Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月26日(2017.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが形成された基板と、前記配線パターン上に形成されたカバーレイ層を具備する部品から放出する電磁波の少なくとも一部をシールドするための、積層体からなる電磁波シールドシートであって、
前記積層体は、
前記部品上に配置して、接合処理を行うことにより前記部品と接合される接着層（但し、異方導電性を示さない）と、
前記接着層上に積層された導電層と、を備え、
前記接着層は、バインダー成分として、
（Ｉ）熱可塑性樹脂（Ａ）、および
（ＩＩ）熱硬化性樹脂（Ｂ）と該熱硬化性樹脂（Ｂ）に対する硬化性化合物（Ｃ）、
の少なくとも一方を含み、
前記バインダー成分を熱圧着処理した後の被膜（Ｘ）が以下の（ｉ）および（ｉｉ）を満たす電磁波シールドシート。
（ｉ）比誘電率が、周波数１ＧＨｚ、２３℃において１〜３である。
（ｉｉ）誘電正接が、周波数１ＧＨｚ、２３℃において０．０００１〜０．０２である。
【請求項２】
熱硬化性樹脂（Ｂ）はカルボキシル基含有樹脂を含み、
硬化性化合物（Ｃ）として、エポキシ化合物を含み、更に、有機金属化合物およびイソシアネート化合物の少なくとも一方を含む請求項１に記載の電磁波シールドシート。
【請求項３】
前記接合処理後の前記接着層の厚みが、３〜５０μｍである請求項１又は２に記載の電磁波シールドシート。
【請求項４】
前記接着層は、更に、導電性フィラーを含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の電磁波シールドシート。
【請求項５】
前記導電性フィラーが、球状粒子およびデンドライト粒子の少なくとも一方から選択される請求項４に記載の電磁波シールドシート。
【請求項６】
前記バインダー成分は、前記（ＩＩ）を含み、
前記接着層の熱硬化後の被膜（Ｙ）において、炭素原子数に対する窒素原子数の割合が１〜１０％であり、且つ炭素原子数に対する酸素原子数の割合が３〜２０％である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電磁波シールドシート。
【請求項７】
前記バインダー成分は、前記（ＩＩ）を含み、
前記接着層の熱硬化後の被膜（Ｙ）は、カルボキシル基および水酸基から選択される少なくともいずれかの基を含み、
前記カルボキシル基を含む場合には、炭素数に対するカルボキシル基数の割合が０．０１〜１５％の範囲であり、
前記水酸基を含む場合には、炭素数に対する水酸基数の割合が０．５〜２０％の範囲にあり、
前記炭素数に対するカルボキシル基数と水酸基数の合計が３５％以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電磁波シールドシート。
【請求項８】
硬化性化合物（Ｃ）が有機金属化合物を含有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の電磁波シールドシート。
【請求項９】
前記導電層は、金属層である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電磁波シールドシート。
【請求項１０】
配線パターンが形成された基板と、前記配線パターン上に形成されたカバーレイ層とを具備する配線回路基板と、
前記カバーレイ層と接合され、前記配線回路基板から放出する電磁波の少なくとも一部をシールドする電磁波シールドシートとを備え、
前記電磁波シールドシートは、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電磁波シールドシートである電磁波シールド性配線回路基板。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電磁波シールドシートが接合された電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
接着層は、これらのうちでも特に、熱硬化性樹脂（Ｂ）がカルボキシル基含有樹脂を含み、硬化性化合物（Ｃ）として、エポキシ化合物を含み、更に、有機金属化合物およびイソシアネート化合物の少なくとも一方を含むものが好ましい。エポキシ化合物は、カルボン酸1当量に対して好ましくは０．５〜１０倍、より好ましくは１〜５倍のエポキシ当量を配合する。有機金属化合物およびイソシアネート化合物のトータルの硬化剤当量は、カルボン酸１当量に対して０．１〜５倍で配合することが好ましく、０．５〜３倍の範囲で配合することがより好ましい。上述したように硬化性化合物（Ｃ）を使用することで、熱硬化後の未反応官能基数を抑制できるため、誘電率および誘電正接がより低下する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（ａ）炭素原子数に対する窒素原子数の割合（以下、［Ｎ］とも表記する）が１〜１０％であり、且つ炭素原子数に対する酸素原子数の割合（以下、［Ｏ］とも表記する）が３〜２０％である。
（ｂ）接着層の熱硬化後の被膜（Ｙ）において、カルボキシル基および水酸基から選択される少なくともいずれかの基を含み、カルボキシル基を含む場合には、炭素数に対するカルボキシル基数の割合（以下、［ＣＯＯＨ］とも表記する）が０．０１〜１５％であり、水酸基を含む場合には、炭素数に対する水酸基数の割合（以下、［ＯＨ］とも表記する）が０．５〜２０％の範囲である。ここで、接着層の熱硬化後の被膜（Ｙ）とは、熱硬化性樹脂（Ｂ）が硬化性化合物（Ｃ）により充分に硬化せしめられている被膜（Ｙ）をいう。但し、［ＣＯＯＨ］と［ＯＨ］の合計が３５％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２５％以下であることがさらに好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
絶縁層をキャリア付き電解銅箔の電解銅箔側に貼り合せた後、キャリア銅箔を剥がし、絶縁層上に電解銅箔を積層した。次に、電解銅箔面に接着層を貼り合わせることで、「剥離性シート／絶縁層／電解銅箔／接着層／剥離性シート」からなる電磁波シールドシートを得た。電解銅箔と接着層の貼り合せは、温度は９０℃、圧力は３ｋｇｆ／ｃｍ２で、熱ラミネーターにより貼り合わせた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
［硬化後の接着層の残存官能基の定量］  
