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【手続補正書】
【提出日】平成30年1月24日(2018.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子を有する集積回路と、前記集積回路を囲むパッケージと、前記パッケージの外部に設置された電磁波吸収体とを備え、
前記パッケージは、
前記集積回路が実装されたパッケージベースと、
前記集積回路を側方から囲む筒状を呈し、一端部が前記パッケージベースに固定されたシールリングと、
板状を呈し、前記シールリングの他端部を塞いだカバーと、を有し、
前記パッケージベース、前記シールリング及び前記カバーの少なくともいずれかは、前記集積回路で発生した高周波信号を前記パッケージ外へ放射するスロットを備え、
前記電磁波吸収体は、少なくとも前記スロットと正対する箇所に設けられていることを特徴とする高周波デバイス。
【請求項２】
前記スロットは、前記パッケージの表面を流れる表面電流と直交する向きで設けられていることを特徴とする請求項１に記載の高周波デバイス。
【請求項３】
複数の素子を有する集積回路と、前記集積回路を囲むパッケージとを備え、
前記パッケージは、
前記集積回路が実装されたパッケージベースと、
前記集積回路を側方から囲む筒状を呈し、一端部が前記パッケージベースに固定されたシールリングと、
板状を呈し、前記シールリングの他端部を塞いだカバーと、を有し、
前記カバーは、前記シールリングの他端部に当接する蓋部と、該蓋部の内側面に設置された電磁波吸収体と、該電磁波吸収体の表面に形成されたメタライズ層と、該メタライズ層に設けられたスロットとを有することを特徴とする高周波デバイス。
【請求項４】
複数の素子を有する集積回路と、前記集積回路を囲むパッケージとを備え、
前記パッケージは、
前記集積回路が実装されたパッケージベースと、
前記集積回路を側方から囲む筒状を呈し、一端部が前記パッケージベースに固定されたシールリングと、
板状を呈し、前記シールリングの他端部を塞いだカバーと、を有し、
前記カバーは、前記シールリングの他端部に当接する蓋部と、該蓋部の内側面に設置された電磁波吸収体と、該電磁波吸収体を介して前記蓋部と平行に設置された導電性プレートとを有し、
前記導電性プレートは、前記蓋部の外形形状の縮小形状であり、周縁部と前記シールリングとの間に隙間を備えて設置されていることを特徴とする高周波デバイス。
【請求項５】
前記蓋部と前記導電性プレートとの隙間に、誘電体が設置されていることを特徴とする請求項４に記載の高周波デバイス。
【請求項６】
複数の高周波デバイスが実装されたプリント回路基板と、該プリント回路基板を収容した箱状の筐体と、前記筐体の外部に設置された電磁波吸収体とを備え、
前記筐体は、少なくとも一つの面に、前記高周波デバイスで発生した高周波信号を前記筐体外へ放射するスロットを備え、
前記電磁波吸収体は、少なくとも前記スロットと正対する箇所に設けられていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項７】
前記スロットは、前記筐体の表面を流れる表面電流と直交する向きで設けられていることを特徴とする請求項６に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
複数の高周波デバイスが実装されたプリント回路基板と、該プリント回路基板を収容した箱状の筐体とを備え、
前記筐体の少なくとも一つの面は、内側面に設置された電磁波吸収体と、該電磁波吸収体の表面に形成されたメタライズ層と、該メタライズ層に設けられたスロットとを有することを特徴とする高周波モジュール。
【請求項９】
複数の高周波デバイスが実装されたプリント回路基板と、該プリント回路基板を収容した箱状の筐体とを備え、
前記筐体は、外郭面の内面側に設置された電磁波吸収体と、該電磁波吸収体を介して前記外郭面と平行に設置された導電性プレートとを有し、
前記導電性プレートは、前記外郭面の外形形状の縮小形状であり、周縁部と前記筐体との間に隙間を備えて設置されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項１０】
前記外郭面の前記電磁波吸収体が設置された内面と前記導電性プレートとの隙間に、誘電体が設置されていることを特徴とする請求項９に記載の高周波モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月28日(2018.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
上述した第１の実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）カメラキャリブレーション装置１００は、車両１に搭載されるカメラ１１１が異なる時刻に撮影して得られた複数の画像が入力される画像取得部２０１と、画像取得部２０１に入力されるそれぞれの画像から特徴点を抽出する特徴点抽出部２０２と、複数の画像間で特徴点を追跡する特徴点追跡部２０３と、車両の運動に関する情報を取得する車両運動取得部２０４と、車両運動取得部２０４が取得する情報に基づき、車両１の移動に応じた特徴点の軌跡を推定する軌跡推定部（図９のステップＳ７０３）と、特徴点追跡部２０３が追跡した特徴点の軌跡と、軌跡推定部が推定した特徴点の軌跡とに基づきカメラ１１１の内部パラメータ、すなわちレンズの歪みを示すパラメータであるレンズ歪み係数を推定する内部パラメータ推定部２０６とを備える。
カメラキャリブレーション装置１００をこのように構成したので、路面に描かれた道路標示などから特徴点を抽出し、レンズ歪み係数のキャリブレーションを行う。換言すると、路面に描かれた線、記号、または文字を利用するので、路面に白線がなくてもレンズ歪み係数のキャリブレーションができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（２）内部パラメータは、カメラ１１１が備えるレンズの歪みに応じたレンズ歪み係数を含む。内部パラメータ推定部２０６は、特徴点追跡部２０３が追跡した特徴点の軌跡をレンズの歪み係数を用いて変換した特徴点の軌跡（図９のステップＳ７０１）と、軌跡推定部（図９のステップＳ７０３）が推定した特徴点の軌跡との差を最小とするようにレンズ歪み係数を算出する。
すなわち、カメラ１１１の撮影画像における路面に描かれた道路標識から抽出された特徴点の位置を車両１の運動情報を用いて推定することで、カメラ１１１のレンズ歪み係数を推定することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
