(57)【要約】製造バラツキの影響が少なく集光率の高い集光素子を備えた、高感度な固体撮像装置を実現するため、入射光１３を光電変換するフォトダイオード８と、フォトダイオード８の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層１５と、透過層１５の上部および周辺に形成され、入射光１３を集光して透過層１５に出射する凹凸状のレンズ層１１とを備える。透過層１５の屈折率は、レンズ層１１の屈折率より大きい。透過層１５の厚さおよび幅は、所定の波長の光に対して所定の焦点距離になるように設定されている。レンズ層１１は、ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂のいずれかから成る。【特許請求の範囲】
【請求項１】
単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置であって、
各前記単位画素は、
入射光を光電変換する光電変換手段と、
前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、
前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備える
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記レンズ層は、面内方向に周期幅が一定で分割された複数のゾーン毎に、前記周期幅に対して線幅の合計の占める割合が互いに異なる、同心円状を有する光透過膜を備える
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記透過層の屈折率は、前記レンズ層の屈折率より大きい
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記固体撮像装置は、さらに、
前記光電変換手段の上方に形成され、所定の波長領域の光のみを透過させる波長分離手段を備え、
前記透過層の厚さおよび幅は、前記所定の波長領域の光に対して所定の焦点距離になるように設定されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記レンズ層は、ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂のいずれかから成る
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記透過層は、画素中心から周辺になるにつれて膜厚が減少する部分を有する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記レンズ層は、偏心させた同心状の形状を有する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項８】
単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
各前記単位画素は、
入射光を光電変換する光電変換手段と、
前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、
前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備え、
土台上に前記透過層の材料層を形成する工程と、
前記材料層の上部にレジストを形成する工程と、
画素中心から周辺になるにつれて前記レジスト間の間隔が広くなるようにパターンを形成する工程と、
前記パターン外の前記材料層が残存する時点でエッチングを終了する工程とを含む
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置を備えるカメラであって、
各前記単位画素は、
入射光を光電変換する光電変換手段と、
前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、
前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備える
ことを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、デジタルカメラ等に搭載される固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  固体撮像装置に関しては、様々な技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。【０００３】  図１は、従来の固体撮像装置の一例を示す図である。この固体撮像装置１１０では、単位画素１が二次元状に配列されており、各行が垂直シフトレジスタ２により選択され、その行信号が水平シフトレジスタ３により選択されて画素毎のカラー信号が出力アンプ４から出力される。周辺の駆動回路５は、垂直シフトレジスタ２、水平シフトレジスタ３および出力アンプ４を動作させる。【０００４】  図２は、従来の固体撮像装置の画素部の断面図である。固体撮像装置１００（図２では、３画素分のみ示している。）では、Ｎ型層６上にＰ型層７が形成され、Ｐ型層７内にフォトダイオード８が形成されている。フォトダイオード８間を分離する分離領域１４上に光を遮断する遮光膜９が形成されている。また、フォトダイオード８上には、層間絶縁膜１２と、各画素に対応する色光のみを透過させるカラーフィルタ１０ａ〜１０ｃと、入射光１３を集光するマイクロレンズ２１とが形成されている。【０００５】  このように、従来の固体撮像装置１００では、各フォトダイオード８の上方に形成されたマイクロレンズ２１で入射光１３が集光され、集光された光のうちカラーフィルタ１０ａ〜１０ｃを透過する光のみがフォトダイオード８に入射し、フォトダイオード８で電荷に変換される。
【特許文献１】特開平０６−６１４６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  しかしながら、従来の固体撮像装置１００の構成では、マイクロレンズ２１の高さが製造バラツキなどにより高く形成された場合、マイクロレンズ２１の中心付近に垂直に入射する光はマイクロレンズ２１を通過してフォトダイオード８に入射することができるが、マイクロレンズ２１の中心から離れた最下部付近に入射する光は大きな屈折を受けるため、フォトダイオード８に入らないで素子分離部１４に入射してしまう。このため、その光はフォトダイオード８で光電変換できなくなり、結局、固体撮像装置の受光感度の低下につながるという問題がある。さらに、この受光感度の低下は、画素サイズが微細になればなるほど顕著になるという傾向にある。さらに、この問題により、歩留りが悪くなるので、最近の固体撮像装置の大きな課題となっている。【０００７】  また、固体撮像装置における周辺付近の画素においては、入射光の入射角が大きくなる。これは、最近の固体撮像装置の薄型化に伴って顕著な傾向となっている。そのため、従来の固体撮像装置の構造では周辺付近の画素の集光効率が低下してしまい、画質の悪化につながるという問題がある。【０００８】  また、入射光の波長（色）によりマイクロレンズ２１の焦点距離が変化するために画質の劣化が生じるので、各画素に対応する色に対して、各マイクロレンズ２１の形状を最適なものとするのが望ましいが、従来のマイクロレンズ２１の構成や製造方法ではこれを達成することはきわめて困難である。【０００９】  また、Ｐ型層７内でのフォトダイオード８の形成場所が、固体撮像装置のサイズの微小化に伴う構造上の制約等により、必ずしも中央ではなく偏って形成される場合も多い。この場合、従来の凸形状のマイクロレンズを用いた構成では、高精度に形成位置を制御することは困難である。【００１０】  また、同心円的な屈折率周期構造を有する透過層による集光の方法も提案されているが、現状の技術では透過層の膜厚を安定して十分な厚さに形成することができないので、光路長を十分に確保することができず、そのため入射光を十分集光することができない。集光率を向上するためには透過層の膜厚を十分に確保する必要があるが、現状の製造方法や材料を用いたのでは実現困難である。【００１１】  本発明は、製造バラツキの影響が少なく集光効率の高い集光素子を備えた、高感度な固体撮像装置およびカメラを提供することを目的とする。【００１２】  さらに、本発明は、入射光の集光率の高い、高感度な固体撮像装置、および、その固体撮像装置の生産性の高い製造方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】  上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置であって、各前記単位画素は、入射光を光電変換する光電変換手段と、前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備える。【００１４】  この構造により、従来技術におけるマイクロレンズの高さなどの製造バラツキが低減され、安定したレンズ形状を精度よく形成することができ、集光効率が高くなり画質の向上につながる。また、固体撮像装置の微細化が進んでも高歩留りが可能となる。【００１５】  さらに、前記レンズ層は、面内方向に周期幅が一定で分割された複数のゾーン毎に、前記周期幅に対して線幅の合計の占める割合が互いに異なる、同心円状を有する光透過膜を備えることとしてもよい。【００１６】  さらに、前記透過層の屈折率は、前記レンズ層の屈折率より大きいことを特徴とする。これにより、より効果的に入射光を集光することができる。【００１７】  さらに、前記固体撮像装置は、前記光電変換手段の上方に形成され、所定の波長領域の光のみを透過させる波長分離手段を備え、前記透過層の厚さおよび幅は、前記所定の波長領域の光に対して所定の焦点距離になるように設定してもよい。【００１８】  これにより、透過層の上部に形成されるレンズ層の表面の曲率が画素毎に設定できるので、各画素に対応する色の波長の光に最適な焦点距離が設定でき、従来技術では色の違いによって集光率が低下することによって生じていた画質の劣化特性を改善することができる。【００１９】  さらに、前記レンズ層は、ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂のいずれかから成ることを特徴とする。【００２０】  これらの粘着性の高い材料を用いて層を形成することにより、製造工程において自然と凹凸状のレンズ形状が形成でき、さらに、レンズの高さなどの製造バラツキが低減でき、高歩留りが可能となる。【００２１】  また、前記透過層は、画素中心から周辺になるにつれて膜厚が減少する部分を有することを特徴とする。【００２２】  これにより、透過層は、画素の中央部から周辺部につれて膜厚が小さくなる凸レンズ形状を部分的に有することとなるため、レンズによる集光効果も併せもち、集光率がさらに向上する。【００２３】  また、前記レンズ層は、偏心させた同心状の形状を有するように構成してもよい。
