Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月30日(2018.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間の第３の領域とを有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置し、前記第３の領域と重なるゲート電極と、を有するトランジスタを有し、
前記酸化物半導体上及びゲート電極上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に位置し、前記第１の領域と接する領域を有する第１の電極と、
前記第２の絶縁層上に位置し、前記第２の領域と接する領域を有する第２の電極と、を有し、
前記第３の領域は、前記第１の絶縁層と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記第２の絶縁層と接する部分を有し、
前記第１の領域において前記第２の絶縁層と接する部分の炭素濃度は、前記第３の領域において前記第１の絶縁層と接する部分の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第５の領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置し、前記第３の領域と重なるゲート電極と、を有するトランジスタを有し、
前記第１の領域上に接する第１の導電層と、
前記第２の領域上に接する第２の導電層と、
前記第１の導電層上、前記第２の導電層上及び前記ゲート電極上の第２の絶縁層と、を有し、
前記第４の領域は、前記第１の領域と前記第３の領域の間に位置し、
前記第５の領域は、前記第２の領域と前記第３の領域の間に位置し、
前記第１の絶縁層は、前記第３の領域と接する領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第４の領域と接する領域と、前記第５の領域と接する領域とを有し、
前記第４の領域の炭素濃度は、前記第３の領域の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、を有し、
前記第１の回路は、第１の端子と、第２の端子と、第３の端子とを有し、
前記第１の回路は、前記第３の端子に入力される信号に応じて、前記第１の端子と前記第２の端子との導通状態又は非導通状態を選択し、
前記第１の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位を供給し、
前記第２の回路は、第４の端子と、第５の端子と、第６の端子とを有し、
前記第２の回路は、前記第６の端子に入力されるデータ信号に応じて、前記第４の端子と前記第５の端子との導通状態又は非導通状態を選択し、
前記第４の端子は、前記第２の端子と電気的に接続され、
前記第３の回路は、第７の端子と、第８の端子と、第９の端子とを有し、
前記第３の回路は、前記第９の端子に入力される信号に応じて、前記第７の端子と前記第８の端子との導通状態又は非導通状態を選択し、
前記第７の端子は、前記第５の端子と電気的に接続され、
前記第８の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の配線は、第２の電位を供給し、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導通状態であるとき、前記第７の端子と前記第８の端子とは非導通状態であり、
前記第１の端子と前記第２の端子とが非導通状態であるとき、前記第７の端子と前記第８の端子とは導通状態であり、
前記第１の回路は、第１のチャネルがシリコンに形成される第１のトランジスタを有し、
前記第２の回路は、第２のチャネルがシリコンに形成される第２のトランジスタを有し、
前記第３の回路は、第３のチャネルが酸化物半導体に形成される第３のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３のトランジスタは、前記第１のトランジスタ又は前記第２のトランジスタの上方に設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、を有し、
前記第１の回路は、第１の端子と、第２の端子と、第３の端子とを有し、
前記第１の回路は、前記第３の端子に入力される信号に応じて、前記第１の端子と前記第２の端子との導通状態又は非導通状態を選択し、
前記第１の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位を供給し、
前記第２の回路は、第４の端子と、第５の端子と、第６の端子とを有し、
前記第２の回路は、前記第６の端子に入力されるデータ信号に応じて、前記第４の端子と前記第５の端子との導通状態又は非導通状態を選択し、
前記第４の端子は、前記第２の端子と電気的に接続され、
前記第３の回路は、第７の端子と、第８の端子と、第９の端子とを有し、
前記第３の回路は、前記第９の端子に入力される信号に応じて、前記第７の端子と前記第８の端子との導通状態又は非導通状態を選択し、
前記第７の端子は、前記第５の端子と電気的に接続され、
前記第８の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の配線は、第２の電位を供給し、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導通状態であるとき、前記第７の端子と前記第８の端子とは非導通状態であり、
前記第１の端子と前記第２の端子とが非導通状態であるとき、前記第７の端子と前記第８の端子とは導通状態であり、
前記第１の回路は、第１のチャネルがシリコンに形成される第１のトランジスタを有し、
前記第２の回路は、第２のチャネルが酸化物半導体に形成される第２のトランジスタを有し、
前記第３の回路は、第３のチャネルがシリコンに形成される第３のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタ又は前記第３のトランジスタの上方に設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、を有し、
前記第１の回路は、第１の端子と、第２の端子と、第３の端子とを有し、
前記第１の回路は、前記第３の端子に入力される信号に応じて、前記第１の端子と前記第２の端子との導通状態又は非導通状態を選択し、
前記第１の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位を供給し、
前記第２の回路は、第４の端子と、第５の端子と、第６の端子とを有し、
前記第２の回路は、前記第６の端子に入力されるデータ信号に応じて、前記第４の端子と前記第５の端子との導通状態又は非導通状態を選択し、
前記第４の端子は、前記第２の端子と電気的に接続され、
