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【手続補正書】
【提出日】平成30年5月23日(2018.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
小児の胆汁うっ滞性肝疾患を処置するための薬剤の製造における、頂端側ナトリウム依存性胆汁酸輸送体阻害剤（ＡＳＢＴＩ）またはその薬学的に許容可能な塩の使用であって、ＡＳＢＴＩは以下である、使用。
【化１】
2018030854.tif 000001
【請求項２】
小児の胆汁うっ滞性肝疾患に苦しむ小児患者のそう痔症を処置するための薬剤の製造における、頂端側ナトリウム依存性胆汁酸輸送体阻害剤（ＡＳＢＴＩ）またはその薬学的に許容可能な塩の使用であって、ＡＳＢＴＩは以下である、使用。
【化２】
2018030854.tif 000002
【請求項３】
小児の胆汁うっ滞性肝疾患に苦しむ小児患者の小児の高胆汁血症を処置するための薬剤の製造における、頂端側ナトリウム依存性胆汁酸輸送体阻害剤（ＡＳＢＴＩ）またはその薬学的に許容可能な塩の使用であって、ＡＳＢＴＩは以下である、使用。
【化３】
2018030854.tif 000003
【請求項４】
小児の胆汁うっ滞性肝疾患に苦しむ小児患者の血清胆汁酸または肝胆汁酸のレベルを減少させるための薬剤の製造における、頂端側ナトリウム依存性胆汁酸輸送体阻害剤（ＡＳＢＴＩ）またはその薬学的に許容可能な塩の使用であって、ＡＳＢＴＩは以下である、使用。
【化４】
2018030854.tif 000004
【請求項５】
ＡＳＢＴＩは、ＡＳＢＴＩの投与前の胆汁酸のレベルと比較して、小児患者の血清胆汁酸または肝胆汁酸のレベルを少なくとも２０％減少させる、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の使用。
【請求項６】
ＡＳＢＴＩは、黄色腫、血清リポタンパク質Ｘ、肝酵素、ビリルビン、腸内の胆汁酸／塩、または肝細胞の構造に対する壊死および／または損傷を減少させる、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
ＡＳＢＴＩは、小児の剤形である、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の使用。
【請求項８】
小児の剤形は、溶液、シロップ、懸濁液、エリキシル剤、懸濁液または溶液としての再構成のための粉末剤、分散性／発泡性の錠剤、咀嚼錠、グミキャンディー、ロリポップ、フリーザーポップ、トローチ、経口の熨斗、口腔内崩壊錠、小袋、軟ゼラチンカプセル剤、および散布する経口用粉末剤または果粒剤から選択される、請求項７に記載の使用。
【請求項９】
ＡＳＢＴＩの投与量は、１０μｇ／ｋｇ／日と３００μｇ／ｋｇ／日の間である、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１０】
ＡＳＢＴＩの投与量は、１４μｇ／ｋｇ／日から２８０μｇ／ｋｇ／日までの任意の投与量である、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１１】
ＡＳＢＴＩの投与量は、１４μｇ／ｋｇ／日から１４０μｇ／ｋｇ／日までの任意の投与量である、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１２】
投与量は、０．１ｍｇから２０ｍｇの間のＡＳＢＴＩを包含する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１３】
小児の胆汁うっ滞性肝疾患は、進行性家族性肝内胆汁うっ滞症（ＰＦＩＣ）、ＰＦＩＣ１型、ＰＦＩＣ２型、ＰＦＩＣ３型、アラジール症候群（ＡＬＧＳ）、デュビン‐ジョンソン症候群、胆道閉鎖症、Ｋａｓａｉ手術後の胆道閉鎖症、肝移植後の胆道閉鎖症、肝移植後の胆汁うっ滞症、肝移植後に関連する肝疾患、腸不全に関連する肝疾患、胆汁酸媒介性の肝臓損傷、小児の原発性硬化性胆管炎、ＭＲＰ２脱落症候群、新生児の硬化性胆管炎、小児の閉塞性胆汁うっ滞症、小児の非閉塞性胆汁うっ滞症、小児の肝外胆汁うっ滞症、小児の肝内胆汁うっ滞症、小児の一次性肝内胆汁うっ滞症、小児の第２の肝内胆汁うっ滞症、良性の再発性肝内胆汁うっ滞症（ＢＲＩＣ）、ＢＲＩＣ１型、ＢＲＩＣ２型、ＢＲＩＣ３型、非経口完全栄養に関連する胆汁うっ滞症、腫瘍随伴性の胆汁うっ滞症、シュタウファー症候群、薬物に関連する胆汁うっ滞症、感染に関連する胆汁うっ滞症、あるいは胆石症である、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１４】
小児の胆汁うっ滞性肝疾患は、進行性家族性肝内胆汁うっ滞症（ＰＦＩＣ）である、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１５】
進行性家族性肝内胆汁うっ滞症（ＰＦＩＣ）は、ＰＦＩＣ１型、ＰＦＩＣ２型、またはＰＦＩＣ３型である、請求項１４に記載の使用。
【請求項１６】
小児の胆汁うっ滞性肝疾患は、アラジール症候群（ＡＬＧＳ）である、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１７】
小児の胆汁うっ滞性肝疾患は、黄疸、そう痒症、肝硬変症、高胆汁血症、新生児呼吸窮迫症候群、肺炎、胆汁酸の増加した血清濃度、胆汁酸の増加した肝臓濃度、ビリルビンの増加した血清濃度、肝細胞損傷、肝臓瘢痕化、肝不全、肝肥大、黄色腫、吸収不良、脾腫、下痢、膵臓炎、肝細胞の壊死、巨大細胞形成、肝細胞癌、胃腸出血、門脈圧亢進症、難聴、疲労、食欲不振、食欲低下、妙な匂い、暗色尿、軽度の便通、脂肪便症、成長障害、および腎不全から選択される１つ以上の症状によって特徴付けられる、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１８】
小児患者は、６か月から１２歳の間である、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１９】
薬剤は、胆汁酸の捕捉剤または結合剤をさらに含む、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項２０】
ＡＳＢＴＩは、ＡＳＢＴＩの投与前の胆汁酸のレベルと比較して、小児患者の血清および／または肝胆汁酸のレベルを少なくとも３０％低下させるのに有効である、請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の使用。
【請求項２１】
ＡＳＢＴＩは、ＡＳＢＴＩの投与前の胆汁酸のレベルと比較して、小児患者の血清および／または肝胆汁酸のレベルを少なくとも４０％低下させるのに有効である、請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の使用。
【請求項２２】
