【事件の表示】
　平成９年特許願第８０４７号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年８月７日出願公開、特開平１０−２０９２１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年１月２０日の出願であって、その請求項１〜１０に係る発明は、平成１６年３月２４日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
　
「半導体基板上に複数の電極パッドを並設し、該電極パッド各々の上に複数のバンプ電極を形成してなる半導体装置において、上記各電極パッド上の複数のバンプ電極は、該半導体装置を実装する液晶パネル上や基板上に形成された導体パターンまたは、基板のデバイスホール上に形成された導体パターンと一体形成される導体リードと、該半導体装置上に形成された上記電極パッドとを接続するものであって、上記電極パッドの並設方向に対して直交する方向に一列に配置されていると共に、ストレートウォール状に形成されており、上記各電極パッドと複数のバンプ電極との間に開口部が形成された保護膜を有し、該開口部が複数のバンプ電極と同数形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　
２．当審の拒絶理由
　一方、当審において平成１６年２月３日付けで通知した拒絶の理由の概要は、「本願の各発明は、本願の出願前に頒布された刊行物１〜７に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　
３．刊行物の記載事項
　そして、上記拒絶理由で引用された刊行物１〜５には、以下の事項が記載されている。
（１）刊行物１：実願昭５６−１７８５１８号
　　　　　　　（実開昭５８−８３１５９号）のマイクロフィルム
（１ａ）「ＩＣをメモリーカードに組み込むのに従来は、第１図及び第２図に示すようにしている。すなわち、ＩＣ１の電極端子２に突起したバンプ３を設け、メモリーカードの回路ベース４にボンデイング（５）された長方形の導電性リード板６にバンプ３を押接して固着するようにしている。しかしながら、かかる方法では通常のＩＣ１の電極端子２に特別なバンプ３を設ける作業が必要なため、ＩＣ１の製造に時間を要すると共に、製造コストが高くなるといった欠点があった。また、バンプ３が各電極端子２に１つずつ配設されているため、電気的に導通しない場合も起るといった問題があった。」（第３頁第１７行〜第４頁第９行）
（１ｂ）「この考案は、極薄型ＩＣの接続用リードの構造に関し、極薄型ＩＣの電極端子を回路ベースに接続するための導電性リード素子を複数個並列に配設し、上記極薄型ＩＣの電極端子及び回路ベースの電気的接続を確実ならしめるようにしたものである。
　第３図（Ａ），（Ｂ）はギャグボンデイング法によるこの考案の一実施例を示すものであり、ＩＣ１の電極端子２を長方形状にすると共に、その中に２個ずつバンプ３Ａ及び３Ｂを設ける。このように、各電極端子２に２個ずつのバンプ３Ａ，３Ｂを並列に設けることにより、ＩＣ１を回路ベースに接続した場合に、たとえ２個のバンプ３Ａ，３Ｂの一方が接触不良であっても他方で補えることができるので電気的な事故を引き起すことはない。」（第４頁第１３行〜第５頁第７行）
（１ｃ）第３図（Ａ）には、ＩＣ上に複数の電極端子を併設し、該電極端子各々の上に複数のバンプを形成したものにおいて、該複数のバンプが上記電極端子の並設方向に対して直交する方向に一列に配置されているものが図示されている。
　
（２）刊行物２：特開平７−５８１１２号公報
（２ａ）図１では、半導体基板上に形成された開口部を有する絶縁膜に電極パッドが形成され、バンプ電極が複数形成され、電極バンプ側面が垂直に形成されていることが図示されている。
（２ｂ）「本発明は、・・・半導体装置全般に亘って適用することができる。」（【００１８】第５〜７行）
　
（３）刊行物３：特開平５−１２９３０６号公報
（３ａ）図１，図２には、シリコン基板上に、アルミ電極パッドを設け、パッシベーション膜を設けていない部分にバンプ型電極を設け、バンプ型電極の側面が垂直に形成されていることが図示されている。
（３ｂ）「【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に外部接続端子である、バンプ型電極を有する半導体装置の製造方法に関する。」（【０００１】第１〜３行）
　
（４）刊行物４：特開平４−１２０７３４号公報
（４ａ）第１図、第３図には、半導体基板上にＡｌ配線が形成され、絶縁膜を設けていない部分にＴｉ膜を介して金バンプを設け、金バンプ側面が垂直に形成されていることが図示されている。
（４ｂ）「［産業上の利用分野］本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に、金バンプの形成方法に関する。」（第１頁右下欄第８〜９行）
　
（５）刊行物５：特開平１−２０５５４３号公報
（５ａ）「本発明では第２図に示すように、１つの細長い電極パッド６が絶縁膜７によって２分割されていて、内外二つの電極パッド８及び９が存在する。本発明では、この内外二つの電極パッド８及び９を用いて、以下に示す工程により、ＬＳＩ素子４の動作テスト及び実装を行うことができる。なお、１０は配線層を示す。・・・第５図（ａ）の例では第２図や第３図における内外二つの電極パッドのうち、内側の電極パッド８をテスト用、外側の電極パッド９を実装用としたが、実際にはどちらでも問題がないことはいうまでもない。」（第２頁右上欄第３〜１９行）
