【事件の表示】
　特許第５７７５９００号発明「スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び半導体デバイス」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７７５９００号の請求項１、６及び７に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５７７５９００号（以下、「本件特許」という。）の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は、平成２５年　４月　８日に特許出願され、平成２７年　７月１０日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人　尾田久敏により特許異議の申立てがされ、当審において平成２８年　５月２３日付けで取消理由を通知し、平成２８年７月１４日付けで意見書が提出されたものである。
第２　本件発明
　本件特許の請求項１ないし１０の特許に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち請求項１及び６の特許に係る発明は以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　インジウムを含有した結晶質酸化物を半導体として用いた電界効果型トランジスタであって、
　前記結晶質酸化物が非縮退半導体であり、
　前記結晶質酸化物が、酸化インジウムのビックスバイト構造を有し、前記インジウムを除く正三価元素を含み、
　前記結晶質酸化物の電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であり、
　前記結晶質酸化物を、チャンネル層として用いたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。」
「【請求項６】
　前記正三価元素が、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素のうち少なくとも一つ以上の元素であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電界効果型トランジスタ。」
第３　取り消し理由の概要
　平成２８年　５月２３日付けで取消理由の概要は次のとおりである。
「 １．本件特許は、明細書、特許請求の範囲及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
  
 ●理由１ 
 ・請求項１，６ 
 　請求項１，６に係る発明には、「インジウムを除く正三価元素」との記載があるが、「インジウムを除く正三価元素」として、「ランタノイド以外の正三価元素」も含みうると認められる。そして、特許異議申立書第２７ページ第１８行−第２９頁第２７行の（４−１）記載不備（サポート要件）に記載された理由により、請求項１，６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであると認めることができない。 
 　よって、請求項１，６に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 」
第４　当審の判断
１　本件特許の請求項１及び６の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」及び「本件発明６」という。）は、前記第２のとおりである。
２　発明の詳細な説明の記載
　本件特許明細書の発明の詳細な説明には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（ア）　「【００１８】
　上記目的を達成するために、本発明の第２の態様の半導体デバイスは、
インジウムを含有した結晶質酸化物を半導体として用いた半導体デバイスであって、前記結晶質酸化物の電子キャリア濃度が１０
１８
／ｃｍ
３
未満である。
　このように、非晶質に比べて優れた特性を有する結晶質酸化物を半導体として用いることにより、半導体デバイスの安定性、均一性、再現性、耐熱性、耐久性等を向上させることができる。また、半導体デバイスがＴＦＴ等の電界効果型トランジスタである場合、透明性、電気的特性、大面積均一性、再現性等に優れたトランジスタを提供することができる。なお、半導体デバイスとは、半導体素子、半導体部品、半導体装置、集積回路等をいう。
【００１９】
　また、
好ましくは、前記結晶質酸化物が非縮退半導体であるとよい。
　このようにすると、ｏｆｆ電流を小さくすることができ、ｏｎ／ｏｆｆ比を大きくすることができる。
