【事件の表示】
　特許第５７１２１０１号「基板処理方法及び基板処理装置」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７１２１０１号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯　
　特許第５７１２１０１号（以下「本件特許」という。）の請求項１−９に係る特許についての出願は、平成２３年１０月７日に特許出願され、平成２７年３月１３日に特許の設定登録がされ、その後、その特許に対し、特許異議申立人　田村彰彦により特許異議の申立てがされたものである。
２　申立理由の概要
　特許異議申立人は、請求項１−９に係る特許は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないから、請求項１−９に係る特許を取り消すべきものである（以下「異議申立て理由１」という。）旨の主張、及び、請求項１−９に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１−９に係る特許を取り消すべきものである（以下「異議申立て理由２」という。）旨主張をしている。
３　異議申立て理由１について
（１）特許異議申立人の主張の概要
　平成２６年１２月２５日に提出された手続補正書（当審注．異議申立書における「平成２６年１０月１４日に提出された手続補正書」との記載は誤記と認める。以下「本件補正」という。）による補正は、本件特許の特許請求の範囲を補正するものであって、下記の補正事項による補正を含むものである。（当審注．補正箇所に当審で下線を付した。）
　・本件補正前の請求項１における「前記基板を加熱する工程は、前記処理液で処理する工程の途中から加熱した処理液を前記基板に供給することによって、」との記載を、本件補正後の請求項１の「前記基板を加熱する工程は、前記処理液で処理する工程の途中から加熱した処理液を前記基板
の裏面
　そして、上記補正事項１による補正によって、異議申立書に添付した参考図（Ｂ）に示すように、「基板（２）」の裏面に向けて高温のリンス液を供給する工程に先立って「基板（２）」の表面に常温のリンス液を供給する工程が開始され、常温のリンス液を供給する期間と高温のリンス液を供給する期間との重複期間（上記参考図（Ｂ）における重複期間ＯＴ）が存在するという趣旨の事項が実質的に追加されるが、当該事項は、本件特許の願書に最初に添付した明細書等に記載されていない。
　したがって、本件補正は、本件特許の願書に最初に添付した明細書等に記載されていない、新規事項の追加を含むものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件に適合しない。
　
（２）判断
　ア　本件補正における補正事項１による補正に関係して、本件特許の願書に最初に添付した明細書（以下「本件当初明細書」という。）には、以下の記載がある。（当審注．下線は当審で付した。）
（ア）「【００２５】
　以下に、本発明に係る基板処理装置及びこの
基板処理装置で用いる基板処理方法並びに基板処理装置に基板の処理を行わせるための基板処理プログラム
・・・
　【００４４】
　次に、基板処理プログラムは、図３に示すように、
基板受取工程で受取った基板２に対して処理液（ここでは、フッ化水素及び純水）で液処理する液処理工程を実行する
液処理工程は、基板２に対してフッ化水素で洗浄処理する洗浄処理工程と、洗浄処理工程後に基板２に対して純水を供給してフッ化水素を基板２から除去するリンス処理を行うリンス処理工程とで構成している
　【００４５】
　洗浄処理工程において基板処理プログラムは、図５に示すように、制御手段27によって回転駆動機構31を制御して基板保持手段23のテーブル29及びテーブル29の基板保持体30で保持する基板２を所定回転速度で回転させる。さらに、制御手段27によって移動機構35を制御して処理液供給手段24の処理液吐出ノズル34を基板２の中央部上方に移動させる。そして、制御手段27によって流量調整器39を開放及び流量制御して、洗浄液供給源36から供給される常温のフッ化水素を処理液吐出ノズル34から基板２の上面に向けて一定時間吐出させる。その後、制御手段27によって流量調整器39を閉塞制御して、処理液吐出ノズル34からのフッ化水素の吐出を停止させる。なお、処理液吐出ノズル34は、基板２の中央部上方で停止した状態でフッ化水素を基板２の上面中央部に吐出してもよく、移動機構35で基板２の中央部上方と基板２の外周端縁上方との間で移動しながらフッ化水素を基板２の上面に吐出してもよい。
　【００４６】
　その後、
リンス処理工程において
リンス液供給源37から供給される純水をヒーター41で加熱せずに常温のまま処理液吐出ノズル34から基板２の上面に向けて一定時間吐出させる
