【事件の表示】
　平成１１年特許願第１８４１８５号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月１９日出願公開、特開２００１−　１５５５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１１年６月２９日の出願であって、平成１４年７月５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月３０日付で手続補正がなされ、その後、当審において拒絶理由が通知され、平成１６年７月１６日付で手続補正がなされ、さらに最後の拒絶理由が通知され、平成１７年２月２１日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１７年２月２１日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年２月２１日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「【請求項１】親チップの表面に子チップの表面を対向させて接合することにより半導体装置を製造する方法であって、
　上記親チップの表面に隆起して形成された金からなるバンプと上記子チップの表面に隆起して形成された金からなるバンプとを、直接に当接させて相互に圧し付けて、その相互に圧し付けられた各バンプの当接面に圧接力を作用させる工程と、
　上記子チップの表面とは反対側の裏面に超音波ホーンを面接合させて、その接合部のみから超音波振動を付与することにより、相互に圧し付けられた各バンプの当接面に不純物除去のための剪断力を作用させて、各バンプの構成材料である金の表面を露出させ、これらの間で金を相互拡散させることにより、その相互に圧し付けられたバンプ同士を超音波振動で接着させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１において、圧接力を作用させる工程における「金属電極部」を「金からなるバンプ」と補正し、接着させる工程における「金属電極部」を「バンプ」、「バンプ同士」と補正するとともに、接着させる工程の「剪断力を作用させて、」の後に、「各バンプの構成材料である金の表面を露出させ、これらの間で金を相互拡散させることにより、」を付加したものである。
　そこで、上記補正を検討すると、補正前の「金属電極部」を「金からなるバンプ」、「バンプ」と補正した点は、金属と電極部をさらに具体的に限定したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、「各バンプの構成材料である金の表面を露出させ、これらの間で金を相互拡散させることにより、」を付加した点は、各バンプの当接面に剪断力を作用させた結果、各バンプの構成材料である金の表面を露出させ、これらの間で金を相互拡散させるとの限定を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、上記補正については、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかについて以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　当審における平成１６年１２月１６日付拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された下記の刊行物には次の事項が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　記　
　刊行物１：特開平１０−２０９３７０号公報 
　刊行物２：特開平８−４５９９４号公報 
　刊行物３：特開平１１−４０６１２号公報 
　刊行物４：特開平１１−１４５２０４号公報 
 　　 
（１）刊行物１（特開平１０−２０９３７０号公報） 
（１ａ）「【請求項１】少なくとも上面に回路素子及びワイヤボンディング用パッドの多数個を形成して成るメインＩＣチップと、片面に多数個の回路素子を形成して成る一つのサブＩＣチップと、これら両ＩＣチップを一緒に密封する合成樹脂製のパッケージ部とから成り、前記サブＩＣチップを、前記メインＩＣチップの上面側に、当該サブＩＣチップの片面における回路素子が前記メインＩＣチップにおける回路素子に対面するよう下向きにして配設し、このサブＩＣチップの下面に形成した各電極パッドを、前記メインＩＣチップの上面に形成した各電極パッドに対して、これら両電極パッドのうちいずれか一方又は両方に設けたバンプを介して接合したことを特徴とする複数のＩＣチップを備えた密封型半導体装置の構造。」
