【手続補正書】
【提出日】平成30年10月25日(2018.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチモードパルスプロセスにおいて被選択プロセス点を特定する方法であって、
プラズマプロセスチャンバ内において被選択ウエハにマルチモードパルスプロセスを適用することであって、前記マルチモードパルスプロセスは、複数のサイクルを含み、前記複数のサイクルの各サイクルは、異なる複数の段階のうちの少なくとも１つの段階を含む、ことと、
前記被選択ウエハに対する前記複数のサイクル中に、前記複数の段階のうちの少なくとも１つの被選択段階について、少なくとも１つのプロセス出力変数を収集することと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数を解析することと、
解析された前記少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択プロセス点を特定することと、
を備える方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記被選択プロセス点を特定することは、前記マルチモードパルスプロセスの終点を特定することを含む、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、
前記被選択ウエハに対する前記複数のサイクル中に、前記複数の段階のうちの少なくとも１つの被選択段階について、少なくとも１つのプロセス出力変数を収集することは、約１Ｈｚから約１０，０００Ｈｚの間のサンプリングレートで前記少なくとも１つのプロセス出力変数を収集することを含む、方法。
【請求項５】
請求項２に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数を解析することは、前記少なくとも１つのプロセス出力変数のエンベロープを決定することを含み、前記決定されたエンベロープは、前記被選択プロセス点よりも前における前記少なくとも１つのプロセス出力変数の正常行為及び傾向のうちの少なくとも１つを含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択プロセス点を特定することは、前記少なくとも１つのプロセス出力変数の前記エンベロープから前記被選択プロセス点を特定することを含む、方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択プロセス点を特定することは、前記エンベロープのスロープにおける選択された傾向に対応して前記被選択プロセス点を特定することを含む、方法。
【請求項８】
請求項２に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数を解析することは、前記マルチモードパルスプロセスの前記被選択プロセス点のためのテンプレートを特定することを含み、前記少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択プロセス点を特定することは、前記被選択プロセス点のための前記テンプレートを前記少なくとも１つのプロセス出力変数と突き合わせることを含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記マルチモードパルスプロセスの前記被選択プロセス点のためのテンプレートを特定することは、複数のウエハに対する前記マルチモードパルスプロセス中における、少なくとも１つのプロセス出力変数に関する前記被選択プロセス点に対応する曲線を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
複数のウエハに対する前記マルチモードパルスプロセス中における、少なくとも１つのプロセス出力変数に関する前記被選択プロセス点に対応する前記曲線は、固有な曲線である、方法。
【請求項１１】
請求項２に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数は、前記マルチモードパルスプロセス中にプラズマから放射された光放射スペクトル及び前記マルチモードパルスプロセス中にウエハの上面から反射された反射スペクトルのうちの少なくとも１つである、方法。
【請求項１２】
請求項２に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数は、ＲＦ電圧、ＲＦ電流、ＲＦインピーダンス、１つ以上のＲＦ高調波、マルチモードパルスプロセスチャンバ圧力、及び、マルチモードパルスプロセスチャンバ温度のうちの少なくとも１つである、方法。
