Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月5日(2018.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
切替え信号が示す電圧、及び、ＡＮＤ回路３１の出力電圧がハイレベル電圧であり、かつ、コンパレータ３６が出力している電圧がローレベル電圧である場合であっても、入力電圧検出部２１及び両端電圧検出部２７夫々が出力している電圧がローレベル電圧及びハイレベル電圧であるとき、フィルタ部４１が出力している電圧に無関係にラッチ部３５にハイレベル電圧が入力される。これにより、ラッチ部３５はハイレベル電圧を出力し、ＡＮＤ回路３２及び反転器３４夫々はローレベル電圧及びハイレベル電圧を出力する。これにより、充電回路２２及び放電回路２３夫々にはローレベル電圧及びハイレベル電圧が入力され、半導体スイッチ２０がオフに切替えられる。ＯＲ回路４０が出力している電圧がハイレベル電圧に切替わった後、ラッチ部３５は、ＯＲ回路４０から入力される電圧に無関係にハイレベル電圧を出力し続けるので、半導体スイッチ２０はオフに維持される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
なお、実施の形態１，２において、半導体スイッチ２０は、Ｎチャネル型のＦＥＴに限定されず、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタであってもよい。この場合、半導体スイッチ２０のドレイン、ソース及びゲートがバイポーラトランジスタのコレクタ、エミッタ及びベースに対応する。また、キャパシタＣｓの接続先は、半導体スイッチ２０のドレイン及びゲート間に限定されない。キャパシタＣｓは、一端がゲートに接続されているキャパシタであればよいので、例えば、半導体スイッチ２０のゲート及びソース間に接続されるキャパシタであってもよい。キャパシタＣｓの一端がゲートに接続していれば、放電回路２３が動作を停止している状態で充電回路２２がキャパシタＣｓを充電することによって、半導体スイッチ２０のソースの電位を基準とした半導体スイッチ２０のゲートの電圧が上昇し、半導体スイッチ２０がオンに切替わる。また、充電回路２２が動作を停止している状態で放電回路２３がキャパシタＣｓの放電を行うことによって、半導体スイッチ２０のソースの電位を基準とした半導体スイッチ２０のゲートの電圧が低下し、半導体スイッチ２０がオフに切替わる。充電回路２２及び放電回路２３が動作を停止している場合、キャパシタＣｓの両端間の電圧は維持される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月5日(2018.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
具体的には、制御部３６は、（抵抗回路２３の両端電圧値）×（所定数）／（抵抗Ｒ１の抵抗値）を算出することによって電線電流値Ｉｗを算出する。抵抗回路２３の抵抗値が抵抗Ｒ１の抵抗値未満である期間は、スイッチ２０がオフからオンとなった直後の短い期間であり、電線温度の算出期間よりも十分に短い。このため、電線温度の算出では、抵抗回路２３の抵抗値を抵抗Ｒ１の抵抗値に近似してもよい。制御部３６は、前回算出した先行温度差ΔＴｐと、電線電流値Ｉｗと、電線１２の周囲温度Ｔａとを以下に示す演算式（１），（２）に代入することによって、温度差ΔＴｗを算出する。
ΔＴｗ＝ΔＴｐ×ｅｘｐ（−Δｔ／τｒ）＋Ｒｔｈ×Ｒｗ
×Ｉｗ2 ×（１−ｅｘｐ（−Δｔ／τｒ））・・・（１）
Ｒｗ＝Ｒｏ×（１＋κ×（Ｔａ＋ΔＴｐ−Ｔｏ））・・・（２）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
演算式（１），（２）で用いられている変数及び定数を説明する。変数及び定数の説明では、変数又は定数の単位も併せて示している。ΔＴｗ、ΔＴｐ、Ｔａ、Ｉｗ、Ｒｗ及びＲｔｈ夫々は、前述したように、算出した温度差（℃）、先行温度差（℃）、電線１２の周囲温度（℃）、算出した電線電流値（Ａ）、電線１２の電線抵抗（Ω）及び電線１２の電線熱抵抗（℃／Ｗ）である。Δｔは温度差ΔＴｗを算出する周期（ｓ）である。τｒは電線１２の電線放熱時定数（ｓ）である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
実施の形態２における電源システム１も車両に好適に搭載されている。バッテリ１０、負荷１１、電線１２及び給電制御装置１３は実施の形態１と同様に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
キャパシタＣ３及び抵抗Ｒ４によって構成されるＣＲフィルタは、オペアンプ５０の出力端子から出力された電圧、即ち、抵抗回路２３の両端間の電圧を平滑する。キャパシタＣ３及び抵抗Ｒ４によって構成されるＣＲフィルタは、平滑した平滑電圧値をマイコン２５に出力する。
キャパシタＣ３及び抵抗Ｒ４によって構成されるＣＲフィルタのＣＲ時定数は、抵抗回路２３のキャパシタＣ１及び抵抗Ｒ２のＣＲ時定数よりも大きい。負荷１１が作動している場合において、平滑電圧値は、スイッチ２０のオン及びオフへの切替えによって大きく変動することはなく、略一定である。負荷１１が動作を停止している場合、即ち、スイッチ２０のオフが維持されている場合、平滑電圧値はゼロＶである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
記憶部３５には、負荷１１に印加されるべき電圧値の平均値が目標電圧値として予め記憶されている。制御部３６は、目標電圧値を、Ａ／Ｄ変換部３９から取得したバッテリ電圧値で除算することによってデューティを算出する。制御部３６は、算出したデューティを記憶部３５に記憶する。制御部３６は、記憶部３５に記憶されているデューティに従って、オン信号及びオフ信号を出力部３３に出力させる。これにより、抵抗回路２３の両端電圧値が基準電圧未満である場合においては、制御回路２１は、スイッチ２０のオン及びオフへの切替えを交互に繰り返す。制御回路２１がこの切替えを行うことによって、バッテリ１０から負荷１１へ給電される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
給電処理では、制御部３６は、スイッチ２０のオン及びオフの切替えに係るデューティの算出を定期的に実行し、記憶部３５に記憶されているデューティを定期的に更新している。制御部３６は、制御処理及び給電処理を並行して実行する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
