基板３は、フレキシブル片面、フレキシブル両面、フレキシブル多層板、リジッドフレキシブル結合板のうちのいずれか１種である。
【００８１】
上記構造によれば、圧着過程で、前記シールド層１の導体粒子１２１により接着膜層２を刺し通すことにより、前記第２の表面１２の少なくとも一部と前記プリント回路基板３のグランド層とが接続し、それによりシールド層１における干渉電荷を地面に導入することを達成し、干渉電荷の蓄積のため干渉源を形成し、回路基板の正常動作に影響を与えることを回避する。また、前記電磁シールドフィルムの接着膜層２は、導電粒子２１を含有する粘着層であり、それにより前記導電粒子２１が前記起伏状の非平坦表面１２上の凸状の導体粒子１２１と協力して接着膜層２を刺し、前記シールド層１との協力によって、より確実な貫通接地を達成し、干渉電荷を前記回路基板のグランド層に迅速に導入する。
【００８２】
好ましくは、前記導体粒子１２１の高さは、０．１μｍ〜３０μｍである。
【００８３】
前記シールド層１の厚さは、０．１μｍ〜４５μｍであり、前記接着膜層２の厚さは、１μｍ〜８０μｍである。前記接着膜層２に用いられる材料は、変性エポキシ樹脂系、アクリル酸系、変性ゴム系、変性熱可塑性ポリイミド系から選択される。また、前記シールド層１が良好な導電性を有することを保証するために、前記シールド層１は、金属シールド層、カーボンナノチューブシールド層、フェライトシールド層及びグラフェンシールド層のうちの１種又は複数種を含む。
【００８４】
また、前記金属シールド層は、単金属シールド層及び／又は合金シールド層であり、ここで、前記単金属シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか１種の材料で製造され、前記合金シールド層がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造される。なお、前記シールド層１の厚さは、前記シールド層１の第１の表面１１の最高点と前記第２の表面の最低点との間の距離であり、前記接着膜層２の厚さは、前記接着膜層２の最高点と最低点との間の距離である。好ましくは、前記第２の表面の起伏度（即ち第２の表面の最高点と最低点との間の距離）は、０．１μｍ〜３０μｍであり、第２の表面の起伏度を上記範囲内に設定すると、シールド層の貫通機能を強化し、シールド層１における干渉電荷を地面に上手く導入することを保証し、干渉電荷の蓄積による干渉源の形成を回避する。
【００８５】
図９は、本発明の実施例における他の回路基板の電子顕微鏡図である。図から分かるように、図８と図９におけるシールド層の第２の表面は、異なる起伏度を有し、図８における第２の表面の起伏度は、図９における第２の表面の起伏度よりも大きい。ただし、２種の回路基板のシールド層の第２の表面にいずれも一定の高さの導体粒子が成長し、いずれも突刺し強度を上げ、確実な接地を達成する効果を果たすことができる。
【００８６】
好ましくは、前記接着膜層の厚さと、前記第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和が０．５〜２の比率関係を満たし、それにより十分な突刺し強度及び接着剤収容量を保証し、具体的には、接着膜層の厚さが第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和に対して小さすぎるため接着剤収容量が不足して層間剥離現象を起こすことを防止する一方、第２の表面の起伏度と前記導体粒子の高さとの和が接着膜層の厚さに対して小さすぎるため突刺し強度が不足して接地故障現象を起こすことを防止する。
【００８７】
導体粒子１２１は、金属粒子、カーボンナノチューブ粒子又はフェライト粒子のうちの１種又は複数種を含む。また、前記金属粒子は、単金属粒子及び／又は合金粒子を含み、ここで、前記単金属粒子がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか１種の材料で製造され、前記合金粒子がアルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀及び金のうちのいずれか２種又は２種以上の材料で製造される。
【００８８】
なお、導体粒子１２１は、シールド層１と材料が同じであってもよく、異なってもよい。好ましくは、前記電磁シールドフィルムは、保護フィルム層をさらに含み、前記保護フィルム層が前記シールド層１の前記第１の表面１１に接近した一側に位置し、前記シールド層１の第１の表面１１に前記保護フィルム層が設けられ、前記保護フィルム層は保護作用を果たすことにより、前記シールド層１が使用過程で割れられて破損しないように保証し、シールド層１の高シールド性能を維持する。前記保護フィルム層は、ＰＰＳフィルム層、ＰＥＮフィルム層、ポリエステルフィルム層、ポリイミドフィルム層、エポキシ樹脂インクが硬化して形成されたフィルム層、ポリウレタンインクが硬化して形成されたフィルム層、変性アクリル酸樹脂が硬化して形成されたフィルム層又はポリイミド樹脂が硬化して形成されたフィルム層を含む。
【００８９】
なお、本実施例の図面に係るシールド層は、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。また、実際の製造及び応用の需要に応じて、本実施例の図面に係るシールド層は、格子状、発泡状等に設置することができる。
【００９０】
図１０は、本発明の実施例５に係る電磁シールドフィルムの製造方法を示すフローチャートであり、該方法は、上記いずれか１項の電磁シールドフィルムの製造に適用され、
Ｓ１、対向する第１の表面と第２の表面を含み、前記第２の表面が起伏した非平坦表面であるシールド層を形成するステップと、
Ｓ２、前記シールド層の起伏した非平坦表面に導体粒子を形成するステップと、
