【事件の表示】
　特願２００２−３００２５６「ライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月２７日出願公開、特開２００３−１７９２３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願は、平成１１年１０月１５日に出願した特願平１１−２９４０８１号の一部を平成１４年１０月１５日に新たな出願としたものであって、平成１５年８月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年９月２５日付けの手続補正について
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１５年９月２５日付けの手続補正を却下する。
　
〔理由〕
　
（２−１）手続補正の内容
　平成１５年９月２５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容は、平成１５年７月２５日付けで補正された特許請求の範囲を次のとおりに補正するとともに、発明の詳細な説明を補正するものである。
「　【請求項１】　ゲート電極と、このゲート電極直下のチャンネル領域を挟むように設けられたソース及びドレインと、前記チャンネル領域とソース間及び前記チャンネル領域とドレイン間にそれぞれ形成されたＬＤＤ領域とを有する透明基板上に形成された薄膜トランジスタ部と、前記透明基板側からの反射光が前記薄膜トランジスタ部に入射するのを遮蔽する第１遮光膜と、前記透明基板と反対側からの入射光が前記薄膜トランジスタ部に入射するのを遮蔽する第２遮光膜とを具備する液晶表示装置用の薄膜トランジスタにおいて、前記第１遮光膜および第２遮光膜で乱反射した光が前記ＬＤＤ領域に入射するのを抑えるように、前記ゲート電極は、前記チャンネル領域の長さ方向に存在する前記ＬＤＤ領域の一部または全ての領域を覆い、かつ、前記チャンネル領域の幅方向の前記ゲート電極の幅が、前記チャンネル領域の幅よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置用の薄膜トランジスタ。
　　【請求項２】　前記ゲート電極の前記チャンネル領域の長さ方向の断面形状は、その先端部が薄くなるようにテーパを有していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用の薄膜トランジスタ。
　　【請求項３】　ＴＦＴ基板と対向基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板に挟持される液晶層と、前記液晶層を挟んでＴＦＴ基板からの反射光が前記ＴＦＴ基板上に形成された薄膜トランジスタに入射するのを遮光する第１遮光膜と、前記液晶層を挟んで対向基板からの入射光が前記薄膜トランジスタに入射するのを遮光する第２遮光膜とを有する薄膜トランジスタを組み込んだライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置において、
　前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、このゲート電極直下のチャンネル領域を挟むように設けられたソース及びドレインと、前記チャンネル領域とソース間及び前記チャンネル領域とドレイン間にそれぞれ形成されたＬＤＤ領域とを有し、前記第１遮光膜および第２遮光膜で乱反射した光が前記ＬＤＤ領域に入射するのを抑えるように、前記ゲート電極は、前記チャンネル領域の長さ方向に存在する前記ＬＤＤ領域の一部または全ての領域を覆い、かつ、前記チャンネル領域の幅方向の前記ゲート電極の幅が、前記チャンネル領域の幅よりも大きいことを特徴とするライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置。」
　
（２−２）本件補正についての検討
　
（２−２−１）補正事項の整理
　
・補正事項１
　補正前の請求項１の「薄膜トランジスタを組み込んだライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置において」を「液晶表示装置用の薄膜トランジスタにおいて」とし（補正事項１−１）、
　同「前記ゲート電極には、前記ＬＤＤ領域の一部又は全てを覆う遮光部が設けられていること」を「前記第１遮光膜および第２遮光膜で乱反射した光が前記ＬＤＤ領域に入射するのを抑えるように、前記ゲート電極は、前記チャンネル領域の長さ方向に存在する前記ＬＤＤ領域の一部または全ての領域を覆い、かつ、前記チャンネル領域の幅方向の前記ゲート電極の幅が、前記チャンネル領域の幅よりも大きいこと」とし（補正事項１−２）、
