Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月26日(2018.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
振り子レバー５６は、例えばプレート６０に固定された図１０に示すピン５８を中心に可動である。ピン５８の角度位置は、被駆動ディスク６２に対してねじ６１により調節可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
ブッシュ２２は自身の前方位置へと摺動し、ブッシュ２２上の放出部８０は、管に巻回されていたヤーン４４、４６で形成されたループを排出する。管１６およびブッシュ２２に対する放出部８０の位置をみると、放出部８０はスリット７４から離れたところでヤーン４４、４６に作用している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
締付部８６が管１６との間にヤーン４４、４６を挟んで管１６に当接すると、締付部８６は、管１６に巻回されたヤーンの部分とヤーン端部４８、５０との間に位置するヤーン４４、４６の部分を締付けて、ループを形成する。この締付部８６と管１６との軸方向の協動により、締付部８６の管１６内での更なる軸方向後方への移動が止められる。すなわち、締付部８６が締付配置にあるときは、締付部８６は、管１６に対して軸方向に固定された位置にあり、管１６に対してそれ以上移動しない。ヤーン４４、４６が２つの円錐台形表面３６、９０の間で締付けられる締付位置１１０は管１６に対して固定されている。また、締付位置１１０は、半径方向において、すなわち管１６の中央長手方向軸に対して横断方向において、管１６の長手方向軸に沿って移動する引張り部８４のフック９２の軌道と突出面３９との間に、位置づけられる。ニードルの後方への移動の間、引張り部８４のフック９２は自身の後方への移動を続け、それと同時に、管１６を通して、したがって、巻回されたヤーンにより形成されたループを通して、端部締付具４２からヤーンの自由端４８、５０を引張り、ノットを形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月26日(2018.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段へのデータの書き込みと読み出しを実行する記憶制御手段と、を有する情報処理装置において、
前記記憶手段へのクロック信号の供給を停止するクロック信号制御手段と、
前記記憶制御手段が前記記憶手段へのデータの書き込みと読み出しが可能な第１の状態から前記記憶手段へのデータの書き込み、読み出しのいずれもできない第２の状態への移行を指示する信号に基づいて、前記クロック信号制御手段に前記記憶手段へのクロック信号の供給を停止させた後、前記記憶制御手段を前記第１の状態から前記第２の状態へ移行させる移行手段と、を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記移行手段は、前記クロック信号制御手段に前記記憶手段へのクロック信号の供給を停止させた後、所定時間の経過に基づいて、前記記憶制御手段を前記第１の状態から前記第２の状態に移行させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記第１の状態は前記記憶制御手段に電力が供給されている状態であり、前記第２の電力状態は前記記憶制御手段に電力が供給されていない状態であることを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記移行手段は、前記記憶制御手段を前記第２の状態から前記第１の状態に移行させる信号に基づいて、前記記憶制御手段に前記第２の状態から前記第１の状態への移行を指示する信号を出力した後、前記クロック信号制御手段による前記記憶手段へのクロック信号の供給の停止をやめることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記移行手段は、前記記憶制御手段を前記第２の状態から前記第１の状態への移行させた後、所定の時間の経過に基づいて、前記クロック信号制御手段による前記記憶手段へのクロック信号の供給の停止をやめることを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記第２の電力状態は前記第１の電力状態よりも消費電力の低い電力状態であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段へのデータの書き込み、読み出しを制御する記憶制御手段と、を有する情報処理装置において、前記記憶手段へのクロック信号の出力及び停止を制御する第１の制御手段と、
前記第１の制御手段による前記クロック信号の停止に基づいて、前記記憶制御手段に対して当該記憶制御手段を第１の電力状態から前記第１の電力状態よりも省電力な第２の電力状態に移行させる第２の制御手段と、を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
前記第２の制御手段は、前記第１の制御手段による前記クロック信号の停止から第１の遅延時間の経過に基づいて、前記記憶制御手段を前記第１の電力状態から前記第２の電力状態に移行させることを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記第２の制御手段は、前記第１の制御手段による前記記憶手段へのクロック信号の出力に基づいて、前記記憶手段へのクロック信号の出力が開始される前に、前記記憶制御手段を前記第２の電力状態から前記第１の電力状態に移行させることを特徴とする請求項７または８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第２の制御手段が前記記憶制御手段を前記第２の電力状態から前記第１の電力状態に移行させてから第２の遅延時間の経過に基づいて、前記記憶手段への前記クロック信号の出力を開始するクロック信号制御手段をさらに有することを特徴とする請求項９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記第１の遅延時間は変更可能であることを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記第２の遅延時間は変更可能であることを特徴とする請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
制御信号に従って第１の電力状態から前記第１の電力状態より省電力な第２の電力状態に移行可能な複数の記憶制御手段がある場合、
前記第２の制御手段からの前記第２の電力状態から前記第１の電力状態への移行を指示する信号はは前記複数の記憶制御手段の間を中継され、前記複数の記憶手段のそれぞれに入力され、
