【事件の表示】
　特許第３０６９５３３号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３０６９５３３号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３０６９５３３号に係る手続の経緯は以下のとおりである。
昭和６３年　７月２１日　特願昭６３−１８２６６４（分割原出願）出願
平成　９年　６月１６日　本件出願を分割
平成１２年　５月１９日　本件特許第３０６９５３３号設定登録
平成１３年　１月２４日　異議申立（２００１−７０２８３号）
平成１３年　４月１８日　請求項１に係る特許を維持するとの異議決定
平成１５年　３月２８日　日亜化学工業株式会社より無効審判２００３−３　　　　　　　　　　　　５１１８請求
平成１５年１２月１９日　口頭審理
平成１６年　７月２３日　無効審判２００３−３５１１８につき、請求項１　　　　　　　　　　　　に係る特許を無効にするとの審決
平成１６年　９月　１日　無効審判２００３−３５１１８につきシャープ株　　　　　　　　　　　　式会社出訴（平成１７年（行ヶ）１００１９号）
平成１６年１１月２６日　本件訂正審判２００４−３９２７０請求
平成１７年　３月１５日　訂正拒絶理由を通知
平成１７年　４月１４日　意見書及び手続補正書（訂正請求書）提出
　
２．訂正の補正の適否についての判断
２−１．補正の内容
（１）全文訂正明細書中の特許請求の範囲における、
　「【請求項１】絶縁基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設されたｎ型の第１導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、紫外光から可視領域にわたるｐｎ接合型の発光素子をなし、前記ｎ型の…」
という記載を、
「【請求項１】絶縁基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設されたｎ型の第１導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、前記ｎ型の…」と補正する。
（２）全文訂正明細書第３頁第１４〜１８行目の
　「本発明による化合物半導体発光素子は、絶縁基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設されたｎ型の第１導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、紫外光から可視領域にわたるｐｎ接合型の発光素子をなし、前記ｎ型の…」　
という記載を、
「本発明による化合物半導体発光素子は、絶縁基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設されたｎ型の第１導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、前記ｎ型の…」と補正する。
２−２．補正の適否について
　上記訂正請求書の補正は、補正前の訂正事項ａのうち、「紫外光から可視領域にわたるｐｎ接合型の発光素子をなし、」を削除するものである。
　上記手続補正について判断すると、補正事項ａは、上記記載を加入するとともに、請求項１における「第１導電型」をすべて「
ｎ型の
　したがって、上記補正は、請求書の要旨を変更するものではないから、上記補正を認める。
　
３．訂正の適否についての判断
３−１．訂正事項
１）訂正事項ａ
　本件特許第３０６９５３３号明細書の特許請求の範囲の請求項１の「第１導電型」という記載をすべて「ｎ型の第１導電型」という記載に訂正する。
　
２）訂正事項ｂ
　本件特許第３０６９５３３号明細書の特許請求の範囲の請求項１の
「前記発光素子本体の側面を直接包囲する絶縁層と、」
という記載を、
「前記発光素子本体の側面を直接包囲する絶縁層と、
該絶縁層を配設しうる基板上の領域と、
と訂正する。
　
３）訂正事項ｃ
　本件特許第３０６９５３３号明細書の特許請求の範囲の請求項１の４行に記載された「第１導電型の一部領域」という記載を、添付の全文訂正明細書のとおり、「第１導電型の
導電層の
　
４）訂正事項ｄ
　発明の詳細な説明の【００１１】段落について、添付の全文訂正明細書に記載のとおり、上記訂正事項ａ〜ｃと整合性をとるための訂正を行う。
　
３−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許請求の範囲を減縮するものであって、請求項１に係る化合物半導体発光素子における「第１導電型の導電層」をｎ型半導体からなる導電層に限定するものである。
　上記訂正事項ａの「第１導電型の導電層」をｎ型半導体からなる導電層に限定することについては、本件特許明細書の【００１７】，【００８０】〜【００８２】段落の記載事項に基づくものである。
　よって、上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、請求項１に係る化合物半導体発光素子が、基板上に絶縁層を配設しうる領域を有することを限定するものであって、これは特許明細書の【００１８】段落の記載事項に基づくものである。
　よって、上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
