Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月14日(2018.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１容量を有し、光を電荷に変換する光電変換部に接続されるノード部と、
第２容量を有する部材と、
前記ノード部と前記部材との間の接続を制御する制御部と、
前記部材に接続され、前記ノード部を所定電位にするためのリセット部と、
を備える撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像素子において、
前記リセット部は、前記部材を介して前記ノード部と電気的に接続される撮像素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の撮像素子において、
前記リセット部は、前記制御部を介して前記ノード部と電気的に接続される撮像素子。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記制御部は、第１制御線に接続される第１ゲートを有する第１トランジスタを含み、
前記リセット部は、前記第１制御線とは異なる第２制御線に接続される第２ゲートを有する第２トランジスタを含む撮像素子。
【請求項５】
請求項４に記載の撮像素子において、
前記第１制御線は、前記ノード部と前記部材とを電気的に接続させるための制御信号が出力され、
前記リセット部は、前記所定電位が供給される供給部に接続され、
前記第２制御線は、前記部材と前記供給部とを電気的に接続させるための制御信号が出力される撮像素子。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記ノード部に接続される第３ゲートを有し、前記ノード部の電位に基づく信号を出力する第３トランジスタと、
第４ゲート部を有し、前記第３トランジスタからの前記信号を信号線に出力するための第４トランジスタと、を備え、
前記第１ゲートは、前記第３ゲートまでの距離が、前記第４ゲートから前記第３ゲートまでの距離よりも長くなるように配置される撮像素子。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記ノード部に接続される第３ゲートを有し、前記ノード部の電位に基づく信号を出力する第３トランジスタを備え、
前記ノード部は、前記光電変換部からの電荷が転送される拡散領域を有し、
前記第１ゲートは、前記拡散領域までの距離が、前記第３ゲートから前記拡散領域までの距離よりも短くなるように配置される撮像素子。
【請求項８】
請求項７に記載の撮像素子において、
前記ノード部は、前記拡散領域と前記第３ゲートとを接続する配線を有する撮像素子。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記部材は、前記リセット部により前記所定電位にされる撮像素子。
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記部材は、配線と前記配線に接続される第５トランジスタとを有する撮像素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の撮像素子において、
前記部材は、前記第５トランジスタを複数有する撮像素子。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記ノード部は、複数の前記光電変換部に接続される撮像素子。
【請求項１３】
光を電荷に変換する第１光電変換部と接続される第１ノード部と、
光を電荷に変換する第２光電変換部と接続される第２ノード部と、
前記第２ノード部に接続される部材と、
前記前記第１ノード部と前記部材との間の接続を制御する制御部と、
前記部材と所定電位が供給される供給部とに接続されるリセット部と、
を備える撮像素子。
【請求項１４】
請求項１３に記載の撮像素子において、
前記リセット部は、前記部材を介して前記第１ノード部と電気的に接続される撮像素子。
【請求項１５】
請求項１３又は請求項１４に記載の撮像素子において、
前記リセット部は、前記制御部を介して前記第１ノード部と電気的に接続される撮像素子。
【請求項１６】
請求項１３から請求項１５のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記制御部は、第１制御線に接続される第１ゲートを有する第１トランジスタを含み、
前記リセット部は、前記第１制御線とは異なる第２制御線に接続される第２ゲートを有する第２トランジスタを含む撮像素子。
【請求項１７】
請求項１３から請求項１６のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記部材は、前記第２ノード部と前記制御部とを接続するためのスイッチ部を有する撮像素子。
【請求項１８】
請求項１７に記載の撮像素子において、
前記部材は、前記第２ノード部と前記スイッチ部とを接続する第１配線を有する撮像素子。
【請求項１９】
請求項１８に記載の撮像素子において、
前記部材は、前記制御部と前記スイッチ部とを接続する第２配線を有する撮像素子。
【請求項２０】
請求項１３から請求項１９のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１ノード部は、光を電荷に変換する第３光電変換部に接続される撮像素子。
【請求項２１】
請求項２０に記載の撮像素子において、
前記第１ノード部は、前記第１光電変換部で変換された電荷と、前記第３光電変換部で変換された電荷と、が転送される拡散領域を有する撮像素子。
【請求項２２】
光を電荷に変換する第１光電変換部と接続される第１拡散領域と、
光を電荷に変換する第２光電変換部と接続される第２拡散領域と、
前記第１拡散領域と前記第２拡散領域に接続される部材との間の接続を制御する制御部と、
前記部材と所定電位が供給される供給部とに接続されるリセット部と、
を備える撮像素子。
【請求項２３】
請求項２２に記載の撮像素子において、
前記部材は、前記第１拡散領域と前記第２拡散領域と接続するためのスイッチ部を有する撮像素子。
【請求項２４】
請求項１から請求項２３のいずれか一項に記載の撮像素子を備える撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月24日(2018.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状のボス部（３２１）、前記ボス部の軸方向端部から周方向所定ピッチで径方向外側に突出する複数のディスク部（３２２）、及び、各前記ディスク部の外周端部から前記ボス部の外周側へ軸方向に突出し、周方向交互に異なる極性に磁化される複数の爪状磁極部（３２３）を有する界磁コア（３２）と、
