【事件の表示】
　平成　７年特許願第　２０４４３号「半導体基板」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　８月２０日出願公開、特開平　８−２１３６５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成７年２月８日に出願された特許出願であって、平成１４年９月２０日付で拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年１１月２７日に手続補正がなされたところ、前置審査において、平成１５年３月７日付で拒絶理由通知がなされ、これに対して、同年５月１３日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　面方位が（１００）あるいは（１００）から数度傾斜した主要表面を有する基板と、
　前記基板上に形成された、ＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる活性層を有するダブルヘテロ構造体と、
　前記ダブルヘテロ構造体上に形成された第１電極と、
　前記基板の表面に形成された第２電極と、
を有し、
　前記基板の主要表面とは異なる面方位（ｎ１１）を有する原子ステップが、選択エッチング法あるいは光励起アニール法により前記主要表面に秩序性を有して形成されていることを特徴とする半導体発光素子。」
　　
２．引用例に記載された事項
　前置審査の拒絶の理由に引用された特開平３−３２０８２号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、
（イ）「本発明は半導体装置に用いられる半導体構造体及びその構造体を用いた半導体レーザ装置に関する。」（２頁左上欄９〜１１行）、
（ロ）「基板上に、二つのクラッド層と、該クラッド層に挟まれた活性層とを有する半導体レーザ装置において、該基板は複数の面方位を有する基板結晶であり、・・・上記面方位が（１００）面及び（１１１）面からなる群から選ばれた少なくとも一つの面を含む・・・半導体レーザ装置。」（２頁右下欄６〜１７行）、
（ハ）「なお、
複数の面方位を有する基板結晶を作製する方法
ウエットエッチング
（ニ）「実施例４
  本発明を適用した他の実施例の半導体レーザの横断面図を第７図に示す。ＧａＡｓ基板１として、・・・Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ基板結晶に間隔１０ｎｍ、
幅１２．２ｎｍの３本の（１１１）ファセットを設けた基板
１８周期の（ＧａＰ）
１
（ＩｎＰ）
１
、１８周期の（ＡｌＰ）
１
（ＩｎＰ）
１
、１８周期の（ＧａＰ）
１
（ＩｎＰ）
１
、１８周期の（ＡｌＰ）
１
（ＩｎＰ）
１
、１８周期の（ＧａＰ）
１
（ＩｎＰ）
１
を順次成長させ、半導体レーザの活性層７３を形成する。
ダブルヘテロウェアの（１１１）ファセット
ｐ型電極７６及びｎ型電極７７を設け、半導体レーザとする
　また、第７図を参酌すると、
（ホ）ｐ型電極７６は、ｎ型クラッド層７２、活性層７３、ｐ型クラッド層７４からなるダブルヘテロ構造体の上に形成されたｐ型ＧａＡｓキャップ層８６上に形成され、また、ｎ型電極７７は、ＧａＡｓ基板１の表面である底面に形成されていることがみてとれる。
　　
 　これら（イ）〜（ホ）の記載によれば、引用例には、
「面方位が（１００）の基板と、前記基板上に形成された、（ＡｌＰ）１（ＩｎＰ）１、（ＧａＰ）１（ＩｎＰ）１からなる活性層を有するダブルヘテロ構造体と、前記ダブルヘテロ構造体上に形成されたｐ型電極と、前記基板の表面に形成されたｎ型電極とを有し、前記基板の（１００）面とは異なる面方位（１１１）を有するファセットが、ウエットエッチングによるレジスト端のサイドエッチにより前記基板表面に間隔１０ｎｍ、幅１２．２ｎｍで３本形成されている半導体レーザ。」
との事項が開示されていると認めることができる。
　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例に記載の事項とを対比する。
（ａ）引用例の「面方位が（１００）の基板」は、本願発明の「面方位が（１００）の主要表面を有する基板」に相当する。
（ｂ）引用例の「基板上に形成された、（ＡｌＰ）１（ＩｎＰ）１、（ＧａＰ）１（ＩｎＰ）１からなる活性層を有するダブルヘテロ構造体」は、活性層を構成する材料が（ＡｌＰ）１（ＩｎＰ）１、（ＧａＰ）１（ＩｎＰ）であって、ＩｎＧａＡｌＰをすべて含むことから、本願発明の「ＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる活性層を有するダブルヘテロ構造体」に相当する。
（ｃ）引用例の「ダブルヘテロ構造体上に形成されたｐ型電極と、前記基板の表面に形成されたｎ型電極」は、本願発明の「ダブルヘテロ構造体上に形成された第１電極と、前記基板の表面に形成された第２電極」に相当する。
（ｄ）引用例の「半導体レーザ」は、本願発明の「半導体発光素子」に相当する。
　　
　したがって、両者は、
「面方位が（１００）の主要表面を有する基板と、前記基板上に形成された、ＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる活性層を有するダブルヘテロ構造体と、前記ダブルヘテロ構造体上に形成された第１電極と、前記基板の表面に形成された第２電極と、を有する半導体発光素子。」
である点で一致し、次の点で一応相違している。
　　