実施の形態２における制御処理においても、実施の形態１と同様に、制御部３６は電線温度を算出する。実施の形態２における制御処理において、制御部３６は、記憶部３５に記憶されているデューティと、Ａ／Ｄ変換部３４から取得した平滑電圧値と、温度検出部２４から入力部３２に入力された温度情報が示す電線１２の周囲温度と、前回算出した先行温度差とに基づいて、電線温度と、温度検出部２４が検出した電線１２の周囲温度との温度差を周期的に算出する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
以下では、電線温度と、電線１２の周囲温度との温度差の算出に用いられる式について説明する。図６は、負荷１１を作動させている場合における電線電流値Ｉｗの波形図である。図６において横軸は時間を表す。図６には実際の電線電流値Ｉｗが示されている。
給電処理が実行されて負荷１１が作動している場合、スイッチ２０のオン及びオフの切替えが周期的に行われているため、電線電流値Ｉｗの波形はパルス状をなす。各パルスは矩形状をなし、各パルスの電流値は同じであり、この電流値を以下では電流値Ｉｍと表す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
以上のように構成された実施の形態２における給電制御装置１３においては、電線電流値が電流閾値未満であっても、電線温度が温度閾値以上となった場合にスイッチ２０がオンからオフに切替わるので、電線１２の発煙及び発火をより確実に防止することができる。
前述したように、制御部３６は、平滑回路２６が平滑した平滑電圧値を演算式（２），（７）に代入することによって、電線温度と、電線１２の周囲温度との温度差を算出する。このため、スイッチ２０のオン及びオフへの切替えが交互に繰り返されている場合であっても制御部３６は適切な電線温度を算出することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
また、電線温度を算出する構成は、電線温度と電線１２の周囲温度との温度差を算出し、算出した温度差に電線１２の周囲温度を加算する構成に限定されず、平滑回路２６が平滑した平滑電圧値に基づいて電線温度を算出する構成であればよい。
更に、スイッチ２０は、Ｎチャネル型のＦＥＴに限定されず、Ｐチャネル型のＦＥＴ、又は、バイポーラトランジスタ等であってもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
１２  電線
１３  給電制御装置
２０  スイッチ
２１  制御回路（スイッチ制御部）
２２  電流出力回路
２３  抵抗回路
２４  温度検出部
２６  平滑回路
３６  制御部（温度算出部、温度差算出部）
Ｃ１  キャパシタ
Ｒ１  抵抗（第１抵抗）
Ｒ２  抵抗（第２抵抗）
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月28日(2018.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、前記第１電極上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第２電極と、を有する圧電素子と、
前記第１電極または前記第２電極と電気的に接続された配線層と、
前記配線層と前記圧電素子との間に設けられた絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、
無機絶縁層と、
前記配線層と前記無機絶縁層との間に設けられた有機絶縁層と、
を有する、モーター用圧電駆動装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記有機絶縁層の材質は、エポキシ樹脂である、モーター用圧電駆動装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記無機絶縁層の材質は、酸化アルミニウムである、モーター用圧電駆動装置。
【請求項４】
第１電極と、前記第１電極上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第２電極と、を有する圧電素子を形成する工程と、
前記圧電素子を覆うように、無機絶縁層を成膜する工程と、
前記無機絶縁層上に有機絶縁層を成膜する工程と、
前記無機絶縁層および前記有機絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、
前記有機絶縁層上であって前記有機絶縁層に接し、前記コンタクトホールを介して前記第１電極または前記第２電極と電気的に接続する配線層を形成する工程と、
を含む、モーター用圧電駆動装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記有機絶縁層を成膜する工程は、感光性を有する材料を用いて前記有機絶縁層を形成する、モーター用圧電駆動装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記コンタクトホールを形成する工程は、
前記有機絶縁層に第１貫通孔を形成するステップと、
前記第１貫通孔が形成された前記有機絶縁層をマスクとして前記無機絶縁層をエッチングし、前記無機絶縁層に前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔を形成するステップと、
を含む、モーター用圧電駆動装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記無機絶縁層を形成する工程では、
前記無機絶縁層をＡＬＣＶＤ法によって成膜する、モーター用圧電駆動装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載のモーター用圧電駆動装置と、
前記モーター用圧電駆動装置によって回転されるローターと、
を有する、モーター。
【請求項９】
複数のリンク部と、
複数の前記リンク部を接続する関節部と、
複数の前記リンク部を前記関節部で回動させる請求項１ないし４のいずれか１項に記載のモーター用圧電駆動装置と、 
を有する、ロボット。
【請求項１０】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載のモーター用圧電駆動装置と、
液体を輸送するチューブと、
前記モーター用圧電駆動装置の駆動によって前記チューブを閉塞する複数のフィンガーと、
を有する、ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月24日(2018.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子が設けられ、振動体部を有する基板と、
被駆動体に接触し、前記振動体部の動きを前記被駆動体に伝える接触部と、
を含み、
前記接触部は、前記振動体部の長手方向における端部に設けられ、
