【事件の表示】
　特願２０００−２７７２６０「位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月２７日出願公開、特開２００２−　９０９７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願は、平成１２年９月１２日の出願であって、原審において拒絶査定され、審判請求された後、当審において拒絶の理由が通知され、その指定期間内に提出された平成１６年９月２７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、その請求項１に記載された次のとおりのものである。
　請求項１
　透明基板上に、光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、前記ブランクをマスクとしたときに使用する露光波長がＡｒＦエキシマレーザ又はそれよりも短い波長の光であるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
　前記方法は、ターゲット面を重力方向に対し下向きとし、基板表面を上向きとなるように基板ホルダーに基板を装着し、かつ、前記基板の周縁部及び基板ホルダーの保持部分が成膜されないように遮蔽板を用いて遮蔽しながら前記光半透過膜をスパッタ成膜する工程を有し、
　前記工程において、前記基板を基板ホルダーに装着する際には、基板の装着を妨げぬ位置まで退避でき、基板ホルダーに基板を装着後には、基板の成膜面と遮蔽板との隙間（クリアランス）を高精度で調整できる可動式遮蔽板を用い、基板の成膜面と遮蔽板との隙間（クリアランス）を設けて遮蔽しながら成膜することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
　
２．当審において拒絶の理由で引用した引用例
引用例１　特開平１１−３１６４５４号公報
引用例２　実願昭６２−６１４９１号（実開昭６３−１７０４５９号）のマイクロフィルム
引用例３　特開平１０−２７５７７４号公報
引用例４　特開平１１−１００６６４号公報
引用例５　特開２０００−２３９８４０号公報
　
２．１ 引用例１の記載内容
　【００６３】〜【００６４】段落に「【００６３】
実施例１
ブランクの製造
透明基板の表面に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ系材料）の薄膜からなる光半透過膜を形成してＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフトマスクブランクを得た。
【００６４】具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ：ケイ素）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：１０％、Ｎ2：９０％、圧力：１．５×１０−3Ｔｏｒｒ）で、反応性スパッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜（膜厚９３１オングストローム）を形成した。」と記載されている。
　
２．２ 引用例２の記載内容
　第１頁第１４行〜同欄第１６行に、「本考案はスパッタリング装置に係り、」と記載され、第２頁第１６行〜同欄第２０行に、「成膜面が下を向き、成膜粒子が上向きに飛び出す、いわゆるスパッタアップ式の装置においては、はがれた物質がターゲット上に落下し、異常放電やプラズマの不安定化を招いて薄膜上に欠陥を作り易いという問題があった。」と記載されている。
　
２．３ 引用例３の記載内容
　【０００２】段落に「従来の枚葉式スパッタ装置では、…被成膜基板の成膜面を下向きにしたものが示されている。しかし、成膜面を下向きにしたことによりターゲットが上向きになるので、ターゲットにダストが落下してスプラッツを引き起こすという問題点が発生する。」と記載されている。　
　
２．４ 引用例４の記載内容
　【０００７】段落に「スパッタアップ方式では、チャンバー内で発生した不純物がターゲット表面に付着しやすい」と記載されている。
　
２．５ 引用例５の記載内容
　【００２５】段落に「スパッタによって形成される導電膜は、ガラス基板寸法ぎりぎりまで異常成膜のない薄膜が要求され、基板周辺数ｍｍ非成膜領域が必要となる。これは、次のような理由による。スパッタにて成膜を行った場合、スパッタされた粒子はガラス基板表面だけでなくガラス基板端面にまで堆積する。端面まで成膜されたガラス基板が洗浄装置などの次工程で処理される際、ガラス基板のアライメント機構によってガラス基板端面に衝撃が加わり、ガラス基板端面より薄膜が剥がれることがある。この剥がれた薄膜は洗浄装置内にゴミとして残ったり、ガラス基板上にゴミとして再付着したりするためにトランジスタの欠陥を発生させることとなる。本発明は、以上のようなガラス基板寸法ぎりぎりまで異常成膜痕のない薄膜をスパッタにて成膜する場合に適用される。」と記載され、また、【００２８】段落に「マスクＢ５には所定の成膜領域を制限するための開口部が設けられており、マスクＢ５を挟んでターゲット２に対向する形でガラス基板６は配置され、マスクＢ５の開口部からガラス基板６表面が剥き出しになることにより、ガラス基板６上に成膜領域を制限した形で導電膜が形成される。このとき、ガラス基板６とマスクＢ５とは、ガラス基板６端面に薄膜が形成されないように、１mm以下の隙間をもって配置される。」と記載されている。
　　
２．６ 引用例１記載の発明
　引用例１には、透明基板の表面にスパッタリングにより、光半透過膜を形成した位相シフトマスクブランクを得る発明が記載されている。
