【事件の表示】
　特許第５８４０３２８号発明「半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８４０３２８号の請求項に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５８４０３２８号の請求項１ないし４に係る特許についての出願（以下「本件出願」という。）は、平成２７年３月３１日（優先権主張平成２６年３月３１日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年１１月２０日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許に対し、特許異議申立人田中電子工業株式会社（以下「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件特許発明
　特許第５８４０３２８号の請求項１ないし４の特許に係る発明（以下「本件特許発明１」ないし「本件特許発明４」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　Ａｇ含有量が９０質量％以上である半導体装置用ボンディングワイヤであって、ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面であるワイヤ中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在せず、前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下であり、ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。
【請求項２】
　前記半導体装置用ボンディングワイヤは、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｎｉの１種以上を含み、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎを含む場合はそれらの合計が０．０１〜８質量％であり、Ｐｔ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｎｉを含む場合はそれらの合計が０．００１〜１質量％であり、残部がＡｇ及び不純物であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
【請求項３】
　前記不純物に含まれるＳが１質量ｐｐｍ以下、Ｃｌが０．５質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
【請求項４】
　１回以上の伸線加工を行う伸線工程を有し、前記伸線工程中に減面率が１５．５〜３０．５％である伸線加工を少なくとも１回有し、前記伸線工程の途中に１回以上の熱処理と伸線工程終了後に最終熱処理を行い、前記最終熱処理の直前の熱処理の温度が６００℃以上８００℃以下であり、前記最終熱処理の温度が３００℃以上６００℃未満であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法。」
第３　特許異議申立理由の概要
１　申立理由１　
　本件特許発明１ないし４は、甲第０２号証記載の発明、甲第０２号証ないし甲第１４号証の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本件特許発明１ないし４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により、取り消すべきものである。
［証拠方法］
　・甲第０１号証：特許５８４０３２８号公報（本件出願の特許公報）
　・甲第０２号証：特開２０１３−１３９６３５号公報（以下「刊行物１」という。）
　・甲第０３号証：米国特許８９４０４０３号公報（以下「刊行物２」という。）
　・甲第０４号証：古林栄一，“再結晶と材料組織”，内田老鶴圃，２０００年１２月１５日，ｐｐ．３−１０（以下「刊行物３」という。）
　・甲第０５号証：Ｈ．−Ｊ．Ｓｈｉｎ、外２名，“Ｄｅｆｏｍａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ｔｅｘｔｕｒｅｓ　ｏｆ　ｓｉｌｖｅｒ　ｗｉｒｅ”，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　Ａ，ＥＬＳＥＶＩＥＲ，２０００年２月２９日，Ｖｏｌ．２７９，ｐｐ．２４４−２５３，写し及び抄訳（以下「刊行物４」という。）
　・甲第０６号証：小菅張弓，“再結晶と金属組織の制御”，静岡新聞社，２００５年３月２０日，ｐｐ．１−２（以下「刊行物５」という。）
・甲第０７号証：Ｈｓｉｎｇ−Ｈｕａ　Ｔｓａｉ、外５名，“Ａｎ　Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ−Ｔｗｉｎｎｅｄ　Ａｇ−Ａｕ−Ｐｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ　Ｗｉｒｅ　ｆｏｒ　ＩＣ　ａｎｄ　ＬＥＤ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ”，２０１２　７ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ，Ｐａｃｋａｇｉｎｇ，Ａｓｓｅｍｂｌｙ　ａｎｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　（ＩＭＰＡＣＴ２０１２），ＩＥＥＥ，２０１２年１０月２６日，ｐｐ２４３−２４６，写し及び抄訳（以下「刊行物６」という。）
　・甲第０８号証：稲数直次，“金属引抜”，近代編集社，昭和６０年７月１日，ｐ１３１、ｐ１３２、ｐ１３８、ｐ１３９（以下「刊行物７」という。）
　・甲第０９号証：Ｔ．ＬＩ．Ｒｉｃｈａｒｄ，“ＰＲＥＦＥＲＲＥＤ　ＯＲＩＥＮＴＡＴＩＯＮ　ＩＮ　ＮＯＮ−ＦＥＲＲＯＵＳ　ＭＥＴＡＬＳ”，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ　ｉｎ　Ｍｅｔａｌ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，ＢＵＴＴＥＲＷＯＲＴＨＳ　ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ　ＰＵＢＬＩＣＡＴＩＯＮＳ，１９４９年８月，ｐｐ２８１−３０５，写し及び抄訳（以下「刊行物８」という。）
　・甲第１０号証：Ｈａｏ−Ｗｅｎ　Ｈｓｕｅｈ、外３名，“Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｆｌａｍｅ−ｏｆｆ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ａｎｄ　ｔｅｎｓｉｌｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｓｉｌｖｅｒ　ｂｏｎｄｉｎｇ　ｗｉｒｅｓ”，Ｍａｉｃｒｏｅｌｅｃｔｏｎｉｃｓ　Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ，ＥＬＳＥＶＩＥＲ，２０１１年１２月，Ｖｏｌ．５１，ｐｐ２２４３−２２４９，写し及び抄訳（以下「刊行物９」という。）
　・甲第１１号証：Ｓａｎｔｏｓｈ　Ｋｕｍａｒ、外５名，“Ｔｈｅｒｍｏｓｏｎｉｃ　ｂａｌｌ　ｂｏｎｄｉｎｇ　ｂｅｈａｖｉｏｒ　ａｎｄ　ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　ｓｔｕｄｙ　ｏｆ　Ａｇ　ａｌｌｏｙ　ｗｉｒｅ”，
２０１３　１４ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ，Ｐａｃｋａｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　（ＩＣＥＰＴ２０１３），ＩＥＥＥ，２０１３年８月１４日，ｐｐ２５４−２５９，写し及び抄訳（以下「刊行物１０」という。）
　・甲第１２号証：特許５８４０３２７号公報（以下「刊行物１１」という。）
　・甲第１３号証：日本塑性加工学会，“引抜き加工”，コロナ社，１９９０年１０月２５日，ｐｐ４３−４５、ｐｐ７４−７７（以下「刊行物１２」という。）
　・甲第１４号証：特開２０１２−９９５７７号公報（以下「刊行物１３」という。）
２　申立理由２
　本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載には不備があり、本件特許明細書は、その発明の属する技術分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確にかつ十分に記載したものとはいえない。
　したがって、本件特許発明１ないし４に係る特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願、または、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、同法第１１３条第４号の規定により、取り消すべきものである。
第４　当審の判断
１　申立理由１について
（１）刊行物に記載された発明
（１−１）　刊行物１に記載された事項
ア　刊行物１には、下記の事項が記載されている。（当審注：下線は当審により付加した。）
（ア）「【請求項１】
　銀−金合金、銀−パラジウム合金および銀−金−パラジウム合金よりなる群のうちの１つから選ばれる材料からなる合金線材であって、
　
前記合金線材が面心立方格子（face-centered cubic lattice）の多結晶構造を有するもので、かつ複数の結晶粒を含み、
　前記合金線材の中心部は細長い結晶粒または等軸結晶粒を含み、前記合金線材のその他の部分は等軸結晶粒からなり、
　焼なまし双晶（annealing twins）を含む前記結晶粒の数量が前記合金線材の前記結晶粒の総量の２０パーセント以上である
合金線材。
【請求項２】
　前記銀−金合金が０．０１から３０．００重量パーセントの金および残余の銀を含み、
　
前記銀−パラジウム合金が０．０１から１０．００重量パーセントのパラジウムおよび残余の銀を含み、
　前記銀−金−パラジウム合金が０．０１から３０．００重量パーセントの金、０．０１から１０．００重量パーセントのパラジウムおよび残余の銀を含む
請求項１に記載の合金線材。」
（イ）「【請求項１０】
　合金線材の製造方法であって、
　銀−金合金、銀−パラジウム合金および銀−金−パラジウム合金よりなる群のうちの１つから選ばれる材料で作られた太線材を準備する工程、
　Ｎ個の冷間加工成形工程により、前記太線材の線径を段階的に小さくして前記太線材よりも線径の小さい細線材を形成する工程であって、第（Ｎ−１）番目および第Ｎ番目の前記冷間加工成形工程のそれぞれにおいて、その直前の冷間加工成形工程による中間線材に対し変形量が１％から１５％であり、このうちＮは３以上の正の整数である、工程、ならびに
　各前記冷間加工成形工程の間および第Ｎ番目の前記冷間加工成形工程の後に、Ｎ個の焼きなまし工程を前記中間線材に対してそれぞれ行う工程であって、
　第（Ｎ−１）番目および第Ｎ番目の前記冷間加工成形工程の間の第（Ｎ−１）番目の前記焼きなまし工程は、焼きなまし温度０．５Ｔｍから０．７Ｔｍで焼きなまし時間１秒から１０秒間行い、このうちＴｍは前記太線材の前記材料のケルビン温度目盛（Kelvin temperature scale）における融点であり、かつ、
　第Ｎ番目の前記冷間加工成形工程の後の第Ｎ番目の前記焼きなまし工程は、第（Ｎ−１）番目の前記焼きなまし工程よりも高い２０Ｋから１００Ｋの焼きなまし温度で焼きなまし時間２秒から６０秒間行い、これによって面心立方晶相の多結晶構造を有すると共に複数の結晶粒を含む前記細線材となり、このうち前記細線材の中心部は細長い結晶粒または等軸結晶粒を含み、前記細線材のその他の部分は等軸結晶粒からなり、かつ前記結晶粒の少なくとも一部に焼きなまし双晶を形成しており、前記焼なまし双晶を含む前記結晶粒の数量が前記細線材の前記結晶粒の総量の２０パーセント以上である、工程、
を含む方法。」
（ウ）「【０００２】
　本発明は合金線材およびその製造方法に関し、より詳細には
電子素子のパッケージのワイヤボンディングに用いられる合金線材およびその製造方
（エ）「【０００４】
　金属線材の硬度は、ワイヤボンディング工程における熱プレス時にチップがクラックするのを回避し、かつ金属線材とボンドパッドの間の接触を良好とし優れた接合性を得るため、高すぎてはならない。さらに、パッケージングに用いるポリマー封止材は通常、腐食性の塩化物イオンを含み、かつ環境から水分を吸収する吸湿性を備えているため、金属線材は優れた抗酸化性および耐食性を備えている必要がある。
　・・・中略・・・
【０００７】
　ワイヤボンディングに用いるこれら従来の金属線材の内部組織はいずれも等軸の微細結晶粒（fine grains）である。かかる従来の微細結晶粒組織は、十分な引張強度と延性を提供することができるが、これら微細結晶粒間には大量の大傾角粒界（high angle grain  boundaries）が存在する。大傾角粒界は電子の輸送を阻むため、金属線材の電気抵抗率を高めると同時に、金属線材の熱伝導性を低下させてしまう。一方で、大傾角粒界はより高い界面エネルギーを有し、環境の酸化、硫化および塩化物イオンの腐食に有利な経路を提供するため、パッケージされた電子製品の信頼性を低下させてしまう。さらに、熱影響部は、ワイヤボンディング時に、第１のボンド（ボールボンド）付近の微細結晶粒組織を持つ金属線材に形成される傾向がある。このため、ワイヤボンディング強度が低下すると共に、パッケージされた半導体素子または発光ダイオードの使用中、電子マイグレーションが微細結晶粒組織を持つ金属線材に生じ易くなり、これらは全て、ワイヤボンディング技術を用いる従来のパッケージ製品の品質と信頼性の低下をもたらす主要な原因である。」
