【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２９２００４０号発明「高耐久性電解用電極およびその製造方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯の概要
　本件特許第２９２００４０号に係る出願は、平成５年４月２８日に特許出願され、平成１１年４月２３日に請求項１〜４に係る発明について特許権の設定の登録がなされた後、平成１２年１月１９日に特許異議の申立（異議２０００−７００９６）がなされ、その審理手続き中、平成１２年７月１７日付けの訂正請求書により明細書の訂正がなされ、次いで、平成１２年１０月１８日付けで「訂正を認める。特許第２９２００４０号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。」との決定がなされた。
　その後、平成１６年２月５日にダイソー株式会社（以下「請求人」という。）より、その請求項１〜４に係る特許について本件特許無効の審判請求がなされ、平成１６年４月３０日付けで被請求人より答弁書が提出され、平成１７年１月２８日に口頭審理がなされるとともに、同日付けで請求人及び被請求人より口頭審理陳述要領書が提出され、平成１７年２月２８日付けで請求人より上申書が提出され、その後、平成１７年４月７日付けで被請求人より上申書が提出されたものである。
　　
ＩＩ．請求人の主張及び証拠方法
　請求人は、審判請求書に添付して甲第１〜６号証及び参考文献、平成１７年１月２８日付け口頭審理陳述要領書に添付して甲第７、８号証、そして平成１７年２月２８日付け上申書に添付して甲第９〜１２号証を提示して、本件特許の請求項１〜４に係る特許を無効とするとの審決を求め、その理由として、
（理由１）本件特許の明細書及び図面の記載は特許法第３６条第４項及び６項に規定する要件を満たしておらず、また、
（理由２）本件特許の請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるので、本件請求項１〜４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、
（理由３）本件特許の請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、本件請求項１〜４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、
したがって、本件請求項１〜４に係る特許は、特許法第１２３条第１項第２号及び第４号の規定により無効にすべきものである、と主張している。
　　
ＩＩＩ．被請求人の主張
　上記請求人の主張に対して、被請求人は、答弁書に添付して乙第１〜１５号証、口頭審理陳述要領書に添付して乙第１６〜１８号証、及び平成１７年４月７日付け上申書に添付して「乙第１６〜２０号証」（但し、乙第１６〜１８号証は先の口頭審理陳述要領書に添付して既に提出済みであるので、この「乙第１６〜２０号証」は、証拠の整理上、「乙１６a〜２０a号証」と読み替えて取り扱うこととする。）を提出して、「本件審判請求は成り立たない」との審決を求める旨主張している。
　　
ＩＶ．本件発明
　本件特許の請求項１〜４に記載された発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明４」という。）は、上記の平成１２年７月１７日付けの訂正請求書により訂正された明細書（以下、図面と合わせて「本件特許明細書」という。）の請求項１〜４に記載された次のものである。（以下「本件特許発明１」〜「本件特許発明４」という。）
「【請求項１】電極活物質である白金族金属、白金族金属酸化物あるいは白金族金属複合酸化物を被覆したＴi電極において、Ｔi基体と前記電極活物質との界面に、Ｔaのスパッタ膜を中間層として介在させ、該中間層の結晶構造が電極活物質を担持する前段階において、Ｔaのスパッタ膜からなる中間層がＴaのα＋β混相であって、約３０〜５０％のβ相を含む結晶構造とし、電極活物質層／Ｔaスパッタ層への白金族金属の拡散層／Ｔaスパッタ層／Ｔi基体とからなる構造を有することを特徴とする高耐久性電解用電極。 
【請求項２】前記中間層スパッタ膜を多層とすることを特徴とする請求項１記載の高耐久性電解用電極。 
【請求項３】電極活物質である白金族金属、白金族金属酸化物あるいは白金族金属複合酸化物を被覆したＴi電極において、前記電極活物質をＴi基体の表面に担持す際の熱処理によりＴaスパッタ層中のβ相からα相に結晶構造が変化するＴa金属薄膜でＴi基体表面を被覆し、該Ｔi基体表面に所定の熱処理によって、電極活物質／Ｔa薄膜界面にＴaと電極活物質の構成元素との拡散合金層を有することを特徴とする高耐久性電解用電極。 
【請求項４】β相を含むＴa金属薄膜でＴi基体表面を被覆し、該Ｔi基体表面に白金族金属、白金族金属酸化物あるいは白金族金属複合酸化物からなる電極活物質を被覆し、該電極活物質を表面に担持する際の熱処理によるＴaスパッタ層の結晶構造の変化を利用して、電極活物質／Ｔa薄膜界面にＴaと電極活物質の構成元素との拡散合金層を形成することを特徴とする高耐久性電解用電極の製造方法。」
　　
Ｖ．証拠の記載事実
（Ｖ−１）請求人の提出した証拠
（Ａ１）甲第１号証（特開平２−２８２４９１号公報）
(A1-1)「（１）バルブ金属又はその合金よりなる導電性金属基体上に電極活性物質を被覆した電極において、該基体と電極活性物質被覆層との間に、金属タンタル又はその合金を主成分とする薄膜中間層を設けたことを特徴とする酸素発生陽極。
