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【手続補正書】
【提出日】平成30年6月8日(2018.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、フォトダイオードと、容量素子を有する撮像装置であって、
前記トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極と接する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と接する第１の半導体層と、前記第１の半導体層と接する第２の電極および第３の電極を有し、
前記フォトダイオードは第４の電極と、第５の電極と、前記第４の電極と前記第５の電極との間に第２の半導体層を有し、
前記第１の半導体層は第２の絶縁層と接する領域を有し、
前記第２の電極は前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
前記第３の電極は前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
前記第２の絶縁層は第３の絶縁層と接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は第４の絶縁層と接する領域を有し、
前記第４の絶縁層は前記第４の電極と接する領域を有し、
前記第１の電極と重なる領域において、前記第３の絶縁層は前記第４の電極と接する領域を有し、
前記第５の電極は前記第２の電極と電気的に接続され、
前記容量素子は、前記第３の電極が延在した領域と、前記第２の絶縁層と、前記第３の絶縁層と、前記第４の電極を含んで構成され、
前記フォトダイオードは、前記第４の電極と接する第３の半導体層と、前記第５の電極と接する第４の半導体層とをさらに有し、
前記第２の半導体層は前記第３の半導体層と前記第４の半導体層に接して挟まれ、
前記第３の半導体層の導電型はｐ型であり、
前記第４の半導体層の導電型はｎ型であり、
前記第２の半導体層の導電型はｉ型であることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電極層と重なる領域において、前記フォトダイオードは前記第４の半導体層が欠損している領域を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の電極層と重なる領域において、前記フォトダイオードは前記第２の半導体層および前記第４の半導体層が欠損している領域を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の電極層と重なる領域において、前記フォトダイオードは前記第２の半導体層、前記第３の半導体層および前記第４の半導体層が欠損している領域を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の半導体層は酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、ＩｎとＺｎとＭ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像装置と、
表示装置と、
を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月24日(2017.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒペロシドをヤナギタデ芽部の乾燥物及び/又は抽出物として含有し、ヒトに対して経口投与されるように用いられ、血圧降下作用及び心拍数低下作用を有する組成物。
【請求項２】
ヒトに対してヒペロシド換算で０．１ｍｇ/ｋｇ体重/日以上を経口投与されるように用いられる請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
塩分過剰摂取に起因する高血圧症の予防及び/又は治療、並びに心拍数低下のための請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
血圧降下作用が、ヒペロシドのヒトキマーゼ活性阻害に基づく請求項１から３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の組成物を含有する機能性食品。
【請求項６】
ヤナギタデ芽部の乾燥物に、エタノールと水の混合溶媒を接触させて、ヤナギタデ芽部の含有成分を抽出する工程を含むヤナギタデ抽出物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】血圧降下作用及び心拍数低下作用を有する組成物および機能性食品、並びにヤナギタデ抽出物の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［１Ａ］  ヒペロシドをヤナギタデ芽部の乾燥物及び/又は抽出物として含有し、ヒトに対して経口投与されるように用いられ、血圧降下作用及び心拍数低下作用を有する組成物。
［２Ａ］  ヒトに対してヒペロシド換算で０．１ｍｇ/ｋｇ体重/日以上を経口投与されるように用いられる［１Ａ］に記載の組成物。
［３Ａ］  塩分過剰摂取に起因する高血圧症の予防及び/又は治療、並びに心拍数低下のための［１Ａ］または［２Ａ］に記載の組成物。
［４Ａ］  血圧降下作用が、ヒペロシドのヒトキマーゼ活性阻害に基づく［１Ａ］から［３Ａ］のいずれかに記載の組成物。
［５Ａ］ ［１Ａ］から［４Ａ］のいずれかに記載の組成物を含有する機能性食品。
［１Ｂ］  ヤナギタデ芽部の乾燥物に、エタノールと水の混合溶媒を接触させて、ヤナギタデ芽部の含有成分を抽出する工程を含むヤナギタデ抽出物の製造方法。
［２Ｂ］  前記混合溶媒が、５０体積％エタノール/水の混合溶媒である［１Ｂ］に記載のヤナギタデ抽出物の製造方法。
［１Ｃ］  ヒトキマーゼに、ヒペロシドを接触させる工程を含むヒトキマーゼの活性を阻害する方法（但し、ヒトに対する医療行為を除く）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月10日(2018.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の画像データを生成し、前記画像データに電力供給制御情報を含める撮像手段と、
前記画像データに対して所定の画像処理を行う画像処理手段と、
前記画像データを前記撮像手段から前記画像処理手段に伝送する伝送手段と、
前記電力供給制御情報に基づいて、前記伝送手段が前記画像データを伝送する際の前記伝送手段への電力供給を制御し、前記画像処理手段が前記画像データを受信する際の前記画像処理手段への電力供給を制御する制御手段と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記電力供給制御情報は、前記画像データの各ラインに含まれることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記電力供給制御情報は、通常の電力供給状態と、前記通常の電力供給状態よりも電力消費が少ない省電力状態とのいずれかの電力供給状態を示すことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記省電力状態は、電力供給を行わない状態であることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記伝送手段が次のフレームの画像データを伝送する前に、前記省電力状態から前記通常の電力供給状態に復帰させることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記伝送手段は、複数の伝送路を含み、