（オ）「【００４０】
　本発明の合金線材の特徴の１つは、当該合金線材が多結晶構造を有するもので、かつ複数の結晶粒を含むという点である。合金線材の中心部は細長い結晶粒を含み、合金線材のその他の部分は等軸結晶粒からなる。結晶粒の平均粒径は１μｍから１０μｍであり、０．５μｍから１μｍである従来のワイヤボンディング用の線材の平均粒径よりも若干大きい。これにより、本発明の合金線材の大傾角粒界の密度が減少し、上述した微細結晶粒間の大量の大傾角粒界に起因する欠点が低減されることとなる。
【００４１】
　本発明の合金線材のより重要な特徴は、本発明の合金線材の結晶粒の少なくとも２０パーセントが、その中に焼なまし双晶組織を含むという点である。
【００４２】
　焼なまし双晶組織の双晶境界は、低エネルギーのΣ３特殊粒界（special grain boundaries）に属するコヒーレント結晶（coherent crystal）構造である。双晶境界の界面エネルギーは一般の大傾角粒界のわずか５パーセントである（George E. Dieter, Mechanical Metallurgy, McGRAW-HILL Book Company,1976, P. 135-141参照)。双晶境界のより低い界面エネルギーは、双晶境界が酸化、硫化および塩化物イオンの腐食の経路となってしまうのを防ぎ、よってより優れた抗酸化活性および耐腐食性を提供する。」
（カ）「【００４４】
　まとめると、半導体素子および発光ダイオードの製品において本発明の合金線材をワイヤボンディング用の線材として用いる際に、本発明の合金線材は従来の金属線材よりも優れた品質および信頼性を提供する。
【００４５】
　さらに、効果を明らかとするため、本発明の合金線材の結晶粒の総量の少なくとも２０パーセントが、その中に焼なまし双晶組織を含んでいることが必要である。ワイヤボンディング用の従来の金属線材にて、焼なまし双晶組織はまれに見られる場合があるが、
焼なまし双晶組織を含む結晶粒の数量は、従来の線材の全ての結晶粒の１０パーセント以下である。よって、従来の金属線材は、本発明の合金線材により提供される上述の効果を提供することができない。」
（キ）「【００４８】
　その結果、焼なまし双晶が形成され、その対称な界面が双晶境界である。焼なまし双晶は主に、結晶格子配列が最も密な面心立方（ＦＣＣ）格子を有する材料に生じる。双晶境界は低エネルギーのΣ３特殊粒界であり、かつその結晶方位は全て｛１１１｝面である。」
（ク）「【００７３】
（実施例１）
　銀−８ｗｔ％・金−３ｗｔ％・パラジウム合金を高周波電気製錬（high frequency electric smelting）により製錬してから、連続鋳造により線径６ｍｍの太線材を形成する。その太線材は、複数の伸線・延伸（wire drawing elongation）および焼きなまし処理の工程の後に、線径２２．６μｍの細線材となり、続いて最後から２番目の伸線・延伸工程を行うことにより、線径２０μｍの細線材となる。次にその細線材を５３０℃で１．５秒間焼きなましてから、最後の伸線・延伸工程を行うことで、線径１７．５μｍの細線材になる。最後に、最後の焼きなまし処理の工程を焼きなまし温度５７０℃で４．８秒間、細線材に対して行う。最後の焼きなまし処理の工程が完了したら、細線材を巻き取り、そしてワイヤボンディングに用いる合金線材製品が完成する。」
（ケ）「【００７５】
　実施例１の本発明の合金線材の縦切り断面に沿った金属組織（Metallography structure）の写真は、本発明の合金線材の中心部にいくらかの細長い結晶粒が存在し、本発明の合金線材のその他の部分は等軸結晶粒からなっていたことを示しており、焼なまし双晶を含む結晶粒の数量は、本発明の合金線材の結晶粒の総量の３０パーセントよりも多かった。
【００７６】
　実施例１の本発明の合金線材の横断面に沿った金属組織の写真は、焼なまし双晶を含む結晶粒の数量が、本発明の合金線材の結晶粒の総量の４０パーセントより多いと見積もられることを示していた。」
（コ）「【００８２】
　さらに、図８Ａおよび８Ｂに示される分析結果を比較すると、本発明の実施例１の合金線材の図ははっきりとした｛１１１｝の結晶方位のスペクトル線を示していた。｛１１１｝のスペクトル線は焼なまし双晶の典型的な結晶方位のスペクトル線である。対照群の従来の合金線材のＸ線回折図中にははっきりとした｛１１１｝のスペクトル線は無かった。商用の４Ｎ純金線材およびパラジウムでコーティングされた銅線材のサンプルのＸ線回折図中にもはっきりとした｛１１１｝のスペクトル線は無かった。結果、本発明の実施例１の合金線材の材料中に大量の焼なまし双晶組織が存在していたことが確認された。」
イ　刊行物１に記載された発明
　上記アから、刊行物１には次の発明（以下「刊行物発明」という）が記載されているといえる。
「銀−パラジウム合金が０．０１から１０．００重量パーセントのパラジウムおよび残余の銀を含む合金線材であって、
　前記合金線材が面心立方格子（face-centered cubic lattice）の多結晶構造を有するもので、かつ複数の結晶粒を含み、
　前記合金線材の中心部は細長い結晶粒または等軸結晶粒を含み、前記合金線材のその他の部分は等軸結晶粒からなり、
　焼なまし双晶（annealing twins）を含む前記結晶粒の数量が前記合金線材の前記結晶粒の総量の２０パーセント以上である
電子素子のパッケージのワイヤボンディングに用いられる合金線材。」
（１−２）　刊行物２に記載された事項
ア　刊行物２には、下記の事項が記載されている。（当審注：翻訳は、特許異議申立書に添付された甲第０３号証の抄訳文に基づいて当審が記載したものである。）
（ア）「FIG. 8A  shows a photograph of a Metallography structure along a lengthwise cross-section of the inventive alloy wire of the example 1」 （第４欄５３行〜５５行）
（訳：「図８Ａは、本発明の実施例１の合金線材の長手方向に平行な方向の横断面に沿った、金相学構造の写真を示す。」）
（イ）「Example 1 
　A silver-8 wt % gold-3 wt % palladium alloy is smelted by high frequency electric smelting, followed by continuous casting to form a thick wire with a wire diameter of 6 mm. The thick wire becomes a fine wire with a wire diameter of 22.6 μm after a plurality of steps of wire drawing elongation and annealing treatment, followed by performance of the second-last step of wire drawing elongation, becoming a fine wire with a wire diameter of 20 μm. Next, the fine wire is annealed at 530℃. for 1.5 seconds, followed by performance of the last step of wire drawing elongation, becoming a fine wire with a wire diameter of 17.5 μm. Finally, the last step of the annealing treatment is performed on the fine wire at an annealing temperature of 570℃. for 4.8 seconds. Completing the last step of the annealing treatment, the fine wire is wound, and then an alloy wire product for wire bonding is complete.」（第１２欄３５行〜５２行）
（訳：「実施例１
　銀−８ｗｔ％・金−３ｗｔ％・パラジウム合金を高周波電気製錬により製錬してから、連続鋳造により線径６ｍｍの太線材を形成する。その太線材は、複数の伸線・延伸および焼きなまし処理の工程の後に、線径２２．６μｍの細線材となり、続いて最後から２番目の伸線・延伸工程を行うことにより、線径２０μｍの細線材となる。次にその細線材を５３０℃で１．５秒間焼きなましてから、最後の伸線・延伸工程を行うことで、線径１７．５μｍの細線材になる。最後に、最後の焼きなまし処理の工程を焼きなまし温度５７０℃で４．８秒間、細線材に対して行う。最後の焼きなまし処理の工程が完了したら、細線材を巻き取り、そしてワイヤボンディングに用いる合金線材製品が完成する。」）
（ウ）「As shown in  FIG. 9A , a photograph of a Metallography structure along a lengthwise cross-section of the conventional alloy wire of the control group showed that there were some slender grains mixed with a few coarse grains existing in the central part of the conventional alloy wire, and other parts of the conventional alloy wire consist of fine grain structures, wherein a quantity of the grains comprising annealing twins was only less than 10 percent of the total quantity of the grains of the conventional alloy wire.」（第１３欄１２行〜２０行）
（訳：「図９Ａに示すように、対照群の従来の合金線材の縦切り断面に沿った金属組織の写真は、従来の合金線材の中心部にいくらかの細長い結晶粒が少量の粗大な結晶粒と混ざって存在し、従来の合金線材のその他の部分は微細結晶粒組織からなっていたことを示しており、このうち焼きなまし双晶を含む結晶粒の数量は、従来の合金線材の結晶粒の総量の１０パーセント未満であった。」）
イ　刊行物２に記載された事項
　上記アから、刊行物２の図８Ａは、実施例１の合金線材の長手方向に平行な方向の横断面に沿った金相学構造の写真であり、該「実施例１」は、「ワイヤボンディングに用いる」「線径１７．５μｍ」の「合金線材」が「銀−８ｗｔ％・金−３ｗｔ％・パラジウム合金」から形成されたことが記載され、図９Ａは、従来の合金線材の合金線材の縦切り断面に沿った金相学構造の写真である。よって、刊行物２には、次の事項が記載されていると認められる。
「図８Ａの写真は、実施例１として、銀−８ｗｔ％・金−３ｗｔ％・パラジウム合金から形成された線径１７．５μｍのワイヤボンディングに用いる合金線材の長手方向に平行な方向の横断面に沿った、金相学構造の写真であり、図９Ａの写真は、従来の合金線材の合金線材の縦切り断面に沿った金相学構造の写真である。」
（１−３）　刊行物３に記載された事項
　刊行物３には、下記の事項が記載されている。
ア　「再結晶とは、格子欠陥を含まず熱力学的に安定な結晶粒が新たに形成し、変形を受けて欠陥密度の高い周囲の領域、すなわちマトリックス（ｍａｔｒｉｘ）を蚕食しながら成長することにより、その歪エネルギーを解消する現象をいう。・・・中略・・・これに対して回復とは、粒界の通過によらずに高歪状態から連続的に低歪状態に移行する現象である。」（５頁４行〜１１行）
イ　「正常結晶粒成長の過程で、ある条件が満たされると異常結晶粒成長が起きる。この再結晶粒の中の少数のものが他より急速に成長する現象を２次再結晶（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）ともいう。」（８頁下から２行〜９頁１行）
ウ　図１−２には、焼なまし時間と結晶粒径の関係からなる再結晶の進行段階を模式的に示した図が記載されている。
（１−４）　刊行物４に記載された事項
　刊行物４には、下記の事項が記載されている。（当審注：翻訳は、特許異議申立書に添付された甲第０５号証の抄訳文に基づいて当審が記載したものである。）
ア　「1. Introduction
　Silver wires show unusuial behavior in the texture evolution, when axisymmetrically drawn and annealed. The axial orientation of cold drawn wire of most f.c.c. metals is known to be major〈111〉+ minor〈100〉, regardless of the reduction degree.  However, cold drawn silver wires develop major〈111〉+minor〈100〉at low reductions (less than about 90%)as other f.c.c. metals，whereas they exhibit major〈100〉+ minor〈111〉at high reductions (99%).
