【手続補正書】
【提出日】平成30年7月9日(2018.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ生産プロセスで使用されるエピタキシャル反応炉内の温度を制御するために、加熱装置の出力パワーオフセットを決定する方法であって、
該方法は、メモリと接続された計算装置によって実装されるものであり、
（ａ）エピタキシャル反応炉の第１ゾーンでの加熱装置に、基本出力パワーを表す出力パワー命令を送信することと、
（ｂ）エピタキシャル反応炉の第１ゾーンでの温度がターゲット温度に到達する実際の時間を決定することと、
（ｃ）実際の時間と基準の時間との間の差を決定することと、
（ｄ）この差に基づいて出力パワーオフセットを決定することと、
（ｅ）加熱装置と関連してメモリに出力パワーオフセットを保存することと、
（ｆ）決定された出力パワーオフセットが、第１ゾーンでの温度を、予め定めた基準時間の範囲内にターゲット温度に到達させるまで、ステップ（ａ）〜（ｅ）を繰り返して、出力パワーオフセットを調整することとを含み、
各後続の基本出力パワーが、前回の基本出力パワー＋現在の出力パワーオフセットに等しい、方法。
【請求項２】
出力パワー命令は、第１出力パワー命令であり、
前記方法は、加熱装置に、基本出力パワーと保存した出力パワーオフセットの合計を表す第２出力パワー命令を送信することをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
実際の時間は、第１の実際の時間であり、
差は、第１の差であり、
前記方法は、第２出力パワー命令を送信した後、ターゲット温度に到達するために、エピタキシャル反応炉の第１ゾーン用の第２の実際の時間を決定することと、
第２の実際の時間と基準の時間との間の第２の差を決定することと、
この第２の差に基づいて出力パワーオフセットを調整することとをさらに含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
出力パワー命令は、第１出力パワー命令であり、
第１ゾーンは、エピタキシャル反応炉での複数のゾーンのうちの１つであり、
加熱装置は、エピタキシャル反応炉での複数の加熱装置のうちの第１加熱装置であり、
前記方法は、第２出力パワー命令を、第２ゾーンと関連した第２加熱装置に送信することと、
第３出力パワー命令を、第３ゾーンと関連した第３加熱装置に送信することと、
第４出力パワー命令を、第４ゾーンと関連した第４加熱装置に送信することとをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
出力パワー命令は、第１出力パワー命令であり、
第１ゾーンは、エピタキシャル反応炉での複数のゾーンのうちの１つであり、
加熱装置は、エピタキシャル反応炉での複数の加熱装置のうちの第１加熱装置であり、
前記方法は、第２出力パワー命令を、第２ゾーンと関連した第２加熱装置に送信することをさらに含み、
第２出力パワー命令は、少なくとも、第１加熱装置と関連した、基本出力パワーと出力パワーオフセットの合計の比率を表す、請求項１記載の方法。
【請求項６】
基本出力パワーは、第１基本出力パワーであり、
出力パワーオフセットは、第１出力パワーオフセットであり、
第２出力パワー命令を送信することは、第２加熱装置と関連した、第２基本出力パワーおよび第２パワーオフセットをさらに表す第２出力パワー命令を送信することを含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
第１出力パワー命令を送信することは、ウエハ生産プロセスの第１段階で第１出力パワー命令を送信することをさらに含み、
第２出力パワー命令を送信することは、ウエハ生産プロセスの第２段階で第２出力パワー命令を送信することをさらに含み、
第２段階は、第１段階とは同時期ではない、請求項５記載の方法。
【請求項８】
ウエハ生産プロセスで使用されるエピタキシャル反応炉内の温度を制御するために、加熱装置の出力パワーオフセットを決定するためのシステムであって、
前記システムは、メモリと接続された計算装置を備えており、
