【事件の表示】
　平成　５年特許願第２１２３３７号「半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子と光ファイバとの結合方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　２月２１日出願公開、特開平　７−　５０４４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年８月４日の特許出願であって、平成１５年１月１７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　そして、請求項１乃至請求項４に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面、並びに平成１３年１２月２０日付の手続補正書の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１乃至請求項４に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
「半導体基板上に積層した活性層をストライプ状に形成した発光部を有し、該発光部を前記活性層よりも屈折率の低い半導体層で埋め込んだ半導体レーザ素子において、前記ストライプ状発光部に平行に、かつ所定の間隔で前記活性層をストライプ状に形成した、非発光部となるストライプ状活性層を設け、前記非発光部となるストライプ状活性層以外の部分を活性層よりも屈折率の低い半導体層で埋め込み、非発光部となるストライプ状活性層上部に断面略Ｖ字形状のストライプ状の溝を設けることを特徴とする半導体レーザ素子。」
　
第２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平２−１５１０９４号公報（以下「引用例」という。）には、半導体レーザ装置に関連して第１図〜第３図とともに次の事項が記載されている。
「（発明が解決しようとする課題）
　このように半導体レーザ素子を実際に発振させて、光ファイバに入射する光をモニタしながら光ファイバの位置を決めなければならないのは、半導体レーザ素子の光の出射する位置を決めるための基準となるものが、半導体レーザ素子自身にないためである。例えば、第６図に示す埋め込みへテロ構造を有する半導体レーザ素子のように、素子の基板側の面、成長層側の面のいずれもが平坦である場合には、いずれの面をヒートシンクに接してモジュールを作製しても上側の面は平坦となり、位置決めの基準となるものが全くない。
尚、この半導体レーザ素子に於いては、n-InP基板１上に形成されたn-InPクラッド層２、InGaAsP活性層３、及びp-InPクラッド層４が、FeドープInP電流阻止層５に埋め込まれ、さらにその上からp-InGaAsPキャップ層６が形成されている。上述のように入射光をモニタしながら行う方法はモジュールを製造する上で効率が悪く、改善が望まれていた。
　そこで本発明の目的は、半導体レーザ素子の導波路の位置を容易に知り得る構造を有する半導体レーザ装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
　本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子部と導波路指示部とを備え、該導波路指示部が該半導体レーザ素子部の積層構造の一部と同一の積層構造を有しており、そのことにより上記目的が構成される。
（実施例）
　本発明を実施例について以下に説明する。
　第１図に本発明の半導体レーザ装置の第１の実施例を示す。この半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子部８、及び導波路指示部９を有している。半導体レーザ素子８の構成は、第６図に示す通常の埋め込みへテロ構造を有する半導体レーザ素子のそれと同様であり、キャップ層６が半導体レーザ素子部８から横へ延ばされている。この横へ延ばされたキャップ層６には、導波路収支持部９が備えられる。導波路指示部９は、半導体レーザ素子部８のキャップ層６から埋め込みへテロ構造の活性層３ａまでの積層構造と同一の構造を有している。
　第１図の半導体レーザ装置の製造法を第２図に従って説明する。第２図（ａ）に示すように、n-InP基板１上に順次、n-InPクラッド層２、InGaAsP活性層３、p-InPクラッド層４がエピタキシャル成長によって形成される。その上にSiO2膜７が堆積される。次にレーザ発振に寄与するストライプ領域及び後に導波路指示部９となる領域をメサ状に残して、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、クラッド層４から基板１に達する部分が除去される（第２図（ｂ））。次に、残されたSiO2膜７ａ及び７ｂをマスクとして、エッチングによって除去された部分に選択的にFeドープInP電極阻止層５がエピタキシャル成長によって形成される。（第２図（ｃ））。電流阻止層５として,p-InPとn-InPとを連続して成長させたp-n接合を用いてもよく、この場合には逆バイアスを利用することになる。次にSiO2膜７ａおよび７ｂが除去された後、p-InGaAsPキャップ層６が、p-InPクラッド層４ａ、４ｂ及び電流阻止層５の上全体に亘って、エピタキシャル成長によって形成される（第２図（ｄ））。次に、導波路指示部を露出させるため、n-InP層２ｂ、InGaAsP層３ｂ、及びp-InP層４ｂの存在する部分が、InPのみをエッチングするエッチャット、例えばHC1/H3PO4によって選択的にエッチングされる。このエッチングによってn-InP基板１、n-InP層２ｂ、FeドープInP電流阻止層５が除かれ、メサ状の導波路指示部９が露出される（第１図）。
　以上のようにして製造された半導体レーザ装置は、成長層側が平坦であるため、キャップ層６とヒートシンクとが接するように半田で固定して放熱効果を高めることができる。このようにキャップ層６を下にして固定されると、導波路指示部９が上向きとなるので、これを基準として光学素子の位置を容易に決めることができる。
