【手続補正書】
【提出日】平成30年11月13日(2018.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体モジュールであって、
ＲＣ−ＩＧＢＴと、
制御ＩＣと、
パワー端子と、
前記ＲＣ−ＩＧＢＴ内のＩＧＢＴのゲートと前記制御ＩＣとを接続するゲートワイヤと、
前記ＲＣ−ＩＧＢＴ内のＩＧＢＴのエミッタと前記パワー端子とを接続するエミッタワイヤとを備え、
前記半導体モジュールは、
前記パワー端子が配置されている位置と、前記制御ＩＣが配置されている位置の間にダイパッドエリアを含み、前記ダイパッドエリア内の前記制御ＩＣよりも前記パワー端子に近い位置に、前記ＲＣ−ＩＧＢＴが配置される、半導体モジュール。
【請求項２】
前記ダイパッドエリアは矩形であり、前記ダイパッドエリアの前記制御ＩＣに最も近い辺を第１の辺、前記第１の辺に対向する辺を第２の辺としたときに、
前記第１の辺および前記第２の辺に垂直な方向において、前記第１の辺よりも前記第２の辺に近い位置に前記ＲＣ−ＩＧＢＴが配置される、請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記半導体モジュールは、
３相インバータを構成する複数個の前記ＲＣ−ＩＧＢＴを備え、
前記複数個のＲＣ−ＩＧＢＴが、前記第２の辺に沿って一列に配置される、請求項２記載の半導体モジュール。
【請求項４】
半導体モジュールであって、
３相インバータを構成する複数個のＲＣ−ＩＧＢＴと、
少なくとも１つの制御ＩＣと、
パワー端子と、
前記ＲＣ−ＩＧＢＴ内のＩＧＢＴのゲートと前記制御ＩＣとを接続するゲートワイヤと、
前記ＲＣ−ＩＧＢＴ内のＩＧＢＴのエミッタと前記パワー端子とを接続するエミッタワイヤとを備え、
前記半導体モジュールは、
前記パワー端子が配置されている位置と、前記制御ＩＣが配置されている位置の間に矩形のダイパッドエリアを含み、前記ダイパッドエリアの前記制御ＩＣに最も近い辺を第１の辺、前記第１の辺に対向する辺を第２の辺としたときに、
前記ダイパッドエリア内において、各相の上アーム用のＲＣ−ＩＧＢＴと下アーム用のＲＣ−ＩＧＢＴのうちの一方が、前記第１の辺に垂直な方向において、前記第２の辺よりも前記第１の辺に近い位置に配置され、他方が、前記垂直な方向において前記第１の辺よりも前記第２の辺に近い位置に配置される、半導体モジュール。
【請求項５】
前記複数個のＲＣ−ＩＧＢＴが、前記第１の辺に平行な方向に沿って千鳥状に配置される、請求項４記載の半導体モジュール。
【請求項６】
半導体モジュールであって、
３相インバータを構成する複数個のＲＣ−ＩＧＢＴと、
少なくとも１つの制御ＩＣと、
パワー端子と、
前記ＲＣ−ＩＧＢＴ内のＩＧＢＴのゲートと前記制御ＩＣとを接続するゲートワイヤと、
前記ＲＣ−ＩＧＢＴ内のＩＧＢＴのエミッタと前記パワー端子とを接続するエミッタワイヤとを備え、
前記半導体モジュールは、
前記パワー端子が配置されている位置と、前記制御ＩＣが配置されている位置の間に矩形のダイパッドエリアを含み、前記ダイパッドエリアの前記制御ＩＣに最も近い辺を第１の辺、前記第１の辺に対向する辺を第２の辺としたときに、
前記ダイパッドエリアにおいて、２つの相の上アーム用のＲＣ−ＩＧＢＴと下アーム用のＲＣ−ＩＧＢＴのうちの一方が、前記第１の辺に垂直な方向において、前記第２の辺よりも前記第１の辺に近い位置に配置され、他方が、前記第１の辺に垂直な方向において、前記第１の辺よりも前記第２の辺に近い位置に配置され、
１つの相の上アーム用のＲＣ−ＩＧＢＴと下アーム用のＲＣ−ＩＧＢＴのうちの両方が、前記第１の辺に垂直な方向において、前記第１の辺と前記第２の辺との間の略中央の位置に配置される、半導体モジュール。
【請求項７】
前記ダイパッドエリアは、前記第１の辺の方向において第１のエリアと第２のエリアに分割され、
前記第１のエリアに、上アーム用の３個のＲＣ−ＩＧＢＴが配置され、前記第２のエリアに下アーム用の３個のＲＣ−ＩＧＢＴが配置される、請求項６記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記第１のエリアにおいて、上アーム用の３個のＲＣ−ＩＧＢＴが階段状に配置され、前記第２のエリアにおいて、下アーム用の３個のＲＣ−ＩＧＢＴが階段状に配置される、請求項７記載の半導体モジュール。
【請求項９】
前記半導体モジュールは、さらに、
コンバータと、
ブレーキ回路の一部の構成要素を備える、請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
前記半導体モジュールは、さらに、
前記コンバータから供給される電力の力率を高めるＰＦＣ回路を備える、請求項９記載の半導体モジュール。
【請求項１１】
前記制御ＩＣは、上アームのＲＣ−ＩＧＢＴを制御するハイサイド制御回路と、下アームのＲＣ−ＩＧＢＴを制御するロウサイド制御回路とを含み、
前記半導体モジュールは、さらに、
前記ハイサイド制御回路に電力を供給するブートストラップ回路を備える、請求項１記載の半導体モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
３相インバータＩＶは、入力される直流電力を交流電力に変換する。