（５ｂ）４．図面の簡単な説明には、「第２図及び第３図は、それぞれ、本発明に従ったＬＳＩ素子上の電極パッドの構造を示す断面図及び平面図であり、」と記載され、第２図又は第３図には、ＬＳＩ素子上の配線層上に電極パッドが形成され、絶縁膜が形成されていない箇所が２箇所に分割されていることが図示され、第２図には、電極パッド周辺にも絶縁膜が形成されていることが図示されている。
（５ｃ）第５図（ａ）には、ＬＳＩチップ１３上の内側及び外側電極パット上のはんだ１１，１２を基板と接続することが図示されている。
　
 ４．対比・判断
　刊行物１には、上記摘記事項（１ａ）からＩＣの電極端子にバンプを設け回路ベースにボンディングされた導電性リード板にバンプを押接して固着することが記載され、バンプが各電極端子に１つずつ配設されているため電気的に導通しない場合も起るといった問題が認識されている。
　また、上記摘記事項（１ｂ）（１ｃ）には、上記問題認識のため、ＩＣ上に複数の電極端子を併設し、該電極端子各々の上に複数のバンプを形成したものにおいて、該複数のバンプが上記電極端子の並設方向に対して直交する方向に一列に配置されたものが示されている。
　そして、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｃ）を総合的に判断すると、刊行物１には、「ＩＣ上に複数の電極端子を併設し、該電極端子各々の上に複数のバンプを形成したものにおいて、該複数のバンプが、回路ベース上の導電性リード板とＩＣの電極端子とを固着するものであって、上記電極端子の並設方向に対して直交する方向に一列に配置されたものが示されている装置」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
　
　そして、本願発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「ＩＣ」「電極端子」「バンプ」「回路ベース」「装置」は、本願発明１の「半導体基板」「電極パッド」「バンプ電極」「半導体装置を実装する基板」「半導体装置」に、それぞれ相当する。
　ここで、刊行物１発明の「導電性リード板」は、半導体実装時に、半導体と実装用基板とを電気的に接続するためのパターン化された導体である。
　したがって、両者は、「半導体基板上に複数の電極パッドを並設し、該電極パッド各々の上に複数のバンプ電極を形成してなる半導体装置において、上記各電極パッド上の複数のバンプ電極は、該半導体装置を実装する基板上に形成された導体パターンと、該半導体装置上に形成された上記電極パッドとを接続するものであって、上記電極パッドの並設方向に対して直交する方向に一列に配置されている半導体装置」である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
イ．本願発明１が、バンプ電極がストレートウォール状に形成されているのに対して、刊行物１発明では、バンプ電極の形状について特定していない点。
ロ．本願発明１が、「各電極パッドと複数のバンプ電極との間に開口部が形成された保護膜を有し、該開口部が複数のバンプ電極と同数形成されていること」を特定しているのに対して、刊行物１発明では、そのことについて明らかでない点。
　
　上記相違点について検討する。
　相違点イについて
　刊行物２の上記摘記事項（２ａ）（２ｂ），刊行物３の上記摘記事項（３ａ）（３ｂ），刊行物４の上記摘記事項（４ａ）（４ｂ）に記載されるように、半導体装置のバンプ電極の側面を垂直に形成すること、つまりストレートウォール状に形成することは、周知技術であるので、刊行物１発明において、バンプ電極をストレートウォール状に形成することは、当業者が適宜になし得たものと認められる。
　
　相違点ロについて
　刊行物１発明と同一技術分野の刊行物５の上記摘記事項（５ａ）（５ｂ）（５ｃ）から、刊行物５には、電極パッドを絶縁膜が複数箇所に分割しており、電極パッド上のはんだ、つまりバンプ電極が形成されていない部分には、絶縁膜が形成されていることが示されている。また、第２図には、電極パッド周辺にも絶縁膜が形成されていることが図示されている。
　刊行物５記載の絶縁膜は保護膜としての機能を有していることは明らかであり、電極パッドを複数に分割する絶縁膜と電極パッド周辺の絶縁膜によって、各電極パッドと複数のバンプ電極との間に開口部が形成されていることになるので、刊行物５には、各電極パッドと複数のバンプ電極との間に開口部が形成された保護膜を有し、該開口部が複数のバンプ電極と同数形成されているものが示されているといえる。
　したがって、刊行物１発明において、同一技術分野の刊行物５の公知技術を適用することは、当業者が容易になし得たものと認められる。
　
　してみると、刊行物１発明に、刊行物５記載の保護膜に係る技術及びストレートウォール状バンプ電極に関する上記周知技術を適用し、本願発明１の半導体装置を形成することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　そして、本願発明１の明細書【００９４】に記載された、電極パッドの剥き出し部分がなくなり、バンプ形成時の電極パッド溶けや実装後の電極パッド腐食が発生せず、接続の信頼性が向上するという効果も保護膜本来の機能及び引用例の記載から予測できるもので、格別顕著ではない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の他の請求項２〜１０に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。