【事件の表示】
　特願２０００−　２５４６９「ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月１４日出願公開、特開２０００−１９５８２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年７月２３日に出願した特願平９−１９７２９１号の一部を平成１２年２月２日に新たな特許出願としたものであって、平成１５年５月１５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月２２日付で明細書を補正対象書類とする手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年７月２２日付の明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
2.1　補正却下の決定の結論
　　本件補正を却下する。
　
2.2　理由
2.2.1　補正後の本願発明
＜補正事項ａ＞
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持部材を取り付ける工程と、研削用砥石と前記ウェーハとの両方を回転させながら、前記ウェーハの裏面を前記完成時のチップの厚さまで研削し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備し、　前記完成時のチップの厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とするウェーハの分割方法。」から、
「半導体素子が形成
され、直径が少なくとも６インチの
　
＜補正事項ｂ＞
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項４は、
「半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に粘着性のシートからなる保持部材を貼り付ける工程と、研削用砥石と前記ウェーハとの両方を回転させながら、前記ウェーハの裏面を前記完成時のチップの厚さまで研削し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備し、前記完成時のチップの厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とするウェーハの分割方法。」から、
「半導体素子が形成
され、直径が少なくとも６インチの
　
＜補正事項ｃ＞
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項８は、
「ウェーハの主表面に半導体素子を形成する工程と、半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に粘着性のシートからなる保持部材を貼り付ける工程と、研削用砥石と前記ウェーハとの両方を回転させながら、前記ウェーハの裏面を前記完成時のチップの厚さまで研削し、ウェーハを個々のチップに分離する工程と、分離した各チップを前記粘着性のシートから剥離して外囲器に封止する工程とを具備し、前記完成時のチップの厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」から、
「ウェーハの主表面に半導体素子を形成する工程と、半導体素子が形成
され、直径が少なくとも６インチの
　
＜補正事項ｄ＞
　本件補正により、段落【００１４】は、
 「【課題を解決するための手段】
　この発明の請求項１に記載したウェーハの分割方法は、半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持部材を取り付ける工程と、研削用砥石と前記ウェーハとの両方を回転させながら、前記ウェーハの裏面を前記完成時のチップの厚さまで研削し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備し、前記完成時のチップの厚さは、１００μｍ以下であることを特徴としている。」から、
「【課題を解決するための手段】
　この発明の請求項１に記載したウェーハの分割方法は、半導体素子が形成
され、直径が少なくとも６インチの
　
＜補正事項ｅ＞
　本件補正により、段落【００１９】は、
「更に、この発明の請求項４に記載したウェーハの分割方法は、半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に粘着性のシートからなる保持部材を貼り付ける工程と、研削用砥石と前記ウェーハとの両方を回転させながら、前記ウェーハの裏面を前記完成時のチップの厚さまで研削し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備し、前記完成時のチップの厚さは、１００μｍ以下であることを特徴としている。」から、
「更に、この発明の請求項４に記載したウェーハの分割方法は、半導体素子が形成
され、直径が少なくとも６インチの
　
＜補正事項ｆ＞
　本件補正により、段落【００２４】は、
「この発明の請求項８に記載した半導体装置の製造方法は、ウェーハの主表面に半導体素子を形成する工程と、半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に粘着性のシートからなる保持部材を貼り付ける工程と、研削用砥石と前記ウェーハとの両方を回転させながら、前記ウェーハの裏面を前記完成時のチップの厚さまで研削し、ウェーハを個々のチップに分離する工程と、分離した各チップを前記粘着性のシートから剥離して外囲器に封止する工程とを具備し、前記完成時のチップの厚さは、１００μｍ以下であることを特徴としている。」から、