（１ｂ）「【００１３】・・・符号３は、前記メインＩＣチップ２の上面にマウントされるサブＩＣチップを示し、このサブＩＣチップ３における表裏両面のうち片面には、前記メインＩＣチップ２と同様に図示しない能動素子又は受動素子等のような回路素子の多数個が形成されていると共に、前記メインＩＣチップ２の上面における各電極パッド２ｂの各々に対応する箇所ごとに接続用の電極パッド３ａが形成され、この各電極パッド３ａには、金等の貴金属又は半田製のバンプ３ｂが設けられている。」
（１ｃ）「【００１４】そして、前記サブＩＣチップ３を、図３に示すように、その回路素子及び電極パッド３ａを形成した面を下向きにして、前記メインＩＣチップ２の上面側に、当該サブＩＣチップ３の各バンプ３ｂがメインＩＣチップ２における各電極バンプ２ｂに接触するように載置したのち、全体を加熱しながら、サブＩＣチップ３をメインＩＣチップ２に対して押圧（この押圧と同時に超音波を振動を付与しても良い）して、各バンプ３ｂを各電極パッド２ｂに対して接合することにより、前記サブＩＣチップ３を、メインＩＣチップ２に対してマウントする。」
（１ｄ）「【００２１】なお、前記した実施の形態は、バンプ３ｂをサブＩＣチップ３における電極パッド３ａに設けた場合を示したが、本発明は、これに限らず、バンプ３ｂをサブＩＣチップ３における電極パッド３ａに設けることに代えて、メインＩＣチップ２における電極パッド２ｂに設けたり、或いは、サブＩＣチップ３における電極パッド３ａとメインＩＣチップ２における電極パッド２ｂとの両方にバンプを設けたりしても良いのである。」　
（２）刊行物２（特開平８−４５９９４号公報） 
（２ａ）「【請求項１】アクティブ面に導電性バンプを有するフリップチップを、そのアクティブ面を基板に向けて、基板の上方に配置するステップと、
バンプが基板上のボンディングパターンの位置に合うようにして、基板上にフリップチップを置くステップと、
平らな面を有する超音波ホーンを下げて、フリップチップの背面に接触させるステップと、
フリップチップと基板間の横方向の変位を最小にすべく基板に垂直な力が加わるようにして、超音波ホーンを介してフリップチップの背面に力を加えるステップと、
力を加えている間に超音波ホーンを作動させ、超音波エネルギーをフリップチップから基板へ等温的に伝達させて、両者間に拡散ボンディングを起こさせるステップと、を含むことを特徴とする、フリップチップの基板へのボンディング方法。
 　・・・ 
 【請求項３】 請求項２記載の方法において、更に、フリップチップと基板とから極小の表面汚れと酸化物とを追放して、原子レベルで清浄なボンディング用表面をつくるステップを含むことを特徴とする、ボンディング方法。」
（２ｂ）「【００１０】ここで用いる「超音波ホーン」という術語は、フリップチップと基板とを一緒に加圧下に保ちながら、高周波の振動エネルギーを局部的にそれらに加えることにより、フリップチップを基板にボンディングする固体式プロセスを意味する。・・・開示するプロセスは、基板上に配置された金、・・・、または銅の金属パターンにフリップチップをボンディングするのに用いることができる。
【００１１】図１は本発明のプロセスを実施するのに用いる主なプロセスステップのフローチャートである。基板の上方にフリップチップを配置する（１０）。通常フリップチップは金の小球体すなわちバンプを備えたアクティブ面を有する。アクティブ面を基板の方に向けておく。次に、フリップチップを基板上に置く（１２）のであるが、基板上に形成されているボンディングパターンにバンプの位置を合わせる。次に超音波ホーンを下げる（１４）。その際、ホーンの平らな面がフリップチップの背面の頂上に触れるようにする。それから超音波ホーンを介してフリップチップの背面に力を加える（１６）。力は基板に垂直に加わるようにする。このようにして基板に関してフリップチップの横方向の変位を最小にする。最後に、力を加えている間に超音波ホーンを作動させることにより（１８）、超音波エネルギーがフリップチップから基板に等温伝達されて、両者間に拡散ボンディングがなされる。」
