【手続補正書】
【提出日】平成29年12月26日(2017.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンゲルマニウム光検出器デバイスであって、
第１の反射領域と、
第２の反射領域と、
前記第１の反射領域を通過して前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間で反射された光を吸収するように、前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間に配置された光吸収領域と、
を含み、
前記第１の反射領域は、前記第１の反射領域の反射率が前記光吸収領域の１循環の減衰係数と実質的に等しくなるように構成され、前記第１の反射領域は、前記第１の反射領域から逃げる光の量を低減するように、前記第１の反射領域から逃げる光への相殺的干渉を発生させる要因となり、
前記第２の反射領域は、誘電層と金属コーティングとの組み合わせを含み、前記誘電層は、（１）酸化物および窒化物のうち少なくとも１つを有し、（２）前記金属コーティングよりも前記光吸収領域の近くに配置されており、前記組み合わせは、第２の反射領域の反射率が９０％を超えるようにし、前記光吸収領域は、ゲルマニウムを含む、
デバイス。
【請求項２】
（ａ）前記第１の反射領域の反射率、（ｂ）前記第２の反射領域の反射率および（ｃ）前記光吸収領域の減衰係数は、全体として、前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間において前記光が共振するように構成される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１の反射領域は、前記第１の光反射領域から逃げる光エネルギーの総量を、入射光エネルギーの１０％未満にさせる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記１循環の減衰係数は、１循環における残余光エネルギーの進入光エネルギーに対する比を示す、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第１の反射領域の反射率は、前記第２の反射領域の反射率よりも低い、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記光を前記第１の反射領域を通じて前記光吸収領域中へと送るように構成された導波路をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記光吸収領域は、前記第１の反射領域および前記第２の反射領域と実質的に同じ平面上に配置された光吸収材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記光吸収領域は、（ａ）前記第１の反射領域および前記第２の反射領域と実質的に同じ平面上に配置された空洞層および（ｂ）前記空洞層の上方に配置された光吸収層を含み、
前記光吸収層と前記空洞層とは異なる材料からなる、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第１の反射領域は、前記光吸収領域の上方に配置されており、前記光吸収領域は、前記第２の反射領域の上方に配置されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記光吸収領域は、フォトダイオード構造またはアバランシェフォトダイオード構造を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１の反射領域および前記第２の反射領域は、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、金属反射器、コーナー反射鏡および反射トレンチを含む群から選択される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記光吸収領域は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ゲルマニウムまたはこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記第１の反射領域は、入射光の前記第１の反射領域への最初の進入時における前記第１の反射領域からの前記入射光の後方反射を低減する要因となる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記後方反射が実質的にゼロにまで低減される、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
光検出器デバイスの形成方法であって、
光吸収領域、第１の反射領域および第２の反射領域を基板の上方に形成するステップであって、前記第１の反射領域および前記第２の反射領域は、実質的に同じ平面上に配置されるステップと、
前記第１の反射領域を通過して前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間で反射された光を吸収するように、前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間に光吸収領域を形成するステップと、
を含み、
前記第１の反射領域は、前記第１の反射領域の反射率が前記光吸収領域の１循環の減衰係数と実質的に等しくなるように構成され、前記第１の反射領域は、前記第１の反射領域から逃げる光の量を低減するように、前記第１の反射領域から逃げる光への相殺的干渉を発生させる要因となり、
前記第２の反射領域は、誘電層と金属コーティングとの組み合わせを含み、前記誘電層は、（１）酸化物および窒化物のうち少なくとも１つを有し、（２）前記金属コーティングよりも前記光吸収領域の近くに配置されており、前記組み合わせは、第２の反射領域の反射率が９０％を超えるようにし、
