(57)【要約】高周波域において所望とする周波数領域で電磁妨害波耐性を実現することを可能とするノイズフィルタを提供する。  センサ２の出力端子２ａ，２ｂと、センサ２の出力信号を検出する検出回路５とを電気的に接続する経路に挿入されるノイズフィルタであって、センサ２側に配置された少なくとも１つのインピーダンス素子としての第１，第２のインダクタンス素子７，８と、インピーダンス素子とを検出回路５との間に接続された少なくとも１つのキャパシタンス素子９とを備えるノイズフィルタ４、並びに該ノイズフィルタを用いたセンサ回路１。【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサの出力端子と、センサの出力信号を検出する検出回路とを電気的に接続する経路に挿入されるノイズフィルタであって、前記センサ側に配置された少なくとも１つのインピーダンス素子と、前記インピーダンス素子と前記検出回路との間に接続された少なくとも１つのキャパシタンス素子とを備えることを特徴とする、ノイズフィルタ。
【請求項２】
前記センサの出力端子が、ホット側出力端子と、基準電位側出力端子とを有し、前記検出回路の入力端が、ホット側入力端子と、基準電位側入力端子とを有し、
前記少なくとも１つのインピーダンス素子として、前記センサのホット側出力端子と検出回路のホット側入力端子との間に挿入された第１のインダクタンス素子と、前記センサの基準電位側出力端子と、前記検出回路の基準電位側入力端子との間に接続された第２のインダクタンス素子とを有し、
前記キャパシタンス素子が、前記第１のインダクタンス素子と前記検出回路のホット側入力端子との間の接続点と、前記第２のインダクタンス素子と前記検出回路の基準電位側入力端子との間の接続点とを結ぶように挿入されている、請求項１に記載のノイズフィルタ。
【請求項３】
前記少なくとも１つのインピーダンス素子及び少なくとも１つのキャパシタンス素子の回路定数が、８００ＭＨｚ以上の周波数における挿入損失が２０ｄＢ以上となるように選ばれていることを特徴とする、請求項１または２に記載のノイズフィルタ。
【請求項４】
前記センサがジャイロセンサであって、ジャイロセンサ用ノイズフィルタであることを特徴とする、請求項１または２に記載のノイズフィルタ。
【請求項５】
センサと、前記センサの出力信号を検出する検出回路と、前記センサの出力端子と前記検出回路との間に接続されたノイズフィルタとを備え、該ノイズフィルタが、請求項１または２に記載のノイズフィルタであることを特徴とする、センサ回路。
【請求項６】
前記センサが、ジャイロセンサである、請求項５に記載のセンサ回路。
【請求項７】
一対の入力端子を有する演算増幅器を含む検出回路において、前記演算増幅器の各入力端子に接続されるノイズフィルタであって、前記ノイズフィルタは、第１及び第２のインダクタンス素子と、キャパシタンス素子とを有し、前記キャパシタンス素子は、前記第１及び第２のインダクタンス素子よりも演算増幅器の入力端子側に接続されるものであることを特徴とする、ノイズフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、ジャイロセンサなどのセンサと検出回路との間に接続されたり、検出回路を構成している演算増幅器に接続されたりするノイズフィルタ及び該ノイズフィルタを含むセンサ回路に関し、所望とする周波数域におけるノイズを効果的に除去することを可能とするノイズフィルタ及び該ノイズフィルタを含むセンサ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来、ジャイロセンサや温度検出用センサなどの様々なセンサを有するセンサ回路において、電磁妨害波による誤動作や測定精度の低下を防止することが強く求められている。このようなセンサ回路の一例が、下記の特許文献１に開示されている。【０００３】  図１０は、特許文献１に記載のセンサ回路を示す回路図である。ここでは、温度検出用センサ１０１の出力端に、インダクタンス素子１０２，１０３とキャパシタンス素子１０４とからなるノイズフィルタが接続されている。また、インダクタンス素子１０２，１０３の後段に、検出回路を構成している演算増幅器１０５が接続されている。【０００４】  より具体的には、温度検出用センサ１０１のホット側出力端子が、演算増幅器１０５のホット側入力端子との間に第１のインダクタンス素子１０２が接続されている。また、温度検出用センサ１０１基準電位側の出力端子と、演算増幅器１０５の基準電位側の入力端子側との間に第２のインダクタンス素子１０３が接続されている。そして、温度検出用センサ１０１と第１のインダクタンス素子１０２との間の接続点１０６と、温度検出用センサ１０２と第２のインダクタンス素子１０３との間の接続点１０７との間にキャパシタンス素子１０４が接続されている。【０００５】  図１０に示したセンサ回路では、上記第１，第２のインダクタンス素子１０２，１０３及びキャパシタンス素子１０４からなるノイズフィルタの挿入により、電磁妨害波に対する耐性が高められるとされている。
