【事件の表示】
　平成９年特許願第１０１５００号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１１月４日出願公開、特開平１０−２９４３１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
理　由
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年４月１８日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１３年４月９日付け、平成１３年８月３０日付け、及び平成１６年７月１６日付けの各手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「シリコン基板上に、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を形成する工程において、シランと過酸化水素水を原料ガスに用いて前記シリコン酸化膜を成長させた後に、前記シリコン基板を０．１Ｐａ以下の低圧力下に放置し、その後、反応ガスによるプラズマにより基板を加熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、当審において平成１６年５月１７日付けで通知した拒絶の理由に引用した、本願出願前頒布された刊行物である下記の引用刊行物１、２、及び、同拒絶の理由に、本願出願前周知の技術を記載した刊行物の例として提示した、本願出願前頒布された刊行物である下記の引用刊行物３、４には、それぞれ以下の事項が記載されている。
引用刊行物１：特開平８−２０３８９２号公報
引用刊行物２：特開平３−７２６５６号公報
引用刊行物３：特開平４−１７４５２０号公報
引用刊行物４：特開平７−２３１０３９号公報
　　
［２−１］引用刊行物１：特開平８−２０３８９２号公報
　引用刊行物１には、図１、図２が示されるとともに、
「【００２５】まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板（例えばシリコン基板）３０上の絶縁膜３１上に下層配線用の第１の配線材料‥‥‥‥‥‥‥を例えばスパッタ法により堆積後、フォトリソグラフィ技術および反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）技術を用いて第１の配線材料のパターニングを行って下層配線３２を形成する。
【００２６】次に、前記半導体製造装置を使用して、下層配線３２の配線間に絶縁膜を埋め込むと共に下層配線上に絶縁膜を堆積することにより層間絶縁膜を形成する。上記層間絶縁膜の形成工程においては、まず、下層配線形成後の半導体基板３０を前記カセットローダー室１内の例えば石英製のボート上にセットする。
【００２７】次に、ドライポンプ（図示せず）を用いてカセットローダー室１内を１００ｍＴｏｒｒ以下の真空状態に設定し、ロボットアーム２により、前記半導体基板３０をプラズマＣＶＤ装置１０の反応室１１内に搬入させる。このプラズマＣＶＤ装置１０の反応室１１内を５ｍＴｏｒｒ以下の真空状態に設定すると共に下部電極１３を３００℃程度に設定しておき、半導体基板２０上の全面に０．１μｍ以上（本例では１００ｎｍ）の厚さの第１のプラズマＳｉＯ２膜３３を形成する。
【００２８】次に、ロボットアーム２により、前記半導体基板３０をプラズマＣＶＤ装置の反応室１１内から減圧ＣＶＤ装置の反応室２１内へ搬送させる。そして、この減圧ＣＶＤ装置の反応室２１内に、ＳｉＨ４ガス供給源からＳｉＨ４ガス供給管２５を介してＳｉＨ４ガスを１２０ｓｃｃｍの流量で導入し、かつ、Ｈ２Ｏ２供給源からＨ２Ｏ２供給管２６を介してＨ２Ｏ２を０．６ｇ／分の流量で導入し、かつ、不活性ガス（例えばＮ２ガス）を５００ｓｃｃｍの流量で導入し、かつ、前記マイクロ波導波管を通したラジカルな状態のフッ素系ガス（例えばＣＦ４ガス）を２０ｓｃｃｍの流量で導入して、５Ｔｏｒｒ以下（本例では５００ｍＴｏｒｒ）の真空中、−１０℃以上＋１０℃以下の温度範囲内（例えば０℃）で互いに反応させ、図２（ｂ）に示すように、上記半導体基板３０上にリフロー形状を有する０．４μｍ以上、１．４μｍ以下（本例では０．８μｍ）の厚さのリフローＳｉＯ２膜３４を得る。
【００２９】次に、図２（ｃ）に示すように、上記減圧ＣＶＤ装置の反応室１１内で５ｍＴｏｒｒ以下の真空中に上記半導体基板３０を３０秒以上（本例では３０秒）放置する。
