【手続補正書】
【提出日】平成30年1月16日(2018.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に設けられた電荷発生層ならびに該電荷発生層上に設けられた電荷輸送層を有し、かつ、該電荷輸送層が表面層である電子写真感光体において、
該電荷輸送層が、マトリックスとドメインを有するマトリックス−ドメイン構造を有し、
該ドメインは、下記式（Ａ−１）もしくは下記式（Ａ−２）で示される構造単位、及び下記式（Ｂ）で示される構造単位を有する樹脂Ａを含有し、
該マトリックスは、
下記式（Ｄ）で示される構造単位、及び下記式（Ｅ）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂Ｄと、
電荷輸送物質と
を含有し、
該樹脂Ａの全質量に対する式（Ａ−１）もしくは式（Ａ−２）で示される構造単位の含有量が５質量％以上２５質量％以下、かつ該樹脂Ａの全質量に対する式（Ｂ）で示される構造単位の含有量が２５質量％以上９５質量％以下であり、
該ポリカーボネート樹脂Ｄの全質量に対する式（Ｄ）で示される構造単位の含有量が１０質量％以上６０質量％以下、かつ該ポリカーボネート樹脂Ｄの全質量に対する式（Ｅ）で示される構造単位の含有量が４０質量％以上９０質量％以下であることを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2015194718.tif 000001
（式（Ａ−１）中、ｍ１１は、０又は１の整数を示す。ｍ１１が１のとき、Ｘ１１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｚ１１、及びＺ１２は、それぞれ独立に炭素数１から４のアルキレン基を示す。Ｒ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、炭素数１から４のアルキル基、又はフェニル基を示す。ｎ１１は、括弧内の構造の繰返し数を示し、式（Ａ−１）におけるｎ１１の平均値は１０以上１５０以下である。）
【化２】
2015194718.tif 000002
（式（Ａ−２）中、ｍ２１は、０又は１の整数を示す。ｍ２１が１のとき、Ｘ２１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｚ２１〜Ｚ２３は、それぞれ独立に炭素数１から４のアルキレン基を示す。Ｒ１６〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、炭素数１から４のアルキル基、又はフェニル基を示す。ｎ２１、ｎ２２、ｎ２３は、それぞれ独立に括弧内の構造の繰返し数を示し、式（Ａ−２）におけるｎ２１の平均値、及びｎ２２の平均値は、１以上１０以下であり、ｎ２３の平均値は、１０以上２００以下である。）
【化３】
2015194718.tif 000003
（式（Ｂ）中、ｍ２２は、０又は１の整数を示す。ｍ２２が１のとき、Ｘ２２は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。）
【化４】
2015194718.tif 000004
（式（Ｄ）中、Ｙ４１は、酸素原子、又は硫黄原子を示す。Ｒ４１〜Ｒ４４は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）
【化５】
2015194718.tif 000005
（式（Ｅ）中、Ｙ５１は、単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、シクロヘキシリデン基、フェニルメチレン基、フェニルエチリデン基を示し、Ｒ５１〜Ｒ５８は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）
【請求項２】
前記樹脂Ａが末端に下記式（Ａ−Ｅ）に示すシロキサン構造を有する請求項１に記載の電子写真感光体。
【化６】
2015194718.tif 000006
（式（Ａ−Ｅ）中のｎ５１は、括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ａ−Ｅ）におけるｎ５１の平均値は１０以上６０以下である。）
【請求項３】
前記樹脂Ａが、さらに、下記式（Ｃ）で示される構造単位を有し、
前記樹脂Ａの全質量に対する前記式（Ａ−１）もしくは前記式（Ａ−２）で示される構造単位の含有量が５質量％以上２５質量％以下、
前記樹脂Ａの全質量に対する前記式（Ｂ）で示される構造単位の含有量が３５質量％以上６５質量％以下、かつ
前記樹脂Ａの全質量に対する該式（Ｃ）で示される構造単位の含有量が１０質量％以上６０質量％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【化７】
2015194718.tif 000007
（式（Ｃ）中、ｍ３１は、０又は１の整数を示す。ｍ３１が１のとき、Ｘ３１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｙ３１は、酸素原子、又は硫黄原子を示し、Ｒ３１〜Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）
【請求項４】
前記樹脂Ａが、さらに、下記式（Ｆ）で示される構造単位を有し、
前記樹脂Ａの全質量に対する前記式（Ａ−１）もしくは前記式（Ａ−２）で示される構造単位の含有量が５質量％以上２５質量％以下、
前記樹脂Ａの全質量に対する前記式（Ｂ）で示される構造単位の含有量が３５質量％以上６５質量％以下、
前記樹脂Ａの全質量に対する前記式（Ｃ）で示される構造単位の含有量が１０質量％以上６０質量％以下、かつ
