(57)【要約】相対する２つの傾斜した側壁を有する溝と、溝内に形成されたいくつかのポリマー導波路であって、それぞれが、直線状部分、および溝の傾斜した側壁上に形成された２つの端部反射器を備える、導波路と、溝の外側のシリコン表面上の絶縁層上に配置された光源および光学レシーバとを備える、シリコン基板上の光相互接続デバイスが開示される。導電ラインが、絶縁層上にパターン化されて、光源および光レシーバに接続する。光源および光レシーバは、各ポリマー導波路の２つの端部反射器に対してそれぞれ、光路が、光源デバイスから、複数のポリマー導波路を通って、光レシーバデバイスにまで、２つの端部反射器による反射を介して形成されるように位置合わせされる。そのデバイスを構築する製造方法が開示される。
2020521187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最上部シリコン面を有するシリコン基板と、
前記最上部シリコン面上に形成された溝であって、相対する第１の傾斜した側壁および第２の傾斜した側壁を備える溝と、
前記溝内に形成された複数のポリマー導波路であって、それぞれが、直線状部分、および前記溝の前記第１の傾斜した側壁および前記第２の傾斜した側壁上に形成された２つの端部反射器を備える、複数のポリマー導波路と、
前記溝の外側の前記最上部シリコン面上に堆積した絶縁層と、
前記絶縁層上にパターン化された複数の導電ラインと、
前記第１の傾斜した側壁の隣に配置され、かつ前記複数の導電ラインの少なくとも１つに接続された光源デバイスと、
前記第２の傾斜した側壁の隣に配置され、かつ前記複数の導電ラインの少なくとも１つに接続された光学レシーバデバイスと、
を備え、
光路が、前記光源デバイスから、前記複数のポリマー導波路を通って、前記光学レシーバデバイスにまで、前記２つの端部反射器による反射を介して形成される、光相互接続装置。
【請求項２】
前記複数のポリマー導波路は、前記溝の底の上に配置された、前記第１の傾斜した側壁および前記第２の傾斜した側壁をカバーするポリマークラッド層と、前記ポリマークラッド層上に配置されたポリマーコア層とを備え、前記ポリマークラッド層の屈折率は、光が前記ポリマー導波路の内側を移動するときに、全内部反射が起こるように、前記ポリマーコア層の屈折率よりも低い、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項３】
前記溝の前記第１の傾斜した側壁は、前記光源デバイスに対して光学的に位置合わせするように、傾斜角度が実質的に４５度にセットされている、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項４】
前記溝の前記第２の傾斜した側壁は、前記光学レシーバデバイスに対して光学的に位置合わせするように、傾斜角度が実質的に４５度にセットされている、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項５】
前記光源デバイスは、垂直キャビティ面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）、または赤外線を発光する垂直キャビティ面発光レーザーアレイ（ＶＣＳＥＬｓ）を含む、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項６】
前記光レシーバデバイスは、フォトダイオード（ＰＤ）またはフォトダイオードアレイ（ＰＤｓ）である、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項７】
アンプとＲＦ回路とをさらに含む、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項８】
前記シリコン基板は、厚さが５０ミクロンから２ミリメートルにまで及ぶ、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項９】
前記光源デバイスはさらに、ＩＣドライバを備え、前記光学レシーバデバイスはさらに、ＩＣドライバとアンプとを備える、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項１０】
前記光源デバイスおよび前記光レシーバデバイスはそれぞれ、はんだバンプによって前記複数の導電ラインに接続されている、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項１１】
前記垂直キャビティ表面発光レーザーアレイ（ＶＣＳＥＬｓ）は、１×４アレイであり、前記ポリマー導波路デバイスは、４つのチャンネルを有する、請求項５に記載の光相互接続装置。
【請求項１２】
前記複数の導電ラインは、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ステンレス鋼、または合金の１つから製造される、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項１３】
前記複数の導電ラインは、１チャンネルあたり２５Ｇｂｐｓで作動することができる高速ＲＦ伝送ラインである、請求項１に記載の光相互接続装置。
【請求項１４】
光相互接続装置を製造する方法であって、
最上部シリコン面を有するシリコン基板を用意することと、
前記最上部シリコン面上に溝を形成することと、
前記溝の第１の傾斜した側壁および第２の傾斜した側壁であって、相対する第１の傾斜した側壁および第２の傾斜した側壁をパターン化することと、
前記溝内に複数のポリマー導波路を形成することであって、
前記第１の傾斜した側壁および前記第２の傾斜した側壁をカバーする第１のポリマークラッド層を、前記溝内に堆積させてから、前記第１のポリマークラッド層上にポリマーコア層を堆積させることと、
前記ポリマーコア層をパターン化して、パターン化された前記ポリマーコア層を第２のポリマークラッド層でカバーすることと
を含み、前記複数のポリマー導波路はそれぞれ、１つの直線状部分、および２つの傾斜した端部反射器を有する、複数のポリマー導波路を形成することと、
前記溝の外側の前記シリコン最上部面上に絶縁層を堆積させることと、
前記絶縁層内に導電ラインをパターン化することと、
導電ライン上に、フリップチップ実装用のはんだバンプを、結合パッドと共に成長させることと、
