【手続補正書】
【提出日】平成30年9月27日(2018.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に形成された凹部と、
前記第１絶縁層から露出された上面を有し、前記凹部に形成された第１配線層と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記第１絶縁層から露出された上端面を有するビア配線と、
前記ビア配線の上端面及び前記第１配線層の上面に接するように、前記第１絶縁層の上面に形成された第２配線層と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第２配線層の少なくとも一部を被覆するとともに、前記第１絶縁層の上面に形成された第２絶縁層と、を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ビア配線の下端面に接するように、前記第１絶縁層の下面に形成された第３配線層と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第３配線層の少なくとも一部を被覆するように前記第１絶縁層の下面に形成された最外絶縁層と、
前記第２配線層と、前記第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上面に形成された第４配線層と、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第４配線層の少なくとも一部を被覆するとともに、前記第２絶縁層の上面に形成された第３絶縁層と、有する配線構造と、をさらに有し、
前記配線構造の最上層の配線層は、電子部品と接続されるパッドとして機能することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１絶縁層の上面と前記第１配線層の上面と前記ビア配線の上端面とが研磨面であり、
前記第１配線層と前記第２配線層の接続部は、前記第１配線層の上面と前記第２配線層の上面及び側面とによって形成される段差を有し、
前記第２絶縁層は、前記段差を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に形成された凹部と、
前記第１絶縁層から露出された上面を有し、前記凹部に形成された第１配線層と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記第１絶縁層から露出された上端面を有するビア配線と、
前記第１絶縁層の上面に形成された配線構造と、
前記配線構造の最上層の配線層に接続された電子部品と、
前記電子部品を封止する封止樹脂と、を有し、
前記配線構造は、
前記ビア配線の上端面及び前記第１配線層の上面に接するように、前記第１絶縁層の上面に形成された第２配線層と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第２配線層の少なくとも一部を被覆するとともに、前記第１絶縁層の上面に形成された第２絶縁層と、を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項５】
前記封止樹脂と前記配線構造を厚さ方向に貫通して、前記第１配線層の上面の少なくとも一部を露出する貫通孔を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記貫通孔内に形成され、前記第１配線層に接続された貫通電極と、
前記封止樹脂の上面に形成され、前記貫通電極を介して前記第１配線層と接続された接続パッドと、をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記電子部品は、前記最上層の配線層にフリップチップ実装された半導体チップであり、
前記封止樹脂は、前記半導体チップの回路形成面及び側面を被覆し、前記半導体チップの回路形成面とは反対側の裏面を露出し、
前記封止樹脂の上面と前記半導体チップの裏面は面一であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記ビア配線の下端面に接するように、前記第１絶縁層の下面に形成された第３配線層と、
感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第３配線層の少なくとも一部を被覆するように前記第１絶縁層の下面に形成された最外絶縁層と、をさらに有し、
前記第１絶縁層の熱膨張係数と前記封止樹脂の熱膨張係数と前記最外絶縁層の熱膨張係数とが等しいことを特徴とする請求項４〜７のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
請求項４〜８のいずれか一項に記載の半導体パッケージと、
前記半導体パッケージの上に接続端子を介して搭載された他の半導体パッケージと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に形成された凹部と、前記第１絶縁層から露出された上面を有し、前記凹部に形成された第１配線層とを有する構造体を支持基板上に形成する工程と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面及び前記第１配線層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面を被覆する前記導電層と前記第１絶縁層の上面の一部と前記第１配線層の上面の一部とを研磨することにより、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記貫通孔内に形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、前記ビア配線の上端面及び前記第１配線層の上面と接する第２配線層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、前記第２配線層の少なくとも一部を被覆するように、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなる第２絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に形成された凹部と、前記第１絶縁層から露出された上面を有し、前記凹部に形成された第１配線層とを有する構造体を支持基板上に形成する工程と、
前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面及び前記第１配線層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面を被覆する前記導電層と前記第１絶縁層の上面の一部と前記第１配線層の上面の一部とを研磨することにより、前記第１絶縁層の上面に露出する上端面を有するビア配線を前記貫通孔内に形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、配線構造を形成する工程と、
前記配線構造の最上層の配線層に電子部品を接続する工程と、
前記配線構造の最上層の絶縁層の上面に、前記電子部品を封止する封止樹脂を形成する工程と、を含み、
前記配線構造を形成する工程は、
前記第１絶縁層の上面に、前記ビア配線の上端面及び前記第１配線層の上面と接する第２配線層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、前記第２配線層の少なくとも一部を被覆するように、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなる第２絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記封止樹脂及び前記電子部品を上面側から薄化する工程と、
前記封止樹脂と前記配線構造の絶縁層とを厚さ方向に貫通し、前記第１配線層の上面の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記支持基板を除去する工程と、
前記第１絶縁層の下面に、前記ビア配線の下端面と接する第３配線層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の下面に、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第３配線層の少なくとも一部を被覆する最外絶縁層を形成する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に形成された凹部と、前記第１絶縁層から露出された上面を有し、前記凹部に形成された第１配線層と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記第１絶縁層から露出された上端面を有するビア配線と、前記ビア配線の上端面及び前記第１配線層の上面に接するように、前記第１絶縁層の上面に形成された第２配線層と、感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂からなり、前記第２配線層の少なくとも一部を被覆するとともに、前記第１絶縁層の上面に形成された第２絶縁層と、を有する。