　同「を特徴とするライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置」を「を特徴とする液晶表示装置用の薄膜トランジスタ」とする（補正事項１−３）。
　
・補正事項２
　補正前の請求項２を削除する。
　
・補正事項３
　補正前の請求項３を補正後の請求項２とする（補正事項３−１）とともに、補正前の請求項３の「前記遮光部の断面形状」を「前記ゲート電極の前記チャンネル領域の長さ方向の断面形状」とし（補正事項３−２）、
　同「請求項１又は２に記載の」を「請求項１に記載の」とし（補正事項３−３）、
　同「ライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置」を「液晶表示装置用の薄膜トランジスタ」とする（補正事項３−４）。
　
・補正事項４
　補正前の請求項４を補正後の請求項３とする（補正事項４−１）とともに、補正前の請求項４の「前記ゲート電極には、前記ＬＤＤ領域の一部又は全てを覆う遮光部が設けられていること」を「前記第１遮光膜および第２遮光膜で乱反射した光が前記ＬＤＤ領域に入射するのを抑えるように、前記ゲート電極は、前記チャンネル領域の長さ方向に存在する前記ＬＤＤ領域の一部または全ての領域を覆い、かつ、前記チャンネル領域の幅方向の前記ゲート電極の幅が、前記チャンネル領域の幅よりも大きいこと」とする（補正事項４−２）。
　
（２−２−２）補正の適否についての検討
　補正事項１−１、補正事項１−３及び補正事項３−４は、補正前の請求項にあった「ライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置」から「ライトバルブ用アクティブマトリックス」という記載事項を削除するとともに、同「液晶表示装置」を「液晶表示装置用の薄膜トランジスタ」とするものであるが、これらの補正事項は、明らかに、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないから、このような補正事項を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反してされたものである。
　
（２−３）補正の適否についてのむすび
　したがって、前記（２−２−２）に記載した不適法な補正事項を含む本件補正は、他の補正事項について検討するまでもなく、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　
（３−１）本願発明の認定
　平成１５年９月２５日付けの手続補正は前記２．のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年７月２５日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「ゲート電極と、このゲート電極直下のチャンネル領域を挟むように設けられたソース及びドレインと、前記チャンネル領域とソース間及び前記チャンネル領域とドレイン間にそれぞれ形成されたＬＤＤ領域とを有する透明基板上に形成された薄膜トランジスタ部と、前記透明基板側からの反射光が前記薄膜トランジスタ部に入射するのを遮蔽する第１遮光膜と、前記透明基板と反対側からの入射光が前記薄膜トランジスタ部に入射するのを遮蔽する第２遮光膜とを具備する薄膜トランジスタを組み込んだライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置において、
　前記ゲート電極には、前記ＬＤＤ領域の一部又は全てを覆う遮光部が設けられていることを特徴とするライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置。」
　
（３−２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本件の出願前に頒布された刊行物である特開平６−８２８２９号公報（以下、「引用例１」という。）には、図１、２、４及び５とともに、次のとおり記載されている。
「【請求項１】マトリクス状に形成された絵素電極と、該絵素電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成された走査配線および信号配線と、該絵素電極、走査配線および信号配線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタとを有するアクティブマトリクス基板であって、
　該薄膜トランジスタは、半導体層が複数の領域に区分されたＬＤＤ構造となっており、両最外領域の一方がソース電極、他方がドレイン電極であり、該半導体層の片面側の上にゲート絶縁膜とゲート電極とがこの順に形成され、さらに該半導体層の該ゲート電極が形成された面とは反対側に、間に絶縁膜を介して遮光膜が形成されて、該遮光層により該半導体層へ光が照射されるのを防止するようにしたアクティブマトリクス基板。
