【事件の表示】
　特許第５７８６０４２号発明「ボンディングワイヤ及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７８６０４２号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５７８６０４２号（以下，「本件特許」という。）の請求項１ないし６に係る特許についての出願は，平成２５年１月１６日に特許出願（国内優先権の優先日：平成２４年１月２５日）され，平成２７年７月３１日に特許の設定登録がされ，その後，その特許について，特許異議申立人田中電子工業株式会社により特許異議の申立てがされたものである。
　
第２　本件発明
　本件特許の請求項１ないし６に係る発明（以下，それぞれ「本件発明１ないし６」という。）は，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものである。
第３　申立理由の概要
（１）特許異議申立人は，下記（２）の証拠方法を提出し，(1)本件発明１ないし６は，甲第１号証に記載された発明と実質同一であり，本件特許の請求項１ないし６に係る特許は特許法第２９条の２の規定に違反してされたものであり，(2)本件発明１ないし６は，甲第２号証ないし甲第７号証に記載された発明に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，本件特許の請求項１ないし６に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり，(3)本件特許の明細書の発明の詳細な説明は，本件発明１ないし６の属する技術の分野における通常の知識を有する者が，その実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではなく，本件特許の請求項１ないし６に係る特許は，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである旨主張している。
（２）証拠方法
甲第１号証：特願２０１１−４２５６０号（特許第４８６０００４号公報）
甲第２号証：特開２０１０−１９９５２８号公報
甲第３号証：国際公開第０２／２３６１８号
甲第４号証：日本塑性加工学会編，「塑性加工技術シリーズ６　引抜き加工−基礎から先端技術まで−」，コロナ社，１９９０年１０月２５日，ｐ．７４，７５，２０１−２０２写し
甲第５号証：稲数，山本，”銅線材の２次線引加工集合組織について”，日本金属学会誌，１９８３，第４７巻，第３号，ｐ．２６６−２７２
甲第６号証：Jae-Hyung CHO,外５名,Investigation of Recrystallization and Grain Growth of Copper and Gold Bonding Wires,METALLURGICAL ANS MATERIALS TRANSACTIONS A,Vol.37A,October 2006,p.3085-3097
甲第７号証：稲数直次著，「金属引抜　加工と繊維組織」，近代編集社，昭和６０年７月１日，ｐ．３０８−３１１
　
第４　甲号証の記載
　１　甲第１号証の記載及び甲１発明
（１）甲第１号証は，本件特許についての出願の優先日前の出願であって，次のとおりの記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
　ア「【技術分野】
【０００１】
　この発明は，ＩＣ，ＬＳＩ，トランジスタ等の集積回路素子上の電極と，リードフレーム，セラミック基板，プリント基板等の回路配線基板の導体配線とをボールボンディング法によって接続するためのボンディングワイヤ及びその製造方法に関するものである。」
　イ「【課題を解決するための手段】
【００１５】
　上記課題を達成するために，この発明は，
ボンディングワイヤＷの線径Ｌを，５０．８μｍ以下とし，純度９９．９９質量％以上の銅からなる芯材１の外周全面に，Ｐｄによる厚みｔ２：０．０１〜０．０９μｍの被覆層２を形成した
　ウ「【００２３】
　上記被覆層２は，電解メッキ，無電解メッキ，蒸着法等の周知の手段によって形成され，一般に，ワイヤＷは大きな線径の銅ロッドをダイスと呼ばれるツールに順次貫通させていくことにより，所定の線径に仕上げられるため，この工程途中の適宜な線径で被覆層２を上記手段により形成する。このとき，被覆する際の芯材１の線径は作業性・コストにより決定されるが，製造装置の制限から０．２〜０．８ｍｍが一般的である。外周全面にＰｄを被覆された被覆線は２００〜５００℃で拡散熱処理を施して前記芯材１と被覆層２の密着性を高めた後，線径５０．８μｍ以下まで伸線することで，被覆層２の厚みｔ２０．０１〜０．０９μｍとすることができる。その後，ワイヤＷに調質熱処理を施す。
【００２４】
　その調質熱処理は，所定の線径まで伸線を行いリールに巻きとられたワイヤＷを，巻き戻して管状の熱処理炉中に走行させ，再び巻き取りリールで巻き取ることによって連続熱処理を行う。管状の熱処理炉中には窒素ガスもしくは窒素に微量の水素を混合させたガスを流す。また，その炉温度は４００℃以上８００℃以下として，走行速度は３０〜９０ｍ／分で熱処理を行う。
【００２５】
　この調質熱処理において，後記の実施例と比較例の対比から，ワイヤＷの室温（２０〜２５℃）での引張試験による引張強さＴＳＲと２５０℃での引張試験による引張強さＴＳＨの比ＨＲ（ＴＳＨ／ＴＳＲ×１００）が５０〜７０％となるように調整することが好ましい。
