Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月1日(2018.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性がある単結晶ＳｉＣ基板の形状を制御する方法であって、単結晶ＳｉＣ基板は少なくとも片面が機械的加工により加工され、容器に入れた電解質水溶液に機械加工された片面のみを接液させ、前記単結晶ＳｉＣ基板が陽極となり、前記単結晶ＳｉＣ基板の接液面との距離が一定になるよう陰極を配置した上で、前記陽極と前記陰極との間に直流電圧を印加し、単結晶ＳｉＣ基板の接液面を陽極酸化させて機械的加工による加工変質層を除去することを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の形状を制御する方法。
【請求項２】
前記機械的加工が、ダイヤモンド砥粒を使用した加工を含むことを特徴とする請求項１に記載の単結晶ＳｉＣ基板の形状を制御する方法。
【請求項３】
前記機械的加工が、ラップ、ポリッシュ、研削の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の形状を制御する方法。
【請求項４】
前記電解質水溶液の導電率が１ミリジーメンス／メートル（１０マイクロジーメンス／センチメートル）以上、１０ジーメンス／メートル（１００ミリジーメンス／センチメートル）以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の形状を制御する方法。
【請求項５】
前記少なくとも片面が機械的加工により加工された単結晶ＳｉＣ基板が、第１の面と第２の面の両方の面が機械的加工により加工された単結晶ＳｉＣ基板であって、第１の面と第２の面の両方の面の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下となるまで機械的加工を行い、片面ずつ両面を陽極酸化させ、両面の加工変質層を除去することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の形状を制御する方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の形状を制御する方法で製造することを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】単結晶ＳｉＣ基板の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月29日(2018.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第一外装材１０は第一金属箔１１の一方の面に接着剤層１２により第一耐熱性樹脂層１３が貼り合わされて積層され、他方の面に接着剤層１４により第一熱可塑性樹脂層１５が貼り合わされて積層されている。前記第一耐熱性樹脂層１３側の面に、第一耐熱性樹脂層１３および接着剤層１２が無く第一金属箔１１が露出して第一金属箔１１に導通する導通部１６が形成されている。前記第一熱可塑性樹脂層１５側の面に、第一熱可塑性樹脂層１５および接着剤層１４が無く第一金属箔１１が露出する導通部１７が形成されている。外装体において、前記第一熱可塑性樹脂層１５側の導通部１７は外装体の形態にかかわらず少なくとも一つ存在し、電極要素室内に臨む第一内側導通部となる。また、２つ目の導通部１７を有する場合は外装体外面の第一外側導通部となる。一方、第一耐熱性樹脂層１３側の導通部１６は外装体の形態によって存在する場合と存在しない場合とがあり、存在する場合は外装体の外面に形成されて第一外側導通部となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
同様に、第二外装材２０は第二金属箔２１の一方の面に接着剤層２２により第二耐熱性樹脂層２３が貼り合わされて積層され、他方の面に接着剤層２４により第二熱可塑性樹脂層２５が貼り合わされて積層されている。前記第二耐熱性樹脂層２３側の面に、第二耐熱性樹脂層２３および接着剤層２２が無く第二金属箔２１が露出して第二金属箔２１に導通する導通部２６が形成されている。前記第二熱可塑性樹脂層２５側の面に、第二熱可塑性樹脂層２５および接着剤層２４が無く第二金属箔２１が露出する導通部２７が形成されている。外装体において、前記第二熱可塑性樹脂層２５側の導通部２７は外装体の形態にかかわらず少なくとも一つ存在し、電極要素室内に臨む第二内側導通部となる。また、２つ目の導通部２７を有する場合は外装体の外面の第二外側導通部となる。一方、第二耐熱性樹脂層２３側の導通部２６は外装体の形態によって存在する場合と存在しない場合とがあり、存在する場合は外装体の外面に形成されて第二外側導通部となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
なお、図３Ｂおよび図８は、接着剤層１２、１４、２２、２４の図示を省略して第一耐熱性樹脂層１３、第二耐熱性樹脂層２３、第一金属箔１１、第二金属箔層２１、第一熱可塑性樹脂層１５、第二熱可塑性樹脂層２５のみを図示している。
（第１の蓄電デバイス）
図２〜図３Ｂに示すように、蓄電デバイス１の外装体３０は、第一外装材１０からなり平面視長方形の凹部４１を有する本体４０と、第二外装材２０からなるフラットシートの蓋体５０とにより構成され、本体４０の凹部４１に蓋体５０を被せることにより閉鎖される空間が電池要素室６０となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記蓄電デバイス２、３は、第一外側導通部８２、８５と第二外側導通部５６、５２とが外装体３１、３２の同じ辺に蓋体５０側を向いて設けられており、第一外側導通部４７と第二外側導通部５２を外装体３０の対向辺に設けた蓄電デバイス１よりも両者が近接している。両者の近接により、集電用回路の構造のさらなる単純化および小型化を図ることができる。特に図４の蓄電デバイス２は第一外側導通部８２と第二外側導通部５６とが辺の長さを二分して設けられているので、導通用フランジの熱封止部６１からの延出長さを小さくできるので、蓄電デバイスそのものを小型化でき、ひいては集電用回路を小型化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月1日(2018.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
(E) コンデンサ素子２は、集電板１８、１９を介して図示しない封口体が設置され、集電板１８、１９と封口体の端子部品とをレーザ溶接する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
