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　平成　６年特許願第３１３１６５号「ＡｌＧａＩｎＡｓ系多重量子井戸を有する半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　７月　２日出願公開、特開平　８−１７２２４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年１２月１６日に出願された特許出願であって、原審において平成１４年１１月２９日付けで通知された拒絶理由通知書に対して、平成１５年２月４日付けで意見書が提出された後、同年３月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月６日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月４日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年６月４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年６月４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「半導体発光素子において、量子井戸層とＡｌＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓＰよりなるバリヤ層とよりなり、面内圧縮歪が印加されている多重歪量子井戸を発光層とする半導体発光素子において、前記量子井戸層のそれぞれの厚さは６ｎｍ以下であり、前記量子井戸層の厚さの積算値は１３〜１０００ｎｍであって、かつブラッグ反射鏡を有することを特徴とする半導体発光素子。」と補正された。
　当該補正は、補正前の請求項１に記載された多重歪量子井戸の発光層について「ブラッグ反射鏡」を有するとの限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許法１７条の２第４項において準用する同法１２６条第３項の規定による特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である、電子情報通信学会技術研究報告,Vol.93,No.169(1993),p.21-26（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
（ａ）「１．はじめに
　近年、大容量光通信システムや、光情報処理システムへの応用に向けて高性能半導体レーザの開発が盛んである。特に最近では特性向上をはかる手段として歪を量子井戸層に加えた歪量子井戸構造［１］を活性層に持つ半導体レーザの開発が盛んである。実際に低しきい値、高出力、超高速応答に応用して優れた特性が理論的、実験的に報告されており［２］−［５］、さらに最近では歪量子井戸構造の層厚や層数等のパラメータの最適化についての検討も進んできている。」（２２頁左欄１行−１２行）
（ｂ）「本報告では光通信で用いられる１．５μｍ帯での発光、受光材料であるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓ系の圧縮歪量子井戸に着目し、励起子の遷移エネルギー、振動子強度、結合エネルギー、還元有効質量等のパラメータを井戸層厚依存という観点から無歪系と比較しながら述べる。」（２２頁左欄２２行−２７行）
（ｃ）「２．１　素子構造
　量子井戸の厚さの異なる３種類の歪ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓ量子井戸構造（サンプルＡ、Ｂ、Ｃ）を分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により（００１）Ｆｅ−ＩｎＰ基板上に成長した。比較のために格子整合したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸（サンプルＤ）も準備した。歪量子井戸の構造模式図を図１に、および４種類のサンプルの構造パラメータを表１に示す。サンプルＡ、Ｂ、Ｃはそれぞれ２．５ｎｍ、５．０ｎｍ、７．５ｎｍの厚さを持つ歪量子井戸層を４層ずつ有している。ＩｎＧａＡｓ量子井戸層に於けるＩｎの組成はサンプルＡ、Ｂ、Ｃともに０．６５２である。これは量子井戸面内で０．８３％の圧縮歪に相当する。障壁層は厚さ８．５ｎｍであり組成はＩｎ0.470Ｇａ0.255Ａｌ0.275Ａｓである。障壁層は０．４３％の引っ張り歪を有している。」（２２頁左欄２９行−４４行）
　
　上記（ａ），（ｂ）の記載から、引用例１に開示されている技術事項（ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓ系の圧縮歪量子井戸）が半導体レーザの活性層への適用を目途としていることは明らかであるから、引用例１は多重歪量子井戸構造を開示するのみならず、それを活性層に用いた半導体レーザをも実質的に開示していると見ることができる。
　そして、上記（ｃ）に記載のとおり、サンプルＢとして５．０ｎｍの厚さを持つ圧縮歪量子井戸層を４層（したがって量子井戸層の厚さの積算値は２０．０ｎｍとなる。）有してなる多重量子井戸構造を作成していることが理解できる。