ＡＳＢＴＩは、ＡＳＢＴＩの投与前の胆汁酸のレベルと比較して、小児患者の血清および／または肝胆汁酸のレベルを少なくとも５０％低下させるのに有効である、請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月28日(2018.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ型肝炎、Ｂ型肝炎、Ｃ型肝炎、非アルコール性脂肪性肝炎（ＮＡＳＨ）、非アルコール性脂肪肝疾患（ＮＡＦＬＤ）、血色素症、ウィルソン病、虚血性肝炎、肝炎、肝繊維症、および慢性肝疾患から選択される肝疾患の処置のための薬剤の製造における、頂端側ナトリウム依存性胆汁輸送体阻害剤（ＡＳＢＴＩ）またはその薬学的に許容可能な塩またはその溶媒和物の使用であって、
ＡＳＢＴＩは、以下（（２Ｒ，３Ｒ，４Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−４−ベンジルオキシ−６−｛３−［３−（（３Ｓ，４Ｒ，５Ｒ）−３−ブチル−７−ジメチルアミノ−３−エチル−４−ヒドロキシ−１，１−ジオキソ−２，３，４，５−テトラヒドロ−１Ｈ−ベンゾ［ｂ］チエピン−５−イル）−フェニル］−ウレイド｝−３，５−ジヒドロキシ−テトラヒドロ−ピラン−２−イルメチル）硫酸水素塩）である、使用。
【化１】
2018030855.tif 000001
【請求項２】
ＡＳＢＴＩは、以下（カリウム（（２Ｒ，３Ｒ，４Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−４−ベンジルオキシ−６−｛３−［３−（（３Ｓ，４Ｒ，５Ｒ）−３−ブチル−７−ジメチルアミノ−３−エチル−４−ヒドロキシ−１，１−ジオキソ−２，３，４，５−テトラヒドロ−１Ｈ−ベンゾ［ｂ］チエピン−５−イル）−フェニル］−ウレイド｝−３，５−ジヒドロキシ−テトラヒドロ−ピラン−２−イルメチル）硫酸エタノラート（ｅｔｈａｎｏｌａｔｅ）水化物）である、請求項１に記載の使用。
【化２】
2018030855.tif 000002
【請求項３】
ＡＳＢＴＩの１０％未満が全身的に吸収される、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
ＡＳＢＴＩは食事の摂取前に投与され、随意に、ＡＳＢＴＩは食事の摂取の約６０分よりも前に、または、約３０分よりも前に、投与される、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】
ＡＳＢＴＩは経口で投与される、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の使用。
【請求項６】
胆汁酸捕捉剤または結合剤をさらに含む、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
肝疾患は、非アルコール性脂肪性肝炎（ＮＡＳＨ）である、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の使用。
【請求項８】
肝疾患は、非アルコール性脂肪肝疾患（ＮＡＦＬＤ）である、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の使用。
【請求項９】
ＡＳＢＴＩは、ＡＳＢＴＩの投与前のレベルと比較して、個体の血清または肝胆汁酸のレベルを少なくとも約３０％減少させる、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１０】
ＡＳＢＴＩは、ＡＳＢＴＩの投与前のレベルと比較して、個体の血清または肝胆汁酸のレベルを少なくとも約４０％減少させる、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１１】
ＡＳＢＴＩは、ＡＳＢＴＩの投与前のレベルと比較して、個体の血清または肝胆汁酸のレベルを少なくとも約５０％減少させる、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１２】
肝疾患の処置に使用するための組成物であって、
処置は、最小限に吸収される頂端側ナトリウム依存性胆汁輸送体阻害剤（ＡＳＢＴＩ）またはその薬学的に許容可能な塩またはその溶媒和物を含む治療上有効な量の組成物を必要とする個体に投与することを含み、
肝疾患は、Ａ型肝炎、Ｂ型肝炎、Ｃ型肝炎、非アルコール性脂肪性肝炎（ＮＡＳＨ）、非アルコール性脂肪肝疾患（ＮＡＦＬＤ）、血色素症、ウィルソン病、虚血性肝炎、肝炎、肝繊維症、または慢性肝疾患であり、
ＡＳＢＴＩは、以下（（２Ｒ，３Ｒ，４Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−４−ベンジルオキシ−６−｛３−［３−（（３Ｓ，４Ｒ，５Ｒ）−３−ブチル−７−ジメチルアミノ−３−エチル−４−ヒドロキシ−１，１−ジオキソ−２，３，４，５−テトラヒドロ−１Ｈ−ベンゾ［ｂ］チエピン−５−イル）−フェニル］−ウレイド｝−３，５−ジヒドロキシ−テトラヒドロ−ピラン−２−イルメチル）硫酸水素塩）である、組成物。
【化３】
2018030855.tif 000003
【請求項１３】
ＡＳＢＴＩは、以下（カリウム（（２Ｒ，３Ｒ，４Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−４−ベンジルオキシ−６−｛３−［３−（（３Ｓ，４Ｒ，５Ｒ）−３−ブチル−７−ジメチルアミノ−３−エチル−４−ヒドロキシ−１，１−ジオキソ−２，３，４，５−テトラヒドロ−１Ｈ−ベンゾ［ｂ］チエピン−５−イル）−フェニル］−ウレイド｝−３，５−ジヒドロキシ−テトラヒドロ−ピラン−２−イルメチル）硫酸エタノラート（ｅｔｈａｎｏｌａｔｅ）水化物）である、請求項１２に記載の組成物。
【化４】
2018030855.tif 000004
【請求項１４】
ＡＳＢＴＩの１０％未満が全身的に吸収される、請求項１２または１３に記載の組成物。
【請求項１５】
ＡＳＢＴＩは食事の摂取前に投与され、随意に、ＡＳＢＴＩは食事の摂取の約６０分よりも前に、または、約３０分よりも前に、投与される、請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１６】
ＡＳＢＴＩは経口で投与される、請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１７】
個体は、ウルソジオールに反応しない、請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１８】
胆汁酸捕捉剤または結合剤をさらに含む、請求項１２乃至１７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１９】
肝疾患は、非アルコール性脂肪性肝炎（ＮＡＳＨ）である、請求項１２乃至１８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２０】
肝疾患は、非アルコール性脂肪肝疾患（ＮＡＦＬＤ）である、請求項１２乃至１８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２１】
