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【手続補正書】
【提出日】平成30年7月24日(2018.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横型のスイッチングデバイスを有する半導体装置であって、
導電性材料で構成された基板上に形成され、ドリフト領域を構成する第１のＧａＮ系半導体にて構成された第１半導体層（２）および前記第１のＧａＮ系半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２のＧａＮ系半導体にて構成された第２半導体層（３）にて構成されるヘテロジャンクション構造を有し、前記第２半導体層にリセス部（５）が形成されたチャネル形成層（２、３）と、
前記リセス部内に形成されたゲート絶縁膜（６）および該ゲート絶縁膜の上に形成されたＭＯＳ構造のゲート電極となるＭＯＳゲート電極（７）を有するゲート構造部と、
前記第２半導体層の上において、前記ゲート構造部を挟んだ両側に配置されたソース電極（８）およびドレイン電極（９）と、
前記第２半導体層の上において、前記ゲート構造部と前記ドレイン電極との間における前記ドレイン電極から離れた位置に配置され、不純物がドープされていない第３のＧａＮ系半導体にて構成された第３半導体層（４）と、
前記第３半導体層の上に形成されたｐ型の第４のＧａＮ系半導体によって構成された第４半導体層（１０）と、
前記第４半導体層に接触させられたジャンクションゲート電極（１１）と、を備えるスイッチングデバイスを有し、
前記ソース電極と前記ジャンクションゲート電極は、前記ＭＯＳゲート電極を覆う層間絶縁膜（１２）の上に形成される電極層（１３）を介して連結されており、
前記第４半導体層における前記ドレイン電極側の端部に対して前記第３半導体層における前記ドレイン電極側の端部が前記ドレイン電極側へ突き出している距離（Ｘ）が１μｍ以上かつ５μｍ以下とされている半導体装置。
【請求項２】
前記スイッチングデバイスが形成された領域をアクティブ領域（１４）として、
前記電極層は、少なくとも前記アクティブ領域に形成されており、前記アクティブ領域において前記ソース電極と前記ジャンクションゲート電極とが前記電極層を介して連結されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ＭＯＳゲート電極は、一方向を長手方向として延設されており、
前記電極層は、前記アクティブ領域内において前記ＭＯＳゲート電極の延設方向に沿って複数に分けて梯子状に配置され、
複数に分けて梯子状に配置された前記電極層の間において前記ＭＯＳゲート電極がゲートパッド（１７）に接続されている請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３半導体層は、前記ゲート構造部に接しており、前記ゲート構造部よりも前記ドレイン電極側に配置されているのに加えて前記ソース電極側にも配置されている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記スイッチングデバイスのターンオフ時に、前記ジャンクションゲート電極および前記ソース電極を通じて流れる電流経路の抵抗成分による抵抗値をジャンクションゲート−ソース間抵抗値として、
前記ジャンクションゲート−ソース間抵抗値が２００Ωｍｍ以下とされている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記スイッチングデバイスのターンオフ時に、前記ジャンクションゲート電極および前記ソース電極を通じて流れる電流経路の抵抗成分による抵抗値をジャンクションゲート−ソース間抵抗値として、
前記ジャンクションゲート−ソース間抵抗値が１００Ωｍｍ以下とされている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ジャンクションゲート−ソース間抵抗値は、前記第３半導体層の内部抵抗と、前記第４半導体層の内部抵抗と、前記第４半導体層と前記ジャンクションゲート電極との接触抵抗と、前記ジャンクションゲート電極から前記ソース電極に至る間の電極抵抗の合計抵抗値である請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第４半導体層と前記ジャンクションゲート電極との接触抵抗が１００Ωｍｍ以下とされている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の横型のスイッチングデバイスを有する半導体装置は、導電性材料で構成された基板上に形成され、ドリフト領域を構成する第１のＧａＮ系半導体にて構成された第１半導体層（２）および第１のＧａＮ系半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２のＧａＮ系半導体にて構成された第２半導体層（３）にて構成されるヘテロジャンクション構造を有し、第２半導体層にリセス部（５）が形成されたチャネル形成層（２、３）と、リセス部内に形成されたゲート絶縁膜（６）および該ゲート絶縁膜の上に形成されたＭＯＳ構造のゲート電極となるＭＯＳゲート電極（７）を有するゲート構造部と、第２半導体層の上において、ゲート構造部を挟んだ両側に配置されたソース電極（８）およびドレイン電極（９）と、第２半導体層の上において、ゲート構造部とドレイン電極との間におけるドレイン電極から離れた位置に配置され、不純物が意図的にドープされていない第３のＧａＮ系半導体にて構成された第３半導体層（４）と、第３半導体層の上に形成されたｐ型の第４のＧａＮ系半導体によって構成された第４半導体層（１０）と、第４半導体層に接触させられたＪＧ電極（１１）と、を備えている。このような構成おいて、ソース電極とＪＧ電極は、ＭＯＳゲート電極を覆う層間絶縁膜（１２）の上に形成される電極層（１３）を介して連結されており、第４半導体層におけるドレイン電極側の端部に対して第３半導体層におけるドレイン電極側の端部がドレイン電極側へ突き出している距離（Ｘ）が１μｍ以上かつ５μｍ以下とされている。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月14日(2017.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに反対側の面である第１面および第２面を有する半導体基板を含む固体撮像装置であって、
各々が前記半導体基板に配置された複数の光電変換部を含む複数の画素集合と、
前記半導体基板の前記第１面の側に配置された配線層と、
前記半導体基板の前記第２面の側に配置された複数のマイクロレンズと、を備え、
前記複数のマイクロレンズの各々は、前記複数の画素集合のうち対応する１つの画素集合の前記複数の光電変換部に対して設けられ、
