【事件の表示】
　平成８年特許願第３１９１０５号「電子部品の製造方法および電子部品」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年６月１９日出願公開、特開平１０−１６３２４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続きの経緯の概要
　本願は平成８年１１月２９日の出願であって、平成１５年７月３１日付けで、同年５月１３日付けの拒絶理由通知書に記載した理由により拒絶され、その後、平成１５年９月４日に審判請求されるとともに、平成１５年９月１６日付けで手続補正書が提出され、平成１６年１０月２９日付けで審尋がなされ、これに対して平成１６年１２月９日付けで回答書が提出されたものである。
　　
ＩＩ．補正について
(II-1)補正の内容
　上記平成１５年９月１６日付けの手続補正書による補正のうち、特許請求の範囲の請求項３については、平成１５年４月１７日付けの手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項３について、以下のとおりに補正するものである。（以下「補正発明３」という。）
「【請求項３】基板の表面に金ワイヤをボンディングするための銅パッドおよびハンダバンプを形成するための銅パッドを形成する工程と、これらの銅パッド上に少なくともニッケル膜を含むバリアメタル層を形成する工程と、これらのバリアメタル層上に金膜を形成する工程と、チップを熱硬化接着剤で前記３つの工程により上面と下面にワイヤをボンディングするためのパッドとハンダバンプを形成するためのパッドがそれぞれ形成された前記基板の上面に搭載し加熱により固定する工程と、加熱により前記基板の上面側のパッドの金膜の表面に形成されるニッケルの酸化膜をプラズマエッチングで除去する工程と、プラズマエッチングされた金膜の表面にワイヤをボンディングしてこの金膜で覆われた銅パッドと前記チップを電気的に接続する工程と、前記チップとワイヤを封止する樹脂モールドを基板の表面に形成する工程と、前記ハンダバンプを形成するための基板の下面側の銅パッドにハンダバンプを形成する工程を含む電子部品の製造方法で製造されたことを特徴とする電子部品。」
　　
(II-2)補正の適否の検討
（Ａ）証拠の記載事実
　上記平成１５年５月１３日付け拒絶理由通知書に提示された引用刊行物には、以下の記載がある。
（１）引用刊行物１（特開平８−２２７９１１号公報）
(1-1)「【請求項１】基板に回路パターンを形成するステップと、前記回路パターンの電極となる部分にニッケルを含むバリアメタル層を形成するステップと、前記バリアメタル層上にメッキ法により金層を形成するステップと、基板を加熱することにより、前記金層に存在するニッケルを前記金層の表層部に集め、前記金層内の純度を高め、前記金層の表層部にニッケル又はニッケルの化合物を析出させるステップと、前記金層の表層部に析出したニッケル又はニッケルの化合物を取り除いて、その下層にある純度が高められた金層を露呈させるステップと、を含むことを特徴とする金メッキ電極の形成方法。」（請求項１）
(1-2)「基板を加熱すると、金層内のニッケルが表層部にニッケルの化合物の形態で析出し、表層部よりも下方の金層の純度が十分な接合性を得られる程度に向上することも、本発明者の実験により明らかとなった。従って、金層の表層部に析出したニッケルの化合物を取り除いて、純度の高い金層を外部に露呈させることにより、純度が高く良好な接合性を有する金メッキ電極を形成することができる。」（段落【0007】）
(1-3)「図３を図２と比較すると、図３では図２よりも、ニッケルまたはニッケルの化合物の存在を示す波形（Ａ２）が大きくなっている。このことから、ワイヤボンディングの前に行われる加熱によって、金層の表層部に、ニッケルまたはニッケルの化合物が析出し集中していたことがわかる。」（段落【0013】）
(1-4)「以上のことから、上記熱処理後、金メッキ電極の表層部には、金メッキ電極中に存在するニッケルまたはニッケルの化合物が集中し、逆にその表層部より下方の金層では、金の純度が向上するということがわかる。
