【事件の表示】
　平成　６年特許願第２８０９７６号「表面波装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　５月３１日出願公開、特開平　８−１３９５６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成６年１１月１５日の出願であって、平成１４年８月２９日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月１０日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、同年１１月１１日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年１１月１１日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年１１月１１日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を次のとおり補正するものである。
「４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板と、前記ＬｉＮｂＯ3 基板上に形成されており、かつ前記ＬｉＮｂＯ3 基板に比べて表面波伝搬速度が遅い材料よりなる圧電薄膜とを有する圧電基板と、
　前記圧電基板に設けられたインターデジタルトランスデューサとを備え、ラブ波を利用するように構成されており、前記圧電薄膜がＺｎＯよりなり、前記圧電薄膜の膜厚をＨ、励振されるラブ波の波長をλとしたときに、Ｈ／λが、０．０４５〜０．０９の範囲とすることにより、電気機械結合係数を０．４３以上とすることができることを特徴とする、表面波装置。」
　この補正は、補正前の請求項１の記載のうち、「・・・Ｈ／λが．・・・の範囲とされている・・・」とあるのを、「・・・Ｈ／λが、・・・の範囲とすることにより、電気機械結合係数を０．４３以上とすることができる・・・」と限定するものである。
　従って、この補正は特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願日前に頒布された刊行物「米国特許第４，５４４，８５７号公報」（以下、「引用刊行物」という。）には「High electromechanical -coupling coefficient surface acoustic wave device」（高電気機械−結合係数の表面弾性波装置）の発明に関して、以下の記載がある。
　
「　　BACKGROUND OF THE INVENTION 
　I. Field of the Invention 
　The present invention relates to a surface acoustic wave material and device and, more particularly, to a surface acoustic wave material and device having a high electromechanical coupling coefficient. 
　II. Description of the Prior Art 
　In order to achieve a compact surface acoustic wave device having a low insertion loss and a wide band, a piezoelectric substrate having a high electromechanical coupling coefficient is the most important requirement. 
Conventionally, a 128.degree. lithium niobate rotated Y-cut crystal for Rayleigh waves, 
an SH (shear horizontal wave) type 41.degree. lithium niobate rotated Y cut crystal for leaky surface waves,
　
「　　SUMMARY OF THE INVENTION 
　
It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device having a high electromechanical coupling coefficient
　
In order to achieve the above object of the present invention, there is provided a high electromechanical-coupling surface acoustic wave device having a lithium niobate rotated Y-cut crystal as a piezoelectric substrate, and a thin or thick high-density film formed on a predetermined portion of the lithium niobate rotated Y-cut crystal which includes at least a propagation path along which a surface acoustic wave propagates, the surface acoustic wave propagating in the thin or thick high-density film on the lithium niobate rotated Y-cut crystal substrate.
　
「FIG. 2 is a graph showing the coupling coefficient as a function of the cut angle of the rotated Y-cut crystal; 
FIG. 3 is a graph showing the coupling coefficient as a function of a ratio H/.lambda..sub.N of the thickness H to the wavelength .lambda..sub.N of the surface acoustic wave; and   」（第１欄第６７行−第２欄第３行）
　
「　DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 
　Referring to FIG. 1, there is provided a high electromechanical-coupling surface acoustic wave device. The device comprises a lithium niobate rotated Y cut crystal 11, a thin metal film 12 formed on a predetermined portion of the rotated Y-cut crystal 11 which includes at least a propagation path along which a surface acoustic wave propagates, and 
interdigital finger electrodes 13 and 14 for generating and receiving leaky surface waves
　
FIG. 2 is a graph for explaining the relationships among a coupling coefficient K.sup.2.sub.L of a Love wave 21, a coupling coefficient K.sup.2.sub.R of a Rayleigh wave 22, and a cut angle .theta. of the lithium niobate rotated Y-cut cyrstal when a ratio H/.lambda..sub.N of a silver film thickness H to the wavelength .lambda..sub.N (=.sqroot.(C.sub.66 /.rho.)/f where C.sub.66 is the material constant, .rho. is the density of the substrate, and f is the frequency) of the shear wave propagating within the lithium niobate rotated Y-cut crystal is given as 2.5.times.10.sup.-2 when a silver film is formed on the lithium niobate rotated Y-cut crystal.
