【事件の表示】
　特許第５７４３５０３号「ろう材およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７４３５０３号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第５７４３５０３号（請求項の数８）に係る特許出願（特願２０１０−２６５３５３）は、平成２２年１１月２９日に出願され、平成２７年　５月１５日に特許権の設定の登録がされたものである。
　その後、本件特許について、特許異議申立人　飯田　進　により特許異議の申立てがなされた。
第２　本件特許発明
　本件特許の請求項１〜８に係る発明（以下、「本件特許発明１〜８」ということがある。）は、特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項によって特定される次のとおりのものである。
【請求項１】
　主成分として３０．５質量％以上の銀および３５質量％以上５０質量％以下の銅を含むとともに、インジウム，亜鉛および錫から選択される少なくとも１種の元素Ａを１質量％以上２４質量％以下と、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の元素Ｂの水素化合物を０．５質量％以上９質量％以下と、モリブデン，オスミウム，レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種の元素Ｃを０．５質量％以上９質量％以下からなることを特徴とするろう材。
【請求項２】
　絶縁性の支持基板の第１主面側に銅を含む回路部材を、前記第１主面に対向する第２主面側に放熱部材をそれぞれ設けてなる回路基板であって、前記回路部材は、前記支持基板の前記第１主面上に複数個並べて配置されて、請求項１に記載のろう材からなるそれぞれの接合層を介して前記支持基板と接合されていることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
　前記接合層における前記元素Ｃの平均結晶粒径が３μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
　前記接合層を構成する全成分１００質量％のうち、酸素の含有量が２質量％以下であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
　前記接合層を構成する全成分１００質量％のうち、炭素の含有量が０．０５質量％以下であることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
　前記支持基板は、窒化珪素または窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスからなることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項７】
　前記元素Ｂが前記支持基板の前記第１主面近傍の金属元素と化学結合していることを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
　請求項２乃至請求項７のいずれかに記載の回路基板における前記回路部材上に電子部品を搭載したことを特徴とする電子装置。
第３　申立理由の概要　
　特許異議申立人は、甲第１号証〜甲第７号証を証拠方法として、次の理由により特許を取り消すべきものである旨主張している。
１　理由
（１）本件特許発明１〜６、８の特許について
　本件特許発明１〜６、８は、甲第１号証に記載された発明と甲第２号証に記載された発明及び技術常識（例えば、甲第３号証、甲第４号証、甲第６号証、甲第７号証）とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（２）本件特許発明７の特許について
　本件特許発明７は、甲第１号証に記載された発明と甲第２号証に記載された発明、甲第５号証に記載された発明及び技術常識（例えば、甲第３号証、甲第４号証、甲第６号証、甲第７号証）とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
２　甲号証
　甲第１号証　：特開平９−２８３６５６号公報
　甲第２号証　：特開２００６−６６７５２号公報
　甲第３号証　：玉虫文一他編，「岩波理化学辞典　第３版増補版第５刷」，１９８５年２月１５日発行，ｐ．１９１，７９８，１３４８，１３４９，１４５８，岩波書店
　甲第４号証　：特開平５−９７５３２号公報
　甲第５号証　：特開平４−１６８７９２号公報
　甲第６号証　：特開２００５−２６８８２１号公報
　甲第７号証　：特開平４−１８７５７４号公報
第４　甲第１号証について
１　甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、以下の（１−ア）〜（１−ク）が記載又は図示（以下、これらを「甲第１号証の（１−ア）〜（１−ク）」と記載することがある。）されている。（なお、下線は当審において付した。）。
（１−ア）「【請求項１】　カーボン粉末と、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属とを含有する銀−銅系ろう材層を介してセラミックス基板に金属回路板を接合して成ることを特徴とするセラミックス回路基板。
【請求項２】　銀−銅系ろう材層におけるカーボン粉末の含有量が０．１〜５．０重量％であることを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板。
【請求項３】　銀−銅系ろう材層における活性金属の含有量が０．５〜１０重量％であることを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板。
【請求項４】　銀−銅系ろう材層は、さらにＩｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元素を含有することを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板。
【請求項５】　Ｉｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元素は５〜２０重量％含有されていることを特徴とする請求項４記載のセラミックス回路基板。
【請求項６】　銀−銅系ろう材層はＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｉ系ろう材層であることを特徴とする請求項４記載のセラミックス回路基板。
【請求項７】　金属回路板を接合した側と反対側のセラミックス基板表面に、上記銀−銅系ろう材層を介して金属板を接合したことを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板。」（【特許請求の範囲】）
（１−イ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミックス基板に金属回路板をろう材によって接合したセラミックス回路基板に係り、特に金属回路板の接合強度が大きく、また耐熱サイクル特性に優れ、信頼性が高いセラミックス回路基板に関する。」