（２ｃ）「【００２１】実際には、超音波ホーンを作動させると、極めて小さい表面の汚れと酸化物が基板内のフリップチップから追放されて、ボンディングに必要な原子レベルでクリーンな表面ができる。・・・このような力はフリップチップと基板との接触領域に隣接した金のバンプを塑性変形させやすいので、等温的な超音波エネルギーを加えることにより、両者の接触が密になり、金属間の原子結合が形成される。」
 　 
（３）刊行物３（特開平１１−４０６１２号公報） 
（３ａ）「【請求項１】吸着ツールに保持されたバンプ付電子部品のバンプをワークの電極に着地させ、バンプ付電子部品に大きな超音波振動を付与しながら小さな荷重を付与することにより、バンプと電極の接触面を機械摩擦によりクリーニングしながら平滑化する第１工程と、次いでバンプ付電子部品に付与する超音波振動を小さくするとともに荷重を大きくすることにより、バンプと電極の間のすき間を押しつぶして接触面積を拡大し、バンプを電極にボンディングする第２工程と、を含むことを特徴とするバンプ付電子部品のボンディング方法。」
（３ｂ）「【００１２】図１において、ボンディングヘッド１０は本体１１を主体にしており、本体１１の下部に圧着ユニット１２が設けられている。圧着ユニット１２は棒状のホーン２１を主体としており、ホーン２１の中央部にフリップチップ３０を真空吸着して保持する吸着ツール２２を有している。またホーン２１には超音波振動手段としての圧電素子１９が装着されている。圧電素子１９は、超音波振動子駆動部５５で駆動される。
　【００１３】このバンプ付電子部品のボンディング装置は上記のように構成されており、次に全体の動作を説明する。図１において、吸着ツール２２の下面にフリップチップ３０を保持し、フリップチップ３０を基板３２の上方に位置させる。・・・、主制御部５０はこの検出結果にしたがってテーブル制御部５２に指令を送りテーブル３５を駆動して、基板３２を水平移動させて位置ずれを補正する。
　【００１４】次にＺ軸モータ６が駆動してボンディングヘッド１０は下降し、フリップチップ３０のバンプ３１を基板３２の電極３３上に着地させ、シリンダ４を駆動して荷重付与を開始する（図２（ａ）および図４（ａ）のタイミングｔ１）。次にシリンダ４による荷重を徐々に増大させてバンプ３１を電極３３に徐々に強く押しつけるとともに、吸着ツール２２の超音波振動を開始する（図４（ｂ）のタイミングｔ２）。
　【００１５】図４に示すように、シリンダ４の押圧力によりバンプ３１に加えられる荷重はｔ１からｔ３まで徐々に増大される。またその間（ｔ２ 〜ｔ３の間）、バンプ３１には強い超音波振動力Ｆ１が加えられる。このｔ１〜ｔ３は第１工程であって、バンプ３１は強く超音波振動することにより、図３（ａ）においてバンプ３１と電極３３の接触面は機械的に摩擦され、これによりこの接触面は強くクリーニングされながら平滑化される。なお図３（ａ）は第１工程の開始当初の状態を示すものであって、図示するように、バンプ３１や電極３３の表面は粗面であって凹凸があり、両者の間には微小なすき間Ｇが存在する。またバンプ３１や電極３３の表面には酸化膜などの汚れが生じやすい。ただし金バンプや金電極の場合は酸化膜は生じない。図２（ｂ）は、上記した第１工程を示している。
　【００１６】図４（ａ）において、ｔ３からｔ４までの第２工程では大きな荷重の付与が継続され、また超音波振動力はＦ１からＦ２に減力される。これにより上記すき間Ｇは押しつぶされてバンプ３１と電極３３の接触面積は拡大し（図３（ｂ））、かつ両者の接合部は融合し、あるいは合金が生じる（図２（ｃ））。ハッチングを付した部分３４は融合部若しくは合金部である。次いで、タイミングｔ４で荷重付加と超音波振動付与は停止され、ボンディング作業は終了する。」
 　 
（４）刊行物４（特開平１１−１４５２０４号公報）
（４ａ）「【請求項２】半導体素子の電極とＴＡＢテープのインナーリードとを接続するボンディングツールにおいて、超音波ホーンに支持される部分より断面積が小さい細長い形状をなした部分の主超音波振動方向と垂直方向の長さが、前記インナーリードの前記ボンディングツールと接触する面の前記インナーリードが隣り合う方向の中心部から隣接する前記インナーリードまでの距離の２倍より小さく、かつ前記超音波ホーンに支持される部分より断面積が小さい細長い形状をなした部分の形状が、主超音波振動方向と垂直方向の長さより、主超音波振動方向と平行方向の長さが大きいことを特徴とするボンディングツール。」
