【手続補正書】
【提出日】平成30年11月12日(2018.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物絶縁膜を備え、
前記酸化物絶縁膜は、１種以上のアルカリ土類金属元素と、
Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１種以上の金属元素と、
を含み、前記金属元素の原子数は前記アルカリ土類金属元素の原子数以上であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
酸化物絶縁膜を備え、
前記酸化物絶縁膜は、
Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１種以上である第Ａ元素と、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａのうち１種以上である第Ｂ元素と、を含み、
前記第Ａ元素の原子の総数（ＮＡ）と、前記第Ｂ元素の原子の総数（ＮＢ）とが、下記式（１）を満たすことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
ＮＡ≧ＮＢ  式（１）
【請求項３】
酸化物絶縁膜を備え、
前記酸化物絶縁膜は、１種以上のアルカリ土類金属元素と、
Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１種以上の金属元素と、
を含み、前記金属元素の原子数は前記アルカリ土類金属元素の原子数以上であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
酸化物絶縁膜を備え、
前記酸化物絶縁膜は、
Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１種以上である第Ａ元素と、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａのうち１種以上である第Ｂ元素と、を含み、
前記第Ａ元素の原子の総数（ＮＡ）と、前記第Ｂ元素の原子の総数（ＮＢ）とが、下記式（１）を満たすことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
ＮＡ≧ＮＢ  式（１）
【請求項５】
前記酸化物絶縁膜が、更に、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａのうち１種以上の金属元素を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項６】
前記酸化物絶縁膜と接する半導体層を有し、前記半導体層は、酸化物半導体であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項７】
前記酸化物半導体は、Ｍｇ及びＩｎを含む酸化物である請求項６に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項８】
前記酸化物半導体は、Ｚｎ及びＩｎを含む酸化物である請求項６に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項９】
前記半導体層を覆う保護膜を有することを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電界効果型トランジスタ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明は、電界効果型トランジスタであって、酸化物絶縁膜を備え、前記酸化物絶縁膜は、１種以上のアルカリ土類金属元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１種以上の金属元素と、を含み、前記金属元素の原子数は前記アルカリ土類金属元素の原子数以上であることを特徴とする。
また、本発明は、電界効果型トランジスタであって、酸化物絶縁膜を備え、前記酸化物絶縁膜は、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１種以上である第Ａ元素と、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａのうち１種以上である第Ｂ元素と、を含み、前記第Ａ元素の原子の総数（ＮＡ）と、前記第Ｂ元素の原子の総数（ＮＢ）とが、下記式（１）を満たすことを特徴とする。
ＮＡ≧ＮＢ  式（１）
また、本発明は、電界効果型トランジスタであって、酸化物絶縁膜を備え、前記酸化物絶縁膜は、１種以上のアルカリ土類金属元素と、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１種以上の金属元素と、を含み、前記金属元素の原子数は前記アルカリ土類金属元素の原子数以上であることを特徴とする。
また、本発明は、電界効果型トランジスタであって、酸化物絶縁膜を備え、前記酸化物絶縁膜は、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１種以上である第Ａ元素と、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａのうち１種以上である第Ｂ元素と、を含み、前記第Ａ元素の原子の総数（ＮＡ）と、前記第Ｂ元素の原子の総数（ＮＢ）とが、下記式（１）を満たすことを特徴とする。
ＮＡ≧ＮＢ  式（１）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、本発明は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層と、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁膜と、を備える半導体装置の製造方法であって、前記ゲート絶縁膜は、前述した絶縁膜の製造方法のいずれかにより形成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、本発明は、絶縁性基板と、ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられた半導体層と、前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜と、を備える半導体装置の製造方法であって、前記ゲート絶縁膜は、前述した絶縁膜の製造方法のいずれかにより形成されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
本実施の形態における電界効果型トランジスタは、ゲート絶縁膜２３がアモルファスであることから、リーク電流が低く、高い比誘電率を示すものである。よって、低電圧による駆動が可能な信頼性の高い電界効果型トランジスタを製造することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
（比較例２）
次に、比較例２において作製したキャパシタについて説明する。尚、比較例２において製造されるキャパシタの構造は図８に示す実施例３５と同様の構造のものである。比較例２におけるキャパシタは、無アルカリガラス基板３１上に、下部電極３２の形成される領域に開口部を有するメタルマスクを用いて、真空蒸着法により膜厚が約１００ｎｍのＡｌ膜を成膜することにより下部電極３２を形成し、次に、ＲＦマグネトロンスパッタにより膜厚が約２８５ｎｍのＳｉＯ２膜を成膜することにより絶縁体薄膜３３を形成し、次に、上部電極３４の形成される領域に開口部を有するメタルマスクを用いて、真空蒸着法により膜厚が約１００ｎｍのＡｌ膜を成膜することにより上部電極３４を形成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
（比較例４）
次に、比較例４における電界効果型トランジスタについて、図１３に基づき説明する。実施例３８と比較例４における電界効果型トランジスタは、ゲート絶縁膜４３の作製方法のみが異なっており、その他の層に関しては、まったく同様の作製方法・材料によって作製した。
実施例３８と同様の方法にて基板４１上にゲート電極４２を形成した後、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、ＳｉＯ２を２００ｎｍ成膜し、ゲート絶縁膜４３を形成した。その後、実施例３８と同様の方法にて、半導体層４４、ソース電極４５、ドレイン電極４６を形成し、最後に、実施例３８と同様に大気中にて３００℃で１時間熱処理を行い、本比較例における電界効果型トランジスタを作製した。