【手続補正書】
【提出日】平成30年7月17日(2018.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーキュレーター／アイソレータージャンクションであって、
一対のフェライトディスクを備え、前記一対のフェライトディスクの各々は、外周縁を有し、
複合誘電体を備え、前記複合誘電体は、前記一対のフェライトディスクの各々の外周縁を取囲み、
前記一対のフェライトディスクの間に配置された中心導体を備え、前記中心導体は、その中心から離れて延在する複数の伝送線路を含み、前記複合誘電体は、第１誘電率を有する第１誘電セグメントおよび第２誘電率を有する第２誘電セグメントを含み、前記第１誘電セグメントは、前記複数の伝送線路の各々の上方に配置され、前記第２誘電セグメントの誘電率よりも低い誘電率を有する、サーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項２】
前記複合誘電体は、概ね環状である、請求項１に記載のサーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項３】
前記第１誘電率材料は、前記伝送線路の製造公差の範囲以下の前記伝送線路の幅を可能にするのに十分である、請求項１に記載のサーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項４】
前記中心導体は、約１２０°の角度をもって配置された３つの伝送線路を含み、
前記複合誘電体は、前記伝送線路の直上および真下に配置された３つの第１誘電セグメントを含む、請求項１に記載のサーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項５】
前記一対のフェライトディスクの外表面上に配置された一対の接地板をさらに含む、請求項１に記載のサーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項６】
前記第２誘電体は、３０以上の誘電率を有する、請求項１に記載のサーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項７】
前記第１誘電体は、３０未満の誘電率を有する、請求項１に記載のサーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項８】
前記複合誘電体は、１．８〜２．７ＧＨｚの周波数範囲に対応できる２５ｍｍ以下の直径を有する、請求項１に記載のサーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項９】
前記ジャンクションは、４つのポートと４つの伝送線路とを有する、請求項１に記載のサーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項１０】
前記ジャンクションは、６つのポートと６つの伝送線路とを有する、請求項１に記載のサーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項１１】
前記中心導体と前記伝送線路とは、マイクロストリップ構成に構成されている、請求項１に記載のサーキュレーター／アイソレータージャンクション。
【請求項１２】
分割型アイソレーター／サーキュレーターであって、
外周縁を有するフェライトディスクと、
前記フェライトディスクの前記外周縁を取囲む複数の第１誘電セグメントとを備え、隣接する第１誘電セグメントの間には、ギャップが存在し、
前記フェライトディスクの前記外周縁を取囲み、前記ギャップに配置された複数の第２誘電セグメントを備え、前記複数の第２誘電セグメントは、前記複数の第１誘電セグメントよりも高い誘電率を有し、前記複数の第１誘電セグメントと前記複数の第２誘電セグメントとは、合わせて前記フェライトディスクの前記外周縁の周りにリングを形成する、分割型アイソレーター／サーキュレーター。
【請求項１３】
前記フェライトディスクは、異なる誘電率を有する２種の材料を含む、請求項１２に記載の分割型サーキュレーター／アイソレーター。
【請求項１４】
前記複数の第１誘電セグメントの各々の幅は、伝送線路の製造公差の範囲を超える前記伝送線路の幅を可能にするのに十分である、請求項１２に記載の分割型サーキュレーター／アイソレーター。
【請求項１５】
前記分割型サーキュレーター／アイソレーターは、約１２０°の角度をもって配置された３つの伝送線路を含む中心導体を備える第２分割型サーキュレーター／アイソレーターをさらに備え、
前記複数の第１誘電セグメントは、前記伝送線路の直上および真下に配置されている、請求項１２に記載の分割型サーキュレーター／アイソレーター。
【請求項１６】
