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【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原位置環境中のヒ素汚染物質を処理する方法であって、
キレート鉄水溶液を調製する工程と、
酸化剤からなる安定化源である、安定化剤で安定化した水中の過酸化物からなる安定化源を濃度１０％まで前記原位置環境中に加えるとともに、前記酸化剤からなる安定化源の存在下、前記キレート鉄水溶液を前記原位置環境中に加えて鉄−ヒ素オキシ水酸化物を共沈させる工程と、
前記原位置環境中でヒ素を酸化し、及び前記原位置環境中で鉄を酸化する工程を有する、原位置環境中でヒ素汚染物質を処理する方法。   
【請求項２】
前記キレート鉄水溶液は、Ｆｅ（ＩＩ）キレート化合物、Ｆｅ（ＩＩＩ）キレート化合物、及びこれらの組み合わせの少なくとも１つから選択される鉄を一定量含有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化剤からなる前記安定化源は、過酸化水素、過酸化ナトリウム、及び過酸化カルシウムからなる群より選ばれる過酸化物の安定化源であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化剤からなる安定化源は、酸、塩、及び酸と塩の混合物よりなる群から選ばれる安定化剤で安定化されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記安定化剤は、リン酸、リン酸１カリウム、及びリン酸とリン酸１カリウムとの組み合わせからなる群より選ばれることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記キレート鉄水溶液にｐＨ調整剤を加えることで、前記キレート鉄水溶液のｐＨを５〜８に維持する工程をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記キレート調整剤が、水及びキレート剤から選ばれることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記酸化剤からなる安定化源及び前記キレート鉄水溶液を、前記原位置環境中に交互に加える工程を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記キレート鉄水溶液を前記原位置環境中に先ず加え、続いて前記酸化剤からなる安定化源を前記原位置環境中に加えることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸化剤からなる安定化源を前記原位置環境中に先ず加え、続いて前記キレート鉄水溶液を前記原位置環境中に加えることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化剤からなる安定化源及び前記キレート鉄水溶液の両方を、前記原位置環境中に連続して加えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記原位置環境が、透過性を有する土壌を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。  
【請求項１３】
前記原位置環境が、土壌、地下水及び破砕岩盤からなる群から選ばれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。    
【請求項１４】
前記原位置環境中の毛管水縁層として知られる領域に、前記酸化剤からなる安定化源及び前記キレート鉄水溶液を加えることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。    
【請求項１５】
前記原位置環境中の通気帯として知られる領域に、前記酸化剤からなる安定化源及び前記キレート鉄水溶液を加えることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
飽和帯を有する前記原位置環境中の領域に、前記酸化剤からなる安定化源及び前記キレート鉄水溶液を加えることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記原位置環境中に、前記酸化剤からなる安定化源及び前記キレート鉄水溶液を、複数回加えることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記原位置環境中に、前記酸化剤からなる安定化源及び前記キレート鉄水溶液を、大気圧を超える加圧下で加えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記加圧の圧力は、５〜１００ｐｓｉ（３４〜６８９ｋＰａ）であることを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月15日(2017.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】グラフェン、電極及び蓄電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素原子と酸素原子とを有するグラフェンであって、
