【事件の表示】
　特願２０００−１９２５８９「半導体産業用セラミックヒーター」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月２３日出願公開、特開２００１−　５２８４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年７月１９日になした特願平９−２１００１４号出願の一部を分割して、平成１２年６月２７日に特許出願（特願２０００−１９２５８９号）したものであり、平成１５年１２月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年１月２３日に審判請求がなされるとともに、同年２月２３日付けで手続補正がなされたものである。
     　
２．平成１６年２月２３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］　
　平成１６年２月２３日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明　
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「表面に酸化膜が形成された窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなる板状体の酸化膜形成表面に、金属粒子および金属酸化物の混合物を焼結して形成した発熱体が設けられていると共に、この板状体には熱電対を埋め込むための凹部が形成されるとともに、この凹部には、板状体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて板状体の温度を制御する熱電対が埋め込まれ、前記発熱体形成面の反対側にてウエハを加熱することを特徴とする半導体産業用セラミックヒーター。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である、「窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなる板状体」について、「表面に酸化膜が形成された」との限定を付加し、同じく「表面」について、「酸化膜形成」との限定を付加し、同じく「凹部」について、「この凹部には、板状体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて板状体の温度を制御する熱電対が埋め込まれ」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
     　
（２）引用例
（２−１）特開平７−２８０４６２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−２８０４６２号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
ア．「【産業上の利用分野】本発明は均熱セラミックスヒーター、特には化学気相蒸着法やスパッタ法によって薄膜を形成したり、プラズマエッチングする際の、半導体ウエハーや液晶用ガラス基板の加熱に有用とされる均熱セラミックスヒーターに関するものものである。」（段落【０００１】）
　
イ．「【０００７】本発明の均熱セラミックスヒーターは電気伝導部と絶縁層の少なくとも２層よりなる複層セラミックスヒーターとされる。この電気伝導部は通常、絶縁層にスクリーン印刷やスパッター法、あるいはＣＶＤ法、ＥＢ蒸着法、スプレーコーティング法などで、タングステン、Ｐｔ−Ａｇ、Ａｕ、熱分解グラファイトなどの発熱部分を作成したものとすればよい。
【０００８】また、この絶縁層は石英、サファイア、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化けい素、熱分解窒化ほう素（ＰＢＮ）などのセラミックスからなるものとすればよいが、これは石英、特には合成石英からなるものが最適とされる。本発明のセラミックスヒーターは半導体ウエハーや液晶用ガラス基板の製造プロセスではこれらをこの絶縁層上に載置して加熱するため、この清浄度や純度、耐熱性、均質性、硬度が直接的に製品の品質や歩留りに影響してくるが、合成石英は天然石英に比べて高純度で耐熱性もよく、均質性や硬度も高く、膨張率も小さいし、耐衝撃性も高く、急速な加熱、冷却にも充分に耐え得るからである。」（段落【０００７】〜【０００８】）
　
ウ．「スクリーン印刷法やＣＶＤ法で製造された電気伝導部における発熱体」（段落【００１０】）
　
エ．「実施例　200mm× 200mm×厚さ５mmの合成石英製基板にスクリーン印刷法でＰｔ−Ａｇペーストを10mm幅の渦巻きパターンとして厚さ５μｍで２mm間隔で印刷したのち、これを大気中において 1,000℃で焼付けて電気伝導部を作成した。」（段落【００１４】）
　
オ．「【図１】本発明の均熱セラミックスヒーター使用例の縦断面図を示したものである。【符号の説明】１…合成石英基板　２…電気伝導部　３…被加熱部（シリコン基板）」（【図面の簡単な説明】）
　
カ．図１には、基板の電気伝導部とは反対側に被加熱部（シリコン基板）を載置したことが記載されている。
　　
（２−２）特開平６−７６９２５号公報
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平６−７６９２５号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
