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【手続補正書】
【提出日】平成30年5月24日(2018.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像素子及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素を有し、
前記画素は、フォトダイオードと、酸化物半導体層を有する第１のトランジスタと、ダイオードと、電荷保持部と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードの第１の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記ダイオードの第１の電極と電気的に接続され、
前記ダイオードの第２の電極は、電荷保持部と電気的に接続され、
前記フォトダイオードの前記第１の電極と前記ダイオードの前記第１の電極とは極性が同じであることを特徴とする撮像素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記ダイオードは、第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする撮像素子。
【請求項３】
画素を有し、
前記画素は、フォトダイオードと、酸化物半導体層を有する第１のトランジスタと、酸化物半導体層を有する第２のトランジスタと、第３のトランジスタ乃至第６のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードの第１の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードの前記第１の電極並びに前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されることを特徴とする撮像素子。
【請求項４】
画素を有し、
前記画素は、フォトダイオードと、酸化物半導体層を有する第１のトランジスタと、酸化物半導体層を有する第２のトランジスタと、第３のトランジスタ乃至第６のトランジスタと、スイッチと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードの第１の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードの前記第１の電極並びに前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記スイッチは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方との間に設けられ、
前記スイッチは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方を前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続するときと、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方を前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続するときと、を切り替える機能を有することを特徴とする撮像素子。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第５のトランジスタ及び前記第６のトランジスタのそれぞれは、酸化物半導体層を有することを特徴とする撮像素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の撮像素子と、表示装置、シャッターボタン、レンズ、フラッシュライト、マイク、または、操作ボタンと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月13日(2017.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送波により送信されるコンテンツのリモート視聴を許可するか否かを示すリモート視聴可否情報が記載された記述子が多重された前記放送波を分離する多重分離部と、
前記多重分離部により分離された前記記述子に記載されている前記リモート視聴可否情報を抽出する抽出部と、
を備えることを特徴とする受信装置。
【請求項２】
放送波により送信するコンテンツのリモート視聴を許可するか否かを示すリモート視聴可否情報が記載された記述子と前記コンテンツとを多重する多重化部と、
前記多重化部が多重した前記コンテンツと前記記述子とを、前記放送波として送信する伝送部と、
を備えることを特徴とする送信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月26日(2018.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
提示タイミングが指定されたタイムドテキストデータであって、複数の提示タイミンググループに分割された前記タイムドテキストデータをＭＭＴ伝送方式における一つのメディアプロセッシングユニットに格納し、前記提示タイミンググループごとの複数のメディアプロセッシングユニットから成るテキストアセットを生成するテキスト設定部と、
前記テキスト設定部が生成した前記テキストアセットを少なくとも含むコンテンツデータを多重化して配信データを生成する多重化部と、
前記多重化部によって多重化して得られた配信データを送出する送信部と、
を具備することを特徴とする送信装置。
【請求項２】
外部から配信データを含む信号を受信する受信部と、
前記受信部が受信した前記配信データから、ＭＭＴ伝送方式における一連のメディアプロセッシングユニットとして成るテキストアセットを分離する分離部と、
前記分離部によって分離された前記テキストアセットから前記メディアプロセッシングユニットを順次抽出し、前記メディアプロセッシングユニットに含まれるタイムドテキストデータを抽出するテキスト処理部と、
前記テキスト処理部によって抽出された前記タイムドテキストデータから提示タイミングの情報を取得するとともに、前記タイムドテキストデータに含まれるテキストを前記提示タイミングの情報にしたがうタイミングで提示するよう制御する提示制御部と、
を具備することを特徴とする受信装置。
【請求項３】
提示タイミングが指定されたタイムドテキストデータであって、複数の提示タイミンググループに分割された前記タイムドテキストデータをＭＭＴ伝送方式における一つのメディアプロセッシングユニットに格納し、前記提示タイミンググループごとの複数のメディアプロセッシングユニットから成るテキストアセットを生成するテキスト設定手段、
前記テキスト設定手段が生成した前記テキストアセットを少なくとも含むコンテンツデータを多重化して配信データを生成する多重化手段、
としてコンピューターを機能させるプログラム。
【請求項４】
受信手段が受信した配信データから、ＭＭＴ伝送方式における一連のメディアプロセッシングユニットとして成るテキストアセットを分離する分離手段、
