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【手続補正書】
【提出日】平成30年3月8日(2018.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の導電体を形成する第１のステップと、
前記第１の導電体上に、ＣＶＤ法により第１の絶縁体を成膜する第２のステップと、
前記第１の絶縁体上に、ＣＶＤ法により第１の半導体を成膜する第３のステップと、
前記第１の半導体上に、ＣＶＤ法により第２の半導体を成膜する第４のステップと、
前記第２の半導体を加工して、第３の半導体を形成する第５のステップと、
前記第５のステップの後、前記第１の半導体を加工して、第４の半導体を形成する第６のステップと、
前記第６のステップの後、前記第３の半導体上に、ＣＶＤ法により第２の導電体を成膜する第７のステップと、
前記第２の導電体を加工して、第３の導電体および第４の導電体を形成するとともに、前記第３の半導体を露出させる第８のステップと、
前記第３の半導体上、前記第３の導電体上および前記第４の導電体上に、ＣＶＤ法により第５の半導体を成膜する第９のステップと、
前記第５の半導体上に、ＣＶＤ法により第２の絶縁体を成膜する第１０のステップと、
前記第２の絶縁体上に、ＣＶＤ法により第５の導電体を成膜する第１１のステップと、
前記第５の導電体を加工して、第６の導電体を形成する第１２のステップと、
前記第１２のステップの後、前記第２の絶縁体を加工して、第３の絶縁体を形成する第１３のステップと、
前記第１３のステップの後、前記第５の半導体を加工して、第６の半導体を形成する第１４のステップと、を有し、
前記第２のステップと、前記第３のステップと、の間で大気に暴露せず、
前記第９のステップと、前記第１０のステップと、の間で大気に暴露しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３のステップと、前記第４のステップと、の間で大気に暴露しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第４のステップの後に、加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１４のステップの後に、水素をブロックする機能を有する第４の絶縁体をＣＶＤ法により成膜するステップを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３のステップの後に、前記第１の半導体に酸素を添加するステップを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に第１の導電体を形成する第１のステップと、
前記第１の導電体上に、ＣＶＤ法により第１の絶縁体を成膜する第２のステップと、
前記第１の絶縁体上に、ＣＶＤ法により第１の半導体を成膜する第３のステップと、
前記第１の半導体上に、ＣＶＤ法により第２の半導体を成膜する第４のステップと、
前記第２の半導体上に、ＣＶＤ法により第２の導電体を成膜する第５のステップと、
前記第２の導電体を加工して、第３の導電体を形成する第６のステップと、
前記第６のステップの後、前記第２の半導体を加工して、第３の半導体を形成する第７のステップと、
前記第７のステップの後、前記第１の半導体を加工して、第４の半導体を形成する第８のステップと、
前記第８のステップの後、前記第３の導電体を加工して、第４の導電体および第５の導電体を形成するとともに、前記第３の半導体を露出させる第９のステップと、
前記第３の半導体上、前記第４の導電体上および前記第５の導電体上に、ＣＶＤ法により第５の半導体を成膜する第１０のステップと、
前記第５の半導体上に、ＣＶＤ法により第２の絶縁体を成膜する第１１のステップと、
前記第２の絶縁体上に、ＣＶＤ法により第６の導電体を成膜する第１２のステップと、
前記第６の導電体を加工して、第７の導電体を形成する第１３のステップと、
前記第１３のステップの後、前記第２の絶縁体を加工して、第３の絶縁体を形成する第１４のステップと、
前記第１４のステップの後、前記第５の半導体を加工して、第６の半導体を形成する第１５のステップと、を有し、
前記第２のステップと、前記第３のステップと、の間で大気に暴露せず、
前記第１０のステップと、前記第１１のステップと、の間で大気に暴露しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第３のステップと、前記第４のステップと、の間で大気に暴露しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記第４のステップと、前記第５のステップと、の間で大気に暴露しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記第４のステップの後に、加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１５のステップの後に、水素をブロックする機能を有する第４の絶縁体をＣＶＤ法により成膜するステップを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第３のステップの後に、前記第１の半導体に酸素を添加するステップを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素を有し、
前記画素は、
発光素子と、
容量素子と、
第１乃至第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと、前記容量素子の電極の一方とに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記発光素子と、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記容量素子の電極の他方とに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第１及び第３のトランジスタのゲートは、第４の配線に電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
画素を有し、
前記画素は、
発光素子と、
第１及び第２の容量素子と、
