【事件の表示】
　平成１１年特許願第３４６０３４号「薄膜磁気ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　５月１６日出願公開、特開２０００−１３７９０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１０年７月３１日に出願した特願平１０−２１６８７０号の一部を平成１１年１２月６日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１ないし７に係る発明は、平成１４年６月１３日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、本願特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】　下部シールド層と、前記下部シールド層の上に形成された磁気抵抗効果素子層と、前記磁気抵抗効果素子層の上に形成されシールド機能とコア機能を兼用する上部シールド層と、前記上部シールド層と記録媒体との対向面で、磁気ギャップを介して対向する上部コア層と、前記上部シールド層及び上部コア層に磁界を与えるコイル層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記上部シールド層は２層の磁性層が非磁性中間層を介して積層されたものであり、前記２層の磁性層のうち、上側に形成されている磁性層の飽和磁化Ｍｓが、下側に形成されている磁性層の飽和磁化Ｍｓよりも大きく、且つ前記上側の磁性層のトラック幅方向における両側端部と、下側の磁性層のトラック幅方向における両側端部とが、膜厚方向で揃っていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平９−３２６１０５号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「【請求項１】　磁気抵抗効果型磁気変換素子と、誘導型磁気変換素子とを含む複合型薄膜磁気ヘッドであって、
　前記磁気抵抗効果型磁気変換素子は、磁気抵抗効果膜と、第１の磁気シールド膜と、第２の磁気シールド膜とを含み、前記第１の磁気シールド膜及び前記第２の磁気シールド膜が前記磁気抵抗効果膜の両側に備えられており、
　前記誘導型磁気変換素子は、第１の磁性膜、絶縁膜によって支持されたコイル膜、第２の磁性膜及びギャップ膜による薄膜磁気回路を有し、前記第１の磁性膜が前記第２の磁気シールド膜に隣接するようにして、前記磁気抵抗効果型磁気変換素子と組み合わされており、
　前記第１の磁性膜及び前記第２の磁気シールド膜は、非磁性膜によって分離されており、前記非磁性膜は、膜厚が前記第２の磁気シールド膜及び前記第１の磁性膜の間に磁気的結合を生じさせる値に選定されており、
　前記第１の磁性膜は、第１のポール部を有し、前記第１のポール部の幅が前記第２の磁気シールド膜の幅よりも狭くなっており、更に、前記第１の磁性膜は、飽和磁束密度が前記第２の磁気シールド膜の飽和磁束密度よりも高い複合型薄膜磁気ヘッド。」（公報の特許請求の範囲請求項１）
（イ）　「【０００４】　特開平７−１６９０２３号公報には中間非磁性膜を介してＮｉ−Ｆｅ合金を多数積層した膜を磁気シールド膜とした例が開示されている。これにより透磁率が向上し、また、磁区が安定化することによってノイズが減少すると報告されている。」
（ウ）　「【０００６】　このような要望に対応する一つの手段として、上部磁気シールド膜が誘導型磁気変換素子の下部磁性膜を兼ねる構造が採用されている。この構造は特開昭５１−４４９１７号公報に開示されている。
　　　　【０００７】　ところが、上部磁気シールド膜が下部磁性膜を兼ねている誘導型磁気変換素子は、下部磁性膜は摺動面（空気ベアリング面）においてポールを形成していない。このため、上部磁気シールド膜が下部磁性膜を兼ねている誘導型磁気変換素子で書き込んだ場合、上部ポール、下部ポールを有する誘導型磁気変換素子を用いて書き込んだときよりも、記録状態が不明瞭（記録フリンジング）になってしまう。」
（エ）　「【００３０】　誘導型磁気変換素子に含まれる第１の磁性膜及び第２の磁気シールド膜は、非磁性膜によって分離されている。かかる構成によれば、第２の磁気シールド膜及び第１の磁性膜を、それぞれに要求される特性を満たす材料によって、独立に形成することができる。
　　　　【００３１】　非磁性膜の膜厚は第２の磁気シールド膜及び第１の磁性膜の間に磁気的結合を生じさせる値に選定されている。このような構成によれば、第２の磁気シールド膜及び第１の磁性膜の間に磁気的結合を生じさせ、書き込み能力及び記録密度を向上させると共に、サイドフリンジングを防止できる。（後略）。
