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【手続補正書】
【提出日】平成30年10月24日(2018.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像データおよび音声データを含む撮影データを取得する撮影データ取得部と、
イベント発生を検出し、検出したイベント内容に基づいてイベントレベルの高低を判定するイベント検出部と、
前記イベント検出部が検出したイベントに起因して前記撮影データを記録するとき、前記イベントレベルが高の場合は、前記映像データおよび前記音声データを含む撮影データを記憶し、前記イベントレベルが低の場合は、前記映像データを含み、かつ前記音声データを含まない撮影データを記録する記録制御部と、
を備える記録装置。
【請求項２】
前記記憶部は、イベントに起因せずに前記撮影データを記録するときは前記映像データを含み、かつ前記音声データを含まない撮影データを記録する、
請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記イベント検出部は、前記記録装置に加わる加速度情報を取得し、前記加速度情報が示す加速度が衝突に該当する加速度である場合のイベントに対してイベントレベルを高と判定する、
請求項１または２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記撮影データ取得部が取得した前記撮影データに含まれる前記音声データの音量レベルを取得する音量レベル取得部をさらに備え、
前記イベント検出部は、前記音量レベル取得部が取得した音量レベルが所定値以上である場合のイベントに対してイベントレベルを高と判定する、
請求項１または２に記載の記録装置。
【請求項５】
前記撮影データ取得部が取得した撮影データを、送信部を介して外部記録装置へ送信する送信制御部をさらに備え、
前記記録制御部は、前記イベントレベルが高の場合は、前記映像データおよび前記音声データを含む撮影データを前記外部記録装置へ送信させ、前記イベントレベルが低の場合は、前記映像データを含み、かつ前記音声データを含まない撮影データを前記外部記録装置へ送信させる、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項６】
前記撮影データ取得部が取得した撮影データを一時的に記憶するバッファメモリをさらに備え、
前記記録制御部は、前記映像データおよび前記音声データを含む撮影データを前記外部記録装置へ送信させるときは、前記撮影データから前記音声データを消去しない撮影データを前記外部記録装置へ送信させ、記映像データを含み、かつ前記音声データを含まない撮影データを前記外部記録装置へ送信させるときは、前記撮影データから前記音声データを消去した前記第２の撮影データを前記外部記録装置へ送信させる、
請求項５に記載の記録装置。
【請求項７】
映像データおよび音声データを含む撮影データを取得し、
イベント発生を検出し、
検出したイベント内容に基づいてイベントレベルの高低を判定し、
検出したイベントに起因して前記撮影データを記録するとき、前記イベントレベルが高の場合は、前記映像データおよび前記音声データを含む撮影データを記憶し、前記イベントレベルが低の場合は、前記映像データを含み、かつ前記音声データを含まない撮影データを記録する、
記録装置における記録方法。
【請求項８】
映像データおよび音声データを含む撮影データを取得し、
イベント発生を検出し、
検出したイベント内容に基づいてイベントレベルの高低を判定し、
検出したイベントに起因して前記撮影データを記録するとき、前記イベントレベルが高の場合は、前記映像データおよび前記音声データを含む撮影データを記憶し、前記イベントレベルが低の場合は、前記映像データを含み、かつ前記音声データを含まない撮影データを記録することをコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月30日(2018.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正側直流端子及び負側直流端子を有する直流端子と３相交流端子との間に設けられ、直流系統と３相交流系統との間で相互に電力を変換する電力変換装置であって、
前記電力変換装置は、交流遮断器を介して３相交流系統と接続され、
スイッチング素子とコンデンサとを含む単位変換器がそれぞれ多段接続されてなり、前記正側直流端子と前記負側直流端子との間の３相各相に直列接続された正側アーム及び負側アームと、
前記正側直流端子と前記負側直流端子との間には、前記正側直流端子と前記負側直流端子とを接地点を介して又は直接に接続する短絡スイッチと、
を備え、
前記短絡スイッチが、前記交流遮断器の遮断動作の前に、前記正側直流端子および負側直流端子を短絡する電力変換装置。
【請求項２】
前記負側直流端子が接地され、前記短絡スイッチは、前記正側直流端子と前記接地点とを接続すること、
を特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記正側直流端子が接地され、前記短絡スイッチは、前記負側直流端子と前記接地点とを接続すること、
を特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記正側アーム及び前記負側アームとの間に接続された多巻線変圧器を各相に備え、
前記多巻線変圧器は、
３相交流系統に接続される交流系統側巻線と、
前記正側アームと前記負側アームとの間に逆極性で直列接続された第１の直流系統側巻線及び第２の直流系統側巻線と、
を有すること、
を特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の電力変換装置。
【請求項５】
正側直流端子及び負側直流端子を有する直流端子と３相交流端子との間に設けられ、直流系統と３相交流系統との間で相互に電力を変換する電力変換装置であって、
スイッチング素子とコンデンサとを含む単位変換器がそれぞれ多段接続されてなり、前記正側直流端子と前記負側直流端子との間の３相各相に直列接続された正側アーム及び負側アームと、
前記正側アーム及び前記負側アームとの間に接続された多巻線変圧器を各相に備え、
前記多巻線変圧器は、
３相交流系統に接続される交流系統側巻線と、
前記正側アームと前記負側アームとの間に逆極性で直列接続された第１の直流系統側巻線及び第２の直流系統側巻線と、
３相各相の前記第１の直流系統側巻線と前記第２の直流系統側巻線との間から延びる互いに結線された中性線と、
を有し、
前記短絡スイッチは、前記中性線と接地点とを接続する電力変換装置。
【請求項６】
前記短絡スイッチは、前記交流遮断器の遮断動作の前に、前記中性線と接地点とを接続する請求項５に記載の電力変換装置。
【請求項７】
前記短絡スイッチと前記接地点との間に抵抗が接続されていること、
を特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の電力変換装置。
【請求項８】
前記短絡スイッチと前記接地点との間にリアクトルが接続されていること、
を特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の電力変換装置。
【請求項９】