さらに、上記目的を達成するために、本発明に係る製造方法は、単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、各前記単位画素は、入射光を光電変換する光電変換手段と、前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備え、土台上に前記透過層の材料層を形成する工程と、前記材料層の上部にレジストを形成する工程と、画素中心から周辺になるにつれて前記レジスト間の間隔が広くなるようにパターンを形成する工程と、前記パターン外の前記材料層が残存する時点でエッチングを終了する工程とを含むことを特徴とする。【００２４】  パターンの狭い箇所ほど物理的エッチングの進行速度が遅く、広い箇所ほど進行速度が速いので、パターンの狭い画素中央部ほど透過層の材料層が多く残存し、周辺部へ行くにつれて少なく残存することになる。したがって、凸レンズ形状を部分的に有する、集光率の高い透過層を形成することができる。【００２５】  また、上記目的を達成するために、本発明に係るカメラは、単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置を備えるカメラであって、各前記単位画素は、入射光を光電変換する光電変換手段と、前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備えることを特徴とする。これにより、感度の高いカメラを実現することができる。
【発明の効果】
【００２６】  本発明に係る固体撮像装置によれば、製造工程において自然と凹凸状のレンズ形状が形成でき、レンズの高さなどの製造バラツキが低減できるので、安定したレンズ形状を形成することができ、集光効率の高い高感度な固体撮像装置を実現することができる。また、固体撮像装置の微細化が進んでも高歩留りが可能となる。また、各画素に対応する色に対して各レンズの形状を変化させて焦点距離を最適にできるので、さらに集光効率を向上することができる。さらに、固体撮像装置の周辺付近に位置し、斜め光が入射する画素においても、レンズの形成位置を精度よく設定できるので集光効率の向上が実現できる。【００２７】  さらに、本発明に係る固体撮像装置によれば、透過層での光路長を十分に確保することができ、入射光を十分集光することができるため、集光率を向上することができる。したがって、本透過層を備えた固体撮像装置は、高い感度特性を有する。さらに、レンズによる集光効果も併せもった構造を有する場合には、集光率がさらに向上できる。【００２８】  また、その製造方法において、通常のフォトリソ工程において、屈折率周期構造を有する透過層が形成可能となるとともに、μｍオーダー以上の膜厚の形成が極めて安定かつ容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】［図１］従来の固体撮像装置の一例を示す図である。
［図２］従来の固体撮像装置の画素部の断面図である。
［図３］本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の画素部の断面図である。
［図４］本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置の画素部の断面図である。
［図５］（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置の集光部の製造方法を説明するための図である。
［図６］本発明の実施の形態４に係る固体撮像装置における画素部の断面図である。
［図７］本発明の実施の形態４に係る固体撮像装置における透過層の上面図である。
［図８］（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る固体撮像装置の集光作用を説明するための図である。説明図である。
［図９］本発明の実施の形態５に係る固体撮像装置における透過層の断面図である。
［図１０］（ａ）〜（ｅ）は、上記実施の形態４に係る固体撮像装置における透過層の製造工程を示す図である。である。
［図１１］（ａ）〜（ｃ）は、上記実施の形態４に係る固体撮像装置における透過層のその他の製造工程を示す図である。
［図１２］（ａ）〜（ｅ）は、上記実施の形態５に係る固体撮像装置における透過層の製造工程を示す図である。
［図１３］（ａ）は、本発明の実施の形態８に係る固体撮像装置の画素部の断面図及び上面図である。（ｂ）は本発明の実施の形態８に係る固体撮像装置の周辺にある画素部の上面図である。
［図１４］（ａ）〜（ｇ）は、上記実施の形態８に係る固体撮像装置における透過層の製造工程を示す図である。
［図１５］（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態８に係る固体撮像装置における透過層の変形例の断面図である。
［図１６］（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態８に係る画素部の変形例を示す図である。
［図１７］本発明の実施の形態８に係る、正六角形の固体撮像素子を平面的に配置した例を示す図である。
【符号の説明】
【００３０】      １              単位画素
２              垂直シフトレジスタ
３              水平シフトレジスタ
４              出力アンプ
５              周辺領域の駆動回路
６              Ｎ型層
７              Ｐ型層
８              フォトダイオード
９              遮光膜
１０、１０ａ〜１０ｃ  カラーフィルタ
１１、４１      レンズ層
１２            層間絶縁膜
１３、２３      入射光
１４            素子分離
１５、１５ａ〜１５ｃ１１７  透過層
２１            マイクロレンズ
５１、２０２、３０２        高屈折率材料
５２            低屈折率材料（空気）
１００〜１０２  固体撮像装置（３単位画素分）
１１０          固体撮像装置
２０１、３０１  土台
２０２          透過層材料
２０３、３０３  レジスト
２０４          レンズ層材料
２０５          固体撮像装置
４０１ａ        固体撮像装置
４０１ｂ        固体撮像装置
５０１          土台
５０２          透過層材料
５０３          レジスト
５０４          レンズ層材料
５１１          土台
５１２          土台
６０１ａ        単位画素
６０１ｂ        単位画素
６０１ｃ        単位画素
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】  以下、図面を参照しながら、本発明に係る固体撮像装置について説明を行う。なお、本発明について、以下の実施の形態および添付の図面を用いて説明を行うが、これは例示を目的としており、本発明はこれらに限定されることを意図しない。【００３２】（実施の形態１）
図３は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置における画素部の断面図である。図３に示す固体撮像装置１０１（３画素分のみ示している。）では、Ｎ型層６上にＰ型層７が形成され、Ｐ型層７内にフォトダイオード８が形成されている。フォトダイオード８間を分離する分離領域１４の上方に光を遮断する遮光膜９が形成されている。またフォトダイオード８上には、層間絶縁膜１２と、各画素に対応する色光のみを透過させるカラーフィルタ１０ａ〜１０ｃと、入射光１３を集光するための本発明に係る垂直形状の透過層１５と、透過層１５の上部および周辺に形成された凹凸形状を有するレンズ層１１とが形成されている。なお、透過層１５の形状は直方体であっても円柱等でもよい。また、透過層１５の屈折率は、レンズ層１１の屈折率よりも大きくなるように材料選定されている。【００３３】  この構成によって、入射光１３は凹凸形状を有するレンズ層１１の表面で屈折し、さらに、垂直形状の透過層１５の表面でも屈折して、効率的に集光される。すなわち、後述するように、製造工程において従来技術におけるマイクロレンズの高さなどの製造バラツキが低減され、安定したレンズ形状を精度よく形成することができ、集光効率が高くなり画質の向上につながる。また、固体撮像装置の微細化が進んでも高歩留りが可能となる。【００３４】（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置における画素部の断面図である。固体撮像装置１０２では、本発明に係る垂直形状の透過層の幅および高さがＲＧＢの各色に対応する単位画素によってそれぞれ最適に変更されており、それに応じてレンズ層１１の凹凸形状が変化して、各色の光に対する焦点距離がそれぞれ最適に設定されているところが、実施の形態１と異なる。特に、短波長側においては、透過層１５の屈折率が大きくなり、逆に長波長側においては、透過層１５の屈折率が小さくなるために、透過層の大きさを調整する必要がある。【００３５】  透過層１５ａ、１５ｂおよび１５ｃでは、透過層１５ａが最も幅が小さく高さが高くなっており、透過層１５ａは赤色（Ｒ）用に用いる透過層となる。一方、透過層１５ｃでは最も幅が大きく高さが低くなっており、青色（Ｂ）用に相当し、透過層１５ｂは、その中間の値を有し、緑色（Ｇ）用に用いるものである。この画素毎のレンズ構造の変更により、ＲＧＢのそれぞれの光の焦点距離が各画素で最適に設定されるので、各画素の集光効率が実施の形態１よりもさらに向上し、色収差の影響が極めて低減された固体撮像装置を実現することができる。【００３６】（実施の形態３）