　【００４７】
　次に、基板処理プログラムは、図３に示すように、
液処理工程で液処理した基板２を加熱する基板加熱工程を実行する
　【００４８】
　この
基板加熱工程において
リンス液供給源37から供給される純水をヒーター41で所定温度（例えば、60℃）に加熱して処理液吐出ノズル34から基板２の上面に向けて一定時間吐出させる
　【００４９】
　このように、
基板加熱工程では、液処理工程で用いた処理液の温度よりも高温の液体（リンス液）を基板２の上面に吐出させることで熱伝導により基板２を加熱するようにしている
　【００５０】
　ここで、
リンス処理工程と基板加熱工程とを別工程として記載したが、基板加熱工程で高温のリンス液を基板２の上面に吐出した場合には、基板加熱工程をリンス処理と同時に行うことができる。これにより、基板処理装置１での基板処理時間を短縮することができてスループットを向上させることができる。
　【００５１】
　次に、基板処理プログラムは、図３に示すように、
基板加熱工程で加熱した基板２に対して乾燥処理を行う乾燥処理工程を実行する
　【００５２】
　
この乾燥処理工程において
揮発性処理液供給手段25の乾燥液吐出ノズル42
ＩＰＡを乾燥液吐出ノズル42から基板２の上面に向けて一定時間吐出させる
（イ）「【００６３】
　上記基板処理装置１では、基板加熱工程で基板２に高温のリンス液を供給することで基板２を加熱するようにしているが、これに限られず、高温の乾燥液を基板２に供給して基板２の加熱を行うようにしてもよい。また、図１１に示すように、基板処理部52としてテーブル29の上方にＬＥＤランプ53を配置して、ＬＥＤランプ53で基板２を照射することで基板２を加熱するように構成することもできる。ＬＥＤランプ53の照射により基板２の温度を急速に昇温することができるので、基板２の表面が乾燥液から露出しないように乾燥液の液膜を維持する時間が短くてすみ、乾燥液の消費量を少量に抑えることができる。また、乾燥液の供給を開始する前に、基板表面の温度を露点温度よりも高くなるまで昇温してもよい。さらに、
図１２に示すように、基板処理部54としてテーブル29の中央部に吐出口55を形成し、吐出口55から高温の流体（ここでは、リンス液）を供給して基板２の裏面から基板２を加熱するように構成することもできる。これらの実施形態においても、基板2の表面上にリンス液
の液膜を保持し、
　イ　上記ア（ア）より、本件当初明細書には、基板処理装置で用いる基板処理方法、及び基板処理装置に基板の処理を行わせるための基板処理プログラムについて、基板に対して洗浄処理する洗浄処理工程と、洗浄処理工程後に基板に対して純水を供給してリンス処理を行うリンス処理工程とから構成される、液処理工程で基板を液処理し、次に、リンス液供給源から供給される純水を加熱して、上記液処理された基板の上面に向けて一定時間吐出させる、基板加熱工程を実行し、基板加熱工程で加熱した基板に対して乾燥処理を行う乾燥処理工程を実行して、揮発性処理液供給手段の乾燥液吐出ノズルからＩＰＡを基板の上面に向けて一定時間吐出させることが記載されていると認められる。
　また、上記ア（ア）より、本件当初明細書には、基板加熱工程で高温のリンス液を基板の上面に吐出することで、基板加熱工程をリンス処理と同時に行うことができ、基板処理装置での基板処理時間を短縮できてスループットを向上できることが記載されていると認められる。
　してみれば、上記ア（ア）より、本件当初明細書には、基板加熱工程で高温のリンス液を基板の上面に吐出することで、基板加熱工程を液処理工程の途中で開始されるリンス処理と同時に行うこと、すなわち、基板加熱工程が、液処理工程の途中から加熱した処理液を基板に供給することによって、乾燥処理工程における揮発性処理液を供給する工程よりも前に開始されることで、基板処理装置での基板処理時間を短縮できてスループットを向上できることが記載されていると認められる。
　そして、上記ア（イ）によれば、本件当初明細書には、高温のリンス液を供給して基板の裏面から基板を加熱し、基板の表面上にリンス液の液膜を保持して加熱することが記載されており、この場合においても、リンス処理と同時に高温のリンス液を供給して基板の裏面から基板を加熱することで、基板処理装置での基板処理時間を短縮できてスループットを向上できることは、基板加熱工程とリンス処理に関する本件当初明細書の上記の記載から自明な事項と認められる。
　そうすると、基板加熱工程が、液処理工程の途中から加熱した処理液を裏面から基板に供給することによって、乾燥処理工程における揮発性処理液を供給する工程よりも前に開始されることは、本件当初明細書の記載から自明であり、本件当初明細書に記載された事項と認められる。
　ウ　以上から、本件補正における補正事項１による補正は、新たな技術的事項を導入しないものであり、本件当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものと認める。
