【事件の表示】
　平成　９年特許願第１４１１０５号「薄膜磁気ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１２月　４日出願公開、特開平１０−３２０７１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　
　本願は、平成９年５月１６日の特許出願であって、拒絶査定不服の審判請求後の平成１５年１月１４日付けで手続補正書が提出されたことに対し、当審において、平成１６年４月２３日付けで拒絶理由を通知したところ、平成１６年７月７日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　本願請求項１及び２に係る発明は、上記平成１６年７月７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、次のとおりである。
　
「【請求項１】　記録ギャップ層と、該記録ギャップ層を挟んで積層されており多結晶磁性体のめっき膜で形成された下部磁極及び上部磁極とを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記記録ギャップ層に接する部分の前記上部磁極の結晶の平均粒径Ｄを記録トラック幅ｗに対して０＜Ｄ≦ｗ／２０とし、該記録トラック幅ｗの幅方向に平均して２０個以上の単結晶が並ぶようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
　
２．拒絶の理由１について
　これに対し、当審から通知した拒絶の理由１で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平８−２１２５１２号公報（以下、「引用例」という）には、図面とともに次の技術事項が記載されている。
（ａ）
「【００５３】図８は記録用ヘッドを形成した、記録再生分離型ヘッドの概念図である。記録再生分離型ヘッドは、本発明の素子を用いたインダクティブ型の記録ヘッド，再生ヘッドと、及び、漏れ磁界による再生ヘッドの混乱を防止するためのシールド部からなる。ここでは水平磁気記録用の記録ヘッドとの搭載を示したが、本発明の磁気抵抗効果素子を垂直磁気記録用のヘッドと組合わせ、垂直記録に用いても良い。ヘッドは、基体８０上に下部シールド膜８２，磁気抵抗効果膜８６及び電極８５，上部シールド膜８１からなる再生ヘッドと，下部磁性膜８４，コイル８７，上部磁性膜８３からなる記録ヘッドとを形成してなる。このヘッドによって、記録媒体上に信号を書き込み、また記録媒体から信号を読み取るのである。再生ヘッドの感知部分と，記録ヘッドの磁気ギャップはこのように同一スライダ上に重ねた位置に形成することで、同一トラックに同時に位置決めができる。このヘッドをスライダに加工し、磁気記録再生装置に搭載した。
【００５４】本実施例では、インダクティブ型の記録ヘッドの上部及び下部磁性膜を以下の製法によって形成した。
【００５５】　Ｎｉ++量：１６.７ｇ／ｌ，Ｆｅ++量：２.４ｇ／ｌを含み、その他通常の応力緩和剤，界面活性剤を含んだめっき浴において、ｐＨ：３.０，めっき電流密度：１５ｍＡ／cm2の条件でフレームめっきした上・下部磁気コアを有する誘導型の薄膜磁気ヘッドを作製した。トラック幅は４.０μｍ、ギャップ長は０.４μｍである。この磁性膜の組成は４２.４Ｎｉ−Ｆｅ(重量％）であり、磁気特性は飽和磁束密度（ＢＳ）が１.６４Ｔ、困難軸保磁力（ＨＣＨ）が０.５Ｏｅで比抵抗（ρ）は４８.１μΩcmであった。上部磁気コア８３，上部シールド層を兼ねた下部磁気コア８４，コイル８７である。再生のための磁気抵抗効果型素子８６，磁気抵抗効果型素子にセンス電流を流すための電極８５，下部シールド層８２，スライダ８０の構成を有する。
【００５６】このような構成で評価した本発明による記録ヘッドの性能（オーバーライト特性）を図９に示す。４０ＭＨｚ以上の高周波領域でも−５０ｄＢ程度の優れた記録性能が得られた。
【００５７】図１０は本実施例によって得られためっき法とスパッタリング法によって得られた磁性膜の困難軸保磁力と平均結晶粒径との関係を示すもので、結晶粒径を５００Å以下にすると１.０Ｏｅ 以下の低い保磁力が得られることが分る。」
（ｂ）