図５（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置の集光素子の製造方法を説明するための図である。【００３７】  まず、図５（ａ）に示すように、土台２０１（上記実施の形態１および２では、カラーフィルタ１０ａ〜１０ｃ）の上部に、通常の膜形成技術を用いて、ＳｉＯ？からなる透過層材料２０２を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、透過層材料２０２の上部にレジスト２０３を形成し、図５（ｃ）に示すように、フォトリソ技術を用いて、所定の場所以外のレジスト２０３を除去する。さらに引き続き、図５（ｄ）に示すように、ドライエッチング技術を用いて、所定領域外の透過層材料２０２を除去する。次に、図５（ｅ）に示すように、ＳｉＯ？と比較して粘性の高い材料（ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂等）を用いて、ＣＶＤ法やスピンコート法などによってウエハ全体にレンズ層２０４の形成を実施する。ＣＶＤ法によってＢＰＳＧ膜、あるいはＴＥＯＳ膜を形成した後、６００度、３０分程度の熱処理（アニール）を行う。また、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂等の場合、スピンコート法によって形成した後、完全に水分を除去させるために、３００度〜３５０度、１時間程度のベーク（キュア）を実施する。このように粘性の高い材料を用いた場合、ウエハ表面上の垂直形状の透過層２０２全体を被覆するように膜形成が行われるとともに、膜形成を行った後、熱処理を実施することによって、パターンの角ばった形状において丸みを持たせることが可能となる。結果的に、ＳｉＯ？からなる垂直形状の透過層２０２を中心にして、レンズ層２０４によって凹凸状の形状が実現可能となる。【００３８】  なお、レンズ層２０４の曲率などは、垂直形状の透過層２０２の幅および高さ、およびレンズ層２０４の材料や膜厚、製造時の温度等の条件によって決定される。【００３９】  以上説明を行った製造手法を用いることによって、制御性よく凹凸のレンズ形状が形成されるので、従来技術で問題となっているレンズの形成高さや位置などの製造バラツキが低減でき、高歩留りが可能となる。さらに、半導体プロセスを用いることができるため、レンズの形成場所の位置合わせも精度よく行うことができるので、特に斜め光が入射する固体撮像装置の周辺部の画素において、フォトダイオードの中心上よりも固体撮像装置の中央よりにレンズを形成することで集光効率の向上がさらに図られ、色収差の影響も低減できる。【００４０】  また、本発明に係る固体撮像装置を備えたカメラは、高い感度特性を実現することができる。【００４１】（実施の形態４）
図６は、本発明の実施の形態４に係る固体撮像装置２０５における画素部の断面図である。図６に示す固体撮像装置２０５（３画素分のみ示している。）では、Ｎ型層６上にＰ型層７が形成され、Ｐ型層７内にフォトダイオード８が形成されている。フォトダイオード８間を分離する分離領域１４の上方に光を遮断する遮光膜９が形成されている。またフォトダイオード８上には、層間絶縁膜１２と、各画素に対応する色光のみを透過させるカラーフィルタ１０ａ〜１０ｃと、入射光１３を集光するための本発明に係る、透過層２１とが形成されている。図６においては、入射波長を０．５μｍ、透過層をＳｉＯ２（屈折率：１．４５）とした場合であり、膜厚としては、１．１１μｍである。【００４２】  図７は、本発明の実施の形態４に係る固体撮像装置２０５における透過層２１の上面図である。図７では１画素分のみを示している。上記図６の透過層２１は、高屈折率材料５１および低屈折率材料（この実施の形態では、空気）５２からなる同心円上の屈折率周期構造を有する。さらに、画素中央部のほうが周辺部に比べ高屈折率材料５１の占める割合が高いため、実効屈折率が画素中心から周辺になるにつれて低く変化している。したがって、本透過層による導波作用によって入射光が集光され、集光された光はフォトダイオード８に入射し、電荷に変換される。また、高屈折率材料５１と低屈折率材料５２の構成比率、すなわち、各同心形状の半径や幅を調整することで、所定の波長の焦点距離を設定することができる。【００４３】  ここで、図８（ｂ）に示すように、従来のように膜厚がＬ＞λ／Δｎを満たさない（Ｌ＜λ／Δｎ）透過層の場合、光路長が十分に確保されないため入射光の集光作用が十分に働かず、集光率の低下をまねいてしまうが、本透過層２１では膜厚がＬ＞λ／Δｎを満たす構成（入射波長を０．５μｍ、透過層をＳｉＯ２（屈折率：１．４５）とした場合、膜厚は、１．１１μｍ）であるので、光路長を十分に確保することができ、入射光を十分集光することができるため、集光率を向上することができる（図８（ａ））。したがって、本透過層２１を備えた固体撮像装置は、高い感度特性を有することとなる。【００４４】（実施の形態５）
図９は、本発明の実施の形態５に係る固体撮像装置における透過層の断面図である。透過層１７は、１．１１μｍの膜厚（入射波長を０．５μｍ、透過層をＳｉＯ２（屈折率：１．４５）を有し、画素中心から周辺になるにつれて実効屈折率が減少する構造である。実施の形態４に係る透過層２１と異なる点は、上記実施の形態４に係る透過層２１における空隙部にも、画素中央部から周辺部につれてしだいに小さくなるような膜厚を有する層が形成されており、そのため全体として凸レンズ形状を含んだ構造となっているところである。このような透過層１７の構造のため、上記実施の形態４に係る透過層２１の集光効果に加え、レンズ形状による集光効果により集光率がさらに向上する。【００４５】（実施の形態６）
図１０（ａ）〜（ｅ）は、上記実施の形態４に係る固体撮像装置の透過層の製造方法を説明するための図である。【００４６】  まず、図１０（ａ）に示すように、土台３０１（上記実施の形態４の場合では、カラーフィルタ１０ａ〜１０ｃ）の上部に、通常の膜形成技術を用いて、高屈折率材料の層３０２を形成する。次に、図１０（ｂ）に示すように、高屈折率材料の層３０２の上部にレジスト３０３を形成し、図１０（ｃ）に示すように、フォトリソ技術を用いて、所定の場所以外のレジスト３０３を除去する。さらに引き続き、ドライエッチング技術を用いて、所定領域外の高屈折率材料の層３０２を除去すると、図１０（ｄ）に示すように、所定領域の高屈折率材料の層３０２のみが残存し、最終的に図１０（ｅ）に示すように、レジスト３０３を除去することで、上記実施の形態４に係る透過層を形成することができる。【００４７】  なお、高屈折率材料の層３０２には、ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂のいずれかを用いる。【００４８】  ＢやＰを数％添加したＳｉＯ？膜（ＢＰＳＧ膜）、およびＴＥＯＳ膜を用いることで、サブμｍ以上という膜厚の大きな、かつ、ワレなどの発生が起こりにくい透過層の形成を、通常の材料を用いるよりも安定して行うことができる。【００４９】  また、ベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂は、可視光領域での透過特性が高い特徴を有し、ＳｉＯ？膜（ＢＰＳＧ膜）、およびＴＥＯＳ膜と同様に高屈折率材料の層３０２上のレジスト３０３を除去後、ドライエッチング技術を用いて所望の同心円上の屈折率周期構造を形成することが可能となる。【００５０】  ベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂においては、感光性を有するタイプがあり、これらの材料を用いて透過層を形成することも可能である。図１１には、感光性タイプのベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂を用いた場合の製造方法を示している。図１１（ａ）に示すように、フォトリソ工程に通常用いられているスピナー法によって、土台３０１の上部に、感光性タイプのベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂からなる高屈折率材料の層３０２を形成する。露光前ベーク（プリベーク）を行った後、ステッパなどの露光装置を用いて露光を行い、現像、ベーク（キュア）を実施し、図１１（ｃ）に示す同心円上の屈折率周期構造を形成する。なお、図１１（ｂ）においては、ネガタイプ（露光された領域の層３０２が残り、未露光領域の層３０２が除去される）における実施の形態を示しているが、ポジタイプ（露光された領域の層３０２が除去され、未露光領域の層３０２が残る）を用いても差し支えない。以上から、通常のフォトリソ工程によって、屈折率周期構造を有する透過層が形成可能となるとともに、サブμｍ以上の膜厚の形成が極めて容易になる。【００５１】  以上説明を行った製造方法を用いることによって、制御性よく本発明に係る透過層が形成できる。さらに、半導体プロセスを用いることができるため、透過層の形成場所の位置合わせも精度よく行うことができ、斜め光が入射する固体撮像装置の周辺部の画素において、フォトダイオードの中心上よりも固体撮像装置の中央よりに透過層を形成することで集光効��の向上がさらに図られ、色収差の影響も低減できる。また、固体撮像装置の構造上の制約等によりフォトダイオードの形成位置がずれている場合であっても、透過層を最適な位置に精度よく形成することができる。【００５２】（実施の形態７）