　また、非縮退半導体とは、非縮退伝導を示す半導体をいい、ここでの非縮退伝導とは、電気抵抗の温度依存性における熱活性化エネルギーが、３０ｍｅＶ以上の状態をいう。
・・・・
【００２４】
　また、
好ましくは、前記結晶質酸化物が、前記インジウムを除く正三価元素を含むとよい。
　このようにすると、酸素欠損の発生を抑える効果がある。また、正二価元素と正三価元素を同時に使用すれば、さらに効果的にキャリア発生を抑制することができる。
　また、結晶質酸化物からなる薄膜の電子移動度は、単結晶の電子移動度と比較すると、減少するものの、大きな電子移動度を有することができる。
　さらに、結晶質酸化物からなる薄膜は、酸素の固定がより安定化する。また、電界効果移動度が高く、かつ、安定した結晶質酸化物の組成範囲を広げることができる。
【００２５】
　
また、好ましくは、前記正三価元素が、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素のうち少なくとも一つ以上の元素であるとよい。
　
このようにすると、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素の強いイオン結合性によって、結晶質酸化物が効果的に安定化する。
　
また、ランタノイド元素として、Ｌａ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｅｕ,Ｇｄ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｍ,Ｙｂ,Ｌｕ等が挙げられる。
【００２６】
　
また、好ましくは、前記結晶質酸化物に含まれる全金属元素の原子の数（＝［Ａ］）に対する前記正三価元素の原子の数（＝［Ｍ３］）の原子比が、
　　
０．００１≦［Ｍ３］／［Ａ］＜０．２
　
であるとよい。
　
このようにすると、非常に安定な結晶質酸化物を得ることができる。また、電子キャリア濃度を１０
１８
／ｃｍ
３
未満に制御できる。
（イ）　「【００６２】
　
上記のようにして得られた本発明の酸化物半導体膜は、インジウム、及びガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム及びイッテルビウムから選ばれる元素を少なくとも１種以上を含み、実質的にビックスバイト構造からなる。
　本発明の酸化物半導体膜は、比較的低温で結晶化できることから、結晶中の酸素を安定化することができ、酸素欠損量の少ない酸化物半導体膜である。従って、本発明の酸化物半導体膜は、酸素欠損により発生するキャリヤーの発生が抑制でき、例えばキャリヤー密度１．０×Ｅ１７ｃｍ−３台以下、ｏｎ／ｏｆｆ比が１０４台以上、及びノーマリーオフを示す等の安定した半導体特性を有する」
（ウ）　「【００６３】
　以下、本発明の第２の態様の半導体デバイスについて詳細に説明する。
［半導体デバイスの一実施形態］
　図１は、本発明の一実施形態に係る半導体デバイスである、電界効果型薄膜トランジスタの要部の概略断面図を示している。
　図１において、電界効果型薄膜トランジスタ１(適宜、ＴＦＴ１と略称する。)は、ガラス基板１０上に形成されたゲート電極２５と、ガラス基板１０及びゲート電極２５上に形成されたゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２５の上方のゲート絶縁膜２４上に形成された、チャンネル層としての結晶質酸化物２１と、結晶質酸化物２１及びゲート絶縁膜２４上に離れて形成されたソース電極２２及びドレイン電極２３とを備えている。
　尚、ＴＦＴ１は、上記構成のボトムゲート型のＴＦＴに限定されるものではなく、例えば、トップゲート型等の様々な構成のＴＦＴであってもよい。また、ＴＦＴ１が形成される基体は、透明なガラス基板１０に限定されるものではなく、例えば、樹脂基板や可撓性を有する樹脂フィルム等であってもよく、また、半透明又は遮光性の基板であってもよい。
【００６４】
　
ＴＦＴ１は、Ｉｎ(インジウム)を含有した結晶質酸化物２１がＮ型半導体（本実施形態では、チャンネル層）として用いられている。また、結晶質酸化物２１の電子キャリア濃度は、１０
１８
／ｃｍ
３
未満としてある。
【００６５】
　また、本発明に係る結晶質酸化物２１の電子キャリア濃度は、室温で測定する場合の値である。室温とは、例えば２５℃であり、具体的には約０〜４０℃程度の範囲から適宜選択されるある温度である。尚、本発明に係る結晶質酸化物２１の電子キャリア濃度は、約０〜４０℃の範囲全てにおいて、１０１８／ｃｍ３未満を充足する必要はない。例えば、約２５℃において、キャリア電子密度１０１８／ｃｍ３未満が実現されていればよい。また、好ましくは、電子キャリア濃度をさらに下げ、１０１７／ｃｍ３以下とするとよく、より好ましくは１０１６／ｃｍ３以下にするとよい。このようにすると、ノーマリーオフのＴＦＴ１が歩留まり良く得られる。
