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　平成１１年特許願第２７５６７２号「半導体ウェーハの化学洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月２３日出願公開、特開２００１−　５３０５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年９月２９日（パリ条約による優先権主張１９９９年８月４日、台湾）の出願であって、平成１３年１２月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年４月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月１５日付けで明細書を補正対象書類とする手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年５月１５日付けの明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
（１−１）本願補正発明１
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「（ａ）半導体ウェーハ上に少なくとも一つのコンタクト窓を形成する段階と、
（ｂ）前記ウェーハ上に酸化膜を形成可能な酸化剤を使用することを含む第１の湿式化学洗浄工程によりウェーハを洗浄する段階と、
（ｃ）前記ウェーハを乾燥させて前記コンタクト窓内の水分を除去する段階と、
（ｄ）第２の湿式化学洗浄工程により前記ウェーハを洗浄して、前記ウェーハ上と前記コンタクト窓に形成された酸化膜を除去する段階と、および
（ｅ）前記ウェーハを乾燥させる段階と、
を有する半導体ウェーハの化学洗浄方法。」から、
「（ａ）半導体ウェーハ上に少なくとも一つのコンタクト窓を形成する段階と、
（ｂ）前記ウェーハ上に酸化膜を形成可能な酸化剤を使用することを含む第１の湿式化学洗浄工程によりウェーハを洗浄する段階と、
（ｃ）前記ウェーハ
に対して第１の乾燥工程を行って、
（ｄ）第２の湿式化学洗浄工程により前記ウェーハを洗浄して、前記ウェーハ上と前記コンタクト窓に形成された酸化膜を除去する段階と、および
（ｅ）前記ウェーハ
に対して第２の乾燥工程を行う段階と、
　
前記第１の湿式化学洗浄工程と、前記第１の乾燥工程と、前記第２の湿式化学洗浄工程と、前記第２の乾燥工程とが、同一の化学洗浄装置においてこの順で実施されるものである
　
コンタクト窓内の酸化膜を除去する
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である、ウェーハを乾燥させる二つの段階について、「第１の乾燥工程」、「第２の乾燥工程」とするものであり、また、化学洗浄方法における各工程について、「第１の湿式化学洗浄工程と、第１の乾燥工程と、第２の湿式化学洗浄工程と、第２の乾燥工程とが、同一の化学洗浄装置においてこの順で実施されるものである」との限定を付すものであり、さらに、「コンタクト窓内の酸化膜を除去する化学洗浄方法」とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮、又は同第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（１−２）本願補正発明８
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項８は、
「少なくとも２種類の湿式化学洗浄工程により、コンタクト窓を備えるウェーハに対し洗浄を実施する方法であって、
　前記湿式化学洗浄工程が、化学洗浄溶液で前記コンタクト窓を備えるウェーハを洗浄する工程と、脱イオン水で前記コンタクト窓を備えるウェーハをすすぐ工程とを含有する段階と、
　前記湿式化学洗浄工程の後、前記コンタクト窓を備えるウェーハを乾燥させ水分を除去する段階と、
　を有する半導体ウェーハの化学洗浄方法。」から、
「少なくとも２種類の湿式化学洗浄工程により、コンタクト窓を備えるウェーハに対し洗浄を
行い、これらの
　前記湿式化学洗浄工程の後、前記コンタクト窓を備えるウェーハに対して
乾燥工程を行って
を有する方法であって、
　
前記したこれら湿式化学洗浄工程および前記乾燥工程は、同一の化学洗浄装置において行われるものである
　
コンタクト窓を備える
　上記補正は、請求項８に記載した発明を特定するために必要な事項である、「・・・洗浄を実施する方法であって、前記湿式化学洗浄工程が、・・・」を「・・・洗浄を行い、これらの湿式化学洗浄工程が、・・・」とするものであり、「ウェーハを乾燥させ」を「ウェーハに対して乾燥工程を行って」とするものであり、湿式化学洗浄工程および乾燥工程について、「同一の化学洗浄装置において行われるもの」との限定を付すものであり、さらに、「コンタクト窓を備える半導体ウェーハの化学洗浄方法」とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮、又は同項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明１及び８が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例記載の発明（事項）及び従来周知の事項
