【手続補正書】
【提出日】平成29年11月15日(2017.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビアの上方の再配線層のトポグラフィ均一性を向上させるために基板を処理するための方法であって、
前記基板の上にわたるフォトレジスト層をパターン化し、前記パターン化は、導電線のための領域を画定し、前記導電線は、前記再配線層のレベルにあり、
導電性材料が前記ビア及び前記導電線のための領域を充填するように前記導電性材料を堆積させ、前記堆積は、更に、前記ビアの真上に前記導電性材料のバンプを形成するために、前記導電線の導電性材料の過成長を引き起こすように制御され、
前記基板の上にわたって存在する前記パターン化フォトレジスト層を維持したままで、前記導電線及び前記バンプを平坦化し、前記平坦化は、前記導電線及び前記バンプにわたる水平せん断力を及ぼす液状化学物質によって促され、
前記平坦化の実施後に前記フォトレジストを剥離する、
ことを備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記導電線の前記平坦化された上面の上に誘電体材料層を堆積させ、
前記誘電体材料層内に追加のビアを形成するために、前記誘電体材料層をパターン化し、
前記誘電体材料層の上に薄いバリア・シード層を形成するために、前記パターン化誘電体材料層の上にバリア・シード層を堆積させ、
厚い層を形成するために、前記薄いバリア・シード層の上に、前記追加のビアを内包する追加のフォトレジスト層を堆積させ、
前記追加のフォトレジスト層の、残りのフォトレジスト材料からなる２つの近接領域の間の距離が、前記追加のビアのそれぞれの最大幅よりも大きくなるように、前記追加のフォトレジスト層をパターン化する、
ことを備える方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、更に、
残りのフォトレジスト層からなる前記２つの近接領域の間に追加の導電性材料を堆積させることを備え、
前記追加の導電性材料の堆積は、
前記追加のビアを充填し、
前記追加のフォトレジスト層の前記２つの近接領域の間に追加のバンプを形成し、前記追加のバンプは、前記追加のビアのうちの１つの真上に形成され、
前記追加のバンプと、前記残りのフォトレジスト材料からなる前記２つの近接領域のうちの１つとの間に、平らな層を成長させ、
前記追加のバンプと、前記２つの近接領域のうちの別の１つとの間に、平らな層を成長させる、
ことを含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、更に、
前記２つの近接領域の間に前記追加の導電性材料からなる平らな層を形成するために、前記２つの近接領域の間に形成されている前記追加のバンプを電気研磨することを備える方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記電気研磨は、前記追加のバンプと、前記２つの近接領域のうちの１つとの間の層に平行な水平方向にせん断力を及ぼすことによって実施される、方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、更に、
前記追加のバンプの前記電気研磨後に前記追加のフォトレジスト層を剥離することを備える方法。
【請求項７】
再配線層（ＲＤＬ）の均一性を実現するための方法であって、
基板上に位置するパッドの上に誘電体層を堆積させ、
前記誘電体層の複数の中間部分を形成するために、前記誘電体層内に複数のビアを形成し、
前記誘電体層の上に膜を形成するために、前記誘電体層の上にバリア・シード層を堆積させ、前記膜は、前記ビア内に及び前記中間部分の上に形成され、
前記誘電体層の前記中間部分にわたって層を形成するために、前記シード層の膜の上にフォトレジストを堆積させ、
前記ビア内に堆積されている前記膜の部分及び前記誘電体層の前記中間部分の区域上に堆積されている前記膜の追加の部分を露出させるために前記フォトレジストを部分的に除去することによって、前記フォトレジストの断続区域をパターン化し、
前記ビア内に堆積されている前記膜の前記部分の上に及び前記膜の前記追加の部分の上に、前記再配線層の高さが前記フォトレジストの前記層の高さ未満であるように前記再配線層を堆積させ、前記再配線層の高さ及び前記フォトレジストの前記層の高さは前記基板から測定され、前記再配線層の前記堆積は前記ビアを過充填するために実施され、前記過充填は前記再配線層のバンプを形成するために実施され、前記バンプは前記フォトレジストの前記断続区域の間に形成され、
