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【手続補正書】
【提出日】平成30年1月26日(2018.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
自車両に搭載され、自車両の運動を制御する車両制御装置（１０）であって、
進路変更先の車線において、該車線を走行する他車両の運動に基づいて、未来において該車線を走行する他車両が存在しない領域を表す目標領域を探索し、該目標領域についての運動を推定する目標運動推定部（Ｓ１９０）と、
前記目標領域の運動と自車両の運動とを一致させるために必要となる自車両の制御量を、前記目標領域に合流するための目標制御量として設定する制御量設定部（Ｓ２２０，Ｓ２３０，Ｓ３１０，Ｓ３２０）と、
前記設定された目標制御量に従って自車両の運動を制御する運動制御部（Ｓ３２０）と、
を備えた車両制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソフトウェアのテストを支援する情報処理装置であって、
画面の遷移に関する記述を含む複数のテストシナリオと、
前記ソフトウェアを構成するソースコードと、
前記画面と前記画面の生成に関わる前記ソースコードとを対応付けた情報である画面／ソースコード対応情報と、
を記憶する記憶部、
前記テストシナリオの記述を、前記画面を単位とした複数のブロックに分割した結果を含む情報であるテストシナリオ分割情報を生成するテストシナリオ分割部、及び、
前記テストシナリオ分割情報に基づき、前記複数のテストシナリオの夫々に実行優先度を設定するテストシナリオ実行優先度設定部、
を備える、
テスト支援装置。
【請求項２】
請求項１に記載のテスト支援装置であって、
前記テストシナリオ実行優先度設定部は、前記画面別かつ観点毎に、前記複数のテストシナリオの夫々に前記実行優先度を設定する、
テスト支援装置。
【請求項３】
請求項２に記載のテスト支援装置であって、
前記テストシナリオ実行優先度設定部は、特定の前記画面のテストが早期に開始される前記テストシナリオが他の前記テストシナリオよりも優先して実行されるようにするという前記観点に基づき、前記複数のテストシナリオの夫々に前記実行優先度を設定する、
テスト支援装置。
【請求項４】
請求項３に記載のテスト支援装置であって、
前記記憶部は、前記複数のテストシナリオの夫々の実行ログをさらに記憶し、
前記テストシナリオ実行優先度設定部は、前記テストシナリオの夫々について、前記実行ログから前記特定の画面のテストが開始されるタイミングを特定する情報を取得し、取得した前記タイミングに基づき前記複数のテストシナリオの夫々に前記実行優先度を設定する、
テスト支援装置。
【請求項５】
請求項２に記載のテスト支援装置であって、
前記記憶部は、前記複数のテストシナリオの夫々の実行ログをさらに記憶し、
前記テストシナリオ実行優先度設定部は、前記テストシナリオの夫々について、前記実行ログから、特定の前記画面についての不具合の発生頻度に関する情報を取得し、前記特定の画面についての不具合の発生頻度が多い前記テストシナリオが他の前記テストシナリオよりも優先して実行されるようにするという前記観点に基づき、前記実行優先度を設定する、
テスト支援装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のテスト支援装置であって、
前記記憶部は、前記ソースコードをファイルの形式で記憶し、
画面を定義する記述を含む前記ソースコードから、前記画面に関する記述を含むソースコードのファイル名を取得し、前記画面と前記ファイル名とを対応づけた情報を、前記画面／ソースコード対応情報として生成する、画面／ソースコード対応情報生成部をさらに備える、
テスト支援装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のテスト支援装置であって、
前記テストシナリオ分割部は、前記テストシナリオに記述されている、画面の遷移を生じさせる記述に基づきテストシナリオを分割する、
テスト支援装置。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のテスト支援装置であって、
前記実行優先度に従って前記複数のテストシナリオを順に実行するテストシナリオ実行部をさらに備える、
テスト支援装置。
【請求項９】
請求項８に記載のテスト支援装置であって、
前記テストシナリオ実行部は、特定の前記画面の前記ブロックの実行が完了した時点で前記テストシナリオの実行を停止する、
テスト支援装置。
【請求項１０】
請求項８に記載のテスト支援装置であって、
前記テストシナリオ実行部は、前記テストシナリオの画面の遷移のパターンが他の前記テストシナリオの画面の遷移のパターンの全部又は一部と重複する場合、実行する前記テストシナリオを選択して前記パターンを重複して実行しないようにする、
テスト支援装置。
【請求項１１】
ソフトウェアのテストを支援する方法であって、
情報処理装置が、
画面の遷移に関する記述を含む複数のテストシナリオと、
前記ソフトウェアを構成するソースコードと、
前記画面と前記画面の生成に関わる前記ソースコードとを対応付けた情報である画面／ソースコード対応情報と、
を記憶するステップと、
前記テストシナリオの記述を、前記画面を単位とした複数のブロックに分割した結果を含む情報であるテストシナリオ分割情報を生成するステップと、
前記テストシナリオ分割情報に基づき、前記複数のテストシナリオの夫々に実行優先度を設定するステップと、
を実行する、
テスト支援方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のテスト支援方法であって、
前記情報処理装置は、前記画面別かつ観点毎に、前記複数のテストシナリオの夫々に前記実行優先度を設定する、
テスト支援方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のテスト支援方法であって、
前記情報処理装置は、特定の前記画面のテストが早期に開始される前記テストシナリオが他の前記テストシナリオよりも優先して実行されるようにするという観点に基づき、前記複数のテストシナリオの夫々に前記実行優先度を設定する、
テスト支援方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のテスト支援方法であって、
前記情報処理装置は、
前記複数のテストシナリオの夫々の実行ログをさらに記憶し、
前記テストシナリオの夫々について、前記実行ログから前記特定の画面のテストが開始されるタイミングを特定する情報を取得し、取得した前記タイミングに基づき前記複数のテストシナリオの夫々に前記実行優先度を設定する、
テスト支援方法。
【請求項１５】
情報処理装置に、
画面の遷移に関する記述を含む複数のテストシナリオと、
ソフトウェアを構成するソースコードと、
前記画面と前記画面の生成に関わる前記ソースコードとを対応付けた情報である画面／ソースコード対応情報と、
を記憶する機能、
前記テストシナリオの記述を、前記画面を単位とした複数のブロックに分割した結果を含む情報であるテストシナリオ分割情報を生成する機能、及び
前記テストシナリオ分割情報に基づき、前記複数のテストシナリオの夫々に実行優先度を設定する機能、