前記分離手段によって分離された前記テキストアセットから前記メディアプロセッシングユニットを順次抽出し、前記メディアプロセッシングユニットに含まれるタイムドテキストデータを抽出するテキスト処理手段、
前記テキスト処理手段によって抽出された前記タイムドテキストデータから提示タイミングの情報を取得するとともに、前記タイムドテキストデータに含まれるテキストを前記提示タイミングの情報にしたがうタイミングで提示するよう制御する提示制御手段、
としてコンピューターを機能させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月11日(2018.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子とを有し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、それぞれ有機化合物を有し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、共通の青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層を有し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、共通の緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層を有し、
前記第１の発光素子から発する光は、第１のカラーフィルターを介して射出され、
前記第３の発光素子が発する光は、第１の色変換層に入射し、
前記第２の発光素子から発する光は、第２のカラーフィルター介して射出される、又は第２の色変換層に入射することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の発光素子乃至前記第３の発光素子のそれぞれは、タンデム型の発光素子であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の発光素子乃至前記第３の発光素子は、前記青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層と、前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層とが近接することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の色変換層と前記第２の色変換層の一方又は両方のＰＬ量子収率が４０％より高い発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の色変換層と前記第２の色変換層の一方又は両方のＰＬ量子収率が５３．３％より高い発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の色変換層と前記第２の色変換層の一方又は両方のＰＬ量子収率が６６％より高い発光装置。
【請求項７】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子とを有し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、それぞれ有機化合物を有し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、共通の緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層を有し、
前記第１の発光素子は、青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層を有し、
前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、前記青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層を有さず、
前記第２の発光素子が発する光は、第１の色変換層に入射することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層は、前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層よりも陽極側に位置し、
前記青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層と、前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層は、共に正孔輸送性よりも電子輸送性が大きい層であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層は、前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層よりも陰極側に位置し、
前記青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層と、前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層は共に電子輸送性よりも正孔輸送性が大きい層であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子とを有し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、それぞれ有機化合物を有し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、共通の青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層を有し、
前記第２の発光素子及び前記第３の発光素子は、共通の緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層を有し、
前記第１の発光素子は、前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層を有さず、、
前記第２の発光素子が発する光は、第１の色変換層に入射することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層は、前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層よりも陽極側に位置し、
前記青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層と、前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層は共に電子輸送性よりも正孔輸送性が大きい層であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層は、前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層よりも陰極側に位置し、
