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　特願２０００−３３５５１２「半導体基板の化学機械研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　２月２２日出願公開、特開２００２−　５７１３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年１１月２日（パリ条約による優先権主張２０００年８月５日、台湾）の出願であって、その請求項１ないし５に係る発明は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「【請求項１】　半導体基板の化学機械研磨方法であって、
　表面に第１誘電層により被覆される第１伝導層を備え、前記第１誘電層には、不適当な工程又は材料の使用によって顆粒が残留している半導体基板を提供する工程と、
　前記第１誘電層に対して化学機械研磨工程を施し、前記顆粒を取り除き、前記第１伝導層の少なくとも一部が露出する工程と、
　前記基板表面上に前記第１誘電層と同材質からなる第２誘電層を堆積し、露出している前記第１伝導層を、前記第２誘電層で被覆する工程と、を本質的に有していて、
　前記第２誘電層の厚さが100〜250ｎｍであることを特徴とする化学機械研磨方法。」
　
第２　引用例記載の発明
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平３−２４７３０号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の事項が記載されている。
１　第１頁左下欄第１２−１４行
「（産業上の利用分野）
　本発明は、半導体装置の製造工程において、絶縁膜の表面を平坦化する方法に係わり、・・・」
２　第２頁左下欄第８−１９行
「まず、第１図(ａ)に示す如く、所望の素子を形成したＳｉ基板１１上にＡｌ配線１２を形成し、その後ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ２膜１３を層間絶縁膜として形成する。・・・
　次いで、ウェハポリッシャーにより、シリカゾルコロイダル水溶液を研磨液として用いて、ＳｉＯ２膜１３の表面をポリシングする。」
３　第３頁左上欄第１９行−右上欄第６行
「なお、この後に、第１図(ｄ)に示す如く、再度ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ２膜１７を形成して表面をより平坦にすることが可能であり、・・・ＳｉＯ２膜１３又はＳｉＯ２膜１７上には多層配線等が形成されることになる。」
　上記摘記事項１−３及び第１図の記載からみて、引用例には、
「Ｓｉ基板１１のポリシング方法であって、
　表面にＳｉＯ２膜１３により被覆されるＡｌ配線１２を備えるＳｉ基板１１を提供する工程と、
　前記ＳｉＯ２膜１３に対してポリシング工程を施す工程と、
　前記基板表面上に前記ＳｉＯ２膜１３と同材質からなるＳｉＯ２膜１７を堆積する工程と、を本質的に有している、
　ポリシング方法。」（以下、「引用例記載の発明という。」）が記載されていると認められる。
　
第３　対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、後者の「Ｓｉ基板１１」、「ＳｉＯ２膜１３」、「Ａｌ配線１２」、「ＳｉＯ２膜１７」は、それぞれ前者の「半導体基板」、「第１誘電層」、「第１伝導層」、「第２誘電層」に相当する。
　また、後者の「ポリシング方法」と前者の「化学機械研磨方法」は、「研磨方法」である限りにおいて一致し、後者の「ポリシング工程」と前者の「化学機械研磨工程」は、「研磨工程」である限りにおいて一致する。
　そうすると、両者は、
「半導体基板の研磨方法であって、
　表面に第１誘電層により被覆される第１伝導層を備える半導体基板を提供する工程と、
　前記第１誘電層に対して研磨工程を施す工程と、
　前記基板表面上に前記第１誘電層と同材質からなる第２誘電層を堆積する工程と、を本質的に有している、
　研磨方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点１〉研磨が、本願発明は、化学機械研磨であるのに対し、引用例記載の発明は、ポリシングである点。
〈相違点２〉表面に第１誘電層により被覆される第１伝導層を備える半導体基板を提供する工程、前記第１誘電層に対して研磨工程を施す工程、前記基板表面上に前記第１誘電層と同材質からなる第２誘電層を堆積する工程のそれぞれが、本願発明では、第１誘電層に不適当な工程又は材料の使用によって顆粒が残留している半導体基板を提供し、前記顆粒を取り除き前記第１伝導層の少なくとも一部が露出し、露出している前記第１伝導層を前記第２誘電層で被覆するのに対し、引用例記載の発明では、第１誘電層に不適当な工程又は材料の使用によって顆粒が残留している半導体基板を提供するか否か、前記顆粒を取り除き前記第１伝導層の少なくとも一部が露出するか否か、露出している前記第１伝導層を前記第２誘電層で被覆するか否か、明らかでない点。
〈相違点３〉本願発明は、第２誘電層の厚さが100〜250ｎｍであるのに対し、引用例記載の発明は、第２誘電層の厚さについて特に記載されていない点。
　
第４　当審の判断
　上記各相違点について検討する。
１　相違点１について
　研磨技術の分野において、化学機械研磨もポリシングも、ともに従来周知である。
　そうすると、引用例記載の発明において、ポリシングを化学機械研磨に置き換えることに特段の阻害事由がないことを勘案すれば、引用例記載の発明において、ポリシングを化学機械研磨とすることで、相違点１に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得るものである。
２　相違点２について
　本願発明における「表面に第１誘電層により被覆される第１伝導層を備える半導体基板を提供する工程」について、発明の詳細な説明を参酌するに、研磨工程に先立ち、第１誘電層中に顆粒が残留している半導体基板を特に抽出するものである旨記載されていないことから、顆粒が残留していない半導体基板を提供することを排除するものでないと解することが相当である。
　一方、引用例記載の発明において、「表面に第１誘電層により被覆される第１伝導層を備える半導体基板を提供する工程」が、第１誘電層中に顆粒が残留している半導体基板を提供することを排除することまでも意図したものでないことは当業者において明らかであるから、引用例記載の発明は、表面に第１誘電層により被覆される第１伝導層を備える半導体基板の、前記第１誘電層に顆粒が残留し、第１誘電層に施す研磨工程により、前記顆粒を取り除き第１伝導層の少なくとも一部が露出し、第２誘電層の堆積により、露出している第１伝導層を被覆するものをも含むものである。
　そうすると、両者は、相違点２に係る構成において実質的に相違するものではない。
３　相違点３について
　本願発明における第２誘電層も、引用例記載の発明における第２誘電層も、ともに基板表面を平坦にする点で、同様の機能を有するものである。
　また、本願明細書の記載を見るに、本願発明において第２誘電層の厚さを100〜250ｎｍに限定した点に、特別な意味があるとも認められない。
　そうすると、本願発明において、第２誘電層の厚さが100〜250ｎｍであるとした点は、当業者が適宜設定し得る設計事項にすぎない。
４　作用効果について
　本願発明の作用効果は、引用例記載の発明が本来的に内在する作用効果を追認したにすぎず、引用例記載の発明から当業者が予測できる程度のものであり、格別のものではない。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明および従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願の請求項２ないし５に係る発明について判断するまでもなく、本願は拒絶すべきである。
　よって、結論のとおり審決する。