【事件の表示】
　平成９年特許願第３３１５９８号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年６月１８日出願公開、特開平１１−１６３２２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年１２月２日の出願であって、その請求項１、２に係る発明は、平成１４年４月２２日付手続補正書及び平成１６年６月３日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】　回路素子に導通するパンプ状端子が形成された半導体チップどうしが、それらの回路素子の間に異方性導電膜の樹脂成分を介在させた状態で上記バンプ状端子の間が上記異方性導電膜の導電成分によって導通接続された半導体装置であって、
　少なくとも一方の半導体チップは、上記回路素子を覆うようにしてパシベーション膜が形成された半導体チップであって、上記パシベーション膜を覆うようにして保護膜が形成され、かつ、上記バンプ状端子が上記保護膜よりも突出して形成されていることを特徴とする、半導体装置。」
　
２．引用刊行物、及びその記載事項
　これに対して、当審の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−３４０７５８号公報（以下、「引用刊行物４」という。）、及び特開平５−５５２２８号公報（以下、「引用刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）引用刊行物４
（１ａ）「【請求項１】　各々が有する一表面に半導体集積回路が形成されており且つ両該表面に画定された第１の領域が互いに重なるようにして配置され且つ少なくとも一方の該表面には他方の該表面と重ならない第２の領域が画定された二つの基板と，各々の該表面における少なくとも該第１の領域を覆う絶縁層と, 該基板間で互いに対向するようにして各々の該表面の該第１の領域における該絶縁層上に形成され且つそれぞれに対応する該表面における該半導体集積回路と接続された少なくとも二対の第１のパッドと，少なくとも該二対の第１のパッドに接触するようにして該第１の領域間に介在する導電層と, 少なくとも一方の前記表面における前記第２の領域に形成され且つ該導電層と直接に接触しないようにして該表面に形成されている前記半導体集積回路または所定の前記第１のパッドと接続された第２のパッドとから構成されたことを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】　該導電層は異方性の導電性を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。」
（１ｂ）「【０００１】【産業上の利用分野】　本発明は三次元に積層された半導体装置に係り，とくに，各々に半導体集積回路が形成された複数の基板を重ね合わせ，かつ，これら基板間に相互接続を設けた構造に関する。」
（１ｃ）発明が解決しようとする課題として、「【０００４】また, 図８に示すように, 半導体集積回路が形成された二つのチップ３を, 導体から成るタブレット４が形成された表面を対向させて重ね合わせ, 各々のタブレット４どうしを接合し, これにより両チップ３に形成されている半導体集積回路を相互接続する方法がある。この方法は, 図６の方法に比べてチップ間の接続配線を多くすることが可能であるが, タブレット４が増加するとともに歩留まりが低下する。これは, 各チップ３上の半導体集積回路の機能が増すにしたがってタブレット４の数が多くなるわけであるが, これにともなってチップ３の面積が大きくなる。その結果, チップ３の非平坦性により, 対向するタブレット４間の接合が不完全になりやすい。このことは, タブレット４が形成される表面は, その下地内に存在する下層配線や電極等により, 一般に凹凸面であることから, 上記のようなタブレット４どうしを直接に接合するのは信頼性に乏しいことを意味している。」と記載され、図８には、二つのチップ３の上には電極を介して形成されたタブレット４どうしが接合していることが示されている。    
（１ｄ）「【０００６】【作用】　図１は本発明の原理説明図であって，同図（ａ）に示すように, パッドＡ１, Ａ２, Ａ３が形成された基板すなわちチップ１Ａと，パッドＢ１, Ｂ２, Ｂ３が形成された基板すなわちチップ１Ｂとを, パッドＡ１とパッドＢ１, パッドＡ２とパッドＢ２, パッドＡ３とパッドＢ３がそれぞれ対向するようにして配置し, かつ, これらチップ間に単一の導電層６を介在させて重ね合わせた上で両チップを接合する。導電層６の介在により, 対応するパッド間の間隔にチップの非平坦性やパッドの下地表面の凹凸等に起因する不均一があっても, 確実な相互接続が行われる。・・・
　【０００８】上記は, 導電層６が等方性の導電性を有する場合であるが, 厚さ方向における抵抗が横方向におけるそれよりも小さい異方性の導電層を用いることにより, ・・・」と記載され、図１（ａ）には、二つのチップ１Ａ、１Ｂの上にはそれぞれ電極を介してパッドＡ１, Ａ２, Ａ３、パッドＢ１, Ｂ２, Ｂ３が突出して形成され、導電層６を介してパッドどうしが接合していることが示されている。      
