【事件の表示】
　特願２００１−１３８８１６「電気光学装置及び投射型表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月１０日出願公開、特開２００２−１０８２４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張（優先日：平成１２年７月２６日）を伴う平成１３年５月９日の出願（発明者：佐藤　尚）であって、平成１６年２月２０日付けで拒絶査定がなされ、平成１６年３月２５日付けで拒絶査定に対する審判が請求されるとともに、平成１６年４月２６日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１６年４月２６日付けの手続補正に対する補正却下の決定
　
１．補正却下の決定の結論
　平成１６年４月２６日付けの手続補正を却下する。
　
２．本件補正の概要
　補正後の請求項１の発明は、補正前の請求項２２に対して、第１遮光層に一方の基板と前記薄膜トランジスタとの間に配置される旨の限定を付加し、第１光吸収層に対して一方の基板に配置される旨の限定を付加し、また、第１遮光層が前記第１光吸収層の内側の領域に形成されている旨の限定を付加したものである。
　これらの補正事項はいずれも特許法第１７条の２第４項第２号に規定する事項をその目的とするものである。
　そこで、平成１６年４月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）が特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件に適合するか否かについて検討する。
　
３．本願補正発明
　本件補正により補正された請求項１ないし３に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項で特定される電気光学装置であるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「一対の基板と、
　前記一対の基板間に配置された電気光学物質と、
　前記一対の基板の一方に形成された画素電極と、
　前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、
　前記一方の基板と前記薄膜トランジスタとの間に配置され、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆う第１遮光層と、
　前記一方の基板において、前記薄膜トランジスタを介して前記第１遮光層と対峙して配置される第１光吸収層と
を備え、
且つ、第１遮光層が前記第１光吸収層の内側の領域に形成されていることを特徴とする電気光学装置」
　
４．先願明細書記載の発明
　本願の優先日前の他の特許出願であって、本願の優先日後に公開された特願平１１−２７９５１７号（特開２００１−１００２５０号；出願日：平成１１年９月２０日；公開日：平成１３年４月１３日；出願人：日本電気株式会社；発明者：白石靖志；以下「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、以下に列挙する事項が記載されている。
　
ア．【０００３】ないし【０００８】
【０００３】ここで、このような透過液晶パネルの一従来例を図１０を参照して以下に説明する。なお、同図は透過液晶パネルである液晶ライトバルブの要部を示す縦断正面図である。また、ここでは説明を簡略化するため、液晶ライトバルブの各種層膜の積層方向において、同図に示すように、便宜的に回路側を下方と呼称するとともに液晶側を上方と呼称する。
【０００４】ここで透過液晶パネルの一従来例として例示する液晶ライトバルブ１００は、透明基板１０１、多数の下部遮光膜１０２、多数の薄膜トランジスタであるＴＦＴ(Thin Film Transistor)１０３、複数のゲート電極(図示せず)、複数のドレイン電極(図示せず)、複数のデータ電極１０４、複数の上部金属膜１０５、平坦化層１０６、多数の個別電極１０７、封入液晶１０８、共通電極１０９、対向基板１１０、等を主要部分として具備している。
【０００５】透明基板１０１は、無色透明な絶縁性のガラス基板からなり、その上面に複数の下部遮光膜１０２が積層されている。この下部遮光膜１０２は、高耐熱性かつ低透光性のＷＳi(タングステンシリサイド)からなり、下側から斜め上方への迷光から多数のＴＦＴ１０３を個々に遮光する層厚およびパターンに形成されている。
【０００６】このＴＦＴ１０３は、層間絶縁膜１１１を介して下部遮光膜１０２の上方に位置しており、ソース領域とドレイン領域とが形成されている(図示せず)。そのソース領域にはデータ電極１０４が接続されており、ドレイン領域にはドレイン電極(図示せず)が接続されている。ＴＦＴ１０３のゲート電極(図示せず)は、図面を左右方向に通過するパターンの金属層からなり、ＴＦＴ１０３の略上面に位置している。
