【事件の表示】
　平成　９年特許願第３５７４５３号「発光素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　７月　９日出願公開、特開平１１−１８６５９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年１２月２５日の出願であって、その請求項に係る発明は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】　絶縁基板と、該絶縁基板の上に積層されたｎ型層と、該ｎ型層の上に積層されたｐ型層と、該ｐ型層の外縁部を除去することにより前記ｎ型層を前記ｐ型層から露出させてその露出部分に設けられたｎ電極と、前記ｐ型層に設けられたｐ電極とを有した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｎ型層は、前記露出部分を除いて、そのｎ型層の側面の１／２以上７／８以下が、前記絶縁基板の側面位置より内側に位置し、かつ、ｐ型層の側面と略同じ位置となるように構成されていることを特徴とする発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１３１０６９号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、
（ア）「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、・・発光デバイスに使用される窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法に係り、特に、サファイア基板上に・・窒化ガリウム系化合物半導体（以下、窒化物半導体と記載する。）が積層された窒化物半導体ウエハーをチップ状に切断する方法に関する。」
（イ）「【０００６】【発明が解決しようとする課題】窒化物半導体の結晶性を傷めずに、ウエハーを正確にチップ状に分離することができれば、チップ形状を小さくでき、一枚のウエハーから多くのチップが得られるので生産性を向上させることができる。従って、本発明はこのような事情を鑑みてなされたもので、その目的とするところは、サファイアを基板とする窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形状、サイズを得るチップの製造方法を提供することにある。」
（ウ）「【００１２】・・図１はサファイア基板１の上にｎ型窒化物半導体層２（ｎ型層）と、ｐ型窒化物半導体層３（ｐ型層）とを積層したウエハーの模式断面図である。それらの窒化物半導体層側には所定のチップ形状になるように、第一の割り溝１１を線状に形成しており、・・【００１４】図３は第一の割り溝１１のエッチング深さを深くした状態を示している・・【００１５】このように図２、図３では第一の割り溝１１の深さ、第二の割り溝２２の深さを深くすることにより、切断距離を短くしてまっすぐに割れるようにしている」
（エ）「【００１６】図４は、図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図であり、第一の割り溝１１の形状を示していると同時に、チップ形状も示している。この図では、ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして、第一の割り溝１１を形成し、さらにｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状としており、この切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することができる。」なる記載がある。
　また、
（オ）図３の記載からみて、基板上下の割り溝（１１）（２２）に沿って切断した際に、ｎ型層（２）はサファイア基板（１）の側面位置（図３の点線参照）より内側に位置し、かつ、ｐ型層（３）の側面と略同じ位置に形成されることが明らかに読み取ることができる。
（カ）図３に示すウエハーも、図４のようにチップ状に切り出され、個々の発光素子が形成されるものであることは明らかであり、その際、上記（オ）から、各発光素子のｎ型層は基板側面位置より内側に位置しているものと読み取ることができる。
　以上により、引用例には、
「サファイア基板と、該サファイアの上に積層されたｎ型層と、該ｎ型層の上に積層されたｐ型層とを有した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｎ型層は前記サファイア基板の側面位置より内側に位置し、かつ、ｐ型層の側面と略同じ位置となるように構成されている発光素子」との発明（以下、「引用例発明」という。）が開示されている。
　
３．対比・判断
　そこで本願発明と引用例発明を対比すると、
　引用例発明の「サファイア基板」は本願発明の「絶縁基板」に相当し、またｐ−ｎ接合型の発光素子においてｐ型層にｐ電極を設けることは自明であることから、両者は、
「絶縁基板と、該絶縁基板の上に積層されたｎ型層と、該ｎ型層の上に積層されたｐ型層と、前記ｐ型層に設けられたｐ電極とを有した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｎ型層は、前記絶縁基板の側面位置より内側に位置し、かつ、ｐ型層の側面と略同じ位置となるように構成されている発光素子」
である点で一致し、以下の点で相違する。
[相違点１]
　本願発明は、ｐ型層の外縁部を除去することによりｎ型層をｐ型層から露出させてその露出部分にｎ電極を設けるものであるのに対し、引用例発明にはｎ型層を露出させｎ電極を設けることに関し直接の記載のない点。
[相違点２]
　本願発明は、ｎ型層が、露出部分を除いて、そのｎ型層の側面の１／２以上７／８以下において、絶縁基板の側面位置より内側に位置し、かつ、ｐ型層の側面と略同じ位置となるように構成されているのに対し、引用例発明には、かかる構成が記載されていない点。
　
　そこで上記相違点について検討する。
[相違点１]
　引用例図３に開示された実施態様（即ち引用例発明の実施態様に相当）は、第一の割り溝（１１）の深さを図１のものより深くすることで切断距離を短くして、よりまっすぐに割れるようにしたものであり、当該溝の深さ以外の引用例において図１に関し言及した部分が、図３の実施態様にも適用され得ることは明らかである。したがって図１の平面図である図４に関し、「ｐ型層（３）の隅部を半弧状に切り欠いた形状とし、この切り欠いた部分にｎ層の電極を形成する」旨の記載（上記２．（エ）参照）を、図３の実施態様に適用することで、引用例発明においてもｐ型層の外縁部を除去することによりｎ型層をｐ型層から露出させてその露出部分にｎ電極を設けることは自明の事項に過ぎない。請求人は請求の理由において、「引用例図４のｎ型層（２）を基板１に置換したものが図３に対応する平面図となることから、その場合ｎ型層（２）の露出部分は存在しない」旨主張しているが、図４のｐ型層切り欠き部の存在や、それにより露出したｎ型層にｎ電極を形成することに関する上記記載を全く考慮しておらず、採用し得ない。
　
[相違点２]
　上記[相違点１]で述べたように、引用例発明にもｐ型層の（隅部半弧状）切り欠き部分にｎ型層の露出部分が存在することが認められるところ、引用例には露出部分の寸法に関する記載がないので検討する。そもそも引用例発明において、ｎ型層は露出部分を含め絶縁基板の側面位置より内側に位置していることから、ｎ型層への分割ストレスの影響は克服されており（かかる課題は引用例においても認識されている（上記２．（イ）参照））、露出部分の寸法・形状は発光面積や発光効率等の要因を勘案し適宜設計することになるものと考えられ、その際例えば露出部分を素子全体の略１／４程度の寸法（本願図２ｄ（全周の６／８除去）に相当）に設計することも通常行われている周知の技術事項に過ぎないことから（例えば特開平８−２５０７６８号公報（図１、図３参照）、特開平８−１０２５５０号公報（図２、図３参照）、特開平８−６４８７２号公報（図１０参照））、引用例発明において、露出部分の寸法・形状を適宜設計した結果、露出部分を除いて基板内側に位置するｎ型層の割合を本願発明の数値範囲とすることは格別困難性なことではない。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。