　なお、本件補正により、本件補正前の請求項８及び請求項１５に対しても、補正事項１による補正と同様の補正がされている（それぞれ、本件補正後の請求項５及び請求項９に対応。）が、これらの補正も、上記イの理由により、新たな技術的事項を導入しないものであり、本件当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものと認める。
　
（３）小括
　したがって、異議申立て理由１に理由はない。
　
４　異議申立て理由２について
（１）特許異議申立人の主張の概要
　本件特許の請求項１ないし９に係る発明は、特開２００９−２１２３０１号公報（以下「刊行物１」という。）記載の発明において、特開２００８−０４１８７３号公報（以下「刊行物２」という。）に記載の事項、及び特開２００２−００９０３５号公報（以下「刊行物３」という。）に記載の事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、上記各発明について特許を取り消すべきである。
　
（２）本件特許発明
　上記３のとおり、異議申立て理由１に理由はないので、本件特許の請求項１ないし９に係る発明は、それぞれ、本件特許の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。　
　
（３）刊行物の記載
　ア　刊行物１
　刊行物１には、図１−３とともに、以下の記載がある。
（ア）「【０００１】
　
本発明は、基板に対するリンス処理および乾燥処理のための基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　たとえば、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に対して処理液を用いた処理が行われる。この処理液を用いた処理の後には、ウエハの表面に付着している処理液を純水で洗い流すリンス処理が行われる。そして、リンス処理後には、ウエハの表面を乾燥させる乾燥処理が行われる。乾燥処理では、リンス処理後のウエハが高速回転されることにより、ウエハに付着している純水が振り切られて除去（乾燥）される。
【０００３】
　ところが、このような乾燥処理の手法では、ウエハの表面に形成されている微細なトレンチや微細なパターン間に入り込んだ純水が振り切られず、そのトレンチやパターン間の底部に純水が残るおそれがある。
　そのため、
純水によるリンス処理が行われた後のウエハの表面に常温（約２５℃）のＩＰＡ（イソプロピルアルコール）液を供給して、ウエハの表面のトレンチやパターン間に入り込んだ純水をＩＰＡ液と置換して、ウエハの表面を乾燥させる手法が提案されている。
・・・
【０００６】
　基板の裏面への温調液の供給により、基板を加温することができ、基板を介して、基板の表面に供給された低表面張力液体を加温することができる。これにより、基板の表面上での低表面張力液体の温度を常温以上に上昇させることができ、基板の表面上のリンス液と低表面張力液体との置換効率を向上させることができる。その結果、基板の表面からリンス液を良好に除去することができる。」
（イ）「【００１６】
　以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
　図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な側面図である。
　基板処理装置１は、基板の一例としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置１は、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック２と、
スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面にリンス液の一例としての純水を供給するためのノズル３
スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に薬液を供給するための薬液ノズル３３
・・・
【００１８】
　スピン軸５には、モータ８が結合されている。モータ８が発生する回転力により、スピン軸５をその中心軸線まわりに回転させることができる。そして、複数の挟持部材７によってウエハＷを保持した状態で、スピン軸５を回転させることにより、ウエハＷをスピンベース６とともに回転させることができる。
　また、スピン軸５は、中空に形成されている。スピン軸５の内部には、温調液流通管９が挿通されている。
温調液流通管９には、温水供給管３２が接続されている。この温水供給管３２を通して、温調液の一例としての約８０℃の温水が温調液流通管９に供給されるようになっている。
