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　平成　５年特許願第２６３３７４号「薄膜トランジスター用合成石英ウエーハとその研摩・洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　５月１２日出願公開、特開平　７−１２０７８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年１０月２１日に出願された特許出願であって、原審において、平成１４年４月１６日付で拒絶理由が通知され、同年６月１４日に手続補正がなされたところ、同年７月２３日付で拒絶査定がなされ、これに対し同年８月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項２】　合成石英製ウエーハを酸化セリウム研磨材で鏡面加工後、熱濃硫酸で浸漬処理してなることを特徴とする薄膜トランジスター用合成石英ウエーハの研磨・洗浄方法」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５８−１６４２６７号公報（以下、「引用例１」という。）には、
　　
（ア）「本発明は石英板あるいはソーダガラス、ホウケイ酸ガラス等の透明基板上に形成される多結晶シリコン、あるいはアモルファスシリコンの薄膜シリコントランジスターに関するものである。」（１頁右下欄２〜５行）、
　　
（イ）「・・・従来の一般的な薄膜シリコントランジスターの製法は透明基板が石英板あるいはガラス等の絶縁基板を用いることからトランジスター形成用の薄膜シリコンを基板主面に直接形成していた。
　しかしながらこれら透明基板表面は表面研磨に使用されるアルミナ粉末あるいは酸化セリウム等の研磨材が研磨キズ等の表面凹凸部に付着しており・・・透明基板表面を一般的な洗浄をほどこしても前記汚染物等を完全に除去せしめることは不可能である。このため透明基板上に薄膜シリコントランジスタを形成する際に加わる幾多の熱処理過程においてこれら不純物が薄膜シリコン内に浸入しＴＦＴ特性に悪影響を及ぼしＯＮ電流の低下あるいはＯＦＦ電流の異状な増加等初期歩留りの低下は勿論長期信頼性の面でも問題となる。
・・・そこで本発明はかかる従来の欠点を除去し信頼性の高い薄膜トランジスタの製造を可能ならしむるものであり・・・」（２頁右上欄１行〜同頁左下欄４行）、
　　
（ウ）「実施例１・・・先ず、透明基板（ソーダガラスを使用）７を充分洗浄した後表面をフッ酸の希釈液にて約１０００Å除去する。」（２頁左下欄６〜１２行）、
　　
（エ）「なお上記ソーダガラス基板の他ホウケイ酸ガラスあるいは他の透明ガラス基板上についても実施例１と同様の方法にて薄膜シリコントランジスタ（多結晶シリコン及びアモルファスシリコントランジスタ）を形成した場合でもやはり同様の特性安定化の確認が得られている。」（２頁右下欄１９行〜３頁左上欄４行）、
　　
（オ）「以上の如く本発明は透明基板を用いて形成される薄膜シリコントランジスターの製造に関し先ず透明基板表面に固着しているアルミナあるいは酸化セリウム等の研磨材や研磨時に用いられる接着材等をフッ酸の希釈液にてエッチング除去するため基板表面の汚れが後工程にてトランジスター内部に浸入することを防止している・・・」（３頁右下欄１〜７行）と記載されている。
　　
　これら（ア）〜（オ）の記載によれば、引用例１には、
「石英基板を酸化セリウム研磨材で表面研磨後、フッ酸の希釈液にて表面をエッチング除去する薄膜トランジスター用石英基板の研磨・洗浄方法」
との事項が開示されていると認めることができる。（以下、「引用例１発明」という。）
　　
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５８−１１５０４４号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
（カ）「本発明の目的は・・・比較的大きい付着物はもちろん、ミクロンオーダの小さい付着物まで、また無機的な汚れから有機的な汚れまで完全に除去することのできるガラスの洗浄方法を提供するにある。」（２頁右上欄２〜６行）
　　
（キ）「本発明では、まず、ガラスマスクを熱濃硫酸に浸漬する・・・この場合、熱濃硫酸の温度を５０〜１１０℃、浸漬時間を５〜１５分程度とした場合に、良い洗浄結果が得られた。」（２頁右上欄１３〜１６行）
