【手続補正書】
【提出日】平成30年8月10日(2018.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長帯において、スペクトルを記録するための分光器（１）であって、
当該分光器（１）の前側に配置される半導体チップ（２）であって、
センサ配列（４，２０，３０）であって、
前記半導体チップ（２）の後側に配置され、
少なくとも２つのセンサ画素（２１，２２）のマトリクス配列を含み、
前記センサ画素（２１，２２）は、電磁放射線を検出するために構成され、
前記センサ配列（４，２０，３０）は、後側の照射のために設計される、
前記センサ配列を備える前記半導体チップと、
波長に応じて放射をフィルタリングするためのフィルタ配列（５，３１）であって、
前記フィルタ配列（５，３１）は、少なくとも２つのフィルタ画素（７，２３，３２）のマトリクス配列を含み、
それぞれのフィルタ画素（７，２３，３２）は、フィルタリングの目的のために、ファブリ・ペロー干渉計（６）を形成し、
前記フィルタ配列（５，３１）は、前記センサ配列（４，２０，３０）の後側に向かって配置される、
前記フィルタ配列と、
不揮発性メモリ（１４）を備え、前記フィルタ配列（５，３１）により覆われたセンサ画素（２１，２２）を識別するための装置（１３）であって、前記センサ配列（４，２０，３０）に関連する前記フィルタ配列（５，３１）の座標、及び／または、前記センサ配列（４，２０，３０）に関連する前記フィルタ配列（５，３１）の座標変換則が、保存された前記座標及び／または前記座標変換則に基づいて、前記センサ画素（２１，２２）を、個々の前記フィルタ画素（７，２３，３２）に割り当てるために、及び／または、何れの前記センサ画素（２１，２２）が、対応する前記フィルタ画素（７，２３，３２）により覆われているかに応じて、個々の前記フィルタ画素（７，２３，３２）をアクティブ化するために、前記不揮発性メモリに保存される装置と、
を備える分光器であって、
前記フィルタ配列（５，３１）により覆われた前記センサ画素（２１，２２）を識別するための前記装置（１３）は、前記保存された座標及び／または座標変換則に基づいて、個々の前記フィルタ画素（７，２３，３２）のエッジにて、各場合の受信範囲内に位置する前記センサ画素（２２）を非アクティブ化するように、及び、異なるフィルタ画素（７，２３，３２）にて前記フィルタリングがなされた光が前記センサ画素（２１，２２）のうちの１つに共同して影響を与えないよう有孔格子状隔壁（２５）を形成するように設計される、
ことを特徴とする分光器。
【請求項２】
前記波長帯とは、２５０ｎｍから１１５０ｎｍである
ことを特徴とする請求項１に記載された分光器（１）。
【請求項３】
前記フィルタ配列（５，３１）は、前記センサ配列（４，２０，３０）の後側に配置される、
ことを特徴とする請求項１または２に記載された分光器（１）。
【請求項４】
前記フィルタ配列（５，３１）は、透明搬送体（８）に取り付けられ、
前記透明搬送体（８）は、前記センサ配列（４，２０，３０）の後側に配置される、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載された分光器（１）。
【請求項５】
前記透明搬送体（８）は、平板として形成される、
ことを特徴とする請求項４に記載された分光器（１）。
【請求項６】
前記透明搬送体（８）は、ガラス板として形成される、
ことを特徴とする請求項５に記載された分光器（１）。
【請求項７】
前記フィルタ配列（５，３１）により覆われた前記センサ画素（２１，２２）を識別するための前記装置（１３）は、前記保存された座標及び／または座標変換則に基づいて、対応する前記フィルタ画素（７，２３，３２）により覆われた前記センサ画素（２１）のうちの少なくとも１つをアクティブ化するように設計される、
ことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載された分光器（１）。
【請求項８】
前記フィルタ配列（５，３１）により覆われた前記センサ画素（２１，２２）を識別するための前記装置（１３）は、前記保存された座標及び／または座標変換則に基づいて、異なるフィルタ画素（７，２３，３２）にて前記フィルタリングされた光が前記センサ画素（２１，２２）のうちの１つに共同して影響を与えないよう有孔格子状隔壁（２５）を形成するために、前記フィルタ画素（７，２３、３２）のエッジにて、各場合の受信範囲内に位置する前記センサ画素（２１，２２）を非アクティブ化するように設計された電子回路（３）を備える、
ことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載された分光器（１）。
【請求項９】
前記電子回路（３）は、非アクティブ化された前記センサ画素（２２）のエッジ（２４）を備える有孔格子状隔壁（２５）を形成するように設計され、前記エッジの幅は、対応する前記フィルタ画素（７，２３，３２）の下方に位置する非アクティブ化されていない前記センサ画素の領域の、幅及び／または直径より小さく、前記非アクティブ化されたセンサ画素（２２）のエッジは、所定の幅を備える、
ことを特徴とする請求項８に記載された分光器（１）。
【請求項１０】
前記非アクティブ化されたセンサ画素（２２）のエッジは、前記センサ画素（２１，２２）の幅を備える
ことを特徴とする請求項９に記載された分光器（１）。
【請求項１１】
前記電子回路（３）は、前記半導体チップ（２）の一部である、
