(57)【要約】光学的情報記録媒体において、透明樹脂基板（１）上に、第１の誘電体層（２）、記録層（３）、第２の誘電体層（４）及び反射層（５）をこの順に積層する。記録層（３）においては、ＳｉＯ２等の誘電体からなる母相（６）中に微結晶粒（７）を分散させる。記録層（３）の厚さは７乃至１５ｎｍとし、微結晶粒（７）の粒径は３乃至７ｎｍとする。微結晶粒（７）は、０．３乃至２５質量％のＰｄ及び０．３乃至２５質量％のＣｕを含有し、残部がＡｇ及び不可避的不純物からなるＡｇＰｄＣｕ合金により形成する。そして、この光学的情報記録媒体に、波長が３８０乃至４３０ｎｍの青紫色半導体レーザ光を照射して情報を記録及び再生する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板及びこの基板上に形成された記録層を備え、この記録層に光を照射することにより情報を記録及び再生する光学的情報記録媒体において、前記記録層が、誘電体からなる母相と、この母相中に分散され金属又は合金からなる複数の微結晶粒と、を有し、前記記録層に光が照射されることによりこの光が照射された部分における前記微結晶粒の大きさが変化して情報が記録されることを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項２】
前記微結晶粒が、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｐｄ及びＴｅからなる群から選択された１種の金属又は２種以上の金属からなる合金により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項３】
前記微結晶粒が、０．３乃至２５質量％のＰｄ及び０．３乃至２５質量％のＣｕを含有し、残部がＡｇ及び不可避的不純物からなるＡｇＰｄＣｕ合金により形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項４】
前記微結晶粒が、３８乃至５５質量％のＴｅを含有し、残部がＡｇ及び不可避的不純物からなるＡｇＴｅ合金により形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項５】
前記微結晶粒が、４０乃至９５質量％のＩｎを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなるＣｕＩｎ合金により形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項６】
前記誘電体が酸化物誘電体であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項７】
前記酸化物誘電体が、酸化珪素、酸化アルミニウム及び酸化タンタルからなる群から選択された１種又は２種以上の酸化物であることを特徴とする請求項６に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項８】
前記誘電体が窒化物誘電体であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項９】
前記窒化物誘電体が、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化タンタルからなる群から選択された１種又は２種以上の窒化物であることを特徴とする請求項８に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１０】
前記基板が透明基板であり、この基板と前記記録層との間に形成された第１の誘電体層と、前記記録層上に形成された第２の誘電体層と、この第２の誘電体層上に形成された反射層と、を有し、前記光を前記基板側から前記記録層に向けて入射させることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１１】
前記基板と前記記録層との間に形成された反射層と、この反射層と前記記録層との間に形成された第１の誘電体層と、前記記録層上に形成された第２の誘電体層と、この第２の誘電体層上に形成された光透過層と、を有し、前記光を前記光透過層側から前記記録層に向けて入射させることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１２】
前記記録層が複数の層からなり、この複数の層間にこの複数の層を相互に分離する光学分離層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１３】
前記光が、波長が３８０乃至４３０ｎｍのレーザ光であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体に対して光を照射して前記記録層の前記光の照射部分における前記微結晶粒の大きさを変化させてこの部分の反射率を変化させることにより情報を記録し、前記記録層の反射率の違いを検出することにより前記情報を再生することを特徴とする光学的情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、レーザ光の照射により情報が記録及び再生される光学的情報記録媒体及びこの光学的情報記録媒体に情報を記録し再生する光学的情報記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  ＣＤ−ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ：読出専用コンパクトディスク）及びＤＶＤ−ＲＯＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ−ＲＯＭ：読出専用ＤＶＤ）の急速な普及に伴い、近時、ＣＤ−Ｒ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）及びＤＶＤ−Ｒ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）といったユーザによって１回だけ記録可能な追記型の光学的情報記録媒体（以下、光記録媒体、又は単に媒体ともいう）の普及も加速的に進んでいる。前述のＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ−Ｒにおいては、記録層として感光性の色素層がスピン塗布又は蒸着等により基板上に形成されている。そして、ＣＤ−ＲＯＭ等と同等な反射率を実現するために、色素層の上にＡｌ又はＡｕ等の金属材料からなる反射層が形成されている。情報の記録及び再生に使用されている半導体レーザ光の波長は、ＣＤ−Ｒでは７８０ｎｍ程度であり、ＤＶＤ−Ｒでは６５０ｎｍ程度である。そして、色素材料には、このような波長の半導体レーザ光に対して記録可能な程度の光吸収率を実現できるような材料が使用されている。