【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２５７４６９９号発明「酸素発生陽極及びその製法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯の概要
　本件特許第２５７４６９９号に係る出願は、平成１年４月２１日に特許出願され、平成８年１０月２４日に請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）について特許権の設定の登録がなされたものである。
　その後、平成１５年２月７日付けで、大機エンジニアリング株式会社（以下「請求人」という。）より、その請求項１に係る特許について特許無効の審判請求がなされ、これに対して、平成１５年４月２５日付けで被請求人（特許権者）より「答弁書」、及び同年６月２日付けで「上申書」が提出され、平成１５年７月２９日に口頭審理がなされるとともに、同日付けで請求人より陳述要領書が提出され、平成１５年８月１１日付けで被請求人より上申書が提出され、平成１５年９月２４日付けで請求人より上申書が提出されたものである。
　　
II．請求人の主張及び証拠方法
　請求人は、証拠方法として甲第１〜２０号証を提出して、本件請求項１に係る特許を無効とするとの審決を求め、その理由として、
ｉ）本件明細書の記載は不備であって、特許法第３６条第３、４項に規定する要件を満たしていない出願に対して特許されたものであり、
ii）本件特許に係る出願は、明細書の要旨を変更する手続補正書が提出された平成４年８月５日にされたとみなすべきであり、そうすると、本件発明は、その出願前に頒布された刊行物である甲第１〜６号証及び甲第１０〜１１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、さらに、
iii）仮に上記要旨変更ではないとしても、本件発明は、上記甲第１〜６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである、と主張している。
　なお、請求理由i)につき、審判請求書における、特許法第３６条「第４項及び第５項」なる記載は、その主張内容からみて、同条「第３項及び第４項」の誤記と認める。また、請求人が提示した甲第２１〜２９号証は、上記口頭審理において、参考資料１〜９とされた。
　　
III．被請求人の主張及び証拠方法
　被請求人は、請求人の上記主張には理由がないと主張し、併せて、平成１５年６月２日付け「上申書」に添付して、「溶射法によるタンタル中間層との比較データ」を提出している。
　　
IV．証拠方法
(IV-1)請求人の提出した証拠方法
(A1)：甲第１号証（特開昭４８−４０６７６号公報）
(A1-1)「電解条件下で耐食性を有し且つ電極反応に対して不活性である導電性物質を溶射してなる表面を有する基体上に、電極活性物質を沈着せしめたことを特徴とする電解用の被覆電極の製造法。」（特許請求の範囲）
(A1-2)「電極基体および基体上に溶射する物質の例としてはチタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、タングステンまたはこれらを主体とする合金あるいはこれら金属の窒化物および炭化物などがある。」（第２頁右上欄第１１〜１５行）
(A1-3)「溶射物の表面に沈着せしめる被覆物質は、電極として有効な物質例えば白金族金属及びその合金、白金族金属酸化物、導電性金属酸化物およびこれら金属酸化物の混合物、またはニッケル、鉛および鉄などの金属を意味する。」（第２頁右上欄第１６行〜左下欄第１行）
(A1-4)「実施例２．　チタン板をサンドブラスト法によって表面を粗化したのち、脱脂および硝弗酸によって酸洗した５mm厚チタン板上に・・・タンタル粉末を実施例１と同一条件でプラズマジェット溶射した。第３図はこのときの溶射面の６０倍の顕微鏡写真である。この第３図のように第１図、第２図の写真よりもその表面の溶射面の粗化は一番すぐれており、従って、この表面上にさらに白金を被覆する次の工程において、白金の付着性は第３図が一番すぐれていることが諒解できる。・・・
　次いで真空中７００℃で５時間熱処理を行なって、再び硝弗酸で酸洗したのち、これの表面に熱分解法によって酸化ルテニウムを析出せしめ沈着被覆した。
　このときの熱分解法は三塩化ルテニウムの塩酸酸性水溶液を基体上に塗布し、これを６００℃の電気炉中で焼成する方法によった。この方法で約０．０３μの極めて薄い酸化ルテニウム層を有する電極を作成した。」（第３頁右上欄下から第４行〜左下欄第１７行）
　　
(A2)：甲第２号証（特開昭５９−９６２８７号公報）
(A2-1)「(1)チタンおよびニオブからなる群より選択された金属の金属基材とアノード活性層とからなる電極であって、そのアノード活性層は３５０℃を越える温度の酸化雰囲気中で加熱することにより作られたものであり、そのアノード活性層と基材との間にはタンタルの層または金属タンタルを５０％以上含む合金の層が設けられていることを特徴とする上記電極。
(2)アノード活性層は白金族金属または白金族金属酸化物を含む特許請求の範囲第１項に記載の電極。
・・・・・・・・・・・・・・・・
(4)アノード活性層は白金およびイリジウムを含む特許請求の範囲第２項に記載の電極。
(5)イリジウム分の一部または全部が酸化物の形で存在する特許請求の範囲第４項に記載の電極。
・・・・・・・・・・・・・・・・
(7)チタンおよびニオブからなる群より選択された金属の金属基材の上に、タンタルの層または金属タンタルを５０％以上含む合金の層を形成し；析出してアノード活性層を形成する化合物を上記タンタルまたはタンタル合金層へ適用し；その化合物および基材を３５０℃を越える温度の酸化雰囲気中で、該化合物が分解してアノード活性物質の層を生成するに足る時間にわたり加熱する；ことからなる電極の製法。」（特許請求の範囲）
(A2-2)「好ましい具体例の電極はニオブ基材に、アノード活性層として白金およびイリジウム含有被覆を与えかつそのニオブ基材と白金およびイリジウム含有層との間に金属状のタンタルの薄層を設けてなる。「薄層」とは数ミクロンないし数ｍｍの厚さの層を意味する。好ましくは、タンタル層は基材金属に対して金属学的に結合される。金属学的に結合されるタンタル層は０．１〜２．５ｍｍ、好ましくは１〜２．５ｍｍの厚さを有する。」（第３頁左下欄第３〜１１行）
(A2-3)「金属学的結合は、圧延により、同時押出により、拡散結合法により、あるいはその他の適当な方法により形成されうる。」（第３頁左下欄第１１〜１３行）
(A2-4)「かくして、チタン基材に対して上記のいずれかの方法により（すなわち圧延結合法、同時押出法、イオンメッキ法、爆発結合法）タンタル層を被覆することができ」（第５頁右上欄最下行〜左下欄第３行）
