【事件の表示】
　平成１０年特許願第　２９４４９号「窒化ガリウム系化合物半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　８月２７日出願公開、特開平１１−２３３８９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続のの経緯
　本願は、平成１０年２月１２日の出願であって、その請求項１〜７に係る発明は、平成１３年１０月２２日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に各々記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に接して形成された電極とを有する窒化ガリウム系化合物半導体素子であって、前記電極は前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に接してマグネシウム（Ｍｇ）および金（Ａｕ）がこの順序で積層された後アニール処理されることにより形成されたものであること、および、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層中に前記マグネシウム（Ｍｇ）の一部が拡散して存在していることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。」
　　　
２．引用例に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−２８８３２１号公報（以下、「引用例１」という。）には、次のように記載されている。
　「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ｐ型不純物をドープした一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体と低い接触抵抗を有する電極材料とその電極を提供して、高輝度化、低電圧駆動化できる発光デバイスを実現することにある。」（段落【０００３】）
　「【実施例】以下実施例により本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、用いた個々のｐ型ＧａＮについてＡｕ電極を作製し、このＡｕ電極との比較を行った。・・・・・
　図２に示す構成の３−５族化合物半導体を作製した。・・・・」（段落【００１４】〜【００１５】）
　「・・・・バッファ層として６００℃でＧａＮを５００Å成膜した後、１１００℃でＭｇをドープしたＧａＮを３μｍの厚みで成膜した。・・・・基板を反応炉より取り出し、窒素中、８００℃で２０分間アニール処理をした。こうして得たＧａＮ層はｐ型を示し、・・・・得られたｐ型窒化ガリウム膜に、Ｍｇ、Ａｕをこの順番に図３に示すパターンに真空蒸着して電極とした。ＭｇおよびＡｕの厚みは、合計の厚みが１５００Åで、Ｍｇの重量が合計の重量の０．３％及び１％となるものを作製した。また、比較のためにＡｕのみを１５００Åの厚みに蒸着した電極を作製した（比較例１）。なお、このようにして作製した電極は、図３のパターンの内側の円形電極がプラス側になる場合が順方向である。本実施例の電極及び比較例１についてのアニール温度と、順方向に４Ｖ加えたときに流れる電流との相関を図４に示す。アニールは窒素中で９０秒間行った。・・・・本実施例では、Ｍｇ濃度が０．３重量％の場合、アニール温度が９００℃で３ｍＡの電流が流れ、良好な低抵抗電極となることがわかる。また、Ｍｇ濃度が１重量％の場合にはアニール温度が８００℃以上で良好な低抵抗電極となることがわかる。図５、図６はＧａＮ上に本実施例と同様にして作製した、Ｍｇが全体の１重量％である本発明による電極を、Ｘ線光電子分光法により各原子の濃度の厚み方向の分布を分析したものである。図５、図６は、それぞれ電極のアニール処理前、処理後に対応する。図の横軸はアルゴンガスによるスパッタ時間で、表面からの深さに対応する。電極のアニール処理は８００℃、９０秒行った。アニール処理前にはＡｕ、Ｍｇ及びＧａＮがこの順に積層していることがわかる。また、アニール後にはＭｇに対応する層が見られなくなり、ＭｇがＡｕと合金化していることがわかる。」（段落【００１６】〜【００１８】）
　「【発明の効果】本発明の電極材料を用いて得られた電極は、ｐ型不純物をドープした一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表される３−５族化合物半導体との間の接触抵抗が低いので、該電極を用いると、電流注入特性が良好で、高輝度であり、低電圧で駆動できる発光デバイスを得ることができる。特に、紫外もしくは青色の発光ダイオード又は紫外もしくは青色のレーザーダイオード等の発光デバイスの電極として工業的価値が大きい。」（段落【００２２】）
　「１：３−５族化合物半導体結晶。２：第１の電極。３：第２の電極。４：サファイア基板。５：窒化ガリウムのバッファ層。６：ＭｇドープしたＧａＮ層。」（【符号の説明】）
