(57)【要約】  環境に放射線（２０９、２０９−１、２０９−２）を放出するための送出ユニット（１００−１）であって、第１のセクション（２０２）および第２のセクション（２０３）を有する少なくとも１つの第１の放出器を有する少なくとも１つの半導体レーザ（１０２）と、半導体レーザ（１０２）を制御するための少なくとも１つの制御ユニット（１０１）と、を備え、制御ユニット（１０１）が、少なくとも１つの放出器の第１のセクション（２０２）に第１の供給変数（２０４）を印加し、少なくとも１つの放出器の第２のセクション（２０３）に、第１の供給変数（２０４）とは異なる第２の供給変数（２０５、３０１−１、３０１−２）を印加するように構成されている送出ユニット（１００−１）。
2020521139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環境に放射線（２０９、２０９−１、２０９−２）を放出するための送出ユニット（１００−１）であって、
第１のセクション（２０２）および第２のセクション（２０３）を有する少なくとも１つの第１の放出器を有する少なくとも１つの半導体レーザ（１０２）と、前記半導体レーザ（１０２）を制御するための少なくとも１つの制御ユニット（１０１）と、を備え、
前記制御ユニット（１０１）が、前記少なくとも１つの放出器の前記第１のセクション（２０２）に第１の供給変数（２０４）を印加し、前記少なくとも１つの放出器の前記第２のセクション（２０３）に、前記第１の供給変数（２０４）とは異なる第２の供給変数（２０５、３０１−１、３０１−２）を印加するように構成されている
ことを特徴とする送出ユニット（１００−１）。
【請求項２】
前記第１のセクション（２０２）が、少なくとも１つの半導体材料を含む第１の領域（５０２）を有し、前記第２のセクション（２０３）が、少なくとも１つの半導体材料を含む第２の領域（５０３）を有し、前記第１の領域（５０２）と前記第２の領域（５０３）とが互いに離間していることを特徴とする請求項１に記載の送出ユニット（１００−１）。
【請求項３】
前記半導体レーザが、少なくとも２つの放出器（２０１−１、２０１−２）を有し、
前記少なくとも２つの放出器（２０１−１、２０１−２）それぞれが、前記放出器にそれぞれ割り当てられた第１のセクション（２０２−１、２０２−２）と、前記放出器にそれぞれ割り当てられた第２のセクション（２０３−１、２０３−２）とを有する
ことを特徴とする請求項２に記載の送出ユニット（１００−１）。
【請求項４】
前記制御ユニット（１０１）が、前記少なくとも２つの放出器（２０１−１、２０１−１）それぞれの前記それぞれ第２のセクション（２０３−１、２０３−２）に、前記それぞれの放出器（２０１−１、２０１−２）に割り当てられた第２の供給変数（３０１−１、３０１−２）を印加し、前記第２の供給変数（３０１−１、３０１−２）が特に異なっているように構成されていることを特徴とする請求項３に記載の送出ユニット（１００−１）。
【請求項５】
前記少なくとも２つの放出器（２０１−１、２０１−２）それぞれの前記それぞれ第２セクション（２０３−１、２０３−２）への、前記それぞれの放出器（２０１−１、２０１−２）に割り当てられた第２の供給変数（３０１−１、３０１−２）の前記印加によって、前記放射線（２０９−１、２０９−２）の時間相関された放出が生成可能であることを特徴とする請求項４に記載の送出ユニット（１００−１）。
【請求項６】
前記送出ユニット（１００−１）が、さらに、少なくとも１つの基準放射線（３０２−１、３０２−２）を検出するための検出器（３０３）を備え、前記それぞれの放出器（２０１−１、２０１−２）に割り当てられる第２の供給変数（３０１−１、３０１−２）が、前記少なくとも１つの基準放射線（３０２−１、３０２−２）に依存することを特徴とする請求項４または５に記載の送出ユニット（１００−１）。
【請求項７】
前記送出ユニットが、さらなる光学ユニット（１０３）、特に、前記半導体レーザによって送出された放射線（２０９−１、２０９−２）を偏向方向（２０８）に沿って環境へ偏向するための偏向ユニット（２０７）を有することを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の送出ユニット（１００−１）。
【請求項８】
前記ライダーセンサが、さらに、物体（１０４）によって環境へ反射された放射線を受け取るための受光ユニット（１００−２）を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の送出ユニット（１００−１）を備えたライダーセンサ（１００）。
