(57)【要約】  半導体ウエハ上に設けられるパターンの高低差を判定する改善された技法では、実際の測定値（たとえば、ＳＥＭ画像からの測定値）および高低差判定モデルを使用する。モデルの１つのバージョンでは、モデルの測定可能な変数が、影の深さ（すなわち、相対輝度）の変化の関数の点から表現され、影の深さは、半導体ウエハ上の２つの特徴間の高低差ならびに幅差に依存する。モデルの別のバージョンでは、測定可能な変数は、走査電子ビームの傾斜角度の変化に対する周期的な構造の実際の画像上の２つの特性点間の測定距離の変化の関数の点から表現される。【選択図】図２Ａ
2020521325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ上の高低差を判定するコンピュータ実施方法であって、
前記高低差の関数として表現される変数を有するモデルを識別するステップであって、前記関数が１つまたは複数のパラメータを有する、識別するステップと、
パターンの実際の画像上で測定を実施して、前記高低差の前記関数の前記１つまたは複数のパラメータの値を取得するステップと、
コンピュータプロセッサによって、前記モデルおよび前記取得した１つまたは複数のパラメータを使用して前記高低差を判定するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記高低差は、前記同じ半導体ウエハ上の第１の特徴と第２の特徴との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記高低差は、２つの異なる半導体ウエハ上に製作された特徴の特定の寸法の第１の値と第２の値との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
周期的な構造におけるコアトレンチとギャップトレンチとの間の高低差を判定するコンピュータ実施方法であって、前記周期的な構造が、半導体ウエハ上に形成された複数のコアトレンチおよび複数のギャップトレンチを含み、
コアトレンチとギャップトレンチとの間の前記高低差の関数として表現される変数を有するモデルを識別するステップであって、前記関数が１つまたは複数のパラメータを有する、識別するステップと、
前記周期的な構造の実際の画像上で測定を実施して、前記高低差の前記関数の前記１つまたは複数のパラメータの値を取得するステップと、
コンピュータプロセッサによって、前記モデルおよび前記取得した１つまたは複数のパラメータを使用して前記高低差を判定するステップとを含む方法。
【請求項５】
前記周期的な構造は、複数パターニングを含む半導体処理技法を使用して形成される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記測定を実施するステップが、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して、前記周期的な構造の前記実際の画像を取得するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記モデルにおける前記変数が、走査電子ビームの傾斜角度の変化に対する前記周期的な構造の前記実際の画像上の２つの特性点間の測定距離の変化の点から表現され、前記測定距離は、コアトレンチとギャップトレンチとの間の距離を示し、前記距離は、前記コアトレンチと前記ギャップトレンチとの間の前記高低差に依存する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記測定を実施するステップが、
前記走査電子ビームの第１の傾斜角度で前記周期的な構造を走査して、前記周期的な構造の第１の実際の画像を取得するステップと、
前記走査電子ビームの第２の傾斜角度で前記周期的な構造を走査して、前記周期的な構造の第２の実際の画像を取得するステップであって、前記第２の傾斜角度が前記第１の傾斜角度とは異なる、取得するステップと、
前記第１の実際の画像上で１対の特性点を識別し、前記ペア内の特性点間の前記距離を測定するステップと、
前記第２の実際の画像上で前記同じ特性点を識別し、前記ペア内の前記特性点間の前記距離を測定するステップと、
前記走査電子ビームの前記傾斜角度の変化に対する前記測定距離の変化の点から前記モデルの前記変数を表現するステップとをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
各対の特性点が、特定の角度で傾斜した前記走査電子ビームによって照射されたコアトレンチおよびギャップトレンチのそれぞれの底隅部に基づいて、前記実際の画像上に作成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１および前記第２の実際の画像上で複数対の特性点を識別するステップをさらに含み、前記複数対の特性点の各々が、対応する１対のコアトレンチおよびギャップトレンチによって作成される、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記測定距離の変化の点から前記変数を表現するステップが、
前記複数対の特性点から取得された測定距離の平均を計算するステップと、
前記平均測定距離の変化の点から前記変数を表現するステップとを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つまたは複数のパラメータの値を取得するステップが、前記走査電子ビームの前記傾斜角度の変化を示す値を取得するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記変数が、影の深さの変化の関数として表現され、影の深さの前記変化が、コアトレンチとギャップトレンチとの間の前記高低差ならびに幅差に依存する、請求項４に記載の方法。
【請求項１４】
前記影の深さは、前記コアトレンチと前記ギャップトレンチとの間の相対輝度の差を表す、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記モデルは、
Δη＝αΔｗ＋βΔｈ
という線形関数から作成され、上式で、ηはグレーレベル計算の輝度比を示し、Δηはコアトレンチとギャップトレンチとの間のηの差を示し、αおよびβは係数を示し、Δｗは幅差であり、Δｈはコアトレンチとギャップトレンチとの間の高低差である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
グレーレベル計算が、前記コアトレンチおよび前記ギャップトレンチの頂部および底部で測定される輝度を伴う、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記係数αおよびβが、較正またはシミュレーションによって取得された前記関数のパラメータである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
