【事件の表示】
　平成　６年特許願第　２７３７０号「半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　８月１８日出願公開、特開平　７−２２１３４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年１月３１日の出願であって、平成１５年１月９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年２月１７日付で拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年３月１９日付で特許法第１７条の２第１項第５号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年３月１９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　 平成１５年３月１９日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を下記のように補正することを含むものである。
「【請求項１】ＭＡｓ（ＭはIIIb族元素の一種または二種以上を表す）で構成される下層の｛１００｝面上にＭＰで構成されるコア層とＭＡｓで構成される上層を順次にエピタキシャル成長させる結晶成長工程、上層に保護層を形成した後に当該保護層にエッチング窓を形成するリソグラフィー−エッチング工程、
上層を選択エッチングする第１エッチング工程、コア層の｛１１１｝面が主に現れている面が、エッチングされた上層の端部からのサイドエッチングなしに下層に達する様に、コア層の｛１１１｝面が主に現れている面を除く他の面を選択エッチングする第２エッチング工程とを順次に結合して含む半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法であって、しかも、上記の第２エッチング工程においては、塩酸と燐酸との混合エッチング水溶液を使用することを特徴とする半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法。」
　
　上記補正は、第２エッチング工程に使用するエッチング溶液を具体的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用した刊行物１：特開平２−５８８８３号公報には、下記の記載が認められる。
「第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示すレーザチップの断面図である。まず一回目の減圧ＭＯＶＰＥによる成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１・・・上に、ｎ型・・・クラッド層２・・・活性層３・・・下部クラッド層４・・・ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ層５・・・、ｐ型（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド上部層６・・・、ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層７、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次に形成した。・・・こうして成長したウェハにフォトリソグラフィにより幅５μｍのストライプ状のＳｉＯ２マスクを形成した。次にこのＳｉＯ２マスクを用いてリン酸系のエッチング液によりｐ型ＧａＡｓキャップ層８（を）メサ状にエッチングした。つづいて塩酸系のエッチング液により、ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層７およびｐ型（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層６をメサ状にエッチングした。・・・上述の制作工程においてはｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ層５におけるエッチング停止時間は数十分以上でありメサストライプ部のサイドエッチングのみを問題にしてｐ型（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層６のエッチング時間を決めることができる。」（２頁右下欄７行〜３頁右上欄９行）。
　
（３）対比
　上記刊行物１記載のもの（以下、「引用発明」という。）と本願補正発明とを対比する。
（イ）引用発明の「ｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ層５」、「ＧａＡｓキャップ層８」、「ＭＯＶＰＥによる成長」及び「半導体レーザ装置」は、それぞれ本願補正発明の「ＭＡｓ（ＭはIIIb族元素の一種または二種以上を表す）で構成される下層」、「ＭＡｓで構成される上層」、「エピタキシャル成長」及び「半導体発光素子」に相当する。　
　また、本願明細書の【００１０】には「コア層（２）は、半導体発光素子構造において、各種の機能層、例えば、電流阻止層、クラッド層などを構成する。」と記載されているから、引用発明の「ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層７およびｐ型（Ａｌ０．５Ｇａ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層６」は、本願補正発明の「ＭＰで構成されるコア層」に相当することは明らかである。
（ロ）本願補正発明の「保護層にエッチング窓を形成するリソグラフィー−エッチング工程」は、エッチング窓以外の部分の保護層でエッチングマスクを形成する工程と同じであるから、引用発明における「フォトリソグラフィにより幅５μｍのストライプ状のＳｉＯ２マスクを形成した」工程、及び本願補正発明の「保護層にエッチング窓を形成するリソグラフィー−エッチング工程」は、共に、『保護層でエッチングマスクを形成する工程』ということができ、後述（ホ）を参酌すれば、実質上両者は異なるものではない。
（ハ）引用発明において「リン酸系のエッチング液によりｐ型ＧａＡｓキャップ層８をエッチング」する工程は、本願補正発明の「上層を選択エッチングする第１エッチング工程」に相当する。
（ニ）引用発明の「塩酸系のエッチング液により、ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層７およびｐ型（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層６をメサ状にエッチングした」工程は、本願補正発明の「ＭＰで構成される層を選択エッチングする第２エッチング工程」に対応する。