　　　　【００３２】　また、第１の磁性膜は、飽和磁束密度が第２の磁気シールド膜の飽和磁束密度よりも高いから、記録能力を向上させ、かつ、磁気シールド膜の影響によるＭＲ磁気変換素子の再生感度の低下及び安定性の劣化を回避することができる。
　　　　【００３３】　更に、誘導型磁気変換素子を構成する第１のポール部の幅は、第２の磁気シールド膜の幅よりも狭くなっている。このような構造であると、空気ベアリング面において、第１の磁性膜のポール部を形成し、明瞭な記録状態を実現することができる。」
（オ）　「【００５０】　第１の磁性膜３１２としては、Ｎｉ−Ｆｅ合金よりも飽和磁束密度が大きなＦｅ−Ｚｒ−Ｎ合金を用いることができる。高飽和磁束密度材料を用いるのは、周知のように、オーバーライト特性をはじめとする記録特性を向上させるためである。ここでは前記組成系の合金を用いているが、組成系はこれに限定されるものではなく、他にも例えばＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉの３元系合金等を用いることが可能である。
　　　　【００５１】　第２の磁気シールド膜３１１としては、Ｎｉ−Ｆｅ合金よりも飽和磁束密度が小さなＮｉ−Ｆｅ−Ｔａ合金を用いる。第２の磁気シールド膜３１１として、前述した低飽和磁束密度材料を用いるのは、飽和磁束密度が高い材料を用いると、磁気シールド膜からの静磁界の影響が強く、磁界応答磁性膜の磁化反転が鈍り、感度が低下するためである。（中略）そこで本実施例では比較的透磁率は高く、飽和磁束密度が小さな上記組成材料を磁気シールド膜として用いている。（後略）」
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、上記２に摘示した記載事項、特に上記（ア）によれば、
　「磁気抵抗効果型磁気変換素子と、誘導型磁気変換素子とを含む複合型薄膜磁気ヘッドであって、
　前記磁気抵抗効果型磁気変換素子は、磁気抵抗効果膜と、第１の磁気シールド膜と、第２の磁気シールド膜とを含み、前記第１の磁気シールド膜及び前記第２の磁気シールド膜が前記磁気抵抗効果膜の両側に備えられており、
　前記誘導型磁気変換素子は、第１の磁性膜、絶縁膜によって支持されたコイル膜、第２の磁性膜及びギャップ膜による薄膜磁気回路を有し、前記第１の磁性膜が前記第２の磁気シールド膜に隣接するようにして、前記磁気抵抗効果型磁気変換素子と組み合わされており、
　前記第１の磁性膜及び前記第２の磁気シールド膜は、非磁性膜によって分離されており、前記非磁性膜は、膜厚が前記第２の磁気シールド膜及び前記第１の磁性膜の間に磁気的結合を生じさせる値に選定されており、
　前記第１の磁性膜は、第１のポール部を有し、前記第１のポール部の幅が前記第２の磁気シールド膜の幅よりも狭くなっており、更に、前記第１の磁性膜は、飽和磁束密度が前記第２の磁気シールド膜の飽和磁束密度よりも高い複合型薄膜磁気ヘッド。」
　の発明が記載されている。
　引用例１に記載された発明の「第１の磁気シールド膜」「磁気抵抗効果膜」「ギャップ膜」「第２の磁性膜」「コイル膜」は、それぞれ本願発明の「下部シールド層」「磁気抵抗効果素子層」「磁気ギャップ」「上部コア層」「コイル層」に相当している。
　引用例１に記載された発明では、「磁気抵抗効果型磁気変換素子」と「誘導型磁気変換素子」とは、「第１の磁性膜が第２の磁気シールド膜に隣接するようにして組み合わされており」、「前記第１の磁性膜及び前記第２の磁気シールド膜は、非磁性膜によって分離されており、前記非磁性膜は、膜厚が前記第２の磁気シールド膜及び前記第１の磁性膜の間に磁気的結合を生じさせる値に選定されて」いることから、引用例１に記載された発明の「第２の磁気シールド膜と第１の磁性膜」は、本願発明の「シールド機能とコア機能を兼用する上部シールド層」を構成する「２層の磁性層」に相当し、引用例１に記載された発明の「第２の磁気シールド膜」「第１の磁性膜」は、それぞれ本願発明の「下側に形成されている磁性層」「上側に形成されている磁性層」に相当し、引用例１に記載された発明の「非磁性膜」は、本願発明の「非磁性中間層」に相当している。
　引用例１に記載された発明では、第１の磁性膜（本願発明の「上部シールド層の上側に形成されている磁性層」に相当）と第２の磁性膜（本願発明の「上部コア層」に相当）とギャップ膜とコイル膜とで誘導型磁気変換素子の薄膜磁気回路を構成しているから、引用例１に記載された発明の「コイル膜」は、「上部シールド層及び上部コア層に磁界を与える」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された発明では、「第１の磁性膜は、飽和磁束密度が第２の磁気シールド膜の飽和磁束密度よりも高」く構成されているところ、飽和磁束密度の高低（大小）は飽和磁化の大小と実質的に同じことであるので、「上側に形成されている磁性層」は、飽和磁化が「下側に形成されている磁性層」より大きい構成を備えているといえる。
