(57)【要約】  ラッピングされた半導体ウェーハの表面を研削する。ラッピング時にウェーハ表面に生じたダメージが除去され、ウェーハ表面の平坦性が高まる。次に、ウェーハを複合エッチング後、両面研磨してウェーハ表面を鏡面研磨すると同時に、ウェーハ裏面を軽く研磨すると、表裏両面の識別力を有した片面鏡面ウェーハが得られる。単なる酸エッチングまたはアルカリエッチングよりも高平坦度の片面鏡面ウェーハを製造できる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラッピング後の半導体ウェーハの表面を研削する研削工程と、
この研削された半導体ウェーハをエッチングするエッチング工程と、
このエッチングされた半導体ウェーハの表面を鏡面研磨すると同時に、エッチングされた半導体ウェーハの裏面を軽く研磨する両面研磨工程とを備え、
前記エッチング工程が、酸エッチングとアルカリエッチングとを所定の順序で施す複合エッチングである片面鏡面ウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記複合エッチングでは、半導体ウェーハに対して、次の何れかのエッチングを施す請求項１に記載の片面鏡面ウェーハの製造方法。
(1) 半導体ウェーハを酸エッチング後、この半導体ウェーハにアルカリエッチングを施す。
(2) 半導体ウェーハに、第１の酸性エッチング液による第１の酸エッチングを行った後、この半導体ウェーハに第２の酸性エッチング液を使用する第２の酸エッチングを施し、次にこの半導体ウェーハにアルカリエッチングを施す。
(3) 半導体ウェーハをアルカリエッチング後、この半導体ウェーハに酸エッチングを施す。
(4) 半導体ウェーハに第１の酸性エッチング液による第１の酸エッチングを行った後、この半導体ウェーハにアルカリエッチングを施し、次にこの半導体ウェーハに第２の酸性エッチング液による第２の酸エッチングを施す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は片面鏡面ウェーハの製造方法、詳しくは高平坦度で、しかも表裏両面の識別が可能な片面鏡面ウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハの製造においては、インゴットをスライスしてシリコンウェーハを作製後、シリコンウェーハに対して面取り、ラッピング、酸エッチング、鏡面研磨の各工程が順次施される。
酸エッチング工程では、ラッピング直後のシリコンウェーハを高いエッチレートの拡散律速系の混酸、具体的にはＨＦ／ＨＮＯ３系の混酸に浸漬し、ラッピング加工での歪み、面取りでの歪みを除去している。酸エッチングはシリコンウェーハとの反応性が高く、エッチング速度が速いという利点を有する。しかしながら、エッチング中にウェーハの面から多量の気泡が発生し、その影響でシリコンウェーハの表裏両面に、周期１０ｍｍ程度、高さ数十〜数百ｎｍ程度のうねりが生じる。その結果、ウェーハ表面の平坦度もしくはウェーハ表面のナノトポグラフィがそれぞれ低下していた。【０００３】
ところで、デバイス工程中のフォトリソグラフィ工程において、ウェーハ保持板にシリコンウェーハを吸着すると、ウェーハ裏面のうねりが、研磨により鏡面に仕上げられたウェーハ表面に転写される現象が起きる。これにより、露光の解像度が低下し、デバイスの歩留りが低下していた。
そこで、このような転写現象を抑える従来法として、例えば特許文献１に示す「半導体ウェーハの製造方法」が知られている。【０００４】
この従来法では、ラッピングされたシリコンウェーハのエッチングを、それまでの酸エッチングから、アルカリ性エッチング液によるアルカリエッチングに変更した。これにより、酸エッチング時に発生するうねりが解消された。しかも、鏡面研磨に代えてウェーハの表面を鏡面研磨すると同時に、エッチング工程でウェーハの裏面に形成された凹凸を軽く研磨する両面研磨を採用した。さらに、前記アルカリエッチング工程から両面研磨工程までの間に、シリコンウェーハの表面を研削するようにした。これにより、両面研磨前にウェーハ表面の粗さが小さくなり、さらに高平坦化することが可能になるとともに、両面研磨時の研磨量を低減することができた。アルカリエッチングによれば、シリコンウェーハの表裏両面に縦横が１０〜２０μｍの範囲で、高低差が約２μｍの凹凸が発生してしまう。これらの凹凸は、これまで研削により除去していた。【０００５】
【特許文献１】日本国特開２００２−２５９５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記特許文献１を含むこれまでの片面鏡面ウェーハの製造方法にあっては、エッチング工程で、酸エッチングまたはアルカリエッチングの何れかが単独で実施されていた。その結果、上述した酸エッチングに起因したウェーハ表裏両面のうねりなどの課題、および、アルカリエッチングに起因したウェーハ表裏両面の凹凸の課題が発生していた。これらが、片面鏡面ウェーハをさらに高平坦度にする際の障害となっていた。【０００７】
この発明は、高平坦度で、しかもウェーハ表裏両面の識別力を有している片面鏡面ウェーハの製造方法を提供することを、その目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の発明は、ラッピング後の半導体ウェーハの表面を研削する研削工程と、この研削された半導体ウェーハをエッチングするエッチング工程と、このエッチングされた半導体ウェーハの表面を鏡面研磨すると同時に、エッチングされた半導体ウェーハの裏面を軽く研磨する両面研磨工程とを備え、前記エッチング工程が、酸エッチングとアルカリエッチングとを所定の順序で施す複合エッチングである片面鏡面ウェーハの製造方法である。【０００９】
第１の発明によれば、ラッピングされた半導体ウェーハの表面を研削する。これにより、ラッピング時にウェーハ表面に形成された加工ダメージが除去され、ウェーハ表面の平坦性が高まる。エッチング後のウェーハ表面の平坦性は、エッチング直前のウェーハ表面の平坦性に大きく影響する。これは、エッチングがウェーハの表裏両面に沿って半導体を溶解することに因る。
