【事件の表示】
　特許第５７２１１６４号発明「ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７２１１６４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−８〕について訂正することを認める。
　特許第５７２１１６４号の請求項１、２、４、５に係る特許を維持する。
　特許第５７２１１６４号の請求項３に係る特許についての申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第５７２１１６４号の請求項１〜８に係る特許についての出願は、平成２７年４月３日付けでその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人田嶋順治により特許異議の申立てがなされ、平成２８年１月１８日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２８年３月２２日に意見書の提出及び訂正請求がなされたものである。
第２　訂正の適否
１　訂正の内容
（１）訂正事項１
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項１を以下の事項により特定されるとおりの請求項１として訂正することを請求する。（下線は、訂正箇所を示す。）
「基板上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位と、エポキシ基を含有し芳香族環を含有しないモノマー由来の構成単位を有する樹脂成分
（但し、Poly(epoxydicyclopentadienyl methacrylate-ran-styrene)を除く。）
　スチレン又はその誘導体を構成単位とするポリマーと、（メタ）アクリル酸エステル
を
を
　前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相を選択的に除去する工程（３）と、を有し、
　前記樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位であ
り、
　
前記芳香族環含有モノマーが、ビニル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物、及び（メタ）アクリロイル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物からなる群から選ばれ
（２）訂正事項２
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項３を削除することを請求する。
（３）訂正事項３
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項４を以下の事項により特定されるとおりの請求項４として訂正し、その結果として請求項４を引用する請求項５〜８も訂正することを請求する。
「前記樹脂成分が、更に、前記エポキシ基を含有し芳香族環を含有しないモノマー以外の、芳香族環を含有しないその他のモノマー由来の構成単位を含有する請求項１
又は２
（４）訂正事項４
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項６を以下の事項により特定されるとおりの請求項６として訂正し、その結果として請求項６を引用する請求項７〜８も訂正することを請求する。
「前記樹脂成分が、前記基板とのグラフト重合性基を有する請求項１
、２、４、
（５）訂正事項５
　特許権者は、特許請求の範囲の請求項８を以下の事項により特定されるとおりの請求項８として訂正することを請求する。
「工程（２’）において、ベーク処理を行わない請求項２
、４、５、６、
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、一群の請求項及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
ア　訂正の目的
　訂正事項１において、「（但し、Poly(epoxydicyclopentadienyl methacrylate-ran-styrene)を除く。）」、「前記芳香族環含有モノマーが、ビニル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物、及び（メタ）アクリロイル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物からなる群から選ばれる」の追加は、いずれも、訂正前の請求項１の「樹脂成分」を減縮するものである。
　また、訂正事項１において、「又はシロキサン若しくはその誘導体」、「或いは、アルキレンオキシドを構成単位とするポリマーと（メタ）アクリル酸エステルを構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマー」の削除は、いずれも、訂正前の請求項１の「ブロックコポリマー」を減縮するものである。
　よって、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　新規事項
　「（但し、Poly(epoxydicyclopentadienyl methacrylate-ran-styrene)を除く。）」を追加する訂正は、取消理由通知で引用された「引用文献１に記載された発明」により新規性が否定されるおそれがあるため、該「引用文献１に記載された発明」の発明特定事項である「Poly(epoxydicyclopentadienyl methacrylate-ran-styrene)」のみを除く訂正であり、また、「又はシロキサン若しくはその誘導体」、「或いは、アルキレンオキシドを構成単位とするポリマーと（メタ）アクリル酸エステルを構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマー」の削除は、訂正前の請求項１の複数の選択肢のうちの一部を削除するものであるから、これらの訂正は、新たな技術的事項を導入するものではないことは明らかである。
　また、「芳香族環含有モノマー」が「前記芳香族環含有モノマーが、ビニル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物、及び（メタ）アクリロイル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物からなる群から選ばれる」ことは、訂正前の請求項３に記載された事項であって、この訂正は、新たな技術的事項を導入するものではないことは明らかである。
　よって、訂正事項１は、新規事項の追加に該当しない。
ウ　一群の請求項
　請求項２〜８は請求項１を引用するものであって、訂正事項１は一群の請求項ごとに請求された訂正である。
エ　特許請求の範囲の拡張・変更
　上記「イ」で検討したとおり、訂正事項１は、訂正前の請求項１の減縮を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、特許請求の範囲の請求項３を削除するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とし、新規事項の追加に該当せず、一群の請求項ごとに請求された訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項３〜５について
