Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体（２）を含むケーブル（３）を剥離するための少なくとも１つの剥離パラメータ（ＣＤ、ＷＢ）を判定するための方法であって、
ａ）長手方向軸（ｘ）に沿って延びるケーブル（３）の絶縁体（５）を切断深さ（ＣＤ）まで切断するステップであって、少なくとも１つの剥離ナイフ（４、４’）を有し、手順の開始時に、初期切断深さ（ＣＤ）は、切断深さとなるように選択され、少なくとも１つの剥離ナイフ（４、４’）が導体（２）に接触することを確実にするステップと、
ｂ）ケーブル（３）に関連する長手方向（ｘ）において、少なくとも１つの剥離ナイフ（４、４’）を移動させることにより、切断された絶縁体（５）を剥離するステップと、
ｃ）検出ユニット（６）を用いて、少なくとも１つの剥離ナイフ（４、４’）がステップａ）において導体（２）と接触しているかどうかを判定するステップと、
ｄ）ステップａ）からｃ）を繰り返すステップであって、それぞれの場合に、導体接触がもはや判定され得なくなるまで、切断深さ（ＣＤ）が切断送り値だけ減少され、それにより、剥離切断深さがパラメータ判定段階において維持されるステップと、を備える方法。
【請求項２】
各剥離処理の後に、剥離されたケーブル端部を有するケーブル部分が、ケーブル（３）から切り離されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
剥離処理中、少なくとも、可能な第２処理サイクルのために、少なくとも１つの剥離ナイフ（４、４’）が、切断深さ（ＣＤ）に関連してケーブル（３）からウェイバック（ＷＢ）だけ離れることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
切断処理が、ステップａ）にしたがって実行された後、少なくとも１つの剥離ナイフ（４、４’）は、切断深さ（ＣＤ）に関連してケーブル（３）からウェイバック（ＷＢ）だけ離れ、かつ、導体接触が発生するとき、ステップａ）からｃ）および離すステップが繰り返され、パラメータ判定段階において、導体接触がもはや剥離処理中に判定されなくなるまで、処理サイクルの間のウェイバック（ＷＢ）が、それぞれの場合に、ウェイバック送り値だけ増大され、このようにして剥離ウェイバック機能を維持することを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
処理の開始時に、第１剥離ステップ（ステップｂ）が、ウェイバックなしで実行されることを特徴とする、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
パラメータ判定段階を終えた後に、剥離切断深さおよび剥離ウェイバックを用いて剥離されたケーブル端部が、切断点を露出させるように再び剥離されることを特徴とする、請求項１から５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
露出した切断点の領域におけるケーブルが、損傷について光学的に検査されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
特に請求項１から７のいずれか１つに係る、導体（２）を含むケーブル（３）を剥離するための少なくとも１つの剥離パラメータ（ＣＤ、ＷＢ）を判定するための方法であって、第１段階に関連するステップとして、
ａ）長手方向軸（ｘ）に沿って延びるケーブル（３）の絶縁体（５）を切断深さ（ＣＤ）まで切断するステップであって、少なくとも１つの剥離ナイフ（４、４’）を有するステップと、
ｂ）検出ユニット（６）を用いて、少なくとも１つの剥離ナイフ（４、４’）が導体（２）に接触しているかどうかを判定するステップと、  ｃ）導体接触がない場合、ケーブル（３）が、少なくとも１つの剥離ナイフ（４、４’）と関連して、長手方向軸（ｘ）に沿う搬送方向において部分（Ｌ）だけ移動されるステップと、
ｄ）ステップａ）からｃ）を繰り返すステップであって、それぞれの場合に、導体接触がもはや判定され得なくなるまで、切断深さ（ＣＤ）が切断送り値だけ減少され、それにより、剥離切断深さがパラメータ判定段階において維持されるステップとを備える、方法。
【請求項９】
初期切断深さ（ＣＤ１）が、パラメータ判定段階のための開始点として使用されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
第１段階のための切断送り値が、続くパラメータ判定段階のための切断送り値よりも大きいことを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第１段階のための切断送り値が、パラメータ判定段階のための切断送り値よりも、少なくとも２倍大きく、好ましくは５倍以上大きいことを特徴とする、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
第１段階のための切断送り値のそれぞれが、０．１ｍｍになり、パラメータ判定段階のための切断送り値は、それぞれ、０．０１ｍｍと０．０２ｍｍとの間になることを特徴とする、請求項９、１０または１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
方法が、ケーブルを切り離すために使用される少なくとも１つの分断ナイフ（５、５’）を有する切断および剥離装置（１）と、少なくとも１つの分断ナイフ（５、５’）を用いて切断されたケーブル部分の後端部を剥離するために使用される少なくとも１つの第１剥離ナイフ（４、４’）と、残りのケーブル（８）の前端部を剥離するために使用される第２剥離ナイフ（６、６’）とを含み、第１段階は、切断されたケーブル部分において第１剥離ナイフ（４、４’）を用いて、または、残りのケーブルにおいて第２剥離ナイフ（６、６’）を用いて、実行され、パラメータ判定段階は、切断されたケーブル部分および残りのケーブル（８）において実行されることを特徴とする、請求項８から１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
コンピュータプログラムがコンピュータ上で実行されるときに請求項１から１３のいずれか１つに記載の方法を実行するためのプログラムコードを有するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月26日(2017.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物に、硫酸イオンおよびアンモニウムイオンの少なくともいずれかを含む第１の溶液を供給する第１の供給部と、 
前記第１の溶液が供給された被処理物に第２の溶液を供給する第２の供給部と、 
前記第２の溶液が供給された被処理物を乾燥させる乾燥部と、
前記乾燥部において乾燥させた前記被処理物の表面の残留成分を除去する残留成分除去部と、を備え、
前記残留成分除去部は、前記乾燥部において乾燥させた被処理物を加熱する加熱部を有する洗浄システム。
【請求項２】
前記残留成分除去部は、