前記グラフェンは、炭素原子の組成が、Ｘ線光電子分光法による測定で９０原子％以上９８原子％未満であり、
前記炭素原子の有する結合のうち、前記炭素原子間でｓｐ２結合を形成している結合の割合は、Ｘ線光電子分光法による測定で５０％以上８０％以下であり、
前記グラフェンの抵抗率が、２．０×１０−２Ω・ｃｍ以下であることを特徴とするグラフェン。
【請求項２】
集電体上に活物質層を有する電極であって、
前記活物質層は、グラフェンを含み、
前記グラフェンは、炭素原子と酸素原子とを有し、
前記グラフェンは、炭素原子の組成が、Ｘ線光電子分光法による測定で９０原子％以上９８原子％未満であり、
前記炭素原子の有する結合のうち、前記炭素原子間でｓｐ２結合を形成している結合の割合は、Ｘ線光電子分光法による測定で５０％以上８０％以下であり、
前記グラフェンの抵抗率が、２．０×１０−２Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする電極。
【請求項３】
請求項２において、
前記電極を、正極あるいは負極として用いることを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体装置の製造方法であって、
化合物半導体にて構成される第１導電型の下地層（２）を有する半導体基板（１、２）を用意することと、
前記下地層に対してディープトレンチ（１５）を形成することと、
エピタキシャル成長装置内に第２導電型ドーパントを含むドーパントガスを導入しつつ、前記化合物半導体の原料ガスを導入し、前記ディープトレンチ内に第２導電型のディープ層（５）をエピタキシャル成長させることと、を含み、
前記ディープ層を形成することでは、前記ディープ層をエピタキシャル成長させる温度まで前記エピタキシャル成長装置を昇温させる期間を昇温期間として、該昇温期間中から第２導電型ドーパントを含むドーパントガスを導入したのち、前記昇温期間後に前記原料ガスを導入することで、前記ディープトレンチの底部の角部にも前記ディープ層を形成することである化合物半導体装置の製造方法。
【請求項２】
化合物半導体装置の製造方法であって、
化合物半導体にて構成される第１導電型の下地層（２）を有する半導体基板（１、２）を用意することと、
前記下地層に対してディープトレンチ（１５）を形成することと、
エピタキシャル成長装置内に第２導電型ドーパントを含むドーパントガスを導入しつつ、前記化合物半導体の原料ガスを導入し、前記ディープトレンチ内に第２導電型のディープ層（５）をエピタキシャル成長させることと、を含み、
前記ディープ層を形成することでは、前記ディープ層をエピタキシャル成長させる温度まで前記エピタキシャル成長装置を昇温させる期間を昇温期間として、該昇温期間中から第２導電型ドーパントを含むドーパントガスを導入したのち、前記昇温期間中における前記ドーパントガスの導入後に前記原料ガスを導入することで、前記ディープトレンチの底部の角部にも前記ディープ層を形成することである化合物半導体装置の製造方法。
【請求項３】
トレンチゲート構造のスイッチング素子を有する化合物半導体装置の製造方法であって、
裏面側に備えられた裏面層（１）と、表面側に備えられ前記下地層を構成すると共に前記裏面層よりも低不純物濃度とされた第１導電型のドリフト層（２）と、を有する前記半導体基板（１、２）を用意することと、
前記ドリフト層（２）の上に第２導電型のベース領域（３）を形成することと、
前記ベース領域の上層部に、前記ドリフト層よりも高不純物濃度の第１導電型のソース領域（４）を形成することと、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深くまでゲートトレンチ（６）を形成することと、
前記ゲートトレンチの内壁面にゲート絶縁膜（７）を形成すると共に、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極（８）を形成することでトレンチゲート構造を構成することと、
前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極（９）を形成することと、
前記半導体基板の裏面側における前記裏面層と電気的に接続されるドレイン電極（１０）を形成することと、を含み、
前記ディープトレンチを形成することとして、前記ドリフト層に対して前記ゲートトレンチよりも深く前記ディープトレンチを形成することを行う請求項１または２に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ディープ層を形成することでは、前記化合物半導体のエッチングガスを導入しつつ前記エピタキシャル成長装置内の昇温を行う請求項１ないし３のいずれか１つに記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ディープ層を形成することでは、前記原料ガスの導入するときには、該原料ガスの導入前よりも前記ドーパントガスの導入量を低下させる請求項１ないし４のいずれか１つに記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ディープ層を形成することでは、前記原料ガスの導入量を徐々に増加させたのち、該原料ガスの導入量を一定とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ドーパントガスとしてトリメチルアルミニウムを用いる請求項１ないし６のいずれか１つに記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ディープ層を形成することでは、前記ディープ層のうち前記ディープトレンチの底部の角部の第２導電型不純物濃度を最も高くする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項９】
