【事件の表示】
　平成１０年特許願第３４６０３０号「半導体評価装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年６月２３日出願公開、特開２０００−１７１５０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年１２月４日の出願であって、平成１３年１１月９日付けで拒絶査定がなされ、同年１１月１４日に当該査定の謄本が送達され、同年１２月１３日に審判の請求がなされ、その後に当審により平成１６年１２月２７日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の平成１７年３月７日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１２に係る発明は、平成１３年１２月２０日提出の手続補正書及び平成１７年３月７日提出の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載されたとおりのものと認められ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、つぎのとおりのものである。
　
【請求項１】　半導体デバイスが実装される面には前記半導体デバイスの端子が接続されるプリント配線が設けられ、前記面とは反対側の面には前記プリント配線に接続され前記半導体デバイスを作動させる周辺回路および電源回路が設けられているテストボードと、　前記プリント配線の上方に配置され、積層された複数の導体層を有して構成することにより電界をシールドして前記プリント配線から発生する磁界を検出する磁界検出器と、
　所定の磁界校正テーブルを用いて前記磁界検出器より出力される複素電圧から複素磁界を求める工程と、前記プリント配線の設計情報および前記磁界検出器と前記プリント配線との間の距離に基づいて前記複素磁界から前記プリント配線を流れる複素電流を求める工程とにより前記プリント配線を流れる電流値を算出する電流検出器とを有してＥＭＩ評価を行う半導体評価装置。
　
第３　当審により通知した拒絶理由の概要
　平成１６年１２月２７日付けで当審により通知した拒絶理由の概要は以下のとおりである。
　本願発明は、下記の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない
　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：原田高志ほか、「プリント回路基板近傍磁界の時間軸波形計測」、電気学会論文誌Ａ、基礎・材料・共通部門誌、VOL.１１７−Ａ，１９９７年５月号、平成９年４月２０日発行、第５２３頁〜５３０頁
刊行物２：“ＥＬＥＣＴＲＯＭＡＧＮＥＴＩＣ　ＣＯＭＰＡＴＩＢＩＬＩＴＹ　ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴ　ＰＲＯＣＥＤＵＲＥＳ　ＦＯＲ　ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ　ＣＩＲＣＵＩＴＳ”，ＩＥＣ　４７Ａ／４２８／ＮＰ　ＮＥＷ　ＷＯＲＫ　ＩＴＥＭ　ＰＲＯＰＯＳＡＬ，１９９６．２，ｐ２７〜ｐ４０
刊行物３：玉置尚哉ほか、「ＬＳＩパッケージの高空間分解能磁界計測によるＥＭＩ波源探査」、電気学会研究会資料、マグネティックス研究会、ＭＡＧ−９８−１〜１２、１９９８年２月２日、第２５頁〜第２９頁
　
第４　当審の拒絶の理由において引用された刊行物に記載された事項
　１　刊行物１には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　（１ａ）「１．まえがき　電子機器から放射される不要電磁波はその放射源である電子回路、およびこれを搭載したプリント回路基板において抑制することが最も効果的である。プリント回路基板上の不要電磁波の放射源を明らかにするため、基板近傍における磁界分布の測定が行われている。この測定は通常、基板上の特定のポイントでの磁界強度の周波数特性やセンサを基板に沿って掃引させ単一周波数で磁界を測定し、その強度分布を表示する。この測定法は特定のＩＣや信号配線など部品レベルの放射源を明確にできる利点がある。しかし、基板全体が放射源となるような場合、その原因を明らかにすることは困難である。これに対し、基板周囲の磁界を時間軸波形として測定する手法が提案されている。