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【手続補正書】
【提出日】平成30年2月26日(2018.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を撮影する撮影部と、
撮影された前記映像を表示する表示部と、
前記映像に含まれる顔の肌明度が変化する度に、前記映像の顔に重畳する化粧画像の明度を画素単位で変化させ、明度を変化させた前記化粧画像を前記映像の顔に重畳する化粧画像重畳部と、
を具備する画像合成装置。
【請求項２】
前記化粧画像重畳部は、
前記映像に含まれる顔領域の対象画素の肌明度を、対象画素と近い色相を有する周辺画素の明度を平均して算出する肌明度算出部と、
算出された前記肌明度が前回算出された肌明度から変化した場合、基準となる肌明度に対する算出された前記肌明度の割合に応じて、前記化粧画像の明度を算出する変化後化粧明度算出部を具備する、
請求項１に記載の画像合成装置。
【請求項３】
前記化粧画像重畳部は、基準となる化粧画像の明度に対する算出された前記化粧画像の明度の割合に応じて、前記化粧画像の彩度を算出する変化後化粧彩度算出部をさらに具備する、
請求項２に記載の画像合成装置。
【請求項４】
前記変化後化粧彩度算出部は、明度の変化の割合の半分で彩度を算出する、
請求項３に記載の画像合成装置。
【請求項５】
前記化粧画像重畳部は、化粧の性質に応じて、明度の変化率を変える、
請求項１に記載の画像合成装置。
【請求項６】
映像を撮影する撮影ステップと、
撮影された前記映像を表示する表示ステップと、
前記映像に含まれる顔の肌明度が変化する度に、前記映像の顔に重畳する化粧画像の明度を画素単位で変化させ、明度を変化させた前記化粧画像を前記映像の顔に重畳する化粧画像重畳ステップと、
を具備する画像合成方法。
【請求項７】
映像を撮影する撮影部と、
撮影された前記映像を表示する表示部と、
前記映像に含まれる顔領域の対象画素の肌明度を算出する肌明度算出部と、
算出された前記肌明度が前回算出された肌明度から変化した場合、前記映像の顔に重畳する化粧画像の明度を変化させる変化後化粧明度算出部と、
算出された前記肌明度が前回算出された肌明度から変化した場合、前記映像の顔に重畳する化粧画像の彩度を変化させる変化後化粧彩度算出部と、
前記変化後化粧明度算出部が変化させた化粧画像の明度と、変化後化粧彩度算出部が変化させた化粧画像の彩度と、を用いて前記化粧画像を前記映像の顔に重畳する合成部と、
を具備する画像合成装置。
【請求項８】
前記変化後化粧彩度算出部における彩度の変化の割合は、前記変化後化粧明度算出部における明度の変化の割合よりも小さい、
請求項７に記載の画像合成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月1日(2018.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１端部及び第２端部を有する基板と、
前記基板の第１面に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
前記基板の前記第１面に位置し、前記発光部を封止する封止部材と、
前記基板の第２面に位置する光学機能層と、
前記基板の前記第１面の前記第１端部に位置し、前記第１電極に電気的に接続する第１端子と、
前記基板の前記第２面の前記第２端部に位置し、前記第２電極に電気的に接続する第２端子と、
を備え、
前記封止部材は前記第１端部に位置せず、かつ前記光学機能層は前記第２端部に位置しない発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、第１端部及び第２端部を有する基板と、
前記基板の第１面に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
前記基板の前記第１面に位置し、前記発光部を封止する封止部材と、
前記基板の第２面に位置する光学機能層と、
前記基板の前記第１面の前記第１端部に位置し、前記第１電極に電気的に接続する第１端子と、
前記基板の前記第２面の前記第２端部に位置し、前記第２電極に電気的に接続する第２端子と、
を備え、
前記封止部材は前記第１端部に位置せず、かつ前記光学機能層は前記第２端部に位置しない発光装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月28日(2017.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、基材層と、少なくとも一方の表面に耐酸性皮膜を備える金属層と、接着層と、ポリオレフィン樹脂を含むシーラント層とが順次積層された積層体からなり、
前記シーラント層がアマイド系滑剤を含んでおり、
前記接着層のアマイド系滑剤の含有量が１００ｐｐｍ以下であり、
下記の計算式（１）で算出される値Ｙが、２５０〜７５０の範囲にあり、
Ｙ＝（Ａ×Ｃ＋Ｂ×Ｄ）／（Ｃ＋Ｄ）      （１）
Ａ：シーラント層のアマイド系滑剤の含有量
Ｂ：接着層のアマイド系滑剤の含有量
Ｃ：シーラント層の厚み
Ｄ：接着層の厚み
前記シーラント層の表面に赤外線を照射した際の反射光を分光することにより得られる吸収スペクトルから、アマイド系滑剤のアミド基のＣ＝Ｏ伸縮振動に由来する１６５０ｃｍ-1のピーク強度Ｐと、前記ポリオレフィン樹脂の基−ＣＨ2−変角振動に由来する１４６０ｃｍ-1のピーク強度Ｑとを測定して算出される、前記ピーク強度Ｑに対する前記ピーク強度Ｐの強度比Ｘ＝Ｐ／Ｑが、０．０５〜０．８０の範囲にある、電池用包装材料。
【請求項２】
前記アマイド系滑剤が、脂肪酸アミド及び芳香族ビスアミドの少なくとも一方である、請求項１に記載の電池用包装材料。
【請求項３】
前記基材層と前記金属層との間に接着剤層が積層されてなる、請求項１または２に記載の電池用包装材料。
【請求項４】
前記シーラント層へのアマイド系滑剤の含有量が、５００〜２０００ｐｐｍである、請求項１〜３のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項５】
前記シーラント層の厚みが、１０〜３０μｍである、請求項１〜４のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項６】
前記接着層の厚みが、１０〜３０μｍである、請求項１〜５のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項７】
前記積層体の厚みが、１２０μｍ以下である、請求項１〜６のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項８】
ラマン分光法を用いて前記シーラント層の結晶部と非晶部のスペクトル強度比から算出される、前記シーラント層の結晶化度が、３０〜６０％である、請求項１〜７のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項９】
