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【手続補正書】
【提出日】平成30年3月22日(2018.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取付け端部（４２）と複数の連結手段（５０）とを備えたサージアレスタ用の連結装置（１、２、３０）であり、この連結装置が、１つの連結手段（５０）を受容するための１つの軸方向凹部（３）と軸方向に円錐状に走っている部分（２５）とを有しており、この軸方向に円錐状に走っている部分（２５）は前記取付け端部（４２）の、ほゞピッタリ合った形状に加工された孔（４３）に挿入すべく形成されており、
前記連結手段（５０）のための前記軸方向凹部の境界壁（１６、１７）が前記円錐部（２５）において前記凹部の内側（１８）に向かって動きうるように構成された連結装置において、
前記円錐部（２５）の表面に滑り被覆（４１）が被着されていることを特徴とする連結装置。
【請求項２】
前記滑り被覆（４１）の材料が少なくとも部分的にポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする、請求項１に記載の連結装置。
【請求項３】
前記滑り被覆（４１）が前記円錐部（２５）をポリテトラフルオロエチレンテープ（４０）で巻くことによって形成されることを特徴とする、請求項２に記載の連結装置。
【請求項４】
前記連結装置が単一部品で形成されており、さらに、前記円錐部（２５）が、この円錐部（２５）の外側面から１つの連結手段（５０）を受容するための前記軸方向凹部（３）まで通じている少なくとも１つのスリット（３２）を有し、この少なくとも１つのスリット（３２）は、前記境界壁（１６、１７）が半径方向に弾性的に動きうるように構成されている、ことを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の連結装置。
【請求項５】
前記連結装置（１、２、３０）が多数の部品で形成されていることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の連結装置。
【請求項６】
前記部品が実質的に円錐台（１、２）として形成されており、これらの円錐台が、組み立てられた状態では、１つの連結手段を受容するための前記軸方向凹部（３）と前記円錐部における少なくとも１つのスリット（３２）とを形成しており、
この少なくとも１つのスリット（３２）は前記円錐部（２５）の外側表面から１つの連結手段を受容するための前記軸方向凹部（３）まで通じており、
前記少なくとも１つのスリット（３２）は、前記境界壁（１６、１７）が半径方向に弾性的に動きうるように構成されている、ことを特徴とする、請求項５に記載の連結装置。
【請求項７】
前記各円錐台（１、２）の、円錐尖端部とは反対側の端部（９）がそれぞれ、隣の円錐台（１、２）と結合するための少なくとも１つの第１固定部品（１９）を有していることを特徴とする、請求項６に記載の連結装置。
【請求項８】
前記第１固定部品（１９）がそれぞれ突起として形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の連結装置。
【請求項９】
前記各円錐台（１、２）に、前記第１固定部品（１９）を受容するための穴として第２固定部品（２０）が形成されていることを特徴とする、請求項７または８に記載の連結装置。
【請求項１０】
前記円錐部（２５）を押し付けたときに前記連結手段（５０）へ働く切欠き作用を小さくすべく、組み立てられた状態で前記連結装置（１、２、３０）が１つの連結手段（５０）を受容するための前記軸方向凹部（３）をスパイラル状に周回している少なくとも１つのスリット（３２）を有するように、前記円錐台が形成されていることを特徴とする、請求項５から９のいずれか１項に記載の連結装置。
【請求項１１】
１つの連結手段（５０）を受容するための前記軸方向凹部（３）を基準にしてほゞ角度対称性を有する３つの部品が設置されていることを特徴とする、請求項５から１０のいずれか１項に記載の連結装置。
【請求項１２】
サージアレスタ用に請求項１〜１１のいずれか１項に記載の多数の連結装置を準備する製造方法であって、
１つの連結手段（５０）を受容するための前記軸方向凹部（３）に１つの保持器具（３１）が挿入され、次に、各連結装置（１、２、３０）の少なくとも円錐部（２５）にポリテトラフルオロエチレンテープ（４０）が巻かれ、
この準備された各連結装置（１、２、３０）から前記保持器具（３１）が取り外され、
前記準備された各連結装置（１、２、３０）それぞれに１つの連結手段（５０）が挿入され、
これらの連結装置が複数の連結手段（５０）と共に前記取付け端部（４２）の、ピッタリ合った形状に加工された孔（４３）に挿入され、
前記複数の連結手段（５０）が前記複数の連結装置を用いて引っ張りにより前記取付け端部（４２）内に固定され、
その結果、複数の半導体抵抗素子を有するアレスタスタックが、複数のポールで構成されたケージを用いて２つの取付け端部間に圧縮されて固定される製造方法。
【請求項１３】
多数の金属酸化物抵抗素子を有するアレスタスタックと２つの取付け端部とを備え、これらの取付け端部の間に多数の連結手段（５０）を用いて前記アレスタスタックが固定されているサージアレスタであって、前記各連結手段（５０）がそれぞれ請求項１から１１のいずれか１項に記載の連結装置（１、２、３０）により前記２つの取付け端部の１つに固定されていることを特徴とするサージアレスタ。
【請求項１４】
前記連結手段（５０）がポールであることを特徴とする、請求項１３に記載のサージアレスタ。
【請求項１５】
前記ポールが少なくとも部分的にグラスファイバー強化プラスチックで作られていることを特徴とする、請求項１４に記載のサージアレスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月27日(2018.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性樹脂と、硬化剤と、磁性粒子とを含み
前記硬化剤が、エポキシ化合物、およびアジリジン化合物の少なくともいずれかであり、
前記熱硬化性樹脂の酸価が１〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇである、
非接触電力伝送用磁性樹脂組成物。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂のガラス転移温度が−３０〜３０℃である、請求項１記載の非接触電力伝送用磁性樹脂組成物。
【請求項３】
前記熱硬化性樹脂の重量平均分子量が２００００〜１２００００である、請求項１または２項に記載の非接触電力伝送用磁性樹脂組成物。
【請求項４】
前記熱硬化性樹脂１００重量部に対して、前記硬化剤を１〜３０重量部含む、請求項１〜３いずれか１項に記載の非接触電力伝送用磁性樹脂組成物。
