【手続補正書】
【提出日】平成30年3月5日(2018.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、
第１接合領域と、前記第１接合領域と接続し前記第１接合領域と略同じ厚さの第１接続領域と、を有し、前記実装基板の上面に設けられた第１配線層と、
前記実装基板上に実装された素子基板と、
前記素子基板の下面に設けられた弾性波素子と、
前記第１配線層の前記第１接合領域と直接接合する第２接合領域と、前記弾性波素子と前記第２接合領域とを接続し前記第２接合領域と略同じ厚さの第２接続領域と、を有し、前記素子基板の下面に設けられた第２配線層と、
を具備する弾性波デバイス。
【請求項２】
前記第１配線層と前記第２配線層は前記第１接合領域と前記第２接合領域とが接触する領域において延伸方向が交差する請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第１接合領域と前記第２接合領域との形状は、前記素子基板と前記実装基板との線熱膨張係数の差が最も大きい方向を長辺とする略長方形状である請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記素子基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板または回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板であり、
前記第１接合領域と前記第２接合領域との形状は、前記素子基板の結晶方位のＸ軸方向を長辺とする略長方形状である請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記弾性波素子は、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを供え、
前記第２接合領域は、平面視において前記バスバーに重なる請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第１接合領域は複数設けられ、前記第１接続領域は前記複数の第１接合領域を接続し、
前記弾性波素子は複数設けられ、前記第２接続領域は前記複数の弾性波素子を接続する請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１接合領域と前記第２接合領域とは複数の箇所で接合し、
前記複数の箇所における前記第１接合領域と前記第２接合領域との接合面積は、略同じである請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
複数の前記弾性波素子を接続し、平面視において前記第１配線層と重なる領域で前記第１配線層とは接触せず、前記素子基板の下面に設けられた第３配線層を具備する請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記第１接合領域と前記第２接合領域との界面に接する前記第１配線層の部分および前記第２配線層の部分は銅または金を主成分とする請求項１から８のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
第１接合領域と、前記第１接合領域と接続し前記第１接合領域と略同じ厚さの第１接続領域と、を有する第１配線層を上面に備えた実装基板に、
弾性波素子と、
第２接合領域と前記弾性波素子と前記第２接合領域とを接続し前記第２接合領域と略同じ厚さの第２接続領域と、を有する第２配線層と、
を下面に有する素子基板を、
前記第１接合領域と前記第２接合領域とが直接接合するように、実装する工程を
含む弾性波デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、第１接合領域と、前記第１接合領域と接続し前記第１接合領域と略同じ厚さの第１接続領域と、を有する第１配線層を上面に備えた実装基板に、弾性波素子と、第２接合領域と前記弾性波素子と前記第２接合領域とを接続し前記第２接合領域と略同じ厚さの第２接続領域と、を有する第２配線層と、を下面に有する素子基板を、前記第１接合領域と前記第２接合領域とが直接接合するように、実装する工程を含む弾性波デバイスの製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図３は、実施例１における素子基板の下面を示す平面図である。図２との対応をわかり易くするため、素子基板２０の上から透視した平面図である。素子基板２０の下面に弾性波素子２２、配線層２４および配線層２７が設けられている。弾性波素子２２は例えば弾性表面は素子であり、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）６０と反射器６２とを有する。配線層２４は、接合領域２６と接続領域２５を有する。接合領域２６は配線層１４の接合領域１６と直接接合する領域である。接続領域２５は、接合領域２６と弾性波素子２２とを、および／または複数の弾性波素子２２同士を接続する。接合領域２６と接続領域２５とは例えば同時に形成されており、接合領域２６と接続領域２５における配線層２４の膜厚は製造誤差程度に略同一である。配線層２７は、接合領域２６と弾性波素子２２とを、または弾性波素子２２同士を接続する。図３では、配線層２７は反射器６２とグランド端子Ｔｇ２とを接続している。接合領域２６は、第１端子Ｔ１２、第２端子Ｔ２２およびグランド端子Ｔｇ２を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第１端子Ｔ１２と第２端子Ｔ２２との間に複数の直列共振器Ｓ１からＳ５が接続領域２５を介し直列に接続されている。直列共振器Ｓ１、Ｓ２およびＳ５は、それぞれ直列に共振器Ｓ１ａおよびＳ１ｂ、Ｓ２ａおよびＳ２ｂ、並びにＳ５ａおよびＳ５ｂに分割されている。第１端子Ｔ１２と第２端子Ｔ２２との間に複数の並列共振器Ｐ１からＰ３が接続領域２５を介し並列に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ３の一端は接続領域２５を介しグランド端子Ｔｇ２に接続されている。直列共振器Ｓ１からＳ５および並列共振器Ｐ１からＰ３はラダー型フィルタを構成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図８（ａ）に示すように、シード層４２に電流を供給することにより、開口５１および５３内にめっき層４４を形成する。めっき層４４は、例えば膜厚が１０μｍの金層である。図８（ｂ）に示すように、マスク層５２を剥離する。めっき層４４をマスクにシード層４２を除去する。図８（ｃ）に示すように、マスク層５０を剥離する。これにより、シード層４２、めっき層４４により配線層２４が形成される。配線層２４としては、銅層またはニッケル層を用いることができる。また、配線層２４は、異なる材料からなる複数の金属層を有する複合層でもよい。配線層２４の膜厚は例えば１μｍから１０μｍである。その後、素子基板２０を個片化する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図９（ａ）に示すように、個片化した素子基板２０を、弾性波素子２２および配線層２４が下面となるように実装基板１０上に配置する。配線層２４は、膜厚が１０μｍの金層である。図９（ｂ）に示すように、素子基板２０を例えば３００℃に加熱する。配線層１４と２４とが接合するように、素子基板２０を実装基板１０に押圧する。押圧荷重は例えば接合領域１６および２６の単位面積あたり０．０３ｇｆ／μｍ２である。これにより、素子基板２０が実装基板１０上に実装される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2018042072.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2018042072.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2018042072.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2018042072.tif 000004