前記青色の蛍光を呈する発光材料が含まれる層と、前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層は共に正孔輸送性よりも電子輸送性が大きい層であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の色変換層のＰＬ量子収率が５０％より高い発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記緑色のりん光を呈する発光材料が含まれる層には、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、緑色のりん光を呈する発光材料とが含まれ、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物は励起錯体を形成する発光装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記励起錯体の発光スペクトルが前記緑色のりん光を呈する発光材料の最も長波長側の吸収帯と重なる発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第１の色変換層が量子ドットを用いた色変換層である発光装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一に記載の発光装置と、
センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、を有する電子機器。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一に記載の発光装置と、筐体と、を有する表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月23日(2018.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、前記第１の電極と前記第２の発光層との間に設けられ、
前記第２の発光層は、前記第１の発光層と前記第２の電極との間に設けられ、
前記第１の発光層は、蛍光発光物質を有し、
前記第２の発光層は、物質と、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物とは、励起錯体を形成することができる組み合わせであり、
前記物質は、三重項励起エネルギーを発光に変換することができ、
前記第１の発光層からの発光スペクトルは、前記第２の発光層からの発光スペクトルよりも短波長領域に存在する発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記励起錯体の発光スペクトルは、前記物質の吸収スペクトルの最も低エネルギー側の吸収帯と重なる発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記励起錯体の発光スペクトルのピーク波長のエネルギー値と、前記物質の吸収スペクトルの最も低エネルギー側の吸収帯のピーク波長のエネルギー値との差が０．２ｅＶ以下である発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記励起錯体の三重項励起エネルギーは、前記第１の有機化合物の三重項励起エネルギー及び前記第２の有機化合物の三重項励起エネルギーよりも小さい発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記励起錯体から前記物質へのエネルギーの授受がある発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記ホスト材料の一重項励起準位が前記蛍光発光物質の一重項励起準位よりも大きく、
前記ホスト材料の三重項励起準位が前記蛍光発光物質の三重項励起準位よりも小さい発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段と、を備えた発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子を照明部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた照明装置。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月18日(2018.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルを有する回路と、
リフレッシュタイミング判定ユニットと、
パワー管理ユニットと、
パワースイッチと、を有し、
前記メモリセルを有する回路は、第１のキャパシタと、前記第１のキャパシタにデータに応じた電位を与えることのできる第１のトランジスタと、を有し、
前記リフレッシュタイミング判定ユニットは、第２のキャパシタと、第２のトランジスタと、比較回路と、を有し、
前記パワースイッチは、前記メモリセルを有する回路への電源供給を制御する機能を有し、
前記第２のキャパシタの第１の電極は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記比較回路には、前記第２のキャパシタの第１の電極の電位に応じて変動する第１の電位と、第２の電位とが入力され、
前記比較回路は、前記第１の電位と前記第２の電位とを比較することで、出力電位を変化させ、
前記第２の電位は、前記メモリセルを有する回路に電源が供給されているか否かにより異なる値となり、
前記出力電位は、第１の信号として出力され、
前記パワースイッチは、前記第１の信号により制御され、
前記パワースイッチがオンとなることにより前記メモリセルを有する回路に電源が供給されると、前記メモリセルのデータがリフレッシュされ、
前記パワー管理ユニットは、前記メモリセルを有する回路から送信される第２の信号に応じて、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方の電位、及び前記第２のトランジスタのゲート電極の電位を変化させるように設定されている半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方の電位は、前記第２のトランジスタのゲート電極の電位と常に実質的に等しくなるように設定されている半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体装置は、前記パワー管理ユニットへの電源供給を制御する第２のパワースイッチを有し、
前記第２のパワースイッチは、前記第１の信号により制御されるように設定されている半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記メモリセルを有する回路は、メモリ又はプロセッサのいずれかである半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体装置は、前記メモリセルを有する回路の電源供給を制御する第３のパワースイッチを有し、
前記第３のパワースイッチは、前記第１の信号とは独立して制御されるように設定されている半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記パワー管理ユニットには、前記第１の信号とは独立した第３の信号が入力され、