【請求項５】
前記熱硬化性樹脂が、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、エポキシ樹脂、付加型ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、およびポリアミドイミド樹脂からなる群より選択されるいずれかである、
請求項１〜４いずれか１項に記載の非接触電力伝送用磁性樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月8日(2018.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気接点の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗率が１．５９×１０-8Ωｍ以上９．００×１０-7Ωｍ以下である金属材料からなる基材上に、炭素材料からなる層を有する電気接点材料を作製する工程と、得られた電気接点材料を加工して電気接点を製造する工程とを含み、
前記炭素材料が、グラフェン単層体または該グラフェン単層体が複数積層したグラフェン積層体であり、
前記電気接点材料を作製する工程が、マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法により、前記基材上に炭素材料からなる層を積層する炭素材料層積層工程を含み、
前記炭素材料層積層工程において、炭素を含む原料ガスと水素ガスとを含む混合ガスを供給する、電気接点の製造方法。
【請求項２】
前記電気接点材料を作製する工程が、不活性ガスと水素ガスとを含む前処理ガスプラズマによって前記基材の表面を清浄にする前処理工程をさらに含み、
前記炭素材料層積層工程が、前記前処理工程によって前処理された前記基材上に炭素材料からなる層を積層する、請求項１に記載の電気接点の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月26日(2018.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図７は、前提技術による半導体装置１９の構成の一例を示す断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
半導体装置１９は、Ｓｉ（シリコン）からなる半導体基板２と、半導体基板２の表面に形成された第１電極である表面電極８と、半導体基板２の裏面に形成された第２電極である裏面電極９とを備えている。半導体基板２は、ｎ−ｉ層３と、ｐアノード層４と、ｎ＋カソード層５と、ｐコレクタ層６と、ｎ−バッファ層７とを有している。ｐｉｎ領域１０は、ｐアノード層４、ｎ−ｉ層３、ｎ−バッファ層７、およびｎ＋カソード層５よりなる積層構造である。ｐｎｐ領域１１は、ｐアノード層４、ｎ−ｉ層３、ｎ−バッファ層７、およびｐコレクタ層６よりなる積層構造である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本実施の形態１による半導体装置１は、ｐｉｎ領域１０におけるｎ−ｉ層３の厚さと、ｐｎｐ領域１１におけるｎ−ｉ層３の厚さとが異なる厚さであることを特徴としている。具体的には、ｐｎｐ領域１１におけるｎ−ｉ層３の厚さは、ｐｉｎ領域１０におけるｎ−ｉ層３の厚さよりも薄い。また、ｎ＋カソード層５のｐｉｎ領域１０における積層高さ位置と、ｐコレクタ層６のｐｎｐ領域１１における積層高さ位置とは異なっている。その他の構成は、図７に示す前提技術による半導体装置１９と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本実施の形態２による半導体装置１２では、ｐｉｎ領域１０におけるｎ−ｉ層３の厚さと、ｐｎｐ領域１１におけるｎ−ｉ層３の厚さとの差は、ｎ＋カソード層５とｐコレクタ層６との段差と、ｐｎｐ領域１１におけるｎ−バッファ層７の厚さとを合わせた厚さであることを特徴としている。その他の構成は、図１に示す実施の形態１による半導体装置１と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
なお、図６に示すように、ｎ型用電極１５およびｐ型用電極１６を備える半導体装置１８としてもよい。ｐ型用電極１６は、ｐコレクタ層６を覆うように形成されている。ｎ型用電極１５は、ｎ＋カソード層５およびｐ型用電極１６を覆うように形成されている。この場合、実施の形態４と同様、ｎ＋カソード層５に対してｎ型用電極１５を形成し、ｐコレクタ層６に対してｐ型用電極１６を形成しているため、オーミック特性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
ｐ型半導体領域２１３は、ｎ型半導体層２１２の一部の領域にｐ型不純物イオンを注入することにより形成された領域である。ｐ型半導体領域２１３は、ｎ型半導体層２１２の表面からｎ型半導体層２１２の内部にかけての一部（Ｚ軸方向について、ｎ型半導体層２１２の突出部２１２ｍ以外の表面までの深さに相当する範囲）を占める。ｐ型半導体領域２１３の深さは、ｎ型半導体層２１２の表面から約０．４μｍである。ｐ型半導体領域２１３に含まれるｐ型不純物（アクセプタ）は、マグネシウム（Ｍｇ）である。ｐ型半導体領域２１３に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）濃度の平均値は、約５×１０１９ｃｍ−３である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
図１６の工程Ｐ２０９において、製造者は、キャップ層Ｍｃ２を除去する。より具体的には、キャップ層Ｍｃ２は、ｐＨ１２のテトラメチルアンモニウム＝ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を用いて、６５℃以上８５℃以下の所定の温度で、ウェットエッチングにより除去される。なお、工程Ｐ２０９においては、キャップ層Ｍｃ２を構成するキャップ層Ｍｃ２１（スルー膜Ｍｔ２１）とキャップ層Ｍｃ２２のいずれもが除去される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
工程Ｐ２１２が完了すると、図１５に示す半導体装置２００が完成する。半導体装置２００において、ｎ型半導体層２１２のうちメサ部２２２ではない部分の表面と、ｐ型半導体領域２１３のうちアノード電極２５１が形成されていない部分と、アノード電極２５１の一部と、の上に、絶縁膜２５３が連続的に形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