次に、半導体ウェーハに対して酸エッチングとアルカリエッチングとを所定の順序で行う複合エッチングを施す。その後、半導体ウェーハに両面研磨を施してウェーハ表面を鏡面研磨すると同時に、ウェーハ裏面を軽く研磨する。これにより、表裏両面の識別力を有した片面鏡面ウェーハを得ることができる。
このように、エッチング工程を、酸エッチングとアルカリエッチングとを所定の順序で施す複合エッチングとしたので、半導体ウェーハに単なる酸エッチングまたはアルカリエッチングを施した場合に比べて、ウェーハ表面の平坦度が高い片面鏡面ウェーハを製造することができる。【００１０】
半導体ウェーハとしては、例えばシリコンウェーハ、ガリウムヒ素ウェーハなどを採用することができる。
片面鏡面ウェーハとは、デバイスが形成される片面（表面）が、研磨により鏡面に仕上げられた半導体ウェーハをいう。
研削工程では、ラッピング後の半導体ウェーハの表面に低ダメージの研削を行う。ここでの研削は、仕上げ研削だけでもよいし、比較的粗く半導体ウェーハの表面を研削する１次研削と、前記仕上げ研削との組み合わせでもよい。さらに、１次研削と仕上げ研削との間に、半導体ウェーハに対する２次研削または３次研削を行なってもよい。
半導体ウェーハの研削量は１０〜２０μｍである。仕上げ用の研削装置に組み込まれた研削砥石としては、例えばレジノイド研削砥石、メタルボンド研削砥石でもよい。ただし、仕上げ研削工程では、半導体ウェーハの表面があれにくく、非ダメージ面でも研削可能な高番手の研削砥石を採用した方が好ましい。具体例を挙げれば、＃１０００〜＃８０００のレジノイド研削砥石、好ましくは＃２０００〜＃４０００のレジノイド研削砥石である。【００１１】
研削装置としては、例えば、下定盤とこれより上方に配置される研削ヘッドとを備えたものを採用することができる。半導体ウェーハは、例えば真空吸着によって下定盤の上面に固定される。研削ヘッドの下面の外周部には、例えば環状の研削砥石が固定されている。研削砥石としては、多数個のレジノイド研削砥石製の研削チップを環状に組み合わせたものなどを採用することができる。
このとき、下定盤の回転速度は３０〜５０ｒｐｍ、研削ヘッドの回転速度は５０００〜７０００ｒｐｍである。研削液としては、超純水などを採用することができる。研削量は１０〜２０μｍである。研削時に発生する加工ダメージ層（研削痕）の厚さは１〜３μｍである。ダメージが大きければ、後の両面研磨におけるウェーハ表面の研磨量が増える。【００１２】
ここでいうエッチングとは、ウェットエッチングである。ウエットエッチングには、酸エッチング、アルカリエッチングが挙げられる。酸エッチングでは、例えばＨＦ、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、Ｈ２Ｏ２、リン酸の混酸液を使用することができる。また、アルカリエッチングでは、例えばＮａＯＨ、ＫＯＨ、アンモニアなどのアルカリエッチング液などを使用することができる。
エッチング量は、半導体ウェーハの片面で１０〜１５μｍである。１０μｍ未満では加工ひずみの除去不良が発生する。また、１５μｍを超えると平坦度の劣化不良が発生する。
エッチングには、エッチング槽が使用される。エッチング槽は、半導体ウェーハを１枚ずつ処理する枚葉式のものでもよい。また、複数枚の半導体ウェーハをまとめて処理するバッチ式でもよい。
エッチング槽の素材としては、例えば石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、ポリプロピレン、ＰＴＦＥ、ＰＦＡなど、エッチング液への耐薬品性を有した素材を採用することができる。エッチング槽の形状、大きさなどは限定されない。例えば、その形状は角型槽、丸型槽などでもよい。バッチ式のエッチング槽の大きさは、取り扱われる最大口径の半導体ウェーハ用のウェーハカセットを収納可能な大きさが必要である。【００１３】
半導体ウェーハは、ウェーハ中心線を中心にして回転させながらエッチングする。例えば、半導体ウェーハの複数枚をウェーハカセットに収納した状態で回転させる。半導体ウェーハを回転させることで、ウェーハ面内のエッチング量が均一化される。半導体ウェーハの回転速度は、例えば５〜５０ｒｐｍである。
ウェーハカセットの保持構造は限定されない。例えば、ウェーハカセットの両側の脚部の下端部を掛止する構造を採用することができる。また、ウェーハカセットの両側の脚部の中央部または上部を掛止する構造を採用してもよい。ここでいう掛止とは、例えば凹部と凸部との合致による掛止、把持手段によるクランプなどをいう。
回転部材の使用本数は限定されない。１本または２本以上でもよい。
ウェーハ回転手段の構成は限定されない。少なくとも回転部材とそれを回転させる駆動部とが必要である。
ウェーハカセットおよび回転部材の素材は限定されない。使用されるエッチング液に耐薬品性を有する素材が適宜選択される。例えば、アルカリ性エッチング液の場合には、耐アルカリ性の合成樹脂、例えばポリテトラフルオロエチレン（商品名テフロン（登録商標）：ｄｕｐｏｎ社製）、ポリプロピレンなどを採用することができる。【００１４】
研磨時に利用される両面研磨装置としては、例えばサンギヤを有する遊星歯車式両面研磨装置、無サンギヤ式両面研磨装置などを採用することができる。遊星歯車式両面研磨装置とは、平行配置された上定盤と下定盤との間に、小径なサンギヤと大径なインターナルギヤとを互いの軸線を一致させて配置し、半導体ウェーハを保持するウェーハ保持孔が形成されたキャリヤプレートの外ギヤを、サンギヤとインターナルギヤとにそれぞれ噛合させた遊星歯車タイプの両面研磨装置である。
