【手続補正書】
【提出日】平成30年6月25日(2018.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置であって、
電磁波を発生させる電磁波発生部と、
前記電磁波に基づいて発生されるプラズマに基づいて、保持部に保持された被処理基板に対する処理としてプラズマ処理が行われる処理室と、
前記保持部における、前記被処理基板を載置するための載置電極と、前記載置電極の内部に設けられた電極として、前記載置電極に対応した面内で、内周部にある第１電極、及び外周部にある第２電極と、
前記載置電極及び前記電極に高周波バイアス電圧を印加するための高周波バイアス電力を供給し、前記高周波バイアス電圧として、前記第１電極に第１電圧を印加し、前記第２電極に第２電圧を印加し、前記載置電極に第３電圧を印加する、電力供給部と、
前記第１電圧及び前記第２電圧をモニタするモニタ部と、
前記モニタ部のモニタ値に基づいて、前記被処理基板の抵抗率を算出する抵抗率算出部と、
前記抵抗率に応じて、前記高周波バイアス電圧に関する補正値を決定し、当該補正値となるように前記電力供給部を駆動制御する補正部と、
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記電力供給部は、高周波バイアス電源と、前記第１電極及び前記第２電極にスイッチを介して接続されるＬＣ共振回路と、を含み、前記処理の実行中に、前記スイッチ及び前記ＬＣ共振回路の可変の制御値を制御することにより、前記第１電極に前記第１電圧を印加し、前記第２電極に前記第２電圧を印加し、
前記モニタ部は、前記処理の実行中に、前記第１電圧及び前記第２電圧を含む電圧値、及び前記制御値をモニタし、
前記抵抗率算出部は、前記処理の実行中に、前記第１電圧、前記第２電圧、及び前記制御値を用いて、前記抵抗率として、前記処理の実行中の状態に対応する第１の抵抗率を算出し、
前記補正部は、前記処理の実行中に、前記第１の抵抗率に基づいて、前記補正値に対応させた前記制御値を決定し、当該制御値を用いて前記電力供給部を駆動制御する、
プラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
前記補正部は、前記処理の際、前記ＬＣ共振回路の前記制御値を第１の値とし、前記高周波バイアス電源から所定電力を供給し、その後の期間で、前記第１電圧と前記第２電圧の平均値を一定に維持しながら、前記第１電圧と前記第２電圧との差分値が所定値になるまで、前記制御値を第２の値まで変える制御を行う、
プラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
前記補正部は、複数の変数値として、前記被処理基板に関する抵抗率と、前記高周波バイアス電圧に関する前記第１電圧及び前記第２電圧を含む電圧値と、の関係を表す制御用情報を保持しており、前記モニタ値の電圧値に基づいて、前記制御用情報を参照して、当該モニタ値の電圧値に関係付けられる抵抗率を算出する、
プラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４記載のプラズマ処理装置において、
ＤＢを保持するＤＢ部を有し、
前記ＤＢには、前記制御用情報として、複数の抵抗率における抵抗率毎に、前記第１電圧及び前記第２電圧を含む電圧値との関係を表す情報が格納されており、
前記抵抗率算出部は、前記モニタ値の電圧値を、前記ＤＢの電圧値と比較照合して、一番近い電圧値とそれに関係付けられた抵抗率とを取得し、当該抵抗率、または当該抵抗率を近さに応じて補正した抵抗率を、前記第１の抵抗率として得る、
プラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
前記電力供給部は、前記処理のレートに関する前記被処理基板に対応した面内の分布調整に対応させて、前記高周波バイアス電力を供給して、前記第１電圧及び前記第２電圧を印加し、
前記補正部は、前記分布調整に対応させて、前記第１電圧及び前記第２電圧を含む補正値を決定し、
