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【手続補正書】
【提出日】平成30年8月29日(2018.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池モジュールと、
前記電池モジュールを収容する筐体と、
前記筐体に設けられた開口を閉塞する板状の蓋体と、を備え、
前記蓋体は、前記筐体に固定された固定部と、前記固定部から前記開口の周縁部に至るように延在する延在部と、を有し、
前記延在部は、前記筐体内の圧力の上昇に応じて、前記固定部を起点として前記周縁部から離間するように変形することにより前記開口を開放し、
前記筐体は、前記筐体の内部に向かって凹む第１凹部が設けられた第１側面を有し、
前記第１凹部は、底面と、前記底面と前記第１側面とを接続する第１内壁面及び一対の第２内壁面と、を有し、
前記開口は、前記底面に設けられ、
前記底面は、前記第１内壁面及び前記一対の第２内壁面によって、連続して３方向に囲われている、電池パック。
【請求項２】
前記筐体は、前記第１内壁面と反対側に臨む第２側面を有し、
前記第２側面には、充電コネクタが設けられている、請求項１に記載の電池パック。
【請求項３】
前記第１側面には、前記筐体の内部に向かって凹む第２凹部が設けられ、
前記第２凹部内には、外部部品が設けられている、請求項１又は２に記載の電池パック。
【請求項４】
前記延在部は、前記固定部と接続された一端と、前記一端の反対側に位置する他端とを有し、
前記他端は、前記第１内壁面と対向している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電池パック。
【請求項５】
前記筐体は、前記筐体が載置された台座部から延在し、かつ、互いに対向する一対の側壁部を備え、
前記一対の側壁部は、前記一対の第２内壁面を有している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電池パック。
【請求項６】
電池モジュールと、
前記電池モジュールを収容する筐体と、
前記筐体に設けられた開口を閉塞する板状の蓋体と、を備え、
前記蓋体は、前記筐体に固定された固定部と、前記固定部から前記開口の周縁部に至るように延在する延在部と、を有し、
前記延在部は、前記筐体内の圧力の上昇に応じて、前記固定部を起点として前記周縁部から離間するように変形することにより前記開口を開放し、
前記筐体は、前記開口が設けられた第３側面と、前記第３側面に立設された第１壁部及び一対の第２壁部と、を有し、
前記第３側面は、前記第１壁部及び前記一対の第２壁部によって、連続して３方向に囲われている、電池パック。
【請求項７】
前記筐体は、前記筐体が載置された台座部から延在し、かつ、互いに対向する一対の側壁部を備え、
前記一対の第２壁部は、前記一対の側壁部の上端部である、請求項６に記載の電池パック。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月9日(2018.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図１の電池モジュール１は、複数個の単電池６が前後方向に並んでおり、基板本体部１０において一方面側且つ前後方向一端側には、温度センサ２０が実装されている、そして、温度センサ２０からの信号を伝送する温度検出パターン２２が、基板本体部１０の一方面側（表面側）において当該基板本体部１０の前後方向一端側から他端側に延びて形成されている。更に、基板本体部１０の一方面側（表面側）において、温度検出パターン２２が形成された第１形成領域ＡＲ１の左右方向両側のそれぞれが、電圧検出パターン３２が形成された第２形成領域ＡＲ２，ＡＲ３とされている。そして、基板本体部１０の一方面側（表面側）において、第１形成領域ＡＲ１と左右両側の第２形成領域ＡＲ２，ＡＲ３の間には、基板本体部１０の一端側（前端側）から他端側（後端側）に前後方向に延びるガードパターン１６（第２のガードパターン１６Ｂ）がそれぞれ形成されている。このように構成された電池用配線モジュール２は、温度センサ２０を基板本体部１０の前後方向一端側に配置し、温度検出パターン２２を前後方向一端側から他端側に延びるように配置することが望まれる場合において、温度検出パターン２２の左右両側の領域を利用して各電圧検出パターン３２を効率的に配置することができる。更に、この電池用配線モジュール２は、温度検出パターン２２が形成された領域（第１形成領域ＡＲ１）と電圧検出パターン３２が形成された各領域（各第２形成領域ＡＲ２，ＡＲ３）との間にそれぞれガードパターン１６が形成されるため、第１形成領域ＡＲ１と各第２形成領域ＡＲ２，ＡＲ３との間の相互のノイズ伝搬をより確実に抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月5日(2018.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
複数の単セルの積層体の積層方向の両端を、一対のターミナルプレートと一対のエンドプレートとで挟持した構成を有する燃料電池スタックの内部には、各単セルへの反応ガスの供給や、各単セルからのオフガスの排出、および各単セルへの冷却媒体の供給と排出を行うための複数のマニホールドが積層方向と平行に形成されている。少なくとも一方のエンドプレートには、燃料電池スタック内部の複数のマニホールドと連通するように複数の貫通孔が形成されている。一般に、エンドプレートは、アルミニウム合金等の金属により形成されているため、反応ガスや冷却媒体等による絶縁性や防食性の低下を抑制するために、エンドプレートとターミナルプレートとの接触面や、エンドプレートに形成された貫通孔の内周壁をそれぞれ樹脂層で被覆する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第１のエンドプレート３０は、板状の部材であり、本実施形態では、アルミニウム合金により形成されている。なお、アルミニウム合金に代えて、チタニウム合金や、ステンレス等の任意の金属で形成されてもよい。第１のエンドプレート３０の平面視形状は、略矩形であり、その面積は、積層体２０の積層方向に沿った端面の平面視形状の面積よりも大きい。第１のエンドプレート３０は、第２のエンドプレート３１とともに、所定の圧力で積層体２０を挟み込む。そして、第１のエンドプレート３０とケース４０とがボルト５０により締結されることにより、積層体２０の積層状態が保持される。第１のエンドプレート３０には、厚さ方向（積層方向）に貫通する複数の貫通孔が形成されている。これら複数の貫通孔は、積層体２０の内部に形成されている複数のマニホールドと連通する流体流路孔として機能する。具体的には、積層体２０への反応ガスおよび冷却媒体の供給、積層体２０からのオフガスおよび冷却媒体の排出のためのガス流路や、流体流路孔（後述の流体流路孔７０）として機能する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
Ｃ．変形例：
Ｃ１．変形例１：
