【手続補正書】
【提出日】平成30年10月10日(2018.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に窒化シリコンを蒸着する方法であって、
露出した酸化シリコン表面および露出したシリコン表面を有する前記半導体基板を準備する工程と、
前記露出した酸化シリコン表面および前記露出したシリコン表面の一方に有機部分を形成することによって、前記露出した酸化シリコン表面および前記露出したシリコン表面の他方が未ブロックのままで、前記露出した酸化シリコン表面および前記露出したシリコン表面の前記一方をブロックするために、前記半導体基板をブロック剤に暴露させる工程と、
１または複数回の熱原子層蒸着サイクルによって、前記露出した酸化シリコン表面および前記露出したシリコン表面の前記他方に窒化シリコンを選択的に蒸着させる工程と、
を備え、
各サイクルは、
前記ブロックされた表面および前記未ブロックの表面を有する前記半導体基板をシリコン含有前駆体に暴露させて、前記シリコン含有前駆体を前記未ブロックの表面に吸着させる工程と、
プラズマを点火することなしに前記半導体基板を窒素含有反応剤に暴露させて、前記ブロックされた表面に対して前記未ブロックの表面上に選択的に窒化シリコンを形成する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ブロック剤は、アルケンである、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記ブロック剤は、以下の化学構造を有するアルキルシリルハライドであり、
Ｘは、ハロゲンであり、ｎは、１以上２０以下の整数である、方法。
【化１５】
2018164079.tif 000001
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記露出した酸化シリコン表面は、ヒドロキシル基を備える、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、さらに、前記窒化シリコンを選択的に蒸着した後に、前記有機部分を除去する工程を備える、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記有機部分を除去する工程は、ヘリウムおよびアルゴンからなる群より選択された不活性ガスに前記半導体基板を暴露させる工程と、約５００Ｗ〜約２０００Ｗの間のプラズマ電力でプラズマを点火する工程と、を含む、方法。
【請求項７】
請求項３に記載の方法であって、さらに、前記窒化シリコンを選択的に蒸着した後に、フッ素含有ガスおよび酸素含有ガスの混合物に前記半導体基板を暴露させて、約７５Ｗ〜約２００Ｗの間のプラズマ電力でプラズマを点火することにより、前記有機部分を除去する工程を備える、方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記半導体基板を前記ブロック剤に暴露させる前に、前記半導体基板を水素に暴露させて、前記露出したシリコン表面上に水素化基を形成する工程を備える、方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法であって、前記シリコン含有前駆体は、シリコンハライドおよびアミノシランからなる群より選択される、方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法であって、前記窒素含有反応剤は、アンモニア、窒素、ヒドラジン、または、それらの組み合わせである、方法。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法であって、前記半導体基板は、約２５°Ｃ〜約３００°Ｃの間の温度に設定されたペデスタル上に載置される、方法。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法であって、前記半導体基板は、約１０ｍＴｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒの間のチャンバ圧に設定されたチャンバ内に収容される、方法。
【請求項１３】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法であって、各熱原子層蒸着サイクルは、さらに、前記半導体基板を前記シリコン含有前駆体に暴露させる工程と、前記半導体基板を前記窒素含有反応剤に暴露させる工程との合間に、前記半導体基板を収容するチャンバをパージする工程を含む、方法。
【請求項１４】
請求項２に記載の方法であって、前記アルケンは、１−オクタデセンである、方法。
【請求項１５】
請求項３に記載の方法であって、前記アルキルシリルハライドは、オクタデシルトリクロロシランである、方法。
【請求項１６】
請求項７に記載の方法であって、前記プラズマは、遠隔プラズマ発生器内で点火される、方法。
【請求項１７】
請求項７に記載の方法であって、前記プラズマは、その場で点火される、方法。
【請求項１８】
半導体基板上に窒化シリコンを蒸着する方法であって、