前記クロック信号制御手段は、前記第２の電力状態から前記第１の電力状態への移行を指示する信号が最後に入力された記憶制御手段出力された前記信号に基づいて、前記クロックの出力を開始することを特徴とする請求項１０に記載の情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリを制御する情報処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の情報処理装置は、データを記憶する記憶手段と、前記記憶手段へのデータの書き込みと読み出しを実行する記憶制御手段と、を有する情報処理装置において、前記記憶手段へのクロック信号の供給を停止するクロック信号制御手段と、前記記憶制御手段が前記記憶手段へのデータの書き込みと読み出しが可能な第１の状態から前記記憶手段へのデータの書き込み、読み出しのいずれもできない第２の状態への移行を指示する信号に基づいて、前記クロック信号制御手段に前記記憶手段へのクロック信号の供給を停止させた後、前記記憶制御手段を前記第１の状態から前記第２の状態へ移行させる移行手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月17日(2018.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリアドレスごとに情報を記憶しその情報を読み出し可能なメモリであって、
このメモリは、
（ア）  外部から与えられる、各メモリアドレスに記憶された情報をメモリアドレス同士毎に比較するための第１の入力と、
（イ）  集合演算条件として（１）部分集合、（２）論理和、（３）論理積、（４）論理否定のいずれかの論理演算若しくはそれらの２以上の組み合わせ論理演算を選択可能に指定する第２の入力と、
を入力するための入力手段と、
前記第１の入力に基づき、各メモリアドレスに記憶された情報をメモリアドレス同士毎に比較し判定する手段と、
前記第１の入力に基づく判定結果を、前記第２の入力に基づいて論理演算する手段と、
この集合演算結果を出力する手段と 
を有することを特徴とする集合演算機能を備えたメモリ。
【請求項２】
前記第１の入力に基づき、各メモリアドレスに記憶された情報をメモリアドレス同士毎に比較し判定する手段は、
メモリアドレス毎にメモリに記憶された情報を並列に比較する手段と、
前記比較結果をメモリアドレス同士並列に比較して判定する手段と、
を有するものであることを特徴とする請求項１記載の集合演算機能を備えたメモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月23日(2018.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極及び負極の電極端子を有する複数の単電池の隣り合う前記電極端子間を接続するバスバーと、
前記バスバーに重ねられ前記単電池の状態を検知するための検知端子と、が備えられた配線モジュールであって、
前記検知端子には、前記バスバーに溶接される溶接部と、前記バスバーに設けられた係止部に係止して当該検知端子を前記溶接部が前記バスバーに重なった状態に保持する被係止部と、前記溶接部を前記バスバーに重なる平板形状に維持するように曲げ変形することを防ぐ補強部と、が設けられている配線モジュール。
【請求項２】
前記検知端子の前記補強部は、前記溶接部の一側縁に張り出した張り出し部が、前記溶接部の一面に密着した形態で折り返された構造を採ることで構成されている請求項１に記載の配線モジュール。
【請求項３】
前記検知端子の前記補強部が、前記溶接部の側縁に形成された立ち上がり部により構成されている請求項１に記載の配線モジュール。
【請求項４】
前記検知端子は前記単電池の電圧を検知する電圧検知端子である請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の配線モジュール。
【請求項５】
複数の単電池の隣り合う電極端子間を接続するバスバーに重ねられ、前記単電池の状態を検知することに用いる検知端子であって、
前記バスバーに溶接される溶接部と、前記バスバーに設けられた係止部に係止して当該検知端子を前記溶接部が前記バスバーに重なった状態に保持する被係止部と、前記溶接部を前記バスバーに重なる平板形状に維持するように曲げ変形することを防ぐ補強部と、が設けられている検知端子。
【請求項６】
複数の単電池の隣り合う電極端子間を接続するバスバーに重ねられ、前記単電池の状態を検知することに用いる検知端子であって、
前記バスバーに溶接される溶接部と、前記バスバーに設けられた係止部に係止して当該検知端子を前記溶接部が前記バスバーに重なった状態に保持する被係止部と、前記溶接部を前記バスバーに重なる平板形状に維持するように曲げ変形することを防ぐ補強部と、が設けられたものにおいて、
前記補強部が、前記溶接部の一側縁に張り出し形成された張り出し部が、前記溶接部の一面に密着して折り返されることにより形成されている検知端子の製造方法。
【請求項７】
複数の単電池の隣り合う電極端子間を接続するバスバーに重ねられ、前記単電池の状態を検知することに用いる検知端子であって、
前記バスバーに溶接される溶接部と、前記バスバーに設けられた係止部に係止して当該検知端子を前記溶接部が前記バスバーに重なった状態に保持する被係止部と、前記溶接部を前記バスバーに重なる平板形状に維持するように曲げ変形することを防ぐ補強部と、が設けられたものにおいて、
前記補強部が、前記溶接部の側縁に立ち上がり部を屈曲形成することで形成されている検知端子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月7日(2018.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連通孔を有する活物質集合体を形成する第１の工程と、
前記活物質集合体上にＬｉ2+XＣ1-XＢXＯ3（Ｘは０を超え１以下の実数を表す。）を含
む固形物を設置する第２の工程と、
前記固形物を溶融させる第３の工程と、
前記固形物の溶融物を固化し結晶化させる第４の工程と、を含み、
前記溶融物は、前記第３の工程において前記連通孔内に充填されることを特徴とす
る電極複合体の製造方法。
【請求項２】
前記第３の工程において、前記固形物を６５０℃以上９００℃以下の温度で加熱することを特徴とする請求項１に記載の電極複合体の製造方法。
【請求項３】
前記Ｌｉ2+XＣ1-XＢXＯ3におけるＸは、０．２以上０．６以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電極複合体の製造方法。
【請求項４】
前記固形物の量は、固化し結晶化した後に前記活物質集合体上に層を形成することができる量であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電極複合体の製造方法。
【請求項５】
連通孔を有する活物質集合体と、
少なくとも前記連通孔内にＬｉ2+XＣ1-XＢXＯ3（Ｘは０を超え１以下の実数を表す。）を含む結晶化された固体電解質と、
を有することを特徴とする電極複合体。
【請求項６】
前記活物質集合体を含む第１の層と前記活物質集合体を含まない第２の層とを有し、前記第１の層における前記固体電解質と前記第２の層における前記固体電解質とは連続していることを特徴とする請求項５に記載の電極複合体。
【請求項７】
請求項６に記載の電極複合体を有する電池であって、