（２）導電性金属基体がチタン、ニオブ、ジルコニウム又はこれらの合金である請求項１に記載の酸素発生陽極。
（３）電極活性物質が白金族金属又はその酸化物を含む請求項１に記載の酸素発生陽極。
（４）バルブ金属基体又はその合金よりなる導電性金属基体上に、有機タンタル化合物又はタンタル塩化物を含む溶液を塗布し非酸化性雰囲気中で加熱して金属タンタルを主成分とする中間被覆層を形成せしめ、その表面に電極活性物質の被覆層を形成せしめることを特徴とする酸素発生陽極の製法。
（５）バルブ金属基体又はその合金よりなる導電性金属基体上に、金属タンタル又はその合金を含む金属を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオン注入法、又は気相メッキ法により被着せしめ、その表面に電極活性物質の被覆層を形成せしめることを特徴とする酸素発生陽極の製法。
（６）バルブ金属基体がチタン、ニオブ、ジルコニウム又はこれらの合金である請求項４又は５に記載の酸素発生陽極の製法。
（７）電極活性物質が白金族金属又はその酸化物を含む請求項４又は５に記載の酸素発生陽極の製法。」（特許請求の範囲）
(A1-2)「本発明の目的はスズ、亜鉛、クロム等の電気メッキ用陽極として検討されている酸素発生用不溶性陽極において問題とされている基体の不働態化を経済的に有利な方法で防ぎ、長寿命の電極を提供することにある。」（第２頁左下欄第１０〜１４行）
(A1-3)「電極活性物質として、白金族金属もしくはその酸化物が好ましく、又はこれらとチタン、タンタル等バルブ金属との混合酸化物が好適である。代表的な例としてはイリジウム酸化物、イリジウム−タンタル混合酸化物、イリジウム−チタン混合酸化物・・・等が挙げられる。
　このような電極活性物質の被覆法としては・・・熱分解法、電気化学的酸化法、粉末焼結法等を適用できるが、熱分解法が好ましい。すなわちこれらの金属塩溶液を数回塗布乾燥し最終的に３００〜８００℃、好ましくは３５０〜５５０℃の温度で加熱処理する。このようにして金属タンタルを主成分とする中間層を有する本発明電極を得ることができる。」（第３頁左上欄第１６行〜右上欄第１３行）
(A1-4)実施例１において、チタン板を高周波スパッタリング装置（〜１０2Ｔｏｒｒ・アルゴンガス、高周波印加電圧２ＫＶ）を用いて１時間処理を行い、金属タンタルを主成分とする中間層を基体上に形成させ、さらに、ＴaＣl5、Ｈ2ＩrＣl6・６Ｈ2Ｏ、濃ＨＣl、ｎ−ブチルアルコールを含有する組成の電極被覆液をタンタル薄膜中間層上に塗布し、１２０℃で１０分間乾燥した後、４９０℃に保持した電気炉中で２０分間焼成し、この電極活性物質の被覆操作を８回繰り返して、イリジウム酸化物を電極活性物質とする電極を作成し、その電極活性被覆層の組成はＩrＯ2（７０重量％）−Ｔa2Ｏ5（３０重量％）と推定され、また、タンタル薄膜中間層を設けた電極では安定な電解可能であること。（第３頁左下欄第１４行〜第４頁左上欄第１７行）
(A1-5)「中間層が金属タンタルの電極は、３２０時間の寿命となり、耐久性の著しい改善が認められた。」（第４頁左下欄第１０〜１３行）
　　
（Ａ２）甲第２号証（麻蒔立男著「薄膜作成の基礎（第２版）」昭和５９年７月３０日（日刊工業新聞社）第１７０〜１７１頁）
(A2-1)「純タンタル膜にはα−タンタル（バルクと同じ結晶構造で体心立方晶・・）とβ−タンタル（正方晶系・・）があり、これらがスパッタ条件によっては、一つだけ時には混じりあったりする。ただし一度条件を見出すと後は比較的安定に良いものを作ることができる。」（第１７０頁第１４〜１８行）
　　
（Ａ３）甲第３号証（２００３年９月２６日　ダイソー株式会社、電解システム部　熊木亨作製による「タンタル被膜加熱試験結果報告書」）
　タンタル被膜の作製、加熱及びＸ線回折分析についての測定結果が記載されている。
　　
（Ａ４）甲第４号証（株式会社　東レリサーチセンターによる２００３年１２月９日付けの「報告Ｎｏ．Ｓ２１０９２３−０１結果報告書　電極Ｔａスパッタ層のイリジウム量分析」）、及び甲第４号証の１（ＳＥＭ像及びＡＥＳライン分析結果）
　「電極Ｎｏ．２４３」および「電極Ｎｏ．２４５」の２検体について、オージェ電子分光法・ライン分析の結果が記載されている。
　　
（Ａ４−２）甲第４号証の２（２００３年１２月１５日　ダイソー株式会社　電解システム部　熊木亨作製による「電極のタンタル中間層の断面観察」）
　電極の作製及び分析依頼についての報告が記載されている。
　　
（Ａ５）甲第５号証（２００３年１２月１０日　ダイソー株式会社　電解システム部　熊木亨作製による「電極寿命測定結果報告書」）、及び甲第５号証の１
　電極活性物質を被覆した電極の作製及び寿命試験の結果が記載されている。
　　
（Ａ６）甲第６号証（工学博士　松永守央による平成１６年１月３０日付け「意見書」）
　ダイソー株式会社による「タンタル被膜加熱試験結果報告書」、「電極のタンタル中間層の断面観察」、「電極寿命測定結果報告書」と題する実験報告書の内容、実験結果についての考察及び見解が記載されている。
　　
（Ａ７）甲第７号証（株式会社　東レリサーチセンターによる２００３年９月１日付けの「報告Ｎｏ．Ｓ２１０３３０−０１結果報告書　電極Ｔａスパッタ層のイリジウム量分析」）
　「ダイソー電極１」、「電極２」および「電極３」の３検体について、オージェ電子分光法・ライン分析の結果が記載されている。