【請求項９】
環境に放射線（２０９−１、２０９−２）を放出するための、第１のセクション（２０２）および第２のセクション（２０３）を有する少なくとも１つの第１の放出器を有する少なくとも１つの半導体レーザ（１０２）を備える送出ユニット（１００−１）を制御するための方法であって、
制御ユニット（１０１）によって、第１の供給変数（２０４）を第１のセクション（２０２）に印加するステップと、
前記制御ユニット（１０１）によって、前記第１の供給変数（２０４）とは異なる第２の供給変数（２０５、３０１−１、３０１−２）を前記第２のセクション（２０３）に印加するステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記半導体レーザ（１０２）が、少なくとも２つの放出器（２０１−１、２０１−２）を有し、前記少なくとも２つの放出器（２０１−１、２０１−２）それぞれが、前記放出器（２０１−１、２０１−２）にそれぞれ割り当てられた第１のセクション（２０２−１、２０２−２）と、前記放出器（２０１−１、２０１−２）にそれぞれ割り当てられた第２のセクション（２０３−１、２０３−２）とを有し、
前記少なくとも２つの放出器（２０１−１、２０１−１）それぞれの前記それぞれ第２のセクション（２０３−１、２０３−２）に、前記それぞれの放出器（２０１−１、２０１−２）に割り当てられた第２の供給変数（３０１−１、３０１−２）が印加され、前記第２の供給変数（３０１−１、３０１−２）が特に異なっている
ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
検出器（３０３）によって少なくとも１つの基準放射線（３０２−１、３０２−２）を検出するステップと、
前記少なくとも１つの基準放射線（３０２−１、３０２−２）を分析するステップと、
前記分析に応じて、前記それぞれの放出器（２０１−１、２０１−２）に割り当てられる第２の供給変数（３０１−１、３０１−２）を適合させるステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、独立クレームのプリアンブルによる、環境に放射線を放出するための送出ユニット、および送出ユニットを制御するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＯＲＴＮＯＩ，  Ｅ．  Ｌ．他「Ｓｕｐｅｒｈｉｇｈ−Ｐｏｗｅｒ  Ｐｉｃｏｓｅｃｏｎｄ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｕｌｓｅｓ  ｆｒｏｍ  Ｑ−Ｓｗｉｔｃｈｅｄ  Ｄｉｏｄｅ  Ｌａｓｅｒ（Ｑスイッチダイオードレーザからの超高出力ピコ秒光パルス）」ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｅｌｅｃｔｅｄ  Ｔｏｐｉｃｓ  ｉｎ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ．  Ａｐｒｉｌ  １９９７，  Ｖｏｌ．  ３，  Ｎｏ．  ２，  ２５６〜２６０頁という刊行物に、受動Ｑスイッチングによって作動される半導体レーザが開示されている。
【０００３】
米国特許第７４２８３４２号から、受動Ｑスイッチングによって固体レーザが作動されるＬｉＤＡＲシステムが知られている。
【発明の概要】
【０００４】
本発明は、環境に放射線を放出するための送出ユニットであって、第１のセクションおよび第２のセクションを有する少なくとも第１の放出器を有する少なくとも１つの半導体レーザと、半導体レーザを制御するための少なくとも１つの制御ユニットとを備える送出ユニットを基礎とする。
【０００５】
本発明によれば、制御ユニットは、少なくとも１つの放出器の第１のセクションに第１の供給変数を印加し、少なくとも１つの放出器の第２のセクションに、第１の供給変数とは異なる第２の供給変数を印加するように構成されている。
【０００６】
供給変数は、電荷でよい。供給変数は、例えば電流または電圧でもよい。第１のセクションは、増幅器セクションと呼ぶことができる。ここでは、例えば、電荷担体を蓄積することができる。第２のセクションは、スイッチングセクションと呼ぶことができる。第２のセクションは、迅速に切り替えることができる。放射線は、レーザビームでよい。レーザビームは、パルス化することができる。
【０００７】
例えば、第１の供給変数の量と第２の供給変数の量とは互いに異なることがある。第１のセクションに第１の供給変数が印加される時点は、第２のセクションに第２の供給変数が印加される時点とは異なることがある。このために、第１のセクションの接触部は、第２のセクションの接触部と異なることがある。
