Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月9日(2018.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶質形態の６−［（４Ｒ）−４−メチル−１，１−ジオキシド−１，２，６−チアジアジナン−２−イル］イソキノリン−１−カルボニトリル。
【請求項２】
形態（１）である結晶質形態の６−［（４Ｒ）−４−メチル−１，１−ジオキシド−１，２，６−チアジアジナン−２−イル］イソキノリン−１−カルボニトリル。
【請求項３】
２θ度（±０．２°２θ）で表される、７．８、１０．９、および１５．２にある特徴的なピークを有するＸ線粉末回折パターンを示す、請求項１または２に記載の結晶質形態の６−［（４Ｒ）−４−メチル−１，１−ジオキシド−１，２，６−チアジアジナン−２−イル］イソキノリン−１−カルボニトリル。
【請求項４】
２θ度（±０．２°２θ）で表される、７．８、１０．９、および１５．２にある特徴的なピーク、ならびに２θ度（±０．２°２θ）で表される、１７．１、１７．３、および１８．５からなる群から選択される１つまたは複数の特徴的なピークを有するＸ線粉末回折パターンを示す、請求項３に記載の結晶質形態の６−［（４Ｒ）−４−メチル−１，１−ジオキシド−１，２，６−チアジアジナン−２−イル］イソキノリン−１−カルボニトリル。
【請求項５】
２θ度（±０．２°２θ）で表される、７．８、１０．９、１５．２、１７．１、１７．３、および１８．５にある特徴的なピークを有するＰＸＲＤパターンを示す、請求項３または４のいずれか一項に記載の結晶質形態の６−［（４Ｒ）−４−メチル−１，１−ジオキシド−１，２，６−チアジアジナン−２−イル］イソキノリン−１−カルボニトリル。
【請求項６】
２θ度（±０．２°２θ）で表される、７．８および１０．９にある特徴的なピークを有するＸ線粉末回折パターンを示し、ｃｍ−１（±２ｃｍ−１）で表される、７０８、１５５５、および２２３０からなる群から選択される１つもしくは複数の特徴的なピークを有するＦＴ−ラマンスペクトル、ならびに／またはｐｐｍ（±０．２ｐｐｍ）で表される、１３６．６にある特徴的なピークを有する固体ＮＭＲスペクトルを示す、請求項１または２のいずれか一項に記載の結晶質形態。
【請求項７】
ｃｍ−１（±２ｃｍ−１）で表される、７０８および２２３０にある特徴的なピークを有するＦＴ−ラマンスペクトルを示し、２θ度（±０．２°２θ）で表される、７．８、１０．９、１５．２、１７．１、１７．３、および１８．５からなる群から選択される１つもしくは複数の特徴的なピークを有するＸ線粉末回折パターン、ならびに／またはｐｐｍ（±０．２ｐｐｍ）で表される、１３６．６にある特徴的なピークを有する固体ＮＭＲスペクトルを示す、請求項１または２のいずれか一項に記載の結晶質形態。
【請求項８】
ｐｐｍ（±０．２ｐｐｍ）で表される、１３６．６にある特徴的なピークを有する固体ＮＭＲスペクトルを示し、２θ度（±０．２°２θ）で表される、７．８、１０．９、１５．２、１７．１、１７．３、および１８．５からなる群から選択される１つまたは複数の特徴的なピークを有するＸ線粉末回折パターンを示し、かつ／またはｃｍ−１（±２ｃｍ−１）で表される、７０８、１５５５、および２２３０からなる群から選択される１つまたは複数の特徴的なピークを有するＦＴ−ラマンスペクトルを示す、請求項１または２のいずれか一項に記載の結晶質形態。
【請求項９】
無水である、請求項１から８のいずれか一項に記載の結晶質形態の６−［（４Ｒ）−４−メチル−１，１−ジオキシド−１，２，６−チアジアジナン−２−イル］イソキノリン−１−カルボニトリル。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の結晶質形態の６−［（４Ｒ）−４−メチル−１，１−ジオキシド−１，２，６−チアジアジナン−２−イル］イソキノリン−１−カルボニトリルと、薬学的に許容できる担体または添加剤とを含む医薬組成物。
【請求項１１】
経口投与に適する、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
錠剤またはカプセル剤である、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
第２の活性医薬成分をさらに含む、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
アンドロゲン受容体の活性を調節することに用いるための、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
貧血、食欲不振、関節炎、骨疾患、筋骨格機能障害、悪液質、虚弱、高齢者における加齢関連機能低下、成長ホルモン欠乏症、造血障害、ホルモン補充、性腺機能低下症、筋力および／または筋機能の低下、筋ジストロフィー、手術後の筋肉量減少、筋萎縮症、神経変性疾患、神経筋疾患、肥満、骨粗鬆症、慢性閉塞性肺疾患におけるサルコペニアを含めたサルコペニア、ならびに筋肉の消耗の中から選択される障害または状態を治療することに用いるための、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
請求項１から９のいずれか一項に記載の結晶質形態の６−［（４Ｒ）−４−メチル−１，１−ジオキシド−１，２，６−チアジアジナン−２−イル］イソキノリン−１−カルボニトリルの調製方法であって、前記結晶質形態を溶媒から結晶化するステップを含む方法。
【請求項１７】
溶媒がアセトンを含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月25日(2018.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３Ｄプリンタで使用するための材料であって、
平均断面長さが１μｍ〜２５０μｍの複数の金属ミクロ粒子を含み、
前記金属ミクロ粒子が、
平均断面長さが５０ｎｍ以下の複数の金属ナノ粒子と、
前記金属ナノ粒子の外側表面にある安定化材料であって、有機アミン、カルボン酸、チオールおよびその誘導体、キサントゲン酸、ポリエチレングリコール、ポリビニルピリジン、ポリビニルピロリドン、またはこれらの組み合わせを含む安定化材料とを含む、材料。
【請求項２】
前記金属ナノ粒子の平均断面長さが２０ｎｍ以下である、請求項１に記載の材料。
【請求項３】
前記金属ナノ粒子が、金、銀、アルミニウム、白金、パラジウム、銅、コバルト、クロム、インジウム、チタン、ジルコニウム、ニッケル、これらのアロイ、またはこれらの組み合わせを含む、請求項２に記載の材料。
【請求項４】
前記金属ナノ粒子が、２００℃以下の温度で溶融するように構成されている、請求項２に記載の材料。
【請求項５】
前記安定化材料が、前記金属ナノ粒子の周囲を少なくとも部分的に被覆し、前記安定化材料を有する前記金属ナノ粒子が、１００ｎｍ以下の平均断面長さを有する、請求項４に記載の材料。
【請求項６】
前記金属ナノ粒子が６５重量％〜９５重量％の量で存在し、前記安定化材料が５重量％〜３５重量％の量で存在する、請求項４に記載の材料。
【請求項７】
前記金属ナノ粒子が２０体積％〜４９体積％の量で存在し、前記安定化材料が５１体積％〜８０体積％の量で存在する、請求項６に記載の材料。
【請求項８】
炭化水素、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、またはこれらの組み合わせを含む溶媒をさらに含む、請求項１に記載の材料。
【請求項９】
前記金属ナノ粒子と前記安定化材料が凝集して前記金属ミクロ粒子を形成する、請求項１に記載の材料。
【請求項１０】
