Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月23日(2018.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測距光を発光する光源部と、該光源部からの測距光を測距光軸上へ照射する投光光学部と、測定対象物からの反射光を受光する受光光学部と、該受光光学部で集光された前記反射光を電気信号へと変換する受光素子と、托架部に設けられ前記測定対象物に対して測距光を走査する走査部と、該走査部により走査される測距光の照射方向を検出する角度検出部と、前記托架部の振動量を検出する振動検出部と、閾値が格納された記憶部を有する制御演算部とを具備し、該制御演算部は、前記走査部の回転数が低回転数から最大回転数迄漸次増大する様制御し、回転数と検出された振動量と関連付けて前記記憶部に格納し、測定条件に基づき演算された回転数に対応する振動量と、前記閾値とを比較し、前記演算された回転数に対応する振動量が前記閾値よりも小さいと判断すると、前記測定対象物の測定を実行することを特徴とする３次元測量装置。
【請求項２】
前記制御演算部は、前記演算された回転数に対応する振動量が前記閾値よりも大きいと判断すると、前記演算された回転数とは異なる回転数で測定を実行する請求項１の３次元測量装置。
【請求項３】
前記制御演算部は、前記演算された回転数に対応する振動量が前記閾値よりも大きいと判断すると、設置条件の変更を促すアラームを通知する請求項１の３次元測量装置。
【請求項４】
前記振動検出部が前記測定対象物の測定中に振動を検出すると、前記制御演算部は検出された振動量と前記閾値とを比較し、前記検出された振動量が前記閾値よりも小さいと判断すると、前記測定対象物の測定を継続させる請求項１の３次元測量装置。
【請求項５】
前記制御演算部は、前記検出された振動量が前記閾値よりも大きいと判断すると、更に前記検出された振動量が継続して発生していると判断すると、前記走査部の回転を停止させ、前記演算された回転数とは異なる回転数となる様前記走査部の回転数を再度演算し、前記検出された振動量が一時的に発生した場合は、前記閾値を越えた状態で取得した測定値を削除し、測定を継続させる請求項４の３次元測量装置。
【請求項６】
所定の測定条件に基づき測定対象物の測定を行う３次元測量方法であって、托架部に設けられた走査部の回転数を低回転数から最大回転数迄漸次増大させる工程と、該走査部の回転数とその時の前記托架部の振動量を関連付けて記憶部に格納する工程と、測定条件に基づき前記走査部の回転数を演算する工程と、演算された回転数に対応する振動量を予め設定された閾値と比較する工程と、該閾値よりも小さいと判断されると前記測定対象物の測定処理を行い、前記閾値よりも大きいと判断されると前記演算された回転数とは異なる回転数となる様前記走査部の回転数を再度演算する工程とを有することを特徴とする３次元測量方法。
【請求項７】
前記測定対象物の測定処理を行う工程は、前記托架部の振動を検出すると、検出された振動量と前記閾値とを比較し、該閾値よりも小さいと判断されると前記測定対象物の測定処理を続行し、前記閾値よりも大きいと判断されると前記演算された回転数とは異なる回転数となる様前記走査部の回転数を再度演算する工程を有する請求項６の３次元測量方法。
【請求項８】
走査部を回転して測距光を回転照射し、点群データを取得する３次元測量方法であって、振動量に対する閾値を設定し、測定を実行して振動量が前記閾値を越えた場合は、前記走査部の回転数を変更することを特徴とする３次元測量方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月12日(2018.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率が互いに異なる複数の層を有する基板に光を斜入射させ、前記複数の層のうち最上層とその下地層との界面で反射された光を用いて前記基板の高さを検出する検出装置であって、
Ｐ偏光およびＳ偏光を含む光からＳ偏光を完全に除去することなく低減させる偏光子を有し、前記偏光子によりＳ偏光が低減された光を、ブリュースタ角度より１０度±３度だけ小さい入射角度で前記基板に斜入射させる光学系を含む、ことを特徴とする検出装置。
【請求項２】
屈折率が互いに異なる複数の層を有する基板に光を斜入射させ、前記複数の層のうち最上層とその下地層との界面で反射された光を用いて前記基板の高さを検出する検出装置であって、
Ｐ偏光およびＳ偏光を含む光からＳ偏光を完全に除去することなく低減させる偏光子を有し、前記偏光子によりＳ偏光が低減された光を前記基板に斜入射させる光学系を含み、
前記光学系は、前記界面で反射された光の強度に対する、前記最上層の表面で反射された光の強度の比率が、ブリュースタ角度より小さくなる入射角度で、前記基板に光を斜入射させる、ことを特徴とする検出装置。
【請求項３】
前記光学系は、前記界面で反射された光の強度に対する、前記最上層の表面で反射された光の強度の比率が１７％以下になる入射角度で前記基板に光を斜入射させる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記光学系は、４０度から５５度の範囲にある入射角度で前記基板に光を斜入射させる、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項５】
前記光学系は、４４．５度から５０．５度の範囲にある入射角度で前記基板に光を斜入射させる、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項６】
前記基板への光の入射角度を変更するように前記光学系を駆動する駆動部と、
前記最上層の屈折率と、前記界面で反射された光の強度に対する、前記最上層の表面で反射された光の強度の比率が最小となる入射角度との関係を示す情報に基づいて、前記駆動部を制御する制御部と、
を更に含むことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
基板に設けられたマークの位置を計測する計測装置であって、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
屈折率が互いに異なる複数の層を有する基板に光を斜入射させ、前記複数の層のうち最上層とその下地層との界面で反射された光を用いて前記基板の高さを検出する請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の検出装置と、
前記検出装置による検出結果に基づいて、前記マークの位置を計測する際の前記基板の高さが許容範囲に収まるように前記ステージを制御する制御部と、
を含むことを特徴とする計測装置。
【請求項８】
基板上にパターニングを行うリソグラフィ装置であって、
前記基板に設けられたマークの位置を計測する請求項７に記載の計測装置を含む、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項９】
請求項８に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にパターニングを行う工程と、
