Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月18日(2018.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の色を呈する光を発する機能を有する第１の画素と、
第２の色を呈する光を発する機能を有する第２の画素と、
第３の色を呈する光を発する機能を有する第３の画素と、を有する発光装置であって、
前記第１の画素は、
第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、
前記第１の発光素子と、前記第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
前記第２の画素は、
第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、
前記第２の発光素子と、前記第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
前記第３の画素は、
第３の発光素子を有し、
前記第１の発光素子は、
第１の電極と、
前記第１の電極上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の第２の発光層と、
前記第２の発光層上の第２の電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、
第３の電極と、
前記第３の電極上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
前記第３の発光素子は、
第４の電極と、
前記第４の電極上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記第２の電極と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の色を呈する光を発する機能を有する第１の画素と、
第２の色を呈する光を発する機能を有する第２の画素と、
第３の色を呈する光を発する機能を有する第３の画素と、を有する発光装置であって、
前記第１の画素は、
第１の発光素子と、第１の光学素子と、を有し、
前記第１の発光素子と、前記第１の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
前記第２の画素は、
第２の発光素子と、第２の光学素子と、を有し、
前記第２の発光素子と、前記第２の光学素子とは、互いに重なる領域を有し、
前記第３の画素は、
第３の発光素子を有し、
前記第１の発光素子は、
第１の電極と、
前記第１の電極上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の第２の電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、
第３の電極と、
前記第３の電極上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の電極と、を有し、
前記第３の発光素子は、
第４の電極と、
前記第４の電極上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の電極と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の発光層は、５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有し、
前記第２の発光層は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する第２の発光材料を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の光学素子は、赤色のカラーフィルタであり、
前記第２の光学素子は、緑色のカラーフィルタであることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の発光素子は、前記第１の電極と前記第１の発光層との間に第１の透明導電膜を有し、
前記第２の発光素子は、前記第３の電極と前記第１の発光層との間に第２の透明導電膜を有し、
前記第３の発光素子は、前記第４の電極と前記第２の発光層との間に第３の透明導電膜を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項７において、
前記第１の透明導電膜は、前記第２の透明導電膜よりも厚い領域を有し、
前記第２の透明導電膜は、前記第３の透明導電膜よりも厚い領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の発光素子は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に、正孔注入層と、正孔輸送層と、電子輸送層と、電子注入層と、を有し、
前記第２の発光素子は、前記第３の電極と前記第２の電極との間に、前記正孔注入層と、前記正孔輸送層と、前記電子輸送層と、前記電子注入層と、を有し、
前記第３の発光素子は、前記第４の電極と前記第２の電極との間に、前記正孔注入層と、前記正孔輸送層と、前記電子輸送層と、前記電子注入層と、を有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月15日(2018.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環境における物体を追跡する方法であって、
第１のフレームレートを有するカメラを用いて前記環境の第１の画像シーケンスを取得することであって、前記カメラは可視光カメラであることと、
第２のフレームレートを有するセンサを用いて前記環境の第２の画像シーケンスを取得することであって、前記センサは熱赤外線（ＩＲ）センサであり、前記第２のフレームレートは、前記第１のフレームレートよりも低いことと、
前記第１の画像シーケンスにおける物体を追跡してトラックを取得することと、
前記第２の画像シーケンスにおける温暖領域を検出して検出物を取得することと、
前記トラック及び前記検出物を空間的及び時間的に位置合わせすることと、
前記位置合わせの後に、前記トラック及び前記検出物が一致するか否かを検証することと
を含む、環境における物体を追跡する方法。
【請求項２】
前記センサは、垂直ラインに配列された熱受信機のアレイを備え、前記方法は、