温調液流通管９は、スピンチャック２（複数個の挟持部材７）に保持されたウエハＷの裏面（下面）中央に近接する位置まで延びていて、その先端には、温調液流通管９に供給される温水を吐出する裏面ノズル１１
裏面ノズル１１から吐出される温水は、たとえば、スピンチャック２に保持されたウエハＷの裏面中央に対してほぼ垂直に入射する。
【００１９】
　なお、
温水は、基板処理装置１と別置された温水生成キャビネットにおいて、純水を加熱することにより生成され、この温水生成キャビネットから温水供給管３２に供給されてもよいし、
　ノズル３は、スピンチャック２の上方に設けられたアーム１２の先端に取り付けられている。アーム１２は、スピンチャック２の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸１３に支持されており、このアーム支持軸１３からほぼ水平に延びている。アーム支持軸１３には、アーム駆動機構１４が結合されている。アーム駆動機構１４からアーム支持軸１３に駆動力を入力して、アーム支持軸１３を所定角度範囲内で回動させることにより、アーム１２を所定角度範囲内で揺動させることができるようになっている。
【００２０】
　ノズル３には、純水供給管１５が接続されている。純水供給管１５の途中部には、純水バルブ１６が介装されている。純水バルブ１６が開かれると、純水供給管１５からノズル３に純水が供給される。
　薬液ノズル３３は、スピンチャック２の上方で、吐出口をウエハＷの回転中心に向けて配置されている。薬液ノズル３３には、薬液供給管３４が接続されている。薬液供給管３４の途中部には、薬液バルブ３５が介装されている。薬液バルブ３５が開かれると、薬液供給管３４から薬液ノズル３３に薬液が供給される。
・・・
【００２２】
　
低表面張力液体流通管１８には、ＩＰＡ供給管１９が接続されている。
（ウ）「【００２５】
　また、スピンチャック２は、有底円筒容器状のカップ２９に収容されている。カップ２９の底部には、廃液ライン３０が接続されている。この廃液ライン３０を介して、カップ２９の底部に集められた液体（純水、温水およびＩＰＡ液）を廃棄することができる。
　図２は、基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
　
基板処理装置１は、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御部３１を備えている。マイクロコンピュータには、ＣＰＵ、ＲＡＭおよびＲＯＭなどが含まれる。
【００２６】
　
制御部３１は、予め定められたプログラムに従って、モータ８、アーム駆動機構１４、遮断板昇降駆動機構２７および遮断板回転駆動機構２８の駆動を制御し、ＩＰＡバルブ２０、窒素ガスバルブ２４、純水バルブ１６、薬液バルブ３５および温水バルブ１０の開閉を制御する。
　図３は、基板処理装置における処理を説明するためのタイミングチャートである。
【００２７】
　まず、図示しない搬送ハンドにより、基板処理装置１内に未処理のウエハＷが搬入され、スピンチャック２に受け渡される。このとき、遮断板３は、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、スピンチャック２の上方に大きく離間した位置に退避されている。また、
ノズル３（アーム１２）は、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、スピンチャック２の上方から退避されている。
【００２８】
　スピンチャック２にウエハＷが保持されると、モータ８が駆動されて、ウエハＷの回転が開始される。ウエハＷの回転速度は、たとえば、１０００ｒｐｍである。
　そして、
薬液バルブ３５が開かれて、薬液ノズル３３から回転中のウエハＷの表面の中央に向けて、薬液が供給される。薬液としては、たとえば、ふっ酸が供給される。ウエハＷの表面中央に供給された薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷの周縁部に拡がり、ウエハＷの表面の全域に供給される。その結果、ウエハＷの表面全域が薬液により処理（ふっ酸により洗浄）される（薬液処理）。ウエハＷの表面に薬液が所定時間にわたって供給されると、薬液バルブ３５が閉じられて、薬液処理が終了する。
【００２９】
　そして、純水バルブ１６が開かれて、スピンチャック２によりウエハＷが回転されつつ、
そのウエハＷの表面にノズル３から純水が供給される。
その結果、純水がウエハＷの表面の全域にむらなく供給され、ウエハＷの表面に付着している薬液が純水で洗い流される
リンス処理
【００３０】
