【事件の表示】
　平成　６年特許願第２３３１７９号「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　４月１２日出願公開、特開平　８−　９７４６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年９月２８日の出願であって、平成１４年９月１３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１４日付で拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年１２月１６日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年１２月１６日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年１２月１６日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１，３，４に「前記発光部の半導体層より小さく、かつ、前記ｐ側電極の下側のみに設けられてなる」点を付加するものであって、下記のように請求項１を補正する内容を含むものである。
「【請求項１】基板上に少なくともｎ型層およびｐ型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されるとともに、前記ｎ型層およびｐ型層にそれぞれ電気的に接続されるｎ側電極およびｐ側電極が設けられてなる半導体発光素子であって、前記ｐ側電極と前記発光部との間にコンタクト層を備え、前記コンタクト層の少なくとも前記ｐ側電極側の表面層がｐ型ＩｎxＧａ1−xＮ（０＜ｘ＜１）からな
り、前記発光部の半導体層より小さく、かつ、前記ｐ側電極の下側のみに設けられてな
　
（２）当審の判断
　上記のコンタクト層が「前記発光部の半導体層より小さく、かつ、前記ｐ側電極の下側のみに設けられてなる」との技術的事項に関し、願書に最初に添付した明細書または図面（以下、「当初明細書」という。）には、図１に示された断面構造に関し、コンタクト層のｐ側電極側の表面層が、発光部の半導体層より小さく、かつ、前記ｐ側電極の下側に設けられていることは見てとれるとしても、奥行き方向を示す断面図は示されておらず、それを直接説明した記載もないことから、図１に示された断面及びそれと直交する断面の両方において、コンタクト層のｐ側電極側の表面層が、発光部の半導体層より小さく、かつ、前記ｐ側電極の下側に設けられているとはいえないので、「前記発光部の半導体層より小さく、かつ、前記ｐ側電極の下側
のみ
　よって、本件補正は、当初明細書に記載された事項の範囲内でなされたものではない。
　
（３）むすび
　したがって、本件補正は、平成６年改正法前の特許法第１７条の２第２項で準用する特許法第１７条第２項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１４年１２月１６日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１４年８月１２日付手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のものである。
「【請求項１】基板上に少なくともｎ型層およびｐ型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されるとともに、前記ｎ型層およびｐ型層にそれぞれ電気的に接続されるｎ側電極およびｐ側電極が設けられてなる半導体発光素子であって、
前記ｐ側電極と前記発光部との間にコンタクト層を備え、前記コンタクト層の少なくとも前記ｐ側電極側の表面層がｐ型ＩｎxＧａ1−xＮ（０＜ｘ＜１）からなる半導体発光素子。」
　
（２）引用例記載の発明
　原審の拒絶の理由に引用した、この出願前公知の刊行物である特開平６−２１５１１号公報（以下、「引用例」という。）には、半導体発光素子に関し、下記の記載が認められる。
「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、可視から紫外で発光する化合物半導体発光素子用構造に関する。」、
