【事件の表示】
　平成　７年特許願第２９１４７７号「光ピックアップ」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　５月２０日出願公開、特開平　９−１３４５３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件審判の請求に係る特許出願（以下「本願」という。）は、平成７年１１月９日に出願されたもので、平成１５年５月１９日付で拒絶査定がなされたところ、平成１５年６月２６日付で特許法第１２１条第１項の審判請求がなされたものである。
　そして、審判請求と同時になされた手続補正は、当審において平成１６年１１月１８日付けで補正却下の決定がなされ、さらに当審から平成１６年１２月１５日付で拒絶理由が通知されたものであって、本願請求項１，２に係る発明は、平成１４年１月２９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　「【請求項１】　フォトダイオードと、フォトダイオードに光を導く光学素子とが接合剤層を介して接合された光ピックアップにおいて、
　少なくともシリコン窒化膜からなり、フォトダイオードの屈折率と接合剤層の屈折率との中間の屈折率を有した反射防止膜がフォトダイオードと接合剤層との間に設けられ、少なくともＡｌ２Ｏ３膜からなり、フォトダイオードの屈折率と接合剤層の屈折率との中間の屈折率を有した反射防止膜が接合剤層と光学素子との間に設けられていることを特徴とする光ピックアップ。」（以下、「本願発明」という。）
　
　
２．刊行物及びその記載
　当審の拒絶理由で引用した刊行物である特開平１−２３７９３９号公報（以下、「刊行物１」という。）は、光学ピックアップ装置であって、図面とともに以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
　
　（１ー１）「Ｇ実施例　第１図は、本発明に係る光学ピックアップ装置の一例を概略的に示す。この例も、記録媒体とし、例えば、光ディスクを選択するものとされ、光ディスクとの関係は、上述の第４図に示される光学ピックアップ装置の場合と同様なものとされる。
　第１図に示される例においては、
半導体基板３１の内部に第１及び第２の光検出器３２及び３３が配列形成され、
半導体基板３１の上面３１ａが
保護膜４１によって覆われている。保護膜４１は、略均一な厚みを有し、平坦な表面を形成するものとされていて、例えば、
屈折率を略1.46とするSiO
2
によって形成されて、その厚みが、例えば、略4500Åに選定される。そして、保護膜４１の上面には、保護膜４１における第１の光検出器３２に対応する部分を覆うものとされた光半透過膜４２が配されている。この光半透過膜４２は、例えば、屈折率を略2.10とするSi
3
N
4
によって形成され、その厚みが、例えば、略4900Åに選定される。
　
さらに、保護膜４１における第１及び第２の光検出器３２及び３３の上方となる位置には、プリズム３６が、保護膜４１及び光半透過膜４２を覆う、その屈折率を略1.56とするエポキシ樹脂系の接着剤で形成される接着層４３を介して固定されている。
　（１−２）「
光学記録媒体からの反射レーザ光ビームを光検出器に導くプリズムとが配されて構成される集積型の光学ピックアップ装置が、本願出願人によりすでに提案されている（特願昭61−38576号）。
　
斯かる集積型の光学ピックアップ装置にあっては、例えば、第４図に示される如くの構成がとられる。
　
　以上の記載事項を、図面とともに総合勘案して整理すると、要するに、刊行物１には以下の発明が記載されているものと認める。
  「半導体基板３１の内部に第１及び第２の光検出装置３２及び３３が配列形成され、半導体基板３１の上面３１ａが保護膜４１によって覆われ、保護膜４１は、略均一な厚みを有し、平坦な表面を形成するものとされていて、例えば、屈折率を略1.46とするSiO2によって形成されて、その厚みが、例えば、略4500Åに選定され、
　保護膜４１の上面には、保護膜４１における第１の光検出器３２に対応する部分を覆うものとされた光半透過膜４２が配され、この光半透過膜４２は、例えば、屈折率を略2.10とするSi3N4によって形成され、その厚みが、例えば、略4900Åに選定され、　