前記金属ナノ粒子が非連続相にある、請求項１に記載の材料。
【請求項１１】
３Ｄプリンタで使用するための材料であって、
平均断面長さが１μｍ〜２５０μｍの複数の金属ミクロ粒子を含み、
前記金属ミクロ粒子が、平均断面長さが５０ｎｍ以下の複数の金属ナノ粒子と、前記金属ナノ粒子の外側表面にある安定化材料とを含む、材料。
【請求項１２】
前記金属ミクロ粒子が、５０ｂａｒ＊ｍ／秒未満の爆発Ｋｓｔ値を有する、請求項１１に記載の材料。
【請求項１３】
前記金属ナノ粒子が、金、銀、アルミニウム、白金、パラジウム、銅、コバルト、クロム、インジウム、チタン、ジルコニウム、ニッケル、これらのアロイ、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１１に記載の材料。
【請求項１４】
前記金属ナノ粒子が非連続相を生成する、請求項１１に記載の材料。
【請求項１５】
３Ｄプリンタを用いて物体を印刷するための方法であって、
複数の安定化された金属ミクロ粒子を３Ｄプリンタの運搬層に乗せる工程であって、
前記安定化された金属ミクロ粒子が、
１μｍ〜２５０μｍの平均断面長さを有するとともに、
平均断面長さが５０ｎｍ以下の複数の金属ナノ粒子と、前記金属ナノ粒子の外側表面にある安定化材料とを含む、工程と；
前記安定化された金属ミクロ粒子の一部を前記運搬層から３Ｄプリンタの加工層に移す工程と；
２００℃以下の温度で、前記安定化された金属ミクロ粒子を前記加工層において焼結させ、印刷物を作製する工程とを含む、方法。
【請求項１６】
前記運搬層から３Ｄプリンタの加工層に移す工程が、前記加工層に厚みが１０μｍ〜２５０μｍである層を生成する工程を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記安定化された金属ミクロ粒子が、ペースト状であって、溶媒を更に含み、
前記溶媒が、炭化水素、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記金属ナノ粒子が、前記安定化された金属ミクロ粒子の６５重量％〜９５重量％かつ２０体積％〜６０体積％の量で存在し、
前記安定化材料が、前記安定化された金属ミクロ粒子の５重量％〜３５重量％かつ４０体積％〜８０体積％の量で存在する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記印刷物が、焼結後に２５μｍ以下の解像度を有する、請求項１５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】３Ｄ印刷のための材料、及び、物体の印刷方法
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月17日(2018.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０５Ωｃｍ以上の電気比抵抗を有する少なくとも１つのＳｉＣ塊状単結晶（２；３３）の製造方法であって、
ａ）成長坩堝（３；３４）の少なくとも１つの結晶成長領域において、ＳｉＣ成長気相が生成され、ＳｉＣ塊状単結晶（２；３３）がこのＳｉＣ成長気相（９；３８）からの析出によって成長し、
ｂ）前記ＳｉＣ成長気相が、前記成長坩堝（３；３４）内のＳｉＣ供給領域（４；３５）内に位置するＳｉＣ供給源材料（６；３１）から供給され、ここで、前記材料は、ＳｉＣ供給領域（４；３５）から前記成長中のＳｉＣ塊状単結晶（２；３３）の成長境界面（１６；３９）へ移送され、
ｃ）バナジウムが、成長中のＳｉＣ塊状単結晶（２；３３）のドーピング剤として結晶成長領域（５；３６）へ供給され、
ｄ）成長中のＳｉＣ塊状単結晶（２；３３）の成長境界面（１６；３９）において、２，２５０℃以上の成長温度が設定され、これにより、５×１０１７ｃｍ−３を超えるドーピング剤濃度でドープされたＳｉＣ塊状単結晶（２；３３）が成長し、
ｅ）前記ＳｉＣ供給領域（４；３５）から前記成長境界面（１６；３９）への前記材料の移送が、成長坩堝（３；３４）内の温度条件に加えて、追加の移送影響手段（１８；２５；２８；３１；４１）により調整され、これにより、前記成長境界面（１６；３９）における成長温度及び成長境界面（１６；３９）への前記材料の移送が、少なくともほとんど、互いに無関係に、支配することができる、
製造方法。
【請求項２】
前記追加の移送影響手段として、多孔性材料から作られた少なくとも１つの気体透過性膜（１８；２５；２８；４１）が、前記ＳｉＣ供給領域（４；３５）と前記結晶成長領域（５；３６）との間に配列されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＳｉＣ供給領域（４）からの及び前記成長境界面（１６）への前記材料の輸送の間に、前記追加の輸送影響手段として、少なくとも１つの再昇華工程が実施されることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記ＳｉＣ供給領域（４）に装填された前記ＳｉＣ供給源材料（３１）のための前記追加の輸送影響手段として、０．８ｇ／ｃｍ３〜３．２ｇ／ｃｍ３の範囲の相対密度を有する粉末化されたＳｉＣ材料が用いられることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記成長中のＳｉＣ塊状単結晶（２；３１）にドーピング剤として導入されるべきバナジウムが、前記ＳｉＣ塊状単結晶（２；３３）の実際の成長に先立って、前記ＳｉＣ供給源材料（６；３１）及び前記ＳｉＣ供給源材料（６）の内部に載置された開放されたドーピング剤容器（２２）のいずれか１つに、添加されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
窒素が、成長中のＳｉＣ塊状単結晶（２；３３）の追加のドーピング剤として、結晶成長領域（５；３６）に供給されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記成長坩堝（３４）に２つの分離された結晶成長領域（５；３６）が備えられ、これらの間に前記ＳｉＣ供給領域（３５）が位置し、このＳｉＣ供給領域（３５）が、前記２つの結晶成長領域（５；３６）のそれぞれに関して、それぞれ、多孔性材料製の気体透過性膜（１８；４１）で被覆され、２つのＳｉＣ塊状単結晶（２；３３）が製造されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１０５Ωｃｍの電気比抵抗を有する単結晶ＳｉＣ基板であって、
ａ）前記ＳｉＣ基板がドーピング剤としてのバナジウムでドープされ、全ＳｉＣ基板として、５×１０１７ｃｍ−３を超えるバナジウムドーピング剤濃度の全体平均値を有しており、
ｂ）前記ＳｉＣ基板の如何なる１ｍｍ３体積部分においても、そこで測定されたバナジウムドーピング剤の局所濃度が前記バナジウムドーピング剤濃度の全体平均値よりも５０％を超えて上回らない、単結晶ＳｉＣ基板。
【請求項９】
前記バナジウムドーピング剤濃度の全体平均値が少なくとも６×１０１７ｃｍ−３であることを特徴とする請求項８に記載のＳｉＣ基板。
【請求項１０】
ＳｉＣ結晶構造が単一のＳｉＣポリタイプのみを与えられていることを特徴とする請求項９に記載のＳｉＣ基板。
【請求項１１】
前記ＳｉＣ基板が７．６２ｃｍ以上の基板直径を有する主基板表面を有することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載のＳｉＣ基板。
【請求項１２】
前記ＳｉＣ基板が主基板表面とこの種基板表面に関して１０ｃｍ−２以下の平均マイクロパイプ密度を有することを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載のＳｉＣ基板。
