(57)【要約】投影光学系のフレアを正確に計測できるフレア計測技術である。計測対象の投影光学系を介してレジストの塗布されたウエハ（Ｗ）上に、次第に間隔が広くなる３対の開口パターン及びライン・アンド・スペースパターンの像（３８ＡＰ，３９ＡＰ）、（３８ＢＰ，３９ＢＰ）、及び（３８ＣＰ，３９ＣＰ）を転写した後、そのウエハ（Ｗ）を現像する。現像後に得られるレジスト像の内で、開口パターンの像（３８ＡＰ，３８ＢＰ，３８ＣＰ）に最も近いスペースパターン像（４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ）の線幅を計測し、この計測結果からその投影光学系のフレアを求める。【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面上のパターンの像を第２面上に投影する投影光学系のフレアを計測するためのフレア計測方法において、
前記第１面に配置された開口パターン及びこの開口パターンに隣接して配置された１本又は複数本の線状パターンの像を前記投影光学系を介して前記第２面上に投影する第１工程と、
前記第２面上に投影された前記線状パターンの像の線幅に基づいて前記投影光学系のフレアを求める第２工程とを有することを特徴とするフレア計測方法。
【請求項２】
前記第１工程において、前記開口パターン及び前記線状パターンとそれぞれ同じ形状で、かつ互いに間隔の異なる複数組の開口パターン及び線状パターンの像を前記投影光学系を介して前記第２面上に投影し、
前記第２工程において、複数の前記線状パターンの像の線幅に基づいて前記投影光学系のフレアを求めることを特徴とする請求項１に記載のフレア計測方法。
【請求項３】
前記第１工程において、
前記開口パターン及び前記線状パターンの像を、互いに重ならないように、かつ間隔を変えながら複数回露光することを特徴とする請求項２に記載のフレア計測方法。
【請求項４】
前記第１工程において、前記線状パターンの像の上に所定の小さい交差角で別の線状パターンの像を重ねて露光し、
前記第２工程において、前記線状パターンの像と前記別の線状パターンの像とが重なった部分の長手方向の幅を計測し、この計測結果に基づいて前記投影光学系のフレアを求めることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のフレア計測方法。
【請求項５】
前記開口パターンの大きさはほぼ数μｍ〜数１００μｍ角であり、前記線状パターンの幅はほぼ数１００ｎｍ〜数μｍであり、前記開口パターンと前記線状パターンとの間隔はほぼ１μｍ〜数１０μｍであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のフレア計測方法。
【請求項６】
前記第１工程は、
基板上に感光材料を塗布した後、該感光材料上に上層膜を塗布する塗布工程と、
前記基板の表面を前記第２面にほぼ合わせ込んで、前記開口パターン及び該開口パターンに隣接して配置された１本又は複数本の線状パターンの像を前記投影光学系を介して前記基板の表面に投影する投影工程と、
前記基板上の前記感光材料の現像前ベークを行う予備現像工程と、
前記基板上の前記感光材料の現像を行って前記線状パターンの凹凸の像を形成する現像工程とを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のフレア計測方法。
【請求項７】
前記感光材料は化学増幅型レジストであることを特徴とする請求項６に記載のフレア計測方法。
【請求項８】
前記上層膜は、前記予備現像工程において前記感光材料からの酸の揮発を抑制することを特徴とする請求項６又は７に記載のフレア計測方法。
【請求項９】
第１物体のパターンを投影光学系を介して２物体上に投影露光する露光方法において、
請求項１から８のいずれか一項に記載のフレア計測方法を用いて前記投影光学系のフレアを計測する計測工程と、
前記計測工程での計測結果に基づいて前記投影光学系のフレアを補正する補正工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
投影光学系のフレア計測用のマスクであって、
開口パターン及びこの開口パターンに隣接して配置された１本又は複数本の線状パターンが形成されたことを特徴とするフレア計測用のマスク。
【請求項１１】
前記開口パターンはほぼ数μｍ〜数１００μｍ角の角形パターンであり、前記線状パターンは、ラインパターンの幅がほぼ数１００ｎｍ〜数μｍのライン・アンド・スペースパターンであり、前記開口パターンと前記線状パターンとの間隔はほぼ１μｍ〜数１０μｍであることを特徴とする請求項１０に記載のフレア計測用のマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、第１面上のパターンの像を第２面上に投影する投影光学系のフレアを計測するためのフレア計測技術に関し、例えば半導体集積回路、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等の各種デバイスを製造するためのリソグラフィ工程において、マスクパターンを基板上に転写するために使用される投影露光装置の投影光学系のフレアを計測する際に使用して好適なものである。本発明は更に、フレア計測技術を用いた露光技術、及びフレアを計測する際に使用できるマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】  例えば半導体集積回路を製造するためのリソグラフィ工程中で、マスクとしてのレチクル（又はフォトマスク等）のパターンを投影光学系を介して感光基板（感応物体）としてのレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）の各ショット領域に転写するために、ステッパー型又はスキャニングステッパー型等の投影露光装置が使用されている。近年の集積回路の一層の微細化に伴い、投影露光装置に要求される転写後のパターンに対する線幅均一性も高まっている。そのため、従来は無視することができた投影光学系のフレアによる線幅均一性の劣化が問題となりつつある。なお、光学系で発生するフレアには大きく分けて、光学系を構成する光学部材（レンズ等）の表面やコーティング膜で小さい角度範囲で発生する前方散乱光に起因する結像には望ましくない迷光（又はかぶり光）であるいわゆるローカルフレア（ｌｏｃａ１  ｆｌａｒｅ）と、光学部材のコーティング膜における反射に起因する結像には望ましくない迷光であるいわゆるロングレンジフレアとがある。パターンの線幅均一性の劣化に寄与するのは主にローカルフレアであるため、以下ではフレアとしてローカルフレアを例にとって説明する。【０００３】  図１６は、ウエハ上に投影されるパターンに付随するローカルフレアを示す模式図であり、この図１６において、遮光部の中央に細長い所望の結像パターン３１が投影され、結像パターン３１に付随してローカルフレア３２が投影されている。ローカルフレアは、ウエハ上の本来の結像パターンの周辺の数１００ｎｍ〜数１０μｍ程度の幅の範囲内に発生する「かぶり光」である。通常、ローカルフレア３２の強度は、結像パターン３１を形成する結像光束の強度に対してほぼ１％程度以下である。このようなローカルフレアによって次のように線幅均一性が劣化する。【０００４】  図１７は、転写対象のレチクルＲ１のパターンを示し、この図１７において、クロムの遮光膜３５中に開口部（光透過部）よりなる第１のレチクルウィンドウ３４と、開口部よりなりそのレチクルウィンドウ３４に比べてかなり広い第２のレチクルウィンドウ３７とが形成されている。そして、レチクルウィンドウ３４及び３７の中央部に互いに同一形状のクロムの遮光膜よりなる細長いレチクルパターン３３及び３６が形成されている。図１８は、図１７のレチクルＲ１のパターンを投影光学系を介してレジストの塗布されたウエハ上に投影した後、そのレジストを現像して得られるレジスト像Ｒ１Ｐを示し、この図１８において、レジスト像３３Ｐ及び３６Ｐは、それぞれ図１７のレチクルパターン３３及び３６に対応して形成された凹凸のパターンである。レジストがポジ型であれば、レジスト像３３Ｐ及び３６Ｐはそれぞれ凸パターンであり、レジストがネガ型であれば、レジスト像３３Ｐ及び３６Ｐはそれぞれ凹パターンである。【０００５】  ローカルフレアが無い理想的な状態では、同一パターンであるレチクルパターン３３及び３６に対応するレジスト像は同一形状になる。一方、ローカルフレアが存在する場合、レチクルパターン３３の周辺に存在するレチクルウィンドウ３４より、レチクルパターン３６の周辺に存在するレチクルウィンドウ３７の方が広いため、後者のレチクルウィンドウ３７から発生するローカルフレアの方が前者のレチクルウィンドウ３４から発生するローカルフレアよりも量が大きくなる。即ち、図１８のレジスト像３３Ｐにかぶさる、レチクルウィンドウ３４で発生するローカルフレアの量より、レジスト像３６Ｐにかぶさる、レチクルウィンドウ３７で発生するローカルフレアの量の方が大きくなるため、レジスト像３６Ｐの線幅は、レジスト像３３Ｐの線幅より細くなる。