第１乃至第６のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第１の容量素子の電極の一方とに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第１の容量素子の電極の他方と、前記第２の容量素子の電極の他方とに電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２の容量素子の電極の一方に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記発光素子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第１及び第３のトランジスタのゲートは、第４の配線に電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月2日(2018.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の導電体および第２の導電体と、
前記第１の導電体上および前記第２の導電体上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の、前記第１の導電膜と重なる領域を有する酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体上の、前記酸化物半導体と重なる領域を有する第３の導電体と、
前記第３の導電体の上面と接する領域と、前記酸化物半導体の上面と接する領域と、前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して、前記第１の絶縁体の上面と接する領域と、を有する第４の絶縁体と、
前記第４の絶縁体上の第５の絶縁体と、
前記第４の絶縁膜の第２の開口部および前記第５の絶縁膜の第３の開口部を介して、前記酸化物半導体と接する領域を有する第４の導電体と、
前記第４の絶縁膜の第４の開口部および前記第５の絶縁膜の第５の開口部を介して、前記酸化物半導体と接する領域を有する第５の導電体と、
前記第５の絶縁膜の第６の開口部を介して、前記第４の絶縁体の上面と接する領域を有し、かつ、前記第１の絶縁体および前記第４の絶縁体を介して、前記第２の導電体を重なる領域を有する第６の導電体と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第４の導電体および前記第５の導電体は、前記第３の導電体と重なる領域を有さないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第４の導電体および前記第５の導電体は、前記第１の導電体と重なる領域を有さないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体のチャネル幅方向において、前記第３の導電体は、前記酸化物半導体を乗り越える形状を有し、
前記第１の導電体は、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体を介して、前記酸化物半導体の下面に面する形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３の絶縁体は、前記酸化物半導体のチャネル方向において、前記第３の導電体よりも迫り出した形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第３の絶縁体は、端部の断面形状が円弧となる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第３の導電体は、第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の上面と接する領域を有し、
前記第１の導電層は、前記酸化物半導体のチャネル方向において、前記第２の導電層よりも迫り出した形状を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜上に第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第１のゲート電極と、
前記第１の酸化物半導体膜上及び前記第１のゲート電極上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第１の導電膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して、前記第１の導電膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第２の酸化物半導体膜上及び前記第２のゲート電極上の前記第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第２の導電膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電膜と接する領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第２の酸化物半導体膜より厚く、
前記第１の酸化物半導体膜は、第１の膜及び第２の膜を少なくとも含む多層構造であり、
前記第１の膜及び前記第２の膜は、金属元素の原子数比が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタは、第３のゲート電極を有し、
前記第３のゲート電極は、前記第１の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
前記第３のゲート電極は、前記第１の絶縁膜の第３の開口部及び前記第２の絶縁膜の第４の開口部を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２の酸化物半導体膜に含まれる金属元素の原子数比は、前記第１の酸化物半導体膜の前記第１の膜または前記第２の膜に含まれる金属元素の原子数比と同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜において、前記第２の膜は、前記第１の膜の上面及び側面を覆う領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタは駆動回路部に設けられ、前記第２のトランジスタは画素部に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の絶縁膜上に第１のトランジスタ乃至第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第１のゲート電極と、