前記制御手段は、前記伝送手段の前記複数の伝送路の少なくとも１つに対する電力供給を制限することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記伝送手段が有する前記複数の伝送路のうちのいずれかが常に伝送可能となるように前記伝送手段への電力供給を制御することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像手段は積層型の撮像素子を含む
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
撮像手段が、被写体の画像データを生成し、前記画像データに電力供給制御情報を含める撮像工程と、
画像処理手段が、前記画像データに対して所定の画像処理を行う画像処理工程と、
伝送手段が、前記画像データを前記撮像手段から前記画像処理手段に伝送する伝送工程と、
制御手段が、前記電力供給制御情報に基づいて、前記伝送手段が前記画像データを伝送する際の前記伝送手段への電力供給を制御し、前記画像処理手段が前記画像データを受信する際の前記画像処理手段への電力供給を制御する制御工程と、を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１から８のいずれか１項に記載の撮像装置の、撮像手段及び伝送手段を除く各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１１】
撮像装置が有するコンピュータに請求項１から８のいずれか１項に記載の撮像装置の、撮像手段及び伝送手段を除く各手段として機能させるためのプログラムを格納した、コンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この課題を解決するため、例えば本発明の撮像装置は以下の構成を備える。すなわち、被写体の画像データを生成し、画像データに電力供給制御情報を含める撮像手段と、画像データに対して所定の画像処理を行う画像処理手段と、画像データを撮像手段から画像処理手段に伝送する伝送手段と、電力供給制御情報に基づいて、伝送手段が画像データを伝送する際の伝送手段への電力供給を制御し、画像処理手段が画像データを受信する際の画像処理手段への電力供給を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月23日(2018.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の画素と、樹脂よりなる平坦化層と、を有し、
前記画素が、前記基板側から、下部電極、有機化合物層及び上部電極をこの順で有する発光素子を有する発光装置であって、
前記平坦化層は、前記有機化合物層から、前記基板の面内方向において離間して配置されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記複数の画素を駆動する画素回路が前記基板上に配置され、
前記平坦化層は、前記画素回路の上方に配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記画素回路は、前記画素の前記基板の短手方向における隣に配置されている
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の画素の前記発光素子のそれぞれに接続された配線が前記基板上に配置され、
前記平坦化層は、前記配線の上方に配置されている
ことを特徴とする請求項２又は３記載の発光装置。
【請求項５】
前記配線は、前記画素の前記基板の短手方向における隣に配置されている
ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記画素回路、前記画素、前記配線は、前記基板の短手方向において、この順で配置されている
ことを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子及び前記平坦化層を覆う封止層を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記基板上に配置され、前記発光素子が形成された空間を封止する封止基板を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記発光素子及び前記平坦化層を覆う封止層と、
前記基板上に配置され、前記発光素子が形成された空間を封止する封止基板と、を更に有し、
前記封止層と前記封止基板とが、離間している
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
封止された前記空間に吸湿剤をさらに有する
ことを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記下部電極の端を覆い、無機化合物からなる隔壁層を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記平坦化層は、前記隔壁層の上に配置されている
ことを特徴とする請求項１１記載の発光装置。
【請求項１３】
前記平坦化層は、前記基板の主面方向からの平面視において、前記有機化合物層と重ならない
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１４】
感光体と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体を帯電する帯電部と、前記感光体に現像剤を付与する現像部と、を有する画像形成装置であって、
前記露光部は、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の発光装置を有し、
前記複数の画素の前記発光素子は、前記感光体の長軸方向に沿って配置されている
ことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一観点によれば、基板上に、複数の画素と、樹脂よりなる平坦化層と、を有し、前記画素が、前記基板側から、下部電極、有機化合物層及び上部電極をこの順で有する発光素子を有する発光装置であって、前記平坦化層は、前記有機化合物層から、前記基板の面内方向において離間して配置されている発光装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示部を備えた情報処理装置であって、
第１の画像を第１のメモリ領域に記憶し、前記第１の画像の一部が拡大された画像である第２の画像を第２のメモリ領域に記憶する記憶手段と、
前記表示部に前記第１の画像を拡大して表示するか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段が前記第１の画像を拡大して表示すると判定した場合に、前記表示部に表示された画像を、前記記憶手段に記憶された前記第２の画像に切り替える表示手段と、を備えることを特徴とする、
情報処理装置。
【請求項２】
前記記憶手段は、表示サイズが同じである前記第１の画像及び前記第２の画像を記憶することを特徴とする、
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記第１のメモリ領域に記憶された第１の画像をキャプチャし、キャプチャした前記第１の画像に基づいて前記第２の画像を生成して前記第２のメモリ領域に記憶する拡大制御手段を更に備えることを特徴とする、