【００３０】次に、ロボットアーム２により、前記半導体基板３０を減圧ＣＶＤ装置の反応室２１内からプラズマＣＶＤ装置の反応室１１内へ搬送させる。そして、図２（ｄ）に示すように、プラズマＣＶＤ装置１０の反応室内で、３００℃以上、４５０℃未満の高温（本例では３００℃）中に１２０秒以上、６００秒未満の時間（本例では１２０秒）放置する。
【００３１】この後、図２（ｅ）に示すように、半導体基板３０上の全面に０．３μｍ以上（本例では３００ｎｍ）の厚さの第２のプラズマＳｉＯ２膜３５を形成する。この後、上記半導体基板３０を上記半導体製造装置から取り出し、別の半導体製造装置を使用して４５０℃、３０分のファーネスアニールを行う。」（段落【００２５】〜【００３１】）、
「【００３５】なお、リフローＳｉＯ２膜３４を形成した後に所定の真空中に所定時間以上放置し、さらに、所定の高温中に所定時間以上放置することにより、リフローＳｉＯ２膜３４の形成工程において絶縁膜の成膜中に水分が発生して絶縁膜中に水分が含まれたとしても、絶縁膜中の水分を低減させるように制御し、クラック耐性の良いリフローＳｉＯ２膜３４を得ることが可能になる。」（段落【００３５】）と記載されている。
　　
［２−２］引用刊行物２：特開平３−７２６５６号公報
　引用刊行物２には、第２図、第３図、第５図が示されるとともに、
「ＳＯＧ５を４，０００Åの厚さに塗布したウエハー４を先ず、前室８に入れ、処理室７の真空度に近い領域までロータリーポンプ１８で排気した後、ゲートバルブ９を開いて、ウエハー４を処理室７のウエハーホルダー６の上にセットする。ロータリーポンプ１７及びターボポンプ１６を運転して、処理室７の真空度が目標の真空度，例えば１×１０−６Ｔｏｒｒになったら、マグネトロン１１の電源１３を入れて、処理室７に２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管１２及び石英窓１９を通って、ウエハー４に導入する。２００Ｗａｔｔのマイクロ波出力によりウエハー４が２５０℃に加熱され、その熱によってＳＯＧの脱水縮合反応が進む。‥‥‥‥‥‥脱水・縮合による水分ならびに揮発したＳＯＧの溶剤は処理室の圧力を上昇させる。この際の真空度を随時測定して、実験的に定められた一定の脱ガスが進むまで処理を続行する。」（第３頁左上欄１２行〜右上欄１２行）、
「焼成による脱水状況を比較するため、真空度と加熱時間の関係を第５図に示す。加熱は赤外線でウエハーを３００℃に上昇させて、処理室の真空度の時間との関係を調べた。」（第３頁左下欄１１〜１４行）と記載されている。
　　
［２−３］引用刊行物３：特開平４−１７４５２０号公報
  引用刊行物３には、第１図が示されるとともに、
「本発明に類似の従来技術として、応用物理学会昭和６２年春季講演会予稿集、Ｐ５１６「プラズマ処理によるシリコーン膜の膜質改善」に記載されるようなプラズマ処理がある。この従来例では、Ｎ２のプラズマを用いてシリコーン膜の表面をＳｉＯ２化しているが、これは主に高エネルギのＮイオンが膜表面に衝突する際の表面に極在して発生する熱を利用したものである。」（第２頁左上欄１０〜１７行）、
「本発明は主に無機ＳＯＧ化膜から水分を除去し、かつ膜の吸湿性を低減させ、かつベーク時の発生応力を低減させる、低い温度で実行可能な非常に効率的な方法を提供する。しかし、有機ＳＯＧに対しても同様の効果を示す。また、ＣＶＤ法により作成したＳｉＯ２膜の吸湿性低減にも効果がある。」（第２頁右下欄１３〜１８行）、
「活性ガスの励起、ガスと膜との反応による発熱により膜は加熱される。上述のように膜は局部的に加熱されるとＳｉＯ２化が進行し緻密な層ができる。」（第３頁左上欄１５〜１８行）、
「Ｓｉ基板上にＳＯＧ（‥‥‥）をスピン塗布し厚さ０．２μｍのＳｉ−Ｏ化合物の膜を得た。このＳｉ基板をＮ２気流中で２００℃×３０分でアニールを行ない、次に、平行平板電極型のプラズマ処理装置中でＯ２ガスを用いてプラズマ処理を行なった。‥‥‥‥‥‥‥‥‥ガス圧力は５０ｍＴｏｒｒ、電力は５００Ｗ、処理時間は３０分である。ＲＦの周波数は１３．５６ＭＨｚである。サセプタにはグラファイトを用いた時にはプラズマの発光色は黄色でＣＯ分子の存在が認められた。グラファイト中の炭素が酸素プラズマ処理と反応したものと考えられる。比較のためにＳｉＯ２サセプタを用いて同様の処理を行なった。