上記各実施形態において、収容溝８０、８０ａは、第１のエンドプレート３０、３０ａとケース４０、４０ａとの互いに対面する二つの面のうちのいずれか一方に形成されていたが、本発明はこれに限定されない。例えば、第１のエンドプレート３０とケース４０との互いに対面する二つの面の双方に形成されていてもよい。この場合、第１のエンドプレート３０に形成された収容溝とケース４０に形成された収容溝とは、Ｚ軸に沿った配置位置が互いに異なっていてもよい。このとき、樹脂層９０は、２つの収容溝のうち、より外周側に位置する収容溝の外周側端部まで覆うことが好ましい。但し、より内周側に位置する収容溝の外周側端部までを覆い、より外周側に位置する収容溝の外周側端部を覆わなくてもよい。このような構成においても、上記実施形態と同様な効果を奏する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年10月2日(2018.10.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
式中、Ｒ１が、水素及びＣ１〜Ｃ３アルキルまたはハロアルキル、例えば、フルオロアルキル、クロロアルキル、ヨードアルキル、またはブロモアルキルから選択され、水素が典型的であり、並びにＡｒ１が、任意に置換されおよび１つ以上の結合部分を任意に含むアリールから選択され、例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、及び−ＯＣ（Ｏ）−から選択される、１つ以上の結合部分を任意に含み、および例えば、任意に置換されたＣ１〜Ｃ１０直鎖状または分岐状アルキルもしくはＣ３〜Ｃ８環式アルキルのような任意に置換されたアルキルや、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｉ、またはＢｒ）と任意に置換された、Ｃ５〜Ｃ２５、Ｃ５〜Ｃ１５、またはＣ５〜Ｃ１０アリール等のアリールから選択される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月28日(2017.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスホン酸と銅イオンとによって形成された赤外線吸収剤と、前記赤外線吸収剤を分散させるリン酸エステルとを含む赤外線吸収層を備え、
波長４００〜６００ｎｍにおける光の透過率が７５％以上であり、
波長の増加に伴い透過帯から透過阻止帯に遷移する波長の範囲で透過率が５０％となる波長である赤外側カットオフ波長が７００ｎｍ以下であり、
波長の増加に伴い透過阻止帯から透過帯に遷移する波長の範囲で透過率が５０％となる波長である紫外側カットオフ波長が３７０〜３９０ｎｍである、
赤外線カットフィルタ。
【請求項２】
前記ホスホン酸は、下記式（ａ）で表され、
前記リン酸エステルは、リン酸ジエステル及びリン酸モノエステルの少なくとも一方を含み、
前記ホスホン酸、前記銅イオン、及び前記リン酸エステルのモル基準の含有量をそれぞれＣAモル、ＣCモル、及びＣEモルと定義し、かつ、前記ホスホン酸の１分子中に含まれる２つの水酸基、前記リン酸ジエステルの１分子中に含まれる１つの水酸基、及び前記リン酸モノエステルの１分子中に含まれる１つの水酸基である反応性水酸基のモル基準の含有量の合計をＣHモルと定義したとき、ＣA／ＣE＜１、かつ、ＣH／ＣC＞１．９５の関係を満たす、
請求項１に記載の赤外線カットフィルタ。
【化１】
2018018094.tif 000001
［式中、Ｒ1は、フェニル基又は少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換された
フェニル基である。］
【請求項３】
波長４００ｎｍにおける透過率が７５．２％以上であること、波長６００ｎｍにおける透過率が８４．４％以上であること、及び波長７００ｎｍにおける透過率が４２．１％以下であることを満たす、
請求項１又は２に記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項４】
前記赤外側カットオフ波長が６４９〜６８９ｎｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の赤外線カットフィルタを備えた、撮像光学系。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】赤外線カットフィルタ及び撮像光学系
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、赤外線カットフィルタ及び撮像光学系に関する。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、かかる事情に鑑み、可視域の特定の範囲の波長の光の透過率を高め、かつ、赤外側カットオフ波長を短く（例えば、７００ｎｍ以下）するのに有利な赤外線カットフィルタを提供することを目的とする。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、
ホスホン酸と銅イオンとによって形成された赤外線吸収剤と、前記赤外線吸収剤を分散させるリン酸エステルとを含む赤外線吸収層を備え、
波長４００〜６００ｎｍにおける光の透過率が７５％以上であり、
波長の増加に伴い透過帯から透過阻止帯に遷移する波長の範囲で透過率が５０％となる波長である赤外側カットオフ波長が７００ｎｍ以下であり、
波長の増加に伴い透過阻止帯から透過帯に遷移する波長の範囲で透過率が５０％となる波長である紫外側カットオフ波長が３７０〜３９０ｎｍである、
赤外線カットフィルタを提供する。 
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の赤外線カットフィルタは、可視域の特定の範囲の波長の光の透過率を高め、かつ、赤外側カットオフ波長を短くするのに有利である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月13日(2018.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極を介して第１相の駆動信号が入力され、２つの前記第１電極の間に配置された第２電極を介して第２相の駆動信号が入力される素子と、
前記素子への駆動信号の入力により振動波を生じる弾性体と、
前記振動波により移動する移動部材と、
前記第１相の駆動信号の電圧の大きさと前記第２相の駆動信号の電圧の大きさとのうちの少なくともいずれか一方を制御する制御部と、
を備える振動波モータ。
【請求項２】
請求項１に記載の振動波モータにおいて、
前記制御部は、前記第２相の駆動信号の電圧の大きさを前記第１相の駆動信号の電圧の大きさよりも小さくすることにより前記移動部材の移動速度を遅くする振動波モータ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の振動波モータにおいて、
前記制御部は、前記第２相の駆動信号の電圧の大きさを前記第１相の駆動信号の電圧の大きさよりも大きくすることにより前記移動部材の移動速度を早くする振動波モータ。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の振動波モ−タにおいて、
前記素子は円環状であり、円周に沿って前記第１電極と前記第２電極とが交互に配置されている振動波モータ。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の振動波モ−タにおいて、
