【事件の表示】
　平成１１年特許願第２６３７２５号「透明電極膜の製造方法及び太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月３０日出願公開、特開２００１−　８５７２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年９月１７日に出願された特許出願であって、原審において、平成１４年３月２７日付で拒絶理由が通知され、同年６月３日に手続補正がなされたところ、同年７月３１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月４日付で手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１４年１０月４日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成１４年１０月４日付手続補正を却下する。
[理由］
（１）特許法第１７条の２第４項違反について
　　平成１４年１０月４日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）のうち、特許請求の範囲の請求項６についての補正を摘記すると以下のとおりである。
「【請求項６】　基板または下層薄膜が被着された基板を２５０〜３５０℃の温度域に加熱保持した状態で、
トリエチルアルミニウム（Ａｌ（Ｃ
２
Ｈ
５
）
３
）及びトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ
３
）
３
）のうち少なくとも一方の蒸気を、ジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ
２
Ｈ
５
）
２
）の蒸気の量に対して１／１０〜１／１００の量だけ更に添加したプロセス流体
　
　そこで、上記のうち下線を付した事項、すなわち、
　（ア）「トリエチルアルミニウム（Ａｌ（Ｃ２Ｈ５）３）及びトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ３）３）のうち少なくとも一方の蒸気を、ジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）の蒸気の量に対して１／１０〜１／１００の量だけ更に添加したプロセス流体」
が、特許法第１７条の２第４項第２号で規定する、請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの（いわゆる限定的減縮）に該当する補正であるか否か以下に検討する。
　
　上記事項に対応する補正前の請求項６（平成１４年６月３日付手続補正）の記載事項を摘記すると以下のとおりである。
　（イ）「ジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）の蒸気および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を主原料とするプロセス流体」
　上記（ア），（イ）の記載事項を比較すると、上記（イ）には、プロセス流体の主原料の一つである「水蒸気（Ｈ２Ｏ）」が含まれているが、上記（ア）では、プロセス流体の成分に「水蒸気（Ｈ２Ｏ）」は含まれず、「水蒸気（Ｈ２Ｏ）」がプロセス流体の成分から削除されている。
　上記（ア）の補正は、発明を特定するために必要な事項である「水蒸気（Ｈ２Ｏ）」を削除することを含む補正であるから、この補正が、請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定する、いわゆる限定的減縮に該当し得ないものであることは明らかである。
　　
　しかも、上記（ア）の補正が、誤記の訂正にも、明りょうでない記載の釈明にも当たらないことは明らかであるから、上記（ア）の補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　　
（２）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）平成１４年１０月４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１４年６月３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されたとおりのものであるところ、その請求項６に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項６】　基板または下層薄膜が被着された基板を２５０〜３５０℃の温度域に加熱保持した状態で、ジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）の蒸気および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を主原料とするプロセス流体を作用させることにより、透明電極膜を被着させたときの基板の拡散透過率が全光線透過率に占める割合を百分率で表わした評価指数をヘイズ率と定義したときに、該ヘイズ率を５％以下に制御し、前記透明電極膜の表面が急峻な凹凸の無い緩やかな凹凸をもつテクスチャ形状となるように、前記基板または薄膜下層が被着された基板の上に酸化亜鉛を主成分とする透明電極膜を形成することを特徴とする透明電極膜の製造方法。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平４−２８０９７５号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
　（ａ）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
・・・ところで、例えば太陽電池の場合、感光部表面のＺｎＯ薄膜がテクスチャー構造の表面形態を有すると、光の散乱効果が期待でき、光路長を長くすることによりデバイス性能を上げることが可能となる。従って、テクスチャー構造の表面形態を有するＺｎＯ薄膜の成膜技術の開発が望まれている。