(2) コンデンサ素子２の平坦部４同士を、中空部１６を跨いで配置した集電板１８、１９に接続させることで、電極体に生じる復元力に対抗でき、コンデンサ素子２の形状を維持させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
斯かる構成によれば、上記実施の形態の効果に加え、さらに、集電板４０、４２によるコンデンサ素子２に対する支持強度を高めることができ、コンデンサ素子２の形状の安定化を図ることができる。つまり、電極部は、コンデンサ素子２の一端面側に露出させた正極体２２および負極体２４の縁部３０、３２を平坦面になるように中空部１６側に折り曲げて表面を平坦に成形する。このとき、湾曲部６は折り曲げた縁部３０、３２が重なりあって成形されるので、表面は硬く、集電板１８、１９との接続面が安定している。そのため、集電板１８、１９が載置しても安定がよく、接続性が安定する。一方で、平坦部４は、コンデンサ素子２の中心側であるため、引出し距離が短く、内部抵抗の低減や低ＥＳＲ化が図れる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
(2) 上記実施の形態では、中空部１６が空洞、または対向する平坦部４側の電極体を密着させる場合を示したがこれに限られない。中空部１６には、たとえばスペーサを挿入してもよい。スペーサは、たとえば電極体の巻回時やコンデンサ素子２の成形時、または成形処理後に中空部１６に挿入すればよい。このスペーサは、たとえば厚紙やフッ素樹脂の板材など、硬質で絶縁性があり、かつ高強度で軽量な材料で形成されればよい。スペーサは、電極体の内壁側に側面を密着させており、この幅がコンデンサ素子２の中空部１６の間隔となればよい。このように中空部１６にスペーサを介在させることで、コンデンサ素子２の形状維持が図れるほか、電極体同士の密着性が高まり、内部抵抗が低下し、スペーサが中空部１６に面した電極体に接触するので、平坦部４側が中空部１６から離間する方向に変形するのを阻止し、コンデンサ素子２の形状の安定化をより高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月25日(2018.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内部に配置され内側が減圧される処理室と、この処理室の内部に配置され処理対象の試料が載せられて保持される試料台と、前記処理室内にプラズマを形成する手段とを備え、
前記試料台が、高周波電源からの所定の周波数の高周波電力が供給される金属製の電極ブロックと、当該電極ブロックの上面上に配置されその内部に電力が供給されて発熱する膜状のヒータが配置された誘電体製の発熱層と、当該膜状の発熱層の上方を覆って配置された誘電体製のシールド層と、前記発熱層の外周側でこれを囲んで配置され前記シールド層と電極ブロックとに接してこれらを導通するリング状の導電層と、前記シールド層の上方でこれを覆って配置されその上面上方に載せられる前記試料を静電吸着する静電気力を発生するための静電吸着層と、前記リング状の導体層の外周側で前記処理室内の空間から前記リング状の導体層を覆ってリング状に囲んで配置された誘電体製の絶縁層とを備え、
前記シールド層及び前記リング状の導体層が前記所定の周波数の高周波電力の電流についての表皮厚さより大きな厚さを備え、前記試料の処理中に前記電極ブロックが所定の電位に維持されるプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記発熱層の前記膜状のヒータの外周及び上方並びに下方の誘電体材料の厚さが、前記表皮厚さより大きな厚さを備えたプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置であって、
前記導電体製の層が前記電極ブロックの半径方向について異なる上下方向の厚さを備え、最外周縁において最小の厚さを備えたプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載のプラズマ処理装置であって、
前記発熱層の前記膜状のヒータの上方の誘電体材料の厚さが下方の厚さより小さいプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載のプラズマ処理装置であって、
前記電極ブロックと前記発熱層との間に配置された接着層が前記電極ブロックの半径方向について異なる上下方向の厚さを備え、最外周縁において最大の厚さを備えたプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的は、真空容器内部に配置され内側が減圧される処理室と、この処理室の内部に配置され処理対象の試料が載せられて保持される試料台と、前記処理室内にプラズマを形成する手段とを備え、前記試料台が、高周波電源からの所定の周波数の高周波電力が供給される金属製の電極ブロックと、当該電極ブロックの上面上に配置されその内部に電力が供給されて発熱する膜状のヒータが配置された誘電体製の発熱層と、当該膜状の発熱層の上方を覆って配置された誘電体製のシールド層と、前記発熱層の外周側でこれを囲んで配置され前記シールド層と電極ブロックとに接してこれらを導通するリング状の導電層と、前記シールド層の上方でこれを覆って配置されその上面上方に載せられる前記試料を静電吸着する静電気力を発生するための静電吸着層と、前記リング状の導体層の外周側で前記処理室内の空間から前記リング状の導体層を覆ってリング状に囲んで配置された誘電体製の絶縁層とを備え、前記シールド層及び前記リング状の導体層が前記所定の周波数の高周波電力の電流についての表皮厚さより大きな厚さを備え、前記試料の処理中に前記電極ブロックが所定の電位に維持されるプラズマ処理装置により達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月15日(2018.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通電極、及び前記貫通電極の一端面に形成されたパッド、を備えた第１の半導体チップと、
接続端子を備え、前記接続端子が形成された側と前記パッドが形成された側とが対向するように、前記第１の半導体チップ上に積層された第２の半導体チップと、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップの間に設けられた導電性の接合部と、を有し、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとは、前記貫通電極の前記一端面と、前記接続端子の前記第１の半導体チップと対向する面とが、平面視で重複しないように配されており、
前記導電性の接合部は前記パッドと前記接続端子を電気的に接続し、前記パッド上の第１の部分と、前記第１の半導体チップの前記第２の半導体チップに対向する面上にあり、前記第１の部分から延伸する第２の部分と、を有し、