化合物半導体装置であって、
化合物半導体にて構成される第１導電型の下地層（２）を有する半導体基板（１、２）と、
前記下地層に対して形成されたディープトレンチ（１５）の底部の角部を含めて該ディープトレンチ内に形成された第２導電型のディープ層（５）と、を有し、
前記ディープ層は、該ディープ層の中で前記ディープトレンチの底部の角部に位置している部分（５ａ）が最も第２導電型不純物濃度が高くなっている化合物半導体装置。
【請求項１０】
裏面側に備えられた高不純物濃度となる裏面層（１）と、表面側に備えられ前記下地層を構成すると共に前記裏面層よりも低不純物濃度とされた第１導電型のドリフト層（２）と、を有する前記半導体基板（１、２）と、
前記ドリフト層の上に形成された第２導電型のベース領域（３）と、
前記ベース領域の上層部に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度の第１導電型のソース領域（４）と、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深くまで形成されたゲートトレンチ（６）内に形成され、該ゲートトレンチの内壁面に形成されたゲート絶縁膜（７）と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極（８）と、を有して構成されたトレンチゲート構造と、
前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極（９）と、
前記半導体基板の裏面側における前記裏面層と電気的に接続されるドレイン電極（１０）とを有する縦型ＭＯＳＦＥＴを備え、
前記ソース領域および前記ベース領域を貫通して前記ドリフト層に至るように前記ディープトレンチが形成され、該ディープトレンチ内に前記ディープ層が配置されている請求項９に記載の化合物半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月27日(2018.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
化合物半導体装置の製造方法であって、
化合物半導体にて構成される第１導電型の下地層（２、４２）を有する半導体基板（１、２、４１、４２）を用意することと、
前記下地層に対してディープトレンチ（１５、４４）を形成することと、
エピタキシャル成長装置内に第１導電型ドーパントを含むドーパントガスを導入しつつ、前記化合物半導体の原料ガスを導入し、前記ディープトレンチの底部における角部に、断面形状が三角形状もしくは表面が凹んで曲面となる三角ラウンド形状の第１導電型領域（１６、４６）を形成することと、
前記第１導電型領域を形成したのち、第２導電型ドーパントを含むドーパントガスを導入しつつ、前記化合物半導体の原料ガスを導入し、前記第１導電型領域を覆いつつ前記ディープトレンチ内に第２導電型のディープ層（５、４５）をエピタキシャル成長させることと、を含む化合物半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月27日(2018.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】実施形態におけるコネクタの斜視図
【図２】コネクタの正面図
【図３】コネクタの平面図
【図４】図２におけるＩＶ−ＩＶ位置における断面図
【図５】雌コネクタの正面図
【図６】雌コネクタの背面図
【図７】雌コネクタの側面図
【図８】雌コネクタの平面図
【図９】図５におけるＩＸ−ＩＸ位置における断面図
【図１０】雌コネクタハウジングの正面図
【図１１】雌コネクタハウジングの側面図
【図１２】一括ゴム栓の正面図
【図１３】リアホルダの正面図
【図１４】リアホルダの側面図
【図１５】リアホルダの平面図
【図１６】雌コネクタを組み立てる前の状態のコネクタの斜視図
【図１７】雌コネクタを組み立て途中のコネクタの斜視図
【図１８】雌コネクタを組み立てた状態でのコネクタの斜視図
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
＜実施形態＞
実施形態について図１から図１８を参照して説明する。
本実施形態のコネクタ１０は、図１及び図３に示すように、自動車のオートマチックトランスミッション等の機器のケースＣに固定される中継コネクタ１１（「第１コネクタ」の一例）と、中継コネクタ１１の一端に嵌合する雌コネクタ１５（「第２コネクタ」の一例）とを備えている。中継コネクタ１１がケースＣの丸孔形状の取付孔Ｃ１に内嵌すると、中継コネクタ１１の雌コネクタ１５が嵌合される側は、鉄粉等の異物が浮遊した潤滑油内に配され、他端側がケースＣの外側に配される。なお、以下の説明において、前後方向については、図３の左側（雌コネクタ１５の嵌合方向）を前側とし、図３の右側を後側とする。また、上下方向については、図３を基準とし、図３の上側を上側、図３の下側を下側とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月2日(2018.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノード間のパケット通信を中継する中継ノードであって、