　通常，ＨＲを５０％未満にするには，室温での引張強さＴＳＲを高くする必要があるため，低温もしくは短時間で調質熱処理を行う。この場合，低温，短時間であることから，ワイヤＷの銅の結晶組織は加工ひずみが残る微細組織となる。一方，上記図３（ｈ）の放電棒ｇの放電によってそのワイヤＷにボールｂを形成する際，そのボールｂからキャピラリー１０ａに向かってある長さのワイヤＷは，溶融したのち再結晶した結晶組織の粗大化した熱影響部（図５のｅ参照）が生じる。このため，そのボールｂから所要距離に結晶組織の境界ができる。この結晶組織の境界がループの途中にあるとその部分に亀裂が生じたり，場合によっては破断したりする不具合の原因となるため，ワイヤを高いループ形状（ループ高さ）でボンディングすることができなくなる。
　また，ＨＲが７０％を超えるようにするためには，室温での引張強さＴＳＲを低くする必要があるため，高温もしくは長時間で調質熱処理を行う。この場合，高温，長時間であることから，ワイヤＷの銅の結晶組織が粗大化して脆弱となり，ボンディング時のくせ付けする（わん曲）部分で結晶粒界から亀裂が生成したり破断したりする不具合の原因となる。
　以上から，この発明によるワイヤＷのＨＲを５０〜７０％とすれば，後記実施例と比較例の対比から，微細組織と粗大化した再結晶組織の境界が発生しないため，ループの途中で亀裂が生じることがなく，また，ワイヤＷの結晶組織が粗大化していないため，くせ付けのときに結晶粒界から亀裂が生じることもない，と考える。このため，ワイヤＷに亀裂が発生することなく，フレキシブルにくせ付けが可能になる。」
　エ「【００４８】
　さらに，ＨＲが５０％未満では，そのＨＲ：４５％（比較例４）を示す図２（ｂ）の写真に示すように，銅の結晶組織は加工ひずみが残る繊維組織（軟化が少ない結晶組織）となり，上記図３（ｈ）の放電棒ｇによってそのワイヤＷにボールｂの形成する際，銅の結晶組織が粗大化し（図２（ｃ）参照），上記結晶組織の境界ができるため，ループ形状に亀裂の問題が生じ（比較例４，５），同７０％を超えると，そのＨＲ：７１％（比較例３）を示す図２（ｃ）の写真のように，銅の結晶組織が粗大化し（過軟化結晶組織となり），ループが高い場合，ループ形状に亀裂の問題が生じ（比較例２，３，９），ループが低い場合でも，連続ボンディング性に支障が生じる恐れがある（比較例８，１０）。
　これに対し，ＨＲが５０〜７０％であると，そのＨＲ：６５％（実施例９）を示す図２（ａ）の写真に示すように，良好な再結晶組織となって，繊維組織と粗大化した二次再結晶組織の境界が発生し難いため，くせ付けのときに結晶粒界から亀裂が生じることもなかった（実施例１〜１５，比較例１，６，７）。」
　オ　図２ａないし図２ｃには，それぞれワイヤＷの室温（２０〜２５℃）での引張試験による引張強さＴＳＲと２５０℃での引張試験による引張強さＴＳＨの比ＨＲ（ＴＳＨ／ＴＳＲ×１００）が，５０〜７０％，５０％未満，及び７０％を超える場合のボンディングワイヤ表面結晶組織の顕微鏡写真図が示されている。
（２）前記（１）より，甲第１号証には，次の発明（以下，「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
「ボンディングワイヤであって，純度９９．９９質量％以上の銅からなる芯材の外周全面に，Ｐｄによる被覆層を形成したボンディングワイヤ。」
　２　甲第２号証の記載と甲２発明
（１）甲第２号証
　甲第２号証には，次のとおりの記載がある。
　ア「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　集積回路素子の電極（ａ）と回路配線基板の導体配線（ｃ）をボールボンディング法によって接続するための線径（Ｌ）１２μｍ以上５０.８μｍ以下の
ボンディングワイヤ（Ｐ）であって，芯材（１）が純度９９．９９質量％以上の銅からなり，その芯材（１）の外周全面に，金，白金，パラジウム，銀の１種以上による厚み（ｔ）０．０２〜０．０９μｍの被覆層（２）を形成したことを特徴とするボンディングワイヤ。
・・・
【請求項６】
　集積回路素子の電極（ａ）と回路配線基板の導体配線（ｃ）をボールボンディング法によって接続するための請求項１〜４の何れか１つに記載のボンディングワイヤ（Ｐ）の製造方法であって，純度９９．９９質量％以上の銅からなる芯材（１）の外周全面に，金，白金，パラジウム，銀の１種以上による
被覆層（２）を形成し，その被覆線を拡散熱処理して前記芯材（１）と被覆層（２）の密着性を高めた後，線径（Ｌ）１２μｍ以上５０．８μｍ以下まで伸線し，さらに，引張伸びが８％以上となるように調質熱処理を行った
　イ「【００２２】
　さらに，被覆層２は，電解メッキ，無電解メッキ，蒸着法等の周知の手段によって形成され，一般に，ワイヤＰは大きな線径の銅ロッドをダイスと呼ばれるツールに順次貫通させていくことにより，所定の線径に仕上げられるため，この工程途中の適宜な線径で被覆層２を上記手段により形成する。このとき，被覆する際の芯材１の線径は作業性・コスト
により決定されるが，製造装置の制限から０．２〜０．８ｍｍが一般的である。外周全面にパラジウム等の金属を被覆された被覆線は２００〜５００℃（被覆線の温度）で拡散熱処理を施して前記芯材１と被覆層２の密着性を高めた後，
線径１２μｍ以上５０．８μｍ以下まで伸線し，さらに，引張伸びが８％以上となるように調質熱処理を行って，
　引張伸びを８％以上とするのは，ステッチボンド接合性を上げ，より安定したボンディング性を得るためである。
　このとき，被覆層がパラジウムから成れば，芯材の銅純度を９９．９９９質量％以上とし，その被覆層の厚みｔを０．０５〜０．０９μｍとすることができる。
・・・
【００２５】
　表１に示す実施例１〜４５及び比較例１〜１３を製作し，そのボンディングワイヤＰの１ｓｔ接合部のＳｉチップ（電極ａ）の損傷度合，及び連続ボンディング性の試験を行った。