(A2-5)「本発明の電極は陰極防食に使用する以外に電気冶金、電気メッキ、次亜塩素酸塩製造、塩素酸塩製造またはその他必要な電気化学的用途のために用いられる。」（第７頁右上欄第１〜４行）
　　
(A3)：甲第３号証（特開昭５３−９５１８０号公報）
(A3-1)「(1)無機化学および有機化学分野において使用可能であり、電解液中において耐性である基材（例えばチタン）と、この基材表面上の基膜（例えばタングステン、タンタルおよび鉄の混合物、またはタングステン、タンタルおよび鉄と、例えば硼素または炭素との化合物）と、貴金属（例えばロジウム）製のドーピング膜とからなる電極、なかんずく電気分解用の陽極の製造方法において、前記両膜の付着が真空中で行われることを特徴とする方法。
(2)前記両膜が蒸着により形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
(3)前記両膜がイオン鍍金により形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
(4)前記両膜が陰極スパッタリングにより形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・
(7)前記基膜が１ミクロンから２０ミクロンまでの厚さで・・・製造されることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第６項までのいずれか１項に記載の方法。」（特許請求の範囲）
(A3-2)「主要境界面における酸化膜は実際上完全に除去されるべきである。この目的は本文冒頭において述べた方法において前記両膜の付着が真空中で行なわれることにより達成される。」（第２頁左下欄第１５〜１９行）
(A3-3)「本発明の被膜方法においては、高真空中での蒸着、または希ガス雰囲気（圧力１〜１０×１０-2トル）におけるグロー放電下での蒸着（いわゆるイオン鍍金法）、または希ガス雰囲気（圧力１〜１０×１０-2トル）における陰極スパッタリングが実施される。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第２行）
(A3-4)「第１実施例」において、「タンタル／タングステン（重量パーセント５０／５０）からなる混合膜が５ミクロンの厚さに蒸着される。その後５００オングストロームの厚さにロジウム膜が蒸着される。」（第３頁左下欄第１５〜１８行）
　　
(A4)：甲第４号証（特開昭６３−２３５４９３号公報）
(A4-1)「１　導電性基体上に、イリジウム５０〜９０モル％及びタンタル５０〜１０モル％を含有する酸化イリジウムと酸化タンタルとから成る下地層を介して、イリジウム換算で０．０５〜３mg/cm2の割合の酸化イリジウム層を設けたことを特徴とする酸素発生用電極。
２　導電性基体上に、まずイリジウム化合物とタンタル化合物とを含有する溶液を塗布後、酸化性雰囲気中で熱処理して、イリジウム５０〜９０モル％及びタンタル５０〜１０モル％を含有する酸化イリジウムと酸化タンタルとから成る下地層を形成させ、次いで、この上にイリジウム化合物を含有する溶液を塗布後酸化性雰囲気中で熱処理して、０．０５〜３mg/cm２のイリジウムを含む酸化イリジウム層を形成させることを特徴とする酸素発生用電極の製造方法。」（特許請求の範囲）
(A4-2)「導電性基体としては、例えばチタン、タンタル、ジルコニウム、ニオブなどのバルブ金属またはこれらのバルブ金属の中から選ばれた２種以上の金属の合金が挙げられる。」（第３頁右上欄第３〜６行）
(A4-3)「この範囲内においては、酸化イリジウムの割合が少ない方が良好な電極が得られる傾向にあるが、酸化タンタルが多すぎると導電性基体を保護する効果や酸化イリジウム外部被覆層と導電性基体との密着強度を高める効果が十分に発揮されない上、下地層自体の導電性も低下する。」（第３頁右上欄第１２〜１８行）
(A4-4)「この酸素発生用電極を製造するための好適な実施態様を説明すると、まず導電性基体上に、イリジウム化合物とタンタル化合物とを含有する溶液を塗布したのち、酸化性雰囲気中で熱処理して・・・下地層を設ける。」（第３頁左下欄第１４〜１９行）
(A4-5)「本発明においては、さらに、この上に、イリジウム化合物を含有する溶液を塗布したのち、酸化性雰囲気中で熱処理することにより・・・酸化イリジウム層が施される。この際用いられるイリジウム化合物を含有する溶液は、熱分解によって酸化イリジウムになる化合物・・・を、適当な溶媒に溶解することによって調製することができる。また、酸化性雰囲気中での熱処理は、この塗布液を該下地層の上に塗布し、乾燥したのち、酸素の存在下、好ましくは４５０〜５５０℃の範囲の温度において、焼成することによって行われる。」（第３頁右下欄第１５行〜第４頁左上欄第８行）
(A4-6)「下地層及び酸化イリジウム層を形成するための熱処理を酸化性雰囲気中で行わない場合には、酸化が不十分になり、金属が遊離状態で存在するので得られる電極の耐久性が低下する。」（第４頁左上欄第第１１〜１５行）
　　
(A5)：甲第５号証（特開昭５６−７１８２１号公報）
(A5-1)「１　基板、この上に蒸着、スパッタリングもしくはイオンプレーティングで形成された陽極酸化可能な薄膜層、この薄膜層表面を陽極酸化させて得た陽極化成層よりなることを特徴とする磁気ディスク用基板。
２　基板がＡl合金、Ｍg合金、Ｔi、Ｔi合金、鉄合金、高分子樹脂のうちから選ばれた１種類の材料であり、蒸着、スパッタリングもしくはイオンプレーティングで形成された陽極酸化可能な薄膜層がＡl、Ａl合金、Ｔi、Ｔi合金、Ｍg、Ｍg合金、Ｔa、Ｔa合金、Ｎb、Ｎb合金のうちから選ばれた１種類の材料であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク用基板。」（特許請求の範囲）
(A5-2)「純Ａlもしくは欠陥の原因となる元素を含まないＡl合金のような陽極酸化可能な金属を、蒸着、スパッタリングないしはイオンプレーティング法などのいわゆるドライプロセスにて形成し」（第２頁右上欄第１８行〜左下欄第２行）
　　
(A6)：甲第６号証（堂山昌男ら編「材料テクノロジー９　材料のプロセス技術［Ｉ］」（財）東京大学出版会（1987年11月30日発行）第１３８〜１４１頁）
(A6-1)「表4.12　スパッタリングの応用分野と使用されている薄膜材料」（第１３９頁）に、電子工業分野における抵抗膜用途の代表的材料として「Ｔa」が挙げられている。
(A6-2)「金属多層膜の場合、スパッタリングや真空蒸着により作成されている。」（第１４０〜１４１頁）と記載され、「表4.13　金属系多層膜の目的と作成例」（第１４０頁）に、「相互拡散」、「構造」及び「水素吸蔵」を目的とする場合の作成例として、「Ｎb／Ｔa」多層膜が挙げられている。