このように、同じ形状のレチクルパターンを投影して形成されるレジスト像が、各パターンの周辺の開口パターンから発生するローカルフレアのため、形状（線幅）が変化してしまう。これがローカルフレア起因の線幅のばらつきとなり、これによって露光性能が低下して、露光プロセスの歩留まりが悪化する。このようなローカルフレア起因の線幅のばらつきを低減するためには、ローカルフレアを低減する必要がある。そのためには、ローカルフレアを正確に計測する必要がある。【０００６】  従来、投影光学系のフレアを計測する方法としては、例えばテストレチクルの照明領域の全面にほぼ均一な分布で複数のほぼ同一形状の遮光パターンを形成しておき、そのテストレチクルのパターンを投影光学系を介してレジストの塗布されたウエハ上に投影露光する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、積算露光量を変えて複数回の露光を行い、露光後、現像によって得られるそれぞれのレジスト像の形状を計測することによって、それらの遮光パターンに対応する部分が露光されないとき（レジスト像が形成されないとき）の露光量と、それらの遮光パターンに対応する部分が露光されるとき（レジスト像が形成されるとき）の露光量との関係からフレアの量が求められる。
【特許文献１】国際公開第０２／０９１６３号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】  一般に現像後のレジスト像の線幅を変化させるのはフレアだけではなく、投影光学系の収差によってもレジスト像の線幅、又はレジスト像が形成されるときの露光量は変化する。
しかしながら、従来のフレア計測方法では、レジスト像の線幅の変化がフレアに起因するものか収差に起因するものかを必ずしも正確に判別することができなかった。そのため、投影光学系のフレアの量、特にローカルフレアの量を正確に計測することが困難であるという問題があった。【０００８】  また、解像度を向上するために、露光光の短波長化が進んでおり、最近では露光光として波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、及びより短い波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザなどのパルス発光のエキシマレーザが使用されている。このエキシマレーザに対する感光材料としては、高感度の化学増幅型レジストが使用される。ところが、化学増幅型レジストでは、特に現像前ベークであるＰＥＢ（Ｐｏｓｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）工程におけるレジストからの酸の揮発によって、現像後のレジスト像の線幅が僅かに変化することがある。そのため、エキシマレーザを用いて露光した場合、レジスト像の線幅の変化には、上記のフレア及び収差に起因する変化分の他に、レジスト中の酸の揮発に起因する変化分も含まれる。しかしながら、従来はレジスト中の酸の揮発に起因するレジスト像の線幅の変化分のみを正確に求める方法は知られておらず、これがフレア計測精度を更に高める上での一つの問題となっていた。【０００９】  本発明は、斯かる点に鑑み、投影光学系のフレアを正確に計測できるフレア計測技術を提供することを第１の目的とする。
また、本発明は、投影光学系のフレアを低減させて高い線幅均一性が得られる露光技術を提供することを第２の目的とする。
また、本発明は、投影光学系のフレア計測に使用できるマスクを提供することを第３の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】  本発明によるフレア計測方法は、第１面上のパターンの像を第２面上に投影する投影光学系（ＰＬ）のフレアを計測するためのフレア計測方法において、その第１面に配置された開口パターン（３８Ａ；３８）及びこの開口パターンに隣接して配置された１本又は複数本の線状パターン（３９Ａ；３９）の像をその投影光学系を介してその第２面上に投影する第１工程と、その第２面上に投影されたその線状パターンの像（３９ＡＰ）の線幅に基づいてその投影光学系のフレアを求める第２工程とを有するものである。【００１１】  斯かる本発明によれば、その開口パターンとその線状パターンとの組み合わせによって、収差の発生に対しては投影された線状パターンの像の線幅変化が小さく、フレアの発生に対してはその線状パターンの像の線幅変化が大きくなる。従って、その線状パターンの像の線幅又はその変化を計測することによって、投影光学系のフレアを正確に計測できる。なお、その線状パターンの像の線幅は、現像後の感光材料の凹凸パターンとして計測してもよく、感光材料の潜像又は空間像の段階で計測してもよい。感光材料上に像を投影する場合には、その開口パターンと線状パターンとは同時に露光する必要はなく、多重露光で個別に露光してもよい。【００１２】  この場合、その第１工程において、その開口パターン及びその線状パターンとそれぞれ同じ形状で、かつ互いに間隔の異なる複数組の開口パターン（３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃ）及び線状パターン（３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃ）の像をその投影光学系を介してその第２面上に投影し、その第２工程において、複数のその線状パターンの像の線幅に基づいてその投影光学系のフレアを求めてもよい。【００１３】  その開口パターンと線状パターンとの間隔によって、その線状パターンの像に対するフレアの影響が異なるため、複数のその線状パターンの像の線幅の計測値を用いることによって、より正確にフレアを計測することができる。
また、その第１工程において、その開口パターン（３８）及びその線状パターン（３９）の像を、互いに重ならないように、かつ間隔を変えながら複数回露光してもよい。このように同一のパターンを多重露光することによって、マスクパターンの製造誤差や、投影光学系中の光束の通過位置の相違によるフレアの計測誤差を低減することができる。【００１４】  また、その第１工程において、その線状パターン（４７Ａ）の像の上に所定の小さい交差角で別の線状パターン（４７Ｂ）の像を重ねて露光し、その第２工程において、その線状パターンの像とその別の線状パターンの像とが重なった部分（４７ＡＰ，４８ＢＰ）の長手方向の幅（ｈ１，ｈｎ）を計測し、この計測結果に基づいてその投影光学系のフレアを求めるようにしてもよい。【００１５】  そのように２つの線状パターンの像を小さい交差角で重ねて露光することによって、得られるパターンの像の長手方向の幅は、その線状パターンの像の線幅を大きく拡大した値となる。従って、実質的にその線状パターンの像の線幅を拡大して高精度に計測することができるため、フレアをより高精度に計測できるか、又はより簡単な計測装置を用いてそのフレアを計測できる。【００１６】  また、本発明において、一例として、その開口パターンの大きさはほぼ数μｍ〜数１００μｍ角であり、その線状パターンの幅はほぼ数１００ｎｍ〜数μｍであり、その開口パターンとその線状パターンとの間隔はほぼ１μｍ〜数１０μｍである。これによって、例えば縮小倍率の投影光学系を用いた場合に、その第２面上で開口パターンの像の周辺にほぼ数１００ｎｍ〜数１０μｍ程度の幅に広がるローカルフレアを正確に計測できる。【００１７】  また、本発明において、その第１工程は、基板（Ｗ）上に感光材料（ＰＲ）を塗布した後、この感光材料上に上層膜（ＴＣ）を塗布する塗布工程（ステップ１０１，１０２）と、その基板の表面をその第２面にほぼ合わせ込んで、その開口パターン及びこの開口パターンに隣接して配置された１本又は複数本の線状パターンの像をその投影光学系を介してその基板の表面に投影する投影工程（ステップ１０３）と、その基板上のその感光材料の現像前ベークを行う予備現像工程（ステップ１０４）と、その基板上のその感光材料の現像を行ってその線状パターンの凹凸の像を形成する現像工程（ステップ１０５）とを含むことが望ましい。【００１８】  このように、感光材料上に上層膜を塗布することによって、現像前ベーク時にその感光材料からの線幅に影響を与える物質の揮発が抑制されるため、現像後の線状パターンの像の線幅は実質的にフレアのみに応じた値となる。従って、感光材料に起因する誤差を排除して、高精度にフレアを計測できる。
この場合、その感光材料の一例は化学増幅型レジストである。また、その上層膜は、その予備現像工程においてその感光材料からの酸の揮発を抑制することが望ましい。化学増幅型レジストを使用することによって、エキシマレーザのような短波長の露光ビームを使用できるため、転写する線状パターンの線幅をより微細化でき、フレア計測精度を向上できる。その際に、その上層膜によって酸の揮発を抑制することで、計測精度の劣化を防止できる。【００１９】  次に、本発明による露光方法は、第１物体（Ｒ）のパターンを投影光学系（ＰＬ）を介して２物体（Ｗ）上に投影露光する露光方法において、本発明のフレア計測方法を用いてその投影光学系のフレアを計測する計測工程と、その計測工程での計測結果に基づいてその投影光学系のフレアを補正する補正工程とを有するものである。