時間軸波形によれば、放射に起因する磁界の変化を回路動作と結び付けて把握できるため、放射メカニズムの解明やその抑制手法の検討に有効な情報を得られることが期待できる。磁界の時間軸波形は磁界センサの出力電圧波形と、同センサの受信磁界と出力電圧の比であるセンサファクターのデコンボリューションとして求められる。したがって、測定に際してはセンサファクターの周波数特性をあらかじめ知っておく必要がある。ディジタル信号は広帯域な周波数スペクトルを有しており、センサファクターはこれらの帯域をカバーしていなければならない。筆者らは磁界センサの校正法として広帯域な磁界を発生できる不平衡形マイクロストリップ線路を標準磁界発生源として用いる方法を提案した。・・・本論文では、磁界センサにループプローブを用いることとし、はじめに標準磁界発生源としてマイクロストリップ線路を用いたときの同プローブの校正法を述べる。特に校正を簡単に行うため、線路近傍の磁界強度をＡｍｐｅｒｅの法則から導かれた式により表すことを考え、その近似式が適用できる条件を検討する。また、一般的な校正法であるＧ−ＴＥＭセルを標準磁界源として用いた結果と比較することにより本手法の適用範囲を明らかにする。さらに、上記の手法により校正されたループプローブを用いて、ディジタル回路を搭載した四層プリント回路基板近傍の磁界の時間軸波形を測定し、本計測が不要電磁波放射メカニズムの解明に有効であることを示す。」（第５２３頁左欄第１行目〜第５２４頁左欄第１０行目）
　（１ｂ）「３．マイクロストリップ路線を用いた校正　・・・以上の校正法を用い、図７に示すような先端にギャップを設けたループ直径１０ｍｍ、および６．５ｍｍの二つの終端短絡シールテッドループプローブのセンサファクターＦドット（ω）（当審注：上付ドットの英字、以下同じ。）を求めた。校正ブロック図を図８に示す。片端を５０Ωで整合終端したマイクロストリップ線路にネットワークアナライザのポート１から同軸ケーブルを介して給電した。被校正ループプローブは線路中央のストリップ導体上にループ面がストリップ導体と平行になるように設定した。ループプローブの出力は増幅器を介してネットワークアナライザのポート２に接続した。プローブの出力端には６ｄｂアッテネータを挿入しインピーダンス不整合による反射を除去した。・・・校正手順を以下に示す。丸１（当審注：まる囲み数字を丸１等とする。以下同じ。）校正系のケーブル、増幅器、アッテネータを直列に接続し、ネットワークアナライザのＳ２１ドット（ω）の基準を校正する。
丸２次に、この系によりマイクロストリップ線路の透過特性を測定し、各周波数における線路の位相遅延θ（ω）を求め、線路の中央の位相θ（ω）／２を決定する。
丸３最後に図８に示す校正系によりＳ２１ドット（ω）を測定し、次の式を用いてセンサファクタの振幅・・・と位相・・・を計算する。・・・（９）・・・（１０）・・・」（第５２４頁左欄下から第３行目〜５２７頁左欄第１６行目）
　（１ｃ）「４．回路基板近傍の磁界の時間軸波形計測　上記の手法により振幅と位相を校正した磁界センサを用いて、ディジタル回路を搭載したプリント回路基板近傍の磁界の時間軸波形を測定した。評価に用いた基板と回路を図１０に示す。基板は寸法が１６０ｍｍ×２４ｍｍ、厚さ１．６ｍｍの４層構造であり、層構成は第一層から信号層、グランド層、電源層、信号層の順である。誘電体は比誘電率・・・のガラスエポキシとした。搭載した回路は水晶発振器、ＴＴＬインバータＩＣ（７４ＡＳ０４）、４本の信号配線パターンで構成され、それぞれの信号配線は７５Ω抵抗で終端した。発振器の周波数は２０ＭＨｚ、配線パターン長は１０５ｍｍである。グランド層と電源層はそれぞれグランドプレーン、電源プレーンとして基板全体を覆っている。信号パターンは第一層のみに配線した。電源は外部の安定化電源により供給した。・・・基板近傍の磁界波形の測定には磁界センサとして前述の直径１０ｍｍのシールテッドループプローブを用いた。信号配線パターン上の１０ｍｍの位置における磁界の時間軸波形を図１２に示す。配線パターン上では磁界は５０ｎｓを１周期とするｄｕｔｙ比約５０％の矩形波に１周期が約４．５ｎｓの正弦波状の振動が重畳した波形になる。これらを周波数で表すと矩形が２０ＭＨｚ、正弦波状の振動が２２０ＭＨｚである。２０ＭＨｚの矩形波は、水晶発振器の周波数に等しく、配線パターンが抵抗終端を持つことから、ＩＣの動作に伴い配線パターン上を流れる電流が作る磁界と考えることができる。