前記パワー管理ユニットは、前記第３の信号によって前記第２の電位を変化させることにより前記出力電位を変化させて、前記パワースイッチがオンとされるように設定されている半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記リフレッシュタイミング判定ユニットは、論理ゲートを有し、
前記論理ゲートには、前記第１の信号とは独立した第３の信号が入力され、
前記論理ゲートには、前記出力信号が入力され、
前記第１の信号は、前記論理ゲートの出力に応じたものとなるように設定されている半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体装置は、第２の論理ゲートと、複数の前記リフレッシュタイミング判定ユニットとを有し、
前記複数のリフレッシュタイミング判定ユニットの出力が前記第２の論理ゲートに入力され、
前記第２の論理ゲートの出力が、前記第１の信号となるように設定されている半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、それぞれ、第１の酸化物半導体と、前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体と、
前記第１の酸化物半導体と前記第２の酸化物半導体を覆う膜状の第３の酸化物半導体と、
前記第３の酸化物半導体を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第３の酸化物半導体と向き合うゲート電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体のバンドギャップと前記第３の酸化物半導体のバンドギャップとは、いずれも、前記第２の酸化物半導体のバンドギャップよりも大きく、
前記第１の酸化物半導体の電子親和力と前記第３の酸化物半導体の電子親和力とは、いずれも、前記第２の酸化物半導体の電子親和力よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月23日(2018.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路乃至第５の回路を有し、
前記第１の回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の回路は、前記第１の配線又は前記第２の配線の一方に、段階的に変化する電位を供給する機能を有し、
前記第３の回路は、前記第１の配線又は前記第２の配線の他方に所定の電位を供給する機能と、前記第１の配線又は前記第２の配線の他方の電位から前記第１の回路に記憶されたデータを読み出す機能と、を有し、
前記第４の回路は、前記第１の回路に書き込む第１のデータと、前記第３の回路において読み出された第２のデータとを比較する機能を有し、
前記第５の回路は、前記第２の回路と前記第１の回路の導通状態を制御する機能を有し、
前記第５の回路は、前記第４の回路における比較の結果、前記第１のデータと前記第２のデータが一致する際に非導通状態となり、
前記第２のトランジスタのゲートには、前記第５の回路が非導通状態となった際の、前記第１の配線又は前記第２の配線の一方の電位が供給される半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記段階的に変化する電位は、高電源電位から低電源電位に向かって下降する電位である半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記段階的に変化する電位は、低電源電位から高電源電位に向かって上昇する電位である半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の配線又は前記第２の配線の他方に前記所定の電位が供給された後、前記第１の配線又は前記第２の配線の一方に前記段階的に変化する電位が供給される半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第５の回路は、第３のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置と、
表示装置、スピーカー、又はマイクロホンと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月18日(2018.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルと、
第１回路と、を有し、
前記メモリセルは、第１トランジスタ、および第１容量素子を有し、
前記第１トランジスタは、第１配線と第１容量素子の第１端子との間の導通状態を制御する機能を有し、
前記第１トランジスタのゲートは、第２配線に電気的に接続され、
前記第１回路は、第２トランジスタ、および第２容量素子を有し、
前記第２トランジスタは、第３配線と第２容量素子の第１端子との間の導通状態を制御する機能を有し、
前記第１回路は、前記第２容量素子の前記第１端子の電位が第２電位未満であることを検出する機能と、前記検出結果に基づいて第１信号および第２信号を生成する機能と、前記第２信号に従い、前記第２トランジスタを導通状態にする機能と、前記第２信号に従い、前記第３配線に第３電位を印加する機能と、を有する記憶装置であって、
前記第１信号に従い、前記メモリセルのリフレッシュ動作を開始する機能を有する記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１回路は、前記第２信号を遅延させた第３信号を生成する機能を有し、
前記第３信号が前記第３配線に入力され、
前記第２信号が前記第２トランジスタのゲートに入力される記憶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１回路は、増幅回路、およびスイッチを有し、
前記増幅回路は、前記第２容量素子の前記第１端子の電位と、前記第２電位との差を増幅する機能を有し、
前記増幅回路は、第３トランジスタを有し、
前記第３トランジスタは電流源としての機能を有し、
前記スイッチは、第４電位を供給する機能を有する配線と、前記増幅回路との間の導通状態を制御する機能を有し、
前記第３トランジスタが非導通状態の期間、導通状態になる記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れか１項において、
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは、チャネルが酸化物半導体を有する記憶装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記酸化物半導体は、ｃ軸に配向している結晶部をする記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れか１項において、
前記メモリセル、前記第１配線、および前記第２配線が複数配列されているメモリセルアレイを有し、
前記メモリセルアレイは、複数のバンクを有し、
前記複数のバンクは、それぞれ、前記第１回路を有する記憶装置であって、
前記第１回路で生成される前記第１信号に従い、対応する前記バンクのリフレッシュ動作を開始する機能を有する記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５の何れか１項において、
