【手続補正書】
【提出日】平成30年4月6日(2018.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１トランジスタと、第２トランジスタと、を有し、
前記第１トランジスタは、
第１導電体と、
前記第１導電体上の第１絶縁体と、
前記第１絶縁体上の酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の第２絶縁体と、
前記第２絶縁体上の第２導電体と、
第３導電体と、
第４導電体と、を有し、
前記酸化物半導体と、前記第１導電体とは、互いに重なる領域を有し、
前記第３導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
前記第４導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
前記酸化物半導体は、上面から見て前記第３導電体と前記第４導電体とに挟まれた第１領域を有し、
前記第１領域は、前記第１導電体と重なる第２領域を有し、
前記第１領域は、前記第１導電体と重ならない第３領域を有し、
前記第１領域は、前記第２導電体と重なる第４領域を有し、
前記第１領域は、前記第２導電体と重ならない第５領域を有し、
前記第２領域と前記第５領域とは、互いに重なる第６領域を有し、
前記第３領域と前記第４領域とは、互いに重なる第７領域を有し、
前記第２トランジスタは、ｐチャネル型であり、
前記第１トランジスタが設けられている層と、前記第２トランジスタが設けられている層とは、互いに重なるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１トランジスタと、第２トランジスタと、第３トランジスタと、を有し、
前記第１トランジスタは、
第１導電体と、
前記第１導電体上の第１絶縁体と、
前記第１絶縁体上の酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の第２絶縁体と、
前記第２絶縁体上の第２導電体と、
第３導電体と、
第４導電体と、を有し、
前記酸化物半導体と、前記第１導電体とは、互いに重なる領域を有し、
前記第３導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
前記第４導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
前記酸化物半導体は、上面から見て前記第３導電体と前記第４導電体とに挟まれた第１領域を有し、
前記第１領域は、前記第１導電体と重なる第２領域を有し、
前記第１領域は、前記第１導電体と重ならない第３領域を有し、
前記第１領域は、前記第２導電体と重なる第４領域を有し、
前記第１領域は、前記第２導電体と重ならない第５領域を有し、
前記第２領域と前記第５領域とは、互いに重なる第６領域を有し、
前記第３領域と前記第４領域とは、互いに重なる第７領域を有し、
前記第２トランジスタおよび前記第３トランジスタは、ｐチャネル型であり、
前記第１トランジスタが設けられている層と、前記第２トランジスタおよび前記第３トランジスタが設けられている層とは、互いに重なるように設けられ、
前記第２トランジスタのゲートが延在する方向と、前記第３トランジスタのゲートが延在する方向と、前記第１導電体が延在する方向と、前記第２導電体が延在する方向と、は平行であり、
前記第２トランジスタのチャネル形成領域と、前記第３トランジスタのチャネル形成領域と、は前記方向に並んで位置し、
前記第１導電体と、前記第２トランジスタのゲートと、は第１接続部を介して、電気的に接続され、
前記第２導電体と、前記第３トランジスタのゲートと、は第２接続部を介して、電気的に接続され、
前記第１領域と、前記第２トランジスタのチャネル形成領域と、前記第３トランジスタのチャネル形成領域とは、上面から見て、前記第１接続部と前記第２接続部に挟まれて配置され、
前記第３導電体と前記第４導電体の一方と、前記第２トランジスタのソースとドレインの一方と、前記第３トランジスタのソースとドレインの一方と、は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２領域と、前記第４領域とは、互いに重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第３領域と、前記第５領域とは、互いに重なる第８領域を有し、
前記第８領域は、前記第６領域より狭く、かつ、前記第７領域より狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１トランジスタと、第２トランジスタと、を有し、
前記第１トランジスタは、
第１導電体と、
前記第１導電体上の第１絶縁体と、
前記第１絶縁体上の酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の第２絶縁体と、
前記第２絶縁体上の第２導電体と、
第３導電体と、
第４導電体と、を有し、
前記酸化物半導体と、前記第１導電体とは、互いに重なる領域を有し、
前記第３導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
前記第４導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
前記酸化物半導体は、上面から見て前記第３導電体と前記第４導電体とに挟まれた第１領域を有し、