前記アレイを離散的なステップで回転させて、前記第２の画像シーケンス用のＩＲ画像を作成すること、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記カメラ及び前記センサは、実質的に同じ場所に配置されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記トラック及び前記検出物に従って制御対象の機器を制御すること、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記機器は、暖房換気空調（ＨＶＡＣ）システムである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記物体の前記追跡は、背景モデル及びテンプレートトラッカーを用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
検出物と一致しないトラックを削除すること、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
トラックのバウンディングボックスが検出物と一致する場合、前記トラックの前記バウンディングボックスが検出物のバウンディングボックスと等しくなるように、前記トラックの前記バウンディングボックスを更新すること、
を更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のフレームレートは数フレーム毎秒であり、前記第２のフレームレートは１フレーム毎分である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
位置合わせすることは、非線形マッピング及び線形ホモグラフィーマッピングの組み合わせを用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
人物として分類される前景物体は、関連付けられたアイデンティティ記述子を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記アイデンティティ記述子のそれぞれは、色ヒストグラムである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記アイデンティティ記述子のうちのいずれとも一致しない新たに検出された静的な前景物体は、人物以外のものとして分類され、追跡されない、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
トラックが２つ以上の部分にいつ分離するのかを判断することであって、前記部分のうちの１つは、静的な部分であり、前記アイデンティティ記述子のうちのいずれにも一致しないことと、
前記静的な部分のバウンディングボックスを記憶することと、
前記検出物のうちのいずれかが前記バウンディングボックスと一致する場合に、前記バウンディングボックスのロケーションにおける新たなトラックを初期化することと、
を更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
特定のトラックをｔｒによって表し、画像ｉにおけるバウンディングボックスｂｂｔｒを
【数１】
2015216635.tif 000001
によって表し、最後のｐ個の画像にわたるトラックｔｒの動きを
【数２】
2015216635.tif 000002
として表すこと、
を更に含み、ここで、（ｘ，ｙ）、ｗ、及びｈは、それぞれ、前記バウンディングボックスの中心、幅、及び高さを表し、Ｔは転置演算子であり、||・||１は、Ｌ１ノルムを表し、ｆは、前記第１のシーケンスにおける現在の画像のインデックスであり、ｐは、前記動きが計算される前記第１のシーケンスにおける画像の数であり、前記動きが閾値よりも小さな全てのトラックは、静的なトラックとして分類される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記ｐは、前記第１のフレームレートと前記第２のフレームレートとの比の２分の１である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記温暖領域は、予め設定された閾値よりも大きい値を有する複数のピクセルの接続された領域を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記検証することは、前記トラックのバウンディングボックスと前記検出物のバウンディングボックスとの重複比を求めることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記重複比に従って前記トラックは排除されるか又は検証される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ＩＲ画像は、広視野を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のシーケンスにおける画像の解像度は、前記第１のシーケンスにおける画像の解像度よりも低い、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
環境における物体を追跡するためのシステムであって、
第１のフレームレートを有し、前記環境の第１の画像シーケンスを取得するように構成されたカメラであって、該カメラは可視光カメラである、カメラと、
第２のフレームレートを有し、前記環境の第２の画像シーケンスを取得するように構成されたセンサであって、該センサは熱赤外線（ＩＲ）センサであり、前記第２のフレームレートは、前記第１のフレームレートよりも低い、センサと、
前記第１の画像シーケンスにおける物体を追跡してトラックを取得し、前記第２の画像シーケンスにおける温暖領域を検出して検出物を取得し、前記トラック及び前記検出物を空間的及び時間的に位置合わせし、前記位置合わせの後に前記トラック及び前記検出物が一致するか否かを検証するように構成されたプロセッサと、
を備える、環境における物体を追跡するためのシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、第２の回路を有し、
前記第１の回路は、
シリコン基板に設けられた第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の第２のトランジスタと、を有し、
前記第２の回路は、
前記シリコン基板に設けられたフォトダイオードと、
前記フォトダイオード上の第３のトランジスタと、を有し、
前記シリコン基板は第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層は前記フォトダイオードの側面を囲むように設けられ、
前記第１のトランジスタはｐ−ｃｈ型トランジスタであり、
前記第２のトランジスタおよび前記第３のトランジスタは酸化物半導体を有し、
前記フォトダイオードの下側に受光面が設けられていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、ＣＭＯＳ回路を構成していることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２の回路は、第４乃至第６のトランジスタを有し、