実際の画像上で測定を実施するステップが、前記コアトレンチと前記ギャップトレンチとの間の前記幅差Δｗに対する値を取得するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
周期的な構造におけるコアトレンチとギャップトレンチとの間の高低差を判定するシステムであって、前記周期的な構造が、半導体ウエハ上に形成された複数のコアトレンチおよび複数のギャップトレンチを含み、前記システムが、
メモリと、
処理デバイスとを備え、前記処理デバイスは、
コアトレンチとギャップトレンチとの間の前記高低差の関数として表現される変数を有するモデルを識別することであって、前記関数が１つまたは複数のパラメータを有する、識別することと、
前記周期的な構造の実際の画像上で実施された測定から前記高低差の前記関数の前記１つまたは複数のパラメータの値を取得することと、
前記モデルおよび前記取得した１つまたは複数のパラメータを使用して前記高低差を判定することとを行うように、前記メモリに動作可能に結合される、システム。
【請求項２０】
前記実際の画像が、走査電子顕微鏡によって作成される、請求項１９に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般に、半導体ウエハ上のパターンの寸法の測定に関し、詳細には、パターン内の高低差および／または幅差の測定に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハの検査など、様々なマッピングおよび撮像の適用分野において、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像が使用されている。ＳＥＭ画像を使用するウエハの３次元（３Ｄ）マッピングのために、いくつかの技法が当技術分野では知られている。たとえば、半導体デバイスを検査する従来の技法では、ＳＥＭによって取得された複数組の測定データを利用して、半導体デバイスの寸法パラメータを判定する。ＳＥＭは、デバイスに対して異なる角度配向から各組のデータを収集する。半導体デバイスの寸法パラメータは、ＳＥＭ検査角度と収集したデータセットとの関係を分析することによって判定される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
以下は、本開示のいくつかの態様の基本的な理解を提供するための本開示の簡略化された概要である。この概要は、本開示の総括ではない。この概要は、本開示の主要または重要な要素を特定することも、本開示のいかなる特定の実装の範囲または特許請求の範囲のいかなる範囲を定めることも意図していない。この概要の唯一の目的は、後に提示するより詳細な説明に対する導入として、本開示のいくつかの概念を簡略化された形で提示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
実際の測定値（たとえば、ＳＥＭ画像からの測定値）および高低差判定モデルを使用することによって、半導体ウエハ上に設けられたパターン内の高低差を判定するための改善された技法が、本明細書に開示される。この適用分野では、「パターン」という用語が、半導体ウエハ上に形成されるあらゆる３Ｄ構造を包含する。
【０００５】
モデルの１つのバージョンでは、モデルの測定可能な変数が、影の深さ（すなわち、相対輝度）の変化の関数の点から表現され、影の深さは、２つの特徴間の高低差ならびに幅差に依存する。
【０００６】
モデルの別のバージョンでは、測定可能な変数は、走査電子ビームの傾斜角度の変化に対する周期的な構造の実際の画像上の２つの特性点間の測定距離の変化の関数の点から表現される。
【０００７】
モデルの両方のバージョンでは、高低差は、実際の測定データをモデルに与えることによって、モデルから計算される。
【０００８】
いくつかの実装では、システムが、コンピュータプロセッサを使用して、モデルの一方または両方のバージョンを使用して高低差を抽出することが可能なモジュールを含む。システムは、ウエハを走査するＳＥＭと、１つまたは複数のＳＥＭ画像を作成する検出器とを含むことができる。
【０００９】
いくつかの実装では、非一過性コンピュータ可読媒体が、処理デバイスによって実行されると処理デバイスに方法を実施させる命令を含むことができ、この方法は、１つまたは複数のパラメータを有するコアトレンチとギャップトレンチとの間の高低差の関数として表現された変数を有するモデルを識別し、周期的な構造の実際の画像上の測定を実施して、高低差の関数の１つまたは複数のパラメータの値を取得し、コンピュータプロセッサによって、モデルを使用する高低差、および取得した１つまたは複数のパラメータを判定する。
【００１０】
本開示は、後述する詳細な説明および本開示の様々な実装の添付の図面から、より完全に理解される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】本開示のいくつかの実施形態によるモデルを使用してパターンの高低差を判定するように構成されたＳＥＭおよびコンピュータシステムを含むシステムの概略ブロック図である。
【図１Ｂ】本開示のいくつかの実施形態による高低差判定モジュール（ＨＤＤＭ）を含む概略機能ブロック図である。
【図１Ｃ】本開示の一実施形態による複数パターニングによるコア−ギャップ凹部を有するパターンを示す図である。
【図１Ｄ（ａ）】本開示の別の実施形態によるプロセス変動により２つの異なるウエハ上に異なる高さおよび幅を有するパターン特徴を示す図である。
【図１Ｄ（ｂ）】本開示の別の実施形態によるプロセス変動により２つの異なるウエハ上に異なる高さおよび幅を有するパターン特徴を示す図である。
【図２Ａ】いくつかの実施形態によるモデルおよび実際の測定値を使用してパターン内の高低差を判定する例示的な方法の流れ図である。
【図２Ｂ】本明細書に開示する一実施形態による局所および基準チャネルのグレーレベル等高線を含む例示的なＳＥＭ画像の一部分を概略的に示す図である。
【図２Ｃ】本明細書に開示する一実施形態による周期的な構造におけるコアトレンチおよびギャップトレンチのグレーレベル等高線を含む例示的なＳＥＭ画像の一部分を概略的に示す図である。
【図３】一実施形態によるモデルの１つのバージョンを実施して高低差を判定するために測定すべき値を示す例示的なパターンの概略図である。
【図４】一実施形態によるモデルの１つのバージョンに応じて高さを判定する例示的な方法の流れ図である。
【図５】一実施形態によるモデルの別のバージョンを実施して高低差を判定するために測定すべき値を示す例示的なパターンの概略図である。
【図６】図５で参照したモデルのバージョンを示すために簡略化されたＳＥＭ画像の一部分の図である。