【０００８】
本発明の利点は、能動Ｑスイッチングによって、すなわち少なくとも１つの第２の供給変数によって、半導体レーザに意図的に影響を及ぼすことができることである。したがって、半導体レーザによるレーザビームの送出の時点を、非常に正確に制御することができる。送出ユニットは、高エネルギーおよび高出力を有する短いレーザパルスを放出（送出）することができる。例えば、固体レーザの使用と比較して、半導体レーザにより、特に１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの範囲内の高いパルス繰り返し率を達成することができる。半導体レーザは、より小さい設計サイズで、より低コストであるという利点を提供する。Ｑスイッチではないレーザを備えた送出ユニットと比較して、同じパルスエネルギーでより高いパルスパワーを実現することができる。これは、送出ユニットの視線安全性および受光ユニットの検出範囲（信号対雑音比の改善）に関して有利である。
【０００９】
本発明の有利な実施形態では、第１のセクションが、少なくとも１つの半導体材料を含む第１の領域を有することが企図されている。第２のセクションは、少なくとも１つの半導体材料を含む第２の領域を有する。第１の領域と第２の領域とは、互いに離間している。
【００１０】
第１の領域と第２の領域とは、異なる材料から構成することができる。第１の領域と第２の領域とは、異なる構造にすることができる。第１の領域と第２の領域との離間により、第１の領域と第２の領域との間に第３の領域を構成することができる。この第３の領域は、例えば、電荷が第１の領域から第２の領域に直接、またはその逆に伝送され得ないように、絶縁領域でよい。したがって、第１の領域と第２の領域とは、少なくとも接触面で電気的に分離することができる。
【００１１】
この利点は、半導体材料に、半導体レーザの第１のセクションおよび第２のセクションの接触部が実現されることにある。第１の領域と第２の領域との離間により、第１のセクションへの第１の供給変数の印加、および第２のセクションへの第２の供給変数の印加を定義して、非常に正確に行うことができる。したがって、例えば、第１の領域と第２の領域との間の電荷担体の交換を回避することができる。これによって、意図的に、増幅器セクションに電荷を印加することができる。第２のセクションは、意図的にかつ迅速に切り替えることができる。
【００１２】
本発明の一実施形態では、半導体レーザは、厳密に１つの放出器を備えることができる。この利点は、送出ユニットが、高エネルギーおよび高出力を有する点状レーザビームの形でレーザビームを放出できることである。
【００１３】
本発明のさらなる有利な形態では、半導体レーザは、少なくとも２つの放出器を備える。少なくとも２つの放出器はそれぞれ、放出器にそれぞれ割り当てられた第１のセクションと、放出器にそれぞれ割り当てられた第２のセクションとを有する。
【００１４】
この利点は、少なくとも２つの放出器を隣接して配置するとき、送出ユニットが、高エネルギーおよび高出力を有する線状レーザビームの形でレーザビームを放出することができることである。少なくとも２つの放出器の配置に応じて、レーザビームのさらなる幾何形状が考えられる。
【００１５】
本発明のさらなる有利な形態では、制御ユニットは、少なくとも２つの放出器それぞれのそれぞれ第２のセクションに、それぞれの放出器に割り当てられた第２の供給変数を印加し、第２の供給変数が特に異なっているように構成されている。
【００１６】
この利点は、少なくとも２つの放出器それぞれを個別に切り替えることができることである。
【００１７】
本発明のさらなる有利な実施形態では、少なくとも２つの放出器それぞれのそれぞれ第２のセクションに、それぞれの放出器に割り当てられた第２の供給変数を印加することによって、放射線の時間相関された放出を生成可能である。
【００１８】
この利点は、さらに高いパルス出力およびさらに小さいパルス幅が実現可能になることである。
【００１９】
本発明のさらなる有利な形態では、送出ユニットが、さらに、少なくとも１つの基準放射線を検出するための検出器を有する。それぞれの放出器に割り当てられる第２の供給変数は、少なくとも１つの基準放射線に依存する。
【００２０】
この利点は、これにより、少なくとも２つの放出器それぞれから送出されるレーザビームの分析が可能になることである。そこから、それぞれの放出器に割り当てられる第２の供給変数を適合させることができる。この適合は、例えば、放射線の放出をより良く時間相関させることができるようにし得る。