次に、接着層の硬化後の被膜（Ｙ）表面において、［ＯＨ］および［ＣＯＯＨ］を測定した。樹脂は、主に炭素、水素、酸素原子から構成されるため、通常ＥＳＣＡにて水酸基やカルボキシル基を識別できず定量分析が難しい。しかし、カルボン酸や水酸基と選択的に結合するフッ素試薬を処理することで、カルボキシル基または水酸基のみがフッ素修飾され、ＥＳＣＡで官能基を識別することが可能となる。また、フッ素結合はＥＳＣＡの検出感度が高いことから、高感度な表面の官能基定量分析が可能となる。本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、被膜（Ｙ）において、炭素数に対するカルボキシル基数の割合［ＣＯＯＨ］が０．０１〜１５％、炭素数に対する水酸基数の割合［ＯＨ］が０．５〜２０％の範囲であることにより、部品に対する高い接着性を維持しながら、プリント配線板等の高周波用途の部品に本発明の電磁波シールドシートを貼り付けた場合に、良好な伝送特性を維持できることを突き止めた。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
Ｏリング４は、中空形状であり、パッド１と基台２との間で双方に接触するように配置され、凹部１ｂの内側の空間に連通している空間をシールし、重力方向において基台２に対してパッド１を移動可能に支持する第２弾性部材である。Ｏリング４は、一方の開口がパッド１の貫通孔１ｃに合い、他方の開口が基台２の真空排気用穴２ａに合うことで、空間的に連通する流路を形成している。また、Ｏリング４は、例えば、基台２に対しては接着等で接続され、一方、パッド１に対しては接触および離間が可能となっている。なお、図３に示す例では、Ｏリング４は、パッド１のみに接触するものとしているが、板バネ３の接触面において気密性が維持されるのであれば、板ばね３を含み重力方向に移動可能な部分に接触するものとしてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2016157822.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2016157822.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2016157822.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コランダム構造を有し、かつアルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる１種または２種以上を少なくとも含有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜であって、
膜中の回転ドメインの含有率が０．０２体積％以下であることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜。
【請求項２】
膜中の回転ドメインを実質的に含まない請求項１記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項３】
反りが０．３μｍ以下である請求項１または２に記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項４】
膜厚が１μｍ以上である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項５】
基体と、該基体上にバッファ層を介して結晶性酸化物半導体が積層されている積層構造体であって、バッファ層が、第１の層と、第１の層とは異なる材料を主成分とする第２の層とが、少なくとも１層ずつ交互に積層されている量子井戸構造を有しており、前記結晶性酸化物半導体膜が、請求項１〜４のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜であることを特徴とする積層構造体。
【請求項６】
量子井戸構造の第１の層の主成分が、コランダム構造を有する酸化物であり、第２の層の主成分が、アルミニウムを含む酸化物である請求項５記載の積層構造体。
【請求項７】
第１の層の主成分がガリウム含有酸化物半導体であり、かつ第２の層の主成分がアルミニウム含有酸化物半導体である請求項５または６に記載の積層構造体。
【請求項８】
第２の層の金属元素中のアルミニウム濃度が１原子％以上である請求項６または７に記載の積層構造体。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜または請求項５〜８のいずれかに記載の積層構造体を含む半導体装置。
【請求項１０】
半導体レーザ、ダイオードまたはトランジスタである請求項９記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
［１］  コランダム構造を有し、かつアルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる１種または２種以上を少なくとも含有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜であって、
膜中の回転ドメインの含有率が０．０２体積％以下であることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜。
［２］  膜中の回転ドメインを実質的に含まない前記［１］記載の結晶性酸化物半導体膜。
［３］  反りが０．３μｍ以下である前記［１］または［２］に記載の結晶性酸化物半導体膜。
［４］  膜厚が１μｍ以上である前記［１］〜［３］のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
［５］  基体と、該基体上にバッファ層を介して結晶性酸化物半導体が積層されている積層構造体であって、バッファ層が、第１の層と、第１の層とは異なる材料を主成分とする第２の層とが、少なくとも１層ずつ交互に積層されている量子井戸構造を有しており、前記結晶性酸化物半導体膜が、前記［１］〜［４］のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜であることを特徴とする積層構造体。
［６］  量子井戸構造の第１の層の主成分が、コランダム構造を有する酸化物であり、第２の層の主成分が、アルミニウムを含む酸化物である前記［５］記載の積層構造体。
［７］  第１の層の主成分がガリウム含有酸化物半導体であり、かつ第２の層の主成分がアルミニウム含有酸化物半導体である前記［５］または［６］に記載の積層構造体。
［８］  第２の層の金属元素中のアルミニウム濃度が１原子％以上である前記［６］または［７］に記載の積層構造体。
