【事件の表示】
　特願２００１−２７９７２１「自動高速光学検査装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年６月２１日出願公開、特開２００２−１７４５１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成２年１０月３１日に出願した特願平２−２９７０２１号の一部を平成１３年９月１４日に新たな特許出願としたものであって、その請求項３に係る発明は平成１５年３月６日付けの手続補正書によって補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項３に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「【請求項３】基板の表面特性を検査する検査装置であって、
　少なくとも１つの基板の表面の検査しようとしている領域において第１、第２のパターンをほぼ均質照明する照明手段と、
　前記第１、第２のパターンを順次に撮像する二次元ＴＤＩセンサ手段と、
　撮像した第１パターンを前記ＴＤＩセンサ手段で撮像したときに記憶する記憶手段と、
　記憶手段とＴＤＩセンサ手段に基づき、撮像された第２パターンを、記憶手段内に記憶されている第１パターンの像と比較する段階と
を含み、
　前記記憶手段がまた、第１および第２のパターンの位置とともに比較結果を記憶することを特徴とする検査装置。」
　
［２］原査定の拒絶の理由で引用された刊行物に記載された事項
刊行物１；特開平１−２５０８４７号公報
「（２）基板の表面特性を検査する検査装置であって、
基板の表面の所望特性を記憶する記憶手段と、
検査しようとしている基板の表面の或る領域をほぼ均一に照明する照明手段と、
この照明手段で照明された基板の領域を結像するＴＤＩセンサ手段と、
記憶手段およびセンサ手段に応答して基板の結像領域を基板の記憶された所望特性と比較する比較手段と
を包含する検査装置。」（特許請求の範囲２項）
　
「第１図には、本発明の検査装置１０の全体的なブロック図が示してある。・・・本発明においては、テストしている基板の表面パターンを既知の良好な基板上の観察パターンとの直接の比較というよりもむしろ既知の良好な基板上のパターンの基本的な特性を記憶装置に記憶しておき、検査しようとしている基板の観察した特性を予め記憶しておいた特性と比較するのである。ここに開示した検査装置の意図した用途はウェーファー、マスク、プリント配線板、光学工具等の検査である。」（９頁左下欄１乃至１３行）
　
「ＴＤＩセンサ
　時間遅延積分型（ＴＤＩ）センサは移動している像を電荷結合デバイス（ＣＣＤ）型光アレイに合焦点することを意図している。このＣＣＤは二次元の感光領域アレイ、すなわち、フォトレジスト・アレイからなる。・・・ＴＤＩセンサは第１９図に示すように１６個のセグメントからなる。一層詳しく言えば、選定したＴＤＩセンサはＴＤＩディメンジョンに６４列、第２０図に示すように時間遅延積分（ＴＤＩ）モードで運転するＭＵＸディメンジョンに２０４８行の６４×２０４８ＣＣＤ影像センサである。・・・同様に、第２２図は選定ＴＤＩセンサの最低許容ＱＥ（量子効率）を示すグラフである。」（２４頁左上欄１行−２５頁左上欄１６行）
　
「影像処理器
　第２５図は第１図の影像処理器２５のブロック図である。・・・データベース３１６からの特徴が欠陥検出器３１８で特徴抽出パイプライン３１２からの特徴と比較される（これは第１図のＣＰＵ２６によって行われる）。各検出された欠陥は使用者インターフェース処理器３２０に報告され、検出した欠陥を使用者に知らせる。入力バッファ３１０からの出力信号はモニタ３４（第１図）に送られて使用者によって観察されている基板の領域を表示する。」（２７頁右下欄７行−２８頁左上欄６行）
　
　刊行物１の上記各記載によれば、刊行物１には、少なくとも１つの基板の表面の検査しようとしている領域のパターンをほぼ均質照明する照明手段と、前記パターンを撮像する二次元ＴＤＩセンサ手段と、既知パターンを記憶する記憶手段と、ＴＤＩセンサ手段に基づき撮像されたパターンを記憶手段内に記憶されている既知パターンと比較する段階を含み、前記記憶手段がまた、撮像されたパターンの位置とともに比較結果を記憶することを特徴とする検査装置が記載されていることが認められる。
　
刊行物２；特開昭６２−４３５０５号公報
「１枚のＬＳＩウェは１上のチップ２では、すべて同一の回路パターンを有しているので、チップ２内の回路パターンを検査するためには近接した２つのチップ内の同一箇所２ａ、２ｂを顕微鏡で高倍に拡大し、これらの画像を比較して不一致部分を欠陥と判定することができる。」（２頁左下欄６−１１行）
　