　すなわち，まず，銅純度９９．９９質量％の純銅（表１中：４Ｎ）と銅純度９９．９９９質量％の純銅（表１中：５Ｎ）の０．２〜０．８ｍｍ径の銅線を用意し，その銅線に，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ及びＡｇの貴金属を電解メッキ法によって被覆し，その被覆線を巻き戻し，焼鈍炉を通したのち，再び巻き取り用リールで巻き取ることによって連続拡散熱処理を行った。焼鈍炉は炉長１ｍの炉芯管を有する電気炉を用い，炉芯管には窒素ガスを流した。その炉温度は５００℃以上８００℃以下として被覆線の温度を２００〜５００℃とし，その被覆線の走行速度は５〜６０ｍ/分とした。以上の拡散熱処理を施して銅線（芯材）１と被覆層２の密着性を高めた後，
線径１５〜５０．８μｍまで伸線し，さらに，引張伸びが８％以上となるように調質熱処理を行って，
（２）甲２発明
　前記（１）より，甲第２号証には次の発明（以下，「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
「ボンディングワイヤであって，芯材が純度９９．９９質量％以上の銅からなり，その芯材の外周全面に，金，白金，パラジウム，銀の１種以上による被覆層を形成し，伸線し，引張伸びが８％以上となるように調質熱処理を行ったことを特徴とするボンディングワイヤ。」
　３　甲３号証の記載と甲３発明
（１）甲第３号証
　甲第３号証には，次のとおりの記載がある。
　ア「本発明の（７）〜（１１）に記載の
ボンディングワイヤにおいて，芯線または外周部に用いられる導電性金属とは，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ元素などを溶媒とする金属またはその合金が望ましい。
外周部にＡｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｌを用いることがより好ましい。
　イ「第二の方法は，ある線径まで細くしたワイヤを芯線材とし，そのワイヤ表面を覆うように異なる材料で外周部を作製した後に，拡散熱処理を施し，その後さらに伸線加工により最終線径まで細くする方法（以下，被覆法と呼ぶ）である。今回は，直径が約２００〜５００μｍのワイヤを予め準備し，その
ワイヤ表面に蒸着，メッキなどにより０．１〜３０μｍの厚さで外周部材を被覆し，線径６０〜１００μｍまでダイス伸線した後に，上述した加熱炉を用いて同様の拡散熱処理を施した。その拡散熱処理されたワイヤをさらに，ダイス伸線により，最終径の２０〜３０μｍまで伸線し，最後に，加工歪みを取り除き伸び値が４％程度になるように熱処理を施した。
　ウ「１０．導電性を有する第１の金属または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線と，前記芯線の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属または該第２の金属を主成分とする合金からなる中層と，前記中層の第２の金属とは異なる導電性の金属またはその合金からなる外周部から構成され，さらにその芯線と中層との間，および中層と外周部との間には，拡散層または金属間化合物層の少なくとも１種以上を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤ。」（８２頁請求項１０）
（２）甲３発明
　前記アより，甲第３号証には次の発明（以下，「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。
「ボンディングワイヤにおいて，芯線にＣｕ，外周部にＰｄを用い，ワイヤ表面に外周部材を被覆し，ダイス伸線した後に拡散熱処理を施し，さらに，ダイス伸線し，最後に加工歪みを取り除き伸び値が４％程度になるように熱処理を施したボンディングワイヤ。」
　４　甲４発明
　甲第４号証には，次の発明（以下，「甲４発明」という。）が記載されていると認められる。
「金属材料を引抜き加工すると繊維組織を形成すること。」
　５　甲５発明
　甲第５号証には，次の発明（以下，「甲５発明」という。）が記載されていると認められる。
「一般に線材は連続鋳造で提供されるが，この段階では線材は結晶学的にほとんど不規則な方位分布を示し，この線材は伸線工程である優先方位を持つようになること。」
　６　甲６発明
　甲第６号証には，次の発明（以下，「甲６発明」という。）が記載されていると認められる。
「銅ボンディングワイヤを，伸線工程における中間焼鈍及び最終焼鈍で製造し，中間及び最終焼鈍工程は，銅ボンディングワイヤを加工する上で最適な性質を微細構造及び組織に付与し，４００℃で１分間の焼鈍で銅ワイヤの中心付近に伸張された結晶粒が，周辺部には等軸粒が成長すること。」
　７　甲７発明
　甲７号証には，次の発明（以下，「甲７発明」という。）が記載されていると認められる。
「純アルミニウム線材を引抜加工後焼鈍し，その際の再結晶率は焼鈍時間軸で見るとまず外周部の再結晶率があがり，中心部が遅れて再結晶すること。」
　
第５　申立理由についての判断
１　特許法第２９条の２
（１）本件発明１と甲１発明との対比
　本件発明１と甲１発明とを対比すると，両者は
「銅を主成分とする芯材とパラジウム被覆層を有するボンディングワイヤ。」
である点で一致するが，
（相違点１）本件発明１は「ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，前記芯材の半径をＲとしたとき，中心０．８Ｒ以内に，銅が軸方向に延在する繊維状組織を有する」のに対し，甲１発明においては「ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，前記芯材の半径をＲとしたとき，中心０．８Ｒ以内に，銅が軸方向に延在する繊維状組織を有する」ことが開示されていない点，で相違する。