ブロックされた表面および未ブロックの表面を有する前記半導体基板を準備する工程であって、前記ブロックされた表面は、Ｓｉ−Ｃ結合を有する有機部分を備える、工程と、
１または複数回の熱原子層蒸着サイクルによって、前記未ブロックの表面に窒化シリコンを選択的に蒸着させる工程と、
を備え、
各サイクルは、
前記ブロックされた表面および前記未ブロックの表面を有する前記半導体基板をシリコン含有前駆体に暴露させて、前記シリコン含有前駆体を前記未ブロックの表面に吸着させる工程と、
プラズマを点火することなしに前記半導体基板を窒素含有反応剤に暴露させて、前記ブロックされた表面に対して前記未ブロックの表面上に選択的に窒化シリコンを形成する工程と、
を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記未ブロックの表面は、非シリコン表面である、方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法であって、前記未ブロックの表面は、非酸化シリコン表面である、方法。
【請求項２１】
請求項１８に記載の方法であって、前記未ブロックの表面は、ヒドロキシル基を備える、方法。
【請求項２２】
請求項１８、１９、および、２１のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記半導体基板をアルケンに暴露させることによって、前記ブロックされた表面を準備する工程を備える、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、前記アルケンは、１−オクタデセンである、方法。
【請求項２４】
請求項１８および２０のいずれかに記載の方法であって、さらに、以下の化学構造を有するアルキルシリルハライドに前記半導体基板を暴露させることによって、前記ブロックされた表面を準備する工程を備え、
Ｘは、ハロゲンであり、ｎは、１以上２０以下の整数である、方法。
【化１６】
2018164079.tif 000002
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法であって、前記アルキルシリルハライドは、オクタデシルトリクロロシランである、方法。
【請求項２６】
請求項２４に記載の方法であって、さらに、前記窒化シリコンを選択的に蒸着した後に、フッ素含有ガスおよび酸素含有ガスの混合物に前記半導体基板を暴露させて、約７５Ｗ〜約２００Ｗの間のプラズマ電力でプラズマを点火することにより、前記有機部分を除去する工程を備える、方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法であって、前記プラズマは、遠隔プラズマ発生器内で点火される、方法。
【請求項２８】
請求項２６に記載の方法であって、前記プラズマは、その場で点火される、方法。
【請求項２９】
請求項１８に記載の方法であって、さらに、前記窒化シリコンを選択的に蒸着した後に、前記有機部分を除去する工程を備える、方法。
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法であって、前記有機部分を除去する工程は、ヘリウムおよびアルゴンからなる群より選択された不活性ガスに前記半導体基板を暴露させる工程と、約５００Ｗ〜約２０００Ｗの間のプラズマ電力でプラズマを点火する工程と、を含む、方法。
【請求項３１】
半導体基板上に窒化シリコンを蒸着する方法であって、
露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面および露出した水素末端シリコン含有表面を有する前記半導体基板を準備する工程と、
前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面および前記露出した水素末端シリコン含有表面の一方に有機部分を形成することによって、前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面および前記露出した水素末端シリコン含有表面の他方が未ブロックのままで、前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面および前記露出した水素末端シリコン含有表面の前記一方をブロックするために、前記半導体基板をブロック剤に暴露させる工程と、
１または複数回の熱原子層蒸着サイクルによって、前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面および前記露出した水素末端シリコン含有表面の前記他方に窒化シリコンを選択的に蒸着させる工程と、
を備え、
各サイクルは、
前記ブロックされた表面および前記未ブロックの表面を有する前記半導体基板をシリコン含有前駆体に暴露させて、前記シリコン含有前駆体を前記未ブロックの表面に吸着させる工程と、
プラズマを点火することなしに前記半導体基板を窒素含有反応剤に暴露させて、前記ブロックされた表面に対して前記未ブロックの表面上に選択的に窒化シリコンを形成する工程と、
を含む、方法。
【請求項３２】
請求項３１に記載の方法であって、前記ブロック剤は、アルケンである、方法。