一方、２２０ＭＨｚは最もレベルが高い放射が生じた周波数と一致し、この正弦波状の振動が不要電磁波の原因と考えることができる。さらに、この波形から２２０ＭＨｚの振動はＩＣがｈｉｇｈレベルにあり回路に電流が流れているときにのみ生じていることが読みとれる。この結果は不要電磁波の放射が回路の動作状態に依存して発生することを示唆するものであり、こうした特性は従来の周波数軸での磁界測定では明らかにすることは不可能であった。次に、他の位置における磁界特性として基板の端部での時間軸波形を測定した。この測定点は電源層、グランド層の端部にあたり、これらの層の影響を受けやすい。・・・基板端部ではＩＣの出力レベルに依存して変化する２２０ＭＨｚの振動が支配的な波形である。この周波数の振幅はＰｅａｋ　ｔｏ　ｐｅａｋで約０．３［Ａ／ｍ］であり、配線パターン上の約１０倍である。また、この測定点は信号配線パターンから離れており、同パターンに流れる２０ＭＨｚの電流による磁界はレベルが低くほとんど観測されていない。放射レベルの高い２２０ＭＨｚと同じ周波数成分を持つ振動は基板近傍の波形で見るとＩＣがｈｉｇｈレベルにあり、回路に電流が供給されているときに生じていること、振幅は電源層とグランド層の影響が表れる基板端部で強いことなどを考慮すると、本基板の不要電磁波の放射源は電源とグランドで構成された系にある可能性が高い。」（第５２７頁左欄下から第８行目〜５２９頁左欄第３行目）
　（１ｄ）「付録ＩＩ．　Ｓ２１測定による校正係数の導出　校正係数Ｆドット（ω）は受信磁界Ｈドット（ω）とセンサの出力電圧Ｖドット（ω）の比・・・（Ａ−２）で定義されている。（Ａ−２）のＨドット（ω）に（７）式を代入して、・・・（Ａ−３）となる。マイクロストリップ線路の終端は整合されているため、電流Ｉドット（ω）はネットワークアナライザの出力電圧Ｖドット（ω）と線路の特性インピーダンス５０オームを用いて表され、・・・（Ａ−４）となる。ネットワークアナライザのポート２の出力はゼロ、ポート１は無反射である。したがって、ポート２の入力電圧Ｖドット（ω）とポート１の出力電圧Ｖドット（ω）の比はＳ２１ドット（ω）に等しくなり、・・・（Ａ−５）となる。したがって、校正係数Ｆドット（ω）の振幅は・・・（Ａ−６）で表すことができる。また、測定されたＳ２１ドット（ω）の位相には校正点である線路中心までの位相遅延が含まれている。線路全体の位相遅延θ（ω）はあらかじめ測定により得られており、線路中心での位相はθ（ω）／２となる。したがって、センサファクターの位相∠Ｆドット（ω）はこの分を補正し、・・・（Ａ−７）で求める。」（第５２９頁左欄第３８行目〜５３０頁左欄第１０行目）
　
　２　刊行物２には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　（２ａ）「1.　Scope This recommended practice defines a method for measuring the electromagnetic radiation from an integrated circuit. The method uses a standaridized IC test board containing the IC being evaluated mounted to a mating port cut in the top or bottom of a 1 GHz TEM cell. The standardized test board controls the geometry and orientation of the operatomg IC relative to the TEM cell and eliminates any connecting leads within the cell(these are on the back side of the board which is outside the cell).  One of the TEM cell feeds is teminated with a 50 ohm load and the other one is connected to the input of a spectrum analyzer which measures the RF emissions over the frequency range of 150 KHz to 1000 MHz emanating from the integrated circuit and impressed onto the septum of the TEM cell(see Figure 1).」