　訂正事項３〜５は、訂正前の請求項４、６、８が引用していた請求項３の削除に伴い、請求項３を引用しないものとする訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的とし、新規事項の追加に該当せず、一群の請求項ごとに請求された訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３　むすび
　したがって、上記訂正請求に係る訂正事項１〜５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号又は第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜８〕についての訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについて
１　本件発明
　訂正後の請求項１、２、４〜８に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明４」〜「本件発明８」という。）は、訂正後の特許請求の範囲の請求項１、２、４〜８に記載された事項により特定されるとおりのものである。（なお、「本件発明１」、「本件発明４」、「本件発明６」、「本件発明８」は、上記「第２」「１」「（１）」「（３）」、「（４）」、「（５）」参照。）
【請求項２】
「工程（１）の後、前記下地剤からなる層を選択的露光し、現像して、前記基板上に下地剤からなる層のパターンを形成する工程（２’）を有し、
　前記下地剤は、感光性重合開始剤を含有する請求項１記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。」
【請求項５】
「前記芳香族環を含有しないその他のモノマーが、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳからなる群から選ばれる少なくとも１原子を含むビニル化合物又は（メタ）アクリル化合物である請求項４に記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。」
【請求項７】
「前記グラフト重合性基は、フェノール性水酸基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、アミド基、イソシアネート基、ニトロ基、エポキシ基、オキセタニル基、（メタ）アクリロイル基、及びアルコキシシラン基からなる群から選ばれる基である請求項６に記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。」
２　取消理由の概要
　（訂正前の）請求項１〜５に係る特許に対して、平成２８年１月１８日付けで特許権者に通知した取消理由は、要旨次のとおりである。
（１）請求項１〜５に係る発明は、引用文献１（甲第１号証）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
（２）請求項１、３に係る特許は、その特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、取り消されるべきものである。
３　取消理由（１）について
（１）引用刊行物
　取消理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、米国特許出願公開第２００９／０１７９００１号明細書（異議申立人田嶋順治が提出した甲第１号証である。以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（日本語訳は、当審が作成した。）
ア　「A topographical pattern is then formed in the block copolymer film. In a film comprising the block copolymer assembly comprising microdomains, those microdomains having a common composition can be selectively removed by a suitable process such as wet or dry etch, development, or solvent solubility, so that one microdomain comprising one kind of block is selectively removed over another microdomain comprising another kind of block. Thus, in an embodiment, a microdomain of the block copolymer film is selectively removed to provide a topographical pattern.」（[0057]）
（日本語訳）
「立体的パターンが、ブロック共重合体膜に形成される。複数の微小領域を含むブロック共重合組立体を有する膜において、共通の構成を有する微小領域は、ウエット又はドライエッチング、現像、あるいは、溶剤での溶解のような適切な工程により選択的に除去され、これにより、ある１つの種類のブロックからなる１つの微小領域が、他の種類のブロックからなる他の微小領域から選択的に除去される。このように、本実施形態では、ブロック共重合体の１つの微小領域が、立体的パターンを供給するために選択的に除去される。」
イ　「General Synthesis Method for poly(epoxydicyclopentadienyl methacrylate-ran-styrene) Polymers 
[0075]　Epoxydicyclopentadienyl methacrylate (EDCPDMA) (1.78 g, 17.1 mmol, 0.5 eq.), styrene (4.0 g, 17.1 mmol, 0.5 eq.), and 2,2'-azobis(2-methylpropionitrile) (AIBN) (0.224 g, 1.37 mmol, 0.04 eq.) were added to 20 mL tetrahydrofuran in a 100 mL round-bottom flask equipped with a reflux condenser and a nitrogen line. The solution was degassed by 3 pump-backfill cycles using nitrogen. The degassed solution was refluxed overnight (10 to 12 hours) under a nitrogen atmosphere. The polymers were precipitated into 800 mL hexanes, isolated on a glass fritted filter, washed with hexanes and dried overnight in vacuo at 70°C. Yield: 4.74 g (82%).
