【手続補正書】
【提出日】平成30年9月13日(2018.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に沿って複数の光電変換部が配列された光電変換エリアを有する基板と、
前記光電変換エリアの上に配され、前記基板の側の内面および前記基板の側とは反対側の外面を有する膜と、
前記膜と前記光電変換エリアとの間に配され、前記基板の側に位置する下面、前記基板の側とは反対側に位置する上面、および、前記下面と前記上面とを結ぶ側面を有し、遮光体からなる第１部材と、
少なくとも前記膜と前記上面との間に配された第２部材と、
前記膜の上に配されたカラーフィルターと、
を備える光電変換装置であって、
前記主面から前記上面までの距離は、前記主面から前記カラーフィルターまでの距離はよりも小さく、
前記膜は、前記基板の主面に対する法線方向において前記光電変換部の少なくとも一部に重なる第１部分と、前記法線方向において前記上面に重なる第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に位置する第３部分と、を含み、
前記主面から前記第１部分の前記内面までの距離は前記主面から前記上面までの距離よりも小さく、前記主面から前記第１部分の前記外面までの距離は前記主面から前記第２部分の前記外面までの距離よりも小さく、前記第３部分の前記外面は前記上面に対して傾斜しており、
前記第２部材の前記膜の側の表面は、前記法線方向における前記膜と前記上面との間にて、前記上面に対して傾斜しており、
（Ａ）前記第２部材は前記膜よりも低い屈折率を有すること、
（Ｂ）前記膜および前記第２部材はシリコン化合物であって、前記第２部材は前記膜よりも低い窒素濃度および／または高い酸素濃度を有すること、
の少なくともいずれかを満たすことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記外面は、前記法線方向において前記第１部材に重なる位置において前記上面に対して傾斜している、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２部分の前記外面は、前記上面に沿っている、請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
主面に沿って複数の光電変換部が配列された光電変換エリアを有する基板と、
前記光電変換エリアの上に配され、前記基板の側の内面および前記基板の側とは反対側の外面を有する膜と、
前記膜と前記光電変換エリアとの間に配され、前記基板の側に位置する下面、前記基板の側とは反対側に位置する上面、および、前記下面と前記上面とを結ぶ側面を有し、遮光体からなる第１部材と、
少なくとも前記膜と前記上面との間に配された第２部材と、を備える光電変換装置であって、
前記膜は、前記基板の主面に対する法線方向において前記光電変換部の少なくとも一部に重なる第１部分と、前記法線方向において前記上面に重なる第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に位置する第３部分と、を含み、
前記主面から前記第１部分の前記内面までの距離は、前記主面から前記下面までの距離よりも大きく、かつ、前記主面から前記上面までの距離よりも小さく、
前記主面から前記第１部分の前記外面までの距離は前記主面から前記第２部分の前記外面までの距離よりも小さく、前記第３部分の前記外面は前記上面に対して傾斜しており、
（Ａ）前記第２部材は前記膜よりも低い屈折率を有すること、
（Ｂ）前記膜および前記第２部材はシリコン化合物であって、前記第２部材は前記膜よりも低い窒素濃度および／または高い酸素濃度を有すること、
の少なくともいずれかを満たすことを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
前記主面から前記第１部分の前記外面までの距離は前記主面から前記第２部分の前記内面までの距離よりも小さい、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記主面から前記第１部分の前記外面までの距離と前記主面から前記上面までの距離との差は、前記下面から前記上面までの距離の半分よりも小さい、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記法線方向における前記第２部分の厚さは、前記法線方向における前記第１部材の厚さよりも小さい、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記上面から前記第２部分の前記外面までの距離は、前記法線方向における前記第１部材の厚さよりも小さい、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第２部材の前記膜の側の表面は、前記法線方向における前記膜と前記上面との間にて、前記上面に対して傾斜しており、
前記第２部材は前記法線方向において前記膜と前記上面との間に位置する第４部分を有し、前記法線方向における前記第４部分の厚さは前記上面の幅の１／４以上である、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第２部材は前記法線方向において前記膜と前記上面との間に位置する第４部分を有し、前記法線方向における前記第４部分の厚さは、前記法線方向における前記第２部分の厚さよりも小さい、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第２部材は前記法線方向において前記膜と前記上面との間に位置する第４部分を有し、前記法線方向における前記第４部分の厚さは、前記側面から前記第３部分の前記内面までの距離の２倍よりも大きい、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記第２部材は、前記側面と前記第３部分との間に位置する第５部分と、前記第１部分と前記光電変換部との間に位置する第６部分と、を有し、
前記側面に垂直な方向における前記第５部分の厚さは、前記法線方向における前記第６部分の厚さの半分未満である、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記主面から前記第６部分までの距離は前記主面から前記下面までの距離よりも小さい、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記上面はチタンまたはチタン化合物で構成されており、前記側面はアルミニウムで構成されている、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記膜は、第１層と、前記第１層よりも厚い第２層とを有する複層膜であり、前記第１層が前記内面を構成する、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
前記第１層および前記第２層はシリコン化合物であって、前記第２層は前記第１層よりも高い窒素濃度を有する、請求項１５に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記膜は、第１層と、前記第１層よりも厚い第２層と、前記第２層よりも薄い第３層を有する複層膜であり、前記第３層が前記外面を構成する、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記膜および前記第２部材はシリコン化合物であって、前記第２部材は前記膜よりも高いアルゴン濃度を有する、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の光電変換装置を備える機器であって、
前記光電変換装置に結像する光学系、前記光電変換装置を制御する制御装置、前記光電変換装置から出力された信号を処理する処理装置、前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置、および、前記光電変換装置で得られた情報を記憶する記憶装置の少なくともいずれかと、をさらに備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の光電変換装置を備える機器であって、
機械装置と、
前記光電変換装置で得られた情報に基づいて前記機械装置を操作するための処理を行う処理装置と、をさらに備えることを特徴とする機器。