【事件の表示】
　平成　８年特許願第５２６７５５号「磁気記録媒体及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　９月１２日国際公開、ＷＯ９６／２７８７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、１９９５年３月８日を国際出願日とする出願であって、その請求項１〜８項に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年１０月１５日付け手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という、）は、次のとおりである。
　【請求項３】「前記強磁性金属層が第４元素としてＴａを含有することを特徴とする特許請求の範囲１または２に記載の磁気記録媒体。」
　そして、該請求項３で引用された請求項１に記載の磁気記録媒体は、請求項１に記載されたとおりの「【請求項１】　基体の表面上に金属下地層を介して少なくともＣｏＣｒＰｔからなる強磁性金属層が形成され、前記強磁性金属層の酸素濃度が１００ｗｔｐｐｍ以下である磁化反転を利用した磁気記録媒体において、前記強磁性金属層を形成する結晶粒子は、少なくとも前記結晶粒子間に、非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層を有することを特徴とする磁気記録媒体。」である。
　
　そこで、引用された請求項１の構成を請求項３に読み込むと、本願発明は、
　「基体の表面上に金属下地層を介して少なくともＣｏＣｒＰｔからなり第４元素としてＴａを含有する強磁性金属層が形成され、前記強磁性金属層の酸素濃度が１００ｗｔｐｐｍ以下である磁化反転を利用した磁気記録媒体において、前記強磁性金属層を形成する結晶粒子は、少なくとも前記結晶粒子間に、非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層を有することを特徴とする磁気記録媒体。」であると認められる。
　
ＩＩ．引用例
  これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願日前に頒布された国際公開第９５／０３６０３号パンフレット（１９９５年２月２日公開、以下、「引用例」という。）には、次のような記載がある。なお、下線は、当審が付与した。
　（i）「１．
基体の表面上に金属下地層を介して強磁性金属層が形成され、磁化反転を利用した磁気記録媒体において、該強磁性金属層の酸素濃度を１００ｗｔｐｐｍ以下としたことを特徴とする磁気記録媒体
　２．基体の表面上に金属下地層を介して強磁性金属層が形成され、磁化反転を利用した磁気記録媒体において、該金属下地層の酸素濃度を１００ｗｔｐｐｍ以下としたことを特徴とする磁気記録媒体。
　３．前記強磁性金属層の酸素濃度を１００ｗｔｐｐｍ以下としたことを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
　４．前記
強磁性金属層は、Ｃｏ基合金
　５．前記Ｃｏ基合金は、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、
ＣｏＰｔＣｒ
ＣｏＣｒＰｔＴａ
　６．前記
金属下地層がＣｒ
　・・・（中略）・・・
　１５．前記
強磁性金属層の規格化保磁力（Hc/Hk
grain
と表記する）が、０．３以上０．５未満である
　・・・（中略）・・・
　１９．基体の表面上に、スパッタ法により金属下地層と強磁性金属とを順次形成してなる磁気記録媒体の製造方法において、
成膜に用いるＡｒガスの不純物濃度が１０ｐｐｂ以下である
　・・・（中略）・・・
　２９．前記
金属下地層及び／または強磁性金属層を形成する成膜質の到達真空度が、８×１０
−８
Ｔｏｒｒ以下である
　・・・（中略）・・・
　３２．前記
基体の表面粗さは、Ｒａが３ｎｍ以下である
　・・・（後略）。」（第３４頁〜第３６頁の特許請求の範囲参照）、及び、
　（ii）「作用　　本発明では、基体の表面上に金属下地層を介して強磁性金属層が形成された磁気記録媒体において、