請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記表示手段は、前記判定手段が前記第１の画像を拡大して表示しないと判定した場合に、前記表示部に前記第１の画像を表示することを特徴とする、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記表示手段は、前記判定手段が前記第１の画像を拡大して表示すると判定した場合に、前記表示部に前記第２の画像を拡大鏡として前記第１の画像に重畳して表示する、または前記第２の画像を前記表示部の全体に表示することを特徴とする、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記第１の画像を生成するアプリケーション手段を更に備え、
前記判定手段は、前記アプリケーション手段により前記画像を拡大して表示する拡大機能の設定が変更されたことに応じて、前記第１の画像を拡大して表示するか否かを判定することを特徴とする、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記表示部に対するユーザの操作位置が、前記表示手段によって前記第１の画像に重畳して表示される拡大鏡の表示範囲内であるかを判断する判断手段を更に有し、
前記表示手段は、前記判断手段によって前記操作位置が前記拡大鏡の表示範囲内であると判断された場合、前記表示部に対する前記ユーザの操作内容を判定することを特徴とする、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記操作内容は、ムーブ、タッチダウン、またはタッチアップを含むことを特徴とする、
請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記第２の画像を生成する拡大制御手段と、
ユーザによる操作間隔を測定し、前回の操作から所定の時間経過するとリセット通知を前記拡大制御手段に送信するタイマ制御手段と、を更に有し、
前記拡大制御手段は、前記リセット通知を受信して、前記第１の画像を拡大せずに前記第２の画像として前記第２のメモリ領域に記憶することを特徴とする、
請求項１乃至８のいずれか１項記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第２の画像に対するユーザの操作位置を、前記第１の画像における座標位置に変換する変換手段を更に有し、
前記変換手段によって変換された座標位置は、前記情報処理装置に格納されたアプリケーションに送信され、このアプリケーションは、前記変換された座標位置に基づいて、前記第２の画像に対するユーザの操作位置に対応する機能を実現することを特徴とする、
請求項１乃至９のいずれか１項記載の情報処理装置。
【請求項１１】
画像を表示する表示部と、第１の画像を記憶する第１のメモリ領域及び前記第１の画像の一部が拡大された画像である第２の画像を記憶する第２のメモリ領域を有する記憶手段と、を備えた情報処理装置により実行される方法であって、
前記表示部に前記第１の画像を拡大して表示するか否かを判定し、
前記第１の画像を拡大して表示すると判定した場合に、前記表示部に表示された画像を、前記記憶手段に記憶された前記第２の画像に切り替えることを特徴とする、
表示制御方法。
【請求項１２】
画像を表示する表示部を備えたコンピュータを、
第１の画像を第１のメモリ領域に記憶し、前記第１の画像の一部が拡大された画像である第２の画像を第２のメモリ領域に記憶する記憶手段、
前記表示部に前記第１の画像を拡大して表示するか否かを判定する判定手段、
前記判定手段が前記第１の画像を拡大して表示すると判定した場合に、前記表示部に表示された画像を、前記記憶手段に記憶された前記第２の画像に切り替える表示手段、
として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決する本発明の情報処理装置は、画像を表示する表示部を備えた情報処理装置であって、第１の画像を第１のメモリ領域に記憶し、前記第１の画像の一部が拡大された画像である第２の画像を第２のメモリ領域に記憶する記憶手段と、前記表示部に前記第１の画像を拡大して表示するか否かを判定する判定手段と、前記判定手段が前記第１の画像を拡大して表示すると判定した場合に、前記表示部に表示された画像を、前記記憶手段に記憶された前記第２の画像に切り替える表示手段と、を備えることを特徴とする
。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月23日(2018.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低周波損失補正回路であって、
増幅器にエンベロープ信号を提供するための経路に沿った容量の両端に接続可能であり、前記容量によって減衰され、かつ遮断周波数を下回る、前記エンベロープ信号の１つの周波数成分の検出に応じて誤差信号を生成するように構成された信号誤差検出回路と、
前記誤差信号に基づいて低周波補正信号を生成し、かつ前記低周波補正信号が前記エンベロープ信号の前記減衰された周波数成分を補正するように、前記低周波補正信号を前記増幅器のための電圧供給ラインに提供するように構成された駆動回路とを備える、低周波損失補正回路。
【請求項２】
前記信号誤差検出回路は、第１および第２の信号それぞれを検知するために前記容量の両端に接続可能な第１および第２の検出ノードを含む、請求項１に記載の低周波損失補正回路。
【請求項３】
前記信号誤差検出回路は、さらに、前記第１および第２の信号それぞれの関数として前記誤差信号を生成するように構成されたコンパレータを含む、請求項２に記載の低周波損失補正回路。
【請求項４】
前記駆動回路は、前記電圧供給ラインに結合された、制御可能な電流源を含む、請求項１に記載の低周波損失補正回路。
【請求項５】
前記制御可能な電流源の端子は、前記電圧供給ラインと前記エンベロープ信号の源との間の分圧器の一部分に結合される、請求項４に記載の低周波損失補正回路。
【請求項６】
前記駆動回路は、前記誤差信号および基準信号に基づいて前記低周波補正信号を表す出力を生成するように配置された差動増幅器を含む、請求項１に記載の低周波損失補正回路。
【請求項７】
前記増幅器は、エンベロープトラッキングモードで動作するように構成された電力増幅器である、請求項１に記載の低周波損失補正回路。
【請求項８】
電力増幅器モジュールであって、
複数のコンポーネントを受入れるように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装されたダイに実装された電力増幅器とを備え、前記電力増幅器は供給ラインを通じて供給される供給電圧により動作するように構成され、さらに、
前記電力増幅器にエンベロープ信号を提供するための経路に沿った容量の両端に接続され、前記容量によって減衰され、かつ遮断周波数を下回る前記エンベロープ信号の１つの周波数成分の検出に応じて誤差信号を生成するように構成された信号誤差検出回路と、
前記誤差信号に基づいて低周波補正信号を生成し、かつ前記低周波補正信号が前記エンベロープ信号の前記減衰された周波数成分を補正するように、前記低周波補正信号を前記供給ラインに提供するように構成された駆動回路とを備える、電力増幅器モジュール。
【請求項９】