前記金属層が、アルミニウム箔により形成されている、請求項１〜８のいずれかに記載の電池用包装材料。
【請求項１０】
電池用包装材料のシーラント層の表面に位置するアマイド系滑剤の量を測定する方法であって、
少なくとも、基材層と、少なくとも一方の表面に耐酸性皮膜を備える金属層と、ポリオレフィン樹脂及びアマイド系滑剤を含むシーラント層とが順次積層された積層体からなる電池用包装材料を用意する工程と、
前記シーラント層の表面に赤外線を照射した際の反射光を分光することにより得られる吸収スペクトルから、アマイド系滑剤のアミド基のＣ＝Ｏ伸縮振動に由来する１６５０ｃｍ-1のピーク強度Ｐと、前記ポリオレフィン樹脂の基−ＣＨ2−変角振動に由来する１４６０ｃｍ-1のピーク強度Ｑとを測定し、前記ピーク強度Ｑに対する前記ピーク強度Ｐの強度比Ｘ＝Ｐ／Ｑを算出する工程と、
を備える、電池用包装材料のシーラント層の表面に位置するアマイド系滑剤量の測定方法。
【請求項１１】
電池用包装材料のシーラント層の表面に位置するアマイド系滑剤量の管理方法であって、
少なくとも、基材層と、少なくとも一方の表面に耐酸性皮膜を備える金属層と、ポリオレフィン樹脂を含むシーラント層とが順次積層された積層体からなる電池用包装材料を用意する工程と、
前記シーラント層の表面に赤外線を照射した際の反射光を分光することにより得られる吸収スペクトルから、アマイド系滑剤のアミド基のＣ＝Ｏ伸縮振動に由来する１６５０ｃｍ-1のピーク強度Ｐと、前記ポリオレフィン樹脂の基−ＣＨ2−変角振動に由来する１４６０ｃｍ-1のピーク強度Ｑとを測定して算出される、前記ピーク強度Ｑに対する前記ピーク強度Ｐの強度比Ｘ＝Ｐ／Ｑが、０．０５〜０．８０の範囲にあることを確認する工程と、
を備える、電池用包装材料のシーラント層の表面に位置するアマイド系滑剤量の管理方法。
【請求項１２】
少なくとも、基材層と、少なくとも一方の表面に耐酸性皮膜を備える金属層と、ポリオレフィン樹脂を含むシーラント層とが順次積層された積層体からなる電池用包装材料を用意する工程と、
前記シーラント層の表面に赤外線を照射した際の反射光を分光することにより得られる吸収スペクトルから、アマイド系滑剤のアミド基のＣ＝Ｏ伸縮振動に由来する１６５０ｃｍ-1のピーク強度Ｐと、前記ポリオレフィン樹脂の基−ＣＨ2−変角振動に由来する１４６０ｃｍ-1のピーク強度Ｑとを測定して算出される、前記ピーク強度Ｑに対する前記ピーク強度Ｐの強度比Ｘ＝Ｐ／Ｑが、０．０５〜０．８０の範囲にあることを確認する工程と、
を備える、電池用包装材料の製造方法。
【請求項１３】
少なくとも正極、負極、及び電解質を備えた電池素子が、請求項１〜９のいずれかに記載の電池用包装材料内に収容されている、電池。
【請求項１４】
少なくとも、基材層と、少なくとも一方の表面に耐酸性皮膜を備える金属層と、ポリオレフィン樹脂を含むシーラント層とが順次積層された積層体からなる電池用包装材料を用意する工程と、
前記シーラント層の表面に赤外線を照射した際の反射光を分光することにより得られる吸収スペクトルから、アマイド系滑剤のアミド基のＣ＝Ｏ伸縮振動に由来する１６５０ｃｍ-1のピーク強度Ｐと、前記ポリオレフィン樹脂の基−ＣＨ2−変角振動に由来する１４６０ｃｍ-1のピーク強度Ｑとを測定して算出される、前記ピーク強度Ｑに対する前記ピーク強度Ａの強度比Ｘ＝Ａ／Ｑが、０．０５〜０．８０の範囲にあることを確認する工程と、
前記強度比Ｘが０．０５〜０．８０の範囲にある電池用包装材料を成形し、少なくとも正極、負極、及び電解質を備えた電池素子を収容する工程と、
を備える、電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月1日(2018.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５７】
メモリトランジスタ４０Ｃ（９０ａ等）を用いた不揮発性メモリの構成及び製造方法の別例を図６６〜図７１を参照して更に説明する。
図６６〜図７１は不揮発性メモリの製造方法の別例を示す図である。ここで、図６６は第１製造工程の一例の要部断面模式図、図６７は第２製造工程の一例の要部断面模式図、図６８は第３製造工程の一例の要部断面模式図、図６９は第４製造工程の一例の要部断面模式図、図７０は第５製造工程の一例の要部断面模式図、図７１は第６製造工程の一例の要部断面模式図である。以下、図６６〜図７１を参照し、不揮発性メモリの製造工程の一例について、順に説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記半導体基板内の、前記第１ソース領域及び前記第１ドレイン領域に含まれる不純物の濃度分布は、前記第２ソース領域及び前記第２ドレイン領域に含まれる不純物の濃度分布よりも急峻であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月10日(2018.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
介在部材５７は、本実施形態では、第１介在部材５７１と第２介在部材５７２とで構成されている。そして、介在部材５７は、第１介在部材５７１と第２介在部材５７２とで、保持部５５２を分割する形態で全周を覆う状態に形成されている。本実施形態では、第１介在部材５７１および第２介在部材５７２は、弾力性を有するクッション部材で構成されている。詳細には、第１介在部材５７１および第２介在部材５７２は、クッション部材として、三次元の網目構造を持つ、ポリエチレン樹脂発泡体を用いている。なお、クッション部材は、これに限られず、三次元の網目構造を持つ、ウレタン系スポンジ等を用いてもよい。また、弾力性を有するゴム部材でもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
前記実施形態の投写光学装置５において、第１介在部材５７１と第２介在部材５７２とは、同様に構成されるクッション部材（本実施形態では、ポリエチレン樹脂発泡体）を用いている。しかし、これに限られず、第１介在部材５７１と第２介在部材５７２とは、異なるクッション部材で構成されていてもよい。例えば、同種のクッション部材であっても、弾力性（硬度）が異なっていてもよい。また、クッション部材自体の構成が異なっていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影光学系を有するレンズユニットと、上記レンズユニットを装着可能であり上記撮影光学系を通過した被写体光を撮像して画素信号を生成する撮像素子を有する本体とから構成される撮像装置において、
上記レンズユニットは、
上記撮影光学系を通過する光束を制限する絞りと、
上記撮影光学系の焦点距離を調節するズーム制御手段と、
上記ズーム制御手段により調節される焦点距離に応じて、上記絞りの開口を制御する絞り制御手段と、
を有し、
上記本体は、
