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【手続補正書】
【提出日】平成30年10月19日(2018.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向した状態で離間して配置された一対の対向フレームと、前記一対の対向フレームの間に配置され、着座者からの荷重を受ける支持部材と、前記支持部材に対し着座者側とは反対側に配置された送風装置と、一端部が前記送風装置に接続されたダクトと、を備え、
前記ダクトの他端部は、前記支持部材の左右方向の中央に対し左または右に偏った位置から前記支持部材の着座者側に突出していることを特徴とする乗物用シート。
【請求項２】
前記送風装置は、前記支持部材の左右方向の中央に対し左右方向の前記ダクトの他端部が位置する側に偏って配置されていることを特徴とする請求項１に記載の乗物用シート。
【請求項３】
前記支持部材は、板状であり、前記ダクトが通ることが可能な貫通孔を有し、
前記貫通孔は、左右方向に並んで２つ設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の乗物用シート。
【請求項４】
前記一対の対向フレームは、シートクッションのフレームを構成する左右のサイドフレームであり、
前記シートクッションのフレームは、前記左右のサイドフレームの前部同士を連結するパイプ状のフロントフレームおよび板状のパンフレームを有し、
前記支持部材は、前記フロントフレームに取り付けられていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の乗物用シート。
【請求項５】
前記支持部材は、前記ダクトが通ることが可能な貫通孔が形成されたベース部と、前記ベース部から左右方向外側に延びる支持部とを有し、
前記貫通孔は、左右方向に直交する方向において前記支持部と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の乗物用シート。
【請求項６】
前記支持部材に取り付けられた着座センサを備え、
前記支持部材は、板状であり、前記ダクトが通ることが可能な貫通孔を有し、
前記貫通孔は、前記着座センサの取り付け部分を避けるように配置されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の乗物用シート。
【請求項７】
前記着座センサは、左右方向に直交する方向において前記貫通孔と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の乗物用シート。
【請求項８】
前記貫通孔は、左右方向に並んで２つ設けられており、
前記着座センサは、２つの前記貫通孔の間に配置されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の乗物用シート。
【請求項９】
前記支持部材の着座者側とは反対側を通る複数のハーネスを備え、
前記複数のハーネスは、前記送風装置および前記ダクトを避けるように配置されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の乗物用シート。
【請求項１０】
着座者側の面に形成された通気孔と、前記通気孔に連通する通気路とを有するパッド材を備え、
前記ダクトの他端部は、前記通気路に接続されていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の乗物用シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は、着座者からの荷重を送風装置にかかりにくくすることができる乗物用シートを提供することを目的とする。
また、送風装置の取付自由度を向上させることを目的とする。
また、シート内のスペースを有効に利用することを目的とする。
また、送風装置の動作に伴う振動や雑音を低減することを目的とする。
また、着座者に伝わる送風装置の動作音を低減することを目的とする。
また、送風装置の取付剛性を向上させることを目的とする。
また、シートをコンパクト化することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記した目的を達成するための乗物用シートは、対向した状態で離間して配置された一対の対向フレーム、および、前記一対の対向フレームを連結する第１連結フレームを有するフレーム部材と、前記一対の対向フレームの間に配置され、着座者からの荷重を受ける板状の支持部材と、送風装置と、を備え、前記送風装置は、前記支持部材に取り付けられ、一部が前記第１連結フレームの着座者側とは反対側に配置されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、送風装置の少なくとも一部をブラケットを介して支持部材に取り付けることで、送風装置の取付自由度を向上させることができるとともに、シート内のスペースを有効に利用することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、送風装置を支持部材を構成する樹脂部材に取り付けることで、送風装置の動作に伴う振動や雑音を低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、樹脂部材に送風装置の少なくとも羽根車を覆う壁を設けることで、着座者に伝わる送風装置の動作音を低減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、送風装置を樹脂部材に設けられたボスに取り付けることで、送風装置の取付自由度を向上させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、ボスを一対の対向フレームの対向方向における架設線材の両側に配置することで、送風装置の取付剛性を向上させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、樹脂部材に送風装置に接続されたダクトが通る貫通孔を設けることで、シートをコンパクト化することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、送風装置を樹脂部材の傾斜部の下に配置することで、シートをコンパクト化することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、送風装置の前側部分をブラケットを介して支持部材に取り付け、後側部分を支持部材に直接取り付けることで、送風装置の取付自由度をより向上させることができるとともに、シート内のスペースをより有効に利用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月19日(2018.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を収容する容器からなる本体と、
前記本体に取り付けられた蓋と、前記容器に連通している導管と、前記導管が使用者の操作に応答して閉鎖位置と第１開放位置と第２開放位置との間で前記蓋に対して相対移動することと、からなる液体分配容器であって、
前記導管が前記閉鎖位置にある時には、前記導管を通過する液体の流れは阻止され、
