Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月25日(2018.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト膜を含む被処理体をプラズマにより処理するプラズマ処理方法であって、
前記レジスト膜に所定のパターンが形成された前記被処理体が搬入されたチャンバ内にＨ２ガス、ハロゲン化水素ガス、または、希ガスとＨ２ガスまたはハロゲン化水素ガスとを含む混合ガスである改質ガスを供給する工程と、
−２０℃以下の処理温度で、前記改質ガスのプラズマにより前記被処理体の前記レジスト膜を改質する改質工程と
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記チャンバ内にエッチング用の第１の処理ガスを供給する工程と、
０℃以上４０℃以下の範囲内の処理温度で、前記第１の処理ガスのプラズマにより、前記改質工程で改質された前記レジスト膜をマスクとして、前記レジスト膜の下層のマスク膜をエッチングする第１のエッチング工程と
を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記第１の処理ガスには、
ハロゲン化化合物ガスであって、ＣＦ結合またはＳＦ結合を含むガスが含まれることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記チャンバ内にエッチング用の第２の処理ガスを供給する工程と、
−２０℃以下の処理温度で、前記第２の処理ガスのプラズマにより、前記第１のエッチング工程でエッチングされた前記マスク膜をマスクとして、前記マスク膜の下層の有機膜をエッチングする第２のエッチング工程と
を有することを特徴とする請求項２または３に記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記チャンバ内にエッチング用の第２の処理ガスを供給する工程と、
−２０℃以下の処理温度で、前記第２の処理ガスのプラズマにより、前記レジスト膜の下層のマスク膜であって、前記改質工程で改質された前記レジスト膜のパターンが転写された前記マスク膜をマスクとして、前記マスク膜の下層の有機膜をエッチングする第２のエッチング工程と
を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記第２の処理ガスには、
希ガスと酸素原子を含むガスとの混合ガスが含まれることを特徴とする請求項４または５に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月25日(2018.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュールを実装するための空間であるスロットが設定されたベースユニットと、
プリント基板を備え前記ベースユニットのスロットに実装されるモジュールと、
前記ベースユニットと前記モジュールとを電気的に接続するために、一方がベースユニットに備えられ、他方がモジュールに備えられる雄雌の一対のコネクタと、
前記一対のコネクタの接合をベースユニットに対するモジュールの回動により行わせるため、前記モジュールが前記ベースユニットに対して回動可能とする嵌め合い構成の回動支点構成と、を備えたコントローラユニットにおいて、
前記ベースユニットと前記モジュールには前記一対のコネクタの接続に先だって噛合うように一対の凹部と凸部が、一方がベースユニットに、他方がモジュールに設置されており、
前記凹部と凸部は前記ベースユニットと前記モジュールに設置される前記一対のコネクタの設置位置から離間した位置に設置されており、前記凹部及び凸部の設置位置と前記一対のコネクタの設置位置との離間間隔は、前記スロットと前記モジュールとの接合不可とする組合わせの種別によって異なっており、
前記モジュールはケース内にプリント基板が配設されて構成されており、前記凹部はモジュールに形成されるものであり、ケースに孔が形成されると共に当該孔位置に対応するプリント基板の縁を凹形状に切り欠くことにより形成されるコントローラユニット。
【請求項２】
請求項１に記載のコントローラユニットであって、
前記凹部と凸部の設置位置は、前記回動支点構成の設置位置と前記コネクタの設置位置との間とされているコントローラユニット。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のコントローラユニットであって、
前記凹部と凸部の嵌め合いを可能とする組合わせにおける前記凹部と凸部の嵌め合い位置関係と、一対の雄雌のコネクタの嵌め合い位置関係は、前記スロットと該スロットに組みつけようとするモジュールとが接合不可の関係にある場合には、前記凹部と凸部の嵌め合いのずれ当たりが一対の雄雌のコネクタの接触より先に行われる関係として配設されているコントローラユニット。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかの請求項に記載のコントローラユニットであって、
前記モジュールのケースに開けられる孔は、接合可とする組合わせの種別数と同じ数に形成されており、前記プリント基板の縁に形成する凹形状は、前記孔のうち当該モジュールに形成すべき凹部に対応する孔に対してのみに形成されているコントローラユニット。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかの請求項に記載のコントローラユニットであって、
前記凹部は開口入口が奥方向より広く形成されているコントローラユニット。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかの請求項に記載のコントローラユニットであって、
前記回動支点からの距離で見た前記一対のコネクタの設置位置は、前記モジュールの種別に関係なく同じ位置とされているコントローラユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るコントローラユニットは、モジュールを実装するための空間であるスロットが設定されたベースユニットと、プリント基板を備え前記ベースユニットのスロットに実装されるモジュールと、前記ベースユニットと前記モジュールとを電気的に接続するために、一方がベースユニットに備えられ、他方がモジュールに備えられる雄雌の一対のコネクタと、前記一対のコネクタの接合をベースユニットに対するモジュールの回動により行わせるため、前記モジュールが前記ベースユニットに対して回動可能とする嵌め合い構成の回動支点構成と、を備える。そして、前記ベースユニットと前記モジュールには前記一対のコネクタの接続に先だって噛合うように一対の凹部と凸部が、一方がベースユニットに、他方がモジュールに設置されており、前記凹部と凸部は前記ベースユニットと前記モジュールに設置される前記一対のコネクタの設置位置から離間した位置に設置されており、前記凹部及び凸部の設置位置と前記一対のコネクタの設置位置との離間間隔は、前記スロットと前記モジュールとの接合不可とする組合わせの種別によって異なっており、前記モジュールはケース内にプリント基板が配設されて構成されており、前記凹部はモジュールに形成されるものであり、ケースに孔が形成されると共に当該孔位置に対応するプリント基板の縁を凹形状に切り欠くことにより形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の本発明によれば、一対の凹部と凸部が、一方がベースユニットに、他方がモジュールに設置されており、モジュールの正常な実装では凹部と凸部は嵌め合いできる位置関係にある。モジュールの誤組付け実装では凹部と凸部は嵌め合いできない位置関係にある。そして、この凹部と凸部の嵌め合いは、ベースユニットとモジュールに備えられる一対のコネクタが、モジュールの回動により接続開始される前に行われるようになっている。したがって、モジュールを間違ってベースユニットに回動により実装しようとするときには、その回動により一対のコネクタの接続が開始される前に、凹部と凸部の嵌め合いが阻止され、それ以上の回動が確実に阻止される。これにより間違った一対のコネクタの接続が行われることが無く、間違ったコネクタの接続によるコネクタの破損の防止を図ることができる。また、凹部の形成をモジュールのケースとプリント基板の組合せにより容易に形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月12日(2018.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素化合物にスチレンアクリル系樹脂がグラフト重合している重合体を含有するトナー用ワックス分散剤であって、
