(57)【要約】接着性シリコーンゴム層から容易に剥離でき、かつ接着性シリコーンゴム層の半導体チップなどに対する接着性に悪影響を及ぼす残留溶剤などを含有することなく、しかも接着性シリコーンゴム層の表面平坦性に悪影響を及ぼさないために、表面保護フィルム自体の表面平滑性に優れる表面保護フィルム及びその製造方法、及び、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層してなる、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）を保護するための表面保護フィルムであって、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）は、特定の３又は４成分からなる混合溶媒に、少なくとも１種のポリスルホン系樹脂を溶解させてなるポリスルホン系樹脂溶液組成物で形成されることを特徴とする表面保護フィルムなどを提供。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層してなる、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）を保護するための表面保護フィルムであって、
ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）は、ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と環状ケトン類（ｃ）と沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）とからなる混合溶媒に、少なくとも１種のポリスルホン系樹脂を溶解させてなるポリスルホン系樹脂溶液組成物で形成されることを特徴とする表面保護フィルム。
【請求項２】
ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）の表面平滑性が、ノマルスキー型微分干渉顕微鏡法で観測した際に、視野１ｍｍ２に直径５０μｍ以上の円状凹凸が１個以下であることを特徴とする請求項１に記載の表面保護フィルム。
【請求項３】
基材フィルム（Ａ）とポリスルホン系樹脂層（Ｂ）との密着強度が５Ｎ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の表面保護フィルム。
【請求項４】
基材フィルム（Ａ）がポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とする請求項１に記載の表面保護フィルム。
【請求項５】
表面保護フィルム中に含有する混合溶媒量が１０００ｍｇ／ｍ２以下であることを特徴とする請求項１に記載の表面保護フィルム。
【請求項６】
基材フィルム（Ａ）の厚さが１０〜２００μｍであり、且つポリスルホン系樹脂層（Ｂ）の厚さが０．１〜５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の表面保護フィルム。
【請求項７】
接着性シリコーンゴム層（Ｃ）との剥離強度が４Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表面保護フィルム。
【請求項８】
基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面上に、ポリスルホン系樹脂のドープを塗布、乾燥させてポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を形成させることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の表面保護フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、表面保護フィルム及びその製造方法に関し、更に詳しくは、接着性シリコーンゴム層から容易に剥離でき、かつ接着性シリコーンゴム層の半導体チップや半導体チップ取付部に対する接着性に悪影響を及ぼす残留溶剤などを含有することなく、しかも、接着性シリコーンゴム層の表面平坦性に悪影響を及ぼすことがない表面保護フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体装置は、半導体チップをパッケージで包んだものであり、半導体素子とも呼ばれ、電子計算機、テレビ、ＤＶＤ、ＶＴＲ、ラジオ、電子レンジ、自動車、飛行機、化学工場等の制御回路や演算回路に利用されている。
この半導体装置には、多くのタイプがあるが、代表的なタイプを図１、２に示した。該半導体装置を、図１を用いて説明すると、ＩＣやＬＩＣである半導体チップ１（シリコンウエハと称することもある。）が中心にあり、この下面が接着性シリコーンゴム層２の上面と接着しており、該接着性シリコーンゴム層２の下面が半導体チップ取付部３の上面と接着されている［この状態を本発明では、半導体チップ１が接着性シリコーンゴム層２を介して半導体チップ取付部３に接着（取付と同義語）されていると表現することもある。］。【０００３】  接着性シリコーンゴム層は、半導体チップ１と半導体チップ取付部３との接着と、半導体チップ１と半導体チップ取付部３との間の応力を緩和する役目を担っている。
半導体チップ１と回路配線４は、ボンディングワイヤ５で接続されており、上記の半導体チップ１、接着性シリコーンゴム層２、半導体チップ取付部３及び回路配線４のブロックは、エポキシ系樹脂封止剤で封止し、外気中のチリ、ホコリ、湿分、衝撃等から保護し、また、内部で発生した熱を外部に放散する役目を担っている。【０００４】  従来、半導体チップを該チップ取付部に接着するためには、液状架橋性（硬化性と同義語）シリコーン組成物ないしはペースト状架橋性シリコーン組成物等のシリコーン系接着剤が用いられていた。
このようなシリコーン系接着剤としては、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、およびヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる架橋性シリコーン組成物が用いられ、さらに、接着促進剤として、一分子中に、ケイ素原子結合アルコキシ基およびケイ素原子結合アルケニル基またはケイ素原子結合水素原子をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノポリシロキサンを配合してなる架橋性シリコーン組成物が用いられていた（例えば、特許文献１参照。）。【０００５】  しかし、このような架橋性シリコーン組成物は、架橋途上に、この組成物から低粘度シリコーンオイルが滲み出して、この組成物の周囲を汚染するという問題があった。この低粘度シリコーンオイルは、主成分のオルガノポリシロキサンに含まれる低重合度のオルガノポリシロキサンであったり、接着促進剤として添加したオルガノポリシロキサンに含まれている低重合度のオルガノポリシロキサンであるため、これらを完全に取り除くことは非常に困難であった。このため、このような架橋性（硬化性）シリコーン組成物を用いて半導体チップと該チップ取付部を接着した後には、該チップ上のボンディングパッドとボンディングワイヤやビームリードとのワイヤボンダビリティ（接合性）が低下したりして、得られる半導体装置の信頼性が乏しくなるという問題があった。【０００６】  上記の問題を解決する技術として、架橋途上、低粘度シリコーンオイルの滲み出しが抑制され、半導体チップと該チップ取付部を良好に接着でき、ひいては信頼性の優れた半導体装置を調製することができる接着性シリコーンゴム層（シートと同義語であり、以降この語を用いることもある。）およびこのような接着性シリコーンゴム層において特に良好な接着性を有し、信頼性の優れた半導体装置を作製することができる接着性シリコーンゴム層を効率良く製造する方法、このような接着性シリコーンゴム層を用いて、半導体チップおよび該チップ取付部を接着してなる、信頼性に優れる半導体装置が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。【０００７】  ところで、上記の接着性シリコーンゴム層は、そのまま層表面が露出された状態であると、その表面に空中のチリ、ホコリや水分などが付着し、接着性シリコーンゴム層を半導体チップや該チップ取付部に接着させた場合に、チリ、ホコリや水分などが半導体チップや該チップ取付部の性能を劣化させるので、チリ、ホコリや水分などが付着することを防止する表面保護フィルムが不可欠である。【０００８】  表面保護フィルムとして、フッ素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のフィルムが用いられている（例えば、特許文献２〜４参照。）。【０００９】  しかしながら、こうした樹脂を用いた表面保護フィルムには、以下に述べるような種々の問題点がある。
フッ素樹脂系のフィルムは、剥離性がよいものの、剥離した後の接着性シリコーンゴム層の被着体（半導体チップや該チップ取付部）に対する接着性が低下するという問題がある。
ポリエチレン樹脂シート（フィルム、層等と同義語である。）やポリプロピレン樹脂シートは、価格は安いものの、融点がシリコーンゴム組成物の架橋温度より低く、表面保護フィルム自体が変形し、一定の厚さの接着性シリコーンゴム層を形成させることが困難であるという問題がある。
ポリイミド樹脂シートは、耐熱性、寸法安定性等が非常に優れているものの、高価格であり、接着性シリコーンゴム層との剥離性にもやや問題がある。
ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート）シートは、接着性シリコーンゴム層に対する剥離性が悪い。
ポリエーテル樹脂シートは、価格も高く、また接着性シリコーンゴム層に対する剥離性も非常に悪い。
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳと称することもある。）樹脂シートは、接着性シリコーンゴム層に対する剥離性が良いので、表面保護フィルムとして最も使用されているものの、このシートを表面保護フィルムとして用いた積層体を打ち抜いた際に、糸状（またはヒゲ状）の打ち抜きカスの発生が多く、その打ち抜きカスの混入により、接着性シリコーンゴム層と半導体チップや該チップ取付部との接着不良が生じるという問題がある。
エポキシ樹脂シートは、接着性シリコーンゴム層に対する剥離性が非常に悪く使用されていない。
フェノール樹脂シートは、可撓性が悪く使用されていない。