均一性を実現するために、前記フォトレジストの前記断続区域の間の前記バンプを除去する、
ことを備える方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、更に、
前記バリア・シード層を部分的に露出させるために、前記フォトレジストを剥離することを備える方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、更に、
前記誘電体層の上の前記バリア層を部分的に露出させるために、前記シード層の前記部分をエッチングし、
前記誘電体層を部分的に露出させるために、前記バリア層の前記部分をエッチングする、
ことを備える方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法であって、
前記再配線層は、銅で作成される、方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の方法であって、
前記再配線層は、コバルト、又はインバール、又はニッケル、又はニッケルとコバルトと鉄との合金、又はこれらのうちの２つ以上の組み合わせで作成される、方法。
【請求項１２】
請求項７に記載の方法であって、
前記再配線層の堆積は、前記ビア内に堆積されている前記膜の前記部分及び前記膜の前記追加の部分の上における陰極液の横断流を促すことによって、チャンバの側部を通じて前記陰極液を堆積させることを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記陰極液は、前記ビアを過充填して前記バンプを作成するために促進剤を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって、
前記陰極液は、前記再配線層の水平な部分を作成するために平坦化剤を含み、前記平らな部分のうちの１つは、前記バンプのうちの１つと、前記フォトレジストの前記断続区域のうちの１つとの間である、方法。
【請求項１５】
再配線層（ＲＤＬ）の均一性を実現するための方法であって、
複数のビアを充填するために、及びパターン化された誘電体層の複数の中間部分の上に層を形成するために、バリア・シード層の膜の上にフォトレジストを堆積させ、
前記ビア内に堆積されている前記膜の部分及び前記パターン化誘電体層の前記中間部分の区域上に堆積されている前記膜の追加の部分を露出させるために前記フォトレジストを部分的に除去することによって、前記フォトレジストの断続区域をパターン化し、
前記ビア内に堆積されている前記膜の前記部分の上に及び前記膜の前記追加の部分の上に、前記再配線層の高さが前記フォトレジストの前記層の高さ未満であるように前記再配線層を堆積させ、前記再配線層の高さ及び前記フォトレジストの前記層の高さは基板から測定され、前記再配線層の前記堆積は前記ビアを過充填するために実施され、前記過充填は前記再配線層のバンプを形成するために実施され、前記バンプは前記フォトレジストの前記断続区域の間に形成され、
均一性を実現するために、前記フォトレジストの前記断続区域の間の前記バンプを除去する、
ことを備える方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記再配線層は、銅で作成される、方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、
前記再配線層は、コバルト、又はインバール、又はニッケル、又はニッケルとコバルトと鉄との合金、又はこれらのうちの２つ以上の組み合わせで作成される、方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、
前記再配線層の前記堆積は、前記ビア内に堆積された前記膜の前記部分及び前記追加の部分の上における陰極液の横断流を促すことによって、チャンバの側部を通じて前記陰極液を堆積させることを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記陰極液は、前記ビアを過充填して前記バンプを作成するために促進剤を含む、方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法であって、
