【事件の表示】
　平成　８年特許願第１０１９８８号「薄膜トランジスタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月１４日出願公開、特開平　９−２７０５１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年３月３１日に出願したものであって、平成１３年１１月１４日付けで拒絶査定がなされ、平成１４年３月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、当審で平成１６年３月１７日付けで拒絶理由通知がなされたものである。
　
２．本願発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、特許請求の範囲請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
　「基板表面に、ゲート電極を形成する工程、該ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成する工程、該ゲート絶縁膜上に半導体能動層、オーミックコンタクト層を形成する工程、Ｃｒからなるソース・ドレイン電極とを形成する工程、及び前記オーミックコンタクト層のソース・ドレイン電極と接する以外の部分をエッチング液で除去する工程からなり、前記オーミックコンタクト層の除去工程は、Ｃｒからなるソース・ドレイン電極上のレジストの少なくとも一部又は全部を剥離した状態で行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
３．引用例
　刊行物１
　当審の拒絶の理由に引用され、本願出願日前に頒布された特開平３−１５４３５１号公報（以下、「引用例１」という。）には、第１図とともに、以下の記載がなされている。
　
　「絶縁性基板上にゲート電極，半導体層，ドレイン電極を順次成膜する薄膜トランジスタの製造方法において、バイアススパッタ法で形成した金属薄膜をドレイン電極とすることを特徴とした薄膜トランジスタの製造方法。」（特許請求の範囲）
　「［実施例］
　第１図に示した製造プロセスに従い逆スタガー型ＴＦＴを試作した。第１図（ａ）に示すように、ゲート電極２はガラス基板１上にクロミウムをマグネトロンスパッタ法で１０００Å成膜して形成した。
　つぎに、プラズマＣＶＤ法で、ゲート絶縁膜３としてＳｉＮｘを４０００Å、活性層のａ−Ｓｉ層４、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層５をそれぞれ３０００Å、５００Å、連続成膜し、第１図（ｂ）に示すように、フォトレジスト（ＰＲ）工程を経てａ−Ｓｉ層４、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層の２層の連続エッチングを行いアイランドを形成した。
　次に、ＲＦバイアススパット法でクロミウムを１５００Å成膜し、第１図（ｃ）に示すようにソース電極６ａとドレイン電極６ｂを形成した。この時、クロミウムの成膜はターゲット側に３．０ＫＷのＤＣパワーを、基板側に１．５ＫＷのＲＦパワーをそれぞれ投入し、基板面に２００Ｖのバイアス電圧を発生させてバイアススパッタを行った。最後に、第１図（ｄ）に示すように、ソース電極、ドレイン電極をマスクとして，ｎ＋−ａ−Ｓｉ層５をエッチングしてＴＦＴを完成した。その後、大気中で１８０度で３０分の熱処理を行いエッチングによる活性層の修復を行った。」（第２頁左下欄第１７行〜第３頁左上欄第１行）
　
　これらの記載より、引用例１には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　「絶縁性基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に活性層のａ−Ｓｉ層とｎ+−ａ−Ｓｉ層を形成した後、前記ａ−Ｓｉ層及び前記ｎ+−ａ−Ｓｉ層をアイランドとする工程と、クロミウム（Ｃｒ）からなるソース電極とドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記ｎ＋−ａ−Ｓｉ層をエッチング除去する工程とを順次行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
