【事件の表示】
　特許第５７１０７３８号「液処理方法、液処理装置および記憶媒体」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７１０７３８号の請求項に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件特許第５７１０７３８号の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は、平成２２年１２月２２日を出願日とする特願２０１０−２８５９２１号（以下「原出願」という。）の一部を平成２５年１２月１０日に新たな特許出願としてなされたものであって、平成２７年３月１３日に特許の設定登録がされ、その後、その請求項１ないし１０に係る特許に対し、特許異議申立人田村彰彦（以下「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがなされたものである。 
第２　本件発明 
　本件特許第５７１０７３８号の請求項１ないし１０に係る特許の発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明１０」という。）。 
「【請求項１】
　本体部と、該本体部に突設された親水性の複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に撥水性の下地面が形成された、被処理体を処理する液処理方法において、
　前記被処理体の前記下地面が親水化し、かつ前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにする表面処理工程であって、前記被処理体に対して、撥水性の前記下地面を親水化する親水処理液を供給する親水処理液供給工程と、前記被処理体に対して、親水性の前記凸状部表面を撥水化する撥水処理液を供給する撥水処理液供給工程とを含む、表面処理工程と、
　前記下地面を親水化し、かつ前記凸状部表面を撥水化した状態に表面処理された前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記被処理体から前記リンス液を除去する乾燥工程とを備え、
　前記親水処理液供給工程と前記撥水処理液供給工程との間に、前記被処理体に対して、親水処理液と撥水処理液とを互いに置換するための置換促進液を供給する、置換促進液供給工程が設けられ、
　前記表面処理工程から前記リンス液供給工程までの間、前記被処理体の前記凸状部が液面から露出しないことを特徴とする液処理方法。
【請求項２】
　前記被処理体の各前記凸状部は、それぞれシリンダー形状を有することを特徴とする請求項１記載の液処理方法。
【請求項３】
　前記下地面がＳｉ系材料からなり、各前記凸状部が金属系材料からなることを特徴とする請求項１又は２記載の液処理方法。
【請求項４】
　前記置換促進液供給工程の前に、前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の液処理方法。
【請求項５】
　本体部と、該本体部に突設された親水性の複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に撥水性の下地面が形成された、被処理体を処理する液処理装置において、
　前記被処理体を保持する基板保持機構と、
　前記基板保持機構に保持された前記被処理体に対して表面処理を行う表面処理機構と、
　前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給機構と、
　前記表面処理機構および前記リンス液供給機構を制御する制御部とを備え、
　前記表面処理機構は、前記被処理体に対して、撥水性の前記下地面を親水化する親水処理液を供給する親水処理液供給機構と、前記被処理体に対して、親水処理液と撥水処理液とを互いに置換するための置換促進液を供給する置換促進液供給機構と、前記被処理体に対して、親水性の前記凸状部表面を撥水化する撥水処理液を供給する撥水処理液供給機構とを含み、
　前記制御部は、
　前記表面処理機構の前記親水処理液供給機構を制御して、前記被処理体の前記下地面が親水化した状態となるようにし、かつ前記表面処理機構の前記撥水処理液供給機構を制御して、前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにし、
　前記リンス液供給機構を制御して、前記下地面を親水化し、かつ前記凸状部表面を撥水化した状態に表面処理された前記被処理体に対して前記リンス液を供給し、
　前記親水処理液供給機構によって前記被処理体の前記下地面が親水化した状態にすることと、前記撥水処理液供給機構によって前記凸状部表面が撥水化した状態にすることとの間に、前記置換促進液供給機構を制御して、前記被処理体に対して置換促進液を供給し、
　前記親水処理液供給機構により前記被処理体の前記下地面を親水化した状態にするとともに前記撥水処理液供給機構により前記凸状部表面を撥水化した状態にしてから、前記リンス液供給機構により前記被処理体に対して前記リンス液を供給するまでの間、前記被処理体の前記凸状部が液面から露出しないようにすることを特徴とする液処理装置。