前記工程でパターニングが行われた前記基板を加工する工程と、を含み、
加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１０】
屈折率が互いに異なる複数の層を有する基板に光を斜入射させ、前記複数の層のうち最上層とその下地層との界面で反射された光を用いて前記基板の高さを検出する検出方法であって、
Ｐ偏光およびＳ偏光を含む光からＳ偏光を完全に除去することなく低減させる偏光子によりＳ偏光が低減された光を、ブリュースタ角度より１０度±３度だけ小さい入射角度で前記基板に斜入射させる、ことを特徴とする検出方法。
【請求項１１】
屈折率が互いに異なる複数の層を有する基板に光を斜入射させ、前記複数の層のうち最上層とその下地層との界面で反射された光を用いて前記基板の高さを検出する検出方法であって、
Ｐ偏光およびＳ偏光を含む光からＳ偏光を完全に除去することなく低減させる偏光子によりＳ偏光が低減された光を、前記界面で反射された光の強度に対する、前記最上層の表面で反射された光の強度の比率が、ブリュースタ角度より小さくなる入射角度で、前記基板に斜入射させる、ことを特徴とする検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】検出装置、計測装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法、および検出方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板の高さを検出する検出装置、それを含む計測装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法、および検出方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての検出装置は、屈折率が互いに異なる複数の層を有する基板に光を斜入射させ、前記複数の層のうち最上層とその下地層との界面で反射された光を用いて前記基板の高さを検出する検出装置であって、Ｐ偏光およびＳ偏光を含む光からＳ偏光を完全に除去することなく低減させる偏光子を有し、前記偏光子によりＳ偏光が低減された光を、ブリュースタ角度より１０度±３度だけ小さい入射角度で前記基板に斜入射させる光学系を含む、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月17日(2018.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に収容空間が形成されたハウジング部材と、
前記収容空間に収容され、前記ハウジング部材に対して相対回転可能に配置された回転部材と前記ハウジング部材とを係脱可能に連結するクラッチ部と、
前記クラッチ部を作動させる磁力を発生する電磁コイルとを備え、
前記クラッチ部は、前記電磁コイルへの通電により発生する磁束の磁路を構成する複数の軟磁性体を有し、前記複数の軟磁性体のうち、一部の軟磁性体は前記ハウジングとの相対回転が規制されると共に、他の一部の軟磁性体は前記回転部材との相対回転が規制され、前記磁力による前記一部の軟磁性体と前記他の一部の軟磁性体との摩擦接触により前記ハウジング部材と前記回転部材との相対回転を抑制し、
前記複数の軟磁性体同士の接触面のうち、少なくとも一部の接触面には潤滑油を流動させる油溝が形成され、
前記複数の軟磁性体同士の接触面に形成された前記油溝のうち前記磁路に含まれる部分の溝面積の総和が、前記磁路における磁束が飽和したときの磁束密度を低下させない最大油溝面積の１１０％以下である、
電磁式摩擦係合装置。
【請求項２】
前記溝面積の総和が、前記最大油溝面積の９０〜１１０％である、
請求項１に記載の電磁式摩擦係合装置。
【請求項３】
前記磁路に磁束が発生して前記複数の軟磁性体同士が互いに接触したとき、前記磁路が空隙を含まない、
請求項１又は２に記載の電磁式摩擦係合装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記目的を達成するため、内部に収容空間が形成されたハウジング部材と、前記収容空間に収容され、前記ハウジング部材に対して相対回転可能に配置された回転部材と前記ハウジング部材とを係脱可能に連結するクラッチ部と、前記クラッチ部を作動させる磁力を発生する電磁コイルとを備え、前記クラッチ部は、前記電磁コイルへの通電により発生する磁束の磁路を構成する複数の軟磁性体を有し、前記複数の軟磁性体のうち、一部の軟磁性体は前記ハウジングとの相対回転が規制されると共に、他の一部の軟磁性体は前記回転部材との相対回転が規制され、前記磁力による前記一部の軟磁性体と前記他の一部の軟磁性体との摩擦接触により前記ハウジング部材と前記回転部材との相対回転を抑制し、前記複数の軟磁性体同士の接触面のうち、少なくとも一部の接触面には潤滑油を流動させる油溝が形成され、前記複数の軟磁性体同士の接触面に形成された前記油溝のうち前記磁路に含まれる部分の溝面積の総和が、前記磁路における磁束が飽和したときの磁束密度を低下させない最大油溝面積の１１０％以下である、電磁式摩擦係合装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月9日(2018.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
これに対し、特許文献３等には、ローディングナットに代えてコッタと呼ばれる係止環を用いた構造が記載されている。図９〜１２は、この様な係止環を組み込んだ従来構造の第２例を示している。この従来構造の第２例の場合、１対の入力側ディスク２ｃ、２ｄのうち、入力回転軸１ａの先端側に配置された入力側ディスク２ｄを、内周面の軸方向中間部乃至外端部（図９〜１１の右端部）に亙る範囲に雌スプライン部１３を形成し、この雌スプライン部１３と、前記入力回転軸１ａの先端寄り部分の外周面に形成した雄スプライン部１４とを係合している。又、この入力回転軸１ａの先端部外周面で、この雄スプライン部１４から軸方向に外れた部分に、全周に亙って係止溝１５を形成し、この係止溝１５に、複数（２〜４個）の部分円弧状の素子から成る係止環１６の径方向内半部を係止している。そして、この係止環１６の側面（図９〜１０の左側面）のうちの径方向外端寄り部分を、入力側ディスク２ｄの外側面のうちの径方向内端部に当接させる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
又、本例の場合、図４、５に示す様に、特許請求の範囲に記載した他方の外側ディスクに相当する前記入力側ディスク２ｆを、前記入力回転軸１ｂの先端部に対して、次の様な構成により支持している。
即ち、前記入力側ディスク２ｆの中心部に、この入力側ディスク２ｆを軸方向に貫通する状態で中心孔２８を形成している。そして、この中心孔２８の内周面のうちの軸方向中間部にのみ、雌スプライン部１３ａを形成している。又、この中心孔２８の内周面のうち、この雌スプライン部１３ａの軸方向内側（図４の左側）に隣接した部分には、ディスク側円筒面部２９を形成しており、この雌スプライン部１３ａの軸方向外側（図４の右側）に隣接した部分には、ディスク側嵌合面部３０を形成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