前記第４乃至前記第６のトランジスタは、ｎ−ｃｈ型トランジスタであり、
前記第４乃至前記第６のトランジスタは酸化物半導体を有し、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記フォトダイオードのアノードまたはカソードの一方に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記シリコン基板の前記第１のトランジスタが形成された面における結晶の面方位は（１１０）面であることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像装置と、表示装置、操作キー、または、シャッターボタンと、を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月3日(2018.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
前記第３の領域は、前記第３の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
前記第４の領域は、前記第２の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
前記第５の領域は、前記第２の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
前記第２の絶縁膜は、前記第２の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
前記第３の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜上、前記第２の絶縁膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
前記第３の導電膜は、前記酸化物半導体膜と前記第３の絶縁膜を介して、重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第４の導電膜と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、第４の絶縁膜と、を有し、
前記第４の絶縁膜は、前記第４の導電膜上に設けられ、
前記酸化物半導体膜は、前記第４の絶縁膜上に設けられ、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
前記第３の領域は、前記第３の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
前記第４の領域は、前記第２の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
前記第５の領域は、前記第２の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記第１の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
前記第２の絶縁膜は、前記第２の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
前記第３の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜上、前記第２の絶縁膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
前記第３の導電膜は、前記酸化物半導体膜と前記第３の絶縁膜を介して、重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、水素を有し、
前記第２の領域は、前記第３の領域よりも、抵抗値が低い領域を有し、
前記第４の領域は、前記第３の領域よりも、抵抗値が低い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
チャネル形成領域を有する、酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第１の絶縁膜と、
前記ドレイン電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜上に設けられた、第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の、ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を介して、前記ソース電極と重なる領域を有し、
前記ゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して、前記ドレイン電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の、第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上の、チャネル形成領域を有する、酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第１の絶縁膜と、
前記ドレイン電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜上に設けられた、第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の、第２のゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記第２のゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を介して、前記ソース電極と重なる領域を有し、
前記第２のゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して、前記ドレイン電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の、第２の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜上の、第３の酸化物半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の、第２の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜上の、第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第３の酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に設けられた領域を有し、かつ前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に設けられた領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