　　
(A7)：甲第７号証（本件に係る特許出願（特願平１−１０３００３号）の出願当初の明細書を含む特許願）内容略。
(A8)：甲第８号証（本件に係る特許出願に対する平成９年７月２２日付け特許異議申立書）内容略。
(A9)：甲第９号証（本件に係る特許出願についての、平成４年８月５日付け手続補正書）内容略。
　　
(A10)：甲第１０号証（特開平２−２４７３９３号公報；平成２年１０月３日公開）
(A10-1)「(1)金属性基体と、該基体表面に形成された粒界のない非晶質層と、その上に被覆された電極活性物質とを有することを特徴とする電解用電極。」（特許請求の範囲）
　　
(A11)：甲第１１号証（特開平２−２６３９９９号公報；平成２年１０月２６日公開）
(A11-1)「２．水性電解液を電解槽内で電解することからなる電解法において、上記電解槽は少なくとも１個の陽極と少なくとも１個の陰極とからなる電解槽であって、陽極で酸素が発生するかつ少なくとも３kA/m2の陽極電流密度で作動させる電解槽であること；上記陽極はチタン又はその合金からなる支持体と、該支持体の少なくとも一部上に設けられたタンタル又はその合金からなる外部表面とからなり、そしてタンタル又はその合金からなる外部表面は少なくともその一部に電気触媒的活性物質からなる被覆を有すること；を特徴とする電解法。」（特許請求の範囲）
　　
(A12)：甲第１２号証（本件に係る特許出願についての、平成５年６月１６日付け拒絶理由通知書）内容略。
(A13)：甲第１３号証（本件に係る特許出願についての、平成５年９月１０日付け手続補正書）内容略。
(A14)：甲第１４号証（本件に係る特許出願の審判事件（平成５年審判第２３４４６号）についての、平成８年５月１日及び１３日の応対記録）内容略。
(A15)：甲第１５号証（本件に係る特許出願についての、平成５年９月１０日付け意見書）内容略。
(A16)：甲第１６号証（Ｘ線解析図（α−Ｔaスパッタリング被膜））内容略。
　　
(A17)：甲第１７号証（特開昭６３−１８５０５２号公報）
(A17-1)「１．絶縁体基板または半導体基板にタンタル金属薄膜回路を形成するに際し、該タンタル金属薄膜が２層からなり、表面側のタンタル層がα−タンタルを主体とするタンタル膜からなることを特徴とするタンタル金属薄膜回路。」（特許請求の範囲）
(A17-2)「本発明においては、表面側のタンタル層２としてα−タンタルを主体としたタンタル膜を用いる。・・・また、基板側のタンタル層３としては、β−タンタルを５０％以上含むβ−タンタルを主体としたタンタル層が好ましく用いられる。」（第２頁左下欄第１７行〜右下欄第４行）
(A17-3)「２層からなるタンタル金属薄膜回路の形成法としては、スパッタリング法により、基板温度、雰囲気ガス組成、スパッタリングガス圧力および印加電圧を適宜調整して、基板側のタンタル層３、表面側のタンタル層２を順次形成する。」（第２頁右下欄第１０〜１４行）
　　
(A18)：甲第１８号証（特開昭５８−１４１５０９号公報）
(A18-1)「・・・マグネトロンスパッタリング法によってタンタル薄膜を付着させるベータタンタル薄膜の形成方法において、前記陰極に印加する電力密度・・・を0.2乃至50W/cm2に保持することを特徴とするベータタンタル薄膜の形成方法。」（特許請求の範囲）
(A18-2)「従来、タンタルをスパッタリングすることにより基板上に・・・ベータタンタルの薄膜が形成されるということは知られていた。この場合、基板上に酸素基あるいは水酸基が存在することがベータタンタルの形成に必要不可欠な要件であり、従来非酸化性の金属である金、白金、あるいは清浄な表面を有するカーボン、シリコン、アルミニウム、窒化シリコン等の基板上にはベータタンタル結晶が生成されていなかった。
　本発明は、非酸化性の基板上、あるいは酸素基又は水酸基が表面に存在しない基板上にベータタンタル結晶を含むタンタル薄膜の生成を可能にする方法を提供することをその目的としたものである。」（第１頁右下欄第１〜１６行）
（A18-3)「金、白金等の非酸化性金属、あるいは清浄なシリコン、窒化シリコン、アルミニウム等のように表面に酸素基あるいは水酸基が存在しない殆どの材料上にベータタンタルがアルファタンタルと混在して生成されることが確認された。・・・ベータタンタルが生成されなかった唯一の材料はチタンであったが、これはチタンの結晶構造がアルファタンタルと酷似していたことが原因したと思われる。」（第２頁左上欄末行〜右上欄第１０行）
　　
(A19)：甲第１９号証（本件に係る特許出願の審判事件における、平成６年１月１３日付け手続補正書）内容略。
(A20)：甲第２０号証（本件に係る特許出願の審判事件における、平成６年１月２６日付け審判請求理由補充書）内容略。
　　　
Ｖ．明細書の記載不備に係る請求人の主張（主張ｉ））について
　請求人は、本件明細書の記載について、（ａ）：非晶質のタンタルと結晶質のタンタルとの作用の差が不明であり、また、（ｂ）：β−タンタルの形成、効果についての開示がなく、したがって、当業者が容易にその実施をすることができる程度にその発明の目的、構成及び効果が記載されておらず、また、特許を受けようとする発明が、発明の詳細な説明に記載されたものでないとして、その記載不備を主張している。
　これに対して、被請求人は、請求人の主張には理由がないと主張し、さらに、本件に係る出願の出願当時、非晶質タンタルをスパッタリングにより作成する技術は確立しておらず、非晶質タンタルを作成することは不可能であったこと、及び、明細書にβ−タンタルの作成について記載されていないことは、明細書の記載不備の理由にならないと主張している。
　これについて検討すると、本件明細書には、表面被覆層をなすルチル型構造の電極活性物質と焼成を行うと、Ｘ線回折では表面被覆層と中間層との境界面はタンタル及び一般に最も安定とされている５価のタンタル酸化物（Ｔa2Ｏ5）の回折パターンは殆んど認められず、この境界面では金属的な導電性を持つルチル型構造の４価のタンタル酸化物（ＴaＯ2）が生成し、電極活性物質と化学的に安定な状態を保っているものと思われること、及び、中間層自体は殆んど金属タンタルの状態にあるため、不良導体でかつ非ルチル構造の５価のタンタル酸化物と異なる良好な導電性を保つものと思われることが説明され、さらに、その実施例においては、チタン板をアセトンで脱脂した後、硝酸でエッチング処理し、乾燥後、高周波スパッタリング装置（〜10-4Torr・アルゴンガス，高周波印加電圧2KV）を用いて１時間処理を行い、厚さ３ミクロンのα型結晶構造を持つ金属タンタルを主成分とする中間層を基体上に形成させたこと、及びしかる後に、電極活性物質を被覆して電極を作成し、加速電解試験を行った結果、タンタル薄膜中間層によって電極活性物質の電解時における利用効率の向上が認められたことが説明されている（特許掲載公報第４欄第３２行〜第５欄３４行参照。）。そして、上記の「α型結晶構造を持つ金属タンタル」は、その結晶構造の故に「結晶性金属タンタル」といえ、また、上記「α型結晶構造」とは、当該結晶性金属タンタルについて、その結晶構造の面から、さらに具体的に開示、説明したものということができる。してみれば、本件明細書には、本件発明に係る上記「結晶性金属タンタル」を主成分とする中間層について具体的な説明がなされており、そして一方、本件明細書の記載をみても、上記結晶性金属タンタルについて、アルファ型結晶構造のものに限定するべき特段の理由があるとすることはできない。