　第３図は，導波路指示部９が基板１上に形成された本発明の第２の実施例を示す図である。第３図の半導体レーザ装置は基板１側をヒートシンクに接して半田で固定されることにより、導波路指示部９が上向きとなるので、これを基準として光学素子の位置を容易に決めることができる。」（第１頁右下欄第８行〜第２頁右下欄第１１行）
　上記記載事項によれば、上記引用例には次の発明が記載されている。
「n-InP基板１上に積層したn-InPクラッド層２（２ａ及び２ｂ）、InGaAsP活性層３ａ及びInGaAsP層３ｂ、p-InPクラッド層４（４ａ及び４ｂ）、SiO2膜７ａ及び７ｂをストライプ状に形成した部分を有し、該SiO2膜７ａ及び７ｂをマスクとして、エッチングによって除去された部分に選択的にFeドープInP電極阻止層５が形成され、さらに、該SiO2膜７ａおよび７ｂが除去された後、p-InGaAsPキャップ層６が、p-InPクラッド層４ａ、４ｂ及び電流阻止層５の上全体に亘って形成された半導体レーザ装置において、p-InPクラッド層４ｂ、FeドープInP電流阻止層５、p-InGaAsPキャップ層６をエッチングすることでInP基板１上に、メサ状のn-InPクラッド層２ｂ、InGaAsP層３ｂからなる導波路指示部９を形成した半導体レーザ装置。」
　
第３　対比・判断
　本願発明１と引用例記載の発明とを対比すると、
（１）引用例記載の発明における「InP基板１」、「InGaAsP活性層３ａ及びInGaAsP層３ｂ」、「FeドープInP電流阻止層５」、「半導体レーザ装置」、「導波路指示部９」は、本願発明１における「半導体基板」、「活性層」、「半導体層」、「半導体レーザ素子」、「非発光部となるストライプ状活性層」にそれぞれ相当し、
（２）引用例記載の発明において、InGaAsP活性層３ａをストライプ状に形成した部分は、半導体レーザ装置の発光部に、InGaAsP層３ｂをストライプ状に形成した部分は、半導体レーザ装置の非発光部に相当することは明らかであり、
（３）引用例の第３図から、ストライプ状に形成したInGaAsP活性層３ａとInGaAsP層３ｂは所定の間隔で平行に形成されていること、並びに、FeドープInP電流阻止層５と、導波路指示部９の上部及び両側には空間が存在し、FeドープInP電流阻止層５は、この空間を除きInGaAsP活性層３ａを埋め込んでいることが読みとれるので、
　両者は、「半導体基板上に積層した活性層をストライプ状に形成した発光部を有し、該発光部を半導体層で埋め込んだ半導体レーザ素子において、前記ストライプ状発光部に平行に、かつ所定の間隔で前記活性層をストライプ状に形成した、非発光部となるストライプ状活性層を設け、前記非発光部となるストライプ状活性層以外の部分を局所的に半導体層で埋め込んだ半導体レーザ素子」の点で一致し、次の点で相違している。
［相違点１］
　本願発明１では、半導体層が活性層より屈折率が低いのに対し、引用例記載の発明では、特に明記されていない点
［相違点２］
　本願発明１では、半導体層による埋め込み部分が、非発光部となるストライプ状活性層以外の部分であって、かつ、非発光部となるストライプ状活性層上部に断面略Ｖ字形状のストライプ状の溝を設けているのに対し、引用例記載の発明では、半導体層による埋め込み部分は、発光部となるストライプ状に形成したInGaAsP活性層３ａを含む部分だけであって、導波路指示部９の上部及び両側は、半導体による埋め込み層が存在せず空間となっている点
　以下各相違点につき検討する。
［相違点１］
　従来、活性層とその両側にあるクラッド層あるいは埋め込み層のそれぞれの屈折率は、活性層＞クラッド層（埋め込み層）とし、活性層内での全反射を促進し光閉じ込め効果を高めることは、例示するまでもなく周知・慣用の技術手段であることを勘案すれば、本願発明１の上記半導体層は、上記周知・慣用技術のクラッド層（埋め込み層）に相当するので、半導体層（引用例発明の電流阻止層）を活性層より屈折率を低くする点は当業者にとって困難とはいえない。
［相違点２］
　本願発明１及び引用例に記載の発明はともに、発光部からの相対的な位置決めを可能とするために発光部とは異なる位置に非発光部からなる基準点を設けた点で軌を一にしており、引用例記載の発明は、非発光部となるストライプ状活性層そのものを基準点（導波路指示部）としているのに対し、本願発明１は、非発光部となるストライプ状活性層上部の断面略Ｖ字形状のストライプ状の溝を基準点としている。つまり基準点の形状が異なるが、両者の奏する作用効果の点では、格別の差異は認められない。
　請求人はこの点に関し、本願発明１と引用例発明の作用効果の違いについて、半導体レーザ素子と光ファイバとをカメラの画像を確認しながら位置合せする際に、カメラの測光を半導体レーザ素子の積層面の上方から垂直に照射すると、非発光部上部に溝が形成されているため、カメラからの測光が溝の斜面で反射し、その反射光がカメラに入射しないため、カメラからはストライプ状の非発光部が平坦な積層面部分に比して相対的に暗く見え、非発光部とその周辺とのコントラストがはっきりし、光ファイバの非発光部への位置合せを容易にかつ正確に行えるのに対し、引用例記載の発明では、導波路指示部の表面が平坦になっているため、カメラから積層面への測光が導波路指示部の表面で反射されて、その反射光がカメラに入射するため、カメラから見て導波路指示部とその周辺とのコントラストが本願発明１に比して明確にならず、光ファイバの基準点（導波路指示部）への位置合せは容易ではない旨、主張している。
　しかしながら、カメラからの測光は、溝の傾斜面のみ、あるいは導波路指示部の平坦な表面のみに入射するものではなく、溝の傾斜部分及びその両側部分、あるいは導波路指示部の平坦な表面及びその両側部分（引用例第３図の導波路指示部９の両側の空間部）にも入射されると解するのが相当であり、引用例発明において導波路指示部及びその両側の空間部からの反射光がカメラに入射した場合、反射面までの距離が同じでないこと、また空間部を含めた全体形状から見て、基準点（導波路指示部）の特定は十分可能であり、本願発明１が奏する作用効果と格別相違するするものではない。
　
第４　むすび
　したがって、本願発明１は、引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、請求項２乃至請求項４に係る発明について検討するまでもなく結論のとおり審決する。