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な容器と、 
前記容器の内部にガスを供給するガス供給部と、 
前記容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、 
をさらに備える請求項１記載の洗浄システム。
【請求項３】
前記乾燥部は、前記容器の内部に設けられている請求項２記載の洗浄システム。
【請求項４】
被処理物に、硫酸イオンおよびアンモニウムイオンの少なくともいずれかを含む第１の溶液を供給する第１の供給部と、 
前記第１の溶液が供給された被処理物に第２の溶液を供給する第２の供給部と、 
前記第２の溶液が供給された被処理物を乾燥させる乾燥部と、 
前記乾燥部において乾燥させた前記被処理物の表面の残留成分を除去する残留成分除去部と、を備え、
前記残留成分除去部は、
プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給するプラズマ発生部と、 
前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するプロセスガス供給部と、 
を有する洗浄システム。 
【請求項５】
前記第２の供給部は、前記残留成分除去部において、表面の残留成分が除去された前記被処理物に前記第２の溶液をさらに供給する請求項１〜４のいずれか１つに記載の洗浄システム。
【請求項６】
前記残留成分は前記硫酸イオンおよび前記アンモニウムイオンの少なくともいずれかを含み、
前記残留成分除去部の内部の雰囲気に含まれる成分を検出する検出部をさらに備え、
前記検出部は、前記被処理物から脱離した前記硫酸イオンおよび前記アンモニウムイオンの少なくともいずれかを検出する請求項１〜５のいずれか１つに記載の洗浄システム。
【請求項７】
前記プロセスガスは、酸素ガス、酸素ガスを含む混合ガス、水素ガス、および水素ガスを含む混合ガスの少なくとも１種を含む請求項４に記載の洗浄システム。
【請求項８】
被処理物に、硫酸イオンおよびアンモニウムイオンの少なくともいずれかを含む第１の溶液を供給する工程と、 
前記第１の溶液が供給された被処理物に第２の溶液を供給する工程と、 
前記第２の溶液が供給された被処理物を乾燥させる工程と、 
前記乾燥させる工程において乾燥させた前記被処理物の表面の残留成分を除去する残留成分除去工程と、を備え、
前記残留成分除去工程は、
前記乾燥させる工程において乾燥させた被処理物を加熱する工程を備えた洗浄方法。 
【請求項９】
前記加熱する工程は、所定のガスを含み大気圧よりも減圧された雰囲気中において行われる請求項８記載の洗浄方法。
【請求項１０】
被処理物に、硫酸イオンおよびアンモニウムイオンの少なくともいずれかを含む第１の溶液を供給する工程と、
前記第１の溶液が供給された被処理物に第２の溶液を供給する工程と、
前記第２の溶液が供給された被処理物を乾燥させる工程と、
前記乾燥させる工程において乾燥させた前記被処理物の表面の残留成分を除去する残留成分除去工程と、を備え、
前記残留成分除去工程は、
酸素原子および水素原子の少なくともいずれかを含むプロセスガスから生成されたプラズマ生成物を用いて、前記乾燥させる工程において乾燥させた被処理物を処理する工程と、
を備えた洗浄方法。
【請求項１１】
前記表面の残留成分が除去された前記被処理物に前記第２の溶液を供給する工程をさらに備えた請求項８〜１０のいずれか１つに記載の洗浄方法。
【請求項１２】
前記残留成分は、硫酸イオンおよび前記アンモニウムイオンの少なくともいずれかを含み、前記被処理物から脱離した前記硫酸イオンおよび前記アンモニウムイオンの少なくともいずれかを検出する工程をさらに備えた請求項８〜１１のいずれか１つに記載の洗浄方法。
【請求項１３】
前記検出する工程によって検出された検出結果に基づいて、前記残留成分除去工程の終了が判断される請求項１２記載の洗浄方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態に係る洗浄システムは、
被処理物に、硫酸イオンおよびアンモニウムイオンの少なくともいずれかを含む第１の溶液を供給する第１の供給部と、 
前記第１の溶液が供給された被処理物に第２の溶液を供給する第２の供給部と、 
前記第２の溶液が供給された被処理物を乾燥させる乾燥部と、
前記乾燥部において乾燥させた前記被処理物の表面の残留成分を除去する残留成分除去部と、を備え、
前記残留成分除去部は、前記乾燥部において乾燥させた被処理物を加熱する加熱部を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月2日(2018.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被形成面上の第１の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と、第２の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と、第３の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と、を有し、
前記第１の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、前記第２の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と、前記第３の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物との間に設けられ、
前記第１の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、結晶構造を有し、
前記第１の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の平面は、前記面の法線ベクトルに概略垂直な方向を向いていないことを特徴とする酸化物。
【請求項２】
被形成面上の第１の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と、第２の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と、第３の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と、を有し、
前記第１の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、前記第２の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と、前記第３の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物との間に設けられ、
前記第１の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、ｃ軸配向性の結晶構造を有し、