前記被駆動体に前記接触部が押し当てられていないときの前記端部と前記接触部の先端との間の距離と、前記被駆動体に前記接触部が押し当てられたときの前記端部と前記先端との間の距離と、の差は、前記振動体部が駆動された場合の前記長手方向の振幅より小さい、圧電駆動装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記振幅をＸ０、前記被駆動体の前記接触部への押圧力をＦ０とすると、前記接触部の前記長手方向におけるバネ定数Ｋは、
Ｋ＞Ｆ０／Ｘ０
の関係を満たす、圧電駆動装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記接触部は、前記先端を構成する先端部と、前記先端部と前記振動体部との間に設けられた接着剤部と、を有し、
前記先端部の前記長手方向の長さをＬｓ、前記先端部と前記接着剤部との接触面の前記長手方向と直交する幅方向の長さをＷｓ、前記接触面の前記長手方向および前記幅方向と直交する方向の長さをＴｓ、前記先端部のヤング率をＥｓ、前記接着剤部のヤング率をＥａとすると、前記接着剤部の前記長手方向の長さＬａは、
Ｌａ＜（Ｘ０／Ｆ０）×Ｅａ×Ｗｓ×Ｔｓ−（Ｌｓ×Ｅａ）／Ｅｓ
の関係を満たす、圧電駆動装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧電駆動装置と、
前記圧電駆動装置によって回転されるローターと、
を含む、モーター。
【請求項５】
複数のリンク部と、
複数の前記リンク部を接続する関節部と、
複数の前記リンク部を前記関節部で回動させる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧電駆動装置と、
を含む、ロボット。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧電駆動装置と、
液体を輸送するチューブと、
前記圧電駆動装置の駆動によって前記チューブを閉塞する複数のフィンガーと、
を含む、ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月1日(2018.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向と、前記長手方向と直交する短手方向と、を有する基板と、
前記基板上に設けられ、前記基板の面内方向に振動する圧電素子と、
前記基板の前記長手方向の先端部に配置され、かつ被駆動体に接触する接触部と、
を備え、
前記基板の前記長手方向は、前記基板の面内においてヤング率が最小となる方向と、概ね一致している、モーター用圧電駆動装置。
【請求項２】
長手方向と、前記長手方向と直交する短手方向と、を有する基板と、
前記基板上に設けられ、前記基板の面内方向に振動する圧電素子と、
前記基板の前記長手方向の先端部に配置され、かつ被駆動体に接触する接触部と、
を備え、
前記基板の前記短手方向のずれ弾性係数をＧｘｙ、前記基板の前記長手方向のヤング率をＥｘ、前記基板の前記短手方向のヤング率をＥｙとしたとき、前記基板の前記長手方向は、前記基板の面内においてＥｙ／Ｅｘ／Ｇｘｙの値が最大となる方向と、概ね一致している、モーター用圧電駆動装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記基板は、シリコン単結晶基板である、モーター用圧電駆動装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記基板は、｛１１０｝基板であり、
前記基板の前記長手方向は、＜１００＞方向と概ね一致している、モーター用圧電駆動装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記基板は、｛１００｝基板であり、
前記基板の前記長手方向は、＜１００＞方向と概ね一致している、モーター用圧電駆動装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記基板および前記圧電素子は、チップを構成し、
前記チップは、複数設けられ、
複数の前記チップは、前記基板の厚さ方向に配列されている、モーター用圧電駆動装置。
【請求項７】
ウェハー上に、前記ウェハーの面内方向に振動する圧電素子を複数形成する工程と、
前記ウェハーに、長手方向と前記長手方向と直交する短手方向とを有するチップ領域を、複数の圧電素子に対応して複数形成する工程と、
前記ウェハーから前記チップ領域を取り出して、チップを取得する工程と、
前記チップの前記長手方向の先端部に、被駆動体に接触するための接触部を取り付ける工程と、
を含み、 
前記チップ領域は、前記チップ領域の前記長手方向が、前記チップ領域の面内においてヤング率が最小となる方向と、概ね一致するように形成される、モーター用圧電駆動装置の製造方法。
【請求項８】
ウェハー上に、前記ウェハーの面内方向に振動する圧電素子を複数形成する工程と、
前記ウェハーに、長手方向と前記長手方向と直交する短手方向とを有するチップ領域を、複数の圧電素子に対応して複数形成する工程と、
前記ウェハーから前記チップ領域を取り出して、チップを取得する工程と、
前記チップの前記長手方向の先端部に、被駆動体に接触するための接触部を取り付ける工程と、
を含み、
前記チップ領域の前記短手方向のずれ弾性係数をＧｘｙ、前記チップ領域の前記長手方向のヤング率をＥｘ、前記チップ領域の前記短手方向のヤング率をＥｙとしたとき、
前記チップ領域は、前記チップ領域の前記長手方向が、前記チップ領域の面内においてＥｙ／Ｅｘ／Ｇｘｙの値が最大となる方向と、概ね一致するように形成される、モーター用圧電駆動装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８において、
前記ウェハーは、シリコン単結晶ウェハーである、モーター用圧電駆動装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記ウェハーは、｛１１０｝ウェハーであり、
前記チップ領域は、前記チップ領域の前記長手方向が＜１００＞方向と概ね一致するように形成される、モーター用圧電駆動装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９において、
前記ウェハーは、｛１００｝ウェハーであり、
前記チップ領域は、前記チップ領域の前記長手方向が＜１００＞方向と概ね一致するように形成される、モーター用圧電駆動装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７ないし１１のいずれか１項において、
複数の前記チップを、前記チップ領域の厚さ方向に配列させる工程を含む、モーター用圧電駆動装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のモーター用圧電駆動装置と、