（１−ウ）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技術において、セラミックス基板にＴｉなどの活性金属を含有するろう材により金属回路板を一体に接合して成るセラミックス回路基板では、脆弱な反応相が接合界面に生成され易いため、十分な接合強度が得られず、セラミックス基板の接合部にクラックが発生し易く、高い信頼性を有する回路基板が得られないという問題点があった。
【０００６】また、一旦は高い接合強度で接合された場合においても、その後に付加される熱サイクルが低い段階において、微小なクラックが発生し、そのクラックが経時的に進展することにより、接合強度も低下し、最終的にはセラミックス基板の割れや欠けを生じてしまうなど長期にわたる信頼性の維持が困難となる問題点もあった。
【０００７】さらに上記活性金属法による金属回路板の接合操作は一般に真空中で実施されるため、製造工程が複雑化し、回路基板の量産性が劣るという問題点もあった。
【０００８】本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、繰り返しの冷熱サイクルを長時間付加した後においてもクラックの発生が効果的に抑制される、いわゆる耐熱サイクル性に優れた信頼性が高いセラミックス回路基板を提供することを目的とする。」
（１−エ）「【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため本願発明者は、セラミックス基板と金属回路板とを接合するろう材に含有させる元素の種類および量を種々変えてセラミックス回路基板を調製し、ろう材に含有させる元素の種類が回路基板の接合強度、および耐熱サイクル特性や接合部の強度特性に及ぼす影響を比較検討した。
【００１０】その結果、カーボン粉末と、ある種の活性金属を複合的に含有するろう材や活性金属と、Ｉｎなどの元素とを複合的に含有するろう材を使用して基板と回路板とを接合しセラミックス回路基板を調製したときに、回路基板の耐熱サイクル特性が向上することが判明した。本発明はこれらの知見に基づいて完成されたものである。
【００１１】すなわち本発明に係るセラミックス回路基板は、カーボン粉末と、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属とを含有する銀−銅系ろう材層を介してセラミックス基板に金属回路板を接合して成ることを特徴とする。
【００１２】また、銀−銅系ろう材層におけるカーボン粉末の含有量は０．１〜５．０重量％とする。さらに銀−銅系ろう材層における活性金属の含有量は０．５〜１０重量％の範囲が好ましい。
【００１３】また銀−銅系ろう材層が、さらにＩｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元素を含有するように構成するとよい。
【００１４】さらに上記Ｉｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択される少なくとも１種の元素は５〜２０重量％含有される。また銀−銅系ろう材層はＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｉ系ろう材層で構成するとよい。
【００１５】さらに金属回路板を接合した側と反対側のセラミックス基板表面に、上記銀−銅系ろう材層を介して金属板を接合するとよい。
【００１６】上記回路基板を構成するセラミックス基板としては、活性金属などのろう材成分と反応して高硬度の反応生成層を形成する窒化アルミニウム（ＡｌＮ），窒化けい素（Ｓｉ３Ｎ４），サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）などの窒化物系セラミックス基板が好適である。
【００１７】また金属回路板としては導電性を有する金属であれば特に限定されないが、電気抵抗率や材料コストの観点から銅またはアルミニウムから成る回路板が好適である。」
（１−オ）「【００１８】本発明において銀−銅系ろう材層を形成するためのろう材としては、重量％でカーボン（Ｃ）粉末を０．１〜５．０％、Ｃｕを１５〜３５％、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属を０．５〜１０％，残部が実質的にＡｇから成る組成物のペーストが使用される。ペーストは上記組成物を有機溶媒中に分散して調製される。
【００１９】上記ろう材組成物において、カーボン（Ｃ）粉末は接合部の残留応力を低減し、回路基板の耐熱サイクル性の向上に寄与する成分である。すなわち、カーボン粉末の線膨張係数は約４×１０−６／Ｋであり、このカーボン粉末をろう材組成物中に含有させることにより、ろう材層自体の線膨張係数がセラミックス基板の線膨張係数に近くなる。そのため接合操作後における回路基板の残留応力の低減が図られ、回路基板の耐熱サイクル性を向上させることができる。
【００２０】上記カーボン粉末の含有量が０．１重量％未満の場合には、上記残留応力の緩和による耐熱サイクル性の改善効果が不十分である。一方、カーボン粉末の含有量が５重量％を超えると、ろう材組成物をペースト化することが困難となり、例えばスクリーン印刷法によってろう材層を形成することが困難になる。また、ろう材層を形成できた場合でも金属回路板の接合強度が低下してしまう。したがってカーボン粉末の含有量は０．１〜５重量％の範囲とされるが、０．５〜１．５重量％の範囲がより好ましい。
【００２１】なお、上記カーボン粉末としては、平均粒径が１０μｍ以下のＣ粉末を使用するとよい。平均粒径が１０μｍを超えるような粗大なカーボン粉末を使用するとろう材組成物ペーストを均一に調製することが困難であり、またペーストをスクリーン印刷することが困難になる。カーボン粉末の平均粒径は５μｍ以下がさらに好ましい。
【００２２】また、Ａｇ−Ｃｕ成分は、セラミックス焼結体製基板とＴｉなどの活性金属との接合層の形成を促進する成分として有効であり、Ｔｉなどの活性金属を接合層（ろう材層）中に拡散させ強固な接合体を形成するのに寄与する。上記Ａｇ−Ｃｕ成分比は、共晶組成物（７２重量％Ａｇ−２８％Ｃｕ）を生成し易い組成比に設定して液相の生成量を低減してもよいが、他の組成範囲でも構わない。
【００２３】上記ろう材中に含有される活性金属は、さらにセラミックス基板に対するろう材の濡れ性を改善するための成分であり、それらの配合量はろう材層全体に対して０．５〜１０重量％に設定される。活性金属の含有量が０．５重量％未満の場合には、濡れ性の改善効果が得られない一方、含有量が多いほどセラミックス基板と濡れ易くなる作用を有するが、含有量が１０重量％を超える過量となると、接合界面に脆弱な反応相（反応生成相）が生成され易くなり、接合強度の低下とともに接合体全体としての構造強度の低下を招く。
【００２４】上記ろう材中に、さらにＩｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択された少なくとも１種の成分を５〜２０重量％の割合で添加してもよい。Ｉｎ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｎは、上記活性金属，ろう材成分およびセラミックス基板成分とともに、硬度が比較的に大きな金属間化合物を接合界面に形成し、セラミックス基板の見掛け上の強度を高め、ＴＣＴにおいてセラミックス基板に発生する熱応力が大きくなった場合においても、クラックが発生しにくくなり、回路基板の耐熱サイクル特性を大幅に改善する効果がある。