【請求項１３】
窒素が追加のドーピング剤として用いられ、窒素ドーピング剤濃度が５×１０１６ｃｍ−３以上であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１項に記載のＳｉＣ基板。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月7日(2018.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルホニウムカチオンと第１アニオンとを含む第１スルホニウム塩を生成し、
前記第１アニオンをハロゲン化物イオンと交換して第２スルホニウム塩を生成し、
前記ハロゲン化物イオンを第２アニオンと交換して第３スルホニウム塩を生成する工程を備える、スルホニウム塩の製造方法。
【請求項２】
前記スルホニウムカチオンは、少なくとも１つのアリール基を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１スルホニウム塩を、スルホキシド化合物とアリール化合物とを酸の存在下で縮合させることにより生成する、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記スルホキシド化合物は、置換されていてもよいジアリールスルホキシド化合物である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記アリール化合物は、置換されていてもよいジアリールスルフィド化合物である、請求項３又は請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ジアリールスルフィド化合物が、チオキサントン化合物である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記酸は、硫酸又はスルホン酸である、請求項３〜６の何れか１つに記載の方法。
【請求項８】
前記第２スルホニウム塩を、前記ハロゲン化物イオンを含むハロゲン化物を前記第１スルホニウム塩と反応させることによって生成する、請求項１〜８の何れか１つに記載の方法。
【請求項９】
前記第３スルホニウム塩が、第２アニオンを含む金属塩を第２スルホニウム塩と反応させることによって生成する、請求項１〜８の何れか１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記第２アニオンは、少なくとも１つのフッ素原子を含む、請求項１〜９の何れか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記第２アニオンは、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＳＯ３−、ＡｓＦ６−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＢＦ４−及びＢ（Ｃ６Ｆ５）４−からなる群から選択される１つである、請求項１〜１０の何れか１つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明のいくつかの態様はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ビススルホニウム塩の生成を抑制することが可能なスルホニウム塩の製造方法を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月21日(2018.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２価のπ電子不足型の複素芳香族基に対し、アリーレン基および前記アリーレン基を介して結合されたベンゾチエノカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、またはインデノカルバゾリル基のいずれかを含む複素環骨格を、複数有することを特徴とする有機化合物。
【請求項２】
式（Ｇ１）で表される有機化合物。
【化１】
2016056169.tif 000001
（式中、Ｈｅｔは、置換もしくは無置換の炭素数２〜３６の２価のπ電子不足型の複素芳香族基を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。なお、ｍおよびｎは、それぞれ独立に１〜５の自然数である。また、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゾチエノカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、またはインデノカルバゾリル基のいずれかを表す。）
【請求項３】
式（Ｇ１）で表される有機化合物。
【化２】
2016056169.tif 000002
（式中、Ｈｅｔは、置換もしくは無置換の２価のπ電子不足型の単環含窒素複素芳香族基を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。なお、ｍおよびｎは、それぞれ独立に１〜５の自然数である。また、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゾチエノカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、またはインデノカルバゾリル基のいずれかを表す。）
【請求項４】
式（Ｇ１）で表される有機化合物。
【化３】
2016056169.tif 000003
（式中、Ｈｅｔは、置換もしくは無置換の２価のピリジン、２価のピリミジン、２価のピラジン、２価のトリアジン、２価のビピリジン、２価のキノキサリン、または２価のジベンゾキノキサリンのいずれかを表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。なお、ｍおよびｎは、それぞれ独立に１〜５の自然数である。また、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゾチエノカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、またはインデノカルバゾリル基のいずれかを表す。）
【請求項５】
式（Ｇ２）で表される有機化合物。
【化４】
2016056169.tif 000004
（式中、Ｈｅｔは、置換もしくは無置換の２価のピリジン、２価のピリミジン、２価のピラジン、２価のトリアジン、２価のビピリジン、２価のキノキサリン、または２価のジベンゾキノキサリンのいずれかを表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。なお、ｍおよびｎは、それぞれ独立に１〜５の自然数である。また、Ｑ１およびＱ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、置換もしくは無置換の炭素原子のいずれかを表す。また、Ｒ１からＲ２０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１３のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項６】
式（Ｇ３）で表される有機化合物。
【化５】
2016056169.tif 000005
（式中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。なお、ｍおよびｎは、それぞれ独立に１〜５の自然数である。また、Ｑ１およびＱ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、置換もしくは無置換の炭素原子のいずれかを表す。また、Ｒ１からＲ２０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１３のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項７】