　　
（Ａ８）甲第８号証（ダイソー株式会社　知的財産部部長　井本裕樹による平成１７年１月１４日付け「説明書」）内容略
（Ａ９）甲第９号証（ＲＩＮＴ２０００シリーズ　標準操作手順書（第２分冊：第１０章〜第１７章）第10.4頁）内容略
（Ａ１０）甲第１０号証（Ｘ線回折測定試料の固定）内容略
（Ａ１１）甲第１１号証（別冊　日本化学会誌（化学と工業）2000No.5　第299〜305頁）内容略
（Ａ１２）甲第１２号証（平成１４年（ワ）第１０５１１号　特許権侵害差止等請求事件における、原告ダイソー株式会社の準備書面７）内容略
　　
（Ｖ−２）被請求人の提出した証拠
（Ｂ１）乙第１号証（「写真撮影報告書」）
　刻印番号３９の電極の写真。
（Ｂ２）乙第２号証（「写真撮影報告書」）
　刻印番号ＴＳ９８−３−１−３の電極の写真。
（Ｂ３）乙第３号証（大機エンジニアリング株式会社　技術開発部　熊谷直和作成による平成１５年５月１６日付け「分析結果報告書」）
　刻印番号３９及びＴＳ９８−３−１−３の電極のＸ線回折試験結果及び外観写真。
　　
（Ｂ４）乙第４号証（理学博士　橋本功二作成による平成１５年７月１０日付けの説明書）
　本件特許第２９２００４０号および分析結果報告書に記載されているＸ線回折図の説明が記載されている。
　　
（Ｂ５）乙第５号証（毛利勝一作成の平成１５年８月１９日付け「乙９０号証の分析結果と乙３２号証の被告特許発明（特許第２００９０４０号）の技術との比較・検証報告書」）
　本件特許第２９２００４０号特許公報（乙３２号証）記載の図１〜３、と刻印番号３９及びＴＳ９８−３−１−３の電極（乙第９０号証）とのＸ線解析結果についての報告が記載されている。
　　
（Ｂ６）乙第６号証（CORROSION DIVISION Proceedings Volume 93-30「PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON CORROSION,ELECTROCHEMISTRY AND CATALYSIS OF METASTABLE METALS AND INTERMETALLICS」THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,INC.（1993年9月）第324〜328、REFERENCES）（本件出願後の頒布）
(B6-1)「Figure.４は、ＩｒＯ2／スパッタタンタル／チタニウムとＩｒＯ2／チタニウム及びＩｒＯ2／一般的なタンタル陽極を用いて電解中での槽電圧変化を示したものである。チタン上に３μｍのスパッタタンタル層を設けＩｒＯ2で被覆した新たな電極は４０００ｈｒを越える電解を継続しているにも関わらず、ＩｒＯ2／チタニウム電極の寿命は１０００ｈｒにしかすぎない。Figure.５はスパッタタンタル上での電気化学的に活性であるＩｒＯ2−Ｔａ2Ｏ5触媒活性層の電解後の触媒残量を示したものである。触媒活物質中のイリジウムは５００時間で５％は減少するものの、その後、４０００時間までは消耗しないで残存している。これは活物質中のＩｒＯ2自身がＥＧＬプロセスのような非常に過酷な環境下で耐食性のあることを示している。しかしながら、ＩｒＯ2直下がタンタル金属であれば、このような耐久性の優れた電極を示すとは一般的には言い難い。なぜなら、通常のプロセスで製造されたタンタルにＩｒＯ2を被覆した電極は僅か３０ｈｒしか稼働させることができないからである。通常のタンタル上に被覆したＩｒＯ2電極のこの短寿命も、ＩｒＯ2とタンタルの界面に形成される不働態タンタル酸化物に起因するものである。すなわち、チタニウムもタンタルもアノード分極下で触媒層を透過した電解液により、これらバルブ金属の不働態化が生じ、絶縁性酸化被膜が形成される。しかしながら、スパッタタンタルを中間層として被覆したチタン電極は非常に長い耐久性を示す。
　スパッタリングは気相から直接、固形化させる結果、しばしば準安定相を形成する。Figure.６はスパッタタンタルと通常のプロセスで作られたタンタルのＸ線回折図を示したものである。通常のプロセスで作られたタンタルは体心立方のα−タンタルを示す圧延組織の１１０回折線が認められる。スパッタタンタルにはα相と準安定なβ相から構成されている。スパッタタンタル中のα相は幅広い（ブロードな）１１０の回折線を持つ微細な結晶粒から構成されている。ＩｒＯ2−Ｔａ2Ｏ5活性層はスパッタタンタル上でも通常のプロセスで作製されたタンタル上でも、４５０℃で熱分解することで形成される。すなわち、ＩｒＯ2−Ｔａ2Ｏ5の触媒活性層とタンタル界面がタンタルの形成された条件によって異なるということを示唆している。
　Figre.７及び８は、ＩｒＯ2−Ｔａ2Ｏ5／スパッタタンタル／チタニウムとＩｒＯ2／通常の方法で作られたタンタルの断面を示したものである。通常の方法で作られたタンタルでは見られないイリジウムのスパッタタンタルへの拡散がはっきりと認められる。前述のように、スパッタタンタルは準安定なβ相と安定なα相から構成されている。ＩｒＯ2−Ｔａ2Ｏ5活性層を形成するためにイリジウムとタンタルを含む溶液を塗布し、４５０℃で処理する債の熱処理によりβ相は安定なα相へ転移する可能性がある。相転移は結晶粒の再編を引き起こし、イリジウムが再編されたα相もしくはその結晶粒界に拡散することが可能な状態を作り上げている。これに対して、安定なα相では４５０℃のような低い温度の加熱でイリジウムの拡散は生じていない。スパッタタンタルの相転移は、Ｘ線回折によって確認できる。Figure.９はスパッタタンタルとそれを４５０℃で加熱した後のＸ線回折図を示したものである。４５０℃の加熱こより明らかにβ相からα相へ転移していることが認められる。
