【事件の表示】
　特願２０００−２６０００３「窒化物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月１５日出願公開、特開２００２−　７６５２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年８月３０日の出願であって、平成１７年１月２１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年２月２４日付で拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１７年３月２５日付で特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１７年３月２５日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年３月２５日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲である
「【請求項１】分離閉じ込めヘテロ構造型の窒化物半導体発光素子において、
　光ガイド層として、ｎ型のＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）と、ｐ型のＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）との少なくとも１つを用い、
　ｐ側のクラッド層としてｐ型のＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１，ｚ＜ｘ，ｚ＜ｙ）を用い、
　前記ｐ側のクラッド層に接して電極を設けることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」を、
「【請求項１】分離閉じ込めヘテロ構造型の窒化物半導体発光素子において、
　光ガイド層として、ｎ型のＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）と、ｐ型のＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）との少なくとも１つを用い、
　ｐ側のクラッド層としてｐ型のＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１，ｚ＜ｘ，ｚ＜ｙ）を用い、
　前記ｐ側のクラッド層に接して電極を設け
、　前記光ガイド層は前記ｐ側のクラッド層とｎ側のクラッド層との間に設けられ、当該光ガイド層の屈折率が前記ｐ側及びｎ側のクラッド層の屈折率よりも大きく光閉じ込め構造である
と補正し、該補正に合わせて、発明の詳細な説明の対応する記載を同様に補正しようとするものである。
　
　上記補正は、「光ガイド層」の位置及び屈折率などを限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用した特開平１１−２４３２５１号公報（以下、「刊行物」という。）には、半導体レーザに関して、下記の記載がある。
「【００２３】【発明が解決しようとする課題】上記したように従来のＧａＮ系ＬＤには、ＩｎＧａＮ活性層の上下に隣接するＧａＮガイド層とこのＧａＮガイド層を挟むように形成されたＡｌＧａＮクラッド層とからなる活性層周辺領域の実効屈折率の値が、さらに前記ＡｌＧａＮクラッド層を挟むように形成されたＧａＮコンタクト層の屈折率の値よりも低いために、反導波モードによるレーザ発光を生じ、ＦＦＰが多峰性を示すと同時に導波損失が増加し、従って、しきい値電流密度が高くなるという問題があった。・・・
【００３１】【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係るＧａＮ系ＬＤの断面構造を示す図である。図１に示すＧａＮ系ＬＤは、サファイア基板１の上のＧａＮバッフア層２と、ｎ＋−ＧａＮコンタクト層３と、ｎ−ＧａＮクラッド層４と、ｎ−ＩｎＧａＮのＭＱＷガイド層５と、ＩｎＡｌＧａＮのＭＱＷ活性層６と、ｐ−ＩｎＧａＮのＭＱＷガイド層７と、ｐ−ＧａＮクラッド層８と、ｐ＋−ＧａＮコンタクト層９と、その上に形成されたｐ電極１０とから構成される。
【００３２】さらにｐ＋−ＧａＮコンタクト層９からｎ＋−ＧａＮコンタクト層３の途中まで部分的にエッチングし、露出したｎ＋−ＧａＮコンタクト層３の表面にｎ電極１１が形成される。・・・
【００３７】第１の実施の形態のＧａＮ系ＬＤでは、・・・
ＧａＮクラッド層４、８が用いられるため、
ＩｎＧａＮ活性層に沿った屈折率導波モードにより生じ
光のしみだしが少ない。
【００４５】第１、第２の実施の形態でのべたように、従来のＡｌＧａＮクラッド層の代わりにＧａＮクラッド層を用いればＦＦＰを単峰化することができる。また、ＡｌＧａＮクラッドを用いなければ、比較的抵抗の高いＡｌＧａＮクラッド層による電圧降下も生じなくなるためレーザ発光時の動作電圧が低減し、かつ、厚いＡｌＧａＮクラッド層によるクラックの発生も回避され、信頼性が大幅に向上する。」
　
（３）対比
　本願補正発明と刊行物記載の発明とを対比する。
（イ）刊行物の発光素子が、「窒化物半導体」を用いていること、その構造が「ヘテロ構造」であること及び刊行物のように活性層の外層の屈折率を考慮することにより光閉じ込めを意図した構造が「分離閉じ込め構造」に相当することはあきらかであるから、刊行物は、本願補正発明の「分離閉じ込めヘテロ構造型の窒化物半導体発光素子」に相当する技術的事項を有する。