　さらに、保護膜４１における第１及び第２の光検出器３２及び３３の上方となる位置には、プリズム３６が、保護膜４１及び光半透過膜４２を覆う、その屈折率を略1.56とするエポキシ樹脂系の接着剤で形成される接着層４３を介して固定されている光ピックアップ装置。」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
　同じく、当審の拒絶の理由で引用した刊行物である特開平４−４０６３７号公報（以下、「刊行物２」という。）は、光学装置であって、図面とともに以下の記載がある。
　（２−１）「第１図に示すように、実施例の光学装置は、
光学特性改善用光学薄膜７と接着剤層６との間に接着強度改善用光学薄膜８を介在させている
　上述したように、
光学特性改善用光学薄膜７は、プリズム１の屈折率および接着剤層６の屈折率に基づく所定の屈折率を有する材料を用いて形成され
　　　　　　　　　　・・・（中略）・・・。
　なお、上記実施例においては、接着強度改善用光学薄膜８としてSiO2膜を形成したが、この
接着強度改善用光学薄膜８を形成する材料は接着剤層６の構成材料に合わせて適宜選択すればよい。例えば、接着剤層６がエポキシ系材料によって形成され、その屈折率が１．５４程度ならば、Ａｌ
2
Ｏ
3
またはＳｉ
2
Ｏ
3
のように、エポキシ系の接着剤層６と同じような屈折率を有する材料を用いて接着強度改善用薄膜８を形成すればよい
　
　
３．対比・判断
　本願発明と刊行物１発明との対比に先だって、刊行物１発明の各検出器についてであるが、刊行物１には必ずしも明確な記載はないので如何なる構成になるものかについて検討する。先ず、刊行物１の第１図に記載の実施例であるが、基本的構成は『第４図に示される光学ピックアップ装置の場合と同様なものとされる。』との記載がされているので、これを参酌すると、このものは特願昭６１−３８５７６号（特開昭６２−１９７９３１号公報）に記載あるものとしされている（上記（１−２）を参照）。
　そして、この公報を参酌するに、『
Si基板３２に光検出器３３〜３６を形成し、ＢＫ７から成る断面台形のプリズム３７を接着剤によって光検出器３３〜３５上に固定したものである
　これは、請求人が本願明細書で記載してあるところの「【００１３】図１に示す光ピックアップは、シリコン基板（Ｓｉ基板）２上に、シリコン（Ｓｉ）によりフォトダイオード１を形成するとともに・・・（後略）・・・」と認められものである。また、シリコン基板（Ｓｉ基板）であることから、屈折率に関しては「【０００８】・・・（前略）・・・。フォトダイオードの表面は材質がシリコンであり、屈折率は３．４２である。・・・（後略）・・・」と判断できる。
　したがって、刊行物１発明の『光学検出装置３２及び３３』は、フォトダイオードであって、その屈折率は３．４２と認定できるものであって、このように解釈することを否定する記載は少なくともみあたらない。
　
　よって、以下、刊行物１発明の検出器はフォトダイオードとして解釈し比較する。
　（１）刊行物１発明の「第１の光検出器」は、本願発明の「フォートダイオード」に相当する。
　（２）刊行物１発明の「第１及び第２の光検出器３２及び３３の上方となる位置には、プリズム３６」は、本願発明の「フォトダイオードに光を導く光学素子」に相当する。
　（３）刊行物１発明の「プリズム３６が、・・・（中略）・・・エポキシ樹脂系の接着剤で形成される接着層４３を介して固定」は、半導体基板３１（なお、Ｓｉ基板）上に接着層を介してプリズム３６を固定していくものであるから、これは本願発明の「（光学素子とが）接合剤層を介して接合」に相当する。
　（４）刊行物１発明の「半導体基板３１の上面３１ａが保護膜４１によって覆われ、保護膜４１は、略均一な厚みを有し、平坦な表面を形成するものとされていて、例えば、屈折率を略1.46とするSiO2によって形成されて、・・・、保護膜４１の上面には、保護膜４１における第１の光検出器３２に対応する部分を覆うものとされた光半透過膜４２が配され、この光半透過膜４２は、例えば、屈折率を略2.10とするSi3N4によって形成され、」であるが、光検出器の構成は上記認定したとおりのフォトダイオードで屈折率３．４２であり、また上記保護膜４１及び光半透過膜４２は少なからず反射防止の機能を有することは自明で、ここで光半透過膜４２は、例えば、屈折率を略2.10とするSi3N4（シリコン窒化膜）によって形成されとあるから、本願発明の「少なくともシリコン窒化膜からなり、フォトダイオードの屈折率と接合剤層の屈折率との中間の屈折率を有した反射防止膜がフォトダイオードと接合剤層との間に設け」に相当する。
