【手続補正書】
【提出日】平成30年4月27日(2018.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子フィルム基材と、前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の主面上に透明導電層とを有する透明導電性フィルムであって、
前記透明導電層は、インジウムスズ複合酸化物からなる結晶質透明導電層であり、
前記透明導電層の残留応力は、６００ＭＰａ以下であり、
前記透明導電層の比抵抗は、１．１×１０−４Ω・ｃｍ〜２．２×１０−４Ω・ｃｍであり、
前記透明導電層の厚さは、１５ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項２】
高分子フィルム基材と、前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の主面上に透明導電層とを有する透明導電性フィルムであって、
前記透明導電層は、インジウムスズ複合酸化物からなる結晶質透明導電層であり、
前記透明導電層の残留応力は、６００ＭＰａ以下であり、
前記透明導電層の比抵抗は、１．１×１０−４Ω・ｃｍ〜３．０×１０−４Ω・ｃｍであり、
前記透明導電層の厚さは、１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、長尺状であって、ロール状に巻回されていることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項３】
前記透明導電層は、前記高分子フィルム基材上に形成された非晶質透明導電層を熱処理により結晶転化したものであり、
前記透明導電層は、その面内の最大寸法変化率が、前記非晶質透明導電層に対して−１．０〜０％であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の透明導電性フィルム。
【請求項４】
前記非晶質透明導電層が、１１０〜１８０℃、１５０分以下で結晶転化されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項５】
前記透明導電層は、｛酸化スズ／(酸化インジウム＋酸化スズ)｝×１００（％）で表される酸化スズの割合が０．５〜１５重量％であることを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項６】
前記透明導電層は、前記高分子フィルム基材側から、第一のインジウム−スズ複合酸化物層、第二のインジウム−スズ複合酸化物層が、この順に積層された２層膜であり、
前記第一のインジウム−スズ複合酸化物層の酸化スズ含有量が６重量％〜１５重量％であり、
前記第二のインジウム−スズ複合酸化物層の酸化スズ含有量が０．５重量％〜５．５重量％であることを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項７】
前記透明導電層は、前記高分子フィルム基材側から、第一のインジウム−スズ複合酸化物層、第二のインジウム−スズ複合酸化物層、第三のインジウム−スズ複合酸化物層が、この順に積層された３層膜であり、
前記第一のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は０．５重量％〜５．５重量％であり、
前記第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は６重量％〜１５重量％であり、
前記第三のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は０．５重量％〜５．５重量％であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項８】
前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の主面上に、ウェット成膜法にて形成された有機系誘電体層が形成され、前記有機系誘電体層上に前記透明導電層が形成されていることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項９】
前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の主面上に、真空成膜法にて形成された無機系誘電体層が形成され、前記無機系誘電体層上に前記透明導電層が形成されていることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項１０】
前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の主面上に、ウェット成膜法にて形成された有機系誘電体層、真空成膜法にて形成された無機系誘電体層、前記透明導電層、がこの順に形成されていることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項１１】
高分子フィルム基材と、前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の主面上に透明導電層を有し、
前記透明導電層は、インジウムスズ複合酸化物からなる結晶質透明導電層であり、
前記透明導電層の残留応力は、６００ＭＰａ以下であり、
前記透明導電層の比抵抗は、１．１×１０−４Ω・ｃｍ〜３．０×１０−４Ω・ｃｍであり、
前記透明導電層の厚さは、１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、長尺状であって、ロール状に巻回されている透明導電性フィルムを製造する方法であって、
インジウムスズ複合酸化物のターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により、当該ターゲット表面での水平磁場が５０ｍＴ以上で、前記高分子フィルム基材上に非晶質透明導電層を形成する層形成工程と、
前記非晶質透明導電層を熱処理により結晶転化する結晶転化工程と、を有することを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１２】
前記層形成工程では、インジウムスズ複合酸化物のターゲットを用いたＲＦ重畳ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、当該ターゲット表面での水平磁場が５０ｍＴ以上で、前記高分子フィルム基材上に前記非晶質透明導電層を形成することを特徴とする、請求項１１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１３】
前記層形成工程の前に、前記高分子フィルム基材を加熱する工程を有することを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の透明導電性フィルムは、高分子フィルム基材と、前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の主面上に透明導電層とを有する透明導電性フィルムであって、前記透明導電層は、インジウムスズ複合酸化物からなる結晶質透明導電層であり、前記透明導電層の残留応力は、６００ＭＰａ以下であり、前記透明導電層の比抵抗は、１．１×１０−４Ω・ｃｍ〜２．２×１０−４Ω・ｃｍであり、前記透明導電層の厚さは、１５ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴とする。
また、上記目的を達成するために、本発明の透明導電性フィルムは、高分子フィルム基材と、前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の主面上に透明導電層を有する透明導電性フィルムであって、前記透明導電層は、インジウムスズ複合酸化物からなる結晶質透明導電層であり、前記透明導電層の残留応力は、６００ＭＰａ以下であり、前記透明導電層の比抵抗は、１．１×１０−４Ω・ｃｍ〜３．０×１０−４Ω・ｃｍであり、前記透明導電層の厚さは、１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、長尺状であって、ロール状に巻回されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の透明導電性フィルムの製造方法は、高分子フィルム基材と、前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の主面上に透明導電層とを有し、前記透明導電層は、インジウムスズ複合酸化物からなる結晶質透明導電層であり、前記透明導電層の残留応力は、６００ＭＰａ以下であり、前記透明導電層の比抵抗は、１．１×１０−４Ω・ｃｍ〜３．０×１０−４Ω・ｃｍであり、前記透明導電層の厚さは、１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、長尺状であって、ロール状に巻回されている透明導電性フィルムを製造する方法であって、インジウムスズ複合酸化物のターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により、当該ターゲット表面での水平磁場が５０ｍＴ以上で、前記高分子フィルム基材上に非晶質透明導電層を形成する層形成工程と、前記非晶質透明導電層を熱処理により結晶転化する結晶転化工程と、を有することを特徴とする。