強磁性金属層の酸素濃度を100wtppm以下としたことにより、不純物を核として結晶成長する粒子が少ないために、均一な結晶粒が得られ
良質の結晶成長ができる
　（iii）「さらに、本発明では、基体表面上に金属下地層を介して強磁性金属層が形成された磁気記録媒体において、
強磁性金属層と金属下地層の２層とも酸素濃度を１００ｗｔｐｐｍ以下としたことにより、金属下地層の非磁性Ｃｒは、強磁性金属層および金属下地層の中の不純物に影響されずに、上記２層の界面を通過して強磁性金属層の結晶粒子間に拡散しやすい。その結果、強磁性金属層の各結晶粒子の磁気的孤立度は高まるため、膜面に対して平行方向の高い保磁力の磁気記録媒体を実現することができる
　（iv）「本発明の磁気記録媒体では、
基体の表面粗さＲａを好ましくは３ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以下とすることにより、より一層高い保磁力が実現できる
　（v）「また、本発明では、金属下地層を形成する前に、不純物濃度が１０ｐｐｂ以下であるＡｒガスを用いて、基体の表面を高周波スパッタ法によるクリーニング処理を行ない、０．２ｎｍ〜１ｎｍの非常に薄い剥離処理をすることにより、次の２つの作用を有する磁気記録媒体の製造方法が実現できる。
（１）基体の表面に付着し、真空中保管や加熱処理で除去できない物質を取り去ることができるため、Ｃｒ層の膜厚が薄い段階（例えば５ｎｍ）から、Ｃｒ膜の結晶成長を促進する。その結果、薄いＣｒ層上に強磁性金属層を形成しても、膜面に対して平行方向の高い保磁力がえられる。
（２）
Ｃｒ層の上に形成される強磁性金属層の結晶粒界へ、Ｃｒ層から非磁性Ｃｒの拡散を容易とする。その結果、強磁性金属層を構成する各結晶粒子は、隣接した結晶粒子から磁気的相互作用を受けづらくなり、膜面に対して平行方向の高い保磁力が得られる
　（vi）「（強磁性金属層の規格化保磁力（Ｈｃ/Ｈｋgrainと表記する。））　強磁性金属層の規格化保磁力とは、保磁力Ｈｃを、結晶粒の異方性磁界Ｈｋgrainで割った値であり、結晶粒の磁気的孤立性が高まる度合いを表わすことが、・・・（文献名略）・・・に示されている。　従来のスパッタ法で作製した強磁性金属層の規格化保磁力は、強磁性金属層がＣｏ基である限り、０．３より小さな値であった。Stoner-Wohlfarth理論によれば、結晶粒が完全に磁気的に孤立した場合、０．５をとることが示されており、この値が規格化保磁力の上限値である。」（第９頁２４〜３４行参照）こと、
　（vii）「（
実施例１
基体の表面上に金属下地層を介して強磁性金属層が形成される磁気記録媒体において、強磁性金属層に含まれる酸素濃度を限定する効果について示す
  本例で媒体作製に用いたスパッタ装置は、アネルバ製のマグネトロンスパッタ装置（型番ILC3013:ロードロック式静止対向型）であり、全ての真空チャンバー（仕込／取り出し室（兼クリーニング室），成膜室1,成膜室2,成膜室３）の内壁は、複合電解研磨処理がしてある。表１は、本例の磁気記録媒体を作製する時の成膜条件である。
  以下に、本例の磁気記録媒体の作製方法について、手順を追って説明する。以下の括弧付き番号は、その手順を表す。
（１）基体としては、内／外径が25mm/89mm、厚さが1.27mmのディスク形状をしたアルミニウム合金基板を用いた。アルミニウム合金基板の表面上には、めっき法により厚さ10μｍの（Ni−Ｐ）膜を設けた。（Ni−Ｐ）膜の表面には、機械的な手法で同心円状の軽微なキズ（テクスチャー）が付いており、ディスク半径方向に走査したときの基体の表面粗さは、平均中心線粗さRaが5nmであった。
（２）上記基体は、後述する成膜の前に、機械的および化学的な手法による洗浄処理と、熱風などによる乾燥処理がなされた。
（３）上記の乾燥処理が済んだ
基体を
到達真空度が１×10
-7
Torrまで排気した後
（４）仕込室から
Cr膜作製用の成膜室１
成膜室１は事前に到達真空度が３×10
-9
Torrまで排気してあり
（５）成膜室１の中にArガスを導入し、成膜室１のガス圧を2mTorrとした。使用したArガスに含まれる不純物濃度は、1ppmに固定した。