【請求項６】
　前記基板保持機構は、前記被処理体を回転可能に保持しており、前記制御部は、前記基板保持機構を制御して、前記基板保持機構を回転させることにより、前記被処理体から前記リンス液を除去することを特徴とする請求項５記載の液処理装置。
【請求項７】
　前記被処理体の各前記凸状部は、それぞれシリンダー形状を有することを特徴とする請求項５又は６記載の液処理装置。
【請求項８】
　前記下地面がＳｉ系材料からなり、各前記凸状部が金属系材料からなることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項記載の液処理装置。
【請求項９】
　前記制御部は、前記置換促進液供給機構が前記被処理体に対して置換促進液を供給する前に、前記リンス液供給機構を制御して、前記被処理体に対してリンス液を供給することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項記載の液処理装置。
【請求項１０】
　液処理装置に液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
　前記液処理方法は、
　本体部と、該本体部に突設された親水性の複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に撥水性の下地面が形成された、被処理体を処理する液処理方法であって、
　前記被処理体の前記下地面が親水化し、かつ前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにする表面処理工程であって、前記被処理体に対して、撥水性の前記下地面を親水化する親水処理液を供給する親水処理液供給工程と、前記被処理体に対して、親水性の前記凸状部表面を撥水化する撥水処理液を供給する撥水処理液供給工程とを含む、表面処理工程と、
　前記下地面を親水化し、かつ前記凸状部表面を撥水化した状態に表面処理された前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記被処理体から前記リンス液を除去する乾燥工程とを有し、
　前記親水処理液供給工程と前記撥水処理液供給工程との間に、前記被処理体に対して、親水処理液と撥水処理液とを互いに置換するための置換促進液を供給する、置換促進液供給工程が設けられ、
　前記表面処理工程から前記リンス液供給工程までの間、前記被処理体の前記凸状部が液面から露出しないことを特徴とする記憶媒体。」 
  
第３　特許異議申立の概要  
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１号証を提出して、請求項１、３ないし６、８ないし１０に係る発明は、甲第１号証に記載の発明と同一であるから、それらの特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであり、取り消すべきである旨主張している。 
　また、主たる証拠として甲第１号証並びに従たる証拠として下記の甲第２号証及び甲第３号証を提出して、請求項１、３ないし６、８ないし１０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、又は甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものであり、請求項２及び７に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３号証に記載された発明、又は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証に記載された発明及び甲第３号証に記載された発明から容易に発明することができたものであるから、それらの特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消すべきである旨主張している。 
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開２０１０−１１４４１４号公報（以下「甲１刊行物」という。）
甲第２号証：特開平７−１４２３４９号公報（以下「甲２刊行物」という。）
甲第３号証：特開２０１０−５６５３４号公報（以下「甲３刊行物」という。）
　なお、上記甲１号証ないし甲３号証は、本件の特許公報に参考文献として記載されているものである。
第４　刊行物の記載及び刊行物に記載された発明  
１　甲１刊行物及び甲１刊行物に記載された発明
（１）「【０００９】
　さらに本発明の別態様による半導体基板の表面処理方法は、表面の所定の領域に複数の凸形状パターンを有する半導体基板表面を、洗浄薬液を用いて洗浄し、前記洗浄薬液を用いて前記半導体基板を洗浄後、処理薬液を用いて前記凸形状のパターン表面の少なくとも一部を改質し、改質した前記凸形状のパターン表面に撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させるものである。」