（２）相違点についての判断
　前記第４の１（１）より，甲第１号証には，所定の線径まで伸線を行ったワイヤに調質熱処理を施す方法と，当該方法によって得られたボンディングワイヤ表面の結晶組織について記載されていると認められるにとどまり，上記の方法によって得られたボンディングワイヤ断面の結晶組織について記載されているとは認められない。
　そして，甲４ないし甲７発明のような技術的事項が，本件特許の出願前，当該技術分野では技術常識といえる程度によく知られた事項であったとして，これらを参酌した場合でも，甲第１号証に記載された，所定の線径まで伸線を行ったワイヤに調質熱処理を施すとの方法によって，ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，ワイヤの芯材の半径をＲとしたとき，中心０．８Ｒ以内に，銅が軸方向に延在する繊維状組織を有するボンディングワイヤが，常に得られるか否かは不明であり，上記ボンディングワイヤが甲第１号証に記載されているに等しいということもできない。
　さらに，甲第１号証の記載より，本件発明１は，相違点１に係る構成を有することにより，ワイヤボンディングの際のボール形成時に，繊維状組織で熱エネルギを吸収し，ボールを速やかに冷却させ，パラジウム膜の溶解を抑制し，もって，ワイヤボンディング時における銅の露出を防止することができる（本件特許明細書段落００２４−００２６，００６９）という作用効果を奏すると認められる。
　そうすると，甲第１号証には，相違点１に係る構成が実質的に記載されているとは認められず，また，本件発明１は，相違点１に係る構成により格別の作用効果を奏するもので，相違点１が課題解決のための具体化手段における微差であるとはいえないから，本件発明１と甲第１号証に記載の発明とは，相違点１で相違し，実質的に同一であるとは認められない。
　なお，異議申立人は，「調質熱処理が本来伸線加工による加工組織（繊維組織）に由来する加工硬化などの機械的性質を一定程度維持して，伸び等の性質の調整を行うものであることから，ワイヤ内部組織は表面から進行する再結晶の領域と中心部に残存する繊維状組織とが存在するのであって，その結果，表面近傍は良好な再結晶組織となり，中心部は用途により要請される機械的性質を維持するに足る繊維状組織となる。」（異議申立書８頁）と主張する。
　しかし，調質熱処理が，本来伸線加工による加工組織に由来する加工硬化などの機械的性質を一定程度維持して，伸び等の性質の調整を行うものであるということから，直ちに，調質熱処理によって，ワイヤの中心部に繊維状組織が存在するとまでは認められないから，異議申立人の上記の主張を採用することはできない。
（３）小括
　したがって，本件発明１は甲第１号証に記載された発明と実質同一でなく，本件特許の請求項１に係る特許は特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではない。
（４）まとめ
　同様に，本件発明１を引用して記載した本件発明２ないし６についても，甲１発明とは，少なくとも相違点１で相違し実質同一ではないから，本件特許の請求項１ないし６に係る特許は特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではない。
　２　特許法第２９条第２項について
（１）本件発明１と甲２発明との対比及び判断
　ア　本件発明１と甲２発明とを対比すると，両者は，
「銅を主成分とする芯材とパラジウム被覆層を有するボンディングワイヤ。」
である点で一致するが，
（相違点１）本件発明１は「ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，前記芯材の半径をＲとしたとき，中心０．８Ｒ以内に，銅が軸方向に延在する繊維状組織を有する」のに対し，甲２発明においては「ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，前記芯材の半径をＲとしたとき，中心０．８Ｒ以内に，銅が軸方向に延在する繊維状組織を有する」ことが開示されていない点，で相違する。
　イ　そこで，相違点１について，以下検討する。
　本件特許明細書の記載より，本件発明１は，「ボール形成時のパラジウム膜の溶解を抑制し，パラジウム被覆銅ボンディングワイヤで形成されるボールの形状の真球度を高め，水素を４〜５ｖｏｌ％含有する窒素中の放電において形成されるボール表面の銅露出を抑制することができ，湿度が影響するＨＡＳＴ信頼性に良好なボンディングワイヤ及びその製造方法を提供する」（【００１０】）との課題を，「ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，前記芯材の半径をＲとしたとき，中心０．８Ｒ以内に，銅が軸方向に延在する繊維状組織を有する」との構成（相違点１に係る構成）を採用することで解決し，「パラジウム被覆銅ボンディングワイヤにおいては，ワイヤボンディング時における銅の露出を防止することができる」（【００６９】）との作用効果を得たものと認められる。
　他方，前記第４の２ないし７より，甲第２号証ないし甲第７号証には，本件発明１における前記の課題，課題解決手段である前記の構成，及び前記の作用効果について，記載又は示唆されているとは認められず，また，甲２発明に甲３ないし甲７発明を適用することについて，動機付けが存在するとも認められない。
　さらに，甲２発明は，伸線し，引張伸びが８％以上となるように調質熱処理を行うものであるところ，甲４ないし甲７発明のような技術的事項が，本件特許に係る出願の優先日前，当該技術分野では技術常識といえる程度によく知られた事項であったとして，これらを参酌した場合でも，甲２発明において，ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，ワイヤの芯材の中心部に銅が軸方向に延在する繊維状組織を有するボンディングワイヤが，常に得られるか否かは不明であるから，相違点１に係る構成が，甲２発明において，当業者が適宜なし得たものであるということもできない。