尚、比較例として、締め代の大きさを、予圧ばねが発揮する弾力に拘らず、入力側ディスクが入力回転軸に対して軸方向に相対変位できない程大きな値に設定した場合に就いて、図６を参照しつつ説明する。比較例の場合、予圧ばねが発揮する弾力によっては、入力側ディスク２ｆを係止環１６ａに押し付ける（入力回転軸１ｂを入力側ディスク２ｆから引き抜く）事ができない。この為、組み立て作業時に、この入力側ディスク２ｆを正規の組み付け位置（係止環１６ａに突き当たる位置）よりも軸方向片側（図６の左側）に誤って移動させてしまうと、前記入力側ディスク２ｆに反対側から外力を加えて、前記入力回転軸１ｂから引き抜き、再度圧入作業をやり直す必要がある。この為、トロイダル型無段変速機の組み立て作業性が悪くなる。又、前記入力側ディスク２ｆが、正規の組み付け位置よりも軸方向片側に組み付けられている事に気付かずに、トロイダル型無段変速機の運転を開始させてしまうと、前記入力側ディスク２ｆに大きな軸力がかかるまでは、この入力側ディスク２ｆを軸方向に移動させる（正規の組み付け位置に移動させる）事ができない。この為、パワーローラの周面と入力側、出力側各ディスクの側面との転がり接触部に作用する面圧が過大になると共に、予圧ばねを過剰に弾性変形させてしまうと言った問題を生じる可能性がある。
これに対し、本例の構造によれば、前記予圧ばね１１ｄの弾力に基づき、前記入力側ディスク２ｆを前記入力回転軸１ｂに対し軸方向に相対変位させられる為、この様な問題を生じずに済む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
尚、本例の場合、前記入力側ディスク２ｆの中心孔２８の内周面のうちで軸方向内端部に形成された前記ディスク側円筒面部２９は、前記入力回転軸１ｂの外周面のうち、前記雄スプライン部１４ａよりも基端側に隣接する部分に、隙間嵌めで外嵌している。但し、当該部分に、前記入力回転軸１ｂの中心軸を中心とする正円形で、軸方向に関して外径が変化しない軸側円筒面部を形成し、この軸側円筒面部の自由状態での外径を、前記ディスク側円筒面部２９の自由状態での内径よりも僅かに大きくして、このディスク側円筒面部２９を前記軸側円筒面部に圧入（締り嵌めで外嵌）する様に構成しても良い。これらディスク側、軸側両円筒面部２９同士を締り嵌めで嵌合すれば、前記入力側ディスク２ｆと前記入力回転軸１ｂとの同心性を向上でき（中心軸同士の偏心量及び傾斜角度を低減でき）、前記トロイダル型無段変速機の各種性能をより一層向上できる（例えば前記入力側ディスク２ｆの振れ回り運動を低減して、振動の低減及び変速比制御の精度向上を図れる）。尚、この様な構成を採用した場合には、前記ディスク側円筒面部２９と前記軸側円筒面部との間の圧入部、及び、前記ディスク側嵌合面部３０と前記軸側嵌合面部３１との圧入部でそれぞれ生じる引き抜き力の合計よりも、前記予圧ばね１１ｄが発揮する弾力が大きくなる様に、前記各圧入部に於ける締め代の大きさを設定する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月28日(2018.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
六角ナット８６が、管路部分８４の下端部に螺合し、皿フランジ８７及び皿ばね８８が設定押し力を持って六角ナット８６とディスクバルブ９２との間に介挿される。皿フランジ８７の円筒状基部８７ａは、隔壁８ｂの中心孔９４内に延入し、隔壁８ｂ及び管路部分８４によって上下動可能に支持される。気室Ｃｇの空気圧が昇圧すると、気室側油室Ｃｉの油圧が昇圧し、これに伴って油圧室８５の油圧が昇圧するので、作動子８２は、上方に変位し、六角ナット８６と一体になった皿フランジ８７を介してディスクバルブ９２を上方に押圧又は付勢し、この結果、ディスクバルブ９２は、流路９０の流路抵抗を増大する。逆に、気室Ｃｇの空気圧が降圧すると、気室側油室Ｃｉの油圧が降圧し、これに伴って油圧室８５の油圧が降圧するので、作動子８２は、下方に変位し、六角ナット８６と一体になった皿フランジ８７及びディスクバルブ９２を付勢又は押圧する圧力を低減し、この結果、ディスクバルブ９２は、流路９０の流路抵抗を低減する。図６には、後者の状態が示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
第２ピストン１４２に取付けられた減衰力制御器８は、減衰力制御器７を上下反転した構造のものである。但し、減衰力制御器８の油圧室８５には、ピストン側油室Ｃｐの油圧が導かれ、油圧室８５の油圧は、ピストン側油室Ｃｐの油圧と同一の圧力に設定される。従って、ピストン側油室Ｃｐの油圧が降圧すると、油圧室８５の油圧が降圧するので、第２ピストン１４２のディスクバルブ２１は、流路２９の流路抵抗を低減する。逆に、ピストン側油室Ｃｐの油圧が昇圧すると、油圧室８５の油圧が昇圧するので、第２ピストン１４２のディスクバルブ２１は、流路２９の流路抵抗を増大する。従って、ディスクバルブ２１及び皿ばね８８のばね力は、縮み側減衰力の必要量に相応して調整される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
複合型ピストン１４は又、ピストン１４１、１４２の間にピストン内油室Ｃｃを備えるので、ショックアブソーバ１が伸び側にストロークすると、ロッド側油室Ｃｒの油が、ピストン１４１の流路２０及びディスクバルブ２２の絞り抵抗を発生させながら、ピストン内油室Ｃｃに流れ、絞り抵抗がないピストン１４２の流路を通ってピストン内油室Ｃｃからピストン側油室Ｃｐに流れる。この状態では、ピストン１４２の流路において流路抵抗がないので、気室Ｃｇの圧力がピストン内油圧室Ｃｃの圧力になる。前述のとおり、ディスクバルブ２２及び皿ばね７８のばね力は、伸び側減衰力の必要量に相応して調整される。逆に、ショックアブソーバ１が縮み側にストロークすると、ピストン側油室Ｃｐの油が、ピストン１４２の流路２９及びディスクバルブ２１の絞り抵抗を発生させながら、ピストン内油室Ｃｃに流れ、絞り抵抗がないピストン１４１の流路を通ってピストン内油室Ｃｃからロッド側油室Ｃｒに流れる。前述のとおり、ディスクバルブ２１及び皿ばね８８のばね力は、縮み側減衰力の必要量に相応して調整される。即ち、上記構成の複合型ピストン１４及び減衰力制御器７、８を備えたショックアブソーバ１によれば、ストローク方向に位置する油室の圧力に感応した減衰力が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