３）訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、請求項１の「前記第１導電型の一部領域」との事項がその前にある記載事項を引用しているところ、その前に正確に対応する用語がないことから、平仄を合わせて、「第１導電型の
導電層の
　よって、上記訂正事項ｃは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
４）訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄは、発明の詳細な説明の【００１１】段落の記載を、前記訂正事項ａ〜ｃと整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
４．独立特許要件について
　以下に、訂正後の発明が独立して特許を受けることができるかを検討する。
４−１．本件訂正発明
　訂正請求された請求項に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のものである。
「【請求項１】絶縁基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設された
ｎ型の
　前記
ｎ型の
導電層の
　前記発光素子本体の側面を直接包囲する絶縁層と、
　
該絶縁層を配設しうる基板上の領域と、
ｎ型の
　前記発光素子本体の上方に、第２の電極を備えていることを特徴とする化合物半導体発光素子。」（以下、「本件訂正発明」という。）
　
４−２．引用例
　独立特許要件を判断するに当たり、訂正拒絶理由において引用した以下の文献を引用例として検討する。
引用例１：特開昭６２−６０２７８号公報（甲第２号証）
引用例２：特開昭５０−４２７８５号公報（甲第１０号証）
引用例３：特開昭５９−２２８７７６号公報（甲第１４号証）
　
　上記引用例には、次のことが記載されている。
　引用例１（特開昭６２−６０２７８号公報）には、図面とともに以下のことが記載されている。
（ア）「半絶縁性又はｎ型の電気導電型の半導体基板上に、活性層を有するダブルへテロ積層構造を備えた半導体発光ダイオードにおいて、直径約３０μｍ以下の円板状に限定された活性層を有し、この円板状に限定された活性層全体を発光領域とし、この活性層に接し活性層とダブルへテロ積層構造を形成する２つの半導体層のうち、前記半導体基板に近接する側の半導体層の電気導電型をｐ型とし、他方の半導体層をｎ型としたことを特徴とする半導体発光ダイオ−ド。」（特許請求の範囲）
（イ）「本発明は、光通信システムの光源として有効な半導体発光ダイオード（以下ＬＥＤと呼ぶ。）・・ＬＥＤに関する。」（１頁左下欄１行〜右欄３行）
（ウ）「本発明によれば、
半絶縁性又はｎ型の電気導電型の半導体基板
（エ）「第１図は本発明の素子断面構造の一例を示す図である。ｎ型半導体基板１１上にｐ型半導体クラッド層１２、ｎ型半導体活性層１３、ｎ型半導体クラッド層１４が順に形成されておりダブルへテロ積層構造を呈している。又、活性層は、直径３０μｍ以下の円板状活性領域１３の直上部のｎ型クラッド層１４の表面の大部分にｎ型電極１７が形成されており、・・・全体が発光領域となるようにしている。」（２頁右上欄下から１行〜２頁左下欄９行）。
（オ）「さらに、活性層１３に接する２つの半導体クラッド層のうち、半導体基板１１に近接する側の半導体クラッド層１２をＰ型に、他方の半導体クラッド層１４をｎ型にしている。ｎ型半導体の比抵抗は、Ｐ型に比べ数１０分の１以下と著しく小さいため、電流の流路が狭いクラッド層１４をｎ型とすることによりここでの電気抵抗を著しく小さくすることができる。さらに、ｎ型半導体へのオーミック電極抵抗はＰ型に比べ小さいため、クラッド層１４をｎ型とすることにより電極面積の小さいクラッド層１４へのオーミック電極の抵抗を小さくすることができる。この様に活性層に対し、半導体基板と反対側のクラッド層１４をｎ型とすることにより、素子抵抗を著しく低減することができ、直流動作時での発熱を低減し、光出力、信頼性を向上することができる。」（３頁左上欄８行〜同頁右上欄３行）
（カ）「（実施例）
　第３図は本発明の第１の実施例を示す素子断面構造図である。ｎ型
ＩｎＰ
（キ）第３図には、ＳｉＯ２膜１６が水平部分を有して、ｐ型クラッド層１２上に形成されていることがみてとれる。また、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２は、エッチングにより形成された円形メサの下方部分から両側に延長されていることがみてとれ、さらにＳｉＯ２膜１６が形成されていない両側延長部分の上にＰ型電極１８が形成されていることがみてとれる。
　
　引用例２（特開昭５０−４２７８５号公報）には、図面とともに以下のことが記載されている。
「実施例１
　本例は気相エピタキシャル成長を用いてサファイヤ・・・面基板・・・上に電導型の異なる窒化ガリウムの第１図のようなｎ−ｉ−ｎ構造を有した多色発光ダイオードの例である。
・・・第１図のような構造に窒化ガリウムを順次成長させていく。・・・上記のように基板を設置したのち、まずｎ型窒化ガリウム・・・を・・・成長させる。次に・・・Ｚｎの塩化物を・・・送ってｉ型窒化ガリウム・・・を・・・成長させる。次にＭｇの塩化物を・・・送ってｉ型窒化ガリウム・・・を・・・成長させる。その後・・・ｎ型窒化ガリウム・・・を・・・成長させる。以上のようにしてｎ−ｉ−ｎ構造を連続して成長させることができる。