表面がシリコーン離型処理された一般的な離型フィルム（セパレータ）は、離型フィルムを剥離した後の接着性シリコーンゴム層の被着体（半導体チップや該チップ取付部）に対する接着性が低下するという問題がある。【００１０】  一方、ポリエーテルスルホン樹脂などのポリスルホン系樹脂を溶解して溶液組成物として使用する際に、その溶剤として、強極性の不活性液体［ＤＭＳＯ（ジメチルスルホオキシド）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）］を主体とし、環式脂肪族ケトンと高揮発性脂肪族ケトンを併用した混合溶媒を用いることが提案されている（例えば、特許文献５参照。）。
しかしながら、この溶液組成物では、コーティング（塗膜層）表面の平滑性に劣り、さらに、その溶液組成物を塗布、乾燥したときに蒸発する溶剤成分が、廃棄のために燃焼されたときに、ＳＯＸやＮＯＸ等の有害成分を発生する問題がある。
また、ポリスルホン系樹脂の溶液組成物においては、ポリスルホンの二量体などが結晶化し溶液に濁りが生じ、その濁りの生じたポリスルホン系樹脂溶液を製膜しフィルム化すると、ヘイズが高く、しかも表面の荒れの大きいフィルムとなる。そこで、製膜工程に先立ち、フィルターによるろ過や８０℃以上の加熱処理が行われている（例えば、特許文献６〜８参照。）。
しかしながら、ろ過工程は生産性を低下させ、また、加熱処理では、高沸点溶媒を使う必要があって、乾燥工程が高温或いは長時間になり、生産性に問題がある。そして、それらの対処方法では、未だ十分な表面平滑性が得られていない。【００１１】
【特許文献１】特開平３−１５７４７４号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献２】特開平１１−１２５４６号公報（特許請求の範囲、第４頁等）
【特許文献３】特開２０００−８０３３５号公報（特許請求の範囲、第４頁等）
【特許文献４】特開２００１−１９９３３号公報（特許請求の範囲、第１１頁等）
【特許文献５】特開昭４９−１１０７２５号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献６】特開平５−３２９８５７号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献７】特開平７−２３３２６５号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献８】特開平７−２６８１０４号公報（特許請求の範囲等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】  本発明の目的は、上記の従来技術の問題点に鑑み、接着性シリコーンゴム層から容易に剥離でき、かつ接着性シリコーンゴム層の半導体チップや半導体チップ取付部に対する接着性に悪影響を及ぼす残留有機溶剤を含有することなく、しかも接着性シリコーンゴム層の厚さ均一性や表面平坦性に悪影響を及ぼさないために、表面保護フィルム自体の表面平滑性に優れた表面保護フィルム及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】  本発明者は、上記の課題に鑑み、各種プラスチックフィルムからなる表面保護フィルム、及びその表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム層からなる積層体を試作し、接着性シリコーンゴム層からの剥離性、接着性シリコーンゴム層の半導体チップや半導体チップ取付部に対する接着性への影響、接着性シリコーンゴム層の表面平坦性への影響、表面保護フィルム自体の表面平滑性等について数多くの実験を行ったところ、基材フィルムの少なくとも一方の面に、特定の組み合わせの混合溶剤を用いたポリスルホン系樹脂溶液組成物を用いることにより形成されるポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を、積層してなる表面保護フィルムは、上記の剥離性、接着性、表面平坦性、表面平滑性などに対して良好な結果が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。【００１４】  すなわち、本発明の第１の発明によれば、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層してなる、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）を保護するための表面保護フィルムであって、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）は、ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と環状ケトン類（ｃ）と沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）とからなる混合溶媒に、少なくとも１種のポリスルホン系樹脂を溶解させてなるポリスルホン系樹脂溶液組成物で形成されることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。
また、本発明の第２の発明によれば、第１の発明において、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）の表面平滑性が、ノマルスキー型微分干渉顕微鏡法で観測した際に、視野１ｍｍ２に直径５０μｍ以上の円状凹凸が１個以下であることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。
さらに、本発明の第３の発明によれば、第１の発明において、基材フィルム（Ａ）とポリスルホン系樹脂層（Ｂ）との密着強度が５Ｎ／ｍ以上であることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。
さらにまた、本発明の第４の発明によれば、第１の発明において、基材フィルム（Ａ）がポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。【００１５】  本発明の第５の発明によれば、第１の発明において、表面保護フィルム中に含有する混合溶媒量が１０００ｍｇ／ｍ２以下であることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。
また、本発明の第６の発明によれば、第１の発明において、基材フィルム（Ａ）の厚さが１０〜２００μｍであり、且つポリスルホン系樹脂層（Ｂ）の厚さが０．１〜５０μｍであることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。
さらに、本発明の第７の発明によれば、第１の発明において、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）との剥離強度が４Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする表面保護フィルムが提供される。【００１６】  一方、本発明の第８の発明によれば、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面上に、ポリスルホン系樹脂のドープを塗布、乾燥させてポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を形成させることを特徴とする第１〜７のいずれかの発明の表面保護フィルムの製造方法が提供される。【００１７】  本発明は、上記した如く、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層してなる、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）を保護するための表面保護フィルムであって、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）は、ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と環状ケトン類（ｃ）と沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）とからなる混合溶媒に、少なくとも１種のポリスルホン系樹脂を溶解させてなるポリスルホン系樹脂溶液組成物で形成されることを特徴とする表面保護フィルムなどに係るものであるが、その好ましい態様として、次のものが包含される。【００１８】（１）第１の発明において、混合溶媒における溶剤の配合割合（容量部）は、全混合溶媒１００容量部基準で、下記の式（１）〜（４）を同時に満足することを特徴とする表面保護フィルム。
６０≧（ａ＋ｂ）≧１５    （１）
６５≧ｃ≧１０            （２）
４５≧ｄ≧１０            （３）
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００    （４）
（２）第１の発明において、ポリスルホン系樹脂溶液組成物におけるポリスルホン系樹脂の配合量は、混合溶媒１００重量部に対して、１〜３０重量部であることを特徴とする表面保護フィルム。
（３）第１の発明において、ポリスルホン系樹脂は、ポリスルホン樹脂（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ）、又はポリフェニルスルホン樹脂（ＰＰＳＵ）のいずれかであることを特徴とする表面保護フィルム。
（４）第８の発明において、ドープは、ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と環状ケトン類（ｃ）と沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）とからなる混合溶媒に、少なくとも１種のポリスルホン系樹脂を溶解させてなるポリスルホン系樹脂溶液であることを特徴とする表面保護フィルムの製造方法。
（５）第８の発明において、ドープの塗布は、ワイヤーバーコーティングにより、行われることを特徴とする表面保護フィルムの製造方法。【００１９】（６）接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の少なくとも片面に、第１〜７のいずれかの発明の表面保護フィルムを積層してなる積層体。
（７）上記（６）の発明において、表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム層（Ｃ）との剥離強度が４Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする積層体。