（２）「【００４９】
  （第３の実施形態）本発明の第３の実施形態に係る半導体基板の表面処理方法を図７に示すフローチャートを用いて説明する。また、図２に示す表面処理装置と同様の、複数枚の半導体基板の洗浄・乾燥を一括して行うバッチ式の表面処理装置を使用するものとする。
【００５０】
  （ステップＳ３０１）半導体基板１を基板保持部２で保持し、処理槽３に導入する。
【００５１】
  （ステップＳ３０２）処理薬液供給部（図示せず）から処理槽３へ薬液を供給し、半導体基板１の洗浄を行う。薬液には例えば硫酸と過酸化水素水の混合溶液（ＳＰＭ）が用いられる。
【００５２】
  （ステップＳ３０３）処理薬液供給部から処理槽３へ純水を供給し、半導体基板１のリンスを行い、ステップＳ３０２で用いた薬液成分を除去する。
【００５３】
  （ステップＳ３０４）処理薬液供給部から処理層３へＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給し、純水をＩＰＡに置換するアルコールリンス処理を行う。
【００５４】
  （ステップＳ３０５）処理薬液供給部から処理層３へシンナーを供給し、ＩＰＡをシンナーに置換する。シンナーにはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）やシクロヘキサノンを用いることができる。
【００５５】
  （ステップＳ３０６）処理薬液供給部から処理槽３へシランカップリング剤を供給し、半導体基板１表面に濡れ性が低い保護膜（撥水性保護膜）を形成する。
【００５６】
  シランカップリング剤には、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラメチルシリルジエチルアミン（ＴＭＳＤＥＡ）等を用いることができる。また、これらのシランカップリング剤をシンナーで希釈して用いてもよい。
【００５７】
  （ステップＳ３０７）処理薬液供給部から処理層３へＩＰＡを供給し、シランカップリング剤をＩＰＡに置換する。
【００５８】
  （ステップＳ３０８）処理薬液供給部から処理槽３へ純水を供給し、ＩＰＡを純水に置換する。
【００５９】
  （ステップＳ３０９）半導体基板１の乾燥処理を行う。例えば半導体基板１を処理槽３から引き上げて気体供給部（図示せず）からドライエアを供給し蒸発乾燥させる。減圧乾燥法を用いてもよい。
【００６０】
  また、処理槽３上部の空間に乾燥薬品供給部（図示せず）より乾燥薬品（ＩＰＡ等）を液体、蒸気、又はミスト状で、単体又は窒素等のガスと共に供給し、半導体基板１を浸漬している純水を抜いて、徐々に液面を下げて乾燥を行うようにしてもよい。また、ＨＦＥ等の表面張力の低い液体を用いて乾燥を行ってもよい。
【００６１】
  半導体基板１０に形成されているパターンは撥水性保護膜に覆われているため、液体の接触角θが大きく（９０°に近く）なる。そのため、ｃｏｓθが０に近づき、乾燥処理時にパターンに作用する液体の表面張力が小さくなり、パターン倒壊を防止することができる。
【００６２】
  （ステップＳ３１０）ドライアッシングやオゾンガス処理等の灰化処理を行い、半導体基板１表面に形成された撥水性保護膜を除去する。
【００６３】
  このように、半導体基板１０表面の洗浄を行う際に、基板表面に撥水性の保護膜を形成することで、乾燥処理時の微細パターン倒壊を防止することができる。
【００６４】
  撥水化処理（ステップＳ３０６）に用いられるシランカップリング剤は、ヒドロキシル基を有するＩＰＡやＨ２Ｏが加わると、加水分解を起こし、撥水化能力が低下することが知られている。撥水化能力の低下はパターン倒壊防止効果を低減させる。
【００６５】
  そこで、本実施形態では、純水リンス（ステップＳ３０３）、ＩＰＡ置換（ステップＳ３０４）を行った後、撥水化処理（ステップＳ３０６）を行う前に、シンナー処理（ステップＳ３０５）を行い、ヒドロキシル基を含まないシンナーでＩＰＡを置換している。
【００６６】
  そのため、シランカップリング剤の撥水化能力が低下せず、パターン倒壊を防止することができる。なお、シンナーが水と置換可能である場合にはＩＰＡ置換（ステップＳ３０４）を省略しても構わない。また、上記した第２の実施形態と同様に、使用するシランカップリング剤が純水と置換可能である場合は、ステップＳ３０７のアルコールリンス処理を省略することができる。
【００６７】
  上記第１、第３の実施形態ではバッチ式の表面処理装置を用いていたが、枚葉式にも適用できる。同様に、上記第２の実施形態では枚葉式の表面処理装置を用いていたが、バッチ式にも適用できる。
【００６８】
  上記実施形態では半導体基板の乾燥処理の後に撥水性保護膜を除去するための灰化処理を行っていたが、乾燥処理の後にＲＩＥ工程を行う場合などは、そのＲＩＥ工程で撥水性保護膜も除去されるため、灰化処理を行わなくてもよい。
【００６９】