酸化物半導体膜を形成する第１の工程と、
前記酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する第２の工程と、
前記酸化物半導体膜上、前記第１の導電膜上及び前記第２の導電膜上に第１の絶縁膜を形成する第３の工程と、
前記酸化物半導体膜の一部が露出するように前記第１の絶縁膜を加工して、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記酸化物半導体膜上、前記第２の絶縁膜上及び前記第３の絶縁膜上に第４の絶縁膜を形成する第５の工程と、
前記第４の絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、第３の導電膜を形成する第６の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
酸化物半導体膜を形成する第１の工程と、
前記酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する第２の工程と、
前記第１の導電膜の上面及び側面を酸化または窒化させて、第１の絶縁膜を形成し、かつ前記前記第２の導電膜の上面及び側面を酸化または窒化させて、第２の絶縁膜を形成する第３の工程と、
前記酸化物半導体膜上、前記第１の絶縁膜上及び前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記第３の絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、第３の導電膜を形成する第５の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月12日(2018.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板と、
ＡｌＮとＧａＮの成分をもつ結晶により作られ、該基板に接して配置され、ｎ型導電層を含んでいる紫外発光層と、
該ｎ型導電層上の再結合層と、
該再結合層上のｐ型導電層と、
該ｐ型導電層に電気的に接続しているＡｌＮとＧａＮの混晶のｐ型コンタクト層と、
前記紫外発光層から発せられる放射ＵＶを反射し、該ｐ型コンタクト層に電気的に接続している反射電極と
を備えている紫外発光ダイオード。
【請求項２】
前記ｐ型コンタクト層は、前記放射ＵＶが一度通過する際の前記放射ＵＶに対する透過率が９０％以上である請求項１に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項３】
前記透過率が９５％以上である請求項２に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項４】
前記ｐ型導電層が電子ブロック層をもつものである、請求項１に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項５】
前記電子ブロック層が多重量子障壁構造をもつものである、請求項４に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項６】
前記ｐ型コンタクト層の材質が、前記放射ＵＶの主要波長に比べ短い波長を組成波長としてもつものである、請求項１に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項７】
前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１−ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、
ｘｍｉｎ＝−０．００６Ｗ＋２．２６
により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされている、請求項１に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項８】
前記ＡｌＮ混晶組成比が０．７であり、
前記放射ＵＶの主要波長の値が２６０ｎｍである、請求項７に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項９】
前記反射電極がＡｌを主成分とする金属膜であり、
オーミックコンタクトを実現するための挿入金属層が前記ｐ型コンタクト層と前記金属膜とによって挟むように設けられている請求項１に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項１０】
前記挿入金属層がＮｉ膜であり５ｎｍより薄くされている請求項９に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項１１】
前記挿入金属層がＮｉ膜であり厚みが約１ｎｍである請求項９に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項１２】
前記挿入金属層は、前記ｐ型コンタクト層上に、その一部を覆うように配置されており、
前記反射電極は、前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層に直に接し、前記挿入金属層が存在する位置においては、前記挿入金属層を挟んで前記ｐ型コンタクト層上に配置されているものである、請求項９に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項１３】
前記挿入金属層は、前記ｐ型コンタクト層に直に接する位置にＮｉ膜を有する単層または複層の金属膜である、請求項１２に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項１４】
前記ｐ型コンタクト層は、ＡｌＮ混晶組成比の互いに異なる層が積層された多層構造になっており、
これにより、パターン化された前記挿入金属層から前記ｐ型導電層に向かって前記ｐ型コンタクト層を伝播する正孔が、前記基板面内の向きに拡散される、請求項１２に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項１５】
パターン化されたｐ型ＧａＮ層をさらに備えており、
パターン化された該ｐ型ＧａＮ層の少なくとも一部が、多層構造の前記ｐ型コンタクト層とパターン化された前記挿入金属層との双方に直に接して挟まれているものである、請求項１４に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項１６】
