【事件の表示】
　平成９年特許願第１１６３９号「複数のＩＣチップを備えた密封型半導体装置の構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年８月７日出願公開、特開平１０−２０９３７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成９年１月２４日の出願であって、平成１４年２月４日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年３月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１５日付で手続補正がなされ、つづいて当審において最後の拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１５年１０月２１日付で手続補正がなされ、さらに当審において平成１５年１０月２１日付の手続補正及び平成１４年４月１５日付の手続補正についての補正却下がなされ、その後再び最後の拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１６年５月２７日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１６年５月２７日付手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年５月２７日付手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲は次のとおり請求項１、２に補正された。
　「【請求項１】少なくとも上面に回路素子及びワイヤボンディングパッドの多数個を形成して成るメインＩＣチップと、片面に多数個の回路素子を形成して成る一つのサブＩＣチップと、これら両ＩＣチップを一緒に密封する合成樹脂製のパッケージ部とから成り、前記サブＩＣチップを、前記メインＩＣチップの上面側に、当該サブＩＣチップの片面における回路素子が前記メインＩＣチップにおける回路素子に対面するように下向きにして配設し、このサブＩＣチップの下面に形成した各電極パッド及び前記メインＩＣチップの上面に形成した各電極パッドの両方に突出する金製のバンプを設け、更に、前記サブＩＣチップを、前記メインＩＣチップに対して、その間に介挿した導電粒子入り接着フィルムにて、前記両バンプが当該接着フィルムを、前記メインＩＣチップにおける各電極パッドに設けたバンプと前記サブＩＣチップにおける各電極パッドに設けたバンプとが溶融することなく当該接着フィルムの中に食い込むように圧縮変形して接着したことを特徴とする複数のＩＣチップを備えた密封型半導体装置の構造。
　【請求項２】前記メインＩＣチップの上面と、これよりも上下面の面積が小さいサブＩＣチップの側面との間に、回路素子に対する耐防湿性に優れた合成樹脂による内部パッケージ層を、前記サブＩＣチップの全周囲にわたって形成する一方、前記パッケージ部を、両ＩＣチップに対する密着性に優れた合成樹脂製にして、前記両ＩＣチップ及び前記内部パッケージ層の全体を密封するように構成したことを特徴とする請求項１に記載の複数のＩＣチップを備えた密封型半導体装置の構造。」
　
（１）本件補正による請求項１について
　本件補正による請求項１は、補正前の平成１３年１１月５日付の手続補正書における請求項４に記載された「金製のバンプ」を「突出する金製のバンプ」と補正し、同じく請求項４に記載された「前記両バンプが当該接着フィルムを圧縮変形するようにして接着した」を、「前記両バンプが当該接着フィルムを、前記メインＩＣチップにおける各電極パッドに設けたバンプと前記サブＩＣチップにおける各電極パッドに設けたバンプとが溶融することなく当該接着フィルムの中に食い込むように圧縮変形して接着した」と補正したものである。
　そこで、上記補正について検討すると、補正前の「金製のバンプ」を「突出する金製のバンプ」とした補正は、バンプの形状を具体的に限定したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当し、補正前の「圧縮変形するようにして」を、「メインＩＣチップにおける各電極パッドに設けたバンプとサブＩＣチップにおける各電極パッドに設けたバンプとが溶融することなく接着フィルムの中に食い込むように圧縮変形して」とした補正は、圧縮変形の仕方を具体的に限定したものであって、同法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