【００２５】またＩｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎは、ろう材による接合温度を低下させ、熱応力の発生量を低減し接合後における残留応力を低下するためにも有効である。添加含有量が５重量％未満では、上記硬度を高める効果および接合温度の低減効果が少ない。一方、２０重量％を超えると、ろう材組成の変化が大きくなり、回路基板の信頼性を高めるに十分な接合強度が得られない。
【００２６】銀−銅系ろう材層の厚さは接合体の接合強度に大きな影響を及ぼすものであり、本発明では１５〜３５μｍの範囲に設定される。ろう材層の厚さが１５μｍ未満の場合には、接合強度が十分に得られず、またセラミックス基板と金属回路板との密着性が低下し、回路基板全体としての熱抵抗が増大し、放熱性が低下してしまう。一方、ろう材層の厚さが３５μｍを超えると、接合界面に脆弱な反応相が生成され易くなるとともにセラミックス基板に生じる応力が大きくなるため、いずれにしろ十分な接合強度が得られない。
【００２７】さらに金属回路板を接合した側と反対側の窒化物系セラミックス基板表面に、上記銀−銅系ろう材層を介して上記金属回路板よりやや薄い金属板を接合することにより、接合操作によって発生するセラミックス回路基板の反りを効果的に防止できる。すなわち、セラミックス基板の表裏両面に配置する金属量を等しくすることによってセラミックス基板の各面における熱膨張量を等しくすることができ、両面における熱膨張差に起因する回路基板の反りを防止することができる。
【００２８】本発明に係るセラミックス回路基板は、例えば以下のような手順で製造される。すなわち、ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＡｌＯＮなどのセラミックス基板とＣｕなどで形成された金属回路板等との接合面に、カーボン粉末を０．１〜５重量％，Ｔｉなどの活性金属を０．５〜１０重量％含有するペースト状のＡｇ−Ｃｕ系ろう材組成物を塗布した状態で金属回路板を押圧し、１０−４Torr以下の真空状態にした加熱炉中で、またはアルゴン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガス雰囲気に調整した加熱炉中で、あるいは窒素（Ｎ２）ガス雰囲気の加熱炉中で、温度８００〜９００℃で１０〜１５分保持して一体に接合して製造される。
【００２９】上記活性金属法による接合操作においては、セラミックス基板とＡｇ−Ｃｕ系ろう材とのメタライズ界面を強固にするため、および活性金属元素とセラミックス成分とが反応して形成される反応生成層の形成を促進するために、Ａｇ：Ｃｕの重量比率を７２：２８の共晶組成比にすることが望ましい。この共晶組成比を有するろう材の融点は約７８０℃であるため実際の接合温度は８００〜９００℃に設定される。
【００３０】上記製法において、接合温度が８００℃未満と低い場合にはろう材が十分に溶融しないため、セラミックス基板と金属回路板との密着性が低下してしまう。一方、接合温度が９００℃を超えると接合面に脆弱な反応相が生成され易く、いずれにしても接合強度が低下してしまう。
【００３１】ここで上記Ａｇ−Ｃｕ系ろう材中に、さらにＩｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択された少なくとも１種の成分が５〜２０重量％含有される場合には、ろう材の溶融温度が、６８０℃程度までに下がる結果、７００〜８００℃の低温度範囲で接合を行うことができる。この接合温度の低下により接合操作後における回路基板の残留応力は小さくなる。その結果、回路基板の耐熱サイクル性を、より向上させることが可能となる。
【００３２】なお、ろう材組成物中に、ＩｎやＳｎ等を添加した場合には、ろう材組成物の基板に対する漏れ性やろう材自体の流動性が大幅に向上する。そのため、基板上にろう材組成物をパターン印刷した後に金属回路板素材を押圧して接合すると、金属回路板素材の外周縁からろう材がはみ出る現象が起き易い。このはみ出たろう材は、専用のエッチング剤（エッチャント）を使用した後エッチング処理によって除去されるが、所定形状の回路基板を形成する他に数回の後エッチングが必要になるため、回路基板の製造工程が煩雑になる問題を生じる。特に後エッチングで使用されるエッチング剤は強アルカリであるため、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板をセラミックス基板として使用した場合には、ＡｌＮ基板がエッチング剤によって腐食し、回路基板の耐熱サイクル特性が低下する場合もある。
【００３３】ところが、本発明のようにろう材組成物中にカーボン粉末を所定量含有させることにより、ろう材組成物の流動性を適度に調整することが可能であり、ろう材のはみ出し現象を効果的に防止することができる。したがって、はみ出したろう材を除去するための後エッチング処理が不要となり、回路基板の製造工程を大幅に簡略化することができる。またカーボン粉末を添加することにより、上記はみ出し現象を防止でき、少量のろう材で金属回路板をセラミックス基板表面に接合することができる。すなわち高硬度のろう材層を薄く形成することが可能となるため、回路基板の耐熱サイクル特性を、より向上させることができる。
【００３４】本発明に係るセラミックス回路基板によれば、銀−銅系ろう材層中にカーボン粉末と活性金属とを含有しており、カーボン粉末によってろう材層の線膨張率がセラミックス基板の線膨張係数に近くなる。そのため、金属回路板の接合後における残留応力が低減される。また活性金属成分の添加により、接合面に強固なメタライズ界面が形成され、接合部におけるセラミックス基板の強度を実質的に高めることができ、熱サイクルが付加された際に大きな熱応力が発生した場合においてもクラックを生じることが少ない。またろう材相中にＩｎ等を含有させることにより、ろう材の融点が低下し金属回路板の接合温度を低下させることができ、接合操作後における回路基板の残留応力を低減することができる。したがって耐熱サイクル特性が優れ、信頼性が高いセラミックス回路基板を提供することができる。」
（１−カ）「【００３５】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について、以下の実施例および添付図面を参照して説明する。
【００３６】実施例１〜１０
熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋであり、常圧焼結法によって製造した窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体を加工して、縦２９mm×横６３mm×厚さ０．６３５mmのＡｌＮ基板と、厚さ０．３mmのリン脱酸銅から成るＣｕ回路板（金属回路板）およびＣｕ板（金属板）とを多数調製した。