前記接続端子は前記第２の部分と直接接触している半導体装置。
【請求項２】
前記パッドは、中央部が高く外周側に行くにつれて高さが低くなる凸形状のドーム型である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記パッドは、前記貫通電極の前記一端面から周囲に延伸している請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電性の接合部は、前記接続端子の前記第１の半導体チップと対向する面に形成され、前記パッドの表面を覆っている請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
平面視で、前記導電性の接合部は前記第１の部分と前記第２の部分の連結部で狭まっている請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記貫通電極は、互いに隣接する第１の貫通電極及び第２の貫通電極を含み、
前記接続端子は、互いに隣接する第１の接続端子及び第２の接続端子を含み、
前記第１の貫通電極の前記第２の半導体チップと対向する面と、前記第１の接続端子の前記第１の半導体チップと対向する面とは、平面視で重複しないように所定の方向にずれて配されており、
前記第２の貫通電極の前記第２の半導体チップと対向する面と、前記第２の接続端子の前記第１の半導体チップと対向する面とは、平面視で重複しないように前記所定の方向とは異なる方向にずれて配されている請求項１乃至５の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記パッドは、前記貫通電極の前記一端面と接する内側めっき層と、前記内側めっき層の表面全体を被覆する外側めっき層とを含む請求項１乃至６の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記外側めっき層は金層である請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の半導体チップが積層方向に積層されている、少なくとも一つの第３の半導体チップを更に有し、
前記第１の半導体チップは、前記少なくとも一つの第３の半導体チップに対向する面に接続端子を更に有し、
前記少なくとも一つの第３の半導体チップは、
貫通電極と、
前記貫通電極の前記第１の半導体チップに対向する一端面上のパッドと、を有し、
前記少なくとも一つの第３の半導体チップの前記貫通電極の前記一端面と、前記第１の半導体チップの前記接続端子の前記少なくとも一つの第３の半導体チップに対向する面とは、平面視で重複せず、
前記少なくとも一つの第３の前記パッドと前記第１の半導体チップの前記接続端子とは、他の接合部により電気的に接続されている請求項１乃至８の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記貫通電極の前記一端面は、前記第１の半導体チップの前記第２の半導体チップに対向する面と略面一であり、
前記パッドは、前記貫通電極の一端面の周囲を越えて前記第１の半導体チップの前記第２の半導体チップに対向する面上に延伸している請求項１乃至９の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の半導体チップが基板と基板上の絶縁層を有し、
前記導電性の接合部の前記第２の部分が、前記絶縁層の前記第２の半導体チップに対向する面上にあり、
前記パッドが前記貫通電極の前記一端面の周囲を越えて前記絶縁層の前記第２の半導体チップに対向する面上に延出している請求項１乃至１０の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記導電性の接合部は、前記パッドとは異なる金属材料から形成されている請求項１乃至１１の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記導電性の接合部ははんだからなり、前記パッドはめっき層からなる請求項１乃至１２の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
貫通電極、及び前記貫通電極の一端面に無電解めっき法により形成されたパッド、を備えた第１の半導体チップを準備する工程と、
接続端子を備えた第２の半導体チップを準備する工程と、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを、前記パッドが形成された面と前記接続端子が形成された面とが対向するように配し、前記パッドと前記接続端子とを導電性の接合部を介して電気的に接続する工程と、を有し、
前記電気的に接続する工程において、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとは、前記貫通電極の前記一端面と、前記接続端子の前記第１の半導体チップと対向する面とが、平面視で重複しないように配され、
前記導電性の接合部は、前記パッド上の第１の部分と、前記第１の半導体チップの前記第２の半導体チップに対向する面上にあり、前記第１の部分から延伸する第２の部分と、を有するように形成され、前記接続端子は前記第２の部分と直接接触する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本半導体装置は、貫通電極、及び前記貫通電極の一端面に形成されたパッド、を備えた第１の半導体チップと、接続端子を備え、前記接続端子が形成された側と前記パッドが形成された側とが対向するように、前記第１の半導体チップ上に積層された第２の半導体チップと、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップの間に設けられた導電性の接合部と、を有し、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとは、前記貫通電極の前記一端面と、前記接続端子の前記第１の半導体チップと対向する面とが、平面視で重複しないように配されており、前記導電性の接合部は前記パッドと前記接続端子を電気的に接続し、前記パッド上の第１の部分と、前記第１の半導体チップの前記第２の半導体チップに対向する面上にあり、前記第１の部分から延伸する第２の部分と、を有し、前記接続端子は前記第２の部分と直接接触していることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月16日(2018.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数のリードを有するリードフレームと、
前記リードフレームを厚さ方向に貫通し、前記複数のリードを画定する開口部と、