前記ディスクの外表面上に配置された一対の接地板をさらに備える、請求項１２に記載の分割型サーキュレーター／アイソレーター。
【請求項１７】
サーキュレーター／アイソレータージャンクションを形成する方法であって、
フェライトロッドを単一部品の第１誘電率を有する誘電チューブに挿入ステップと、
前記第１誘電率を有する誘電チューブに溝を切出すことによって、第１誘電セグメントを形成するステップと、
前記溝に第２誘電率を有する第２誘電セグメントを挿入して取付けるによって、交互に存在する第１誘電セグメントおよび第２誘電セグメントからなる組立体を形成するステップとを備え、前記第１誘電率と前記第２誘電率とは異なり、
前記交互に存在する第１誘電体および第２誘電体からなる組立体をスライスすることによって、前記交互に存在する第１誘電体および第２誘電体により取囲まれたフェライトロッドを備えたディスクを形成するステップを備える、方法。
【請求項１８】
前記溝は、前記チューブの直径を完全に貫通して延在する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記溝は、約１２０°の角度をもって配置される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１誘電チューブは、２５ｍｍ以下の直径を有する、請求項１７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】本願明細書に記載の１つ以上の特徴を有する材料を設計、作製および使用することのできる方法を概略に示す図である。
【図２】イットリウム系ガーネットの結晶格子構造を示す図である。
【図３】化学式Ｙ２．１５−２ｘＢｉ０．５Ｃａ０．３５＋２ｘＺｒ０．３５ＶｘＦｅ４．６５−ｘＯ１２（式中、ｘ＝０．１〜０．８）により表される結晶性組成物中のバナジウムレベルの変化に対して材料特性の変化を表すグラフ例である。
【図４】化学式Ｂｉ０．９Ｃａ０．９ｘＹ２．１−０．９ｘ（Ｚｒ０．７Ｎｂ０．１）ｘＦｅ５−０．８ｘＯ１２（式中、ｘ＝０．５〜１．０）により表される結晶性組成物中の（Ｚｒ，Ｎｂ）レベルの変化に対して材料特性の変化を表すグラフ例である。
【図５Ａ】化学式Ｂｉ０．９Ｃａ０．９＋２ｘＹ１．２−２ｘＺｒ０．７Ｎｂ０．１ＶｘＦｅ４．２−ｘＯ１２（式中、ｘ＝０）により表される結晶性組成物中のバナジウムの変化しているレベルにおける焼成温度とさまざまな特性との関係を示すグラフ例である。
【図５Ｂ】化学式Ｂｉ０．９Ｃａ０．９＋２ｘＹ１．２−２ｘＺｒ０．７Ｎｂ０．１ＶｘＦｅ４．２−ｘＯ１２（式中、ｘ＝０．１）により表される結晶性組成物中のバナジウムの変化しているレベルにおける焼成温度とさまざまな特性との関係を示すグラフ例である。
【図５Ｃ】化学式Ｂｉ０．９Ｃａ０．９＋２ｘＹ１．２−２ｘＺｒ０．７Ｎｂ０．１ＶｘＦｅ４．２−ｘＯ１２（式中、ｘ＝０．２）により表される結晶性組成物中のバナジウムの変化しているレベルにおける焼成温度とさまざまな特性との関係を示すグラフ例である。
【図５Ｄ】化学式Ｂｉ０．９Ｃａ０．９＋２ｘＹ１．２−２ｘＺｒ０．７Ｎｂ０．１ＶｘＦｅ４．２−ｘＯ１２（式中、ｘ＝０．３）により表される結晶性組成物中のバナジウムの変化しているレベルにおける焼成温度とさまざまな特性との関係を示すグラフ例である。
【図５Ｅ】化学式Ｂｉ０．９Ｃａ０．９＋２ｘＹ１．２−２ｘＺｒ０．７Ｎｂ０．１ＶｘＦｅ４．２−ｘＯ１２（式中、ｘ＝０．４）により表される結晶性組成物中のバナジウムの変化しているレベルにおける焼成温度とさまざまな特性との関係を示すグラフ例である。
【図５Ｆ】化学式Ｂｉ０．９Ｃａ０．９＋２ｘＹ１．２−２ｘＺｒ０．７Ｎｂ０．１ＶｘＦｅ４．２−ｘＯ１２（式中、ｘ＝０．５）により表される結晶性組成物中のバナジウムの変化しているレベルにおける焼成温度とさまざまな特性との関係を示すグラフ例である。
【図５Ｇ】化学式Ｂｉ０．９Ｃａ０．９＋２ｘＹ１．２−２ｘＺｒ０．７Ｎｂ０．１ＶｘＦｅ４．２−ｘＯ１２（式中、ｘ＝０．６）により表される結晶性組成物中のバナジウムの変化しているレベルにおける焼成温度とさまざまな特性との関係を示すグラフ例である。
【図６】化学式Ｂｉ０．９Ｃａ０．９＋２ｘＹ１．２−２ｘＺｒ０．７Ｎｂ０．１ＶｘＦｅ４．２−ｘＯ１２（ｘ＝０〜０．６）により表される結晶性組成物中のバナジウム含有量を変化させた組成物に対して最良線幅を表すグラフ例である。
【図７】化学式Ｂｉ１．４Ｃａ１．０５−２ｘＺｒ０．５５ＶｘＦｅ４．４５−ｘＯ１２（ｘ＝０〜０．５２５）により表される結晶性組成物の特性を示すグラフ例である。
【図８】本願明細書に記載される１つ以上の特徴を有する改質された合成ガーネットを製造するための処理フロー例を示す図である。