前記ボス部の外周側に巻装されて通電により起磁力を発生する界磁巻線（３３）と、
周方向に隣接する前記爪状磁極部の間に形成された、軸方向から傾斜した方向に延在する隙間に配置された永久磁石（３４）と、
前記爪状磁極部の外周を覆うように配置された筒状部材（３５）と、を備えた回転電機の回転子（３０）において、
前記永久磁石は、径方向外側の端面が前記筒状部材の内周面から離間し、且つ周方向両側の端面が前記爪状磁極部の周方向側面にそれぞれ当接した状態で保持されており、
前記筒状部材は、軸方向に積層された複数の鋼の板（３６）により構成され、定常状態における内径（Ｄ１）が前記爪状磁極部の外径（Ｄ２）よりも小さくされている回転電機の回転子。
【請求項２】
請求項１において、
前記筒状部材は、前記爪状磁極部の外周に装着されたときの軸長（Ｌ１）が定常状態における軸長（Ｌ２）よりも小さくされ、且つ軸方向に隣接する少なくとも一部の前記鋼の板の間に隙間を有する回転電機の回転子。
【請求項３】
筒状のボス部（３２１）、前記ボス部の軸方向端部から周方向所定ピッチで径方向外側に突出する複数のディスク部（３２２）、及び、各前記ディスク部の外周端部から前記ボス部の外周側へ軸方向に突出し、周方向交互に異なる極性に磁化される複数の爪状磁極部（３２３）を有する界磁コア（３２）と、
前記ボス部の外周側に巻装されて通電により起磁力を発生する界磁巻線（３３）と、
周方向に隣接する前記爪状磁極部の間に形成された、軸方向から傾斜した方向に延在する隙間に配置された永久磁石（３４）と、
前記爪状磁極部の外周を覆うように配置された筒状部材（３７）と、を備えた回転電機の回転子（３０）において、
前記永久磁石は、径方向外側の端面が前記筒状部材の内周面から離間し、且つ周方向両側の端面が前記爪状磁極部の周方向側面にそれぞれ当接した状態で保持されており、
前記筒状部材は、螺旋状に巻き重ねて軸方向に積層された鋼の線（３８，３９）により構成され、定常状態における内径（Ｄ３）が前記爪状磁極部の外径（Ｄ４）よりも小さくされている回転電機の回転子。
【請求項４】
請求項３において、
前記筒状部材は、前記爪状磁極部の外周に装着されたときの軸長（Ｌ３）が前記筒状部材の自然長（Ｌ４）よりも小さくされ、且つ軸方向に隣接する少なくとも一部の前記鋼の線の間に隙間を有する回転電機の回転子。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項において、
前記筒状部材を構成する磁性材料は、炭素量が０．４〜１．０５％のものである回転電機の回転子。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項において、
前記筒状部材は、軸方向に隣接する前記鋼同士が内周側で連結固定されている回転電機の回転子。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか一項において、
前記筒状部材は、軸方向に隣接する前記鋼同士が外周側で連結固定されている回転電機の回転子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するためになされた請求項１に記載の発明は、
筒状のボス部（３２１）、前記ボス部の軸方向端部から周方向所定ピッチで径方向外側に突出する複数のディスク部（３２２）、及び、各前記ディスク部の外周端部から前記ボス部の外周側へ軸方向に突出し、周方向交互に異なる極性に磁化される複数の爪状磁極部（３２３）を有する界磁コア（３２）と、
前記ボス部の外周側に巻装されて通電により起磁力を発生する界磁巻線（３３）と、
周方向に隣接する前記爪状磁極部の間に形成された、軸方向から傾斜した方向に延在する隙間に配置された永久磁石（３４）と、
前記爪状磁極部の外周を覆うように配置された筒状部材（３５）と、を備えた回転電機の回転子（３０）において、
前記永久磁石は、径方向外側の端面が前記筒状部材の内周面から離間し、且つ周方向両側の端面が前記爪状磁極部の周方向側面にそれぞれ当接した状態で保持されており、
前記筒状部材は、軸方向に積層された複数の鋼の板（３６）により構成され、定常状態における内径（Ｄ１）が前記爪状磁極部の外径（Ｄ２）よりも小さくされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するためになされた請求項３に記載の発明は、
筒状のボス部（３２１）、前記ボス部の軸方向端部から周方向所定ピッチで径方向外側に突出する複数のディスク部（３２２）、及び、各前記ディスク部の外周端部から前記ボス部の外周側へ軸方向に突出し、周方向交互に異なる極性に磁化される複数の爪状磁極部（３２３）を有する界磁コア（３２）と、
前記ボス部の外周側に巻装されて通電により起磁力を発生する界磁巻線（３３）と、
周方向に隣接する前記爪状磁極部の間に形成された、軸方向から傾斜した方向に延在する隙間に配置された永久磁石（３４）と、
前記爪状磁極部の外周を覆うように配置された筒状部材（３７）と、を備えた回転電機の回転子（３０）において、
前記永久磁石は、径方向外側の端面が前記筒状部材の内周面から離間し、且つ周方向両側の端面が前記爪状磁極部の周方向側面にそれぞれ当接した状態で保持されており、
前記筒状部材は、螺旋状に巻き重ねて軸方向に積層された鋼の線（３８，３９）により構成され、定常状態における内径（Ｄ３）が前記爪状磁極部の外径（Ｄ４）よりも小さくされている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月22日(2018.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の車両用電子制御装置（以下ＥＣＵと称す）のうち記憶されたプログラムの更新用ファイルが更新対象とされたＥＣＵによるリプログスレーブ（ＲＳ）と、
車両ユーザにより操作可能な端末（５、４６）からの要求に応じて前記更新用ファイルを前記リプログスレーブに送信し当該リプログスレーブに記憶されるプログラムを更新制御するリプログマスタ（ＲＭ）と、
前記更新用ファイルの更新処理の進捗状況を判定する判定部（ＲＭ、３６、Ｕ３、Ｙ２、ＲＳ、４１、Ｙ１１）と、
を備えた車両用システム（１）に構成され、前記リプログマスタ（ＲＭ）として機能する車両用装置であって、