【請求項３３】
請求項３１に記載の方法であって、前記ブロック剤は、以下の化学構造を有するアルキルシリルハライドであり、
Ｘは、ハロゲンであり、ｎは、１以上２０以下の整数である、方法。
【化１７】
2018164079.tif 000003
【請求項３４】
請求項３１〜３３のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記半導体基板を前記ブロック剤に暴露させる前に、前記半導体基板を水素に暴露させて、前記露出した水素末端シリコン含有表面を形成する工程を備える、方法。
【請求項３５】
請求項３１〜３３のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記半導体基板を前記ブロック剤に暴露させる前に、前記半導体基板を大気に暴露させて、前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面を形成する工程を備える、方法。
【請求項３６】
請求項３１〜３３のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記半導体基板を前記ブロック剤に暴露させる前に、水に希釈した１％フッ化水素酸に前記半導体基板を暴露させて、前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面を形成する工程を備える、方法。
【請求項３７】
半導体基板を処理するための装置であって、
基板を保持するためのペデスタルを備えた処理チャンバと、
真空に接続するための少なくとも１つの流出口と、
前記装置内の動作を制御するためのコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
前記処理チャンバの前記ペデスタルへ半導体基板を供給させるためのマシン読み取り可能な命令と、
ブロック剤を前記処理チャンバへ導入させるためのマシン読み取り可能な命令と、
シリコン含有前駆体を前記処理チャンバへ導入させるためのマシン読み取り可能な命令と、
プラズマを点火することなしに、窒素含有反応剤を導入させるためのマシン読み取り可能な命令と、
を備える、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図１は、特定の開示された実施形態に従って実行される方法の動作例を示す処理フローチャートである。動作１０２で、露出した酸化シリコン表面および露出したシリコン表面を有する基板が、処理チャンバに提供される。処理チャンバは、約１０ｍＴｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒの間または約１Ｔｏｒｒ〜約３Ｔｏｒｒの間のチャンバ圧に設定されてよい。かかるチャンバ圧は、本明細書に記載の動作１０２〜１１４を通して用いられてよい。基板は、約２５℃〜約４００℃の間または約２００℃〜約３００℃の間の基板温度に加熱されてよい。本明細書で用いられる基板温度は、基板を保持するペデスタルの設定温度であること、そして、いくつかの実施形態においては、基板が処理チャンバのペデスタル上に提供された時に、基板処理に先だって所望の基板温度に加熱されうることが理解される。基板温度は、本明細書に記載の動作１０２〜１１４を通して同一であってよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
動作１１２で、基板は、ブロックされた表面に対して未ブロックの表面上に窒化シリコンを選択的に形成するために、プラズマなしで窒素含有反応ガスに暴露される。様々な実施形態において、窒素含有反応物質は、窒素ガスである。様々な実施形態において、窒素含有反応物質は、ヒドラジンである。いくつかの実施形態において、窒素含有反応物質は、アンモニアである。図４Ｃに示すように、窒化シリコン４０５が、未ブロックの表面（ヒドロキシル末端酸化シリコン表面４０３）上に選択的に形成されるが、ブロックされたシリコン表面４１２は、ブロックされたままであり、窒化シリコンはその上に蒸着されない。図５Ｃでは、窒化シリコン５０５が、未ブロックの表面（水素末端シリコン表面５０２）上に選択的に形成されるが、ブロックされた酸化シリコン表面５１３は、ブロックされたままであり、窒化シリコンはその上に蒸着されない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
ブロック剤暴露段階６０１Ａの間、搬送ガスが流れてよい。いくつかの実施形態において、搬送ガスは、ブロック剤を供給するために用いられ、その後、ブロック剤をチャンバに供給するためのシャワーヘッドの上流で迂回されてよい。いくつかの実施形態において、搬送ガスは、不活性ガスである。いくつかの実施形態において、搬送ガスおよびブロック剤ガスは共に、基板へ供給される。この段階の間、シリコン含有前駆体ガス流はオフにされ、窒素含有反応ガス流はオフにされ、ブロック剤ガス流はオンにされる。この段階は、図１の動作１０６に対応しうる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