　ウエハＷの表面に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。ウエハＷから飛散した純水は、カップ２９の底部に集められ、廃液ライン３０を介して廃棄される。
　なお、純水の供給時に、ノズル３がウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に移動せずに、ノズル３がウエハＷの上方に固定された状態でウエハＷに純水を供給してもよい。
【００３１】
　
純水バルブ１６が開かれてから予め定める時間が経過すると、純水バルブ１６が閉じられる（時刻Ｔ１）
　次いで、
ウエハＷを乾燥させるための乾燥処理が行われる。
ＩＰＡバルブ２０が開かれて、ＩＰＡノズル２１からウエハＷの表面にＩＰＡ液が供給される（時刻Ｔ２）。また、温水バルブ１０が開かれて、裏面ノズル１１からウエハＷの裏面に温水が供給される（時刻Ｔ２）。
【００３２】
　
ウエハＷの裏面への温水の供給により、ウエハＷが加温される。この加温されたウエハＷの表面にＩＰＡ液が供給されることにより、ＩＰＡ液は、ウエハＷを介して加温される。これにより、ウエハＷの表面上でのＩＰＡ液の温度がＩＰＡの沸点（約８２．５℃）程度まで上昇し、ウエハＷの表面上の純水がＩＰＡ液と良好に置換される。
　また、
ウエハＷの表面にＩＰＡ液が供給されている間、ウエハＷは、予め定める回転速度（たとえば、１０００ｒｐｍ）で回転されている。これにより、ＩＰＡ液がウエハＷの表面の全域にむらなく行き渡り、ウエハＷの表面の全域において、純水とＩＰＡ液との良好な置換が達成される。
【００３３】
　温水バルブ１０が開かれてから予め定める時間が経過すると、温水バルブ１０が閉じられる（時刻Ｔ３）。温水バルブ１０が閉じられた後も、ウエハＷの表面へのＩＰＡ液の供給は継続されている。そのため、ウエハＷの裏面への温水の供給停止後に、ウエハＷの裏面に残留する温水が周端面を伝って表面の周縁部に回り込むことを防止することができる。その結果、基板の表面の周縁部における温水の蒸発に伴うパターン倒壊や温水の乾燥跡の発生などを防止することができる。
【００３４】
　
温水バルブ１０が閉じられてから予め定める時間が経過すると、ＩＰＡバルブ２０が閉じられる（Ｔ４）。そして、モータ８の駆動が制御されて、ウエハＷの回転速度が予め定める回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）に上げられる。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＩＰＡ液およびウエハＷの裏面に付着している温水が遠心力により振り切られて除去される。
（エ）「【００４０】
　なお、
前述の実施形態では、温水の供給開始とＩＰＡの供給開始とは、同じタイミング（時刻Ｔ２）で行われたが、純水の供給停止（時刻Ｔ１）後、ＩＰＡの供給開始（時刻Ｔ２）に先立って、温水の供給が開始（図３に破線で示す時刻Ｔ６）されてもよい。
【００４１】
　また、ウエハＷの表面と遮断板４との間に窒素ガスが供給されるとしたが、ウエハＷの表面と遮断板４との間に、窒素ガスに代えて、ＩＰＡベーパ（ＩＰＡ蒸気）またはドライエア（水分が除去された空気）が供給されてもよい。
  また、ＩＰＡ液は、ウエハＷの表面への供給前に、常温以上沸点以下に加温されていてもよい。ＩＰＡ液が加温されていることで、温水との温度差が小さくなり、温水によるウエハＷおよびＩＰＡ液の加温効率を向上させることができる。」
　また、技術常識を参酌すれば、段落【００２５】の「基板処理装置１は、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御部３１を備えている。マイクロコンピュータには、ＣＰＵ、
ＲＡＭおよびＲＯＭ
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されていると認める。
　「ウエハＷの表面全域を薬液で処理した後、ウエハＷを純水でリンス処理し、その後、ウエハの表面にＩＰＡ液を供給することにより乾燥処理する基板処理方法において、
　ウエハＷの表面に純水を供給し、リンス処理する工程と、
　ウエハＷの表面に純水を供給した後の前記ウエハＷの裏面に温水を供給してウエハＷを加温する工程と、
　ウエハＷの表面に純水を供給した後のウエハＷの表面へＩＰＡ液を供給する工程と、
　ウエハＷへのＩＰＡ液の供給を停止する工程と、
　ウエハＷの表面に付着しているＩＰＡ液を除去してウエハＷを乾燥する工程と、を有し、
　ウエハＷを加温する工程は、純水でリンス処理する工程の後に、温水をウエハＷの裏面に供給することによって、ＩＰＡ液を供給する工程よりも前に開始され、ＩＰＡ液を供給する工程でウエハＷの表面にＩＰＡ液を供給するとともにウエハＷの裏面に温水を一定時間供給して、ウエハＷの表面上でＩＰＡ液の温度がＩＰＡ液の沸点（約８２．５℃）程度まで上昇させる基板処理方法。」（以下「引用発明１Ａ」という。）