前記判定部により判定された前記進捗状況を取得する取得部（３６、Ｕ３、Ｙ２；４１、Ｙ１５）と、
前記取得部により取得された前記進捗状況を報知媒体（３、５ａ、３８、４６）に報知指令する報知指令部（３６、Ｕ５；４１、Ｙ１６）と、
前記車両ユーザに操作された前記端末（５）の車両からの距離を特定する距離特定部（３６、Ｖ１）と、
前記特定部により特定された距離に応じて前記端末が車両周辺に存在するか否かを判定する存否判定部（３６、Ｖ２）と、をさらに備え、
前記報知指令部は、前記存否判定部により車両の周辺に前記端末が存在しないと判定されたときには前記端末を報知媒体として報知指令する車両用装置。
【請求項２】
複数の車両用電子制御装置（以下ＥＣＵと称す）のうち記憶されたプログラムの更新用ファイルが更新対象とされたＥＣＵによるリプログスレーブ（ＲＳ）と、
車両ユーザにより操作可能な端末（５、４６）からの要求に応じて前記更新用ファイルを前記リプログスレーブに送信し当該リプログスレーブに記憶されるプログラムを更新制御するリプログマスタ（ＲＭ）と、
前記更新用ファイルの更新処理の進捗状況を判定する判定部（ＲＭ、３６、Ｕ３、Ｙ２、ＲＳ、４１、Ｙ１１）と、
を備えた車両用システム（１）に構成され、前記リプログマスタ（ＲＭ）として機能する車両用装置であって、
前記判定部により判定された前記進捗状況を取得する取得部（３６、Ｕ３、Ｙ２；４１、Ｙ１５）と、
前記取得部により取得された前記進捗状況を報知媒体（３、５ａ、３８、４６）に報知指令する報知指令部（３６、Ｕ５；４１、Ｙ１６）と、
車両ユーザの乗車／降車状態を特定する乗車降車状態特定部（３６、Ｖ４）と、を備え、
前記報知指令部は、前記乗車降車状態特定部により車両ユーザが乗車中であると特定されると車両に搭載された車載表示装置（４６）を前記報知媒体として報知指令する車両用装置。
【請求項３】
複数の車両用電子制御装置（以下ＥＣＵと称す）のうち記憶されたプログラムの更新用ファイルが更新対象とされたＥＣＵによるリプログスレーブ（ＲＳ）と、
車両ユーザにより操作可能な端末（５、４６）からの要求に応じて前記更新用ファイルを前記リプログスレーブに送信し当該リプログスレーブに記憶されるプログラムを更新制御するリプログマスタ（ＲＭ）と、
前記更新用ファイルの更新処理の進捗状況を判定する判定部（ＲＭ、３６、Ｕ３、Ｙ２、ＲＳ、４１、Ｙ１１）と、
を備えた車両用システム（１）に構成され、前記リプログマスタ（ＲＭ）として機能する車両用装置であって、
前記判定部により判定された前記進捗状況を取得する取得部（３６、Ｕ３、Ｙ２；４１、Ｙ１５）と、
前記取得部により取得された前記進捗状況を報知媒体（３、５ａ、３８、４６）に報知指令する報知指令部（３６、Ｕ５；４１、Ｙ１６）と、
車両ユーザの乗車／降車状態を特定する乗車降車状態特定部（３６、Ｖ４）と、を備え、
前記報知指令部は、前記乗車降車状態特定部により車両ユーザが乗車中でないと特定されると前記車両ユーザに操作された端末（５）及び前記ＥＣＵに搭載される表示器（３８）を前記報知媒体として報知指令する車両用装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載の車両用装置において、
前記報知指令部は前記進捗状況と共に車両の走行可否情報を報知媒体に報知させる車両用装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一項に記載の車両用装置において、
前記判定部をさらに備える車両用装置。
【請求項６】
請求項５記載の車両用装置において、
前記判定部は、前記リプログマスタが前記リプログスレーブに送信した送信データ量に応じて進捗状況を判定する車両用装置。
【請求項７】
請求項５または６記載の車両用装置において、
前記リプログスレーブが複数のＥＣＵを対象としているときには、
前記判定部は、前記複数のＥＣＵのうちのＥＣＵへの送信終了個数に応じて進捗状況を判定する車両用装置。
【請求項８】
請求項５から７の何れか一項に記載の車両用装置において、
前記判定部は、送信処理された前記更新用ファイルの個数に応じて進捗状況を判定する車両用装置。
【請求項９】
請求項５から８の何れか一項に記載の車両用装置において、
前記判定部は、前記更新用ファイルのデータ量に応じて書換完了予測時間を算出し、当該算出された書換完了予測時間に対する書換開始からの時間を用いて進捗状況を判定する車両用装置。
【請求項１０】
請求項１から３の何れか一項に記載の車両用装置において、
前記リプログスレーブ（ＲＳ）が、前記判定部（Ｙ１１）を備え、
前記判定部は、前記リプログスレーブの受信データ量に応じて進捗状況を判定する車両用装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月23日(2018.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
〈底板部〉
底板部４２は、略矩形板状の部材であり、回路基板１０の下面側に配置され、バスバ６０の中央部が載置される。底板部４２は、周壁部４３の下側から嵌め込まれ、周壁部４３にネジ等で固定されている。この例では、底板部４２の上面にバスバ６０が、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性の接着剤や接着シート等によって貼り付けられている。また、底板部４２が放熱板であり、回路基板１０及びバスバ６０に発生した熱を外部に効果的に放出できる。底板部４２は、例えばアルミニウムや銅又はその合金等の高熱伝導性の金属材料で形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月15日(2018.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板に実装されるコネクタ部と、
前記回路基板を収容するケースと、を備える基板ユニットであって、
前記ケースは、
上方に開口する下部ケースと、
前記下部ケースの開口を覆う上部カバーと、
前記コネクタ部が相手側コネクタ部と嵌合可能に当該ケースの側壁に開口した開口部と、を備え、
前記側壁は、
前記開口部の下方領域から外方に延びる段差面と、
一端が前記段差面に繋がり、他端が当該側壁の下縁に繋がる複数の縦溝部と、を備える基板ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様に係る基板ユニットは、
回路基板と、
前記回路基板に実装されるコネクタ部と、
前記回路基板を収容するケースと、を備える基板ユニットであって、
前記ケースは、