　また、本発明者は、別途この表層部のニッケルまたはニッケルの化合物を取り除いた金メッキ電極についてワイヤボンディングを試行してみたことろ、非常に良好な接合性を得ることができた。このことから、金層の表層部にあるニッケルまたはニッケルの化合物が、ワイヤとの接合性を阻害することがわかる。すなわち、この金層の表層に集中したニッケルまたはニッケルの化合物を取り除けば、その下方に存在する純度の高い金層を露呈させることができ、ワイヤとの接合性を向上することができることが、判明した。因みに結合エネルギーを詳細に検討した結果、金層の表層部に析出したニッケルの化合物は、Ｎｉ(ＯＨ)2，Ｎｉ2Ｏ3，ＮｉＯからなることが分かった。」（段落【0017】〜【0018】）
(1-5)「金層の厚さが、１０ナノメートルから１００ナノメートルのいずれにおいても、同様の結果が得られている。ちなみに、従来の金メッキ電極の形成方法では、３００ナノメートル以上の厚さを持つ金層を、長時間・高いコストをかけて形成していたものである。」（段落【0021】）
(1-6)「以上のことから、従来常識とされていた金層（３００ナノメートル以上）よりも非常に薄い金層（例えば１００ナノメートル以下）を、メッキ法（置換型無電解メッキ法でよい）で形成して、この金メッキ電極を加熱し、エッチングによりその表層部を薄く取り除くと、その後持続的に加熱を行っても、ニッケルの比率はほとんど上昇せず、金層の表層部の金の純度を高く保持することができることがわかる。」（段落【0022】）
(1-7)「、図１（ｃ）に示すように、バリアメタル層２ｂの上に、置換型無電解メッキ法（いわゆるフラッシュメッキ）により１０ないし１００ナノメートル程度の厚さの金層２ｃを形成する。このとき図１（ｄ）に示すように、金層２ｃ中にはバリアメタル層に含まれていたニッケルまたはニッケルの化合物が存在している。
　ここで、金層２ｃを形成するにあたり、置換型無電解メッキ法でなく、電解メッキ法等他のメッキ法によっても良い。」（段落【0025】〜【0026】）
(1-8)「エッチングの方法としては、ドライエッチングが好ましい」（段落【0027】）
(1-9)「上述のようにエッチングによってニッケルの化合物が集中した表層部を取除き、純度の高い金層２ｃを露呈させてから、基板１の電極２の間に接着剤３を塗布する（図６（ａ））。次に図６（ｂ）に示すように接着剤３上にチップ４をダイボンディングする。そして図６（ｃ）に示すように、基板１をキュア装置に入れ加熱する。ここで上述したように、この加熱によってもほとんどニッケル／金の比率は上昇せず十分な接合性が保持される。そして、図６（ｄ）に示すようにワイヤ５でチップ４と電極２をボンディングし、図６（ｅ）に示すように樹脂６によってチップ４、ワイヤ５、電極２などを封止する。」（段落【0029】）
(1-10）「金層の表層部に析出したニッケル又はニッケルの化合物を取り除いて、その下層にある純度が高められた金層を露呈させるステップとを含むので、少ない量の金により安価なコストで十分な接合性を有する電極を形成することができる。」（段落【0031】）
　　
（２）引用刊行物２（特開平７−１０６３６３号公報）
(2-1)「【請求項１】銅層、ニッケル層及び金層の三層構造を有する電極を形成された基板にワイヤボンディングを行うに先立ち前記電極の表層部を薄く除去して水酸化ニッケル成分を取除くことを特徴とするワイヤボンディング前処理方法。」（請求項１）
(2-2)「本発明は、基板に施される金めっきをより薄くしても、後工程としてのワイヤボンディングが良好に行い得るようにしたワイヤボンディング前処理方法に関するものである。」（段落【0001】）
(2-3)「従来基板に電極を形成してからワイヤボンディングを行うまでの工程は、図７及び図８に示すように行われている。まず図８の（ａ）に示すように、基板１上に電極２が形成される。この電極２は、図８の（ｂ）に拡大して示すように、銅層２ａ、ニッケル層２ｂ及び金層２ｃからなる。次に、同図８の（ｃ）に示すように、基板１の所定箇所に接着剤３を塗布し、この接着剤３上に半導体チップ４を搭載する（同図８の（ｄ））。そして、接着剤３の硬化のために、基板１をキュア炉５内において加熱処理し、半導体チップ４を基板１に固定する（同図８の（ｅ））。なお５ａはヒータである。次に、キュア炉５内から基板１を搬出し、ワイヤボンディング装置によって、電極２と半導体チップ４をワイヤ６で接続する（同図８の（ｇ））。」（段落【0010】）
(2-4)「電極２の形成方法として、置換型めっき法、還元型めっき法及び電解めっき法が知られている。」（【0011】）
