【事件の表示】
　特許第５６９３７４９号「光透過性導電性フィルム及び光透過性導電性フィルムを含有するタッチパネル」の請求項１〜５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５６９３７４９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔４〜５〕について訂正することを認める。
　特許第５６９３７４９号の請求項１〜３、５に係る特許を維持する。
　特許第５６９３７４９号の請求項４に係る特許に対する特許異議の申立ては却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５６９３７４９号の請求項１〜５に係る発明についての出願は、２０１３年８月５日（優先権主張２０１２年８月６日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年２月１３日に特許の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人馬場智理により特許異議の申立てがなされ、同年１１月２０日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である同年１２月２８日に意見書の提出及び訂正請求があったものである。
第２　訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は以下のア、イのとおりである。
　　ア　請求項４を削除する。
　　イ　請求項５に係る「請求項１〜４のいずれかに記載の光透過性導電性フィルム」を「請求項１〜３のいずれかに記載の光透過性導電性フィルム」に訂正する。
２．訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記アの訂正は、請求項４を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、上記イの訂正は、上記アの訂正に伴い、請求項４を引用しないものに訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　そして、これら訂正は一群の請求項ごとに請求されたものである。
３．むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔４〜５〕について訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについて
１．本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜３、５に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１〜３、５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「　【請求項１】
（Ａ）ポリエチレンテレフタレート樹脂を含有する光透過性支持層；及び
（Ｂ）３〜１０重量％のＳｎＯ２を酸化インジウムに添加して得られうる酸化インジウムスズを含有する光透過性導電層
を含有し、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されている光透過性導電性フィルムであって、
（Ｉｂα−Ｉｂα−０．０２５°）／（Ｉａα−Ｉａα−０．０２５°）
で表される関数ｆ（α）の平均値が０．０８〜５．００である
ことを特徴とする、光透過性導電性フィルム
（ただし、αは、
αｍｉｎ＋ｎ×０．０２５°（ｎ＝１、２、３、・・・）
（ただし、αｍｉｎは、０．１００°以上の範囲内において、薄膜法ＸＲＤ測定において（２２２）面のピークが確認できる最小の入射角である）
で表される変数であり、
次式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満たし、
α≦０．６００°　　　　　　　　　　　　・・・・（Ｉ）
ｆ（α）≧０．７×ｆ（α−０．０２５°）・・・・（ＩＩ）
Ｉａαは、入射角αの薄膜法ＸＲＤ測定におけるポリエチレンテレフタレート由来の２θ＝２６°付近のピーク強度であり、かつ
Ｉｂαは、入射角αの薄膜法ＸＲＤ測定における酸化インジウム由来の（２２２）面のピーク強度である。）。
　　【請求項２】
前記光透過性支持層（Ａ）の厚さが、２０〜２００μｍである、請求項１に記載の光透過性導電性フィルム。
　　【請求項３】
光透明性導電層（Ｂ）の厚さが、１５〜３０ｎｍである、請求項１又は２に記載の光透過性導電性フィルム。
　　【請求項４】（削除）
　　【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の光透過性導電性フィルムを含有する、タッチパネル。」
２．申立理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として、特開２０１１−１０３２８９号公報（以下、「甲第１号証」という。）、特開２００２−３７１３５０号公報（以下、「甲第２号証」という。）、特開２００６−０１９２３９号公報（以下、「甲第３号証」という。）、及び、特開２００２−１５７９２８号公報（以下、「甲第４号証」という。）を提出し、以下の理由１〜４により、請求項１〜５に係る特許は取り消すべきものである旨を主張している。