ア．「【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体ウェハー加熱装置等に用いられる、基体部分に発熱抵抗体を埋設したセラミックスヒーターの製造方法の改良に関するものである。」（段落【０００１】）
　
イ．「図３（ｂ）に示す焼成後に孔加工をしたセラミックスヒーターは、さらに、発熱抵抗体２と接触しない位置に温度測定用の熱電対をセットするための非貫通孔である孔６およびヒーター裏面よりガスを流すための貫通孔７を設けている。これらの孔６および貫通孔７は、必要に応じて必要な数だけ設けることができる。
【００１２】無機質の基体１の材質は高真空中で使用する場合、良好な脱ガス特性を得るために、基体表面に様々な物質が吸着しにくい緻密体で、吸水率が0.01％以下の材質が好ましい。また、常温から1100℃までの急速加熱と急速冷却に耐えることのできる耐熱衝撃性が求められる。これらの点から、高温における強度の高いセラミックスである窒化珪素焼結体、サイアロン、窒化アルミニウム等を用いることが好ましい。さらに、基体１は、ホットプレスまたはＨＩＰ法により焼成することが緻密体を得る上で有効である。」（段落【００１１】〜【００１２】）
　
ウ．図２〜図５には基体が板状体であることが図示されている。
　
（２−３）特開平４−２０６１８８号公報
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−２０６１８８号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
ア．「銀と、パラジウムと、酸化ホウ素および酸化亜鉛を主成分とすることを特徴とする面発熱体用ペースト。」（特許請求の範囲）
　
イ．「（実施例）…（中略）…先ず、実施例原料として純度９９％以上の銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、またバインダーとして純度４９％以上のエチルセルロース、また溶剤として…（中略）…このように作成された各面発熱体用ペーストを夫々第１図および第２図示のようにセラミック基板１の基板面上２にスクリーン印刷法により塗布して幅３ｍｍ、全長２７１９ｍｍの回路３を形成した後、大気中で３０分間放置して、塗布後のペーストのレベリングを行った。次いでこれを酸化雰囲気中の焼結炉内で、温度７５０±５０℃で１０分間の焼付けを施した後、酸化雰囲気中で２０分間放置して、抵抗発熱体回路３を備える遠赤外線用の面発熱体４を各試料毎に夫々１４個作成した。」（２頁左下欄１行〜同頁右下欄１５行）
　
ウ．「前記各実施例Ａｇに添加するＰｄ、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、バインダーおよび溶剤の量は…（中略）…得られる面発熱体の回路形状、抵抗値、許容温度、用途、コスト、基板との密着性、耐酸性等に応じて適宜設定すればよい。」（３頁左上欄１１〜１６行）　
     　
（３）対比
　そして、上記（２）で摘示した事項によれば、引用例１には、下記の発明が記載されていると認められる。
「窒化物アルミニウム、窒化けい素、熱分解窒化ほう素などのセラミックからなる絶縁層の基板の表面に、電気伝導部である発熱体が作成され、この基板には、前記発熱体が作成された面の反対側にてウエハを加熱する半導体ウエハーの加熱に有用とされる均熱セラミックスヒーター。」
　
　そこで、本願補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１記載の発明における「窒化物アルミニウム、窒化けい素、熱分解窒化ほう素などのセラミック」、「絶縁層の基板」、「電気伝導部である発熱体」、「半導体ウエハー」、「半導体ウエハーの加熱に有用とされる均熱セラミックスヒーター」は、本願補正発明における「窒化物セラミック」、「板状体」、「発熱体」、「ウエハ」、「半導体産業用セラミックヒーター」にそれぞれ相当する。
　　
　したがって、両者は、
「窒化物セラミックからなる板状体の表面に、発熱体が設けられていると共に、この板状体には、前記発熱体形成面の反対側にてウエハを加熱する半導体産業用セラミックヒーター。」の点で一致し、下記の点で相違している。
［相違点１］
　本願補正発明では、板状体に「表面に酸化膜が形成された酸化膜形成表面」を形成し、発熱体が「金属粒子および金属酸化物の混合物を焼結して形成した」ものであるのに対し、引用例１に記載された発明には、酸化膜について明記がなく、発熱体を金属粒子および金属酸化物の混合物を焼結して形成したことの明記がない点。
［相違点２］
　本願補正発明では、「板状体には熱電対を埋め込むための凹部が形成されるとともに、この凹部には、板状体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて板状体の温度を制御する熱電対が埋め込まれ」るものであるのに対し、引用例１に記載された発明には、この点の構成がない点。
     　
（４）当審の判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　
［相違点１］について
