【手続補正書】
【提出日】平成30年10月15日(2018.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上で堆積を行う方法であって、
半導体基板上に選択的に材料を堆積させ、前記基板は、核生成遅延差異にしたがって、上に堆積される材料に対応して異なる核生成遅延を有する複数の基板材料を含み、
前記基板材料間の前記核生成遅延差異を再確立するために、前記基板上に堆積された前記材料の一部分をエッチングし、
前記材料を、前記基板上に更に選択的に堆積させる、
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
上への堆積が意図される第１の基板材料に関係付けられた核生成遅延は、上への堆積が意図されない第２の基板材料に関係付けられた核生成遅延よりも少ない、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記核生成遅延差異は、前記堆積の進行に伴って低下する、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記エッチングは、サイクル単位で実施され、一サイクルは、前記基板の表面を改質するために前記基板をエッチングガスに暴露し、前記改質された表面の少なくとも一部を除去するために前記基板を除去用ガスに暴露する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記堆積は、サイクル単位で実施され、一サイクルは、前記基板の表面を改質するために前記基板を堆積前駆体に暴露し、前記材料を堆積させるために前記基板を還元剤に暴露する、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板上に選択的に前記材料を堆積させ、前記堆積された材料の一部分をエッチングすることの繰り返しは、対応して堆積選択性を断絶させることなく前記堆積される材料を厚くする、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板上に選択的に前記材料を堆積させ、前記堆積された材料の一部分をエッチングすることの繰り返しは、的を外れた堆積を阻止する、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
堆積される前記材料は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数の基板材料は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）、シリコン炭化物（ＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、及び窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる群より選択される、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数の基板材料は、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及び酸化スズ（ＳｎＯ2）からなる群より選択される、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数の基板材料は、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、シリコン（Ｓｉ）、及び炭素（Ｃ）からなる群より選択される、方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の方法であって、
トリメチルアルミニウムが、堆積される前記窒化アルミニウムのためのアルミニウムを提供する、方法。
【請求項１３】
方法であって、
（ａ）チャンバに収容されている基板を、前記基板を覆う膜を堆積させるために第１の反応剤と第２の反応剤との交番パルスに暴露し、前記基板は、上への前記膜の堆積が意図される第１の基板材料と、上への前記膜の堆積が意図されない第２の基板材料とを有し、前記第２の基板材料は、前記第１の基板材料とは異なり、前記第１の基板材料の場合の前記核生成遅延は、前記堆積の進行によって低下する核生成遅延差異にしたがって、前記第２の基板材料の場合の前記核生成遅延よりも少なく、
（ｂ）チャンバに収容されている基板を、前記堆積された材料の一部分をエッチングして前記第１の基板材料と前記第２の基板材料との間の前記核生成遅延差異をリセットするためにエッチングガスと除去用ガスとの交互バルスに暴露する、