　してみると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「下部シールド層と、前記下部シールド層の上に形成された磁気抵抗効果素子層と、前記磁気抵抗効果素子層の上に形成されシールド機能とコア機能を兼用する上部シールド層と、前記上部シールド層と記録媒体との対向面で、磁気ギャップを介て対向する上部コア層と、前記上部シールド層及び上部コア層に磁界を与えるコイル層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記上部シールド層は２層の磁性層が非磁性中間層を介して積層されたものであり、前記２層の磁性層のうち、上側に形成されている磁性層の飽和磁化Ｍｓが、下側に形成されている磁性層の飽和磁化Ｍｓよりも大きい薄膜磁気ヘッド。」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
（相違点）　「上部シールド層」について、本願発明は、「上側の磁性層のトラック幅方向における両側端部と、下側の磁性層のトラック幅方向における両側端部とが、膜厚方向で揃っている」と特定しているのに対して、引用例１に記載された発明では、第１の磁性膜（本願発明の「上側の磁性層」に相当）は、第１のポール部を有し、前記第１のポール部の幅が第２の磁気シールド膜（本願発明の「下側の磁性層」に相当）の幅よりも狭くなっている点。
　
（２）相違点についての判断
　引用例１には、２つの磁性層を非磁性膜により分離させた構成により、２つの磁性層を、それぞれに要求される特性を満たす材料によって、独立に形成することができること（段落３０）、当該非磁性膜の膜厚を、２つの磁性層間に磁気的結合を生じさせる値に選定する構成により、２つの磁性層の間に磁気的結合を生じさせ、書き込み能力及び記録密度を向上させると共に、サイドフリンジングを防止できること（段落３１）、また、上側の磁性層は、飽和磁束密度が下側の磁性層である第２の磁気シールド膜の飽和磁束密度よりも高い構成により、記録能力を向上させ、かつ、磁気シールド膜の影響によるＭＲ磁気変換素子の再生感度の低下及び安定性の劣化を回避することができること（段落３２）、更に、誘導型磁気変換素子を構成する第１のポール部の幅は、下側の磁性層である第２の磁気シールド膜の幅よりも狭くなっている構成により、空気ベアリング面において、上側の磁性層である第１の磁性膜のポール部を形成し、明瞭な記録状態を実現することができること（段落３３）と記載され、それぞれの構成により奏するそれぞれの作用効果が明記されていることから、これらのうちのいずれかの構成を取捨選択することは、当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。よって、上側の磁性層の形状として、ポール部を形成して下側の磁性層より狭くする構成を採用せず、従来技術（段落７）として記載されているような、ポール部を形成しないでシールド機能とコア機能を兼用する上部シールド層の周知の形状に倣って、引用例１に記載された発明の上側の磁性層の形状とすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　ここで、上記周知の形状は、上記の従来技術（段落７）の記載のほか、特開平５−２６６４３２号公報（図１，従来例の図４）、特開平２−２０８８１２号公報にも、従来例等として記載されている。
　請求人は、請求の理由で、「本願発明における、２層の磁性層のトラック幅方向における両側端部が膜厚方向で揃えられているという構成は、上部シールド層を構成する２層の磁性層間に、大きな静磁結合を発生させて両磁性層の磁化方向を安定化させるために最適な構成である」としてその作用効果を主張している。しかしながら、２層の磁性層間に非磁性膜を設けて静磁結合を発生させて単磁区化を促進し両磁性層の磁化方向を安定化させることは、従来より周知の技術であり、２層の磁性層の両側端部は通常揃っているものである。必要とあれば、引用例１の段落４の記載中の特開平７−１６９０２３号公報、特開平８−１２９７２０号公報（図６，図７）、特開昭５８−１７１７０９号公報にも記載されている。よって、２層の磁性層のトラック幅方向における両側端部が膜厚方向で揃えられているという構成は、静磁結合により磁化方向の安定化を向上させるための構成として、周知のものにすぎず、上記相違点による効果は、引用例１の記載及び周知の技術に基いて、当業者であれば予測しうる範囲内のものにすぎない。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。