【手続補正書】
【提出日】平成29年11月20日(2017.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の表面に表面処理層を有する表面処理金属箔であって、
前記表面処理層側表面の水接触角が９０度以上である表面処理金属箔。
（ただし、金属アルミ箔の表面に、直接、フッ素を含まないヘキシルトリメトキシシランの縮合物若しくはフッ素を含むヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランの縮合物の被膜を有する超撥水アルミ箔 、及び、
前記表面処理層が、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いてなる離型層を備える銅箔
を除く。）
【請求項２】
少なくとも一方の表面に表面処理層を有する表面処理金属箔であって、
前記表面処理層側表面の水接触角が９０度以上であり、プリント配線板を製造するために用いられる表面処理金属箔。
（ただし、前記表面処理層が、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いてなる離型層を備える銅箔を除く。）
【請求項３】
前記表面処理層側表面のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で定義されるクルトシスＲｋｕが２．０〜４．０である請求項１又は２に記載の表面処理金属箔。
【請求項４】
前記表面処理層が離型層を備え、前記離型層は前記離型層側から前記金属箔へ樹脂基材を貼り合わせたときの前記樹脂基材を剥離可能にする請求項１〜３のいずれか一項に記載の表面処理金属箔。
【請求項５】
前記離型層が、次式：
【化１】
2017061080.tif 000001
（式中、Ｒ1はアルコキシ基またはハロゲン原子であり、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基であり、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒのうちいずれか一つ、ｎは０または１または２、ｍは１以上Ｍの価数以下の整数であり、Ｒ1の少なくとも一つはアルコキシ基である。なお、ｍ＋ｎはＭの価数すなわちＡｌの場合３、Ｔｉ、Ｚｒの場合４である。）
に示すアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、これらの加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる請求項４に記載の表面処理金属箔。
【請求項６】
前記離型層が、次式：
【化２】
2017061080.tif 000002
（式中、Ｒ1はアルコキシ基またはハロゲン原子であり、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基であり、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立にハロゲン原子、またはアルコキシ基、またはアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基である。）
に示すシラン化合物、その加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる請求項４に記載の表面処理金属箔。
【請求項７】
前記離型層が、分子内に２つ以下のメルカプト基を有する化合物を用いてなる請求項４に記載の表面処理金属箔。
【請求項８】
前記金属箔と前記離型層との間に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層を設けた請求項４〜７のいずれか一項に記載の表面処理金属箔。
【請求項９】
前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層の表面に、樹脂層を設けた請求項８に記載の表面処理金属箔。
【請求項１０】
前記離型層側表面に、樹脂層を設けた請求項４〜９のいずれか一項に記載の表面処理金属箔。
【請求項１１】
前記樹脂層が、接着用樹脂、プライマー又は半硬化状態の樹脂である請求項９又は１０に記載の表面処理金属箔。
【請求項１２】
厚みが５〜２１０μｍである請求項１〜１１のいずれか一項に記載の表面処理金属箔。
【請求項１３】
前記金属箔が銅箔である請求項１〜１２のいずれか一項に記載の表面処理金属箔。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の表面処理金属箔と、前記表面処理金属箔の離型層側に設けられた樹脂基材とを備えた積層体。
【請求項１５】
前記樹脂基材が、プリプレグである、又は、熱硬化性樹脂を含む請求項１４に記載の積層体。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の表面処理金属箔を備えたプリント配線板。
【請求項１７】
請求項１６に記載のプリント配線板を備えた半導体パッケージ。
【請求項１８】
請求項１６に記載のプリント配線板又は請求項１７に記載の半導体パッケージを備えた電子機器。
【請求項１９】
少なくとも一方の表面に表面処理層を有する表面処理金属箔であって、前記表面処理層側表面の水接触角が９０度以上である表面処理金属箔に、前記表面処理層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、
前記樹脂基材から、前記表面処理金属箔をエッチングすることなく引き剥がすことで、剥離面に前記金属箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、
前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側に回路を形成する工程と、
を備えたプリント配線板の製造方法。
【請求項２０】
前記表面処理金属箔が、さらに以下の（Ａ）〜（Ｋ）のいずれか一つ以上を満たす請求項１９に記載のプリント配線板の製造方法。
（Ａ）前記表面処理層側表面のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で定義されるクルトシスＲｋｕが２．０〜４．０である。
（Ｂ）前記表面処理層が離型層を備え、前記離型層は前記離型層側から前記金属箔へ樹脂基材を貼り合わせたときの前記樹脂基材を剥離可能にする。
（Ｃ）（Ｂ）を満たし、前記離型層が、次式：
【化３】
2017061080.tif 000003