【０００３】  一方、近時、青紫色半導体レーザに関する研究開発が急速に進展しており、これによって、波長が３８０乃至４３０ｎｍの半導体レーザの実用化が近づいている。光記録媒体の記録密度は主として情報の記録再生に使用される光ビームの集光スポットサイズによって決まる。集光スポットサイズはビーム光の波長に比例するため、記録再生用のレーザ光として、現在実用化されている赤色半導体レーザよりも波長が短い青紫色半導体レーザ光を使用することにより、集光スポットサイズが小さくなり、光記録媒体の記録容量が大幅に増えるものと期待されている。【０００４】  このような青紫色半導体レーザ光を使用する光記録媒体としては、上述の感光性の色素層を使用する方法の他に、記録層としてＡｕ、Ａｇ又はＣｕ等の金属からなる微小な粒子を離散的に分布させた島状金属極薄膜を使用し、この薄膜を透明な有機樹脂からなるスペーサ層を介して積層させた光記録媒体が提案されている。島状金属極薄膜は、蒸着又はスパッタリング等による金属膜の成膜をその初期段階で停止することにより得ることができる。この光記録媒体は、レーザ光の照射による透明樹脂のバブルフォーミング又は２種類の金属の相互拡散を利用してマークを形成するものである（例えば、特許文献１（特開２００２−１１９５７号公報）及び非特許文献１（第５０回応用物理学関係連合講演会、講演予稿集２７ｐ−ＺＷ−４）参照。）。【０００５】  また、ＰＣ（Ｐｏｌｙ−Ｃａｒｂｏｎａｔｅ：ポリカーボネート）基板上に記録層として金属又は半導体等からなる薄膜を積層し、レーザ光の照射によってこの薄膜を加熱して加熱部分の薄膜及び基板を変形させて情報の記録を行う光記録媒体も提案されている。【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１１９５７号公報
【非特許文献１】第５０回応用物理学関係連合講演会、講演予稿集２７ｐ−ＺＷ−４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】  しかしながら、上述の従来の技術には以下に示すような問題点がある。先ず、記録層として色素層を使用する光記録媒体においては、波長が３８０乃至４３０ｎｍの範囲にある青紫色半導体レーザ光に適した色素材料は未だ開発途上にあり、実用に耐え得る材料が開発されていない。即ち、色素層にマークを形成して一旦情報を記録した後に、このマークに再生用のレーザ光を照射し続けると、記録された情報が劣化してしまう。また、色素層を形成した光記録媒体は、基板上に色素材料をスピンコートにより塗布した後に、改めてスパッタリング等により反射層を形成しなくてはならないため、光記録媒体の作製プロセスが煩雑になるという問題点がある。更に、色素層を記録層に用いた媒体では、記録層の透過率が低いため、２層以上の記録層が形成され多層記録が可能な光学的情報記録媒体を作製することができないという問題点もある。【０００８】  また、記録層としてＡｕ、Ａｇ又はＣｕ等からなる微小な金属粒子を離散的に分布させた島状金属極薄膜を使用し、この島状金属極薄膜を有機樹脂膜により挟んだ光記録媒体は、記録層の構造として、直径が数ｎｍから数１０ｎｍ程度の金属粒子が２次元的に分布した離散的な粒子構造を有している。そのため、金属粒子の量は極めて微量であり、情報記録時にディスクを高速で回転させると記録用レーザ光のパワーが不足し、信号品質が高い記録マークを形成することが困難である。また、金属粒子が２次元的に分布した離散的な粒子構造を有することから、再生時にノイズが高くなる。更に、島状の金属膜を形成するためには、その膜厚を１０ｎｍ以下程度の極めて薄い範囲に限定しなくてはならず、膜厚の制御が困難である。更にまた、有機樹脂膜をスピンコーティングにより形成するため、製造工程が煩雑になる。【０００９】  更に、レーザ光を照射することにより薄膜及び基板を変形させて情報の記録を行う光記録媒体においては、記録時に基板が変形するため、ノイズの上昇が著しく、ノイズが低い再生信号を得ることが困難である。特に、高密度化のために溝ピッチを狭くしたり、基板の溝部及びこの溝部間に形成される平坦なランド部の双方に記録を行うランド／グルーブ記録を行ったりすると、記録時の基板の変形が隣接した記録領域にも影響を与えるため、高密度記録が困難である。【００１０】  本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、作製が容易であり、記録再生光として青紫色半導体レーザ光を使用する場合においても再生信号の品質が高く、多層記録が可能である光学的情報記録媒体及びこの光学的情報記録媒体に情報を記録し再生する光学的情報記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  本発明に係る光学的情報記録媒体は、基板及びこの基板上に形成された記録層を備え、この記録層に光を照射することにより情報を記録及び再生する光学的情報記録媒体において、前記記録層が、誘電体からなる母相と、この母相中に分散され金属又は合金からなる複数の微結晶粒と、を有し、前記記録層に光が照射されることによりこの光が照射された部分における前記微結晶粒の大きさが変化して情報が記録されることを特徴とする。【００１２】  本発明においては、記録層に光を照射することにより、記録層の照射部分における微結晶粒の大きさが変化して、この照射部分の反射率が変化する。これにより、記録層の照射部分にマークが形成され、情報を記録することができる。また、この光学的情報記録媒体を製造する際に、スピンコーティング等の手段により有機樹脂膜を形成する必要がないため、製造が容易である。【００１３】  また、前記微結晶粒が、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｐｄ及びＴｅからなる群から選択された１種の金属又は２種以上の金属からなる合金により形成されていることが好ましい。更に、前記微結晶粒が、０．３乃至２５質量％のＰｄ及び０．３乃至２５質量％のＣｕを含有し、残部がＡｇ及び不可避的不純物からなるＡｇＰｄＣｕ合金により形成されているか、又は、前記微結晶粒が、３８乃至５５質量％のＴｅを含有し、残部がＡｇ及び不可避的不純物からなるＡｇＴｅ合金により形成されているか、又は、前記微結晶粒が、４０乃至９５質量％のＩｎを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなるＣｕＩｎ合金により形成されていることがより好ましい。これにより、良好な記録再生特性と良好な耐食性とを両立させることができる。【００１４】  更に、前記記録層が複数の層からなり、この複数の層間にこの複数の層を相互に分離する光学分離層が形成されていてもよい。これにより、複数の層に夫々情報を記録することができ、光学的情報記録媒体の記録密度が向上する。