【事件の表示】
　特願２０００−６０１６７９「基板を熱的に処理するための装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　８月３１日国際公開、ＷＯ００／５１１７０、平成１４年１１月１２日国内公表、特表２００２−５３８５０１、請求項の数（１８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明
　本願は、２０００年２月２日（パリ条約による優先権主張１９９９年２月２２日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、その特許請求の範囲の請求項１乃至１８に係る発明は、平成１３年８月２１日付けの特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書及び平成１５年６月２５日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１乃至１８に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりのものである。
　「基板（１２）を熱的に処理するための装置（１５）であって、加熱プレート（１）が設けられており、該加熱プレート（１）が、別個に制御可能な多数の加熱エレメント（１０）を加熱プレート（１）の、基板（１２）とは反対の側（６）に有しており、さらに、基板（１２）の、加熱プレート（１）とは反対の表面（１８）に向けられた局所分解式の温度測定装置（１７）が設けられている形式のものにおいて、
−加熱エレメント（１０）の温度を感知するための少なくとも１つの温度センサが設けられており、
−加熱エレメント（１０）と少なくとも１つの温度センサとに接続された少なくとも１つのＰＩＤ制御器が設けられており、
−温度測定装置（１７）に接続されたコンピュ−タユニット（２２）が設けられており、該コンピュータユニット（２２）が、基板表面における温度分布を検出するようになっており、
−コンピュータユニット（２２）に接続されたプロセス制御ユニット（２４）が設けられており、該プロセス制御ユニット（２４）が、基板表面（１８）における温度分布に関連して個々の加熱エレメント（１０）のための温度目標値を設定しかつＰＩＤ制御器に転送するようになっている
ことを特徴とする、基板を熱的に処理するための装置。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開平４−２３９１２０号公報（以下、「引用例１」という。）、同じく特開平２−１３４８２１号公報（以下、「引用例２」という。）、同じく特開平３−２９１２号公報（以下、「引用例３」という。）にはそれぞれ、次の発明が記載されている。
　引用例１；
　ウェハを均一に加熱する方法に関するもので、
　特許請求の範囲には、
「【請求項１】回転可能に支持されたウェハを、このウェハと同心上に配置されると共に内，間，外の少くとも３ゾーンに分割して出力制御されるうず巻状ヒータにより加熱板を介して輻射加熱するウェハ加熱方法において、前記各ゾーンを互いに独立して出力制御しつつ、６００ないし７００℃から１０００ないし１１００℃までの昇温を２分以内に行うことを特徴とするウェハ加熱方法。
【請求項２】各ゾーン毎に加熱の時間軸に対する出力値を予じめ求めておき、それらの個々の出力によって昇温することを特徴とする請求項１のウェハ加熱方法。」
が記載されている。
　
　引用例２；
　半導体基板に塗布されたポリイミド層を熱硬化するポリイミドベーク装置に関するもので、
　半導体基板上に塗布されたポリイミド層上を走査しポリイミド膜の温度及び温度分布を測定する赤外線による温度測定器と、前記温度を制御する加熱台に内蔵された複数個のヒータ及び該ヒータを制御するヒータ制御装置とを備えたポリイミドベーク装置、が記載されている。
　
　引用例３；
　熱板の温度制御に使用して好適な温度制御方法において、温度制御器として、ＰＩＤコントローラ等の線形制御器を用いることが記載されている。
　
３．対比・判断
「本願発明１について」
　本願発明１と引用例１乃至３に記載された発明とを比較検討する。
　引用例１に記載のウェハ加熱方法は、回転可能に支持されたウェハを、このウェハと同心上に配置されると共に内，間，外の少くとも３ゾーンに分割して出力制御されるうず巻状ヒータにより加熱板を介して輻射加熱するウェハ加熱方法において、前記各ゾーンを互いに独立して出力制御するものであって、本願発明１の基板熱処理装置のように、「加熱エレメント（１０）の温度を感知するための少なくとも１つの温度センサが設けられているもの」ではなく、かつ、上記の「加熱エレメント（１０）の温度を感知するための温度センサが設けられる」構成を有することに伴って「コンピュータユニット（２２）に接続されたプロセス制御ユニット（２４）が設けられており、該プロセス制御ユニット（２４）が、基板表面（１８）における温度分布に関連して個々の加熱エレメント（１０）のための温度目標値を設定しかつＰＩＤ制御器に転送するようになっているもの」とするものではない。
　
　引用例２に記載の発明も同様に、本願発明１の基板熱処理装置のように、「加熱エレメント（１０）の温度を感知するための少なくとも１つの温度センサが設けられているもの」ではなく、かつ、「コンピュータユニット（２２）に接続されたプロセス制御ユニット（２４）が設けられており、該プロセス制御ユニット（２４）が、基板表面（１８）における温度分布に関連して個々の加熱エレメント（１０）のための温度目標値を設定しかつＰＩＤ制御器に転送するようになっているもの」ではない。
　
　また、引用例３には、熱板温度制御器としてＰＩＤコントローラを用いることが記載されているが、本願発明１の基板熱処理装置のように、「加熱エレメント（１０）の温度を感知するための少なくとも１つの温度センサが設けられていること」及び「コンピュータユニット（２２）に接続されたプロセス制御ユニット（２４）が設けられており、該プロセス制御ユニット（２４）が、基板表面（１８）における温度分布に関連して個々の加熱エレメント（１０）のための温度目標値を設定しかつＰＩＤ制御器に転送するようになっているもの」である旨の記載は何等ない。
　
　したがって、本願発明１は、引用例１、２に記載の発明と引用例３に記載の発明とを組み合わせて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
「本願発明２乃至１８について」
　本願発明２乃至１８は、本願発明１を更に限定した発明であるか、或いは本願発明１と類似の構成を有する発明であるから、上記「本願発明１について」の項で述べたことと同様の理由により、引用例１、２に記載の発明と引用例３に記載の発明とを組み合わせて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
　なお、発明の詳細な説明の記載不備については、拒絶理由通知で、ア．「２．（３）温度測定装置により検出された温度分布から、加熱エレメントの目標温度値を、具体的にどのように求めるのかが不明である。」、イ．「２．（４）本願発明が、上記先行技術（特開平０４−２３９１２０号公報）の問題点をどのように解決しているのかが不明である。」と記載されている。
　ア．の点については、基板の形状、物性、及び加熱プレート上の位置等により、種々の目標温度値を設定しうると考えられるが、当業者の有する技術的知見に基づけば、過度の試行錯誤、実験を必要とするとは認められず、記載不備とまで言うことはできない。
　イ．の点については、加熱エレメントに設けられた温度センサがＰＩＤ制御器に接続されており、温度センサを有していない上記先行技術の、温度センサ（本願発明の「温度測定装置」に対応する。）のみによる測定遅れに比し、有意の効果を有すると認められる。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１乃至１８は、引用例１乃至３に記載の各発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、他に拒絶理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。