前記導管が前記第１開放位置にある時には、前記容器から前記導管の第１開口部に延びる第１流路が形成され、
前記導管が前記第２開放位置にある時には、前記容器から前記導管の第２開口部に延びる第２流路が形成される、液体分配容器。
【請求項２】
前記導管は、前記閉鎖位置と前記第１開放位置と前記第２開放位置との間で直線的に移動する、請求項１に記載の液体分配容器。
【請求項３】
弁アセンブリをさらに備え、
前記弁アセンブリは、前記導管に取り付けられたノズルを備え、前記ノズルは、前記蓋の開口部内で前記導管と共に移動し、
前記ノズルは、前記導管と共に前記閉鎖位置と前記第１開放位置と前記第２開放位置との間で前記蓋に対して相対移動し、
前記ノズルを前記蓋に対して相対移動することによって、前記導管は前記蓋に対して相対移動する、請求項１に記載の液体分配容器。
【請求項４】
前記導管の前記第１開口部は、前記導管の側壁に配置され且つ前記導管の前記第２開口部は前記導管の端部に配置される、請求項１に記載の液体分配容器。
【請求項５】
前記蓋に連結されたストロー連結体と前記ストロー連結体の内部に少なくとも部分的に配置されたストローキャップと前記ストロー連結体に連結されたストローとをさらに備え、
前記導管が前記第１開放位置にある時には、前記ストロー又は前記ストローキャップを通過する液体の流れは阻止され、
前記導管が前記第２開放位置にある時には、前記ストローと前記ストローキャップとを通過する液体の流れは許容される、請求項１に記載の液体分配容器。
【請求項６】
前記蓋に連結されたストロー連結体と前記ストロー連結体の内部に少なくとも部分的に配置されたストローキャップとをさらに備え、前記ストローキャップに対する前記導管の相対移動は、前記導管を通過する液体の流れを阻止するか、前記第１流路を通過する液体の流れを許容するか、又は前記第２流路を通過する液体の流れを許容する、請求項１に記載の液体分配容器。
【請求項７】
前記ノズルの第１部分は、前記閉鎖位置と前記第１開放位置と前記第２開放位置において前記本体と前記蓋の双方の外側に配置され、前記ノズルの第２部分は、前記閉鎖位置と前記第１開放位置と前記第２開放位置において、前記蓋の開口部内に配置される、請求項３に記載の液体分配容器。
【請求項８】
前記ノズルは、使用者が指又は口によって前記ノズルを操作することに応答して前記閉鎖位置と前記第１開放位置と前記第２開放位置との間で前記導管と共に移動する、請求項３に記載の液体分配容器。
【請求項９】
前記ノズルは、前記導管と共に前記蓋の前記開口部の周囲の輪縁から外方に第１距離離間して前記第１開放位置に移動し
前記ノズルは、前記導管と共に前記蓋の前記開口部の周囲の輪縁から外方に第２距離離間して前記第２開放位置に移動する、請求項３に記載の液体分配容器。
【請求項１０】
前記第１距離は、前記第２距離も短い、請求項９に記載の液体分配容器。
【請求項１１】
前記導管の輪縁は、前記弁アセンブリが前記第２開放位置にある時には、前記蓋の内側部分に係合して前記ノズルと前記導管とがさらに外方に移動することを阻止する、請求項９に記載の液体分配容器。
【請求項１２】
前記弁アセンブリは、係合部をさらに備え、
前記導管の受承部は、前記導管が前記第１開放位置にある時には、前記弁アセンブリの前記係合部に一致してこれを受承する、請求項３に記載の液体分配容器。
【請求項１３】
前記第１流路と前記第２流路とは、前記第１流路と前記第２流路の双方に含まれる共通の出口を共用する、請求項１に記載の液体分配容器。
【請求項１４】
前記導管が前記第２開放位置にある時に形成される前記第２流路は、前記容器内に延びるストローを含み、前記第１流路は、液体の少なくとも一部を前記ストローを通過させることなく前記容器を反転すること及び押圧することのうちの少なくともいずれか一方によって液体を前記容器から取り出し可能にする、請求項１に記載の液体分配容器。
【請求項１５】
液体を収容する容器からなる本体と、
前記本体に取り付けられている蓋と、
閉鎖位置と第１開放位置と第２開放位置との間で移動可能な弁アセンブリと、からなる液体分配容器であって、
前記弁アセンブリが前記閉鎖位置にある時には、前記弁アセンブリは、液体が前記本体である前記容器から排出されることを阻止し、
前記弁アセンブリが前記第１開放位置にある時には、第１流路が前記容器から延びて、液体は、ストローを通過することなく前記容器を反転すること及び押圧することのうちの少なくともいずれか一方によって前記本体である前記容器から排出され、
前記弁アセンブリが前記第２開放位置にある時には、第２流路が前記容器から延びて、液体は、前記ストローを介して吸引されること及び押圧されることのうちの少なくともいずれか一方によって前記本体である前記容器から排出され、
前記第１流路と前記第２流路とは、前記第１流路と前記第２流路の双方に含まれる共通の出口を共用する、液体分配容器。
【請求項１６】
前記弁アセンブリが前記閉鎖位置にある時には、前記液体は、前記第１流路と前記第２流路とを通過して流れることはできず、
前記弁アセンブリが前記第１開放位置にある時には、前記液体は、前記第２流路を通過して流れることはできず、
前記弁アセンブリが前記第２開放位置にある時には、前記液体は、前記第１流路を通過して流れることはできない、請求項１５に記載の液体分配容器。
【請求項１７】
前記弁アセンブリは、前記蓋の開口部内で移動可能なノズルを備え、前記ノズルは、前記閉鎖位置と前記第１開放位置と前記第２開放位置との間で前記蓋に対して相対移動する、請求項１５に記載の液体分配容器。
【請求項１８】
前記ノズルの一部は、前記本体と前記蓋の双方の外側に配置される、請求項１７に記載の液体分配容器。
【請求項１９】
前記ノズルは、使用者の指又は口による前記ノズルの操作に応答して前記閉鎖位置と前記第１開放位置と前記第２開放位置との間で移動する、請求項１７に記載の液体分配容器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月18日(2018.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子及び出力端子を有する細長い伝送路と、該伝送路に接続されたフィルタリング組立体とを備えるマイクロ波フィルタであって、
前記フィルタリング組立体は、前記伝送路の第１の接続点に直接接続された細長い第１の一次分岐部と、該第１の一次分岐部に直接接続された細長い第１の二次分岐部を備え、
前記第１の二次分岐部の幅は、前記第１の一次分岐部の幅とは異なっている、
マイクロ波フィルタ。
【請求項２】
前記第１の一次分岐部は、前記伝送路に対して直交する方向に延びる、請求項１に記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項３】
前記フィルタリング組立体は、前記伝送路の第２の接続点に直接接続された細長い第２の一次分岐部と、該第２の一次分岐部に直接接続された第２の二次分岐部とをさらに備え、前記第２の二次分岐部の幅は、前記第２の一次分岐部の幅とは異なっている、請求項１又は２に記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項４】
前記第２の一次分岐部の幅は、前記第１の一次分岐部の幅とは異なっている、請求項３に記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項５】