  なお、上記実施形態で説明した撥水性保護膜形成は、例えば下地微細パターンの表面が酸化膜、窒化膜等の「親水性を示す物質」に対して「撥水性を示す保護膜」を形成するものである。下地微細パターンがポリシリコン、アモルファスシリコン等であり、この下地微細パターンにフッ化水素系薬液処理を施した場合、さらに撥水性を高める為に、上記実施形態で説明した界面活性剤又はシランカップリング剤を用いることができる。」
（４）「【０１０７】
　（第６の実施形態）本発明の第６の実施形態に係る半導体基板の表面処理方法を図７に示すフローチャートを用いて説明する。また、図２に示す表面処理装置と同様の、複数枚の半導体基板の洗浄・乾燥を一括して行うバッチ式の表面処理装置を使用するものとする。
【０１０８】
　（ステップＳ３０１）表面の所定の領域に複数の凸形状パターンを有する半導体基板１を基板保持部２で保持し、処理槽３に導入する。この
凸形状パターンは、例えば、ラインアンドスペースパターン等であり、凸形状パターンの少なくとも一部は、シリコンを含む膜により形成されている。
【０１０９】
　（ステップＳ３０２）処理薬液供給部（図示せず）から処理槽３へ薬液を供給し、半導体基板１の洗浄を行う。薬液には例えば硫酸と過酸化水素水の混合溶液（ＳＰＭ）やＳＣ−１等が用いられる。
【０１１０】
　（ステップＳ３０３）処理薬液供給部から処理槽３へ純水を供給し、半導体基板１のリンスを行い、ステップＳ３０２で用いた薬液成分を除去する。
【０１１１】
　（ステップＳ３０４）処理薬液供給部から処理層３へＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給し、純水をＩＰＡに置換するアルコールリンス処理を行う。
【０１１２】
　（ステップＳ３０５）処理薬液供給部から処理層３へシンナーを供給し、ＩＰＡをシンナーに置換する。シンナーにはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）やシクロヘキサノンを用いることができる。
【０１１３】
　（ステップＳ３０６）処理薬液供給部から処理槽３へシランカップリング剤を供給し、半導体基板１表面に濡れ性が低い保護膜（撥水性保護膜）を形成する。
【０１１４】
　シランカップリング剤には、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラメチルシリルジエチルアミン（ＴＭＳＤＥＡ）等を用いることができる。また、これらのシランカップリング剤をシンナーで希釈して用いてもよい。
【０１１５】
　なお、本実施形態においても例えば、洗浄工程後のシリコン窒化膜やシリコン系の部材からなる微細パターンについて処理を行っている。そのため、本実施形態においてもシリル化処理後の撥水性を向上させることができる。
【０１１６】
　（ステップＳ３０７）処理薬液供給部から処理層３へＩＰＡを供給し、未反応のシランカップリング剤をＩＰＡに置換する。
【０１１７】
　（ステップＳ３０８）処理薬液供給部から処理槽３へ純水を供給し、ＩＰＡを純水に置換する。
【０１１８】
　（ステップＳ３０９）半導体基板１の乾燥処理を行う。例えば半導体基板１を処理槽３から引き上げて気体供給部（図示せず）からドライエアを供給し純水を蒸発乾燥させる。減圧乾燥法を用いてもよい。
【０１１９】
　また、処理槽３上部の空間に乾燥薬品供給部（図示せず）より乾燥薬品（ＩＰＡ等）を液体、蒸気、又はミスト状で、単体又は窒素等のガスと共に供給し、半導体基板１を浸漬している純水を抜いて、徐々に液面を下げて乾燥を行うようにしてもよい。また、ＨＦＥ等の表面張力の低い液体を用いて乾燥を行ってもよい。
【０１２０】
　（ステップＳ３１０）ドライアッシングやオゾンガス処理等の灰化処理を行い、半導体基板１表面に形成された撥水性保護膜を除去する。本実施形態は半導体基板の表面を洗浄・乾燥させるものであるので、撥水性保護膜の除去を行うことにより清浄化工程が終了となる。なお、この工程の後の工程で撥水化保護膜が除去される場合には乾燥後、すぐに撥水化保護膜を除去しなくても構わない。
【０１２１】
　このように、半導体基板１０表面の洗浄を行う際に、基板表面に撥水性の保護膜を形成することで、乾燥処理時の凸形状の微細パターン倒壊を防止することができる。
【０１２２】
　上記実施形態では半導体基板の乾燥処理の後に撥水性保護膜を除去するための灰化処理を行っていたが、乾燥処理の後にＲＩＥ（反応性イオンエッチング）工程を行う場合などは、そのＲＩＥ工程で撥水性保護膜も除去されるため、灰化処理を行わなくてもよい。
【０１２３】
　なお、上記実施形態で説明した撥水性保護膜形成は、例えば下地微細パターンの表面が酸化膜、窒化膜等の「親水性を示す物質」に対して「撥水性を示す保護膜」を形成するものである。下地微細パターンがポリシリコン、アモルファスシリコン等であり、この下地微細パターンにフッ化水素系薬液処理を施した場合、さらに撥水性を高める為に、上記実施形態で説明した界面活性剤又はシランカップリング剤を用いることができる。」
（５）「【０１２７】
　（第７の実施形態）上記第４〜第６の実施形態に係る
半導体基板の表面処理方法
【０１２８】
　図９に示すように、
シリコン基板４０１上に、例えば膜厚５ｎｍのゲート酸化膜（シリコン酸化膜）４０２、膜厚１００ｎｍのポリシリコン膜４０３、膜厚１００ｎｍのシリコン窒化膜４０４、膜厚２５０ｎｍのシリコン酸化膜４０５を順に積層する。