ブロック剤暴露段階６０１Ａに続いて、蒸着サイクル６１０Ａが実行される。蒸着サイクル６１０Ａは、シリコン含有前駆体暴露段階６５７Ａ、パージ段階６５９Ａ、窒素含有反応剤暴露段階６６１Ａ、および、パージ段階６６３Ａを含む。シリコン含有前駆体暴露段階６５７Ａの間、搬送ガス流はオンであり続けてよく、一方、シリコン含有前駆体ガス流はオンにされる。窒素含有反応ガス流はオフのままであり、ブロック剤ガス流はオフにされる。これは、図１の動作１０８に対応しうる。パージ段階６５９Ａの間、搬送ガスは流れ続けてよい。いくつかの実施形態において、搬送ガスは、チャンバから余分な分子を除去するのに役立つパージガスとして機能しうる。この段階の間、シリコン含有前駆体ガス流はオフにされ、窒素含有反応ガス流はオフであり、ブロック剤ガス流もオフにされる。これは、図１の動作１１０に対応しうる。窒素含有反応剤暴露段階６６１Ａの間、搬送ガスは流れ続けてよい。いくつかの実施形態において、搬送ガスは、窒素含有反応ガスをチャンバに供給するのに役立つように用いられ、迂回されてもチャンバに流されてもよい。この段階の間、シリコン含有前駆体ガス流はオフにされ、ブロック剤ガス流はオフにされ、窒素含有反応ガス流はオンにされる。これは、図１の動作１１２に対応しうる。パージ段階６６３Ａの間、搬送ガス流はオンであり続けてよく、搬送ガスは、余分な分子および／または副生成物をチャンバから除去するためのパージガスとして機能しうる。シリコン含有前駆体ガス流、窒素含有反応ガス流、および、ブロック剤ガス流は、オフにされる。図６のこの例において、蒸着された窒化シリコン膜の厚さが不十分であると判定され、別の蒸着サイクル６１０Ｂが実行される。蒸着サイクル６１０Ｂは、シリコン含有前駆体暴露段階６５７Ｂ、パージ段階６５９Ｂ、窒素含有反応剤暴露段階６６１Ｂ、および、パージ段階６６３Ｂを含む。シリコン含有前駆体暴露段階６５７Ｂの間、搬送ガスが流されてよく、シリコン含有前駆体ガス流はオンにされ、窒素含有反応ガス流およびブロック剤ガス流はオフにされる。これは、膜が十分な厚さまで蒸着されていないと動作１１６で判定した後の図１の動作１０８の反復動作に対応しうる。パージ段階６５９Ｂの間、搬送ガス流はオンのままであるが、シリコン含有前駆体ガス流はオフにされ、窒素含有反応ガス流およびブロック剤ガス流は共にオフのままである。これは、図１の動作１１０の反復動作に対応しうる。窒素含有反応剤暴露段階６６１Ｂの間、搬送ガス流はオンのままであるが、窒素含有反応ガス流はオンにされ、シリコン含有前駆体ガス流およびブロック剤ガス流はオフにされる。これは、図１の動作１１２の反復動作に対応しうる。パージ段階６６３Ｂの間、搬送ガス流はオンのままであってよいが、シリコン含有前駆体ガス流、窒素含有反応ガス流、および、ブロック剤ガス流はオフにされる。２つの蒸着サイクルが図６に図示されているが、さらなる蒸着サイクルが実行されてもよいことを理解されたい。また、いくつかの実施形態においては、所望の回数の蒸着サイクルが実行された後に、基板のブロックされた表面から有機基を除去するために、さらなる除去種暴露段階（図示せず）が実行されてもよいことを理解されたい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図８は、処理チャンバ８１４内でウエハを移動するためのウエハハンドリングシステムの一実施形態を示す。いくつかの実施形態において、ウエハハンドリングシステムは、様々な処理ステーションの間で、および／または、処理ステーションとロードロックとの間で、ウエハを移動させうる。任意の適切なウエハハンドリングシステムが用いられてよいことがわかる。非限定的な例は、ウエハカルーセルおよびウエハハンドラロボットを含む。図８は、さらに、処理ツール８００の処理条件およびハードウェア状態を制御するために用いられるシステムコントローラ８５０の一実施形態を示す。システムコントローラ８５０は、１または複数のメモリデバイス８５６と、１または複数のマスストレージデバイス８５４と、１または複数のプロセッサ８５２と、を備えてよい。プロセッサ８５２は、ＣＰＵまたはコンピュータ、アナログおよび／またはデジタル入力／出力接続、ステッパモータコントローラボードなどを備えてよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
結論
理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。本発明の処理、システム、および、装置を実施する多くの他の方法が存在することに注意されたい。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されない。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
半導体基板上に窒化シリコンを蒸着する方法であって、
露出した酸化シリコン表面および露出したシリコン表面を有する前記半導体基板を準備する工程と、