【図９】本願明細書に記載の１つ以上のガーネット特徴を有するフェライト装置の例を示す図である。
【図１０】組成物例Ｂｉ０．５Ｙ２．５−ｘＣａｘＺｒｘＦｅ５−ｘＯ１２中のＺｒ含有量（Ｂｉ３＋の含有量が実質的に約０．５に固定され、Ｚｒ４＋の含有量が０〜０．３５に変化されること）に応じて変化するさまざまな特性を示す図である。
【図１１】組成物例ＢｉｘＹ２．６５−ｘＣａ０．３５Ｚｒ０．３５Ｆｅ４．６５Ｏ１２中のＢｉ含有量（Ｚｒ４＋の含有量が実質的に約０．３５に固定され、Ｂｉ３＋の含有量が変化されること）に応じて変化するさまざまな特性を示す図である。
【図１２】図１１の組成物例のＢｉ含有量に応じて変化する誘電率および密度を示す図である。
【図１３】図１０の組成物例の０．３５限界を超えるＺｒ含有量に応じて変化するさまざまな特性の曲線を示す図である。
【図１４】図１３の組成物例のＢｉ含有量が約１．４であり、Ｚｒ含有量が約０．５５であるときに、Ｖ５＋含有量に応じて変化するさまざまな特性の曲線を示す図である。
【図１５Ａ】本願明細書に記載の１つ以上の特徴を有するフェライト装置のサイズ縮小を実現できる一例を示す図である。
【図１５Ｂ】本願明細書に記載の１つ以上の特徴を有するフェライト装置のサイズ縮小を実現できる別の例を示す図である。
【図１６Ａ】本願明細書に記載のフェライト装置を有する例示的なサーキュレーター／アイソレーターの組立前の様子を示す図である。
【図１６Ｂ】本願明細書に記載のフェライト装置を有する例示的なサーキュレーター／アイソレーターの組立後の様子を示す図である。
【図１７】１４．４の誘電率を有するＹＣａＺｒＶＦｅガーネット系列をベースにした一例の２５ｍｍサーキュレーターと、２６．７３の誘電率を有するイットリウムを含まないＢｉＣａＺｒＶＦｅガーネット系列をベースにした他の例の２５ｍｍサーキュレーターとの各々の挿入損失曲線および戻り損失曲線を示す図である。
【図１８Ａ】図１７に示された高誘電率のイットリウムを含まないＢｉＣａＺｒＶＦｅガーネット系列を有する例示的な１０ｍｍサーキュレーター装置のＳパラメータデータを示す図である。
【図１８Ｂ】図１７に示された高誘電率のイットリウムを含まないＢｉＣａＺｒＶＦｅガーネット系列を有する例示的な１０ｍｍサーキュレーター装置のＳパラメータデータを示す図である。
【図１９】パッケージ化されたサーキュレーターモジュールの例を示す図である。
【図２０】本願明細書に記載された１つ以上のサーキュレーター／アイソレーター装置を実装することができるＲＦシステムの例を示す図である。
【図２１】サーキュレーター／アイソレータージャンクションの概略を示す図である。
【図２２】従来のサーキュレーター／アイソレータージャンクションの実施形態を示す図である。
【図２３】一実施形態に従った中心導体と伝送線路とを有するサーキュレーター／アイソレータージャンクションを示す分解図である。
【図２４】一実施形態に従ったサーキュレーター／アイソレータージャンクションを示す側面図である。
【図２５】一実施形態に従ったエッチング工程中の伝送線路を示す図である。
【図２６Ａ】本開示の一実施形態に従った高誘電率材料および低誘電率材料の両方を有する本開示のサーキュレーター／アイソレータージャンクションを示す図である。
【図２６Ｂ】本開示の一実施形態に従った高誘電率材料および低誘電率材料の両方を有する本開示のサーキュレーター／アイソレータージャンクションを示す図である。
【図２６Ｃ】本開示の一実施形態に従った高誘電率材料および低誘電率材料の両方を有する本開示のサーキュレーター／アイソレータージャンクションを示す図である。
【図２６Ｄ】本開示の一実施形態に従った高誘電率材料および低誘電率材料の両方を有する本開示のサーキュレーター／アイソレータージャンクションを示す図である。
【図２７】本開示の一実施形態に従った高誘電率材料および低誘電率材料の両方を有するサーキュレーター／アイソレータージャンクションを形成する方法を示す図である。
【図２８Ａ】本開示の一実施形態に従ったサーキュレーター／アイソレータージャンクションを用いた低共鳴帯域装置のＳパラメータデータを示す図である。
【図２８Ｂ】本開示の一実施形態に従ったサーキュレーター／アイソレータージャンクションを用いた低共鳴帯域装置のＳパラメータデータを示す図である。
【図２８Ｃ】本開示の一実施形態に従ったサーキュレーター／アイソレータージャンクションを用いた低共鳴帯域装置のＳパラメータデータを示す図である。
【図２８Ｄ】本開示の一実施形態に従ったサーキュレーター／アイソレータージャンクションを用いた低共鳴帯域装置のＳパラメータデータを示す図である。
【図２９】本願明細書に記載の１つ以上の特徴を有するセラミック材料を製造するように実施することができる工程を示す図である。