（２）上記第１実施形態において、基板１１０の上にｎ型半導体層１１２とスルー膜Ｍｔ１１（キャップ層Ｍｃ１１）とが、この順に、連続して形成される。また、上記第２実施形態において、基板２１０の上にｎ型半導体層２１２とスルー膜Ｍｔ２１（キャップ層Ｍｃ２１）とが、この順に、連続して形成される。しかし、半導体層の成長と、キャップ層の少なくとも一部の形成は、連続して行われなくともよい。たとえば、半導体層を成長させた後、別の処理チャンバに移し、その表面からＳｉ、Ｏなどの不純物を除去した後に、キャップ層の少なくとも一部を形成することもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
（４）上記第１実施形態においては、厚さが約３０ｎｍのキャップ層Ｍｃ１１（スルー膜Ｍｔ１１）が形成される。上記第２実施形態においても、厚さが約３０ｎｍのキャップ層Ｍｃ２１（スルー膜Ｍｔ２１）が形成される。しかし、スルー層の厚みは、５ｎｍ、２００ｎｍなど、他の値とすることもできる。ただし、スルー層の厚みは、１ｎｍから５０ｎｍとすることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
なお、キャップ層の厚さは、以下の点で、１ｎｍ以上であることが好ましい。キャップ層の厚さを１ｎｍ以上とすることにより、キャップ層の厚さが１ｎｍ未満の態様に比べて、キャップ層を剥離する工程において、キャップ層が半導体層上に残存しているか否かを容易に確認することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１磁界を発生させる第１磁界発生部と、
前記第１磁界発生部と並列に配置され、前記第１磁界の向きと反対の向きの第２磁界を発生させる第２磁界発生部と、
磁束検出面を有し、前記磁束検出面を通過する磁束密度に応じた信号を出力する磁気検出素子と、を備え、
前記磁気検出素子は、前記磁束検出面が、前記第１磁界と前記第２磁界とによる合成磁界における磁束の方向と平行であるとともに前記第１磁界発生部及び前記第２磁界発生部の軸方向一端面と同一平面上に位置するように、前記第１磁界発生部及び前記第２磁界発生部に対して配置されることを特徴とする磁気検出ユニット。
【請求項２】
前記磁気検出素子が配置される側の端部とは反対側の端部において前記第１磁界発生部と前記第２磁界発生部とを連結するヨークと、
一端側が前記ヨークに結合され、前記第１磁界発生部及び前記第２磁界発生部と並行に設けられる位置決め部材と、をさらに備え、
前記磁気検出素子は、前記位置決め部材の他端側に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の磁気検出ユニット。
【請求項３】
請求項１または２に記載の磁気検出ユニットを備えるストローク検出装置であって、
第１部材に対して進退自在に設けられる第２部材の表面に、前記第２部材の進退方向に沿って設けられるスケールと、
前記スケールに対向するように前記第１部材に設けられ、前記スケールによって変化する磁界に応じた信号を出力する前記磁気検出ユニットと、を備えることを特徴とするストローク検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第１の発明は、磁気検出素子が、磁束検出面が第１磁界と第２磁界とによる合成磁界における磁束の方向と平行であるとともに第１磁界発生部及び第２磁界発生部の軸方向一端面と同一平面上に位置するように、第１磁界発生部及び第２磁界発生部に対して配置されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１の発明では、合成磁界における磁束の方向と磁気検出素子の磁束検出面とが平行である。この状態では、磁束検出面において磁束が検出されないため、磁気検出素子の検出値はゼロとなる。つまり、第１磁界及び第２磁界の強さは、磁気検出素子の最大検出範囲の設定に影響を及ぼすことはない。このため、検出範囲が小さく分解能が高い磁気検出素子を用いることが可能となる。この結果、検出対象が磁気検出ユニットの近くを通過することで生じるわずかな磁束の方向の変化を検出することが可能となる。
また、第１の発明では、磁気検出素子の磁束検出面は、第１磁界発生部及び第２磁界発生部の軸方向一端面と同一平面上に位置する。このため、第１磁界発生部及び第２磁界発生部を検出対象に対して近い位置に配置することが可能となる。第１磁界発生部及び第２磁界発生部と検出対象との間隔が小さいほど合成磁界の磁束の方向は、検出対象に追従して大きく変化する。このため、磁気検出ユニットは、検出対象が磁気検出ユニットの近くを通過することを確実に検出することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の発明は、磁気検出ユニットが、磁気検出素子が配置される側の端部とは反対側の端部において第１磁界発生部と第２磁界発生部とを連結するヨークと、一端側がヨークに結合され、第１磁界発生部及び第２磁界発生部と並行に設けられる位置決め部材と、をさらに備え、磁気検出素子は、位置決め部材の他端側に取り付けられることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第２の発明では、磁気検出素子が、一端側がヨークに結合される位置決め部材の他端側に取り付けられる。このため、磁気検出素子、第１磁界発生部及び第２磁界発生部を検出対象に対して近い位置に配置することが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第３の発明は、ストローク検出装置が、第１部材に対して進退自在に設けられる第２部材の表面に、第２部材の進退方向に沿って設けられるスケールと、スケールに対向するように第１部材に設けられ、スケールによって変化する磁界に応じた信号を出力する第１から第４の発明の磁気検出ユニットと、を備えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第３の発明では、ピストンロッドに設けられたスケールが第１または第２の発明の磁気検出ユニットの近くを通過することで生じるわずかな磁束の方向の変化が磁気検出ユニットによって検出される。この結果、シリンダチューブに対するピストンロッドのストローク量を精度よく検出することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月20日(2018.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラテックス免疫凝集法における血液試料に由来する測定誤差を低減する方法であって、
液相中で、イミダゾール又はその誘導体あるいはこれらの塩の存在下、当該試料と、測定対象物質に対する特異的親和性物質を担持するラテックス粒子を接触させる工程を含む、
前記測定誤差を低減する方法。
【請求項２】
血液試料が血清又は血漿である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