上記絞り制御手段へ絞り制御信号を送信して上記絞りの開口を変更させることにより、上記撮像素子が生成する画素信号に基づく画像データの露出量を調節する露出制御手段と、
上記レンズユニットからの情報に基づいて上記絞り制御手段が上記絞りの開口を制御できているか否かを判別する判別手段と、
を有し、
上記露出制御手段は、上記判別手段が上記絞り制御手段が上記絞りの開口を制御できていると判別する場合は、上記絞り制御手段への絞り制御信号を送信しないことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
上記判別手段は、上記絞りの開口の情報に基づいて、上記絞り制御手段が上記絞りの開口を制御できていると判別することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
上記判別手段は、上記露出制御手段の絞り制御信号と上記絞りの開口の情報とを比較して上記絞り制御手段が上記絞りの開口を制御できているか否かを判別し、
上記露出制御手段は、上記判別手段が上記絞り制御手段が上記絞りの開口を制御できていないと判別すると、上記絞り制御手段へ上記絞り制御信号を送信することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項４】
上記撮像素子が生成する画素信号に基づく画像データの露出制御量を演算する露出演算手段を有し、
上記判別手段は、上記絞り制御の制御信号と上記絞りの開口の情報との差が、所定の範囲内にあると判別する場合に、上記露出制御量の演算を中止することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
撮影光学系を有するレンズユニットと、上記レンズユニットを装着可能であり上記撮影光学系を通過した被写体光を撮像して画素信号を生成する撮像素子を有する本体とから構成される撮像装置における撮像方法において、
上記レンズユニットにおいては、
上記撮影光学系を通過する光束を絞りによって制限し、
上記撮影光学系の焦点距離を調節し、
調節された上記焦点距離に応じて、上記絞りの開口を制御し、
上記本体においては、
上記レンズユニットへ絞り制御信号を送信して上記絞りの開口を変更させることにより、上記撮像素子が生成する画素信号に基づく画像データの露出量を調節し、
上記レンズユニットからの情報に基づいて上記絞りの開口を制御できているか否かを判別し、
上記絞りの開口が制御できていると判別する場合は、上記レンズユニットへ絞り制御信号を送信しない、
ことを特徴とする撮像方法。
【請求項６】
撮影光学系を有するレンズユニットと、上記レンズユニットを装着可能であり上記撮影光学系を通過した被写体光を撮像して画素信号を生成する撮像素子を有する本体とから構成される撮像装置内に設けられたコンピュータを実行するプログラムにおいて、
上記レンズユニットにおいては、
上記撮影光学系を通過する光束を絞りによって制限し、
上記撮影光学系の焦点距離を調節し、
調節された上記焦点距離に応じて、上記絞りの開口を制御し、
上記本体においては、
上記レンズユニットへ絞り制御信号を送信して上記絞りの開口を変更させることにより、上記撮像素子が生成する画素信号に基づく画像データの露出量を調節し、
上記レンズユニットからの情報に基づいて上記絞りの開口を制御できているか否かを判別し、
上記絞りの開口が制御できていると判別する場合は、上記レンズユニットへ絞り制御信号を送信しない、
ことを上記コンピュータに実行させること特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、撮像方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、動画撮影時やライブビュー表示時に、絞り値を変更した場合でも適正露出量となるような露光制御が可能な撮像装置、撮像方法、およびプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、ズーム動作中に取得する画像の画質の低下を抑えるようにした撮像装置、撮像方法、およびプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第５の発明に係る撮像方法は、撮影光学系を有するレンズユニットと、上記レンズユニットを装着可能であり上記撮影光学系を通過した被写体光を撮像して画素信号を生成する撮像素子を有する本体とから構成される撮像装置における撮像方法において、上記レンズユニットにおいては、上記撮影光学系を通過する光束を絞りによって制限し、上記撮影光学系の焦点距離を調節し、調節された上記焦点距離に応じて、上記絞りの開口を制御し、上記本体においては、上記レンズユニットへ絞り制御信号を送信して上記絞りの開口を変更させることにより、上記撮像素子が生成する画素信号に基づく画像データの露出量を調節し、上記レンズユニットからの情報に基づいて上記絞りの開口を制御できているか否かを判別し、上記絞りの開口が制御できていると判別する場合は、上記レンズユニットへ絞り制御信号を送信しない。
第６の発明に係るプログラムは、撮影光学系を有するレンズユニットと、上記レンズユニットを装着可能であり上記撮影光学系を通過した被写体光を撮像して画素信号を生成する撮像素子を有する本体とから構成される撮像装置内に設けられたコンピュータを実行するプログラムにおいて、上記レンズユニットにおいては、上記撮影光学系を通過する光束を絞りによって制限し、上記撮影光学系の焦点距離を調節し、調節された上記焦点距離に応じて、上記絞りの開口を制御し、上記本体においては、上記レンズユニットへ絞り制御信号を送信して上記絞りの開口を変更させることにより、上記撮像素子が生成する画素信号に基づく画像データの露出量を調節し、上記レンズユニットからの情報に基づいて上記絞りの開口を制御できているか否かを判別し、上記絞りの開口が制御できていると判別する場合は、上記レンズユニットへ絞り制御信号を送信しない、ことを上記コンピュータに実行させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、ズーム動作中に取得する画像の画質の低下を抑えるようにした撮像装置、撮像方法、およびプログラムを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月26日(2018.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
卓上に置いて上肢の一部を載せて使用される操作補助具であって、
（１）前記卓上に置くことが可能で、且つ、置いた状態で前記上肢の一部を載せることが可能な補助具本体と、（２）前記上肢によって抱え込むことが可能な抱え込み物品と、を備えている操作補助具。
【請求項２】
前記抱え込み物品は、前記補助具本体に接続されている、請求項１に記載の操作補助具。
【請求項３】
前記補助具本体と前記抱え込み物品は、相互を着脱可能に接続するための接続部材を有している、請求項２に記載の操作補助具。
