【事件の表示】
　平成　８年特許願第１４１３５１号「磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１２月１２日出願公開、特開平　９−３２００３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成８年６月４日の出願であって、平成１５年７月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年８月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１５年９月８日付けで手続補正がなされたものであり、その後当審において、前記平成１５年９月８日付け手続補正が却下されるとともに平成１６年１１月２５日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、平成１７年１月３１日付けで手続補正がなされたが、平成１７年５月９日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年７月１１日付けで手続補正がなされたものである。
　
ＩＩ．平成１７年７月１１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　　平成１７年７月１１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　　本件補正により、特許請求の範囲は、
　「【請求項１】　基板上に形成された少なくともＣｏとＣｒとＰｔを含有する磁性膜を有する磁気記録媒体において、
　前記基板と前記磁性膜の間には、Ｃｒからなる初期成長制御層と、該初期成長制御層上に形成されたＣｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉの群から選ばれた少なくとも２種以上の元素の合金からなる下地膜とが形成され、
　該初期成長制御層の(１００)結晶面は前記基板と平行であり、
　該下地膜は体心立方型の結晶構造を有し、かつ前記下地膜の(１００)結晶面は前記基板と平行であり、
　該初期成長制御層の膜厚は３０ｎｍ以下であり
、且つ下地膜の膜厚よりも薄いこと
　【請求項２】　前記下地膜はＣｒとＭｏの合金またはＣｒとＴｉの合金を含有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
　【請求項３】　前記基板は、Ｎｉ−Ｐめっきをされていることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
　【請求項４】　前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
　【請求項５】　前記ガラス基板と前記初期成長制御層との間には、プリコート層が形成されていることを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体。
　【請求項６】　該初期成長制御層の膜厚は５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
　【請求項７】　該下地層の膜厚は１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
　【請求項８】　磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を駆動する駆動部と、記録部と再生部を有する磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対的に運動させる手段と、該磁気ヘッドに対する入力信号及び出力信号を波形処理する記録再生信号処理手段とを有し、
　前記磁気記録媒体は、基板上に形成された少なくともＣｏとＣｒとＰｔを含有する磁性膜を有し、前記基板と前記磁性膜の間には、Ｃｒからなる初期成長制御層と、該初期成長制御層上に形成されたＣｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉの群から選ばれた少なくとも２種以上の元素の合金からなる下地膜とが形成され、該初期成長制御層の(１００)結晶面は前記基板と平行であり、該下地膜は体心立方型の結晶構造を有し、かつ前記下地膜の(１００)結晶面は前記基板と平行であり、該初期成長制御層の膜厚は３０ｎｍ以下であり
、且つ下地膜の膜厚よりも薄いこと
　
　そして、本件補正前の特許請求の範囲は、平成１７年１月３１日付け手続補正で補正された次のとおりである。
　「【請求項１】　基板上に形成された少なくともＣｏとＣｒとＰｔを含有する磁性膜を有する磁気記録媒体において、
　前記基板と前記磁性膜の間には、Ｃｒ
からなる
からなる
　
該初期成長制御層の(１００)結晶面は前記基板と平行であり、
　該下地膜は体心立方型の結晶構造を有し、かつ前記下地膜の(１００)結晶面は前記基板と平行であり、
