【事件の表示】
　平成１１年特許願第１５６４２６号「表面波励起プラズマの生成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１２月１５日出願公開、特開２０００−３４８８９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１１年６月３日の出願であって、平成１４年９月２０日付けで拒絶査定がなされ、平成１４年１０月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１４年１１月２９日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年１１月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年１１月２９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】チャンバー内にガスを導入しながらチャンバー内を減圧雰囲気に保持するとともに、スロットアンテナからチャンバー壁に設けられている誘電体窓を介してマイクロ波電力をチャンバー内に供給して表面波励起プラズマを生成するプラズマの生成方法において、チャンバー内に酸素ガスを導入するとともに、
表面波励起プラズマのプラズマ面積を拡大するために、
　上記補正は、本件補正前の請求項１に「表面波励起プラズマのプラズマ面積を拡大するために、」という構成要件を付加したもので、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）刊行物に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−２４１８９２号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の（ａ１）〜（ａ５）の事項が記載されている。
（ａ１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波によりプラズマを発生させ、そのプラズマによりアッシング、エッチングなどを行うプラズマ処理装置に関する。」（段落【０００１】）
（ａ２）「【０００６】上記チャンバ２内部は拡散板７によってプラズマ生成室８と処理室９とに分けられている。このチャンバ２内部は所望の真空状態まで減圧された後に、上記プラズマ生成室８に媒質ガスを導入して数Ｐａ〜数十Ｐａの圧力となるように調整している。そのため、上述のような導入経路によりこのチャンバ２内部へと導入されたマイクロ波は上記プラズマ生成室８内部の媒質ガスを励起してプラズマ化し、このプラズマ化によって発生した媒質ガスの活性種が上記拡散板７を通過して処理室９内部へ導入され、上記処理室９内部に設けられたテーブル１０上の被処理体である基板１１に処理を行うように構成されている。」（段落【０００６】）
（ａ３）「【００１１】このようなマイクロ波の干渉が発生すると、上記プラズマ生成室８内部でマイクロ波の電界強度が小さくなる箇所が発生し、その箇所ではプラズマが発生し難くなるということがあるため、上記プラズマ生成室８内部でプラズマの発生に不均一を生じている。
【００１２】よって上記プラズマ生成室８内部でのプラズマの発生効率が低下するとともに、上記処理室９内部に設けられた基板１１の処理にむらを生じるなどの影響を及ぼす。
【００１３】本発明は上記の事情にもとづきなされたもので、その目的とするところは、チャンバ内部でプラズマの分布を均一にすることが可能なプラズマ処理装置を提供しようとするものである。」（段落【００１１】〜【００１３】）
（ａ４）「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態について、図１ないし図３に基づいて説明する。図１は、半導体製造工程においてレジストを剥離するためのアッシングを行うマイクロ波励起によるプラズマ処理装置２０であり、このプラズマ処理装置２０は上面が開口したチャンバ２１を有している。このチャンバ２１は、下方側が直方体状の処理室２２に形成されており、内部にテーブル２３を有している。このテーブル２３は上面に被処理体であるウエハなどの基板２４が載置され、この基板２４は上面に所定の処理を行うように構成されている。
【００２０】上記処理室２２の底面には排気管２５が一端を接続して設けられている。この排気管２５は、他端側をポンプなどの吸引手段に接続されており、上記チャンバ２１内部を真空吸引可能としている。
【００２１】上記処理室２２の上方側は、直方体状のプラズマ生成室２６となっている。このプラズマ生成室２６は、上記処理室２２と拡散板２７により区分されている。この拡散板２７は、例えばメッシュ状のパンチングプレートであり、上記プラズマ生成室２６で生成されたプラズマをこの拡散板２７により濃度を均一化して処理室２２に導入するようになっている。