前記第１の酸化物半導体膜上及び前記第１のゲート電極上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第１の導電膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して、前記第１の導電膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第２の酸化物半導体膜上及び前記第２のゲート電極上の前記第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第２の導電膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電膜と接する領域を有し、
前記第３のトランジスタは、第３の酸化物半導体膜と、
前記第３の酸化物半導体膜上の第５の絶縁膜と、
前記第５の絶縁膜を介して、前記第３の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３のゲート電極と、
前記第３の酸化物半導体膜上及び前記第３のゲート電極上の前記第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第３の導電膜と、を有し、
前記第３の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第３の開口部を介して、前記第１の導電膜と接する領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜及び第３の酸化物半導体膜の各々は、前記第２の酸化物半導体膜より厚く、
前記第１の酸化物半導体膜は、第１の膜及び第２の膜を少なくとも含む多層構造であり、
前記第３の酸化物半導体膜は、前記第１の膜と同じ金属元素の原子数比を有する第３の膜と、前記第２の膜と同じ金属元素の原子数比を有する第４の膜とを少なくとも含む多層構造であり、
前記第１の膜及び前記第２の膜は、金属元素の原子数比が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１のトランジスタは、第４のゲート電極を有し、
前記第４のゲート電極は、前記第１の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜を重なる領域を有し、
前記第４のゲート電極は、前記第１の絶縁膜の第４の開口部及び前記第２の絶縁膜の第５の開口部を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第２の酸化物半導体膜に含まれる金属元素の原子数比は、前記第１の酸化物半導体膜の前記第１の膜もしくは前記第２の膜に含まれる金属元素の原子数比、または前記第３の酸化物半導体膜の前記第３の膜もしくは前記第４の膜に含まれる金属元素の原子数比と同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体膜において、前記第２の膜は、前記第１の膜の上面及び側面を覆う領域を有し、
前記第３の酸化物半導体膜において、前記第４の膜は、前記第３の膜の上面及び側面を覆う領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタは駆動回路部に設けられ、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは画素部に設けられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される第２のトランジスタと、
一方の電極が、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される容量素子と、
前記容量素子の他方の電極と電気的に接続される第１の配線と、を有し、
前記第２のトランジスタは前記第１のトランジスタの上に位置し、且つ前記第１のトランジスタと重なり、
前記容量素子は前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間に位置し、且つ前記第２のトランジスタと重なり、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線が有する複数のプラグと重なる領域を有し、
前記第１のトランジスタのチャネルは、単結晶半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される第２のトランジスタと、
一方の電極が、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される容量素子と、
前記容量素子の他方の電極と電気的に接続される第１の配線と、を有し、
前記第２のトランジスタは前記第１のトランジスタの上に位置し、且つ前記第１のトランジスタと重なり、
前記容量素子は前記第２のトランジスタの上に位置し、且つ前記第２のトランジスタと重なり、
前記容量素子の一方の電極と前記第１のトランジスタのゲートとを接続する複数のプラグは、前記第２のトランジスタのゲートと重なり、
前記第１のトランジスタのチャネルは、単結晶半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２おいて、
前記容量素子の一方の電極は、凸部を有し、
前記容量素子の他方の電極は、凹部を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第１の酸化物半導体膜上及び前記第２のゲート電極上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第１の導電膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３のゲート電極と、