　また、本件発明は、特許請求の範囲に記載のとおり、非晶質層を構成要件とする発明でも、また、β−タンタルを構成要件とする発明でもないことからすると、本件明細書に、非晶質のタンタルと結晶質のタンタルとの作用の差の説明がなく（上記（ａ）の点）、また、β−タンタルの形成、効果についての開示がない（上記（ｂ）の点）からといって、その発明の詳細な説明には、当業者が容易にその実施をすることができる程度にその発明の目的、構成及び効果が記載されていないとすることはできず、また、特許を受けようとする発明が、発明の詳細な説明に記載されたものでないとすることもできない。
　以上のとおりであるから、明細書の記載不備に係る請求人の上記主張ｉ）は、採用することができない。
　　
VI．明細書の要旨変更に係る請求人の主張（主張ii)の一部）について
　請求人は、平成４年８月５日付け補正書（甲第９号証。以下「平成４年補正書」と略称する。）及び平成６年１月１３日付け補正書（甲第１９号証。以下「平成６年補正書」と略称する。）における薄膜中間層の厚さを１〜３ミクロンとする補正は明細書の要旨を変更するものであるので、本件特許に係る出願は平成４年補正書が提出された平成４年８月５日にされたとみなすべきであると主張している。
　これに対して、被請求人は、出願当初の明細書の記載からみて、薄膜中間層の厚さを１〜３ミクロンとすることは、明細書の要旨を変更するものではないと主張している。
　これについて検討すると、平成４年補正書では、発明の詳細な説明に「通常厚み５ミクロン未満，特に３ミクロン以下が好ましい。」（「６．補正の内容」第（７）項）との記載が挿入され、一方、特許請求の範囲においては、かかる厚さについての補正はなされていない。そして、平成６年補正書において、特許請求の範囲に、「厚さ１〜３ミクロン」との記載が挿入されたものである。
　一方、本件に係る出願当初の明細書（甲第７号証）の記載を見ると、中間層の厚さの下限値について、「本発明の目的を達成するためには０．５ミクロン更に好ましくは１ミクロン以上の厚みを必要とする。」（第７頁第９〜１１行（公開公報第３頁左上欄第９〜１１行参照。））と記載され、好ましくは「１ミクロン以上」の厚みを必要とすることが説明されている。そして、実施例１には、高周波スパッタリングにより、「厚さ３ミクロン」（第１０頁第１〜２行（公開公報第３頁右下欄第１〜２行参照。））の金属タンタルを主成分とする中間層が形成されたことが記載されている。以上の記載を綜合すると、当該出願当初の明細書には、１ミクロン以上であって３ミクロンまでの厚さの中間層、即ち、「厚さ１〜３ミクロンの薄膜中間層」が実質的に記載されていたと認めることができ、そして、この補正により、発明の構成に関する技術的事項が、実質的に出願当初の明細書に記載された事項の範囲内でないものとなると言うことはできない。
　以上のとおりであるから、上記平成４年補正書及び平成６年補正書による補正は、明細書の要旨を変更するものであるとすることはできず、よって、明細書の要旨変更に係る請求人の上記主張は採用することができない。
　　
VII．本件発明
　本件発明は、明細書の記載から見て、その請求項１に記載されたとおりの、下記のものと認める。
「バルブ金属又はその合金よりなる導電性金属基体上に350〜550℃の熱分解温度で白金族金属又はその酸化物を含む電極活性物質を被覆した電極において、該基体と電極活性被覆層との間に、スパッタリング法により形成された結晶性金属タンタルを主成分とする厚さ１〜３ミクロンの薄膜中間層を設けたことを特徴とする酸素発生陽極。」
　　
VIII．対比・判断
(VIII-1)請求人の主張ii）について
　請求人は、本件特許に係る出願は、明細書の要旨を変更する手続補正書が提出された平成４年８月５日にされたとみなすべきであり、そうすると、本件発明は、甲第１〜６号証及び甲第１０〜１１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであると主張している。
　これに対し、被請求人は、甲第１０号証及び甲第１１号証は、本件に係る出願の出願後に公開されたものであるので、特許法第２９条第２項の規定にいう刊行物に該当しない旨主張している。
　これについて検討すると、上記「VI．明細書の要旨変更に係る請求人の主張（主張ii)の一部）について」の欄に記載したとおり、平成４年８月５日付け補正書及び平成６年１月１３日付け補正書による補正は明細書の要旨を変更するものであるとの請求人の主張は採用できず、したがって、当該要旨変更、及び、本件に係る出願日を補正書が提出された平成４年８月５日とみなすことを前提とする請求人の上記主張は採用できない。
　したがって、本件に係る出願の出願日後に頒布された刊行物である甲第１０号証（平成２年１０月３日公開）及び甲第１１号証（平成２年１０月２６日公開）を含む刊行物を証拠とする特許法第２９条第２項の規定に基く請求人の上記主張ii)は、採用することができない。
　　
(VIII-2)請求人の主張iii）について
　請求人は、上記平成４年補正書及び平成６年補正書による補正が明細書の要旨を変更するものでないとしても、本件発明は、その出願前に頒布された刊行物である、甲第１〜６号証で裏付けられるとおり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるとして、
（イ）本件発明は、甲第１〜６号証につき、甲第４号証に記載された発明と、甲第１〜３、５、６号証に記載された発明とに基いて、当業者が容易に発明をすることができた発明であり、また、
（ロ）本件発明は、甲第１〜６号証につき、特に甲第１号証に記載された発明と、甲第３、５及び６号証に記載された発明とに基いて、当業者が容易に発明をすることができた発明であると主張し、また、別途、次の主張をしている。
（ハ）本件発明は、甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証及び甲第１１号証、並びに他の甲号証に記載された発明とに基いて、当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　これに対し、被請求人は、請求人の主張には理由がない旨主張している。