(2-5)「ここで本発明者は、金層２ｃの厚さの差によりどのような影響があるのかを調べるため、図９の（ａ）で説明した電極２（常識的な加熱処理済）について、厚さ方向の濃度分布を求めた。その結果は、図１に示す通りである。図中実線は金の濃度、破線はニッケルの濃度、鎖線は酸素の濃度を示す。図１から、ニッケル層２ｂのニッケル又はその化合物の一部が金層２ｃ内に拡散していることが判明した。さらに、上記接合部分であるところの金層２ｃの表層部においてニッケル又はその化合物の濃度が上昇していることが分かった。
　次に、本発明者は表層部に拡散したニッケルがどのような結合状態により表層部に存在しているのかを知るべく、エスカ分析装置により計測を行った。図２はその結果を示すものである。すると、図２上段に示すように、ニッケルは主として水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）2）として存在していることがわかった。さらに、金層２ｃの表層部を、通常のアルゴンガスのスパッタリング法により、約１０ｎｍだけ削ると、図２下段に示すように水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）2）が顕著に減少することも判明した。」（段落【0014】〜【0015】）
(2-6)「以上のところを総合すると、キュア炉５における加熱処理により、ニッケル層２ｂ中のニッケルの一部が、金層２ｃへ拡散し、しかも基板１に含まれる水分等と結合して金層２ｃの表層部において水酸化ニッケル（注：「二酸化」は誤記と認める。）の形態となって存在することにより、ワイヤ６（上述のように極線の金線である）と電極２の金層２ｃとの接合を邪魔し、その結果これらの接合部分のせん断強度が低下するものと考えられる。また金層２ｃの厚さが大である程加熱処理前のせん断強度から加熱処理後のせん断強度が低下しにくいのは、ニッケル又はその化合物が、金層２ｃ内に拡散しても厚い金層２ｃに阻まれて表層部まで到達しにくいためと思われる。
　さらに本発明者は、置換型めっき方により形成された極薄（０．０５μｍ）の金層２ｃの表層部を約１０ｎｍだけ除去した電極２（図２下段）について、上記接合部分のせん断強度及びこの除去により新たに外部に露呈する表層部について濃度分布を求めた。その結果は、図４の（ａ），（ｂ）に示すとおりである。まず上記接合部分のせん断強度について、熱処理前に十分なせん断強度を有していたものが、２時間の熱処理により極端にせん断強度を失うが、図４の（ａ）の右欄のように、表層部を除去した場合、十分なせん断強度が得られ、実用に供し得るものであることが判明した。又表層部における濃度分布について、図４（ｂ）右欄に示すように、表層部を除去すると、ニッケルの濃度及び酸素の濃度が低下し、相対的に金の濃度が上昇している。これは、表層部の水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）2 ）が取り除かれたためと考えられる。」（段落【0016】〜【0017】）
(2-7)「上記実験は、従来ワイヤボンディングに用いる電極の形成方法としては不適とされていた置換型めっき法により極薄（厚さ０．０５μｍ）の金層２ｃを形成した場合について行った。そして、このような極薄の金層であっても、表層部を除去して水酸化ニッケルを取除けば十分なせん断強度が得られることが判明した、もちろん、還元型めっき法又は電解めっき法により、より厚目の金層を形成した場合でも、表層部の除去により同様の効果を得ることができ、これらのめっき法によることも本手段に含まれるものである。」（段落【0018】）
(2-8)「、図５，図６を参照しながら、本発明の実施例を説明する。図５において、本実施例では従来手段（図７）に対し、キュア工程とワイヤボンディング工程との間に、スパッタリング工程を行う点が相違する。即ち、図６（ｆ）で示すように、本実施例ではアルゴンガスのスパッタリング装置Ａにより、電極２の金層２ｃの表層部の一部を除去して二酸化ニッケルを取除くものである。これにより、上述したように薄厚の金層２ｃによっても十分なせん断強度を得ることができる。」
(2-９)【図２】に、Ｎｉ及びＮｉ化合物（Ｎｉ（ＯＨ）2、Ｎｉ2Ｏ3、ＮｉＯ）の表層部存在状態について、「表層除去前」と「表層除去後」のエスカ分析結果が示されている。（第４頁）
　　
（３）引用刊行物３（特開平７−１９３１６６号公報）
(3-1)「【請求項１】上下面に銅箔張りした樹脂基板の上面側に設けたＩＣチップの接続電極と、下面側に設けた外部接続用のパット電極とをスルーホールを介して接続するとともに、前記パット電極には半田バンプを設けてなる半田バンプ付き半導体装置において、前記接続電極には金メッキ層を形成するとともに、前記パット電極には半田と親和性の良い金属メッキ層を形成したことを特徴とする半田バンプ付き半導体装置。