上方に開口する下部ケースと、
前記下部ケースの開口を覆う上部カバーと、
前記コネクタ部が相手側コネクタ部と嵌合可能に当該ケースの側壁に開口した開口部と、を備え、
前記側壁は、
前記開口部の下方領域から外方に延びる段差面と、
一端が前記段差面に繋がり、他端が当該側壁の下縁に繋がる複数の縦溝部と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）本発明の実施形態に係る基板ユニットは、
回路基板と、
前記回路基板に実装されるコネクタ部と、
前記回路基板を収容するケースと、を備える基板ユニットであって、
前記ケースは、
上方に開口する下部ケースと、
前記下部ケースの開口を覆う上部カバーと、
前記コネクタ部が相手側コネクタ部と嵌合可能に当該ケースの側壁に開口した開口部と、を備え、
前記側壁は、
前記開口部の下方領域から外方に延びる段差面と、
一端が前記段差面に繋がり、他端が当該側壁の下縁に繋がる複数の縦溝部と、を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
側壁部４２ｂは、図２に示すように、底部４２ａの全周に亘って連続した枠体であり、コネクタ部２０を含む回路基板１０の外周の四方を覆う。側壁部４２ｂは、ケース４０の前側中央部分に下側凹部４２０を備える。下側凹部４２０は、後述する上部カバー４４の上側凹部４４０とで内部にコネクタ部２０が配置される開口部４６を形成する。ここで、下側凹部４２０の外方側の下面４２０ａ（図３）が、開口部４６の下縁となる。下側凹部４２０は、上側凹部４４０とで形成される開口部４６にコネクタ部２０が配置可能で、コネクタ部２０のケース４０に対して位置決め可能な大きさを適宜選択できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
その他に、段差面４２１に低段部と高段部を備えることで、下部ケース４２と上部カバー４４との境界となる差込み溝４２２（図２及び図３）に水が浸入しても、コネクタ部２０側が車両下方に向くようにケース自体が傾いていると、侵入した水は段差面４２１の高段部まで伝う。高段部まで流れた水は、湾曲面を介して低段部に案内され、更に縦溝部４８に沿って側壁部４２ｂの下縁まで導かれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2017220470.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月15日(2018.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板と、第１材料から成り、かつ、前記半導体基板上に形成された絶縁層と、前記第１材料とは異なる第２材料から成り、かつ、前記絶縁層上に形成された半導体層と、前記第１材料から成り、かつ、前記半導体層上に形成された第１絶縁膜と、前記半導体層および前記絶縁層を介して前記半導体基板に達する溝と、前記第１材料から成り、かつ、前記溝内に埋め込まれた素子分離領域と、を有する基板を準備する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程後、前記基板の第１領域における前記第１絶縁膜をエッチングにより除去し、前記第１領域における前記半導体層を露出させ、前記基板の前記第１領域とは異なる第２領域における前記第１絶縁膜を残す工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記第１領域における前記半導体層をエッチングにより除去し、前記第１領域における前記絶縁層を露出させる工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記第１領域における前記絶縁層と前記第２領域における前記第１絶縁膜とをエッチングし、前記第１領域における前記絶縁層の厚さと前記第２領域における前記第１絶縁膜の厚さとを薄くする工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記第２領域における前記半導体基板に不純物を注入し、前記第２領域における前記半導体基板に第１半導体領域を形成する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記第１領域における前記絶縁層と前記第２領域における前記第１絶縁膜とをエッチングにより除去し、前記第１領域における前記半導体基板と前記第２領域における前記半導体層とを露出させる工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程後、前記第１領域における前記半導体基板上に第１トランジスタを形成し、前記第２領域における前記半導体層上に第２トランジスタを形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記第１領域における前記半導体層は、第１エッチング液を用いたウェットエッチングにより除去され、
前記（ｄ）工程では、前記第１領域における前記絶縁層および前記第２領域における前記第１絶縁膜は、前記第１エッチング液とは異なる第２エッチング液を用いたウェットエッチングにより除去され、
前記第１エッチング液を用いた場合の前記第１絶縁膜および前記絶縁層のエッチング速度は、前記第１エッチング液を用いた場合の前記半導体層のエッチング速度よりも小さく、
前記第２エッチング液を用いた場合の前記第１絶縁膜および前記絶縁層のエッチング速度は、前記第１エッチング液を用いた場合の前記第１絶縁膜および前記絶縁層のエッチング速度よりも大きい、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１材料は、酸化シリコンから成り、
前記第２材料は、単結晶シリコンから成る、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１エッチング液は、ＡＰＭ液であり、
前記第２エッチング液は、フッ酸である、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程では、前記第１領域における前記絶縁層と前記第２領域における前記第１絶縁膜を、前記第２エッチング液と同種の第３エッチング液を用いたウェットエッチングにより除去する、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記第２領域における前記第１絶縁膜を覆い、かつ、前記第１領域における前記第１絶縁膜を露出する第１マスク層をエッチングマスクとして用いて、前記第１領域における前記半導体層が露出するように、前記第１領域における前記第１絶縁膜をエッチングにより除去する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記半導体基板と、前記半導体基板上に形成された前記絶縁層と、前記絶縁層上に形成された前記半導体層と、前記半導体層上に形成された前記第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、を有する前記基板を準備する工程と、