本例のサスペンション装置Ｓによれば、ピストン１４１、１４２の流路２０、２９を流通する油量が、伸び側及び縮み側の各ストローク時に、ストローク量に対応した均等な流量となるので、前述の実施例３、４及び５の各サスペンション装置Ｓに比べて、減衰力の調整が容易であり、しかも、耐圧ベローズ５０の耐久性も向上でき、この点において、本例のサスペンション装置Ｓは優位性がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ピストン側油室Ｃｐは、中シリンダ１１の内部領域１８を介して金属ベローズ３０の内側領域３１に延びる。気室Ｃｇの気体（空気）は、受圧板３２と金属ベローズ３０のＲ部及び腹部とによってピストン側油室Ｃｐの油から分離される。かくして、気室Ｃｇは、金属ベローズ３０、支持リング３３、中シリンダ１１及び気室シリンダ１２によって画成される。気室Ｃｇの気体圧力およびピストン側油室Ｃｐの油圧は、金属ベローズ３０を介して円滑に相互伝達し、均衡する。金属ベローズ３０として、密着高さが低く、取り付けスペースを小型化することができる日本発条株式会社製の成形ベローズ（日本発条株式会社の製品カタログ（2000年10月10日作成）に記載のＳ字形状ベローズ）を好適に使用し得る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2016211722.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月31日(2018.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記段部１７は、前記外輪３ａの中心軸に直交する仮想平面上に存在する円輪状に形成されている。この様な段部１７は、径方向内端縁が前記小径円筒面１８の軸方向他端縁に断面半円弧状の周方向凹溝を介して連続すると共に、径方向外端縁が、前記部分円錐面１６の軸方向片端縁に連続している。尚、前記周方向凹溝は、前記段部１７の径方向内端縁と、前記小径円筒面１８の軸方向他端縁との連続部に応力が集中するのを防止する為のものであり、省略する事もできる
前記小径円筒面１８は、前記段部１７の軸方向片側に隣接した位置から、軸方向片端縁に掛けての部分に形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
前記外輪３ｃは、内周面の軸方向中間部に深溝型の外輪軌道２ａを有している。又、この外輪３ａの外周面の軸方向中間部には、全周に亙り径方向内側に凹んだ状態で周方向凹溝１０が形成されている。又、前記外輪３ａの内周面のうち、前記外輪軌道２ａよりも軸方向片側部分は、この外輪軌道２ａに近い側から順に、小径円筒面１１と、段部１２と、大径円筒面１３とが形成されている。これら小径円筒面１１、段部１２、及び大径円筒面１３に関しては、前述した実施の形態の第１例の構造と同様である。
特に、本例のセンサ装置付ラジアル玉軸受１ｃを構成する外輪３ｃは、軸方向片側面のうち、円周方向に関する１箇所位置に、径方向両端部及び軸方向片端部が開口した外輪側切欠部１４ｂが形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池の充放電電流値を検出する充放電電流検出部と、
前記二次電池の端子電圧値を検出する端子電圧検出部と、
前記充放電電流値を積算して第１の充電率を推定する第１の推定部と、
前記二次電池の開放電圧値と充電率との関係に基づき第２の充電率を推定する第２の推定部と、
前記充放電電流値を前記二次電池の電池容量で除算した充放電レートに応じてそれぞれ重み付けされた前記第１の充電率及び前記第２の充電率に基づいて、第３の充電率を算出する充電率算出部と、
を備え、
前記充放電レートが大きい程、前記第１の充電率に対する重み付けを大きくし、且つ、前記第２の充電率に対する重み付けを小さくする、二次電池の充電率算出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の充電率算出装置であって、
前記充電率算出部は、前記第１の充電率及び前記第２の充電率に対する重み付けを、それぞれ前記充放電レートと重み係数との関係を示すルックアップテーブルに基づき決定する、充電率算出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の充電率算出装置であって、
前記第２の推定部は、更に前記二次電池の満充電容量を推定し、
前記充電率算出部は、推定された前記満充電容量を前記電池容量として用いて充放電レートを算出する、充電率算出装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の充電率算出装置であって、
前記充電率算出部は、それぞれ重み付けされた前記第１の充電率と前記第２の充電率を加算して前記第３の充電率を算出する、充電率算出装置。
【請求項５】
鉛蓄電池と、
前記鉛蓄電池の電圧値と略等しい電圧値を有し前記鉛蓄電池と並列に接続された、鉛蓄電池以外の二次電池と、
前記二次電池の充電率を算出する、請求項１から４のいずれか一項に記載の充電率算出装置と、を備えた蓄電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明の第１の観点に係る充電率算出装置は、
二次電池の充放電電流値を検出する充放電電流検出部と、
前記二次電池の端子電圧値を検出する端子電圧検出部と、
前記充放電電流値を積算して第１の充電率を推定する第１の推定部と、
前記二次電池の開放電圧値と充電率との関係に基づき第２の充電率を推定する第２の推定部と、
前記充放電電流値を前記二次電池の電池容量で除算した充放電レートに応じてそれぞれ重み付けされた前記第１の充電率及び前記第２の充電率に基づいて、第３の充電率を算出する充電率算出部と、
を備え、
前記充放電レートが大きい程、前記第１の充電率に対する重み付けを大きくし、且つ、前記第２の充電率に対する重み付けを小さくする
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の第２の観点に係る充電率算出装置は、
前記充電率算出部は、前記第１の充電率及び前記第２の充電率に対する重み付けを、それぞれ前記充放電レートと重み係数との関係を示すルックアップテーブルに基づき決定する
ことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の第３の観点に係る充電率算出装置は、
前記第２の推定部は、更に前記二次電池の満充電容量を推定し、
前記充電率算出部は、推定された前記満充電容量を前記電池容量として用いて充放電レートを算出する
ことが好ましい。
また、本発明の第４の観点に係る充電率算出装置は、
前記充電率算出部は、それぞれ重み付けされた前記第１の充電率と前記第２の充電率を加算して前記第３の充電率を算出する
ことが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の第５の観点に係る蓄電池システムは、
鉛蓄電池と、
前記鉛蓄電池の電圧値と略等しい電圧値を有し前記鉛蓄電池と並列に接続された、鉛蓄電池以外の二次電池と、
前記二次電池の充電率を算出する充電率算出装置と、を備え、
前記充電率算出装置は、
前記二次電池の充放電電流値を検出する充放電電流検出部と、
前記二次電池の端子電圧値を検出する端子電圧検出部と、
前記充放電電流値を積算して第１の充電率を推定する第１の推定部と、
