【事件の表示】
　平成１１年特許願第　９４８４８号「光半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月２０日出願公開、特開２０００−２９４８８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年４月１日の出願であって、平成１４年８月１９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年９月２６日付で拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１４年１０月１５日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年１０月１５日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年１０月１５日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を下記のようにする補正を含むものである。
「【請求項１】
　有機金属気相成長法によって作製する光半導体装置の製造方法において、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層の成長温度が６００℃以上６５０℃以下で形成され、前記ｐ型クラッド層上に形成するＩｎＧａＡｓＰもしくはＩｎＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層の成長温度が５９０℃以下で、かつ、成長圧力が９３３ｈＰａ（７００Ｔｏｒｒ）以上であることを特徴とする光半導体装置の製造方法。」（以下、「本願補正発明」という。）
　
　上記補正は、特許請求の範囲の請求項１におけるｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層の成長温度をさらに具体的に限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）刊行物の記載事項
　原審の拒絶の理由に引用した、この出願前公知の刊行物である特開平８−２６４８７８号公報（以下、「引用例１」という。）には、半導体レーザ装置の製造方法に関して、以下の記載が認められる。
「【００３０】・・・図１（Ｄ）に示すように、メサ構造体３０の上面を覆うように、ＭＯＶＰＥにより、成長温度６２０℃でＺｎドープｐ型ＩｎＰキャップ層２０、及び成長温度５３０℃でＺｎドープｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１を形成する。ｐ型ＩｎＰキャップ層２０のＺｎ濃度は３×１０18ｃｍ-3、厚さは１μｍ、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１のＺｎ濃度は１×１０19ｃｍ-3、厚さは０．５μｍである。」
　また、図１（Ｄ）には、活性層１３上のｐ型ＩｎＰクラッド層１４の上にｐ型ＩｎＰキャップ層２０、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１が順に形成された半導体レーザ装置の断面図が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願補正発明と引用例１記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
（イ）引用発明の「ＭＯＶＰＥ」、「ｐ型ＩｎＰキャップ層２０」及び「半導体レーザ装置」は、それぞれ本願補正発明の「有機金属気相成長法」、「ＩｎＰからなるｐ型クラッド層」及び「光半導体装置」に相当する。
（ロ）引用発明の「成長温度６２０℃」及び「５３０℃」は、それぞれ本願発明の「成長温度が６００℃以上６５０℃以下」及び「５９０℃以下」に包含されることから、その点で相当する。
　よって、両者は、
「有機金属気相成長法によって作製する光半導体装置の製造方法において、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層の成長温度が６２０℃で形成され、前記ｐ型クラッド層上に形成するＩｎＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層の成長温度が５３０℃である光半導体装置の製造方法」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
　相違点；
　本願補正発明は、「ｐ型コンタクト層の成長圧力が９３３ｈＰａ（７００Ｔｏｒｒ）以上である」のに対して、引用発明は、成長圧力について記載がない点。
　上記相違点に付き検討する。
　原査定の拒絶理由に引用した刊行物である、特開平４−３０９２８１号公報（以下、「引用例２」という。）には、ｐ−ＡｌＧａＩｎクラッド層より低い温度で成長するｐ−ＧａＡｓコンタクト層の成長圧力を常圧とし、キャリア濃度２×１０19ｃｍ-3とすることが記載されている。また、この種の半導体層をＭＯＶＰＥ法でエピタキシャル成長させるのに常圧或いは低圧で行うことは、従来、共に周知である。
　したがって、引用発明におけるＩｎＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層の成長を常圧（９３３ｈＰａ以上）で行うことは当業者が容易になし得たものである。
　
　そして、本願補正発明が目的とする「１０19ｃｍ-3以上の高いアクセプタ濃度を有するｐ型コンタクト層」（本願明細書【０００５】を参照。）を得ることは、引用発明が既に達成している効果に過ぎない。
　
　なお、審判請求人は、平成１４年５月２４日付け意見書において、「低温ＭＯＶＰＥ成長によりＺｎドーピング濃度を向上させながら、結晶品質劣化を防ぐためには、常圧成長と低温成長を組み合わせることが有効である」旨、主張している。
　しかし、本願明細書には、
「【００２６】その後、５７０℃−１０１３ｈＰａの成長条件でｐ＋−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（０．２５μｍ厚）をＺｎ／III＝０．１０の条件でＭＯＶＰＥ成長する（図６（ｅ））。
【００２７】成長後ウエハの一部を用いてＳＩＭＳ分析したところ、ｐ＋−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１１へは１．７×１０19ｃｍ-3の亜鉛濃度が観測された。　
【００３３】第１の実施の形態で示したように、・・・その後、ＳｉＯ２マスク１０６を除去し、成長温度６５０℃、成長圧力１００ｈＰａでｐ−ＩｎＰクラッド層（２μｍ厚、ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）１１０を成長した後、インジウム原料であるＴＭＩｎの供給のみを停止すると同時に、Ｖ族原料のホスフィン（ＰＨ３）雰囲気中で成長温度を５７０℃まで低下させる。
【００３４】その後、５７０℃の成長条件で砒素原料にＴＢＡを用いてｐ＋−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（０．２５μｍ厚）１１１をＺｎ／III＝０．１０の条件でＭＯＶＰＥ成長する（図６（ｅ））。
【００３５】成長後ウエハの一部を用いてＳＩＭＳ分析したところ、ｐ＋−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１１へは１．７×１０19ｃｍ-3の亜鉛濃度が観測された。
【００３６】第１の実施の形態との違いは、ｐ＋−ＩｎＧａＡｓコンタクト層を成長する時に、結晶品質の向上目的で成長圧力を高くする条件から、同じ目的で成長圧力は変えずに分解効率の高いＴＢＡを砒素原料に用いた点である。これは、ＭＯＶＰＥ装置自体に圧力可変機構が備わっていない場合に有効な手法となる。」と記載され、これによればｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層の成長温度が５７０℃である時、成長圧力を１００ｈＰａ（低圧）としても、分解効率の高い砒素原料を選択することにより、常圧の時と同様の結晶品質のものが得られることが理解できる。
　すなわち、本願補正発明が砒素原料を特定するものでない以上、成長温度５７０℃でｐ型コンタクト層の成長圧力を９３３ｈＰａ（７００Ｔｏｒｒ）以上とした点（請求人の云う、常圧成長と低温成長を組み合わせた点）に格別の効果はないのであるから、上記主張は、本願補正発明の構成に基づかないものであり、採用できない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１及び引用例２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１４年１０月１５日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１４年５月２４日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のものである。
「【請求項１】有機金属気相成長法によって作製する光半導体装置の製造方法において、
　ｐ型クラッド層の成長温度をＴ１、ｐ型クラッド層上に形成するｐ型コンタクト層の成長温度をＴ２としたとき、Ｔ２＜Ｔ１であり、かつ少なくともｐ型コンタクト層の成長圧力が９３３ｈＰａ（７００Ｔｏｒｒ）以上であることを特徴とする光半導体装置の製造方法。」
　
（２）引用例記載の発明
　原審の拒絶の理由に引用した、この出願前公知の刊行物である特開平８−２６４８７８号公報（以下、「引用例１」という。）には、上記２．（２）刊行物記載の発明に摘記した事項が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明と比較すると、ｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層の成長温度をそれぞれＴ１とＴ２とし、具体的な温度の記載がない点で相違する。
　そこで、本願発明と上記引用例１記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比するに、本願発明は、上記２．（３）対比・判断で述べたとほぼ同様の理由により、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。