前記露出した酸化シリコン表面および前記露出したシリコン表面の一方に有機部分を形成することによって、前記露出した酸化シリコン表面および前記露出したシリコン表面の他方が未ブロックのままで、前記露出した酸化シリコン表面および前記露出したシリコン表面の前記一方をブロックするために、前記半導体基板をブロック剤に暴露させる工程と、
１または複数回の熱原子層蒸着サイクルによって、前記露出した酸化シリコン表面および前記露出したシリコン表面の前記他方に窒化シリコンを選択的に蒸着させる工程と、
を備え、
各サイクルは、
前記ブロックされた表面および前記未ブロックの表面を有する前記半導体基板をシリコン含有前駆体に暴露させて、前記シリコン含有前駆体を前記未ブロックの表面に吸着させる工程と、
プラズマを点火することなしに前記半導体基板を窒素含有反応剤に暴露させて、前記ブロックされた表面に対して前記未ブロックの表面上に選択的に窒化シリコンを形成する工程と、
を含む、方法。
適用例２：
適用例１の方法であって、前記ブロック剤は、アルケンである、方法。
適用例３：
適用例１の方法であって、前記ブロック剤は、以下の化学構造を有するアルキルシリルハライドであり、
Ｘは、ハロゲンであり、ｎは、１以上２０以下の整数である、方法。
【化１５】
2018164079.tif 000004
適用例４：
適用例１の方法であって、前記露出した酸化シリコン表面は、ヒドロキシル基を備える、方法。
適用例５：
適用例１の方法であって、さらに、前記窒化シリコンを選択的に蒸着した後に、前記有機部分を除去する工程を備える、方法。
適用例６：
適用例５の方法であって、前記有機部分を除去する工程は、ヘリウムおよびアルゴンからなる群より選択された不活性ガスに前記半導体基板を暴露させる工程と、約５００Ｗ〜約２０００Ｗの間のプラズマ電力でプラズマを点火する工程と、を含む、方法。
適用例７：
適用例３の方法であって、さらに、前記窒化シリコンを選択的に蒸着した後に、フッ素含有ガスおよび酸素含有ガスの混合物に前記半導体基板を暴露させて、約７５Ｗ〜約２００Ｗの間のプラズマ電力でプラズマを点火することにより、前記有機部分を除去する工程を備える、方法。
適用例８：
適用例１〜７のいずれかの方法であって、さらに、前記半導体基板を前記ブロック剤に暴露させる前に、前記半導体基板を水素に暴露させて、前記露出したシリコン表面上に水素化基を形成する工程を備える、方法。
適用例９：
適用例１〜７のいずれかの方法であって、前記シリコン含有前駆体は、シリコンハライドおよびアミノシランからなる群より選択される、方法。
適用例１０：
適用例１〜７のいずれかの方法であって、前記窒素含有反応剤は、アンモニア、窒素、ヒドラジン、または、それらの組み合わせである、方法。
適用例１１：
適用例１〜７のいずれかの方法であって、前記半導体基板は、約２５°Ｃ〜約３００°Ｃの間の温度に設定されたペデスタル上に載置される、方法。
適用例１２：
適用例１〜７のいずれかの方法であって、前記半導体基板は、約１０ｍＴｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒの間のチャンバ圧に設定されたチャンバ内に収容される、方法。
適用例１３：
適用例１〜７のいずれかの方法であって、各熱原子層蒸着サイクルは、さらに、前記半導体基板を前記シリコン含有前駆体に暴露させる工程と、前記半導体基板を前記窒素含有反応剤に暴露させる工程との合間に、前記半導体基板を収容するチャンバをパージする工程を含む、方法。
適用例１４：
適用例２の方法であって、前記アルケンは、１−オクタデセンである、方法。
適用例１５：
適用例３の方法であって、前記アルキルシリルハライドは、オクタデシルトリクロロシランである、方法。
適用例１６：
適用例７の方法であって、前記プラズマは、遠隔プラズマ発生器内で点火される、方法。
適用例１７：
適用例７の方法であって、前記プラズマは、その場で点火される、方法。
適用例１８：
半導体基板上に窒化シリコンを蒸着する方法であって、
ブロックされた表面および未ブロックの表面を有する前記半導体基板を準備する工程であって、前記ブロックされた表面は、Ｓｉ−Ｃ結合を有する有機部分を備える、工程と、
１または複数回の熱原子層蒸着サイクルによって、前記未ブロックの表面に窒化シリコンを選択的に蒸着させる工程と、
を備え、
各サイクルは、
前記ブロックされた表面および前記未ブロックの表面を有する前記半導体基板をシリコン含有前駆体に暴露させて、前記シリコン含有前駆体を前記未ブロックの表面に吸着させる工程と、
プラズマを点火することなしに前記半導体基板を窒素含有反応剤に暴露させて、前記ブロックされた表面に対して前記未ブロックの表面上に選択的に窒化シリコンを形成する工程と、
を含む、方法。
適用例１９：
適用例１８の方法であって、前記未ブロックの表面は、非シリコン表面である、方法。
適用例２０：
適用例１８の方法であって、前記未ブロックの表面は、非酸化シリコン表面である、方法。
適用例２１：
適用例１８の方法であって、前記未ブロックの表面は、ヒドロキシル基を備える、方法。
適用例２２：
適用例１８、１９、および、２１のいずれかの方法であって、さらに、前記半導体基板をアルケンに暴露させることによって、前記ブロックされた表面を準備する工程を備える、方法。
適用例２３：