前記第１の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の平面は、前記面の法線ベクトルに概略垂直な方向を向いていないことを特徴とする酸化物。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１乃至第３の平板状のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のそれぞれの組成式は、ＩｎＧａＺｎＯ４であることを特徴とする酸化物。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の酸化物を有する半導体と、
ゲート絶縁体と、
ゲート電極と、を有し、
前記半導体は前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置と、
プリント基板と、
を有することを特徴とするモジュール。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置、または、請求項５に記載のモジュールと、
スピーカー、操作キー、または、バッテリーと、
を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、
前記一対の電極間に位置するＥＬ層とを有し、
前記ＥＬ層は少なくとも発光材料を有し、
前記発光材料は１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体であり、
前記１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体は、２つのジフェニルアミノ基の２つのフェニル基のオルト位がいずれも水素である１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体よりも、励起状態と基底状態の構造変化が小さい１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極と、
前記一対の電極間に位置するＥＬ層とを有し、
前記ＥＬ層は少なくとも発光材料を有し、
前記発光材料は１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体であり、
前記１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体は、２つのジフェニルアミノ基の２つのフェニル基のオルト位がいずれも水素である１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体よりも、ストークスシフトが小さい１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
一対の電極と、
前記一対の電極間に位置するＥＬ層とを有し、
前記ＥＬ層は少なくとも発光材料を有し、
前記発光材料は１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体であり、
前記１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体は、２つのジフェニルアミノ基の２つのフェニル基のオルト位がいずれも水素である１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体よりも、発光スペクトルの半値幅が狭い１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
一対の電極と、
前記一対の電極間に位置するＥＬ層とを有し、
前記ＥＬ層は少なくとも発光材料を有し、
前記発光材料は１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体であり、
前記１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体が有する２つのジフェニルアミノ基は、各々が有する２つのフェニル基のうち、少なくとも一つのフェニル基のオルト位が２か所ともアルキル基で置換されている発光素子。
【請求項５】
１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体であって、
前記１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体が有する２つのジフェニルアミノ基は、各々が有する２つのフェニル基のうち、少なくとも一つのフェニル基のオルト位が２か所ともアルキル基で置換されており、
前記２つのジフェニルアミノ基の２つのフェニル基のオルト位がいずれも水素である１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体よりも励起状態と基底状態の構造変化が小さいことを特徴とする有機化合物。
【請求項６】
１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体であって、
前記１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体が有する２つのジフェニルアミノ基は、各々が有する２つのフェニル基のうち、少なくとも一つのフェニル基のオルト位が２か所ともアルキル基で置換されており、
前記２つのジフェニルアミノ基の２つのフェニル基のオルト位がいずれも水素である１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体よりもストークスシフトが小さいことを特徴とする有機化合物。
【請求項７】
１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体であって、
前記１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体が有する２つのジフェニルアミノ基は、各々が有する２つのフェニル基のうち、少なくとも一つのフェニル基のオルト位が２か所ともアルキル基で置換されており、
前記２つのジフェニルアミノ基の２つのフェニル基のオルト位がいずれも水素である１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレン誘導体よりも発光スペクトルの半値幅が狭いことを特徴とする有機化合物。
【請求項８】
下記式（Ｇ１−２）で表される有機化合物。
【化１】
2015173263.tif 000001
（上記式（Ｇ１−２）中、Ａ１とＡ２、Ａ１１とＡ１２はいずれも炭素数１乃至６のアルキル基である。また、Ｒ３とＲ４はそれぞれ独立に水素又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、少なくとも一方は水素である。また、Ｒ１３とＲ１４はそれぞれ独立に水素又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、少なくとも一方は水素である。また、Ｒ５乃至Ｒ１０、Ｒ１５乃至Ｒ２０及びＲ２１乃至Ｒ２８はそれぞれ独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。なお、Ｒ５乃至Ｒ１０のいずれか一及びＲ１５及びＲ２０のいずれか一は上記式（ｇ１−２）で表される置換基である。上記式（ｇ１−２）中、Ｒ４１乃至Ｒ４７はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。また、Ｚは酸素原子又は硫黄原子を表す。）