ＡＳＢＴＩは、ＡＳＢＴＩの投与前のレベルと比較して、個体の血清または肝胆汁酸のレベルを少なくとも約３０％減少させる、請求項１２乃至２０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２２】
ＡＳＢＴＩは、ＡＳＢＴＩの投与前のレベルと比較して、個体の血清または肝胆汁酸のレベルを少なくとも約４０％減少させる、請求項１２乃至２１のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２３】
ＡＳＢＴＩは、ＡＳＢＴＩの投与前のレベルと比較して、個体の血清または肝胆汁酸のレベルを少なくとも約５０％減少させる、請求項１２乃至２２のいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月25日(2018.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
健常なヒト対象における認知の改善、気分の改善、学習の改善、緊張の低減、不安の低減、精神的疲労の低減、行動の修正、又はそれらの任意の組合せのための製剤であって、前記製剤が有効成分として、単離・精製したアセチル化マンノースの栄養有効量と、ガラクトース、グルコース、マンノース、キシロース、Ｎ−アセチルノイラミン酸、フコース、Ｎ−アセチルガラクトサミン、Ｎ−アセチルグルコサミン、アラビノース、グルクロン酸、ガラクツロン酸、イズロン酸及びアラビノガラクタンから選択される、少なくとも５種の単離・精製したサッカライドの栄養有効量とを含み、前記製剤が血中グルコースレベルの上昇を引き起こさず、
認知の改善、気分の改善、学習の改善、緊張の低減、不安の低減、精神的疲労の低減、行動の修正、又はそれらの任意の組合せに充分な量の、栄養有効量の前記製剤を前記健常なヒト対象に投与するステップと
前記製剤が吸収されるように所定の時間待つステップと、
前記時間の経過後に前記健常なヒト対象において認知の改善、気分の改善、学習の改善、緊張の低減、不安の低減、精神的疲労の低減、行動の修正、又はそれらの任意の組合せを得るステップ
を含む方法において使用される、前記製剤。
【請求項２】
経口投与のために適合されている、請求項１に記載の製剤。
【請求項３】
粉末であるか、液体中に溶解されているか、カプセル化されているか、又はそれらの任意の組合せである、請求項１又は２に記載の製剤。
【請求項４】
製剤の投与前に健常なヒト対象において認知、記憶、気分、緊張若しくは不安のレベル又はそれらの任意の組合せを評価するための１又は２以上の試験を実施して、前記健常なヒト対象のベースラインレベル又は試験前レベルを決定するステップと、
前記製剤の投与後の１又は２以上の特定の時点で前記健常なヒト対象において前記認知、記憶、気分、緊張若しくは不安のレベル又はそれらの任意の組合せを評価するための１又は２以上の試験を実施して、前記健常なヒト対象の試験後レベルを決定するステップと、
前記ベースラインレベルと前記試験後レベルを比較して、前記健常なヒト対象における前記製剤の投与の継続、終了又は修正を決定するステップと
をさらに含む方法に用いられる、請求項１〜３のいずれかに記載の製剤。
【請求項５】
方法が、製剤の投与前及び投与後に血中グルコースレベルを測定するステップをさらに含む、請求項１に記載の製剤。
【請求項６】
１種若しくは２種以上の薬剤、ビタミン、他の栄養補給剤又はそれらの任意の組合せをさらに含む、請求項１に記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月20日(2018.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の群から選択される化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化１】
2018030858.tif 000001
【請求項２】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化２】
2018030858.tif 000002
【請求項３】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化３】
2018030858.tif 000003
【請求項４】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化４】
2018030858.tif 000004
【請求項５】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化５】
2018030858.tif 000005
【請求項６】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化６】
2018030858.tif 000006
【請求項７】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化７】
2018030858.tif 000007
【請求項８】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化８】
2018030858.tif 000008
【請求項９】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化９】
2018030858.tif 000009
【請求項１０】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化１０】
2018030858.tif 000010
【請求項１１】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化１１】
2018030858.tif 000011
【請求項１２】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化１２】
2018030858.tif 000012
【請求項１３】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化１３】
2018030858.tif 000013
【請求項１４】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化１４】
2018030858.tif 000014
【請求項１５】
化合物が以下である、請求項１に記載の化合物もしくはその塩、又はその立体異性体：
【化１５】
2018030858.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月18日(2018.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酢酸生成物の製造のための連続方法であって、
（ａ）メタノール、ジメチルエーテル、及び酢酸メチルからなる群から選択される少なくとも１つを、反応器内において、４重量％未満の水、ロジウム触媒、ヨウ化メチル、及びヨウ化リチウムの存在下で一酸化炭素で連続的にカルボニル化して、反応媒体を形成する、ここで、該カルボニル化は、１５０〜２５０℃の温度、０．３〜２気圧の水素分圧、及び該反応媒体の重量を基準として１００〜３０００ｗｐｐｍのロジウム触媒濃度において行われる；