上述した第２の実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）カメラキャリブレーション装置１００は、車両１に搭載されるカメラ１１１が異なる時刻に撮影して得られた複数の画像が入力される画像取得部２０１と、画像取得部２０１に入力されるそれぞれの画像から特徴点を抽出する特徴点抽出部２０２と、複数の画像間で特徴点を追跡する特徴点追跡部２０３と、車両の運動に関する情報を取得する車両運動取得部２０４と、車両運動取得部２０４が取得する情報に基づき、車両１の移動に応じた特徴点の軌跡を推定する軌跡推定部（図９のステップＳ７０３）と、特徴点追跡部２０３が追跡した特徴点の軌跡と、軌跡推定部が推定した特徴点の軌跡とに基づきカメラ１１１の内部パラメータ、すなわちレンズ歪み係数および焦点距離を推定する内部パラメータ推定部２０６とを備える。
カメラキャリブレーション装置１００をこのように構成したので、路面に描かれた道路標示などから特徴点を抽出し、レンズ歪み係数および焦点距離のキャリブレーションを行う。換言すると、路面に描かれた線、記号、または文字を利用するので、路面に白線がなくてもレンズ歪み係数および焦点距離のキャリブレーションができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月4日(2018.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のプロセッサを有するコンピューティング装置でタスクを実行するためにユーザ入力を処理するためのコンピュータプログラムであって、前記１つ以上のプロセッサに、
前記コンピューティング装置において、名前が付けられた関係を含むユーザ入力を受け取り、
前記名前が付けられた関係とユーザに関連付けられた連絡先との間の関連性に基づいて連絡先情報を受信し、
前記１つ以上のプロセッサを用いて、ユーザの意図の表現を導出するように前記受信されたユーザ入力を解釈し、
前記１つ以上のプロセッサを用いて、前記導出されたユーザの意図の表現及び前記受信された連絡先情報に少なくとも部分的に基づいて少なくとも１つのタスクが実行される、
ことを含む方法を実行させる、コンピュータプログラム。
【請求項２】
名前が付けられた関係と連絡先との間の関連性は前記ユーザによって生成される、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項３】
名前が付けられた関係と連絡先との間の関連性は前記連絡先のフィールドとして記憶される、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項４】
名前が付けられた関係と連絡先との間の関連性は以前のユーザ入力に基づく、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項５】
前記以前のユーザ入力はユーザダイアログ履歴を含む、請求項４に記載のコンピュータプログラム。
【請求項６】
前記以前のユーザ入力は指示された関係を含む、請求項４に記載のコンピュータプログラム。
【請求項７】
前記連絡先情報は電話番号を含み、前記少なくとも１つのタスクは前記名前が付けられた関係に関連付けられた連絡先をコールすることを含む、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項８】
前記連絡先情報は電話番号を含み、前記少なくとも１つのタスクは前記名前が付けられた関係に関連付けられた連絡先にテキストメッセージを送信することを含む、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項９】
前記連絡先情報はｅ−メールアドレスを含み、前記少なくとも１つのタスクは前記名前が付けられた関係に関連付けられた連絡先へのｅ−メールのドラフトを作成することを含む、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１０】
前記名前が付けられた関係は家族関係を含む、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１１】
前記名前が付けられた関係は母、父、姉妹、姉妹及び家長のうちの１つを含む、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１２】
前記受信されたユーザ入力は受信された音声データである、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１３】
前記受信されたユーザ入力は受信されたテキストデータである、請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１４】
タスクを実行するためのユーザ入力を処理するためのシステムであって、
ユーザ入力を受信するように構成された入力装置と、
前記入力装置に通信可能に接続された１つ以上のプロセッサであって、
コンピューティング装置において、名前が付けられた関係を含むユーザ入力を受け取る段階と、
前記名前が付けられた関係とユーザに関連付けられた連絡先との間の関連性に基づいて連絡先情報を受信する段階と、
前記１つ以上のプロセッサを用いて、ユーザの意図の表現を導出するように前記受信されたユーザ入力を解釈する段階と、
前記１つ以上のプロセッサを用いて、前記導出されたユーザの意図の表現及び前記受信された連絡先情報に少なくとも部分的に基づいて少なくとも１つのタスクが実行される段階と、
を実行する、１つ以上のプロセッサと、
を含む、システム。
【請求項１５】
名前が付けられた関係と連絡先との間の関連性は前記ユーザによって生成される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
名前が付けられた関係と連絡先との間の関連性は前記連絡先のフィールドとして記憶される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
名前が付けられた関係と連絡先との間の関連性は以前のユーザ入力に基づく、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
前記以前のユーザ入力はユーザダイアログ履歴を含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記以前のユーザ入力は指示された関係を含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記連絡先情報は電話番号を含み、前記少なくとも１つのタスクは前記名前が付けられた関係に関連付けられた連絡先をコールすることを含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２１】