Referring to FIG. 2, when the cut angle .theta. falls within a range between 30.degree. and 60.degree., it is found that the Rayleigh wave is not excited, and hence no spurious response occurs.
　
FIG. 3 is a graph for explaining the relationships among the ratio H/.lambda..sub.N of a film thickness H to a wavelength .lambda..sub.N of the shear wave, a coupling coefficient K.sup.2.sub.R of a Rayleigh wave 31 and a coupling coefficient K.sup.2.sub.L of a Love wave 32 when a bismuth germanate film is formed on a 16.degree. lithium niobate rotated Y-cut crystal.
　
FIG. 4 shows a surface acoustic wave device according to another embodiment of the present invention.
A thin dielectric film 40 of
zinc oxide
　In summary, the present invention has advantages in that the electromechanical coupling coefficient can be improved and the spurious response conventionally caused by the Rayleigh wave can be eliminated. 」（第２欄第７行−６５行）
　
「What is claimed is:
1. 
A high electromechanical coupling surface acoustic wave device comprising a rotated Y-cut lithium niobate crystal substrate for propagating a Love wave mode along a propagation path, and a thin high density film formed on said propagation path on said substrate and having a thickness that reduces the electromechanical coupling coefficient of Rayleigh waves to zero.
2. A device according to claim 1, wherein said thin film is made of a metal. 
3. A device according to claim 2, wherein said metal is selected from the group consisting of gold, silver, platinum and copper. 
4. A device according to claim 1, wherein s
aid thin film is made of a dielectric
5. A device according to claim 4, wherein said 
dielectric
zinc oxide
6. A device according to claim 3, 
wherein said metal is silver and an angle of rotation of said rotated Y-cut lithium niobate crystal is in the range of 30.degree. to 60.degree
7. 
A device according to claim 5, wherein said dielectric is bismuth germanate and the ratio H/.lambda..sub.N is in the range of 4.times.10.sup.-2 to 5.times.10.sup.-2, where H is the thickness of said film and .lambda..sub.N is the wavelength of a shear wave in said lithium niobate crystal corresponding to the frequency of said surface acoustic wave. 
　
　以下、これを要約すると、
　引用刊行物には、従来技術として、すでにリーキー表面波用SH（水平滑り波）型４１°、３６°、６４°回転Yカットニオブ酸リチュウム結晶が提案されていることが記載されている。
　そして、回転Yカットニオブ酸リチュウム結晶とその上に構成された高比重の膜により、高電気機械−結合係数の表面弾性波装置を得ることが記載されている。
　
　好ましい実施例の詳細な説明の項には、図１に示されるように回転Yカットニオブ酸リチュウム結晶基板上にはインターデジタル指電極１３，１４が設けられて、リーキー表面波を発生し、受信していることが記載されている。
　図２にはラブ波の結合係数K2L、レイリー波の結合係数K2Rと回転ニオブ酸リチュウム結晶基板のカット角θとの関係が、回転ニオブ酸リチュウム結晶基板上に銀膜が設けられ、H/λNの値を２．５ｘ１０-2 とした場合について示されており、カット角θが３０〜６０°の時にレイリー波が励起されずスプリアス応答が生じないこと。ラブ波の結合係数が１４〜２８％に達することが記載されている。
