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　平成　８年特許願第１８３０６７号「プラズマ処理方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１月２７日出願公開、特開平１０−２７７８２、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続きの経緯及び本願発明
　本願は平成８年７月１２日の出願であって、平成１４年１１月１９日付け拒絶理由通知の後、平成１５年１月２７日付けで手続補正書が提出され、平成１５年２月２４日付けで拒絶査定された後、これに対して、平成１５年４月３日に拒絶査定を不服として審判請求されるとともに、平成１５年５月２日付けで手続補正書が提出され、平成１５年９月３０日付け前置報告書により審査の結果の報告がなされ、続いて、平成１６年８月２６日付けで審尋がなされ、これに対して平成１６年１１月１日付けで回答書が提出されたものである。
　そして、本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成１５年５月２日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されたとおりの次のものであると認める。
　　
「【請求項１】真空室の一つの面は複数の貫通窓に各誘電板が嵌め込まれた金属製枠体を有し、上記金属製枠体上に絶縁層を介して配設され、前記各誘電板の全てに跨って形成された高周波誘導結合用コイルの中心に高周波電圧を印加することで、上記真空室内にプラズマを発生させて液晶素子の基板を処理する液晶素子の基板のプラズマ処理方法であって、上記高周波誘導結合用コイルの中心は上記誘電板のいずれか１つの上面に配置されることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】上記金属製枠体の真空室側表面積が、上記複数の誘電板の真空室側表面積の総和と上記金属製枠体の真空室側表面積の総和の和の約４０％以下の状態で上記基板をプラズマ処理するようにした請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】上記枠体の枠部分が上記コイルの中心の直下を避けるように配置されている請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】上記枠体の枠部分が上記コイルの中心に対してほぼ対称に配置されている請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】上記絶縁層は空気層であるようにした請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】上記絶縁層は絶縁用誘電板であるようにした請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】上記誘電板を加熱ヒータで加熱し、上記誘電板の真空室側表面を加熱した状態で上記基板をプラズマ処理するようにした請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】真空室の一つの面が複数の貫通窓に各誘電板が嵌め込まれた金属製枠体で構成され、上記金属製枠体上に絶縁層を有し、前記各誘電板の全てに跨って高周波誘導結合用コイルが形成され、前記高周波誘導結合用コイルの中心に高周波電源が接続された液晶素子の基板のプラズマ処理装置であって、上記高周波誘導結合用コイルの中心は上記誘電板のいずれか１つの上面に配置され、上記真空室内に配置された、液晶素子の基板を処理することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】上記金属製枠体の真空室側表面積が、上記複数の誘電板の真空室側表面積の総和と上記金属製枠体の真空室側表面積の総和の和の約４０％以下の状態で上記基板をプラズマ処理するようにした請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】上記枠体の枠部分が上記コイルの中心の直下を避けるように配置されている請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】上記枠体の枠部分が上記コイルの中心に対してほぼ対称に配置されている請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】上記絶縁層は空気層であるようにした請求項９〜１１のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】上記絶縁層は絶縁用誘電板であるようにした請求項９〜１１のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】上記誘電板を加熱する加熱ヒータをさらに備え、上記誘電板の真空室側表面を加熱した状態で上記基板をプラズマ処理するようにした請求項９〜１３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。」