【０００７】データ電極１０４は、図面を前後方向に貫通するパターンのアルミニウム層からなり、層間絶縁膜１１２を介してＴＦＴ１０３より上方に配置されている。つまり、ゲート電極およびデータ電極１０４で行列電極が形成されており、その交点の位置に多数のＴＦＴ１０３が個々に配列されている。
【０００８】上部金属膜１０５は、層間絶縁膜１１３を介してデータ電極１０４の上方に位置する高反射性のアルミニウム層からなり、データ電極１０４をシールドする層厚およびパターンに形成されている。平坦化層１０６は、ポリイミド等の絶縁性の有機樹脂で上部金属膜１０５上に積層されており、その表面が平坦に形成されている。」
イ．【００４０】ないし【００４７】
「【００４０】本発明の透過液晶パネルの実施の一形態である液晶ライトバルブ２００は、一従来例として前述した液晶ライトバルブ１００と同様に、透明基板２０１、多数の下部遮光膜２０２、多数の薄膜トランジスタであるＴＦＴ２０３、複数のデータ電極２０４、複数のゲート電極２０５、複数のドレイン電極２０６、複数の上部金属膜２０７、平坦化層２０８、多数の個別電極２０９、封入液晶２１０、共通電極２１１、対向基板２１２、等を主要部分として具備している。
【００４１】ただし、本実施の形態の液晶ライトバルブ２００は、前述した液晶ライトバルブ１００とは相違して、図１に示すように、下部遮光膜２０２の上面には光吸収膜２１５が位置しており、上部金属膜２０７の下面には光遮断膜２１６が位置している。
【００４２】より詳細には、図８に示すように、透明基板２０１は絶縁性のガラス基板からなり、その上面には下地絶縁膜２２１が一様に積層されている。下部遮光膜２０２は、高耐熱性かつ低透光性のＷＳiからなり、下地絶縁膜２２１の上面に積層されている。
【００４３】下部遮光膜２０２は、150(nm)の膜厚に形成されており、下側から斜め上方への迷光から多数のＴＦＴ２０３を個々に遮光するパターンに形成されている。光吸収膜２１５は、低反射性かつ高耐熱性のａ-Ｓiからなり、下部遮光膜２０２の上面に直接に積層されている。この光吸収膜２１５は、50(nm)の膜厚に形成されており、下部遮光膜２０２と同一パターンに形成されている。
【００４４】ＴＦＴ２０３は、層間絶縁膜２２２を介して光吸収膜２１５の上方に位置しており、各種電極２０４〜２０６が接続されている。つまり、図２に示すように、複数のデータ電極２０４および複数のゲート電極２０５で行列電極が形成されており、その交点の位置に多数のＴＦＴ２０３が個々に配列されている。
【００４５】より詳細には、ゲート電極２０５は、左右方向に連通するパターンの金属層からなり、ＴＦＴ２０３の中央上面にゲート絶縁膜２２３を介して対向している。データ電極２０４は、前後方向に連通するパターンのアルミニウム層からなり、層間絶縁膜２２４を介してＴＦＴ２０３より上方に配置されている。
【００４６】ドレイン電極２０６は、ゲート絶縁膜２２３の上面に形成されており、データ電極２０４とドレイン電極２０６とはコンタクトホール２２５，２２６を介してＴＦＴ２０３の両端のソース領域とドレイン領域とに各々接続されているので、このＴＦＴ２０３の両端部分と中央部分との境界にＬＤＤ領域２２７が形成されている。
【００４７】データ電極２０４の上方には、層間絶縁膜２２８を介して光遮断膜２１６が位置しており、この光遮断膜２１６の上面には上部金属膜２０７が直接に積層されている。光遮断膜２１６は、上部金属膜２０７より低透光性かつ低反射性で導電性のＴｉからなり、50(nm)の膜厚に形成されている。上部金属膜２０７は、高反射性のアルミニウムで500(nm)の膜厚に形成されており、ここでは光遮断膜２１６と上部金属膜２０７とが、データ電極２０４をシールドする同一のパターンに形成されている。」
ウ．第１図の記載からみて、上部反射膜２０７及び光遮断膜２１６は、光を照射する方向からみて、下部遮光膜２０２及び光遮断膜２０２を覆い隠す様にその形状が決定されているものである。
　
　したがって、先願明細書には、以下のとおりの発明（以下「先願発明」という。）が開示されているものと認める。
「対向基板と、
　透明基板と、
　対向基板と透明基板の間に封入された封入液晶と
　透明基板側に設けられた個別電極と、
　個別電極にコンタクトホールを介して接続されたＴＦＴと、
　透明基板の上方かつＴＦＴの下方に設けられ、下側から斜め上方への迷光からゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向する中央部分とソース及びドレインを有する両端部分とからなるＴＦＴを遮光するパターンに形成されている下部遮光膜と、
