【事件の表示】
　平成１０年特許願第３３３２７１号「半導体集積回路装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年８月１７日出願公開、特開平１１−２２４９３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成５年３月２５日（優先日：平成４年３月２７日、出願番号：特願平４−７１１１６号、優先日：平成４年１１月３０日、出願番号：特願平４−３２００９８号）に出願した特願平５−６５７８４号の一部を平成１０年１１月２４日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１〜２に係る発明は、平成１４年４月３０日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２に記載されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。　
　
「【請求項１】半導体チップを搭載するための一主面を有する半導体チップ搭載部と、前記半導体チップ搭載部を支持する吊りリード部と、前記半導体チップ搭載部の周囲を取り囲むように配置された複数のインナーリード部と、前記複数のインナーリード部それぞれと一体に形成され前記複数のインナーリード部から外方に向かって延在する複数のアウターリード部と、前記半導体チップ搭載部の一主面に接着剤を介して接続され前記半導体チップ搭載部よりも大きいサイズで集積回路および複数のボンディングパッドが形成された主面を有する半導体チップと、前記半導体チップの複数のボンディングパッドと前記複数のインナーリード部とを接続する複数のボンディングワイヤと、前記半導体チップ、前記半導体チップ搭載部、前記吊りリード部、前記複数のインナーリード部および前記複数のボンディングワイヤを樹脂で封止した樹脂封止体とからなるとともに、前記半導体チップは、前記半導体チップ搭載部の一主面にこの一主面よりも小さな面積で供給された接着剤により前記半導体チップ搭載部の一主面に接続され、前記半導体チップの他の主面の周辺部は前記吊りリード部から離間していることを特徴とする半導体集積回路装置。」
　
２．引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の優先日前に頒布された刊行物である
　
特開昭６３−２０４７５３号公報（以下「刊行物１」という。）
特開昭５８−６６３４６号公報（以下「刊行物２」という。）
実願昭５５−８０４７５号（実開昭５７−４２２６号）のマイクロフィルム（以下「刊行物３」という。）
特開昭６３−６４３３０号公報（以下「刊行物４」という。）
特開昭６３−５００５０号公報（以下「刊行物５」という。）
特開平３−２３２２５７号公報（以下「刊行物６」という。）
　
には、図面とともに、以下の記載がある。
　
（１）刊行物１
（１ａ）「（１）リードフレームのダイパッド上に半導体素子が載置された状態で熱硬化性樹脂により樹脂封止された半導体装置において、ダイパッドが半導体素子の底面よりも小形に形成されていることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲（１））
（１ｂ）「一般に、樹脂封止型の半導体装置は、リードフレームのダイパツド上への半導体素子のダイボンド，ワイヤーボンド，樹脂封止，ダイバーカット，ピン曲げという一連の工程を経由して製造される。」（１頁右下欄１〜５行）
（１ｃ）「すなわち、本発明者らは、上記フラットパッケージ，ＰＬＣＣ等の表面実装時におけるパッケージクラックの発生原因について一連の研究を重ねた。その結果、表面実装時における半田加熱により、封止樹脂とダイパッドとの界面に、樹脂中の水分の気化蒸気が集中し、ダイパッドから封止樹脂を底面側に押圧して全体が膨らんだような状態になり、それによってパッケージクラックが発生することを突き止めた。そこで、本発明者らは、このような現象の発生防止についてさらに研究を重ねた結果、ダイパッドの表面積をシリコンチップの底面積よりも小さくすると、上記封止樹脂中の水分の気化蒸気の集中現象が少なくなり、パッケージクラックの発生が防止されるようになることを見いだしこの発明に到達した。」（２頁右上欄９行〜左下欄３行）