　次に・・・マスキングし、・・・第２図のような形にメサエッチし、ＧａＮ層２〜５にＩｎ電極６をそれぞれ焼付ける。・・・それらの電極に白金線７〜９を陰極としたとき、まず８と７に電圧・・・おけると（「をかけると」の誤記：審決注）・・・紫色の発光が得られ、８と９に同じ電圧をかけると・・・緑色発光を得ることができた。」（２頁左上欄下から２行〜同頁右下欄１０行）、
「実施例３
　実施例１と同じように窒化ガリウムを成長させた後、第３図のような形・・・でエッチングをおこない、第３図６のよう位置にＩｎ電極の焼付けをおこなう。・・・見かけの発光色は実施例１の場合とほとんど変わらなかった。」（３頁左上欄２行〜１２行）
　同引用例第２図には、窒化ガリウム層２，３，４の両側に電極６を焼き付けたものが、また第３図には、窒化ガリウム層２上の窒化ガリウム層３，４，５の左側部分が除去され、その上に電極６が形成されていることがみてとれる。
　
　引用例３（特開昭５９−２２８７７６号公報）には、図面とともに以下のことが記載されている。
「
実施例１
「
実施例３
　同引用例第２、４図には、絶縁性基板３上のｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ膜４、ｎ＋型Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’Ｎ膜１０のシングル・ヘテロあるいはダブル・ヘテロ接合構造の形成されていない左側の部分にオーミック電極５が形成されていることがみてとれる。
　
４−３．対比
　本件訂正発明と引用例１記載の発明とを対比する。
（１）引用例１の「半絶縁性基板１１」と本件訂正発明の「絶縁基板」について
　本件訂正発明の「絶縁基板」は、実施例ではＺｎＳｅバルク単結晶を低抵抗化せずに用いた絶縁性のＺｎＳｅ基板を用いている。これに対し、引用例１のものは、実施例（第３図）では、基板１１として具体的にｎ型
ＩｎＰ
　本件訂正発明のＺｎＳｅの絶縁層は、本件特許明細書によれば、「絶縁部としては、材料としてＺｎＳ、ＺｎＳｅ・・・等の・・・絶縁層が挙げられる。・・・抵抗率としては１０１０〜１０１５Ω・ｃｍが好ましく、１０１５Ω・ｃｍがより好ましく」（【００２０】）と記載されており、また引用例１では、第２実施例において、半絶縁性材料として
ＩｎＰを用いてはいるが、半絶縁性の数値としては、１０
７
（２）引用例１の「活性層１３」が、本件訂正発明の「発光層」に相当することは明らかである。
（３）「立設」及び「絶縁層を配設しうる基板上の領域」について
　「立設」及び「絶縁層を配設しうる基板上の領域」につき、本件特許明細書には、
「【００１８】次に、本願の請求項にかかる発明において、発光素子本体が実質的に基板の一部領域上に立設されるとは、基板が、
発光素子本体を配設しうる第１領域
発光素子本体の側面を包囲する絶縁部を配設しうる第２領域
発光素子本体が基板の上面全体に渡って配設されていない
発光素子本体を配設しうる第１領域
発光素子本体の側面を包囲する絶縁部を配設しうる第２領域
　引用例１には、「第３図は本発明の第１の実施例を示す素子断面構造図である。ｎ型
ＩｎＰ
発光素子本体の側面を包囲する絶縁部（
）を配設しうる領域
よって、「立設」及び「絶縁層を配設しうる基板上の領域」との点で、本件訂正発明及び引用例１のものは相違しない。
（４）引用例１のｐ型ＩｎＰクラッド層１２は、エッチングにより形成された円形メサの下方において、円形メサ（発光素子本体に相当）に接続されており、両側に延長部分を有していることから、引用例１の「ｐ型ＩｎＰクラッド層１２」は、『「前記発光素子本体…に接続した」あるいは「発光層の下端面に接合して配設された」』、『第１導電型の導電層』に相当する。
（５）引用例１記載の発明の「ＳｉＯ２膜１６」「Ｐ型電極１８」「ｎ型電極１７」「半導体発光ダイオード」が、それぞれ本件訂正発明の「前記発光素子本体の側面を直接包囲する絶縁層」「第１導電型の導電層上の露出部分に設けられた第１の電極」『「発光素子本体の上方」の「第２の電極」』「化合物半導体発光素子」に相当することは明らかである。
　
　したがって、両者は、「基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設された第１導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、
　前記第１導電型の導電層の一部領域に立設され、少なくとも前記発光層を含む発光素子本体と、
　前記発光素子本体の側面を直接包囲する絶縁層と、
　絶縁層を配設しうる基板上の領域と、
　前記発光素子本体から接続した前記第１導電型の導電層上の露出部分に設けられた第１の電極と、
　前記発光素子本体の上方に、第２の電極を備えている化合物半導体発光素子」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１：
　基板が、本件訂正発明は、「絶縁」基板であるのに対し、引用例１のものは、「半絶縁性」基板である点。
相違点２：
