Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月1日(2018.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の金属層と、
前記金属層上に形成され、発光層、前記発光層に対して前記基板側に配置された第１導電型層、および前記発光層に対して前記基板の反対側に配置された第２導電型層を含む半導体層と、
前記金属層と前記第１導電型層とを電気的に接続しており、前記基板の法線方向から見た平面視において前記基板の面内のほぼ全体に亘って離散的に配置された複数のコンタクト部と、
前記半導体層上に形成され、パッド電極部と、平面視において当該パッド電極部から前記複数のコンタクト部の間を縫って枝状に延びる枝状電極部とを含む表面電極と、
前記基板の裏面上の裏面電極とを含み、
前記コンタクト部のうち前記パッド電極部の周囲の第１コンタクト部と前記パッド電極部との距離ｄ１と、当該第１コンタクト部とこの第１コンタクト部に最も近い前記枝状電極部との距離ｄ２と、前記コンタクト部のうち前記第１コンタクト部よりも前記パッド電極部から離れた位置の第２コンタクト部とこの第２コンタクト部に最も近い前記枝状電極部との距離ｄ３との関係が、ｄ１＞ｄ２＞ｄ３を満たす、半導体発光素子。
【請求項２】
前記枝状電極部は、前記半導体層の周縁部に配置された外周部と、前記外周部と前記パッド電極部とを接続する中間部とを含み、
前記距離ｄ２は、前記第１コンタクト部と前記中間部との距離であり、
前記距離ｄ３は、前記第２コンタクト部と前記外周部との距離である、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記半導体層は、平面視四角形状に形成されており、
前記パッド電極部は、前記半導体層の略中央に配置されており、
前記枝状電極部は、前記パッド電極部から前記半導体層の４つの端面のそれぞれに向かって延び、さらに前記半導体層の各端面に沿って延びている、請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記半導体層は、平面視四角形状に形成されており、
前記パッド電極部は、前記半導体層の一つの角部に配置されており、
前記枝状電極部は、前記パッド電極部から、当該パッド電極部が配置された前記半導体層の前記角部から延びる端面に沿って延びている、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記半導体層と前記金属層との間の絶縁層を含み、
前記コンタクト部は、前記金属層の一部からなり、前記絶縁層を貫通して前記第１導電型層に接続されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記絶縁層は、ＳｉＯ２膜およびＳｉＮ膜の少なくとも一方を含む、請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
各前記コンタクト部の径が、８μｍ〜１５μｍである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記複数のコンタクト部の数が、２８個〜６０個である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記半導体発光素子の発光面積に対する前記複数のコンタクト部の総面積で示される被覆率（コンタクト部面積／発光面積）が、６％〜４０％である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記金属層は、Ａｕを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記基板は、シリコン基板を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記半導体層の表面は、微細な凹凸形状に形成されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記第２導電型層は、平面視において、前記表面電極から露出する表面および側面を有し、
前記第２導電型層の前記表面は、前記第２導電型層の前記側面よりも粗い面である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
前記第２導電型層の前記側面は、前記発光層の側面と面一である、請求項１３に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
前記第２導電型層は、平面視において前記表面電極から露出する前記表面および前記側面を含む第１層と、前記第２導電型層の前記表面に形成され、前記表面電極に覆われた第２層とを含み、
前記第２導電型層の前記第２層は、前記表面電極と同じ形状を有している、請求項１３または１４に記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
前記第２層は、前記第１層よりも高い不純物濃度を有している、請求項１５に記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
前記第２層は、前記第１層よりも薄く形成されている、請求項１５または１６に記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
前記絶縁層は、前記半導体層に直接接している、請求項５または６に記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月15日(2018.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のビット線に接続する第１のノードと第２のビット線に接続する第２のノードとの間に第１の容量素子を設けた第１のＳＲＡＭセルと、
前記第１のビット線に接続する第３のノードと前記第２のビット線に接続する第４のノードとの間に第２の容量素子を設けた第２のＳＲＡＭセルと、を有し、
前記第１の容量素子は、前記第１のビット線と前記第２のビット線との中間よりも前記第１のビット線側に寄せて配置され、
前記第２の容量素子は、前記第１のビット線と前記第２のビット線との中間よりも前記第２のビット線側に寄せて配置されている半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１の容量素子は、前記第１のビット線と平面的に重なるように配置され、