　以下、これについて検討する。
　　
（１）請求人の主張（イ）について
　本件発明と、甲第４号証に記載されたものとを対比すると、甲第４号証には、導電性基体上に、イリジウム５０〜９０モル％及びタンタル５０〜１０モル％を含有する酸化イリジウムと酸化タンタルとから成る下地層を介して、酸化イリジウム層を設けた酸素発生用電極（摘記A4-1）に係る発明が記載され、併せて、導電性基体としては、チタンなどのバルブ金属またはその合金が挙げられること（摘記A4-2）、イリジウム化合物を含有する溶液を塗布したのち、酸化性雰囲気中で熱処理することにより酸化イリジウム層が施され、この際用いられるイリジウム化合物を含有する溶液は、熱分解によって酸化イリジウムになる化合物を、適当な溶媒に溶解することによって調製することができ、また、酸化性雰囲気中での熱処理は、酸素の存在下、好ましくは４５０〜５５０℃の範囲の温度において、焼成することによって行われること（摘記A4-5）、及び、導電性基体上に、イリジウム化合物とタンタル化合物とを含有する溶液を塗布後、酸化性雰囲気中で熱処理して、イリジウム５０〜９０モル％及びタンタル５０〜１０モル％を含有する酸化イリジウムと酸化タンタルとから成る下地層を形成させ、次いで、この上にイリジウム化合物を含有する溶液を塗布後酸化性雰囲気中で熱処理して、酸化イリジウム層を形成させて、上記酸素発生用電極を製造すること（摘記A4-1）が記載されている。そして、甲第４号証における上記「酸化イリジウム層」の形成は、本件発明における「白金族金属又はその酸化物を含む電極活性物質」による被覆に該当し、また、本件発明における熱分解温度（３５０〜５５０℃）と、甲第４号証に記載された酸化イリジウム層形成のための熱処理温度（４５０〜５５０℃）とは重複している。
　以上のことからすると、本件発明は、甲第４号証に記載された発明と、バルブ金属又はその合金よりなる導電性金属基体上に350〜550℃の熱分解温度で白金族金属又はその酸化物を含む電極活性物質を被覆した電極において、該基体と電極活性被覆層との間に、薄膜中間層を設けたことを特徴とする酸素発生陽極の点で一致し、そして、
（Ａ）上記中間層の形成手段について、本件発明ではスパッタリング法により形成されるものであるのに対して、甲第４号証に記載のものでは、イリジウム化合物とタンタル化合物とを含有する溶液を塗布後、酸化性雰囲気中で熱処理して得られるものである点、
（Ｂ）上記中間層の構成成分について、本件発明では、結晶性金属タンタルを主成分とするものであるのに対して、甲第４号証に記載のものでは、イリジウム５０〜９０モル％及びタンタル５０〜１０モル％を含有する酸化イリジウムと酸化タンタルとから成るものである点、及び、
（Ｃ）上記中間層の厚さについて、本件発明では「１〜３ミクロン」に特定されているのに対して、甲第４号証に記載のものでは、厚さの明確な記載が見当たらない点、の各点において、本件発明は甲第４号証に記載された発明と相違している。
　　
　そこで、これら相違点について、以下検討する。
相違点（Ａ）について
　本件発明は、従来、チタン及びその合金の基体上に電極活性物質をコーティングした電極では、発生期の酸素による酸化物層の形成、電極機能の喪失、被覆層の剥離の問題があり、また、中間層を設けて多層化した電極においても、導電性、耐久性、不動態化の点で解決には至らなかったとの課題の下になされたものであり、併せて、本件明細書には、タンタルの酸化物層（Ｔa２Ｏ５）の中間層は、不働態化現象を防止するのに十分でないことが説明され（明細書第３頁第６行〜第５頁第８行（特許掲載公報第２欄第６行〜第３欄第３０行参照。））、そして、スパッタリングで形成した、厚さ３ミクロンのα型結晶構造を持つ金属タンタルを主成分とする中間層をチタン基体上に有する本件発明の電極では、加速電解試験の結果、２００時間後においてなお安定な電解が可能であり、金属タンタル中間層により電極活性物質の利用効率の向上が認められたことが説明され（実施例１）、これに対し、タンタルを主成分とする中間層を熱分解法で形成した場合は、３５時間の短い電極寿命であったことが説明されている（比較例２）。
　一方、甲第３号証には、チタン等の基材と、当該基材表面上の基膜（例えばタングステン、タンタルおよび鉄の混合物、またはタングステン、タンタルおよび鉄と、例えば硼素または炭素との化合物）と、貴金属製のドーピング膜とからなる電気分解用の陽極について、前記基膜とドーピング膜との両方の膜の付着を、真空中で行う電気分解用陽極の製造方法（摘記A3-1）に係る発明とともに、上記両方の膜を、高真空中での蒸着、希ガス雰囲気中でのイオン鍍金又は希ガス雰囲気中での陰極スパッタリングで形成すること（摘記A3-1、A3-3）、及び、タンタル／タングステン（重量パーセント５０／５０）からなる混合膜を蒸着し、その後ロジウム膜を蒸着したこと（摘記A3-4）が記載されており、したがって、甲第３号証には、本件発明における中間層に相当する「基膜」をタンタルで形成し得ること、及びスパッタリングで形成し得ることが開示されているということができる。
　しかし、甲第３号証の記載を精査すると、同号証に係る発明は、陽極被覆層の上層を構成する「ドーピング膜」と、中間層を構成する「基膜」との両者を、ともに真空中で付着させることを必須とするものであり、しかも、同号証には、当該発明の目的につき「両膜の付着が真空中で行なわれることにより達成される」（摘記A3-2）と、上記両膜を真空中で付着させる必要性が説明されている。
　してみれば、下地層及び酸化イリジウム層の両者を熱処理で形成する甲第４号証に記載の発明に対して、「基膜」及び「ドーピング膜」の両者を真空中で付着させることを必須とする甲第３号証に記載の発明を適用し、もって、上層については甲第４号証に記載の熱処理で形成する一方、中間層については甲第３号証に記載されたスパッタリング等、真空中での付着を選択して行うことを、当業者が容易に想到したとすることはできず、したがって、電極活性物質の形成を熱分解で行う一方、中間層の形成はスパッタリングで行うという、上記相違点（Ａ）に係る構成を、当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　　