この露光方法によれば、本発明のフレア計測方法を用いることにより、その投影光学系のフレアを正確に計測できる。従って、その補正工程において、例えばその投影光学系中のレンズ等の光学部材の再加工を行うか、又はその光学部材を交換することによって、その投影光学系のフレアを低減することができる。従って、高い線幅均一性が得られる。
また、例えば線幅均一性が悪化したような場合に、本発明の計測工程を実施することで、その原因がその投影光学系のフレアであるか否かを正確に判別できるようになる。更に、フレアの経時変化も正確に計測できるようになる。従って、露光工程で発生するトラブルへの適切な対応が可能になる。【００２０】  また、本発明によるマスクは、投影光学系のフレア計測用のマスクであって、開口パターン（３８Ａ；３８）及びこの開口パターンに隣接して配置された１本又は複数本の線状パターン（３９Ａ；３９）が形成されたものである。このマスクを用いることによって、本発明のフレア計測方法を使用できる。
この場合、一例としてその開口パターンはほぼ数μｍ〜数１００μｍ角の角形パターンであり、その線状パターンは、ラインパターンの幅がほぼ数１００ｎｍ〜数μｍのライン・アンド・スペースパターンであり、その開口パターンとその線状パターンとの間隔はほぼ１μｍ〜数１０μｍである。これによって、特にローカルフレアを正確に計測できる。
【発明の効果】
【００２１】  本発明によれば、線状パターンの投影像の線幅の変化は、ほぼ投影光学系のフレアに起因するため、実質的に投影光学系のフレアのみを正確に計測することができる。
また、感光材料上に上層膜を塗布することによって、例えば高感度の感光材料を用いた場合に、その感光材料に起因するフレア計測精度の劣化を防止できる。
更に、その計測結果に基づいてその投影光学系のフレアを補正することによって、転写パターンの線幅均一性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の実施形態の一例の投影露光装置を示す斜視図である。
【図２】図２は、投影光学系のフレア計測用のテストレチクルのパターンの一例を示す平面図である。
【図３】図３は、図２のテストレチクルのパターンを投影光学系を介してウエハ上に転写して得られるレジスト像を示す平面図である。
【図４】図４は、ウエハ上にフォトレジスト及びトップコートを塗布してから、そのウエハ上にフレア計測用のパターンが形成されるまでのウエハの状態を示す拡大図である。
【図５】図５は、ウエハ上にフォトレジストを塗布してから、そのウエハ上にフレア計測用のパターンが形成されるまでのウエハの状態を示す拡大図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態におけるフレア計測動作の一例を示すフローチャートである。
【図７】図７は、投影光学系の収差が無い状態での、図３のレジスト像のパッド−スペース間距離とスペースパターン像の線幅との関係のシミュレーション結果を示す図である。
【図８】図８は、投影光学系の収差が有る状態での、図３のレジスト像のパッド−スペース間距離とスペースパターン像の線幅との関係のシミュレーション結果を示す図である。
【図９】図９は、投影光学系の収差がより多く有る状態での、図３のレジスト像のパッド−スペース間距離とスペースパターン像の線幅との関係のシミュレーション結果を示す図である。
【図１０】図１０は、その実施形態の一例で使用される別のテストレチクルを示す平面図である。
【図１１】図１１は、図１０のテストレチクルのパターンの一部を投影光学系を介してウエハ上に転写して得られるレジスト像を示す平面図である。
【図１２】図１２は、図１０のテストレチクルのパターンの一部を投影光学系を介してウエハ上に３回転写して得られるレジスト像を示す平面図である。
【図１３】図１３は、図１０のテストレチクルのパターンを投影光学系を介してウエハ上に６回転写して得られるレジスト像を示す平面図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施形態の他の例で使用されるテストレチクルのパターンを示す平面図である。
【図１５】図１５は、図１４のテストレチクルのパターンを投影光学系を介してウエハ上に重ねて転写して得られるレジスト像を示す平面図である。
【図１６】図１６は、ウエハ上に投影されるパターンに付随するローカルフレアを示す模式図である。
【図１７】図１７は、フレアの説明に供するレチクルパターンの一例を示す図である。
【図１８】図１８は、図１７のレチクルパターンを投影光学系を介して転写した後に、現像によって得られるレジスト像を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】  以下、本発明の好ましい実施の形態の一例につき図１〜図１３を参照して説明する。本例は、走査露光型の投影露光装置に装着される投影光学系のフレアを計測する場合に本発明を適用したものである。投影光学系のフレアは、例えば投影光学系の組立調整時に、照明光学系と、マスク及びウエハを保持する簡単なステージ機構とを備える検査装置を用いても計測することができる。以下では、実際の投影露光装置を検査装置として使用するものとして説明する。このような実際の投影露光装置を用いるフレアの計測は、例えば露光工程において線幅均一性が低下したような場合に、その要因を解析するために行うことができる。【００２４】  図１は、フレアが計測される投影光学系ＰＬが装着された投影露光装置の概略構成を示し、この図１において、露光光源６としてはＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）が使用されている。なお、露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ光源（波長２４７ｎｍ）、Ｆ２レーザ光源（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ光源（波長１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ光源（波長１２６ｎｍ）などの紫外パルスレーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）なども使用することができる。【００２５】  露光時に露光光源６からパルス発光された露光ビームとしての露光光（露光用の照明光）ＩＬは、ミラー７、不図示のビーム整形光学系、第１レンズ８Ａ、ミラー９、及び第２レンズ８Ｂを経て断面形状が所定形状に整形されて、オプティカル・インテグレータ（ユニフォマイザ又はホモジナイザ）としてのフライアイレンズ１０に入射して、照度分布が均一化される。フライアイレンズ１０の射出面（照明光学系の瞳面）には、露光光の光量分布を円形、複数の偏心領域、輪帯状などに設定して照明条件を決定するための開口絞り（σ絞り）１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄを有する照明系開口絞り部材１１が、駆動モータ１２によって回転自在に配置されている。照明系開口絞り部材１１中の開口絞りを通過した露光光ＩＬは、反射率の小さいビームスプリッタ１４及びリレーレンズ１７Ａを経て、固定視野絞りとしての固定ブラインド１８Ａ及び可動視野絞りとしての可動ブラインド１８Ｂを順次通過する。この場合、可動ブラインド１８Ｂは、マスクとしてのレチクルＲのパターン面（レチクル面）とほぼ共役な面に配置され、固定ブラインド１８Ａは、そのレチクル面と共役な面から僅かにデフォーカスされた面に配置されている。【００２６】  固定ブラインド１８Ａは、レチクル面の照明領域２１ＲをレチクルＲの走査方向に直交する非走査方向に細長いスリット状の領域に規定するために使用される。可動ブラインド１８Ｂは、レチクルＲの走査方向及び非走査方向に対応する方向にそれぞれ相対移動自在な２対のブレードを備え、露光対象の各ショット領域への走査露光の開始時及び終了時に不要な部分への露光が行われないように、照明領域を走査方向に閉じるために使用される。可動ブラインド１８Ｂは、更に照明領域の非走査方向の中心及び幅を規定するためにも使用される。ブラインド１８Ａ，１８Ｂを通過した露光光ＩＬは、サブコンデンサレンズ１７Ｂ、光路折り��げ用のミラー１９、及びメインコンデンサレンズ２０を経て、マスクとしてのレチクルＲのパターン領域の照明領域２１Ｒを均一な照度分布で照明する。【００２７】  一方、ビームスプリッタ１４で反射された露光光は、集光レンズ１５を介して光電センサよりなるインテグレータセンサ１６に受光される。インテグレータセンサ１６の検出信号は露光量制御系３に供給され、露光量制御系３は、その検出信号と予め計測されているビームスプリッタ１４から基板（感光基板）としてのウエハＷまでの光学系の透過率とを用いてウエハＷ上での露光エネルギーを間接的に算出する。