【手続補正書】
【提出日】平成30年6月29日(2018.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性パッドと、
前記導電性パッド上に形成される高温半田と、
前記高温半田上に形成され、前記高温半田よりも低い融点を有する低温半田と、
前記高温半田と前記低温半田との間に形成されるバリア層と、を含み、
前記高温半田内のＳｎ含有量が前記低温半田よりも高いことを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記高温半田が純錫を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記高温半田が９０ｗｔ％以上のＳｎ含有量を有する混合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記低温半田がフラックスを含み、前記高温半田がフラックスを含まない、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記高温半田の側面に形成された側面酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記側面酸化物がＳｎＯを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記高温半田の側面が凹状（ｃｏｎｃａｖｅ）のプロファイルを有し、前記低温半田の側面が凸状（ｃｏｎｖｅｘ）のプロファイルを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記高温半田の側面のプロファイルは、前記バリア層に隣接する領域において、前記導電性パッドの上面に対して実質的に直線的かつ垂直であり、前記導電性パッドに隣接する領域において、凹状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記高温半田の側面は、前記導電性パッドの上面に対して実質的に直線的かつ垂直なプロファイルを有し、前記低温半田の側面は、凸状のプロファイルを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記バリア層と前記高温半田との間に第２金属間化合物（Ｉｎｔｅｒ−Ｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、
前記バリア層と前記低温半田との間に第３金属間化合物と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記バリア層は、
第１バリア層と、
前記第１バリア層下に形成される第２バリア層と、を含み、
前記第１バリア層は、前記第２バリア層よりも厚いことを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記第１バリア層は、ニッケル（Ｎｉ）を含み、前記第２バリア層は、ビスマス（Ｂｉ）を含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記第２金属間化合物と前記高温半田との間に、第１拡散領域をさらに含み、
前記第１拡散領域は、前記第２バリア層及び前記高温半田の物質を含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１４】
前記第１バリア層上に形成される第３バリア層をさらに含み、
前記第１バリア層は、前記第２バリア層と前記第３バリア層との間に形成され、前記第３バリア層は、Ｂｉを含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１５】
前記第３金属間化合物と前記低温半田との間に形成される第２拡散領域をさらに含み、
前記第２拡散領域は、前記第３バリア層及び前記低温半田の物質を含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子。
【請求項１６】
半導体パッケージの一面に形成される導電性パッドと、
前記導電性パッド上に形成される高温半田と、
前記高温半田上に形成され、前記高温半田よりも低い融点を有する低温半田と、
前記高温半田と前記低温半田との間に形成されるバリア層と、を含み、
前記高温半田の側面は、前記低温半田の側面と異なる形状を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項１７】
前記高温半田の側面は、凹状のプロファイルを有することを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子。
【請求項１８】
前記高温半田の側面のプロファイルは、前記バリア層に隣接する領域において、前記導電性パッドの上面に対して実質的に直線的かつ垂直であり、前記導電性パッドに隣接する領域において、凹状であることを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子。
【請求項１９】
前記低温半田の側面は、凸状のプロファイルを有することを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子。
【請求項２０】
前記高温半田の側面は、前記導電性パッドの上面に対して実質的に直線的かつ垂直のプロファイルを有することを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を達成するためになされた本発明による半導体素子は、導電性パッドと、前記導電性パッド上に形成される高温半田と、前記高温半田上に形成され、前記高温半田よりも低い融点を有する低温半田と、前記高温半田と前記低温半田との間に形成されるバリア層と、を含み、前記高温半田内のＳｎ含有量が前記低温半田よりも高いことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記高温半田の側面のプロファイルは、前記バリア層に隣接する領域において、前記導電性パッドの上面に対して実質的に直線的かつ垂直であり、前記導電性パッドに隣接する領域において、凹状であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記高温半田の側面は、前記導電性パッドの上部表面に対して実質的に直線的かつ垂直なプロファイルを有し、前記低温半田の側面は、凸状のプロファイルを有することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記バリア層と前記高温半田との間に第２金属間化合物（Ｉｎｔｅｒ−Ｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、前記バリア層と前記低温半田との間に第３金属間化合物と、をさらに含むことが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記バリア層は、第１バリア層と、前記第１バリア層下に形成される第２バリア層と、を含み、前記第１バリア層は、前記第２バリア層よりも厚いことが好ましい。
前記第１バリア層は、ニッケル（Ｎｉ）を含み、前記第２バリア層は、ビスマス（Ｂｉ）を含むことが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記第２金属間化合物と前記高温半田との間に、第１拡散領域をさらに含み、前記第１拡散領域は、前記第２バリア層及び前記高温半田の物質を含むことが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記第１バリア層上に形成される第３バリア層をさらに含み、前記第１バリア層は、前記第２バリア層と前記第３バリア層との間に形成され、前記第３バリア層は、Ｂｉを含むことが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記第３金属間化合物と前記低温半田との間に形成される第２拡散領域をさらに含み、前記第２拡散領域は、前記第３バリア層及び前記低温半田の物質を含むことが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、上記課題を達成するためになされた本発明による半導体素子は、半導体パッケージの一面に形成される導電性パッドと、前記導電性パッド上に形成される高温半田と、前記高温半田上に形成され、前記高温半田よりも低い融点を有する低温半田と、前記高温半田と前記低温半田との間に形成されるバリア層と、を含み、前記高温半田の側面は、前記低温半田の側面と異なる形状を有することを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記高温半田の側面のプロファイルは、前記バリア層に隣接する領域において、前記導電性パッドの上面に対して実質的に直線的かつ垂直であり、前記導電性パッドに隣接する領域において、凹状であることは好ましい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記高温半田の側面は、前記導電性パッドの上面に対して実質的に直線的かつ垂直のプロファイルを有することが好ましい。