前記複数の画素集合は、第１方向に沿って隣り合うように配置された第１画素集合および第２画素集合と、前記第１方向に対して交差する第２方向に沿って前記第１画素集合に対して隣り合うように配置された第３画素集合とを含み、前記複数のマイクロレンズは、前記第１画素集合、前記第２画素集合および前記第３画素集合にそれぞれ対応する第１マイクロレンズ、第２マイクロレンズおよび第３マイクロレンズを含み、
前記第２マイクロレンズは、前記第１マイクロレンズに接し、前記第３マイクロレンズは、前記第１マイクロレンズから離隔している、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第３マイクロレンズは、前記第２マイクロレンズに接している、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記複数の画素集合の各々の前記複数の光電変換部は、前記第１方向に沿って配置された第１光電変換部および第２光電変換部を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記複数の画素集合の各々の前記複数の光電変換部の各々は、当該光電変換部で発生した電荷を蓄積する第１導電型の半導体領域を含み、
前記複数の画素集合の各々において、前記半導体領域のうち前記複数のマイクロレンズにおける対応するマイクロレンズの端部と前記第１面との間に配置された領域の第２導電型の不純物濃度は、前記半導体領域のうち前記対応するマイクロレンズの中央部と前記第１面との間に配置された領域の第２導電型の不純物濃度より大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記複数の画素集合の各々の前記複数の光電変換部の各々は、当該光電変換部で発生した電荷を蓄積する第１導電型の半導体領域を含み、
前記半導体領域のうち前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとの境界と前記第１面との間に配置された領域の第２導電型の不純物濃度は、前記半導体領域のうち前記第１マイクロレンズの中央部と前記第１面との間に配置された領域の第２導電型の不純物濃度より大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月9日(2018.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両で用いられ、前記車両の周辺に存在する周辺車両との広域通信網を介した無線通信を制御する通信制御装置であって、
前記車両に搭載されているセンサの検出結果に基づいて、前記車両の走行状態を示す通信パケットである車両情報パケットを生成する通信パケット生成部（Ｆ２）と、
前記通信パケット生成部が生成した前記車両情報パケットを所定の送信周期で前記周辺車両へ送信するための処理を行う送信処理部（Ｆ３）と、
前記車両が走行している道路である自車走行路が他の道路と接続する点である道路接続点の位置を含む前方道路情報を取得する道路情報取得部（Ｆ４）と、
前記道路情報取得部が取得した前記前方道路情報に基づいて、前記車両がこれから通行する前記道路接続点までの残り距離が所定の周期変更距離以下となっているか否かを判定する位置関係判定部（Ｆ５）と、を備え、
前記送信処理部は、
前記位置関係判定部によって前記道路接続点までの残り距離が前記周期変更距離よりも大きいと判定されている場合には、前記送信周期として所定の第１周期を採用する一方、
前記位置関係判定部によって前記道路接続点までの残り距離が前記周期変更距離以下であると判定されている場合には、前記送信周期として前記第１周期よりも短い第２周期を採用し、
前記通信パケット生成部は、前記送信周期を前記第２周期に設定する条件である第２周期化条件が充足された場合には、前記周辺車両に対して、前記送信周期として前記第２周期を採用するように要求する通信パケットである第２周期化要求パケットを生成し、
前記送信処理部は、前記第２周期化要求パケットを送信する処理を実行するように構成されている通信制御装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記位置関係判定部は、前記車両の走行速度及び前記道路接続点の種別の少なくとも何れか一方に基づいて前記周期変更距離として採用する値を決定することを特徴とする通信制御装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記周辺車両から送信される前記車両情報パケットを受信しているか否かに基づいて、前記周辺車両に相当する他車両が前記車両から所定の範囲内に存在するか否かを判定する周辺車両判定部（Ｆ７）を備え、
前記送信処理部は、
前記周辺車両判定部によって前記周辺車両が存在しないと判定されている場合には、前記位置関係判定部によって前記道路接続点までの残り距離が前記周期変更距離以下であると判定されている場合であっても、前記送信周期として前記第１周期を採用することを特徴とする通信制御装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れか１項において、
前記送信処理部は、前記道路接続点の通過に伴って前記送信周期を前記第２周期から前記第１周期に移す場合には、その通過した前記道路接続点との距離、又は通過した時点からの経過時間に応じて段階的に前記送信周期を前記第１周期に近づけていくことを特徴とする通信制御装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れか１項において、
前記第２周期化要求パケットを受信した場合、前記送信処理部は、前記送信周期を前記第２周期に設定することを特徴とする通信制御装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記送信処理部は、前記第２周期化要求パケットを送信した時点以降において、前記第２周期化条件が充足されなくなった場合には、前記送信周期を前記第１周期に戻すことを許可する通信パケットである復帰許可パケットを送信することを特徴とする通信制御装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記送信処理部は、
前記第２周期化要求パケットの受信に基づいて前記送信周期を前記第２周期に設定している場合において、受信した前記第２周期化要求パケットの送信元に相当する全ての車両から前記復帰許可パケットを受信した場合には、前記送信周期を前記第１周期に設定することを特徴とする通信制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