【００６６】
　また、結晶質酸化物２１における電子キャリア濃度の下限値は、ＴＦＴのチャンネル層として適用できれば特に限定されるものではない。従って、
本発明においては、後述する各実施例のように結晶酸化物の材料、組成比、製造条件、後処理条件等を制御して、例えば、電子キャリア濃度を、１０
１２
／ｃｍ
３
以上１０
１８
／ｃｍ
３
未満とする。また、好ましくは１０
１３
／ｃｍ
３
以上１０
１７
／ｃｍ
３
以下、さらに好ましくは、１０
１５
／ｃｍ
３
以上１０
１６
／ｃｍ
３
以下の範囲にするとよい。
　また、電子キャリア濃度の測定は、ホール効果測定により求める。約１０１７／ｃｍ３未満の電子キャリア濃度の測定は、ＡＣホール測定で行うことが好ましい。この理由は、ＤＣホール測定では測定値のばらつきが大きく、測定の信頼性が低くなるおそれがあるからである。
・・・・
【００７４】
　また、
上記結晶質酸化物２１は、正二価元素の代わりに、前記インジウムを除く正三価元素を含有していてもよい。
　
このようにしても、酸素欠損により生じるキャリアを消滅させる効果によって、電子キャリア濃度を低減することができる。また、この結晶質酸化物２１からなる薄膜の電子移動度は、単結晶の電子移動度と比較すると劣るものの、大きな電子移動度を有することができる。さらに、正三価元素を含有することにより、結晶質酸化物２１からなる薄膜は、より安定化する。また、電界効果移動度が高く、且つ、安定した結晶質酸化物の組成範囲を広げることもできる。
　また、
上記正二価元素と正三価元素のうちいずれか一方を含有する構成に限定されるものではなく、例えば、上記正二価元素と正三価元素を含有する構成としてもよく、このようにすると、さらに効果的にキャリアの発生を抑制することができる。
　尚、Ｉｎを含む結晶質酸化物２１では、酸素と金属イオンとがイオン結合している。これにより、二価、三価の金属酸化物は、イオン性のキャリア散乱因子になることはない。つまり、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＣｕのうち少なくとも一つ以上の元素、若しくは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素のうち少なくとも一つ以上の元素、又は、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＣｕのうち少なくとも一つ以上の元素とＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素のうち少なくとも一つ以上の元素とを含む、結晶質酸化物２１の電子移動度は、単結晶の電子移動度と比較すると劣るものの、同程度の大きさを有することが可能となる。
【００７５】
　また、
好ましくは、上記正三価元素は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素のうち少なくとも一つ以上の元素であるとよい。
　
このようにすると、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素の強いイオン結合性によって、結晶質酸化物が効果的に安定化する。
の小さなイオンでは、熱処理での安定な結晶質酸化インジウム膜は得難いが、Ｉｎとランタノイド元素の比を全金属原子に対して、０．５原子％〜１０原子％添加することにより、安定な結晶質膜を得ることができる。また、原子番号の大きなイオンでは、熱処理で安定な結晶質酸化インジウム膜が得やすくなり、Ｉｎとランタノイド元素の比を全金属原子に対して、０．５原子％〜１０原子％添加することにより、非常に安定な結晶質膜を得ることができる。
　また、
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素は、酸素との結合が強く（金属の仕事関数がＩｎ金属より小さい）、結晶化したときに酸素欠陥を生じにくい。
【００７６】
　また、好ましくは、
結晶質酸化物２１に含まれる全金属元素の原子の数（＝［Ａ］）に対する前記正三価元素の原子の数（＝［Ｍ３］）の原子比が、
　　
０．００１≦［Ｍ３］／［Ａ］＜０．２
　
であるとよい。
　
このようにすると、より安定な結晶質酸化物を得ることができる。また、電子キャリア濃度を１０
１８
／ｃｍ
３
未満に制御できる。
　また、
正三価元素として、通常、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素のうち少なくとも一つ以上の元素が用いられ、
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素は、それぞれほぼ同様の効果を奏する。
（エ）　「【００７８】