（８）上記（６）の発明において、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の両面に、表面保護フィルムが積層されることを特徴とする積層体。
（９）上記（６）の発明において、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の原料である架橋性シリコーンゴム組成物は、（イ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（ロ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、（ハ）接着性促進剤および（ニ）ヒドロシリル化反応用触媒を含有することを特徴とする積層体。
【発明の効果】
【００２０】  本発明の表面保護フィルムは、接着性シリコーンゴム層から容易に剥離でき、かつ接着性シリコーンゴム層の半導体チップや半導体チップ取付部に対する接着性に悪影響を及ぼす残留溶剤などを含有することなく、また、表面保護フィルム自体の表面平滑性に優れているために、接着性シリコーンゴム層の表面平坦性に悪影響を及ぼすことがない効果がある。
また、本発明の表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム層の間は、容易に剥離することができ、かつ接着性シリコーンゴム層と半導体チップや半導体チップ取付部との接着性は、非常に優れており、信頼性の優れた半導体装置を作製することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の積層体を適用した半導体装置（ハイブリッドＩＣ）の一例を示した断面図である。
【図２】図２は、本発明の積層体を適用した半導体装置（ＬＳＩ）の一例を示した断面図である。
【図３】図３は、本発明に係るポリスルホン系樹脂溶液組成物に用いられる混合溶剤を構成する３成分の組成を示す図である。
【図４】図４は、本発明の表面保護フィルムの一例を示した断面図である。
【図５】図５は、本発明の表面保護フィルムの用途の一例であるＡ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａからなる積層体の断面図である。
【符号の説明】
【００２２】  １    半導体チップ
２    接着性シリコーンゴム層
３    半導体チップ取付部（エポキシ樹脂製の回路基板）
４    回路基板
５    ボンディングワイヤ
６    封止樹脂
７    半導体チップ取付部（ポリイミド樹脂製の回路基板）
８    バンプ
９    封止・充填剤
１０  基材フィルム（ＰＥＴ）層
１１  ポリスルホン系樹脂層（ポリスルホン系樹脂塗膜層）
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】  以下、本発明の表面保護フィルム及びその製造方法について、各項目毎に詳細に説明する。
本発明の表面保護フィルムは、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層してなる、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）を保護するための表面保護フィルムであって、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）は、ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と環状ケトン類（ｃ）と沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）とからなる混合溶媒に、少なくとも１種のポリスルホン系樹脂を溶解させてなるポリスルホン系樹脂溶液組成物で形成されることを特徴とするものである。【００２４】１．基材フィルム（Ａ）
本発明において基材フィルム（Ａ）とは、本発明の表面保護フィルムの基材となるフィルムであり、表面保護フィルムの機械的強度を担い、その少なくとも一方の面に、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層させる。【００２５】  基材フィルム（Ａ）としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリカーボネート、高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４メチルペンテン１、ポリスチレン、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリ−ｐ−フェニレンテレフタラミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、ポリアリレート、ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール、ポリメタクリル酸メチル、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化三フッ化エチレン、ポリ四フッ化エチレン、ポリパラキシレン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂等からなるフィルム（シート）が例示される。基材フィルム（Ａ）の原料樹脂は、一種であっても、二種以上を混合してもよい。【００２６】  また、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）との接着性の面からみると、基材フィルム（Ａ）としては、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）との密着強度が５Ｎ／ｍ以上、好ましくは７Ｎ／ｍ以上、さらに好ましくは１０Ｎ／ｍ以上であることが望ましい。
これらの樹脂フィルムの中で、上記要件を満たすものとして、ポリエチレンテレフタレートフィルムが、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）との接着性に優れ、５Ｎ／ｍ以上の密着強度で積層されることが可能であり、厚薄ムラがなく、また腰があるため取扱性に優れるので、最も好ましい基材フィルムである。
密着強度が５Ｎ／ｍ未満では、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の表面保護フィルムからの剥離強度より小さくなる恐れがあり、剥離強度より小さくなるときには、表面保護フィルムを接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の表面から剥離することが不可能となり、基材フィルム（Ａ）とポリスルホン系樹脂層（Ｂ）が剥離し、本発明の目的を達成させることができない。【００２７】  基材フィルム（Ａ）の厚みは、特に限定されないが、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは３０〜１５０μｍ、更に好ましくは４０〜１００μｍである。厚みが１０μｍ未満であると、フィルムの腰がなく取扱性が悪く、一方、２００μｍを超えると、腰が強すぎロール巻きが困難となり、また、材料費がかさみ過剰品質となり、コストアップとなり好ましくない。【００２８】  基材フィルム（Ａ）には、必要に応じて、酸化防止剤、熱安定剤、滑剤、顔料、紫外線防止剤等を添加してもよい。
また、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）との界面の接着性を向上させるために、基材フィルム（Ａ）には、コロナ放電処理やアンダーコート処理などを行ってもよい。【００２９】２．ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）
本発明において用いられるポリスルホン系樹脂層（Ｂ）は、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）と界面を形成するので、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）からの剥離性がよく、かつ接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の半導体チップや半導体チップ取付部への接着性能に悪影響を与える成分を含有しないことが必要である。【００３０】  一般に、ポリエーテルスルホン樹脂などのポリスルホン系樹脂は、前述したように、接着性シリコーンゴム層に対する剥離性が良いので、表面保護フィルムとして最も使用されている。しかし、表面保護フィルムとしてポリスルホン系樹脂シートを使用した場合は、その表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム層とからなる積層体をトムソン打ち抜き機で打ち抜いた際に、糸状（またはヒゲ状）の打ち抜きカスの発生が多く、このため、その打ち抜きカスの混入により、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）と半導体チップや半導体チップ取付部との間の接着不良が生じるという問題がある。
そこで、前記の打ち抜きカスの発生による問題を解消するために、本発明において、表面保護フィルムは、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面にポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層されていることを特徴とするものである。ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）の厚みは、特に限定されないが、例えば、０．１〜５０μｍ、好ましくは０．５〜２０μｍ、さらに好ましくは１〜３μｍである。厚みが０．１μｍ未満であると、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）の形成が困難であり、他方、５０μｍを超えると、打ち抜きカスの発生が多くなるので好ましくない。
また、ポリスルホン系樹脂は、被覆材、塗料、接着剤などにも利用されるが、それらを製造するときには、通常はポリスルホン系樹脂を溶剤に溶かし、溶液組成物を準備し、これをそのまま、又は基材表面に塗布、乾燥して製品としている。
