【手続補正書】
【提出日】平成30年8月7日(2018.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板から材料を除去するための装置であって、
反応チャンバと、
前記反応チャンバ内で前記基板を支えるための基板サポートと、
前記基板サポートに向かってイオンを供給するように構成されたイオン源またはプラズマ源と、
前記基板が前記基板サポート上に位置決めされているときに前記基板の表面に反応物を提供するための注入ヘッドであって、（ｉ）反応物供給導管の反応物出口領域と、（ｉｉ）真空導管につながれた吸引領域と、を含む基板対向領域を含む注入ヘッドであり、前記注入ヘッドに対して前記イオン源または前記プラズマ源が上方に配され、前記イオン源または前記プラズマ源からのイオンが下方の前記注入ヘッドの上面に衝突するように構成されている、注入ヘッドと、
前記注入ヘッドまたは前記基板サポートを互いに対して移動させるための移動機構と、
を備える装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記基板対向領域は、前記反応物供給導管の終端と、前記真空導管の終端とを含み、前記終端は、実質的に同一面上にある、装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置であって、
前記基板サポート、前記注入ヘッド、および／または前記移動機構は、前記基板が前記基板サポート上に位置決めされているときに前記注入ヘッドと前記基板の前記表面との間に分離距離を維持するように構成され、前記分離距離は、約１ｃｍ以下である、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記分離距離は、約２ｍｍ以下である、装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の装置であって、
前記分離距離は、距離センサからのフィードバックを通じて能動的に制御される、装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の装置であって、
前記吸引領域は、前記反応物出口領域を実質的に取り巻いている、装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
１本以上の真空導管につながれて前記吸引領域を実質的に取り巻く１つ以上の追加の吸引領域を備える装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の装置であって、
前記反応物出口領域の長さは、少なくとも、前記装置内で処理される基板の直径に少なくともほぼ等しいまたはそれよりも大きい、装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載の装置であって、
前記反応物出口領域は、前記基板サポートに平行な方向に約０．５ｍｍ〜１０ｃｍの間の幅を有する、装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載の装置であって、
前記反応物出口領域は、約０．５ｍｍ〜２ｃｍの幅を有する仕切りによって前記吸引領域から隔てられ、前記仕切りの幅は、前記反応物出口領域を前記吸引領域から分離する、装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の装置であって、
前記吸引領域は、約１ｍｍ〜５ｃｍの幅を有する、装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の装置であって、
前記注入ヘッドは、さらに、前記反応物供給導管および前記真空導管を覆うケースを含む、装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の装置であって、
前記注入ヘッドの上面が、耐スパッタリング材料で被覆される、装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の装置であって、
前記注入ヘッドは、供給前に互いに実質的に混ざり合わない２種以上の別々の反応物を局部的に供給するように構成される、装置。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
さらなる反応物ガスを提供するためのさらなる注入ヘッドを備える装置。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれか一項に記載の装置であって、
センサ、センサヘッド、検出器、または検出器ヘッドの少なくとも１つが、前記注入ヘッド上に搭載される、前記注入ヘッドに隣接して設置される、前記注入ヘッドに組み込まれる、装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の装置であって、
前記センサおよび／または検出器の１つ以上は、（ｉ）前記反応物、（ｉｉ）１種以上の反応物副生成物、および／または（ｉｉｉ）前記基板のうちの少なくとも１つを監視するように構成される、装置。
【請求項１８】
請求項１ないし１７のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記注入ヘッドの下で前記基板を回転させるように構成される回転機構を備える装置。
【請求項１９】
請求項１ないし１８のいずれか一項に記載の装置であって、
前記注入ヘッドは、複数のセグメントに分けられ、前記セグメントは、（ｉ）異なる反応物、（ｉｉ）異なる反応物流量、および／または（ｉｉｉ）異なる真空コンダクタンスを与えられる、すなわち受けるように構成される、装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、さらに、
各セグメントに供給されるまたは印加される反応物流量または真空コンダクタンスを独立に制御するための、１つ以上の固定オリフィス、可変オリフィス、または質量流量コントローラを備える装置。
【請求項２１】
請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記注入ヘッドを加熱および／または冷却するための加熱素子および／または冷却素子を備える装置。
【請求項２２】