　また、図５、図６には、ＧａＮ上に作製した、Ｍｇが全体の１重量％である電極の、各原子の濃度の厚み方向の分布をＸ線光電子分光法により分析したものが示されており、アニール処理後を示す図６において、アニール処理前を示す図５の場合よりも、Ｍｇのピーク濃度が低くなり、両側に広がっていることが見てとれる。
　以上の記載によれば、引用例１には、「基板上に窒化ガリウムのバッファ層を介して形成されたｐ型窒化ガリウム層と、このｐ型窒化ガリウム層の上にＭｇ、Ａｕがこの順番で真空蒸着され、その後にアニール処理を行ってＭｇがＡｕの側及びＧａの側に拡散するように形成された電極とからなり、ｐ型窒化ガリウム層との間の接触抵抗が低くなるようにしたもの」が記載されているものと認める。
　同じく引用された特開平９−１２９９２３号公報（以下、「引用例２」という）には、「基板上にバッファ層を介して、ｎ型層、発光層、ｐ型層が順次形成され、その上にＭｇおよびＡｕが順次堆積されて電極が形成された、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎで表される３−５族化合物半導体からなる発光素子」が記載されているものと認める（段落【００３１】、【００３４】〜【００３９】）
　　　
３．対比、判断
　本願発明と引用例１に記載のものとを対比すると、引用例１に記載のものにおける「ｐ型窒化ガリウム層」は本願発明における「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」に相当し、また、引用例１に記載のものにおいて、Ｍｇの一部がｐ型窒化ガリウム層中に拡散しているのは明らかであるから、本願発明と引用例１に記載のものとは、「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に接して形成された電極とを有し、前記電極は前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に接してマグネシウム（Ｍｇ）および金（Ａｕ）がこの順序で積層された後アニール処理されることにより形成されたものであり、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層中に前記マグネシウム（Ｍｇ）の一部が拡散して存在しているもの」である点において一致するが、次の点において相違する。
＜相違点＞
　本願発明は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とこれに接して形成された電極とを有する窒化ガリウム系化合物半導体素子であるのに対して、引用例１に記載のものは、ｐ型窒化ガリウム層とこれに接して形成された電極とを有するものではあるが、引用例１においてこれを半導体素子とすることについて具体的に明記していない点。
　そこで、上記相違点について検討すると、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体、活性層、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有し、ｐ型窒化ガリウム系須郷物半導体層上にＭｇおよびＡｕがこの順序で蒸着形成されてなる半導体素子は、引用例２、あるいは本願明細書であげられている特開平８−６４８７１号に示されるように、周知のものであり、引用例１に記載のｐ型窒化ガリウム層上に形成される電極がこのような周知の半導体素子に適用し得るのは当然のことであり、何ら阻害要因はない。
　そして、引用例１に記載のものを周知の半導体素子に適用したことによる効果も明らかなことである。　
　それゆえ、この相違点を含む本願発明の技術的事項とすることは、引用例１に記載のものに周知事項を適用したに過ぎないものである。
　なお、請求人は、引用例１に記載のものにおいて、アニール後（図６）にはＭｇに対応する層がなくなっているのであり、本願発明においては、ＭｇがＧａＮ側に選択的に拡散してＧａＮ側のサイトに入り、ドーピングに寄与しない過剰なＭｇが窒化ガリウム系化合物半導体との界面に残留しないための手段および条件を見出したのであるから、コンタクト抵抗低減のメカニズムが異なる旨主張する。
　しかしながら、本願発明におけるＭｇおよびＡｕがこの順序で積層された後アニール処理されるという条件は引用例に記載のものにおいても全く同様であり、引用例に記載のものにおいて、アニール処理後にＭｇの一部がｐ型窒化ガリウム層中に拡散して存在するのは明らかであるので、この主張は両者の構成上の差異に基づいたものではなく、採用するに足るものではない。
　また、原審の拒絶理由において、特許法第２９条第２項の理由は平成１２年６月２６日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項８に係る発明についてなされたものであるが、この請求項８に係る発明は、請求項１を引用したものであり、その技術的事項は本願発明と実質的に同じものであるから、上記拒絶理由が本願発明に対しても適用されるのは当然である。
　　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。