【請求項４】
前記補助具本体と前記抱え込み物品は弾性を有している、請求項１〜３の何れか１項に記載の操作補助具。
【請求項５】
前記補助具本体の接続部材と前記抱え込み物品の接続部材は、相互の接続が該補助具本体の長さ方向中央寄り位置において為されるように設けられている、請求項３に記載の操作補助具。
【請求項６】
前記補助具本体の最大長さは前記抱え込み物品の最大幅よりも長く、前記補助具本体に前記抱え込み物品を接続した状態で該補助具本体の長さ方向両端部に前記上肢の一部を載せることが可能な部位が顕在する、請求項２、３、５の何れか１項に記載の操作補助具。
【請求項７】
前記補助具本体の質量は前記抱え込み物品の質量よりも大きい、請求項１〜６の何れか１項に記載の操作補助具。
【請求項８】
前記抱え込み物品は高さ方向中央又はその付近に凹部を有しており、前記補助具本体に該抱え込み物品を接続した状態で該凹部の最深部分よりも上の部分が前記補助具本体の上面に接触可能となるように構成されている、請求項２〜６の何れか１項に記載の操作補助具。
【請求項９】
前記抱え込み物品はキャラクター又は動物を模したぬいぐるみである、請求項２〜８の何れか１項に記載の操作補助具。
【請求項１０】
前記ぬいぐるみは手指を模した接続補助部を有している、請求項９に記載の操作補助具。
【請求項１１】
前記ぬいぐるみの手指を模した接続補助部は、前記補助具本体に前記ぬいぐるみを接続した状態で該接続補助部が前記補助具本体の上面に位置するように構成されており、前記補助具本体の上面にはキーボードを模した模様が付されている、請求項１０に記載の操作補助具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、卓上に置いて上肢の一部を載せて使用される操作補助具であって、（１）前記卓上に置くことが可能で、且つ、置いた状態で前記上肢の一部を載せることが可能な補助具本体と、（２）前記上肢によって抱え込むことが可能な抱え込み物品と、を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月20日(2018.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁体を成膜し、
前記第１の絶縁体上に第２の絶縁体を成膜し、
前記第２の絶縁体上に半導体を成膜し、
前記第２の絶縁体の一部および前記半導体の一部を加工して、前記第２の絶縁体および前記半導体を有する多層膜を形成し、
前記多層膜上に第３の絶縁体を成膜し、
前記第３の絶縁体に、前記半導体の一部を露出する開口部を形成し、
前記第３の絶縁体上および前記半導体上に第４の絶縁体を成膜し、
前記第４の絶縁体上に第５の絶縁体を成膜し、
前記第５の絶縁体上に導電体を成膜し、
前記導電体、前記第５の絶縁体、および前記第４の絶縁体をエッチングして、前記第３の絶縁体の一部を露出し、
前記第３の絶縁体をエッチングして前記多層膜の一部を露出し、
前記多層膜にイオンを添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の絶縁体および前記第５の絶縁体は、異なる組成を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に第１の絶縁体を成膜し、
前記第１の絶縁体上に第２の絶縁体を成膜し、
前記第２の絶縁体上に半導体を成膜し、
前記第２の絶縁体の一部および前記半導体の一部を加工して、前記第２の絶縁体および前記半導体を有する多層膜を形成し、
前記多層膜上に第３の絶縁体を成膜し、
前記第３の絶縁体上に第４の絶縁体を成膜し、
前記第４の絶縁体に、前記第３の絶縁体の一部を露出する開口部を形成し、
前記第３の絶縁体上に第５の絶縁体を成膜し、
前記第５の絶縁体上に導電体を成膜し、
前記導電体および前記第５の絶縁体をエッチングして、前記第４の絶縁体の一部を露出し、
前記第４の絶縁体をエッチングして前記第３の絶縁体の一部を露出し、
前記第３の絶縁体を介して、前記多層膜にイオンを添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第４の絶縁体および前記第５の絶縁体は、異なる組成を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記イオンは、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、リンまたはホウ素から選ばれた、少なくとも一種以上の元素を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記イオンの添加は、前記基板面の法線に対して１０°以上６０°以下の入射角となるように注入する第１のステップと、−６０°以上−１０°以下の入射角となるように注入する第２のステップと、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月25日(2017.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器の内部の処理室内に載置されたウエハ上面に予め形成された膜構造であって処理対象の膜及びその下方に配置された下地膜を含む膜構造を前記処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法であって、
任意の前記ウエハ上の前記膜構造の処理中に前記処理対象の膜から得られた干渉光の波長をパラメータとする強度の実パターンのデータと、前記任意のウエハの処理の前に予め前記処理対象の膜及び前記下地膜を有した膜構造の前記処理対象の膜の膜厚さに対する前記干渉光の波長をパラメータとする強度の複数のパターンであって前記下地膜の厚さが各々異なる３つ以上のパターンのうち２つを合成した検出用パターンのデータと、を比較した結果を用いて前記任意のウエハの処理中の時刻の前記処理対象の膜のエッチング量を算出するステップと
前記エッチング量を用いて前記処理対象の膜の前記処理の目標への到達を判定するステップとを備えたプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法であって、
前記任意のウエハの前記膜構造の処理中に、前記３つ以上の基本パターンのうち前記実パターンとの差異が最も小さい順に２つを用いて作成した前記検出用パターンのデータと前記実パターンのデータとを比較した結果を用いて、前記エッチング量を算出するステップを備えたプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理方法であって、