　原査定の拒絶の理由に引用され本願の出願前に国内で頒布された刊行物である特開平９−２７５０８５号公報（以下、「引用例１」という。）、特開昭６３−２９５１６号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２−１）引用例１
（イ）第９欄第３５−３９行（段落【００３１】参照）
「（実施例１〜３）実施例１〜３では、図２（ａ）に示すように、深さの異なる複数のコンタクトホール８（孔径０.５μｍ）を有する直径６インチのシリコンウエハ７を、被洗浄物として用いて、以下の実験を行った。」
（ロ）第１０欄第１６−３１行（段落【００３５】−【００３７】参照）
「Ｂ．洗浄工程
つぎに、本実施例の洗浄方法について説明する。まず、洗浄液を用いてウエハ７をウエット洗浄した。すなわち、２７重量％アンモニア水、３０重量％過酸化水素水、および水を、容積比１：１：５の割合で混合して、洗浄液とし、この洗浄液の温度を８０℃に保持して、ウエハ７をこの洗浄液中に１０分間浸漬し、次に超純水中で１０分間水洗した。なお、本実施例で用いた洗浄液は、ＲＣＡ洗浄液といわれ、シリコンウエハ上に付着した異物を除去するのに有効である。
　つぎに、０．２５重量％フッ化水素酸水溶液中にウエハ７を３０秒間浸漬し、超純水中で１０分間水洗して、この処理はコンタクトホール底部の自然酸化膜を除去した。
　つぎに、ウエハ７をスピン乾燥法にて乾燥し、・・・」
　以上のとおりであるので、上記（イ）、（ロ）の摘記事項からみて、引用例１には、
「複数のコンタクトホール８を有するシリコンウエハ７を、アンモニア水、過酸化水素水、および水を混合してなる洗浄液中に浸漬し、次に超純水中で水洗して、ウエハ上に付着した異物を除去し、つぎに、フッ化水素酸水溶液中にウエハを浸漬し、超純水中で水洗して、コンタクトホール底部の自然酸化膜を除去し、つぎに、ウエハをスピン乾燥法にて乾燥する洗浄方法。」（以下、「引用例１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
（２−２）引用例２
（イ）第１頁右下欄第６行−第２頁左上欄第１２行
「・・・シリコン基板としてのウエハを洗浄する。すなわち、前作業までで付着したフオトレジスト残渣，オイルワツクス，人体からの剥離物・分泌物等の有機物，あるいは重金属やナトリウム等のイオン性アルカリ金属などの無機物を酸処理等で除去する（ステツプＢ１）。これらの付着物の除去・洗浄は、半導体装置の電気的特性の変動を起こす原因となるので、必ず行なわれる作業である。その後、ウエハ表面に付着した薬品および生成物を除去するため、上記ウエハ表面を超純水で流し洗浄する（ステツプＢ２）。それから、ウエハ表面の乾燥を行なう（ステツプＢ３）。一般的には、遠心力を利用してウエハ表面から水を除去する遠心乾燥法が用いられる。次に、酸化すべき部分のシリコン上の酸化膜、または、酸化処理等で生成した１０数Å程度の自然酸化膜をフツ酸系エツチング液で除去する（ステツプＢ４）。・・・そして、この後、前述と同様に、水洗（ステツプＢ５）および乾燥（ステツプＢ６）を行なつてから、酸化作業（ステツプＢ７）に至る。」 
　上記摘記事項、及び第３図の記載からみて、引用例２には、
「シリコンウエハ表面を化学洗浄する段階と、該ウエハ表面の乾燥を行って水を除去する段階と、第２の化学洗浄を行ってウエハ上の酸化膜を除去する段階と、その後乾燥を行う段階からなる洗浄方法。」（以下、「引用例２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
（２−３）従来周知の事項
　本願出願前に、半導体ウェーハの洗浄の技術分野において、以下の事項が周知である。
「半導体ウェーハ上へのコンタクトホールの形成に引き続き、該ウェーハの洗浄を行うこと。」及び「化学洗浄方法の各工程を同一の化学洗浄装置において行うこと。」（以下、ともに「従来周知の事項」という。なお、必要であれば、前者については、特開平１１−１１４５１０号公報の段落【００５６】−【００６７】、特開平６−２１６０９０号公報の段落【００３３】−【００３６】等の記載を、後者については、特開平７−１３０６９８号公報の段落【００１０】、特開昭６２−７８８２８号公報の第３頁右下欄第１２行−第４頁左上欄第１１行等の記載を参照。）
　
（３）対比 
（３−１）本願補正発明１
　本願補正発明１と引用例１記載の発明とを対比すると、後者の「シリコンウエハ７」は前者の「半導体ウェーハ」に、後者の「コンタクトホール８」は前者の「コンタクト窓」に、後者の「洗浄方法」は前者の「化学洗浄方法」にそれぞれ相当する。また、後者の「アンモニア水、過酸化水素、および水を混合してなる洗浄液中に浸漬し、次に超純水中で水洗して、ウエハ上に付着した異物を除去し」は前者の「ウェーハ上に酸化膜を形成可能な酸化剤を使用することを含む第１の湿式化学洗浄工程によりウェーハを洗浄する段階」に、後者の「フッ化水素酸水溶液中にウエハを浸漬し、超純水中で水洗して、コンタクトホール底部の自然酸化膜を除去し」は前者の「第２の湿式化学洗浄工程により前記ウェーハを洗浄して、前記ウェーハ上と前記コンタクト窓に形成された酸化膜を除去する段階」に、後者の「ウエハをスピン乾燥法にて乾燥する」は前者の「ウェーハに対して第２の乾燥工程を行う段階」に相当する。