（２）本件補正による請求項２について
　本件補正による請求項２は、補正前の平成１３年１１月５日付の手続補正書における請求項５に記載されたａ：「合成樹脂製の内部パッケージ層」を、「回路素子に対する耐防湿性に優れた合成樹脂による内部パッケージ層」と補正し、同じく請求項５に記載されたｂ：内部パッケージ層を「前記サブＩＣチップの全周囲にわたって形成した」を、「前記サブＩＣチップの全周囲にわたって形成する一方、前記パッケージ部を、両ＩＣチップに対する密着性に優れた合成樹脂製にして、前記両ＩＣチップ及び前記内部パッケージ層の全体を密封するように構成した」と補正し、さらに同じく請求項５に記載されたｃ：「請求項１〜４のうちいずれかに記載の」を、「請求項１に記載の」と補正したものである。
　そこで、上記補正について検討すると、ａ：での補正は、合成樹脂製の機能を具体的に限定したものであって、同法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当し、ｂ：での補正は、パッケージ部の材料とその構造を具体的に限定したものであって、同法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当し、さらにｃ：での補正は、補正前の請求項１〜３を削除したことに対して引用する請求項を整合させたものであって、同法第１７条の２第４項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的としたものに該当する。
　
　次に、本件補正後の請求項１、２のうち請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項
　当審の平成１６年３月３１日付の拒絶理由に引用された本願出願前に国内で頒布された刊行物である、特開平８−１２５１１２号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、特開平７−６６２４１号公報（以下、「引用刊行物３」という。）、及び実願昭６３−１２８３７６号（実開平２−５２３３９号）のマイクロフィルム（以下、「引用刊行物４」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）引用刊行物１
（１ａ）「【請求項１】 リードの内端部に第１のバンプを介して接続された第１の半導体素子と、前記リードを介して前記第１の半導体素子に対向し、前記リードあるいは当該リードの支持構造の厚さ寸法よりも高さの高い第２のバンプを介して当該第１の半導体素子に接続された第２の半導体素子とからなることを特徴とする半導体装置。
　・・・
【請求項３】 前記第１および第２の半導体素子の背面を露出させた状態で前記リードに対するボンディング部位を樹脂封止してなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】 第１および第２の半導体素子におけるボンディングパッドに第１および第２のバンプを形成する第１の工程と、前記第１のバンプを介して前記第１の半導体素子をリードの内端部に接続する第２の工程と、前記第１の半導体素子に対して前記リードを介して対向させた姿勢で、前記リードあるいは当該リードの支持構造の厚さ寸法よりも高さの高い前記第２のバンプを介して前記第２の半導体素子を前記第１の半導体素子に接続する第３の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】 前記第３の工程に引き続いて、前記第１および第２の半導体素子の背面を露出させた状態で前記第１および第２のバンプを含むボンディング部位を樹脂封止する第４の工程を行うことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（１ｂ）「【０００６】本発明の目的は、個々の半導体素子の形状や位置関係の制約を受けることなく、多様な形状の半導体素子の積層実装を可能にした半導体装置およびその製造技術を提供することにある。
　【０００７】本発明の他の目的は、多様な形状の半導体素子の積層実装を、高い信頼性をもって実現することが可能な半導体装置およびその製造技術を提供することにある。」