その目的を達成するための本発明は、車両で用いられ、車両の周辺に存在する周辺車両との広域通信網を介した無線通信を制御する通信制御装置であって、車両に搭載されているセンサの検出結果に基づいて、車両の走行状態を示す通信パケットである車両情報パケットを生成する通信パケット生成部（Ｆ２）と、通信パケット生成部が生成した車両情報パケットを所定の送信周期で周辺車両へ送信するための処理を行う送信処理部（Ｆ３）と、車両が走行している道路である自車走行路が他の道路と接続する点である道路接続点の位置を含む前方道路情報を取得する道路情報取得部（Ｆ４）と、道路情報取得部が取得した前方道路情報に基づいて、車両がこれから通行する道路接続点までの残り距離が所定の周期変更距離以下となっているか否かを判定する位置関係判定部（Ｆ５）と、を備え、送信処理部は、位置関係判定部によって道路接続点までの残り距離が周期変更距離よりも大きいと判定されている場合には、送信周期として所定の第１周期を採用する一方、位置関係判定部によって道路接続点までの残り距離が周期変更距離以下であると判定されている場合には、送信周期として第１周期よりも短い第２周期を採用し、通信パケット生成部は、送信周期を第２周期に設定する条件である第２周期化条件が充足された場合には、周辺車両に対して、送信周期として第２周期を採用するように要求する通信パケットである第２周期化要求パケットを生成し、送信処理部は、第２周期化要求パケットを送信する処理を実行するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月28日(2018.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両周囲を撮影した撮像画像を記録するドライブレコーダ（３３）であって、
当該ドライブレコーダを搭載する車両である自車両に搭載され前記自車両の周囲を撮影する複数のカメラを備える画像取得部（２）にて取得された撮像画像から、移動体を検出する移動体検出部（３３２）と、
前記移動体検出部での検出結果に従い、前記画像取得部を構成する複数のカメラのうち、前記移動体の位置を撮影範囲に含むカメラである対象カメラを少なくとも含む一つ以上のカメラを一時記録カメラとして選択し、該一時記録カメラによる撮像画像を、予め用意された記録媒体（３５）に記録する一時記録制御部（３３３：Ｓ１７０〜Ｓ２２０）と、
を備え、
前記一時記録制御部は、前記対象カメラに加え、前記対象カメラの撮影範囲と隣接した撮影範囲を有するカメラを前記一時記録カメラとして選択する、
ドライブレコーダ。
【請求項２】
請求項１に記載のドライブレコーダであって、
前記一時記録制御部は、前記自車両の周囲を複数のエリアに分割し、前記移動体検出部により検出された移動体が前記複数のエリアである分割エリアのいずれに位置するかによって、前記一時記録カメラとして使用するカメラを選択する、ドライブレコーダ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のドライブレコーダであって、
前記移動体検出部による検出結果によらず、前記画像取得部を構成する複数のカメラのうち、予め指定されたカメラを常時記録カメラとして、該常時記録カメラによる撮像画像を予め用意された記録媒体に記録する常時記録制御部（３３３：Ｓ１１０〜Ｓ１６０、Ｓ２２０）を、更に備えるドライブレコーダ。
【請求項４】
請求項３に記載のドライブレコーダであって、
前記画像取得部は、前記自車両の前方を撮影するフロントカメラ（２１）および前記自車両の後方を撮影するリアカメラ（２２）を少なくとも備え、
前記常時記録制御部は、前記自車両の前進時には前記フロントカメラを、前記自車両の後進時には前記リアカメラを、前記常時記録カメラとする、ドライブレコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有する半導体装置であって、
前記絶縁膜は、酸化窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンを有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域と、前記ゲート電極と重ならない第３の領域とを有し、
前記第１の領域は、チャネル形成領域として機能し、
前記第２の領域及び前記第３の領域はそれぞれ、窒素、リン、又は砒素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、をする半導体装置であって、
前記ゲート絶縁膜は、加熱により酸素放出される機能を有し、
前記絶縁膜は、酸化窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンを有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域と、前記ゲート電極と重ならない第３の領域とを有し、
前記第１の領域は、チャネル形成領域として機能し、
前記第２の領域及び前記第３の領域はそれぞれ、窒素、リン、又は砒素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有する半導体装置であって、
前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又は酸化ガリウムを有し、
前記絶縁膜は、酸化窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンを有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域と、前記ゲート電極と重ならない第３の領域とを有し、
前記第１の領域は、チャネル形成領域として機能し、
前記第２の領域及び前記第３の領域はそれぞれ、窒素、リン、又は砒素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有する半導体装置であって、
前記ゲート絶縁膜は、加熱により酸素放出される機能を有し、
前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又は酸化ガリウムを有し、
前記絶縁膜は、酸化窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンを有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域と、前記ゲート電極と重ならない第３の領域とを有し、
前記第１の領域は、チャネル形成領域として機能し、
前記第２の領域及び前記第３の領域はそれぞれ、窒素、リン、又は砒素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ソース電極は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素を含み、
前記ドレイン電極は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、導電膜と、
前記導電膜上の、絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又は酸化ガリウムを有し、
前記絶縁膜は、酸化窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンを有し、
前記導電膜をマスクとして、前記酸化物半導体膜に窒素、リン、又は砒素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、導電膜と、
