(57)【要約】セラミック基板１面に回路素子３が形成され、導電性ボール２を電子部品端子とする電子部品の製造法において、セラミック基板１と導電性ボール２との固着をした後に、かかるセラミック基板１を適切に分割する。そのためには、表面に縦横に設けられた分割用溝４を有する大型のセラミック基板１面に回路素子３を形成する第１の工程と、当該回路素子３の端子部に導電性ボール２を固着させる第２の工程と、前記分割用溝４を開くように基板１に応力付与することで上記基板１を分割する第３の工程を有し、第１、第２、第３の工程をこの順に実施し、第３の工程における応力付与が、多数の導電性ボール２に対し実質的に均等に付与されるか、又は導電性ボール２に応力付与がされないこととする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板面に回路素子が形成され、導電性ボールを電子部品端子とする電子部品の製造法において、
表面に縦横に設けられた分割用溝を有する大型のセラミック基板面に回路素子を形成する第１の工程と、
当該回路素子の端子部に導電性ボールを固着させる第２の工程と、
前記分割用溝を開くように上記基板に応力付与することで上記基板を分割する第３の工程を有し、第１、第２、第３の工程をこの順に実施し、
第３の工程における応力付与に係る応力の全てが、多数の導電性ボールに対し実質的に均等に付与されること、又は当該応力の全てが上記基板及び／又は上記回路素子に応力付与されること、又は当該応力の一部が、多数の導電性ボールに対し実質的に均等に付与され、且つ当該応力の残部が、上記基板及び／又は上記回路素子に応力付与されることを特徴とする電子部品の製造法。
【請求項２】
セラミック基板面に回路素子が形成され、導電性ボールを電子部品端子とする電子部品の製造法において、
大型のセラミック基板面に回路素子を形成する第１１の工程と、
当該回路素子の端子部に導電性ボールを固着させる第１２の工程と、
上記基板の回路素子存在面に当該基板の分割用溝を形成する第１３の工程と、
前記分割用溝を開くように基板に応力付与することで上記基板を分割する第１４の工程を有し、第１１、第１２、第１３、第１４の工程をこの順に実施し、
第１４の工程における応力付与に係る応力の全てが、多数の導電性ボールに対し実質的に均等に付与されること、又は当該応力の全てが上記基板及び／又は上記回路素子に応力付与されること、又は当該応力の一部が、多数の導電性ボールに対し実質的に均等に付与され、且つ当該応力の残部が、上記基板及び／又は上記回路素子に応力付与されることを特徴とする電子部品の製造法。
【請求項３】
凹部を有する緩衝部材を基板の導電性ボール固着面に、当該凹部が導電性ボールを収容するよう配置し、当該凹部の存在により相対的に凸部となった緩衝部材部分が基板面及び／又は回路素子と接触した状態で上記第３の工程又は上記第１４の工程を実施することを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品の製造法。
【請求項４】
分割用溝が、基板の導電性ボール固着面に存在することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子部品の製造法。
【請求項５】
分割用溝が、基板の回路素子形成面に存在することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子部品の製造法。
【請求項６】
基板と導電性ボールとの固着に導電性接着剤を用いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子部品の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、セラミック基板面に回路素子が形成され、導電性ボールを電子部品端子とする電子部品の製造法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  セラミック基板面に回路素子が形成され、導電性ボールを電子部品端子とする電子部品については、米国特許第６，３２６，６７７号公報及び国際公開ＷＯ９７／３０４６１号公報にその開示がある。【０００３】  電子部品を量産するに至らせることは、同様に量産される電子機器へ当該電子部品を供給することを考慮すると、十分な供給量を確保するためには必要なことである。従って、セラミック基板面に回路素子が形成される電子部品（例えばチップ抵抗器等）の場合は、通常予め分割用溝が設けられた大型のセラミック基板面に、厚膜技術や薄膜技術により回路素子の各要素を多数個の電子部品に要する分だけ形成し、その後当該分割用溝に沿ってセラミック基板を個々の電子部品単位に分割して、量産を実現している。
