【手続補正書】
【提出日】平成30年9月3日(2018.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバの流体供給システム内の腐食を予測および検出するための腐食センサ保持器アセンブリであって、
金属材料で構成されたシールと、
少なくとも第１のポートを有する少なくとも第１の絶縁層と、少なくとも第２のポートを有する少なくとも第２の絶縁層と、を備えた積層体であって、前記第１のポートおよび前記第２のポートは、前記シールを保持するように構成されている、積層体と、
前記第１のポートおよび前記第２のポートの少なくとも一部の周りに伸びる経路を形成し、前記積層体の中で、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に収容された少なくとも１つの導電体と、
を備え、
前記導電体の前記経路の少なくとも一部分が、露出面を有する、腐食センサ保持器アセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、監視回路の一部を形成しており、前記導電体の露出面が腐食したことに応じて、信号を送信するように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリ。
【請求項３】
請求項１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、監視回路の一部を形成しており、前記導電体の露出面が切断したことに応じて、信号を送信するように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記第１の絶縁層または前記第２の絶縁層は、前記露出面を有する前記導電体の部分の上に開口部を備える、腐食センサ保持器アセンブリ。
【請求項５】
請求項１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記露出面を有する前記導電体の部分は、前記第１のポートの縁部または前記第２のポートの縁部から２ミリメートル以下の距離に配置されている、腐食センサ保持器アセンブリ。
【請求項６】
請求項１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、ステンレス鋼を含む、腐食センサ保持器アセンブリ。
【請求項７】
請求項１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層は、ポリイミドを含む、腐食センサ保持器アセンブリ。
【請求項８】
請求項１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記積層体は、組み込まれた表面取り付け構成要素と混合マニホルドとの間の境界になるように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリ。
【請求項９】
請求項１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記積層体の厚さは、５ミリメートル以下である、腐食センサ保持器アセンブリ。
【請求項１０】
請求項１に記載の腐食センサ保持器アセンブリを備えるガスブロックであって、
前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリは、ガスが、前記ガスブロックを通って半導体処理チャンバに流れ、前記腐食センサ保持器アセンブリの前記第１のポートおよび前記第２のポートを通して流れることを可能にするように構成されている、ガスブロック。
【請求項１１】
請求項１に記載の腐食センサ保持器アセンブリを備えたガスブロックを備える真空チャンバであって、
前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリは、ガスが、前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリの前記第１のポートおよび前記第２のポートを通して流れることを可能にするように構成されている、真空チャンバ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の真空チャンバであって、前記真空チャンバは、プラズマエッチングチャンバである、真空チャンバ。
【請求項１３】
腐食センサ保持器アセンブリを用いて真空チャンバの流体供給システム内の腐食を予測および検出する方法であって、
腐食センサ保持器アセンブリによって保持され金属材料で構成されたシールに流体を通す工程であって、前記腐食センサ保持器アセンブリは、少なくとも第１のポートを有する少なくとも第１の絶縁層と、少なくとも第２のポートを有する少なくとも第２の絶縁層と、を備えた積層体を備える、工程と、
前記第１のポートおよび前記第２のポートによって前記シールを保持する工程と、
前記第１のポートおよび前記第２のポートの少なくとも一部の周りに伸びる経路を形成する少なくとも１つの導電体を備えた回路のパラメータを監視する工程であって、前記導電体は、前記積層体の中で、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に収容され、前記導電体の前記経路の少なくとも一部分が、露出面を有し、前記パラメータは、前記露出面の特性に関係する、工程と、
前記パラメータを所定の値と比較する工程と、
前記比較の結果に基づいて、前記シールにおける漏れの存在を検出する工程と、
を備える、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記パラメータは、前記回路の電圧、抵抗、または、電流に基づく、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、前記流体は、腐食性ガスまたは酸であり、前記方法は、さらに、腐食性ガスまたは酸の存在を検出する工程を備える、方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であって、前記パラメータは、前記回路が切断状態にあることに基づく、方法。
【請求項１７】
請求項１３の方法であって、前記流体は、処理ガスである、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、前記処理ガスは、水素含有ガスまたは臭化水素である、方法。
【請求項１９】
請求項１３に記載の方法であって、前記真空チャンバは、プラズマエッチングチャンバであり、前記流体は、ハロゲン含有ガスである、方法。
【請求項２０】
請求項１３に記載の方法であって、前記シールは、処理ガスをプラズマエッチングチャンバに供給するガスブロック内にあり、前記プラズマエッチングチャンバ内で、１枚の半導体基板がプラズマエッチングされる、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