凝集反応を測定するときのイミダゾール又はその誘導体あるいはこれらの塩の濃度が３７．５ｍＭ以上３７５ｍＭ以下である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ラテックス免疫凝集法が、ホモジーニアス法にもとづく方法である請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
イミダゾール又はその誘導体あるいはこれらの塩を有効成分として含む、ラテックス免疫凝集法における血液試料に由来する測定誤差の低減剤。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月22日(2018.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放出可能な発光部と、
前記発光部を内部に収納するハウジング部と、
前記ハウジング部を支持可能な支持部と、
を備え、
前記ハウジング部は、
前記光を前記ハウジング部の側部で透過させる透過部と、
前記ハウジング部の前記内部に収納された前記発光部を覆う屋根部と、
を有し、
前記透過部は、複数の窓体で構成され、
更に、前記ハウジング部は、
前記複数の窓体のうちの隣の２つの窓体毎にそれらの間に設けられる側壁部を有することを特徴とする芝刈機用の標識装置。
【請求項２】
前記発光部は、複数の発光体を有し、
前記複数の窓体の各々は、前記複数の発光体のうちの対応する１つの発光体からの光を透過させることを特徴とする請求項１に記載の芝刈機用の標識装置。
【請求項３】
前記側壁部は、複数の側壁体で構成され、
前記複数の側壁体の各々は、前記ハウジング部の前記側部に等間隔に配置され、
前記複数の発光体は、前記ハウジング部の前記側部から全方位に前記光を放出することを特徴とする請求項２に記載の芝刈機用の標識装置。
【請求項４】
前記複数の側壁体の数は、α（２以上の整数である）であり、
前記複数の発光体の数は、αであり、
前記複数の発光体は、３６０度をαで割った角度毎に割り当てられた光軸を有することを特徴とする請求項３に記載の芝刈機用の標識装置。
【請求項５】
前記複数の側壁体の数は、３であり、
前記複数の発光体の数は、３であり、
前記複数の発光体は、１２０度毎に割り当てられた光軸を有することを特徴とする請求項３に記載の芝刈機用の標識装置。
【請求項６】
前記複数の側壁体の数は、４であり、
前記複数の発光体の数は、４であり、
前記複数の発光体は、９０度毎に割り当てられた光軸を有することを特徴とする請求項３に記載の芝刈機用の標識装置。
【請求項７】
前記複数の窓体の各々に関して、正面視において、前記複数の窓体のうちの対応する１つの窓体の両側に、前記複数の側壁体のうちの対応する隣の２つの側壁体が配置されることを特徴とする請求項３乃至６の何れか１項に記載の芝刈機用の標識装置。
【請求項８】
前記屋根部は、太陽光を遮光可能な遮光部であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の芝刈機用の標識装置。
【請求項９】
前記透過部を除く前記ハウジング部は、前記遮光部を形成することを特徴とする請求項８に記載の芝刈機用の標識装置。
【請求項１０】
前記透過部は、光拡散剤を含むことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の芝刈機用の標識装置。
【請求項１１】
芝刈機と、
少なくとも一つの標識装置であって、請求項１乃至１０の何れか１項に記載の芝刈機用の標識装置と、
を有することを特徴とする芝刈機システム。
【請求項１２】
前記芝刈機は、前記少なくとも一つの標識装置により確定された作業範囲内において芝を刈るように構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の芝刈機システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月3日(2018.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基材と、
前記基材の少なくとも一方の面に設けられた反射防止膜と、を含み、
前記基材の一方の面は、前記基材の厚さ方向から見た平面視において中央に位置する中
央面、および、前記平面視において前記中央面の周辺に位置し且つ側面視において前記中
央面に対して傾斜した周辺面を有し、
前記反射防止膜は、最も膜厚が薄い部分において、可視波長域並びに近赤外線の可視域
側の一部の帯域における反射率が０％以上、１％以下であることを特徴とする透光性部材
。
【請求項２】
請求項１に記載の透光性部材において、
前記反射防止膜は、光波長３８０ｎｍから７８０ｎｍの範囲において、反射率が０％以
上、１％以下であることを特徴とする透光性部材。
【請求項３】
請求項１または２に記載の透光性部材において、
前記反射防止膜は、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）からなる層と、窒化ケイ素（Ｓｉ
Ｎ）からなる層とが、交互に積層してなる多層膜からなることを特徴とする透光
性部材。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の透光性部材において、
前記反射防止膜の上には、フッ素含有有機ケイ素化合物からなる防汚層が設けられてい
ることを特徴とする透光性部材。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の透光性部材において、
前記基材は、サファイアからなることを特徴とする透光性部材。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の透光性部材において、
前記透光性部材は、カバー部材とされ、
前記反射防止膜は、前記カバー部材の内側の部分および外側の部分のうち、外側の部分
に設けられることを特徴とする透光性部材。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の透光性部材において、
前記透光性部材は、カバー部材とされ、
前記反射防止膜は、前記カバー部材の内側の部分および外側の部分のうち、内側の部分
に設けられることを特徴とする透光性部材。
【請求項８】
請求項６または７に記載の透光性部材を備え、
前記透光性部材は、時計体を収容するケースに設けられることを特徴とする時計。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の透光性部材の製造方法であって、
前記反射防止膜を形成する成膜工程を含み、
前記成膜工程において、成膜粒子の放出方向と、前記基材の成膜面の法線との角度が複
数ある場合に、前記反射防止膜を、可視波長域並びに近赤外線の可視域側の一部の帯域に
おける反射率が０％以上１％以下となる膜厚で形成することを特徴とする透光性部材の製
造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月27日(2018.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