「【００５９】図１１は本発明のインダクティブ型の記録ヘッドの断面図及び図１２はその平面図であるが、この薄膜ヘッドは上部シールド膜８１と、その上に付着された前述の磁性膜からなる下部磁性膜８３及び上部磁性膜８４からなる。図１１は図１２のＡ−Ａ断面図である。非磁性絶縁体８９が層８３，８４の間に付着されてる。絶縁体の一部が磁気ギャップ８８を規定し、これは例えば周知技術によりエア・ベアリング関係に置かれた磁性媒体と変換関係で相互作用する。支持体８０はエア・ベアリング表面（ＡＢＳ）を有するスライダの形になっており、これはディスク・ファイル動作中に回転するディスクの媒体に近接し浮上関係にある。」
　
　上記記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、上記引用例には、結局、次の発明が記載されている（以下、「引用発明」という）。
「磁性膜からなる下部磁性膜８４及び上部磁性膜８３、磁気ギャップ８８を規定する非磁性絶縁体８９とを少なくとも備えたインダクティブ型の薄膜ヘッドであって、上記磁性膜８３及び８４は、メッキ法で形成され、トラック幅４．０μｍに対し、結晶粒径を５００Å以下である薄膜ヘッド。」
　
　上記引用発明における「非磁性絶縁体８９」、「下部磁性膜８４」、「上部磁性膜８３」及び「薄膜ヘッド」は、それぞれ本願請求項１及び２に係る発明における「記録ギャップ層」、「下部磁極」、「上部磁極」及び「薄膜磁気ヘッド」に相当する。下部磁性膜８４及び上部磁性膜８３は、メッキ法で形成されているので、本願発明の「めっき膜」である点でも一致している。
　「下部磁性膜８４」及び「上部磁性膜８３」はいずれも、５００Å以下の粒径を有するのであるから、明らかに多結晶磁性体で形成されている。
　そして、結晶粒径を５００Å以下とする以上、平均粒径も当然５００Å以下であり、（トラック幅／２０）の値が２００nmすなわち、２０００Åとなるから、
　０＜（平均粒径）≦（トラック幅／２０）
の不等式を満たしている。「記録トラック幅ｗの幅方向に平均して２０個以上の単結晶が並ぶ」との要件を満たすことも明らかである。
　引用発明において、結晶粒径が５００Å以下である上部磁性膜の部分については限定していない以上、上記結晶粒径の数値限定については、下部磁性膜８３及び上部磁性膜８４の全ての部分に当てはまるものと解するのが妥当であるから、磁気ギャップ８８を規定する非磁性絶縁体８９に接する上部磁性膜の部分についても当然、当てはまるものである。
　
　以上の検討からすると、本願発明は、引用発明と相違点がない。すなわち、本願発明は、引用例に記載された発明である。
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
３．理由２について
　また、本件出願の出願の日前の国際特許出願であって、その出願後に国際公開がされ、しかも、この出願の発明者がその出願前の国際特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記国際特許出願の出願人と同一でもない、特願平１０−５３５５４３号（国際出願番号：ＰＣＴ／ＪＰ９７／００４１２；　国際出願日：平成９年２月１７日；　国際公開番号：ＷＯ９８／３６４１０；　国際公開日：平成１０年８月２０日；　以下、「先願」という）の国際出願日における国際出願の明細書及び請求の範囲には、図面とともに次の技術事項が記載されている。（なお、以下の摘記事項について、記載箇所の表示は、平成１２年７月１１日に日本国特許庁より発行された再公表公報に基づく）。
　
（ｃ）
「【特許請求の範囲】
１．下部磁気コアと、該下部磁気コア上に積層され一端が前記下部磁気コアの一端に連らなり他端が前記下部磁気コアの他端に磁気ギャップを介して対向し、前記下部磁気コアと共に磁気回路を形成する上部磁気コアと、前記下部磁気コアと上部磁気コアとの間に設けられた導体コイルと、前記下部磁気コア，上部磁気コア及び導体コイルを互いに電気的に絶縁する絶縁膜とを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部磁気コアはその先端が四角形を有し、そのトラック幅が１.５μｍ以下であり、前記上部磁気コアの厚さが前記トラック幅より大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」（２頁１行〜９行）
（ｄ）「発明の開示」の項において、
「更に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、下部磁気コア、磁気ギャップ、導体コイル及び絶縁膜を有する基板上にフレームを形成した後、めっき膜を形成し、その後、前記フレームで囲まれる領域にマスクをして前記めっき膜をエッチングすることにより、上部磁気コアを形成する方法であって、・・・」（１４頁第１５行〜同頁第１８行）