（ｂ）少なくとも一部の該反応媒体を分離して、酢酸を含む蒸気オーバーヘッド流、及び揮発性がより低い触媒相を与え；
（ｃ）該蒸気オーバーヘッド流を蒸留して、精製酢酸生成物、並びにヨウ化メチル、水、酢酸、酢酸メチル、及びアセトアルデヒドを含む第１のオーバーヘッド流を生成させ；
（ｄ）該第１のオーバーヘッド流の少なくとも一部を蒸留してアセトアルデヒドを除去し；
（ｅ）該精製酢酸生成物を蒸留して、酢酸生成物を含む塔底流を得る；
ことを含む方法であり、ここで、該酢酸生成物中の酢酸ブチル濃度が１０ｗｐｐｍ以下に維持されており、そして、該酢酸生成物が２５０ｗｐｐｍのプロピオン酸を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、該反応媒体が１５００ｗｐｐｍ未満のアセトアルデヒドを含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、該水が０．１〜３．５重量％で存在する方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、該反応媒体が４００〜１５００ｗｐｐｍのロジウム触媒を含む方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、該水素分圧が０．３〜１．５気圧である方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、該水素分圧が０．４〜１．５気圧である方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、該メタノールが１〜１５０ｗｐｐｍのエタノールを含むメタノール供給源で該反応器中に導入される方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、該第１のオーバーヘッド流を凝縮し及び二相分離して、軽質液相及び重質液相を形成することを更に含み、ここで、工程（ｄ）において蒸留される該第１のオーバーヘッド流の少なくとも一部が該軽質液相を含む方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、該第１のオーバーヘッド流を凝縮し及び二相分離して、軽質液相及び重質液相を形成することを更に含み、ここで、工程（ｄ）において蒸留される該第１のオーバーヘッド流の少なくとも一部が該重質液相を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ＶＩＩ．実施例：
[0060]本発明は、下記の非限定的な実施例を考慮するとより良好に理解される。
実施例１：
[0061]次のようにして最終酢酸生成物を調製した。反応媒体は、１０．８重量％のヨウ化メチル、２．５重量％の酢酸メチル、４．１重量％の水、６５７ｗｐｐｍのロジウム、及び８．４重量％のヨウ化リチウムを含んでいた。反応温度は１９１．８℃であった。水素分圧は０．４６気圧であった。反応媒体をフラッシングし、次に、本明細書に記載するように軽質留分カラム、ＰＲＳ、及び乾燥カラム内で分離した。最終酢酸生成物中の酢酸ブチルの濃度を時間と共に測定した。結果を図３に示す。酢酸ブチル濃度は、最終酢酸生成物中において一貫して８ｗｐｐｍより低かった。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月28日(2018.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中間転写部材の上に、水、カチオン性デンプン、保水剤および界面活性剤を含む濡れ性を高めるコーティングを与えるステップと、
前記濡れ性を高めるコーティングを、厚みが０．０５ミクロン〜５ミクロンの膜になるまで乾燥させるステップと、
インク液滴を放出し、前記膜の上にインクジェット画像を作成するステップと、
前記インクジェット画像および前記膜を記録媒体に転写するステップと、
を含む、転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項２】
前記カチオン性デンプンは、アミロペクチンのヒドロキシル基が正に帯電した部分に置換されたアミロペクチンを９０重量％より多く含む、請求項１に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項３】
前記アミロペクチンは、
【化１】
2015178272.tif 000001
によってあらわされ、式中、（Ｃ６Ｈ１２Ｏ６）ｍ単位について、１２〜３０個のα−１，４結合ごとに１個のα−１，６結合が存在し、ｍは、１２〜３０に等しい、請求項２に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項４】
前記アミロペクチンが有する置換された正に帯電した部分は、
【化２】
2015178272.tif 000002
によってあらわされ、式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、水素、アルキル、アリールおよびアルキルアリールである、請求項２に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項５】
前記正に帯電した部分に置換されたカチオン性デンプン中の窒素量は、０．１％〜０．６％である、請求項４に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項６】
前記濡れ性を高めるコーティングにおける前記保水剤が、グリセロール、ソルビトールおよびグリコールからなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項７】
前記濡れ性を高めるコーティングにおける前記保水剤の量は、乾燥した前記濡れ性を高めるコーティングの１重量％〜８重量％である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項８】
前記濡れ性を高めるコーティングは、０．１重量％〜２重量％の量の殺生物剤をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項９】
前記中間転写部材が、１６〜３０ｍＮ／ｍの表面エネルギーを有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項１０】
前記界面活性剤が、アニオン系界面活性剤、非イオン系界面活性剤およびカチオン系界面活性剤からなる群から選択され、
前記界面活性剤の量は、乾燥した前記濡れ性を高めるコーティングの０．０１重量％〜２．０重量％である、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項１１】
前記濡れ性を高めるコーティングの粘度は、室温で、固体重量％が１０％で５００ｃｐ未満である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項１２】