前記リードと電気的に接続され、前記リードフレームに実装された半導体素子と、
前記リードフレームの上面を被覆し、前記半導体素子を封止するとともに、前記開口部の一部に形成された樹脂層と、を有し、
前記リードフレームの側面は、前記開口部の内側に突出する突出部を有し、
前記突出部は、前記リードの先端部の側面及び前記リードの長手方向に延びる側面に形成されており、
前記樹脂層は、前記突出部の下面を含む表面全面を被覆するように、且つ前記リードフレームの下面側の側面を露出させるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリードとを有するリードフレームと、
前記リードフレームを厚さ方向に貫通し、前記ダイパッドと前記複数のリードとを画定する開口部と、
前記ダイパッドの上面に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リードの上面とを電気的に接続する金属線と、
前記リードフレームの上面を被覆し、前記半導体素子及び前記金属線を封止するとともに、前記開口部の一部に形成された樹脂層と、を有し、
前記リードフレームの側面は、前記開口部の内側に突出する突出部を有し、
前記突出部は、前記リードの先端部の側面及び前記リードの長手方向に延びる側面に形成されており、
前記樹脂層は、前記突出部の下面を含む表面全面を被覆するように、且つ前記リードフレームの下面側の側面を露出させるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、複数のリードを有するリードフレームと、前記リードフレームを厚さ方向に貫通し、前記複数のリードを画定する開口部と、前記リードと電気的に接続され、前記リードフレームに実装された半導体素子と、前記リードフレームの上面を被覆し、前記半導体素子を封止するとともに、前記開口部の一部に形成された樹脂層と、を有し、前記リードフレームの側面は、前記開口部の内側に突出する突出部を有し、前記突出部は、前記リードの先端部の側面及び前記リードの長手方向に延びる側面に形成されており、前記樹脂層は、前記突出部の下面を含む表面全面を被覆するように、且つ前記リードフレームの下面側の側面を露出させるように形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月7日(2018.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記現像液の溶解フォトレジスト濃度と相関のある前記現像液の特性値と前記現像液の吸収二酸化炭素濃度と相関のある前記現像液の特性値とを含む前記現像液の複数の特性値を測定する複数の測定装置をさらに備え、
前記制御手段が、前記複数の測定装置により測定された前記現像液の複数の特性値から、多変量解析法を用いて、前記現像液の溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度の測定値を算出する演算部をさらに備える請求項２に記載の現像液管理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
繰り返し使用される、アルカリ性を示す現像液の溶解フォトレジスト濃度と相関関係のある吸光度及び吸収二酸化炭素濃度を指標として特定される濃度領域ごとに所定の現像性能となることが予め確認された前記現像液のアルカリ濃度値を有するアルカリ濃度データが格納されているデータ記憶部と、
前記現像液の吸光度及び吸収二酸化炭素濃度の測定値により特定される濃度領域の前記データ記憶部に格納された前記アルカリ濃度値を制御目標値として、前記現像液のアルカリ濃度が前記制御目標値となるように前記現像液に補給される補充液を送液する流路に設けられた制御弁に制御信号を発する制御部と、
を備えた制御手段、
を備える現像液管理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の現像液管理装置によれば、繰り返し使用される、アルカリ性を示す現像液の溶解フォトレジスト濃度と相関関係のある吸光度及び吸収二酸化炭素濃度を指標として特定される濃度領域ごとに所定の現像性能となることが予め確認された前記現像液のアルカリ濃度値を有するアルカリ濃度データが格納されているデータ記憶部と、前記現像液の吸光度及び吸収二酸化炭素濃度の測定値により特定される濃度領域の前記データ記憶部に格納された前記アルカリ濃度値を制御目標値として、前記現像液のアルカリ濃度が前記制御目標値となるように前記現像液に補給される補充液を送液する流路に設けられた制御弁に制御信号を発する制御部と、を備えた制御手段、を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
制御手段２１は、データ記憶部２３、制御部３１、及び演算部３２を備えている。演算部３２は、測定部１で測定された現像液の複数の特性値から、多変量解析法により、現像液の溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度の測定値を算出する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
演算部３２は、測定部１で測定された吸光度、及び密度から多変量解析法により、現像液の溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度の測定値を算出する。この際、導電率、吸光度、及び密度から多変量解析法により溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度の測定値を算出することもできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
次に、現像液の複数の特性値から、溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度を、多変量解析法により算出する手法について説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
重回帰分析法は校正と予測の二段階からなる。ｎ成分系の重回帰分析法において、校正標準溶液をｍ個用意したとする。ｉ番目の溶液中に存在するｊ番目の成分の濃度をＣｉｊと表す。ここで、ｉ＝１〜ｍ、ｊ＝１〜ｎである。ｍ個の標準溶液について、それぞれ、ｐ個の特性値（例えば、ある波長における吸光度とか導電率などの特性値）Ａｉｋ（ｋ＝１〜ｐ）を測定する。濃度データと特性データは、それぞれ、まとめて行列の形（Ｃ，Ａ）に表すことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