前記陰極液は、前記再配線層の平らな部分を作成するために平坦化剤を含み、前記平らな部分のうちの１つは、前記バンプのうちの１つと、前記フォトレジストの前記断続区域のうちの１つとの間である、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図１Ａは、基板１０２の上における再配線層（ＲＤＬ）１０４（図１Ｂ）の作成を例示するための方法１００の一実施形態の図である。基板１０２は、シリコン、又はシリコンとゲルマニウムとの合金等などの、薄い材料片である。方法１００は、パッド１２上に重なる誘電体材料の膜を形成するために、例えばポリイミド（ＰＩ）などの有機誘電体材料などの、誘電体材料の層１２４を、パッド１２２の上に堆積させる操作（工程）１５０を含む。操作１５０の一例は、スピンコートプロセスである。操作１５０は、図８を参照にして後述されるシステム８００を使用して実施される。パッド１２２は、銅、又はアルミニウム、又はタングステン、又はそれらの組み合わせなどの、金属で作成される。パッド１２２は、基板１０２の上に重ねられる。一部の実施形態では、パッド１２２は、システム８００を使用して基板１０２上に堆積される。パッド１２２は、誘電体層１２４と基板１０２との間である。留意すべきは、一部の実施形態では、基板１０２と誘電体層１２４との間にパッド１２２がないことである。むしろ、誘電体層１２４は、基板１０２に隣接している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
更に、操作１５８では、バリア層の上に薄い銅シード層の膜を形成するために、バリア層の上に銅シード層が堆積される。例えば、操作１５８では、バリア層を堆積させた後に銅シード層を堆積させるために、ＰＶＤプロセスが再び繰り返される。銅シード層は、誘電体層１２４の中間部分１２４Ａ及び１２４Ｂを覆う部分のバリア層を覆うために、並びにパッド１２２の部分１５６の上に重ねられた部分のバリア層を覆うために、堆積される。銅シード層及びバリア層は、本書では、バリア・シード層１２３として総称される。バリア・シード層１２３が、誘電体層１２４の中間部分１２４Ａ及び１２４Ｂの上に、並びにパッド１２２の部分１５６などの部分の上に堆積されるときに、ビア１０６などのビアが、誘電体層１２４の中間部分１２４Ａと１２４Ｂとの間に形成される。ビア１５４が、バリア・シード層１２３でコーティングされるときに、ビア１０６は、バリア・シード層１２３の一部分の上に形成される。バリア・シード層１２３のその部分は、ビア１０６内に被せられる。ビア１５４全体が、バリア・シード層１２３で充填されるのではなく、薄いバリア・シード層１２３の膜が、ビア１５４内に形成されてビア１０６を作り出す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
電着の操作１６８は、図１４Ａに例示されるシステム１４００を使用して実施される。一部の実施形態では、操作１６８は、参照によって本明細書に全体を組み込まれる米国特許第９，５２３，１５５号で説明される装置を使用して実施される。操作１６８では、バンプ１１４などの複数のバンプを形成するために、並びに平らな層ＬＬ１及び平らな層ＬＬ２などの複数の平らな層を形成するために、ビア１０６などのビアが、導電性材料１１２で過充填される。一例として、バンプ１１４の直径は、１８０マイクロメートルから２００マイクロメートルの範囲にわたる。例を示すと、バンプ１１４の直径は、２００マイクロメートルである。導電性材料１１２は、バリア・シード層１２３の部分１３２Ａ及び１３２Ｂの上に、並びにバリア・シード層１２３の部分１３０の上に堆積される。平らな層ＬＬ１及びＬＬ２は、それぞれ、レベル１１７にある。バンプ１１４は、ビア１０６の上側にわたって、例えば真上にわたって形成される。例えば、バンプ１１４の例えば直径や外周等の幅は、ビア１０６の最大幅ｗ未満である。別の例として、バンプ１１４は、ビア１０６と同心状である。尚も別の例として、バンプ１１４の幅は、ビア１０６の最大幅ｗ未満であり、尚且つバンプ１１４は、ビア１０６と同心状である。別の例として、バンプ１１４の幅は、ビア１０６の最大幅ｗ未満であり、尚且つバンプ１１４は、最大幅ｗから垂直に立ち上がる線によって画定される囲い内にある。一部の実施形態では、バンプ１１４の幅は、ビア１０６の最大幅ｗよりも大きい。また、ビア１０６、及び該ビア１０６の真上のＲＤＬ層１０４の一部分が充填されるレベルである充填レベル１１６は、フォトレジスト層１０８の上面のレベル１１８未満である。また、レベル１１７は、充填レベル１１６及びフォトレジスト層１０８の上面のレベル１１８よりも低い。平らな層ＬＬ１は、バンプ１１４と、フォトレジスト層１０８の隣接区域Ａ１との間に成長（発達）し、平らな層ＬＬ２は、バンプ１１４と、フォトレジスト層１０８の隣接区域Ａ２との間に成長する。一部の実施形態では、平らな層ＬＬ１の一部分が、ビア１０６の例えば真上などのように上にわたって形成され、平らな層ＬＬ２の一部分が、ビア１０６の例えば真上などのように上にわたって形成され、バンプ１１４も、ビア１０６の真上に形成される。留意すべきは、フォトレジスト層１０８の区域Ａ１及びＡ１の高さｈ２が、バンプ１１４の高さｈ１よりも大きいことである。高さｈ１及びｈ２は、基板１０２の底面から測定される。同様に、レベル１１６〜１１８も、基板１０２の底面から測定される。バンプ１１４は、フォトレジスト層１０８の隣接区域Ａ１とＡ２との間に作成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