【特許文献１】特開２００２−１６４５０９号公報
【発明の開示】
【０００６】  図１０に示したセンサ回路では、上記インダクタンス素子１０２，１０３及びキャパシタンス素子１０４からなるＬＣローパスフィルタが構成されており、それによって電磁妨害波耐性が高められるとされている。しかしながら、実際には、温度検出用センサ１０１の誤動作を確実に防止することができず、また電磁妨害波耐性効果が小さい周波数域が存在するという問題があった。特に、低周波領域においては、電磁妨害波耐性効果が十分ではなかった。これは、ノイズフィルタの後段に接続される検出回路の入力インピーダンスが比較的高いことによる。また、高周波領域においては、検出回路の入力端に、図１１に略図的に示すように、静電容量Ｃａが存在するため、高周波領域で入力インピーダンスが低くなり、電磁妨害波耐性は高周波領域では高められると考えられるが、演算増幅器１０５を構成しているＩＣ内の寄生インダクタンスや入力容量の違いなどにより、高周波領域においても所定の周波数において電磁妨害波耐性が改善しなかったり、その効果が生じなくなったりするおそれがあった。
【０００７】  本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、センサと検出回路との間や検出回路内において検出回路に接続されるノイズフィルタであって、特定の周波数領域における電磁妨害波耐性の低下を抑制でき、より広い周波数範囲に渡り電磁妨害波に対する耐性が高められたノイズフィルタ及び該ノイズフィルタを含むセンサ回路を提供することにある。
【０００８】  本発明に係るノイズフィルタは、センサの出力端子と、センサの出力信号を検出する検出回路を電気的に接続する経路に挿入されるノイズフィルタであって、前記センサ側に配置された少なくとも１つのインピーダンス素子と、前記インピーダンス素子と前記検出回路との間に接続された少なくとも１つのキャパシタンス素子とを備えることを特徴とする。
本発明に係るノイズフィルタのある特定の局面では、前記センサの出力端子が、ホット側出力端子と、基準電位側出力端子とを有し、前記検出回路の入力端が、ホット側入力端子と、基準電位側入力端子とを有し、前記少なくとも１つのインピーダンス素子として、前記センサのホット側出力端子と検出回路のホット側入力端子との間に挿入された第１のインダクタンス素子と、前記センサの基準電位側出力端子と、前記検出回路の基準電位側入力端子との間に接続された第２のインダクタンス素子とを有し、前記キャパシタンス素子が、前記第１のインダクタンス素子と前記検出回路のホット側入力端子との間の接続点と、前記第２のインダクタンス素子と前記検出回路の基準電位側入力端子との間の接続点とを結ぶように挿入されている。
本発明に係るノイズフィルタの他の特定の局面では、前記少なくとも１つのインピーダンス素子及び少なくとも１つのキャパシタンス素子の回路定数が、８００ＭＨｚ以上の周波数における挿入損失が２０ｄＢ以上となるように選ばれている。
【０００９】  本発明に係るノイズフィルタのさらに特定の局面では、前記センサがジャイロセンサであって、ジャイロセンサ用ノイズフィルタが構成される。
【００１０】  本発明に係るセンサ回路は、センサと、前記センサの出力信号を検出する検出回路と、前記センサの出力端子と前記検出回路との間に接続されたノイズフィルタとを備え、該ノイズフィルタが、本発明に従って構成されたノイズフィルタであることを特徴とする。
【００１１】  本発明に係るセンサ回路のある特定の局面では、上記センサが圧電ジャイロセンサにより構成されている。
本発明の他の広い局面によれば、一対の入力端子を有する演算増幅器を含む検出回路において、前記演算増幅器の各入力端子に接続されるノイズフィルタであって、前記ノイズフィルタは、第１及び第２のインダクタンス素子と、キャパシタンス素子とを有し、前記キャパシタンス素子は、前記第１及び第２のインダクタンス素子よりも演算増幅器の各入力端子側に接続されるものであることを特徴とするノイズフィルタが提供される。
【００１２】  本発明に係るノイズフィルタでは、センサのホット側出力端子と検出回路との間においてセンサ側に少なくとも１つのインピーダンス素子が配置されおり、該インピーダンス素子と検出回路との間に少なくとも１つのキャパシタンス素子が接続されているため、ホット側出力端子と検出回路とを接続している経路に高周波ノイズが重畳したとしても、検出回路の入力インピーダンスの影響を大きく受けることなく確実にノイズを減衰させることができる。従って、広い周波数範囲に渡り、電磁妨害波耐性を高めることが可能となる。