方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、更に、
前記同じチャンバ内で（ａ）と（ｂ）とを繰り返す、方法。
【請求項１５】
基板を処理するための装置であって、
それぞれがチャックを有する１つ以上の処理チャンバと、
前記処理チャンバ内へ通じる１つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、
プロセッサ及びメモリを有するコントローラであって、
前記プロセッサ及びメモリは、通信可能方式で互いに接続され、
前記プロセッサは、少なくとも動作可能方式で前記流量制御ハードウェアに接続され、
前記メモリは、
上に堆積される材料に対応して異なる核生成遅延を核生成遅延差異にしたがって有する複数の基板材料を含む半導体基板上に選択的に材料を堆積させ、
前記基板上に堆積された前記材料の一部分を、前記基板材料間の前記核生成遅延差異を再確立するためにエッチングし、
前記材料を、前記基板上に更に選択的に堆積させる、
ことによって前記流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように前記プロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納する、コントローラと、
を備える装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置であって、
半導体基板上に選択的に材料を堆積させ、前記基板上に堆積された前記材料の一部分のエッチングは、真空状態のまま実施する、装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の装置であって、
前記メモリは、
（ａ）チャンバに収容されている基板を、前記基板を覆う膜を堆積させるために第１の反応剤と第２の反応剤との交番パルスに暴露し、前記基板は、上への前記膜の堆積が意図される第１の基板材料と、上への前記膜の堆積が意図されない第２の基板材料とを有し、前記第２の基板材料は、前記第１の基板材料とは異なり、前記第１の基板材料の場合の前記核生成遅延は、前記堆積の進行にしたがって低下する核生成遅延差異にしたがって、前記第２の基板材料の場合の前記核生成遅延よりも少なく、
（ｂ）チャンバに収容されている基板を、前記堆積された材料の一部分をエッチングして前記第１の基板材料と前記第２の基板材料との間の前記核生成遅延差異をリセットするためにエッチングガスと除去用ガスとの交互バルスに暴露する、
ことによって前記流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように前記プロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納する、  装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の装置であって、更に、
前記同じチャンバ内で（ａ）と（ｂ）とを繰り返す装置。
【請求項１９】
請求項１７に記載の装置であって、
前記（ａ）及び（ｂ）は、真空状態のまま実施される、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
別の一態様は、基板を処理するための装置に関わり、該装置は、それぞれがチャックを有する１つ以上の処理チャンバと、処理チャンバ内へ通じる１つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、プロセッサ及びメモリを有するコントローラと含み、プロセッサ及びメモリは、通信可能方式で互いに接続され、プロセッサは、少なくとも動作可能方式で流量制御ハードウェアに接続され、メモリは、上に堆積される材料に対応して異なる核生成遅延を核生成遅延差異にしたがって有する複数の基板材料を含む半導体基板上に選択的に材料を堆積させ、基板上に堆積された材料の一部分を、基板材料間の核生成遅延差異を再確立するためにエッチングし、材料を、基板上に更に選択的に堆積させる、ことによって流量制御ハードウェアを少なくとも制御するようにプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