（４ｂ）「【０００２】【従来の技術】ＴＡＢ・・テープキャリアのインナーリードと半導体素子上に形成したＡｌ電極とを直接接続するバンプレス接合技術、・・・これによれば、図１０に示すように、１１はシリコン（Ｓｉ）で構成された半導体素子、１２はアルミニウム（Ａｌ）で構成された電極、１３は保護膜、１４はインナーリード、１５はボンディングツールである。
　【０００３】半導体素子１上に形成したＡｌ電極１２の中心部上方にインナーリード１４，ボンディングツール１５を配置した後、ボンディングツール１５に荷重を加えてインナーリード１４上に押し付け、そのままＡｌ電極１２上に押し付ける。このとき、インナーリード１４のボンディングツール１５との接触部は、ボンディングツール１５に加えられた荷重によるボンディングツール１５からの押圧力により塑性変形し、ボンディングツール先端形状に依存した形状になる。この状態で超音波振動が加えられ、インナーリード１４とＡｌ電極１２とを冶金学的に接合させることができる。・・・」
（４ｃ）「【０００６】【発明が解決しようとする課題】上述したような金属同士の接合現象を簡単に述べる。荷重負荷後、超音波を加振することにより、各材料の接触部に強い摩擦力が働き、各材料の、特に接触部表面層がせん断応力を受け塑性変形する。このとき表面に酸化被膜や汚染物等が全くない新生面を持つ金属同士が直接接触する領域ができる。すなわち、この接触面には各金属の原子相互拡散を妨げるものが全くない領域ができる。半導体素子は加熱されているのでこの熱エネルギーと、接触部に生じる摩擦摺動によって発生する摩擦熱とが、原子拡散のドライビングフォースとなり、各原子が相互拡散する。このとき、接触部にはある程度の厚さの金属間化合物が生成し、ボンディングが完了する。 
　【０００７】この金属間化合物生成領域が大きい程接合強度に優れ、半導体部品の信頼性を向上させるためのキーファクターとされている。金属間化合物生成領域を増大させるには、前記新生面領域を増大させればよい。このためには超音波振動を効率良く接触部に伝える必要がある。」
　
３．対比・判断
　摘記事項（１ａ）によれば、刊行物１には、メインＩＣチップと、一つのサブＩＣチップと、これら両ＩＣチップを一緒に密封する合成樹脂製のパッケージ部とから成り、前記サブＩＣチップを、前記メインＩＣチップの上面側に、当該サブＩＣチップの片面における回路素子が前記メインＩＣチップにおける回路素子に対面するよう下向きにして配設し、このサブＩＣチップの下面に形成した各電極パッドを、前記メインＩＣチップの上面に形成した各電極パッドに対して、これら両電極パッドの両方に設けたバンプを介して接合した複数のＩＣチップを備えた密封型半導体装置が記載され、摘記事項（１ｂ）によれば、バンプが金であること、摘記事項（１ｃ）によれば、メインＩＣチップの上面側に、サブＩＣチップの各バンプがメインＩＣチップにおける各電極バンプに接触するように載置したのち、全体を加熱しながら、サブＩＣチップをメインＩＣチップに対して押圧と同時に超音波振動を付与して、各バンプを各電極パッドに対して接合することにより、前記サブＩＣチップを、メインＩＣチップに対してマウントすることが記載されている。
　よって、摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、刊行物１には、「メインＩＣチップの上面側に、サブＩＣチップを対面させて接合することにより半導体装置を製造する方法であって、上記サブＩＣチップの下面に設けた金バンプが上記メインＩＣチップの上面に設けた金バンプに接触するように載置した後、サブＩＣチップをメインＩＣチップに対して押圧と同時に超音波振動を付与して、サブＩＣチップの金バンプをメインＩＣチップの金バンプに対して接合する半導体装置の製造方法」の発明（以下、「刊行物１記載発明」という。）が記載されていることになる。なお、摘記事項（１ｃ）によれば、全体を加熱しながら、押圧と同時に超音波振動を付与して接合するとしているが、摘記事項（１ａ）の請求項１では、両方に設けたバンプを介して接合したとしているだけであるから、加熱することを前提としない上記刊行物１記載発明も認定できるものである。
　そして、刊行物１記載発明の「メインＩＣチップ」、「サブＩＣチップ」は、本願補正発明１の「親チップ」、「子チップ」に相当し、又刊行物１記載発明のメインＩＣチップの上面とサブＩＣチップの下面に設けた「金バンプ」は、本願補正発明１の親チップと子チップのそれぞれの「表面に隆起して形成された金からなるバンプ」に相当している。