前記第１領域は、前記第１導電体と重なり、かつ、前記第２導電体に覆われ、
前記第２トランジスタは、ｐチャネル型であり、
前記第１トランジスタが設けられている層と、前記第２トランジスタが設けられている層とは、互いに重なるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１トランジスタと、第２トランジスタと、第３トランジスタと、を有し、
前記第１トランジスタは、
第１導電体と、
前記第１導電体上の第１絶縁体と、
前記第１絶縁体上の酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の第２絶縁体と、
前記第２絶縁体上の第２導電体と、
第３導電体と、
第４導電体と、を有し、
前記酸化物半導体と、前記第１導電体とは、互いに重なる領域を有し、
前記第３導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
前記第４導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
前記酸化物半導体は、上面から見て前記第３導電体と前記第４導電体とに挟まれた第１領域を有し、
前記第１領域は、前記第１導電体と重なり、かつ、前記第２導電体に覆われ、
前記第２トランジスタおよび前記第３トランジスタは、ｐチャネル型であり、
前記第１トランジスタが設けられている層と、前記第２トランジスタおよび前記第３トランジスタが設けられている層とは、互いに重なるように設けられ、
前記第２トランジスタのゲートが延在する方向と、前記第３トランジスタのゲートが延在する方向と、前記第１導電体が延在する方向と、前記第２導電体が延在する方向と、は平行であり、
前記第２トランジスタのチャネル形成領域と、前記第３トランジスタのチャネル形成領域と、は、前記方向に並んで位置し、
前記第１導電体と、前記第２トランジスタのゲートと、は第１接続部を介して、電気的に接続され、
前記第２導電体と、前記第３トランジスタのゲートと、は第２接続部を介して、電気的に接続され、
前記第１領域と、前記第２トランジスタのチャネル形成領域と、前記第３トランジスタのチャネル形成領域とは、上面から見て、前記第１接続部と前記第２接続部に挟まれて配置され、
前記第３導電体と前記第４導電体の一方と、前記第２トランジスタのソースとドレインの一方と、は電気的に接続され、
前記第２トランジスタのソースとドレインの他方と、前記第３トランジスタのソースとドレインの一方と、は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１トランジスタと、第２トランジスタと、第３トランジスタと、を有し、
前記第１トランジスタは、
第１導電体と、
前記第１導電体上の第１絶縁体と、
前記第１絶縁体上の酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の第２絶縁体と、
前記第２絶縁体上の第２導電体と、
第３導電体と、
第４導電体と、を有し、
前記酸化物半導体と、前記第１導電体とは、互いに重なる領域を有し、
前記第３導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
前記第４導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有し、
前記酸化物半導体は、上面から見て前記第３導電体と前記第４導電体とに挟まれた第１領域を有し、
前記第１領域は、前記第１導電体と重なり、かつ、前記第２導電体に覆われ、
前記第２トランジスタおよび前記第３トランジスタは、ｐチャネル型であり、
前記第１トランジスタが設けられている層と、前記第２トランジスタおよび前記第３トランジスタが設けられている層とは、互いに重なるように設けられ、
前記第２トランジスタのゲートが延在する方向と、前記第３トランジスタのゲートが延在する方向と、前記第１導電体が延在する方向と、前記第２導電体が延在する方向とは、それぞれ、第１方向に平行であり、
前記第２トランジスタのチャネル形成領域と、前記第３トランジスタのチャネル形成領域と、は、それぞれ、前記第１方向に垂直に並んで位置し、
前記第１導電体と、前記第２トランジスタのゲートと、は第１接続部を介して、電気的に接続され、
前記第２導電体と、前記第３トランジスタのゲートと、は第２接続部を介して、電気的に接続され、
前記第１領域と、前記第２トランジスタのチャネル形成領域と、前記第３トランジスタのチャネル形成領域とは、上面から見て、前記第１接続部と前記第２接続部に挟まれて配置され、
前記第３導電体と前記第４導電体の一方と、前記第２トランジスタのソースとドレインの一方と、は電気的に接続され、
前記第２トランジスタのソースとドレインの他方と、前記第３トランジスタのソースとドレインの一方と、は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項２または請求項６において、
前記第１トランジスタの上面から見たチャネル幅は、前記第２トランジスタの上面から見たチャネル幅より大きく、かつ、前記第３トランジスタの上面から見たチャネル幅より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記第１トランジスタのチャネル長は、前記第２トランジスタのチャネル長より大きく、かつ、前記第３トランジスタのチャネル長より大きいことを特徴とする半導体装置。