「ウエハＷの表面全域を薬液で処理した後、ウエハＷを純水でリンス処理し、その後、ウエハの表面にＩＰＡ液を供給することにより乾燥処理する基板処理装置において、
　ウエハＷの表面に純水を供給するための純水バルブ１６，ノズル３、及びウエハＷの裏面に温水を供給するための温水バルブ１０，裏面ノズル１１と、
　ウエハＷの表面にＩＰＡ液を供給するためのＩＰＡノズル２１と、
　ウエハＷに温水を供給してウエハＷを加温する裏面ノズル１１と、
　純水バルブ１６の開閉、温水バルブ１０の開閉、ＩＰＡバルブ２０の開閉を制御する制御部３１とを有し、
　制御部３１は、
　ノズル３からウエハＷの表面に純水を供給し、リンス処理する工程と、
　裏面ノズル１１からウエハＷの表面に純水を供給した後のウエハＷの裏面に温水を供給してウエハＷを加温する工程と、
　ＩＰＡノズル２１からウエハＷの表面に純水を供給した後のウエハＷの表面へＩＰＡ液を供給する工程と、
　ＩＰＡノズル２１からウエハＷへのＩＰＡ液の供給を停止する工程と、
　ウエハＷの表面に付着しているＩＰＡ液を除去してウエハＷを乾燥する工程と、を有し、
　ウエハＷを加温する工程は、純水でリンス処理する工程の後に、温水をウエハＷの裏面に供給することによって、ＩＰＡ液を供給するよりも前に開始され、ＩＰＡ液を供給する工程でウエハＷの表面にＩＰＡ液を供給するとともにウエハＷの裏面に温水を一定時間供給して、ウエハＷの表面上でＩＰＡ液の温度がＩＰＡ液の沸点（約８２．５℃）程度まで上昇させる基板処理装置。」（以下「引用発明１Ｂ」という。）
「ウエハＷの表面全域を薬液で処理した後、ウエハＷを純水でリンス処理し、その後、ウエハの表面にＩＰＡ液を供給することにより乾燥処理する基板処理装置において、
　ウエハＷの表面に純水を供給するためのノズル３、及びウエハＷの裏面に温水を供給するための温裏面ノズル１１と、
　ウエハＷの表面にＩＰＡ液を供給するためのＩＰＡノズル２１と、
　ウエハＷに温水を供給してウエハＷを加温する裏面ノズル１１と、
　基板処理のプログラムを記録したマイクロコンピュータ読み取り可能な記録媒体を有し、
　基板処理のプログラムは、
　ノズル３からウエハＷの表面に純水を供給し、リンス処理する工程と、
　裏面ノズル１１からウエハＷの表面に純水を供給した後のウエハＷの裏面に温水を供給してウエハＷを加温する工程と、
　ＩＰＡノズル２１からウエハＷの表面に純水を供給した後のウエハＷの表面へＩＰＡ液を供給する工程と、
　ＩＰＡノズル２１からウエハＷへのＩＰＡ液の供給を停止する工程と、
　ウエハＷの表面に付着しているＩＰＡ液を除去してウエハＷを乾燥する工程と、を有し、
　ウエハＷを加温する工程は、純水でリンス処理する工程の後に、温水をウエハＷの裏面に供給することによって、ＩＰＡ液を供給するよりも前に開始され、ＩＰＡ液を供給する工程でウエハＷの表面にＩＰＡ液を供給するとともにウエハＷの裏面に温水を一定時間供給して、ウエハＷの表面上でＩＰＡ液の温度がＩＰＡ液の沸点（約８２．５℃）程度まで上昇させる基板処理装置。」（以下「引用発明１Ｃ」という。）
イ　刊行物２
　刊行物２には、図２とともに以下の記載がある。
「【００２６】
　
ウェーハの洗浄シーケンスを図２に基づいて説明する。
基板表面のパーティクルや有機物、金属汚染物を除去するための薬液で洗浄する。次に、ステップＳ２でウェーハ上の薬液を置換するために２０〜２５℃程度の純水リンスを流量：２７Ｌ/ｍｉｎで導入しながら、回転軸３を回転数：２００ｒｐｍにて３０ｓｅｃ処理し、その後流量：２７Ｌ/ｍｉｎで導入しながら、回転軸３を回転数：５０ｒｐｍにて３０ｓｅｃ実施する。その後、ステップＳ３にてウェーハおよび処理槽の乾燥を促進させるために温純水リンスを実施する。
【００２７】
　
ステップＳ４では、前工程により温度上昇したウェーハおよび処理槽を冷却するために純水リンスを実施する。この際の純水の温度としては、ステップＳ３の温度以下であればよく、例えば２０〜２５℃の常温の純水が適切である。
【００２８】
　
最後にステップＳ５で、スピンドライ処理を実施して、ウェーハ表面の水分を除去する。このスピンドライ処理ではたとえば、密閉構造の処理槽１内に不活性ガス(窒素)を流量：２００Ｌ/ｍｉｎで導入しながら、回転軸３を回転数：５００ｒｐｍ、回転時間：６００ｓｅｃにて回転させて、遠心力によりウェーハ上の水分を除去する。装置構造を防爆仕様にして、窒素に代えてイソプロピルアルコールを蒸気状にして導入してもよい。
　よって、刊行物２には、基板表面を薬液で洗浄し、ウェーハ上の薬液を置換するために２０〜２５℃程度の純水リンスを実施し、その後ウエーハ及び処理槽の乾燥を促進させるために９０〜９５℃の温純水リンスを実施し、その後、ウェーハおよび処理槽を冷却するために２０〜２５℃の常温の純水リンスをした後、イソプロピルアルコールを蒸気状に導入しながら、スピンドライ処理を実施して、ウェーハ表面の水分を除去するウェーハの洗浄シーケンスが記載されていると認められる。
