【事件の表示】
　特許第５７６５１３１号発明「パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７６５１３１号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第５７６５１３１号の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は、平成２３年８月１２日に特許出願され、平成２７年６月２６日に特許の設定登録がなされ、その後、その特許に対し、特許異議申立人　畠　明により特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．本件特許発明
　特許第５７６５１３１号の請求項１ないし１０に係る特許発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」ないし「本件特許発明１０」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　絶縁基板と、この絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、を備えたパワーモジュール用基板であって、
　前記回路層は、前記絶縁基板の一方の面に銅板が接合されて構成されており、
　前記銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
【請求項２】
　前記絶縁基板の他方の面に金属層が形成されており、この金属層は、前記絶縁基板の他方の面に銅板が接合されて構成されており、
　前記銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされていることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール用基板。
【請求項３】
　前記銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で３ｍｏｌｐｐｍ以上５０ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを３００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされていることを特徴とする請求項１又は請求項2に記載のパワーモジュール用基板。
【請求項４】
　前記銅板は、酸素含有量が１質量ｐｐｍ以下とされていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板。
【請求項５】
　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、ヒートシンクと、を備えたことを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。
【請求項６】
　請求項５に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板と、前記回路層上に搭載された電子部品と、を備えたことを特徴とするパワーモジュール。
【請求項７】
　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、前記回路層上に搭載された電子部品と、を備えたことを特徴とするパワーモジュール。
【請求項８】
　絶縁基板と、この絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、を備えたパワーモジュール用基板の製造方法であって、
　前記回路層は、前記絶縁基板の一方の面に銅板が接合されて構成されており、前記銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされており、
　前記絶縁基板の接合面にＡｌ２Ｏ３層を形成するアルミナ層形成工程と、前記絶縁基板の一方の面に銅板を接合して前記回路層を形成する回路層形成工程と、を備えており、
　前記回路層形成工程においては、前記銅板と前記絶縁基板とを、銅（Ｃｕ）と亜酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）の共晶域での液相を利用したＤＢＣ法によって接合することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
【請求項９】
　前記パワーモジュール用基板は、前記絶縁基板の他方の面に形成された金属層を備え、前記金属層は、前記絶縁基板の他方の面に銅板が接合されて構成されており、前記銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされており、
　前記絶縁基板の接合面にＡｌ２Ｏ３層を形成するアルミナ層形成工程と、前記絶縁基板の他方の面に銅板を接合して前記金属層を形成する金属層形成工程と、を備えており、
　前記金属層形成工程においては、前記銅板と前記絶縁基板とを、銅（Ｃｕ）と亜酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）の共晶域での液相を利用したＤＢＣ法によって接合することを特徴とする請求項８に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
【請求項１０】
　前記回路層形成工程と前記金属層形成工程とを同時に実施することを特徴とする請求項９に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。」
３．申立理由の概要
　特許異議申立人は、主たる証拠として甲第１号証、及び従たる証拠として甲第２ないし６号証を提出し、
（１）本件特許発明１ないし７は、甲第１号証に記載された発明、及び甲第２ないし４号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、