【００１５】  更にまた、前記光が、波長が３８０乃至４３０ｎｍのレーザ光であることが好ましい。これにより、記録層上に小さなスポットを形成することができ、記録密度を向上させることができる。【００１６】  本発明に係る光学的情報記録再生装置は、前記光学的情報記録媒体に対して光を照射して前記記録層の前記光の照射部分における前記微結晶粒の大きさを変化させてこの部分の反射率を変化させることにより情報を記録し、前記記録層の反射率の違いを検出することにより前記情報を再生することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】  本発明によれば、光を照射することにより、記録層の微結晶粒の大きさを変化させて、情報を記録することができる。これにより、記録及び再生用の光として青紫色半導体レーザ光を使用しても、再生信号の品質が高く、製造が容易な光学的情報記録媒体を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光学的情報記録媒体を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る光学的情報記録媒体を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る光学的情報記録媒体を示す断面図である。
【図４】本発明の第５の実施形態に係る光学的情報記録再生装置を示すブロック図である。
【図５】横軸に記録時及び再生時における光ディスク媒体の線速をとり、縦軸に８Ｔ信号のＣ／Ｎ比をとって、再生信号品質に及ぼす線速の影響を示すグラフ図である。
【符号の説明】
【００１９】  １；透明樹脂基板
２、２ａ；第１の誘電体層
２ｂ；第３の誘電体層
３；記録層
３ａ；第１の記録層
３ｂ；第２の記録層
４、４ａ；第２の誘電体層
４ｂ；第４の誘電体層
５；反射層
６；母相
７；微結晶粒
８；光学分離層
９；ダミー用の透明樹脂基板
１００；ディスク
１０１；スピンドルモータ
１０２；回転制御回路
１０３；サーボ制御回路
１０４；光ヘッド
１０５；記録再生回路
１０６；Ｗｏｂｂｌｅ検出回路
１０７；アドレス検出回路
１０８；記録データ処理回路
１０９；同期信号生成回路
１１０；再生データ処理回路
１１１；インターフェイス
１１２；コントローラ
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】  以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は本実施形態に係る光学的情報記録媒体を示す断面図である。なお、本明細書において、図面の縦方向及び横方向の尺度並びに縦横比は任意である。【００２１】  図１に示すように、本実施形態に係る光記録媒体においては、ディスク状の透明樹脂基板１が設けられている。透明樹脂基板１の直径は例えば１２０ｍｍであり、厚さは例えば０．６ｍｍであり、表面に案内溝又はプリピット（図示せず）が形成されている。そして、透明樹脂基板１上には、第１の誘電体層２、記録層３、第２の誘電体層４及び反射層５がこの順に積層されている。そして、反射層５上に、紫外線硬化樹脂層（図示せず）を介して、厚さが０．６ｍｍのダミー用の透明樹脂基板（図示せず）が貼り合わされている。透明樹脂基板１及びダミー用透明樹脂基板は、例えばＰＣ基板である。また、第１の誘電体層２及び第２の誘電体層４は、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ２により形成されている。更に、反射層５は、例えばＡｌＴｉ合金により形成されている。【００２２】  そして、記録層３においては、誘電体からなる母相６に金属又は合金からなる微結晶粒７が分散されている。母相６を形成する誘電体は例えば酸化物誘電体であり、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）である。また、微結晶粒７を形成する金属又は合金は、例えば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びテルル（Ｔｅ）からなる群から選択された１種の金属又は２種以上の金属からなる合金であり、例えば、０．３乃至２５質量％のＰｄ及び０．３乃至２５質量％のＣｕを含有し、残部がＡｇ及び不可避的不純物からなるＡｇＰｄＣｕ合金である。また、記録層３の厚さは例えば５乃至２５ｎｍであり、例えば７乃至１５ｎｍであり、記録層３は多結晶膜である。記録層３における微結晶粒７の含有率は例えば３０乃至８０体積％である。更に、微結晶粒７の粒径は１０ｎｍ以下であることが好ましく、例えば３乃至７ｎｍである。【００２３】  なお、母相６を形成する誘電体は酸化珪素（ＳｉＯ２）に限定されず、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）であってもよい。又は、母相６を形成する誘電体は窒化物誘電体であってもよく、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）若しくは窒化タンタル（ＴａＮ）であってもよい。又は、２種以上の上記酸化物及び／又は窒化物の混合物又は化合物であってもよい。【００２４】  また、微結晶粒７を形成する金属又は合金はＡｇＰｄＣｕ合金には限定されず、例えば、３８乃至５５質量％のＴｅを含有し、残部がＡｇ及び不可避的不純物からなるＡｇＴｅ合金でもよく、４０乃至９５質量％のＩｎを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなるＣｕＩｎ合金であってもよい。これらの場合も、微結晶粒７の含有率及び粒径は上記範囲にあることが好ましい。【００２５】  以下、本発明の各構成要件における数値限定理由について説明する。【００２６】 記録層の厚さ：５乃至２５ｎｍ
記録層の厚さが５ｎｍ未満であると、記録層における光の透過率が高くなり、記録層における光の吸収率が低下し、情報の記録が困難になる。一方、記録層の厚さが２５ｎｍを超えると、記録層における光の反射率が高くなりすぎて、やはり光の吸収率が低下し、情報の記録が困難になる。従って、記録層の厚さは５乃至２５ｎｍであることが好ましい。より好ましくは、７乃至１５ｎｍである。【００２７】 微結晶粒をＡｇＰｄＣｕ合金により形成する場合のＰｄ及びＣｕの各含有量：０．３乃至２５質量％
本来、Ａｇの単体は硫黄及び塩素成分に対する耐食性が低い。一方、Ｐｄは硫黄及び塩素に対しては安定な物質である。そこで、ＡｇにＰｄを０．１乃至３０．０質量％の範囲で添加すると、耐食性が向上する。但し、ＡｇＰｄのみからなる合金では高温高湿雰囲気中における耐食性が低く、高温高湿雰囲気中に媒体を放置すると腐食が発生する場合がある。しかし、ＡｇＰｄ合金にＣｕを０．１乃至３０．０質量％の範囲で添加すると、高温高湿雰囲気中における耐食性がより向上する。また、上記成分範囲において、Ｐｂの含有量が０．３乃至２５質量％であり、Ｃｕの含有量が０．３乃至２５質量％であると、記録再生特性が特に良好である。従って、ＡｇＰｄＣｕ合金におけるＰｄ及びＣｕの含有量は、夫々０．３乃至２５質量％であることが好ましい。【００２８】 微結晶粒をＡｇＴｅ合金により形成する場合のＴｅの含有量：３８乃至５５質量％
