【事件の表示】
　特許第５８６５９１６号発明「ガスノズル，これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８６５９１６号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
　１　手続の経緯
　特許第５８６５９１６号の請求項１ないし５に係る特許についての出願は，２０１２年１０月３０日（国内優先権主張２０１１年１０月３１日）を国際出願日とする出願であって，平成２８年１月８日にその特許権の設定登録がされ，その後，その特許に対し，特許異議申立人　木下　淳　により特許異議の申立てがされたものである。
　２　本件発明
　特許第５８６５９１６号の請求項１ないし５の特許に係る発明は，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「請求項１」の特許に係る発明等を「本件特許発明１」等ともいう。）
「【請求項１】
　ガスが流れる貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体を備え，
前記本体の一端面には，前記貫通孔における前記ガスの排出口が形成されており，
前記一端面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は，前記セラミック焼結体における平均結晶粒径の５倍以上１００倍以下であることを特徴とするガスノズル。
【請求項２】
　請求項１に記載のガスノズルにおいて，
前記一端面における算術平均粗さ（Ｒａ）は，０．０５μｍ以下であることを特徴とするガスノズル。
【請求項３】
　請求項１に記載のガスノズルにおいて，
前記本体の前記一端面に接続した側面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は，前記セラミック焼結体における平均結晶粒径の５倍以上であることを特徴とするガスノズル。
【請求項４】
　請求項３に記載のガスノズルにおいて，
前記排出口は，前記本体に複数形成されており，且つ前記側面にも形成されていることを特徴とするガスノズル。
【請求項５】
　請求項１に記載のガスノズルにおいて，
前記セラミック焼結体の主成分は，イットリアであることを特徴とするガスノズル。」
　３　申立理由の概要
　特許異議申立人は，証拠として特開２０１１−４９５５１号公報（以下「甲第１号証」という。）を提出し，請求項１ないし３に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから，請求項１ないし３に係る特許を取り消すべきものである旨主張し，また，特許異議申立人は，主たる証拠として甲第１号証及び従たる証拠として特表２００５−５０７１５９号公報（以下「甲第２号証」という。）を提出し，請求項４に係る特許は同法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから，請求項４に係る特許を取り消すべきものである旨主張し，さらに，特許異議申立人は，主たる証拠として甲第１号証及び従たる証拠として特開２００７−６３５９５号公報（以下「甲第３号証」という。）を提出し，請求項５に係る特許は同法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから，請求項５に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
　さらに，特許異議申立人は，請求項１ないし５に係る特許は，発明の詳細な説明に記載したものではなく，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから，請求項１ないし５に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
　４　進歩性（特許法第２９条第２項）について
（１）甲第１号証には，以下の事項が記載されている。
・「【請求項１】
先端に被吸着物を真空吸着する吸着面を備えた真空吸着ノズルであって，前記吸着面は，複数の溝を有しており，特定方向の粗さ曲線における，ＪＩＳ　Ｂ　０６０１（２００１）に記載の粗さ曲線の最大断面高さＲｔが０．１８μｍ以上０．４μｍ以下であり，
輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが０．０１ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下である
【請求項２】
前記吸着面は，前記特定の方向における算術平均粗さＲａが０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である
【請求項３】
前記吸着面はセラミックスからなる
【請求項４】
前記セラミックスの主成分が安定化剤を含むジルコニア