前記第２の容量素子は、前記第２のビット線と平面的に重なるように配置されている半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１のビット線と前記第２のビット線は、メモリセルアレイにおいて一対のビット線対を成し、
前記第１の容量素子と前記第２の容量素子は、前記ビット線対間に同数設けられている半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１のＳＲＡＭセルと前記第２のＳＲＡＭセルは隣接して配置されている半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１の容量素子は、前記第２のビット線から離間して配置され、
前記第２の容量素子は、前記第１のビット線から離間して配置されている半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１の容量素子は、上部電極、容量絶縁膜、下部電極の三層構造からなり、
前記上部電極は、前記第１のビット線と平面的に重なるように配置され、かつ、前記第２のビット線から離間して配置されている半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１の容量素子は、上部電極、容量絶縁膜、下部電極の三層構造からなり、
前記下部電極は、前記第１のビット線と平面的に重なるように配置され、かつ、前記第２のビット線から離間して配置されている半導体装置。
【請求項８】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記メモリセルアレイにおいて、共通するワード線に接続する他のＳＲＡＭセルの容量素子は、当該ワード線に接続する前記第１のＳＲＡＭセル、或いは、前記第２のＳＲＡＭセルの容量素子と同じ側に寄せて配置されている半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１のビット線および前記第２のビット線のうち、少なくともいずれか一方は前記第１の容量素子および前記第２の容量素子よりも上層に配置されている半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１のビット線および前記第２のビット線のうち、少なくともいずれか一方は前記第１の容量素子および前記第２の容量素子よりも下層に配置されている半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置であって、
前記第１の容量素子および前記第２の容量素子は、上部電極、容量絶縁膜、下部電極の三層構造からなり、
各々の上部電極は、複数層に跨る複数のコンタクトにより、前記第１のＳＲＡＭセルのトランジスタおよび前記第２のＳＲＡＭセルのトランジスタと電気的に接続されている半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置であって、
各々の下部電極は、複数層に跨る複数のコンタクトにより、前記第１のＳＲＡＭセルのトランジスタおよび前記第２のＳＲＡＭセルのトランジスタと電気的に接続されている半導体装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記半導体装置は、ＤＲＡＭセルが搭載されたＤＲＡＭ混載の半導体装置であり、
前記第１の容量素子および前記第２の容量素子は、前記ＤＲＡＭセルのキャパシタと同一の層において、同一の材料により形成されている半導体装置。
【請求項１４】
（ａ）半導体ウエハの主面のＳＲＡＭ形成領域にＳＲＡＭセルを構成する素子を形成し、半導体ウエハの主面のＤＲＡＭ形成領域にＤＲＡＭセルを構成する素子を形成する工程、
（ｂ）前記ＳＲＡＭセルを構成する素子および前記ＤＲＡＭセルを構成する素子上に、それらの素子を覆うように第１の層間絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記ＳＲＡＭ形成領域の前記第１の層間絶縁膜上に、前記ＳＲＡＭセルを構成する素子と電気的に接続し、前記ＳＲＡＭセルの２つのメモリノードとなる２つの配線を形成する工程、
（ｄ）前記２つの配線を覆うように、前記ＳＲＡＭ形成領域および前記ＤＲＡＭ形成領域に第２の層間絶縁膜を形成する工程、
（ｅ）前記第２の層間絶縁膜上に、ＭＩＭの下部電極となる第１の導電膜、ＭＩＭの容量絶縁膜となる絶縁膜、ＭＩＭの上部電極となる第２の導電膜の三層の積層膜を形成し、ドライエッチングにより、前記ＳＲＡＭ形成領域および前記ＤＲＡＭ形成領域の各々にＭＩＭを形成する工程、を有し、
前記ＳＲＡＭ形成領域のＭＩＭは、当該ＭＩＭの下部電極が前記２つの配線の一方と電気的に接続し、当該ＭＩＭの上部電極が前記２つの配線の他方と電気的に接続している半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜は、窒化チタン膜、チタン膜、タンタル膜のいずれかである半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜は、シリコン窒化膜、タンタル酸化膜、酸化ジルコニウム膜のいずれかである半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月28日(2018.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が１μｍ以上であり、さらにオフ角を有していることを特徴とする結晶性半導体膜。
【請求項２】
酸化物半導体が、インジウム、ガリウムまたはアルミニウムを含む請求項１記載の結晶性半導体膜。
【請求項３】
酸化物半導体が、ガリウムを含む請求項１または２に記載の結晶性半導体膜。
【請求項４】
膜厚が１．５μｍ以上である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
【請求項５】
ドーパントを含んでいる請求項１〜４のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
【請求項６】
前記オフ角が、ｃ面に対して３°〜９０°であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
【請求項７】