　しかしながらイリジウムを塗布した場合、異なる相転移が生じる。Figure.１０にスパッタタンタル上に塩化イリジウム酸とタンタルブトキシドの混合物を塗布した後１時間、２時間の４５０℃加熱して生じるＸ線回折図の変化を示す。通常、スパッタタンタル上へのＩｒＯ2−Ｔａ2Ｏ5活性層の作製は塩化イリジウム酸とタンタルブトキシドの塗布を行い、乾燥、焼成を１０回繰り返して行われる。しかし、１０回の処理により形成されるＩｒＯ2−Ｔａ2Ｏ5活性層は３μｍの厚みを有するので、スパッタリングタンタルの相転移をＸ線回折により確認することは困難である。したがって、Ｆｉｇｕｒｅ．１０に示す実験では、試料は塩化イリジウム酸とタンタルブトキシドの混合物を１回塗布し、真空中で１時間、２時間４５０℃で熱処理することで作製した。塩化イリジウム酸とタンタルブトキシドの混合物を塗布したスパッタタンタルは４５０℃に加熱された場合、β相を示す全ての回折線は結晶格子間隔の拡大に伴いブロードとなる。このことは準安定なβＴａ−Ｉｒ合金相が形成されていることを意味する。
　すなわち、塩化イリジウム酸とタンタルブトキシドの混合物をコートしたスパッタにより形成された準安定なβ相は４５０℃に加熱した場合、β−Ｔａ−Ｉｒ合金相がＩｒＯ2−Ｔａ2Ｏ5活性層の下で形成され、β−Ｔａ−Ｉｒ合金相が下地と活性層界面に形成されるＴａ2Ｏ5の成長を阻止しているといえる。」（第３２７頁第９行〜第３２８頁第２１行）
　　
（Ｂ７）乙第７号証（平成１４年１２月２０日付け　判定２００２−６００７６）内容略
（Ｂ８）乙第８号証（平成１年特許願１０３００３号についての平成４年８月５日付け手続補正書）内容略
（Ｂ９）乙第９号証（平成１年特許願第１０３００３号についての平成５年９月１０日付け意見書）内容略
（Ｂ１０）乙第１０号証（特開平６３−１８５０５２号公報）
「１．絶縁体基板または半導体基板にタンタル金属薄膜回路を形成するに際し、該タンタル金属薄膜が２層からなり、表面側のタンタル層がα−タンタルを主体とするタンタル膜からなることを特徴とするタンタル金属薄膜回路。
２．前記タンタル金属薄膜がスパッタリング法により得られる特許範囲第１項に記載のタンタル金属薄膜回路。
３．前記基板と基板用のタンタル膜の間に酸化タンタル膜を設けたた特許請求の範囲第１項または第２項に記載のタンタル金属薄膜回路。」（特許請求の範囲）
　　
（Ｂ１１）乙第１１号証（特開昭５８−１４１５０９号公報）
(B11-1)「平板ターゲットの裏面に接するようにマグネットが設置された陰極と、該陰極と対向する基板あるいは基板ホルダとの間に直流電力あるいは高周波電力を印加するマグネトロンスパッタリング法によってタンタル薄膜を付着させるベータタンタル薄膜の形成方法において、前記陰極に印加する電力密度（印加電力／陰極面積）を０．２乃至５０Ｗ／ｃｍ２に保持することを特徴とするベータタンタル薄膜の形成方法。」（特許請求の範囲）
(B11-2)「従来、タンタルをスパッタリングすることにより基板上にバルクタンタル（アルファタンタル結晶）とは異なる結晶構造をもつ高抵抗率のベータタンタルの薄膜が形成されるということは知られていた。この場合、基板上に酸素基あるいは水酸基が存在することがベータタンタルの形成に必要不可欠な要件であり、従来非酸化性の金属である金，白金，あるいは清浄な表面を有するカーボン，シリコン，アルミニウム，窒化シリコン等の基板上にはベータタンタル結晶が生成されていなかった。」（第１頁右下欄第１〜１１行）
　　
（Ｂ１２）乙第１２号証（α−Ｔａスパッタリング被膜のＸ線回折図）内容略
（Ｂ１３）乙第１３号証（特許第２５７４６９９号特許掲載公報：平成９年１月２２日発行）本件出願後の頒布。内容略。
（Ｂ１４）乙第１４号証（「陳述書」）内容略。
（Ｂ１５）乙第１５号証（平成１４年（ワ）第１０５１１号事件について平成１６年２月１７日に大阪地方裁判所で行われた、証人　熊木亨に対する「証人調書」）内容略。
（Ｂ１６）乙第１６号証（異議２０００−７００９６についての異議決定）内容略。
（Ｂ１７）乙第１７号証（平成１４年（ワ）第１０５１１号判決）内容略。
（Ｂ１８）乙第１８号証（熊谷直和「水溶液電解用アモルファス合金電極材料の開発に関する研究」）内容略。
（Ｂ１６ａ）乙第１６ａ号証（大機エンジニアリング株式会社　東京技術生産本部　製造部部員　佐俣芳光による宣誓書）内容略
（Ｂ１７ａ）乙第１７ａ号証（熊谷直和作成のＸ線回折線の比較図）内容略
（Ｂ１８ａ）乙第１８ａ号証（熊谷直和作成のＸ線回折図とタンタルのピーク位置との関係図）内容略
（Ｂ１９ａ）乙第１９ａ号証（理学電気株式会社発行「Ｘ線回折の手引」改訂第四版（１９８６年１２月３０日）第３９〜４３頁）内容略
（Ｂ２０ａ）乙第２０ａ号証の１、乙第２０ａ号証の２（毛利勝一作成の「測定記録」）内容略
　　
ＶＩ．対比・判断
(VI-1)理由１（特許法第３６条第４項及び６項の規定に基く理由）について、請求人は、
（１）主張１：本件発明における「Ｔａへの白金族金属の拡散層」の存在は明細書中で確認、立証されておらず、それ自体存在せず、したがって、拡散層の存在を前提とした本件明細書の発明の詳細な説明に基づいて当業者が実施することはできず、また、本件特許発明の請求項１〜４は、実際には存在しない拡散層を欠くべからざる構成要件としている、