【００１３】  本発明において、少なくとも一つのインピーダンス素子として、センサのホット側出力端子と検出回路のホット側入力端子との間に挿入された第１のインダクタンス素子と、センサの基準電位側出力端子と、検出回路の基準電位側入力端子との間に接続された第２のインダクタンス素子とを有し、キャパシタンス素子が第１のインダクタンス素子と検出回路のホット側入力端子との間の接続点と、第２のインダクタンス素子と検出回路の基準電位側入力端子との間の接続点を結ぶように接続されている場合には、キャパシタンス素子が第１，第２のインダクタンス素子よりも検出回路側に接続されているため、検出回路の入力インピーダンスの影響をさほど受けることがない。従って、電磁妨害波耐性を高めることができる。
【００１４】  少なくとも１つのインピーダンス素子及び少なくとも１つのキャパシタンス素子の回路定数が８００ＭＨｚ以上の周波数における挿入損失が２０ｄＢ以上となるように選ばれている場合には、近年の携帯電話機器のように、高周波機器で使用される機器から電磁妨害波に対する耐性向上効果を得ることができる。
【００１５】  本発明において、センサがジャイロセンサである場合には、本発明に従って、検出回路の入力インピーダンスの影響をさほど受けることなく、所望とする周波数域において十分な電磁妨害波耐性を実現し得るジャイロセンサ用ノイズフィルタを提供することができる。
【００１６】  本発明に係るセンサ回路は、センサと、検出回路と、本発明に従って構成されたノイズフィルタとを備える。従って、検出回路の入力インピーダンスの大きさにさほど影響を受けることなく、所望とする周波数域において電磁妨害波耐性を効果的に高められているセンサ回路を提供するとこができる。
【００１７】  本発明に係るセンサ回路において、センサがジャイロセンサである場合には、本発明に従って、所望とする周波数域において、検出回路の入力インピーダンスの影響をさほど受けることなく十分な電磁妨害波耐性を有するジャイロセンサ用センサ回路を提供することができる。
本発明に係るノイズフィルタが、演算増幅器を有する検出回路において、該演算増幅器の入力端子に接続されるノイズフィルタであって、第１及び第２のインダクタンス素子とキャパシタンス素子とを有し、キャパシタンス素子が第１及び第２のインダクタンス素子よりも演算増幅器の入力端子側に接続されるノイズフィルタである場合には、キャパシタンス素子が第１，第２のインダクタンス素子よりも演算増幅器の入力端子側に接続されているので、低周波領域では演算増幅器の内部において一対の入力端子間で生じる静電容量Ｃａの影響を受け難い。
【図面の簡単な説明】
【００１８】［図１］図１は、本発明の一実施形態におけるノイズフィルタを含むセンサ回路の回路図である。
［図２］図２は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路においてノイズフィルタを接続する前及びノイズフィルタを挿入した後の水平偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。
［図３］図３は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路においてノイズフィルタを接続する前及びノイズフィルタを挿入した後の垂直偏波についての印加電磁波周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。
［図４］図４は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前、及びノイズフィルタを接続した後であって、ノイズフィルタのキャパシタンス素子の静電容量を種々変更させた場合の水平偏波についての印加周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。
［図５］図５は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前、及びノイズフィルタを接続した後であって、ノイズフィルタのキャパシタンス素子の静電容量を種々変更させた場合の水直偏波についての印加周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。
［図６］図６は、ノイズフィルタに用いられるキャパシタンス素子の挿入損失損失／周波数特性を示す図である。
［図７］図７は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前及びノイズフィルタを接続し、ノイズフィルタ中のインダクタンス素子のインダクタンスを変更した場合の水平偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。