【請求項２】前記接続電極に形成された金メッキ層は、下地メッキ層を含む金の多層メッキ層であり、前記パット電極に形成された金属メッキ層は、前記下地メッキ層であることを特徴とする請求項１記載の半田バンプ付き半導体装置。
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【請求項５】前記パット電極に形成された下地メッキ層は、銅とニッケルとフラッシュ金の多層メッキ層であることを特徴とする請求項２記載の半田バンプ付き半導体装置。
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【請求項７】前記パット電極に形成した半田と親和性の良い金属メッキ層の表面に、該親和性の良い金属メッキ層の酸化を防止するための酸化防止膜を設けたことを特徴とする請求項１記載の半田バンプ付き半導体装置。
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【請求項９】前記酸化防止膜が薄い金メッキ層であることを特徴とする請求項７記載の半田バンプ付き半導体装置。」（特許請求の範囲）
(3-2)「従来のＢＧＡの製造工程」（段落【0004】）について、「図１０（ｂ）はドライフイルムラミネート工程であり、前記樹脂基板１の上面側にはＩＣチップのダイパターン５及びワイヤーポンディング用の接続電極６を露出させる開口部を形成し、下面側には半田バンプを形成するパット電極７を露出させる開口部を形成する。尚、前記接続電極６とパット電極７は前記スルーホール２を介して接続されている。
　次に、図１０（ｃ）において、前記樹脂基板１の上下両面に形成されたドライフィルム４の開口部に露出している電極の銅メッキ層３の表面に、２〜５μｍ程度のＮｉメッキ層を施し、更にＮｉメッキ層の上にボンディングワイヤと導通性の優れた０．５μｍ程度の金メッキ層８を施す。
　図１０（ｄ）において、前記ダイパターン５にＩＣチップ９を搭載し、該ＩＣチップ９と前記接続電極６とをボンディングワイヤ１０で接続した後、該ＩＣチップ９及びボンディングワイヤ１０を熱硬化性の封止樹脂１１でトランスファーモールドして樹脂封止することにより、前記ＩＣチップ９の遮光と保護を行う。また前記樹脂基板１の下面側のパット電極７には半田バンプ１２が形成され、この半田バンプ１２により、図示しないマザーボードのパターンと導通される。以上によりＢＧＡ１３が完成される。」（段落【0006】〜【0007】）
(3-3)「図１１は図１０（ｄ）のＸ−Ｘ線の要部拡大断面図で、前記樹脂基板１に形成した多層の金属メッキ層の構造を示すものである。前述したように、１８μｍ程度の厚さに銅箔張りされた樹脂基板１の銅箔層１４の全表面に無電解メッキ及び電解メッキにより銅メッキ層３が形成され、更にニッケルメッキ工程で、前記銅メッキ層３の表面に２〜５μｍ程度のニッケルメッキ層１５を形成する。更に、前記樹脂基板１のニッケルメッキ層１５の表面に金メッキを施す工程で、コバルト等の不純物を含み前記ニッケルメッキ層１５に食いつき易い、厚さ０．０５μｍ程度のフラッシュ金メッキ層１６を形成する。以上の銅メッキ層３、ニッケルメッキ層１５及びフラッシュ金メッキ層１６までの工程が下地メッキ層１７を形成する下地メッキ工程である。
　次に、ワイヤーボンディングを行うために前記下地メッキ層１７の上に導通性の優れた厚さ０．３μｍ〜０．７μｍ程度の金メッキ層１８を形成する。ＩＣチップ搭載側である接続電極６の金属メッキ層は下地メッキ層１７を含む４層の多層構造で、半田バンプ形成側であるパット電極７の金属メッキ層も同様に４層の多層構造となっている。」（段落【0009】）
(3-4)「前記ＢＧＡ１３は、ボンディングワイヤ１０に金線を使用する」（段落【0010】）
(3-5)「図６（ｃ）は第１メッキ工程であり、残り下地メッキ層として銅メッキ層３の上にニッケルメッキ層１５を形成し、更に該ニッケルメッキ層１５の表面にニッケルメッキ層１５に食いつき易い、コバルト等の不純物を含む厚さ０．０５μｍ程度のフラッシュ金メッキ層１６を形成したものであり、図７（ａ）にその拡大断面図を示す。