（理由１）
　本件特許の請求項１〜５に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（理由２）
　本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載が、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものでなく、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
（理由３）
　本件特許の請求項１〜５に係る発明が発明の詳細な説明に記載したものでなく、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
（理由４）
　本件特許の請求項１〜５に係る発明が明確でなく、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
３．甲号証の記載
（１）本件特許の優先日前に頒布された甲第１号証には、「透明導電性積層フィルム」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　ア　「透明プラスチックフィルムからなる基材の少なくとも片面に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層を設け、更にその上に第１の非晶質な透明導電性薄膜層、第２の結晶質な透明導電性薄膜層をこの順で積層した透明導電性積層フィルムであって、
（ａ）第１の非晶質な透明導電性薄膜層は、酸化インジウムに対して酸化スズ（ＳｎＯ２／（ＳｎＯ２＋Ｉｎ２Ｏ３））が７〜２０質量％、膜厚が２〜２０ｎｍ、
（ｂ）第２の結晶質な透明導電性薄膜層は、酸化インジウムに対して酸化スズ（ＳｎＯ２／（ＳｎＯ２＋Ｉｎ２Ｏ３））が１〜６質量％、膜厚が５〜２０ｎｍ、
（ｃ）第１と第２の透明導電性薄膜層の膜厚の和が１５〜３０ｎｍ、
であることを特徴とする透明導電性積層フィルム。」（請求項１）
　イ　「・・・本発明の目的は、上記の従来の問題点に鑑み、所定の非晶質な透明導電性薄膜層と結晶質な透明導電性薄膜層を積層することによって、パターニング性（エッチング性）、ペン摺動耐久性、環境安定性が良好な透明導電性積層フィルム、透明導電性積層シート及びタッチパネルを提供することにある。」（段落０００８）
　ウ　「・・・本発明で用いる透明プラスチックフィルムからなる基材とは、有機高分子をフィルム状に溶融押出し又は溶液押出しをしてフィルム状に成形し、必要に応じ、長手方向及び／又は幅方向に延伸、熱固定、熱弛緩処理を施したフィルムである。有機高分子としては、・・・、ポリエチレンテレフタレート、・・・などが挙げられる。」（段落００２３）
　エ　「本発明の透明導電性積層フィルムの製造方法においては、酸素を含む雰囲気下で、８０〜２００℃、０．１〜１２時間加熱処理を行ってもよい。熱処理の意義は、第２の透明導電性薄膜層における結晶粒の大きさの制御である。加熱温度及び時間を増加させると結晶粒が成長する。８０℃より低い温度では結晶粒が成長しないため、ペン摺動耐久性向上には寄与しない。２００℃より高い温度では透明プラスチックフィルムの平面性の維持をするのが難しくなる。更に結晶粒が成長し過ぎることにより結晶粒子間に大きな応力が発生するためにペン摺動耐久性が悪化する。」（段落００３９）
　オ　「〔実施例１〜１１〕
　光重合開始剤含有紫外線硬化型アクリル系樹脂（大日精化工業社製、セイカビームＥＸＦ−０１Ｊ）１００質量部に、平均粒子径０．５μｍのシリカ粒子１０質量部、溶剤としてトルエン／ＭＥＫ（８０／２０：質量比）の混合溶媒を、固形分濃度が５０質量％になるように加え、撹拌して均一に溶解し塗布液を調製した。
　両面に易接着層を有する二軸配向透明ＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、Ａ４３４０、厚み１８８μｍ）に、塗膜の厚みが５μｍになるように、調製した塗布液を、マイヤーバーを用いて塗布した。８０℃で１分間乾燥を行った後、紫外線照射装置（アイグラフィックス社製、ＵＢ０４２−５ＡＭ−Ｗ型）を用いて紫外線を照射（光量：３００ｍＪ／ｃｍ２）し、塗膜を硬化させた。
　・・・
　次に、この硬化物層上に第１の透明導電性薄膜層としてインジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜層を成膜した。ターゲットとして所定の酸化スズを含有した酸化インジウムに用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加した。また、Ａｒガス、Ｏ２ガスを流し、０．４Ｐａの雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。また、センターロール温度は０℃として、スパッタリングを行った。
　・・・
　さらに、第１の透明導電性薄膜層上に第２の透明導電性薄膜層としてインジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜層を成膜した。ターゲットとして所定の酸化スズを含有した酸化インジウムに用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加した。また、Ａｒガス、Ｏ２ガスを流し、０．４Ｐａの雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。また、センターロール温度は０℃として、スパッタリングを行った。