該スチレンアクリル系樹脂が、飽和脂環式化合物由来の構造部位を有することを特徴とするトナー用ワックス分散剤。
【請求項２】
前記スチレンアクリル系樹脂が、下記式（１）で表されるモノマーユニットを有する、請求項１に記載のトナー用ワックス分散剤。
【化１】
2017045048.tif 000001
［前記式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２は飽和脂環式基を表す。］
【請求項３】
前記炭化水素化合物が、ポリプロピレンであり、
前記式（１）中のＲ１が、メチル基であり、Ｒ２が、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロペンチル基、シクロブチル基又はシクロプロピル基である、請求項１又は２に記載のトナー用ワックス分散剤。
【請求項４】
前記スチレンアクリル系樹脂が、下記式（２）で表されるモノマーユニットを有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のトナー用ワックス分散剤。
【化２】
2017045048.tif 000002
［前記式（２）中、Ｒ３は水素原子又はメチル基を表し、ｎは１以上１８以下の整数を表す。］
【請求項５】
前記式（２）中のＲ３が、水素原子であり、ＣｎＨ２ｎ＋１が、ブチル基、イソブチル基、２−エチルヘキシル基、エチル基又はメチル基である、請求項４に記載のトナー用ワックス分散剤。
【請求項６】
前記トナー用ワックス分散剤のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による分子量分布において、重量平均分子量（Ｍｗ）が５０００以上７００００以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のトナー用ワックス分散剤。
【請求項７】
結着樹脂、
ワックス、及び、
炭化水素化合物にスチレンアクリル系樹脂がグラフト重合している重合体
を含有するトナー粒子を有するトナーであって、
該スチレンアクリル系樹脂が、飽和脂環式化合物由来の構造部位を有することを特徴とするトナー。
【請求項８】
前記スチレンアクリル系樹脂が、下記式（１）で表されるモノマーユニットを有する、請求項７に記載のトナー。
【化３】
2017045048.tif 000003
［前記式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２は飽和脂環式基を表す。］
【請求項９】
前記炭化水素化合物が、ポリプロピレンであり、
前記式（１）中のＲ１が、メチル基であり、Ｒ２が、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロペンチル基、シクロブチル基又はシクロプロピル基である、請求項７又は８に記載のトナー。
【請求項１０】
前記スチレンアクリル系樹脂が、下記式（２）で表されるモノマーユニットを有する、請求項７〜９のいずれか１項に記載のトナー。
【化４】
2017045048.tif 000004
［前記式（２）中、Ｒ３は水素原子又はメチル基を表し、ｎは１以上１８以下の整数を表す。］
【請求項１１】
前記式（２）中のＲ３が、水素原子であり、ＣｎＨ２ｎ＋１が、ブチル基、イソブチル基、２−エチルヘキシル基、エチル基又はメチル基である、請求項１０に記載のトナー。
【請求項１２】
前記炭化水素化合物にスチレンアクリル系樹脂がグラフト重合している重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による分子量分布において、重量平均分子量（Ｍｗ）が５０００以上７００００以下である、請求項７〜１１のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項１３】
前記結着樹脂が、結晶性ポリエステル樹脂及び非晶性ポリエステル樹脂を含有する、請求項７〜１２のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項１４】
前記結晶性ポリエステル樹脂が、炭素数６以上１２以下の脂肪族ジオール及びこれらの誘導体からなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物を含有するアルコール成分と、炭素数６以上１２以下の脂肪族ジカルボン酸及びこれらの誘導体からなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物を含有するカルボン酸成分との縮重合物であり、
該結晶性ポリエステル樹脂の含有量が、該非晶性ポリエステル樹脂１００．０質量部に対して、１．０質量部以上１５．０質量部以下である、請求項１３に記載のトナー。
【請求項１５】
前記結晶性ポリエステル樹脂の溶解性パラメータＳＰ１と、
前記炭化水素化合物にスチレンアクリル系樹脂がグラフト重合している重合体の溶解性パラメータＳＰ２と
が、下記式（３）の関係を満たす、請求項１３又は１４に記載のトナー。
０≦ＳＰ１−ＳＰ２≦１．３        式（３）
【請求項１６】
前記結晶性ポリエステル樹脂の含有量が、前記非晶性ポリエステル樹脂１００．０質量部に対して、２．０質量部以上１０．０質量部以下である、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項１７】
前記炭化水素化合物にスチレンアクリル系樹脂がグラフト重合している重合体の酸価が、５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である、請求項７〜１６のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項１８】
トナー、及び、磁性キャリアを含有する二成分系現像剤であって、
