【手続補正書】
【提出日】平成30年8月30日(2018.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
少なくとも一部が前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた炭化珪素層と、
前記炭化珪素層内に設けられたｎ型の第１の炭化珪素領域と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域と前記第１の電極との間に設けられ、第１の方向に伸長する複数のｐ型の第２の炭化珪素領域と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｐ型の第２の炭化珪素領域と前記第１の電極との間に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域よりもｎ型不純物濃度が高く、前記第１の電極に電気的に接続された複数のｎ型の第３の炭化珪素領域と、
前記複数のｐ型の第２の炭化珪素領域の内の隣り合う２つの前記ｐ型の第２の炭化珪素領域の間に設けられた前記ｎ型の第１の炭化珪素領域に接し、前記第１の方向に伸長し、第１の周期で設けられ、前記第１の電極に電気的に接続された複数の第１の導電層と、
前記複数の第１の導電層の内の隣り合う２本の第１の導電層の間に設けられ、前記第１の方向に伸長するｎ（ｎ＝２、３、４、５）本の第１のゲート電極と、
前記ｎ本の第１のゲート電極と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域との間に設けられた複数の第１のゲート絶縁層と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第１の導電層と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域との間の接合がヘテロ接合又はショットキー接合である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｐ型の第２の炭化珪素領域と前記第１の電極との間に設けられ、前記ｐ型の第２の炭化珪素領域よりもｐ型不純物濃度が高く、前記第１の電極に電気的に接続されたｐ型の第４の炭化珪素領域を、更に備える請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数のｐ型の第２の炭化珪素領域が、前記第１の周期の１／（ｎ＋１）の第２の周期で設けられた請求項１乃至請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域と前記第３の電極との間に設けられ、前記第１の方向に伸長する複数のｐ型の第５の炭化珪素領域と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｐ型の第５の炭化珪素領域と前記第３の電極との間に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域よりもｎ型不純物濃度が高く、前記第３の電極に電気的に接続された複数のｎ型の第６の炭化珪素領域と、
前記複数のｐ型の第５の炭化珪素領域の内の隣り合う２つの前記ｐ型の第５の炭化珪素領域の間に設けられた前記ｎ型の第１の炭化珪素領域に接し、前記第１の方向に伸長し、前記第１の周期で設けられ、前記第３の電極に電気的に接続された複数の第２の導電層と、
前記複数の第２の導電層の内の隣り合う２本の第２の導電層の間に設けられ、前記第１の方向に伸長するｎ（ｎ＝２、３、４、５）本の第２のゲート電極と、
前記ｎ本の第２のゲート電極と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域との間に設けられた複数の第２のゲート絶縁層と、  
前記ｎ本の第１のゲート電極と前記ｎ本の第２のゲート電極との間に設けられ、前記ｎ本の第１のゲート電極の端部と接続され、前記ｎ本の第２のゲート電極の端部と接続され、前記ｎ本の第１のゲート電極及び前記ｎ本の第２のゲート電極よりも幅が広いゲート層と、
前記ゲート層と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域との間に設けられ、前記第１のゲート絶縁層及び前記第２のゲート絶縁層よりも厚い絶縁層と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域と前記絶縁層との間に設けられ、前記隣り合う２本の第１の導電層の間に設けられた前記ｐ型の第２の炭化珪素領域と接続され、前記隣り合う２本の第２の導電層の間に設けられた前記ｐ型の第５の炭化珪素領域と接続されたｐ型の第７の炭化珪素領域と、を更に備え、