前記第１の層側に設置された第１電極と、前記第２の層側に設置された第２電極と、を有することを特徴とする電池。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月31日(2018.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単位画素が配置されている画素アレイ部の前記単位画素が、
第１の光電変換部と、
前記第１の光電変換部より感度が低い第２の光電変換部と
を備え、
前記第２の光電変換部の光が入射する側に、遮光膜が形成されている
撮像装置。
【請求項２】
前記第２の光電変換部上には、入射される光を集光するためのレンズは形成されていない
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
隣接する光電変化部への光の漏れ込みを防ぐ遮光壁が、光電変換部間に備えられる
請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記遮光膜は、スリット形状である
請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
隣接する第２の光電変換部上に形成されている前記遮光膜のスリットの方向は、異なる方向とされている
請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
裏面型のイメージセンサである
請求項１乃至５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項７】
表面型のイメージセンサである
請求項１乃至５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項８】
前記遮光膜は、前記第２の光電変換部上に形成されている配線層の下側または上側に形成されている
請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記遮光膜は、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜、Ｇｅ膜、ＧａＮ膜、ＣｄＴｅ膜、ＧａＡｓ膜、ＩｎＰ膜、CuInSe2膜、Cu2S、CIGS膜、非導体構造のカーボン膜、黒色レジスト膜、有機光電変換膜、または金属膜である
請求項１乃至８のいずれかに記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月22日(2018.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第１導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表面側に位置する第２導電型の第１のベース領域と、
前記第１のベース領域内に位置する第１導電型のソース領域と、
前記第１のベース領域と前記ソース領域を貫通し、複数の面からなるトレンチ側壁を有し、格子状に形成されたトレンチと、
前記トレンチ内の前記トレンチ側壁に接して形成されたゲート絶縁膜と、
前記トレンチ内に前記ゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極と、
前記トレンチの交差部における角部に接する箇所に、前記角部以外の前記トレンチ側壁に接する箇所に形成された前記第１のベース領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する、第２導電型の第２のベース領域とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のベース領域は前記トレンチの交差部における角部から０．１μｍ〜０．５μｍの幅を持って形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のベース領域の第２導電型不純物濃度は、前記第１のベース領域の第２導電型不純物濃度より５×１０１６ｃｍ−３以上高いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた第１導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表面側に位置する第２導電型の第１のベース領域と、
前記第１のベース領域内に位置する第１導電型のソース領域と、
前記第１のベース領域と前記ソース領域を貫通し、複数の面からなるトレンチ側壁を有し、格子状に形成されたトレンチと、
前記トレンチ内の前記トレンチ側壁に接して形成されたゲート絶縁膜と、
前記トレンチ内に前記ゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極を有し、
前記ソース領域は前記トレンチの交差部における角部近傍から離れて形成され、前記角部以外の前記トレンチ側壁には接して形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記ソース領域は前記トレンチの交差部における角部から０．１μｍ以上離れていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体基板が炭化珪素半導体装置であり、前記ドリフト層が炭化珪素で構成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板上に、第１導電型のドリフト層となる第１導電型のエピタキシャル層を成長する工程と、
前記エピタキシャル層の表層部に第２導電型の第１のベース領域を形成する工程と、
前記第１のベース領域の表層部に第１導電型のソース領域を形成する工程と、
前記ドリフト層内に第１のベース領域より不純物濃度が高い、第２導電型の第２のベース領域を形成する工程と、
前記第１のベース領域と前記ソース領域を貫通するトレンチを、格子状に、前記トレンチの交差部における角部が前記第２のベース領域に接するように、前記第２のベース領域よりも深く、エッチングにより形成する工程と、
前記トレンチ内のトレンチ側壁に接するようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチ内に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を埋め込む工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板と前記ドリフト層が炭化珪素で構成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月20日(2018.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置となる個片化領域と、
前記個片化領域を周辺側から支持する外枠部と、を有し、
前記個片化領域は、
前記外枠部の上面から前記外枠部の下面方向に窪み、前記外枠部より薄型化された部分と、
前記外枠部の下面から前記外枠部の上面方向に窪み、前記外枠部より薄型化された部分と、を含み、
前記外枠部の厚さは、前記個片化領域の厚さよりも厚いリードフレーム。