前記導電膜上の、絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記ゲート絶縁膜は、加熱により酸素放出される機能を有し、
前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又は酸化ガリウムを有し、
前記絶縁膜は、酸化窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンを有し、
前記導電膜をマスクとして、前記酸化物半導体膜に窒素、リン、又は砒素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月2日(2018.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング（２５）内にステータ（２８）とロータ（２７）とが配置されて構成されたモータ（１６）と前記ハウジング内の冷却油（３０）で冷却される前記モータの制御装置において、
前記冷却油は、前記ハウジング内において、前記ロータの最下位面よりも上方の高さ位置まで貯溜されており、
前記ステータに設けられたコイル（２９）の温度を検出するコイル温度検出手段（３１）と、
前記冷却油の温度を検出する冷却油温度検出手段（３２）と、
前記コイル温度検出手段で検出した前記コイルの温度がコイル保護用の閾値を越えた場合に前記モータのトルクを制限するコイル保護用トルク制限と、前記冷却油温度検出手段で検出した前記冷却油の温度が冷却油保護用の閾値を越えた場合に前記モータのトルクを制限する冷却油保護用トルク制限とを実行する制御部（２４）とを備え、
前記制御部は、前記モータが所定以下の低回転で動作する低回転動作領域では、前記コイル保護用トルク制限が優先的に実行され易くし、前記モータが前記低回転動作領域よりも高回転で動作する高回転動作領域では、前記冷却油保護用トルク制限が優先的に実行され易くするモータの制御装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記低回転動作領域で前記コイル保護用の閾値を前記高回転動作領域よりも低い値に設定することで前記コイル保護用トルク制限が優先的に実行され易くする請求項１に記載のモータの制御装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記低回転動作領域で且つ前記モータのトルクが所定値以下の領域では前記コイル保護用の閾値を前記高回転動作領域と同じ値に設定する請求項２に記載のモータの制御装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記高回転動作領域で前記冷却油保護用の閾値を前記低回転動作領域よりも低い値に設定することで前記冷却油保護用トルク制限が優先的に実行され易くする請求項１乃至３のいずれかに記載のモータの制御装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記高回転動作領域で且つ前記モータの回転速度が所定値以下の領域では前記冷却油保護用の閾値を前記低回転動作領域と同じ値に設定する請求項４に記載のモータの制御装置。
【請求項６】
前記低回転動作領域は、前記モータの弱め界磁制御を実施しない非弱め界磁領域である請求項１乃至５のいずれかに記載のモータの制御装置。
【請求項７】
前記高回転動作領域は、前記モータの弱め界磁制御を実施する弱め界磁領域である請求項１乃至６のいずれかに記載のモータの制御装置。
【請求項８】
前記コイル温度検出手段は、前記コイルのうち前記モータの回転停止時に前記冷却油に浸漬しない位置に設置されたコイル温度センサである請求項１乃至７のいずれかに記載のモータの制御装置。
【請求項９】
前記コイル温度センサは、前記コイルの内部に設置されている請求項８に記載のモータの制御装置。
【請求項１０】
前記コイル温度センサは、前記コイルの中性点に設置されている請求項８又は９に記載のモータの制御装置。
【請求項１１】
前記コイル温度センサは、前記コイルのうち前記モータの回転停止時に前記冷却油に浸漬しない範囲内で前記ロータの回転方向の進み側に設置されている請求項８乃至１０のいずれかに記載のモータの制御装置。
【請求項１２】
前記冷却油温度検出手段は、前記冷却油に浸漬し且つ前記コイルから離れた位置に設置されている請求項１乃至１１のいずれかに記載のモータの制御装置。
【請求項１３】
前記冷却油温度検出手段は、前記ロータの最下位面よりも下方に設置されている請求項１２に記載のモータの制御装置。
【請求項１４】
前記冷却油温度検出手段は、前記冷却油に浸漬する範囲内で前記ロータの回転方向の進み側に設置されている請求項１２又は１３に記載のモータの制御装置。
【請求項１５】
前記冷却油は、前記ハウジング内の密閉空間に封入され、前記ロータの最下位面よりも上方で且つ前記ロータの回転軸よりも下方の高さ位置まで貯溜されている請求項１乃至１４のいずれかに記載のモータの制御装置。
【請求項１６】
前記コイルは、少なくとも一つの中性点が前記冷却油に浸漬するように配置されている請求項１５に記載のモータの制御装置。
【請求項１７】
前記モータは、車両の動力源として搭載されている請求項１乃至１６のいずれかに記載のモータの制御装置。
【請求項１８】
前記冷却油温度検出手段は、前記ハウジング内のうち前記車両の前方側に設置されている請求項１７に記載のモータの制御装置。
【請求項１９】
前記冷却油温度検出手段は、冷却油温度センサである請求項１乃至１８のいずれかに記載のモータの制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１に係る発明は、ハウジング（２５）内にステータ（２８）とロータ（２７）とが配置されて構成されたモータ（１６）と前記ハウジング内の冷却油（３０）で冷却される前記モータの制御装置において、前記冷却油は、前記ハウジング内において、前記ロータの最下位面よりも上方の高さ位置まで貯溜されており、前記ステータに設けられたコイル（２９）の温度を検出するコイル温度検出手段（３１）と、前記冷却油の温度を検出する冷却油温度検出手段（３２）と、前記コイル温度検出手段で検出した前記コイルの温度がコイル保護用の閾値を越えた場合に前記モータのトルクを制限するコイル保護用トルク制限と、前記冷却油温度検出手段で検出した前記冷却油の温度が冷却油保護用の閾値を越えた場合に前記モータのトルクを制限する冷却油保護用トルク制限とを実行する制御部（２４）とを備え、前記制御部は、前記モータが所定以下の低回転で動作する低回転動作領域では、前記コイル保護用トルク制限が優先的に実行され易くし、前記モータが前記低回転動作領域よりも高回転で動作する高回転動作領域では、前記冷却油保護用トルク制限が優先的に実行され易くするようにしたものである。この請求項１に係る発明は、ハウジング内に封入された冷却油でモータが冷却される構成に限定されず、外部からハウジング内に導入される冷却油でモータが冷却される構成等も含むものである。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月18日(2018.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、自動車に搭載される電気接続箱内にヒューズを備える構成が知られている。特許文献１のヒューズホルダーは、ヒューズが収納されるヒューズ収納ケースと、ヒューズ収納ケースの開口を閉鎖する蓋とからなる。ヒューズの一方のヒューズ端子部とブスバーの端部とがヒューズ収納ケースの一方の固定部にボルトで締め付けられ、ヒューズの他方のヒューズ端子部と電線端末の端子とがヒューズ収納ケースの他方の固定部にボルトで締め付けられている。また、ヒューズ収納ケースの底壁は、電気接続箱本体にねじ止め固定されることにより、ヒューズホルダーは、電気接続箱内に配置されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】実施形態１の電気接続箱を示す斜視図