　そうすると，相違点１は，甲２発明において，甲３ないし甲７発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。
　ウ　したがって，本件発明１は，甲２発明並びに甲３発明ないし甲７発明に基づいて当業者が容易に発明することができたとはいえない。
（２）本件発明１と甲３発明との対比及び判断
　ア　本件発明１と甲３発明とを対比すると，両者は，
「銅を主成分とする芯材とパラジウム被覆層を有するボンディングワイヤ。」
である点で一致するが，
（相違点１）本件発明１は「ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，前記芯材の半径をＲとしたとき，中心０．８Ｒ以内に，銅が軸方向に延在する繊維状組織を有する」のに対し，甲３発明においては「ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，前記芯材の半径をＲとしたとき，中心０．８Ｒ以内に，銅が軸方向に延在する繊維状組織を有する」ことが開示されていない点，で相違する。
　イ　そこで，相違点１について，以下検討する。
　本件特許明細書の記載より，本件発明１は，「ボール形成時のパラジウム膜の溶解を抑制し，パラジウム被覆銅ボンディングワイヤで形成されるボールの形状の真球度を高め，水素を４〜５ｖｏｌ％含有する窒素中の放電において形成されるボール表面の銅露出を抑制することができ，湿度が影響するＨＡＳＴ信頼性に良好なボンディングワイヤ及びその製造方法を提供する」（【００１０】）との課題を，「ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，前記芯材の半径をＲとしたとき，中心０．８Ｒ以内に，銅が軸方向に延在する繊維状組織を有する」との構成（相違点１に係る構成）を採用することで解決し，「パラジウム被覆銅ボンディングワイヤにおいては，ワイヤボンディング時における銅の露出を防止することができる」（【００６９】）との作用効果を得たものと認められる。
　他方，前記第４の２及び４ないし７より，甲第２号証及び甲４号証ないし甲第７号証には，本件発明１における前記の課題，課題解決手段である前記の構成，及び前記の作用効果について，記載又は示唆されているとは認められず，また，甲３発明に甲２発明及び甲４号証ないし甲７号証を適用することについて，動機付けが存在するとも認められない。
　さらに，甲３発明は，伸線し，伸び値が４％程度になるように熱処理を施すものであるところ，甲４ないし甲７発明のような技術的事項が，本件特許に係る出願の優先日前，当該技術分野では技術常識といえる程度によく知られた事項であったとして，これらを参酌した場合でも，甲３発明において，ワイヤ表面近傍に結晶が再結晶化した粒形状の再結晶領域を有し，ワイヤの芯材の中心部に銅が軸方向に延在する繊維状組織を有するボンディングワイヤが，常に得られるか否かは不明であるから，相違点１に係る構成が，甲３発明において，当業者が適宜なし得たものであるということもできない。
　そうすると，相違点１は，甲３発明において，甲２及び甲４ないし甲７発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。
　ウ　したがって，本件発明１は，甲３発明並びに甲２発明，甲４発明ないし甲７発明に基づいて当業者が容易に発明することができたとはいえない。
（３）本件発明２ないし６について
　本件発明１を引用して記載した本件発明２ないし６はいずれも，甲２発明又は甲３発明とは少なくとも相違点１で相違し，前記（１）及び（２）のとおり，甲２発明ないし甲７発明に基づいて当業者が容易に発明することができたとはいえない。
（４）小括
　したがって，本件特許の請求項１ないし６に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　３　特許法第３６条第４項第１号について
（１）本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載
　本件特許明細書の発明の詳細な説明には，以下のとおりの事項が記載されている。（下線は当審において付加した。）
　ア　「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は，ボンディングワイヤ及びその製造方法に関し，特に，銅を主成分とする芯材と，パラジウム被覆層又はパラジウム及び金の被覆層を有するボンディングワイヤ，並びにその製造方法に関する。 
【背景技術】
【０００２】
　従来から，銅を主成分とする芯材をパラジウムで被覆したパラジウム被覆銅ボンディングワイヤが知られている（例えば，特許文献１参照）。 
【０００３】
　市場で使用されている
パラジウム被覆銅ボンディングワイヤは，専ら窒素ガス雰囲気中でプラズマアークによって加熱され，溶融凝固して形成されるボールを半導体素子上のアルミニウムパッドへ超音波熱圧着し接合される。
　イ　「【発明が解決しようとする課題】
・・・
 【０００８】
　窒素に４〜５ｖｏｌ％の水素を含む混合ガス雰囲気中において，ワイヤ先端をプラズマアークで加熱する場合，水素を含まない１００％窒素ガスと比較してプラズマ温度が高温になるため，パラジウムの融点が銅との合金化によって低下すると，パラジウム膜が熔解して銅ボール内部へ溶け込んだり，一部のパラジウム膜が熔解してボール表面に銅が露出したり，ボール表面に段差が生じたりといったボールの外観不良が発生し，接合性が悪化したり，銅のガルバニック腐食によってＨＡＳＴ信頼性が低下したりするものと推察された。 