パケットを中継する場合に、パケットの振分条件と当該振分条件を満たすパケットの振分先ノードを示す振分先ノード情報とを対応付けた振分設定データに基づいた振分処理を行う、又は、転送識別情報と当該転送識別情報を含むパケットの転送先ノードを示す転送先ノード情報とを対応付けた転送設定データに基づいた転送処理を行い、
更に、前記振分処理を行うか又は前記転送処理を行うかを切り替える、
中継ノード。
【請求項２】
前記転送処理を行う場合、転送設定データに含まれる転送識別情報を含むパケットを、当該転送識別情報に対応付けられた転送先ノード情報が示す転送先ノードに転送する、請求項１に記載の中継ノード。
【請求項３】
前記振分処理を行う場合、振分設定データに含まれる振分条件を満たすパケットを、当該振分条件に対応付けられた振分先ノード情報が示す振分先ノードに振り分ける、請求項１又は２に記載の中継ノード。
【請求項４】
当該中継ノードは、振分条件を満たすパケットに、当該振分条件に予め対応付けられた転送識別情報を含めて振り分ける、請求項３に記載の中継ノード。
【請求項５】
振分設定データ又は転送設定データは、外部装置から取得したデータである、請求項１〜４の何れか一項に記載の中継ノード。
【請求項６】
外部装置から取得した、前記振分処理を行うか又は前記転送処理を行うかを指示する指示情報に基づいて、前記振分処理を行うか又は前記転送処理を行うかを切り替える、請求項１〜５の何れか一項に記載の中継ノード。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月19日(2018.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、特開２０１３−９８１９２号公報（特許文献２）の［０１２８］段落〜［０１３５］段落および図３９〜図４１には、等方性のエッチングを用いて、サイドウォール長を短くする技術が開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−４１３５４号公報
【特許文献２】特開２０１３−９８１９２号公報
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月10日(2018.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の検査装置が検出した複数の欠陥に関する欠陥情報を記憶する記憶部と、
広視野の第１撮像条件及び狭視野の第２撮像条件を用いて前記欠陥を撮像する第１撮像部と、
前記第１撮像部が撮像した画像を用いて前記欠陥の位置情報を補正する制御部と、
前記補正された位置情報に基づいて前記欠陥を撮像する第２撮像部と
を備え、
前記制御部は、
前記複数の欠陥毎に前記第１撮像条件又は前記第２撮像条件を設定し、
前記第１撮像条件に設定された第１欠陥を前記第１撮像部を用いて撮像し、
前記第１欠陥の前記欠陥情報と、前記第１撮像部によって検出された前記第１欠陥の位置情報とに基づいて、補正式を算出し、
前記補正式を用いて、前記第２撮像条件に設定された第２欠陥の位置情報を補正し、
前記補正された第２欠陥の位置情報に基づいて、前記第２欠陥を前記第１撮像部を用いて撮像することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項２】
請求項１に記載の欠陥観察装置において、
前記第１撮像条件に設定された前記第１欠陥が複数存在する場合、前記制御部は、前記第１撮像部を用いて前記複数の第１欠陥の撮像を連続して行い、前記複数の第１欠陥の撮像が終了した後、前記第１撮像部を用いて前記第２欠陥の撮像を行うことを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項３】
請求項２に記載の欠陥観察装置において、
前記制御部は、前記複数の第１欠陥のうち１つ目の第１欠陥を撮像した際に算出された前記補正式を用いて、２つ目以降の第１欠陥の位置情報を補正することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項４】
請求項１に記載の欠陥観察装置において、
前記制御部は、前記第１撮像部の撮像画像に前記第１欠陥が含まれない場合、当該第１欠陥の撮像条件を前記第２撮像条件に変更することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項５】
請求項１に記載の欠陥観察装置において、
前記制御部は、前記第１撮像部の撮像画像に複数の欠陥が含まれる場合、
前記撮像画像に含まれる可能性がある欠陥候補を前記欠陥情報から抽出し、
前記欠陥候補の相対関係と、前記撮像画像内の前記複数の欠陥の相対関係とに基づいて、前記撮像画像内の前記欠陥の欠陥ＩＤを特定することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項６】