　更に、図６（ｄ）は第２メッキ工程であり、先ず下面側のパット電極７に金メッキ層を形成させないために、下面側全面をマスクドライフィルム２１でマスクし、面側に形成さている下地メッキ層の上にのみ金メッキ層を形成する。即ち前記第２メッキ工程では、前記フラッシュ金メッキ層１６の上に金メッキ層１８が形成される結果、ＩＣチップ搭載側の金属メッキ層は銅メッキ層３、ニッケルメッキ層１５及びフラッシュ金メッキ層１６の３層構造の下地メッキ層１７とワイヤーボンディングを行うための金メッキ層１８が形成される。本実施例における完成されたプリント樹脂基板１のダイパターン５及び接続電極６にはワイヤーボンディングに適した金メッキ層１８が形成され、また下面側のパット電極７には、銅メッキ層３、ニッケルメッキ層１５及びフラッシュ金メッキ層１６の３層構造の金属メッキ層（下地メッキ層１７）が形成される。
　更に、図６（ｅ）は、前述の第１実施例の図１（ｅ）と同様に、前記プリント樹脂基板１の下面側に施した前記マスクドライフィルム２１を除去するためのマスクＤＦ現像工程であり、この工程でプリント樹脂基板１が完成する。図６（ｆ）において、前記プリント樹脂基板１の上面側のダイパターン５にＩＣチップ９を搭載してボンディングワイヤ１０でワイヤーボンデングした後、ＩＣチップ９及びボンディングワイヤ１０を熱硬化性の封止樹脂１１でトランスファーモールドにより樹脂封止する。また前記プリント樹脂基板１の下面側の複数のパッド電極７に半田ボールを供給し、加熱炉中で加熱することにより、半田バンプ１２を形成することができる。」（段落【0048】〜【0050】）
(3-6)「図７（ｂ）のパッド電極７上に形成された金属メッキ層は、半田との親和性の良いニッケルメッキ層１５の表面に該ニッケルメッキ層１５の酸化を防止するための酸化防止膜としてのフラッシュ金メッキ層１６が形成されている。
  このため本実施例の金属メッキ層は、第１実施例および第２実施例のパッド電極上の金属メッキ層が、酸化しやすいニッケルメッキ層１５や銅メッキ層３が露出しているため、ＩＣ実装工程中にパッド電極７が酸化してしまい、半田バンプ形成工程中の前に酸化膜除去の工程を行なう必要があるのに対し、酸化膜除去の工程が不要であり、生産上極めて有利となる。
  また、前記フラッシュ金メッキ層１６と半田との間にも金属間化合物が形成されるが、前述の如く、フラッシュ金メッキ層１６が極めて薄いため、金属間化合物の形成も微量となり、実質的にパッド電極７と半田バンプ１２との結合力を低下させることは無かった。」（段落【0052】〜【0054】）
(3-7)「従って、前記フラッシュ金メッキ層１６は、酸化防止膜としての機能を有する範囲において、できるだけ薄いことが望ましく、前記プリント樹脂基板上面側の接続電極６の金メッキ層１８の厚みよりも薄くすることが条件であり、実質的に半田バンプ１２とパッド電極７との結合力が保てる範囲としては、０．１μｍ以下の薄さに形成することが望ましい。」（段落【0054】）
(3-8)「パッド電極に形成する半田と親和性の良い金属メッキ層は、ＩＣチップ接続電極の金の多層メッキ層を形成する途中に同時に形成される銅メッキ層、ニッケルメッキ層、フラッシュ金メッキ層等の下地メッキ層をそのまま採用できるので、特別なメッキ工程を必要とせず、生産上極めて有利な製造方法である。」（段落【0064】）
　　
（４）引用刊行物４（特開平８−２５０６１９号公報）
(4-1)「表裏に所定の配線６やランド１１が設けられかくビアホール配線１０によりこれらの間の接続が成された基板４がまず用意される。次に、スクリーン印刷により熱硬化タイプのソルダーレジスト８が塗布され、加熱により硬化される。かかるレジストとしてはエポキシ系樹脂が適している。その後、半田ボール側に感光性タイプのソルダーレジスタ９を塗布し、選択的に露光，現像して各ランド１１を露出させる開孔を設ける。そして、電界メッキ等により、Ｎｉ−Ａｕ等の導体層７を露出したランド１１上に形成する。しかる後、半導体チップ１を搭載し、ワイヤ３を用いて結線し、樹脂２で封止する。
　そして、図４に示すように、半田ボール取り付け面を上にした状態で、基板４のランド部１１に（正確には導体層７上に）フラックスを塗布する。その後、所定位置に配列された半田ボール５を同じように配列されているランド部に搭載する。そして、リフローし、半田ボール５を溶かしてランド部に接着させる。」（段落【0017】〜【0018】）
　　
（Ｂ）対比・判断