　そうすると、両者は、
「（ａ）半導体ウェーハ上に少なくとも一つのコンタクト窓が形成されたものにおいて、
（ｂ）前記ウェーハ上に酸化膜を形成可能な酸化剤を使用することを含む第１の湿式化学洗浄工程によりウェーハを洗浄する段階と、
（ｄ）第２の湿式化学洗浄工程により前記ウェーハを洗浄して、前記ウェーハ上と前記コンタクト窓に形成された酸化膜を除去する段階と、および
（ｅ）前記ウェーハに対して第２の乾燥工程を行う段階と、
を有する方法であって、
　前記第１の湿式化学洗浄工程と、前記第２の湿式化学洗浄工程と、前記第２の乾燥工程とが、この順で実施されるものである
　コンタクト窓内の酸化膜を除去する化学洗浄方法。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
〈相違点１〉前者は、半導体ウェーハ上にコンタクト窓を形成する段階を含むのに対し、後者はコンタクト窓を形成する段階を含むか否か明らかでない点。
〈相違点２〉前者は、各湿式化学洗浄工程の後に乾燥工程を行うのに対し、後者は、第１の湿式化学洗浄工程の後に乾燥工程を行うことについて特定されていない点。
〈相違点３〉前者は、化学洗浄方法における各工程を同一の装置において行うものとしたのに対し、後者は、同一の装置において行うか否か明らかでない点。
（３−２）本願補正発明８
  本願補正発明８と引用例１記載の発明とを対比すると、後者の「シリコンウエハ７」は前者の「半導体ウェーハ」に、後者の「コンタクトホール８」は前者の「コンタクト窓」に、後者の「洗浄方法」は前者の「化学洗浄方法」にそれぞれ相当する。また、後者の「アンモニア水、過酸化水素、および水を混合してなる洗浄液中に浸漬し、次に超純水中で水洗して」及び「フッ化水素酸水溶液中にウエハを浸漬し、超純水中で水洗して」は、ともに前者の「化学洗浄溶液で前記コンタクト窓を備えるウェーハを洗浄する工程と、脱イオン水で前記コンタクト窓を備えるウェーハをすすぐ工程とを含有する段階」に、後者の「ウエハをスピン乾燥法にて乾燥する」は前者の「ウェーハに対して乾燥工程を行って水分を除去する段階」に相当する。
　そうすると、両者は、
「少なくとも２種類の湿式化学洗浄工程により、コンタクト窓を備えるウェーハに対し洗浄を行い、これらの湿式化学洗浄工程が、化学洗浄溶液で前記コンタクト窓を備えるウェーハを洗浄する工程と、脱イオン水で前記コンタクト窓を備えるウェーハをすすぐ工程とを含有する段階と、
　前記湿式化学洗浄工程の後、前記コンタクト窓を備えるウェーハに対して乾燥工程を行って水分を除去する段階と、
　を有する、コンタクト窓を備える半導体ウェーハの化学洗浄方法。」
である点で一致し、上記相違点３に加え、以下の点で相違している。
〈相違点４〉前者は、各湿式化学洗浄工程の後に乾燥工程を行うのに対し、後者は、各湿式化学洗浄工程の後に乾燥工程を行うことについて特定されていない点。
　
（４）当審の判断
　上記相違点について検討する。
〈相違点１〉について
　半導体ウェーハ上へのコンタクトホールの形成に引き続き、該ウェーハの洗浄を行うことは、（２）（２−３）に記載したとおり従来周知の事項である。
　してみると、引用例１記載の発明は、コンタクトホールを有するウェーハを洗浄する点で当該従来周知の事項と技術分野を一にするものであり、また、引用例１記載の発明を、半導体ウェーハ上へのコンタクトホールの形成に引き続き、該ウェーハの洗浄を行うものとすることを排除する特段の事情もないことを勘案すれば、引用例１記載の発明において、上記従来周知の事項を採用し、相違点１に係る本願補正発明１の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得るものである。
〈相違点２〉について
　引用例２には、複数の化学洗浄工程によりシリコンウエハを洗浄するに際し、各洗浄工程の後に乾燥工程を行う技術が記載されている。
　そうすると、引用例１記載の発明と引用例２記載の事項とが、半導体ウェーハの洗浄という同一の技術分野に属するものである以上、引用例１記載の発明に上記引用例２記載の事項を適用することで、相違点２に係る本願補正発明１の発明特定事項とする点に格別困難性はないし、また、その適用の結果奏するであろうコンタクト窓の洗浄についての作用効果も当業者が容易に見い出す程度のものにすぎない。
〈相違点３〉について
　化学洗浄方法における各工程を同一の装置において行うことは、（２）（２−３）に記載したとおり従来周知の事項であるから、引用例１記載の発明に当該従来周知の事項を適用し、相違点３に係る本願補正発明１の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得るものである。
〈相違点４〉について
　上記相違点２についての判断のとおり、相違点４に係る本願補正発明８の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得るものでる。