３相交流系統と、前記正側アーム及び前記負側アーム間の接続点との間の交流電路に設けられた交流遮断器に遮断指令を出力する遮断器制御部と、前記短絡スイッチに閉指令を出力する短絡スイッチ制御部とを有する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記短絡スイッチ制御部が前記短絡スイッチに前記閉指令を出力し、前記短絡スイッチの閉状態を示す信号を受けた後、前記遮断器制御部が前記交流遮断器に前記遮断指令を出力すること、
を特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の電力変換装置。
【請求項１０】
３相交流系統と、前記正側アーム及び前記負側アーム間の接続点との間の交流電路に設けられた交流遮断器に遮断指令を出力する遮断器制御部と、前記短絡スイッチに閉指令を出力する短絡スイッチ制御部とを有する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記短絡スイッチ制御部が前記短絡スイッチに前記閉指令を出力し、前記短絡スイッチの閉状態を示す信号を受ける前に、前記遮断器制御部が前記交流遮断器に前記遮断指令を出力すること、
を特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の電力変換装置。
【請求項１１】
前記短絡スイッチは、半導体スイッチであること、
を特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月3日(2018.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略円筒形状の外形である回転電機の当該円筒側部に配置される電力変換装置であって、
直流電力を交流電力に変換するパワー半導体モジュールと、
前記直流電力を平滑するコンデンサと、
前記コンデンサと前記パワー半導体モジュールを電気的に接続するバスバーと、
バッテリからの電力を受ける電源端子と、を備え、
前記回転電機の回転軸に沿った方向から見た場合、
前記バスバーであって前記回転電機から遠い側の辺は、前記回転軸から所定の距離が離れた第１辺と、当該第１辺の所定の距離よりも前記回転軸から離れた第２辺と、により構成され、
前記バスバーは、前記第１辺から前記回転電機が配置された側に向かって形成される低背部と、前記第２辺から前記回転電機が配置された側に向かって形成されかつ当該低背部よりも長く形成される高背部と、により構成され、
前記電源端子は、前記高背部に接続され、
前記パワー半導体モジュールは、前記低背部に接続される電力変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電力変換装置であって、
前記コンデンサは、前記高背部に接続される第１コンデンサと、前記低背部に接続される第２コンデンサと、により構成され、
前記低背部と前記高背部の配列方向の単位長さあたりの前記コンデンサの容量であって、前記第２コンデンサの容量よりも前記第１コンデンサの容量が大きい電力変換装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電力変換装置であって、
前記バスバーは、前記第２コンデンサと接続するコンデンサ接続部を有し、
前記電源端子は、前記コンデンサ接続部を介して、前記第２辺の反対側に接続される電力変換装置。
【請求項４】
請求項１ないし３に記載のいずれかの電力変換装置であって、
前記バスバーは、前記軸方向の厚みが径方向及び周方向の厚みより小さく形成され、
前記パワー半導体モジュールと前記コンデンサは、前記バスバーを挟んで前記軸方向に沿って配置される電力変換装置。
【請求項５】
請求項１ないし４に記載のいずれかの電力変換装置と、略円筒形状の外形である回転電機と、を備える回転電機一体型電力変換装置であって、
前記電力変換装置は、前記回転電機の前記円筒側部に配置される回転電機一体型電力変換装置。
【請求項６】
請求項４に記載の電力変換装置と、略円筒形状の外形である回転電機と、を備える回転電機一体型電力変換装置であって、
前記電力変換装置は、前記軸方向において前記回転電機より小さく形成される回転電機一体型電力変換装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の回転電機一体型電力変換装置であって、
前記第１辺と前記第２辺の長さの合計は、前記回転電機の円筒部の直径の長さ以下である回転電機一体型電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月15日(2018.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
運動ニューロン障害を有する対象に生存運動ニューロン(SMN)タンパク質を提供することによって、運動ニューロン障害を有する対象において運動機能を調節するための組成物であって、
該組成物は、自己相補的なアデノ随伴ウイルス(scAAV)ベクターを含む組換えAAVビリオンを含み、
該scAAVベクターはSMNタンパク質をコードするポリヌクレオチドを含み、
該組成物は、(i)小脳の小脳核の少なくとも一つの領域への投与、(ii)直接脊髄注入による投与、(iii)脳室内注入による投与、および／または(iv)くも膜下注入による投与のために製剤化されている、
組成物。
【請求項２】
scAAVベクターが血清型AAV1、AAV2、AAV3、AAV4、AAV5、AAV6、AAV7、またはAAV9由来のカプシドタンパク質を含む、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記SMNタンパク質がヒトSMN-1によってコードされる、請求項１または２記載の組成物。
【請求項４】
前記SMNタンパク質が、SEQ ID NO: 2に示された配列と少なくとも90%の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項３記載の組成物。
【請求項５】
前記SMNタンパク質が、SEQ ID NO: 2に示されたアミノ酸配列を含む、請求項４記載の組成物。
【請求項６】
薬学的に許容される賦形剤をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項記載の組成物。
【請求項７】
小脳の小脳核の少なくとも一つの領域への投与のために製剤化されている、請求項１〜６のいずれか一項記載の組成物。
【請求項８】
直接脊髄注入による投与のために製剤化されている、請求項１〜６のいずれか一項記載の組成物。
【請求項９】
脳室内注入による投与のために製剤化されている、請求項１〜６のいずれか一項記載の組成物。
【請求項１０】
少なくとも一方の側脳室への投与のために製剤化されている、請求項１〜６および９のいずれか一項記載の組成物。
【請求項１１】
脳室内注入および直接脊髄注入の両方による投与のために製剤化されている、請求項１〜６のいずれか一項記載の組成物。
【請求項１２】
くも膜下注入による投与のために製剤化されている、請求項１〜６のいずれか一項記載の組成物。
【請求項１３】
対象が脊髄性筋萎縮症(SMA)を有する、請求項１〜２のいずれか一項記載の組成物。
【請求項１４】
運動ニューロン障害を有する対象にSMNタンパク質を提供するための医薬の製造における、請求項１〜１３のいずれか一項記載の組成物の使用。
【請求項１５】
前記運動ニューロン障害が脊髄性筋萎縮症(SMA)である、請求項１４記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月13日(2018.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトＶＡＳＡタンパク質に特異的に結合する抗体であって：