【図２】電気接続箱を示す平面図
【図３】図２のＡ−Ａ断面図
【図４】図２のＢ−Ｂ断面図
【図５】電気接続箱の分解斜視図
【図６】フレームユニットの分解斜視図
【図７】フレームユニットの分解右側面図
【図８】被取付部の近傍を拡大して示す底面図
【図９】図８に対して被取付部にヒューズが配置された状態を示す底面図
【図１０】フレームユニットを示す斜視図
【図１１】被取付部にボルト付き保持部材が取付けられた状態を示す断面図
【図１２】図９に対して被取付部にボルト付き保持部材が取付けられた状態を示す底面図
【図１３】ボルト付き保持部材を示す斜視図
【図１４】ボルト付き保持部材を示す平面図
【図１５】ボルト付き保持部材を示す右側面図
【図１６】ボルト付き保持部材を示す背面図
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、導電路を有し、電子部品が実装される回路基板２１と、固定端子５１Ａ〜５１Ｃを有してフレーム３０を貫通する固定バスバー５０Ａ〜５０Ｃとを備え、固定バスバー５０Ａ〜５０Ｃは、回路基板２１の導電路に接続されている。
このようにすれば、固定バスバー５０Ａ〜５０Ｃを介して回路基板２１への電力の供給を行うことができるとともに、フレーム３０に対する回路基板２１の位置を固定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月19日(2018.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セロトニン分泌促進能力を有するビフィドバクテリウム属に属するビフィズス菌。
【請求項２】
前記ビフィドバクテリウム属に属するビフィズス菌がビフィドバクテリウム・ロンガム  Ｎ６１株（ＮＩＴＥ  ＢＰ−０２２１４）である、請求項１に記載のビフィズス菌。
【請求項３】
請求項２に記載のビフィズス菌を有効成分とするセロトニン分泌促進剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本願第一の発明は、セロトニン分泌促進能力を有するビフィドバクテリウム属に属するビフィズス菌であり、本願第二の発明は、本願第一の発明に記載のビフィズス菌が、ビフィドバクテリウム・ロンガムN61株（NITE BP-02214）である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
１．ビフィドバクテリウム・ロンガムN61株（NITE  BP-02214）
本発明のビフィズス菌は、ビフィドバクテリウム・ロンガム（Bifidobacterium longum）である。特にビフィドバクテリウム・ロンガムに属するビフィズス菌のうち、ビフィドバクテリウム・ロンガムN61株（NITE BP-02214）である。本発明にいうN61の記号は日清食品ホールディングス株式会社で独自に菌株に付与した番号であり、本ビフィドバクテリウム・ロンガムN61株は本発明者によって初めて分離されたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のビフィドバクテリウム・ロンガムN61株は、下記条件で寄託されている。
（１）寄託機関名：独立行政法人製品技術基盤機構  特許微生物寄託センター
（２）連絡先：〒２９２−０８１８  千葉県木更津市かずさ鎌足２−５−８  １２２号室
（３）受託番号：ＮＩＴＥ  ＢＰ−０２２１４
（４）識別のための表示：Ｎ６１
（５）原寄託日：２０１６年３月３日
（６）ブダペスト条約に基づく寄託への移管日：２０１７年１月５日
本発明のビフィドバクテリウム・ロンガムN61株の菌学的性質は、以下の表１及び２に示す通りである。本菌学的性質は、Bergey’s manual of systematic bacteriology Vol.2(1986)に記載の方法による。表１は本菌株に関する形状等を、表２はアピ50CH及びアピCHL（ビオメリュー製）により、糖資化性を試験した結果を示す。表２において、「＋」は発酵性あり、「−」は発酵性なしを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月6日(2018.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エクストルーダにより加圧加熱されて押出されて作製された多孔質構造を有する偏平なシート状の組織状蛋白質素材を、
相互に対向し、並設されている複数の角刃状の環状刃を有する一対のロールからなる切
刃ロールに通すことにより、
前記組織状蛋白素材の上下面に、押出された方向と同方向に押切りされた切り溝を付けることを特徴とする組織状蛋白素材の製造方法。
【請求項２】
前記切刃ロールの隣接する前記環状刃のピッチ幅が０．８〜１．５ｍｍであり、
前記一対のロール間のクリアランス幅が前記組織状蛋白素材の厚みに対して１０〜３０
％であることを特徴とする請求項１記載の組織状蛋白素材の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の製造方法によって製造された組織状蛋白素材を味付け処理し、
乾燥することを特徴とする即席食品用の肉様乾燥蛋白加工食品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月13日(2018.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性金属集電体と、
前記金属集電体に形成された気孔に挿入されたリチウム金属と、を含むリチウム二次電池用リチウム電極であって、
前記リチウム金属は、前記リチウム電極の全体重量を基準に、１〜５０重量％であり、
前記金属集電体は、銅、ニッケル、鉄、クロム、亜鉛及びステンレススチールからなる群より選択されるいずれか一種、またはこれらの二種以上の混合物で形成されることを特徴とするリチウム二次電池用リチウム電極。
【請求項２】
前記金属集電体の気孔度は、５０〜９９％であることを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用リチウム電極。