前記第２の酸化物半導体膜上及び前記第３のゲート電極上の前記第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第２の導電膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して前記第２の導電膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のゲート電極は、前記第１の絶縁膜の第３の開口部及び前記第２の絶縁膜の第４の開口部を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２の酸化物半導体膜に含まれる金属元素の原子数比は、前記第１の酸化物半導体膜に含まれる金属元素の原子数比と異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタのチャネル長は１．４５μｍ以上２．２μｍ以下であり、
前記第２のトランジスタのチャネル長は２．５μｍ以上２０μｍ以下である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタは駆動回路部に設けられ、前記第２のトランジスタは画素部に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上に第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第１の酸化物半導体膜上及び前記第２のゲート電極上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第１の導電膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３のゲート電極と、
前記第２の酸化物半導体膜上及び前記第３のゲート電極上の前記第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第２の導電膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して前記第２の導電膜と接する領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、第１の膜及び第２の膜を少なくとも含む多層構造であり、
前記第１の膜及び前記第２の膜は、金属元素の原子数比が異なり、
前記第２の酸化物半導体膜は、第３の膜及び第４の膜を少なくとも含む多層構造であり、
前記第３の膜は、前記第１の膜と同じ金属元素の原子数比を有し、前記第４の膜は、前記第２の膜と同じ金属元素の原子数比を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２のゲート電極は、前記第１の絶縁膜の第３の開口部及び前記第２の絶縁膜の第４の開口部を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第１の酸化物半導体膜において、前記第２の膜は、前記第１の膜の上面及び側面を覆う領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜において、前記第４の膜は、前記第３の膜の上面及び側面を覆う領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタのチャネル長は１．４５μｍ以上２．２μｍ以下であり、
前記第２のトランジスタのチャネル長は２．５μｍ以上２０μｍ以下である半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタは駆動回路部に設けられ、前記第２のトランジスタは画素部に設けられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光部と、第１のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
前記受光部は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、前記第１の回路と電気的に接続され、
前記受光部は、第１の領域と第２の領域を有し、
前記第１の領域と前記第２の領域は、平面視において櫛歯形状を有し、
前記第１の領域と前記第２の領域は、互いに噛み合うように配置されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記受光部と、前記第１のトランジスタは、互いに重なることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の領域は、ｎ型半導体であることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の回路は、第２のトランジスタと第３のトランジスタとを有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域と、前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、異なる禁制帯幅を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域または前記第３のトランジスタのチャネル形成領域の一方は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域と同じ禁制帯幅を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタはチャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月8日(2018.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に緩衝膜を形成し、
前記緩衝膜及び前記絶縁膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された緩衝膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をマスクとして、前記酸化物半導体膜に不純物元素を添加する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に緩衝膜を形成し、
前記緩衝膜及び前記絶縁膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された緩衝膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をマスクとして、前記酸化物半導体膜に不純物元素を添加し、
前記酸化物半導体膜と重なる絶縁膜を形成する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に緩衝膜を形成し、