３相インバータＩＶは、正の電圧線ＰＬと３相誘導モータＭＴの各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の端子との間にＩＧＢＴ４ＵＵ，４ＵＶ，４ＵＷとＦＷＤ５ＵＵ，５ＵＶ，５ＵＷが逆並列に接続され、かつ、３相誘導モータＭＴの各相の端子と負の電圧線ＮＬとの間にＩＧＢＴ４ＬＵ，４ＬＶ，４ＬＷとＦＷＤ５ＬＵ，５ＬＶ，５ＬＷが逆並列に接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ダイパッドエリアＡＲ内のＨＶＩＣ２およびＬＶＩＣ３に最も近い辺を第１の辺Ｌ１とし、第１の辺に対向する辺を第２の辺Ｌ２とし、第１の辺および第２の辺と垂直な辺を第３の辺Ｌ３、第４の辺Ｌ４とする。第１の辺Ｌ１および第２の辺Ｌ２が伸びる方向をＸ方向、第３の辺Ｌ３および第４の辺Ｌ４が伸びる方向をＹ方向とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ダイパッドエリアＡＲ内の第１の辺Ｌ１に近い位置にＩＧＢＴ４ＵＵ，４ＵＶ，４ＵＷ，４ＬＵ，４ＬＶ，４ＬＷが配置される。ダイパッドエリア内ＡＲ内の第２の辺Ｌ２に近い位置にＦＷＤ５ＵＵ，５ＵＶ，５ＵＷ，５ＬＵ，５ＬＶ，５ＬＷが配置される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なお、ＩＧＢＴとＦＷＤとが１チップ化されてない従来のトランスファーモールド型ＩＰＭにおいて、ＩＧＢＴの位置とＦＷＤの位置を逆にした場合に、エミッタワイヤの配線を短縮することができる。しかしながら、ＩＧＢＴのゲートと、ＬＶＩＣおよびＨＶＩＣとを接続するゲートワイヤがエミッタワイヤと干渉しやすくなるという問題がある。これに対して、図４に示す本実施の形態のトランスファーモールド型ＩＰＭのレイアウトでは、このような問題が生じない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図６の例について具体的に説明する。
領域ＲＵ内に、Ｘ方向において、左側からＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＵＵ，１０ＵＶ，１０ＵＷの順に階段状に配置される。すなわち、３つのＲＣ−ＩＧＢＴのうち、領域ＲＵのＸ方向の一端に近い位置のＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＵＵは、Ｙ方向において第２の辺Ｌ２よりも第１の辺Ｌ１に近い位置に配置される。領域ＲＵのＸ方向の他端に近い位置のＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＵＷは、Ｙ方向において第１の辺Ｌ１よりも第２の辺Ｌ２に近い位置に配置される。Ｘ方向においてＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＵＵの位置とＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＵＷの位置の間に位置するＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＵＶは、Ｙ方向においてＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＵＵの位置とＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＵＷの位置の間の位置に配置される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
領域ＲＬ内に、Ｘ方向において、左側からＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＬＷ，１０ＬＶ，１０ＬＵの順に階段状に配置される。すなわち、３つのＲＣ−ＩＧＢＴのうち、領域ＲＬのＸ方向の一端に近い位置のＲＣ−ＩＧＢ１０ＬＷは、Ｙ方向において第２の辺Ｌ２よりも第１の辺Ｌ１に近い位置に配置される。領域ＲＬのＸ方向の他端に近い位置のＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＬＵは、Ｙ方向において第１の辺Ｌ１よりも第２の辺Ｌ２に近い位置に配置される。Ｘ方向においてＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＬＷの位置とＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＬＵの位置の間に位置するＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＬＶは、Ｙ方向においてＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＬＷの位置とＲＣ−ＩＧＢＴ１０ＬＵの位置の間の位置に配置される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ＰＦＣ回路５１は、コンバータＣＶで発生する高調波電流を抑制することによって、力率を改善する。つまり、ＰＦＣ回路５１は、ＡＣ電源電圧とコンバータＣＶを流れる電流の波形を合わせる、つまり電流を正弦波に近い波形とすることによって、力率を改善する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
本実施の形態では、３相インバータＩＶ、ＨＶＩＣ２、ＬＶＩＣ３、およびパワー端子ＮＵＵ，ＮＵＶ，ＮＵＷ，ＮＬＵ，ＮＬＶ，ＮＬＷの配置が実施の形態１と同一なので、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
ＨＶＩＣ２のＶＢＵ端子は、ブートストラップコンデンサ３３Ｕの一方の端子と接続している。ＨＶＩＣ２のＶＳＵ端子は、ブートストラップコンデンサ３３Ｕの他方の端子、ＩＧＢＴ４ＵＵのエミッタ端子、およびＦＷＤ５ＵＵのアノードと接続する。ＨＶＩＣ２のＶＢＶ端子は、ブートストラップコンデンサ３３Ｖの一方の端子と接続している。ＨＶＩＣ２のＶＳＶ端子は、ブートストラップコンデンサ３３Ｖの他方の端子、ＩＧＢＴ４ＵＶのエミッタ端子、およびＦＷＤ５ＵＶのアノードと接続する。ＨＶＩＣ２のＶＢＷ端子は、ブートストラップコンデンサ３３Ｗの一方の端子と接続している。ブートストラップコンデンサ３３Ｗの他方の端子は、ＨＶＩＣ２のＶＳＷ端子に接続する。ＨＶＩＣ２のＶＳＷ端子は、ブートストラップコンデンサ３３Ｗの他方の端子、ＩＧＢＴ４ＵＷのエミッタ端子、およびＦＷＤ５ＵＷのアノードと接続する。