（ａ２）前記（ａ１）工程後、前記第２絶縁膜、前記第１絶縁膜、前記半導体層および前記絶縁層を介して前記半導体基板に達する前記溝を形成する工程と、
（ａ３）前記（ａ２）工程後、前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成し、前記溝内を前記第３絶縁膜で塞ぐ工程と、
（ａ４）前記（ａ３）工程後、前記溝外の前記第３絶縁膜を除去し、前記第３絶縁膜からなる前記素子分離領域を前記溝内に形成する工程と、
（ａ５）前記（ａ４）工程後、前記第２絶縁膜をエッチングにより除去する工程と、
を有し、
前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜とは異なる材料からなる、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層、前記第１絶縁膜および前記第３絶縁膜は、酸化シリコンから成り、
前記第２絶縁膜は、窒化シリコンから成り、
前記（ａ４）工程では、前記第３絶縁膜を研磨することにより、前記溝の外部の前記第３絶縁膜を除去し、前記溝内に前記第３絶縁膜から成る前記素子分離領域を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１半導体領域は、前記第２トランジスタのしきい値電圧を制御するために形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記素子分離領域は、前記第１領域と前記第２領域との境界に配置されており、
前記（ｅ）工程では、平面視において前記第２領域における前記半導体層に隣接する前記素子分離領域の領域にも、前記不純物が注入される、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程後、かつ、前記（ｅ）工程前に、
前記第１領域における前記絶縁層を覆い、かつ、前記第２領域における前記第１絶縁膜を露出する第２マスク層を形成し、
前記（ｅ）工程後、かつ、前記（ｆ）工程前に、前記第２マスク層を除去する、半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月16日(2018.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体内の温度または磁場の不平衡状態を検出する複数のセンサ、前記複数のセンサの前記不平衡状態の検出に応じて作動するスライド側遮蔽板、前記スライド側遮蔽板のスライド動作を制御する制御基板を備え、前記スライド側遮蔽板をスライドさせ、空気の流路または磁界の磁路を変更することにより、前記不平衡状態を解消することを特徴とする遮蔽板スライド装置。
【請求項２】
前記複数のセンサは温度センサまたは磁気センサであることを特徴とする請求項１に記載の遮蔽板スライド装置。
【請求項３】
前記不平衡状態の検出は、前記複数のセンサ出力のいずれかが閾値以上になったときに検出されたとすることを特徴とする請求項１または２に記載の遮蔽板スライド装置。
【請求項４】
前記不平衡状態の検出は、前記複数のセンサ出力の差分が閾値以上になったときに検出されたとすることを特徴とする請求項１または２に記載の遮蔽板スライド装置。
【請求項５】
前記不平衡状態が検出された際、筐体外に配置されたＬＥＤを点灯させることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の遮蔽板スライド装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係る遮蔽板スライド装置は、筐体内の温度または磁場の不平衡状態を検出する複数のセンサ、これら複数のセンサの不平衡状態の検出に応じて作動するスライド側遮蔽板、このスライド側遮蔽板のスライド動作を制御する制御基板を備え、スライド側遮蔽板をスライドさせ、空気の流路または磁界の磁路を変更することにより、不平衡状態を解消することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
油圧装置１０は、格納側遮蔽板３ａ、３ｂの内部に格納されており、制御基板３０に接続されている。制御基板３０からの制御信号により、油圧装置１０は作動し、スライド側遮蔽板２ａ、２ｂをスライドさせる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ここで、温度の不平衡とは、冷却対象５０、５１が同じ温度仕様の場合、冷却対象５０、５１の温度差が、ユーザーが設定した値（例えば、±５℃など）を超過すること、あるいは、冷却対象５０、５１が異なる温度仕様の場合、ユーザーが設定した上限値に対する温度マージン（例えば、±１０℃）を超過することを言う。このように温度の不平衡があると温度センサ２０が判断した場合、不平衡状態を平衡状態にすべく、制御基板３０が油圧装置１０を制御し、スライド側遮蔽板２ａ、２ｂをスライドさせる。冷却対象が多く存在し、温度環境が複雑であるときは、それぞれの冷却対象に設置された温度センサ２０で検出された検出値を制御基板３０に入力した後、温度の不平衡の判断を制御基板３０で行ってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図３は、制御基板３０における、スライド側遮蔽板２ａ、２ｂのスライドの手順を示したフローチャートである。
まず、スライド側遮蔽板２ａ、２ｂの全開口から全閉口の範囲で圧損を事前に算出する（Ｓ３０１）。冷却装置６０のファンの性能とステップＳ３０１で算出した圧損の結果より、任意点（発熱源）での性能点を算出する（Ｓ３０２）。温度センサ２０の検出結果により、不平衡状態ありと判断された場合、冷却に必要となる風量を算出する（Ｓ３０３）。必要な風量に併せて油圧装置１０を作動させ、例えば冷却が過大となっている側のスライド側遮蔽板２ａをスライドさせる。この際、スライド位置は加速度センサ（図示せず）により検出する（Ｓ３０４）。