追加のバッファー層が設けられており、該バッファー層にボイドが形成されている請求項１に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項１７】
前記基板が除去されている請求項１６に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項１８】
前記放射ＵＶの主要波長が２６０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長である請求項１に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項１９】
前記ｐ型導電層、前記ｐ型コンタクト層のいずれかの前記ＡｌＮとＧａＮの混晶の材質にさらにインジウムが含まれている請求項１に記載の紫外発光ダイオード。
【請求項２０】
請求項１に記載の紫外発光ダイオードを紫外線の放出源として備える電気機器。
【請求項２１】
前記基板がサファイアおよび窒化アルミニウムのいずれかまたは両方を含む、請求項１に記載のダイオード。
【請求項２２】
前記基板上にバッファー層をさらに備える、請求項１に記載のダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
５−７．変形例７：電気特性の改良
上述した第２実施形態におけるパターン化された挿入金属層１６０Ｃと多層構造のｐ型コンタクト層１５０Ｃとを採用する構成のＬＥＤ素子１００Ｃ（図１４（ｂ））では、さらに電気特性を改良する変形を行なうことにより実用性をさらに高められる。その変形は、パターン化したｐ型ＧａＮ層を、多層構造のｐ型コンタクト層とパターン化された挿入金属層との双方に直に接して挟まれる位置に追加することである。図１９は、一例の構成のＬＥＤ素子１００Ｄにおいて、パターン化されたｐ型ＧａＮ層１５２を、パターン化された挿入金属層１６２ＤのＮｉ層と多層構造のｐ型コンタクト層１５０Ｄとの間に配置する例を示す拡大断面図である。反射電極１６０Ｄは、パターン化されたｐ型ＧａＮ層１５２、挿入金属層１６２Ｄを覆い、挿入金属層１６２Ｄもｐ型ＧａＮ層１５２も介さずｐ型コンタクト層１５０Ｄに直に接する領域Ｒをさらにもつように高い反射率のＡｌ層を形成することによって完成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
１００、１００Ａ〜Ｄ  ＬＥＤ素子（深紫外ＬＥＤ素子）
１０２    光取出し面
１０４    基板の一方の面
１１０、１１０Ａ  基板
１２０、１２０Ｂ  バッファー層
１３０    紫外発光層
１３２    ｎ型導電層
１３４    再結合層
１３６    ｐ型導電層
１３８    電子ブロック層
１４０    第１電極
１５０    ｐ型コンタクト層
１５０Ａ  ｐ型コンタクト層（高透過性）
１５０Ｂ  ｐ型コンタクト層（バルクｐ型ＡｌＧａＮ）
１５０Ｃ  ｐ型コンタクト層（多層型）
１５２    ｐ型ＧａＮ層（パターン化されたもの）
１６０    反射電極
１６０Ａ  反射電極（高反射性）
１６０Ｂ〜Ｄ、  反射電極（高反射性、Ａｌ）
１６２    挿入金属層
１６２Ｂ〜Ｄ  挿入金属層（パターン化されたもの）
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月13日(2018.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域及び第２の領域を有する素子層を有し、
前記第１の領域は、
第１の膜と、
前記第１の膜上の複数の第１のトランジスタと、
前記複数の第１のトランジスタ上の第２の膜と、を有し、
前記第２の領域は、前記第１の膜と前記第２の膜とが接する領域であり、
上面形状において、前記第２の領域は、前記第１の領域を囲むように設けられ、
前記第１の膜及び前記第２の膜は、水素もしくは水の拡散を抑制する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の領域及び第２の領域を有する素子層を有し、
前記第１の領域は、
複数の第２のトランジスタと、
前記複数の第２のトランジスタ上の第１の膜と、
前記第１の膜上の複数の第１のトランジスタと、
前記複数の第１のトランジスタ上の第２の膜と、を有し、
前記第２の領域は、前記第１の膜と前記第２の膜とが接する領域であり、
上面形状において、前記第２の領域は、前記第１の領域を囲むように設けられ、
前記第１の膜及び前記第２の膜は、水素もしくは水の拡散を抑制する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の領域及び第２の領域を有する素子層を有しし、
前記第１の領域は、
第１の膜と、
前記第１の膜上の複数の第２のトランジスタと、
前記複数の第２のトランジスタ上の複数の第１のトランジスタと、
前記複数の第１のトランジスタ上の第２の膜と、を有し、
前記第２の領域は、前記第１の膜と前記第２の膜とが接する領域であり、
上面形状において、前記第２の領域は、前記第１の領域を囲むように設けられ、
前記第１の膜及び前記第２の膜は、水素もしくは水の拡散を抑制する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記複数の第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、酸化物半導体膜と、前記第１のゲート電極および前記酸化物半導体膜の間の第１のゲート絶縁膜とを有し、
前記複数の第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、半導体基板に形成された半導体領域と、前記第２のゲート電極および前記半導体領域の間の第２のゲート絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の膜及び前記第２の膜は、酸化アルミニウム膜を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月12日(2018.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の保護膜と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記ソース電極と、前記ドレイン電極との間において、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記保護膜は、前記酸化物半導体膜と同一の金属元素を少なくとも一つ有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上の保護膜と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素を有し、