請求項５に記載の欠陥観察装置において、
前記制御部は、前記撮像画像によって前記欠陥ＩＤが特定できない場合、
前記撮像画像の撮像領域周辺で前記欠陥候補の差分が生じる領域を前記第１撮像部を用いて撮像し、
前記差分が生じる領域の画像に基づいて前記撮像画像内の前記欠陥の前記欠陥ＩＤを特定することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項７】
請求項５に記載の欠陥観察装置において、
前記制御部は、前記撮像画像によって前記欠陥ＩＤが特定できない場合、前記欠陥候補の擬似画像を作成し、前記擬似画像と前記撮像画像とのテンプレートマッチングによって前記撮像画像内の前記欠陥の前記欠陥ＩＤを特定することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項８】
請求項１に記載の欠陥観察装置において、
前記制御部は、
前記第１撮像部の撮像画像に複数の欠陥が含まれており、且つ、前記複数の欠陥の輝度差が所定の値より大きい場合、前記複数の欠陥のうち輝度値が大きい欠陥に対して前記第１撮像条件を設定し、前記複数の欠陥のうち輝度値が小さい欠陥に対して前記第２撮像条件を設定することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項９】
外部の検査装置が検出した複数の欠陥に関する欠陥情報を記憶する記憶部と、
指定された欠陥ＩＤに対応する前記欠陥を撮像する第１撮像部と、
前記第１撮像部が撮像した画像を用いて前記欠陥の位置情報を補正する制御部と、
前記補正された位置情報に基づいて前記欠陥を撮像する第２撮像部と
を備え、
前記制御部は、前記第１撮像部の撮像画像に複数の欠陥が含まれる場合、
前記撮像画像に含まれる可能性がある欠陥候補を前記欠陥情報から抽出し、
前記欠陥候補の相対関係と、前記撮像画像内の前記複数の欠陥の相対関係とに基づいて、前記撮像画像内から前記欠陥ＩＤに対応する前記欠陥を特定し、
前記欠陥ＩＤに対応する前記欠陥の位置情報を補正することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の欠陥観察装置において、
前記制御部は、前記撮像画像によって前記欠陥ＩＤに対応する前記欠陥が特定できない場合、
前記撮像画像の撮像領域周辺で前記欠陥候補の差分が生じる領域を前記第１撮像部を用いて撮像し、
前記差分が生じる領域の画像に基づいて前記撮像画像内の前記欠陥の前記欠陥ＩＤを特定することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の欠陥観察装置において、
前記制御部は、前記撮像画像によって前記欠陥ＩＤに対応する前記欠陥が特定できない場合、前記欠陥候補の擬似画像を作成し、前記擬似画像と前記撮像画像とのテンプレートマッチングによって前記欠陥ＩＤに対応する前記欠陥を特定することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の欠陥観察装置において、
前記制御部は、前記第１撮像部の前記撮像画像に複数の欠陥が含まれており、且つ、前記複数の欠陥の輝度差が所定の値より大きい場合、前記複数の欠陥のうち輝度値が最も大きい欠陥に合わせて撮像条件を設定し、その後、前記複数の欠陥のうち他の欠陥に合わせて撮像条件を設定することを特徴とする欠陥観察装置。
【請求項１３】
請求項９に記載の欠陥観察装置において、
前記第１撮像部は、広視野の第１撮像条件及び狭視野の第２撮像条件を用いて前記欠陥を撮像するように構成され、
前記複数の欠陥毎に前記第１撮像条件又は前記第２撮像条件を設定し、
前記第１撮像条件に設定された第１欠陥を前記第１撮像部を用いて撮像し、
前記第１欠陥の前記欠陥情報と、前記第１撮像部によって検出された前記第１欠陥の位置情報とに基づいて、補正式を算出し、
前記補正式を用いて、前記第２撮像条件に設定された第２欠陥の位置情報を補正し、
前記補正された第２欠陥の位置情報に基づいて、前記第２欠陥を前記第１撮像部を用いて撮像することを特徴とする欠陥観察装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラウドインフラストラクチャにおける仮想マシン上の機器にライセンスを付与するマシン制御方法であって、
第１の仮想マシンに関連付けられるセキュリティデバイスに含まれる第１の固有識別子を用いて、前記第１の仮想マシンに関連付けられるセキュリティデバイスとライセンスサーバに関連付けられるセキュリティデバイスとの間にセキュアなチャネルを確立する段階と、
前記第１の仮想マシンによって、前記第１の仮想マシン上の機器をアクティブにするための前記ライセンスサーバからのライセンスを要求する段階と、
確立された前記セキュアなチャネルを通じて、前記ライセンスサーバと前記第１の仮想マシンとの間でライセンスデータを交換する段階と、
前記ライセンスデータが有効であるか否かを判断する段階と、
前記ライセンスデータが有効であるという判断に応答して前記第１の仮想マシン上の機器をアクティブにする段階と
