【事件の表示】
　平成　６年特許願第１８５００２号「液晶表示装置用アレイ基板」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　２月２０日出願公開、特開平　８−　５０３０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年８月５日に出願された特許出願であって、平成１４年７月１８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月１９日付で手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１４年９月１９日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成１４年９月１９日付手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　アドレス配線、このアドレス配線に交差して配置されるデータ配線、これらデータ配線からドレイン電極を介して接続される薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタのソース電極を介して駆動されこの薄膜トランジスタとは異なる層に配設された透明画素電極、前記薄膜トランジスタのソース電極に対向して形成され前記透明画素電極の電位を保持するための補助容量を形成する補助容量配線、およびこの補助容量配線と前記アドレス配線とを覆うゲート絶縁膜が絶縁性基板上に形成された液晶表示装置用アレイ基板であって、
　前記補助容量は、前記ソース電極および前記補助容量配線の間で前記ゲート絶縁膜を介して形成され、
　この補助容量配線は、前記アドレス配線と同じ層に同じ材料で形成されたことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項について、当初明細書の記載事項の範囲内において、技術的限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第３項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平６−２０８１３７号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面（【図４】、【図５】）とともに以下の事項が記載されている。
　（ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】　本発明はアクティブマトリクス駆動方式による液晶パネル等に構成される薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)マトリクスの製造方法に関する。」
　　
　（ｂ）「【０００４】　図４はＴＦＴマトリクスの平面図である。
　ＴＦＴマトリクス型液晶パネルは、Ｘ，Ｙ方向に交差してマトリクス状に配置された多数のゲートバスライン４１とドレインバスライン４２に駆動電圧を印加して、両バスライン交差部に接続されたＴＦＴ４３を選択駆動することにより、 対応する所望の画素をドット表示するように構成されている。このようなＴＦＴマトリクスの構造は、例えば、透明絶縁性のガラス基板上にチタン（Ｔｉ）−アルミニウム（Ａｌ）からなる多数のゲートバスラインとドレインバスラインとが窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる層間絶縁膜を介してＸ，Ｙ方向に交差した形に配置され、両バスラインの交差部にＴＦＴ が接続されている。また、ＴＦＴの動作半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を用いる場合には、ゲート絶縁膜にプラズマ気相成長（Ｐ−ＣＶＤ）法による窒化シリコン膜（ＳｉＮ）あるいは窒化シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）膜が用いられていた。
【０００５】  なお、図中、８ＤはＴＦＴのドレイン電極、８ＳはＴＦＴのソース電極、８Ｃは蓄積容量上部電極（補助容量バスライン）を示す。
  図５（Ａ）〜（Ｆ）は従来のＴＦＴ 素子の製造工程を説明する断面図である。」
　　
　（ｃ）「【０００６】　図５（Ａ）において、透明絶縁性基板として
ガラス基板１上にスパッタリングによりＡｌ膜とＣｒ膜を連続して成膜し、フォトリソグラフィによりレジスト膜をパターニングした後、レジスト膜をマスクにしてエッチングしてゲート電極２と蓄積容量下部電極３を形成
【０００７】  次いで、レジスト膜を剥離し、Ｐ−ＣＶＤ法により、 第１層目絶縁膜であるゲート絶縁膜および蓄積容量誘電体膜としてＳｉＮ膜４、動作半導体層としてａ−Ｓｉ膜５、チャネル保護膜としてＳｉＮ膜６を連続成長する。・・・