を実現するためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月7日(2018.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に現像剤を担持し、内部に互いに隣り合う同極性の磁極を備えた現像剤担持体と、前記現像剤担持体の表面に現像剤を供給するとともに現像後の現像剤を回収する攪拌搬送部材とを有する現像装置において、
前記互いに隣り合う同極性の磁極の各々が、前記現像剤担持体の回転による前記現像剤担持体の表面の移動が下向きになる側にあり、
前記互いに隣り合う同極性の磁極の各々の鉛直真下には、前記攪拌搬送部材に向かって下傾斜した傾斜面が設けられていることを特徴とする現像装置。
【請求項２】
請求項１記載の現像装置において、
前記攪拌搬送部材の回転静止時に該攪拌搬送部材の軸部が現像剤から露出する量の現像剤が充填されていることを特徴とする現像装置。
【請求項３】
請求項２記載の現像装置において、
前記傾斜面の位置は、前記攪拌搬送部材の前記軸部の頂点よりも低い位置であることを特徴とする現像装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の現像装置において、
前記攪拌搬送部材の軸部の外径は前記攪拌搬送部材の羽根の最外端が通った軌跡線の外径の５５［％］以上であり、かつ、前記攪拌搬送部材の軸部の軸中心から前記攪拌搬送部材の羽根の最外端までの長さは３［ｍｍ］以上であることを特徴とする現像装置。
【請求項５】
少なくとも潜像担持体と現像装置とを一体的に保持し、画像形成装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジにおいて、
前記現像装置として、請求項１〜４のいずれかに記載の現像装置を用いたことを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項６】
潜像を担持する潜像担持体と、該潜像担持体上の潜像を現像する現像部とを備えた画像形成装置において、
前記現像部として、請求項１〜４のいずれかに記載の現像装置を用いたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月31日(2018.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計時データを生成する計時回路と、
前記計時データを格納する計時データ格納部と、
前記計時データ格納部の機能を設定する制御データを格納する制御データ格納部と、
前記制御データに基づいて、イベントの検出に応答して生成される第１のトリガー信号と、リードコマンドに応答して生成される第２のトリガー信号との内の一方を選択し、選択された第１又は第２のトリガー信号に応答して前記計時データ格納部に前記計時データを格納させるタイミング制御回路と、
外部からコマンドを受信すると共に、前記計時データ格納部から読み出された前記計時データを外部に送信するインターフェースと、
を備える計時装置。
【請求項２】
前記第１のトリガー信号に応答して前記計時データを格納する第２の計時データ格納部と、
前記第２の計時データ格納部に前記計時データが格納された履歴に関する履歴データを格納する履歴データ格納部と、
をさらに備え、前記タイミング制御回路が、前記履歴データに従って、前記第１のトリガー信号に応答して前記計時データ格納部に前記計時データを格納させるか否かを制御する、請求項１記載の計時装置。
【請求項３】
前記インターフェースが、イベントトリガーコマンドとして設定されたコマンドを受信したときに所定の信号を活性化し、
前記タイミング制御回路が、前記所定の信号が活性化されたときに前記第１のトリガー信号を生成する、請求項１又は２記載の計時装置。
【請求項４】
外部からイベント検出信号が供給される入力端子をさらに備え、
前記タイミング制御回路が、前記イベント検出信号が活性化されたときに前記第１のトリガー信号を生成する、請求項１〜３のいずれか１項記載の計時装置。
【請求項５】
バックアップ電源をさらに備え、
前記インターフェースが、前記バックアップ電源から供給される電源電圧で動作しているときに、複数の外部接続端子の内の１つに供給される第２のイベント検出信号を前記タイミング制御回路に出力し、
前記タイミング制御回路が、前記第２のイベント検出信号が活性化されたときに前記第１のトリガー信号を生成する、請求項４記載の計時装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載の計時装置を備える電子機器。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項記載の計時装置を備える移動体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月31日(2018.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを物体に転写する装置に用いられ、それぞれの状態が変更可能な第１及び第２光学要素を備える空間光変調器を制御する制御方法において、
前記第１光学要素を第１状態にするための第１駆動情報を設定することと、
前記第２光学要素の状態に関する情報を用いて、前記第１駆動情報を変更することと
を含む制御方法。
【請求項２】
前記第１光学要素を介した前記光の振幅を示す振幅特性値として、前記第１状態にある前記第１光学要素を介した前記光の振幅を示す第１特性値、及び、前記第１状態とは異なる第２状態にある前記第１光学要素を介した前記光の振幅を示す第２特性値を得ることを含み、
前記設定することは、前記振幅特性値を用いて、前記第１及び第２光学要素のそれぞれの状態を設定し、
前記第１特性値と前記第２特性値とが異なる
請求項１に記載の制御方法。
【請求項３】
前記状態を設定することは、前記振幅特性値を用いて、前記第１光学要素から所定距離だけ離れた位置に位置する前記第２光学要素の状態を設定することを含む
請求項２に記載の制御方法。
【請求項４】
前記設定することは、前記第２光学要素の状態を、前記第１光学要素の状態と一致させる
請求項３に記載の制御方法。
【請求項５】
前記第１駆動情報を前記空間光変調器に送信することを含む
請求項１から４のいずれか一項に記載の制御方法。
【請求項６】
前記第１光学要素の状態を検知し、前記第１光学要素の前記状態に関する前記情報を得ることを含む
請求項１から５のいずれか一項に記載の制御方法。
【請求項７】
前記第１光学要素は、欠陥に起因して前記光を理想的な反射態様で反射することができない又は前記光を理想的な透過態様で透過させることができない光学要素である
請求項１から６のいずれか一項に記載の制御方法。
【請求項８】
入射する光を変調して射出する空間光変調器が備える複数の光学要素のそれぞれの状態を設定する、空間光変調器の制御方法であって、
前記複数の光学要素のうち少なくとも一つの光学要素の状態を特定することと、
前記少なくとも一つの光学要素の状態に関する情報を用いて、前記複数の光学要素のうち前記少なくとも一つの光学要素から所定距離だけ離れた位置に位置する他の光学要素の状態を設定することと
を備える制御方法。
【請求項９】
前記空間光変調器は、前記空間光変調器から射出される前記光を用いて所望のパターンを物体に転写し、
前記状態を設定することは、前記少なくとも一つの光学要素の状態に関する情報を用いて、前記所望のパターンとは無関係に、前記他の光学要素の状態を設定することを含む
請求項８に記載の制御方法。
【請求項１０】