（１．目的　この推奨されるべきプラクティスは、ＩＣからの電磁放射の測定の手法を定義する。 この手法は、１ＧＨｚのＴＥＭセルの切り欠かれた頂部あるいは底部のマッチングされたポートに据え付けられた評価されるＩＣを含む標準化されたＩＣテストボードを用いる。標準化されテストボードは、ＴＥＭセルに関する稼働するＩＣの幾何学的位置づけを定めると共に、セル内の接続リードを排除する。ＴＥＭセルのフィードの一方は５０オームの負荷で終端され、他端は、ＩＣから放射する１５０ＫＨｚから１０００ＭＨｚの周波数レンジにわたるＲＦ放射を測定するスペクトルアナライザの入力に接続されており、ＴＥＭセルの隔壁の上に押圧されている。（図１参照））（第２９頁第１行目〜第１４行目）
　（２ｂ）「5.2　Standardized IC Test Board - Refer to Figure 2. This special square printed circuit board includes a ground plane which serves as a shield; the periphery of this shield is tinned to facilitate contact to the edge of the mating hole cut in the top or bottom of the TEM cell. The top side of this board that is inside the test cell shall be fully shielded except for the IC being evaluated and the narrow strip of vias around the IC. The access wiring and other required components(such as crystals) shall be on the other(bottom) side of  this board (the side that is outside the TEM cell) or on a daughter board that is connected to the back side of the test board. Power bypass capacitors for the IC are to be chosen according to manufacturers recommendations and located to minimize lead length. All wiring should be minimized and controlled. A description of the test board setup (photo or artwork, schematic  parts list) shall be included with the test report.」（５．２　標準化されたＩＣテストボード　−２図を参照。この特別な四角形のプリント回路基板は、シールドとして役に立つグランドプレーンを含む。このシールドの周囲は、セルの頂部或いは底部に切り欠いたマッチング孔の周辺へのコンタクト容易にするためにすずメッキがされている。このテストボートの上部側、つまりテストセルの内側は、評価されるＩＣを除いて、十分シールドされるべきである。接続配線と他の必要とされる例えばクリスタルのような部品は、ボードの他面（ＴＥＭセルの外側）上、あるいは、テストボードの裏側に接続された副ボート上に設置すべきである。ＩＣのためのパワーバイパスコンデンサは、製造者の推奨値にあわせて選択されるべきであり、最少の長さに位置づけられるべきである。全ての配線は、最小限にそして抑制されるべきである。テストボードのセットアップの記述は、テストレポートに含まれるべきである。）（第３１頁第９行目〜第２３行目）
　