（１ｃ）「【００１１】【作用】上記した手段によれば、第１の半導体素子の突起電極と第２の半導体素子の突起電極を対向させることにより、接続部の位置決めが容易でかつ整合しやすくなる。また、第１および第２の半導体素子の寸法を自由に選べるので、個々の半導体素子の形状や位置関係の制約を受けることなく、多様な形状の半導体素子の積層実装を行うことができる。・・・」
（１ｄ）「【００１３】（実施例１）図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施例である半導体装置の製造工程の一例を工程順に示す説明図である。
　【００１４】まず、第１の半導体素子１ａのパッド２ａ上に、・・・たとえば金（Ａｕ）からなるボール３ａ・・・を１段に圧着形成する（図１（ａ）の左側）（第１の工程）。
　【００１５】次に、このボール３ａを平坦化治具・・・を用いて一括加重する・・ことにより、全てのボール３ａを圧縮平坦化して高さの揃った金（Ａｕ）からなるバンプ４ａ（たとえばバンプ径１３０μｍ，バンプ高さ５０μｍ）を形成する（図１（ｂ）の左側）（第１の工程）。
　【００１６】また、同様に、第２の半導体素子１ｂのパッド２ｂ上には、・・たとえば金（Ａｕ）からなるボール３ｂを３段に圧着形成する（図１（ａ）の右側）（第１の工程）。
　【００１７】次に、このボール３ｂを第１の半導体素子１ａのボール３ａと同様に圧縮平坦化して高さの揃った金（Ａｕ）からなるバンプ４ｂ・・・を形成する（図１（ｂ）の右側）（第１の工程）。
　【００１８】次に、・・・絶縁性の樹脂等からなるキャリアテープ５ｂに支持されたリード５ａ（たとえば厚さ１００μｍ）の内端部５ｃを、第１の半導体素子１ａのバンプ４ａ上に位置決めし、熱圧着等の方法で接続する。この場合、リード５ａを支持するキャリアテープ５ｂと同一側面側に第１の半導体素子１ａはボンディングされる。この時、第１の半導体素子１ａ上の複数のバンプ４ａの一部は、ボンディングされず、キャリアテープ５ｂおよびリード５ａの間隙から、上方に対して露出した状態となる（図１（ｃ））（第２の工程）。
　【００１９】その後、第２の半導体素子１ｂの多段のバンプ４ｂを、キャリアテープ５ｂおよびリード５ａの間隙から露出した、第１の半導体素子１ａのバンプ４ａの上に重なり合うように位置決めし、所定の温度に加熱しつつ、第２の半導体素子１ｂの背面より加重することにより熱圧着で接続する。・・・（図１（ｄ））（第３の工程）。
　【００２０】その後、たとえば、図示しない金型成形装置等により、レジン６にて、第１の半導体素子１ａと第２の半導体素子１ｂの間隙を封止し、さらに必要に応じてリード５ａの外端部５ｄ側をキャリアテープ５ｂから切り離す切断操作を経て、半導体装置Ｄ１を形成する。この時、たとえば、第１の半導体素子１ａおよび第２の半導体素子１ｂの背面は外部に露出するように封止される。（図１（ｅ））（第４の工程）。」
（１ｅ）「【００２３】たとえば、第１の半導体素子１ａと第２の半導体素子１ｂとを同一の寸法にする場合、両者を同一の半導体素子で構成することにより、たとえば容易に大容量の半導体メモリを構築できる。・・・
　【００２４】また、第１の半導体素子１ａおよび第２の半導体素子１ｂを同一寸法、同一機能とし、パッド２ａおよび２ｂの配置を鏡面対称にして、同一のパッド同士を接続する構成としてもよい。
　【００２５】また、第１の半導体素子１ａおよび第２の半導体素子１ｂとを異なる寸法にする場合には、たとえば一方をマイクロプロセッサ等の論理素子で構成し、他方を、当該論理素子によってアクセスされるキャッシュメモリとすることで、配線遅延の少ない高速なマイクロプロセッサユニットを小さな実装スペースで実現することができる。
　【００２６】また、第１の半導体素子１ａおよび第２の半導体素子１ｂの一方に、素子の一部として、あるいは一方を置き換える形で受動素子、たとえば高容量のパスコンデンサ、インダクタ、抵抗素子等を形成した構成としてもよい。」
　
（２）引用刊行物３
（２ａ）「【０００２】【従来の技術】図５は従来の異方導電性接着剤を用いた電子部品の接続構造を示す・・・この第１基板１上には、接続用の第１電極２が形成されている。・・・この第２基板３上には、接続用の第２電極４が形成されている。・・・５は異方導電性接着剤であり、この異方導電性接着剤５は、導電性フィラー６および絶縁性接着剤７から構成される。