式（Ｇ４）で表される有機化合物。
【化６】
2016056169.tif 000006
（式中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。なお、ｍおよびｎは、それぞれ独立に１〜５の自然数である。また、Ｑ１およびＱ２は、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子、置換もしくは無置換の炭素原子のいずれかを表す。また、Ｒ１からＲ２０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１３のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項８】
式（１００）、（２００）、（１１５）及び（１１２）のいずれか一で表される有機化合物。
【化７】
2016056169.tif 000007
2016056169.tif 000008
2016056169.tif 000009
2016056169.tif 000010
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の有機化合物を有する発光素子。
【請求項１０】
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、請求項１乃至８のいずれか一に記載の有機化合物を有する発光素子。
【請求項１１】
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、３種以上の有機化合物を有し、
前記３種以上の有機化合物の一は、請求項１乃至８のいずれか一に記載の有機化合物である発光素子。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一に記載の発光素子と、
トランジスタまたは基板と、を有する発光装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発光装置と、
マイク、カメラ、操作用ボタン、外部接続部またはスピーカと、を有する電子機器。
【請求項１４】
請求項１２に記載の発光装置と、
筐体、カバーまたは支持台と、を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月12日(2018.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板が収容された処理室に、有機系金属含有原料ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給する際に、前記基板上における前記混合ガスの流速が７．８ｍ／ｓ〜１５．６ｍ／ｓの範囲内の値となり、前記混合ガスにおける前記有機系金属含有原料ガスの分圧が０．１６７〜０．３の範囲内の値となるように調整して供給する工程と、
（ｂ）前記処理室を排気する工程と、
（ｃ）前記処理室に、酸素含有ガスを供給する工程と、
（ｄ）前記処理室を排気する工程と、
を順に行って前記基板上に金属酸化膜を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板は、表面にパターンを有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ａ）の工程では、前記有機系金属含有原料ガスを分割して供給する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ａ）の工程〜前記（ｃ）の工程を行う複数回のサイクルのうち、２回目以降のサイクルから、前記（ａ）の工程で、前記有機系金属含有原料ガスを分割して供給する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記（ｂ）の工程と前記（ｃ）の工程の間に、前記処理室にエッチングガスを供給する工程と、前記処理室を排気する工程とを、行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
基板を収容する処理室と、
前記処理室に、有機系金属含有原料ガス、不活性ガス、酸素含有ガスを供給する供給系と、
前記処置室を排気する排気系と、
前記供給系、前記排気系を制御して、
前記基板を収容した前記処理室に、（ａ）前記有機系金属含有原料ガスと前記不活性ガスとの混合ガスを供給する際に、前記基板上における前記混合ガスの流速が７．８ｍ／ｓ〜１５．６ｍ／ｓの範囲内の値となり、前記混合ガスにおける前記有機系金属含有原料ガスの分圧が０．１６７〜０．３の範囲内の値となるように調整して供給する処理と、（ｂ）前記処理室を排気する処理と、（ｃ）前記処理室に、前記酸素含有ガスを供給する処理と、（ｄ）前記処理室を排気する処理と、を、順に行って前記基板上に金属酸化膜を形成するよう構成される制御部と、
を有する基板処置装置。
【請求項７】
前記制御部は、
前記（ａ）の処理では、前記有機系金属含有原料ガスを分割して供給するように前記供給系を制御する請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記（ａ）の処理〜前記（ｄ）の処理を行う複数回のサイクルのうち、２回目以降のサイクルから、前記（ａ）の処理で、前記有機系金属含有原料ガスを分割して供給するように前記供給系を制御する請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、
前記（ｂ）の処理と前記（ｃ）の処理の間に、前記処理室にエッチングガスを供給する処理と、前記処理室を排気する処理とを、行うように前記供給系と前記排気系とを制御する請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
（ａ）基板が収容された基板処理装置の処理室内に、有機系金属含有原料ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給する際に、前記基板上における前記混合ガスの流速が７．８ｍ／ｓ〜１５．６ｍ／ｓの範囲内の値となり、前記混合ガスにおける前記有機系金属含有原料ガスの分圧が０．１６７〜０．３の範囲内の値となるように調整して供給する手順と、
（ｂ）前記処理室を排気する手順と、
（ｃ）前記処理室に、酸素含有ガスを供給する手順と、
（ｄ）前記処理室を排気する手順と、
を、順に行って前記基板上に金属酸化膜を形成する手順をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【請求項１１】
前記（ａ）の手順では、前記有機系金属含有原料ガスを分割して供給する請求項１０に記載のプログラム。
【請求項１２】
前記（ａ）の手順〜前記（ｃ）の手順を行う複数回のサイクルのうち、２回目以降のサイクルから、前記（ａ）の手順で、前記有機系金属含有原料ガスを分割して供給する請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１３】
前記（ｂ）の手順と前記（ｃ）の手順の間に、前記処理室にエッチングガスを供給する手順と、前記処理室を排気する手順とを、行う請求項１０に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月15日(2018.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子表面に被覆層を有するリチウム含有複合酸化物を含むリチウムイオン二次電池用正極活物質であって、