ステップＳ３０４の動作で温度の不平衡が改善した場合はその状態を維持し（Ｓ３０５）、改善しない場合は、ステップＳ３０３から再度風量を算出し、スライド側遮蔽板２ａ、２ｂのスライド動作を繰り返すが３回目の繰り返し時点で不平衡状態の改善が確認できない場合、装置のメイン制御基板に非常停止信号が入力され、装置全体の動作を停止する（Ｓ３０６）。制御基板３０は、図４に示すようにＣＰＵとメモリから構成されるか、または図示しないが論理回路で構成することも可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
実施の形態２
既に製作済の筐体において、本発明を実現する場合、筐体の構造によっては、油圧装置１０を取り付けることができない場合がある。この場合、温度センサ２０または制御基板３０からの温度の不平衡状態ありと判断した際の出力を筐体外部に取付けられたＬＥＤを点灯させることにより、ユーザーに知らしめてもよい。この場合、ユーザーが手動でスライド側遮蔽板２ａ、２ｂを移動させ、不平衡状態を解消する。このように、本実施の形態２では、筐体外部に、温度の不平衡状態を表示するためのＬＥＤを備えるという簡単な構成で、筐体の再製作にかかる余分な費用を削減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2017220601.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月7日(2018.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本実施形態によれば、複数の内部電極１２のうち一部の内部電極１２ａ（第１内部電極）は外部電極２０（第１外部電極）と電気的に接続されている。複数の内部電極１２のうち残部の内部電極１２ｂ（第２内部電極）は外部電極３０と電気的に接続されている。外部電極３０は、Ｙ方向（第１方向）において外部電極２０に対し積層体１０の反対側に設けられている。このような、積層セラミックコンデンサにおいて、ｔ１２×Ｗ１／Ｎを一定以上とする。ここで、Ｗ１（ｍｍ）は、Ｘ方向（内部電極１２と誘電体層１１の面方向において第１方向と交差する第２方向）において、複数の内部電極１２の端のうち最も外側に位置する第１端と、複数の内部電極１２の端のうち最も内側に位置する第２端と、の距離である。ｔ１（μｍ）は、複数の誘電体層１１の各々の層厚である。Ｎは、複数の誘電体層１１の積層数である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月7日(2018.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン膜と、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を表面に有する基板に対して、
ドーパント元素および第１のリガンドを含む第１のドーパント含有ガスを供給して、第１のドーパント含有層を形成する工程と、
前記第１のドーパント含有層が形成された基板に対して、前記ドーパント元素および前記第１のリガンドとは異なり前記第１のリガンドと反応する第２のリガンドを含む第２のドーパント含有ガスを供給して、第２のドーパント含有層を形成する工程と、
を所定回数行うことにより、前記シリコン膜上に前記ドーパント元素を含むドーパント膜を選択成長させる工程と、
前記ドーパント膜が形成された基板に対して熱処理を行い、前記シリコン膜内に前記ドーパント元素を拡散させることにより、前記基板上にドープドシリコン膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２のリガンドはハロゲン元素もしくは水素元素のいずれかであり、前記第１のリガンドと前記第２のリガンドとは互いに反応してハロゲン化水素を生成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ドーパント元素は、ホウ素である請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ドーパント膜は、結晶化したホウ素膜である請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のドーパント含有ガスと、第２のドーパント含有ガスは、一方がＢＣｌ３で他方がＢ２Ｈ６である請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１のドーパント含有ガスはＢＣｌ３であり、前記第１のドーパント含有層を形成する工程を、前記第２のドーパント含有層を形成する工程よりも先に行う請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１のドーパント含有ガスは、Ｂ２Ｈ６であり、第１のドーパント含有層を形成する工程を、前記第２のドーパント含有層を形成する工程よりも先に行う請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板上にドープドシリコン膜を形成する工程では、窒素雰囲気下で熱処理を行う請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１のドーパント含有層を形成する工程と、前記第２のドーパント含有層を形成する工程とを同時に行う請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のドーパント含有層を形成する工程の後、前記第１のドーパント含有ガスを除去する工程を行い、前記第２のドーパント含有層を形成する工程の後、前記第２のドーパント含有ガスを除去する工程を行う請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
基板を収容する処理室と、
前記基板に対して、ドーパント元素および第１のリガンドを含む第１のドーパント含有ガス、前記ドーパント元素および前記第１のリガンドとは異なり前記第１のリガンドと反応する第２のリガンドを含む第２のドーパント含有ガスを供給するガス供給系と、
前記基板を加熱する加熱系と、
