【手続補正書】
【提出日】平成30年5月30日(2018.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そのために、本開示はとりわけ、以下の前記ＯＰＴ装置を提供する。
《態様１》電気エネルギーを光に変換するように構成された光源；及び
複数の光電変換デバイス
を有し、
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれは、
それぞれの第１の導電領域とそれぞれの第２の導電領域との間に挟まれた活性領域を有し、該活性領域は前記光源からの光を前記第１の導電領域中及び前記第２の導電領域中のどちらかに先に伝播させることなく受容するように配置されており、且つ
前記活性領域に受容された光を電気エネルギーに変換する、
光学的電力伝送（ＯＰＴ）装置であって、
前記複数の光電変換デバイスが電気的に直列に接続されている、
前記ＯＰＴ装置。
《態様２》前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記第１の導電領域がｎ−ドープされた半導体領域であり；
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記第２の導電領域がｐ−ドープされた半導体領域であり；
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記活性領域が、前記ｎ−ドープされた半導体領域と、前記ｐ−ドープされた半導体領域との間の空乏領域であり；
前記第１の導電領域、前記活性領域、および前記第２の導電領域が、第１の方向に積層されており、そして
前記光源からの光が前記第１の方向と実質的に直交する方向に伝播する、
態様１に記載のＯＰＴ装置。
《態様３》前記複数の光電変換デバイスが第１の光電変換デバイス及び第２の光電変換デバイスを含み、これら第１の光電変換デバイス及び第２の光電変換デバイスは、前記光源からの光が前記第２の光電変換デバイスの前記活性領域に伝播されるより先に前記第１の光電変換デバイスの前記活性領域に伝播されるように構成されており、
前記第２の光電変換デバイスにおける光の伝播距離は、前記第１の光電変換デバイスにおける光の伝播距離よりも長く、そして、
前記第２の光電変換デバイスにおける光の伝播距離及び前記第１の光電変換デバイスにおける光の伝播距離は、前記第２の光電変換デバイスから発生される電流が前記第１の光電変換デバイスから発生される電流と等しくなるように構成されている、
態様１に記載のＯＰＴ装置。
《態様４》光が前記複数の光電変換デバイスにおける前記活性領域中を一旦通過した後に、該光を反射して、前記複数の光電変換デバイスにおける前記活性領域中を再通過するように構成された鏡を更に有する、
態様１に記載のＯＰＴ装置。
《態様５》前記複数の光電変換デバイスは、光電変換デバイスのそれぞれが、前記第１の方向と直交する方向で他の光電変換デバイスと隣接しており、そして、
前記光源及び前記複数の光電変換デバイスは、前記光源からの光が、前記第１の方向と実質的に直交する方向に進行してそれぞれの光電変換デバイスにおける前記活性領域中を通過するように構成されている、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様６》前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記活性領域中の光の伝播距離は、前記光源からの光を照射したときに各光電変換デバイスが同量の電流を発生するように構成されている、
態様５に記載のＯＰＴ装置。
《態様７》それぞれの光電変換デバイスにおける前記ｎ−ドープされた半導体領域は、前記複数の光電変換デバイス中の隣接する光電変換デバイスにおける前記ｐ−ドープされた半導体領域と隣接している、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様８》前記複数の光電変換デバイスのそれぞれは、光源に最も近い光電変換デバイスを除いて、前記ｎ−ドープされた半導体領域が、前記複数の光電変換デバイス中の隣接する光電変換デバイスにおける前記ｐ−ドープされた半導体領域と電気的に接続されている、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様９》前記複数の光電変換デバイスのそれぞれは、光源に最も近い光電変換デバイスを除いて、前記ｐ−ドープされた半導体領域が、前記複数の光電変換デバイス中の隣接する光電変換デバイスにおける前記ｎ−ドープされた半導体領域と電気的に接続されている、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様１０》前記光源は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化インジウムガリウム（ＩｎＧａＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化インジウムガリウム（ＩｎＧａＡｓ）、ヒ化窒化インジウムガリウム（ＧａＩｎＮＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、及びリン化ガリウムインジウム（ＧａＩｎＰ）のうちの１種を含有する活性領域を有する半導体光源である、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様１１》前記複数の光電変換デバイスは、前記光源を囲む一連の同心円として構成されており、