請求項１ないし２１のいずれか一項に記載の装置であって、
前記注入ヘッドは、枢軸を中心にして回転することにより、前記基板サポートに対して平行な平面内で移動するように構成され、前記注入ヘッドの幅は、前記基板の表面の上に均一なガス供給を提供するように変化される、装置。
【請求項２３】
請求項１ないし２２のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記反応物を前記吸引領域から除去するのと同時に前記反応物出口領域内で第１の圧力で前記反応物を前記基板の表面に供給するための命令を有するコントローラを備える装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載の装置であって、
前記コントローラは、さらに、前記注入ヘッドを前記基板に対してまたは前記基板を前記注入ヘッドに対して移動させるための命令を有する、装置。
【請求項２５】
半導体基板から材料を除去するための装置であって、
反応チャンバと、
前記反応チャンバ内で前記基板を支えるための基板サポートと、
前記基板サポートに向かってイオンを供給するように構成されたイオン源またはプラズマ源と、
前記基板が前記基板サポート上に位置決めされているときに前記基板の表面に反応物を提供するための注入ヘッドであって、基板対向領域を含み、前記基板対向領域は、（ｉ）反応物供給導管の反応物出口領域と、（ｉｉ）前記基板の周囲にある余分な反応物を除去するように構成された真空導管につながれた吸引領域と、を含む注入ヘッドであり、前記注入ヘッドに対して前記イオン源または前記プラズマ源が上方に配され、前記イオン源または前記プラズマ源からのイオンが下方の前記注入ヘッドの上面に衝突するように構成されている、注入ヘッドと、
前記注入ヘッドまたは前記基板サポートを互いに対して移動させるための移動機構と、
備える装置。
【請求項２６】
基板の表面に反応物を提供するための注入ヘッドであって、
（ｉ）第１の反応物供給導管の第１の反応物出口領域と、
（ｉｉ）第１の真空導管につながれるように構成された第１の吸引領域と、を含む基板対向領域を備える、注入ヘッド。
【請求項２７】
請求項２６に記載の注入ヘッドであって、さらに、
前記基板対向領域の反対側に位置する上面を備え、前記上面は、耐スパッタリング材料で被覆される、注入ヘッド。
【請求項２８】
請求項２７に記載の注入ヘッドであって、
前記耐スパッタリング材料は、非晶質炭素を含む、注入ヘッド。
【請求項２９】
請求項２７に記載の注入ヘッドであって、
前記耐スパッタリング材料は、シリコンを含む、注入ヘッド。
【請求項３０】
請求項２７に記載の注入ヘッドであって、
前記耐スパッタリング材料は、酸化シリコンを含む、注入ヘッド。
【請求項３１】
請求項２７に記載の注入ヘッドであって、
前記耐スパッタリング材料は、アルミニウムを含む、注入ヘッド。
【請求項３２】
請求項２７に記載の注入ヘッドであって、
前記耐スパッタリング材料は、酸化アルミニウムを含む、注入ヘッド。
【請求項３３】
請求項２６ないし３２のいずれかに記載の注入ヘッドであって、
前記基板対向領域は、さらに、第２の反応物供給導管の第２の反応物出口領域を含む、注入ヘッド。
【請求項３４】
請求項３３に記載の注入ヘッドであって、
前記第１の反応物出口領域は、第１の反応物を前記基板の前記表面に供給し、前記第２の反応物出口領域は、第２の反応物を前記基板の前記表面に供給し、前記第１および前記第２の反応物は互いに異なる、注入ヘッド。
【請求項３５】
請求項２６ないし３４のいずれかに記載の注入ヘッドであって、さらに、
前記注入ヘッドを加熱するヒータを備える、注入ヘッド。
【請求項３６】
請求項２６ないし３５のいずれかに記載の注入ヘッドであって、さらに、
前記注入ヘッドを冷却する冷却素子を備える、注入ヘッド。
【請求項３７】
請求項２６ないし３６のいずれかに記載の注入ヘッドであって、さらに、
前記基板の前記表面に平行な平面内で前記注入ヘッドの前記基板対向領域を移動させる移動機構を備える、注入ヘッド。
【請求項３８】
請求項３７に記載の注入ヘッドであって、
前記移動機構は、前記注入ヘッドの前記基板対向領域が前記平面内で移動することを可能にする枢軸を備える、注入ヘッド。
【請求項３９】
請求項３８に記載の注入ヘッドであって、
前記注入ヘッドは、前記基板の前記表面に平行な前記平面で各々測定された長さおよび幅を有し、前記注入ヘッドの前記幅は、前記注入ヘッドの前記長さに沿って変化する、注入ヘッド。
【請求項４０】
請求項２６ないし３８のいずれかに記載の注入ヘッドであって、
前記注入ヘッドは、前記基板の前記表面に平行な平面で各々測定された長さおよび幅を有し、前記注入ヘッドの前記幅は、前記注入ヘッドの前記長さに沿って変化する、注入ヘッド。
【請求項４１】
請求項２６ないし４０のいずれかに記載の注入ヘッドであって、
前記第１の吸引領域は、実質的に矩形の断面を有する、注入ヘッド。
【請求項４２】
請求項２６ないし３２または請求項３５ないし４１のいずれかに記載の注入ヘッドであって、
前記基板対向領域は、さらに、前記第１の反応物供給導管または第２の反応物供給導管のいずれかの第２の反応物出口領域を備え、前記第１の吸引領域は、前記第１の反応物出口領域および前記第２の反応物出口領域の両方を実質的に取り巻いている、注入ヘッド。
【請求項４３】
請求項２６ないし４２のいずれかに記載の注入ヘッドであって、
前記基板対向領域は、さらに、前記第１の真空導管または第２の真空導管につながれるように構成された第２の吸引領域を備え、前記第１の吸引領域は、前記第１の反応物出口領域を実質的に取り巻き、前記第２の吸引領域は、前記第１の吸引領域を実質的に取り巻いている、注入ヘッド。
【請求項４４】
請求項４３に記載の注入ヘッドであって、
前記基板対向領域は、さらに、前記第１の真空導管、前記第２の真空導管、または第３の真空導管につながれるように構成された第３の吸引領域を備え、前記第３の吸引領域は、前記第２の吸引領域を実質的に取り巻いている、注入ヘッド。
【請求項４５】
請求項２６ないし４４のいずれかに記載の注入ヘッドであって、
前記注入ヘッドは、左部分および右部分を備え、前記左部分および右部分は、およそ半円形の形状を各々有し、前記左部分および右部分の各々は、旋回して開閉するように構成され、前記左部分および右部分は、ともに閉じているときは、およそ円形の形状をともに形成する、注入ヘッド。