　また、他の証拠である甲第１、２、５及び６号証の記載について検討すると、甲第１号証には、電解条件下で耐食性を有し且つ電極反応に対して不活性である導電性物質を溶射してなる表面を有する基体上に、電極活性物質を沈着せしめる電解用の被覆電極の製造法に係る発明（摘記A1-1）が記載されているが、中間層はスパッタリングではなく、溶射法によるものである。甲第２号証には、チタンおよびニオブからなる群より選択された金属の金属基材とアノード活性層とからなる電極であって、そのアノード活性層は３５０℃を越える温度の酸化雰囲気中で加熱することにより作られたものであり、そのアノード活性層と基材との間にはタンタルの層または金属タンタルを５０％以上含む合金の層が設けられている電極に係る発明（摘記A2-1）とともに、タンタル層の形成手段として、圧延、同時押出、拡散結合法、圧延結合法、同時押出法、イオンメッキ法、爆発結合法（摘記A2-2〜A2-4）が挙げられているが、スパッタリングで形成することの記載は見当たらない。甲第５号証には、基板の上に蒸着、スパッタリングもしくはイオンプレーティングで形成された陽極酸化可能な薄膜層、この薄膜層表面を陽極酸化させて得た陽極化成層を有する磁気ディスク用基板（摘記A5-1）に係る発明とともに、基板材料としてＴi、Ｔi合金が例示され、陽極酸化可能な薄膜層の形成手段としてスパッタリング、材料としてＴa、Ｔa合金が例示されているが（摘記A5-1）、発明の対象は磁気ディスク用基板であって、酸素発生陽極についての記載はなく、また、上層を構成する電極活性物質被覆についての記載もない。また、甲第６号証には、タンタル層がスパッタリングにより形成できることが示されているが（摘記A6-1、A6-2）、酸素発生陽極の中間層に適用することの開示は見当たらない。
　してみれば、これら甲第１〜６号証の記載を検討しても、甲第４号証に記載された発明と、甲第１〜３、５及び６号証に記載された発明とに基いて、導電性金属基体上に熱分解温度で電極活性物質を被覆した電極において、該基体と電極活性被覆層との間に、スパッタリング法により形成された薄膜中間層を設けたとする、上記相違点（Ａ）に係る構成を、当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　　
相違点（Ｂ）について
　本件明細書には、従来例（特開昭57-192281号公報）として、中間層としてタンタルの導電性酸化物層を設けた電極の場合、タンタルの酸化物層（当該公報の記載によると、Ｔa2Ｏ5を意味する。）は不働態化現象を防止するのに十分でないと説明され（本件特許掲載公報第３欄第２４〜３０行参照。）、そして、酸化タンタルを成分とする下地層を有する甲第４号証に記載された電極は、この従来例に相当するものと認められる。これに対して、本件発明では、表面被覆層をなすルチル型構造の電極活性物質と焼成を行うと、Ｘ線回折では表面被覆層と中間層との境界面はタンタル及び一般に最も安定とされている５価のタンタル酸化物（Ｔa2Ｏ5）の回折パターンは殆んど認められず、この境界面では金属的な導電性を持つルチル型構造の４価のタンタル酸化物（ＴaＯ2）が生成し、電極活性物質と化学的に安定な状態を保ち、また中間層自体は殆んど金属タンタルの状態にあるため、不良導体でかつ非ルチル構造の５価のタンタル酸化物と異なる良好な導電性を保つものと思われることが、本件明細書に説明されている（本件明細書「作用」の欄。本件特許掲載公報第４欄第３４〜４４行参照。）。　
　一方、甲第３号証の記載をみると、上記「相違点（Ａ）について」の欄に記載したと同様、本件発明における中間層に相当する「基膜」につき、タンタルで形成し得ること、及びスパッタリングで形成し得ることが開示されているといえるが、その発明は、陽極被覆層の上層を構成する「ドーピング膜」と、中間層を構成する「基膜」との両者を、ともにスパッタリング等真空中での付着を必須とするものであり、当該真空中での付着により結晶性金属タンタルを主成分とする中間層が形成されること、及び、結晶性金属タンタルを、熱分解法による電極活性物質被覆層と導電性基体金属との間に設けることを開示する記載は見当たらない。
　また、他の証拠である甲第１、２、５及び６号証の記載を見ても、これら各甲号証には、スパッタリング法により結晶性金属タンタルが形成されること、及び、当該結晶性金属タンタルを、熱分解法による電極活性物質被覆層と導電性基体金属との間に設けることの記載は見当たらない。
　してみれば、下地層及び酸化イリジウム層の両者を熱処理で形成する甲第４号証に記載の発明に対して、甲第３号証に記載の発明、ないし甲第１、２、５及び６号証に記載された発明を適用しても、上記相違点（Ｂ）に係る構成を、当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　　
相違点（Ｃ）について
　甲第３号証には、電気分解用電極の基膜の厚さが１ミクロンから２０ミクロンまでであることが記載されており（摘記A3-1）、請求人は、この記載に基いて、上記相違点（Ｃ）のとおり、中間層の厚さを「１〜３ミクロン」に特定するのは容易であると主張している。
　これについて検討すると、甲第３号証における「基膜」は、本件発明における薄膜中間層と同じく、導電性の基材上に形成される中間層であり、そして、構成材料としてタンタル、形成手段としてスパッタリングが用いられる点で、本件発明における薄膜中間層と共通するものである。そして、その厚さの下限値については、１ミクロンである点で、両者は一致している。
　そこで、厚さの上限値について検討すると、本件発明における上限値（３ミクロン）は、甲第３号証に記載された厚さの上限（２０ミクロンまで）の範囲内のものであり、一方、本件明細書の記載をみると、「通常厚み３ミクロン以下で十分である。」との記載がなされているものの、「３ミクロン」の上限値とすべき臨界的な根拠を説明する具体的な記載はみあたらない。してみれば、厚さの上限を３ミクロンとすることは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　以上のとおりであるから、本件発明における中間層の厚さを「１〜３ミクロン以下」と特定し、上記相違点iii)のとおり構成することは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　
　以上のとおり、甲第１〜６号証の記載を検討すると、上記相違点（Ａ）〜（Ｃ）のうち、相違点（Ａ）及び（Ｂ）に係る構成要件については、当業者が容易に想到し得たとすることはできず、そして、本件発明は、当該相違点（Ａ）及び（Ｂ）に係る構成要件を含む、前記認定のとおりの構成を有することにより、電極基体と電極活性物質層との間に生じる不働態化現象を防ぎ、電極活性物質の利用効率を改善することができる酸素発生陽極を得ることができるとの、明細書（「発明の効果」の欄。特許掲載公報第６欄第３０〜３３行参照。）に記載された効果を奏したものと認めることができる。
　　
　以上のとおりであるから、本件発明は、甲第１〜６号証につき、甲第４号証に記載された発明と、甲第１〜３、５、６号証に記載された発明とに基いて、当業者が容易に発明をすることができた発明であるとの請求人の上記主張（イ）については、採用することができない。