任意の前記ウエハ上の前記膜構造の処理中に前記処理対象の膜から得られた干渉光の波長をパラメータとする強度の微分値の時系列データから構成された実パターンと、前記任意のウエハの処理の前に予め前記処理対象の膜及び前記下地膜を有した膜構造の前記処理対象の膜の膜厚さに対する前記干渉光の波長をパラメータとする強度の微分値の時系列データから構成された複数のパターンであって前記下地膜の厚さが各々異なる３つ以上のパターンのうち２つを合成した検出用パターンのデータと、を比較した結果を用いて前記任意のウエハの処理中の時刻の前記処理対象の膜のエッチング量を算出するステップとを備えたプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載のプラズマ処理方法であって、
算出された前記任意の時刻に係るエッチング量の値と予め記憶された前記処理中の前記任意の時刻より前の時刻に係る前記エッチング量の値とを用いて当該前記任意の時刻のエッチング量を再度算出し、当該再度検出されたエッチング量を用いて前記処理の目標への到達を判定するプラズマ処理方法。
【請求項５】
真空容器の内部に配置された処理室と、この処理室内に配置されウエハがその上面に載置される試料台とを備え、前記ウエハの上面に予め形成された膜構造に含まれる処理対象の膜を前記処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、
任意の前記ウエハ上の前記膜構造の処理中に前記処理対象の膜から得られた干渉光の波長をパラメータとする強度の実パターンと、前記任意のウエハの処理の前に予め前記処理対象の膜及び前記下地膜を有した膜構造の前記処理対象の膜の膜厚さに対する前記干渉光の波長をパラメータとする強度の複数のパターンであって前記下地膜の厚さが各々異なる３つ以上のパターンのうち２つを合成した検出用パターンのデータと、を比較した結果を用いて前記任意のウエハの処理中の時刻の前記処理対象の膜のエッチング量を算出するように構成された算出器と、このエッチング量を用いて前記処理の目標への到達を判定するように構成された判定器とを備えたプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマ処理装置であって、
前記算出器は、前記任意のウエハの前記膜構造の処理中に、前記３つ以上の基本パターンのうち前記実パターンとの差異が最も小さい順に２つを用いて作成した前記検出用パターンのデータと前記実パターンのデータとを比較した結果を用いて、前記エッチング量を算出するように構成されたプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載のプラズマ処理方法であって、
前記算出器は、任意の前記ウエハ上の前記膜構造の処理中に前記処理対象の膜から得られた干渉光の波長をパラメータとする強度の微分値の時系列データから構成された実パターンと、前記任意のウエハの処理の前に予め前記処理対象の膜及び前記下地膜を有した膜構造の前記処理対象の膜の膜厚さに対する前記干渉光の波長をパラメータとする強度の微分値の時系列データから構成された複数のパターンであって前記下地膜の厚さが各々異なる３つ以上のパターンのうち２つを合成した検出用パターンのデータと、を比較した結果を用いて前記任意のウエハの処理中の時刻のエッチング量を算出するように構成されたプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項５または６に記載のプラズマ処理方法であって、
前記算出器は、算出された前記任意の時刻に係るエッチング量の値と予め記憶された前記処理中の前記任意の時刻より前の時刻に係る前記エッチング量の値とを用いて当該前記任意の時刻のエッチング量を再度算出するように構成され、前記判定器は当該再度検出されたエッチング量を用いて前記処理の目標への到達を判定するように構成されたプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記目的は、真空容器の内部の処理室内に載置されたウエハ上面に予め形成された膜構造であって処理対象の膜及びその下方に配置された下地膜を含む膜構造を前記処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法であって、任意の前記ウエハ上の前記膜構造の処理中に前記処理対象の膜から得られた干渉光の波長をパラメータとする強度の実パターンのデータと、前記任意のウエハの処理の前に予め前記処理対象の膜及び前記下地膜を有した膜構造の前記処理対象の膜の膜厚さに対する前記干渉光の波長をパラメータとする強度の複数のパターンであって前記下地膜の厚さが各々異なる３つ以上のパターンのうち２つを合成した検出用パターンのデータと、を比較した結果を用いて前記任意のウエハの処理中の時刻の前記処理対象の膜のエッチング量を算出するステップと前記エッチング量を用いて前記処理対象の膜の前記処理の目標への到達を判定するステップとを備えたことにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月16日(2018.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能層の構成材料またはその前駆体からなる低分子材料である第１の材料と、
前記第１の材料よりも重量平均分子量が大きい第２の材料と、
前記第１の材料および前記第２の材料を溶解または分散させる液性媒体と、を含み、
前記第２の材料の重量平均分子量をＭとし、前記第１の材料に対する前記第２の材料の率をＲとしたとき、
Ｍ×Ｒが９５００以上であることを特徴とする機能層形成用インク。
【請求項２】
前記第２の材料の重量平均分子量Ｍが１００１以上３０００００以下である請求項１に記載の機能層形成用インク。
【請求項３】
前記第２の材料の率Ｒが０．１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下である請求項１または２に記載の機能層形成用インク。
【請求項４】
前記第２の材料が正孔輸送性材料である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の機能層形成用インク。
【請求項５】
前記機能層が発光機能層である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の機能層形成用インク。
【請求項６】
前記機能層が正孔輸送層である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の機能層形成用インク。
【請求項７】
前記機能層が正孔注入層である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の機能層形成用インク。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の機能層形成用インクを電極上またはそれに積層された層上に付与する工程と、