【請求項２】
複数の前記個片化領域が配置され、
複数の前記個片化領域の周辺側に額縁状に形成された前記外枠部と、
前記外枠部の内側において夫々の前記個片化領域間に配置され、前記外枠部と連結するダムバーと、
夫々の前記個片化領域内に設けられ、前記外枠部又は前記ダムバーと連結されるサポートバーと、を有し、
前記外枠部の厚さは、前記サポートバーの厚さよりも厚い請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記外枠部の厚さは、前記サポートバー及び前記ダムバーの厚さよりも厚い請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記個片化領域は、封止樹脂による被覆領域を有し、
前記被覆領域には凹凸部が形成され、
前記凹凸部における凹部の平面形状は直径０．０２ｍｍ以上０．０６０ｍｍ以下の円、又は、直径０．０２ｍｍ以上０．０６０ｍｍ以下の外接円に接する多角形であり、
表面積がＳ０の平坦面に凹凸部を形成し、凹凸部の表面積がＳであった場合のＳ０とＳとの比率Ｓ／Ｓ０が１．７以上である請求項１乃至３の何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記リードフレームは、金属線の接続領域を備え、
前記接続領域に、前記凹凸部が形成されている請求項４に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記凹凸部上にめっき膜が形成され、
前記めっき膜が形成された前記凹凸部の前記比率Ｓ／Ｓ０が１．７以上である請求項４又は５に記載のリードフレーム。
【請求項７】
金属製の板材に、半導体装置となる個片化領域、及び前記個片化領域を周辺側から支持する外枠部を形成する工程と、
前記個片化領域の上面を露出し、前記外枠部の上面を被覆する第１レジストと、前記個片化領域の下面及び前記外枠部の下面を被覆する第２レジストと、を形成する工程と、
前記第１レジスト及び前記第２レジストをエッチングマスクとしてエッチングし、前記個片化領域を前記外枠部よりも薄型化する工程と、を有するリードフレームの製造方法。
【請求項８】
金属製の板材に、半導体装置を形成する個片化領域となる部分の上面及び前記個片化領域を周辺側から支持する外枠部となる部分の上面を被覆する第１レジストと、前記個片化領域となる部分の下面及び前記外枠部となる部分の下面を被覆する第２レジストと、を形成する工程と、
前記第１レジスト及び前記第２レジストをエッチングマスクとしてエッチングし、前記個片化領域及び前記外枠部を形成すると共に、前記個片化領域を前記外枠部よりも薄型化する工程と、を有し、
前記第１レジスト及び前記第２レジストを形成する工程では、前記第１レジストの前記個片化領域となる部分の上面を被覆する領域には、複数の開口部が縦横に形成されるリードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記薄型化する工程では、前記個片化領域の上面に凹凸部が形成され、
前記凹凸部における凹部の平面形状は直径０．０２ｍｍ以上０．０６０ｍｍ以下の円、又は、直径０．０２ｍｍ以上０．０６０ｍｍ以下の外接円に接する多角形であり、
表面積がＳ０の平坦面に凹凸部を形成し、凹凸部の表面積がＳであった場合のＳ０とＳとの比率Ｓ／Ｓ０が１．７以上である請求項８に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１０】
前記個片化領域及び前記外枠部を形成する工程では、
複数の前記個片化領域と、
複数の前記個片化領域の周辺側に額縁状に形成された前記外枠部と、
前記外枠部の内側において夫々の前記個片化領域間に配置され、前記外枠部と連結するダムバーと、
夫々の前記個片化領域内に設けられ、前記外枠部又は前記ダムバーと連結されるサポートバーと、が形成され、
前記薄型化する工程では、前記サポートバーを前記外枠部よりも薄型化する請求項８又は９に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１１】
前記薄型化する工程では、前記サポートバー及び前記ダムバーを前記外枠部よりも薄型化する請求項１０に記載のリードフレームの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本リードフレームは、半導体装置となる個片化領域と、前記個片化領域を周辺側から支持する外枠部と、を有し、前記個片化領域は、前記外枠部の上面から前記外枠部の下面方向に窪み、前記外枠部より薄型化された部分と、前記外枠部の下面から前記外枠部の上面方向に窪み、前記外枠部より薄型化された部分と、を含み、前記外枠部の厚さは、前記個片化領域の厚さよりも厚いことを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月2日(2018.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動子を搭載している第１基板と、
前記第１基板を収容しているパッケージと、を備え、
前記パッケージは、
ベース部材と、
前記ベース部材の一方の面から突出し、前記第１基板に当接しており、絶縁性を有する第１突出部と、を有することを特徴とする発振器。
【請求項２】
前記パッケージは、前記ベース部材の他方の面から突出し、絶縁性を有する第２突出部を備えている、請求項１に記載の発振器。
【請求項３】
前記ベース部材には、絶縁性を有する部材で充填された貫通孔が設けられており、
前記第１突出部および前記第２突出部は、前記部材と一体で構成されている、請求項２に記載の発振器。
【請求項４】
前記ベース部材の平面視で、前記第１突出部と前記第２突出部とが重なっている、請求項２または３に記載の発振器。
【請求項５】
前記ベース部材の平面視で、前記第１突出部と前記第２突出部とが重なっていない、請求項２に記載の発振器。
【請求項６】
前記ベース部材の平面視で、前記第１突出部の面積は、前記第２突出部の面積よりも小さい、請求項２ないし５のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項７】
前記第１突出部の突出高さは、前記第２突出部の突出高さよりも低い、請求項２ないし６のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項８】
前記第１基板は、前記第１突出部に当接する部分に凹部または貫通孔が設けられている、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項９】
前記第１突出部および前記第２突出部の少なくとも一方は、球面状をなす表面を有する、請求項２ないし８のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項１０】
前記第１基板および前記ベース部材を貫通し、前記第１基板と電気的に接続されており、導電性を有するピン部材を備える、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項１１】