　
　結局のところ、本願発明と刊行物１発明との〔一致点〕及び〔相違点〕は以下のとおりである。
　
〔一致点〕　
　「フォトダイオードと、フォトダイオードに光を導く光学素子とが接合剤層を介して接合された光ピックアップにおいて、
　少なくともシリコン窒化膜からなり、フォトダイオードの屈折率と接合剤層の屈折率との中間の屈折率を有した反射防止膜がフォトダイオードと接合剤層との間に設けられていることを特徴とする光ピックアップ。」の点。
　
〔相違点〕
　(イ)接合剤層と光学的素子との間の構成であるが、本願発明のものは「少なくともＡｌ２Ｏ３膜からなり、フォトダイオードの屈折率と接合剤層の屈折率との中間の屈折率を有した反射防止膜が接合剤層と光学素子との間に設けられている」というものであるが、刊行物１発明のものは、この構成に言及していない点。（以下、「相違点イ」という）
　
〔判断〕
　光ピックアップの構成で共通する、刊行物２には、
「光学特性改善用光学薄膜７と接着剤層６との間に接着強度改善用光学薄膜８を介在させている。」
「接着強度改善用光学薄膜８を形成する材料は接着剤層６構成材料に合わせて適宜選択すればよい。例えば、接着剤層６がエポキシ系材料によって形成され、その屈折率が１．５４程度ならば、Ａｌ2Ｏ3のように、エポキシ系の接着剤層６と同じような屈折率を有する材料を用いて接着強度改善用薄膜８を形成すればよい  」
との記載がある（上記２．（２−１）の下線部分を参照）。接着強度の観点、光学特性改善用光学薄膜の適用等の課題は刊行物１発明のものでも当然に内在するものである。また、Ａｌ2Ｏ3は屈折率が１．６３であることから、フォトダイオードーに対する屈折率の関係は本願発明の構成要素を充足するものとなる。
　よって、刊行物１発明に刊行物２の上記構成を採用して、上記相違点イのようにして、本願発明は当業者が適宜容易に想到できたものである。
　
　なお、請求人は平成１７年２月１８日付けの意見書おいて、特に「即ち、引用文献１において、・・・（中略）・・・同じく請求項１に係る発明の「フォトダイオード」に相当する「第１の光検出器３２」の屈折率に関しては何等開示されておりません。
　このように引用文献１において「第１の光検出器３２」の屈折率が何等開示されていない以上、この引用文献１においては、本願の請求項１に係る発明における「フォトダイオードの屈折率と接合層の屈折率との中間の屈折率を有した反射防止膜」という構成を何等開示又は示唆するものではないと思料致します。」と主張する。
　確かに、刊行物１（引用文献１）に相当）のものには、その旨の記載は、明確にはない、かも知れないが、刊行物１発明の記載を精査していく中で、具体的開示のない半導体基板の材料なり光検出器の製造を注視すると本願発明のものと相違ないことは上記のとおりである。また、当該分野で光検出器を構成していくのにＳｉ基板上にフォトダイオードの形成は通常的で特異なものではそもそもない。
　また、屈折率に着目して光を効率よく光検出器へ入射させることは特開平４−８９６３６号公報（原審での拒絶理由の引用文献１で提示）に記載が有り、自明のものである。また、刊行物１及び刊行物２の組合せにおいても、なんら阻害要件はなく、フォトダイオードと光学素子との接している面において光の反射低減をもってフォトダイオードに効率良く光を入射できるとすることも特段のものではなく、課題に特段の顕著性はみあたらない。
　
　
４．むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、上記刊行物１発明及び刊行物２に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願発明は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　　
　よって、結論のとおり審決する。