前記補正部は、前記第１の抵抗率が、基準抵抗率よりも小さい場合には、前記補正値とする前記第１電圧及び前記第２電圧の各電圧値を、前記基準抵抗率の場合に印加する電圧値よりも大きくなるように補正し、逆に、前記第１の抵抗率が、前記基準抵抗率よりも大きい場合には、前記補正値とする前記第１電圧及び前記第２電圧の各電圧値を、前記基準抵抗率の場合に印加する電圧値よりも小さくなるように補正する、
プラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記電力供給部は、高周波バイアス電源と、前記第１電極及び前記第２電極にスイッチを介して接続されるＬＣ共振回路と、を含み、前記載置電極に前記被処理基板が載置された後、前記処理の実行前に、前記スイッチ及び前記ＬＣ共振回路の可変の制御値を制御することにより、前記第１電極に前記第１電圧を印加し、前記第２電極に前記第２電圧を印加し、
前記モニタ部は、前記処理の実行前に、前記第１電圧及び前記第２電圧を含む電圧値、及び前記制御値をモニタし、
前記抵抗率算出部は、前記処理の実行前に、前記第１電圧、前記第２電圧、及び前記制御値を用いて、前記被処理基板の前記処理の実行前の状態に対応した第２の抵抗率を算出し、
前記補正部は、前記処理の実行前に、前記第２の抵抗率に基づいて、前記補正値に対応させた前記制御値を決定し、当該制御値を用いて前記電力供給部を駆動制御する、
プラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記電力供給部は、前記第１電極及び前記第２電極に第１のスイッチを介して接続されるＬＣ共振回路と、前記載置電極及び前記第１電極と前記第２電極との一方の電極に第２のスイッチを介して接続される高周波バイアス電源と、前記高周波バイアス電源の出口に接続される電圧検出器と、を含み、
前記処理の実行前に、前記第２のスイッチを前記一方の電極に接続された状態とし、前記第１のスイッチを、いずれの電極にも接続しない状態として、前記高周波バイアス電源からの所定の電力を、前記一方の電極に供給し、
前記モニタ部は、前記処理の実行前に、前記第１電圧、前記第２電圧を含む電圧値をモニタし、
前記抵抗率算出部は、前記処理の実行前に、前記電圧値を用いて、前記処理の実行前の状態に対応した抵抗率を算出し、
前記補正部は、前記処理の実行前に、前記抵抗率を用いて、前記処理に関する制御を行う、
プラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項８記載のプラズマ処理装置において、
前記処理の実行中に、前記第２のスイッチを前記載置電極に接続された状態とし、前記第１のスイッチ及び前記ＬＣ共振回路の可変の制御値を制御することにより、前記第１電極に前記第１電圧を印加し、前記第２電極に前記第２電圧を印加し、
前記モニタ部は、前記処理の実行中に、前記電圧値、及び前記制御値をモニタし、
前記抵抗率算出部は、前記処理の実行中に、前記処理の実行中の状態に対応した抵抗率を算出し、
前記補正部は、前記処理の実行中に、前記抵抗率を用いて、前記処理に関する制御を行う、
プラズマ処理装置。
【請求項１０】
プラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
電磁波を発生させる電磁波発生部と、
前記電磁波に基づいて発生されるプラズマに基づいて、保持部に保持された被処理基板に対する処理としてプラズマ処理が行われる処理室と、
前記保持部における、前記被処理基板を載置するための載置電極と、前記載置電極の内部に設けられた電極として、前記載置電極に対応した面内で、内周部にある第１電極、及び外周部にある第２電極と、
を備え、
前記プラズマ処理方法は、前記プラズマ処理装置で実行するステップとして、
前記載置電極及び前記電極に高周波バイアス電圧を印加するための高周波バイアス電力を供給し、前記高周波バイアス電圧として、前記第１電極に第１電圧を印加し、前記第２電極に第２電圧を印加し、前記載置電極に第３電圧を印加するステップと、
前記第１電圧及び前記第２電圧をモニタするステップと、
前記モニタのモニタ値に基づいて、前記被処理基板の抵抗率を算出するステップと、
前記抵抗率に応じて、前記高周波バイアス電力に関する補正値を決定し、当該補正値となるように駆動制御するステップと、
を有する、プラズマ処理方法。