【請求項３】
前記気孔の大きさは、５〜５００μｍであることを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用リチウム電極。
【請求項４】
前記金属集電体は、金属メッシュまたは金属フォームであることを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用リチウム電極。
【請求項５】
正極、負極及び前記正極と前記負極との間に介されたセパレーターを含む電極組立体と、
前記電極組立体を収容する電池ケースと、
前記電池ケースに内蔵され、前記電極組立体を含浸する非水電解液と、を含むリチウム二次電池であって、
前記負極は、請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載のリチウム二次電池用リチウム電極であるリチウム二次電池。
【請求項６】
前記正極は、ＬｉＣｏＯ２、ＬｉＮｉＯ２、ＬｉＭｎ２Ｏ４、ＬｉＣｏＰＯ４、ＬｉＦｅＰＯ４、ＬｉＮｉＭｎＣｏＯ２及びＬｉＮｉ１−ｘ−ｙ−ｚＣｏｘＭ１ｙＭ２ｚＯ２（Ｍ１及びＭ２は、相互独立的にＡｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｇ及びＭｏからなる群より選択されるいずれか一種であり、ｘ、ｙ及びｚは、相互独立的に酸化物組成元素の原子分率であって、０≦ｘ＜０．５、０≦ｙ＜０．５、０≦ｚ＜０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ≦１である）からなる群より選択されるいずれか一種、またはこれらの二種以上の混合物である正極活物質を含むことを特徴とする請求項５に記載のリチウム二次電池。
【請求項７】
前記セパレーターは、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリペンテン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンスルファイド、及びポリエチレンナフタレートからなる群より選択されるいずれか一種、またはこれらの二種以上の混合物からなる多孔性基材であることを特徴とする請求項５に記載のリチウム二次電池。
【請求項８】
前記非水電解液は、有機溶媒及び電解質塩を含むことを特徴とする請求項５に記載のリチウム二次電池。
【請求項９】
前記有機溶媒は、エチレンカーボネート（ＥＣ）、プロピレンカーボネート（ＰＣ）、１，２−ブチレンカーボネート、２，３−ブチレンカーボネート、１，２−ペンチレンカーボネート、２，３−ペンチレンカーボネート、ビニレンカーボネート、ビニルエチレンカーボネート、フルオロエチレンカーボネート（ＦＥＣ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）、ジエチルカーボネート（ＤＥＣ）、ジプロピルカーボネート、エチルメチルカーボネート（ＥＭＣ）、メチルプロピルカーボネート、エチルプロピルカーボネート、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、エチルプロピルエーテル、メチルアセテート、エチルアセテート、プロピルアセテート、メチルプロピオネート、エチルプロピオネート、プロピルプロピオネート、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、σ−バレロラクトン及びε−カプロラクトンからなる群より選択されるいずれか一種、またはこれらの二種以上の混合物であることを特徴とする請求項８に記載のリチウム二次電池。
【請求項１０】
前記電解質塩は、陰イオンとして、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＮＯ３−、Ｎ（ＣＮ）２−、ＢＦ４−、ＣｌＯ４−、ＰＦ６−、（ＣＦ３）２ＰＦ４−、（ＣＦ３）３ＰＦ３−、（ＣＦ３）４ＰＦ２−、（ＣＦ３）５ＰＦ−、（ＣＦ３）６Ｐ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＦ２ＳＯ３−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、ＣＦ３ＣＦ２（ＣＦ３）２ＣＯ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２ＣＨ−、（ＳＦ５）３Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯ２−、ＣＨ３ＣＯ２−、ＳＣＮ−及び（ＣＦ３ＣＦ２ＳＯ２）２Ｎ−からなる群より選択されるいずれか一種、またはこれらの二種以上を含むことを特徴とする請求項８に記載のリチウム二次電池。
【請求項１１】
前記電池ケースは、円筒状、角形、パウチ型またはコイン型であることを特徴とする請求項５に記載のリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月14日(2018.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ形状の物品を処理するための装置であって、
予め定められた直径のウエハ形状の物品をその上に受けるように適合された回転チャックであって、前記回転チャックは、前記回転チャック上に搭載されたときの前記ウエハ形状の物品を囲む一連の接触要素を有し、前記一連の接触要素は、前記回転チャックが回転するに従って円をなして回転し、前記一連の接触要素の各々は、対応する接触要素の接触面を半径方向外側のロード位置から半径方向内側の接触位置まで動かすように移動可能な、回転チャックと、
さらに、前記一連の接触要素の内側に設置される非回転プレートであって、前記一連の接触要素によって囲まれる領域の少なくとも９０％を覆い、ベルヌーイの定理に従って前記非回転プレートに接触せずに前記ウエハ形状の物品を支持するようにガスを供給するよう構成されるガス供給部を有する、非回転プレートと、
を備える、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記ガス供給部は、前記回転チャックの回転軸に対して半径方向外向きに向いた環状ガス供給部である、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記非回転プレートは、固定中央支柱に固定される、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記非回転プレートは、円形状であり、前記予め定められた直径より大きい直径を有する前記回転チャックの回転軸と同軸に取り付けられる、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記接触面は、前記接触位置で半径方向内向きに面し、前記回転チャックの回転軸に平行である、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記回転チャックは、固定中央支柱の周りを回転するように取り付けられたチャック基体を有し、
