【事件の表示】
　平成　７年特許願第　８５１６８号「磁気抵抗効果膜」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年１１月　１日出願公開、特開平　８−２８７４２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成７年４月１１日の出願であって、その請求項１ないし４に係る発明は、平成１４年９月１３日付けで補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりである。
　「【請求項１】　基板上に下地層、第１の強磁性層、非磁性層、第２の強磁性層および反強磁性層の順で積層された多層膜で構成される磁気抵抗効果膜であって、前記各強磁性層の磁化方向は膜面内にあり、前記第２の強磁性層は前記反強磁性層による交換結合磁界により磁化方向が固定され、且つ、前記第１の強磁性層の磁化方向は固定されておらず、前記第１の強磁性層の平均結晶粒径は８〜１４ｎｍの範囲にあることを特徴とする磁気抵抗効果膜。」
　
２　引用例
　当審の拒絶の理由で引用した特開平４−３５８３１０号公報（以下「引用例１」という。）は、「スピン・バルブ効果利用の磁気抵抗センサ」に関し次の事項が記載されている。
　（ア）　「【【請求項２】　非磁性金属体の薄膜層によって仕切られた強磁性体の第１及び第２薄膜層を有し、印加磁界がゼロである場合に上記強磁性体の第１薄膜層の磁化方向が、上記強磁性体の第２薄膜層の磁化方向に対し直交する方向である、磁気抵抗センサであって、上記強磁性体の第２薄膜層の磁化方向を固定する手段と、上記磁気抵抗センサに電流を生じさせる手段と、上記磁気抵抗センサによって検知される磁界の関数として、上記強磁性体の第１薄膜層の磁化の回転によって生じる上記磁気抵抗センサの電気抵抗変化を検知する手段、とを有する磁気抵抗センサ。」（特許請求の範囲）
　（イ）　「【請求項４】　上記強磁性体の第２薄膜層の磁化方向を固定する上記手段が、上記強磁性体の第２薄膜層に直接に接触する反強磁性体の薄膜層を有する、請求項２記載の磁気抵抗センサ。」（特許請求の範囲）
　（ウ）　「本発明では感度の直線形、飽和保磁力の低下、感度の中心化、及びドメイン回転による印加された磁界への感度の変化の改善について述べる。その結果として、スピン・バルブ構造に基づく磁界センサは、従来のＭＲセンサが必要とした磁界の感度に対して、従来のＭＲセンサよりも非常に大きな磁気抵抗の変化を示すＭＲセンサを製作することができる。」（公報段落１１）
　（エ）　「本発明のこの新しい構造が図３に例示されている。本発明のＭＲセンサは、ガラス、セラミック、又は半導体のような適切なサブストレート１０の上に、例えば、軟質強磁性体の第１薄膜層１２、非磁性金属体の薄膜層１４、及び強磁性体の第２薄膜層１６を付着させた構造である。強磁性体の薄膜層１２及び１６は、磁界が印加されていない場合は、個々の磁化方向が約９０度の角度差になるようにする。さらに、強磁性体の第２薄膜層１６の磁化方向は、矢印２０が示す方向に固定される。磁界が印加されていない場合の軟質強磁性体の第１薄膜層１２の磁化方向は矢印２２で示されている。印加された磁界（例えば、図３の磁界方向ｈ）に感応して第１薄膜層１２に生じる磁化回転は、図３の点線に示す方向に変化する。」（公報段落１２）
　（オ）　「図３に例示する本発明の実施例において、強磁性体の第２薄膜層１６は軟質強磁性体の第１薄膜層１２の飽和保磁力よりも高いので第２薄膜層１６の磁化はその方向に固定させられる。図４に例示する特定的な実施例は、強磁性体の第２薄膜層１６の磁化方向を固定させる２つの代替方法を与えている。図４に例示する本発明の実施例において、高電気抵抗の反強磁性体の薄膜層１８が、強磁性体の第２薄膜層１６に直接、接触して付着させられているので従来技術で周知のように交換結合によってバイアス磁界が生じる。（後略）」（公報段落１３〜１４）
　（カ）　「本発明の他の磁気抵抗センサの実施例が図５に例示されている。本発明のこの実施例では軟質強磁性体の第１薄膜層１２の付着を行なう前に、例えば、Ｔａ、Ｒｕ、又はＣｒＶのような適切な下部膜２４をサブストレート１０の上に付着させる。下部膜２４を付着させる目的は、後に付着させる層の組織、結晶粒度、及び形態を最適化させるためである。（後略）」（公報段落１５）
　（キ）　「強磁性体の薄膜層１２及び１６は、例えば、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、及びこれらの合金であるＮｉＦｅ、ＮｉＣｏ及びＦｅＣｏのような任意の適切な磁性体で作ることができる。磁気抵抗の大きさは、選択された３種類の磁性体、Ｃｏ、ＮｉＦｅ、及びＮｉが図７に示されているように強磁性の第１薄膜層の厚さによって変化する。これらの３種類の磁性体の曲線は約５０〜１５０　間の幅の広い範囲にわたり最大で、３種類とも非常に類似する特徴の形状である。そのため、強磁性の第１薄膜層１２の厚さには好ましい範囲である。」（公報段落２１、なお、「厚さ」の単位はÅであること、及び「磁気抵抗の大きさ」は（Δρ／ρ）であることが図７に示されている。）
