【事件の表示】
　平成１０年特許願第３５００９２号「電子部品の実装方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年６月２３日出願公開、特開２０００−１７４０５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続きの経緯の概要
　本願は平成１０年１２月９日の出願であって、平成１５年７月１５日付けで拒絶理由が通知され、平成１５年９月８日付けで手続き補正書が提出され、平成１５年９月２９に拒絶査定された後、平成１５年１１月６日に審判請求されるとともに、平成１５年１１月１９日付けで手続補正書が提出され、平成１６年１０月２９日付けで審尋がなされ、これに対して平成１６年１２月２０日付けで回答書が提出されたものである。
　　
ＩＩ．補正について
　上記平成１５年１１月１９日付けの手続補正書による補正は以下のとおりのものである。
(II-1)補正の内容
(ａ)特許請求の範囲の補正
(a-1)請求項１中の「電子部品に形成された金属の突出電極を基板の電極」を、「電子部品に形成された金の突出電極」と補正して、請求項１、２を以下のとおりに補正する。
「【請求項１】電子部品に形成された金の突出電極を基板の電極上に形成された半田の突出電極に接合することにより電子部品を基板に実装する電子部品の実装方法であって、前記電子部品を前記基板に搭載する際または搭載後に振動付与手段により電子部品に振動を付与する工程と、この電子部品が搭載された前記基板を加熱して前記半田バンプを溶融させるリフロー工程とを含むことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項２】前記リフロー工程は還元雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装方法。」
　　
(ｂ)特許請求の範囲以外の補正
(b-1)段落【０００５】中の「請求項１記載の電子部品の実装方法は・・・リフロー工程とを含む。」を、「請求項１記載の電子部品の実装方法は、電子部品に形成された金の突出電極を基板の電極上に形成された半田の突出電極に接合することにより電子部品を基板に実装する電子部品の実装方法であって、前記電子部品を前記基板に搭載する際または搭載後に振動付与手段により電子部品に振動を付与する工程と、この電子部品が搭載された前記基板を加熱して前記半田バンプを溶融させるリフロー工程とを含む。」と補正する。
(b-2)【００１５】中の「図２（ａ）・・・実装するものである。」を、「図２（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）は、本発明の実施の形態２の電子部品の実装方法の工程説明図である。本実施の形態２は、電子部品に形成された金の突出電極である金属バンプを、基板の電極上に形成された半田の突出電極としての半田バンプ（半田プリコートとも呼ばれる）に接合することにより、電子部品を基板に実装するものである。」と補正する。
(b-3)段落【００１６】を、「図２（ａ）において、基板１１上面の電極１２の表面には半田バンプの一種である半田プリコート１２ａが形成されている。基板１１上には、金属バンプ１４が形成された電子部品１３が搭載されている。金属バンプ１４は、半田接合性の良い金で形成されている。」と補正する。
(b-4)段落【００１９】を、「次に基板１１はリフロー工程に送られ、加熱により半田プリコート１２ａを溶融させて金属バンプ１４を電極１２と半田接合する。このとき、フラックスを使用する必要がないことおよびその効果については実施の形態１と同様である。なお、本実施の形態２に示すように、電子部品として金属バンプ１４が形成されたものを採用することにより、金属バンプ形成に際しワイヤボンディングなど簡略な工程手段によりバンプ形成が行え、したがって低コストで前述の効果を備えた電子部品の実装を行うことができるという利点を有している。」
　　
(II-2)補正の適否
（Ａ）補正の目的等
　補正事項ａは、電極材料を特定することにより特許請求の範囲を減縮することを目的とするものに該当し、また、補正事項ｂは、発明の詳細な説明の記載を上記補正事項ａと整合させるための明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。そして、これら補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の補正と認められる。
　　
（Ｂ）独立特許要件
(B-1)本願発明
　上記平成１５年１１月１９日付け手続補正書による補正後の発明は、当該補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「補正発明１」〜「補正発明２」という。）