前記被覆層は、下記元素（ａ）を含む化合物、下記金属元素（ｍ）を含む化合物、もしくは下記元素（ａ）と下記金属元素（ｍ）を含む化合物、またはこれらの混合物のいずれかからなる、リチウム二次電池用正極活物質。
・元素（ａ）
Ｓ、Ｐ、Ｆ、およびＢからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素。
・金属元素（ｍ）
Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、およびＹｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素。
【請求項２】
前記リチウム含有複合酸化物が、下記式（１）または（２）で表される化合物である、請求項１に記載のリチウム二次電池用正極活物質。
Ｌｉ（Ｌｉｘ１Ｍｎｙ１Ｍｅｚ１）Ｍｅ’αＯｐＦｑ・・・  （１）
式（１）中、Ｍｅは、ＣｏおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｍｅ’はＡｌ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、およびＦｅからなる群より選ばれる少なくとも１種である。０．１＜ｘ１＜０．２５、０．５≦ｙ１／（ｙ１＋ｚ１）≦０．８、０≦α≦０．１、ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、１．９＜ｐ＜２．１、０≦ｑ≦０．１である。
Ｌｉａ（Ｎｉｘ２Ｍｎｙ２Ｃｏｚ２）Ｍｅ’’  ｂＯ２・・・  （２）
式（２）中、０．９５≦ａ≦１．１、０≦ｘ２≦１、０≦ｙ２≦１、０≦ｚ２≦１、０≦ｂ≦０．３、０．９０≦ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＋ｂ≦１．０５、Ｍｅ’’はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｓｎ、およびＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１種である。
【請求項３】
前記被覆層が、前記元素（ａ）と前記金属元素（ｍ）とを含む難溶性の化合物を含む、請求項１または２に記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項４】
前記元素（ａ）と金属元素（ｍ）を含む化合物が、以下化合物から選ばれる少なくとも1種を含む請求項1〜３のいずれか1項に記載のリチウム二次電池用正極活物質。
ＢａＳＯ４、ＣａＳＯ４、ＳｒＳＯ４、Ａｌ２（ＳＯ４）３、Ｚｒ（ＳＯ４）２、ＣｅＰＯ４、ＢｉＰＯ４、ＡｌＰＯ４、ＬａＰＯ４、Ｃｅ３（ＰＯ４）４、Ｍｇ３（ＰＯ４）２、Ｂａ３（ＰＯ４）２、Ｃａ３（ＰＯ４）２、Ｚｒ３（ＰＯ４）２、Ｌｉ３ＰＯ４、Ｎｂ３（ＰＯ４）５、ＬｉＦ、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、ＬａＦ３、ＡｌＦ３、ＣｅＦ３、ＩｎＦ３、ＺｒＦ４、ＮｂＦ５。
【請求項５】
前記金属元素（ｍ）が、Ａｌ、ＮｂまたはＺｒからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項６】
前記リチウム含有複合酸化物の平均粒子径（Ｄ５０）が、０．０３〜３０μｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項７】
請求項６に記載のリチウム二次電池用正極活物質を含有するリチウム二次電池用正極。
【請求項８】
請求項７に記載のリチウム二次電池用正極を有するリチウム二次電池。
【請求項９】
請求項７に記載のリチウム二次電池用正極と無機固体電解質および／または固体状もしくはゲル状の高分子電解質を有するリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月1日(2018.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶部と、
前記記憶部に、消費者の会員コードに関連付けて生成された電子レシート情報を記憶する電子レシート情報記憶手段と、
前記記憶部に、前記電子レシート情報に関連付けて領収書を印字して発行したことを示すステータス情報を記憶するステータス情報記憶手段と、
前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されているかを判断する判断手段と、
前記判断手段が前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されていると判断すると、前記記憶部に記憶している前記電子レシート情報に領収書が発行済であることを示す情報を付加して前記会員コードに対応付けられた情報処理装置に対して送信する電子レシート送信手段と、
を備えたことを特徴とする電子レシート管理サーバ。
【請求項２】
前記判断手段が前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されていないと判断すると、前記電子レシート送信手段は、前記記憶部に記憶している前記電子レシート情報に前記領収書が発行済であることを示す情報を付加せずに前記情報処理装置に対して送信する、
請求項１に記載の電子レシート管理サーバ。
【請求項３】
前記領収書が発行済であることを示す情報は、文字情報である、
請求項１または２に記載の電子レシート管理サーバ。
【請求項４】
前記電子レシート送信手段は、前記情報処理装置から電子レシート情報の照会があると、前記判断手段が前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されていると判断した場合は、前記記憶部に記憶している前記電子レシート情報に前記領収書が発行済であることを示す情報を付加して前記情報処理装置に対して送信する、
請求項１乃至３のいずれか一に記載の電子レシート管理サーバ。
【請求項５】
記憶部を有する電子レシート管理サーバとしてのコンピュータを、
前記記憶部に、消費者の会員コードに関連付けて生成された電子レシート情報を記憶する電子レシート情報記憶手段と、
前記記憶部に、前記電子レシート情報に関連付けて領収書を印字して発行したことを示すステータス情報を記憶するステータス情報記憶手段と、
前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されているかを判断する判断手段と、
前記判断手段が前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されていると判断すると、前記記憶部に記憶している前記電子レシート情報に領収書が発行済であることを示す情報を付加して前記会員コードに対応付けられた情報処理装置に対して送信する電子レシート送信手段と、
して機能させるためのプログラム。
【請求項６】
記憶部を有する電子レシート管理サーバで実行される電子レシートの送信方法であって、
電子レシート情報記憶手段が、前記記憶部に、消費者の会員コードに関連付けて生成された電子レシート情報を記憶する工程と、
ステータス情報記憶手段が、前記記憶部に、前記電子レシート情報に関連付けて領収書を印字して発行したことを示すステータス情報を記憶する工程と、
判断手段が、前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されているかを判断する工程と、