前記オフ角の傾斜方向が、ｃ面よりｍ面方向またはａ面方向であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性半導体膜を含む半導体装置。
【請求項９】
ダイオードまたはトランジスタである、請求項８記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月13日(2018.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換によって生成された電荷に基づく画素信号を生成する画素回路と、前記画素信号に基づく信号を出力するための論理回路が設けられた撮像装置であって、
前記画素回路を構成する第１トランジスタのソースまたはドレインに接続する第１コンタクトプラグと、前記論理回路を構成する第２トランジスタのソースまたはドレインに接続する第２コンタクトプラグと、前記第１トランジスタのゲートに接続する第３コンタクトプラグと、を備え、
前記第１コンタクトプラグの径が前記第２コンタクトプラグの径および前記第３コンタクトプラグの径よりも小さいことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１コンタクトプラグの前記径が、前記第２コンタクトプラグの前記径の１．３０倍以上である、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１コンタクトプラグの前記径が、前記第２コンタクトプラグの前記径の１．５０倍以上かつ２．００倍以下である、請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１コンタクトプラグの前記径が５０ｎｍ以上かつ２００ｎｍ未満であり、前記第２コンタクトプラグの前記径が２００ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第３コンタクトプラグの前記径が、前記第１コンタクトプラグの前記径の１．３０倍未満である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第３コンタクトプラグが、前記第１トランジスタのチャネル領域の上に位置する、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第２トランジスタのドレインには前記第２コンタクトプラグを含む複数のコンタクトプラグが接続されている、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは絶縁ゲート型電界効果トランジスタであり、前記第１トランジスタのゲート絶縁膜が前記第２トランジスタのゲート絶縁膜よりも厚い、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記画素回路に接続された電流源を構成する第３トランジスタに接続するコンタクトプラグの径が、前記第１コンタクトプラグの前記径よりも大きい、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記第１トランジスタのドレインを構成する第１半導体領域と前記第１コンタクトプラグとの間には第２半導体領域が設けられており、
前記第２トランジスタのドレインを構成する第３半導体領域と前記第２コンタクトプラグとの間にはシリサイド領域が設けられており、
前記第２半導体領域の不純物濃度は前記第１半導体領域の不純物濃度よりも高い、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第１コンタクトプラグは側面および底面を有する第１コンタクトホール内に配された第１導電部と、前記第１コンタクトホールの前記側面と前記第１導電部との間に位置する底部および前記第１コンタクトホールの前記底面と前記第１コンタクトプラグの前記導電部との間に位置する側部とを含む第１バリアメタル部と、を有し、
前記第２コンタクトプラグは側面および底面を有するコンタクトホール内に配された導電部と、前記側面と前記第２コンタクトプラグの前記導電部との間に位置する底部および前記底面と前記導電部との間に位置する側部とを含むバリアメタル部と、を有し、
前記第２コンタクトプラグの前記側部の厚さに対する前記第２コンタクトプラグの前記底部の厚さの比は、前記第１コンタクトプラグの前記側部の厚さに対する前記第１コンタクトプラグの前記底部の厚さの比よりも大きい、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記第１トランジスタの前記ドレインはシングルドレイン構造を有し、前記第２トランジスタの前記ドレインはＬＤＤ構造を有する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記第１トランジスタは前記電荷を転送する転送トランジスタである、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記第２トランジスタはＣＭＯＳ回路に含まれる、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項の撮像装置から出力された信号を処理する信号処理装置を備える撮像システム。
【請求項１６】
層間絶縁膜に設けられた第１コンタクトホール内に第１バリアメタル膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に設けられた第２コンタクトホール内に第２バリアメタル膜を形成する工程と、を有し、前記第２コンタクトホールの径は前記第１コンタクトホールの径よりも大きく、前記第１バリアメタル膜を化学気相成長法で形成し、前記第２バリアメタル膜を物理気相成長法で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月12日(2018.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
半導体基体の製造方法においては、バッファ層２５を形成する工程において、初期層１３が形成された後にアクセプタ元素の最大値が５×１０１７〜５×１０２０／ｃｍ３となるようにアクセプタ元素のドーピングを開始する。具体的には、積層体１４のＭＯＣＶＤ法による形成を開始する際に、Ｃｐ２Ｆｅ（ビスシクロペンタジエニル鉄）等のアクセプタ元素のドーピングガスの添加を開始することができる。