免疫グロブリン重鎖および免疫グロブリン軽鎖を含み、
前記軽鎖の可変領域が：
（ｉ）配列番号８３〜８８からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ１領域；
（ｉｉ）配列番号８９〜９５からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ２領域；および／または
（ｉｉｉ）配列番号９６〜１０４からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ３領域
を含む、前記抗体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
[0045]いくつかの態様において、本発明は、本発明の抗ＶＡＳＡ抗体を発現している、ＣＨＯ細胞を含む、哺乳動物細胞を提供する。しかし、当業者は、細菌、酵母、昆虫および哺乳動物系を含む、多様な宿主細胞において、抗体を発現させることも可能である。例えば、本明細書にその全体が援用される、Ｖｅｒｍａら（１９９８），  Ｊ．  Ｉｍｍｕ
ｎｏｌ．  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ２１６（１−２）：１６５−８１を参照されたい。  本発明は、非限定的に以下の態様を含む。
［態様１］
ヒトＶＡＳＡタンパク質に特異的に結合する抗体であって：
免疫グロブリン重鎖および免疫グロブリン軽鎖を含み、
前記軽鎖の可変領域が：
（ｉ）配列番号８３〜８８からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ１領域；
（ｉｉ）配列番号８９〜９５からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ２領域；および／または
（ｉｉｉ）配列番号９６〜１０４からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ３領域
を含む、前記抗体。
［態様２］
ヒトＶＡＳＡタンパク質に特異的に結合する抗体であって：
免疫グロブリン重鎖および免疫グロブリン軽鎖を含み、
前記重鎖の可変領域が：
（ｉ）配列番号１０５〜１１２からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ１領域；
（ｉｉ）配列番号１１３〜１２１からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ２領域；および／または
（ｉｉｉ）配列番号１２２〜１３１からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ３領域
を含む、前記抗体。
［態様３］
ヒトＶＡＳＡタンパク質に特異的に結合する抗体であって：
免疫グロブリン重鎖および免疫グロブリン軽鎖を含み、
前記軽鎖の可変領域が：
（ｉ）ＶＬ  ＣＤＲ１モチーフ１〜２からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ１領域；
（ｉｉ）ＶＬ  ＣＤＲ２モチーフ１〜３からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ２領域；および／または
（ｉｉｉ）ＶＬ  ＣＤＲ３モチーフ１〜５からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ３領域
を含む、前記抗体。
［態様４］
ヒトＶＡＳＡタンパク質に特異的に結合する抗体であって：
免疫グロブリン重鎖および免疫グロブリン軽鎖を含み、
前記重鎖の可変領域が：
（ｉ）ＶＨ  ＣＤＲ１モチーフ１〜２からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ１領域；
（ｉｉ）ＶＬ  ＣＤＲ２モチーフ１〜２からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ２領域；および／または
（ｉｉｉ）ＶＬ  ＣＤＲ３モチーフ１からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ３領域
を含む、前記抗体。
［態様５］
態様１〜４のいずれか一項の抗体を含む抗体調製物。
［態様６］
モノクローナル抗体調製物である、態様５の抗体調製物。
［態様７］
少なくとも２つのモノクローナル抗体調製物の混合物である、態様５の抗体調製物。
［態様８］
態様１〜４のいずれか一項の重鎖または軽鎖をコードする単離核酸分子。
［態様９］
クローニングベクター、発現ベクター、異種組換えベクターおよびウイルス組込みベクターからなる群より選択される、態様８の単離核酸。
［態様１０］
態様８〜９のいずれか一項の核酸で形質転換された細胞。
［態様１１］
哺乳動物細胞である、態様１０の細胞。
［態様１２］
齧歯類細胞である、態様１１の細胞。
［態様１３］
ＣＨＯ細胞である、態様１１の細胞。
［態様１４］
ヒト細胞である、態様１１の細胞。
［態様１５］
ＶＡＳＡタンパク質を発現している細胞を単離する方法であって：
（ａ）細胞集団を得て；
（ｂ）態様１〜４のいずれか一項の多数の抗体と、細胞集団を接触させ；そして
（ｃ）抗体と特異的に結合しない集団中の細胞から、抗体と特異的に結合する集団中の細胞を分離する
工程を含む、前記方法。
［態様１６］
細胞を蛍光活性化細胞ソーティングによって分離する、態様１５の方法。
［態様１７］
蛍光活性化細胞ソーティングによって、固定二次抗体を用いて細胞を分離する、態様１５の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月28日(2018.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【表１】
2016021737.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
表１から明らかなように、音響インピーダンスが厚み方向において段階的に変化する平坦な板（厚み１．２ｍｍ）又は平坦なシート（厚み７５μｍ）が得られる実施例１〜３における各層の線収縮率の差は０．３％未満であるのに対して、焼成時に割れや湾曲を生じる実施例４〜５における各層の線収縮率の差は３％を超えている。フィラー粒子を適切に選択すれば、音響インピーダンスの値が厚み方向において３Ｍｒａｙｌｓから１８Ｍｒａｙｌｓまで段階的に変化している音響整合層を得ることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月29日(2018.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数及び入力位相を有する入力信号を受信するように構成され、前記無線周波数を有し且つ適用される位相制御信号によって決定された出力位相を有する出力信号を生成するように構成された位相シフト素子において、
固定容量を有するように構成され且つ前記無線周波数で共振するように構成された上部のパターニングされたメタマテリアル構造体と、
前記上部のパターニングされたメタマテリアル構造体から電気的に絶縁された背面層と、
前記上部のパターニングされたメタマテリアル構造体と前記背面層との間に配置されてこれらに結合する誘電体層と、
を含む３層構造と、