【００２１】
本発明のさらなる有利な形態では、送出ユニットは、さらなる光学要素を備える。送出ユニットは、半導体レーザによって送出された放射線を偏向方向に沿って環境へ偏向するための偏向ユニットを有する。偏向ユニットは、可動式でよく、その動きは制御可能であり得る。偏向ユニットは、例えばミラーでよい。
【００２２】
この利点は、半導体レーザから送出される放射線の形状と伝搬方向を変更することができることである。したがって、伝播方向は、ミラーまたはビームスプリッタなどの光学要素によって変更することができる。放射線の形状は、例えば光学レンズまたはプリズムによって変更することができる。可動式の偏向ユニットの制御によって、送出ユニットは、レーザビームを異なる空間方向に偏向できる必要があるシステムに使用することができる。
【００２３】
本発明は、さらに、上述したように、送出ユニットを備えたＬｉＤＡＲセンサを基礎とする。ＬｉＤＡＲセンサは、さらに、物体によって環境へ反射された放射線を受け取るための受光ユニットを有する。受光ユニットは、受け取られた放射線を検出するための検出器を有することができる。検出器は、特に、単一光子アバランシェフォトダイオード検出器（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｈｏｔｏｎ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｄｉｏｄｅ、ＳＰＡＤ）でよい。
【００２４】
この利点は、半導体レーザの能動Ｑスイッチングによって、ＬｉＤＡＲセンサに関する信号対雑音比が改善されることである。ここで、良好なＳ／Ｎ比は、送出ユニットの高エネルギーおよび高出力を有する短いレーザパルスに起因し得る。ＬｉＤＡＲセンサに関するシステム解像度を高めることができる。ここで述べたＬＩＤＡＲセンサの感知範囲は、能動Ｑスイッチングを備えた半導体レーザを有さない送出ユニットを備えるＬｉＤＡＲセンサの感知範囲よりも大幅に大きくなり得る。
【００２５】
本発明は、さらに、環境に放射線を放出するための、第１のセクションおよび第２のセクションを有する少なくとも１つの第１の放出器を備える少なくとも１つの半導体レーザを備える送出ユニットを制御するための方法を基礎とする。この方法は、制御ユニットによって第１のセクションに第１の供給変数を印加するステップを含む。この方法は、さらに、制御ユニットによって、第１の供給変数とは異なる第２の供給変数を第２のセクションに印加するステップを含む。
【００２６】
本発明の有利な形態では、半導体レーザは、少なくとも２つの放出器を備える。少なくとも２つの放出器はそれぞれ、放出器にそれぞれ割り当てられた第１のセクションと、放出器にそれぞれ割り当てられた第２のセクションとを有する。少なくとも２つの放出器それぞれのそれぞれ第２のセクションに、それぞれの放出器に割り当てられた第２の供給変数が印加される。第２の供給変数は特に異なる。
【００２７】
本発明のさらなる有利な形態では、この方法は、検出器によって少なくとも１つの基準放射線を検出するさらなるステップを含む。さらなるステップにおいて、少なくとも１つの基準放射線が分析される。さらなるステップにおいて、それぞれの放出器に割り当てられた第２の供給変数が分析に応じて適合される。
【００２８】
以下、添付図面を参照して、本発明の例示的実施形態をより詳細に説明する。図中の同じ参照符号は、同じまたは機能的に同じ要素を示す。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明による送出ユニットを備えたＬｉＤＡＲセンサを示す図である。
【図２】送出ユニットの第１の実施形態を示す図である。
【図３】送出ユニットの第２の実施形態を示す図である。
【図４Ａ】時間相関なしでの送出ユニットの放出されたレーザビームを示す図である。
【図４Ｂ】時間相関ありでの送出ユニットの放出されたレーザビームを示す図である。
【図５】半導体レーザの放出器の断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１に、例として、ＬＩＤＡＲｒセンサ１００の概略構造を示す。ＬｉＤＡＲセンサ１００は、送出ユニット１００−１を有する。さらに、送出ユニット１００−１は、制御ユニット１０１を有する。制御ユニット１０１によって、半導体レーザ１０２が制御され、したがって作動される。半導体レーザ１０２は、レーザビームの形での放射線を放出する。レーザビームは、パルス化されていることがある。送出ユニット１００−１の少なくとも１つのさらなる光学要素１０３によって、レーザビームの形状および伝播方向を変更することができる。光学要素１０３は、ここでは概略的にのみ示されている。光学要素１０３は、例えば、ミラー、ビームスプリッタ、レンズ、またはプリズムでよい。