これらのサセプタは水冷により１００℃以下に保持された。第１図に（ａ）２００℃アニール、グラファイトサセプタを用いたプラズマ処理、４５０℃ベークの後レジスト剥離液、メタノール、水に各々１０分浸漬したときの膜、（ｂ）上記の処理の後水のみに浸漬した膜、および（ｃ）２００℃アニールおよび４５０℃ベークを行なった膜に含有する水分の重量（膜重量で規格化）を示す。水分はＳＯＧ膜を形成した基板を真空中で加熱し基板から発生するガスを質量分析により定量したものである。図から、グラファイトサセプタを用いたプラズマ処理により膜中の含有水分および吸湿性が激減することがわかる。」（第３頁左下欄１３行〜右下欄２０行）と記載されている。
　　
［２−４］引用刊行物４：特開平７−２３１０３９号公報
　引用刊行物４には、図２（ａ）〜（ｃ）が示されるとともに、
「【００１５】‥‥‥絶縁膜１１上に１層目の電極配線膜１を形成した後、絶縁膜２をＰ−ＣＶＤ法によって成膜し、そのうえに、絶縁膜３を回転塗布法にて成膜して表面を平坦化する。なお、絶縁膜３の表面にはプラズマ処理が行われる。さらに、絶縁膜４をＰ−ＣＶＤ法によって成膜する。‥‥‥‥【００１６】次に、形成したホールに対してＮ２プラズマ処理を行う。プラズマ状態のＮ２ガス７の持つプラズマエネルギーが効果的にホール側壁に露出する絶縁膜３にアタックすることによって、プラズマ処理された絶縁膜３のホール側壁部６で水分が除去される（図２（ｂ））。‥‥‥‥‥‥‥‥‥【００１７】なお、上述した実施例１の説明において、プラズマ処理のガスとして、Ｎ２を用いたが、プラズマ状態にできるガスであればプラズマエネルギーの効果があるので、Ｏ２，Ｏ３等のガスによるプラズマ処理を用いてもよい。」（段落【００１５】〜【００１７】）と記載されている。
　　
［３］対比・判断
［３−１］本願発明１について
　上記［２−１］に摘記した事項を総合すると、引用刊行物１には、「シリコン基板上に、第１のプラズマＳｉＯ２膜、リフローＳｉＯ２膜、第２のプラズマＳｉＯ２膜からなる層間絶縁膜を形成する工程において、上記第１のプラズマＳｉＯ２膜を形成し、次に、減圧ＣＶＤ装置の反応室内で、ＳｉＨ４ガスとＨ２Ｏ２を導入して上記リフローＳｉＯ２膜を形成した後に、上記シリコン基板を５ｍＴｏｒｒ以下の真空中に３０秒以上放置し、その後、プラズマＣＶＤ装置の反応室内で、３００℃以上の高温中に放置し、次に、上記リフローＳｉＯ２膜上に上記第２のプラズマＳｉＯ２膜を形成する半導体装置の製造方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されており、上記「第１のプラズマＳｉＯ２膜、リフローＳｉＯ２膜、第２のプラズマＳｉＯ２膜からなる層間絶縁膜」、「ＳｉＨ４ガスとＨ２Ｏ２を導入して上記リフローＳｉＯ２膜を形成」、「上記シリコン基板を５ｍＴｏｒｒ以下の真空中に３０秒以上放置し」、「上記シリコン基板を‥‥‥その後、プラズマＣＶＤ装置の反応室内で、３００℃以上の高温中に放置し」はそれぞれ、本願発明１における「シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜」、「シランと過酸化水素水を原料ガスに用いて前記シリコン酸化膜を成長」、「前記シリコン酸化膜を‥‥‥低圧力下に放置し」、「その後、‥‥‥基板を加熱処理する」に相当する。そうすると、両者は、「シリコン基板上に、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を形成する工程において、シランと過酸化水素水を原料ガスに用いて前記シリコン酸化膜を成長させた後に、前記シリコン酸化膜を低圧力下に放置し、その後、基板を加熱処理する半導体装置の製造方法」の点で一致し、下記の点で相違する。
（イ）「前記シリコン酸化膜を‥‥‥低圧力下に放置し」の「低圧力」が、本願発明１では、０．１Ｐａ以下であるのに対し、引用発明では、５ｍＴｏｒｒ以下である点。
（ロ）本願発明１では、反応ガスによるプラズマにより基板を加熱処理するのに対し、引用発明では、基板をプラズマＣＶＤ装置の反応室内で、３００℃以上の高温中に放置して加熱処理する点。