前記適用された位相制御信号に応じて変化する可変容量を生成するように構成された可変コンデンサであり、前記メタマテリアル構造体の実効容量が前記可変コンデンサの対応する変化によって変更されるように前記可変コンデンサが前記メタマテリアル構造体に結合され、それにより、前記メタマテリアル構造体が前記適用された位相制御信号によって決定された前記出力位相で前記出力信号を生成する可変コンデンサとを備え、
前記可変コンデンサが、前記メタマテリアル構造体に接続された第１の端子と、固定電位に接続された第２の端子とを含み、
前記位相シフト素子が、さらに、前記位相制御信号が導電性構造体に適用され且つ前記第２の端子がグラウンド電位に接続されているとき、前記可変コンデンサが前記位相制御信号に比例する容量レベルを有する前記関連する可変容量を生成するように、前記メタマテリアル構造体及び前記可変コンデンサの前記第１の端子のうちの一方に接続された前記導電性構造体を備える、位相シフト素子。
【請求項２】
無線周波数及び入力位相を有する入力信号を受信するように構成され、前記無線周波数を有し且つ適用される位相制御信号によって決定された出力位相を有する出力信号を生成するように構成された位相シフト素子において、
固定容量を有するように構成され且つメタマテリアル構造体が前記無線周波数で共振するように構成された前記メタマテリアル構造体と、
前記適用された位相制御信号に応じて変化する可変容量を生成するように構成された可変コンデンサであり、前記メタマテリアル構造体の実効容量が前記可変コンデンサの対応する変化によって変更されるように前記可変コンデンサが前記メタマテリアル構造体に結合され、それにより、前記メタマテリアル構造体が前記適用された位相制御信号によって決定された前記出力位相で前記出力信号を生成する可変コンデンサとを備え、
前記メタマテリアル構造体が、
前記可変コンデンサに接続された第１の金属層構造体と、
電気的に絶縁された第２の金属層構造体と、
前記第１及び第２の金属層構造体の間に挟持された誘電体層と、
を含む３層構造を備え、
前記第１の金属層が前記可変コンデンサと前記誘電体層との間に配置されるように、前記可変コンデンサが前記第１の金属層に搭載され、
前記メタマテリアル構造体が前記無線周波数で共振し且つ前記固定容量を有するように、前記第１及び第２の金属層構造体が協調して構成されている、位相シフト素子。
【請求項３】
前記第１の金属層構造体が、１つ以上の開口領域を画定するパターニングされた平面構造を備える、請求項２に記載の位相シフト素子。
【請求項４】
前記第１の金属層構造体が、
外周縁を含む周辺フレーム部と、
前記周辺フレーム部に一体に接続された第１の端部を有し且つ前記周辺フレームから前記メタマテリアル構造体の中心領域に向かって内側に延在している１つ以上の放射状アームと、
前記１つ以上の放射状アームの第２の端部に一体に接続され、前記周辺フレーム部によって完全に囲まれ且つ前記１つ以上の開口領域によって前記周辺フレーム部から離間している内部構造体とを備える、請求項３に記載の位相シフト素子。
【請求項５】
前記誘電体層が無損失誘電体材料を含む、請求項２に記載の位相シフト素子。
【請求項６】
前記第１の金属層構造体が前記誘電体層の上部誘電体表面に配置され、
前記位相シフト素子が、さらに、前記上部誘電体表面に配置され且つ前記第１の金属層構造体から間隔があけられた第３の金属層構造体を備え、
前記可変コンデンサが、前記第１の金属層構造体に接続された第１の端子と、前記第３の金属構造体に接続された第２の端子とを含む、請求項２に記載の位相シフト素子。
【請求項７】
前記第３の金属層構造体がその内周縁の内側に配置された開口を画定し、
前記第１の金属層構造体の外周縁が周辺間隙によって前記第３の金属層構造体の内周縁から分離されるように前記第１の金属層構造体が前記開口の内側に配置され、
前記メタマテリアル構造体が前記無線周波数で共振し且つ前記固定容量を有するように、前記第１、第２及び第３の金属層構造体が協調して構成されている、請求項６に記載の位相シフト素子。
【請求項８】
前記第３の金属層構造体及び前記第１の金属層構造体が単一の金属を含む、請求項７に記載の位相シフト素子。
【請求項９】
前記誘電体層を通って延在し且つ前記可変コンデンサの第１の端子と接触する金属ビア構造体をさらに備える、請求項７に記載の位相シフト素子。
【請求項１０】
前記周辺間隙の幅が前記第１の金属層構造体の全周にわたって略一定のままであるように、前記第３の金属層構造体の前記少なくとも１つの開口を画定する前記内周縁及び前記第１の金属層構造体の前記外周縁が同心の四角形の形状を備える、請求項７に記載の位相シフト素子。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月28日(2018.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モード解析を実行する方法であって、
有限要素モデル（ＦＥＭ）を提供するステップであって、該ＦＥＭは、ラグランジュ乗数を使用して前記ＦＥＭの応力および反力をモデル化するためのモード解析において利用される、該ステップと、
補正項を計算するステップと、
前記ラグランジュ乗数を修正するために前記補正項を使用してモード解析を変更するステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記補正項を計算するステップは、疎行列を用いて連立一次代数方程式を解くことによって、前記ＦＥＭの運動の連立方程式を解くステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記連立一次代数方程式の前記疎行列は、前記モード解析において一度因数分解されることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ラグランジュ乗数を修正するために前記補正項を使用して前記モード解析を変更するステップは、前記ラグランジュ乗数と関連付けられた１または複数の自由度を変更するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記モード解析は、前記ＦＥＭの構造応答を固有モードの重ね合わせとしてモデル化することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記固有モードは、前記モード解析の構成要素である周波数抽出解析において獲得されることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記ラグランジュ乗数は、前記モード解析のすべての周波数ポイントについて補正されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
モード解析を実行するためのシステムであって、
有限要素モデル（ＦＥＭ）を提供するように構成されたシミュレーションモジュールであって、該ＦＥＭは、ラグランジュ乗数を使用して前記ＦＥＭの応力および反力をモデル化するためのモード解析において利用される、該シミュレーションモジュールと、
前記シミュレーションモジュールに動的に結合され、および、補正項を計算して、前記ラグランジュ乗数を修正するために前記補正項を使用してモード解析を変更するように構成された補正モジュールと
を備えたことを特徴とするシステム。
【請求項９】
前記補正モジュールは、疎行列を用いて連立一次代数方程式を解くことによって前記ＦＥＭの運動の連立方程式を解くことを含む、前記補正項を計算するように構成されたことを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
