【事件の表示】
　平成　９年特許願第２８１６４１号「集積回路装置およびその製法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月２２日出願公開、特開平１０−１３５２０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １．手続の経緯
　
　本願は、平成９年１０月１５日（パリ条約による優先権主張１９９６年１０月２８日、米国）の出願であって、平成１２年１１月２８日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の平成１３年１月１７日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年３月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１３年５月２５日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　　平成１３年５月２５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　
（１）本件補正後の発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のように補正された。
「【請求項１】
　（ａ）基板と、
　（ｂ）基板上に位置する金属回路線と、
　（ｃ）前記基板および前記回路線に隣接して位置し、重合体化合物である有機ポリシリカと、（ＲＯ）m（Ｒ）nＳｉＲ'−を末端基とし、ＲおよびＲ'がそれぞれヒドロカルビル基、Ｒがヒドリドまたはヒドロカルビル基、ｍが１、２、または３、ｎ＋ｍ＝３であるポリアミン酸エステルとの反応生成物を含む誘電性組成物とを具備する、集積回路装置。」
　上記補正は、補正前の請求項１を特定するために必要な事項である「回路線に隣接して位置し」及び「ｎ＋ｍ＝」を、それぞれ「前記基板および前記回路線に隣接して位置し」及び「ｎ＋ｍ＝３」と補正するものであるが、これらは、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、及び同項第３号の誤記の訂正を目的とするものにそれぞれ該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前の平成７年２月２１日に頒布された刊行物である特開平７−４８４５２号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の事項が記載されている。
記載事項ａ：
「【請求項１】  下記一般式（１）
【化１】
で表される３種類の反復単位を有する架橋性共重合体からなる低熱伝導率ポリイミドシロキサンフィルム。｛ただし、一般式（１）においてＲ1 は独立に４価の有機基であり、Ｒ2 は独立に２個〜３０個の炭素原子を有する２価の有機基であり、Ｒ3 は独立に下記一般式（２）、（３）、（４）または（５）（ただし、ここにｓは１〜４の整数を表す）で示され、Ｒ4 及びＲ5 は独立に炭素数１〜７の有機基であり、ｎは０≦ｎ≦５０であり、ｐ、ｑ及びｒは正整数であり、かつ式（６）、（７）及び（８）を満たす範囲の値を取る｝。
【化２】
【化３】
【化４】
【化５】
【数１】
【数２】
【数３】
」（【特許請求の範囲】）
記載事項ｂ：
「本発明のポリイミドシロキサンフィルムは下記一般式（１０）
【化１２】
で示されるシリコン含有ポリアミド酸と下記一般式（１１）
【化１３】
で示されるポリオルガノシロキサンの混合物、若しくはそれらの反応生成物の有機溶媒溶液を基板に塗布した後、２００〜５００℃の温度で加熱することにより得ることができる（ただし、一般式（１０）及び（１１）においてＲ6 は炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、ｎ、ｐ、ｑ及びｒは記述の通り）。」（段落【０００６】）
記載事項ｃ：
「このようにして得られたシリコン含有ポリアミド酸とポリオルガノシロキサンを前記式（６）、（７）及び（８）・・を満たすように混合し、前記シリコン含有ポリアミド酸の溶媒か、あるいはそれ以外の溶媒に溶解させた溶液をそのまま塗布液として用いることができる。更に、必要によりこの溶液を、３０〜１５０℃に数時間加熱することにより前記両ポリマ−の末端同士を反応させ、より高分子量のポリマ−を含む塗布液を得ることができる。」（段落【００１６】）
記載事項ｄ：
「この塗布液をスピンコ−ト、浸漬、印刷、ディスペンスあるいはロ−ルコ−タ−など公知の方法によりシリコンウエハ−、金属板、プラスチック板、あるいはガラス板等の基板上に塗布した後、電気炉、ホットプレ−トあるいは赤外線ヒ−タ−などの公知の加熱手段を用い、２００〜５００℃、好ましくは３００〜４００℃の温度で数分〜数十時間、好ましくは０．５〜３時間加熱を行うことにより、一般式（１）
【化２０】
で示される本発明の低熱伝導率ポリイミドシロキサンフィルムを得ることができる。
　上式での第１項のポリイミド部の反復単位によりフィルムの機械的強度、耐熱性の維持等を図ると共に、第２項のシロキサン部の反復単位により硬度の向上を図り、第３項のシロキサン部の反復単位により熱伝導率の低下を達成したものである。更に、イミド基及びシロキサン基を有するために多種類の基材に対して良好な密着性を有するのである。また第３項のシロキサン部の反復単位は連鎖状に接続すると耐熱性の低下を来す恐れがあり、好ましくは１また２個の単位でポリマ−構造中に分散して組み込まれた方が好ましい。これらの反復単位の比率は記述の範囲に保つことにより上記特性を有する本発明のポリイミドシロキサンフィルムを得ることができる。（段落【００１７】、【００１８】）