Ｓ３、前記シールド層の第２の表面に接着膜層を形成するステップと、を含む。
【００９１】
ステップＳ２において、物理的粗面化、化学メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、蒸着メッキ、スパッタリングメッキ、電気メッキ及び混合メッキのうちの１種又は複数種のプロセスにより前記シールド層の起伏した非平坦表面に導体粒子を形成する。
【００９２】
ステップＳ３において、前記シールド層の第２の表面に接着膜層を直接塗布することにより前記シールド層の第２の表面に接着膜層を形成することに加えて、離型フィルムに接着膜層を塗布し、その後に前記接着膜層を前記シールド層の第２の表面に圧着し転移することにより前記シールド層の第２の表面に接着膜層を形成することもできる。
【００９３】
ステップＳ１において、
方式（１）で、キャリアフィルムに、前記第１の表面が積層される保護フィルム層を形成し、前記保護フィルム層にシールド層を形成することにより、前記シールド層を形成するか、或いは、
方式（２）で、キャリア付き剥離可能層の表面にシールド層を形成し、前記シールド層の表面に、前記シールド層の第１の表面が積層される保護フィルム層を形成し、前記キャリア付き剥離可能層を剥離することにより、前記シールド層を形成する。
【００９４】
方式（１）で前記シールド層を形成する場合、
方式ｉで、前記保護フィルム層の平坦表面又は非平坦表面にシールド層を形成し、物理的粗面化、化学メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、蒸着メッキ、スパッタリングメッキ、電気メッキ及び混合メッキのうちの１種又は複数種のプロセスにより前記シールド層に表面処理を行うことにより、前記シールド層の第２の表面を起伏した非平坦表面とすることができる。
【００９５】
方式ｉを用いる場合、保護フィルム層の表面状態に関わらず、上記物理的粗面化、化学メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、蒸着メッキ、スパッタリングメッキ、電気メッキ及び混合メッキのうちの１種又は複数種のプロセスを用いて前記シールド層に表面処理を行い、それにより前記第２の表面が起伏した非平坦表面となる。
【００９６】
方式（１）で前記シールド層を形成する場合、
方式ｉｉで、前記保護フィルム層の非平坦表面に一定の起伏度を有するシールド層を形成することにより、前記シールド層の第２の表面を起伏した非平坦表面とすることができる。
【００９７】
方式ｉｉを用いる場合、保護フィルム層を製造する時にフィラーのサイズと比率を制御し、保護フィルム層の起伏度を制御することにより、前記保護フィルム層が一定の起伏度のある非平坦表面を有し、さらに前記保護フィルム層の非平坦表面にシールド層を形成することにより、前記保護フィルム層が一定の起伏度を有し、前記第２の表面が起伏した非平坦表面となる。
【００９８】
方式（２）で前記シールド層を形成する場合、
方式ｉｉｉで、前記キャリア付き剥離可能層の平坦表面又は非平坦表面にシールド層を形成し、物理的粗面化、化学メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、蒸着メッキ、スパッタリングメッキ、電気メッキ及び混合メッキのうちの１種又は複数種のプロセスにより前記シールド層に表面処理を行うことにより、前記シールド層の第２の表面を起伏した非平坦表面とすることができる。
【００９９】
方式ｉｉｉを用いる場合、前記キャリア付き剥離可能層の表面状態に関わらず、上記物理的粗面化、化学メッキ、物理的気相堆積、化学的気相堆積、蒸着メッキ、スパッタリングメッキ、電気メッキ及び混合メッキのうちの１種又は複数種のプロセスを用いて前記シールド層に表面処理を行い、それにより前記第２の表面が起伏した非平坦表面となる。
【０１００】
方式（２）で前記シールド層を形成する場合、
方式ｉｖで、前記キャリア付き剥離可能層の非平坦表面に一定の起伏度を有するシールド層を形成することにより、前記シールド層の第２の表面を起伏した非平坦表面とすることができる。
【０１０１】
方式ｉｖを用いる場合、キャリア付き剥離可能層の表面起伏度を制御して、前記キャリア付き剥離可能層の非平坦表面に一定の起伏度を有するシールド層を形成することにより、前記第２の表面が起伏した非平坦表面となる。
【０１０２】
以上をまとめると、本発明の実施例は、電磁シールドフィルム、回路基板及び電磁シールドフィルムの製造方法を提供し、そのうち、前記電磁シールドフィルムがシールド層と接着フィルム層を含み、前記シールド層が対向する第１の表面と第２の表面を含み、前記第２の表面が起伏した非平坦表面であり、前記起伏した非平坦表面に凸状の導体粒子がさらに形成され、前記シールド層の第２の表面に前記接着フィルム層が設けられ、それにより前記電磁シールドフィルムの接着フィルム層が圧着過程で接着材を前記第２の表面の凹部に押圧し、接着剤収容量が増加し、層間剥離現象が発生しにくく、同時に、起伏した非平坦表面に一定の高さの導体粒子があり、圧着過程でシールド層が接着膜層を上手く刺し通すことを保証し、確実な接地を達成し、実用性が高い。
【０１０３】
以上は、本発明の好ましい実施形態に過ぎず、当業者であれば、本発明の精神から逸脱せずに若干の改善や修正を行うこともでき、このような改善や修正は本発明の保護範囲に含まれるべきである。
【図１】
2020516052.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020516052.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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