【事件の表示】
　特願２００２−２３０６６９「マルチビーム光走査装置および画像形成装置並びにこれらの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月　４日出願公開、特開２００４−　７００９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年８月７日の出願であって、平成１６年７月２１日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１６年９月２７日付けで明細書の補正がなされたが、拒絶査定がなされ、本件審判請求がなされるとともに、平成１６年１２月２７日付けで本件明細書を補正する手続補正書が提出されたものである。
　なお、平成１７年３月３０日付けで本件審理の終結を通知したところ、請求人から平成１７年４月１４日付けで審理再開申立書の提出がなされたが、本件審理を再開する必要を認めない。
　
２．平成１６年１２月２７日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の結論］
　平成１６年１２月２７日付けの手続補正を却下する。
［補正却下の理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、本願明細書の請求項１及び２を次のように補正することを含むものである。
「【請求項１】半導体レーザアレイを用いるマルチビーム光走査装置の製造方法において、
　半導体レーザアレイの後ろに前記半導体レーザアレイから射出された光ビームの状態を変換するカップリングレンズを配置し、前記カップリングレンズの後ろにＡｍ×Ａｓ径のアパーチャを配置し、
　前記アパーチャ位置における光ビームの最大強度の１／ｅ２強度で規定される等高線の主走査方向の長さをＬｍ；そして
　アパーチャ位置における光ビームの最大強度の１／ｅ２強度で規定される等高線の副走査方向の長さをＬｓ；として
　　Ａｍ＜Ｌｍ　　　　　　　　　（式１）
　となるように前記半導体レーザアレイを副走査方向に対して角度γだけ傾け、
　（Ｌｓ／Ｌｍ）×0.3＜（Ａｓ／Ａｍ）＜（Ｌｓ／Ｌｍ）×0.7　（式２）
なる条件式を満足するように前記半導体レーザアレイと前記カップリングレンズと前記アパーチャを設定する工程を有することを特徴とするマルチビーム光走査装置の製造方法。
【請求項２】半導体レーザアレイを用いるマルチビーム光走査装置の製造方法において、
　半導体レーザアレイを副走査方向に対して角度γだけ傾けて配置し、
　半導体レーザアレイの後ろに前記半導体ゲージアレイから射出された光ビームの状態を変換するカップリングレンズを配置し、
　前記カップリングレンズの後ろにアパーチャを配置し、前記アパーチャの後ろに光ビームを主走査方向に偏向するための光偏向器を配置し、
　前記光偏向器の後ろに光ビームを集光させて被走査面上にωｍ×ωｓ径の光スポットを得るための結像光学系を配置し、
　結像光学系の副走査方向の結像横倍率をβ；
　半導体レーザアレイの発光点間隔をＰＬＤ；
　半導体レーザアレイの回転角度をγ；
　半導体レーザアレイの発光点数をｎ；
　カップリングレンズから光偏向器までの距離をｄ；そして
　カップリングレンズの焦点距離をｆＣＯＬ；として
　0＜(β×ＰＬＤ×sinγ×(ｎ−１)×(ｄ−ｆＣＯＬ)／ｆＣＯＬ）／ωＳ＜100　（式３）
なる条件式を満足するように、前記各部材を設定する工程を有することを特徴とするマルチビーム光走査装置の製造方法。」
　
（２）特許法第１７条の２の要件についての検討
　本件出願当初の明細書の請求項１及び２は、
「【請求項１】半導体レーザアレイを用いるマルチビーム光走査装置において、
　半導体レーザアレイは副走査方向に対して角度γだけ傾いており、
　半導体レーザアレイから射出された光ビームの状態を変換するカップリングレンズおよび前記カップリングレンズの後ろに配置されるＡｍ×Ａｓ径のアパーチャを有しており、
　アパーチャ位置における光ビームの最大強度の１／ｅ２強度で規定される等高線の主走査方向の長さをＬｍ；そして
　アパーチャ位置における光ビームの最大強度の１／ｅ２強度で規定される等高線の副走査方向の長さをＬｓ；として
　　Ａｍ＜Ｌｍ　　　　　　　　　（式１）