また、無サンギヤ式両面研磨では、キャリヤプレートのウェーハ保持孔内に半導体ウェーハを保持し、研磨剤を供給しながら、研磨布が貼着された上定盤および研磨布が貼着された下定盤の間で、キャリヤプレートの表面と平行な面内でキャリヤプレートに自転を伴わない円運動をさせる。ここでいう、自転を伴わない円運動とは、キャリヤプレートが上定盤および下定盤の回転軸から所定距離だけ偏心した状態を、常時、維持して旋回する円運動をいう。この運動によって、キャリヤプレート上の全ての点は、同じ大きさの小円の軌跡を描くことになる。【００１５】
キャリヤプレートに形成されるウェーハ保持孔の個数は、１個（枚葉式）でもよいし、複数個でもよい。ウェーハ保持孔の大きさは、研磨される半導体ウェーハの大きさにより、任意に変更される。
研磨布の種類および材質は限定されない。例えば、不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた不織布パッド、発泡したウレタンのブロックをスライスした発泡性ウレタンパッドなどを採用することができる。その他、ポリエステルフェルトにポリウレタンが含浸された基材の表面に発泡ポリウレタンを積層し、ポリウレタンの表層部分を除去して発泡層に開口部を形成したスエードパッドでもよい。
研磨剤としては、例えばｐＨが９〜１１のアルカリ性エッチング液に、平均粒径０．１〜０．０２μｍのコロイダルシリカ砥粒（研磨砥粒）を分散させたものでもよい。また、酸性エッチング液に研磨砥粒を分散させたものでもよい。研磨剤の供給量は、半導体ウェーハの大きさなどにより異なる。例えば、１．０〜２．０リットル／分である。【００１６】
遊星歯車式両面研磨装置による研磨時には、サンギヤとインターナルギヤとの間に、キャリヤプレートを自転自在および公転自在に配置し、キャリヤプレートのウェーハ保持孔内に保持された半導体ウェーハに対して、対向面に研磨布がそれぞれ貼着された上定盤と下定盤とを押し付けながら摺接することで、半導体ウェーハの両面（表裏面）を同時に研磨する。
また、無サンギヤ式両面研磨装置による研磨時には、上定盤および下定盤の間で半導体ウェーハを保持し、この状態を維持したまま、キャリヤプレートをこのプレートの自転を伴わない円運動をさせて両面研磨する。自転しない円運動によれば、キャリヤプレート上の全ての点がまったく同じ運動をする。これは、一種の揺動運動ともいえる。すなわち、揺動運動の軌跡が円になると考えることもできる。このようなキャリヤプレートの運動により、研磨中、半導体ウェーハはウェーハ保持孔内で旋回しながら研磨される。【００１７】
半導体ウェーハの裏面を軽く研磨するとは、アルカリエッチングによって半導体ウェーハの裏面に形成された凹凸を軽度に研磨し、その凹凸の一部を取り除くことで、ウェーハ裏面の光沢度を調整することを意味する。両面研磨での研磨量はウェーハ表面（鏡面）が６〜１０μｍ、ウェーハ裏面が２〜６μｍである。研磨後、ウェーハ表面側の加工ダメージ層の厚さは５〜１０μｍ、ウェーハ裏面側の場合では１０〜２０μｍである。このように、ウェーハ表面の研磨量を６〜１０μｍ、ウェーハ裏面の研磨量を２〜６μｍとすることで、光センサによりウェーハ表裏面の輝度（光沢度）に基づき、半導体ウェーハの表面と裏面とを識別することができる。ウェーハ裏面の光沢度は、日本電色社製の光沢度測定器による光沢度の測定で、２００％（３９０％以上が鏡面）以下である。
両面研磨装置を使用して半導体ウェーハの表面を鏡面化すると同時に、半導体ウェーハの裏面を半鏡面加工する方法は限定されない。例えば、ウェーハ表面用の研磨布によるウェーハ表面の研磨速度と、ウェーハ裏面用の研磨布によるウェーハ裏面の研磨速度とを異ならせる方法などでもよい。
半導体ウェーハに対して、酸エッチングとアルカリエッチングとを施す順序は限定されない。また、酸エッチングとアルカリエッチングとを施す回数も限定されない。酸エッチングの直後およびアルカリエッチングの直後には、超純水によるリンス工程をそれぞれ施した方が好ましい。【００１８】
第２の発明は、第１の発明にあって、前記複合エッチングでは、半導体ウェーハに対して、次の何れかのエッチングを施す片面鏡面ウェーハの製造方法である。(1) 半導体ウェーハを酸エッチング後、この半導体ウェーハにアルカリエッチングを施す。(2) 半導体ウェーハに、第１の酸性エッチング液による第１の酸エッチングを行った後、この半導体ウェーハに第２の酸性エッチング液を使用する第２の酸エッチングを施し、次にこの半導体ウェーハにアルカリエッチングを施す。(3) 半導体ウェーハをアルカリエッチング後、この半導体ウェーハに酸エッチングを施す。(4) 半導体ウェーハに第１の酸性エッチング液による第１の酸エッチングを行った後、この半導体ウェーハにアルカリエッチングを施し、次にこの半導体ウェーハに第２の酸性エッチング液による第２の酸エッチングを施す。【００１９】
特に、第２の発明によれば、(1) 半導体ウェーハの酸エッチング後、この半導体ウェーハをアルカリエッチングする場合には、酸エッチングにより半導体ウェーハの外周形状の制御が容易となり、片面鏡面ウェーハの高平坦化に有利となる。
(2) 半導体ウェーハに、第１の酸性エッチング液による第１の酸エッチングを行った後、この半導体ウェーハに第２の酸性エッチング液を使用する第２の酸エッチングを施し、次にこの半導体ウェーハをアルカリエッチングする場合には、酸エッチングにより半導体ウェーハの外周形状の制御が容易で、片面鏡面ウェーハの高い平坦化に有利となる。しかも、酸エッチングを２回に分けて施すことで、ラッピング後の半導体ウェーハの平坦度を低下させずに酸エッチングのエッチング量を増加させることができ、片面鏡面ウェーハの表面粗さの低減を図ることができる。
(3) 半導体ウェーハをアルカリエッチング後、この半導体ウェーハを酸エッチングする場合には、アルカリエッチングのエッチング量と酸エッチングのエッチング量との比が３：２のとき、ウェーハ表面の粗さを顕著に低減させることができる。半導体ウェーハの表面には、ラップ加工および研削加工などの機械加工によるダメージ層(加工変質層)が存在する。ダメージ層は、半導体ウェーハの面内でそのダメージの大きさ（程度）が部分的に異なり、より大きいダメージ部分をアルカリエッチングの異方性(選択性)を利用して選択的にエッチングする。これにより、半導体ウェーハの表面が、“ある程度”滑らかな状態に整えられ、その後、等方性の高い酸エッチング処理を組み合わせることで、半導体ウェーハの表面粗さを顕著に低減させることができる。