前記ガス供給系、前記加熱系を制御して、前記処理室に収容されたシリコン膜と、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を表面に有する基板に対して、前記第１のドーパント含有ガスを供給して、第１のドーパント含有層を形成する処理と、前記第１のドーパント含有層が形成された基板に対して、前記第２のドーパント含有ガスを供給して、第２のドーパント含有層を形成する処理と、を所定回数行うことにより、前記シリコン膜上に前記ドーパント元素を含むドーパント膜を選択成長させる処理と、前記ドーパント膜が形成された基板に対して熱処理を行い、前記シリコン膜内に前記ドーパント元素を拡散させることにより、前記基板上にドープドシリコン膜を形成する処理と、を行うよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１２】
シリコン膜と、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を表面に有する基板に対して、
ドーパント元素および第１のリガンドを含む第１のドーパント含有ガスを供給して、第１のドーパント含有層を形成する手順と、
前記第１のドーパント含有層が形成された基板に対して、前記ドーパント元素および前記第１のリガンドとは異なり前記第１のリガンドと反応する第２のリガンドを含む第２のドーパント含有ガスを供給して、第２のドーパント含有層を形成する手順と、
を所定回数行うことにより、前記シリコン膜上に前記ドーパント元素を含むドーパント膜を選択成長させる手順と、
前記ドーパント膜が形成された基板に対して熱処理を行い、前記シリコン膜内に前記ドーパント元素を拡散させることにより、前記基板上にドープドシリコン膜を形成する手順と、
が実行される基板処理装置を、コンピュータによって制御させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月23日(2018.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
係合突起４３２ａは、差込み溝４３１に差し込まれた上部カバー４４の側壁部４６の係合孔４６２と係合する（図２、図６）。この係合により、上部カバー４４と下部ケース４１とが固定される。係合突起４３２ａの形成箇所は、係合孔４６２に対応する箇所で、側壁部４３の周方向の適所に設けられ、前側の防水壁部４３２や左右両側の防水壁部４３２に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月9日(2018.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の構成によれば、相手側コネクタ部のコネクタ部への挿抜による接着層の応力集中を抑制できる。バスバーが上記切欠を備えることで、コネクタ部に対して上下方向の力が作用するように相手側コネクタ部がコネクタ部に対して挿抜された際、切欠が形成されていない場合に比較して、接着層の前端部における非接着領域との境界付近への応力の集中を緩和して、その境界に作用する応力を低減し易いからである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の構成によれば、接着層の前端部における非接着領域との境界付近への応力の集中をより一層緩和し易く、その境界に作用する応力をより一層低減し易い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
エポキシ樹脂のような硬い樹脂を含む接着層でバスバーと底部とを固定していても、相手側コネクタ部のコネクタ部への挿抜による接着層の応力集中を抑制できる。切欠により接着層の前端部における非接着領域との境界付近への応力の集中を緩和し易く、その境界に作用する応力を低減し易いからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
・係合突起
係合突起４３２ａは、差込み溝４３１に差し込まれた上部カバー４４の側壁部４６の係合孔４６２と係合する。この係合により、上部カバー４４と下部ケース４１とが固定される。係合突起４３２ａの形成箇所は、係合孔４６２に対応する箇所で、側壁部４３の周方向の適所に設けられ、前側の差込み溝４３１を形成する側面や左右両側の差込み溝４３１を形成する側面に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月16日(2018.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部のＣＰＵからの指令値に応じて外部負荷への出力を制御するための制御機構を有する２台の電流出力装置を備え、前記外部負荷への印加電流機構を二重化する二重化対応電流出力システムであって、
前記各電流出力装置は、
メモリを有するとともに前記指令値と前記外部負荷からの出力信号を入力するデジタルＬＳＩと、
スイッチングにより選択されて前記外部負荷へ接続される第１の接点と、前記外部負荷への接続を解除する第２の接点を持ち、前記第１の接点に接続されることで前記２台の電流出力装置のうち、どちらか一方を選択し、この選択された電流出力装置の出力を前記外部負荷へ印加するための二重系切替用リレーと、
この二重系切替用リレーを介して前記外部負荷に電流を印加する電流出力回路と、を備え、
前記２台の電流出力装置のうちの一方の電流出力装置のデジタルＬＳＩと他方の電流出力装置のデジタルＬＳＩとの間で、前記外部負荷への出力電流を制御するための制御信号を互いに送受信し、
前記メモリは、前記出力電流をリードバックしてチェックするチェック用プログラムと予め定めた前記出力電流の閾値とを記憶するとともに、前記チェック用プログラムにより、前記出力電流をリードバックした値と前記閾値とを比較することにより、前記外部負荷への出力電流を制御することを特徴とする二重化対応電流出力システム。
【請求項２】
前記他方の電流出力装置のデジタルＬＳＩにオンディレイタイマを備え、前記他方の電流出力装置の制御状態が制御中から待機中になったことを前記一方の電流出力装置のデジタルＬＳＩで検知した場合に、前記オンディレイタイマにより、前記他方の電流出力装置の前記二重系切替用リレーの第１の接点への接続から第２の接点への接続に要する時間の最大値と同等以上の遅延時間を設けて前記二重系切替用リレーの切替動作をさせることにより、前記他方の電流出力装置の制御状態が待機中から制御中になるまでに要する時間を長くすることを特徴とする請求項１に記載の二重化対応電流出力システム。
【請求項３】
前記一方の電流出力装置、あるいは前記他方の電流出力装置において、制御可能性が可能となった場合あるいは制御状態が制御中である状態が発生した場合には、リードバックチェックを行わないことを特徴とする請求項１に記載の二重化対応電流出力システム。
【請求項４】
前記他方の電流出力装置は、Ｄ／Ａコンバータを備えるとともに、
