【事件の表示】
　平成１０年特許願第１９１３２７号「半導体ウエーハの平坦化法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年３月１６日出願公開、特開平１１−７４２４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１０年７月７日（パリ条約による優先権主張１９９７年７月１０日、アメリカ合衆国）の特許出願であって、同１４年４月２４日付けで拒絶の理由が通知され、同１４年７月２９日に意見書とともに手続補正書が提出されたが、同１４年９月２７日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１４年１２月１８日に本件審判の請求がされるとともに手続補正（以下、「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は特許請求の範囲について補正するものであって、補正前後の特許請求の範囲の請求項１の記載は以下のとおりである。
（１）補正前の請求項１
「研磨パッド及び不純物としてＦｅ＋３の形態の鉄を含む研磨スラリを用いて、半導体ウエーハの研磨を行う工程と、
　前記半導体ウエーハをトリアルカノールアミンの水溶液を使用して洗浄する工程とを含む、ＣＭＰによる半導体ウエーハの平坦化法。」
（２）補正後の請求項１
「研磨パッド及び研磨スラリを用いて、
タングステンのバイアを有する
　前記半導体ウエーハを、トリアルカノールアミンの水溶液を使用して洗浄する工程とを含む、ＣＭＰによる半導体ウエーハの平坦化法。」
２　補正の適否　　　
　補正後の請求項１に記載された「タングステンのバイアを有する半導体ウエーハ」を研磨すれば研磨スラリにタングステンが含まれ、したがって、Ｆｅ＋３も含まれるので、研磨スラリは、補正前の請求項１に記載された「不純物としてＦｅ＋３の形態の鉄を含む」ものとなることから（本願明細書の段落【０００９】の記載を参照）、結局、請求項１における補正は、半導体ウエーハがタングステンのバイアを有する旨の限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるので、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、前記１の（２）の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
（２）周知の半導体ウエーハの平坦化法及び引用例記載事項
ア　周知の半導体ウエーハの平坦化法
　研磨パッド及び研磨スラリを用いて、タングステンのバイアを有する半導体ウエーハの研磨を行うＣＭＰによる半導体ウエーハの平坦化法は、例えば、特開平６−３２６０６５号公報、特公平８−２１５５７号公報、特開平８−２２９７０号公報、特開平８−１９７４１４号公報等に記載されているように従来周知の事項であり、この研磨を行った半導体ウエーハを、洗浄することは技術常識より明らかであるので、次の「半導体ウエーハの平坦化法」は、従来周知の事項であると認める。
「研磨パッド及び研磨スラリを用いて、タングステンのバイアを有する半導体ウエーハの研磨を行う工程と、
　前記半導体ウエーハを洗浄する工程とを含む、ＣＭＰによる半導体ウエーハの平坦化法」（以下、「周知の半導体ウエーハの平坦化法」という。）。
イ　引用例記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−３０６６５０号公報（以下「引用例」という。）には、以下のとおり記載されている。
（ア）第１欄第２０−３８行
「【産業上の利用分野】本発明はアルカリ性洗浄組成物を用いて基板を洗浄する方法、及びそれに適したアルカリ性洗浄組成物に関する。
　・・・
【０００３】こういった微細パターンにおいては、基板上に存在する不純物汚染がデバイスの電気特性、加工精度ひいては集積回路の歩留まりに重大な悪影響を及ぼす。そのため、酸化膜形成、電極金属膜形成等の、汚染の影響を受けやすい工程の前や、エッチングやイオン注入等の、逆に汚染を発生しやすい工程の後には、その都度、硫酸、塩酸、アンモニア、過酸化水素等の酸性もしくはアルカリ性洗浄剤を用いて、こうした汚染を除去して使用するのが通例である。」
（イ）第３欄第３９行−第４欄第２行
「【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題を解決するために種々検討を重ねた結果、アルカリ性洗浄液に、溶液中にある基板のゼータ電位を＋５０ｍＶ以上、好ましくは＋７０ｍＶ以上に制御する物質を添加含有せしめることにより、洗浄液からのＦｅ、Ａｌ等の金属の吸着を抑止すると同時に高い洗浄効果を有することを見いだして本発明に到達した。
【００１５】即ち、本発明の要旨は、アルカリ性洗浄組成物を用いて基板を洗浄するにあたり、基板のゼータ電位を＋５０ｍＶ以上に制御することを特徴とする基板の洗浄方法、及び、アルカリ性溶液中に、基板のゼータ電位を＋５０ｍＶ以上に制御することができる物質を添加含有せしめたことを特徴とするアルカリ性洗浄組成物、に存する。」
（ウ）第４欄第７−３３行