［９］  前記［１］〜［４］のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜または前記［５］〜［８］のいずれかに記載の積層構造体を含む半導体装置。
［１０］  半導体レーザ、ダイオードまたはトランジスタである前記［９］記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムおよびガリウムを少なくとも含有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜であって、
膜厚が５００ｎｍ以上であることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜。
【請求項２】
酸化物半導体がコランダム構造を有する請求項１記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項３】
膜厚が１μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項４】
酸化物半導体が、α−（ＡｌｘＧａ１−ｘ）２Ｏ３（但し、１＞Ｘ＞０）またはα−（ＡｌＺ１ＧａＺ２ＩｎＺ３）２Ｏ３（但し、１＞Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３＞０およびＺ１＋Ｚ２＋Ｚ３＝１）である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項５】
金属元素中のアルミニウム濃度が、１原子％以上である請求項１〜４のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項６】
アルミニウムまたはガリウムの金属を少なくとも含有する原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで該基体上で該ミストまたは該液滴を熱反応させて成膜する方法であって、前記成膜室内において、前記ミストまたは前記液滴を旋回させて旋回流を発生させることを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の結晶性半導体膜を含む半導体装置。
【請求項８】
半導体レーザ、ダイオードまたはトランジスタである請求項７記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
［１］  アルミニウムおよびガリウムを少なくとも含有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜であって、
膜厚が５００ｎｍ以上であることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜。
［２］酸化物半導体がコランダム構造を有する前記［１］記載の結晶性酸化物半導体膜。
［３］  膜厚が１μｍ以上であることを特徴とする前記［１］または［２］に記載の結晶性酸化物半導体膜。
［４］  酸化物半導体が、α−（ＡｌｘＧａ１−ｘ）２Ｏ３（但し、１＞Ｘ＞０）またはα−（ＡｌＺ１ＧａＺ２ＩｎＺ３）２Ｏ３（但し、１＞Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３＞０およびＺ１＋Ｚ２＋Ｚ３＝１）である前記［１］〜［３］のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
［５］  金属元素中のアルミニウム濃度が、１原子％以上である前記［１］〜［４］のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
［６］  アルミニウムまたはガリウムの金属を少なくとも含有する原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで該基体上で該ミストまたは該液滴を熱反応させて成膜する方法であって、前記成膜室内において、前記ミストまたは前記液滴を旋回させて旋回流を発生させることを特徴とする成膜方法。
［７］  前記［１］〜［５］のいずれかに記載の結晶性半導体膜を含む半導体装置。
［８］  半導体レーザ、ダイオードまたはトランジスタである前記［７］記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月11日(2017.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この際、読み出し選択メモリとなるアンチヒューズメモリ2cは、メモリキャパシタ4のメモリゲート絶縁膜6が絶縁破壊されてデータが書き込まれた状態にあるとき、ワード線WLbの1.2［V］の読み出し選択ワード電圧によって、整流素子3にてP型半導体領域8からN型半導体領域7に順方向バイアスの電圧がかかる。これにより、アンチヒューズメモリ2cでは、ワード線WLbの読み出し選択ワード電圧が、整流素子3からメモリキャパシタ4を介してビット線BLaに印加され得る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
さらに、1.2［V］の読み出し選択ワード電圧が印加されたワード線（読み出し選択ワード線）WLbと、1.2［V］の読み出し非選択ビット電圧が印加されたビット線（読み出し非選択ビット線）BLbとに接続されたアンチヒューズメモリ2dでは、仮にメモリゲート絶縁膜6が絶縁破壊されていても、ワード線（読み出し選択ワード線）WLbおよびビット線（読み出し非選択ビット線）BLbの電圧値が同じであることから、1.2［V］の読み出し選択ワード電圧が変動することもなく、他のアンチヒューズメモリ2cの読み出し動作に影響を与えることは無い。かくして半導体記憶装置1では、行列状に配置されたアンチヒューズメモリ2a,2b,2c,2dのうち、所望するアンチヒューズメモリ2cのデータだけを読み出すことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
因みに、この場合にも、例えば中央領域にある1個のビット線コンタクトBC2aに接続された4個のアンチヒューズメモリ2b2,2b3,2b6,2b7に着目すると、当該ビット線コンタクトBC2aに接続された4個のアンチヒューズメモリ2b2,2b3,2b6,2b7には、各々電気的に独立に制御できるワード線WL1b,WL2b,WL3b,WL4bが接続されており、各ワード線WL1b,WL2b,WL3b,WL4bによりそれぞれ異なるワード電圧を印加し得る。また、例えば1個のワード線コンタクトWC3aに接続された4個のアンチヒューズメモリ2b5,2b6,2b9,2b10に着目すると、当該ワード線コンタクトWC3aに接続された4個のアンチヒューズメモリ2b5,2b6,2b9,2b10には、各々電気的に独立に制御できるビット線BL1b,BL2b,BL3b,BL4bが接続されており、各ビット線BL1b,BL2b,BL3b,BL4bによりそれぞれ異なるビット電圧を印加し得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