前記ｐ型の第７の炭化珪素領域の任意の位置と、前記隣り合う２本の第１の導電層のいずれか一方と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域とが接する部分との距離、又は、前記隣り合う２本の第２の導電層のいずれか一方と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域とが接する部分との距離が、前記第１の周期の６／（ｎ＋１）の半分未満である請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ｐ型の第７の炭化珪素領域の任意の位置と、前記隣り合う２本の第１の導電層のいずれか一方と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域とが接する部分との距離、又は、前記隣り合う２本の第２の導電層のいずれか一方と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域とが接する部分との距離が、前記第１の周期の半分未満である請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の導電層と前記第２の導電層とが接続された請求項５又は請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域と前記第３の電極との間に設けられ、前記第１の方向に伸長する複数のｐ型の第５の炭化珪素領域と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｐ型の第５の炭化珪素領域と前記第３の電極との間に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域よりもｎ型不純物濃度が高く、前記第３の電極に電気的に接続された複数のｎ型の第６の炭化珪素領域と、
前記複数のｐ型の第５の炭化珪素領域の内の隣り合う２つの前記ｐ型の第５の炭化珪素領域の間に設けられた前記ｎ型の第１の炭化珪素領域に接し、前記第１の方向に伸長し、前記第１の周期で設けられ、前記第３の電極に電気的に接続された複数の第２の導電層と、
前記複数の第２の導電層の内の隣り合う２本の第２の導電層の間に設けられ、前記第１の方向に伸長するｎ（ｎ＝２、３、４、５）本の第２のゲート電極と、
前記ｎ本の第２のゲート電極と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域との間に設けられた複数の第２のゲート絶縁層と、  
前記ｎ本の第１のゲート電極と前記ｎ本の第２のゲート電極との間に設けられ、前記ｎ本の第１のゲート電極の端部と接続され、前記ｎ本の第２のゲート電極の端部と接続され、前記ｎ本の第１のゲート電極及び前記ｎ本の第２のゲート電極よりも幅が広いゲート層と、
前記ゲート層と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域との間に設けられ、前記第１のゲート絶縁層及び前記第２のゲート絶縁層よりも厚い絶縁層と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域と前記絶縁層との間に設けられ、前記隣り合う２本の第１の導電層の間に設けられた前記ｐ型の第２の炭化珪素領域と接続され、前記隣り合う２本の第２の導電層の間に設けられた前記ｐ型の第５の炭化珪素領域と接続され、前記ｐ型の第２の炭化珪素領域及び前記ｐ型の第５の炭化珪素領域よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型の第８の炭化珪素領域と、
を更に備える請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域と前記第３の電極との間に設けられ、前記第１の方向に伸長する複数のｐ型の第５の炭化珪素領域と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｐ型の第５の炭化珪素領域と前記第３の電極との間に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域よりもｎ型不純物濃度が高く、前記第３の電極に電気的に接続された複数のｎ型の第６の炭化珪素領域と、
前記複数のｐ型の第５の炭化珪素領域の内の隣り合う２つの前記ｐ型の第５の炭化珪素領域の間に設けられた前記ｎ型の第１の炭化珪素領域に接し、前記第１の方向に伸長し、前記第１の周期で設けられ、前記第３の電極に電気的に接続された複数の第２の導電層と、
前記複数の第２の導電層の内の隣り合う２本の第２の導電層の間に設けられ、前記第１の方向に伸長するｎ（ｎ＝２、３、４、５）本の第２のゲート電極と、
前記ｎ本の第２のゲート電極と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域との間に設けられた複数の第２のゲート絶縁層と、  
前記ｎ本の第１のゲート電極と前記ｎ本の第２のゲート電極との間に設けられ、前記ｎ本の第１のゲート電極の端部と接続され、前記ｎ本の第２のゲート電極の端部と接続され、前記ｎ本の第１のゲート電極及び前記ｎ本の第２のゲート電極よりも幅が広いゲート層と、
前記ゲート層と前記ｎ型の第１の炭化珪素領域との間に設けられ、前記第１のゲート絶縁層及び前記第２のゲート絶縁層よりも厚い絶縁層と、
前記炭化珪素層内に設けられ、前記ｎ型の第１の炭化珪素領域と前記絶縁層との間に設けられ、前記ｐ型の第２の炭化珪素領域と前記ｐ型の第５の炭化珪素領域との間に設けられ、前記ｐ型の第２の炭化珪素領域及び前記ｐ型の第５の炭化珪素領域と離間するｐ型の第９の炭化珪素領域と、
を更に備える請求項１記載の半導体装置。