【事件の表示】
　特願２００２−１８５０４５「回転角速度センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月　３日出願公開、特開２００３−　９７９５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年１０月２日（パリ条約による優先権主張１９９０年１０月１３日、独国）に出願した特願平３−２５３９８７号の一部を平成１４年６月２５日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１ないし３に係る発明は、平成１５年７月１６日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１には次のとおり記載されている。
「【請求項１】　第１及び第２の層（１０，２１）を備えた多層式センサを有する回転角速度センサであって、
　第１の層が、主平面を有する単結晶シリコンのほぼ平らな支持体（１０）であり、
　第２の層（２１）が、ポリシリコンより成っていて、少なくとも１つの構造体部材（３０）を有していて、該構造体部材（３０）が、振動体として作動し、前記平らな支持体（１０）の主平面に対して平行に配向された少なくとも第１の方向（１）で振動運動するようになっており、
　前記構造体部材（３０）が、複数の支持ストリップ（３１）によって、前記平らな支持体（１０）の前記主平面上で支持されており、
　前記構造体部材（３０）が前記支持体（１０）の前記主平面に対して垂直な方向（２）で変位可能であって、
　また、前記支持体（１０）の主平面に対して垂直な、前記構造部材（３０）のコリオリ力の変位（２）を検出するための、第２の層から形成された容量式又は圧電式の検出手段（１７，１８１；２１，１８２）が設けられていることを特徴とする、回転角速度センサ。」（以下、「本願発明１」という。）
　
２．引用刊行物
（１）刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６０−１１３１０５号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　ア「フォトリソグラフィとエッチング加工法により、半導体基板より一定間隙をもって振動による慣性変換部を形成する第１電極及びコリオリ力を検出するための第２電極を一体に形成し、上記第２電極と上記半導体基板との間に形成される静電容量の変化に基づいて上記コリオリ力を検出することを特徴とする振動式角速度計」（１頁左下欄５〜１１行）、
　イ「第２図において、５は長方体のシリコン等の半導体基板、６はこの基板上に形成されたＳｉＯ２等の絶縁膜、７はこれら両者の中央部において基板をエッチングして形成された間隙部、Ｄはその間隙部の距離を示す。８は絶縁膜６の中央部を間隙部７に貫通して長手方向に形成された小判形の穴、９はこの小判形穴８のまわりに絶縁膜６上に形成されて穴８の縁に沿った長手方向に電気抵抗が高くなるような狭部９ａ、９ｂを有する第１電極であり、慣性変換部を構成している。１０、１１はこの第１電極９の両端にボンディングで接続されたリード線であり、外部の交流発振器１２に接続されている。１３及び１４は絶縁膜６上に形成されたコリオリ力検出用の第２電極で、第１電極９の狭部９ａ、９ｂの外側に一定の面積を有して形成されており、基板５と間隙部７を介して対向し、両者間に夫々静電容量Ｃ１、Ｃ２（Ｃ２は図示せず）が形成されている。１５、１６はこれら第２電極にボンディングで接続されたリード線を示す。Ｚは測定すべき角速度Ωの与えられる回転軸であり、小判形穴８の長手方向中心軸にほぼ一致している。」（２頁右上欄６行〜左下欄７行）
　ウ「次に第３図により、このような構成の角速度計を半導体製造工程により一体化して製作する場合の手順を説明する。・・・工程（１）で基板５の上面に一定厚さのＳｉＯ２による酸化絶縁膜６を形成する。・・・工程（５）で半導体基板５をエッチングして間隙部７を作る。・・・次に工程（６）において第１電極９、その狭部９ａ、９ｂ並びに第２電極１２、１３のパターンを残して再びクローム、金をエッチングする。このような工程（１）〜（６）は半導体の製造では一般に用いられてる技術であり、・・・このような汎用技術を用いて容易に一体化して製造することが可能である。」（２頁左下欄８行〜右下欄８行）