【図７】本開示の別の実施形態による図５で参照したモデルのバージョンに応じて高さを判定する例示的な方法の流れ図である。
【図８】本開示の実装が動作することができる例示的なコンピュータシステムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本開示の態様は、同じ半導体ウエハ上の２つの特徴間の高低差ならびに／もしくは高低差および幅差の両方、またはプロセス変動による２つの異なる半導体ウエハ上の同じパターン特徴間の高さおよび／もしくは幅の変動を判定することを対象とする。
【００１３】
半導体ウエハ上に形成されるパターンは通常、様々な形状および寸法を有する特徴／オブジェクトを含む。パターンは、周期的な構造または不規則な構造を含むことができる。そのようなオブジェクト間の高低差（ならびに／または高低差および幅差の両方）の推定は、多くの目的で、たとえば半導体ウエハの製造中に、および／または半導体ウエハの製造後に半導体ウエハの検査のために必要とされることが多い。
【００１４】
既存の技法では、高低差は、個々の特徴の絶対的な高さを別個に測定し、２つの測定値を比較することによって計算される。本開示では、２つの特徴の各々のそれぞれの絶対的な高さを個々に測定する必要なく、２つの特徴間の高低差を測定するための新規でより効果的な方法について説明する。
【００１５】
本開示における手法の利点は、２つの特徴間に相対的な高低差がある限り、２つの特徴が互いに物理的に隣接していても隣接していなくてもよいことである。加えて、２つの特徴間の幅差は、追加のプロセス制御パラメータとして判定することができる。２つの特徴は、同じパターンの一部であっても、異なるパターンの一部であってもよい。また、２つの特徴は、２つの異なるウエハ上の同じ特徴であってもよい。「同じ特徴」という用語は、広く同じタイプの特徴を意味し、たとえば特徴を製作するために使用される設計意図ファイルによって定義され、または測定データ（たとえば、ＳＥＭ画像からのデータ）上で実質上同様に見える。「同じ特徴」という用語は、単一のウエハまたは異なるウエハ上に製作された同じタイプの特徴に関することができる。
【００１６】
高低差が関心の対象となり得るパターンの一例は、半導体ウエハ上に形成された周期的な構造において隣接するトレンチ間に現れ得る材料凹部またはコア−ギャップ凹部である。材料凹部は、周期的な構造における隣接するトレンチ（すなわち、コアトレンチおよびギャップトレンチ）の深さ／高さ間の平均化された差であると理解することができる。材料凹部は、半導体の製造に使用される複数パターニング（２重パターニングなど）のプロセスの結果として生じることがある。
【００１７】
トレンチのいくつかは、側壁を有するチャネルの形で生じることがあり、チャネルは、閉じた等高線を有することも開いた等高線を有することもある。高低差（Δｈ）を判定することは、任意の１対のチャネル（たとえば、パターンの特有のコア−ギャップペア）に対するΔｈの絶対値を判定すること、および／または周期的なパターン内の関心領域における類似のチャネルに対して存在するΔｈの平均値を判定することであると理解することができる。
【００１８】
開示する技法はまた、プロセスに誘起された変動による同じウエハの異なる部分上または２つの異なるウエハ上の同じ特徴内の寸法差を評価するために使用することができる。半導体デバイスの生産では、変動に対する生産プロセスの精度、再現性、および安定性が非常に重要である。プロセス制御技法は、たとえば様々な生産段階においてパターンの高さおよび幅を測定することによって、プロセスの不正確性および不安定性を制御するために実施される。
【００１９】
特定のシナリオでは、プロセス制御測定、特にインラインＳＥＭプロセス制御測定により、シャドウイング情報を分析することに基づいて、基準からの高さおよび幅のようなパターン測定値の偏差に関する情報を提供することができる。
【００２０】
図１Ａは、本発明のサブシステムＳ１およびＳ２を備える例示的なシステムＳ３を示す。サブシステムＳ１は、提案される本発明の高低差判定モジュール（ＨＤＤＭ）を含み、ＨＤＤＭは、１つまたは複数のモデリングプロセッサＳＰ１（およびＳＰ２、２つ以上のプロセッサが使用される場合）を含む。ＨＤＤＭは、コンピュータＣ内に位置し、本出願に記載するモデルの２つのバージョンのうちの少なくとも１つを使用することによって、半導体パターンの特徴間の高低差Δｈを判定するように構成される。Ｓ１は、コンピュータメモリＭに結合される。
【００２１】
コンピュータＣは、通信線Ｌを介してＳＥＭからデータを受け取ることができる。ＳＥＭは、半導体ウエハＷ上に製造されたパターンのＳＥＭ画像を作成する。ＳＥＭまたは任意の別個の測定モジュールが、ＳＥＭ画像を使用して測定を実施するように適合されている場合、測定結果はサブシステムＳ１へ伝送される。サブシステムＳ１は、制御プロセッサＰによって制御することができ、制御プロセッサＰは、ユーザからの命令を取得することができる。
【００２２】
第２のサブシステムＳ２は、ＨＤＤＭ（モデリングプロセッサＳＰ１および／またはＳＰ２を含む）と、測定モジュールＭＭと、制御プロセッサＰとを含む。
【００２３】
測定モジュールＭＭは、ＳＥＭから画像を受け取り、輝度、パターンの様々な長さ／幅の正確な測定を実施し、これらの測定値を部分的に処理することができ、プロセッサＰによって制御可能とすることができる。
【００２４】
サブシステムＳ１およびＳ２は、ディスプレイＤおよびキーボードＫを備えた自立型のコンピュータＣ内に配置することができ、コンピュータは、通信線Ｌを介して直接または間接的にＳＥＭに接続される。
【００２５】
拡張されたシステムＳ３は、電子ビームのソースおよび１つまたは複数の検出器を組み込むＳＥＭをさらに含むことができ、検出器は、ＳＥＭ内に挿入された半導体ウエハＷを監視して輝度データ（すなわち、ＳＥＭ画像のグレーレベルを表すデータ）を収集するように位置決めされる。ＳＥＭは、複数の検出器から収集されたデータを処理して複合ＳＥＭ画像にすることができ、または収集されたデータをモジュールＭＭへ供給して、モジュールＭＭ内で複合画像を形成し、測定を実施し、それらの測定値を部分的に処理することができる。
【００２６】
図１Ｂは、図１Ａに基づくブロック図を示し、ブロックおよびモジュールへの機能および制御入力が示されている。機能入力／接続は太い矢印で示されており、制御入力／接続は細い矢印で示されている。制御プロセッサＰは、ＭＭおよびＨＤＤＭ（Ｓ１の一部である）の両方を制御することに留意されたい。このブロック図では、測定モジュールＭＭは、Ｓ２として破線の等高線によって表示された本発明の実施形態の一部として示されている。システムＳ２は、Ｌを介してＳＥＭに接続されたコンピュータ内に設置可能である。メモリＭおよびその接続はここに図示されていない。
【００２７】