操作１６８が実施されると、方法１００の操作１７０において、例えばバンプ１１４などの、導電性材料１１２のバンプが電気研磨操作１７０で除去される。この操作は、本書では、電気エッチング操作と呼ばれることもある。電気研磨操作１７０は、図１４Ｂのシステム１４０１を使用して実施される。しかしながら、陰極液として導電性材料１１２を使用する代わりに、電気研磨操作１７０では、リン酸又は硫酸などの酸が、バンプを研磨するために使用される。一部の実施形態では、導電性材料１１２が、バンプをエッチングするために使用される。導電性材料１１２のバンプは、ＲＤＬ層１０４の上面１２０を平坦化するために研磨される。上面１２０の平坦化は、例えば平らな層ＬＬ１とＬＬ２との間の平らな区域ＬＬ３などの、平らな区域を形成するために実施される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
操作１７２を実施するに際して、方法１００の操作１７４が実施される。操作１７４は、図１２のシステム１２００を使用して実施される。例を示すと、先ず、操作１７４において、銅シード層が、バリア層を露出させるためにエッチングされる。銅シード層は、例えば、酸、腐食性化学物質、銅エッチャント等のエッチャントを使用してエッチングされる。次いで、銅シード層の下のバリア層が、誘電体層１２４の部分１３８Ａ及び１３８Ｂなどの部分を露出させるためにエッチングされる。バリア層は、例えば酸、腐食性化学物質等のエッチャントを使用してエッチングされる。操作１７４では、バリア・シード層１２３の、例えば部分１３６Ａ及び１３６Ｂ等の部分が、誘電体層１２４の部分を露出させるためにエッチングされる。操作１７４が実施された後は、ビア１０６の上に、ＲＤＬ層１０４の導電線が残る。各導電線は、平らな上面を有する。例えば、ＲＤＬ層１０４の導電線は、水平面内にある平坦な上面を有する。例を示すと、電気研磨の操作１７０の実施後、ＲＤＬ層１０４の平坦な上面には不均一性がほとんどない。別の例示として、ＲＤＬ層１０４内における均一性の量は、電気研磨の操作１７０を実施した後は所定の閾値未満である。尚も別の例示として、残留物又は残余物が捕らえられてＲＤＬ層１０４の伝導性を低下させる例えばでこぼこや溝等の不均一な区域はない、又は最小限である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
一部の実施形態では、操作１７２及び１７４は、ともに、例えば図１２を参照にして後述される１つのプラズマチャンバ１２０２などの、同じチャンバの中で実施される。留意すべきは、誘電体層１２４の部分１３８Ａは、誘電体層１２４の区間１３４Ａに隣接し、誘電体層１２４の部分１３８Ｂは、誘電体層１２４の区間１３４Ｂに隣接することである。誘電体層１２４の区間１３４Ａは、ビア１０６に隣接し、誘電体層１２４の区間１３４Ｂは、ビア１０６に隣接する。誘電体層１２４の区間１３４Ｂは、誘電体層１２４の区間１３４Ａと比べてビア１０６の対辺に位置する。同様に、誘電体層１２４の部分１３８Ａは、誘電体層１２４の部分１３８Ｂと比べてビア１０６の対辺に位置する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
留意すべきは、本書において、基板１０２と、パッド１２２と、パターン化された誘電体層１２４と、バリア・シード層１２３の部分１３０、１３２Ａ、及び１３２Ｂと、パターン化されたフォトレジスト層１０８との組み合わせが、基板パッケージ１３５と呼ばれることがあることである。更に、留意すべきは、本書において、基板１０２と、パッド１２２と、パターン化された誘電体層１２４と、パターン化されたフォトレジスト層１０８の区域Ａ１及びＡ２と、バンプを有するＲＤＬ層１０４との組み合わせが、基板パッケージ１４１と呼ばれることがあることである。また、留意すべきは、本書において、基板１０２と、パッド１２２と、パターン化された誘電体層１２４と、ビア１０６と、ＲＤＬ層１０４と、パターン化されたフォトレジスト層１０８との組み合わせが、基板パッケージ１３７と呼ばれることがあることである。更に、留意すべきは、本書において、基板１０２と、パッド１２２と、パターン化された誘電体層１２４と、ビア１０６と、ＲＤＬ層１０４と、バリア・シード層１２３の部分１３６Ａ及び１３６Ｂとの組み合わせが、基板パッケージ１３９と呼ばれることがあることである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