前記状態を設定することは、前記他の光学要素の状態を、前記少なくとも一つの光学要素の状態と一致させる
請求項８又は９に記載の制御方法。
【請求項１１】
前記少なくとも一つの光学要素は、欠陥に起因して前記光を理想的な反射態様で反射することができない又は前記光を理想的な透過態様で透過させることができない光学要素である
請求項８から１０のいずれか一項に記載の制御方法。
【請求項１２】
前記空間光変調器は、前記空間光変調器から射出される前記光を用いて物体を走査露光することで、所望のパターンを前記物体に転写し、
前記他の光学要素は、前記少なくとも一つの光学要素から走査方向に沿って前記所定距離だけ離れている
請求項８から１１のいずれか一項に記載の制御方法。
【請求項１３】
前記所定距離は、１回の走査露光毎の走査距離に相当する請求項１２に記載の制御方法。
【請求項１４】
所望のパターンを物体に転写するために入射する光を変調して射出する空間光変調器が備える複数の光学要素のそれぞれの状態を設定する、空間光変調器の制御方法であって、
前記複数の光学要素のうちの少なくとも一つの光学要素の状態が変更されたときの前記所望のパターンの転写状態の変化に関する情報を得ることと、
前記情報を用いて前記少なくとも一つの光学要素の状態を設定することと
を備える制御方法。
【請求項１５】
パターンを物体に転写する装置と共に用いられ、それぞれの状態が変更可能な第１及び第２光学要素を備える空間光変調器を制御する制御装置において、
前記第１光学要素の状態に関する情報が入力される入力部と、
前記第１及び第２光学要素の状態を所定の状態に設定するための駆動信号を生成するコントローラと
を備え、
前記コントローラは、
前記第１光学要素を第１状態にするための第１駆動情報を設定し、
前記第２光学要素の状態に関する情報を用いて、前記第１駆動情報を変更する制御装置。
【請求項１６】
空間光変調器と、
前記空間光変調器を制御するコントローラと
を備え、
前記コントローラは、請求項１から２０のいずれか一項に記載の制御方法を実行することで前記空間光変調器が備える第１及び第２光学要素のそれぞれの状態を決定する露光装置。
【請求項１７】
パターンを物体に露光する露光方法であって、
請求項１から１４のいずれか一項に記載の制御方法を用いて前記前記空間光変調器が備える第１及び第２光学要素の状態を決定し、
前記空間光変調器を介した光露光を用いて前記物体を露光する露光方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の露光方法を用いて、感光剤が塗布された前記物体を露光し、当該物体に所望のパターンを転写し、
露光された前記感光剤を現像して、前記所望のパターンに対応する露光パターン層を形成し、
前記露光パターン層を介して前記物体を加工するデバイス製造方法。
【請求項１９】
物体に所望のパターンを転写する露光装置と共に用いられ、それぞれの状態が変更可能な第１及び第２光学要素を備える空間光変調器の制御データを生成するデータ生成方法であって、
前記第１光学要素を第１状態にするための第１駆動情報を設定することと、
前記第２光学要素の状態に関する情報を用いて、前記第１駆動情報を変更して第２駆動情報を生成することと、
前記第２駆動情報から前記空間光変調器が備える前記第１光学要素の状態を示す設定データを前記制御データとして生成することと
を含むデータ生成方法。
【請求項２０】
物体に所望のパターンを転写する露光装置が備える空間光変調器の制御データを生成するデータ生成方法であって、
前記所望のパターンに関する第１情報を得ることと、
前記空間光変調器の特性に関する第２情報を得ることと、
前記第１情報と前記第２情報とを用いて、前記空間光変調器が備える複数の光学要素のそれぞれの状態を示す設定データを前記制御データとして生成することと
を含むデータ生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月12日(2018.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置に対して取り外し可能なレンズ装置と前記撮像装置との間に装着されるコンバータ装置であって、
前記レンズ装置によって形成された１次像を像面に２次像として再結像する再結像光学系を有し、
前記再結像光学系の撮影倍率をβｃ、前記再結像光学系の最も物体側のレンズ面から前記１次像までの光軸上の距離をＯｂｊｃ、前記再結像光学系の最も物体側のレンズ面から前記２次像までの光軸上の距離をＴｄｃとしたとき、
−５．００＜βｃ＜−０．５５
−０．２０＜Ｏｂｊｃ／Ｔｄｃ＜０．５０
なる条件式を満足することを特徴とするコンバータ装置。
【請求項２】
前記再結像光学系の最も物体側のレンズ面を通過し、プラス側の最大像高の像を形成する最軸外の主光線と前記再結像光学系の光軸とのなす角度をα’として、前記光軸に対して時計回り方向に主光線が傾いているときの角度を正の符号とし、前記光軸に対して反時計回り方向に主光線が傾いているときの角度を負の符号としたとき、
−５°＜α’＜２０°
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１に記載のコンバータ装置。
【請求項３】
前記再結像光学系の最も像側のレンズ面を通過し、プラス側の最大像高の像を形成する最軸外の主光線と前記再結像光学系の光軸とのなす角度をα’’として、前記光軸に対して時計回り方向に主光線が傾いているときの角度を正の符号とし、前記光軸に対して反時計回り方向に主光線が傾いているときの角度を負の符号としたとき、
−３０°＜α’’＜０°
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１または２に記載のコンバータ装置。
【請求項４】
前記再結像光学系の最も物体側のレンズ面を通過し、プラス側の最大像高の像を形成する最軸外の主光線と前記再結像光学系の光軸とのなす角度をα’、前記再結像光学系の最も像側のレンズ面を通過し、プラス側の最大像高の像を形成する最軸外の主光線と前記再結像光学系の光軸とのなす角度をα’’として、前記光軸に対して時計回り方向に主光線が傾いているときの角度を正の符号とし、前記光軸に対して反時計回り方向に主光線が傾いているときの角度を負の符号としたとき、
−３０°＜α’＋α’’＜１０°
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコンバータ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のコンバータ装置を介して交換レンズが取り外し可能に装着され、前記再結像光学系によって形成される２次像を受光する撮像素子を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記コンバータ装置を介して交換レンズが装着された状態における最大像高をＨｍａｘ、前記コンバータ装置の最も像側のレンズ面の有効径をＥａｒとしたとき、
０．２０＜Ｅａｒ／２Ｈｍａｘ＜０．９５
なる条件式を満足することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
コンバータ装置を介してレンズ装置が取り外し可能な撮像装置であって、
前記レンズ装置及び前記コンバータ装置によって形成された像を受光する撮像素子を有し、
前記撮像素子が受光する像は、前記レンズ装置によって形成された１次像を、前記コンバータ装置に含まれる再結像光学系によって２次像として再結像した像であり、