（６）Crターゲットに直流電源から電圧200Wを印加してプラズマを発生させる。その結果、Crターゲットはスパッタされ、ターゲットと平行して対向する位置にある基体の表面上に、膜厚50nmのCr層を形成した。
（７）
Cr層を形成した後、成膜室１からCoNiCr膜作製用の成膜室２に
成膜室２は事前に到達真空度が３×10
-9
Torrまで排気してあり
（８）成膜室２の中にArガスを導入し、成膜室２のガス圧を2mTorrとした。使用した
Arガスに含まれる不純物濃度は、10ppb〜1ppmの範囲で変えた
（９）CoNiCrターゲットに直流電源から電圧200Wを印加してプラズマを発生させる。その結果、CoNiCrターゲットはスパッタされ、ターゲットと平行して対向する位置にあるCr層付き基体の表面上に、膜厚40nmのCoNiCr層を形成した。
（10）CoNiCr層を形成した後、成膜室２からＣ膜作製用の成膜室３に、前記の基体ホルダーを移動した。移動した後も基体は、赤外線ランプにて、250℃に加熱保持した。但し、成膜室３は事前に到達真空度が３×10-9Torrまで排気してあり、前記の基体ホルダー移動後は、成膜室２と成膜室３の間にあるドアバルブは閉じた。
（11）成膜室３の中にArガスを導入し、成膜室３のガス圧を2mTorrとした。使用したArガスに含まれる不純物濃度は、1ppmに固定した。
（12）Ｃターゲットに直流電源から電圧400Wを印加してプラズマを発生させる。その結果、Ｃターゲットはスパッタされ、ターゲットと平行して対向する位置にあるCoNiCr層/Cr層付き基体の表面上に、膜厚20nmのＣ層を形成した。
（13）Ｃ層を形成した後、成膜室３から取り出し室に、前記の基体ホルダーを移動した。その後、取り出し室にN2ガスを導入して大気圧としてから基体を取り出した。上記（１）〜（12）の工程により、層構成がC/CoNiCr/Cr/NiP/Alである磁気記録媒体を作製した。」（第１５頁２１行〜第１８頁１１行参照）こと、
　（viii）「（
実施例３
強磁性金属層に含まれる酸素濃度と、金属下地層に含まれる酸素濃度とを両方とも限定する効果について示す
金属下地層を形成する時のArガスに含まれる不純物濃度は、1.5ppbに固定した
  
他の点は実施例１と同様
　（ix）「（
実施例４
Co
75
−Cr
13
−Pt
12
Co
75.5
−Cr
10.5
−Ta
4
−Pt
10
  
他の点は実施例３と同様
  本例では、Co基合金を構成する元素とその比率を代えたにも拘わらず、
Co基合金膜中の酸素濃度とCr膜中の酸素濃度とを一緒に100wtppm以下にすることにより、どのCo基合金においても保磁力は50％以上は増加することが確認できた
  従って、強磁性金属層の酸素濃度と金属下地層の酸素濃度とを一緒に100wtppm以下にした場合の保磁力増大傾向は、強磁性金属層を形成するターゲットがCo基合金であれば良いと判断された。特にCo62.5−Ni30−Cr7.5合金、Co85.5−Cr10.5−Ta4合金、Co82.5−Ni26−Cr7.5−Ta4合金では、従来媒体と比べて保磁力は100％以上増加することからより好ましい。」（第２０頁第１０〜２０行参照）こと、
　（x）「（
実施例８
規格化保磁力（Hc/Hk
grain
と表記する）を限定する効果について示す
金属下地層の材料はCrであり
Co
75
−Cr
13
−Pt
12
Co
75.5
−Cr
10.5
−Ta
4
−Pt
10
  
他の点は実施例３と同様
  図10に、作製した媒体の磁気特性を○印で示した。図10の横軸は、規格化保磁力（Hc/Hkgrain）である、図10の縦軸は、作製した媒体のノイズＮである。媒体ノイズの測定方法と測定条件は、実施例５と同様とした。また、比較例として、従来媒体（強磁性金属層中の酸素濃度が260wtppmの場合）に対しても同様の評価をした。その結果は、図10の●印である。
  図10に示したCo基合金の規格化保磁力の値は、表４に示した。
　図10から、強磁性金属層の材料には依存せず、
従来媒体の規格化保磁力は0.3より小さいのに対して、本例の媒体は0.3以上の高い値を有することが分かった
媒体ノイズは、従来媒体より本例の媒体の方が全て小さかった