前記モーター用圧電駆動装置によって回転されるローターと、
を備える、モーター。
【請求項１４】
複数のリンク部と、
複数の前記リンク部を接続する関節部と、
複数の前記リンク部を前記関節部で回動させる請求項１ないし６のいずれか１項に記載のモーター用圧電駆動装置と、
を備える、ロボット。
【請求項１５】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のモーター用圧電駆動装置と、
液体を輸送するチューブと、
前記モーター用圧電駆動装置の駆動によって前記チューブを閉塞する複数のフィンガー
と、
を備える、ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月4日(2018.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明のアクチュエータは、
円筒状のハウジングと、
前記ハウジングの中心部分に同軸に配置した中空固定軸と、
前記中空固定軸の軸線方向の一方の軸端部である第１軸端部の側に配置され、前記ハウジングに対して主軸受けを介して回転自在に支持されている円盤状の出力軸と、
前記中空固定軸の他方の第２軸端部の側に配置され、前記中空固定軸および前記ハウジングに固定された円盤状の端板と、
前記端板および前記出力軸の間に形成される前記ハウジングと前記中空固定軸との間の環状空間内に配置したインナーロータ型のモータと、
前記環状空間内において前記モータの内側に配置され、前記モータの回転を減速して前記出力軸に伝達する波動歯車装置と、
前記出力軸の回転を検出する出力軸センサと、
を備えており、
前記出力軸センサは、前記中空固定軸の中空部内における前記第１軸端部の側の部位に配置され、前記出力軸と一体回転するエンコード板と、当該エンコード板の回転を検出する検出部とを備えており、
前記エンコード板は、前記中空固定軸の前記第２軸端部に対して軸線方向の外側から対峙する取付け板に取り付けられ、当該取付け板は、前記出力軸に固定されていることを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
剛性外歯車は、中空固定軸と当該中空固定軸の外周面に形成した外歯から構成することが望ましい。また、前記可撓性内歯車は、前記外歯にかみ合い可能な内歯が形成されている可撓性の円筒状胴部と、当該円筒状胴部における前記第１軸端部の側に端から半径方向の外方に広がるダイヤフラムと、当該ダイヤフラムの外周縁に連続して形成された剛性の円盤状のボスとを備えたシルクハット形状のものを用いることができ、この場合には、前記ボスが前記出力軸に固定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記モータは、
円筒状のハウジングの内側に固定した円環状のモータステータと、
前記モータステータの内側に同軸に配置されたモータロータと、
を備えており、
前記波動歯車装置は、
前記モータロータの内側に同軸に固定した波動発生器と、
前記波動発生器の内側に同軸に配置され、当該波動発生器によって楕円状に撓められている可撓性内歯車と、
前記可撓性内歯車の内側に同軸に配置され、楕円状に撓められた前記可撓性内歯車に部分的にかみ合っている剛性外歯車と、
を備えており、
剛性外歯車は、中空固定軸と当該中空固定軸の外周面に形成した外歯から構成され、
前記可撓性内歯車は、前記外歯にかみ合い可能な内歯が形成されている可撓性の円筒状胴部と、当該円筒状胴部における前記第２軸端部の側に端から半径方向の外方に広がるダイヤフラムと、当該ダイヤフラムの外周縁に連続して形成された剛性の円盤状のボスとを備えたシルクハット形状のものであり、
前記ボスが前記出力軸に固定されている請求項１に記載のアクチュエータ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月24日(2018.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子が設けられ、振動体部を有する基板と、
被駆動体に接触し、前記振動体部の動きを前記被駆動体に伝える接触部と、
を含み、
前記接触部は、前記振動体部が屈曲振動する方向と直交する方向における端部に設けられ、
前記接触部の前記屈曲方向におけるバネ定数をＫＴとし、前記接触部の前記屈曲方向における最大変位量をＸＴｍａｘとし、前記接触部と前記被駆動体との間の静止摩擦力をＦＳとすると、
ＫＴ×ＸＴｍａｘ＜ＦＳ
の関係を満たす、圧電駆動装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記接触部は、先端部と、前記先端部と前記振動体部との間に設けられた接着剤部と、を有し、
前記振動体部は、前記先端部に接する突出部を有している、圧電駆動装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記接触部は、先端部と、前記先端部と前記振動体部との間に設けられた接着剤部と、を有し、
前記先端部は、前記振動体部に接する突出部を有している、圧電駆動装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧電駆動装置と、
前記圧電駆動装置によって回転されるローターと、
を含む、モーター。
【請求項５】
複数のリンク部と、
複数の前記リンク部を接続する関節部と、
複数の前記リンク部を前記関節部で回動させる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧電駆動装置と、
を含む、ロボット。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の圧電駆動装置と、
液体を輸送するチューブと、
前記圧電駆動装置の駆動によって前記チューブを閉塞する複数のフィンガーと、
を含む、ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月12日(2018.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が行列状に配列された画素アレイと、
前記画素において生じた光電変換電荷に基づく画素信号を前記画素から読み出す読み出し部と、
前記画素と前記読み出し部とを電気的に接続する列信号線と、
前記列信号線と前記読み出し部の間に設けられ、前記画素において前記光電変換電荷の転送が行われているときはオフされ、前記読み出し部が前記画素から前記画素信号を読み出すときにはオンされる接続部と、
前記接続部を駆動する制御信号の波形を制御する波形制御部と、
を備え、
前記波形制御部は、前記接続部をオフからオンするときの前記制御信号のセトリングタイムを、前記波形制御部が入力する前記制御信号のセトリングタイムと比較して長くすることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