別の一態様は、基板を処理するための装置に関わり、該装置は、それぞれがチャックを有する１つ以上の処理チャンバと、処理チャンバ内へ通じる１つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、プロセッサ及びメモリを有するコントローラと含み、プロセッサ及びメモリは、通信可能方式で互いに接続され、プロセッサは、少なくとも動作可能方式で流量制御ハードウェアに接続され、メモリは、チャンバに収容されている基板を、その基板を覆う膜を堆積させるために第１の反応剤と第２の反応剤との交番パルスに暴露し、基板は、上への膜の堆積が意図される第１の基板材料と、上への膜の堆積が意図されない第２の基板材料とを有し、第２の基板材料は、第１の基板材料とは異なり、第１の基板材料の場合の核生成遅延は、堆積の進行によって低下する核生成遅延差異にしたがって、第２の基板材料の場合の核生成遅延よりも少なく、チャンバに収容されている基板を、堆積された材料の一部分をエッチングして第１の基板材料と第２の基板材料との間の核生成遅延差異をリセットするためにエッチングガスと除去用ガスとの交互バルスに暴露する、ことによって流量制御ハードウェアを少なくとも制御するようにプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）を堆積させるための一ＡＬＤサイクルの代表的な説明図を示している。図３０４ａ〜３０４ｅは、一般的なＡＬＤサイクルを示している。３０４ａでは、多数のシリコン原子を含むシリコン基板が提供される。３０４ｂでは、酸素ラジカルとして酸素が基板に導入され、これらの酸素ラジカルは、基板の表面を改質する。これが、反応剤及びプラズマの配送であってよい。なお、例として、一部の酸素ラジカルが基板の表面上に吸着されることに留意せよ。３０４ｃでは、酸素ラジカルは、チャンバからパージされる。３０４ｄでは、シリコン含有前駆体、すなわちシリコン源が導入され、該シリコン源は、基板の表面上に吸着された酸素ラジカルと反応する。３０４ｅでは、チャンバはパージされ、副生成物は除去され、ＳｉＯ2の堆積層が残される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
堆積材料としてのＳｉＯ2の選択に代わり、一部の実施形態では、（Ａｌ）及び／又は銅（Ｃｕ）などの金属が、動作１０４中に、堆積が意図される第１の基板表面上にＡＬＤを通じて堆積される。一部の実施形態では、第１の基板表面は、実質的に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で構成されてよい。更に、トリメチルアルミニウム（Ａｌ2（ＣＨ3）6）が、例えば次の核生成遅延が観察される実質的にＡｌＮを含む基板上に堆積させるための堆積材料として必要とされるＡｌを供給するための適切な前駆体を提供してよい。具体的には、Ａｌ2（ＣＨ3）6は、比較的制御されたやり方で、例えば２５０℃から３５０℃にかけての温度で堆積されてよい。３５０℃より上では、分解が観察される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図２の動作２１０では、エッチング化学剤がチャンバ内に導入される。本書で説明されるように、プラズマを使用した原子層エッチングを伴う一部の実施形態において、材料がチャンバ内に導入される動作では、リアクタ又はチャンバは、基板又はウエハの処理に先立ってチャンバに化学剤を導入することによって安定化されてよい。チャンバの安定化は、安定化に続く動作で使用される化学剤と同じ流量、圧力、温度、及びその他の条件を使用してよい。一部の実施形態では、チャンバの安定化は、異なるパラメータを伴ってよい。一部の実施形態では、動作１１０中に、Ｎ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ、及びこれらの組み合わせなどのキャリアガスが継続的に流される。一部の実施形態では、キャリアガスは、除去中にのみ使用される。キャリアガスは、後述のような一部の動作では、パージガスとして使用されてよい。一部の実施形態では、改質された層を除去するために、動作１１０中に、酸素などの別の反応剤ガスが使用される。一部の実施形態では、キャリアガスは、除去中に流されない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
動作４０４では、基板は、第１の反応剤に、それを基板表面上の少なくとも一部に吸着させるために暴露される。この動作は、動作４００及び動作４０２の実施から真空を破ることなく実施されえる。一部の実施形態では、第１の反応剤は、本書で説明されるような第１の前駆体である。各種の実施形態では、第１の反応剤は、基板の活性部位上に吸着されえる。上述された、ＡＬＤサイクル中における吸着の例は、この動作に関わる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