【０１２９】
　図１０に示すように、シリコン酸化膜４０５上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、ライン／スペースパターンを持つレジスト層４０６を形成する。ライン幅／スペース幅は例えば２０ｎｍ／２０ｎｍである。ライン／スペースパターンは素子分離領域形成用のパターンであり、ビットライン方向と平行になっている。
【０１３０】
　図１１に示すように、レジスト層４０６をマスクとして、シリコン酸化膜４０５をＲＩＥによって加工する。シリコン窒化膜４０４がエッチングストッパとなる。
【０１３１】
　図１２に示すように、例えば
ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合溶液）を用いてレジスト層４０６を除去する
【０１３２】
　
続いて、純水を用いてＳＰＭをリンスアウトした後、ＳＣ−１処理を行う。例えば、基板をＮＨ
４
ＯＨ：Ｈ
２
Ｏ
２
：Ｈ
２
Ｏ＝１：１：５、６０℃のアンモニア過酸化水素水に１０分浸漬させる。
【０１３３】
　
続いて、純水でＳＣ−１をリンスアウトした後に、純水をＩＰＡに置換する。
【０１３４】
　図１３に示すように、
シランカップリング剤を用いて、シリコン酸化膜４０５のパターン表面に撥水性保護膜４０７を形成する。
【０１３５】
　また、図１２に示す工程において純水をＩＰＡに置換しているため、シランカップリング剤と純水との接触に伴う加水分解の進行を抑制し、反応性劣化（失活）を防止できる。使用されるシランカップリング剤がＩＰＡとの接触でも失活する場合は、
ＩＰＡをさらにシンナーと置換する
【０１３６】
　
続いてシランカップリング剤をＩＰＡで置換し、さらにＩＰＡを純水で置換する。
【０１３７】
　
その後、スピン乾燥や引き上げ乾燥等を用いて、基板を乾燥させる。
（６）図７
（７）図１２
　図１２から、複数の凸形状パターンを有するシリコン酸化膜４０５を有すること、及び凸形状パターンを有するシリコン酸化膜４０５の間にシリコン窒化膜４０４を有することが、看取できる。
（８）図１３
（９）上記（５）の【０１３１】、【０１３７】の「基板」が「半導体基板」であることは、明らかである。また、上記（６）を参酌すると、上記（５）の「純水を用いてＳＰＭをリンスアウトした後、」半導体「基板をＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５、６０℃のアンモニア過酸化水素水に１０分浸漬させる」「ＳＣ−１処理を行」い、「続いて、純水でＳＣ−１をリンスアウトした後に、純水をＩＰＡに置換し、」「ＩＰＡをさらにシンナーと置換する」ことは、「ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合溶液）を用いてレジスト層４０６を除去」した後であって、「シランカップリング剤を用いて、シリコン酸化膜４０５のパターン表面に撥水性保護膜４０７を形成する」前のことであることは、明らかである。
　上記（１）ないし（９）より、甲１刊行物には、
「Ａ．シリコン基板４０１上に、シリコン酸化膜４０２、ポリシリコン膜４０３、シリコン窒化膜４０４、凸形状パターンを有するシリコン酸化膜４０５を順に積層し、前記シリコン窒化膜４０４は前記凸形状パターン間に形成された、半導体基板の処理方法において、
Ｂ．ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合溶液）を用いてレジスト層４０６を除去し、シランカップリング剤を用いて、シリコン酸化膜４０５のパターン表面に撥水性保護膜４０７を形成し、
Ｃ．続いてシランカップリング剤をＩＰＡで置換し、さらにＩＰＡを純水で置換し、
Ｄ．その後、スピン乾燥や引き上げ乾燥等を用いて、前記半導体基板を乾燥させ、
Ｅ．ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合溶液）を用いてレジスト層４０６を除去した後であって、シランカップリング剤を用いて、シリコン酸化膜４０５のパターン表面に撥水性保護膜４０７を形成する前に、純水を用いてＳＰＭをリンスアウトした後、前記半導体基板をＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５、６０℃のアンモニア過酸化水素水に１０分浸漬させるＳＣ−１処理をし、続いて、純水でＳＣ−１をリンスアウトした後に、純水をＩＰＡに置換し、ＩＰＡをさらにシンナーと置換する、
半導体基板の処理方法。」（以下「甲１発明」という。）が記載されているといえる。
２　甲２刊行物
（１）「【００４７】
　このとき、現像槽からリンス槽への半導体ウエハの移動時に、表面張力の作用によって半導体ウエハ上を覆っている現像液がこぼれてレジストパターンの上部が露出されれば、レジストパターンの倒れが発生する。そこで、現像処理後の半導体ウエハの移動時に半導体ウエハ上から現像液がこぼれないようにするために、以下の試みがなされた。
【００４８】