「この発明の請求項８に記載した半導体装置の製造方法は、ウェーハの主表面に半導体素子を形成する工程と、半導体素子が形成
され、直径が少なくとも６インチの
　
　なお、下線は、補正個所を明確化するために、当審で付したものである。
　
　上記補正事項ａ，ｂ，ｃは、請求項１，４，８に記載した発明を特定するために必要な事項である「ウェーハ」について、その「直径が少なくとも６インチの」ものに限定したものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、上記補正事項ｄ，ｅ，ｆは、補正された請求項１，４，８との整合を図るためのみになされたものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
2.2.2　刊行物記載の発明（事項）
　原査定の拒絶の理由に引用され本願の原出願の日前に国内で頒布された刊行物である特開平５−３３５４１１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されていると認められる。
　
＜刊行物１＞
ａ．特許請求の範囲の請求項１，２
「【請求項１】基板の表面側のペレット分割予定に従って有底の溝を形成する溝入れ工程と、この溝入れ工程後に上記基板の表面側を保持し上記基板の裏面側を少なくとも上記溝の底部が開口し上記ペレットが形成されるまで研削する裏面研削工程とを具備することを特徴とするペレットの製造方法。
　【請求項２】有底の溝の研削による取りしろは、２０〜２５μｍであることを特徴とする請求項１記載のペレットの製造方法。」
ｂ．段落【０００６】，【０００７】
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
　以上のように、従来の半導体装置用のペレットの製造方法において、ペレット厚さ２００μｍ以下、基板の直径が６″以上となると、裏面研削加工後、チャックより基板を着脱する際に基板割れが発生したり、あるいは、ダイシング加工時にハンドリングミスにより基板割れが発生してしまう結果、歩留低下の一因となる欠点をもっている。
　【０００７】
　この発明は、上記事情を顧慮してなされたもので、上述した従来の半導体装置の製造方法がもっている技術的課題を解決し、歩留を改善できるペレットの製造方法を提供することを目的とする。」
ｃ．段落【００１１】
「図１〜図５は、この実施例のペレットの製造方法を示している。このペレットの製造方法は、例えば厚さ６００μｍのシリコン基板１のパターン２形成面（シリコン基板１の表面）側にペレット３…の分割予定境界線に沿って幅が例えば５０μｍの有底の溝４…をダイシング装置により刻設する溝入れ工程（図１参照）と、溝入れ工程後にシリコン基板１の洗浄並びに乾燥処理を行い溝入れ工程にて発生した研磨屑を除去する洗浄工程と、この洗浄工程後にシリコン基板１のパターン２形成面にこのパターン２を保護するための保護テープ５を貼着する保護テープ貼着工程（図２参照）と、この保護テープ貼着工程後にシリコン基板１の保護テープ５側をチャックにより真空吸着しシリコン基板１の裏面を研削する裏面研削工程（図３参照）と、この裏面研削工程後にシリコン基板１の裏面側にマウンティング用テープ６を貼着するマウンティング用テープ貼着工程（図４参照）と、このマウンティング用テープ貼着工程後に前記保護テープ５をシリコン基板１の表面側から剥離する保護テープ剥離工程（図５参照）と、この保護テープ剥離工程後にマウンティング用テープに一体的に付着している各ペレット３…を図示せぬリードフレームの所定部位に一個ずつマウンティング用テープから分離して載置するペレット固着工程（図示せず）とからなっている。しかして、溝入れ工程は、ダイシング装置によりペレット３…の寸法（例えば縦１０ｍｍ，横１０ｍｍ）に応じて格子状に溝入れする。各溝４…の深さＤ１（例えば２２０μｍ）は、裏面研削工程後のシリコン基板１の厚さＴ１（例えば２００μｍ）よりも例えば２０μｍ〜２５μｍ程度大きくなるように設定する。一方、裏面研削工程における除去量Ｔ２は、この除去量Ｔ２と、裏面研削工程後のシリコン基板１の厚さＴ１との和が、加工前のシリコン基板１の厚さＴ３に等しくなるように例えば４００μｍに設定する。したがって、裏面研削工程後においては、溝４…はシリコン基板１の裏面側に開口する。その結果、各ペレット３…は分離し、切り離しが可能な状態となる。さらに、上記溝入れ工程に用いられるダイシング装置の砥石車は、例えばメッシュサイズが、＃２０００／＃３０００のダイヤモンド砥粒を含有するものであって、例えば切込み量３００μｍ，回転速度毎分５０００ｍでダイシングするようになっている。また、前記裏面研削装置は、例えばメッシュサイズが、＃１０００／＃１５００のダイヤモンド砥粒をビトリファイド結合剤にて結合したカップ型砥石により平面研削するものである。」
　
　上記の摘記事項ａ，ｂ，ｃからみて、刊行物１には、
「パターンが形成され、直径が少なくとも６インチのシリコン基板の分割予定境界線に沿って、前記パターンの形成面側から完成時のペレットの厚さよりも２０〜２５μｍ深い溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保護テープを取り付ける工程と、カップ型砥石を用いて、前記シリコン基板の裏面を前記完成時のペレットの厚さまで研削し、シリコン基板を個々のペレットに分離する工程とを具備し、前記完成時のチップの厚さは、２００μｍ以下である、シリコン基板の分割方法。」の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
