【事件の表示】
　平成１０年特許願第１１１７８１号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　１月１２日出願公開、特開平１１−　　８２４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 一．手続の経緯
　本願は、特願平９年第１０７８４３号（出願日平成９年４月２４日）を国内優先権の基礎とする出願であって、拒絶査定後以下の手続きがなされた。
　審判請求　　　　　　　　　　　　平成１５年２月４日
　補正書提出　　　　　　　　　　　平成１５年２月４日
　前置審査で拒絶理由通知（最後）　平成１５年６月１７日（発送日）
　手続補正書提出　　　　　　　　　平成１５年８月１３日
　
　そして、審判請求時提出の補正書で補正された請求項１、２に対し、前記拒絶理由が通知され、平成１５年８月１３日付手続補正により、請求項１が削除され、請求項２が新たな請求項１となった。
　
　前記拒絶理由の内、請求項２（新たな請求項１）に対する理由１（特許法第２９条第２項）につき、以下のとおり検討する。
　
二．本願発明について
　本願の請求項１に係る発明は、平成１５年８月１３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「半導体基板上にメタル配線を有するアクティブ素子が設けられ、当該アクティブ素子上に、電極パッドのパッドメタルを形成するためのバリアメタル層が層間絶縁膜を介して設けられた半導体装置において、
　上記層間絶縁膜は、上記メタル配線の段差を補償する段差補償膜を少なくとも有し、上記段差補償膜は、上記メタル配線の段差を補償できるように、メタル配線の最上部の上には存在せず、メタル配線間にだけ残る厚さで設けられていることを特徴とする半導体装置。」（以下、「本願発明」という。）
三．刊行物の記載
　前記拒絶理由で引用された本願出願前に頒布された刊行物である引用文献１（特開平９−２７５８９号公報）には、図４とともに、以下のとおり記載されている。
「【００３７】次に、本実施例の論理付きメモリＬＳＩ１の論理部３の要部断面構造およびその製造方法を図４を用いて説明する。」
「【００３８】図４に示すように、本実施例の論理付きメモリＬＳＩ１は単結晶珪素からなるｐ型の半導体基板１０１ａを主体として構成されている。この半導体基板１０１ａの主面上にはｎ型エピタキシャル層１０３が積層されており、さらに、半導体基板１０１ａの主面には活性領域（素子形成領域）が設けられている。半導体基板１０１ａの裏面は、酸化珪素膜１０１ｃおよび支持基板１０１ｂで構成されている。」
「【００４０】前記活性領域にはバイポーラトランジスタが形成されている。このバイポーラトランジスタはｎ型コレクタ領域、ｐ型ベース領域、ｎ型エミッタ領域のそれぞれを順次配列した縦構造で構成されている。」
「【００４１】ｎ型コレクタ領域はｎ型エピタキシャル層１０３、埋め込み型のｎ型半導体領域１０２およびコレクタ電位引き上げ用ｎ型半導体領域１０６で構成されている。ｐ型ベース領域はグラフトベース領域であるｐ型半導体領域１０７および真性ベース領域であるｐ型半導体領域１０８で構成されている。ｎ型エミッタ領域はｎ型半導体領域１０９で構成されている。」
「【００４２】前記コレクタ電位引き上げ用ｎ型半導体領域１０６には、コレクタ開口部１０４ａを通してタングステン配線（以下Ｗ配線と略す）１１５ａが接続されている。」
「【００４３】ｐ型ベース領域であるｐ型半導体領域１０７には、ベース開口部１０４ｂを通してベース引き出し用電極１１０の一端が接続されている。ベース引き出し用電極１１０の他端には、絶縁膜１１２ａおよび１１２ｂに形成された接続孔１１３を通してＷ配線１１５ｂが形成されている。」
「【００４４】ｎ型エミッタ領域であるｎ型半導体領域１０９には、エミッタ開口部１０４ｃを通してエミッタ引き出し用電極１１１が接続されている。エミッタ引き出し用電極１１１は絶縁膜１１２ａに形成された接続孔１１４を通してＷ配線１１５ｃと電気的に接続されている。」
「【００４７】Ｗ配線１１５ａ、１１５ｂおよび１１５ｃは第１の層間絶縁膜１１６、１１７および１１８で覆われている。」
「【００４８】 第１の層間絶縁膜１１７は、第１の層間絶縁膜１１６に生じた凹部を埋め込み、第１の層間絶縁膜１１６の表面を平坦化するために設けられている。すなわち、酸化珪素膜を第１の層間絶縁膜１１６上に塗布（Spin On Glass ；ＳＯＧ）法により堆積し、これをエッチバックすることにより、第２の層間絶縁膜１１６に生じた凹部に第１の層間絶縁膜１１７を埋め込んでいる。」
「【００７５】第６層配線１３であるＡｌ配線１３９上にはファイナルパッシベーション膜１４１および１４２が形成されている。ファイナルパッシベーション膜１４１は、例えば室化珪素膜で形成されており、ファイナルパッシベーション膜１４２は酸化珪素膜で形成されている。」
「【００７６】ファイナルパッシベーション膜１４１および１４２上には、外部端子用引き出し配線としてのＢＬＭ（Ball Limiting Metallurgy）膜１４３がスパッタリング法によって形成されている。ＢＬＭ膜１４３は、クロム（Ｃｒ）、Ｃｕおよび金（Ａｕ）を順次積層した構造となっており、ＢＬＭ膜１４３上に、外部端子（ボンディングパッド）１４４が形成される。」
