【事件の表示】
　特許第５８０６０３０号発明「回路基板およびこれを備える電子装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８０６０３０号の請求項１及び２に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第５８０６０３０号の請求項１及び２に係る特許についての出願（以下「本件出願」という。）は、平成２３年７月２８日に特許出願され、平成２７年９月１１日にその特許権の設定登録（特許掲載公報発行日：同年１１月１０日）がされ、その特許に対し、平成２８年５月２日に特許異議の申立てがされたものである。
　
２　本件特許発明
　特許第５８０６０３０号の請求項１及び２の特許に係る発明（以下「本件特許発明１」及び「本件特許発明２」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　セラミック焼結体の少なくとも一方主面に、主成分が銅である金属配線層を備え、該金属配線層の上方に電子部品が搭載される回路基板であって、前記金属配線層の任意の断面において、空孔の平均径が２μｍ以上１０μｍ以下であり、前記空孔の平均面積占有率が１面積％以上４面積％以下であり、前記空孔の平均重心間距離が７μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
　請求項１に記載の回路基板に電子部品を搭載してなることを特徴とする電子装置。」
　　
３　申立理由の概要
（１）申立理由１
　本件特許発明１及び２は、甲第１号証に記載された発明と同一であるか、又は甲第１号証に記載された発明及び周知技術（甲第２号証、甲第３号証）に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１及び２は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、請求項１及び２に係る特許は、取り消すべきものである。
　
（２）申立理由２
　特許明細書の発明の詳細な説明の実施例１及び２において、金属配線層１２となる金属粉末の具体的構成が何ら記載されておらず、かつ周知のものでもないから、特許明細書は当業者が発明を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでない。
　したがって、請求項１及び２に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、取り消すべきものである。
　
〔証拠方法〕
　甲第１号証：特開２００２−１７６２３６号公報（以下「刊行物１」という。）
　甲第２号証：特開２００７−１１５８５２号公報（以下「刊行物２」という。）
　甲第３号証：特開平２−２９１６０４号公報（以下「刊行物３」という。）
　
４　刊行物
（１）本件出願の出願前に頒布された刊行物１には、「多層セラミック基板」に関して、図面（特に、図１参照）とともに、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ビアホール導体用組成物、ならびに、それを用いる多層セラミック基板およびその製造方法に関するもので、特に、多層セラミック基板におけるビアホール導体とセラミック層との焼成時の収縮挙動差によるクラック等の構造欠陥の発生を抑制するための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
多層セラミック基板は、その上に種々の電子部品を搭載したり
　
　イ　「【００２３】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態による多層セラミック基板１を図解的に示す断面図である。
【００２４】多層セラミック基板１は、積層された複数のセラミック層２を備えている。このような多層セラミック基板１に関連して設けられる配線導体として、
セラミック層２の特定のものの主面に沿って、いくつかの導体膜３が形成され
セラミック層２の特定のものを貫通して、いくつかのビアホール導体４が設けられている
【００２５】この多層セラミック基板１において、
セラミック層２は
低温焼成セラミック材料を含む組成を有する
【００２６】図２は、図１に示された特定のセラミック層２を貫通するように設けられたビアホール導体４を拡大して示す断面図である。
【００２７】図２を参照して、
ビアホール導体４内には、複数の空孔５が形成されている。この空孔率は、ビアホール導体４全体において、０．３〜４０．０体積％であり、また、空孔５の最大空孔径は、０．１〜３０．０μｍである。さらに、ビアホール導体４の外周部分６であって、ビアホール導体４とセラミック層２との界面から半径方向に測定したビアホール導体４の半径の１５％の範囲においては、ビアホール導体４の空孔率が０．５〜１０．０体積％となるようにされる
【００２８】このような多層セラミック基板１を製造するため、次のような工程が実施される。
【００２９】まず、ビアホール導体４を形成するためのビアホール導体用組成物が用意される。
ビアホール導体用組成物は、Ｃｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ
２
Ｏ、Ｃｕ−ＣｕＯ混合物、Ｃｕ−Ｃｕ
２
Ｏ混合物、およびＣｕＯ−Ｃｕ
２
Ｏ混合物から選ばれた少なくとも１種を主成分
平均粒径２．０〜４．０μｍ
　
　ウ　「【００３２】また、導体膜３を形成するための導電性ペーストが用意される。この
導電性ペーストとしては、たとえば、平均粒径２．０〜４．０μｍの銅粉末を主成分
焼成時の収縮挙動の制御や印刷性および接合強度の向上を目的として、樹脂、ガラスまたはその他の無機物を添加したり
　
　エ　「【００３６】次に、このようにして得られた複数のセラミックグリーンシートのうちの特定のものに、たとえば、ドリル加工、パンチ加工、レーザ加工等の方法によって、ビアホール導体４を設けるための貫通孔が形成される。そして、これら貫通孔には、印刷等の方法を適用して、前述したビアホール導体用組成物ペーストが充填される。
【００３７】また、複数のセラミックグリーンシートの特定のものの主面上には、前述した導電性ペーストが、たとえばスクリーン印刷法によって付与され、それによって、導体膜３となるべき導電性ペースト膜が形成される。【００３８】次に、複数のセラミックグリーンシートが積層され、たとえば、温度８０℃および圧力２００ｋｇ／ｃｍ２の条件でプレスすることによって、生の積層体が得られる。この生の積層体は、セラミックグリーンシートによって与えられた複数の積層されたセラミックグリーン層を備え、セラミックグリーン層の特定のものに貫通孔が形成され、貫通孔にビアホール導体用組成物が充填されている。」
　
　オ　「【００４０】次に、生の積層体は焼成され、それによって、多層セラミック基板１が得られる。この焼成工程の詳細について、前述したビアホール導体用組成物に含まれる無機空孔形成剤がタングステンの場合と無機ホウ素化合物の場合とに分けて説明する。」
　
　カ　「【００５０】また、得られた多層セラミック基板１において、ビアホール導体４内の空孔５について、前述したように、最大空孔径は０．１〜３０．０μｍとなるようにされる。
【００５１】この最大空孔径が０．１μｍより小さい場合には、ビアホール導体４とセラミック層２との間での
収縮量の差による応力の緩和
十分な密着強度
【００５２】また、前述したように、ビアホール導体４全体の空孔率は０．３〜４０．０体積％となるようにされる。
【００５３】最大空孔径が０．１〜３０．０μｍとなるようにされても、ビアホール導体４での空孔率が０．３体積％より低い場合には、ビアホール導体４とセラミック層２との間での
収縮量の差による応力の緩和
【００５４】他方、空孔率が４０．０体積％を超えると、ビアホール導体４の側壁とセラミック層２との間で
十分な密着強度
【００５５】また、前述したように、ビアホール導体４の外周部分６であって、ビアホール導体４とセラミック層２との界面から半径方向に測定したビアホール導体４の半径の１５％の範囲において、ビアホール導体４の空孔率が０．５〜１０．０体積％となるようにされる。
【００５６】このような範囲を外れると、ビアホール導体４の側壁とセラミック層２との間で
十分な密着強度
　
　キ　上記アの「多層セラミック基板は、その上に種々の電子部品を搭載したり」（段落【０００２】）との記載及び図１からみて、多層セラミック基板１の導体膜３の上方に電子部品が搭載されると認められる。
　
　これらの記載事項、認定事項及び図面の図示内容を総合し、本件特許発明１の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
「セラミック層２の少なくとも一方主面に、主成分が銅である導体膜３を備え、該導体膜３の上方に電子部品が搭載され、かつセラミック層２を貫通して主成分が銅であるビアホール導体４を備える多層セラミック基板１であって、
　ビアホール導体４内には、複数の空孔５が形成され、この空孔率は、ビアホール導体４全体において、０．３〜４０．０体積％であり、また、空孔５の最大空孔径は、０．１〜３０．０μｍであり、さらに、ビアホール導体４の外周部分６であって、ビアホール導体４とセラミック層２との界面から半径方向に測定したビアホール導体４の半径の１５％の範囲においては、ビアホール導体４の空孔率が０．５〜１０．０体積％である多層セラミック基板１。」
　
（２）本件出願の出願前に頒布された刊行物２には、「セラミック基板」に関して、図面（特に、図５参照）とともに、次の事項が記載されている。
　
　ア　「【請求項１４】
 セラミック基板の少なくとも一方主面に、前記セラミック基板と同時焼成によって形成され、内部に空孔を有する突起電極を有することを特徴とする、セラミック基板。
【請求項１５】
　前記空孔は、前記突起電極のうち、０．１〜２０体積％を占めていることを特徴とする、請求項１４に記載のセラミック基板。
【請求項１６】
　前記空孔の径が０．１〜１０μｍφであることを特徴とする、請求項１４又は１５に記載のセラミック基板。」
　
　イ　「【００１１】
　突起電極の先端の凹みや中間位置での口開きは、セラミック多層基板をプリント配線基板に実装する際に、接続不良等の不具合の原因となる。
【００１２】
　本発明は、かかる実情に鑑み、
焼成時の収縮を抑制しながら突起電極を形成する
　
（３）本件出願の出願前に頒布された刊行物３には、「セラミック配線基板」に関して、図面（特に、第３図参照）とともに、次の事項が記載されている。