前記計算装置は、
（ａ）エピタキシャル反応炉の個々の加熱ゾーンでの複数の加熱装置に、複数の加熱装置の各加熱装置に供給される個々の基本出力パワーを表す個別の出力パワー命令を送信し、
（ｂ）エピタキシャル反応炉の個々の加熱ゾーンでの温度がターゲット温度に到達する実際の時間を決定し、
（ｃ）実際の時間と個々の基準の時間との間の差を決定し、
（ｄ）この差に基づいて、複数の加熱装置の各々について出力パワーオフセットを決定し、
（ｅ）個々の加熱装置と関連してメモリに、複数の加熱装置の各々について出力パワーオフセットを保存し、
（ｆ）決定された出力パワーオフセットが、個々の加熱ゾーンでの温度を、予め定めた基準時間の範囲内にターゲット温度に到達させるまで、ステップ（ａ）〜（ｅ）を繰り返して、出力パワーオフセットを調整するように構成され、
各後続の個々の基本出力パワーが、前回の個々の基本出力パワー＋現在の個々の出力パワーオフセットに等しい、システム。
【請求項９】
個別の出力パワー命令は、第１出力パワー命令であり、
前記計算装置はさらに、複数の加熱装置の各々に、個別の基本出力パワーと複数の加熱装置の各々について決定した出力パワーオフセットの合計を表す第２の個別の出力パワー命令を送信するように構成される、請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
実際の時間は、第１の実際の時間であり、
差は、第１の差であり、
前記計算装置はさらに、第２出力パワー命令を送信した後、ターゲット温度に到達するために、エピタキシャル反応炉の個々の加熱ゾーン用の第２の実際の時間を決定し、
第２の実際の時間と個々の基準の時間との間の第２の差を決定し、
この個々の第２の差に基づいて、複数の加熱装置の各々の出力パワーオフセットを調整するように構成される請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
個別の出力パワー命令は、第１出力パワー命令であり、
加熱装置は、エピタキシャル反応炉での複数の加熱装置のうちの第１加熱装置であり、
前記計算装置はさらに、第２の個別の出力パワー命令を、第２ゾーンと関連した複数の加熱装置のうちの第２加熱装置に送信し、
第３出力パワー命令を、第３ゾーンと関連した第３加熱装置に送信し、
第４出力パワー命令を、第４ゾーンと関連した第４加熱装置に送信するように構成される請求項８記載のシステム。
【請求項１２】
出力パワー命令は、第１出力パワー命令であり、
第１ゾーンは、エピタキシャル反応炉での複数のゾーンのうちの１つであり、
加熱装置は、エピタキシャル反応炉での複数の加熱装置のうちの第１加熱装置であり、
前記計算装置はさらに、第２出力パワー命令を、第２ゾーンと関連した第２加熱装置に送信するように構成され、
第２出力パワー命令は、少なくとも、第１加熱装置と関連した、基本出力パワーと出力パワーオフセットの合計の比率を表す、請求項８記載のシステム。
【請求項１３】
基本出力パワーは、第１基本出力パワーであり、
出力パワーオフセットは、第１出力パワーオフセットであり、
前記計算装置はさらに、第２出力パワー命令を送信することは、第２加熱装置と関連した、第２基本出力パワーおよび第２パワーオフセットをさらに表す第２出力パワー命令を送信することを含むように構成される請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
前記計算装置はさらに、
第１出力パワー命令を送信することは、ウエハ生産プロセスの第１段階で第１出力パワー命令を送信することをさらに含み、
第２出力パワー命令を送信することは、ウエハ生産プロセスの第２段階で第２出力パワー命令を送信することをさらに含み、
第２段階は、第１段階とは同時期ではないように構成される請求項１２記載のシステム。
【請求項１５】
コンピュータ実行可能な命令を埋め込んだコンピュータ読み取り可能なストレージ媒体であって、
メモリと通信するプロセッサを有する計算装置によって実行した場合、コンピュータ実行可能な命令により、計算装置は、
（ａ）エピタキシャル反応炉の第１ゾーンでの加熱装置に、基本出力パワーを表す出力パワー命令を送信し、