　エ「次に動作につき説明する。・・・交流発振器１２は一定周期Ｔを有するパルス電流ｉｐをリード線１０、１１を介して第１電極９の狭部９ａ、９ｂに供給する。パルス電流ｉｐの周波数は小判形穴８近傍の絶縁膜の固有振動数に等しく選定されている。この電流ｉｐが第１電極９の狭部９ａ、９ｂを流れると、この部分の電気抵抗が高いので、パルスのオン期間に発熱して小判形穴の周囲が膨張し、絶縁膜６は小判形穴８の中心部に向かって矢印ｖで示す方向にたわむ。ｉｐのオフ期間では発熱が無いので、膨張作用は解除され小判形穴の周囲は反動としてｖとは反対方向のｖ’方向にたわむ。この結果小判形穴８の周囲は、周期Ｔで矢印ｖ、ｖ’で示すような絶縁膜６の面内方向の振動が発生する。・・・軸ｚが角速度Ωをもって回転すると、この振動速度と角速度Ωの積に比例したコリオリ力Ｆｃが小判形穴８の外側部分即ち第２電極１３、１４の部分に発生する。このコリオリ力Ｆｃの発生方向は矢印ｖの振動方向に対して直角方向であり、かつ電極１３、１４の部分では図示のように方向が１８０度異なる。このようなコリオリ力Ｆｃの発生によって第２電極１３、１４は基板５に対してその対向間隙の距離Ｄを周期的に変化させるように互いに逆位相で振動するので、基板５との間に形成されている静電容量Ｃ１、Ｃ２も差動的に変化する。・・・Ｃ１、Ｃ２より角速度Ωを適当な演算手段を介して求めることができる。」（２頁右下欄９行〜３頁左下欄２行）
　オ「第４図は本発明の他の実施例を示すものであって、第２図との相違点は絶縁膜６の一端部を１７の部分で基板５より切り離して片持ち支持とすると共に、小判形穴８の一端部１８も切離し部分１７に開口するようにし、全体を音叉形状にしたものである。・・・本発明の実施例において、コリオリ力検出用の第２電極は一対の電極１３、１４を用い、差動的な容量変化Ｃ１、Ｃ２を利用する例を説明したが、精度要求が低い場合では片側のみで実現することも可能である。又慣性変換部の振動の発生手段も実施例に限定されるものではなく、圧電素子等の接着等でも可能であるが、・・・ＳＮ比の高い角速度計が得られる。」（３頁左下欄３行〜右下欄６行）
　
（２）刊行物２
　同じく引用された特開昭６１−１００６２７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　ア「本発明は半導体基板に加えられた力によって生ずる歪を、周波数信号として出力する振動式歪センサに関するものである。」（１頁右下欄１〜３行）
　イ「第１図（ａ）は本発明に係る振動式歪センサの一実施例を示す要部拡大断面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の要部平面図、第２図はブリッジの製作工程を示す説明図である。第２図において、１はｎ形の半導体基板、２，２ａはこの半導体基板１の上に所定の間隔ｄを隔てて拡散されたｐ＋の拡散層である。３はＳｉＯ２等の保護膜でｐ＋の拡散層２，２ａを覆って形成されており、この保護膜３の上に帯状のポリシリコン４を形成する。この場合ポリシリコンの両端は半導体基板１上に位置するように形成される。その後ポリシリコン４をレーザービーム等で短時間加熱を行ない再結晶させる。次に弗酸で保護膜ＳｉＯ２を選択的にエッチングすると第１図（ａ）に示す如く半導体基板１上にブリッジ４を形成することができ、半導体基板１とブリッジ４の間でコンデンサを構成する。そして、第１図（ｂ）に示す如く２つのｐ＋層２，２ａから電極を取り出し発振回路５を介して直流バイアス電圧を加えるとともに正帰還発振をするように構成すれば、ブリッジ４は固有振動数により発振する。この半導体基板１が力を受けて歪んだ場合、ブリッジ４にも歪みが発生し、その力の強さに応じて発振周波数が変化するので、半導体基板に加えられた力を測定することができる。」（２頁左上欄１９行〜左下欄２行）
　
３．対比・判断
　本願発明１と刊行物１に記載された発明とを対比する。
（１）刊行物１記載の「半導体基板５」が、本願発明１の第１の層である「支持体」に相当する。刊行物１記載の「半導体基板５」は、平らな面からエッチングにより間隙部７となる凹部を形成し、その凹部底面であって絶縁膜６に対向する部分が平面をなしているから、この平面部が、本願発明１の「主平面」に相当する。また、刊行物１には「５はシリコン等の半導体基板」（上記摘記事項イ参照）と記載されており、シリコンが単結晶である点は明記されていないが、半導体製造の技術分野においてはシリコン基板として単結晶シリコンをスライスしたいわゆるシリコンウエハを用いることが技術常識であることから、刊行物１記載の「シリコン等の」半導体基板は、本願発明１の「単結晶シリコンの」支持体と実質的に異ならない。