前記再結像光学系の撮影倍率をβｃ、前記コンバータ装置を介して交換レンズが装着された状態における最大像高をＨｍａｘ、前記コンバータ装置の最も像側のレンズ面の有効径をＥａｒとしたとき、
−５．００＜βｃ＜−０．５５
０．２０＜Ｅａｒ／２Ｈｍａｘ＜０．９５
なる条件式を満足することを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
前記撮像装置は、前記コンバータ装置を介することなく前記交換レンズが装着されたときにも撮影動作を行うことが可能であることを特徴する請求項５乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一実施例のコンバータ装置は、撮像装置に対して取り外し可能なレンズ装置と前記撮像装置との間に装着され、前記レンズ装置によって形成された像を像面に再結像する再結像光学系を有し、前記再結像光学系の撮影倍率をβｃ、前記再結像光学系の最も物体側のレンズ面から前記１次像までの光軸上の距離をＯｂｊｃ、前記再結像光学系の最も物体側のレンズ面から前記２次像までの光軸上の距離をＴｄｃとしたとき、
−５．００＜βｃ＜−０．５５
−０．２０＜Ｏｂｊｃ／Ｔｄｃ＜０．５０
なる条件式を満足することを特徴とする。
本発明の一実施例の撮像装置は、コンバータ装置を介してレンズ装置が取り外し可能な撮像装置であって、前記レンズ装置及び前記コンバータ装置によって形成された像を受光する撮像素子を有し、前記撮像素子が受光する像は、前記レンズ装置によって形成された１次像を、前記コンバータ装置に含まれる再結像光学系によって２次像として再結像した像であり、前記再結像光学系の撮影倍率をβｃ、前記コンバータ装置を介して交換レンズが装着された状態における最大像高をＨｍａｘ、前記コンバータ装置の最も像側のレンズ面の有効径をＥａｒとしたとき、
−５．００＜βｃ＜−０．５５
０．２０＜Ｅａｒ／２Ｈｍａｘ＜０．９５
なる条件式を満足することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月19日(2018.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源装置からのビームのスポット光を対象物の被照射面に投射しつつ、前記スポット光を前記被照射面上で１次元に走査するビーム走査装置であって、
前記ビームを前記１次元の走査のために偏向する複数の反射面を有する回転多面鏡と、
前記回転多面鏡の反射面に対して計測光を照射し、前記反射面が所定の回転角度位置にくると前記計測光の反射光を受光することで原点信号を出力する複数の原点センサと、
を備え、
前記複数の原点センサの各々は、前記回転多面鏡の互いに異なる前記反射面に向けて前記計測光を照射して、前記異なる前記反射面毎に前記原点信号を出力する、ビーム走査装置。
【請求項２】
請求項１に記載のビーム走査装置であって、
前記複数の原点センサは、前記回転多面鏡の複数の前記反射面のうち、前記ビームを偏向して前記スポット光の前記１次元の走査を行う前記反射面を用いて第１の原点信号を出力する第１の原点センサと、前記スポット光の前記１次元の走査を行う前記反射面とは異なる位置の前記反射面を用いて第２の原点信号を出力する第２の原点センサとを有する、ビーム走査装置。
【請求項３】
請求項２に記載のビーム走査装置であって、
前記第１の原点信号の出力タイミングと前記第２の原点信号の出力タイミングとを用いて、前記第１の原点センサの位置ずれによる前記第１の原点信号の出力タイミングのずれを検出する制御装置を備える、ビーム走査装置。
【請求項４】
請求項３に記載のビーム走査装置であって、
前記制御装置は、前記第１の原点センサの位置ずれによる前記第１の原点信号の出力タイミングのずれを検出した場合は、前記第１の原点信号の出力タイミングのずれ量を算出する、ビーム走査装置。
【請求項５】
請求項４に記載のビーム走査装置であって、
前記制御装置は、前記第１の原点信号の出力タイミングに基づいて、前記スポット光の走査開始タイミングを決定し、前記ずれ量が算出された場合は、前記ずれ量を用いて前記スポット光の走査開始タイミングを調整する、ビーム走査装置。
【請求項６】
請求項２〜５のいずれか１項に記載のビーム走査装置であって、
複数の前記第２の原点センサを備え、
前記複数の第２の原点センサの各々は、互いに異なる位置の前記反射面を用いて前記第２の原点信号を出力する、ビーム走査装置。
【請求項７】
光源装置からのビームのスポット光を対象物の被照射面に投射しつつ、前記スポット光を前記被照射面上で１次元に走査するビーム走査方法であって、
回転多面鏡を用いて前記ビームを前記１次元の走査のために偏向する偏向工程と、
前記回転多面鏡の互いに異なる少なくとも２つの反射面に対して計測光を照射し、前記少なくとも２つの前記反射面の各々が所定の回転角度位置にくると前記計測光の反射光を受光することで、前記少なくとも２つの前記反射面の各々に対応した少なくとも２つの原点信号を出力する出力工程と、
を含む、ビーム走査方法。
【請求項８】
請求項７に記載のビーム走査方法であって、
前記出力工程は、
前記ビームを偏向して前記スポット光の前記１次元の走査を行う前記反射面を用いて第１の原点信号を出力する第１の出力工程と、
前記スポット光の前記１次元の走査を行う前記反射面とは異なる位置の前記反射面を用いて第２の原点信号を出力する第２の出力工程と、
を含む、ビーム走査方法。
【請求項９】
請求項８に記載のビーム走査方法であって、
前記第１の原点信号の出力タイミングと前記第２の原点信号の出力タイミングとを用いて、前記第１の原点信号の出力タイミングのずれを検出する検出工程を含む、ビーム走査方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のビーム走査方法であって、
前記第１の原点信号の出力タイミングのずれを検出した場合は、前記第１の原点信号の出力タイミングのずれ量を算出する算出工程を含む、ビーム走査方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のビーム走査方法であって、
前記第１の原点信号の出力タイミングに基づいて、前記スポット光の走査開始タイミングを決定し、前記ずれ量が算出された場合は、前記ずれ量を用いて前記スポット光の走査開始タイミングを調整する決定工程を含む、ビーム走査方法。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１項に記載のビーム走査方法であって、
前記第２の出力工程は、互いに異なる位置の前記反射面を用いて複数の前記第２の原点信号を出力する、ビーム走査方法。
【請求項１３】
対象物上でビームを走査しつつ、走査の間にパターン情報に応じて前記ビームを変調させて、前記対象物上にパターンを描画するパターン描画装置であって、
前記走査のために、前記ビームを偏向する複数の反射面を有する回転多面鏡と、
前記回転多面鏡の複数の反射面のうちのいずれか１つの第１反射面が所定角度範囲内で回転している間、前記第１反射面で反射された前記ビームを入射して前記対象物に向けて投射する投射光学系と、
前記第１反射面が前記所定角度範囲に至る時点を表す第１の原点信号を出力する第１原点検出器と、
前記回転多面鏡の複数の反射面のうちの前記第１反射面とは異なる第２反射面が所定の回転角度位置になった時点を表す第２の原点信号を出力する第２原点検出器と、