　刊行物２
　当審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された特開平６−３６９９号公報（以下、「引用例２」という。）には、図１とともに以下の事項が記載されている。
　
「【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１の（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施例を説明するための断面図である。厚さ約１ｍｍのガラス基板１０１上にクロムを約１０００Åの膜厚にスパッタ法により成膜し、これを写真蝕刻法によりパターニングしてゲート電極１０２を形成する。その上にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜（ゲート絶縁膜１０３）、ａ−Ｓｉ膜１０４、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ膜１０５をそれぞれ４０００Å、２０００Å、５００Åの膜厚に成長させる。次に、写真蝕刻法によりａ−Ｓｉ膜１０４、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ膜１０５を加工して、ゲート電極１０２上にアイランド状半導体層を形成する。
【００１１】つぎに、クロムを膜厚１５００Åにスパッタ法により成膜し、写真蝕刻法によりパターン化してソース電極１０６およびドレイン電極１０７を形成する。次に、絶縁体薄膜１０８として、膜厚１０００Å程度の窒化シリコン膜をＣＶＤ法により成膜し、ソース電極１０６の透明導電膜とのコンタクト形成個所の絶縁体薄膜１０８をエッチング除去する。この上に膜厚１０００ÅのＩＴＯ膜をスパッタ法により形成し、これを写真蝕刻法を用いてパターニングして画素電極１０９を形成する［図１の（ａ）］。
【００１２】次に、露出している絶縁体薄膜１０８をバッファードＨＦ溶液にてエッチング除去し、さらに、ソース電極１０６−ドレイン電極１０７間のｎ+ 型ａ−Ｓｉ膜１０５、ａ−Ｓｉ膜１０４をエッチング除去して溝１１０を形成する［図１の（ｂ）］。」（第１０段落〜第１２段落）
　
４．対比・判断　
　引用発明の、「絶縁性基板」、「活性層のａ−Ｓｉ層」及び、「クロミウム（Ｃｒ）からなるソース電極とドレイン電極」は、それぞれ、本願発明の、「基板」、「半導体能動層」及び、「Ｃｒからなるソース・ドレイン電極」に相当する。
　
　引用発明の「ｎ+−ａ−Ｓｉ層」がソース電極及びドレイン電極に導電接続するためのコンタクト層であることは明らかであるから、引用発明の「ｎ+−ａ−Ｓｉ層」は、本願発明の「オーミックコンタクト層」に相当する。
　　　
　引用発明においては、本願発明のオーミックコンタクト層に相当する、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層上に形成された「前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記ｎ＋−ａ−Ｓｉ層をエッチング除去する」のであり、引用発明においても、エッチング工程において、ソース電極及びドレイン電極に接した部分以外の部分が除去されることは明らかであるから、引用発明の「前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記ｎ＋−ａ−Ｓｉ層をエッチング除去する工程」は、本願発明の「前記オーミックコンタクト層のソース・ドレイン電極と接する以外の部分をエッチング」で「除去する工程」に相当する。
　
　よって、両者は、
　「基板表面に、ゲート電極を形成する工程、該ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成する工程、該ゲート絶縁膜上に半導体能動層、オーミックコンタクト層を形成する工程、Ｃｒからなるソース・ドレイン電極とを形成する工程、及び前記オーミックコンタクト層のソース・ドレイン電極と接する以外の部分をエッチングで除去する工程からなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明においては、「該ゲート絶縁膜上に半導体能動層、オーミックコンタクト層を形成する工程」を備えるのに対して、