【００３１】
レーザビームは、環境に放出（送出）され得る。レーザビームは、光学要素１０３による変更後、環境に放出（送出）され得る。環境内で、レーザビームは、物体１０４によって反射され得る。環境内で、レーザビームは、物体１０４によって散乱され得る。物体１０４によって反射および／または散乱された放射線を、ライダーセンサ１００の受光ユニット１００−２によって受け取ることができる。このために、受光ユニット１００−２も光学要素１０５を有することができる。受け取られた放射線を、検出器１０６に向けることができる。これにより、検出器において信号が生成される。信号処理装置１０７によって、これらの信号を評価することができる。
【００３２】
図２に、第１の実施形態として、送出ユニット１００−１Ａを示す。図示されている半導体レーザ１０２は、６つの放出器２０１−１〜２０１−６（以下、２０１−ｘと呼ぶ）を有する。わかりやすくするために、放出器２０１−１および２０１−２、ならびにこれら２つの放出器２０１−１および２０１−２に関連するさらなる特徴のみに符号が付されている。半導体レーザ１０２の放出器２０１−ｘはそれぞれ、第１のセクション２０２−ｘおよび第２のセクション２０３−ｘを有する。第１のセクション２０２−ｘは、増幅器セクションでよい。第２のセクション２０３−ｘは、スイッチングセクションでよい。そのような放出器２０１−ｘの正確な構造に関する例は、以下に図５でさらに述べる。
【００３３】
制御ユニット１０１によって、図示される６つの放出器２０１−ｘの第１のセクション２０２−ｘに、第１の供給変数２０４が印加される。第１のセクション２０２−ｘそれぞれに第１の供給変数２０４を印加することができる。例えば、電流２０４が、増幅器セクション２０２−ｘに流れる。制御ユニット１０１によって、図示されている６つの放出器２０１−ｘの第２のセクション２０３−ｘに、第２の供給変数２０５−ｘが印加される。第２のセクションそれぞれに第２の供給変数２０５を印加することができる。例えば、電流２０５が、スイッチングセクション２０３−ｘに流れる。制御ユニット２０１は、好ましくは、第１のセクション２０２−ｘへの第１の供給変数２０４の印加を、第２のセクション２０３−ｘへの第２の供給変数２０５の印加とは独立して行うように構成されている。ここで、制御ユニット２０１は、例えば、マルチセクションレーザダイオードドライバでよい。第２のセクション２０３−ｘへの第２の供給変数２０５の能動的な印加により、放出器２０１−ｘを起動させることができる。これにより、６つの放出器２０１−ｘの個別パルスを時間相関させることができる。放出器２０１−ｘの個別パルスを同期させることができる。これにより、高いパルスエネルギーおよび高いパルスパワーを実現することができる。
【００３４】
第１のセクション２０２−ｘと第２のセクション２０３−ｘとの位置付けは可変である。第１のセクション２０２−ｘおよび第２のセクション２０３−ｘは、第２のセクション２０３−ｘのほうが制御ユニット２０１の近くに位置付けられるように位置決めすることもできる。これは、スイッチングセクション２０３−ｘへの制御ユニット２０１の電気接続が短いという利点を有する。これにより、インダクタンスがより低くなり、これは、より低い電圧で、スイッチングプロセスを高速化する。スイッチングセクション２０３−ｘは、半導体レーザ１０２の中央に取り付けることもできる。スイッチングセクション２０３−ｘは、可変オフセットで配置することもできる。放出器２０１−ｘごとに複数のスイッチングセクション２０３−ｘ−ｙ（ｙ＝１〜ｚ）を設置することもできる。
【００３５】
図示される例では、すべての放出器２０１−ｘのパルス化されたレーザビームが、光学レンズ２０６によって束ねられ、可動ミラー２０７に合焦される。レーザビーム２０９は、線状レーザビームの形で、偏向方向２０８に沿って送出ユニット１００−１Ａの環境に放出される。
【００３６】
図３に、第２の実施形態として、送出ユニット１００−１Ｂを示す。図１または図２と同一の参照符号は、同一または機能的に同一の要素を示す。図２の例示的実施形態と同様に、送出ユニット１００−１Ｂも、光学レンズまたは偏向ミラーなど、さらなる光学要素を有することができる。これらのさらなる光学要素は、図３には特に示されていない。
【００３７】