前記第１の原点信号と前記第２の原点信号とに基づいて、前記ビームの変調の開始タイミングを制御する描画制御部と、
を備える、パターン描画装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載のパターン描画装置であって、
前記描画制御部は、前記第１の原点信号の出力タイミングと前記第２の原点信号の出力タイミングとを用いて、前記第１原点検出器の位置ずれによる前記第１の原点信号の出力タイミングのずれを検出するずれ検出部を備える、パターン描画装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載のパターン描画装置であって、
前記描画制御部は、前記ずれ検出部によって前記第１原点検出器の位置ずれによる前記第１の原点信号の出力タイミングのずれを検出した場合は、前記第１の原点信号の出力タイミングのずれ量を算出するずれ量算出部を備える、パターン描画装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載のパターン描画装置であって、
前記描画制御部は、前記第１の原点信号の出力タイミングに基づいて、スポット光の走査開始タイミングを決定すると共に、前記ずれ量算出部で算出された前記ずれ量を用いて前記スポット光の走査開始タイミングを調整する、パターン描画装置。
【請求項１７】
請求項１３〜１６のいずれか１項に記載のパターン描画装置であって、
前記第２原点検出器は、前記回転多面鏡の互いに異なる位置の前記反射面の各々に対応するように複数設けられ、
前記描画制御部は、前記第１の原点信号と、前記複数の第２原点検出器の各々から出力される複数の前記第２の原点信号とに基づいて、前記ビームの変調の開始タイミングを制御する、パターン描画装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月19日(2018.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体を活性層とするトランジスタ及び光電変換素子を有する画素回路と、
前記画素回路と接続するロードライバと、
前記画素回路と接続するカラムドライバと、
前記画素回路から出力された信号の処理を行う第１の回路と、を有し、
前記ロードライバ、前記カラムドライバ、及び前記第１の回路は、シリコンを活性層または活性領域とするトランジスタを有し、
前記画素回路は、前記カラムドライバと重なる領域を有し、
前記画素回路は、前記第１の回路と重なる領域を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記画素回路を複数有することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記画素回路は、前記カラムドライバ及び前記第１の回路の上方に位置することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、ＩｎとＺｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記光電変換素子は、セレンを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記カラムドライバは、シフトレジスタ回路およびバッファ回路を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の回路は、相関二重サンプリング回路、アナログ−デジタル変換回路およびラッチ回路を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月14日(2018.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｎ接合を作製するためにＧａＮを主成分とする半導体をドープするための方法であって、下記のステップ、すなわち、
シリコンを主成分とするマスク（３）によってカバーされた、ＧａＮを主成分とする半導体材料層（１ｂ）を備える基板（１）を用意することと、
ｐ型領域に隣接したｎ型領域を形成するために、拡散によってＳｉ型の追加のドーパント不純物（４）を前記マスク（３）から前記ＧａＮを主成分とする半導体材料層（１ｂ）に移すように前記マスク（３）にドーパント不純物（２）を注入することと、
前記ドーパント不純物（２）および前記追加のドーパント不純物（４）を活性化するように構成された熱アニールを行うことと、
を備える方法。
【請求項２】
前記マスク（３）が前記マスク（３）によってカバーされた領域およびカバーされていない領域を画成するように前記基板（１）を部分的にカバーする、請求項１に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項３】
前記ドーパント不純物（２）がｐ型である、請求項１または２のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項４】
前記ドーパント不純物（２）の平均注入深さが、前記半導体材料層（１ｂ）中に追加のドーパント不純物（４）を取り込むように前記マスク（３）と前記半導体材料層との界面から少なくとも３００ｎｍに等しい距離に位置する、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項５】
熱処理ステップの前に行われるキャップ層（５）の堆積ステップを備える、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項６】
前記キャップ層（５）の前記堆積ステップが前記ドーパント不純物（２）の前記注入ステップの前に行われる、請求項５に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項７】
前記キャップ層（５）の堆積が前記ドーパント不純物（２）および前記追加のドーパント不純物（４）の前記注入ステップの後に行われる、請求項５に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項８】
前記キャップ層（５）の材料がアルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、シリコン酸化物、またはＳｉｘＮｙ型のシリコン窒化物、アモルファス・シリコンおよびＨｆＳｉｘＯｙ型の化合物から選ばれる、請求項５ないし７のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項９】
前記熱処理の後にエッチングすることによる前記キャップ層（５）の剥ぎ取りステップを備える、請求項５ないし８のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項１０】
前記注入ステップが１５℃から７００℃の範囲、好ましくは４５０℃から６００℃の範囲に備えられた温度で行われる、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項１１】
前記熱処理ステップが異なる持続時間および温度の少なくとも２つのアニールの組合せである、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項１２】
前記アニールの少なくとも１つが１０００℃を超える温度で行われる、請求項１１に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項１３】