【００２２】上記プラズマ生成室２６には、この内部に処理ガスを供給する供給配管２８が連通して形成されている。この供給配管２８は、外部に設けられた図示しない媒質ガス供給源に接続されており、上記プラズマ生成室２６内部に例えば酸素のような媒質ガスを供給するようになっている。この媒質ガスがマイクロ波によって励起されることにより、上記媒質ガスはプラズマ化されるようになっている。
【００２３】上記チャンバ２１内部に導入される２．４５ＧＨｚの波長のマイクロ波（以下、マイクロ波の波長をλswとする）は、チャンバ２１外部に設けられた発振器２９によって発生される。この発振器２９には導波管３０の一端側が接続されており、この発振器２９により発生したマイクロ波が上記導波管３０の他端側まで伝達されるようになっている。この導波管３０は、石英ガラスなどの誘電体を材質として形成されており、他端側にマイクロ波が反射される短絡面３０ａを有した構成となっている。
【００２４】上記導波管３０の他端側には、金属板より形成された天板３１が配設されている。この天板３１は上記チャンバ２１の上面開口に取り付けられている。そして、上記導波管３０内部を伝達されてきたマイクロ波は、天板３１に形成されたスロットアンテナ３２を通過して下方へ伝達される。このスロットアンテナ３２は、上記マイクロ波の導波管３０内部での進行方向に沿う長尺状のスリットに形成されており、さらにこのスロットアンテナ３２の幅はマイクロ波の進行方向の下流側が上流側よりも幅狭に形成されている。」（段落【００１９】〜【００２４】）
（ａ５）「【００３２】以上のような構成を有するプラズマ処理装置２０の作用について、以下に説明する。発振器２９により生じたマイクロ波は、上記導波管３０内部およびスロットアンテナ３２を介して上記マイクロ波透過窓３３へと伝達される。このマイクロ波透過窓３３に伝達されたマイクロ波は、このマイクロ波透過窓３３の表面に沿って伝搬される。伝搬されたマイクロ波は、上記マイクロ波の導波管３０内部の進行方向に平行な方向に、上記取付部３４に向かって進行する。
【００３３】このマイクロ波が進行すると上記取付部３４で反射されて反射波となり、そのため入射波と反射波とで合成波を形成する。ここで上記取付部３４の寸法は、上記マイクロ波の半波長λsw／２の整数倍となるように形成されているため、入射波と反射波とが干渉して合成波を形成しても共振して強め合って互いに打ち消し合うことがなくなり、そのためこのマイクロ波が互いに強め合うようになる。
【００３４】上記マイクロ波が強め合うように干渉すると、このチャンバ２１内部ではマイクロ波の電界強度が高められ、かつプラズマ生成室２６内部でのプラズマの分布を均一にすることが可能となる。プラズマ生成室２６で均一にプラズマが生成されると、上記処理室２２内部の基板２４の処理も均一にすることが可能となる。」（段落【００３２】〜【００３４】）
　以上の（ａ１）〜（ａ５）の記載及び明細書に添付の図面から、刊行物１には、「チャンバ２１内のプラズマ生成室２６に供給配管２８から酸素等の媒質ガスが供給されるとともに、発振器２９により発生したマイクロ波が導波管３０及び天板３１に形成されたスロットアンテナ３２を介して誘電体窓３３に伝達され、プラズマ生成室２６に均一なプラズマが生成されるプラズマ生成方法」についての発明が記載されているものと認められる。
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−１６３４６６号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
（ｂ１）「【０００８】このように構成されたマイクロ波プラズマ処理装置を用いて試料保持部１６上に載置された試料Ｓ表面にアッシング処理を施す場合、まず排気口１７から排気を行なってプラズマ生成室１２及び反応室１３内を所要の真空度に設定した後、ガス供給管１８からプラズマ生成室１２内に例えばＯ2 、ＣＦ4 のエッチングガスを供給する。」（段落【０００８】前半）
（ｂ２）「【００１４】一方上記したように、ドライ処理においては生成されたプラズマの強度分布や仕切り板１４を透過したラジカルの密度分布が不均一になることがある。そこで本発明者等は実験を重ねた結果、エッチングガスに所定量の不活性ガスを添加することにより、本発明のような誘電体線路２０を伝播する定在波等に起因する不均一であっても、プラズマ生成室１２内においてプラズマが広範囲に均一に生成し易くなり、仕切り板１４の孔１４ａを透過したラジカルの密度分布も均一化され得るとともに、下地膜に対する薄膜の高選択性エッチングには悪影響を及ぼさないことを突き止めた。」（段落【００１４】）
（ｂ３）「【００１８】まず、薄膜３３が多結晶シリコンである場合について説明する。プラズマ生成室１２及び反応室１３内の圧力を０．２Ｔｏｒｒ、マイクロ波パワーを１．５ｋＷに設定し、反応ガスとしてＳＦ6 ／Ｏ2 ＝３０／５ｓｃｃｍを用い、さらに不活性ガスとしてＡｒを添加して多結晶シリコン薄膜３３のエッチングを行なった。」（段落【００１８】前半）