前記保水剤の前記カチオン性デンプンに対する重量比が１：１〜５：１である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の転写固定インクジェット印刷方法。
【請求項１３】
転写部材と；前記転写部材に隣接し、転写部材の上に濡れ性を高めるコーティングを与え、この濡れ性を高めるコーティングが、水、カチオン性デンプン、保水剤および界面活性剤を含む、濡れ性を高めるコーティングステーションと；濡れ性を高めるコーティングを乾燥させるために前記転写部材に隣接し、転写部材の上に膜を形成する乾燥ステーションと；前記転写部材に隣接し、前記膜に水性インク液滴を放出する印刷ヘッドと；前記転写部材に隣接し、前記印刷ヘッドの下流に配置され、転写部材とともに転写固定爪を形成する転写固定ロールを有する、転写固定ステーションと；記録媒体を転写固定爪に移動し、インク画像および膜を記録媒体に転写する輸送デバイスとを備える、インクジェットプリンタ。
【請求項１４】
カチオン性デンプンは、アミロペクチンのヒドロキシル基が正に帯電した部分に置換されたアミロペクチンを９０重量％より多く含む、請求項１３に記載のインクジェットプリンタ。
【請求項１５】
前記アミロペクチンは、
【化３】
2015178272.tif 000003
によってあらわされ、式中、（Ｃ６Ｈ１２Ｏ６）ｍ単位について、１２〜３０個のα−１，４結合ごとに１個のα−１，６結合が存在し、ｍは、１２〜３０に等しい、請求項１４に記載のインクジェットプリンタ。
【請求項１６】
前記アミロペクチンが有する置換された正に帯電した部分は、
【化４】
2015178272.tif 000004
によってあらわされ、式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、水素、アルキル、アリールおよびアルキルアリールである、請求項１５に記載のインクジェットプリンタ。
【請求項１７】
前記正に帯電した部分に置換されたカチオン性デンプン中の窒素量は、０．１％〜０．６％である、請求項１６に記載のインクジェットプリンタ。
【請求項１８】
前記置換された正に帯電した部分を有するアミロペクチンは、
【化５】
2015178272.tif 000005
によってあらわされる、請求項１３に記載のインクジェットプリンタ。
【請求項１９】
転写部材と；前記転写部材に隣接し、転写部材の上に濡れ性を高めるコーティングを与え、この濡れ性を高めるコーティングが、水、カチオン性デンプン、保水剤および界面活性剤を含み、カチオン性デンプンが、アミロペクチンのヒドロキシル基が正に帯電した部分に置換されたアミロペクチンを９０重量％より多く含む、濡れ性を高めるコーティングステーションと；濡れ性を高めるコーティングを乾燥させるために前記転写部材に隣接し、転写部材の上に膜を形成する乾燥ステーションと；前記転写部材に隣接し、前記膜に水性インク液滴を放出する印刷ヘッドと；前記転写部材に隣接し、前記印刷ヘッドの下流に配置され、転写部材とともに転写固定爪を形成する転写固定ロールを有する、転写固定ステーションと；記録媒体を転写固定爪に移動し、インク画像および膜を記録媒体に転写する輸送デバイスとを備える、インクジェットプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】転写固定インクジェット印刷方法およびインクジェットプリンタ
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月6日(2018.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティング方法であって、
基材の上に液体コーティング組成物を作成することと、
前記液体コーティング組成物を８０℃〜約１５０℃の範囲の温度で硬化させることによって、硬化したコーティングを作成することとを含み、
前記液体コーティング組成物は、
約１０〜約２５ｍｏｌ％のジフェニルシロキサン繰り返し単位および約５０ｍｏｌ％より多いジアルキルシロキサン繰り返し単位を含む、末端がシラノールのコポリマーと、
少なくとも１つのクロスリンカーと、
前記液体コーティング組成物の約０．１重量％〜約５重量％含まれ、チタネート、ジルコネートおよびスズからなる群の少なくとも１つから選択される触媒とを含み、
前記末端がシラノールのシロキサンコポリマーは、
【化１】
2015178617.tif 000001
によってあらわされ、式中、Ｒは、約１〜３０個の炭素原子を含む直鎖、分枝鎖または環状の飽和または不飽和のアルキル基であり、ｓおよびｔは、前記末端がシラノールのコポリマーが約１０〜約２５ｍｏｌ％の前記ジフェニルシロキサン繰り返し単位および約５０ｍｏｌ％より多い前記ジアルキルシロキサン繰り返し単位を含むように選択される整数であり、ｓは、約１〜約５００の範囲であり、ｔは、約１〜約３００の範囲であり、
前記少なくとも１つのクロスリンカーは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、および１つ以上の末端がトリアルコキシシリルのポリマーを含む、コーティング方法。
【請求項２】
前記硬化したコーティングを研磨し、前記硬化したコーティングの上側表面よりも親水性が高い部分を露出させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのクロスリンカーは、末端がトリアルコキシシランのポリジアルキルシロキサンをさらに含み、前記末端がトリアルコキシシランのポリジアルキルシロキサンは、
【化２】
2015178617.tif 000002
によってあらわされ、式中、Ｒは、約１〜３０個の炭素原子を含む直鎖、分枝鎖または環状の飽和または不飽和のアルキル基であり、Ｒ’は、水素原子、または約１〜３０個の炭素原子を含む直鎖、分枝鎖または環状の飽和または不飽和のアルキル基であり、ｎは、約０〜約５０であり、ｑは、約１〜約５００である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ以上の末端がトリアルコキシシリルのポリマーは、式ＩまたはＩＩ
【化３】
2015178617.tif 000003
によってあらわされ、式中、
Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は、Ｃ１〜Ｃ６アルキル架橋基を含むリンカー基であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８およびＸ９は、独立して、ヒドロキシル、反応性アルコキシド官能基および非反応性脂肪族官能基からなる群から選択され；