（２）主張２：上記に伴い、請求項１における「該中間層の結晶構造が電極活物質を担持する前段階において、Ｔaのスパッタ膜からなる中間層がＴaのα＋β混相であって、約３０〜５０％のβ相を含む結晶構造」である点、請求項３における「電極活物質をＴi基体の表面に担持す際の熱処理によりＴaスパッタ層中のβ相からα相に結晶構造が変化するＴa金属薄膜でＴi基体表面を被覆」する点、および、請求項４における「β相を含むＴa金属薄膜でＴi基体表面を被覆」する点は、無意味な構成要件であり、
（３）主張３：請求項３および４においては、請求項１でなされた「該中間層の結晶構造が電極活物質を担持する前段階において、Ｔaのスパッタ膜からなる中間層がＴaのα＋β混相であって、約３０〜５０％のβ相を含む結晶構造」とする点と同様の、結晶構造についての特定が欠如しており、また、
（４）主張４：上記β相の濃度範囲（約３０〜５０％）における「約」を付した表現は不明確である、
として本件明細書の不備を主張している。
　　
　請求人の上記主張１〜４について、以下検討する。
１．主張１について
　請求人は甲第３号証を提出して、タンタル電極の作成、加熱及びＸ線回折分析をした結果を示し、これに基いて真空中、空気中のいずれの雰囲気中の加熱でもＩｒの拡散は生じないと主張している。そしてこの甲第３号証をみると、Ｘ線回折図のうち、β相組成が５０％であって本件特許発明１、２と結晶構造の割合が重複し、空気中で加熱した場合である図５及び図１１をみると、２θが３８．７°のα相ピークが、本件特許の図３と同様、加熱に伴って底角側へのシフトと同時に、ピークのブロード化、及びピーク強度の低下が生じていることが認められる。これらのピークの変化について、請求人は、空気中の酸素が表面で反応してＴａの結晶界面に挿入されたからであり、Ｉｒの拡散を意味しないと主張している。
　しかし、上記のＸ線回折図を見ても、酸素との反応による新しい化合物の生成を示すピークの出現は認められず、したがって、請求人が上記主張するような酸素が表面で反応して結晶界面に挿入されたのではなく、Ｉｒの拡散による拡散層が生じていると解するのが妥当である。
　なお、加熱を真空中で行った場合については、Ｘ線回折ピークの変化は生じないとする甲第３号証の結果と、Ｘ線回折ピークが変化し合金相が形成されているとする請求人提出の「参考文献」（被請求人の乙第６号証に同じ。）の結果（摘記B6-1参照。）とは、回折ピークの変化の点でくい違っているが、少なくとも酸素含有雰囲気で加熱を行った場合についてには、上記のとおりＩｒの拡散による拡散層が生じていると解するのが妥当である。
　　
　また請求人は甲第４号証、甲第４号証の２を提出して、「電極Ｎｏ．２４３」及び「電極Ｎｏ．２４５」の両試料電極について分析した結果を説明している。しかし、これら両試料電極夫々の製造方法及び製造条件は明らかでなく、したがって、これらの両試料電極と、本件特許発明１〜４との関係は依然として不明である。なお請求人は、平成１７年２月２８日付け上申書（第３頁）で、『「電極No.243」と「電極No.245」の製法』として、再度甲第４号証の２を挙げて説明しているが、甲第４号証の２をみても、相異なる電極である「電極No.243」及び「電極No.245」の夫々について、それを確認できる事項の記載は見あたらない。したがって、当該両試料電極に基づく請求人の主張は採用できない。甲第７号証の試料電極である「ダイソー電極１」、「電極２」及び「電極３」についても同様である。
　なお、甲第４号証の２についてみると、「１．電極の作成方法」欄に、塩化イリジウム酸及びタンタルブトキシドを含む溶液を塗布後、「４５０℃で１０分間加熱した」との記載がなされているものの、その加熱時の雰囲気の記載はなく、少なくともこの点において、本件特許明細書（例えば実施例１、２）に記載の電極と同じ電極であると判断することはできない。なおかつ、甲第４号証の２には、「株式会社東レリサーチセンター」（「２．分析機関」の欄）で分析を行ったことが示されているが、その分析に用いた、上記「１．電極の作成方法」にしたがい作成された電極が、甲第４号証の「電極Ｎｏ．２４３」または「電極Ｎｏ．２４５」であるとする根拠も認めることができない。
　　
　また、甲第５号証についてみると、甲第４号証と同様、、塩化イリジウム酸及びタンタルブトキシドを含む溶液を塗布した後の加熱時の雰囲気の記載はなく、また、電極活性物質の被覆量は１０ｇ／ｍ2であって、本件特許明細書中の説明での３０ｇ／ｍ2とは異なった条件で実験がなされており、したがって、その結果報告内容は直ちに採用することはできない。
　　
　また、甲第６号証は、甲第３号証の「タンタル被膜加熱試験結果報告書」、甲第４号証の２の「電極のタンタル中間層の断面観察」、及び、甲第５号証の「電極寿命測定結果報告書」の内容及び実験結果についての考察及び見解が記載されているが、これをみても、上記甲第３号証、第４号証の２及び甲第５号証における実験内容と本件特許発明１〜４との関係は明らかではない。
　　