　３　刊行物３には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　（３ａ）「１　まえがき　電子機器から漏洩する電磁波の放射源を探索しメカニズムを解明するために、プリント回路基板上の磁界の計測が行われている。最近では、漏洩電磁波の主な放射原因の一つとして、プリント配線を流れる高周波電流が着目されており、特にＬＳＩ近傍の磁界を測定し、磁界から配線電流を推定することによりＥＭＣ対策に有用な情報が得られるという報告がある。このような測定では、プリント回路基板上のＬＳＩや周辺回路を動作させ、その入出力動作電流を乱さないように回路素子や配線に非接触で磁界測定を行い、電流を推定することが必要である。ここで、現在一般的に使用されているＱＦＰタイプのパッケージに対応させて磁界計測を行うためには、空間分解能が数ｍｍ程度の従来型磁界プローブでは対応できず、ＱＦＰに接続されるファインピッチのプリント回路基板配線に対応した高空間分解能磁界プローブが必要となる。そこで筆者らは以前、多層構造のシールテッドループを用いたバーミアンスメータを基に、多層プリント回路基板により高空間分解能な磁界プローブを開発した。小型化及び被測定配線に接近可能な構造とすることにより、同軸ケーブルで作製された従来型シールティドループプローブに比較して２倍以上の高空間分解能化が可能であることを示した。本報告では、この多層基板磁界プローブをさらに小型化した構造を示し、従来型プローブと空間分解能の比較を行う。それにより、従来型プローブに比べ約５．６倍の空間分解能が得られることを示す。また応用例として、多層基板磁界プローブを用いてワークステーション用ＬＳＩの近傍磁界分布を測定し、従来型プローブでは識別が困難であるＬＳＩパッケージ内のＥＭＩ波源が初めて探査可能となったことを示す。」（第２５頁左欄第１行目〜右欄第６行目）
　（３ｂ）「２　多層基板磁界プローブの構造　・・・空間分解能を向上させるためには磁界検出部となるループを小さくする必要があるが、構造上小型化が困難であり、新たな構造の磁界プローブを開発する必要がある。そこで、今回筆者等が開発した小型化が容易な多層基板構造の磁界プローブを図１に示す。この磁界プローブは基本的には３層構造である。この構造は、従来のセミリジッド同軸ケーブルをトリプレートのストリップ線路で置き換えたものである。製作はプリント回路基板（εｒ＝４．７５）により行っている。ループは０．２ｍｍ×１．０ｍｍの方形となっており、従来型プローブ（半径５．０ｍｍ）や、以前筆者等が開発した多層プリント回路基板プローブ（０．２ｍｍ×４９．２ｍｍ）に比較し非常に小さい。」（第２５頁右欄第７行目〜第２４行目）
　（３ｃ）「３　特性測定　周波数特性の測定結果を示す。マイクロストリップ線路（ｈ＝０．５０８ｍｍ、ｗ＝１．６５ｍｍ、εｒ＝２．１、Ｚｏ＝５０Ω）を用い、線路の中央付近において磁界プローブの最下部と線路との垂直距離を１．０ｍｍとし、磁界強度が最も強くなる線路真上に磁界プローブを固定している。測定にはネットワークアナライザ（ＨＰ８７５３Ｄ）を用い、線路の入力端を０ｄＢとして磁界プローブの出力を測定した。測定結果を図３に示す。約２，５ＧＨｚ以下においてプローブの出力は周波数に比例し、磁界プローブとして動作していることが確認される。また、小型化したことにより従来型プローブよりも広帯域な特性を示している。次に、空間分解能特性について示す。空間分解能は、マイクロストリップ線路（ｈ＝０．１ｍｍ、ｗ＝０．１６ｍｍ、εｒ＝４．７５、Ｚｏ＝５０Ω）上に磁界プローブを配置し、線路の横方向に走査したときの磁界分布より求める。図４に測定系を示す。シグナルジェネレータにより８００ＭＨｚでマイクロストリップ線路を励振している。磁界プローブの最下部と線路との垂直距離を０．０５ｍｍで一定としたときの測定磁界分布を図５に示す。横軸が線路の真上を基準とした磁界プローブの位置、縦軸が最大値で規格化した磁界強度を表す。従来型のシールディドループプローブに比較し分布が鋭くなっており、空間分解能が向上している。ここで、空間分解能を定量的に評価するために、磁界強度が極小値となる磁界プローブの位置に着目する。この位置では、金属ストリップを流れる電流と鏡像電流による磁界が打ち消し合い、隣接配線の影響が最小限になるという測定上の意味が与えられる。以後、この磁界プローブの位置を便宜上空間分解能と言うことにする。従来型プローブの空間分解能は３．８０ｍｍであるが、今回の多層基板プローブは０．６８ｍｍと約５．６倍に向上している。」（第２６頁左欄第１行目〜右欄第１１行目）
　
第５　対比・判断
　１　本願発明と刊行物１に記載された発明との対比