【特許文献１】米国特許第６，３２６，６７７号公報
【特許文献２】国際公開ＷＯ９７／３０４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  しかしながら、セラミック基板面に回路素子が形成され、導電性ボールを電子部品端子とする電子部品については、上記量産の実現が困難である。その理由は、当該電子部品が、セラミック基板と導電性ボールとが固着されたものであるためである。【０００５】  仮に分割工程前にセラミック基板と導電性ボールとの固着をし、その状態で分割工程を実施しようとすると、分割工程の際にセラミック基板と導電性ボールとの固着部分に過大な応力が集中するおそれがある。その結果セラミック基板と導電性ボールとの剥離が生じ、電子部品として機能しなくなるおそれがある。かかる応力付与の代表的なものは、現在の技術では２種類ある。一つは分割用溝を開く方向にセラミック基板を撓ませる応力付与である。他の一つは、セラミック基板のダイシングによる切断分割工程で発生する振動による応力付与である。【０００６】  また仮に分割工程後にセラミック基板と導電性ボールとの固着を実施しようとすると、一旦一体化していたものを、もう一度縦横を揃える等して並べる作業等を必要とする。その結果製造工程の煩雑さが増し、電子部品の量産には不向きである。【０００７】  そこで本発明が解決しようとする課題は、セラミック基板と導電性ボールとの固着をした後に、かかるセラミック基板を適切に分割することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  上記課題を解決するため、本発明の、セラミック基板１面に回路素子３が形成され、導電性ボール２を電子部品端子とする電子部品の第１の製造法は、表面に縦横に設けられた分割用溝４を有する大型のセラミック基板１面に回路素子３を形成する第１の工程と、当該回路素子３の端子部に導電性ボール２を固着させる第２の工程と、前記分割用溝４を開くように基板１に応力付与することで上記基板１を分割する第３の工程を有し、第１、第２、第３の工程をこの順に実施し、第３の工程における応力付与に係る応力の全部が、多数の導電性ボール２に対し実質的に均等に付与されること、又は当該応力の全部が上記基板１及び／又は上記回路素子３に応力付与されること、又は当該応力の一部が、多数の導電性ボール２に対し実質的に均等に付与され、且つ当該応力の残部が、上記基板１及び／又は上記回路素子３に応力付与されることを特徴とする。【０００９】  第１の工程における回路素子３形成法は、スクリーン印刷によることが、量産性の観点から特に好適である。またその回路素子３は、抵抗素子、コンデンサ素子、インダクタ素子、これらの１種を多数一つの電子部品の中に有する多連素子やネットワーク素子、またこれらの２種以上を組み合わせて一つの電子部品の中に有する、ＣＲ部品等に代表される複合素子等である。【００１０】  第２の工程における、回路素子３の端子部に導電性ボール２を固着させるには、固着すべき位置にクリームハンダ等をスクリーン印刷する等した上で、市販のボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型電子部品用ボール搭載装置等を用いることができる。【００１１】  ここで上記クリームハンダに代えて、エポキシ樹脂ペースト等に銀や炭素材等を分散させた導電性接着剤を好適に用いることができる。樹脂は金属よりも柔軟なため、導電性ボール２に応力付与されても当該応力を当該樹脂にて吸収できる。従って、分割工程時に付与される応力によって基板１と導電性ボール２との固着が損なわれ難い利点がある。【００１２】  第３の工程における、多数の導電性ボール２に対し実質的に均等に応力を付与するには、例えば図１及び図２に示すように、発泡スチロール、スポンジ、布、ゴム、樹脂等の緩衝部材５を多数の導電性ボール２上に載せ、当該緩衝部材５を介して多数の導電性ボール２へ応力を付与する。当該緩衝部材５の存在により、付与された応力の一部又は全部が１つ又は少数の導電性ボール２へ集中することが無く、多数の導電性ボール２へ分散される結果、セラミック基板１と特定の導電性ボール２との剥離を生じさせない第１の効果がある。又は当該応力の一部又は全部が上記基板１及び／又は上記回路素子３に応力付与される結果、導電性ボール２には応力が付与されず、セラミック基板１と特定の導電性ボール２との剥離を生じさせない第２の効果がある。