【図３０】本願明細書に記載の粉末材料から成形物を形成するように実施することができる工程を示す図である。
【図３１】図３０の工程のさまざまな段階の例を示す図である。
【図３２】図３０および３１の例により形成された成形物を焼結するように実施することができる工程を示す図である。
【図３３】図３２の工程のさまざまな段階の例を示す図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
噴霧乾燥した顆粒は、その後、ステップ１２０において加圧され、好ましくは、加圧後の密度を可能な限りＸ線理論密度の６０％に近づくように、単軸加圧または等方静的加圧によって加圧される。また、未焼成体を形成するために、テープ成形、テープカレンダーまたはテープ押出などの他の既知の方法を使用することもできる。加圧した材料は、その後、ステップ１２２において焼成処理により処理される。好ましくは、加圧した材料は、ガーネット材料と反応し難いアルミナのような材料から作られたセッター板上に置かれる。高密度のセラミック成形体を得るために、セッター板は、空気または高圧酸素環境の単独窯あるいはトンネル窯中において、約８５０〜１０００℃に加熱される。このステップにおいて、誘導加熱などの他の既知の処理技術を使用することもできる。この高密度のセラミック成形体は、特定の設備に適切な寸法を達成するために、ステップ１２４において加工される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
いくつかの実施形態において、低誘電セグメント２６０８の幅は、伝送線路の幅の約０．５％、１％、２％、３％、５％、１０％、１５％、または２０％に広くすることができる。いくつかの実施形態において、低誘電セグメント２６０８の幅は、伝送線路の幅の約０．５％、１％、２％、３％、５％、１０％、１５％、または２０％を超えて広くすることができる。いくつかの実施形態において、低誘電セグメント２６０８の幅は、伝送線路の幅よりも小さくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
いくつかの実施形態において、低誘電セグメント２６０８の厚さは、伝送線路の厚さの約０．５％、１％、２％、３％、５％、１０％、１５％、または２０％に薄くすることができる。いくつかの実施形態において、低誘電セグメント２６０８の厚さは、伝送線路の厚さの約０．５％、１％、２％、３％、５％、１０％、１５％、または２０％を超えて薄くすることができる。いくつかの実施形態において、低誘電セグメント２６０８の厚さは、伝送線路の厚さの約０．５％、１％、２％、３％、５％、１０％、１５％、または２０％未満に薄くすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
いくつかの実施形態において、伝送線路は、１つ以上の転換体を含むことができる。いくつかの実施形態において、中心導体に第２転換体を追加することができる。この第２フェライト体は、第１フェライト体よりも低いインピーダンスを有することができる。いくつかの実施形態において、第２フェライト体は、フェライト界面により近付くように設けることができ、よってより大きな帯域幅を与える。いくつかの実施形態において、この第２フェライト体は、高誘電セグメントまたは低誘電セグメントのいずれかの内部に挿入することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
工程
図２９〜３３は、本願明細書に記載された１つまたは複数の特徴を有するフェライト装置を製造するための工程を示している。図２９は、前述した特性の１つ以上を有するセラミック材料を製造するために実施することができる工程２０を示している。ブロック２１において、粉末を作製することができる。ブロック２２において、作製した粉末から成形物を形成することができる。ブロック２３において、形成された成形物を焼結することができる。ブロック２４において、焼結体は、仕上げられ、１つ以上の所望の特性を有するセラミック仕上げ品を得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
ブロック７５において、焼結物を冷却することができる。冷却は、所望の時間および温度プロファイルにより決めることができる。ブロック７６において、冷却された焼結物は、１つ以上の仕上げ作業を受けることができる。ブロック７７において、１つ以上の検査を行うことができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2016025664.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３３】
2016025664.tif 000002