（１ｅ）「【０００９】【実施例】　図２は本発明の第１の実施例を説明するための模式的要部断面図であって，チップ１Ａの一表面に設けられた第１の領域には半導体集積回路（図示省略）とこれを覆う絶縁層７Ａが形成されている。そして，絶縁層７Ａ上には, 前記集積回路に接続されたパッドＡ１, Ａ２, Ａ３, ・・・が形成されている。また, チップ１Ａの前記一表面に設けられた第２の領域には, パッドＣ１, Ｃ２, Ｃ３, ・・・が形成されている。パッドＣ１, Ｃ２, Ｃ３, ・・・は, 前記半導体集積回路または所定のパッドＡ１, Ａ２, Ａ３, ・・・に接続されている。・・・
　【００１０】　一方, チップ１Ｂの一表面には第１の領域のみが設けられており, この領域に半導体集積回路（図示省略）とこれを覆う絶縁層７Ｂが形成されている。そして, 絶縁層７Ｂ上には, 前記半導体集積回路に接続されたパッドＢ１, Ｂ２, Ｂ３, ・・・形成されている。・・・
　【００１１】チップ１Ａと１Ｂとを, 同図（ｂ） に示すように, 各々の前記第１の領域に形成されているパッドＡ１とＢ１, Ａ２とＢ２, Ａ３とＢ３, ・・・がそれぞれ対向するように配置し, これらの間に導電層６介在させて重ね合わせたのち, 圧力を印加してチップどうしを接合する。このとき, 前記対になった各パッド間における導電層６の厚さが１μm 以下となるようにして接合する。導電層６は, 例えばチップ１ＢにおけるパッドＢ１, Ｂ２, Ｂ３が形成された表面に, 導電性高分子から成る厚さ１μm 程度の膜を堆積するか, または，チップ１ＡにおけるパッドＡ１, Ａ２, Ａ３, ・・・が形成された表面に同様の膜を堆積し, これを前記第１の領域に残すように選択的にエッチングすることにより形成すればよい。・・・なお, 上記導電性高分子として, 接合前または接合後の熱処理によって抵抗率を調整可能なものを用いると都合がよい。」と記載され、図２（ｂ）には、チップ１Ａと１Ｂ上には、絶縁層７Ａ、７Ｂがあり、その上にパッドＡ１, Ａ２, Ａ３ 、パッドＢ１, Ｂ２, Ｂ３が電極を介して突出して形成され、導電層６を介してパッドどうしが接合していることが示されている。   
　
（２）引用刊行物３
（２ａ）従来の技術として、「【０００３】　図４は従来の半導体装置の一例を示す断面図である。絶縁膜で覆われたシリコン基板１の上には、シリコン基板１に形成されているトランジスタや抵抗素子などを相互に接続し外部に引き出すためのアルミニウム配線２が形成され、アルミニウム配線２を含む表面に表面保護膜である窒化シリコン膜３が形成され、アルミニウム配線２の上には開孔部を設けている。そして、この開孔部を覆うように設けたバリア膜のチタン膜４及びめっき電流路用の銅膜１０を介して、電気めっき法によって形成された１５〜２０μｍの厚さの銅めっき膜８が配置されている。更に、この銅めっき膜８の表面には酸化防止の為に３〜４μｍの厚さの金めっき膜９が形成され、バンプ電極が構成されている。
　【０００４】　そして、窒化シリコン膜３上にはこのバンプ電極に接するように、ストレス緩衡膜であるポリイミド膜５が形成されている。
　【０００５】　このバンプ電極には外部リードが熱圧着によって接続される。」と記載され、図４には、バンプ電極がストレス緩衡膜であるポリイミド膜５よりも突出して形成されていることが示されている。
（２ｂ）「【０００６】【発明が解決しようとする課題】　この従来の半導体装置では、表面保護膜である窒化シリコン膜３上に、バリア膜４及び銅めっき膜８が接して形成されている。従って、外部リードを熱圧着した際に圧力が窒化シリコン膜３にも加わり表面保護膜にクラックが生じ信頼性が低下する。
　【０００７】　又、クラック防止の為に、外部リードを熱圧着する際に加える圧力を小さくすると、バンプと外部リードの接着強度が小さくなりリード剥がれが生じ、半導体装置の信頼性が低下するという問題があった。」  
（２ｃ）「【０００８】【課題を解決するための手段】　本発明の半導体装置は、半導体基板上に配置したアルミニウム配線と、前記アルミニウム配線を含む表面に設けて前記アルミニウム配線上に第１の開孔部を有する表面保護膜と、前記第１の開孔部を含む表面に設けて前記第１の開孔部の内側に第２の開孔部を有する緩衡膜と、前記第２の開孔部内のアルミニウム配線と接続し且つ前記緩衡膜と側面の下部を接するように形成された突起電極とを備えている。」
（２ｄ）実施例として、「【００１１】　図１に示すように、表面に厚い酸化シリコン膜が形成されたシリコン基板１上には厚さ１〜１．５μｍのアルミニウム配線２が配置されている。このアルミニウム配線２はシリコン基板１内に形成されているトランジスタや抵抗等の素子（図示せず）と電気的に接続されている。またシリコン基板１及びアルミニウム配線２上には表面保護膜である窒化シリコン膜３が１μｍの厚さで形成されている。更に、この窒化シリコン膜３上にはストレス緩衡膜であるポリイミド膜５が厚さ４〜５μｍの厚さで形成されている。そして、この窒化シリコン膜膜３にはアルミニウム配線２上に第一の開孔部６が形成されており、ポリイミド膜５には第１の開孔部６の内側に位置するように第２の開孔部７が形成されている。