露光量制御系３は、その算出結果の積算値及び装置全体の動作を統轄制御する主制御系１からの制御情報に基づいて、ウエハＷ上で適正露光量が得られるように露光光源６の発光動作を制御する。露光光源６、ミラー７，９、レンズ８Ａ，８Ｂ、フライアイレンズ１０、照明系開口絞り部材１１、ビームスプリッタ１４、リレーレンズ１７Ａ、ブラインド１８Ａ，１８Ｂ、サブコンデンサレンズ１７Ｂ、ミラー１９、及びメインコンデンサレンズ２０を含んで照明光学系５が構成されている。【００２８】  露光光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明領域２１Ｒ内のパターンは、両側テレセントリックの投影光学系ＰＬを介して投影倍率β（βは１／４，１／５等）で、レジストが塗布されたウエハＷ上の一つのショット領域ＳＡ上の非走査方向に細長いスリット状の露光領域２１Ｗに投影される。ウエハＷは、例えば半導体（シリコン等）又はＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）等の直径が２００〜３００ｍｍ程度の円板状の基板である。レチクルＲのパターン面（レチクル面）及びウエハＷの表面（ウエハ面）がそれぞれ投影光学系の第１面（物体面）及び第２面（像面）に対応している。また、レチクルＲ及びウエハＷをそれぞれ第１物体及び第２物体（感応物体）とみなすこともできる。以下、図１において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向に直交する非走査方向にＸ軸を取り、その走査方向にＹ軸を取って説明する。【００２９】  先ず、レチクルＲはレチクルステージ（可動体）２２上に保持され、レチクルステージ２２はレチクルベース２３上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、後述するウエハステージ２８との同期誤差を補正するようにＸ方向、Ｙ方向、回転方向に微動して、レチクルＲの走査を行う。レチクルステージ２２の位置は、この上に設けられた移動鏡（不図示）及びレーザ干渉計（不図示）によって計測され、この計測値及び主制御系１からの制御情報に基づいて、ステージ駆動系２は不図示の駆動機構（リニアモータなど）を介してレチクルステージ２２の位置及び速度を制御する。本例では前述したレチクルステージ２２、ステージ駆動系２、駆動機構、及びレーザ干渉計によってレチクルステージシステムが構成されている。また、レチクルＲの周辺部の上方には、レチクルアライメント用のレチクルアライメント顕微鏡（不図示）が配置されている。また、レチクルステージ２２の近傍には、不図示であるがレチクルステージ２２上のレチクルを交換するレチクルローダ、及び複数のレチクルが収納されたレチクルライブラリが設置されている。【００３０】  一方、ウエハＷは、ウエハホルダ２４を介してウエハステージ２８上に保持され、ウエハステージ２８はウエハベース２７上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、Ｘ方向、Ｙ方向にステップ移動するＸＹステージ２６と、Ｚチルトステージ２５とを備えている。Ｚチルトステージ２５は、不図示のオートフォーカスセンサによるウエハＷのＺ方向の位置の計測値に基づいて、ウエハＷのフォーカシング及びレベリングを行う。ウエハステージ２８のＸＹ平面内での位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の回りの回転角はレーザ干渉計（不図示）によって計測され、この計測値及び主制御系１からの制御情報に基づいて、ステージ駆動系２は不図示の駆動機構（リニアモータなど）を介してウエハステージ２８の動作を制御する。本例では前述したウエハホルダ２４、ウエハステージ（可動体）２８、ステージ駆動系２、駆動機構、及びレーザ干渉計によってウエハステージシステムが構成されている。【００３１】  更に、ウエハステージ２８上のウエハＷの近傍には、露光領域２１Ｗよりも大きい受光面３０Ｂを有する照射量モニタと、ピンホール状の受光面３０Ａを有する照度センサとを含む光量センサ部２９が固定され、光量センサ部２９の２つの検出信号は露光量制御系３に供給されている。また、ウエハステージ２８の上方には、ウエハアライメント用のオフ・アクシス方式のアライメントセンサ３６が配置されており、この検出結果に基づいて主制御系１はウエハＷのアライメントを行う。【００３２】  露光時には、レチクルステージ２２及びウエハステージ２８を駆動して、露光光ＩＬを照射した状態でレチクルＲとウエハＷ上の一つのショット領域とをＹ方向に同期走査する動作と、ウエハステージ２８を駆動してウエハＷをＸ方向、Ｙ方向にステップ移動する動作とが繰り返される。これによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の各ショット領域にレチクルＲのパターン像が露光される。【００３３】  次に、本例の投影光学系ＰＬのフレアを計測する場合の動作の一例につき、図６のフローチャートを参照して説明する。そのフレア計測動作は、次のように大きく第１工程及び第２工程に分けられる。投影光学系のフレアには、前述のように、光学部材の表面やコーティング膜で小さい角度範囲で発生する前方散乱光に起因するいわゆるローカルフレアと、光学部材表面のコーティングでの反射に起因するいわゆるロングレンジフレアとがあり、以下ではローカルフレアを計測対象とする。なお、例えば後述のテストレチクルのパターンの変更等によって、ロングレンジフレアも同様に計測することができる。【００３４】  ［第１工程］
本例では、図１のレチクルステージ２２上に、図２に示すフレア計測用のマスクとしてのテストレチクルＲ２をロードする。図２（以下の図３、図１０〜図１３も同様）のＸ方向及びＹ方向はそれぞれ図１のＸ方向（非走査方向）及びＹ方向（走査方向）に対応している。【００３５】  図２において、テストレチクルＲ２のパターン領域にはクロム等の遮光膜４１を背景として、Ｘ方向の幅ＤでＹ方向の高さＨの四角形の開口パターンよりなるパッドパターン３８Ａが形成されている。また、遮光膜４１中でパッドパターン３８ＡにＸ方向に近接して間隔ｒ１で、それぞれＸ方向の幅ｄでＹ方向を長手方向とする長方形の開口パターンよりなる８本のスペースパターン４０をＸ方向にピッチＰで配列したライン・アンド・スペースパターン（以下、「Ｌ＆Ｓパターン」と言う）３９Ａが形成されている。Ｌ＆Ｓパターン３９Ａが線状パターンに対応している。なお、Ｌ＆Ｓパターン３９Ａのスペースパターン４０の本数は１本以上の任意であり、Ｌ＆Ｓパターン３９Ａが１本のスペースパターン４０（孤立線）からなる場合には、スペースパターン４０が線状パターンに対応する。また、Ｌ＆Ｓパターン３９Ａとしては、２本以上の長方形の遮光パターンをＸ方向に配列した線状パターンを用いてもよい。【００３６】  本例では、パッドパターン３８Ａの幅Ｄと幅Ｈとは互いに等しく、それぞれ数μｍ〜数１００μｍ程度に設定されている。即ち、パッドパターン３８Ａは正方形の開口パターンである。但し、パッドパターン３８Ａの幅Ｄと幅Ｈとは、それぞれ数μｍ〜数１００μｍ程度の範囲内で異なる値に設定してもよい。また、Ｌ＆Ｓパターン３９Ａを構成するスペースパターン４０のＸ方向の幅ｄは、数１００ｎｍ〜数μｍ程度であり、スペースパターン４０のＹ方向の長さは幅ｄの数１０倍程度、即ち数μｍ〜数１０μｍ程度である。なお、図２の例ではスペースパターン４０のＹ方向の長さは、パッドパターン３８ＡのＹ方向の高さＨとほぼ等しく設定してあるが、両者は異なってもよい。そして、スペースパターン４０の配列のピッチＰは、ほぼ幅ｄの２倍である。【００３７】  更に、テストレチクルＲ２の遮光膜４１中には、パッドパターン３８Ａ及びＬ＆Ｓパターン３９Ａに対してＹ方向に数μｍ程度の間隔でパッドパターン３８Ｂ及びＬ＆Ｓパターン３９Ｂが形成され、このパッドパターン３８Ｂ及びＬ＆Ｓパターン３９Ｂに対してＹ方向に数μｍ程度の間隔でパッドパターン３８Ｃ及びＬ＆Ｓパターン３９Ｃが形成されている。パッドパターン３８Ｂ及び３８Ｃはそれぞれパッドパターン３８Ａと同一形状の開口パターンであり、Ｌ＆Ｓパターン３９Ｂ及び３９Ｃは、それぞれＬ＆Ｓパターン３９Ａと同一構成のパターン（８本のスペースパターン４０をＸ方向にピッチＰで配列したもの）である。但し、上部のパッドパターン３８ＡとＬ＆Ｓパターン３９ＡとのＸ方向の間隔ｒ１に対して、中央のパッドパターン３８ＢとＬ＆Ｓパターン３９ＢとのＸ方向の間隔ｒ２は数倍に設定され、その間隔ｒ２に対して下部のパッドパターン３８ＣとＬ＆Ｓパターン３９ＣとのＸ方向の間隔ｒ３は１０倍程度に設定されている。一例として、間隔ｒ１は１μｍ程度、間隔ｒ２は数μｍ程度、間隔ｒ３は数１０μｍ程度である。【００３８】  次に、図６のステップ１０１において、不図示のレジストコータを用いて図４（Ａ）に示すように、フレア評価用の基板としてのウエハ（これをウエハＷとする）の高い平面度を有する上面に感光材料としてのフォトレジストＰＲを塗布する。