(4) 半導体ウェーハに第１の酸性エッチング液による第１の酸エッチングを行った後、この半導体ウェーハにアルカリエッチングを施し、次にこの半導体ウェーハに第２の酸性エッチング液による第２の酸エッチングを施す場合には、酸エッチングとアルカリエッチングとの両方の利点を有する。しかも、アルカリエッチング後の半導体ウェーハに第２の酸エッチングが施されるので、アルカリエッチング時に半導体ウェーハに付着した金属不純物を除去する洗浄効果も得られる。【００２０】
(1) の場合、酸エッチング時の半導体ウェーハのエッチング量は１５μｍ以下、アルカリエッチング時の半導体ウェーハのエッチング量は１０〜１５μｍである。また、(2) の場合、第１の酸エッチング時および第２の酸エッチング時の半導体ウェーハのエッチング量はそれぞれ２０μｍ以下、アルカリエッチング時の半導体ウェーハのエッチング量は５〜１０μｍである。さらに、(3) の場合、アルカリエッチング時の半導体ウェーハのエッチング量は１５μｍ以下、酸エッチング時の半導体ウェーハのエッチング量は２０μｍ以下である。そして、(4) の場合、第１の酸エッチング時および続くアルカリエッチング時における半導体ウェーハのエッチング量は１０μｍ以下、第２の酸エッチング時の半導体ウェーハのエッチング量は５μｍ以下である。
(2) ，(4) の各複合エッチングで使用される第１の酸性エッチング液と第２の酸性エッチング液とは、成分、濃度などが異なればよい。
【発明の効果】
【００２１】
第１の発明によれば、両面研磨工程として、ウェーハ表面を鏡面研磨すると同時に、ウェーハ裏面を軽く研磨する工程を採用するとともに、エッチング工程として、半導体ウェーハに対して、酸エッチングとアルカリエッチングとを所定の順序で行う複合エッチングを採用したので、表裏両面の識別力を有するとともに、半導体ウェーハに単なる酸エッチングまたはアルカリエッチングを施す場合に比べて、より高平坦度な片面鏡面ウェーハを製造することができる。また、研磨工程として両面研磨を採用したので、両面同時処理による工程の簡略化が可能となる。【００２２】
特に、第２の発明によれば、(1) 半導体ウェーハに対して酸エッチング後、アルカリエッチングする場合では、酸エッチングにより半導体ウェーハの外周形状の制御が容易となり、片面鏡面ウェーハの高平坦化に有利とすることができる。
(2) 半導体ウェーハに対して第１の酸エッチング後、別の酸性エッチング液を使用する第２の酸エッチングを施し、次にアルカリエッチングする場合では、酸エッチングにより半導体ウェーハの外周形状の制御が容易で、片面鏡面ウェーハの高平坦化に有利とすることができる。しかも、酸エッチングを２回に分けたので、ラッピング後の半導体ウェーハの平坦度を低下させず、酸エッチングのエッチング量を増加させることができ、表面粗さの低減を図ることができる。【００２３】
(3) 半導体ウェーハに対してアルカリエッチング後、酸エッチングする場合では、アルカリエッチングのエッチング量と酸エッチングのエッチング量との比が３：２のとき、ウェーハ表面の粗さを顕著に低減させることができる。
(4) 半導体ウェーハに対して第１の酸エッチング後、アルカリエッチングを施し、次に別の酸性エッチング液により第２の酸エッチングする場合においては、酸エッチングとアルカリエッチングとの両方の利点を有している。しかも、半導体ウェーハに対してアルカリエッチング後に酸エッチングを施すので、アルカリエッチング時にウェーハに付着した金属不純物などを除去する洗浄効果も得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】この発明の実施例１に係る片面鏡面ウェーハの製造方法を示すフローシートである。
【図２】この発明の実施例１に係る片面鏡面ウェーハの製造方法に用いられる研削装置の斜視図である。
【図３】この発明の実施例１に係る片面鏡面ウェーハの製造方法に用いられるエッチング装置の縦断面図である。
【図４】この発明の実施例１に係る片面鏡面ウェーハの製造方法に用いられる遊星歯車式両面研磨装置の要部平面図である。
【図５】この発明の実施例１に係る片面鏡面ウェーハの製造方法に用いられる遊星歯車式両面研磨装置の要部拡大断面図である。
【図６】この発明の実施例１に係る片面鏡面ウェーハの製造方法に用いられる無サンギヤ式両面研磨装置の全体斜視図である。
【図７】この発明の実施例１に係る無サンギヤ式両面研磨装置によるウェーハ両面研磨中の縦断面図である。
【図８】無サンギヤ式両面研磨装置による両面研磨中の状態を示す要部拡大断面図である。
【図９】無サンギヤ式両面研磨装置による片面研磨中の状態を示す要部拡大断面図である。
【図１０】無サンギヤ式両面研磨装置の概略平面図である。
【図１１】無サンギヤ式両面研磨装置のキャリヤプレートに運動力を伝達する運動力伝達系の要部拡大断面図である。
【図１２】無サンギヤ式両面研磨装置における研磨剤供給孔の位置を示す要部拡大断面図である。
【図１３】無サンギヤ式両面研磨装置における研磨剤供給孔の位置を示す要部平面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１０  無サンギヤ式両面研磨装置、
１００  遊星歯車式両面研磨装置、
Ｗ  シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００２７】
図１に示すように、この実施例１にあっては、スライス、面取り、ラッピング、研削、複合エッチング、両面研磨、仕上げ洗浄の各工程を順に経て、片面鏡面ウェーハが作製される。以下、各工程を詳細に説明する。
ＣＺ（チョクラルスキー）法により引き上げられた単結晶シリコンインゴットは、スライス工程（Ｓ１０１）で、厚さ７３０μｍ程度の直径３００ｍｍのシリコンウェーハ（半導体ウェーハ）にスライスされる。