【００３７】一方、平均粒径５μｍのカーボン（Ｃ）粉末，活性金属粉末，Ｉｎ等の第３成分粉末，Ｃｕ粉末およびＡｇ粉末を用意し、表１に示すような組成を有する各実施例用のペースト状のＡｇ−Ｃｕ系ろう材を調製し、このろう材をＡｌＮ基板の両面に印刷してＡｇ−Ｃｕ系ろう材層を形成し、このろう材層を介して、Ｃｕ回路板およびＣｕ板をそれぞれＡｌＮ基板表面に圧着した。
【００３８】この状態で各圧着体を加熱炉に収容し、１×１０−４Torr以下の高真空中で、表１に示す接合温度に加熱し１０分間保持することにより、一体に接合し、図１に示すような実施例１〜１０に係るセラミックス回路基板１をそれぞれ多数製造した。
【００３９】図１に示すように、各実施例に係るセラミックス回路基板１は、ＡｌＮ基板２とＣｕ回路板３との間およびＡｌＮ基板２とＣｕ板（裏銅板）４との間に、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材層５を介して一体に接合されて形成されている。上記回路基板１のＣｕ回路板３の所定位置に半田接合によって半導体素子（Ｓｉチップ）７が接合されて、半導体装置構成用のセラミックス回路基板が形成される。
【００４０】比較例１〜４
一方、
比較例として表１に示す組成を有する従来のＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材ペーストを使用
【００４１】評価
上記のように調製した各実施例および比較例に係る各セラミックス回路基板の耐久性および信頼性を評価するために、金属回路板の接合強度（ピール強度）を測定するとともに、下記のような熱衝撃試験（ヒートサイクル試験：ＴＣＴ）を実施し、回路基板におけるクラック発生状況を調査した。ヒートサイクル試験は、各回路基板を−４０℃で３０分間保持した後に室温（ＲＴ）まで昇温して１０分間保持し、しかる後に＋１２５℃に昇温して３０分間保持し、次に冷却して室温で１０分間保持するという昇温−降温サイクルを３００回繰り返して付加する条件で実施した。
【００４２】そして３０回，１００回および３００回のサイクル数終了後において試験試料を５個ずつ取り出し、ＦｅＣｌ３溶液にてエッチング処理してＣｕ回路板およびろう材のＡｇ−Ｃｕ成分を除去することによってＡｌＮ基板上に生成されている反応生成層を露出させた。さらに、エッチング液により上記反応生成層を除去し、各ＡｌＮ基板表面についてＰＴ（蛍光探傷試験）を実施してファインクラックの発生の有無を検査した。そして各サイクル終了後における回路基板の健全率ηを下記（１）式に従って算出し、各回路基板の耐熱サイクル性を評価した。
【００４３】
【数１】
ここで、Ｄは、回路基板の接合部の長手方向において、クラックの発生し得る銅板縁部経路の全長であり、Σｄは上記経路上に発生した各クラックの長さ（ｄ１，ｄ２，…ｄｎ）の総和を示す。したがって、健全率ηが１００％とはクラックが全く発生していないことを意味する一方、健全率ηが０％とは基板全面に亘ってクラックが発生していることを意味する。
【００４４】上記測定調査結果を下記表１に示す。
【００４５】
【表１】
【００４６】表１に示す結果から明らかなように、各実施例に係るセラミックス回路基板においては、金属回路板の接合強度が従来の比較例とほぼ同等である一方、カーボン粉末の添加によってろう材層の線膨張係数が基板の線膨張係数に近くなり、接合後における残留応力が低減される結果、ＴＣＴにおいて少なくとも１００サイクルまではクラックが発生せず、耐熱サイクル特性に優れていることが確認できた。
【００４７】一方、カーボン粉末をろう材層中に含有しない比較例１に係るセラミックス回路基板においては、金属回路板の接合強度は実施例１と比較してやや高くなるが、耐熱サイクル性が低いことが判明した。またカーボン粉末含有量が過少である比較例２においては、耐熱サイクル性の改善効果が小さい。一方、カーボン含有量が過大である比較例４においては、耐熱サイクル性は良好である反面、金属回路板の接合強度が大幅に低下し、回路基板全体としての強度が不十分となることが判明した。」
（１−キ）「【００４８】
【発明の効果】以上説明の通り、本発明に係るセラミックス回路基板によれば、銀−銅系ろう材層中にカーボン粉末と活性金属とを含有しており、カーボン粉末によってろう材層の線膨張率がセラミックス基板の線膨張係数に近くなる。そのため、金属回路板の接合後における残留応力が低減される。また活性金属成分の添加により、接合面に強固なメタライズ界面が形成され、接合部におけるセラミックス基板の強度を実質的に高めることができ、熱サイクルが付加された際に大きな熱応力が発生した場合においてもクラックを生じることが少ない。またろう材相中にＩｎ等を含有させることにより、ろう材の融点が低下し金属回路板の接合温度を低下させることができ、接合操作後における回路基板の残留応力を低減することができる。したがって耐熱サイクル特性が優れ、信頼性が高いセラミックス回路基板を提供することができる。」
（１−ク）「【図１】本発明に係るセラミックス回路基板の一実施例を示す断面図。
・・・
【図１】
」
２　甲第１号証に記載された発明
（１）甲第１号証の（１−オ）の【００１８】には、「本発明において銀−銅系ろう材層を形成するためのろう材としては、重量％でカーボン（Ｃ）粉末を０．１〜５．０％、Ｃｕを１５〜３５％、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属を０．５〜１０％，残部が実質的にＡｇから成る組成物のペーストが使用される。」と記載されており、さらに、このろう材について、同【００２４】には、「上記ろう材中に、さらにＩｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択された少なくとも１種の成分を５〜２０重量％の割合で添加してもよい。」と記載されているから、甲第１号証には、
「カーボン粉末を０．１〜５．０重量％、Ｃｕを１５〜３５重量％、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属を０．５〜１０％、Ｉｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択された少なくとも１種の成分を５〜２０重量％の割合で添加し、残部が実質的にＡｇからなる組成物のペーストからなる銀−銅系ろう材層を形成するためのろう材。」（以下、「甲１−１発明」という。）
が記載されていると認める。
（２）ア　また、甲第１号証の（１−ア）には、「【請求項１】　カーボン粉末と、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属とを含有する銀−銅系ろう材層を介してセラミックス基板に金属回路板を接合して成ることを特徴とするセラミックス回路基板。
・・・
【請求項７】　金属回路板を接合した側と反対側のセラミックス基板表面に、上記銀−銅系ろう材層を介して金属板を接合したことを特徴とする請求項１記載のセラミックス回路基板。」と記載されているから、セラミックス基板に金属回路板を接合し、金属回路板を接合した側と反対側のセラミックス基板表面に金属板を接合したセラミックス回路基板であって、銀−銅系ろう材層を介してセラミックス基板にそれぞれ金属回路板と金属板とを接合したセラミックス回路基板が記載されているといえる。