【０００８】　図５（Ｂ）において、ゲート電極２の直上のチャネル保護膜６を残すようにパターニングする。
  図５（Ｃ）において、基板上にコンタクト層として ｎ＋ 型ａ−Ｓｉ層７とソースドレイン電極用金属膜８を連続成膜する。
【０００９】 
 図５（Ｄ)において、コンタクト層７とソースドレイン電極用金属膜８をパターニングして、ドレイン電極８Ｄと、ソース電極８Ｓと、蓄積容量上部電極８Ｃを形成
【００１０】　図５（Ｅ）において、
第２層目絶縁膜１４として、Ｐ−ＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を成膜し、ソース電極８Ｓと蓄積容量上部電極８Ｃ上にコンタクト孔を形成する。  図５（Ｆ）において、基板上に透明電極膜としてＩＴＯ膜を成膜して、蓄積容量上部電極８Ｃとソース電極８Ｓとにコンタクトをとり、パターニングして画素電極１１とし
　　　
　さらに、【図４】、【図５】を参酌すると、
　（ｄ）「蓄積容量下部電極３と蓄積容量上部電極８Ｃとは、ゲート絶縁膜および蓄積容量誘電体膜４を介して対向配置されており、これにより補助容量を形成している。」
こと、及び、
　（ｅ）「ＩＴＯ膜からなる画素電極１１は、ＴＦＴとは異なる層に配設されている。」
ことが、見てとれる。
　　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−８２８２６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面（【図１】、【図２】）とともに以下の事項が記載されている。
　（ｆ）「【０００１】
【産業上の利用分野】　本発明は、液晶表示装置等に用いられるアクティブマトリクス基板およびその製造方法に関する。」
　　
　（ｇ）「【００１８】　この第１の層間絶縁膜１４とゲート絶縁膜１３とを貫通してコンタクトホール７ａ、７ｂが開口されている。第１の層管絶縁膜１４の上には、ソースバスライン２から分岐されたソース電極９およびドレイン電極１０が形成されており、コンタクトホール７ａ、７ｂを通じて半導体層３０に接続されている。」
　　
　（ｈ）「【００２０】  また、ゲート絶縁膜１３の上には、ゲートバスライン１と平行に付加容量用配線８から分岐された付加容量用電極６が設けられ、付加容量が形成されている。」
　　
　そして、【図１】、【図２】を参酌すると、上記付加容量用電極６とドレイン電極１０とは、層間絶縁膜１４を間にして対向配置され平面的に重畳していることが見てとれるから、
　（ｉ）「付加容量は、付加容量用配線８から分岐された付加容量用電極６及びドレイン電極１０の間で層間絶縁膜１４を介して形成されている。」ことが明らかである。
　　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１に記載されたもの（上記（ａ）〜（ｅ））とを比較すると、
　（ア）引用例１の上記（ｂ）〜（ｅ）に記載された「ゲートバスライン４１」、「ドレインバスライン４２」、「ドレイン電極８Ｄ」、「ＴＦＴ４３」、「ソース電極８Ｓ」、「ＩＴＯ膜からなる画素電極１１」、「蓄積容量下部電極３」、「ゲート絶縁膜および蓄積容量誘電体膜４」、「透明絶縁性のガラス基板」、及び「ＴＦＴマトリクス」なる事項は、各々本願補正発明の「アドレス配線」、「データ配線」、「ドレイン電極」、「薄膜トランジスタ」、「ソース電極」、「透明画素電極」、「補助容量配線」、「ゲート絶縁膜」、「絶縁性基板」及び「液晶表示装置用アレイ基板」なる事項に相当し、
　　
  （イ）同上記（ｅ）に記載された「ＩＴＯ膜からなる画素電極１１は、ＴＦＴとは異なる層に配設されている。」は、本願補正発明の「この薄膜トランジスタとは異なる層に配設された透明画素電極」に相当し、
　　
　（ウ）同上記（ｃ）に記載された「図５（Ａ）において、透明絶縁性基板としてガラス基板１上に・・・ゲート電極２と蓄積容量下部電極３を形成する。次いで、・・・ 第１層目絶縁膜であるゲート絶縁膜および蓄積容量誘電体膜としてＳｉＮ膜４・・・を連続成長する。」は、本願補正発明の「補助容量配線と前記アドレス配線とを覆うゲート絶縁膜が絶縁性基板上に形成された」に相当し、
　　
　（エ）さらに、同上記（ｃ）に記載された「図５（Ａ）において、透明絶縁性基板としてガラス基板１上にスパッタリングによりＡｌ膜とＣｒ膜を連続して成膜し、フォトリソグラフィによりレジスト膜をパターニングした後、レジスト膜をマスクにしてエッチングしてゲート電極２と蓄積容量下部電極３を形成する。」は、本願補正発明の「この補助容量配線は、前記アドレス配線と同じ層に同じ材料で形成された」に相当することが明らかである。
　　
　したがって、上記（ア）〜（エ）によれば、両者は、
