【事件の表示】
　特許第５６９７９９６号「ブリッジ回路及びその部品」の請求項１ないし２１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５６９７９９６号の請求項１ないし２１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第５６９７９９６号に係る出願は、２００９年２月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００８年２月１２日　米国；２００９年２月９日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年２月２０日に特許の設定登録がなされた。
　これに対して、特許異議申立人より平成２７年７月２１日に、本件請求項１ないし２１に係る発明（以下、本件請求項１に係る発明を「本件発明」という。）の特許について特許異議の申立てがなされ、平成２７年８月２４日付で補正指令が通知され（発送日：平成２７年８月２６日）、平成２７年９月１４日付で手続補正書が提出された。
２．本件発明
　本件請求項１ないし２１に係る発明は、特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　ゲート、ソース、ドレイン及びチャネルを有する１つのトランジスタを有するハーフブリッジであり、
　前記トランジスタは、
　第１の動作モードにおいて、第１の方向の実質的な電圧を阻止し、
　第２の動作モードにおいて、前記チャネルを介して前記第１の方向に実質的な電流を流し、
　第３の動作モードにおいて、前記チャネルを介して反対方向に実質的な電流を流すように構成され、
　前記第３の動作モードにおいて、前記ゲートは、前記ソースに対し、前記トランジスタの閾値電圧より低い電圧にバイアスされる、
　ハーフブリッジ。
【請求項２】
　前記ハーフブリッジは、少なくとも２つのトランジスタを含み、各トランジスタは、スイッチングトランジスタ及び逆並列ダイオードとして機能するように構成されている請求項１記載のハーフブリッジ。
【請求項３】
　請求項１記載のハーフブリッジを複数備えるブリッジ回路。
【請求項４】
　前記トランジスタのそれぞれのゲート電圧を個別に制御するように構成されたゲート駆動回路を更に備える請求項３記載のブリッジ回路。
【請求項５】
　２つのトランジスタから構成され、前記トランジスタは、それぞれＦＥＴ、ＨＥＭＴ、ＭＥＳＦＥＴ又はＪＦＥＴ素子である請求項１記載のハーフブリッジ。
【請求項６】
　前記２つのトランジスタは、エンハンス型トランジスタである請求項５記載のハーフブリッジ。
【請求項７】
　前記トランジスタは、エンハンス型ＩＩＩ−Ｎトランジスタ又はＳｉＣ　ＪＦＥＴトランジスタである請求項６記載のハーフブリッジ。
【請求項８】
　請求項７記載のハーフブリッジを複数備えるブリッジ回路。
【請求項９】
　前記トランジスタは、窒素面ＩＩＩ−Ｎ　ＨＥＭＴである請求項６記載のハーフブリッジ。
【請求項１０】
　前記２つのトランジスタは、少なくとも２Ｖの閾値電圧を有する請求項６記載のハーフブリッジ。
【請求項１１】
　前記２つのトランジスタは、ソースからドレインに０．５〜２ｅＶの内部障壁を有する請求項６記載のハーフブリッジ。
【請求項１２】
　前記２つのトランジスタは、５ｍΩ−ｃｍ２未満のオン抵抗と、少なくとも６００Ｖの降伏電圧とを有する請求項６記載のハーフブリッジ。
【請求項１３】
　前記２つのトランジスタは、１０ｍΩ−ｃｍ２未満のオン抵抗と、少なくとも１２００Ｖの降伏電圧とを有する請求項６記載のハーフブリッジ。
【請求項１４】
　請求項５記載のハーフブリッジを複数備えるブリッジ回路。
【請求項１５】
　前記ハーフブリッジのそれぞれの２つのトランジスタの間にノードがあり、前記ノードのそれぞれは、誘導負荷を介して互いに接続されている請求項１４記載のブリッジ回路。
【請求項１６】
　前記ブリッジ回路は、ダイオードを含まない請求項１４記載のブリッジ回路。
【請求項１７】
　前記ハーフブリッジは、ダイオードを含まない請求項１記載のハーフブリッジ。
【請求項１８】
　前記トランジスタは、第４の動作モードにおいて、前記チャネルを介して反対方向に実質的な電流を流すことができ、前記第４の動作モードにおいて、前記ゲートは、前記ソースに対し、前記トランジスタの閾値電圧より高い電圧にバイアスされる、請求項１記載のハーフブリッジ。