実験は、１１個の校正標準溶液について、導電率値、波長λ＝５６０ｎｍにおける吸光度値、及び、密度値を現像液の特性値として測定し、各成分濃度を線形重回帰分析法（Multiple Linear Regression − Inverse Least Squares；ＭＬＲ−ＩＬＳ）により演算した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
測定部１は、導電率計１１、第１特性値測定手段１２Ａ、及び第２特性値測定手段１３Ａを備えている。演算手段３６は、第１特性値測定手段１２Ａ、及び第２特性値測定手段１３Ａにより測定された吸光度、及び密度から多変量解析法により、現像液の溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度の測定値を算出する。この際、導電率、吸光度、及び密度から多変量解析法により溶解フォトレジスト濃度の測定値及び吸収二酸化炭素濃度を算出することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月26日(2018.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
加えて、現像液に吸収された二酸化炭素の濃度（以下、「吸収二酸化炭素濃度」ともいう。）については、これと良好な相関を示す現像液の適当な特性値が知られておらず、従来は、吸収二酸化炭素濃度を精度よく測定することは困難であった。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月18日(2018.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
第２化合物半導体層２２の上には、ＳｉＮから成り、厚さ０．０５μｍのパッシベーション膜２５が形成されており、これによって、キャリアが再結合し難い構造となっている。カソード電極（陰極）として機能する（即ち、電子を取り出す電極として機能する）第１電極３１は、厚さ０．０２μｍのＩＴＯ、ＩＴｉＯ、ＮｉＯ、又は、これらの材料から成る層の積層構造から成る。一方、アノード電極（陽極）として機能する（即ち、正孔を取り出す電極として機能する）第２電極３２はＴｉ／Ｗの積層構造から成る。第２電極３２と第２化合物半導体層２２との間には、厚さ０．０５μｍのｐ++−ＩｎＧａＡＳから成るｐ側コンタクト層（図示せず）が形成されている。第２電極３２及びパッシベーション膜２５の上には、ＳｉＯ2といった絶縁材料から成る絶縁層２６が形成されている。また、絶縁層２６には、第２電極３２に接続された銅（Ｃｕ）から成るコンタクト部２７が形成されている。図１に示した例では、図示しない読出し用集積回路（ＲＯＩＣ）及び銅（Ｃｕ）から成る接続部５１が形成された駆動用基板５０と、受光素子１０とは、接続部５１とコンタクト部２７とが接するように重ね合わせ、接続部５１とコンタクト部２７とを接合することで、積層されている。第１電極３１の光入射面には、ＳｉＯ2から成る反射防止膜２８が形成されている。接続部５１と接続部５１の間の駆動用基板５０には、絶縁材料層５２が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
受光素子１０の配列ピッチ（Ｌ1）を５μｍとし、図１に示すＬ1，Ｌ2，Ｌ3，Ｌ4，Ｌ5，Ｌ6の値、第１化合物半導体層２１の厚さＴ1、第２化合物半導体層２２の厚さＴ2を以下の表１のとおりとして、電界ポテンシャルのシミュレーションを行った。隣接する受光素子の間の距離（隣接画素間の距離）はＬ4＝１．０μｍである。第１電極３１に０ボルトを印加し、第２電極３２には−０．１ボルトを印加する条件とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に、受光素子１０の配列ピッチ（Ｌ1）を３．７μｍとし、図１に示すＬ1，Ｌ2，Ｌ3，Ｌ4，Ｌ5，Ｌ6の値、第１化合物半導体層２１の厚さＴ1を以下の表３のとおりとして、電界ポテンシャルのシミュレーションを行った。隣接する受光素子の間の距離（隣接画素間の距離）はＬ4＝１．０μｍである。第１電極３１に０ボルトを印加し、第２電極３２には−０．１ボルト又は−１．０ボルトを印加する条件とした。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月15日(2018.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線構造を有する電子装置であって、
下地層と、
前記下地層の上に配設されたパターニングされた配線と、
前記下地層および前記配線の上に形成された絶縁膜と、を備え、
前記絶縁膜は、
少なくとも前記配線の上方に対応する部分の膜厚が周囲より薄くなった薄膜部を有する、電子装置。
【請求項２】
前記薄膜部は、
前記薄膜部の前記配線の延在方向とは直交する方向の端縁部が、前記配線の幅方向の２つの端縁部より内側に収まるように設けられる、請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記薄膜部は、
前記薄膜部の前記配線の延在方向とは直交する方向の端縁部が、前記配線の幅方向の２つの端縁部の外側まで延在するように設けられる、請求項１記載の電子装置。
【請求項４】
前記薄膜部は、
前記薄膜部の前記配線の延在方向とは直交する方向の端縁部の一方が、前記配線の幅方向の２つの端縁部のうち一方の外側まで延在するように設けられる、請求項１記載の電子装置。
【請求項５】
前記薄膜部は、
前記薄膜部の前記配線の延在方向とは直交する方向の端縁部の一方が、前記配線の幅方向の２つの端縁部のうち一方の外側まで延在するように設けられた第１の薄膜部と、
前記薄膜部の前記配線の延在方向とは直交する方向の前記端縁部の他方が、前記配線の幅方向の２つの前記端縁部のうち他方の外側まで延在するように設けられた第２の薄膜部とで一組をなし、前記第１の薄膜部と前記第２の薄膜部とは間を開けて並べて設けられる、請求項１記載の電子装置。
【請求項６】
前記薄膜部は、
前記配線の幅方向の前記端縁部を越えて延在する延在部の厚みが、前記配線の厚みと同程度に設定される、請求項３から請求項５の何れか１項に記載の電子装置。
【請求項７】
前記薄膜部は、
前記配線の幅方向の前記端縁部を越えて延在する延在部の長さが、前記絶縁膜の厚み以上に設定される、請求項３から請求項５の何れか１項に記載の電子装置。
【請求項８】
前記薄膜部は、
前記配線の延在方向に沿って複数設けられる、請求項１記載の電子装置。
【請求項９】
請求項１記載の電子装置の製造方法であって、
前記絶縁膜に前記薄膜部を形成する工程は、
（ａ）写真製版工程により、前記絶縁膜上の前記薄膜部に対応する部分が凹部となって他の部分よりも薄くなったレジストパターンを形成する工程と、