　・・・
　第１の透明導電性薄膜層及び第２の透明導電性薄膜層の成膜条件と評価結果を表１に、透明導電性積層フィルムの評価結果を表２に示した。」（段落００８４〜００８８）
　カ　「表１
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）本件特許の優先日前に頒布された甲第２号証には、「透明積層体」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　ア　「実施例１
透明基体として、幅が３００ｍｍ、厚さが１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという）フィルムのロール原反を、スパッタリングターゲットが２つ配置できるロール・トウ・ロール式スパッタリング装置に取り付けた。高屈折率透明薄膜を形成するスパッタリングターゲット材料には、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９５重量％：５重量％（以下、単にＩＴＯと略記する）を用い、銀系透明導電体膜を形成するスパッタリングターゲット材料には、Ａｇ：Ａｕ＝９７重量％：３重量％（以下、単にＡｇと略記する）を用いた。・・・
製造する透明積層体の構成は、ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ薄膜（３８ｎｍ）／Ａｇ薄膜（９ｎｍ）／ＩＴＯ薄膜（７５ｎｍ）／Ａｇ薄膜（１３ｎｍ）／ＩＴＯ薄膜（７５ｎｍ）／Ａｇ薄膜（１５ｎｍ）／ＩＴＯ薄膜（３８ｎｍ）である。・・・
最初に、真空チャンバ内を２×１０−４Ｐａまで排気したのち、装置外部に設置してあるタンク内の水（２５℃）を通過させたアルゴンガスを２０ＳＣＣＭ、水を通過させない通常のアルゴンガスを４０ＳＣＣＭ、酸素ガスを１．５ＳＣＣＭ、それぞれ導入し、真空ポンプのバルブを調整することにより、圧力を０．２Ｐａに設定した．このとき、・・・酸素分圧は２．１×１０−３Ｐａ、水分圧は１．１×１０−２Ｐａであった。・・・
その後、ＩＴＯターゲットに対して、ターゲット面積あたり５Ｗ／ｃｍ２の直流スパッタリング電力を印加して、ＰＥＴフィルム上に第１層目のＩＴＯ薄膜（膜厚３８ｎｍ）を形成した。・・・つぎに、水を通過させたアルゴンガスと酸素ガスを遮断し、６０ＳＣＣＭのアルゴンガスを導入したのち、Ａｇターゲットに対して、ターゲット面積あたり１Ｗ／ｃｍ２の直流スパッタリング電力を印加して、上記第１層目のＩＴＯ薄膜上に第２層目のＡｇ薄膜（膜厚９ｎｍ）を形成した。・・・
さらにその後、目標とする膜厚を得るため、ロール速度を変化させた以外は、上記と同様にして、ＩＴＯ薄膜およびＡｇ薄膜を繰り返し積層して形成し、前記構成の透明積層体（ＩＴＯ薄膜およびＡｇ薄膜の繰り返し単位数ｎ＝３）を製造した。・・・
実施例２
・・・実施例１と同様の方法により、透明積層体を製造した。・・・ガスを導入したときの真空チャンバ内の酸素分圧は１．９×１０−３Ｐａ、水分圧は３．４×１０−４Ｐａであった。・・・」（段落００５４〜００５９）
（３）本件特許の優先日前に頒布された甲第３号証には、「透明導電性フィルム」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　ア　「透明なフィルム基材の一方の面に、厚さが１０〜１００ｎｍ、光の屈折率が１．４０〜１．８０、平均表面粗さ〔Ｒａ〕が０．８〜３．０ｎｍである透明なＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）薄膜を介して、厚さが２０〜３５ｎｍ、ＳｎＯ２／（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）重量比が３〜１５重量％であるインジウム・スズ複合酸化物からなる透明な導電性薄膜を有することを特徴とする透明導電性フィルム。」（請求項１）
　イ　「＜透明導電性フィルムの作製＞
　厚さが２５μｍのポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという）フィルムからなる透明なフィルム基材の一方の面に、厚さが３０ｎｍ、光の屈折率が１．４６であるＳｉＯｘ（ｘ＝２．０）薄膜を、真空蒸着法により形成した。このＳｉＯｘ薄膜の平均表面粗さは、２．０ｎｍであった。
　つぎに、このＳｉＯｘ薄膜上に、アルゴンガス８０％と酸素ガス２０％とからなる４×１０−３Ｔｏｒｒの雰囲気中で、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）９５重量％−酸化スズ（ＳｎＯ２）５重量％とからなる焼結体材料を使用して、反応性スパッタリング法により、厚さが２５ｎｍ、光の屈折率が２．００のインジウム・スズ複合酸化物からなる透明な導電性薄膜（以下、ＩＴＯ薄膜という）を形成し、透明導電性フィルムを作製した。」（段落００２６）