（２）刊行物１記載の「絶縁膜６とその上に形成された第２電極１３、１４」が、本願発明１の第２の層である「構造体部材」に相当する。刊行物１記載の「絶縁膜６とその上に形成された第２電極１３、１４」は、半導体基板５の平面部と平行に向けられた方向であるｖ及びｖ’方向に振動運動する振動体として作動する。
（３）刊行物１記載の「絶縁膜６とその上に形成された第２電極１３、１４」は、角速度Ωで回転すると、コリオリの力Ｆｃの発生によって、Ｆｃ方向、すなわち半導体基板５の平面部に対して垂直な方向で変位するものであるから、本願発明１でいう支持体の主平面に対して垂直な方向に変位可能であることと異ならない。
（４）刊行物１記載の振動式角速度計は、絶縁膜６の上に形成された第２電極１３、１４と基板５との間に形成される静電容量Ｃ１、Ｃ２から演算により角速度Ωを求めるものであるから、半導体基板５の平面部に対して垂直な、絶縁膜６とその上に形成された第２電極１３、１４のコリオリ力の変位を検出するための容量式の検出手段が設けられている回転角速度センサである。
　そうすると、以上（１）ないし（４）から、両者は、「第１及び第２の層を備えた多層式センサを有する回転角速度センサであって、第１の層が、主平面を有する単結晶シリコンの支持体であり、第２の層が、少なくとも１つの構造体部材を有していて、該構造体部材が、振動体として作動し、前記支持体の主平面に対して平行に配向された少なくとも第１の方向で振動運動するようになっており、前記構造体部材が前記支持体に支持されており、前記構造体部材が前記支持体の前記主平面に対して垂直な方向で変位可能であって、また、前記支持体の主平面に対して垂直な、前記構造部材のコリオリ力の変位を検出するための、第２の層から形成された容量式又は圧電式の検出手段が設けられている回転角速度センサ」である点で一致し、次の相違点１ないし３で相違する。
　相違点１：主平面を有する支持体について、本願発明１の支持体はほぼ平らなものであるのに対し、刊行物１記載の半導体基板５は、平らな面からエッチングにより間隙部７となる凹部を形成しその凹部底面を主平面とするものである点。
　相違点２：第２の層が、本願発明１はポリシリコンから成るのに対し、刊行物１記載のものは、絶縁膜６とその上に形成された第２電極１３、１４とから成る点。
　相違点３：構造体部材が、本願発明１は複数の支持ストリップによって支持されているのに対し、刊行物１記載のものは複数の支持ストリップを介さず直接半導体基板５（「支持体」に相当）に支持されている点。
　
　上記相違点について検討するに、相違点１については、半導体製造技術により第１の層の上側に間隔をもって第２の層を形成する際に、第１の層をエッチングすることなくほぼ平らなままとし、第１の層の上側の中間層をエッチングすることにより第２の層を間隔をもって形成することは周知（例えば、刊行物２記載のブリッジ４（第２の層に相当）とｎ形の半導体基板１（第１の層に相当）参照）であるから、上記相違点１に係る構成は、刊行物１記載の半導体基板５をエッチングすることに代えて上記周知技術を適用することにより当業者が容易になし得たものである。
　次に、相違点２については、第１及び第２の層を備えた多層式センサにおいて、第２の層がポリシリコンより成るものは周知である（例えば、刊行物２（ブリッジ４参照）、特開昭５９−３８６２１号公報（そこには、「第１ａ図・・・第１ｃ図は本発明の第１実施例を示している。・・・この振動分析装置は、シリコン基板１００上に複数の可動片２００が片持梁のような形態で設けられている。・・・可動片２００は導電性物質であるポリシリコンで形成され、基部側と振動部位側が階段状に折れ曲がった短冊形をなしている。・・・シリコン基板１００の表面側で可動片２００の振動部位と対向する位置にはＰ＋拡散層１２が形成されていて、このＰ＋拡散層１２を上記可動電極２００と対をなす固定電極層としている。・・・可動電極２００と固定電極層１２とで１つのコンデンサが構成されていて、このコンデンサの容量は・・・可動電極２００の振動に応じて変化する。」（２頁左下欄１８行〜３頁左上欄１０行）こと、及び「次に、第１１図に従って、この発明の第７実施例について説明する。第１１図はＰ型シリコン基板１００を用いた振動分析装置の製造工程を示す図であり、特に上述した可動片２００とこの可動片によって形成される可変コンデンサ２０の部分についての製造工程を示している。・・・次に、基板１００上とスペーサ３９上にわたってポリシリコンからなる可動片２００を形成するとともに・・・ポリシリコン配線電極１３を形成する。」