光源デバイスを、前記溝の前記第１の傾斜した側壁近くの前記導電ラインの１つと、そして光レシーバデバイスを、前記溝の前記第２の傾斜した側壁近くの前記導電ラインの別の１つと接続することと、
前記光源デバイスと前記光レシーバデバイスとを、前記複数のポリマー導波路の前記傾斜した端部反射器と位置合わせすることと
を含む、光相互接続装置を製造する方法。
【請求項１５】
前記光源デバイスは、垂直キャビティ面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）を含み、前記光レシーバデバイスは、光検出器（ＰＤ）を含む、請求項１４に記載の光相互接続装置を製造する方法。
【請求項１６】
前記溝の前記第１の傾斜した側壁および前記第２の傾斜した側壁をパターン化することは、滑らかかつ正確な傾斜角度を達成するように可変的なリソグラフィ露光エネルギーを当てることを含む、請求項１４に記載の光相互接続装置を製造する方法。
【請求項１７】
前記傾斜した端部反射器は、傾斜角度が実質的に４５度である、請求項１４に記載の光相互接続装置を製造する方法。
【請求項１８】
前記複数の導電ラインをパターン化することは、溝を形成することと、金属を前記溝内に充填してから、過剰な金属を、研磨（ＣＭＰ）によって、または選択的エッチングによって除去して、前記溝の外側の金属を落とすこととを含む、請求項１４に記載の光相互接続装置を製造する方法。
【請求項１９】
前記複数の導電ラインをパターン化することは、金属層を堆積させることと、選択的エッチング、電気めっき、またはレーザー書込みによって前記金属層をラインにパターン化することとを含む、請求項１４に記載の光相互接続装置を製造する方法。
【請求項２０】
前記金属層は、アルミニウム、タングステン、ステンレス鋼その他であってよく、前記金属層が銅であるならば、プロセスは、銅めっき技術に従う必要があることとなる、請求項１４に記載の光相互接続装置を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、米国仮特許出願第６２／５０８，９４０号明細書（表題「ＯＰＴＩＣＡＬ  ＣＯＵＰＬＩＮＧ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ」、２０１７年５月１９日出願）、および米国仮特許出願第６２／５０９，８９２号明細書（表題「ＯＰＴＩＣＡＬ  ＩＮＴＥＲＣＯＮＮＥＣＴ  ＭＯＤＵＬＥＳ」、２０１７年５月２３日出願）の利益を主張する。これらの出願は、その全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本明細書中に記載される実施形態は、光相互接続モジュールに関する。より詳細には、光相互接続内の光学サブアセンブリ系に関する。
【背景技術】
【０００３】
クラウドコンピューティング、エンタープライズネットワーク、およびデータセンターネットワークは、メトロおよび長距離ワイヤー、そしてまたデータセンター内のラックトゥラックワイヤー用の光導波路の帯域幅デマンドを、１００Ｇｂｐｓ以上に増大させようとし続けている。帯域幅デマンドの増大は、光学系の全体に、データ転送速度を全体的に高くしようとする動機を与えてきた。
【０００４】
光相互接続技術は、システム間の、そして種々の距離にわたる高速データ伝送について、可能性のある解決策として注目を集め続けている。例えば、光相互接続の解決策は、例えば、データセンター内のラック間の、家電間の、そしてサーバーシステム内の基板間またはチップ間の、いくつかの用途に提唱されてきた。光相互接続は、トランスミッタ系内およびレシーバ系内での採択に特に適している。
【０００５】
従来の光学サブアセンブリ（ＯＳＡ）設計において、トランスミッタモジュールが、伝送レーザー、ドライバ集積回路（ＩＣ）、およびプリント回路基板（ＰＣＢ）を備える一方、レシーバモジュールが、光検出器（ＰＤ）、トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）、およびＰＣＢを備える。伝送レーザー（一般的に、垂直キャビティ面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ））とＰＤ間の光路は、典型的に、光ファイバ、例えば、ファイバリボンおよび光導波路である。集束レンズ、プリズム、およびファイバコネクタを備える複合型ビームルータが、光ファイバを光路と正確に位置合わせするのに用いられる。ネジ、クリップ、アラインメントピン、および構造的ハウジングを備える機械構造体が、一般的に、ビームルータを固定かつ位置合わせするのに用いられる。
【０００６】
しかしながら、光相互接続は、典型的に、ファイバアセンブリおよびレーザーの結合（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を必要とし、これは、外部レンズアの位置合わせを包含するので、複雑性およびエネルギー損失が加わる。効率を向上させ、かつコストを引き下げるのに、あまり複雑でないアセンブリ技術が必要である。
【発明の概要】
【０００７】
本出願は、シリコン基板ベースの光相互接続モジュールを開示し、相対する第１および第２の傾斜した側壁を有する溝と、溝内に形成されたいくつかのポリマー導波路であって、それぞれが、直線状部分、および溝の傾斜した側壁上に形成された２つの端部反射器を備える、導波路と、溝の外側のシリコン表面上の絶縁層上に配置された光源および光学レシーバとを備える。ポリマー導波路は、光源と受信デバイスとの間で光信号を接続するのに使用される。導電ラインが、絶縁層上にパターン化されて、光源および光レシーバに接続する。光源および光レシーバは、各ポリマー導波路の２つの端部反射器に対してそれぞれ、光路が、光源デバイスから、複数のポリマー導波路を通って、光レシーバデバイスにまで、２つの端部反射器による反射を介して形成されるように位置合わせされる。
【０００８】
場合によっては、ポリマー導波路は、溝の底の上に配置された、第１および第２の傾斜した側壁をカバーするポリマークラッド層、およびポリマークラッド層上に配置されたポリマーコア層を備え、ポリマークラッド層の屈折率は、光がポリマー導波路の内側を移動するときに、全内部反射が起こるように、ポリマーコア層の屈折率よりも低い。
【０００９】
場合によっては、溝の第１の傾斜した側壁は、光源デバイスに対して光学的に位置合わせするように、傾斜角度が実質的に４５度にセットされる。
【００１０】