【請求項９】
下記式（Ｇ１−１）で表される有機化合物。
【化９】
2015173263.tif 000002
（上記式（Ｇ１−１）中、Ａ１とＡ２、Ａ１１とＡ１２はいずれも炭素数１乃至６のアルキル基である。また、Ｒ３とＲ４はそれぞれ独立に水素又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、少なくとも一方は水素である。また、Ｒ１３とＲ１４はそれぞれ独立に水素又は炭素数１乃至６のアルキル基であり、少なくとも一方は水素である。また、Ｒ５乃至Ｒ１０、Ｒ１５乃至Ｒ２０及びＲ２１乃至Ｒ２８はそれぞれ独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。なお、Ｒ５乃至Ｒ１０のいずれか一及びＲ１５及びＲ２０のいずれか一は上記式（ｇ１−１）で表される置換基である。上記式（ｇ１−１）中、Ｒ３１乃至Ｒ３９はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。）
【請求項１０】
一対の電極と、
前記一対の電極間に設けられたＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は少なくとも請求項５乃至請求項９のいずれか一項に記載の有機化合物を含む発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項４及び請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子と、
ＩＣと、
を有するディスプレイモジュール。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項４及び請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子と、
筐体と、
を有する照明モジュール。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項４及び請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子と、
当該発光素子を制御することができる機能を有する手段と、
を有する発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項４及び請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子を表示部に有し、
当該発光素子を制御することができる機能を有する手段を有する表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項４及び請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子を照明部に有し、
当該発光素子を制御することができる機能を有する手段を有する照明装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項４及び請求項１０のいずれか一項の発光素子と、
操作スイッチ、外部接続ポート、スピーカ、マイク、または、センサと、
を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月4日(2018.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送波を受信する放送受信部と、
所定の文字集合に対応するフォントセットを記憶するフォントセット記憶部と、
前記受信した放送波から、映像コンテンツを復号する映像復号部と、
前記受信した放送波から、前記映像コンテンツに重畳して表示させる字幕文字列と前記字幕文字列のうち前記文字集合に含まれない文字を表す字形データとを含むＴＴＭＬ形式の字幕情報を復号する字幕復号部と、
前記字幕情報に含まれる字幕文字列のうち前記文字集合に含まれる文字の字形を前記フォントセット記憶部が記憶するフォントセットに基づいて決定し、前記字幕文字列のうち前記文字集合に含まれない文字の字形を前記字幕情報に含まれる字形データに基づいて決定することで、字幕画像を生成する字幕処理部と、
前記字幕処理部が生成した字幕画像を、前記映像復号部が復号した映像コンテンツに重畳して表示させる表示制御部と
を備える受信機。
【請求項２】
前記字幕処理部は、ＨＴＭＬ５に準拠して記述されたプログラムであって前記字幕復号部が復号した字幕情報を参照するものを実行することで、前記字幕画像を生成する
請求項１に記載の受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１の態様は、放送波を受信する放送受信部と、所定の文字集合に対応するフォントセットを記憶するフォントセット記憶部と、前記受信した放送波から、映像コンテンツを復号する映像復号部と、前記受信した放送波から、前記映像コンテンツに重畳して表示させる字幕文字列と前記字幕文字列のうち前記文字集合に含まれない文字を表す字形データとを含むＴＴＭＬ形式の字幕情報を復号する字幕復号部と、前記字幕情報に含まれる字幕文字列のうち前記文字集合に含まれる文字の字形を前記フォントセット記憶部が記憶するフォントセットに基づいて決定し、前記字幕文字列のうち前記文字集合に含まれない文字の字形を前記字幕情報に含まれる字形データに基づいて決定することで、字幕画像を生成する字幕処理部と、前記字幕処理部が生成した字幕画像を、前記映像復号部が復号した映像コンテンツに重畳して表示させる表示制御部とを備える受信機である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月4日(2018.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像ストリームを受信するストリーム受信部と、
前記受信した映像ストリームから、映像コンテンツに重畳して表示させる字幕文字列を含む１つまたは複数の字幕情報を復号する字幕復号部と、
前記受信した映像ストリームから、当該映像ストリームに多重される前記字幕情報の識別情報を含む字幕情報テーブルを復号するテーブル復号部と、
前記テーブル復号部が復号した字幕情報テーブルから、前記映像ストリームに多重される前記字幕情報ごとに、当該字幕情報のＵＲＩを生成するＵＲＩ生成部と、
前記ＵＲＩ生成部が生成したＵＲＩへのアクセスがあった場合に、当該ＵＲＩに対応する前記字幕情報を取得する字幕情報取得部と
を備える受信機。
【請求項２】
アクセスすべき字幕情報のＵＲＩを特定し、当該特定したＵＲＩにアクセスするアプリケーションを実行するアプリケーション実行部を備え、