図４に戻り、動作４０６が、基板が第２の反応剤に暴露されるように実施されてよい。各種の実施形態では、第２の反応剤は、還元剤であってよい。第２の反応剤は、吸着された層と反応し、基板上に薄膜を堆積させる。なお、一部の実施形態では、基板の表面上への第１の反応剤の吸着前に動作４０６が実施されるように、動作４０４と動作４０６とが逆に実施されてよいことも留意せよ。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
図４の動作４０４及び動作４０６は、必要があれば、１回以上にわたって繰り返されてよい。動作４０４及び動作４０６の実施は、図１Ａに関連して上述されたような一ＡＬＤサイクルを構成してよい。各種の実施形態では、動作４００〜４０６が、１回以上にわたって繰り返される。動作４００及び動作４０２の繰り返しサイクルと、動作４０４及び動作４０６の繰り返しサイクルとの組み合わせが、更なるサイクルで実施されてよい。例えば、一部の実施形態では、一サイクルが、動作４００〜４０２を１回実施すること、及び／又は動作４０４〜４０６を３回実施することを含んでよく、更に、２回以上にわたって繰り返されてよい。一部の実施形態では、動作４００〜４０２及び動作４０４〜４０６のサイクルが、順次実施される。例えば、動作４００〜４０２の実施後に動作４０４〜４０６が実施される、及び／又はその逆で実施される。一プロセスで使用されるサイクルの頻度及びサイクルの数は、開示される実施形態が使用される用途のタイプ次第であってよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
ＡＬＤプロセスステーション７００は、処理ガスを分配シャワーヘッド７０６
に配送するための反応物配送システム７０１ａと流体連通している。反応物配送システム７０１ａは、シャワーヘッド７０６に配送する用に、アミノシラン前駆体ガス、又は酸化剤ガス（例えばオゾン）、又はアンモニアガス及び／若しくは窒素ガスなどの処理ガスを混ぜ合わせる並びに／又は整えるための混合容器７０４を含む。１つ以上の混合容器入口弁７２０が、混合容器７０４への処理ガスの導入を制御してよい。窒素プラズマ及び／又はアンモニアプラズマも、シャワーヘッド７０６に配送されてよい又はＡＬＤプロセスステーション７００の中で生成されてよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
更に、一部の実施形態では、バタフライ弁７１８によって、プロセスステーション７００のための圧力制御が提供されてよい。図７の実施形態に示されるように、バタフライ弁７１８は、下流の真空ポンプ（不図示）によって提供される真空を絞り調節する。しかしながら、一部の実施形態では、プロセスステーション７００の圧力制御は、プロセスステーション７００に導入される１種類以上のガスの流量を変化させることによって調整されてもよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
上記のような、プラズマが使用されてよい一部の実施形態では、シャワーヘッド７０６及び台座７０８は、プラズマに電力供給するために、無線周波数（ＲＦ）電力供給部７１４及び整合回路網７１６と電気的に通信する。一部の実施形態では、プラズマエネルギは、プロセスステーション圧力、ガス濃度、ＲＦ源電力、ＲＦ源周波数、及びプラズマ電力パルスタイミングのうちの１つ以上を制御することによって制御されてよい。例えば、ＲＦ電力供給部７１４及び整合回路網７１６は、所望の組成のラジカル種を有するプラズマを発生させるために、任意の適切な電力で動作されてよい。適切な電力の例は、約１５０Ｗから約６０００Ｗである。プラズマは、シリコン窒化物上と比べてシリコン酸化物上に選択的にシリコン酸化物を堆積させるのに先立って、シリコン窒化物表面の処理中に使用されてよい。ＲＦ電力供給部７１４が、任意の適切な周波数のＲＦ電力を提供しえる。一部の実施形態では、ＲＦ電力供給部７１４は、高周波数ＲＦ電力源及び低周波数ＲＦ電力源を互いに独立に制御するように構成されてよい。低周波数ＲＦ周波数の例として、０ｋＨｚから５００ｋＨｚの間の周波数が挙げられる、ただし、これらに限定はされない。高周波数ＲＦ周波数の例として、１．８ＭＨｚから２．４５ＧＨｚの間の周波数、又は約１３．５６ＭＨｚを超える周波数、又は２７ＭＨｚを超える周波数、又は４０ＭＨｚを超える周波数、又は６０ＭＨｚを超える周波数が挙げられ、ただし、これらに限定はされない。表面反応のためのプラズマエネルギを提供するために、任意の適切なパラメータが離散的に又は連続的に調整されてよいことがわかる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