前記保護膜は、前記酸化物半導体膜と同一の金属元素を少なくとも一つ有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記保護膜上の第３の絶縁膜を有し、
前記第３の絶縁膜は、窒素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上の第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上、前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の保護膜と、
前記保護膜上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第２のゲート電極と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記ソース電極と、前記ドレイン電極との間において、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記保護膜は、前記酸化物半導体膜と同一の金属元素を少なくとも一つ有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記酸化物半導体膜は、チャネル幅方向と交差する第１の辺と、前記第１の辺と対向する第２の辺を有し、
前記第２のゲート電極は、前記チャネル幅方向において、前記第１の辺を越えて延びる第１の領域と、前記第２の辺を越えて延びる第２の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第１の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜と、前記保護膜と、前記第３の絶縁膜と、に設けられた第１の開口を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜と、前記保護膜と、前記第３の絶縁膜と、に設けられた第２の開口を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つにおいて、
前記第２の絶縁膜は、前記ソース電極の段差又は前記ドレイン電極の段差に起因した凹凸表面を有し、
前記保護膜は、前記第２の絶縁膜が有する前記凹凸表面を覆うことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一つにおいて、
前記保護膜は、ｃ軸配向性を有する結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月11日(2018.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、
前記第１の発光層および前記第２の発光層は、それぞれ発光色の異なる発光物質を含み、
前記第１の発光層および前記第２の発光層のいずれか一方は、非形成領域を有し、
前記発光層において、前記第１の発光層および前記第２の発光層の積層領域からの第１の発光の発光色は、前記非形成領域を有する領域からの第２の発光の発光色と異なることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、
前記第１の発光層および前記第２の発光層のいずれか一方は、非形成領域を有し、
前記発光層からの発光は、前記第１の発光層および前記第２の発光層の積層領域から得られる第１の発光スペクトルと、前記第２の発光層から得られる第２の発光スペクトルと、を有することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の発光スペクトルは、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有し、
前記第２の発光スペクトルは、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有すことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
一対の電極間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層は、第１の発光層および第２の発光層が積層された第１の領域と、前記第１の発光層および前記第２の発光層が積層されていない第２の領域と、を有し、
前記第１の発光層および前記第２の発光層は、それぞれ発光色の異なる発光物質を含み、
前記発光層において、前記第１の領域からの第１の発光の発光色は、前記第２の領域からの第２の発光の発光色と異なることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の発光層は、燐光発光を呈し、前記第２の発光層は、蛍光発光を呈し、
前記第１の発光層は、励起錯体を形成する層を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の発光層は、燐光発光を呈し、前記第２の発光層は、蛍光発光を呈し、
前記第２の発光層は、蛍光発光物質と、前記蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の発光層は、非形成領域を含み、
前記第１の発光層は、複数の島状に設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の発光層は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層との積層構造であることを特徴とする発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月9日(2018.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１本の入射光線を分離して複数の点像を形成する光学ローパスフィルタと、
該光学ローパスフィルタを通過した光により形成された光学像を光電変換するイメージセンサとを有し、
前記イメージセンサの画素ピッチをＰとし、前記複数の点像の分布の標準偏差をσとするとき、
０．４＜２×σ／Ｐ＜０．９
なる条件を満足し、
前記光学ローパスフィルタは、前記入射光線の複数の分離方向のうち１つを０°とするとき、前記入射光線を、０°、４５°±１０°、９０°±１０°および１３５°±１０°の４方向のそれぞれに分離すること特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記光学ローパスフィルタは、前記入射光線を、０°、４５°±１０°、９０°±１０°および１３５°±１０°の４方向のそれぞれに少なくとも２回以上分離することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の点像の分布はガウス分布状の分布であることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