【０００９】
　また，かかるパラジウム膜のボール内部への溶解は，溶解時間が長いため，パラジウム膜の溶解が大きいことにも一因があると考えられた。かかるパラジウム膜の溶解は，ボールを形成してから速やかにボールが冷却され，ボンディングワイヤの元々の構造を維持することにより防ぐことができると考えられる。 
【００１０】
　そこで，
本発明は，ボール形成時のパラジウム膜の溶解を抑制し，パラジウム被覆銅ボンディングワイヤで形成されるボールの形状の真球度を高め，水素を４〜５ｖｏｌ％含有する窒素中の放電において形成されるボール表面の銅露出を抑制することができ，湿度が影響するＨＡＳＴ信頼性に良好なボンディングワイヤ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　
上記目的を達成するため，本発明の一実施態様に係るボンディングワイヤは，銅を主成分とする芯材と，パラジウム被覆層又はパラジウム及び金の被覆層とを有するボンディングワイヤであって，前記芯材の中心に，銅が軸方向に延在する繊維状組織を有することを特徴とする。
【００１２】
　上記本発明のボンディングワイヤの製造方法は，連続鋳造により，前記芯材を生成する芯材生成工程と，前記芯材を所定の減面率まで減面するまでは，減面率１０％以下のダイスを用いて伸線加工を行い，前記所定の減面率に減面後は，減面率が１０％より大きいダイスを用いて伸線加工を行う第１の伸線工程と， 
　該第１の伸線工程により伸線加工された前記芯材の周囲にめっきして被覆銅線を形成するめっき工程と，
　前記被覆銅線を所定の線径となるまで伸線加工する第２の伸線工程と，
を有することを特徴とする。 
【００１３】
　また，前記第１の伸線工程と前記パラジウムめっき工程との間に，前記第１の伸線工程により伸線加工された前記芯材を，再結晶開始温度以上再結晶終了温度以下の温度で軟化熱処理する軟化熱処理工程を有することが好ましい。 
【００１４】
　ここで，前記所定の減面率は，９５．０〜９９．５％であることが好ましい。 
【００１５】
　なお，前記第１の伸線工程は，前記芯材を供給する供給キャプスタンと前記芯材を巻き取る巻取キャプスタンとの間に１つのダイスを配置し，１つのダイスを用いて引き抜きを
行う伸線加工を繰り返すことにより行われることとしてもよい。 」
　ウ　「【発明を実施するための形態】
【００１８】
　以下，図面を参照して，本発明を実施するための形態の説明を行う。 
【００１９】
　図１は，本発明の実施形態に係るボンディングワイヤの一例を示した断面構成図である。図１において，本実施形態に係るボンディングワイヤ１５は，芯材１０と，パラジウム膜１３とを有する。芯材１０は，銅を主成分として構成され，組織構造的には，繊維状組織１１と，再結晶領域１２とを有する。パラジウム膜１３は，芯材１０を被覆する金属膜である。つまり，本実施形態に係るボンディングワイヤ１５は，銅を主成分とする芯材１０の周囲を，パラジウム膜１３で被覆した構造を有するパラジウム被覆銅ボンディングワイヤである。 
【００２０】
　本実施形態に係るボンディングワイヤ１５の製造方法の詳細は後述するが，
本実施形態に係るボンディングワイヤ１５は，９９．９９％以上の純度の銅に，添加元素を熔解して溶解鋳造し，得られた銅インゴットについて，ダイスを通して引抜き伸線加工を行う際，繊維状組織１１を残留させることにより得られる。
再度伸線加工を加えて所定の線径まで縮径し，軟化熱処理を行う。その際，軟化温度を調整し，芯材中心に繊維状組織１１が形成されたパラジウム被覆銅ボンディングワイヤを得ることができる。
【００２１】
　ここで，繊維状組織１１とは，鋳造時の結晶が伸線方向に伸ばされて，その後の加熱によっても再結晶化や結晶粒の粗大化が顕著ではなく，繊維状に残留した金属組織のことを意味する。断面観察においては，図１に見られように，ワイヤ表面近傍の結晶が再結晶化して粒形状の再結晶領域１２となっているのに対し，中心部分はワイヤ長手方向に伸張した繊維状組織１１として容易に観察される。
硬度測定を行うと，再結晶粒に比べて繊維状組織１１の硬度は高く観察されるので，硬度測定によっても繊維状組織１１の存在を確認することは可能である。 
【００２２】
　繊維状組織は，芯材中０．５〜９０質量％存在することが好ましく，特に１〜８０質量％存在することが好ましく，特に４〜５０質量％存在することが好ましい。
【００２３】
また，繊維状組織は，芯材の半径をRとしたとき，中心０．８R以内に存在することが好ましく，特に０．５Ｒ以内に存在することが好ましい。
【００２４】
　
かかる繊維状組織１１が中心に残留したボンディングワイヤ１５は，ワイヤボンディングの際のボール形成時に，繊維状組織１１で熱エネルギを吸収し，ボールを速やかに冷却させ，パラジウム膜１３の溶解を抑制することができると考えられる。
【００２５】
　このように，本実施形態に係るボンディングワイヤ１５においては，芯材１０の内部に繊維状組織１１を残留させることにより，ワイヤボンディング時に発生するボールの熱を素早く吸収し，ワイヤボンディングを良好に行うことができると考えられる。 」
　エ　「【００２８】
　次に，図３乃至図９を用いて，本発明の実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法について説明する。 
【００２９】
　図３は，本発明の実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法の芯材生成工程の一例を示した図である。図３（Ａ）は，芯材生成工程に用いられる材料の一例を示した図であ