前記素子は円環状であり、内周側に前記第１電極が配置され、外周側に前記第２電極が配置されている振動波モータ。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の振動波モ−タにおいて、
前記第１相の駆動信号と前記第２相の駆動信号とは９０°の位相差を有する振動波モータ。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の振動波モータを備える光学機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、第１電極を介して第１相の駆動信号が入力され、２つの前記第１電極の間に配置された第２電極を介して第２相の駆動信号が入力される素子と、前記素子への駆動信号の入力により振動波を生じる弾性体と、前記振動波により移動する移動部材と、前記第１相の駆動信号の電圧の大きさと前記第２相の駆動信号の電圧の大きさとのうちの少なくともいずれか一方を制御する制御部と、を備える振動波モータに関する。
また、本発明は、上記振動波モータを備える光学機器に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月15日(2018.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変形量に応じた弾性力を所定方向へ加える一対の板ばねと、
前記一対の板ばねにより前記所定方向へ移動可能に支持された可動部材と、
前記所定方向において前記一対の板ばねの間で作用させる電磁力により、前記可動部材を非接触で前記所定方向へ駆動する駆動部と、
前記可動部材の所定面に対向する対向面を有する第１本体と、
前記一対の板ばねが固定された第２本体と、を備え、
前記第２本体の第１面は、前記第１本体の前記対向面に対向し、かつ前記可動部材の前記所定面とは同一平面上に位置しており、
前記第１本体の前記対向面と前記第２本体の前記第１面との間に所定厚みのシムが挿入された状態で、前記第１本体と前記第２本体とが固定されている
電磁アクチュエータ。
【請求項２】
前記駆動部は、Ｕ字状に形成されたコアと、前記コアのＵ字状の底部に取り付けられたコイルとを備えており、
前記可動部材は、前記コアのＵ字状の直線状の部分の間に位置している請求項１に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項３】
前記可動部材において、前記一対の板ばねの間に位置する部分に可動子が固定されており、
前記駆動部は、前記可動子に前記電磁力を作用させる請求項１又は請求項２に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項４】
前記可動部材は、所定面において前記所定方向に所定長で開口する開口流路が形成された弁体であり、
前記所定面に対向する対向面に開口する複数のポートが、前記所定方向に前記所定長よりも短い間隔で並んで形成され、且つ前記複数のポートにそれぞれ接続された接続流路が形成された第１本体を備える請求項３に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項５】
前記一対の板ばねにより、前記弁体の両端部が支持されている請求項４に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項６】
前記板ばねは、最も面積の大きい主面が前記所定方向に垂直となるように、前記第２本体に固定されている請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項７】
前記駆動部において、前記板ばねが自然状態で前記可動部材を支持する状態における前記可動部材の位置は、前記可動部材を前記所定方向に往復駆動させる電磁力を作用させていない中立位置に設定されている請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項８】
変形量に応じた弾性力を所定方向へ加える一対の板ばねと、
前記一対の板ばねにより前記所定方向へ移動可能に支持された可動部材と、
前記所定方向において前記一対の板ばねの間で作用させる電磁力により、前記可動部材を非接触で前記所定方向へ駆動する駆動部と、を備え、
前記可動部材において、前記一対の板ばねの間に位置する部分に可動子が固定されており、
前記駆動部は、前記可動子に前記電磁力を作用させ、
前記可動部材は、所定面において前記所定方向に所定長で開口する開口流路が形成された弁体であり、
前記所定面に対向する対向面に開口する複数のポートが、前記所定方向に前記所定長よりも短い間隔で並んで形成され、且つ前記複数のポートにそれぞれ接続された接続流路が形成された第１本体を備える電磁アクチュエータ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月27日(2018.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、電子部品、および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
奇数段に設けられた１又は複数の第１インバータ回路と、
偶数段に設けられた１又は複数の第２インバータ回路と、を有し、
前記第１インバータ回路のｐ型トランジスタのソースに、第１電源電位が入力され、
前記第１インバータ回路のｎ型トランジスタのソースに、第２電源電位が入力され、
前記第２インバータ回路のｐ型トランジスタのソースに、前記第１電源電位が入力され、
前記第２インバータ回路のｎ型トランジスタのソースに、前記第２電源電位が入力され、
前記第１電源電位は前記第２電源電圧よりも高く、
前記第１インバータ回路の前記ｐ型トランジスタのソースへの前記第１電源電位の入力が遮断可能となっており、
前記第１および前記第２インバータ回路の前記ｎ型トランジスタの半導体領域は、それぞれ、酸化物半導体層を有する半導体装置。
【請求項２】
奇数段に設けられた１又は複数の第１インバータ回路と、
偶数段に設けられた１又は複数の第２インバータ回路と、を有し、
前記第１インバータ回路のｐ型トランジスタのソースに、第１電源電位が入力され、
前記第１インバータ回路のｎ型トランジスタのソースに、第２電源電位が入力され、
前記第２インバータ回路のｐ型トランジスタのソースに、前記第１電源電位が入力され、
前記第２インバータ回路のｎ型トランジスタのソースに、前記第２電源電位が入力され、
前記第１インバータ回路の前記ｐ型トランジスタのドレインと前記第１インバータ回路の出力ノードとの間の電気的な接続が遮断可能であり、
前記第１電源電位は前記第２電源電圧よりも高く、
前記第１および前記第２インバータ回路の前記ｎ型トランジスタの半導体領域は、それぞれ、酸化物半導体層を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１および２に記載の半導体装置の何れか一を含む回路部と、
前記回路部と電気的に接続されているワイヤーと、を有する電子部品。
【請求項４】
請求項３に記載の電子部品と、