光電変換デバイスのそれぞれは、実質的に前記第１の方向に突出したリング状の形状を有しており、そして、
光電変換デバイスのそれぞれは、実質的に前記光源を中心とし、且つ前記複数の光電変換デバイス中の他の光電変換デバイスと異なる円周を有する、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様１２》前記複数の光電変換デバイスは、前記光源を囲む同心円の弧として構成されており、
光電変換デバイスのそれぞれは、実質的に前記第１の方向に突出したリングの弧の形状を有しており、そして、
弧の形状の光電変換デバイスのそれぞれは、実質的に前記光源を中心とする曲率半径を有しており、且つこれらの中心角が等しい光電変換デバイスは、前記光源により近く配置された光電変換デバイスが前記光源により遠く配置された光電変換デバイスよりも小さい曲率半径を有するように、曲率半径が異なる、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様１３》前記複数の光電変換デバイスは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って配置されたブロックの列として構成されている、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様１４》前記光源と前記複数の光電変換デバイスとの間に配置された反射防止層を更に有する、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様１５》前記複数の光電変換デバイスのペアそれぞれの間に反射防止層を更に有する、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様１６》前記光源が、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＬＥＤ、レーザーＬＥＤ、及び垂直キャビティー面発光レーザーのうちの１種である、
態様２に記載のＯＰＴ装置。
《態様１７》前記光源及び前記複数の光電変換デバイスが一体のデバイスである、
態様１に記載の光学的電力伝送装置。
《態様１８》第１の光共振器；
電気エネルギーを光に変換するように構成された第１の光源；及び
第１の光電変換デバイス
を有し、
前記第１の光源は、前記第１の光共振器の光学モードとオーバーラップするように配置された活性領域を含み、
前記第１の光電変換デバイスは、前記第１の光共振器の光学モードとオーバーラップするように配置された活性領域を含み、且つ光を電気エネルギーに変換するように構成されている、
光学的電力伝送（ＯＰＴ）装置であって、
前記第１の光共振器は、前記第１の光源の前記活性領域からの増加を含む往復の増加量が、前記第１の光電変換デバイスの活性領域による吸収を含む往復の損失量よりも大きいときにレーザー光を発するように構成されている、
前記ＯＰＴ装置。
《態様１９》前記第１の光共振器を含む複数の光共振器；
前記第１の光源を含む複数の光源；及び
電気的に直列に接続されている複数の光電変換デバイス
を更に有し、
前記複数の光源のそれぞれは、前記複数の光発信機のそれぞれの光共振器の光学モードとオーバーラップするように配置された活性領域を含み、
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれは、前記複数の光共振器のそれぞれの光共振器の光学モードとオーバーラップするように配置された活性領域を含み、そして、
光電変換装置のそれぞれは、前記複数の光源によって光が発生されたときに各光電変換装置が相等しい電流を発生するように構成されている、
態様１８に記載のＯＰＴ装置。
《態様２０》電気的に直列に接続されている複数の光電変換デバイスを更に有し、
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれは、光共振器の光学モードとオーバーラップするように配置された活性領域を含み、そして、
光電変換装置のそれぞれは、光源によって光が発生されたときに各光電変換装置が相等しい電流を発生するように構成されている、