これにより、半導体記憶装置1aでは、ビット線コンタクトBC1a〜BC6aおよびワード線コンタクトWC1a〜WC6aを2個以上のアンチヒューズメモリで共有できる分、装置全体として小型化を実現でき、さらには、例えば1本のビット線BL1bに対して接続されるアンチヒューズメモリ数を同じ数（この場合、4個）にして全て同じ容量に設定し得、かくしてデータの読み出し動作時、読み出し速度の低下等の問題発生を防止し得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
このように、末端の各ビット線コンタクトBC31,BC32,BC33,BC34,BC39,BC40,BC41,BC42では、それぞれ1個のアンチヒューズメモリ2d1,2d5,2d9,2d13,2d4,2d8,2d12,2d16に対してだけ所定のビット電圧を印加し得ることになるものの、中央領域に配置された各ビット線コンタクトBC35,BC36,BC37,BC38では、それぞれ対応する2個のアンチヒューズメモリ2d2,2d3、2d6,2d7、2d10,2d11、2d14,2d15に対して所定のビット電圧を一律に印加し得ることから、2個のアンチヒューズメモリ2d2,2d3、2d6,2d7、2d10,2d11、2d14,2d15で1個のビット線コンタクトBC35,BC36,BC37,BC38を共有させる分だけ装置全体としては小型化を図り得る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１６】
このように、末端の各ビット線コンタクトBC71,BC72,BC73,BC74,BC79,BC80,BC81,BC82では、それぞれ1個のアンチヒューズメモリ2h1,2h5,2h9,2h13,2h4,2h8,2h12,2h16に対してだけ所定のビット電圧を印加し得ることになるものの、中央領域に配置された各ビット線コンタクトBC75,BC76,BC77,BC78では、それぞれ対応する2個のアンチヒューズメモリ2h2,2h3、2h6,2h7、2h10,2h11、2h14,2h15に対して所定のビット電圧を一律に印加し得ることから、2個のアンチヒューズメモリ2h2,2h3、2h6,2h7、2h10,2h11、2h14,2h15で1個のビット線コンタクトBC75,BC76,BC77,BC78を共有させる分だけ装置全体としては小型化を図り得る。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月17日(2018.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質のセパレータ原反の搬送方向に前記セパレータ原反をスリットして複数のセパレータを形成するリチウムイオン二次電池用セパレータ製造方法であって、
前記セパレータ原反をローラに接した状態で搬送する搬送工程と、
前記セパレータ原反が前記ローラに接した部位のスリット位置Ｐ１で前記セパレータ原反をスリットするスリット工程とを包含し、
前記複数のセパレータのうちの一部と他の一部とは、前記ローラ上で分離され、
前記セパレータ原反が前記ローラに巻き付き始める開始位置Ｐ０から前記スリット位置Ｐ１までの巻付角度θａが、３０度以上１３５度以下であり、
前記スリット位置Ｐ１から、前記複数のセパレータのうちの前記一部が前記ローラに巻き付き終わる終了位置Ｐ２までの巻付角度θｂが、３０度以上７５度以下であり、
前記終了位置Ｐ２から、前記複数のセパレータのうちの前記他の一部が前記ローラに巻き付き終わる終了位置Ｐ３までの巻付角度θｃが、１５度以上であることを特徴とするリチウムイオン二次電池用セパレータ製造方法。
【請求項２】
前記スリット工程は、前記セパレータ原反に対して前記ローラの反対側に設けられたスリット刃によりスリットし、
前記ローラは、前記スリット刃に対応する位置に形成された溝を有する請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用セパレータ製造方法。
【請求項３】
前記複数のセパレータのうちの前記一部と前記他の一部とは、異なる方向に分離される請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用セパレータ製造方法。
【請求項４】
前記複数のセパレータのうちの前記一部と前記他の一部とは、前記スリット工程によりスリットされた位置よりも下流側で分離される請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用セパレータ製造方法。
【請求項５】
前記複数のセパレータのうちの前記一部と前記他の一部とは、互いに上下の位置関係となるように設けられた第１及び第２捲回部によって、上下に分離して巻き取られる請求項３に記載のリチウムイオン二次電池用セパレータ製造方法。
【請求項６】
前記セパレータ原反の一方の面に耐熱層が形成されており、
前記スリット工程では、前記セパレータ原反の前記一方の面が前記ローラに接し、かつ、前記セパレータ原反の前記耐熱層が形成されていない他方の面側に設けられたスリット刃により、前記セパレータ原反はスリットされる請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用セパレータ製造方法。
【請求項７】
多孔質のセパレータ原反の搬送方向に前記セパレータ原反をスリットして複数のセパレータを形成するスリット工程と、
前記スリット工程により形成された複数のセパレータのうちの一部と他の一部とを、前記スリット工程によりスリットされた位置よりも下流側で分離する分離工程とを包含し、
前記セパレータ原反の一方の面に耐熱層が形成されており、
前記スリット工程では、前記セパレータ原反の前記一方の面がローラに接し、かつ、前記セパレータ原反の前記耐熱層が形成されていない他方の面側に設けられたスリット刃により、前記セパレータ原反はスリットされ、
前記スリット工程は、前記セパレータ原反が前記ローラに接した部位のスリット位置Ｐ１で前記セパレータ原反をスリットし、
前記複数のセパレータのうちの一部と他の一部とは、前記ローラ上で分離され、
前記セパレータ原反が前記ローラに巻き付き始める開始位置Ｐ０から前記スリット位置Ｐ１までの巻付角度θａが、３０度以上１３５度以下であり、
前記スリット位置Ｐ１から、前記複数のセパレータのうちの前記一部が前記ローラに巻き付き終わる終了位置Ｐ２までの巻付角度θｂが、３０度以上７５度以下であり、