前記トナーが、請求項７〜１７のいずれか１項に記載のトナーであることを特徴とする二成分系現像剤。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月27日(2018.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の印刷制御方法は、情報処理装置がクライアント装置から受信した印刷命令に応じた印刷データを前記情報処理装置から画像形成装置に送信し、前記印刷データに基づく印刷処理を実行する印刷制御方法であって、前記情報処理装置によって前記印刷データが正常に送信されないという異常を検知する検知ステップと、前記異常が検知されると、前記画像形成装置で実行中の印刷処理を中止し、前記画像形成装置を新たな印刷処理の実行の開始に備えた印刷可能状態に移行させる状態移行ステップと、前記画像形成装置の前記印刷可能状態への移行に基づいて前記情報処理装置を再起動する再起動ステップとを備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置がクライアント装置から受信した印刷命令に応じた印刷データを前記情報処理装置から画像形成装置に送信し、前記印刷データに基づく印刷処理を実行する印刷制御方法であって、
前記情報処理装置によって前記印刷データが正常に送信されないという異常を検知する検知ステップと、
前記異常が検知されると、前記画像形成装置で実行中の印刷処理を中止し、前記画像形成装置を新たな印刷処理の実行の開始に備えた印刷可能状態に移行させる状態移行ステップと、
前記画像形成装置の前記印刷可能状態への移行に基づいて前記情報処理装置を再起動する再起動ステップとを備えることを特徴とする印刷制御方法。
【請求項２】
前記印刷可能状態への移行を指示する状態移行要求通知を前記情報処理装置から前記画像形成装置に送信する要求通知送信ステップを更に備え、
前記状態移行ステップは、前記状態移行要求通知に基づいて前記画像形成装置を前記印刷可能状態に移行させることを特徴とする請求項１記載の印刷制御方法。
【請求項３】
前記印刷可能状態への移行が完了した旨を示す状態移行完了通知を前記画像形成装置から前記情報処理装置に送信する完了通知送信ステップを更に備え、
前記再起動ステップは、前記状態移行完了通知に基づいて前記情報処理装置を再起動することを特徴とする請求項１又は２記載の印刷制御方法。
【請求項４】
前記異常が検知されると、当該異常の復旧処理を実行する復旧ステップを更に備え、
前記状態移行ステップは、前記復旧処理が開始されると、前記画像形成装置の実行中の前記印刷処理を一時停止させて前記画像形成装置を待機させ、前記復旧処理の実行が所定時間以内に完了すると、前記画像形成装置の待機を解除して前記一時停止された印刷処理の実行を再開することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の印刷制御方法。
【請求項５】
前記異常を検知した回数を計測する計測ステップを更に備え、
前記検知した回数が所定の回数に達した場合、前記状態移行ステップは、前記画像形成装置を前記印刷可能状態に移行させることを特徴とする請求項４記載の印刷制御方法。
【請求項６】
情報処理装置がクライアント装置から受信した印刷命令に応じた印刷データを前記情報処理装置から画像形成装置に送信し、前記印刷データに基づく印刷処理を実行する印刷制御方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記印刷制御方法は、
前記情報処理装置によって前記印刷データが正常に送信されないという異常を検知する検知ステップと、
前記異常が検知されると、前記画像形成装置で実行中の印刷処理を中止し、前記画像形成装置を新たな印刷処理の実行の開始に備えた印刷可能状態に移行させる状態移行ステップと、
前記画像形成装置の前記印刷可能状態への移行に基づいて前記情報処理装置を再起動する再起動ステップとを備えることを特徴とするプログラム。
【請求項７】
クライアント装置から受信した印刷命令に応じた印刷データを画像形成装置に送信する情報処理装置であって、
前記情報処理装置によって前記印刷データが正常に送信されないという異常を検知する検知手段と、
前記異常が検知されると、前記画像形成装置で実行中の印刷処理を中止させ、前記画像形成装置を新たな印刷処理の実行の開始に備えた印刷可能状態に移行させる状態移行制御手段と、
前記画像形成装置の前記印刷可能状態への移行に基づいて再起動する再起動手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
前記印刷可能状態への移行を指示する状態移行要求通知を前記画像形成装置に送信する要求通知送信手段を更に備え、
前記状態移行制御手段は、前記状態移行要求通知に基づいて前記画像形成装置を前記印刷可能状態に移行させることを特徴とする請求項７記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記印刷可能状態への移行が完了した旨を示す状態移行完了通知を前記画像形成装置から受信する完了通知受信手段を更に備え、
前記再起動手段は、前記状態移行完了通知に基づいて再起動することを特徴とする請求項７又は８記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記異常が検知されると、当該異常の復旧処理を実行する復旧手段を更に備え、
前記状態移行制御手段は、前記復旧処理が開始されると、前記画像形成装置の実行中の前記印刷処理の実行を一時停止させて前記画像形成装置を待機させ、前記復旧処理の実行が所定時間以内に完了すると、前記画像形成装置の待機を解除して前記一時停止された印刷処理の実行を再開させることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記異常を検知した回数を計測する計測手段を更に備え、
前記検知した回数が所定の回数に達した場合、前記状態移行手段は、前記画像形成装置を前記印刷可能状態に移行させ、
前記再起動手段は、前記画像形成装置の前記印刷可能状態への移行に基づいて再起動することを特徴とする請求項１０記載の情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月13日(2018.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ショベル１Ａは、超大型の油圧ショベルであって、走行体２と、この走行体２上に旋回可能に設けた旋回体３と、運転室４と、旋回体３の前部中央に設けたフロント作業機５と、を備えて構成される。フロント作業機５は、旋回体３に回動可能に設けたブーム６と、このブーム６の先端に回動可能に設けたアーム７と、そのアーム７の先端に取り付けられたバケット８とで構成されている。また、診断装置１００は、運転室４のなかに設置されており、運転室４の上部等の見通しの良い場所にアンテナ１０１が設置されている。また、ショベル１Ａには、ショベル１Ａの部位毎の動作状態に関わる状態量を収集するためのコントローラネットワーク９が設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、ダンプ１Ｂは、本体を形成するフレーム５０５と、運転室５０４と、前輪５０１および後輪５０２と、フレーム５０５の後方部分に設けられたヒンジピン（図示せず）を回動中心として上下方向に回動可能な荷台５０３と、この荷台５０３を上下方向に回動させる左右一対のホイストシリンダ（図示せず）と、を備えて構成される。また、運転室５０４の中には、ダンプ１Ｂの部位ごとの動作状態にかかわる状態量を収集するためのコントローラネットワーク５０９が設けられている。なお、診断装置１００は、運転室５０４の中に設置されており、運転室５０４の上部等の見通しの良い場所にはアンテナ１０１が設置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、診断装置１００は、アンテナ１０１を介してサーバ２００とつながっており、診断装置１００との情報の送受信は無線ネットワークを介してサーバ２００との間で可能な構成となっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