（２）本件特許発明８ないし１０は、甲第１号証に記載された発明、及び甲第２ないし６号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、
　請求項１ないし１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
［証拠］
　甲第１号証：特開２００４−２２１５４７号公報
　甲第２号証：特開２００８−９５１２５号公報
　甲第３号証：特開平１１−２９３３６７号公報
　甲第４号証：特開２００２−２９４３６２号公報
　甲第５号証：特開平１１−２６８９６８号公報
　甲第６号証：特開平１０−１５０１２５号公報
　
４．甲第１ないし６号証の記載事項（なお、下線は当審で付与した。）
（１）甲第１号証（特開２００４−２２１５４７号公報）
　ア．「【請求項４】
　
絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面に積層される回路層と、該絶縁基板の他方の面に積層される金属層と
を備えたパワーモジュール用基板であって、前記回路層及び金属層を、純度が９９．９９９％以上の銅で構成したことを特徴とするパワーモジュール用基板
　
　イ．「【０００１】
　
この発明は
パワーモジュール用基板に関する
　
　ウ．「【００１９】
　以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
　図１には、本発明によるパワーモジュール用基板の一実施の形態が示されていて、この
パワーモジュール用基板１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の一方の面に積層される回路層３と、絶縁基板２の他方の面に積層される金属層４と
を備えている
【００２０】
　絶縁基板２は、例えばＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣ等により所望の大きさに形成されるものであって、その上面及び下面に回路層３及び金属層４がそれぞれ積層接着されるようになっている。
【００２１】
　
回路層３及び金属層４を絶縁基板２に積層接着する方法としては、絶縁基板２と回路層３及び金属層４とを重ねた状態で、これらに荷重０．５〜２ｋｇｆ／ｃｍ
2
（４．９×１０
４
〜１９．６×１０
４
Ｐａ）を加え、Ｎ
2
雰囲気中で１０６５℃に加熱するいわゆるＤＢＣ法（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｃｏｐｐｅｒ法）
があり、用途に応じて適宜の方法を選択して使用すれば良い
【００２２】
　
回路層３及び金属層４は、純度９９．９９９％以上のＣｕ（５Ｎ−Ｃｕ）から構成される
　
　・上記甲第１号証には「パワーモジュール用基板」について記載（上記「イ．」を参照）され、
　当該「パワーモジュール用基板」は、上記「ア．」、「ウ．」の記載事項、及び図１によれば、少なくとも絶縁基板２と、絶縁基板２の一方の面に積層接着される回路層３と、絶縁基板２の他方の面に積層接着される金属層４とを備えたパワーモジュール用基板であって、前記回路層３及び金属層４を、純度が９９．９９９％以上の銅（５Ｎ−Ｃｕ）で構成したパワーモジュール用基板である。
　・また、図１等からして、絶縁基板２に対して積層接着される回路層３及び金属層４は、板状のものであることは明らかである。
　
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。
「絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面に積層接着される回路層と、該絶縁基板の他方の面に積層接着される金属層とを備えたパワーモジュール用基板であって、
　前記回路層及び金属層は、純度が９９．９９９％以上の銅（５Ｎ−Ｃｕ）板で構成されたパワーモジュール用基板。」
　・さらに、上記「ウ．」の段落【００２１】の記載事項によれば、上記パワーモジュール用基板は、回路層３及び金属層４を絶縁基板２に対して、例えばＤＢＣ法（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｃｏｐｐｅｒ法）によって積層接着することによって形成（製造）されるものである。
　
　したがって、上記パワーモジュール用基板の製造方法に着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲１発明’」という。）が記載されている。
「絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面に積層接着される回路層と、該絶縁基板の他方の面に積層接着される金属層とを備えたパワーモジュール用基板の製造方法であって、
　前記回路層及び金属層は、純度が９９．９９９％以上の銅（５Ｎ−Ｃｕ）板で構成され、
　前記回路層及び金属層を前記絶縁基板に対して、ＤＢＣ法（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｃｏｐｐｅｒ法）によって積層接着するようにしたパワーモジュール用基板の製造方法。」
　
（２）甲第２号証（特開２００８−９５１２５号公報）
　ア．「【請求項１】
　
質量％で、Ｆｅ：０．０１〜０．５０％
を各々含有し
たことを特徴とするメッキ性に優れた電気電子部品用銅合金板。
　イ．「【０００１】
　本発明は、高強度で、かつ、メッキ性に優れた
Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系の銅合金板に関し、例えば、半導体装置用リードフレームの素材として好適な銅合金板に関する。本発明の銅合金板は、半導体装置用リードフレーム以外にも、その他の半導体部品、プリント配線板等の電気・電子部品材料、開閉器部品、ブスバー、端子・コネクタ等の機構部品など様々な電気電子部品用として好適に使用される