複数の前記列信号線を互いに電気的に接続または切断する切替部を更に備え、
前記読み出し部は、前記切替部によって互いに電気的に接続された前記複数の前記画素から前記画素信号を読み出すことを特徴とする
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記波形制御部は、高フレームレートのときには、低フレームレートのときよりも前記セトリングタイムを短くすることを特徴とする
請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記波形制御部は、前記接続部をオンからオフするときの前記制御信号のセトリングタイムを長くすることを特徴とする
請求項１から３のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記波形制御部は、前記接続部をオフからオンするときの前記制御信号のセトリングタイムを、前記接続部をオンからオフするときの前記制御信号のセトリングタイムと比較して長くすることを特徴とする
請求項１から４のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記波形制御部は、前記制御信号の波形を制御するトランジスタの電流供給力を変えることにより、前記セトリングタイムを制御することを特徴とする
請求項１から５のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記波形制御部は、ＣＲ成分またはＬＲ成分を有する回路素子を含んで構成され、ＣＲ成分またはＬＲ成分の時定数を変えることにより、前記セトリングタイムを制御することを特徴とする
請求項１から５のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記波形制御部は、前記接続部がオンからオフ、またはオフからオンされるときの前記制御信号の波形が時間に比例して直線的に変化するように前記接続部を駆動し、前記セトリングタイムは前記制御信号が前記制御信号の最大振幅に対して予め定めた割合だけ変化するのに必要な時間であることを特徴とする
請求項１から７のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記波形制御部は、前記接続部をオンからオフ、またはオフからオンされるときの前記制御信号の波形が指数関数的に変化するように前記接続部を駆動し、前記セトリングタイムは指数関数の時定数であることを特徴とする
請求項１から７のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
複数の画素が行列状に配列された画素アレイと、
前記画素において生じた光電変換電荷に基づく画素信号を前記画素から読み出す読み出し部と、
前記画素と前記読み出し部とを電気的に接続する列信号線と、
前記列信号線と前記読み出し部の間に設けられ、前記画素において前記光電変換電荷の転送が行われているときはオフされ、前記読み出し部が前記画素から前記画素信号を読み出すときにはオンされる接続部と、
前記接続部を駆動する制御信号を出力する駆動トランジスタと、
ゲートに印加された電圧に応じて電圧源から前記駆動トランジスタへの電流を制限することにより、前記接続部をオフからオンする前記制御信号の波形にセトリングタイムを与える波形制御トランジスタと、
を備えることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子が出力する信号を用いて画像を生成する出力信号処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月24日(2018.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
第１１態様によれば、ドットの数とドットの非配置の数との比率に応じて最適な置換処理の処理回数を設定することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２００】
また、図１１（Ｂ）に示した白黒ディザマスク２０において閾値が設定された画素に対応する、図１１（Ａ）に示した黒白変更処理後白黒配置５４における画素を中心にぼかしフィルタを除去してエネルギーマスクを更新する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３３１】
本実施形態では、９画素を１６階調に割り振るので、前半の９階調に一画ずつ割り振る態様、後半の９階調に一画素ずつ割り振る態様、又は乱数的に割り振る態様を採用することができる。乱数的に割り振る態様の例として、３５、３８、４０、４２、４３、４４、４５、４６、及び４８の各閾値に対応する白黒配置に一画素ずつ割り振る例が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月27日(2018.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面と反対側を向く第２面と、を備え、放熱作用を有する板部と、
前記板部の前記第１面上に配置された複数の半導体デバイスと、
前記板部の前記第１面上に配置され、前記複数の半導体デバイスを駆動する複数のドライブ回路と、
前記板部の前記第１面上に配置され、入力される電圧を前記ドライブ回路から電気的に絶縁状態とする絶縁部と
を備える半導体モジュール。
【請求項２】
前記複数のドライブ回路は、
第１の駆動信号を第１の電圧で出力する第１のドライブ回路と、
第２の駆動信号を前記第１の電圧よりも低い第２の電圧で出力する第２のドライブ回路と、を少なくとも備える、請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記複数の半導体デバイスは、
前記第１の駆動信号を入力する第１の半導体デバイスと、
前記第２の駆動信号を入力する第２の半導体デバイスと、を少なくとも備える、請求項１又は２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記入力される電圧は、前記ドライブ回路に供給される電源電圧であり、
前記絶縁部は、トランスを備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記第１の駆動信号及び前記第２の駆動信号は、前記絶縁部を介して前記ドライブ回路に入力される、請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記複数の半導体デバイスは、ＳｉＣ系ＭＯＳＦＥＴを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記複数の半導体デバイスは、ＧａＮ系ＦＥＴを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記複数の半導体デバイスは、ＩＧＢＴを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体モジュール