前記機能層形成用インクを乾燥させることにより機能層を形成する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】機能層形成用インクおよび発光素子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、機能層形成用インクおよび発光素子の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、成膜材料として低分子材料を用いて、優れた特性を有する機能層を形成することができる機能層形成用インクを提供すること、また、かかる機能層形成用インクを用いた発光素子の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［適用例１］
本発明の機能層形成用インクは、機能層の構成材料またはその前駆体からなる低分子材料である第１の材料と、
前記第１の材料よりも重量平均分子量が大きい第２の材料と、
前記第１の材料および前記第２の材料を溶解または分散させる液性媒体と、を含み、
前記第２の材料の重量平均分子量をＭとし、前記第１の材料に対する前記第２の材料の率をＲとしたとき、
Ｍ×Ｒが９５００以上であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような機能層形成用インクによれば、第１の材料（成膜材料）として、高分子材料に比べて分子構造上の欠陥が少なく純度を容易に高めることが可能な低分子材料を用いることで、機能層に必要な成膜材料の特性を優れたものとすることができる。また、成膜材料が低分子材料であっても、成膜材料よりも分子量が大きい第２の材料（添加材料）を用いることで、液相プロセスでの成膜性を向上させ、得られる機能層の膜厚の均一化を図ることができる。このようなことから、得られる機能層の特性を優れたものとすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［適用例２］
本発明の機能層形成用インクでは、前記第２の材料の重量平均分子量Ｍが１００１以上３０００００以下であることが好ましい。
これにより、液相プロセスでの成膜性を向上させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［適用例３］
本発明の機能層形成用インクでは、前記第２の材料の率Ｒが０．１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることが好ましい。
これにより、液相プロセスでの成膜性を向上させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［適用例４］
本発明の機能層形成用インクでは、前記第２の材料が正孔輸送性材料であることが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月15日(2018.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に配された第１の導電型の電荷蓄積領域を含む複数の光電変換素子と、少なくとも互いに隣接する前記電荷蓄積領域の間に配された素子分離領域と、を含む固体撮像装置であって、
前記素子分離領域は、
半導体基板の表面の溝の内側に配された絶縁体分離部と、
前記絶縁体分離部の側面に沿って配された、前記第１の導電型とは逆の第２の導電型の半導体領域と、を含み、
前記電荷蓄積領域と前記絶縁体分離部の側面との間の前記絶縁体分離部の側面の少なくとも一部に沿って、前記半導体領域と前記絶縁体分離部との間にゲッタリング領域が配され、
前記ゲッタリング領域が、炭素およびゲルマニウムのうち少なくとも一方を含有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記固体撮像装置は、
前記電荷蓄積領域、フローティングディフュージョン領域、及び、前記電荷蓄積領域と前記フローティングディフュージョン領域との間にチャネルを形成する転送ゲートを含む第１の領域と、
増幅トランジスタを含む第２の領域と、
前記第１の領域及び前記第２の領域の間に配された、前記素子分離領域を含む第３の領域と、を含み、
前記第１の領域と前記第３の領域の前記絶縁体分離部との間では、前記絶縁体分離部の側面に沿って、前記半導体領域と前記絶縁体分離部との間に、前記ゲッタリング領域が配され、
前記第２の領域と前記第３の領域の前記絶縁体分離部との間では、前記絶縁体分離部の側面に沿って、前記半導体領域が前記絶縁体分離部と接触して配されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記ゲッタリング領域が、前記第３の領域の前記絶縁体分離部の少なくとも側面の一部に沿って、前記第３の領域の半導体領域と前記第３の領域の前記絶縁体分離部との間、かつ、前記フローティングディフュージョン領域と前記第３の領域の前記絶縁体分離部の側面との間に配されることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記半導体基板に対する平面視において、前記ゲッタリング領域及び前記半導体領域は、前記第１の領域の周囲を囲み、かつ、前記半導体領域は、前記ゲッタリング領域と前記第１の領域との間に配されることを特徴とする請求項２又は３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２の領域と前記第３の領域の前記絶縁体分離部との間において、前記絶縁体分離部に沿って前記ゲッタリング領域が配されないことを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記ゲッタリング領域の不純物濃度のピークの位置が、前記半導体基板の表面と、前記半導体領域の不純物濃度のピークの位置と、の間にあることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記半導体基板の表面から同じ深さにおいて、前記ゲッタリング領域の不純物濃度が、前記半導体領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記ゲッタリング領域の不純物濃度が、炭素およびゲルマニウムのうち少なくとも一方の濃度であり、
前記半導体領域の不純物濃度が、ｐ型の不純物の濃度であることを特徴とする請求項６又は７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記電荷蓄積領域の下端が、前記ゲッタリング領域の下端よりも深いことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記固体撮像装置は、前記素子分離領域のうち前記半導体領域よりも深い位置に前記第２の導電型の半導体分離部を更に有し、
前記半導体分離部の内側に、前記ゲッタリング領域を備えることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記ゲッタリング領域が、炭素を含有することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記ゲッタリング領域が、酸素又は窒素を含有することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記固体撮像装置は、前記第２の導電型のウェル領域を含み、