前記連絡先情報は電話番号を含み、前記少なくとも１つのタスクは前記名前が付けられた関係に関連付けられた連絡先にテキストメッセージを送信することを含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２２】
前記連絡先情報はｅ−メールアドレスを含み、前記少なくとも１つのタスクは前記名前が付けられた関係に関連付けられた連絡先へのｅ−メールのドラフトを作成することを含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２３】
前記名前が付けられた関係は家族関係を含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２４】
前記名前が付けられた関係は母、父、姉妹、姉妹及び家長のうちの１つを含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２５】
前記受信されたユーザ入力は受信された音声データである、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記受信されたユーザ入力は受信されたテキストデータである、請求項１４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月14日(2018.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する磁気テープであって、
前記磁気テープの磁性層側の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．８ｎｍ以下であり、
前記磁気テープの磁性層側の表面の素地部分において測定される摩擦係数は、０．３５以下であり、
前記磁気テープのバックコート層側の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、５．０ｎｍ以下であり、
前記バックコート層は脂肪酸エステルを含み、
前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、０ｎｍ超かつ１０．０ｎｍ以下であり、
前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、０ｎｍ超かつ１０．０ｎｍ以下であり、かつ
前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳafterと、前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁気テープのバックコート層側表面において光学干渉法により測定されるスペーシングＳbeforeとの差分、Ｓafter−Ｓbefore、は、０ｎｍ超かつ８．０ｎｍ以下である磁気テープ。
【請求項２】
前記磁性層側の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上１．８ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気テープ。
【請求項３】
前記バックコート層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．５ｎｍ以上５．０ｎｍ以下である請求項１または２に記載の磁気テープ。
【請求項４】
前記磁気テープを真空加熱する前に前記磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、１．０〜８．０ｎｍの範囲である請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項５】
前記磁気テープを真空加熱した後に前記磁気テープのバックコート層側の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、１．０〜８．０ｎｍの範囲である請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項６】
前記差分、Ｓafter−Ｓbefore、は、１．０〜７．０ｎｍの範囲である請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項７】
前記磁気テープの磁性層側の表面の素地部分において測定される摩擦係数は、０．１５〜０．３０の範囲である請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項８】
前記バックコート層に含まれる非磁性粉末は、無機粉末およびカーボンブラックからなる群から選択される一種以上の非磁性粉末である請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気テープ。
【請求項９】
前記バックコート層に含まれる非磁性粉末全量１００．０質量部に対して無機粉末の占める割合は、５０．０質量部超〜１００．０質量部の範囲である請求項８に記載の磁気テープ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気テープの製造方法であって、
前記バックコート層を、
非磁性支持体の一方の表面側に、非磁性粉末、結合剤および脂肪酸エステルを含むバックコート層形成用組成物を塗布し乾燥させることにより塗布層を形成すること、および、
形成した塗布層に振動を加えること、
により形成することを含む、前記磁気テープの製造方法。
【請求項１１】
前記振動は、超音波振動である請求項１０に記載の磁気テープの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月21日(2017.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷時タップ切換手段を有する主変圧器を介して発電機が電力系統に接続された発電所において、前記電力系統の電圧と前記発電機の電圧および前記発電機の有効電力に基づいて発電所全体効率を改善することができる前記主変圧器のタップ位置を決めるエコ運転制御装置を設け、前記エコ運転制御装置は、前記電力系統の電圧と前記発電機の電圧および前記発電機の有効電力から前記発電機の無効電力が０付近となる前記主変圧器のタップ位置を算出する算出手段と、この算出されたタップ位置に基づいて前記主変圧器の負荷時タップ切換手段にタップ指令を出力する指令手段を備えることを特徴とした発電所の電圧制御装置。
【請求項２】
負荷時タップ切換手段を有する主変圧器を介して発電機が電力系統に接続された発電所において、前記電力系統の電圧と前記発電機の有効電力に基づいて発電所全体効率を改善することができる前記主変圧器のタップ位置を決めるエコ運転制御装置を設け、前記エコ運転制御装置は、前記発電機の有効電力、前記電力系統の電圧毎に最少無効電力となる前記主変圧器のタップ位置をデータとして記憶したデータ記憶手段を備え、前記エコ運転制御装置は、検出した電力系統電圧と前記有効電力に基づいて前記データ記憶手段から無効電力が最少となるタップ位置を抽出し、この抽出したタップ位置に基づいて前記主変圧器にタップ指令を出力するようにした発電所の電圧制御装置。