次に、シリコンウェーハに面取り（Ｓ１０２）が施される。すなわち、シリコンウェーハの外周部が＃６００〜＃１５００のメタル面取り用砥石により、所定の形状にあらく面取りされる。これにより、シリコンウェーハの外周部は、所定の丸みを帯びた形状（例えばＭＯＳ型の面取り形状）に付形される。【００２８】
次いで、面取りされたシリコンウェーハは、ラッピング工程（Ｓ１０３）でラッピングされる。ラッピング工程では、シリコンウェーハを、互いに平行な上下１対のラッピング定盤の間に配置し、ラッピング定盤とシリコンウェーハとの間に、アルミナ砥粒と分散剤と水の混合物であるラッピング液を流し込む。そして、所定の加圧下で両ラッピング定盤を回転し、両ラッピング定盤とシリコンウェーハの表裏両面とをすり合わせることにより、ウェーハ表裏両面をラッピングする。ラッピング量は、ウェーハの表裏両面を合わせて４０〜８０μｍ程度である。【００２９】
続いて、ラッピングされたシリコンウェーハの表面を、図２に示す表面研削装置を用いて研削する（Ｓ１０４）。
表面研削装置５０は、主に下定盤５１と、その上方に配置される研削ヘッド５２とを備えている。シリコンウェーハＷは、下定盤５１の上面に真空吸着される。研削ヘッド５２の下面の外周部には、環状の研削砥石５３が固定されている。研削砥石５３は、多数個のレジノイド研削砥石製の研削チップ５３ａを、環状に配設したものである。レジノイド研削砥石の砥粒の番手は、＃４０００である。研削ヘッド５２を６０００ｒｐｍで回転させながら、研削ヘッド５２を０．３μｍ／秒で徐々に下降させ、下定盤５１上のシリコンウェーハＷの表面を研削ヘッド５２により研削する。このとき、下定盤５１の回転速度は４０ｒｐｍである。
このように、ラッピング後のシリコンウェーハＷの表面を研削するので、ラッピング時にウェーハ表面に形成された加工ダメージが除去され、ウェーハ表面の平坦性が高まる。【００３０】
次に、研削後のシリコンウェーハＷに、酸エッチングとアルカリエッチングとを所定の順序で施す複合エッチングを行う（Ｓ１０５）。ここでは、次の４種類のうち、何れかを選択する。すなわち、(1) シリコンウェーハＷに対して、酸エッチング後、アルカリエッチングするか、(2) シリコンウェーハＷに対して、第１の酸エッチング後、別の酸性エッチング液を使用する第２の酸エッチングを施し、次にアルカリエッチングするか、(3) シリコンウェーハＷに対して、アルカリエッチング後、酸エッチングするか、(4) シリコンウェーハＷに対して、第１の酸エッチング後、アルカリエッチングを施し、その後、別の酸性エッチング液により第２の酸エッチングする。【００３１】
まず、エッチング装置を説明する。図３において、６０は実施例１に係るエッチング装置を示している。エッチング装置６０は、シリコンウェーハＷに対する酸性エッチング用とアルカリエッチング用の２台が使用される。各エッチング装置６０は、矩形状のエッチング槽６１と、エッチング槽６１の底部に設けられ、多数枚のシリコンウェーハＷが収納されたウェーハカセット６８を保持する一対の離間したカセット保持体６９と、カセット保持体６９間に設けられ、ウェーハカセット６８内のシリコンウェーハＷをそれぞれの中心線周りに垂直面内で回転させる一対の回転棒７０，７０と、一方の回転棒７０を軸線を中心にして回転させる回転モータＭと、エッチング槽６１の周側面の全体を被って、槽内のエッチング液を間接的に昇温させる温純水（加熱媒体）を貯留するジャケット６２と、エッチング槽６１の底面に設けられ、槽内のエッチング液を間接的に攪拌する超音波振動子６３と、ジャケット６２に両端部を連結（連通するように接続）されて、いったん、温純水をエッチング槽６１から離間した位置まで導出し、その後、再びジャケット６２に戻す熱媒循環路６４と、熱媒循環路６４に設けられた温純水の循環ポンプ６５と、エッチング槽６１から離間した熱媒循環路６４の途中に外設され、熱媒循環路６４を流れる温純水を昇温させる電熱ヒータ（昇温手段）６６とをそれぞれ備えている。【００３２】
エッチング槽６１は、酸性エッチング液およびアルカリ性エッチング液に対しての耐薬品性を有する商品名：テフロン（登録商標）製である。内容量は２０リットルである。
エッチング槽６１の開口部からエッチング液中に、多数枚のシリコンウェーハＷが挿填されたウェーハケース６８が沈められる。
上記ジャケット６２は、平面視してドーナツ型のテフロン（登録商標）製の槽である。ジャケット６２の上面は開口されている。また、ジャケット６２の底面には、熱媒循環路６４の一端が連結されている。熱媒循環路６４は、全長約３ｍのＰＰＡ製の管体である。
循環ポンプ６５は、１５リットル／分の速度で温純水を圧送するポンプで、ジャケット６２の一端部付近に設けられている。
電熱ヒータ６６は、熱媒循環路６４の、エッチング槽６１から１ｍだけ離間した位置に設けられている。なお、電熱ヒータ６６が設置されている空間の雰囲気は、エッチング槽６１の雰囲気から隔離壁６７により遮断されている。【００３３】
次に、図３に示すように、各エッチング装置６０によるシリコンウェーハＷのエッチング時には、多数枚のシリコンウェーハＷが挿填されたウェーハケース６８を、エッチング槽６１に貯留されたエッチング液中に浸漬する。そして、エッチング液を所定温度に保つとともに、回転モータＭにより各シリコンウェーハＷをウェーハ中心線周りにそれぞれ回転させながら、各シリコンウェーハＷに対して酸エッチングまたはアルカリエッチングを行う。
その際、エッチング液は所定温度に維持する必要がある。そのため、エッチング中、常時、温純水を昇温しながら循環させている。すなわち、循環ポンプ６５を作動させ、ジャケット６２内の温純水をいったんジャケット６２から熱媒循環路６４に流入させる。その後、流入された温純水は、循環路途中の電熱ヒータ６６によって昇温され、再びジャケット６２に戻される。この戻された温純水の熱によって、エッチング槽６１のエッチング液が昇温される。こうして、エッチング液の液温が安定化する。【００３４】