前述の如く、Ａｇ単体では硫黄及び塩素成分に対する耐食性が低いが、Ｔｅを３３質量％以上添加することにより、硫黄及び塩素に対する耐食性が向上する。一方、ＡｇＴｅ合金中のＴｅ含有量を増加させていくと、これに伴いＡｇＴｅ合金の融点は低下していく。ＡｇＴｅ合金の融点が高すぎると、情報を記録するために高いレーザパワーが必要となり、ＡｇＴｅ合金の融点が低すぎると、記録した情報の保存安定性が低下する虞がある。ＡｇＴｅ合金を上述した記録層の微結晶粒を形成する合金として使用する際には、ＡｇＴｅ合金の融点は４００乃至７００℃の範囲であることが望ましい。この融点に対応するＴｅの添加量は３８乃至５５質量％である。従って、ＡｇＴｅ合金におけるＴｅの含有量は３８乃至５５質量％であることが望ましい。【００２９】 微結晶粒をＣｕＩｎ合金により形成する場合のＩｎの含有量：４０乃至９５質量％
Ｃｕ単体の融点は約１０８３℃であり、Ｃｕのみにより微結晶粒を形成すると、レーザ光を照射して情報を記録するためには、極めて高いレーザパワーが必要となる。そこで、Ｃｕに融点が低いＩｎを添加し、Ｃｕ単体よりも融点が低いＣｕＩｎ合金により微結晶粒を形成することが好ましい。前述の如く、微結晶粒を形成する材料の融点は４００乃至７００℃程度であることが好ましいが、Ｉｎの添加量を４０乃至９５質量％とすると、ＣｕＩｎ合金の融点はこの温度範囲になる。また、この組成範囲のＣｕＩｎ合金により微結晶粒を形成すると、再生特性も良好である。従って、ＣｕＩｎ合金におけるＩｎの含有量は４０乃至９５質量％であることが好ましい。【００３０】  次に、本実施形態に係る光記録媒体の製造方法について説明する。予め、レーザ光をガイドする案内溝又はプリピット（図示せず）が形成された透明樹脂基板１上に、インライン型のスパッタ装置により、以下に示す各層を順次形成する。先ず、スパッタリングによりＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を成膜し、これにより第１の誘電体層２を形成する。次に、例えば、ＳｉＯ２からなるターゲットとＡｌＣｕＰｄ合金からなるターゲットの２つのターゲットを同時に使用して、共スパッタを行う。これにより、ＳｉＯ２からなる母材６中にＡｌＣｕＰｄ合金からなる微結晶粒７が分散された記録層３を形成する。次に、スパッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を成膜し、第２の誘電体層４を形成する。次に、スパッタリング法により、ＡｌＴｉ合金膜を成膜し、反射層５を形成する。次に、紫外線硬化樹脂層を介して、反射層５にダミー用の透明樹脂基板を積層し、紫外線を照射することにより紫外線硬化樹脂層を硬化させて、反射層５にダミー用透明樹脂基板を貼り合わせる。これにより、本実施形態に係る光記録媒体が製造される。【００３１】  次に、上述の如く構成された本実施形態に係る光記録媒体の動作について説明する。この光記録媒体に情報を記録する場合は、記録用レーザ光として、透明樹脂基板１側から波長が例えば３８０乃至４３０ｎｍである青紫色半導体レーザ光を入射させる。この記録用レーザ光は透明樹脂基板１及び第１の誘電体層２を透過して記録層３に照射される。また、記録層３を透過したレーザ光は第２の誘電体層４を透過し、反射層５により反射されて再び第２の誘電体層４を透過し、記録層３に照射される。これにより、記録層３におけるレーザ光が照射された部分が加熱され、この部分の微結晶粒７が溶融し、相互に隣り合う微結晶粒７同士が凝集し、この結果、微結晶粒７の粒径がレーザ光の照射前よりも大きくなる。この粒径の変化に伴い、記録層３のレーザ光照射部分の光学定数、例えば屈折率及び消衰係数が変化し、反射率が低下する。例えば、レーザ光照射前に２０％であった記録層３の反射率が、レーザ光照射により７％に低下する。これにより、記録層３におけるレーザ光が照射された部分に、周囲よりも光の反射率が低いマークが形成され、情報が記録される。【００３２】  そして、この情報を再生する場合には、前述の記録用レーザ光よりも強度が低い再生用レーザ光を透明樹脂基板１側から入射させる。この再生用レーザ光の波長は例えば記録用レーザ光の波長と同じでよい。この再生用レーザ光が透明樹脂基板１及び第１の誘電体層２を透過して記録層３に照射され、記録層３により反射されて、再び第１の誘電体層２及び透明樹脂基板１を透過して光記録媒体の外部に出力される。また、記録層３を透過したレーザ光は、第２の誘電体層４を透過して反射層５により反射され、再び第２の誘電体層４、記録層３、第１の誘電体層２及び透明樹脂基板１を透過して外部に出力される。このとき、記録層３におけるマーク（記録部）とそれ以外の部分（非記録部）とでは光の反射率が異なるため、マークとそれ以外の部分とで光の戻り光量（反射光量）が異なる。この光量差を検出することにより、記録層３に記録された情報を読み出すことができる。【００３３】  本実施形態においては、上述の如く、レーザ光の照射により微結晶粒を溶融・凝集させて粒径を変化させることにより情報を記録しているため、青紫色半導体レーザ光を使用する場合においても再生信号の品質が高い。また、記録層に色素を使用しないため、記録マーク部が劣化することがない。更に、記録時のレーザ光照射部のＰＣ基板が変形することがないため、再生時にノイズが増加することはない。更にまた、前述の特許文献１及び比特許文献１に記載された光記録媒体においては、透明樹脂層のバブルフォーミングにより粒子の分布の乱れを生じさせてマークを形成しているが、本実施形態においては、微結晶粒を溶融・凝集させてその大きさ及び形状を変化させてマークを形成している。このため、本実施形態においては、前述の特許文献１及び比特許文献１に記載された技術と比較して、マーク部と非マーク部との反射率の差が大きく、再生信号の品質が高い。このため、本実施形態に係る光記録媒体は、ランド／グルーブ記録のような高密度記録再生にも適している。【００３４】  更にまた、第１の誘電体層２から反射層５までをスパッタリング法のみにより連続的に形成することができ、途中でスピンコート法等により樹脂層を形成する必要がないため、製造プロセスが単純であり、作製が容易である。また、極薄層を成膜する必要がないため、作製条件の制御が容易である。更に、記録層を合金ターゲット及び誘電体ターゲットを使用した共スパッタにより形成しているため、母相内に微結晶粒が均一に分散された多結晶膜を形成することができる。