【事件の表示】
　平成　４年特許願第３５４５５６号「ロードセル」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　７月　８日出願公開、特開平　６−１８６０９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成４年１２月１５日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１３年６月１日付け、平成１３年９月３日付け及び平成１６年９月１６日付けの手続補正書によって補正された明細書並びに図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
「【請求項１】　起歪体と、該起歪体の一方の剛体部に荷重が印加されたときの歪みを検出する歪みゲージとでなるロードセルであって、上記歪みゲージは、矩形状の基板の両端部寄りに、該基板両端部の上下方向の相対変位に対する一対の低剛性部がそれぞれ設けられていると共に、該基板の一方の面に、上記両低剛性部にそれぞれ対応位置する少なくとも一対の歪み感知部を有する歪み検出回路が薄膜によって設けられており、かつ、上記一対の低剛性部が、基板の他方の面に設けられた幅方向の溝によって構成されていると共に、上記歪み検出回路が、少なくとも一対の歪み感知部とこれらの歪み感知部を接続する導線部とで一体的に構成されており、一方、上記起歪体は、長手方向の両端部を上下のビーム部でそれぞれ接合することにより、両端部に固定剛体部と可動剛体部とが形成されていると共に、上記歪みゲージが、基板の両端部で、上記の上下のビーム部として該起歪体の両剛体部に跨るように取り付けられていることを特徴とするロードセル。」（以下、「本件発明」という。）
　
　
２．引用例記載の発明
　
（１）当審における平成１６年７月２２日付けで通知した拒絶の理由に引用した特開昭６０−２６０８２０公報（以下、「引用例１」という。）には、
　
（１−１）「次に、ビーム部材を切削加工により形成する場合の実施例について説明する。先ず、第７、８図に示すように、外形が所定寸法の長方形とされていると共に、両端部４１，４１’に複数の貫通孔４２・・・４２を有し、且つ一方の面における両端部寄りの位置に略半円状の凹部４４，４４を全幅にわたって形成した板状のビーム部材４０を切削加工により形成する。そして、このビーム部材４０を２枚用い、第９図に示すようにその両端部４１，４１及び４１’４１’を鋳込むようにして両端の剛体部５１，５１’を鋳造により形成する。これにより、両端の剛体部５１，５１’と、両剛体部５１、５１’間に架設され且つ肉厚を薄くすることによって剛性を低下させた可撓部５２・・・５２を２箇所づつ有する上下のビーム部５３，５３とでなる起歪体５０が得られることになる。ここで、この起歪体５０においては、各可撓部５２・・・５２における凹部４４・・・４４の形成面の反対側の面に歪検出素子５５・・・５５が貼着されることになるが、その場合に、図示のように凹部形成面を内側に向けてもよく、また図示しないが該凹部形成面を外側に向けて、歪検出素子をビーム部の内側の面に貼着するようにしてもよい。」（第３頁左下欄第１６行〜右下欄第１８行）
　
が図面とともに記載されている。
　
（２）同じく引用した特開平４−２０４２２４号公報（以下、「引用例２」という。）には、
　
（２−１）「第１図は本発明のセラミック製ロードセルの概略構造を示す分解斜視図である。図示するように、厚さ０．３〜０．５ｍｍの薄いセラミック基板１、１’に薄膜の抵抗体パターンからなる歪ゲージ２を形成する。セラミック製の起歪体の起歪部３ａの上下面にガラス質４を付着又は塗布し、その上の所定位置に前記歪ゲージ２が形成された前記セラミック基板１をその歪ゲージ面が外側になるように配置し、圧接した後、焼成しガラス質を溶融し、セラミック基板１、１’を起歪体３上下面に貼り付ける。」（第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第４行）、
　
（２−２）「セラミック基板１、１’の上面に歪ゲージ２を形成するには、まず薄膜のセラミック基板１上に蒸着又はスパッタ法等の薄膜形成法により歪抵抗体材料を薄膜形成し、続いて形成された薄膜をエッチングする事によって所定の歪ゲージ並びに配線パターンを形成する。」（第３頁右上欄第２行〜同第７行）