マイクロホン、スピーカー、表示部、および操作キーのうちの少なくとも１つと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月1日(2018.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域と第２の領域とが向かい合わせに配置される入力装置であって、
前記第１の領域に入力された第１の位置情報を取得し、
前記第２の領域に入力された第２の位置情報を取得し、
前記第１の位置情報と前記第２の位置情報との論理積である第３の位置情報を取得する
ことを特徴とする入力装置。
【請求項２】
第１の領域と第２の領域とが向かい合わせに配置される入力装置であって、
前記第１の領域に入力された第１の位置情報を取得し、
前記第２の領域に入力された第２の位置情報を取得し、
前記第２の位置情報を上下反転または左右反転させた第３の位置情報に変換し、
前記第１の位置情報と前記第３の位置情報との論理積である第４の位置情報を取得することを特徴とする入力装置。
【請求項３】
第１の領域と第２の領域とが背中合わせに配置される入力装置であって、
前記第１の領域に入力された第１の位置情報を取得し、
前記第２の領域に入力された第２の位置情報を取得し、
前記第１の位置情報と前記第２の位置情報との論理積である第３の位置情報を取得することを特徴とする入力装置。
【請求項４】
第１の領域と前記第２の領域とが背中合わせに配置される入力装置であって、
前記第１の領域に入力された第１の位置情報を取得し、
前記第２の領域に入力された第２の位置情報を取得し、
前記第２の位置情報を上下反転または左右反転させた第３の位置情報に変換し、
前記第１の位置情報と前記第３の位置情報との論理積である第４の位置情報を取得することを特徴とする入力装置。
【請求項５】
物体の接触を検知する機能を有することを特徴とする、
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の入力装置。
【請求項６】
可とう性を有する領域を有することを特徴とする、
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の入力装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の入力装置と、
表示装置と、
を有することを特徴とするモジュール。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の入力装置、または請求項７に記載のモジュールと、
送信部と、
を有することを特徴とする操作装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の入力装置、請求項７に記載のモジュール、または請求項８に記載の操作装置と、
プロセッサと、
を有することを特徴とするゲーム装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の入力装置、請求項７に記載のモジュール、または請求項８に記載の操作装置と、
スピーカー、操作キーまたはバッテリーと、
を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月27日(2018.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タッチセンサ、タッチパネル、タッチパネルモジュール、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第１の導電層と、第２の導電層と、絶縁層と、を有するタッチセンサであって、
前記第１の導電層は、前記第１の基板と前記第２の導電層の間に位置する領域を有し、
前記絶縁層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に位置する領域を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層と前記絶縁層は、容量を形成し、
前記第２の導電層は、開口を有し、
前記第２の導電層の前記開口と、前記第１の導電層とは互いに重なる領域を有する、
タッチセンサ。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層と電気的に接続する第１のトランジスタを有する、
タッチセンサ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のタッチセンサと、
第２の基板と、表示素子と、第１の層と、第２の層と、を有し、
前記第２の基板は、前記第１の基板と互いに重なる領域を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に、前記表示素子と、前記第１の層と、前記第２の層と、を有し、
前記第１の層は、特定波長帯域の光を透過する機能を有し、且つ、前記表示素子と互いに重なる領域を有し、
前記第２の層は、可視光を遮光する機能を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の層と互いに重なる領域と、前記第２の層と互いに重なる領域と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の層と互いに重なる領域を有し、
前記第２の導電層の前記開口と、前記表示素子とは、互いに重なる領域を有し、
前記第２の導電層の前記開口と、前記第１の層とは、互いに重なる領域を有する、
タッチパネル。
【請求項４】
請求項３において、
前記表示素子は、発光素子である、
タッチパネル。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第１の基板及び前記第２の基板は、それぞれ可撓性を有する、
タッチパネル。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載のタッチセンサと、
第１のＦＰＣと、を有し、
前記第１のＦＰＣは、前記第１の導電層または前記第２の導電層の少なくとも一方に信号を供給する機能を有する、
タッチセンサモジュール。
【請求項７】
請求項３乃至請求項５のいずれか一に記載のタッチパネルと、
第２のＦＰＣと、第３のＦＰＣと、を有し、
前記第２のＦＰＣは、前記第１の導電層または前記第２の導電層の少なくとも一方に信号を供給する機能を有し、
前記第３のＦＰＣは、前記表示素子に信号を供給する機能を有する、
タッチパネルモジュール。
【請求項８】
請求項６に記載のタッチセンサモジュールと、筐体と、を有し、
前記タッチセンサモジュールが前記筐体内に組み込まれた、
電子機器。
【請求項９】
請求項７に記載のタッチパネルモジュールと、筐体と、を有し、
前記タッチパネルモジュールが前記筐体内に組み込まれた、
電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月6日(2018.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、表示素子と、タッチセンサと、トランジスタと、第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板は、前記表示素子、前記タッチセンサ、前記トランジスタ、前記第１の電極、及び前記第２の電極を挟んで、互いに重なる領域を有し、