「以下、本発明を第１図から第７図を用いて説明する。・・・ＸＹステージ１１のＸ方向走査と組み合わせて、２次元画像信号を得る。・・・補正されたイメージセンサ出力は画像メモリ２１に書込むと同時に既に書込まれていたデータともども比較判定回路２２に送出される。比較判定回路２２ではこれら画像データを比較し、不一致を欠陥と判定する。」（４頁左上欄１５行−左下欄６行）
　
「なお、画像メモリ２１はチップ２ａ或いは２ｂのうちイメージセンサ１７が走査する領域を記憶するだけの容量があれば十分である。・・・チップ２ｂのパターンが書込まれると同時に画像メモリよりチップ２ａのパターンデータを読み出す。・・・比較判定回路２２に送り出し、不一致を欠陥と判定する。」（５頁右上欄１４行−左下欄１１行）
　
刊行物３；特開昭５７−１９４３０４号公報
「従来よりフォトマスクやプリント基板等に形成された回路パターンの検査において同一形状の回路パターン（場合によっては一方のパターンは設計値に基づく標準パターン）を比較し、不一致部を検出する比較検査法は有効な検査法である。」（１頁左欄末行−右欄４行）
　
［３］対比・判断
(a)一致点と相違点
　本願発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は、
「基板の表面特性を検査する検査装置であって、
　少なくとも１つの基板の表面の検査しようとしている領域においてパターンをほぼ均質照明する照明手段と、
　前記のパターンを撮像する二次元ＴＤＩセンサ手段と、
　撮像したパターンと記憶手段内に記憶されている他のパターンの像と比較する段階とを含み、
　前記記憶手段がまた、撮像したパターンの位置とともに比較結果を記憶することを特徴とする検査装置。」
の点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）本願発明では基板の表面の検査しようとしている領域における第１、第２のパターンを比較する検査手法であり、それら第１、第２のパターンを順次に二次元ＴＤＩセンサ手段で撮像し、撮像した第１パターンを前記ＴＤＩセンサ手段で撮像したときに記憶する記憶手段と、記憶手段とＴＤＩセンサ手段に基づき、撮像された第２パターンを、記憶手段内に記憶されている第１パターンの像と比較する段階とを含み、前記記憶手段がまた、第１および第２のパターンの位置とともに比較結果を記憶することを特徴と検査装置であるのに対し、
　刊行物１に記載された発明では基板の表面の検査しようとしている領域におけるパターンと既知パターンとを比較する検査手法であり、検査しようとしている領域のパターンを二次元ＴＤＩセンサ手段で撮像し、記憶手段内に記憶されている既知パターンと比較する段階を含み、前記記憶手段がまた、撮像されたパターンの位置とともに比較結果を記憶することを特徴とする検査装置である点。
　
(b)相違点についての検討
　同一形状の回路パターンが基板の複数場所に存在するようなウェーファー、マスク、プリント配線板、光学工具等の検査においては、刊行物１に記載された検査しようとしている領域における回路パターンと既知パターンとを比較する検査手法ばかりでなく、同一形状の回路パターン同士を比較して不一致部を検出する検査手法も周知（刊行物２、刊行物３の記載参照）であって、刊行物２には、その検査手法を実現した構成として、検査しようとしている領域における第１、第２のパターンを順次に１次元撮像素子とXYステージとで２次元撮像し、撮像した第１パターンの２次元画像を前記１次元撮像素子とXYステージとで撮像したときに記憶する記憶手段と、記憶手段と前記１次元撮像素子とXYステージとに基づき、撮像された第２パターンの２次元画像を、記憶手段内に記憶されている第１パターンの２次元画像と比較する段階も記載されていて、２つのパターンの２次元画像を比較して欠陥を検知するための構成は２次元画像データを得るための構成（照明手段と１次元撮像素子とＸＹステージ）とは独立しているから、この構成を刊行物１に記載された２次元パターンデータを得るための構成（ほぼ均質照明する照明手段と２次元ＴＤＩセンサ手段）と組み合わせることに困難はなく、その組合わせに際し、比較結果を第１および第２のパターンの位置とともに記憶手段に記憶することは、検知された欠陥の位置を知るために当業者が当然に実施することである。
　そして、本願発明の作用効果は刊行物１乃至刊行物３に記載された事項から、当業者であれば容易に予測することができるもので格別のものとは言えない。
　
［３］結論
　以上のとおり、本願発明は、本願出願前に国内で頒布された刊行物１乃至３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項についての判断を示すまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。