　したがって、上記（ａ）−（ｃ）の記載事項からみて、引用例１には以下の発明が記載されていると認められる。
　「半導体レーザにおいて、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層とＩｎ0.470Ｇａ0.255Ａｌ0.275Ａｓよりなる障壁層とよりなり、量子井戸面内で０．８３％の圧縮歪が印加されている多重量子井戸を活性層とする半導体レーザにおいて、量子井戸層のそれぞれの厚さは５．０ｎｍであり、量子井戸層の厚さの積算値は２０．０ｎｍである半導体レーザ。」（以下、「引用例１発明」という。）
　
（３）対比
　次に、本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、  
　引用例１発明における「半導体レーザ」，「ＩｎＧａＡｓ量子井戸層」，「Ｉｎ0.470Ｇａ0.255Ａｌ0.275Ａｓよりなる障壁層」，「量子井戸面内で０．８３％の圧縮歪が印加されている多重量子井戸」，「活性層」は、本願補正発明における「半導体発光素子」，「量子井戸層」，「ＡｌＧａＩｎＡｓよりなるバリヤ層」，「面内圧縮歪が印加されている多重歪量子井戸」，「発光層」に相当する。
　よって、本願補正発明と引用例１発明とは、
　「半導体発光素子において、量子井戸層とＡｌＧａＩｎＡｓよりなるバリヤ層とよりなり、面内圧縮歪が印加されている多重歪量子井戸を発光層とする半導体発光素子。」である点で一致し、次の点で相違している。 
　［相違点］  
（イ）本願補正発明では「量子井戸層のそれぞれの厚さは６ｎｍ以下であり、量子井戸層の厚さの積算値は１３〜１０００ｎｍ」であるのに対して、引用例１発明では「量子井戸層のそれぞれの厚さは５．０ｎｍであり、量子井戸層の厚さの積算値が２０．０ｎｍ」であって、量子井戸層の厚さ及びその積算値の数値範囲を規定していない点。
（ロ）本願補正発明では「ブラッグ反射鏡」を有しているのに対して、引用例１発明では「ブラッグ反射鏡」の有無は不明である点。
　
（４）判断
・相違点（イ）について、
　上記（２）（ａ）に「さらに最近では歪量子井戸構造の層厚や層数等のパラメータの最適化についての検討も進んできている」と記載されているとおり、量子井戸層の「層厚」や「層数（量子井戸層の厚さの積算値）」の最適化は当業者が当然行う設計事項である。
　また、引用例１発明における量子井戸層の「層厚」及び「厚さの積算値」が本願補正発明の数値範囲内にあることからみても、当該値を含む所定の数値範囲を規定することになんら困難性は認められない。
　よって、相違点（イ）は当業者が当然行う最適化を数値範囲で規定したに過ぎず、当業者が適宜なし得る規定に過ぎない。
　なお、本願明細書では【0015】-【0016】及び図５，７において、その数値範囲の臨界的意義を説明していると見受けられるが、単に井戸層の増加（厚さの積算値の増加）による微分利得の上昇、或いは、井戸層厚に対する量子サイズ効果に触れるに過ぎず、当業者にとって周知な事実に過ぎない。
・相違点（ロ）について、
　光通信システムに応用される半導体レーザの共振器構造として「ブラッグ反射鏡」を利用することは周知技術（例えば、特開平４−１５２５８３号公報，特開平３−４８４７６号公報参照）であり、相違点（ロ）は単に半導体レーザの共振器構造として周知慣用される構成を限定したに過ぎない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるものとされた同法第１条の規定による改正前の特許法第１７条の２第４項において読み替えて準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５同年６月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、出願時の特許請求の範囲の請求項１−１２に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。  
　「半導体発光素子において、量子井戸層とＡｌＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓＰよりなるバリヤ層とよりなり、面内圧縮歪が印加されている多重歪量子井戸を発光層とする半導体発光素子において、前記量子井戸層のそれぞれの厚さは６ｎｍ以下であり、前記量子井戸層の厚さの積算値は１３〜１０００ｎｍであることを特徴とする半導体発光素子。」（以下、「本願発明」という。） 
　 
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、および、その記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。  
　 
（２）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明から「ブラッグ反射鏡」の構成を省いたものである。 
　したがって、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　よって、結論のとおり審決する。