システムコントローラ８５０は、一部の実装形態では、システムと一体化された、システムに結合された、それ以外の形でシステムにネットワーク接続された、若しくはこれらの組み合わせである、コンピュータの一部であってよい、又はそのようなコンピュータに結合されてよい。例えば、システムコントローラ８５０は、「クラウド」の中、又はファブホストコンピュータシステムの全体若しくは一部の中にあってよく、これは、ウエハ処理の遠隔アクセスを可能にすることができる。コンピュータは、製作動作の現進行状況を監視するために、又は過去の製作動作の履歴を調査するために、又は複数の製作動作から傾向若しくは性能基準を調査するために、又は現行の処理のパラメータを変更するために、又は処理工程を設定して現行の処理を追跡するために、又は新しいプロセスを開始させるために、システムへの遠隔アクセスを可能にしえる。一部の例では、遠隔コンピュータ（例えばサーバ）が、ローカルネットワーク又はインターネットなどが挙げられるコンピュータネットワークを通じてシステムにプロセスレシピを提供することができる。遠隔コンピュータは、パラメータ及び／若しくは設定の入力又はプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでいてよく、これらのパラメータ及び／又は設定は、次いで、遠隔コンピュータからシステムに伝達される。一部の例では、システムコントローラ８５０は、１つ以上の動作の最中に実施されるべき各処理工程のためのパラメータを指定するデータの形式で命令を受信する。これらのパラメータは、実施されるプロセスのタイプに、及びシステムコントローラ８５０がインターフェース接続されるように又は制御するように構成されたツールのタイプに特有であることが、理解されるべきである。したがって、上述されたように、システムコントローラ８５０は、ネットワークによって結ばれて本書で説明されるプロセス及び制御などの共通の目的に向かって作業する１つ以上の個別のコントローラを含むなどによって分散されてよい。このような目的のための分散コントローラの一例は、（プラットフォームレベルで又は遠隔コンピュータの一部としてなどで）遠隔設置されてチャンバにおけるプロセスを協同で制御する１つ以上の集積回路とやり取りするチャンバ上の１つ以上の集積回路だろう。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
図９は、本明細書における特定の実施形態を実行するのに適した誘導結合プラズマ統合型エッチング・堆積装置９００の断面図を概略的に示しており、このような装置の一例は、カリフォルニア州フリーモントのＬａｍ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｃｏｒｐ．によって製造されるＫｉｙｏ（登録商標）リアクタである。一部の実施形態では、図１〜４との関連で提示及び説明されたＡＬＥが、主にＫｉｙｏ（登録商標）リアクタ上で行われてよい。誘導結合プラズマ装置９００は、チャンバ壁９０１と、チャンバ壁どうしの間に広がる窓９１１とによって構造的に画定された全体処理チャンバを含む。チャンバ壁９０１は、ステンレス鋼又はアルミニウムで作成されてよい。窓９１１は、石英又はその他の誘電材料で作成されてよい。随意の内部プラズマ格子９５０が、全体処理チャンバを上方サブチャンバ９０２とその下に位置決めされた下方サブチャンバ９０３とに分ける。更に、一部の実施形態では、プラズマ格子９５０が取り外されてよく、それによって、サブチャンバ９０２及び９０３の両方で形成されたチャンバ空間が利用される。下方サブチャンバ９０３内の内側の底面近くには、チャック９１７が位置決めされる。チャック９１７は、エッチングプロセス及び堆積プロセスが実施される半導体基板又はウエハ９１９を受けて保持するように構成される。チャック９１７は、ウエハ９１９が存在するときにそのウエハを支えるための静電チャックであることができる。一部の実施形態では、エッジリング（不図示）がチャック９１７を取り囲み、このエッジリングは、ウエハ９１９がチャック９１７の上に存在するときにそのウエハの上面とおおよそ同一面上にくる上面を有する。一部の実施形態では、チャック９１７は、また、ウエハを把持する及び解放するための静電電極も含む。この目的のために、フィルタ及びＤＣクランプ電源（不図示）が提供されてよい。ウエハ９１９をチャック９１７から持ち上げるための、その他の制御システムも提供できる。チャック９１７は、ＲＦ電源９２３を使用して電気的に充電できる。ＲＦ電源９２３は、接続９２７を通じて整合回路網９２１に接続される。整合回路網９２１は、接続９２５を通じてチャック９１７に接続される。このようにして、ＲＦ電源９２３は、チャック９１７に接続される。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