　【０００３】この構成による接続構造では、第１基板１の一端と第２基板３の一端との間に、異方導電性接着剤５が充填されるので、その接続用の第１電極２と接続用の第２電極４とは、その導電性フィラー６によって電気的に接続する。そして、第１基板１と第２基板３とは、絶縁性接着剤７によって、しっかりと接続・保持することができる。
　【０００４】・・・図５（Ｂ）に示すように、異方導電性接着剤は、接続用の第１電極と第２電極の間に充填されることは当然であるが、この電極間を除く第１基板と第２基板との間にも充填される。・・・」と記載され、図５（Ｂ）には、突出した状態の第１、２電極が異方導電性接着剤中の導電性フィラーによって電気的に接続していることが示されている。
（２ｂ）「【００１４】図４は本発明に係る異方導電性接着剤を用いた電子部品の接続構造の他の実施例を示す断面図である。一例として、基板に半導体素子を異方導電性接着剤を用いて接続する場合である。図において、１０は半導体素子であり、この半導体素子１０には複数のバンプ電極１１が設けられている。」と記載され、図４には、第１基板１上の第１の電極２が突起状の電極を形成しており、異方性導電接着剤５により半導体素子１０のバンプ電極１１と接続していることが示されている。
（２ｃ）「【００１８】なお、以上の実施例では、基板と基板の接続、基板と半導体素子の接続について説明したが、これに限定せず、他の電子部品の接続についても同様にできることはもちろんである。」
　
（３）引用刊行物４
（３ａ）「チップ部品の電極に接合するチップ側バンプと、配線パターンに接合する基板側バンプと、上記チップ側バンプ及び基板側バンプ間を接合する異方性導電膜でなる接合膜とを有する接合部材によって上記チップ部品を上記配線パターンに接合することを特徴とする配線基板。」（実用新案登録請求の範囲）
（３ｂ）「接合膜１３は、ゴムでなる支持材料中に厚さ方向に導電性を呈するように導電性粒子を配列させた構造を有し、厚さ方向に導電性をもつのに対して、幅方向には導電性をもたないような電気的異方性を呈すると共に、チツプ側バンプ１１及び基板側バンプ１２の接合面に幅方向にずらすような圧力が付与されたとき、厚さ方向の導電性に影響を与えることなく変形し得るような機械的特性を呈する。以上の構成において、接合部材１０はチップ部品３の電極５を、チツプ側バンプ１１、接合膜１３、基板側バンプ１２を順次介して絶縁基板１の配線パターン２上に電気的に接触させると同時に機械的に結合し、かくしてチップ部品３を絶縁基板１上に接合保持する状態が得られる。」（６頁６行〜末行）　
　
３．対比・判断
　引用刊行物１には、上記摘記事項（１ｅ）及び図１によれば、第１の半導体素子の上面、第２の半導体素子の片面には論理素子、キャッシュメモリ、パスコンデンサ、インダクタ、抵抗素子等（以下、「論理素子等」という。）が形成されたものが記載されており、これらの論理素子等は通常半導体素子の面に多数個形成されるものであって、又上記摘記事項（１ｄ）によれば、第１、２のバンプは金製のバンプであることが記載されている。
　そして、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｅ）を総合すると、引用刊行物１には、「リードの内端部に第１のバンプを介して接続され、上面に論理素子等を多数個形成して成る第１の半導体素子と、前記リードを介して前記第１の半導体素子に対向し、前記リードあるいは当該リードの支持構造の厚さ寸法よりも高さの高い第２のバンプを介して当該第１の半導体素子に接続され、片面に論理素子等を多数個形成して成る第２の半導体素子と、これら第１および第２の半導体素子の背面を露出させた状態で前記リードに対するボンディング部位を樹脂封止してなり、前記第２の半導体素子を、前記第１の半導体素子の上面側に、当該第２の半導体素子の片面における論理素子等が前記第１の半導体素子における論理素子等に対面するように下向きに配設し、この第２の半導体素子の下面に形成した各パッド及び前記第１の半導体素子の上面に形成した各パッドの両方に突出する金製のバンプを設けて接合した半導体装置。」の発明（以下、「引用刊行物１に記載された発明」という。）が記載されていることになる。
　