前記第１の電極は前記トランジスタに信号を供給することができる機能を有し、
前記トランジスタは前記表示素子に信号を供給することができる機能を有し、
前記第２の電極は前記タッチセンサに信号を供給することができる機能を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記第２の基板が有する開口において、外部電極と電気的に接続されている表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記外部電極は複数の電極を有し、
前記第１の電極は前記外部電極が有する電極の一部と電気的に接続され、
前記第２の電極は前記外部電極が有する電極の他の一部と電気的に接続されている表示装置。
【請求項３】
第１の基板と、第２の基板と、表示素子と、タッチセンサと、トランジスタと、第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の基板と、前記第２の基板は、前記表示素子、前記タッチセンサ、前記トランジスタ、前記第１の電極、及び前記第２の電極を挟んで、互いに重なる領域を有し、
前記第１の電極は前記トランジスタに信号を供給することができる機能を有し、
前記トランジスタは前記表示素子に信号を供給することができる機能を有し、
前記第２の電極は前記タッチセンサに信号を供給することができる機能を有し、
前記第１の電極は、前記第２の基板が有する第１の開口において、第１の外部電極と電気的に接続し、
前記第２の電極は、前記第２の基板が有する第２の開口において、第２の外部電極と電気的に接続されている表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月28日(2018.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板、第２の基板、第１の素子層、および第２の素子層を有する表示装置であって、
前記第１の素子層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、
前記第２の素子層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、
前記第１の素子層と前記第２の素子層とは、互いに重なる領域を有し、
前記第１の基板および前記第２の基板は可撓性を有し、
前記第１の素子層は、表示素子および第１の回路を有する表示部を有し、
前記表示素子は、前記第１の回路と電気的に接続され、
前記第２の素子層は、センサ素子を有し、
前記センサ素子は、前記表示部の形状を検出することができる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の素子層は第２の回路を有し、
前記第２の回路は、前記センサ素子と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１の基板、第２の基板、および素子層を有する表示装置であって、
前記素子層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、
前記第１の基板および前記第２の基板は可撓性を有し、
前記素子層は、表示素子および第１の回路を有する表示部、センサ素子、および第２の回路を有し、
前記表示素子は、前記第１の回路と電気的に接続され、
前記センサ素子は、前記第２の回路と電気的に接続され、
前記センサ素子は、前記表示部の形状を検出することができる機能を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月24日(2018.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板、第２の基板、第１の素子層、第２の素子層を有する表示装置であって、
前記第１の基板および前記第２の基板は可撓性を有し、
前記第１の素子層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、
前記第２の素子層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、
前記第１の素子層および前記第２の素子層は互いに重なる領域を有し、
前記第１の素子層は、表示部および第１のセンサ素子を有し、
前記表示部の上面形状は略四角形であり、
前記第１のセンサ素子は、前記表示部と重なる領域に設けられ、
前記第２の素子層は第２のセンサ素子を有し、
前記第２のセンサ素子は、前記表示部の第１の辺に沿う領域と、前記第１の辺と対向する第２の辺に沿う領域と、前記第１の辺と前記第２の辺との中間の位置を含む領域と、に重なる領域のそれぞれに設けられ、
前記第１のセンサ素子は、前記第１の基板または前記第２の基板に対する接触物の有無を検出することができる機能を有し、
前記第２のセンサ素子は、前記第１の基板または前記第２の基板の歪を検出することができる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の基板、第２の基板、第３の基板、第４の基板、第１の素子層、第２の素子層を有する表示装置であって、
前記第１の基板および前記第２の基板は可撓性を有し、
前記第３の基板は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、
前記第４の基板は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、
前記第３の基板と前記第４の基板とは互いに重ならない位置に並べて設けられ、
前記第１の素子層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、
前記第１の素子層は、前記第３の基板と重なる領域を有し、
前記第１の素子層は、前記第４の基板と重なる領域を有し、
前記第２の素子層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ、
前記第２の素子層は、前記第３の基板と重なる領域を有し、
前記第２の素子層は、前記第４の基板と重なる領域を有し、
前記第１の素子層および前記第２の素子層は互いに重なる領域を有し、
前記第１の素子層は、表示部および第１のセンサ素子を有し、
前記表示部の上面形状は略四角形であり、
前記第１のセンサ素子は、前記表示部と重なる領域に設けられ、
前記第２の素子層は第２のセンサ素子を有し、
前記第２のセンサ素子は、前記表示部の第１の辺に沿う領域と、前記第１の辺と対向する第２の辺に沿う領域と、前記第１の辺と前記第２の辺との中間の位置を含む領域と、に重なる領域のそれぞれに設けられ、
前記第２のセンサ素子が設けられる領域は、前記第３の基板および／または前記第４の基板と重なる領域を有し、
前記第１のセンサ素子は、前記第１の基板または前記第２の基板に対する接触物の有無を検出することができる機能を有し、
前記第２のセンサ素子は、前記第１の基板または前記第２の基板の歪を検出することができる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１のステップで表示部に第１の画像を表示し、