【請求項２】　前記薄膜トランジスタのゲート電極側に、間に１または２以上の絶縁膜を介して第２の遮光層が形成された請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。」（特許請求の範囲）
「【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置の構成の一例を示したものである。この表示装置においては、透明基板１１１上にゲート駆動回路５４、ソース駆動回路５５およびＴＦＴアレイ部５３が形成されている。薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略称する）・・・」（０００２段落）（なお、「図３」は「図５」の誤記である。）
「【０００４】・・・上記従来例においては、オフ特性を向上させるため、スイッチング素子としてＬＤＤ構造のＴＦＴを用いているが、このＬＤＤ構造は、特に光の影響を受け易く、液晶プロジェクター等に使用した場合には、ＴＦＴ基板の裏面からの光によりオフ特性が悪化して表示品位を損なうという問題があった。・・・」（０００４段落）
「【００１０】（実施例１）図１は、本実施例のアクテイブマトリクス基板の絵素部を示す平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００１１】このアクティブマトリクス基板は、絶縁性基板１１の上に、マトリクス状に形成された絵素電極４と、絵素電極４の近傍を通って格子状に相互に交差して形成されたゲートバスライン２およびゲートバスライン３と、絵素電極４、ゲートバスライン２およびゲートバスライン３に接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴとを有している。ＴＦＴは、半導体層３０にソース電極２３およびドレイン電極２４よりも不純物濃度が低いＬＤＤ領域を有した構造となっており、半導体層３０の片面側の上にはゲート絶縁膜１３を介してゲート電極３が形成されている。また、半導体層３０の上記面とは反対側には絶縁膜２２を介して遮光層２１が設けられている。」（００１０段落〜００１１段落）
「【００１４】・・・これにより、ゲート電極３の下方に、チャネル領域１２が形成され、チャネル領域から１．５〜２μｍ離れた位置までの部分に、ＬＤＤ領域１２ａ、１２ｂが形成され、また半導体層３０のそれ以外の部分に、ソース領域、ドレイン領域が形成される。ソース領域、ドレイン領域は、後の工程でソースバスライン、絵素電極と接続されるソース電極２３、ドレイン電極２４となる。」（００１４段落）
「【００１８】さらに、この構造で遮光が不十分な場合には、図４に示すように、第２層間絶縁膜の上部にＴｉＷ、ＷＳｉ等の金属からなる第２の遮光層２０を積層して、ＴＦＴを２つの遮光層２０、２１で挟んだ構造にすれば、より一層の遮光効果が得られ、このようなＴＦＴを有するアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置は、表示品位がさらに良好となる。・・・」（００１８段落）
「【００１９】
【発明の効果】・・・本発明のアクティブマトリクス基板によれば、ＴＦＴに形成された遮光層によってＴＦＴの裏面から照射される光を遮断することができるので、ＴＦＴのオフ特性の悪化を防ぐことができる。このようなアクティブマトリクス基板を液晶プロジェクターとして用いた液晶表示装置は、強力な光を照射した場合においても良好な表示品位を保持することができる。」（００１９段落）
　
　以上の記載事項によれば、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている
「絶縁性基板の上に、マトリクス状に形成された絵素電極と、前記絵素電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成された走査配線および信号配線と、前記絵素電極、走査配線および信号配線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタを有したアクティブマトリクス基板を液晶プロジェクターとして用いた液晶表示装置であって、
　前記薄膜トランジスタは、半導体層のゲート電極の下方にチャネル領域が形成され、前記チャネル領域から所定の距離だけ離れた位置までの部分にＬＤＤ領域が形成され、前記半導体層のそれ以外の部分にソース領域およびドレイン領域が形成されており、
　前記半導体層の前記ゲート電極が形成された面とは反対側に、間に絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタの裏面から照射される光に対する第１の遮光層が形成され、