Ｒ１およびＲ２は、独立して、（ａ）直鎖、分枝鎖または環状の飽和または不飽和のアルキル基、（ｂ）ペルフッ素化直鎖、分枝鎖または環状炭素鎖、（ｃ）１つ以上のジアルキルシロキサン単位を含む基、（ｄ）場合により１つ以上のアミド部分、カルボニル部分、カルボン酸エステル部分またはアミン部分を含む、置換または非置換のポリエーテル基、および（ｅ）場合により飽和炭化水素鎖部分を含むポリアミン基からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記１つ以上の末端がトリアルコキシシリルのポリマーは、第１の末端がトリアルコキシシリルのポリマー、第２の末端がトリアルコキシシリルのポリマー、および第３の末端がトリアルコキシシリルのポリマーのうち少なくとも１つを含み、前記第１、前記第２、および前記第３の末端がトリアルコキシシリルのポリマーは、それぞれ異なる構造を有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
コーティング方法であって、
基材の上に液体コーティング組成物を作成することと、
前記液体コーティング組成物を８０℃〜約１５０℃の範囲の温度で硬化させることによって、硬化したコーティングを作成することとを含み、
前記液体コーティング組成物は、
約１０〜約２５ｍｏｌ％のジフェニルシロキサン繰り返し単位および約５０ｍｏｌ％より多いジアルキルシロキサン繰り返し単位を含む、末端がシラノールのコポリマーと、
少なくとも１つのクロスリンカーと、
前記液体コーティング組成物の約０．１重量％〜約５重量％含まれ、チタネート、ジルコネートおよびスズからなる群の少なくとも１つから選択される触媒とを含み、
前記末端がシラノールのシロキサンコポリマーは、
【化４】
2015178617.tif 000004
によってあらわされ、式中、Ｒは、約１〜３０個の炭素原子を含む直鎖、分枝鎖または環状の飽和または不飽和のアルキル基であり、ｓおよびｔは、前記末端がシラノールのコポリマーが約１０〜約２５ｍｏｌ％の前記ジフェニルシロキサン繰り返し単位および約５０ｍｏｌ％より多い前記ジアルキルシロキサン繰り返し単位を含むように選択される整数であり、ｓは、約１〜約５００の範囲であり、ｔは、約１〜約３００の範囲であり、
前記少なくとも１つのクロスリンカーは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、末端がトリアルコキシシランのポリジアルキルシロキサンおよび１つ以上の末端がトリアルコキシシリルのポリマーからなる群から選択される少なくとも１つを含み、
前記１つ以上の末端がトリアルコキシシリルのポリマーは、式ＩまたはＩＩ
【化５】
2015178617.tif 000005
によってあらわされ、式中、
Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は、Ｃ１〜Ｃ６アルキル架橋基を含むリンカー基であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８およびＸ９は、独立して、ヒドロキシル、反応性アルコキシド官能基および非反応性脂肪族官能基からなる群から選択され；
Ｒ１およびＲ２は、独立して、（ａ）直鎖、分枝鎖または環状の飽和または不飽和のアルキル基、（ｂ）ペルフッ素化直鎖、分枝鎖または環状炭素鎖、（ｃ）１つ以上のジアルキルシロキサン単位を含む基、（ｄ）場合により１つ以上のアミド部分、カルボニル部分、カルボン酸エステル部分またはアミン部分を含む、置換または非置換のポリエーテル基、および（ｅ）場合により飽和炭化水素鎖部分を含むポリアミン基からなる群から選択され、
前記少なくとも１つのクロスリンカーは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、第１の末端がトリアルコキシシリルのポリマー、第２の末端がトリアルコキシシリルのポリマー、第３の末端がトリアルコキシシリルのポリマー、第４の末端がトリアルコキシシリルのポリマー、第５の末端がトリアルコキシシリルのポリマー、および第６の末端がトリアルコキシシリルのポリマーのうち少なくとも１つとを含み、前記第１、前記第２、前記第３、前記第４、前記第５、および前記第６の末端がトリアルコキシシリルのポリマーは、それぞれ異なる構造を有する、コーティング方法。
【請求項７】
前記液体コーティング組成物は、少なくとも１種類の溶媒をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月25日(2018.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱分離体であって、
その第１の位置から反対側の第２の位置までの長さに沿って延在する空間領域内に剛性熱分離セクションを備え、
前記剛性熱分離セクションは、前記第１の位置から前記第２の位置まで延在する蛇行中実壁の熱伝導経路を含んでおり、
前記蛇行中実壁の熱伝導経路は、前記空間領域の前記長さに比べて長く、
前記蛇行中実壁の熱伝導経路は、順行セクションと、該順行セクションに対する逆行セクションと、を含み、
前記順行セクションおよび前記逆行セクションが、前記第１の位置の基準開始点から前記第２の位置の基準終了点までの経路に関しての後方転換を提供し、
前記剛性熱分離セクションの周りに延在するスリーブをさらに備え、前記スリーブは、前記剛性熱分離セクションの片側から前記長さに亘って少なくとも部分的に延在する、熱分離体。
【請求項２】
熱分離体であって、
その第１の位置から反対側の第２の位置までの長さに沿って延在する空間領域内に剛性熱分離セクションを備え、
前記剛性熱分離セクションは、前記第１の位置から前記第２の位置まで延在する蛇行中実壁の熱伝導経路を含んでおり、
前記蛇行中実壁の熱伝導経路は、前記空間領域の前記長さに比べて長く、
前記蛇行中実壁の熱伝導経路は、順行セクションと、該順行セクションに対する逆行セクションと、を含み、
前記順行セクションおよび前記逆行セクションが、前記第１の位置の基準開始点から前記第２の位置の基準終了点までの経路に関しての後方転換を提供し、
前記剛性熱分離セクションの周りに前記長さに亘って部分的に延在するスリーブをさらに備え、前記スリーブは、前記剛性熱分離セクションの一方の側の連結ベース部から、前記剛性熱分離セクションの前記一方の側から遠位の自由端へと延在する、熱分離体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月4日(2018.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の接着層と、ＩＩＩ‐Ｖ族の材料又はゲルマニウム（Ｇｅ）のいずれかから構築される第１の基板とを備える第１のサブアセンブリ；並びに
第２のサブアセンブリ
を備える半導体デバイスであって、前記第２のサブアセンブリは：
Ｇｅから構築された第２の基板；及び
前記第１の接着層に直接接着される第２の接着層
を備え、前記第１の接着層及び前記第２の接着層は互いに格子不整合し、かつ
前記第１の接着層は前記第１の基板に対して格子不整合するか、前記第２の接着層は前記第２の基板に対して格子不整合するうちの少なくとも１つが選択される、半導体デバイス。
【請求項２】
前記第２の接着層は前記第２の基板に対して格子不整合する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