前記第１突出部は、ガラスを含む、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項１２】
前記第１突出部を３つ以上有する、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項１３】
前記振動子の温度を制御する温度制御素子を備える、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の発振器。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の発振器を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の発振器を備えることを特徴とする基地局。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発振器、電子機器および基地局
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月8日(2018.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガス排気方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、前記処理室内にガスを供給する供給配管と、前記供給配管と連通する排気配管と、前記処理室内を排気する排気ポンプとを備える半導体製造装置に用いられるガスを排気するガス排気方法において、
前記供給配管の内部に形成された硬質皮膜との反応により反応化合物を形成するガスを前記供給配管に充填する工程と、
前記供給配管に充填されたガスと前記反応化合物とを所定の圧力にて前記排気配管を介して前記排気ポンプにより排気する工程とを有し、
前記所定の圧力は、前記反応化合物が気化する圧力であることを特徴とするガス排気方法。
【請求項２】
請求項１記載のガス排気方法において、
前記供給配管に充填されたガスは、ハロゲン系ガスであることを特徴とするガス排気方法。
【請求項３】
請求項２記載のガス排気方法において、
前記ハロゲン系ガスは、塩化珪素ガス、塩素ガス、三塩化ホウ素ガスまたは臭化水素ガスであることを特徴とするガス排気方法。
【請求項４】
請求項１記載のガス排気方法において、
前記硬質皮膜は、クロム酸化物であることを特徴とするガス排気方法。
【請求項５】
請求項４記載のガス排気方法において、
前記反応化合物は、塩化クロミルであり、
前記所定の圧力は、１．９ｋＰａ以下の圧力であることを特徴とするガス排気方法。
【請求項６】
請求項１記載のガス排気方法において、
前記供給配管の温度は、２０℃以上、かつ９０℃以下の温度であることを特徴とするガス排気方法。
【請求項７】
請求項１記載のガス排気方法において、
前記供給配管の内部に形成された硬質皮膜との反応により反応化合物を形成するガスを前記供給配管に充填する時間は、１０分以上の時間であることを特徴とするガス排気方法。
【請求項８】
請求項１記載のガス排気方法において、
前記充填する工程と前記排気する工程とを交互に１０回以上繰り返すことを特徴とするガス排気方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月1日(2018.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ヒータ部と、
前記第１ヒータ部とは独立して制御される第２ヒータ部と、
前記第１ヒータ部と前記第２ヒータ部との間に対応する領域に溝が設けられた基材と、
前記溝の開口端に配置され、前記溝と共に閉空間を提供する蓋部と、
を有することを特徴とするヒータユニット。
【請求項２】
前記閉空間は、真空であることを特徴とする請求項１に記載のヒータユニット。
【請求項３】
前記閉空間は、ガスが充填されていることを特徴とする請求項１に記載のヒータユニット。
【請求項４】
前記閉空間は、前記基材より熱伝導率が低い物質が充填されていることを特徴とする請求項１に記載のヒータユニット。
【請求項５】
前記第１ヒータ部及び前記第２ヒータ部を覆う絶縁層と、
前記絶縁層を介して前記基材に取り付けられた静電チャックと、
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のヒータユニット。
【請求項６】
前記第１ヒータ部と前記第２ヒータ部との間に、前記絶縁層が除去された領域が設けられていることを特徴とする請求項５に記載のヒータユニット。
【請求項７】
前記溝は、前記基材の平面視においてリング状に設けられ、
前記蓋部は、リング形状であることを特徴とする請求項１に記載のヒータユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
基材１２０はカバー部１１０上に配置されている。上記のように基材１２０には、第１ヒータ部１４２と第２ヒータ部１４４との間に対応する領域に第１の溝１２３が設けられ、第２ヒータ部１４４と第３ヒータ部１４６との間に対応する領域に第２の溝１２５が設けられている。第１の溝１２３及び第２の溝１２５は、基材１２０の上面側に開口端を有し、基材１２０の下面側に底部を有する凹部である。第１の溝１２３及び第２の溝１２５の基材１２０に対する深さは基板１２０の表面から５ｍｍ以上（基板１２０の板厚マイナス５ｍｍ以下）である。ここで、第１の溝１２３は基材１２０の第１ゾーン１２２と第２ゾーン１２４との間に設けられており、第２の溝１２５は第２ゾーン１２４と第３ゾーン１２６との間に設けられている、ということもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月10日(2018.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷部と、
前記印刷部の制御プログラムを記憶する第１の不揮発性記憶部と、
書き換え可能にデータを記憶する第２の不揮発性記憶部と、
制御部と、を備え、
前記第２の不揮発性記憶部は、
前記制御部がダウンロードした更新用の前記制御プログラムを記憶し、
前記制御部は、
電源オンの後、または、リセット処理の後に、前記第２の不揮発性記憶部に、更新用の前記制御プログラムがあると判定した場合、前記第１の不揮発性記憶部が記憶する前記制御プログラムを、更新用の前記制御プログラムに更新し、
更新した後に、前記第２の不揮発性記憶部が記憶する更新用の前記制御プログラムを削除することを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記印刷装置の電源オンの後、または、前記印刷装置のリセット処理の後に、前記第２の不揮発性記憶部に、更新用の前記制御プログラムがないと判定した場合、前記第１の不揮発性記憶部が記憶する前記制御プログラムを実行することを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】
前記第２の不揮発性記憶部は、起動プログラムを記憶し、
前記制御部は、電源オンの後、または、リセット処理の後に、前記起動プログラムを実行して、前記第２の不揮発性記憶部に、更新用の前記制御プログラムがあるか否かを判定し、
