【事件の表示】
　平成１０年特許願第１０９２９１号「磁気型半導体集積記憶装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月　５日出願公開、特開平１１−３０６７５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１.手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１０年４月２０日の出願であって、平成１２年９月１９日付けで拒絶査定がなされ、それに対して同年１０月２６日付けで審判請求がなされた。そして、平成１３年４月２３日付けで拒絶理由（前置審査）が通知され、同年６月２９日付けで手続補正書が提出された。
　
　その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１３年６月２９日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　
「磁気型半導体集積記憶装置の制御方法であって、その磁気型半導体集積記憶装置が、
　第１の値又は第２の値のデータを記憶する複数の磁気型記憶セルを有する磁気記憶手段と、
　前記データが外部から入力されるデータ入力手段と、
　このデータ入力手段によって入力されたデータを、電磁誘導によって、単数又は複数の磁気型記憶セルからなる行又は列を語と呼ばれる単位としてそれに付けられた番地に書込みを行うデータ書込み手段と、
　前記磁気型記憶セルから、電磁誘導によって単数又は複数の前記データを読み出すデータ読出し手段と、
　前記データを読み出すべき磁気型記憶セル及び前記データを書き込むべき磁気型記憶セルを選択する読出し及び書込み選択手段と、
　前記データ読出し手段によって読み出したデータを外部に出力するデータ出力手段とを具え、
　前記磁気型記憶セルがそれぞれ、磁化の方向又は強さに応じた前記第１の値又は第２の値のデータを保持する強磁性体と、
　前記データの読出しの際に電流を所定の方向に流し、前記第１の値のデータの書込みの際に電流を正方向に流し、かつ、前記第２の値のデータの書込みの際に電流を逆方向に流す電流制御手段とを有し、
　前記第１の値又は第２の値のうちの一方を、前記強磁性体の磁界が零のときの第１の残留磁束に対応させるとともに、その他方を、前記強磁体の磁界が零のときの第２の残留磁束に対応させ、
　前記第１の残留磁束の大きさを前記第２の残留磁束のものとほぼ同一とし、
　前記第１の残留磁束の符号を前記第２の残留磁束のものと逆にすることを特徴とする磁気型半導体集積記憶装置の制御方法。」
　
　
２．引用例に記載されている発明
　これに対し、前置審査の拒絶の理由に引用された、特開平８−１７１７９２号公報（以下、「引用例」という。）には、半導体記憶装置に関して、図面と共に以下の記載がなされている。
（ア）図１を参照して、半導体記憶装置１は、メモリアレイ３と、ロウデコーダ５と、コラムデコーダ７と、アドレスバッファ９と、センスアンプ１１と、クロック信号発振回路１３とを含む。（段落【００１９】）
　
（イ）メモリアレイ３には、ワード線とビット線がそれぞれ縦横に配線されている。そして、ワード線とビット線との交点に後で説明するような１ＭＯＳトランジスタと１コイルとからなるメモリセルが配設されている。クロック信号発振回路１３は、クロック信号をロウデコーダ５およびコラムデコーダ７に与える。アドレスバッファ９は、アドレス信号をロウデコーダ５およびコラムデコーダ７に与える。ロウデコーダ５は、メモリアレイ３に含まれるワード線を１本選択し、コラムデコーダ７は、メモリアレイ３に含まれるビット線を１本選択する。これにより、メモリアレイ３の１つのメモリセルが選択される。センスアンプ１１は、図示していないＩ／Ｏ線を介して選択されたメモリセルにデータを書込み、または、選択されたメモリセルからデータを読出す。（段落【００２０】）
　
（ウ）図２は、図１のメモリアレイのあるメモリセルを中心とした要部拡大図である。（段落【００２１】）
　
（エ）図２を参照して、メモリセル５０がワード線ＷＬとビット線ＢＬとの交点に配設されている。メモリセル５０は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５５と、コイル５７と、磁性体５９とを含む。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５５のソース／ドレインの一方がノードＡでビット線ＢＬに接続され、ゲートがワード線ＷＬに接続され、ソース／ドレインの他方がコイル５７の一端に接続されている。コイル５７は、内部に磁性体５９を有し、他端がバイアス回路６１に接続されている。磁性体５９は、単磁区または多磁区構造の単結晶磁性体である。（段落【００２２】）