このように、バッファ層２５を形成する工程において初期層が形成された後にアクセプタ元素のドーピングを開始することで、高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月14日(2017.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
離型層に含まれる樹脂（Ａ）が、環状ポリオレフィン系の樹脂であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体高分子型燃料電池成型用離型フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、本発明は、以下の構成よりなる。
１．  ポリエステルフィルムの少なくとも片面に離型層が積層されている離型フィルムであって、離型層に樹脂（Ａ）とナノ粒子（Ｂ）を含むことを特徴とする固体高分子型燃料電池成型用離型フィルム。
２．  ポリエステルフィルムが、ポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とする上記第１記載の固体高分子型燃料電池成型用離型フィルム。
３．  離型層表面の表面自由エネルギーの極性成分と水素結合成分を合計した値が８ｍＪ／ｍ２以下であることを特徴とする上記第１または第２記載の固体高分子型燃料電池成型用離型フィルム。
４．  離型層に含まれるナノ粒子（Ｂ）の含有量が、離型層の樹脂（Ａ）１００質量部に対して２０質量部以上であることを特徴とする上記第１〜第３のいずれかに記載の固体高分子型燃料電池成型用離型フィルム。  
５．  離型層に含まれる樹脂（Ａ）のガラス転移温度が、１３０℃以上であることを特徴とする上記第１〜第４のいずれかに記載の固体高分子型燃料電池成型用離型フィルム。
６．  離型層に含まれる樹脂（Ａ）が、環状ポリオレフィン系の樹脂であることを特徴とする上記第１〜第５のいずれかに記載の固体高分子型燃料電池成型用離型フィルム。
７．  １６０℃における熱収縮率が０．８％以下であることを特徴とする上記第１〜第６のいずれかに記載の固体高分子型燃料電池成型用離型フィルム。
８．  ナノ粒子（Ｂ）の１次粒径が、６０ｎｍ以下であることを特徴とする上記第１〜第７のいずれかに記載の固体高分子型燃料電池成型用離型フィルム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の離型フィルムの離型層に含まれる樹脂（Ａ）としては特に限定されないが、オレフィン系樹脂およびフッ素系樹脂から選ばれるものであることが好ましい。また、これらの離型層は、前記のような樹脂（Ａ）を含む塗布液がコーティングされることによりポリエステルフィルム上に設けられることが好ましい形態である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
本発明の離型フィルムの離型層に用いる樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、耐熱性の観点から１３０℃以上あることが好ましく、１５０℃以上であることがより好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は高いことが好ましく、例えば、３５０℃程度と言え、３００℃以下でも構わない。そして、樹脂（Ａ）の材質としては、上記のような環状ポリオレフィン系の樹脂であることが特に好ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
【表１】
2017069176.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月11日(2018.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信タグが付属する物品であって、
前記無線通信タグは、
第１入出力端子および第２入出力端子を有する無線通信用集積回路、
前記第１入出力端子に接続された一端と開放された他端とを有するミアンダ状の励振導体、および、前記第２入出力端子に接続された一端を有する面状の接続用導体を備え、
前記物品は、
一端面を有する金属体を備え、
前記接続用導体は、前記一端面の法線方向から見たとき、前記一端面と重なるように、前記一端面に面して配置されており、
前記励振導体の前記他端は前記金属体から離れる方向に延びるように配置されており、
前記金属体が放射素子として利用されている、
無線通信タグ付き物品。
【請求項２】
前記励振導体および前記接続用導体は、フレキシブル基材に形成されている、請求項１に記載の無線通信タグ付き物品。
【請求項３】
前記第１入出力端子から前記励振導体の前記他端までの電気長はほぼ１／４波長である、請求項１または２に記載の無線通信タグ付き物品。
【請求項４】
前記第２入出力端子から前記金属体の開放端までの電気長は１／２波長以上である、請求項１から３のいずれか１つに記載の無線通信タグ付き物品。
【請求項５】
前記無線通信タグは所定の共振周波数を有する給電回路をさらに備え、
前記励振導体および前記接続用導体はそれぞれ前記給電回路を介して前記第１入出力端子および前記第２入出力端子に接続される、請求項１から４のいずれか１つに記載の無線通信タグ付き物品。
【請求項６】
前記金属体は柱状体を含み、前記無線通信タグは前記柱状体の一方端面に接続されている、請求項１から５のいずれか１つに記載の無線通信タグ付き物品。
【請求項７】
前記柱状体は円柱状のスピンドルである、請求項６記載の無線通信タグ付き物品。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子と、
突起部を有する弾性体と、
前記突起部との接触面を有し前記弾性体に対して相対移動する摩擦部材と、
前記突起部を前記接触面の垂線方向を加圧方向として加圧接触させる加圧手段とを有し、
前記圧電素子と前記弾性体は固着されており、前記圧電素子に印加される交流電圧によって前記圧電素子と前記弾性体が振動する振動波モータにおいて、
前記突起部は、
前記摩擦部材に対向する側であって、前記突起部の中央に設けられた球面部と、
該球面部の中心の近傍に設けられ、前記接触面と接触する接触部と、
該球面部の周囲に設けられた平坦部と、
該平坦部の周囲に設けられた角部とを有し、
前記球面部、前記平坦部、前記角部が均一な肉厚を有するように構成され、
前記球面部、前記平坦部、前記角部が前記接触部を中心として前記加圧方向に可撓性を有することを特徴とする振動波モータ。
【請求項２】