　ＴＦＴの上方に設けられた光遮断膜２１６とを備え、
　光遮断膜２１６は、光を照射する方向からみて、下部遮光膜を覆い隠す様にその形状が決定されている透過液晶パネル」
　
５．対比・判断
　本願補正発明と先願発明とを対比する。
　先願発明における「対向基板及び透明基板」は、本願補正発明における「一対の基板」に相当する。
　先願発明における「封入液晶」は、本願補正発明における「電気光学物質」に相当する。
　先願発明における「個別電極」は、一対の基板の一方に形成された電極であるから、本願補正発明における「画素電極」に相当する。
　先願発明における「ＴＦＴ」は、画素電極に接続されたトランジスタであるから、本願補正発明における「薄膜トランジスタ」に相当する。
　先願発明における「ＴＦＴの中央部分」は、本願補正発明における「チャネル領域」に相当する。してみるに、先願発明における「下部遮光層」は、下側から斜め上方への迷光から中央部分を含むＴＦＴを遮光するものであって、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆うものであるのは明らかであるから、本願補正発明における「第１遮光層」に相当する。
　先願発明における「光遮断膜２１６」は、画素電極を備えた一方の基板において、薄膜トランジスタを介して第１遮光層と対峙して配置された光を吸収する層であるから、本願補正発明における「第１光吸収層」に相当する。
　先願発明における「光遮断膜２１６は、光を照射する方向からみて、下部遮光膜を覆い隠す様にその形状が決定されている」ことは、本願補正発明における「第１遮光層が前記第１光吸収層の内側の領域に形成されている」ことに相当する。
　以上のとおりであるから、本願補正発明は先願発明とその構成において一致する。
　
　したがって、本願補正発明は、先願発明と同一であり、かつ、先願発明の発明者は本願補正発明の発明者と同一ではなく、加えて、本願の出願時に本願の出願人は先願の出願人と同一ではないから、本願補正発明は特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　ゆえに、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件に適合していない。
　
６．補正却下の決定のむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、補正却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明に対する判断
１．本願発明
　平成１６年４月２６日付けの明細書に対する手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３１に係る発明は、平成１５年１２月２５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項で特定されたとおりのものであるところ、その請求項２０に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「一対の基板と、
　前記一対の基板間に配置された電気光学物質と、
　前記一対の基板の一方に設けられた画素電極と、
　前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタと前記一方の基板との間に配置され、少なくとも前記チャネル領域を覆う遮光層と、
　前記遮光層と前記薄膜トランジスタとの間に配置され、シリコン膜からなる光吸収層と
　を備えたことを特徴とする電気光学装置。」
　
２．引用文献
　本願の優先日前に頒布され、拒絶の理由に引用された特開平１０−２０６８８９号公報（以下「引用文献」という。）には、以下のとおりの事項が記載されている。
ア．【００４２】ないし【００４９】
「【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図面に基づいて説明する。図１は本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す断面図である。
【００４３】スイッチング素子を構成するアクティブ素子としてのＴＦＴは、概ね次のような構成である。ガラス等のアクティブマトリクス基板１上に、ＴＦＴが形成される箇所の下方に金属膜２及び黒色化された透明導電性膜による黒色層４からなる遮光膜５が形成される。その上に、ＳｉＯ２等の絶縁膜が堆積されベースコート膜６が形成される。
【００４４】遮光膜５の上方には、ベースコート膜６を介してシリコン薄膜からなるＴＦＴの活性層７が、一画素電極に対して一個のＴＦＴを構成するよう島状に所定の形状に形成され、活性層７上には、ＳｉＯ２等の絶縁膜が堆積されゲート絶縁膜８が形成される。このゲート絶縁膜８を介して、活性層７上にはＡｌ等の金属材料からなるゲート電極９が所定の形状に形成される。