　本件訂正発明は、基板上に、「ｎ型の」第１導電型の導電層を有し、該「ｎ型の」第１導電型の導電層上に発光層を配設して形成された化合物半導体発光素子であるのに対し、引用例１のものは、基板上にｐ型の導電層を有し、該ｐ型の導電層上に発光層が配設されているものであって、基板上の層がｎ型ではない点。
相違点３：
　本件訂正発明は、前記発光素子本体から「舌状」に接続した前記第１導電型の導電層と規定されているのに対し、引用例１には、第１導電型の導電層が発光素子本体から舌状に接続されたものとは記載されていない点。
　
４−４．判断
　上記相違点について検討する。
相違点１について：
　引用例２，３を見ると、化合物半導体発光素子の基板として、サファイア等の絶縁性基板を用いることが周知技術であることが理解できる。
　また、引用例１には、半導体発光ダイオードの基板１１として半絶縁性のものを用いることが記載されているが、この半導体発光ダイオードは、Ｐ型電極１８からｐ型ＩｎＰクラッド層１２、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、ｎ型ＩｎＰクラッド層１４、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１５を経由して、ｎ型電極１７に電流が流れるものであるから、基板自身は単に発光層構造を作るための基材となるものであって、電流経路としては使用しないものであることが理解できる。
　してみれば、引用例１の基板１１は、絶縁性でも良いことが明らかであるから、該基板として周知技術の絶縁性基板を用いることにより、上記相違点１の技術的事項とすることは、当業者が容易になし得る程度の事項である。
（なお、相違点１については、請求人は、本件訂正発明の特徴ではないとしている。請求書７頁８〜１０行。）
　
相違点２及び相違点３について：
　技術水準を参酌すれば、本件訂正発明の「舌状」との用語は、「或る部材を基部とみたたて、それから薄く突き出た層の形状」を示すものであることが理解でき、本件訂正発明の場合には、『基部に相当するのは「柱状の主要部」であって、それを基部に見立てて、該柱状の主要部に接続され薄く突き出たｎ型ＺｎＳｅ導電層５を舌状と表現したもの』であることが理解できる。そして、本件訂正発明は、「発光素子本体
から舌状に
　また、引用例１のものは、発光素子本体に相当する円形メサ及びその両側の側電極１８に関する断面形状については、該引用例の記載及び図面から見てとることができ、その奥行き方向の形状については明確とはいえないが、引用例１に「ｎ型半導体の比抵抗は、Ｐ型に比べ数１０分の１以下と著しく小さいため、電流の流路が狭いクラッド層１４をｎ型とすることによりここでの電気抵抗を著しく小さくすることができる。さらに、ｎ型半導体へのオーミック電極抵抗はＰ型に比べ小さいため、クラッド層１４をｎ型とすることにより電極面積の小さいクラッド層１４へのオーミック電極の抵抗を小さくすることができる。」（上記（オ））と記載されていることからみて、オーミック電極の抵抗を小さくするために、基板側を比抵抗の大きいＰ型としたものであり、このような観点から、Ｐ型クラッド層及びＰ型電極も電気抵抗を小さくするような大きさ、少なくとも両側に延びた形状に形成されていることが理解できる。
　ところで、引用例２，３を見ると、該文献には、積層された発光層部分（例えば、引用例３における、ｎ＋型Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’Ｎ膜１０、ｎまたはｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＮ膜１１、ｐ＋型Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’Ｎ膜１２）からある導電型の導電層（同、ｎ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ膜９）が延長されており、該発光層部分が形成されていない前記導電層の延長部分に電極（同、オーミック電極５）が形成されていることから、「舌状」に関する上記考察に従えば、「発光素子本体
から舌状に
　そして上記のような関係のもとに、仮に、引用例２，３を引用例１に適用しようとすれば、引用例１のｎ，ｐ層の関係を引用例２，３に倣って反転させ、かつそれにより基板上に配置されることになる層（ｎ層）を引用例２，３のような舌状の構造にする必要があるが、引用例１においてｎ，ｐ層の関係を引用例２，３に倣って反転させる必然性がないばかりでなく、上述した引用例１の記載（上記（オ））を勘案すると、電気抵抗が高いｐ層を電流の流路が狭いクラッド層として用いることが容易とはいえず、また電気抵抗を小さくするような大きさ（少なくとも両側に延びた形状）に形成されたクラッド層及び電極を、引用例１の目的に反して、一方向にそれも舌状に狭めるように形成することが容易ともいえない。
　
　そして、本件訂正発明は、上記相違点の構成により、明細書記載の作用効果（【００８３】，【００８４】）を奏するものである。
　
　よって、本件訂正発明は、引用例１ないし３から容易になし得るものではない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定により「なお従前の例による」とされる、改正前の特許法第１２６条第１ないし３項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。