【請求項３】
負荷時タップ切換手段を有する主変圧器を介して発電機が電力系統に接続された発電所において、前記発電機の無効電力に基づいて発電所全体効率を改善することができる前記主変圧器のタップ位置を決めるエコ運転制御装置を設け、前記エコ運転制御装置は無効電力設定値を予め設定した設定手段を備え、前記エコ運転制御装置は、前記発電機の無効電力が前記無効電力設定値よりも大のときは前記主変圧器のタップ位置を下げ、０以下のときは前記主変圧器のタップ位置を上げるタップ指令を前記主変圧器に出力するようにした発電所の電圧制御装置。
【請求項４】
前記発電機の回転子に供給される界磁電流を制御して前記発電機の電圧を制御する自動電圧制御器を設け、前記エコ運転制御装置は前記自動電圧制御器に発電機の無効電力を０とする指令を出力するようにした請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の発電所の電圧制御装置。
【請求項５】
前記エコ運転制御装置は、前記発電機の電圧を所定の電圧変動範囲内に制限する電圧リミッタを備え、前記発電機の電圧が前記電圧リミッタで設定された電圧変動範囲内の時に、前記自動電圧制御器は発電機の回転子に供給される界磁電流を制御して発電機の無効電力が０となるようにした請求項４に記載の発電所の電圧制御装置。
【請求項６】
前記発電機は、ブラシレス発電機とした請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の発電所の電圧制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月14日(2018.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一組の交流入力線（Ｗ）から入力する交流電圧（Ｖｒ，Ｖｓ，Ｖｔ)を整流し、負荷（４）が両者間に接続される一対の直流母線（ＬＨ，ＬＬ）へと直流電圧（Ｖｄｃ）を出力する整流回路（２）に対して、前記一組の交流入力線と前記一対の直流母線との間に並列に接続されるアクティブフィルタであって、
第１コンデンサ（Ｃ２）と、
前記第１コンデンサの一対の端のそれぞれを前記一対の直流母線のそれぞれと接続し、少なくともその一方が前記直流電圧に対して順方向となる向きで配置されるダイオード（Ｄ１）である、一対の電流制限素子（Ｄ１，Ｄ２，Ｒ２）と、
前記一組の交流入力線に接続された一組の交流側端子（５１，５２，５３）と、前記第１コンデンサの両端に接続された一対の直流側端子（５４，５５）と、前記交流側端子の各々と前記直流側端子の各々とを接続するスイッチング素子の複数と、前記スイッチング素子の各々に逆並列に接続されたダイオードの複数とを有するインバータ（５）と
を備える、アクティブフィルタ。
【請求項２】
前記一対の電流制限素子のいずれもが、前記直流電圧に対して順方向となる向きで配置されるダイオード（Ｄ１，Ｄ２）である、請求項１記載のアクティブフィルタ。
【請求項３】
前記一対の電流制限素子の他方は抵抗（Ｒ２）である、請求項１記載のアクティブフィルタ。
【請求項４】
前記整流回路（２）は、ダイオードブリッジ（２１）と、ローパスフィルタ（２２）とを有し、
前記ローパスフィルタ（２２）は前記ダイオードブリッジ（２１）と前記一対の直流母線（ＬＨ，ＬＬ）との間に設けられ、
前記ダイオードブリッジ（２１）は前記一組の交流入力線（Ｗ）と前記ローパスフィルタ（２２）との間に設けられ、
前記ローパスフィルタは、一の前記一対の直流母線（ＬＨ）と前記ダイオードブリッジ（２１）との間に設けられる第１リアクトル（ＤＣＬ１）と、他の前記一対の直流母線（ＬＬ）と前記ダイオードブリッジ（２１）との間に設けられる第２リアクトル（ＤＣＬ２）と、前記一対の直流母線（ＬＨ，ＬＬ）の間に設けられる第２コンデンサ（Ｃ１）とを有する、請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載のアクティブフィルタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載のアクティブフィルタと前記整流回路（２）とを含む、交直変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月28日(2018.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイオードであって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上面の一部に接している上面電極と、
前記半導体基板の下面の少なくとも一部に接している下面電極を備えており、
前記半導体基板が、
前記下面電極にオーミック接触するｎ型の高濃度層と、
前記高濃度層上の一部に形成されており、前記高濃度層よりｎ型不純物濃度が低いｎ型の中濃度層と、
前記高濃度層上において前記中濃度層を一巡する範囲に形成されており、前記中濃度層よりｎ型不純物濃度が低いｎ型の低濃度層と、
前記低濃度層内において前記中濃度層を一巡する範囲に形成されている絶縁層を備えており、
前記上面電極が、前記中濃度層の上面にショットキー接触しており、
前記上面電極と前記半導体基板が接している接触領域が、前記中濃度層を越えて前記低濃度層上に及んでおり、
前記接触領域の端部が、前記絶縁層上に位置している、
ダイオード。
【請求項２】
前記低濃度層に層間絶縁膜を介して対向するとともに前記上面電極に接続されているフィールドプレート電極をさらに備えており、
前記フィールドプレート電極の前記上面電極と反対側の端部が、前記低濃度層上に位置している、請求項１に記載のダイオード。
【請求項３】
前記層間絶縁膜の比誘電率が、ＳｉＯ２の比誘電率よりも大きい、請求項２に記載のダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月14日(2018.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面に複数のＬＥＤ素子を配置した投光面を形成してなるパネル状投光部と、
前記パネル状投光部の背面に複数の放熱板を有するヒートシンクと、
送風する冷却ファンが順に配置され、
前記パネル状投光部の背面側又は、外部に設置された電源回路と、
前記ヒートシンクの背面に位置し、中央に空気通過穴を有する板状部材を備え、
複数の前記放熱板は、前記ヒートシンクの中央から周囲に向かって放射状に配置されるとともに、前記放熱板の間の連結部は、送風する前記冷却ファンに向かって突出した曲面部を有し、