　・・・　
　It is well known that the major〈111〉+ minor〈100〉textures of cold drawn f.c.c. metals changes to 〈100〉when they are recrystallized [5-7].  」　(２４４頁左欄本文１行〜同右欄下から３行)
（訳：「１．序論
　銀線は、軸対称に伸線して焼鈍を行うと、組織が独特の進展挙動を示す。大部分の面心立方（ｆｃｃ）金属は、冷間伸線すると、減少率にかかわらず、軸配向が〈１１１〉主配向＋〈１００〉副配向となることが知られている。しかしながら、冷間伸線した銀線は、減少率が低いと（約９０％未満）〈１１１〉主配向＋〈１１１〉副配向を呈し、減少率が高いと（９９％）〈１００〉主配向＋〈１１１〉副配向を示す。
　・・・中略・・・
　冷間伸線したｆｃｃ金属の〈１１１〉主配向＋〈１００〉副配向組織は、再結晶すると、〈１００〉に変化することがよく知られている［5-7］。」）
イ　「4.2 Recrystallization texture
　Fig. 8 shows the hardness of deformed silver wires as a function of annealing time at 250 and 300℃, indicating that recrystallization was completed after a few minutes.  Fig. 9 shows the microstructures of 99.99% silver wires annealed at 300℃for l h after 90 and 99% reductions, which clearly differ from those of cold worked specimens in Fig. 7.  Fig. 10 shows the annealing textures of drawn silver wires.  The texture of 99.95% silver wires drawn by 61 and 84%, followed by annealing at 250℃ for l h may be approximated by random orientation (Fig. 10(a)and (b)).  Silver wires with the〈111〉+〈100〉deformation texture (Fig. 5(d)) developed recrystallization textures of major〈100〉and minor〈111〉, or major〈100〉+ its twin component〈122〉and minor〈111〉(Fig.10(c)-(e)).  The near random orientation in Fig. 10(f) will be discussed later.  These results lead to the conclusion that the recrystalzation texture of the heavily drawn silver wires is 〈100〉regardless of relative intensity of 〈111〉and 〈100〉.」（２４８頁右欄８行〜２８行）
（訳：「４．２．再結晶組織
　図８は、変形を受けた銀線の硬度を、２５０℃および３００℃での焼鈍時間の関数として表したもので、数分後に再結晶が完了したことを示している。図９は、９０％および９９％の減少後に３００℃で１時間焼鈍した銀線（９９．９９％）の顕微鏡組織を示す。これらは、図７の冷間伸線した試験体とは明らかに異なっている。図１０は伸線した銀線の焼鈍組織を示す。６１％および８４％で伸線し、その後で２５０℃で１時間焼鈍した銀線（９９．９５％）の組織は、ランダム配向に近似しているかもしれない（図１０（ａ）、（ｂ））。〈１１１〉+〈１００〉変形組織を有する銀線（図５（ｄ））は、〈１００〉主配向と〈１１１〉副配向、または〈１００〉主配向＋その双晶成分〈１２２〉と〈１１１〉副配向の再結晶組織を形成した（図１０（ｃ）〜（ｅ））。図１０（ｆ）のランダムに近い配向については、後で考察する。これらの結果から、強伸線した銀線の再結晶組織は、〈１１１〉と〈１００〉の相対強度に関係しないと結論される。」）
ウ　「4.3. Growth texture
　Fig. 12 shows the ODFs and IPFs of 99% drawn 99.99% silver wire annealed at 600℃ for l min−200 h.  Their microstructures are shown in Fig. 13.  The specimen annealed at 600℃ for l min is almost completely recrystallized and has major〈100〉+ minor〈111〉as the specimens annealed at 300℃.  After annealing at 600℃ for 3 min, some grains show abnormal grain growth, indicating complete recrystallization, and the intensity of〈100〉component increased.  However, as the annealing time prolonged, the〈111〉orientation density became larger than the〈100〉orientation density, and the orientation density ratio of〈111〉to〈100〉increased, accompanied by grain growth.  It is noted that the annealing texture was diffuse at the transient stage from〈100〉to〈111〉（Fig.12（c）).  This seems to be case of Fig.10(f).」（２４９頁左欄２０行〜３６行）
（訳：「４．３．成長組織
　図１２は、９９％で伸線し、６００℃で１分〜２００時間焼鈍した銀線（９９．９９％）のＯＦＤとＩＰＦを示す。これらの顕微鏡組織は図１３に示す。６００℃で１分間焼鈍した試験体は、ほぼ完全に再結晶し、３００℃で焼鈍した試験体と同じく〈１００〉主配向＋〈１１１〉副配向を有している。６００℃で３分間焼鈍すると、一部の結晶粒が、完全な再結晶と、〈１００〉成分の強度増大を示す異常な結晶粒成長を示す。しかしながら、焼鈍時間が長くなるにしたがって、〈１１１〉配向密度が〈１００〉配向密度より大きくなり、粒成長に伴って、〈１００〉度比が増大した。〈１００〉から〈１１１〉への過渡段階で、焼鈍組織が拡散していたことが指摘される（図１２（ｃ））。これは、図１０（ｆ）の事例であるように思われる。」）
（１−５）　刊行物５に記載された事項
　刊行物５には、下記の事項が記載されている。
ア  「第１章　序論(Introduction)
１．１変形された材料の焼鈍（The annealing of a deformed material）　
１．１．１概要および用語（Outline and terminology）
結晶性材料の自由エネルギーハ変形時に転位および界面の存在によって上昇する、そしてこれらの欠陥を含有する材料は熱力学的に不安定である。
　・・・中略・・・・
高温度で冷間加工した金属を焼鈍すると、ミクロ組織および特性が転位の消滅および再配列が起こる回復(recovery)によってもとの値まで部分的に回復することがある。回復時のミクロ組織の変化は比載的均一であり、通常変形された結晶粒間の粒界には影響しない。回復によるミクロ組織の変化が図１．１ｂに図式的に示される。同じような回復過程はまた変形時、特に高温度での変形時にも起こりうる、この動的回復(dynamic recovery)は材料のクリープ(creep)および熱間加工(hot working)において重要な役割をはたす。
回復によって一般的に性質の部分的復帰がもたらされる、なぜならば転位組織が完全に除去されるのではなくて、準安定状態に達するからである(図１．１ｂ)。新しい転位のない結晶粒が変形または回復組織内に形成される再結晶(recrystallization)と称する更なる復帰過程が起こる(図１．１ｃ)。次いで新しい結晶粒はもとの古い結晶粒を消費する、その結果低転位密度を有する新しい結晶粒組織となる(図１．１ｄ)。再結晶は高温度での変形時に起こることがある、それでそれは動的再結晶(dynamic reaystallization)と名づけられる。
再結晶によって転位が除去されるが、その材料は依然として熱力学的に不安定な結晶粒界を有している。更に焼鈍すると結晶粒成長が起こることがある、結晶粒成長段階ではより小さな結晶粒は除かれ、より大きな結晶粒は成長し、結晶粒界はより低いエネルギー配列をとる(図１．１ｅ)。ある状況においては、この正常結晶粒成長(normal grain growth)が数個の大きな結晶粒の選択的成長、すなわち異常結晶粒成長(abnonnal grain growth)または二次再結晶(secondary resrystallization)として知られている過程に道を譲ることがある(図１．１ｆ)。」（１頁１行〜３６行）
イ　図1.1には、主な焼鈍過程である、(ａ)変形状態、(ｂ)回復状体、(ｃ)部分再結晶状態、(ｄ)完全再結晶状態、(ｅ)結晶粒成長、(ｆ)異常結晶粒成長、についてのそれぞれの図式図が記載されている。
（１−６）　刊行物６に記載された事項
　刊行物６には、下記の事項が記載されている。（当審注：翻訳は、特許異議申立書に添付された甲第０７号証の抄訳文に基づいて当審が記載したものである。）