前記緩衝膜及び前記絶縁膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された緩衝膜上に導電膜を形成し、
前記酸素が添加された絶縁膜及び前記酸素が添加された緩衝膜をエッチングして、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、
前記導電膜をマスクとして、前記酸化物半導体膜に不純物元素を添加し、
前記酸化物半導体膜と重なる絶縁膜を形成する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルアレイを有し、
前記セルアレイは、第１の回路と、絶縁層を介して前記第１の回路上に設けられた第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、記憶回路を有し、
前記第２の回路は、論理回路を有し、
前記論理回路は、前記記憶回路と電気的に接続され、
前記論理回路は、前記記憶回路に記憶されたデータを入力信号として、論理演算を行う機能を有し、
前記第２の回路は、前記第１の回路と重なる領域を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記記憶回路は、第１のトランジスタを有し、
前記論理回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に単結晶半導体を含み、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月7日(2018.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜及び前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第１の開口部と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第２の開口部と、
前記第１の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極と、
前記第２の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第２の絶縁膜は、水素を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜と接する第１の領域と、
前記第２の絶縁膜と接する第２の領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、
前記第１の領域と重なる第３の領域と、
前記第２の領域と重なる第４の領域と、を有し、
前記第４の領域は、前記第３の領域よりも不純物元素の濃度が高い、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜及び前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第１の開口部と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第２の開口部と、
前記第１の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極と、
前記第２の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第２の絶縁膜は、水素を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜と接する第１の領域と、
前記第２の絶縁膜と接する第２の領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、
前記第１の領域と重なる第３の領域と、
前記第２の領域と重なる第４の領域と、を有し、
前記第４の領域は、前記第３の領域よりも不純物元素の濃度が高い、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜及び前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第１の開口部と、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第２の開口部と、
前記第１の絶縁膜及び前記前記ゲート絶縁膜が有する第３の開口部と、
前記第１の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極と、
前記第２の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極は、前記第３の開口部を介して電気的に接続され、
前記第１の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第２の絶縁膜は、水素を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜と接する第１の領域と、
前記第２の絶縁膜と接する第２の領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、
前記第１の領域と重なる第３の領域と、
前記第２の領域と重なる第４の領域と、を有し、
前記第４の領域は、前記第３の領域よりも不純物元素の濃度が高い、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一つにおいて、
前記不純物元素は、
水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、または希ガスの１以上を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一つにおいて、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも水素濃度が低い部分を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つにおいて、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも結晶性が高い領域を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、