前記第１の一次分岐部及び前記第２の一次分岐部は、それぞれ前記伝送路の反対側に配置される、請求項３又は４に記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項６】
前記伝送路は、前記第１の接続点の両側で前記第１の一次分岐部の方向に湾曲して第１の匚−形状部を形成し、前記伝送路は、前記第２の接続点の両側で前記第２の一次分岐部の方向に湾曲して第２の匚−形状部を形成するようになっており、前記第１の匚−形状部の開口部は、前記第２の匚−形状部の開口部とは反対方向に向いている、請求項５に記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項７】
前記伝送路は、前記第１の匚−形状部を前記第２の匚−形状部に直列に接続するための第３の匚−形状部をさらに備える、請求項６に記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項８】
入力端子及び出力端子を有する細長い伝送路と、該伝送路に接続されたフィルタリング組立体とを備えるマイクロ波フィルタであって、
前記フィルタリング組立体は、前記伝送路の第１の接続点に直接接続された細長い第１の一次分岐部を備え、
前記第１の一次分岐部は、第１の本体部と、該第１の本体部の第１の端部の第１の湾曲部とを備え、
前記第１の湾曲部は、前記第１の接続点に直接接続され、前記第１の本体部は、前記伝送路の本体部に対して実質的に平行である、
マイクロ波フィルタ。
【請求項９】
前記フィルタリング組立体は、前記伝送路の第２の接続点に直接接続された細長い第２の一次分岐部をさらに備え、前記第２の一次分岐部は、第２の本体部と、該第２の本体部の第１の端部の第２の湾曲部とを備え、前記第２の湾曲部は、前記第２の接続点に直接接続され、前記第２の本体部は、前記伝送路の前記本体部に対して実質的に平行である、請求項８に記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項１０】
前記伝送路の前記本体部は、前記第１の本体部と前記第２の本体部との間に設けられる、請求項９に記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項１１】
前記伝送路の前記本体部の幅、前記第１の本体部の幅、及び前記第２の本体部の幅は異なっている、請求項１０に記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項１２】
前記伝送路の前記本体部は、円弧状である、請求項８、９、１０、又は１１に記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項１３】
前記フィルタリング組立体は、第１の二次分岐部をさらに備え、前記第１の二次分岐部は、第３の本体部と、該第３の本体部の第１の端部の第３の湾曲部とを備え、前記第３の湾曲部は、前記第１の本体部の第２の端部に直接接続され、前記第３の本体部は、前記第１の本体部に対して実質的に平行である、請求項８から１２のいずれかに記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項１４】
前記伝送路の端子と前記第１の接続点との間にパッドが形成される、請求項８から１３のいずれかに記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項１５】
前記伝送路の幅及び前記第１の一次分岐部の幅は、０．１５ｍｍから１．１ｍｍの間の範囲にある、請求項８から１４のいずれかに記載のマイクロ波フィルタ。
【請求項１６】
モータ用電源回路を備え、前記電源回路と直列に接続された請求項１から１５のいずれか１つによる、少なくとも１つのマイクロ波フィルタを組み込んだ、電気モータ。
【請求項１７】
２つのマイクロ波フィルタが存在し、前記マイクロ波フィルタは、モータ内で同一平面に配置される、請求項１６に記載のモータ。
【請求項１８】
２つのマイクロ波フィルタが存在し、モータ内でリング状に配置される、請求項１６又は１７に記載のモータ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月10日(2018.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第３の層と、を有し、
前記第１の層は、第１のトランジスタを有し、
前記第３の層は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、単結晶半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２の層は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、導電膜と、を有し、
前記導電膜は、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとを電気的に接続する機能を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記導電膜と前記導電膜上で接し、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜上に設けられ、
前記第２の絶縁膜は、炭素濃度が１．７７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記導電膜の表面に窒化膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
単結晶半導体をチャネル形成領域とする第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタ上に前記第１のトランジスタと電気的に接続する導電膜を形成し、
前記導電膜と前記導電膜上で接する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、
前記一対の電極上に第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記第２の絶縁膜は、常圧化学気相成長法により形成し、
前記一対の電極の一方は、前記導電膜と電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記導電膜を形成後、前記導電膜を窒化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は４において、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンと、を有し、
前記第２の絶縁膜の成膜速度は、１００ｎｍ／ｍｉｎ．以上２００ｎｍ／ｍｉｎ．以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月9日(2018.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に接する領域を有する酸化物を形成し、
前記酸化物を除去し、
前記酸化物を除去した後、前記第１の絶縁層上に接する領域を有する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に接する領域を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物の除去は、前記第１の絶縁層の平坦化処理によって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に接する領域を有する酸化物を形成し、且つ前記酸化物を除去する工程をｎ回（ｎ≧２）行った後、