ア　「Through the above innovative concepts for drawing and annealing processes, a new structure of Ag-Au-Pd bonding wire containing a mass of annealing twins has been manufactured.  Figure l shows the grain structure in the longitudinal cross-sections of an annealing twinned Ag-8Au-3Pd alloy wire.  For comparison, the grain structure of the conventional grained Ag-8Au-3Pd wire, 4N Au wire and Pd coated Cu wire are also demonstrated in Fig.1.  It is evidenced that the annealing twinned Ag-8Au-3Pd wire comprises slender grains in the central part of the wire and equi-axial grains around the central slender grains.  In addition, the percentage of annealing twins in this bonding wire is over 60%, which is much higher than those in the_other wires [14,15].」(２４４頁左欄下から１８行〜同下から７行)
（訳：「上記の伸線および焼鈍工程の革新的な概念を通じて、たくさんの焼鈍双晶があるAg-Au-Pdボンディングワイヤの新しい構造が製造された。図１にAg-8Au-3PD合金ワイヤ双晶ア二−リングの長手方向断面の結晶粒構造を示す。比較のため、従来の粒状のAg-8Au-3Pdワイヤ、4NAuワイヤおよびPd被覆Cuワイヤの結晶粒構造も図１に示す。焼鈍双晶によるAg-8Au-3Pdワイヤは、ワイヤの中央部に細長い粒子があり、その中央の細長い粒子の周りに等軸粒があることが証明される。しかも、このボンディングワイヤの焼鈍双晶の割合は、60%以上あり、他のワイヤよりもはるかに高い[14,15]。」）
イ　図１には、（ａ）焼鈍双晶によるAg-8Au-3Pd ワイヤ、（ｂ）従来の粒子によるAg-8Au-3Pd ワイヤ、（ｃ）4NAuワイヤ、（ｄ）Pd被覆Cuワイヤのそれぞれに、ボンディングワイヤの長手方向断面における粒子構造が記載されている。
ウ　図２には、６００℃×３０分間の高温貯蔵後の、（ａ）焼鈍双晶によるAg-8Au-3Pdワイヤ、（ｂ）これまでの粒子によるAg-8Au-3Pdワイヤ、（ｃ）4N Au ワイヤ、（ｄ）Pd被覆Cuワイヤのそれぞれに、ボンディングワイヤの長手方向断面における粒子構造が記載されている。
（１−７）　刊行物７に記載された事項
　刊行物７には、下記の事項が記載されている。
ア　「（iii）銀線材
　面心立方晶金属の中で、＜１００＞繊維軸成分の方が優勢な特異な金属として銀があげられる。
　小久保らは９５％の強加工を施した直径４ｍｍの銀線材の，種々の半径位置での繊維組織を調べた。
　図５．５（ａ），（ｂ），（ｃ）にその結果を示す。
　(ａ)は線材中心付近の｛１００｝極点図を示すが，＜１１１＞繊維軸成分として，{１１２}＜１１１＞方位を＜１１１＞軸まわりに回転したような拡がりが観察される。＜１００＞繊維軸成分もまた{００１}＜１００＞から{０１１}＜１００＞に至る拡がりが認められる。
　・・・中略・・・
　外周部では，（１１０）［００１］方位がかなりの集積度で形成されている。その他副方位的な存在として，＜１１１＞繊維軸成分も認められる。以上のように銀線材は＜１００＞繊維軸成分が主方向の二重繊維組織を呈することがわかる。」（１３８頁１４行から２８行）
イ　表５．１には、＜１００＞繊維軸の形成と積層欠陥エネルギとの関係の表において、金属が純度９９．９９％の銀の場合に、「English%Chinの資料」および「他研究者の資料」によると、＜１００＞繊維軸の百分率は９０％および１００％であることが記載されている。
（１−８）　刊行物８に記載された事項
　刊行物８には、下記の事項が記載されている。（当審注：翻訳は、特許異議申立書に添付された甲第０９号証の抄訳文に基づいて当審が記載したものである。）
ア　「TEXTURES AFTER ROCESSING
Textures in Drawn Wire-In wire drawing the metal crystals are deformed more or less in direct proportion to the deformation of the wire asａwhole and the initially equiaxial crystals are elongated into long filaments or fibres parallel to the wire axis.  The crystals also take up a definite orientation so that a particoilar crystal axis is paralld to the wire axis but quite randomly oriented about the axis, formiag a very well defined fibre texture.  Two types of orientation have been observed in varying proportions in drawn wires of face-centred cubic metals, namely with a〈100〉or〈111〉axis parallel to the wire axis.  Schmid and Wassermann quote relative proportions for different metals as in the following table:」(２８４頁２６行〜３７行)
（訳：「処理後の集合組織
伸線ワイヤの集合組織−ワイヤの引抜きでは、金属結晶が全体としてワイヤの変形に直接比例して多かれ少なかれ変形し、最初は等軸結晶としてのワイヤがワイヤ軸に平行な長いフィラメント状または繊維状に伸長する。結晶も限られた方位をとり、その結果、結晶軸はワイヤ軸に平行であるが軸周りにはまったくランダムであり、非常によく定義された繊維組織を形成する。面心立方金属の伸線ワイヤの比率が変化すると、２種類の方位、すなわち、ワイヤ軸に平行な＜１００＞または＜１１１＞軸が観察される。シュミットとヴァッサーマンは、次表のように様々な金属の相対的な割合を引用している。」）
イ　表１には、伸線ワイヤにおける＜１００＞組織と＜１１１＞組織の割合において、銀の場合、ワイヤ軸に平行な＜１００＞をもつものの割合が７５％であることが記載されている。
（１−９）　刊行物９に記載された事項
　刊行物９には、下記の事項が記載されている。（当審注：翻訳は、特許異議申立書に添付された甲第１０号証の抄訳文に基づいて当審が記載したものである。）
ア　「2. Experimental procedure
2.1 Annealing treatment and electric flame-off (EFO) process
  A silver ingot of 99.99% purity was drawn to thin silver wire with diameter φ=23 μm.  Three temperatures, 225℃, 250℃and 275℃, were chosen for the vacuum (10−３ Pa)annealing for the as-drawn wires.  The annealing time for the as-drawn wires was fixed at 30 min, and followed by air cooling to room temperature.  The melting of the wire tip was controlled by an EFO process using the thermosonic wire bonder machine (Shin-Mei-Hua: SPB-TS668)[11,12].  A schematic illustration (including electric flame-off wire, EFO)of the bonding process is shown in Fig. 1.」（２２４３頁右欄本文下から６行〜２２４４頁右欄５行）
（訳：「２．実験手順
２．１．焼鈍処理と電気トーチ（ＥＦＯ）工程
　純度９９．９９％の銀塊を、直径φ＝２３μmの細い銀線に伸線した。伸線後（熱処理前）の銀線の真空（１０−３Ｐａ）焼鈍について、２２５℃、２５０℃、２７５℃の３つの温度を選択した。伸線後の銀線の焼鈍時間は３０分間に設定し、その後で室温に空気冷却した。銀線先端の融解は、サーモソニックワイヤボンダ装置（Shin-Mei,Hua: SPB-TS668）を使用してＥＦＯ工程で制御した［11, 12］。ボンディング工程の概略図（電気トーチ線、ＥＦＯを含む）を図１に示す。」）
イ　「3.Results and discussion 
3.1. The microstructure and the mechanical properties of the silver wires
  The cross section microstructures of the as-drawn and annealed wires are shown in Fig. 3. The structure of the as-drawn wire contained some long, thin grains parallel to the direction of the wiredrawn process (see Fig. 3a).  Fig. 3b shows the structure of the 225℃annealed wire.  A few equiaxed grains were found in the inside of wire. The microstructures of both the 250℃and 275℃annealed wires are shown in Fig. 3c and Fig. 3d, revealing that they both contained fully annealing equiaxed grains and the grain size of annealed wire had increased with increasing the annealed ternperature from 225℃to 275℃.  In addition, the grain size and grain number of the silver wires were measured as shown in Fig.4 and some unusual large equiaxed grains were found in the 275℃annealed wire (see Fig. 4d, grain size 16-24 m).