「【００８０】例えば、前記実施例では、６層配線の論理付きメモリＬＳＩに適用した場合について説明したが、６層以外の多層配線を有するいかなる半導体集積回路装置ににも適用可能である。」
　
四．引用発明の認定
　上記三．の記載から、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
「半導体基板１０１ａの主面の活性領域に形成されたバイポーラトランジスタと、コレクタ電位引き上げ用ｎ型半導体領域１０６に接続されたタングステン配線１１５ａと、ベース領域のｐ型半導体領域１０７に接続されたベース引き出し用電極１１０に、さらに接続されたタングステン配線１１５ｂと、エミッタ領域のｎ型半導体領域１０９に接続されたエミッタ引き出し用電極１１１に、さらに接続されたタングステン配線１１５ｃと、上記タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃを覆う第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８とを備え、
上記タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃを覆う第１の層間絶縁膜１１６の凹部を埋め込み、第１の層間絶縁膜１１６の表面を平坦化した第１の層間絶縁膜１１７と、前記第１の層間絶縁膜１１６上及び１１７上に形成された前記第１の層間絶縁膜１１８と、前記第１の層間絶縁膜１１８の上に形成された多層配線と、前記多層配線の上に形成された外部端子用引き出し配線としてのＢＬＭ膜１４３と、前記ＢＬＭ膜１４３の上に形成された外部端子（ボンディングパッド）１４４とを備えた論理付きメモリＬＳＩ。」（以下、「引用発明」という。）
　
五．本願発明と、引用発明との一致点・相違点の検討
１．一致点については、以下の通りである。
　引用発明の「半導体基板１０１ａの主面の活性領域に形成されたバイポーラトランジスタ」を備えた論理付きメモリＬＳＩは、要するに、半導体基板１０１ａ上にバイポーラトランジスタが設けられた論理付きメモリＬＳＩである。
　
　引用発明のバイポーラトランジスタは、タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃと接続されているから、タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃを有すると言える。
　引用発明の、バイポーラトランジスタに接続されている「タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃの上を覆う第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８」は、結局バイポーラトランジスタ上にあると言える。
　従って、引用発明の論理付きメモリＬＳＩは、半導体基板１０１ａ上にバイポーラトランジスタが設けられ、バイポーラトランジスタは、タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃを有し、第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８が、バイポーラトランジスタ上にある論理付きメモリＬＳＩであり、要するに、引用発明は、半導体基板１０１ａ上に、タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃを有するバイポーラトランジスタが設けられ、当該バイポーラトランジスタ上に第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８が設けられた論理付きメモリＬＳＩである。
　そして、引用発明の「半導体基板１０１ａ」、「タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃ」、「バイポーラトランジスタ」、「第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８」、「論理付きメモリＬＳＩ」は、それぞれ、
本願発明の「半導体基板」、「メタル配線」、「アクティブ素子」、「層間絶縁膜」、「半導体装置」に相当する。
　従って、本願発明は、引用発明と「半導体基板上にメタル配線を有するアクティブ素子が設けられ、当該アクティブ素子上に層間絶縁膜が設けられた半導体装置。」である点で一致する。
　
２．相違点については、以下の通りである。
　相違点１
　本願発明は、「アクティブ素子上に、電極パッドのパッドメタルを形成するためのバリアメタル層が層間絶縁膜を介して設けられ」ているのに対し、
　引用発明は、「タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃを覆う第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８とを備え」るとともに、「前記第１の層間絶縁膜１１６上及び１１７上に形成された前記第１の層間絶縁膜１１８と、前記第１の層間絶縁膜１１８の上に形成された多層配線と、前記多層配線の上に形成された外部端子用引き出し配線としてのＢＬＭ膜１４３と、前記ＢＬＭ膜１４３の上に形成された外部端子（ボンディングパッド）１４４」を備えた点で相違する（以下、「相違点１」という。）。
　
　相違点２