　そして一方、本件特許明細書には、「Taスパッタ膜を酸化イリジウムを担持する際の処理温度(450℃) で熱処理すると第２図のβ相の 002回折線が大きく減少し、逆にα相の 110回折線が増大している。このことはスパッタ膜内の結晶構造がβ相からα相へ、450℃という温度で結晶構造が変化したことを意味するものである。第２図は表面に電極活物質である酸化イリジウムを担持しない状態で、熱処理温度によってTaスパッタ膜の結晶構造が変化するということを示したものであるが、表面に電極活物質であるイリジウムが存在した場合は、この構造変化にともない酸化イリジウム/Ta スパッタ膜界面にイリジウムの拡散層が形成される。例えば、Ｘ線が透過できる程度の薄さのイリジウムをスパッタ膜に担持した後、その表面の X線回折図を測定してみると、第２図に示したようなβ相からα相への単純な構造変化ではなく、この構造変化にともないIrが拡散し、合金化したことを表す回折線となっていることが第３図のＸ線回折図から見られる。」（段落【0027】）のとおり、拡散層が生成したことが説明されている。
　以上のとおりであるから、拡散層の形成、存在は確認、立証されていないとの主張に基づく請求人の上記主張（主張１）は採用できない。
　　
２．主張２について
　請求人は、「主張１」のとおり、拡散層の形成、存在は確認、立証されていないので、請求項１における「該中間層の結晶構造が電極活物質を担持する前段階において、Ｔaのスパッタ膜からなる中間層がＴaのα＋β混相であって、約３０〜５０％のβ相を含む結晶構造」である点、請求項３における「電極活物質をＴi基体の表面に担持す際の熱処理によりＴaスパッタ層中のβ相からα相に結晶構造が変化するＴa金属薄膜でＴi基体表面を被覆」する点、および、請求項４における「β相を含むＴa金属薄膜でＴi基体表面を被覆」する点は無意味な構成要件である、と主張している。
　しかし、上記「１．主張１について」の欄に記載したとおり、請求人の「主張１」は採用できないので、これを前提とする当該「主張２」についても、採用することはできない。
　　
３．主張３及び４について
　請求人は、請求項３および４においては、請求項１でなされた「該中間層の結晶構造が電極活物質を担持する前段階において、Ｔaのスパッタ膜からなる中間層がＴaのα＋β混相であって、約３０〜５０％のβ相を含む結晶構造」とする点と同様の、結晶構造についての特定が欠如していると主張している。
　これについて検討すると、請求項３に記載された発明は、電極活物質をＴｉ基体の表面に担持する際の熱処理によりＴａスパッタ層中のβ相からα相への結晶構造の変化を必須構成要件とした発明であり、また、請求項４に記載された発明は、電極活物質を表面に担持する際の熱処理による結晶構造の変化を利用して、電極活物質／Ta薄膜界面にTaと電極活物質の構成元素との合金層を形成することを必須構成要件とした発明であって、これを、請求項１に記載された発明と同じく、Ｔａスパッタ膜についての特定の結晶構造を必須構成要件としなければならないとする合理的な理由はない。
　また、請求項１における「約３０−５０％」なるβ相の濃度は、発明の詳細な説明における「波高値から見て３０〜５０％程度のβ相が含有されている。」との記載からみて、発明の詳細な説明に記載されたものであって、かつ、特許を受けようとする発明の必須構成要件でもあると認められ、また、上記のとおりの濃度の記載の故に、当業者が容易に発明を実施することができないと認めることもできない。したがって、上記「約３０−５０％」と記載した点において、明細書の記載が不備であるとすることはできず、請求人の上記主張は採用できない。
　　
(VI-２)理由２（特許法第２９条第１項の規定に基く理由）について
（ａ）理由１（発明の新規性）について 
(a-1)本件特許発明１について 
　本件特許発明１と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証には、導電性金属基体上に電極活性物質を被覆した酸素発生陽極に係る発明が記載されており（摘記A1-1）、そして、甲第１号証には、電極活性物質として白金族金属もしくはその酸化物が好ましいこと（摘記A1-1、A1-3）、導電性金属基体としてチタンが用いられること（摘記A1-1、A-4）、該基体と電極活性物質被覆層との間に金属タンタル又はその合金を主成分とする薄膜中間層を設けること（摘記A-1、A-4）、金属タンタル又はその合金を含む金属をスパッタリング法により被着せしめること（摘記A1-1、A1-4）が記載され、また、両者は高耐久性電解用電極である点でも軌を一にしている（摘記A1-2、A1-5）。
　してみれば、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明と、　　
　電極活物質である白金族金属、白金族金属酸化物あるいは白金族金属複合酸化物を被覆したＴi電極において、Ｔi基体と前記電極活物質との界面にＴaのスパッタ膜を中間層として介在させ、電極活物質層／Ｔaスパッタ層／Ｔi基体を含む構造を有することを特徴とする高耐久性電解用電極、の点で一致し、そして以下の点（Ａ）及び（Ｂ）で相違する。
（Ａ）本件特許発明１では、上記中間層の結晶構造が、電極活物質を担持する前段階において、Ｔaのスパッタ膜からなる中間層がＴaのα＋β混相であって、約３０〜５０％のβ相を含む結晶構造とするものであるのに対して、甲第１号証にはその記載がない点。及び、
（Ｂ）本件特許発明１では電極の層構造が、電極活物質層／Ｔaスパッタ層への白金族金属の拡散層／Ｔaスパッタ層／Ｔi基体とからなる４層構造であるのに対して、甲第１号証に記載された発明では、電極活性物質被覆層、金属タンタル又はその合金を主成分とする薄膜中間層、及びチタン基体の記載があるものの、本件特許発明１の構成要件であるＴaスパッタ層への白金族金属の拡散層を、電極活物質層とＴaスパッタ層との間に設けることの記載がない点。