前記メモリセル、前記第１配線、および前記第２配線が複数配列されているメモリセルアレイを有し、
前記メモリセルアレイは、複数のバンクを有し、
前記複数のバンクは、それぞれ、複数のブロックを有し、
前記複数のブロックは、それぞれ、前記第１回路を有する記憶装置であって、
前記第１回路で生成される前記第１信号に従い、対応する前記ブロックのリフレッシュ動作を開始する機能を有する記憶装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５の何れか１項において、
前記メモリセル、前記第１配線、および前記第２配線が複数配列されているメモリセルアレイを有し、
前記メモリセルアレイは、複数のバンクを有し、
前記複数のバンクは、それぞれ、複数のブロックを有し、
前記複数のブロックにおいて、それぞれ、前記第１配線ごとに、前記第１回路が設けられる記憶装置であって、
前記第１回路で生成される前記第１信号に従い、対応する前記第１配線に電気的に接続されている前記メモリセルのリフレッシュ動作を開始する機能を有する記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月21日(2018.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のフェニル基と第２のフェニル基で置換されたピリミジン環を配位子とするイリジウム錯体であり、
前記第１のフェニル基がイリジウムと結合し、
前記ピリミジン環が前記イリジウムと配位結合を形成し、
前記ピリミジン環と前記第２のフェニル基との安定構造における二面角が、一重項基底状態の場合には、−２０°以上−６０°以下、最低励起三重項状態の場合には、−１０°以上−５０°以下の捩れ範囲であることを特徴とする有機金属イリジウム錯体。
【請求項２】
第１のフェニル基と第２のフェニル基で置換されたピリミジン環を配位子とするイリジウム錯体であり、
前記第１のフェニル基がイリジウムと結合し、
前記ピリミジン環が前記イリジウムと配位結合を形成し、
前記第１のフェニル基が前記ピリミジン環の２位に置換し、
前記第２のフェニル基が前記ピリミジン環の５位に置換し、
前記ピリミジン環と前記第２のフェニル基との安定構造における二面角が、一重項基底状態の場合には、−２０°以上−６０°以下、最低励起三重項状態の場合には、−１０°以上−５０°以下の捩れ範囲であることを特徴とする有機金属イリジウム錯体。
【請求項３】
式（Ｇ１）で表される構造を含む有機金属イリジウム錯体。
【化１】
2016006041.tif 000001
【請求項４】
式（Ｇ２）で表される有機金属イリジウム錯体。
【化２】
2016006041.tif 000002
（式（Ｇ２）中、Ｌは、モノアニオン性の配位子を表す。）
【請求項５】
請求項４において、
前記モノアニオン性の配位子は、２つの配位元素がいずれも酸素であるモノアニオン性の二座キレート配位子、又は２つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子である有機金属イリジウム錯体。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
分子構造に含まれる前記ピリミジン環と前記第２のフェニル基との安定構造における二面角が、一重項基底状態の場合には、−２０°以上−６０°以下、最低励起三重項状態の場合には、−１０°以上−５０°以下の捩れ範囲であることを特徴とする有機金属イリジウム錯体。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲に発光スペクトルの第１のピーク波長を有し、かつ５７０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下の範囲に発光スペクトルの第２のピーク波長を有することを特徴とする有機金属イリジウム錯体。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の有機金属イリジウム錯体を有する発光素子。
【請求項９】
一対の電極間に、発光層を有し、
前記発光層は、３種以上の有機化合物を有し、
前記３種以上の有機化合物のうちの一は、
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の有機金属イリジウム錯体である発光素子。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の発光素子と、
トランジスタ、または、基板と、
を有する発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置と、
マイク、カメラ、操作用ボタン、外部接続部、または、スピーカと、
を有する電子機器。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光装置と、
筐体、カバー、または、支持台を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月2日(2018.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイム、ラッカセイ、ローズマリー、タデ、リーフレタス、バジル、スペアミント、レモンバーム、シソおよびルバーブからなる群から選択された少なくとも１種類の植物抽出物を含むことを特徴とするＡＧＥｓ分解剤。
【請求項２】
２種類以上の前記植物抽出物を含む、請求項１記載のＡＧＥｓ分解剤。
【請求項３】
前記植物抽出物のうち、
酸化タンパク質分解酵素の活性増強化を兼ねるタイム、ローズマリー、バジル、スペアミントおよびレモンバームからなる群から選択された少なくとも一つの植物抽出物を含む、請求項２記載のＡＧＥｓ分解剤。
【請求項４】
さらに、酸化タンパク質分解酵素の活性増強化剤を含み、
前記活性増強化剤が、ヒシ、ステビア、キク、セイボリー、ヨモギおよびクリからなる群から選択された少なくとも一つの植物抽出物を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のＡＧＥｓ分解剤。
【請求項５】
さらに、抗酸化剤を含み、