  To investigate further, the micro-hardness was measured parallel to the wire direction on the cross section of the silver wires, as shown in Fig.5.  The evidence reveals that the hardness had a Vcurve tendency [13,14].  The hardness of the annealed wires had reduced significantly compared with the un-annealed wire.  Fig.6 shows a comparison of the tensile test results of the silver wires with various annealing temperatures.  The total elongation (TE) of the as-drawn wire was low at about 10%.  When the annealling temperature was 250℃, both the UTS and YS decreased and the elongation raised significantly (~17%).  At an even higher annealing temperature, the results of the 275℃ wire were still similar to those of the 250℃wire.  Notably, the 250℃wire possessed a fully annealed structure and higher ductility.  It can be inferred from what has been said above that a temperature of ~250℃is probably the recrystallization temperature of the as-drawn wire.」（２２４７頁右欄本文１行〜同３２行）
（訳：「３．結果と考察　
３．１．銀線の顕微鏡組織と機械的特性
　熱処理前および焼鈍した銀線断面の顕微鏡組織を図３に示す。熱処理前の銀線の構造には、伸線工程の方向に平行な細長い結晶粒がいくらか含まれていた（図３ａ参照）。図３ｂは、２２５℃で焼鈍した銀線の構造を示す。線内部に等軸粒がわずかに見られた。２５０℃と２７５℃で焼鈍した銀線の顕微鏡組織を図３ｃと図３ｄに示す。いずれも、完全に焼鈍された等軸粒を含み、焼鈍した銀線の粒度は、２２５℃から２７５℃に焼鈍温度が上昇するの
に伴って増大していた。さらに、銀線の粒度と粒数を測定した結果を図４に示す。２７５℃で焼鈍した銀線では、並外れて大きな等軸粒がいくつか見られた（図４ｄ参照、粒度:１６〜２４ｍ）。
　さらに調べるために、銀線の断面で、線方向に平行に微小硬度を測定し、図５に示す。この証拠から、硬度にＶカーブの傾向があったことが明らかとなる［13, 14］。焼鈍した銀線の硬度は、焼鈍していない銀線と比べて明らかに減少していた。図６は、さまざまな焼鈍温度の銀線を用いた引張試験の結果の比較を示す。熱処理前の銀線の全伸び（ＴＥ）は、約１０％と低かった。焼鈍温度が２５０℃では、極限引張強さ（ＵＴＳ）と降伏強度（YS）がいずれも低下し、伸び（ＥＬ）は有意に向上した（約１７％）。さらに高い焼鈍温度では、２７５℃で焼鈍した銀線が、２５０℃の銀線となおも同程度であった。特に、２５０℃の銀線は、完全に焼鈍した構造と高い延性を有していた。上述した内容から、約２５０℃の温度がおそらく熱処理前の銀線の再結晶温度であると推論できる。」）
ウ　「3.2. Electric flame-off (EFO)and heat-affected zone (HAZ) characteristics
　・・・
  The micro-hardness of the EFO as-drawn and EFO annealed wires are shown in Fig.9.  The average micro-hardness value of the as-drawn and 250℃annealed wires was Hv61.2±3.0 (Fig.9a) and Hv53.2±2.0 (Fig.9b) respectively.  Micro-hardness analysis of these wires after EFO revealed that the neck of the FAB (i.e., HAZ)was the weakest in strength.  Also, it can be seen from Fig.9 that the further away from the ball, the higher the hardness, until it reached the average value before EFO.  In the as-drawn and 250℃annealed wires, the length of the HAZ was 420 μm and 220 μm respectively.」（２２４７頁右欄本文３３行〜２２４８頁左欄本文３３行）
（訳：「３．２．電気トーチ（ＥＦＯ）と熱影響域（ＨＡＺ）特性
・・・中略・・・
　熱処理前およびＥＦＯ焼鈍した銀線の微小硬度を図９に示す。熱処理前および２５０℃で焼鈍した銀線の平均微小硬度値は、それぞれＨｖ６１．２±３．０（図９ａ）ａｎｄＨｖ５３．２±２．０ （図９ｂ）であった。ＥＦＯ後のこれらの銀線の微小硬度解析から、ＦＡＢのネック（すなわちＨＡＺ）の強度がもっとも弱かったことがわかった。また、図９から、ＥＦＯ前に平均値に達するまでは、ボールから離れるほど硬度が高いことがわかる。熱処理前および２５０℃で焼鈍した銀線では、ＨＡＺの長さは、それぞれ４２０μｍと２２０μｍであった。」）
（１−１０）　刊行物１０に記載された事項
　刊行物１０には、下記の事項が記載されている。（当審注：翻訳は、特許異議申立書に添付された甲第１１号証の抄訳文に基づいて当審が記載したものである。）
「III. RESULTS AND DISCUSSION
　The microstructure of surtace and cross-section of wire is shown in Fig. 1.
　It can be seen that the grain are elongated longitudinally along the drawing direction of the wire.・・・ Silver wires show unusual behavior in the texture evolution, when axisymmetrically drawn and annealed.  The cold drawn silver wires develop major〈111〉+ minor〈100〉at low reductions (less than about 90%) as other f.c.c. metals, whereas they exhibit major〈100〉+ minor 111＞at high reductions (99%) [11].  However, the〈100〉orientation developed as the recrystallization texture in both 90 and 99% deformed specimens when annealed at 250 and 300℃ for l h，which could be explained by the strain energy release maximization model [12].  Texture and grain size resulting from drawing and annealing affect the final properties of bonding wires and plastic deformation during second bond formation.」（２５５頁右欄１行〜２５６頁左欄２行）
（訳：「III. 結果と考察
　ワイヤの表面と断面の顕微鏡組織を図１に示す。
　結晶粒がワイヤの伸線方向に沿って縦方向に伸びているのがわかる。・・・中略・・・銀線は、軸対称に伸線して焼鈍すると、組織進展で異常な挙動を示す。冷間伸線した銀線は、低減少率（約９０％未満）では他のfcc金属と同じように＜１１１＞主配向＋＜１００＞副配向を呈するが、高減少率（約９９％）では＜１００＞主配向＋＜１１１＞副配向を示す［11］。しかしながら、９０％と９９％で変形を受けた試験体のいずれでも、２５０℃および３００℃で１時間焼鈍を行うと、再結晶組織として＜１００＞配向を呈した。これは、ひずみエネルギー解放最大化モデルで説明できるかもしれない［12］。伸線と焼鈍によって生じる組織と粒度は、ボンディングワイヤの最終特性と、第二の接合形成時の塑性変形に影響を及ぼす。」）
（１−１１）　刊行物１１に記載された事項
　刊行物１１は、半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法が記載された特許公報であるが、本件特許に係る出願の優先日後に頒布された刊行物である。
（１−１２）　刊行物１２に記載された事項
　刊行物１２には、下記の事項が記載されている。
「積層欠陥エネルギーと＜１００＞繊維軸の形成との関係を，Ｅｎｇｌｉｓｈらはアルミニウム，金，ニッケル，銅，銀の単体金属と，パーマロイ，銅合金，コバルト合金の強加工材（９８．５〜９９．８％）について調べ図４．３にまとめている。この図の特徴的なところは，銀線材の＜１００＞繊維軸成分の割合が最高値９０％を示し，この点を境に積層欠陥エネルギーの減少に伴って＜１００＞繊維軸成分が急激に低下していることである。」（７６頁６行〜同１６行）
（１−１３）　刊行物１３に記載された事項
　刊行物１３には、下記の事項が記載されている。
「【請求項１】
　銀（Ａｇ）を主成分とし、１００００〜９００００質量ｐｐｍの金（Ａｕ）、１００００〜５００００質量ｐｐｍのパラジウム（Ｐｄ）、１００００〜３００００質量ｐｐｍの銅（Ｃｕ）、１００００〜２００００質量ｐｐｍのニッケル（Ｎｉ）から選ばれた少なくとも１種以上の成分を含み、塩素（Ｃｌ）含有量が１質量ｐｐｍ未満であることを特徴とするボンディングワイヤ。」
（２）本件特許発明１について
ア　対比
　刊行物発明の「電子素子のパッケージ」は半導体装置の下位概念であり、刊行物発明の「ワイヤボンディングに用いられる合金線材」自体は、「ボンディングワイヤ」として用いられるものと認められるから、刊行物発明の「合金線材」は、下記の相違点を除いて本件特許発明１の「半導体装置用ボンディングワイヤ」に相当している。
　刊行物発明の「合金線材」である「銀−パラジウム合金」は、合金組成がは、「０．０１から１０．００重量パーセントのパラジウムおよび残余の銀を含む」ものであるから、銀の含有量は９０重量パーセント以上といえる。
　なお、本件特許発明１の「ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面であるワイヤ中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在せず」という事項、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下であり」という事項及び「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下である」という事項は、それぞれ、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」という特定の合金組成においての数値限定であると認められる。
　そうすると、本件特許発明１と刊行物発明は、下記の点で一致し、相違する。
（一致点）　
「Ａｇ含有量が９０質量％以上である半導体装置用ボンディングワイヤ。」
（相違点１）
　本件特許発明１は、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」であって、「ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面であるワイヤ中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在せず」というものであるのに対し、刊行物発明は、「前記合金線材の中心部は細長い結晶粒または等軸結晶粒を含」むものであるが、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「合金線材中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在」しないものであるか定かではない点。
（相違点２）
　本件特許発明１は、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」であって、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下であり」というものであるのに対し、刊行物発明は、「前記合金線材の中心部は細長い結晶粒または等軸結晶粒を含」むものであるが、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「合金線材中心断面における結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であるか定かではない点。
（相違点３）
　本件特許発明１は、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」であって、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下である」というものであるのに対し、刊行物発明は、「前記合金線材のその他の部分は等軸結晶粒からな」るものであるが、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「合金線材表面における結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であるか定かではない点。
イ　判断
（ア）相違点１について