　すなわち、発塵のないテフロンゴムなどの枠で半導体ウエハの周囲を覆った状態にしてそのウエハをリンス処理槽内へ移動させ、リンス槽内でウエハ上にリンス液を注入すると同時にその枠が外される。そのような枠材料としては、現像液に腐食されずかつ濡れ性のないテフロンなどが望ましい。枠材料が現像液に対して濡れ性が良ければ、ウエハ上の現像液面を低下させることがある。
【００４９】
　ところで、１度目の現像処理後にウエハ上に再度現像液を注入する場合、最初の現像液を振り切って飛散させることなく２度目の現像液を上から注入し、レジストパターンの上部が現像液から露出しないように注意しなければならない。」
（２）「【００６０】
　実際には、化学増幅型レジストをＫｒＦエキシマレーザ露光器によって露光して現像処理した後に、純水のリンス液中でウエハを振動させることによって十分にリンス処理が行なわれる。その後に、リンス液面からレジストパターンの上部が露出しないように注意しながらウエハをリンス液から取り出し、レジストパターンがリンス液に浸された状態でウエハ裏面に液体窒素を接触させることによって、瞬間的にリンス液が凍結される。凍結状態のウエハは凍結乾燥用の真空チャンバ内に入れられ、凍結乾燥法によってリンス液が乾燥させられる。その結果、通常のリンス処理と比較して、凍結乾燥法を用いた場合にはほとんどレジストパターンの倒れが認められなかった。」
３　甲３刊行物
「【０００８】
　更にまた、上記のように例えばエッチング処理により形成されるパターンとしては、ライン１０２のように長く伸びる形状以外にも、例えば図１８（ａ）に示すように、double　gate型　Fully　Depleted　ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ構造を形成する時に上面及び側面にチャネルを形成するための短冊状のピラーや、ＦＩＮ−ＦＥＴと呼ばれるダブルゲート構造を形成する時に配置されるゲート電極などの柱状の構造体１１０、あるいは同図（ｂ）に示すように例えばゲート電極の上層側に形成されたシリンダー型（円筒型）の電極１１１などがある。そして、このような形状のパターンが形成されたウェハ１００についても、例えばエッチング処理により生じた残渣を除去するために洗浄される場合があるので、洗浄液を除去（乾燥）する時に凸部（構造体１１０、電極１１１）が倒れてしまう場合がある。　
　更に、配線密度の高密度化が進むにつれてこのようなパターンの凸部の幅寸法が薄くなっていくと、倒れの問題が顕著になっていくことになる。」
第５　対比・判断
１　本件発明１について  
（１）本件発明１と甲１発明とを対比する。
ア　甲１発明の「シリコン基板４０１上に、シリコン酸化膜４０２、ポリシリコン膜４０３」「を順に積層し」たものは、本件発明１の「本体部」に相当する。
イ　甲１発明の「凸形状パターンを有するシリコン酸化膜４０５」は、本件発明１の「凸状部」に相当する。
ウ　甲１発明の「シリコン窒化膜」は、本件発明１の「下地面」に相当し、甲１発明の「前記シリコン窒化膜４０４は前記凸形状パターン間に形成された」ことは、本件発明１の「前記本体部上であって前記凸状部間に下地面が形成された」ことに相当する。
エ　甲１発明の「半導体基板」は、本件発明１の「被処理体」に相当し、甲１発明において液処理をすることは明らかであるから、甲１発明の「半導体基板の処理方法」は、本件発明１の「液処理方法」に相当する。
オ　甲１発明の「Ｂ．ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合溶液）を用いてレジスト層４０６を除去し、シランカップリング剤を用いて、シリコン酸化膜４０５のパターン表面に撥水性保護膜４０７を形成」することは、本件発明１の「前記被処理体の前記下地面が親水化し、かつ前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにする表面処理工程であって、前記被処理体に対して、撥水性の前記下地面を親水化する親水処理液を供給する親水処理液供給工程と、前記被処理体に対して、親水性の前記凸状部表面を撥水化する撥水処理液を供給する撥水処理液供給工程とを含む、表面処理工程」と、「表面処理工程」の点で一致する。
カ　甲１発明の「Ｃ．続いてシランカップリング剤をＩＰＡで置換し、さらにＩＰＡを純水で置換」することは、本件発明１の「前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程」に相当する。
キ　甲１発明の「Ｄ．スピン乾燥や引き上げ乾燥等を用いて、前記半導体基板を乾燥させ」ることは、本件発明１の「前記被処理体から前記リンス液を除去する乾燥工程」に相当する。