　　（１）刊行物１の記載事項（１ａ）及び（１ｃ）並びに図１０及び図１１から、刊行物１には、プリント回路基板上の不要電磁波の放射源を明らかにするため、基板周囲の磁界を時間軸波形として測定するために、水晶発振器、ＴＴＬインバータＩＣ、当該ＴＴＬインバータＩＣの端子に接続された４本の信号線パターンで構成されたプリント回路基板であって、当該基板は４層構造であり、第１層から信号層、グランド層、電源層、信号層の順であり、グランド層と電源層はそれぞれグランドプレーン、電源プレーンとして基板全体を覆っているプリント配線基板と、当該プリント配線基板の上方に配置され、当該プリント配線基板の近傍の磁界を検出するループアンテナと、前記ループアンテナにより検出された磁界の大きさに基づいて、プリント配線基板の近傍の磁界の時間軸波形を測定する装置の発明が記載されていると認められる。
　　（２）本願発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明のＴＴＬインバータＩＣ、４本の信号線パターン、水晶発振器は、それぞれ本願発明１の「半導体デバイス」、「半導体デバイスに接続されるプリント配線」、「前記半導体デバイスを作動させる周辺回路」に相当する。
　　（３）また、刊行物１に記載された発明のプリント回路基板は、電源層に外部から電源が供給されるものであり、当該電源層は、水晶発振器、ＴＴＬインバータＩＣに作動用電源を供給する信号層に設けられた配線に接続されていることは当業者にとって自明のことであるので、刊行物１に記載された発明は、電源回路を備えているものといえる。
　　（４）そうすると、刊行物１に記載された発明のプリント配線基板と本願発明のテストボードとは、ともに「半導体デバイスが実装される面には、前記半導体デバイスの端子が接続されるプリント配線が設けられたテストボードであるとともに、半導体デバイスを作動させる周辺回路及び電源回路が設けられているテストボード」である点で相当する。
　　（５）刊行物１に記載された発明は、プリント回路基板上の不要電波の放射源を明らかにすることを目的としていることから、半導体デバイスの搭載されたプリント回路基板のＥＭＩ評価を行う半導体評価装置であるといえる。
　　（６）したがって、両者は、「半導体デバイスが実装される面には、前記半導体デバイスの端子が接続されるプリント配線が設けられると共に、周辺回路及び電源回路が設けられているテストボードと、前記プリント配線の上方に配置され、プリント配線から発生する磁界を検出する磁界検出器とを有して、ＥＭＩ評価を行う半導体評価装置」である点で一致し、つぎの相違点ＡないしＣで相違する。
　
相違点Ａ　「テストボード」に関し、本願発明は「半導体デバイスを作動させる周辺回路及び電源回路が半導体デバイスが実装される面とは反対側の面に設けられている」のに対して、刊行物１に記載された発明は、半導体デバイスを作動させる周辺回路が半導体デバイスが実装される面に設けられており、電源回路の設けられている位置が特定されていない点
　
相違点Ｂ　「磁界検出器」に関し、本願発明１は「積層された複数の導体層を有して構成することにより電界をシールドして前記プリント配線から発生する磁界を検出する」ものであるのに対して、刊行物１に記載された発明は、ループアンテナである点
　
相違点Ｃ　本願発明１は「所定の磁界校正テーブルを用いて前記磁界検出器より出力される複素電圧から複素磁界を求める工程と、前記プリント配線の設計情報および前記磁界検出器と前記プリント配線との間の距離に基づいて前記複素磁界から前記プリント配線を流れる複素電流を求める工程とにより前記プリント配線を流れる電流を算出する電流検出器」を備えているのに対して、刊行物１に記載された発明は、そのような構成を備えていない点
　
　２　当審の判断
　（１）相違点Ａについて
　相違点Ａについて検討するに、刊行物２には、ＩＣからの電磁放射の測定の手法において用いられるテストボードであって、測定対象のＩＣを除いた作動用のクリスタル等の部品はＩＣを実装する面と反対側に設けるようにしたものが記載されている。
　そして、刊行物２に記載されたテストボードは、評価対象であるＩＣからの電磁放射を測定するためのものであることから、半導体デバイスのＥＭＩを評価しようとする場合に、刊行物１に記載された発明のプリント回路基板を、測定対象とならない周辺回路や電源回路を評価対象の半導体デバイスの実装面と反対側にすることは、刊行物２に記載された技術を適用することにより当業者が容易に想到し得る程度のことである。