「【請求項１】電子部品に形成された金の突出電極を基板の電極上に形成された半田の突出電極に接合することにより電子部品を基板に実装する電子部品の実装方法であって、前記電子部品を前記基板に搭載する際または搭載後に振動付与手段により電子部品に振動を付与する工程と、この電子部品が搭載された前記基板を加熱して前記半田バンプを溶融させるリフロー工程とを含むことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項２】前記リフロー工程は還元雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装方法。」
　
(B-2)証拠の記載事実
　前記平成１５年７月１５日付け拒絶理由通知に提示された本願出願前に頒布された刊行物である特開昭５４−８３３７４号公報（引用刊行物１）、特開平５−１９０６０１号公報（引用刊行物２）、及び特開平２−２８５６５１号公報（引用刊行物３）には、以下の事項の記載がある。
（１）引用刊行物１（特開昭５４−８３３７４号公報）
(1-1)「半導体などのフリップチップのボンディング作業において、チップと基板のはんだ接合部をはんだの融点以下の温度で予備加熱し、次に超音波振動など機械的な動きを何れか一方に与えて徐々に双方を接近させ、その機械的な動きではんだ表面の酸化膜を除去し、金はんだ接合点の酸化膜が除去された時点で、はんだ融点以上の温度で十分に加熱することによりはんだ接合部の溶融接合を行ない、フラックスなしではんだ溶融接合を行うことを特徴とするチップボンディング方法。」（第１頁特許請求の範囲）
(1-2)「本発明の目的は、前記フラックスを用いることなしにはんだの表面の酸化膜を除去し、はんだの溶融接合を行なうことにある。」（第１頁右下欄第９〜１１行）
(1-3)「はんだの表面の酸化膜を除去する方法として、まずはんだの破損を防止するために基板とチップの予備加熱を行ない、次に基板とチップを徐々に接近させ、接近金途中で超音波振動をチップに与える。このチップの振動により接触したはんだ表面の酸化膜は除かれる。更に接近させて全部の接合点のはんだ表面の酸化膜が除去されたとき、はんだ融点以上の温度で加熱し、フラックスを用いることなくはんだ溶融接合を行なう」（第１頁右下欄第１２〜２０行）
(1-4)「第３図はチップボンディング作業を行なうチップボンディング装置７を示し超音波振動棒８は基板４面と水平方向の超音波振動と基板４面と垂直方向の一般の下降と微少下降ができるものである。」（第２頁左上欄第４〜７行）
(1-5)「超音波振動棒８に超音波振動を与え、かつ微小降下を行わせる。チップ１と基板４双方のはんだ部２，５の接触した箇所のはんだの表面の酸化膜は剥離し、又超音波による摩擦熱ではんだ部２，５は１部溶解し接合する。」（第２頁左上欄第１６〜２０行）
(1-6)「はんだ部２，５を破損させることなくはんだ部の酸化膜を剥離させることができ、加熱によりはんだ部の溶融接合が可能となる。
　従って従来の方法で必要とされていたフラックスの塗布及び洗浄の工程を削除することが可能になり」（第２頁右上欄第９〜１５行）
　　
（２）引用刊行物２（特開平５−１９０６０１号公報）
(2-1)「【請求項２】チップ（１３ａ）の電極（１４ａ）上に形成された実装バンプ（１２ｂ）と、実装基板（１３ｂ）の対応する電極（１４ｂ）上に形成された実装バンプ（１２ｂ）とを位置決めして当接させる工程と、
該チップ（１３ａ）、該実装基板（１３ｂ）の何れかに超音波を印加して、それぞれの該実装バンプ（１２ｂ）同士の当接部を固着する工程と、
加熱によりそれぞれの該実装バンプ（１２ｂ）を溶融させて一体化し、該実装基板（１３ｂ）上に該チップ（１３ａ）を実装する工程と、
を含むことを特徴とするフリップチップ接合方法。」（請求項２）
(2-2)従来技術について、「チップ１３ａ上にはんだバンプ１２ｂを転写したものと、基板１３ｂの電極メタライズ１４ｂ上にはんだバンプ１２ｂを転写したものとを作製する。そして、チップ１３ａ上のはんだバンプ１２ｂと、基板１３ｂ上のはんだバンプ１２ｂとを位置合わせして当接させ（図３（Ｃ））、加熱により溶解して一体化させて接合を行うものである（図３（Ｄ））。」（摘記【0006】〜【0007】）
(2-3)「図１（Ｂ）に示すように、チップを実装基板上に実装する際に、チップと実装基板の実装バンプを当接させ、超音波を印加して各実装バンプ同士の当接部を固着する。すなわち、上述と同様に加熱前に仮止めを行う。そして、加熱により実装バンプを溶融一体化して実装を行う。」（段落【0016】）
(2-4)「【実施例】図２に、本発明の一実施例の工程図を示す。図２における（Ａ）〜（Ｃ）は転写時の工程図であり、（Ｄ）〜（Ｆ）は実装時の工程図である。なお、図３と同一の構成部分には同一の符号を付す。