本例では露光ビームとしてＡｒＦエキシマレーザ光が使用されるため、そのフォトレジストＰＲとしては、高感度レジストである化学増幅型レジストが使用される。次のステップ１０２において、例えば別のコータを用いて、ウエハＷ上のフォトレジストＰＲ（本例では化学増幅型レジスト）上に、後述のＰＥＢ（Ｐｏｓｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）時のフォトレジストからの酸の揮発を抑制するための上層膜としてのトップコートＴＣを重ねて塗布する。一例として、フォトレジストＰＲの厚さは１００〜２００ｎｍ程度、トップコートＴＣの厚さは１００ｎｍ程度である。なお、図４（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）はそれぞれウエハＷの一部の拡大側面図を示しているが、ウエハＷ以外の部分の厚さ方向の倍率が大きく設定されている。【００３９】  次に、図６のステップ１０３において、フォトレジストＰＲ及びトップコートＴＣが重ねて塗布された未露光のウエハＷを、図１のウエハステージ２８上のウエハホルダ２４上にロードする。そして、通常の露光時と同様に図１の投影露光装置を用いて、図２のテストレチクルＲ２のパターン（フレア評価用パターン）を投影光学系ＰＬを介して走査露光方式でウエハＷ上の一つのショット領域上に転写露光する。この際に、ウエハＷ上の複数のショット領域上にそれぞれテストレチクルＲ２のパターンを転写露光してもよい。例えば図２のテストレチクルＲ２のパッドパターン３８Ａ及びＬ＆Ｓパターン３９Ａにそれぞれ対応する投影像の結像光束３８Ａ１及び３９Ａ１を含む露光光ＩＬは、図４（Ｂ）に示すように、ウエハＷ上のフォトレジストＰＲ及びトップコートＴＣを露光する。なお、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）において、露光量の多い部分には細かい斜線を施し、露光量の殆ど無い部分には粗い斜線を施した。【００４０】  そして、露光終了後に、ステップ１０４に移行して、不図示のベーキング装置において、その露光されたウエハＷのフォトレジストＰＲの現像前ベークであるＰＥＢを行う。本例の露光ビームは単一波長のＡｒＦエキシマレーザ光であるため、定在波効果によるレジストパターンの変形を軽減するためにＰＥＢが必要となる。なお、図４（Ｃ）に示すように、ＰＥＢによる加熱処理によって化学増幅型レジストであるフォトレジストＰＲの露光量の多い部分には酸５０が発生するが、この酸５０の揮発はトップコートＴＣによって抑制される。従って、Ｌ＆Ｓパターン３９Ａを通過した露光光３９Ａ１によって露光された部分にその酸５０が付着することは防止される。次のステップ１０５において、不図示の現像装置において、そのＰＥＢが行われたウエハＷのフォトレジストＰＲの現像を行う。これによって、ウエハＷ上の一つ又は複数のショット領域に図２のテストレチクルＲ２のパターンの投影像に対応する凹凸のレジスト像が形成される。【００４１】  具体的に、フォトレジストＰＲをポジ型であるとすると、図４（Ｄ）のウエハＷ上には、図２のパッドパター��３８Ａの像に対応する凹のレジスト像３８ＡＰ、及び図２のＬ＆Ｓパターン３９Ａの像に対応する周期的な凹のレジスト像３９ＡＰが形成される。後述のように本例では、レジスト像３９ＡＰ中の最もレジスト像３８ＡＰに近いスペースパターン像４０Ａの線幅ｄＰ１が計測される。この際に、本例では図４（Ｃ）のフォトレジストＰＲ中で発生した酸５０は、他の部分には付着しないため、スペースパターン像４０Ａの線幅ｄＰ１には、酸５０の揮発による変化分は生じていない。従って、化学増幅型レジストを使用しても、フレア（特にローカルフレア）によるレジストパターンの線幅の変化のみを計測でき、その結果としてフレアを高精度に計測できる。【００４２】  これに対して、比較のために、上記のステップ１０２のトップコートの塗布工程を省略した場合の、図４に対応するウエハＷの状態の変化を図５（Ａ）（レジスト塗布）、図５（Ｂ）（露光）、図５（Ｃ）（ＰＥＢ）、及び図５（Ｄ）（現像）に示す。この場合、トップコートが無いため、図５（Ｃ）に示すように、化学増幅型レジストよりなるフォトレジストＰＲのＰＥＢ（Ｐｏｓｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行うと、露光量の多いパッドパターン（開口パターン）の像の部分で発生した酸５０が揮発し、この揮発した酸５０が、パッドパターンの像に近接したＬ＆Ｓパターンの像の部分に混入する。そのため、フォトレジストＰＲの現像後に、図５（Ｄ）に示すように、レジスト像３８ＡＰに近接しているスペースパターン像４０Ａ１の線幅ｄＱ１は、本来の線幅よりも狭くなり、フレアの計測精度が低下する。【００４３】  なお、本例では露光ビームとしてエキシマレーザ光を用い、感光材料として化学増幅型レジストを用いているため、酸の揮発を抑制するためにトップコートを用いている。しかしながら、例えば、酸の揮発量の少ないフォトレジストを用いる場合、Ｌ＆Ｓパターンの像の線幅が大きく酸の揮発の影響が少ない場合、又は露光ビームとして水銀ランプの輝線（ｉ線等）を用いる場合などでは、トップコートを省略しても、フレアを高精度に計測することができる。【００４４】  ［第２工程］
次に、図６のステップ１０６において、現像で形成されたレジストパターンの線幅を計測する。以下では、その線幅計測によってフレアが計測できる原理から説明する。
図３は、図２のテストレチクルＲ２のパターン像の転写及び現像によってウエハＷ上に形成されるレジスト像を示す。図１の投影光学系ＰＬは反転投影を行うが、説明の便宜上図３においては、正立像が投影されるものとしている。また、ウエハＷ上のレジストはポジ型又はネガ型のどちらでもよいが、ここではポジ型であるとすると、図２の遮光膜４１に対応する図３の背景部４１Ｐはレジストが残された凸の部分である。また、図３において、ウエハＷ上には図２のパッドパターン３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃの像に対応する四角形の凹のレジスト像３８ＡＰ，３８ＢＰ，３８ＣＰが形成され、図２のＬ＆Ｓパターン３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃの像に対応するＬ＆Ｓパターン状の凹のレジスト像３９ＡＰ，３９ＢＰ，３９ＣＰが形成されている。このとき、投影光学系ＰＬのレチクルからウエハへの投影倍率βを用いると、レジスト像３８ＡＰ及び３９ＡＰ、レジスト像３８ＢＰ及び３９ＢＰ、並びにレジスト像３８ＣＰ及び３９ＣＰのＸ方向の間隔は、それぞれ図２の対応する間隔ｒ１，ｒ２，及びｒ３のほぼβ倍となる。また、仮に投影光学系ＰＬのフレアが無いものとすると、レジスト像３９ＡＰ，３９ＢＰ，３９ＣＰを構成する凹部よりなる各スペースパターン像のＸ方向の幅は、図２のスペースパターン４０の幅ｄのβ倍となる。【００４５】  しかしながら、投影光学系ＰＬにおいてローカルフレアが発生しているものとすると、ローカルフレアは図２のパッドパターン３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃの像に対応する図３のレジスト像３８ＡＰ，３８ＢＰ，３８ＣＰに近い領域ほど多くなる。従って、上部のレジスト像３８ＡＰ及び３９ＡＰの間隔が最も狭く、下部のレジスト像３８ＣＰ及び３９ＣＰの間隔が最も広いため、ローカルフレアの量は上部のレジスト像３９ＡＰ、中央のレジスト像３９ＢＰ、下部のレジスト像３９ＣＰの順に少なくなる。即ち、図３の上部のレジスト像３８ＡＰにＸ方向に近接するレジスト像３９ＡＰ中でも、更に最もレジスト像３８ＡＰに近いスペースパターン像４０Ａでは、最も多くローカルフレアをかぶるため、現像後の線幅ｄＰ１は本来の幅β・ｄよりもかなり広くなる。一方、下部のレジスト像３８ＣＰにＸ方向に近接するレジスト像３９ＣＰ中の、最もレジスト像３８ＣＰに近いスペースパターン像４０Ｃでは、ローカルフレアは殆ど届かないため、現像後の線幅ｄＰ３はほぼ本来の幅β・ｄと同じになる。そして、中央のレジスト像３８ＢＰにＸ方向に近接するレジスト像３９ＢＰ中の、最もレジスト像３８ＢＰに近いスペースパターン像４０Ｂでは、ローカルフレアの量は上下のスペースパターン像４０Ａ及び４０Ｃのほぼ中間となるため、現像後の線幅ｄＰ２は上下の線幅ｄＰ１及びｄＰ３のほぼ中間となる。従って、以下の関係が成立する。【００４６】  ｄＰ１＞ｄＰ２＞ｄＰ３≒β・ｄ  …（１）