　
2.2.3　対比
　そこで、本願補正発明１と刊行物１記載の発明とを比較すると、後者の「パターン」、「シリコン基板」、「分割予定境界線」、「ペレット」、「保護テープ」、「カップ型砥石」が、前者の「半導体素子」、「ウェーハ」、「ダイシングライン」、「チップ」、「保持部材」、「研削用砥石」にそれぞれ相当することは明らかであるから、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
＜一致点＞
「半導体素子が形成され、直径が少なくとも６インチのウェーハのダイシングラインに沿って、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持部材を取り付ける工程と、研削用砥石を用いて、前記ウェーハの裏面を前記完成時のチップの厚さまで研削し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備する、ウェーハの分割方法。」
＜相違点１＞
　ウェーハ裏面の研削を、前者では研削用砥石とウェーハとの両者を回転させながら行うのに対し、後者ではこのことについて特定がない点。
＜相違点２＞
　完成時のチップの厚さが、前者では１００μｍ以下であるのに対し、後者では２００μｍ以下である点。
　
2.2.4　当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
　
＜相違点１について＞
　研削用砥石とウェーハとの両者を回転させながらウェーハを平面研削することは、従来周知、かつ慣用の技術であり、特段の事情がない状況では、研削用砥石とウェーハとの両者を回転させながら研削することは、当業者が普通に採用する方法にすぎない。
　よって、刊行物１記載の発明において、本願補正発明１と同様に研削用砥石とウェーハとの両者を回転させながらウェーハを平面研削することに、当業者にとって困難性はない。
　
＜相違点２について＞
　ウェーハのダイシングラインに沿って完成時のチップ厚さよりも深い溝を形成した後ウェーハの裏面を完成時のチップ厚さまで研削してウェーハを個々のチップに分割する方法において、完成時のチップ厚さを１００μｍ以下とすることは、例えば特開平３−１９１５４９号公報、特開平４−２９７０５６号公報にみられるように、従来周知であり、また、完成時のチップ厚さを２００μｍ以下とする刊行物１記載の発明の方法によって、完成時のチップ厚さを１００μｍ以下とすることを妨げる理由を見出すことはできない。
　よって、刊行物１記載の発明において、完成時のチップ厚さを１００μｍ以下とすることは、当業者が容易に選択し得る設計上の事項にすぎない。
　
　そして、本願補正発明１の作用効果も、刊行物１記載の発明及び上記周知の技術事項から当業者が予測できる範囲のものであって、格別のものではない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１記載の発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
2.2.5　むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
3.1　本願発明
　平成１５年７月２２日付の明細書を補正対象書類とする手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１３に係る発明は、平成１５年３月７日付で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
「半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも少なくとも５μｍ深い溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持部材を取り付ける工程と、研削用砥石と前記ウェーハとの両方を回転させながら、前記ウェーハの裏面を前記完成時のチップの厚さまで研削し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備し、　前記完成時のチップの厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とするウェーハの分割方法。」
　
3.2　刊行物記載の発明（事項）
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は、前記「2.2.2」に記載したとおりである。
　
3.3　対比・判断
　本願発明１は、前記２．で検討した本願補正発明１から「ウェーハ」の限定事項である「直径が少なくとも６インチの」との構成を省いたものである。
　してみると、本願発明１の構成を全て含み、さらに他の構成を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「2..2.4」に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様の理由により、刊行物１記載の発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。