前記字幕情報取得部は、前記アプリケーション実行部がアクセスするＵＲＩに対応する前記字幕情報を取得し、前記アプリケーション実行部に当該字幕情報を出力する
請求項１に記載の受信機。
【請求項３】
前記ＵＲＩ生成部は、前記字幕情報の識別情報、当該字幕情報を含むアセットの識別情報、当該アセットを格納する配信パッケージの識別情報、前記配信パッケージを伝送する映像ストリームの識別情報、または当該映像ストリームを伝送するネットワークの識別情報の少なくとも１つを含むＵＲＩを生成する
請求項１または請求項２に記載の受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
第１の態様は、映像ストリームを受信するストリーム受信部と、前記受信した映像ストリームから、映像コンテンツに重畳して表示させる字幕文字列を含む１つまたは複数の字幕情報を復号する字幕復号部と、前記受信した映像ストリームから、当該映像ストリームに多重される前記字幕情報の識別情報を含む字幕情報テーブルを復号するテーブル復号部と、前記テーブル復号部が復号した字幕情報テーブルから、前記映像ストリームに多重される前記字幕情報ごとに、当該字幕情報のＵＲＩを生成するＵＲＩ生成部と、前記ＵＲＩ生成部が生成したＵＲＩへのアクセスがあった場合に、当該ＵＲＩに対応する前記字幕情報を出力する字幕情報出力部とを備える受信機である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、第２の態様は、第１の態様において、アクセスすべき字幕情報のＵＲＩを特定し、当該特定したＵＲＩにアクセスするアプリケーションを実行するアプリケーション実行部を備える受信機である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記態様のうち少なくとも１つの態様によれば、受信機は、字幕情報テーブルに基づいて字幕情報のＵＲＩを生成し、当該ＵＲＩにアクセスがあった場合に、当該ＵＲＩが示す字幕情報を出力する。これにより、アプリケーションの製作者は、当該リストに基づいてアクセスすべきＵＲＩを動的に取得するアプリケーションを製作することで、汎用の字幕提示アプリケーションを製作することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画ビデオの再生のための方法であって、
通信ネットワーク（１６）を介して動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）から動画ビデオ再生デバイス（１４）への特定の動画ビデオシーケンスのストリーミングを要求することと、
前記要求された動画ビデオシーケンスの動画ビデオデータを、前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）から前記動画ビデオ再生デバイス（１４）へとストリーミングすることと、
前記ストリーミングされた動画ビデオデータが前記再生デバイス（１４）で受信されたときに、前記ストリーミングされた動画ビデオデータを前記再生デバイス（１４）に接続されたディスプレイ上に表示することと、
再生速度の変更要求を前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）に送信することと、
前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）での前記再生速度の変更要求の受信に応答して、
前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）のデコーダ（６２）内で、前記動画ビデオ再生デバイス（１４）に未だストリーミングされていない前記特定の動画ビデオシーケンス内の時間的位置から、動画ビデオデータを復号する動作、
前記復号された動画ビデオデータを時間に関して圧縮する動作、
前記圧縮された動画ビデオデータを、前記特定の動画ビデオシーケンスを符号化するために使用される符号化方式に対応する符号化方式を使用して、前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）のエンコーダ（５８）内で符号化する動作、および
前記圧縮および符号化された動画ビデオデータを使用して、前記要求された動画ビデオシーケンスと同じ通信ストリームで、前記動画ビデオ再生デバイス（１４）への前記動画ビデオシーケンスのストリーミングを続行する動作、
が実行されることと
を含み、前記復号された動画ビデオデータを圧縮することは、前記動画ビデオデータが前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）の内部データバス（６９）上で前記エンコーダ（５８）に送信される前に、前記デコーダ（６２）によって実行される、方法。
【請求項２】
前記復号された動画ビデオデータを時間に関して圧縮することは、前記動画ビデオデータを時間に関して圧縮するために、前記復号された動画ビデオデータのｎごとのフレームを選択することを含み、ｎは前記要求された再生速度に関する値である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記特定の動画ビデオシーケンスの動画ビデオデータは所定のフレームレートで再生されるように設定され、前記再生速度の変更が実行されるときに前記再生のフレームレートは変更されない、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）で記憶された前記特定の動画ビデオシーケンスの前記動画ビデオデータは動画ビデオデータのサブセットを含み、各動画ビデオデータサブセットは前記動画ビデオシーケンス内の画像フレームを表し、前記動画ビデオデータサブセットの少なくともいくつかは、前記動画ビデオシーケンスの他の動画ビデオデータサブセットからの動画ビデオデータに依拠せずそれが表す前記画像フレームを再作成するのに十分な動画ビデオデータは含まず、前記動画ビデオデータを復号することは、別のサブセットからの動画ビデオデータを使用せず圧縮の動作において選択された前記画像フレームの少なくとも各々を再作成するのに十分な情報を各々が含む、動画ビデオデータサブセットを生成することを含む、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）で記憶された前記特定の動画ビデオシーケンスの前記動画ビデオデータは動画ビデオデータのサブセットを含み、各動画ビデオデータサブセットは前記動画ビデオシーケンス内の画像フレームを表し、前記画像フレームは時系列で順次関係しており、前記再生速度の変更要求を受信すると、ストリーミングのために現在処理されている前記動画ビデオデータサブセットよりも時間的に後の順序に配列された前記動画ビデオデータサブセットの復号を開始する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