　転写時について説明する。まず、図２（Ａ）において、チップ１３ａのシリコンウェハ上に模擬の電極メタライズ１４ａとして、ベタ膜でシリコンウェハ側からＴｉ（チタン），Ｐｔ（プラチナ），Ａｕ（金）の順でそれぞれ蒸着法によって1000Åずつ形成する一方、転写基板１１にガラスチップを用い６mm角のパターンの無いガラスチップ上に蒸着法で８０μm ，150 ピッチで1521個のＩｎ（インジウム）はんだの転写バンプ１２ａを、高さ４０μm で形成する。・・・加熱部２２ａにより加熱すると、転写バンプ１２ａは電極メタライズ１４ａ上に溶融する（図２（Ｃ））。そして、転写基板を引き剥がすことにより、チップ１３ａの電極メタライズ１４ａ上に確実に実装バンプ１２ｂが残存して転写されるものである。」（段落【0018】〜【0021】）
(2-5)「実装基板（１３ｂ）の電極メタライズ（１４ｂ）上に実装バンプ１２ｂを転写する際にも同様に、超音波を印加して仮止めの固着を行うことにより、転写不良を防止することができるものである。」（段落【0023】）
(2-6)「次に、実装時について説明する。・・・実装基板１３ｂの実装バンプ１２ｂの上方に、対応するチップ１３ａの実装バンプ１２ｂを位置させる（図２（Ｄ））。
　続いて、フリップチップボンダ（図示せず）により、実装基板１３ｂの実装バンプ１２ｂに、チップ１３ａの実装バンプ１２ｂを例えば押圧力２００ｇで当接位置決めする際に、チップ１３ａに超音波発生器２１ｂにより超音波を印加する（図２（Ｅ））。
　これにより、それぞれの実装バンプ１２ｂの当接部の表面同士で溶着し、仮止めの固着を行って大きな接触面積を得ることができるものである。なお、チップ１３ａではなく、実装基板１３ｂに超音波を印加してもよい。
　その後、加熱部２２ｂにより、それぞれの実装バンプ１２ｂを溶融して一体化することにより（図２（Ｅ））、実装基板１３ｂ上にチップ１３ａを実装するものである。」（段落【0024】〜【0027】）
(2-7)「上述の実装方法は、実装基板１３ｂ及びチップ１３ａの両方に実装バンプ１２ｂを形成させる場合を示したが、何れか一方に実装バンプ１２ｂを形成し、相手側の電極メタライズ上で溶融させて実装してもよい。」（段落【0029】）
　　
（３）引用刊行物３（特開平２−２８５６５１号公報）
(3-1)「（１）（ａ）第１の物体と第２の物体を密接させて密接物体の接続構造体を形成し、前記接続は前記各物体上のスズ含有ハンダの領域を介して為されており；そして（ｂ）前記領域を加熱して前記ハンダをリフローさせ、前記リフローはガスの存在下で行われ、前記ガスは前記ハンダ領域中に存在する金属酸化物の化学的還元を前記リフロー処理中に生起する；工程からなるデバイスの製造方法。
（２）前記ハンダは鉛とスズの組成物である請求項１記載のデバイスの製造方法。
（３）前記ガスは一酸化炭素である請求項１記載のデバイスの製造方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
（７）前記第１の物体の前記領域のうちの一つは前記第２の物体の前記領域に圧着されることからなる請求項１記載のデバイスの製造方法。
（８）リフロー処理中に、前記領域に超音波をあてることからなる請求項１記載のデバイスの製造方法。
（９）（ａ）複数個のスズ含有ハンダ領域を介して前記デバイスと前記基板との間で電気的接続を形成し；（ｂ）前記基板と前記デバイスの主要面の間隔は10ミル未満であり；そして、（ｃ）ハンダ領域間でリフローを起こさせるのに好適なフラックスがほぼ完全に存在しない；ことを特徴とする、複数個の電子デバイスと、前記デバイス間に電気的相互接続を形成する基板とからなる物体。
（１０）前記ハンダは鉛とスズの組成物である請求項９記載の物体。」（特許請求の範囲）
(3-2)「固形化学フラックスは一般的に有効であるが、ある種の用途においてこれらのフラックスを使用することは極めて望ましくない場合もある。・・・フラックスの沸騰に伴うこれらの問題を避けるために、前記米国特許第4645116号の発明は、水素および一酸化炭素雰囲気を用いた無フラックス法によりリフローを起こさせる。」（第２頁左下欄第３〜１６行）
(3-3)「電子デバイスを基板に密接して接続させるような用途では、フラックスの沸騰に伴う問題の他に、別の問題も発生することが発見された。特に、基板の主要面とデバイスの主要面とが10ミル未満の間隔で密接している場合、フラックスは信頼性の高い構造物を形成しない。このような状態はガス状還元性雰囲気を使用することにより補正される。・・・・ＡＶＰで出くわす用途のような注文の厳しい用途であっても、本発明の方法を用いることにより優れた電気導電性と物理的接着が達成される。」（第２頁左下欄第１８行〜右下欄第１５行）
(3-4)「本発明は通常、スズ系ハンダ領域に密接する物体間の無フラックスリフロー接続に適用可能であるが、教育上の理由により、ハンダ圧縮接続のリフローに置き換えて説明する。・・・固形化学フラックスを使用することなくリフローを起こさせるのに還元性雰囲気が使用される。」（第３頁左上欄第２〜１３行）