  従って、強磁性金属層の規格化保磁力（Hc/Hkgrain）を0.3以上0.5未満の範囲に限定することにより、高記録密度化に対応可能な低ノイズ媒体が実現できることが確認された。」（第２５頁２０行〜第２６頁２６行参照）こと、
　（xi）「（
実施例１０
基体の表面に対してクリーニング処理をおこなう効果について示す
（１）実施例３で用いたアルミニウム合金基板からなる基体を、クリーニング処理室内に配置した後、その処理室内を６×10-7Torrまで真空排気した。
（２）上記基体の表面温度が230℃になるように、赤外線ランプを用いて５分間加熱をした。
（３）上記のクリーニング処理室内に、不純物濃度が10ppbのArガスを導入し、ガス圧を1mTorrとした。
（４）上記
基体に対して、RF電源から電圧を印加し、クリーニング処理を行った
（５）
その後、上記基体の表面上に、金属下地層としてCr膜
その成膜条件は、実施例３と同様
  図12に、上記クリーニング処理による基体表面の剥離量と、作製した媒体の保磁力との関係を示した。横軸は、（Ni−Ｐ）層表面に対するクリーニング処理時間であり、130秒が2.4nmの剥離量に相当する。縦軸はこの時の媒体の保磁力を示し、Hc（cir）はディスク状基体の円周方向の保磁力、Hc（rad）は半径方向の保磁力の値を、それぞれ○印と□印で示した。また、比較例として、不純物濃度が20ppbのArガスにてクリーニング処理した場合の媒体の保磁力も●印と■印で示した。
  図12が示すように、クリーニング処理による基体表面の剥離量が0.2nm〜1.0nmで円周方向または半径方向の保磁力は増加し、また保磁力の比Hc（cir）/Hc（rad）も変化させることができる。保磁力の増大には、特に0.3nm〜0.6nmが有利であることが分かった。
  図13は、この時の各媒体表面のＸ線回折結果であり、クリーニング処理によりCr下地層の結晶構造とその上のCo合金層の結晶構造が変化し、剥離量が大きすぎるとCr（200）及びCoNiCr（110）の回折ピークが消失してしまうことを示している。
  従って、金属下地層を形成する前に、基体の表面を適切な剥離量だけクリーニング処理することは、高い保磁力を実現するために有効であることが分かった。
この効果は、
Co
75
−Cr
13
−Pt
12
Co
75.5
−Cr
10.5
−Ta
4
−Pt
10
でも確認できた
　（xii）「（実施例１４）　本例では、
金属下地層及び／または強磁性金属層を形成する成膜室の到達真空度を８×10
-8
Torr以下とする効果について示す
  他の点は実施例19と同様とした。
  図17に、金属下地層及び強磁性金属層を形成する成膜室の到達真空度と、作製した媒体の保磁力との関係を示した。縦軸は、ディスク状基体の円周方向の保磁力の値を示した。
  図17が示すように、上記の
到達真空度を８×10
-8
Torr以下とすると、保磁力が急激に増加した。また、５×10
-8
Torr以下では、2000Oe以上の高い保持力が得られる
  また、金属下地層または強磁性金属層を形成する成膜室の到達真空度を８×10-8Torr以下とした場合も、保磁力の増加が別途確認できた。」（第３０頁３〜２０行参照）こと、
　（xiii）「
本発明の磁気記録媒体の製造方法により、強磁性金属膜中において結晶粒子の磁気的孤立度が向上して保磁力を増大することができる
　
　これらの記載からすると、引用例には、高い保磁力を有する磁気記録媒体に関し、
　「基体の表面上にＣｒなどからなる金属下地層を介してＣｏＰｔＣｒ（Ｃｏ７５−Ｃｒ１３−Ｐｔ１２など）、ＣｏＰｔＣｒＴａ（Ｃｏ７５．７−Ｃｒ１０．５−Ｔａ４−Ｐｔ１０など）からなる強磁性金属層が形成され、該強磁性金属層及び金属下地層の酸素濃度が１００ｗｔｐｐｍ以下である磁化反転を利用した磁気記録媒体において、強磁性金属層を形成する結晶粒子を有し、強磁性金属層の結晶粒界には非磁性Ｃｒが拡散し、隣接した結晶粒子からの磁気的相互作用を受けづらくし各結晶粒子の磁気的孤立度を高める領域が形成されている磁気記録媒体。」
の発明が記載されているものと認める。
　
ＩＩＩ．対比、判断