前記第３の回路は、第７の端子と、第８の端子と、第９の端子とを有し、
前記第３の回路は、前記第９の端子に入力される信号に応じて、前記第７の端子と前記第８の端子との導通状態又は非導通状態を選択し、
前記第７の端子は、前記第５の端子と電気的に接続され、
前記第８の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の配線は、第２の電位を供給し、
前記第１の端子と前記第２の端子とが導通状態であるとき、前記第７の端子と前記第８の端子とは非導通状態であり、
前記第１の端子と前記第２の端子とが非導通状態であるとき、前記第７の端子と前記第８の端子とは導通状態であり、
前記第１の回路は、第１のチャネルがシリコンに形成される第１のトランジスタを有し、
前記第２の回路は、第２のチャネルが酸化物半導体に形成される第２のトランジスタを有し、
前記第３の回路は、第３のチャネルが酸化物半導体に形成される第３のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２のトランジスタ又は前記第３のトランジスタは、前記第１のトランジスタの上方に設けられたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月24日(2018.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と互いに重なる第２の導電膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、水素を含む膜を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸化物絶縁膜を有し、
前記容量素子は、
下部電極と、
前記下部電極上の電極間絶縁膜と、
前記電極間絶縁膜上の上部電極と、を有し、
前記第１の導電膜と前記下部電極は、同一表面上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と互いに重なる第２の導電膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、水素を含む膜を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸化物絶縁膜を有し、
前記ゲート絶縁膜の端部が前記第２の導電膜より外側に位置し、
前記ゲート絶縁膜の端部の断面形状は湾曲し、
前記容量素子は、
下部電極と、
前記下部電極上の電極間絶縁膜と、
前記電極間絶縁膜上の上部電極と、を有し、
前記第１の導電膜と前記下部電極は、同一表面上に設けられ、
前記電極間絶縁膜の端部が前記上部電極より外側に位置し、
前記電極間絶縁膜の端部の断面形状は湾曲していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記水素を含む膜は、窒化シリコン膜を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物絶縁膜は、加熱により一部の酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、前記第１の領域を挟む一対の第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の導電膜と重なる領域を有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、不純物元素の濃度が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の領域より前記第２の領域の不純物元素の濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記不純物元素は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリコン、リンまたは塩素の中から選ばれるいずれか一つを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の領域は、前記第２の領域の膜厚より大きい領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月5日(2018.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、第１の電極活物質を有し、
前記第２の電極は、第２の電極活物質及び第３の電極活物質を有し、
前記第２の電極活物質の充放電効率は、前記第３の電極活物質の充放電効率とは異なる二次電池。
【請求項２】
第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、第１の電極活物質を有し、
前記第２の電極は、第２の電極活物質及び第３の電極活物質を有し、
前記第２の電極活物質は、前記第１の電極活物質の充放電効率よりも大きい充放電効率を有し、
前記第３の電極活物質は、前記第２の電極活物質の充放電効率よりも小さい充放電効率を有する二次電池。
【請求項３】
第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、第１の電極活物質を有し、
前記第２の電極は、第２の電極活物質及び第３の電極活物質を有し、
前記第２の電極活物質は、前記第１の電極活物質の充放電効率よりも大きい充放電効率を有し、
前記第３の電極活物質は、前記第２の電極活物質の充放電効率よりも小さい充放電効率を有し、
前記第２の電極活物質の充放電効率と前記第１の電極活物質の充放電効率との差と前記第２の電極活物質の容量との積は、前記第１の電極活物質の充放電効率と前記第３の電極活物質の充放電効率との差と前記第３の電極活物質の容量との積よりも大きく、
前記第２の電極活物質と前記第３の電極活物質との全体に対する前記第２の電極活物質の配合比は、前記第２の電極活物質と前記第３の電極活物質との全体に対する前記第３の電極活物質の配合比よりも小さい二次電池。
【請求項４】
第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、第１の電極活物質を有し、
前記第２の電極は、第２の電極活物質及び第３の電極活物質を有し、
前記第２の電極活物質は、前記第１の電極活物質の充放電効率よりも大きい充放電効率を有し、
前記第３の電極活物質は、前記第２の電極活物質の充放電効率よりも小さい充放電効率を有し、
前記第２の電極活物質の充放電効率と前記第１の電極活物質の充放電効率との差と前記第２の電極活物質の容量との積は、前記第１の電極活物質の充放電効率と前記第３の電極活物質の充放電効率との差と前記第３の電極活物質の容量との積よりも小さく、
前記第２の電極活物質と前記第３の電極活物質との全体に対する前記第２の電極活物質の配合比は、前記第２の電極活物質と前記第３の電極活物質との全体に対する前記第３の電極活物質の配合比よりも大きい二次電池。
