【事件の表示】
　平成　６年特許願第２０８７１９号「ヘテロ接合を有する半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　３月２２日出願公開、特開平　８−　７８６６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年９月１日の出願であって、平成１４年１１月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月３日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年１２月３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年１２月３日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正の内容は、特許請求の範囲を次のとおりに補正するとともに、発明の詳細な説明を補正するものである。
「【請求項１】　支持基板と、
　前記支持基板上に形成された第１の半導体層と、
　前記第１の半導体層の表面上に形成され、伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルが、前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なる第２の半導体層と
を有し、
　前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルに対応する前記第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位は、前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端よりも高く、前記第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルに対応する前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位は、前記第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端よりも高い半導体装置。
　　【請求項２】　さらに、前記支持基板と、前記第１の半導体層との間に形成され、前記第１の半導体層の電子親和力よりも大きな電子親和力を有する第３の半導体層を有する請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項３】　さらに、前記第２の半導体層の表面上に形成され、前記第２の半導体層とショットキ接合を形成する導電体層を有する請求項１または２に記載の半導体装置。
　　【請求項４】　前記導電体層は、前記第２の半導体層の所定領域にのみ形成されており、さらに、前記第３の半導体層のうち前記導電体層の下方のチャネル領域の両端とそれぞれオーミック接触された２つの電極を有する請求項３に記載の半導体装置。
　　【請求項５】　さらに、前記第１の半導体層と前記第３の半導体層との間に、前記第１の半導体層に接して形成され、伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルが、前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なる第４の半導体層を有する請求項４に記載の半導体装置。
　　【請求項６】　前記第２の半導体層から前記第１の半導体層を経由して前記第４の半導体層に流れる電流、及び前記第４の半導体層から前記第１の半導体層を経由して前記第２の半導体層に流れる電流が、伝導帯のエネルギ準位の差から期待される電流よりも少なくなるように前記第１、第２、及び第４の半導体層が構成されている請求項５に記載の半導体装置。」
　
（２）本件補正についての検討
（２−１）補正事項の整理
　補正事項を整理すると以下のとおりである。
（補正事項１）
　旧請求項１を削除する。
（補正事項２）
　旧請求項２を請求項１に繰り上げるとともに、次のように補正する。
「支持基板と、
　前記支持基板上に形成された第１の半導体層と、
　前記第１の半導体層の表面上に形成され、伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルが、前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なる第２の半導体層と
を有し、
　前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルに対応する前記第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位は、前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端よりも高く、前記第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルに対応する前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位は、前記第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端よりも高い半導体装置。」
（補正事項３）
　旧請求項３，４，５，６を、それぞれ請求項２，３，４，５に繰り上げる。
（補正事項４）
　請求項６を追加する。
（補正事項５）
　明細書の段落番号【００１０】を
「【００１０】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明の半導体装置は、支持基板と、前記支持基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層の表面上に形成され、伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルが、前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なる第２の半導体層とを有し、前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルに対応する前記第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位は、前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端よりも高く、前記第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルに対応する前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位は、前記第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端よりも高い。」に変更する。
（補正事項６）
　明細書の段落番号【００１１】を削除する。
　
（２−２）補正の適否についての検討
　以下、補正事項１ないし６について順次検討する。
（２−２−１）補正事項１について
　補正事項１は、旧請求項１を削除するものであるから、請求項の削除を目的とするものである。
　
（２−２−２）補正事項２について
　補正事項２は、旧請求項１の削除に伴い、旧請求項２を請求項１に繰り上げるとともに、独立形式として記載したものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−２−３）補正事項３について
　補正事項３は、旧請求項１の削除に伴い、旧請求項３，４，５，６を請求項２，３，４，５に繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２−２−４）補正事項４について