　セラミックが窒化物である場合に、窒化物セラミック表面と金属との濡れ性向上、及び、接合強度向上のために、窒化物セラミック基板の表面に酸化膜を形成し、金属化部分、すなわち、電気伝導部として金属粒子及び金属酸化物の混合物を焼結することは、本願出願前に周知の技術（例えば、特開昭５０−７５２０８号公報、特開昭６２−２９７２８６号公報、特開昭６２−１９７３７３号公報、特開平５−８５８６９号公報（段落【００３０】〜【００３２】及び図面）、特開昭６１−８４０８９号公報（２頁右下欄８〜１７行、３頁左下欄１７行〜右下欄１行）、特開昭６２−２０７７８９号公報（３頁左上欄７〜１４行）を参照）である。
　そして、引用例３には、窒化物セラミックの記載はないものの、セラミックヒータにおいて、発熱体を、金属粒子および金属酸化物の混合物を焼結してセラミック表面に形成した点が記載されている。しかも、発熱体の形成手段としては本願出願前に周知の技術（例えば、特開平４−３００２４９号公報（段落【０００８】）を参照）であり格別なものではない。
　してみれば、引用例１の窒化物セラミックからなる基板の表面に電気伝導部である発熱体を形成する手段として、窒化物セラミック基板と発熱体の接合強度向上のために、前記周知技術を適用し、引用例１に記載された板状体及び発熱体を相違点１に係る構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　　
［相違点２］について
　上記（２）で摘示した事項によれば、引用例２には、半導体ウェハー加熱装置等に用いられる窒化珪素焼結体、サイアロン、窒化アルミニウム等の窒化物セラミックスからなる板状体のセラミックスヒーターにおいて、発熱抵抗体２と接触しない位置に温度測定用の熱電対をセットするための非貫通孔である孔６（本願補正発明の「凹部」に相当する。）を設けた点が記載されている。
　してみると、引用例１に記載されたものにおいて、その板状体に、引用例２に記載された熱電対を埋め込むための孔を設けることは、引用例１と引用例２は、共に半導体ウエハーの加熱用セラミックスヒーターという技術分野に属する技術として共通しているから、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、熱電対で板状体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて板状体の温度を制御する点は、本願出願前に周知の技術（例えば、拒絶査定にて例示した特開平８−３１５９６５号公報の段落【００５３】、図９を参照）であるから、相違点２に係る本願補正発明の構成は当業者が適宜行う設計事項というべきである。
　　　　　
　以上のように相違点１及び２は格別なものではない。
　
　そして、本願補正発明が奏する作用効果も、引用例１、引用例２、引用例３及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
     　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項の規定で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
     　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年２月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１５年１０月１７日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「窒化物セラミックまたは炭化物のセラミックからなる板状体の表面に、金属粒子および金属酸化物の混合物を焼結して形成した発熱体が設けられていると共に、この板状体には熱電対を埋め込むために用いられる凹部が形成されてなり、
　前記発熱体形成面の反対側にてウエハを加熱することを特徴とする半導体ウエハ用ヒーターとして用いられる半導体産業用セラミックヒーター。
（なお、上記請求項１に係る発明を、以下「本願発明」という。）
     　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
     　
（３）対比、判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「窒化物セラミックまたは炭化物セラミックからなる板状体」の限定事項である「表面に酸化膜が形成された」との構成を省き、「表面」の限定事項である「酸化膜形成」との構成を省き、「凹部」の限定事項である「この凹部には、板状体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて板状体の温度を制御する熱電対が埋め込まれ」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１、引用例２、引用例３、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１、引用例２、引用例３、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
     　
（４）むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、引用例３に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本願の請求項２に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。