　本願発明と引用例に記載された発明とを対比すると、本願発明でも金属下地層としては実施例にＣｒを用いているから、両者は「基体の表面上に（Ｃｒなどからなる）金属下地層を介して少なくともＣｏＣｒＰｔからなり第４元素としてＴａを含有する強磁性金属層が形成され、前記強磁性金属層の酸素濃度が１００ｗｔｐｐｍ以下である磁化反転を利用した磁気記録媒体において、前記強磁性金属層を形成する結晶粒子を有する磁気記録媒体。」の発明で少なくとも一致する。
　本願発明では、更に、「結晶粒子は、少なくとも前記結晶粒子間に、非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層を有する」ことを規定しているので、引用例発明でもこの点について記載されているか検討する。
　
　（ｉ）引用例発明では、本願発明の粒界層に対応する箇所として、「強磁性金属層の結晶粒界には非磁性Ｃｒが拡散し、隣接した結晶粒子からの磁気的相互作用を受けづらくし各結晶粒子の磁気的孤立度を高める領域」が存在する（摘示（iii）、（v）、（xiii）参照）。　なお、摘示（v）の記載では、基板の高周波スパッタリングによるクリーニングによる作用として記載されているけれども、Ｃｒ拡散の程度を容易にするものであり、結晶粒界が存在することが前提にされていると解するのが相当であり、引用例の実施例１０ではかかるクリーニング処理した基板を用いてＣｏＣｒＴａＰｔの強磁性金属層を形成しているから、その実施例もある。
　ところで、本願発明の「結晶粒子間の非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層」は、本願明細書の「強磁性金属層の規格化保磁力（Ｈｃ/Ｈｋｇｒａｉｎ）とは、保磁力Ｈｃを、結晶粒の異方性磁界Ｈｋｇｒａｉｎで割った値であり、結晶粒の磁気的孤立性が高まる度合いを表している。すなわち、強磁性金属層の規格化保磁力が高いということは、強磁性金属層を構成する個々の結晶粒の磁気的相互作用が低下し、高い保磁力が実現できることを意味する。」（第３頁第２〜６行参照；なお引用例にも摘示（vi）に同様な記載がある。）ことや、「ＣｏＣｒＰｔからなる強磁性金属層を有する面内磁気記録媒体において、前記強磁性金属層を形成する結晶粒子間に、非晶質(アモルファス）構造からなる粒界層があるため、高い保磁力及び規格化保磁力と、良好なＳ／Ｎ特性が実現できる。」（第５頁第２〜５行参照）こと、「粒界層付近（領域２）は、Ｃｒ濃度が著しく高く、合金組成的に非磁性であることが分かった。」（第２２頁第２０〜２２行参照）こととの記載からして、「Ｃｒ濃度が著しく高く合金組成的に非磁性であって、個々の結晶粒子の磁気的相互作用を低下し磁気的孤立性を高め保磁力を高める作用を有する層」と認められる。
　一方、引用例に記載された発明において、本願発明の粒界層に対応する「強磁性金属層の結晶粒界には非磁性Ｃｒが拡散し、隣接した結晶粒子から磁気的相互作用を受けづらくし各結晶粒子の磁気的孤立度を高める領域」も、「Ｃｒ濃度が高く非磁性であり個々の結晶粒子の磁気的相互作用を低下し磁気的孤立性を高め保磁力を高める作用を有する領域」である。　ちなみに、引用例の実施例８の表４に示されたＣｏＣｒＰｔとＣｏＣｒＴａＰｔの規格化保磁力０．３８（摘示（x）参照）は、本願発明の実施例２の表６の試料３と実施例３の表７の試料７のＣｏＣｒＰｔとＣｏＣｒＴａＰｔの規格化保磁力０．３７に比べ同等以上であって、実質的な差異はない。
　してみると、引用例発明に「非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層」の表現はなくとも、引用例発明の前記結晶粒界に形成された領域が本願発明の「非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層」に相当し、両者は実質的に相違するものとは認められない。
　
　（ｉｉ）更に、本願明細書の説明によれば、Ｔａを含有する場合には、到達真空度が１０−７Ｔｏｒｒであっても、非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層が形成されることが実施例として明示されている（本願明細書第２７頁実施例３の表７参照）。　なるほど、非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層の面積は、到達真空度が１０−９Ｔｏｒｒの場合に比べて小さいものとなることも説明されているけれども、粒界層の面積は本願発明の構成ではないから、その粒界層の面積の大小は、両発明の対比、判断を左右し得ないものである。