前記抗酸化剤が、レモンバーム、スペアミント、セイボリー、ハイビスカス、ローズマリー、タイム、クローブ、バジル、ペパーミント、マジョラム、オレガノ、タラゴン、ベイリーフ、スターアニス、パプリカ、オールスパイス、ガーリック、カルダモン、オニオン、シナモン、ブルーマロウ、山椒、アニス、レモングラス、トウガラシ、ジュニパーベリー、アジョワン、キャラウェイ、ターメリック、フェンネル、ディル、ブラッククミン、セロリ、フェヌグリーク、コリアンダー、ペッパー、クミンおよびジンジャーからなる群から選択された少なくとも一つの植物抽出物を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のＡＧＥｓ分解剤。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載のＡＧＥｓ分解剤を含むことを特徴とするアンチエイジング剤。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか一項に記載のＡＧＥｓ分解剤を含むことを特徴とする、ＡＧＥｓが原因となる疾病、組織の老化および組織の機能低下の予防用または治療用製剤。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか一項に記載のＡＧＥｓ分解剤を試料に添加することにより、前記試料中のＡＧＥｓを分解する工程を含むことを特徴とする、ＡＧＥｓ分解方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月23日(2018.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶剤の不存在下において、疎水性、かつ、疎水性の重合性ビニルモノマーに対して実質的に不溶性の抗生物活性化合物を、前記疎水性の重合性ビニルモノマー中に、両親媒性高分子型分散剤の存在下で、分散することにより、疎水性スラリーを含有する油相成分を調製する油相成分調製工程、
前記油相成分を水分散して水分散液を調製する水分散工程、および、
前記重合性ビニルモノマーを懸濁重合して、重合体を生成する重合工程
を備え、
前記油相成分調製工程、前記水分散工程および前記重合工程の少なくともいずれかの工程において、疎水性シェル形成成分および親水性シェル形成成分を含有させ、
前記重合工程では、前記重合性ビニルモノマーを懸濁重合するとともに、前記疎水性シェル形成成分および前記親水性シェル形成成分を界面重合して、懸濁重合体を被覆するシェルを形成し、
前記抗生物活性化合物が、（Ｅ）−１−（２−クロロチアゾール−５−イルメチル）−３−メチル−２−ニトログアニジン、および、１−（６−クロロ−３−ピリジルメチル）−Ｎ−ニトロイミダゾリジン−２−イリデンアミンからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする、徐放性粒子。
【請求項２】
界面重合を、懸濁重合の開始と同時に開始し、または、懸濁重合の開始より前に開始することを特徴とする、請求項１に記載の徐放性粒子。
【請求項３】
前記疎水性シェル形成成分が、ポリイソシアネートを含有し、
前記親水性シェル形成成分が、ポリアミンを含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の徐放性粒子。
【請求項４】
重合体からなるマトリクスと、
重合体を生成するためのモノマーに対して実質的に不溶性の前記抗生物活性化合物からなり、前記マトリクス中に分散するドメインと、
前記マトリクスを被覆するシェルと
を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の徐放性粒子。
【請求項５】
前記シェルは、ポリウレアからなることを特徴とする、請求項４に記載の徐放性粒子。
【請求項６】
前記シェルの表面に、抗生物活性化合物が付着していることを特徴とする、請求項４または５に記載の徐放性粒子。
【請求項７】
粒剤として調製されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の徐放性粒子。
【請求項８】
熱可塑性樹脂と、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の徐放性粒子と
を含有することを特徴とする、成形材料。
【請求項９】
熱可塑性樹脂と、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の徐放性粒子と
を含有することを特徴とする、成形品。
【請求項１０】
溶剤の不存在下において、疎水性、かつ、疎水性の重合性ビニルモノマーに対して実質的に不溶性の抗生物活性化合物を、前記疎水性の重合性ビニルモノマー中に、両親媒性高分子型分散剤の存在下で、分散することにより、疎水性スラリーを含有する油相成分を調製する油相成分調製工程、
前記油相成分を水分散して水分散液を調製する水分散工程、および、
前記重合性ビニルモノマーを懸濁重合して、重合体を生成する重合工程
を備え、
前記油相成分調製工程、前記水分散工程および前記重合工程の少なくともいずれかの工程において、疎水性シェル形成成分および親水性シェル形成成分を含有させ、
前記重合工程では、前記重合性ビニルモノマーを懸濁重合するとともに、前記疎水性シェル形成成分および前記親水性シェル形成成分を界面重合して、懸濁重合体を被覆するシェルを形成し、
前記抗生物活性化合物が、（Ｅ）−１−（２−クロロチアゾール−５−イルメチル）−３−メチル−２−ニトログアニジン、および、１−（６−クロロ−３−ピリジルメチル）−Ｎ−ニトロイミダゾリジン−２−イリデンアミンからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする、徐放性粒子の製造方法。
【請求項１１】
重合工程では、界面重合を、懸濁重合の開始と同時に開始し、または、懸濁重合の開始より前に開始することを特徴とする、請求項１０に記載の徐放性粒子の製造方法。
【請求項１２】
前記疎水性シェル形成成分が、ポリイソシアネートであり、
前記親水性シェル形成成分が、ポリアミンであることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の徐放性粒子の製造方法。
【請求項１３】
重合工程により得られた懸濁液と固体担体とを配合し、それらを乾燥させて、粒剤を調製する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の徐放性粒子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月23日(2018.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶剤の不存在下において、疎水性、かつ、疎水性の重合性ビニルモノマーに対して実質的に不溶性の抗生物活性化合物を、前記疎水性の重合性ビニルモノマー中に、両親媒性高分子型分散剤の存在下で、分散することにより、疎水性スラリーを含有する油相成分を調製する油相成分調製工程、
前記油相成分を水分散して水分散液を調製する水分散工程、および、
前記重合性ビニルモノマーを懸濁重合して、重合体を生成する重合工程
を備える製造方法により得られ、
前記抗生物活性化合物が、（Ｅ）−１−（２−クロロチアゾール−５−イルメチル）−３−メチル−２−ニトログアニジン、および、１−（６−クロロ−３−ピリジルメチル）−Ｎ−ニトロイミダゾリジン−２−イリデンアミンからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする、徐放性粒子。
【請求項２】
前記重合工程では、前記重合性ビニルモノマーを、芳香族スルホン酸とホルムアルデヒドとの縮合物の塩の存在下で、懸濁重合し、および／または、
前記重合性ビニルモノマーが、（メタ）アクリル酸エステル系モノマーおよび（メタ）アクリレート系架橋性モノマーを含有する
ことを特徴とする、請求項１に記載の徐放性粒子。
【請求項３】
重合体からなるマトリクスと、
前記重合体を生成するためのモノマーに対して実質的に不溶性の前記抗生物活性化合物からなり、前記マトリクス中に分散するドメインと