【請求項５】
第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、第１の電極活物質を有し、
前記第２の電極は、第２の電極活物質及び第３の電極活物質を有し、
前記第２の電極活物質と前記第３の電極活物質との全体に対する前記第２の電極活物質の配合比は、下記数式（１）を満たす二次電池。
【数１】
2015181105.tif 000001
ただし、前記数式（１）において、Ｒ２は前記第２の電極活物質の配合比を示し、Ｅ１は前記第１の電極活物質の充放電効率を示し、Ｑ２は前記第２の電極活物質の容量を示し、Ｅ２は前記第２の電極活物質の充放電効率を示し、Ｑ３は前記第３の電極活物質の容量を示し、Ｅ３は前記第３の電極活物質の充放電効率を示す。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の電極は正極であり、
前記第２の電極は負極で二次電池。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の電極活物質は炭素を有する二次電池。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第３の電極活物質は珪素と酸素を有する二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月25日(2018.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変速機用の粉末金属構成部品であって、
実質的に平らな主要表面を画定する本体部分と、
焼結前の未焼結状態で前記本体部分に形成されている少なくとも３つの半径方向に互いに間隔が開けられた保持機構と、
を備え、
前記保持機構のそれぞれは、前記本体部分の前記主要表面に隣接した上部領域と、曲率半径を画定する下部領域と、の間を延びる成形構造を有する穴を備える、
粉末金属構成部品。
【請求項２】
請求項１に記載の粉末金属構成部品であって、
前記本体部分は円形であり、前記保持機構のそれぞれは、前記本体部分の半径と実質的に整列された縦軸線に沿って延びる長さ寸法と、前記長さ寸法よりも短い幅寸法とを画定する、
粉末金属構成部品。
【請求項３】
請求項１に記載の粉末金属構成部品であって、
前記穴のそれぞれは、２つの互いに対向する実質的に平行な側壁と、実質的にＵ字型の底部部分と、によって画定される、
粉末金属構成部品。
【請求項４】
請求項３に記載の粉末金属構成部品であって、
実質的にＵ字型の前記底部部分は、前記曲率半径によって画定されかつ２つの傾斜した底部壁を連結する中央領域を備える、
粉末金属構成部品。
【請求項５】
請求項４に記載の粉末金属構成部品であって、
前記２つの傾斜した底部壁は、約９０度の角度を画定するように働き合う、
粉末金属構成部品。
【請求項６】
請求項１に記載の粉末金属構成部品であって、
前記粉末金属構成部品は、自動変速機の遊星キャリアアセンブリ用のカバー部材である、
粉末金属構成部品。
【請求項７】
請求項６に記載の粉末金属構成部品であって、
前記カバー部材は、粉末金属カバープレートから特定の距離を延びる複数のカバー脚部を有する粉末金属カバープレートを備える、
粉末金属構成部品。
【請求項８】
請求項７に記載の粉末金属構成部品であって、
前記保持機構は、それぞれの前記カバー脚部に隣接して配置される、
粉末金属構成部品。
【請求項９】
請求項８に記載の粉末金属構成部品であって、
前記本体部分の低応力区域に配置され、等間隔に離間させられた４つのカバー脚部及び等間隔に離間させられた４つの保持機構を備える、
粉末金属構成部品。
【請求項１０】
請求項１に記載の粉末金属構成部品であって、
前記保持機構は、半径方向部材と共同回転運動するために、半径方向部材から鉤爪を受け入れるように整列させられ、かつ構成される、
粉末金属構成部品。
【請求項１１】
自動変速機の回転構成部品を整列させるための遊星キャリアサブアセンブリであって、
複数の鉤爪を備える半径方向部材と、
実質的に平らな主要表面と、前記半径方向部材と共同回転運動するために、前記半径方向部材から鉤爪を受け入れるように構成され、焼結前の未焼結状態において本体部分に形成された少なくとも３つの半径方向に離間させたられた保持機構と、を画定する本体部分を有する粉末金属構成部品と、
を備え、
前記保持機構のそれぞれは、２つの互いに対向する実質的に平行な側壁と、実質的にＵ字型の底部部分と、によって画定された成形構造を有する穴を備える、
遊星キャリアサブアセンブリ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の遊星キャリアサブアセンブリであって、
前記粉末金属構成部品は、カバープレートから延びる複数の一体的なカバー脚部を有するカバープレートを備える、単体のカバー部材である、
遊星キャリアサブアセンブリ。
【請求項１３】
請求項１１に記載の遊星キャリアサブアセンブリであって、
前記粉末金属構成部品は、前記本体部分の低応力区域に配置されて等間隔に離間させられた４つの保持機構を備える、
遊星キャリアサブアセンブリ。
【請求項１４】
請求項１１に記載の遊星キャリアサブアセンブリであって、
実質的にＵ字型の前記底部部分は、曲率半径によって画定されかつ２つの傾斜した底部壁を連結する中央領域を備える、
遊星キャリアサブアセンブリ。
【請求項１５】
請求項１１に記載の遊星キャリアサブアセンブリであって、
前記半径方向部材は、スラストワッシャ、又は、スラスト軸受用のレースを備える、
遊星キャリアサブアセンブリ。
【請求項１６】
複数のネットシェイプ成形保持機構を内部に有する粉末金属構成部品を形成するための方法であって、
粉末金属混合物をダイモールド金型に充填することと、
圧粉体の主要表面に画定された少なくとも３つの互いに離間させられた保持機構を含む圧粉体を成形するために、前記粉末金属混合物に対して圧力を加えることであって、前記保持機構のそれぞれが、２つの互いに対向する実質的に平行な側壁と、実質的にＵ字形の底部部分と、によって画定されている穴を備えていることと、
前記ダイモールド金型を開くこと、及び前記保持機構のそれぞれの縦軸線と整列した半径方向に前記圧粉体が膨張することを可能にすることによって、前記圧粉体と、前記ダイモールド金型から延びる突起との間の干渉を最小限にすることと、
前記粉末金属構成部品を形成するために前記圧粉体を焼結することと、
を含む方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
Ｕ字型の前記底部部分は、曲率半径を画定すると共に２つの傾斜した底部壁を連結する中央領域を備える、
方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