前記第１の絶縁層上に接する領域を有する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に接する領域を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
ｎ回目の前記酸化物の除去は、前記第１の絶縁層の平坦化処理によって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２または請求項４において、
前記平坦化処理は、化学機械研磨法によって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に接する領域を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に接する領域を有する酸化物を形成し、
前記酸化物を除去し、
前記酸化物を除去した後、前記絶縁層上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に接する領域を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に接する領域を有する酸化物を形成し、且つ前記酸化物を除去する工程をｎ回（ｎ≧２）行い、
前記絶縁層上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記酸化物は、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記酸化物は、酸化アルミニウムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月26日(2018.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ状物品を処理するための装置であって、
気密式の囲いを提供するケースを含む密閉プロセスチャンバと、
前記密閉プロセスチャンバ内に配置され、所定の直径のウエハ状物品をその上に保持するように構成された回転式チャックと、
前記チャック上に保持されたウエハ状物品を、前記ウエハ状物品に接触することなく片側からのみ加熱するために、前記回転式チャックに相対的に位置決めされたヒータであって、３９０〜５５０ｎｍの波長域内に最大強度を有する放射を放出するヒータと、
ウエハ状物品の、前記ヒータに面している側とは反対側にプロセス液を吐出するために、前記回転式チャックに対して相対的に位置決めされた少なくとも１つの第１の液体吐出器と、
を備える装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記回転式チャックは、前記密閉プロセスチャンバの内側に位置決めされた磁気リングロータであり、前記密閉プロセスチャンバの外側に位置決めされたステータによって取り囲まれる、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記回転式チャックは、前記回転式チャックに結合された回転シャフトに出力を伝達するモータによって駆動される、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記密閉プロセスチャンバは、前記少なくとも１つの第１の液体吐出器の出口が位置する上方領域と、前記ヒータが中に又は隣接して位置する下方領域とを含み、それによって、前記ヒータは、ウエハ状物品を下側から加熱するように構成され、前記少なくとも１つの第１の液体吐出器は、ウエハ状物品の上側にプロセス液を吐出するように構成される、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記ヒータは、４００〜５００ｎｍの波長域内に最大強度を有する放射を放出する、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記ヒータは、青色発光ダイオードのアレイを含む、装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記青色発光ダイオードのアレイは、前記所定の直径のウエハ状物品と実質的に同一の広がりを有する、装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、更に、
前記密閉プロセスチャンバに通じるガス入口にオゾンガスを供給するように構成されたオゾン発生器を備える装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置であって、
前記ガス入口は、ウエハ状物品の、前記ヒータに面している側とは反対側に向けてオゾンガスを供給するために、前記回転式チャックに対して相対的に位置決めされる、装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の装置であって、更に、
前記ヒータと、前記回転式チャック上に保持されているときのウエハ状物品との間に位置決めされ、前記ヒータによって放出される放射に対して実質的に透過性である第１の板を備える装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置であって、
前記第１の板は、石英又はサファイアで作成される、装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の装置であって、
前記第１の板は、前記密閉プロセスチャンバの壁の少なくとも一部を形成し、前記ヒータは、前記密閉プロセスチャンバの外側に取り付けられる、装置。
【請求項１３】
請求項１０に記載の装置であって、
前記第１の板は、前記回転式チャックの基部本体の上方に且つ前記回転式チャック上に保持されているときのウエハ状物品の下方に配置され、前記密閉プロセスチャンバの内側で前記回転式チャック上に取り付けられる、装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の装置であって、更に、
前記回転式チャックとともに回転させるために前記回転式チャック上に取り付けられた第２の板を備え、前記第２の板は、前記ウエハ状物品に対して前記少なくとも１つの液体吐出器と同じ側にあり、前記第２の板は、前記密閉プロセスチャンバの片側の内部を、前記ウエハ状物品から振り落とされる液滴から遮る、装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の装置であって、更に、
前記ウエハ状物品に対して前記ヒータと同じ側に取り付けられた少なくとも１つの第２の液体吐出器を備える装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の装置であって、
前記ヒータは、前記所定の直径のシリコンウエハを３００℃を超える温度に加熱するように構成される、装置。
【請求項１７】
ウエハ状物品を処理するための方法であって、
所定の直径のウエハ状物品を、密閉プロセスチャンバ内に配置された回転式チャック上に位置決めすることと、