前記チャック基体は、前記非回転プレートを有する液体分配マニホールドを囲む、装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記一連の接触要素の各々は、前記チャック基体から突出したシャフトを備え、
前記接触面は、前記接触位置で前記非回転プレートに重なるように前記シャフトの先端から半径方向内向きに突出する、装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
前記ガス供給部は、前記回転チャックに取り付けられたときの前記ウエハ形状の物品に面する前記非回転プレートの表面に開口する円形列のボアを備える環状配列のガス供給ノズルであり、
前記円形列のボアの各々は、前記非回転プレートの前記表面の内側から前記回転チャックの回転軸に対して斜めに延びる、装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
前記非回転プレートは、さらに、前記ガス供給部の半径方向外側に位置して、前記回転チャックに設置されたときの前記ウエハ形状の物品のエッジ領域に向けられる複数の液体分注ノズルを備える、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記複数の液体分注ノズルは、前記非回転プレートへの着脱が可能なモジュールノズルブロックに含まれる、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置であって、
前記一連の接触要素は一連のピンであり、
前記一連のピンの各々は、対応するピンの接触面を半径方向外側のロード位置から半径方向内側の接触位置まで動かすようにそれぞれのピンの軸の周りを回転可能である、装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置であって、さらに、
前記回転チャック上に設置されたときに前記非回転プレートから離れて面する前記ウエハ形状の物品の側面に液体を分注するように設置された液体ディスペンサを備える、装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の装置であって、
前記ガス供給部は、環状配列のガス供給ノズルまたは環状ガス供給ノズルを備える、装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の装置であって、さらに、
前記ガス供給部と連通する不活性ガスの供給部を備える、装置。
【請求項１５】
請求項９に記載の装置であって、さらに、
前記複数の液体分注ノズルと連通するプロセス液の供給部を備える、装置。
【請求項１６】
請求項１２に記載の装置であって、さらに、
前記液体ディスペンサと連通するプロセス液の供給部を備える、装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の装置であって、さらに、
放射加熱アセンブリを備え、
前記放射加熱アセンブリは、前記回転チャック上に取り付けられたときの前記ウエハ形状の物品が前記放射加熱アセンブリと前記非回転プレートとの間に位置するように設置される、装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の装置であって、
前記放射加熱アセンブリは、複数のＬＥＤランプを備え、
前記非回転プレートは、石英またはサファイアから形成された部分を含む、装置。
【請求項１９】
請求項１に記載の装置であって、
前記接触面は、前記ウエハ形状の物品の側面においてのみそのエッジと接触するように構成される、装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、
前記接触面は、内側を向き、前記回転チャックの回転軸に平行である、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
接触要素１２は、次に、それ自体が周知の方法でギアリング１５ならびにチャック基体１１および１３の相対回転を引き起こすことによって閉じられ、その後、ウエハＷは、チャック基体１１および１３ならびに接触要素１２を一緒に回転させることによって回転されてよい。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月5日(2018.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
基板１０上に下部電極１２ａおよび１２ｂが設けられている。共振領域５０内の下部電極１２ａは基板１０上に空隙３０を介し設けられている。共振領域５０内の下部電極１２ａ上に圧電膜１４ａが形成されている。共振領域５０内の圧電膜１４ａ上に上部電極１６ａが設けられている。共振領域５０内の上部電極１６ａ上に誘電体膜１８ａが設けられている。誘電体膜１８ａは、膜厚を調整することで共振周波数を調整する周波数調整膜として機能する。また、誘電体膜１８ａは共振領域５０における保護膜として機能する。キャパシタ領域６０の下部電極１２ｂ上に誘電体膜１８ｂが設けられている。共振領域５０外の下部電極１２および上部電極１６上にそれぞれ配線２０ｃおよび２０ａが設けられている。キャパシタ領域６０内の誘電体膜１８ｂ上に配線２０が上部電極２０ｂとして設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
このようにして製造した弾性波デバイスにおいては、図４のように、圧電薄膜共振器６２は、基板１０上に設けられた圧電膜１４ａと、圧電膜１４ａを挟む下部電極１２ａおよび上部電極１６ａと、共振領域５０内に設けられた誘電体膜１８ａと、を備えている。キャパシタ６４は、基板１０に設けられた誘電体膜１８ａと同じ材料かつ略同じ膜厚を有する誘電体膜１８ｂと、圧電膜１４を挟まず誘電体膜１８ｂを挟む下部電極１２ｂおよび上部電極２０ｂと、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
挿入膜２８を圧電膜１４ａよりヤング率の小さい材料または音響インピーダンスの小さい材料とする。これにより、共振領域５０から横方向に漏洩する弾性波を抑制できる。よって、圧電薄膜共振器６２のＱ値を向上できる。挿入膜２８としては、例えば酸化シリコン膜またはアルミニウム膜を用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2018026735.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2018026735.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2018026735.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月5日(2018.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に搭載され、その車両が走行する走行範囲を認識する認識装置（２０）であって、