り，図３（Ｂ）は，連続鋳造の一例を示した図であり，図３（Ｃ）は，芯材生成工程により生成された芯材の一例を示した図である。 
【００３０】
　図３（Ａ）に示すように，金属生成工程において，例えば，芯材１０の材料となる銅は，板状の銅板９として供給される。なお，添加物が必要な場合には，添加物の金属板も同様に用意する。 
【００３１】
　図３（Ｂ）に示すように，芯材１０の生成は，連続鋳造装置２０を用いて行われる。連続鋳造装置２０は，チャンバ２１と，タンディッシュ２２と，鋳型２３と，ウォータージャケット２４と，ローラ２５とを備える。連続鋳造装置において，チャンバ２１内に収容されたタンディッシュ２２内で銅板９が溶解され，溶解した銅板９がウォータージャケット２４を有する鋳型２３を通り，ローラ２５により引き出されて芯材１０が生成される。なお，チャンバ２１内は，例えば，窒素ガスで満たされてよい。また，銅板９の他，添加物もタンディッシュ２２内で溶解供給されてよい。なお，タンディッシュ２２に溶解した銅板９を供給する取鍋や，複数の役割を有するローラ２５も，必要に応じて設けられてよい。 
【００３２】
　図３（Ｃ）は，連続鋳造により生成された芯材１０の一例を示しているが，鋳造直後の芯材１０は，最終的なボンディングワイヤ１５よりも遙かに太い線径を有しており，例えば数ｍｍの線径を有する。 
【００３３】
　図４は，本発明の実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法の鋳造後伸線工程の一例を示した図である。鋳造後伸線工程においては，芯材１０の伸線加工が行われ，芯材１０が減面（縮径）される。図４に示すように，
鋳造後伸線工程においては，一対のキャプスタン３０，３１と，１つのダイス４０を用いて，芯材１０の伸線が行われる。芯材１０は数ｍｍの太さを有し，ダイス４０を挿通させるために要する力も大きいので，１つのダイス４０のみをキャプスタン３０，３１間に設置し，十分な力を与えて伸線加工を行う。鋳造後伸線工程は，複数回繰り返され，芯材１０を所定の線径にするまで行われる。
【００３４】
　しかしながら，
鋳造直後の芯材１０を伸線加工する鋳造後伸線工程において，最初から大きな減面率で縮径を行うと，図１において説明した繊維状組織１１が残存せずに，金属組織が伸び切ってしまうおそれがある。
【００３５】
　
そこで，本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法においては，芯材１０の累積減面率が所定の減面率に到達するまでは，減面率１０％以下で伸線加工を行う。
【００３６】
【数１】（略）
　
減面率１０％以下で伸線加工を継続する所定の減面率は，芯材１０の中心に繊維状組織１１が残存する適切な値に設定するが，これは，９５．０〜９９．５％が好ましく，特に９６％が好ましい。
【００３７】
　図５は，本発明の実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法の粗伸線工程の一例を示した図である。粗伸線工程においては，一対のキャプスタン３２，３３と，複数のダイス４１〜４５を用いて伸線加工が行われる。粗伸線工程においては，鋳造後伸線工程よりも芯材１０の直径が細くなっているので，引き抜き時に要する力も鋳造後伸線工程より小さくなり，複数のダイス４１〜４５を用いて効率よく伸線加工を行うことが可能となる。かかる粗伸線工程により，芯材１０は，数１００μｍレベルの芯材１０に加工される。なお，粗伸線工程は，必要に応じて設けるようにしてよい。 
【００３８】
　図６は，本発明の実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法の軟化熱処理工程の一例を示した図である。軟化熱処理工程においては，ガイドローラ６０，６１を用いて，芯材１０に円筒形のヒータ５０を通過させる。これにより，芯材１０の熱処理を行い，芯材１０を軟化させ，ワイヤボンディング時にパッド等を損傷しない硬度に調整する。なお，軟化熱処理がなされた芯材１０は，スプール７０に巻き取られる。 
【００３９】
　ここで，
本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法においては，再結晶開始温度以上再結晶終了温度以下の温度で軟化熱処理工程が行われる。
【００４０】
　図７は，軟化熱処理工程において，伸線加工された金属線の加熱による破断強度と伸び率の変化と，再結晶開始温度及び再結晶終了温度について示した図である。 
【００４１】
　図７において，横軸が温度，縦軸に金属線の破断強度と伸び率が示されているが，一般的に鋳造されたままの銅の芯材１０を伸線加工すると，加工度とともに破断強度は上昇し，また伸び率は低下して次第に飽和するが，これを加熱すると，急激に伸び率が上昇しだす温度があり，これを再結晶開始温度（図７のＡ）と呼ぶ。また，伸び率が最大となる温度を，再結晶終了温度（図７のＢ）と呼ぶ。再結晶終了温度以上の温度で加熱すると，結晶は全体的に粗大化するのが一般的で，材料としては十分軟化した状態が得られることとなる。
本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法においては，加熱温度を再結晶開始温度以上とすることにより，芯材１０の再結晶は発生させるが，加熱温度を再結晶終了温度以下とすることにより，全径に亘る再結晶化は発生させない。これにより，芯材１０の軟化は行うが，全面に亘る再結晶化は発生させず，一部を繊維状組織１１として残留させている。
【００４２】
　図６に示したように，ヒータ５０は，芯材１０の外周面から加熱を行うので，芯材１０の外側は再結晶化されて再結晶領域１２となり，軸付近の中心は再結晶化されずに繊維状組織１１が残存した構造となり，図１の構造と合致することが分かる。 
