【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、第１電極と、第１バッファ層と、光電変換層と、第２電極とが、この順で積層され、
該第１バッファ層がインドロカルバゾール誘導体を含む、撮像素子。
【請求項２】
前記インドロカルバゾール誘導体が、１分子内に少なくとも２つのインドール環を含む、請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記インドロカルバゾール誘導体が、下記に示される一般式（１）〜（１０）で表される化合物からなる群から選ばれる化合物である、請求項１に記載の撮像素子。
【化１】
2018085427.tif 000001
【化２】
2018085427.tif 000002
【化３】
2018085427.tif 000003
【化４】
2018085427.tif 000004
【化５】
2018085427.tif 000005
【化６】
2018085427.tif 000006
【化７】
2018085427.tif 000007
【化８】
2018085427.tif 000008
【化９】
2018085427.tif 000009
【化１０】
2018085427.tif 000010
（該一般式（１）〜（１０）中、Ａｒ１〜Ａｒ２４は、各々独立に、アリール基であり、該アリール基は、置換基を有していても、有していなくともよい。Ｒ１〜Ｒ１０８は、各々独立に、水素基、アルキル基、アリール基、アリールアミノ基、アリールアミノ基を置換基としたアリール基、又はカルバゾリル基であり、該アルキル基、該アリール基、該アリールアミノ基、該アリールアミノ基を置換基としたアリール基、及び該カルバゾリル基は、置換基を有していても、有していなくともよい。）
【請求項４】
前記一般式（１）〜（１０）で表される化合物が、下記に示される式（１００）〜（１１５）で表される化合物からなる群から選ばれる化合物である、請求項３に記載の撮像素子。
【化１１】
2018085427.tif 000011
【化１２】
2018085427.tif 000012
【請求項５】
前記一般式（１）〜（１０）で表される化合物が、下記に示される式（１１６）〜（１３１）で表される化合物からなる群から選ばれる化合物である、請求項３に記載の撮像素子。
【化１３】
2018085427.tif 000013
【化１４】
2018085427.tif 000014
【請求項６】
前記一般式（１）〜（１０）で表される化合物が、下記に示される式（１３２）〜（１５０）で表される化合物からなる群から選ばれる化合物である、請求項３に記載の撮像素子。
【化１５】
2018085427.tif 000015
【化１６】
2018085427.tif 000016
【化１７】
2018085427.tif 000017
【請求項７】
前記第１バッファ層が有するＨＯＭＯレベルと、前記光電変換層に含まれる材料が有する最も浅いＨＯＭＯレベル又は仕事関数との差が、±０．２ｅＶの範囲にある、請求項１に記載の撮像素子。
【請求項８】
前記光電変換層に含まれる材料が有する最も浅いＨＯＭＯレベル又は仕事関数が−５．６ｅＶ〜−５．７ｅＶである、請求項１に記載の撮像素子。
【請求項９】
前記光電変換層が、結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、結晶セレン、アモルファスセレン、及び、カルコパライト系化合物であるＣＩＧＳ（ＣｕＩｎＧａＳｅ）、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ２）、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＡｌＳ２、ＣｕＡｌＳｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＧａＳｅ２、ＡｇＡｌＳ２、ＡｇＡｌＳｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、又は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物であるＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、更には、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｓ３、Ｂｉ２Ｓｅ３、Ｂｉ２Ｓ３、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＳの化合物半導体、又は、これらの材料から成る量子ドットである、請求項１に記載の撮像素子。
【請求項１０】
前記光電変換層が、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレン誘導体、ピセン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フタロシアニン誘導体、サブフタロシアニン誘導体、複素環化合物を配位子とする金属錯体、ベンゾチエノチオフェン（ＢＴＢＴ）誘導体、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）誘導体、ジアントラセノチエノチオフェン（ＤＡＴＴ）誘導体、ベンゾビスベンゾチオフェン（ＢＢＢＴ）誘導体、チエノビスベンゾチオフェン（ＴＢＢＴ）誘導体、ジベンゾチエノビスベンゾチオフェン（ＤＢＴＢＴ）誘導体、ジチエノベンゾジチオフェン（ＤＴＢＤＴ）誘導体、ジベンゾチエノジチオフェン(ＤＢＴＤＴ)誘導体、ベンゾジチオフェン(ＢＤＴ)誘導体、ナフトジチオフェン（ＮＤＴ）誘導体、アントラセノジチオフェン（ＡＤＴ）誘導体、テトラセノジチオフェン（ＴＤＴ）誘導体、ペンタセノジチオフェン（ＰＤＴ）誘導体、及び下記一般式（１１）で表される化合物、ｐ型有機半導体よりもＨＯＭＯレベル及びＬＵＭＯレベルが大きい有機半導体、透明な無機金属酸化物、並びにピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、イソキノリン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズオキサゾール、ベンズオキサゾール、カルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、有機金属錯体やサブフタロシアニン誘導体、フラーレン及びフラーレン誘導体を含む窒素原子、酸素原子、硫黄原子、分子骨格の一部に有する有機分子、有機金属錯体、及びサブフタロシアニン誘導体を含有する複素環化合物からなる群から選ばれる少なくとも２種の材料を含む、請求項１に記載の撮像素子。
【化１８】
2018085427.tif 000018
（該一般式（１１）中、Ｒ１０９〜Ｒ１１２は、各々独立に、水素基、アルキル基、アリール基、アリールアミノ基、又はカルバゾリル基であり、該アルキル基、該アリール基、該アリールアミノ基、及び該カルバゾリル基は、置換基を有していても、有していなくてもよい。）
【請求項１１】
前記第１バッファ層の吸収スペクトルが、４２５ｎｍ以下の波長に吸収極大を有する、請求項１に記載の撮像素子。
【請求項１２】
前記第１電極及び前記第２電極が透明導電性材料からなる、請求項１に記載の撮像素子。
【請求項１３】
前記透明導電性材料が金属酸化物である、請求項１２に記載の撮像素子。
【請求項１４】
前記金属酸化物が、ＩＴＯ、ＩＧＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＡＺＯ及びＧＺＯからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１３に記載の撮像素子。
【請求項１５】
前記第１電極及び前記第２電極のいずれか一方が透明導電性材料からなり、他方が金属材料からなる、請求項１に記載の撮像素子。
【請求項１６】
前記透明導電性材料が金属酸化物である、請求項１５に記載の撮像素子。
【請求項１７】
前記金属酸化物が、ＩＴＯ、ＩＧＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＡＺＯ及びＧＺＯからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１６に記載の撮像素子。
【請求項１８】
前記第１電極が透明導電性材料からなり、前記第２電極が、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ又はＭｇ−Ａｇからなる、請求項１に記載の撮像素子。
【請求項１９】
前記第１電極が、Ａｌ−Ｎｄ又はＡｌ−Ｓｍ−Ｃｕからなり、前記第２電極が、透明導電性材料からなる、請求項１に記載の撮像素子。
【請求項２０】
請求項１に記載の撮像素子の少なくとも２つが積層されてなる、積層型撮像素子。
【請求項２１】
請求項１に記載の撮像素子を複数で備える、撮像装置。
【請求項２２】
請求項２０に記載の積層型撮像素子を複数で備える、撮像装置。
【請求項２３】
請求項２１に記載の撮像装置を備える、電子装置。
【請求項２４】
請求項２２に記載の撮像装置を備える、電子装置。