図１Ｃは、図２Ｂ〜図７に関してより詳細に説明するように、ＨＤＤＭがコア−ギャップ凹部シナリオでΔｈを計算することができることを示す。これは、典型的に複数パターニングに関連する問題である。
【００２８】
図１Ｄ（ａ）および図１Ｄ（ｂ）は、複数パターニングによる材料凹部がない場合でも、プロセス変動により、２つの異なるウエハ上の同じ特徴またはウエハの異なる部分に製作された同じ特徴間に、高低差（すなわち、図１Ｄ（ａ）のｈ１と図１Ｄ（ｂ）のｈ２との間の差）が生じることがあることを示す。また、プロセス変動により、幅差（すなわち、図１Ｄ（ａ）のｗ１と図１Ｄ（ｂ）のｗ２との間の差）が生じることもある。第２のウエハは、同じ生産工具によって製作された同じ設計の別のウエハとすることができる。第２のウエハは、同じタイプの別の生産工具によって製作された同じ設計の別のウエハとすることもできる。第１のウエハと第２のウエハとの間の高さおよび／または幅の差は、プロセス変動、工具の不具合などに起因することがある。
【００２９】
図２Ａは、システムＳ２の動作（図１Ｂの破線の長方形内に示す）を含むシステムＳ３内の動作の概略流れ図を示す。システムＳ２の動作は、システムＳ１としてのＨＤＤＭの動作を含む。測定モジュールＭＭは、プロセッサの制御下で１組および／または２組の測定を実施して測定結果をさらに処理する２つの実施形態のうちの少なくとも１つを含むことができる。この処理は、ＭＭで開始し、ＨＤＤＭで終了することができる。しかし、この処理は、完全にＨＤＤＭで実施することができ、したがって実際にはＭＭは、ＨＤＤＭの一部を形成することができる。たとえば、ＭＭは、以下に詳述するように、モデルのどのバージョンが選択されるか、またはモデルの両方のバージョンが選択されるかどうかに応じて、ＳＥＭ画像上のチャネル／トレンチのグレーレベル（輝度）を測定および処理するハードウェアおよび／またはソフトウェアブロック、ならびにａ）チャネルの幅「ｗ」および／またはｂ）チャネル間の距離ΔＸを測定および処理するハードウェアおよび／またはソフトウェアブロックを含むことができる。モデルは、ユーザによって選択することができ、またはプロセッサによって選択することができる。
【００３０】
特定の高さのパターンのＳＥＭ画像は、パターンの高さを示す影を示し、したがって高さに依存する。電子検出器に関して、影になっている箇所から出た電子は、パターンによって吸収することができ、電子検出器に到達しない。その結果、影になっている箇所に関連する電子信号の損失は、パターンの形状寸法ならびに形状、高さおよび幅を示す。
【００３１】
本開示の一実施形態によれば、パターンのＳＥＭ画像は、そのパターンに関連する高さ依存のシャドウイングを反映するモデルを適用することによって処理され、それによって基準と比較して、ＳＥＭ画像内のパターンの高さおよび／または幅の差を判定する。
【００３２】
図１Ｃに示すコア−ギャップの例では、コアトレンチのＳＥＭ画像が、ギャップトレンチのＳＥＭ画像に対する基準として働くことができる。図１Ｄ（ａ）および図１Ｄ（ｂ）に示す例では、第１のウエハのパターンＳＥＭ画像は、第２のウエハのパターンＳＥＭ画像に対する基準として働くことができる。どちらの例でも、高低差に関する情報が判定される。図１Ｄ（ａ）〜図１Ｄ（ｂ）に示すパターンは、複数パターニングに限定されるものではないことに留意されたい。
【００３３】
本開示の一実施形態によれば、基準は、絶対寸法値、たとえば図１Ｄ（ａ）の高さｈ１または幅ｗ１に関連付けることができる。絶対高さ値は、たとえばＳＥＭレシピ設定ステップなどの予備のプロセス制御ステップ、またはＯＣＤ（光ＣＤ測定）もしくはＴＥＭ（透過電子顕微鏡法）などの非インライン測定技法を用いる相補的な測定ステップ中に取得することができる。基準に関連付けられた絶対高さ値、および判定された高低差を使用することによって、パターンの絶対高さ値を取得することができる。
【００３４】
上述したように、高さ判定は、高低差Δｈの関数として表現される変数Ｖ、すなわちＶ＝ｆ（Δｈ）を有するモデルを識別することを伴う。Ｖは、測定可能な値を有し、１つまたは複数の実際のパラメータの関数であり、これらの実際のパラメータのうちのいくつかは、測定することが可能である。モデルの１つのバージョンでは、変数Ｖは、影の深さの関数として表現され、影の深さは、隣接する特徴間の高低差ならびに幅差に依存する。モデルの別のバージョンでは、変数は、ＳＥＭ画像を取得するために使用された電子ビームの傾斜角度の変化に対するＳＥＭ画像上の２つの特性点間の測定距離の変化の点から表現される。ユーザは、モデルのいずれかのバージョンを選択して高低差を判定することができる。また、モデルの複数のバージョンを使用して高低差を判定し、よりよい精度のためにそれらの結果を比較することも可能である。図２Ａに示す流れ図のブロック１０〜１５は、モデルの選択されたバージョンに応じて動作することが、当業者には容易に理解されよう。
【００３５】
モデルの少なくとも１つのバージョンＶ＝ｆ（Δｈ）を選択する際、１つまたは複数のＳＥＭ画像を取得する（ブロック１０）。ＳＥＭ画像は、ウエハを電子ビームで走査すること（および任意選択で、モデルのどのバージョンが選択されたかに応じて、電子ビームの傾斜角度を変化させること）によって取得することができる。１つまたは複数の電子検出器からのデータを使用して、複合ＳＥＭ画像を取得することができる。別法として、事前選択された既知のＳＥＭ画像データを使用することもできる。
【００３６】
次に、ＳＥＭ画像の測定を実施する（ブロック１１）。このタスクは、測定モジュール（ＭＭ）、または図１Ｂに示すＨＤＤＭで実施することができる。測定は、事前に提供されていない場合、すなわち事前選択されていない場合、統計的測定またはシミュレーションを実施して、選択されたモデルの実際のパラメータおよび／または係数を取得すること（ブロック１２）と、選択されたモデルの測定可能な値Ｖを計算すること（ブロック１３）とを含むことができる。
【００３７】
モデルの選択されたバージョンを測定結果に適用する最後の動作（ブロック１４および／または１５）が、ＨＤＤＭによって実施される。いくつかの実際のパラメータまたは係数が事前に選択されている場合、それらを１４および／または１５に与えることができる。以下、モデルの２つのバージョンについてより詳細に説明する。
【００３８】
モデルのバージョン１：相対輝度からの高低差（影の深さ）の判定
第１に、特徴の頂部と底部との間の輝度（グレーレベル差）の変動を利用する「影の深さ」方法を使用して高低差が計算されるモデルの第１のバージョンの動作について説明する。本出願の目的で、「影の深さ」とは相対輝度または相対グレーレベルを指す。輝度差は高低差に関係し、すなわちグレーレベル差は高低差の結果である。グレーレベル差は、異なる高さの特徴によって生じる「影」による（ＳＥＭ内で検出される２次電子）の収率の損失を示す。