第２のステップで表示部の中央部付近または端部の曲率が第１の設定値以上であるか否かの判定を行い、
前記第２のステップにおいて、
当該曲率が前記第１の設定値以上でない場合は当該曲率の判定を繰り返し、
当該曲率が前記第１の設定値以上である場合は第３のステップに進み、
前記第３のステップで前記表示部の端部に操作用の画像を表示し、
第４のステップで前記操作用の画像上において接触物の位置を検出し、
第５のステップで前記操作用の画像上において前記接触物の位置を検出し、
前記第５のステップにおいて、
前記接触物の位置に変化がなければ第６のステップに進み、
前記接触物の位置に変化があれば第７のステップに進み、
前記第６のステップで前記表示部の端部の曲率が第２の設定値以上であるか否かの判定を行い、
前記第６のステップにおいて、
当該曲率が前記第２の設定値以上でない場合は前記第５のステップに戻り、
当該曲率が前記第２の設定値以上であれば前記第７のステップに進み、
前記第７のステップで前記第１の画像から第２の画像への切り替えを行うことを特徴とする表示装置の動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月24日(2018.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子装置、及び電子装置の駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルディスプレイと、複数の柱状体と、を有し、
前記複数の柱状体は、センサを有し、
前記センサは、前記複数の柱状体の回転を検知する機能を有し、
前記フレキシブルディスプレイは、前記複数の柱状体の回転を検知したとき、第１のモードで表示する機能を有し、
前記フレキシブルディスプレイは、前記複数の柱状体の回転を検知しないとき、第２のモードで表示する機能を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
フレキシブルディスプレイと、複数の柱状体と、を有し、
前記複数の柱状体の各々の柱状体は、連結部において、隣接する一つ又は二つの柱状体と機械的又は物理的に連結され、前記連結部にある軸の周りに回転する機能を有し、
前記複数の柱状体の形状に応じて、前記フレキシブルディスプレイは、形状を変える機能を有し、
前記フレキシブルディスプレイは、第１のディスプレイ領域に表示する機能を有し、
前記複数の柱状体は、前記連結部にある軸の周りに回転させることで、グリップが設けられる機能を有し、
前記グリップが設けられたとき、前記第１のディスプレイ領域の大きさが変更する機能を有することを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記フレキシブルディスプレイは、前記グリップに対応する部分に第２のディスプレイ領域を表示する機能を有することを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記フレキシブルディスプレイは、有機発光ダイオードと、有機発光ダイオードを制御する回路とを有することを特徴とする電子装置。
【請求項５】
フレキシブルディスプレイと、複数の柱状体と、を有する電子装置の駆動方法であって、
前記電子装置は、前記複数の柱状体が有するセンサによって、前記複数の柱状体の回転を検知し、
前記複数の柱状体の回転を検知したとき、第１のモードで前記フレキシブルディスプレイに画像を表示させ、
前記複数の柱状体の回転を検知しないとき、第２のモードで前記フレキシブルディスプレイに画像を表示させることを特徴とする電子装置の駆動方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記フレキシブルディスプレイは、有機発光ダイオードと、有機発光ダイオードを制御する回路とを有することを特徴とする電子装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月26日(2018.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示補正回路及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量素子と、トランジスタと、バッファ回路と、ＡＤ変換回路と、出力回路と、を有し、
前記容量素子は、画素に流れる電流に応じた電位を保持する機能を有し、
前記トランジスタは、前記容量素子に保持される電位をリセットする機能を有し、
前記バッファ回路は、前記容量素子に保持される電位が入力され、
前記ＡＤ変換回路は、前記バッファ回路から出力される電位をデジタル信号に変換する機能を有し、
前記出力回路は、信号線への前記デジタル信号の出力を制御する機能を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする表示補正回路。
【請求項２】
請求項１に記載の表示補正回路と、
前記画素が配置された表示領域と、を有する表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の表示補正回路と、
前記デジタル信号が有するデータを記憶する機能を有するメモリと、
前記データを用いて画像信号を補正する機能を有す
る画像処理回路と、
前記画素が配置された表示領域と、を有する表示装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記画素は、有機ＥＬ素子を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月1日(2018.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センスアンプと、第１乃至第４のビット線と、メモリセルと、第１乃至第４のトランジスタと、を有し、
前記第１乃至前記第４のビット線の各々は、前記センスアンプが設けられた層上に設けられ、
前記メモリセルは、前記第１乃至前記第４のビット線が設けられた層上に設けられ、
前記センスアンプは、少なくとも２層の導電体を有し、
前記メモリセルは、第５のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１乃至前記第４のビット線は、第１方向に隣り合う２列と第２方向に隣り合う２行とからなる２行２列に配置され、
前記第２方向は、前記第１方向に垂直な方向であり、
前記第１乃至前記第４のビット線の各々は、前記第２方向に延在する領域を有し、
前記第１乃至前記第４のビット線の各々は、前記第１乃至前記第４のトランジスタのうちの１つを介して、前記センスアンプと電気的に接続されることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
第１及び第２のデータ線と、第６及び第７のトランジスタと、を有し、
前記第１及び前記第２のデータ線の各々は、前記メモリセルが設けられた層上に設けられ、
前記第１及び前記第２のデータ線の各々は、前記第６及び前記第７のトランジスタのうちの１つを介して前記センスアンプと電気的に接続されることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第５のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