　（Ｌｓ／Ｌｍ）×0.3＜（Ａｓ／Ａｍ）＜（Ｌｓ／Ｌｍ）×0.7　（式２）
なる条件式を満足することを特徴とするマルチビーム光走査装置。
【請求項２】半導体レーザアレイを用いるマルチビーム光走査装置において、
　半導体レーザアレイは副走査方向に対して角度γだけ傾いており、
　半導体レーザアレイから射出された光ビームの状態を変換するカップリングレンズ、
　光ビームを主走査方向に偏向するための光偏向器および
　前記光偏向器の後ろに配置され、光ビームを集光させて被走査面上にωｍ×ωｓ径の光スポットを得るための結像光学系を有し、
　結像光学系の副走査方向の結像横倍率をβ；
　半導体レーザアレイの発光点間隔をＰＬＤ；
　半導体レーザアレイの回転角度をγ；
　半導体レーザアレイの発光点数をｎ；
　カップリングレンズから光偏向器までの距離をｄ；そして
　カップリングレンズの焦点距離をｆＣＯＬ；として
　0＜(β×ＰＬＤ×sinγ×(ｎ−１)×(ｄ−ｆＣＯＬ)／ｆＣＯＬ）／ωＳ＜100　（式３）
なる条件式を満足することを特徴とするマルチビーム光走査装置。」
　というものであり、ここで、本件補正による請求項１及び２について、上記出願当初の請求項１及び２と異なる部分に下線を付して記載すると次のとおりである。
「【請求項１】半導体レーザアレイを用いるマルチビーム光走査装置
の製造方法
　
半導体レーザアレイの後ろに前記
を配置し、
配置し
　
前記
　アパーチャ位置における光ビームの最大強度の１／ｅ２強度で規定される等高線の副走査方向の長さをＬｓ；として
　　Ａｍ＜Ｌｍ　　　　　　　　　（式１）
　
となるように前記半導体レーザアレイを副走査方向に対して角度γだけ傾け、
なる条件式を満足する
ように前記半導体レーザアレイと前記カップリングレンズと前記アパーチャを設定する工程を有する
の製造方法
【請求項２】半導体レーザアレイを用いるマルチビーム光走査装置
の製造方法
　半導体レーザアレイ
を
けて配置し
　
半導体レーザアレイの後ろに前記
を配置し
　
前記カップリングレンズの後ろにアパーチャを配置し、前記アパーチャの後ろに
を配置し、
配置し
　結像光学系の副走査方向の結像横倍率をβ；
　半導体レーザアレイの発光点間隔をＰＬＤ；
　半導体レーザアレイの回転角度をγ；
　半導体レーザアレイの発光点数をｎ；
　カップリングレンズから光偏向器までの距離をｄ；そして
　カップリングレンズの焦点距離をｆＣＯＬ；として
　0＜(β×ＰＬＤ×sinγ×(ｎ−１)×(ｄ−ｆＣＯＬ)／ｆＣＯＬ）／ωＳ＜100　（式３）
なる条件式を満足する
ように、前記各部材を設定する工程を有する
の製造方法
　
　そして、上記下線部分については、出願当初の明細書又は図面に記載がなく、請求項１の『「（カップリングレンズ）を配置し」、「アパーチャを配置し」、「（式１）となるように前記半導体レーザアレイを副走査方向に対して角度γだけ傾け」、「前記半導体レーザアレイと前記カップリングレンズと前記アパーチャを設定する工程を有する」という「マルチビーム光走査装置の製造方法」』なる事項、また、請求項２の『「（半導体レーザアレイ）を傾けて配置し」、「（カップリングレンズ）を配置し」、「（前記カップリングレンズの後ろにアパーチャを）配置し」、「（前記アパーチャの後ろに光偏向器）を配置し」、「（結像光学系を）配置し」、「（条件式を）満足するように、前記各部材を設定する工程を有する」という「（マルチビーム光走査装置の）製造方法」』なる事項が本件出願当初の明細書又は図面に記載されていると認めることはできない。
　
（３）むすび
　したがって、本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でなされたのものとはいえず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないので、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　以上のとおり、平成１６年１２月２７日付けの手続補正は却下されたので、本件審理の対象となる発明は、平成１６年９月２７日付けで補正された明細書の請求項１ないし１４に記載される事項により特定されるものであるところ、その請求項２に係る発明は、次のとおりである。