　そこで、まず相違点（イ）について検討するに、引用発明における「５ｍＴｏｒｒ以下」の低圧力も、本願発明１の低圧力と同様、シリコン酸化膜の水分を低減するためのものであることは明らかである。一方、引用刊行物２には、シリコン酸化膜付きウエハーをセットし、該シリコン酸化膜の水分、未揮発分を脱水、揮発させる処理室の真空度を１×１０−６Ｔｏｒｒとすること、及び、該処理室にセットする前のシリコン酸化膜付きウエハーを入れた前室を、上記真空度に近い領域まで排気することが記載されており、そして、この１×１０−６Ｔｏｒｒの真空度は０．１Ｐａ以下の低圧力の範囲に含まれるのであるから、シリコン酸化膜付きシリコン基板を放置してそのシリコン酸化膜の水分、未揮発分を脱水、揮発させる処理室内の圧力として、「０．１Ｐａ以下」の低圧力は格別なものとはいえない。
　してみると、引用発明におけるシリコン酸化膜の水分を低減するための「５ｍＴｏｒｒ以下」の低圧力を「０．１Ｐａ以下」とすることは、当業者が適宜に設定できることである。
　次いで、相違点（ロ）について検討するに、引用発明における「３００℃以上の高温中に放置して加熱処理する」ことも、本願発明１における「反応ガスによるプラズマにより基板を加熱処理する」ことと同様、シリコン酸化膜の水分を低減するためのものであることは明らかである。一方、引用刊行物３には、「Ｎ２のプラズマを用いてシリコーン膜の表面をＳｉＯ２化しているが、これは主に高エネルギのＮイオンが膜表面に衝突する際の表面に極在して発生する熱を利用したものである。」、「活性ガスの励起、ガスと膜との反応による発熱により膜は加熱される。上述のように膜は局部的に加熱されるとＳｉＯ２化が進行し緻密な層ができる。」、「Ｓｉ基板上にＳＯＧ（‥‥‥）をスピン塗布し厚さ０．２μｍのＳｉ−Ｏ化合物の膜を得た。このＳｉ基板を‥‥‥‥‥‥‥‥‥平行平板電極型のプラズマ処理装置中でＯ２ガスを用いてプラズマ処理を行なった。‥‥‥‥‥‥‥‥‥ガス圧力は５０ｍＴｏｒｒ、電力は５００Ｗ、処理時間は３０分である。ＲＦの周波数は１３．５６ＭＨｚである。サセプタにはグラファイトを用いた時にはプラズマの発光色は黄色でＣＯ分子の存在が認められた。グラファイト中の炭素が酸素プラズマ処理と反応したものと考えられる。比較のためにＳｉＯ２サセプタを用いて同様の処理を行なった。これらのサセプタは水冷により１００℃以下に保持された。」（摘記［２−３］参照）との記載により、Ｎ２、Ｏ２等の反応ガスのプラズマによりシリコン酸化膜付き基板を脱水のために加熱処理すること、及び、該プラズマにより加熱され過ぎないように水冷することが述べられており、また、引用刊行物４には、「形成したホールに対してＮ２プラズマ処理を行う。プラズマ状態のＮ２ガス７の持つプラズマエネルギーが効果的にホール側壁に露出する絶縁膜３にアタックすることによって、プラズマ処理された絶縁膜３のホール側壁部６で水分が除去される（図２（ｂ））。‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥プラズマ状態にできるガスであればプラズマエネルギーの効果があるので、Ｏ２，Ｏ３等のガスによるプラズマ処理を用いてもよい。」（摘記［２−４］参照）との記載により、絶縁膜中に含まれる水分が、Ｎ２、Ｏ２，Ｏ３等の反応ガスのプラズマエネルギーのアタックによって除去されることが述べられ、このプラズマエネルギーのアタックによって脱水に必要な反応熱や気化熱が与えられることは、当業者に自明の事項であるといえるから、シリコン酸化膜等の絶縁膜の脱水のため、Ｎ２、Ｏ２等の反応ガスのプラズマで該絶縁膜付き基板を加熱処理することは、本願出願前周知の技術であると認められる。
　してみると、引用発明において、シリコン酸化膜の水分を低減するためにプラズマＣＶＤ装置の反応室内で３００℃以上の高温中に放置して加熱処理する際に、Ｎ２、Ｏ２等の反応ガスのプラズマにより加熱処理することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、相違点（イ）のように低圧力を設定し、併せて相違点（ロ）のように加熱処理することによって得られる本願発明１の効果も、引用刊行物１，２に記載された発明及び上記周知技術から普通に予測できる程度のものであって、格別なものは見出せない。
　したがって、本願発明１は、刊行物１、２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、刊行物１、２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の他の請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。