そこで、本発明においては、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）は、ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と環状ケトン類（ｃ）と沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）とからなる混合溶媒に、少なくとも１種のポリスルホン系樹脂を溶解させてなるポリスルホン系樹脂溶液組成物で形成されることを特徴とするものである。
この混合溶媒を用いることによって、ポリスルホン系樹脂が、ポリスルホン系樹脂溶液組成物中に均一に溶解する。その結果、ポリスルホン系樹脂溶液組成物を塗布、乾燥させてポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を形成した際に、そのポリスルホン系樹脂層（Ｂ）が表面平滑性に優れたものとなる。【００３１】（１）混合溶媒（混合溶剤）
本発明において、混合溶媒（混合溶剤）とは、ポリスルホン系樹脂を溶解し、ポリスルホン系樹脂溶解液を作製することができる混合された有機溶剤である。
本発明に係る混合溶媒は、上記したように、ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と、環状ケトン類（ｃ）と、沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）とから構成され、混合溶媒（１００容量部）中におけるそれらの混合割合（容量部）は、下記の式（１）〜（４）を同時に満足することが必要である。
６０≧（ａ＋ｂ）≧１５    （１）
６５≧ｃ≧１０            （２）
４５≧ｄ≧１０            （３）
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００    （４）
なお、その際、式（１）〜（３）については、好ましい範囲として、
５５≧（ａ＋ｂ）≧２０
６０≧ｃ≧１５
４０≧ｄ≧１５
さらに好ましい範囲として、
５０≧（ａ＋ｂ）≧２０
５５≧ｃ≧２０
４０≧ｄ≧２０
が例示できる。【００３２】  上記の式（１）〜（４）を同時に満足する範囲を図３の３成分相図に示す。
これらの特定範囲外、すなわち式（１）〜（４）を同時に満足しない混合溶媒では、ポリスルホン系樹脂を溶解できないか、又はポリスルホン系樹脂を膨潤しゲル化させるだけであり、好ましくない。
また、ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と、環状ケトン類（ｃ）と、沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）との３種又は４種の中から２種を選んだ２成分系混合溶媒では、本発明の目的、すなわち優れた表面平滑性を達成することはできず、さらに、例え３成分系混合溶媒であっても、上記の式（１）〜（４）を満足しない範囲のものは、同様に本発明の目的を達成することはできず、好ましくない。
この理由については定かではないが、特定比率の３成分系混合溶媒の場合は、ポリスルホン系樹脂の溶解度が相乗効果によって増加し、膨潤しただけのポリスルホン系樹脂を貧溶媒である沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）中に分散させ、また、沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）は、低粘度であるので、溶解液の粘度を低下させ、塗布する際には、低粘度であるから表面が平滑になると推定される。【００３３】（２）ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）
本発明において、ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）は、下記に詳細に述べる溶剤群から１種又は２種以上を用いてもよい。【００３４】  ラクトン類（ａ）は、環内にエステル基（−ＣＯ−Ｏ−）をもつ環状化合物であり、例えば、β−プロピオラクトン（沸点：１００〜１０２℃）、γ−ブチロラクトン（沸点：２０６℃）、γ−バレロラクトン（沸点：２０６〜２０７℃）、δ−バレロラクトン（沸点：２１８〜２２０℃）、ε−カプロラクトン（沸点：２３５．３℃）、エチレンカーボネート（沸点：２３８℃）、プロピレンカーボネート（沸点：９０℃、＠５ｍｍＨｇ）、ヒノキチオール（沸点：１４０〜１４１℃、＠１０ｍｍＨｇ）、ジケテン（沸点：１２７．４℃）等が例示される。ただし、カッコ内の数値は、測定圧力を記載したもの以外は、１０３．３ｋＰａ（＝７６０ｍｍＨｇ）における沸点であり、これらより１種又は２種以上を用いてもよい。
代表的なラクトン類として、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）の化学式（１）を以下に示す。【００３５】
【化１】
2005021258.tif 000002
【００３６】  また、芳香族ケトン類（ｂ）は、芳香環基をもつケトン類であり、例えば、アセトフェノン（沸点：２０２℃）、ｐ−メチルアセトフェノン（沸点：２２８℃）、プロピオフェノン（沸点：２１８℃）、１−フェニル−１−ブタノン（沸点：２１８〜２２１℃）、イソプロピルフェニルケトン（沸点：２１７℃）、ベンズアルデヒド（沸点：１７９℃）、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド（沸点：１９６〜１９７℃）、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド（沸点：１９１℃、＠５０ｍｍＨｇ）、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド（沸点：１１６〜１１７℃）、ベンジルメチルケトン（沸点：２１６℃）等が例示される。ただし、カッコ内の数値は、測定圧力を記載したもの以外は、１０３．３ｋＰａ（＝７６０ｍｍＨｇ）における沸点であり、これらより１種又は２種以上を用いてもよい。
代表的な芳香族ケトン類として、アセトフェノンの化学式（２）を以下に示す。【００３７】
【化２】
2005021258.tif 000003
【００３８】（３）環状ケトン類（ｃ）
環状ケトン類（ｃ）は、環内にケトン基（−ＣＯ−）をもつ環状化合物であり、例えば、シクロブタノン（沸点：１００〜１０２℃）、シクロペンタノン（沸点：１３０℃）、シクロヘキサノン（沸点：１５６．７℃）、ヘプタノン（沸点：１７９〜１８１℃）、メチルシクロヘキサノン（沸点：１６５〜１６６℃）、シクロオクタノン（沸点：７４℃、＠１．６ｋＰａ）、シクロノナノン（沸点：９３〜９５℃、＠１．６ｋＰａ）、シクロデカノン（沸点：１０７℃、＠１．７ｋＰａ）、シクロウンデカノン（沸点：１０８℃、＠１．６ｋＰａ）、シクロドデカノン（沸点：１２５℃、＠１．６ｋＰａ）、シクロトリデカノン（沸点：１３８℃、＠１．６ｋＰａ）等が例示される。ただし、カッコ内の数値は、測定圧力を記載したもの以外は、１０３．３ｋＰａ（＝７６０ｍｍＨｇ）における沸点であり、これらより１種又は２種以上を用いてもよい。
代表的な環状ケトン類として、シクロヘキサノンの化学式（３）を以下に示す。【００３９】
【化３】
2005021258.tif 000004
【００４０】（４）脂肪族ケトン（ｄ）
本発明において、脂肪族ケトン（ｄ）とは、沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトンであり、例えば、アセトン（沸点：１００〜１０２℃）、メチルエチルケトン（沸点：１００〜１０２℃）、メチルプロピルケトン（沸点：１００〜１０２℃）、メチルイソブチルケトン（沸点：１００〜１０２℃）、メチルｎ−ブチルケトン（沸点：１００〜１０２℃））、メチルｓｅｃ−ブチルケトン（沸点：１００〜１０２℃）、ジイソブチルケトン（沸点：１００〜１０２℃）、ピナコロン（沸点：１０６．４℃）、メチルイソアミルケトン（沸点：１４４．９℃）、ジエチルケトン（沸点：１０１．８℃）、ジイソプロピルケトン（沸点：１２５．０℃）、エチル−プロピルケトン（沸点：１２３．２℃）、ブチル−エチルケトン（沸点：１４７．３℃）等が例示される。ただし、カッコ内の数値は、１０３．３ｋＰａ（＝７６０ｍｍＨｇ）における沸点であり、これらより１種又は２種以上を用いてもよい。
代表的な脂肪族ケトン（ｄ）として、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）の化学式（４）を以下に示す。【００４１】
【化４】
2005021258.tif 000005
【００４２】（５）ポリスルホン系樹脂
本発明において、ポリスルホン系樹脂とは、主鎖に芳香環基とその結合基としてスルホン基を有する熱可塑性樹脂であり、ポリスルホン樹脂と、ポリエーテルスルホン樹脂と、ポリフェニルスルホン樹脂に大別される。
ポリスルホン樹脂（ＰＳＦと称することもある。）は、代表的には下記の化学式（５）で表されるような構造をもつポリマーであり、１９６５年に米国ユニオンカーバイド社から発表されたものである。【００４３】
【化５】
2005021258.tif 000006
【００４４】  上記の化学式（５）で表されるポリマーは、原料として、ビスフェノールＡのアルカリ金属塩（Ｎａ塩）と、ビスフェノールＳの塩素化化合物（４，４’−ジクロロジフェニルスルホン）を使用し、脱塩化ナトリウム反応で得られるが、ビスフェノールＡを、４，４’−ジヒドロキシ−ジフェニル−オキシド、４，４’−ジヒドロキシ−ジフェニル−スルファイド、４，４’−ジヒドロキシ−ジフェニル−メタン、４，４’−ジヒドロキシ−ジフェニル−フェニルエタン、４，４’−ジヒドロキシ−ジフェニル−パーフロロプロパン、ハイドロキノン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、４，４’−ジヒドロキシ−ジフェニル等で置換することにより、下記の化学式（６）〜（１３）で表されるポリマーが得られ、本発明において使用することができる。【００４５】
【化６】
2005021258.tif 000007
【００４６】
【化７】
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【００４７】
【化８】
2005021258.tif 000009
【００４８】
【化９】
2005021258.tif 000010
【００４９】
【化１０】
2005021258.tif 000011
【００５０】
【化１１】
2005021258.tif 000012
【００５１】
【化１２】
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【００５２】
【化１３】
2005021258.tif 000014