前記可撓性による前記突起部の変形の共振周波数は、前記交流電圧の周波数よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の振動波モータ。
【請求項３】
前記可撓性による前記突起部の変形の共振周波数は、前記交流電圧の周波数の２倍以上かつ６倍以下であることを特徴とする請求項２に記載の振動波モータ。
【請求項４】
前記突起部は、
前記球面部の前記圧電素子の側に球面状に凹んだ球面凹部とを有し、
前記球面部の球面半径をＳＲ１、前記球面凹部の球面半径をＳＲ２、前記球面部と前記球面凹部の前記接触部における肉厚をＤ１とすると、ＳＲ１、ＳＲ２、Ｄ１は下記関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の振動波モータ。
ＳＲ１  ＞  ＳＲ２  ＋  Ｄ１。
【請求項５】
前記突起部は、
前記接触部と前記平坦部との間に段部と、
前記接触部の前記圧電素子の側に球面状に凹んだ球面凹部とを有し、
前記段部の前記接触部を中心とする半径をＲ１、前記球面凹部と前記平坦部が交わる位置の前記接触部を中心とする半径をＲ２とすると、Ｒ１とＲ２は下記関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の振動波モータ。
Ｒ２  ＜  Ｒ１。
【請求項６】
前記振動波モータは、前記圧電素子と前記弾性体が超音波振動する超音波モータであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の振動波モータ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の振動波モータを備えたことを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の振動波モータを備えたことを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電圧を印加することで振動する振動子と、
前記振動子と圧接する第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面を有し所定の方向に延在する摩擦部材と、
前記摩擦部材を保持する保持部材を備えた振動型モータであって、
前記第１の面は隣接する面との間に前記所定の方向と平行な方向に延在する第１の角部を形成し、
前記第２の面は隣接する面との間に前記所定の方向と平行な方向に延在する第２の角部を形成し、
前記第１の角部と前記第２の角部の曲率半径は異なり、
前記第１の角部と前記第２の角部のうち曲率半径が小さい角部を形成する前記第１の面と前記第２の面のいずれか一つの面が前記保持部材と接触することを特徴とする振動型モータ。
【請求項２】
前記保持部材は前記摩擦部材を固定する１つ以上の固定部と、各前記固定部において前記摩擦部材と接触する１つ以上の接触面とを有し、前記摩擦部材は前記振動子が摩擦摺動する摺動領域を有し、
各前記固定部において、前記固定部から見て前記摩擦部材が延在する方向を第１の方向とし、
各前記固定部において、前記接触面の上における前記第１の方向と直交する方向を第２の方向とした時、各前記固定部が有する前記接触面は、前記第２の方向の長さが前記第１の方向の前記摺動領域が存在する側の端部で最大となることを特徴とする請求項１に記載の振動型モータ。
【請求項３】
前記摩擦部材を前記保持部材に締結する締結部材を更に有し、各前記固定部において、前記締結部材は所定の領域が前記摩擦部材に圧接することで前記摩擦部材を前記接触面に接触させ、前記締結部材の前記所定の領域は前記接触面と直交する方向から見て前記接触面に内包されることを特徴とする請求項２に記載の振動型モータ。
【請求項４】
前記摩擦部材の前記第１の面が前記保持部材と接触することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の振動型モータ。
【請求項５】
前記摩擦部材の前記第２の面が前記保持部材と接触することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の振動型モータ。
【請求項６】
振動子と、
前記振動子と接触し、前記振動子が振動することで前記振動子に対する相対的な位置が変化する第１の部材と、
前記第１の部材を保持する第２の部材と、を備え、
前記第１の部材は、前記振動子と接触する第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面とを有しており、前記第１の面と前記第２の面のうち、隣接する面との間の角部における曲率半径が小さいほうの面を前記第２の部材と接触させて前記第２の部材に保持されることを特徴とする振動型モータ。
【請求項７】
前記第２の部材は、前記第１の部材と接触するように突出する固定部を有し、前記固定部の少なくとも一部は、前記第１の面と前記第２の面のうち前記第２の部材と接触する接触面の端よりも前記接触面に平行な方向に延在していることを特徴とする請求項６に記載の振動型モータ。
【請求項８】
前記接触面は、バリが発生した面であることを特徴とする請求項７に記載の振動型モータ。
【請求項９】
前記接触面は、発生したバリが落とされた面であることを特徴とする請求項７に記載の振動型モータ。
【請求項１０】
前記接触面は、ダレ面の反対側の面であることを特徴とする請求項７に記載の振動型モータ。
【請求項１１】
前記振動型モータは、前記振動子が超音波振動する超音波モータであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の振動型モータ。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の振動型モータを用いてレンズを駆動することを特徴とするレンズ駆動装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の振動型モータを用いてレンズを駆動することを特徴とする、撮像装置に着脱可能なレンズユニット。
【請求項１４】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の振動型モータを用いてレンズを駆動することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
１、２、４              振動型モータ
１１、２１、４１        振動子