緩衝層が前記第２の基板上でエピタキシャル成長される、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記第２の基板はアクティブＧｅサブセルを含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第２のサブアセンブリは、前記第２の基板に対して格子不整合する半導体の層を含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記第１の接着層は前記第１の基板に対して格子不整合する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記第１のサブアセンブリは、前記第１の基板に対して格子整合する第１の半導体の層を含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１のサブアセンブリは、前記第１の半導体の層の上でエピタキシャル成長される緩衝層を含む、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記第１のサブアセンブリは、前記第１の基板に対して格子不整合する第２の半導体の層を含む、請求項８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記第２の半導体の層は、前記緩衝層の上でエピタキシャル成長される、請求項９に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記第１のサブアセンブリ及び前記第２のサブアセンブリのうちの少なくとも１つは、光起電装置及び太陽電池のうちの１つを含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
半導体デバイスを作る方法であって：
第１の接着層と、ＩＩＩ‐Ｖ族の材料又はゲルマニウム（Ｇｅ）のいずれかから構築される第１の基板とを備える第１のサブアセンブリを提供すること；
Ｇｅから構築された第２の基板及び第２の接着層を備える第２のサブアセンブリを提供すること；
前記第１の接着層及び前記第２の接着層を直接に接着することであって、前記第１の接着層及び前記第２の接着層は互いに格子不整合する、接着すること；及び
前記第１の接着層を前記第１の基板に対して格子不整合させるか、前記第２の接着層を前記第２の基板に対して格子不整合させるうちの少なくとも１つを選択すること
を含む、方法。
【請求項１３】
前記第２の接着層を前記第２の基板に対して格子不整合させることを選択すること、及び前記第２の基板上で緩衝層をエピタキシャル成長させることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記緩衝層の上で前記第２の接着層をエピタキシャル成長させることを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ドーパントを前記第２の基板の層の中に拡散することによって、前記第２の基板の範囲内にアクティブＧｅサブセルを生成させることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のサブアセンブリの前記第１の基板の上で第１の半導体の層をエピタキシャル成長させることを含み、前記第１の半導体の層は前記第１の基板に対して格子整合する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の半導体の層の上で緩衝層をエピタキシャル成長させることを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記緩衝層の上で第２の半導体の層をエピタキシャル成長させることを含み、前記第２の半導体の層は前記第１の基板に対して格子不整合し、かつ前記第１の接着層は前記第１の基板に対して格子不整合する、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月12日(2018.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体と、
前記半導体上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記半導体と接する領域を有するソース電極と、
前記半導体と接する領域を有するドレイン電極と、を有するトランジスタであって、
前記半導体は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ソース電極と接する第２の領域と、前記ドレイン電極と接する第３の領域と、を有し、
前記トランジスタのチャネル幅方向における前記第１の領域の側面は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向し、
前記半導体は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ソース領域と重ならない第４の領域を有し、
前記半導体は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ドレイン領域と重ならない第５の領域を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記酸化物半導体と接する領域を有するソース電極と、
前記酸化物半導体と接する領域を有するドレイン電極と、を有するトランジスタであって、
前記酸化物半導体は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ソース電極と接する第２の領域と、前記ドレイン電極と接する第３の領域と、を有し、
前記トランジスタのチャネル幅方向における前記第１の領域の側面は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向し、
前記酸化物半導体は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ソース領域と重ならない第４の領域を有し、
前記酸化物半導体は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ドレイン領域と重ならない第５の領域を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記酸化物半導体と接する領域を有するソース電極と、
前記酸化物半導体と接する領域を有するドレイン電極と、を有するトランジスタであって、
前記酸化物半導体は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ソース電極と接する第２の領域と、前記ドレイン電極と接する第３の領域と、を有し、
前記トランジスタのチャネル幅方向における前記第１の領域の側面は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向し、