この結果、レーザ光として青紫色半導体レーザ光を使用でき、再生信号の品質が高く、作製が容易である光記録媒体を実現することができる。【００３５】  次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図２は本実施形態に係る光学的情報記録媒体を示す断面図である。図２に示すように、本実施形態に係る光記録媒体においては、直径が例えば１２０ｍｍであり厚さが例えば１．２ｍｍであるディスク状の透明樹脂基板１が設けられている。この透明樹脂基板１上に、反射層５、第１の誘電体層２、記録層３及び第２の誘電体層４が基板１側からこの順に積層されている。そして、第２の誘電体層４上に、紫外線硬化樹脂層（図示せず）を介して、厚さが１００μｍの透明なＰＣフィルム（図示せず）が接着されており、ＰＣカバー層となっている。また、記録層３においては、誘電体からなる母相６に金属又は合金からなる微結晶粒７が分散されている。母相６を形成する誘電���は例えば酸化物誘電体であり、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）である。微結晶粒７を形成する金属又は合金は、例えば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びテルル（Ｔｅ）からなる群から選択された１種又は２種以上の金属からなる金属又は合金であり、例えば、０．３乃至２５質量％のＰｄ及び０．３乃至２５質量％のＣｕを含有し、残部がＡｇ及び不可避的不純物からなるＡｇＰｄＣｕ合金である。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第１の実施形態と同様である。【００３６】  次に、本実施形態に係る光記録媒体の製造方法について説明する。先ず、透明樹脂基板１上に、例えばスパッタリング法によりＡｌＴｉ合金膜を成膜し、反射層５を形成する。次に、スパッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を成膜して、第１の誘電体層２を形成する。次に、引き続きスパッタリング法により、例えば、ＳｉＯ２からなるターゲットとＡｌＣｕＰｄ合金からなるターゲットの２つのターゲットを同時に使用して、共スパッタを行う。これにより、ＳｉＯ２からなる母材６中にＡｌＣｕＰｄ合金からなる微結晶粒７が分散された記録層３が形成される。次に、スパッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を成膜し、第２の誘電体層４を形成する。次に、紫外線硬化樹脂層を介して、第２の誘電体層４に光透過層として透明なＰＣフィルムを接着し、ＰＣカバー層を形成する。これにより、本実施形態に係る光記録媒体が製造される。本実施形態に係る光記録媒体においては、記録用レーザ光及び再生用レーザ光はＰＣフィルム側から入射される。本実施形態における動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。【００３７】  次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図３は本実施形態に係る光学的情報記録媒体を示す断面図である。図３に示すように、本実施形態に係る光記録媒体においては、２層の記録層が設けられている。即ち、直径が例えば１２０ｍｍであり厚さが例えば０．６ｍｍであるディスク状の透明樹脂基板１が設けられており、この透明樹脂基板１上に、基板１側から順に、第１の誘電体層２ａ、第１の記録層３ａ、第２の誘電体層４ａ、光学分離層８、第３の誘電体層２ｂ、第２の記録層３ｂ、第４の誘電体層４ｂ、反射層５、紫外線硬化樹脂層（図示せず）及びダミー用の透明樹脂基板９が積層されている。第１の記録層３ａの厚さは例えば７ｎｍであり、第２の記録層３ｂの厚さは例えば１２ｎｍである。また、第１の記録層３ａ及び第２の記録層３ｂにおいては、母相６中に微結晶粒７が分散されている。更に、光学分離層８は例えば紫外線硬化樹脂により形成されている。本実施形態に係る光記録媒体においては、記録用レーザ光及び再生用レーザ光は透明樹脂基板１側から入射される。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び動作は、前述の第１の実施形態と同様である。【００３８】  本実施形態においては、記録層に色素材料を使用していないため、記録層の透過率を高くすることができ、記録層を２層形成することができる。これにより、記録層が１層である光記録媒体と比較して、記録密度を２倍にすることができる。本実施形態における上記以外の効果は、前述の第１の実施形態と同様である。【００３９】  次��、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施形態に係る光記録媒体おいては、厚さが例えば１．２ｍｍである透明樹脂基板上に、反射層、誘電体層、第２の記録層、誘電体層、光学分離層、誘電体層、第１の記録層、誘電体層、紫外線硬化樹脂層及びＰＣカバー層がこの順に積層されている。また、この光記録媒体には、ＰＣカバー層側から記録用レーザ光及び再生用レーザ光が入射される。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第３の実施形態と同様である。【００４０】  なお、前述の第３及び第４の実施形態においては、記録層が２層である場合を示したが、記録層は３層以上であってもよい。これにより、記録密度をより一層増加させることができる。【００４１】  次に、本発明の第５の実施形態について説明する。本実施形態は、前述の第１乃至第４の実施形態に係る光記録媒体に対して情報の記録及び再生を行う光学的情報記録再生装置（以下、単に記録再生装置ともいう）の実施形態である。図４は本実施形態に係る光学的情報記録再生装置を示すブロック図である。図４に示すように、本実施形態に係る記録再生装置においては、光記録媒体であるディスク１００を支持して回転させるスピンドルモータ１０１が設けられており、このスピンドルモータ１０１の回転を制御する回転制御回路１０２が設けられている。なお、ディスク１００は前述の第１乃至第４のいずれかの実施形態に係る光記録媒体である。【００４２】  また、この記録再生装置には光ヘッド１０４が設けられており、光ヘッド１０４には、ディスク１００に対して波長が例えば３８０乃至４３０ｎｍの青紫色半導体レーザ光を記録用レーザ光及び再生用レーザ光として照射するレーザ光源（図示せず）、及びディスク１００からの戻り光を検出する光検出器（図示せず）が設けられている。更に、光ヘッド１０４の位置制御、フォーカス制御及びトラッキング制御を行うサーボ制御回路１０３が設けられている。