複数のセンスアンプと、複数のビット線と、複数のメモリセルと、複数の第１のトランジスタと、を有し、
前記複数のビット線の各々は、前記複数のセンスアンプが設けられた層上に設けられ、
前記複数のメモリセルの各々は、前記複数のビット線が設けられた層上に設けられ、
前記複数のセンスアンプの各々は、少なくとも２層の導電体を有し、
前記複数のメモリセルの各々は、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記複数のビット線の各々は、第２の方向に延在する領域を有し、
前記第２の方向に垂直な方向を第１の方向とし、
前記複数のビット線の各々は、前記第１方向に第１の距離のピッチ、前記第２方向に第２の距離のピッチで、２次元的に配置され、
前記複数のセンスアンプの各々は、前記複数の第１トランジスタのうちの４つを介して、前記複数のビット線のうちの４本のビット線に接続され、
前記複数のセンスアンプは、前記第１の方向に前記第１の距離の２倍のピッチで、かつ、前記第２の方向に前記第２の距離の２倍のピッチで、２次元的に配置されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項４において、
複数のデータ線と、複数の第３のトランジスタと、を有し、
前記複数のデータ線の各々は、前記メモリセルが設けられた層上に設けられ、
前記複数のセンスアンプの各々は、前記複数の第３トランジスタのうちの２つを介して、前記複数のデータ線のうちの２本のデータ線と電気的に接続され、
前記複数のデータ線の各々は、前記複数の第３トランジスタのうちの２つを介して、前記複数のセンスアンプのうち前記第１方向に隣り合うセンスアンプと電気的に接続されることを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６において、
前記ビット線に接続されるメモリセルの数は、３乃至３２であることを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７において、
前記容量素子の容量値は０．１ｆＦ乃至１０ｆＦであることを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月24日(2018.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分とする結晶性酸化物半導体薄膜であって、前記酸化物半導体がインジウムまたは／およびガリウムを主成分として含み、ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブを含むことを特徴とする結晶性酸化物半導体薄膜。
【請求項２】
ゲルマニウムを含む請求項１記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
【請求項３】
炭素を実質的に含まない請求項１または２に記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
【請求項４】
ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブの濃度が１×１０１６／ｃｍ３〜１×１０２２／ｃｍ３である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
【請求項５】
ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブの濃度が１×１０１７／ｃｍ３以下である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
【請求項６】
ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブの濃度が１×１０２０／ｃｍ３以上である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
【請求項７】
前記結晶性酸化物半導体薄膜に含まれる金属元素中のガリウムの原子比が０．５以上である請求項１〜６のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体薄膜と電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分とする結晶性酸化物半導体薄膜で構成される半導体層と電極とを備えている半導体装置であって、前記酸化物半導体がインジウムまたは／およびガリウムを主成分として含み、前記結晶性酸化物半導体薄膜が、ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
縦型デバイスである請求項８〜１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
パワーデバイスである請求項８〜１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）、接合電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）または発光ダイオード（ＬＥＤ）である請求項８〜１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）または静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）である請求項８〜１３のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月17日(2018.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の下に配置された活性層、前記活性層の下に配置された第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記第１導電型半導体層に電気的に連結された第１電極と、
前記発光構造物の下に配置されたミラー層と、
前記ミラー層と前記発光構造物との間に配置されたウィンドウ半導体層と、
前記ミラー層の下に配置された反射層と、
前記反射層と前記ウィンドウ半導体層との間に配置され、前記第２導電型半導体層に接触した伝導性接触層と、
前記反射層の下に配置された伝導性の支持基板とを含み、
前記ウィンドウ半導体層はカーボンがドーピングされたリン（Ｐ）系半導体を含み、
前記ウィンドウ半導体層は前記第２導電型半導体層のドーパント濃度より高いドーパント濃度を有し、
前記伝導性接触層は前記ミラー層の材質と異なる材質を含み、前記ウィンドウ半導体層の厚さより薄い厚さを有し、
前記ウィンドウ半導体層は、前記第２導電型半導体層の厚さより厚い厚さを有し、前記ミラー層及び前記伝導性接触層に接触し、
前記ウィンドウ半導体層は、下部の周りに外郭部を含み、
前記外郭部は、前記発光構造物の側壁よりも外側に突出し、
前記ウィンドウ半導体層の外郭部の厚さは、前記ウィンドウ半導体層の厚さの１／２以下であり、
前記活性層から発光される光の波長は、６００ｎｍ〜６３０ｎｍの範囲を有し、
前記ウィンドウ半導体層の外郭部の幅は、前記反射層の側壁と前記伝導性接触層との間の距離より大きく、