記載事項ｅ：
「このようにして得られた本発明のポリイミドシロキサンフィルムは高硬度であり、高耐熱性であり、基板に対する密着性に優れると共に、低熱伝導率であるため、その応用分野として、電子機器、通信機器、重電機器、輸送用機器の部品類が考えられる。更に詳しくは、半導体用の各種保護膜、平坦化膜、バッファ−コ−ト材、絶縁膜、液晶配向膜、カラ−フィルタ−の基材、その保護膜、サ−マルヘッドの部品、補強剤が考えられるが、低熱伝導率であることから、断熱材としての用途としても考えられる。」（段落【００１９】）
　
（３）対比
　上記記載事項ｅによると、引用例記載のポリイミドシロキサンフィルムは半導体用の絶縁膜としての用途を有するものである。そして、一般的に「半導体用」という場合、半導体集積回路装置をも包含する半導体一般の用途を想定していると解するのが普通であるから、当該引用例には、ポリイミドシロキサンフィルムを絶縁膜として具備する半導体集積回路装置自体も記載されているに等しいといえる。
　してみると、上記記載事項ａ〜ｅによれば、引用例には、
「下記一般式（１０）
で示されるシリコン含有ポリアミド酸と、
下記一般式（１１）
で示されるポリオルガノシロキサンの混合物（若しくは、必要により両ポリマーの末端同士を反応させたもの）の有機溶媒溶液を周知の塗布法により基板に塗布した後、２００〜５００℃の温度で加熱することにより得られた反応生成物であるところの、
下記一般式（１）
で表される３種類の反復単位を有する架橋性共重合体
からなるポリイミドシロキサンフィルム｛ただし、Ｒ1 は独立に４価の有機基であり、Ｒ2 は独立に２個〜３０個の炭素原子を有する２価の有機基であり、Ｒ3 は独立に下記一般式（２）または（５）（ただし、ここにｓは１〜４の整数を表す）で示され、Ｒ4 及びＲ5 は独立に炭素数１〜７の有機基であり、Ｒ6 は炭素数１〜６のアルキル基である｝
を絶縁膜として具備する、半導体集積回路装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における、「ポリオルガノシロキサン」、及びシリコン含有ポリアミド酸の末端基である「（ＯＲ６）３Ｓｉ−Ｒ３−」は、それぞれ本願補正発明における「有機ポリシリカ」、及び「（ＲＯ）m（Ｒ）nＳｉＲ'−」なる末端基に相当するものである。さらに、誘電体と絶縁体とは同義であることから、引用発明における「絶縁膜」は、本願補正発明における「誘電性組成物」に相当するものといえる。
　また、本願補正発明における誘電性組成物についてみると、本願明細書の段落 【００２７】及び【００３０】には、
「誘電組成物は、好ましくは約５ないし９５重量％のポリイミド成分からなり、２工程で生成される。第１の工程では、シルセスキオキサンと、アルコキシシリルアルキル基で末端をキャッピングしたポリアミン酸エステルを、適当な溶媒（高沸点溶媒、たとえばＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ））に室温で溶解する。この組成物を、直接または段階的に（たとえば２時間で２００℃まで加熱した後、４００℃に加熱して２時間保持）高温まで加熱して、分子鎖を長くし、ポリアミン酸エステルをイミド化し、官能化したポリイミドをポリシリカと交差縮合させる。」（段落【００２７】）、
「本発明はまた、集積回路装置の製法にも関するものである。図２を参照すると、１実施例の第１段階では、基板２の上に、トリアルコキシリルアルキル基で末端をキャッピングしたポリアミン酸エステルとシルセスキオキサンからなる誘電体組成物の層１０を置く。基板２は、垂直な金属スタッド８を有する。組成物をＮ，Ｎ'−ジメチルプロピレン尿素（ＤＭＰＵ）、ＮＭＰなどの適当な溶媒に溶解し、スピン・コーティング、スプレイ・コーティング、ドクター・ブレーディングなど、周知の方法により基板に塗布する。第２段階では、組成物を高温に加熱して、ポリアミン酸エステルをイミド化すると同時に、ゾル・ゲル工程によりシリル反応基を交差縮合する。・・・」（段落【００３０】）と記載されている。
　これらの記載を斟酌すると、本願補正発明における「反応生成物を含む誘電性組成物」とは、ポリイミド前駆体としてのポリアミン酸エステル（正確には、「ポリアミド酸エステル」と呼称すべきであるから、以下、本願補正発明におけるポリアミン酸エステルを「ポリアミド酸エステル」という。）が、加熱によりアルコールの脱離をともなってイミド化するとともに、その末端基と有機ポリシリカとが交差縮合されて得られる「反応生成物」を含むものであり、ここでいう交差縮合は、縮合により架橋させることと解される。一方、引用発明の絶縁膜は、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸を加熱により脱水環化（イミド化）し、その末端基にポリオルガノシロキサンを架橋させて得られた架橋性共重合体（反応生成物）からなるポリイミドシロキサンフィルムである。
　そうすると、本願補正発明における誘電性組成物と引用発明における絶縁膜とは、熱イミド化に際し、ポリイミド前駆体の相違に起因して、脱アルコール縮合されるか、脱水縮合されるかという違いはみられるものの、最終的に得られるポリイミド系の反応生成物の化学的組成は同じであるといえる。
　以上の点を踏まえて、本願補正発明と引用発明とを対比すると、
両者は、
「基板と、
　重合体化合物である有機ポリシリカと、（ＲＯ）m（Ｒ）nＳｉＲ'−を末端基とし、ＲおよびＲ'がそれぞれヒドロカルビル基、Ｒがヒドリドまたはヒドロカルビル基、ｍが１、２、または３、ｎ＋ｍ＝３であるポリイミド前駆体との反応生成物を含む誘電性組成物とを具備する、