場合によっては、溝の第２の傾斜した側壁は、光学レシーバデバイスに対して光学的に位置合わせするように、傾斜角度が実質的に４５度にセットされる。
【００１１】
場合によっては、光源デバイスは、垂直キャビティ面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）、または赤外線を発光する垂直キャビティ面発光レーザーアレイ（ＶＣＳＥＬｓ）を含む。場合によっては、光レシーバデバイスは、フォトダイオード（ＰＤ）またはフォトダイオードアレイ（ＰＤｓ）である。
【００１２】
場合によっては、シリコン基板は、厚さが５０ミクロンから２ｍｍにまで及ぶ。
【００１３】
場合によっては、光源デバイスおよび光レシーバデバイスはそれぞれ、はんだバンプによって複数の導電ラインに接続される。
【００１４】
場合によっては、導電ラインは、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ステンレス鋼、または合金の１つから製造される。
【００１５】
場合によっては、導電ラインは、１チャンネルあたり２５Ｇｂｐｓで作動することができる高速ＲＦ伝送ラインである。
本出願はまた、一実施形態に従う光相互接続デバイスを製造する方法を開示する。当該方法は、最上部シリコン面を有するシリコン基板を用意することと、最上部シリコン面上に溝を形成することと、溝の第１および第２の傾斜した側壁であって、相対する第１および第２の傾斜した側壁をパターン化することと、第１および第２の傾斜した側壁をカバーする第１のポリマークラッド層を、溝内に堆積させてから、第１のポリマークラッド層上にポリマーコア層を堆積させて、ポリマーコア層をパターン化して、パターン化されたポリマーコア層を第２のポリマークラッド層でカバーすることによって、溝内に、複数のポリマー導波路であって、それぞれが、１つの直線状部分、および２つの傾斜した端部反射器を有する、複数のポリマー導波路を形成することと、溝の外側のシリコン最上部面上に絶縁層を堆積させることと、絶縁層内に導電ラインをパターン化することと、導電ライン上に、フリップチップ実装用のはんだバンプを、結合パッドと共に成長させることと、光源デバイスを、溝の第１の傾斜した側壁近くの導電ラインの１つと、そして光レシーバデバイスを、溝の第２の傾斜した側壁近くの導電ラインの別の１つと接続することと、光源デバイスおよび光レシーバデバイスを、複数のポリマー導波路の傾斜した端部反射器と位置合わせすることとを含む。
【００１６】
場合によっては、光源デバイスは、垂直キャビティ面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）を含み、光レシーバデバイスは、光検出器（ＰＤ）を含む。
【００１７】
場合によっては、溝の第１および第２の傾斜した側壁をパターン化することは、滑らかかつ正確な傾斜角度を達成するように可変的なリソグラフィ露光エネルギーを当てることを含む。
【００１８】
場合によっては、傾斜した端部反射器は、傾斜角度が実質的に４５度である。
【００１９】
場合によっては、導電ラインをパターン化することは、溝を形成することと、金属を溝内に充填してから、過剰な金属を、研磨（ＣＭＰ）によって、または選択的エッチングによって除去して、溝の外側の金属を落とす（ｃｌｅａｎ  ｕｐ）こととを含む。
【００２０】
場合によっては、導電ラインをパターン化することは、金属層を堆積させることと、選択的エッチングまたはレーザー書込みによって金属層をラインにパターン化することとを含む。
【００２１】
場合によっては、金属層は、アルミニウム、タングステンその他であってよい。金属層が銅であるならば、プロセスは、銅の表面被覆技術を用いる必要があることとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
このように一般的な用語で一部の実施形態を記載してきたが、次に添付の図面を参照することとする。図面は、必ずしも一定の比率で描かれているわけではない。
【００２３】
【図１】図1は、シリコン基板を示す。
【図２】図２は、溝の上面図を示しており、実施形態に従って、２つの傾斜した側壁が、シリコン基板上に形成されている。
【図３】図３は、実施形態に従って溝内に形成されたポリマー層の上面図を示す。
【図４】図４は、実施形態に従ってシリコン溝内に作られたポリマー導波路のアレイの上面図を示す。
【図５】図５は、実施形態に従う、図４内の線ＡＡ’に沿うシリコン溝内のポリマー導波路の断面図を示す。
【図６】図６は、実施形態に従って、シリコン基板上にアクティブデバイス用の接触ラインを形成した後の断面図を示す。
【図７】図７は、実施形態に従って、シリコン基板上に加えたはんだバンプおよびアクティブデバイスを示す。
【図８】図８は、実施形態に従って、光相互接続モジュールを製造する方法を示すフローチャートの概略ダイアグラムである。
【図９】図９は、例示的な光学モジュールを示しており、ポリマー導波路が、開示される実施形態に従って、シリコン基板の同じ表面由来のトランスミッタおよびレシーバと相互接続している。
【図１０】図１０は、開示される実施形態に従う、図９に開示される、実施用に縮小した相互接続モジュールの概略ダイアグラムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本開示は、以下でさらに、図面および実施形態と組み合わせて説明される。本明細書中に記載される特定の実施形態は、本開示を限定するのではなく、本開示を説明するのに単に用いられているだけであることを理解すべきである。また、説明を容易にするために、構造全体ではなく、本開示に関係する構造体の一部のみが図面に示されているだけであることに留意すべきである。
【００２５】
種々の実施形態において、図を参照して説明する。しかしながら、ある実施形態は、これらの具体的な詳細を１つ以上含まずに実行されてもよいし、他の知られている方法および構成と組み合わせて実行されてもよい。以下の説明では、多数の具体的な詳細、例えば、具体的な構成、寸法、およびプロセスが、実施形態の完全な理解をもたらすために示されている。他の例において、実施形態を不必要に不明確にしないために、周知の半導体プロセスおよび半導体製造技術が特に詳細に記載されていない。本明細書の全体を通して、「一実施形態」への言及は、当該実施形態に関連して記載されている特定の特徴、構造、構成、または特性が、少なくとも１つの実施形態に含まれていることを意味する。ゆえに、本明細書の全体を通した種々の場所におけるフレーズ「一実施形態において」の出現は、必ずしも同実施形態に言及しているわけではない。さらに、特定の特徴、構造、構成、または特性は、１つ以上の実施形態において、適切なあらゆる様式で組み合わされてよい。