操作１７２が実施されたら、方法２００の操作１７４が実施される。操作１７４では、バリア・シード層１２３の部分１３６Ａ、１３６Ｂ、及び１３６Ｃなどの部分がエッチングされる。バリア・シード層１２３のこれらの部分がエッチングされるときは、基板１０２の部分１８２Ａ、１８２Ｂ、１８２Ｃ、及び１８２Ｄなどの部分が露出される。部分１８２Ｂは、ＲＤＬ層１０４のパターンＰ１とＰ２との間であり、部分１８２Ｃは、ＲＤＬ層１０４のパターンＰ２とＰ３との間であり、部分１８２Ｄは、ＲＤＬ層１０４のパターンＰ３とＰ４との間である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図３は、バンプ１１４などのバンプを含むＲＤＬ層１０４を例示するための基板パッケージ３００の一実施形態の図である。基板パッケージ３００は、その底層として基板１０２を含む。基板１０２の上には、パッド１２２が重ねられる。誘電体層１２４が、パッド１２２上に堆積され、誘電体層１２４の中間部分１２４Ａ及び１２４Ｂを形成するためにパターン化される。導電性材料１１２でビア１０６を過充填して、バンプ１１４を伴うＲＤＬ層１０６を形成するために、電着の操作が実施される。例えば、バンプ１１４の直径は、ビア１０６の最大幅ｗ未満であり、基板１０２の下面３０２から測定されるバンプ１１４の高さは、下面３０２からのビア１０６の高さよりも大きい。更に、基板１０２の下面３０２からの平らな層ＬＬ１の高さは、ビア１０６の高さよりも大きく、基板１０２の下面３０２からの平らな層ＬＬ２の高さは、ビア１０６の高さよりも大きい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
その後、導電性材料１１２のバンプを除去して、更に、平らな層ＬＬ１、ＬＬ２、及びＬＬ３を有する上面１２０と同様な平らな表面をＲＤＬ層５０６に形成するために、電気研磨の操作１７０が実施される。例えば、操作１７０は、導電性材料１１２の、バンプ１１４（図１Ｂ）と同様なバンプを除去して、更に、２つの更なる隣接区域間に平坦な表面を形成するために、水平せん断力を及ぼす。水平せん断力は、ＲＤＬ層５０６の上面５０７に平行であり、バンプと、２つの更なる隣接区域との間に及ぼされる。ＲＤＬ層５０６のバンプが除去された後は、次いで、図１Ｂの操作１７２を使用してパターン化フォトレジストが剥離される。更に、ＲＤＬ層５０６を形成するために、図１Ｂの操作１７４を使用してバリア・シード層がエッチングされる。ＲＤＬ層５０６は、バリア・シード層の上にあり、誘電体層５０２の上にわたる。次いで、基板パッケージ５００に対し、ＳＲＤの操作１７６（図１Ｂ）が実施される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
留意すべきは、ＲＤＬ層１０４が、不均一性を全く有さない又は最小限しか有さないことである。ＲＤＬ層５０６も、したがって、不均一性を全く有さない又は最小限しか有さない。更に留意すべきは、本書において、基板１０２の上にわたるパッド１２２と、パッド１２２の上の誘電体層１２４と、誘電体層１２４の上にわたるＲＤＬ１０４と、ＲＤＬ１０４の上の誘電体層５０２との組み合わせが、基板パッケージ５０３と呼ばれることがあることである。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
プラズマチャンバ１２０２は、シャワーヘッド１２１０と、チャック１１２０とを含む。シャワーヘッド１２１０は、チャック１１２０に面している。シャワーヘッド１２１０は、容器１２０４に貯蔵された１種類以上のプロセスガスが、チャック１１２０上に置かれた基板パッケージ１２０８に供給されることを可能にするための、複数のホールを含む。シャワーヘッド１２１０は、また、上側電極板も含む。一部の実施形態では、シャワーヘッド１２１０の上側電極板は、アルミニウム、又はアルミニウム合金、又は銅、又は銅とアルミニウムとの組み合わせ等で作成される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