【請求項１３】
請求項２に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数は、前記複数の異なる段階の段階ごとに変動する、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記複数の異なる段階の各段階は、約２秒から約２０秒の間の持続時間を有する、方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、更に、
複数のサイクルにわたって発生する選択された一段階の、前記少なくとも１つのプロセス出力変数についての複数の軌道を比較することと、
選択された一サイクルにおける、前記被選択プロセス点を含む前記選択された一段階の対応する軌道を、前記複数の軌道から区別することであって、
前記対応する軌道の多変量解析統計値を計算することと、
前記多変量解析統計値が閾値を超えるときに、前記被選択プロセス点を特定することと、
を含む、ことと、
を備える方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数は、複数の光波長を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法であって、
プロセスは、前記複数の異なる段階の段階ごとに変化する、方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの出力プロセス変数は、放射スペクトル、反射スペクトル、ＲＦ高調波、ＲＦ電圧、ＲＦ電流、ＲＦインピーダンス、プロセスチャンバ温度、及び、プロセスチャンバ圧力のうちの少なくとも１つを含む、方法。
【請求項１９】
マルチモードパルスプラズマプロセスシステムであって、
ウエハに対してプラズマプロセスを実施するように構成されたプラズマプロセスチャンバであって、少なくとも１つの対応する出力プロセス変数を検出するようにそれぞれ構成された複数のセンサを含むプラズマプロセスチャンバと、
少なくとも１つのバイアス源と、
少なくとも１つのＲＦ源と、
少なくとも１つのガス源であって、前記少なくとも１つのバイアス源、前記少なくとも１つのＲＦ源、及び前記少なくとも１つのガス源は、前記プラズマプロセスチャンバに接続されている、少なくとも１つのガス源と、
前記プラズマプロセスチャンバ、前記複数のセンサ、前記少なくとも１つのバイアス源、前記少なくとも１つのＲＦ源、及び前記少なくとも１つのガス源のそれぞれに接続されたコントローラであって、
少なくとも１つのマルチモードパルスレシピと、
コンピュータ読み取り可能メディアに実装された少なくとも１つのマルチモードパルス点検出ロジックであって、
前記プラズマプロセスチャンバ内において被選択ウエハにマルチモードパルスプロセスを適用するためのコンピュータ実行可能ロジックであって、前記マルチモードパルスプロセスは、複数のサイクルを含み、前記複数のサイクルの各サイクルは、複数の異なる段階のうちの少なくとも１つの段階を含む、コンピュータ実行可能ロジックと、
前記被選択ウエハに対する前記複数のサイクル中に、前記複数の段階のうちの少なくとも１つの被選択段階について、前記少なくとも１つのプロセス出力変数を収集するためのコンピュータ実行可能ロジックと、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数を解析するためのコンピュータ実行可能ロジックと、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数から被選択プロセス点を特定するためのコンピュータ実行可能ロジックと、
を含む、少なくとも１つのマルチモードパルス点検出ロジックと、
を含むコントローラと、
を備えるシステム。
【請求項２０】
請求項１９に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数を解析するためのコンピュータ実行可能ロジックは、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数のエンベロープを決定するためのコンピュータ実行可能ロジック、及び、
前記マルチモードパルスプロセスの前記被選択プロセス点のためのテンプレートを特定するためのコンピュータ実行可能ロジック、