（ｂ）エピタキシャル反応炉の第１ゾーンでの温度がターゲット温度に到達する実際の時間を決定し、
（ｃ）実際の時間と基準の時間との間の差を決定し、
（ｄ）この差に基づいて出力パワーオフセットを決定し、
（ｅ）加熱装置と関連してメモリに出力パワーオフセットを保存し、
（ｆ）決定された出力パワーオフセットが、第１ゾーンでの温度を、予め定めた基準時間の範囲内にターゲット温度に到達させるまで、ステップ（ａ）〜（ｅ）を繰り返して、出力パワーオフセットを調整するようにし、
各後続の基本出力パワーが、前回の基本出力パワー＋現在の出力パワーオフセットに等しい、コンピュータ読み取り可能なストレージ媒体。
【請求項１６】
出力パワー命令は、第１出力パワー命令であり、
前記命令により、計算装置は、加熱装置に、基本出力パワーと出力パワーオフセットの合計を表す第２出力パワー命令を送信するようにした請求項１５記載のコンピュータ読み取り可能なストレージ媒体。
【請求項１７】
実際の時間は、第１の実際の時間であり、
差は、第１の差であり、
前記命令により、計算装置は、第２出力パワー命令を送信した後、ターゲット温度に到達するために、エピタキシャル反応炉の第１ゾーン用の第２の実際の時間を決定し、
第２の実際の時間と基準の時間との間の第２の差を決定し、
この第２の差に基づいて出力パワーオフセットを調整するようにした請求項１６記載のコンピュータ読み取り可能なストレージ媒体。
【請求項１８】
出力パワー命令は、第１出力パワー命令であり、
第１ゾーンは、エピタキシャル反応炉での複数のゾーンのうちの１つであり、
加熱装置は、エピタキシャル反応炉での複数の加熱装置のうちの第１加熱装置であり、
前記命令により、計算装置は、第２出力パワー命令を、第２ゾーンと関連した第２加熱装置に送信し、
第３出力パワー命令を、第３ゾーンと関連した第３加熱装置に送信し、
第４出力パワー命令を、第４ゾーンと関連した第４加熱装置に送信するようにした請求項１５記載のコンピュータ読み取り可能なストレージ媒体。
【請求項１９】
出力パワー命令は、第１出力パワー命令であり、
第１ゾーンは、エピタキシャル反応炉での複数のゾーンのうちの１つであり、
加熱装置は、エピタキシャル反応炉での複数の加熱装置のうちの第１加熱装置であり、
前記命令により、計算装置は、第２出力パワー命令を、第２ゾーンと関連した第２加熱装置に送信するようにし、
第２出力パワー命令は、少なくとも、第１加熱装置と関連した、基本出力パワーと出力パワーオフセットの合計の比率を表す、請求項１５記載のコンピュータ読み取り可能なストレージ媒体。
【請求項２０】
基本出力パワーは、第１基本出力パワーであり、
出力パワーオフセットは、第１出力パワーオフセットであり、
第２出力パワー命令を送信することは、第２加熱装置と関連した、第２基本出力パワーおよび第２パワーオフセットをさらに表す第２出力パワー命令を送信することを含むようなコンピュータ実行可能な命令をさらに含む、請求項１９記載のコンピュータ読み取り可能なストレージ媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前処理プロセスの際、エピタキシャル反応炉１０２は、加熱装置、例えば、加熱ランプを用いて１１５０〜１２２０℃にウエハ２０４を加熱する。加熱装置は、エピタキシャル反応炉１０２内の１つ以上のゾーンで温度を上昇するように制御される。そして、エピタキシャル反応炉１０２のチャンバは、Ｈ２で充填され、ウエハ２０４は、１０〜１５秒間アニールが施される。次に、エピタキシャル層がウエハ２０４上に堆積される。エピタキシャル反応炉１０２のチャンバは、キャリアガス、例えば、Ｈ２など、およびシリコン含有ガス、例えば、ＳｉＨＣＬ３などが大気圧で充填される。ウエハ２０４の表面は、このプロセスでは、少なくとも９００℃の温度に維持される。予め定めた時間の後、シリコン含有ガスは、例えば、Ｈ２などでパージされる。そして、ウエハ２０４は、予め定めた期間、例えば１０秒間、さらに加熱される。次に、ウエハ２０４は、８００℃に達するまで冷却される。この冷却プロセスにおいて、サセプタ２０１は下降し、その結果、ウエハ２０４はピン２０９だけで支持される。