（式中、Ｒ1はアルコキシ基またはハロゲン原子であり、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基であり、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒのうちいずれか一つ、ｎは０または１または２、ｍは１以上Ｍの価数以下の整数であり、Ｒ1の少なくとも一つはアルコキシ基である。なお、ｍ＋ｎはＭの価数すなわちＡｌの場合３、Ｔｉ、Ｚｒの場合４である。）
に示すアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、これらの加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる。
（Ｄ）（Ｂ）を満たし、前記離型層が、次式：
【化４】
2017061080.tif 000004
（式中、Ｒ1はアルコキシ基またはハロゲン原子であり、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基であり、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立にハロゲン原子、またはアルコキシ基、またはアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基である。）
に示すシラン化合物、その加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる。
（Ｅ）（Ｂ）を満たし、前記離型層が、分子内に２つ以下のメルカプト基を有する化合物を用いてなる。
（Ｆ）（Ｂ）〜（Ｅ）のいずれか一つを満たし、前記金属箔と前記離型層との間に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層を設けた。
（Ｇ）（Ｆ）を満たし、前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層の表面に、樹脂層を設けた。
（Ｈ）（Ｂ）〜（Ｇ）のいずれか一つを満たし、前記離型層側表面に、樹脂層を設けた。
（Ｉ）（Ｇ）又は（Ｈ）のいずれかを満たし、前記樹脂層が、接着用樹脂、プライマー又は半硬化状態の樹脂である。
（Ｊ）前記表面処理金属箔の厚みが５〜２１０μｍである。
（Ｋ）前記金属箔が銅箔である。
【請求項２１】
前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側に形成する回路が、メッキパターン又は印刷パターンである請求項１９又は２０に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２２】
少なくとも一方の表面に表面処理層を有する表面処理金属箔であって、前記表面処理層側表面の水接触角が９０度以上である表面処理金属箔に、前記表面処理層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、
前記樹脂基材から、前記表面処理金属箔をエッチングすることなく引き剥がすことで、剥離面に前記金属箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、
前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側にビルドアップ層を設ける工程と、
を備えたプリント配線板の製造方法。
【請求項２３】
前記表面処理金属箔が、さらに以下の（Ａ）〜（Ｋ）のいずれか一つ以上を満たす請求項２２に記載のプリント配線板の製造方法。
（Ａ）前記表面処理層側表面のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で定義されるクルトシスＲｋｕが２．０〜４．０である。
（Ｂ）前記表面処理層が離型層を備え、前記離型層は前記離型層側から前記金属箔へ樹脂基材を貼り合わせたときの前記樹脂基材を剥離可能にする。
（Ｃ）（Ｂ）を満たし、前記離型層が、次式：
【化５】
2017061080.tif 000005
（式中、Ｒ1はアルコキシ基またはハロゲン原子であり、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基であり、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒのうちいずれか一つ、ｎは０または１または２、ｍは１以上Ｍの価数以下の整数であり、Ｒ1の少なくとも一つはアルコキシ基である。なお、ｍ＋ｎはＭの価数すなわちＡｌの場合３、Ｔｉ、Ｚｒの場合４である。）
に示すアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、これらの加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる。
（Ｄ）（Ｂ）を満たし、前記離型層が、次式：
【化６】
2017061080.tif 000006
（式中、Ｒ1はアルコキシ基またはハロゲン原子であり、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基であり、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立にハロゲン原子、またはアルコキシ基、またはアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基よりなる群から選択される炭化水素基であるか、一つ以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたこれら何れかの炭化水素基である。）
に示すシラン化合物、その加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる。
（Ｅ）（Ｂ）を満たし、前記離型層が、分子内に２つ以下のメルカプト基を有する化合物を用いてなる。
（Ｆ）（Ｂ）〜（Ｅ）のいずれか１つを満たし、前記金属箔と前記離型層との間に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層を設けた。
（Ｇ）（Ｆ）を満たし、前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層の表面に、樹脂層を設けた。
（Ｈ）（Ｂ）〜（Ｇ）のいずれか１つを満たし、前記離型層側表面に、樹脂層を設けた。
（Ｉ）（Ｇ）又は（Ｈ）のいずれかを満たし、前記樹脂層が、接着用樹脂、プライマー又は半硬化状態の樹脂である。
（Ｊ）前記表面処理金属箔の厚みが５〜２１０μｍである。
（Ｋ）前記金属箔が銅箔である。
【請求項２４】
前記ビルドアップ層を構成する樹脂が、液晶ポリマーまたはポリテトラフルオロエチレンを含む請求項２２又は２３に記載のプリント配線板の製造方法。