異常判定処理とは、前処理の結果について異常発生の有無を判定するための処理内容を記載している。項目ＩＤ＝１、３については、乖離距離Ｌと値「３」との大小関係を判定する。一方、項目ＩＤ＝２、４については出入口温度差と診断指標との大小関係を判定する。いずれの項目もこれを満足するケースにおいて異常と判定する。診断指標とは、個別学習処理部１１３が更新対象とする診断用パラメータである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2017045215.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2017045215.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月16日(2018.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理端末、情報処理システムと、その処理方法及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、情報処理端末で撮影された画像を用いた記入チェックを効率化する仕組みを提供ことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的を達成するための、撮影手段を備える情報処理端末であって、前記撮影手段による撮影により得られた画像情報に対応する記入チェック箇所を視認可能にするために設定された画像設定情報を取得する取得手段と、前記撮影手段による撮影により得られた画像情報と前記取得手段で取得した画像設定情報とを用いて生成された、前記情報処理端末で記入チェックさせる画像を表示制御する表示制御手段と、前記表示制御手段による前記画像の表示後、指示に基づき、前記撮影手段による撮影により得られた画像情報の記入チェックにかかる情報を出力する出力手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、情報処理端末で撮影された画像を用いた記入チェックを効率化することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影手段を備える情報処理端末であって、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報に対応する記入チェック箇所を視認可能にするために設定された画像設定情報を取得する取得手段と、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報と前記取得手段で取得した画像設定情報とを用いて生成された、前記情報処理端末で記入チェックさせる画像を表示制御する表示制御手段と、
前記表示制御手段による前記画像の表示後、指示に基づき、前記撮影手段による撮影により得られた画像情報の記入チェックにかかる情報を出力する出力手段と
を備えることを特徴とする情報処理端末。
【請求項２】
前記画像情報の記入チェックにかかる情報は、前記情報処理端末における記入チェックしたユーザ情報と、前記画像情報であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理端末。
【請求項３】
付帯画像の撮影指示があった場合に、前記撮影手段による撮影により得られた付帯画像情報を記憶する付帯画像記憶手段
を更に備え、
前記出力手段は、前記付帯画像情報を含む前記記入チェックにかかる情報を出力することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理端末。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記撮影手段による撮影により得られた付帯画像情報の枚数を表示制御し、
前記出力手段は、前記付帯画像情報の枚数を含む記入チェックにかかる情報を出力することを特徴とする請求項３に記載の情報処理端末。
【請求項５】
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報から記入内容の認識結果を取得する認識結果取得手段
を更に備え、
前記表示制御手段は、前記生成された記入チェックさせる画像と、前記認識結果取得手段により取得された認識結果とを切り替える表示制御をすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理端末。
【請求項６】
前記記入チェック箇所を視認可能にするために設定された画像設定情報は透過設定された情報であって、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報と透過設定された前記画像設定情報とを用いて、記入チェックさせる画像を生成する生成手段を
更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理端末。
【請求項７】
撮影手段を備える情報処理端末と情報処理装置を含む情報処理システムであって、
前記情報処理端末は、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報に対応する記入チェック箇所を視認可能にするために設定された画像設定情報を取得する取得手段と、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報と前記取得手段で取得した画像設定情報とを用いて生成された、前記情報処理端末で記入チェックさせる画像を表示制御する表示制御手段と、
前記表示制御手段による前記画像の表示後、指示に基づき、前記撮影手段による撮影により得られた画像情報の記入チェックにかかる情報を出力する出力手段と
を備え、
前記情報処理装置は、
前記画像情報の記入チェックにかかる情報を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した前記画像情報の記入チェックにかかる情報を登録する登録手段と
を備えることを特徴とする情報処理システム。
【請求項８】
撮影手段を備える情報処理端末の処理方法であって、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報に対応する記入チェック箇所を視認可能にするために設定された画像設定情報を取得する取得ステップと、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報と前記取得ステップで取得した画像設定情報とを用いて生成された、前記情報処理端末で記入チェックさせる画像を表示制御する表示制御ステップと、
前記表示制御ステップによる前記画像の表示後、指示に基づき、前記撮影手段による撮影により得られた画像情報の記入チェックにかかる情報を出力する出力ステップと
を含むことを特徴とする処理方法。
【請求項９】
撮影手段を備える情報処理端末と情報処理装置を含む情報処理システムの処理方法であって、
前記情報処理端末は、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報に対応する記入チェック箇所を視認可能にするために設定された画像設定情報を取得する取得ステップと、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報と前記取得ステップで取得した画像設定情報とを用いて生成された、前記情報処理端末で記入チェックさせる画像を表示制御する表示制御ステップと、