イ　上記アの「セラミックス回路基板」について、甲第１号証の（１−カ）の【００３９】には、「図１に示すように、各実施例に係るセラミックス回路基板１は、ＡｌＮ基板２とＣｕ回路板３との間およびＡｌＮ基板２とＣｕ板（裏銅板）４との間に、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材層５を介して一体に接合されて形成されている。上記回路基板１のＣｕ回路板３の所定位置に半田接合によって半導体素子（Ｓｉチップ）７が接合されて、半導体装置構成用のセラミックス回路基板が形成される。」と記載され、上記アの「金属回路板」は「Ｃｕ回路板３」であるといえる。
　なお、甲第１号証の（１−ク）の本発明に係るセラミックス回路基板の一実施例を示す断面図である図１をみると、半導体素子（Ｓｉチップ）７が接合されている金属回路板（Ｃｕ回路板）３と接合されていない金属回路板（Ｃｕ回路板）３との間に空間があることが視認されるが、当該図は断面図であるから、半導体素子（Ｓｉチップ）７が接合されている金属回路板（Ｃｕ回路板）３と接合されていない金属回路板（Ｃｕ回路板）３とが別々の回路板であるとまではいえない。
ウ　また、甲第１号証の（１−オ）の【００１８】には、「本発明において銀−銅系ろう材層を形成するためのろう材としては、重量％でカーボン（Ｃ）粉末を０．１〜５．０％、Ｃｕを１５〜３５％、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属を０．５〜１０％，残部が実質的にＡｇから成る組成物のペーストが使用される。」と記載されており、上記アの「銀−銅系ろう材」は「本発明において銀−銅系ろう材層を形成するためのろう材」であり、上記（１）の検討を踏まえると、上記アの「銀−銅系ろう材」は上記甲１−１発明に係るろう材であるといえる。
エ　してみると、甲第１号証には、
「セラミックス基板にＣｕ回路板を接合し、Ｃｕ回路板を接合した側と反対側のセラミックス基板表面に金属板を接合したセラミックス回路基板であって、カーボン粉末を０．１〜５．０重量％、Ｃｕを１５〜３５重量％、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属を０．５〜１０％、Ｉｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択された少なくとも１種の成分を５〜２０重量％の割合で添加し、残部が実質的にＡｇからなる組成物のペーストからなるそれぞれの接合層を介して、それぞれ金属回路板と金属板とを接合したセラミックス回路基板。」（以下、「甲１−２発明」という。）が記載されていると認める。
（３）甲第１号証の（１−カ）の【００４０】には、「比較例として表１に示す組成を有する従来のＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材ペースト」と記載され、【表１】には、比較例１として、Ｔｉ：４．０重量％、Ｚｎ：１４．０重量％、Ｃｕ：２３重量％、残部Ａｇの組成が示されているから、次の発明が記載されていると認める。
「Ｃｕを２３．０重量％、Ｔｉを４．０重量％、Ｉｎを１４．０重量％、残部が実質的にＡｇからなる組成を有するＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材ペースト。」（以下「甲１−３発明」という。）
（４）さらに、甲第１号証の（１−カ）の記載及び（１−ク）から視認される事項からみて、甲第１号証には、
「セラミックス基板にＣｕ回路板を接合し、Ｃｕ回路板を接合した側と反対側のセラミックス基板表面に金属板を接合したセラミックス回路基板であって、Ｃｕを２３．０重量％、Ｔｉを４．０重量％、Ｉｎを１４．０重量％、残部が実質的にＡｇからなる組成を有するＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材ペーストからなるそれぞれの接合層を介して、それぞれ金属回路板と金属板とを接合したセラミックス回路基板。」（以下、「甲１−４発明」という。）が記載されていると認める。
第５　対比・判断
１　甲１−１発明、甲１−２発明に対して
（１）本件特許発明１について
ア　本件特許発明１と、甲１−１発明とを対比する。
イ　合金組成について、甲１−１発明は重量％で表現されており、本件特許発明は質量％で表現されているが、重量％と質量％とで表現された値は、それぞれ換算することなく同一の値である。
ウ　銀の含有量について、甲１−１発明は、「残部が実質的にＡｇ」であり、その他の成分の含有量の合計が最大である場合及び最小である場合が、それぞれＡｇの含有量の最小及び最大となるから、Ａｇの含有量は、実質的に３０（＝１００−（５．０＋３５＋１０＋２０））〜７９．４（＝１００−（０．１＋１５＋０．５＋５））質量％であるといえる。してみると、甲１−１発明のＡｇの含有量は、本件特許発明１のＡｇの含有量と重複する。また、銅の含有量について３５質量％である点で重複する。
エ　ここで、本件特許発明１の「主成分として」とは、本件特許明細書の【００２２】に「・・・、ここで主成分とは、ろう材を構成する全成分１００質量％のうち、合算で５０質量％以上を占める成分をいう。」と記載されていることから、「合計で５０質量％以上を占める成分として」と言い換えることができる。一方、甲１−１発明の銀の含有量（３０〜７０質量％）と銅の含有量（３５質量％）との合計は、少なくとも６５質量％であり、合計で５０質量％以上を占める成分であるから、甲１−１発明は銀及び銅を主成分として含むといえる。
オ　甲１−１発明は、「Ｉｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択された少なくとも１種の成分を５〜２０重量％の割合で添加」するから、甲１−１発明と本件特許発明１とは、インジウム、亜鉛および錫から選択される少なくとも１種の元素Ａの含有量について５質量％以上２０質量％以下の範囲において重複する。
カ　してみると、両者は、
「主成分として、３０．５質量％以上７９．４質量％以下の銀および３５質量％の銅を含むとともに、
インジウム，亜鉛および錫から選択される少なくとも１種の元素Ａを５質量％以上２０質量％以下、を有するろう材。」
である点で一致し、次の点で相違する。
相違点１−１：ろう材の成分について、銀及び銅を含む主成分及び元素Ａ以外の成分として、本件特許発明１が、「チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の元素Ｂの水素化合物を０．５質量％以上９質量％以下」有するのに対して、甲１−１発明が、「Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属を０．５〜１０％」有する点。
相違点１−２：ろう材の成分について、銀及び銅を含む主成分及び元素Ａ以外の成分として、本件特許発明１が、さらに、「モリブデン，オスミウム，レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種の元素Ｃを０．５質量％以上９質量％以下」有するのに対して、甲１−１発明は、これらの元素を有しない点。