前記樹脂Ａの全質量に対する該式（Ｆ）で示される構造単位の含有量が３０質量％以下であることを特徴とする請求項３に記載の電子写真感光体。
【化８】
2015194718.tif 000008
（式（Ｆ）中、ｍ６１は、０又は１の整数を示す。ｍ６１が１のとき、Ｘ６１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｙ６１は、単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、シクロヘキシリデン基、フェニルメチレン基、又はフェニルエチリデン基を示し、Ｒ６１〜Ｒ６８は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）
【請求項５】
前記樹脂Ａの含有量が、前記電荷輸送層中の全樹脂の全質量に対して５質量％以上５０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記ドメインの数平均粒径が１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記電荷輸送物質が、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、ブタジエン化合物、及びエナミン化合物からなる群より選択される少なくとも１つである請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項１０】
支持体、該支持体上に設けられた電荷発生層ならびに該電荷発生層上に設けられた電荷輸送層を有し、かつ、該電荷輸送層が表面層である電子写真感光体を製造する方法であって、
該製造方法が、
下記式（Ａ−１）もしくは下記式（Ａ−２）で示される構造単位、及び下記式（Ｂ）で示される構造単位を有する樹脂Ａと、
下記式（Ｄ）で示される構造単位、及び下記式（Ｅ）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂Ｄと、
電荷輸送物質と
を含有する電荷輸送層用塗布液を調製する工程、及び
該電荷輸送層用塗布液の塗膜を形成し、該塗膜を乾燥させて該電荷輸送層を形成する工程を有し、
該樹脂Ａの全質量に対する式（Ａ−１）もしくは式（Ａ−２）で示される構造単位の含有量が５質量％以上２５質量％以下、かつ該樹脂Ａの全質量に対する式（Ｂ）で示される構造単位の含有量が２５質量％以上９５質量％以下であり、
該ポリカーボネート樹脂Ｄの全質量に対する式（Ｄ）で示される構造単位の含有量が１０質量％以上６０質量％以下、かつ該ポリカーボネート樹脂Ｄの式（Ｅ）で示される構造単位の含有量が４０質量％以上９０質量％以下であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【化９】
2015194718.tif 000009
（式（Ａ−１）中、ｍ１１は、０又は１の整数を示す。ｍ１１が１のとき、Ｘ１１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｚ１１、及びＺ１２は、それぞれ独立に炭素数１から４のアルキレン基を示す。Ｒ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、炭素数１から４のアルキル基、又はフェニル基を示す。ｎ１１は、括弧内の構造の繰返し数を示し、式（Ａ−１）におけるｎ１１の平均値は１０以上１５０以下である。）
【化１０】
2015194718.tif 000010
（式（Ａ−２）中、ｍ２１は、０又は１の整数を示す。ｍ２１が１のとき、Ｘ２１は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。Ｚ２１〜Ｚ２３は、それぞれ独立に炭素数１から４のアルキレン基を示す。Ｒ１６〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、炭素数１から４のアルキル基、又はフェニル基を示す。ｎ２１、ｎ２２、ｎ２３は、それぞれ独立に括弧内の構造の繰返し数を示し、式（Ａ−２）におけるｎ２１の平均値、及びｎ２２の平均値は、１以上１０以下であり、ｎ２３の平均値は、１０以上２００以下である。）
【化１１】
2015194718.tif 000011
（式（Ｂ）中、ｍ２２は、０又は１の整数を示す。ｍ２２が１のとき、Ｘ２２は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、２つのｐ−フェニレン基がメチレン基を介して結合した２価の基、又は２つのｐ−フェニレン基が酸素原子を介して結合した２価の基を示す。）
【化１２】
2015194718.tif 000012
（式（Ｄ）中、Ｙ４１は、酸素原子、又は硫黄原子を示す。Ｒ４１〜Ｒ４４は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）
【化１３】
2015194718.tif 000013
（式（Ｅ）中、Ｙ５１は、単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、シクロヘキシリデン基、フェニルメチレン基、フェニルエチリデン基を示し、Ｒ５１〜Ｒ５８は、それぞれ独立に、水素原子、又はメチル基を示す。）
【請求項１１】
前記樹脂Ａが末端に下記式（Ａ−Ｅ）に示すシロキサン構造を有する請求項１０に記載の電子写真感光体。
【化１４】
2015194718.tif 000014
（式（Ａ−Ｅ）中のｎ５１は、括弧内の構造の繰り返し数を示し、式（Ａ−Ｅ）におけるｎ５１の平均値は１０以上６０以下である。）