「【００１７】本発明におけるアルカリ性洗浄液とは、そのｐＨ値が７よりも大きい洗浄液の総称であり、通常、無機及び有機のアルカリを主成分とし、好ましくは過酸化水素と水を含有してなるものである。無機のアルカリとしては、・・・また、有機のアルカリとしては、通常、第四級アンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、もしくはその他のアミン類が挙げられ、通常１〜３０重量％水溶液として用いられる。第四級アンモニウムヒドロキシドとしては、・・・その他のアミン類としては、例えばトリメチルアミン、トリエタノールアミン等の第三級アミン、エチレンジアミンなどのジアミン類、グアニジン、トルイジン等が用いられる。これらの無機又は有機のアルカリは、２種類以上添加しても何ら差し支えない。無機又は有機のアルカリは洗浄組成物全溶液中の全濃度が通常０．０１〜３０重量％、好ましくは０．１〜２０重量％の濃度範囲になるように用いられる。」
　上記記載事項より、引用例には、次の事項が記載されていると認める。
「半導体ウエーハを、半導体ウエーハのゼータ電位を＋５０ｍＶ以上に制御することができる物質を添加含有せしめたトリエタノールアミンの水溶液を使用して洗浄することにより、鉄に対する高い洗浄効果を得ること」（以下、「引用例記載の技術的事項」という。）。
（３）対比
　補正発明と周知の半導体ウエーハの平坦化法とを対比すると、両者は、次の「半導体ウエーハの平坦化法」で一致している。
「研磨パッド及び研磨スラリを用いて、タングステンのバイアを有する半導体ウエーハの研磨を行う工程と、
　前記半導体ウエーハを洗浄する工程とを含む、ＣＭＰによる半導体ウエーハの平坦化法。」
　そして、「半導体ウエーハの洗浄に、補正発明では、トリアルカノールアミンの水溶液を使用しているのに対し、周知の半導体ウエーハの平坦化法では、どのようなものを使用しているのか明らかではない」点（以下、「相違点」という。）で、両者は相違している。
（４）相違点の検討
　タングステンが不純物として鉄を含有していることは、例えば、特開平５−６５５０９号公報に記載されているように、技術常識であるので、不純物としてＦｅ＋３の形態の鉄を含むことになる研磨スラリを用いたＣＭＰによるタングステンのバイアを有する半導体ウエーハの平坦化において、その洗浄に鉄に対して高い洗浄効果を得ることができるものを使用することは、当業者であれば当然に考慮することである。
　また、前記（２）のイのとおり、引用例には引用例記載の技術的事項が記載されており、この引用例記載の技術的事項と周知の半導体ウエーハの平坦化法とは、ともに半導体ウエーハの洗浄技術に関するものであり、そして、引用例記載の技術的事項は、半導体ウエーハのゼータ電位を＋５０ｍＶ以上に制御することができる物質を添加含有せしめているが、トリアルカノールアミンの水溶液を使用していることに相違ないので、周知の半導体ウエーハの平坦化法において、その洗浄に引用例記載の技術的事項であるトリアルカノールアミンの水溶液を使用することに格別の困難性は見当たらない。
　また、補正発明が奏する作用効果は、周知の半導体ウエーハの平坦化法及び引用例記載の技術的事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　以上のとおりであるので、補正発明は、周知の半導体ウエーハの平坦化法及び引用例記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
  
第３　本件発明について 
１　本件発明
　本件補正は、前記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１乃至８に係る発明は、平成１４年７月２９日付け手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、前記第２の１の（１）の補正前の請求項１に示したとおりである。
２　周知の半導体ウエーハの平坦化法及び引用例記載事項
　周知の半導体ウエーハの平坦化法及び原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記第２の２の（２）に示したとおりである。
３　対比・判断
　本件発明は、前記第２の２に示したとおり、補正発明の特定事項から前記限定事項を省いたものである。
　そうすると、本件発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項である前記限定事項を付加したものに相当する補正発明が、前記第２の２の（４）で検討したとおり、周知の半導体ウエーハの平坦化法及び引用例記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も、同様の理由により、周知の半導体ウエーハの平坦化法及び引用例記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおりであるので、本件発明は、周知の半導体ウエーハの平坦化法及び引用例記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願の請求項２乃至８に係る発明について判断するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。