前記エンベロープ信号を提供するように構成されたトラッキング回路をさらに備え、前記エンベロープ信号は、前記電力増幅器によって増幅された信号の電圧エンベロープを特徴付ける、請求項８に記載の電力増幅器モジュール。
【請求項１０】
前記信号誤差検出回路は、第１および第２の信号それぞれを検知するために前記容量の両端に接続された第１および第２の検出ノードを含む、請求項８に記載の電力増幅器モジュール。
【請求項１１】
前記信号誤差検出回路は、さらに、前記第１および第２の信号それぞれの関数として前記誤差信号を生成するように構成されたコンパレータを含む、請求項１０に記載の電力増幅器モジュール。
【請求項１２】
前記駆動回路は、前記供給ラインに結合された、制御可能な電流源を含む、請求項８に記載の電力増幅器モジュール。
【請求項１３】
前記制御可能な電流源の端子は、前記供給ラインと前記エンベロープ信号の源との間の分圧器の一部分に結合される、請求項１２に記載の電力増幅器モジュール。
【請求項１４】
前記駆動回路は、前記誤差信号および基準信号に基づいて前記低周波補正信号を表す出力を生成するように配置された差動増幅器を含む、請求項８に記載の電力増幅器モジュール。
【請求項１５】
無線装置であって、
信号を生成するように構成されたトランシーバと、
前記信号を増幅するように構成された電力増幅器モジュールとを備え、前記電力増幅器モジュールは、供給ラインを通じて供給される供給電圧により動作して前記信号を増幅するように構成された電力増幅器を含み、
前記電力増幅器モジュールは、さらに、前記電力増幅器にエンベロープ信号を提供するための経路に沿った容量の両端に接続され、前記容量によって減衰され、かつ遮断周波数を下回る前記エンベロープ信号の１つの周波数成分の検出に応じて誤差信号を生成するように構成された信号誤差検出回路を含み、
前記電力増幅器モジュールは、さらに、前記誤差信号に基づいて低周波補正信号を生成し、かつ前記低周波補正信号が前記エンベロープ信号の前記減衰された周波数成分を補正するように、前記低周波補正信号を前記供給ラインに提供するように構成された駆動回路を含み、
前記無線装置は、さらに、
前記電力増幅器モジュールと通信するとともに、前記増幅された信号の伝送を容易にするように構成されたアンテナを備える、無線装置。
【請求項１６】
前記エンベロープ信号を提供するように構成されたトラッキング回路をさらに備え、前記エンベロープ信号は、前記電力増幅器によって増幅された前記信号の電圧エンベロープを特徴付ける、請求項１５に記載の無線装置。
【請求項１７】
前記信号誤差検出回路は、第１および第２の信号それぞれを検知するために前記容量の両端に接続された第１および第２の検出ノードを含む、請求項１５に記載の無線装置。
【請求項１８】
前記駆動回路は、前記供給ラインに結合された、制御可能な電流源を含む、請求項１５に記載の無線装置。
【請求項１９】
前記制御可能な電流源の端子は、前記供給ラインと前記エンベロープ信号の源との間の分圧器の一部分に結合される、請求項１８に記載の無線装置。
【請求項２０】
前記駆動回路は、前記誤差信号および基準信号に基づいて前記低周波補正信号を表す出力を生成するように配置された差動増幅器を含む、請求項１５に記載の無線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月19日(2018.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発振回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１段乃至第ｎ段（ｎは奇数）の第１の回路と、
第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、第１の入力ノード、第１の出力ノード、インバータ、および第３の回路を有し、
第ｉ段（ｉは１以上（ｎ−１）以下の整数）の前記第１の回路の前記第１の出力ノードは、次段の前記第１の回路の前記第１の入力ノードと電気的に接続され、
前記第ｎ段の前記第１の回路の前記第ｎの出力ノードは前記第１段の前記第１の回路の前記入力ノードと電気的に接続され、
前記インバータの入力ノードは前記第１の入力ノードと電気的に接続され、
前記インバータの出力ノードは前記第１の出力ノードと電気的に接続され、
前記インバータは第１の電源ノードおよび第２の電源ノードを有し、
前記第３の回路は第２の入力ノード、第２の出力ノード、第３のノード、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、および第１の容量素子を有し、
前記第２の出力ノードは、前記第１の電源ノードと電気的に接続され、
前記第２の入力ノードに第１の電位が入力され、
前記第１のトランジスタの第１の端子は、前記第２の入力ノードと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２の端子は、前記第３のノードと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体を有し、
前記第１の容量素子は前記第３のノードの電位を保持する機能を有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のノードと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１の端子に第２の電位が入力され、
前記第２のトランジスタの第２の端子は、前記第２の出力ノードと電気的に接続され、
前記第２の回路は、前記第ｎ段の前記第１の回路の前記第１の出力ノードの出力信号の振幅を変化する機能を有する発振回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の電源ノードに入力される電源電位は、前記第１の電源ノードに入力される電位よりも低く、
前記第２のトランジスタはｎ型トランジスタである発振回路。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２の電源ノードに入力される電源電位は、前記第１の電源ノードに入力される電位よりも高く、
前記第２のトランジスタはｐ型トランジスタである発振回路。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記第１段乃至前記第ｎ段の前記第１の回路は、それぞれ、第１のスイッチを有し、
前記第１のスイッチは、前記インバータの出力ノードと前記第１の出力ノードとの間の導通状態を制御する機能を有する発振回路。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記第１段乃至前記第ｎ段の前記第１の回路は、それぞれ、第２のスイッチを有し、
前記第２のスイッチは、前記第１の電源ノードと前記第２の出力ノードとの間の導通状態を制御する機能を有する発振回路。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項において、
前記第１段乃至前記第ｎ段の前記第１の回路の前記第１のトランジスタのゲートに、互いに異なる信号が入力される発振回路。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリントヘッドの受け手段と、
第１部位の並進運動を第２部位の回転運動に変換する湾曲配置をそれらの間に有する前記第１部位および前記第２部位と、
前記プリントヘッドの回転角度を調整するために、前記第２部位を前記受け手段に連結する手段と、を備える、
プリントヘッド支持構造体。
【請求項２】