前記冷却ファンから送風された空気は、前記板状部材に設けられた前記空気通過穴を介して、前記ヒートシンクの中央に向けて送風され、前記板状部材とヒートシンクの間を通過して、前記ヒートシンクの周囲に放出されることを特徴とする
ＬＥＤ投光器。
【請求項２】
前記パネル状投光部には、前記投光面となる前面側が透明カバーで覆われて密閉されるとともに、前記投光面から前記ヒートシンクを貫通する空気調整管を設けてなることを特徴とする
請求項１に記載のＬＥＤ投光器。
【請求項３】
前記空気調整管には、水分の侵入を防止する防水バルブが設けられていることを特徴とする
請求項２に記載のＬＥＤ投光器。
【請求項４】
前記ヒートシンクには、第一のカバー部材が設けられ、
前記第一のカバー部材には、中央に前記冷却ファンの空気取り入れ穴が設けられ、
前記第一のカバー部材には、前記第一のカバー部材の中央を覆うための第二のカバー部材が、空気取り入れ通路となる間隔を有して設けられることを特徴とする
請求項１に記載のＬＥＤ投光器。
【請求項５】
前記電源回路は、前記板状部材の前記パネル状投光部と反対の面に取り付けられていることを特徴とする
請求項１に記載のＬＥＤ投光器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月13日(2017.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテンツ信号の視聴条件を管理する視聴条件管理装置における前記視聴条件を更新するための更新コードを生成する更新コード生成システムであって、
前記視聴条件管理装置ごとに、
該視聴条件管理装置に固有の識別情報と、
該視聴条件管理装置に固有の鍵と、
該視聴条件管理装置に対する更新コードの生成が何回目であるかを示すシリアル番号と、を記憶した記憶部と、
前記鍵を用いて、前記視聴条件の更新内容を示す更新情報と、前記識別情報と、前記シリアル番号と、を暗号化して前記更新コードを生成し、前記更新コードを生成すると前記記憶部における前記シリアル番号をインクリメントする生成部と、を備える更新コード生成システム。
【請求項２】
前記更新コードはユーザに伝えられる、請求項１に記載の更新コード生成システム。
【請求項３】
前記更新情報および前記識別情報をユーザから受信する受信部を備える請求項１または２に記載の更新コード生成システム。
【請求項４】
前記生成部は、
前記鍵を用いて、前記視聴条件の更新内容を示す更新情報と、前記識別情報と、前記シリアル番号と、を可逆的に撹拌してビット列を生成し、
前記ビット列からチェックビットを生成し、
前記ビット列の少なくとも一部および前記チェックビットの少なくとも一部に対して可逆的撹拌を行って前記更新コードを生成する、請求項１乃至３のいずれかに記載の更新コード生成システム。
【請求項５】
コンテンツ信号の視聴条件を管理する視聴条件管理装置における前記視聴条件を更新するための更新コードを生成する更新コード生成方法であって、
前記視聴条件管理装置ごとに、
該視聴条件管理装置に固有の識別情報と、
該視聴条件管理装置に固有の鍵と、
該視聴条件管理装置に対する更新コードの生成が何回目であるかを示すシリアル番号と、を記憶部に記憶しておくことと、
前記鍵を用いて、前記視聴条件の更新内容を示す更新情報と、前記識別情報と、前記シリアル番号と、を暗号化して前記更新コードを生成することと、
前記更新コードを生成すると前記記憶部における前記シリアル番号をインクリメントすることと、を含む更新コード生成方法。
【請求項６】
前記更新コードをユーザに伝えることを含む、請求項５に記載の更新コード生成方法。
【請求項７】
前記更新情報および前記識別情報をユーザから受信することを含む、請求項５または６に記載の更新コード生成方法。
【請求項８】
前記更新コードを生成することは、
前記鍵を用いて、前記視聴条件の更新内容を示す更新情報と、前記識別情報と、前記シリアル番号と、を可逆的に撹拌してビット列を生成することと、
前記ビット列からチェックビットを生成することと、
前記ビット列の少なくとも一部および前記チェックビットの少なくとも一部に対して可逆的撹拌を行って前記更新コードを生成することと、を含む請求項５乃至７のいずれかに記載の更新コード生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月6日(2018.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置、及び表示方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、表示装置、及び表示方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明の一態様は、
ユーザにより接触操作されるタッチパネルと、表示手段とを備える表示装置であって、
前記タッチパネル上の任意の位置から開始されたユーザによるスライド操作中の単位時間経過毎のスライド量を測定する測定手段と、
前記測定手段により測定されるスライド量に応じて可変し、前記表示手段に表示中の画像を他の画像に切り替えて表示する際の切り替え量を、ユーザによるスライド操作中に連続して制御する制御手段と、
を備えることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザにより接触操作されるタッチパネルと、表示手段とを備える表示装置であって、
前記タッチパネル上の任意の位置から開始されたユーザによるスライド操作中の単位時間経過毎のスライド量を測定する測定手段と、
前記測定手段により測定されるスライド量に応じて可変し、前記表示手段に表示中の画像を他の画像に切り替えて表示する際の切り替え量を、ユーザによるスライド操作中に連続して制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記測定手段は、前記タッチパネル上の任意の位置から開始されたユーザによるスライド操作中のスライド量を単位時間毎に連続して逐次測定し、
前記制御手段は、前記測定手段により逐次測定されるスライド量に応じて可変し、前記表示手段に表示中の画像を他の画像に切り替えて表示する際の切り替え量を、ユーザによるスライド操作中に連続して制御することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記タッチパネル上のユーザによるスライド操作の終了後、このスライド操作が終了した時点の切り替え量を維持して、前記表示手段に表示中の画像を他の画像に切り替えて表示する制御を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
ユーザにより接触操作されるタッチパネルと、表示手段とを備える表示装置であって、
前記タッチパネル上のユーザによるスライド操作の加速度を連続して測定する測定手段と、
