【事件の表示】
　平成１０年特許願第３０７２８２号「半導体ウェーハの研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　８月　３日出願公開、特開平１１−２０７６０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１０年１０月２８日（優先権主張１９９７年１０月３０日ドイツ国）の出願であって、平成１３年３月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１３年７月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１３年７月２３日付けで手続補正がなされ、平成１５年１０月２８日付けで同手続補正を却下する決定がなされ、平成１５年１１月１４日付けで拒絶理由が通知され、平成１６年５月１９日付けで手続補正がされたものである。
　
２．本願発明
　本件出願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年５月１９日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、次のとおりのものと認める。
　「少なくとも１枚の半導体ウェーハ（５）の少なくとも一方の面が研磨布（３）を張り付けた研磨板（４）に押圧されると同時に該半導体ウェーハと研磨板とを相対運動させることで研磨される半導体ウェーハの研磨方法において、
　前記半導体ウェーハ（５）が、研磨中に少なくとも２つの前記研磨板上の領域を通過し、
　該領域が、研磨板平面において所定の径方向幅を有しかつ互いに異なる温度に設定された複数の同心円状の環状部（Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４，Ｚ５）で形成されており、
　前記領域を形成する前記環状部内を流れる温度制御媒体の温度を異なる温度に設定するための温度制御手段（７）が、前記研磨板に設けられており、
　前記領域の個数、径方向幅及び温度が、前記半導体ウェーハが研磨される以前に行われた試験研磨により得られた該研磨板の径方向における温度分布及び半導体ウェーハの輪郭形状に関する記憶装置（９）に格納された分析結果に基いてコンピュータによって自動的に決定され、
　前記コンピュータが、伝送されたデータに基き各環状部内の温度制御媒体の温度を前記温度制御手段（７）を介して制御するマスタ・コンピュータ（８）を備えており、
　更に、各環状部が、半導体ウェーハ（５）の直径の２５〜１２０％の径方向幅を有していることを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。」
　なお、請求項１の第１文節には、「半導体ウェーの研磨方法において、」と記載されているが、当該記載は、請求項１の他の記載からみて、「半導体ウェーハの研磨方法において、」の誤記と認め、本願発明を上記のように認定した。
　
３．刊行物記載の発明・事項
　これに対して、当審における、平成１５年１１月１４日付けで通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された各刊行物には、以下の発明・事項が記載されている。
　
（１）　刊行物１：特開昭５３−６８４９４号公報
ア　「この発明は、半導体ウエハ等の硬脆材料の加工工程において、高精度、かつ高能率なメカノケミカル研摩用の研摩皿および加工方法に関するものである。」（第１頁左下欄第２０行〜同頁右下欄第３行）
イ　「第２図は第１図に示した研摩皿内の発熱体２の構造の一例を示すものであり、研摩皿各部に埋め込まれた最外周部ヒータ１１，中間部ヒータ１２および内側部ヒータ１３の３つの発熱単位から成つている。従つて最外周部ヒータ１１，内側部ヒータ１３の電流を小さくし、中間部ヒータ１２の電流を大きくすることにより、中間部ヒータ１２と接触する被加工物４の中心部の加工速度を増大させ凹形状を得ることができる。また最外周部ヒータ１１，内側部ヒータ１３の電流を大きくし、中間部ヒータ１２の電流を小さくすることにより、被加工物外周部の加工速度を増大させ凸形状を得ることができる。すなわち、この研摩皿を用いて各ヒータユニツトの電流量を変化させることにより、各部の温度を変化させることが可能であり、研摩皿に任意の温度分布を与え、温度による加工促進効果により研摩皿各部が作用する被加工物の加工量を変化させ、任意の平面形状を得ることができる。」（第２頁左上欄第１４行〜同頁右上欄第１２行）
ウ　「さらに、加工装置、被加工物に関する加工特性のデータを用い、最初から除去量の少ない部分に発熱体を集中させ、一定電圧，電流を与えることにより各部の除去体積を一定にして高能率な平面を得ることも可能である。」（第２頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第１行）
エ　「・・発熱体を構成し、そのうえにポリウレタンを含浸させたテトロン織布を貼りつけた研摩皿を作成した。」（第２頁左下欄第９行〜第１１行）