　補正発明３と、引用刊行物３に記載されたものとを対比すると、引用刊行物３には、従来のＢＧＡの製造工程について、基板１の上面側にはＩＣチップのダイパターン５及びワイヤーポンディング用の接続電極６を露出させる開口部を形成し、下面側には半田バンプを形成するパット電極７を露出させる開口部を形成し、次に、前記樹脂基板１の上下両面に形成された電極の銅メッキ層３の表面にＮｉメッキ層を施し、更にＮｉメッキ層の上に金メッキ層８を施し、前記ダイパターン５にＩＣチップ９を搭載し、該ＩＣチップ９と前記接続電極６とをボンディングワイヤ１０で接続した後、該ＩＣチップ９及びボンディングワイヤ１０を熱硬化性の封止樹脂１１で樹脂封止し、また前記樹脂基板１の下面側のパット電極７には半田バンプ１２が形成されること（摘記3-2）、及び、ボンディングワイヤに金線を使用すること（摘記3-4）が記載されている。また、Ｎｉメッキ層がバリア層として作用することは当技術分野で周知の事項である。なお、引用刊行物３にはフラッシュ金メッキを施すことも記載されているが（摘記3-3）、これは金メッキ前に適宜行う周知の前処理であるので、この点で両者間に実質的な差異があるとすることはできない。
　してみれば、引用刊行物３には、補正発明３の特定事項と対比して、
“基板の表面に金ワイヤをボンディングするための銅パッドおよびハンダバンプを形成するための銅パッドを形成する工程と、これらの銅パッド上に少なくともニッケル膜を含むバリアメタル層を形成する工程と、これらのバリアメタル層上に金膜を形成する工程と、チップを前記３つの工程により上面と下面にワイヤをボンディングするためのパッドとハンダバンプを形成するためのパッドがそれぞれ形成された前記基板の上面に搭載し固定する工程と、金膜の表面にワイヤをボンディングしてこの金膜で覆われた銅パッドと前記チップを電気的に接続する工程と、前記チップとワイヤを封止する樹脂モールドを基板の表面に形成する工程と、前記ハンダバンプを形成するための基板の下面側の銅パッドにハンダバンプを形成する工程を含む電子部品の製造方法で製造されたことを特徴とする電子部品”が記載されており、この点で補正発明３は、引用刊行物３に記載された発明と一致している。そして一方、
（イ）補正発明３では、チップの搭載工程は、熱硬化接着剤を用い、加熱により固定するものであるのに対して、引用刊行物３にはチップ搭載工程の詳細な記載が見あたらない点、及び、
（ロ）補正発明３では、上記チップの搭載後、「加熱により前記基板の上面側のパッドの金膜の表面に形成されるニッケルの酸化膜をプラズマエッチングで除去する工程」を有するのに対して、引用刊行物３にはその記載が無い点で、補正発明３は引用刊行物３に記載された発明と相違している。
　　
　そこで、これら相違点（イ）、（ロ）について、以下検討する。
（１）相違点（イ）について
　引用刊行物３には、ダイパターンにＩＣチップを搭載することの記載がなされているが（摘記3-2参照。）、チップ搭載時の詳細な説明は割愛されており、見あたらない。しかし、チップのダイボンディングに熱硬化接着剤を用い、加熱して硬化、固定させることはことは当技術分野で周知・慣用の手法であり（要すれば、引用刊行物１の摘記1-9、引用刊行物２の摘記2-3を参照。）、しかも引用刊行物３に記載の場合において、それ以外の搭載方法を用いねばならないと判断すべき理由も見あたらない。してみれば、引用刊行物３の上記チップの搭載は、当該周知・慣用の熱硬化接着剤による場合が含まれると認められ、したがって、当該相違点（イ）については、実質的な相違点と言うことができず、また、当業者が容易になし得ることであると認められる。
　　
（２）相違点（ロ）について
　引用刊行物２には、銅層、ニッケル層及び金層の三層構造を有する電極を形成された基板にワイヤボンディングを行うに先立ち、前記電極の表層部を薄く除去して水酸化ニッケル成分を取除くワイヤボンディング前処理を行うこと（摘記2-1）が記載されており、また、具体的には、加熱処理にともないニッケル又はその化合物の一部が金層内に拡散し、金層の表層部でニッケル又はその化合物の濃度が上昇すること、上記ニッケルの化合物は主として水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）2）として存在していること（摘記2-5）、及び、キュア炉における加熱処理により、ニッケル層中のニッケルの一部が、金層へ拡散し、しかも基板に含まれる水分等と結合して金層の表層部において水酸化ニッケルの形態となって存在することにより、ワイヤ（金線）と電極の金層との接合を邪魔し、その結果これらの接合部分のせん断強度が低下するものと考えられ、また金層の厚さが大である程加熱処理前のせん断強度から加熱処理後のせん断強度が低下しにくいのは、ニッケル又はその化合物が、金層内に拡散しても厚い金層に阻まれて表層部まで到達しにくいためと思われること（摘記2-6）、が記載され、そして、アルゴンガスのスパッタリング法により表層を削ると、図２に示されるように水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）2）が顕著に減少すること（段落【2-5】）が記載され、またその結果、金めっきをより薄くしてもワイヤボンディングが良好に行い得ること（摘記2-2）が記載されている。