前記補正モジュールは、前記連立一次代数方程式の前記疎行列が、前記モード解析において一度因数分解されるように構成されたことを特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
前記補正モジュールは、前記ラグランジュ乗数と関連付けられた１または複数の自由度を変更することによって、前記ラグランジュ乗数を修正するために前記補正項を使用して前記モード解析を変更するように構成されたことを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１２】
前記モード解析は、前記ＦＥＭの構造応答を固有モードの重ね合わせとしてモデル化することを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１３】
前記シミュレーションモジュールは、前記モード解析の構成要素である周波数抽出解析において前記固有モードを獲得するように構成されたことを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
前記補正モジュールは、前記モード解析のすべての周波数ポイントについて前記ラグランジュ乗数を補正するように構成されたことを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１５】
コンピュータに請求項１ないし１４のいずれか１つに記載の方法を実行させることが可能な命令を有することを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１６】
請求項１５記載のコンピュータプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月14日(2018.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タッチパネル及びタッチパネルモジュール
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜と、第２のトランジスタと、表示素子と、第３の導電膜と、第１の基板と、第２の基板と、を有するタッチパネルであって、
前記第１のトランジスタと、前記第１の導電膜と、前記第２の導電膜と、前記絶縁膜と、前記第２のトランジスタと、前記表示素子とは、前記第１の基板に設けられ、
前記第３の導電膜は、前記第２の基板に設けられ、
前記第１の基板と、前記第２の基板とは、互いに重なる領域を有し、前記第１の導電膜は、前記第１の基板と前記第２の導電膜の間に位置する領域を有し、
前記絶縁膜は、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜の間に位置する領域を有し、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜と前記絶縁膜は、容量を形成し、前記第１のトランジスタは、前記第２の導電膜と電気的に接続され、
前記第２の導電膜は、前記第３の導電膜と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、前記表示素子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと同一層上に設けられていることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
請求項１において、
前記表示素子は、発光素子であることを特徴とするタッチパネル。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のタッチパネルと、
第１のＦＰＣと、第２のＦＰＣと、を有し、
前記第１のＦＰＣは、前記第１の導電膜または前記第２の導電膜の少なくとも一方に信号を供給する機能を有し、
前記第２のＦＰＣは、前記表示素子に信号を供給する機能を有することを特徴とするタッチパネルモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月13日(2018.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から受信されたパケットで指定される所定のポート番号に基づいて、印刷部への電力供給を開始する印刷装置と通信可能であり、
外部の装置から印刷要求を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信された前記印刷要求に基づいて、印刷データを生成する生成手段と、
前記生成手段により生成された前記印刷データを含み、前記所定のポート番号と異なるポート番号を指定する第１のパケットを前記印刷装置に送信する送信手段と、を有する印刷制御装置において、
前記送信手段は、前記所定のポート番号を指定する第２のパケットを前記印刷要求に基づいて送信することを特徴とする印刷制御装置。
【請求項２】
前記印刷データは、前記印刷装置の制御コマンドを含むことを特徴とする請求項１に記載の印刷制御装置。
【請求項３】
前記生成手段は、ラスタ画像データを生成し、
前記制御コマンドは、前記ラスタ画像データを用いた印刷を前記印刷装置に実行させるためのコマンドであることを特徴とする請求項２に記載の印刷制御装置。
【請求項４】
前記所定のポート番号は、９１００番または５１５番のポートであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【請求項５】
前記印刷装置の電力状態を取得する取得手段をさらに有し、
前記送信手段は、前記取得手段により取得された電力状態が前記印刷部へ電力を供給しない電力状態である場合、前記第２のパケットを前記印刷装置に送信することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【請求項６】
前記第２の送信手段は、前記取得手段により取得された電力状態が前記印刷部へ電力を供給する電力状態である場合、前記第２のパケットの送信を行わないことを特徴とする請求項５に記載の印刷制御装置。
【請求項７】
前記受信手段は、画像データを前記印刷装置の記憶部に記憶させる記憶指示を受信可能であり、
前記送信手段は、前記受信手段により受信された前記記憶指示に基づく、前記第２のパケットを送信しないことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【請求項８】
前記受信手段により受信される前記印刷要求は、前記所定のポートを指定する要求であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【請求項９】
前記送信手段は、前記生成手段が前記印刷要求に基づいて画像データの生成を開始する前に、前記第２のパケットを送信することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【請求項１０】
前記第２のパケットは、ＳＹＮフラグがセットされたＴＣＰパケットである、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【請求項１１】
前記送信手段は、前記ＴＣＰパケットを送信した後、データ部を有するＴＣＰパケットを送信せずに、ＦＩＮフラグがセットされたＴＣＰパケットを送信する、ことを特徴とする請求項１０に記載の印刷制御装置。
【請求項１２】
前記印刷制御装置は、前記印刷装置と異なる装置であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【請求項１３】