前記第１部位は、プリントキャリッジに連結されると共に、実質的に第１の軸に沿って動くよう制限され、
前記第２部位が端で固定されることで、前記第２部位は、前記第１の軸に対して平行な第２の軸の周りを回転するよう制限されている、
請求項１に記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項３】
前記第２部位は、湾曲手段によって前記端で固定されている、
請求項２に記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項４】
第１の軸に沿った前記第１部位の並進運動が、前記第２部位に対して前記第１軸と垂直な方向への力を生じさせるように前記湾曲配置が配置され、前記力が前記第２部位を前記第１の軸と平行な第２の軸の周りを回転させる、
請求項１から３のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項５】
第２の軸の周りの前記第２部位の前記回転運動が、前記第２の軸と平行な軸の周りの前記プリントヘッドの回転運動を生じさせるように、前記第２部位が前記プリントヘッドに連結されている、
請求項１から４のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項６】
前記湾曲配置が、２つもしくはそれ以上の湾曲を有する、
請求項１から５のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項７】
前記湾曲配置が、前記プリントヘッド支持構造体の筐体内部に形成されている、
請求項１から６のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項８】
前記湾曲配置は、斜め方向のリンクを有する一対の対称な湾曲点を備える、
請求項１から７のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項９】
前記プリントヘッド支持構造体は、調整後に、追加のロック機構なしで、前記プリントヘッドを定位置に保持する、
請求項１から８のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項１０】
前記第２部位が第１の端で固定されることで、前記第１の端の反対側に位置する前記第２部位の第２の端が、前記第１の端の周りを回転するように制限されており、
前記第２部位の前記第２の端の並進運動の大きさと前記第１部位の並進運動の大きさとの比が１未満となる減速比を提供するように、前記湾曲配置が配置されている、
請求項１から９のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項１１】
調節ネジをさらに備えており、前記調節ネジは、前記調節ネジの回転が前記第１部分の並進運動を提供するように配置されている、
請求項１から１０のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項１２】
前記プリンタヘッドの調整は、前記プリントヘッドの回転軸に対して平行な方向から駆動される、
請求項１から１１のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項１３】
前記プリントヘッドが複数のノズルのアレイを有しており、前記プリントヘッドの回転運動が前記ノズルのアレイの平面上で起こる、
請求項１から１２のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項１４】
前記機構は、さらに、前記プリントヘッドの並進運動を提供するように作動可能である、
請求項１から１３のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項１５】
前記プリントヘッドに提供される並進運動は、クロスプロセス方向で起こる、
請求項１４に記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項１６】
第３部位をさらに備えており、前記第３部位は、前記第３部位の並進運動が前記プリントヘッドの並進運動を提供するように、前記プリントヘッドに連結されている、
請求項１４又は１５に記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項１７】
前記プリントヘッドの並進運動が、前記プリントヘッドの回転角度の調整によって影響を受ける前記プリントヘッドの並進位置における変化を補完する、
請求項１４から１６のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項１８】
前記プリントヘッドの並進運動が、前記プリントヘッドの回転の有効軸を変化させる、
請求項１４から１７のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項１９】
前記第１部位の並進運動を実行するモータをさらに備える、
請求項１から１８のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体。
【請求項２０】
平面に配置された複数のプリントヘッドのアレイと、
各プリントヘッドの位置を調整するために、前記複数のプリントヘッドのそれぞれに用いられる、請求項１から１９のいずれかに記載のプリントヘッド支持構造体と、を備え、
各プリントヘッド調整は、前記プリントヘッドアレイの前記面に対して垂直な方向から行われる、
プリントアセンブリ。
【請求項２１】
プリントヘッド支持体に連結されているプリントヘッドの位置を調整する方法であって、
第１部位の並進運動を実行するために前記プリントヘッド支持体の前記第１部位に力を加えるステップと、
前記第１部位の前記並進運動を前記プリントヘッド支持体の第２部位の回転運動に変換するステップであって、当該並進運動を回転運動に変換することは、湾曲配置により達成されるステップと、
前記第２部位の前記回転運動を前記プリントヘッドに提供するステップと、を含む、
方法。
【請求項２２】
前記並進運動は、実質的に第１の軸に沿って提供され、
前記回転運動は、実質的に前記第１の軸に対して平行な軸の周りで起こる、
請求項２１に記載のプリントヘッドの位置を調整する方法。
【請求項２３】
前記プリントヘッド支持体に前記プリントヘッドを受けるステップをさらに含む、
請求項２１または２２に記載のプリントヘッドの位置を調整する方法。
【請求項２４】
前記プリントヘッドに前記回転運動を提供した後に、ロック機構なしで、前記プリントヘッドを定位置に保持するステップをさらに含む、
請求項２１から２３のいずれかに記載のプリントヘッドの位置を調整する方法。
【請求項２５】
前記プリンタヘッドは、複数のノズルのアレイを備えており、
前記プリンタヘッドの回転運動は、前記ノズルのアレイの平面で起こる、
請求項２１から２４のいずれかに記載のプリントヘッドの位置を調整する方法。
【請求項２６】
クロスプロセス方向に前記プリントヘッドの並進運動を提供するステップをさらに含む、
請求項２１から２５のいずれかに記載のプリントヘッドの位置を調整する方法。
【請求項２７】
前記プリントヘッドに提供された回転運動を補完するために算出された前記クロスプロセス方向への前記プリントヘッドの並進運動を算出するステップをさらに含む、
請求項２６に記載のプリントヘッドの位置を調整する方法。
【請求項２８】
前記回転運動の補完が、前記プリントヘッドの回転の有効軸を変化させる、