前記電荷蓄積領域と前記ウェル領域とは、前記光電変換素子であるフォトダイオードを構成し、
前記半導体領域の不純物濃度は、前記ウェル領域の不純物濃度よりも高く、
前記半導体領域は、前記ゲッタリング領域と前記電荷蓄積領域との間に配されることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
固体撮像装置の製造方法であって、
半導体基板の表面に溝を形成する工程と、
前記溝の側面に沿って、炭素およびゲルマニウムのうち少なくとも一方のイオン注入によりゲッタリング領域を形成する工程と、
前記溝の側面に沿って、不純物のイオン注入により半導体領域を形成する工程と、
前記ゲッタリング領域及び前記半導体領域を形成した後に、前記溝を絶縁体で充填する工程と、
前記半導体領域に隣接する光電変換素子を形成する工程と、を有し、
前記ゲッタリング領域が、前記絶縁体と前記半導体領域との間、かつ、前記絶縁体の側面と前記光電変換素子との間に位置することを特徴とする製造方法。
【請求項１５】
前記半導体領域を前記ゲッタリング領域の後に形成することを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る固体撮像装置は、半導体基板に配された第１の導電型の電荷蓄積領域を含む複数の光電変換素子と、少なくとも互いに隣接する電荷蓄積領域の間に配された素子分離領域と、を含む固体撮像装置であって、素子分離領域は、半導体基板の表面の溝の内側に配された絶縁体分離部と、絶縁体分離部の側面に沿って配された、第１の導電型とは逆の第２の導電型の半導体領域と、を含み、電荷蓄積領域と絶縁体分離部の側面との間の絶縁体分離部の側面の少なくとも一部に沿って、半導体領域と絶縁体分離部との間にゲッタリング領域が配され、ゲッタリング領域が、炭素およびゲルマニウムのうち少なくとも一方を含有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月28日(2018.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の周期を有する１つ以上の周期信号を生成するクロック生成回路と、
前記周期信号のバイアス電圧を調整し、前記１つ以上の周期信号のオン期間を変更することによって、１つ以上の制御信号を生成するクロック調整回路と、
前記１つ以上の制御信号の振幅が閾値以上においてオンに切り替わり、前記１つ以上の制御信号の振幅が閾値未満においてオフに切り替わる、１つ以上のスイッチを有するスイッチング回路と、
を有する、
スイッチ制御回路。
【請求項２】
前記クロック調整回路は、可変容量を有し、
前記クロック調整回路は、前記可変容量の容量値に応じて前記周期信号の波形のなまらせ方を変え、前記１つ以上の周期信号のオン期間を変更する、
請求項１に記載のスイッチ制御回路。
【請求項３】
前記クロック調整回路は、
前記各周期信号が入力される入力端子と前記制御信号が出力される出力端子との間に設けられる２つのバッファと、
一端が前記２つのバッファの間に接続され、他端が接地される可変容量と、
を有し、
前記クロック調整回路は、前記可変容量を調整することによって、前記周期信号の位相を調整する、
請求項１に記載のスイッチ制御回路。
【請求項４】
前記クロック生成回路は、複数の周期信号を生成し、
前記クロック調整回路は、
前記複数の周期信号それぞれを受け取る複数の系統と、
前記複数の系統それぞれに接続する可変容量を有し、
前記複数の周期信号のバイアス電圧と前記可変容量を調整することによって、前記複数の周期信号それぞれのバイアス電圧および位相を調整する、
請求項１に記載のスイッチ制御回路。
【請求項５】
前記スイッチング回路は、４相の制御信号がそれぞれ供給される４つのスイッチを有し、
前記クロック生成回路は、４相の周期信号を生成し、
前記クロック調整回路は、前記周期信号のバイアス電圧および位相を調整することによって、前記４つのスイッチがオンする時間が前記所定の周期の４分の１となり、かつ、前記４つのスイッチがオンする時間が互いに異なる前記４つの制御信号を生成する、
請求項１に記載のスイッチ制御回路。
【請求項６】
前記スイッチング回路は、１つの入力端子と２つの出力端子を有し、
前記２つの出力端子の一方と前記入力端子との間に並列に接続され、Ｍ個（Ｍは２以上）の第１制御信号がそれぞれ供給されるＭ個の第１スイッチと、
前記２つの出力端子の他方と前記入力端子との間に並列に接続され、Ｍ個の第２制御信号がそれぞれ供給されるＭ個の第２スイッチと、
を有し、
前記クロック生成回路は、２Ｍ相の周期信号を生成し、
前記クロック調整回路は、前記２Ｍ相の周期信号のバイアス電圧および位相を調整することによって、前記Ｍ個の第１スイッチおよび前記Ｍ個の第２スイッチがオンする時間が前記所定の周期の２Ｍ分の１となり、前記Ｍ個の第１スイッチおよび前記Ｍ個の第２スイッチがオンする時間が互いに異なり、かつ、前記第１スイッチのうちの１つがオンする時間と前記第２スイッチの１つがオンする時間との間隔は前記所定の周期の２分の１となる、前記Ｍ個の第１制御信号と前記Ｍ個の第２制御信号を生成する、
請求項１に記載のスイッチ制御回路。
【請求項７】
前記スイッチング回路は、
第１入力端子に入力された正相の第１信号と第２入力端子に入力された逆相の第２信号に対して離散時間のアナログ信号処理を行い、第１出力端子に第１出力信号を出力し、第２出力端子に第２出力信号する離散時間アナログ回路であって、
前記第１入力端子に接続された第１端子に前記第１信号が入力され、前記第１信号を電圧から電流に変換した第１入力電荷を、前記第１出力端子に接続された第２端子に出力し、
前記第２入力端子に接続された第３端子に前記第２信号が入力され、前記第２信号を電圧から電流に変換した第２入力電荷を、前記第２出力端子に接続された第４端子に出力する、電圧電流変換回路と、
第５端子と第６端子とを有し、前記第１出力端子に前記第５端子が接続され、前記第２出力端子に前記第６端子が接続され、前記第１入力電荷および前記第２入力電荷の電荷共有を行う電荷反転回路と、を有し、
前記電荷反転回路は、
互いに並列に設けられ、電荷共有による前記第１入力電荷または前記第２入力電荷を保持する、２Ｍ個の電荷反転容量を含み（Ｍは１以上の整数）、
前記２Ｍ個の電荷反転容量は、所定の間隔毎に、前記２Ｍ個の電荷反転容量のうち、１つの電荷反転容量が、順次、前記保持している第１入力電荷または第２入力電荷の極性を反転させて、前記第５端子および前記第６端子に接続し、前記１つの電荷反転容量以外の容量が、前記第５端子と前記第６端子の接続を開放する、
請求項１に記載のスイッチ制御回路。
【請求項８】
前記１つ以上のスイッチのそれぞれは、
ソースが第１の容量を介して信号入力端子に接続され、ドレインが第２の容量を介して信号出力端子に接続され、