　本願発明においては、「上記層間絶縁膜は、上記メタル配線の段差を補償する段差補償膜を少なくとも有し、上記段差補償膜は、上記メタル配線の段差を補償できるように、メタル配線の最上部の上には存在せず、メタル配線間にだけ残る厚さで設けられている」としているのに対し、　
　引用発明においては、「タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃを覆う第１の層間絶縁膜１１６の凹部を埋め込み、第１の層間絶縁膜１１６の表面を平坦化した第１の層間絶縁膜１１７と、前記第１の層間絶縁膜１１６上及び１１７上に形成された前記第１の層間絶縁膜１１８」を備える点で相違する（以下、「相違点２」という。）。
　
六．相違点についての検討
　相違点１について
１．（バリアメタル層について）
　前記拒絶理由で引用された本願出願前に頒布された刊行物である引用文献２（特開昭５８−８６７３３号公報）には、第１−３図とともに以下のとおり記載されている。
「本発明にかかる金属電極構造にあたっては、ボンディング領域においては絶縁層（ＳｉＯ２膜）と金属電極層の間にはプラズマＳｉＮ膜層が存在し、絶縁層（ＳｉＯ２膜）−プラズマＳｉＮ膜（Ｐ・ＳｉＮ）−チタン（Ｔｉ）−アルミニウム（Ａｌ）の構造となり、該絶縁層（ＳｉＯ２膜）と該金属電極の最下膜を構成するチタン層との間の接着強度が向上するため、該ボンディング領域の剥離強度が大幅に向上し、又強度のばらつきも殆どなくなる。
　上記実施例においては、配線電極のブロッキング層としては、チタン以外にモリブデン（Ｍｏ）、チタン・タングステン（Ｔｉ・Ｗ）が使用されてもよい。又、上記実施例においては本発明を半導体集積回路に実施した場合を説明したが、本発明は他の半導体集積回路はむろん、トランジスタ等に適用しても可能である。」（３頁左上欄２行〜１８行）
　上記「絶縁層（ＳｉＯ２膜）と金属電極層の間にはプラズマＳｉＮ膜層が存在し」、「絶縁層（ＳｉＯ２膜）と該金属電極の最下膜を構成するチタン層との間の接着強度が向上する」とは、要するに、ＳｉＮ膜層とチタン層とは接着強度が高いということである。また、上記「配線電極のブロッキング層としては、チタン以外にモリブデン（Ｍｏ）、チタン・タングステン（Ｔｉ・Ｗ）が使用されてもよい。」とは、チタン層が、配線電極のブロッキング層としての作用があるということである。
　そして、本願明細書段落００７２及び００７３に、バリアメタル１３は、窒化シリコン膜と密着性が高い、バリアメタル１３はチタンタングステン等からなる、と記載されていることも斟酌すると、結局、上記引用文献２のチタン層は、配線電極のバリアメタル層と言える。
　
　上記配線電極は、ボンディング領域における金属電極層であるから、電極パッドのパッドメタルに相当する。
　また、引用文献２のチタン層は、「絶縁層（ＳｉＯ２膜）−プラズマＳｉＮ膜（Ｐ・ＳｉＮ）−チタン（Ｔｉ）−アルミニウム（Ａｌ）の構造となり、該絶縁層（ＳｉＯ２膜）と該金属電極の最下膜を構成するチタン層」という記載、及び第１−３図を参照すれば、シリコン基板上に絶縁膜（酸化膜）を介して設けられている。
　
　従って、引用文献２のチタン層は、配線電極のバリアメタル層であり、配線電極は電極パッドのパッドメタルに相当し、シリコン基板上に絶縁膜（酸化膜）を介して設けられているから、結局、引用文献２には、電極パッドのパッドメタルのバリアメタル層を絶縁膜を介して設けることが、記載されている。
　そして、このバリアメタル層は、他の半導体集積回路等にも適用されるものである。（３頁左上欄１５〜１８行参照）。　
（なお、引用文献４（特開昭５８−１９２３５０号公報）４頁左上欄７〜１２行にも、同様な作用効果のＴｉ膜が記載されており、Ｔｉ膜等のバリアメタルは、一般的に周知である。）
　
２．上記五．１．一致点で検討したように、引用発明において、バイポーラトランジスタ上に、第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８が設けられていることと、引用発明の「層間絶縁膜１１６上及び１１７上に形成された前記第１の層間絶縁膜１１８と、前記第１の層間絶縁膜１１８の上に形成された多層配線と、前記多層配線の上に形成された外部端子用引き出し配線としてのＢＬＭ膜１４３」という構成、及び図４を参照すれば、バイポーラトランジスタ上に、ＢＬＭ膜１４３が、「第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８」を介して設けられていることは明らかである。
　
　そして、引用発明の、クロム（Ｃｒ）、Ｃｕおよび金（Ａｕ）を順次積層した構造（段落００７６参照）の外部端子用引き出し配線としてのＢＬＭ膜１４３は、外部端子（ボンディングパッド）１４４とともに、ボンディングパッド部すなわち電極パッド部を形成している金属配線であるから、電極パッドのメタル配線と言える。
　一方、本願発明のパッドメタルは、図１、図１５等のメタル配線１４、１９であり（段落００６２、０１１５、０１１６参照）、引用発明の外部端子用引き出し配線としてのＢＬＭ膜１４３に相当することは、明らかであるから、結局、引用発明のＢＬＭ膜１４３は、本願発明の「電極パッドのパッドメタル」に相当する。
　
　従って、引用発明では、バイポーラトランジスタ上に、本願発明の電極パッドのパッドメタルに相当するＢＬＭ膜１４３が、第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８を介して設けられている。