（４）本件特許の優先日前に頒布された甲第４号証には、「透明導電性フィルム」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　ア　「透明プラスチックフィルム基材上に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層、及び透明導電性薄膜をこの順に積層する透明導電性フィルムの製造方法であって、透明導電性薄膜を成膜する直前に、透明プラスチックフィルムと硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層とからなる積層体を真空中に５分間以上暴露し、かつ透明導電性薄膜を成膜する際に前記積層体の薄膜形成面とは反対面にロールを密着させ、前記ロールの表面温度を−２０〜７０℃とすることを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。」（請求項１）
　イ　「実施例１
・・・
＜硬化物層の形成＞両面に易接着層を有する二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製、Ａ４３４０、厚み１８８μｍ）の片面に、濃度１重量％の有機ケイ素化合物のブタノール／イソプロパノール混合アルコール系溶液（日本コルコート化学社製：ＨＡＳ−２）を塗布した後、 １００℃で１分間乾燥させた。
＜透明導電性薄膜の製膜＞・・・また、スパッタリングを行う際にセンターロールの表面温度を１０℃になるように設定した。
さらに、硬化物層上にインジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜を成膜した。このとき、ターゲットにはスズを５重量％含有したインジウムをターゲット（三井金属鉱業（株）製）として用いて、２Ｗ／ｃｍ２のＤＣ電力を印加した。また、Ａｒガスを１３０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを５５ｓｃｃｍの流量で流し、０．４Ｐａの雰囲気下でＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。・・・
次いで、雰囲気の酸素分圧をスパッタプロセスモニター（伯東（株）製、ＳＰＭ２００）にて常時観測しながら、インジウム−スズ複合酸化物薄膜中の酸化度が一定になるように酸素ガスの流量計およびＤＣ電源にフィートバックした。以上のようにして、厚さ２７ｎｍのインジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜を堆積した。さらに、この後、１９０℃で１分間のアニール処理を酸素雰囲気化で行なった。」（段落００８２〜００８６）
４．申立理由の検討
（１）理由１の検討
　ア．請求項１に係る発明について
　請求項１に係る発明と特許異議申立人が提出した甲第１〜４号証に記載された発明を対比すると、上記甲第１〜４号証のいずれにも、
「（Ｉｂα−Ｉｂα−０．０２５°）／（Ｉａα−Ｉａα−０．０２５°）
で表される関数ｆ（α）の平均値が０．０８〜５．００である
（ただし、αは、
αｍｉｎ＋ｎ×０．０２５°（ｎ＝１、２、３、・・・）
（ただし、αｍｉｎは、０．１００°以上の範囲内において、薄膜法ＸＲＤ測定において（２２２）面のピークが確認できる最小の入射角である）
で表される変数であり、
次式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満たし、
α≦０．６００°　　　　　　　　　　　　・・・・（Ｉ）
ｆ（α）≧０．７×ｆ（α−０．０２５°）・・・・（ＩＩ）
Ｉａαは、入射角αの薄膜法ＸＲＤ測定におけるポリエチレンテレフタレート由来の２θ＝２６°付近のピーク強度であり、かつ
Ｉｂαは、入射角αの薄膜法ＸＲＤ測定における酸化インジウム由来の（２２２）面のピーク強度である。）」ことが記載されていないし、記載されているに等しいともいえない。
　したがって、請求項１に係る発明は、上記甲第１〜４号証に記載された発明から当業者が容易になし得るものではない。
　特許異議申立人は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されている「エッチング性」の解決課題や、上記関数ｆ（α）を達成するための条件である「酸素分圧」、「下地となる層の平均表面粗さ（Ｒａ）」、「水導入の分圧」、「製膜温度」、「光透過性導電層（Ｂ）の厚さ」及び「加熱処理」は、甲第１〜４号証に記載されており、本件特許の解決課題は周知であり、請求項１に記載された上記関数ｆ（α）を達成するための製造方法及び条件すべてが公知の範囲であるから、これら条件を当業者が適宜選択設計して、本件特許明細書の発明の詳細な説明に実施の形態として記載された製造工程と類似の製造工程をなすことは、当業者が容易に想到できたものであり、本件特許の請求項１に係る発明も当業者が容易に想到できた旨を主張している。
　しかしながら、甲第１号証には、その記載事項ア、エ〜カに記載されているように、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された実施例と同程度の「酸素分圧」、「水導入の分圧」、「製膜温度」、「光透過性導電層の厚さ」及び「加熱処理」により透明導電性積層フィルムを製造することが記載されているのみである。