前記表示制御ステップによる前記画像の表示後、指示に基づき、前記撮影手段による撮影により得られた画像情報の記入チェックにかかる情報を出力する出力ステップと
を含み、
前記情報処理装置は、
前記画像情報の記入チェックにかかる情報を受信する受信ステップと、
前記受信ステップにより受信した前記画像情報の記入チェックにかかる情報を登録する登録ステップと
を含むことを特徴とする処理方法。
【請求項１０】
撮影手段を備える情報処理端末のプログラムであって、
前記情報処理端末を、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報に対応する記入チェック箇所を視認可能にするために設定された画像設定情報を取得する取得手段と、
前記撮影手段による撮影により得られた画像情報と前記取得手段で取得した画像設定情報とを用いて生成された、前記情報処理端末で記入チェックさせる画像を表示制御する表示制御手段と、
前記表示制御手段による前記画像の表示後、指示に基づき、前記撮影手段による撮影により得られた画像情報の記入チェックにかかる情報を出力する出力手段と
して機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月27日(2018.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続された光電変換素子と、
を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記光電変換素子は、
第１の電極と、
絶縁体と、
前記第１の電極上及び前記絶縁体上の第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、セレンを有し、
前記第１の層は、結晶性を有し、
前記第２の層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、Ｏと、を有し、
前記絶縁体は、前記第１の電極の端部と接し、
前記第１の電極を有さない領域には、前記絶縁体が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年3月8日(2018.3.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者に経皮的に挿入するよう構成され、放射部及び基端のハンドルを有するマイクロ波アブレーション装置と、
アブレーション手術中、マイクロ波アブレーション装置に冷却剤を提供するよう構成された冷却システムと、
マイクロ波アブレーション装置の放射部に近接した組織の温度を検知するよう構成された温度検知システムと、
マイクロ波アブレーション装置にマイクロ波エネルギーを提供するよう構成されたエネルギー源と、
アブレーション標的の位置と前記標的への経路を使用者に示すよう構成されたナビゲーションシステムと、
を備え、
前記マイクロ波アブレーション装置が、バランと、バランに関連して配置されてバランの温度を検知する第１の温度センサとを備える、
アブレーションシステム。
【請求項２】
前記マイクロ波アブレーション装置に隣接する組織の温度を検知する少なくとも１つの第２の温度センサを前記放射部上に更に備える、請求項１に記載のアブレーションシステム。
【請求項３】
前記温度検知システムが、前記第２の温度センサの各々から温度データを受信する、請求項２に記載のアブレーションシステム。
【請求項４】
前記温度データが、前記エネルギー源の作動を制御するため、前記エネルギー源にフィードバックを行う、請求項３に記載のアブレーションシステム。
【請求項５】
前記温度検知システムが、十分なエネルギーが組織に印加されたか否かを判定するため、受信した前記温度データを、メモリに蓄積された温度プロファイルと比較する、請求項４に記載のアブレーションシステム。
【請求項６】
前記温度検知システムが、受信した前記温度データ、エネルギー印加の継続時間、及び前記エネルギー源の電力設定に関連する放射パターンをメモリに蓄積する、請求項３に記載のアブレーションシステム。
【請求項７】
前記ナビゲーションシステムに、計画段階と誘導段階とがある、請求項１に記載のアブレーションシステム。
【請求項８】
前記計画段階で、前記アブレーション標的を識別するためにＣＴ画像が用いられる、請求項７に記載のアブレーションシステム。
【請求項９】
前記誘導段階で、さらなる画像の座標系とＣＴ画像の座標系とを合わせることを必要とする、請求項７に記載のアブレーションシステム。
【請求項１０】
前記ナビゲーションシステムを用いて前記アブレーション標的に配置される１つ以上の位置合わせマーカを更に備える、請求項１に記載のアブレーションシステム。
【請求項１１】
前記位置合わせマーカが、前記マーカの位置を表すために遊離可能な染料を含む、請求項１０に記載のアブレーションシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本開示の一態様は、内腔ネットワークの複数のコンピュータ断層撮影（ＣＴ）画像を蓄積する画像データベースと、内視鏡及びＣＴ画像と共に用いることで、位置特定可能ガイド（ｌｏｃａｔａｂｌｅ  ｇｕｉｄｅ）及び延長作業チャンネルを目的の箇所に誘導することを可能にするナビゲーションシステムとを含めて備えるアブレーションシステムに関する。また、このシステムは、目的の箇所に近接して配置された１つ以上の位置合わせマーカと、目的の箇所にエネルギーを印加するための経皮的マイクロ波アブレーション装置とを含む。経皮的マイクロ波アブレーション装置、位置特定可能ガイド及び延長作業チャンネルは、肺組織の誘導とアブレーションに見合った大きさである。本開示の更なる一態様によれば、このシステムは、内腔ネットワークを通って目的箇所へと至る経路を決定するため、ＣＴ画像を検分可能な計画システムを含んでもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本開示の他の態様によれば、このシステムには、内腔ネットワーク外面を検分するための腹腔鏡と、腹腔鏡の画像表示装置とが含まれてもよい。本開示の更なる一態様によれば、目的箇所に近接して配置された位置合わせマーカは、埋め込み後に膨張するハイドロゲル材を含む。位置合わせマーカは、時間が経つとマーカから消散する染料を含んでもよく、このマーカが近接して配置されると、腹腔鏡を通じて内腔ネットワークの外面が見え、目的箇所を識別することができる。更に、位置合わせマーカは、画像診断法を用いてマーカの位置を測定することを可能にする放射線不透過性のマーカを含んでもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本開示の更なる一態様は、患者に経皮的に挿入するために構成されたマイクロ波アブレーション装置を備えるシステムに関する。このマイクロ波アブレーション装置は、放射部及び基端のハンドルを含む。このシステムは、アブレーション手術中にマイクロ波アブレーション装置に冷却剤を提供するよう構成された冷却システムと、マイクロ波アブレーション装置の放射部に近接した組織の温度を検知するよう構成された温度検知システムとを含む。更に、このシステムは、マイクロ波アブレーション装置にマイクロ波エネルギーを提供するエネルギー源と、アブレーション標的の位置とこの標的への経路を使用者に示すよう構成されたナビゲーションシステムとを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月9日(2018.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｇ０）で表される複素環化合物。