１本の入射光線を分離して複数の点像を形成する光学ローパスフィルタと、
該光学ローパスフィルタを通過した光により形成された光学像を光電変換するイメージセンサとを有し、
前記イメージセンサの画素ピッチをＰとし、前記複数の点像の分布の標準偏差をσとするとき、
０．４＜２×σ／Ｐ＜０．９
なる条件を満足し、
前記複数の点像の分布はガウス分布状の分布であること特徴とする撮像装置。
【請求項５】
前記イメージセンサの長辺方向および短辺方向のうち第１の方向および第２の方向での前記複数の点像の分布を前記複数の点像が分布する面積で正規化した形状をそれぞれ、ｆ（ｘ），ｆ（ｙ）とし、
前記複数の点像の累積分布関数をＦ（ｘ）とし、前記複数の点像のガウス確率密度関数であるｇ（ｘ，ｕ，σ）＝１／√（２πσ）×ｅｘｐ｛−（ｘ−ｕ）２／（２σ２）｝の積分値をＧ（ｘ，ｕ，σ）とし、
前記複数の点像の前記第１および第２の方向での標準偏差をそれぞれσｘ，σｙとするとき、−２σｘ＜ｘ＜２σｘおよび−２σｙ＜ｙ＜２σｙの範囲において、
Ｇ（ｘ，１／３σｘ，σｘ）−０．０５＜Ｆ（ｘ）＜Ｇ（ｘ，−１／３σｘ，σｘ）＋０．０５
なる条件を満足することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項６】
１本の入射光線を分離して複数の点像を形成する光学ローパスフィルタと、
該光学ローパスフィルタを通過した光により形成された光学像を光電変換するイメージセンサとを有し、
前記イメージセンサの画素ピッチをＰとし、前記複数の点像の分布の標準偏差をσとするとき、
０．４＜２×σ／Ｐ＜０．９
なる条件を満足し、
前記イメージセンサの長辺方向および短辺方向のうち第１の方向および第２の方向での前記複数の点像の分布を前記複数の点像が分布する面積で正規化した形状をそれぞれ、ｆ（ｘ），ｆ（ｙ）とし、
前記複数の点像の累積分布関数をＦ（ｘ）とし、前記複数の点像のガウス確率密度関数であるｇ（ｘ，ｕ，σ）＝１／√（２πσ）×ｅｘｐ｛−（ｘ−ｕ）２／（２σ２）｝の積分値をＧ（ｘ，ｕ，σ）とし、
前記複数の点像の前記第１および第２の方向での標準偏差をそれぞれσｘ，σｙとするとき、−２σｘ＜ｘ＜２σｘおよび−２σｙ＜ｙ＜２σｙの範囲において、
Ｇ（ｘ，１／３σｘ，σｘ）−０．０５＜Ｆ（ｘ）＜Ｇ（ｘ，−１／３σｘ，σｘ）＋０．０５
なる条件を満足することを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
前記光学ローパスフィルタは、１本の入射光線を少なくとも６回分離するとともに、少なくとも前記イメージセンサの長辺方向および短辺方向のそれぞれに４回以上分離することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記光学ローパスフィルタは、１本の入射光線を少なくとも８回分離するとともに、該少なくとも８回のうち４回の分離の方向は互いに直交する２方向を含む第１組の方向であり、他の４回の分離の方向は互いに直交して前記第１の組の２方向とは直交しない２方向を含む第２の組の方向であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記光学ローパスフィルタは、前記入射光線を、前記第１の組の２方向に分離した後、前記第２の組の２方向に分離することを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記光学ローパスフィルタは、異方性材料による偏光分離作用を用いて前記入射光線を分離することを特徴とする請求項１乃至９いずれか一項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一側面としての撮像装置は、１本の入射光線を分離して複数の点像を形成する光学ローパスフィルタと、該光学ローパスフィルタを通過した光により形成された光学像を光電変換するイメージセンサとを有する。イメージセンサの画素ピッチをＰとし、複数の点像の分布の標準偏差をσとするとき、
０．４＜２×σ／Ｐ＜０．９
なる条件を満足し、光学ローパスフィルタは、入射光線の複数の分離方向のうち１つを０°とするとき、入射光線を、０°、４５°±１０°、９０°±１０°および１３５°±１０°の４方向のそれぞれに分離することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
複数の点像のイメージセンサにおける水平方向（第１の方向）および垂直方向（第２の方向）での分布を複数の点像が分布する面積で正規化した形状をそれぞれ、ｆ（ｘ），ｆ（ｙ）とする。また、複数の点像の累積分布関数をＦ（ｘ）とし、複数の点像のガウス確率密度関数であるｇ（ｘ，ｕ，σ）＝１／√（２πσ）×ｅｘｐ｛−（ｘ−ｕ）２／（２σ２）｝の積分値をＧ（ｘ，ｕ，σ）とする。さらに、複数の点像の水平および垂直方向での標準偏差をそれぞれσｘ，σｙとする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年6月5日(2018.6.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乗り物のための場所ベクトルを生成することのできる搭載ナビゲーション測位システムで誘導される乗り物の物理的場所を判定するための方法であって、
複数の電気信号を受け取るステップと、
前記複数の電気信号から確認場所位置を計算するステップと、
前記確認場所位置を前記場所ベクトルと比較して位置差異を作成するステップと、
前記位置差異が所定のエラー値未満となるまで、前記乗り物の移動を指図する際に前記場所ベクトルの使用を阻止するステップと、を含む、方法。
【請求項２】
前記複数の電気信号は複数の電磁放射信号を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の電気信号は複数の周囲パラメータ測定値をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の電磁放射信号の各信号は複数のスペクトル範囲からのものである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記スペクトル範囲は広帯域であり、多重スペクトル範囲を包含する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記確認場所位置を天体暦データと突き合わせることによって、前記乗り物の場所および方向を判定する前記ステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