（１ｄ）「この発明の半導体装置は、以上のように、半導体素子を載置するダイパッドを、半導体素子の底面よりも小形に形成しているため、表面実装時における半田浸漬等の熱衝撃に対しても強い抵抗力を備えており、表面実装後に耐湿信頼性が低下するというようなことがない。」（４頁右上欄１９行〜左下欄４行）
（１ｅ）「これを第１図および第２図に示す。図において、１はパッケージ、２はツリピン、３はチップ、４はダイパッドである。」（４頁左下欄１８〜２０行）と記載され、第１図には、ダイパッドと、ダイパッドを支持するツリピンと、ダイパッドよりも大きいサイズのチップと封止樹脂がパッケージを構成していることが示されている。
　
（２）刊行物２
（２ａ）「半導体ペレットの一主面をリードのアイランド部の平面に固着してなる半導体装置において、前記アイランド部の平面は前記半導体ペレットの一主面に部分的に固着するように前記一主面よりも小なる面積を有することを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
（２ｂ）「従来の半導体装置のリードのアイランド部は、・・・小さい半導体ペレットをこのアイランド部に固着しようとした場合、アイランド部の周囲部分が、半導体ペレットとリードとを配線したボンディングワイヤに接触して短絡事故を起こと等の問題があった。」（１頁左下欄下から４行〜右下欄５行）。
（２ｃ）「大きさの著しく異なる半導体ペレットでも、定まった形状を有する一つのリードに、ボンディングワイヤの短絡事故を生じることなく、容易に固着することができるという効果がある。」（１頁右下欄１４〜１８行）
（２ｄ）「このリードフレームは、半導体ペレット１の一主面（裏面）を固着するためのアイランド部２と、アイランド部２と枠４とを接続したリード３’と、半導体ペレット１の電極にボンディングされるワイヤの他端がボンディングされる多数のリード３とを有する。」（２頁左上欄１〜６行）と記載され、第１図〜第３図では、多数のリード３がアイランド部を取り囲むように複数配置されていることが示されている。
（２ｅ）「以上のように、本発明によれば、あらゆる大きさの半導体ペレットに一形状のリードフレームを適用できるから、特に多種少量生産において形状の異なる多数のプレス金型（・・・）を用意する必要がなくなり、廉価に製造することができる。」（２頁右上欄１１〜１６行）
　
（３）刊行物３
（３ａ）「（１）ダイパッドの少なくとも半導体素子接着部分を円形にしその直径を接着される半導体素子の短辺より短くしたリードフレームを用い上記半導体素子接着部分に上記半導体素子を接着することによって製造された半導体装置。・・・（３）ダイパッド中央部に設けた突起を半導体素子接着部分としたことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体装置」（実用新案登録請求の範囲（１），（３））
（３ｂ）「以下、実施例に基づいてこの考案を説明する。第３図はこの考案による半導体装置の第１の実施例に用いられるリードフレームの平面図、第４図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ第１の実施例の半導体装置の樹脂封止直後の状態を示す第３図のＩＶＡ−ＩＶＡ線およびＩＶＢ−ＩＶＢ線に対応する位置における断面図である。第３図および第４図において、第１図および第２図と同一符号は第１図および第２図にて示したものと同様のものを表わしている。（１ａ）は第１の実施例の半導体装置に用いられるリードフレーム、（２ａ）は円板状であり直径がシリコン素子（５）の短辺より短かいダイパッドである。・・・第５図はこの考案による半導体装置の第２の実施例に用いられるリードフレームの平面図、第６図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ第２の実施例の半導体装置の樹脂封止直後の状態を示す第５図のＩＶＡ−ＩＶＡ線およびＩＶＢ−ＩＶＢ線に対応する位置における断面図である。第５図および第６図において、第１図および第２図と同一符号は第１図および第２図にて示したものと同様のものを表わしている。（１ｂ）は第２の実施例の半導体装置に用いられるリードフレーム、（２ｂ）は中央部に直径がシリコン素子（５）の短辺より短かい円形の突起（２ｂ１）を有するダイパッドである。この第２の実施例の半導体装置においても、前記の第１の実施例の半導体装置と同様の利点を有している。」（４頁下から６行〜６頁末行）