相違点１−３：ろう材の成分について、本件特許発明１が、主成分、元素Ａ、元素Ｂ及び元素Ｃからなり、これら以外の成分を含有しないのに対して、甲１−１発明が、「カーボン粉末を０．１〜５．０重量％」含有する点。
キ　これらの相違点について、相違点１−３から検討する。
ク　まず、相違点１−３に係る甲１発明の発明特定事項である「カーボン粉末を０．１〜５．０重量％」含有する点についてみてみる。
ケ　甲１−１発明の解決しようとする課題は、甲第１号証の（１−ウ）の記載からみて、「繰り返しの冷熱サイクルを長時間付加した後においてもクラックの発生が効果的に抑制される、いわゆる耐熱サイクル性に優れた信頼性が高いセラミックス回路基板を提供すること」であるといえる。
　そして、上記課題を解決するための手段として、同（１−エ）には、「カーボン粉末と、ある種の活性金属を複合的に含有するろう材や活性金属と、Ｉｎなどの元素とを複合的に含有するろう材を使用して基板と回路板とを接合しセラミックス回路基板を調製したときに、回路基板の耐熱サイクル特性が向上することが判明した。」と記載されており、カーボン粉末とある種の活性金属とを複合的に含有することにより上記課題を解決しようとするものであり、カーボン粉末は必須成分として添加されるものといえる。
コ　また、甲第１号証の（１−カ）の【００３７】には、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材の調製について、「平均粒径５μｍのカーボン（Ｃ）粉末，活性金属粉末，Ｉｎ等の第３成分粉末，Ｃｕ粉末およびＡｇ粉末を用意し、表１に示すような組成を有する各実施例用のペースト状のＡｇ−Ｃｕ系ろう材を調製し」と記載されており、独立した粉末として、カーボン（Ｃ）粉末を用意し調製することからみても、カーボン（Ｃ）粉末は必須成分として添加されるものといえる。
サ　そして、カーボン粉末の添加量について見てみると、その課題を解決できるように甲第１号証の（１−ア）の請求項２、同（１−オ）の【００２０】の記載から、カーボン（Ｃ）粉末の添加量は０．１〜５．０重量％であるといえる。
シ　してみると、甲１−１発明は、耐熱サイクル性に優れた信頼性が高いセラミックス回路基板を提供するという課題を解決するために、カーボン粉末を必須成分として０．１〜５．０重量％添加するものであって、甲１−１発明において、カーボン粉末を含まないものとすることが甲第１号証に記載又は示唆されているとはいえない。
ス　また、甲第２号証〜甲第７号証にも、甲１−１発明において、カーボン粉末を含まないものとすることが記載又は示唆されているとはいえない。
セ　したがって、相違点１−３を、甲第１号証〜甲第７号証の記載に基づいて当業者が導出することができない。
ソ　なお、相違点１−３について、特許異議申立人は、「本件特許発明１は、炭素を含有する点を明示していないものの、本件特許発明５の記載から明らかな通りに炭素を含み得るものである。そのため、本件特許発明１は、カーボン粉末を含有する点で甲１発明Ａと相違するところはない。」（特許異議申立書第２１ページ第１５〜１７行目）と主張しているから、当該主張について検討する。
タ　特許異議申立人が主張の根拠とする本件特許発明５をみると、「前記接合層を構成する全成分１００質量％のうち、炭素の含有量が０．０５質量％以下であることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の回路基板。」と記載されているが、炭素の含有量が特定されるのは「接合層」であって「ろう材」ではないから、当該記載から、本件特許発明１に係るろう材がカーボン粉末を含有するものとは直ちにいえない。
チ　念のため、本件特許明細書を見てみると、接合層の炭素の含有量について、次の記載がある。
「【００３４】
　また、接合層31，32を構成する全成分100質量％のうち、炭素の含有量が0.05質量％以下であることが好適である。・・・なお、接合層31，32に含まれる炭素の含有量は、赤外線吸収法により求めればよい。そして、接合層31，32を構成する全成分100質量％のうち、炭素の含有量を0.05質量％以下とするには、接合時の熱処理を、真空雰囲気中において、800℃以上900℃以下の範囲で加熱する前に、窒素雰囲気中において、350℃以上500℃以下の範囲で加熱すればよい。」
　この記載からみて、接合層に含まれる炭素の含有量とは、接合層を赤外線吸収法により分析し、接合層を構成する全成分１００質量％のうちの炭素の含有量を意味するものであるが、その炭素がどのように含有されたのかは不明である。
ツ　そこで、製造方法について本件特許明細書を見てみると、次の記載がある。
「【００５９】
　次に、本実施形態のろう材の製造方法の一例について説明する。
【００６０】
　ろう材は、主成分となる銀および銅の粉末と、インジウム，亜鉛および錫から選択される少なくとも１種の元素Ａからなる粉末と、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の元素Ｂの水素化合物からなる粉末と、モリブデン，オスミウム，レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種の元素Ｃからなる粉末とを用意する。そして、所定量秤量して混合した後、樹脂および有機溶媒を添加し、順次混練して脱気することによってペースト状のろう材を得ることができる。
　・・・
【００６７】
　次に、本実施形態の回路基板の製造方法として、図１に示す回路基板10の例について説明する。
【００６８】
　・・・セラミックスからなる支持基板21を作製し、支持基板21を800℃以上900℃以下で熱処理することで、支持基板21の表面に付着した有機物や残留炭素を除去する。
【００６９】
　次に、熱処理した支持基板21の第１主面21ａおよび第２主面21ｂに、ペースト状の本実施形態のろう材を・・・塗布した後、120℃以上150℃以下で乾燥させる。
【００７０】
　・・・、800℃以上900℃以下の範囲で加熱することにより、・・・ろう材からなるそれぞれの接合層31ａ，31ｂ，32を介して支持基板21に接合した回路基板10を得ることができる。・・・。
【００７１】
　また、接合層31ａ，31ｂ，32における炭素の含有量がそれぞれ0.05質量％以下である回路基板10を得るには、接合時の熱処理を、窒素雰囲気中において、350℃以上500℃以下の範囲で加熱した後、真空雰囲気中において、800℃以上900℃以下の範囲で加熱すればよい。」
テ　この記載からみて、本件特許発明１に係るろう材は、主成分となる銀および銅の粉末と、インジウム，亜鉛および錫から選択される少なくとも１種の元素Ａからなる粉末と、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の元素Ｂの水素化合物からなる粉末と、モリブデン，オスミウム，レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種の元素Ｃからなる粉末とを用意し、所定量秤量して混合して得られるものであり、本件特許発明１は、それぞれの粉末に不可避的な不純物としての炭素が含有しないとまではいえないが、少なくとも炭素粉末を含有させるものとまではいえない。