　
が図面とともに記載されている。
　
　
３．対比・判断
　
　本件発明を引用例１記載の発明と対比する。
（１）引用例１記載の発明における「剛体部５１，５１’及びビーム部材５３（４０）、５３（４０）」は、本件発明における「起歪体」に相当し、引用例１記載の発明における「ビーム部材５３（４０）、５３（４０）及び歪み検出素子５５，５５」は、本件発明における「歪みゲージ」に相当し、引用例１記載の発明における「長方形」は、本件発明における「矩形状」に相当する。
（２）引用例１記載の発明おける「ビーム部材５３（４０）、５３（４０）」は、この上に歪み検出素子５５，５５を貼着して歪み検出回路を組み立てるための板としての機能、つまり、基板としての機能を有しているから、本件発明における「基板」に相当する。
（３）引用例１記載の発明おける「剛性を低下させた可撓部５２，５２」は、本件発明における「一対の低剛性部」に相当する。
（４）引用例１記載の発明おける「歪み検出素子５５，５５」は、本件発明における「少なくとも一対の歪み感知部」に相当する。
（５）引用例１記載の発明おける「凹部４４，４４」は、本件発明における「溝」に相当する。
（６）引用例１記載の発明おける「歪み検出素子５５，５５」は、歪み検出回路を構成するものであることが明らかであるから、本件発明における「歪み検出回路が少なくとも一対の歪み感知部で構成されて」いることと異ならない。
（７）引用例１記載の発明おける「ビーム部材５３（４０）、５３（４０）」は、本件発明における「ビーム部」に相当し、引用例１記載の発明おける「鋳込むことにより」は、鋳込むことにより接合がなされる、つまり、「鋳込むこと」は「接合すること」の一形態であるから、引用例１記載の発明における「上下のビーム部材５３（４０）、５３（４０）でそれぞれ鋳込むことにより」は、本件発明における「上下のビーム部でそれぞれ接合することにより」に相当する。
（８）引用例１記載の発明おける「固定剛体部５１’」は、本件発明における「固定剛体部」に相当し、引用例１記載の発明おける「可動剛体部５１」は、本件発明における「可動剛体部」に相当する。
（９）引用例１記載の発明おける「架設され」は、本件発明における「跨るように取り付けられ」に相当する。
　　
　したがって、上記（１）〜（９）の考察から、両者は、
【一致点】
「起歪体と、該起歪体の一方の剛体部に荷重が印加されたときの歪みを検出する歪みゲージとでなるロードセルであって、
　上記歪みゲージは、矩形状の基板の両端部寄りに、該基板両端部の上下方向の相対変位に対する一対の低剛性部がそれぞれ設けられていると共に、
　該基板の一方の面に、上記両低剛性部にそれぞれ対応位置する少なくとも一対の歪み感知部を有する歪み検出回路が設けられており、かつ、
　上記一対の低剛性部が、基板の他方の面に設けられた幅方向の溝によって構成されていると共に、
　上記歪み検出回路が、少なくとも一対の歪み感知部で構成されており、一方、
　上記起歪体は、長手方向の両端部を上下のビーム部でそれぞれ接合することにより、両端部に固定剛体部と可動剛体部とが形成されていると共に、
　上記歪みゲージが、基板の両端部で、上記のビーム部として該起歪体の両剛体部に跨るように取り付けられていることを特徴とするロードセル。」
で一致し、
　
【相違点】
「本件発明では、歪み検出回路が、少なくとも一対の歪感知部とこれらの歪感知部を接続する導線部とで一体的に構成し、これを薄膜によって設けているのに対し、
　引用例１記載の発明では、歪み検出回路が、少なくとも一対の歪み検出素子５５，５５で構成され、これが貼着によって設けられている点。」
で相違する。
　
上記【相違点】について検討すると、
引用例２には、その記載
「セラミック基板１、１’の上面に歪ゲージ２を形成するには、まず薄膜のセラミック基板１上に蒸着又はスパッタ法等の薄膜形成法により歪抵抗体材料を薄膜形成し、続いて形成された薄膜をエッチングする事によって所定の歪ゲージ並びに配線パターンを形成する。」（第３頁右上欄第２行〜同第７行）からみて、
　歪み検出回路を、少なくとも一対の歪ゲージ２，２（歪感知部に相当。）とこれらの歪ゲージ２，２（歪感知部に相当。）を接続する配線パターン（導線部に相当。）とで一体的に構成し、これをスパッタ法等の薄膜形成法により歪抵抗体材料を薄膜形成し、続いて形成された薄膜をエッチングする事によって（薄膜によってに相当。）形成する（設けるに相当。）ことが記載されている。