酸素と、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）とを有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、
結晶部を含み、前記結晶部はｃ軸配向した結晶を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のロジックエレメントと、
前記第１のロジックエレメントと電気的に接続された第１のスイッチと、
前記第１のスイッチと電気的に接続された第２のロジックエレメントと、を有し、
少なくとも、前記第１のロジックエレメントは、第２のスイッチを有し、
前記第２のスイッチは、前記第１のロジックエレメントからの出力電位をＬレベルとする機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のロジックエレメントと、
前記第１のロジックエレメントと電気的に接続された第１のスイッチと、
前記第１のスイッチと電気的に接続された第２のロジックエレメントと、を有し、
少なくとも、前記第１のロジックエレメントは、論理積回路を有し、
前記論理積回路は、前記第１のロジックエレメントからの出力電位をＬレベルとする機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のロジックエレメントと、
前記第１のロジックエレメントと電気的に接続された第１のスイッチと、
前記第１のスイッチと電気的に接続された第２のロジックエレメントと、を有し、
少なくとも、前記第１のロジックエレメントは、ＡＮＤ回路を有し、
前記ＡＮＤ回路は、前記第１のロジックエレメントからの出力電位をＬレベルとする機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のスイッチは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量とを有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記容量の第１の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の信号線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第２の信号線と電気的に接続され、
前記第２の信号線からの信号に基づき、複数のコンテキストのうち、いずれか一を選択する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のロジックエレメントと、
前記第１のロジックエレメントと電気的に接続された、スイッチと、
前記スイッチと電気的に接続された、第２のロジックエレメントとを有し、
少なくとも、前記第１のロジックエレメントは、レジスタと電気的に接続されたメモリを有し、
前記メモリは、前記レジスタのデータを保持する機能を有し、
前記レジスタは、前記メモリにデータを保持したあと、出力電位をＬレベルとする機能を有することができることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記メモリは、酸化物半導体膜を有するトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月22日(2018.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のロジックエレメントと、第２のロジックエレメントと、第１のスイッチをと、を有し、
前記第１のスイッチは、前記第１のロジックエレメントの出力端子に電気的に接続され、
前記第１のスイッチは、前記第２のロジックエレメントの入力端子に電気的に接続され、
前記第１のスイッチは、前記第１のロジックエレメント及び前記第２のロジックエレメントの間の導通、非導通を制御することができる機能を有し、
前記第１のスイッチは、コンフィギュレーションデータが書き込まれることができる機能を有し、
前記第１のスイッチは、書き込まれた前記コンフィギュレーションデータを保持することができる機能を有し、
前記第１のロジックエレメントの出力は、高レベルの電圧又は低レベルの電圧であり、
前記第１のロジックエレメントの出力が前記低レベルの電圧のときに前記第１のスイッチへ前記コンフィギュレーションデータが書き込まれるまで、前記第１のスイッチへの前記コンフィギュレーションデータの書き込みを繰り返し行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のロジックエレメントと、第２のロジックエレメントと、第１のスイッチと、を有し、
前記第１のスイッチは、前記第１のロジックエレメント及び前記第２のロジックエレメントの導通、非導通を制御することができる機能を有し、
前記第１のスイッチは、第２のスイッチ及び第３のスイッチを有し、
前記第２のスイッチは、前記第１のロジックエレメントの出力端子に電気的に接続され、
前記第２のスイッチは、前記第２のロジックエレメントの入力端子に電気的に接続され、
前記第３のスイッチは、前記第１のロジックエレメントの出力端子に電気的に接続され、
前記第３のスイッチは、前記第２のロジックエレメントの入力端子に電気的に接続され、
前記第２のスイッチは、コンフィギュレーションデータが書き込まれることができる機能を有し、
前記第２のスイッチは、書き込まれた前記コンフィギュレーションデータを保持することができる機能を有し、
前記第３のスイッチは、前記コンフィギュレーションデータが書き込まれることができる機能を有し、
前記第３のスイッチは、書き込まれた前記コンフィギュレーションデータを保持することができる機能を有し、
前記第１のロジックエレメントの出力は、高レベルの電圧又は低レベルの電圧であり、
前記第２のスイッチがオン状態のときには、前記第１のロジックエレメントと前記第２のロジックエレメントとが導通し、
前記第２のスイッチがオフ状態のときには、前記第１のロジックエレメントと前記第２のロジックエレメントとが非導通し、
前記第３のスイッチがオン状態のときには、前記第１のロジックエレメントと前記第２のロジックエレメントとが導通し、
前記第３のスイッチがオフ状態のときには、前記第１のロジックエレメントと前記第２のロジックエレメントとが非導通し、
前記第１のロジックエレメントの出力が前記低レベルの電圧のときに、
前記第２のスイッチへ前記コンフィギュレーションデータが書き込まれ、