オ　「また被加工物面も第３図に示すように、加熱しない場合の凸形状が、第４図に示すように加熱した場合には修正され、かつ、加工形状精度も向上した。」（第２頁左下欄第１５〜１８行）
カ　ヒータ１１ないし１３が、複数の同心円状の環状に設けられていること。及び、被加工物４が各ヒータ１１ないし１３にまたがって配置されていること。（図面第２図）
　これらの摘記事項の記載、及び、研摩皿により半導体ウエハを研摩する時には、少なくとも１枚の半導体ウエハの少なくとも一方の面が研摩皿表面に対して押圧されると同時に半導体ウエハと研摩皿とを相対移動して研摩することが技術常識であること、複数の同心円状の環状に設けられた各ヒータの「各ヒータユニットの電流量を変化させることにより、各部の温度を変化させることが可能であり、研摩皿に任意の温度分布を与え」（上記摘記事項イ）ることは、各ヒータからなる発熱体によって、研摩皿平面において所定の径方向幅を有しかつ互いに異なる温度に設定された複数の同心円状の環状部によって研摩皿上に領域を形成することに他ならないことからみて、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「少なくとも１枚の半導体ウエハの少なくとも一方の面がポリウレタンを含浸させたテトロン織布を張り付けた研摩皿に押圧されると同時に半導体ウエハと研摩皿とを相対運動させることで研摩される半導体ウエハの研摩方法において、
　研摩皿上の領域が、研摩皿平面において所定の径方向幅を有しかつ互いに異なる温度に設定された複数の同心円状の環状部で形成されており、
　前記領域を形成する前記環状部に設けられた環状のヒータ１１，１２，１３の電流量を変化させる半導体ウエハの研摩方法。」
　
（２）　刊行物２：米国特許第４４７１５７９号明細書
ア　「この発明は、研摩ホイール１底面に同心で相互分離して多数の環状溝を形成し、・・・各環状溝へ流入する流体の温度および／または流量比を制御し、ラツピングまたは研摩作業時に研摩ホイールの加工面全域の温度を同一値に維持し得るラツピングまたは研摩装置に関する。」（米国特許和文抄録の抄録文第１〜４行）
イ　「装置１３は、各環状溝１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄに流入する流体の温度および／または流量比を制御し・・・」（同抄録文第１６〜１７行）
　
（３）　刊行物３：特開平８−３３０２６１号公報
　「・・検出温度が設定値以下になったときを終点とすればよく、その設定値については、予め試験をして・・決定すればよい。
・・・実際のウエハ１０の研磨工程においては、こうして決定した温度設定値をメモリに記憶しておき、・・検出温度が設定値以下になったときに終点検出部５１から終点検出信号が発せられる。」（第４頁段落【００２３】〜【００２４】）
　
４．対比・判断
　本願発明と上記刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「研摩」、「研摩皿」、「半導体ウエハ」、「ポリウレタンを含浸させたテトロン織布」はそれぞれ、前者の「研磨」、「研磨板」、「半導体ウェーハ」、「研磨布」に相当する。
　また、後者の「環状部に設けられた環状のヒータ１１，１２，１３」は、環状部に設けられた温度設定手段である限りにおいて前者の「環状部内を流れる温度制御媒体」に一致し、後者の「ヒータ１１，１２，１３の電流量を変化させる」ことは、温度設定手段の温度を異なる温度に設定する限りにおいて、前者の「温度制御媒体の温度を異なる温度に設定する」ことに一致する。
　したがって両者は次の一致点、及び相違点を有する。
＜一致点＞
　「少なくとも１枚の半導体ウェーハの少なくとも一方の面が研磨布を張り付けた研磨板に押圧されると同時に半導体ウェーハと研磨板とを相対運動させることで研磨される半導体ウェーハの研磨方法において、
　研磨板上の領域が、研磨板平面において所定の径方向幅を有しかつ互いに異なる温度に設定された複数の同心円状の環状部で形成されており、
　前記領域を形成する環状部に設けられた温度設定手段の温度を異なる温度に設定する半導体ウェーハの研磨方法。」
＜相違点１＞
　前者は、半導体ウェーハが、研磨中に少なくとも２つの研磨板上の領域を通過するのに対し、後者は、被加工物４が、各ヒータ１１ないし１３にまたがって配置されており、研磨中に少なくとも２つの研磨板上の領域を通過しない点。
＜相違点２＞
　前者は、環状部に設けられた温度設定手段が「環状部内を流れる温度制御媒体」であり、この温度制御媒体の温度を制御するのに、「異なる温度に設定するための温度制御手段」を具備し、同温度制御手段を「研磨板に設け」ているのに対し、後者は、環状部に設けられた温度設定手段が「環状のヒータ」であり、その温度の制御はヒータの電流量を変化させるものであり、また、電流量の制御手段の位置についての特定事項を備えていない点。
＜相違点３＞
　前者は、温度設定手段の温度を制御するのに、「領域の個数、径方向幅及び温度が、前記半導体ウェーハが研磨される以前に行われた試験研磨により得られた該研磨板の径方向における温度分布及び半導体ウェーハの輪郭形状に関する記憶装置（９）に格納された分析結果に基いてコンピュータによって自動的に決定され、