１１１、２１１          圧電素子
１１２、２１２          弾性体
１１２ａ、２１２ａ      突起
１２、２２、４２        摩擦部材（第１の部材）
１３、２３、４３        保持部材（第２の部材）
１４、２４、４４        締結部材
４５                    振動子保持部材
４６                    振動子連結部材
４７                    固定部材
４８                    加圧部材
４９                    加圧板
５０                    転動ボール
３                      レンズ駆動装置
３１                    レンズ
３２                    レンズホルダ
３３                    ガイドバー
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月24日(2018.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
楕円運動を発生する振動子と、
前記振動子を保持する保持手段と、
を有する、振動波モータにおいて、
前記保持手段は、前記振動子と当接する第１の当接部及び第２の当接部を備え、
前記振動子は、前記第１の当接部と当接する箇所に第１の変位部、及び前記第２の当接部に当接する箇所に第２の変位部を有し、
前記第１の変位部の変位は、前記第２の変位部の変位より小さく、
前記保持手段の前記第１の当接部の面積は、前記第２の当接部の面積より大きいことを特徴とする、振動波モータ。
【請求項２】
前記振動子の前記第１の変位部と前記第２の変位部との間には、前記保持手段と当接する保持部が設けられており、
前記第１の当接部と前記第２の当接部との間には、前記保持部と当接する固定部が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の振動波モータ。
【請求項３】
前記振動子が楕円運動を発生している際に、前記保持部に振動の節が位置することを特徴とする、請求項２に記載の振動波モータ。
【請求項４】
前記保持部には、前記振動子を前記保持手段に位置決めするための位置決め穴が設けられていることを特徴とする、請求項２又は３に記載の振動波モータ。
【請求項５】
前記固定部には、前記振動子を前記保持手段に位置決めするための位置決め部が設けられていることを特徴とする、請求項２乃至４のいずれか１項に記載の振動波モータ。
【請求項６】
前記振動子と前記保持手段とは、前記位置決め部の周辺に塗布された接着剤にて接着固定されていることを特徴とする、請求項５に記載の振動波モータ。
【請求項７】
前記第１の当接部の幅方向の寸法をＷ、前記位置決め部の径寸法を２ｒ、前記振動子から前記位置決め部の高さをＨ、前記振動子と前記保持手段とを接着固定する接着剤の前記振動子との接触角をθ、前記接着剤の前記振動子からの高さをｈとした時に、前記接着剤の高さｈが以下の関係式を満足することを特徴とする、請求項５又は請求項６に記載の振動波モータ。
Ｈ≧ｈ＝tanθ×（Ｗ／２−ｒ）
【請求項８】
前記振動波モータは、前記楕円運動が超音波振動する超音波モータであることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の振動波モータ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の振動波モータと、
前記振動波モータにより駆動される被駆動体と、を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の振動波モータと、
前記振動波モータにより駆動されるレンズと、を備えたことを特徴とするレンズ駆動機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、振動波モータに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月24日(2018.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から供給された電圧により第１蓄電部を充電する電力取得手段と、
前記第１蓄電部に蓄えられた電力を当該第１蓄電部より容量の大きい第２蓄電部に転送して蓄電させる電力転送手段と、
を備え、
前記電力転送手段は、
前記第１蓄電部から前記第２蓄電部へ電力を転送する際の前記第１蓄電部における一回当たりの電圧低下を抑制する電圧低下抑制部を備える
ことを特徴とする充電装置。
【請求項２】
前記電力転送手段は、断続的に前記転送を行うチョッピング動作を行うことを特徴とする請求項１記載の充電装置。
【請求項３】
前記電圧低下抑制部は、前記第１蓄電部と前記第２蓄電部との間を流れる転送電流の経路中にインダクタを有し、当該インダクタは、前記チョッピング動作時において、前記転送が行われる期間に前記転送電流を抑えることで前記第１蓄電部の電圧低下を抑制すると共に、前記転送が中断された後に電流を生じさせて前記第２蓄電部に蓄電させることを特徴とする請求項２記載の充電装置。
【請求項４】
前記電力転送手段は、
発振回路と、
当該発振回路の発振動作に応じて前記第１蓄電部と前記第２蓄電部との間における接続のオンオフの切り替えを繰り返すスイッチ部と、
を備える
ことを特徴とする請求項２又は３記載の充電装置。
【請求項５】
前記第１蓄電部の出力電圧が所定の基準電圧未満の場合には、前記転送を行わせず、前記第１蓄電部の出力電圧が前記基準電圧より大きい所定の上限電圧以上となってから、前記基準電圧未満となるまでの間、前記転送を可能とする転送可否切替手段を備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の充電装置。
【請求項６】
前記転送可否切替手段は、
前記第１蓄電部の出力電圧と、前記基準電圧及び前記上限電圧とをそれぞれ比較する比較部を備え、
当該比較部による比較結果に基づいて前記転送の可否を定める
ことを特徴とする請求項５記載の充電装置。
【請求項７】
前記電力転送手段は、
発振回路と、
当該発振回路の発振動作に応じて前記第１蓄電部と前記第２蓄電部との間における接続のオンオフを切り替えるスイッチ部と、
を備え、
前記転送可否切替手段は、前記転送を行わせない期間には、前記発振回路の発振動作を停止させ、