前記光吸収領域は、ゲルマニウムを含む、
方法。
【請求項１６】
（ａ）前記第１の反射領域の反射率、（ｂ）前記第２の反射領域の反射率および（ｃ）前記光吸収領域の減衰係数は、全体として、前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間において前記光が共振するように構成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の反射領域は、前記第１の光反射領域から逃げる光エネルギーの総量を、入射光エネルギーの１０％未満にさせる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の反射領域の反射率は、前記第２の反射領域の反射率よりも低い、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板の上方に導波路を形成するステップであって、前記導波路は、前記光を前記第１の反射領域を通じて前記光吸収領域中へと送るように構成されるステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記光吸収領域を形成するステップは、前記第１の反射領域および前記第２の反射領域と実質的に同じ平面上に光吸収材料を配置することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記光吸収領域を形成するステップは、前記第１の反射領域および前記第２の反射領域を形成するステップ中に、前記第１の反射領域および前記第２の反射領域と実質的に同じ平面上に空洞層を配置することと、
前記空洞層の上方に光吸収層を配置することとを含み、
前記光吸収層と前記空洞層とは異なる材料からなる、
請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
シリコンゲルマニウム光検出器デバイスの形成方法であって、
光吸収領域を形成するステップと、
第１の反射領域および第２の反射領域を形成するステップと、
を含み、
前記光吸収領域は、前記第１の反射領域を通過して前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間で反射された光を吸収するように、前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間に配置され、
前記第１の反射領域は、前記第１の反射領域の反射率が前記光吸収領域の１循環の減衰係数と実質的に等しくなるように構成され、前記第１の反射領域は、前記第１の反射領域から逃げる光の量を低減するように、前記第１の反射領域から逃げる光への相殺的干渉を発生させる要因となり、
前記第２の反射領域は、誘電層と金属コーティングとの組み合わせを含み、前記誘電層は、（１）酸化物および窒化物のうち少なくとも１つを有し、（２）前記金属コーティングよりも前記光吸収領域の近くに配置されており、前記組み合わせは、第２の反射領域の反射率が９０％を超えるようにし、
前記光吸収領域は、ゲルマニウムを含む、
方法。
【請求項２３】
（ａ）前記第１の反射領域の反射率、（ｂ）前記第２の反射領域の反射率および（ｃ）前記光吸収領域の減衰係数は、全体として、前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間において前記光が共振するように構成される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の反射領域は、前記第１の光反射領域から逃げる光エネルギーの総量を、入射光エネルギーの１０％未満にさせる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の反射領域の反射率は、前記第２の反射領域の反射率よりも低い、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
光信号を感知するための光電子システムであって、
マイクロコントローラと、
メモリと、
シリコンゲルマニウム光検出器を含む光電子装置であって、前記シリコンゲルマニウム光検出器が、
第１の反射領域と、
第２の反射領域と、
前記第１の反射領域を通過して前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間で反射された光を吸収するように、前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間に配置された光吸収領域と
を含み、
前記第１の反射領域は、前記第１の反射領域の反射率が前記光吸収領域の１循環の減衰係数と実質的に等しくなるように構成され、前記第１の反射領域は、前記第１の反射領域から逃げる光の量を低減するように、前記第１の反射領域から逃げる光への相殺的干渉を発生させる要因となり、
前記第２の反射領域は、誘電層と金属コーティングとの組み合わせを含み、前記誘電層は、（１）酸化物および窒化物のうち少なくとも１つを有し、（２）前記金属コーティングよりも前記光吸収領域の近くに配置されており、前記組み合わせは、第２の反射領域の反射率が９０％を超えるようにし、
前記光吸収領域は、ゲルマニウムを含み、
（ａ）前記第１の反射領域の反射率、（ｂ）前記第２の反射領域の反射率および（ｃ）前記光吸収領域の減衰係数は、全体として、前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との間において前記光が共振するように構成されており、
前記光吸収領域の１循環の減衰係数は、１循環における残余光エネルギーの進入光エネルギーに対する比を示す、
光電子装置と、
を含む、光電子システム。