　さらに、接合層は、ろう材に樹脂及び有機溶媒が添加され「ペースト状のろう材」としてから、塗布、乾燥させ、加熱することにより得られることから、樹脂及び有機溶媒に含まれる炭素が混入する可能性があり、さらに、支持基板の表面には、有機物や残留炭素が付着していることが記載されているから、これらが、接合層の炭素の一部であるとも考えられる。
ト　してみると、本件特許発明５は確かに接合層を構成する全成分１００質量％のうち、炭素の含有量が０．０５質量％以下であることを特定しているが、接合層の炭素は、支持基板の表面の付着物及びろう材をペースト状にするための樹脂及び有機溶媒に起因するものとも考えられるから、本件特許発明５の記載のみから、本件特許発明１に係るろう材が、炭素（カーボン）粉末を含有しているとまではいえない。
ナ　よって、上記特許異議申立人の主張は、採用しない。
ニ　したがって、本件特許発明１は、相違点１−１及び１−２について検討するまでもなく、甲第１号証に記載された発明と、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明及び周知技術とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではなく、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものではない。
（２）本件特許発明２について
ア　本件特許発明２と甲１−２発明とを対比する。
イ　甲１−２発明の「セラミックス基板」が絶縁性であることは明らかであり、本件特許発明２の「絶縁性の支持基板」に相当する。また、甲１−２発明の「Ｃｕ回路板」は、本件特許発明２の「銅を含む回路部材」に相当し、セラミックス基板の一方の側、すなわち、第１主面に設けられている。さらに、甲１−２発明の「金属板」は、金属製であることから放熱性を有し、本件特許発明２の「放熱部材」に相当し、セラミックス基板の一方の側と反対側、すなわち、第１主面に対向する第２主面に設けられている。
ウ　してみると、両者は、
「絶縁性の支持基板の第１主面側に銅を含む回路部材を、前記第１主面に対向する第２主面側に放熱部材をそれぞれ設けてなる回路基板であって、ろう材からなるそれぞれの接合層を介して前記支持基板と接合されている回路基板。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点１−４：「ろう材からなるそれぞれの接合層」について、本件特許発明２が「主成分として３０．５質量％以上の銀および３５質量％以上５０質量％以下の銅を含むとともに、インジウム，亜鉛および錫から選択される少なくとも１種の元素Ａを１質量％以上２４質量％以下と、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の元素Ｂの水素化合物を０．５質量％以上９質量％以下と、モリブデン，オスミウム，レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種の元素Ｃを０．５質量％以上９質量％以下からなるろう材」からなるのに対し、甲１−２発明は「カーボン粉末を０．１〜５．０重量％、Ｃｕを１５〜３５重量％、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属を０．５〜１０％、Ｉｎ，Ｚｎ，ＣｄおよびＳｎから選択された少なくとも１種の成分を５〜２０重量％の割合で添加し、残部が実質的にＡｇからなる組成物のペーストからなる銀−銅系ろう材層を形成するためのろう材」からなるである点
相違点１−５：回路部材について、本件特許発明２が「前記回路部材は、前記支持基板の前記第１主面上に複数個並べて配置されて」いるのに対し、甲１−２発明では、回路部材が複数個であるか否かが明らかでない点
エ　これらの相違点について検討する。
オ　相違点１−４について、本件特許発明２の接合層をなすろう材と甲１−２発明の接合層をなすろう材とは、それぞれ、本件特許発明１のろう材と甲１−１発明のろう材とであるから、上記（１）で述べたとおり、両者は少なくとも相違点１−３、すなわち、前者がカーボン粉末を含まないものであるものである一方、後者が必須成分としてカーボン粉末を含むものである点で相違する。
カ　ここで、カーボン粉末は、接合温度に比して十分に昇華点が高く（要すれば久保亮五他編，「岩波理化学辞典　第４版第９刷」，１９９４年７月１８日発行，「炭素」の項参照）接合時の加熱によって溶融することなく接合層に残存するものと考えられる。このことは、甲第１号証の（１−オ）の【００３３】に「本発明のようにろう材組成物中にカーボン粉末を所定量含有させることにより、ろう材組成物の流動性を適度に調整することが可能であり、ろう材のはみ出し現象を効果的に防止することができる。」と記載されており、また、同【００３４】に「カーボン粉末によってろう材層の線膨張率がセラミックス基板の線膨張係数に近くなる。そのため、金属回路板の接合後における残留応力が低減される。」と記載されており、これらの作用は、例えば、甲第２号証に記載されるろう材よりも融点の高い金属粉末、及び、甲第４号証に記載される熱膨張係数がセラミックスに比較的近い高融点金属であるＷ及びＭｏと同様の作用であるから、この金属粉末及び高融点金属と同様にカーボン粉末が接合時に溶融することなく接合層に残存するものと推認できることと一致する。
キ　してみると、本件特許発明２の接合層と甲１−２発明の接合層とは、それぞれの接合層をなすろう材が、相違点１−３で相違することにより、接合層として見ても異なり、また、本件特許発明２と甲１−２発明とは両者の技術思想が異なるものである。
ク　したがって、相違点１−５について検討するまでもなく、上記（１）で述べたのと同様の理由により、本件特許発明２は、甲１−２発明と甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明及び周知技術とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではなく、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものではない。
（３）本件特許発明３〜８について
　本件特許発明３〜７は、本件特許発明２の発明特定事項を有し、また、本件特許発明８は、本件特許発明８は、本件特許発明２〜７の回路基板における回路部材上に電子部品を搭載した電子装置に係るものであるから、本件特許発明２の発明特定事項を有するものである。
　してみると、本件特許発明３〜８は、本件特許発明２の発明特定事項を有するものであるから、上記（２）と同様の理由により、甲１−２発明と、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明及び周知技術とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではなく、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものではない。
２　甲１−３発明、甲１−４発明に対して
（１）本件特許発明１について
ア　本件特許発明１と、甲１−３発明とを対比する。
イ　合金組成について、甲１−３発明は重量％で表現されており、本件特許発明は質量％で表現されているが、重量％と質量％とで表現された値は、それぞれ換算することなく同一の値である。