（ｂ）前記凹部が消滅して開口部が形成されるように前記レジストパターンの膜厚を減じる工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、膜厚を減じた前記レジストパターンを用いて、エッチングにより、前記開口部下の前記絶縁膜の厚さを薄くして前記薄膜部を形成する工程と、を備える、電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ａ）は、
前記薄膜部に対応する部分が、露光光を全て透過させる透過部より透過率の低い半透過部となったグレートーンマスクを用いてフォトレジストを露光する工程を含む、請求項９記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８記載の電子装置のリペア方法であって、
（ａ）前記配線の欠陥部分を挟む少なくとも２箇所の前記薄膜部にそれぞれレーザー光を照射して前記薄膜部の前記絶縁膜を除去し、前記配線に達する貫通孔を形成する工程と、
（ｂ）前記貫通孔に露出する前記配線を少なくとも覆って、前記少なくとも２箇所の前記薄膜部に渡るように導体膜を形成して、前記欠陥部分を電気的に短絡する工程と、を備える、リペア方法。
【請求項１２】
前記工程（ｂ）は、
レーザーＣＶＤにより前記導体膜を形成する、請求項１１記載のリペア方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2017028002.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2017028002.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2017028002.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2017028002.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体に固定される通信ケーブルであって、
前記筐体に形成された開口部に挿通された際に前記開口部からはみ出す長さを有するケーブル部と、
前記ケーブル部に取り付けられ当該ケーブル部が前記開口部に挿通された際に前記筐体の内側に配置されることになる内側ブッシュと、
前記ケーブル部に取り付けられ当該ケーブル部が前記開口部に挿通された際に前記筐体の外側に配置されることになる外側ブッシュと、
を備えたことを特徴とする通信ケーブル。
【請求項２】
前記内側ブッシュには、前記筐体内に配置された部品あるいは前記筐体の内壁部の一部との接触を避けるための切欠部を設けたことを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項３】
前記内側ブッシュ及び前記外側ブッシュは、前記ケーブル部を三方から囲む肉厚部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の通信ケーブル。
【請求項４】
前記内側ブッシュ及び前記外側ブッシュは、前記ケーブル部の外周を一周して取り付けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の通信ケーブル。
【請求項５】
前記内側ブッシュ及び前記外側ブッシュは、前記開口部の周囲の壁面部に対して斜め方向から当接する当接面を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の通信ケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本実施形態は、筐体に固定される通信ケーブルであって、次の構成要素（１）〜（３）を備えている。
（１）前記筐体に形成された開口部に挿通された際に前記開口部からはみ出す長さを有するケーブル部。
（２）前記ケーブル部に取り付けられ当該ケーブル部が前記開口部に挿通された際に前記筐体の内側に配置されることになる内側ブッシュ。
（３）前記ケーブル部に取り付けられ当該ケーブル部が前記開口部に挿通された際に前記筐体の外側に配置されることになる外側ブッシュ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月27日(2018.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作時に熱を発生する電子部品と、
前記電子部品が発生する熱が伝わり、ユーザが把持する外装部材と、
第一の融点を持つ第一の潜熱蓄熱材を有する第一の蓄熱部材と、
前記第一の融点より高い第二の融点を持つ第二の潜熱蓄熱材を有する第二の蓄熱部材とを備え、
前記第一の蓄熱部材は、前記電子部品と前記外装部材とを含む、前記電子部品から前記外装部材への伝熱経路の少なくとも一箇所に設けられ、
前記第二の蓄熱部材は、前記伝熱経路における、前記第一の蓄熱部材の接続箇所よりも前記電子部品の動作時の温度が高い箇所に設けられる
ことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第一の融点をＴｍＬ、前記第二の融点をＴｍＨ、前記外装部材の熱設計上の許容温度をＴｃとすると、
ＴｍＬ＜Ｔｃ＜ＴｍＨ
であることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記電子部品から前記第一の蓄熱部材に至るまでの熱抵抗が、前記電子部品から前記第二の蓄熱部材に至るまでの熱抵抗より大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記電子機器の動作時に前記第一の蓄熱部材に含まれる前記第一の潜熱蓄熱材が融解し始めてから融解し終わるまでの期間と、前記第二の蓄熱部材に含まれる前記第二の潜熱蓄熱材が融解し始めてから融解し終わるまでの期間とが重なるように、潜熱蓄熱材の量と融点とが設定されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記第一の蓄熱部材と第二の蓄熱部材とは、潜熱蓄熱材を金属製または樹脂製の容器に充填して成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記第一の蓄熱部材と第二の蓄熱部材とは、潜熱蓄熱材を樹脂またはゴム部材に添加して成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記第一の蓄熱部材と第二の蓄熱部材とは、潜熱蓄熱材を２枚のシート部材で挟み、端部を密閉して成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記２枚のシート部材は、一方が断熱性のシート部材であり、他方が所定の熱伝導率を有する熱伝導性のシート部材であることを特徴とする請求項７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記第一の蓄熱部材と、前記第二の蓄熱部材または前記外装部材とは、断熱部材により断熱されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記電子部品は、撮像素子であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子機器として機能する撮像装置。