　
　したがって、引用例１記載の発明における、少なくとも一対の歪検出素子５５，５５で構成された歪み検出回路を、
　引用例２に記載の、少なくとも一対の歪ゲージ２，２（歪感知部に相当。）とこれらの歪ゲージ２，２（歪感知部に相当。）を接続する配線パターン（導線部に相当。）とで一体的に構成し、これをスパッタ法等の薄膜形成法により歪抵抗体材料を薄膜形成し、続いて形成された薄膜をエッチングする事によって（薄膜によってに相当。）形成する（設けるに相当。）歪み検出回路で置換することは、当業者が容易になし得ることである。
　そして、本件発明の奏する作用効果も、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　なお、審判請求人は、平成１６年９月１６日付けの意見書において、
「したがって、仮に引用例１に記載の発明と引用例２に記載の発明とを組み合わせると、引用例１に記載の起歪体５０のビーム部５３（４０），５３（４０）に貼着された歪検出素子５５…５５に代わり、引用例２に記載の歪ゲージ２を基板１を介して上記ビーム部５３（４０），５３（４０）に貼着することになります。しかしながら、その場合には、該ビーム部５３（４０），５３（４０）に生じた歪みは基板１を介して歪ゲージ２によって検出されることになり、歪みの伝達行程が多重化、複雑化する結果、歪みまたは荷重に対する追随性に問題があるロードセルしか得られません。さらに、引用例２に記載の歪ゲージ２を基板１を介して引用例１に記載のビーム部５３（４０），５３（４０）に貼着するに際しては、通常は接着剤等の手段を用いることになるため、前述した歪みまたは荷重に対する追随性はさらに悪化する傾向となります。
　これに対して本願発明では、接着剤等の手段を用いることなく、ビーム部を構成する基板上に薄膜形成法によって直接的に薄膜の歪み感知部を形成するため、ビーム部に良好に一体化された歪み感知部が実現され、この場合に得られる簡素化された歪みの伝達行程により、歪みまたは荷重に対する追随性が良好なロードセルが実現されます。
　さらに、以下の点からも引用例１、２に記載の発明と本願発明とは相違しております。
　まず、引用例１に記載の発明では、可撓部５２…５２に対応する位置にそれぞれ通常寸法が小さい歪検出素子５５…５５を貼着するため、位置ずれによる歪みまたは荷重の検出精度の点で問題があります。
　また、引用例２に記載の発明では、基板１上に一対の歪ゲージ２，２を一体的に形成しているため、基板１レベルでは位置ずれの問題は介在しないが、引用例２に記載の発明を引用例１に記載の発明に適用する場合には、上記引用例２における基板１の歪ゲージ２，２を上記引用例１における起歪体５０のビーム部５３（４０），５３（４０）の可撓部５２，５２に対応する位置に貼着するとき、位置ずれが起こるおそれがあります。」
と主張している。
　しかしながら、本審決は、上記のごとく
「引用例１記載の発明における、少なくとも一対の歪検出素子５５，５５で構成された歪み検出回路を、
　引用例２に記載の、少なくとも一対の歪ゲージ２，２（歪感知部に相当。）とこれらの歪ゲージ２，２（歪感知部に相当。）を接続する配線パターン（導線部に相当。）とで一体的に構成し、これをスパッタ法等の薄膜形成法により歪抵抗体材料を薄膜形成し、続いて形成された薄膜をエッチングする事によって（薄膜によってに相当。）形成する（設けるに相当。）歪み検出回路で置換することは、当業者が容易になし得ることである。」
とするものであって、引用例２に記載の基板１までも置換するものではないから、請求人の主張するような不都合は生じない。
　また、本審決にいう「置換」は、引用例１に記載の、ビーム部材５３（４０）、５３（４０）（基板に相当。）の一方の面に、引用例２に記載の歪み検出回路を薄膜によって直接的に形成することに他ならないが、かかる技術は周知でもある（特開昭５９−２３１４３１号公報、特開平４−２４２１３２号公報参照。）。
　
　
４．むすび
　したがって、本件発明は、引用例１及び２に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。