前記マスク（３）の厚さが２ｎｍから４００ｎｍの範囲に備えられた、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
【請求項１４】
前記半導体材料層（１ｂ）の厚さが５ｎｍから１０μｍの範囲、好ましくは５００ｎｍから１０μｍの範囲に備えられた、理想的には１μｍに等しい、請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の半導体をドープするための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月24日(2018.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、
前記一対の電極間に設けられたＥＬ層と、
を有する発光装置であって、
前記ＥＬ層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、ゲスト材料と、を有し、
前記第１の有機化合物は、室温で熱活性化遅延蛍光を呈することができる機能を有し、
前記ゲスト材料は、蛍光を呈することができる機能を有し、
前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位以上のエネルギー準位を有し、
前記第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位は、前記第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位以下のエネルギー準位を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
一対の電極と、
前記一対の電極間に設けられたＥＬ層と、
を有する発光装置であって、
前記ＥＬ層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、ゲスト材料と、を有し、
前記第１の有機化合物は、室温で熱活性化遅延蛍光を呈することができる機能を有し、
前記ゲスト材料は、蛍光を呈することができる機能を有し、
前記第１の有機化合物の酸化電位は、前記第２の有機化合物の酸化電位以下であり、
前記第１の有機化合物の還元電位は、前記第２の有機化合物の還元電位以上である、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の有機化合物の一重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位との差が０ｅＶを超えて０．２ｅＶ以下である、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ゲスト材料が発光を呈する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物は、第１のπ電子不足型複素芳香族骨格と、第１のπ電子過剰型複素芳香族骨格と、を有し、
前記第２の有機化合物は、第２のπ電子不足型複素芳香族骨格と、第２のπ電子過剰型複素芳香族骨格と、を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１のπ電子不足型複素芳香族骨格は、ジアジン骨格、またはトリアジン骨格、を有し、
前記第１のπ電子過剰型複素芳香族骨格は、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、または３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール骨格、の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有し、
前記第２のπ電子不足型複素芳香族骨格は、ピリジン骨格、またはジアジン骨格、を有し、
前記第２のπ電子過剰型複素芳香族骨格は、フラン骨格、チオフェン骨格、フルオレン骨格、またはピロール骨格、の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の有機化合物と前記第１の有機化合物の重量比（前記第２の有機化合物：前記第１の有機化合物）は、１：０．０５から１：０．５の範囲であり、
前記第２の有機化合物と前記ゲスト材料の重量比（前記第２の有機化合物：前記ゲスト材料）は、１：０．００１から１：０．０１の範囲である、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置と、
カラーフィルタ、シール材、またはトランジスタと、
を有する表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置と、
筐体またはタッチセンサと、
を有する電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置と、
筐体またはタッチセンサと、
を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月7日(2018.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、第２の回路と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１の回路は、前記第１のトランジスタを介して、第１のアナログ信号が入力され、
前記第１の回路は、前記第２のトランジスタを介して、第２のアナログ信号が入力され、
前記第１のアナログ信号は第１の電流の値を含み、
前記第２のアナログ信号は第２の電流の値を含み、
前記第１の回路は、前記第１のアナログ信号を、第１のデジタル信号に変換し、
前記第２の回路は、前記第１のデジタル信号に応じて、第２のデジタル信号を生成し、
前記第１の回路は、前記第２のデジタル信号に応じて、前記第２のアナログ信号を第３のデジタル信号に変換し、
前記第１のトランジスタ又は第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと同時にオンしないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の電流は表示装置の画素に流れる電流であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の回路は、積分回路と、コンパレーターと、カウンターを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の回路は、逐次比較レジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記積分回路に含まれる容量素子のバラツキにより、前記第１の回路からの出力信号に誤差が生じるとき、前記第２の回路から前記誤差を校正するための信号が前記第１の回路へ供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ）を含む半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体装置と、表示装置と、を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月27日(2018.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック無線周波数フィルタであって、