【請求項１９】
　前記トランジスタは、エンハンス型トランジスタである請求項１記載のハーフブリッジ。
【請求項２０】
　前記トランジスタは、ＩＩＩ−Ｎトランジスタである請求項１又は１９記載のハーフブリッジ。
【請求項２１】
　前記トランジスタは、ＩＩＩ−Ｎ　ＨＥＭＴである請求項１又は１９記載のハーフブリッジ。」
３．特許異議申立人の主張 
　特許異議申立人は、本件請求項１ないし２１に係る特許を取り消すべきものとする旨の特許異議を申立て、証拠方法として、甲第１号証（650V3.1mΩcm2 GaN-based Monolithic Bidirectional Switch Using Normally-off Gate Injection Transistor,T.Morita et al.,International Electron Devices Meeting,2007,p.865-868）、甲第２号証（特開平１１−２２０８８５号公報）、甲第３号証（国際公開第２００７／１３６４０１号）、甲第４号証（High-Breakdown Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs with Integrated Slant Field-Plate,C.S.Suh et al.,International Electron Devices Meeting,2006,p.35.3.1-35.3.3）、甲第５号証（2007 IEEE International Electron Devices Meetingのプログラム）、甲第６号証（2006 IEEE International Electron Devices Meetingのプログラム）、甲第７号証（パワーＭＯＳＦＥＴ　活用の基礎と実際）、甲第８号証（国立国会図書館のホームページにおける甲第１号証のＩＳＢＮサーチ結果）、甲第９号証（国立国会図書館のホームページにおける甲第４号証のＩＳＢＮサーチ結果）、甲第１０号証（ＩＥＥＥのホームページにおける甲第１号証のＩＳＢＮサーチ結果）を提出し、本件請求項１ないし８、１１ないし１２、１４ないし２１に係る発明は甲第１号証に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができないものであり、本件請求項１ないし２１に係る発明は甲第１号証に記載された発明に甲第２号証等を適用することにより当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、それらの請求項に係る特許はいずれも取り消すべきものと主張している。
４．判断
（１）甲第１号証の頒布日
　甲第１号証の頒布日について、甲第１号証にはそれを特定するのに十分な記載はない。甲第１号証には、「２００７」、「ＤＥＣＥＭＢＥＲ　１０−１２，２００７」等の記載はあるが、これらはＩＥＥＥ（通称「米国電気電子学会」）が２００７年１２月１０日〜１２日に会合が開かれたことを示すのみで、甲第１号証がいつ頒布されたかを示すものではない。
　甲第１号証の頒布日を補強する証拠として、甲第８号証、甲第１０号証が提出されている。甲第８号証は国立国会図書館のホームページにおける甲第１号証のＩＳＢＮサーチ結果であり、当該サーチ結果の甲第８号証に出版年と記載されているが、この記載は出版年そのものを保証しているものではないから、甲第８号証をもって甲第１号証の頒布日を確定することはできない。また甲第１０号証はＩＥＥＥのホームページにおける甲第１号証のＩＳＢＮサーチ結果であり、当該サーチ結果の甲第１０号証には出版年が記載されていないから、甲第１０号証をもって甲第１号証の頒布日を確定することはできない。
　そうすると、甲第１号証が本件特許に係る出願の最先の優先日である２００８年２月１２日までに頒布されたことが何ら示されていないから、甲第１号証は最先の優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に該当せず、本件請求項１ないし８、１１ないし１２、１４ないし２１に係る発明は甲第１号証に記載された発明であるとすることはできず、本件請求項１ないし２１に係る発明は甲第１号証に記載された発明に甲第２号証等を適用することにより当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（２）新規性、進歩性