・「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，チップコンデンサやチップ抵抗器などのチップ状の電子部品を回路基板に実装するための電子部品装着機に好適に用いられる真空吸着ノズルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　従来から，チップコンデンサやチップ抵抗器などのチップ状の電子部品は，電子部品装着機に具備された真空吸着ノズルの先端の吸着面に真空吸引によって吸着された後，そのまま搬送されて回路基板の所定の位置へ実装される。このとき，このチップ状の電子部品の位置の測定は，光を照射して，このチップ状の電子部品によって反射された反射光をＣＣＤカメラで受光し，画像解析装置でそのチップ状の電子部品の形状や電極の位置を解析することによって行なわれている。」
・「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　しかしながら，近年，真空吸着ノズルを高速で移動させてトレイ上の電子部品を吸着し，そのまま電子部品を回路基板まで移動して実装する工程等において，回路基板およびこれに実装する電子部品がますます小型化されて，実装する電子部品の数が増加する傾向にあるため，真空吸着ノズルが電子部品を吸着して回路基板の実装位置に載置するための時間を短縮することが課題となっている。また，
真空吸着ノズルの吸着面の反射光と被吸着物からの反射光とを識別しにくい場合があり，被吸着物の位置検出を容易に行なう点で改善の余地があった
【０００６】
　それゆえ，本発明は，先端に被吸着物を真空吸着して移送する際に被吸着物の位置ずれや落下が少なく，その移送先で吸着面から被吸着物を離脱する時間を短縮することができ，さらに，被吸着物の位置検出を容易に行なうことができ，装着精度や移動効率の向上した空吸着ノズルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明の真空吸着ノズルは，先端に被吸着物を真空吸着する吸着面を備えた真空吸着ノズルであって，前記吸着面は，複数の溝を有しており，特定方向の粗さ曲線における，ＪＩＳ　Ｂ　0601（2001）に記載の粗さ曲線の最大断面高さＲｔが0.18μｍ以上0.4μｍ以下であり，輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが0.01ｍｍ以上0.08ｍｍ以下であることを特徴とするものである。」
・「【発明の効果】
【００１４】
　本発明の真空吸着ノズルによれば，先端に被吸着物を真空吸着する吸着面を備えた真空吸着ノズルであって，吸着面は，複数の溝を有していることから，被吸着物を真空吸着したときに被吸着物と真空吸着ノズルの吸着面との間で溝を介して僅かな空気漏れが生じるため，真空吸着ノズルが被吸着物に近付いて吸着するときに急激な吸着が起こりにくく，被吸着物の位置ずれが生じることを抑制できる。さらに，被吸着物が吸着面から離脱するときに真空による貼り付きが残らないため，被吸着物の離脱不良が少なく，さらに時間が短縮できて応答動作が速いため，装着精度や移送効率を高めることができる。
【００１５】
　また，吸着面は，特定方向の粗さ曲線におけるＪＩＳ　Ｂ　0601（2001）に記載の粗さ曲線の最大断面高さＲｔが0.18μｍ以上0.4μｍ以下であることから，吸着面に照射された光を乱反射させたり，場合によってはＣＣＤカメラの方向とは違う方向へ反射させたりすることもできる。それにより，真空吸着ノズルの吸着面の反射光と被吸着物からの反射光とを識別しやすくなるため，位置検出が容易にできるようになり装着精度が向上する。」
・「【００１９】
　図１に示す
真空吸着ノズル組み立て体７は
真空吸着ノズル１が
吸着面２を先端の端面側に有した円筒部５と，円筒部５の吸着面２と相対する側に円筒部５に向かって先細りの形状で設けられ円錐部４と，円錐部４の吸着面２と相対する根元の端面側に設けられた頭部６とを有する
円筒部５を貫通して吸着面２に開口した内孔は，円錐部４と頭部６とに延設して頭部６の表面に開口させて，吸引孔３としてある
【００２０】
　また，
真空吸着ノズル１の頭部６と嵌合する受け部11を有し，吸引孔３と連通するように吸引孔12を有している保持部材10が，真空吸着ノズル１の頭部６と受け部11とを嵌合させて取り付けられており，保持部材10を介して真空吸着ノズル１が電子部品装着機（図示せず）に取り付けられるようにしてある
・「【００３１】
　さらに，
溝８に対して直交する方向の粗さ曲線における輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍを0.01ｍｍ以上0.08ｍｍ以下としたので，例えば電子部品15を回路基板の実装位置に載置するための位置検出を画像解析する場合に，光を電子部品15に照射しても周囲の真空吸着ノズル１の吸着面２からの反射光は電子部品からの反射光とは別の方向へ反射するため，その反射光は電子部品15の反射光とは識別が可能となり，位置検出が容易にでき，装着精度が向上する