前記二次電池の開放電圧値と充電率との関係に基づき第２の充電率を推定する第２の推定部と、
前記充放電電流値を前記二次電池の電池容量で除算した充放電レートに応じてそれぞれ重み付けされた前記第１の充電率及び前記第２の充電率に基づいて、第３の充電率を算出する充電率算出部と、を含み、
前記充電率レートが大きい程、前記第１の充電率に対する重み付けを大きくし、且つ、前記第２の充電率に対する重み付けを小さくする
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月12日(2018.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージと、
前記パッケージに収容された回路素子と、
前記パッケージに収容され、前記回路素子と電気的に接続されている機能素子と、を有し、
前記パッケージは、
前記回路素子を支持するパッケージ本体と、
前記パッケージ本体の前記回路素子を支持する面とは反対側の面に設けられている基準電位用端子およびデジタル信号用端子と、
前記パッケージ本体に設けられ、前記基準電位用端子に接続されている第１ビアおよび前記デジタル信号用端子に接続されている第２ビアと、を有し、
前記第１ビアの横断面積をＳ１とし、前記第２ビアの横断面積をＳ２としたとき、Ｓ１＞Ｓ２の関係を満足することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記基準電位用端子は、電源用端子および接地用端子の少なくとも一方を含んでいる請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第１ビアの数は、前記第２ビアの数よりも多い請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記第２ビアは、前記デジタル配線用端子の前記基準電位用端子から遠位側の端部に接続されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記機能素子は、物理量検出素子である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子デバイスを有することを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子デバイスを有することを特徴とする移動体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月24日(2018.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板を貫通する１以上のＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）と、
前記基板の前記１以上のＴＳＶ周辺に配置され、前記基板の電位を安定させるためのガードリングとして機能するメタル配線と、
前記基板に実装されると共に前記メタル配線に電気的に接続され、前記１以上のＴＳＶからの雑音信号を前記メタル配線を介して検出するための検出回路と
を備える半導体チップ。
【請求項２】
前記１以上の第１のＴＳＶに対して、個別に信号を入力するための入力回路
を更に備える請求項１記載の半導体チップ。
【請求項３】
前記入力回路は、前記基板に実装される回路をテストするためのバウンダリスキャン回路である、
請求項２記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記検出回路は、前記ＴＳＶからの雑音信号を電流として外部へ出力可能である、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の半導体チップと、
前記検出回路から出力された信号に基づき、前記ＴＳＶに関する異常を検出するための制御装置と
を備える、半導体検査システム。
【請求項６】
基板と、
前記基板を貫通する１以上のＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）と、
前記基板の前記１以上のＴＳＶ周辺に配置され、前記基板の電位を安定させるためのガードリングとして機能するメタル配線と、
前記基板に実装されると共に前記ガードリングに電気的に接続され、前記１以上のＴＳＶからの雑音信号を前記メタル配線を介して検出するための検出回路と
を備える半導体チップを複数積層して構成される半導体装置。
【請求項７】
前記第１の層に係る前記半導体チップの前記ＴＳＶの少なくとも一部は、前記第２の層に係る前記半導体チップに電気的に接続され、
前記第１の層に係る前記半導体チップに含まれる前記ＴＳＶからの雑音信号を、前記第２の層に係る前記半導体チップの前記検出回路で検出可能である、
請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップは、
前記１以上の第１のＴＳＶに対して、個別に信号を入力するための入力回路
を更に備える、請求項６又は請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記入力回路は、前記基板に実装される回路をテストするためのバウンダリスキャン回路である、
請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記検出回路は、前記ＴＳＶからの雑音信号を電流として外部へ出力可能である、
請求項６乃至請求項９のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか１項記載の半導体装置と、
前記検出回路から出力された信号に基づき、前記半導体チップ間の接続に関する異常を検出するための制御装置と
を備える、半導体検査システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る半導体チップは、基板と、前記基板を貫通する１以上のＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）と、前記基板の前記１以上のＴＳＶ周辺に配置され、前記基板の電位を安定させるためのガードリングとして機能するメタル配線と、前記基板に実装されると共に前記メタル配線に電気的に接続され、前記１以上のＴＳＶからの雑音信号を前記メタル配線を介して検出するための検出回路とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、基板と、前記基板を貫通する１以上のＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）と、前記基板の前記１以上のＴＳＶ周辺に配置され、前記基板の電位を安定させるためのガードリングとして機能するメタル配線と、前記基板に実装されると共に前記ガードリングに電気的に接続され、前記１以上のＴＳＶからの雑音信号を前記メタル配線を介して検出するための検出回路とを備える半導体チップを複数積層して構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月14日(2018.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