【００５３】  ＰＳＦとしては、ユーデル［登録商標、米国アモコ社が製造し、テイジンアモコエンジニアリング（株）が輸入販売］、及びユーデルＰ−３５００（登録商標、日産化学工業（株）の製造販売）などが、市販品として利用できる。【００５４】  また、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳと略称することもある。）は、代表的には下記の化学式（１４）で表されるような構造をもつポリマーである。【００５５】
【化１４】
2005021258.tif 000015
【００５６】  ＰＥＳは、ジフェニルエーテルクロロスルホンのフリーデルクラフツ反応により得られる。
ＰＥＳとしては、ウルトラゾーンＥ［登録商標、ドイツＢＡＳＦ社が製造し、三井化学（株）が輸入販売］、レーデル（登録商標）Ａ［米国アモコ社が製造し、テイジンアモコエンジニアリング（株）が輸入販売］、及びスミカエクセル［登録商標、住友化学（株）の製造販売］などが、市販品として利用できる。【００５７】  また、ポリフェニルスルホン樹脂（ＰＰＳＵと称することもある。）は、代表的には下記の化学式（１５）で表されるような構造をもつポリマーである。【００５８】
【化１５】
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【００５９】  ＰＰＳＵとしては、レーデル（Ｒａｄｅｌ）（登録商標）Ｒシリーズ（Ｒ−５０００、Ｒ−５５００、Ｒ−５８００など）［米国アモコ社が製造し、テイジンアモコエンジニアリング（株）が輸入販売］などが、市販品として利用できる。【００６０】（６）ポリスルホン系樹脂溶液組成物
本発明において、ポリスルホン系樹脂溶液組成物とは、ラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と環状ケトン類（ｃ）と沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）とからなる混合溶媒に、上記の少なくとも１種のポリスルホン系樹脂を溶解したものであり、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、塗布、乾燥させてポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層してなる、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）を保護するための表面保護フィルムを製造するために用いられる。
ポリスルホン系樹脂溶液組成物中のポリスルホン系樹脂の配合量は、混合溶媒１００重量部に対して、１〜３０重量部、好ましくは５〜２０重量部である。配合量が、１重量部未満であると、粘度は低くなって塗布しやすくなり、そして溶液組成物の寿命は長くなるものの、ポリスルホン系樹脂層（塗膜）の厚さが０．１μｍ未満となり、好ましくなく、一方、３０重量部を超えると、粘度が高くなり均一な厚さのポリスルホン系樹脂層（塗膜）が得られず、また溶液組成物の寿命が短くなり、望ましくない。【００６１】  また、ポリスルホン系樹脂溶液組成物には、酸化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、難燃剤、染料、顔料、滑剤、防カビ剤、防錆剤、レベリング剤等を必要に応じて添加することができる。尚、レベリング剤の例としては、パーフルオロアルキルスルホン酸カルシウム塩、パーフルオロアルキルスルホン酸カリウム塩、パーフルオロアルキルスルホン酸アンモニウム塩、パーフルオロアルキルエチレノキシド、パーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩、フッ素化アルキルエステル等を挙げることができる。【００６２】  ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）は、ドープ、すなわちラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と環状ケトン類（ｃ）と沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）とからなる混合溶媒に少なくとも１種のポリスルホン系樹脂を溶解させてなるポリスルホン系樹脂溶液、から容易に溶剤キャスト法で０．１〜５０μｍ、好ましくは１〜３μｍの薄膜として、基材フィルム（Ａ）、好ましくはポリエチレンテレフタレートフィルム上に積層でき、低コストに高品位の表面保護フィルムを提供することができる。
また、本発明においては、基材フィルム（Ａ）に、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層した際に、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）の表面平滑性が、ノマルスキー型微分干渉顕微鏡法で観測したときに、視野１ｍｍ２に直径５０μｍ以上の円状凹凸が１個以下であることを特徴とするものであり、特に、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）自体の表面平滑性を優れたものにすることができる。【００６３】  ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）の表面平滑性を評価するために、ノマルスキー型微分干渉顕微鏡法による計測を用いた理由は、本発明に係るポリスルホン系樹脂層（Ｂ）の塗膜が透明である場合、一般的な光学顕微鏡法では観察が困難であり、そのため、特殊なプリズムを用いるノマルスキー型微分干渉顕微鏡法においては、光線を二分化することで干渉縞を発生させ、明暗のコントラストが明確に出る結果、微小な凹凸の観察に適しているからである。そして、視野１ｍｍ２に直径５０μｍ以上の円状凹凸が１個以下である意味は、本発明の表面保護フィルムが用いられた際に、表面が平滑性に優れ、十分な光沢を有すると、又は高い透明性を有すると判断でき、さらに、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）と積層する際に、本発明の表面保護フィルムは、表面が平滑であるため、気泡を巻き込む等の問題は生じない。一方、円状凹凸が１個超であれば、ポリスルホン系樹脂層の表面平滑性に劣り、光沢不良、透明性が低いなどの問題がある。また、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）と積層する際に、凹凸部に気泡を巻き込み、良好な積層体の作製が困難となる。【００６４】３．表面保護フィルム及びその製法
本発明の表面保護フィルムは、基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、前記のポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層してなるものであり、半導体装置などの接着対象製品に接着するために使用する接着性シリコーンゴム層（Ｃ）を保護するために用いられる。
そして、基材フィルム（Ａ）としては、好ましくはポリエチレンテレフタレートフィルムであり、該基材フィルム（Ａ）とポリスルホン系樹脂層（Ｂ）が、５Ｎ／ｍ以上の密着強度で積層されており、両者間は剥離しないことが必要である。また、表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム層（Ｃ）との剥離強度は４Ｎ／ｍ以下、好ましくは３Ｎ／ｍ以下、さらに好ましくは２Ｎ／ｍ以下であるので、両者間は容易に剥離することができ、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の接着性能に対する影響がなく、本発明の目的を達することができる。【００６５】  本発明の表面保護フィルムは、厚さが１０〜２００μｍの基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に、ポリスルホン系樹脂のドープ、すなわち前記のポリスルホン系樹脂溶液を塗布した後、乾燥処理を行い、厚さが０．１〜５０μｍ、好ましくは０．５〜２０μｍ、さらに好ましくは１〜３μｍのポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を積層させることによって製造することができる。
その塗布方法としては、ロールコーティング、スプレーコーティング、ダイコーティング、ナイフコーティング、エアーナイフコーティング、ワイヤーバーコーティング等が利用できる。中でも、ワイヤーバーコーティングによる塗布方法が塗布される溶液組成物の量を正確にコントロールでき、塗布膜の表面平滑度を向上させることができ、その結果、表面平滑性の優れた表面保護フィルムを得ることができるため、好ましい。基材フィルム上に、ポリスルホン系樹脂溶液組成物を塗布する際の溶液温度は、生産コスト上２０〜５０℃が好ましい。
また、乾燥方法としては、最初に２５〜４０℃、相対湿度７０〜１００％ＲＨで２〜１０分行い、次いで５０〜１５０℃、相対湿度３０〜７０％ＲＨで０．１〜５分乾燥させることが好ましい。【００６６】  さらに、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）の形成に使用した混合溶媒の表面保護フィルムに残留する量、すなわち表面保護フィルムの合計残留溶剤量、言い換えると表面保護フィルム中に含有する混合溶媒量は、１０００ｍｇ／ｍ２以下、好ましくは８００ｍｇ／ｍ２以下、さらに好ましくは５００ｍｇ／ｍ２以下である。合計残留溶剤量が１０００ｍｇ／ｍ２を超えると、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の接着性を阻害し、接着対象製品の品質、例えば半導体チップの動作に悪影響を与え、好ましくない。
尚、本発明においては、溶媒として、前述のラクトン類（ａ）又は芳香族ケトン類（ｂ）の少なくとも１種と環状ケトン類（ｃ）と沸点が１５０℃以下の脂肪族ケトン（ｄ）とからなる混合溶媒を用いるために、基材フィルム上にポリスルホン系樹脂溶液組成物を塗布、乾燥する際に蒸発する溶剤成分の廃棄のための燃焼時に、ＮＯｘ、ＳＯｘ、塩化物を発生させることはない。他方、溶媒として、例えばＮメチル２ピロリドンやＮ，Ｎジメチルホルムアミドなどの窒素を含む有機溶剤や、チオフェンやジメチルスルホキシドなどの硫黄を含む有機溶剤、或いはジクロロメタンやクロロホルムなどのハロゲンを含む有機溶剤を用いた場合は、その樹脂溶液組成物を塗布、乾燥する際に蒸発する溶剤成分の廃棄のための燃焼時に、ＮＯｘ、ＳＯｘ、塩化物を発生させる恐れがあり、環境上好ましくない。