　　
２．原査定の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願については、平成１４年１１月１９日付け拒絶理由通知書に記載した理由、即ち、本願の請求項１〜１０及び１２〜２１に係る発明は、国際公開第９６／１８２０８号パンフレット（引用例１）、特開平８−８８１９０号公報（引用例２）、特開平６−６９１６０号公報（引用例３）、特開平５−１５２３１０号公報（引用例４） 、及び特開平７−２４０４０２号公報（引用例５）に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって本願は拒絶すべきものである、というものである。
　　
３．引用例の記載事実　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１〜５には、下記の事項が記載されている。
（１）引用例１（国際公開第９６／１８２０８号パンフレット：訳）
（１−１）「本発明の１つの態様によれば、加工物を取り付ける真空室を備えている、大形加工物をプラズマで処理する加工機を提供することによって、上記目的の幾つかが達成される。加工物を処理するプラズマに変えることができるガスが室へ供給される。真空外の高周波電源によってガスを励磁してプラズマ状態にする。高周波電源は、室の壁に個別に支持された複数の誘導体窓を介してプラズマに結合される磁界を誘導する。１つの大きい窓ではなく、個別に支持された複数の誘導体窓を設けているので、各窓は高周波磁界をプラズマに有効に結合させることができる薄さ、例えば２．５ｃｍであることができる。」（第６頁第１０行目〜第２４行目）
（１−２）「第１図及び第１ａ図に示されている加工機は、矩形の金属、好ましくは陽極酸化処理アルミニウムの互いに平行な側壁１２及び１４と、それらに直角をなす矩形金属側壁１３及び１５によって形成されている電気接地された密封外表面を有する直角六面体として形成された真空室１０を備えている。真空室１０はまた、矩形の金属、好ましくは陽極酸化処理アルミニウムの底端部プレート１６と、個別に支持されたほぼ同一寸法の矩形の誘電体窓１９を含む矩形の上端部プレート構造体１８とを備えている。室１０のこれらの外表面は従来のガスケット（図示せず）によって密封されている。
　窓１９は、好ましくは水晶で形成されており、非磁性金属、例えば陽極酸化処理アルミニウム製の一体形剛性フレーム２３によって個別に支持されている。フレーム２３は、互いに直交する周縁脚部２５と、内部の互いに直交して脚部の中心に接続されたレール２１とを備えている。レール２１及び脚部２５にノッチ２７が設けられ、窓の側壁及び窓の側壁付近の底部分がノッチの底部及び側壁上のガスケット（図示せず）にはまってその上に載っているので、ノッチが各窓１９を個別に支持している。フレーム２１の脚部２５は、室１０の側壁１２〜１５に接着されている。窓１９はレール２１及び脚部２５で個別に支持されているので、窓１９は厚さを約２．５ｃｍより薄くしながら、室１０の外側の大気と室内部の一般的に０．５〜５ミリトールである真空との間の圧力差に耐えることができる。」（第９頁第２８行目〜第１０頁第９行目）
（１−３）「大形加工物、例えば辺が７５ｃｍ×８５ｃｍの大きさの平面矩形構造を有するテレビ受像機アクティブマトリックス液晶ディスプレイを処理するための室１０の例では、各窓１９の面積が約４０ｃｍ×４３ｃｍになる。」（第１０頁第２１行目〜第２６行目）
（１−４）「誘電端部プレート構造体１８は平面コイル３４を担持しており、このコイルは高周波源２８とは異なった周波数の、好ましくは約１３．３ＭＨｚの高周波源３８とインピーダンス整合ネットワーク３６とを含む高周波励磁装置３３に接続されている。」（第１１頁第７行目〜第１２行目）
（１−５）「平面コイル３４は、例えば第２図〜第１０図に示されているような多くの様々な形状にすることができる。これらのコイル構造の各々は、室１０内の加工物２４を処理する平面プラズマを発生、持続するために室１０内のガスに磁束線を誘導的に供給するための多数の線形導電性金属（好ましくは銀被覆銅）のストライプエレメントまたはセグメントを含む。コイル３４の線形エレメントは、好ましくは矩形断面で、長辺側部を誘電端面構造体１８上に固定配置するが、エレメントの短辺側部を窓１９に固定することもできる。」（第１１頁第２３行目〜第３３行目）
（１−６）「第２図〜第７図に示されているコイル構造は、上端部プレート構造体１８の４つの窓１９全体に延在するように設計されている。」（第２２頁第４行目〜第６行目）