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本実施の形態は、半導体モジュールに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本実施の形態は、放熱特性に優れ、モジュール化が容易であり、小型化にとって好適な半導体モジュールを提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本実施の形態の一態様によれば、第１面と、前記第１面と反対側を向く第２面と、を備え、放熱作用を有する板部と、前記板部の前記第１面上に配置された複数の半導体デバイスと、前記板部の前記第１面上に配置され、前記複数の半導体デバイスを駆動する複数のドライブ回路と、前記板部の前記第１面上に配置され、入力される電圧を前記ドライブ回路から電気的に絶縁状態とする絶縁部と、を備える半導体モジュールが提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本実施の形態によれば、放熱特性に優れ、モジュール化が容易であり、小型化にとって好適な半導体モジュールを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月15日(2018.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
深紫外線ＬＥＤ素子５−１、５−２、５−３、５−４、５−５、５−６はサブマウント６上の配線層６ａ、６ｂ間に電気的に接続され、配線層６ａ、６ｂはワイヤ７ａ、７ｂによって基板１−２上のワイヤボンディングパッド８ａ、８ｂに電気的に接続される。尚、ワイヤボンディングパッド８ａ、８ｂは配線パッド４−３の一部であり、配線パッド４−３、４−２を介して２つの電極パッド４−１に電気的に接続される。従って、深紫外線ＬＥＤ素子５は２つの電極パッド４−１間に電気的に接続されることになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
尚、放熱パッド２−１、電極パッド４−１は同一層であり、放熱パッド２−２、配線パッド４−２は同一層であり、放熱パッド２−３、配線パッド４−３、４−３’、ワイヤボンディングパッド８ａ、８ｂは同一層である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ＬＴＣＣ基板１の凹部１ａを覆うようにＬＴＣＣ基板１の上部つまり基板１−４上に紫外線通過窓部材１０Ａを設けてある。紫外線通過窓部材１０Ａの材料は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、アルミナを含むガラス（ＳｉＯ２）等のセラミック、アルミニウム、銅等の金属、石英ガラス、サファイヤ、ＭｇＯ、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、合成フューズドシリカ等の紫外線透過材料である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明の紫外線発光装置、特に、深紫外線発光装置は、殺菌効果が大きいので、浄水器、ウォータクーラ、ウォータサーバ、医療用純水製造装置、加湿器、食器洗浄機、デンタルチェア等における水の殺菌浄化装置に利用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月10日(2018.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体と、前記基板本体に内設された静電電極とを含む載置台を有し、
前記基板本体は、酸化アルミニウムを主成分とし、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、及び酸化カルシウムを含むセラミックスからなり、前記酸化カルシウムの含有率が０．４ｗｔ％〜０．６ｗｔ％であり、０℃〜１５０℃の範囲で体積抵抗率が１Ｅ＋１６Ωｃｍ以上であること、を特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記基板本体は、相対密度が９２％〜９６％であることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記基板本体は、前記酸化イットリウムの含有率が０．３ｗｔ％〜０．９ｗｔ％であることを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。
【請求項４】
チャンバと、
前記チャンバの内部に配置された静電チャックと
を備え、
前記静電チャックは、前記チャンバ内で処理される基板が載置される載置台を有し、
前記載置台は、
酸化アルミニウムを主成分とし、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、及び酸化カルシウムを含むセラミックスから形成された基板本体と、
前記基板本体に内設された静電電極と、
を含み、
前記基板本体は、前記酸化カルシウムの含有率が０．４ｗｔ％〜０．６ｗｔ％であり、０℃〜１５０℃の範囲で体積抵抗率が１Ｅ＋１６Ωｃｍ以上であることを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、基板本体と、前記基板本体に内設された静電電極とを含む載置台を有し、前記基板本体は、酸化アルミニウムを主成分とし、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、及び酸化カルシウムを含むセラミックスからなり、前記酸化カルシウムの含有率が０．４ｗｔ％〜０．６ｗｔ％であり、０℃〜１５０℃の範囲で体積抵抗率が１Ｅ＋１６Ωｃｍ以上である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、その開示の他の観点によれば、チャンバと、前記チャンバの内部に配置された静電チャックとを備え、前記静電チャックは、前記チャンバ内で処理される基板が載置される載置台を有し、前記載置台は、酸化アルミニウムを主成分とし、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、及び酸化カルシウムを含むセラミックスから形成された基板本体と、前記基板本体に内設された静電電極と、を含み、前記基板本体は、前記酸化カルシウムの含有率が０．４ｗｔ％〜０．６ｗｔ％であり、０℃〜１５０℃の範囲で体積抵抗率が１Ｅ＋１６Ωｃｍ以上である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月4日(2018.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電力を用いてフッ素含有ガスを含む第１の処理ガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマによりシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜をエッチングする第１の工程と、
