【事件の表示】
　平成７年特許願第１９６４６０号「半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成９年２月１４日出願公開、特開平９−４５９９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年８月１日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１４年２月２１日付手続補正書及び平成１４年１２月２４日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
「平坦部と前記平坦部上の中央部に形成されたストライプ状のリッジ部とからなる第１導電型のクラッド層が活性層上に設けられた半導体レーザ装置において、前記クラッド層の前記平坦部上および前記リッジ部の側面上に前記第１導電型と逆の第２導電型を有しかつ前記クラッド層とほぼ等しい屈折率を有する第１の電流ブロック層が形成され、前記第１の電流ブロック層上の少なくとも平坦領域上に前記第２導電型を有しかつ前記クラッド層よりも低い屈折率を有する第２の電流ブロック層が形成され、前記第１の電流ブロック層の屈折率は前記第２の電流ブロック層の屈折率よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開平１−３０３７７８号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）「〔産業上の利用分野〕
　本発明は低しきい電流値で動作する半導体レーザ素子に関する。」(１頁右下欄８〜１０行)
（２）「〔従来の技術〕
　従来の半導体レーザ装置は、特開昭６１−１２５１８４号に記載のように、光導波路用ストライプ領域外側の非電流注入領域のクラツド層が該ストライプ領域と同一導電型の半導体層より構成されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
　上記従来技術においては、ストライプ領域外側非電流注入領域の、レーザ活性層と電流狭窄層の間に位置するクラツド層において、外側横方向への電流のリークが存在するために、レーザ発振のしきい電流値が上昇するという問題があつた。特に半導体レーザの低ノイズ化のために自励発振を生じさせるような場合においては、このレーザ活性層と電流狭窄層との間に位置するクラツド層の厚さを通常の場合よりも厚く設定する必要があるため、上記リーク電流成分が大となり、これによるしきい電流値の上昇の問題が顕著となる。
　本発明の目的は上記の横方向電流リークの問題を解決することにある。」(１頁右下欄１１行〜２頁左上欄９行)
（３）「〔作用〕
　上記構成によれば、電流注入部以外のクラツド層内にも半導体レーザを順方向バイアスした場合に、逆バイアスされる障壁が形成され、横方向への電流リークを小さくすることができる。従つて、本発明によれば横方向への電流リークの小さい、低発振しきい電流値の半導体レーザ素子が得られる。」(２頁左上欄１６行〜同頁右上欄３行)
（４）「〔実施例〕
　以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
　第１図は本発明の半導体レーザの光の進行方向に垂直な方向の断面図である。１はｎ型ＧａＡｓ基板（Ｓｉドープ，ｎ〜２×１０１８ｃｍ−３，｛１００｝面）でこの上に、有機金属気相成長（ＯＭＶＰＥ）法によってｎ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓクラツド層２（Ｓｅドープ，ｎ〜８×１０１７ｃｍ−３，厚さ１．８μｍ）、アンドープＡｌ０．１４Ｇａ０．８６Ａｓ活性層３（厚さ約０．０６μｍ），ｐ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓクラツド層４（Ｚｎドープ，ｐ〜６×１０１７ｃｍ−３，厚さ１．１μｍ）、ｐ型ＧａＡｓ界面層５（Ｚｎドープ，ｐ〜２×１０１８ｃｍ−３，厚さ０．１μｍ）を形成した。次に表面にＳｉＮｘ膜を形成し（図示せず）、ホトリソグラフイおよびドライエツチングによつて、光導波路形成用ストライプマスクを形成し、リン酸系エツチヤントを用いて、光導波路用リツジ６を形成した。この時、ストライプ外側のｐ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ半導体層４の厚さは、約０．２５μｍになるようにした。次に、ＳｉＮｘエツチングマスクをサイドエツチングして、リツジの幅よりも狭くした。次にこのＳｉＮｘを選択成長用マスクとし、ＯＭＶＰＥ法によつて、ｎ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ電流狭窄兼クラツド層７（Ｓｅドープ，ｎ〜４×１０１８ｃｍ−３，厚さ０．２５μｍ），ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄兼光吸収層８（Ｓｅドープ，ｎ〜４×１０１８ｃｍ−３，厚さ０．５μｍ）を形成した。次に、前記ＳｉＮｘ選択成長用マスクを除去し、表面をライトエツチングし、さらに、ｐ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ埋込層９（Ｚｎドープ，ｐ〜２×１０１８ｃｍ−３，厚さ０．１μｍ）、およびｐ型ＧａＡｓキヤツプ層１０（Ｚｎドープ，ｐ〜２×１０１８ｃｍ−３）を形成した。次にｐ側オーミツク電極１１，ｎ側オーミツク電極１２を形成し、へき開、スクライビングを行つて半導体レーザチツプとした。