[0076]　Polymers were synthesized according to the general procedure, using the appropriate ratios of monomers and initiator. For high styrene content polymers (70%), methanol was used in place of hexanes as the non-solvent for precipitations. Molecular weight (Mn) and polydispersity data for the resulting polymers are shown in Table 1, below.
Formulation of poly(epoxydicyclopentadienyl methacrylate-ran-styrene) 
[0077]　Poly(epoxydicyclopentadienyl methacrylate-ran-styrene) was dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and 7-butyrolactone (GBL) (solvent mixture ratios ranging from 100:0 to 70:30, depending on the polymer) with N-hydroxyphthalimide triflate (10 wt % relative to polymer) as a thermal acid generator at a total solids of 1-2% by weight based on the formulation. Other strong thermal and photoacid generators were also found to be sufficient to catalyze crosslinking, including bis(4-t-butyl phenyl)iodonium triflate, bis(4-t-butyl phenyl)iodonium perfluoro-1-butanesulfonate, bis(4-t-butyl phenyl)iodonium perfluoro-1-octanesulfonate, bis(phenyl)iodonium hexafluoroantimonate, and N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide perfluoro-1-butanesulfonate.
Preparation of Crosslinked Films of Poly(Epoxydicyclopentadienyl methacrylate-ran-styrene)
[0078]　Films were prepared by spin casting on silicon wafers at 2,000 to 3,000 rpm as shown in  FIG. 2 . Film thickness was controlled by varying the solids content of the casting solution and the spin rate during spin-casting. The films were crosslinked in a two-step cure (130°C. for 60 sec, and 200°C. for 120 sec). Crosslinking was verified by exposing the cured films to puddles of organic solvent such as toluene or PGMEA for 60 to 90 seconds and spin-drying. No film thickness loss or swelling was observed. The roughness of the surfaces was characterized by AFM. Contact angle measurements (degrees) were used as a surrogate method for determining relative surface energies, in which a lower contact angle indicates a higher relative surface energy.
[0079]　Orientation of PS-b-PMMA Domains on Neutral Crosslinked Orientation Control Layers
[0080]　Solutions of PS-b-PMMA were cast onto the crosslinked neutral orientation control layers from PGMEA and annealed at 200°C. for times varying from 1 minute to 18 hours. Orientation of the PS and PMMA domains was observed by atomic force microscopy.
[0081]　Table 2 shows the orientation of PS-b-PMMA block copolymers that form lamellae (La) and cylinders (Cy) on crosslinked orientation control layers of the composition described in Table 1 compositions as a function of annealing time. The composition of the orientation control layer polymer, contact angle (CA, in degrees), and annealing time are given. Perpendicular lamellae or cylinders are formed as indicated by the symbol  ; where fewer than 100% of such features are formed, the amount is indicated as a percentage. The total solids content of the formulation is 1% or 2% by weight, as indicated.