　
３．対比
　本願第１発明と引用例１記載の発明を対比する。
　引用例１の、光半透過膜を形成した位相シフトマスクブランクは、本願第１発明の、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクに相当する。　
　そうすると、本願第１発明と引用例１記載の発明は、
「透明基板上に、光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
　前記方法は、光半透過膜をスパッタ成膜する工程を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法。」
において一致し、
本願第１発明は、「ブランクをマスクとしたときに使用する露光波長がＡｒＦエキシマレーザ又はそれよりも短い波長の光である」のに対し、引用例１記載の発明では、当該構成の記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）し、　
本願第１発明は、「ターゲット面を重力方向に対し下向きとし、基板表面を上向きとなるように基板ホルダーに基板を装着し」、「光半透過膜をスパッタ成膜する」ものであるのに対し、引用例１記載の発明は、この構成の記載がない点で相違（以下、「相違点２」という。）し、
本願第１発明は、「前記基板の周縁部及び基板ホルダーの保持部分が成膜されないように遮蔽板を用いて遮蔽しながら前記光半透過膜をスパッタ成膜する」ものであるのに対し、引用例１記載の発明は、この構成の記載がない点で相違（以下、「相違点３」という。）し、
本願第１発明は、「基板を基板ホルダーに装着する際には、基板の装着を妨げぬ位置まで退避でき、基板ホルダーに基板を装着後には、基板の成膜面と遮蔽板との隙間（クリアランス）を高精度で調整できる可動式遮蔽板を用い、基板の成膜面と遮蔽板との隙間（クリアランス）を設けて遮蔽しながら成膜する」ものであるのに対し、引用例１記載の発明は、この構成の記載がない点で相違（以下、「相違点４」という。）する。
　
４．判断
　上記相違点１について検討すると、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた露光方法において、露光光をＡｒＦエキシマレーザの光とすることは、周知手段（例えば、特開平１０−１８６６３２号公報、特開平１０−１２３６９６号公報、特開平１１−２３７７２７号公報及び特開２０００−１０２５５号公報等参照。以下、「周知手段１」という。）にすぎないから、引用例１記載の発明において、露光波長がＡｒＦエキシマレーザ又はそれよりも短い波長の光とすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　
　上記相違点２について検討すると、スパッタリングによる成膜をする際に、ターゲット面を重力方向に対し下向きとし基板表面を上向きとし、スパッタリングによる成膜することは、その利点も含めて周知（例えば、上記引用例２〜４参照。以下、「周知手段２」という。）であり、周知手段２は、スパッタリングによる成膜装置として引用例１と同じ技術分野に属するものであるから、引用例１に記載された発明に対し、上記周知手段２を用いることに格別の困難性を認めることはできない。
　
　上記相違点３について検討すると、スパッタリングによって、基板端面からの薄膜の剥離を防止するために、基板に膜を作製する際に基板端面を遮蔽してスパッタリングにより成膜することは、その利点も含めて公知（上記引用例５参照）であり、上記引用例５記載の発明は、スパッタリングによる成膜装置として引用例１と同じ技術分野に属するものであるから、引用例１に記載された発明に対し、上記引用例５記載の発明を用いることに格別の困難性を認めることはできない。
　また、基板端面を遮蔽してスパッタリングして、パーティクルの発生を防止することが上記引用例５に記載されるように公知であること及びスパッタリング中に基板を保持する手段を設けることは当然であることを考慮すると、保持部分からもパーティクルが発生する恐れがあることは、普通に想定しうるものであるから、基板の周縁部とともに基板ホルダーの保持部分を成膜されないように遮蔽することは、当業者が容易に想到できたことである。
　
　上記相違点４について検討すると、スパッタリングによって、基板に成膜する際に、基板端面を遮蔽してスパッタリングによる成膜する引用例５において、マスクＢ５（本願第１発明の遮蔽板に相当する。）は、可動式である旨の記載はないが、基板を基板ホルダーに装着する際には、基板の装着を妨げぬ位置まで退避できるようにすることは、単なる設計事項にすぎない。
　さらに、基板の成膜面と遮蔽板との隙間を高精度で調整する点については、引用例５の実施例として１ｍｍ以下と記載されており、本願請求項１に係る発明での基板の成膜面と遮蔽板との隙間（クリアランス）は、本願明細書において「例えば０．１ｍｍ程度の精度」と記載されているにすぎず、かつ「０．１ｍｍ程度」という数値に臨界的意義は認められないから、引用例５においても実質的に基板の成膜面と遮蔽板との隙間を高精度で調整しているものと認められる。
　したがって、上記相違点４については、当業者が容易に想到できたことである。
　また、上記相違点１〜４が有する効果も当業者が引用例１及び引用例５に記載された発明並びに周知手段から予測できた程度のものにすぎない。
　　
５．そうすると、本願請求項１に係る発明は、引用例１及び引用例５に記載された発明並びに周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。