これら第１及び第２の効果は、その一方が単独で奏される場合、両者が共に奏される場合がある。【００１３】  上記「多数の導電性ボール」の「多数」は、それら全てに実質的に均等に応力付与しても、当該導電性ボール２と基板１との固着状態に実質的な影響を与えない程度の数である。従って、応力付与条件、固着状態、導電性ボール２の径の大きさ、基板１のサイズ、分割用溝４深さ等により、その数が異なる。しかし通常、概ね基板１に固着された導電性ボール２の総数の４分の１以上の量である。【００１４】  上記緩衝部材５の可とう性は、セラミック基板１の剛性よりも低いものであって、該基板１の分割に至るまでの撓みに追従でき、且つ該緩衝部材５が破壊しない程度であればよい。従って社会通念上「剛体」と認識されるものであっても「緩衝部材５」となり得る場合がある。例えば、フェノール樹脂や、硬質ゴム等が前記「緩衝部材５」となり得る。【００１５】  また上記緩衝部材５は、図２に示すように基板１の端面に接触する部分を有することが好ましい。基板１と緩衝部材５とのはめ合わせ作業上、両者の位置ずれを防止する役割を有し、有利であるためである。また、当該端面と緩衝部材５との接触部が、導電性ボール２への横方向（基板１面と平行の方向）への付与される応力を吸収し、より緩衝部材５の応力分散効果が発揮できるためである。同様の効果を得るためには、基板１が器のように基板端面から基板１面と略垂直方向に伸びる部分を有し、緩衝部材５を当該部分に接触するようはめ込みながら基板１面に装着することもできる。即ち基板１と緩衝部材５とのはめ合わせの、はめる側とはめられる側とを逆転させることができる。【００１６】  また上記緩衝部材５は、図２に示すように凹部６よりも当該凹部６の存在により相対的に凸部となった部分の面積が大きいことが好ましい。当該凸部が実質的に応力分散に寄与する度合いが大きいと考えられるためである。【００１７】  第３の工程において、導電性ボール２に応力付与がされないようにするには、例えばセラミック基板１のみに応力を付与する。また例えば回路素子３のみ、又は回路素子３及びセラミック基板１に応力を付与する。このことによってもセラミック基板１と特定の導電性ボール２との剥離を生じさせない効果がある。具体的には、図２に示すような導電性ボール２を避けるよう格子状に形成され、当該格子部がセラミック基板１及び／又は回路素子３にのみ当接する応力付与のための治具（緩衝部材５等）の使用等である。【００１８】  また第３の工程において、応力の一部が、多数の導電性ボール２に対し実質的に均等に付与され、且つ当該応力の残部が、基板１及び／又は上記回路素子３に応力付与される一例は、例えば基板１面上の導電性ボール２間にフラックスのようなロジン系材料が充填される構造である。当該ロジン系材料は、導電性ボール２の頂部を超えて存在してもよいし、当該頂部を超えずに存在してもよい。前記ロジン系材料は、接着効果及び緩衝効果を兼備するため、導電性ボール２と基板１との固着を補強し、且つ特定の導電性ボール２に直接付与された応力をその周囲に伝播させ、多数の導電性ボール２に対し実質的に均等に応力付与する。従って前記ロジン系材料は上記緩衝部材５と同様の作用を奏する。前記緩衝効果は、ロジン系材料が導電性ボール２の頂部を超えて存在場合に顕著となる。その理由は、応力が特定の導電性ボール２に直接付与され難いためである。【００１９】  当該ロジン系材料は、分割工程終了後、アルコール、アセトン等のケトン類、又は酢酸エチル等、即ち有機溶剤を用いて洗浄除去することができる。このように分割工程後に除去できる材料であれば、上記ロジン系材料に代えて基板１面上の導電性ボール２間に充填することで、上記ロジン系材料と同様のはたらきをすることができる。【００２０】  上記第１の製造法によれば、セラミック基板１と導電性ボール２との固着をした後に、かかるセラミック基板１を適切に分割することができる。ここで前記「適切」は、セラミック基板１と導電性ボール２との剥離を生じさせないこと等を意味する。【００２１】  上記課題を解決するため、本発明の、セラミック基板１面に回路素子３が形成され、導電性ボール２を電子部品端子とする電子部品の第２の製造法は、大型のセラミック基板１面に回路素子３を形成する第１１の工程と、当該回路素子３の端子部に導電性ボール２を固着させる第１２の工程と、上記基板１の回路素子３存在面に当該基板１の分割用溝４を形成する第１３の工程と、前記分割用溝４を開くように基板１に応力付与することで上記基板１を分割する第１４の工程を有し、第１１、第１２、第１３、第１４の工程をこの順に実施し、第１４の工程における応力付与に係る応力の全てが、多数の導電性ボール２に対し実質的に均等に付与されること、又は当該応力の全てが上記基板１及び／又は上記回路素子３に応力付与されること、又は当該応力の一部が、多数の導電性ボール２に対し実質的に均等に付与され、且つ当該応力の残部が、上記基板１及び／又は上記回路素子３に応力付与されることを特徴とする。