（１−７）「１．加工物を取り付ける真空室を備えている、加工物をプラズマで処理する装置であって、加工物を処理するプラズマに変えることができるガスを室内へ導入する手段と、室の外部から生じる高周波磁界を発生する電源を備えた、ガスをプラズマに変える手段と、室の外表面上に個別に支持されて、高周波磁界をガスに結合させるように配置された複数の誘導体窓とを有しており、窓を介して結合した磁界がプラズマを励磁するようにしたことを特徴とする装置。
２．電源は、複数の窓を介して結合される高周波磁界を発生する単一の励磁装置を備えていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の装置。
３．励磁装置は、複数の窓の上全体に延在する単一のコイルアレイを含み、高周波磁界はアレイから誘導された磁界であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の装置。
４．コイルアレイは、複数の窓の上全体に延在する平面コイルを含むことを特徴とする請求の範囲第３項に記載の装置。
５．コイルアレイは、１対のリード線を介して幾つかの平行セグメントに接続された１つの端子を備えており、端子から各セグメントを通る電流の流れの電気的長さがほぼ同一であることを特徴とする請求の範囲第３項に記載の装置。」（第２６頁第１〜５項）
　　
（２）引用例２（特開平８−８８１９０号公報）
（２−１）「上部に誘電体材料で構成されるプレートを有し他の部分が電気的に接地された真空反応容器と、該反応容器外で該誘電体プレートの上面に近接して配置される渦巻き状のコイルと、該コイルに高周波電流を流すためのＲＦ電源と、該ＲＦ電源と該コイルとのチューニング機構と、該真空反応容器内に複数のプロセスガスを導入する手段と、該プロセスガスの圧力を制御する手段と、該真空反応容器内の下部に位置し試料が載置される下部電極と、該誘電体プレートと該下部電極間距離を可変する機構と、該下部電極に高周波電圧を印加する手段とを備えた低圧、高密度プラズマ処理装置において、該誘電体プレートを該反応容器中央部で厚く、周辺部で薄くすることを特徴としたプラズマ処理装置。」（請求項１）
（２−２）「【発明が解決しようとする課題】上述したプラズマ処理装置にあっては、プラズマ生成に使用するコイルが反応容器（処理ウェハ）の中心に対して軸対称ではない。このため、生成されるプラズマも軸対称ではなく、プラズマの均一化が望めない。生成されたプラズマの均一性は、エッチング速度の均一性に直接影響するため、エッチング上重要なパラメータの一つであるエッチング速度の均一化が期待できない。この均一化の方法は、ウェハの大口径化に対応するために簡単な方法であることが重要である。また、従来のプラズマ処理装置では、選択比、エッチング形状を制御するためには、エッチング条件をかえる必要があった。そこで本発明は、ウェハの大口径化に対応できるような簡便な方法で、低圧、高密度プラズマ源を有しプラズマ及びエッチング速度の均一化が可能なプラズマ処理装置を提供することを目的としている。また、本発明のプラズマ処理装置を使用してエッチング条件を変えることなく選択比、形状を制御できるプラズマ処理方法を提供することを目的としている。」（第３頁左欄第５行目〜２０行目）
（２−３）「第６図にさらにエッチング速度を均一化するための本発明の第３の実施例を示す。これは渦巻き状コイル２の位置をモータ２３とその制御機構２４により反応容器１の径方向に可動としている。渦巻き状コイル２の形状は中心に対し軸対称ではないためエッチング速度の分布がウェハ中央に対し対称ではない。このため、コイルを最も系に差の生じる径方向２５に±１ｃｍ動かし、ポリシリコン及びＷＳｉ２のエッチング速度の均一性を測定した。その結果を第７図に示す。このようにコイル２を反応容器１の径方向に移動することはエッチング速度の均一化に対し有効であることは明らかであり、最適なコイルの位置はコイルの重心の位置と反応容器の中心を一致させたときである。これまでの実施例はコイルの形状が軸対称ではない場合であるが、第８図コイル形状を中心に対し軸対称とするために複数のコイルを組み合せた実施例を示す。第８図（ａ）ではコイルを２つ、第８図（ｂ）では４つを反応容器中心で電気的に接続し、軸対称形状を形成する。コイル１つでプラズマを生成するこれまでの実施例に比べて短いコイルの長さで、同等のプラズマ密度を得ることができ、コイルを複数組み合わせ軸対称とすることにより第３の実施例と同様の効果がある。」（第３頁右欄第５０行目〜第４行目左欄第２１行目）