　（２）相違点Ｂについて
　相違点Ｂについて検討するに、刊行物３には、従来のセミリジッド同軸ケーブルをトリプレートのストリップ線路で置き換えたものである多層基板構造の磁界プローブが記載されている。そして、刊行物３の多層基板構造の磁界プローブは、図１からみて、金属板にはさまれたループを構成するストリップ線路が金属板により電界シールドがされるものであることが明らかである。
　また、刊行物３の摘記事項（３ａ）には、ＬＳＩ近傍の磁界を測定し、磁界から配線電流を推定することによりＥＭＣ対策に有用な情報を得られる点及びそのために高分解能の磁界プローブが必要であり、多層基板構造の磁界プローブが有用である旨の記載があり、ＥＭＣ対策に有用な情報を得るＥＭＩ評価のために、刊行物１に記載された発明の磁界プローブに代えて、刊行物３に記載された多層基板構造の磁界プローブを用いるようにすることは、当業者であれば容易に想到し得る程度のことである。
　（３）相違点Ｃについて　
　相違点Ｃについて検討する。
　　ア　刊行物１には、ネットワークアナライザ複素電圧信号であるＳドット（ω）信号の校正手法とともに、受信磁界Ｈドット（ω）と出力電圧Ｖドット（ω）の比を校正係数Ｆドット（ω）として用いる点が記載されており（上記摘記事項（１ｂ）および（１ｄ）参照）、当該記載事項から、磁界検出器から出力される複素電圧（出力電圧Ｖドット（ω））から複素磁界（受信磁界Ｈドット（ω））を求めるために、磁界校正係数Ｆドット（ω）を用いれば良いことが示唆されているというべきであり、また校正係数を求めてその係数をテーブルとして記憶し、当該テーブルを参照して、測定値を求めるようにすることは、従来周知のことであるので、磁界校正テーブルを用いて磁界検出器から出力される複素電圧から複素磁界を求めるようにすることは、当業者が容易になし得る程度のことにすぎない。
　　イ　刊行物３には、ＬＳＩ近傍の磁界を測定し、磁界から配線電流を推定することによりＥＭＣ対策に有用な情報を得られる旨が記載されている。
　また、配線に流れる電流により生じる磁界を測定することにより、配線に流れる電流を求めることは慣用されている電流測定手法である。
　さらに、刊行物１の第５２５頁右欄には式（７）としてマイクロストリップ線路を流れる電流と磁界の関係を表す式が記載されており、測定した磁界からマイクロストリップ線路の厚み（２ｔ）、すなわちプリント配線の設計情報、及び磁界検出器とプリント配線との間の距離（ｈ）に基づいて電流を求めることができることが示されている。
　以上のことから、刊行物１に記載された発明を、ＥＭＣ対策に有用な情報を得るために、測定した磁界から配線電流を刊行物１に記載されている式（７）にしたがって求めるようにすることにより、プリント配線の設計情報及び磁界検出器とプリント配線との間の距離を求める工程により前記プリント配線を流れる電流値を算出する手段を設けるようにすることは、当業者が容易になし得る程度のことである。
    ウ　そして、磁界検出器より出力される複素電圧を校正して複素磁界を求める工程と、複素磁界から複素電流を求める工程を、１つの手段として構成するか、２つの手段として構成するかは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度の設計的事項に過ぎないので、上記相違点Ｃは、当業者が容易になし得る程度のものである。
　（４）本願発明の効果は、刊行物１ないし３に記載された発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものであって格別のものとはいえない。
　したがって、本願発明は、刊行物１ないし３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、意見書において、「刊行物１では、上記(２)に該当する磁界センサとしてループプローブを用いており、磁界の強度変化について電流の存在が関連することを示唆しているのみで、電流を検出し電流値を定量的に求めることによってＥＭＩ評価、具体的には伝導・伝搬するノイズ量の評価を行いうることに関してはなんら開示されてはおりません。これは、刊行物１が（ループプローブを校正し、校正されたループプローブを用いて）プリント回路基板近傍の磁界の時間軸波形計測により不要電磁波放射の放射源を特定するものであるためで、そのため刊行物１では背面に周辺回路・電源回路を有するテストボードを用いる必要はありませんし、電流を検出する必要もありません。