態様１８に記載のＯＰＴ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気エネルギーを光に変換するように構成された光源；及び
複数の光電変換デバイス
を有し、
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれは、
それぞれの第１の導電領域とそれぞれの第２の導電領域との間に挟まれた活性領域を有し、該活性領域は前記光源からの光を前記第１の導電領域中及び前記第２の導電領域中のどちらかに先に伝播させることなく受容するように配置されており、
前記活性領域に受容された光を電気エネルギーに変換し、そして、
前記複数の光電変換デバイスは、前記複数の光電変換デバイス中の第１の光電変換デバイスの活性領域から出て来た光が、前記複数の光電変換デバイス中の第２の光電変換デバイスの活性領域に入射するように構成されている、
光学的電力伝送（ＯＰＴ）装置であって、
前記複数の光電変換デバイスが電気的に直列に接続されている、
前記ＯＰＴ装置。
【請求項２】
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記第１の導電領域がｎ−ドープされた半導体領域であり；
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記第２の導電領域がｐ−ドープされた半導体領域であり；
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記活性領域が、前記ｎ−ドープされた半導体領域と、前記ｐ−ドープされた半導体領域との間の空乏領域であり；
前記複数の光電変換デバイス中の各光電変換デバイスにおける、前記活性領域、前記第１の導電領域、および前記第２の導電領域が、第１の方向に種々に積層されており、前記各光電変換デバイスそれぞれの活性領域は、前記各光電変換デバイスの前記第１の導電領域と前記第２の導電領域との間に備えられており；そして
前記光源からの光が前記第１の方向と実質的に直交する方向に伝播する、
請求項１に記載のＯＰＴ装置。
【請求項３】
前記複数の光電変換デバイスが、前記光源からの光が前記第２の光電変換デバイスの前記活性領域に伝播されるより先に前記第１の光電変換デバイスの前記活性領域に伝播されるように構成されており、
前記第２の光電変換デバイスにおける光の伝播距離は、前記第１の光電変換デバイスにおける光の伝播距離よりも長く、そして、
前記第２の光電変換デバイスにおける光の伝播距離及び前記第１の光電変換デバイスにおける光の伝播距離は、前記第２の光電変換デバイスから発生される電流が前記第１の光電変換デバイスから発生される電流と等しくなるように構成されている、
請求項１又は２に記載のＯＰＴ装置。
【請求項４】
光が前記複数の光電変換デバイスにおける前記活性領域中を一旦通過した後に、該光を反射して、前記複数の光電変換デバイスにおける前記活性領域中を再通過するように構成された鏡を更に有する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のＯＰＴ装置。
【請求項５】
前記複数の光電変換デバイスは、光電変換デバイスのそれぞれが、前記第１の方向と直交する方向で他の光電変換デバイスと隣接しており、そして、
前記光源及び前記複数の光電変換デバイスは、前記光源からの光が、前記第１の方向と実質的に直交する方向に進行してそれぞれの光電変換デバイスにおける前記活性領域中を通過するように構成されている、
請求項２に記載のＯＰＴ装置。
【請求項６】
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記活性領域中の光の伝播距離は、前記光源からの光を照射したときに各光電変換デバイスが同量の電流を発生するように構成されている、
請求項５に記載のＯＰＴ装置。
【請求項７】
それぞれの光電変換デバイスにおける前記ｎ−ドープされた半導体領域は、前記複数の光電変換デバイス中の隣接する光電変換デバイスにおける前記ｐ−ドープされた半導体領域と隣接している、
請求項２、５、及び６のいずれか一項に記載のＯＰＴ装置。
【請求項８】
前記光源は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化インジウムガリウム（ＩｎＧａＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化インジウムガリウム（ＩｎＧａＡｓ）、ヒ化窒化インジウムガリウム（ＧａＩｎＮＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、及びリン化ガリウムインジウム（ＧａＩｎＰ）のうちの１種を含有する活性領域を有する半導体光源である、
請求項２〜７のいずれか一項に記載のＯＰＴ装置。
【請求項９】
前記複数の光電変換デバイスは、前記光源を囲む一連の同心円として構成されており、