請求項２７に記載のプリントヘッドの位置を調整する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月16日(2018.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、記憶装置、レジスタ回路、表示装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３のトランジスタと、
第１乃至第３のノードと、
第１及び第２のゲートを有する第４のトランジスタと、
容量素子と、
入力端子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記入力端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のノードに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のノードに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１のノードに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２のノードに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のノードに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第２のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第１のゲートと、前記第２のゲートとは、半導体層を間に介して互いに重なり合う領域を有する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１及び第２のゲートを有する第１のトランジスタと、
第３及び第４のゲートを有する第２のトランジスタと、
第５及び第６のゲートを有する第３のトランジスタと、
第１乃至第３のノードと、
第７及び第８のゲートを有する第４のトランジスタと、
容量素子と、
入力端子と、を有し、
前記第１のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第２のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記入力端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のノードに電気的に接続され、
前記第３のゲートは、前記第２のノードに電気的に接続され、
前記第４のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１のノードに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２のノードに電気的に接続され、
前記第５のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第６のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のノードに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第８のゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第７のゲートと、前記第８のゲートとは、半導体層を間に介して互いに重なり合う領域を有する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１乃至第３のトランジスタはｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１乃至第３のトランジスタはチャネルに酸化物半導体を含むトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
第１の回路と、
記憶素子と、を有し、
前記第１の回路は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記第３のトランジスタと、前記容量素子と、を有し、
前記記憶素子は、前記第４のトランジスタを有する記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
第１の回路と、
第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記第３のトランジスタと、前記容量素子と、を有し、
前記第２の回路は、前記第４のトランジスタを有するレジスタ回路。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
第１の回路と、
表示素子と、を有し、
前記第１の回路は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記第３のトランジスタと、前記容量素子と、を有し、
前記表示素子は、前記第４のトランジスタを有する表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置と、
マイクロフォン、スピーカ、表示部、および操作キーのうちの少なくとも１つと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月9日(2018.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１，２，４−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体を有する発光素子であって、
前記１，２，４−トリアゾール骨格の３位に、フェニレン基を介してＮ−カルバゾリル基を有し、
前記１，２，４−トリアゾール骨格の４位にフェニル基を有し、
前記１，２，４−トリアゾール骨格の２位はイリジウムに配位し、
前記フェニレン基は前記イリジウムと結合している発光素子。
【請求項２】
式（Ｇ０）で表される構造を含む有機金属錯体。
【化１】
2016032111.tif 000001
（式中、Ｒ１乃至Ｒ１３はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至７のシクロアルキル基又は炭素数６乃至１２のアリール基のいずれかを表す。前記シクロアルキル基及び前記アリール基は置換基を有していてもよい。）
【請求項３】
式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。
【化２】
2016032111.tif 000002
（式中、Ｒ１乃至Ｒ１３はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至７のシクロアルキル基又は炭素数６乃至１２のアリール基のいずれかを表す。前記シクロアルキル基及び前記アリール基は置換基を有していてもよい。）
【請求項４】
式（Ｇ２）で表される有機金属錯体。
【化３】
2016032111.tif 000003
（式中、Ｒ１乃至Ｒ１１、及びＲ１３乃至Ｒ１８はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数５乃至７のシクロアルキル基又は炭素数６乃至１２のアリール基のいずれかを表す。前記シクロアルキル基及び前記アリール基は置換基を有していてもよい。）
【請求項５】
式（１００）、（１１５）または（１１６）で表される有機金属錯体。
【化４】