　【００１２】　この第２の開孔部７内のアルミニウム配線２上、及びポリイミド膜５上には厚さ０．３μｍのチタン膜４及びめっき電流路用の厚さ０．５μｍの銅膜１０が形成されている。・・・、この銅膜１０上には電気めっき法で形成された銅めっき膜８が約２０μｍの厚さで選択的に形成され、銅めっき膜８上面には同様に電気めっき法で成長した３〜４μｍの金めっき膜９が積層されている。この金めっき膜９は銅めっき膜８の酸化防止膜として作用し、外部リードとの接着が安定する。」と記載され、図１には、突起電極がストレス緩衡膜であるポリイミド膜５よりも突出して形成されていることが示されている。
　
３．対比・判断                  
　引用刊行物４には、上記摘記事項（１ｄ）によれば、基板すなわちチップ１Ａと、チップ１Ｂとは、異方性の導電層の介在によりパッドＡ１とパッドＢ１, パッドＡ２とパッドＢ２, パッドＡ３とパッドＢ３が相互に接続されていることが記載され、上記摘記事項（１ｅ）の段落【００１１】によれば、導電層は、導電性高分子の膜から成ることが記載されている。また、上記摘記事項（１ｄ）（１ｅ）の図１（ａ）、図２（ｂ）からチップの上には電極を介してパッドが形成されていることが理解できる。
　そして、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、上記引用刊行物４には、「各々が有する一表面に半導体集積回路が形成されており且つ両該表面に画定された第１の領域が互いに重なるようにして配置された二つのチップと，各々の該表面における少なくとも該第１の領域を覆う絶縁層と, 該チップ間で互いに対向するようにして各々の該表面の該第１の領域における該絶縁層上に形成され且つそれぞれに対応する該表面における該半導体集積回路と接続されたチップの電極に設けられた少なくとも二対の第１のパッド（パッドＡ１とＢ１、パッドＡ２とＢ２）と，少なくとも該二対の第１のパッドに接触するようにして該第１の領域間に介在する異方性の導電高分子の膜からなる導電層とから構成された半導体装置」の発明（以下、「引用刊行物４記載の発明」という。）が記載されていることになる。
　ここで、第１のパッドＡ１, Ａ２, Ｂ１, Ｂ２は、チップ１Ａ、１Ｂ上の絶縁層より突出して、電極上に形成されており、本願発明の、回路素子に導通するバンプ状端子に相当するものであり、また、上記絶縁層は、チップ１Ａ、１Ｂの最外層として形成されており、半導体集積回路を覆ってこれを外部から絶縁して保護するものであるから、本願発明のパシベーション膜に相当するものである。
　本願発明と引用刊行物４記載の発明とを対比すると、「回路素子に導通するパンプ状端子が形成された半導体チップどうしが、それらの回路素子の間に異方性導電膜の樹脂成分を介在させた状態で上記バンプ状端子の間が上記異方性導電膜の導電成分によって導通接続された半導体装置であって、少なくとも一方の半導体チップは、上記回路素子を覆うようにしてパシベーション膜が形成された半導体チップである、半導体装置」である点で一致するものの、次の点で相違する。
　本願発明は、「パシベーション膜を覆うようにして保護膜が形成され、かつ、バンプ状端子が保護膜よりも突出して形成されている」のに対し、引用刊行物４記載の発明はそのようなものではない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　引用刊行物３には、上記摘記事項（２ａ）（２ｄ）によれば、従来技術も引用刊行物３に記載の発明も、シリコン基板１及びアルミニウム配線２上には表面保護膜である窒化シリコン膜３が形成され、更に、この窒化シリコン膜３上にはストレス緩衡膜であるポリイミド膜５が形成されていること、また、上記摘記事項（２ｂ）によれば、外部リードを熱圧着した際に圧力が窒化シリコン膜３にも加わり表面保護膜にクラックが生じてしまうことが記載されている。そして、引用刊行物３に記載の発明は、表面保護膜にクラックが生じないようにしたものであるが、このストレス緩衡膜であるポリイミド膜は、本願発明のパシベーション膜を覆うようにして形成した保護膜に相当していることは明らかである。
　そして、引用刊行物４記載の発明も、異方性の導電層を介してチップどうしを、圧力を印可して接合するのであるから（上記摘記事項（１ｅ）の段落【００１１】）、この圧力接合することにより、チップ間に介在する導電層による影響を排除する必要があること、例えばパシベーション膜に相当する絶縁膜にクラックが発生するのを防止する必要があることは当然のことである。しかも引用刊行物３に記載された外部リードとバンプ電極との熱圧着と、導電層を介するチップどうしの接合とで、押圧力の程度においては異なるとしても、後者においてもパシベーション膜を押圧していることには違いがない。
　してみると、引用刊行物４記載の発明の絶縁膜上において、引用刊行物３に記載された窒化シリコン膜上にポリイミド膜を形成する技術を適用することにより、絶縁膜上にポリイミド膜を形成するとともに、パッドがこのポリイミド膜よりも突出するように形成することは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明の効果も上記引用刊行物４、３の記載から予測し得る程度のものであって格別のものではない。
　したがって、本願発明は、引用刊行物４、３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。