前記保持機構のそれぞれの縦軸線と整列した半径方向に前記圧粉体が膨張することを可能にすることは、前記ダイモールド金型の一部分が前記保持機構の前記底部壁と摺動可能に係合することを可能にすることを含む、
方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、
前記ダイモールド金型を開くことは、前記圧粉体に対して前記ダイモールド金型の一部分を上昇又は下降させることを含む、
方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載の方法の方法であって、
前記粉末金属混合物に対して圧力を加えるステップは、前記粉末金属構成部品の最終的な所望の形状に調整するために、前記ダイモールド金型の中に少なくとも１つの工具を挿入することを含む、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月27日(2018.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空調機とフレキホースとを接続するための空調設備用ドレン管の接続構造であって、
前記空調機側に接続される第１接続継手と、前記フレキホース側に接続される第２接続継手とを備え、
前記第１接続継手と前記第２接続継手とが着脱可能に設けられ、
前記第１接続継手と前記第２接続継手のいずれか一方に係止部が設けられ、他方に被係止部が設けられ、
前記被係止部は、係止突部を備え、
前記係止部は、延出部を備え、
前記第１接続継手と前記第２接続継手とが接続されたとき、前記係止突部の間に前記延出部が位置することを特徴とする空調設備用ドレン管の接続構造。
【請求項２】
前記延出部は、前記係止部の中心軸に向けて突出する突出部を有し、
前記係止突部は、その両端部に係止面を備え、
前記突出部が、前記被係止部の前記係止面の間に位置し、前記係止突部に係止されることを特徴とする請求項１に記載の空調設備用ドレン管の接続構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係る空調設備用ドレン管の接続構造では、空調機とフレキホースとを接続するための空調設備用ドレン管の接続構造であって、前記空調機側に接続される第１接続継手と、前記フレキホース側に接続される第２接続継手とを備え、前記第１接続継手と前記第２接続継手とが着脱可能に設けられ、前記第１接続継手と前記第２接続継手のいずれか一方に係止部が設けられ、他方に被係止部が設けられ、前記被係止部は、係止突部を備え、前記係止部は、延出部を備え、前記第１接続継手と前記第２接続継手とが接続されたとき、前記係止突部の間に前記延出部が位置することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明に係る空調設備用ドレン管の接続構造では、前記延出部は、前記係止部の中心軸に向けて突出する突出部を有し、前記係止突部は、その両端部に係止面を備え、前記突出部が、前記被係止部の前記係止面の間に位置し、前記係止突部に係止されることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月10日(2018.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、代表的な本発明は、供給される圧油で作動する油圧アクチュエータと、前記油圧アクチュエータからの戻り油を貯留するタンクと、前記油圧アクチュエータから排出された圧油を前記タンクに向けて流すための流量制御弁と、前記流量制御弁から前記タンクに向かって流れる圧油を蓄圧する蓄圧器と、を有する作業機械の油圧駆動装置において、前記油圧アクチュエータと前記蓄圧器との間に配置され、前記流量制御弁の前後差圧を一定に制御するための第一の圧力補償弁と、前記蓄圧器と前記タンクとの間に配置され、前記流量制御弁および前記第一の圧力補償弁を含めた前後差圧を一定に制御するための第二の圧力補償弁と、を備え、前記第一の圧力補償弁に設定された第一の目標差圧が、前記第二の圧力補償弁に設定された第二の目標差圧以下であることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
供給される圧油で作動する油圧アクチュエータと、前記油圧アクチュエータからの戻り油を貯留するタンクと、前記油圧アクチュエータから排出された圧油を前記タンクに向けて流すための流量制御弁と、前記流量制御弁から前記タンクに向かって流れる圧油を蓄圧する蓄圧器と、を有する作業機械の油圧駆動装置において、
前記油圧アクチュエータと前記蓄圧器との間に配置され、前記流量制御弁の前後差圧を一定に制御するための第一の圧力補償弁と、
前記蓄圧器と前記タンクとの間に配置され、前記流量制御弁および前記第一の圧力補償弁を含めた前後差圧を一定に制御するための第二の圧力補償弁と、を備え、
前記第一の圧力補償弁に設定された第一の目標差圧が、前記第二の圧力補償弁に設定された第二の目標差圧以下であることを特徴とする作業機械の油圧駆動装置。
【請求項２】
請求項１記載の作業機械の油圧駆動装置において、
前記第一の圧力補償弁は、前記流量制御弁より前記油圧アクチュエータから排出された圧油の流れの上流側に設けられ、
前記第二の圧力補償弁は、前記第一の圧力補償弁の上流圧と前記流量制御弁の下流圧との前後差圧を一定に制御することを特徴とする作業機械の油圧駆動装置。
【請求項３】
請求項２記載の作業機械の油圧駆動装置において、
前記第一の圧力補償弁に設定された第一の目標差圧と前記第二の圧力補償弁に設定された第二の目標差圧とが等しいことを特徴とする作業機械の油圧駆動装置。
【請求項４】
請求項１記載の作業機械の油圧駆動装置において、
前記第一の圧力補償弁は、前記流量制御弁より前記油圧アクチュエータから排出された圧油の流れの下流側に設けられ、
前記第二の圧力補償弁は、前記流量制御弁の上流圧と前記第一の圧力補償弁の下流圧との前後差圧を一定に制御することを特徴とする作業機械の油圧駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性部材により形成されたケースと、
非導電性部材により形成された文字板と、
指針と、
前記ケース内で且つ前記文字板の裏面側に配置され、前記指針を駆動するモーターと、
前記ケース内で且つ前記文字板の裏面側に配置され、衛星信号を受信するパッチアンテナと、
前記モーターに電力を供給する二次電池と、
前記モーターを制御する制御部が実装された回路基板と、
を有し、
前記パッチアンテナは、前記モーターと平面的に重ならない位置であり、且つ前記二次電池と平面的に重ならない位置に配置され、前記回路基板とは別体で構成されたアンテナ基板に積層される
ことを特徴とする電子時計。
【請求項２】
請求項１に記載の電子時計において、
前記二次電池は、少なくとも一部の前記モーターと平面的に重なる位置に配置される
ことを特徴とする電子時計。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子時計において、