前記送信手段は、前記第１のパケットを送信する前に、前記第２のパケットを送信することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【請求項１４】
外部の装置から受信されたパケットにおいて指定された所定のポート番号に基づいて、印刷部への電力供給を開始する印刷装置と通信可能な印刷制御装置の制御方法であって、
外部装置から印刷要求を受信する受信工程と、
前記受信工程において受信された前記印刷要求に基づいて、印刷データを生成する生成工程と、
前記所定のポートを指定する第１のパケットを前記印刷要求に基づいて前記印刷装置に送信する第１の送信工程と、
前記所定のポート番号と異なるポート番号を指定し、前記生成工程において生成された前記印刷データを前記印刷装置に送信する第１の送信工程と、を有することを特徴とする印刷制御装置の制御方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の印刷制御装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１６】
印刷装置と前記印刷装置と通信可能な印刷制御装置で構成される印刷システムにおいて、
前記印刷装置は、
画像を印刷する印刷手段と、
前記印刷制御装置から復帰パケットを受信する第１の受信手段と、
前記受信手段により受信された復帰パケットが所定のポート番号を指定するパケットであるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記所定のポート番号を指定すると判定された前記復帰パケットに基づいて、前記印刷手段へ電力供給を開始する電力制御手段と、を有し、
前記印刷装置は、
外部の装置から印刷要求を受信する第２の受信手段と、
前記第２の受信手段により受信された前記印刷要求に基づいて、印刷データを生成する生成手段と、
前記生成手段により生成された前記印刷データを含み、前記所定のポート番号と異なるポート番号を指定する第１のパケットを送信する第１の送信手段と、
前記所定のポート番号を指定する第２のパケットを前記印刷要求に基づいて前記印刷装置に送信する第２の送信手段と、を有することを特徴とする印刷システム。
【請求項１７】
外部から受信されたパケットで指定される所定のポート番号に基づいて、印刷部への電力供給を開始する印刷装置と通信可能であり、印刷要求に基づいてラスタ画像を生成する印刷制御装置において、
前記印刷要求に基づいて、前記ラスタ画像を前記印刷装置に印刷させる制御コマンドを含み、前記所定のポートと異なるポート番号を指定する第１のパケットを送信する第１の送信手段と、
前記印刷要求に基づいて、前記所定のポート番号を指定する第２のパケットを送信する第２の送信手段と、を有することを特徴とする印刷制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の印刷制御装置は、外部から受信されたパケットで指定される所定のポート番号に基づいて、印刷部への電力供給を開始する印刷装置と通信可能であり、外部の装置から印刷要求を受信する受信手段と、前記受信手段により受信された前記印刷要求に基づいて、印刷データを生成する生成手段と、前記生成手段により生成された前記印刷データを含み、前記所定のポート番号と異なるポート番号を指定する第１のパケットを前記印刷装置に送信する送信手段と、を有する印刷制御装置において、前記送信手段は、前記所定のポート番号を指定する第２のパケットを前記印刷要求に基づいて送信することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月10日(2018.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
短辺と長辺を有する矩形状の基板と、
前記基板の表面に実装され、互いに異なる波長の光を発する、第１ＬＥＤ素子、第２ＬＥＤ素子、及び、第３ＬＥＤ素子と、
前記３つのＬＥＤ素子の周囲を囲う様に前記基板の表面に配置された反射枠と、
第１電極対、第２電極対及び第３電極対と、を備え、
前記第１ＬＥＤ素子及び前記第２ＬＥＤ素子は、前記長辺の方向において前記第１ＬＥＤ素子が実装されている中心位置から前記短辺までの第１距離と、前記長辺の方向において前記第２ＬＥＤ素子が実装されている中心位置から前記短辺までの第２距離と、が等しくなる様に前記基板の表面に実装されており、
前記第１ＬＥＤ素子が実装される中心位置及び前記第２ＬＥＤ素子が実装される中心位置は、前記基板の長手方向の略中心であり、
前記第１ＬＥＤ、前記第２ＬＥＤ及び前記第３ＬＥＤのそれぞれに独立に電力が供給出来る様に、前記第１ＬＥＤ素子は電気的に前記第１電極対に接続され、前記第２ＬＥＤ素子は電気的に前記第２電極対に接続され、前記第３ＬＥＤ素子は電気的に前記第３電極対に接続され、
前記反射枠は、前記基板上で前記長辺方向に配置された第１辺と、前記基板上で前記第１辺と平行に配置された第２辺と、前記基板上で前記短辺方向において前記第１辺と前記第２辺を繋ぐ様に配置された第３辺と、前記基板上で前記第３辺と平行に配置された第４辺とを含む、
ことを特徴とするＬＥＤ発光装置。
【請求項２】
前記第２ＬＥＤ素子及び前記第３ＬＥＤ素子は、前記基板の短手方向における位置が等しくなる様に前記基板の表面に実装される、請求項１に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項３】
前記第１ＬＥＤ素子は赤色ＬＥＤ素子であり、前記第２ＬＥＤ素子は緑色ＬＥＤ素子であり、前記第３ＬＥＤ素子は青色ＬＥＤ素子である、請求項１に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項４】
前記反射枠は、前記基板上を第１空間、第２空間及び第３空間に仕切り、前記第２空間は四方を反射枠で取り囲まれており、前記第２空間内において記第１ＬＥＤ素子、前記第２ＬＥＤ素子、及び、前記第３ＬＥＤ素子が前記基板の表面に実装される、請求項１〜３の何れか一項に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項５】
前記第１空間又は前記第３空間内において、ツェナーダイオードが前記基板の表面に実装される、請求項４に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項６】
前記第１空間、前記第２空間及び前記第３空間は、同じ封止樹脂によって封止される、請求項４又は５に記載のＬＥＤ発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月15日(2018.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置および半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の、第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体の開口部内に位置する、ゲート電極と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層と、前記ゲート電極との間に、ゲート絶縁体を有し、