　
（オ）ビット線ＢＬは、ノードＢを介して、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５１のソース／ドレインの一方に接続され、さらにＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３のソース／ドレインの一方に接続されている。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５１のソース／ドレインの他方には電源電位Ｖｃｃが与えられ、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３のソース／ドレインの他方には接地電位ＧＮＤが与えられている。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３のゲートにはコラムデコーダ７から出力されたアドレス信号がアドレス信号線を介して与えられる。
（段落【００２３】）
　
（カ）バイアス回路６１は、電源電位Ｖｃｃと接地電位ＧＮＤとの間のある基準電位を発生してコイル５７の他端にその電位を与えている。ワード線ＷＬは、前述したようにロウデコーダ５によって選択され、ビット線ＢＬはコラムデコーダ７によって選択され、センスアンプＳＡがビット線ＢＬの電位を増幅する。これにより、単磁区または多磁区構造の単結晶の磁性体５９に、後で説明するように、異なる方向の磁化が発生して異なる情報が記憶され、または異なる情報が読出されるような、メモリセル５０へのアクセスが可能となる。（段落【００２４】）
　
（キ）図３および図４を参照して、図２に示されるメモリセルの動作原理について説明する。
　まず、図３に示されるように、磁性体５９に上向きの磁区が発生した場合を“１”の情報が記憶されていると、磁性体５９に下向きの磁区が発生した場合を“０”の情報が記憶されているものとする。このような情報の記憶、すなわち書込みは、図４に示されるようにして達成される。
（段落【００２６】）　
　
（ク）図４を参照して、コイル５７にαからβの向きに電流が流れると、磁性体５９には、下向きの磁区が発生する。これにより、磁性体５９に“０”の情報が書込まれる。これに対し、βからαの向きに電流がコイル５７に流れると、磁性体５９に上向きの磁区が発生する。これにより、“１”の情報の書込みが行なわれる。
（段落【００２７】）
　
（ケ）図２に戻って、まず、コラムデコーダ７がＨレベルの信号を出力すると、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５１はオフし、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３はオンする。そして、ワード線ＷＬがＨレベルの状態になると、トランスファーゲートの役割を果たすＮチャネルＭＯＳトランジスタ５５はオン状態となる。これにより、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５５、コイル５７には、接地電位ＧＮＤとバイアス回路６１の発生する基準電位の電位差が与えられる。したがって、コイル５７には、図４（ｂ）に示すような電流が流れ、磁性体５９に上向きの磁区が発生する。
（段落【００２９】）
　
（コ）一方、コラムデコーダ７がＬレベルの信号を出力すると、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５１はオンし、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３はオフする。そして、ワード線ＷＬがＨレベルの状態になると、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５５はオンする。これにより、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５１、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５５、コイル５７には、電源電位Ｖｃｃとバイアス回路６１の発生する基準電位との電位差が与えられる。そのため、電源電位Ｖｃｃからバイアス回路６１に向けて電流が流れ、コイル５７には、図４（ａ）に示すような電流が流れる。したがって、磁性体５９には下向きの磁区が発生する。