基板パッケージ１３１２が事前湿潤を施されたら、モータ１３０４は、基板パッケージ１３１２を事前湿潤流体の中に浸漬した状態から取り出すために、ウエハホルダ１３０８を上昇させるように動作される。モータ１３０４は、更に、基板パッケージ１３１２の表面から事前湿潤流体を取り除くために、ウエハホルダ１３０８を回転させるように動作される。前処理操作１６６の前、最中、又は後に、真空ポンプ１１１６は、基板パッケージ１３１２の表面からの例えば事前湿潤流体などの望ましくないあらゆる残余物質をチャンバ１３０２から取り除くように動作される。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
基板パッケージ１３１２が事前湿潤を施されたら、モータ１３０４は、基板パッケージ１３１２の表面から事前湿潤流体を取り除いてチャンバ１３２２の底で収集するために、チャック１３２４を回転させるように動作される。前処理操作１６６の前、最中、又は後に、真空ポンプ１１１６は、望ましくない残余物質をチャンバ１３２２から取り除くように動作される。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
基板パッケージ１４０４が、チャンバ１４２０のウエハホルダ１４０６によって保持、位置決め、及び回転される。チャンバ１４２０は、めっきセル１４０８を含み、これは、例えば、銅電極等の対電極１４０９と陽極液とを伴う陽極チャンバを有する二重チャンバセルである。陽極チャンバと陰極チャンバは、例えば、電着に使用されサポート部材１４１２によってサポートされる例えばカチオン膜等の膜１４１０によって分離される。システム１４００は、更に、チャンネルイオン抵抗板（ＣＩＲＰ）１４１４を含む。分流器１４１６が、ＣＩＲＰ１４１４の上にあり、陰極液の横断せん断流の形成を助ける。陰極液は、容器１４２２からカチオン膜１４１０の上方のフローポート１４３３を経て導入される。フローポート１４３３から、陰極液は、ＣＩＲＰ１４１４を通り抜けて、例えばバリア・シード層１２３の部分１３２Ａ及び１３２Ｂ（図１Ｂ）の上、並びにバリア・シード層１２３の部分１３０（図１Ｂ）の上などの表面上への衝突フローを生じさせ、ビア１０５を過充填してバンプ１１４を形成する、並びに部分１３２Ａ及び１３２Ｂ上に導電性材料１１２を堆積させて平らな層ＬＬ１及びＬＬ２を形成する。更に、陰極液は、容器１４２２からポンプ１４２４を経て、チャンバ１４２０の側部１４０２に位置するフローポート１４３０内へ導入される。例えば、フローポート１４３０の入口は、陽極の下方に位置する。この例では、フローポート１４３０は、めっきセル１４０８の側壁１４３２内の通路である。この機能的結果は、陰極液の流れが、ＣＩＲＰ１４１４と基板パッケージ１４０４との間に形成されためっき領域内へ直接導入されて、図１４Ａにおいて矢印の方向１４０７によって示されるような基板パッケージ１４０４にわたる横断せん断流を強化することである。例えば、横断せん断流は、平らな層ＬＬ１及びＬＬ２の上面１２０に平行な方向１４０７である。横断せん断流は、平らな層ＬＬ１とＬＬ２との間にバンプ１１４を形成するために、隣接区域Ａ１とＡ２との間に供給される。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
分流器１４１６が、ＣＩＲＰ１４１４の上にあり、酸の横断せん断流の形成を助ける。酸は、容器１４２３から膜１４１０の上方のフローポート１４３３を経て導入される。フローポート１４３３から、酸は、ＣＩＲＰ１４１４を通り抜けて、基板パッケージ１４０４の例えばバンプ１１４の上などの表面上への衝突フローを生じさせ、バンプ１１４を除去してＲＤＬ層１０４の上面１２０（図１Ｂ）を形成する。更に、酸は、容器１４２３からポンプ１４２４を経てフローポート１４３０内へ導入される。この機能的結果は、酸の流れが、ＣＩＲＰ１４１４と基板パッケージ１４０４との間に形成された領域内へ直接導入されて、図１４Ｂにおいて矢印の方向１４０７によって示されるような基板パッケージ１４０４にわたる横断せん断流を強化することである。横断せん断流は、平らな層ＬＬ１とＬＬ２との間のバンプ１１４を除去して平らな層ＬＬ３を更に形成するために、隣接区域Ａ１とＡ２との間のバンプ１１４に向けて供給される。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