【０００６】　本発明は、前記の事情に鑑みなされたもので、低温成膜が可能で、しかも条件によって膜表面の形態を所望に応じて制御することができるＺｎＯ透明導電膜の製造方法を提供することを目的とするものである。」
　　
　（ｂ）「【０００９】　すなわち、まず真空チャンバー内を減圧空間とし、チャンバー内に配置される
基板を所定温度（好適には３００℃以下）に加熱し
さらにチャンバー内に純水とＺｎの有機金属材料をそれぞれＡｒガス等不活性のキャリアーガスにより供給し、
ＺｎＯ薄膜の表面形態は成長温度に強く依存する。種々の基板温度で堆積したＺｎＯ薄膜の走査型電子顕微鏡写真による観察によれば、１５０℃の成長温度において膜表面は約０．５μｍの代表的サイズを有するテトラポット状乃至折曲枝状の表面形態を呈し、２１０℃近辺の成長温度になると太さ及び長さ共に大きくなるが、さらに高温の２７０℃近辺あるいはさらに低温の１２０℃近辺になると上記テトラポット状乃至折曲枝状形態が破断された短繊維乃至散点状の凹凸表面形態を呈し、そのサイズも減少する。これらの結果は、Ｘ線回折測定の結果とよく合致している。従って、主として基板温度を調整することにより、形成されるＺｎＯ薄膜の膜表面形態を制御することができる。
　　
　（ｃ）「【００１３】
【実　施　例】・・・
【００１４】　使用装置：本実施例に用いたＭＯＣＶＤ装置の概略図を図１に示す。
反応に用いるジエチル亜鉛（以下、ＤＥＺｎと略す）と超純水は、純化装置（図示せず）を通したＡｒガスをキャリアーガスとして、ステンレス製のチューブを用いて、バブラー８，９から、真空チャンバー１内に水平に配置された基板２に対し垂直方向に、別々のチューブ６，７より供給される。
【００１５】・・・
【００１６】　操作手順：操作は以下の手順で行った。まず、基板２を真空チャンバー１内のヒーター３上に設置し、真空チャンバー１内をロータリーポンプで真空に排気する。基板温度とバブラー８，９が所定の温度になったら、キャリアーガスを流し、ニードルバルブを調整してバブラー内を１気圧（この圧力は任意に設定できる）にする。次に、所定のＨ２Ｏを含んだアルゴンガスのみを真空チャンバー１内に導入し、チャンバー内が所定の圧力になったところで紫外光灯４から基板２に向けて紫外光を照射し、ＤＥＺｎとＢ２Ｈ６を導入してＺｎＯ薄膜の作製を行った。
【００１７】　実施条件：ＺｎＯ薄膜の作製は以下の条件で行った。
　ＤＥＺｎのバブラー８内圧力：７６０Ｔｏｒｒ（１気圧）
　ＤＥＺｎのバブラー温度：２７℃（一定）
　Ｈ２Ｏのバブラー９内圧力：７６０Ｔｏｒｒ（１気圧）
　Ｈ２Ｏのバブラー温度：３７℃（一定）
　キャリアーガス流量：１０ｓｃｃｍ
　成長時間：６０分
　基板温度：１５０℃
　真空チャンバー内圧力：６Ｔｏｒｒ
　ＤＥＺｎ流量：１０．４μｍｏｌ／ｍｉｎ
　Ｈ２Ｏ流量：２６．８μｍｏｌ／ｍｉｎ
　Ｂ２Ｈ６流量：０〜０．７μｍｏｌ／ｍｉｎ
　紫外光灯（低圧水銀灯）：１８４．９ｎｍ、２５３．７ｎｍ
　　
　（ｄ）「【００２０】
【発明の効果】　以上のように、本発明の方法によれば、ＭＯＣＶＤ法及び光−ＭＯＣＶＤ法のいずれによってもかなりの低温で、ＺｎＯ透明導電膜の成膜が可能である。
また、テクスチャー構造の表面形態を有するＺｎＯ透明導電膜を成膜することができ、条件、特に基板温度を調整することにより、得られるＺｎＯ薄膜の表面形態を制御することができる。
　　
 　これら（ａ）〜（ｄ）の記載によれば、引用例には、
「基板を１２０〜３００℃の温度域に加熱保持した状態で、ジエチル亜鉛と超純水をＡｒガスをキャリアーガスとして、真空チャンバー内に水平に配置された上記基板に対し供給することにより、テクスチャー構造の表面形態を有するＺｎＯ透明導電膜を成膜する透明電極膜の製造方法。このＺｎＯ薄膜の表面形態は成長温度に強く依存し、１５０℃の成長温度において膜表面は約０．５μｍの代表的サイズを有するテトラポット状乃至折曲枝状の表面形態を呈し、２１０℃近辺の成長温度になると太さ及び長さ共に大きくなるが、さらに高温の２７０℃近辺あるいはさらに低温の１２０℃近辺になると上記テトラポット状乃至折曲枝状形態が破断された短繊維乃至散点状の凹凸表面形態を呈し、そのサイズも減少する。したがって、主として基板温度を調整することにより、形成されるＺｎＯ薄膜の膜表面形態を制御することができる。」
との事項が開示されていると認めることができる。
　　
（３）対比
　そこで、本願発明と引用例に記載された事項とを比較すると、引用例に記載の各事項は、以下のように、本願発明に相当することが明らかである。
　　[引用例]　　　　　　　　　　[本願発明]
　「基板」　　　　　　　　　　「基板」
　「ジエチル亜鉛」　　　　　　「ジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）」
　「超純水」　　　　　　　　　「水蒸気（Ｈ２Ｏ）」
　「ＺｎＯ透明導電膜」　　　　「酸化亜鉛を主成分とする透明電極膜」
　「テクスチャー構造」　　　　「テクスチャ形状」
　　
　そして、引用例に記載された事項は、
　（ｉ）引用例の基板温度の温度域は「１２０〜３００℃」であるから、本願発明の「２５０〜３５０℃」と一部重複する。
　（ｉｉ）引用例の透明導電膜の主原料のうち「超純水」は、Ａｒガスをキャリアーガスとして、真空チャンバー内に供給されるから、その相状態は本願発明の「水蒸気（Ｈ２Ｏ）」に等しいと解される。
　（ｉｉｉ）引用例の方法によって成膜される透明導電膜を含む基板のヘイズ率は不明であるが、本願明細書の「【００２２】この場合に、透明電極膜と光電変換発電層との境界面は、急峻な凹凸の無い緩やかな凹凸をもつテクスチャ形状とする。
このような実質的に平滑な形態の境界面は、透明電極膜の成膜中における基板を２５０〜３５０℃の温度域に保持することにより得られ
　したがって、引用例の記載事項は、本願発明の全ての構成要件を包含するものということができる。
　　　
（４）判断
　このように、両者の間に相違点は存在しないから、本願発明は、引用例に記載された発明と同一であるといえる。
　　
　なお、審判請求書等において、請求人は、上記引用例と本願発明との対比について言及しており、その中で特許法第２９条第１項第３号の同一性を含め検討していることは明らかである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。