　　
（２）請求人の主張（ロ）について
　本件発明と、甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証には、電解条件下で耐食性を有し且つ電極反応に対して不活性である導電性物質を溶射してなる表面を有する基体上に、電極活性物質を沈着せしめた電解用の被覆電極の製造法（摘記A1-1）に係る発明が記載され、併せて、上記の基体として、チタン、ジルコニウム、ニオブ、タングステンなど、バルブ金属に該当する金属が挙げられること（摘記A1-2、A1-4）、溶射する被覆物質としてタンタルが挙げられること（摘記A1-2）、溶射物の表面に沈着せしめる被覆物質として、白金族金属及びその合金、白金族金属酸化物が挙げられること（摘記A1-3、A1-4）、及び、三塩化ルテニウムの塩酸酸性水溶液を基体上に塗布し、これを６００℃の電気炉中で焼成する熱分解法により酸化ルテニウム層を形成したこと（摘記A1-4）が記載されている。
　以上のことからすると、本件発明は、甲第１号証に記載された発明と、バルブ金属又はその合金よりなる導電性金属基体上に熱分解温度で白金族金属又はその酸化物を含む電極活性物質を被覆した電極において、該基体と電極活性被覆層との間に、タンタルを主成分とする薄膜中間層を設けたことを特徴とする酸素発生陽極の点で一致し、そして、
（ａ）本件発明では、電極活性物質被覆における熱分解温度が「３５０〜５５０℃」であるのに対して、甲第１号証に記載の熱分解温度は「６００℃」である点、
（ｂ）本件発明における中間層は、詳しくは「スパッタリングにより形成された結晶性金属タンタルを主成分とする」ものであるのに対して、甲第１号証に記載の中間層はタンタルを主成分とし、「導電性物質を溶射してなる」ものである点、
（ｃ）本件発明では、中間層の厚さは「１〜３ミクロン」であるのに対して、甲第１号証には当該厚さの記載が見当たらない点、の各点において、本件発明は甲第１号証に記載された発明と相違している。
　　
　そこで、これら相違点について、以下検討する。
相違点（ｂ）について
　上記「（１）請求人の主張（イ）について」の「相違点（Ａ）について」の欄に記載したとおり、本件明細書には、スパッタリングで形成したα型結晶構造を持つ金属タンタルを主成分とする中間層をチタン基体上に有する本件発明の電極では、加速電解試験の結果、２００時間後においてなお安定な電解が可能であり、金属タンタル中間層により電極活性物質の利用効率の向上が認められたことが説明されている。
　一方、甲第３号証には、本件発明における中間層に相当する「基膜」をタンタルで形成し得ること、及びスパッタリングで形成し得ることが開示されているということができるが、同号証に係る発明は、陽極被覆層の上層を構成する「ドーピング膜」と、中間層を構成する「基膜」との両者を、ともに真空中で付着させることを必須とするものであり、加えて、同号証には、当該発明の目的につき「両膜の付着が真空中で行なわれることにより達成される」（摘記A3-2）と、上記両膜を真空中で付着させる必要性が説明されている。
　なおかつ、甲第１号証の記載を精査すると、甲第１号証には、溶射法による溶射面（第３図）は表面粗化が優れており、この溶射面上の白金の付着性が例中最も優れている（摘記A1-4）と記載されており、したがって、甲第１号証には、溶射に代えて、あえて他の形成手段を用い、スパッタリングを採用することの開示があるとすることはできない。
　してみれば、中間層を構成する導電性物質を溶射により形成する甲第１号証に記載の発明に対して、「基膜」及び「ドーピング膜」の両者を真空中で付着させることを必須とする甲第３号証に記載の発明を適用したとしても、電極活性物質の形成を熱分解で行う一方、中間層の形成についてはスパッタリングで行って結晶性金属タンタルを主成分とする中間膜を形成するという、上記相違点（ｂ）に係る構成を、当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　また、甲第５号証には、基板の上に蒸着、スパッタリングもしくはイオンプレーティングで形成された陽極酸化可能な薄膜層、この薄膜層表面を陽極酸化させて得た陽極化成層を有する磁気ディスク用基板（摘記A5-1）に係る発明とともに、基板材料としてＴi、Ｔi合金が例示され、陽極酸化可能な薄膜層の形成手段としてスパッタリング、材料としてＴa、Ｔa合金が例示され（摘記A5-1）、また、甲第６号証には、タンタル層がスパッタリングにより形成できることが示されているが（摘記A6-1、A6-2）、これら甲第５、６号証には、タンタルの形成につき、甲第１号証に記載の溶射に代えてスパッタリングを用いて、結晶性タンタルを主成分とする層を形成すること、及び、タンタルのスパッタリングを、熱分解による電極活性物質被覆層を有する酸素発生陽極の中間層に適用することの開示、示唆は見当たらない。
　なお、被請求人が、本件出願に係る拒絶査定不服審判（審判平５−２３４４６号）の手続き中において、平成８年５月１３日の審判官との応対（甲第１４号証の応対記録参照。）に際し提示した、「溶射によるタンタル中間層との比較データ」（今回、平成１５年６月２日付け「上申書」に添付して再提出。）には、熱分解による電極活性層を有する電極について、スパッタリングの中間膜を用いた場合は、溶射の場合に比して、優れた電極寿命を有することが示されており、そして、上記甲第１、３、５及び６号証のいずれにも、かかる本件発明の効果を開示する記載は見当たらない。
　そして、他の証拠である甲第２及び４号証の記載について検討しても、上記相違点（ｂ）に係る構成を容易とする根拠となる記載は見当たらない。
　してみれば、これら甲第１〜６号証の記載を検討しても、甲第１号証に記載された発明と、甲第３、５及び６号証に記載された発明、なおかつさらに甲第２、４号証に記載された発明に基いて、導電性金属基体上に熱分解温度で電極活性物質を被覆した電極において、該基体と電極活性被覆層との間に、スパッタリングにより形成された結晶性金属タンタルを主成分とする薄膜中間層を設けたとする、上記相違点（ｂ）に係る構成を、当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　　
相違点（ｃ）について
　上記「（１）請求人の主張（イ）について」の「相違点（Ｃ）について」の欄に記載したと同様、中間層の厚さを「１〜３ミクロン」に特定し、もって上記相違点（ｃ）のとおり構成することは、甲第３号証の記載に基いて、当業者が容易になし得たことと認められる。