プラズマ生成のための構成要素には、窓９１１の上方に位置決めされるコイル９３３がある。コイル９３３は、導電性材料で作成され、少なくとも１回の完全な巻きを含む。図８に示されたコイル９３３の例は、３回の巻きを含む。コイル９３３の断面は、記号で示され、「Ｘ」を有するコイルは、ページに進入する方向に巻いており、「●」を有するコイルは、ページから突き出る方向に巻いている。プラズマ生成のための構成要素は、また、コイル９３３にＲＦ電力を供給するように構成されたＲＦ電源９４１も含む。総じて、ＲＦ電源９４１は、接続９４５を通じて整合回路網９３９に接続される。整合回路網９３９は、接続９４３を通じてコイル９３３に接続される。このようにして、ＲＦ電源９４１は、コイル９３３に接続される。コイル９３３と窓９１１との間には、随意のファラデーシールド９４９が位置決めされる。ファラデーシールド９４９は、コイル９３３に対して相隔てられた関係に維持される。ファラデーシールド９４９は、窓９１１の真上に設置される。コイル９３３、ファラデーシールド９４９、及び窓９１１は、例えば図９に示された構成において、それぞれ、互いに実質的に平行であるように構成される。ファラデーシールドは、プラズマチャンバの誘電体窓に金属又はその他の種が堆積するのを阻止しえる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
上方サブチャンバ内に位置決めされた１つ以上の主要ガスフロー入口９６０を通して、及び／又は１つ以上の脇ガスフロー入口９７０を通して、処理ガス（例えば、塩素、アルゴン、シリコン四塩化物、酸素、窒素など）が処理チャンバに流し込まれてよい。同様に、図には明示されていないが、同様のガスフロー入口が、処理ガスを容量結合プラズマ処理チャンバに供給するために使用されてよい。例えば１段階若しくは２段階の機械式ドライポンプ、及び／又はターボ分子ポンプ９４０などの真空ポンプが、処理ガスを処理チャンバ９００から引き出すために及び処理チャンバ９００内の圧力を維持するために使用されてよい。例えば、ポンプは、ＡＬＤのパージ動作中にチャンバ９０１を排気するために使用されてよい。真空ポンプによって提供される真空環境の適用を選択的に制御できるように、弁制御式の導管が、真空ポンプを処理チャンバに流体的に接続するために使用されてよい。これは、操作可能なプラズマ処理中に、絞り弁（図９には示されていない）又は振り子弁（図９には示されていない）などの閉ループ制御式流量制限機器を用いてなされてよい。同様に、容量結合プラズマ処理チャンバへの、真空ポンプ及び／又は弁によって制御される流体接続が使用されてもよい。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
ＩＣＰ装置９００の動作中は、１種類以上の処理ガスが、ガスフロー入口９６０及び／又は９７０を通じて供給されてよい。特定の実施形態では、処理ガスは、主要ガスフロー入口９６０を通じてのみ、又は脇ガスフロー入口９７０を通じてのみ供給されてよい。場合によっては、図に示されているガスフロー入口は、例えば、より複雑なガスフロー入口、及び／又は１つ以上のシャワーヘッドなどで置き換えられてよい。ファラデーシールド９４９及び／又は随意の格子９５０が、チャンバへの処理ガスの配送を可能にする内部通路及び穴を含んでいてよい。ファラデーシールド９４９及び随意の格子９５０は、そのいずれか又は両方が、処理ガスの配送のためのシャワーヘッドとして機能してよい。一部の実施形態では、液体反応物又は液体前駆体が、ひとたび気化されたらガスフロー入口９６０及び／又は９７０を通じてチャンバ内へ導入されるように、液体気化・供給システムが、チャンバ９００の上流に据えられてよい。液体前駆体の例として、ＳｉＣｌ4及びシリコンアミドがある。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
イオン−イオンプラズマの方が、陰イオン対陽イオンの比率が大きいが、上方の電子−イオンプラズマ及び下方のイオン−イオンプラズマは、ともに、陽イオン及び陰イオンを含みえる。エッチング及び／又は堆積による揮発性の副生成物が、ポート９２２を通じて下方サブチャンバ９０３から除去されてよい。本明細書で開示されるチャック９１７は、約１０℃から約２５０℃の範囲にわたる高温で動作してよい。温度は、プロセスの動作及び具体的なレシピに依存する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