（ロ）刊行物の「ｎ−ＩｎＧａＮのＭＱＷガイド層５」または「ｐ−ＩｎＧａＮのＭＱＷガイド層７」は、本願補正発明の「ｎ型のＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）と、ｐ型のＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）との少なくとも１つ」に相当する。
（ハ）刊行物の光ガイド層５または７が、「ｎ−ＧａＮクラッド層４」と「ｐ−ＧａＮクラッド層８」の間に設けられていることは明らかである。また刊行物の「【００３７】第１の実施の形態のＧａＮ系ＬＤでは、・・・
ＧａＮクラッド層４、８が用いられるため、
ＩｎＧａＮ活性層に沿った屈折率導波モードにより生じ
光のしみだしが少ない。
　よって、刊行物には、本願補正発明の用語を用いると、
「分離閉じ込めヘテロ構造型の窒化物半導体発光素子において、光ガイド層として、ｎ型のＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）と、ｐ型のＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）との少なくとも１つを用い、ｐ側のクラッド層としてｐ型のＧａＮを用い、前記光ガイド層は前記ｐ側のクラッド層とｎ側のクラッド層との間に設けられ、当該光ガイド層の屈折率が前記ｐ側及びｎ側のクラッド層の屈折率よりも大きく光閉じ込め構造である窒化物半導体発光素子」の発明（これを、以下「刊行物記載の発明」という。）
が記載されており、本願補正発明と刊行物記載の発明は、この点で一致し、下記の点で相違する。
　
（相違点）
　本願補正発明は、「ｐ側のクラッド層に接して電極を設け」ているのに対して、刊行物記載の発明は、ｐ側のクラッド層と電極の間にｐ＋−ＧａＮコンタクト層が設けられていることから、上記構成を有しない点。
　
（４）判断
　上記相違点につき検討すると、窒化物半導体発光素子において、クラッド層と電極の間にコンタクト層を設けること及びコンタクト層を省いて直接電極を形成することは共にきわめて周知のことにすぎない（一例として特開平４−６８５７９号公報を挙げる。該文献には、ｐ型のＧａＮ，ＩｎＧａＮに直接電極を形成することが記載されている。）から、上記相違点のように構成することは、刊行物記載の発明から当業者が容易になし得る設計事項にすぎない。
　
　したがって、本願補正発明は刊行物記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、請求人は審判請求書において、「一方、本願発明は、従来素子が高抵抗であった原因の高抵抗のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層を排除し、且つ、光閉じ込め率の低下を抑制するために成され、詳細な実験の結果、ｐ型
ＩｎＧａＮ
ＧａＮ
　そして、刊行物のものも、本願補正発明と同様の効果（「【００４５】ＡｌＧａＮクラッドを用いなければ、比較的抵抗の高い
ＡｌＧａＮクラッド層による電圧降下も生じなくなる
ＧａＮクラッド層４、８が用いられるため、
ＩｎＧａＮ活性層に沿った屈折率導波モードにより生じ
光のしみだしが少ない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１７年３月２５日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年８月１２日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】分離閉じ込めヘテロ構造型の窒化物半導体発光素子において、
　光ガイド層として、ｎ型のＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）と、ｐ型のＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）との少なくとも１つを用い、
　ｐ側のクラッド層としてｐ型のＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１，ｚ＜ｘ，ｚ＜ｙ）を用い、
　前記ｐ側のクラッド層に接して電極を設けた、
ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用した特開平１１−２４３２５１号公報には、上記２．（２）刊行物記載の発明に摘記した事項が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「前記光ガイド層は前記ｐ側のクラッド層とｎ側のクラッド層との間に設けられ、当該光ガイド層の屈折率が前記ｐ側及びｎ側のクラッド層の屈折率よりも大きく光閉じ込め構造である」との事項を削除したものである。
　したがって、本願発明は、上記本願補正発明に対するとほぼ同様の理由により、刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
（４）むすび
　　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。