　引用発明においては、「前記ゲート絶縁膜上に活性層のａ−Ｓｉ層とｎ+−ａ−Ｓｉ層を形成した後、前記ａ−Ｓｉ層及び前記ｎ+−ａ−Ｓｉ層をアイランドとする工程」を備えた点。　
　相違点２
　本願発明においては、「前記オーミックコンタクト層のソース・ドレイン電極と接する以外の部分をエッチング液で除去する工程」を「Ｃｒからなるソース・ドレイン電極上のレジストの少なくとも一部又は全部を剥離した状態で行う」のに対して、
　引用発明においては、「前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記ｎ＋−ａ−Ｓｉ層をエッチング除去する工程」を備えているが、どのようにしてエッチングするかは明確でない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　相違点１
　薄膜トランジスタの活性層及びオーミックコンタクト層を形成する場合に、ゲート絶縁膜上に活性層及びオーミックコンタクト層となる薄膜を形成し、その後、薄膜として形成した活性層及びオーミックコンタクト層をパターニングして活性層及びオーミックコンタクト層とすることは、当業者が通常採用する構成であり、本願発明においても、図１を参照すれば、「半導体能動層」及び「オーミックコンタクト層」となる薄膜が島状（アイランド）にパターニングされていることは明らかであるから、引用発明の「前記ゲート絶縁膜上に活性層のａ−Ｓｉ層とｎ+−ａ−Ｓｉ層を形成した後、前記ａ−Ｓｉ層及び前記ｎ+−ａ−Ｓｉ層をアイランドとする工程」は、本願発明の「該ゲート絶縁膜上に半導体能動層、オーミックコンタクト層を形成する工程」と実質的に相違しない。
　
　相違点２について
　相違点２については、（イ）「前記オーミックコンタクト層のソース・ドレイン電極と接する以外の部分」のエッチングをエッチング液を用いて行う点、及び（ロ）「前記オーミックコンタクト層のソース・ドレイン電極と接する以外の部分をエッチング」で「除去する工程」を「Ｃｒからなるソース・ドレイン電極上のレジストの少なくとも一部又は全部を剥離した状態で行う」点について順次検討する。
　（イ）について
　薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と導電接続するために活性層の上に形成されるオーミックコンタクト層をパターニングする工程において、オーミックコンタクト層のソース・ドレイン電極と接する以外の部分のエッチングを、エッチング液を用いたエッチングにより行うことは、例えば、当審の拒絶理由で示した特開平８−１８０６１号公報（特に、第５段落参照）にも記載されているように従来周知であり、引用発明において、ｎ+−ａ−Ｓｉ層のソース電極及びドレイン電極に接する以外の部分のエッチングをエッチング液を用いたエッチングにより行うことは当業者が必要に応じて適宜なし得たものである。　　
　（ロ）について
　引用例１の第１図（ｃ）の工程に記載される、ソース電極６ａ及びドレイン電極６ｂの形状とするためには、クロミウム（Ｃｒ）からなる薄膜をパターニングしてソース電極６ａ及びドレイン電極６ｂを形成するためのフォトレジストが必要であることは、当業者に明らかであって、ｎ+−ａ−Ｓｉ層５のエッチング前に、ソース電極及びドレイン電極のパターニングで使用されたフォトレジストを除去するか否かについて記載されていないものの、まず、（１）フォトレジストを除去せずに、ｎ+−ａ−Ｓｉ層５をエッチングする場合は、ソース電極・ドレイン電極のパターニングのためのフォトレジスト及びソース電極・ドレイン電極をマスクとしてｎ+−ａ−Ｓｉ層をエッチングする際に、ソース電極・ドレイン電極にはダメージはないが、活性層であるａ−Ｓｉ層４はｎ+−ａ−Ｓｉ層のエッチング除去時と、フォトレジストの剥離時においてダメージ又は汚染が発生することになる。一方、（２）ｎ+−ａ−Ｓｉ層５のエッチング前にフォトレジストを除去した後、ｎ+−ａ−Ｓｉ層５をエッチングする場合には、ソース電極・ドレイン電極上のフォトレジストを除去した後に、ソース電極・ドレイン電極をマスクとして、ｎ+−ａ−Ｓｉ層５をエッチングするから、エッチング時にソース電極・ドレイン電極の表面の一部は多少除去されるものの、活性層であるａ−Ｓｉ層４に対しては、エッチング時のダメージのみに抑えられる。そして、活性層に対する各処理工程における影響により薄膜トランジスタの特性は影響を受けるものの、影響が少ないほどその特性はより望ましいものとなる。