【００４３】  更にまた、記録時においては光ヘッド１０４内のレーザ光源を駆動し、回転する光ディスク１００の所定の位置に記録用レーザ光を集光して情報の記録を行い、再生時においては光ヘッド１０４内のレーザ光源に再生用レーザ光を出力させると共に、光ヘッド１０４内の光検出器にディスク１００からの戻り光を検出させ、この検出結果に基づいて記録情報の再生を行う記録再生回路１０５が設けられている。また、記録再生回路１０５は光検出器の出力信号に基づいて、ディスク１００に記録された情報に基づく再生データ信号の他に、ディスク上の照射位置を示すＷｏｂｂｌｅ信号、フォーカス誤差を示すフォーカスサーボ誤差信号及びトラッキング誤差を示すトラッキングサーボ誤差信号等の信号を生成する。【００４４】  また、記録再生回路１０５から出力される信号に基づいてＷｏｂｂｌｅ信号を検出するＷｏｂｂｌｅ検出回路１０６が設けられており、このＷｏｂｂｌｅ検出回路１０６の出力信号を復調し復号化することによって光ディスク１００上の光ビームの収束位置を示すアドレス情報を検出するアドレス検出回路１０７が設けられている。更に、Ｗｏｂｂｌｅ検出回路１０６の出力信号に基づいて同期信号を生成する同期信号生成回路１０９が設けられており���この同期信号生成回路１０９からの同期信号に基づいて、記録再生回路１０５から出力される再生データ信号を復調し再生データ信号の誤り訂正を行って再生データを生成する再生データ処理回路１１０が設けられている。【００４５】  更にまた、再生データ処理回路１１０から再生データが入力され、この再生データを外部のホストコンピュータ（図示せず）に対して出力すると共に、ホストコンピュータから記録データ及び記録／再生指示データが入力され、記録データを記録データ処理回路１０８に対して出力し、記録／再生指示データを後述するコントローラ１１２に対して出力するインターフェイス１１１が設けられている。【００４６】  更にまた、インターフェイス１１１から記録データが入力され、この記録データにエラー訂正符号を付加すると共に記録に適したフォーマットに変換して変調して記録再生回路１０５に対して出力する記録データ処理回路１０８が設けられている。更にまた、インターフェイス１１１から記録／再生指示データが入力され、アドレス検出回路１０７からアドレス情報が入力され、サーボ制御回路１０３からフィードバック信号が入力され、回転制御回路１０２、サーボ制御回路１０３及び記録再生回路１０５を制御するコントローラ１１２が設けられている。【００４７】  次に、上述の如く構成された本実施形態に係る記録再生装置の動作について、図４を参照して説明する。先ず、ディスク１００に情報を記録する場合の動作について説明する。先ず、ホストコンピュータから記録指示データ及び記録データがインターフェイス１１１に入力される。インターフェイス１１１は記録指示データをコントローラ１１２に対して出力すると共に、記録データを記録データ処理回路１０８に対して出力する。コントローラ１１２は回転制御回路１０２に対して制御信号を出力し、回転制御回路１０２はスピンドルモータ１０１を駆動させてディスク１００を回転させる。【００４８】  一方、記録データ処理回路１０８が、インターフェイス１１１から入力された記録データにエラー訂正符号を付加し、記録に適したフォーマットに変換し、変調して記録再生回路１０５に対して出力する。そして、記録再生回路１０５がこの記録データに基づいて光ヘッド１０４内のレーザ光源を駆動し、このレーザ光源が回転する光ディスク１００の所定の位置に記録用レーザ光を集光する。この記録用レーザ光は、波長が例えば３８０乃至４３０ｎｍの青紫色半導体レーザ光である。これにより、前述の第１の実施形態において説明した原理により光ディスク１００の記録層にマークが形成され、情報が記録される。【００４９】  このとき、光ヘッド１０４の光検出器は検出信号を記録再生回路１０５に対して出力し、記録再生回路１０５はこの信号に基づいて、Ｗｏｂｂｌｅ信号、フォーカスサーボ誤差信号及びトラッキングサーボ誤差信号を生成し、Ｗｏｂｂｌｅ検出回路１０６に対して出力する。Ｗｏｂｂｌｅ検出回路１０６は記録再生回路１０５の出力信号に基づいてＷｏｂｂｌｅ信号を検出し、フォーカスサーボ誤差信号及びトラッキングサーボ誤差信号と共にアドレス検出回路１０７に対して出力すると共に、Ｗｏｂｂｌｅ信号を同期信号生成回路１０９に対して出力する。【００５０】  アドレス検出回路１０７は、Ｗｏｂｂｌｅ検出回路１０６の出力信号を復調し復号化することによって、光ディスク１００上の光ビームの収束位置を示すアドレス情報を検出し、フォーカスサーボ誤差信号及びトラッキングサーボ誤差信号と共にコントローラ１１２に対して出力する。そして、コントローラ１１２は、アドレス情報、フォーカスサーボ誤差信号及びトラッキングサーボ誤差信号に基づいて、サーボ制御回路１０３を制御し、サーボ制御回路１０３が光ヘッド１０４の位置制御、フォーカス制御及びトラッキング制御を行う。このとき、サーボ制御回路１０３はフィードバック信号をコントローラ１１２に対して出力する。また、同期信号生成回路１０９は同期信号を生成して記録データ処理回路１０８に対して出力する。【００５１】  次に、ディスク１００に記録された情報を再生する場合の動作について説明する。先ず、ホストコンピュータから再生指示データがインターフェイス１１１に入力される。インターフェイス１１１はこの再生指示データをコントローラ１１２に対して出力する。コントローラ１１２は回転制御回路１０２に対して制御信号を出力し、回転制御回路１０２はスピンドルモータ１０１を駆動させてディスク１００を回転させる。また、コントローラ１１２は記録再生回路１０５に対して制御信号を出力し、記録再生回路１０５は光ヘッド１０４を駆動させて、光ヘッド１０４のレーザ光源から再生用レーザ光をディスク１００に対して出力させると共に、光ヘッド１０４の光検出器がディスク１００からの戻り光を検出する。なお、再生用レーザ光は、波長が例えば３８０乃至４３０ｎｍの青紫色半導体レーザ光である。これにより、前述の第１の実施形態において説明した原理によりディスク１００に記録された情報が読み取られる。【００５２】  そして、光ヘッド１０４の光検出器の出力信号が記録再生回路１０５に入力され、記録再生回路１０５がこの出力信号に基づいて、再生データ信号、Ｗｏｂｂｌｅ信号、フォーカスサーボ誤差信号及びトラッキングサーボ誤差信号を生成し、再生データ信号を再生データ処理回路１１０に対して出力すると共に、Ｗｏｂｂｌｅ信号、フォーカスサーボ誤差信号及びトラッキングサーボ誤差信号をＷｏｂｂｌｅ検出回路１０６に対して出力する。Ｗｏｂｂｌｅ検出回路１０６はＷｏｂｂｌｅ信号を同期信号生成回路１０９に対して出力し、同期信号生成回路１０９はＷｏｂｂｌｅ信号に基づいて同期信号を生成して再生データ処理回路１１０に対して出力する。そして、再生データ処理回路１１０が同期信号に基づいて再生データ信号を復調し、再生データ信号の誤り訂正を行って再生データを生成し、インターフェイス１１１に対して出力する。そして、インターフェイス１１１がこの再生データを外部のホストコンピュータに対して出力する。これにより、ディスク１００に記録された情報の再生が行われる。なお、このとき、前述の情報記録時と同様な動作により、サーボ制御回路１０３が光ヘッド１０４の位置制御、フォーカス制御及びトラッキング制御を行う。【００５３】  本実施形態に係る光学的情報記録再生装置は、前述の第１乃至第４の実施形態に係る光記録媒体に対して情報を記録し、この情報を再生するこ���ができる。これにより、記録用及び再生用のレーザ光として、青紫色半導体レーザ光を使用することができるため、光記録媒体の記録密度を向上させることができる。