前記測定手段により測定されるスライド操作の加速度に応じて可変し、前記表示手段に表示中の画像を他の画像に切り替えて表示する際の切り替え速度を、ユーザによるスライド操作中に連続して制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記測定手段は、前記スライド操作の加速度を連続して逐次測定し、
前記制御手段は、前記測定手段により逐次測定されるスライド操作の加速度に応じて可変し、前記表示手段に表示中の画像を他の画像に切り替えて表示する際の切り替え速度を、ユーザによるスライド操作中に連続して制御することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記タッチパネル上のユーザによるスライド操作の終了後、このスライド操作が終了した時点の切り替え速度を維持して、前記表示手段に表示中の画像を他の画像に切り替えて表示する制御を行うことを特徴とする請求項４又は５に記載の表示装置。
【請求項７】
ユーザにより接触操作されるタッチパネルと、動画像を再生可能な表示手段とを備える表示装置であって、
前記タッチパネル上のユーザによるスライド操作のスライド量に基づいて、前記表示手段に表示される動画像の再生速度を制御する第１の制御手段と、
前記タッチパネル上のユーザによるスライド操作の終了後、前記第１の制御手段により制御された再生速度を維持して、前記表示手段に表示中の動画像の再生を制御する第２の制御手段と、
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
ユーザにより接触操作されるタッチパネルと、表示手段とを備える表示装置を用いた表示方法であって、
前記タッチパネル上の任意の位置から開始されたユーザによるスライド操作中のスライド量を連続して測定する処理と、
前記表示手段に表示中の画像を他の画像に切り替えて表示する際の切り替え量を、ユーザによるスライド操作中に連続して制御する処理と、
を含むことを特徴とする表示方法。
【請求項９】
ユーザにより接触操作されるタッチパネルと、表示手段とを備える表示装置を用いた表示方法であって、
前記タッチパネル上のユーザによるスライド操作の加速度を連続して測定する処理と、
前記測定されるスライド操作の加速度に応じて可変し、前記表示手段に表示中の画像を他の画像に切り替えて表示する際の切り替え速度を、ユーザによるスライド操作中に連続して制御する処理と、
を含むことを特徴とする表示方法。
【請求項１０】
ユーザにより接触操作されるタッチパネルと、動画像を再生可能な表示手段とを備える表示装置を用いた表示方法であって、
前記タッチパネル上のユーザによるスライド操作のスライド量に基づいて、前記表示手段に表示される動画像の再生速度を制御する第１の処理と、
前記タッチパネル上のユーザによるスライド操作の終了後、前記第１の処理により制御された再生速度を維持して、前記表示手段に表示中の動画像の再生を制御する第２の処理と、
を含むことを特徴とする表示方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月31日(2018.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状の絶縁円筒の一方の端部を固定側端板、他方の端部を可動側端板で覆う真空容器と、 
前記固定側端板に固設された固定側電極棒と、 
前記可動側端板に進退可能に設けられた可動側電極棒と、 
前記固定側電極棒と前記可動側電極棒の対向端に各々取り付けられた固定側電極、可動側電極と、 
前記真空容器の内側で、前記固定側電極と前記可動側電極の周りに配置したアークシールドと、を備え、 
前記固定側電極と前記可動側電極は、相互に対向する固定側接点、可動側接点と、 
前記固定側接点と前記可動側接点の背面に各々配置され、前記固定側電極棒と前記可動側電極棒の間に電流が流れる場合に、電極棒の軸線に直交する円周方向に電流を流す固定側コイル電極、可動側コイル電極を各々有し、 
前記固定側コイル電極と前記可動側コイル電極は、 
中央部分に位置し前記固定側電極棒、前記可動側電極棒と各々接続する固定側リング部、可動側リング部と、 
前記固定側リング部、前記可動側リング部の前記軸線に直交する面内に位置し、各々固定側スリット部、可動側スリット部により円周方向に複数に分割された同心円状の固定側コイル部、可動側コイル部と、 
前記固定側リング部、前記可動側リング部から前記軸線に直交する方向へ延出し、前記固定側リング部と前記固定側コイル部の一端、前記可動側リング部と前記可動側コイル部の一端を各々接続する複数本の固定側アーム部、可動側アーム部と、 
を有する真空バルブであって、 
前記固定側コイル電極、前記可動側コイル電極の分割位置に対応し、前記アークシールドと前記真空容器との間に磁性体を備えたことを特徴とする真空バルブ。 
【請求項２】
前記固定側コイル電極、前記可動側コイル電極の分割数と前記磁性体の数が同数であることを特徴とする請求項１に記載の真空バルブ。 
【請求項３】
前記固定側電極と前記可動側電極とが、前記固定側スリット部の位置と前記可動側スリット部の位置と各々重なり合って配置し、 
前記軸線と前記両スリット部とを結ぶ線の延長線上に前記磁性体が配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の真空バルブ。 
【請求項４】
前記磁性体の幅をWF、前記軸線から前記磁性体の距離をRF、突出部の幅をWC、スリット部の幅をＷＳ、コイル電極の内半径をＲＣとしたときに、磁性体の幅ＷＦは、 
ＷＣ≦ＷＦ≦（２×ＷＣ＋ＷＳ）×ＲＦ／ＲＣ 
の関係を満たすことを特徴とする請求項３に記載の真空バルブ。 
【請求項５】
前記固定側電極と前記可動側電極が、前記固定側突出部の位置と前記可動側突出部の位置と各々重なり合って配置し、 
前記軸線と前記両突出部とを結ぶ線の延長線上に前記磁性体が配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の真空バルブ。 
【請求項６】
前記磁性体の幅をWF、前記軸線から前記磁性体の距離をRF、突出部の幅をWC、アーム部の幅をＷＡ、スリット部の幅をＷＳ、コイル電極の内半径をＲＣとしたときに、磁性体の幅ＷＦは、 
ＷＣ≦ＷＦ≦（２×ＷＡ＋ＷＣ＋２×ＷＳ）×ＲＦ／ＲＣ 
の関係を満たすことを特徴とする請求項５に記載の真空バルブ。 
【請求項７】
前記磁性体が前記軸線に直交する円周方向に形成された複数の領域から構成され、前記各領域が、磁性体材料の異なる２種以上の領域からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の真空バルブ。 
【請求項８】
前記磁性体が前記軸線に直交する円周方向に形成された複数の領域から構成され、両端の領域ほど透磁率が高い磁性体材料で形成されていることを特徴とする請求項７に記載の真空バルブ。 