［図８］図８は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前及びノイズフィルタを接続し、ノイズフィルタ中のインダクタンス素子のインダクタンスを変更した場合の垂直偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。
［図９］図９は、本発明の一実施形態のノイズフィルタにおいて用いられるインピーダンス素子としてのインダクタンス素子の挿入損失の周波数依存性を示す図である。
［図１０］図１０は、従来のノイズフィルタが接続されているセンサ回路を示す回路図である。
［図１１］図１１は、図１０に示したセンサ回路における問題点を説明するための図である。
［図１２］図１２（ａ）及び（ｂ）は、図７に示したインダクタンス素子Ｌ１，及びＬ２及びＬ３の各インピーダンス−周波数特性を示す図である。
［図１３］図１３は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路においてノイズフィルタを接続する前の初期状態、図１０に示した従来例に従ってノイズフィルタが接続されている場合、及び図１に示した実施形態に従ってノイズフィルタが構成されている場合の水平偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。
［図１４］図１４は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路においてノイズフィルタを接続する前の初期状態、図１０に示した従来例に従ってノイズフィルタが接続されている場合、及び図１に示した実施形態に従ってノイズフィルタが構成されている場合の垂直偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。
［図１５］図１５（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図１０に示した従来例、及び図１に示した実施形態に従ってノイズフィルタが構成されている場合のノイズフィルタ近傍の実装構造の模式的平面図である。
【符号の説明】
【００１９】  １…センサ回路
２…ジャイロセンサ
２ａ…ホット側出力端子
２ｂ…基準電位側出力端子
３…検出回路
４…ノイズフィルタ
５…演算増幅器
５ａ…ホット側入力端子
５ｂ…グランド側入力端子
７…第１のインダクタンス素子
８…第２のインダクタンス素子
９…キャパシタンス素子
１０ａ，１０ｂ…接続点
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】  以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。【００２１】  図１は、本発明の一実施形態に係るノイズフィルタを含むセンサ回路の回路図である。【００２２】  センサ回路１では、ジャイロセンサ２と検出回路３との間に本実施形態のノイズフィルタ４が接続されている。ジャイロセンサ２は、圧電ジャイロセンサであり、ホット側出力端子２ａと、基準電位側出力端子２ｂとを有する。【００２３】  検出回路３は、ジャイロセンサ２から出力された出力信号を増幅する演算増幅器５を有し、該演算増幅器５は、ホット側入力端子５ａと、基準電位側入力端子５ｂとを有する。【００２４】  ところで、ノイズフィルタ４は、インピーダンス素子としての第１，第２のインダクタンス素子７，８と、キャパシタンス素子９とを有する。第１のインダクタンス素子７は、ジャイロセンサ２のホット側出力端子２ａと、検出回路５を構成している演算増幅器５のホット側入力端子５ａとの間に接続されている。他方、第２のインダクタンス素子８は、ジャイロセンサ２の基準電位側出力端子２ｂと、演算増幅器５の他方入力端である基準電位側入力端子５ｂに電気的に接続されている。【００２５】  そして、キャパシタンス素子９は、上記第１，第２のインダクタンス素子７，８よりも検出回路５側において接続されている。すなわち、キャパシタンス素子５の一端は、第１のインダクタンス素子７と、演算増幅器５のホット側入力端子５ａとの間の接続点１０ａに接続されており、キャパシタンス素子９の他端は第２のインダクタンス素子８と、演算増幅器５の基準電位側入力端子５ｂとの間の接続点１０ｂに接続されている。【００２６】  従って、検出回路３の入力インピーダンスが高い低周波領域において、また図１１に示した検出回路の入力容量Ｃａの影響が表れ始める高周波領域において、キャパシタンス素子９が第１，第２のインダクタンス素子７，８よりも検出回路３側に接続されていることによって低周波領域ではノイズフィルタとして、高周波領域では容量Ｃａによる影響を受けにくいノイズフィルタとして作用する。