また、ローカルフレアの量が多くなる程、スペースパターン像４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃの線幅変化は大きくなるため、それらの線幅の計測値からローカルフレアの量を評価する（求める）ことができる。そこで、本例では例えば走査型電子顕微鏡を用いて、図３の現像後のレジスト像中の３個のスペースパターン像４０Ａ，４０Ｂ，４０ＣのＸ方向の線幅ｄＰ１，ｄＰ２，ｄＰ３を高精度に計測する。この際に、ウエハＷ上の複数のショット領域にそれぞれ図２のテストレチクルＲ２のパターンを転写した場合には、その複数のショット領域のそれぞれでスペースパターン像４０Ａ，４０Ｂ，４０ＣのＸ方向の線幅ｄＰ１，ｄＰ２，ｄＰ３を計測し、これらの計測結果の平均値をスペースパターン像４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃの線幅としてもよい。これによって、露光誤差及び計測誤差等が平均化されて、計測精度が向上する。なお、ウエハＷ上のレジストがネガ型の場合には、図３のレジスト像の凹凸が反転するだけで、（１）式の線幅の関係は同じである。【００４７】  次に、図６のステップ１０７において、投影光学系ＰＬのローカルフレアの計測（評価）を行う。このために、投影光学系ＰＬのローカルフレアの量とスペースパターン像４０Ａ〜４０Ｃの線幅との関係について、本発明者がコンピュータのシミュレーションを行って求めた結果を図７〜図９を参照して説明する。
図７、図８、図９の横軸は、図２のテストレチクルＲ２上のパッドパターン３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃと、対応するＬ＆Ｓパターン３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃ中の最もパッドパターンに近いスペースパターン４０とのＸ方向の間隔（パッド−スペース間距離）ｒ１，ｒ２，ｒ３（ｎｍ）を示し、それらの縦軸は、図３のレジスト像中で最もパッドパターンのレジスト像３８ＡＰ，３８ＢＰ，３８ＣＰに近いスペースパターン像４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃの線幅ｄＰ１，ｄＰ２，ｄＰ３（ｎｍ）を示している。【００４８】  また、シミュレーションに際して、図１の露光光ＩＬの波長λは１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレーザ）、検査対象の投影光学系ＰＬの開口数ＮＡは０．７８．照明光学系５のコヒーレンスファクタであるσ値は０．８５とした。また、図２のパッドパターン３８Ａの幅Ｄ及び高さＨは共に１μｍ、Ｌ＆Ｓパターン３９Ａのスペースパターン４０の幅ｄは１４０ｎｍとした。なお、これらの幅Ｄ、高さＨ、及び幅ｄの値は、投影光学系ＰＬによる投影像での値である。そして、ｎ次（ｎは１以上の整数）のＺｅｒｎｉｋｅ  Ｐｏｌｙｎｏｍｉａｌ（ゼルニケの多項式）をＺｎで表して、本例では投影光学系ＰＬの収差をＺｅｒｎｉｋｅ  Ｐｏｌｙｎｏｍｉａｌの３７次まで（Ｚ１〜Ｚ３７）の波面収差の全体のＲＭＳ（Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ）で表し、投影光学系ＰＬのローカルフレアをＺｅｒｎｉｋｅ  Ｐｏｌｙｎｏｍｉａｌの３８次（Ｚ３８）以上の高次の波面収差の全体のＲＭＳで表した。なお、波面収差の単位は露光波長λである。【００４９】  具体的に、本例では投影光学系ＰＬの収差、即ちＺｅｒｎｉｋｅ  Ｐｏｌｙｎｏｍｉａｌの３７次まで（Ｚ１〜Ｚ３７）の波面収差の全体のＲＭＳが０ｍλ、１３ｍλ、及び２６ｍλの場合について、パッド−スペース間距離に対するスペースパターン像の線幅を計算した。それぞれ、図７が収差としてのＲＭＳ＝０ｍλ、図８が収差としてのＲＭＳ＝１３ｍλ、図９が収差としてのＲＭＳ＝２６ｍλの場合の計算結果である。また、それぞれの収差状態について、投影光学系ＰＬのローカルフレア、即ちＺｅｒｎｉｋｅ  Ｐｏｌｙｎｏｍｉａｌの３８次（Ｚ３８）以上の高次の波面収差の全体のＲＭＳが０ｍλ、１０ｍλ、及び２０ｍλの場合について、パッド−スペース間距離に対するスペースパターン像の線幅を計算した。図７、図８、図９においてそれぞれ実線の曲線４２Ａ，４３Ａ，４４ＡがローカルフレアとしてのＲＭＳ＝０ｍλの場合、破線の曲線４２Ｂ，４３Ｂ，４４ＢがローカルフレアとしてのＲＭＳ＝１０ｍλの場合、点線の曲線４２Ｃ，４３Ｃ，４４ＣがローカルフレアとしてのＲＭＳ＝２０ｍλの場合の計算結果である。【００５０】  図７〜図９の計算結果より、パッド−スペース間距離が短くなると、ローカルフレアのないときの曲線４２Ａ，４３Ａ，４４Ａに比べて、ローカルフレアが生じたときの曲線４２Ｂ，４３Ｂ，４４Ｂは大きく上方に変化し（線幅が太くなり）、更にローカルフレアが大きくなったときの曲線４２Ｃ，４３Ｃ，４４Ｃは更に大きく上方に変化している（線幅が更に太くなっている）ことが分かる。即ち、パッド−スペース間距離が短くなって図２のパッドパターン３８Ａ〜３８ＣがＬ＆Ｓパターン３９Ａ〜３９��に近づくにつれ、Ｌ＆Ｓパターン３９Ａ〜３９Ｃの最もパッドパターン３８Ａ〜３８Ｃに近いスペースパターンのレジスト像の線幅は太くなってくることが分かる。更に、図７の曲線４２Ａ〜４２Ｃ、図８の曲線４３Ａ〜４３Ｃ、及び図９の曲線４４Ａ〜４４Ｃは互いにほぼ同じ傾向であることから、本例のスペースパターンのレジスト像の線幅の変化は、投影光学系ＰＬの収差（Ｚ１〜Ｚ３７のＲＭＳ）には実質的に影響されず、主に投影光学系ＰＬのローカルフレア（Ｚ３８以上のＲＭＳ）によって発生していることが分かる。つまり、このスペースパターン像の線幅計測の結果は、実質的にローカルフレアに起因する線幅変化のみを表していることになる。【００５１】  そこで、上記のように走査型電子顕微鏡によって図３のスペースパターン像４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃの線幅ｄＰ１，ｄＰ２，ｄＰ３を計測した後、それぞれ対応する図２のパッド−スペース間距離ｒ１，ｒ２，ｒ３を例えば図７の横軸上の位置として、線幅ｄＰ１，ｄＰ２，ｄＰ３をその縦軸の位置としてプロットする。次に、それらのプロットした点を曲線４２Ａ〜４２Ｃに対して補間することによって、対応する線幅ｄＰ１，ｄＰ２，ｄＰ３が示す投影光学系ＰＬのローカルフレア（Ｚ３８以上のＲＭＳ）ＬＦ１，ＬＦ２，ＬＦ３を、本例ではほぼ０ｍλ〜２０ｍλの範囲内で定量的に正確に求めることができる。このように線幅の計測値からローカルフレアを求める処理は、例えば不図示のホストコンピュータ（フレアを求めるための演算装置）によって実行される。この場合、３個のローカルフレアのＬＦ１，ＬＦ２，ＬＦ３の平均値を投影光学系ＰＬのローカルフレアとしてもよい。このように平均化することによって、計測精度が向上する場合がある。また、パッド−スペース間距離が最も短い場合が最もスペースパターン像の線幅の変化が大きい（検出感度が高い）ため、パッド−スペース間距離が最も短い場合の線幅の計測結果のみからローカルフレアを求めてもよい。【００５２】  上記のように本例によれば、投影光学系ＰＬの収差の発生に対してはレジスト像の線幅の変化が殆ど無く、投影光学系ＰＬのローカルフレアの発生に対してはレジスト像の線幅の変化が大きいレチクルパターンを用いているため、このレチクルパターンを使ってレジスト像の線幅（又は線幅の変化）を計測するだけで、投影光学系ＰＬのローカルフレアの量を正確に計測することができる。【００５３】  なお、本例においては、図２のテストレチクルＲ２のパターンを１回の露光でウエハ上に転写しているため、テストレチクルＲ２の描画誤差によるパターン線幅の誤差が、レジスト像の線幅の計測結果に混入して、ローカルフレアの計測誤差を生ずる恐れがある。そこで、レチクルパターンの線幅誤差（描画誤差）によるローカルフレアの計測誤差を排除するため、以下の図１０〜図１３を参照して説明するような重ね露光を適用してもよい。【００５４】  ［第１工程の変形例］
この上記の第１工程に対する変形例では、図１のレチクルステージ２２上に、図１０に示すフレア計測用のマスクとしてのテストレチクルＲ３をロードする。