チャンバ９００は、洗浄室内又は製作設備内に設置されるときに、設備（図９には示されていない）に接続されてよい。設備は、処理ガス、真空、温度制御、及び／又は環境粒子制御を提供する配管系統を含んでいてよい。これらの設備は、対象の製作設備内に設置されるときに、チャンバ９００に接続される。また、チャンバ９００は、移送チャンバに接続されてよく、該移送チャンバは、例えば一般的な自動化を使用してロボットがチャンバ９００に対して半導体ウエハを出し入れすることを可能にする。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
一部の実装形態では、システムコントローラ、又はコントローラ９３０は、システムの一部であってよく、該システムは、上述された例の一部であってよい及び／又は上述された例とそれ以外の形で統合されてよい。このようなシステムは、１つ以上の処理ツール、１つ以上のチャンバ、処理のための１つ以上のプラットフォーム、及び／又は特定の処理コンポーネント（ウエハ台座やガスフローシステムなど）を含む、半導体処理機器を含むことができる。これらのシステムは、半導体ウエハ又は基板の処理の前、最中、及び後にそれらの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と称されてよく、これは、１つ以上のシステムの様々なコンポーネント又は副部品を制御してよい。コントローラ９３０は、処理要件及び／又はシステムタイプに応じて、処理ガスの配送、温度の設定（例えば加熱及び／又は冷却）、圧力の設定、真空の設定、電力の設定、無線周波数（ＲＦ）発生器の設定、ＲＦ整合回路の設定、周波数の設定、流量の設定、流体配送の設定、位置及び動作の設定、ツールに対して並びに特定のシステムに接続された又はインターフェース接続されたその他の移送ツール及び／又はロードロックに対してウエハを出入りさせるウエハ移送などの、本書で開示されるプロセスのうちの任意を制御するようにプログラムされてよい。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
結論
以上の実施形態は、理解を明確にする目的で幾分詳細に説明されてきたが、特定の変更及び修正が、添付の特許請求の範囲内でなされてよいことが明らかである。本実施形態のプロセス、システム、及び装置を実現する多くの代替のやり方があることが、留意されるべきである。したがって、本実施形態は、例示的であって限定的ではないと見なされ、これらの実施形態は、本明細書で与えられた詳細に限定されない。例えば以下の適用例として実施しも差し支えない。
［適用例１］半導体基板上で堆積を行う方法であって、
半導体基板上に選択的に材料を堆積させ、前記基板は、核生成遅延差異にしたがって、上に堆積される材料に対応して異なる核生成遅延を有する複数の基板材料を含み、
前記基板材料間の前記核生成遅延差異を再確立するために、前記基板上に堆積された前記材料の一部分をエッチングし、
前記材料を、前記基板上に更に選択的に堆積させる、
方法。
［適用例２］適用例１に記載の方法であって、
上への堆積が意図される第１の基板材料に関係付けられた核生成遅延は、上への堆積が意図されない第２の基板材料に関係付けられた核生成遅延よりも少ない、方法。
［適用例３］適用例２に記載の方法であって、
前記核生成遅延差異は、前記堆積の進行に伴って低下する、方法。
［適用例４］適用例１に記載の方法であって、
前記エッチングは、サイクル単位で実施され、一サイクルは、前記基板の表面を改質するために前記基板をエッチングガスに暴露し、前記改質された表面の少なくとも一部を除去するために前記基板を除去用ガスに暴露する、方法。
［適用例５］適用例１に記載の方法であって、
前記堆積は、サイクル単位で実施され、一サイクルは、前記基板の表面を改質するために前記基板を堆積前駆体に暴露し、前記材料を堆積させるために前記基板を還元剤に暴露する、方法。
［適用例６］適用例１に記載の方法であって、
前記基板上に選択的に前記材料を堆積させ、前記堆積された材料の一部分をエッチングすることの繰り返しは、対応して堆積選択性を断絶させることなく前記堆積される材料を厚くする、方法。
［適用例７］適用例１に記載の方法であって、
前記基板上に選択的に前記材料を堆積させ、前記堆積された材料の一部分をエッチングすることの繰り返しは、的を外れた堆積を阻止する、方法。
［適用例８］適用例１に記載の方法であって、
堆積される前記材料は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である、方法。
［適用例９］適用例１に記載の方法であって、
前記複数の基板材料は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）、シリコン炭化物（ＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、及び窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる群より選択される、方法。