　前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極側に、間に絶縁膜を介して第２の遮光層が形成された液晶表示装置。」
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本件の出願前に頒布された刊行物である特開平８−２７４３３６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図１及び２とともに、次のとおり記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】・・・多結晶シリコンを用いたＴＦＴはドレイン端近傍での電界集中によるリーク電流が発生しやすくこのため画素スイッチング用に使用するには、ドレインの一部に低濃度の不純物層を形成したＬＤＤ構造を用いて、電界集中を避けてリーク電流を減らさなければならない。」（０００２段落）
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】・・・従来の多結晶シリコンを用いたＬＤＤ構造ＴＦＴではＬＤＤ領域の幅を最適なものにすることは不可能であった。このため、従来の素子はサイズが大きく、また電流のドライブ能力の不足したものであった。」（０００７段落）
「【００２０】・・・ゲートが上層の金属５４ が下層の金属４２より狭い構造を有している。この様にして、第１のゲート金属としてのタングステン層４２ 、及びこのタングステン層４２ に対してゲート長方向で短い第２のゲート金属層としてのモリブデン層５４ が形成されることとなる。この場合はゲート電極を２段の階段状と称することもできる（図１（ｄ））。
【００２１】その後、マス分離をしないイオン注入装置（イオンドーピング装置）でＰイオンを１００ｋｅＶで３×１０１３／ｃｍ２ の条件でイオン注入を行って低不純物濃度層６１ 、７１ を形成する（図２（ａ））。
【００２２】その後５０ｋｅＶで３×１０１５／ｃｍ２ イオン注入を行って、高不純物濃度のソース・ドレイン領域８、９を形成すると共に低不純物濃度層６２ 、７２ の（図２（ｂ））。」（００２０段落〜００２２段落）
「【００２５】このように、本発明を使用することにより、電流ドライブ能力の高い薄膜電解効果トランジスタを作製することができるようになった。また、ゲート電極に自己整合して低不純物濃度層が形成されるためＰＥＰ工程によるマスクずれがなくなり、薄膜電解効果トランジスタの特性を安定させることができ、歩留まりが高くなった。また、絶縁基板上に画素電極、画素電極のスイッチング用ＴＦＴ、駆動回路などを集積形成して得られる液晶表示装置の駆動回路様のＴＦＴに応用する場合、従来法では駆動回路と画素スイッチでは薄膜電解効果トランジスタの構成が変わり非常に複雑になったが、本方法では同じ構造にすることができ、回路設計上非常に楽になった。また、画素スイッチング様のＭＩＳ型電解効果トランジスタの電流ドライブ能力が高くなり、トランジスタの絶縁性基板上に占める占有面積を小さくすることができる。これは例えば従来型の薄膜電解効果トランジスタの占有面積が１０×１０μｍ／□であったのを、本実施例のトランジスタでは７×１０μｍ／□にすることができ、素子サイズの小形化を図ることができると共に、またリーク電流が少なくなることで補助容量を低減することができ、開口率を高くすることが可能となった。」（００２５段落）（なお、「電解効果トランジスタ」は「電界効果トランジスタ」の誤記である。）
　
（３−３）対比・判断
　引用発明の「絶縁性基板」は、引用発明における従来技術と同様の「透明基板」であることは明らかである（引用例１の０００２段落を参照。）から、本願発明の「透明基板」に相当する。
　引用発明の「薄膜トランジスタ」は、その「ゲート電極が形成された面とは反対側」及び「ゲート電極側」にそれぞれ形成された「絶縁膜」や「遮光層」を含まない、トランジスタ構造自体をいうものであるから、本願発明の「薄膜トランジスタ部」に相当する。
　引用発明の「半導体層のゲート電極の下方にチャネル領域が形成され、前記チャネル領域から所定の距離だけ離れた位置までの部分にＬＤＤ領域が形成され、前記半導体層のそれ以外の部分にソース領域およびドレイン領域が形成されて」いることは、本願発明の「ゲート電極と、このゲート電極直下のチャンネル領域を挟むように設けられたソース及びドレインと、前記チャンネル領域とソース間及び前記チャンネル領域とドレイン間にそれぞれ形成されたＬＤＤ領域とを有する」ことに相当する。
　引用発明の「第１の遮光層」及び「第２の遮光層」は、それぞれ、本願発明の「第１遮光膜」及び「第２遮光膜」に相当する。
　引用発明の「薄膜トランジスタを有したアクティブマトリクス基板を」「用いた液晶表示装置」は、本願発明の「薄膜トランジスタを組み込んだ」「アクティブマトリックス液晶表示装置」に相当する。