原始的な方法としては、検査画像と基準画像を位置合わせして差分画像を計算することで絵柄成分を除去する方法などがある。特許文献１に記載のように検査画像と基準画像のエッジ成分を求めた後にエッジ成分同士の差分をとってもよい。検査画像と基準画像の比較は局所領域に分割する前の画像全体に対して実施してもよいし、局所領域に分割してから局所領域同士で実施してもよい。基準画像はスジのない印刷物をカメラで撮像して取得してもよいし、印刷装置に入力される入力画像から取得してもよい。また、基準画像として、入力画像のデータそのものを用いてもよいし、入力画像に対して検査画像と比較しやすくするための何らかの画像処理、例えば、解像度変換、ガンマ変換、色変換、幾何学変換、空間フィルタリングなどの各種基本画像処理のいずれか若しくは組み合わせの処理、を実施したものを用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月16日(2018.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時針と分針とを有し、前記時針と前記分針とを用いて時刻を表示する時刻表示部と、
前記時針および前記分針とは異なる第１指針と、
数値で示された目盛りを備えた情報表示部と、
数値で示される物理量を前記第１指針と前記目盛りとを用いて表示する制御部と、を含み、
前記制御部は、
前記目盛りの数値を、当該目盛りの数値に対して１０ｎ（ｎは０以上の整数）を乗算した値として用い、
数値で示される第１物理量を前記第１指針と前記目盛りとを用いて表示する場合と、数値で示され前記第１物理量とは異なる種類の第２物理量を前記第１指針と前記目盛りとを用いて表示する場合とで、前記ｎを異なる値にする、
ことを特徴とする電子時計。
【請求項２】
前記第１物理量は、標高または気圧であり、
前記第２物理量は、時間である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子時計。
【請求項３】
数値とは異なる情報を表示する第１表示部をさらに含み、
前記制御部は、前記第１表示部が前記情報を表示している場合、特定の数値で示された前記目盛りを前記第１指針に指示させる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子時計。
【請求項４】
前記情報は、特定の方位であることを特徴する請求項３に記載の電子時計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の電子時計の一態様は、時針と分針とを有し、前記時針と前記分針とを用いて時刻を表示する時刻表示部と、前記時針および前記分針とは異なる第１指針と、数値で示された目盛りを備えた情報表示部と、数値で示される物理量を前記第１指針と前記目盛りとを用いて表示する制御部と、を含み、前記制御部は、前記目盛りの数値を、当該目盛りの数値に対して１０ｎ（ｎは０以上の整数）を乗算した値として用い、数値で示される第１物理量を前記第１指針と前記目盛りとを用いて表示する場合と、数値で示され前記第１物理量とは異なる種類の第２物理量を前記第１指針と前記目盛りとを用いて表示する場合とで、前記ｎを異なる値にすることを特徴とする。
この態様によれば、時針および分針とは異なる第１指針と、目盛りとを用いて、第１物理量および第２物理量を表示するので、時針および分針で時刻を表示しつつ、第１物理量または第２物理量を表示できる。
また、この態様によれば、例えば、目盛りの数値「１」は、第１物理量を表示する場合には「１０００」（＝１×１０３）として用いられ、第２物理量を表示する場合には「１０」（＝１×１０１）として用いられる。よって、桁数が異なり種類も異なる２つの物理量を第１指針と目盛りを用いて表示する場合でも、目盛りの数値に対応する桁を変更することで、これら２つの物理量を視認しやすく表示できる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月12日(2018.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の計測を行う計測部と、
前記所定の計測を実行中であることが示された第１領域を有する情報表示部と、
前記計測部が前記所定の計測を行っている場合、前記第１領域を指示することで前記所定の計測を実行中であることを表示する指針と、
を含むことを特徴とする電子時計。
【請求項２】
前記所定の計測の開始を指示する操作を受ける操作部をさらに含み、
前記計測部は、前記操作部が受けた前記操作に応じて前記所定の計測を開始し、
前記指針は、前記計測部が前記操作に応じて前記所定の計測を行っている場合、前記第１領域を指示することで前記所定の計測を実行中であることを表示する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子時計。
【請求項３】
前記所定の計測は、高度の計測、気圧の計測、または方位の計測であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子時計。
【請求項４】
前記指針を回転させる駆動部と、
前記計測部が前記所定の計測を行っている場合、前記指針が前記第１領域を指示するように前記駆動部を制御する制御部と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子時計。
【請求項５】
前記情報表示部は、さらに第２領域を有し、
前記指針は、前記計測部が前記所定の計測を終了した場合、前記第２領域を指示することで前記電子時計の電源である電池の残量を表示する、
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子時計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の電子時計の一態様は、所定の計測を行う計測部と、前記所定の計測を実行中であることが示された第１領域を有する情報表示部と、前記計測部が前記所定の計測を行っている場合、前記第１領域を指示することで前記所定の計測を実行中であることを表示する指針と、を含むことを特徴とする。
この態様によれば、計測部が所定の計測を行っている場合、指針は、所定の計測を実行中であることを表示する。このため、指針で情報を表示する電子時計が計測を行っているのか否かを分かり易くすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述した電子時計の一態様において、前記情報表示部は、さらに第２領域を有し、前記指針は、前記計測部が前記所定の計測を終了した場合、前記第２領域を指示することで前記電子時計の電源である電池の残量を表示することが望ましい。