ウ　刊行物３
　刊行物３には、図１とともに以下の記載がある。
「【０００９】以上に説明した
基板洗浄装置
回転テーブル３を略１５〜３０ｒｐｍの低速度で回転させた状態で略６０〜８０℃の高温純水リンス処理を行う。
　よって、刊行物３には、基板洗浄工程において、被洗浄基板２のパターン面上に略６０〜８０℃の高温純水リンス処理を行う旨の記載があると認められる。
（４）判断
ア　請求項１に係る発明について
（ア）対比
　ａ　請求項１に係る発明と引用発明１Ａとを対比すると、両者は、下記の点で相違し、その余の点で一致すると認める。
＜相違点１＞
　請求項１に係る発明には、「基板を加熱する工程は、前記処理液で処理する工程の途中から加熱した処理液を前記基板の裏面に供給すること」と特定されているのに対し、引用発明１Ａにはそれについて特定されていない点。
＜相違点２＞
　請求項１に係る発明には、「前記基板の表面が前記揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように前記基板が加熱される」と特定されているのに対し、引用発明１Ａにはそれについて特定されていない点。
　ｂ　なお、特許異議申立人は、上記相違点２に係る構成について、次のとおり主張する。
「刊行物１の図３には、ウエハＷの表面にＩＰＡ液が供給される期間（Ｔ２〜Ｔ４）の序盤（Ｔ２〜Ｔ３）にウエハＷを加熱することが開示されている。ウエハＷの表面がＩＰＡ液から露出するタイミングはＩＰＡ液が供給期間（Ｔ２〜Ｔ４）後であることを考慮すると、刊行物１においては、ウエハＷの表面がＩＰＡ液から露出するよりも前のタイミングでウエハＷが加熱される旨が実質的に開示されている。
　また、本件明細書の段落【００５８】には、温度が２５度で湿度が７０％のときは露点温度が１９．１℃であり湿度が９０％となると露点温度２３．２℃である旨が記載されている。他方、刊行物１の明細書の段落【００３２】には、ウエハＷを介してＩＰＡ液を加熱してウエハＷの表面上でのＩＰＡ液の温度がＩＰＡの沸点（約８２．５℃）程度まで上昇する、旨が記載されている。ウエハＷを介してＩＰＡを加熱している以上、この時点でのウエハＷの表面の温度８２．５℃以上（すなわち、露点温度以上）であると考えられる。
　よって、刊行物１には、本願請求項１に係る発明の基板の表面が揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように前記基板２が加熱されることが記載されている」
　しかし、特許異議申立人の上記の主張は採用できない。その理由は以下のとおりである。
　上記（３）ア（ウ）によれば、刊行物１には、「ウエハＷの表面上でのＩＰＡ液の温度がＩＰＡの沸点（約８２．５℃）程度まで上昇し、ウエハＷの表面上の純水がＩＰＡ液と良好に置換される。」（段落【００３２】）との記載があるものの、どの時点でウエハＷの表面がＩＰＡ液から露出するのか記載されていないため、ウエハＷの表面がＩＰＡ液から露出するよりも前に、ウエハＷの表面温度が露点温度よりも高くなるようにウエハＷを加熱するとまで記載されているとは認められない。
　さらに、上記（３）ア（ア）及び（ウ）より、刊行物１に記載の発明は、基板の表面上での低表面張力液体（ＩＰＡ液）の温度を常温以上に上昇させ、基板の表面上のリンス液（純水）と低表面張力液体（ＩＰＡ液）との置換効率を向上させ、基板の表面からリンス液を良好に除去するとの作用効果を奏することが認められるにとどまり（段落【０００６】，【００３２】参照）、本願明細書に記載の「揮発性処理液を用いた乾燥処理において、基板の表面が揮発性処理液から露出する前に基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように基板を加熱することで、
乾燥処理時に揮発性処理液の気化熱によって基板の表面温度が低下しても、乾燥処理中の基板の表面温度が露点温度よりも高くなっているために、基板の表面で結露が生じることがなく
　したがって、刊行物１には、本願の請求項１に係る発明の「前記基板の表面が前記揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように前記基板が加熱される」が記載されているとは認められない。
（イ）相違点の検討
　ａ　相違点１について
　上記（３）イのとおり、刊行物２には、ウエーハの裏面に温純水により基板を加熱すること、及び、表面に純水リンスを行っている途中に温純水リンスを行う（純水リンスと温純水リンスを基板に同時に供給する）ことについて記載又は示唆されているとは認められない。よって、上記相違点１は、刊行物２には記載も示唆もされていないと認められる。