【００２６】
本明細書中で用いられる用語「の上方に（ａｂｏｖｅ）」、「をおおって（ｏｖｅｒ）」、「に（ｔｏ）」、「の間に（ｂｅｔｗｅｅｎ）」、および「上に（ｏｎ）」は、一方の層の、他方の層に対する相対位置を指し得る。一方の層が別の層「の上方に」、別の層「をおおって」、もしくは別の層「上に」ある、または別の層「に」結合している、もしくは別の層と「接触」している場合、他方の層と直接接触していてもよいし、１つ以上の層が介在していてもよい。層（複数）「の間に」ある一層は、当該層（複数）と直接接触していてもよいし、１つ以上の層が介在していてもよい。
【００２７】
本開示を完全に理解するために、具体的な詳細が以下の説明において示されていることに注目する必要がある。しかしながら、本開示は、本明細書中に記載されるものとは異なる他の方法で実行することができ、そして本開示の概念を逸脱しない範囲で、当業者によって同様に一般化されてよい。したがって、本開示は、以下に開示される特定の実施形態に限定されない。
【００２８】
光相互接続は、光モジュールによる通信の手段である。光通信系は、多くの場合、構成を便利にし、かつアセンブリングを簡単にするために、垂直キャビティ面発光レーザーＶＣＳＥＬを用いる。
【００２９】
垂直キャビティ面発光レーザーまたはＶＣＳＥＬは、最上部面から垂直的なレーザービームを放射する半導体レーザーダイオードの一タイプであり、従来の、ウエハーから個々のチップを切断することによって形成される表面から放射する端面発光半導体レーザー（同じく平面型（ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｌａｓｅｒ））と異なる。６５０ｎｍから１３００ｎｍの波長にて発光する垂直キャビティ自己発光レーザーまたはＶＣＳＥＬは、典型的に、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）ウエハーに基づいており、回折ブラッグ反射器（ＤＢＲ）が、ＧａＡｓおよびヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ）から形成されている。
【００３０】
現在、ＶＣＳＥＬにおいて電流を制限する２つの主要な方法が、２種類のＶＣＳＥＬｓ（イオン注入ＶＣＳＥＬｓおよびオキシドＶＣＳＥＬｓ）によって特徴付けられている。付加的な接着層、例えば非導電性フィルム（ＮＣＦ）が、シリコン基板に対する構成要素の接着を増強するのに用いられてもよい。接着層は、有機フィルム、例えばポリイミドから製造することができる。ＲＦ伝送デバイスを備える高速導電ラインは、ポリマー導波路と同じ表面上に、ドライバＩＣおよびＶＣＳＥＬアレイを接続するように、そしてトランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）アレイを接続するように設計される。典型的には、ＶＣＳＥＬアレイは、４つのＶＣＳＥＬレーザーが一列にパックされている。
【００３１】
実施形態に従えば、オプティカルエンジンについて、チャンネルあたり２５ギガビット毎秒（Ｇｂｐｓ）のデータ転送速度にて作動させることができ、そして、より高いデータ転送速度、例えばチャンネルあたり５０Ｇｂｐｓにまで拡大させることができる。ＶＣＳＥＬの用途として、光ファイバ通信、精度センシング（ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  ｓｅｎｓｉｎｇ）、コンピュータマウス、およびレーザープリンタが挙げられる。
【００３２】
以下で開示される実施形態は、光相互接続およびアプリケーションプラットフォームを説明する。一態様において、実施形態に従う光相互接続およびプラットフォームは、従来の光相互接続アセンブリに一般的に利用される光レンズおよびファイバリボンなしでアセンブルすることができる。アセンブリ時間は、従来の技術と比較して、導電伝送ラインの形成のための、そして光アクティブデバイス、例えば、ドライバＩＣチップ、レーザー、ＰＤ、およびレシーバ（例えばＴＩＡ）チップのフリップチップ集積のための半導体プロセス技術を用いることにより、短くすることができる。また、製造技術は、電気信号のＲＦ性能を向上させて、光相互接続のデータ転送速度を上げることができる。以下で示される実施形態は、ＰＣＢベースの光相互接続として集積されてもよい。特に、実施形態は、ＰＣＢのようなパッケージングプラットフォーム内でシリコンウエハーインターポーザをＶＣＳＥＬレーザーとモノリシックに集積することによって、ＶＣＳＥＬ／ＰＤとの光結合を、そしてポリマー導波路を向上させるのに利用することができる。
【００３３】
図１に示すように、基板１００は、シリコン表面１４０を有する。シリコン基板１４０の厚さは、軽いが、その製造プロセスの間、そして長期間のオペレーションにおいて、フォトニクス要素を最上部面上に支持するほど十分な強度があるような薄さとなるように選択される。典型的には、厚さは、５０ミクロンから２ミリメートルの範囲内である。
【００３４】
図２は、溝の上面図を示しており、実施形態に従って、２つの相対する傾斜した側壁が、シリコン基板の最上部面上に形成されている。溝１３０は、長寸の形状（おそらく矩形）を有する。溝１３０の長さは、ポリマー導波路の長さに適合する。溝１３０の幅は、導波路の完全なアレイを、溝の内側にパックさせることができる。溝１３０の深さは、ポリマー導波路の少なくとも完全なパッケージに適合することができる。この深さは、数ミクロンから１ミリメートルまで変動することができる。相対する側壁１２０ａおよび１２０ｂは、傾斜したスロープとして構築されており、その上にポリマー導波路の端部がある。傾斜角度は、光源および光レシーバと容易に位置合わせするために、正確に４５度ではないがそれに近くなるべきである。２つの側壁の２つの傾斜角度は、互いに等しい必要はない。長寸の溝および傾斜した側壁を形成するために、いくつかのパターニング技術を用いることができる。ＣＭＯＳプロセス技術に一般的に用いられるフォトリソグラフィは、滑らかかつ正確な傾斜スロープを達成するようにリソグラフィ露光エネルギーを制御する種々の方法を提供する。例えば、露光中の可動露光シャッターもしくは収縮ウィンドウ、または露光中の可変スキャナ光強度が、利用可能な技術である。反射器角度制御許容度および表面平滑性が、光エネルギー効率にとって重大であるので、この工程における製造は、要件が適切であるべきである。