　最初に、刊行物１ないし１０、１２及び１３に、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材にいて、「合金線材中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在」しないものが記載されているかを確認し、次に、刊行物発明が相違点１の構成を実質的に備えているものであるのか、また、刊行物発明が相違点１の構成を実質的に備えていない場合に、刊行物１ないし１０、１２及び１３の記載から、刊行物発明が相違点１の構成を備えるものとすることが容易であったかについて検討する。
（ａ）刊行物１に記載された結晶粒面積
　刊行物１には、合金線材の中心を含み合金線材の長手方向に平行な断面の具体例として、「第１の実施形態」の合金線材の縦切りの断面図が図１Ｂに記載され、「第２の実施形態」の合金線材の縦切りの断面図が図２Ｂが記載されている。
　そして、第１の実施形態及び第２の実施形態における「合金線材」の具体的な材料については、刊行物１の段落【００６８】に、
「銀−金合金が０．０１から３０．００重量パーセントの金および残余の銀を含み、銀−パラジウム合金が０．０１から１０．００重量パーセントのパラジウムおよび残余の銀を含み、銀−金−パラジウム合金が０．０１から３０．００重量パーセントの金、０．０１から１０．００重量パーセントのパラジウムおよび残余の銀を含むことが好ましい。」
と記載されているが、図１Ｂの断面図の「合金線材」が「銀が９０重量パーセント以上」であること、図２Ｂの断面図の「合金線材」が「銀が９０重量パーセント以上」であることは、刊行物１に記載されていない。
　また、第１の実施形態及び第２の実施形態における「合金線材」の結晶の具体的な大きさについては、刊行物１の段落【００４０】に、
「本発明の合金線材の特徴の１つは、当該合金線材が多結晶構造を有するもので、かつ複数の結晶粒を含むという点である。合金線材の中心部は細長い結晶粒を含み、合金線材のその他の部分は等軸結晶粒からなる。結晶粒の平均粒径は１μｍから１０μｍであり、０．５μｍから１μｍである従来のワイヤボンディング用の線材の平均粒径よりも若干大きい。」
と記載されているが、「細長い結晶粒」等の結晶粒の面積については記載されていない。
　さらに、第１の実施形態及び第２の実施形態における「合金線材」自体の具体的な大きさについては、刊行物１の段落【００３９】に「本発明の第１および第２の実施形態の合金線材１０および２０の線径は１０μｍから５０μｍである」ことが好ましいこと、刊行物１の段落【００５７】に「細線材の線径は１０μｍから５０μｍである」ことが好ましいことが記載されているものの、図１Ｂ及び図２Ｂの断面図の「合金線材」が、どのような線径のものであるかは記載されていないため、図１Ｂ及び図２Ｂに記載された個々の結晶粒の面積を判断することはできない。
　よって、刊行物１には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「合金線材中心断面に、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在しない」合金線材が記載されているとは認められない。
（ｂ）刊行物２に記載された結晶粒面積
　刊行物１の優先権主張の基礎出願の公報である刊行物２には、上記（ａ）で検討した刊行物１の図１Ｂ及び図２Ｂ以外に、図８Ａ、図９Ａに合金線材の縦切りの断面図が記載されている。
　そして、上記１（１）（１−２）イから、図８Ａは、「実施例１として、銀−８ｗｔ％・金−３ｗｔ％・パラジウム合金から形成された線径１７．５μｍの合金線材の長手方向に平行な方向の横断面に沿った、金相学構造の写真」であるが、「銀−８ｗｔ％・金−３ｗｔ％・パラジウム合金」の合金組成から判断すると、図８Ａに記載された合金線材は、「銀が９０重量パーセント以上」の実施例とは認められない。また、図９Ａは、「従来の合金線材の合金線材の縦切り断面に沿った金相学構造の写真」が記載されているが、具体的な合金組成については記載されていない。
　よって、刊行物２には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において「合金線材中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在しない」合金線材が記載されているとは認められない。
（ｃ）刊行物３ないし１０、１２及び１３に記載された結晶粒面積の確認
　上記（１）の（１−３）ないし（１−１０）、（１−１２）及び（１−３）から、刊行物３は焼なましによる再結晶について記載され、刊行物４は伸線した純度９０％以上の銀線の焼鈍による再結晶組織について記載され、刊行物５は冷間加工された金属の焼鈍過程での再結晶について記載され、刊行物６はＡｇ−８Ａｕ−３Ｐｄワイヤの焼鈍双晶について記載され、刊行物７は銀線材の＜１００＞繊維軸の形成が記載され、刊行物８は銀のワイヤの引抜きによる＜１００＞組織と＜１１１＞組織の割合が記載され、刊行物９は焼鈍前後で引張試験した純度９０％以上の銀ボンディングワイヤの伸びと硬度について記載され、刊行物１０は冷間伸線した銀線の焼鈍による再結晶組織について記載され、刊行物１２は銀線材の＜１００＞繊維軸成分の割合が９０％を示すことが記載され、刊行物１３は塩素の含有量が１質量ｐｐｍ未満の銀を主成分としたボンディングワイヤが記載されているが、これらいずれの刊行物にも、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材について、「
合金線材中心断面
長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ
２
以上である結晶粒が存在しないもの
　よって、刊行物３ないし１０、１２及び１３には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「合金線材中心断面に、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在しない」合金線材が記載されているとは認められない。
（ｄ）刊行物発明が相違点１の構成を実質的に備えているかについて
　上記（ａ）で検討したように、刊行物１には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「合金線材中心断面に、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在しない」ものについては記載されていないので、刊行物発明が相違点１の構成を実質的に備えているとはいえない。
（ｅ）相違点１の構成とすることの容易性について
　本件特許明細書には、「本発明は、リーニング不良とスプリング不良をともに改善したＡｇ又はＡｇ合金からなる半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法を提供することを目的とする。」（段落【００１４】）こと、「本発明は繊維状組織を存在させないことにより、スプリング不良発生を抑えることができる。」（段落【００２１】）ことが記載され、【表１−１】及び【表１−２】には、繊維状組織「なし」であることがリーニング不良とスプリング不良をともに改善する要素の一つであることが示されていることから、本件特許発明１は、「Ａｇ含有量が９０質量％以上である半導体装置用ボンディングワイヤ」において、「ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面であるワイヤ中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在せず」とすることを１つの要素とすることで、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」ことを実現しているものであるといえる。
　これに対して、刊行物１ないし１０、１２及び１３には、上記（ａ）ないし（ｃ）から、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「合金線材中心断面に、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在しない」ものが記載されているとは認められない。
　また、刊行物１には、段落【０００７】ないし【０００９】に、微細結晶粒間の大量の大傾角粒界による、金属線材の電気抵抗率を高め、熱伝導性を低下させる等の問題を解決すること、段落【００４０】に、合金線材の中心部は細長い結晶粒を含み、合金線材のその他の部分は等軸結晶粒からなり、結晶粒の平均粒径は従来よりも若干大きくすることで、「合金線材の大傾角粒界の密度が減少し、上述した微細結晶粒間の大量の大傾角粒界に起因する欠点が低減される」ことは記載されているが、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」ことは記載されておらず、また、合金線材の中心部に存在する「細長い結晶粒」の面積を制限することも記載されていない。
　してみると、刊行物１には、刊行物発明において、「合金線材中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在しないもの」とするための動機付けは存在しない。このことは、刊行物１の優先権主張の基礎出願の公報である刊行物２だけでなく、刊行物３ないし１０、１２及び１３も、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」ことは記載されておらず、合金線材の中心部に存在する「細長い結晶粒」の面積を制限することも記載されていないので、同様である。
　よって、刊行物発明には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において「合金線材中心断面に、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在しない」ものとする必要性は認められないこと、刊行物１ないし１０、１２及び１３には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において「合金線材中心断面に、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在しない」ものとすることは記載されていないと認められること、本件特許発明１は、相違点１の構成を１つの要素とすることで、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」ことを実現していることを踏まえると、刊行物１ないし１０、１２及び１３に接した当業者が、刊行物発明の半導体装置用ボンディングワイヤを、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において「合金線材中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在」しないものとすることは、容易に想到し得たとは認められない。
（ｆ）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、特許異議申立書の４（４）ウ（イ）（ａ）において、刊行物１（甲第０２号証）及び刊行物２（甲第０３号証）では、「甲第０２号証の図１Ｂは甲第０３号証の図８Ａに相当する。この図８Ａでも面積が１５μｍ２以上でない結晶粒しか確認することができない。」こと及び、「甲第０２号証の図１Ｂ・Ｃを観察すると、線径１７．５μｍの細線材（００７３段落）の中心断面には面積が１５μｍ２以上の結晶粒が存在しない」ことを主張し、特許異議申立書の４（４）ウ（イ）（ｂ）において、刊行物３（甲第０４号証）では、「構成要件Ｂは、同証９ページの『図１−２　再結晶の段階』に図示されているすべてのＡｇワイヤに当てはまる」こと、刊行物４（甲第０５号証）及び刊行物５（甲第０６号証）では「同様のことが甲第０５号証および甲第０６号証からもいえる」こと、刊行物６（甲第０７号証）では、「図２（ｂ）は面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在するが長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上でない。」ことを主張している。
　しかしながら、上記（ｅ）に記載したように、刊行物１ないし６には、「銀が９０重量パーセント以上」の合金線材において、「合金線材中心断面に、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在しない」ものとする合金線材の記載はなく、また、本件特許明細書の【表１−１】及び【表１−２】には、繊維状組織「なし」であることがリーニング不良とスプリング不良をともに改善する要素の一つであることが示されていることから、本件特許発明１は、相違点１の構成を１つの要素とすることで、「リーディング不良とスプリング不良をともに改善すること」を可能にしたものであるから、相違点１に係る構成は単なる設計事項であるとはいえないので、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
（イ）相違点２について
　最初に、刊行物１ないし１０、１２及び１３に、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材であって、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であるものが記載されているかを確認し、次に、刊行物発明が相違点２の構成を実質的に備えているものであるのか、また、刊行物発明が相違点２の構成を実質的に備えていない場合に、刊行物１ないし１０、１２及び１３の記載から、刊行物発明が相違点２の構成を備えるものとすることが容易であったかについて検討する。
（ａ）刊行物１の存在比率の記載の確認
　刊行物１の段落【００４８】に、
「その結果、焼なまし双晶が形成され、その対称な界面が双晶境界である。焼なまし双晶は主に、結晶格子配列が最も密な面心立方（ＦＣＣ）格子を有する材料に生じる。双晶境界は低エネルギーのΣ３特殊粒界であり、かつその結晶方位は全て｛１１１｝面である。」と記載され、段落【００７６】に、
「実施例１の本発明の合金線材の横断面に沿った金属組織の写真は、焼なまし双晶を含む結晶粒の数量が、本発明の合金線材の結晶粒の総量の４０パーセントより多いと見積もられることを示していた。」
と記載され、段落【００８２】に、