（３ｃ）「ダイパッド（２ａ）の直径をシリコン素子（５）の短辺より短くして接着面積を小さくし、ダイパッド（２ａ）とシリコン素子（５）との線膨張係数の差によって生じていた変形（そり量）と応力とを小さくすることによって、接着時のシリコン素子（５）の破壊を防止する。」（５頁１３〜１８行）
（３ｄ）第６，７図には、ダイパッドの中央部分とシリコン素子とを接着させ、シリコン素子がワイヤボンディングされてない面の周辺部が宙吊りピンから離間しているものが示されている。
　
（４）刊行物４
（４ａ）「本発明は、半導体素子載置部に半導体素子より小さい面積の凹部を設け、この凹部に入れた接合材で半導体素子を接合したことにより、半導体素子と凹部との接合面積を半導体素子より小さい面積とすることができたので、熱膨張係数の違いにより半導体素子にかかる応力を緩和でき、半導体素子が半導体素子載置部に対して傾いたり浮いたりしない効果がある。」（２頁右上欄１７行〜左下欄４行）
　
（５）刊行物５
（５ａ）「半導体素子の下面中央部を、自身の大きさよりも十分に小さな面積範囲内で接合させるための、同接合面積、形状に対応した面積、形状の接合部を、載置部材上に一部連接状態で分離形成させることにより、大型化した半導体素子と載置部材間の接合面積を一定にでき」（２頁左下欄１９行〜右下欄５行）
　
（６）刊行物６
（６ａ）「この半導体チップ３の各電極（パッド部）３ａとリードフレーム１の各インナーリード１ｂとは、Ａｕ等のボンディングワイヤ４で電気的に接続され、リードフレーム１のアウターリード（図示せず）を外部に露出させた状態で封止樹脂５によって樹脂封止されている。」（４頁左上欄１３〜１８行）
　
３．当審の判断
　刊行物１には、上記摘記事項（１ａ）には、リードフレームのダイパッド上に半導体素子が載置された状態で熱硬化性樹脂により樹脂封止された半導体装置において、ダイパッドが半導体素子の底面よりも小形に形成されている半導体装置が記載され、上記摘記事項（１ｅ）には、ダイパッドと、ダイパットを支持するツリピンと、ダイパッドよりも大きいサイズのチップと封止樹脂がパッケージを構成していることが示されているので、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、「リードフレームのダイパッドと、ダイパッドを支持するツリピンと、ダイパッド上に載置された半導体素子と、熱硬化性樹脂からなる封止樹脂とからなり、ダイパッドが半導体素子の底面よりも小形に形成されている半導体装置」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　
　そこで、本願発明と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明において、ダイパッドが半導体素子の底面よりも小形に形成されているとは、ダイパッドよりも半導体素子の主面が大きいサイズに形成されているものであって、そして、刊行物１発明の「ダイパッド」、「ダイパットを支持するツリピン」、「半導体素子」、「熱硬化性樹脂からなる封止樹脂」、「半導体装置」は、それぞれ、本願発明の「半導体チップ搭載部」「半導体チップ搭載部を支持する吊りリード部」、「半導体チップ」、「樹脂で封止した樹脂封止体」、「半導体集積回路装置」に相当しているから、両者は、
「半導体チップを搭載するための一主面を有する半導体チップ搭載部と、前記半導体チップ搭載部を支持する吊りリード部と、前記半導体チップ搭載部の一主面に接続され前記半導体チップ搭載部よりも大きいサイズの主面を有する半導体チップと、樹脂で封止した樹脂封止体とからなる半導体集積回路装置」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
イ．半導体搭載部とリード部との関係について、本願発明においては、半導体チップ搭載部の周囲を取り囲むように配置された複数のインナーリード部と、前記複数のインナーリード部それぞれと一体に形成され前記複数のインナーリード部から外方に向かって延在する複数のアウターリード部からなるとされているが、刊行物１発明においては、リードフレームと記載され、インナーリード部、アウターリード部について記載のない点。
ロ．本願発明では、半導体チップの主面に集積回路および複数のボンディングパッドが形成されているとされているが、刊行物１発明では、そのような記載のない点。