　また、図３には１６°回転ニオブ酸リチュウム結晶基板上にビスマスゲルマネイト膜を設けた場合の、膜の厚みHとニオブ酸リチュウム結晶を伝搬するすべり波の波長の比H/λN とレイリー波の結合係数K2R、ラブ波の結合係数K2Lとの関係が示されており、H/λNを４ｘ１０-2〜５x１０-2とすることによりレイリー波の結合係数がゼロとなり、ラブ波の結合係数が２０〜２５％に達することが記載されている。
　そして、文末にはこの発明によれば、電気機械結合効率が改善され、従来のレイリー波によるスプリアス応答を除くことができる旨記載されている。
　
　また、特許請求の範囲第５項には、特許請求の範囲第４項、第１項を順次引用して「ラブ波を伝搬させるために、回転Ｙカットニオブ酸リチュウム結晶基板上に薄い高比重膜を設けた高電気機械結合表面波装置であって、絶縁体薄膜として、ビスマスゲルマネイト、酸化ビスマス、酸化亜鉛（ジンクオキサイド）を使用する」ことが記載されている。　また、特許請求の範囲第７項には特許請求の範囲第５項を更に限定して薄膜としてビスマスゲルマネイトを使用し、膜の厚みHとニオブ酸リチュウム結晶を伝搬するすべり波の波長の比H/λNを４ｘ１０-2〜５x１０-2とすることが記載されている。
　
（２）対比
　本願補正発明と引用刊行物に記載された発明（特に特許請求の範囲第５項に記載された発明を中心として）を対比すると、
　引用刊行物の「ニオブ酸リチュウム」、「回転Ｙカットニオブ酸リチュウム結晶基板」および「H／λN」は、それぞれ、本願補正発明の「ＬｉＮｂＯ３」、「回転ＹカットＸ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3基板」および「H／λ」に相当する。
　また、引用刊行物に記載された「インターデジタル指電極１３，１４」はリーキー表面波を発生、受信するものであるから本願補正発明の「インターデジタルトランスデューサ」に相当する。また、引用刊行物に記載されたラブ波の機械結合係数「K２Ｌ」は、ラブ波を利用する本願補正発明の機械結合係数Ｋを２乗した値（K２）に相当する。
　また、引用刊行物に記載された「酸化亜鉛」は本願補正発明の「ＺｎＯ」に相当し、本願補正発明と同様にラブ波を伝搬する回転ＹカットＸ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3上に絶縁薄膜として設けられるものであるから、引用刊行物に記載の「酸化亜鉛の絶縁薄膜」が本願補正発明の「基板に比べて表面波伝搬速度が遅い材料よりなる圧電薄膜」に相当することは明らかである。
　
　したがって、両者は                        　
「回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板と、前記ＬｉＮｂＯ3 基板上に形成されており、かつ前記ＬｉＮｂＯ3 基板に比べて表面波伝搬速度が遅い材料よりなる圧電薄膜とを有する圧電基板と、
　前記圧電基板に設けられたインターデジタルトランスデューサとを備え、ラブ波を利用するように構成されており、前記圧電薄膜がＺｎＯよりなる、表面波装置。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　引用刊行物には回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板を使用することが記載され、また、回転角３０〜６０°とした実施例が記載されているが、薄膜としてＺｎOを使用した場合に、基板の回転角を４１°とすることについては記載されていない点。
　
相違点２
　引用刊行物には、薄膜としてＺｎＯを使用した場合に、H／λ（Hは圧電薄膜の膜厚、λは励振されるラブ波の波長）の値を０．０４５〜０．０９の範囲とすること、及びこのことにより電気機械結合係数を０．４３とすることについて記載されていない点。
　
（３）当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
相違点１について
　引用刊行物には回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板を使用した発明が記載されており、更に実施例として、薄膜として銀を使用した例ではあるが回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板の回転角を３０〜６０°としたことが記載されている。そして、引用刊行物にも従来例として記載されているように、表面波装置において４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板を使用することは周知・慣用手段であって、格別のことではない。
　そうすると、引用刊行物に記載された回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板上に薄膜としてＺｎOを使用した発明において、基板の回転角を４１°とすることに何ら困難性はなく、当業者が容易に想到し得ることである。
　
相違点２について
　発明の詳細な説明の記載によれば、本願補正発明においてH／λを０．０４５〜０．０９の範囲とすることにより、ラブ波を安定に励振することができる（本件明細書【００２９】の記載、図１〜図４の記載）ものである。そして、発明の詳細な説明の記載（【００３２】）及び図２，図４の記載によれば、概ねこの範囲において、０．４３以上の電気機械結合係数Ｋの値が得られる場合がある。
　一方、引用刊行物のものにおいても図３に記載されているようにＨ／λNに関して、１６°回転ニオブ酸リチュウム結晶基板上にビスマスゲルマネイト膜を設けた場合であるが、H/λとレイリー波の結合係数K2R、ラブ波の結合係数ｋ2Lとの関係が示されており、H/λNを４ｘ１０-2〜５x１０-2とすることによりレイリー波の結合係数がゼロとなり、ラブ波の結合係数が２０〜２５％に達する旨記載されており、この値は本願補正発明で規定されたH／λを０．０４５〜０．０９の範囲とすることと、０．０４５〜０．０５の範囲で完全に一致している。