復号されている第１の動画ビデオデータサブセットは、ストリーミングのために現在処理されている前記動画ビデオデータサブセットに関して時間的に次のフレームである前記画像フレームを表す前記動画ビデオデータサブセットである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ｎは２以上の値である、請求項２から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）は画像センサを含むネットワーク対応カメラであり、前記動画ビデオシーケンスは前記画像センサによってキャプチャされる動画ビデオシーケンスである、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）で記憶されることになる動画ビデオを、画像キャプチャリングデバイス（２０）と前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）との間の直接接続を介して前記画像キャプチャリングデバイス（２０）から受信することをさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記動画ビデオ再生デバイス（１４）で受信された画像フレームに対応する動画ビデオデータサブセットは、前記画像フレームがこれまで表示されてきた場合、前記動画ビデオ再生デバイス（１４）から廃棄される、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
動画ビデオデータを記憶するように、および要求された早送りされる動画ビデオデータのネットワーク（１６）を介したストリーミングを実行するように構成された、動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）であって、
符号化された動画ビデオデータを記憶するように構成された記憶デバイス（１８）と、
前記記憶デバイス（１８）内に記憶された動画ビデオデータを復号するように構成されたデコーダ（６２）と、
動画ビデオデータを符号化するように構成されたエンコーダ（５８）と、
前記ネットワーク（１６）を介してストリームが要求された動画ビデオデータを送信するように構成された、ネットワークインターフェース（６０）と、
前記デコーダ（６２）、前記エンコーダ（５８）、前記記憶デバイス（１８）、および／または前記ネットワークインターフェース（６０）の間で、動画ビデオデータを移送するように構成された、内部データバス（６９）と、
を備え、
前記デコーダ（６２）は、前記動画ビデオデータが前記内部データバス（６９）を介して前記エンコーダ（５８）へと伝送される前に、前記動画ビデオデータを時間的に圧縮するようにさらに構成され、前記動画ビデオデータ記憶デバイス（１２）は、既に存在する通信ストリームで、前記時間的に圧縮され符号化された動画ビデオデータを転送するように構成される、
動画ビデオデータ記憶デバイス。
【請求項１２】
前記記憶デバイス（１８）は、一体型記憶デバイス、または取り外し可能記憶デバイスに直接接続された物理インターフェースを備える、請求項１１に記載の動画ビデオデータ記憶デバイス。
【請求項１３】
前記デコーダ（６２）は、動画ビデオデータを除去することによって、前記動画ビデオデータを時間的に圧縮するように構成される、請求項１１または１２に記載の動画ビデオデータ記憶デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるメタクリル酸エステルと、下記一般式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステルと、下記一般式（３）で表されるフッ素含有モノマーと、カルボキシル基を官能基として含有する官能基含有モノマーとを含むモノマー成分を重合させて得られる数平均分子量が２００００〜１０００００のフッ素系共重合体と、
ケイ素原子に結合したヒドロキシル基またはアルコキシ基とケイ素原子に結合したエポキシ基含有基とを含むシロキサンオリゴマーとを、
総炭素数が４〜８のハイドロフルオロカーボンおよび総炭素数が４〜８のハイドロフルオロエーテルから選ばれる一種以上の溶剤に溶解してなる硫化防止コーティング剤。
【化１】
2016138262.tif 000001
（式中、Ｒ１は炭素数１〜４の直鎖状または分岐状アルキル基である。）
【化２】
2016138262.tif 000002
（式中、Ｒ２は水素またはメチル基、Ｒ３は、Ｒ２が水素の場合、炭素数４〜８の直鎖状または分岐状アルキル基であり、かつＲ２がメチル基の場合、炭素数５〜８の直鎖状または分岐状アルキル基である。）
【化３】
2016138262.tif 000003
（式中、Ｒ４は、水素またはメチル基であり、ｎは、４〜６の整数を示す。）
【請求項２】
前記シロキサンオリゴマーが、前記フッ素系共重合体の樹脂量１００重量部に対し１重量部以上１０重量部以下の比率で含まれる、請求項１に記載の硫化防止コーティング剤。
【請求項３】
前記官能基モノマーが、前記モノマー成分の全質量に対し０．１質量％以上５質量％以下の比率で含まれる、請求項１または請求項２に記載の硫化防止コーティング剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【化３】
2016138262.tif 000004
（式中、Ｒ４は、水素またはメチル基であり、ｎは、４〜６の整数を示す。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【化６】
2016138262.tif 000005
（式中、Ｒ４は、水素またはメチル基であり、ｎは、４〜６の整数を示す。）
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月27日(2017.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
これに対しｎを３〜５とすることで、布帛に対するインクジェットインクの良好な染み込みを確保しながら固形分の溶解性を向上してその析出を防止し、析出に伴う上述した各種の不良が発生するのをより一層確実に防止できる。また皮膚刺激性も抑制できる。
なお、かかる効果をより一層向上することを考慮するとｎは４であるのが好ましい。
上記第１のモノマーとしては、例えば
・  式(ａ)中のＲ１が水素原子で、かつｎが４である４−ヒドロキシブチルアクリレート〔４ＨＢＡ、ガラス転移温度Ｔｇ＝−４０℃〕、
・  式(ａ)中のＲ１が水素原子で、かつｎが５である５−ヒドロキシペンチルアクリレート（５ＨＰｅＡ）、
ならびに２−ヒドロキシプロピルアクリレート〔２ＨＰＡ、ガラス転移温度Ｔｇ＝−７℃〕からなる群より選ばれた少なくとも１種が挙げられる。特に４ＨＢＡが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４，４′−ジクロロベンゾフェノン、４，４′−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、４，４′−ビスジメチルアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、特開２００８−２８０４２７号公報の一般式（１）で表されるベンゾフェノン化合物等のベンゾフェノン類またはその塩。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、４−イソプロピルチオキサントン、イソプロポキシクロロチオキサントン、特開２００８−２８０４２７号公報の一般式（２）で表されるチオキサントン化合物等のチオキサントン類またはその塩。