」
（日本語訳）
「ポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン）重合体の一般的な合成方法
［００７５］　エポキシジシクロペンタジエニル　メタクリレート（ＥＤＣＰＤＭＡ）（１．７８ｇ、１７．１ｍｍｏｌ、０．５当量）、スチレン（４．０ｇ、１７．１ｍｍｏｌ、０．５当量）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）（ＡＩＢＮ）（０．２２４ｇ、１．３７ｍｍｏｌ、０．０４当量）を、環流凝縮器と窒素配管を備えた１００ｍＬの丸底フラスコ内の２０ｍＬのテトラヒドロフランに添加した。・・（略）・・
［００７６］　重合体は、適切な割合のモノマーと開始剤を使用して、一般的な手順に従って合成された。高スチレン含有ポリマー（＞７０％）のために、析出物の非溶媒としてヘキサンの代わりに、メタノールが使用された。得られたポリマーの分子量（Ｍｎ）と多分散性のデータを下記表１に示す。
表１（略）
［００７７］　ポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン）を、配合物を基準とする全固形物の１−２重量％の熱酸発生剤としてのＮ−ヒドロキシフタルイミドトリフレート（ポリマーに対して、１０ｗｔ％）とともに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）と７−ブチロラクトン（ＧＢＬ）（溶媒の混合比は、ポリマーに応じて１００：０〜７０：３０の範囲とした。）に溶解した。・・（略）・・
［００７８］　図２に示されるように、膜は、２，０００〜３，０００ｒｐｍで、シリコンウエハ上にスピンキャスティングで、準備された。膜厚は、キャスティング溶液の固体含有量とスピンキャスティング中のスピン速度を変えることによって制御した。膜は、２段階の処理（１３０℃で６０秒、２００℃で１２０秒）で架橋された。・・（略）・・
［００７９］　中性架橋された配向制御層上のＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡの複数の微小領域の配向
［００８０］　ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ溶液が、ＰＧＭＥＡから、架橋された中性配向制御層上にキャストされ、１分〜１８時間の様々な時間２００℃でアニールされた。ＰＳの微小領域とＰＭＭＡの微小領域の配向が、原子間力顕微鏡で観察された。
［００８１］　表２は、表１で示された組成物の架橋された配合制御層上にラメラ（Ｌａ）とシリンダ（Ｃｙ）が形成された、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡブロック共重合体の配向を、アニーリング時間のと関係として示している。配向制御層の組成、接触角（ＣＡ、度）とアニーリング時間が与えられている。垂直ラメラ又はシリンダが、記号”　”で示されるように形成されており、このような形状が１００％未満しか形成されていないものは、その量がパーセンテージで示されている。・・（略）・・
表２（略）」
ウ　「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記［００５７］の記載を参照すると、上記［００７５］〜［００８１］に記載された、ポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン）を含む配向制御層の上に形成されたＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡの複数の微小領域であるＰＳの微小領域とＰＭＭＡの微小領域において、どちらか１つの微小領域を選択的に除去して、立体的パターンを形成することが開示されていると認められる。
　また、表１から、ＥＤＣＰＤＭＡとスチレンのモル比が、８０：２０〜２０：８０であるポリマー（ポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン））を合成することが読み取れる。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート（ＥＤＣＰＤＭＡ）、スチレン及び２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）（ＡＩＢＮ）を使用して、一般的な手順に従って、ＥＤＣＰＤＭＡとスチレンのモル比が、８０：２０〜２０：８０であるポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン）を合成し、
　ポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン）を、熱酸発生剤としてのＮ−ヒドロキシフタルイミドトリフレートとともに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）と７−ブチロラクトン（ＧＢＬ）に溶解し、
　この溶液を、２，０００〜３，０００ｒｐｍで、シリコンウエハ上にスピンキャスティングし、２段階の処理（１３０℃で６０秒、２００℃で１２０秒）で架橋して、中性架橋された配向制御層を形成し、
　ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ溶液を、架橋された中性配向制御層上にキャストし、１分〜１８時間の様々な時間２００℃でアニールして、ＰＳの微小領域とＰＭＭＡの微小領域の配向を形成し、
　ＰＳの微小領域とＰＭＭＡの微小領域において、どちらか１つの微小領域を選択的に除去して、立体的パターンを形成する、立体的パターン形成方法。」
（２）対比・判断
ア　本件発明１と引用発明との対比
（ア）引用発明の「ポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン）」、「この溶液」、「配向制御層」、「シリコンウエハ」及び「スピンキャスティング」が、それぞれ、本件発明１の「樹脂成分」、「下地剤」、「下地剤からなる層」、「基板」及び「塗布」に相当する。