　
　ウ．「【００５９】
　なお、
表１に示す各銅合金とも、記載元素量を除いた残部組成はＣｕであり
　エ．「【００７６】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（３）甲第３号証（特開平１１−２９３３６７号公報）
　ア．「【請求項１】  
Ｎｉ：０．０５〜３％（重量％、以下同じ）
を含有し、さらにＣａ：０．０００１〜０．３％、Ｍｎ：０．０００１〜０．３％、Ｍｇ：０．０００１〜０．３％からなる群から選択された１種又は２種以上の成分を総量で０．０００１〜０．３％含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなることを特徴とする耐応力緩和特性に優れた銅合金
　
　イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気・電子部品用銅合金に関し
ここでいう電気・電子部品には自動車車載用ジャンクションブロック通電材料及びその中継部品、端子・コネクタなどの接続部品、ＩＣバーンインソケットのコンタクトピン、スイッチなどの電気接点・摺動部品、モーター・コピードラムなどのブラシ・アース端子などの摺動部品、ダイオード、トランジスター、光電変換素子、サイリスタ、トライアック等の半導体素子用リードフレームも含まれる
　
　ウ．「【００２９】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（４）甲第４号証（特開２００２−２９４３６２号公報）
　ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に端子用として好適な
銅合金板
に関する
　イ．「【００１１】Ｐ；
Ｐは不可避不純物としてスクラップ等から混入
（５）甲第５号証（特開平１１−２６８９６８号公報）
　ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置等に使用されるセラミックス回路基板に関する
　
　イ．「【００３２】本発明に係る
セラミックス回路基板は
セラミックス基板の表面に、前記金属回路板を直接接合して製造される
【００３３】ここで
上記金属回路板は、ろう材などの接合剤を使用せずにセラミックス基板表面に直接的に一体に接合される。すなわち、金属回路板の成分と基板成分との共晶化合物（共晶融体）を加熱により発生せしめ、この共晶化合物を介して両部材を接合する、いわゆる直接接合法を使用して接合される
【００３４】そして、セラミックス基板が非酸化物系セラミックスから成り、また金属回路板が銅回路板である場合には、典型的には以下のように接合操作が実施される。すなわち酸化物層を形成したセラミックス基板の表面の所定位置に、表面酸化層としての酸化銅層を形成したタフピッチ電解銅製の銅回路板を接触配置して基板方向に押圧した状態で、銅の融点（１０８３℃）未満で銅−酸化銅の共晶温度（１０６５℃）以上に加熱し、生成したＣｕ−Ｏ共晶化合物液相（共晶融体）を介して銅回路板がセラミックス基板表面に直接的に接合される。
この直接接合法は、いわゆる銅直接接合法（Direct Bonding Copper 法）である
　
　ウ．「【００４０】実施例１〜５
セラミックス基板として、表面粗さ（Ｒmax ）が５μｍであり、また熱伝導率が７８Ｗ／ｍ・Ｋであり、縦５５mm×横３７mm×厚さ０．８mmの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板を多数用意し、各ＡｌＮ基板を空気雰囲気の加熱炉中で１３００℃で１２時間加熱することにより、
基板全表面を酸化し厚さ２μｍの酸化物層（Ａｌ
2
 Ｏ
3
 皮膜）を形成した
【００４１】一方、酸素を４０５〜７４４ｐｐｍ含有し、厚さ０．３mmおよび０．２５mmのタフピッチ電解銅から成る銅回路板および銅板を多数用意し、各銅回路板および銅板を大気に接するホットプレート上に載置した状態でそれぞれ加熱して表面酸化処理を行ない、表１および図１に示すような厚さを有する表面酸化層（酸化銅層）７を一体に形成した。
【００４２】次に
酸化物層を形成した各ＡｌＮ基板表面側に、厚さ０．３mmのタフピッチ電解銅から成る銅回路板を接触配置する一方、背面側に厚さ０．２５mmのタフピッチ銅から成る銅板を裏当て材として接触配置させて積層体とし、この積層体を窒素ガス雰囲気に調整した温度１０７５℃に設定した加熱炉に挿入して１分間加熱することにより、各ＡｌＮ基板に銅回路板および銅板を直接接合した実施例１〜５に係るセラミックス回路基板をそれぞれ製造した
　
（６）甲第６号証（特開平１０−１５０１２５号公報）
　ア．「【０００２】
【従来の技術】近年、パワートランジスタモジュールやスイッチング電源用モジュール等の比較的高電力を扱う
半導体モジュールとして、セラミックス基板の表裏に銅板等の金属回路板および金属板を接合してセラミックス回路基板とし、さらに金属板にヒートシンクを接合した
【０００３】ここで
、セラミックス回路基板の製造工程におけるセラミックス基板と金属回路板あるいは金属板との接合方法としては
セラミックス基板と銅板とを直接接合させる、いわゆる直接接合法（ＤＢＣ法：ダイレクト・ボンディング・カッパー法）等が知られている
【０００４】例えば
直接接合法においては
接合界面にＣｕ−Ｃｕ
2 
Ｏの共晶液相を生成させ、この液相でセラミックス基板の表面を濡らした後、液相を冷却固化することによって、セラミックス基板と銅回路板とが直接接合される
　
５．当審の判断
５−１．本件特許発明１について
（１）対比
　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると、