比較の前記ステップは、前記周囲パラメータ測定値の組み合わせハッシュ法を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
比較のステップは、天体暦の前記使用を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
搭載デジタル羅針盤の前記使用を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
搭載３軸ジャイロスコープの前記使用を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
搭載加速度計の前記使用を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
搭載周囲光センサの前記使用を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記確認場所位置を、前記乗り物が移動している期間終始前記場所ベクトルと比較する前記ステップを繰り返す前記ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
乗り物のための場所ベクトルを生成することのできる、搭載ナビゲーション測位システムで誘導されている乗り物の物理的場所を判定するための方法であって、
複数の電磁放射信号を受け取るステップと、
複数の周囲パラメータ測定値を受け取るステップと、
前記複数の周囲パラメータ測定値のそれぞれが作成される時間を測定するステップと、
前記時間の測定、前記複数の電磁放射信号および前記複数の周囲パラメータ測定値から確認場所位置を計算するステップと、
前記確認場所位置を前記場所ベクトルと比較して差異ベクトルを作成するステップと、
前記差異ベクトルが所定のエラー値未満となるまで、前記乗り物の移動を指図する際に前記搭載ナビゲーション測位システムの使用を阻止するステップと、を含む、方法。
【請求項１５】
前記複数の電磁放射信号の各信号は複数のスペクトル範囲からのものである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記スペクトル範囲は広帯域であり、多重スペクトル範囲を包含する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記確認場所位置を天体暦データと突き合わせることによって、前記乗り物の場所および方向を判定する前記ステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
比較の前記ステップは、前記周囲パラメータ測定値の組み合わせハッシュ法を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
比較のステップは、天体暦の前記使用を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
搭載デジタル羅針盤の前記使用を含む、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月22日(2018.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ログイン中のプレイヤーの操作に基づき、ログアウト中の他のプレイヤーを対戦相手とする第１戦を進行させ、かつ、
前記第１戦で敗北した前記他のプレイヤーがログインした後に、当該他のプレイヤーの操作に基づき、前記第１戦で勝利した前記プレイヤーに対してリベンジするための第２戦を進行させるゲーム進行処理部と、
前記第２戦でも前記他のプレイヤーが敗北してリベンジに失敗した場合に、前記第１戦の敗北に対するペナルティとして前記他のプレイヤーの資源パラメーターを減少させるパラメーター変動処理部と、
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の情報処理装置であって、
前記ゲーム進行処理部は、前記他のプレイヤーがログインしてから所定時間が経過するまでのリベンジ可能期間において、前記他のプレイヤーの操作が行われる度に、前記プレイヤーに対する前記他のプレイヤーのリベンジ攻撃が行われるように前記第２戦を進行させる、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の情報処理装置であって、
前記ゲーム進行処理部は、前記第２戦を進行させる前に、ログイン中の新たなプレイヤーの操作に基づき、前記他のプレイヤーを対戦相手として別途対戦させることも可能であり、
前記パラメーター変動処理部は、前記別途対戦の勝敗に関係なく、前記他のプレイヤーの資源パラメーターを変動させない、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記パラメーター変動処理部は、前記プレイヤーが前記第１戦で勝利した場合に、前記プレイヤーの資源パラメーターを増加させる一方で、前記プレイヤーが前記第１戦で敗北した場合には、前記プレイヤーの資源パラメーターを変動させない、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記パラメーター変動処理部は、前記プレイヤーが前記第２戦で敗北した場合に、前記プレイヤーの資源パラメーターを変動させない、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記ゲーム進行処理部は、前記第２戦を進行させた後、前記プレイヤーに対する前記他のプレイヤーのリベンジ攻撃が行われた後の所定期間において、新たなプレイヤーの操作に基づき、前記他のプレイヤーを対戦相手として別途対戦させることも可能であり、
前記パラメーター変動処理部は、前記別途対戦の勝敗に関係なく、前記他のプレイヤーの資源パラメーターを変動させない、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記他のプレイヤーがログインしてから所定時間が経過するまでのリベンジ可能期間が、前記他のプレイヤーに設定されたランクに応じて異なる長さに設定されている、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
コンピューターに、
ログイン中のプレイヤーの操作に基づき、ログアウト中の他のプレイヤーを対戦相手とする第１戦を進行させ、かつ、
前記第１戦で敗北した前記他のプレイヤーがログインした後に、当該他のプレイヤーの操作に基づき、前記第１戦で勝利した前記プレイヤーに対してリベンジするための第２戦を進行させるゲーム進行処理と、
前記第２戦でも前記他のプレイヤーが敗北してリベンジに失敗した場合に、前記第１戦の敗北に対するペナルティとして前記他のプレイヤーの資源パラメーターを減少させるパラメーター変動処理と、
を実行させるゲームプログラム。