（ｂ４）「【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る薄膜の除去方法にあっては、マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されるマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内に設けられた試料保持部とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置を用い、エッチングガスに不活性ガスを添加することにより、荷電粒子によって蒙るおそれがある下地膜におけるダメージの発生を抑制することができ、密度分布が均一化されたラジカルによって薄膜を選択的に、速やかに、面内均一性よくエッチング除去することができる。したがって、素子の微細化及び基板の大口径化に容易に対応することができ、さらに基板の汚染をなくすことができる。」（段落【００２１】）
　
（３）本願補正発明と刊行物１に記載された発明との対比
　本願補正発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に係るプラズマ生成方法は、その構造、原理からみて、本願補正発明のものと同様に表面波励起プラズマ生成方法といえるものであり、また、刊行物１の発明に係る誘電体窓は実質的にチャンバー壁に設けられているものであるから、両者は、「スロットアンテナからチャンバー壁に設けられている誘電体窓を介してマイクロ波電力をチャンバー内に供給して表面波励起プラズマを生成するプラズマの生成方法において、チャンバー内に酸素ガスを導入することを特徴とする表面波励起プラズマの生成方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点１；本願補正発明では、チャンバー内にガスを導入しながらチャンバー内を減圧雰囲気に保持しているのに対し、刊行物１に記載の発明ではその点について明示的な記載がない点。
相違点２；本願補正発明では、表面波励起プラズマのプラズマ面積を拡大するために、触媒ガスとして水ガス（水蒸気）および／または希ガス族元素のガスをも同時に導入しているのに対し、刊行物１に記載の発明にはその点についての記載がない点。
　
（４）当審の判断
相違点１について；
　上記（ａ２）の記載事項からわかるように、刊行物１に記載の発明においても、プラズマ生成装置のチャンバ内はガスを導入しながら減圧雰囲気に保たれているものであるから、両者は実質的な差異はないものである。
相違点２について；
　刊行物２には、エッチング処理に際して、プラズマ処理装置への導入ガスとして酸素等のエッチングガスとともに所定量のアルゴン等の不活性ガスを用いることが記載され、この不活性ガスが本願補正発明に係る希ガス属元素からなる触媒ガスに相当することは明らかであるから、酸素ガスとともに触媒ガスとして水ガス（水蒸気）および／または希ガス族元素のガスをも同時に導入することは、当業者が刊行物１及び刊行物２に記載の発明に基づけば容易に想到することができたものである。
　また、本願補正発明では、触媒ガスの導入を表面波励起プラズマのプラズマ面積を拡大するためと規定しているが、刊行物２に係る発明においても希ガス属元素の導入によりプラズマが広範囲に均一に成長しやすくなることが示されているから（上記（ｂ２）参照）、希ガス属元素からなる触媒ガスを導入することにより表面波励起プラズマのプラズマ面積が拡大されることは、当業者であれば普通に予測しえることであり、格別なものとはいえない。
　　
　そして、本願補正発明の作用効果も上記刊行物１及び２から当業者が予測できる範囲のものである。
  
　したがって、本願補正発明は刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１４年１１月２９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、本願明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）。
「【請求項１】チャンバー内にガスを導入しながらチャンバー内を減圧雰囲気に保持するとともに、スロットアンテナからチャンバー壁に設けられている誘電体窓を介してマイクロ波電力をチャンバー内に供給して表面波励起プラズマを生成するプラズマの生成方法において、チャンバー内に酸素ガスを導入するとともに、触媒ガスとして水ガス（水蒸気）および／または希ガス族元素のガスをも同時に導入するようにすることを特徴とする表面波励起プラズマの生成方法。」
　
（２）刊行物に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１及び２の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明は、前記２．で認定した本願補正発明から「表面波励起プラズマのプラズマ面積を拡大するために、」との構成要件を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、上記刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。