【００３５】
図３は、実施形態に従って溝１３０内に形成されたポリマー層１３５の上面図３００を示す。溝の内側に光パッシブ経路、すなわちポリマー導波路を形成するのは、別の調製工程である。多くの光相互接続モジュールにおいて、導波路が、最初に別々に形成されて、後に、接着層を用いて基板の一表面に取り付けられてよいが、本出願は、シリコン基板上に直接形成されたポリマー導波路を開示する。基板の集積部品として、ポリマー導波路は、インターフェイスでの低い光結合損失、および光路に沿う安定した位置合わせを可能にする。一方、導波路をインターポーザに取り付ける製造コストは、非常に引き下げられる。ポリマー層１３５は、溝内に形成され、当該溝は典型的に、厚さが１〜５０ミクロンの範囲内のポリマークラッド層を、そしてポリマークラッド層上にポリマーコア層を備える。ポリマーコアは、厚さが、シングルモード光用の数ミクロンから、マルチモード導波路用の数百ミクロンに及ぶ。ポリマーの１層のみをコアとして、コアを囲む特別なクラッド層なしで堆積させることも可能である。しかしながら、このように作製されたポリマー導波路は、光学的に効率的となり得ない。ポリマーは、ＰＭＭＡ、ポリイミド、および他の光学品質ポリマー材料を含む。典型的には、コア用の、そしてクラッディング用の２つのポリマー材料を含み、これらは、屈折率がワーキング波長にて区別可能である。クラッドは通常、シリコン（約１．４６の率）製であり、コアは、ＰＭＭＡまたはポリイミド製であり、率は１．４９と１．５９の範囲内である。傾斜した溝側壁１２０ａおよび１２０ｂは、クラッド層およびコア層の双方によって少なくとも部分的にカバーされる。
【００３６】
図４は、実施形態に従ってシリコン溝内に形成されたポリマー導波路のアレイの上面図を示す。図４内のダイアグラム４００に示すように、ポリマー層は、シリコン基板１４０の溝内に位置するストリップ形状の平行ポリマー導波路１２２にパターン化される。各導波路１２２は、２つの端部が、傾斜した側壁１２０ａおよび１２０ｂ上に載置されるので、傾斜したインターフェイス１２５ａおよび１２５ｂを形成する。結果として生じる傾斜したインターフェイスは、高い光学品質要件、例えば良好な高頻度の粗さおよび低い光散乱を満たさなければならない。パターニング技術として、リソグラフィおよびレーザー書込みが挙げられる。ポリマークラッド層があるならば、異なるポリマー材料が、コアポリマー層の下に堆積し、そしてまた、導波路をパターン化した後に、コア導波路上に、かつコア導波路の周りに堆積することで、各導波路１２２がクラッドポリマー層によって囲まれるべきである。各ポリマーストリップは、幅が、シングルモード導波路用のおおよそ４〜６ミクロン、またはマルチモード導波路用の１０〜数百ミクロンの範囲内である。このパターニング工程は、リソグラフィ技術および選択的エッチングを用いて実行されるので、ポリマーが除去されるが、裏打ちシリコンが無傷である。
【００３７】
図５は、実施形態に従う、図４内の線ＡＡ’に沿うシリコン溝内のポリマー導波路のアレイの断面図を示す。
【００３８】
図５に示すように、ダイアグラム５００は、光インターコネクタが構築される場合、シリコン基板１４０、底面１６０、および最上部面１７０を有する。シリコン溝１３０は、ポリマー導波路１２２を配置するためのスペースを開設している。各導波路１２２は、シリコン溝１３０の２つの傾斜した側壁１２０ａおよび１２０ｂと接続している２つの端部反射面１２５ａおよび１２５ｂを有する。ポリマークラッディング材料（不図示）が典型的に、底面、最上部面、側壁、および傾斜したインターフェイス上に、屈折率差が一様にマッチするように、導波路１２２の周りを包んで配置されている。
【００３９】
図５内の各導波路は、直線状部分１２４ならびに２つの傾斜した端部１２５ａおよび１２５ｂを有する。多くの場合、傾斜角度は、位置合わせを簡単にするために４５度に形成されるが、４５度と異なるように形成されてもよく、２つの傾斜した端部は、角度が様々であってよい。例示的な実施形態として、端部１２５ａおよび１２５ｂは双方とも、この説明において、４５度反射器とみなす。導波路端部は、４５度ベンディングミラーのように機能する。溝の一方側の傾斜した端部１２５ａの上方の入力デバイスに由来する光が、９０度反映して水平部分１２４に入ってから、光は、全内部反射によって導波路中を移動して、第２の端部インターフェイス１２５ｂに衝突して、第２の４５度反射器により反射されて、軌跡を上向きに変えて、溝の他方側を覆う出力レシーバデバイスに戻る。
【００４０】
所定のクラッド層がポリマー導波路内に含まれないならば、安定した材料で導波路をシールして、導波路を保護することが推奨される。不動態化層は、全光内部反射を保証するために、ポリマーコアよりも低い屈折率を有するべきである。
【００４１】
図６は、実施形態に従って、シリコン基板上に接触ラインを形成した後の断面図を示す。図６内のシリコン最上部面上で、光入力用の導電ラインが溝の左側に、そして光出力用の導電ラインが右側に形成されている。シリコンが半導体であるので、何らかの電子デバイスが置かれる前に、絶縁フィルム１２９ｃが最初に堆積する必要がある。絶縁フィルム１２９ｃは、溝１３０の外側のシリコン表面１７０上に堆積または成長する。表面１７０は、アクティブ光学デバイス、例えば、トランスミッタ内のレーザーダイオードまたはレシーバ内の光検出器、ＩＣドライバ、アンプ、および他の電子デバイス用の相互接続を支えるためのプラットフォームである。溝内のポリマー導波路は、基板の同じ側に位置決めされるので、シリコン基板の他方側１６０に配置されるデバイスはない。導波路は、相互接続する光学デバイスと一緒に製造されるので、別個の導波路を集積する結合工程はない。製造中にホルダーステージがワークピースを保持する場合、作業面を変更する基板フリップオーバー工程はないので、製造はより簡単であり、そして側面を変えるステージに由来する損傷をデバイスに与えるリスクがより低い。
【００４２】