　
　そして、引用文献２には、電極パッドのパッドメタルのバリアメタル層を絶縁膜を介して設けることが記載されており、このバリアメタル層は、他の半導体集積回路等すなわち半導体装置にも適用されるものであるから（引用文献２の３頁左上欄１５〜１８行参照）、引用発明の半導体装置である論理付きメモリＬＳＩにおいて、バイポーラトランジスタ上に、電極パッドのパッドメタルすなわちＢＬＭ膜１４３を形成する際、引用文献２の電極パッドのパッドメタルのバリアメタル層を第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８を介して設けること、すなわち、バイポーラトランジスタ上に、ＢＬＭ膜１４３を形成する際、引用文献２のバリアメタル層を第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８を介して設けることは、当業者であれば、容易になし得ることである。
　
相違点２について
１．引用発明の、第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８は、「タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃを覆う第１の層間絶縁膜１１６の凹部を埋め込み、第１の層間絶縁膜１１６の表面を平坦化した第１の層間絶縁膜１１７と、前記第１の層間絶縁膜１１６上及び１１７上に形成された前記第１の層間絶縁膜１１８」からなる。
　そして、第１の層間絶縁膜１１７は、メタル配線に相当するタングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃの段差の影響を受けて絶縁膜１１６に生じた凹部を埋め込み、絶縁膜１１６の表面を平坦化するものであるから、第１の層間絶縁膜１１７は、本願発明の、メタル配線の段差を補償している段差補償膜に相当する。
　従って、引用発明の、第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８は、タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃの段差を補償する第１の層間絶縁膜１１７すなわち段差補償膜を少なくとも有している。
　
　さらに、引用文献１の図４には、本願発明の段差補償膜に相当する第１の層間絶縁膜１１７は、第１の層間絶縁膜１１６に生じた凹部のみに存在し、
前記第１の層間絶縁膜１１６上及び１１７上には、前記第１の層間絶縁膜１１８のみが形成され、本願発明の段差補償膜に相当する第１の層間絶縁膜１１７は、本願発明のメタル配線に相当するタングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃの最上部の上には存在しないことが示され、タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃの間にだけ残るように、エッチバックされた（引用文献１段落００４８参照）厚さで設けられている。
　すなわち、本願発明の段差補償膜に相当する引用発明の第１の層間絶縁膜１１７は、上記タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃの段差を補償できるように、タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃの最上部の上には存在せず、タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃ間にだけ残る厚さで設けられている。
　
　そして、引用発明の「第１の層間絶縁膜１１６、１１７及び１１８」、「タングステン配線１１５ａ、１１５ｂ及び１１５ｃ」は、それぞれ、本願発明の「層間絶縁膜」、「メタル配線」に相当する。
　従って、引用発明は、本願発明の「層間絶縁膜は、メタル配線の段差を補償する段差補償膜を少なくとも有し、上記段差補償膜は、上記メタル配線の段差を補償できるように、メタル配線の最上部の上には存在せず、メタル配線間にだけ残る厚さで設けられている」ことに相当する構成を実質的に備えており、相違点２は、実質的な相違点ではない。
　
　よって、本願発明は、引用文献１、２に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　なお、本願明細書段落００１７の「発明が解決しようとする課題」に記載されている図２３等で示されたボンディング時の圧力等によるパッド下層部の破壊等の課題については、本願発明には「段差補償膜」につき、その存在の有無、厚さだけ限定され、破壊する材質等、破壊等の課題に関する限定がなく、また、本願発明の段差補償膜が、実施例のＳＯＧ等（本願明細書段落００６０参照）のボンディング時において破壊されうる材質のものであるとしても、引用発明の、本願発明の段差補償膜に相当する第１の層間絶縁膜１１７もＳＯＧであり（引用文献１段落００４８参照）、本願発明の段差補償膜は、メタル配線の最上部の上には存在せず、メタル配線間にだけ残る厚さで設ける点についても実質的に引用発明と一致しているから、本願発明の段差補償膜の材質を限定したとしても相違点となるものではない。
　
八．むすび
　以上のとおりであるから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。