前記終了位置Ｐ２から、前記複数のセパレータのうちの前記他の一部が前記ローラに巻き付き終わる終了位置Ｐ３までの巻付角度θｃが、１５度以上であることを特徴とするリチウムイオン二次電池用セパレータ製造方法。
【請求項８】
多孔質のセパレータ原反の搬送方向に前記セパレータ原反をスリットして複数のセパレータを製造するリチウムイオン二次電池用セパレータスリット方法であって、
前記セパレータ原反をローラに接した状態で搬送する搬送工程と、
前記セパレータ原反が前記ローラに接した部位のスリット位置Ｐ１で前記セパレータ原反をスリットするスリット工程とを包含し、
前記複数のセパレータのうちの一部と他の一部とは、前記ローラ上で分離され、
前記セパレータ原反が前記ローラに巻き付き始める開始位置Ｐ０から前記スリット位置Ｐ１までの巻付角度θａが、３０度以上１３５度以下であり、
前記スリット位置Ｐ１から、前記複数のセパレータのうちの前記一部が前記ローラに巻き付き終わる終了位置Ｐ２までの巻付角度θｂが、３０度以上７５度以下であり、
前記終了位置Ｐ２から、前記複数のセパレータのうちの前記他の一部が前記ローラに巻き付き終わる終了位置Ｐ３までの巻付角度θｃが、１５度以上であることを特徴とするリチウムイオン二次電池用セパレータスリット方法。
【請求項９】
多孔質のセパレータ原反の搬送方向に前記セパレータ原反をスリットして複数のセパレータを形成するスリット工程と、
前記スリット工程により形成された複数のセパレータのうちの一部と他の一部とを、前記スリット工程によりスリットされた位置よりも下流側で分離する分離工程とを包含し、
前記セパレータ原反の一方の面に耐熱層が形成されており、
前記スリット工程では、前記セパレータ原反の前記一方の面がローラに接し、かつ、前記セパレータ原反の前記耐熱層が形成されていない他方の面側に設けられたスリット刃により、前記セパレータ原反はスリットされ、
前記スリット工程は、前記セパレータ原反が前記ローラに接した部位のスリット位置Ｐ１で前記セパレータ原反をスリットし、
前記複数のセパレータのうちの一部と他の一部とは、前記ローラ上で分離され、
前記セパレータ原反が前記ローラに巻き付き始める開始位置Ｐ０から前記スリット位置Ｐ１までの巻付角度θａが、３０度以上１３５度以下であり、
前記スリット位置Ｐ１から、前記複数のセパレータのうちの前記一部が前記ローラに巻き付き終わる終了位置Ｐ２までの巻付角度θｂが、３０度以上７５度以下であり、
前記終了位置Ｐ２から、前記複数のセパレータのうちの前記他の一部が前記ローラに巻き付き終わる終了位置Ｐ３までの巻付角度θｃが、１５度以上であることを特徴とするリチウムイオン二次電池用セパレータスリット方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月30日(2017.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駐車場に関連する駐車場装置から送信された情報であり、前記駐車場に入場した時の時刻に関する入場時刻情報を受信する受信部と、
前記入場時刻情報を用いて、前記駐車場の利用状況に関する利用状況情報を取得する利用状況情報取得部と、
前記利用状況情報を出力する出力部とを具備する端末装置。
【請求項２】
前記駐車場の利用料金に関する料金情報を格納し得る格納部をさらに具備し、
前記利用状況情報取得部は、前記入場時刻情報と前記料金情報とを用いて、料金が上昇する時刻に関する料金上昇時刻情報を取得し、
前記出力部は、前記料金上昇時刻情報を出力する請求項１記載の端末装置。
【請求項３】
前記利用状況情報取得部は、前記料金情報と前記入場時刻情報とを用いて、料金が上昇する時刻までの残り時間である料金上昇時刻情報を取得する請求項２記載の端末装置。
【請求項４】
前記料金情報は、利用時間と料金とを有し、
前記利用状況情報取得部は、
現在時刻を取得する現在時刻取得手段と、
前記現在時刻と前記時刻情報との差である現利用時間情報を取得する現利用時間情報取得手段と、
前記現利用時間情報と前記料金情報とを用いて、前記利用状況情報を取得する利用状況情報取得手段とを具備する請求項１から請求項３いずれか一項に記載の端末装置。
【請求項５】
駐車場に入場した移動体を識別する移動体識別子と端末装置への通知先を示す通知先情報とを有する２以上のユーザ情報を格納し得るユーザ情報格納部と、
前記移動体識別子と前記駐車場に入場した時の時刻に関する入場時刻情報とを受信するサーバ受信部と、
前記入場時刻情報を用いて、前記駐車場の利用状況に関する利用状況情報を取得する利用状況情報取得部と、
前記サーバ受信部が受信した前記移動体識別子に対応する通知先情報を前記ユーザ情報格納部から取得する通知先情報取得部と、
前記通知先情報取得部が取得した通知先情報に対応する端末装置に、前記利用状況情報を送信するサーバ送信部とを具備するサーバ装置。
【請求項６】
前記駐車場の利用の料金に関する料金情報を格納し得る料金情報格納部をさらに具備し、
前記利用状況情報取得部は、前記料金情報を用いて、料金が上昇する時刻に関する料金上昇時刻情報を取得し、
前記サーバ送信部は、前記料金上昇時刻情報を端末装置に送信する請求項５記載のサーバ装置。
【請求項７】
前記利用状況情報取得部は、前記料金情報と前記入場時刻情報とを用いて、料金が上昇する時刻までの残り時間である料金上昇時刻情報を取得する請求項６記載のサーバ装置。
【請求項８】
前記料金情報は、利用時間と料金とを有し、
前記利用状況情報取得部は、
現在時刻を取得する現在時刻取得手段と、
前記現在時刻と前記時刻情報との差である現利用時間情報を取得する現利用時間情報取得手段と、
前記現利用時間情報と前記料金情報とを用いて、利用状況情報を取得する利用状況情報取得手段とを具備する請求項５から請求項７いずれか一項に記載のサーバ装置。
【請求項９】
駐車場に関連する駐車場装置から送信された情報であり、前記駐車場に入場した時の時刻に関する入場時刻情報を受信する受信ステップと、
前記入場時刻情報を用いて、前記駐車場の利用状況に関する利用状況情報を取得する利用状況情報取得ステップと、
前記利用状況情報を出力する出力ステップとを具備する情報処理方法。
【請求項１０】
駐車場に入場した移動体を識別する移動体識別子と前記駐車場に入場した時の時刻に関する入場時刻情報とを受信するサーバ受信ステップと、
前記入場時刻情報を用いて、前記駐車場の利用状況に関する利用状況情報を取得する利用状況情報取得ステップと、
前記サーバ受信ステップで受信された移動体識別子に対応し、端末装置への通知先を示す通知先情報を取得する通知先情報取得ステップと、