【００３９】
図２ｂは、グレーレベルＳＥＭ画像の例示的な部分を示し、パターンの頂部は明るいグレーであり、底部は暗いグレーである。パターンの明るい頂部は、走査電子ビームによって生じる２次および後方散乱電子によってより多く「照射」され、少なくとも１つのＳＥＭ検出器（図示せず）によって検出される。パターンの暗い底部が生じる電子は少なく、したがって同じ検出器によってＳＥＭ画像のより暗い部分として検出される。
【００４０】
パターンは、閉じた楕円形の等高線によって形成される「基準」チャネル１６と呼ばれる第１のチャネルを含む。「局所」チャネルと呼ばれる第２のチャネルは、楕円形の等高線とまっすぐな棒状の等高線との間に形成される。
【００４１】
モデルの第１のバージョンＶ＝ΔηLR＝ｆ（Δｈ，ΔｗLR）は、以下の２つの等式に基づいている。
ηL＝η（ｈL，ｗL）および
ηR＝η（ｈR，ｗR）、
上式で、それぞれ、相対グレーレベルの値ｈLおよびｈRが、局所オブジェクトおよび基準オブジェクトに対して測定され、底部チャネルの幅の値ｗLおよびｗRが、局所オブジェクトおよび基準オブジェクトに対してそれぞれ測定される。
【００４２】
測定可能な値ΔηLRおよび実際のパラメータΔｗLRが計算され、次いで関数「ｆ」を使用してΔｈが見出される。関数「ｆ」は、単調であると見なすことができ、較正プロセスを使用して構築することができる。任意の知られている近似を関数「ｆ」に適用するとき、その第１の近似を線形とすることができ、αおよびβと呼ばれる２つの係数／パラメータのみを必要とする。そのような係数は、較正によって見出すことができ、シミュレートすることができ、または事前に選択することができる。
【００４３】
したがって、モデルの第１のバージョンは、以下に実質上近接することができる。
ΔηLR＝β（Δｈ）＋α（ΔｗLR）
上式で、係数αおよびβはそれぞれ、チャネル幅「ｗ」および高さ「ｈ」からの相対グレーレベルηの依存性を特徴付ける。
具体的には、ΔηLR＝η（局所）−η（基準）であり、
上式で、η（局所）＝Ｙlocal(bottom)／Ｙlocal(top)、
η（基準）＝Ｙreference(bottom)／Ｙreference(top)である。
Ｙは、パターンの頂部または底部における収率（輝度）を示す。
【００４４】
特有の測定に対して選択される局所チャネルおよび基準チャネルは、ＳＥＭ画像上で互いからかなり離れて位置することができ、各チャネルは、その対応する壁部分に関連付けられ、したがってチャネルの底部および頂部を形成することを理解されたい。さらに、提案される技法の場合、チャネルのうちの一方（たとえば、基準チャネル）は、その実際の測定によって表す必要がない。たとえば、基準チャネルは、測定のプロセスで取得される平均値によって表すことができる。
【００４５】
局所チャネル−基準チャネルの方法論を使用して、コア−ギャップペアの高低差を測定することができ、コアトレンチはギャップトレンチと交互に配置される。図２Ｃは、半導体ウエハ上の何らかの周期的な構造に属するコアおよびギャップトレンチのグレーレベル等高線を含むパターンからのＳＥＭ画像の例示的な部分を示す。この図では、隣接するトレンチの各対が、１つのコアトレンチ１８および１つのギャップトレンチ１９を含む。上記で論じた一般的な基準チャネル−局所チャネルモデルと比較すると、コアトレンチを基準チャネルとして使用することができ、ギャップトレンチを局所チャネルとして使用することができ、または逆も同様である。本譲受人が所有する米国特許第８，５３８，１３０号は、半導体ウエハ上に製作された周期的な構造におけるコア−ギャップペアを含む類似の構造要素を分類するＣＤ計量システムおよび方法について記載している。
【００４６】
図３は、図２Ｃに示す周期的な構造の例示的な概略側面図（または断面図）であり、コアトレンチ１８よりギャップトレンチ１９が深く、コアトレンチとギャップトレンチとの間に典型的な材料凹部（Δｈまたは高低差）が存在することを確認することができる。材料凹部は通常、複数パターニング技法（２重パターニングなど）の結果である。ギャップトレンチは高さＨｇを有し、高さＨｇは、コアトレンチの高さＨｃより大きい。それぞれのギャップトレンチおよびコアトレンチの幅ＷｇおよびＷｃも異なってよい。
【００４７】
底部におけるグレーレベル輝度（ｙbottom）と頂部における輝度（ｙtop）との間の比ηは、１対の隣接するギャップおよびコアトレンチ（たとえば、例示的なペア１）に対して２回測定される。これらの測定された比は、隣接するギャップおよびコアトレンチの異なる高さのために異なる。
【００４８】
このケースに対するモデルの提案される第１のバージョンの線形関数は、次のように表現される。
Δηcg＝β（Δｈ）＋α（Δｗcg）
上式で、Δηcgは、コア−ギャップペアに対する輝度比（すなわち、頂部における輝度（ｙtop）と底部における輝度（ｙbottom）との間の比）の差であり、Δｈは、コア−ギャップペアに対する高低差であり、Δｗcgは、コア−ギャップペアに対する幅差である。αおよびβは、事前に選択されまたは測定／較正から統計的に計算された係数である。上式に示す線形関係により、事前に受け取ったまたはシミュレーションおよび／もしくは較正によって導出された係数αおよびβを考慮に入れながら、ＳＥＭ画像を使用して輝度（ｙtop(c)、ｙbottom(c)、ｙtop(g)、およびｙbottom(g)）ならびに幅（ＷcおよびＷg）の測定に基づいてΔｈを計算することが可能になる。係数αは、トレンチの幅からのηの依存性（ｄη／ｄｗ）を表現する。係数βは、トレンチの高さからのηの依存性（ｄη／ｄｈ）を反映する。
【００４９】
図４は、上述したモデルのバージョンを使用して隣接するコアトレンチとギャップトレンチとの間の高低差を判定する例示的な方法の流れ図である。本出願では、周期的なパターンにおける隣接するコアトレンチおよびギャップトレンチについて繰り返し述べている。しかしこの方法は、本開示の範囲内で、不規則なパターン内の２つのチャネルのΔｈを測定するように修正することができ、これら２つのチャネルは、「１対」のギャップ−コアと見なされる。図４の方法は、ハードウェア（たとえば、処理デバイス、回路、専用論理、プログラム可能な論理、マイクロコード、デバイスのハードウェア、集積回路など）、ソフトウェア（たとえば、処理デバイス上で走行もしくは実行される命令）、またはこれらの組合せを含むことができる処理論理によって実施することができる。いくつかの実施形態では、図４の方法は、図１Ａおよび図１Ｂに示すシステムによって実施することができる。
【００５０】