前記第１の工程の後、高周波電力を用いて臭素含有ガスを含む第２の処理ガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記積層膜をエッチングする第２の工程と、
を有し、
前記第１の工程において、前記シリコン酸化膜と前記シリコン窒化膜との界面に段差が生じ、
前記第２の工程において、前記段差を除去する、プラズマエッチング方法。
【請求項２】
前記第１の工程及び前記第２の工程は、−３０℃以下において実行される、請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記第２の処理ガスは、前記第１の処理ガスを含む、請求項１又は２に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】
前記第２の処理ガスは、前記第１の処理ガスとは異なる処理ガスを含む、請求項１又は２に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項５】
前記第１の工程及び前記第２の工程の少なくとも一方において、前記高周波電力よりも大きい高周波電力をさらに印加する、請求項１から４のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】
前記第１の処理ガスは、水素含有ガスを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】
前記フッ素含有ガスはＣＦ４であり、前記水素含有ガスはＨ２である、請求項６に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項８】
前記臭素含有ガスは、ＨＢｒである、請求項１から７のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項９】
シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜をエッチングする方法であって、
フッ素を含むプラズマにより前記積層膜をエッチングする第１の工程と、
臭素を含むプラズマにより前記積層膜をエッチングする第２の工程と、
を有し、
前記第１の工程において、前記シリコン酸化膜と前記シリコン窒化膜との界面に段差が生じ、
前記第２の工程において、前記段差を除去する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、高周波電力を用いてフッ素含有ガスを含む第１の処理ガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマによりシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜をエッチングする第１の工程と、
前記第１の工程の後、高周波電力を用いて臭素含有ガスを含む第２の処理ガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記積層膜をエッチングする第２の工程と、を有し、前記第１の工程において、前記シリコン酸化膜と前記シリコン窒化膜との界面に段差が生じ、前記第２の工程において、前記段差を除去する、プラズマエッチング方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月8日(2018.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを処理室にてプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
酸素元素を含有する第１のガスとシリコン元素を含有する第２のガスとの混合ガスを用いて前記処理室の内壁に堆積膜を堆積させる第１の工程と、
前記第１の工程後、前記ウェハをエッチングするとともに前記堆積膜を除去する第２の工程とを有し、
前記混合ガスの流量に対する前記第１のガスの流量の比は、０．５以下である、プラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理方法において、
前記堆積膜の膜密度は、前記堆積膜の膜表面に到達する金属の拡散を抑制する膜密度である、プラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理方法において、
前記堆積膜の膜密度は、１．９ｇ／ｃｍ3以上である、プラズマ処理方法。
【請求項４】
ウェハを処理室にてプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
酸素元素を含有する第１のガスとシリコン元素を含有する第２のガスとの混合ガスを用いて前記処理室の内壁に堆積膜を堆積させる第１の工程と、
前記第１の工程後、前記ウェハをエッチングするとともに前記堆積膜を除去する第２の工程とを有し、
前記堆積膜は、第１の膜と第２の膜を含み、
前記第１の膜のシリコン元素含有量は、前記第２の膜のシリコン元素含有量より多い、プラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項４記載のプラズマ処理方法において、
前記第１の膜は、前記混合ガスの流量に対する前記第１のガスの流量の比が０．５以下となる前記混合ガスを用いて生成され、
前記第２の膜は、前記混合ガスの流量に対する前記第１のガスの流量の比が０．５より大きい前記混合ガスを用いて生成される、プラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記第１の膜の膜密度は、前記堆積膜の膜表面に到達する金属の拡散を抑制する膜密度である、プラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマ処理方法において、
前記第１の膜の膜密度は、１．９ｇ／ｃｍ3以上である、プラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項２または請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記金属がタングステンの場合、前記堆積膜の膜密度は、１．９３ｇ／ｃｍ3以上であり、