プリント基板上に実装される複数のセラミック同軸ステップインピーダンス共振器を備え、前記セラミック同軸ステップインピーダンス共振器の各々は、少なくとも一方が金属化されている２つの端と、前記２つの端の間に延びる長さと、前記長さに沿って概して一定の外径と、前記長さの少なくとも一部に沿って延び、内径を規定し、少なくとも１つのテーパと少なくとも１つの階段ステップを通り、径が異なる第１および第２の端を有するキャビティとを有し、さらに、
ＲＦ信号を入力するように構成される入力タブを備え、前記入力タブは、前記複数のセラミック同軸ステップインピーダンス共振器のうちの第１の共振器に位置しており、さらに、
フィルタリングされたＲＦ信号を出力するように構成される出力タブを備え、前記出力タブは、前記複数のセラミック同軸ステップインピーダンス共振器のうちの前記第１の共振器から最も遠くに位置するセラミック同軸ステップインピーダンス共振器に位置している、セラミック無線周波数フィルタ。
【請求項２】
前記少なくとも１つのテーパは、複数のテーパである、請求項１に記載のセラミックフィルタ。
【請求項３】
前記少なくとも１つのテーパは、複数のテーパであり、前記少なくとも１つの階段ステップは、複数の階段ステップである、請求項１に記載のセラミックフィルタ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの階段ステップは、複数の階段ステップである、請求項１に記載のセラミックフィルタ。
【請求項５】
前記少なくとも１つのテーパは、前記第１および第２の端の間の中間部にある、請求項１に記載のセラミックフィルタ。
【請求項６】
少なくとも１つの前記ステップインピーダンス共振器は、３００ＭＨＺから７ＧＨＺの範囲に収まる共振を有する、請求項１に記載のセラミックフィルタ。
【請求項７】
前記第１の端のインピーダンスは前記第２の端のインピーダンスよりも低い、請求項１に記載のセラミックフィルタ。
【請求項８】
前記複数のセラミック同軸ステップインピーダンス共振器のうちの少なくとも１つは、直線状の内径を有する共振器のＱ値の１０％以内のＱ値を有する、請求項１に記載のセラミックフィルタ。
【請求項９】
無線周波数信号をフィルタリングするための方法であって、
プリント基板上に実装される複数のセラミック同軸ステップインピーダンス共振器を有するセラミックフィルタに無線周波数信号を入力することを備え、前記セラミック同軸ステップインピーダンス共振器の各々は、少なくとも一方が金属化されている２つの端と、前記２つの端の間に延びる長さと、前記長さに沿って概して一定の外径と、前記長さの少なくとも一部に沿って延び、内径を規定し、少なくとも１つのテーパと少なくとも１つの階段ステップを通り、径が異なる第１および第２の端を有するキャビティとを有し、さらに、
フィルタリングした前記無線周波数信号を出力することを備える、方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのテーパは、複数のテーパである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの階段ステップは、複数の階段ステップである、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
無線周波数装置であって、
セラミックフィルタを形成するプリント基板上に実装される複数のセラミック同軸ステップインピーダンス共振器を備え、前記セラミック同軸ステップインピーダンス共振器の各々は、少なくとも一方が金属化されている２つの端と、前記２つの端の間に延びる長さと、前記長さに沿って概して一定の外径と、前記長さの少なくとも一部に沿って延び、内径を規定し、少なくとも１つのテーパと少なくとも１つの階段ステップを通り、径が異なる第１および第２の端を有するキャビティとを有し、さらに、
ＲＦ信号を入力するように構成される入力タブを備え、前記入力タブは、前記複数のセラミック同軸ステップインピーダンス共振器のうちの第１の共振器に位置しており、さらに、
フィルタリングされたＲＦ信号を出力するように構成される出力タブを備え、前記出力タブは、前記複数のセラミック同軸ステップインピーダンス共振器のうちの前記第１の共振器から最も遠くに位置するセラミック同軸ステップインピーダンス共振器に位置している、無線周波数装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのテーパは、複数のテーパである、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのテーパは、複数のテーパであり、前記少なくとも１つの階段ステップは、複数の階段ステップである、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの階段ステップは、前記第１および第２の端から概して等距離にある単一の階段特徴である、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの階段ステップは、前記第１および第２の端の間の複数の階段特徴である、請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのテーパは、前記第１および第２の端の間の中間部にある、請求項１２に記載の装置。
【請求項１８】
前記複数のセラミック同軸ステップインピーダンス共振器の少なくとも１つは、３００ＭＨＺから７ＧＨＺの範囲に収まる共振周波数を有する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の端のインピーダンスは前記第２の端のインピーダンスよりも低い、請求項１２に記載の装置。
【請求項２０】
前記複数のセラミック同軸ステップインピーダンス共振器のうちの少なくとも１つは、直線状の内径を有する共振器のＱ値の１０％以内のＱ値を有する、請求項１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月25日(2018.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ロジック回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイナミックロジック回路と、
第１乃至第３の配線と、
第１乃至第３のノードと、
第１乃至第３のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のノードを介して前記ダイナミックロジック回路と電気的に接続され、
前記ダイナミックロジック回路は、前記第２のノードを介して、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、且つ、前記容量素子の第１端子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第３のノードを介して、前記容量素子の第２端子と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されているロジック回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記ダイナミックロジック回路のトランジスタは、第４のトランジスタを有し、