　　
（ク）「・・・本発明では、ガラスマスク表面に付着した有機物および無機物の汚れを、まず最初に、酸で洗浄することによって、除去するようにしたので、表面に静電気を発生することがなくなり、したがって、空気中の浮遊物（塵埃など）が付着することは完全に防止される。」（２頁左下欄２０行〜同頁右下欄５行）
　　
３．対比
　そこで、本願発明と、引用例１発明とを、以下に比較する。
　引用例１発明の「石英基板」は、石英が合成されたものであるか否かに拘わらず石英製の基板全般を指すものと解されるから、本願発明の「合成石英製ウエーハ」に相当し、以下同様に「酸化セリウム研磨材」は、「酸化セリウム研磨材」に、「酸化セリウム研磨材で表面研磨」は、「酸化セリウム研磨材で鏡面加工」に、「薄膜トランジスター用石英基板の研磨・洗浄方法」は、「薄膜トランジスター用合成石英ウエーハの研磨・洗浄方法」に相当し、引用例１発明の「表面研磨後、フッ酸の希釈液にて表面をエッチング除去する」と、本願発明の「鏡面加工後、熱濃硫酸で浸漬処理してなる」は、洗浄の具体的な方法こそ異なるもののウエーハを鏡面加工（研磨）後、洗浄することで一致するから、
　両者は、
「合成石英製ウエーハを酸化セリウム研磨材で鏡面加工後、洗浄してなることを特徴とする薄膜トランジスター用合成石英ウエーハの研磨・洗浄方法」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本願発明の洗浄方法は、「熱濃硫酸で浸漬処理してなる」に対して、引用例１発明の洗浄方法は、「フッ酸の希釈液にて表面をエッチング除去する」であって、処理液などが異なる点。
　　
４．判断
　上記引用例２には、ガラスを熱濃硫酸で浸漬処理してなるガラスの洗浄方法が記載されている（上記摘記事項（カ）〜（ク）を参照）。
　そこで、上記引用例２に記載されたガラスの洗浄方法が、引用例１発明に適用することが容易であるかについて以下に検討する。
　シリコン基板を、処理プロセスの前ないしは後に、熱濃硫酸に浸漬して洗浄することは、当該技術分野において本件出願以前から良く知られており（例えば、特開昭５７−１８０１３２号公報、特開昭６１−１０５８４７号公報等参照。）、いわば当該技術分野において周知技術であるといえる。
　また、上記周知技術は、シリコン基板に適用した例に関するが、上記引用例２には係る洗浄方法をガラスに適用した例も記載されており、これらの例示を併せ考えれば、合成石英ウエーハの洗浄に当該周知技術を適用するについて、これを阻害するような特段の事由が存在するともいえない。
　したがって、上記相違点は、引用例１，２に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たこという外はなく、また、本願発明の作用効果も、引用例１，２に記載された発明及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　　
　なお、請求人は、請求理由において、
「引用例２に記載された発明は、本願発明のように、酸化セリウムを除去するために、熱濃硫酸で浸漬処理するということは全く想定していない。」（審判請求書【請求の理由】６頁５〜７行）旨主張している。
　しかしながら、引用例２のみならず、上記周知技術にあるように、ウエハなどの基板の汚物を除去するために熱濃硫酸で浸漬処理することが、良く知られた技術なのであるから、除去する汚物がナノオーダーの酸化セリウムであるか否かに拘わらず、当該周知技術を適用することに関し特段の困難性があるとはいえないから、請求人の主張は採用しない。
　
　なお、請求人は、平成１４年１１月２９日に提出した審判請求書【請求の理由】において、本件につき原査定が維持されるようであれば、事前に審判官との面談を希望する旨申し出ている。
　しかしながら、審理結果如何によって、審判合議体から面談を申し出ることは審理結果を事前に通知することになり、法律の想定するところではない。
　また、このような申し出を受けることは、審判請求時に、原審における全ての拒絶理由を解消するように十分に検討して請求の理由ないしは補正書を提出する他の審判請求人に比べ、公平さを欠くことになる。
　よって、上記申し出のような審理結果を前提とした面談は、受けることができない。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。