前記ウエハ状物品を、前記ウエハ状物品に接触することなく、ヒータによって、片側からのみ、３９０〜５５０ｎｍの波長域内に最大強度を有する放射で加熱することと、
前記ウエハ状物品の、前記ヒータに面している側とは反対側にプロセス液を吐出することと、
を備える方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、更に、
主にガス状であるオゾンを前記密閉プロセスチャンバに導入することを備える方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記オゾンを導入すること及び前記プロセス液を吐出することは、前記密閉プロセスチャンバからの前記ウエハ状物品の取り出しを妨げることなく順次実施される、方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法であって、
前記オゾンを導入すること及び前記プロセス液を吐出することは、同時に実施される、方法。
【請求項２１】
請求項１７に記載の方法であって、
前記ウエハ状物品は、前記ウエハ状物品の、前記ヒータに面している側とは反対側に半導体デバイス素子を形成された半導体ウエハである、方法。
【請求項２２】
請求項１７に記載の方法であって、
前記プロセス液は、実質的に硫酸フリーである、方法。
【請求項２３】
請求項１７に記載の方法であって、
前記ウエハ状物品を加熱することは、その結果、前記ウエハ状物品に３００℃を超える温度を達成させる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月3日(2018.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理する方法であって、
（ａ）１つ以上の凹部を有する基板であって、各凹部が凹部開口を含む、基板を提供すること；
（ｂ）前記凹部開口またはその近辺にある１つ以上の凹部表面でコバルトが核形成されるのを選択的に抑制して、各凹部に抑制による異なる輪郭があるようにすること；および
（ｃ）前記抑制による異なる輪郭に応じて前記凹部にコバルトを堆積すること
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、更に、
コバルトの核形成を選択的に抑制する前に、前記凹部にバリア層を堆積することを含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記バリア層は、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、タンタル、窒化タンタル、ルテニウム、および窒化コバルトからなる群から選択される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、更に、
コバルトの核形成を選択的に抑制する前に、前記基板をコバルト含有前駆体に曝露して前記１つ以上の凹部を部分的に充填することを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記方法は、約４００℃未満の温度で実施される、方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、
前記コバルト含有前駆体は、ジカルボニルシクロペンタジエニルコバルト、コバルトカルボニル、様々なコバルトアミジナート前駆体、コバルトジアザジエニル錯体、コバルトアミジナート／グアニジナート前駆体、およびこれらを組み合わせたものからなる群から選択される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
コバルトの核形成を選択的に抑制することは、窒素含有ガスから生成された活性種を含む方向性のあるプラズマに前記基板を曝露することを含み、前記活性種の方向は、前記基板のフィールド領域に垂直である、方法。
【請求項８】
請求項１〜７のうちいずれか一項に記載の方法であって、
前記凹部開口またはその近辺にある前記凹部表面は、前記凹部の側壁の上部約１０％から約５０％を含む、方法。
【請求項９】
請求項１〜７のうちいずれか一項に記載の方法であって、
コバルトの核形成を選択的に抑制することは、窒素含有ガスから発生したプラズマに前記基板を曝露することをさらに含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記基板は、前記窒素含有ガスから発生したプラズマに約３００秒未満の時間にわたって曝露される、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記プラズマは方向性がある、方法。
【請求項１２】
請求項１〜７のうちいずれか一項に記載の方法であって、
前記凹部は、内曲した輪郭を有する、方法。
【請求項１３】
請求項１〜７のうちいずれか一項に記載の方法であって、
（ｃ）でコバルトを堆積することは、前記基板をコバルト含有前駆体および還元剤に曝露することを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１〜７のうちいずれか一項に記載の方法であって、
（ｃ）は、化学気相成長によって実施される、方法。
【請求項１５】
請求項１〜７のうちいずれか一項に記載の方法であって、
前記凹部開口の少なくとも１つは、約３ｘ ｎｍ未満であり、前記凹部のアスペクト比は、少なくとも約１．５：１である、方法。
【請求項１６】
半導体基板を処理する方法であって、
（ａ）１つ以上の凹部を有する凹部であって、各凹部が凹部開口を含む凹部を備える基板を提供すること；
（ｂ）前記基板をコバルト含有前駆体に曝露して前記凹部を部分的に充填すること；
（ｃ）前記基板を窒素含有ガスおよびプラズマに曝露すること；
（ｄ）任意選択で（ｂ）と（ｃ）を繰り返すこと；および
（ｅ）抑制による異なる輪郭に応じて前記凹部にコバルトを堆積すること
を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記方法は、約４００℃未満の温度で実施される、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、
前記コバルト含有前駆体は、ジカルボニルシクロペンタジエニルコバルト、コバルトカルボニル、様々なコバルトアミジナート前駆体、コバルトジアザジエニル錯体、コバルトアミジナート／グアニジナート前駆体、およびこれらを組み合わせたものからなる群から選択される、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、
前記凹部開口またはその近辺にある１つ以上の前記凹部の表面は、凹部側壁の上部約１０％から約５０％の範囲である、方法。
【請求項２０】
半導体基板を処理する装置であって、
基板支持部を有する１つ以上の処理チャンバと；
ガスを前記処理チャンバに取り込む１つ以上の吸気管であって、流れを制御するハードウェアに接続している吸気管と；
方向性プラズマ発生器と；
少なくとも１つのプロセッサおよび記憶装置を有する制御装置と
を備える、装置において、
前記少なくとも１つのプロセッサおよび前記記憶装置が互いに通信する形で接続され、
前記少なくとも１つのプロセッサが、前記流れを制御するハードウェアおよび前記方向性プラズマ発生器に少なくとも作動的に接続し、
前記記憶装置が：