　本レーザでは、クラツド層の一部７をそれと接するクラツド層４と反対の導電型で形成したことにより、電流狭窄層の働きも兼ねる。そのため、従来構造において、ｐ型クラツド層内で横方向にリークした電流成分を低減することが可能になつた。本レーザは波長約７８０ｎｍ、しきい電流値約４０ｍＡで発振した。また、低ノイズ化に有利な自励発振現象を生じ、相対雑音強度１０−１３Ｈｚ−１の良好な低ノイズ特性が得られた。」(２頁右上欄４行〜同頁右下欄９行)
（５）「〔発明の効果〕
　本発明によれば、クラツド層の一部に電流狭窄層の働きも兼ねさせることが可能になるため、クラツド層内において横方向に生ずるリーク電流を低減でき、レーザの発振しきい電流値を小さくすることができる。特に本発明は光導波用ストライプの外側のクラツド層を厚く設定する必要がある場合に有効である。
　なお、本実施例では、一方のクラツド層を２層で構成した場合について述べたが、さらに多くの複数層で構成しても良い。また、他の材料系、例えばＡｌＧａＩｎＰ系レーザにも適用可能で、その実用上の効果は非常に大である。」(２頁右下欄１０行〜３頁左上欄２行)
　
３　対比
　本願発明と引用例に記載の発明とを対比する。
（ａ）引用例に記載の「アンドープＡｌ０．１４Ｇａ０．８６Ａｓ活性層３」及び「ｐ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓクラツド層４」が、それぞれ本願発明の「活性層」及び「第１導電型のクラッド層」に相当し、また引用例に記載の「光導波路用リツジ６」及び「ストライプ外側のｐ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ半導体層４」が、それぞれ本願発明の「ストライプ状のリッジ部」及び「平坦部」に相当する。
（ｂ）引用例に記載の「ｎ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ電流狭窄兼クラツド層７」は、ｐ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓクラツド層４と反対の導電型とすることにより、電流狭窄層つまり電流ブロック層として機能する一方で、クラッド層としては上記クラッド層４と同様に機能し、これとほぼ等しい屈折率を有するといえるから、上記「ｎ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ電流狭窄兼クラツド層７」は、本願発明の「前記第１導電型と逆の第２導電型を有しかつ前記クラッド層とほぼ等しい屈折率を有する第１の電流ブロック層」に相当する。
（ｃ）引用例に記載の「ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄兼光吸収層８」は、ｎ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓ電流狭窄兼クラツド層７上に形成され、このクラッド層７と同じくｎ型（第２導電型）であり電流ブロック層として機能するものであるから、クラッド層７を「第１の電流ブロック層」とするならば、上記「ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄兼光吸収層８」は、「第２導電型を有する第２の電流ブロック層」とみることができる。
　以上の（ａ）〜（ｃ）を踏まえると、両者は、「平坦部と前記平坦部上の中央部に形成されたストライプ状のリッジ部とからなる第１導電型のクラッド層が活性層上に設けられた半導体レーザ装置において、前記クラッド層の前記平坦部上および前記リッジ部の側面上に前記第１導電型と逆の第２導電型を有しかつ前記クラッド層とほぼ等しい屈折率を有する第１の電流ブロック層が形成され、前記第１の電流ブロック層上の少なくとも平坦領域上に前記第２導電型を有する第２の電流ブロック層が形成された半導体レーザ装置」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本願発明では、第２の電流ブロック層が前記クラッド層よりも低い屈折率を有し、そのため（第１の電流ブロック層は前記クラッド層とほぼ等しい屈折率を有するので）前記第１の電流ブロック層の屈折率が前記第２の電流ブロック層の屈折率よりも大きいのに対して、引用例に記載の発明では、第２の電流ブロック層が光吸収層である点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例に記載の発明における光吸収層である第２の電流ブロック層は、水平方向の光閉じ込め構造を構成するものであり、またストライプ状のリッジが形成されたクラッド層が活性層上に設けられた半導体レーザ装置において、リッジの両側面に設けられる電流ブロック層をクラッド層よりも屈折率が低いものとすることにより、水平方向に光を閉じ込めることは、周知であって（特開平４−２９６０７６号公報（特に段落【０００９】、【００１４】、【００２９】）、この周知の光閉じ込め構造を、引用例に記載の発明における光吸収層である第２の電流ブロック層に代えて適用することに、格別の阻害要因も見出せないから、引用例に記載の発明に上記周知事項を適用して、本願発明の技術的事項とすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　また、本願発明の効果も当業者が予測しうる程度のことにすぎない。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載の発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。