この態様によれば、上述した作用効果に加えて、指針は電池の残量も表示可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月18日(2018.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
半導体装置は、単結晶シリコンからなる支持基板ＳＵＢと、支持基板ＳＵＢの上部に形成された酸化シリコン層（ＢＯＸ層、クラッド層とも言う）ＣＬと、酸化シリコン層ＣＬの上部に形成された単結晶シリコンからなる半導体層（ＳＯＩ層とも言う）ＳＬとにより構成されたＳＯＩ基板１０を備える。ＳＯＩ基板１０は、例えばＳＩＭＯＸ（Silicon Implanted Oxide）法、貼り合わせ法またはスマートカット（Smart-Cut）法などにより形成することができる。一例として、支持基板ＳＵＢの厚さは７５０μｍ程度であり、酸化シリコン層ＣＬの厚さは２μｍ程度であり、半導体層ＳＬの厚さは２００ｎｍ程度である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ボトムバリアメタル膜１２は、配線材料の一部を構成する導電膜であると共に、光導波路ＯＬを加熱するヒータＨＴを構成する導電膜でもあり、その膜厚は、例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月21日(2018.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単段または任意の高さに伸縮可能な多段式のポール部材と、
前記ポール部材に取り付けられ、照明柱等の構造物に挟持される挟持アームを備えた挟持装置と、
前記挟持アームを開閉させる操作ロープと、を備えたことを特徴とする高所点検装置。
【請求項２】
前記ポール部材には観測機器が取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の高所点検装置。
【請求項３】
前記観測機器は撮影装置であることを特徴とする請求項２に記載の高所点検装置。
【請求項４】
前記挟持アームは、回動支軸を中心として水平方向に開閉し前記構造物を挟持する挟持部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の高所点検装置。
【請求項５】
前記挟持アームは、回動支軸を中心として鉛直方向に開閉し前記構造物を挟持する挟持部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の高所点検装置。
【請求項６】
前記挟持アームは、前記回動支軸を挟んで前記挟持部の反対側へ延在する一対の柄部を備えており、
前記一対の柄部の間に前記ポール部材が配置されていることを特徴とする請求項４に記載の高所点検装置。
【請求項７】
前記一対の柄部のうち一方の前記柄部の延在端となる後端部に設けられ、前記操作ロープの端部が取り付けられる取付部と、
他方の前記柄部の延在方向に沿って配置され、前記操作ロープを前記回動支軸方向に向けて案内する第１ガイドローラおよび第２ガイドローラと、
前記ポール部材の近傍に配置され、前記第１ガイドローラおよび前記第２ガイドローラにより案内された前記操作ロープを前記ポール部材に沿う方向に案内する第３ガイドローラと、を備えたことを特徴とする請求項６に記載の高所点検装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図３は本発明の実施例２（数値実施例２）のズームレンズの広角端（焦点距離、ｆ＝２４．００ｍｍ）で無限遠物体に合焦しているときのレンズ断面図である。図４（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は数値実施例２の広角端（焦点距離、ｆ＝２４．００ｍｍ）、ズーム中間（焦点距離、ｆ＝５３．１４ｍｍ）、望遠端（焦点距離、ｆ＝１２０．００ｍｍ）における無限遠物体に合焦しているときの収差図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図５は本発明の実施例３（数値実施例３）のズームレンズの広角端（焦点距離、ｆ＝２８．００ｍｍ）で無限遠物体に合焦しているときのレンズ断面図である。図６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は数値実施例３の広角端（焦点距離、ｆ＝２８．００ｍｍ）、ズーム中間（焦点距離、ｆ＝４６．６６ｍｍ）、望遠端（焦点距離、ｆ＝８４．００ｍｍ）における無限遠物体に合焦しているときの収差図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図７は本発明の実施例４（数値実施例４）のズームレンズの広角端（焦点距離、ｆ＝１９．００ｍｍ）で無限遠物体に合焦しているときのレンズ断面図である。図８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は数値実施例４の広角端（焦点距離、ｆ＝１９．００ｍｍ）、ズーム中間（焦点距離、ｆ＝３９．１７ｍｍ）、望遠端（焦点距離、ｆ＝９０．００ｍｍ）における無限遠物体に合焦しているときの収差図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図９は本発明の実施例５（数値実施例５）のズームレンズの広角端（焦点距離、ｆ＝１０ｍｍ）で無限遠物体に合焦しているときのレンズ断面図である。図１０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は数値実施例５の広角端（焦点距離、ｆ＝１０．００ｍｍ）、ズーム中間（焦点距離、ｆ＝１６．００ｍｍ）、望遠端（焦点距離、ｆ＝２５．００ｍｍ）における無限遠物体に合焦しているときの収差図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１１は本発明の実施例６（数値実施例６）のズームレンズの広角端（焦点距離、ｆ＝２２ｍｍ）で無限遠物体に合焦しているときのレンズ断面図である。図１２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は数値実施例６の広角端（焦点距離、ｆ＝２２．００ｍｍ）、ズーム中間（焦点距離、ｆ＝７０．００ｍｍ）、望遠端（焦点距離、ｆ＝２２０．００ｍｍ）における無限遠物体に合焦しているときの収差図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１３は本発明の実施例７（数値実施例７）のズームレンズの広角端（焦点距離、ｆ＝２６ｍｍ）で無限遠物体に合焦しているときのレンズ断面図である。図１２（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は数値実施例７の広角端（焦点距離、ｆ＝２６．００ｍｍ）、ズーム中間（焦点距離、ｆ＝５８．００ｍｍ）、望遠端（焦点距離、ｆ＝１３０．００ｍｍ）における無限遠物体に合焦しているときの収差図である。