（７頁左下欄１９行〜８頁左上欄１４行）ことが記載されている。）、特開昭６０−５５６５５号公報（そこには、「第１図は、この発明の一実施例を示すものである。１は基板９上に片持梁のような形態で設けられ独自の固有振動数を有する可動梁で、電極層を構成する耐アルカリエッチ性の高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３がやはり耐アルカリエッチ性のナイトライド膜５、７でサンドイッチされた三層構造である。一方、基板９には可動梁１に対向して・・・Ｐ＋領域１３が形成されている。当該Ｐ＋領域１３は、固定電極層となっており、可動梁１の高濃度Ｐ＋ポリシリコン膜３との間でコンデンサを形成している。・・・次に、この半導体装置の製造工程を第２図の（Ａ）乃至（Ｈ）にしたがって説明する。・・・まず、Ｎ型Ｓｉの基板９に・・・形成する。」（２頁左上欄１４行〜左下欄３行）ことが記載されている。）参照）。したがって、刊行物１記載の絶縁膜６とその上に形成された第２電極１３、１４とに代えて、上記周知のポリシリコンより成る層を適用して本願発明１のごとく構成することは当業者が容易になし得たものである。
　次に、相違点３については、複数の支持ストリップにより支持する点は、支持手段として周知（例えば、実願昭５９−４０１６１号（実開昭６０−１５２９０９号）のマイクロフィルム（そこには、「基板１はその中央部に、上下のリガメント２，３により支持された振動板４と、この振動板４の両側にコリオリ力検出部５，６を有している。コリオリ力検出部５，６は、上部および下部をそれぞれ２本のリガメント７，８によって支持されており、そのほぼ中央部で連結部９によって一辺が振動板４に連結されている。・・・上記構成において、振動板４が図示しない発振回路によって励振されると、振動板４は矢印Ａ方向に基板１に対して水平に振動する。そして振動板４が振動している状態で、測定すべき角速度Ωが与えられると、コリオリ力検出部５，６に角速度Ωに比例したコリオリ力によるトルクが、矢印Ｂ方向に基板１に対して垂直に作用する。このコリオリ力を電磁誘導や静電容量の変化に変換して角速度計の出力として取り出している。」（明細書２頁６行〜３頁６行）ことが記載されており、「リガメント７、８」が「複数の支持ストリップ」に相当する。）、特開昭６２−２７６６６号公報（「屈曲ブレード４２、４２’」）参照）であり、刊行物１記載の支持手段に代えて前記周知の支持手段を適用して本願発明１のごとく構成することは当業者が容易になし得たものである。
　そして、本願発明１の奏する効果についても、上記刊行物１及び周知技術に基づいて当業者が容易に予測し得る範囲内のものである。
　
　なお、請求人は、審判請求書において、「つまり、引用例１（当審注：「刊行物１」）のものは、シリコン基板上に可動エレメントを備えた回転角速度計に関するものではあるが、可動エレメントは、本願のものにおけるようにポリシリコンから成っているのではなく、・・・また引用例２（当審注：「刊行物２」）のものは、単結晶シリコン基板上にポリシリコンエレメントを備えたセンサについて記載されているが、これは回転角度センサではなく、運動はもっぱら基板に対して垂直な方向で行われるものである。従って引用例１のものと引用例２のものとを組み合わせて、当業者が、前記本願のものにおけるような、ポリシリコンより成るエレメントがシリコン基板の表面に対して平行な方向で振動する回転角度センサを容易に推考できたものでは決してない。」旨主張している。
　しかしながら、上記相違点２の判断において述べたとおり、第１の層であるシリコン基板の上側に間隔をもって設けた可動エレメントとなる第２の層を、ポリシリコンで形成することは周知であり、当該周知技術は半導体製造技術を用いた第１及び第２の層を備えた多層式センサに適用可能なものであるから、刊行物１記載の第１及び第２の層を備えた多層式センサを有する回転角速度センサに適用する点に格別困難性はないというべきであり、請求人の上記主張は採用できない。
　
 ５．むすび
  以上のとおりであるから、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明１が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２及び３に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。