【事件の表示】
　平成　５年特許願第１６３５１５号「半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　１月２４日出願公開、特開平　７−　２２６９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年７月１日に出願された特許出願であって、原審において、平成１４年５月１５日付で拒絶理由が通知され、同年７月１７日に手続補正がなされたところ、同年８月１３日付で拒絶査定がなされ、これに対し同年９月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年１０月１７日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものである（以下、「本願発明」という。）。
　　
「【請求項１】  第１導電型のＧａＡｓ基板と、該基板の一主面上に形成された第１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上に引張り歪量子井戸層と量子障壁層とが交互に積層されてなる引張り歪多重量子井戸構造からなる活性層と、該活性層上に形成された第２導電型のクラッド層と、を備え、前記基板の一主面は｛１００｝面から＜０１１＞方向に９度〜１５度傾斜した面であり、且つ共振器長を１５０μｍ以上３００μｍ以下とすることにより最高発振温度を５０℃以上で且つ発振しきい値電流を４０ｍＡ以下にしたことを特徴とする半導体レーザ素子。」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である「１９９２年秋季第５３回応用物理学会学術講演会講演予稿集Ｎｏ．３，１８ａ−Ｖ−１１，ｐ．９５４」（以下、「引用例１」という。）には、
　　
（ア）「６３０ｎｍ帯ＩｎＧａＡｌＰ多重量子井戸レーザの引張り歪による動作特性の改善」（ｐ．９５４、１８ａ−Ｖ−１１タイトル）、
　　
（イ）「
はじめに
傾斜基板上に６３０ｎｍ帯ＩｎＧａＡｌＰ　ＭＱＷレーザを作成することにより、動作特性が向上したことを報告した
（１）
。今回、さらに、井戸層に引っ張り歪（Δａ／ａ＜０）をいれて６３０ｎｍ帯ＭＱＷレーザを作成した
はじめに
　　
（ウ）「
素子構造
井戸層はＩｎＧａＰ（８ｎｍ，Δａ／ａ＜０）、バリア層はＩｎ
０．５
（Ｇａ
１−ｘ
Ａｌ
ｘ
）
０．５
Ｐ（ｘ＝０．５，４ｎｍ）、井戸数は４とし、光ガイド層はＩｎＧａＡｌＰ（ｘ＝０．５，５０ｎｍ）、クラッド層はＩｎＧａＡｌＰ（ｘ＝０．７）のＭＱＷ−ＳＣＨ構造とし
素子構造
　　
（エ）「
結果
共振器長４００μｍ
閾値５９ｍＡ
７７℃までＣＷ発振が得られており、
結果
　　
（オ）「（１）渡邊他、９２春季応物２８ａ−ＳＦ−２１」（ｐ．９５４、１８ａ−Ｖ−１１脚注）、と記載され、
　　 
　上記（イ）によれば、上記引用例１のＭＱＷレーザに用いられた傾斜基板は、上記（オ）の文献に記載されているものと解されるから以下にこれを参照すると、当該文献には、
（カ）「
はじめに
（１００）面から[０１１]方向に１５°傾斜したＧａＡｓ基板
　
　さらに、上記（ウ）によれば、引用例１に記載のものの素子構造は、ＭＱＷ−ＳＣＨであるから、その層構成は、
（キ）「ＧａＡｓ基板と、同じ導電型のＩｎＧａＡｌＰクラッド層と、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層と、前記ＧａＡｓ基板とは導電型の異なるＩｎＧａＡｌＰクラッド層とを少なくとも積層した構造。」であることは明らかである。
　　
　これら（ア）〜（キ）の記載によれば、引用例１には、
「第１導電型のＧａＡｓ基板と、該基板の一主面上に形成された第１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上に引張り歪量子井戸層とバリア層とが交互に積層されてなる引張り歪多重量子井戸構造からなる活性層と、該活性層上に形成された第２導電型のクラッド層と、を備え、前記基板の一主面は（１００）面から[０１１]方向に１５度傾斜した面であり、且つ共振器長を４００μｍとすることにより最高連続発振温度を７７℃で且つ発振しきい値電流を５９ｍＡにしたことを特徴とする半導体レーザ。」
との事項が開示されていると認めることができる。（以下、「引用例１発明」という。）
　　
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−１０９７８９号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
（ク）「本発明は半導体をもちいた光素子、特に半導体レーザに係る。」（１頁左下欄１７〜１８行）
　　
（ケ）「・・・本発明の目的は（１００）基板結晶上に作成した光素子では得られない高性能の光素子を（１００）基板をもちいると同様の劈開上の利点をもって作製することにある。
【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するためには
基板結晶面が（００１）面から＜１１０＞方向または＜１−１０＞方向
に５〜１６°傾いた基板結晶を使用
　
（コ）「実施例２．
　有機金属エピタキシャル成長法により
（１１１）Ａ面に向けて（１００）面を１０度傾けた基板結晶上に第６図に示すような利得導波型ＡｌＧａＩｎＰレーザを形成した。ｎ−ＧａＡｓ基板結晶１
キャビティ長２５０μｍ
連続発振は１００℃まで可能
　　