　本願補正発明１と引用刊行物１に記載された発明とを対比すると、引用刊行物１に記載された発明の「第１の半導体素子」、「第２の半導体素子」、「論理素子等」は、順に本願補正発明１の「メインＩＣチップ」、「サブＩＣチップ」、「回路素子」に相当している。ここで、引用刊行物１に記載された発明では、樹脂封止は第１および第２の半導体素子の背面を露出させた状態で前記リードに対するボンディング部位を樹脂封止しているが、通常チップオンチップにおいて素子の背面を露出させずに両素子を密封することも周知のこと（必要ならば、特開平２−９０５４１号公報の第７図、特開平６−２０９０７１号公報の図１参照）であり、引用刊行物１に記載された発明の「樹脂封止」の樹脂の部分は本願補正発明１の「パッケージ部」に相当している。
　そうすると、両者は、「少なくとも上面に回路素子及びリードと接続するパッドの多数個を形成して成るメインＩＣチップと、片面に多数個の回路素子を形成して成る一つのサブＩＣチップと、これら両ＩＣチップを一緒に密封する合成樹脂製のパッケージ部とから成り、前記サブＩＣチップを、前記メインＩＣチップの上面側に、当該サブＩＣチップの片面における回路素子が前記メインＩＣチップにおける回路素子に対面するよう下向きにして配設し、このサブＩＣチップの下面に形成した各電極パッド及び前記メインＩＣチップの上面に形成した各電極パッドの両方に突出する金製のバンプを設けて接合した複数のＩＣチップを備えた密封型半導体装置の構造」で一致するものの、次の点で相違している。
　（ａ）リードと接続するパッドについて、本願補正発明１ではワイヤボンディング用パッドとしているのに対し、引用刊行物１に記載された発明ではリードと第１のバンプを介して接続するパッドとしている点。
　（ｂ）バンプの接合について、本願補正発明１は「前記サブＩＣチップを、前記メインＩＣチップに対して、その間に介挿した導電粒子入り接着フィルムにて、前記両バンプが当該接着フィルムを、前記メインＩＣチップにおける各電極パッドに設けたバンプと前記サブＩＣチップにおける各電極パッドに設けたバンプとが溶融することなく当該接着フィルムの中に食い込むように圧縮変形して接着した」のに対し、引用刊行物１に記載された発明はそのようなものではない点。
　
　そこで、上記相違点（ａ）、（ｂ）について検討する。
相違点（ａ）について
　チップ上に形成したパッドとリードとをワイヤで接続することは本願出願前普通に知られた技術にすぎないから、引用刊行物１に記載された発明での第１の半導体上に形成されたリードと接続するパッドを、ワイヤボンディング用パッドとすることは当業者ならば適宜なし得ることである。
　
相違点（ｂ）について
　引用刊行物３の従来例には、突出した状態の第１、２電極間を除く第１基板と第２基板との間にも導電性フィラー入り異方導電性接着剤が充填されていることから（上記摘記事項（２ａ））、突出した状態の第１、２電極が異方導電性接着剤を圧着して電気的に接続しているものと認められ、上記摘記事項（２ｂ）によれば、半導体素子との接続には、半導体素子上の複数のバンプ電極１１と突起状の第１の電極とを異方性導電接着剤で接続することが示され、異方性導電接着剤の接続では電極同士は溶融することなくフィラーを介して接続するものであり、また引用刊行物４に記載された異方性導電膜からなる接合膜も、その支持材料はゴムで形成され導電性粒子を有している以上、チップを基板側に圧力を付与して、チップ側バンプ及び基板側バンプ間を厚さ方向に電気的に接合する場合には、バンプ相互が溶融することなく支持材料中に食い込むように圧縮変形して接続していることは明らかである。
　そうすると、引用刊行物４には、電極相互の接続において、突出したバンプ同士が溶融することなく異方性導電膜、即ち導電粒子入り接着フィルムの中に食い込むように圧縮変形して接着したことが開示されていることになる。
　一方、チップ上にチップを積み重ねる際に異方性導電膜を用いて接続することも、例えば特開平８−２１３４２７号公報、特開平６−３３４２１７号公報（７欄段落【００２４】【００２５】、図９）、特開平４−３４０７５８号公報（【請求項２】）に示されていることであって、しかもバンプ相互の接続も電極相互の接続であることに変わりはないから、引用刊行物１に記載された半導体装置でのバンプ相互の接続において、引用刊行物４に示された、突出したバンプ同士が溶融することなく導電粒子入り接着フィルムの中に食い込むように圧縮変形して接着することを適用することは当業者ならば容易に想到し得ることである。
　そして、本願補正発明１の作用効果も、引用刊行物１、３、４及び上記周知ないし従来技術に記載された事項から当業者が予測できる範囲内のものであって、格別顕著なものとは認められない。