前記スイッチ部は、当該発振回路の発振動作の停止に応じて前記接続をオフに保つ
ことを特徴とする請求項５又は６記載の充電装置。
【請求項８】
前記電力取得手段は、外部機器から送信された無線電波を受信するアンテナと、当該受信された無線電波に係る電流を整流する整流回路とを備えることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の充電装置。
【請求項９】
前記アンテナは、ＲＦタグの読み取り及び書き込みの少なくとも一方に係る外部機器からの近接場無線通信による送信電波を受信することを特徴とする請求項８記載の充電装置。
【請求項１０】
前記第２蓄電部は、二次電池又は電気二重層コンデンサであることを特徴とする請求項１〜９の何れか一項に記載の充電装置。
【請求項１１】
前記第１蓄電部は、キャパシタであることを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載の充電装置。
【請求項１２】
前記基準電圧は、前記第１蓄電部の出力電圧に応じて可変に定められることを特徴とする請求項５又は６に記載の充電装置。
【請求項１３】
前記基準電圧及び前記上限電圧は、前記第１蓄電部の出力電圧に応じて可変に定められることを特徴とする請求項５又は６記載の充電装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３の何れか一項に記載の充電装置と、
外部機器から送信された近接場無線通信による無線電波を電力として動作するＲＦタグと、
前記第２蓄電部に蓄電された電力により所定の動作を行う動作部と、
を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
前記充電装置は、
前記第１蓄電部の出力電圧が所定の基準電圧未満の場合には、前記転送を行わせず、前記第１蓄電部の出力電圧が前記基準電圧より大きい所定の上限電圧以上となってから、前記基準電圧未満となるまでの間、前記転送を可能とする転送可否切替手段を備え、
前記基準電圧は、前記ＲＦタグの動作電圧より高く定められていることを特徴とする請求項１４記載の電子機器。
【請求項１６】
外部から供給された電圧により第１蓄電部を充電する電力取得ステップ、
前記第１蓄電部に蓄えられた電力を当該第１蓄電部より容量の大きい第２蓄電部に転送して蓄電させる電力転送ステップ、
を含み、
前記電力転送ステップでは、
前記第１蓄電部から前記第２蓄電部へ電力を転送する際の前記第１蓄電部における一回当たりの電圧低下を抑制する
ことを特徴とする充電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月24日(2018.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一群の電極が形成された圧電素子と、
基材の上に複数の延在した配線層が備えられ、前記配線層の一部がカバーレイによって覆われ、前記カバーレイに覆われていない前記配線層の部分に第二群の電極が形成された、フレキシブルプリント基板と、を有する圧電体において、
前記第一群の電極の一部と前記第二群の電極の一部とが導通するように、且つ前記圧電素子と前記カバーレイの一部とが重畳するように、前記圧電素子と前記フレキシブルプリント基板とが接着され、
前記カバーレイの終端部は、前記配線層と交差する第一の輪郭部と第二の輪郭部とを有し、前記第一の輪郭部は、前記第二群の電極のうちの一つの電極と接し、前記第二の輪郭部は、前記第二群の電極のうちの他の電極と接し、
前記フレキシブルプリント基板と交差する前記圧電素子の外形線から前記第一の輪郭部までの長さは、前記外形線から前記第二の輪郭部までの長さより短く、
前記一つの電極は、前記他の電極よりも前記外形線からの位置が近いことを特徴とする、圧電体。
【請求項２】
前記第一群の電極のうち前記外形線に最も近い電極は、前記圧電素子の裏面に位置する電極に、前記圧電素子の壁面の電極を経由して導通していることを特徴とする、請求項１に記載の圧電体。
【請求項３】
前記圧電素子と前記カバーレイの一部とが重畳する部分の幅方向の寸法は、前記圧電素子と前記フレキシブルプリント基板が重畳していない部分の幅方向の寸法より大きいことを特徴とする、請求項１又は２に記載の圧電体。
【請求項４】
前記第二の輪郭部は、前記外形線の方向に凹んだ輪郭部を有することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧電体。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の圧電体と、弾性体とで構成していることを特徴とする、振動子。
【請求項６】
請求項５に記載の振動子を用いて構成したことを特徴とする、振動波モータ。
【請求項７】
請求項６に記載の振動波モータは、超音波振動することを特徴とする、超音波モータ。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の振動波モータを用いたことを特徴とする、レンズ駆動装置。
【請求項９】
請求項８に記載のレンズ駆動装置を有することを特徴とする、レンズ鏡筒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明の圧電体、振動子、及び振動波モータは、圧電素子とＦＰＣとが接着され、カバーレイの終端部は、配線層と交差する第一の輪郭部と第二の輪郭部とを有し、第一の輪郭部は、第二群の電極のうちの一つの電極と接し、第二の輪郭部は、第二群の電極のうちの他の電極と接し、フレキシブルプリント基板と交差する圧電素子の外形線から第一の輪郭部までの長さは、外形線から第二の輪郭部までの長さより短く、一つの電極は、他の電極よりも外形線からの位置が近いことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
１              圧電素子
Ｅ１〜Ｅ５      電極（第一群）
２、２２、３２  フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）
Ｆ１〜Ｆ６      電極（第二群）
２ａ            基材
２ｂ            配線層
２ｃ            カバーレイ
Ｎ              終端部
Ｎ１            第一の輪郭部
Ｎ２            第二の輪郭部