　
３　対比判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明を対比する。
　引用例１には、上記２に摘示した記載事項によれば、
　「非磁性金属体の薄膜層によって仕切られた強磁性体の第１及び第２薄膜層を有し、印加磁界がゼロである場合に上記強磁性体の第１薄膜層の磁化方向が、上記強磁性体の第２薄膜層の磁化方向に対し直交する方向である、磁気抵抗センサであって、上記強磁性体の第２薄膜層の磁化方向を固定する手段と、上記磁気抵抗センサに電流を生じさせる手段と、上記磁気抵抗センサによって検知される磁界の関数として、上記強磁性体の第１薄膜層の磁化の回転によって生じる上記磁気抵抗センサの電気抵抗変化を検知する手段、とを有する磁気抵抗センサにおいて、
　上記強磁性体の第２薄膜層の磁化方向を固定する上記手段が、上記強磁性体の第２薄膜層に直接に接触する反強磁性体の薄膜層を有し、交換結合による磁界が生じているものであり、
　上記強磁性体の第１薄膜層の付着を行なう前に、下部膜をサブストレートの上に付着させてなる磁気抵抗センサ。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「磁気抵抗センサ」は、薄膜層が積層された多層の膜の形状からなるので、本願発明の「磁気抵抗効果膜」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「サブストレート」「下部膜」「強磁性体の第１薄膜層」「強磁性体の第２薄膜層」「非磁性金属体の薄膜層」「反強磁性体の薄膜層」は、それぞれ本願発明の「基板」「下地層」「第１の強磁性層」「第２の強磁性層」「非磁性層」「反強磁性層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「強磁性体の第１薄膜層」は、磁化の回転する層であるので、磁化方向は固定されていない。
　引用例１に記載された発明の、「強磁性体の第１薄膜層」の磁化方向は、図３や４に矢印２２に示され、また「強磁性体の第２薄膜層」の磁化方向は、図３や４の矢印２０に示されるように、膜面内にある。
　してみると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「基板上に下地層、第１の強磁性層、非磁性層、第２の強磁性層および反強磁性層の順で積層された多層膜で構成される磁気抵抗効果膜であって、前記各強磁性層の磁化方向は膜面内にあり、前記第２の強磁性層は前記反強磁性層による交換結合磁界により磁化方向が固定され、且つ、前記第１の強磁性層の磁化方向は固定されていない磁気抵抗効果膜。」である点において一致しており、以下の点において相違している。
　
　（相違点１）　本願発明では、「第１の強磁性層の平均結晶粒径は８〜１４ｎｍの範囲にある」と数値限定しているのに対し、引用例１に記載された発明では、平均結晶粒径について特定していない点。
　
（２）相違点についての検討
　引用例１には、下地層を設ける理由の記載の中に、下地層の後に付着させる層の組織、結晶粒度、及び形態を最適化させるためと記載されていて（上記（カ）参照）、下地層の後に付着される第１の強磁性層等の結晶粒度を最適化すべきであることが示唆されている。
　そして、引用例１に記載された発明において、最適化とは、磁気抵抗（Δρ／ρ）の大きいこと、及び第１の強磁性層が軟磁性の特性（保磁力の小さいこと）が要求されること等であることは、上記（ウ）（エ）（オ）（キ）に示され、またスピンバルブ磁気抵抗効果膜において周知の事項である（例えば、当審の拒絶理由で引用した特開平６−６０３３６号公報、特開平６−３２５９３４号公報参照）。
　してみれば、引用例１に記載された発明において、結晶粒度に着目して最適化すべきであるとの示唆に基づいて、第１の強磁性層の結晶粒度を最適化するため、磁気抵抗及び軟磁性の特性（保磁力の小さいこと）の優れる結晶粒度すなわち平均結晶粒径を実験的に選定することは、当業者が適宜なし得ることであり、上記平均結晶粒径の数値限定は、当業者が格別の創意を要せずになし得る程度のものであり、その作用効果は、引用例１に記載された発明から当業者であれば予測される範囲内である。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された上記引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。