　同様に、甲第２号証には、その記載事項アに記載されているように、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された実施例と同程度の「酸素分圧」、「水導入の分圧」及び「光透過性導電層の厚さ」により、透明積層体を製造することが記載されているのみであり、甲第３号証には、その記載事項ア及びイに記載されているように、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された実施例と同程度の「下地となる層の平均表面粗さ」及び「光透過性導電層の厚さ」により透明導電性フィルムを製造することが記載されているのみであり、甲第４号証には、その記載事項ア及びイに記載されているように、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された実施例と同程度の「製膜温度」及び「光透過性導電層の厚さ」により、透明導電性フィルムを製造することが記載されているのみである。
　また、光透過性導電性フィルムの「エッチング性」を改善するとの課題と、「酸素分圧」、「水導入の分圧」、「製膜温度」、「光透過性導電層の厚さ」及び「加熱処理」の各条件との関連性は、いずれの甲号証にも記載されていないため、甲第１〜４号証に記載された各条件を組み合わせて、本件特許明細書の発明の詳細な説明に実施の形態として記載された製造工程を導き出すための動機付けは存在しない。
　したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明に実施の形態として記載された製造工程と類似の製造工程は、甲第１〜４号証に記載された事項から当業者が容易に想到できたものといえない。そして、請求項１に記載された関数ｆ（α）の条件を満たす光透過性導電性フィルムを得ることが当業者にとって容易になし得たものであるといえないから、本件特許の請求項１に係る発明も当業者が容易に想到できたものといえない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は妥当なものとはいえない。
　以上のとおり、特許異議申立人の主張は妥当なものでなく、本件特許発明１は、甲第１〜４号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　イ．請求項２、３及び５に係る発明について
　本件特許の請求項２、３及び５に係る発明は、本件特許の請求項１に係る発明を引用したものであるから、上記アの判断と同様の理由により、上記甲第１〜４号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）理由２の検討
　特許異議申立人は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の実施例には、関数ｆ（α）を満足する水準が記載されているが、「酸素分圧」、「下地となる層の平均表面粗さ（Ｒａ）」、「水導入の分圧」、「製膜温度」、「光透過性導電層（Ｂ）の厚さ」及び「加熱処理」の各条件をどの範囲に設定し、どのように組み合わせれば、請求項１に記載された関数ｆ（α）の平均値の範囲を満足させることができるのかについて記載がなく、実施例に記載されていない光透過性導電性フィルムの製造に、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を行う必要があるため、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載が、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではないと主張している。
　しかしながら、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、本件特許の請求項１に記載された関数ｆ（α）を満足する光透過性導電性フィルムの実施例（段落００８４〜０１２２）として、「酸素分圧」、「下地となる層の平均表面粗さ（Ｒａ）」、「水導入の分圧」、「製膜温度」、「光透過性導電層（Ｂ）の厚さ」及び「加熱処理」の具体的な条件が記載された製造方法が記載されているから、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されている。
　また、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、「加熱処理を行うことで結晶化の程度を調整することにより関数ｆ（α）の値を調整できる」（段落００２６）こと、及び「スパッタリング法により光透過性導電層（Ｂ）を形成する場合は、例えば酸素分圧、下地となる層の平均表面粗さ（Ｒａ）、水導入の分圧、成膜温度及び光透過性導電層（Ｂ）の厚さのバランスを適宜調整すればよい」（段落００３２）ことが記載されているから、実施例に記載された各条件を参考にして、実施例以外の光透過性導電性フィルムを製造することに、当業者の過度な試行錯誤が必要であるともいえない。
　よって、特許異議申立人の主張は妥当なものとはいえず、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしている。
（３）理由３の検討