ク　甲１発明の「Ｅ．ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合溶液）を用いてレジスト層４０６を除去した後であって、シランカップリング剤を用いて、シリコン酸化膜４０５のパターン表面に撥水性保護膜４０７を形成する前に、純水を用いてＳＰＭをリンスアウトした後、前記半導体基板をＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５、６０℃のアンモニア過酸化水素水に１０分浸漬させるＳＣ−１処理をし、続いて、純水でＳＣ−１をリンスアウトした後に、純水をＩＰＡに置換し、ＩＰＡをさらにシンナーと置換する」ことは、本件発明１の「前記親水処理液供給工程と前記撥水処理液供給工程との間に、前記被処理体に対して、親水処理液と撥水処理液とを互いに置換するための置換促進液を供給する、置換促進液供給工程が設けられ」ることと、「置換促進処理工程が設けられ」ることの点で一致する。
　上記アないしクより、本件発明１と甲１発明とは、「本体部と、該本体部に突設された複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に下地面が形成された、被処理体を処理する液処理方法において、
　表面処理工程と、
　前記被処理体に対してリンス液を供給するリンス液供給工程と、
　前記被処理体から前記リンス液を除去する乾燥工程とを備え、
　置換促進処理液供給工程が設けられる、
　液処理方法。」である点で一致し、以下の相違点で相違している。
＜相違点１＞「凸状部」が、本件発明１では、「親水性」であるのに対して、甲１発明では、「シリコン酸化膜」であることにとどまり、親水性であるかどうか明らかでない点。
＜相違点２＞「下地面」が、本件発明１では、「撥水性」であるのに対して、甲１発明では、「シリコン窒化膜」であることにとどまり、撥水性であるかどうか明らかでない点。
＜相違点３＞「表面処理工程」が、本件発明１では、「前記被処理体の前記下地面が親水化し、かつ前記凸状部表面が撥水化した状態となるようにする表面処理工程であって、前記被処理体に対して、撥水性の前記下地面を親水化する親水処理液を供給する親水処理液供給工程と、前記被処理体に対して、親水性の前記凸状部表面を撥水化する撥水処理液を供給する撥水処理液供給工程とを含む」のに対して、甲１発明では、「ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合溶液）を用いてレジスト層４０６を除去し、シランカップリング剤を用いて、シリコン酸化膜４０５のパターン表面に撥水性保護膜４０７を形成」する点。
＜相違点４＞「置換促進液供給工程」が、本件発明１では、「前記親水処理液供給工程と前記撥水処理液供給工程との間に、前記被処理体に対して、親水処理液と撥水処理液とを互いに置換するための置換促進液を供給する」のに対して、甲１発明では、「純水でＳＣ−１をリンスアウトした後に、純水をＩＰＡに置換し、ＩＰＡをさらにシンナーと置換」する点。
＜相違点５＞本件発明１では、「前記表面処理工程から前記リンス液供給工程までの間、前記被処理体の前記凸状部が液面から露出しない」のに対して、甲１発明では、このような工程は明記されていない点。
（２）相違点２について検討する。
　シリコン窒化膜の撥水性は、組成比や成膜する際の温度や雰囲気等の条件に依存することが技術常識であるところ、甲１刊行物においてはシリコン窒化膜の組成比や成膜する際の温度や雰囲気等の条件について具体的な記載がない。しかも、甲１刊行物の【００６９】（上記「第４」「１（２）」）、【０１２３】（上記「第４」「１（３）」）には、「なお、上記実施形態で説明した撥水性保護膜形成は、例えば下地微細パターンの表面が酸化膜、窒化膜等の「親水性を示す物質」に対して「撥水性を示す保護膜」を形成するものである。」と記載されていて、窒化膜が親水性であることが示唆されている。
　すると、甲１発明の「シリコン窒化膜」が撥水性であるとはいえず、甲１発明の「シリコン窒化膜」を撥水性とする動機付けもない。
　さらに、甲２刊行物においても、「本体部と、該本体部に突設された」「複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に」「下地面が形成された、被処理体を処理する液処理方法」における「下地面」が「撥水性」であることは、記載されていない。
　してみると、甲１発明の「シリコン窒化膜」が「撥水性」であることは記載されておらず、また、甲１発明の「シリコン窒化膜」を「撥水性」とすることは、当業者であっても想到容易であるとはいえない。
　なお、特許異議申立人の特許異議申立書の第１５頁第１４行〜第２０行のける主張について、本件明細書の【００１５】に下地面を構成する材料としてＳｉＮが例示されているとしても、上述したように、シリコン窒化膜の撥水性は、組成比や成膜する際の温度や雰囲気等の条件に依存することが技術常識であるところ、甲１刊行物においてはシリコン窒化膜の組成比や成膜する際の温度や雰囲気等の条件について具体的な記載がなく、しかも、甲１刊行物には、窒化膜が親水性であることが示唆されていることから、上記主張を採用することはできない。
（３）以上のとおり、本件発明１は甲１発明と相違点２において相違するものであり、相違点２は容易想到とはいえないものであるから、その余の相違点を検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明でなく、また、甲１発明、又は甲１発明及び甲２刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