　
　ア　「第１の発明の目的は、
ワイヤーボンディング性、はんだヌレ性および基板本体との接着性を同時に充足する
　第２の発明の目的は、第１の発明に係る導体形成用組成物による配線パターンを備えたセラミック配線基板を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　第１の発明は、基板上に形成される厚膜導体に用いられる導体形成用組成物である。この導体形成用組成物は、有機ビヒクルと、ホウケイ酸塩ガラス粉末と、銅粉末とを含んでいる。また、前記銅粉末は、粒径２．２〜４．２μｍの銅粉末５０〜７５重量％と、粒径２．２μｍ未満の銅粉末０〜５０重量％と、粒径４．２μｍを超える銅粉末０〜１２．５重量％とからなっている。」（２ページ右上欄６行〜左下欄１行）
　
　イ　「次に、本発明の導体形成用組成物を用いて基板上に厚膜導体を形成する方法について説明する。
まず、導体形成用組成物は、３００〜４００メッシュ程度のスクリーンを用い、基板上に所定のパターンで印刷される。印刷された導体形成用組成物は、乾燥後、８５０〜９５０℃で４５〜６０分間焼成される。このようにして、基板上には銅厚膜の配線パターンが形成される。
　　　　　　　　　　　　＊＊＊＊＊＊＊＊
　第２の発明は、電子部品を載置して接続するためのセラミック配線基板である。このセラミック配線基板は、セラミック配線基板本体と、セラミック配線基板本体上に形成された第１の発明に係る導体形成用組成物を用いた配線パターンとを有している。
　第２の発明に係るセラミック配線基板の一例を第３図に示す。」（３ページ左下欄１９行〜右下欄１５行）
　
５　判断
（１）申立理由１について
　ア　本件特許発明１について
（ア）対比
　本件特許発明１と刊行物１発明とを対比すると、後者の「セラミック層２」は前者の「セラミック焼結体」に相当し、以下同様に、「導体膜３」は「金属配線層」に、「多層セラミック基板１」は「回路基板」にそれぞれ相当する。
 　 
　したがって、両者は、  
「セラミック焼結体の少なくとも一方主面に、主成分が銅である金属配線層を備え、該金属配線層の上方に電子部品が搭載される回路基板。」
　で一致し、次の点で相違する。
 　 　  
 〔相違点〕  
　本件特許発明１は、「前記金属配線層の任意の断面において、空孔の平均径が２μｍ以上１０μｍ以下であり、前記空孔の平均面積占有率が１面積％以上４面積％以下であり、前記空孔の平均重心間距離が７μｍ以上１５μｍ以下である」のに対し、  
　刊行物１発明は、「セラミック層２を貫通して主成分が銅であるビアホール導体４を備え」「ビアホール導体４内には、複数の空孔５が形成され、この空孔率は、ビアホール導体４全体において、０．３〜４０．０体積％であり、また、空孔５の最大空孔径は、０．１〜３０．０μｍであり、さらに、ビアホール導体４の外周部分６であって、ビアホール導体４とセラミック層２との界面から半径方向に測定したビアホール導体４の半径の１５％の範囲においては、ビアホール導体４の空孔率が０．５〜１０．０体積％である」点。
　
（イ）判断
　本件特許発明１の「金属配線層の任意の断面において、空孔の平均径が２μｍ以上１０μｍ以下であり、前記空孔の平均面積占有率が１面積％以上４面積％以下であり、前記空孔の平均重心間距離が７μｍ以上１５μｍ以下である」との事項について、特許明細書には、「本発明の回路基板は、セラミック焼結体と金属配線層とを強固に接合することができるとともに、金属配線層は、放熱性に優れ、熱膨張の緩和されたものとなるので、搭載した電子部品の動作の繰り返しによる冷熱サイクルによって、セラミック焼結体と金属配線層とが剥離することが少なく、また、電子部品の動作によって生じた熱が放熱されないことによって電子部品が故障することが少ないため、信頼性の高い回路基板とすることができる。」（段落【０００９】）との記載がある。
　
　この記載によれば、本件特許発明１の上記事項は、金属配線層の接合を強固にし、放熱性を向上させ、及び熱膨張を緩和する点において優れた効果を奏するためのものである。
　
　これに対して、刊行物１には、導体膜３を形成するための導電性ペーストについて「導電性ペーストとしては、たとえば、平均粒径２．０〜４．０μｍの銅粉末を主成分とするものが用いられる。・・・また、焼成時の収縮挙動の制御や印刷性および接合強度の向上を目的として、樹脂、ガラスまたはその他の無機物を添加したり、これら樹脂等によって導電成分を表面処理したりしてもよい。」（段落【００３２】）の記載があり、また、ビアホール導体４を形成するためのビアホール導体用組成物について「ビアホール導体用組成物は、Ｃｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、Ｃｕ−ＣｕＯ混合物、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏ混合物、およびＣｕＯ−Ｃｕ２Ｏ混合物から選ばれた少なくとも１種を主成分とし、平均粒径０．１〜３０．０μｍのタングステンまたは無機ホウ素化合物のような無機空孔形成剤を、主成分と当該無機空孔形成剤との合計に対して０．５〜３０．０重量％添加したものである。上述の主成分については、好ましくは、平均粒径２．０〜４．０μｍの粉末が用いられる」（段落【００２９】）との記載がある。