を備えるマシン制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月4日(2018.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データキャッシュに記憶されたデータにアクセスするための命令の１つまたは複数のウェイ予測特性を識別することと、ここにおいて、ウェイ予測特性は、前記命令が予測可能な次のアドレスを有することを示す、
前記データキャッシュのウェイを識別する前記命令に関連付けられたウェイ予測テーブルのエントリを識別するために、前記１つまたは複数のウェイ予測特性の識別情報に基づいて、前記ウェイ予測テーブルを選択的に読み取ることと、ここにおいて、前記ウェイ予測テーブルは、ウェイを識別する値を含むＷＡＹフィールドおよびレジスタロケーションを識別するＲＥＧフィールドを備える、
前記命令の次の実行に基づいた前記データキャッシュの次のアクセスが前記データキャッシュの前記識別されたウェイにアクセスするかどうかの予測を行うことと、
レジスタロケーションのデータを修正した特定の命令を識別することと、
前記ウェイ予測テーブル内の特定のエントリが前記レジスタロケーションに対応するレジスタ識別子を含むかどうかを決定することと、
前記特定のエントリが前記特定の命令に対応するかどうかを決定することと、
前記特定のエントリが前記特定の命令に対応しないときに、前記特定のエントリを除去するかまたは無効にすることと
を備える方法。
【請求項２】
前記１つまたは複数のウェイ予測特性が、前記命令のアドレス指定モード、前記命令の命令タイプ、前記命令がループに含まれるかどうかの指示、またはそれらの組合せを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記命令の前記アドレス指定モードが自動増分アドレス指定モードであるか、またはベースプラスオフセットアドレス指定モードであるかを決定することをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記命令の前記アドレス指定モードが前記自動増分アドレス指定モードを備えるという決定に応答して、前記データキャッシュの特定のウェイを識別するために前記エントリの予測されるウェイフィールドを設定すること、ここにおいて、前記予測されるウェイフィールドは、前記エントリの生成時に設定される、をさらに備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記命令の前記アドレス指定モードが前記ベースプラスオフセットアドレス指定モードを備えるという決定に応答して、前記データキャッシュの特定のウェイを識別するために前記エントリの予測されるウェイフィールドを設定すること、ここにおいて、前記エントリは、前記命令の第１の実行に関して生成され、および、ここにおいて、前記予測されるウェイフィールドは、前記第１の実行に続く前記命令の第２の実行に基づいて設定される、をさらに備える、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記命令の前記命令タイプがロードタイプであるか、またはストアタイプであるかを決定することをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記命令が特定のループに含まれるという前記指示に応答して、前記テーブルが選択的に読み取られる、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記テーブルが前記エントリを含むかどうかを決定することと、
前記エントリがウェイ予測を提供するために有効であるかどうかを決定することと、
前記エントリが有効な予測されるウェイを示すと決定したことに応答して、前記予測されるウェイを前記エントリから取り出し、前記データキャッシュの前記予測されるウェイを駆動することとをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
データキャッシュに記憶されたデータにアクセスするための命令の１つまたは複数のウェイ予測特性を識別するための手段と、ここにおいて、ウェイ予測特性は、前記命令が予測可能な次のアドレスを有することを示す、
前記データキャッシュのウェイを識別する前記命令に関連付けられたウェイ予測テーブルのエントリを識別するために、前記１つまたは複数のウェイ予測特性の識別情報に基づいて、前記ウェイ予測テーブルを選択的に読み取るための手段と、ここにおいて、前記ウェイ予測テーブルは、ウェイを識別する値を含むＷＡＹフィールドおよびレジスタロケーションを識別するＲＥＧフィールドを備える、
前記命令の次の実行に基づいた前記データキャッシュの次のアクセスが前記データキャッシュの前記識別されたウェイにアクセスするかどうかの予測を行うための手段と、
レジスタロケーションのデータを修正した特定の命令を識別するための手段と、
前記ウェイ予測テーブル内の特定のエントリが前記レジスタロケーションに対応するレジスタ識別子を含むかどうかを決定するための手段と、
前記特定のエントリが前記特定の命令に対応するかどうかを決定するための手段と、
前記特定のエントリが前記特定の命令に対応しないときに、前記特定のエントリを除去するかまたは無効にするための手段と
を備える装置。
【請求項１０】
命令の第１の実行中に増分値を識別することと、
