【事件の表示】
　平成　９年特許願第　　　４２０号「液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　９月　９日出願公開、特開平　９−２３６８２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１月６日（パリ条約による優先権主張平成７年１２月２９日、韓国）の出願であって、平成１４年１月２２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年４月３０日付で拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１４年５月３０日付で平成１４年改正前の特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年５月３０日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年５月３０日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、補正前の請求項の数２８を１つ増加し２９とする（独立請求項の数を３から４に増加する）ものであり、特許請求の範囲の請求項８を下記のようにする補正を含むものである。
「【請求項８】基板上に形成されているゲート線及びゲート電極と、
　前記ゲート線及びゲート電極を覆っているゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
　前記ゲート線と交差しているデータ線、前記データ線と連結されているソース電極及び前記ゲート電極を中心に前記ソース電極と対向しているドレイン電極と、
　前記ゲート絶縁膜を媒介に前記ゲート線と重畳されている連結部と、
　前記半導体層と前記ドレイン電極及び前記連結部の一部を覆っている保護膜と、
　前記ドレイン電極及び前記連結部の露出されている各々の部分と連結されている画素電極とを含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。」
　
（２）当審の判断
　上記補正事項については、同日付けで提出された審判請求書の理由補充書をみても、補正の根拠が示されている程度であり、補正後の各請求項と補正前の各請求項との対応関係についてはなんら説明がなされていないが、請求項８については、全文にアンダーラインが付されているところから、新たな請求項を追加しようとしたものであることが分かる。
　また、補正前の「液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板」に関する一番上位の請求項である請求項１を、新たな請求項１と請求項８に分割したものと仮定してみても、補正後の請求項８は、補正前の請求項１に比べ、少なくとも「前記ドレイン電極の露出された部分と連結されている画素電極と、を含み、前記保護膜は所定の形状にパターニングされており、かつ前記半導体層は前記所定の形状にパターニングされた保護膜をマスクとしてエッチングされることにより前記保護膜の外部に露出されているドレイン電極の下部を除いては前記保護膜と同一のパターンで形成されている」との構成を欠くとともに、なんら記載の無かった「連結部」に関する事項を付加するものである。
　そして、補正前の他の請求項をみても、補正後の請求項８が適法に追加されたものとは認められない。
　結局、本件補正は、請求項の数を増加するものであり、また、補正前の請求項を拡張又は変更する補正事項を含むものであって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
（３）むすび
  以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１４年５月３０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１３年５月２９日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２８に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は以下のものである。
「【請求項１】基板上に形成されているゲート線およびゲート電極と、
　前記ゲート線およびゲート電極を覆っているゲート絶縁層と、
　前記ゲート絶縁層上に形成されている半導体層と、
　前記半導体層上に形成されているデータ線、ソース電極およびドレイン電極と、
　前記データ線および前記ソース電極を覆っており、前記ドレイン電極を一部覆っている保護膜と、