2016032111.tif 000004
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一に記載の有機金属錯体を用いた発光素子。
【請求項７】
請求項１または６に記載の発光素子と、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置と、センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、を有する電子機器。
【請求項９】
請求項７に記載の発光装置と、筐体と、を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月12日(2018.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、の間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層は、電子輸送性および正孔輸送性を有する第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第２の有機化合物と、発光物質と、を含み、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物は、励起錯体を形成する組み合わせであり、
前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位よりも低く、
前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位と、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位との差が、０．４ｅＶ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の有機化合物は６員環で構成される含窒素複素芳香環およびビカルバゾール骨格を含み、かつトリアリールアミン骨格を含まず、
前記第２の有機化合物はトリアリールアミン骨格を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項２において、
請求項３に記載の発光素子において、前記ビカルバゾール骨格は、３，３’−ビカルバゾール骨格、または２，３’−ビカルバゾール骨格であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物は、下記一般式（Ｇ０）で示されることを特徴とする発光素子。
【化１】
2016032108.tif 000001
（式中、Ａは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリニル基を表し、Ｒ１〜Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかを表し、Ａｒは、置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアリーレン基、または単結合を表す。）
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記発光物質は、燐光性化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記ＥＬ層は正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層と前記発光層とは互いに接し、
前記正孔輸送層は、正孔輸送性を有する第３の有機化合物を有し、
前記第３の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位よりも低いことを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子と、筐体と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子、または、請求項７に記載の発光装置と、
接続端子、または、操作キーと、を有する電子機器。
【請求項９】
請求項７に記載の発光装置と、筐体と、を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月14日(2017.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【図１】第１の実施の形態に係るインクジェット記録装置の主要構成部の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１の実施の形態に係るレーザ乾燥装置のレーザ光照射面の一例を示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係るレーザ発光素子のレーザ光照射面の一例を示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係るレーザ発光素子のレーザ光照射範囲の一例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る制御部において実行されるレーザ駆動部及びレーザ乾燥装置の乾燥制御機能を示すブロック図である。
【図６】第１の実施の形態に係る定電流源として動作可能な回路図である。
【図７】定電流源で適用されるトラジスタの電圧−電流特性図である。
【図８】電源電圧に対する各電子部品に印加される電圧の比較図である。
【図９】レーザ発光素子の電圧−電流特性図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る発光制御ルーチンを示すフローチャートである。
【図１１】図１０のステップ１５３で実行される電源電圧設定制御ルーチンを示すフローチャートである。
【図１２】第１の実施の形態の実施例１に係るユニット毎の動作電圧を示す分布図である。
【図１３】第１の実施の形態の実施例２に係り、（Ａ）は対策前のユニット毎の動作電圧を示す分布図、（Ｂ）は対策前のレーザ発光素子の点灯制御タイミングチャート、（Ｃ）は対策後のレーザ発光素子の点灯制御タイミングチャート、（Ｄ）は対策後のユニット毎の動作電圧を示す分布図である。
【図１４】第１の実施の形態の実施例３に係り、（Ａ）は対策前のユニット毎の動作電圧を示す分布図、（Ｂ）は対策後のユニット毎の動作電圧を示す分布図である。
【図１５】第１の実施の形態の実施例４に係り、（Ａ）は対策前のユニット毎の動作電圧を示す分布図、（Ｂ）は対策前のレーザ発光素子の点灯制御タイミングチャート、（Ｃ）は対策後のレーザ発光素子の点灯制御タイミングチャート、（Ｄ）は対策後のユニット毎（搬送方向２段）の動作電圧を示す分布図である。
【図１６】第２の実施の形態に係り、（Ａ）は乾燥に応じた駆動電流に基づく指示電圧Ｖｉの時間変化を示すタイミングチャート、（Ｂ）は乾燥に応じたレーザ発光素子の駆動電圧Ｖａｋの予測値を示すタイミングチャート、（Ｃ）は乾燥に応じた電源電圧Ｖｐのタイミングチャートである。
【図１７】第２の実施の形態の変形例に係り、（Ａ）は乾燥に応じた電源電圧Ｖｐのタイミングチャート、（Ｂ）は乾燥に応じたトランジスタの消費電力（上段）と温度（下段）を示すタイミングチャートである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2016137593.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月26日(2018.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最表層にトップコート層を備え、前記トップコート層の下層に透明オレフィン系樹脂からなる透明樹脂層を備える化粧シートであって、
