【手続補正書】
【提出日】平成30年8月29日(2018.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第２の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３の導電膜と、
前記第２の導電膜と同層に位置し、且つ前記第２の導電膜と同材料を有する第４の導電膜と、を有し、
前記第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
発光素子と、
前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第２の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３の導電膜と、
前記第２の導電膜と同層に位置し、且つ前記第２の導電膜と同材料を有する第４の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の酸化物半導体膜の全てと重なり、
前記第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
発光素子と、
前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第２の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３の導電膜と、
前記第２の導電膜と同層に位置し、且つ前記第２の導電膜と同材料を有する第４の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜のチャネル長方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さより大きく、
前記第１の導電膜のチャネル幅方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル幅方向の長さより大きく、
前記第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
発光素子と、
前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第２の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３の導電膜と、
前記第２の導電膜と同層に位置し、且つ前記第２の導電膜と同材料を有する第４の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の酸化物半導体膜の全てと重なり、
前記第３の導電膜は、前記第１の酸化物半導体膜と重ならない領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
発光素子と、
前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第２の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３の導電膜と、
前記第２の導電膜と同層に位置し、且つ前記第２の導電膜と同材料を有する第４の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜のチャネル長方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さより大きく、
前記第１の導電膜のチャネル幅方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル幅方向の長さより大きく、
前記第３の導電膜は、前記第１の酸化物半導体膜と重ならない領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
発光素子と、
前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第１の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第１の導電膜と同層に位置し、且つ前記第１の導電膜と同材料を有する第２の導電膜と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
発光素子と、
前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第１の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第１の導電膜と同層に位置し、且つ前記第１の導電膜と同材料を有する第２の導電膜と、を有し、
前記第１のゲート電極は、前記第１の酸化物半導体膜の全てと重なり、
前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
発光素子と、
前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第１の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第１の導電膜と同層に位置し、且つ前記第１の導電膜と同材料を有する第２の導電膜と、を有し、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さより大きく、
前記第１のゲート電極のチャネル幅方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル幅方向の長さより大きく、
前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
発光素子と、
前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第１の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第１の導電膜と同層に位置し、且つ前記第１の導電膜と同材料を有する第２の導電膜と、を有し、
前記第１のゲート電極は、前記第１の酸化物半導体膜の全てと重なり、
前記第２のゲート電極は、前記第１の酸化物半導体膜と重ならない領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
発光素子と、
前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第１の導電膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第１の導電膜と同層に位置し、且つ前記第１の導電膜と同材料を有する第２の導電膜と、を有し、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さより大きく、
前記第１のゲート電極のチャネル幅方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル幅方向の長さより大きく、
前記第２のゲート電極は、前記第１の酸化物半導体膜と重ならない領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。