【００３２】
　なお，この輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが0.08ｍｍを超えると，吸着面２において，乱反射することが少なくなり，吸着面２からの反射光と電子部品15からの反射光との識別が難しくなるため，位置検出が容易にできなくなる傾向にある。逆に，この輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが0.01ｍｍ未満になると，溝８の間隔が小さくなるために吸着面２での乱反射が多くなり，吸着面２の輝度が高くなって電子部品15からの反射光との識別が困難になる傾向にある。」
・「【００５０】
　真空吸着ノズル１に用いるセラミックスに安定化剤を含むジルコニアセラミックスを用いることが好ましいのは，セラミックスとしての機械的強度が高いためである。特に，図１（ａ）に示す真空吸着ノズル１のように，円筒部５を有しており，その径が細小さい形状の真空吸着ノズル１の場合には，吸着面２に吸着した電子部品15を基板に実装したときに隣接する部品と真空吸着ノズル１の先端とが接することによって円筒部５が破損しやすいため，セラミックスとして機械的強度の高いジルコニアセラミックスを使用することが好適である。このときのジルコニアセラミックスに含ませる安定化剤としてはイットリア，セリア，マグネシアなどを用いればよく，これら安定化剤を２〜８モル％程度含んでいれば実用上で機械的強度的に十分なジルコニアセラミックスとなる。また，
ジルコニアの平均結晶粒子径は３μｍ以下のものが好ましい。ジルコニアの平均結晶粒子径を３μｍ以下とすることで，真空吸着ノズル１の作製や補修の際に吸着面２に対して研削加工や鏡面加工をするときに，結晶粒子が脱落しにくくなることから吸着面２に欠けが生じにくくなる
【００５１】
　また，
吸着面２の径が0.7ｍｍ以下と小さな真空吸着ノズル１である
・「【００６５】
　なお，本実施形態の真空吸着ノズル１の形状を得るには，一般的な射出成形法に基づいて，真空吸着ノズル１の形状が得られる成形型を作製し，これをインジェクション成形機に設置して射出成形すればよい。これによって，容易に所望の形状の真空吸着ノズル１が得られる。
【００６６】
　ここで，ジルコニアセラミックス，アルミナセラミックスの焼成条件としては，導電性付与材に酸化鉄，酸化コバルト，酸化クロム，酸化ニッケルおよび酸化チタンの少なくとも１種を含む場合，または導電性付与材に少なくとも酸化鉄を含む場合には，大気雰囲気中での焼成で最高温度を1300〜1500℃の範囲として，最高温度での保持時間を１〜５時間とすればよい。また，導電性付与材が炭化チタンの場合には，最高温度を1400〜1800℃の範囲として，最高温度での保持時間を１〜５時間とし，真空雰囲気中またはアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で焼成すればよい。また，導電性付与材が窒化チタンの場合には，これら真空雰囲気中または不活性雰囲気中に加えて，窒素ガス雰囲気中で焼成してもよい。これにより，セラミックス製の真空吸着ノズル１に適度な導電性を付与することができる。」
・「【００８４】
　表２に示す結果から，本実施形態の範囲外である，吸着面２の状態が鏡面である試料Ｎｏ．１−１，２−１の場合には，溝８からの適度な空気の流入がなく，電子部品15の吸着時の位置ずれ発生率および離脱不良の発生率が３％と高く，さらに吸着面２からの反射光が多くなり，輝度が非常に高くなった。また，吸着面２の溝８に対して直交する方向の粗さ曲線における最大断面高さＲｔが0.18μｍ未満である試料Ｎｏ．１−２，２−２は，溝８からの空気の流入が少なくなるので，吸着するときの位置ずれの発生率と，移送先からの離脱不良の発生率とが，いずれも0.05％とやや高かった。また，吸着面２の粗さ曲線の最大断面高さＲｔが0.4μｍを超える試料Ｎｏ．１−６，２−６は，溝８からの空気の流入が多くなって吸着する力が低下したために，電子部品15の落下発生率が0.5％とやや高くなった。また，吸着面２の溝８に対して直交する方向の粗さ曲線における輪郭曲線要素の平均長さ
Ｒｓｍが0.01ｍｍ未満である試料Ｎｏ．１−７，２−７は，輝度が100以上とやや高くなったことから，吸着面２からの反射光が多くなったことが分かる
Ｒｓｍが0.08ｍｍを超える試料Ｎｏ．１−10，２−10も，輝度が100以上とやや高くなったことから，吸着面２からの反射光が乱反射することが少なくなり，電子部品15からの反射光との識別が難しくなるので位置検出が容易にできなくなったことがわかる
【００８５】
　これに対して，本実施形態の範囲内である，吸着面２の溝８に対して直交する方向の粗さ曲線における最大断面高さＲｔが0.18μｍ以上0.4μｍ以下であり，吸着面２の溝８に対して直交する方向の粗さ曲線における輪郭曲線要素の平均長さ