（サ）「・・・実施例４，５，６においては横モード制御が容易でかつ、低発振閾電流値を低くできる屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰレーザにおいても、通常用いられる（００１）面から＜１１０＞方向或は＜１−１０＞方向へ傾き角度５〜１６°範囲、特に傾角１０°程度有する半導体基板上にＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザを作製することによりレーザ発振波長を約３０ｎｍ短波長化させることが可能であることを示した。・・・活性層をＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ混晶とした場合、室温直流動作下においてレーザ発振波長６５０±５ｎｍ、
閾値電流３０〜５０ｍＡ
　　
３．対比
　そこで、本願発明と、引用例１発明とを、以下に比較する。
　引用例１発明の「第１導電型のＧａＡｓ基板」「第１導電型のクラッド層」「引張り歪多重量子井戸構造からなる活性層」「第２導電型のクラッド層」「半導体レーザ」は、各々本願発明の「第１導電型のＧａＡｓ基板」「第１導電型のクラッド層」「引張り歪多重量子井戸構造からなる活性層」「第２導電型のクラッド層」「半導体レーザ素子」に相当し、また、引用例１発明の「基板の一主面は（１００）面から[０１１]方向に１５度傾斜した面であり」は、上記（１００）面及び[０１１]方向が、本願発明の｛１００｝面及び＜０１１＞方向に含まれ（本願明細書の段落【００３９】にも明記されている）、上記１５度傾斜が、本願発明の９度〜１５度傾斜に含まれる角度であることは明らかであるから、本願発明の「基板の一主面は｛１００｝面から＜０１１＞方向に９度〜１５度傾斜した面であり」に相当するから、
　両者は、
「第１導電型のＧａＡｓ基板と、該基板の一主面上に形成された第１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上に引張り歪量子井戸層とバリア層とが交互に積層されてなる引張り歪多重量子井戸構造からなる活性層と、該活性層上に形成された第２導電型のクラッド層と、を備え、前記基板の一主面は（１００）面から[０１１]方向に１５度傾斜した面であることを特徴とする半導体レーザ。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本願発明の半導体レーザは、「共振器長を１５０μｍ以上３００μｍ以下とすることにより最高発振温度を５０℃以上で且つ発振しきい値電流を４０ｍＡ以下にした」ものであるのに対し、引用例１発明の半導体レーザは、「共振器長を４００μｍとすることにより最高連続発振温度を７７℃で且つ発振しきい値電流を５９ｍＡにした」ものであって、最高発振温度こそ５０℃以上であるものの、共振器長及びそれに伴う発振しきい値電流の値が本願発明と異なる点。
　　
４．判断
　上記引用例２には、「（１１１）Ａ面に向けて（１００）面を１０度傾けたｎ−ＧａＡｓ基板結晶上に、
キャビティ長（本件発明の「共振器長」に相当）２５０ｎｍ、最高連続発振温度が１００℃
　また、上記（コ）の利得導波型ＡｌＧａＩｎＰレーザには、閾値電流の値が記載されていないが、同引用例２の上記（サ）には、「（００１）面から＜１１０＞方向或は＜１−１０＞方向へ傾き角度５〜１６°範囲、特に傾角１０°程度有する半導体基板上に、
閾値電流が３０〜５０ｍＡ
　そこで、上記引用例２に記載された比較的短い共振器長（２５０μｍ）を、引用例１発明に適用することが容易であるかについて以下に検討する。
　
　上記引用例１には、「共振器長４００μｍ、・・・２０℃での発振波長６３３．５ｎｍ、閾値５９ｍＡである。７７℃までＣＷ発振が得られており、Δａ／ａ＝０の井戸幅４ｎｍのＭＱＷレーザに比べて、最高連続発振温度が約３０％向上した。・・・井戸層への引張り歪の導入により、６３０ｎｍ帯において大幅に閾値を低減できている。この
最高連続発振温度の向上と閾値の低下
　そして、上記のように共振器長を短くするにしたがって閾値電流は漸次小さくなることが従来から知られており、また、上記引用例２に記載されたもののように共振器長が２５０μｍと短いものであっても、十分高い最高連続発振温度を達成可能なことが知られているのであるから、引用例１発明において、最高連続発振温度の向上と閾値電流のさらなる低下を意図して共振器長を短くすることには、十分な動機があったというべきであり、これを採用するについて特段の阻害要因も見当たらないから、上記相違点は、引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たことといわざるを得ない。
　
　また、本願発明の作用効果も、引用例１，２に記載された発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
　なお、請求人は、請求理由において、
「引用例２に記載された発明は、発振波長が６７７ｎｍのレーザ素子であって、本願発明にかかる６３０ｎｍ帯のレーザ素子とは同一の分野に属しているとはいえない。」（平成１４年１２月１１日手続補正書５頁３〜９行）旨主張している。
　しかしながら、両者はＡｌＧａＩｎＰレーザである点で一致し、引用例２の実施例６には発振波長が６１０〜６３０ｎｍに達するレーザも例示されているのであるから、請求人の上記主張には合理的根拠があるとはいえず、これを採用することはできない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。