【００４３】
　このように，本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法においては，再結晶開始温度以上再結晶終了温度以下の温度で軟化熱処理を行うことにより，芯材１０を軟化させるとともに，繊維状組織１１を中心に残存させた構造とすることができる。 
【００４４】
　なお，軟化熱処理工程は，芯材１０の硬度に問題が無い場合は行う必要が無く，必要に応じて行うようにしてよい。 」
　オ　「【実施例】
【００５４】
　次に，本発明の実施例に係るボンディングワイヤ及びその製造方法を，比較例との比較において説明する。 
【００５５】
　表１は，本発明の実施例１〜１１に係るボンディングワイヤ及びその製造方法と比較例１〜１１に係るボンディングワイヤ及びその製造方法の実施内容を示している。 
【００５６】
【表１】（当審注：下記カ参照）
　表１に示すように，
芯材全体の縮径率（減面率）が９６％までは，実施例１〜１１に係るボンディングワイヤ及びその製造方法は，各ダイスの縮径率を７％又は１０％に設定した。また，芯材全体の縮径率が９６〜９９．９％の範囲では，各ダイスの縮径率を１２％又は１０％に設定した。
【００５７】
　一方，比較例１〜１１においては，芯材全体の縮径率が９６％までは，各ダイスの縮径率を１８％又は１２％に設定した。また，芯材全体の縮径率が９６〜９９．９％の範囲では，実施例１〜１１と同様に，各ダイスの縮径率を１２％又は１０％に設定した。つまり，実施例１〜１１と比較例１〜１１は，芯材全体の縮径率が９６％までの各ダイスの縮径率が異なるように設定されている。 
【００５８】
　また，
実施例１〜１１及び比較例１〜１１において，芯材となる銅原料としては，市販の４Ｎ純度の無酸素銅または４Ｎ電気銅をさらに電解精製した６Ｎ純度の電気銅を用いた。リンは市販の１５％リン銅地金を用いた。熱処理１（軟化熱処理）は，線径約１ｍｍで，窒素雰囲気中で再結晶開始温度以上再結晶終了温度以下の温度で６０分行った。
　カ　発明の詳細な説明の「表１」には，
実施例１ないし１１及び比較例１ないし１１について，芯材の銅純度，減面率９６％までにおける縮径率，減面率９９．９％までにおける縮径率，メッキ線径，Ｐｂメッキ厚，Ａｕメッキ厚及び最終線径の具体的数値が記載されている。
（２）本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載が，実施可能要件を満たすものであるか，否かについて
　ア　前記（１）より本件特許明細書の発明の詳細な説明によると，本件発明１ないし６に係るボンディングワイヤにおいては，ボール形成時のパラジウム膜の溶解を抑制するために，芯材の中心に繊維状組織を残すというものであり，その製造にあたっては，「ダイスを通して引抜き伸線加工を行う際，繊維状組織を残留させ」るために，「芯材の累積減面率が所定の減面率に到達するまでは，減面率１０％以下で伸線加工を行う」こととし，具体的には，所定の減面率を表１記載の９６％とし，表１記載の具体的な縮径率で伸線加工を行うもので，さらに，「再結晶開始温度以上再結晶終了温度以下の温度で軟化熱処理工程」を行うことで，「芯材の軟化は行うが，全面に亘る再結晶化は発生させず，一部を繊維状組織として残留させ」るというものである。そして，「硬度測定を行うと，再結晶粒に比べて繊維状組織の硬度は高く観察されるので，硬度測定によっても繊維状組織の存在を確認することは可能」というのであるから，当業者ならば，硬度測定によって最終生産物の繊維状組織の存在を確認することで本件発明１ないし６に係るボンディングワイヤを選別することができる。
　イ　そうすると，本件発明１ないし６にかかるボンディングワイヤを製造することは，発明の詳細な説明の記載を参酌して，当業者が過度の試行錯誤を必要とすることなく実施をすることができることであると認められる。
　ウ　特許異議申立人は，(1)繊維状組織の由来が鋳造組織なのか，加工組織によるものか不明であること，(2)加工歴，温度，処理時間について具体的な記載がないこと，を記載不備の理由として主張している。
　しかし，実施可能要件は，物の発明については，物の発明について明確に説明されていることのほかに，その物が作れるように記載されており，かつ，その物を使用できるように記載されていること，物を生産する方法の発明については，物を生産する方法の発明について明確に説明されていることのほかに，その方法により物を生産できるように記載されていること，を満たせば必要にして十分であり，それ以上に発明の原理や発明の構成の由来，必要以上に詳細な製造条件等が求められるわけではなく，本件発明１〜６に係るボンディングワイヤを作れ，ないし生産できるように記載されていることは，前記イのとおりである（また，本件発明１及び２に係るボンディングワイヤの使用法については，前記（１）アの記載から当業者に明らかである。）から，出願人の主張する理由によって記載不備とすることはできない。
　エ　よって，本件の明細書の発明の詳細な説明は，当業者が，その実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである。
（３）小括
　以上のとおりであるから，本件特許の請求項１ないし６に係る特許は，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしている特許出願に対してされたものである。
　４　まとめ
　上記１乃至３で検討したとおり， 特許異議申立ての理由及び証拠によっては，請求項１ないし６に係る各特許を取り消すことはできない。
【異議決定日】
平成２８年５月２５日（２０１６．５．２５）