コバルト含有前駆体および還元剤を前記１つ以上の処理チャンバの少なくとも１つに導入させ、
前記コバルト含有前駆体及び前記還元剤の導入の停止後に、方向性プラズマを生成させるとともに、窒素含有ガスを前記１つ以上の処理チャンバの少なくとも１つに導入させ、
前記コバルト含有前駆体および前記還元剤を前記１つ以上の処理チャンバに導入させて、コバルト膜を形成する
ために、コンピュータで実行可能な命令を格納する装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の装置であって、
プラズマの電力は、約５０Ｗから約５０００Ｗである、装置。
【請求項２２】
請求項２０に記載の装置であって、
前記記憶装置は、更に、
前記プラズマが前記１つ以上の処理チャンバの少なくとも１つで生成されているときに、前記基板支持部にバイアスを適用することによって、前記プラズマから発生する活性種の方向性を生じさせる、ためにコンピュータで実行可能な命令を格納する、装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年2月7日(2018.2.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極材料が各々充填されている小孔を複数含む正極多孔金属板と、
負極材料が各々充填されている小孔を複数含む負極多孔金属板と、
前記正極多孔金属板と前記負極多孔金属板との間に設けられる第１のセパレータと、
前記負極多孔金属板の、前記第１のセパレータに接触しない面である下面を覆う第２のセパレータとを含み、
前記第１のセパレータは、前記正極多孔金属板の多孔部分および前記負極多孔金属板の多孔部分と直接接触することを特徴とする二次電池。
【請求項２】
前記正極多孔金属板の厚みは８０μｍ〜２５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項３】
前記正極多孔金属板はアルミニウム集電板であることを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項４】
前記正極材料はコバルト酸リチウム又はマンガン酸リチウム粉末であることを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項５】
前記負極多孔金属板の厚みは８０μｍ〜２５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項６】
前記負極多孔金属板は銅製集電板であることを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項７】
前記負極材料はグラファイト又は石油焦粉末であることを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項８】
前記正極多孔金属板の、前記第１のセパレータに接触しない表面である上面を覆うアルミニウム箔板と、
前記第２のセパレータと前記負極多孔金属板との間に設けられる銅箔板とを更に含み、
前記アルミニウム箔板は、前記正極多孔金属板の上面と直接接触し、前記銅箔板は、前記負極多孔金属板の下面と直接接触することを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項９】
前記アルミニウム箔板の厚みは５μｍ〜１２μｍであることを特徴とする請求項８に記載の二次電池。
【請求項１０】
前記銅箔板の厚みは５μｍ〜１２μｍであることを特徴とする請求項８に記載の二次電池。
【請求項１１】
前記第１のセパレータの厚みは５μｍ〜５０μｍであり、前記第２のセパレータの厚みは５μｍ〜５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項１２】
前記第１のセパレータおよび前記第２のセパレータは、ポリエチレンセパレータ、ポリプロピレンセパレータ又はポリオレフィンセパレータのいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載の二次電池。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の二次電池を含むことを特徴とする電子機器。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
前記負極多孔金属板は銅製集電板であってもよい。
前記負極材料はグラファイト又は石油焦粉末であってもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
同様に、本発明の実施例において、負極多孔金属板２０２は正極多孔金属板２０１の加工方式によって製作され、負極多孔金属板２０２に負極材料が充填される。この負極多孔金属板２０２は銅製材料であり、この負極多孔金属板２０２に充填される負極材料はグラファイト粉末又は石油焦粉末などの材料であってもよい。本発明の実施例において、具体的に使用される負極材料を制限しない。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月29日(2018.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトの肺線維症の治療のための方法において使用するための、式（I）
【化１】
2016216377.tif 000001
の化合物であって、
前記方法は、前記肺線維症を治療するのに有効な量の前記式（I）の化合物をヒトの肺組織の最も狭い部分に１日１回投与することを含む、化合物。
【請求項２】
前記式（I）の化合物は、遊離形態としてのビス（３−デオキシ−３−（３−フルオロフェニル−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−１−イル）−β−Ｄ−ガラクトピラノシル）スルファンである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記肺線維症は特発性肺線維症（ＩＰＦ）である、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
前記投与は乾燥粉体吸入器によって行われる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項５】
前記投与は、ＲＳ０１  Ｍｏｎｏｄｏｓｅ  Ｄｒｙ  Ｐｏｗｄｅｒ  Ｉｎｈａｌｅｒ（Ｐｌａｓｔｉａｐｅ）等の単回投与用乾燥粉体吸入器よって行われる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項６】
前記肺組織の最も狭い部分は細気管支及び肺胞である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項７】
前記１日１回量は０．１５〜５０ｍｇ、例えば０．１５〜１．５ｍｇ、１．５〜３ｍｇ、３〜５ｍｇ、５〜７ｍｇ、７〜８ｍｇ、８〜１０ｍｇ、１０〜２０ｍｇ、２０〜５０ｍｇである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項８】
前記１日１回量は１．５〜１０ｍｇ、例えば３〜７ｍｇである、請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の式（I）の化合物と、任意に薬学的に許容可能な添加剤とを含む、薬学的組成物。