図１０において、テストレチクルＲ３のパターン領域をＸ方向に挟むように１対の２次元のアライメントマーク４５Ａ及び４５Ｂが形成されている。また、テストレチクルＲ３のパターン領域にはクロム等の遮光膜４６を背景として、Ｘ方向の幅ＤでＹ方向の高さＨの四角形の開口パターンよりなるパッドパターン３８が形成されている。また、遮光膜４６中でパッドパターン３８にＸ方向に近接して例えば数ｍｍの間隔で、Ｘ方向の幅ｄでＹ方向を長手方向とする長方形の開口パターンよりなる８本のスペースパターン４０をＸ方向にピッチＰで配列したＬ＆Ｓパターン３９が形成されている。Ｌ＆Ｓパターン３９が線状パターンに対応している。パッドパターン３８及びＬ＆Ｓパターン３９の形状は、それぞれ図２のパッドパターン３８Ａ及びＬ＆Ｓパターン３９Ａと同じであり、ここでは幅Ｄは高さＨと等しく設定されている。また、アライメントマーク４５Ａ，４５Ｂとパッドパターン３８及びＬ＆Ｓパターン３９との位置関係は、図１の主制御系１に露光データとして記憶されている。【００５５】  次に、図１のウエハステージ２８上のウエハホルダ２４上にレジストの塗布された未露光のウエハ（これをウエハＷ１とする）をロードする。そして、先ず図１の不図示のレチクルアライメント顕微鏡を用いて図１０のアライメントマーク４５Ａ，４５Ｂの位置を検出することによって、テストレチクルＲ３のアライメントを行う。次に、図１の可動ブラインド１８Ｂの非走査方向の幅を調整することによって、露光光ＩＬの照明領域が図１０の照明領域２１ＲＡで示すように、Ｙ方向への走査露光時にＬ＆Ｓパターン３９のみを照明するように設定する。この照明状態で、通常の露光時と同様に図１の投影露光装置を用いて、図１０のテストレチクルＲ３のＬ＆Ｓパターン３９のみを投影光学系ＰＬを介して走査露光方式でウエハＷ１上の第１のショット領域上に転写露光する。この際に、ウエハＷ１上の他の複数の第２、第３等のショット領域上にもそれぞれＬ＆Ｓパターン３９を転写露光してもよい（以下同様）。これによって、図１１に示すように、ウエハＷ１上の第１のショット領域にＬ＆Ｓパターン３９の第１のレジスト像３９ＡＰが転写される。【００５６】  次に、ウエハＷ１をＹ方向にレジスト像３９ＡＰのＹ方向の幅及び数μｍの幅だけステップ移動させた後、同様に図１０のテストレチクルＲ３のＬ＆Ｓパターン３９のみを投影光学系ＰＬを介して走査露光方式でウエハＷ１上の第１のショット領域上に転写露光する。次に、再びウエハＷ１をＹ方向にレジスト像３９ＡＰのＹ方向の幅及び数μｍの幅だけステップ移動させた後、同様に図１０のテストレチクルＲ３のＬ＆Ｓパターン３９のみを投影光学系ＰＬを介して走査露光方式でウエハＷ１上の第１のショット領域上に転写露光する。これによって、図１２に示すように、ウエハＷ１上の第１のショット領域にＬ＆Ｓパターン３９の第１、第２、及び第３のレジスト像３９ＡＰ，３９ＢＰ，３９ＣＰがＹ方向に数μｍ間隔で転写される。【００５７】  次に、図１の可動ブラインド１８Ｂの非走査方向の幅を調整することによって、露光光ＩＬの照明領域が図１０の照明領域２１ＲＢで示すように、Ｙ方向への走査露光時にパッドパターン３８のみを照明するように設定する。また、図１２のウエハＷ１を、パッドパターン３８が図３のレジスト像３８ＡＰの位置関係で投影されるようにＸ方向、Ｙ方向にステップ移動した後、通常の露光時と同様に図１の投影露光装置を用いて、図１０のテストレチクルＲ３のパッドパターン３８のみを投影光学系ＰＬを介して走査露光方式でウエハＷ１上の第１のショット領域上に転写露光する。同様にして、ウエハＷ１の位置を順次、パッドパターン３８が図３のレジスト像３８ＢＰ及び３８ＣＰの位置関係で投影されるようにＸ方向、Ｙ方向にステップ移動して、それぞれ図１０のテストレチクルＲ３のパッドパターン３８のみを投影光学系ＰＬを介して走査露光方式でウエハＷ１上の第１のショット領域上に転写露光する。これによって、図１３に示すように、ウエハＷ１上の第１のショット領域にレジスト像３９ＡＰ，３９ＢＰ，３９ＣＰにＸ方向に近接するようにパッドパターン３８の第１、第２、第３のレジスト像３８ＡＰ，３８ＢＰ，３８ＣＰが転写される。また、この図１３のレジスト像３８ＡＰ〜３８ＣＰとレジスト像３９ＡＰ〜３９ＣＰとの位置関係は、図３のレジスト像３８ＡＰ〜３８ＣＰとレジスト像３９ＡＰ〜３９ＣＰとの位置関係と実質的に同一である。即ち、上部のレジスト像３８ＡＰ及び３９ＡＰのＸ方向の間隔が最も狭く、中央のレジスト像３８ＢＰ及び３９ＢＰの間隔、並びに下部のレジスト像３８ＣＰ及び３９ＣＰの間隔は次第に広くなっている。【００５８】  そして、露光終了後に、不図示の現像装置においてその露光されたウエハＷ１の現像を行う。これによって、ウエハＷ１上の一つ又は複数のショット領域に図１３のレジスト像に対応する凹凸のレジスト像が形成される。【００５９】  ［第２工程の変形例］
ここでは、上記の実施形態の第２工程と同様に、例えば走査型電子顕微鏡を用いて、図１３のウエハＷ１上のＬ＆Ｓパターン３９のレジスト像３９ＡＰ，３９ＢＰ，３９ＣＰ中で最もパッドパターン３８のレジスト像３８ＡＰ，３８ＢＰ，３８ＣＰに近いスペースパターン像４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃに対応するレジスト像のＸ方向の線幅を計測する。そして、この計測結果を例えば図７のシミュレーションに当てはめることによって、投影光学系ＰＬのローカルフレアの量を正確に求めることができる。【００６０】  この変形例では、図１３のレジスト像３９ＡＰ〜３９ＣＰの原版パターンとしては同一の図１０のＬ＆Ｓパターン３９を用いているため、図７のパッド−スペース間距離の変化によるスペースパターン像の線幅変化の中に、レチクルパターンの線幅誤差（描画誤差）による変化分は入らなくなる。よって、より正確に投影光学系ＰＬのローカルフレアによる線幅変化分だけを計測できる。更に、例えば２重露光時に、ローカルフレアの影響で露光量の多い部分が発生してＬ＆Ｓパターンの線幅が変化する等の理由により、ローカルフレアをより高精度に計測できる場合もあり得る。【００６１】  なお、上記の実施形態では、投影光学系ＰＬのローカルフレアを計測している。しかしながら、例えば図２において、パッドパターン３８ＣとＬ＆Ｓパターン３９ＣとのＸ方向の間隔を広くした計測用パターンを用いて、そのＬ＆Ｓパターン３９Ｃのレジスト像の線幅の変化を計測することによって、投影光学系ＰＬの光学部材のコーティング膜での反射に起因するロングレンジフレアを求めることができる可能性もある。【００６２】  また、上記の実施形態では、現像後のレジスト像の線幅を計測しているが、例えばウエハ上に塗布されたレジスト像（潜像）の段階でその線幅を計測するようにしてもよい。この際に感光材料（感光体）として熱感光樹脂などを用いてもよい。
また、図１の投影露光装置のレチクルステージ２２を静止させて、例えば図２のテストレチクルＲ２のパッドパターン３８Ａ及びＬ＆Ｓパターン３９Ａの像（このＹ方向の一部の像でもよい）を、図１の投影光学系ＰＬを介してウエハステージ２８上に投影した状態で、ウエハステージ２８をＸ方向に移動させて、光量センサ部２９のピンホール状の受光面３０ＡでＬ＆Ｓパターン３９Ａの像をＸ方向に走査して、その検出信号からＬ＆Ｓパターン３９Ａの像（空間像）の線幅を直接計測してもよい。この線幅の計測結果を図７のシミュレーション結果に適用しても、投影光学系ＰＬのローカルフレアの量を大まかに求めることができる。更に、光量センサ２９とは別に、リレー結像系とラインセンサ（ＣＣＤ等）等の撮像素子とを含む空間像計測系をウエハステージ２８上に設け、この空間像計測系を用いてＬ＆Ｓパターンの像の線幅を直接計測してもよい。これによって、レジストの塗布及び現像工程を実行することなく、極めて短時間に投影光学系ＰＬのフレアを計測することができる。【００６３】  次に、本発明の実施の形態の他の例につき図１４及び図１５を参照して説明する。本例はレジスト像の線幅を実質的に拡大して計測できるようにしたものであり、図１４及び図１５において、図２及び図３に対応する部分には同一又は類似の符号を付してその詳細説明を省略する。本例でも図１の投影露光装置を用いて投影光学系ＰＬのフレアを計測するものとして、その計測動作について以下の第１工程、及び第２工程に分けて説明する。【００６４】  ［第１工程］
本例では、図１のレチクルステージ２２上に、図１４に示すフレア計測用のマスクとしてのテストレチクルＲ４をロードする。
図１４において、テストレチクルＲ４のパターン領域をＸ方向に挟むように１対の２次元のアライメントマーク４５Ａ及び４５Ｂが形成されている。また、テストレチクルＲ３のパターン領域にはクロム等の遮光膜４６を背景として、Ｘ方向の幅ＤでＹ方向の高さＨの四角形の開口パターンよりなるパッドパターン３８が形成されている。また、遮光膜４６中でパッドパターン３８にＸ方向に近接してＹ方向の中央での間隔ｒ１で、Ｘ方向の幅ｄでほぼＹ方向を長手方向とする長方形の開口パターンよりなる８本のスペースパターン４８をＸ方向にピッチＰで配列した第１のＬ＆Ｓパターン４７Ａが形成されている。但し、本例ではＬ＆Ｓパターン４７Ａの各スペースパターン４８は、Ｙ方向に対して反時計方向に角度θだけ傾いている。【００６５】  また、遮光膜４６中に第１のＬ＆Ｓパターン４７Ａに対してＹ方向に数μｍの間隔で、Ｘ方向の幅ｄでほぼＹ方向を長手方向とする長方形の開口パターンよりなる８本のスペースパターン４９をＸ方向にピッチＰで配列した第２のＬ＆Ｓパターン４７Ｂが形成されている。但し、第２のＬ＆Ｓパターン４７Ｂの各スペースパターン４９は、Ｙ方向に対して時計方向に角度θだけ傾いている。即ち、第１のＬ＆Ｓパターン４７Ａを構成するスペースパターン４８と、第２のＬ＆Ｓパターン４７Ｂを構成するスペースパターン４９とは角度２０で交差するように傾いている。Ｌ＆Ｓパターン４７Ａ及び４７Ｂ（又はスペースパターン４８及び４９）が、それぞれ線状パターンに対応している。パッドパターン３８の形状は、図２のパッドパターン３８Ａと同じで、幅Ｄと高さＨとは等しく設定されている。また、スペースパターン４８，４９の幅ｄ、配列のピッチＰ（＝２ｄ）、及び間隔ｒ１は、図２のスペースパターン４０の場合と同じである。そして、アライメントマーク４５Ａ，４５Ｂとパッドパターン３８及びＬ＆Ｓパターン４７Ａ，４７Ｂとの位置関係は、図１の主制御系１に露光データとして記憶されている。【００６６】  また、仮にスペースパターン４８，４９のＹ方向の長さを高さＨに等しいものとすると、傾斜角θは、一例として次のように高さＨでスペースパターン４８，４９の端部がＸ方向にほぼ幅Ｐだけ位置ずれする角度に設定されている。