「さらに、図８Ａおよび８Ｂに示される分析結果を比較すると、本発明の実施例１の合金線材の図ははっきりとした｛１１１｝の結晶方位のスペクトル線を示していた。｛１１１｝のスペクトル線は焼なまし双晶の典型的な結晶方位のスペクトル線である。対照群の従来の合金線材のＸ線回折図中にははっきりとした｛１１１｝のスペクトル線は無かった。商用の４Ｎ純金線材およびパラジウムでコーティングされた銅線材のサンプルのＸ線回折図中にもはっきりとした｛１１１｝のスペクトル線は無かった。結果、本発明の実施例１の合金線材の材料中に大量の焼なまし双晶組織が存在していたことが確認された。」
と記載されている。
　しかしながら、段落【００４８】の記載は、「双晶境界」での結晶方位が「全て｛１１１｝面である。」ことが記載されているだけであり、段落【００７６】及び段落【００８２】は「銀が９０重量パーセント以上」ではない実施例１について記載したものである。
　よって、刊行物１には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であるものは、記載されていない。
（ｂ）刊行物２ないし１０、１２及び１３の存在比率の記載の確認
　刊行物１の優先権主張の基礎出願の公報でる刊行物２は刊行物１と同様のことが記載され、上記（１）の（１−３）ないし（１−１０）、（１−１２）及び（１−１３）から、刊行物３ないし１０、１２及び１３には、上記イ（ア）（ｃ）に記載した事項が記載されているものの、これらのいずれの刊行物にも、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材について、「前記
ワイヤ中心断面
結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下
　よって、刊行物２ないし１０、１２及び１３には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」の合金線材が記載されているとは認められない。
（ｃ）刊行物発明が相違点２の構成を実質的に備えているかについて
　上記（ａ）で検討したように、刊行物１には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」のものについては記載されていないので、刊行物発明が相違点２の構成を実質的に備えているとはいえない。
（ｄ）相違点２の構成とすることの容易性について
　本件特許明細書には、「本発明は、リーニング不良とスプリング不良をともに改善したＡｇ又はＡｇ合金からなる半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法を提供することを目的とする。」（段落【００１４】）こと、「断面＜１００＞方位比率が５０％未満であるとリーニング不良が発生することがあるので、断面＜１００＞方位比率は５０％以上とした。」（段落【００２０】）こと、「本発明は、断面＜１００＞方位比率と表面＜１００＞方位比率がともに５０％以上９０％以下であり、即ち両者の比率が同程度であって一定比率（９０％）以下のとき、２ｎｄ接合部の破断強度は適度な大きさであり、さらにミクロな部位による差が少なくなることから、スプリング不良が発生しにくくなる。」（段落【００２２】）ことが記載され、【表１−１】及び【表１−２】には、断面＜１００＞方位比率の数値がリーニング不良とスプリング不良をともに改善する要素の一つであることが示されていることから、本件特許発明１は、「Ａｇ含有量が９０質量％以上である半導体装置用ボンディングワイヤ」において、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」とすることを１つの要素とすることで、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」ことを実現しているものであるといえる。
　これに対して、刊行物２ないし１０、１２及び１３には、上記（ａ）及び（ｂ）から、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」のものが記載されているとは認められない。
　また、刊行物１には、微細結晶粒間の大量の大傾角粒界による、金属線材の電気抵抗率を高め、熱伝導性を低下させる等の問題を解決することは段落【０００７】ないし【０００９】に記載されているが、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」については記載されていない。
　してみると、刊行物１には、刊行物発明において、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」とするための動機付けは存在しない。このことは、刊行物２ないし１０、１２及び１３も、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」ことについては記載されていないので、同様である。
　よって、刊行物発明には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」とする必要性は認められないこと、刊行物１ないし１０、１２及び１３には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」とすることは記載されていないと認められること、本件特許発明１は、相違点２の構成を１つの要素とすることで、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」ことを実現していることを踏まえると、刊行物１ないし１０、１２及び１３に接した当業者が、刊行物発明の半導体装置用ボンディングワイヤを、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」とすることは、容易に想到し得たとは認められない。
（ｅ）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、特許異議申立書の４（４）ウ（ウ）において、刊行物７（甲第０８号証）では、「面心立方晶金属の場合、繊維組織成分は＜１１１＞十＜１００＞の二重組織を呈し、銀の場合＜１１１＞／＜１００＞＝２５／７５とされている。この記載内容から、銀の場合はワイヤ軸に平行な＜１００＞成分が７５％であることがわかる。」こと、刊行物８（甲第０９号証）では、「銀の場合ワイヤ軸に平行な＜１００＞結晶の割合が７５％であることが記載されている」こと、刊行物４（甲第０５号証）では、「・・・の結果から、強伸線した銀線の再結晶組織は、＜１１１＞と＜１００＞の相対強度に関係しないと結論される。」旨の記載から、相違点１の「合金線材中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在」しないものであることと、相違点２の「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であることが無関係であること、また、構成要件Ｃの下限値である「５０％」は臨界的異議を示すものではないこと、刊行物５（甲第０６号証）及び刊行物９（甲第１０号証）での銀ボンディングワイヤを焼鈍すことで伸びが向上したことは、「リーディング不良とスプリング不良を同時に改善することを可能にした」という作用・効果と同じ意味であること、刊行物６（甲第０７号証）の図１（ａ）と図１（ｂ）の合金も「結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であること、刊行物１０（甲第１１号証）の結論から構成要件Ｂと構成要件Ｃとは無関係であること、刊行物１２（甲第１３号証）から構成要件Ｃの上限値である「９０％」は臨界的異議を示すものではないことを主張している。
　しかしながら、上記（ｄ）に記載したように、刊行物１、刊行物４ないし１０及び１２には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」とする合金線材の記載はないものと認められ、本件特許明細書の【表１−１】及び【表１−２】には、本件特許発明１は相違点２の構成を１つの要素とすることで、「リーディング不良とスプリング不良をともに改善すること」を可能にしたものであるから、相違点２に係る構成は単なる設計事項であるとはいえないので、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
（ウ）相違点３について
　刊行物１ないし１０、１２及び１３に、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であるものが記載されているかを確認し、次に、刊行物発明が相違点３の構成を実質的に備えているものであるのか、また、刊行物発明が相違点３の構成を実質的に備えていない場合に、刊行物１ないし１０、１２及び１３から、刊行物発明が相違点３の構成を備えるものとすることが容易であったかについて検討する。
（ａ）刊行物１に記載された存在比率の確認
　刊行物１には、合金線材の表面を含み合金線材の長手方向に垂直な断面の具体例として、第１の実施形態の合金線材の横断面図が図１Ｃに記載され、第２の実施形態の合金線材の横断面図が図２Ｃが記載されている。
　そして、第１の実施形態及び第２の実施形態における「合金線材」の具体的な材料については、刊行物１の段落【００６８】に、
「銀−金合金が０．０１から３０．００重量パーセントの金および残余の銀を含み、銀−パラジウム合金が０．０１から１０．００重量パーセントのパラジウムおよび残余の銀を含み、銀−金−パラジウム合金が０．０１から３０．００重量パーセントの金、０．０１から１０．００重量パーセントのパラジウムおよび残余の銀を含むことが好ましい。」
と記載されているが、図１Ｃの横断面図の「合金線材」が「銀が９０重量パーセント以上」であること、図２Ｃの横断面図の「合金線材」が「銀が９０重量パーセント以上」であることは、記載されているとは認められない。
　よって、刊行物１には、「銀が９０重量パーセント以上」の合金線材において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」の合金線材が記載されているとは認められない。
（ｂ）刊行物２ないし１０、１２及び１３に記載にされた存在比率の確認
　刊行物１の優先権主張の基礎出願の公報でる刊行物２は刊行物１と同様のことが記載され、上記（１）の（１−３）ないし（１−１０）、（１−１２）及び（１−１３）から、刊行物３ないし１０、１２及び１３には、上記イ（ア）（ｃ）に記載した事項が記載されているものの、これらいずれの刊行物にも、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材について、「
ワイヤ表面
結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下
　よって、刊行物２ないし１０、１２及び１３には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」である合金線材が記載されているとは認められない。
（ｃ）刊行物発明が相違点３の構成を実質的に備えているかについて
　上記（ａ）で検討したように、刊行物１には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であるものは記載されていないので、刊行物発明が相違点３の構成を実質的に備えているとはいえない。
（ｄ）相違点３の構成とすることの容易性について
　本件特許明細書には、「本発明は、リーニング不良とスプリング不良をともに改善したＡｇ又はＡｇ合金からなる半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法を提供することを目的とする。」（段落【００１４】）こと、「表面＜１００＞方位比率を５０％以上とすると、リーニング不良を抑制できる。」（段落【００２０】）こと、「本発明は、断面＜１００＞方位比率と表面＜１００＞方位比率がともに５０％以上９０％以下であり、即ち両者の比率が同程度であって一定比率（９０％）以下のとき、２ｎｄ接合部の破断強度は適度な大きさであり、さらにミクロな部位による差が少なくなることから、スプリング不良が発生しにくくなる。」（段落【００２２】）こ
とが記載され、【表１−１】及び【表１−２】には、表面＜１００＞方位比率の数値がリーニング不良とスプリング不良をともに改善する要素の一つであることが示されていることから、本件特許発明１は、「Ａｇ含有量が９０質量％以上である半導体装置用ボンディングワイヤ」において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」とすることを１つの要素とすることで、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」ことを実現しているものであるといえる。
　これに対して、刊行物１ないし１０、１２及び１３には、上記（ａ）及び（ｂ）から、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」である合金線材が記載されているとは認められない。
　また、刊行物１には、微細結晶粒間の大量の大傾角粒界による、金属線材の電気抵抗率を高め、熱伝導性を低下させる等の問題を解決することは段落【０００７】ないし【０００９】に記載されているが、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」ことについては記載されていないので、刊行物１には、刊行物発明において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であるとするための動機付けは存在しない。このことは、刊行物２ないし１０、１２及び１３も、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」については記載されていないので、同様である。
　してみると、刊行物発明には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であるとする必要性は認められないこと、刊行物１ないし１０、１２及び１３には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であるとすることは記載されていないと認められること、本件特許発明１は、相違点３の構成を１つの要素とすることで、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善する」ことを実現していることを踏まえると、刊行物１ないし１０、１２及び１３に接した当業者が、刊行物発明の半導体装置用ボンディングワイヤを、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であるとすることは、容易に想到し得たとは認められない。