成膜例１
　Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＣｕの少なくとも一つを含む酸化インジウム、又は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素を含む透明酸化インジウム組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、スパッタ法により、上記結晶質酸化物２１を成膜できる。尚、一般的に、結晶質酸化インジウムの成膜方法としては、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）、スパッタ法（ＳＰ法）及び電子ビーム蒸着法等の気相法が用いられる。ＰＬＤ法は、材料系の組成を制御しやすく、ＳＰ法は、量産性の点から優れている。ただし、成膜方法は、特に限定されるものではない。
　上記多結晶ターゲットには、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＣｕの少なくとも一つを含む酸化インジウム、又は、
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素を含む酸化インジウム組成の焼結体ターゲット（サイズ：直径４インチ、厚さ５ｍｍ）を用いることができる。
【００７９】
　上述の方法で製造したＺｎＯ換算で５ｗｔ％のＺｎを添加した場合のＩｎ２Ｏ３ターゲット、ＭｇＯ換算で３ｗｔ％のＭｇを添加した場合のＩｎ２Ｏ３ターゲット、ＮｉＯ換算で２ｗｔ％のＮｉを添加したＩｎ２Ｏ３ターゲット、ＣｏＯ換算で２ｗｔ％のＣｏを添加した場合のＩｎ２Ｏ３ターゲット、ＣｕＯ換算で１ｗｔ％のＣｕを添加した場合のＩｎ２Ｏ３ターゲット、
Ｂ
２
Ｏ
３
換算で２ｗｔ％のＢを添加した場合のＩｎ
２
Ｏ
３
ターゲット、Ａｌ
２
Ｏ
３
換算で２ｗｔ％のＡｌを添加した場合のＩｎ
２
Ｏ
３
ターゲット、Ｇａ
２
Ｏ
３
換算で４ｗｔ％のＧａを添加した場合のＩｎ
２
Ｏ
３
ターゲット、Ｓｃ
２
Ｏ
３
換算で３ｗｔ％のＳｃを添加した場合のＩｎ
２
Ｏ
３
ターゲット、Ｙ
２
Ｏ
３
換算で３ｗｔ％のＹを添加した場合のＩｎ
２
Ｏ
３
ターゲット、三価のランタノイド元素酸化物換算で１ｗｔ％の三価のランタノイド元素を添加した場合のＩｎ
２
Ｏ
３
ターゲットの比抵抗は、いずれもほぼ０．００５（Ωｃｍ）であった。
【００８０】
　次に、成膜室の到達真空を５×１０−６Ｐａにして、成膜中のアルゴンガス（酸素３％を含む）を０．３Ｐａに制御し、基板温度を室温として、上記ターゲットをそれぞれ用いてスパッタ成膜を行い、約４０分にて厚さ１００ｎｍの酸化インジウム薄膜を得た。また、スパッタ圧は、約０．１Ｐａ以上２．０Ｐａ未満になるように制御することが望ましい。
　続いて、得られた薄膜について、薄膜のすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角０．５度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは認められなかったことから、作製した酸化インジウム薄膜はいずれもアモルファスであった。
これら薄膜を１時間空気中で２００℃以上に加熱した後、薄膜のすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角０．５度）を行ったところ、いずれも明瞭な回折ピークが現れ、結晶化しており、結晶質酸化物２１からなる薄膜を得た。
　さらに、
Ｘ線反射率測定を行い、パターンの解析を行った結果、薄膜の平均二乗粗さ（Ｒｒｍｓ）はいずれも約０．８ｎｍであった。また、比抵抗は、いずれも約１０
２
Ωｃｍ以上であった。このことから、いずれも電子キャリア濃度は約１０
１６
／ｃｍ
３
、電子移動度は約７ｃｍ
２
／（Ｖ・ｓｅｃ）と推定された。
　尚、電子キャリア濃度は、東洋テクニカ社製ホール測定装置に用いて測定した。
　また、光吸収スペクトルの解析から、作製したアモルファス薄膜の禁制帯エネルギー幅は、約３．２ｅＶであった。さらに、この半導体薄膜は、分光光度計により波長約４００ｎｍの光線についての光線透過率が約８５％であり、透明性においても優れたものであった。
　以上のことから、
作製した結晶質酸化物２１は、酸素欠損が少なく、電気伝導度が小さな透明な平坦化した薄膜であった。
（オ）　「【００８２】
［結晶質酸化物の結晶化温度と電子キャリア濃度に関する測定結果］
　図２は、成膜例１に係る結晶質酸化物の結晶化温度と電子キャリア濃度のグラフを示している。