以下、両エッチング装置６０を用いた具体的な複合エッチング工程を説明する。(1) ，(3) の酸エッチング時、および、(2) ，(4) の第１の酸エッチング時には、低エッチレートの反応律速系の酸性エッチング液、例えばＨＦ／ＨＮＯ３系の混酸（第１の酸性エッチング液）を使用する。また、(2) ，(4) の第２の酸エッチング時には、拡散律速系の酸性エッチング液、例えば、ＨＦ／ＨＮＯ３系の混酸、ＨＦ／ＨＮＯ３／ＣＯ３ＣＯＯＨ系の混酸或いはＨＦ／ＨＮＯ３系の混酸（第２の酸性エッチング液）を使用する。アルカリ性エッチング液としては、濃度４５〜５５ｗｔ％のＮａＯＨ溶液を使用する。何れの場合も、シリコンウェーハＷを所定温度のエッチング液中に所定時間、浸漬する。
(1) の場合、酸エッチング時のエッチング量は５〜１０μｍ、アルカリエッチング時のエッチング量は１０〜１５μｍである。また、(2) の場合、第１の酸エッチング時のエッチング量は５〜１０μｍ、第２の酸エッチング時のエッチング量は５μｍ、アルカリエッチング時のエッチング量は１０μｍである。さらに、(3) の場合、アルカリエッチング時のエッチング量は１５μｍ、酸エッチング時のエッチング量は１０μｍである。そして、(4) の場合、第１の酸エッチング時のエッチング量は５〜１０μｍ、アルカリエッチング時のエッチング量は１０μｍ、第２の酸エッチング時のエッチング量は５μｍである。【００３５】
このように、(1) シリコンウェーハＷに対して酸エッチング後、アルカリエッチングするようにしたので、酸エッチングによりシリコンウェーハＷの外周形状の制御が容易となり、片面鏡面ウェーハの高平坦化に有利となる。また、(2) シリコンウェーハＷに対して第１の酸エッチング後、第２の酸エッチングを施し、次にアルカリエッチングするようにしたので、酸エッチングによりシリコンウェーハＷの外周形状の制御が容易で、片面鏡面ウェーハの高平坦化に有利となる。しかも、酸エッチングを２回に分けて施すことで、ラッピング後のシリコンウェーハＷの平坦度を低下させずに酸エッチングのエッチング量を増加させることができ、表面粗さの低減を図ることができる。
さらに、(3) シリコンウェーハＷに対してアルカリエッチング後、酸エッチングする場合には、アルカリエッチングのエッチング量と酸エッチングのエッチング量との比が３：２のとき、シリコンウェーハＷの表面の粗さを顕著に低減させることができる。【００３６】
(4) シリコンウェーハＷに対して第１の酸エッチング後、アルカリエッチングを施し、その後、第２の酸エッチングした場合には、酸エッチングとアルカリエッチングとの両方の利点を有する。しかも、シリコンウェーハＷに対してアルカリエッチング後に酸エッチングが施されるので、アルカリエッチング時にシリコンウェーハＷに付着した金属不純物を除去する洗浄効果も得られる。
実施例１では、エッチング工程を、シリコンウェーハＷに酸エッチングとアルカリエッチングとを所定の順序で施す複合エッチングとしたので、シリコンウェーハＷに対して単なる酸エッチングまたはアルカリエッチングを施す場合よりも高い平坦度を有する片面鏡面ウェーハを製造することができる。【００３７】
次に、複合エッチング後のシリコンウェーハＷに、両面研磨が施される（Ｓ１０６）。
ここでも、次の４種類のうち、何れかを選択する。すなわち、(1) シリコンウェーハＷの表面を８μｍ研磨すると同時に、シリコンウェーハＷの裏面を４μｍ研磨するか、(2) サンギヤを有する遊星歯車式両面研磨装置によりシリコンウェーハＷの表裏両面をそれぞれ４μｍ研磨後、無サンギヤ式の両面研磨装置によりシリコンウェーハＷの表面を４μｍ研磨するか、(3) サンギヤを有しない無サンギヤ式両面研磨装置によりシリコンウェーハＷの表面を４μｍ研磨後、前記遊星歯車式両面研磨装置によりシリコンウェーハＷの表裏両面をそれぞれ４μｍ研磨するか、(4) 片面研磨装置によりシリコンウェーハＷの表面を４μｍ研磨後、シリコンウェーハＷの表裏両面をそれぞれ４μｍ研磨する。研磨工程として両面研磨を採用したので、両面同時処理による工程の簡略化が可能となる。この両面研磨は、シリコンウェーハＷのより高い平坦化（超高平坦化）に有利である。もちろん、各エッチング後はシリコンウェーハＷに対して、純水による洗浄を施す。【００３８】
ここで、両面研磨工程で使用される３種類の研磨装置を説明する。
まず、図４および図５を参照して遊星歯車式両面研磨装置を説明する。図４および図５において、１００は遊星歯車式両面研磨装置である。遊星歯車式両面研磨装置１００によれば、キャリヤプレート１１０に複数形成されたウェーハ保持孔１２０内にシリコンウェーハＷを挿入して保持し、その上方から研磨砥粒を含む研磨剤をシリコンウェーハＷに供給しながら、各ウェーハＷの両面を同時に研磨する。
すなわち、まず、回転自在に設けられた太陽ギヤ１３０とインターナルギヤ１４０との間に、外周部に外ギヤ１１０ａを有するキャリヤプレート１１０を自転自在および公転自在に設ける。それから、キャリヤプレート１１０に保持されたシリコンウェーハＷの表裏両面（上面および下面）を、それぞれの対向面に表面側研磨布１５０、裏面側研磨布１６０が貼着された上定盤１７０と下定盤１８０とにより、上下方向から押圧しながら摺接することで、シリコンウェーハＷの両面を同時に研磨する。【００３９】
なお、シリコンウェーハＷの表面（鏡面）を研磨する表面側研磨布１５０としては、研磨剤の保持力が裏面側研磨布１６０より大きく、シリコンウェーハＷの表面の研磨速度が、裏面側研磨布１６０によるシリコンウェーハＷの裏面（半鏡面）の研磨速度より速くなる研磨布が採用されている。このように、表面側研磨布１５０と裏面側研磨布１６０として研磨剤の保持力に差が存在し、研磨速度が違う異なる素材の研磨布を採用したので、ウェーハの両面研磨時に、ウェーハ表面は鏡面仕上げられても、ウェーハ裏面は鏡面化されにくい。
実際、遊星歯車式両面研磨装置１００による両面研磨後、シリコンウェーハＷの表裏両面の光沢度を測定したところ、両面研磨後のウェーハ裏面は、日本電色社製の光沢度測定器による光沢度の測定で、平均２００％（３９０％以上が鏡面）であった。一方、ウェーハ表面の光沢度は、平均３９０％であった。また、シリコンウェーハＷの表面の平坦度においては、ＳＢＩＲで平均０．２μｍ以下、ＧＢＩＲで平均０．５μｍ以下であった。【００４０】