及び、第３のスイッチへそれぞれ前記コンフィギュレーションデータが書き込まれるまで、
前記第２のスイッチへの前記コンフィギュレーションデータの書き込みを繰り返し行い、
及び、第３のスイッチへの前記コンフィギュレーションデータの書き込みを繰り返し行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第１のロジックエレメントの出力が前記低レベルの電圧のときに前記コンフィギュレーションデータの書き込みが行われたことを判定する判定装置を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月14日(2017.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ乃至第４のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第５の配線に電気的に接続され、
前記第５の配線は、第１の信号を供給する機能を有し、
前記第２の配線は、第２の信号を供給する機能を有し、
前記第１の信号の振幅は、前記第２の信号の振幅よりも大きい半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタ乃至第８のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第５の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第６の配線に電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第５の配線に電気的に接続され、
前記第５の配線は、第１の信号を供給する機能を有し、
前記第２の配線は、第２の信号を供給する機能を有し、
前記第６の配線は、第３の信号を供給する機能を有し、
前記第１の信号の振幅は、前記第２の信号の振幅よりも大きく、
前記第１の信号の振幅は、前記第３の信号の振幅よりも大きい半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月6日(2018.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変バイアス回路と、第１のバックゲートを有する第１のトランジスタと、電流源と、差動増幅器と、基準電圧源と、機能回路を有し、
前記機能回路は、第２のバックゲートを有する第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記電流源は、前記第１のトランジスタのソースとドレインとの間に電流を供給する機能を有し、
前記第１のトランジスタは、前記電流に応じてゲートとソースとの間に第１の電圧を発生させる機能を有し、
前記基準電圧源は、第２の電圧を生成する機能を有し、
前記差動増幅器は、前記第１の電圧と前記第２の電圧との差分を増幅して出力電圧または出力電流を生成する機能を有し、
前記可変バイアス回路は、前記出力電圧または前記出力電流に従って、前記第１のバックゲートの電圧及び前記第２のバックゲートの電圧を制御する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記可変バイアス回路は、ＰＷＭ波発生回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記機能回路は、メモリ回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記機能回路は、レジスタ回路であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記ブリッジ枝部（４、５、６）が、「中性点がクランプされた」（Ｎｅｕｔｒａｌ  Ｐｏｉｎｔ  Ｃｌａｍｐｅｄ）、「バイポーラスイッチ中性点がクランプされた」（Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｓｗｉｔｃｈ  Ｎｅｕｔｒａｌ  Ｐｏｉｎｔ  Ｃｌａｍｐｅｄ）、「アクティブ中性点がクランプされた」（Ａｃｔｉｖｅ  Ｎｅｕｔｒａｌ  Ｐｏｉｎｔ  Ｃｌａｍｐｅｄ）、または「フライングキャパシタ」（Ｆｌｙｉｎｇ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）枝部で構成される、請求項８に記載のインバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月14日(2018.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式
【化１】
2018145180.tif 000001
【化２】
2018145180.tif 000002
【化３】
2018145180.tif 000003
【化４】
2018145180.tif 000004
で示される化合物からなる群より選択されるビアリール誘導体又はその塩からなる医薬。
【請求項２】
抗真菌剤である請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
表在性真菌症治療剤である請求項１に記載の医薬。
【請求項４】
爪白癬治療剤である請求項１に記載の医薬。
【請求項５】
外用爪白癬治療剤である請求項１に記載の医薬。
【請求項６】
抗真菌剤、表在性真菌症治療剤、爪白癬治療剤又は外用爪白癬治療剤を製造するための、下記式
【化５】
2018145180.tif 000005
【化６】
2018145180.tif 000006
【化７】
2018145180.tif 000007
【化８】
2018145180.tif 000008
で示される化合物からなる群より選択されるビアリール誘導体又はその塩の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年4月25日(2018.4.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
(b)ポリグリセリル脂肪酸エステルが、イソステアリン酸PG2、ラウリン酸PG2、カプリン酸PG2、ラウリン酸PG5、ラウリン酸PG4、オレイン酸PG5、ジオレイン酸PG5、ミリスチン酸PG5、トリオレイン酸PG5、ステアリン酸PG5、イソステアリン酸PG5、トリイソステアリン酸PG5、トリラウリン酸PG10、イソステアリン酸PG10、ジイソステアリン酸PG10、オレイン酸PG10、トリオレイン酸PG10及びトリイソステアリン酸PG10からなる群から選択される、請求項1に記載の化粧品組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２５１】