前記起動プログラムは、前記第２の不揮発性記憶部のプログラム領域のうち、書き込みが禁止された前記プログラム領域に記憶されることを特徴とする請求項１又は２に記載の印刷装置。
【請求項４】
揮発性記憶部を備え、
前記揮発性記憶部は、前記制御部がダウンロードを開始して完了するまでの更新用の前記制御プログラムを記憶し、
前記制御部は、ダウンロードを完了した後に、前記揮発性記憶部が記憶した更新用の前記制御プログラムを前記第２の不揮発性記憶部に記憶することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の印刷装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１の不揮発性記憶部が記憶する前記制御プログラムを、更新用の前記制御プログラムに更新完了するまで、前記第２の不揮発性記憶部が記憶する更新用の前記制御プログラムを削除しないことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の印刷装置。
【請求項６】
印刷部と、
前記印刷部の制御プログラムを記憶する第１の不揮発性記憶部と、
書き換え可能にデータを記憶する第２の不揮発性記憶部と、を備える印刷装置の制御方法であって、
ダウンロードした更新用の制御プログラムを、前記第２の不揮発性記憶部に記憶し、
電源オンの後、または、リセット処理の後に、前記第２の不揮発性記憶部に、更新用の前記制御プログラムがあるかを判定し、
更新用の前記制御プログラムがある場合に、前記第１の不揮発性記憶部が記憶する前記制御プログラムを、更新用の前記制御プログラムに更新し、
更新した後に、前記第２の不揮発性記憶部が記憶する更新用の前記制御プログラムを削除することを特徴とする印刷装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月19日(2018.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の駆動電極と、前記複数の駆動電極の少なくとも一部と各々が重なる複数の第１タッチ検出電極と、を有するタッチ検出装置であって、
前記複数の駆動電極は、第１のピッチで第１方向に並設する第１駆動電極群と、前記第１のピッチよりも小さい第２のピッチで前記第１方向に並設する第２駆動電極群と、を含み、
前記第２駆動電極群へ一括で駆動信号を印加する第１モードと、前記第２駆動電極群の各々へ個別に駆動信号を印加する第２モードとを備える、タッチ検出装置。
【請求項２】
前記第１駆動電極群に含まれる前記駆動電極は、前記第１方向に延びる第１の幅を有し、
前記第２駆動電極群に含まれる前記駆動電極は、前記第１方向に延びる第２の幅を有し、
前記第１の幅は、前記第２の幅よりも大きい、請求項１に記載のタッチ検出装置。
【請求項３】
前記第２駆動電極群は、前記第１方向の第１端部に位置する第１駆動電極と、前記第１端部と対向する第２端部に位置する第２駆動電極とを含み、
前記第１駆動電極の前記第２駆動電極とは反対側の端部から、前記第２駆動電極の前記第１駆動電極とは反対側の端部までの距離は、前記第１の幅と等しい、請求項２に記載のタッチ検出装置。
【請求項４】
前記第２駆動電極群は、前記第１駆動電極群のうち、互いに隣接する２つの前記駆動電極の間に位置する、請求項１から請求項３の何れか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項５】
前記第２駆動電極群は、前記第１方向の一方の側では、前記第１駆動電極群に含まれる前記駆動電極と隣接し、前記第１方向の他方の側では、前記第１駆動電極群に含まれる前記駆動電極と隣接しない、請求項１から請求項３の何れか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項６】
前記第２駆動電極群と重なり、前記駆動電極が延びる方向と交差する方向に延びる第２タッチ検出電極を有し、
前記第２タッチ検出電極の幅は、前記第１タッチ検出電極の幅よりも小さい、請求項１から請求項５の何れか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項７】
前記第２タッチ検出電極は１つであり、前記第２駆動電極群に含まれる前記駆動電極の全てと重なる、請求項６に記載のタッチ検出装置。
【請求項８】
前記第２タッチ検出電極を２つ有し、
２つの前記第２タッチ検出電極のそれぞれは、前記交差する方向の第３端部と、前記第３端部とは反対側に位置する第４端部と、を有し、
２つの前記第２タッチ検出電極の一方は前記第３端部で第１配線と接続し、他方は前記第４端部で第２配線と接続する、請求項６に記載のタッチ検出装置。
【請求項９】
前記第２タッチ検出電極を複数有し、
複数の前記第１タッチ検出電極は、第３のピッチで前記第１方向と交差する第２方向に並設し、
複数の前記第２タッチ検出電極は、第４のピッチで前記第２方向に並設し、
前記第３のピッチは前記第４のピッチよりも大きい、請求項６に記載のタッチ検出装置。
【請求項１０】
複数の前記第２タッチ検出電極は、複数の前記第１タッチ検出電極のうち、互いに隣接する２つの前記第１タッチ検出電極の間に位置する、請求項９に記載のタッチ検出装置。
【請求項１１】
前記第１タッチ検出電極と前記第２タッチ検出電極とは、同層に位置する、請求項６から請求項１０の何れか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項１２】
前記第１タッチ検出電極と前記第２タッチ検出電極とは、互いに異なる層に位置する、請求項６から請求項１０の何れか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項１３】
タッチ操作が行われる第１面を備え、前記複数の駆動電極を被覆する被覆部材を有し、
前記被覆部材は、前記第１面と対向する第２面に凹部を有し、
前記第２タッチ検出電極は、前記凹部に位置する、請求項６から請求項１２の何れか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項１４】
前記第１タッチ検出電極の出力が供給される第１タッチ検出部と、前記第２タッチ検出電極の出力が供給される第２タッチ検出部と、を有し、
前記第１タッチ検出部と前記第２タッチ検出部とは、互いに独立して駆動される、請求項６から請求項１３の何れか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項１５】
フレキシブルプリント基板を有し、
前記第１タッチ検出部と前記第２タッチ検出部とは、互いに離間して、前記フレキシブルプリント基板に位置する、請求項１４に記載のタッチ検出装置。
【請求項１６】
前記第１モードにおいてタッチ検出を行う期間よりも、前記第２モードにおいてタッチ検出を行う期間の方が長い、請求項１から請求項１５の何れか１項に記載のタッチ検出装置。
【請求項１７】
複数の駆動電極と、前記複数の駆動電極の少なくとも一部と各々が重なる複数のタッチ検出電極と、を有するタッチ検出装置であって、
前記複数の駆動電極は、第１のピッチで第１方向に並設する第１駆動電極群と、前記第１のピッチよりも小さい第２のピッチで前記第１方向に並設する第２駆動電極群と、を含み、