　そこで、これら相違点（Ａ）及び（Ｂ）について検討する。
　　
 相違点（Ａ）について
　電極活物質を担持する前段階において、Ｔaのスパッタ膜からなる中間層がＴaのα＋β混相であって、約３０〜５０％のβ相を含む結晶構造とする点については、甲第１号証に記載がなく、かつ、当技術分野で周知のことと認めることもできない。
　したがって、当該相違点（Ａ）は、両者の発明の実質的な相違点を構成するものと認められ、この点において、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明と実質的に相違する。
　　
 相違点（Ｂ）について
　甲第１号証には、電極活性物質の被覆法としては熱分解法が好ましく、金属塩溶液を数回塗布乾燥し最終的に３００〜８００℃、好ましくは３５０〜５５０℃の温度で加熱処理して、金属タンタルを主成分とする中間層を有する本発明電極を得ることが記載され（摘記A1-3）、そして、具体的には、実施例において、チタン板を高周波スパッタリング装置（〜１０2Ｔｏｒｒ・アルゴンガス、高周波印加電圧２ＫＶ）を用いて１時間処理を行い、タンタルを主成分とする中間層を基体上に形成させ、さらに、電極被覆液をタンタル薄膜中間層上に塗布し、１２０℃で１０分間乾燥した後、４９０℃に保持した電気炉中で２０分間焼成し、この電極活性物質の被覆操作を８回繰り返してイリジウム酸化物を電極活性物質とする電極を作成したことが記載されている（摘記A1-4）。そして、特許異議申立人は、上記の記載からみて、甲第１号証に記載された電極活性物質被覆層の形成の際の加熱処理においても、本件特許発明１と同様、Ｔaスパッタ層への白金族金属の拡散層が形成されているはずである、と主張している。
　そこで、この点について検討する。
　本件の明細書には、「熱力学的に準安定な相であるβ相は、ある一定温度の加熱により安定なα相へ構造変化するということである。しかも、β相は４５０℃という低い温度でα相へと構造変化することを確認した本発明者らは、この構造変化を利用して、酸化イリジウム／Ｉr 拡散層／Ｔa スパッタ中間層／Ｔi基体という構造を持つ電極を考案した。」（【0017】）、「Taスパッタ膜が、その他のバルブメタル（Ｔi、Ｚr、Ｎb）のスパッタ膜とは違い、バルク金属とは異なる結晶構造を持つという特殊性に着目し、更にこの特殊な結晶構造が電極活物質担持の際の熱処理温度により構造変化するという知見を得て、この構造変化を利用して、電極活物質を中間層内に拡散させるという方法を見いだし本発明を達成したものである。」（【0018】）、及び、「中間層の材質をTaスパッタ膜と限定した理由は・・・熱力学的に準安定なβ相を形成し、電極活物質を担持する際の熱処理で安定なα相へと構造変化するからである。」（【0022】）と、タンタルのα相とβ相の物性（安定性）の相違、加熱によるβ相からα相への結晶構造変化、及びその構造変化を利用した拡散層の形成について記載されているとともに、「スパッタリングの条件 (アルゴンガス圧、ターゲットへの投入エネルギー、ターゲット−基板距離、基板の種類、基板の下地処理、スパッタリングの際のアルゴン雰囲気における不純物ガスの影響等) により、スパッタ膜の結晶構造は異なる」（【0022】）と、スパッタリングの条件により、スパッタ膜の結晶構造が異なったものとなることが記載され、併せて、電極活物質を担持する前の段階で、β相を含む相が存在することを確認することが記載されている（【0026】）。
　一方、甲第１号証には、上記の拡散層の記載がないばかりでなく、その実施例（摘記A1-4）においては、〜１０2Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中、高周波印加電圧２ＫＶの高周波スパッタリング装置を用いて１時間処理を行うという、より具体的な条件下で金属タンタルを主成分とする中間層を形成したことが記載されているものの（摘記A1-4）、これにより形成されたタンタル中間層がβ相であり、あるいは、焼成、熱処理後に拡散層を形成していると認め得る根拠はない。
　してみれば、甲第１号証には、上記の拡散層が記載されているとはいえず、したがって、甲第１号証には、上記相違点（Ｂ）に係るＴaスパッタ層への白金族金属の拡散層が記載されているとすることはできない。
　以上のとおりであるから、本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明とは、上記の相違点（Ａ）及び（Ｂ）において実質的に相違し、したがって本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明ということはできない。
　　
 (a-2)本件特許発明２について
　本件特許発明２は、中間層スパッタ膜を多層とすることにより、本件特許発明１を限定するものであるから、本件特許発明１について上記（a-1）項に記載したと同様、本件特許発明２は、甲第１号証に記載された発明ということはできない。
　　
(a-3)本件特許発明３について
　本件特許発明３と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、両者は、「電極活物質である白金族金属、白金族金属酸化物あるいは白金族金属複合酸化物を被覆したＴi電極」、及び「高耐久性電解用電極」の点で一致している。