図４に示すように、この方法は、ウエハＷ上にパターンを有するサンプルを１次電子のビームによって走査するブロック２０から始めることができる。ブロック２２で、ＳＥＭの１つまたは複数の検出器が、後方散乱および２次電子を検出する。この検出器データに基づいて、ウエハの１つまたは複数のＳＥＭ画像がＳＥＭによって作成される。ブロック２４で、１つまたは複数のＳＥＭ画像を組み合わせて、複合ＳＥＭ画像を作成する。ブロック２６で、各コア−ギャップペアの幅が測定され、それらの幅差が計算される。この関数は、測定モジュールＭＭで実施することができる。ブロック２８で、各コア−ギャップペアに対して、底部および頂部においてグレーレベルが測定され、ギャップおよびコアに対するηを計算し、次いでΔηを計算する。各コア−ギャップペアに対するηおよびΔηを計算する際、グレーレベルの実施された測定に基づいて、関心領域に対して平均化を行うことができる。最後に、ブロック３０で、Ｖ＝ｆ（Δｈ）に対するモデルの第１のバージョンを使用して、高低差Δｈが導出され、関数ｆは、Δηcg＝β（Δｈ）＋α（Δｗcg）として表現される。具体的には、Δｈ＝（Δηcg−αΔｗcg）／βである。
【００５１】
上述した測定可能な値および実際のパラメータは、絶対値であっても平均値であってもよいことに留意されたい。これらの値は、特有の２つのチャネルに対する絶対値であり、パターンの特有の領域に対して平均化することができる。相対グレーレベル（または輝度）ηは、絶対値であっても平均値であってもよい。絶対値ηは、特有のコア−ギャップペア内の特有のギャップ／コアに対して測定（計算）することができ、平均値ηは、周期的な構造の関心領域内の１群のギャップ／コア／ペアに対して測定（計算）することができる。
【００５２】
同様に、ＳＥＭ画像上の（１つのコア−ギャップペアの）コアトレンチの幅「ｗc」および隣接するギャップトレンチの幅「ｗg」の測定によって取得されるとき、実際のパラメータ「Δｗcg」は絶対値であり、関心領域に対して計算される場合、「Δｗcg」は、複数の絶対パラメータ「Δｗcg」に基づいて平均化される。材料凹部「Δｈ」は、特有のコア−ギャップペアに対して測定されるときは絶対値であり、関心領域に対して（複数の絶対値「Δｈ」に基づいて、または平均値「Δｗcg」に基づいて）計算されたときは平均値である。さらに、「統計的測定」という用語は、たとえば、実際の測定によって取得される経験的データを使用する較正、または単に平均化された実際の測定であると理解することができる。
【００５３】
モデルのバージョン２：電子ビームの傾斜角度を変動させることによる高低差の判定
モデルの第２のバージョンでは、走査電子ビームの傾斜角度が変化したときのＳＥＭ画像上の２つの特性点間の測定距離の変化の点から表現することができる変数から高低差を計算する。パターンの側面図の「特性点」は、同じパターンの上面図の「特性線」に対応することができ、２つの特性点間の距離は、２つの平行な特性線間の距離に対応することが、当業者には理解されよう。
【００５４】
特性線は、周期的な構造の下縁部に沿って位置決めされたストリップの形の明るいスポットであると理解されたい。実際には、そのような特性線は、構造の底部と壁との間の底隅部に沿って見出され、隅部には、傾斜した走査電子ビームが到達し、したがって隅部の壁部分および底部の両方からの電子の放出により、ＳＥＭ画像に比較的明るい（特性）スポットが作成される。
【００５５】
図５は、図２Ｃおよび図３に示す同じパターンの側面図を示し、より現実的な丸い等高線を有する。パターンは、第１に、ウエハの表面に垂直な軸（点線）に対して傾斜角度γ１を有する電子ビーム４０によって走査される。次いでパターンは、γ１とは異なるγ２だけ傾斜した電子ビーム４２によって走査することができる。この前提条件は、両方の角度に対して、少なくとも１つの検出器Ｄ１が、ギャップトレンチの底隅部（Ｃｇ）およびその隣接するコアトレンチの底隅部Ｃｃの両方で特性線を登録し、ギャップおよびコアトレンチは、ここでペア１として示す同じコア−ギャップペアに属することである。ＣｇおよびＣｃにおける特性線は、Ｄ１によって収集されたデータから取得したＳＥＭ画像上で明るいスポットとして見られる。これらの線は、傾斜角度が変化すると位置を変化させる。これは、図６により詳細に示されている。追加の条件は、少なくとも１つの検出器が、その検出器のＳＥＭ画像を比較し、それらのＳＥＭ画像上の距離ΔＸ１およびΔＸ２を測定するために、傾斜角度γ１およびγ２の両方に対する特性線を登録することができるべきであることである。
【００５６】
次いで、同じコア−ギャップペアの異なる傾斜角度に対して取得され、ＣｃおよびＣｇにおける特性線間で測定された距離ΔＸ１およびΔＸ２を使用して、そのコア−ギャップペアの材料凹部Δｈを計算する。
【００５７】
図６は、図２Ｃおよび図５に示すパターンのＳＥＭ画像の簡略化された概略部分を示し、異なる傾斜角度で生じる特性線が、規則的な構造の明るいグレーの頂部と暗いグレーの底部との間の白色部分として概略的に示されている。γ１＜γ２であるため、傾斜角度γ１の特性線はより狭く見え、傾斜角度γ２の特性線はより広く見える。傾斜方向は、太い矢印によって概略的に示されている。距離ΔＸは、特有のコア−ギャップペアに対して、特性線の右端間で測定される（右端部は、黒い破線によって表される）。浅いコアにおける特性線は、より深いギャップにおける特性線より広いことに留意されたい。
【００５８】
たとえば、距離ΔＸ１は、コア−ギャップペア１（コア１およびギャップ１）に対して、傾斜角度γ１で取得されたＳＥＭ画像上に見られる特性線間で測定される。距離ΔＸ２は、同じコア−ギャップペア１に対して、傾斜角度γ２で取得されたＳＥＭ画像上に見られる特性線間で測定される。別のコア−ギャップペア（たとえば、ギャップ１およびコア２を含むペア２）に対して、類似の距離を測定することができる。距離ΔＸは、傾斜角度を変化させるとともに変化することを見ることができる。その変化は、コア−ギャップペア間の高低差の関数であるため、モデルの適切なバージョンを使用して、ΔＸから高低差を導出することができる。
【００５９】
前述の測定可能な値Δ（ΔＸ）は、走査電子ビームの２つの異なる傾斜角度γに対して取得された２つのそれぞれのＳＥＭ画像を使用して測定された距離（ΔＸ）の２つの値から計算することができることを理解されたい。たとえば、特有の「コア−ギャップ」ペアに対して２つの傾斜角度を選択することができ、値Δ（ΔＸ）を取得することができる。
【００６０】
図７は、モードのバージョン２に応じて方法を実施する例示的な流れ図である。図７の方法は、ハードウェア（たとえば、処理デバイス、回路、専用論理、プログラム可能な論理、マイクロコード、デバイスのハードウェア、集積回路など）、ソフトウェア（たとえば、処理デバイス上で走行もしくは実行される命令）、またはこれらの組合せを含むことができる処理論理によって実施することができる。また、パターンは、材料凹部を有する周期的な構造であっても不規則な構造であってもよい。いくつかの実施形態では、図４の方法は、図１Ａおよび図１Ｂに示すシステムによって実施することができる。このモデルを実施するために少なくとも１つの検出器が必要であることに留意されたい。