　また、サブＩＣチップの下面に設けた金バンプが上記メインＩＣチップの上面に設けた金バンプに接触するように載置した後、サブＩＣチップをメインＩＣチップに対して押圧している以上、バンプ同士は直接に当接させて相互に圧し付けているものと認められ、更に、サブＩＣチップをメインＩＣチップに対して超音波振動を付与する場合には、通常、刊行物２に記載のように、サブＩＣチップの下面とは反対側の上面に超音波ホーンを当てて、その当接面から超音波振動を付与するものと認められる。 
　
　そこで、本願補正発明１と刊行物１記載発明とを対比すると、両者は、「親チップの表面に子チップの表面を対向させて接合することにより半導体装置を製造する方法であって、上記親チップの表面に隆起して形成された金からなるバンプと上記子チップの表面に隆起して形成された金からなるバンプとを、直接に当接させて相互に圧し付けて、上記子チップの表面とは反対側の裏面に超音波ホーンを面接合させて、その接合部のみから超音波振動を付与し、その相互に圧し付けられたバンプ同士を超音波振動で接着させる半導体装置の製造方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。 
 　 
　本願補正発明１は、金からなるバンプとを、その相互に圧し付けられた各バンプの当接面に圧接力を作用させる工程と、超音波振動を付与することにより、各バンプの当接面に不純物除去のための剪断力を作用させて、相互に圧し付けられた各バンプの構成材料である金の表面を露出させ、これらの間で金を相互拡散させることにより、その相互に圧し付けられたバンプ同士を超音波振動で接着させる工程とを含むのに対し、刊行物１記載発明は、金からなるバンプとを、押圧と同時に超音波振動を付与してその相互に圧し付けられたバンプ同士を接合するとしている点。
 　 
　そこで、上記相違点について次に検討する。
　刊行物２には、摘記事項（２ｂ）によれば、基板上の上方にフリップチップを配置し、次に、フリップチップを基板上に置き、基板上に形成されている金のボンディングパターンにバンプの位置を合わせ、それから超音波ホーンを介してフリップチップの背面に力を加え、最後に、力を加えている間に超音波ホーンを作動させることにより、超音波エネルギーがフリップチップから基板に等温伝達されて、両者間に拡散ボンディングがなされること、摘記事項（２ｃ）によれば、超音波ホーンを作動させると、極めて小さい表面の汚れと酸化物が基板内のフリップチップから追放されて、ボンディングに必要な原子レベルでクリーンな表面ができ、このような力はフリップチップと基板との接触領域に隣接した金のバンプを塑性変形させやすいので、等温的な超音波エネルギーを加えることにより、両者の接触が密になり、金属間の原子結合が形成されることが記載されている。
　刊行物３には、摘記事項（３ｂ）の段落【００１４】によれば、フリップチップのバンプを基板の電極上に着地させ、シリンダを駆動して荷重付与を開始し（タイミングｔ１）、次にシリンダによる荷重を徐々に増大させてバンプを電極に徐々に強く押しつけるとともに、吸着ツールの超音波振動を開始する（タイミングｔ２）こと、同段落【００１５】によれば、タイミングｔ１〜ｔ３において、バンプと電極の間に荷重が徐々に増大され、その間のタイミングｔ２において超音波振動付与を開始すること、超音波振動することにより、バンプと電極の接触面は機械的に摩擦され、これによりこの接触面は強くクリーニングされながら平滑化されること、又金バンプ、金電極が例示され、同段落【００１６】によれば、ｔ３〜ｔ４までの工程では大きな荷重の付与が継続され、また超音波振動力はＦ１からＦ２に減力され、これによりすき間Ｇは押しつぶされてバンプと電極の接触面積は拡大し、かつ両者の接合部は融合し、あるいは合金が生じることが記載されている。
　更に、刊行物４には、摘記事項（４ｂ）の段落【０００３】によれば、半導体素子上に形成した電極の中心部上方にインナーリード，ボンディングツールを配置した後、ボンディングツールに荷重を加えてインナーリード上に押し付け、そのまま電極上に押し付けると、インナーリードのボンディングツールとの接触部は、ボンディングツールに加えられた荷重の押圧力により塑性変形し、ボンディングツール先端形状に依存した形状になることが記載され、このことは、接触部が、加えられた荷重の押圧力により塑性変形するのであるから、該接触部は、相互に押し付けられ、当接面に圧接力を作用させていることを意味している。