　引用刊行物２では、上記の表層に形成されるニッケル化合物として、特に水酸化ニッケルについて言及されているが、同引用刊行物２の図２に示されるとおり、表層に形成されるニッケル化合物としては、当該水酸化ニッケルのほかニッケルの酸化物（Ｎｉ2Ｏ3、ＮｉＯ）が具体的に示されており、そしてまた、当該図２には、前記の表層除去処理により、水酸化ニッケルのみならず、ニッケルの酸化物も減少することが示されている。
　この表層除去処理について更に審究すると、引用刊行物１には、基板を加熱すると、金層内のニッケルが表層部にニッケルの化合物の形態で析出し、表層部よりも下方の金層の純度が十分な接合性を得られる程度に向上すること（摘記1-2）、及び、金層の表層に集中したニッケルまたはニッケルの化合物を取り除くと、その下方に存在する純度の高い金層が露呈し、ワイヤとの接合性が向上すること（摘記1-2、1-4）が記載され、そして当該ニッケルの化合物とは、具体的には水酸化ニッケル（Ｎｉ(ＯＨ)2）及びニッケルの酸化物（Ｎｉ2Ｏ3，ＮｉＯ）であること（摘記1-4）、及び、当該除去処理により、少ない量の金により安価なコストで十分な接合性を有する電極を形成することができること（摘記1-10）が記載されている。
　以上のとおりであるから、加熱により金膜表面に形成されたニッケルの酸化膜をワイヤボンディングの前にあらかじめ除去することは、引用刊行物１及び２の記載に基いて当業者が容易に想到できたことである。
　次に、当該表面層の除去手段についてみると、補正発明３では「プラズマエッチング」を用いており、具体的には、明細書及び図面中に、アルゴンガス中で平行平板型エッチング装置を用いて高周波電圧を印加してアルゴンガスのプラズマを生成したことが説明されている（段落【0018】、【図５】）。一方、引用刊行物２には表面層の除去手段としてプラズマエッチングを文言上明示した記載は見あたらない。しかし、引用刊行物２では具体的には平行平板型エッチング装置を用いてアルゴンガスを用いたスパッタエッチングを行うことが開示されており（摘記2-5、【図６】(f)）、またこのようなエッチングにおいて、エッチングガスがプラズマ化することは周知の事項である。したがって、補正発明３におけるプラズマエッチングは、引用刊行物２に記載されたエッチング手段と実質的に同じであり、あるいは、引用刊行物２の記載に基いて当業者が容易に想到し得たことである。また、引用刊行物１には、エッチング方法としてドライエッチングが好ましいことが記載されており（摘記1-8）、そして、このドライエッチングを行うに際して、当技術分野で周知・慣用のドライエッチング法であるプラズマエッチングを用いることに、格別の困難性があるとすることはできない。
　したがって、プラズマエッチングに係る上記相違点（ロ）については、当業者が容易に想到し得たことである。
　以上のとおりであるから、補正発明３は、引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　なお、本願明細書には、基板と樹脂モールドとの密着性向上の効果も有することが説明されているが（段落【0018】〜【0019】）、補正発明３は既に上記のとおり引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、上記密着性の点は付随して生じる効果の一つに過ぎない。
　　
　以上のとおりであるから、補正発明３は特許出願の際独立して特許を受けることができるものとはいえず、よって上記平成１５年９月１６日付けの手続補正書による補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下する。
　　
ＩＩＩ．本願発明
