【手続補正書】
【提出日】平成30年1月17日(2018.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
第２の絶縁層と、
酸化物半導体層と、
第１乃至第３の導電層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
前記第１の導電層は、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第２の絶縁層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
前記第２の絶縁層は、ゲート絶縁膜として機能することができる領域を有し、
前記第１の導電層は、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能することができる領域を有し、
前記第２の導電層は、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能することができる領域を有し、
前記第３の導電層は、ゲート電極として機能することができる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、第１乃至第５の領域を有し、
前記第１の領域および前記第２の領域は、互いに離れて設けられ、
前記第３の領域と前記第３の導電層とは、前記第２の絶縁層を介して、互いに重なる領域を有し、
前記第３の領域は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に設けられ、
前記第４の領域は、前記第１の領域と前記第３の領域との間に設けられ、
前記第５の領域は、前記第２の領域と前記第３の領域との間に設けられ、
前記第１の導電層は、第４の導電層と第５の導電層とを有し、
前記第２の導電層は、第６の導電層と第７の導電層とを有し、
前記第４の導電層は、前記第１の領域上のみに設けられ、
前記第５の導電層は、前記第１の絶縁層、前記第４の導電層および前記第１の領域と接する領域を有し、
前記第６の導電層は、前記第２の領域上のみに設けられ、
前記第７の導電層は、前記第１の絶縁層、前記第６の導電層および前記第２の領域と接する領域を有している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の領域乃至第５の領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、を有し、
前記ドレイン電極は、第３の導電層と、前記第３の導電層上の第４の導電層と、を有し、
前記第３の領域は、前記ゲート電極と重なる領域であり、
前記第１の領域は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層と重なる領域であり、かつ前記ゲート絶縁膜とは重ならず、
前記第２の領域は、前記第３の導電層及び前記第４の導電層と重なる領域であり、かつ前記ゲート絶縁膜とは重ならず、
前記第４の領域は、前記第１の領域と前記第３の領域との間の領域であり、かつ前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは重ならず、
前記第５の領域は、前記第２の領域と前記第３の領域との間の領域であり、かつ前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは重ならず、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、ｎ型化された領域であり、
前記第４の領域及び前記第５の領域は、オフセット領域であって、ｎ型化された領域である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の領域乃至第５の領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、を有し、
前記ドレイン電極は、第３の導電層と、前記第３の導電層上の第４の導電層と、を有し、
前記第３の領域は、前記ゲート電極と重なる領域であり、
前記第１の領域は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層と重なる領域であり、かつ前記ゲート絶縁膜とは重ならず、
前記第２の領域は、前記第３の導電層及び前記第４の導電層と重なる領域であり、かつ前記ゲート絶縁膜とは重ならず、
前記第４の領域は、前記第１の領域と前記第３の領域との間の領域であり、かつ前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは重ならず、
前記第５の領域は、前記第２の領域と前記第３の領域との間の領域であり、かつ前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは重ならず、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、ｎ型化された領域であり、
前記第４の領域及び前記第５の領域は、ｎ型化された領域であり、
前記第４の領域及び前記第５の領域は、希ガスを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の領域乃至第５の領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、を有し、
前記ドレイン電極は、第３の導電層と、前記第３の導電層上の第４の導電層と、を有し、
前記第３の領域は、前記ゲート電極と重なる領域であり、
前記第１の領域は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層と重なる領域であり、かつ前記ゲート絶縁膜とは重ならず、
前記第２の領域は、前記第３の導電層及び前記第４の導電層と重なる領域であり、かつ前記ゲート絶縁膜とは重ならず、
前記第４の領域は、前記第１の領域と前記第３の領域との間の領域であり、かつ前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは重ならず、
前記第５の領域は、前記第２の領域と前記第３の領域との間の領域であり、かつ前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは重ならず、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、ｎ型化された領域であり、
前記第４の領域及び前記第５の領域は、ｎ型化された領域であり、
前記第４の領域及び前記第５の領域は、リン、砒素、アンチモン、ホウ素、アルミニウム、シリコン、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、インジウム、フッ素、塩素、チタン、亜鉛、および炭素のいずれかから選択される一つ以上を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記酸化物半導体層と前記第１の絶縁層を介して互いに重なる領域に、第８の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層乃至第３の酸化物半導体層を有し、
前記第１の酸化物半導体層上に前記第２の酸化物半導体層を有し、前記第２の酸化物半導体層上に前記第３の酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の酸化物半導体層乃至第３の酸化物半導体層はそれぞれ、ＩｎとＺｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）とを有し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第３の酸化物半導体層はそれぞれ、Ｉｎに対するＭの原子数比が前記第２の酸化物半導体層よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層はｃ軸に配向する結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第４の領域及び前記第５の領域は、水素を含む窒化絶縁膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。