次に、図６〜図１３を参照して無サンギヤ式両面研磨装置（ＤＳＰＳ）を説明する。
図６および図７において、１０は無サンギヤ式両面研磨装置である。具体的には、不二越株式会社製の両面研磨装置（ＬＰＤ３００）が採用されている。
無サンギヤ式両面研磨装置１０は、５個のウェーハ保持孔１１ａがプレート軸線回りに（円周方向に）７２°ごとに穿設されたキャリヤプレート１１と、キャリヤプレート１１のそれぞれのウェーハ保持孔１１ａに旋回自在に挿入されて保持されたシリコンウェーハＷを、上下から挟み込むとともに、シリコンウェーハＷに対して相対的に移動させることでウェーハ面を研磨する上定盤１２および下定盤１３とを備えている。シリコンウェーハＷの直径は３００ｍｍである。キャリヤプレート１１は、平面視して円板形状のガラスエポキシ製で、キャリヤプレート１１の厚さ（６００μｍ）は、シリコンウェーハＷの厚さ（７３０μｍ）よりも若干薄くなっている。【００４１】
図８に示すように、上定盤１２の下面には、シリコンウェーハＷの裏面を研磨する裏面側研磨布１４として、Ｂｅｌｌａｔｒｉｘ  ＶＮ５７３が貼着されている。また、下定盤１３の上面には、シリコンウェーハＷの表面を鏡面化する表面側研磨布１５として、ＳＵＢＡ８００が貼着されている。
なお、両研磨布１４，１５に関して、研磨砥粒を含む研磨剤の保持力について言及すると、当然、軟らかい表面側研磨布１５の方が、硬い裏面側研磨布１４と比較して研磨剤の保持力は大きくなる。研磨剤の保持力が大きいほど、研磨砥粒が研磨作用面に多量に付着し、シリコンウェーハＷの研磨速度は速くなる。【００４２】
図６および図７に示すように、上定盤１２は、上方に延びた回転軸１２ａを介して、上側回転モータ１６により水平面内で回転させられる。また、上定盤１２は軸線方向へ進退させる昇降装置１８により垂直方向に昇降させられる。昇降装置１８は、シリコンウェーハＷをキャリヤプレート１１に給排する際などに使用される。なお、上定盤１２および下定盤１３のシリコンウェーハＷに対する上下（ウェーハ表裏面）方向からの押圧は、上定盤１２および下定盤１３に組み込まれた図示しないエアバック方式などの加圧手段により行われる。
下定盤１３は、その出力軸１７ａを介して、下側回転モータ１７により水平面内で回転させられる。キャリヤプレート１１は、そのプレート自体が自転しないように、キャリヤ円運動機構１９によって、キャリヤプレート１１の面と平行な面（水平面）内で円運動する。次に、図６，図７，図１０，図１２および図１３を参照して、キャリヤ円運動機構１９を詳細に説明する。【００４３】
これらの図に示すように、キャリヤ円運動機構１９は、キャリヤプレート１１を外方から保持する環状のキャリヤホルダ２０を有している。キャリヤ円運動機構１９の装置基体２５とキャリヤホルダ２０とは、連結構造２１を介して連結されている。連結構造２１とは、キャリヤプレート１１を、キャリヤプレート１１が自転せず、しかもキャリヤプレート１１の熱膨張時の伸びを吸収できるように、キャリヤホルダ２０に連結させる手段である。
すなわち、連結構造２１は、図１１に示すように、キャリヤホルダ２０の内周フランジ２０ａに、キャリヤホルダ周方向へ所定角度ごとに突設された多数本のピン２３と、キャリヤプレート１１の外周部の各ピン２３と対応する位置に対応する数だけ穿設された長孔形状のピン孔１１ｂとを有している。【００４４】
これらのピン孔１１ｂは、ピン２３を介して、キャリヤホルダ２０に連結されたキャリヤプレート１１が、このプレート半径方向へ若干移動できるように、ピン孔１１ｂの長さ方向をプレート半径方向と合致させている。各ピン孔１１ｂに対応するピン２３を遊挿させてキャリヤプレート１１をキャリヤホルダ２０に装着することで、両面研磨時に発生した研磨熱による熱膨張を原因としたキャリヤプレート１１の半径方向の伸びが吸収される。なお、各ピン２３の元部（下部）にはねじ部がそれぞれ形成されている。各ピン２３は、自己のねじ部を介して、内周フランジ２０ａに形成された所定のねじ孔にそれぞれねじ込まれている。また、各ピン２３の元部の外ねじの直上部には、キャリヤプレート１１が載置されるフランジ２３ａが周設されている。したがって、ピン２３のねじ込み量を調整することで、フランジ２３に載置されたキャリヤプレート１１の高さ位置を調整することができる。【００４５】
キャリヤホルダ２０の外周部には、９０°ごとに外方へ突出された４個の軸受部２０ｂがそれぞれ設けられている。各軸受部２０ｂには、小径円板形状の偏心アーム２４の上面の偏心位置に突出された偏心軸２４ａがそれぞれ挿着されている。また、４個の偏心アーム２４の各下面の中心部には、回転軸２４ｂがそれぞれ下方に向かって突出させられている。各回転軸２４ｂは、環状の装置基体２５の周方向に９０°ごと形成された４つの軸受部２５ａに、軸孔を介して、それぞれ回転自在に挿着されている。各回転軸２４ｂの先端部は、対応する軸受け部２５ａの下方にそれぞれ突出し、各突出部分にはスプロケット２６がそれぞれ固着されている。そして、各スプロケット２６には、一連にタイミングチェーン２７が水平状態で架け渡されている。なお、タイミングチェーン２７をギヤ構造の動力伝達系に変更してもよい。４個のスプロケット２６とタイミングチェーン２７とは、４個の偏心アーム２４が同期して円運動を行うように、４本の回転軸２４ｂを同時に回転させる同期手段を構成している。【００４６】
また、４本の回転軸２４ｂのうち、１本の回転軸２４ｂはさらに長尺である。長尺な回転軸２４ｂの先端部が、スプロケット２６より下方に突出している。この突出部分に動力伝達用のギヤ２８が固着されている。ギヤ２８は、円運動用モータ（ギヤドモータなど）２９の上向きの出力軸に固着された大径な駆動用のギヤ３０に噛み合っている。なお、タイミングチェーン２７により４個の偏心アーム２４を同期回転させなくても、例えば４個の偏心アーム２４のそれぞれに円運動用モータ２９を設け、各偏心アーム２４を個別に回転させてもよい。ただし、この場合、各モータ２９の回転は同期させる必要がある。【００４７】