ウ　甲１−３発明のろう材ペーストの組成は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、残部が実質的にＡｇからなるから、その銀の含有量は、５９質量％（＝１００−（２３＋４＋１４））であるといえ、本件特許発明１の銀の含有量の範囲に含まれる。また、甲１−３発明の銅と銀との含有量の和は、８２（＝２３＋５９）質量％であるから、甲１−３発明は、銅と銀とを主成分として含むといえる。
エ　甲１−３発明の、インジウムの含有量は、本件特許発明１のインジウム，亜鉛および錫から選択される少なくとも１種の元素Ａの含有量と一致する。
オ　してみると、両者は、
「主成分として、５９質量％の銀、及び、銅を含むとともに、
インジウムの元素Ａを１４質量％と、を有するろう材。」
で一致し、以下の点で相違する。
相違点２−１：銅の含有量について、本件特許発明１が「３５質量％以上５０質量％以下」であるのに対して、甲１−３発明は「２３．０質量％」である点
相違点２−２：本件特許発明１が「チタン，ジルコニウム，ハフニウム，およびニオブから選択される少なくとも１種の元素Ｂの水素化合物を０．５質量％以上９質量％以下」含有するのに対して、甲１−３発明は、チタンを４．０質量％含有する点
相違点２−３：本件特許発明１が「モリブデン，オスミウム，レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種の元素Ｃを０．５質量％以上９質量％以下」含有するのに対して、甲１−３発明では、これらの元素を含有することについて特定されていない点
カ　これらの相違点について検討する。
キ　相違点２−１について、甲１−３発明は、一比較例として記載される従来のＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材ペーストであり、甲第１号証には、当該ろう材ペーストの成分組成を調整する動機付けは認められず、その銅の組成を３５質量％以上５０質量％以下の範囲とすることを当業者が容易に想到することができない。
ク　また、甲第２号証〜甲第７号証をみても、当該ろう材ペーストの成分組成を調整する動機付けは認められず、甲１−３発明のろう材ペーストの銅の組成を３５質量％以上５０質量％以下の範囲とすることを当業者が容易に想到することができない。
ケ　さらに、相違点２−２、相違点２−３についても、相違点２−１と同様に、甲第１号証〜甲第７号証には、当該ろう材ペーストの成分組成を調整する動機付けが認められないから、相違点２−２及び相違点２−３について、当業者が容易に想到することができない。
コ　してみると、本件特許発明１は、甲１−３発明と甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明及び周知技術とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではなく、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものではない。
（２）本件特許発明２について
ア　上記１（２）の検討を踏まえて、本件特許発明２と甲１−４発明とを対比すると、両者は、
「絶縁性の支持基板の第１主面側に銅を含む回路部材を、前記第１主面に対向する第２主面側に放熱部材をそれぞれ設けてなる回路基板であって、ろう材からなるそれぞれの接合層を介して前記支持基板と接合されている回路基板。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点２−４：ろう材からなるそれぞれの接合層について、本件特許発明２が「主成分として３０．５質量％以上の銀および３５質量％以上５０質量％以下の銅を含むとともに、インジウム，亜鉛および錫から選択される少なくとも１種の元素Ａを１質量％以上２４質量％以下と、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の元素Ｂの水素化合物を０．５質量％以上９質量％以下と、モリブデン，オスミウム，レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種の元素Ｃを０．５質量％以上９質量％以下からなるろう材」からなるのに対し、甲１−４発明は「Ｃｕを２３．０重量％、Ｔｉを４．０重量％、Ｉｎを１４．０重量％、残部が実質的にＡｇからなる組成を有するＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ろう材ペースト」からなるである点
相違点２−５：回路部材について、本件特許発明２が「前記回路部材は、前記支持基板の前記第１主面上に複数個並べて配置されて」いるのに対し、甲１−４発明では、回路部材が複数個であるか否かが明らかでない点
イ　これらの相違点について検討する。
ウ　相違点２−４について、本件特許発明２の接合層をなすろう材と甲１−４発明の接合層をなすろう材とは、それぞれ、本件特許発明１のろう材と甲１−３発明のろう材とであるから、上記（１）で述べたとおり、相違点２−１〜２−３で相違する。そして、このろう材の相違点は、ろう材の成分が相違するものであるから、ろう材からなる接合層が実質的に相違することは明らかである。
エ　一方、上記（１）で検討したとおり、相違点２−１〜２−３は、当業者が容易に想到することができないから、接合層の相違点である相違点２−４についても同様に当業者が容易に想到することができない。
オ　したがって、本件特許発明２は、相違点２−５について検討するまでもなく、甲１−４発明と甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明及び周知技術とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではなく、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものではない。
（３）本件特許発明３〜８について
　本件特許発明３〜７は、本件特許発明２の発明特定事項を有し、また、本件特許発明８は、本件特許発明８は、本件特許発明２〜７の回路基板における回路部材上に電子部品を搭載した電子装置に係るものであるから、本件特許発明２の発明特定事項を有するものである。
　してみると、本件特許発明３〜８は、本件特許発明２の発明特定事項を有するものであるから、上記（２）と同様の理由により、甲１−４発明と、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明及び周知技術とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではなく、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものではない。
第６　むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし８に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年４月１日（２０１６．４．１）