前記回路基板は、前記二次電池の高さ方向の一部が挿通される切欠部を有する
ことを特徴とする電子時計。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電子時計において、
前記アンテナ基板の信号線は、前記回路基板に半田付けされている
ことを特徴とする電子時計。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電子時計において、
前記回路基板には、前記パッチアンテナで受信された衛星信号を処理する受信部が実装されている
ことを特徴とする電子時計。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月18日(2018.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニーマン・ピック病の治療のための療法を施される対象であるかどうかについて、前記対象に由来する試料を検査する方法であって、前記試料においてバイオマーカーの存在を検査することを含み、前記試料が前記バイオマーカーについて陽性であると判定された場合、前記対象が前記療法を施される対象であると決定される、方法。
【請求項２】
前記療法が、酵素補充療法、基質抑制療法、骨髄移植、シャペロン療法、遺伝子療法、DNA/RNAスキッピングの幹細胞移植、臍帯血移植、シクロデキストリン、コレステロール動員、神経ステロイド、クルクミンおよびMiglustatからなる群より選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記バイオマーカーが、遊離リゾスフィンゴミエリンおよびポジティブモードで509m/zから184m/zへのMRM移行として検出される分子量508である化合物509からなる群より選択される、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記試料が、血液、全血、乾燥血液フィルターカード上に収集された全血、血清および血漿からなる群より選択される、請求項１〜３のいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
前記バイオマーカーが、イムノアッセイ、質量分析、バイオチップアレイ、機能性核酸、および/または前記バイオマーカーの蛍光誘導体および/または少なくとも1種類のさらなるマーカーの蛍光誘導体によって検出される、請求項１〜４のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
SELDI、MALDI、MALDI-Q TOF、MS/MS、TOF-TOF、およびESI-O-TOFからなる群より選択される質量分析によって検出される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
ニーマン・ピック病が、ニーマン・ピック病A型およびB型、ニーマン・ピック病C型、ならびにニーマン・ピック病C型保因者を含む群より選択される、請求項１〜６のいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
検査が、前記試料中の前記バイオマーカーのレベルを、および/または前記試料中の少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーのレベルを、および/または前記対象に由来する前記試料中の前記バイオマーカーのレベル 対 少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーのレベルの比を、カットオフ値と比較する工程を含み、前記試料中のバイオマーカーのレベルまたは比がカットオフ値より高い場合、前記試料が陽性であると判定される、請求項１〜７のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
前記バイオマーカーが遊離リゾスフィンゴミエリンであり、かつ前記バイオマーカーのレベルがカットオフ値6.5ng/mlより高い場合、前記試料がニーマン・ピック病C型保因者について陽性であると判定される、または
前記バイオマーカーが遊離リゾスフィンゴミエリンであり、かつ前記バイオマーカーのレベルがカットオフ値9.23ng/mlより高い場合、前記試料がニーマン・ピック病C型について陽性であると判定される、または
前記バイオマーカーが遊離リゾスフィンゴミエリンであり、かつ前記バイオマーカーのレベルがカットオフ値59ng/mlより高い場合、前記試料がニーマン・ピック病A型および/もしくはB型について陽性であると判定される、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記バイオマーカーが遊離リゾスフィンゴミエリンであり、かつ前記少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーが化合物５０９である、請求項８または９記載の方法であって、
前記少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーのレベルが0.031ng/mlより低いか、または0.031ng/mlと同じである場合、前記試料がニーマン・ピック病について陽性ではないと判定される、
前記少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーのレベルが0.031ng/mlより高い場合、前記試料がニーマン・ピック病について陽性であると判定される、
前記少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーのレベルが0.031ng/mlより高く、かつ1.7ng/mlより低いか、または1.7ng/mlと同じである場合、前記試料がニーマン・ピック病C型保因者について陽性であると判定される、
前記少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーのレベルが1.7ng/mlより高い場合、前記試料がニーマン・ピック病A型および/もしくはB型ならびに/またはニーマン・ピック病C型について陽性であると判定される、
前記少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーのレベルが1.7ng/mlより高く、かつ前記少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーのレベル 対 前記バイオマーカーのレベルの比が0.045より大きい場合、前記試料がニーマン・ピック病A型および/またはB型について陽性であると判定される、