(3-5)「使用される特定の還元性雰囲気は結合されるハンダ材料の組成及びリフロー温度により変化する。・・・ハンダ材料の表面酸化物（例えば、鉛／スズ組成物の酸化スズ）の還元は適当な温度で一酸化炭素により行うほうが、熱力学的に好都合である。・・・特定のハンダ組成物に付随する金属酸化物から還元性ガスの存在下における元素金属までの反応の熱力学自由エネルギーを計算することにより決定される。（使用されるリフロー温度における）負の自由エネルギーは還元性雰囲気が好適であることを示す。」（第３頁左上欄第１３行〜左下欄第３行）
(3-6)「本発明の方法によれば、フラックスを使用しなくても、優れたリフロー特性が得られる。」（第５頁左下欄第１４〜１６行）
　　
(B-3)対比・判断
（１）補正発明１について
　補正発明１と、引用刊行物２に記載されたものとを対比すると、引用刊行物２には、チップの電極上に形成された実装バンプと、実装基板の対応する電極上に形成された実装バンプとを位置決めして当接させる工程と、該チップ、該実装基板の何れかに超音波を印加して、それぞれの該実装バンプ同士の当接部を固着する工程と、加熱によりそれぞれの該実装バンプを溶融させて一体化し、該実装基板上に該チップを実装する工程とを含むフリップチップ接合方法（摘記2-1）に係る発明が記載されており、併せて、チップを実装基板上に実装する際に、チップと実装基板の実装バンプを当接させ、超音波を印加して各実装バンプ同士の当接部を固着、即ち仮止めを行ない、ついで加熱により実装バンプを溶融（リフロー）させて実装を行うこと（摘記2-3）が記載されている。そして、その実施例には、実装基板の実装バンプの上方に、対応するチップの実装バンプを位置させ、続いて、実装基板の実装バンプに、チップの実装バンプを当接位置決めする際に、チップに超音波発生器により超音波を印加し、これにより、それぞれの実装バンプの当接部の表面同士で溶着し、仮止めの固着が行われ、その後、それぞれの実装バンプを溶融して一体化して、実装基板上にチップを実装すること（摘記2-4〜2-6）が記載されている。そして、補正発明１の電子部品は引用刊行物２のチップに、補正発明１の各突出電極は引用刊行物２の各バンプに、補正発明１における振動付与手段による振動の付与は引用刊行物２における超音波発生器による超音波の印可にそれぞれ相当する。また、引用刊行物２には、従来、基板のバンプを半田（「はんだ」、「ハンダ」に同じ。以下同様。）で形成していたこと（摘記2-2）が記載されており、またそのような基板上の半田バンプは本願出願前周知の事項でもある。また補正発明１における「基板を加熱し」とは、明細書の記載（段落【0011】、【0019】、【0020】参照。）からみてリフローのための加熱処理を行うことと解され、また、引用刊行物２に記載の場合においても、バンプ溶融時の加熱（摘記2-1、2-6）により基板は加熱されると認められるので、当該加熱の点につき、補正発明１と引用刊行物２に記載されたものとの間に、実質的な相違があるとすることはできない。
　してみれば、引用刊行物２には、補正発明１の特定事項と対比して、
“電子部品に形成された突出電極を基板の電極上に形成された半田の突出電極に接合することにより電子部品を基板に実装する電子部品の実装方法であって、前記電子部品を前記基板に搭載する際または搭載後に振動付与手段により電子部品に振動を付与する工程と、この電子部品が搭載された前記基板を加熱して前記半田バンプを溶融させるリフロー工程とを含むことを特徴とする電子部品の実装方法”が記載されており、この点で補正発明１は、引用刊行物２に記載された発明と一致している。そして一方、
（イ）補正発明１では、電子部品の突出電極（バンプ）の構成金属を金に特定しているのに対して、引用刊行物２にはその記載が見あたらず、この点で、補正発明１は引用刊行物２に記載された発明と相違している。
　　
　そこで、この相違点（イ）について、以下検討する。
　引用刊行物２に記載された接合方法の発明は、その特許請求の範囲（摘記2-1）の記載からみて、バンプを構成する材料を特定の金属に限定した発明とはいえず、また同引用刊行物２の他の記載をみても、特定の金属に限定すべき記載は見あたらない。したがって、引用刊行物２に記載の発明では、バンプを構成する材料は、バンプに用いられる通常の金属材料を含むものと認められる。
　そして、電子部品の実装方法において、基板上の半田の突起電極（バンプ）と電子部品の金の突起電極（バンプ）とを加熱・接合させて実装することは、本願出願前周知の技術である（要すれば、特開平４−２６６０３５号、特開平４−１４８４５号、特開平４−１６４３４２号、特開平５−１６６８８１号各公報を参照。）。