　上記したように、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１ないし２１に係る発明に係る特許を取り消すべきものとすることはできないが、仮に、甲第１号証が最先の優先日である２００８年２月１２日までに頒布されたものであったとして、本件発明の新規性、進歩性を更に判断する。
（２−１）トランジスタ
　本件請求項１には「ゲート、ソース、ドレイン及びチャネルを有する１つのトランジスタ」と記載され、発明の詳細な説明及び図面を参照すると、トランジスタはゲート、ソース、ドレインが各々１つずつのものを想定しており、又、通常ゲート、ソース、ドレインが２つ（複数）ある場合は２つ（複数）ある旨の記載がされているから、本件請求項１の「ゲート、ソース、ドレイン」は各々１つずつであるごく一般的なトランジスタであると解することができる。
　しかし、甲第１号証記載のものは、図２、図３を参照するとゲートが２つあることを前提としたものであることが明らかであるから、ゲートが１つである本件発明と同一であるということはできず、又、甲第１号証記載のものにおいて、２つのゲートを１つにすればトランジスタが動作できなくなるから、甲第１号証記載のものの２つのゲートを１つにして本件発明のようにすることは当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
（２−２）ハーフブリッジ
　甲第１号証記載のものは、図１に示されるようにＡＣＡＣマトリクスコンバータが対象であり、ＡＣＡＣマトリクスコンバータのスイッチは双方向スイッチ、即ち例を挙げればトランジスタを逆並列接続したスイッチであるから、双方向スイッチはハーフブリッジを構成するものではなく、本件発明と同一であるということはできない。
　また、甲第１号証の序論には、「図１に示すＡＣＡＣマトリクスコンバータについて、ＡＣモータ駆動システムに使われる従来のＤＣリンク型ＡＣＡＣコンバータを置き換えたいという強い動機付けの下、鋭意検討した。」と記載されている。つまり、従来のＤＣリンク型ＡＣＡＣコンバータはハーフブリッジを用いるものであるが、甲第１号証記載のものは、このハーフブリッジを用いる従来のＤＣリンク型ＡＣＡＣコンバータをＡＣＡＣマトリクスコンバータに置き換えたいという強い動機付けがあるのであるから、甲第１号証記載のもののＡＣＡＣマトリクスコンバータの双方向スイッチを従来のＤＣリンク型ＡＣＡＣコンバータを採用してハーフブリッジとすることには阻害要因が有るというべきで、甲第１号証記載のものの双方向スイッチをハーフブリッジにして本件発明のようにすることは当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（２−３）第３の動作モード
　本件発明の第３の動作モードとは、チャネルを介して反対方向に実質的な電流を流すモードであり、甲第１号証表２のダイオードモードが一応これに相当する。しかし、本件発明の第３の動作モードでは、ゲートはソースに対しトランジスタの閾値電圧より低い電圧にバイアスされなければならない。特許異議申立人が主張するように、甲第１号証記載のものの閾値電圧は１．５Ｖであるから、図９のダイオードモードにおいて、２つのゲートの内一方は５Ｖ、他方は０Ｖが印加されることは、５Ｖが印加されるゲートは閾値電圧を超えた電圧が印加されることを意味し、本件発明と同一であるということはできない。２つのゲートに閾値電圧より低い０Ｖを印加すれば、双方向スイッチはオフ、即ち本件発明の第１の動作モードとなるから、甲第１号証記載のものにおいて、ゲートをソースに対しトランジスタの閾値電圧より低い電圧にバイアスして第３の動作モードとすることはできず、甲第１号証記載のものにおいて、ゲートをソースに対しトランジスタの閾値電圧より低い電圧にバイアスして第３の動作モードとして本件発明のようにすることは当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
５．むすび 
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１ないし２１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし２１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２７年１２月２２日（２０１５．１２．２２）