前記伝導性接触層の厚さをｈとするとき、前記厚さ（ｈ）はλ／８ｎ＜ｈ＜λ／４ｎの範囲を満足し、前記λは前記活性層から発光された光の波長であり、前記ｎは伝導性接触層の屈折率であることを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記発光構造物は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、リン（Ｐ）から選択された少なくとも２つ以上の元素を含み、
前記ウィンドウ半導体層はＧａＰ半導体であり、
前記ミラー層及び前記伝導性接触層は、前記ウィンドウ半導体層の屈折率より低い屈折率を有し、
前記ミラー層は、前記第１電極と垂直方向に重なった領域に配置され、
前記反射層と前記ミラー層との間に配置された低屈折層を含み、
前記低屈折層は、前記ミラー層の材質と異なる材質で形成され、前記ウィンドウ半導体層の屈折率より低い屈折率を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記ウィンドウ半導体層はｐ型半導体層であり、前記カーボンドーパントの濃度は５Ｅ１８ｃｍ−３乃至１Ｅ２０ｃｍ−３範囲であることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記低屈折層は前記伝導性接触層及び前記ミラー層と異なる伝導性材質を含み、前記ウィンドウ半導体層と接触した複数の接触部を有し、
前記低屈折層と前記反射層は、無指向性反射構造を有し、
前記伝導性接触層は、前記ミラー層を貫通し相互離隔した複数の接触部を含み、前記反射層は前記複数の接触部を相互連結し、
前記伝導性接触層の一部は、前記ミラー層と前記反射層との間に配置され、
前記複数の接触部は、上面全体が前記発光構造物と垂直方向にオーバーラップする複数の第１接触部と、上面の一部が前記発光構造物の側壁よりも外側に配置された複数の第２接触部とを含み、
前記第２接触部の上面の一部は、前記ウィンドウ半導体層の外郭部と前記反射層との間に配置され、
前記第２接触部は、前記第１及び第２接触部の全体個数または上面面積の３０％〜６０％範囲の個数または面積を有することを特徴とする、請求項２に記載の発光素子。
【請求項５】
第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の下に配置された活性層、前記活性層の下に配置された第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記第１導電型半導体層の上に配置された第１電極と、
前記第１電極の上に配置された電極パッドと、
前記発光構造物の下に配置されたミラー層と、
前記ミラー層と前記発光構造物との間に配置されたウィンドウ半導体層と、
前記ミラー層の下に配置された反射層と、
前記反射層と前記ウィンドウ半導体層との間に配置された伝導性接触層と、
前記反射層の下に配置された伝導性の支持基板とを含み、
前記ウィンドウ半導体層はカーボンがドーピングされたリン（Ｐ）系半導体を含み、
前記ウィンドウ半導体層は前記第２導電型半導体層のドーパント濃度より高いドーパント濃度を有し、
前記伝導性接触層は前記ミラー層の材質と異なる材質を含み、
前記伝導性接触層は前記第２導電型半導体層に接触した複数の接触部を含み、
前記発光構造物は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、リン（Ｐ）から選択された少なくとも２つ以上の元素を含み、
前記ウィンドウ半導体層はＧａＰ系半導体を含み、
前記ウィンドウ半導体層は、前記第２導電型半導体層の厚さより厚い厚さを有し、前記ミラー層及び前記伝導性接触層に接触し、
前記ウィンドウ半導体層は、下部の周りに外郭部を含み、
前記外郭部は、前記発光構造物の側壁よりも外側に突出し、
前記ウィンドウ半導体層の外郭部の厚さは、前記ウィンドウ半導体層の厚さの１／２以下であり、
前記伝導性接触層の接触面積は、前記電極パッドと前記伝導性接触層との間の距離に比例して増加し、
前記伝導性接触層の各接触部は、前記電極パッドと前記伝導性接触層との間の距離に比例して、隣接した接触部の間の間隔が漸減または分布密度が漸増し、
前記伝導性接触層は、前記電極パッドに垂直な領域に近づくほど前記接触面積が小さくなり、前記電極パッドに垂直な領域から離れるほど前記接触面積が増加し、
前記伝導性接触層は、相互離隔して複数のドット形状に配置され、前記ウィンドウ半導体層に接触する複数の接触部を含み、
前記第１電極と前記複数の接触部は、垂直方向に重ならないように配置され、
前記複数の接触部の全体面積は、前記ウィンドウ半導体層の全体面積の０．５％〜１．５％であることを特徴とする、発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月10日(2018.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体と、絶縁膜と、ソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する半導体装置であって、
前記酸化物半導体は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有し、
前記酸化物半導体は、第１の酸化物半導体と、前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体と、を有し、
前記絶縁膜は、前記ソース電極の下面と接する領域と、前記ドレイン電極の下面と接する領域と、前記第１の酸化物半導体の側面と接する領域と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記第２の酸化物半導体を覆う領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体と、絶縁膜と、ソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する半導体装置であって、
前記酸化物半導体は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有し、
前記酸化物半導体は、第１の酸化物半導体と、前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体と、を有し、
前記絶縁膜は、前記ソース電極の下面と接する領域と、前記ドレイン電極の下面と接する領域と、前記第１の酸化物半導体の側面と接する領域と、を有し、
前記絶縁膜は、前記第１の酸化物半導体の側面と接しない領域を有し、
前記絶縁膜は、前記第１の酸化物半導体の側面と接する領域における第１の膜厚と、前記第１の酸化物半導体の側面と接しない領域における第２の膜厚と、を有し、
前記第１の膜厚は、前記第２の膜厚よりも大きく、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、第１の酸化物半導体の側面及び第２の酸化物半導体の側面と接する領域を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記第２の酸化物半導体を覆う領域を有することを特徴とする半導体装置。