θ≒Ｐ／Ｈ＝２ｄ／Ｈ（ｒａｄ）  …（２）【００６７】  次に、図１のウエハステージ２８上のウエハホルダ２４上にフォトレジストの塗布された未露光のウエハをロードする。この例でも、フォトレジストが化学増幅型レジストである場合には、その上にトップコートを施すことが望ましい。そして、先ず図１の不図示のレチクルアライメント顕微鏡を用いて図１４のアライメントマーク４５Ａ，４５Ｂの位置を検出することによって、テストレチクルＲ４のアライメントを行う。次に、通常の露光時と同様に図１の投影露光装置を用いて、図１４のテストレチクルＲ４のパッドパターン３８及び第１のＬ＆Ｓパターン４７Ａのみを投影光学系ＰＬを介して走査露光方式でウエハ上の第１のショット領域上に転写露光する。この際に、ウエハ上の他の複数の第２、第３等のショット領域上にもそれぞれそのパターンを転写露光してもよい（以下同様）。【００６８】  次に、ウエハをＹ方向に第１のＬ＆Ｓパターン４７Ａの像のＹ方向の幅及び数μｍの幅だけステップ移動させた後、図１４の第２のＬ＆Ｓパターン４７Ｂのみを投影光学系ＰＬを介して走査露光方式でウエハ上の第１のショット領域上に転写露光する。そして、露光終了後に、不図示の現像装置においてその露光されたウエハのＰＥＢ及び現像を行う。これによって、ウエハ上の一つ又は複数のショット領域の遮光部４６に対応する背景部４６Ｐ中に、図１５に示すように、図１４のパッドパターン３８のレジスト像３８ＡＰと、図１４の２つのＬ＆Ｓパターン４７Ａ及び４７Ｂを重ねて露光して得られるレジスト像４７ＡＰ及び４７ＢＰとが形成される。なお、レジストをポジ型としている。図１５において、レジスト像４７ＡＰ，４７ＢＰの内で最もパッドパターン３８のレジスト像３８ＡＰに近い部分のスペースパターン像４８Ａ，４９Ａのくさび型（菱形）の重複部Ａは、ローカルフレアが多いためＸ方向の線幅ｄＰ１が太くなり、それに応じてＹ方向の長さｈ１も長くなっている。一方、最もレジスト像３８ＡＰから離れた部分のスペースパターン像４８Ｈ，４９Ｈのくさび型の重複部Ｈは、ローカルフレアのかぶり光が殆ど無いため、Ｘ方向の線幅ｄＰｎは、ほぼローカルフレアが無い場合と同じであり、それに応じてＹ方向の長さｈｎも短くなっている。【００６９】  即ち、スペースパターン４８，４９の傾斜角θを用いると、重複部Ａ，ＨのＸ方向の幅ｄＰ１，ｄＰｎに対してＹ方向の長さｈ１，ｈｎは次のように大きく拡大されている。
ｈ１≒ｄＰ１／θ，ｈｎ≒ｄＰｎ／θ  …（３）
（２）式において、ピッチＰを数１００ｎｍ、高さＨを数μｍとすると、傾斜角θはほぼ０．１（ｒａｄ）となり、（３）式よりＸ方向の幅はＹ方向の高さにほぼ１０倍拡大される。【００７０】  ［第２工程］
ここでは、図１５の最もパッドパターンのレジスト像３８ＡＰに近いスペースパターン像４８ＡのＸ方向の線幅ｄＰ１を計測する代わりに、スペースパターン像４８Ａ，４９Ａの重複部ＡのＹ方向の高さｈ１を計測する。この際に、高さｈ１は線幅ｄＰ１に対してほぼ１０倍に拡大されているため、例えば図１のアライメントセンサ３６を用いても比較的高精度に計測することができる。また、図１５のレジスト像３８ＡＰから最も離れたスペースパターン像４８ＨのＸ方向の線幅ｄＰｎを計測する代わりに、スペースパターン像４８Ｈ，４９Ｈの重複部ＨのＹ方向の高さｈｎをも、例えば図１のアライメントセンサ３６を用いて計測する。その後、（３）式からスペースパターン像４８Ａ及び４８ＨのＸ方向の線幅ｄＰ１，ｄＰｎを求め、この計測結果を例えば図７のシミュレーション結果に当てはめることによって、投影光学系ＰＬのローカルフレアの量を正確に求めることができる。【００７１】  この実施形態では、Ｌ＆Ｓパターンの像を露光する代わりに、互いに交差する２つのＬ＆Ｓパターン４７Ａ及び４７Ｂの像を重ねて露光し、重複して露光された部分の長手方向の長さの計測値を各スペースパターン像４８Ａ，４８Ｈの線幅に換算しているため、その線幅を例えばアライメントセンサ３６等のより簡単な構造の計測装置で間接的に高精度に、且つ効率的に計測することができる。従って、フレア計測を例えば図１の投影露光装置のみで行うことが可能となる。【００７２】  なお、図１５の重複部Ａ，Ｈの長さｈ１，ｈＮを走査型電子顕微鏡を用いて計測することも可能である。この場合には、線幅の計測精度をより高めることができ、その結果としてフレアの計測精度を高めることができる。【００７３】  次に、上記の投影光学系ＰＬのフレアの計測方法を用いた露光方法の一例につき、次の計測工程及び補正工程に分けて説明する。
［計測工程］
この計測工程では、例えば上記の第１工程及び第２工程を実行することによって、図１の投影光学系ＰＬのフレア（特にローカルフレア）の量を計測する。【００７４】  ［補正工程］
この補正工程では、その計測工程でのフレアの計測結果を用いて投影光学系ＰＬのフレア（特にローカルフレア）を補正する。具体的に、投影光学系ＰＬを構成する所定の光学部材（レンズ等）を交換する等によって、投影光学系ＰＬのフレアを低減させる。また、例えばその第１工程を投影光学系ＰＬの組立調整中に実行する場合には、投影光学系ＰＬ中の所定の光学部材の再加工等を行うようにしてもよい。【００７５】  その後、フレアの補正された投影光学系ＰＬを用いて露光工程を実行することによって、最終的に得られる半導体集積回路等のデバイスの線幅均一性を高めることができ、そのデバイスの歩留まりを向上できる。
また、例えば露光工程において、線幅均一性が悪化したような場合に、その計測工程を実施することで、その原因がその投影光学系のフレアであるか否かを正確に判別できるようになる。更に、投影光学系のフレアの経時変化も正確に計測できるようになる。従って、露光工程で発生するトラブルへの適切な対応が可能になる。【００７６】  なお、上記の実施の形態の投影露光装置は、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をして、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより製造することができる。なお、その露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。【００７７】  また、上記の実施の形態の投影露光装置を用いて半導体デバイスを製造する場合、この半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、このステップに基づいてレチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを形成するステップ、上記の実施の形態の投影露光装置によりアライメントを行ってレチクルのパターンをウエハに露光するステップ、エッチング等の回路パターンを形成するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、及び検査ステップ等を経て製造される。【００７８】  なお、本発明は、走査露光型の投影露光装置のみならず、一括露光型の投影露光装置の投影光学系のフレアを計測する場合にも同様に適用することができる。また、例えば国際公開（ＷＯ）第９９／４９５０４号などに開示される液浸型露光装置で投影光学系のフレアを計測する場合にも本発明を適用することができる。また、本発明によってフレアが計測される投影光学系は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明によってフレアが計測される投影光学系は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程（露光装置）にも適用することができる。【００７９】  なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。また、明細書、特許請求の範囲、図面、及び要約を含む２００３年７月１８日付け提出の日本国特許出願第２００３−２７７００８、並びに２００３年１０月１４日付け提出の日本国特許出願第２００３−３５３９６５の全ての開示内容は、そっくりそのまま引用して本願に組み込まれている。
【産業上の利用可能性】
【００８０】  本発明のフレア計測方法を用いることにより、投影光学系のフレアを正確に計測できるため、例えばその計測結果に基づいてフレアを低減させた投影光学系を用いて露光を行うことによって、各種デバイスを高い線幅均一性で高精度に製造することが可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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