Ｒｓｍが0.01ｍｍ以上0.08ｍｍ以下である試料Ｎｏ．１−３〜１−５，１−８〜１−９，２−３〜２−５，２−８および２−９は，溝８からの適度な空気の流入があるので，被吸着物の位置ずれの発生率が0.02％以下で，被吸着物の吸着の強さが大きく低下しないので，移送中に電子部品15の落下がなく，移送先からの離脱不良の発生率が0.02％以下となり，吸着面２から電子部品15を離脱するのにかかる時間を短縮することができるので，装着精度や移送効率が向上することが分かる
【００８６】
　また，吸着面２の溝８に対して直交する方向の粗さ曲線における輪郭曲線要素の平均長さ
Ｒｓｍが0.01ｍｍ以上0.08ｍｍ以下であることから，吸着面２に照射した光の反射光は適度な乱反射となるため輝度は100未満であった。電子部品15は本体が白色系であれば輝度は高く，黒色系であったとしても周囲には金またはニッケルや銀等のメッキされた電極やリードを備えているので，このような電子部品15の輝度は150以上になることが多く，吸着面２と電子部品15の輝度の差による識別が容易であり，電子部品15の位置検出が容易にできる
（２）したがって，上記各記載から，甲第１号証には，異議申立人が，異議申立書の第７ないし８ページで「甲１発明」と認定した以下の発明が記載されていると認められる。（なお，異議申立人は，「甲１発明」の認定において，「前記特定の方向」としたが，当該「前記」に対応する「特定の方向」が存在しないので，以下のように認定をした。）
　「吸着面を先端の端面側に有した円筒部と，円筒部の吸着面と相対する側に円筒部に向かって先細りの形状で設けられた円錐部と，円錐部の吸着面と相対する根元の端面側に設けられた頭部とを有し，円筒部を貫通して吸着面に開口した内孔は，円錐部と頭部とに延設して頭部の表面に開口させて，吸引孔とした，セラミックス焼結体からなる真空吸着ノズルであって，
　前記吸着面の輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが０．０１ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下であり，
　前記吸着面は，特定の方向における算術平均粗さＲａが０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下であり，
　前記吸着面は，セラミックスの主成分が安定化剤を含むジルコニアであり，
　前記ジルコニアの平均結晶粒子径が３μｍ以下である真空吸着ノズル」
　５　判断
（１）本件特許発明１に係る発明について
　ア　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると，甲１発明には，本件特許発明１の「柱状の本体」が記載されていない点（相違点１），及び，本件特許発明１が，「ガスの排出口」が形成されている一端面のＲｓｍを特定する「ガスノズル」の発明であるのに対して，甲１発明が，「吸着面」が形成されている一端面のＲｓｍを特定する「真空吸着ノズル」の発明である点（相違点２）において相違し，その余の点で両者は一致すると認められる。
　イ　相違点１について検討する。
　特許異議申立人は，「本件特許発明１の『セラミックス焼結体からなる柱状の本体』は，甲１発明の「セラミックス焼結体からなる，吸着面を先端の端面側に有した円筒部及び円筒部に向かって先細りの形状で設けられ円錐部』に相当する。」と主張する。
　しかしながら，甲１発明の「円筒部及び円筒部に向かって先細りの形状で設けられ円錐部」からなる形状は，「柱状」とは異なる形状であるから，「本件特許発明１の『セラミックス焼結体からなる柱状の本体』は，甲１発明の「セラミックス焼結体からなる，吸着面を先端の端面側に有した円筒部及び円筒部に向かって先細りの形状で設けられ円錐部』に相当する。」とは認めることはできない。
　そして，甲１発明の前記形状は，例えば，「0.7ｍｍ以下と小さな」「吸着面２の径」を有する「真空吸着ノズル１」（【００５１】）を，「保持部材10を介して真空吸着ノズル１が電子部品装着機（図示せず）に取り付けられるように」（【００２０】）するためという技術的意義を有すると理解されるから，甲１発明の前記「吸着面を先端の端面側に有した円筒部及び円筒部に向かって先細りの形状で設けられ円錐部」という形状を，「柱状の本体」とすることには，動機付けが存在せず，しかも，阻害事由があるといえる。
　したがって，上記相違点１について，本件特許発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことではない。
　
　ウ　相違点２について検討する。