　前記コンピュータが、伝送されたデータに基き各環状部内の温度制御媒体の温度を前記温度制御手段（７）を介して制御するマスタ・コンピュータ（８）を備えて」いるのに対し、後者は、当該特定事項を備えていない点。
＜相違点４＞
　前者は、領域を形成する各環状部が、「半導体ウェーハの直径の２５〜１２０％の径方向幅を有している」のに対し、後者は、当該特定事項について不明である点。
　
　上記相違点１ないし４について検討する。
＜相違点１について＞
　半導体ウェーハの研磨方法において、半導体ウェーハの研磨手法として、研磨中に研磨板上の異なる径方向位置を通過するように研磨することは当該技術分野において周知である（例えば特公昭５３−１１４３２号公報、特開昭６２−２４１６５８号公報を参照。）。そして、研磨板上に異なる温度の領域を設けることで所望の半導体ウェーハの加工形状を得ることは、半導体ウェーハが研磨板上の異なる径方向位置を通過するものであるか否かに関連しないことが明かであり（上記摘記事項３．（１）オを参照）、しかも本願発明が、上記周知の研磨手法を採用することに特段の技術的意義は見いだせない。してみれば、上記周知の研磨手法を、研磨板上に異なる温度の領域を設けることで所望の半導体ウェーハの加工形状を得る技術に適用することに格別困難な点は見いだせない。
　
＜相違点２について＞
　研磨板の温度を制御する際に、研磨板に環状部を設け、環状部内に、温度制御装置によって温度制御された媒体を流通させることは刊行物２に記載されている（上記摘記事項３．（２）ア、イ）。ところで、刊行物１記載の発明と刊行物２記載の技術的事項はいずれも研磨装置における研磨板の温度制御に関する共通の技術に属するものである。
　また、温度制御手段を設ける場所の選択は単なる設計事項にすぎず、しかも、本願明細書中に、温度制御手段を研磨板に設けた点の作用効果について記載されていない。
　これらのことからすれば、刊行物１記載の発明においてヒータに替えて刊行物２記載の媒体を用いるものとし、上記相違点２に係る特定事項となすことは当業者が容易に発明することができたものである。
　
＜相違点３について＞
　刊行物１記載の発明において、「領域を形成する複数の同心円状の環状に設けられたヒータ１１，１２，１３の電流量を変化させる」ことは、「領域の個数、径方向幅及び温度」を「決定」することに他ならない。
　また、刊行物１には「加工装置、被加工物に関する加工特性のデータを用い、最初から除去量の少ない部分に発熱体を集中させ、一定電圧，電流を与えることにより各部の除去体積を一定にして高能率な平面を得ることも可能である。」（上記摘記事項３．（１）ウ）と記載されており、「研摩皿に任意の温度分布を与え、温度による加工促進効果により研摩皿各部が作用する被加工物の加工量を変化させ、任意の平面形状を得ることができる。」（同摘記事項３．（１）イ）との記載からすれば、同刊行物１には、予め、研磨板の径方向における温度分布及び半導体ウェーハの輪郭形状に関する分析結果のデータが存在し、実際の研磨に先立って、そのデータに基づいて、研磨板上の特定部分の温度を決定し、その決定された値に基づいて温度設定手段（ヒータ１１ないし１３）の温度を制御することが示唆されている。
　そして、予め試験をして得られたデータを記憶しておき、その値に基づいて研磨加工を行うことは刊行物３に記載されていること、温度制御媒体の温度を制御するのに温度制御手段を用いることは刊行物２に記載されていること、記憶装置に記憶されたデータに基いて実際に装置を動作させるための諸パラメータ量を決定し、その量に応じて制御手段を介して制御する際に、適宜、コンピュータを用いることは例を挙げるまでもなく本件出願前に周知の事項であること、刊行物１ないし３に記載の研磨方法は、いずれも半導体ウエハを研磨する際の制御技術という共通の技術に属するものであることからすれば、刊行物１記載の発明における「加工装置、被加工物に関する加工特性のデータ」を刊行物３に記載されているように予め試験をして得られたデータとして記憶し、研磨板上の特定部分の温度を決定し、その決定された値に基づいて加工を行うに際して、適宜コンピュータを用いて、上記相違点３に係る特定事項と成すことは当業者が容易に発明することができたものである。　
　
＜相違点４について＞
　領域を形成する各環状部の幅をどの程度とするかは、その幅の大きさと、研磨されるウェーハの研磨量あるいは同時に研磨されるウェーハの数との関係等によって適宜選択される設計事項にすぎない。
　また、本願明細書を参酌しても、領域を形成する各環状部が、「半導体ウェーハの直径の２５〜１２０％の径方向幅を有している」点に特段の作用効果は見いだせない。
　
＜本願発明の作用効果について＞
　そして、本願発明の作用効果も、刊行物１記載の発明、刊行物１ないし３に記載の事項及び周知の事項から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１記載の発明、刊行物１ないし３に記載の事項及び周知の事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。