エチルアントラキノン、ベンズアントラキノン、アミノアントラキノン、クロロアントラキノン等のアントラキノン類。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月23日(2018.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面を有する炭化珪素膜と、
第２の主面を有する炭化珪素基板と、を備え、
前記炭化珪素基板の直径は、１００ｍｍ以上であり、
前記炭化珪素基板は貫通転位を有し、
前記炭化珪素膜は、前記第２の主面上に形成されており、
前記第２の主面は、（０００１）面に対して±４°以下のオフ角を有しており、
前記オフ角のオフ方向は、＜１１−２０＞方向に対して±５°以下の範囲内か、または＜０１−１０＞方向に対して±５°以下の範囲内にあり、
前記第１の主面には、前記第１の主面に沿って前記オフ方向に延びるとともに、前記オフ方向における幅が前記オフ方向に垂直な方向における幅の２倍以上であり、かつ、前記第１の主面からの最大深さが１０ｎｍ以下である溝部が形成されており、
前記溝部は、第１の溝部と、前記第１の溝部に接続された第２の溝部とを含み、
前記第１の溝部は、前記オフ方向において前記溝部の一方の端部に形成され、
前記第２の溝部は、前記第１の溝部から前記オフ方向に沿って延びて前記一方の端部と反対側の他方の端部に至り、かつ、前記第１の主面からの深さが前記第１の溝部の最大深さよりも小さく、
前記第１の溝部は前記貫通転位上に形成されている、
エピタキシャルウエハ。
【請求項２】
前記貫通転位には、貫通らせん転位、貫通刃状転位およびこれらの転位が混合した混合転位が含まれる、
請求項１に記載のエピタキシャルウエハ。
【請求項３】
前記第２の溝部の深さが３ｎｍ以下である、
請求項１または請求項２に記載のエピタキシャルウエハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】エピタキシャルウエハ
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月6日(2017.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
鉄、アルミニウム、銅、ステンレス等の高融点金属を中子１１として用いる場合には、接合部１３’（接合材１３）の加熱乾燥前に引き抜くことが可能だが、接合材１３を加熱乾燥後に引き抜くことが好ましい。加熱乾燥後に金属製の中子１１を引き抜くことは、引き抜き時に金属製の中子１１により穴部１４を傷つけることが少ないという利点を有する。なお、上記高融点金属とは、接合材１３の加熱乾燥温度では溶融しない、つまり、加熱乾燥温度よりも高い融点を有する金属を意味する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
一方、ハンダ等の低融点金属を中子１１として用いる場合には、他の熱可塑性材料（例えば、蝋）と同様に加熱乾燥時に溶解させて流出させることにより、容易に取り除くことが可能である。また、加熱溶解以外に、加熱乾燥の前に引き抜くことにより、当該中子１１を取り除くことも可能である。なお、上記低融点金属とは、接合材１３の加熱乾燥温度で溶融する、つまり、加熱乾燥温度以下の融点を有する金属を意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月15日(2017.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピペリンを有効成分とする、ＴＲＰＶ４活性阻害剤。
【請求項２】
ピペリンを有効成分とする、過活動膀胱の予防又は改善剤。
【請求項３】
ピペリンを有効量適用する、非治療的ＴＲＰＶ４活性阻害方法。
【請求項４】
ピペリンを有効量適用する、非治療的過活動膀胱の予防又は改善方法。
【請求項５】
ピペリンを有効成分とする、過活動膀胱の予防又は改善用飲食品組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月15日(2017.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マンゴスチン（Garcinia mangostana）抽出物を有効成分とする、ＴＲＰＶ４活性化剤。
【請求項２】
マンゴスチン（Garcinia mangostana）抽出物を有効成分とする、低血圧の予防又は改善剤。
【請求項３】
マンゴスチン（Garcinia mangostana）抽出物を有効成分とする、自律神経調整剤。
【請求項４】
マンゴスチン（Garcinia mangostana）抽出物を有効量適用する、非治療的なＴＲＰＶ４活性化方法。
【請求項５】
マンゴスチン（Garcinia mangostana）抽出物を有効量適用する、非治療的な低血圧の予防又は改善方法。
【請求項６】
マンゴスチン（Garcinia mangostana）抽出物を有効量適用する、非治療的な自律神経の調整方法。
【請求項７】
マンゴスチン（Garcinia  mangostana）抽出物を有効成分とする、低血圧の予防又は改善用飲食品組成物。
【請求項８】
マンゴスチン（Garcinia  mangostana）抽出物を有効成分とする、自律神経調整用飲食品組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月24日(2018.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示ドライバであって、
複数のインタフェースモードを有し、前記表示ドライバが前記複数のインタフェースモードのうちの第１インタフェースモードで入力された表示データに基づいて表示パネルを駆動するように構成されたものであるインタフェース回路と、
前記複数のインタフェースモードのうちの前記第１インタフェースモードと前記複数のインタフェースモードのうちの第２インタフェースモードとの間の切り替えの後、前記表示パネルの駆動が可能になるまでの期間、前記表示パネルに対する走査駆動を停止させる制御回路を備えた、表示ドライバ。
【請求項２】
請求項１において、
前記期間が、単数又は複数の表示フレーム期間である、表示ドライバ。
【請求項３】
請求項２において、
前記期間が、レジスタに格納された停止期間設定データに基づいている表示ドライバ。
【請求項４】
請求項１において、
前記インタフェース回路は、前記第１インタフェースモードにおいて表示タイミングに同期して表示データを入力し、前記第２インタフェースモードにおいて前記表示タイミングに非同期で表示データを入力するように構成された、表示ドライバ。