図１２（ａ）〜（ｅ）は、上記実施の形態５に係る固体撮像装置の透過層の製造方法を説明するための図である。【００５３】  まず、図１２（ａ）に示すように、土台３０１（上記実施の形態４の場合では、カラーフィルタ１０ａ〜１０ｃ）の上部に、通常の膜形成技術を用いて、高屈折率材料の層３０２を形成する。次に、図１２（ｂ）に示すように、高屈折率材料の層３０２の上部にレジスト３０３を形成し、図１２（ｃ）に示すように、フォトリソ技術を用いて、所定の場所以外のレジスト３０３を除去する。さらに引き続き、ドライエッチングを用いて、所定領域外の高屈折率材料の層３０２を物理的に除去していくと、図１２（ｄ）に示すように、所定領域外の高屈折率材料の層３０２のうち、パターンの細い箇所ほどドライエッチングの進行速度が遅いので、画素中央部の高屈折率材料の層３０２ほど多く残存し、画素の周辺部へ行くにつれて高屈折率材料の層３０２が少なく残存する。したがって、ドライエッチングを最後まで行わずに途中で終了するようにし、次にレジスト２０３を除去することで、最終的に図１２（ｅ）に示すように、画素中央部から周辺部につれて膜厚が小さくなる部分、すなわち凸レンズ形状を部分に有する上記実施の形態５に係る透過層を形成することができる。【００５４】  また、上記実施の形態４又は５に係る固体撮像装置を備えたカメラは、高い感度特性を実現することができる。【００５５】  なお、以上説明を行った実施の形態では低屈折率材料に空気を用いているが、高屈折率材料よりも屈折率が小さい材料であればよい。【００５６】  （実施の形態８）
図１３（ａ）は、本実施の形態の形態の係る固体撮像装置における画素部の断面図である。図１３（ａ）に示す固体撮像装置（３画素分のみ示している。）では、Ｎ型層６上にＰ型層７が形成され、Ｐ型層７内にフォトダイオード８が形成されている。さらに、フォトダイオード８間を分離する分離領域１４の上方に光を遮断する遮光膜９が形成されている。また、フォトダイオード８上には、層間絶縁膜１２と、各画素に対応する色光のみを透過させるカラーフィルタ１０ａ〜１０ｃと、入射光１３を集光するための本発明に係る垂直形状の透過層１５と、透過層１５の上部および周辺に形成されたレンズ層４１とが形成されている。なお、透過層１５の形状は直方体であっても円柱等でもよい。また、透過層１５の屈折率は、レンズ層４１の屈折率よりも大きくなるように材料選定されている。【００５７】  さらに、図１３（ａ）においては、入射光１３のレンズ層４１の表面における屈折作用をさらに増やすために、レンズ層４１の実行屈折率を画素中心から周辺になるにつれて徐々に減少させている。【００５８】  具体的には、透過層４１は、高屈折率材料および低屈折率材料（この実施の形態では、空気）からなる同心円上の屈折率周期構造を有する。さらに、画素中央部のほうが周辺部に比べ高屈折率材料の占める割合が高いため、実効屈折率が画素中心から周辺になるにつれて低く変化している。したがって、本透過層による導波作用によって入射光が集光され、集光された光はフォトダイオード８に入射し、電荷に変換される。また、高屈折率材料と低屈折率材料の構成比率、すなわち、各同心形状の半径や幅を調整することで、所定の波長の焦点距離を設定することができる。【００５９】  なお、画素部が固体撮像装置の周辺にある場合は、図１３（ｂ）に示すように、その位置に応じて偏心した同心形状としてもよい。【００６０】  図１４（ａ）〜（ｅ）は、本実施の形態８に係る固体撮像装置の透過層の製造方法を説明するための図である。【００６１】  まず、図１４（ａ）に示すように、土台５０１の上部に、通常の膜形成技術を用いて、ＳｉＯ２からなる高屈折率材料の層５０２を形成する。次に、図１４（ｂ）に示すように、透過層材料５０２の上部にレジスト５０３を形成し、図１４（ｃ）に示すように、フォトリソ技術を用いて、所定の場所以外のレジスト５０３を除去する。さらに引き続き、図１４（ｄ）に示すように、ドライエッチング技術を用いて、所定領域外の透過層材料５０２を除去する。【００６２】  次に、可視光領域での透過特性が高く、凹凸上においてもワレなどの発生が起こりにくい材料であるベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂を形成する。図１４（ａ）に示すように、フォトリソ工程に通常用いられているスピナー法によって、土台５０１の上部に、感光性タイプのベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂からなる高屈折率材料の層５０４を形成する。露光前ベーク（プリベーク）を行った後、ステッパなどの露光装置を用いて露光を行い、現像、ベーク（キュア）を実施し、図１４（ｇ）に示す同心円上の屈折率周期構造を形成する。なお、図１４（ｇ）においては、ネガタイプ（露光された領域の層５０４が残り、未露光領域の層５０４が除去される）における実施の形態を示しているが、ポジタイプ（露光された領域の層５０４が除去され、未露光領域の層５０４が残る）を用いても差し支えない。なお、レンズ層５０４の曲率などは、垂直形状の透過層５０２の幅および高さ、およびレンズ層５０４の材料や膜厚、製造時の温度等の条件によって決定される。【００６３】  以上説明を行った製造方法を用いることによって、制御性よく同心円状のレンズ形状が形成できるので、従来技術で問題となっている、レンズの形成高さや位置などの製造バラツキを低減することができ、高歩留まりが可能となる。さらに、半導体プロセスを用いることができるため、レンズの形成場所の位置合わせも精度よく行うことができるので、特に斜め光が入射する固体撮像装置の周辺部の画素において、フォトダイオードの中心上よりも固体撮像装置の中央よりにレンズを形成することで集光効率の向上がさらに図られ、色収差の影響も低減できる。【００６４】  なお、
図１５（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態８に係る固体撮像装置における透過層の変形例の断面図である。上記図１４（ｇ）と同様に、透過層の上部およびその周辺にレンズ層が形成されている。【００６５】  図１６は、本実施の形態に係る画素部の変形例を示す図である。上記図１３では、面内方向における同心状の形状（即ち、水平面で切断した場合の断面形状）が円の例を示したが、図１６（ａ）に示す画素部は正六角形であり、また、図１６（ｂ）に示す画素部は正方形である。【００６６】  図１７は、本実施の形態に係る、面内方向において同心状で相似な形状が正六角形の画素部を平面的に配置した例を示す図である。この場合は、ＲＧＢの何れか１つの光成分だけを透過させる３種類の正六角形の画素部を、隙間なくかつ互いに同種のものが隣り合わないように配置している。このように画素部をハニカム状に配列すると、正方格子状に配列する場合に比べて、各画素部のフォトニック結晶において隅の部分の集光できない領域が減少する。そのため、集光効率が向上する。さらに、画素部をハニカム状に配列し、フォトニック結晶からなる光学素子の面内方向において同心状で相似な形状を六角形とすると、集光できない領域がほとんど発生しない。そのため、集光効率がさらに向上する。
産業状の利用分野【００６７】  本発明に係る固体撮像装置およびその製造方法は、デジタルスチルカメラや携帯電話用のカメラなどに利用されるイメージセンサとして有用である。
【図１】
2005076361.tif 000002
【図２】
2005076361.tif 000003
【図３】
2005076361.tif 000004
【図４】
2005076361.tif 000005
【図５】
2005076361.tif 000006
【図６】
2005076361.tif 000007
【図７】
2005076361.tif 000008
【図８】
2005076361.tif 000009
【図９】
2005076361.tif 000010
【図１０】
2005076361.tif 000011
【図１１】
2005076361.tif 000012
【図１２】
2005076361.tif 000013
【図１３】
2005076361.tif 000014
【図１４】
2005076361.tif 000015
【図１５】
2005076361.tif 000016
【図１６】
2005076361.tif 000017
【図１７】
2005076361.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正００１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】特許請求の範囲
【請求項１】（補正後）単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置であって、
各前記単位画素は、
入射光を光電変換する光電変換手段と、
前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、
前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備え、
前記レンズ層は、面内方向に周期幅が一定で分割された複数のゾーン毎に、前記周期幅に対して線幅の合計の占める割合が互いに異なる、同心円状の光透過膜である
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】（削除）
【請求項３】前記透過層の屈折率は、前記レンズ層の屈折率より大きい
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】前記固体撮像装置は、さらに、
前記光電変換手段の上方に形成され、所定の波長領域の光のみを透過させる波長分離手段を備え、
前記透過層の厚さおよび幅は、前記所定の波長領域の光に対して所定の焦点距離になるように設定されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】前記レンズ層は、ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂のいずれかから成る
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】前記透過層は、画素中心から周辺になるにつれて膜厚が減少する部分を有することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項７】前記レンズ層は、偏心させた同心状の形状を有する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項８】単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
各前記単位画素は、
入射光を光電変換する光電変換手段と、
前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、
前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備え、
土台上に前記透過層の材料層を形成する工程と、
前記材料層の上部にレジストを形成する工程と、
画素中心から周辺になるにつれて前記レジスト間の間隔が広くなるようにパターンを形成する工程と、
前記パターン外の前記材料層が残存する時点でエッチングを終了する工程とを含む
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】（補正後）  単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置を備えるカメラであって、
各前記単位画素は、
入射光を光電変換する光電変換手段と、
前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、
前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備え、
前記レンズ層は、面内方向に周期幅が一定で分割された複数のゾーン毎に、前記周期幅に対して線幅の合計の占める割合が互いに異なる、同心円状の光透過膜である
ことを特徴とするカメラ。
２０
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月14日(2005.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置であって、
各前記単位画素は、
入射光を光電変換する光電変換手段と、
前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、
前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備え、
前記レンズ層は、面内方向に周期幅が一定で分割された複数のゾーン毎に、前記周期幅に対して線幅の合計の占める割合が互いに異なる、同心円状の光透過膜である
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記透過層の屈折率は、前記レンズ層の屈折率より大きい
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記固体撮像装置は、さらに、
前記光電変換手段の上方に形成され、所定の波長領域の光のみを透過させる波長分離手段を備え、
前記透過層の厚さおよび幅は、前記所定の波長領域の光に対して所定の焦点距離になるように設定されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記レンズ層は、ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂のいずれかから成る
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記透過層は、画素中心から周辺になるにつれて膜厚が減少する部分を有する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記レンズ層は、偏心させた同心状の形状を有する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項７】
単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
各前記単位画素は、
入射光を光電変換する光電変換手段と、
前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、
前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備え、
土台上に前記透過層の材料層を形成する工程と、
前記材料層の上部にレジストを形成する工程と、
画素中心から周辺になるにつれて前記レジスト間の間隔が広くなるようにパターンを形成する工程と、
前記パターン外の前記材料層が残存する時点でエッチングを終了する工程とを含む
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置を備えるカメラであって、
各前記単位画素は、
入射光を光電変換する光電変換手段と、
前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、
前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備え、
前記レンズ層は、面内方向に周期幅が一定で分割された複数のゾーン毎に、前記周期幅に対して線幅の合計の占める割合が互いに異なる、同心円状の光透過膜である
ことを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デジタルカメラ等に搭載される固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置に関しては、様々な技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図１は、従来の固体撮像装置の一例を示す図である。この固体撮像装置１１０では、単位画素１が二次元状に配列されており、各行が垂直シフトレジスタ２により選択され、その行信号が水平シフトレジスタ３により選択されて画素毎のカラー信号が出力アンプ４から出力される。周辺の駆動回路５は、垂直シフトレジスタ２、水平シフトレジスタ３および出力アンプ４を動作させる。
【０００４】
図２は、従来の固体撮像装置の画素部の断面図である。固体撮像装置１００（図２では、３画素分のみ示している。）では、Ｎ型層６上にＰ型層７が形成され、Ｐ型層７内にフォトダイオード８が形成されている。フォトダイオード８間を分離する分離領域１４上に光を遮断する遮光膜９が形成されている。また、フォトダイオード８上には、層間絶縁膜１２と、各画素に対応する色光のみを透過させるカラーフィルタ１０ａ〜１０ｃと、入射光１３を集光するマイクロレンズ２１とが形成されている。
【０００５】
このように、従来の固体撮像装置１００では、各フォトダイオード８の上方に形成されたマイクロレンズ２１で入射光１３が集光され、集光された光のうちカラーフィルタ１０ａ〜１０ｃを透過する光のみがフォトダイオード８に入射し、フォトダイオード８で電荷に変換される。
【特許文献１】特開平０６-６１４６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の固体撮像装置１００の構成では、マイクロレンズ２１の高さが製造バラツキなどにより高く形成された場合、マイクロレンズ２１の中心付近に垂直に入射する光はマイクロレンズ２１を通過してフォトダイオード８に入射することができるが、マイクロレンズ２１の中心から離れた最下部付近に入射する光は大きな屈折を受けるため、フォトダイオード８に入らないで素子分離部１４に入射してしまう。このため、その光はフォトダイオード８で光電変換できなくなり、結局、固体撮像装置の受光感度の低下につながるという問題がある。さらに、この受光感度の低下は、画素サイズが微細になればなるほど顕著になるという傾向にある。さらに、この問題により、歩留りが悪くなるので、最近の固体撮像装置の大きな課題となっている。
【０００７】
また、固体撮像装置における周辺付近の画素においては、入射光の入射角が大きくなる。これは、最近の固体撮像装置の薄型化に伴って顕著な傾向となっている。そのため、従来の固体撮像装置の構造では周辺付近の画素の集光効率が低下してしまい、画質の悪化につながるという問題がある。
【０００８】
また、入射光の波長（色）によりマイクロレンズ２１の焦点距離が変化するために画質の劣化が生じるので、各画素に対応する色に対して、各マイクロレンズ２１の形状を最適なものとするのが望ましいが、従来のマイクロレンズ２１の構成や製造方法ではこれを達成することはきわめて困難である。
【０００９】
また、Ｐ型層７内でのフォトダイオード８の形成場所が、固体撮像装置のサイズの微小化に伴う構造上の制約等により、必ずしも中央ではなく偏って形成される場合も多い。この場合、従来の凸形状のマイクロレンズを用いた構成では、高精度に形成位置を制御することは困難である。
【００１０】
また、同心円的な屈折率周期構造を有する透過層による集光の方法も提案されているが、現状の技術では透過層の膜厚を安定して十分な厚さに形成することができないので、光路長を十分に確保することができず、そのため入射光を十分集光することができない。集光率を向上するためには透過層の膜厚を十分に確保する必要があるが、現状の製造方法や材料を用いたのでは実現困難である。
【００１１】
本発明は、製造バラツキの影響が少なく集光効率の高い集光素子を備えた、高感度な固体撮像装置およびカメラを提供することを目的とする。
【００１２】
さらに、本発明は、入射光の集光率の高い、高感度な固体撮像装置、および、その固体撮像装置の生産性の高い製造方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置であって、各前記単位画素は、入射光を光電変換する光電変換手段と、前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備える。
【００１４】
この構造により、従来技術におけるマイクロレンズの高さなどの製造バラツキが低減され、安定したレンズ形状を精度よく形成することができ、集光効率が高くなり画質の向上につながる。また、固体撮像装置の微細化が進んでも高歩留りが可能となる。