解体対象物に関する解体工程中の一作業の前後の三次元空間線量率を、前記解体対象物の３次元モデルに基づいて算出する線量率計算処理部と、
前記線量率計算処理部で算出された三次元空間線量率と、前記解体工程の作業時間とに基づいて、前記作業を含む解体工程における作業員の被曝線量を見積もる被曝線量見積部と、
前記作業員の被曝履歴と、前記被曝線量見積部での見積結果とに基づいて、前記作業員の従事する作業工程を含む解体工程を作成する解体工程生成処理部と
を備えたことを特徴とする解体手順計画システム。
【請求項２】
請求項１記載の解体手順計画システムにおいて、
前記解体工程生成処理部により生成された解体工程に基づいて、
前記解体対象物が配置されている解体エリアと、前記解体対象物と、前記解体対象物の解体を行う作業員とを三次元情報として可視化し、表示装置に表示する動画画像生成部を備えたことを特徴とする解体手順計画システム。
【請求項３】
請求項２記載の解体手順計画システムにおいて、
前記動画画像生成部は、前記作業工程における前記作業員の配置位置、作業姿勢、移動経路を可視化された三次元情報内に表示することを特徴とする解体手順計画システム。
【請求項４】
請求項２又は３記載の解体手順計画システムにおいて、
前記可視化された三次元情報内で、前記作業員の作業工程を変更する作業工程変更部と、
前記作業工程変更部での変更結果を反映した、前記解体工程における前記作業員の集積被曝線量を含む情報を表示する被曝線量表示部と
を備えたことを特徴とする解体手順計画システム。
【請求項５】
請求項２又は３記載の解体手順計画システムにおいて、
前記可視化された三次元情報内に、前記作業員の被曝線量を低減するための遮蔽体を仮想配置する作業工程変更部と、
前記作業工程変更部での変更結果を反映した、前記解体工程における前記作業員の集積被曝線量を含む情報を表示する被曝線量表示部と
を備えたことを特徴とする解体手順計画システム。
【請求項６】
請求項１記載の解体手順計画システムにおいて、
前記解体対象物に係る空間線量率の現場計測値に基づいて、前記解体対象物の３次元モデルに予め設定された放射性物質汚染量を調整する汚染量調整部を備えたことを特徴とする解体手順計画システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月23日(2018.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン／遷移金属の組成比が３より大で１６以下の遷移金属シリサイド膜であり、フッ素、塩素、有機物及び水素のうちの、少なくともいずれかが膜中に含まれていることを特徴とする遷移金属シリサイド膜。
【請求項２】
前記遷移金属は、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウムのうちの少なくとも１つ以上であることを特徴とする請求項１に記載の遷移金属シリサイド膜。
【請求項３】
前記遷移金属がタングステンで、シリコン／遷移金属の組成比が３より大で１４以下であることを特徴とする請求項１に記載の遷移金属シリサイド膜。
【請求項４】
請求項１に記載の遷移金属シリサイド膜を備える半導体装置。
【請求項５】
遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを気相中で化学反応させることにより、シリコン／遷移金属の組成比が３より大で１６以下の前駆体を気相中で作製した後に、該前駆体を基板上に堆積して、シリコン／遷移金属の組成比が３より大で１６以下の遷移金属シリサイド膜を該基板上に作製することを特徴とする遷移金属シリサイド膜の製造方法。
【請求項６】
遷移金属の原料ガスとして、フッ素と遷移金属から構成されるガス、塩素と遷移金属から構成されるガス、有機物と遷移金属から構成されるガスのうちの少なくともいずれかを用い、シリコンの原料ガスとして、水素とシリコンから構成されるシランガス、ジシランガス、トリシランガス、及び高次シランガス、塩素とシリコンから構成されるガス、有機物とシリコンから構成されるガスのうちの少なくともいずれかを用いることを特徴とする請求項５に記載の遷移金属シリサイド膜の製造方法。
【請求項７】
遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを５０℃以上４２０℃以下の温度に保持することにより、気相中で化学反応を生じさせることを特徴とする請求項５に記載の遷移金属シリサイド膜の製造方法。
【請求項８】
遷移金属の原料ガスのみが吸収し、シリコンの原料ガスは吸収しない波長領域の光を用いることにより、気相中で化学反応を生じさせることを特徴とする、請求項５に記載の遷移金属シリサイド膜の製造方法。
【請求項９】
遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを供給して、化学気相成長により遷移金属シリサイド膜を作製する製造装置であって、前記遷移金属の原料ガスと前記シリコンの原料ガスの温度を５０℃以上４２０℃以下に保持する加熱機構を備えることを特徴とする遷移金属シリサイド膜の製造装置。
【請求項１０】
遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを供給して、化学気相成長により遷移金属シリサイド膜を作製する製造装置であって、前記遷移金属の原料ガスのみが吸収し、前記シリコンの原料ガスは吸収しない波長領域の光の照射機構を、備えることを特徴とする遷移金属シリサイド膜の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月3日(2018.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記一般式（１）で表される化合物が、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスファイトである、請求項１に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
次に、前記試験片を恒温恒湿槽（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製、恒温恒湿器ＡＧ−３２７）中に設置し、温度９０℃、相対湿度９０％の条件下で５００時間、加水分解試験を行った。試験終了後、前記と同様にして試験片の試験後積算透過率を求め、Δ積算透過率（積算透過率の差＝試験前積算透過率−試験後積算透過率）を算出した。Δ積算透過率は、試験前後の積算透過率の変化の程度を表しており、Δ積算透過率が小さいほど、高温高湿条件下に供した後であっても光線透過率の低下が少なく、長期信頼性に優れていることを示す。なお、Δ積算透過率が５０００未満を良好（表中、○で示す）、５０００以上を不良（表中、×で示す）とした。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月21日(2018.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遺伝子型分析の実施方法であって、