【請求項１１】
前記撮像素子が発生する熱を光軸に対して垂直方向に伝導した上で前記第二の蓄熱部材に伝える熱伝導部材を備えることを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一実施形態の電子機器は、動作時に熱を発生する電子部品と、前記電子部品が発生する熱が伝わり、ユーザが把持する外装部材と、第一の融点を持つ第一の潜熱蓄熱材を有する第一の蓄熱部材と、前記第一の融点より高い第二の融点を持つ第二の潜熱蓄熱材を有する第二の蓄熱部材とを備える。前記第一の蓄熱部材は、前記電子部品と前記外装部材とを含む、前記電子部品から前記外装部材への伝熱経路の少なくとも一箇所に設けられる。前記第二の蓄熱部材は、前記伝熱経路における、前記第一の蓄熱部材の接続箇所よりも前記電子部品の動作時の温度が高い箇所に設けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月23日(2018.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変倍可能な主光学系により形成された被写体像を撮像する主撮像系と、
前記主光学系の広角端での画角以上の画角を有する第１の副光学系により形成された被写体像を撮像する第１の副撮像系と、
前記主光学系の広角端での画角より狭く、望遠端の画角以上の画角を有する第２の副光学系により形成された被写体像を撮像する第２の副撮像系とを有する撮像装置であって、前記主光学系を保持する光学鏡筒が該撮像装置の本体に対して繰り出し可能であって、前記第１および第２の副光学系が前記本体に設けられており、
前記主光学系の光軸に対して前記第１の副光学系の光軸および前記第２の副光学系の光軸が離間する方向をそれぞれ、第ｉを第１または第２として、第ｉの光軸離間方向とし、前記主光学系の望遠端での第２の光軸離間方向での半画角をΩｔとし、
前記主光学系の望遠端での焦点距離をｆｔとし、
前記第２の副光学系と前記主光学系の光軸間距離をＮとし、
前記第１および第２の副光学系のうち、第ｉの副光学系の前記第ｉの光軸離間方向での半画角をωｉとし、
前記第ｉの副光学系の光軸と前記光学鏡筒のうち前記本体側から数えてｊ段目の鏡筒部の外周面までの前記第ｉの光軸離間方向での距離をＬｉｊとし、
前記第１および第２の副光学系における最も被写体側の光学面に対する前記ｊ段目の鏡筒部の繰り出し量をＭｊとするとき、
【数１】
2017028611.tif 000001
【数２】
2017028611.tif 000002
なる条件を満足することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１および第２の副光学系が単焦点光学系であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記主撮像系において前記被写体像を光電変換する主撮像素子と、
前記第１および第２の副撮像系のそれぞれにおいて前記被写体像を光電変換する副撮像素子とを有し、
前記主撮像素子の撮像領域よりも前記副撮像素子の撮像領域が狭いことを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の副光学系と前記主光学系との光軸間距離が、
前記第２の副光学系と前記主光学系との光軸間距離と異なることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記主撮像系により生成される主画像および前記第１および第２の副撮像系のそれぞれにより生成される副画像を用いて、前記主撮像系の撮像画角内での被写体距離情報を取得する距離取得手段を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記主光学系において設定された画角に応じて、前記第１および第２の副撮像系のうち前記被写体距離情報を取得するために用いる副撮像系を選択する選択手段を有することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記距離取得手段は、前記被写体距離情報を取得する際に、前記主撮像系の撮像画角と前記選択手段により選択された副撮像系の撮像画角とが異なる場合は、該選択された副撮像系により生成された前記副画像から前記主撮像系の撮像画角に対応する画像領域をトリミングして拡大することで得られた拡大画像を用いて前記被写体距離情報を取得することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記主撮像系により生成される主画像および前記第１および第２の副撮像系のそれぞれにより生成される副画像を合成して合成画像を生成する画像合成手段を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一側面としての撮像装置は、変倍可能な主光学系により形成された被写体像を撮像する主撮像系と、主光学系の広角端での画角以上の画角を有する第１の副光学系により形成された被写体像を撮像する第１の副撮像系と、主光学系の広角端での画角より狭く、望遠端の画角以上の画角を有する第２の副光学系により形成された被写体像を撮像する第２の副撮像系とを有する。主光学系を保持する光学鏡筒が該撮像装置の本体に対して繰り出し可能であって、第１および第２の副光学系が本体に設けられている。主光学系の光軸に対して第１の副光学系の光軸および第２の副光学系の光軸が離間する方向をそれぞれ、第ｉを第１または第２として、第ｉの光軸離間方向とし、主光学系の望遠端での第２の光軸離間方向での半画角をΩｔとし、主光学系の望遠端での焦点距離をｆｔとし、第２の副光学系と主光学系の光軸間距離をＮとし、第１および第２の副光学系のうち、第ｉの副光学系の第ｉの光軸離間方向での半画角をωｉとし、第ｉの副光学系の光軸と光学鏡筒のうち本体側から数えてｊ段目の鏡筒部の外周面までの第ｉの光軸離間方向での距離をＬｉｊとし、第１および第２の副光学系における最も被写体側の光学面に対するｊ段目の鏡筒部の繰り出し量をＭｊとする。このとき、
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月25日(2017.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素と、コントローラと、を有し、
前記画素は、第１の光電変換素子と、第１のトランジスタと、を有し、