（２−４）「第１０図に本発明の第６の実施例としてコイルの位置を軸方向にモータ２３とそれを制御する機構２４により移動可能とした場合を示す。この場合、コイルと誘電体窓間の距離をエッチング条件などと同様にソフト状つまりエッチングステップごとに可変できるように構成されている。コイルと誘電体窓間の距離をかえることでプラズマ中の誘導結合成分と容量結合成分の比率を変えることができる。第１１図にコイルと誘電体窓の距離を変えたときのポリシリコン及びＳｉＯ２のエッチング速度、ポリシリコン対ＳｉＯ２の選択比を示す。全く同一のエッチング条件でエッチング速度を変えずに選択比を６０〜１４０の範囲で可変でき、プロセスマージンが拡大できる。また、第１２図にコイルと誘電体窓の距離を変えたときのポリシリのエッチング形状を示す。この結果から同一エッチング条件でテーパ角８０°〜９０°の範囲で可変できることがわかる。このためメインエッシングとオーバーエッチングとでコイルと誘電体窓の距離を変えることにより形状制御が可能となる。」（第４頁左欄第３７行目〜右欄第５行目）
　　
（３）引用例３（特開平６−６９１６０号公報）
（３−１）「誘電体製の窓を持つ真空容器と、同窓に対向して、同真空容器内に配置される基板と、上記窓に対向して上記真空容器外に設けられるアンテナ型放電手段と、同アンテナ型放電手段に電力を供給する高周波電源とを備えてなることを特徴とするプラズマ化学エッチング装置。」（請求項１）
（３−２）「なおアンテナ型の放電用電極２４としては上記のもの以外に図５（ａ）から（ｇ）に示す、はしご型、うずまき型（原文の「うずまさ」は左記の誤記と認める。）、綱型、骨型、平板型、ジグザグ型、パンチ型等を用いてもよい。」（段落【００１６】）
　　
（４）引用例４（特開平５−１５２３１０号公報）
（４−１）「底面部に開口を有する筐体と、この筐体内に収納され前記開口上に下端開口を覆うように載置し且つ該下端開口から被処理物を出入するようにした釣鐘状の炉容器と、この炉容器の側壁に沿って配置された加熱器と、前記炉容器の頂部に突出させて設けた被支持部と、この被支持部を支持することによって前記炉容器の上部を固定する前記筐体に設けられた支持部とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。」（請求項１）
（４−２）「【作用】上記のように構成された半導体製造装置は、側壁に沿って加熱器が配置され且つ下端開口から被処理物を出入するようにした釣鐘状の炉容器が、頂部に突出させた被支持部を筐体に設けられた支持部に支持されるようにして筐体内に収納される構成となっており、炉容器の上部の荷重は被支持部が筐体に設けられた支持部に支持されているために側壁に加わることがない。このため炉容器内に被処理物を収納して加熱器によって加熱し高温度状態にしても炉容器の変形が防止され、炉内の当初の処理条件が維持できて均一なプロセスが実行でき、炉容器の寿命を長くすることができる。」（段落【００１０】）
　　
（５）引用例５（特開平７−２４０４０２号公報）
（５−１）「イオン密度が１０11イオン／ｃｍ3 以上のプラズマを生成するプラズマ生成部を有するプラズマ装置に放電解離条件下で酸素系活性種を生成可能なエッチング・ガスを導入し、該プラズマ装置内に保持された基板と該プラズマ生成部との間の距離を変化させながら該基板上の有機材料膜を選択的にエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。」（請求項１）
（５−２）「なおこのとき、上記ＩＣＰエッチング装置が上蓋４１にヒータを内蔵する装置であれば、エッチング中にこのヒータを作動させることにより、チャンバ壁への炭素系ポリマーの堆積を抑制してパーティクルを低減すると共に、ウェハＷ上で効率良く側壁保護膜を形成することができる。」（段落【００４３】）
　　
４．対比・判断
４−１　本願の請求項１に係る発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）と、引用例１に記載された発明を対比する。
　引用例１には、真空室を備えたプラズマ処理装置に係る発明が記載されており（摘記１−７：第１項）、併せて、高周波電源は室の壁に個別に支持された複数の誘導体窓を介してプラズマに結合される磁界を誘導すること（摘記１−１）、窓は金属製の一体形剛性フレームによって個別に支持されていること（摘記１−２）、コイルは窓全体に延在されていること（摘記１−６）、コイルは高周波励磁装置に接続されていること（摘記１−４）、コイルアレイは、複数の窓の上全体に延在する平面コイルを含み、１対のリード線を介して幾つかの平行セグメントに接続された１つの端子を備えていること（摘記１−７：第４、５項）、平面コイルの線形エレメントは矩形断面であること（摘記１−５）、平面矩形構造を有するテレビ受像機アクティブマトリックス液晶ディスプレイ処理に適用すること（摘記１−３）が記載されている。
　そして、本願発明１において真空室の一つの面は複数の貫通窓に各誘電板が嵌め込まれた点は、引用例１の上記室の壁に個別に支持された複数の誘導体窓に相当し、本願発明１における金属製枠体は、引用例１の上記金属製の一体型剛性フレームに相当し、そして、本願発明１の液晶素子の基板を処理する点は、引用例１の上記液晶ディスプレイ処理と重複する。また、引用例１に記載されたプラズマ処理装置が、プラズマ処理方法に用いられることは明らかである。