【実施例１】
【００５４】  以下、本発明の実施例について具体的に説明する。先ず、前述の第１及び第２の実施形態において説明した方法により、評価対象となる光ディスク媒体（光学的情報記録媒体）を製造した。光ディスク媒体は、前述の第１の実施形態において示したような透明樹脂基板側からレーザ光を入射する光ディスク媒体（以下、基板入射媒体という）、及び前述の第２の実施形態において示したようなカバー層（ＰＣフィルム）側からレーザ光を入射する光ディスク媒体（以下、カバー層入射媒体という）の２種類の媒体を製造した。即ち、予め案内溝又はプリピットが形成された透明樹脂基板上に、インライン型のスパッタリング装置により順次各層を形成した。以下、各媒体の層構造を示す。なお、以下の説明において、基板側から順に「Ａ層」、「Ｂ層」、「Ｃ層」が順次積層されている構造を（Ａ／Ｂ／Ｃ）と表記する。基板入射媒体の層構造は、（ＰＣ基板／第１の誘電体層／記録層／第２の誘電体層／ＡｌＴｉ反射膜／ＵＶ接着層／ダミーＰＣ基板）とした。また、カバー層入射媒体の層構造は、（ＰＣ基板／ＡｌＴｉ反射膜／第１の誘電体層／記録層／第２の誘電体層／ＵＶ接着層／ＰＣカバー層）とした。【００５５】  記録層は、スパッタリングのターゲットとして所定の組成の合金からなる合金ターゲット、及び誘電体からなる誘電体ターゲットの２つのターゲットを使用し、共スパッタにより同時成膜して形成した。記録層中の母相及び微結晶粒の組成は、各媒体間で相互に異ならせた。各ターゲットには夫々独立してパワーを投入し、合金からなる微結晶粒が誘電体からなる母相中に均一に分散するように、成膜時のパワーを各々調整した。また、基板は各ターゲットに対して平行に対向して配置し、且つ４０ｒｐｍの回転速度で公転させた。この公転運動により、透明樹脂基板が合金ターゲット上及び誘電体ターゲット上を交互に通過するため、記録層中に微結晶粒を均一に分散させることができた。また、誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を形成し、反射層５としてＡｌＴｉ膜を形成した。【００５６】  上述の如く製造した光ディスク媒体の記録再生特性を評価した。記録再生特性の評価は、前述の第５の実施形態において示した光学的情報記録再生装置（図４参照）を使用し、ノイズが最小となるような記録パワーにより周期が８Ｔの信号を記録し、この信号の再生信号品質及び再生光耐性を評価した。再生信号品質の評価は、前述の８Ｔ信号を再生し、そのＣ／Ｎ比（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ：搬送波対雑音比）を測定した。Ｃ／Ｎ比が５３ｄＢ以上であれば再生信号品質は良好であると判断できる。また、再生光耐性の評価は、同一トラックを再生パワー（表１参照）よりも０．２ｍＷ大きいパワーにより１０万回再生し、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比の初期値からの変化量を測定した。また、一部の光ディスク媒体については、記録層における記録部及び未記録部をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察し、微結晶粒の粒径を測定した。表１に測定条件を示す。また、表２に記録層の微結晶粒及び母相の組成、記録パワー、再生信号品質（８Ｔ信号のＣ／Ｎ比）、並びに再生光耐性（８Ｔ信号のＣ／Ｎ比の変化量）を示す。なお、表２において、例えば「Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１」とは、Ａｇが９８質量％、Ｐｄが１質量％、Ｃｕが１質量％の組成を持つＡｇＰｄＣｕ合金を示す。この表記方法は以下の実施例においても同様である。また、「層構造」の欄における「基板」とは基板入射媒体を示し、「カバー」とはカバー層入射媒体を示す。【００５７】
【表１】
2005023553.tif 000002
【００５８】
【表２】
2005023553.tif 000003
【００５９】  表２に示すＮｏ．１及びＮｏ．７の光ディスク媒体において、記録層における微結晶粒の結晶粒径は、未記録部では３〜７ｎｍ程度であり、記録部では３０〜８０ｎｍ程度であった。これにより、レーザ光の照射により微結晶粒の粒径が大きくなっていることがわかる。【００６０】  表２に示すように、共スパッタにより、記録層の微結晶粒をＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１（質量％）合金により形成し、母相を酸化物誘電体又は窒化物誘電体により形成した光学的情報記録媒体は、高い再生Ｃ／Ｎ比を示すと共に、再生光耐性も良好であった。
【実施例２】
【００６１】  前述の実施例１と同様な方法により、微結晶粒をＡｇＴｅ合金により形成した光ディスク媒体を作製し、その特性を評価した。この光ディスク媒体の層構造は前述の第１の実施形態と同じ基板入射媒体及び第２の実施形態と同じカバー層入射媒体とした。表３に記録層の微結晶粒及び母相の組成、記録パワー、再生信号品質（８Ｔ信号のＣ／Ｎ比）、並びに再生光耐性（８Ｔ信号のＣ／Ｎ比の変化量）を示す。なお、光ディスク媒体の作製方法、評価方法及び表３の記載方法は、前述の実施例１と同様である。なお、Ａｇ：５１質量％及びＴｅ：４９質量％からなる組成は、Ａｇ：５５原子％及びＴｅ：４５原子％からなる組成と等しい。【００６２】
【表３】
2005023553.tif 000004
【００６３】  表３に示すＮｏ．１６及びＮｏ．２２の光ディスク媒体において、記録層における微結晶粒の結晶粒径は、未記録部では３〜７ｎｍ程度であり、記録部では３０〜８０ｎｍ程度であった。これにより、レーザ光の照射により微結晶粒の粒径が大きくなっていることがわかる。【００６４】  また、表３に示すように、共スパッタにより、記録層の微結晶粒をＡｇ５１Ｔｅ４９（質量％）合金により形成し、母相を酸化物誘電体又は窒化物誘電体により形成した光学的情報記録媒体は、高い再生Ｃ／Ｎ比を示すと共に、再生光耐性も良好であった。なお、微結晶粒がＡｇ６１Ｔｅ３９（質量％）又はＡｇ４６Ｔｅ５４（質量％）からなり、母相が表３に示す酸化物誘電体又は窒化物誘電体からなる記録層を備えた光ディスク媒体においても、表３に示した再生特性と同様の結果が得られた。