前記第２の酸化物半導体層と、前記ゲート絶縁体との間に、第３の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層乃至第３の酸化物半導体層において、前記ゲート電極と重なる第１の領域は、ソース電極またはドレイン電極と接する第２の領域よりも、酸素濃度が高い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の、第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体の開口部内に位置する、ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁体と、前記ゲート電極との間に、ゲート絶縁体を有し、
前記第１の酸化物半導体層および第２の酸化物半導体層において、前記ゲート電極と重なる第１の領域は、ソース電極またはドレイン電極と接する第２の領域よりも、酸素濃度が高い領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上に、第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第２の酸化物半導体層上に、開口部を有する第１の絶縁体を形成し、
前記開口部に、第３の酸化物半導体層を形成し、
前記第３の酸化物半導体層が露出した状態で、酸素を添加する処理を行った後、
前記開口部内に位置する前記第３の酸化物半導体層上に、ゲート絶縁体およびゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上に、第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第２の酸化物半導体層上に、開口部を有する第１の絶縁体を形成し、
前記第２の酸化物半導体層が露出した状態で、酸素を添加する処理を行った後、
前記開口部内に、ゲート絶縁体およびゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月8日(2018.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体を繰り出す支持体供給ユニットと、
前記支持体を巻き取る支持体保持ユニットと、
凸面を有する第１の構造体と、を有し、
前記支持体はロールシート状であり、
前記支持体を前記支持体供給ユニットから前記支持体保持ユニットへ搬送する間において、前記支持体は第１の構造体に沿って搬送され、
前記支持体供給ユニットと前記支持体保持ユニットとの対は、前記支持体に張力を加えることができ、
前記支持体上の加工部材は、前記第１の構造体の凸面に沿って前記支持体が折り返されることで、第１の部材と第２の部材とに分離され、
前記支持体が、前記第１の構造体の凸面に沿って折り返される角度は鈍角である、剥離装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記支持体を前記第１の構造体から前記指示保持ユニットへ搬送する間において、前記支持体は前記第２の構造体に沿って搬送され、
前記第２の構造体は、凸面を有し、
前記第２の構造体は、前記支持体に張力を加えることができる、剥離装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記支持体を前記第１の構造体から前記指示保持ユニットへ搬送する間において、前記支持体は前記第２の構造体に沿って搬送され、
前記第２の構造体は、凸面を有し、
前記第２の構造体の位置によって、前記第１の構造体の凸面に沿って前記支持体を折り返す角度を制御する、剥離装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記第１の構造体の凸面の曲率半径は、前記第２の構造体の凸面の曲率半径に比べて大きい、剥離装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の部材と分離した前記第２の部材を固定する固定機構を有する、剥離装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１の部材と前記第２の部材の分離面に液体を供給する液体供給機構を有する、剥離装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の構造体の凸面の曲率半径は、０．５ｍｍ以上１０００ｍｍ以下である、剥離装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記支持体供給ユニットと前記第１の構造体との間において、前記支持体の面に設けられたテープを巻き取るリールを有する、剥離装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記支持体供給ユニットと前記第１の構造体の間において、前記支持体及び前記支持体上の前記加工部材に力を加える加圧機構を有する、剥離装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月11日(2018.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタは、活性領域としてシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、活性層として酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極としてコントプラグを形成する半導体装置の作製方法であって、
第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に、第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に、第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に、第３の導電膜を形成し、
前記第３の導電膜上に、第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層上に、レジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて、前記第３の絶縁層に開口部を形成し、
前記レジストマスク及び前記第３の絶縁膜を用いて、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜に開口部を形成し、
前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を用いて、前記第２の絶縁層に開口部を形成し、かつ前記第３の導電膜が有する開口部は、前記第２の導電膜が有する開口部より径が拡大され、
前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を用いて、前記第１の導電膜に開口部を形成し、かつ前記第２の導電膜が有する開口部の径が拡大され、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を用いて、前記第１の絶縁層に開口部を形成して、
前記第１の導電膜に形成された、第１の開口部と、
前記第２の絶縁層に形成された、前記第１の開口部より径の大きい第２の開口部と、を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に導電体を充填して、コンタクトプラグを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタは、活性領域としてシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、活性層として酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極としてコントプラグを形成する半導体装置の作製方法であって、