　してみれば、本願発明１は、引用例１に記載された発明と、「真空室の一つの面は複数の貫通窓に各誘電板が嵌め込まれた金属製枠体を有し、上記金属製枠体上に配設され、前記各誘電板の全てに跨って形成された高周波誘導結合用コイルに高周波電圧を印加することで、上記真空室内にプラズマを発生させて液晶素子の基板を処理するプラズマ処理方法」の点で一致し、そして以下の点で相違している。
　　
［相違点１］本願発明１は、高周波誘導結合用コイルの中心に高周波電圧を印加し、高周波誘導結合用コイルの中心は上記誘電板のいずれか１つの上面に配置されるのに対し、引用例１記載の発明では、コイルアレイは、複数の窓の上全体に延在する平面コイルを含み、１対のリード線を介して幾つかの平行セグメントに接続された１つの端子を備えており、引用例１には上記のコイルの中心についての記載がない点。
［相違点２］本願発明１は、高周波誘導結合用コイルが、金属製枠体上に絶縁層を介して配設されているのに対し、引用例１記載の発明では窓の上全体に延在しており、金属製枠体上に絶縁層を介して配設されたものではない点。
　　
　そこで、上記各相違点について検討する。
相違点１について
　引用例２には、高周波プラズマ処理装置であって、渦巻き状のコイルを用いること（摘記２−１）、コイル形状を軸対称とすることにより、エッチング速度の均一化が可能となること（摘記２−３）が記載され、引用例３には、高周波プラズマエッチング装置であって（摘記３−１）、放電用電極としてのアンテナとして、はしご型、うずまき型、綱型、骨型、平板型、ジグザグ型、パンチ型等を用いてもよいこと（摘記３−２）が記載されている。
　しかし、これら引用例２、３には、金属製枠体上に配設された誘電板については記載がなく、また、他の引用例４、５にも当該記載は見当たらない。よって、引用例２〜５には、高周波誘導結合用コイルの中心に高周波電圧を印加し、高周波誘導結合用コイルの中心は上記誘電板のいずれか１つの上面に配置されるという、上記相違点１に係る特定事項の記載はなく、また、それを示唆する記載も見当たらない。
　そして、本願発明１は、上記相違点１に係る特定事項を含む前記認定のとおりの特定事項を有することにより、誘電体自体の強度を高くする必要がなくなり、液晶素子の基板の高周波誘導結合型プラズマ処理方法及び装置において、高周波を透過する誘電板を薄くすることができ、耐久性と印加電力効率に優れた低価格のプラズマ処理方法及び装置を提供することができるとともに（段落【0001】、【0010】参照）、容易に放電を開始させることができる（段落【0019】参照）という、明細書記載の効果を認めることができる。
　してみれば、上記相違点２について改めて検討するまでもなく、本願発明１は、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
４−２　本願の請求項２〜７に係る発明について
　本願の請求項２〜７に係る発明は、請求項１を引用して、本願発明１のプラズマ処理方法の発明にさらに限定を加えた発明であるので、上記「４−１　本願の請求項１に係る発明について」の欄に記載したと同様、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
４−３　本願の請求項８に係る発明について
　本願の請求項８に係る発明（以下、「本願発明８」という。）は、プラズマ処理装置の発明であるところ、「高周波誘導結合用コイルの中心に高周波電源が接続され」かつ「前記高周波誘導結合用コイルの中心は上記誘電板のいずれか１つの上面に配置され」ていることを必須の特定事項（以下「特定事項Ａ」という。）として具備する発明である。
　これについて検討すると、当該特定事項Ａにおける、高周波誘導結合用コイルの中心に高周波電源が接続される点は、上記４−１項で［相違点１］について検討した、高周波誘導結合用コイルの中心に高周波電圧を印加する点と実質的に一致し、また、高周波誘導結合用コイルの中心は上記誘電板のいずれか１つの上面に配置される点は両者で一致する。したがって、本願発明８における上記特定事項Ａは、本願発明１における上記相違点１に係る特定事項と、実質的に相違するとすることはできない。
　してみれば、上記「４−１　本願の請求項１に係る発明について」の欄に記載したと同様、本願発明８は、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
４−４　本願の請求項９〜１４に係る発明について
　本願の請求項９〜１４に係る発明は、請求項８又はその下位の請求項に係るプラズマ処理装置の発明にさらに限定を加えた発明であるので、上記「４−３　本願の請求項８に係る発明について」の欄に記載したと同様、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
５．むすび
　以上のとおりであるから、原査定の拒絶の理由により本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。