　以上のようにして、メモリセルへのデータの書込みが行なわれる。　
（段落【００３０】〜段落【００３１】第２行）
　
（サ）図５から図７を参照して、図２に示されるメモリセルからの情報の読出しについて説明する。
　まず、図４（ａ）に示されるように“０”の情報がメモリセルに書込まれているとする。すなわち、磁性体５９に下向きの磁区が発生しているものとする。このような磁区を有する磁性体５９を内部に有するコイル５７に対し、αからβの向きに電流を流す。この電流は図６（ａ）に示されるような入力の電流である。このようなαからβへの電流の流れにより、磁性体５９には下向きの磁場が発生する。この磁場は、磁性体５９に生じていた磁区の方向と同一であるため、図７（ａ）に示されるような波形の電流がβから出力される。
（段落【００３２】〜【００３３】）
　
（シ）一方、図４（ｂ）に示されるような“１”の情報がメモリセルに書込まれているものとする。すなわち、磁性体５９には上向きの磁区が発生しているものとする。そして、コイル５９にαからβの向きに電流が流されると、下向きの磁場が発生する。これにより、図６（ｂ）に示すようなαからの入力の電流に対し、図７（ｂ）に示すような波形の電流がβから出力される。
　すなわち、この実施例では、磁性体５９に生じた磁区の方向とコイル５９に電流が流れることで生じる磁場の方向が逆である場合には、磁区の反転が起こり、図７（ｂ）に示すような読出波形の歪みが生じる。
（段落【００３５】〜【００３６】）
　
（ス）以上のようにして、読出しの場合には、同一方向でコイルに電流が流されることで、異なる情報の読出しが行なわれる。
　なお、コイル５９に印加する電流は、磁区が十分に反転する磁場を印加できるものである。
（段落【００３７】〜【００３８】）
　
（セ）このように、情報の記憶が磁区の向きで実現されるため、低温から高温まで安定した不揮発性のメモリセルを有する半導体記憶装置が提供される。さらに、…（略）…次に、そのような工程が簡略化されることを説明するために、構造を示した実施例を説明する。（段落【００４０】）
　
　そして、上記摘記事項（キ）〜（ス）に記載されているように、上記引用例に記載されている半導体記憶装置は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ（５５）のオン、オフを制御して、磁性体（５９）に対して、“０”又は“１”のデータを書き込んだり、この書き込んだデータを読み出したりしているので、上記引用例には、半導体記憶装置の制御方法に関しての記載がなされているといえる。
　また、上記摘記事項（イ）の「センスアンプ１１は、図示しないＩ／Ｏ線を介して選択されたメモリセルにデータを書込み、または、選択されたメモリセルからデータを読出す。」の記載から、引用例の図１に記載されている「センスアンプ１１」の機能の一部は、外部からのデータを書き込むためのデータ書込み手段といえる。そして、引用例の図２の接続関係の記載から、引用例のワード線ＷＬに接続された複数のメモリセル（５０）は、同時に選択されてデータの書き込みが行われることは明らかであるから、上記データ書込み手段は、電磁誘導によって、複数のメモリセル（５０）からなる行を単位としてそれに付けられた番地にデータを書込むようにしていることは明らかである。
　また、引用例に記載されている半導体記憶装置には、外部からデータを入力するためのデータ入力手段が備えられていることは明らかである。
　また、上記摘記事項（イ）の「センスアンプ１１は、図示しないＩ／Ｏ線を介して選択されたメモリセルにデータを書込み、または、選択されたメモリセルからデータを読出す。」の記載から、引用例の図１に記載されている「センスアンプ１１」機能の一部は、データ読出し手段といえる。
　また、引用例に記載されている半導体記憶装置には、前記データ読出し手段によって読み出したデータを、外部へ出力するためのデータ出力手段が備えられていることは明らかである。