　
該初期成長制御層の膜厚は３０ｎｍ以下であり、
　
該下地層の該初期成長制御層に対する膜厚比は２以上、５以下である
　【請求項２】　前記下地膜はＣｒとＭｏの合金または
Ｃｒ
　【請求項３】　前記基板は、Ｎｉ−Ｐめっきをされていることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
　【請求項４】　前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
　【請求項５】　前記ガラス基板と前記初期成長制御層との間には、プリコート層が形成されていることを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体。
　【
請求項６
　【
請求項７
　【請求項
８
　前記磁気記録媒体は、基板上に形成された少なくともＣｏとＣｒとＰｔを含有する磁性膜を有し、前記基板と前記磁性膜の間には、Ｃｒ
からなる
からなる
該初期成長制御層の(１００)結晶面は前記基板と平行であり、
あり、該初期成長制御層の膜厚は３０ｎｍ以下であり、該下地層の該初期成長制御層に対する膜厚比は２以上、５以下である
　
　してみると、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明が、補正前の特許請求の範囲の請求項１に係る発明に対応するものであるから、該請求項１に係る発明に関し、「該下地層の該初期成長制御層に対する膜厚比は２以上、５以下である」を「（初期成長制御層の膜厚は・・・）且つ下地膜の膜厚よりも薄いこと」と補正することを、少なくとも含むものである。
　
　ところで、本件補正は、最初の拒絶の理由に応答する補正によって通知することが必要になった拒絶理由を通知する最後の拒絶理由通知に応答してなされたものであるから、特許法第１７条の２第１項第２号の「拒絶理由通知を受けた後更に拒絶理由通知を受けた場合において、最後に受けた拒絶理由通知に係る第五十条の規定により指定された期間内にするとき。」になされたものであり、同条第４項において特許請求の範囲についてする補正は同項第１号乃至第４号に掲げる事項を目的とするものに限るとされているので、即ち請求項の削除、特許請求の範囲の減縮（限定的減縮）、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに限られるので、本件補正はこれらの目的に合致するものかを検討する。
　補正前の「該下地層の該初期成長制御層に対する膜厚比は２以上、５以下である」は、初期成長制御層の膜厚が下地層の膜厚の１／２〜１／５であることを意味するから、補正後の「（初期成長制御層の膜厚は・・・）且つ下地膜の膜厚よりも薄いこと」は、初期成長制御層の膜厚が下地膜の膜厚よりも薄い点では補正前の該規定とは軌を一にしているが、明らかにその膜厚比の範囲を拡張しているから、限定的減縮にあたらないことが明白であり、更に、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないことも明らかである。
　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる事項を目的とするものに該当しない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
ＩＩＩ．特許請求の範囲の記載
　平成１７年７月１１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１〜８は、平成１７年１月３１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものであるところ、そのうち請求項１の記載は次のとおりのものである。
　「【請求項１】　基板上に形成された少なくともＣｏとＣｒとＰｔを含有する磁性膜を有する磁気記録媒体において、
　前記基板と前記磁性膜の間には、Ｃｒ
からなる
からなる
　
該初期成長制御層の(１００)結晶面は前記基板と平行であり、
　該下地膜は体心立方型の結晶構造を有し、かつ前記下地膜の(１００)結晶面は前記基板と平行であり、
　
該初期成長制御層の膜厚は３０ｎｍ以下であり、
　
該下地層の該初期成長制御層に対する膜厚比は２以上、５以下である
　
ＩＶ．判断
　これに対し、当審による平成１７年５月９日付けの最後の拒絶理由は、
　「平成１７年１月３１日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　記
　請求項１（及び請求項１を直接乃至間接的に引用する請求項２〜７）と請求項８における、「該初期成長制御層の膜厚は３０ｎｍ以下であり、該下地層の該初期成長制御層に対する膜厚比は２以上、５以下である」との（新たに追加された）事項は、当初明細書に記載も示唆もされておらず、また自明な事項とも認められない。」
というものである。