「【００１１】この構造では、アンドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ発光層６３をこれよりバンドギャップエネルギが大きいｎ型及びｐ型ＧａＮ電流注入層６２及び６４で挟む構造となっているため、発光層６３に注入された電子及び正孔は電流注入層６２または６４に流出することなく発光層６３内に閉じ込められ、上記のように外部量子効率の高い発光が得られる。このように発光領域と電流注入領域とが明確に分離されているため、ｎ型及びｐ型電流注入層６２及び６４に１０１８〜１０１９ｃｍ−３という高濃度ドーピングを行っても、発光スペクトルの純度に影響を及ぼすことなく電流対電圧特性の良好な素子を作製することができる。また、この構造では発光層としてＩｎＧａＮ層を用いているため、発光波長を３６０〜６００ｎｍの範囲で変化することができる。この構造においてＩｎＧａＮを発光層に用いているにも拘らず、上記のような良好な特性が得られる最大の原因は、ＩｎＧａＮ発光層６３を結晶性の良好なｎ型ＧａＮ電流注入層６２上に成長している点にある。特に図１の構成において、発光層６３の膜厚を１０ｎｍ以下にすると、格子不整合に起因する結晶構造欠陥が発生する臨界膜厚以下となり、発光層６３の結晶性が著しく向上する。この結果、素子特性が向上し、素子寿命も延びる。このように発光層の膜厚が薄い発光素子では、量子閉じ込め効果が現れ、発光波長は３７５ｎｍまでシフトした。ここでは、６２としてＧａＮを用いることを述べたが、
【化６】（【０００９】に【化６】がＩｎ１−ｘＧａｘＮ（０≦Ｘ≦１）であることの記載あり。：審決注）を用いても良い。また、発光層として、ＩｎＧａＮを用いたが、
【化４】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦Ｘ，Ｙ≦１，Ｘ＋Ｙ＜１）
でも良いことは明らかである。
【００１２】〔実施例２〕（分離閉じ込め単一量子井戸構造）
図２は、本発明の第２の実施例の構造を示す図であって、図において、７１はサファイア（０００１）基板、７２は膜厚５μｍ及び電子濃度５×１０１８ｃｍ−３のＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層、７３は膜厚２μｍ及び電子濃度１０１９ｃｍ−３のＳｉドープｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層、７４は膜厚１０ｎｍのアンドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸発光層、７５は膜厚２μｍ及びホール濃度１０１８ｃｍ−３のＭｇドープｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層、７６は膜厚２μｍ及びホール濃度５×１０１７ｃｍ−３のＭｇドープｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層、７７はｎ側電極、７８はｐ側電極である。電極７７に対して正の電圧を７８に加えることにより、電子及び正孔を発光層７４に注入した。その結果、立ち上がり電圧４Ｖの電流対電圧特性が得られ、波長３７５ｎｍ帯にのみ発光ピークを持つ発光を観測できた。最大光出力は３ｍＷであり、外部量子効率は２％であった。また、ＩｎＧａＮ発光層７３の組成を変化することによって、発光波長を６００ｎｍまで長波長化することができた。
【００１３】この構造は、実施例１の素子構造において、ｎ型ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層及びｐ型ＧａＮ層の上下をｐ型ＧａＡｌＮ層及びｎ型ＧａＡｌＮ層で挟んだ構造となっており、実施例１の構造で得られたと全く同様の効果を期待できる。さらに、実施例１の構造において、ＩｎＧａＮ発光層の膜厚を１０ｎｍと薄くすると光閉じ込めが不十分となるが、図２の構造ではｎ型ＧａＮ層７３、ＩｎＧａＮ層７４及びｐ型ＧａＮ層７５よりも屈折率の小さいｎ型及びｐ型ＧａＡｌＮ層７２及び７６の存在により光閉じ込めの効果が現れ、上記のように大きな光出力及び高い外部量子効率を得ることができる。ここでは、素子を構成する各層にＧａＮ，ＧａｌＮを用いたが、バンドギャップエネルギが図２において７４＜７３、７５＜７２，７６の関係を保つ限り、【化４】を用いても良いことは明らかである。」
　
（３）対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比する。
（イ）引用例の「サファイア（０００１）基板７１」、「Ｓｉドープｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７３」、「単一量子井戸発光層７４」、「Ｍｇドープｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層７５」、「ｎ側電極７７」、「ｐ側電極７８」、「化合物半導体発光素子」が、それぞれ本願発明の「基板」、「ｎ型層」、「発光部」、「ｐ型層」、「ｎ側電極」、「ｐ側電極」、「半導体発光素子」に相当することは明らかである。