　しかしながら、甲第１号証には、上記（a-1）項の「相違点（Ｂ）について」に記載したとおり、拡散層が記載されているとは言えず、したがって、拡散合金層の存在を必須とした、「電極活物質をＴi基体の表面に担持す際の熱処理によりＴaスパッタ層中のβ相からα相に結晶構造が変化するＴa金属薄膜でＴi基体表面を被覆し、該Ｔi基体表面に所定の熱処理によって、電極活物質／Ｔa薄膜界面にＴaと電極活物質の構成元素との拡散合金層を有する」という、本件特許発明３の構成要件が、甲第１号証に記載されているとすることはできず、なおかつ、この点が、当技術分野で周知と認めることもできない。
　したがって、両者の発明はこの点で実質的に相違し、よって、本件特許発明３は、甲第１号証に記載された発明ということはできない。
　　
 (a-4)本件特許発明４について
　本件特許発明４を、甲第１号証に記載された発明と対比すると、両者は、「高耐久性電解用電極の製造方法」の点で一致している。
　しかしながら、甲第１号証には、上記（a-1）項の「相違点（Ｂ）について」に記載したとおり、拡散層が記載されているとは言えず、したがって、拡散合金層の形成を必須とした、「β相を含むＴa金属薄膜でＴi基体表面を被覆し、該Ｔi基体表面に白金族金属、白金族金属酸化物あるいは白金族金属複合酸化物からなる電極活物質を被覆し、該電極活物質を表面に担持する際の熱処理によるＴaスパッタ層の結晶構造の変化を利用して、電極活物質／Ｔa薄膜界面にＴaと電極活物質の構成元素との拡散合金層を形成する」という本件特許発明４の構成要件が、甲第１号証に記載されているとは言えず、なおかつ、この点が、当技術分野で周知と認めることもできない。
　したがって、両者の発明はこの点で実質的に相違し、よって、本件特許発明４は、甲第１号証に記載された発明ということはできない。
　　
（ｂ）理由２（発明の容易性）について
(b-1)本件特許発明１について
　本件特許発明１と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、両者の発明は、前記（a-1）項に記載したとおり、上記の相違点（Ａ）及び（Ｂ）において相違している。
　一方、甲第２号証には、純タンタル膜にはα−タンタルとβ−タンタルがあり、これらがスパッタ条件によっては、一つだけ時には混じりあったりすること、及び、一度条件を見出すと後は比較的安定に良いものを作ることができること（摘記A2-1）が記載されている。
　しかし、これら甲第２号証には上記相違点（Ａ）及び（Ｂ）に係る構成の記載はなく、したがって、甲第１号証に記載された発明と甲第２号証に記載された発明とを組み合わせても、本件特許発明１は、これら甲第１、２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
(b-2)本件特許発明２について
　本件特許発明２は、中間層スパッタ膜を多層とすることにより、本件特許発明１を限定するものであるから、本件特許発明１について上記（b-1）項に記載したと同様、本件特許発明２は、甲第１、２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
(b-3)本件特許発明３について
　本件特許発明３と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、両者の発明は、前記（a-3）項に記載したとおり、「電極活物質をＴi基体の表面に担持す際の熱処理によりＴaスパッタ層中のβ相からα相に結晶構造が変化するＴa金属薄膜でＴi基体表面を被覆し、該Ｔi基体表面に所定の熱処理によって、電極活物質／Ｔa薄膜界面にＴaと電極活物質の構成元素との拡散合金層を有する」、という本件特許発明３の構成要件が甲第１号証に記載されているとはいえない点で相違しており、そして、甲第２号証にも当該相違点に係る構成の記載はない。
　したがって、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された発明とを組み合わせても、本件特許発明３は、これら甲第１、２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
(b-4)本件特許発明４について 
　本件特許発明４と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、両者の発明は、前記（a-4）項に記載したとおり、「β相を含むＴa金属薄膜でＴi基体表面を被覆し、該Ｔi基体表面に白金族金属、白金族金属酸化物あるいは白金族金属複合酸化物からなる電極活物質を被覆し、該電極活物質を表面に担持する際の熱処理によるＴaスパッタ層の結晶構造の変化を利用して、電極活物質／Ｔa薄膜界面にＴaと電極活物質の構成元素との拡散合金層を形成する」、という本件特許発明４の構成要件が、甲第１号証に記載されているとはいえない点で相違しており、そして、甲第２号証にも当該相違点に係る構成の記載はない。
　したがって、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された発明とを組み合わせても、本件特許発明４は、これら甲第１、２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
ＶＩＩ．むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び提示した証拠方法によっては、本件特許の請求項１〜４に係る特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。