　そうすると、刊行物４に記載された、接触部が加えられた荷重の押圧力により塑性変形することを参酌すれば、刊行物２でのフリップチップの背面に力を加えるステップ（摘記事項（２ａ））、及び刊行物３でのフリップチップ３０のバンプ３１を基板３２の電極３３上に着地させ、シリンダ４を駆動して荷重付与を開始する（摘記事項（３ｂ）段落【００１４】）ことは、接合部の当接面を相互に押し付けられた該当接面に圧接力を作用させる工程を意味し、刊行物２、３の記載では、更に、超音波振動を付与することにより、相互に圧し付けられた各当接面に不純物除去のための剪断力を作用させて、各構成材料である金の表面を露出させ、これらの間で金を相互拡散させることにより、その相互に圧し付けられた同士を超音波振動で接着させる工程とを含むことも示しているものである。
　そして、刊行物１記載発明においても、バンプ相互の接合を確実に接着するという周知の課題は当然に有しているものであり、しかもバンプ相互を接続する際に超音波振動を付与している以上、刊行物１記載発明のサブＩＣチップをメインＩＣチップに対して押圧と同時に超音波振動を付与するものに替えて、刊行物２、３に記載のように、押圧する工程の後、さらに超音波振動を付与することにより、相互に押し付けられた各当接面に不純物除去のための剪断力を作用させて、当該各構成材料である金の表面を露出させ、これらの間で金を相互拡散させることにより、その相互に圧し付けられた同士を超音波振動で接着させる工程とを含むようにして、本願補正発明１の上記相違点とすることは当業者ならば容易に想到し得るものである。 
　そして、本願補正発明１による効果も刊行物１〜４の記載から予測することができる程度のものであって格別顕著なものとは認められない。 
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明１
　平成１７年２月２１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１６年７月１６日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　「【請求項１】親チップの表面に子チップの表面を対向させて接合することにより半導体装置を製造する方法であって、
　上記親チップの表面に隆起して形成された金属電極部と上記子チップの表面に隆起して形成された金属電極部とを、直接に当接させて相互に圧し付けて、その相互に圧し付けられた各金属電極部の当接面に圧接力を作用させる工程と、
　上記子チップの表面とは反対側の裏面に超音波ホーンを面接合させて、その接合部のみから超音波振動を付与することにより、相互に圧し付けられた各金属電極部の当接面に不純物除去のための剪断力を作用させて、その相互に圧し付けられた金属電極部を超音波振動で接着させる工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　当審における再度の拒絶理由に引用した刊行物１〜４及びその記載事項は、上記「II．２．引用刊行物とその記載事項」に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、上記「II．３．対比・判断」において検討した本願補正発明１の、圧接力を作用させる工程の「金からなるバンプ」という具体的限定事項と、接着させる工程の「バンプ同士」という具体的限定事項とを、「金属電極部」とするとともに、接着させる工程の「剪断力を作用させて」の後に付加した、「各バンプの構成材料である金の表面を露出させ、これらの間で金を相互拡散させることにより、」との限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明１を特定するために必要と認める事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．３．対比・判断」に記載したとおり、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１〜４に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。