　ア．甲１発明における「絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面に積層接着される回路層と、該絶縁基板の他方の面に積層接着される金属層とを備えたパワーモジュール用基板であって」によれば、
　甲１発明における「絶縁基板」、「回路層」、「パワーモジュール用基板」は、それぞれ本件特許発明１における「絶縁基板」、「回路層」、「パワーモジュール用基板」に相当し、
　本件特許発明１と甲１発明とは、「絶縁基板と、この絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、を備えたパワーモジュール用基板」である点で一致する。
　
　イ．甲１発明における「・・該絶縁基板の一方の面に積層接着される回路層と、・・・・前記回路層及び金属層は、純度が９９．９９９％以上の銅（５Ｎ−Ｃｕ）板で構成された・・」によれば、
　甲１発明の「回路層」にあっても、銅板からなり、絶縁基板の一方の面にに積層接着、すなわち接合されて構成されているとみることができ、
　本件特許発明１と甲１発明とは、「前記回路層は、前記絶縁基板の一方の面に銅板が接合されて構成されて」いる点で一致する。
　
　よって、本件特許発明１と甲１発明とは、
「絶縁基板と、この絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、を備えたパワーモジュール用基板であって、
  前記回路層は、前記絶縁基板の一方の面に銅板が接合されて構成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点］
　回路層を構成する銅板について、本件特許発明１では、「前記銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされている」と特定するのに対し、甲１発明では、そのような特定を有していない点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討すると、
　甲第２号証（上記「４．（２）」を参照）には、遷移金属元素（Ｆｅ）を含有する電気電子部品用銅合金板が記載され、甲第３号証（上記「４．（３）」を参照）には、遷移金属元素（ＮｉやＭｎなど）、アルカリ土類元素（Ｃａ、Ｍｇ）を含有する電気・電子部品用銅合金が記載されている。
　そして、甲第２号証の表１には「比較例２０」として、遷移金属元素であるＦｅを０．００５質量％含有するものが記載され、かかる含有量をｍｏｌｐｐｍに換算すると約５７ｍｏｌｐｐｍであり、本件特許発明１で特定する遷移金属元素の含有量の範囲である「１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下」を満たしてはいる。
　しかしながら、甲第２号証では、比較例２０を除くすべての例（発明例及び比較例）において、遷移金属元素であるＦｅの含有量は０．０５〜０．５６質量％の範囲であって、換算すると少なくとも約５７０ｍｏｌｐｐｍ以上であり、本件特許発明１で特定する遷移金属元素の含有量の範囲を満たしておらず、また、甲第３号証にあっては、すべての例において、遷移金属元素であるＮｉの含有量が多く（０．４４〜２．９１重量％）、換算すると約４８００ｍｏｌｐｐｍ以上であり、本件特許発明１で特定する遷移金属元素の含有量の範囲を満たしていないことからして、本件特許発明１で特定する「１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下」の範囲を満たすような遷移金属元素等の含有量の電気電子部品用銅合金（板）が一般的なものであるといえるわけでもない。
　ましてや、甲第２号証や甲第３号証に記載の電気電子部品用銅合金（板）は、半導体用リードフレームなどに用いられるものであり、本件特許発明１における回路層を構成する銅板の如く絶縁基板に接合して用いることを前提としているわけではないことや、そもそも甲１発明は、銅の純度が極力高いほどよい、すなわち、銅以外の添加物や不純物が極力少ない銅板を用いようとするものであり、あえてＦｅなどの遷移金属元素等を添加する必然性がないことも考慮すると、甲第２号証にたまたま、しかも比較例として本件特許発明１で特定する遷移金属元素の含有量の範囲を満たす例が記載されていたからといって、甲１発明における回路層を構成する銅板として、甲第２号証の比較例２０に示されるような遷移金属元素の含有量のものを採用すべき動機付けがない。
　なお、甲第４号証（上記「４．（４）」を参照）には、銅合金板には不可避不純物としてＰが混入することが記載されているにすぎない。
　したがって、甲１発明及び甲第２ないし４号証に記載の技術事項からは、相違点に係る構成を導き出すことはできない。
　
　よって、本件特許発明１は、甲１発明及び甲第２ないし４号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
５−２．本件特許発明２ないし７について
　請求項２ないし７は、請求項１に従属する請求項であり、本件特許発明２ないし７は、本件特許発明１の発明特定事項をすべて含みさらに発明特定事項を追加するなどして限定したものであるから、上記本件特許発明１についての判断（上記「５−１．（２）」を参照）と同様の理由により、甲１発明及び甲第２ないし４号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
５−３．本件特許発明８について
（１）対比
　本件特許発明８と甲１発明’とを対比すると、
　ア．甲１発明’における「絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面に積層接着される回路層と、該絶縁基板の他方の面に積層接着される金属層とを備えたパワーモジュール用基板の製造方法であって」によれば、