【請求項１０】
式（I）
【化２】
2016216377.tif 000002
の化合物を備える乾燥粉体吸入器デバイスに関し、
前記乾燥粉体吸入器デバイスは、肺線維症を治療するのに有効な量の前記式（I）の化合物をヒトの肺組織の最も狭い部分に１日１回投与するためのものである、乾燥粉体吸入器デバイス。
【請求項１１】
前記式（I）の化合物は、遊離形態としてのビス（３−デオキシ−３−（３−フルオロフェニル−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−１−イル）−β−Ｄ−ガラクトピラノシル）スルファンである、請求項１０に記載の乾燥粉体吸入器デバイス。
【請求項１２】
前記肺線維症は特発性肺線維症（ＩＰＦ）である、請求項１０又は１１に記載の乾燥粉体吸入器デバイス。
【請求項１３】
前記デバイスは、ＲＳ０１  Ｍｏｎｏｄｏｓｅ  Ｄｒｙ  Ｐｏｗｄｅｒ  Ｉｎｈａｌｅｒ（Ｐｌａｓｔｉａｐｅ）等の単回投与用乾燥粉体吸入器である、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の乾燥粉体吸入器デバイス。
【請求項１４】
前記１日１回量は０．１５〜５０ｍｇ、例えば０．１５〜１．５ｍｇ、１．５〜３ｍｇ、３〜５ｍｇ、５〜７ｍｇ、７〜８ｍｇ、８〜１０ｍｇ、１０〜２０ｍｇ、２０〜５０ｍｇである、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の乾燥粉体吸入器デバイス。
【請求項１５】
前記１日１回量は１．５〜１０ｍｇ、例えば３〜７ｍｇである、請求項１４に記載の乾燥粉体吸入器デバイス。
【請求項１６】
前記肺組織の最も狭い部分は細気管支及び肺胞である、請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の乾燥粉体吸入器デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性酸化イットリウムを含む酸化イットリウム膜であって、膜厚が１μｍ以上であり、単層膜であることを特徴とする酸化イットリウム膜。
【請求項２】
波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光透過率が９０％以上である請求項１に記載の酸化イットリウム膜。
【請求項３】
自乗平均面粗さ（ＲＭＳ）が５０ｎｍ以下である請求項１または２に記載の酸化イットリウム膜。
【請求項４】
膜厚が１μｍ〜１００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の酸化イットリウム膜。
【請求項５】
基体表面の一部または全部が直接または他の層を介して酸化イットリウム膜で被覆されている部材であって、前記酸化イットリウム膜が、請求項１〜４のいずれかに記載の酸化イットリウム膜であることを特徴とする部材。
【請求項６】
基体が、酸化アルミニウム、ガラスまたはシリコン、金属を構成材料として含む請求項５記載の部材。
【請求項７】
基体の少なくともプラズマに曝される部位の表面に、少なくとも１層の耐プラズマ膜が形成された耐プラズマ性部材であって、前記耐プラズマ膜が、請求項１〜４のいずれかに記載の酸化イットリウム膜であることを特徴とする耐プラズマ性部材。
【請求項８】
基体の少なくとも腐食性ガスに曝される部位の表面に、少なくとも１層の耐食膜が形成された耐食性部材であって、前記耐食膜が、請求項１〜４のいずれかに記載の酸化イットリウム膜であることを特徴とする耐食性部材。
【請求項９】
発光素子と波長変換部材とを備え、前記波長変換部材が蛍光体材料を含む発光装置であって、前記蛍光体材料の一部または全部が請求項１〜４のいずれかに記載の酸化イットリウム膜で被覆されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれかに記載の酸化イットリウム膜を耐プラズマ性部材または耐食性部材として含む半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
［１］  結晶性酸化イットリウムを含む酸化イットリウム膜であって、膜厚が１μｍ以上であり、単層膜であることを特徴とする酸化イットリウム膜。
［２］  波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光透過率が９０％以上である前記［１］に記載の酸化イットリウム膜。
［３］  自乗平均面粗さ（ＲＭＳ）が５０ｎｍ以下である前記［１］または［２］に記載の酸化イットリウム膜。
［４］  膜厚が１μｍ〜１００μｍである前記［１］〜［３］のいずれかに記載の酸化イットリウム膜。
［５］  基体表面の一部または全部が直接または他の層を介して酸化イットリウム膜で被覆されている部材であって、前記酸化イットリウム膜が、前記［１］〜［４］のいずれかに記載の酸化イットリウム膜であることを特徴とする部材。
［６］  基体が、酸化アルミニウム、ガラスまたはシリコンを構成材料として含む前記［５］記載の部材。
［７］  基体の少なくともプラズマに曝される部位の表面に、少なくとも１層の耐プラズマ膜が形成された耐プラズマ性部材であって、前記耐プラズマ膜が、前記［１］〜［４］のいずれかに記載の酸化イットリウム膜であることを特徴とする耐プラズマ性部材。
［８］基体の少なくとも腐食性ガスに曝される部位の表面に、少なくとも１層の耐食膜が形成された耐食性部材であって、前記耐食膜が、前記［１］〜［４］のいずれかに記載の酸化イットリウム膜であることを特徴とする耐食性部材。
［９］発光素子と波長変換部材とを備え、前記波長変換部材が蛍光体材料を含む発光装置であって、前記蛍光体材料の一部または全部が前記［１］〜［４］のいずれかに記載の酸化イットリウム膜で被覆されていることを特徴とする発光装置。
［１０］前記［１］〜［４］のいずれかに記載の酸化イットリウム膜を耐プラズマ性部材または耐食性部材として含む半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体の原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させて前記基体上に酸化イットリウム膜を成膜することを特徴とする酸化イットリウム膜の製造方法。
【請求項２】
原料溶液が有機金属錯体を含む請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
有機金属錯体がイットリウムアセチルアセトナート錯体である請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
原料溶液の溶媒がアルコールと水との混合溶媒である請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
アルコールが低級アルコールである請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
アルコールが混合溶媒中に１〜１０モル％含まれている請求項４または５に記載の製造方法。
【請求項７】
キャリアガスが不活性ガスである請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