　前記ドレイン電極の露出された部分と連結されている画素電極と、
を含み、前記保護膜は所定の形状にパターニングされており、かつ前記半導体層は前記所定の形状にパターニングされた保護膜をマスクとしてエッチングされることにより前記保護膜の外部に露出されているドレイン電極の下部を除いては前記保護膜と同一のパターンで形成されている液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）引用例記載の発明
　原審の拒絶の理由に引用した、この出願前公知の刊行物である特開平６−２５０２１０号公報（以下、「引用例」という。）には、下記の記載が認められる。
「【請求項１】　基板上に形成された走査信号電極と、走査信号電極上に形成されたゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された映像信号電極およびソース電極と、前記ソース電極に接続された画素電極とからなるアクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリックス基板および前記対向基板に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置において、
　前記映像信号電極およびソース電極上には保護絶縁膜が形成され、前記半導体膜とゲート絶縁膜は同一の平面形状であって、その形状は前記保護絶縁膜の平面形状に等しいか、または前記保護絶縁膜と前記映像信号電極と前記ソース電極の平面形状の和に等しく、かつ前記映像信号電極と前記ソース電極のパターンの下層には前記半導体膜とゲート絶縁膜が存在することを特徴とする液晶表示装置。」、
「【００１５】［実施例１］
　図１は本発明の第１の実施例の単位画素の平面図である。図２は図１中にＡーＡ′で示した切断面における断面図を示す。研磨したガラス基板１上にＡｌよりなる走査信号電極１０を形成し、前記走査信号電極の表面をＡｌの陽極酸化膜であるアルミナ膜２０によって被覆した。走査信号電極１０を覆うように
ゲート窒化Ｓｉ(ゲートＳｉＮ)膜２１
非晶質Ｓｉ(ａ−Ｓｉ)膜３０
ソース電極１５
映像信号電極１４
ソース電極１５に接続する
画素電極１３
【００１６】図１及び図２の構造は、次のような製造工程によって実現される。　　　
【００１７】（１）研磨したガラス基板１上にＡｌ膜を堆積し、通常のホトエッチング法によりパターニングとして走査信号電極１０を形成する。
【００１８】（２）陽極酸化法により走査信号電極１０表面にアルミナ膜２０を形成する。
【００１９】（３）前記走査信号電極を形成した基板全面にゲートＳｉＮ膜２１，ａ−Ｓｉ膜３０およびｎ型ａ−Ｓｉ膜３１を順次堆積する。
【００２０】（４）その上にＡｌ膜を堆積し、通常のホトエッチング工程を経てパターニングして映像信号電極１４とソース電極１５を得、続いて同じマスクパターンを用いてｎ型ａ−Ｓｉ膜３１をエッチングする。
【００２１】（５）前記映像信号電極とソース電極を形成した基板全面にＳｉＮを堆積し、保護絶縁膜２３を形成する。
【００２２】（６）前記保護絶縁膜上にホトレジストパターンを形成する。
【００２３】（７）前記ホトレジストパターンをマスクとして保護ＳｉＮ膜２３をパターニングし、続いてホトレジストおよびソース電極パターンをマスクとしてａ−Ｓｉ膜３０およびゲートＳｉＮ膜２１をパターニングする。これらのエッチング工程は実質的には連続して１ステップで実施する。
【００２４】（８）ホトレジストを除去後ＩＴＯ膜を形成し、パターニングして画素電極１３とする。
【００２５】このようにすることにより、ａ−Ｓｉ膜３０およびゲートＳｉＮ膜２１のパターニングを保護ＳｉＮ膜２３とソース電極１５の各々のパターンをマスクとして実施すれば良いことになるので、従来必要であったａ−Ｓｉ膜３０およびゲートＳｉＮ膜２１をパターニングするためのホトマスクが不要となる。これにより製造工程数を大幅に低減出来た。」
　
　また、図１及び図２には、走査信号電極１０は、非晶質Ｓｉ膜３０の下に絶縁膜を介して下方に突出した部分を有し、映像信号電極１４は、非晶質ａ−Ｓｉ膜３０の上であって、上記ゲート電極の上方まで延長された右方に突出した部分を有していること、映像信号電極１４及びソース電極１５は非晶質Ｓｉ膜３０上で間隙を有して配置されており、非晶質Ｓｉ膜３０の下方にはゲート窒化Ｓｉ膜２１を介して走査信号電極１０の突出部分が配置されていること、ガラス基板１上に形成された走査信号電極１０の突出部分上に、ゲート窒化Ｓｉ膜２１、非晶質Ｓｉ膜３０、映像信号電極１４とソース電極１５が、順に形成されていること、さらに、前記の一部（露出部）を除き、ＴＦＴのチャンネル領域が保護ＳｉＮ膜２３により被覆されており、その露出したソース電極１５と画素電極１３が接続されていることがみてとれる。