　してみると、引用例の実施例において、本願発明の構成と一致するＣｏＣｒＰｔＴａを強磁性金属層とする場合に、到達真空度が１０−９Ｔｏｒｒであろうと１０−７Ｔｏｒｒであろうと、非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層が形成されていると解するのが相当であって、引用例の実施例４、８、乃至１０のＣｏＣｒＴａＰｔを用いて製造された磁気記録媒体においても、非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層が形成されるものというべきである。
　
　なお、請求人は、本願発明の実施例と引用例の実施例ではその製造条件が異なる旨を主張しているけれども、本質的相違点とはなりえないので、該主張は採用できない。
例えば、
　（ａ）成膜時到達真空度に関して、本願発明では３×１０−９Ｔｏｒｒであるのに対し、引用例では実施例１４を除き５×１０−７Ｔｏｒｒである点で相違する旨を請求人は主張しているけれども、引用例の実施例４、８、１０において引用する実施例３更に該実施例３で引用される実施例１では、成膜室１，２が事前に３×１０−９Ｔｏｒｒまで排気されていることが明示（摘示（vii）の表１に続く（４）、（７）の説明参照）されているから、該主張は失当である。　なるほど、表１には、「５×１０−７Ｔｏｒｒ（全室とも）」と記載はされているけれども、もともと８×１０−８Ｔｏｒｒ以下とすることが望ましいとされているのであるから、そして、実施例１４において、それより真空度が低くなり５×１０−７Ｔｏｒｒは保磁力を確保する観点から不適とされているのであるから、表１の該記載は誤記と解すべきである。　仮に、誤記でなく５×１０−７Ｔｏｒｒで実施されていたところで、上記検討の如く、本願発明のＣｏＣｒＰｔＴａを強磁性金属層とする場合には、非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層が形成されるのであるから、上記判断を左右できるものではない。
　（ｂ）基板の表面粗さに関して、本願発明では１ｎｍ未満であるのに対し、引用例の実施例１〜１０では５ｎｍである点で相違する旨を請求人は主張しているけれども、そもそも本願明細書を検討しても、基板の表面粗さを小さくするのはヘッドの浮上量をより小さくする必要に答える観点からのもの（第１５頁参照）であって、基板の表面粗さによって「非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層」の形成の有無が生じるとは記載していないし、それを示すデータもなければ、そのように解すべき理由もないから、該主張は採用できない。　そればかりか、引用例には、１ｎｍ程度の基板の表面粗さＲａでも実施できることが明示（摘示（iv）など参照）されているのであるから、基板の表面粗さＲａの条件に本質的な差異があるとは解すべき理由はない。
　（ｃ）基体に対するバイアスの印加に関し、本願発明では−２００Ｖであり、印加しなくても実施できるのに対し、引用例では−３００Ｖの実施例である点で相違する旨主張するけれども、−２００Ｖと−３００Ｖのバイアス印加の違いが「非晶質（アモルファス）構造からなる粒界層」の形成の有無を生じると解すべき理由はない。　なお、本願発明ではバイアスを印加しなくても良いとの利点がある旨の請求人の主張は、本願発明で特定された磁気記録媒体自体の発明に関係のないことである。
　
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明と実質的に相違しない。
　
ＩＶ．まとめ
　以上のように、本願発明は、引用例に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願はその余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。