前記複数のタッチ検出電極は、第３のピッチで前記第１方向と交差する第２方向に並設する第１タッチ検出電極群と、前記第３のピッチよりも小さい第４のピッチで前記第２方向に並設する第２タッチ検出電極群と、を含み、
前記第１駆動電極群に含まれる前記駆動電極は、前記第１方向に延びる第１の幅を有し、
前記第２駆動電極群に含まれる前記駆動電極は、前記第１方向に延び、前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有し、
前記第１タッチ検出電極群に含まれる前記タッチ検出電極は、前記第２方向に延びる第３の幅を有し、
前記第２タッチ検出電極群に含まれる前記タッチ検出電極は、前記第２方向に延び、前記第３の幅よりも小さい第４の幅を有する、タッチ検出装置。
【請求項１８】
複数の駆動電極と、前記複数の駆動電極の少なくとも一部と各々が重なる複数の第１タッチ検出電極と、表示素子と、を有するタッチ検出機能付き表示装置であって、
前記複数の駆動電極は、第１のピッチで第１方向に並設する第１駆動電極群と、前記第１のピッチよりも小さい第２のピッチで前記第１方向に並設する第２駆動電極群と、を含み、
前記第２駆動電極群へ一括で駆動信号を印加する第１モードと、前記第２駆動電極群の各々へ個別に駆動信号を印加する第２モードとを備える、タッチ検出機能付き表示装置。
【請求項１９】
前記第２駆動電極群と重なり、前記駆動電極が延びる方向と交差する方向に延びる複数の第２タッチ検出電極を有し、
複数の前記第１タッチ検出電極は、第３のピッチで前記第１方向と交差する第２方向に並設し、
複数の前記第２タッチ検出電極は、第４のピッチで前記第２方向に並設し、
前記第３のピッチは前記第４のピッチよりも大きい、請求項１８に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【請求項２０】
画素信号が供給される複数の画素を有し、
１つのフレーム期間に、前記複数の画素の各々へ前記画素信号が供給され、かつ前記複数の駆動電極の各々へ前記駆動信号が供給され、
前記１つのフレーム期間は、画像を出力する期間とタッチ検出を行う期間とを含み、
前記第１モードと前記第２モードとが前記フレーム期間毎に交互に切り替わる、請求項１８又は請求項１９に記載のタッチ検出機能付き表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月5日(2018.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの提供者とデータの利用者の間を仲介するデータ流通管理システムであって、
データの提供者から、提供するデータの仕様を記述したデータディスクリプション情報と、データの提供者が提供に同意するために満足すべき条件である提供側の希望条件を記述した提供申請情報とを含む提供側メタデータを取得する提供側メタデータ取得手段と、
データの利用者から、利用したいデータの仕様を記述したデータディスクリプション情報と、データの利用者が利用に同意するために満足すべき条件である利用側の希望条件を記述した利用申請情報とを含む利用側メタデータを取得する利用側メタデータ取得手段と、
前記提供側メタデータと前記利用側メタデータを比較し、データの仕様及び希望条件がマッチした場合に、前記提供者から前記利用者へのデータ提供に係る契約情報を生成するマッチング手段と、
前記契約情報にしたがって、前記提供者から提供されるデータを前記利用者の端末へ送信するデータ配信手段と、を備え、
前記契約情報は、契約が自動的に成立することについて前記提供者及び前記利用者の双方が同意したことを示す同意文書を特定可能な情報を含む、
ことを特徴とするデータ流通管理システム。
【請求項２】
前記提供者の提供側装置からネットワークを介してデータを収集する手順を定義した情報であるデータ収集設定条件にしたがって前記提供側装置から自動的にデータを収集するデータ収集手段と、をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載のデータ流通管理システム。
【請求項３】
前記提供側メタデータ取得手段は、前記データ収集設定条件を、提供側メタデータとして前記提供者から取得する
ことを特徴とする請求項２に記載のデータ流通管理システム。
【請求項４】
前記データ収集設定条件は、前記提供側装置が他の装置に対し利用可能とするデータ取得用ＡＰＩの情報を含む
ことを特徴とする請求項２又は３に記載のデータ流通管理システム。
【請求項５】
前記データ収集設定条件は、データを取得する期間及び／又は時刻に関する情報を含むことを特徴とする請求項２〜４のうちいずれか１項に記載のデータ流通管理システム。
【請求項６】
前記データ収集設定条件に基づいて、前記提供側装置からのデータ収集を実行する日時を規定した収集タスクを生成するタスク生成手段をさらに備え、
前記データ収集手段は、実行する日時に達した収集タスクを実行する
ことを特徴とする請求項５に記載のデータ流通管理システム。
【請求項７】
データの提供者が独自に作成したデータフォーマットの仕様に関する情報であるデータフォーマット仕様情報を前記提供者から取得し、データフォーマット仕様情報データベースに登録するデータフォーマット仕様情報登録手段をさらに備え、
前記データディスクリプション情報は、前記データフォーマット仕様情報データベースに登録されたデータフォーマット仕様情報を特定するフォーマットＩＤを記述可能であることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項に記載のデータ流通管理システム。
【請求項８】
前記データフォーマット仕様情報は、データフォーマットの仕様の記述、データフォーマットの仕様を記述したファイルの情報、データフォーマットの仕様を記述したリソースのＵＲＩのうち少なくともいずれかを含む
ことを特徴とする請求項７に記載のデータ流通管理システム。
【請求項９】
前記データフォーマット仕様情報は、当該データフォーマットと互換性のあるデータフォーマットのフォーマットＩＤである互換性フォーマットＩＤを記述可能である
ことを特徴とする請求項７又は８に記載のデータ流通管理システム。
【請求項１０】
前記マッチング手段は、
前記データフォーマット仕様情報データベースから、前記提供側メタデータに含まれるデータディスクリプション情報に記述された提供側のフォーマットＩＤに関する互換性フォーマットＩＤを取得し、
前記利用側メタデータに含まれるデータディスクリプション情報に記述された利用側のフォーマットＩＤが、前記提供側のフォーマットＩＤとその互換性フォーマットＩＤのうちのいずれかと一致した場合に、データフォーマットがマッチすると判断する
ことを特徴とする請求項７〜９のうちいずれか１項に記載のデータ流通管理システム。
【請求項１１】
前記提供者が独自に作成したデータフォーマットのデータを利用するためのプログラムであるデータリーダを格納するデータリーダデータベースをさらに備え、
前記データリーダデータベースは、前記提供者が独自に作成したデータフォーマットのデータを利用する利用者の端末に対し、当該データを利用するためのデータリーダを提供可能である