前記命令に基づいて、前記第１の実行中にアクセスされたデータキャッシュのウェイを識別することと、
第１の増分されたアドレス値を決定するために、前記増分値を前記命令に関連付けられたアドレス値に追加することと、
前記第１の増分されたアドレス値が前記データキャッシュの前記ウェイにあるかどうかを決定することと、
前記第１の増分されたアドレスが前記データキャッシュの前記ウェイにあると決定したことに応答して、前記命令に対応するエントリをウェイ予測テーブル内にポピュレートすることであって、前記識別されたウェイに基づく前記エントリのＷＡＹフィールド、および前記識別されたレジスタロケーションに基づく前記エントリのＲＥＧフィールドをポピュレートすることを備える、ポピュレートすることと
を備える方法。
【請求項１１】
前記テーブル内の各エントリが、プログラムカウンタ識別子、レジスタ識別子、予測されるウェイ識別子、有効性ビット、またはそれらの組合せを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記命令が自動増分命令を備えるか、またはベースプラスオフセット命令を備えるかを決定することをさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記エントリが、前記アクセスされたデータキャッシュの前記ウェイを識別し、前記エントリが前記命令の前記第１の実行に関連してポピュレートされ、前記命令の第２の実行中に、
前記エントリを前記テーブルから読み取ることと、
第２の増分されたアドレス値を計算することと、
前記第２の実行中に前記ウェイをウェイ予測として適用することと、
をさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記命令の後続の実行の増分されたアドレス値が前記ウェイとは異なるウェイにあると決定したことに応答して、前記テーブルを更新すること、ここにおいて、前記命令の前記後続の実行は、前記第１の実行の後である、をさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記増分されたアドレスが前記アドレスに関連付けられたキャッシュラインとは異なるキャッシュラインに関連付けられるという決定に基づいて、前記エントリを除去するか、または前記テーブルの前記エントリが無効であることを示すことをさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月3日(2018.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
＜リチウムイオン二次電池＞
次に、本発明のリチウムイオン二次電池について説明する。本発明のリチウムイオン二次電池は、本発明の負極活物質を含む負極又は本発明のリチウムイオン二次電池用負極を用いたものである。ここでは具体例として、ラミネートフィルム型のリチウムイオン二次電池を例に挙げる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
次に、溶媒（４−フルオロ−１，３−ジオキソラン−２−オン（ＦＥＣ）、エチレンカーボネート（ＥＣ）、及びジメチルカーボネート（ＤＭＣ））を混合した後、電解質塩（六フッ化リン酸リチウム：ＬｉＰＦ６）を溶解させて電解液を調製した。この場合には、溶媒の組成を体積比でＦＥＣ：ＥＣ：ＤＭＣ＝１０：２０：７０とし、電解質塩の含有量を溶媒に対して１．２ｍｏｌ／ｋｇとした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１２】
【表１０】
2017152375.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子顕微鏡を使用する方法であって、前記荷電粒子顕微鏡は、
‐  試料を保持するための試料ホルダと、
‐  荷電粒子の照射ビームを生成するためのソースと、
‐  前記ビームを前記試料に照射するように方向付けるための照射器と、
‐  前記照射に応答して前記試料から発せられる放出放射束を検出するための検出器と、を備え、
パルス列によって前記試料を照射するステップと、付随的な放出放射の位置分解された検出を行うために前記検出器を用いるステップとを含む、
方法において、
前記照射器において、アパーチャアレイを有するアパーチャプレートを設けるステップと、
前記ビームが通過する共振ＲＦ空洞を含む偏向素子を提供するステップと、前記アレイを横切って前記ビームを走査する偏向素子を使用するステップであって、それにより、前記ビームパルス列を生成するように前記ビームを交互に遮断し透過させる、ステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記空洞がＴＭ１１０モードで励起される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記偏向素子に入射する前に、前記ビームがパルス化される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記偏向素子の平面は、前記試料の平面上に結像される、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記アパーチャプレートが、前記偏向素子と前記試料との間の中間ビーム交差点に配置される、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記パルス列において、連続するパルスは１〜１００ピコ秒の範囲の間隔を有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記検出器は、前記試料によって生成された時間分解された一連の回折パターンを記録するために使用される、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