の少なくとも１つを含み、前記少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択プロセス点を特定するためのコンピュータ実行可能ロジックは、前記被選択プロセス点のための前記テンプレートを前記少なくとも１つのプロセス出力変数と突き合わせるためのコンピュータ実行可能ロジックを含む、システム。
【請求項２１】
請求項１９に記載のシステムであって、
前記被選択プロセス点は、前記プラズマプロセスの終点である、システム。
【請求項２２】
請求項１９に記載のシステムであって、
前記コンピュータ実行可能ロジックは、前記被選択プロセス点と前記少なくとも１つのプロセス出力変数についての第１の軌道上のプロセス点との間の距離に基づいて前記被選択プロセス点を特定し、前記第１の軌道は、複数のウエハに前記プラズマプロセスが適用されるときに生成される、システム。
【請求項２３】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記距離は、前記第１の軌道と第２の軌道との間の複数の距離のうちの最小値であり、前記第２の軌道は、前記少なくとも１つのプロセス出力変数から決定される、システム。
【請求項２４】
請求項１９に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数は、前記プラズマプロセスチャンバからの光強度の放射スペクトル、前記被選択ウエハの上面から反射された光強度の反射スペクトル、無線周波数（ＲＦ）高調波、前記少なくとも１つのＲＦ源におけるＲＦ電圧、前記少なくとも１つのＲＦ源の出力におけるＲＦ電流、前記プラズマプロセスチャンバの温度、前記プラズマプロセスチャンバの圧力、またはこれらの組み合わせを含む、システム。
【請求項２５】
方法であって、
プラズマプロセスチャンバ内において、１つ以上のウエハに複数のサイクルを含むマルチモードパルスプロセスを適用することと、
前記１つ以上のウエハに対する前記複数のサイクル中に、少なくとも１つのプロセス出力変数を収集することと、
前記プラズマプロセスチャンバ内において、被選択ウエハに前記マルチモードパルスプロセスを適用することと、
前記被選択ウエハに対する前記複数のサイクル中に、前記少なくとも１つのプロセス出力変数を収集することと、
前記１つ以上のウエハに前記マルチモードパルスプロセスを適用することによって収集された前記少なくとも１つのプロセス出力変数についての第１の軌道と、前記被選択ウエハに前記マルチモードパルスプロセスを適用することによって収集された前記少なくとも１つのプロセス出力変数についての第２の軌道とを比較することと、
前記第１の軌道上の点から前記第２の軌道上の点までの距離を計算することと、
前記被選択ウエハに対する前記マルチモードパルスプロセスの終点に到達したかを前記距離に基づいて決定することと、
を含む、方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であって、
前記マルチモードパルスプロセス中に、前記複数のサイクルは、前記終点に到達するまで複数回繰り返され、前記複数のサイクルのそれぞれは、複数の段階を含み、各段階中に、前記１つ以上のウエハおよび前記被選択ウエハに異なるプロセスが適用される、方法。
【請求項２７】
請求項２５に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数は、前記プラズマプロセスチャンバからの光強度の放射スペクトル、前記被選択ウエハの上面および前記１つ以上のウエハの１つ以上の上面から反射された光強度の反射スペクトル、無線周波数（ＲＦ）高調波、前記プラズマプロセスチャンバにＲＦ信号を供給するＲＦ源におけるＲＦ電圧、前記ＲＦ源の出力におけるＲＦ電流、前記プラズマプロセスチャンバの温度、前記プラズマプロセスチャンバの圧力、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
【請求項２８】
請求項２５に記載の方法であって、
前記第１の軌道および前記第２の軌道のそれぞれは、前記複数のサイクルを含み、前記複数のサイクルのそれぞれは、複数の段階を含み、各段階中に、前記１つ以上のウエハおよび前記被選択ウエハに異なるプロセスが適用される、方法。
【請求項２９】
請求項２５に記載の方法であって、
前記第１の軌道上の前記点および前記第２の軌道上の前記点は、同じサンプリング数でサンプリングされる、方法。
【請求項３０】
請求項２５に記載の方法であって、