前記少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーのレベルが1.7ng/mlより高く、かつ前記少なくとも1種類のさらなるバイオマーカーのレベル 対 前記バイオマーカーのレベルの比が0.045より小さいか、または0.045と同じである場合、前記試料がニーマン・ピック病C型について陽性であると判定される、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月19日(2018.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
不吐出化とは、ノズルを強制的に使用禁止状態にする処理をいう。不吐出化されたノズルは液滴を吐出することができない状態となり、不吐出ノズルとなる。不吐出化は、吐出不能化、或いは、不使用化と言い換えることができる。不吐出化されたノズルについて不吐出補正が適用される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
一方で、不良ノズル補償位置では絶対にスジが発生しないと言い切ることは多くの場合できない。例えば、不良ノズル補償機能における近傍の補償ノズルの補正パラメータが適切でない場合、スジは視認されないレベルまで補正できず、結果スジが視認され得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
また、例えば、近傍の補償ノズル自身に突発的なノズル不良が発生するとやはりスジは視認される。よって、通常は不良ノズル補償位置に関してもスジ欠陥検査処理は実施されることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
ラインヘッド相対走査方向をＹ方向、ラインヘッド相対走査方向と直交する走査直交方向をＸ方向とした場合、スジはＸ方向にピーク状のプロファイルを有する信号になっている。また、スジはＹ方向にある程度の長さを有するため、Ｘ方向のピーク位置におけるＹ方向のプロファイルを観察するとピーク信号がスジの長さだけ続いていることになる。なお、厳密にはスジ位置は孤立点が離散的にＹ方向に連なっている場合もあり得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
また、欠陥有無判定工程（ステップＳ２４）にて、複数の位置で判定された欠陥及び非欠陥の判定データ群を基に、最終的な欠陥有無を統計的に判定する構成を採用した上で、更に、補償位置周辺では、統計判定処理に用いるデータ群を、より多く取得してロバスト性を向上させる方法もある。スジ欠陥の例では、例えば、補償位置周辺以外では、Ｙ方向に５ミリメートルごとに欠陥有無の判定を行った後に、連続する１５ミリメートル（つまり５ミリメートルごとに３つの判定結果が存在）の判定データの多数決を取って最終的な欠陥有無の判定を行う。一方、補償位置周辺では、Ｙ方向に５ミリメートルごとに欠陥有無の判定を行った後に、連続する２５ミリメートル（つまり５ミリメートルごとに５つの判定結果が存在）の判定データの多数決を取って最終的な欠陥有無の判定を行う、という方法がある。他にも、補償位置周辺では、Ｙ方向に１０ミリメートルごとに欠陥有無の判定を行った後に、連続する３０ミリメートル（つまり１０ミリメートルごとに３つの判定結果が存在）の判定データの多数決を取って最終的な欠陥有無の判定を行う、というように様々なバリエーションが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
図７における第２の信号強度決定工程（ステップＳ５０）は、図６のステップＳ２２として説明した信号強度決定工程の処理ステップの一態様であり、補償位置周辺以外の処理対象位置に対して適用する信号強度決定処理を行うステップである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
図７に示した第２の欠陥有無判定工程（ステップＳ５２）は、図６のステップＳ２４として説明した欠陥有無判定工程の処理ステップの一態様であり、補償位置周辺以外の処理対象位置に対して適用する欠陥有無判定処理を行うステップである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３２】
《記録媒体について》
「記録媒体」は、画像の記録に用いられる媒体である。記録媒体或いは媒体という用語は、用紙、記録用紙、印刷用紙、印刷媒体、印字媒体、被印刷媒体、画像形成媒体、被画像形成媒体、受像媒体、被吐出媒体など様々な用語で呼ばれるものの総称である。記録媒体の材質や形状等は、特に限定されず、シール用紙、樹脂シート、フィルム、布、不織布、その他材質や形状を問わず、様々なシート体を用いることができる。記録媒体は枚葉の媒体に限らず、連続紙などの連続媒体であってもよい。また、枚葉の記録媒体は、予め規定のサイズに整えられたカット紙に限らず、連続媒体から随時、規定のサイズに裁断して得られるものであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月26日(2018.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載の波長分散型蛍光Ｘ線分析装置において、
前記検出素子の配列方向において、測定対象の蛍光Ｘ線に対応する前記検出素子の領域であるピーク領域と、測定対象の蛍光Ｘ線のバックグラウンドに対応する前記検出素子の領域である複数のバックグラウンド領域とが設定される検出領域設定手段と、
前記一次元検出器が前記平行位置に設定された状態で、前記ピーク領域にある前記検出素子の検出強度を積算したピーク強度、前記バックグラウンド領域ごとに前記検出素子の検出強度を積算したバックグラウンド強度、および、あらかじめ入力されたバックグラウンド補正係数に基づいて、ネット強度として測定対象の蛍光Ｘ線の強度を算出して定量分析を行う定量手段とを備えた波長分散型蛍光Ｘ線分析装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明においては、前記検出素子の配列方向において、測定対象の蛍光Ｘ線に対応する前記検出素子の領域であるピーク領域と、測定対象の蛍光Ｘ線のバックグラウンドに対応する前記検出素子の領域である複数のバックグラウンド領域とが設定される検出領域設定手段と、前記一次元検出器が前記平行位置に設定された状態で、前記ピーク領域にある前記検出素子の検出強度を積算したピーク強度、前記バックグラウンド領域ごとに前記検出素子の検出強度を積算したバックグラウンド強度、および、あらかじめ入力されたバックグラウンド補正係数に基づいて、ネット強度として測定対象の蛍光Ｘ線の強度を算出して定量分析を行う定量手段とを備えるのが好ましい。この場合には、実際に発生しているバックグラウンド強度に比べて強度が低く測定されるバックグラウンドについて正しく補正するとともに、ピーク強度とバックグラウンド強度とを同時に測定するので、高速に正確なネット強度を求める高精度の定量分析ができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