また、合計残留溶剤量の分析は、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）又はガスクロマト質量分析（ＧＣ−ＭＳ）法で容易にできる。
本発明の表面保護フィルムは、主に、半導体チップを半導体チップ取付部に接着するために使用する接着性シリコーンゴム層（Ｃ）を塵芥から保護するためのものであり、使用する際には剥がす必要がある。【００６７】  本発明の表面保護フィルムは、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の両側に表面保護フィルムを密着させた場合に、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）に対する表面保護フィルムの剥離強度が、それぞれ４Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。
これは、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）に対する表面保護フィルムの剥離強度が４Ｎ／ｍを超えると、表面保護フィルムを剥がす際に、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）を破損したりする恐れがあるからである。【００６８】４．接着性シリコーンゴム層（Ｃ）
本発明において、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）とは、主に半導体チップと半導体チップ取付部を接着するために用いるものであり、例えば、２枚の表面保護フィルム間にポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を介して、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）が積層され、中間層となっている。
接着性シリコーンゴム層（Ｃ）は、既に、架橋（硬化）又は半架橋（半硬化）されており、その原料は、下記に詳細に述べる架橋（硬化）又は半架橋（半硬化）がなされていないシリコーンゴム組成物である。
このシリコーンゴム組成物は、まだ架橋はされてないが、架橋することができるという意味を込めて、架橋性シリコーンゴム組成物と称されることもある。
したがって、本発明においては、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）と区別するために、その原料は、架橋性シリコーンゴム組成物と称する。【００６９】（１）架橋性シリコーンゴム組成物
本発明において、架橋性シリコーンゴム組成物としては、例えば、ヒドロシリル化反応により架橋するもの、縮合反応により架橋するもの、有機過酸化物により架橋するもの、紫外線により架橋するものなどが挙げられ、好ましくは、ヒドロシリル化反応により架橋するものである。このヒドロシリル化反応架橋性シリコーン組成物としては、例えば、（イ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（ロ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、（ハ）接着性促進剤および（ニ）ヒドロシリル化反応用触媒からなるもの等が挙げられる。【００７０】  上記（イ）成分は、上記組成物の主剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。この（イ）成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、網状が例示される。また、（イ）成分中のケイ素原子結合アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基が好ましい。このアルケニル基の結合位置としては、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。【００７１】  また、（イ）成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、フェニル基が好ましい。【００７２】  また、得られるシリコーン系接着性シートが優れた耐寒性を有し、このシリコーン系接着性シートを用いて作製した半導体装置の信頼性がより向上することから、（イ）成分中のケイ素原子に結合した有機基に対するフェニル基の含有量が１モル％以上であることが好ましく、さらには、これが１〜６０モル％の範囲内であることが好ましく、これが１〜３０モル％の範囲内であることが特に好ましい。また、（イ）成分の粘度は、特に限定されないが、２５℃における粘度が１００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓ（ｃＰ）の範囲内であることが好ましい。【００７３】  次に、上記（ロ）成分は、架橋性シリコーンゴム組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンである。この（ロ）成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示される。また、（ロ）成分中のケイ素原子に結合した水素原子の結合位置としては、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。【００７４】  また、（ロ）成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３��トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、フェニル基が好ましい。また、この（ロ）成分の粘度は、特に限定されないが、２５℃における粘度が１〜１００，０００ｍＰａ・ｓ（ｃＰ）の範囲内であることが好ましい。【００７５】  架橋性シリコーンゴム組成物における（ロ）成分の含有量は、該組成物を架橋（硬化）させるに十分な量であり、これは、該組成物中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、ケイ素原子結合水素原子が０．５〜１０モルの範囲内となる量であることが好ましく、これが１〜５モルの範囲内であることが特に好ましい。これは、該組成物において、ケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、ケイ素原子結合水素原子が上記範囲の下限未満のモル数である組成物は、十分に硬化しなくなる傾向があり、一方、上記範囲の上限をこえるモル数である組成物は、その架橋物の耐熱性が低下する傾向があるからである。【００７６】  さらに、上記（ハ）成分（接着性促進剤）は、上記組成物の架橋物の接着性を向上させるための成分であり、下記のシラトラン誘導体や、官能基含有シリコーン化合物、オルガノシロキサンオリゴマーが例示される。
シラトラン誘導体については、特開２００１−１９９３３号公報（前記特許文献４）、特開２０００−２６５０６３号公報、特開２０００−３０２９７７号公報、特開２００１−１９９３３号公報、特開２００１−２６１９６３号公報、特開２００２−３８０１４号公報、特開２００２−９７２７３号公報等に詳細に説明されており、それらの化合物の内、代表的なものを下記に例示する。【００７７】
【化１６】
2005021258.tif 000017
【００７８】
【化１７】
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【００７９】
【化１８】
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【００８０】
【化１９】
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【００８１】
【化２０】
2005021258.tif 000021
【００８２】  次に、上記官能基含有シリコーン化合物としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が例示される。【００８３】  また、上記オルガノシロキサンオリゴマーとして、下記のような化合物が例示される。【００８４】
【化２１】
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【００８５】
【化２２】
2005021258.tif 000023
【００８６】  上記架橋性シリコーンゴム組成物における（ハ）成分の含有量は、上記接着性シリコーンゴム層（Ｃ）に良好な接着性を付与するに十分な量であり、例えば、（イ）成分１００重量部に対して、０．０１〜２０重量部が好ましく、０．１〜１０重量部が特に好ましい。これは、（ハ）成分の含有量が上記範囲の下限未満の量であると、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の接着性が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超える量を加えても、接着性はさほど向上せず、むしろ、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の安定性が低下する傾向があるからである。【００８７】  さらに、上記（ニ）成分は、上記架橋性シリコーンゴム組成物のヒドロシリル化反応による架橋を促進するための触媒であり、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒等の周知のヒドロシリル化反応用触媒が例示され、特に、白金微粉末、白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボニル錯体等の白金系触媒が、反応速度が良好であることから好ましい。【００８８】  上記架橋性シリコーンゴム組成物における（ニ）成分の含有量は、上記組成物の架橋を促進するに十分な量であり、これは、白金系触媒を用いる場合には、上記組成物において、この触媒中の白金金属が重量単位で０．０１〜１，０００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、これが０．１〜５００ｐｐｍの範囲内であることが特に好ましい。これは、（ニ）成分の含有量が、上記範囲の下限未満の量である組成物は、架橋速度が著しく遅くなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超える量であっても、さほど架橋速度は向上せず、むしろ、架橋物に着色等の問題を生じる恐れがあるからである。【００８９】  また、架橋性シリコーンゴム組成物には、ヒドロシリル化反応の速度を調整するために、ヒドロシリル化反応抑制剤を含有することが好ましい。このヒドロシリル化反応抑制剤としては、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブチノール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾールが例示される。