第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に、第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に、第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に、第３の導電膜を形成し、
前記第３の導電膜上に、第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層上に、レジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて、前記第３の絶縁層に開口部を形成し、
前記レジストマスク及び前記第３の絶縁膜を用いて、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜に開口部を形成し、
前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を用いて、前記第２の絶縁層に開口部を形成し、かつ前記第３の導電膜が有する開口部は、前記第２の導電膜が有する開口部より径が拡大され、
前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を用いて、前記第１の導電膜に開口部を形成し、かつ前記第２の導電膜が有する開口部の径が拡大され、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜を用いて、前記第１の絶縁層に開口部を形成して、
前記第１の導電膜に形成された、第１の開口部と、
前記第２の絶縁層に形成された、前記第１の開口部より径の大きい第２の開口部と、を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に導電体を充填して、コンタクトプラグを形成し、
前記コンタクトプラグは、前記第１の導電膜の側面及び上面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、タングステンを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第３の導電膜は、チタン又は窒化チタンを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第３の絶縁層と前記レジストマスクとの間に有機膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月10日(2018.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦型ホール素子であって、ディープＮウェル（ＮＷ）と、前記ディープＮウェル（ＮＷ）の表面に並べられて直線の対称線（８）に沿って配置された２つの内側接点（５，６）及び２つの外側接点（４，７）とを備え、前記２つの内側接点（５，６）は同じ長さ及び同じ実効幅を有し、前記２つの外側接点（４，７）は、同じ長さ及び同じ実効幅を有し、前記長さは前記直線の対称線（８）に沿って測定され、前記幅は前記直線の対称線（８）に対して直角に測定され、前記接点は中央の対称面（９）に対して対称に配置され、前記外側接点（４，７）の前記実効幅は、前記内側接点（５，６）の前記実効幅よりも大きいことを特徴とする縦型ホール素子。
【請求項２】
Ｐ＋ストライプ（１０）は前記内側接点（５，６）の間に配置され、前記Ｐ＋ストライプ（１０）は距離をおいて前記内側接点（５，６）から分離される、請求項１に記載の縦型ホール素子。
【請求項３】
前記内側接点（５，６）の間に配置された中央接点（１２）をさらに備える、請求項１に記載の縦型ホール素子。
【請求項４】
前記中央接点（１２）と前記内側接点（５，６）の前記１つとの間に配置されたＰ＋ストライプ（１０）と、前記中央接点（１２）と前記内側接点（５，６）の前記もう一方との間に配置されるさらなるＰ＋ストライプ（１０）とをさらに備え、前記２つのＰ＋ストライプ（１０）が距離をおいて前記中央接点（１２）及び前記各隣接する内側接点（５，６）から分離される、請求項３に記載の縦型ホール素子。
【請求項５】
縦型ホール素子であって、ディープＮウェル（ＮＷ）と、前記ディープＮウェル（ＮＷ）の表面に並べられて直線の対称線（８）に沿って配置された２つの内側接点（５，６）及び２つの外側接点（４，７）とを備え、前記２つの内側接点（５，６）は同じ長さ及び同じ実効幅を有し、前記２つの外側接点（４，７）は、同じ長さ及び同じ実効幅を有し、前記長さは前記直線の対称線（８）に沿って測定され、前記幅は前記直線の対称線（８）に対して直角に測定され、前記接点（４−７）は中央の対称面（９）に対して対称に配置され、前記Ｐ＋ストライプ（１０）は前記内側接点（５，６）の間に配置され、前記Ｐ＋ストライプ（１０）は距離をおいて前記内側接点（５，６）から分離されることを特徴とする縦型ホール素子。
【請求項６】
縦型ホール素子であって、ディープＮウェル（ＮＷ）と、前記ディープＮウェル（ＮＷ）の表面に並べられて直線の対称線（８）に沿って配置された２つの内側接点（５，６）及び２つの外側接点（４，７）とを備え、前記２つの内側接点（５，６）は同じ長さ及び同じ実効幅を有し、前記２つの外側接点（４，７）は、同じ長さ及び同じ実効幅を有し、前記長さは前記直線の対称線（８）に沿って測定され、前記幅は前記直線の対称線（８）に対して直角に測定され、前記接点（４−７）は前記中央接点（１２）に対して対称に配置され、前記Ｐ＋ストライプ（１０）はそれぞれの前記内側接点（５，６）と前記中央接点（１２）の間に配置され、Ｐ＋ストライプ（１０）が距離をおいて前記中央接点（１２）及び前記各隣接する内側接点（５，６）から分離されることを特徴とする縦型ホール素子。
【請求項７】
ディープＰウェルリング（ＰＷ）をさらに備え、前記ディープＰウェルリング（ＰＷ）の内端（１１）が前記内側接点（５，６）の前記実効幅と必要な場合には、前記中央接点（１２）の前記実効幅を定義する請求項１から６のいずれか１つに記載の縦型ホール素子。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月14日(2018.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンと、を有し、
前記第３の絶縁膜は、窒素と、シリコンと、を有し、
前記第２の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜との界面近傍にインジウムを有する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンと、を有し、
前記第３の絶縁膜は、窒素と、シリコンと、を有し、
前記第２の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜との界面近傍にインジウムを有する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、
酸素と、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）と、を有する、ことを特徴とする半導体装置。