更に留意すべきは、一部の実施形態では、上述された動作が、例えば誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）リアクタを含むプラズマチャンバ、トランス結合プラズマリアクタ、容量結合プラズマリアクタ、導体ツール、誘電体ツール、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）リアクタを含むプラズマチャンバ等の、幾つかのタイプのプラズマチャンバに適用することである。例えば、１つ以上のＲＦ発生器が、ＩＣＰリアクタ内でインダクタに結合される。インダクタの形状の例として、ソレノイド、ドーム状コイル、平らな形状のコイル等が挙げられる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
以上の実施形態は、理解を明瞭にする目的で幾らか詳細に説明されてきたが、添付の特許請求の範囲内で特定の変更及び修正が実施できることが明らかである。したがって、これらの実施形態は、例示的であって限定的ではないと見なされ、本明細書で与えられる詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物の範囲内で変更されえる。
適用例１：ビアの上方の再配線層のトポグラフィ均一性を向上させるために基板を処理するための方法であって、
前記基板の上にわたるフォトレジスト層をパターン化し、前記パターン化は、導電線のための領域を画定し、前記導電線は、前記再配線層のレベルにあり、
導電性材料が前記ビア及び前記導電線のための領域を充填するように前記導電性材料を堆積させ、前記堆積は、更に、前記ビアの真上に前記導電性材料のバンプを形成するために、前記導電線の導電性材料の過成長を引き起こすように制御され、
前記基板の上にわたって存在する前記パターン化フォトレジスト層を維持したままで、前記導電線及び前記バンプを平坦化し、前記平坦化は、前記導電線及び前記バンプにわたる水平せん断力を及ぼす液状化学物質によって促され、
前記平坦化の実施後に前記フォトレジストを剥離する、
ことを備える方法。
適用例２：適用例１に記載の方法であって、更に、
前記導電線の前記平坦化された上面の上に誘電体材料層を堆積させ、
前記誘電体材料層内に追加のビアを形成するために、前記誘電体材料層をパターン化し、
前記誘電体材料層の上に薄いバリア・シード層を形成するために、前記パターン化誘電体材料層の上にバリア・シード層を堆積させ、
厚い層を形成するために、前記薄いバリア・シード層の上に、前記追加のビアを内包する追加のフォトレジスト層を堆積させ、
前記追加のフォトレジスト層の、残りのフォトレジスト材料からなる２つの近接領域の間の距離が、前記追加のビアのそれぞれの最大幅よりも大きくなるように、前記追加のフォトレジスト層をパターン化する、
ことを備える方法。
適用例３：適用例２に記載の方法であって、更に、
残りのフォトレジスト層からなる前記２つの近接領域の間に追加の導電性材料を堆積させることを備え、
前記追加の導電性材料の堆積は、
前記追加のビアを充填し、
前記追加のフォトレジスト層の前記２つの近接領域の間に追加のバンプを形成し、前記追加のバンプは、前記追加のビアのうちの１つの真上に形成され、
前記追加のバンプと、前記残りのフォトレジスト材料からなる前記２つの近接領域のうちの１つとの間に、平らな層を成長させ、
前記追加のバンプと、前記２つの近接領域のうちの別の１つとの間に、平らな層を成長させる、
ことを含む、方法。
適用例４：適用例３に記載の方法であって、更に、
前記２つの近接領域の間に前記追加の導電性材料からなる平らな層を形成するために、前記２つの近接領域の間に形成されている前記バンプを電気研磨することを備える方法。
適用例５：適用例４に記載の方法であって、
前記電気研磨は、前記追加のバンプと、前記２つの近接領域のうちの１つとの間の層に平行な水平方向にせん断力を及ぼすことによって実施される、方法。
適用例６：適用例４に記載の方法であって、更に、
前記バンプの前記電気研磨後に前記追加のフォトレジスト層を剥離することを備える方法。
適用例７：再配線層（ＲＤＬ）の均一性を実現するための方法であって、
基板上に位置するパッドの上に誘電体層を堆積させ、
前記誘電体層の複数の中間部分を形成するために、前記誘電体層内に複数のビアを形成し、
前記誘電体層の上に膜を形成するために、前記誘電体層の上にバリア・シード層を堆積させ、前記膜は、前記ビア内に及び前記中間部分の上に形成され、
前記誘電体層の前記中間部分にわたって層を形成するために、前記シード層の膜の上にフォトレジストを堆積させ、
前記ビア内に堆積されている前記膜の部分及び前記誘電体層の前記中間部分の区域上に堆積されている前記膜の追加の部分を露出させるために前記フォトレジストを部分的に除去することによって、前記フォトレジストの断続区域をパターン化し、