電子レシート送信手段が、前記判断手段が前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されていると判断すると、前記記憶部に記憶している前記電子レシート情報に領収書が発行済であることを示す情報を付加して前記会員コードに対応付けられた情報処理装置に対して送信する工程と、
を含む電子レシートの送信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
実施の形態の電子レシート管理サーバは、記憶部と、前記記憶部に、消費者の会員コードに関連付けて生成された電子レシート情報を記憶する電子レシート情報記憶手段と、前記記憶部に、前記電子レシート情報に関連付けて領収書を印字して発行したことを示すステータス情報を記憶するステータス情報記憶手段と、前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されているかを判断する判断手段と、前記判断手段が前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されていると判断すると、前記記憶部に記憶している前記電子レシート情報に領収書が発行済であることを示す情報を付加して前記会員コードに対応付けられた情報処理装置に対して送信する電子レシート送信手段と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
実施形態のプログラムは、記憶部を有する電子レシート管理サーバとしてのコンピュータを、前記記憶部に、消費者の会員コードに関連付けて生成された電子レシート情報を記憶する電子レシート情報記憶手段と、前記記憶部に、前記電子レシート情報に関連付けて領収書を印字して発行したことを示すステータス情報を記憶するステータス情報記憶手段と、前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されているかを判断する判断手段と、前記判断手段が前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されていると判断すると、前記記憶部に記憶している前記電子レシート情報に領収書が発行済であることを示す情報を付加して前記会員コードに対応付けられた情報処理装置に対して送信する電子レシート送信手段と、して機能させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
実施の形態の電子レシートの送信方法は、記憶部を有する電子レシート管理サーバで実行される電子レシートの送信方法であって、電子レシート情報記憶手段が、前記記憶部に、消費者の会員コードに関連付けて生成された電子レシート情報を記憶する工程と、ステータス情報記憶手段が、前記記憶部に、前記電子レシート情報に関連付けて領収書を印字して発行したことを示すステータス情報を記憶する工程と、判断手段が、前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されているかを判断する工程と、電子レシート送信手段が、前記判断手段が前記電子レシート情報と前記ステータス情報とが関連付けて記憶されていると判断すると、前記記憶部に記憶している前記電子レシート情報に領収書が発行済であることを示す情報を付加して前記会員コードに対応付けられた情報処理装置に対して送信する工程と、を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月11日(2018.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面の第１開口と第２面の第２開口とを貫通する貫通孔を有する基板と、
前記貫通孔の内部に配置された第１導電層と、を備え、
前記第２開口は前記第１開口よりも大きく、
断面視において、前記貫通孔の側壁は変曲点を有する貫通電極基板。
【請求項２】
前記変曲点は、前記第１面と前記第２面との中間よりも前記第１面側にある、請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項３】
前記変曲点において、前記側壁は、前記第１面に直交する方向に対して傾斜した傾斜面を有し、
前記傾斜面は、前記第２面側を向いている、請求項２に記載の貫通電極基板。
【請求項４】
前記貫通孔には、前記第１開口と前記変曲点との間に、平面視における面積が最も小さい最小開口部がある、請求項１乃至３のいずれか一に記載の貫通電極基板。
【請求項５】
前記貫通孔には、前記変曲点と前記第２開口との間に、平面視における面積が最も大きい最大開口部がある、請求項１乃至４のいずれか一に記載の貫通電極基板。
【請求項６】
前記基板の前記第１面側に設けられ、前記第１導電層に接続された第２導電層と、
前記第２導電層の上に設けられ、開口が設けられた第１絶縁層と、をさらに備え、
平面視において、前記開口は前記貫通孔に重ならない、請求項１乃至５のいずれか一に記載の貫通電極基板。
【請求項７】
前記側壁と前記第１導電層との間の第２絶縁層をさらに有する、請求項１乃至６のいずれか一に記載の貫通電極基板。
【請求項８】
前記基板は絶縁性を有する、請求項１乃至７のいずれか一に記載の貫通電極基板。
【請求項９】
ＬＳＩ基板と、半導体チップと、請求項１乃至８の何れか一項に記載の貫通電極基板と、を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月15日(2018.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の画像処理置は、
動画像を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記動画像の時間的または空間的に前または後の候補画像と、前記動画像との類似度を算出する算出手段と、
前記算出手段による算出結果に基づいて、前記動画像から代表画像を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定された代表画像と、前記動画像とは異なる画像とを合成して１つの画像を生成する合成手段と、
を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記動画像の時間的または空間的に前または後の候補画像と、前記動画像との類似度を算出する算出手段と、
前記算出手段による算出結果に基づいて、前記動画像から代表画像を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定された代表画像と、前記動画像とは異なる画像とを合成して１つの画像を生成する合成手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記取得手段により取得された動画像から複数の候補画像を選択する選択手段をさらに備え、
前記選択手段は、前記算出手段による算出結果に基づいて前記複数の候補画像から前記代表画像を選択することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
画像を評価する評価手段をさらに備え、