送出ユニット１００−１Ｂの図示されている半導体レーザ１０２は、６つの放出器２０１−ｘを備える。放出器２０１−ｘはそれぞれ、第１のセクション２０２−ｘ、すなわち増幅器セクションと、第２のセクション２０３−ｘ、すなわちスイッチングセクションとを有する。
【００３８】
さらに、送出ユニット１００−１Ｂは、放出器２０１−ｘの後面からの基準放射線３０２−ｘを検出するための検出器３０３を有する。検出器３０３は、例えば、モニタダイオードアレイでよい。基準放射線を分析することができる。基準放射線３０２−ｘに基づいて、放出器２０１−ｘのレーザパルス２０９−ｘの時間シーケンスを取得することができる。時間シーケンスに関する情報を表す信号３０４は、制御ユニット１０１に伝送することができる。
【００３９】
制御ユニット１０１によって、図示される６つの放出器２０１−ｘの第１のセクション２０２−ｘに、第１の供給変数２０４を印加することができる。第１のセクション２０２−ｘそれぞれに第１の供給変数２０４を印加することができる。ここで、供給変数２０４は、６つの放出器２０１−ｘすべてについて同じ量を有することができる。すべての放出器２０１−ｘの増幅器セクション２０２−ｘが、共通の電流２０４によって給電される。
【００４０】
制御ユニット１０１によって、図示されている６つの放出器２０１−ｘの第２のセクション２０３−ｘに、それぞれの放出器に割り当てられた第２の供給変数２０５−ｘを印加することができる。例えば、スイッチングセクション２０３−１に流れる電流２０５−１は、スイッチングセクション２０３−２に流れる電流２０５−２などと異なる量でよい。特に、放出器２０１−ｘのレーザパルス２０９−ｘの時間シーケンスに関する情報に基づいて、第２の供給変数２０５−ｘは、レーザパルス２０９−ｘの放出がさらに良く時間相関されるように適合することができる。放出されるレーザパルス２０９−ｘの同期性が高められる。
【００４１】
図４Ａに、時間４０２に対して光パワー４０１をプロットしたグラフを示す。例えば図３に示されるような送出ユニットの放出器２０１−ｘの個別パルス２０９−ｘが、時間相関／同期なしで定性的に示されている。
【００４２】
同様に、図４Ｂに、時間４０２に対して光パワー４０１をプロットしたグラフを示す。例えば図３に示されるような送出ユニット１００−１の放出器２０１−ｘの個別パルス２０９−ｘが、時間相関／同期ありで定性的に示されている。レーザパルス２０９−ｘの同期性は、図４Ａに比べて明らかに高まっている。
【００４３】
代替として、送出ユニット１００−１Ｂの検出器３０３は、単一のモニタダイオードでもよい。最適化のためのプログラムコードを備えたコンピュータプログラム製品によって、個々の放出器２０１−ｘのスイッチング時間を調整することができる。
【００４４】
さらに、送出ユニット１００−１の半導体レーザ１０２の放出器２０１−ｘを個々に制御することが可能である。例えば、個々の放出器２０１−ｘは、意図的にオフにすることができる。これは、測定経路内に測定を妨げる反射性の高い物体がある場合に有利である。
【００４５】
図５に、半導体レーザ１０２の放出器２０１の断面を示し、前の図に示された送出ユニット１００−１がどのようにして半導体レーザ１０２の放出器２０１を備えることができるかを示す。放出器２０１は、第１のセクション２０２を有し、第１のセクション２０２に第１の供給変数２０４を印加することができる。放出器２０１は、第２のセクション２０３をさらに有し、第２のセクション２０３に第２の供給変数２０５を印加することができる。放出器２０１は、レーザパルス２０９を放出することができる。
【００４６】
第１のセクション２０２は、少なくとも１つの半導体材料を含む第１の領域５０２を有する。第２のセクション２０３は、少なくとも１つの半導体材料を含む第２の領域５０３を有する。第１の領域５０２と第２の領域５０３とは、互いに離間している。この例では、第１の領域５０２と第２の領域５０３との間に絶縁領域５０１がある。第１の領域５０２と第２の領域５０３とは、第１のセクション２０２と第２のセクションとが共有することができる層に配置されている。第１の領域５０２と第２の領域５０３とは、共通の導波層５０４に配置することもできる。導波層５０４の中央に、アクティブゾーン５０５を配置することができる。さらに、第１のセクション２０２と第２のセクション２０３とは、共通の基板５０６を共有することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【国際調査報告】
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