前記金属がチタンの場合、前記堆積膜の膜密度は、１．９４ｇ／ｃｍ3以上である、プラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記第１のガスは、酸素ガスであり、
前記第２のガスは、四塩化シリコンガスである、プラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月27日(2017.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数の電子部品が一体化された電子部品モジュールであって、
基板（１０）と、
前記基板の表面（１１ａ、１２ａ）に実装された複数の電子部品（２１、２２）と、
前記基板に固定され、金属で構成された放熱板（３０）とを備え、
前記基板は、第１基板部（１１）と、第２基板部（１２）と、第３基板部（１３）とを有し、
前記複数の電子部品は、前記第１基板部の一面（１１ａ）に実装された１つ以上の第１部品（２１）と、前記第２基板部の一面（１２ａ）に実装された１つ以上の第２部品（２２）とを有し、
前記第１基板部と前記第２基板部は、前記第１基板部の前記一面と前記第２基板部の前記一面とを向かい合わせにして配置されており、
前記第３基板部が前記第１基板部と前記第２基板部の間に配置されることにより、前記第１基板部と、前記第３基板部と、前記第２基板部とが連なっており、
前記基板は、複数のフィルム状の絶縁基材（１０１）が積層されており、
前記第３基板部は、前記第１基板部および前記第２基板部よりも前記複数の絶縁基材の積層数が少なくされており、
前記第３基板部の一部（１３１、１３２）または全部は、屈曲した形状であり、
前記放熱板は、前記第１基板部、前記第２基板部、前記第３基板部の少なくとも１つ以上に固定された固定部（３１、３２、３３）と、前記第１基板部と前記第２基板部に挟まれた領域（Ｒ１）の側方に位置する側方部（３４、３５、３６）とを有し、
前記側方部は、屈曲した形状の屈曲部を介して、前記固定部と連なっている電子部品モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
複数の電子部品が一体化された電子部品モジュールの製造方法であって、
放熱板（３０）が固定された基板（１０）を準備することと、
前記基板の表面（１１ａ、１２ａ）に複数の電子部品（２１、２２）を実装することと、
実装された前記基板および前記放熱板のそれぞれを折り曲げることとを備え、
準備される前記基板は、複数のフィルム状の絶縁基材（１０１）が積層されているとともに、第１基板部（１１）と、第２基板部（１２）と、前記第１基板部と前記第２基板部の両方に連なる第３基板部（１３）とを有し、
前記第３基板部は、前記第１基板部および前記第２基板部よりも前記複数の絶縁基材の積層数が少なくされており、
前記基板に固定された前記放熱板は、前記第１基板部、前記第２基板部、前記第３基板部の少なくとも１つ以上に重なって固定された固定部（３１、３２、３３）と、前記固定部に連なっており、前記第１基板部、前記第２基板部、前記第３基板部のいずれとも重なっていない側方部（３４、３５、３６）とを有し、
前記実装することは、前記第１基板部の一面（１１ａ）に１つ以上の第１部品（２１）を実装することと、前記第２基板部の一面（１２ａ）に１つ以上の第２部品（２２）を実装することとを含み、
前記折り曲げることは、前記基板の前記第３基板部の一部（１３１、１３２）または全部を折り曲げて、前記第１基板部の前記一面と前記第２基板部の前記一面とを向かい合わせに配置するとともに、前記第１基板部と前記第２基板部の間を連ねる前記第３基板部を構成することと、前記側方部を折り曲げて、前記第１基板部と前記第２基板部に挟まれた領域（Ｒ１）の側方に前記側方部を位置させることとを含む電子部品モジュールの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、
複数の電子部品が一体化された電子部品モジュールであって、
基板（１０）と、
基板の表面（１１ａ、１２ａ）に実装された複数の電子部品（２１、２２）と、
基板に固定され、金属で構成された放熱板（３０）とを備え、
基板は、第１基板部（１１）と、第２基板部（１２）と、第３基板部（１３）とを有し、
複数の電子部品は、第１基板部の一面（１１ａ）に実装された１つ以上の第１部品（２１）と、第２基板部の一面（１２ａ）に実装された１つ以上の第２部品（２２）とを有し、
第１基板部と第２基板部は、第１基板部の一面と第２基板部の一面とを向かい合わせにして配置されており、
第３基板部が第１基板部と第２基板部の間に配置されることにより、第１基板部と、第３基板部と、第２基板部とが連なっており、
基板は、複数のフィルム状の絶縁基材（１０１）が積層されており、
第３基板部は、第１基板部および第２基板部よりも複数の絶縁基材の積層数が少なくされており、
第３基板部の一部（１３１、１３２）または全部は、屈曲した形状であり、
放熱板は、第１基板部、第２基板部、第３基板部の少なくとも１つ以上に固定された固定部（３１、３２、３３）と、第１基板部と第２基板部に挟まれた領域（Ｒ１）の側方に位置する側方部（３４、３５、３６）とを有し、
側方部は、屈曲した形状の屈曲部を介して、固定部と連なっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項５に記載の発明は、
複数の電子部品が一体化された電子部品モジュールの製造方法であって、
放熱板（３０）が固定された基板（１０）を準備することと、
基板の表面（１１ａ、１２ａ）に複数の電子部品（２１、２２）を実装することと、
実装された基板および放熱板のそれぞれを折り曲げることとを備え、
準備される基板は、複数のフィルム状の絶縁基材（１０１）が積層されているとともに、第１基板部（１１）と、第２基板部（１２）と、第１基板部と第２基板部の両方に連なる第３基板部（１３）とを有し、
第３基板部は、第１基板部および第２基板部よりも複数の絶縁基材の積層数が少なくされており、
基板に固定された放熱板は、第１基板部、第２基板部、第３基板部の少なくとも１つ以上に重なって固定された固定部（３１、３２、３３）と、固定部に連なっており、第１基板部、第２基板部、第３基板部のいずれとも重なっていない側方部（３４、３５、３６）とを有し、
実装することは、第１基板部の一面（１１ａ）に１つ以上の第１部品（２１）を実装することと、第２基板部の一面（１２ａ）に１つ以上の第２部品（２２）を実装することとを含み、
折り曲げることは、基板の第３基板部の一部（１３１、１３２）または全部を折り曲げて、第１基板部の一面と第２基板部の一面とを向かい合わせに配置するとともに、第１基板部と第２基板部の間を連ねる第３基板部を構成することと、側方部を折り曲げて、第１基板部と第２基板部に挟まれた領域（Ｒ１）の側方に側方部を位置させることとを含む。