　上記のとおり、平成１５年９月１６日付けの手続補正書による補正は却下され、よって本願発明は、当該却下された補正前の、平成１５年４月１７日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認める。（以下「本願発明１」〜「本願発明３」という。）
「【請求項１】基板の表面に金ワイヤをボンディングするための銅パッドおよびハンダバンプを形成するための銅パッドを形成する工程と、これらの銅パッド上に少なくともニッケル膜を含むバリアメタル層を形成する工程と、これらのバリアメタル層上に金膜を形成する工程と、チップを熱硬化接着剤で基板に搭載し加熱により固定する工程と、加熱により金膜の表面に形成されるニッケルの酸化膜をプラズマエッチングで除去する工程と、プラズマエッチングされた金膜の表面にワイヤをボンディングしてこの金膜で覆われた銅パッドと前記チップを電気的に接続する工程と、前記チップとワイヤを封止する樹脂モールドを基板の表面に形成する工程と、前記ハンダバンプを形成するための銅パッドにハンダバンプを形成する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
　【請求項２】前記金ワイヤをボンディングするための銅パッド上のバリアメタル層に形成された金膜と、前記ハンダバンプを形成するための銅パッド上のバリアメタル層に形成された金膜の厚さが０．０３〜０．０５ミクロンであることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
　【請求項３】基板の表面に金ワイヤをボンディングするための銅パッドおよびハンダバンプを形成するための銅パッドを形成する工程と、これらの銅パッド上に少なくともニッケル膜を含むバリアメタル層を形成する工程と、これらのバリアメタル層上に金膜を形成する工程と、チップを熱硬化接着剤で基板に搭載し加熱により固定する工程と、加熱により金膜の表面に形成されるニッケルの酸化膜をプラズマエッチングで除去する工程と、プラズマエッチングされた金膜の表面にワイヤをボンディングしてこの金膜で覆われた銅パッドと前記チップを電気的に接続する工程と、前記チップとワイヤを封止する樹脂モールドを基板の表面に形成する工程と、前記ハンダバンプを形成するための銅パッドにハンダバンプを形成する工程を含む電子部品の製造方法で製造されたことを特徴とする電子部品。」
　　
ＩＶ．原査定の証拠
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された先の引用刊行物１〜４（特開平８−２２７９１１号、特開平７−１０６３６３号、特開平７−１９３１６６号、特開平８−２５０６１９号各公報）には、上記「(II-2)補正の適否の検討」の「（Ａ）証拠の記載事実」の欄に摘記した事項が記載されている。
　　
Ｖ．対比・判断
（１）本願発明３について
　補正発明３は、本願発明３における「チップを熱硬化接着剤で基板に搭載し加熱により固定する工程」を「チップを熱硬化接着剤で前記３つの工程により上面と下面にワイヤをボンディングするためのパッドとハンダバンプを形成するためのパッドがそれぞれ形成された前記基板の上面に搭載し加熱により固定する工程」と減縮し、「加熱により金膜の表面に形成されるニッケルの酸化膜をプラズマエッチングで除去する工程」を「加熱により前記基板の上面側のパッドの金膜の表面に形成されるニッケルの酸化膜をプラズマエッチングで除去する工程」と減縮し、そして「ハンダバンプを形成するための銅パッドにハンダバンプを形成する工程」を「ハンダバンプを形成するための基板の下面側の銅パッドにハンダバンプを形成する工程」と減縮して、本願発明３を減縮した発明である。
　そして、減縮された補正発明３が、上記「（II-2)補正の適否の検討」の欄に記載したとおり、引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である以上、当該減縮前の本願発明３も、引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
ＶＩ．むすび
　以上のとおり、本願発明３は引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、本願発明３は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願発明１及び２についてあらためて検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。