光電変換デバイスのそれぞれは、実質的に前記第１の方向に突出したリング状の形状を有しており、そして、
光電変換デバイスのそれぞれは、実質的に前記光源を中心とし、且つ前記複数の光電変換デバイス中の他の光電変換デバイスと異なる円周を有する、
請求項２に記載のＯＰＴ装置。
【請求項１０】
前記複数の光電変換デバイスは、前記光源を囲む同心円の弧として構成されており、
光電変換デバイスのそれぞれは、実質的に前記第１の方向に突出したリングの弧の形状を有しており、そして、
弧の形状の光電変換デバイスのそれぞれは、実質的に前記光源を中心とする曲率半径を有しており、且つこれらの中心角が等しい光電変換デバイスは、前記光源により近く配置された光電変換デバイスが前記光源により遠く配置された光電変換デバイスよりも小さい曲率半径を有するように、曲率半径が異なる、
請求項２に記載のＯＰＴ装置。
【請求項１１】
前記複数の光電変換デバイスは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って配置されたブロックの列として構成されている、
請求項２に記載のＯＰＴ装置。
【請求項１２】
前記光源と前記複数の光電変換デバイスとの間に配置された反射防止層を更に有する、
請求項２〜１１のいずれか一項に記載のＯＰＴ装置。
【請求項１３】
前記複数の光電変換デバイス中の隣接する光電変換デバイスのペアの間に反射防止層を更に有する、
請求項２〜１２のいずれか一項に記載のＯＰＴ装置。
【請求項１４】
前記光源が、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＬＥＤ、レーザーＬＥＤ、及び垂直キャビティー面発光レーザーのうちの１種である、
請求項２〜７及び９〜１３のいずれか一項に記載のＯＰＴ装置。
【請求項１５】
前記光源及び前記複数の光電変換デバイスが一体のデバイスである、
請求項１〜１４のいずれか一項に記載のＯＰＴ装置。
【請求項１６】
電気エネルギーを光に変換するように構成された光源；及び
複数の光電変換デバイス
を有し、
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれは、
それぞれの第１の導電領域とそれぞれの第２の導電領域との間に挟まれた活性領域を有し、該活性領域は前記光源からの光を前記第１の導電領域中及び前記第２の導電領域中のどちらかに先に伝播させることなく受容するように配置されており、
前記活性領域に受容された光を電気エネルギーに変換し、且つ、
前記複数の光電変換デバイスは、前記複数の光電変換デバイス中の第２の光電変換デバイスから、前記複数の光電変換デバイス中の第１の光電変換デバイスから生成される電流と実質的に等しい電流が生成されるように構成されている、
光学的電力伝送（ＯＰＴ）装置であって、
前記複数の光電変換デバイスが電気的に直列に接続されている、
前記ＯＰＴ装置。
【請求項１７】
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記第１の導電領域がｎ−ドープされた半導体領域であり；
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記第２の導電領域がｐ−ドープされた半導体領域であり；
前記複数の光電変換デバイスのそれぞれにおける前記活性領域が、前記ｎ−ドープされた半導体領域と、前記ｐ−ドープされた半導体領域との間の空乏領域であり；
前記複数の光電変換デバイス中の各光電変換デバイスにおける、前記活性領域、前記第１の導電領域、および前記第２の導電領域が、第１の方向に種々に積層されており、前記各光電変換デバイスそれぞれの活性領域は、前記各光電変換デバイスの前記第１の導電領域と前記第２の導電領域との間に備えられており；そして
前記光源からの光が前記第１の方向と実質的に直交する方向に伝播する、
請求項１６に記載のＯＰＴ装置。
【請求項１８】
光が前記複数の光電変換デバイスにおける前記活性領域中を一旦通過した後に、該光を反射して、前記複数の光電変換デバイスにおける前記活性領域中を再通過するように構成された鏡を更に有する、
請求項１６又は１７に記載のＯＰＴ装置。
【請求項１９】
前記複数の光電変換デバイスが、更に、
前記複数の光電変換デバイスの前記活性領域が、第１の方向に直交する平面状に備えられ、且つ
前記第１の方向に直交する第２の方向において、前記複数の光電変換デバイスのそれぞれが、他の複数の光電変換デバイスの少なくとも１つと隣接して配置されており、そして、
前記光源が前記第１の方向に直交する平面に前記光を放射して、該光が前記光源から前記複数の光電変換デバイスを通過して伝播する
ように構成されている、
請求項１６に記載のＯＰＴ装置。
【請求項２０】
前記複数の光電変換デバイスが実質的に同心円形状を形成し、前記光源を取り囲むように配置されている、請求項１９に記載のＯＰＴ装置。