【請求項５】
請求項４において、
更に、
前記第２インタフェースモードで入力された前記表示データが格納されるフレームバッファメモリと、
表示画素数を拡大するように前記フレームバッファメモリに格納された前記表示データのスケールアップを行なうスケールアップ回路と、を有する、表示ドライバ。
【請求項６】
請求項１において、
更に、フレームバッファメモリを備え、
前記第１インタフェースモードにおいて表示タイミングに同期する画素データのストリームとして表示データが入力され、前記第２インタフェースモードにおいて前記フレームバッファメモリに書き込むための表示データが前記表示タイミングに非同期で入力され、
前記表示ドライバが、更に、前記表示タイミングに同期して前記表示パネルの画素を走査するための信号と、走査された画素を表示データに応じて表示駆動するための画素駆動信号を出力するように構成され、
前記表示パネルに対する前記走査駆動の停止時、前記期間の間、前記表示パネルに対する画素の走査を停止させる制御を行なう、表示ドライバ。
【請求項７】
表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する表示ドライバ
とを備え、
前記表示ドライバが、
複数のインタフェースモードを有するインタフェース回路と、
前記複数のインタフェースモードのうちの第１インタフェースモードにおいて入力された表示データに基づいて表示パネルを駆動する駆動回路と、
前記第１インタフェースモードと前記複数のインタフェースモードのうちの第２インタフェースモードとの間の切り換えの後、前記表示パネルの駆動が可能になるまでの期間、前記表示パネルの走査駆動を停止するように構成された制御回路
とを備える
表示システム。
【請求項８】
請求項７において、
前記期間が、レジスタに格納された停止期間設定データによって指定される
表示システム。
【請求項９】
請求項７において、
前記インタフェース回路が、前記第１インタフェースモードにおいて表示タイミングに同期して表示データを入力し、前記第２インタフェースモードにおいて前記表示タイミングに非同期で表示データを入力するように構成された
表示システム。
【請求項１０】
請求項７において、
更に、
前記第２インタフェースモードにおいて入力された前記表示データを格納するフレームバッファと、
表示画素数を拡大するように前記フレームバッファに格納された前記表示データのスケールアップを行なうスケールアップ回路
とを備える
表示システム。
【請求項１１】
請求項７において、
前記第１インタフェースモードがビデオモードであり、前記第２インタフェースモードがコマンドモードである
表示システム。
【請求項１２】
複数のインタフェースモードのうちの第１インタフェースモードで入力された表示データを用いて表示パネルを駆動することと、
前記第１インタフェースモードと前記複数のインタフェースモードのうちの第２インタフェースモードとの間の切り替えの後、前記表示データを用いた前記表示パネルの駆動が可能になるまでの期間、前記表示パネルの走査駆動を停止すること
とを含む
表示パネルの駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月25日(2018.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部を有し機器本体部に取り付けられる可動部が開閉軸を中心に回転可能であり、かつ前記可動部が前記開閉軸に対して開状態と閉状態をとり得る電子機器であって、
前記可動部に配置される磁場発生手段と、
前記磁場発生手段の磁場を検知することにより前記開状態または前記閉状態を検知する開閉検知手段と、
前記開閉検知手段からの第１の信号に基づき前記表示部の表示状態を変更する制御手段と、を備え、
前記磁場発生手段は、その着磁方向が前記開閉軸に対して垂直な方向に配置され、
前記開閉検知手段は、前記開閉軸と直交する方向の磁場を検知する、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記磁場発生手段は前記可動部の内部に配置され、
前記開閉検知手段は前記機器本体部の内部にて、前記開閉軸上に配置される、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記可動部はヒンジ部で前記機器本体部に取り付けられ、
前記磁場発生手段は、前記可動部の内部で前記ヒンジ部の側に配置される、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記可動部は、前記開閉軸と直交する回転軸を中心に回転可能であり、かつ前記回転軸に対して第１の向きと第２の向きをとり得る、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記磁場発生手段の磁場を検知することにより、前記第１の向きまたは前記第２の向きを検知する回転検知手段をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記回転検知手段は、前記開閉軸と平行な方向の磁場を検知し、
前記制御手段は、前記第１の信号、および前記回転検知手段からの第２の信号に基づき、前記可動部が、前記開状態または前記閉状態のいずれにあるか、および前記第１の向きまたは第２の向きのいずれにあるか、を決定し、その決定に基づき前記表示状態を変更する、
ことを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記磁場発生手段は前記可動部の内部に配置され、前記回転検知手段は前記機器本体部の内部にて、前記開閉軸上に配置される、
ことを特徴とする請求項５または６に記載の電子機器。
【請求項８】
前記開閉検知手段および前記磁場発生手段は、前記開閉軸に垂直な平面上に配置される、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項９】
前記機器本体部は前記可動部を収納する収納面部を備え、
前記開閉検知手段は、前記開閉軸に対して垂直であって、かつ前記収納面部に平行な方向に対して、傾斜した実装面に取り付けられる、
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記開閉検知手段は、その実装面に対して平行な磁場を検知する、
ことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に係る電子機器は、表示部を有し機器本体部に取り付けられる可動部が開閉軸を中心に回転可能であり、かつ前記可動部が前記開閉軸に対して開状態と閉状態をとり得る。また、前記電子機器は、前記可動部に配置される磁場発生手段と、前記磁場発生手段の磁場を検知することにより前記開状態または前記閉状態を検知する開閉検知手段と、前記開閉検知手段からの第１の信号に基づき前記表示部の表示状態を変更する制御手段と、を備える。前記磁場発生手段は、その着磁方向が前記開閉軸に対して垂直な方向に配置される。前記開閉検知手段は、前記開閉軸と直交する方向の磁場を検知する。