前記選択手段は、前記評価手段による評価結果と、前記算出手段による算出結果に応じて前記複数の候補画像から前記代表画像を選択することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記評価手段は、前記動画像の特徴量に基づいて前記複数の候補画像を評価することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記評価手段は、前記動画像の同じ種類の特徴量に基づいて前記複数の候補画像を評価することを特徴とする請求項３または４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記特徴量は、前記動画像のフレーム毎に算出された特徴量を平均化したものであることを特徴とする請求項４または５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記特徴量は、前記動画像のフレーム毎に算出された特徴量の最高値、または最低値であることを特徴とする請求項４または５に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記特徴量は、前記動画像のフレーム画像の指標の種類に基づいて算出された特徴量であることを特徴とする請求項４から７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記特徴量は、前記動画像のフレーム画像の撮影パラメータの種類に基づいて算出された特徴量であることを特徴とする請求項４から７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記算出手段は、前記動画像の時間的または空間的に前または後に表示される複数の候補画像と、前記動画像との類似度を算出することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記算出手段は、前記動画像の時間的または空間的に前及び後に表示される候補画像と、前記動画像との類似度を算出することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記特定手段は、前記算出された算出結果が他の算出結果より低い動画像を代表画像と特定することを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記算出手段は、前記動画像の部分動画と、前記動画像のうちの他の部分動画との類似度の平均値を算出することを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
画像処理装置が実行する画像処理方法であって、
動画像を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得された前記動画像の時間的または空間的に前または後の候補画像と、前記動画像との類似度を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにおける算出結果に基づいて、前記動画像から代表画像を特定する特定ステップと、
前記特定ステップにより特定された代表画像と、前記動画像とは異なる画像とを合成して１つの画像を生成する合成ステップと、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１５】
コンピュータに、
動画像を取得する取得機能と、
前記取得機能により取得された前記動画像の時間的または空間的に前または後の候補画像と、前記動画像との類似度を算出する算出機能と、
前記算出機能による算出結果に基づいて、前記動画像から代表画像を特定する特定機能と、
前記特定機能により特定された代表画像と、前記動画像とは異なる画像とを合成して１つの画像を生成する合成機能と、
を実現させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月2日(2018.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、固体状の酸性物質と、該酸性物質と反応して炭酸ガスを発生する固体状の炭酸ガス発生物質とを有する発泡性皮膚外用剤であって、更に、
多糖類又はその誘導体を少なくとも一種と、
アルブチン、プラセンタ、サリチル酸から選ばれる少なくとも一種を含有し、
前記皮膚外用剤の使用時に含水物質と混合する発泡性皮膚外用剤。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月15日(2018.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
を有効成分とする、筋タンパク質合成シグナル活性化剤。
【請求項２】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
を有効成分とする、ｐ７０Ｓ６キナーゼのリン酸化促進剤。
【請求項３】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
を有効成分とする、筋量改善剤。
【請求項４】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
を有効成分とする、筋力改善剤。
【請求項５】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
を有効成分とする、筋萎縮抑制剤。
【請求項６】
前記チロシン化合物が、チロシン、チロシン含有ジペプチド、及びアルキル化チロシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のチロシン化合物である、請求項１〜５のいずれかに１項記載の剤。
【請求項７】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
それぞれを有効量投与又は摂取させる、非治療的筋タンパク質合成シグナル活性化方法、非治療的ｐ７０Ｓ６キナーゼのリン酸化促進方法、非治療的筋量改善方法、非治療的筋力改善方法、又は非治療的筋萎縮抑制方法。
【請求項８】
前記チロシン化合物が、チロシン、チロシン含有ジペプチド、及びアルキル化チロシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のチロシン化合物である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
を有効成分として含有する、筋タンパク質合成シグナル活性化用飲食品組成物。
【請求項１０】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
を有効成分として含有する、ｐ７０Ｓ６キナーゼのリン酸化促進用飲食品組成物。
【請求項１１】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
を有効成分として含有する、筋量改善用飲食品組成物。
【請求項１２】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
を有効成分として含有する、筋力改善用飲食品組成物。
【請求項１３】
少なくとも１種のチロシン化合物、並びに
ロイシン及びイソロイシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアミノ酸、
を有効成分として含有する、筋萎縮抑制用飲食品組成物。
【請求項１４】
前記チロシン化合物が、チロシン、チロシン含有ジペプチド、及びアルキル化チロシンからなる群より選ばれる少なくとも１種のチロシン化合物である、請求項９〜１３のいずれかに１項記載の飲食品組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月2日(2018.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のポートを備える底部を有する第１の開放空気流路を備える外面を有する可撓性構造と、
前記第１のポートの真下位置において前記可撓性構造内に設置されかつ前記第１のポートと流体連通する第１の圧力センサと
を備える装置。
【請求項２】