　補正事項４は、新たな請求項を追加するものであるから、請求項の削除、補正前発明と産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である発明の構成に欠くことができない事項の範囲内において、その補正前発明の構成に欠くことができない事項の全部又は一部を限定するものである特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。
　
（２−２−５）補正事項５について
　発明の詳細な説明の上記段落の補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載から自明の事項の範囲内におけるものであるから、特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものである。
　
（２−２−６）補正事項６について
　補正事項６は、旧請求項１の削除するとともに、旧請求項２を請求項１に繰り上たことに伴い、発明の詳細な説明の上記段落を削除するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、補正事項４を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項第１号乃至第４号に規定される事項を目的とするものに該当しないから、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年１２月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、以下のとおりのものである。
「支持基板と、
　前記支持基板上に形成された第１の半導体層と、
　前記第１の半導体層の表面上に形成され、伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルが、前記第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なる第２の半導体層と
を有する半導体装置。」
　
（１）引用例
　これに対して、原査定において拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−１８４９４０号公報（以下、「引用例」という。）には、第１図とともに、次のとおり記載されている。
「第１図(a)は本発明に係るAlGaAs／InGaAs系スードモルフィックHEMTのウェーハの帯構造図であり、第１図(b)は基底状態、第一励起状態及び第二励起状態の波動関数を示したグラフである。
　第１図(a)の帯構造図は、横方向にウェーハ表面（左側）からの距離、縦方向に電子エネルギーをとっている。
　図中３はGaAsからなるバッファ層であり、バッファ層３にはIn０．１５Ga０．８５Asからなる電子走行層２（厚み150Å）が接合されており、電子走行層２にはさらにn-Al０．２２Ga０．７８As層からなる電子供給層１（厚み300Å，ｎ＝2×10１８cm−３）が接合されている。そして電子供給層１内には電子供給層１と電子走行層２とのヘテロ接合界面から100Åの距離であり、電子エネルギーの低い位置に、３分子層程度のAlAsからなる実空間遷移抑制層４（厚み10Å）が設けられている。なお、上述の電子供給層１、電子走行層２、バッファ層３及び実空間遷移抑制層４はＭＢＥ（
Ｍ
Ｂ
Ｅ
　
　よって、引用例には、
「n-Al０．２２Ga０．７８As層からなる電子供給層と、
　前記n-Al０．２２Ga０．７８As層からなる電子供給層内に形成されるAlAsからなる実空間遷移抑制層と
を有するAlGaAs／InGaAs系スードモルフィックHEMT。」
が記載されている。
　
（２）対比
　本願発明と引用例に記載された発明（以下、「引用発明」という。）を対比すると、引用発明の「n-Al０．２２Ga０．７８As層からなる電子供給層」は、「AlAsからなる実空間遷移抑制層」により上層と下層に分割されているから、「n-Al０．２２Ga０．７８As層からなる電子供給層」の下層の表面上には、「AlAsからなる実空間遷移抑制層」が形成されており、また、「n-Al０．２２Ga０．７８As層からなる電子供給層」の下層と「AlAsからなる実空間遷移抑制層」とが半導体層であることは明らかであるから、引用発明の「n-Al０．２２Ga０．７８As層からなる電子供給層」の下層、「AlAsからなる実空間遷移抑制層」は、それぞれ、本願発明の「第１の半導体層」、「第２の半導体層」に相当する。
　さらに、引用発明の「AlGaAs／InGaAs系スードモルフィックHEMT」が半導体装置であることは明らかであるから、引用発明の「AlGaAs／InGaAs系スードモルフィックHEMT」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
　よって、両者は、「第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の表面上に形成される第２の半導体層と
を有する半導体装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］
　本願発明では、支持基板を有しているのに対して、引用発明では、支持基板について記載されていない点。
［相違点２］
　本願発明では、第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルが、第１の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なっているのに対して、引用発明では、第１の半導体層及び第２の半導体層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルについて記載されていない点。
　
（３）判断
　以下、上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　一般の半導体装置技術において、半導体層をGaAs基板等の支持基板上に形成することは、例えば、原審の拒絶理由通知書において引用した特開昭６２−８９３６５号公報（特に、第２図に関する説明参照）、特開平３−１１７６７号公報（特に、第１図に関する説明参照）等に記載されているとおり、本願出願前より周知の技術であるから、引用発明において、上記周知技術を採用することは、当業者が通常実施し得る事項に過ぎない。
［相違点２について］
　Al０．２２Ga０．７８Asの伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルがΓであること、及び、AlAsの伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルがＸであることは、当業者にとって自明の事項であるから（必要であれば、赤崎勇著，「アドバンスト　エレクトロニクスＩ-１　III-Ｖ族化合物半導体」，初版，株式会社培風館，１９９４年５月２０日，ｐ．１８８参照）、引例発明において、AlAsからなる実空間遷移抑制層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルは、n-Al０．２２Ga０．７８As層からなる電子供給層の下層の伝導帯のエネルギ準位の下端となる波数ベクトルと異なっている。
　したがって、この点は、相違点を構成するものとはいえない。
　
　よって、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし６に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおりに審決する。