【手続補正書】
【提出日】平成30年10月4日(2018.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向に配置された第一基板と、第二基板と、前記第一基板と第二基板との間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持し、
前記第一基板上に第一電極と、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスラインと、
前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタと、該トランジスタにより駆動される第二電極とを各画素毎に有し、
前記液晶層と前記第一基板及び／又は第二基板の間にホモジニアス配向を誘起する配向膜層を有し、
前記第一電極と第二電極との間の電極間距離：Ｇと液晶層の厚さ：Ｈとの差が、０≦Ｇ−Ｈ≦０．５μｍの関係を満たし、
前記液晶組成物が、負の誘電率異方性を有し、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）
【化１】
2018040821.tif 000001
（式中、ＲＮ１１、ＲＮ１２、ＲＮ２１、ＲＮ２２、ＲＮ３１及びＲＮ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＡＮ１１、ＡＮ１２、ＡＮ２１、ＡＮ２２、ＡＮ３１及びＡＮ３２はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
（ｄ）  １，４−シクロヘキセニレン基からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）及び基（ｄ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＮ１１、ＺＮ１２、ＺＮ２１、ＺＮ２２、ＺＮ３１及びＺＮ３２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ＸＮ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
ＴＮ３１は−ＣＨ２−又は酸素原子を表し、
ｎＮ１１、ｎＮ１２、ｎＮ２１、ｎＮ２２、ｎＮ３１及びｎＮ３２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎＮ１１＋ｎＮ１２、ｎＮ２１＋ｎＮ２２及びｎＮ３１＋ｎＮ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、ＡＮ１１〜ＡＮ３２、ＺＮ１１〜ＺＮ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
で表される化合物を１種又は２種以上含有し、且つ、ベンド弾性定数（Ｋ３３）が１７ｐＮ以上である液晶表示素子。
【請求項２】
前記液晶組成物が、更に、一般式（Ｌ）
【化２】
2018040821.tif 000002
（式中、ＲＬ１及びＲＬ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＬ１は０、１、２又は３を表し、
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＬ１及びＺＬ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＬ１が２又は３であってＡＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＬ１が２又は３であってＺＬ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）
で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１又は２に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）中のＲＮ１１、ＲＮ１２、ＲＮ２１、ＲＮ２２、ＲＮ３１及びＲＮ３２の少なくとも１つ以上が以下の式（ＮＲｄ）
【化３】
2018040821.tif 000003
（式中ＲＮｄ１は水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、ｍＮｄは０〜５の整数を表し、式中の黒点は環構造中の炭素原子、又は環構造中の炭素原子に結合する酸素原子を表す。）
で表される基であり、且つ式（ＮＲｄ）で表される基を有する一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物中のｎＮ１１＋ｎＮ１２、ｎＮ２１＋ｎＮ２２及びｎＮ３１＋ｎＮ３２は２又は３を表す化合物を１種又は２種以上含有する請求項１又は２のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記一般式（Ｌ）中のＲ４４及びＲ４５の少なくとも１つ以上が以下の式（ＬＲｄ）
【化４】
2018040821.tif 000004
（式中ＲＬｄ１は水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、ｍＬｄは０〜５の整数を表し、式中の黒点は環構造中の炭素原子、又は環構造中の炭素原子に結合する酸素原子を表す。）
で表される基であり、且つｍ４１が１又は２である化合物を１種又は２種以上含有する請求項２又は３のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
式（ＮＲｄ）で表される基を有し、且つ式（ＮＲｄ）で表される基を有する一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物中のｎＮ１１＋ｎＮ１２、ｎＮ２１＋ｎＮ２２及びｎＮ３１＋ｎＮ３２は２又は３である化合物、及び式（ＬＲｄ）で表される基を有し、且つｍ４１が１又は２である化合物の含有量の総量が液晶組成物において５質量％以上である請求項４に記載の液晶組成物。
【請求項６】
前記液晶組成物が、更に、酸化防止剤、光酸化防止剤、光安定剤、紫外線吸収剤及び赤外線吸収剤から選ばれる添加剤を１種又は２種以上含有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
【請求項７】
前記第一電極と第二電極との間の電極間距離：Ｇと、前記第一電極及び／又は第二電極の電極幅：Ｗが、Ｇ−Ｗ≦３μｍの関係を満たす請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
【請求項８】
前記第一電極及び／又は第二電極の電極幅：Ｗが３μｍ以下である請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
【請求項９】
前記第一電極及び第二電極が同一の層に形成された請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶表示素子。