から形成される２相構造を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の徐放性粒子。
【請求項４】
前記徐放性粒子の表面において、前記マトリクスおよび前記ドメインの両方が露出していることを特徴とする、請求項３に記載の徐放性粒子。
【請求項５】
前記ドメインは、前記マトリクスによって被覆されていることを特徴とする、請求項３に記載の徐放性粒子。
【請求項６】
さらに、前記マトリクスの表面に前記抗生物活性化合物が付着していることを特徴とする、請求項５に記載の徐放性粒子。
【請求項７】
粒剤として調製されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の徐放性粒子。
【請求項８】
熱可塑性樹脂と、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の徐放性粒子とを含有することを特徴とする、成形材料。
【請求項９】
熱可塑性樹脂と、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の徐放性粒子と
を含有することを特徴とする、成形品。
【請求項１０】
溶剤の不存在下において、疎水性、かつ、疎水性の重合性ビニルモノマーに対して実質的に不溶性の抗生物活性化合物を、前記疎水性の重合性ビニルモノマー中に、両親媒性高分子型分散剤の存在下で、分散することにより、疎水性スラリーを含有する油相成分を調製する油相成分調製工程、
前記油相成分を水分散して水分散液を調製する水分散工程、および、
前記重合性ビニルモノマーを懸濁重合して、重合体を生成する重合工程
を備え、
前記抗生物活性化合物が、（Ｅ）−１−（２−クロロチアゾール−５−イルメチル）−３−メチル−２−ニトログアニジン、および、１−（６−クロロ−３−ピリジルメチル）−Ｎ−ニトロイミダゾリジン−２−イリデンアミンからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする、徐放性粒子の製造方法。
【請求項１１】
前記重合工程では、前記重合性ビニルモノマーを、芳香族スルホン酸とホルムアルデヒドとの縮合物の塩の存在下で、懸濁重合し、および／または、
前記重合性ビニルモノマーが、（メタ）アクリル酸エステル系モノマーおよび（メタ）アクリレート系架橋性モノマーを含有する
ことを特徴とする、請求項１０に記載の徐放性粒子の製造方法。
【請求項１２】
前記重合工程により得られた懸濁液と固体担体とを配合し、それらを乾燥させて、粒剤を調製する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の徐放性粒子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月22日(2018.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体と、第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、島状の半導体と、を有し、
前記第１の導電体は、前記半導体の上面と接する領域を有し、
前記第１の導電体は、前記半導体の側面と接する領域を有さず、
前記第２の導電体は、前記半導体の前記上面と接する領域を有し、
前記第２の導電体は、前記半導体の側面と接する領域を有さず、
前記第３の導電体は、前記半導体と前記第３の導電体とが、前記絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、
前記第１の導電体は、第１の側面と、第２の側面と、第３の側面と、を有し、
前記第２の導電体は、第４の側面を有し、
前記第１の導電体および前記第２の導電体は、前記第１の側面と前記第４の側面とが、互いに向かい合うように配置され、
前記第１の導電体は、前記第１の側面と前記第２の側面との間にある第１の角部と、前記第２の側面と前記第３の側面との間にある第２の角部と、を有し、
前記第１の角部は、前記第２の角部よりも曲率半径の小さい部分を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、第４の導電体と、半導体と、を有し、
前記半導体は、前記第１の絶縁体の上面と接する領域を有し、
前記第１の導電体は、前記半導体の上面と接する領域を有し、
前記第２の導電体は、前記半導体の前記上面と接する領域を有し、
前記第２の絶縁体は、前記半導体の前記上面と接する領域を有し、
前記第３の導電体は、前記半導体と前記第３の導電体とが、前記第２の絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、
前記半導体および前記第１の絶縁体は、前記第４の導電体に達する開口部を有し、
前記第１の導電体は、前記開口部を介して前記第４の導電体と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体は、短手方向の長さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下となる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記半導体は、第１の半導体と、第２の半導体と、を有し、
前記第１の半導体は、前記第２の半導体よりも電子親和力が大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、第２の回路と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、を有し、
前記第１の回路は、複数のトランジスタを有し、
前記第２の回路は、前記第１の回路を保護する機能を有し、
前記第２の回路は、第１のトランジスタ、第１のダイオード、第２のダイオード及び第１の抵抗素子を有し、
前記第１の配線は前記第２の回路を介して前記第１の回路と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記第１の回路に信号を入力する機能を有し、
前記第２の配線は、高電位電源線としての機能を有し、
前記第２の配線は、前記第１の回路と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第４の配線は、低電位電源線または接地電位線としての機能を有し、
前記第４の配線は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体膜を有する半導体装置。
【請求項２】
第１の回路と、第２の回路と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、を有し、
前記第１の回路は、複数のトランジスタを有し、
前記第２の回路は、前記第１の回路を保護する機能を有し、
前記第２の回路は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタを有し、
前記第１の配線は前記第２の回路を介して前記第１の回路と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記第１の回路に信号を入力する機能を有し、
前記第２の配線は、高電位電源線としての機能を有し、