　よって、本願発明と引用発明とは、
「ゲート電極と、このゲート電極直下のチャンネル領域を挟むように設けられたソース及びドレインと、前記チャンネル領域とソース間及び前記チャンネル領域とドレイン間にそれぞれ形成されたＬＤＤ領域とを有する透明基板上に形成された薄膜トランジスタ部と、第１遮光膜と、第２遮光膜とを具備する薄膜トランジスタを組み込んだアクティブマトリックス液晶表示装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明は「薄膜トランジスタを組み込んだライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置」であるのに対して、引用発明は「マトリクス状に形成された絵素電極と、前記絵素電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成された走査配線および信号配線と、前記絵素電極、走査配線および信号配線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタを有したアクティブマトリクス基板を液晶プロジェクターとして用いた液晶表示装置」である点。
　
（相違点２）
　本願発明においては、「前記透明基板側からの反射光が前記薄膜トランジスタ部に入射するのを遮蔽する第１遮光膜と、前記透明基板と反対側からの入射光が前記薄膜トランジスタ部に入射するのを遮蔽する第２遮光膜とを具備する」のに対して、引用発明においては、「記半導体層の前記ゲート電極が形成された面とは反対側に、間に絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタの裏面から照射される光に対する第１の遮光層が形成され、前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極側に、間に絶縁膜を介して第２の遮光層が形成された」点。
　
（相違点３）
　本願発明においては、「前記ゲート電極には、前記ＬＤＤ領域の一部又は全てを覆う遮光部が設けられている」のに対して、引用発明においては、「半導体層のゲート電極の下方にチャネル領域が形成され、前記チャネル領域から所定の距離だけ離れた位置までの部分にＬＤＤ領域が形成され」ており、ゲート電極がＬＤＤ領域を覆うようにはなっていない点。
　
　以下、これらの相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　相違点１は、
（ａ）本願発明が「薄膜トランジスタを組み込んだ」「アクティブマトリックス液晶表示装置」であるのに対して、引用発明が「マトリクス状に形成された絵素電極と、前記絵素電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成された走査配線および信号配線と、前記絵素電極、走査配線および信号配線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタを有したアクティブマトリクス基板を」「用いた液晶表示装置」である点、
及び、
（ｂ）本願発明が「ライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置」であるのに対して、引用発明は「アクティブマトリクス基板を液晶プロジェクターとして用いた液晶表示装置」である点、
に分けられる。
　まず、（ａ）の点について、本件出願の明細書の００２０段落及び図面の図１を参照すれば、本願発明の「薄膜トランジスタを組み込んだ」「アクティブマトリックス液晶表示装置」は、詳細には、マトリクス状に区分された領域に各「画素（画素電極）」（引用発明の「絵素電極」に相当。）が形成され、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）は、各画素電極の間を通って格子状に配置された「ゲート線」（引用発明の「走査配線」に相当。）と「データ線」（引用発明の「信号配線」に相当。）の交点近傍に形成されて、画素電極のスイッチングを司る（引用発明の「前記絵素電極、走査配線および信号配線にそれぞれ電気的に接続された」ことに相当。）という構成を有するものであるから、引用発明の「マトリクス状に形成された絵素電極と、前記絵素電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成された走査配線および信号配線と、前記絵素電極、走査配線および信号配線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタを有したアクティブマトリクス基板を」「用いた液晶表示装置」は、本願発明の「薄膜トランジスタを組み込んだ」「アクティブマトリックス液晶表示装置」と実質的な差異を有しない。