ことを特徴とする請求項１〜１０のうちいずれか１項に記載のデータ流通管理システム。
【請求項１２】
前記データリーダは、前記提供者が独自に作成したデータフォーマットのデータを汎用のデータフォーマットに準拠したデータに変換する機能を有するプログラムであり、
前記データディスクリプション情報は、前記汎用のデータフォーマットを特定するための情報を記述可能である
ことを特徴とする請求項１１に記載のデータ流通管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の絶縁膜に形成された第一の開口部に金属膜を埋め込むことにより第一の電極を形成する第一の工程と、
前記第一の電極を露出させる第二の開口部を有する第二の絶縁膜を前記第一の絶縁膜の上方に形成する第二の工程と、
前記第二の開口部内に露出した前記第一の電極の上方に多層素子膜を形成する第三の工程と、
前記多層素子膜の上方にプラズマエッチング用マスクを形成する第四の工程と、
前記プラズマエッチング用マスクをマスクとして前記多層素子膜をプラズマエッチングする第五の工程とを有し、
前記多層素子膜は、第一の磁性体膜と前記第一の磁性体膜の上方に配置された金属酸化膜と前記金属酸化膜の上方に配置された第二の磁性体膜を含む
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスの製造方法において、
前記プラズマエッチング用マスクは、前記多層素子膜の上方に埋め込まれた第二の電極となる金属膜をエッチバックまたは研磨することにより形成されることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のデバイスの製造方法において、
前記第二の開口部の断面形状は、ディンプル状の形状であることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のデバイスの製造方法において、
前記第二の開口部の断面形状は、概ね垂直形状であることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法において、
前記第五の工程は、クラスターイオンビームを用いて行われることを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デバイスの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月13日(2018.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
断熱層４２は、第２反射層２４上に設けられている。断熱層４２は、第２反射層２４と熱拡散層４０との間に設けられている。断熱層４２の平面形状は、例えば、円形である。平面視において、断熱層４２の面積と熱拡散層４０の面積とは、例えば、同じである。断熱層４２の熱伝導率は、第２反射層２４の熱伝導率よりも低い。具体的には、断熱層４２の熱伝導率は、第２反射層２４を構成する高屈折率層の熱伝導率よりも低く、かつ第２反射層２４を構成する低屈折率層の熱伝導率よりも低い。断熱層４２は、例えば、酸化アルミニウム層（ＡｌｘＯｙ層）である。例えば、Ａｌ２Ｏ３の熱伝導率は、０．３Ｗ／（ｃｍ・Ｋ）である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月6日(2018.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装される実装領域内に形成されたパッドと、前記パッドから平面方向に延出された回路パターンとを有する配線パターンと、
前記配線パターンの下面及び側面を被覆し、前記配線パターンの上面の一部を露出する絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、前記配線パターンの上面の外縁部全周を連続して被覆する被覆部を有し、
前記絶縁層の上面は、前記配線パターンの上面よりも上方に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線パターンの上面は、前記外縁部以外の部分が前記絶縁層から露出していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記被覆部の側面は、凸型Ｒ形状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層と接する前記配線パターンの表面全面は、前記絶縁層から露出された前記配線パターンの上面よりも表面粗度の大きい粗化面であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記絶縁層の上面は、前記被覆部の側面よりも表面粗度の大きい粗化面であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記配線パターンは、前記回路パターンを介して前記パッドと接続された接続パッドを有し、
前記絶縁層は、前記接続パッドの下面の一部を露出する貫通孔を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記貫通孔に露出された前記接続パッドの下面に形成された表面処理層と、
前記絶縁層から露出された前記パッドの上面に形成された表面処理層と、
を有することを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記パッドと電気的に接続され、前記配線基板に実装された半導体素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
支持基板を準備する工程と、
前記支持基板の下面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の下面に配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンをマスクにして、前記金属膜を前記配線パターン及び前記支持基板に対して選択的に除去し、前記配線パターンの上面の外縁部を露出する凹部を前記金属膜に形成する工程と、
前記配線パターンの下面全面及び側面全面を被覆するとともに、前記凹部を充填する絶縁層を形成する工程と、
前記支持基板を除去する工程と、
前記金属膜を除去する工程と、を有し、
前記絶縁層には、前記配線パターンの上面の外縁部全周を連続して被覆する被覆部が形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記凹部を形成する工程の後であって、前記絶縁層を形成する工程の前に、前記配線パターンと前記凹部に露出する前記支持基板とに対して選択的に粗化処理を施す工程を有することを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記凹部を形成する工程では、等方性エッチングにより、前記金属膜を除去して前記凹部を形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載の配線基板の製造方法。