図６に示すように、最初に、接触ライン１１０ｘ（種々の伝送ライン）が、最上部シリコン面１７０上の絶縁層１２９ｃ上にパターン化される。図６において、伝送ラインが全く引かれておらず、かつ符号付けされていない点に留意されたい。銅、アルミニウム、タングステン、チタン、または合金等の金属を、高速伝送ラインに選択することができる。半導体業界において知られている金属層堆積技術を用いることができる。当該堆積技術が金属のスパッタリングに限定されなく、そのあとウェット／ドライエッチング、金属めっき、またはレーザー書込みが行われる。また、例えば、第一に、絶縁層の最上部面中に溝を形成して、第二に、溝上に金属層を堆積させてから、化学機械研磨（ＣＭＰ）または選択的ドライ／ウェットエッチング等の平坦化技術によって、溝の外側領域から過剰な金属を除去する他のライン形成技術を用いることもできる。
【００４３】
実施形態に従って、基板上に電気トレース１１０ｘを形成することで、シリコン材料の高い誘電率に由来して、ＲＦ信号性能が向上し得、典型的には赤外線について３〜４に及ぶ。光学デバイスの、結果として生じるデータ転送速度は、チャンネルあたり２５ギガビット毎秒（Ｇｂｐｓ）まで上昇し、チャンネルあたり５０Ｇｂｐｓ等のかなり高いデータ転送速度にまで拡大し得る。
【００４４】
図７は、実施形態に従って、導通ライン上への結合ピラーの位置決め、およびはんだバンプの、シリコン基板上のアクティブフォトニックデバイスへの接続を示す。図７に示すように、ダイアグラム７００は、はんだバンプによって形成される適切な結合ピラー１４１ｘが、伝送ライン上に、アクティブ光学デバイスおよびＩＣドライバまたは他の電子機器に接続するための接触スポットとして形成されることを示している。ここでも、全ての結合ピラーが、図７において１４１ｘとして示されているわけではない。
【００４５】
入力側のアクティブ光学デバイス、例えば、垂直キャビティ面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）１２１、レーザードライバ１２１Ａ、および出力側のアクティブ光学デバイス、例えば、フォトダイオード（ＰＤ）１２７、レシーバドライバ１２７Ａ、トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ、不図示）、ＲＦ回路（図７に示さず）、ならびに他の電子デバイスが、シリコン基板の最上部面上の絶縁体内金属構造体として刻み込まれた伝送ライン１１０ｘに取り付けられている。他のオプトエレクトロニクデバイスが、シリコン表面にパッケージ化されたＰＣＢユニット１５０にアセンブルされてもよい。前述の通り、表面上に直接パターン化された伝送ラインは、高速性能を可能にする。
【００４６】
ピラー／バンプがアクティブデバイスに接続する位置以外は、アクティブデバイスと導電ラインとの間に絶縁が必須である。ポリイミド製のフィルム等の室温接着フィルムが、伝送ライン１１０ｘおよび相互接続しているピラー／バンプ１４１ｘをおおって堆積して、これらを上述のアクティブデバイスから絶縁して、アクティブデバイスに対して接触スポットのみを非ブロック化したままにすることができる。絶縁する別の方法として、熱的に硬化性の、またはＵＶ硬化性の非導電性フィルム（ＮＣＦ）で最上部面を覆ってから、加熱またはＵＶ照射によって、部品の接着を増強するものがある。クリーニングプロセスもまた、結合ピラー１４１ｘがアクティブデバイスに適切に接続するのを確実にするのに用いられる。接着フィルムまたはＮＣＦは、図７に示されない。
【００４７】
相互接続を含む上述のオプトエレクトロニクスアセンブリは、オプティカルエンジンを形成する。オプティカルエンジンは、ＰＣＢ１５０上で結合パッドによりパッケージ化された外部回路にアセンブルされる。場合によっては、オプティカルエンジンは、フレキシブルプリント回路基板（ＦＣＢ）とアセンブルされる。一実施形態において、オプティカルエンジンは、ＰＣＢ内の開口部の周辺部内にアセンブルされる。分けて示されないが、そのような構成は、図７に関して記載されるものを備える他の実施形態と互換性を持つ。
【００４８】
図７において、ＶＣＳＥＬレーザー出力ビームが、第１の４５度反射器１２５ａと、経路７２３ａに沿ってマッチするように位置合わせされて、ビームは、反射器１２５ａによって軌跡を９０度変えて、光ビームは導波路１２２の直線状部分に結合する。光は、図７に示すように、光検出器１２７に対して位置合わせされている第２の４５度反射器１２５ｂによって２回目の反射がなされて、ここでも軌跡を変えて、７２３ｂに沿って光検出器１２７中に移動することで、全光路が完了する。
【００４９】
完成した光相互接続システムを、シリコン基板１４０上に載置する。これは、ＰＣＢまたはＦＣＢ１５０用の機械的支持構造を提供する。これらの上には、他の結合パッドおよび外部フォームファクタが存在してよい。インターポーザとしてのシリコン基板なしでは、脆弱過ぎて、製造中かつ長期間のオペレーションの際、ＰＣＢフィルムに依存してフォトニックデバイスおよび導波路のアレイを保持することができない虞がある。
【００５０】
別の実施形態は、インターポーザを強化するために、金属プレートをシリコン基板に取り付けることを含む。金属プレートは、いくつかの適合材料、例えばステンレス鋼から製造される。
【００５１】
異方性導電フィルム（ＡＣＦ）は、信号密度がより高く、かつ全体がより小さなパッケージに広く用いられており、オプトエレクトロニクス最終製品にとって理想的であった。このプロセスにおいて、異方性材料、例えば導電性の粒子を含有する熱硬化性樹脂を、最初に、積層プロセスを用いてＰＣＢ上に堆積させる。次に、シリコン基板上のオプティカルエンジンを、ＰＣＢをおおって適所に配置して、２つの側面を一緒にプレスして、オプティカルエンジンをＰＣＢ基板に実装する。多くの場合、この実装プロセスは、全く熱を加えず実施されるか、或いは異方性材料が少し粘着性を帯びる程度の最小限の熱を加えて実施される。導電性の粒子を含有する熱硬化性樹脂を用いる際に、当該粒子は、ＰＣＢとオプトエレクトロニクス要素との間にトラップされることによって、その間で電気接続が生じる。電極で終わらない他の位置において、粒子が、熱硬化性樹脂によって絶縁される。結合に必要とされる熱エネルギーの量は、より高くなる。これは、最初に接着剤を流して、２つの側面が一緒に電気接触することができ、かつその後、接着剤を硬化させて、長持ちする信頼性が高い結合を生じさせるのに必要なためである。これらのプロセスに必要とされる温度、時間、および圧力は、適切に制御されなければならない。
【００５２】
図８は、実施形態に従って、シリコン基板において、ポリマー導波路で光相互接続モジュールを製造する方法を示すフローチャート８００の概略ダイアグラムである。