（ホ）本願明細書の【０００１】に「本発明は、半導体発光素子構造におけるグルーブ（ｇｒｏｏｖｅ）の形成方法に関するものであり、詳しくは、一定形状のグルーブを容易かつ比較的再現性良く形成することが出来るグルーブの形成方法に関するものである。なお、本発明のグルーブの形成方法は、グルーブ間にリッジ（ｒｉｄｇｅ）が形成されると言う意味においてリッジの形成方法をも包含する。」と記載されている。
　そして、引用発明の「メサストライプ部」は、本願補正発明の「リッジ」に相当するから、引用発明のメサストライプ部の形成方法は本願補正発明のグルーブの形成方法に包含される。
　
　よって、両者は、
「ＭＡｓ（ＭはIIIb族元素の一種または二種以上を表す）で構成される下層の面上にＭＰで構成されるコア層とＭＡｓで構成される上層を順次にエピタキシャル成長させる結晶成長工程、上層に保護層を形成した後に当該保護層でエッチングマスクを形成するリソグラフィー−エッチング工程、上層を選択エッチングする第１エッチング工程、コア層を選択エッチングする第２エッチング工程とを順次に結合して含む半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法であって、しかも、上記の第２エッチング工程においては、塩酸系エッチング水溶液を使用することを特徴とする半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法。」
　で一致し、下記の点で相違する。
　
　（相違点１）
　本願補正発明は、その上にエピタキシャル成長する下層の面を｛１００｝としているのに対して、引用発明では、下層にどの面方位を用いるか明記されていない点、
　　
　（相違点２）
　本願補正発明は、コア層の｛１１１｝面が主に現れている面が、エッチングされた上層の端部からのサイドエッチングなしに下層に達する様に、コア層の｛１１１｝面が主に現れている面を除く他の面を選択エッチングする第２のエッチング工程において、塩酸と燐酸との混合エッチング水溶液を使用するのに対して、引用発明は、塩酸系のエッチング液を用いるもののこのような具体的な記載がない点。
　
（４）判断
　上記相違点につき検討する。
　（相違点１について）
　エピタキシャル成長するＧａＡｓ等の基板面に（００１）面を用いることは従来周知の技術事項にすぎず、きわめて一般的なことである（例えば、特開平４−８５５０３号公報（３頁右上欄）及び特開昭５８−１７５８８６号公報（１頁左下欄１１〜１２行）参照。）から、引用発明の下層面であるｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ層５の面を｛１００｝とすることは格別なことではない。
　
　（相違点２について）
　下層に（００１）面方位を有するものにおいて、ＭＰで構成される層、例えば、ＩｎＰからなる層を塩酸とリン酸の混合エッチング液によりエッチングしてＶ形の溝を作製し、該Ｖ形の溝の側面に（１１１）を露出することは従来周知（上記特開平４−８５５０３号公報（実施例１参照）及び特開昭５８−１７５８８６号公報（２頁右上欄参照））の事項である。
　よって、相違点２の本願補正発明の構成は、引用発明の「ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層７およびｐ型（Ａｌ０．５Ｇａ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層６」に対する塩素系エッチング溶液として、上記従来周知の塩酸とリン酸の混合エッチング液を採用することにより当業者が容易に想到し得たものである。
　　
　また、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び従来周知の技術から予想し得る程度のものであり格別とはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は引用発明に従来周知の技術を適用することにより当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
　なお、審判請求人は、平成１５年５月６日付で補正された請求の理由において、「本願発明は、ＭＡｓ層（下層）／ＭＰ層（コア層）／ＭＡｓ層（上層）という材料構成によって、サイドエッチングの防止を図ることが可能となった」旨、主張する。
　しかし、このような材料構成は引用発明が既に備えているのであるから、引用発明において、塩素系エッチング溶液として、上記従来周知の塩酸とリン酸の混合エッチング液を採用した場合に、サイドエッチングの防止を図ることが可能となることは明らかである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年３月１９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１４年１２月４日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「ＭＡｓ（ＭはIIIb族元素の一種または二種以上を表す）で構成される下層の｛１００｝面上にＭＰで構成されるコア層とＭＡｓで構成される上層を順次にエピタキシャル成長させる結晶成長工程、上層に保護層を形成した後に当該保護層にエッチング窓を形成するリソグラフィー−エッチング工程、
上層を選択エッチングする第１エッチング工程、コア層の｛１１１｝面が主に現れている面が、エッチングされた上層の端部からのサイドエッチングなしに下層に達する様に、コア層の｛１１１｝面が主に現れている面を除く他の面を選択エッチングする第２エッチング工程とを順次に結合して含むことを特徴とする半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用した、この出願前公知の刊行物１：特開平２−５８８８３号公報（以下、「引用例」という。）には、上記２．（２）刊行物記載の発明に摘記した事項が記載されている。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明から「半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法であって、しかも、上記の第２エッチング工程においては、塩酸と燐酸との混合エッチング水溶液を使用する」点を削除したものである。
　したがって、本願発明は、上記本願補正発明に対するとほぼ同様の理由（対比及び判断における「第２エッチング工程においては、塩酸と燐酸との混合エッチング水溶液を使用する」に関する記載部分を除く）により、引用例に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。