［適用例１０］適用例１に記載の方法であって、
前記複数の基板材料は、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及び酸化スズ（ＳｎＯ2）からなる群より選択される、方法。
［適用例１１］適用例１に記載の方法であって、
前記複数の基板材料は、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、シリコン（Ｓｉ）、及び炭素（Ｃ）からなる群より選択される、方法。
［適用例１２］適用例８に記載の方法であって、
トリメチルアルミニウムが、堆積される前記窒化アルミニウムのためのアルミニウムを提供する、方法。
［適用例１３］方法であって、
（ａ）チャンバに収容されている基板を、前記基板を覆う膜を堆積させるために第１の反応剤と第２の反応剤との交番パルスに暴露し、前記基板は、上への前記膜の堆積が意図される第１の基板材料と、上への前記膜の堆積が意図されない第２の基板材料とを有し、前記第２の基板材料は、前記第１の基板材料とは異なり、前記第１の基板材料の場合の前記核生成遅延は、前記堆積の進行によって低下する核生成遅延差異にしたがって、前記第２の基板材料の場合の前記核生成遅延よりも少なく、
（ｂ）チャンバに収容されている基板を、前記堆積された材料の一部分をエッチングして前記第１の基板材料と前記第２の基板材料との間の前記核生成遅延差異をリセットするためにエッチングガスと除去用ガスとの交互バルスに暴露する、
方法。
［適用例１４］適用例１３に記載の方法であって、更に、
前記同じチャンバ内で（ａ）と（ｂ）とを繰り返す、方法。
［適用例１５］基板を処理するための装置であって、
それぞれがチャックを有する１つ以上の処理チャンバと、
前記処理チャンバ内へ通じる１つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、
プロセッサ及びメモリを有するコントローラであって、
前記プロセッサ及びメモリは、通信可能方式で互いに接続され、
前記少なくとも１つのプロセッサは、少なくとも動作可能方式で前記流量制御ハードウェアに接続され、
前記メモリは、
上に堆積される材料に対応して異なる核生成遅延を核生成遅延差異にしたがって有する複数の基板材料を含む半導体基板上に選択的に材料を堆積させ、
前記基板上に堆積された前記材料の一部分を、前記基板材料間の前記核生成遅延差異を再確立するためにエッチングし、
前記材料を、前記基板上に更に選択的に堆積させる、
ことによって前記流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように前記少なくとも１つのプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納する、コントローラと、
を備える装置。
［適用例１６］適用例１５に記載の装置であって、
半導体基板上に選択的に材料を堆積させ、前記基板上に堆積された前記材料の一部分のエッチングは、真空状態のまま実施する、装置。
［適用例１７］適用例１５に記載の装置であって、
前記メモリは、
（ａ）チャンバに収容されている基板を、前記基板を覆う膜を堆積させるために第１の反応剤と第２の反応剤との交番パルスに暴露し、前記基板は、上への前記膜の堆積が意図される第１の基板材料と、上への前記膜の堆積が意図されない第２の基板材料とを有し、前記第２の基板材料は、前記第１の基板材料とは異なり、前記第１の基板材料の場合の前記核生成遅延は、前記堆積の進行にしたがって低下する核生成遅延差異にしたがって、前記第２の基板材料の場合の前記核生成遅延よりも少なく、
（ｂ）チャンバに収容されている基板を、前記堆積された材料の一部分をエッチングして前記第１の基板材料と前記第２の基板材料との間の前記核生成遅延差異をリセットするためにエッチングガスと除去用ガスとの交互バルスに暴露する、
ことによって前記流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように前記少なくとも１つのプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納する、  装置。
［適用例１８］適用例１７に記載の装置であって、更に、
前記同じチャンバ内で（ａ）と（ｂ）とを繰り返す装置。
［適用例１９］適用例１７に記載の装置であって、
前記（ａ）及び（ｂ）は、真空状態のまま実施される、装置。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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