【００４５】活性層７には、不純物イオンが注入されたソース領域及びドレイン領域１０と、ゲート電極９の下方の領域に不純物イオンが注入されていないチャネル領域１１が形成される。
【００４６】その後、全面に絶縁膜が堆積され層間絶縁膜１２が形成される。ソース領域及びドレイン領域１０の上方の層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜８には、コンタクトホール１３が開口され、Ａｌ等の金属材料からなるソース電極１４及びドレイン電極１５が形成され、ソース領域及びドレイン領域１０に接続される。
【００４７】この後、全面にＳｉＮxまたはアクリル樹脂等からなる透明な絶縁膜を堆積してパッシベーション膜１６を形成する。パッシベーション膜１６にコンタクトホール１７を開口して、ドレイン電極１５にＩＴＯ等の透明導電性薄膜からなる画素電極１８を電気的に接続する。
【００４８】対向側の基板は概ね次のような構成である。ガラス等の対向基板１９上に、金属膜２０及び黒色化された透明導電性膜による黒色層２１からなるブラックマトリクス２２が形成される。画素領域に対応するように赤色、青色及び緑色の各カラーフィルター層２３がストライプ状、デルタ状またはモザイク状に並置して設けられる。カラーフィルター層２３の上には、保護膜２４及びＩＴＯ等の透明導電性薄膜からなる対向電極２５が形成される。このようにして作成された対向基板との間に、液晶層２６が挾持され液晶表示装置が構成される。
【００４９】本発明によると、ＴＦＴの下方に設けられた遮光膜と、対向基板側に設けられたブラックマトリクスとを、金属膜及び黒色化された透明導電性膜からなる黒色層によって形成することにより、黒色層による反射率の低減と、その表面に形成された微細な凹凸による光の散乱による両方の効果によって、液晶表示装置の内部での反射を効果的に抑制することができる。」
　
　したがって、引用文献には、以下のとおりの発明（以下「引用発明」という。）が開示されているものと認める。
「対向基板と、
　アクティブマトリクス基板と、
　アクティブマトリクス基板上に設けられた金属膜及び該金属膜上に設けられた黒色層から成る遮光膜と、
　遮光膜の上方に設けられ、画素電極に電気的に接続されたＴＦＴと、
　アクティブマトリクス基板上に設けられた画素電極と、
　対向基板とアクティブマトリクス基板の間に配された液晶層と、
を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における「対向基板及びアクティブマトリクス基板」は、本願発明における「一対の基板」に相当する。してみるに、引用発明における「アクティブマトリクス基板」は、画素電極が設けられた基板であるから、本願発明における「一方の基板」に相当する。
　引用発明における「液晶」は、本願発明における「電気光学物質」に相当する。
　引用発明における「ＴＦＴ」は、画素電極に接続されたトランジスタであるから、本願発明における「薄膜トランジスタ」に相当する。
　引用発明における「金属膜」は、薄膜トランジスタと一方の基板の間に配置され、少なくとも薄膜トランジスタのチャネル領域を覆う構成であるから、本願発明における「遮光層」に相当する。
　引用発明における「黒色層」は、遮光層と薄膜トランジスタとの間に配置され、光を吸収して薄膜トランジスタに光が反射することを防止する構成であるから、本願発明における「光吸収層」と同様の機能を有する。
　
　したがって、両者は
「一対の基板と、
　前記一対の基板間に配置された電気光学物質と、
　前記一対の基板の一方に設けられた画素電極と、
　前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタと前記一方の基板との間に配置され、少なくとも前記チャネル領域を覆う遮光層と、
　前記遮光層と前記薄膜トランジスタとの間に配置された光吸収層と
　を備えたことを特徴とする電気光学装置。」
である点で一致し、
　本願発明における光吸収層はシリコン膜からなるのに対して、引用発明にはその旨の記載がない点で相違している。
　
　上記相違点について検討する。
　シリコン膜により光を吸収する層を形成し、液晶表示装置に用いることは、本願の優先日前に頒布され拒絶の理由で引用された特開平１０−９０７１６号公報及び特開平９−３１８９３５号公報に記載されている様に、当業者に周知慣用された技術事項にすぎない。
　この周知技術を引用発明に付加することにより、本願発明は当業者が容易に想到し得るものである。
　
４．むすび
　上記のとおりであるから、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。