　図２において、細線は、酸化インジウムに、正二価元素(Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕのうち、代表としてＺｎ）を含む結晶質酸化物２１（適宜、細線の結晶質酸化物と略称する。）について示している。細線の結晶質酸化物には、酸化亜鉛を約５ｗｔ％含有し、残量が酸化インジウムであるスパッタリングターゲットを用いた。また、空気中にて各温度で１時間の熱処理を行い、ホール測定によりキャリア濃度を測定するとともに、同じサンプルを用いてＸ線回折法により結晶性を確認した。
　
また、点線は、酸化インジウムに、前記インジウム以外の正三価元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうち、代表としてＹｂ）を含む結晶質酸化物２１（適宜、点線の結晶質酸化物と略称する。）について示している。点線の結晶質酸化物には、酸化イッテルビウムを約１ｗｔ％含有し、残量が酸化インジウムであるスパッタリングターゲットを用いた
　さらに、太い破線は、酸化インジウムのみの結晶質酸化物(適宜、破線の結晶質酸化物と略称する。)について示している。
【００８３】
　測定に用いた各細線の結晶質酸化物、点線の結晶質酸化物及び破線の結晶質酸化物は、結晶化温度等を除き、上記成膜例１とほぼ同様に製作され、結晶化温度に対して電子キャリア濃度を測定した。
　細線の結晶質酸化物は、結晶化温度が、約２００℃から電子キャリア濃度が急激に低下し、約２３０℃でこの低下が止まり、例えば、約２５０℃で結晶化させると、電子キャリア濃度は約５×１０１５／ｃｍ３であった。また、Ｘ線回折により確認したところ、１８０℃以上の温度で加熱処理した酸化物は、明確なピークが観察され、ビックスバイト構造であることが確認できた。さらに、Ｚｎの代わりに、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ又はＣｕを約５原子％添加して、同様の確認をおこなったが、各場合ともほぼ同じ結果が得られた。
　また、
点線の結晶質酸化物は、結晶化温度が、約２００℃から電子キャリア濃度が急激に低下し、約２３０℃でこの低下が止まり、例えば、約２５０℃で結晶化させると、電子キャリア濃度は約１０
１６
／ｃｍ
３
であった。また、Ｘ線回折により確認したところ、１８０℃以上の温度で加熱処理した酸化物は、明確なピークが観察され、ビックスバイト構造であることが確認できた。さらに、Ｙｂの代わりに、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ又はＬｕを約４原子％添加して、同様の確認をおこなったが、各場合ともほぼ同じ結果が得られた。
　一方、破線の結晶質酸化物は、結晶化温度が、約２２０℃から電子キャリア濃度が急激に低下するが、約２４０℃でこの低下も止まり、例えば、約２５０℃で結晶化させたとしても、電子キャリア濃度は約１０１９／ｃｍ３であった。
　即ち、
点線の結晶質酸化物及び細線の結晶質酸化物は、結晶化温度を制御することにより、半導体として好ましい電子キャリア濃度（約１０
１８
／ｃｍ
３
未満）を有することができた。
　また、破線の結晶質酸化物は、約１６０℃で結晶化が開始した。即ち、約１６０℃まで加熱すると、Ｘ線回折にてピークが観察され、結晶化が始まっていた。これに対し、細線の結晶質酸化物及び点線の結晶質酸化物においては、結晶化温度を低めに設定する場合には、添加量を少なめに設定すればよく、結晶化温度を高めに設定できる場合は、添加量を多めに設定すればよい。
【００８４】
　尚、電子キャリア濃度を測定するためのホール測定装置、及びその測定条件は下記のとおりであった。
［ホール測定装置］
　東陽テクニカ製：Resi  Test８３１０
［測定条件］
　室温（約２５℃）、約０．５［Ｔ］、約１０−４〜１０−１２Ａ、ＡＣ磁場ホール測定
【００８５】
　上記測定結果等から、効果的に電子キャリア濃度を制御するには、酸素を含む雰囲気中の温度を１５０℃以上５００℃以下、好ましくは、２００℃以上３００℃以下、さらに好ましくは２５０℃以上３００℃以下で加熱するのがよい。
　また、結晶化処理を、酸素を所定濃度含む雰囲気中で行うことによって、効果的に結晶化を制御することもできる。
　さらに、
図示してないが、正二価元素や正三価元素の添加量をさらに増やし、結晶化しやすくするために高温で成膜した後、さらに熱処理温度も高温で処理すると、電子キャリア濃度をさらに低下させることができた
　また、本発明における電子キャリア濃度の下限としては、得られる酸化インジウム膜をどのような素子や回路又は装置に用いるかにもよるが、例えば１０１４／ｃｍ３である。
　尚、本実施形態では、まず、低温で非晶質の酸化物を成膜し、次に、結晶化温度まで加熱して、所望のキャリア濃度の結晶質酸化物２１としているが、これに限定されるものではなく、例えば、成膜する際に、高温で成膜し結晶質酸化物２１を形成する方法としてもよい。