　ここで、ｎ+−ａ−Ｓｉ層５のエッチングにおいては、上記の如く、ソース電極・ドレイン電極上のレジストを除去した後に行うか、ソース電極・ドレイン電極上のレジストを残したまま行うかのいずれかを選択できるが、いずれにおいても、ソース電極・ドレイン電極がｎ+−ａ−Ｓｉ層５に接触し、ｎ+−ａ−Ｓｉ層５の一部が除去された状態におけるソース電極・ドレイン電極及びａ−Ｓｉ層からなる活性層のエッチング表面の状態については、一長一短があり、いずれが最終的な特性において、優れているかは明確でないものの、レジストを除去しない場合においては、ａ−Ｓｉ層からなる活性層表面は２回ダメージを受けるか又は汚染されることとなり、活性層の素子特性に及ぼす影響は、レジストを除去した後にｎ+−ａ−Ｓｉ層５をエッチングする場合においてより小さいと予測される。
　また、引用例２には、「次に、露出している絶縁体薄膜１０８をバッファードＨＦ溶液にてエッチング除去し、さらに、ソース電極１０６−ドレイン電極１０７間のｎ+ 型ａ−Ｓｉ膜１０５、ａ−Ｓｉ膜１０４をエッチング除去して溝１１０を形成する［図１の（ｂ）］。」（第１２段落参照）と記載されており、ｎ+型ａ−Ｓｉ膜１０５上に形成された絶縁体薄膜１０８と、ソース電極１０６及びドレイン電極１０７上に形成された絶縁体薄膜１０８とは同時に形成されているから、「露出している絶縁体薄膜１０８をバッファードＨＦ溶液にてエッチング除去」する工程において、ｎ+型ａ−Ｓｉ膜１０５上に形成された絶縁体薄膜１０８と、ソース電極１０６及びドレイン電極１０７上に形成された絶縁体薄膜１０８とが同程度に除去されることは当業者に明らかであって、「ソース電極１０６−ドレイン電極１０７間のｎ+ 型ａ−Ｓｉ膜１０５、ａ−Ｓｉ膜１０４をエッチング除去」する工程において、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ膜１０５を除去する際には、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ膜１０５上に形成された絶縁体薄膜１０８が除去されているとともに、ソース電極１０６及びドレイン電極１０７上の絶縁体薄膜１０８も同様に除去されているとするのが妥当であり、結局、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ膜１０５を除去する際には、ソース電極及びドレイン電極の表面の「少なくとも一部」は露出した状態にあるといえる。
　したがって、引用例２には、ソース電極及びドレイン電極の表面の少なくとも一部を露出した状態で、ソース電極１０６−ドレイン電極１０７間のｎ+ 型ａ−Ｓｉ膜１０５を除去することが記載されている。
　よって、引用発明において、ｎ+−ａ−Ｓｉ層５の除去を、引用例２に記載される如く、ソース電極及びドレイン電極の表面の少なくとも一部が露出した状態で行うこと、即ち、ソース電極及びドレイン電極の表面の少なくとも一部から予めレジストを除去した状態でｎ+−ａ−Ｓｉ層５の除去を行うことは、当業者が容易になし得たものである。
　
　なお、本願発明には、「前記オーミックコンタクト層の除去工程は、Ｃｒからなるソース・ドレイン電極上のレジストの少なくとも一部又は全部を剥離した状態で行う」と記載されており、本願発明には、「Ｃｒからなるソース・ドレイン電極上のレジストの少なくとも一部」を「剥離した状態」で行った場合、即ち、「Ｃｒからなるソース・ドレイン電極上のレジスト」のごく一部を除去した状態でオーミックコンタクト層を除去する場合も含まれ、この場合には、「Ｃｒからなるソース・ドレイン電極上のレジスト」を除去しないで、オーミックコンタクト層の除去工程を実施した場合（本願明細書記載の従来例）と比較して、その効果が明細書記載の効果と同等程度の効果を奏するものと認めるにたる充分な根拠が記載されておらず、また、「Ｃｒからなるソース・ドレイン電極上のレジスト」のごく一部を除去した状態でオーミックコンタクト層を除去する場合も本願発明に含まれるから、本願発明により予想される効果は引用例１及び引用例２に記載された発明から当業者が予測しえる範囲を越えるものではない。
　
　よって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。