前記通知先情報取得ステップで取得された通知先情報に対応する端末装置に、前記利用状況情報を送信するサーバ送信ステップとを具備する情報処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端末装置、サーバ装置、および情報処理方法
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の光学像から前記被写体の画像を取得する撮像素子と、
前記光学像が結像される焦点位置を調節するためのレンズを制御するレンズ駆動手段と、
前記光学像のデフォーカス量を検出する焦点検出手段と、
ユーザーからの指示に基づき、前記レンズの駆動速度をデフォーカス量に関連づけて記録するレンズ速度記録手段と、
前記レンズ速度記録手段によって記録された前記駆動速度の情報に基づき、前記デフォーカス量と前記レンズの前記駆動速度との関係を規定するレンズ駆動情報を作成するレンズ駆動情報作成手段と、
前記焦点検出手段により検出したデフォーカス量に対応する駆動速度として前記レンズ駆動情報に規定される所定の速度で、前記レンズを前記被写体に対して合焦する位置まで移動するように前記レンズ駆動手段を制御する制御手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記レンズ速度記録手段は、前記ユーザーが手動で前記レンズを移動したときの前記レンズの移動速度の変化を、前記デフォーカス量の変化とともに記録する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記レンズ速度記録手段は、前記ユーザーがＵＩを介してデフォーカス量に応じて設定した前記レンズの移動速度を記録する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記レンズ速度記録手段は、ユーザーがタッチパネルを指でなぞった速度を元に、前記レンズの移動速度を算出して記録する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
複数の前記レンズ駆動情報を有し、
前記制御手段は、複数の前記レンズ駆動情報の中から前記ユーザーが選択した一の前記レンズ駆動情報を用いて、前記レンズ駆動手段を制御する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記レンズ駆動情報は、所定の範囲の前記デフォーカス量毎に、前記レンズの前記駆動速度を規定している
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記焦点検出手段は、瞳分割によって得られた像のずれ量を元に前記デフォーカス量を算出する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
被写体の光学像から前記被写体の画像を取得する撮像素子と、前記光学像が結像される焦点位置を調節するためのレンズを制御するレンズ駆動手段と、前記光学像のデフォーカス量を検出する焦点検出手段とを有する撮像装置の駆動方法であって、
ユーザーからの指示に基づき、前記レンズの駆動速度をデフォーカス量に関連づけて記録するステップと、
記録した前記駆動速度の情報に基づき、前記デフォーカス量と前記駆動速度との関係を規定するレンズ駆動情報を作成するステップと、
前記焦点検出手段により前記光学像のデフォーカス量を検出し、検出した前記デフォーカス量に対応する前記レンズの駆動速度として前記レンズ駆動情報に規定される所定の速度で、前記レンズを前記被写体に対して合焦する位置まで移動するステップと
を有することを特徴とする撮像装置の駆動方法。
【請求項９】
被写体の光学像から前記被写体の画像を取得する撮像素子を有する撮像装置を制御するプログラムであって、
コンピュータを、
前記光学像が結像される焦点位置を調節するためのレンズを制御するレンズ駆動手段、
ユーザーからの指示に基づき、前記レンズの駆動速度をデフォーカス量に関連づけて記録するレンズ速度記録手段、
前記レンズ速度記録手段によって記録された情報に基づき、前記デフォーカス量と前記レンズの前記駆動速度との関係を規定する前記レンズの駆動情報を作成するレンズ駆動情報作成手段、
前記光学像のデフォーカス量を検出する焦点検出手段、
前記焦点検出手段により検出したデフォーカス量に対応する駆動速度として前記駆動情報に規定される所定の速度で、前記レンズを前記被写体に対して合焦する位置まで移動するように前記レンズ駆動手段を制御する制御手段
として機能させるプログラム。
【請求項１０】
請求項９のプログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置の各手段として機能させるプログラム。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか１項に記載された撮像装置の各手段として機能させるプログラムを格納した記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の他の一観点によれば、被写体の光学像から前記被写体の画像を取得する撮像素子と、前記光学像が結像される焦点位置を調節するためのレンズを制御するレンズ駆動手段と、前記光学像のデフォーカス量を検出する焦点検出手段とを有する撮像装置の駆動方法であって、ユーザーからの指示に基づき、前記レンズの駆動速度をデフォーカス量に関連づけて記録するステップと、記録した前記駆動速度の情報に基づき、前記デフォーカス量と前記駆動速度との関係を規定するレンズ駆動情報を作成するステップと、前記焦点検出手段により前記光学像のデフォーカス量を検出し、検出した前記デフォーカス量に対応する前記レンズの駆動速度として前記レンズ駆動情報に規定される所定の速度で、前記レンズを前記被写体に対して合焦する位置まで移動するステップとを有することを特徴とする撮像装置の駆動方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月19日(2018.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記顔料分散剤が、下記式（１）で表される顔料吸着部位と、ポリマー部位と、を有する請求項１に記載のトナーの製造方法。
2016157006.tif 000001
［式（１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立して、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、−ＯＲ３基、又は−ＮＲ４Ｒ５基を表す。Ｒ３〜Ｒ５はそれぞれ独立して水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、又はアラルキル基を表す。Ａｒは置換若しくは無置換のアリール基を表す。但し、Ｒ１、Ｒ２、及びＡｒの少なくとも一つは置換基を有し、該置換基の少なくとも一つは連結基を介して前記ポリマー部位との結合部位を有する置換基である。］