ハ．本願発明では、半導体チップの複数のボンディングパッドと複数のインナーリード部とを接続する複数のボンディングワイヤからなるとされているが、刊行物１発明では、そのような記載のない点。
ニ．樹脂封止体が封止する部分について、本願発明においては、半導体チップ、半導体チップ搭載部、吊りリード部、複数のインナーリード部および複数のボンディングワイヤを樹脂で封止したとされているのに対して、刊行物１発明においては、そのような記載のない点。
ホ．半導体チップの接続に関して、半導体チップ搭載部の一主面への半導体チップの接続を接着剤を介して行ない、かつ前記半導体チップ搭載部の一主面にこの一主面よりも小さな面積で供給された接着剤により前記半導体チップ搭載部の一主面に接続され、前記半導体チップの他の主面の周辺部は前記吊りリード部から離間しているとされているのに対して、刊行物１発明においては、その点明らかでない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　
相違点イ、ロ、ハ、ニについて
　リードフレームが、半導体素子を搭載するダイパットと、リードのうち樹脂封止されるインナーリードと外部接続端子であるアウターリードで構成されていることは自明の事項であり、インナーリードを、半導体チップ搭載部の周囲を取り囲むように複数配置すること（上記摘記事項（２ｄ）参照）、アウターリードを、複数のインナーリードそれぞれと一体に形成し、前記アウターリードは、前記複数のインナーリード部から外方に向かって延在すること、半導体チップの主面に集積回路および複数のボンディングパッドを形成し、該複数のボンディングパッドと複数のインナーリード部とを複数のボンディングワイヤで接続し、該半導体チップ、半導体チップ搭載部、吊りリード部、複数のインナーリード部および複数のボンディングワイヤを樹脂で封止することは、いずれも樹脂封止型半導体装置の技術分野において、周知・慣用の技術的事項である（上記摘記事項（２ｄ）（３ｂ）（６ａ）参照）から、これらの事項を半導体集積回路装置に適用することは、当業者の設計上適宜にできることである。
　
相違点ホについて
　刊行物３の上記摘記事項（３ａ）（３ｄ）、刊行物４の上記摘記事項（４ａ）、刊行物５の上記摘記事項（５ａ）にみられるように、半導体チップの半導体チップ搭載部への接続において、全面でなく、つまり一主面よりも小さな面積で供給された接着剤により行うこと即ち、接着材のはみ出しを防ぐことは、周知の技術的事項であり、その場合、半導体チップの他の主面つまり、裏面の周辺部は、半導体チップ搭載部の外にあり、接着されていないのであるから、上記摘記事項（３ｄ）にみられるように、前記吊りリード部から離間していることになる。
　そして、刊行物１発明においても、ダイパッド上に半導体素子をダイボンドする以上、接続を接着剤を介して行うことも当然意味しており、また、半導体素子の底面より小形なダイパッドにおいて、大きな面積で接着剤を供給すれば、接着剤がはみ出すことは技術常識である。また、上記摘記事項（３ｄ）（４ａ）（５ａ）にみられるように、半導体チップおよび半導体チップ搭載部より小さな面積で接着剤を供給することが普通に知られているのであるから、刊行物１発明において、刊行物３〜５に記載される、上記周知技術を適用することで、上記相違点ホのようになすことは、当業者にとって格別の困難性はない。
　そして、明細書【０００９】〜【００１３】，【００５７】〜【００５８】，【００６５】〜【００６８】に記載される本願発明の効果も、刊行物１の上記摘記事項（１ｃ）（１ｄ）、刊行物２の上記摘記事項（２ｂ）（２ｃ）（２ｅ）、刊行物３の上記摘記事項（３ｃ）に記載されるように、上記刊行物の記載から予測しうる効果であり、当業者の予測を越える顕著なものとはいえない。
　なお、請求人は、平成１５年７月１７日付け審判請求書３頁の本願発明の作用効果の欄で、「熱応力低減および接着剤のはみ出し防止」効果を主張しているが、熱応力低減効果は、上記摘記事項（３ｃ）（４ａ）に記載され、接着剤のはみ出し防止も当然に予測できる効果であって格別顕著なものとは言えないから上記主張は採用できない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１〜６に記載された発明及び周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。