このヒドロシリル化反応抑制剤の含有量としては、上記組成物の架橋条件により異なるが、実用上、（イ）成分１００重量部に対して、０．００００１〜５重量部の範囲内であることが好ましい。【００９０】  さらに、上記組成物には、その他任意の成分として、沈降シリカ、湿式シリカ、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、酸化チタン、アルミナ、ガラス、石英、アルミノケイ酸、酸化鉄、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、カーボンブラック、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の無機質充填剤、これらの充填剤をオルガノハロシラン、オルガノアルコキシシラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化合物により処理した無機質充填剤；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂等の有機樹脂微粉末；銀、銅等の導電性金属粉末等の充填剤、染料、顔料、難燃材、溶剤を含有してもよい。【００９１】５．積層体（表面保護フィルムの用途）
本発明の表面保護フィルムは、基材フィルム（Ａ）少なくとも一方の面に、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）が形成されており（図４参照。）、接着性シリコーンゴム層（Ｃ）を保護するために用いられる。表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム層（Ｃ）とは、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）を介して接合し、積層体を構成する。その際には、積層体全体の層構成を、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａの順番とすることが好ましい（図５参照。）。
積層体の層構成としては、上記のＡ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａの順番が代表的なものであるが、Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ、Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ、又はＡ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ／／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａ等の順番であってもよい。【００９２】  上記のＡ／Ｂ／Ｃ／Ｂ／Ａからなる積層体の下方側の表面保護フィルム層（Ｂ／Ａ）を剥離し、露出した接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の下方面を、半導体チップ取付部の上方面に接着し、次いで残りのＡ／Ｂ／Ｃからなる積層体の上方側の表面保護フィルム層（Ａ／Ｂ）を剥離し、露出した接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の上方面を、半導体チップの下方面に接着し、例えば図１または図２に示す半導体装置を製造する。
【実施例】
【００９３】  以下に、本発明の表面保護フィルムおよび積層体を、実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
まず、本発明の実施例で作られた表面保護フィルムおよび積層体の評価を行うために、それらの接着性、剥離強度、密着強度、表面平滑性及び合計残留溶剤量を測定、評価したが、これらの測定、評価方法を以下に示す。【００９４】［接着性シリコーンゴム層の接着性］
１×１ｃｍの接着性シリコーンゴム層を介して２枚のシリコンウエハ（３ｃｍ×３ｃｍ）を重ね合わせた後、５ｋｇ／ｃｍ２で圧着させながら１００℃で１０分間熱処理してサンプルを作製した。
また、１×１ｃｍの接着性シリコーンゴム層を介して２枚のＦＰＣ用のポリイミドフィルム（３ｃｍ×３ｃｍ）を重ね合わせた後、５ｋｇ／ｃｍ２で圧着させながら１００℃で１０分間熱処理してサンプルを作製した。
得られたサンプルを反対方向に引張り試験を行い、被着体上で接着性シリコーンゴム層が凝集破壊している面積の割合を求めて、凝集破壊率（％）とした。【００９５】［接着性シリコーンゴム層と表面保護フィルムとの剥離強度］
積層体を１ｃｍＷ×１５ｃｍＬの短冊状に切り出し、引張り試験機を使用して片側の表面保護フィルムを速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで１８０°剥離を行ったときの平均応力を剥離強度とした。【００９６】［ポリスルホン系樹脂層の密着強度］
表面保護フィルムの表面にセロテープ（登録商標）を貼り、２．５ｃｍＷ×１５ｃｍＬの短冊状に切り出し、引張り試験機を使用して速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで１８０°剥離を行ったときの平均応力を密着強度とした。【００９７】［ポリスルホン系樹脂層の表面平滑性］
ポリスルホン系樹脂層の表面平滑性は、ノマルスキー型微分干渉顕微鏡法で観測した際に、視野１ｍｍ２に直径５０μｍ以上の円状凹凸が何個存在するかで評価し、その個数が１個以下の場合を合格（○）とした。【００９８】［表面保護フィルムの合計残留溶剤量］
５０ｍｌのガラスサンプル瓶に表面保護フィルム（２５０×２００ｍｍ）を５ｍｍ角にしたものを入れ、さらに１０ｍｌのクロロホルムを加えて室温２４時間で溶解させたものを分析試料としてガスクロマトグラフィで分析し、その分析結果から表面保護フィルムの１ｍ２当たりに含有する混合溶媒の重量、すなわち表面保護フィルムの合計残留溶剤量（ｍｇ／ｍ２）を得た。【００９９】  また、実施例及び比較例で使用した表面保護フィルムの材料などについて以下に説明する。
基材フィルム（Ａ）のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムとして、東レ製「ルミラーＱＴ３２」（厚さ５０μｍ）を用いた。
また、ポリスルホン系樹脂層（Ｂ）として、ポリエーテルスルホン樹脂である住友化学（株）製の「スミカエクセルＰＥＳ５２００Ｇ」を用いた。【０１００】  また、実施例及び比較例で使用した接着性シリコーンゴム層（Ｃ）の材料などについて、以下に説明する。【０１０１】［接着性シリコーンゴム層の材料］
２５℃における粘度４０，０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝０．０８重量％）７２重量部、２５℃における粘度６，０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体（ビニル基の含有量＝０．８４重量％）１５重量部、水１．５重量部、ヘキサメチルジシラザン３重量部、およびＢＥＴ法による比表面積が２００ｍ２／ｇである乾式シリカ微粉末１０重量部をロスミキサーで１時間混合した後、減圧下、１７０℃で２時間混合した。その後、室温まで冷却して、半透明ペースト状のシリコーンゴムベースを調製した。【０１０２】  次に、上記のシリコーンゴムベース１００重量部に、２５℃における粘度５ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０．７重量％）３重量部、参考例１（下述する。）で調製したシラトラン誘導体１．０重量部、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、この錯体中の白金金属が重量単位で５ｐｐｍとなる量）、および３−フェニル−１−ブチン−３−オール０．０１重量部を均一に混合して、２５℃における粘度７０，０００ｍＰａ・ｓのヒドロシリル化反応架橋性シリコーンゴム組成物を調製した。【０１０３】  上記の架橋性シリコーンゴム組成物を、表面保護フィルムの間にはさみ、クリアランスを調整したステンレス製の２本ロールにより、前記架橋性シリコーンゴム組成物の厚さを２００μｍとした状態で、８０℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱することにより架橋反応させて積層体を調製した。【０１０４】［参考例１］（シラトラン誘導体の調製）
攪拌装置、温度計、および還流冷却管を備えた５００ｍｌの４つ口フラスコに、２−ヒドロキシエチルアミン１２．２ｇ（０．２モル）、ビニルトリメトキシシラン８８．９ｇ（０．６モル）、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン９４．５ｇ（０．４モル）、およびメタノール３２ｇを仕込み、この系をメタノールの還流温度で８時間加熱攪拌した。
得られた反応混合物全量を、なす型フラスコに移して、ロータリーエバポレーターにより低沸点成分を留去することにより、微黄色透明液体１３２ｇを得た。
この透明液体を２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析および１３Ｃ−核磁気共鳴分析したところ、下記の式（２２）で表されるシラトラン誘導体を、９０重量％以上含有することが確認された。【０１０５】
【化２３】
2005021258.tif 000024
【０１０６】［実施例１］
（ｉ）ポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物の調製
アセトフェノン４０体積％、シクロヘキサノン３０体積％及びメチルエチルケトン３０体積％からなる混合溶媒１００容量部に、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ）［住友化学工業（株）製、「スミカエクセル」（登録商標）ＰＥＳ５００３Ｐ］１０質量％を添加し２４時間攪拌してポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物を調製した。【０１０７】（ｉｉ）表面保護フィルム（１）、積層体（１）の作製