【００２２】  上記第１１の工程は、上記第１の製造法における第１の工程に略相当する。上記第１２の工程は、上記第１の製造法における第２の工程に相当する。上記第１４の工程は、上記第１の製造法における第３の工程に相当する。【００２３】  上記第１１の工程と上記第１の工程との差異は、セラミック基板１面に予め分割用溝４が形成されているか否かである。第１１の工程ではセラミック基板１面に予め分割用溝４が形成されていないが、後の第１３の工程において分割用溝４が形成される。かかる形成法は、例えばダイシング加工による。上述したセラミック基板１のダイシングによる切断分割工程と異なり、かかる加工はセラミック基板１を切断するまでには至らず、セラミック基板１面に僅かな浅い溝を形成する加工である。従って、その加工による振動によって、セラミック基板１と導電性ボール２との固着部分に過大な応力が集中するおそれがない。またセラミック基板１を切断するまでに至る加工では、ダイシングブレード等の刃を使用するが、当該刃の磨耗が激しい。セラミック基板１は非常に硬い材料だからである。しかしながら、セラミック基板１面に僅かな浅い溝を形成する程度の加工では、そのような磨耗はそれ程激しくない。従って本発明のように電子部品の量産を考慮した場合、適切な分割用溝４形成法と言える。【００２４】  上記第１３の工程において、回路素子３形成後に分割用溝４形成を実施する利点は、回路素子３形成位置如何によらず、その形成結果に応じて好適な位置への分割用溝４形成ができる点である。仮に回路素子３形成前にセラミック基板１へ溝形成がなされていれば、回路素子３形成工程負担が極めて大きくなる。位置ずれを起こしたままの回路素子３形成が許容されないためである。【００��５】  また第１３の工程において、上述したロジン系材料等を緩衝部材５として用いる場合には、当該材料を基板１面の導電性ボール２間に充填・固化した後に上記分割用溝４形成を実施することが好ましい。かかる分割用溝４形成の際には、同時に緩衝部材５を分割用溝４に沿って切断することとなる。すると分割時の付与応力が小さくて済む利点がある。その理由は、前記ロジン系材料等の存在は分割阻害要因ともなり得ることから、その要因を前記切断により除去できるためである。【００２６】  上記第１及び第２の製造法において、セラミック基板１への回路素子３形成面と、分割用溝４存在面が同一面であることが好ましい。上記第１の製造法では、回路素子３形成工程（第１の工程）において、分割用溝４との位置関係を目視等しながら確認できるためである。上記第２の製造法では、分割用溝４形成工程（第１３の工程）において、回路素子３との位置関係を目視等しながら確認できるためである。また上記第１及び第２の製造法において、分割用溝４を開く方向に応力付与し、当該溝に沿って分割がなされた場合、当該溝を挟んで隣り合う導電性ボール２がぶつかり合う心配もない利点もある。
【発明の効果】
【００２７】  本発明により、セラミック基板と導電性ボールとの固着をした後に、かかるセラミック基板を適切に分割することができた。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係る、回路素子及び導電性ボールが形成・配置された大型の基板面に、凹部を導電性ボール位置に合うように、緩衝部材をはめ合わせた様子の概要の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る、回路素子及び導電性ボールが形成・配置された大型の基板と、緩衝部材とをはめ合わせた状態の概要の一例を示す一部省略断面図である。
【図３】大型の基板をベルトの上に載せ、ローラの間を通すことによって、当該大型の基板を撓ませるよう応力付与する様子を示す図である。
【図４】本発明の実施形態の一例としての、単一の電子部品の回路構成を形成していく様子を順を追って示す図である。
【図５】本発明の実施形態の一例としての、導電性ボールを基板のランド上に固着する様子を順を追って示す図である。
【符号の説明】
【００２９】１基板
２導電性ボール
３回路素子
４分割用溝
５緩衝部材
６凹部
７ランド、電極
８ローラ
９ベルト
１３．抵抗体
１４．ガラス膜
１６．オーバーコート
１９．フラックス
２０．共通電極
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】  （第１の製造法の実施形態）