　異議申立人は，「本件特許発明１は『ガスの排出口』を備えるガスノズルであるのに対して，甲１発明は『ガスの吸引孔』を備えるガスノズルである点において相違する。即ち，本件特許発明１と甲１発明は，ガスノズルである点において共通し，該ノズルをガス排出用として用いるか，ガス吸引用として用いるかの単なる用途上の相違に過ぎない。したがって，甲１発明の『ガスの吸引孔』を備えるガスノズルに基づいて，本件特許発明１のような『ガスの排出口』を備えるガスノズルになすことは，当業者が容易に想到し得ることである。」と主張する。
　しかしながら，前記主張は採用することはできない。その理由は以下のとおりである。
　甲１発明において，「吸着面の輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが０．０１ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下」とした技術的意義は，甲第１号証の上記記載から，「真空吸着ノズルの吸着面の反射光と被吸着物からの反射光とを識別しにくい場合があり，被吸着物の位置検出を容易に行なう点で改善の余地があった」（【０００５】）という課題の認識のもと，「溝８に対して直交する方向の粗さ曲線における輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍを0.01ｍｍ以上0.08ｍｍ以下としたので，例えば電子部品15を回路基板の実装位置に載置するための位置検出を画像解析する場合に，光を電子部品15に照射しても周囲の真空吸着ノズル１の吸着面２からの反射光は電子部品からの反射光とは別の方向へ反射するため，その反射光は電子部品15の反射光とは識別が可能となり，位置検出が容易にでき，装着精度が向上する」という効果を得るためのものであると認められ，さらに，前記「吸着面の輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが０．０１ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下」という構成は，「溝８からの適度な空気の流入があるので，被吸着物の位置ずれの発生率が0.02％以下で，被吸着物の吸着の強さが大きく低下しないので，移送中に電子部品15の落下がなく，移送先からの離脱不良の発生率が0.02％以下となり，吸着面２から電子部品15を離脱するのにかかる時間を短縮することができるので，装着精度や移送効率が向上することが分かる」（【００８５】）という効果を奏するものと認められる。
　これに対して，本件特許発明１のような「ガスの排出口」を備えるガスノズルからは，前記「真空吸着ノズルの吸着面の反射光と被吸着物からの反射光とを識別しにくい場合があり，被吸着物の位置検出を容易に行なう点で改善の余地があった」という課題が生じることはなく，さらに，前記「位置検出が容易にでき，装着精度が向上する」及び「吸着面２から電子部品15を離脱するのにかかる時間を短縮することができるので，装着精度や移送効率が向上する」という効果も奏さないといえる。
　してみれば，甲１発明に係る，前記「吸着面の輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが０．０１ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下」という構成を有する真空吸着ノズルを，当該「吸着面の輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが０．０１ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下」とする課題の認識もなく，効果を奏することもない，本件特許発明１のような「ガスの排出口」を備えるガスノズルとして用いることは想定することはできないから，「甲１発明の『ガスの吸引孔』を備えるガスノズルに基づいて，本件特許発明１のような『ガスの排出口』を備えるガスノズルになすことは，当業者が容易に想到し得ることである。」との異議申立人の主張は採用することはできない。　
　エ　そして，これら相違点１及び相違点２について，甲第２，３号証に記載された技術的事項から当業者が容易に想到し得たとする理由は主張されていない。
　したがって，請求項１に係る発明は，甲第１号証に記載された発明から当業者が容易になし得たものではない。また，請求項１に係る発明は，甲第１号証に記載された発明及び甲第２，３号証に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たものでもない。
（２）請求項２ないし５に係る発明について
　請求項２ないし５に係る発明は，請求項１に係る発明に更に別の発明特定事項を付加したものであるから，上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により，上記甲第１号証に記載された発明及び甲第２，３号証に記載された技術的事項から当業者が容易になし得るものではない。