　してみれば、上記引用刊行物２に記載された接合・実装方法を、上記周知の半田の突起電極と金の突起電極との接合・実装に適用することは、当業者にとって格別の困難なこととすることはできない。
　そしてなおかつ、超音波振動を付与することにより、特段フラックスを使用することなく固着・接合を行い得ることは、引用刊行物２（摘記2-3、2-6）及び引用刊行物１（摘記1-1〜1-6）に記載のとおり、本願出願前既知の事項であるので、フラックスを使用することなく実装を行うことができるという本願明細書（段落【0004】、【0020】参照。）に記載された効果は、当業者が予期し得なかったほど格別に顕著であるとすることはできない。
　よって上記相違点（イ）については、当業者にとって格別の困難性があったということはできない。
　以上のとおりであるから、補正発明１は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
（２）補正発明２について
　補正発明２は、「リフロー工程は還元雰囲気中で行われる」として補正発明１を更に限定して特定した発明である。
　そこで、この点について検討すると、上記「（１）補正発明１について」の欄に記載したことに加えて、リフロー工程を還元雰囲気中で行うこと、及び、それにより優れたリフロー特性が得られることは、引用刊行物３（摘記3-1〜3-5、及び摘記3-6）に記載のとおり、本願出願前から既知の事項である。したがって、補正発明２は引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
　以上のとおりであるから、補正発明１及び２は本特許出願の際独立して特許を受けることができるものとはいえない。
　よって当該平成１５年１１月1９日付けの手続補正書による補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第５３条第１項の規定により却下する。
　　
ＩＩＩ．本願発明
　上記のとおり、平成１５年１１月１９日付けの手続補正書による補正は却下され、よって本願発明は、当該却下された補正前の、平成１５年９月８日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認める。（以下「本願発明１」、「本願発明２」という。）
「【請求項１】電子部品に形成された金属の突出電極を基板の電極上に形成された半田の突出電極に接合することにより電子部品を基板に実装する電子部品の実装方法であって、前記電子部品を前記基板に搭載する際または搭載後に振動付与手段により電子部品に振動を付与する工程と、この電子部品が搭載された前記基板を加熱して前記半田バンプを溶融させるリフロー工程とを含むことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項２】前記リフロー工程は還元雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装方法。」
　　
ＩＶ．原査定の証拠
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭５４−８３３７４号公報（先の「引用刊行物１」に同じ。）、特開平５−１９０６０１号公報（先の「引用刊行物２」に同じ。）、及び特開平２−２８５６５１号公報（先の「引用刊行物３」に同じ。）には、上記「（Ｂ）独立特許要件」の「(B-2)証拠の記載事実」の欄に摘記した事項が記載されている。
　　
Ｖ．対比・判断
（１）本願発明１について
　本願発明１は、上記補正発明１における「金の突出電極」を「金属の突出電極」として、当該突出電極の構成材料を金に限定されない不特定の金属材料で構成した、さらに上位の発明であるので、上記「（Ｂ）独立特許要件」の「(B-3)対比・判断」の「（１）補正発明１について」の欄に記載したと同様、本願発明１は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
（２）本願発明２について
　本願発明２は、請求項１を引用して、本願発明１について上記補正発明２と同様の限定をした発明であるので、上記「（Ｂ）独立特許要件」の「(B-3)対比・判断」の「（２）補正発明２について」の欄に記載したと同様、本願発明２は、引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
ＶＩ．むすび
　以上のとおり、本願発明１は引用刊行物１〜２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、また本願発明２は引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、本願発明１及び２は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。