前記終点は、前記距離が前記第１の軌道上の複数の点と前記第２の軌道上の複数の点との間の複数の距離のうちの最小値になるときに到達する、方法。
【請求項３１】
請求項３０に記載の方法であって、
前記終点は、前記少なくとも１つの変数が事前に決定された閾値に整合する値を有した後に到達する、方法。
【請求項３２】
マルチモードパルスプラズマプロセスシステムであって、
１つ以上のウエハおよび被選択ウエハに対して複数のサイクルを含むマルチモードパルスプロセスを実施するように構成されたプラズマプロセスチャンバと、
前記プラズマプロセスチャンバの電極に接続されたバイアス源と、
前記プラズマプロセスチャンバの別の電極に接続された無線周波数（ＲＦ）源と、
前記プラズマプロセスチャンバに接続されたガス源と、
前記プラズマプロセスチャンバのそれぞれに接続されたコントローラと、を備え、
前記バイアス源、前記ＲＦ源、および前記コントローラは、
前記１つ以上のウエハに対する前記複数のサイクル中に、少なくとも１つのプロセス出力変数を収集するように構成され、
前記被選択ウエハに対する前記複数のサイクル中に、前記少なくとも１つのプロセス出力変数を収集するように構成され、
前記１つ以上のウエハに対して前記マルチモードパルスプロセスを実施することによって収集された前記少なくとも１つのプロセス出力変数についての第１の軌道と、前記被選択ウエハに対して前記マルチモードパルスプロセスを実施することによって収集された前記少なくとも１つのプロセス出力変数についての第２の軌道とを比較するように構成され、
前記第１の軌道上の点から前記第２の軌道上の点までの距離を計算するように構成され、
前記被選択ウエハに対する前記マルチモードパルスプロセスの終点に到達したかを前記距離に基づいて決定するように構成される、マルチモードパルスプラズマプロセスシステム。
【請求項３３】
請求項３２に記載のマルチモードパルスプラズマプロセスシステムであって、
前記マルチモードパルスプロセス中に、前記複数のサイクルは、前記終点に到達するまで複数回繰り返され、前記複数のサイクルのそれぞれは、複数の段階を含み、各段階中に、前記１つ以上のウエハおよび前記被選択ウエハに異なるプロセスが適用される、マルチモードパルスプラズマプロセスシステム。
【請求項３４】
請求項３２に記載のマルチモードパルスプラズマプロセスシステムであって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数は、前記プラズマプロセスチャンバからの光強度の放射スペクトル、前記被選択ウエハの上面および前記１つ以上のウエハの１つ以上の上面から反射された光強度の反射スペクトル、無線周波数（ＲＦ）高調波、前記ＲＦ源におけるＲＦ電圧、前記ＲＦ源の出力におけるＲＦ電流、前記プラズマプロセスチャンバの温度、前記プラズマプロセスチャンバの圧力、またはこれらの組み合わせを含む、マルチモードパルスプラズマプロセスシステム。
【請求項３５】
請求項３２に記載のマルチモードパルスプラズマプロセスシステムであって、
前記第１の軌道および前記第２の軌道のそれぞれは、前記複数のサイクルを含み、前記複数のサイクルのそれぞれは、複数の段階を含み、各段階中に、前記１つ以上のウエハおよび前記被選択ウエハに異なるプロセスが適用される、マルチモードパルスプラズマプロセスシステム。
【請求項３６】
請求項３２に記載のマルチモードパルスプラズマプロセスシステムであって、
前記第１の軌道上の前記点および前記第２の軌道上の前記点は、同じサンプリング数でサンプリングされる、マルチモードパルスプラズマプロセスシステム。
【請求項３７】
請求項３２に記載のマルチモードパルスプラズマプロセスシステムであって、
前記終点は、前記距離が前記第１の軌道上の複数の点と前記第２の軌道上の複数の点との間の複数の距離のうちの最小値になるときに到達する、マルチモードパルスプラズマプロセスシステム。
【請求項３８】
請求項３７に記載のマルチモードパルスプラズマプロセスシステムであって、
前記終点は、前記少なくとも１つの変数が事前に決定された閾値に整合する値を有した後に到達する、マルチモードパルスプラズマプロセスシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
以上の発明は、理解を明瞭にする目的で幾らか詳細に説明されてきたが、添付の特許請求の範囲内で特定の変更及び修正がなされてよいことが明らかである。したがって、これらの実施形態は、例示的であって限定的ではないと見なされ、本発明は、本明細書で与えられる詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物の範囲内で変更されてよい。