　そして、（ｂ）の点について、アクティブマトリクス型基板をプロジェクタに用いる場合、このアクティブマトリクス基板が「ライトバブル」として機能するものであることは、特開平１０−１１１５２０号公報（特に０００２段落を参照。）及び特開平１１−８４４２３号公報（特に０００２段落を参照。）に記載されているように、当該技術分野において自明の事項であるから、引用発明の「アクティブマトリクス基板を液晶プロジェクターとして用いた液晶表示装置」が、本願発明の「ライトバルブ用アクティブマトリックス液晶表示装置」と同等のものであることは明らかである。
　よって、相違点１は、単なる表現上の相違にすぎない。
　
（相違点２について）
　相違点２は、言い換えれば、本願発明においては、透明基板と反対側、すなわち対向基板側に光源があり、「第２遮光膜」が光源からの入射光を遮蔽し、「第１遮光膜」が光学系等からの反射光を遮蔽するものであるのに対して、引用発明においては、本願発明の「透明基板」に相当する絶縁基板側に光源があり、「第１の遮光層」が光源からの入射光を遮蔽するものであるということである。また、引用発明における「第２の遮光層」の機能については、「より一層の遮光効果が得られ」る（引用例１の００１８段落を参照。）とされているが、詳細は明らかでない。
　ここで、まず、引用発明における「第２の遮光層」の機能について検討すると、アクティブマトリクス基板をプロジェクタ等に用いる場合に、薄膜トランジスタに対して光源とは反対側に設けられる遮光層が、光学系等からの反射光（戻り光）を遮蔽して遮光効果を向上させるためのものであることは、特開平８−１７１１０１号公報（特に【従来の技術】に関する、０００２段落〜００２２段落の記載を参照。）、特開平１０−１１１５２０号公報（特に【背景技術】に関する、０００２段落〜０００３段落の記載を参照。）及び特開平１１−８４４２３号公報（特に【従来の技術】に関する、０００２段落〜０００５段落の記載を参照。）に記載されているように、当該技術分野において周知の技術的事項であるから、引用発明における「第２の遮光層」も、光学系等からの反射光を遮蔽するためものと解するのが妥当であり、結局、相違点２の実質的な部分は、光源の配置が逆であるということのみである。
　しかし、アクティブマトリクス基板をプロジェクタとして用いる場合に、本願発明のように対向基板側に光源を配置することは、特開平８−１７１１０１号公報（特に【従来の技術】に関する、０００２段落〜００２２段落の記載を参照。）、特開平１０−１１１５２０号公報（特に【背景技術】に関する、０００２段落〜０００３段落の記載を参照。）及び特開平１１−８４４２３号公報（特に【従来の技術】に関する、０００２段落〜０００５段落の記載を参照。）に記載されているように、当該技術分野において周知の技術的事項であるから、引用発明における光源を絶縁基板とは反対側に配置することは、当業者が適宜なし得たものである。
　
（相違点３について）
　引用例２には、ＬＤＤ構造のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を液晶表示装置の画素スイッチング用に用いるにあたり、その電流ドライブ能力を高めて、絶縁基板上での占有面積を小さくするために、階段状にしたゲート電極をマスクに不純物のイオン注入を行うことにより、ゲート電極の下部に自己整合的に低不純物濃度層（ＬＤＤ領域）を形成することが記載されており、この場合、できあがったＴＦＴにおいては、必然的にゲート電極が低不純物濃度層（ＬＤＤ領域）を覆うようになっているものである。
　そして、この引用例２に記載の技術思想を、引用発明における薄膜トランジスタのＬＤＤ領域の形成のために用いることは当業者が適宜なし得たものであり、その結果、引用発明においても、ゲート電極には、ＬＤＤ領域を覆う部分が設けられることになるとともに、このゲート電極のＬＤＤ領域を覆う部分は、そこに光が当たれば当然に遮光機能を果たすものであるから、本願発明における「遮光部」と実質的に同等のものである。
　
　よって、遮光膜で反射した光がＬＤＤ領域へ入射するという課題認識の有無に関わらず、ゲート電極がＬＤＤ領域の一部でも覆っているような、本願発明と同等の構成は、引用例１及び２に記載された発明及び周知の技術から、当業者が容易に発明することができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明及び周知の技術から、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、本件出願は、請求項２ないし４に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおりに審決する。