【化１】
2015214538.tif 000001
（式（Ｇ０）中、Ａは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリニル基を表し、Ｂは、置換もしくは無置換のフルオレニル基を表し、Ａｒは、置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。）
【請求項２】
請求項１において、
前記式（Ｇ０）中のＢは、置換もしくは無置換の２−フルオレニル基である複素環化合物。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記式（Ｇ０）中のＢは、下記式（α）で表される複素環化合物。
【化２】
2015214538.tif 000002
（式（α）中、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基を表す。）
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記式（Ｇ０）中のＢは、下記式（β）で表される複素環化合物。
【化３】
2015214538.tif 000003
（式（β）中、のＲ１７およびＲ１８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基を表す。）
【請求項５】
式（Ｇ１）で表される複素環化合物。
【化４】
2015214538.tif 000004
（式（Ｇ１）中、Ｒ１〜Ｒ１０のいずれか一は、式（Ｇ１−１）で表され、その他はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基を表す。式（Ｇ１−１）中のＢは、置換もしくは無置換のフルオレニル基を表し、式（Ｇ１−１）中のＡｒは、置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。）
【請求項６】
請求項５において、
前記式（Ｇ１−１）中のＢは、置換もしくは無置換の２−フルオレニル基である複素環化合物。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記式（Ｇ１−１）中のＢは、下記式（α）で表される複素環化合物。
【化５】
2015214538.tif 000005
（式（α）中、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基を表す。）
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記式（Ｇ１−１）中のＢは、下記式（β）で表される複素環化合物。
【化６】
2015214538.tif 000006
（式（β）中、のＲ１７およびＲ１８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基を表す。）
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の複素環化合物を有する発光素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光素子と、
トランジスタ、または、基板と、
を有する発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置と、
マイク、カメラ、操作用ボタン、外部接続部、または、スピーカと、
を有する電子機器。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光装置と、
筐体、カバー、または、支持台を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月9日(2018.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｇ０）で表される化合物。
【化１】
2015214539.tif 000001
（式中、Ａは、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニレン基、又は、置換もしくは無置換のジベンゾフラニレン基を表し、Ｘは、置換もしくは無置換のフルオレニル基を表し、Ｅは、置換もしくは無置換のジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリニル基を表し、Ａｒは、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリーレン基を表す。）
【請求項２】
式（Ｇ１）で表される化合物。
【化２】
2015214539.tif 000002
（式中、Ａは、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニレン基、又は、置換もしくは無置換のジベンゾフラニレン基を表し、Ｘは、置換もしくは無置換のフルオレニル基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒは、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリーレン基を表す。）
【請求項３】
式（Ｇ２）で表される化合物。
【化３】
2015214539.tif 000003
（式中、Ｚは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ｒ２１〜Ｒ２７のうち少なくともいずれか一が、置換もしくは無置換のフルオレニル基を表し、その他はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒは、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリーレン基を表す。）
【請求項４】
式（Ｇ３）で表される化合物。
【化４】
2015214539.tif 000004
（式中、Ｚは、酸素又は硫黄を表し、Ｘは、置換もしくは無置換のフルオレニル基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１９、及びＲ２１〜Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ａｒは、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリーレン基を表す。）
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記置換もしくは無置換のフルオレニル基は、置換もしくは無置換の９，９−ジアルキルフルオレニル基である、化合物。
【請求項６】
式（Ｇ４）で表される化合物。
【化５】
2015214539.tif 000005
（式中、Ｚは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ２１〜Ｒ２６、及びＲ３１〜Ｒ３７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、又は、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ｒ４１及びＲ４２は、それぞれ独立に、水素、又は、炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ａｒは、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリーレン基を表す。）
【請求項７】
請求項６において、