　以上のとおり、甲第１〜６号証の記載を検討すると、上記相違点（ａ）〜（ｃ）のうち、少なくとも相違点（ｂ）に係る構成要件については、当業者が容易に想到し得たとすることはできず、そして、本件発明は、当該相違点（ｂ）に係る構成要件を含む、前記認定のとおりの構成を有することにより、電極基体と電極活性物質層との間に生じる不働態化現象を防ぎ、電極活性物質の利用効率を改善することができる酸素発生陽極を得ることができるとの、明細書（「発明の効果」の欄。特許掲載公報第６欄第３０〜３３行参照。）に記載された効果を奏したものと認めることができる。
　　
　以上のとおりであるから、本件発明は、上記相違点（ａ）についてあらためて検討するまでもなく、甲第１〜６号証につき、甲第１号証に記載された発明と、甲第３、５及び６号証に記載された発明、なおかつ更に、甲第２、４号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができた発明であるとの請求人の上記主張（ロ）については、採用することができない。
　　
（３）請求人の主張（ハ）について
　本件発明と、甲第２号証に記載されたものとを対比すると、甲第２号証には、チタンおよびニオブからなる群より選択された金属の金属基材とアノード活性層とからなる電極であって、そのアノード活性層は３５０℃を越える温度の酸化雰囲気中で加熱することにより作られたものであり、そのアノード活性層と基材との間にはタンタルの層または金属タンタルを５０％以上含む合金の層が設けられている電極（摘記A2-1）に係る発明が記載され、併せて、アノード活性層は白金族金属または白金族金属酸化物を含むこと（摘記A2-1）、具体例として、電極はニオブ基材に、アノード活性層として白金およびイリジウム含有被覆を与えかつそのニオブ基材と白金およびイリジウム含有層との間に金属状のタンタルの薄層を設けてなり、「薄層」とは数ミクロンないし数ｍｍの厚さの層を意味し、タンタル層を基材金属に対して金属学的に結合させること（摘記A2-2）、金属学的結合は、圧延により、同時押出により、拡散結合法、あるいはその他の適当な方法により形成されうること（摘記A2-3）、チタン基材に対して、圧延結合法、同時押出法、イオンメッキ法、爆発結合法でタンタル層を被覆することができること（摘記A2-4）、及び、電極は陰極防食に使用する以外に、電気冶金、電気メッキ、次亜塩素酸塩製造、塩素酸塩製造またはその他必要な電気化学的用途のために用いられること（摘記A2-5）が記載されている。
　以上のことからすると、本件発明は、甲第２号証に記載された発明と、バルブ金属又はその合金よりなる導電性金属基体上に350〜550℃の熱分解温度で白金族金属又はその酸化物を含む電極活性物質を被覆した電極において、該基体と電極活性被覆層との間に、金属タンタルを主成分とする厚さ１〜３ミクロンの薄膜中間層を設けたことを特徴とする陽極、の点で一致し、そして、
（ｉ）本件発明では、金属タンタルを主成分とする薄膜中間層が、「スパッタリング法により形成」され、「結晶性金属タンタルを主成分とする」ものであるのに対して、甲第２号証にはその記載が見あたらない点、
（ii）本件発明では、上記薄膜中間層の厚さが「１〜３ミクロン」に特定されているのに対して、甲第２号証には「数ミクロンないし数ｍｍ」との記載があるものの、本件発明で上記特定した厚さの記載が見あたらない点、及び、
（iii）本件発明では、陽極が「酸素発生陽極」であるのに対して、甲第２号証には当該記載が見あたらない点、の各点において、本件発明は甲第２号証に記載された発明と相違している。
　　
　そこで、これら相違点について、以下検討する。
相違点（ｉ）について
　甲第３号証には、本件発明における中間層に相当する「基膜」をタンタルで形成し得ること、及びスパッタリングで形成し得ることが開示されているということができ。しかし、同号証に係る発明は、陽極被覆層の上層を構成する「ドーピング膜」と、中間層を構成する「基膜」との両者を、ともに真空中で付着させることを必須とするものであり、加えて、同号証には、当該発明の目的につき「両膜の付着が真空中で行なわれることにより達成される」（摘記A3-2）と、上記両膜を真空中で付着させる必要性が説明されている。
　してみれば、アノード活性物質層を酸化雰囲気中での加熱により形成する甲第２号証に記載の発明に対して、「基膜」及び「ドーピング膜」の両者を真空中で付着させることを必須とする甲第３号証に記載の発明を適用したとしても、電極活性物質の被覆を熱分解で行う一方、中間層の形成についてはスパッタリングで行い、結晶性金属タンタルを主成分とする中間膜を形成するという、上記相違点（ｉ）に係る構成を、当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　また、請求人は、甲第１１号証を引用して本件発明の容易性を主張している。しかし、上記「VI．明細書の要旨変更に係る請求人の主張（主張ii)の一部）について」の欄に記載したとおり、甲第１１号証は本件出願前に頒布された刊行物とすることはできないので、当該甲第１１号証に基く請求人の主張は採用できない。なおかつ、他の証拠を検討しても、甲第２号証に記載された発明と他の証拠に記載された発明に基き、上記相違点（ｉ）に係る構成を容易とする根拠は見あたらない。
　そして、本件発明は、当該相違点（ｉ）に係る構成要件を含む、前記認定のとおりの構成を有することにより、電極基体と電極活性物質層との間に生じる不働態化現象を防ぎ、電極活性物質の利用効率を改善することができる酸素発生陽極を得ることができるとの、明細書（「発明の効果」の欄。特許掲載公報第６欄第３０〜３３行参照。）に記載された効果を奏したものと認めることができる。
　　
　以上のとおりであるから、本件発明は、上記相違点（ii）及び（iii）について検討するまでもなく、甲第２号証に記載された発明と甲第３号証及び甲第１１号証、並びに他の甲号証に記載された発明とに基いて、当業者が容易に発明をすることができた発明であり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるとの、請求人の上記主張（ハ）は採用することができない。
　　
　また、上記「VIII．対比・判断」に記載のほか、甲第１〜６号証の記載を見ても、本件発明を、本件出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とする理由は見あたらない。そして、甲第７〜２０号証については、本件に係る手続の経緯、技術的背景、又は証拠の記載事項を説明するもの（甲第７〜９、１２〜２０号証）、ないし前記のとおり本件出願後の刊行物（甲第１０、１１号証）に係るものであって、当審の上記判断を変更するものとすることはできない。
　　
IX．むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件特許の請求項１に係る特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。