具体的な実施形態を参照しつつ本明細書に開示した実施形態について詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく、様々な変更および変形を行い、等価物を用いることが可能であることは、当業者にとって明らかである。
また、本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
（１）適用例１は、真空チャンバの流体供給システム内の腐食を予測および検出するための腐食センサ保持器アセンブリであって、
少なくとも第１のポートを有する少なくとも第１の絶縁層と、少なくとも第２のポートを有する少なくとも第２の絶縁層と、を備えた積層体であって、前記第１のポートおよび前記第２のポートは、シールを保持するように構成されている、積層体と、
前記第１のポートおよび前記第２のポートの少なくとも一部の周りに伸びる経路を形成し、前記積層体の中で、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に収容された少なくとも１つの導電体と、
を備え、
前記導電体の前記経路の少なくとも一部分が、露出面を有する、腐食センサ保持器アセンブリである。
（２）適用例２は、適用例１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、監視回路の一部を形成しており、前記導電体の露出部分が腐食したことに応じて、信号を送信するように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
（３）適用例３は、適用例１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、監視回路の一部を形成しており、前記導電体の露出部分が切断したことに応じて、信号を送信するように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
（４）適用例４は、適用例１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記第１の絶縁層または前記第２の絶縁層は、前記露出面を有する前記導電体の部分の上に開口部を備える、腐食センサ保持器アセンブリである。
（５）適用例５は、適用例１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記露出面を有する前記導電体の部分は、前記第１のポートの縁部または前記第２のポートの縁部から２ミリメートル以下の距離に配置されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
（６）適用例６は、適用例１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、ステンレス鋼を含む、腐食センサ保持器アセンブリである。
（７）適用例７は、適用例１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層は、ポリアミドを含む、腐食センサ保持器アセンブリである。
（８）適用例８は、適用例１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記積層体は、組み込まれた表面取り付け構成要素と混合マニホルドとの間の境界になるように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
（９）適用例９は、適用例１に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記積層体の厚さは、５ミリメートル以下である、腐食センサ保持器アセンブリである。
（１０）適用例１０は、適用例１に記載の腐食センサ保持器アセンブリを備えるガスブロックであって、
前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリは、ガスが、前記ガスブロックを通って半導体処理チャンバに流れ、前記腐食センサ保持器アセンブリの前記第１のポートおよび前記第２のポートを通して流れることを可能にするように構成されている、ガスブロックである。
（１１）適用例１１は、適用例１に記載の腐食センサ保持器アセンブリを備えたガスブロックを備える真空チャンバであって、
前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリは、ガスが、前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリの前記第１のポートおよび前記第２のポートを通して流れることを可能にするように構成されている、真空チャンバである。
（１２）適用例１２は、適用例１１に記載の真空チャンバであって、前記真空チャンバは、プラズマエッチングチャンバである、真空チャンバである。
（１３）適用例１３は、腐食センサ保持器アセンブリを用いて真空チャンバの流体供給システム内の腐食を予測および検出する方法であって、
腐食センサ保持器アセンブリによって保持されたシールに流体を通す工程であって、前記腐食センサ保持器アセンブリは、少なくとも第１のポートを有する少なくとも第１の絶縁層と、少なくとも第２のポートを有する少なくとも第２の絶縁層と、を備えた積層体を備える、工程と、
前記第１のポートおよび前記第２のポートによって前記シールを保持する工程と、
前記第１のポートおよび前記第２のポートの少なくとも一部の周りに伸びる経路を形成する少なくとも１つの導電体を備えた回路のパラメータを監視する工程であって、前記導電体は、前記積層体の中で、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に収容され、前記導電体の前記経路の少なくとも一部分が、露出面を有し、前記パラメータは、前記露出面の特性に関係する、工程と、
前記パラメータを所定の値と比較する工程と、
前記比較の結果に基づいて、前記シールにおける漏れの存在を検出する工程と、
を備える、方法である。
（１４）適用例１４は、適用例１３に記載の方法であって、前記パラメータは、前記回路の電圧、抵抗、または、電流に基づく、方法である。
（１５）適用例１５は、適用例１３に記載の方法であって、前記流体は、腐食性ガスまたは酸であり、前記方法は、さらに、腐食性ガスまたは酸の存在を検出する工程を備える、方法である。
（１６）適用例１６は、適用例１３に記載の方法であって、前記パラメータは、前記回路が切断状態にあることに基づく、方法である。
（１７）適用例１７は、適用例１３の方法であって、前記流体は、処理ガスである、方法である。
（１８）適用例１８は、適用例１７に記載の方法であって、前記処理ガスは、水素含有ガスまたは臭化水素である、方法である。
（１９）適用例１９は、適用例１３に記載の方法であって、前記真空チャンバは、プラズマエッチングチャンバであり、前記流体は、ハロゲン含有ガスである、方法である。
（２０）適用例２０は、適用例１３に記載の方法であって、前記シールは、処理ガスをプラズマエッチングチャンバに供給するガスブロック内にあり、前記プラズマエッチングチャンバ内で、１枚の半導体基板がプラズマエッチングされる、方法である。