　したがって、本願補正発明１は、引用刊行物１、３、４及び上記周知ないし従来技術に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
　平成１６年５月２７日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成１３年１１月５日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるのとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】　少なくとも上面に回路素子及びワイヤボンディング用パッドの多数個を形成して成るメインＩＣチップと、片面に多数個の回路素子を形成して成る一つのサブＩＣチップと、これら両ＩＣチップを一緒に密封する合成樹脂製のパッケージ部とから成り、前記サブＩＣチップを、前記メインＩＣチップの上面側に、当該サブＩＣチップの片面における回路素子が前記メインＩＣチップにおける回路素子に対面するよう下向きにして配設し、このサブＩＣチップの下面に形成した各電極パッドを、前記メインＩＣチップの上面に形成した各電極パッドに対して、これら両電極パッドに設けた金製のバンプを介して接合したことを特徴とする複数のＩＣチップを備えた密封型半導体装置の構造。」
　　
１．引用刊行物とその記載事項
　当審の平成１６年３月３１日付最後の拒絶理由通知に引用された引用刊行物１、及びその記載事項は、前記「II．２．引用刊行物とその記載事項」に記載されたとおりである。
　
２．対比・判断    
　前記「II．３．対比・判断」で示したとおり、引用刊行物１には「引用刊行物１に記載の発明」が記載されていることになり、本願発明１と引用刊行物１に記載の発明とを対比すると、引用刊行物１に記載の発明の「第１の半導体素子」、「第２の半導体素子」は、本願発明１の「メインＩＣチップ」、「サブＩＣチップ」に相当している。ここで、引用刊行物１に記載された発明では、樹脂封止は第１および第２の半導体素子の背面を露出させた状態で前記リードに対するボンディング部位を樹脂封止しているが、通常チップオンチップにおいて素子の背面を露出させずに両素子を密封することも周知のこと（必要ならば、特開平２−９０５４１号公報の第７図、特開平６−２０９０７１号公報の図１参照）であり、引用刊行物１に記載された発明の「樹脂封止」の樹脂の部分は本願補正発明１の「パッケージ部」に相当している。
　そうすると、両者は「少なくとも上面に回路素子及びリードと接続するパッドの多数個を形成して成るメインＩＣチップと、片面に多数個の回路素子を形成して成る一つのサブＩＣチップと、これら両ＩＣチップを一緒に密封する合成樹脂製のパッケージ部とから成り、前記サブＩＣチップを、前記メインＩＣチップの上面側に、当該サブＩＣチップの片面における回路素子が前記メインＩＣチップにおける回路素子に対面するよう下向きにして配設し、このサブＩＣチップの下面に形成した各電極パッドを、前記メインＩＣチップの上面に形成した各電極パッドに対して、これら両電極パッドに設けた金製のバンプを介して接合した複数のＩＣチップを備えた密封型半導体装置の構造」で一致するものの、次の点で相違する。
　リードと接続するパッドについて、本願発明１ではワイヤボンディング用パッドとしているのに対し、引用刊行物１に記載された発明ではリードと第１のバンプを介して接続するパッドとしている点。
　
　そこで上記相違点について検討すると、この上記相違点は、前記「II．３．対比・判断」で示した相違点（ａ）と同じであるから、そこで述べたとおり、引用刊行物１に記載された発明での第１の半導体上に形成されたリードと接続するパッドを、ワイヤボンディング用パッドとすることは当業者ならば適宜なし得ることである。
　そして、本願発明１の作用効果も、引用刊行物１、及び上記周知技術に記載の事項から当業者が予測できる範囲内のものであって、格別顕著なものとは認められない。
　したがって、本願発明１は、引用刊行物１、及び上記周知技術に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の本願の請求項２〜５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。