【請求項９】
前記磁性体が前記軸線に直交する円周方向に厚みが変化しており、両端の領域ほど薄く、中央ほど厚く形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の真空バルブ。 
【請求項１０】
前記磁性体が前記軸線に直交する円周方向に複数の領域に分割されており、両端ほど前記磁性体の断面積を小さくして隙間を空けて配置することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の真空バルブ。 
【請求項１１】
前記磁性体と前記アークシールドが同一材料で一体に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の真空バルブ。 
【請求項１２】
前記磁性体と前記アークシールドが同一材料で一体に形成され、前記磁性体が前記軸線に直交する円周方向に厚みを変化し、両端の領域ほど薄く、中央部分ほど厚く形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の真空バルブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る真空バルブは、円筒状の絶縁円筒の一方の端部を固定側端板、他方の端部を可動側端板で覆う真空容器と、固定側端板に固設された固定側電極棒と、可動側端板に進退可能に設けられた可動側電極棒と、固定側電極棒と可動側電極棒の対向端に各々取り付けられた固定側電極、可動側電極と、真空容器の内側で、固定側電極と可動側電極の周りに配置したアークシールドと、を備え、 固定側電極と可動側電極は、相互に対向する固定側接点、可動側接点と、 固定側接点と可動側接点の背面に各々配置され、固定側電極棒と可動側電極棒の間に電流が流れる場合に、電極棒の軸線に直交する円周方向に電流を流す固定側コイル電極、可動側コイル電極を各々有し、固定側コイル電極と可動側コイル電極は、中央部分に位置し固定側電極棒、可動側電極棒と各々接続する固定側リング部、可動側リング部と、固定側リング部、可動側リング部の軸線に直交する面内に位置し、各々固定側スリット部、可動側スリット部により円周方向に複数に分割された同心円状の固定側コイル部、可動側コイル部と、 
固定側リング部、可動側リング部から軸線に直交する方向へ延出し、固定側リング部と固定側コイル部の一端、可動側リング部と可動側コイル部の一端を各々接続する複数本の固定側アーム部、可動側アーム部と、を有する真空バルブであって、固定側コイル電極、可動側コイル電極の分割位置に対応し、アークシールドと真空容器との間に磁性体を備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月29日(2018.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
ここで、図５に示すように、コイル２の巻回部２Ａ，２Ｂの軸方向から第二組物を見たときに、コア片３２ｍ（外側コア部３２）の側縁と上縁には、巻回部２Ａ，２Ｂの内部に樹脂を充填するための樹脂充填孔４５が形成されている。樹脂充填孔４５は、端面介在部材４Ａ，４Ｂの貫通孔４２と、嵌合部４３に嵌め込まれた外側コア部３２と、の隙間によって形成される（図３を合わせて参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
巻回部２Ａ，２Ｂの内部に充填された樹脂は、図２に示すように、巻回部２Ｂの内周面とコア片３１ｍの外周面との間に入り込むだけでなく、隣接する二つのコア片３１ｍ，３１ｍの間、およびコア片３１ｍと外側コア部３２（コア片３２ｍ）との間にも入り込み、ギャップ部３１ｇ，３２ｇを形成する。ここで、本例のコア片３１ｍには、図４に示すように、樹脂流れ部３１Ｚが形成されているため、コア片３１ｍとコア片３１ｍ間の隙間、およびコア片３１ｍとコア片３２ｍとの隙間に樹脂が入り込み易くなっている。そのため、当該隙間への樹脂の充填が十分となって、ギャップ部３１ｇ，３２ｇに大きな空隙が形成され難い、もしくは全く形成されない。図４に示すように、ギャップ部３１ｇ（３２ｇ）となるコア片３１ｍ，３１ｍ（３１ｍ，３２ｍ）間の間隔よりも樹脂流れ部３１Ｚの幅Ｗを広くすることで、ギャップ部３１ｇ（３２ｇ）となるコア片３１ｍ，３１ｍ（３１ｍ，３２ｍ）間の隙間に樹脂が回り込み易くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月21日(2018.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
一実施の形態である半導体装置は、メタルゲート電極の側壁に接する絶縁膜を窒化シリコン膜により構成し、スプリットゲート型のＭＯＮＯＳメモリのメモリゲート電極の下の電荷蓄積膜の側壁に接する絶縁膜を酸化シリコン膜により構成するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、他の実施の形態である半導体装置の製造方法は、第１ゲート電極および第２ゲート電極のそれぞれ側壁を覆うように、窒化シリコン膜および第１酸化シリコン膜を順に形成した後、第１ゲート電極の側壁を覆う第１酸化シリコン膜を除去し、その後、第１ゲート電極および第２ゲート電極のそれぞれの側壁を覆う第２酸化シリコン膜を形成するものである。これにより、第１ゲート電極の側壁を覆う窒化シリコン膜および第２酸化シリコン膜からなる第１サイドウォールと、第２ゲート電極の側壁を覆う窒化シリコン膜、第１酸化シリコン膜および第２酸化シリコン膜からなる第２サイドウォールとを形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【図１】実施の形態１である半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２】図１に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３】図２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４】図３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５】図４の一部を拡大して示す断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１３】図１２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１４】図１３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１５】図１４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