前記走行範囲における、前記車両の進行方向に直交する横方向の一方の端を規定する端部線を検出する端部検出部（２３）と、
前記車両の進行方向前方に存在する移動体の位置を検出する物体検出部（２２）と、
前記移動体が、前記横方向おいて前記車両と前記端部線との間に位置する場合に、前記端部検出部が検出した前記端部線の前記横方向の位置を、前記車両と前記移動体との間に補正する補正部（２４）と、を備える、認識装置（２０）。
【請求項２】
前記補正部は、検出された端部線を自車両側に平行移動させて補正する請求項１に記載の認識装置。
【請求項３】
前記物体検出部は、前記移動体として他車を検出し、
前記補正部は、前記横方向において、前記車両よりも前記端部線側に前記他車が位置し、且つ、前記車両の幅と前記他車の幅との一部が重複する場合、前記端部線の前記横方向の位置を、前記他車の前記車両側の端部を通る位置に補正する、請求項１又は２に記載の認識装置。
【請求項４】
車両に搭載され、その車両が走行する走行範囲を認識する認識装置（２０）であって、
前記走行範囲における、前記車両の進行方向に直交する横方向の一方の端を規定する端部線を検出する端部検出部（２３）と、
前記車両の進行方向前方に存在する移動体の位置を検出する物体検出部（２２）と、
前記移動体が、前記横方向おいて前記車両と前記端部線との間に位置する場合に、前記端部検出部が検出した前記端部線の前記横方向の位置を、前記移動体の幅内に補正する補正部（２４）と、を備え、
前記物体検出部は、前記移動体として他車を検出し、
前記補正部は、前記横方向において、前記車両よりも前記端部線側に前記他車が位置し、且つ、前記車両の幅と前記他車の幅との一部が重複する場合、前記端部線の前記横方向の位置を、前記他車の前記車両側の端部とは反対側の端部を通る位置に補正する、認識装置。
【請求項５】
前記物体検出部は、前記移動体として歩行者を検出し、
前記補正部は、前記歩行者の位置を含む所定範囲において、補正後の前記端部線をさらに前記車両側へと突出させる、請求項１又は２に記載の認識装置。
【請求項６】
前記補正部は、前記物体検出部によって前記移動体が検出されている状態から検出されていない状態へと変化した場合、前記端部線の補正を終了する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の認識装置。
【請求項７】
前記車両には、その車両の運転者へ報知を行う報知装置（４１）、及び、その車両の操舵制御を行う操舵制御装置（４２）が設けられており、
前記車両が前記走行範囲の外部へと逸脱する可能性がある場合、及び、前記走行範囲の外部へと逸脱した場合の少なくとも一方において、前記操舵制御装置及び前記報知装置の少なくとも一方により、前記走行範囲からの逸脱を抑制する制御を行う支援制御部（２５）を備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の認識装置。
【請求項８】
車両に搭載され、その車両が走行する走行範囲を認識する認識装置（２０）が実行する認識方法であって、
前記走行範囲における、前記車両の進行方向に直交する横方向の一方の端を規定する端部線を検出する端部検出ステップと、
前記車両の進行方向前方に存在する移動体の位置を検出する物体検出ステップと、
前記移動体が、前記横方向おいて前記車両と前記端部線との間に位置する場合に、前記端部検出ステップで検出した前記端部線の前記横方向の位置を、前記車両と前記移動体との間に補正する補正ステップと、を実行する認識方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月5日(2018.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池スタックであって、
燃料電池セル積層体と、
前記燃料電池セル積層体の端部に配置されたエンドプレートと、
を備え、
前記エンドプレートは、
金属製の板状本体と、
前記板状本体の面に形成された樹脂層と、
を有し、
前記板状本体は、
反応ガスおよび冷却媒体用の流路孔と、
前記板状本体の前記面から隆起する筋形状の凸部であって、前記流路孔を含む内側領域と、前記内側領域の外側の外側領域と、に区画する凸部と、
を有し、
前記凸部は、
前記板状本体の前記面から隆起した垂直部と、
前記垂直部の先端から前記内側領域側に張り出した出っ張り部と、
を有し、
前記樹脂層は、前記内側領域に形成され、前記垂直部における前記内側領域側の面と、前記出っ張り部の少なくとも一部と、を覆う、
燃料電池スタック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）本発明の一形態は、燃料電池スタックである。この燃料電池スタックは、燃料電池セル積層体と、前記燃料電池セル積層体の端部に配置されたエンドプレートと、を備える。前記エンドプレートは、金属製の板状本体と、前記板状本体の面に形成された樹脂層と、を有する。前記板状本体は、反応ガスおよび冷却媒体用の流路孔と、前記板状本体の前記面から隆起する筋形状の凸部であって、前記流路孔を含む内側領域と、前記内側領域の外側の外側領域と、に区画する凸部と、を有する。前記凸部は、前記板状本体の前記面から隆起した垂直部と、前記垂直部の先端から前記内側領域側に張り出した出っ張り部と、を有する。前記樹脂層は、前記内側領域に形成され、前記垂直部における前記内側領域側の面と、前記出っ張り部の少なくとも一部と、を覆う。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月9日(2018.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図２は、発電時に始動発電機用三相回転電機に入力されるフリクションを示したグラフであり、縦軸を始動発電機用三相回転電機に入力されるフリクション［Ｗ］、横軸をフライホイールの回転速度［ｒ／ｍｉｎ］としたときのフリクションの変化を示すグラフである。また、このグラフは、本実施形態の始動発電機用三相回転電機１と、一般的な始動発電機用三相回転電機とを比較している。なお、ここでいう一般的な始動発電機用三相回転電機とは、磁極数が１２極に対してティース１６の数（スロット数）が１８個に設定された始動発電機用三相回転電機である。また、この一般的な始動発電機用三相回転電機のティースには、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相が、周方向にこの順で割り当てられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図２に示すように、本実施形態の始動発電機用三相回転電機１は、発電時、一般的な始動発電機用三相回転電機と比較して、フリクションが低減されている、すなわち、発電機として動作されているときの負荷が小さくなっていることが確認できる。