【００６１】
図７の方法は、２つの傾斜角度γ１およびγ２における１次電子のビームによってパターンを走査するブロック５０から始まる。次に、ブロック５２で、１つまたは複数の検出器によって２次および後方散乱電子が検出され、それによって各傾斜角度に対する対応するＳＥＭ画像が作成される。ＳＥＭ画像は、複数の検出器からのデータを使用して複合画像とすることができることに留意されたい。ブロック５４で、特有の傾斜角度に対して取得された各ＳＥＭ画像に対して、各コア−ギャップペアに対してその特有の傾斜角度で作成された特性線が識別される。ブロック５６で、特有の各コア−ギャップペアに対して、２つの異なる傾斜角度における特性線間の距離ΔＸ１およびΔＸ２が測定される。その後、そのような距離間の差、すなわちΔ（ΔＸ）が計算される。ブロック５８で、モデルのバージョン２の関数を使用してΔｈが計算され、変数Δ（ΔＸ）は、等式Δ（ΔＸ）＝（Δ（ｔｇγ））＊Δｈに示すように、Δｈの関数であり、上式で、（Δ（ｔｇγ））はＶ＝ｆ（Δｈ）における関数「ｆ」であり、傾斜角度の変化を反映する。
【００６２】
要約すると、モデルの第２のバージョンで測定可能な値Ｖを測定する方法は、たとえば、
−  電子ビームに対して２つの異なる角度を角度γ１およびγ２として選択し、第３の実際のパラメータΔｔｇγを（ｔｇ（γ１）−ｔｇ（γ２））として計算することによって、関数「ｆ」の２つの実際のパラメータを選択するサブステップと、
−  角度γ１、次いで角度γ２で傾斜した電子ビームによって、規則的な構造を走査するサブステップと、
−  ２つのそれぞれの異なる角度γ１およびγ２に対するパターンの２つのＳＥＭ画像Ｉγ１およびＩγ２を取得するサブステップと、
−  ２つの画像Ｉγ１およびＩγ２のそれぞれに対して、１対のチャネル（たとえば、隣接するコアおよびギャップトレンチ）の２つの特性線を判定するサブステップと（２つの特性線は、傾斜した電子ビームによって照射されたときにその対の隣接するコアおよびギャップトレンチの底隅部ＣｃおよびＣｇによって前記画像上に作成された特性線である）、
−  ２つの画像Ｉγ１およびＩγ２のそれぞれに対して、その対のチャネルの２つの特性線間の距離ΔＸを判定するサブステップと、
−  画像Ｉγ１で判定された距離ΔＸと画像Ｉγ２で判定された距離ΔＸとの間の差Δ（ΔＸ）として値Ｖを測定するサブステップとを含むことができる。
【００６３】
次いで、高低差ΔｈがΔｈ＝Δ（ΔＸ）／（Δ（ｔｇγ））として判定され、上式で、Δｔｇγ＝ｔｇ（γ１）−ｔｇ（γ２）である。
【００６４】
ウエハの周期的な構造上で関心領域を選択することができ、次いで関心領域内で事前選択された１つまたは複数の軸／方向に沿って、絶対測定値（および／または絶対測定値に基づいて得られた絶対計算値）を平均化することができる。これにより、測定値の精度と、ウエハの特定の領域またはウエハ全体における高低差の適切な推定との間にトレードオフが導入される。
【００６５】
図８は、コンピュータシステム６００の例示的な機械を示し、コンピュータシステム６００において、本明細書に論じる方法のうちのいずれか１つまたは複数を機械に実施させる１組の命令を実行することができる。代替の実装では、機械は、ＬＡＮ、イントラネット、エクストラネット、および／またはインターネット内の他の機械に接続（たとえば、ネットワーク化）することができる。機械は、クライアント−サーバネットワーク環境においてサーバまたはクライアント機械の容量内で、ピアツーピア（もしくは分散型）ネットワーク環境内のピア機械として、またはクラウドコンピューティングインフラストラクチャもしくは環境内のサーバもしくはクライアント機械として動作することができる。
【００６６】
機械は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、タブレットＰＣ、セットトップボックス（ＳＴＢ）、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、セルラー電話、ウェブアプライアンス、サーバ、ネットワークルータ、スイッチもしくはブリッジ、またはその機械によって実施されるべき動作を指定する１組の命令を（順次もしくはその他で）実行することが可能な任意の機械とすることができる。さらに、単一の機械が示されているが、「機械」という用語はまた、本明細書に論じる方法のうちのいずれか１つまたは複数を実施するために１組（または複数組）の命令を個別または集合的に実行する任意の１群の機械を含むと解釈されたい。
【００６７】
例示的なコンピュータシステム６００は、バス６０８を介して互いに通信する処理デバイス６０２、主メモリ６０４（たとえば、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）などのダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）など）、スタティックメモリ６０６（たとえば、フラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）など）、およびデータ記憶デバイス６１６を含む。
【００６８】
処理デバイス６０２は、マイクロプロセッサ、中央処理装置などの１つまたは複数の汎用処理デバイスを表す。より詳細には、処理デバイスは、複合命令セットコンピューティング（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、または他の命令セットを実施するプロセッサ、もしくは命令セットの組合せを実施するプロセッサとすることができる。処理デバイス６０２はまた、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークプロセッサなどの１つまたは複数の特定目的処理デバイスとすることができる。処理デバイス６０２は、本明細書に論じる動作およびステップを実施する命令を実施するように構成される。
【００６９】
コンピュータシステム６００は、ネットワーク６１８を介して通信するネットワークインターフェースデバイス６２２をさらに含むことができる。コンピュータシステム６００はまた、ビデオ表示ユニット６１０（たとえば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）またはカソードレイチューブ（ＣＲＴ））、英数字入力デバイス６１２（たとえば、キーボード）、カーソル制御デバイス６１４（たとえば、マウスまたはタッチパッド））、信号生成デバイス６２０（たとえば、スピーカ）、グラフィックス処理ユニット（図示せず）、ビデオ処理ユニット（図示せず）、および音声処理ユニット（図示せず）を含むことができる。
【００７０】