　また、上記摘記事項（カ）ないし（ス）のメモリセルの動作原理に関する記載、ならびに上記摘記事項（セ）の「不揮発性のメモリセルを有する半導体記憶装置が提供される。」の記載から、引用例に記載されているメモリセル（５０）内の磁性体（５９）は、磁化の方向に応じて“０”又は“１”のデータを記憶することができる強磁性体であることは明らかである。そして、引用例発明においては、異なる方向の磁化が発生して異なる情報（「“０”の値」及び「“１”の値」）が記憶され、それが不揮発性の記憶となるわけであるから、異なる方向の磁化が磁束の変化を誘起して第１及び第２の残留磁束を生じさせ、前記“０”の値又は“１”の値のうちの一方を、前記強磁性体（５９）の磁界が零のときの第１の残留磁束に対応させるとともに、その他方を、前記強磁体（５９）の磁界が零のときの第２の残留磁束に対応させていることもまた明らかである。　
　また、引用例の図１に示されているロウデコーダ（５）とコラムデコーダ（７）は、データを読み出すべきメモリセル及びデータを書き込むべきメモリセルを選択する機能を有しているので、読出し及び書込み選択手段といえる。
　また、上記摘記事項（キ）ないし（コ）のメモリセルの動作原理に関する記載、ならびに引用例の図４から、“０”を書き込む場合と、“１”を書き込む場合とでは、コイル（５７）に流す電流の向きを逆にしているので、“０”のデータの書き込みで生じた第１の残留磁束の符号と、“１”のデータの書き込みで生じた第２の残留磁束とは逆の関係にあることは明らかである。
　
　したがって、上記引用例には、
「半導体記憶装置の制御方法であって、その半導体記憶装置が、
　“０”の値又は“１”の値のデータを記憶する複数のメモリセル（５０）を有する記憶手段と、
　前記データが外部から入力されるデータ入力手段と、
　このデータ入力手段によって入力されたデータを、電磁誘導によって、複数のメモリセル（５０）からなる行を単位としてそれに付けられた番地に書込みを行うデータ書込み手段（センスアンプ１１の機能の一部）と、
　前記メモリセル（５０）から、電磁誘導によって前記データを読み出すデータ読出し手段（センスアンプ１１の機能の一部）と、
　前記データを読み出すべきメモリセル（５０）及び前記データを書き込むべきメモリセル（５０）を選択する読出し及び書込み選択手段（ロウデコーダ５とコラムデコーダ７）と、
　前記データ読出し手段（センスアンプ１１の機能の一部）によって読み出したデータを外部に出力するデータ出力手段とを具え、
　前記メモリセル（５０）がそれぞれ、磁化の方向に応じた前記“０”の値又は“１”の値のデータを保持する強磁性体（５９）と、
　前記データの読出しの際に電流を所定の方向（図５のα〜β方向）に流し、前記“０”の値のデータの書込みの際に電流を正方向（図４のα〜β方向）に流し、かつ、前記“１”の値のデータの書込みの際に電流を逆方向（図４のβ〜α方向）に流すＮチャネルＭＯＳトランジスタ（５５）とを有し、
　前記“０”の値又は“１”の値のうちの一方を、前記強磁性体（５９）の磁界が零のときの第１の残留磁束に対応させるとともに、その他方を、前記強磁体（５９）の磁界が零のときの第２の残留磁束に対応させ、
　前記第１の残留磁束の符号を前記第２の残留磁束のものと逆にすることを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。」に関する発明（以下、引用例記載発明」という）が記載されている。
　
　
３．本願発明と引用例記載発明との対比
　本願発明と引用例記載発明とを対比すると、引用例記載発明における「メモリセル（５０）」は、電磁誘導によってデータの書き込み及び読み出しを行っているので、本願発明の「磁気型記憶セル」に相当していることは明らかであり、かつ、前記「メモリセル」がメモリアレイとして集積化されていることもまた明らかであるから、引用例記載発明の「半導体記憶装置」は、本願発明の「磁気型半導体集積記憶装置」に相当しているといえる。
　また、引用例記載発明の「“０”の値」及び「“１”の値」は、本願明細書の発明の詳細な説明に「第１の値として“１”に対応させるとともに、第２の値として“０”に対応させる」（【００５４】，【００６４】，【００７４】他）旨の記載が随所にあることからも明らかなように、それぞれ本願発明のように「第１の値」及び「第２の値」と表現することができる。
　また、引用例記載発明の「記憶手段」は、磁気の作用によってデータを記憶しているので、本願発明の「磁気記憶手段」に相当していることは明らかである。
　また、引用例記載発明の「ＮチャネルＭＯＳトランジスタ（５５）」は、コイル（５７）に流れる電流を制御しているので、本願発明の「電流制御手段」に相当していることは明らかである。
　
　したがって、両者は、
「磁気型半導体集積記憶装置の制御方法であって、その磁気型半導体集積記憶装置が、