「【請求項２】半導体レーザアレイを用いるマルチビーム光走査装置の製造方法において、
　半導体レーザアレイは副走査方向に対して角度γだけ傾いており、
　半導体レーザアレイから射出された光ビームの状態を変換するカップリングレンズ、
　光ビームを主走査方向に偏向するための光偏向器および
　前記光偏向器の後ろに配置され、光ビームを集光させて被走査面上にωｍ×ωｓ径の光スポットを得るための結像光学系を有し、
　結像光学系の副走査方向の結像横倍率をβ；
　半導体レーザアレイの発光点間隔をＰＬＤ；
　半導体レーザアレイの回転角度をγ；
　半導体レーザアレイの発光点数をｎ；
　カップリングレンズから光偏向器までの距離をｄ；そして
　カップリングレンズの焦点距離をｆＣＯＬ；として
　0＜(β×ＰＬＤ×sinγ×(ｎ−１)×(ｄ−ｆＣＯＬ)／ｆＣＯＬ）／ωＳ＜100　（式３）
なる条件式を満足することを特徴とするマルチビーム光走査装置の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
４．引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願前の平成１３年１１月９日に頒布された特開２００１−３１１８９５号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、本願明細書の段落【００４７】〜【００５６】及び図５、６に記載される本願発明の第１の実施例に係るマルチビーム光走査装置と同一構成のマルチビーム光走査装置（カップリングレンズから光偏向器までの距離ｄ及び半導体レーザの発散角についての具体的な値の記載はないが、他の点については全く同一である）が、その実施例２として段落【００２４】〜【００２７】及び図６、７に記載されている。
　そして、引用刊行物における上記実施例２に係る記載の一部を摘記すると次のとおりである。　
『【００２４】実施例２　
　実施例２の光学配置を図６に示す。符号１１２は半導体レーザアレイ、符号１２２はカップリングレンズ、符号１３２はアパーチュア、符号１４２はシリンドリカルレンズ、符号１５２は回転多面鏡、符号１６２，１７２は走査結像光学系を構成するレンズ、符号１９は被走査面を示している。　
　「光源としての半導体レーザアレイ」
　発光部数：４　発光部の配列ピッチ：ρ＝２０μｍ　発光波長：６７０ｎｍ
　最大出力：８ｍＷ　傾き角：φ＝２９．４５度
　「カップリングレンズ」
　レンズ構成：１群１枚構成　焦点距離：３０ｍｍ　
　カップリング作用：コリメート作用
　「シリンドリカルレンズ」
　副走査方向の焦点距離：５１．８８ｍｍ
　「アパーチュア」
　主走査方向の開口幅：７．９ｍｍ　副走査方向の開口幅：１．2ｍｍ
　「回転多面鏡」
　偏向反射面数：５　内接円半径：１８ｍｍ　入射角（光源側からのビーム入射方向と走査結像光学系の光軸とがなす角）：６０度
　書き込み密度：１２００ｄｐｉ
　狙いとする副走査方向のスポット径：３０μｍ』
　
　なお、上記引用刊行物には、本願明細書の段落【００６３】〜【００７２】及び図７、８に記載される本願発明の第２の実施例並びに段落【００８０】〜【００８４】及び図９、１０に記載される本願発明の第３実施例のマルチビーム光走査装置についても、それらと同一構成のもの（カップリングレンズから光偏向器までの距離ｄ及び半導体レーザの発散角についての具体的な値の記載はないが、他の点については全く同一である）が、それぞれ、その実施例４及び６として、段落【００３２】〜【００３７】及び図１０、１１並びに段落【００４０】及び図１４、１５に記載されている。　
　
５．対比・判断
　本願発明と上記引用刊行物に実施例２として記載される発明（以下、「引用発明」という。）を比較すると、引用刊行物の「半導体レーザアレイ」、「カップリングレンズ」、「回転多面鏡」及び「結像光学系」がそれぞれ、本願発明の「半導体レーザアレイ」、「カップリングレンズ」、「光偏光器」、「結像光学系」に相当しており、両者はともに
「半導体レーザアレイを用いるマルチビーム光走査装置において、
　半導体レーザアレイは副走査方向に対して傾いており、
　半導体レーザアレイから射出された光ビームの状態を変換するカップリングレンズ、