【実施例３】
【００６５】  前述の実施例１と同様な方法により、微結晶粒をＣｕＩｎ合金により形成した光ディスク媒体を作製し、その特性を評価した。この光ディスク媒体の層構造は前述の第１の実施形態と同じ基板入射媒体及び第２の実施形態と同じカバー層入射媒体と同じである。表４に記録層の微結晶粒及び母相の組成、記録パワー、再生信号品質（８Ｔ信号のＣ／Ｎ比）、並びに再生光耐性（８Ｔ信号のＣ／Ｎ比の変化量）を示す。なお、光ディスク媒体の作製方法、評価方法及び表４の記載方法は、実施例１と同様である。【００６６】
【表４】
2005023553.tif 000005
【００６７】  表４に示すＮｏ．２６及びＮｏ．３２の光ディスク媒体において、記録層における微結晶粒の結晶粒径は、未記録部では３〜７ｎｍ程度であり、記録部では３０〜８０ｎｍ程度であった。これにより、レーザ光の照射により微結晶粒の粒径が大きくなっていることがわかる。【００６８】  また、表４に示すように、共スパッタにより、記録層の微結晶粒をＣｕ５０Ｉｎ５０（質量％）合金により形成し、母相を酸化物誘電体又は窒化物誘電体により形成した光学的情報記録媒体は、高い再生Ｃ／Ｎ比を示すと共に、再生光耐性も良好であった。なお、微結晶粒がＣｕ６０Ｉｎ４０（質量％）又はＣｕ５Ｉｎ９５（質量％）からなり、母相が表３に示す酸化物誘電体又は窒化物誘電体からなる記録層を備えた光ディスク媒体においても、表４に示した再生特性と同様の結果が得られた。【００６９】  なお、上述の実施例１乃至実施例３においては、記録レーザ光及び再生レーザ光の波長を４０５ｎｍとしたが、波長が３８０乃至４３０ｎｍの範囲のレーザ光であれば、上述の結果と同様の効果が得られることが確認された。上述の実施例１乃至実施例３においては、レーザ光の波長が３８０ｎｍより短くなると、ＰＣ基板におけるレーザ光の吸収が急激に増加するため、記録及び再生を良好に行えなくなった。また、レーザ光の波長が４４０ｎｍ以上になると、記録層における吸収率が低下してくるため、記録時により高い記録パワーが必要となり、情報の記録が高速に行うことが困難となった。以上のことから、情報の記録及び再生に使用するレーザ光の波長は、３８０乃至４３０ｎｍの範囲であることが好ましい。
【実施例４】
【００７０】  次に、再生特性に及ぼす線速の影響を調査した。図５は横軸に記録時及び再生時における光ディスク媒体の線速をとり、縦軸に８Ｔ信号のＣ／Ｎ比をとって、再生信号品質に及ぼす線速の影響を示すグラフ図である。本実施例４においては、光ディスク媒体として前述の第１の実施形態において示したような基板入射媒体を使用し、記録層を共スパッタにより形成し、母相をＳｉＯ２により形成し、微結晶粒をＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１合金、Ａｇ５１Ｔｅ４９合金又はＣｕ５０Ｉｎ５０合金により形成した。このような光ディスク媒体に対して、線速を３．０乃至１１．０ｍ／秒の範囲で変化させて、周期が８Ｔの信号を記録して再生し、各線速に対するＣ／Ｎ比を測定した。上記以外の光ディスク媒体の製造方法及び測定方法は、前述の実施例１と同様である。測定結果を図５に示す。図５に示すように、上述の光記録媒体は、上述の線速範囲においては良好なＣ／Ｎ比の値を示しており、高速記録にも適用可能であることが判る。【００７１】  なお、記録層の微結晶粒を形成する合金として実施例１乃至実施例３に示した各組成の合金を使用し、これらの合金と上述の各誘電体とを共スパッタして形成した記録層を備えた光ディスク媒体においても、図５に示した結果と同様な効果が得られた。【００７２】  また、上述の実施例１〜実施例４においては、上述の如く、記録層を合金ターゲット及び誘電体ターゲットを使用して共スパッタを行って形成した場合について述べたが、上述の合金材料及び誘電体材料を焼結又は溶融させて１つのターゲットとし、これを使用するスパッタ法により記録層を形成してもよい。この場合も、図５に示した結果と同様な効果が得られた。
【実施例５】
【００７３】  次に、２層の記録層を備えた光ディスク媒体の再生特性を評価した。この光ディスク媒体の層構造は、前述の第３の実施形態に示した基板入射媒体及び第４の実施形態に示したカバー層入射媒体と同じである。即ち、基板入射媒体の層構造は、（ＰＣ基板／誘電体層／第１の記録層／誘電体層／光学分離層／誘電体層／第２の記録層／誘電体層／反射層／ＵＶ接着層／ダミーＰＣ基板）とし、カバー層入射媒体の層構造は、（ＰＣ基板／反射層／誘電体層／第２の記録層／誘電体層／光学分離層／誘電体層／第１の記録層／誘電体層／ＵＶ接着層／ＰＣカバー層）とした。また、記録層の微結晶粒はＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１合金、Ａｇ５１Ｔｅ４９合金及びＣｕ５０Ｉｎ５０合金により形成し、母相はＳｉＯ２により形成した。更に、第１の記録層の厚さは７ｎｍとし、第２の記録層の厚さは１２ｎｍとした。これらの光ディスク媒体の上記以外の構成及び製造方法は、前述の実施例１と同様である。【００７４】  このようにして製造した光ディスク媒体の再生特性を評価した。評価方法は、前述の実施例１と同様とした。表５に第１の記録層の再生特性、即ち、第１の記録層における微結晶粒及び母相の組成、記録パワー、再生信号品質（８Ｔ信号のＣ／Ｎ比）、並びに再生光耐性（８Ｔ信号のＣ／Ｎ比の変化量）を示す。また、表６に第２の記録層の再生特性、即ち、第２の記録層における微結晶粒及び母相の組成、記録パワー、再生信号品質（８Ｔ信号のＣ／Ｎ比）、並びに再生光耐性（８Ｔ信号のＣ／Ｎ比の変化量）を示す。【００７５】
【表５】
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【００７６】
【表６】
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【００７７】  表５及び表６に示したように、記録層が光学分離層で分離された２層記録媒体において、第１の記録層及び第２の記録層の再生Ｃ／Ｎ比は、記録層が１層の記録媒体と同等の高い値が得られると共に、再生光耐性も実用上特に問題がないことが判る。
【産業上の利用可能性】
【００７８】  本発明は、青紫色半導体レーザ光の照射により情報が記録及び再生されるＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ−Ｒ等の光学的情報記録媒体に好適に利用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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