【手続補正書】
【提出日】平成29年12月20日(2017.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶素子と、
酸化物半導体層を有するトランジスタと、を有する画素を有する液晶表示装置であって、
前記トランジスタは、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を有し、
前記第１の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合は、前記第２の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合よりも低く、
前記液晶表示装置が有する前記画素に信号が入力され、
前記液晶表示装置は、オフ状態となる前に、前記画素に信号が入力されることで初期状態画像が表示されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶素子と、
酸化物半導体層を有するトランジスタと、を有する画素を有する液晶表示装置であって、
前記トランジスタは、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を有し、
前記第１の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合は、前記第２の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合よりも低く、
前記液晶表示装置は、オフ状態となる前に、前記画素に信号が入力されることで黒表示になることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
液晶素子と、
酸化物半導体層を有するトランジスタと、を有する画素を有する液晶表示装置であって、
前記液晶表示装置は、ノーマリーブラックであり、
前記トランジスタは、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を有し、
前記第１の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合は、前記第２の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合よりも低く、
前記液晶表示装置は、オフ状態となる前に、前記画素に信号が入力されることで黒表示になることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
液晶素子と、
酸化物半導体層を有するトランジスタと、を有する画素を有する液晶表示装置であって、
前記トランジスタは、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第１の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合は、前記第２の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合よりも低く、
前記液晶表示装置に画像を表示する期間として、第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において前記画素には静止画が表示され、
前記第２の期間において前記画素には動画が表示され、
前記第１の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度は、前記第２の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度よりも低く、
前記液晶表示装置はオフ状態となる前に、前記画素に信号が入力されることで初期状態画像が表示されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
液晶素子と、
酸化物半導体層を有するトランジスタと、を有する画素を有する液晶表示装置であって、
前記トランジスタは、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第１の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合は、前記第２の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合よりも低く、
前記液晶表示装置に画像を表示する期間として、第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において前記画素には静止画が表示され、
前記第２の期間において前記画素には動画が表示され、
前記第１の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度は、前記第２の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度よりも低く、
前記液晶表示装置はオフ状態となる前に、前記画素に信号が入力されることで黒表示になることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
液晶素子と、
酸化物半導体層を有するトランジスタと、を有する画素を有する液晶表示装置であって、
前記液晶表示装置は、ノーマリーブラックであり、
前記トランジスタは、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第１の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合は、前記第２の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合よりも低く、
前記液晶表示装置に画像を表示する期間として、第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において前記画素には静止画が表示され、
前記第２の期間において前記画素には動画が表示され、
前記第１の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度は、前記第２の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度よりも低く、
前記液晶表示装置はオフ状態となる前に、前記画素に信号が入力されることで黒表示になることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
液晶素子と、
酸化物半導体層を有するトランジスタと、を有する画素を有する液晶表示装置であって、
前記トランジスタは、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を有し、
前記第１の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合は、前記第２の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合よりも低く、
前記液晶表示装置に画像を表示する期間として、第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において前記画素には静止画が表示され、
前記第２の期間において前記画素には動画が表示され、
前記第１の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度は、前記第２の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度よりも低く、
前記液晶表示装置はオフ状態となる前に、前記画素に信号が入力されることで初期状態画像が表示されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
液晶素子と、
酸化物半導体層を有するトランジスタと、を有する画素を有する液晶表示装置であって、
前記トランジスタは、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を有し、
前記第１の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合は、前記第２の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合よりも低く、
前記液晶表示装置に画像を表示する期間として、第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において前記画素には静止画が表示され、
前記第２の期間において前記画素には動画が表示され、
前記第１の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度は、前記第２の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度よりも低く、
前記液晶表示装置はオフ状態となる前に、前記画素に信号が入力されることで黒表示になることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
液晶素子と、
酸化物半導体層を有するトランジスタと、を有する画素を有する液晶表示装置であって、
前記液晶表示装置は、ノーマリーブラックであり、
前記トランジスタは、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎとＧａとＺｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を有し、
前記第１の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合は、前記第２の酸化物半導体層において占める結晶領域の割合よりも低く、
前記液晶表示装置に画像を表示する期間として、第１の期間と、第２の期間と、を有し、
前記第１の期間において前記画素には静止画が表示され、
前記第２の期間において前記画素には動画が表示され、
前記第１の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度は、前記第２の期間において前記画素に画像信号を書き込む頻度よりも低く、
前記液晶表示装置はオフ状態となる前に、前記画素に信号が入力されることで黒表示になることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記トランジスタは、ゲート電極層と、前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の前記酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上の無機絶縁層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。