　以上のとおり，請求項１ないし５に係る発明は，甲第１号証に記載された発明及び甲第２，３号証に記載された技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　６　記載要件（特許法第３６条第６項第１号）について
（１）異議申立人は，以下のように主張する。
「本件特許公報に記載された実施例（段落［００４４］〜［００５２］には，輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）がセラミック焼結体における平均結晶粒径の１９倍（試料４）を越える実施例の開示がなく，所定の効果を奏するか，否か明らかではない。
　更に言えば，本件特許公報の明細書中には，輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）を，「平均結晶粒径の５倍」「平均結晶粒径の１００倍」とする実施例の記載，また数値限定による臨界的意義を明らかにする記載等がなく，本件特許発明１は「発明の詳細な説明」に記載されたものでないことは明らかである。
　尚，本件特許発明２−５は，本件特許発明１を引用するため，本件特許発明２−５についても「発明の詳細な説明」に記載されたものでないことは明らかである。」
（２）しかしながら，本件特許明細書の【００１９】に，「一方，本実施形態においては，本体１３の一端面Ｓ１における凹部の数に着目し，後述する本実施形態の研磨加工を用いて加工時における結晶粒子の破砕を抑制することによって，図３（ｂ）に示すように，本体１３の一端面Ｓ１における凹部の数を低減し，本体１３の一端面Ｓ１における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）をセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上とした。その結果，本体１３の一端面Ｓ１における凹部の数を低減することによって，反応室２内のプラズマ化された腐食性ガスに直接触れたとしても，パーティクルの脱落を低減することができ，ひいてはウェハの不良を低減することができる。」との記載から，本体の一端面における凹部の数を低減すること，すなわち，Ｒｓｍの値を大きくすれば，反応室内のプラズマ化された腐食性ガスに直接触れたとしても，パーティクルの脱落を低減することができ，ひいてはウェハの不良を低減することができるとの効果が得られることが理解できる。
　してみれば，本件特許明細書の「輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）がセラミック焼結体における平均結晶粒径の１９倍（試料４）」において，良好な結果が得られているのであれば，当該数値を超えて，１００倍以下の範囲においても良好な結果が得られることを予測することができるから，「所定の効果を奏するか，否か明らかではない。」とする異議申立人の主張は採用することはできない。
　さらに，本件特許明細書の【００２２】に「また，本体１３の一端面Ｓ１における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は，例えばセラミック焼結体の平均結晶粒径の１００倍以下に設定されている。」と記載されており，【００３６】の「第１ラップ加工で発生した結晶粒子の破砕層を除去することができる。また，第２ラップ加工の前に第１ラップ加工を行って一端面Ｓ１の算術平均粗さ（Ｒａ）を小さくしておくことによって，加工時間を短縮することができる。」との記載から，加工時間を短縮することが望ましいとする一般的な課題を認識できるから，本件特許発明１において，Ｒｓｍの値を不必要に大きくして加工時間が長くなることを防ぐために，「例えばセラミック焼結体の平均結晶粒径の１００倍以下に設定」することが理解される。
　すなわち，本件特許発明１において，輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）を，「平均結晶粒径の５倍」「平均結晶粒径の１００倍」とする実施例の記載，また数値限定による臨界的意義を明らかにすることが必ずしも必要であるとは認められないから，異議申立人の前記主張は採用することができない。
　
（３）そして，上記検討したように，本件特許発明１が「発明の詳細な説明」に記載されたものではないとまではいえないから，「本件特許発明２−５は，本件特許発明１を引用するため，本件特許発明２−５についても『発明の詳細な説明』に記載されたものでないことは明らかである。」とする，異議申立人の上記の主張も理由がない。
　７　むすび
　したがって，特許異議の申立ての理由及び証拠によっては，請求項１ないし５に係る特許を取り消すことはできない。　
　また，他に請求項１ないし５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１１月２日（２０１６．１１．２）