　さらに、成膜時に酸素を含む雰囲気中で行い、且つ、成膜後の結晶化処理でも酸素を含む雰囲気中で処理してもよい。また、所定の電子キャリア濃度（１０１８／ｃｍ３未満）を得られるのであれば、成膜時には、酸素分圧制御は行わないで、成膜後の後の結晶化処理を、酸素を含む雰囲気中で行ってもよい。」
  
３  判断
ア　本件発明１について
　上記２（ア）より、「前記結晶質酸化物が非縮退半導体である」（【００１９】）との記載がある。また、結晶質酸化物において、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素が含まれることが好ましい旨の記載がある（【００２４】、【００２５】、【００７４】及び【００７５】）。そして、上記２（イ）、（エ）及び（オ）より、酸化インジウムのビックスバイト構造を有し、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である結晶質酸化物の材料に、「Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素」が含まれ、その製造方法（組成比、製造条件等（熱処理条件等））が具体的に記載されている。
　よって、これらの記載から、発明の詳細な説明には、非縮退半導体であり、酸化インジウムのビックスバイト構造を有し、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である結晶質酸化物の材料に、「Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素」を含むことが記載されているといえる。
　また、上記２（ア）及び（ウ）には、酸化インジウムの結晶質酸化物の材料に、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である結晶質酸化物の材料に「インジウムを除く正三価元素」を含む旨が記載され、その好ましい組成比も記載されている（【００２４】、【００２６】、【００６４】及び【００７４】）。また、上記２（ウ）には、結晶酸化物の材料、組成比、製造条件、後処理条件等を制御して、電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満とする旨の記載もある（【００６６】）。
　さらに、発明の詳細な説明には、インジウムを除く正三価元素を用いる効果として、「酸素欠損により生じるキャリアを消滅させる効果によって、電子キャリア濃度を低減することができる」こと、「薄膜の電子移動度は、単結晶の電子移動度と比較すると劣るものの、大きな電子移動度を有することができること」、及び、「結晶質酸化物２１からなる薄膜は、より安定化すること」の記載もある（【００７４】）。
　これらの記載を総合的に判断すると、発明の詳細な説明には、「酸化インジウムのビックスバイト構造を有し、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である結晶質酸化物の材料として、「Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素」を含むことから、「正三化元素」を含むことまで拡張ないし一般化することができると認められる。
　以上より、本発明１の「前記結晶質酸化物が、酸化インジウムのビックスバイト構造を有し、前記インジウムを除く正三価元素を含み、前記結晶質酸化物の電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であ」る構成は、発明の詳細な説明に記載された発明であると認められる。
イ　本件発明６について
　上記アより発明の詳細な説明には、非縮退半導体であり、酸化インジウムのビックスバイト構造を有し、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である結晶質酸化物の材料に、「Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素」を含むことが記載されているといえる。
　よって、本発明６の「前記正三価元素が、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド元素のうち少なくとも一つ以上の元素であること」は、発明の詳細な説明に記載された発明であると認められる。
　
第５　むすび　
　以上のとおり、上記取り消し理由によっては、本件特許の請求項１及び６に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件特許の請求項１、６及び７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年８月１日（２０１６．８．１）