前記ソース及び前記ドレインの少なくとも１つが、異なる抵抗を介して異なる電源に接続される、
請求項１に記載のスイッチ制御回路。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月26日(2018.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オンサイトで、被測定対象物に対し所定の入力を与えたときの応答であるオンサイトデータを測定するオンサイト測定部と、
前記オンサイトデータの応答の一部に基づいて被測定対象物の状態をコンピュータにより解析するオンサイト解析部と、
複数の前記オンサイトデータを蓄積するデータベースと、
該データベースに蓄積されたオンサイトデータを他の解析装置と共有する共有部と、
を有するオンサイト解析装置と、
オフサイトで、前記共有部により共有された前記オンサイトデータに基づいて被測定対象物の状態を解析するオフサイト解析部を有するオフサイト解析装置と、
を備えたことを特徴とする解析支援システム。
【請求項２】
請求項１に記載の解析支援システムにおいて、
前記共有されたオンサイトデータは、所定期間蓄積された複数のオンサイトデータであり、
前記オフサイト解析部は、前記複数のオンサイトデータに基づいて被測定対象物の状態を解析することを特徴とする解析支援システム。
【請求項３】
オンサイトで、被測定対象物に対し所定の入力を与えたときの応答であるオンサイトデータを測定するオンサイト測定部と、
前記オンサイトデータの応答の一部に基づいて被測定対象物の状態をコンピュータにより解析するオンサイト解析部と、
複数の前記オンサイトデータを蓄積するデータベースと、
該データベースに蓄積されたオンサイトデータを他の解析装置と共有する共有部と、
を有するオンサイト解析装置と、
オフサイトで、前記共有部により共有された前記オンサイトデータの前記応答の一部を含む他の応答を、前記複数のオンサイトデータ間で比較することで被測定対象物の状態を解析するオフサイト解析部を有するオフサイト解析装置と、
を備えたことを特徴とする解析支援システム。
【請求項４】
オンサイトで、被測定対象物に対し所定の入力を与えたときの応答であるオンサイトデータを測定するオンサイト測定部と、
前記オンサイトデータの応答の一部に基づいて被測定対象物の状態をコンピュータにより解析するオンサイト解析部と、
複数の前記オンサイトデータを蓄積するデータベースと、
該データベースに蓄積されたオンサイトデータを他の解析装置と共有する共有部と、
を有するオンサイト解析装置と、
オフサイトで、前記共有部により共有された前記オンサイトデータに基づいて被測定対象物の状態を解析するオフサイト解析部と、前記オンサイト測定部よりも高分解能かつ、高感度のオフサイト測定部と、を有するオフサイト解析装置と、
を備え、
前記オフサイト測定部は、前記被測定対象物に対し、前記オンサイト測定部で測定されるオンサイトデータと異なるデータを測定する複数のオフサイト測定部を有し、
前記オフサイト解析部は、前記オンサイトデータに基づいて解析した解析結果に基づいて前記複数のオフサイト測定部から最適なオフサイト測定部を選択し、該選択された最適なオフサイト測定部により測定されたデータに基づいて前記被測定対象物の状態を解析することを特徴とする解析支援システム。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか一つに記載の解析支援システムにおいて、
前記オンサイトデータは、光を照射したときの応答を表すスペクトルデータであることを特徴とする解析支援システム。
【請求項６】
請求項１ないし４いずれか一つに記載の解析支援システムにおいて、
前記オンサイト解析部は、前記オンサイトデータの応答の一部が所定の条件を満たしているか否かを解析する解析部であることを特徴とする解析支援システム。
【請求項７】
請求項１ないし６いずれか一つに記載の解析支援システムにおいて、
前記共有部は、前記コンピュータの画面に表示されるデータベース共有許可ボタンであることを特徴とする解析支援システム。
【請求項８】
請求項１ないし６いずれか一つに記載の解析支援システムにおいて、
前記データベースは、ネットワーク上に配置され、
前記共有部は、前記データベースに蓄積された前記複数のオンサイトデータのうち、前記オンサイト解析装置で設定された所定範囲に対し、前記オフサイト解析装置からのアクセスを許可する信号を前記オフサイト解析装置に送信する手段であることを特徴とする解析支援システム。
【請求項９】
請求項１ないし６いずれか一つに記載の解析支援システムにおいて、
前記オンサイトは、前記被測定対象物を製造する製造ラインであり、
前記オフサイト解析部は、前記被測定対象物の状態を解析した解析結果に基づいて、前記オンサイトの製造条件の改善策を提案することを特徴とする解析支援システム。
【請求項１０】
請求項１ないし５いずれか一つに記載の解析支援システムにおいて、
前記オンサイト解析部は、前記オンサイトデータの応答の一部が所定条件を満たしているか否かを解析する解析部であり、
前記オフサイト解析部は、解析結果に基づいて、前記オンサイト解析部の前記所定の条件を更新することを特徴とする解析支援システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の解析支援システムでは、オンサイトで、被測定対象物に対し所定の入力を与えたときの応答であるオンサイトデータを測定するオンサイト測定部と、
前記オンサイトデータの応答の一部に基づいて被測定対象物の状態をコンピュータにより解析するオンサイト解析部と、
複数の前記オンサイトデータを蓄積するデータベースと、
該データベースに蓄積されたオンサイトデータを他の解析装置と共有する共有部と、
を有するオンサイト解析装置と、
オフサイトで、前記共有部により共有された前記オンサイトデータに基づいて被測定対象物の状態を解析するオフサイト解析部を有するオフサイト解析装置と、
を備えた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、上述のデータ解析によりオンサイトで生じたNG（図３内に示した測定点F）の原因が究明されたと判断できる場合には、特に高機能分析装置を用いた分析を行わない。一方、NGの原因が十分に究明されたと判断できない場合には、抽出された情報に基づいてオンサイトにサンプルの提供を要求する。既にバルクデータを用いた分析が行われた後であるため、必要と思われる高機能分析装置は絞り込まれた状態である。よって、オンサイトに対し、必要なサンプルを具体的に要求できる。オンサイトからサンプルが提供されると、選択された高機能分析装置によりサンプルの主成分解析（定性解析や定量解析）を実施する。そして、特定された原因に基づいて、レポートを作成してオンサイトに報告する。また、場合によっては、合否判定ファイルの検量線の再設定や、NG領域の再設定を行い、オンサイトの合否判定ファイルを更新することで、オンサイト解析装置の解析精度を向上できる。