本発明は以下の適用例としても実現可能である。
＜適用例１＞
マルチモードパルスプロセスにおいて終点を特定する方法であって、
プラズマプロセスチャンバ内において被選択ウエハにマルチモードパルスプロセスを適用することであって、前記マルチモードパルスプロセスは、複数のサイクルを含み、前記複数のサイクルの各サイクルは、異なる複数の段階のうちの少なくとも１つの段階を含む、ことと、
前記被選択ウエハに対する前記複数のサイクル中に、前記複数の段階のうちの少なくとも１つの被選択段階について、少なくとも１つのプロセス出力変数を収集することと、
を備える方法。
＜適用例２＞
適用例１に記載の方法であって、更に、
前記収集されたプロセス出力変数を解析することと、
前記解析された少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択プロセス点を特定することと、
を備える方法。
＜適用例３＞
適用例２に記載の方法であって、
前記エンベロープから前記被選択マルチモードパルスプロセス点を特定することは、前記マルチモードパルスプロセスの前記終点を特定することを含む、方法。
＜適用例４＞
適用例２に記載の方法であって、
前記被選択ウエハに対する前記複数のサイクル中に、前記複数の段階のうちの少なくとも１つの被選択段階について、少なくとも１つのプロセス出力変数を収集することは、約１Ｈｚから約１０，０００Ｈｚの間のサンプリングレートで前記少なくとも１つのプロセス出力変数を収集することを含む、方法。
＜適用例５＞
適用例２に記載の方法であって、
前記収集された少なくとも１つのプロセス出力変数を解析することは、前記収集された少なくとも１つのプロセス出力変数のエンベロープを決定することを含み、前記決定されたエンベロープは、前記被選択プロセス点よりも前における前記監視対象とされるプロセス出力変数の正常挙動及び／又は傾向のうちの少なくとも１つを含む、方法。
＜適用例６＞
適用例５に記載の方法であって、
前記解析された少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択マルチモードパルスプロセス点を特定することは、前記収集された少なくとも１つのプロセス出力変数の前記エンベロープからマルチモードパルスプロセス点を特定することを含む、方法。
＜適用例７＞
適用例５に記載の方法であって、
前記解析された少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択マルチモードパルスプロセス点を特定することは、前記エンベロープのスロープにおける選択された傾向に対応して前記被選択マルチモードパルスプロセス点を特定することを含む、方法。
＜適用例８＞
適用例２に記載の方法であって、
前記収集された少なくとも１つのプロセス出力変数を解析することは、前記マルチモードパルスプロセスの前記被選択プロセス点のためのテンプレートを特定することを含み、前記解析された少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択マルチモードパルスプロセス点を特定することは、前記被選択プロセス点のための前記テンプレートを前記収集された少なくとも１つのプロセス出力変数と突き合わせることを含む、方法。
＜適用例９＞
適用例８に記載の方法であって、
前記マルチモードパルスプロセスの前記被選択プロセス点のためのテンプレートを特定することは、複数のウエハに対する前記マルチモードパルスプロセス中における、少なくとも１つのプロセス出力変数に関する前記被選択プロセス点に対応する曲線を含む、方法。
＜適用例１０＞
適用例９に記載の方法であって、
複数のウエハに対する前記マルチモードパルスプロセス中における、少なくとも１つのプロセス出力変数に関する前記目的の被選択プロセス点に対応する前記曲線は、固有な曲線である、方法。
＜適用例１１＞
適用例２に記載の方法であって、
前記収集される少なくとも１つのプロセス出力変数は、前記マルチモードパルスプロセス中にプラズマから放射された光放射スペクトル及び／又は前記マルチモードパルスプロセス中に前記ウエハの上面から反射された反射スペクトルのうちの少なくとも１つである、方法。
＜適用例１２＞
適用例２に記載の方法であって、
前記収集される少なくとも１つのプロセス出力変数は、ＲＦ電圧、及び／又はＲＦ電流、及び／又はＲＦインピーダンス、及び／又は１つ以上のＲＦ高調波、及び／又はマルチモードパルスプロセスチャンバ圧力、及び／又はマルチモードパルスプロセスチャンバ温度のうちの少なくとも１つである、方法。