【００２７】  よって、本実施形態のノイズフィルタ４を用いた場合、検出回路の入力側のインピーダンスにさほど影響を受けることなく、ノイズフィルタとして動作させることができる。従って、例えば、電磁妨害波としての高周波が、センサ２と検出回路３との間の経路に重畳したとしても、該高周波ノイズがノイズフィルタ４において確実に減衰されるとともに、この減衰動作は検出回路３の入力インピーダンスの大きさにさほど影響を受けることがない。【００２８】  よって、上記ノイズフィルタ４のインダクタンス素子７，８及びキャパシタンス素子９のインダクタンスや静電容量などの回路定数を適宜設定することにより、所望とする周波数域において、電磁妨害波耐性を確実かつ効果的に高めることが可能となる。【００２９】  これを、図２〜図８を参照して説明する。【００３０】  図２は、図１のジャイロセンサ２として、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用ジャイロセンサを用い、図１に示す回路構成でノイズフィルタ４及び検出回路３を接続した場合の水平偏波に対する電磁妨害波耐性の変化を��す図である。【００３１】  図２において、横軸は、電磁妨害波としての印加電磁波の周波数を示し，縦軸は誤動作電界強度を示す。なお、誤動作電界強度とは、横軸の周波数の電磁波が印加された際に、誤動作が生じる最低電界強度をいうものとする。【００３２】  図２の○印で示す点を結んだ線が、ノイズフィルタ４を接続していないことを除いては、上記実施形態と同様に構成された比較例のセンサ回路における結果を示し、□印の点を結ぶ線がノイズフィルタ４が接続された上記実施形態のセンサ回路の結果を示す。【００３３】  また、図２は、水平偏波についての結果であるが、図３は、垂直偏波についての結果を示す。図３においても、□印が実施形態の結果を、○印がノイズフィルタ４が接続されていない比較例の結果を示す。【００３４】  図２及び図３から明らかなように、ノイズフィルタ４が接続されていないセンサ回路に比べて、ノイズフィルタ４を接続することにより高周波領域、特に８００ＭＨｚの電磁波が重畳したとしても、誤動作電界強度が効果的に高められ得ることが分かる。すなわち、ノイズフィルタ４の挿入により電磁妨害波耐性が飛躍的に高められることが分かる。【００３５】  実際に、携帯電話をデジタルビデオカメラに近づけると、上記ノイズフィルタ４が接続されていない場合には、携帯電話とデジタルビデオカメラとの距離を１ｍ以上離したとしても、画像ぶれの検出に際して誤動作が生じた。これに対して上記ノイズフィルタ４を挿入することにより、両者の距離を３０ｃｍとしたとしても誤動作は生じなかった。【００３６】  なお、上記実施形態のノイズフィルタ４では、第１，第２のインダクタンス素子７，８及びキャパシタンス素子９の回路定数を種々変更することにより、様々な周波数領域における電磁妨害波耐性を高めることができる。これを図４〜図８を参照して説明する。【００３７】  図４及び図５は、キャパシタンス素子９の容量を３３０ｐＦ、１８０ｐＦ、３３ｐＦ、１０ｐＦ及び２ｐＦと変化させた場合の水平偏波及び垂直偏波についての印加電磁波の周波数と、誤動作電界強度との関係を示す図である。なお、図４及び図５では、キャパシタンス素子９の静電容量が変化されているが、第１，第２のインダクタンス素子７，８のインダクタンスＬ１は図１２に示すようなインピーダンス特性をもつフェライトビーズである。【００３８】  図４及び図５から明らかなように、キャパシタンス素子９の静電容量を種々変更することにより、デジタルビデオカメラの電磁妨害波耐性が変化することが分かる。従って、所望とする周波数域において十分な電磁妨害波耐性を実現するのにキャパシタンス素子９の静電容量を適宜選択すればよいことが分かる。【００３９】  図６は、キャパシタンス素子の挿入損失−周波数特性を示す。図６では、図４及び図５で用いられた５種類の静電容量のキャパシタンス素子についての挿入損失−周波数特性が示されている。【００４０】  図６を、図４及び図５と比較すれば明らかなように、図４及び図５における電磁妨害波耐性が高められる周波数領域と、図６における挿入損失が最大である周波数位置との間に相関があることが分かる。すなわち、キャパシタンス素子の挿入損失が最大である周波数域において、ノイズフィルタ４における誤動作電界強度を効果的に高め得ることが分かる。従って、改善したい周波数領域において挿入損失が大きいキャパシタンス素子を選択すればよい。【００４１】  なお、図４及び図５の結果と、図６の結果とは、必ずしも一致していない。すなわち、誤動作電界強度が最も大きくなる周波数と、挿入損失が最大である周波数とが完全には一致しておらず若干のずれが存在する。これはセンサ回路の配線パターンや、検出回路の入力インピーダンスなどにより若干の影響を受けているものと考えられる。