　
　そこで、この点について更に検討する。
　補正と同日付けで提出された意見書には、当該補正に関しての根拠（当初明細書のどの記載を根拠とするのか）が説明されていない。　ただ、意見書の引用文献との対比の箇所において、「初期成長制御層に対する下地層厚みを適切に選択することで高Ｓ／Ｎが達成できること（本願明細書００２８、００２９段落及び図４参照）」との記載があり、当初明細書の段落【００２８】〜【００３１】と図４、図５が一応関連すると認められるので、その箇所を中心に以下に検討する。
　
　当初明細書の段落【００２８】〜【００３１】には、次のように記載されている（なお、下線は、便宜的に当審が付与した。）。
　「【００２８】初期成長制御膜の膜厚をパラメータにとり、10、20、30、40、50nmと変化させた結果を図4に示す。ここで、グラフの横軸は下地膜厚を初期成長制御膜で割った値を、縦軸は媒体S/Nを示す。この図から、まず明らかにわかることは、
膜厚比が1以下の場合には、媒体S/Nは20dB以下となる
【００２９】
膜厚比の上限を各初期成長制御膜の膜厚毎に調べて
30nmのときには膜厚比3から4の間であり
膜厚比の上限はばらばらであることがわかる
そこで、グラフの横軸を下地膜厚に変えてプロットし直したものを図5に示す。すると、初期成長制御膜の膜厚が10、20、30nmの如何なる場合においても、下地膜厚としては100nm以下である必要があることが分かる
【００３０】初期成長制御膜の膜厚の下限としては、5nmまでは充分に機能する薄膜として作製することを確認できたが、これ以下の膜厚では島状の形態となってしまい好ましくないことがわかった。一方、初期成長制御膜の膜厚の上限としては、図4の結果からも明らかなように、30nm以下である必要がある。
【００３１】以上の結果から、初期成長制御膜の膜厚は5nm以上30nm以下、下地膜の膜厚は10nm以上100nm以下、かつ、該初期成長制御膜の膜厚は該下地膜の膜厚よりも薄くする必要があることがわかった。なお、初期成長制御膜及び下地膜の膜厚がこの範囲にある場合には、2kOeを越える充分な保磁力が得られた。」
　
　してみると、それらの段落には、
　
膜厚比（即ち、下地膜厚を初期成長制御膜で割った値）の上限は
３０ｎｍのときには膜厚比３から４の間であり
膜厚比の上限はばらばらである
　これらの記載は、
　（ｉ）初期成長制御膜の膜厚が３０ｎｍのときには、膜厚比の上限は３〜４の間であること、
　（ｉｉ）初期成長制御膜の膜厚によって、膜厚比の上限はばらばらであること、
　（ｉｉｉ）膜厚比の上限がばらばらであるため、下地膜の膜厚は１００ｎｍ以下が必要であること、
　を想定していたことを示している。
　この想定は、膜厚比では規定しきれないため、下地膜１００ｎｍ以下との規定を必要としていたことを示し、また、初期成長制御層の膜厚は３０ｎｍのときの膜厚比の上限は、３〜４の間であり、４を超える膜厚比は、不適切と認識し、積極的に除外するものと解すべきである。
　更に、図４を検討しても、そのようなことがわかるだけで、前記「膜厚３０ｎｍ以下で・・・・膜厚比２以上、５以下」の範囲が自明であると解することはできず、むしろ膜厚比の上限はばらばらであると解するしかないのである。
　そうであるから、「該初期成長制御層の膜厚は３０ｎｍ以下であり、該下地層の該初期成長制御層に対する膜厚比は２以上、５以下である」との規定が、当初明細書に示唆されていたとすることはできない。
　
　なお、該規定の範囲に合致する例えば初期成長制御層膜の膜厚３０ｎｍで膜厚比５では、図４において目標とする媒体Ｓ／Ｎ２０ｄＢを満たしていないことも明らかであり、そして、図４から下限の膜厚比２以上を導き出せる理由はない。　また、一例として示された図４のデータは、実施例２の特定の条件（媒体の層構成、各層の材質、膜厚など）下に測定されたものにすぎず、上記各条件が任意の場合に図４に示される結果（特性）が得られると解すべき理由もないから、それらの条件を無視して、かかる図４を根拠とし、出願当時認識されていなかった範囲を図４から切り出すことは、自明と言うことができず、その範囲を規定することは新規事項の追加と言う他ない。
　
　そして、当初明細書のその他の記載を検討しても、上記判断を左右し得る記載は見いだせない。
　したがって、上記「該初期成長制御層の膜厚は３０ｎｍ以下であり、該下地層の該初期成長制御層に対する膜厚比は２以上、５以下である」との補正事項は、格別の根拠なく規定されたことが明白であり、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものということはできない。
　
Ｖ．むすび
　以上のとおり、平成１７年１月３１日付けでした手続補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないから、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。