（ａ）解離された腫瘍細胞を含む腫瘍検体を提供する工程と、
（ｂ）前記腫瘍検体をＣＤ４６に結合する結合剤に接触させて、標識された腫瘍細胞を提供する工程と、
（ｃ）前記標識された腫瘍細胞を、フローサイトメトリーによりソーティングし、腫瘍形成性細胞を含む濃縮された腫瘍形成性細胞集団を提供する工程と、ここで、前記濃縮された腫瘍形成性細胞集団内の少なくとも４０％の細胞が、ＣＤ４６ｈｉマーカー表現型を含む、
（ｄ）前記濃縮された腫瘍形成性細胞集団から、遺伝物質を得る工程と、
（ｅ）前記遺伝物質を分析する工程と
を含む、方法。
【請求項２】
工程（ｂ）が、腫瘍検体をＣＤ３２４に結合する結合剤に接触させることをさらに含み、工程（ｃ）の濃縮された腫瘍形成性細胞集団が、ＣＤ３２４＋腫瘍形成性細胞を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
腫瘍検体が、副腎癌、膀胱癌、子宮頸癌、子宮内膜癌、腎臓癌、肝臓癌、肺癌、卵巣癌、結腸直腸癌、膵臓癌、前立腺癌、乳癌、頭頸部癌及び黒色腫からなる群から選択される腫瘍性疾患を有する被験体から得られる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
結合剤が、遺伝子型結合剤を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
結合剤が、表現型結合剤を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
表現型結合剤が、抗体を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
腫瘍検体が、固形腫瘍に由来する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
腫瘍検体が、ヒトではない哺乳動物を介して継代された腫瘍から得られる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ヒトではない哺乳動物が、マウス、ラット、ウサギ、イヌ、ブタ、ヒツジ及び霊長類からなる群から選択される動物種を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
動物種が、免疫不全マウスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
免疫不全マウスが、ヌードマウス、ＳＣＩＤマウス、ＮＯＤ／ＳＣＩＤマウス、及びベージュ／ＳＣＩＤマウスからなる群から選択される、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管状で、一方の端部に給水口を有し、もう一方の端部に吐出口を有するノズルと、
前記ノズルに取り付けた、前記ノズルの少なくとも前記吐出口側を包囲し、かつ、前記吐出口側が開口したカバーと
を有する、植物を根から抜くための装置。
【請求項２】
前記ノズルは前記給水口側で散水用ガンの散水口に着脱自在である請求項１の装置。
【請求項３】
前記カバーは前記ノズルに沿って進退可能である請求項１又は２の装置。
【請求項４】
前記カバーを前記ノズルの前記吐出口側に向けて押すばねを設けた請求項１、２又は３の装置。
【請求項５】
前記カバーは透明である請求項１から４のいずれか１項の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】植物を根から抜くための装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】  この発明は、植物を根から抜くための装置に関するもので、雑草を除去するために利用できるほか、葉物や根菜その他の野菜の収穫にも利用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】  この発明の課題は、家庭で利用でき、簡易な構成でありながら、水や土、小石などの跳ね返りがなく、しかも雑草その他の植物を根から抜くために使用することができる装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  この発明は、ノズルから吐出された水の跳ね返りや散乱を防ぎ、対象となる植物の根部分に集中させるようにしたことを特徴とする。すなわち、この発明の装置は、管状で、一方の端部に給水口を有し、もう一方の端部に吐出口を有するノズルと、前記ノズルに取り付けた、前記ノズルの少なくとも前記吐出口側を包囲し、かつ、前記吐出口側が開口したカバーとを有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】  この発明の装置は、簡易な構成であることから、家庭で手軽に利用できる。たとえば、ホースを利用してノズルの給水口側を水道の蛇口に接続するか、あるいは、散水用ガンに取り付けるだけでよい。前者の場合、蛇口を開閉する手間があるのに対して、後者の場合、放水量や放水の開閉を手元でコントロールできるため、作業が一層容易となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】  以下、添付図面に従って、除草装置に適用したこの発明の実施の形態を説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】  ノズル２２は直線状である必要はなく、たとえば、くの字形に曲がったものでもよい。除草等の作業を遂行する際にノズル２２の吐出口２６を対象に向けやすく、また、必要なときは地面に突き刺しやすい形状とすることができる。さらに、任意の形状に曲げた状態で保持できるインターロックチューブを使用してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2018023351.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2018023351.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月3日(2018.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験体における免疫応答の誘導に使用するための免疫細胞であって、該免疫細胞は、以下：
（ｉ）以下：
（ａ）配列番号６の第１のＸＢＰ−１アミノ酸配列、あるいは、
（ｂ）配列番号１０の第２のＸＢＰ−１アミノ酸配列、
からなるＸＢＰ−１ペプチド；
ならびに、
（ｉｉ）配列番号１６のＣＳ−１アミノ酸配列からなるＣＳ−１ペプチド
からなる群より独立して選択されるＣＳ−１ペプチド、および、ＸＢＰ−１ペプチドの１つまたは複数を含む組成物と接触させたものであることを特徴とする、免疫細胞。
【請求項２】
前記免疫細胞を前記組成物と接触させる前に、前記免疫細胞が、前記被験体または同種の供給源から得られる、請求項１に記載の使用のための免疫細胞。
【請求項３】
前記免疫細胞がＴ細胞である、請求項１または２に記載の使用のための免疫細胞。
【請求項４】