前記第１の光電変換素子の一方の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記コントローラは、第２の光電変換素子と、コンパレータ回路と、セレクタ回路と、を有する撮像装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記セレクタ回路の出力端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続されている撮像装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記コンパレータ回路の出力端子は、前記セレクタ回路の選択信号入力端子と電気的に接続されている撮像装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記セレクタ回路の第１の入力端子には、第１の電位又は第２の電位が供給され、
前記セレクタ回路の第２の入力端子には、第３の電位又は第４の電位が供給され、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタのゲートに印加された場合に、前記第１のトランジスタのソースとドレインが導通する電位であり、
前記第２の電位及び前記第４の電位は、前記第１のトランジスタのゲートに印加された場合に、前記第１のトランジスタのソースとドレインが導通しない電位であり、
前記第３の電位は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方に印加された場合に、前記第１の光電変換素子においてアバランシェ増倍現象が発生する電位である撮像装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記コンパレータ回路の非反転入力端子又は反転入力端子の一方には、前記第２の光電変換素子に照射される光の照度に対応する電位が供給され、
前記コンパレータ回路の非反転入力端子又は反転入力端子の他方には、基準となる光の照度に対応する電位が供給される撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記コントローラは、第２のトランジスタと、インバータ回路と、を有し、
前記コンパレータ回路の出力端子は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記インバータ回路の入力端子と電気的に接続されている撮像装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されている撮像装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方には、前記第３の電位が供給される撮像装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記コントローラは、第３のトランジスタを有し、
前記インバータ回路の出力端子は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続されている撮像装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されている撮像装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方には、第５の電位が供給され、
前記第５の電位は、前記第３の電位より低い撮像装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記第１の光電変換素子と、前記第２の光電変換素子と、はセレンを含む材料を有する撮像装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタは、活性層に酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有する撮像装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記画素は、第４のトランジスタを有し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されている撮像装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第４のトランジスタは、活性層に酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有する撮像装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５において、
前記コントローラは、カレントミラー回路を有し、
前記カレントミラー回路は、前記第２の光電変換素子の一方の端子、及び前記コンパレータ回路の非反転入力端子又は反転入力端子の一方と電気的に接続されている撮像装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項において、
前記コントローラは、第５のトランジスタを有し、
前記第５のトランジスタは、前記コンパレータ回路の非反転入力端子又は反転入力端子の一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタは、定電流源としての機能を有する撮像装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の撮像装置と、表示装置と、を有する電子機器。
【請求項１９】
第１の光電変換素子を有する画素と、第２の光電変換素子を有するコントローラと、を有する撮像装置において、
第１のモードまたは第２のモードにより動作し、
前記第２のモードでは、前記第１の光電変換素子に照射する光の照度が増加した場合における前記画素への書き込み電流の増加率が、前記第１のモードより小さく、
第１のステップにおいて、前記第２の光電変換素子に光が照射され、
第２のステップにおいて、前記第２の光電変換素子に照射された光の照度が基準より高いか否かを判定し、前記基準より高い場合は第３のステップにおいて、前記第１の光電変換素子の両端の端子に、０Ｖ以上かつ、アバランシェ増倍現象が発生しない電圧を印加した上で前記第１のモードにより撮像を行い、
前記第２の光電変換素子に照射された光の照度が前記基準より低い場合は第４のステップにおいて、前記第１の光電変換素子の両端の端子に、アバランシェ増倍現象が発生する電圧を印加した上で前記第２のモードにより撮像を行う撮像装置の動作方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記第１の光電変換素子と、前記第２の光電変換素子と、はセレンを含む材料を有する撮像装置の動作方法。