（ｅ）特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、特許異議申立書の４（４）ウ（ウ）において、刊行物７（甲第０８号証）では、「面心立方晶金属の場合、繊維組織成分は＜１１１＞十＜１００＞の二重組織を呈し、銀の場合＜１１１＞／＜１００＞＝２５／７５とされている。この記載内容から、銀の場合はワイヤ軸に平行な＜１００＞成分が７５％であることがわかる。」こと、また、図５．５（ｃ）に銀線材の外周部に｛１００｝面が強く現れていること、刊行物８（甲第０９号証）では、「銀の場合ワイヤ軸に平行な＜１００＞結晶の割合が７５％であることが記載されている」こと、刊行物４（甲第０５号証）では、「・・・の結果から、強伸線した銀線の再結晶組織は、＜１１１＞と＜１００＞の相対強度に関係しないと結論される。」旨の記載から、相違点１の「合金線材中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在」しないものであることと、相違点２の「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であることが無関係であること、また、構成要件Ｃの下限値である「５０％」は臨界的異議を示すものではないこと、刊行物５（甲第０６号証）及び刊行物９（甲第１０号証）での銀ボンディングワイヤを焼鈍すことで伸びが向上したことは、「リーディング不良とスプリング不良を同時に改善することを可能にした」という作用・効果と同じ意味であること、刊行物６（甲第０７号証）の図１（ａ）と図１（ｂ）の合金も「結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」であること、刊行物１０（甲第１１号証）の結論から構成要件Ｂと構成要件Ｃとは無関係であること、刊行物１２（甲第１３号証）から構成要件Ｃの上限値である「９０％」は臨界的異議を示すものではないことを主張している。
　しかしながら、上記（ｄ）に記載したように、刊行物１、刊行物４ないし１０及び１２には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材において、「ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」である合金線材の記載はなく、本件特許明細書の【表１−１】及び【表１−２】には、本件特許発明１は、相違点３の構成を１つの要素とすることで、「リーディング不良とスプリング不良をともに改善すること」を可能にしたものであるから、相違点３に係る構成は単なる設計事項であるとはいえないので、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
（エ）刊行物発明を相違点１ないし３に係る構成とすることの容易性
　本件特許明細書の「本発明は、リーニング不良とスプリング不良をともに改善したＡｇ又はＡｇ合金からなる半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法を提供することを目的とする。」（段落【００１４】）の記載から、本件特許発明１は「リーニング不良とスプリング不良をともに改善」することを発明の目的とするものであり、その目的を実現する構成として、相違点１ないし３に係る構成を備えたものである。
　上記（ア）ないし（ウ）では、刊行物１ないし１０、１２及び１３には、それぞれ相違点１ないし相違点３の記載がないことを理由に、刊行物発明を相違点１に係る構成とすること、刊行物発明を相違点２に係る構成とすること、刊行物発明を相違点３に係る構成とすることが、それぞれ当業者が容易に想到し得たとは認められないことを述べたが、本件特許発明１は、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善」するものであることを踏まえれば、刊行物発明が本件特許発明１を構成するためには、相違点１ないし相違点３を同時に満たすことが必要である。
　しかしながら、刊行物１ないし１０、１２及び１３には、「Ａｇ含有量が９０質量％以上」の合金線材を「半導体装置用ボンディングワイヤ」の用途とするに際して、「リーニング不良とスプリング不良をともに改善」するために、相違点１ないし相違点３を同時に満たす構成とすることは、記載も示唆もされていないことから、仮に、刊行物１ないし１０、１２及び１３に、相違点１、相違点２、または相違点３の何れかの構成について記載ないし示唆があったとしても、当業者が、刊行物発明を相違点１ないし３に係る構成とすることは容易に想到し得るものではない。
（オ）本件特許発明１のまとめ
　上記（ア）ないし（エ）から、本件特許発明１は、刊行物発明、刊行物１ないし１０、１２及び１３に記載された事項から、当業者が容易になし得るものではない。
　
（３）本件特許発明２ないし４について
　本件特許発明２ないし本件特許発明４は、本件特許発明１を更に減縮したものである。
　そうすると、上記本件特許発明１についての判断と同様の理由により、刊行物発明、刊行物１ないし１０、１２及び１３に記載された事項から、当業者が容易になし得るものではない。
（４）小括
　以上のとおり、請求項１ないし請求項４に係る発明は、刊行物発明、刊行物１ないし１０、１２及び１３に記載された事項から、当業者が容易になし得るものではない。
２　申立理由２について
（１）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人は、特許異議申立書の４（４）エにおいて、構成要件Ｂである「ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面であるワイヤ中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在せず」は、ボンディングワイヤにおいて「面積が１５μｍ２以上である結晶粒」が単独で存在し得るかどうか不明であり、構成要件Ｂの結晶方位と構成要件Ｃである「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下であり、ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下である」での結晶方位の関係が不明であり、構成要件Ｈである「前記伸線工程の途中に１回以上の熱処理と伸線工程終了後に最終熱処理を行い、前記最終熱処理の直前の熱処理の温度が６００℃以上８００℃以下であり、前記最終熱処理の温度が３００℃以上６００℃未満である」には熱処理時間が記載されていないことから、本件特許明細書は、特許法第３６条の規定に違反すると主張している。
（２）構成要件Ｂ及び構成要件Ｃについて
　本件特許明細書には、
「【００４２】
　［ボンディングワイヤの結晶組織］
　ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面（ワイヤ中心断面）及びワイヤ表面を観察面として、結晶組織の評価を行った。評価手法として、後方散乱電子線回折法（ＥＢＳＤ、Electron Backscattered Diffraction）を用いた。ＥＢＳＤ法は観察面の結晶方位を観察し、隣り合う測定点間での結晶方位の角度差を図示出来るという特徴を有し、ボンディングワイヤのような細線であっても、比較的簡便ながら精度よく結晶方位を観察できる。
【００４３】
　ワイヤ表面のような曲面を対象として、ＥＢＳＤ法を実施する場合には注意が必要である。曲率の大きい部位を測定すると、精度の高い測定が困難になる。しかしながら、測定に供するボンディングワイヤを平面に直線上に固定し、そのボンディングワイヤの中心近傍の平坦部を測定することで、精度の高い測定をすることが可能である。具体的には、次のような測定領域にすると良い。円周方向のサイズはワイヤ長手方向の中心を軸として線径の５０％以下とし、ワイヤ長手方向のサイズは１００μｍ以下とする。好ましくは、円周方向のサイズは線径の４０％以下とし、ワイヤ長手方向のサイズは４０μｍ以下とすれば、測定時間の短縮により測定効率を高められる。更に精度を高めるには、３箇所以上測定し、ばらつきを考慮した平均情報を得ることが望ましい。測定場所は近接しないように、１ｍｍ以上離すと良い。
【００４４】
　断面＜１００＞方位比率及び表面＜１００＞方位比率は、専用ソフト（例えば、TSLソリューションズ社製OIM analysis等）により特定できた全結晶方位を母集団として、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率（面積率）を算出した。繊維状組織については、専用ソフト（例えば、TSLソリューションズ社製OIM analysis等）によって、長径ａ、短径ｂの比ａ／ｂ及び結晶粒の面積を算出し、定義に従って繊維状組織の有無を評価した。」
と記載されている。
　上記には、ボンディングワイヤに対して後方散乱電子線回折法を実施し、実施結果にTSLソリューションズ社製OIM analysis等の専用ソフトを用いることで、断面＜１００＞方位比率及び表面＜１００＞方位比率を求め、長径ａ、短径ｂの比ａ／ｂ及び結晶粒の面積を算出して繊維状組織の有無を評価することが記載されている。
　また、「ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面であるワイヤ中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒」の記載では、「長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上」の形状と「１５μｍ２以上」の面積により結晶粒が明確に特定されており、「前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下未満であり、ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下である」の記載では、結晶方位＜１００＞及び結晶方位＜１００＞自体は明確であり、それらの存在比率も面積率で明確に特定されている。
　よって、本件特許発明１の構成要件Ｂ及び構成要件Ｃの記載事項は明確であり、さらに、これらの記載事項を実施するための方法も本件特許明細書には具体的に記載されていることから、本件特許明細書は、構成要件Ｂ及び構成要件Ｃについて、当業者が発明を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものといえる。
（３）構成要件Ｈについて
　さらに、本件特許明細書には、
「【００２７】
　本発明においては、伸線加工における減面率に工夫を加えるとともに、伸線途中及び伸線工程終了後に行う熱処理のパターンを限定することによりはじめて、繊維状組織を存在させず、同時に断面＜１００＞方位比率が５０％以上９０％以下であり、表面＜１００＞方位比率が５０％以上９０％以下とすることができた。そしてこれにより、リーニング不良とスプリング不良をともに抑制することができた。
【００２８】
　即ち、Ａｇ又はＡｇ合金素材を１回以上の伸線加工を行う伸線工程を有し、伸線工程中に減面率が１５．５〜３０．５％である伸線加工を少なくとも１回行う。さらに、伸線工程の途中に１回以上の熱処理を行い、伸線工程終了後にも熱処理（最終熱処理）を行う。最終熱処理直前の熱処理（最終前熱処理）温度を６００℃以上８００℃以下とし、最終熱処理温度を３００℃以上６００℃未満とすることにより、ワイヤ中心断面に繊維状組織が存在せず、表面＜１００＞方位比率と断面＜１００＞方位比率が上記本発明の好ましい範囲であるＡｇ又はＡｇ合金ボンディングワイヤとすることができる。減面率が１５．５〜３０．５％である伸線加工を少なくとも１回行うことにより、通常よりも繊維状組織の少ない結晶組織を実現することができ、その後の熱処理により繊維状組織が消滅しやすくなる。最終熱処理温度を３００℃以上とするのは、これにより断面＜１００＞方位比率を本発明の上限以下とすることができるからであり、６００℃未満とするのは、これにより断面＜１００＞方位比率を本発明の下限以上とすることができるからである。最終前熱処理温度を６００℃以上とするのは、ワイヤ全体を再結晶化させるためであり、８００℃以下とするのは、局所的に粗大な結晶粒が成長することを抑制するためである。」
ことが記載されている。
　上記には、「最終熱処理直前の熱処理」と「最終熱処理」の時間は記載されていない。しかしながら、「繊維状組織を存在させず、同時に断面＜１００＞方位比率が５０％以上９０％以下であり、表面＜１００＞方位比率が５０％以上９０％以下とする」ためには、「伸線加工における減面率に工夫を加えるとともに、伸線途中及び伸線工程終了後に行う熱処理のパターンを限定する」ことが必要であることが記載され、その具体的な熱処理パターンとして、「６００℃以上８００℃以下」の熱処理を最終熱処理直前に実施し、「３００℃以上６００℃未満」の熱処理温度を最終熱処理に実施することが記載されており、Ａｇ合金素材を熱処理すれば熱処理時間の経過に応じて結晶粒径が増大することを踏まえれば、「ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面であるワイヤ中心断面において、長径ａと短径ｂの比ａ／ｂが１０以上であって面積が１５μｍ２以上である結晶粒が存在せず、前記ワイヤ中心断面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下であり、ワイヤ表面におけるワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１００＞の存在比率が面積率で５０％以上９０％以下」となるボンディングワイヤの熱処理時間は、当業者が技術常識を参酌して適宜設定し得る程度のものと認められることから、本件特許明細書は、構成要件Ｈについて、当業者が発明を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていないとまではいえない。
（４）小括
　以上のとおり、本件特許明細書は、特許法第３６条第４項または第６項に規定する要件を満たしている。
第５　結言
　以上検討したとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし請求項４に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、他に請求項１ないし請求項４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１１月２日（２０１６．１１．２）