Ｍ              外形線
３００          レンズ駆動装置
４００          振動波モータ
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月19日(2018.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顧客が所有する発電プラントから第１期間毎に収集される運転データを記憶する運転データ記憶部から、第１期間より長い直近の第２期間の間に収集された前記運転データを取得する運転データ取得部と、
取得された前記運転データに基づいて前記発電プラントの利用率を算出する利用率算出部と、
前記利用率に基づいて前記発電プラントの単位性能向上量に対する単位時間あたりの平均利益額を算出する単位利益額算出部と
を備える発電プラント分析装置。
【請求項２】
前記単位性能向上量が、単位出力向上量であって、
前記利用率算出部が、取得された前記運転データに基づいて、第２期間における所定負荷以上の運転の継続期間の割合を、前記発電プラントの前記利用率として算出する
請求項１に記載の発電プラント分析装置。
【請求項３】
前記単位性能向上量が、単位効率向上量であって、
前記利用率算出部が、取得された前記運転データに基づいて、第２期間における運転の負荷率の平均値を、前記発電プラントの前記利用率として算出する
請求項１に記載の発電プラント分析装置。
【請求項４】
前記発電プラントのアップグレードメニューごとに、前記アップグレードメニューの価格と前記アップグレードメニューの適用による前記発電プラントの性能向上量とを関連付けて記憶するアップグレード情報記憶部と、
前記単位利益額算出部が算出した前記平均利益額および前記アップグレードメニューの前記価格に基づく情報を出力する出力部と
を備える請求項１から請求項３の何れか１項に記載の発電プラント分析装置。
【請求項５】
前記アップグレード情報記憶部が、前記アップグレードメニューに関連付けて前記アップグレードメニューの償却期間に関する償却情報を記憶し、
前記出力部が、前記単位利益額算出部が算出した前記平均利益額、前記アップグレードメニューの前記価格、および前記償却情報に基づく情報を出力する
請求項４に記載の発電プラント分析装置。
【請求項６】
前記アップグレードメニューが、１以上のアップグレードパーツの組み合わせである
請求項４または請求項５に記載の発電プラント分析装置。
【請求項７】
前記出力部が、前記単位利益額算出部が算出した前記平均利益額、前記アップグレードメニューの前記価格、および前記アップグレードメニューによる前記発電プラントの改造に要する改造期間に基づく情報を出力する
請求項４から請求項６の何れか１項に記載の発電プラント分析装置。
【請求項８】
前記単位利益額算出部が算出した前記平均利益額に基づいて、前記アップグレードメニューの適用による性能向上により増加する単位時間あたりの平均利益額を算出する利益額算出部をさらに備え、
前記出力部が、前記利益額算出部が算出した前記平均利益額および前記アップグレードメニューの前記価格に基づく情報を出力する
請求項４から請求項６の何れか１項に記載の発電プラント分析装置。
【請求項９】
直近の売電価格および直近の燃料価格の少なくとも一方を取得する価格取得部をさらに備え、
前記単位利益額算出部が、取得された前記価格、および取得された前記運転データに基づいて前記発電プラントの単位性能向上量に対する単位時間あたりの平均利益額を算出する
請求項１から請求項８の何れか１項に記載の発電プラント分析装置。
【請求項１０】
前記発電プラントが、ガスタービン、蒸気タービン、および排熱回収ボイラの少なくとも１つを備える
請求項１から請求項９の何れか１項に記載の発電プラント分析装置。
【請求項１１】
顧客が所有する発電プラントから第１期間毎に収集される運転データのうち、第１期間より長い直近の第２期間の間に収集された前記運転データを取得する取得ステップと、
取得された前記運転データに基づいて前記発電プラントの利用率を算出するステップと、
前記利用率に基づいて前記発電プラントの単位性能向上量に対する単位時間あたりの平均利益額を算出する単位利益額算出ステップと
を有する発電プラントの分析方法。
【請求項１２】
コンピュータを、
顧客が所有する発電プラントから第１期間毎に収集される運転データを記憶する運転データ記憶部から、第１期間より長い直近の第２期間の間に収集された前記運転データを取得する運転データ取得部、
取得された前記運転データに基づいて前記発電プラントの利用率を算出する利用率算出部、
前記利用率に基づいて前記発電プラントの単位性能向上量に対する単位時間あたりの平均利益額を算出する単位利益額算出部
として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の第１の態様によれば、発電プラント分析装置は、顧客が所有する発電プラントから第１期間毎に収集される運転データを記憶する運転データ記憶部から、第１期間より長い直近の第２期間の間に収集された前記運転データを取得する運転データ取得部と、取得された前記運転データに基づいて前記発電プラントの利用率を算出する利用率算出部と、前記利用率に基づいて前記発電プラントの単位性能向上量に対する単位時間あたりの平均利益額を算出する単位利益額算出部とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第１２の態様によれば、顧客が所有する発電プラントから第１期間毎に収集される運転データのうち、第１期間より長い直近の第２期間の間に収集された前記運転データを取得する取得ステップと、取得された前記運転データに基づいて前記発電プラントの利用率を算出するステップと、前記利用率に基づいて前記発電プラントの単位性能向上量に対する単位時間あたりの平均利益額を算出する単位利益額算出ステップとを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第１３の態様によれば、プログラムは、コンピュータを、顧客が所有する発電プラントから第１期間毎に収集される運転データを記憶する運転データ記憶部から、第１期間より長い直近の第２期間の間に収集された前記運転データを取得する運転データ取得部、取得された前記運転データに基づいて前記発電プラントの利用率を算出する利用率算出部、前記利用率に基づいて前記発電プラントの単位性能向上量に対する単位時間あたりの平均利益額を算出する単位利益額算出部として機能させる。