集積回路装置。」
である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：本願補正発明は、反応生成物であるポリイミドの前駆体として、ポリアミド酸エステルを用いているのに対して、引用発明は、ポリアミド酸を用いていること。
相違点２：本願補正発明は、基板、金属回路線といった集積回路装置の基本構成を明示するとともに、誘電性組成物は、該基板及び金属回路線に隣接して位置しているのに対して、引用発明は、集積回路装置の基本構成及び誘電性組成物の配置箇所については明示していないこと。
　
（４）当審の判断
　上記相違点について検討する。
相違点１について；
　半導体装置用絶縁膜に用いるポリイミド前駆体としては、ポリアミド酸以外に、ポリアミド酸エステルを使用することも可能であることは既に知られたところであるから（要すれば、特開平２−１６７７４１号公報（特に特許請求の範囲、［作用］の項）、特開平７−１３５１８５号公報（特に段落【００１５】）を参照）、引用発明において、ポリイミド前駆体としてポリアミド酸エステルを選択することは当業者にとって容易である。
相違点２について；
　本願明細書の段落【０００９】に記載された「本発明の装置に適した基板は、シリコン、二酸化シリコン、ガラス、窒化シリコン、セラミック、アルミニウム、銅、およびヒ化ガリウムである。他の適切な基板は、当業者に周知である。多層集積回路装置では、下層の絶縁され、平坦化された回路線も基板として機能する」によると、本願補正発明における基板は、シリコン、二酸化シリコンなどに加えて、多層配線における下層も、その範疇としている。
　一方、通常、半導体集積回路装置用の絶縁膜は、配線−基板間の絶縁、配線相互間の絶縁などに使用されるが、特に塗布法により形成される絶縁膜は、多層配線における平坦化や層間膜の形成に用いられており、さらに該配線としてはＡｌ配線などの金属配線が用いられている（要すれば、森末道忠監修「ＬＳＩ設計製作技術」（昭和６２年９月３０日）、株式会社電気書院発行、第３２８、３２９頁、第３３６、３３７頁、第３４８−３５２頁を参照）。
　これらの点を勘案すると、引用発明における絶縁膜は、慣用の用途である配線−基板間の絶縁、配線相互間の絶縁、なかでも、多層配線における平坦化・層間膜として使用されることを当然に予定しているというべきであり、これは、本願補正発明でいう基板と金属回路線の存在を意味するとともに、当該絶縁膜が前記基板と金属回路線に隣接して位置することに他ならない。
　したがって、本願補正発明における基板と金属回路線の具備、及び誘電性組成物の配置箇所に格別の創意は認められない。
　よって、本願補正発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）まとめ
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願の発明について
　
（１）本願の発明
　平成１３年５月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下したので、本願の請求項１に係る発明は、平成１３年１月１７日付け手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのもの（以下、「本願発明」という。）である。
「（ａ）基板と、
　（ｂ）基板上に位置する金属回路線と、
　（ｃ）回路線に隣接して位置し、重合体化合物である有機ポリシリカと、（ＲＯ）m（Ｒ）nＳｉＲ'−を末端基とし、ＲおよびＲ'がそれぞれヒドロカルビル基、Ｒがヒドリドまたはヒドロカルビル基、ｍが１、２、または３、ｎ＋ｍ＝あるポリアミン酸エステルとの反応生成物を含む誘電性組成物とを具備する、
集積回路装置。」
　
（２）原査定の概要
　原査定の拒絶の理由の概要は、「本願発明は、本願出願（優先権主張の日）前に頒布された刊行物である特開平７−４８４５２号公報に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　そして、原査定の拒絶の理由で引用された上記特開平７−４８４５２号公報は、上記「２．（２）」で示した「引用例」であり、その記載事項も、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明の「ｎ＋ｍ＝」は発明の詳細な説明の欄の記載からみて「ｎ＋ｍ＝３」の誤記であることは明らかであり、そして、本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明の「前記基板と金属回路線に隣接して位置し」という、誘電性組成物の配置に関する発明特定事項から、「前記基板に隣接して位置し」という特定事項を省いたものであるといえる。
　そうすると、前記「２．（４）」に記載したとおり、本願発明を特定するために必要な事項の全てを含む本願補正発明が、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたと認められるのであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
４．むすび
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、その出願（優先権主張の日）前に頒布された刊行物である特開平７−４８４５２号公報に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。