表示された測定スペクトルに基づいて、操作者によって検出領域設定手段１６から、例えば、第１２３番から第１２９番の検出素子７がピーク領域ＰＡの蛍光Ｘ線強度測定用に、第１０６番から第１１２番の検出素子７が第１バックグラウンド領域ＢＡ１のバックグラウンド測定用に、第１４０番から第１４６番の検出素子７が第２バックグラウンド領域ＢＡ２のバックグラウンド測定用に、それぞれ設定される。これらの検出素子７の設定は、検出領域設定手段１６に記憶される。このように、表示された測定スペクトルに基づいて、最適なピーク領域ＰＡおよび最適なバックグラウンド領域ＢＡ１，ＢＡ２を設定することができる。なお、測定スペクトル表示手段１４を用いずに、例えば同型の他の波長分散型蛍光Ｘ線分析装置で得られた測定スペクトルに基づいて、検出領域設定手段１６からピーク領域ＰＡおよびバックグラウンド領域ＢＡ１，ＢＡ２を設定してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
Ｉｎｅｔ＝ＩＰ−ＩＢ      …（１）
ＩＢ＝ｋ（ＩＢ１＋ＩＢ２）      …（２）
Ｉｎｅｔ：測定対象の蛍光Ｘ線の算出されたネット強度
ＩＰ：ピーク領域にある検出素子（第１２３番から第１２９番の検出素子）の検出強度を積算したピーク強度
ＩＢ：ピーク領域のバックグラウンド強度
ＩＢ１：第１バックグラウンド領域にある検出素子（第１０６番から第１１２番の検出素子）の検出強度を積算したバックグラウンド強度
ＩＢ２：第２バックグラウンド領域にある検出素子（第１４０番から第１４６番の検出素子）の検出強度を積算したバックグラウンド強度
ｋ：バックグラウンド補正係数
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
バックグラウンド補正係数ｋは、ブランク試料Ｓを測定することにより、下記の式（３）に基づいて求められ、あらかじめ定量手段１７に入力されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
バックグラウンド補正係数ｋは、下記の式（４）の検量線式を用い回帰計算で検量線定数を求めるときに同時に求めてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月11日(2017.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクを製造するための装置であって、
弾性バンドを有するマスクアセンブリを移送するように構成された、マスクアセンブリ移送ユニットと、
前記弾性バンドに接続され着用者の顔に前記マスクを固定するフックを製造するためのシートを継続的に供給するように構成された、シート供給ユニットと、
設定された経路に沿って前記シートを移送するように構成された、シート移送ユニットと、
前記経路に配置され、前記シートにおいて連続的に接続されたフック形状部を形成するように構成された、打ち抜きユニットと、
前記シートから分離された前記フックと前記弾性バンドを連結するように構成された、連結ユニットと、
を含む装置。
【請求項２】
マスクを製造する方法であって、
弾性バンドに接続され着用者の顔に前記マスクを固定するフックを製造するために、シートが巻かれているシート供給ユニットから前記シートが移送され、さらに前記弾性バンドを含むマスクアセンブリが移送される、移送動作のステップと、
前記シート供給ユニットから供給される前記シートが、連続的に接続されたフック形状部を形成するために打ち抜かれる、打ち抜き動作のステップと、
前記フックを提供するために、前記シートの最前部に配置されている前記フック形状部が分離される、分離動作のステップと、
前記フックが前記弾性バンドと連結される、連結動作のステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月13日(2018.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面、ベース面及び前記研磨面に対して垂直な方向に前記研磨面から前記ベース面までで計測される平均厚さＴP-avgを有する研磨層と、
前記研磨層に組み込まれた終点検出ウィンドウと
を含み、前記研磨層が、
２〜１２重量％の未反応ＮＣＯ基を有する末端イソシアネート修飾ウレタンプレポリマーからなる群より選択される研磨層プレポリマーと、
１分子あたり少なくとも１個の窒素原子を有し、１分子あたり平均少なくとも３個のヒドロキシル基を有する研磨層アミン開始ポリオール硬化剤少なくとも５重量％、
２，５００〜１００，０００の数平均分子量ＭNを有し、１分子あたり平均３〜１０個のヒドロキシル基を有する研磨層高分子量ポリオール硬化剤２５〜９５重量％、及び
研磨層二官能硬化剤０〜７０重量％
を含む研磨層硬化剤系と
を含む成分の反応生成物を含み、
前記終点検出ウィンドウが、
２〜６．５重量％の未反応ＮＣＯ基を有する末端イソシアネート修飾ウレタンプレポリマーからなる群より選択されるウィンドウプレポリマーと、
ウィンドウ二官能硬化剤少なくとも５重量％、
１分子あたり少なくとも１個の窒素原子を有し、１分子あたり平均少なくとも３個のヒドロキシル基を有するウィンドウアミン開始ポリオール硬化剤少なくとも５重量％、及び
２，０００〜１００，０００の数平均分子量ＭNを有し、１分子あたり平均３〜１０個のヒドロキシル基を有するウィンドウ高分子量ポリオール硬化剤２５〜９０重量％
を含むウィンドウ硬化剤系と
を含む成分の反応生成物を含み、
前記研磨層が、≧０．６g/cm3の密度、５〜４０のショアーＤ硬さ、１００〜４５０％の破断点伸び及び２５〜１５０μm/hrの切削速度を示す、ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項２】
前記ウィンドウ硬化剤系が反応性水素部分濃度を有し、前記ウィンドウプレポリマーが未反応ＮＣＯ部分濃度を有し、前記反応性水素部分濃度を前記未反応ＮＣＯ部分濃度で割った比が０．７〜１．２である、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項３】
前記終点検出ウィンドウが、≧１g/cm3の密度、０．１容量％未満の気孔率、１０〜５０のショアーＤ硬さ、≦４００％の破断点伸び及び８００nmでのダブルパス透過率ＤＰＴ800３０〜１００％を示す、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項４】
前記研磨層硬化剤系が、
１分子あたり２個の窒素原子を有し、１分子あたり平均４個のヒドロキシル基を有し、２００〜４００の数平均分子量ＭNを有する研磨層アミン開始ポリオール硬化剤５〜２０重量％、
１０，０００〜１２，０００の数平均分子量ＭNを有し、１分子あたり平均６個のヒドロキシル基を有する研磨層高分子量ポリオール硬化剤５０〜７５重量％、及び