審判官殿は刊行物１に刊行物２,３を組みわせれば本願発明は容易になしえると指摘されておられますが、そもそも刊行物１に刊行物２,３を組み合わせる動機付けはなく、審判官殿の御指摘は不当であります。さらにいえば、刊行物１のような基板全体構造から共振して電磁波を放射する場合において不要電磁波放射の放射源を特定するためには、一本の配線の電流を測定することは逆に電磁波放射の真の原因を見失うことになり、遠方電界強度いわゆるノイズ放射量の推定は不可能になります。」と主張している。
　しかしながら、刊行物３には、ＬＳＩ近傍の磁界を測定し、磁界から配線電流を推定することによりＥＭＣ対策に有用な情報を得られる旨が記載されており、刊行物１に記載された発明について、電流を検出し電流値を定量的に求めることによりＥＭＩ評価を行うについての動機付けがあるものと認められ、また、相違点Ａについての検討において説示したように、刊行物２のテストボードは、測定対象であるＩＣからの電磁放射を測定するものであるので、当業者であれば、測定対象となる半導体デバイス以外の電磁放射を排除することを目的として、刊行物２に記載された発明のテストボードを用いることは容易に想到し得る程度のことであるので、上記主張は採用することができない。
　さらに、請求人は「刊行物３に記載されている測定方法は本願によるものとは異なっており、たとえ組み合わせることが可能であったとしても本願発明がそれらの組み合わせより得られるものではありません。・・・しかしながら、測定結果は磁界分布にすぎず、磁界の大きさから電流を求めることについて記載されているものではありません。また、刊行物３の測定結果は、QFPタイプのパッケージに実装された半導体について行われた磁界分布計測であり、厳密には高周波電流値そのものではありません。刊行物３で示されている磁界の強弱は高周波電流の強さと磁界を形成するリードフレームの特性により定まります。すなわち、金属の幅が狭いところと広い部分とでは、リードフレームを流れる総電流値が同じであったとしても磁界の強度は異なります。刊行物３にあるように磁界発生源としてのリードフレームの特性が分からないままに測定された磁界強度は、高周波電流の存在とその強度を予見させるものであるとしても推定の域を出るものではありません。つまり、磁界強度が強い部分がただちに電流強度が強いことをかならずしも保証するものではありません。このことは、刊行物３の２６頁右上欄４〜８行目の・・・記載からも明らかな通り、電流が存在するにも関わらず鏡像電流により磁界は打ち消し合い磁界強度は最小となるような、本来電流が存在する箇所において磁界強度が相殺してしまう場合や、電流が存在しない位置において磁界が強め合って強い強度で観測される場合も現実的には有り得ます。刊行物３の場合は、電源用リードフレームを流れる高周波電流分布を推定することが目的でなされているものであり、電流の存在可能性を示唆しているにすぎません。」とも主張している。
　しかしながら、相違点Ｂ及びＣの検討において説示したように、刊行物３には、ＬＳＩ近傍の磁界を測定し、磁界から配線電流を推定することによりＥＭＣ対策に有用な情報を得られる旨記載されていること、及び、そのために高分解能の磁界プローブが必要であり、多層基板構造の磁界プローブが有用である旨の記載があることから、刊行物１に記載された発明において、検出した磁界から電流を求めるようにすること、及び、そのために刊行物３に記載された発明の磁界プローブを用いるようにすることは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　そして、刊行物３に記載された磁界プローブにより測定しているものが磁界強度であるとしても、そのことが、刊行物１に記載された発明に刊行物３に記載された発明を適用することを阻害する要因となるとはいえず、請求人の上記主張も採用することができない。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１ないし３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明が特許を受けることができないものであるから、その他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。