＜適用例１３＞
適用例２に記載の方法であって、
前記収集される少なくとも１つのプロセス出力変数は、前記複数の異なる段階の段階ごとに変動する、方法。
＜適用例１４＞
適用例１３に記載の方法であって、
前記複数の異なる段階の各段階は、約２秒から約２０秒の間の持続時間を有する、方法。
＜適用例１５＞
適用例１に記載の方法であって、更に、
複数のサイクルにわたって発生する選択された一段階の、前記収集された少なくとも１つのプロセス出力変数についての複数の軌道を比較することと、
選択された一サイクルにおける、前記被選択プロセス点を含む前記選択された一段階の対応する軌道を、前記複数の軌道から区別することであって、
前記対応する軌道の多変量解析統計値を計算することと、
前記多変量解析が閾値を超えるときに、前記被選択プロセス点を特定することと、
を含む、ことと、
を備える方法。
＜適用例１６＞
適用例１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプロセス出力変数は、複数の光波長を含む、方法。
＜適用例１７＞
適用例１に記載の方法であって、
プロセスは、前記複数の異なる段階の段階ごとに変化する、方法。
＜適用例１８＞
適用例１に記載の方法であって、
前記監視対象とされる少なくとも１つの出力プロセス変数は、放射スペクトル、反射スペクトル、ＲＦ高調波、ＲＦ電圧、ＲＦ電流、ＲＦインピーダンス、プロセスチャンバ温度、及び／又はプロセスチャンバ圧力のうちの少なくとも１つを含む、方法。
＜適用例１９＞
マルチモードパルスプラズマプロセスシステムであって、
ウエハに対してプラズマプロセスを実施するように構成されたプラズマプロセスチャンバであって、少なくとも１つの対応する出力プロセス変数を検出するようにそれぞれ構成された複数のセンサを含むプラズマプロセスチャンバと、
少なくとも１つのバイアス源と、
少なくとも１つのＲＦ源と、
少なくとも１つのガス源であって、前記少なくとも１つのバイアス源、前記少なくとも１つのＲＦ源、及び前記少なくとも１つのガス源は、前記プラズマプロセスチャンバに接続されている、少なくとも１つのガス源と、
前記プラズマプロセスチャンバ、前記複数のセンサ、前記少なくとも１つのバイアス源、前記少なくとも１つのＲＦ源、及び前記少なくとも１つのガス源のそれぞれに接続されたコントローラであって、
少なくとも１つのマルチモードパルスプラズマプロセスレシピと、
コンピュータ読み取り可能メディアに実装された少なくとも１つのマルチモードパルスプラズマプロセス点検出ロジックであって、
前記プラズマプロセスチャンバ内において被選択ウエハに前記マルチモードパルスプロセスを適用するためのコンピュータ実行可能ロジックであって、前記マルチモードパルスプロセスは、複数のサイクルを含み、前記複数のサイクルの各サイクルは、複数の異なる段階のうちの少なくとも１つの段階を含む、コンピュータ実行可能ロジックと、
前記被選択ウエハに対する前記複数のサイクル中に、前記複数の段階のうちの少なくとも１つの被選択段階について、前記少なくとも１つのプロセス出力変数を収集するためのコンピュータ実行可能ロジックと、
前記収集された少なくとも１つのプロセス出力変数を解析するためのコンピュータ実行可能ロジックと、
前記解析された少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択プロセス点を特定するためのコンピュータ実行可能ロジックと、
を含む、少なくとも１つのマルチモードパルスプラズマプロセス点検出ロジックと、
を含むコントローラと、
を備えるシステム。
＜適用例２０＞
適用例１９に記載のシステムであって、
前記収集された少なくとも１つのプロセス出力変数を解析するためのコンピュータ実行可能ロジックは、
前記収集された少なくとも１つのプロセス出力変数のエンベロープを決定するためのコンピュータ実行可能ロジック、及び／又は
前記マルチモードパルスプロセスの前記被選択プロセス点のためのテンプレートを特定するためのコンピュータ実行可能ロジック、
の少なくとも１つを含み、前記解析された少なくとも１つのプロセス出力変数から前記被選択マルチモードパルスプロセス点を特定するためのコンピュータ実行可能ロジックは、前記被選択プロセス点のための前記テンプレートを前記収集された少なくとも１つのプロセス出力変数と突き合わせるためのコンピュータ実行可能ロジックを含む、システム。