　光ビームを主走査方向に偏向するための光偏向器および
　前記光偏向器の後ろに配置され、光ビームを集光させて被走査面上に光スポットを得るための結像光学系を有するマルチビーム光走査装置。」に関する発明である点で一致する。
　
　一方次の点で相違する。
ａ．本願発明は、
　「結像光学系の副走査方向の結像横倍率をβ；
　半導体レーザアレイの発光点間隔をＰＬＤ；
　半導体レーザアレイの回転角度をγ；
　半導体レーザアレイの発光点数をｎ；
　カップリングレンズから光偏向器までの距離をｄ；そして
　カップリングレンズの焦点距離をｆＣＯＬ；として
　0＜(β×ＰＬＤ×sinγ×(ｎ−１)×(ｄ−ｆＣＯＬ)／ｆＣＯＬ）／ωＳ＜100　（式３）
なる条件式を満足する」とされているのに対し、引用刊行物において、引用発明が（式３）なる条件式を満足する旨の明記がない点。
ｂ．本願発明は、「製造方法」の発明とされているのに対し、引用発明は、製造方法の発明とはされていない点。
　
　上記ａの点について検討するに、引用発明の「（半導体レーザアレイの）発光部数」、「発光部の配列ピッチ：ρ」、「傾き角：φ」、「（カップリングレンズの）焦点距離」及び「狙いとする副走査方向のスポット径」がそれぞれ、本願発明の「半導体レーザアレイの発光点数（ｎ）」、「半導体レーザアレイの発光点間隔（ＰＬＤ）」、「半導体レーザアレイの回転角度（γ）」、「カップリングレンズの焦点距離（ｆＣＯＬ）」、「被走査面上の光スポット径ωｓ」に相当しており、引用発明において、
　被走査面上の光スポット径ωｓ：３０μｍ
　半導体レーザアレイの発光点間隔ＰＬＤ：２０μｍ
　半導体レーザアレイの回転角度γ：２９．４５度
　半導体レーザアレイの発光点数ｎ：４
　カップリングレンズの焦点距離ｆＣＯＬ： ３０ｍｍ
である。
　また、本願発明の結像光学系の副走査方向の結像横倍率βは、引用刊行物第７頁左欄第１３〜１８行の「副走査方向の結像倍率：βｚは、光源と光偏向器の偏向反射面との間にある光学系（カップリングレンズとシリンドリカルレンズ）の副走査方向の横倍率：｜β1｜と、走査結像光学系の副走査方向の横倍率：｜β2｜の積：｜β1｜×｜β2｜」で与えられる。」との記載におけるβ2のことであり、βｚ／β1で与えられる。
　そして、引用発明において、書き込み密度は１２００ｄｐｉであり、１インチ＝２．５４ｃｍ＝２５４００μｍであるから、
　βｚは、（２５４００／１２００）／（２０・ｃｏｓ（２９．４５度））≒１．２１６　であり、
　また、β1は、（シリンドリカルレンズの焦点距離：５１．８８ｍｍ）／（カップリングレンズの焦点距離：３０ｍｍ）≒１．７３である。
　よって、結像光学系の副走査方向の結像横倍率βは、約０．７となる。
（なお、これは、本願明細書の段落【００５７】に、本願発明の第１の実施例のβとして記載される値と同じである。）
　引用発明には、カップリングレンズから光偏向器までの距離について具体的な値が記載されていないので、これをｄとして、上記条件式（式３）の中央の式
　(β×ＰＬＤ×sinγ×(ｎ−１)×(ｄ−ｆＣＯＬ)／ｆＣＯＬ)／ωＳ　に上記の各値を代入すると
（0.7×（20×10−３）×sin29.45°×（４−１）×（ｄ−30）／30）／（30×10−３）≒0.69×（ｄ／30−１）
　となる。
　これより明らかなように、（式３）の中央の式の値が０以下となるのは、ｄが３０ｍｍ以下の場合であり、また、この式の値が１００以上となるのは、ｄが４３７７ｍｍ以上の場合であって、ｄが３０ｍｍ〜４３７７ｍｍであれば、条件式（３）を満たすことが分かる。
　そして、引用発明において、カップリングレンズから光偏向器までの距離を３０ｍｍ以下や４３７７ｍｍ以上のものとしなければならない理由はなく、この距離として３０ｍｍ〜４３７７ｍｍの範囲内のものを採用することは、その図６からみてもしごく当然なものと認められる。
　
　上記相違点ｂについて検討するに、引用発明において、カップリングレンズから光偏向器までの距離が３０ｍｍ〜４３７７ｍｍの範囲内のものを採用して、その図６に示されるような光学系を有するマルチビーム光走査装置を製造することに格別の困難は認められない。
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。