【００５３】
製造シーケンスは、第１の工程８０２（ポリマー導波路、ならびにアクティブ入力デバイスおよびアクティブ出力デバイスの双方のための最上部シリコン面を有するシリコン基板、ならびに支持ホルダーとしての底シリコン面を提供する）を含んでよい。溝を、導波路を配置するための最上部シリコン面上に形成する。工程８０４において、溝の第１および第２の側壁をパターン化して、反射傾斜面とする。傾斜した第１および第２の側壁は、相対する。第１および第２の側壁の傾斜角度は、所望の光路を形成する。双方の側壁について、例示的に４５度としているが、必ずしも同じであるわけでなく、４５度である必要はない。
【００５４】
長寸の溝および傾斜した側壁を形成するために、リソグラフィ露光エネルギーを制御する際のいくつかの方法を用いて、滑らかかつ正確な傾斜スロープを達成することができる。例えば、露光中の可動露光シャッターもしくは収縮ウィンドウ、または露光中の可変スキャナ光強度が、利用可能な技術である。反射器角度制御許容度および表面平滑性が、光路効率にとって重大であるので、この工程の製造は、種形成要件が適切であるべきである。先進のマイクロパターニング技術であれば、今日、そのような能力を提供することができる。
【００５５】
工程８０６において、ポリマー層を溝内に堆積させて、傾斜したスロープの部分をカバーする。コアポリマー層およびクラッドポリマー層が所望されるならば、最初に、クラッディングポリマーを溝の底および傾斜したスロープに堆積させ、その後、クラッドポリマー層をコアポリマー層でカバーする。工程８０８において、ポリマーコア層を、それぞれが４５度端部反射器を有する複数の導波路にパターン化して、ポリマー導波路上に第２のポリマークラッド層を堆積させる。各導波路の幅は、シングルモード導波路用の５ミクロンから、マルチモード導波路用の最大５００ミクロンの大きな幅に及んでよい。導波路の端部は、シリコン溝の傾斜した側壁上に載置されて、反射器を形成する。クラッド層が所望されるならば、クラッディング材料を堆積させて、最上部から導波路間ギャップをカバーすることによって、導波路の周りを包装する。工程８１０において、絶縁層を溝の外側のシリコン表面上に堆積させて、フォトニックデバイス相互接続用のベースを形成する。工程８１２において、伝送ラインを絶縁層内にパターン化する。伝送ラインを形成する１つの方法が、溝を絶縁層上にパターン化して、金属を充填して伝送ラインを形成するものであり、または別の方法は、金属層を堆積させて、これをラインにパターン化するものである。エッチングまたはレーザー書込みもまた、ラインを形成する方法である。金属層は、アルミニウム、タングステン、ステンレス鋼その他であってよい。銅であるならば、プロセスは、銅めっき技術に従う必要があることとなる。工程８１４において、結合ピラー、例えば、フリップチップ実装用のはんだバンプを、結合パッドと共に成長させる。工程８１６において、相互接続ピラー／はんだバンプを介して、アクティブ光学デバイス（ＶＣＳＥＬ／ＰＤ）を伝送ラインとアセンブルする。
【００５６】
図９は、例示的な光学モジュールを示しており、ポリマー導波路のアレイが、開示される実施形態に従って、シリコン基板の同じ表面上で、導波路の左側にＶＣＳＥＬレーザーを備えるトランスミッタを、そして導波路の右側に光検出器を備えるレシーバと相互接続している。
【００５７】
図１０は、開示される実施形態に従って、図９に開示される、実施用に縮小した相互接続モジュールの概略ダイアグラムを示す。
【００５８】
しかしながら、実施形態は、この特定のシーケンスに限定されず、代替の製造シーケンスが想定される。
【００５９】
実施形態の種々の態様を利用する際に、当業者であれば、上述の実施形態の組合せまたは変形物が、光相互接続の製造に使用可能であることが明らであろう。実施形態を、構造的な特徴および／または方法論的な行為に対して具体的な文言で説明してきたが、添付の特許請求の範囲は、記載される具体的な特徴または行為に必ずしも限定されるわけでないことが理解されるべきである。開示される具体的な特徴および行為は、その代わりとして、説明に有用な、特許請求の範囲の実施形態として理解されるべきである。
【図１】
2020521187.tif 000003
【図２】
2020521187.tif 000004
【図３】
2020521187.tif 000005
【図４】
2020521187.tif 000006
【図５】
2020521187.tif 000007
【図６】
2020521187.tif 000008
【図７】
2020521187.tif 000009
【図８】
2020521187.tif 000010
【図９】
2020521187.tif 000011
【図１０】
2020521187.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月22日(2020.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記垂直キャビティ表面発光レーザーアレイ（ＶＣＳＥＬｓ）は、１×４アレイであり、前記複数のポリマー導波路は、４つのチャンネルを用いた、請求項５に記載の光相互接続装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
光相互接続装置を製造する方法であって、
最上部シリコン面を有するシリコン基板を用意することと、
前記最上部シリコン面上に溝を形成することと、
前記溝の第１の傾斜した側壁および第２の傾斜した側壁であって、相対する第１の傾斜した側壁および第２の傾斜した側壁をパターン化することと、
前記溝内に複数のポリマー導波路を形成することであって、
前記第１の傾斜した側壁および前記第２の傾斜した側壁をカバーする第１のポリマークラッド層を、前記溝内に堆積させてから、前記第１のポリマークラッド層上にポリマーコア層を堆積させることと、
前記ポリマーコア層をパターン化して、パターン化された前記ポリマーコア層を第２のポリマークラッド層でカバーすることと
を含み、前記複数のポリマー導波路はそれぞれ、１つの直線状部分、および２つの傾斜した端部反射器を有する、複数のポリマー導波路を形成することと、
前記溝の外側の前記最上部シリコン面上に絶縁層を堆積させることと、
前記絶縁層内に導電ラインをパターン化することと、
導電ライン上に、フリップチップ実装用のはんだバンプを、結合パッドと共に成長させることと、