前記Ｔ細胞が、前記組成物と接触させた後に活性化される、請求項３に記載の使用のための免疫細胞。
【請求項５】
前記組成物が、以下、
（Ｉ）配列番号６のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、
（ＩＩ）配列番号１０のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、および
（ＩＩＩ）配列番号１２のアミノ酸配列からなるＣＤ−１３８ペプチド
を含む、請求項１に記載の使用のための免疫細胞。
【請求項６】
前記組成物が、以下、
（Ｉ）配列番号１６のアミノ酸配列からなるＣＳ−１ペプチド、
（ＩＩ）配列番号６のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、
（ＩＩＩ）配列番号１０のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、および、
（ＩＶ）配列番号１２のアミノ酸配列からなるＣＤ−１３８ペプチド
を含む、請求項１に記載の使用のための免疫細胞。
【請求項７】
免疫細胞を活性化するｅｘ  ｖｉｖｏの方法であって、該方法は、
免疫細胞を、以下：
（ｉ）以下：
（ａ）配列番号６の第１のＸＢＰ−１アミノ酸配列、あるいは、
（ｂ）配列番号１０の第２のＸＢＰ−１アミノ酸配列、
からなるＸＢＰ−１ペプチド；
ならびに、
（ｉｉ）配列番号１６のＣＳ−１アミノ酸配列からなるＣＳ−１ペプチド
からなる群より独立して選択されるＣＳ−１ペプチド、および、ＸＢＰ−１ペプチドの１つまたは複数を含む組成物と接触させる工程
を含む、方法。
【請求項８】
前記免疫細胞が、骨髄細胞、マクロファージ、単球、樹状細胞、Ｔ細胞またはＢ細胞から選択される、請求項７に記載のｅｘ  ｖｉｖｏの方法。
【請求項９】
前記Ｔ細胞が、前記組成物と接触させた後に活性化される、請求項８に記載のｅｘ  ｖｉｖｏの方法。
【請求項１０】
前記組成物が、以下、
（Ｉ）配列番号６のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、
（ＩＩ）配列番号１０のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、および
（ＩＩＩ）配列番号１２のアミノ酸配列からなるＣＤ−１３８ペプチド
を含む、請求項７に記載のｅｘ  ｖｉｖｏの方法。
【請求項１１】
前記組成物が、以下、
（Ｉ）配列番号１６のアミノ酸配列からなるＣＳ−１ペプチド、
（ＩＩ）配列番号６のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、
（ＩＩＩ）配列番号１０のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、および、
（ＩＶ）配列番号１２のアミノ酸配列からなるＣＤ−１３８ペプチド
を含む、請求項７に記載のｅｘ  ｖｉｖｏの方法。
【請求項１２】
癌を有する被験体における免疫応答の誘導、および／または、被験体における癌の処置もしくは癌の進行をゆっくりにすることにおいて使用するための薬学的組成物であって、該組成物は、以下：
（ｉ）以下：
（ａ）配列番号６の第１のＸＢＰ−１アミノ酸配列、あるいは、
（ｂ）配列番号１０の第２のＸＢＰ−１アミノ酸配列、
からなるＸＢＰ−１ペプチド；
ならびに、
（ｉｉ）配列番号１６のＣＳ−１アミノ酸配列からなるＣＳ−１ペプチド
からなる群より独立して選択されるＣＳ−１ペプチド、および、ＸＢＰ−１ペプチドの１つまたは複数を含み、該被験体がＨＬＡ−Ａ２を発現する、薬学的組成物。
【請求項１３】
以下、
（Ｉ）配列番号６のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、
（ＩＩ）配列番号１０のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、および
（ＩＩＩ）配列番号１２のアミノ酸配列からなるＣＤ−１３８ペプチド
を含む、請求項１２に記載の使用のための薬学的組成物。
【請求項１４】
以下、
（Ｉ）配列番号１６のアミノ酸配列からなるＣＳ−１ペプチド、
（ＩＩ）配列番号６のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、
（ＩＩＩ）配列番号１０のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、および、
（ＩＶ）配列番号１２のアミノ酸配列からなるＣＤ−１３８ペプチド
を含む、請求項１２に記載の使用のための薬学的組成物。
【請求項１５】
以下、
（ｉ）前記癌が、多発性骨髄腫またはワルデンシュトレームマクログロブリン血症である；
（ｉｉ）前記被験体が、前記癌を有するか、または、前記癌からの寛解にある；
（ｉｉｉ）前記被験体が、活発な多発性骨髄腫を発症するリスクがある；あるいは
（ｉｖ）前記被験体が、意義未確定の単クローン性免疫グロブリン血症（ＭＧＵＳ）を有する
のうち１つまたは複数である、請求項１２〜１４のいずれかに記載の使用のための薬学的組成物。
【請求項１６】
前記組成物が、１つまたは複数の化学療法薬、電離放射線の１つまたは複数の形態、あるいは、１つまたは複数の免疫療法薬と組み合わせて使用するためのものである、請求項１２〜１５のいずれかに記載の使用のための薬学的組成物。
【請求項１７】
前記組成物が、レナリドマイドと組み合わせて使用するためのものである、請求項１２〜１６のいずれかに記載の使用のための薬学的組成物。
【請求項１８】
免疫細胞と、
組成物とを含む混合物であって、該組成物が、以下：
（ｉ）以下：
（ａ）配列番号６の第１のＸＢＰ−１アミノ酸配列、あるいは、
（ｂ）配列番号１０の第２のＸＢＰ−１アミノ酸配列、
からなるＸＢＰ−１ペプチド；
ならびに、
（ｉｉ）配列番号１６のＣＳ−１アミノ酸配列からなるＣＳ−１ペプチド
からなる群より独立して選択されるＣＳ−１ペプチド、および、ＸＢＰ−１ペプチドの１つまたは複数を含む、混合物。
【請求項１９】
前記免疫細胞がＴ細胞である、請求項１８に記載の混合物。
【請求項２０】
前記Ｔ細胞が活性化Ｔ細胞である、請求項１９に記載の混合物。
【請求項２１】
前記組成物が、以下、
（Ｉ）配列番号６のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、
（ＩＩ）配列番号１０のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、および
（ＩＩＩ）配列番号１２のアミノ酸配列からなるＣＤ−１３８ペプチド
を含む、請求項１８に記載の混合物。
【請求項２２】
前記組成物が、以下、
（Ｉ）配列番号１６のアミノ酸配列からなるＣＳ−１ペプチド、
（ＩＩ）配列番号６のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、
（ＩＩＩ）配列番号１０のアミノ酸配列からなるＸＢＰ−１ペプチド、および、
（ＩＶ）配列番号１２のアミノ酸配列からなるＣＤ−１３８ペプチド
を含む、請求項１８に記載の混合物。