ことを特徴とする請求項８〜１０の何れかに記載された分光器（１）。
【請求項１２】
前記電子回路（３）は、前記半導体チップ（２）の前側に取り付けられる、
ことを特徴とする請求項８〜１１の何れかに記載された分光器（１）。
【請求項１３】
前記電子回路（３）は、非アクティブ化された前記センサ画素（２２）を読み取らないように設計される、
ことを特徴とする請求項８〜１２の何れかに記載された分光器（１）。
【請求項１４】
前記フィルタ画素（７，２３，３２）は、前記センサ画素（２１，２２）よりも大きい領域を覆う、
ことを特徴とする請求項１〜１３の何れかに記載された分光器（１）。
【請求項１５】
前記フィルタ画素（７，２３，３２）は、前記センサ画素（２１，２２）よりも３倍から１００，０００倍大きい領域を覆う、
ことを特徴とする請求項１４に記載された分光器（１）。
【請求項１６】
前記フィルタ画素（７，２３，３２）は、前記センサ画素（２１，２２）よりも１６倍大きい領域を覆う、
ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載された分光器（１）。
【請求項１７】
前記フィルタ配列（５，３１）は、前記センサ配列（４，２０，３０）よりも小さい領域を覆う、
ことを特徴とする請求項１〜１６の何れかに記載された分光器（１）。
【請求項１８】
前記フィルタ画素（７，２３，３２）は、互いに平行に配置され、且つ、透明層（１２）により互いから分離される、部分透過型ミラー（１１）の配置を備える、
ことを特徴とする請求項１〜１７の何れかに記載された分光器（１）。
【請求項１９】
前記フィルタ画素（７，２３，３２）が少なくとも２つの場合は、前記部分透過型ミラー（１１）は、その厚さに従い異なる波長伝送を実現するために、それぞれ異なる厚さを備える透明層（１２）により、互いに異なる距離にある、
ことを特徴とする請求項１８に記載された分光器（１）。
【請求項２０】
透明保護層（９）、及び／または、反射防止層（１０）は、前記フィルタ配列（５，３１）の少なくとも後側に取り付けられる、
ことを特徴とする請求項１〜１９の何れかに記載された分光器（１）。
【請求項２１】
前記透明保護層（９）は、窒化ケイ素からなる
ことを特徴とする請求項１９に記載された分光器（１）。
【請求項２２】
波長帯において、分光器（１）のため、及び／または、スペクトルを記録するための分光器（１）の製造のために、センサ配列（４，２０，３０）に関連するフィルタ配列（５，３１）を調整するための方法であって、
前記分光器（１）の前側に、センサ配列（４，２０，３０）を備える半導体チップ（２）を配置することであって、用いられる前記センサ配列（４，２０，３０）は、
前記半導体チップ（２）の後側に配置される、
少なくとも２つのセンサ画素のマトリクス配列を含む、
後側の照射用に設計される、
前記センサ画素（２１，２２）は、電磁放射線を検出するために設計される、
もののうちの１つである前記半導体チップを配置することと、
波長に応じて放射をフィルタリングするための前記フィルタ配列（５，３１）を、前記センサ配列（４，２０，３０）に、前記センサ配列（４，２０，３０）の後側に向けて配置することであって、用いられる前記フィルタ配列（５，３１）は、
少なくとも２つのフィルタ画素（７，２３，３２）のマトリクス配列を含む、
それぞれの前記フィルタ画素（７，２３，３２）は、フィルタリングの目的のためにファブリ・ペロー干渉計（６）を形成する、
もののうちの１つである、前記フィルタ配列を配置することと、
前記センサ配列（４，２０，３０）に関連する前記フィルタ配列（５，３１）の座標、及び／または、前記センサ配列（４，２０，３０）に関連する前記フィルタ配列（５，３１）の座標変換則を確定することと、
不揮発性メモリ（１４）を設けること、且つ、前記メモリ（１４）に前記座標及び／または前記座標変換則を保存することと、
前記センサ画素（２１，２２）を、個々の前記フィルタ画素（７，２３，３２）に割り当てること、及び／または、何れの前記センサ画素（２１，２２）が、対応する前記フィルタ画素（７，２３，３２）により覆われているかに応じて、個々の前記フィルタ画素（７，２３，３２）をアクティブ化することと、
を備える方法であって、
異なるフィルタ画素（７，２３，３２）にて前記フィルタリングがなされた光が前記センサ画素（２１）のうちの１つに共同して影響を与えないよう有孔格子状隔壁（２５）を形成するために、前記フィルタ画素（７，２３，３２）に覆われ、各場合にそのエッジ（２４）に位置する前記センサ画素（２２）は、非アクティブ化される
ことを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記波長帯とは、２５０ｎｍから１１５０ｎｍである
ことを特徴とする請求項２１に記載された方法。
【請求項２４】
非アクティブ化された前記センサ画素（２２）のエッジ（２４）を備える前記有孔格子状隔壁（２５）が形成され、前記エッジの幅は、対応する前記フィルタ画素（７，２３，３２）の下方に位置する非アクティブ化されていないセンサ画素（２２）の領域の幅、及び／または、直径よりも小さく、前記非アクティブ化されたセンサ画素（２２）のエッジ（２４）は、所定の幅を備えるように設計される、
ことを特徴とする請求項２２または２３に記載された方法。
【請求項２５】
前記非アクティブ化されたセンサ画素（２２）のエッジは、前記センサ画素（２１，２２）の幅を備える
ことを特徴とする請求項２４に記載された分光器（１）。