【００１５】
さらに、前記レンズ層は、面内方向に周期幅が一定で分割された複数のゾーン毎に、前記周期幅に対して線幅の合計の占める割合が互いに異なる、同心円状を有する光透過膜を備えることとしてもよい。
【００１６】
さらに、前記透過層の屈折率は、前記レンズ層の屈折率より大きいことを特徴とする。これにより、より効果的に入射光を集光することができる。
【００１７】
さらに、前記固体撮像装置は、前記光電変換手段の上方に形成され、所定の波長領域の光のみを透過させる波長分離手段を備え、前記透過層の厚さおよび幅は、前記所定の波長領域の光に対して所定の焦点距離になるように設定してもよい。
【００１８】
これにより、透過層の上部に形成されるレンズ層の表面の曲率が画素毎に設定できるので、各画素に対応する色の波長の光に最適な焦点距離が設定でき、従来技術では色の違いによって集光率が低下することによって生じていた画質の劣化特性を改善することができる。
【００１９】
さらに、前記レンズ層は、ＢＰＳＧ膜、ＴＥＯＳ膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂のいずれかから成ることを特徴とする。
【００２０】
これらの粘着性の高い材料を用いて層を形成することにより、製造工程において自然と凹凸状のレンズ形状が形成でき、さらに、レンズの高さなどの製造バラツキが低減でき、高歩留りが可能となる。
【００２１】
また、前記透過層は、画素中心から周辺になるにつれて膜厚が減少する部分を有することを特徴とする。
【００２２】
これにより、透過層は、画素の中央部から周辺部につれて膜厚が小さくなる凸レンズ形状を部分的に有することとなるため、レンズによる集光効果も併せもち、集光率がさらに向上する。
【００２３】
また、前記レンズ層は、偏心させた同心状の形状を有するように構成してもよい。
さらに、上記目的を達成するために、本発明に係る製造方法は、単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、各前記単位画素は、入射光を光電変換する光電変換手段と、前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備え、土台上に前記透過層の材料層を形成する工程と、前記材料層の上部にレジストを形成する工程と、画素中心から周辺になるにつれて前記レジスト間の間隔が広くなるようにパターンを形成する工程と、前記パターン外の前記材料層が残存する時点でエッチングを終了する工程とを含むことを特徴とする。
【００２４】
パターンの狭い箇所ほど物理的エッチングの進行速度が遅く、広い箇所ほど進行速度が速いので、パターンの狭い画素中央部ほど透過層の材料層が多く残存し、周辺部へ行くにつれて少なく残存することになる。したがって、凸レンズ形状を部分的に有する、集光率の高い透過層を形成することができる。
【００２５】
また、上記目的を達成するために、本発明に係るカメラは、単位画素が二次元状に複数配列された固体撮像装置を備えるカメラであって、各前記単位画素は、入射光を光電変換する光電変換手段と、前記光電変換手段の上方に形成され、光を透過させる凸状の透過層と、前記透過層の上部およびその周辺に形成され、入射光を集光して前記透過層に出射する凹凸形状のレンズ層とを備えることを特徴とする。これにより、感度の高いカメラを実現することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る固体撮像装置によれば、製造工程において自然と凹凸状のレンズ形状が形成でき、レンズの高さなどの製造バラツキが低減できるので、安定したレンズ形状を形成することができ、集光効率の高い高感度な固体撮像装置を実現することができる。また、固体撮像装置の微細化が進んでも高歩留りが可能となる。また、各画素に対応する色に対して各レンズの形状を変化させて焦点距離を最適にできるので、さらに集光効率を向上することができる。さらに、固体撮像装置の周辺付近に位置し、斜め光が入射する画素においても、レンズの形成位置を精度よく設定できるので集光効率の向上が実現できる。
【００２７】
さらに、本発明に係る固体撮像装置によれば、透過層での光路長を十分に確保することができ、入射光を十分集光することができるため、集光率を向上することができる。したがって、本透過層を備えた固体撮像装置は、高い感度特性を有する。さらに、レンズによる集光効果も併せもった構造を有する場合には、集光率がさらに向上できる。
【００２８】
また、その製造方法において、通常のフォトリソ工程において、屈折率周期構造を有する透過層が形成可能となるとともに、μｍオーダー以上の膜厚の形成が極めて安定かつ容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る固体撮像装置について説明を行う。なお、本発明について、以下の実施の形態および添付の図面を用いて説明を行うが、これは例示を目的としており、本発明はこれらに限定されることを意図しない。
【００３０】
（実施の形態１）
図３は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置における画素部の断面図である。図３に示す固体撮像装置１０１（３画素分のみ示している。）では、Ｎ型層６上にＰ型層７が形成され、Ｐ型層７内にフォトダイオード８が形成されている。フォトダイオード８間を分離する分離領域１４の上方に光を遮断する遮光膜９が形成されている。またフォトダイオード８上には、層間絶縁膜１２と、各画素に対応する色光のみを透過させるカラーフィルタ１０ａ〜１０ｃと、入射光１３を集光するための本発明に係る垂直形状の透過層１５と、透過層１５の上部および周辺に形成された凹凸形状を有するレンズ層１１とが形成されている。なお、透過層１５の形状は直方体であっても円柱等でもよい。また、透過層１５の屈折率は、レンズ層１１の屈折率よりも大きくなるように材料選定されている。
【００３１】
この構成によって、入射光１３は凹凸形状を有するレンズ層１１の表面で屈折し、さらに、垂直形状の透過層１５の表面でも屈折して、効率的に集光される。すなわち、後述するように、製造工程において従来技術におけるマイクロレンズの高さなどの製造バラツキが低減され、安定したレンズ形状を精度よく形成することができ、集光効率が高くなり画質の向上につながる。また、固体撮像装置の微細化が進んでも高歩留りが可能となる。
【００３２】
（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置における画素部の断面図である。固体撮像装置１０２では、本発明に係る垂直形状の透過層の幅および高さがＲＧＢの各色に対応する単位画素によってそれぞれ最適に変更されており、それに応じてレンズ層１１の凹凸形状が変化して、各色の光に対する焦点距離がそれぞれ最適に設定されているところが、実施の形態１と異なる。特に、短波長側においては、透過層１５の屈折率が大きくなり、逆に長波長側においては、透過層１５の屈折率が小さくなるために、透過層の大きさを調整する必要がある。
【００３３】
透過層１５ａ、１５ｂおよび１５ｃでは、透過層１５ａが最も幅が小さく高さが高くなっており、透過層１５ａは赤色（Ｒ）用に用いる透過層となる。一方、透過層１５ｃでは最も幅が大きく高さが低くなっており、青色（Ｂ）用に相当し、透過層１５ｂは、その中間の値を有し、緑色（Ｇ）用に用いるものである。この画素毎のレンズ構造の変更により、ＲＧＢのそれぞれの光の焦点距離が各画素で最適に設定されるので、各画素の集光効率が実施の形態１よりもさらに向上し、色収差の影響が極めて低減された固体撮像装置を実現することができる。
【００３４】
（実施の形態３）
図５（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置の集光素子の製造方法を説明するための図である。
【００３５】
まず、図５（ａ）に示すように、土台２０１（上記実施の形態１および２では、カラーフィルタ１０ａ〜１０ｃ）の上部に、通常の膜形成技術を用いて、SiO？からなる透過層材料２０２を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、透過層材料２０２の上部にレジスト２０３を形成し、図５（ｃ）に示すように、フォトリソ技術を用いて、所定の場所以外のレジスト２０３を除去する。さらに引き続き、図５（ｄ）に示すように、ドライエッチング技術を用いて、所定領域外の透過層材料２０２を除去する。次に、図５（ｅ）に示すように、SiO？と比較して粘性の高い材料（BPSG膜、TEOS膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂等）を用いて、CVD法やスピンコート法などによってウエハ全体にレンズ層２０４の形成を実施する。CVD法によってBPSG膜、あるいはTEOS膜を形成した後、６００度、３０分程度の熱処理（アニ―ル）を行う。また、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂等の場合、スピンコート法によって形成した後、完全に水分を除去させるために、３００度〜３５０度、１時間程度のベーク（キュア）を実施する。このように粘性の高い材料を用いた場合、ウエハ表面上の垂直形状の透過層２０２全体を被覆するように膜形成が行われるとともに、膜形成を行った後、熱処理を実施することによって、パターンの角ばった形状において丸みを持たせることが可能となる。結果的に、SiO？からなる垂直形状の透過層２０２を中心にして、レンズ層２０４によって凹凸状の形状が実現可能となる。
【００３６】
なお、レンズ層２０４の曲率などは、垂直形状の透過層２０２の幅および高さ、およびレンズ層２０４の材料や膜厚、製造時の温度等の条件によって決定される。
【００３７】
以上説明を行った製造手法を用いることによって、制御性よく凹凸のレンズ形状が形成されるので、従来技術で問題となっているレンズの形成高さや位置などの製造バラツキが低減でき、高歩留りが可能となる。さらに、半導体プロセスを用いることができるため、レンズの形成場所の位置合わせも精度よく行うことができるので、特に斜め光が入射する固体撮像装置の周辺部の画素において、フォトダイオードの中心上よりも固体撮像装置の中央よりにレンズを形成することで集光効率の向上がさらに図られ、色収差の影響も低減できる。