４，４′−メチレン−ビス−（２−クロロアニリン）（ＭＢＯＣＡ）、４，４′−メチレン−ビス−（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）（ＭＣＤＥＡ）及びそれらの異性体からなる群より選択されるジアミン硬化剤である研磨層二官能硬化剤１０〜３０重量％
を含有し、
前記研磨層硬化剤系が複数の反応性水素部分を有し、前記研磨層プレポリマーが複数の未反応ＮＣＯ部分を有し、
前記研磨層プレポリマー中の未反応イソシアネート部分に対する前記研磨層硬化剤系中の前記反応性水素部分のモル比が０．９５〜１．０５であり、
前記研磨層が、０．７５〜１．０g/cm3の密度、５〜２０のショアーＤ硬さ、１５０〜３００％の破断点伸び及び３０〜６０μm/hrの切削速度を示す、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月7日(2018.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のステップを有する、成形体（１）の製造方法。
ａ）フィルム層（１１）を提供するステップ、
ｂ）三次元印刷法により、樹脂成形化合物（１２）を所定の三次元形状で前記フィルム層（１１）上に適用するステップ。
【請求項２】
ステップｂ）において前記樹脂成形化合物（１２）が適用される、接着促進層を有するフィルム層（１１）が用いられること、を特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記接着促進層が、ステップｂ）において適用される前記樹脂成形化合物（１２）と同じ樹脂材料から成る、フィルム層（１１）が用いられること、を特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記接着促進層が、熱活性化接着剤を有する、フィルム層（１１）が用いられること、を特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項５】
前記接着促進層が、0.01 μmから50 μm、好ましくは5 μmから50 μmの層厚を有する、フィルム層（１１）が用いられること、を特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記フィルム層（１１）として、転写層（１１２）と該転写層から剥離可能なキャリア層（１１１）とを有する積層フィルム、または、転写フィルム、特に、ホットスタンプフィルムが用いられ、ステップｂ）において、前記樹脂成形化合物（１２）が前記転写層（１１２）に適用されること、を特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
少なくとも一つの加飾層を有するフィルム層（１１）が用いられ、該少なくとも一つの加飾層が、特に、少なくとも一つの着色材、色素、可視、赤外、または、紫外のスペクトル範囲で蛍光性及び／または発光性に励起可能な色素、光学可変色素を有する層、液晶層、コレルテリック液晶層、金属層、レリーフ層、特に、回折格子構造、ホログラム、マット構造を有する層、マイクロ光学構造、特に、マイクロレンズ及び／またはマイクロプリズムの配列を有する層、織物材料、皮革、人工皮革、または、べニア板で作られる層の一つまたはその組み合わせであり、または、層の一つまたはその組み合わせを含むこと、を特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
少なくとも一つの機能層を有するフィルム層（１１）が用いられ、該少なくとも一つの前記機能層が、特に、機械的な、及び／または、熱的な、及び／または、化学的な、保護層、及び／または、磁性の、及び／または、磁化可能な層、電気的なまたは電子的な層、特に、導電性トラック構造、アンテナ構造、電気部品または電子部品、センサー、誘導性または容量性タッチセンサー、チップ、表示エレメント、特にOLEDまたはLCD表示エレメントを含む層である、または、層を含むこと、を特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
特に所定の粗さを有する、及び／または、所定の触覚的に知覚可能な情報、好ましくは点字を有する、触覚的に知覚可能な表面レリーフを含む、フィルム層（１１）が用いられ
ること、を特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
ステップｂ）における前記樹脂成形化合物（１２）の適用後、三次元印刷法により、さらなる樹脂成形化合物が、前記フィルム層（１１）の、ステップｂ）において適用される
前記樹脂成形化合物（１２）から離れた側に、所定の三次元形状で適用されること、を特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂成形化合物（１２）の適用前に、前記フィルム層（１１）が、特に機械的クランプ手段及び／または真空固定手段により、所定の表面形状を有する支持エレメント（５
）上に固定されること、を特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂成形化合物（１２）の適用前に、前記フィルム層（１１）が、略30℃から略150℃の温度、好ましくは、略60℃から略100℃の温度に加熱されること、を特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記樹脂成形化合物（１２）の適用後に、前記成形体（１）が表面処理を受け、前記表面処理が、溶媒処理、及び／または、少なくとも部分的なコーティング、特にウェットラッカーコーティング、及び／または、転写フィルムの適用、を含むこと、を特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
特に請求項１から１３のいずれか１項に記載の製造方法により製造され、フィルム層（１１）と、三次元印刷法により所定の三次元形状で前記フィルム層（１１）上に適用される樹脂成形化合物（１２）とを含む、成形体（１）。
【請求項１５】
前記樹脂成形化合物（１２）が、異なる光学特性を有する樹脂を複数含み、それらにより、特に視覚的に認知可能な情報が表わされ、前記視覚的に認知可能な情報が、特に、少なくとも一つの英数字、シンボル、ロゴ、幾何学的パターン、特にギロシェパターン、画素イメージ、及び／または、個人化情報である、または、含み、前記異なる光学特性を有する樹脂の少なくとも一つが、特に、着色剤、色素、ナノ粒子、光学可変色素、サーモクロミックまたはフォトクロミック性の物質を含み、該着色剤または色素が、紫外、可視、または、赤外のスペクトル範囲で検出可能であり、及び／または、それらのスペクトル範囲で蛍光性または発光性に励起可能であること、を特徴とする請求項１４に記載の成形体（１）。