前記Ｒ４１及び前記Ｒ４２は、メチル基である、化合物。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記Ａｒは、置換もしくは無置換のフェニレン基、又は、置換もしくは無置換のビフェニルジイル基である、化合物。
【請求項９】
一対の電極間に、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の化合物を有する発光素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光素子と、
トランジスタ又は基板と、を有する、発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置と、
マイク、スピーカ、又は外部接続端子と、を有する、電子機器。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光装置と、
支柱、筐体、又はカバーと、を有する、照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月16日(2018.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像において粒子を分布して、各粒子の位置で尤度の計算を行って被写体の画像領域を推定し、尤度の低い粒子を尤度の高い粒子の位置に配置することを繰り返す粒子フィルタ処理を利用した追尾処理を行う追尾手段を有し、
前記追尾手段は、前記粒子が分布される範囲が地表に対して水平方向において長くなるように、前記画像を撮像した撮像装置の姿勢に応じて前記粒子を分布する範囲を変更することを特徴とする被写体追尾装置。
【請求項２】
前記追尾手段は、前記追尾処理の対象である被写体の移動量が閾値を超えているときの前記粒子を分布する範囲を、前記閾値以下であるときの前記粒子を分布する範囲よりも、広くすることを特徴とする請求項１に記載の被写体追尾装置。
【請求項３】
前記追尾手段は、前記追尾処理の対象である被写体の移動量が大きくなるほど、前記粒子を分布する範囲を広くすることを特徴とする請求項１に記載の被写体追尾装置。
【請求項４】
前記追尾手段は、前記追尾処理の対象である被写体の移動速度が閾値を超えているときの前記粒子を分布する範囲を、前記閾値以下であるときの前記粒子を分布する範囲よりも、広くすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項５】
前記追尾手段は、前記追尾処理の対象である被写体の移動速度が大きくなるほど、前記粒子を分布する範囲を広くすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項６】
前記追尾手段は、前記追尾処理の対象である被写体の面積が閾値を超えているときの前記粒子を分布する範囲を、前記閾値以下であるときの前記粒子を分布する範囲よりも、広くすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項７】
前記追尾手段は、前記追尾処理の対象である被写体の面積が大きくなるほど、前記粒子を分布する範囲を広くすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項８】
前記追尾手段は、画像の撮像に用いた光学系の焦点距離が長くなるほど、前記粒子を分布する範囲を広くすることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項９】
前記追尾手段は、画像を撮像した撮像装置から前記被写体までの距離が近づくほど、前記粒子を分布する範囲を広くすることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項１０】
前記追尾手段は、画像を撮像した撮像装置の角速度または加速度が閾値を超えているときの前記粒子を分布する範囲を、前記閾値以下であるときの前記粒子を分布する範囲よりも、広くすることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項１１】
前記追尾手段は、画像を撮像した撮像装置の角速度または加速度が大きくなるほど、前記粒子を分布する範囲を広くすることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項１２】
前記追尾手段は、画像を撮像した撮像装置に設定されたＩＳＯ感度が閾値以下であるときの前記粒子を分布する範囲を、前記閾値を超えているときの前記粒子を分布する範囲よりも、広くすることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項１３】
前記追尾手段は、画像を撮像した撮像装置に設定されたＩＳＯ感度が小さくなるほど、前記粒子を分布する範囲を広くすることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項１４】
前記追尾手段は、分布した前記粒子の一部が、前記画像の撮像に用いた撮像センサに含まれる欠陥画素の位置、あるいは、前記画像を撮像した撮像装置の測距枠の位置の少なくともいずれかと重なる場合には、重なる粒子の位置を移動することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の被写体追尾装置。
【請求項１５】
画像を生成する撮像手段を備えた撮像装置であって、
前記画像において粒子を分布して、各粒子の位置で尤度の計算を行って被写体の画像領域を推定し、尤度の低い粒子を尤度の高い粒子の位置に配置することを繰り返す粒子フィルタ処理を利用した追尾処理を行う追尾手段、を有し、
前記追尾手段は、前記粒子が分布される範囲が地表に対して水平方向において長くなるように、前記撮像装置の姿勢に応じて前記粒子を分布する範囲を変更することを特徴とする撮像装置。
【請求項１６】
画像において粒子を分布して、各粒子の位置で尤度の計算を行って被写体の画像領域を推定し、尤度の低い粒子を尤度の高い粒子の位置に配置することを繰り返す粒子フィルタ処理を利用した追尾処理を行い、
前記追尾処理において、前記粒子が分布される範囲が地表に対して水平方向において長くなるように、前記画像を撮像した撮像装置の姿勢に応じて前記粒子を分布する範囲を変更することを特徴とする被写体追尾方法。
【請求項１７】
被写体追尾装置を制御するためのプログラムであって、
画像において粒子を分布して、各粒子の位置で尤度の計算を行って被写体の画像領域を推定し、尤度の低い粒子を尤度の高い粒子の位置に配置することを繰り返す粒子フィルタ処理を利用した追尾処理をコンピュータに行わせ、
前記追尾処理において、前記粒子が分布される範囲が地表に対して水平方向において長くなるように、前記画像を撮像した撮像装置の姿勢に応じて前記粒子を分布する範囲を変更することを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の被写体追尾装置は、画像において粒子を分布して、各粒子の位置で尤度の計算を行って被写体の画像領域を推定し、尤度の低い粒子を尤度の高い粒子の位置に配置することを繰り返す粒子フィルタ処理を利用した追尾処理を行う追尾手段を有し、前記追尾手段は、前記粒子が分布される範囲が地表に対して水平方向において長くなるように、前記画像を撮像した撮像装置の姿勢に応じて前記粒子を分布する範囲を変更することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月3日(2018.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、を有する半導体装置であって、