上記第１の製造法に基づいた、本発明を実施するための最良の形態の一例を以下に示す。
一方の面に予め分割用溝４が縦横に多数形成されるように成型され、焼結工程に供された、厚み０．５ｍｍの大型のアルミナセラミック基板１を用意する。かかる分割用溝４に沿った分割後の最小単位の基板１が単一の電子部品外形となる。その溝を有する大型の基板１面に回路素子３等を形成していく過程を、図面を参照しながら以下に説明する。かかる図面では、前記最小単位の基板１について示している。【００３１】  まず、基板１の分割用溝４が形成されている面に対し、ガラスフリットを含むＡｇ−Ｐｄ系導電ペーストをスクリーン印刷し、その後焼成して、素子用の電極兼ランド７及び共通電極２０兼ランド７を得る（図４（ａ））。次に共通電極２０と電極７の双方に接触するよう、酸化ルテニウムとガラスフリットを主成分とするメタルグレーズ系抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、その後焼成して抵抗体１３を得る（図４（ｂ））。次に抵抗体１３を覆うようにガラスペーストをスクリーン印刷し、その後焼成してガラス膜１４を得る（図４（ｃ））。次に電極７と共通電極２０と抵抗体１３で構成される抵抗素子の抵抗値を所望の値にするため、レーザ照射により抵抗体１３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程を経る（図４（ｄ））。このとき前記ガラス膜１４は、抵抗体１３全体の損傷を極力抑えるよう作用する。次にエポキシ樹脂系ペーストにて、抵抗素子全体を保護するため、保護膜としてのオーバーコート１６をスクリーン印刷し、その後当該エポキシ樹脂ペーストを加熱硬化させる（図４（ｅ））。オーバーコート１６を配する際には、電極７及び共通電極２０における必要なランド７部分を露出させる（図４（ｅ））。以上で上記第１の工程が終了する。尚、図４に示した単一の電子部品の回路素子３構成は、図１に示す回路素子３構成とは異なり、電子部品全体でいわゆるネットワーク抵抗を構成するようになっている。【００３２】  次いで上記オーバーコート１６の形成により得られるランド７上に高粘度のフラックス１９を配置する（図５（ａ））。当該フラックス１９には、千住金属工業株式会社製（商品名：デルタラックス５２９Ｄ−１）を用いた。また、前記配置方法は、ピン転写法とした。当該配置の際には、フラックス１９をランド７領域内であって、それよりも狭い領域に存在させるよう留意した。ここでのピン転写法とは、針状部材先端に前記フラックスを接触させ、速やかに当該先端を前記ランド７上に接触させることにより、当該先端に付着したフラックスをランドに供給する方法である。【００３３】  上記ピン転写法に代えてスクリーン印刷法や、当該ピンに代えて導電性ボール２を用いるボール転写法、ディスペンサ法等を採用することができる。また上記フラックス１９（商品名：デルタラックス５２９Ｄ−１）に代えて、当該フラックス１９と同程度の粘度、粘着性を有するものを用いることができることは言うまでもない。【００３４】  次いで、市販のボール搭載装置により導電性ボール２を搭載し（図５（ｂ））、ランド７と導電性ボール２とを固着する（図５（ｃ））。かかる導電性ボール２は、表層が錫（いわゆる鉛フリーハンダ）であり、コアが銅からなるものである。またかかる固着の過程は、公知のリフロー工程による。以上���上記第２の工程が終了する。【００３５】  次に図１及び図２にその概要を示しているように、大型の基板１の導電性ボール２固着面に、導電性ボール２存在部に相当する部分が凹部６であり、それが導電性ボール２を四方及び上方から囲むよう収容し、当該凹部６の存在によって相対的に凸部となった部分がセラミック基板１面及び／又は回路素子３と接触する形状の硬質ゴム製の緩衝部材５をはめ込み、固定する。緩衝部材５は、図２に示すように基板１の端面に接触する部分を有している。これで当該緩衝部材５上面、即ち前記固定状態物の大型の基板１の平滑面とは逆側の平滑面を多少押圧しても、一つ又は少数の導電性ボール２へ応力が集中して付与されることはなく、押圧した部分の周辺の多数の導電性ボール２へ、その応力が分散することとなる。【００３６】  その状態で分割用溝４を開く方向への応力付与をした。かかる応力付与は、図３に示すように、ローラ８間に前記大型の基板１に緩衝部材５をはめ合せたワークを、ベルト９の上に載せた状態で通すことにより実現される。この場合、まず基板１面に形成された縦と横の分割用溝４の一方のみに沿って分割を実施し、それが完了した後に他方のみに沿って分割を実施する。前記縦と横の分割用溝４の両者に沿って同時に分割を実施することが困難と考えられるためである。以上で上記第３の工程が終了する。【００３７】  その結果、基板１と導電性ボール２との剥離が生じることはなかった。また当該剥離が生ずるに至らないまでも、基板１と導電性ボール２との固着力が脆弱化することもなかった。【００３８】  （第２の製造法の実施形態）