　甲１発明’における「絶縁基板」、「回路層」、「パワーモジュール用基板」は、それぞれ本件特許発明８における「絶縁基板」、「回路層」、「パワーモジュール用基板」に相当し、
　本件特許発明８と甲１発明’とは、「絶縁基板と、この絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、を備えたパワーモジュール用基板」である点で一致する。
　
　イ．甲１発明’における「・・該絶縁基板の一方の面に積層接着される回路層と、・・・・前記回路層及び金属層は、純度が９９．９９９％以上の銅（５Ｎ−Ｃｕ）板で構成され」によれば、
　甲１発明’の「回路層」にあっても、銅板からなり、絶縁基板の一方の面にに積層接着、すなわち接合されて構成されているとみることができ、
　本件特許発明８と甲１発明’とは、「前記回路層は、前記絶縁基板の一方の面に銅板が接合されて構成されて」いる点で一致する。
　ウ．甲１発明’における「前記回路層及び金属層を前記絶縁基板に対して、ＤＢＣ法（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｃｏｐｐｅｒ法）によって積層接着するようにした・・」によれば、
　甲１発明’にあっても、絶縁基板の一方の面に銅板を積層接着、すわなち接合して回路層を形成する、本件特許発明８でいう「回路層形成工程」を備えることは明らかであり、また、その回路層形成工程としては、本件特許発明８と同様に、ＤＢＣ法によるものであることから、
　本件特許発明８と甲１発明’とは、「前記絶縁基板の一方の面に銅板を接合して前記回路層を形成する回路層形成工程と、を備えており、前記回路層形成工程においては、前記銅板と前記絶縁基板とをＤＢＣ法によって接合する」ものである点で共通する。
　ただし、甲１発明’では、「絶縁基板の接合面にＡｌ２Ｏ３層を形成するアルミナ層形成工程」を備えることや、回路層形成工程におけるＤＢＣ法が、「銅（Ｃｕ）と亜酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）の共晶域での液相を利用した」ものであることの明確な特定がない点で、本件特許発明８と相違しているといえる。
　よって、本件特許発明８と甲１発明’とは、
「絶縁基板と、この絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、を備えたパワーモジュール用基板の製造方法であって、
  前記回路層は、前記絶縁基板の一方の面に銅板が接合されて構成されており、
　前記絶縁基板の一方の面に銅板を接合して前記回路層を形成する回路層形成工程と、を備えており、
  前記回路層形成工程においては、前記銅板と前記絶縁基板とを、ＤＢＣ法によって接合することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　回路層を構成する銅板について、本件特許発明８では、「前記銅板は、接合される前において、少なくとも、アルカリ土類元素、遷移金属元素、希土類元素のうちの１種以上を合計で１ｍｏｌｐｐｍ以上１００ｍｏｌｐｐｍ以下、又は、ボロンを１００ｍｏｌｐｐｍ以上１０００ｍｏｌｐｐｍ以下のいずれか一方を含有し、残部が銅及び不可避不純物とされた組成とされている」と特定するのに対し、甲１発明’では、そのような特定を有していない点。
［相違点２］
　本件特許発明８では、「前記絶縁基板の接合面にＡｌ２Ｏ３層を形成するアルミナ層形成工程と」を備える旨特定するのに対し、甲１発明’では、そのような明確な特定を有していない点。
［相違点３］
　回路層形成工程におけるＤＢＣ法について、本件特許発明８では、「銅（Ｃｕ）と亜酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）の共晶域での液相を利用した」ものであることを特定するのに対し、甲１発明’では、そのような明確な特定を有していない点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討すると、
　上記［相違点１］は、上記「５−１．（２）」で検討した［相違点］と同じである。
　したがって、上記「５−１．（２）」で検討した［相違点］についての判断と同様の理由により、甲１発明’及び甲第２ないし４号証に記載の技術事項からは、相違点１に係る構成を導き出すことはできない。
　なお、当該相違点１に係る構成については、甲第５号証（上記「４．（５）」を参照）及び甲第６号証（上記「４．（６）」を参照）のいずれにも、記載も示唆もされていない。
　よって、上記［相違点２］及び［相違点３］について検討するまでもなく、本件特許発明８は、甲１発明及び甲第２ないし６号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
５−４．本件特許発明９及び１０について
　請求項９及び１０は、請求項８に従属する請求項であり、本件特許発明９及び１０は、本件特許発明８の発明特定事項をすべて含みさらに発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記本件特許発明８についての判断（上記「５−３．」を参照）と同様の理由により、甲１発明及び甲第２ないし６号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
５−５．まとめ
　以上のとおり、本件特許発明１ないし７は、甲１発明及び甲第２ないし４号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、本件特許発明８ないし１０は、甲１発明及び甲第２ないし６号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
６．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年６月２０日（２０１６．６．２０）