【００３８】
また、本発明に係る固体撮像装置を備えたカメラは、高い感度特性を実現することができる。
【００３９】
（実施の形態４）
図６は、本発明の実施の形態４に係る固体撮像装置２０５における画素部の断面図である。図６に示す固体撮像装置２０５（３画素分のみ示している。）では、Ｎ型層６上にＰ型層７が形成され、Ｐ型層７内にフォトダイオード８が形成されている。フォトダイオード８間を分離する分離領域１４の上方に光を遮断する遮光膜９が形成されている。またフォトダイオード８上には、層間絶縁膜１２と、各画素に対応する色光のみを透過させるカラーフィルタ１０ａ〜１０ｃと、入射光１３を集光するための本発明に係る、透過層２１とが形成されている。図６においては、入射波長を０．５μm、透過層をＳｉＯ２（屈折率：１．４５）とした場合であり、膜厚としては、１．１１μmである。
【００４０】
図７は、本発明の実施の形態４に係る固体撮像装置２０５における透過層２１の上面図である。図７では１画素分のみを示している。上記図６の透過層２１は、高屈折率材料５１および低屈折率材料（この実施の形態では、空気）５２からなる同心円上の屈折率周期構造を有する。さらに、画素中央部のほうが周辺部に比べ高屈折率材料５１の占める割合が高いため、実効屈折率が画素中心から周辺になるにつれて低く変化している。したがって、本透過層による導波作用によって入射光が集光され、集光された光はフォトダイオード８に入射し、電荷に変換される。また、高屈折率材料５１と低屈折率材料５２の構成比率、すなわち、各同心形状の半径や幅を調整することで、所定の波長の焦点距離を設定することができる。
【００４１】
ここで、図８（ｂ）に示すように、従来のように膜厚がＬ＞λ/Δｎを満たさない（Ｌ＜λ/Δｎ）透過層の場合、光路長が十分に確保されないため入射光の集光作用が十分に働かず、集光率の低下をまねいてしまうが、本透過層２１では膜厚がＬ＞λ/Δｎを満たす構成（入射波長を０．５μｍ、透過層をＳｉＯ２（屈折率：１．４５）とした場合、膜厚は、１．１１μｍ）であるので、光路長を十分に確保することができ、入射光を十分集光することができるため、集光率を向上することができる（図８（ａ））。したがって、本透過層２１を備えた固体撮像装置は、高い感度特性を有することとなる。
【００４２】
（実施の形態５）
図９は、本発明の実施の形態５に係る固体撮像装置における透過層の断面図である。透過層１７は、１．１１μｍの膜厚（入射波長を０．５μｍ、透過層をＳｉＯ２（屈折率：１．４５）を有し、画素中心から周辺になるにつれて実効屈折率が減少する構造である。実施の形態４に係る透過層２１と異なる点は、上記実施の形態４に係る透過層２１における空隙部にも、画素中央部から周辺部につれてしだいに小さくなるような膜厚を有する層が形成されており、そのため全体として凸レンズ形状を含んだ構造となっているところである。このような透過層１７の構造のため、上記実施の形態４に係る透過層２１の集光効果に加え、レンズ形状による集光効果により集光率がさらに向上する。
【００４３】
（実施の形態６）
図１０（ａ）〜（ｅ）は、上記実施の形態４に係る固体撮像装置の透過層の製造方法を説明するための図である。
【００４４】
まず、図１０（ａ）に示すように、土台３０１（上記実施の形態４の場合では、カラーフィルタ１０ａ〜１０ｃ）の上部に、通常の膜形成技術を用いて、高屈折率材料の層３０２を形成する。次に、図１０（ｂ）に示すように、高屈折率材料の層３０２の上部にレジスト３０３を形成し、図１０（ｃ）に示すように、フォトリソ技術を用いて、所定の場所以外のレジスト３０３を除去する。さらに引き続き、ドライエッチング技術を用いて、所定領域外の高屈折率材料の層３０２を除去すると、図１０（ｄ）に示すように、所定領域の高屈折率材料の層３０２のみが残存し、最終的に図１０（ｅ）に示すように、レジスト３０３を除去することで、上記実施の形態４に係る透過層を形成することができる。
【００４５】
なお、高屈折率材料の層３０２には、BPSG膜、TEOS膜、ベンゾシクロブテンおよびポリイミド系樹脂のいずれかを用いる。
【００４６】
BやPを数％添加したＳｉＯ？膜（BPSG膜）、およびTEOS膜を用いることで、サブμm以上という膜厚の大きな、かつ、ワレなどの発生が起こりにくい透過層の形成を、通常の材料を用いるよりも安定して行うことができる。
【００４７】
また、ベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂は、可視光領域での透過特性が高い特徴を有し、ＳｉＯ？膜（BPSG膜）、およびTEOS膜と同様に高屈折率材料の層３０２上のレジスト３０３を除去後、ドライエッチング技術を用いて所望の同心円上の屈折率周期構造を形成することが可能となる。
【００４８】
ベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂においては、感光性を有するタイプがあり、これらの材料を用いて透過層を形成することも可能である。図１１には、感光性タイプのベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂を用いた場合の製造方法を示している。図１１（ａ）に示すように、フォトリソ工程に通常用いられているスピナー法によって、土台３０１の上部に、感光性タイプのベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂からなる高屈折率材料の層３０２を形成する。露光前ベーク（プリベーク）を行った後、ステッパなどの露光装置を用いて露光を行い、現像、ベーク（キュア）を実施し、図１１（ｃ）に示す同心円上の屈折率周期構造を形成する。なお、図１１（ｂ）においては、ネガタイプ（露光された領域の層３０２が残り、未露光領域の層３０２が除去される）における実施の形態を示しているが、ポジタイプ（露光された領域の層３０２が除去され、未露光領域の層３０２が残る）を用いても差し支えない。以上から、通常のフォトリソ工程によって、屈折率周期構造を有する透過層が形成可能となるとともに、サブμm以上の膜厚の形成が極めて容易になる。
【００４９】
以上説明を行った製造方法を用いることによって、制御性よく本発明に係る透過層が形成できる。さらに、半導体プロセスを用いることができるため、透過層の形成場所の位置合わせも精度よく行うことができ、斜め光が入射する固体撮像装置の周辺部の画素において、フォトダイオードの中心上よりも固体撮像装置の中央よりに透過層を形成することで集光効率の向上がさらに図られ、色収差の影響も低減できる。また、固体撮像装置の構造上の制約等によりフォトダイオードの形成位置がずれている場合であっても、透過層を最適な位置に精度よく形成することができる。
【００５０】
（実施の形態７）
図１２（ａ）〜（ｅ）は、上記実施の形態５に係る固体撮像装置の透過層の製造方法を説明するための図である。
【００５１】
まず、図１２（ａ）に示すように、土台３０１（上記実施の形態４の場合では、カラーフィルタ１０ａ〜１０ｃ）の上部に、通常の膜形成技術を用いて、高屈折率材料の層３０２を形成する。次に、図１２（ｂ）に示すように、高屈折率材料の層３０２の上部にレジスト３０３を形成し、図１２（ｃ）に示すように、フォトリソ技術を用いて、所定の場所以外のレジスト３０３を除去する。さらに引き続き、ドライエッチングを用いて、所定領域外の高屈折率材料の層３０２を物理的に除去していくと、図１２（ｄ）に示すように、所定領域外の高屈折率材料の層３０２のうち、パターンの細い箇所ほどドライエッチングの進行速度が遅いので、画素中央部の高屈折率材料の層３０２ほど多く残存し、画素の周辺部へ行くにつれて高屈折率材料の層３０２が少なく残存する。したがって、ドライエッチングを最後まで行わずに途中で終了するようにし、次にレジスト２０３を除去することで、最終的に図１２（ｅ）に示すように、画素中央部から周辺部につれて膜厚が小さくなる部分、すなわち凸レンズ形状を部分に有する上記実施の形態５に係る透過層を形成することができる。
【００５２】
また、上記実施の形態４又は５に係る固体撮像装置を備えたカメラは、高い感度特性を実現することができる。
【００５３】
なお、以上説明を行った実施の形態では低屈折率材料に空気を用いているが、高屈折率材料よりも屈折率が小さい材料であればよい。
【００５４】
（実施の形態８）
図１３（ａ）は、本実施の形態の形態の係る固体撮像装置における画素部の断面図である。図１３（ａ）に示す固体撮像装置（３画素分のみ示している。）では、Ｎ型層６上にＰ型層７が形成され、Ｐ型層７内にフォトダイオード８が形成されている。さらに、フォトダイオード８間を分離する分離領域１４の上方に光を遮断する遮光膜９が形成されている。また、フォトダイオード８上には、層間絶縁膜１２と、各画素に対応する色光のみを透過させるカラーフィルタ１０ａ〜１０ｃと、入射光１３を集光するための本発明に係る垂直形状の透過層１５と、透過層１５の上部および周辺に形成されたレンズ層４１とが形成されている。なお、透過層１５の形状は直方体であっても円柱等でもよい。また、透過層１５の屈折率は、レンズ層４１の屈折率よりも大きくなるように材料選定されている。
【００５５】
さらに、図１３（ａ）においては、入射光１３のレンズ層４１の表面における屈折作用をさらに増やすために、レンズ層４１の実行屈折率を画素中心から周辺になるにつれて徐々に減少させている。
【００５６】
具体的には、透過層４１は、高屈折率材料および低屈折率材料（この実施の形態では、空気）からなる同心円上の屈折率周期構造を有する。さらに、画素中央部のほうが周辺部に比べ高屈折率材料の占める割合が高いため、実効屈折率が画素中心から周辺になるにつれて低く変化している。したがって、本透過層による導波作用によって入射光が集光され、集光された光はフォトダイオード８に入射し、電荷に変換される。また、高屈折率材料と低屈折率材料の構成比率、すなわち、各同心形状の半径や幅を調整することで、所定の波長の焦点距離を設定することができる。
【００５７】