前記二重系切替用リレーの二重系切替の発生を前記他方の電流出力装置のデジタルＬＳＩが検出した時点で、前記Ｄ／Ａコンバータへの出力をゼロにするとともに、前記二重系切替用リレーのスイッチングにより、前記第２の接点との接続状態から前記第１の接点との接続状態に切り替わる時間の間は、前記Ｄ／Ａコンバータへのゼロ出力を継続した後に、前記外部のＣＰＵからの指令値を前記Ｄ／Ａコンバータへ出力することを特徴とする請求項１に記載の二重化対応電流出力システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従来装置である既存方式の具体例を図８に示す。図８は外部負荷に対して二重系の電流出力装置で制御する動作システムを表している。電流出力装置１は２台の装置、電流出力装置１ａ、および電流出力装置１ｂで構成され、アクチュエータ等の外部負荷２をこれら２台の電流出力装置１ａ、１ｂで二重化制御する。この二重化制御のために、デジタルＬＳＩ３はデジタル出力（以下では、ＤＯ：Digital Outputと呼ぶ）、デジタル入力（以下では、ＤＩ：Digital Inputと呼ぶ）を、各々２点ずつ持つ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
１、１ａ、１ｂ  電流出力装置、２  外部負荷、３、３ａ、３ｂ  デジタルＬＳＩ、４、４ａ、４ｂ  二重系切替用リレー、５、５ａ、５ｂ  待機用抵抗、６、６ａ、６ｂ  上位ＣＰＵユニット、７、７ａ、７ｂ  Ｄ／Ａコンバータ、８、８ａ、８ｂ  電流出力回路、９、９ａ、９ｂ  Ｉ−Ｖ変換回路、１０、１０ａ、１０ｂ  Ａ／Ｄコンバータ、１１、１１ａ、１１ｂ  メモリ、１２  オンディレイタイマ、１００、２００  二重化対応電流出力システム
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から像側へ順に、ズーミングのためには移動しない正の屈折力の第１レンズ群、ズーミングのために移動する負の屈折力の第２レンズ群、ズーミングのために移動する正の屈折力の第３レンズ群、ズーミングのために移動する正の屈折力の第４レンズ群、正の屈折力の第５レンズ群からなるズームレンズであって、
前記第２レンズ群の横倍率をβ２とし、前記第３レンズ群の横倍率をβ３とし、前記第４レンズ群の横倍率をβ４として、
｜β３×β４｜＝１を満足するズームポジションにおいて
１．０＜｜β２｜＜４．５
なる条件式を満足し、
焦点距離ｆtmにおける前記第２レンズ群の横倍率をβ２tmとして、
１．３８＜｜β２tm｜＜３．５
なる条件式を満足することを特徴とするズームレンズ。
ここで、ｆtmは、広角端の焦点距離をｆｗとし、ズーム比をＺとして、次の式で表される焦点距離とする。
ｆtm＝ｆｗ×Ｚ0.85
【請求項２】
前記第４レンズ群と前記第５レンズ群との間にズーミングのためには移動しない絞りを備えることを特徴とする請求項１に記載のズームレンズ。
【請求項３】
前記第１レンズ群の焦点距離をｆ１とし、前記第２レンズ群の焦点距離をｆ２とし、望遠端の焦点距離をｆｔとして、
１．５＜｜ｆｔ／ｆ１｜＜５．０
４．０＜｜ｆ１／ｆ２｜＜１５．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１又は２に記載のズームレンズ。
【請求項４】
前記第３レンズ群を構成する正レンズのアッベ数の平均値および部分分散比の平均値をそれぞれνpaおよびθpaとし、前記第３レンズ群を構成する負レンズのアッベ数の平均値および部分分散比の平均値をそれぞれνnaおよびθnaとして、
−１．４×１０−３＜(θpa−θna)／(νpa−νna)＜−０．７×１０−３
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のズームレンズ。
但し、アッベ数νおよび部分分散比θは、ｇ線における屈折率をＮｇとし、Ｆ線における屈折率をＮＦとし、ｄ線における屈折率をＮｄとし、Ｃ線における屈折率をＮＣとして、
ν＝（Ｎｄ−１）／（ＮＦ−ＮＣ）
θ＝（Ｎｇ−ＮＦ）／（ＮＦ−ＮＣ）
なる式で定義される。
【請求項５】
前記第２レンズ群の広角端における横倍率の望遠端における横倍率での商をＺ２とし、前記第３レンズ群の広角端における横倍率の望遠端における横倍率での商をＺ３とし、前記第４レンズ群の広角端における横倍率の望遠端における横倍率での商をＺ４として、
２．０＜Ｚ２／（Ｚ３×Ｚ４）＜１０．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項６】
前記第３レンズ群の焦点距離をｆ３とし、前記第４レンズ群の焦点距離をｆ４として、
０．２＜｜ｆ３／ｆ４｜＜１．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項７】
前記第４レンズ群は正の屈折力を有し、少なくとも１枚の正レンズと１枚の負レンズとを含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のズームレンズと、
前記ズームレンズからの光を受ける撮像素子と、
を含むことを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、例えば、高ズーム比、高性能、製造誤差による性能の劣化の少なさの点で有利なズームレンズの提供を目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明のズームレンズは、物体側から像側へ順に、ズーミングのためには移動しない正の屈折力の第１レンズ群、ズーミングのために移動する負の屈折力の第２レンズ群、ズーミングのために移動する正の屈折力の第３レンズ群、ズーミングのために移動する正の屈折力の第４レンズ群、正の屈折力の第５レンズ群からなるズームレンズであって、前記第２レンズ群の横倍率をβ２とし、前記第３レンズ群の横倍率をβ３とし、前記第４レンズ群の横倍率をβ４として、
｜β３×β４｜＝１を満足するズームポジションにおいて
１．０＜｜β２｜＜４．５
なる条件式を満足し、焦点距離ｆtmにおける前記第２レンズ群の横倍率をβ２tmとして、
１．３８＜｜β２tm｜＜３．５
なる条件式を満足することを特徴とする。ここで、ｆtmは、広角端の焦点距離をｆｗとし、ズーム比をＺとして、次の式で表される焦点距離とする。
ｆtm＝ｆｗ×Ｚ0.85
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、例えば、高ズーム比、高性能、製造誤差による性能の劣化の少なさの点で有利なズームレンズを提供することができる。