前記酸化物半導体は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ソース領域と重ならない第４の領域を有し、
前記酸化物半導体は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に、前記ゲート電極と重ならず且つ前記ドレイン領域と重ならない第５の領域を有し、
前記酸化物半導体が、インジウムおよび酸素を有することを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月15日(2017.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１の電極を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の電極と、第３の電極と、第４の電極とを有し、
前記第１の電極は、前記第３の電極または前記第４の電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、前記第３の電極および前記第４の電極上に第１の半導体を有し、前記第１の半導体上に第２の半導体を有し、前記第２の半導体上に第３の半導体を有し、前記第３の半導体の上に、絶縁層を介して前記第２の電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の半導体の側面が、前記第２の電極で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の電極と、開口部を有する第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の半導体と、第２の半導体と、第３の半導体と、第２の電極と、第３の電極と、を有する半導体装置であって、
前記第１の電極上に、前記開口部が重畳して前記第１の絶縁層を有し、
前記開口部を覆って前記第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層上に、前記第１の半導体を有し、
前記第１の半導体上に前記第２の電極および前記第３の電極を有し、
前記第１の半導体、前記第２の電極、および前記第３の電極上に前記第２の半導体を有し、
前記第２の半導体上に前記第３の半導体を有し、
前記第２の半導体は、前記第３の半導体に覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の電極と、開口部を有する第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の半導体と、第２の半導体と、第３の半導体と、第２の電極と、第３の電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第４の電極と、第４の半導体と、を有し、
前記第１のトランジスタは、前記第１の電極上に、前記開口部が重畳して前記第１の絶縁層を有し、
前記開口部を覆って前記第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層上に、前記第１の半導体を有し、
前記第１の半導体上に前記第２の電極および前記第３の電極を有し、
前記第１の半導体、前記第２の電極、および前記第３の電極上に前記第２の半導体を有し、
前記第２の半導体上に前記第３の半導体を有し、
前記第２の半導体は、前記第３の半導体に覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第４の半導体は、結晶性を有する半導体基板の一部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第２の半導体の側面は、前記第３の半導体と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の半導体と、前記第２の半導体と、前記第３の半導体とは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月4日(2018.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の論理回路と、第２の論理回路と、プログラマブルスイッチと、を有し、
前記プログラマブルスイッチは、第１の回路と、第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第１のトランジスタと、を有し、
前記第２の回路は、第３のスイッチと、第４のスイッチと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のスイッチを介して第１の配線に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のスイッチを介して前記第１の配線に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のスイッチを介して第３の配線に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のスイッチを介して前記第３の配線に電気的に接続されており、
前記第２の配線には、前記第１の論理回路から出力される信号に応じた電位が供給され、
前記第３の配線の電位に応じた信号が、前記第２の論理回路に入力される情報処理装置。
【請求項２】
第１の論理回路と、第２の論理回路と、プログラマブルスイッチと、を有し、
前記プログラマブルスイッチは、第１の回路と、第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第１のトランジスタと、を有し、
前記第２の回路は、第３のスイッチと、第４のスイッチと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のスイッチを介して第１の配線に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のスイッチを介して前記第１の配線に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のスイッチを介して第２の配線に電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のスイッチを介して前記第２の配線に電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線に電気的に接続されており、
前記第２の配線には、前記第１の論理回路から出力される信号に応じた電位が供給され、
前記第３の配線の電位に応じた信号が、前記第２の論理回路に入力される情報処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のスイッチが有するトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有し、
前記第３のスイッチが有するトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有する情報処理装置。