「アドレス配線、このアドレス配線に交差して配置されるデータ配線、これらデータ配線からドレイン電極を介して接続される薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタのソース電極を介して駆動されこの薄膜トランジスタとは異なる層に配設された透明画素電極、前記透明画素電極の電位を保持するための補助容量を形成する補助容量配線、およびこの補助容量配線と前記アドレス配線とを覆うゲート絶縁膜が絶縁性基板上に形成された液晶表示装置用アレイ基板であって、この補助容量配線は、前記アドレス配線と同じ層に同じ材料で形成されたことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本願補正発明の補助容量は、「薄膜トランジスタのソース電極に対向して形成され前記透明画素電極の電位を保持するための補助容量を形成する補助容量配線を有し、前記補助容量は、前記ソース電極および前記補助容量配線の間で前記ゲート絶縁膜を介して形成される」のに対して、引用例１に記載されたものは、「蓄積容量下部電極３と蓄積容量上部電極８Ｃとは、ゲート絶縁膜および蓄積容量誘電体膜４を介して対向配置され、これにより補助容量を形成しており、上記蓄積容量上部電極８Ｃは、ゲート絶縁膜および蓄積容量誘電体膜４上に成膜された薄膜をパターニングすることによりソース電極８Ｓと同時に形成され、画素電極１１を介してソース電極８Ｓと接続されたもの」であり、蓄積容量下部電極３（本願補正発明の補助容量配線に相当）に対向するのは蓄積容量上部電極８Ｃであって、ソース電極ではない点。
　　
（４）判断
　上記相違点について検討するに、引用例２には、上記（ｉ）にあるように「付加容量は、付加容量用配線８から分岐された付加容量用電極６及びドレイン電極１０の間で層間絶縁膜１４を介して形成されている。」なる事項が記載されている。
　上記事項において「付加容量用電極６」及び「ドレイン電極１０」は、それぞれ本願補正発明の「補助容量配線」及び「ソース電極」に相当するから、引用例２には、上記相違点のうち、ソース電極に対向して補助容量配線が形成された構成が記載されているといえる。
　　
　また、引用例１に記載された「蓄積容量上部電極８Ｃ」は、上記摘記事項（ｃ）によれば、ゲート絶縁膜４上に成膜された薄膜をパターニングすることによりソース電極８Ｓと同時に形成され、画素電極１１を介してソース電極８Ｓと接続されるものであるから、仮に、係る蓄積容量上部電極８Ｃとソース電極８Ｓとの接続を、画素電極１１を介さず直接ソース電極８Ｓと接続しさえすれば、蓄積容量上部電極８Ｃとソース電極８Ｓとは一体となり、それが、本件補正発明のソース電極に他ならないとみることも可能である。
　　
　してみると、本件補正発明と引用例１に記載されたものとの構成上の差異は、単にソース電極８Ｓと蓄積容量上部電極８Ｃとの接続方法が直接であるか、あるいは間接であるかの違いに過ぎず、しかも直接に接続して補助容量電極部分をソース電極に一体化したものが上記引用例２に記載されているのであるから、これらに照らせば本件補正発明の上記相違点は、当業者が容易に想到し得たことという外はない。
　　
　したがって、本願補正発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
３．本願発明について
　平成１４年９月１９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１４年５月２３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
「【請求項１】　アドレス配線、このアドレス配線に交差して配置されるデータ配線、これらデータ配線からドレイン電極を介して接続される薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタのソース電極を介して駆動される透明画素電極、前記透明画素電極の電位を保持するための補助容量を形成する補助容量配線、およびこの補助容量配線と前記アドレス配線とを覆うゲート絶縁膜が絶縁性基板上に形成された液晶表示装置用アレイ基板であって、
　前記補助容量は、前記ソース電極および前記補助容量配線の間で前記ゲート絶縁膜を介して形成され、
　この補助容量配線は、前記アドレス配線と同じ層に同じ材料で形成されたことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。」
　　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１，２及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「この薄膜トランジスタとは異なる層に配設された」及び「前記薄膜トランジスタのソース電極に対向して形成され」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。