【手続補正書】
【提出日】平成30年9月12日(2018.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気泳動電着法において用いられる電着液であって、
前記電着液は、メタル基板をコーティングするための複数のセラミックス粒子と、前記複数のセラミックス粒子を結合するオルガノポリシロキサン組成物とを含み、
前記オルガノポリシロキサン組成物は、ポリジアルキルシロキサン、ポリジアリールシロキサン、ポリアルキルアリールシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含む
電着液。
【請求項２】
前記オルガノポリシロキサン組成物は、金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含む
請求項１に記載の電着液。
【請求項３】
メタル基板と、
前記メタル基板上に形成された絶縁層とを備えるメタルコア基板であって、
前記絶縁層は、複数のセラミックス粒子と、前記複数のセラミックス粒子を結合するオルガノポリシロキサン組成物を原料とするバインダとを含み、
前記オルガノポリシロキサン組成物は、ポリジアルキルシロキサン、ポリジアリールシロキサン、ポリアルキルアリールシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含み、
前記メタルコア基板は、２Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率および５０ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊電界強度を有し、かつ、前記メタルコア基板の耐熱温度は２００℃以上である
メタルコア基板。
【請求項４】
前記オルガノポリシロキサン組成物は、金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含む
請求項３に記載のメタルコア基板。
【請求項５】
前記バインダは、前記オルガノポリシロキサン組成物の硬化体で構成される
請求項３または４に記載のメタルコア基板。
【請求項６】
前記絶縁層が、前記メタル基板上に選択的に形成されている
請求項３〜５のいずれか１項に記載のメタルコア基板。
【請求項７】
前記メタル基板は、前記絶縁層上に配線層を備える
請求項３〜６のいずれか１項に記載のメタルコア基板。
【請求項８】
複数のセラミックス粒子と、前記複数のセラミックス粒子を結合するオルガノポリシロキサン組成物とを含む電着液を形成する工程と、
メタル基板の表面に、前記電着液を用いた電気泳動電着法により、前記複数のセラミックス粒子で構成される絶縁層を選択的に形成する工程とを含む
メタルコア基板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層を選択的に形成する工程では、前記オルガノポリシロキサン組成物の分子量に依存して定まる電流密度の電流を用いた前記電気泳動電着法により、前記絶縁層を選択的に形成する
請求項８に記載のメタルコア基板の製造方法。
【請求項１０】
さらに、前記絶縁層上に、電着膜を介した接着により配線層を形成する工程を含む
請求項８または９に記載のメタルコア基板の製造方法。
【請求項１１】
メタル基板の表面をプラズマ電解酸化する工程と、
前記プラズマ電解酸化された前記メタル基板の表面を、複数のセラミックス粒子と前記複数のセラミックス粒子を結合するオルガノポリシロキサン組成物とを含む電着液を用いた電気泳動電着法により封孔処理する工程とを含む
メタルコア基板の製造方法。
【請求項１２】
前記封孔処理する工程では、前記オルガノポリシロキサン組成物の分子量に依存して定まる電流密度の電流を用いた前記電気泳動電着法により、前記メタル基板の表面を封孔処理する
請求項１１に記載のメタルコア基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電着液は、電気泳動電着法において用いられる電着液であって、前記電着液は、メタル基板をコーティングするための複数のセラミックス粒子と、前記複数のセラミックス粒子を結合するオルガノポリシロキサン組成物で構成されるバインダとを含む。前記オルガノポリシロキサン組成物は、ポリジアルキルシロキサン、ポリジアリールシロキサン、ポリアルキルアリールシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記オルガノポリシロキサン組成物は、金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含んでもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るメタルコア基板は、メタル基板と、前記メタル基板上に形成された絶縁層とを備えるメタルコア基板であって、前記絶縁層は、複数のセラミックス粒子と、前記複数のセラミックス粒子を結合するオルガノポリシロキサン組成物を原料とするバインダとを含み、前記オルガノポリシロキサン組成物は、ポリジアルキルシロキサン、ポリジアリールシロキサン、ポリアルキルアリールシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含み、前記メタルコア基板は、２Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率および５０ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊電界強度を有し、かつ、前記メタルコア基板の耐熱温度は２００℃以上である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
例えば、本発明の一態様に係るメタルコア基板において、前記オルガノポリシロキサン組成物は、金属アルコキシド末端変性ポリジアルキルシロキサン、金属アルコキシド末端変性ポリジアリールシロキサンおよび金属アルコキシド末端変性ポリアルキルアリールシロキサンの少なくとも一つを含んでもよい。前記バインダは、オルガノポリシロキサン組成物の硬化体で構成されてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るメタルコア基板の製造方法は、複数のセラミックス粒子と、前記複数のセラミックス粒子を結合するオルガノポリシロキサン組成物とを含む電着液を形成する工程と、メタル基板の表面に、前記電着液を用いた電気泳動電着法により、前記複数のセラミックス粒子で構成される絶縁層を選択的に形成する工程とを含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ここで、前記絶縁層を選択的に形成する工程では、前記オルガノポリシロキサン組成物の分子量に依存して定まる電流密度の電流を用いた前記電気泳動電着法により、前記絶縁層を選択的に形成してもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るメタルコア基板の製造方法は、メタル基板の表面をプラズマ電解酸化する工程と、前記プラズマ電解酸化された前記メタル基板の表面を、複数のセラミックス粒子と前記複数のセラミックス粒子を結合するオルガノポリシロキサン組成物とを含む電着液を用いた電気泳動電着法により封孔処理する工程とを含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本態様によれば、より優れた高熱伝導性および高絶縁性を有するメタルコア基板を製造することができる。したがって、電子回路基板として用いるのに適したメタルコア基板を製造することができる。
なお、前記封孔処理する工程では、前記オルガノポリシロキサン組成物の分子量に依存して定まる電流密度の電流を用いた前記電気泳動電着法により、前記メタル基板の表面を封孔処理してもよい。