　そうすると、ラブ波を励振するに当たり、H／λの値の最適値に差異があるとしても、少なくとも引用刊行物に記載されたH／λの値である０．０４〜０．０５程度の値とすることは当業者ならば、引用刊行物の記載から容易に想到し得ることと考えられる。
　そして、引用刊行物にも圧電基板（基板上の薄膜を含む）の材料、Ｈ／λNの値と電気機械結合係数の関係が記載されているように、「ラブ波を利用する４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板と、基板上のＺｎＯ圧電薄膜のＨ／λを、０．０４５〜０．０９の範囲とする」ことにより、得られる電気機械結合係数は自ずと求めることができるものと考えられ、電気機械結合係数を０．４３以上とすることに格別の困難性はないと考えられる。
　そして、引用刊行物の電気機械結合係数ｋ２の値について検討すると、引用刊行物の図２については、基板の回転角が３０〜６０°の範囲でｋＬ２が２８％〜１４％となっており、回転角４１°近辺について図２でみると２０％を超える値が得られている。また、図３をみても、電気機械結合係数ｋＬ２の値は２５％を超える値が得られている。一方本願補正発明の電気機械結合係数Ｋ＞０．４３は、Ｋ２に換算すれば、Ｋ２＞０．４３２＝0.1849 であって、２０％を下回る値であって、引用刊行物に記載された電気機械結合係数より低い値であって、格別のものとはいえない。
　
　そして、本願補正発明により奏される効果も、引用刊行物及び周知技術から予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
　なお、審判請求人は（手続き補正書により補正された）審判請求書において、「引用刊行物には、４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板などの温度特性の良い基板を用いて温度特性を改善するという技術的思想が開示されていない」旨主張している。
　そして、本願明細書には発明の解決課題としてＹカットＸ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3の温度特性Ｔｃが８０ｐｐｍ／°Ｃと大きい点が挙げられ、温度特性が６０〜６５ｐｐｍ／°Ｃ程度であることが従来より知られている４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板を使用して周囲の温度係数に係わらず良好にラブ波を励振し得る表面波装置を提供し得る旨記載されている。（【００１５】、【００２８】）
　
　しかしながら、引用刊行物に記載された発明と周知技術から本願補正発明が容易に想到し得ることは既に説明したとおりであり、また、ＹカットＸ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3の温度特性Ｔｃが８０ｐｐｍ／°Ｃと比較して、４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板の温度特性が６０〜６５ｐｐｍ／°Ｃ程度であることが格別のものと言うこともできない。
　確かに引用刊行物には基板の温度係数については言及されていないが、基板の温度係数は表面波装置を構成するに際して、基本的な要素であることは言うまでもないことであり、４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板自体は表面波装置を構成するにあたり汎用されている基板であって、格別のものではないのであるから、引用刊行物に基板の温度係数について言及がされていなくても、引用刊行物において回転ＹカットＸ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3基板の回転角を４１°とすることを妨げる理由とはならない。
　
　従って、審判請求人の主張は採用できない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年１１月１１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１４年８月１３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板と、前記ＬｉＮｂＯ3基板上に形成されており、かつ前記ＬｉＮｂＯ3基板に比べて表面波伝搬速度が
遅い材料よりなる圧電薄膜とを有する圧電基板と、
　前記圧電基板に設けられたインターデジタルトランスデューサとを備え、ラブ波を利用するように構成されており、前記圧電薄膜がＺｎＯからなり、前記圧電薄膜の膜厚をＨ、励振されるラブ波の波長をλとしたときに、Ｈ／λが、０．０４５〜０．０９の範囲とされていることを特徴とする、表面波装置。」
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物、および、その記載事項は、前記「２．（１）引用刊行物」の項に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から補正による限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、これをさらに限定したものに相当する本願補正発明が、前記２．（３）に記載したとおり、引用刊行物及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用刊行物及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
.　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。