　また、引用発明の「ポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン）」の構成単位である「エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート」、「スチレン」は、それぞれ、本件発明１の「芳香族含有モノマー由来の構成単位」、「エポキシ基を含有し芳香族を含有しないモノマー由来の構成単位」に相当し、引用発明の「スチレン」は、さらに、本件発明１の「ビニル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物」に相当する。
　すると、引用発明の
「エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート（ＥＤＣＰＤＭＡ）、スチレン及び２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）（ＡＩＢＮ）を使用して、一般的な手順に従って、ＥＤＣＰＤＭＡとスチレンのモル比が、８０：２０〜２０：８０であるポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン）を合成し、
　ポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン）を、熱酸発生剤としてのＮ−ヒドロキシフタルイミドトリフレートとともに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）と７−ブチロラクトン（ＧＢＬ）に溶解し、
　この溶液を、２，０００〜３，０００ｒｐｍで、シリコンウエハ上にスピンキャスティングし、２段階の処理（１３０℃で６０秒、２００℃で１２０秒）で架橋して、中性架橋された配向制御層を形成」することと、本件発明１の
「基板上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位と、エポキシ基を含有し芳香族環を含有しないモノマー由来の構成単位を有する樹脂成分（但し、Poly(epoxydicyclopentadienyl methacrylate-ran-styrene)を除く。）を含有する下地剤を塗布し、該下地剤からなる層を形成する工程（１）と、」「を有し、」
「前記樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位であり、
　前記芳香族環含有モノマーが、ビニル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物、及び（メタ）アクリロイル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物からなる群から選ばれること」は、
「基板上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位と、エポキシ基を含有し芳香族環を含有しないモノマー由来の構成単位を有する樹脂成分を含有する下地剤を塗布し、該下地剤からなる層を形成する工程（１）と、」「を有し、」
「前記樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位であり、
　前記芳香族環含有モノマーが、ビニル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物、及び（メタ）アクリロイル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物からなる群から選ばれること」で一致する。
（イ）引用発明の「ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ」は、本件発明１の「スチレン又はその誘導体を構成単位とするポリマーと、（メタ）アクリル酸エステルを構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマー」に相当する。
　また、引用発明の「ＰＳの微小領域とＰＭＭＡの微小領域の配向を形成」することが、本件発明１の「前記ブロックコポリマーを含む層を相分離する」ことに相当することは、当業者には明らかである。
　すると、引用発明の「ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ溶液を、架橋された中性配向制御層上にキャストし、１分〜１８時間の様々な時間２００℃でアニールして、ＰＳの微小領域とＰＭＭＡの微小領域の配向を形成」することは、本件発明１の「スチレン又はその誘導体を構成単位とするポリマーと、（メタ）アクリル酸エステルを構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマーを含む層を前記下地剤からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離する工程（２）」に相当する。
（ウ）引用発明の「ＰＳの微小領域とＰＭＭＡの微小領域において、どちらか１つの微小領域を選択的に除去」することは、本件発明１の「前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相を選択的に除去する工程（３）」に相当する。
（エ）引用発明の「立体的パターン形成方法」は、本件発明１の「パターン形成方法」に相当する。
イ　一致点
　してみると、両者は、
「基板上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位と、エポキシ基を含有し芳香族環を含有しないモノマー由来の構成単位を有する樹脂成分を含有する下地剤を塗布し、該下地剤からなる層を形成する工程（１）と、
　スチレン又はその誘導体を構成単位とするポリマーと、（メタ）アクリル酸エステルを構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマーを含む層を前記下地剤からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離する工程（２）と、
　前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相を選択的に除去する工程（３）と、を有し、
　前記樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位であり、