なお、画素部が固体撮像装置の周辺にある場合は、図１３（ｂ）に示すように、その位置に応じて偏心した同心形状としてもよい。
【００５８】
図１４（ａ）〜（ｅ）は、本実施の形態８に係る固体撮像装置の透過層の製造方法を説明するための図である。
【００５９】
まず、図１４（ａ）に示すように、土台５０１の上部に、通常の膜形成技術を用いて、ＳiO2からなる高屈折率材料の層５０２を形成する。次に、図１４（ｂ）に示すように、透過層材料５０２の上部にレジスト５０３を形成し、図１４（ｃ）に示すように、フォトリソ技術を用いて、所定の場所以外のレジスト５０３を除去する。さらに引き続き、図１４（ｄ）に示すように、ドライエッチング技術を用いて、所定領域外の透過層材料５０２を除去する。
【００６０】
次に、可視光領域での透過特性が高く、凹凸上においてもワレなどの発生が起こりにくい材料であるベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂を形成する。図１４（ａ）に示すように、フォトリソ工程に通常用いられているスピナー法によって、土台５０１の上部に、感光性タイプのベンゾシクロブテンあるいはポリイミド系樹脂からなる高屈折率材料の層５０４を形成する。露光前ベーク（プリベーク）を行った後、ステッパなどの露光装置を用いて露光を行い、現像、ベーク（キュア）を実施し、図１４（ｇ）に示す同心円上の屈折率周期構造を形成する。なお、図１４（ｇ）においては、ネガタイプ（露光された領域の層５０４が残り、未露光領域の層５０４が除去される）における実施の形態を示しているが、ポジタイプ（露光された領域の層５０４が除去され、未露光領域の層５０４が残る）を用いても差し支えない。なお、レンズ層５０４の曲率などは、垂直形状の透過層５０２の幅および高さ、およびレンズ層５０４の材料や膜厚、製造時の温度等の条件によって決定される。
【００６１】
以上説明を行った製造方法を用いることによって、制御性よく同心円状のレンズ形状が形成できるので、従来技術で問題となっている、レンズの形成高さや位置などの製造バラツキを低減することができ、高歩留まりが可能となる。さらに、半導体プロセスを用いることができるため、レンズの形成場所の位置合わせも精度よく行うことができるので、特に斜め光が入射する固体撮像装置の周辺部の画素において、フォトダイオードの中心上よりも固体撮像装置の中央よりにレンズを形成することで集光効率の向上がさらに図られ、色収差の影響も低減できる。
【００６２】
なお、
図１５（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態８に係る固体撮像装置における透過層の変形例の断面図である。上記図１４（ｇ）と同様に、透過層の上部およびその周辺にレンズ層が形成されている。
【００６３】
図１６は、本実施の形態に係る画素部の変形例を示す図である。上記図１３では、面内方向における同心状の形状（即ち、水平面で切断した場合の断面形状）が円の例を示したが、図１６（ａ）に示す画素部は正六角形であり、また、図１６（ｂ）に示す画素部は正方形である。
【００６４】
図１７は、本実施の形態に係る、面内方向において同心状で相似な形状が正六角形の画素部を平面的に配置した例を示す図である。この場合は、ＲＧＢの何れか１つの光成分だけを透過させる３種類の正六角形の画素部を、隙間なくかつ互いに同種のものが隣り合わないように配置している。このように画素部をハニカム状に配列すると、正方格子状に配列する場合に比べて、各画素部のフォトニック結晶において隅の部分の集光できない領域が減少する。そのため、集光効率が向上する。さらに、画素部をハニカム状に配列し、フォトニック結晶からなる光学素子の面内方向において同心状で相似な形状を六角形とすると、集光できない領域がほとんど発生しない。そのため、集光効率がさらに向上する。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明に係る固体撮像装置およびその製造方法は、デジタルスチルカメラや携帯電話用のカメラなどに利用されるイメージセンサとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】従来の固体撮像装置の一例を示す図である。
【図２】従来の固体撮像装置の画素部の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置の画素部の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る固体撮像装置の画素部の断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態３に係る固体撮像装置の集光部の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の実施の形態４に係る固体撮像装置における画素部の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る固体撮像装置における透過層の上面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る固体撮像装置の集光作用  を説明するための図である。説明図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る固体撮像装置における透過層の断面図であ  る。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）は、上記実施の形態４に係る固体撮像装置における透過層の製造工程を示す図である。である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、上記実施の形態４に係る固体撮像装置における透過層のその他の製造工程を示す図である。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、上記実施の形態５に係る固体撮像装置における透過層の製造工程を示す図である。
【図１３】（ａ）は、本発明の実施の形態８に係る固体撮像装置の画素部の断面図及び上面図である。（ｂ）は本発明の実施の形態８に係る固体撮像装置の周辺にある画素部の上面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｇ）は、上記実施の形態８に係る固体撮像装置における透過層の製造工程を示す図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態８に係る固体撮像装置における透過層の変形例の断面図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態８に係る画素部の変形例を示す図である。
【図１７】本発明の実施の形態８に係る、正六角形の固体撮像素子を平面的に配置した例を示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
１            単位画素
２            垂直シフトレジスタ
３            水平シフトレジスタ
４            出力アンプ
５            周辺領域の駆動回路
６            Ｎ型層
７            Ｐ型層
８            フォトダイオード
９            遮光膜
１０、１０ａ〜１０ｃ    カラーフィルタ
１１、４１      レンズ層
１２            層間絶縁膜
１３、２３      入射光
１４            素子分離
１５、１５ａ〜１５ｃ、１７    透過層
２１            マイクロレンズ
５１、２０２、３０２          高屈折率材料
５２            低屈折率材料（空気）
１００〜１０２    固体撮像装置（３単位画素分）
１１０            固体撮像装置
２０１、３０１    土台
２０２            透過層材料
２０３、３０３    レジスト
２０４            レンズ層材料
２０５            固体撮像装置
４０１ａ          固体撮像装置
４０１ｂ          固体撮像装置
５０１            土台
５０２            透過層材料
５０３            レジスト
５０４            レンズ層材料
５１１            土台
５１２            土台
６０１ａ          単位画素
６０１ｂ          単位画素
６０１ｃ          単位画素                                                                           
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005076361.tif 000019
【図２】
2005076361.tif 000020
【図３】
2005076361.tif 000021
【図４】
2005076361.tif 000022
【図５】
2005076361.tif 000023
【図６】
2005076361.tif 000024
【図７】
2005076361.tif 000025
【図８】
2005076361.tif 000026
【図９】
2005076361.tif 000027
【図１０】
2005076361.tif 000028
【図１１】
2005076361.tif 000029
【図１２】
2005076361.tif 000030
【図１３】
2005076361.tif 000031
【図１４】
2005076361.tif 000032
【図１５】
2005076361.tif 000033
【図１６】
2005076361.tif 000034
【図１７】
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【国際調査報告】
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