（ロ）引用例における「Ｍｇドープｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層」は、その上にｐ側電極７８が設けられるものであり、その位置関係において、本願発明のコンタクト層に対応する層である。
　そして、該電流注入及び光閉じ込め層に関し、引用例には、「ここでは、素子を構成する各層にＧａＮ，ＧａｌＮを用いたが、…【化４】Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦Ｘ，Ｙ≦１，Ｘ＋Ｙ＜１）を用いても良いことは明らかである。」と記載されており、該一般式は、ＩｎxＧａ1−xＮ（０＜ｘ＜１）を含むものであるから、組成において相違するものではない。
　したがって、両者は、
「基板上に少なくともｎ型層およびｐ型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されるとともに、前記ｎ型層およびｐ型層にそれぞれ電気的に接続されるｎ側電極およびｐ側電極が設けられてなる半導体発光素子であって、
前記ｐ側電極と前記発光部との間に層を備え、前記前記ｐ側電極と前記発光部との間の層の少なくとも前記ｐ側電極側の表面層がｐ型ＩｎxＧａ1−xＮ（０＜ｘ＜１）からなる半導体発光素子」である点で一致し、下記の点で一応相違する。
　
相違点：
　本願発明は、上記ｐ側電極と前記発光部との間の層が、「コンタクト層」と規定されているのに対して、引用例には、コンタクト層との明記がない点。
　
（４）判断
　そこで、上記相違点に付き検討する。
　電極と接触する層としてＩｎxＧａ1−xＮからなる層を用いる点は、上記引用例にも記載がある（審査時に引用された文献３（特開平３−２０３３８８号公報）も同様。）のは上記のとおりであり、また発光素子を構成する際に、電極と接触する層がオーム性接触するように材料を選定することは技術常識（必要であれば、特開平４−２４２９８５号公報、特開平６−２６８２５９号公報を参照されたい。）であるから、技術常識を当然に加味した引用例のｐ型ＩｎxＧａ1−xＮ層もコンタクト層といえるものであるので、上記相違点は実質的な差異とはいえない。
　したがって、本願発明は、引用例に記載の発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　
　なお、審判請求人は、引用例にはコンタクト層は開示されていないと主張するとともに、「すなわち、本願発明は、
ｐ側電極とＩｎＧａＮなどのバンドギャップエネルギーの小さい材料とを接触させるとよいということを提案しているのではなく、ＡｌＧａＮなどのバンドギャップエネルギーの大きいチッ化ガリウム系化合物半導体層からなる発光部と電極とを接続するのに、たとえ格子不整合が生じても、請求項１〜４に列挙された材料の半導体層を介在させることにより、トータルとして直列抵抗を下げられる
　前述のように、審査官殿は、引用文献１や引用文献３〜４にＩｎＧａＮ層上に電極を設けた構造があるため、その
ＩｎＧａＮ層がコンタクト層であると述べておられますが、前述のように、コンタクト層とは発光部とは別にコンタクト性を向上させるために設けられる層を意味するもので、発光部に直接電極を形成することができる場合にはコンタクト層は不要であり、本願発明は、発光部に用いられる半導体層のバンドギャップエネルギーの関係から、コンタクト層を必要とする半導体発光素子が前提になっております
チッ化ガリウム系化合物半導体において、発光部の半導体層と格子整合をとれ、しかもコンタクト性が得られるという材料がないにも拘わらず
　
　また、原査定の拒絶理由は、特許法第２９条第２項の規定によるもので、特許法第２９条第１項第３号ではないが、審判請求人は、平成１４年８月１２日付意見書において、本願発明と引用例とを対比し、「また、引用文献２には、ＧａＮ系化合物を用いたダブルヘテロ構造の半導体発光素子が開示されておりますが、いずれの実施例におきましても、ｐ型ＧａＮクラッド層またはその上に設けられるＧａＡｌＮからなる光閉込め層に電極を設ける構造が開示されているだけであり、コンタクト層は開示されておらず、いわんやコンタクト層のｐ側電極側の表面層が特定の半導体層に形成される構造に関しましては、一切開示も示唆すらもされておりません。」と述べ、容易性の前提として同一性についても検討していることは明らかであるから、上記のとおり特許法第２９条第１項第３号の規定により拒絶すべきものとする。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に実質的に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。