前記第４のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体で形成されているロジック回路。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１のトランジスタがオフのとき、前記第２のトランジスタはオンであり、
前記第１のトランジスタがオンのとき、前記第２のトランジスタはオフであるロジック回路。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１の配線に印加される電源電圧は、前記第２の配線に印加される電源電圧よりも大きく、
前記第３の配線に印加される電源電圧は、前記第１の配線に印加される電源電圧よりも大きいロジック回路。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月29日(2018.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド樹脂を含む膜Ａの片面にポリシロキサン樹脂を含む膜Ｂを有するディスプレイ用支持基板であって、前記膜Ｂに無機酸化物粒子を含むことを特徴とするディスプレイ用支持基板。
【請求項２】
前記膜Ａと前記膜Ｂの膜厚比率が膜Ａ／膜Ｂ＝２５／１〜１．５／１であることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項３】
前記ディスプレイ用支持基板の線膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以下である請求項１または２に記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項４】
前記膜Ａの複屈折をΔＮＡ、前記膜Ｂの複屈折をΔＮＢとした時に(ΔＮＡ−ΔＮＢ)≦０．０６５である請求項１〜３のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項５】
前記膜Ｂ中の前記無機酸化物粒子の含有量が２０〜８０重量％である請求項１〜４のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項６】
前記無機酸化物粒子が二酸化ケイ素である請求項１〜５のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項７】
透明であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項８】
前記膜Ａの膜厚が５．０μｍ以上２０μｍ以下であり、前記膜Ｂの膜厚が０．２μｍ以上３．０μｍ以下である請求項１〜７のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項９】
前記ポリイミド樹脂が、トリフルオロメチル基および脂環式炭化水素基から選ばれる少なくとも１種の基を有する、請求項１〜８のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項１０】
前記ポリイミド樹脂に含まれるジアミン残基の全量に対して、トリフルオロメチル基および脂環式炭化水素基から選ばれる少なくとも１種の基を有するジアミン残基が５０モル％以上含まれることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項１１】
前記ポリイミド樹脂が一般式（１）〜（３）で表される繰り返し構造単位の少なくとも１つを主成分とするポリイミドである請求項１〜１０のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【化１】
2016072246.tif 000001
（一般式（１）〜（３）中、Ｒ１は（４）〜（９）で表される少なくとも一種類以上の基である。）
【化２】
2016072246.tif 000002
【請求項１２】
前記ポリイミド樹脂が一般式（１０）で表される繰り返し構造単位を主成分とするポリイミドである請求項１〜１０のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【化３】
2016072246.tif 000003
（一般式（１０）中、Ｒ１は（４）〜（９）で表される少なくとも一種類以上の基である。）
【化４】
2016072246.tif 000004
【請求項１３】
前記膜Ｂの３％重量減少温度が３００℃以上である請求項１〜１２のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項１４】
前記膜ＢのＸＹＺ表色系色度図における透過色度座標が０．３００≦ｘ≦０．３２５および０．３０５≦ｙ≦０．３２５の範囲にある請求項１〜１３のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板の前記膜Ｂ上にブラックマトリックスおよび着色画素を備えたカラーフィルター。
【請求項１６】
前記カラーフィルターの前記膜Ａ側に支持基板を備えた請求項１５記載のカラーフィルター。
【請求項１７】
少なくとも下記（１）〜（６）の工程を含むカラーフィルターの製造方法。
（１）支持基板上にポリイミド前駆体樹脂を含む樹脂溶液を塗布して塗布膜Ａ’を得る工程。
（２）前記膜Ａ’上にポリシロキサン樹脂組成物を塗布して膜Ｂ’を得る工程。
（３）前記膜Ａ’と前記膜Ｂ’とをそれぞれ加熱して樹脂積層体を得る工程。
（４）前記樹脂積層体上にブラックマトリックスを形成する工程。
（５）前記樹脂積層体上に着色画素を形成する工程。
（６）支持基板から前記樹脂積層体を剥離する工程。
【請求項１８】
前記膜Ｂ’を得るための樹脂組成物が感光性樹脂組成物であって、前記膜Ｂ’を得る工程の後、膜Ｂ’を露光及び現像する工程を含む、請求１５記載のカラーフィルターの製造方法。
【請求項１９】
請求項１〜１４のいずれかに記載のディスプレイ用支持基板の膜Ｂ上に有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ素子。
【請求項２０】
前有機ＥＬ素子の膜Ａ側に支持基板を備えた請求項１９に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項２１】
少なくとも下記（１）〜（５）の工程を含む有機ＥＬ素子の製造方法。
（１）支持基板上にポリイミド前駆体樹脂を含む樹脂溶液を塗布して塗布膜Ａ’を得る工程。
（２）前記膜Ａ’上にポリシロキサン樹脂組成物を塗布して膜Ｂ’を得る工程。
（３）前記膜Ａ’と前記膜Ｂ’とをそれぞれ加熱して樹脂積層体を得る工程。
（４）前記樹脂積層体上に有機ＥＬ素子を形成する工程。
（５）支持基板から前記樹脂積層体を剥離する工程。
【請求項２２】
前記膜Ｂ’を得るための樹脂組成物が感光性樹脂組成物であって、前記膜Ｂ‘を得る工程の後、膜Ｂ’を露光及び現像する工程を含む、請求項１９記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２３】
請求項１５に記載のカラーフィルターおよび／または請求項１９に記載の有機ＥＬ素子を備えたフレキシブル有機ＥＬディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち本発明は、ポリイミド樹脂を含む膜Ａの片面にポリシロキサン樹脂を含む膜Ｂを有するディスプレイ用支持基板であって、前記膜Ｂに無機酸化物粒子を含むことを特徴とするディスプレイ用支持基板である。