熱反応を、４００℃〜６００℃の温度範囲内にて行う請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させて前記基体上に酸化イットリウム膜を成膜するための前記原料溶液であって、イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体からなることを特徴とする、原料溶液。
【請求項１０】
有機金属錯体からなる請求項９記載の原料溶液。
【請求項１１】
有機金属錯体がイットリウムアセチルアセトナート錯体である請求項１０記載の原料溶液。
【請求項１２】
溶媒がアルコールと水の混合溶媒である請求項９〜１１のいずれかに記載の原料溶液。
【請求項１３】
アルコールが低級アルコールである請求項１２記載の原料溶液。
【請求項１４】
アルコールが混合溶媒中に１〜１０モル％含まれている請求項１２または１３に記載の原料溶液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
［１］  イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体の原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させて前記基体上に酸化イットリウム膜を成膜することを特徴とする酸化イットリウム膜の製造方法。
［２］  原料溶液が有機金属錯体を含む前記［１］記載の製造方法。
［３］  有機金属錯体がイットリウムアセチルアセトナート錯体である前記［２］に記載の製造方法。
［４］  原料溶液の溶媒がアルコールと水との混合溶媒である前記［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
［５］  アルコールが低級アルコールである前記［４］記載の製造方法。
［６］  アルコールが混合溶媒中に１〜１０モル％含まれている前記［４］または［５］に記載の製造方法。
［７］  キャリアガスが不活性ガスである前記［１］〜［６］のいずれかに記載の製造方法。
［８］  熱反応を、４００℃〜６００℃の温度範囲内にて行う前記［１］〜［７］のいずれかに記載の製造方法。
［９］  原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させて前記基体上に酸化イットリウム膜を成膜するための前記原料溶液であって、イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体からなることを特徴とする、原料溶液。
［１０］有機金属錯体からなる前記［９］記載の原料溶液。
［１１］有機金属錯体がイットリウムアセチルアセトナート錯体である前記［１０］記載の原料溶液。
［１２］溶媒がアルコールと水の混合溶媒である前記［９］〜［１１］のいずれかに記載の原料溶液。
［１３］アルコールが低級アルコールである前記［１２］記載の原料溶液。
［１４］アルコールが混合溶媒中に１〜１０モル％含まれている前記［１２］または［１３］に記載の原料溶液。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月23日(2018.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを第１方向に搬送する主搬送ローラと、前記第１方向において前記主搬送ローラの下流に配されシートにプリントするプリントヘッドと、前記第１方向において前記プリントヘッドの下流に配され前記プリントヘッドによってプリントされたシートを搬送する第１搬送ローラと、前記第１搬送ローラとシートを挟持して搬送する第１拍車モジュールと、前記第１方向において前記第１搬送ローラの下流に配され前記プリントヘッドによってプリントされたシートを搬送する第２搬送ローラと、前記第２搬送ローラとシートを挟持して搬送する第２拍車モジュールを備え、前記第１拍車モジュールは前記第１方向と交差する第２方向に沿って設けられた複数の第１拍車を有し、前記第２拍車モジュールは前記第２方向に沿って設けられた複数の第２拍車を有するプリント装置において、
前記第１拍車モジュールと前記第２拍車モジュールは前記第２方向においてオーバーラップして配置され、かつ、前記第１拍車と前記第２拍車は前記第２方向においてオーバーラップしないように配置されることを特徴とするプリント装置。
【請求項２】
前記第２方向において前記第１拍車モジュールを複数備え、前記第２方向において前記第２拍車モジュールを複数備えることを特徴とする請求項１に記載のプリント装置。
【請求項３】
前記第２方向におけるシートの中心位置に対して、前記第１拍車モジュールは前記第２拍車モジュールよりも外側に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のプリント装置。
【請求項４】
前記第１拍車モジュールは前記複数の第１拍車を前記第１搬送ローラに付勢するためのバネ軸を有し、前記第２拍車モジュールは前記複数の第２拍車を前記第２搬送ローラに付勢するためのバネ軸を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項５】
前記主搬送ローラを駆動するモータを備え、前記第１搬送ローラおよび前記第２搬送ローラは前記モータによって駆動されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項６】
前記プリントヘッドはインクジェットヘッドであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項７】
前記プリントヘッドを搭載して前記第２方向に移動するキャリッジを備えることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のプリント装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、目立つ拍車痕が付与されることなく確実なシート搬送を行うことができるプリント装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記目的を達成するため、シートを第１方向に搬送する主搬送ローラと、前記第１方向において前記主搬送ローラの下流に配されシートにプリントするプリントヘッドと、前記第１方向において前記プリントヘッドの下流に配され前記プリントヘッドによってプリントされたシートを搬送する第１搬送ローラと、前記第１搬送ローラとシートを挟持して搬送する第１拍車モジュールと、前記第１方向において前記第１搬送ローラの下流に配され前記プリントヘッドによってプリントされたシートを搬送する第２搬送ローラと、前記第２搬送ローラとシートを挟持して搬送する第２拍車モジュールを備え、前記第１拍車モジュールは前記第１方向と交差する第２方向に沿って設けられた複数の第１拍車を有し、前記第２拍車モジュールは前記第２方向に沿って設けられた複数の第２拍車を有するプリント装置において、前記第１拍車モジュールと前記第２拍車モジュールは前記第２方向においてオーバーラップして配置され、かつ、前記第１拍車と前記第２拍車は前記第２方向においてオーバーラップしないように配置されることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、目立つ拍車痕が付与されることなく確実なシート搬送を行うことができるプリント装置を提供できる。