前記可撓性構造が、静圧入力と、前記静圧入力と流体連通する静圧室とを備え、前記第１の圧力センサが前記静圧室と流体連通する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の圧力センサが、微小電気機械システムを備える容量型差圧センサである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の圧力センサが、第１の電極が形成された変形可能なダイヤフラム膜と、第２の電極が形成された基板と備え、前記第１の電極および前記第２の電極が、前記変形可能なダイヤフラム膜の撓みの関数である距離で隔てられる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の開放空気流路が狭窄部分を備え、前記第１のポートが前記第１の開放空気流路の前記狭窄部分の底部に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記可撓性構造の前記外面が、第２のポートを備える底部を有する第２の開放空気流路を有し、前記装置が、前記第２のポートの真下位置において前記可撓性構造内に設置されかつ前記第２のポートと流体連通する第２の圧力センサを更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の圧力センサにより出力されるアナログ信号を調整するように接続された第１の信号調整回路と、
前記第１の信号調整回路により出力される調整されたアナログ信号を第１のデジタル信号に変換するように接続された第１のアナログ‐デジタル変換器と、
前記第２の圧力センサにより出力されるアナログ信号を調整するように接続された第２の信号調整回路と、
前記第２の信号調整回路により出力される調整されたアナログ信号を第２のデジタル信号に変換するように接続された第２のアナログ‐デジタル変換器と、
前記第１のデジタル信号および前記第２のデジタル信号を考慮して対気速度推定値を算出するようにプログラムされたプロセッサと
を更に備える請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記可撓性構造の前記外面に熱的に結合された加熱素子を更に備える請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記加熱素子を前記可撓性構造の前記外面に熱的に結合する熱伝導性ゲルを更に備える請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記可撓性構造の前記外面が金属またはプラスチック製である、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
外面を有する飛行機と前記飛行機の前記外面に取り付けられたコンフォーマル対気速度センサとを備えるシステムであって、前記コンフォーマル対気速度センサが、
第１の開放空気流路および第２の開放空気流路が形成された外面を有する可撓性構造と、
前記第１の開放空気流路の真下位置において前記可撓性構造内に設置されかつ前記第１の開放空気流路と流体連通する第１の容量型差圧センサと、
前記第２の開放空気流路の真下位置において前記可撓性構造内に設置されかつ前記第２の開放空気流路と流体連通する第２の容量型差圧センサと、
前記第１の容量型差圧センサおよび前記第２の容量型差圧センサにより出力された信号に少なくとも部分的に基づいて前記飛行機の対気速度を推定するようにプログラムまたは構成される電子回路と
を備える、システム。
【請求項１２】
前記可撓性構造が、静圧入力と、前記静圧入力と流体連通する第１の静圧室および第２の静圧室とを備え、前記第１の容量型差圧センサが前記第１の開放空気流路と前記第１の静圧室との間に配置され、前記第２の容量型差圧センサが前記第２の開放空気流路と前記第２の静圧室との間に配置される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第１の容量型差圧センサおよび前記第２の容量型差圧センサの各々が、第１の電極が形成された変形可能なダイヤフラム膜と、第２の電極が形成された基板とを備え、前記第１の電極および前記第２の電極が、前記変形可能なダイヤフラム膜の撓みの関数である距離で隔てられる、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１の開放空気流路および前記第２の開放空気流路の各々が、それぞれの狭窄部分を備え、前記第１の容量型差圧センサが、前記第１の開放空気流路の狭窄部分の真下に配置され、前記第２の容量型差圧センサが、前記第２の開放空気流路の狭窄部分の真下に配置される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記電子回路が、
前記第１の容量型差圧センサにより出力されるアナログ信号を調整するように接続された第１の信号調整回路と、
前記第１の信号調整回路により出力される調整されたアナログ信号を第１のデジタル信号に変換するように接続された第１のアナログ‐デジタル変換器と、
前記第２の容量型差圧センサにより出力されるアナログ信号を調整するように接続された第２の信号調整回路と、
前記第２の信号調整回路により出力される調整されたアナログ信号を第２のデジタル信号に変換するように接続された第２のアナログ‐デジタル変換器と、
前記第１のデジタル信号および前記第２のデジタル信号を考慮して対気速度推定値を算出するようにプログラムされたプロセッサと
を備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記可撓性構造の前記外面に熱的に結合された加熱素子を更に備える請求項１１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記加熱素子を前記可撓性構造の前記外面に熱的に結合する熱伝導性ゲルを更に備える請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記可撓性構造の前記外面が金属またはプラスチック製である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１９】
流体媒体中を移動するように動作可能である乗物の速度を推定する方法であって、
１つまたは複数の開放空気流路が形成された外面を有する可撓性構造を前記乗物の外面に取り付けるステップと、
前記１つまたは複数の開放空気流路の狭窄部分の真下に設置された１つまたは複数の差圧センサからの信号を送信するステップと、
前記乗物の移動中に周囲の流体媒体に対する前記乗物の前記速度を算出するステップであって、前記速度の算出が前記流体媒体の密度および前記１つまたは複数の差圧センサにより送信された信号に基づく、ステップと
を備える、方法。
【請求項２０】
各差圧センサにより送信された各信号が、各開放空気流路の真下の静圧と該開放空気流路における全圧との差を表す、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記差圧センサにより送信されたアナログ信号を調整し、該アナログ信号をデジタル信号に変換するステップを更に備える請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記算出するステップが、
前記流体媒体の密度に部分的に基づいてデジタル値を各速度推定値に変換するステップと、
前記速度推定値に基づいて平均速度推定値を算出するステップと、
所定の閾値よりも大きく前記平均速度推定値と異なる後続の速度推定値を除去するステップとを備える、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記流体媒体が空気であり、前記乗物が航空機である、請求項１９に記載の方法。