光源デバイスを、前記溝の前記第１の傾斜した側壁近くの前記導電ラインの１つと、そして光レシーバデバイスを、前記溝の前記第２の傾斜した側壁近くの前記導電ラインの別の１つと接続することと、
前記光源デバイスと前記光レシーバデバイスとを、前記複数のポリマー導波路の前記傾斜した端部反射器と位置合わせすることと
を含む、光相互接続装置を製造する方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記複数の導電ラインをパターン化することは、溝を形成することと、金属を前記溝内に充填してから、過剰な金属を、研磨によって、または選択的エッチングによって除去して、前記溝の外側の金属を落とすこととを含む、請求項１４に記載の光相互接続装置を製造する方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
垂直キャビティ面発光レーザーまたはＶＣＳＥＬは、最上部面から垂直的なレーザービームを放射する半導体レーザーダイオードの一タイプであり、従来の、ウエハーから個々のチップを切断することによって形成される表面から放射する端面発光半導体レーザー（同じく平面型（ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｌａｓｅｒ））と異なる。６５０ｎｍから１３００ｎｍの波長にて発光する垂直キャビティ面発光レーザーまたはＶＣＳＥＬは、典型的に、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）ウエハーに基づいており、回折ブラッグ反射器（ＤＢＲ）が、ＧａＡｓおよびヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ）から形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図４は、実施形態に従ってシリコン溝内に形成されたポリマー導波路のアレイの上面図を示す。図４内のダイアグラム４００に示すように、ポリマー層は、シリコン基板１４０の溝内に位置するストリップ形状の平行ポリマー導波路１２２にパターン化される。各導波路１２２は、２つの端部が、傾斜した側壁１２０ａおよび１２０ｂ上に載置されるので、傾斜したインターフェイス１２５ａおよび１２５ｂを形成する。結果として生じる傾斜したインターフェイスは、高い光学品質要件、例えば良好な高頻度の粗さおよび低い光散乱を満たさなければならない。パターニング技術として、リソグラフィおよびレーザー書込みが挙げられる。ポリマークラッド層があるならば、異なるポリマー材料が、ポリマーコア層の下に堆積し、そしてまた、導波路をパターン化した後に、コア導波路上に、かつコア導波路の周りに堆積することで、各導波路１２２がクラッドポリマー層によって囲まれるべきである。各ポリマーストリップは、幅が、シングルモード導波路用のおおよそ４〜６ミクロン、またはマルチモード導波路用の１０〜数百ミクロンの範囲内である。このパターニング工程は、リソグラフィ技術および選択的エッチングを用いて実行されるので、ポリマーが除去されるが、裏打ちシリコンが無傷である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図７において、ＶＣＳＥＬレーザー出力ビームが、第１の４５度反射器１２５ａと、経路７２３ａに沿ってマッチするように位置合わせされて、ビームは、反射器１２５ａによって軌跡を９０度変えて、光ビームは導波路１２２の直線状部分に結合する。光は、図７に示すように、光検出器１２７に対して位置合わせされている第２の４５度反射器１２５ｂによって２回目の反射がなされて、ここでも軌跡を変えて、経路７２３ｂに沿って光検出器１２７中に移動することで、全光路が完了する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
工程８０６において、ポリマー層を溝内に堆積させて、傾斜したスロープの部分をカバーする。ポリマーコア層およびクラッドポリマー層が所望されるならば、最初に、クラッディングポリマーを溝の底および傾斜したスロープに堆積させ、その後、クラッドポリマー層をポリマーコア層でカバーする。工程８０８において、ポリマーコア層を、それぞれが４５度端部反射器を有する複数の導波路にパターン化して、ポリマー導波路上に第２のポリマークラッド層を堆積させる。各導波路の幅は、シングルモード導波路用の５ミクロンから、マルチモード導波路用の最大５００ミクロンの大きな幅に及んでよい。導波路の端部は、シリコン溝の傾斜した側壁上に載置されて、反射器を形成する。クラッド層が所望されるならば、クラッディング材料を堆積させて、最上部から導波路間ギャップをカバーすることによって、導波路の周りを包装する。工程８１０において、絶縁層を溝の外側のシリコン表面上に堆積させて、フォトニックデバイス相互接続用のベースを形成する。工程８１２において、伝送ラインを絶縁層内にパターン化する。伝送ラインを形成する１つの方法が、溝を絶縁層上にパターン化して、金属を充填して伝送ラインを形成するものであり、または別の方法は、金属層を堆積させて、これをラインにパターン化するものである。エッチングまたはレーザー書込みもまた、ラインを形成する方法である。金属層は、アルミニウム、タングステン、ステンレス鋼その他であってよい。銅であるならば、プロセスは、銅めっき技術に従う必要があることとなる。工程８１４において、結合ピラー、例えば、フリップチップ実装用のはんだバンプを、結合パッドと共に成長させる。工程８１６において、相互接続ピラー／はんだバンプを介して、アクティブ光学デバイス（ＶＣＳＥＬ／ＰＤ）を伝送ラインとアセンブルする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2020521187.tif 000013
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2020521187.tif 000014
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2020521187.tif 000015
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2020521187.tif 000016
【国際調査報告】
2020521187.tif 000017