前記トップコート層を、超臨界逆相蒸発法によってベシクルに有機系紫外線吸収剤を内包させた有機系紫外線吸収剤内包ベシクルを添加して形成することを特徴とする化粧シート。
【請求項２】
前記有機系紫外線吸収剤が、ベンゾトリアゾール系、トリアジン系、ベンゾフェノン系、ベンゾエート系、シアノアクリレート系のうち少なくとも１種類からなることを特徴とする請求項１に記載の化粧シート。
【請求項３】
前記ベシクルが、リン脂質からなる外膜を具備するリポソームであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の化粧シート。
【請求項４】
前記トップコート層側の前記透明樹脂層の表面には、エンボス模様が形成されており、
前記エンボス模様の凹部には、前記トップコート層が埋め込まれて設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の化粧シート。
【請求項５】
前記透明樹脂層の下層には、光安定化剤を添加したインキによって形成されたインキ層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の化粧シート。
【請求項６】
最表層にトップコート層を備え、前記トップコート層の下層に透明オレフィン系樹脂からなる透明樹脂層を備える化粧シートの製造方法であって、
前記トップコート層を、超臨界逆相蒸発法によってベシクルに有機系紫外線吸収剤を内包させた有機系紫外線吸収剤内包ベシクルを添加して形成することを特徴とする化粧シートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】化粧シートおよび化粧シートの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、建築内装材、玄関ドアなどの建築外装部材、建具の表面、家電品の表面材等に用いられる化粧シートに関するもので、ベシクル化した紫外線吸収剤を添加してなるトップコート層を備える化粧シートおよび化粧シートの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明においては、超臨界逆相蒸発法を用いてベシクル化した有機系紫外線吸収剤を添加したトップコート層を備え、意匠性および耐候性に優れた化粧シートおよび化粧シートの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を達成するべく、本発明の第１の態様の化粧シートは、最表層にトップコート層を備え、前記トップコート層の下層に透明オレフィン系樹脂からなる透明樹脂層を備える化粧シートであって、前記トップコート層を、超臨界逆相蒸発法によってベシクルに有機系紫外線吸収剤を内包させた有機系紫外線吸収剤内包ベシクルを添加して形成することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような、本発明の第１の態様の化粧シートにおいては、超臨界逆相蒸発法によってベシクルに有機系紫外線吸収剤を内包させた有機系紫外線吸収剤内包ベシクルを添加して形成することによって有機系紫外線吸収剤の分散性を向上させて有機系紫外線吸収剤の二次凝集を防止することができる。その結果、主成分である樹脂組成物中において当該有機系紫外線吸収剤が均一に分散して高い透明性を有するトップコート層を実現することができ、意匠性に優れるとともに耐候性に優れた化粧シートを提供することを可能とする。また、紫外線吸収剤の凝集に起因するブリードアウトの発生も防止することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第５の態様の化粧シートは、前記透明樹脂層の下層に、光安定化剤を添加したインキによって形成されたインキ層が設けられていることを特徴とする。このような、本発明の第５の態様の化粧シートにおいては、インキ層バインダー樹脂自体や他層の樹脂劣化により発生したラジカルがインキ内の顔料の化学成分を還元することによる顔料の退色を抑制することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の化粧シートの製造方法は、最表層にトップコート層を備え、前記トップコート層の下層に透明オレフィン系樹脂からなる透明樹脂層を備える化粧シートの製造方法であって、前記トップコート層を、超臨界逆相蒸発法によってベシクルに有機系紫外線吸収剤を内包させた有機系紫外線吸収剤内包ベシクルを添加して形成することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の化粧シートおよび化粧シートの製造方法によれば、超臨界逆相蒸発法によってベシクルに有機系紫外線吸収剤を内包させた有機系紫外線吸収剤内包ベシクルを添加して形成してなるトップコート層を有し、意匠性および耐候性に優れた化粧シートを提供することを可能とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の化粧シートにおいては、最表層にトップコート層を備え、当該トップコート層の下層に透明オレフィン系樹脂からなる透明樹脂層を備えた化粧シートであって、当該トップコート層を、超臨界逆相蒸発法によってベシクルに有機系紫外線吸収剤を内包させた有機系紫外線吸収剤内包ベシクルを添加して形成することが重要である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
以下に、本発明の化粧シート１および化粧シート１の製造方法の具体的な実施例について説明する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
本発明の化粧シート１および化粧シート１の製造方法は、上記の実施形態および実施例に限定されるものではなく、発明の特徴を損なわない範囲において種々の変更が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月23日(2018.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼球に形成された切開創口から前記眼球の内部へ眼内レンズを挿入するための眼内レンズ挿入器具であって、
前記眼球の内部へ前記眼内レンズを挿入するための開口部を先端に備える挿入部と、
前記切開創口に押し当てるための押し当て部を備える押し当て部材と、を有し、
前記押し当て部材は、前記挿入部から取り外し可能であること、
を特徴とする眼内レンズ挿入器具。
【請求項２】
請求項１の眼内レンズ挿入器具において、
前記押し当て部材は、前記挿入部の先端よりも後方の位置にて係止され、前記挿入部の先端側から取り外し可能であること、
を特徴とする眼内レンズ挿入器具。
【請求項３】
請求項１または２の眼内レンズ挿入器具において、
前記押し当て部材は、筒形状または略筒形状に形成され、
前記押し当て部材の内周面の内側に前記挿入部が配置され、かつ、前記押し当て部材の内周面と前記挿入部とが面接触する状態で、前記押し当て部材は前記挿入部に係止されること、
を特徴とする眼内レンズ挿入器具。
【請求項４】
請求項３の眼内レンズ挿入器具において、
前記押し当て部は、前記押し当て部材の軸方向の一端にて前記軸方向と交差する方向に突出するように形成されること、
を特徴とする眼内レンズ挿入器具。