前記第２の配線は、前記第１の回路と電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第２の回路が有する第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第４の配線は、低電位電源線または接地電位線としての機能を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第１の回路と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタは、酸化物半導体膜を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１乃至前記第４のトランジスタの各々のゲート電極に信号が入力されない場合において、前記第４のトランジスタは、前記第１乃至前記第３のトランジスタと比較して、抵抗が高い半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置と、筐体、マイクロフォン、スピーカー、操作キー、または、レンズと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月22日(2018.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源部と、センサ部と、記憶素子部と、を有し、
前記電源部は、前記センサ部および前記記憶素子部と電気的に接続され、
前記センサ部は、前記記憶素子部と電気的に接続され、
前記センサ部は、センサ素子を有し、
前記記憶素子部は、トランジスタを有し、
前記センサ素子は、アナログ値の情報を取得する機能を有し、
前記記憶素子部は、前記センサ素子から出力された前記アナログ値の情報を記憶する機能を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
電源部と、センサ部と、記憶素子部と、を有し、
前記電源部は、前記センサ部および前記記憶素子部と電気的に接続され、
前記センサ部は、前記記憶素子部と電気的に接続され、
前記センサ部は、第１のセンサ素子及び第２のセンサ素子を有し、
前記記憶素子部は、トランジスタを有し、
前記第１のセンサ素子は、第１のアナログ値の情報を取得する機能を有し、
前記第２のセンサ素子は、第２のアナログ値の情報を取得する機能を有し、
前記記憶素子部は、前記第１のセンサ素子から出力された前記第１のアナログ値の情報と、前記第２のセンサ素子から出力された前記第２のアナログ値の情報と、を記憶する機能を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記記憶素子部は、容量素子を有し、
前記容量素子は、前記トランジスタと電気的に接続され、
前記センサ部は、前記記憶素子部上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
アナログデジタル変換回路を有さないことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月24日(2018.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、チャネル領域に酸化物半導体膜を有し、
前記トランジスタのドレイン電流−ゲート電圧特性における、対数で表される前記ドレイン電流の最大の傾きの接線と１×１０−１２Ａの軸との交点のゲート電圧をシフト値とした場合、前記酸化物半導体膜に対して、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーで光照射した際に、前記光照射後の前記シフト値から前記光照射前の前記シフト値の差分が、−１Ｖ以上０．５Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、チャネル領域に酸化物半導体膜を有し、
前記トランジスタのドレイン電流−ゲート電圧特性における、対数で表される前記ドレイン電流の最大の傾きの接線と１×１０−１２Ａの軸との交点のゲート電圧をシフト値とした場合、前記酸化物半導体膜に対して、２．８ｅＶ以上３．０ｅＶ以下のエネルギーで光照射した際に、前記光照射後の前記シフト値から前記光照射前の前記シフト値の差分が、−１Ｖ以上０．５Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタは、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間において、前記酸化物半導体と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｇａと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、ｃ軸配向性を有する結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、ホモロガス構造を有し、且つＩｎの含有量がＧａの含有量よりも多いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月16日(2018.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の酸化物半導体と、
前記第１の酸化物半導体と電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の酸化物半導体と重なる第１のゲート電極と、
前記第１の酸化物半導体と前記第１のゲート電極との間に挟んで設けられる第１の電荷捕獲層とを有し、
前記第２のトランジスタは、
第２の酸化物半導体と、
前記第２の酸化物半導体および前記第１の電極と電気的に接続された第２の電極と、
前記第２の酸化物半導体と重なり、かつ前記第１の電極と電気的に接続する第２のゲート電極と、
前記第２の酸化物半導体と前記第２のゲート電極との間に挟んで設けられる第２の電荷捕獲層とを有し、
前記第１の電荷捕獲層は、前記第２の電荷捕獲層より、多くの電子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電荷捕獲層および前記第２の電荷捕獲層はそれぞれ、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、アルミニウムシリケートのいずれか一を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の酸化物半導体を挟む、第３の酸化物半導体および第４の酸化物半導体を有し、
前記第４の酸化物半導体は、前記第１の酸化物半導体と前記第１の電荷捕獲層の間に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、エンハンスメント型トランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、デプレッション型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置と、表示装置またはバッテリーと、を有することを特徴とする電子機器。