　
（３）対比
　本願発明と上記引用例記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
（ａ）引用発明の「走査信号電極１０」、「ゲート窒化Ｓｉ膜２１」、「非晶質Ｓｉ膜３０」、「映像信号電極１４」、「保護ＳｉＮ膜２３」及び「アクティブマトリックス基板」が、それぞれ本願発明の「ゲート線」、「ゲート絶縁層」、「半導体層」、「データ線」、「保護膜」及び「薄膜トランジスタ基板」に相当することは明らかである。
（ｂ）引用例の図２に１０で示され、
下方に突出した走査信号電極１０の突出部分
（ｃ）引用例の図１に１４で示され、図２に
右方に突出した映像信号電極１４の突出部分
（ｄ）引用例の図１及び図２に示された「ソース電極１５」は、画素電極１３に接続されるとともに、半導体層である非晶質Ｓｉ膜３０の上であって、上記ゲート電極の上方にまで配置されていることから、本願発明の「ドレイン電極」に相当する。
　よって、両者は、「基板上に形成されているゲート線およびゲート電極と、
　前記ゲート線およびゲート電極を覆っているゲート絶縁層と、
　前記ゲート絶縁層上に形成されている半導体層と、
　前記半導体層上に形成されているデータ線、ソース電極およびドレイン電極と、
　前記データ線および前記ソース電極を覆っており、前記ドレイン電極を一部覆っている保護膜と、
　前記ドレイン電極の露出された部分と連結されている画素電極と、
を含む、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明では、「前記保護膜は所定の形状にパターニングされており、かつ前記半導体層は前記所定の形状にパターニングされた保護膜をマスクとしてエッチングされることにより前記保護膜の外部に露出されているドレイン電極の下部を除いては前記保護膜と同一のパターンで形成されている」のに対して、引用発明では、前記保護絶縁膜２３上に形成したホトレジストパターンをマスクとして保護絶縁膜２３をパターニングし、続いてホトレジストおよびソース電極パターンをマスクとして半導体膜３０をパターニングするものであるが、上記の事項について明記がない点。
　
（４）判断
　上記相違点に付き検討する。
　まず、引用発明において、「保護絶縁膜２３上に形成したホトレジストパターンをマスクとして保護絶縁膜２３をパターニング」しているのであるから、保護絶縁膜は所定の形状にパターニングされているということができる。
　また、引用発明においても、保護絶縁膜のパターニングに続いて半導体膜をパターニングするのであるから、上記パターニングされた保護絶縁膜もマスクとして働くことは明らかである。さらに、このような絶縁膜等をパターニングするのにエッチングを用いることは技術常識である。
　そして、引用発明において、ホトレジスト、パターニングされた保護絶縁膜及びソース電極パターン（本願発明の「ドレイン電極の露出部」に相当。）をマスクとして半導体膜３０をパターニングすれば、該半導体膜は、保護絶縁膜の外部に露出されているソース電極の下部を除いては前記保護絶縁膜と同一のパターンで形成されることは、当業者に明らかである。
　一方、本願明細書の【００２０】には、
「次に、図１８および図２５に示すように、フォトレジストを０．５〜３μｍの厚さで積層した後、第３マスクを用いてパターニングして光遮断膜６２を形成する。次いで、光遮断膜６２をマスクにして保護膜６１をエッチングする。この過程において、データ線５１およびソース電極５２は全部光遮断膜６２および保護膜６１で覆われ、ドレイン電極５３の一部が露出される。その後、
光遮断膜６２および保護膜６１、そして露出されたドレイン電極５３をマスクにして非晶質シリコン層３０をエッチングする。
　すなわち、本願発明には、保護膜６１の上に光遮断膜６２が重なったものをマスクとして用いることが含まれているのであり、しかも、本願発明において、光遮断膜６２を除去してから半導体層をエッチングすることが規定されているわけでもない。
　したがって、本願発明の上記相違点の構成は、引用発明のパターニングの詳細を記載したにすぎないものであって、これは当業者が技術常識等を加味すれば引用例に基づき適宜記載しうる事項である。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用例に記載された事項から当業者が予想し得る程度のものにすぎない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。