　
　これらの記載によれば、導体膜３及びビアホール導体４の主成分の平均粒径が２．０〜４．０μｍと共通し、導体膜３の焼成時の収縮挙動の制御や印刷性および接合強度の向上を目的として無機物を添加することが示唆されているから、導体膜３を形成するための導電性ペーストに添加される無機物として、平均粒径０．１〜３０．０μｍのタングステンまたは無機ホウ素化合物のような無機空孔形成剤が選択され得るが、たとえ選択されたとしても、刊行物１の無機空孔形成剤は、焼成時に収縮量の差による応力を緩和し、及びセラミック層２との間の十分な密着強度を得ることができるにすぎず、導体膜３の放熱性において優れた効果を奏するとはいえない。
　
　また、刊行物２には、突起電極の焼成時の収縮を抑制することが記載され、刊行物３には、セラミック配線基板のワイヤーボンディング性、はんだヌレ性及び基板本体との接着性を同時に充足することが記載されているが、いずれも、セラミック基板の放熱性に関する効果についての記載や示唆はない。
　
　そうすると、本件特許発明１と刊行物１発明との上記相違点は実質的なものであるから、両者は同一ではなく、また、刊行物１発明に刊行物２及び３に記載された事項を適用しても、相違点に係る本件特許発明１の構成を導き出すことができないから、本件特許発明１は刊行物１発明及び刊行物２及び３に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　イ　本件特許発明２について
　本件特許発明２は、本件特許発明１を更に減縮したものであるから、本件特許発明１についての判断と同様の理由により、本件特許発明２と刊行物１発明とは同一ではなく、また、本件特許発明２は刊行物１発明及び刊行物２及び３に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　ウ　まとめ
　以上のとおり、本件特許発明１及び２は、刊行物１発明と同一でなく、また、刊行物１発明及び刊行物２及び３に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）申立理由２について
　特許明細書には、「本実施形態の回路基板１０を構成する金属配線層１２は、銅やアルミニウムを主成分とすることが好ましく、特に銅を主成分とすることが好ましい。」（段落【００１９】）との記載、「金属配線層１２となる金属ペーストを準備する。この金属ペーストは、銅やアルミニウムを主成分とする金属粉末、ガラス粉末、有機ビヒクルを含有する。また、必要に応じて金属酸化物を加えても良い。そして、金属粉末としては、平均粒径が１．５μｍ以上３．５μｍ以下である第１の金属粉末を６５質量％以上７５質量％以下、平均粒径が第１の金属粉末の平均粒径の１３．５％以上１６．５％以下である第２の金属粉末を２５質量％以上３５質量％以下で混合した金属粉末を用いる。」（段落【００２４】及び段落【００２５】）との記載、実施例１に関して「各試料の作製のために使用する金属ペーストについては、第１の金属粉末および第２の金属粉末を用いて、表１に示す平均粒径および混合比率とした金属粉末を８６質量％と、Ｒ２Ｏ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系のガラス粉末を３質量％と、有機ビヒクルを１１質量％（有機バインダであるアクリル樹脂を８．５質量％と、有機溶剤であるテルピネオールを２．５質量％）とを調合し、金属ペーストを作製した」（段落【００４３】）との記載、実施例２に関して「次に、ＺｎまたはＢｉを含むガラスを添加した金属ペーストを用いて作製した試料（以下、Ｂｉ有り試料およびＺｎ有り試料と）およびＢｉを含まないガラスを添加した金属ペーストを用いて作製した試料（以下、Ｂｉ，Ｚｎ無し試料）について、ヒートサイクル試験を行なった。なお、ガラス粉末として、Ｒ２Ｏ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、Ｒ２Ｏ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系またはＲ２Ｏ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３系を用いたこと以外は、製造方法、試験方法ともに実施例１と同様の方法で行なった」（段落【００５２】）との記載があり、表１には、第１及び第２の金属粉末それぞれの平均粒径及び混合比率が記載されている。
　
　これらの記載からみて、特許明細書には金属配線層１２となる金属粉末の具体的構成が明確に記載されているから、特許明細書は当業者が発明を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものといえる。
　
６　むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１及び２に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、他に請求項１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年７月２２日（２０１６．７．２２）