しかしながら、このような影響を考慮し、キャパシタンス素子の静電容量をわずかに変更すれば、上記実施形態に従って、改善したい周波数領域における誤動作電界強度を効果的に高めることができる。【００４２】  図７及び図８は、第１，第２インダクタンス素子７，８の回路定数を変化させた場合の、デジタルカメラの電磁妨害波耐性の変化を示す図である。図７及び図８においては、図４及び図５の場合と同様に、水平偏波及び垂直偏波における印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係が示されている。なお、図７及び図８のインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３は図１２のインピーダンス−周波数特性をそれぞれ有しており、キャパシタンス素子の静電容量は１０ｐＦとした。【００４３】  図７及び図８から明らかなように、水平偏波及び垂直偏波のいずれにおいても第１，第２のインダクタンス素子７，８のインダクタンスを変化させることにより誤動作電界強度が変化することが分かる。そして、図７及び図８の破線Ｘに比べて、実施例に相当する一点鎖線、破線Ｙ及び二点鎖線で示す特性では誤動作電界強度が高周波域において効果的に高められていることが分かる。【００４４】  また、図９は、上記インダクタンス素子Ｌ１〜Ｌ３の挿入損失／周波数特性を示す図である。図９から明らかなように、インダクタンスの値により、インダクタンス素子の挿入損失の最大となる周波数位置が変化することが分かる。また、図９の結果は、図７及び図８に示した結果と相関していることが分かる。従って、改善したい周波数域において挿入損失の大きいインダクタンス素子を設定すればよいことが分かる。【００４５】  上記図４〜図９の結果から明らかなようにノイズフィルタ４において、インダクタンス素子７，８及びキャパシタンス素子９の回路定数を適宜選定することにより、所望とする周波数域において電磁妨害波耐性を効果的に高め得ることが分かる。【００４６】  図１０に示す従来例のセンサ回路と図１に示す本実施形態のセンサ回路とを比較する。図１３及び図１４は、それぞれ、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前の初期状態、図１０に示した従来のセンサ回路に従ってノイズフィルタを接続した場合、及び図１に示す実施形態に従ってノイズフィルタを接続した場合の水平偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図であり、図１４は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前の初期状態、図１０に示した従来のセンサ回路に従ってノイズフィルタを接続した場合、及び図１に示す実施形態に従ってノイズフィルタを接続した場合の垂直偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。図１３及び図１４から明らかなように、本実施形態によれば図１０に示した従来例の場合に比べて誤動作電界強度が約３倍になることがわかる。【００４７】  図１０に示した従来例と図１に示した実施形態のセンサ回路の実装構造を比較する。図１５（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図１０に示した従来例に従って構成されたノイズフィルタを有するセンサ回路及び図１に示した実施形態に従ってノイズフィルタが構成されたセンサ回路の実装構造の要部をそれぞれ模式的に示す平面図である。ノイズフィルタは検出回路側に近接させることで、ノイズ除去効果をさらに向上させることができるが、図１５（ｂ）に示すように、実施形態では、ＩＣである検出回路３側にキャパシタンス素子９が配置されるため、ノイズフィルタを検出回路３に近接して設けることができる。例えば、図に示すようにキャパシタンス素子９は、検出回路３の一対のリード端子間に跨がるように直接接続され得る。従って、キャパシタンス素子９がリード端子間に跨がるため、安定に実装され得る。よって、ノイズフィルタの実装面積が小さくなるとともに、ノイズ除去効果をさらに向上させるというメリットがある。【００４８】  一方、図１５（ａ）に示すように、従来例では、検出回路側にインダクタンス素子１０２，１０３が配置される。インダクタンス素子１０２，１０３がリード端子上に搭載されると、基板の配線パターンとリード端子との間でがたついたり、インダクタンス素子を経由しないでノイズ電流が流れてしまう可能性がある。従って、インダクタンス素子は、ＩＣに近接させることが困難である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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