上記第２の製造法に基づいた、本発明を実施するための最良の形態の一例を以下に示す。
分割溝が予め形成されていない基板１を用いること以外は、上記第１の製造法の実施形態における、第１の工程と同条件の工程及び第２の工程と同条件の工程を経る。以上で第２の製造法における第１１及び第１２の工程が終了する。【００３９】  その後、基板１の回路素子３形成面に分割用溝４を形成する。かかる形成は、ダイヤモンド粉末が表面に付着されたダイシングソーを用いたダイシングによる。かかるダイシングに要する工具及び設備は、市販のものを用いた。ダイシングによる分割用溝４形成は、基板１面を縦横に多数本の分割用溝４を形成するよう、且つ分割用溝４で囲われた一区画が一つの電子部品となるように、分割用溝４と回路素子３との位置関係を調整した。以上で第２の製造法における第１３の工程が終了する。【００４０】  そして上記第１の製造法の実施形態における、第３の工程で用いた緩衝部材５をかかる実施形態と同様に使用して、分割工程を実施する。以上で第２の製造法における第１４の工程が終了する。【００４１】  その結果、第１の製造法の実施形態と同様に、基板１と導電性ボール２との剥離が生じることはなかった。また当該剥離が生ずるに至らないまでも、基板１と導電性ボール２との固着力が脆弱化することもなかった。【００４２】  （他の実施形態）
上記第１及び第２の実施形態では、大型の基板１の回路素子３形成面のランド７に導電性ボール２を固着した。しかし、大型の基板１の回路素子３形成面とは逆側の面に当該導電性ボール２を固着してもよい。この場合、まず基板１は、表裏に亘り導通させるためのヴァイアホール等を設ける必要がある。また緩衝部材５は、導電性ボール２が固着された基板１面に配置させることを要する。【００４３】  上記第１及び第２の実施形態では、大型の基板１の回路素子３形成面に分割用溝４が存在するものである。しかし、大型の基板１の回路素子３形成面とは逆側の面に当該分割溝４を存在させてもよい。但し、通常分割用溝４を開く方向に分割がなされることを考慮すると、隣り合う単位電子部品に跨って回路素子３の一部が形成されている場合、当該一部の基板１からの剥離が生じるおそれが懸念される。従って大型の基板１の回路素子３形成面に分割用溝４が存在する形態がより好ましい形態であると考えられる。【００４４】  上記第１及び第２の実施形態では、ランド７と導電性ボール２との固着の際に、両者間に高粘度フラックス１９のみを介在させている。しかし、例えば導電性ボール２が、その表面にハンダが存在しない銅からなるものである場合等には、高粘度フラックス１９に代えて又はそれと共にクリームハンダを介在させ、リフロー工程に供する等するのが好ましい。導電性ボール２表面の材質及びランド７の材質を考慮し、固着に適した条件を選択することができる。必要に応じてランド７表面にハンダメッキを施し、ランド７表面のハンダ濡れ性を向上させることもできる。またハンダを用いないで、導電性接着剤をランド７と導電性ボール２との固着用部材とすることもできる。【００４５】  上記第１及び第２の実施形態では、導電性ボール２の表層が錫である、いわゆる鉛フリーハンダを用いているが、例えば鉛：錫＝９５：５の重量比の鉛含有ハンダを用いることにより、鉛の有する粘性を活用してヒートサイクル特性の良好化を図ることもできる。また、環境調和性を考慮して鉛フリーハンダを用いる場合には、上記実施形態のようにＳｎ単体以外に、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ系合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ｓｂ系合金を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】  本発明は、セラミック基板面に回路素子が形成され、導電性ボールを電子部品端子とする電子部品関連産業における利用可能性がある。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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