したがって、円運動用モータ２９の出力軸を回転させると、その回転力は、ギヤ３０，２８および長尺な回転軸２４ｂに固着されたスプロケット２６を介してタイミングチェーン２７に伝達され、タイミングチェーン２７が周転する。これにより、他の３個のスプロケット２６を介して、４個の偏心アーム２４が同期して回転軸２４ｂを中心に水平面内で回転する。これにより、各偏心軸２４ａに一括して連結されたキャリヤホルダ２０、ひいてはキャリヤホルダ２０に保持されたキャリヤプレート１１が、キャリヤプレート１１に平行な水平面内で、自転をともなわない円運動を行う。
すなわち、キャリヤプレート１１は上定盤１２および下定盤１３の軸線ａから距離Ｌだけ偏心した状態を保って旋回する。距離Ｌは、偏心軸２４ａと回転軸２４ｂとの最短距離と同じである。この自転をともなわない円運動により、キャリヤプレート１１上の全ての点は、同じ大きさの小円の軌跡を描く。
また、図１２および図１３には無サンギヤ式両面研磨装置１０における研磨剤供給孔の位置を示す。例えば上定盤１２に形成された複数の研磨剤供給孔は、各シリコンウェーハＷの中心位置に配置されている。すなわち、研磨剤供給孔（ＳＬ）は、上定盤１２の中心部、言い換えればキャリヤプレート１１の中心部に位置している。その結果、研磨中においてシリコンウェーハＷの裏面には研磨剤による薄膜が常に保持されることとなる。【００４８】
次に、無サンギヤ式両面研磨装置１０を用いたシリコンウェーハＷの両面研磨方法を説明する。
まず、キャリヤプレート１１の各ウェーハ保持孔１１ａにそれぞれ旋回自在にシリコンウェーハＷを挿入する。このとき、各ウェーハ裏面は上向きとする。次いで、この状態のまま、上定盤１２と一体的に５ｒｐｍで回転中の裏面側研磨布１４を、各シリコンウェーハＷの裏面に２００ｇ／ｃｍ２でそれぞれ押し付ける。しかも、下定盤１３と一体的に２５ｒｐｍで回転中の表面側研磨布１５を、各シリコンウェーハＷの表面に２００ｇ／ｃｍ２でそれぞれ押し付ける。【００４９】
その後、両研磨布１４，１５をウェーハ表裏両面に押し付けたまま、上定盤１２側から研磨剤を２リットル／分で供給しながら、円運動用モータ２９によりタイミングチェーン２７を周転させる。これにより、各偏心アーム２４が水平面内で同期回転し、各偏心軸２４ａに一括して連結されたキャリヤホルダ２０およびキャリヤプレート１１が、キャリヤプレート１１の表面に平行な水平面内で、自転をともなわない円運動を２４ｒｐｍで行う。その結果、各シリコンウェーハＷは、対応するウェーハ保持孔１１ａ内で水平面内で旋回しながら、各シリコンウェーハＷの表裏両面が同時に研磨される。ここで使用される研磨剤は、デュポン社製のＮＡ１００である。具体的な成分は、環状系アミン、アルコール系アミン、界面活性剤である。
このとき、上定盤１２の裏面側研磨布１４は、下定盤１３の表面側研磨布１５より硬い。そのため、シリコンウェーハＷは、裏面の研磨量が表面の研磨量より少なくなる。その結果、シリコンウェーハＷの表面が鏡面、シリコンウェーハＷの裏面が半鏡面となる。
無サンギヤ式両面研磨装置１０による片面研磨の場合には、上定盤１２から裏面側研磨布１４を除去して同様の操作を行う（図９）。【００５０】
次に、図示しないバッチ式の片面研磨装置を説明する。上面にシリコンウェーハの表面を研磨する研磨布が貼着された研磨定盤と、研磨定盤の上方に配置され、下面にキャリヤプレートを介して複数枚のシリコンウェーハがワックス貼着される研磨ヘッドとを有している。研磨時には、研磨定盤を高速回転させる。一方、研磨ヘッドを所定の回転速度で回転させる。この状態を保ちながら、研磨剤を所定の流量で研磨布上に供給し、シリコンウェーハの表面を研磨布に押し付け、研磨する。
その後、シリコンウェーハＷに仕上げ洗浄工程（Ｓ１０７）を施す（図１）。具体的には、ＲＣＡ系の洗浄とする。【００５１】
この発明によれば、ラッピングされたシリコンウェーハＷの表面を研削する。これにより、ラッピング時にウェーハ表面に形成された加工ダメージが除去され、ウェーハ表面の平坦性が高まる。次に、シリコンウェーハＷに対して複合エッチングを施す。その後、両面研磨を行ってウェーハ表面を鏡面研磨すると同時に、ウェーハ裏面を軽く研磨する。これにより、表裏両面の識別力を有した片面鏡面ウェーハ（表面だけが鏡面仕上げのシリコンウェーハＷ）を得ることができる。
このように、エッチング工程として、酸エッチングとアルカリエッチングとを所定の順序で施す複合エッチングを採用したので、単なる酸エッチングまたはアルカリエッチングを施す場合よりもウェーハ表面の平坦度が高い片面鏡面ウェーハを製造することができる。
実際、無サンギヤ式両面研磨装置１０による両面研磨後、シリコンウェーハＷの表裏両面の光沢度を測定したところ、前記遊星歯車式両面研磨装置１００を用いてシリコンウェーハＷを両面研磨した場合と略同様の効果が得られた。
【図１】
2005055302.tif 000002
【図２】
2005055302.tif 000003
【図３】
2005055302.tif 000004
【図４】
2005055302.tif 000005
【図５】
2005055302.tif 000006
【図６】
2005055302.tif 000007
【図７】
2005055302.tif 000008
【図８】
2005055302.tif 000009
【図９】
2005055302.tif 000010
【図１０】
2005055302.tif 000011
【図１１】
2005055302.tif 000012
【図１２】
2005055302.tif 000013
【図１３】
2005055302.tif 000014
【国際調査報告】
2005055302.tif 000015
2005055302.tif 000016
2005055302.tif 000017
2005055302.tif 000018