２　本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１をさらに限定したものであるところ、甲３刊行物において、「本体部と、該本体部に突設された」「複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に」「下地面が形成された、被処理体を処理する液処理方法」における「下地面」が「撥水性」であることは、記載されていない。
　してみると、本件発明１と同様に、甲１発明の「シリコン窒化膜」を「撥水性」とすることは、当業者であっても想到容易であるとはいえない。
　よって、本件発明２は、甲１発明及び甲３刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。また、本件発明２は、甲１発明並びに甲２刊行物に記載された事項及び甲３刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　本件発明３及び４について
　本件発明３及び４は、本件発明１をさらに限定したものであるから、本件発明１と同様に、本件発明３及び４は、甲１発明でなく、また、甲１発明、又は甲１発明及び甲２刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、本件発明３及び４は、本件発明２をさらに限定したものであるから、本件発明２と同様に、本件発明３及び４は、甲１発明及び甲３刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。また、本件発明３及び４は、甲１発明並びに甲２刊行物に記載された事項及び甲３刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
４　本件発明５について
　本件発明５は本件発明１の「液処理方法」を「液処理装置」としたものであるから、本件発明１と同様に、本件発明５は、甲１発明でなく、また、甲１発明、又は甲１発明及び甲２刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
５　本件発明６について
　本件発明６は、本件発明５をさらに限定したものであるから、本件発明５と同様に、本件発明６は、甲１発明でなく、また、甲１発明、又は甲１発明及び甲２刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
６　本件発明７について
　本件発明７は、本件発明５をさらに限定したものであるところ、甲３刊行物において、「本体部と、該本体部に突設された」「複数の凸状部とを有し、前記本体部上であって前記凸状部間に」「下地面が形成された、被処理体を処理する液処理方法」における「下地面」が「撥水性」であることは、記載されていない。
　してみると、本件発明５と同様に、甲１発明の「シリコン窒化膜」を「撥水性」とすることは、当業者であっても想到容易であるとはいえない。
　よって、本件発明７は、甲１発明及び甲３刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。また、本件発明７は、甲１発明並びに甲２刊行物に記載された事項及び甲３刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
７　本件発明８及び９について
　本件発明８及び９は、本件発明５をさらに限定したものであるから、本件発明５と同様に、本件発明８及び９は、甲１発明でなく、また、甲１発明、又は甲１発明及び甲２刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、本件発明８及び９は、本件発明７をさらに限定したものであるから、本件発明７と同様に、本件発明８及び９は、甲１発明及び甲３刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。また、本件発明８及び９は、甲１発明並びに甲２刊行物に記載された事項及び甲３刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
８　本件発明１０について
　本件発明１０は本件発明１の「液処理方法」を「液処理装置に液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体」としたものであるから、本件発明１と同様に、本件発明１０は、甲１発明でなく、また、甲１発明、又は甲１発明及び甲２刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
第６　むすび  
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。  
　また、他に請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１月１５日（２０１６．１．１５）