適用例２２の方法であって、前記アルケンは、１−オクタデセンである、方法。
適用例２４：
適用例１８および２０のいずれかの方法であって、さらに、以下の化学構造を有するアルキルシリルハライドに前記半導体基板を暴露させることによって、前記ブロックされた表面を準備する工程を備え、
Ｘは、ハロゲンであり、ｎは、１以上２０以下の整数である、方法。
【化１６】
2018164079.tif 000005
適用例２５：
適用例２４の方法であって、前記アルキルシリルハライドは、オクタデシルトリクロロシランである、方法。
適用例２６：
適用例２４の方法であって、さらに、前記窒化シリコンを選択的に蒸着した後に、フッ素含有ガスおよび酸素含有ガスの混合物に前記半導体基板を暴露させて、約７５Ｗ〜約２００Ｗの間のプラズマ電力でプラズマを点火することにより、前記有機部分を除去する工程を備える、方法。
適用例２７：
適用例２６の方法であって、前記プラズマは、遠隔プラズマ発生器内で点火される、方法。
適用例２８：
適用例２６の方法であって、前記プラズマは、その場で点火される、方法。
適用例２９：
適用例１８の方法であって、さらに、前記窒化シリコンを選択的に蒸着した後に、前記有機部分を除去する工程を備える、方法。
適用例３０：
適用例２９の方法であって、前記有機部分を除去する工程は、ヘリウムおよびアルゴンからなる群より選択された不活性ガスに前記半導体基板を暴露させる工程と、約５００Ｗ〜約２０００Ｗの間のプラズマ電力でプラズマを点火する工程と、を含む、方法。
適用例３１：
半導体基板上に窒化シリコンを蒸着する方法であって、
露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面および露出した水素末端シリコン含有表面を有する前記半導体基板を準備する工程と、
前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面および前記露出した水素末端シリコン含有表面の一方に有機部分を形成することによって、前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面および前記露出した水素末端シリコン含有表面の他方が未ブロックのままで、前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面および前記露出した水素末端シリコン含有表面の前記一方をブロックするために、前記半導体基板をブロック剤に暴露させる工程と、
１または複数回の熱原子層蒸着サイクルによって、前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面および前記露出した水素末端シリコン含有表面の前記他方に窒化シリコンを選択的に蒸着させる工程と、
を備え、
各サイクルは、
前記ブロックされた表面および前記未ブロックの表面を有する前記半導体基板をシリコン含有前駆体に暴露させて、前記シリコン含有前駆体を前記未ブロックの表面に吸着させる工程と、
プラズマを点火することなしに前記半導体基板を窒素含有反応剤に暴露させて、前記ブロックされた表面に対して前記未ブロックの表面上に選択的に窒化シリコンを形成する工程と、
を含む、方法。
適用例３２：
適用例３１の方法であって、前記ブロック剤は、アルケンである、方法。
適用例３３：
適用例３１の方法であって、前記ブロック剤は、以下の化学構造を有するアルキルシリルハライドであり、
Ｘは、ハロゲンであり、ｎは、１以上２０以下の整数である、方法。
【化１７】
2018164079.tif 000006
適用例３４：
適用例３１〜３３のいずれかの方法であって、さらに、前記半導体基板を前記ブロック剤に暴露させる前に、前記半導体基板を水素に暴露させて、前記露出した水素末端シリコン含有表面を形成する工程を備える、方法。
適用例３５：
適用例３１〜３３のいずれかの方法であって、さらに、前記半導体基板を前記ブロック剤に暴露させる前に、前記半導体基板を大気に暴露させて、前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面を形成する工程を備える、方法。
適用例３６：
適用例３１〜３３のいずれかの方法であって、さらに、前記半導体基板を前記ブロック剤に暴露させる前に、水に希釈した１％フッ化水素酸に前記半導体基板を暴露させて、前記露出したヒドロキシル末端シリコン含有表面を形成する工程を備える、方法。
適用例３７：
半導体基板を処理するための装置であって、
基板を保持するためのペデスタルを備えた処理チャンバと、
真空に接続するための少なくとも１つの流出口と、
前記装置内の動作を制御するためのコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
前記処理チャンバのペデスタルへ半導体基板を供給させるためのマシン読み取り可能な命令と、
ブロック剤を前記処理チャンバへ導入させるためのマシン読み取り可能な命令と、
シリコン含有前駆体を前記処理チャンバへ導入させるためのマシン読み取り可能な命令と、
プラズマを点火することなしに、窒素含有反応剤を導入させるためのマシン読み取り可能な命令と、
を備える、装置。