　また、上記（３）ウより、上記相違点１は刊行物３に記載も示唆もされていないと認める。
　したがって、上記相違点１は、刊行物２及び３のいずれにも記載も示唆もされていない。
　ｂ　相違点２について
　刊行物２には上記（３）イのとおりの事項が記載されていると認められ、上記相違点２について記載又は示唆されているとは認められない。
　また、上記（３）ウより、上記相違点２は、刊行物３に記載も示唆もされていないと認める。
（ウ）小括
　以上のとおりであるから、請求項１に係る発明は、刊行物１ないし３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　イ　請求項２ないし４に係る発明について
　請求項２ないし４に係る発明は、請求項１に係る発明を更に減縮したものであるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、上記刊行物１ないし３に記載の発明から当業者が容易になし得るものではない。
　以上のとおりであるから、請求項２ないし４に係る発明は、刊行物１ないし３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　ウ　請求項５に係る発明について
（ア）対比
　ａ　請求項５に係る発明と引用発明１Ｂとを対比すると、両者は、下記の点で相違し、その余の点で一致すると認める。
＜相違点１＞
　請求項５に係る発明には、「基板を加熱する工程は、前記処理液で処理する工程の途中から加熱した処理液を前記基板の裏面に供給すること」と特定されているのに対し、、引用発明１Ｂにはそれについて特定されていない点。
＜相違点２＞
　請求項５に係る発明には、「前記基板の表面が前記揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように前記基板が加熱される」と特定されているのに対し、引用発明１Ｂにはそれについて特定されていない点。
　
（イ）相違点の検討
　ａ　相違点１について
　上記ア（イ）ａの理由により刊行物２及び３には、相違点１について記載も示唆もされていないと認める。
　ｂ　相違点２について
　上記ア（イ）ｂの理由により刊行物２及び３には、相違点２について記載も示唆もされていないと認める。
（ウ）小括
　以上のとおりであるから、請求項５に係る発明は、刊行物１ないし３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
エ　請求項６ないし８に係る発明について
　請求項６ないし８に係る発明は、請求項５に係る発明を更に減縮したものであるから、上記請求項５に係る発明についての判断と同様の理由により、上記刊行物１なし３に記載の発明から当業者が容易になし得るものではない。
　以上のとおりであるから、請求項６ないし８に係る発明は、刊行物１ないし３に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
オ　請求項９に係る発明について
（ア）対比
　ａ　請求項９に係る発明と引用発明１Ｃとを対比すると、両者は、下記の点で相違し、その余の点で一致すると認める。
＜相違点１＞
　請求項９に係る発明には、「基板を加熱する工程は、前記処理液で処理する工程の途中から加熱した処理液を前記基板の裏面に供給すること」と特定されているのに対し、、引用発明１Ｃにはそれについて特定されていない点。
＜相違点２＞
　請求項９に係る発明には、「前記基板の表面が前記揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように前記基板が加熱される」と特定されているのに対し、引用発明１Ｃにはそれについて特定されていない点。
　
（イ）相違点の検討
　ａ　相違点１について
　上記ア（イ）ａの理由により刊行物２及び３には、相違点１について記載も示唆もされていないと認める。
　ｂ　相違点２について
　上記ア（イ）ｂの理由により刊行物２及び３には、相違点２について記載も示唆もされていないと認める。
（ウ）小括
　以上のとおりであるから、請求項９に係る発明は、刊行物１ないし３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３）小括
　したがって、異議申立て理由２に理由はない。
６　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申し立ての理由及び証拠によっては、請求項１−９に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１−９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１月２２日（２０１６．１．２２）