前記ビア内に堆積されている前記膜の前記部分の上に及び前記膜の前記追加の部分の上に、前記再配線層の高さが前記フォトレジストの前記層の高さ未満であるように前記再配線層を堆積させ、前記再配線層の高さ及び前記フォトレジストの前記層の高さは前記基板から測定され、前記再配線層の前記堆積は前記ビアを過充填するために実施され、前記過充填は前記再配線層のバンプを形成するために実施され、前記バンプは前記フォトレジストの前記断続区域の間に形成され、
均一性を実現するために、前記フォトレジストの前記断続区域の間の前記バンプを除去する、
ことを備える方法。
適用例８：適用例７に記載の方法であって、更に、
前記バリア・シード層を部分的に露出させるために、前記フォトレジストを剥離することを備える方法。
適用例９：適用例８に記載の方法であって、更に、
前記誘電体層の上の前記バリア層を部分的に露出させるために、前記シード層の前記部分をエッチングし、
前記誘電体層を部分的に露出させるために、前記バリア層の前記部分をエッチングする、
ことを備える方法。
適用例１０：適用例７に記載の方法であって、
前記再配線層は、銅で作成される、方法。
適用例１１：適用例７に記載の方法であって、
前記再配線層は、コバルト、又はインバール、又はニッケル、又はニッケルとコバルトと鉄との合金、又はこれらのうちの２つ以上の組み合わせで作成される、方法。
適用例１２：適用例７に記載の方法であって、
前記再配線層の堆積は、前記ビア内に堆積されている前記膜の前記部分及び前記膜の前記追加の部分の上における陰極液の横断流を促すことによって、チャンバの側部を通じて前記陰極液を堆積させることを含む、方法。
適用例１３：適用例１２に記載の方法であって、
前記陰極液は、前記ビアを過充填して前記バンプを作成するために促進剤を含む、方法。
適用例１４：適用例１２に記載の方法であって、
前記陰極液は、前記再配線層の水平な部分を作成するために平坦化剤を含み、前記平らな部分のうちの１つは、前記バンプのうちの１つと、前記フォトレジストの前記断続区域のうちの１つとの間である、方法。
適用例１５：再配線層（ＲＤＬ）の均一性を実現するための方法であって、
複数のビアを充填するために、及びパターン化された誘電体層の複数の中間部分の上に層を形成するために、バリア・シード層の膜の上にフォトレジストを堆積させ、
前記ビア内に堆積されている前記膜の部分及び前記パターン化誘電体層の前記中間部分の区域上に堆積されている前記膜の追加の部分を露出させるために前記フォトレジストを部分的に除去することによって、前記フォトレジストの断続区域をパターン化し、
前記ビア内に堆積されている前記膜の前記部分の上に及び前記膜の前記追加の部分の上に、前記再配線層の高さが前記フォトレジストの前記層の高さ未満であるように前記再配線層を堆積させ、前記再配線層の高さ及び前記フォトレジストの前記層の高さは基板から測定され、前記再配線層の前記堆積は前記ビアを過充填するために実施され、前記過充填は前記再配線層のバンプを形成するために実施され、前記バンプは前記フォトレジストの前記断続区域の間に形成され、
均一性を実現するために、前記フォトレジストの前記断続区域の間の前記バンプを除去する、
ことを備える方法。
適用例１６：適用例１５に記載の方法であって、
前記再配線層は、銅で作成される、方法。
適用例１７：適用例１５に記載の方法であって、
前記再配線層は、コバルト、又はインバール、又はニッケル、又はニッケルとコバルトと鉄との合金、又はこれらのうちの２つ以上の組み合わせで作成される、方法。
適用例１８：適用例１５に記載の方法であって、
前記再配線層の前記堆積は、前記ビア内に堆積された前記膜の前記部分及び前記追加の部分の上における陰極液の横断流を促すことによって、チャンバの側部を通じて前記陰極液を堆積させることを含む、方法。
適用例１９：適用例１８に記載の方法であって、
前記陰極液は、前記ビアを過充填して前記バンプを作成するために促進剤を含む、方法。
適用例２０：適用例１８に記載の方法であって、
前記陰極液は、前記再配線層の平らな部分を作成するために平坦化剤を含み、前記平らな部分のうちの１つは、前記バンプのうちの１つと、前記フォトレジストの前記断続区域のうちの１つとの間である、方法。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2017216443.tif 000001
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2017216443.tif 000002