【手続補正書】
【提出日】平成30年3月20日(2018.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、
前記第１のガスは、三塩化ホウ素ＢＣｌ３又は四塩化ケイ素ＳｉＣｌ４のいずれかと、臭化水素ＨＢｒとからなり、
前記マスクは、シリコン酸化膜、アモルファスカーボン膜又はスピンオンカーボン膜から形成され、
前記シリコン酸化膜又は前記アモルファスカーボン膜は、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下に形成される下地膜であり、
前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は１以上である、
プラズマエッチング方法。
【請求項２】
第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、
前記第１のガスは、三塩化ホウ素ＢＣｌ３と臭化水素ＨＢｒとからなり、
前記マスクは、シリコン酸化膜、アモルファスカーボン膜又はスピンオンカーボン膜から形成され、
前記シリコン酸化膜又は前記アモルファスカーボン膜は、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下に形成される下地膜であり、
前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は１以上であり、
臭化水素ＨＢｒに対する三塩化ホウ素ＢＣｌ３の流量比は５０％以下である、
プラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記第１のガスから生成されたプラズマは、水素Ｈ２からなるガスから生成されたプラズマを含む、
請求項１又は２に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】
第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、
前記第１のガスは、三塩化ホウ素ＢＣｌ３と臭化水素ＨＢｒと水素Ｈ２とからなり、
前記マスクは、シリコン酸化膜、アモルファスカーボン膜又はスピンオンカーボン膜から形成され、
前記シリコン酸化膜又は前記アモルファスカーボン膜は、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下に形成される下地膜であり、
前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は１以上であり、
水素Ｈ２の流量は臭化水素ＨＢｒの流量よりも多い、
プラズマエッチング方法。
【請求項５】
第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、
前記第１のガスは、三塩化ホウ素ＢＣｌ３、塩素Ｃｌ２又は四塩化ケイ素ＳｉＣｌ４のいずれかと、水素Ｈ２又はメタンＣＨ４のいずれかとからなり、
前記マスクは、シリコン酸化膜、アモルファスカーボン膜又はスピンオンカーボン膜から形成され、
前記シリコン酸化膜又は前記アモルファスカーボン膜は、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下に形成される下地膜であり、
前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は１以上である、
プラズマエッチング方法。
【請求項６】
第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、
前記第１のガスは、三塩化ホウ素ＢＣｌ３と水素Ｈ２とからなり、
前記マスクは、シリコン酸化膜、アモルファスカーボン膜又はスピンオンカーボン膜から形成され、
前記シリコン酸化膜又は前記アモルファスカーボン膜は、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下に形成される下地膜であり、
前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は１以上であり、
三塩化ホウ素ＢＣｌ３の流量は水素Ｈ２の流量よりも少ない、
プラズマエッチング方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法は、希ガスを含む、プラズマエッチング方法。
【請求項８】
前記マスクは、フォトレジストマスク、シリコン酸化膜、アモルファスカーボン膜又はスピンオンカーボン膜から形成されている、
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項９】
前記第１のガスとは異なる第２のガスを導入し、
前記第２のガスから第２のプラズマを生成し、
パターン化された前記酸化ジルコニウムを含む膜を第２のマスクとして用いて、生成した前記第２のプラズマにより、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下層膜であるシリコン酸化膜又はアモルファスカーボン膜を前記酸化ジルコニウムを含む膜に形成された所望のパターンにエッチングする工程を有する、
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法によりプラズマエッチングを実行することで、前記マスクを用いて前記酸化ジルコニウムを含む膜をエッチングし、前記酸化ジルコニウムを含む膜にパターンを形成する工程を有する、パターン形成方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法により、前記酸化ジルコニウムを含む膜をエッチングした後のチャンバ内をクリーニングする工程を有するクリーニング方法。
【請求項１２】
第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、
前記第１のガスは、臭化水素ＨＢｒからなり、
前記マスクは、アモルファスカーボン膜から形成され、
前記アモルファスカーボン膜は、前記膜の下に形成される下地膜であり、
前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は無限大である、
プラズマエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、前記第１のガスは、三塩化ホウ素ＢＣｌ３又は四塩化ケイ素ＳｉＣｌ４のいずれかと、臭化水素ＨＢｒとからなり、前記マスクは、シリコン酸化膜、アモルファスカーボン膜又はスピンオンカーボン膜から形成され、前記シリコン酸化膜又は前記アモルファスカーボン膜は、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下に形成される下地膜であり、前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は１以上である、プラズマエッチング方法が提供される。
また、他の態様によれば、第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、前記第１のガスは、三塩化ホウ素ＢＣｌ３と臭化水素ＨＢｒとからなり、前記マスクは、シリコン酸化膜、アモルファスカーボン膜又はスピンオンカーボン膜から形成され、前記シリコン酸化膜又は前記アモルファスカーボン膜は、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下に形成される下地膜であり、前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は１以上であり、臭化水素ＨＢｒに対する三塩化ホウ素ＢＣｌ３の流量比は５０％以下である、プラズマエッチング方法が提供される。
また、他の態様によれば、第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、前記第１のガスは、三塩化ホウ素ＢＣｌ３と臭化水素ＨＢｒと水素Ｈ２とからなり、前記マスクは、シリコン酸化膜はアモルファスカーボン膜から形成され、前記シリコン酸化膜又は前記アモルファスカーボン膜は、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下に形成される下地膜であり、前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は１以上であり、水素Ｈ２の流量は臭化水素ＨＢｒの流量よりも多い、プラズマエッチング方法が提供される。
また、他の態様によれば、第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、前記第１のガスは、三塩化ホウ素ＢＣｌ３、塩素Ｃｌ２又は四塩化ケイ素ＳｉＣｌ４のいずれかと、水素Ｈ２又はメタンＣＨ４のいずれかとからなり、前記マスクは、シリコン酸化膜、アモルファスカーボン膜又はスピンオンカーボン膜から形成され、前記シリコン酸化膜又は前記アモルファスカーボン膜は、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下に形成される下地膜であり、前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は１以上である、プラズマエッチング方法が提供される。
また、他の態様によれば、第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、前記第１のガスは、三塩化ホウ素ＢＣｌ３と水素Ｈ２とからなり、前記マスクは、シリコン酸化膜、アモルファスカーボン膜又はスピンオンカーボン膜から形成され、前記シリコン酸化膜又は前記アモルファスカーボン膜は、前記酸化ジルコニウムを含む膜の下に形成される下地膜であり、前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は１以上であり、三塩化ホウ素ＢＣｌ３の流量は水素Ｈ２の流量よりも少ない、プラズマエッチング方法が提供される。
また、他の態様によれば、第１のガスから生成されたプラズマにより酸化ジルコニウムを含む膜を、マスクに形成された所望のパターンにエッチングする工程を有し、前記第１のガスは、臭化水素ＨＢｒからなり、前記マスクは、アモルファスカーボン膜から形成され、前記アモルファスカーボン膜は、前記膜の下に形成される下地膜であり、前記下地膜に対する前記酸化ジルコニウムを含む膜のエッチング選択比は無限大である、プラズマエッチング方法が提供される。