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体上に形成された、トナーの堆積で階調を表現するパッチにおけるトナーの平均高さを測定する測定装置であって、
前記パッチが形成された前記像担持体に照射した照射光の反射光の光量を取得する光量取得手段と、
前記反射光における代表反射位置を取得する位置取得手段と、
前記光量と、該光量に基づいて補正した前記代表反射位置とに基づいて、前記平均高さを算出する高さ算出手段と、
を有することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記パッチが形成された前記像担持体に照射した照射光の反射光を撮像したデータを取得する取得手段、を有し、
前記光量取得手段は前記データに基づいて前記光量を算出し、
前記位置取得手段は前記データに基づいて前記代表反射位置を算出する
ことを特徴とする請求項1に記載の測定装置。
【請求項３】
前記位置取得手段は、前記像担持体における非パッチ形成部からの反射光における基準反射位置を取得し、
前記高さ算出手段は、前記光量に基づいて、前記基準反射位置に対する前記代表反射位置の差分を補正することを特徴とする請求項1または2に記載の測定装置。
【請求項４】
前記位置取得手段は、前記反射光の光量の分布におけるピーク位置または重心位置を前記代表反射位置として取得することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の測定装置。
【請求項５】
前記高さ算出手段は、前記パッチが示す階調に対する反射特性に応じて、前記代表反射位置を補正することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の測定装置。
【請求項６】
前記光量取得手段は、
前記像担持体における非パッチ形成部からの反射光に対応する第1の光量と、
最大階調を示すベタパッチからの反射光に対応する第2の光量と、
階調が順次異なる複数の前記パッチのそれぞれからの反射光に対応する第3の光量と、を取得し、
前記反射特性は、前記第1の光量と前記第2の光量および第3の光量から取得されることを特徴とする請求項5に記載の測定装置。
【請求項７】
前記高さ算出手段は、前記第1および第2の光量から、前記パッチにおける前記像担持体の露出部とトナー被覆部との反射率の比を取得し、前記反射率の比に応じて前記代表反射位置を補正することを特徴とする請求項6に記載の測定装置。
【請求項８】
前記高さ算出手段は、前記反射率の比に応じて、前記代表反射位置の補正に用いる係数を決定することを特徴とする請求項7に記載の測定装置。
【請求項９】
前記高さ算出手段は、前記反射特性から前記パッチにおけるトナーの積層状態を推定し、該推定した積層状態に応じて前記代表反射位置を補正することを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項に記載の測定装置。
【請求項１０】
前記高さ算出手段は、前記反射特性が直線的な増加を示す場合に、前記積層状態をトナー層が1層ずつ形成される積層状態と推定し、前記代表反射位置を補正することを特徴とする請求項9に記載の測定装置。
【請求項１１】
前記高さ算出手段は、前記反射特性が直線的な増加を示す場合に、前記パッチにおける最大のトナー高さから、積層崩れによる広がり量を算出し、該広がり量に応じて、前記積層状態を前記最大のトナー高さに対応する膜厚で積層される積層状態と推定することを特徴とする請求項9に記載の測定装置。
【請求項１２】
前記高さ算出手段は、前記広がり量に基づいて前記代表反射位置を補正することを特徴とする請求項11に記載の測定装置。
【請求項１３】
前記高さ算出手段は、前記パッチが示す階調に対する反射特性が指数関数的な増加を示す場合に、トナー粒間の隙間またはトナー層における光の透過がある積層状態と推定し、前記トナー粒間の隙間率および前記光の透過率に基づいて前記代表反射位置を補正することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の測定装置。
【請求項１４】
前記像担持体の移動方向における前記照射光の照射幅は、前記パッチにおける前記像担持体の露出部またはトナー被覆部の最小幅よりも小さいことを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1項に記載の測定装置。
【請求項１５】
請求項1乃至14のいずれか1項に記載の測定装置と、
該測定装置で測定された、前記パッチの平均高さに基づき画像形成条件を制御する制御手段と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１６】
像担持体上に形成された、トナーの堆積で階調を表現するパッチにおけるトナーの平均高さを測定する測定方法であって、
前記パッチが形成された前記像担持体に照射した照射光の反射光の光量を取得する光量取得ステップと、
前記反射光における代表反射位置を取得する位置取得ステップと、
前記光量と、該光量に基づいて補正した前記代表反射位置とに基づいて、前記平均高さを算出する高さ算出ステップと、
を有することを特徴とする測定方法。
【請求項１７】
コンピュータ装置で実行されることにより、該コンピュータ装置を請求項1乃至14のいずれか1項に記載の測定装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上述した目的を達成するための一手段として、以下の構成を備える。すなわち、像担持体上に形成された、トナーの堆積で階調を表現するパッチにおけるトナーの平均高さを測定する測定装置であって、前記パッチが形成された前記像担持体に照射した照射光の反射光の光量を算出する光量算出手段と、前記反射光における代表反射位置を算出する位置算出手段と、前記光量と、該光量に基づいて補正した前記代表反射位置とに基づいて、前記平均高さを算出する高さ算出手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月12日(2018.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチを受信するように構成されたタッチスクリーンと、
