【手続補正書】
【提出日】平成30年9月3日(2018.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
クラスター生成ガスを所定圧力でクラスターノズルに供給する工程と、
前記クラスター生成ガスを前記クラスターノズルから、被処理基板が配置され、真空に保持された処理容器に噴射させる工程と、
前記クラスター生成ガスを断熱膨張させてガスクラスターを生成する工程と、
前記ガスクラスターを前記処理容器内に保持された被処理基板に照射して被処理体に付着したパーティクルを除去する工程と
を有する基板洗浄方法であって、
前記クラスター生成ガスとして、以下の（１）式で表される前記クラスターノズルから噴出する際の前記クラスター生成ガス１分子または１原子あたりのエネルギーＫと、以下の（２）式で表されるガスのクラスターのなりやすさを示す指標Ｃとの積であるΦの値に基づいて選定されたものを用いることを特徴とする基板洗浄方法。
【数１】
2017130574.tif 000001
ただし、ｋＢ：ボルツマン定数、γ：クラスター生成ガスの比熱比、ｍ：クラスター生成ガスの質量、ν：クラスター生成ガスの速度、Ｔ０：ガス供給温度である。
【数２】
2017130574.tif 000002
ただし、Ｔｂ：クラスター生成ガスの沸点、Ｔ０：ガス供給温度、γ：クラスター生成ガスの比熱比である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
ガスクラスターを用いて基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
被処理基板が配置され、真空に保持される処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
クラスター生成ガスを供給するクラスター生成ガス供給部と、
前記クラスター生成ガス供給部から所定圧力で前記クラスター生成ガスが供給され、前記クラスター生成ガスを前記処理容器に噴射し、断熱膨張に生成されたガスクラスターを被処理基板に照射するクラスターノズルと
を具備し、
前記クラスターガス供給部は、前記クラスター生成ガスとして、以下の（１）式で表される前記クラスターノズルから噴出する際の前記クラスター生成ガス１分子または１原子あたりのエネルギーＫと、以下の（２）式で表されるガスのクラスターのなりやすさを示す指標Ｃとの積であるΦの値に基づいて選定されたものを用いることを特徴とする基板洗浄装置。
【数３】
2017130574.tif 000003
ただし、ｋＢ：ボルツマン定数、γ：クラスター生成ガスの比熱比、ｍ：クラスター生成ガスの質量、ν：クラスター生成ガスの速度、Ｔ０：ガス供給温度である。
【数４】
2017130574.tif 000004
ただし、Ｔｂ：クラスター生成ガスの沸点、Ｔ０：ガス供給温度、γ：クラスター生成ガスの比熱比である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
クラスター生成ガスを所定圧力でクラスターノズルに供給し、前記クラスター生成ガスを前記クラスターノズルから、被処理基板が配置され、真空に保持された処理容器に噴射させ、前記クラスター生成ガスが断熱膨張することにより生成されたガスクラスターを被処理基板に照射して被処理基板のパーティクルを除去するにあたり、前記クラスター生成ガスを選定する方法であって、
以下の（１）式で表される前記クラスターノズルから噴出する際の前記クラスター生成ガス１分子または１原子あたりのエネルギーＫと、以下の（２）式で表されるガスのクラスターのなりやすさを示す指標Ｃとの積であるΦの値に基づいて選定することを特徴とするクラスター生成ガスの選定方法。
【数５】
2017130574.tif 000005
ただし、ｋＢ：ボルツマン定数、γ：クラスター生成ガスの比熱比、ｍ：クラスター生成ガスの質量、ν：クラスター生成ガスの速度、Ｔ０：導入ガス温度である。
【数６】
2017130574.tif 000006