　特許異議申立人は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の実施例には、関数ｆ（α）を満足する水準が記載されているが、「酸素分圧」、「下地となる層の平均表面粗さ（Ｒａ）」、「水導入の分圧」、「製膜温度」、「光透過性導電層（Ｂ）の厚さ」及び「加熱処理」の各条件をどの範囲に設定し、どのように組み合わせれば、請求項１に記載された関数ｆ（α）の平均値の範囲を満足させることができるのかについて記載がなく、技術常識に照らしても、請求項１に係る範囲まで、実施例に記載された内容を拡張又は一般化できるとはいえない旨を主張している。
　しかしながら、上記（２）で検討したとおり、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、本件特許の請求項１に係る発明を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているといえるから、特許異議申立人の上記主張も妥当なものとはいえない。
　また、特許異議申立人は、エッチング性の課題を解決するためには、ＰＥＴ樹脂基材上に特定の平均表面粗さ（Ｒａ）を有するＳｉＯ２層が形成され、その上に光透過性導電層が形成されている層構造であることが必要であるところ、請求項１には、当該課題解決手段が反映されていない旨を主張している。
　しかしながら、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落００３２に記載されているように、下地となる層の平均表面粗さ（Ｒａ）が光透過性導電性フィルムの関数ｆ（α）に影響するとしても、下地となる層がＳｉＯ２層でないことによって、光透過性導電性フィルムの関数ｆ（α）が影響を受けるとはいえないから、特許異議申立人の上記主張も妥当なものとはいえない。
　以上のとおり、特許異議申立人の主張は妥当なものでなく、本件特許の請求項１〜３、５に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている。
（４）理由４の検討
　特許異議申立人は、プロダクトバイプロセスクレームについては、出願人（特許権者）が「不可能・非実際的事情」を主張、立証しない限り、原則的に明確性違反となるため、「不可能・非実際的事情」を主張、立証していないプロダクトバイプロセスクレーム含む本件特許の請求項１〜５に記載された発明は明確でない旨を主張している。
　しかしながら、本件特許の請求項１〜３には「光透過性導電性フィルム」の物の発明が記載され、請求項５には「タッチパネル」の物の発明が記載されているところ、請求項１〜３及び５は、製造方法による特定がなされていないから、請求項１〜３及び５に係る発明は、プロダクトバイプロセスクレームを含んでいない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は妥当なものとはいえず、本件特許の請求項１〜３、５に係る発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている。
５．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜３及び５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１〜３及び５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　なお、請求項４に係る発明は、訂正により削除されたため、本件特許の請求項４に対して、特許異議申立人がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１月２１日（２０１６．１．２１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　（Ａ）ポリエチレンテレフタレート樹脂を含有する光透過性支持層；及び
　（Ｂ）３〜１０重量％のＳｎＯ２を酸化インジウムに添加して得られうる酸化インジウムスズを含有する光透過性導電層
を含有し、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されている光透過性導電性フィルムであって、
（Ｉｂα−Ｉｂα−０．０２５°）／（Ｉａα−Ｉａα−０．０２５°）
で表される関数ｆ（α）の平均値が０．０８〜５．００である
ことを特徴とする、光透過性導電性フィルム
（ただし、αは、
αｍｉｎ＋ｎ×０．０２５°（ｎ＝１、２、３、・・・）
（ただし、αｍｉｎは、０．１００°以上の範囲内において、薄膜法ＸＲＤ測定において（２２２）面のピークが確認できる最小の入射角である）
で表される変数であり、
次式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満たし、
α≦０．６００°　　　　　　　　　　　　・・・・（Ｉ）
ｆ（α）≧０．７×ｆ（α−０．０２５°）・・・・（ＩＩ）
Ｉａαは、入射角αの薄膜法ＸＲＤ測定におけるポリエチレンテレフタレート由来の２θ＝２６°付近のピーク強度であり、かつ
Ｉｂαは、入射角αの薄膜法ＸＲＤ測定における酸化インジウム由来の（２２２）面のピーク強度である。）。
　【請求項２】
前記光透過性支持層（Ａ）の厚さが、２０〜２００μｍである、請求項１に記載の光透過性導電性フィルム。
　【請求項３】
光透明性導電層（Ｂ）の厚さが、１５〜３０ｎｍである、請求項１又は２に記載の光透過性導電性フィルム。
　【請求項４】
（削除）
　【請求項５】
請求項１〜
３