制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記タッチが第１時間区間より長いか、前記第１時間区間と同じ時間の間維持され、前記タッチが前記第１時間区間内で第１圧力より低い圧力で維持される場合にだけ、前記タッチをロングタッチと識別し、
前記制御部は、前記タッチが前記第１時間区間内で前記第１圧力より大きい圧力を有する時だけ、前記タッチを圧力タッチと識別し、
前記制御部は、前記ロングタッチ又は前記圧力タッチを識別する時、前記ロングタッチ及び前記圧力タッチに対して互いに異なる動作が遂行されるように制御する、タッチ入力装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記タッチが前記第１時間区間より短い時間の間維持され、前記タッチが前記第１時間区間内で前記第１圧力より低い圧力で維持される場合にだけ、前記タッチをタップタッチと識別し、
前記制御部は、前記タップタッチを識別する時、前記ロングタッチ及び前記圧力タッチに対応する動作とは異なる動作が遂行されるように制御する、
請求項１に記載のタッチ入力装置。
【請求項３】
前記タッチスクリーンは、複数の分割された画面を有し、
前記第１圧力は、前記複数の分割された画面それぞれに対して個別的に制御されて設定された、請求項１に記載のタッチ入力装置。
【請求項４】
前記第１圧力は、設定バーが前記タッチスクリーン上にディスプレイされれば、前記設定バーに対する入力により制御されて設定される、請求項１に記載のタッチ入力装置。
【請求項５】
タッチスクリーンを備えたタッチ入力装置でタッチタイプを区別する方法において、
プログラム可能なプロセッサを用いて、前記タッチスクリーン上のタッチに応答して生成される信号を処理する段階と、
前記タッチの圧力大きさ及び前記タッチの時間により前記タッチタイプを識別する段階と、
前記識別されるタッチタイプに応じて異なる動作を遂行する段階と、
を含み、
前記タッチタイプを識別する段階は、
前記タッチが第１時間区間内で第１圧力より大きい圧力を有する時間の間隔を含めば、前記タッチを圧力タッチと識別する段階と、
前記タッチが前記第１時間区間内で前記第１圧力より大きい圧力を有する時間の間隔を含まず、前記タッチが前記第１時間区間内で解除されれば、前記タッチをタップタッチと識別する段階と、
前記タッチが前記第１時間区間内で前記第１圧力より大きい圧力を有する時間の間隔を含まず、前記タッチが前記第１時間区間内に解除されなければ、前記タッチをロングタッチと識別する段階と、
を含む、タッチタイプ区別方法。
【請求項６】
前記第１圧力は、設定バーが前記タッチスクリーン上にディスプレイされれば、前記設定バーに対する入力により制御されて設定される、請求項５に記載のタッチタイプ区別方法。
【請求項７】
前記タッチ入力装置の使用者が前記第１圧力を設定する前処理段階、をさらに含む、請求項５に記載のタッチタイプ区別方法。
【請求項８】
前記前処理段階は、前記使用者が前記タッチスクリーンの複数に分割された領域別に互いに異なる第１圧力を設定する、請求項７に記載のタッチタイプ区別方法。
【請求項９】
タッチスクリーンと、
前記タッチスクリーン上のタッチの圧力大きさ及び前記タッチの時間区間によってタッチタイプを識別する制御部、を含み、
前記制御部は、前記タッチが第１時間区間内で第１圧力より大きい圧力を有する時間区間を含めば、前記タッチを圧力タッチと識別し、
前記制御部は、前記タッチが前記第１時間区間内で前記第１圧力より大きい圧力を有する時間区間を含まず、前記タッチが前記第１時間区間内で解除されれば、前記タッチをタップタッチとして識別し、
前記制御部は、前記タッチが前記第１時間区間内で前記第１圧力より大きい圧力を有する時間区間を含まず、前記タッチが前記第１時間区間内で解除されなければ、前記タッチをロングタッチとして識別し、
前記制御部は、前記識別されたタッチタイプに応じて異なる動作を遂行する、タッチ入力装置。
【請求項１０】
前記第１圧力は、設定バーが前記タッチスクリーン上にディスプレイされれば、前記設定バーに対する入力により制御されて設定される、請求項９に記載のタッチ入力装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記タッチ入力装置の使用者が前記第１圧力を設定する前処理過程をさらに遂行する、
請求項９に記載のタッチ入力装置。
【請求項１２】
前記前処理過程は、前記使用者が前記タッチスクリーンの複数に分割された領域別に前記第１圧力を設定する、請求項１１に記載のタッチ入力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月15日(2017.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
特許文献１に記載された加熱装置ではコイルタッチが検出されるが、コイルタッチの発生が抑制されるわけではなく、スパークの発生が抑制されるわけでもない。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月8日(2017.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
また、上記実施形態では、第一金属箔層３の他方の面に第一絶縁樹脂フィルム５が積層されると共に、第二金属箔層１３の他方の面に第二絶縁樹脂フィルム１５が積層された構成が採用されているが（図１〜５参照）、用途等に応じて、このような絶縁樹脂フィルム５、１５を積層しない構成を採用することもできる。即ち、第一金属箔層３の他方の面が略全面又は全面にわたって露出し、第二金属箔層１３の他方の面が略全面又は全面にわたって露出した構成を採用することもできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
前記ヒートシール接合は、各個室３３の周縁部に対応する４辺のうち３辺について先に行って仮封止を行うようにし、次いで残りの未封止の１辺部（例えば図１２で上端縁部）から注液用シリンジを用いて、各個室３３内に電解液を注入し、しかる後、未シール箇所の残りの１辺（例えば図１２で上端縁部）を上下から一対の熱板等で挟圧することによって、各個室３３の周縁部の４辺を完全に封止接合して、図１〜５に示す本発明の蓄電デバイス１を得る。この蓄電デバイス１では、第一熱可塑性樹脂層７と第二熱可塑性樹脂層１７とのヒートシール接合により、周縁封止部３１及び区画封止部３２が形成されて、複数の個室３３が液密状態に区画されている（図１、２参照）。また、得られた蓄電デバイス１では、デバイスの長さ方向の一方の端部において第一金属箔内側露出部３ａにより正極端子８が構成されていると共に、デバイスの長さ方向の他方の端部において第二金属箔内側露出部１３ａにより負極端子１８が構成されている（図１、２参照）。