　そして、本願補正発明１及び８の作用効果は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項、並びに従来周知の事項から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明１及び８は、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項、及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び８に係る発明は、平成１３年１２月７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１及び８に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
（ａ）半導体ウェーハ上に少なくとも一つのコンタクト窓を形成する段階と、
（ｂ）前記ウェーハ上に酸化膜を形成可能な酸化剤を使用することを含む第１の湿式化学洗浄工程によりウェーハを洗浄する段階と、
（ｃ）前記ウェーハを乾燥させて前記コンタクト窓内の水分を除去する段階と、
（ｄ）第２の湿式化学洗浄工程により前記ウェーハを洗浄して、前記ウェーハ上と前記コンタクト窓に形成された酸化膜を除去する段階と、および
（ｅ）前記ウェーハを乾燥させる段階と、
を有する半導体ウェーハの化学洗浄方法。」（以下、「本願発明１」という。）
「【請求項８】
　少なくとも２種類の湿式化学洗浄工程により、コンタクト窓を備えるウェーハに対し洗浄を実施する方法であって、
　前記湿式化学洗浄工程が、化学洗浄溶液で前記コンタクト窓を備えるウェーハを洗浄する工程と、脱イオン水で前記コンタクト窓を備えるウェーハをすすぐ工程とを含有する段階と、
　前記湿式化学洗浄工程の後、前記コンタクト窓を備えるウェーハを乾燥させ水分を除去する段階と、
　を有する半導体ウェーハの化学洗浄方法。」（以下、「本願発明８」という。）
　
（２）引用例記載の発明（事項）及び従来周知の事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項、並びに従来周知の事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
（３−１）本願発明１
　本願発明１は、前記２．で検討した本願補正発明１から、ウェーハを乾燥させる段階についての限定を省くものであり、また、「第１の湿式化学洗浄工程と、第１の乾燥工程と、第２の湿式化学洗浄工程と、第２の乾燥工程とが、同一の化学洗浄装置においてこの順で実施されるものである」との発明特定事項を省くものであり、さらに、「コンタクト窓内の酸化膜を除去する化学洗浄方法」から「コンタクト窓内の酸化膜を除去する」との発明特定事項を省くものである。
　そうすると、本願発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記２．（４）に記載したとおり、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項、並びに従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様の理由により、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項、並びに従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３−２）本願発明８
  本願発明８は、前記２．で検討した本願補正発明８において、「・・・洗浄を行い、これらの湿式化学洗浄工程が、・・・」を「・・・洗浄を実施する方法であって、前記湿式化学洗浄工程が、・・・」とするものであり、ウェーハを乾燥させる段階についての限定を省くものであり、湿式化学洗浄工程および乾燥工程が「同一の化学洗浄装置において行われる」との限定を省くものであり、さらに、「コンタクト窓を備える半導体ウェーハの化学洗浄方法」から「コンタクト窓を備える」との発明特定事項を省くものである。
　そうすると、本願発明８の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明８が、前記２．（４）に記載したとおり、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項、並びに従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明８も、同様の理由により、引用例１記載の発明及び引用例２記載の事項、並びに従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明１及び８は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２乃至７、９乃至１２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。