　第１の値又は第２の値のデータを記憶する複数の磁気型記憶セルを有する磁気記憶手段と、
　前記データが外部から入力されるデータ入力手段と、
　このデータ入力手段によって入力されたデータを、電磁誘導によって、複数の磁気型記憶セルからなる行を単位としてそれに付けられた番地に書込みを行うデータ書込み手段と、
　前記磁気型記憶セルから、電磁誘導によって前記データを読み出すデータ読出し手段と、
　前記データを読み出すべき磁気型記憶セル及び前記データを書き込むべき磁気型記憶セルを選択する読出し及び書込み選択手段と、
　前記データ読出し手段によって読み出したデータを外部に出力するデータ出力手段とを具え、
　前記磁気型記憶セルがそれぞれ、磁化の方向に応じた前記第１の値又は第２の値のデータを保持する強磁性体と、
　前記データの読出しの際に電流を所定の方向に流し、前記第１の値のデータの書込みの際に電流を正方向に流し、かつ、前記第２の値のデータの書込みの際に電流を逆方向に流す電流制御手段とを有し、
　前記第１の値又は第２の値のうちの一方を、前記強磁性体の磁界が零のときの第１の残留磁束に対応させるとともに、その他方を、前記強磁体の磁界が零のときの第２の残留磁束に対応させ、
　前記第１の残留磁束の符号を前記第２の残留磁束のものと逆にすることを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明では、「複数の磁気型記憶セルからなる行」を「語」と呼ばれる単位とし、この「語」単位で書き込みを行っているのに対して、引用例記載発明では、このような「語」と呼ばれる単位を書き込みの単位として取り扱うことに関して記載がなされていない点。
　
［相違点２］
　本願発明では、「第１の残留磁束」の大きさを「第２の残留磁束」のものとほぼ同一としているのに対して、引用例記載発明では、「第１の残留磁束」の大きさと「第２の残留磁束」との大きさの関係についての明確な記載がなされていない点。
　
　
４．相違点についての当審の判断
　まず、上記相違点１について検討すると、メモリ装置において、データの書き込みを語単位で行うことは、従来周知の技術事項であるから（もし、必要ならば、特開昭６０−２９７８８号公報の第２頁右下欄第５行〜７行の記載又は特開平５−８８９７４号公報の段落【００１６】の記載を参照）、引用例記載発明において、複数のメモリセル（５０）からなる行を単位とした書き込みを、語単位の書き込みとして、本願発明のように構成することは、当業者が容易に想到し得る程度のものと認められる。
　したがって、上記相違点１を格別なものとすることはできない。
　
　次に、上記相違点２について検討すると、電磁誘導を利用してデータを記憶する磁気型記憶装置において、論理“１”に対応した残留磁束の大きさ（絶対値）と、論理“０”に対応した残留磁束の大きさ（絶対値）をほぼ同じ値とすることは、従来良く行われている技術事項であるから（もし、必要ならば、特開昭５２−５２５３５号公報の第１図又は特開平７−３２６１８４号公報の図５を参照）、引用例記載発明の「第１の残留磁束」の大きさ（絶対値）と、「第２の残留磁束」との大きさ（絶対値）をほぼ同じ値として、本願発明のように構成することは、当業者が容易に想到し得る程度のものと認められる。
　したがって、上記相違点２を格別なものとすることはできない。
　
　なお、請求人は、平成１３年６月２９日付けの意見書中で、請求項１の発明に対し、引用例発明は、第１及び第２の残留磁束に応じて第１及び第２の値を決定して１ビットの記憶を行うことについては何ら示唆されていない旨の主張を行っているが、前述したように、引用例発明においては、異なる方向の磁化が発生して異なる情報（「“０”の値」及び「“１”の値」）が記憶され、それが不揮発性の記憶となるわけであるから、異なる方向の磁化が磁束の変化を誘起して第１及び第２の残留磁束を生じさせ、その第１及び第２の残留磁束と第１及び第２の値が対応する形で１ビットの記憶が行われることは明らかである。したがって、請求人の主張は採用できない。　
　
　そして、本願発明の奏し得る作用効果は、引用例記載発明及び上記従来周知の技術事項から、当業者が容易に予測し得る程度のものと認められる。
　
　
５．むすび　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例記載発明及び従来周知の技術事項から当業者が容易に想到し得たものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。