前記第１の回路は、第１のトランジスタと、第１の容量素子と、第１の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１の導電体と、第１の酸化物半導体と、を有し、
前記第１の導電体は、前記第１の酸化物半導体と接する領域を有し、
前記第１の容量素子の一方の端子は、前記第１の導電体と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の他方の端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２の回路は、第２のトランジスタと、第２の容量素子と、第２の配線と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の導電体と、第２の酸化物半導体と、を有し、
前記第２の導電体は、前記第２の酸化物半導体と接する領域を有し、
前記第２の容量素子の一方の端子は、前記第２の導電体と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の他方の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３の回路は、第３のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタは、第３の導電体と、第３の酸化物半導体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、を有し、
前記第３の導電体は、前記第３の導電体と、前記第３の酸化物半導体と、が互いに重なる領域を有し、
前記第１の絶縁体は、前記第３の導電体と、前記第３の酸化物半導体と、の間に配置され、
前記第２の絶縁体は、前記第３の導電体と、前記第１の絶縁体と、の間に配置され、
前記第３の絶縁体は、前記第３の導電体と、前記第２の絶縁体と、の間に配置され、
前記第２の絶縁体は、電子捕獲領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、サブスレッショルド領域におけるドレイン電流が１×１０−１２Ａとなるゲート電圧が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタは、サブスレッショルド領域におけるドレイン電流が１×１０−１２Ａとなるゲート電圧が０．８Ｖ以上１．５Ｖ以下であり、
前記第２のトランジスタは、サブスレッショルド領域におけるドレイン電流が１×１０−１２Ａとなるゲート電圧が０Ｖ以上０．７Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のトランジスタは、さらに第４の導電体と、第４の絶縁体と、第５の絶縁体と、第６の絶縁体と、を有し、
前記第４の導電体は、前記第４の導電体と、前記第１の酸化物半導体と、が互いに重なる領域を有し、
前記第４の絶縁体は、前記第４の導電体と、前記第１の酸化物半導体と、の間に配置され、
前記第５の絶縁体は、前記第４の導電体と、前記第４の絶縁体と、の間に配置され、
前記第６の絶縁体は、前記第４の導電体と、前記第５の絶縁体と、の間に配置され、
前記第５の絶縁体は、負に荷電した領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗素子を有し、
前記抵抗素子は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、ドレイン電圧がゲート電圧としきい値電圧の差より大きい場合、前記ドレイン電圧が０．１Ｖ変化したときのドレイン電流の増加率は１％以上である特徴を有し、前記抵抗素子の抵抗値に応じた電圧を生成する機能を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタは、第１乃至第３酸化物半導体層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極層と、を有し、
前記第２酸化物半導体層は、前記第１酸化物半導体層と、前記第３酸化物半導体層との間に設けられている部分を有し、
前記ゲート絶縁層は前記第３酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、
前記ゲート電極層と、前記部分とは、前記ゲート絶縁層を介して、互いに重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１乃至前記第３酸化物半導体層は、インジウム、亜鉛、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を含む半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第１および前記第３の酸化物半導体層は、Ｉｎに対するＭの原子数比が、前記第２の酸化物半導体層よりも大きい半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ゲート電極層が、前記ゲート絶縁層を介して、前記部分の上面、および前記部分のチャネル幅方向の側面と重なる半導体装置。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ドレイン電圧が１Ｖ以上２Ｖ以下での前記トランジスタの遮断周波数が、２ＧＨｚよりも高い半導体装置。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２酸化物半導体層は、ｃ軸配向する結晶部を複数有する半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記トランジスタのチャネル長は、１００ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置と、マイクロフォン、スピーカ、表示部、および操作キーのうちの少なくとも１つと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月28日(2018.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に第１の回路と第２の回路が設けられた表示装置であって、
前記第１の回路は、表示を行う機能を有し、
前記第２の回路は、前記第１の回路を駆動する機能を有し、
前記第２の回路は、トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、第１の絶縁体層上に設けられた酸化物半導体層を有し、
前記容量素子は、第１の導電層と、第２の絶縁層と、第２の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁体層上に設けられ、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層は、前記酸化物半導体層と同一の金属元素を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層および前記第２の導電層は、透光性を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の導電層は、前記酸化物半導体層よりも水素濃度が高い領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第２の絶縁層は、窒化珪素膜であることを特徴とする表示装置。