　前記芳香族環含有モノマーが、ビニル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物、及び（メタ）アクリロイル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物からなる群から選ばれることを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。」
で一致し、次の点で相違する。
　
ウ　相違点
　「樹脂成分」が、本件発明では、「（但し、Poly(epoxydicyclopentadienyl methacrylate-ran-styrene)を除く。）」のに対して、引用発明では、「ポリ（エポキシジシクロペンタジエニルメタクリレート−ｒａｎ−スチレン）」である点。
エ　判断
　してみると、本件発明１は、上記相違点において、引用発明であるとはいえない。
（３）結論
　以上のとおり、本件発明は引用発明であるとはいえないから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するとはいえない。
　したがって、本件発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないとはいえないから、その発明に係る特許は取り消すべきものであるとすることはできない。
４　取消理由（２）について
　取消理由（２）で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないとされた、訂正前の本件の請求項１の「ブロックコポリマー」を「スチレン又はその誘導体を構成単位とするポリマーと、」「シロキサン若しくはその誘導体を構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマー」、「アルキレンオキシドを構成単位とするポリマーと（メタ）アクリル酸エステルを構成単位とするポリマーとを結合させたブロックコポリマー」とすること、及び、請求項３の「芳香族環含有モノマー」が、「ノボラック樹脂の構成成分となるフェノール類」であることについて、訂正請求により、これらの事項が請求項１から削除され、また、請求項３自体も削除されたので、上記取消理由（２）は解消された。
　したがって、本件の請求項１、３に係る特許は、その特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、取り消されるべきものであるとすることはできない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由によっては、本件請求項１、２、４、５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件請求項１、２、４、５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、本件請求項３に係る特許は、訂正により削除されたため、本件特許の請求項３に対して、特許異議申立人田嶋順治がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年５月２４日（２０１６．５．２４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位と、エポキシ基を含有し芳香族環を含有しないモノマー由来の構成単位を有する樹脂成分
（但し、Ｐｏｌｙ（ｅｐｏｘｙｄｉｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ　ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ−ｒａｎ−ｓｔｙｒｅｎｅ）を除く。）
　スチレン又はその誘導体を構成単位とするポリマーと、（メタ）アクリル酸エステル
を
を
　前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相を選択的に除去する工程（３）と、を有し、
　前記樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位であ
り、
　
前記芳香族環含有モノマーが、ビニル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物、及び（メタ）アクリロイル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物からなる群から選ばれ
　【請求項２】
　工程（１）の後、前記下地剤からなる層を選択的露光し、現像して、前記基板上に下地剤からなる層のパターンを形成する工程（２’）を有し、
　前記下地剤は、感光性重合開始剤を含有する請求項１記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。
　【請求項３】
（削除）
　【請求項４】
　前記樹脂成分が、更に、前記エポキシ基を含有し芳香族環を含有しないモノマー以外の、芳香族環を含有しないその他のモノマー由来の構成単位を含有する請求項１
又は２
　【請求項５】
　前記芳香族環を含有しないその他のモノマーが、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳからなる群から選ばれる少なくとも１原子を含むビニル化合物又は（メタ）アクリル化合物である請求項４に記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。
　【請求項６】
　前記樹脂成分が、前記基板とのグラフト重合性基を有する請求項１
、２、４、
　【請求項７】
　前記グラフト重合性基は、フェノール性水酸基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、アミド基、イソシアネート基、ニトロ基、エポキシ基、オキセタニル基、（メタ）アクリロイル基、及びアルコキシシラン基からなる群から選ばれる基である請求項６に記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。
　【請求項８】
　工程（２’）において、ベーク処理を行わない請求項２
、４、５、６、