【手続補正書】
【提出日】平成30年9月6日(2018.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
第１方向において前記基体と離間する第１光学領域と、
前記第１光学領域と前記基体との間に設けられ第１導電形の第１半導体層及び第２導電形の第１対向半導体層を含む第１発光部と、
前記第１発光部と前記基体との間に設けられ前記第１対向半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１方向において前記基体と離間し前記第１方向と交差する方向において前記第１光学領域と並ぶ第２光学領域と、
前記第２光学領域と前記基体との間に設けられ前記第１導電形の第２半導体層及び前記第２導電形の第２対向半導体層を含む第２発光部と、
前記第１導電層と前記第２半導体層とを電気的に接続する第１接続層と、
前記第１方向において前記基体と離間し前記第１方向と交差する方向において前記第１光学領域と並ぶ第３光学領域と、
前記第３光学領域と前記基体との間に設けられ前記第１導電形の第３半導体層及び前記第２導電形の第３対向半導体層を含む第３発光部と、
を備え、
前記第１発光部から放出され前記第１光学領域を通過した第１光のピーク波長と、前記第３発光部から放出され前記第３光学領域を通過した第３光のピーク波長と、の差は、前記第１発光部から放出された第１発光のピーク波長と、前記第３発光部から放出された第３発光のピーク波長と、の差よりも大きい、発光装置。
【請求項２】
前記第１光の前記ピーク波長と前記第３光の前記ピーク波長との前記差は、前記第１光の前記ピーク波長と、前記第２発光部から放出され前記第２光学領域を通過した第２光のピーク波長と、の差よりも大きい、請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１光の前記ピーク波長と前記第３光の前記ピーク波長との前記差は、前記第１発光の前記ピーク波長と、前記第２発光部から放出された第２光のピーク波長と、の差よりも大きい、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１光学領域は、複数の第１波長変換粒子と、前記複数の第１波長変換粒子の周りに設けられた第１樹脂体と、を含み、
前記複数の第１波長変換粒子は、前記第１発光の一部を吸収して第１変換光を放出し、
前記第１変換光のピーク波長は、前記第１発光の前記ピーク波長とは異なる、請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記第３光学領域は、複数の第３波長変換粒子と、前記複数の第３波長変換粒子の周りに設けられた第３樹脂体と、を含み、
前記複数の第３波長変換粒子は、前記第３発光の一部を吸収して第３変換光を放出し、
前記第３変換光のピーク波長は、前記第３発光のピーク波長とは異なる、請求項４記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２光学領域は、複数の第２波長変換粒子と、前記複数の第２波長変換粒子の周りに設けられた第２樹脂体と、を含み、
前記複数の第２波長変換粒子は、前記第２発光部から放出された第２発光の一部を吸収して第２変換光を放出し、
前記第２変換光のピーク波長は、前記第２発光の前記ピーク波長とは異なり、
前記複数の前記第２波長変換粒子の少なくとも一部は、前記複数の第１波長変換粒子に含まれる材料を含む、請求項４または５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１光の前記ピーク波長は、前記第１発光のピーク波長と同じであり、
前記第３光の前記ピーク波長は、前記第３発光のピーク波長とは異なる、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１対向半導体層は、前記第１半導体層と前記基体との間に設けられ、
前記第１発光部は、前記第１半導体層と前記第１対向半導体層との間に設けられた第１中間半導体層をさらに含み、
前記第２対向半導体層は、前記第２半導体層と前記基体との間に設けられ、
前記第２発光部は、前記第２半導体層と前記第２対向半導体層との間に設けられた第２中間半導体層をさらに含み、
前記第３対向半導体層は、前記第３半導体層と前記基体との間に設けられ、
前記第３発光部は、前記第３半導体層と前記第３対向半導体層との間に設けられた第３中間半導体層をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項９】
前記第１接続層の一端は、前記第１導電層と前記基体との間に配置され、
前記第２半導体層の少なくとも一部は、前記第１接続層の他端と前記基体の間に配置されている、請求項１〜８のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第１方向において前記基体と離間し前記第１方向と交差する方向において前記第３光学領域と並ぶ第４光学領域と、
前記第４光学領域と前記基体との間に設けられ前記第１導電形の第４半導体層及び前記前記第２導電形の第４対向半導体層を含む第４発光部と、
前記基体と前記第３対向半導体層との間に設けられ前記第３対向半導体層と電気的に接続された第３導電層と、
前記第３導電層と前記第４半導体層とを電気的に接続する第２接続層と、
をさらに備え、
前記第３光の前記ピーク波長と、前記第４発光部から放出され前記第４光学領域を通過した第４光のピーク波長と、の差は、前記第１光の前記ピーク波長と、前記第３光の前記ピーク波長と、の前記差よりも小さい、請求項８または９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記第４対向半導体層は、前記第４半導体層と前記基体との間に設けられ、
前記第４発光部は、前記第４半導体層と前記第４対向半導体層との間に設けられた第４中間半導体層をさらに含む、請求項１０記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第２接続層の一端は、前記第３導電層と前記基体との間に配置され、
前記第４半導体層の少なくとも一部は、前記第２接続層の他端と前記基体の間に配置されている、請求項１０記載の発光装置。
【請求項１３】
前記第１光学領域は、前記第２光学領域と連続している、請求項１〜１２のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１４】
前記第１光学領域は、前記第２光学領域と離間している、請求項１〜１２のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１５】
前記第１光学領域は、前記第１発光部の側の第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、
前記第２面の少なくとも一部は、凸状の曲面を含む、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１６】
前記第１半導体層と前記第３半導体層とを電気的に接続する第１配線と、
前記第２対向半導体層と前記第４対向半導体層とを電気的に接続する第２配線と、
をさらに備えた請求項１〜１５のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１７】
前記第１半導体層と電気的に接続された第１配線と、
前記第２対向半導体層と電気的に接続された第２配線と、
前記第３半導体層と電気的に接続された第３配線と、
前記第４対向半導体層と電気的に接続された第４配線と、
をさらに備えた請求項１〜１５のいずれか１つに記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
図７（ａ）〜図７（ｄ）は、発光装置を例示する模式図である。  
これらの図は、実施形態に係る発光装置における光の色の配置を例示している。  
図７（ａ）〜図７（ｃ）に示すように、第１色領域Ａ１、第２色領域Ａ２、第３色領域Ａ３及び第４色領域Ａ４が設けられる。第１色領域Ａ１、第２色領域Ａ２、第３色領域Ａ３及び第４色領域Ａ４の１つが、例えば、第１光学領域２１に対応する。第１色領域Ａ１、第２色領域Ａ２、第３色領域Ａ３及び第４色領域Ａ４の別の１つが、例えば、第３光学領域２３に対応する。