【表１】
2014122196.tif 000001
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２６０】
【表３】
2014122196.tif 000002
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２６５】
【表５】
2014122196.tif 000003
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２７０】
【表７】
2014122196.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月8日(2018.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プルーフマスと、
前記プルーフマスを取り囲み、平面を画定し、前記プルーフマスを支持するように構成される支持構造体と、
前記プルーフマスを前記支持構造体に接続するフレクシャであって、前記プルーフマスが前記支持構造体によって画定される前記平面周りで動くことを可能にするフレクシャと、
前記支持構造体の共通の面に配置される少なくとも４つの隆起パッドであって、少なくとも１つの隆起パッドが前記フレクシャと前記支持構造体の外側との間に配置され、前記少なくとも１つの隆起パッドが分離することができるように構成される、隆起パッドと、
前記支持構造体の共通の面と前記少なくとも１つの隆起パッドとに接続された２つのパッドフレクシャと
を備え、
前記２つのパッドフレクシャは除去可能になっている、
モノリシックな材料から構成される装置。
【請求項２】
前記少なくとも４つの隆起パッドの各隆起パッドが、少なくとも２つのパッドフレクシャによって、前記支持構造体に接続される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
加速度計を製造する方法であって、
フォトレジストで材料をマスキングし、複数の要素を画定するステップと、
前記材料を加工して、前記材料の上に複数の要素を形成するステップとを備え、
前記複数の要素が、
プルーフマスと、
平面を画定し、前記プルーフマスを支持するように構成される支持構造体と、
前記プルーフマスを前記支持構造体に可撓に接続するように構成されるフレクシャと、
前記支持構造体の共通の面に配置される少なくとも４つの隆起パッドであって、前記少なくとも４つの隆起パッドが、前記支持構造体に配置され、かつ前記プルーフマスの前記フレクシャと前記支持構造体の外側との間に配置され、前記少なくとも１つの隆起パッドは分離可能に構成される隆起パッドと、
前記支持構造体と前記少なくとも１つの隆起パッドの共通の面に接続される２つのパッドフレクシャであって、前記２つのパッドフレクシャは除去可能になっている、２つのパッドフレクシャとを備える、
加速度計を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月3日(2018.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作業機械用のオペレーターコンパートメント構造であって、前記オペレーターコンパートメント構造は、
内面と外面とを有する屋根と、
１．５ｍから２ｍの間の距離だけ前記屋根から離間した床と
を備え、
前記屋根の内面の第１部分は前記床に対して斜めに向けられ、
前記屋根の内面の第２部分は前記屋根の内面の第１部分と前記床の両方に対して斜めに向けられる、コンパートメント構造。
【請求項２】
前記屋根の内面の全体が床に対して斜めに向けられる、請求項１に記載のコンパートメント構造。
【請求項３】
前記屋根の内面の第１部分及び第２部分のそれぞれが前記屋根の内面の約５０％を画定する、請求項２に記載のコンパートメント構造。
【請求項４】
前記屋根は二次加工される、請求項１から３のいずれか１項に記載のコンパートメント構造。
【請求項５】
前記屋根は勾配屋根の形状を有する、請求項１から４のいずれか１項に記載のコンパートメント構造。
【請求項６】
前記屋根は５度から１５度の間のピッチ角を有する、請求項５に記載のコンパートメント構造。
【請求項７】
前記屋根は５度から１０度の間のピッチ角を有する、請求項６に記載のコンパートメント構造。
【請求項８】
前記屋根は約７度のピッチ角を有する、請求項７に記載のコンパートメント構造。
【請求項９】
前記屋根は金属材料を含む、請求項１から８のいずれか１項に記載のコンパートメント構造。
【請求項１０】
前記屋根は鋼製の屋根である、請求項９に記載のコンパートメント構造。
【請求項１１】
前記屋根は鋼板、好ましくは５〜８ｍｍの厚さの鋼板から組み立てられる、請求項１０に記載のコンパートメント構造。
【請求項１２】
前記屋根の外面を覆うように構成されたルーフカバーを更に含む、請求項１から１１のいずれか１項に記載のコンパートメント構造。
【請求項１３】
前記ルーフカバーはプラスチック材料を含む、請求項１２に記載のコンパートメント構造。
【請求項１４】
前記屋根の内面と前記床との間に位置する音響ルーフライナーを更に含む、請求項１から１３のいずれか１項に記載のコンパートメント構造。
【請求項１５】
前記ルーフライナーは発泡材料を含む、請求項１４に記載のコンパートメント構造。
【請求項１６】
前記ルーフライナーと前記屋根の内面との間に空隙が設けられる、請求項１４又は１５に記載のコンパートメント構造。
【請求項１７】
前記音響ルーフライナーと前記屋根の内面の第１部分との間の空隙は、前記屋根の内面の第１部分の領域にわたって変化する高さを有する、請求項１６に記載のコンパートメント構造。
【請求項１８】
前記コンパートメント構造は転倒保護構造である、請求項１から１７のいずれか１項に記載のコンパートメント構造。
【請求項１９】
前記コンパートメント構造は落下物保護構造である、請求項１から１８のいずれか１項に記載のコンパートメント構造。
【請求項２０】
作業機械であって、
４気筒又は６気筒のエンジンと、
作業アーム（２）と、
請求項１から１９のいずれか１項に記載のオペレーターコンパートメント構造と
を含む作業機械。