図１５は本発明の撮像装置の要部概略図である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体（１）に搭載され、投影部材（３）へ画像の表示光を投影することにより、前記画像を乗員により視認可能に虚像表示するヘッドアップディスプレイ装置であって、
一配列方向（ＡＤ）に沿って互いに配列され、照明光を発する複数の発光素子（１０）と、
各前記発光素子が発した前記照明光を拡散する第１拡散板（３０）と、
前記第１拡散板が拡散した前記照明光に対して、前記配列方向と垂直な垂直方向（ＶＤ）において集光作用を及ぼす集光部（４０）と、
前記集光部に集光された前記照明光に照明される照明対象面（６２）を有し、前記照明対象面に入射した前記照明光のうち一部を通過させることにより前記画像を形成し、前記画像の表示光として光束状に射出する画像形成部（６０）と、
前記集光部と前記画像形成部との間の光路上に配置され、前記集光部に集光された前記照明光を再び拡散して前記照明対象面に入射させる第２拡散板（５０）と、を備え、
前記第２拡散板の拡散角度（θ２）は、前記第１拡散板の拡散角度（θ１）よりも小さいヘッドアップディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第２拡散板は、前記画像形成部に対して、隙間（５６）を空けて配置されている請求項１に記載のヘッドアップディスプレイ装置。
【請求項３】
前記集光部は、母線が前記配列方向に沿った円柱面状の光学面（４２，４４）により、前記集光作用を及ぼす請求項１又は２に記載のヘッドアップディスプレイ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、移動体（１）に搭載され、投影部材（３）へ画像の表示光を投影することにより、画像を乗員により視認可能に虚像表示するヘッドアップディスプレイ装置であって、
一配列方向（ＡＤ）に沿って互いに配列され、照明光を発する複数の発光素子（１０）と、
各発光素子が発した照明光を拡散する第１拡散板（３０）と、
第１拡散板が拡散した照明光に対して、配列方向と垂直な垂直方向（ＶＤ）において集光作用を及ぼす集光部（４０）と、
集光部に集光された照明光に照明される照明対象面（６２）を有し、照明対象面に入射した照明光のうち一部を通過させることにより画像を形成し、画像の表示光として光束状に射出する画像形成部（６０）と、
集光部と画像形成部との間の光路上に配置され、集光部に集光された照明光を再び拡散して照明対象面に入射させる第２拡散板（５０）と、を備え、
第２拡散板の拡散角度（θ２）は、第１拡散板の拡散角度（θ１）よりも小さい。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月9日(2018.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の入射と出射との少なくとも一方がなされる光入出射面を表面の一部に有したレーザー媒質と、
前記レーザー媒質を収容し、前記光入出射面に入射される入射光および前記光入出射面から出射される出射光が透過する内側光透過部を有する内側容器と、
前記内側容器を収容するとともに前記内側光透過部と対向する部位に設けられて、前記入射光および前記出射光を透過し、前記内側光透過部に対して真空断熱された外側光透過部を少なくとも有する外側容器と、
前記レーザー媒質における前記光入出射面を除く少なくとも一部の表面に冷媒が接するように前記内側容器の内部に前記冷媒を供給する冷媒供給部と、
前記光入出射面と前記内側光透過部との間の前記入射光および前記出射光が通過する光通過領域を、前記冷媒供給部によって冷媒が供給される冷媒供給領域から区画するカバー部と、
を備え、
前記内側容器は、
前記冷媒供給領域と前記光通過領域とが同一圧力となるように前記レーザー媒質を収容する固体レーザー装置。
【請求項２】
前記光入出射面は、下方から上方に向かって漸次外方に配置される下向きの傾斜面とされ、
前記冷媒供給部は、前記レーザー媒質に対して上下方向から冷媒を吹き付ける請求項１に記載の固体レーザー装置。
【請求項３】
前記冷媒供給部は、前記レーザー媒質に対して水平な方向から冷媒を吹き付ける請求項１又は２に記載の固体レーザー装置。
【請求項４】
前記カバー部は、前記レーザー媒質を支持する支持部を備える請求項１から３の何れか一項に記載の固体レーザー装置。
【請求項５】
前記内側容器の内部に設けられて、前記内側容器内の雰囲気に含まれる揮発成分を捕集するトラップ部を備える請求項１から４の何れか一項に記載の固体レーザー装置。
【請求項６】
前記内側光透過部と前記光入出射面との少なくとも一方を加温可能な加温部を備える請求項１から５の何れか一項に記載の固体レーザー装置。
【請求項７】
前記内側容器は、真空引き可能な真空容器とされる請求項１から６の何れか一項に記載の固体レーザー装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明の第一態様によれば、固体レーザー装置は、レーザー媒質と、内側容器と、外側容器と、冷媒供給部と、カバー部と、を備える。レーザー媒質は、光の入射と出射との少なくとも一方がなされる光入出射面を表面の一部に有している。内側容器は、前記レーザー媒質を収容し、前記光入出射面に入射される入射光および前記光入出射面から出射される出射光が透過する内側光透過部を有する。外側容器は、前記内側容器を収容するとともに前記内側光透過部と対向する部位に設けられて、前記入射光および前記出射光を透過し、前記内側光透過部に対して真空断熱された外側光透過部を少なくとも有する。冷媒供給部は、前記レーザー媒質における前記光入出射面を除く少なくとも一部の表面に冷媒が接するように前記内側容器の内部に前記冷媒を供給する。カバー部は、前記光入出射面と前記内側光透過部との間の前記入射光および前記出射光が通過する光通過領域を、前記冷媒供給部によって冷媒が供給される冷媒供給領域から区画する。前記内側容器は、前記冷媒供給領域と前記光通過領域とが同一圧力となるように前記レーザー媒質を収容する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月29日(2018.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の構造体と第２の構造体を備えて、当該２つの構造体によりプリント回路板を挟みこんで組み立てられる、電子機器の筐体であって、
前記第１の構造体は、内部に向かって突出する複数の突出部を備え、当該突出部は、切り欠き部の側面と面部とで形成される段差部を備えており、
前記２つの構造体がプリント回路板を挟みこんで組み立てられる際、前記プリント回路板の主面と当該面部とが対向し互いに押圧し合う結果、当該切り欠き部の側面と面部とによって、プリント回路板が筐体に対して固定化されることを特徴とする筐体。
【請求項２】