［相違点］本願発明は、「前記基板の主要表面とは異なる面方位（ｎ１１）を有する原子ステップが、選択エッチング法あるいは光励起アニール法により前記主要表面に秩序性を有して形成されている」ものであるのに対して、引用例に記載のものは、「前記基板の（１００）面とは異なる面方位（１１１）を有するファセットが、ウエットエッチングによるレジスト端のサイドエッチにより前記基板表面に間隔１０ｎｍ、幅１２．２ｎｍで３本形成されている」ものであって、後者が前者に相当するのか一見不明である点。
　　
４．当審の判断
（１）上記「原子ステップ」について検討する。
　本願明細書の段落【００１３】〜【００１５】には、原子ステップに関し、
「【００１３】　同図（ａ）において、ＧａＡｓ基板１０の表面１０ａは、面方位が（１００）のジャスト面、または、（１００）面から数度傾斜した面である。なお、この表面１０ａには、後述するような発光素子の作成の際に、ＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる活性層を有するダブルへテロ構造体が形成される。
【００１４】　また、この表面１０ａには、例えば（３１１）面或いは（５１１）面等、主要面である（１００）面とは異なる面方位の原子ステップが形成されている。図１の（ｂ）〜（ｄ）に、原子ステップの形状例を拡大して示す。
【００１５】　このように、本実施例に係わる半導体基板（ＧａＡｓ基板１０）は、図１に示したように、基板１０の表面１０ａに（３１１）面或いは（５１１）面等の面方位を有する原子ステップを意図的に形成している点、すなわち基板１０のミクロな表面構造を制御している点で、従来の半導体基板と異なる。」
と記載されており、これによれば、原子ステップは、例えば（３１１）面或いは（５１１）面（請求項１には（ｎ１１）面と記載されている）等、主要面である（１００）面とは異なる面方位の面であることが理解できるものの、その幅寸法については記載されていない。しかしながら面を構成している以上、結晶の分子単位であるＧａＡｓが、ある程度の数積層した面であると解するのが相当であり、上記原子ステップが面を構成し得ない１原子単位ではあり得ない。
　してみると、引用例に記載された、幅寸法が１２．２ｎｍの（１１１）面であるファセットと本願発明の面方位（ｎ１１）を有する原子ステップとの間に差異は看取できない。
　　
（２）次いで、上記「選択エッチング法」について検討する。
　半導体分野において、結晶面等をエッチングすることにより複数の異なる面方位の面を露出させるエッチング技法が従来から用いられており、かかる技法を一般に選択エッチングと称している。
　そこで、引用例に開示されたファセットの形成方法を検討すると、上記摘記事項（ハ）には、リソグラフィ技術を用いて（１００）面を有する基板結晶の所望の部分をレジストで覆い、次いでウエットエッチングすることにより複数の面方位を有する基板結晶を再現性よく作製できる旨が記載されているから、上記引用例に記載された「ウエットエッチングによるレジスト端のサイドエッチにより」ファセットを形成する方法が、本願発明の選択エッチングに相当することは明らかである。
　　
（３）さらに上記「秩序性」について検討する。
　引用例に記載のものは、面方位（１１１）を有するファセットが、基板表面に間隔１０ｎｍ、幅１２．２ｎｍで３本形成されているのであるから、これらファセットが同じ面方位を有し、規則正しく配列したものであることは明らかであり、その意味で引用例に記載のファセットは秩序性を有しているということができる。
　
　なお、本願発明において「秩序性」なる用語は、平成１３年１２月１１日付手続補正から新たに用いられたものであって、同日提出された意見書の（６）の、
「（６）・・・なお、同時に提出する手続補正書により追加された補正は、本願に記載の従来例との相違点を明確にするためのものであり、【００１６】欄の記載および図１に基づくものである。すなわち、【００１６】欄には従来の基板の表面には図２（ｂ）〜（ｄ）に示すように任意の面指数のステップが形成されていることが記載されており、
本願発明において原子ステップが秩序性をもって形成されていることは、【００１６】欄の記載をもとに図１と図２とを対比した場合、直接的かつ一義的に導くことのできる事項である。
及び本願明細書の段落【００１６】の、
「【００１６】　図２に、従来の半導体基板の表面構造の例を示す。同図（ａ）において、基板２０の表面２０ａは、面方位が（１００）のジャスト面、または、（１００）面から数度傾斜した面である。また、この表面２０ａには、図２（ｂ）〜（ｄ）に拡大して示すように、任意の面指数のステップが無秩序に形成されている。
すなわち、図１に示した本実施例のように所定の面方位を有する原子ステップを意図的に形成されているわけではない。
なる記載によれば、その根拠は、専ら請求人が提示した本願発明の概略図である【図１】と、従来例の概略図であると解される【図２】の比較に基づき導出されたものであり、実際に製造した基板を観察ないしは測定して秩序性を確認した結果ではないことを付記しておく。
　　
　以上のとおり、上記（１）〜（３）の検討によれば、上記相違点は、引用例に記載されているに等しい事項であるといえるから、本願発明は、引用例に記載された発明と実質的に同一である。
　　
　なお、審判請求書等において、請求人は、上記引用例と本願発明との相違点について言及しており、その中で特許法第２９条第１項第３号の同一性を含め検討していることは明らかである。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。