ただし、Ｔｂ：クラスター生成ガスの沸点、Ｔ０：ガス供給温度、γ：クラスター生成ガスの比熱比である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明の第１の観点は、クラスター生成ガスを所定圧力でクラスターノズルに供給する工程と、前記クラスター生成ガスを前記クラスターノズルから、被処理基板が配置され、真空に保持された処理容器に噴射させる工程と、前記クラスター生成ガスを断熱膨張させてガスクラスターを生成する工程と、前記ガスクラスターを前記処理容器内に保持された被処理基板に照射して被処理体に付着したパーティクルを除去する工程とを有する基板洗浄方法であって、前記クラスター生成ガスとして、以下の（１）式で表される前記クラスターノズルから噴出する際の前記クラスター生成ガス１分子または１原子あたりのエネルギーＫと、以下の（２）式で表されるガスのクラスターのなりやすさを示す指標Ｃとの積であるΦの値に基づいて選定されたものを用いることを特徴とする基板洗浄方法を提供する。
【数１】
2017130574.tif 000007
ただし、ｋＢ：ボルツマン定数、γ：クラスター生成ガスの比熱比、ｍ：クラスター生成ガスの質量、ν：クラスター生成ガスの速度、Ｔ０：ガス供給温度である。
【数２】
2017130574.tif 000008
ただし、Ｔｂ：クラスター生成ガスの沸点、Ｔ０：ガス供給温度、γ：クラスター生成ガスの比熱比である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の観点は、ガスクラスターを用いて基板を洗浄する基板洗浄装置であって、被処理基板が配置され、真空に保持される処理容器と、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記処理容器内を排気する排気機構と、クラスター生成ガスを供給するクラスター生成ガス供給部と、前記クラスター生成ガス供給部から所定圧力で前記クラスター生成ガスが供給され、前記クラスター生成ガスを前記処理容器に噴射し、断熱膨張に生成されたガスクラスターを被処理基板に照射するクラスターノズルとを具備し、前記クラスターガス供給部は、前記クラスター生成ガスとして、以下の（１）式で表される前記クラスターノズルから噴出する際の前記クラスター生成ガス１分子または１原子あたりのエネルギーＫと、以下の（２）式で表されるガスのクラスターのなりやすさを示す指標Ｃとの積であるΦの値に基づいて選定されたものを用いることを特徴とする基板洗浄装置を提供する。
【数３】
2017130574.tif 000009
ただし、ｋＢ：ボルツマン定数、γ：クラスター生成ガスの比熱比、ｍ：クラスター生成ガスの質量、ν：クラスター生成ガスの速度、：Ｔ０：ガス供給温度である。
【数４】
2017130574.tif 000010
ただし、Ｔｂ：クラスター生成ガスの沸点、Ｔ０：ガス供給温度、γ：クラスター生成ガスの比熱比である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第３の観点は、クラスター生成ガスを所定圧力でクラスターノズルに供給し、前記クラスター生成ガスを前記クラスターノズルから、被処理基板が配置され、真空に保持された処理容器に噴射させ、前記クラスター生成ガスが断熱膨張することにより生成されたガスクラスターを被処理基板に照射して被処理基板のパーティクルを除去するにあたり、前記クラスター生成ガスを選定する方法であって、以下の（１）式で表される前記クラスターノズルから噴出する際の前記クラスター生成ガス１分子または１原子あたりのエネルギーＫと、以下の（２）式で表されるガスのクラスターのなりやすさを示す指標Ｃとの積であるΦの値に基づいて選定することを特徴とするクラスター生成ガスの選定方法を提供する。
【数５】
2017130574.tif 000011
ただし、ｋＢ：ボルツマン定数、γ：クラスター生成ガスの比熱比、ｍ：クラスター生成ガスの質量、ν：クラスター生成ガスの速度、Ｔ０：導入ガス温度である。
【数６】
2017130574.tif 000012
ただし、Ｔｂ：クラスター生成ガスの沸点、Ｔ０：ガス供給温度、γ：クラスター生成ガスの比熱比である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
具体的には、以下の（１）式で表されるクラスターノズル１１から噴出する際のクラスター生成ガス１分子または１原子あたりのエネルギーＫと、以下の（２）式で表されるガスのクラスターのなりやすさを示す指標Ｃとの積、すなわちΦ＝Ｋ×Ｃで表されるΦに基づいてクラスター生成ガスのガス種を選定する。
【数７】
2017130574.tif 000013
ただし、ｋＢ：ボルツマン定数、γ：クラスター生成ガスの比熱比、ｍ：クラスター生成ガスの質量、ν：クラスター生成ガスの速度、Ｔ０：ガス供給温度である。
【数８】
2017130574.tif 000014
ただし、Ｔｂ：クラスター生成ガスの沸点、Ｔ０：ガス供給温度、γ：クラスター生成ガスの比熱比である。