前記第１の構造体に対向する第２の構造体は、複数の第１スペーサおよび複数の第２スペーサを備え、前記プリント回路板は当該第１スペーサおよび第２スペーサに載置されるとともに、当該第２スペーサの頂部に設けられた突起構造が、前記プリント回路板に設けられた穴に嵌まることにより、前記プリント回路板が前記第２の構造体に仮固定される請求項１記載の筐体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明にかかる電子機器の筐体は、第１の構造体と第２の構造体を備えて、当該２つの構造体によりプリント回路板を挟みこんで組み立てられる電子機器の筐体であって、第１の構造体は、内部に向かって突出する複数の突出部を備え、突出部は、切り欠き部の側面と面部とで形成される段差部を備えており、２つの構造体がプリント回路板を挟みこんで組み立てられる際、プリント回路板の主面と突出部の面部とが対向し互いに押圧し合う結果、切り欠き部の側面と面部とによって、プリント回路板が筐体に対して固定化されることを特徴とする筐体である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月15日(2018.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記Ｘが、０．５≦Ｘ≦０．６を満たす請求項９又は１０に記載の固体電解質。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月25日(2018.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
一面（１０ａ）を有し、前記一面側に複数の接続部（１９〜２１）が形成された第１基板（１０）と、
一面（３０ａ）および当該一面と反対側の他面（３０ｂ）を有し、当該一面が前記第１基板の一面と接合されることで前記第１基板上に積層され、前記複数の接続部をそれぞれ露出させる複数の貫通孔（３６）が前記第１基板との積層方向に沿って形成された第２基板（３０）と、
前記複数の貫通孔のそれぞれに配置され、前記複数の接続部とそれぞれ電気的に接続される複数の貫通電極（３８）と、
前記複数の貫通電極を一体的に覆う保護膜（４１）と、を備え、
前記貫通電極および前記保護膜は、前記貫通孔の壁面に沿った形状で配置されており、
前記保護膜は、前記第１基板の一面に対する法線方向から視たとき、前記複数の貫通孔の開口部をそれぞれ囲む複数の枠状のスリット（４１ｄ）が形成され、前記スリットよりも内縁側の領域と前記スリットよりも外縁側の領域とが前記スリットによって分離されている半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するための請求項１では、一面（１０ａ）を有し、一面側に複数の接続部（１９〜２１）が形成された第１基板（１０）と、一面（３０ａ）および当該一面と反対側の他面（３０ｂ）を有し、当該一面が第１基板の一面と接合されることで第１基板上に積層され、複数の接続部をそれぞれ露出させる複数の貫通孔が第１基板との積層方向に沿って形成された第２基板（３０）と、複数の貫通孔（３６）のそれぞれに配置され、複数の接続部とそれぞれ電気的に接続される複数の貫通電極（３８）と、複数の貫通電極を一体的に覆う保護膜（４１）とを備え、貫通電極および保護膜は、貫通孔の壁面に沿った形状で配置されており、保護膜は、第１基板の一面に対する法線方向から視たとき、複数の貫通孔の開口部をそれぞれ囲む複数の枠状のスリット（４１ｄ）が形成され、スリットよりも内縁側の領域とスリットよりも外縁側の領域とがスリットによって分離されている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月30日(2018.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段を有する装置であって、
画像データの画像を表示する表示手段と、
前記表示手段で表示された画像に対して当該画像の被写体の過去または未来の画像を表示する要求を受け付ける受付手段と、
前記受付手段が前記被写体の過去の画像を表示する要求を受け付けたとき、当該装置と異なる他の装置に対して、前記被写体の過去の画像の画像データを要求し、前記受付手段が前記被写体の未来の画像を表示する要求を受け付けたとき、当該装置と異なる他の装置に対して、前記被写体の未来の画像の画像データを要求する要求手段と、
を有し、
前記表示手段は、前記要求手段によって要求された前記被写体の過去または未来の画像の画像データに基づき画像を表示することを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記受付手段は、前記表示手段で表示された画像を移動させる操作が行われたと判断した場合に、前記被写体の過去または未来の画像を表示する要求を受け付けることを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置であって、
前記表示手段は、前記被写体の画像を拡大または縮小した画像が表示されているときに、前記受付手段が前記被写体の画像を拡大または縮小した画像に対して前記被写体の過去または未来の画像を表示する要求を受け付けた場合、前記被写体の過去または未来の画像を、拡大または縮小して表示することを特徴とする装置。
【請求項４】
撮像手段を有する装置で実行されるプログラムあって、
画像データの画像を表示する表示ステップと、
表示された画像に対して、当該画像の被写体の過去または未来の画像を表示する要求を受け付ける受付ステップと、
前記被写体の過去の画像を表示する要求を受け付けたとき、前記装置と異なる他の装置に対して、前記被写体の過去の画像の画像データを要求し、前記被写体の未来の画像を表示する要求を受け付けたとき、前記装置と異なる他の装置に対して、前記被写体の未来の画像の画像データを要求する要求ステップと、
を前記装置に実行させ、
前記表示ステップは、要求された前記被写体の過去または未来の画像の画像データに基づき画像を表示する処理を含むことを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】装置及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に係る発明は、撮像手段を有する装置であって、画像データの画像を表示する表示手段と、前記表示手段で表示された画像に対して当該画像の被写体の過去または未来の画像を表示する要求を受け付ける受付手段と、前記受付手段が前記被写体の過去の画像を表示する要求を受け付けたとき、当該装置と異なる他の装置に対して、前記被写体の過去の画像の画像データを要求し、前記受付手段が前記被写体の未来の画像を表示する要求を受け付けたとき、当該装置と異なる他の装置に対して、前記被写体の未来の画像の画像データを要求する要求手段と、を有し、前記表示手段は、前記要求手段によって要求された前記被写体の過去または未来の画像の画像データに基づき画像を表示することを特徴とする装置である。