（ｅ）「図面の簡単な説明」の項において、
「８４は上部磁気コア、８３は下部磁性膜、８
６は磁気抵抗効果、８７はコイル、８８は磁気ギャップ、８９は非磁性絶縁体」（２５頁２１行〜２２行）
（ｆ）実施例１について
「上記方法により形成したフレーム用いてパーマロイを電解めっきし、第１図に示すように、トラック幅（ｗ１）が１.２μｍ，高さ（ｔ）が３.５μｍ，トラック部分の上部の幅（ｗ２）が１.４μｍの上部磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドを作製することができた。(ｔ／ｗ１)比は２.９である。」（２７頁１９行〜２３行）
（ｇ）同じく実施例１について
「本実施例において上記磁性膜及び下部磁性膜を次の電気めっき法によって形成した。
（中略）の条件でフレームめっきした上・下部磁気コアを有する誘導型の薄膜磁気ヘッドを作成した。（以下略）」（２８頁２３行〜２８行）
（ｈ）同じく実施例１について
「特に、上部磁気コアのトラック幅を０.８μｍとし、その厚さを２.０μｍしたものは４ギガビット／ｉｎ2以上の面記録密度が得られるとともに読み出しにおける変動率も２％以下と低いものであった。」（３１頁１４行〜１６行）
（ｉ）実施例２について
「 第１１図は実施例１の薄膜磁気ヘッドを記録用ヘッドに用い、再生用に磁気抵抗効果型ヘッドを用いた一体型の記録再生分離ヘッドの概念図である。」（３１頁１８行〜１９行）
（ｊ）同じく実施例２について
「本実施例の磁気コアの結晶粒径は１００〜５００Åとなり、困難軸保磁力が１.０Ｏｅ以下であった。
　本実施例による記録ヘッドの性能（オーバーライト特性）を測定した結果、４０ＭＨｚ以上の高周波領域でも−５０ｄＢ程度の優れた記録性能が得られた。」（３５頁２３行〜２６行） 
　
　上記記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、上記先願には、結局、次の発明が記載されている（以下、「先願発明」という）。
「電気メッキ法により作成された磁性膜からなる下部磁気コア（磁性膜）８３、及び同じく磁性膜からなり、めっき膜をエッチングすることで形成された上部磁気コア（磁性膜）８４、磁気ギャップ８８を規定する非磁性絶縁体とを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドであって、上記磁気コア８３及び８４は、トラック幅１．５μｍ以下（一実施例として１．２μｍ）に対し、結晶粒径が１００Å〜５００Å以下である薄膜磁気ヘッド。」
　
　先願発明における「非磁性絶縁体」、「下部磁気コア」、「上部磁気コア」及び「薄膜磁気ヘッド」は、それぞれ本願発明における「記録ギャップ層」、「下部磁極」、「上部磁極」及び「薄膜磁気ヘッド」に相当する。上・下部磁気コアがメッキで形成されている点についても、本願発明の「めっき膜」と一致している。
　先願発明において、「下部磁性膜」及び「上部磁性膜」はいずれも、１００〜５００Åの粒径を有するのであるから、明らかに多結晶磁性体で形成されている。
　そして、結晶粒径を１００〜５００Å以下とする以上、平均粒径も当然１００〜５００Å以下である。
　トラック幅には、特許請求の範囲に１．５μｍ、一実施例に１．２μｍの具体的な数値が記載されているが、それぞれの場合、（トラック幅／２０）の値は、順に７５０Å及び６００Åとなるから、全ての結晶粒径範囲に関して
　０＜（平均粒径）≦（トラック幅／２０）
の不等式を満たしている。「記録トラック幅ｗの幅方向に平均して２０個以上の単結晶が並ぶ」との要件を満たすことも明らかである。
　先願発明においては、結晶粒径が１００〜５００Å以下である上部磁性膜の部分については限定していない以上、上記結晶粒径の数値範囲については、上部磁性膜の全ての部分に当てはまるものと解するのが妥当であるから、磁気ギャップを規定する非磁性絶縁体に接する部分についても当然、当てはまるものである。
　
　以上の検討からすると、本願発明は、先願発明と相違点がない。すなわち、本願発明は、先願発明と同一である。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであって、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、また、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願はその余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。