１６】図１５に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１７】図１６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１８】図１７に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１９】図１８に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２０】図１９に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２１】図２０に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２２】図２１に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２３】図２２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２４】図２３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２５】図２４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２６】図２５に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２７】図２６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２８】図２７に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２９】図２８の一部を拡大して示す断面図である。
【図３０】「書込」、「消去」および「読出」時における選択メモリセルの各部位への電圧の印加条件の一例を示す表である。
【図３１】実施の形態１である半導体装置の変形例１の製造工程中の断面図である。
【図３２】図３１に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３３】図３２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３４】図３３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３５】図３４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３６】図３５に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３７】図３６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３８】図３７に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３９】図３８に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４０】図３９に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４１】図４０に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４２】図４１に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４３】図４２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４４】図４３の一部を拡大して示す断面図である。
【図４５】実施の形態１である半導体装置の変形例１の断面図である。
【図４６】実施の形態１である半導体装置の変形例２の製造工程中の断面図である。
【図４７】図４６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４８】図４７に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４９】図４８に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５０】図４９に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５１】図５０に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５２】図５１の一部を拡大して示す断面図である。
【図５３】実施の形態２である半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５４】図５３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５５】図５４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５６】図５５の一部を拡大して示す断面図である。
【図５７】実施の形態２である半導体装置の断面図である。
【図５８】実施の形態２である半導体装置の変形例１の製造工程中の断面図である。
【図５９】図５８の一部を拡大して示す断面図である。
【図６０】実施の形態２である半導体装置の変形例２の製造工程中の断面図である。
【図６１】図６０の一部を拡大して示す断面図である。
【図６２】比較例である半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６３】図６２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６４】図６３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６５】図６４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６６】図６５に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６７】図６６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６８】比較例である半導体装置の製造工程中の断面図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ここでは、窒化シリコン膜ＮＴ３の膜厚ａは例えば１５ｎｍであり、酸化シリコン膜ＯＸ４の膜厚ｂは例えば２０ｎｍである。窒化シリコン膜ＮＴ３の膜厚ａは、酸化シリコン膜ＯＸ４をサイドウォール状に加工するエッチバック工程（図２１参照）において半導体基板ＳＢの主面を露出しない程度の大きさを要するため、例えば１０ｎｍ以上の大きさが必要である。