ＰＥＴフィルム［東レ製「ルミラーＱＴ３２」（厚さ５０μｍ）］の片面に、上記のポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物のドープをリバースロールコーターで塗布・乾燥し、ポリスルホン系樹脂の乾燥膜厚２μｍの塗膜を形成させ表面保護フィルム（１）を作製した。
得られた表面保護フィルム（１）を接着性シリコーンゴム層（Ｃ）に、上述の方法で積層し、積層体（１）を作製した。【０１０８】（ｉｉｉ）評価
表面保護フィルム（１）と積層体（１）は、接着性１００％、剥離強度０．９Ｎ／ｍ、密着強度２０Ｎ／ｍ、表面平滑性が視野１ｍｍ２に直径５０μｍ以上の円状凹凸が１個以下、及び合計残留溶剤量２００ｍｇ／ｍ２未満であり、また積層体（１）をトムソン打ち抜き機で打ち抜いた際には、糸状（またはヒゲ状）の打ち抜きカスの発生が少なく、表面保護フィルム、積層体として十分な品質のものである。【０１０９】［実施例２］
（ｉ）ポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物の調製
γ−ブチロラクトン４０体積％、シクロヘキサノン３０体積％及びメチルエチルケトン３０体積％からなる混合溶媒１００容量部に、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ）［住友化学工業（株）製、「スミカエクセル」（登録商標）ＰＥＳ５００３Ｐ］１０質量％を添加し２４時間攪拌してポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物を調製した。【０１１０】（ｉｉ）表面保護フィルム（２）、積層体（２）の作製
ＰＥＴフィルム［帝人デュポン製「テトロンＨＳ」（厚さ５０μｍ）］の片面に、上記のポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物のドープをリバースロールコーターで塗布・乾燥し、ポリスルホン系樹脂の乾燥膜厚２μｍの塗膜を形成させ表面保護フィルム（２）を作製した。
得られた表面保護フィルム（２）を接着性シリコーンゴム層（Ｃ）に、上述の方法で積層し、積層体（２）を作製した。【０１１１】（ｉｉｉ）評価
表面保護フィルム（２）と積層体（２）は、接着性１００％、剥離強度１．０Ｎ／ｍ、密着強度２５Ｎ／ｍ、表面平滑性が視野１ｍｍ２に直径５０μｍ以上の円状凹凸が１個以下、及び合計残留溶剤量２００ｍｇ／ｍ２未満であり、また積層体（２）をトムソン打ち抜き機で打ち抜いた際には、糸状（またはヒゲ状）の打ち抜きカスの発生が少なく、表面保護フィルム、積層体として十分な品質のものである。【０１１２】［実施例３］
（ｉ）ポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物の調製
アセトフェノン３０体積％、シクロヘキサノン５０体積％及びメチルエチルケトン２０体積％からなる混合溶媒１００容量部に、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ）［住友化学工業（株）製、「スミカエクセル」（登録商標）ＰＥＳ５００３Ｐ］１０質量％を添加し２４時間攪拌してポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物を調製した。【０１１３】（ｉｉ）表面保護フィルム（３）、積層体（３）の作製
ＰＥＴフィルム［帝人デュポン製「テトロンＨＳ」（厚さ５０μｍ）］の片面に、上記のポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物のドープをリバースロールコーターで塗布・乾燥し、ポリスルホン系樹脂の乾燥膜厚２μｍの塗膜を形成させ表面保護フィルム（３）を作製した。
得られた表面保護フィルム（３）を接着性シリコーンゴム層（Ｃ）に、上述の方法で積層し、積層体（３）を作製した。【０１１４】（ｉｉｉ）評価
表面保護フィルム（３）と積層体（３）は、接着性１００％、剥離強度０．９Ｎ／ｍ、密着強度２０Ｎ／ｍ、表面平滑性が視野１ｍｍ２に直径５０μｍ以上の円状凹凸が１個以下、及び合計残留溶剤量２００ｍｇ／ｍ２未満であり、また積層体（３）をトムソン打ち抜き機で打ち抜いた際には、糸状（またはヒゲ状）の打ち抜きカスの発生が少なく、表面保護フィルム、積層体として十分な品質のものである。【０１１５】［実施例４］
（ｉ）ポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物の調製
γ−ブチロラクトン３０体積％、シクロヘキサノン３０体積％及びメチルエチルケトン４０体積％からなる混合溶媒１００容量部に、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ）［住友化学工業（株）製、「スミカエクセル」（登録商標）ＰＥＳ５００３Ｐ］１０質量％を添加し２４時間攪拌してポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物を調製した。【０１１６】（ｉｉ）表面保護フィルム（４）、積層体（４）の作製
ＰＥＴフィルム［帝人デュポン製「テトロンＨＳ」（厚さ５０μｍ）］の片面に、上記のポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物のドープをリバースロールコーターで塗布・乾燥し、ポリスルホン系樹脂の乾燥膜厚２μｍの塗膜を形成させ表面保護フィルム（４）を作製した。
得られた表面保護フィルム（４）を接着性シリコーンゴム層（Ｃ）に、上述の方法で積層し、積層体（４）を作製した。【０１１７】（ｉｉｉ）評価
表面保護フィルム（４）と積層体（４）は、接着性１００％、剥離強度０．９Ｎ／ｍ、密着強度２０Ｎ／ｍ、表面平滑性が視野１ｍｍ２に直径５０μｍ以上の円状凹凸が１個以下、及び合計残留溶剤量２００ｍｇ／ｍ２未満であり、また積層体（４）をトムソン打ち抜き機で打ち抜いた際には、糸状（またはヒゲ状）の打ち抜きカスの発生が少なく、表面保護フィルム、積層体として十分な品質のものである。【０１１８】［比較例１］
（ｉ）表面保護フィルム（５）の準備
ＰＥＴフィルム［東レ製「ルミラーＱＴ３２」（厚さ５０μｍ）］を表面保護フィルム（３）として準備した。
この表面には、ポリスルホン系樹脂の塗膜は形成されていない。【０１１９】（ｉｉ）積層体（５）の作製
表面保護フィルム（５）を接着性シリコーンゴム層（Ｃ）に、上述の方法で積層し、積層体（５）を作製した。【０１２０】（ｉｉｉ）評価
表面保護フィルム（５）と積層体（５）は、表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム層との間の剥離強度が大きく、接着性シリコーンゴム層から剥離させることができず、表面保護フィルム、積層体としては不十分な品質のものである。【０１２１】［比較例２］
（ｉ）表面保護フィルム（６）の作製
表面保護フィルム（６）として、下記のＰＥＳフィルムを準備した。この表面保護フィルムには、基材としてＰＥＳフィルムが用いられ、単層構造である。
ＰＥＳフィルムは、住友化学（株）製のＰＥＳ樹脂「スミカエクセルＰＥＳ５２００Ｇ」を１６０℃で８時間乾燥し、含水率を０．０８重量％にした。このＰＥＳ樹脂ペレットを、Ｔダイを取り付けた押出機から３００℃で溶融押出し、冷却固化させて、厚さ７５μｍのＰＥＳフィルムを作製した。【０１２２】（ｉｉ）積層体（６）の作製
表面保護フィルム（６）を接着性シリコーンゴム層（Ｃ）に、上述の方法で積層し、積層体（６）を作製した。【０１２３】（ｉｉｉ）評価
表面保護フィルム（６）と積層体（６）は、剥離強度が１．１Ｎ／ｍで、接着性が９５％であり、問題は無かったが、積層体（６）をトムソン打ち抜き機で打ち抜いた際には、糸状（またはヒゲ状）の打ち抜きカスの発生が多く、表面保護フィルム、積層体としては不十分な品質のものである。【０１２４】［比較例３］
（ｉ）ポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物の調製
ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）に、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ）［住友化学工業（株）製、「スミカエクセル」（登録商標）ＰＥＳ５００３Ｐ］１０質量％を添加し２４時間攪拌してポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物を調製した。【０１２５】（ｉｉ）表面保護フィルム（７）、積層体（７）の作製
ＰＥＴフィルム［帝人デュポン製「テトロンＨＳ」（厚さ５０μｍ）］の片面に、上記のポリエーテルスルホン樹脂溶液組成物のドープをリバースロールコーターで塗布・乾燥し、ポリスルホン系樹脂の乾燥膜厚２μｍの塗膜を形成させ表面保護フィルム（７）を作製した。
得られた表面保護フィルム（７）を接着性シリコーンゴム層（Ｃ）に、上述の方法で積層し、積層体（７）を作製した。【０１２６】（ｉｉｉ）評価
表面保護フィルム（７）と積層体（７）は、接着性１００％、剥離強度７Ｎ／ｍ、密着強度１３Ｎ／ｍ、及び表面平滑性が視野１ｍｍ２に直径５０μｍ以上の円状凹凸が４個であり、また積層体（７）をトムソン打ち抜き機で打ち抜いた際には、糸状（またはヒゲ状）の打ち抜きカスの発生が少ないが、合計残留溶剤量１２００ｍｇ／ｍ２であり、表面保護フィルム、積層体として不十分な品質のものである。
以上の評価結果を、表１に要約して示した。【０１２７】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【０１２８】  本発明の表面保護フィルムは、接着性シリコーンゴム層から容易に剥離でき、かつ接着性シリコーンゴム層の半導体チップや半導体チップ取付部に対する接着性に悪影響を及ぼす残留溶剤などを含有することなく、また、表面保護フィルム自体の表面平滑性に優れているために、接着性シリコーンゴム層の表面平坦性に悪影響を及ぼすことがない。また、本発明の表面保護フィルムと接着性シリコーンゴム層の間は、容易に剥離することができ、かつ接着性シリコーンゴム層と半導体チップや半導体チップ取付部との接着性は、非常に優れており、信頼性の優れた半導体装置を作製することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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2005021258.tif 000032
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