データ記憶デバイス６１６は、機械可読記憶媒体６２４（コンピュータ可読媒体としても知られている）を含むことができ、機械可読記憶媒体６２４上には、本明細書に記載する方法または関数のうちのいずれか１つまたは複数を実施する１組もしくは複数組の命令またはソフトウェアが記憶される。これらの命令はまた、コンピュータシステム６００によるその実行中、主メモリ６０４および／または処理デバイス６０２内に完全にまたは少なくとも部分的に常駐することができ、主メモリ６０４および処理デバイス６０２はまた、機械可読記憶媒体を構成する。
【００７１】
１つの実装では、これらの命令は、高低差判定に対応する機能を実施する命令を含む。機械可読記憶媒体６２４は、例示的な実装では、単一の媒体であるものとして示されているが、「機械可読記憶媒体」という用語は、１組もしくは複数組の命令を記憶する単一の媒体または複数の媒体（たとえば、集中型もしくは分散型のデータベース、ならびに／または付随するキャッシュおよびサーバ）を含むと解釈されるべきである。「機械可読記憶媒体」という用語はまた、機械による実行のために１組の命令を記憶または符号化することが可能であり、本開示の方法のうちのいずれか１つまたは複数を機械に実施させる任意の媒体を含むと解釈されるものとする。したがって、「機械可読記憶媒体」という用語は、それだけに限定されるものではないが、固定メモリ、光媒体、および磁気媒体を含むと解釈されるものとする。
【００７２】
前述の詳細な説明のいくつかの部分について、コンピュータメモリ内のデータビットに関する動作のアルゴリズムおよび記号表現の点から提示した。これらのアルゴリズムの説明および表現は、機能の本質を当業者に最も効果的に伝えるために、データ処理技術の当業者によって使用される方法である。ここでアルゴリズムは、全体として、所望の結果をもたらす自己矛盾のない動作シーケンスであると考えられる。これらの動作は、物理量の物理的な操作を必要とする動作である。通常、必須ではないが、これらの量は、記憶、結合、比較、およびその他の方法で操作することが可能である電気または磁気信号の形をとる。主に一般的な使用の理由で、これらの信号をビット、値、要素、記号、文字、用語、数字などと呼ぶことが時として好都合であることが分かっている。
【００７３】
しかし、上記および類似の用語はすべて、適当な物理量に関連付けられるべきであり、これらの量に適用される単に好都合な名称であることに留意されたい。上記の議論から明らかであると別途具体的に指示しない限り、本説明全体を通して、「識別」または「判定」または「実行」または「実施」または「収集」または「作成」または「送信」などの用語を利用する議論は、コンピュータシステムのレジスタおよびメモリ内で物理（電子）量として表されるデータを操作し、コンピュータシステムメモリもしくはレジスタまたは他のそのような情報記憶デバイス内で物理量として同様に表される他のデータに変換する、コンピュータシステムまたは類似の電子コンピューティングデバイスの動作およびプロセスを指すことを理解されたい。
【００７４】
本開示はまた、本明細書の動作を実施する装置に関する。この装置は、所期の目的のために特別に構築することができ、またはコンピュータ内に記憶されているコンピュータプログラムによって選択的に起動もしくは再構成される汎用コンピュータを備えることができる。そのようなコンピュータプログラムは、それだけに限定されるものではないが、フロッピーディスク、光ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、および磁気光学ディスク、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、磁気もしくは光カード、または電子命令を記憶するのに適した任意のタイプの媒体を含む任意のタイプのディスクなど、コンピュータ可読記憶媒体内に記憶することができ、各媒体は、コンピュータシステムバスに結合される。
【００７５】
本明細書に提示するアルゴリズムおよびディスプレイは、いかなる特定のコンピュータまたは他の装置にも本質的に関係するものではない。本明細書の教示によるプログラムとともに様々な汎用システムを使用することができ、またはこの方法を実施するためにより特殊な装置を構築するのに好都合であると実証することができる。様々なこれらのシステムに対する構造について、以下の説明に記載されている。加えて、本開示は、何らかの特定のプログラミング言語を参照するものとして記載されていない。本明細書に記載する本開示の教示を実施するために、様々なプログラミング言語を使用することができることが理解されよう。
【００７６】
本開示は、命令が記憶された機械可読媒体を含むことができるコンピュータプログラム製品またはソフトウェアとして提供することができ、これらの命令は、本開示によるプロセスを実施するようにコンピュータシステム（または他の電子デバイス）をプログラムするために使用することができる。機械可読媒体は、機械（たとえば、コンピュータ）によって可読の形式で情報を記憶する任意の機構を含む。たとえば、機械可読（たとえば、コンピュータ可読）媒体には、読取り専用メモリ（「ＲＯＭ」）、ランダムアクセスメモリ（「ＲＡＭ」）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュ記憶デバイスなどの機械（たとえば、コンピュータ）可読記憶媒体が含まれる。
【００７７】
上記の明細書では、本開示の実装について、本開示の特有の例示的な実装を参照して説明した。以下の特許請求の範囲に記載する本開示の実装のより広い趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な修正を加えることができることが明らかである。したがって、本明細書および図面は、限定ではなく例示であると見なされるべきである。
【図１Ａ】
2020521325.tif 000003
【図１Ｂ】
2020521325.tif 000004
【図１Ｃ】
2020521325.tif 000005
【図１Ｄ（ａ）】
2020521325.tif 000006
【図１Ｄ（ｂ）】
2020521325.tif 000007
【図２Ａ】
2020521325.tif 000008
【図２Ｂ】
2020521325.tif 000009
【図２Ｃ】
2020521325.tif 000010
【図３】
2020521325.tif 000011
【図４】
2020521325.tif 000012
【図５】
2020521325.tif 000013
【図６】
2020521325.tif 000014
【図７】
2020521325.tif 000015
【図８】
2020521325.tif 000016
【国際調査報告】
2020521325.tif 000017
2020521325.tif 000018