荷電粒子顕微鏡であって、
‐  試料を保持するための試料ホルダと
‐  荷電粒子の照射ビームを生成するためのソースと、
‐  前記ビームを前記試料に照射するように方向付けるための照射器と、
‐  前記照射に応答して前記試料から発せられる放出放射束を検出するための検出器と、
‐  顕微鏡の操作の態様を制御するための電子制御装置であって、前記電子制御装置は、前記試料に前記ビームのパルス列が照射されたときに前記試料から放出される放射の位置分解された検出を行うように構成されている、電子制御装置と、を備え、
当該顕微鏡はさらに、
‐  前記ビームを方向付ける共振ＲＦ空洞を含むビーム偏向素子と、
‐  前記照射器内に配置され、アパーチャのアレイを有するアパーチャプレートと、を備え、
前記電子制御装置は、
‐  前記ビームが前記アレイを横切って走査するように前記偏向素子を駆動し、その結果、前記パルス列を生成するように前記ビームが交互に遮断され透過するように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月1日(2018.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検眼に照射された測定光と参照光との干渉信号を検出する干渉光学系を備える眼軸長測定装置であって、
前記被検眼上における眼軸長の測定位置を変更する測定位置変更手段と、
前記干渉光学系からの干渉信号に基づいて前記被検眼の眼軸長を取得する取得手段と、
を備え、
前記取得手段は、前記測定位置変更手段によって変更された異なる複数の測定位置において眼軸長を取得し、前記複数の測定位置における眼軸長に基づいて、前記被検眼の眼球形状情報を取得することを特徴とする眼軸長測定装置。
【請求項２】
前記取得手段は、前記複数の測定位置における眼軸長に基づいて、前記被検眼の眼球形状のタイプを判定し、前記被検眼の眼球形状情報として、判定結果を取得することを特徴とする請求項１の眼軸長測定装置。
【請求項３】
前記測定位置変更手段は、前記測定光を前記被検眼に対して走査する走査光学系を備え、前記測定光を前記被検眼の瞳孔を支点として走査することによって、前記被検眼上における眼軸長の測定位置を変更することを特徴とする請求項１または２の眼軸長測定装置。
【請求項４】
眼球形状情報取得方法であって、
同一被検眼上における異なる複数の測定位置において測定された眼軸長を取得する眼軸長取得ステップと、
前記取得ステップにおいて取得された眼軸長に基づいて、前記被検眼の眼球形状情報を取得する形状情報取得ステップと、
を含むことを特徴とする眼球形状情報取得方法。
【請求項５】
眼球形状情報取得装置の動作を制御する制御装置において実行される眼球形状情報取得プログラムであって、
前記制御装置のプロセッサによって実行されることで、
同一被検眼上における異なる複数の測定位置において測定された眼軸長を取得する眼軸長取得ステップと、
前記取得ステップにおいて取得された眼軸長に基づいて、前記被検眼の眼球形状情報を取得する形状情報取得ステップと、
を前記眼球形状情報取得装置に実行させることを特徴とする眼球形状情報取得プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月5日(2018.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
異なる２つの部位に装着された脈波信号検出手段で検出された脈波信号を取得する取得工程と、
取得した脈波信号のそれぞれについて、同一心拍に対応する特徴点を検出する特徴点検出工程と、
前記特徴点検出工程で検出された特徴点の発生タイミングの前後関係が、前記脈波信号検出手段の装着部位が正しい場合に想定される前後関係に合致するか否かを判定するタイミング判定工程と、
前記特徴点検出工程で検出された特徴点の発生タイミングの前後関係が、前記想定される前後関係に合致しないと前記タイミング判定工程で判定された場合、前記脈波信号検出手段の装着部位が誤っていると判定する誤装着判定工程と、
を有することを特徴とする脈波信号計測装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月5日(2018.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
コンピュータを、請求項６から８のいずれか１項に記載の血圧脈波検査装置の制御手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月5日(2018.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記少なくとも１つの部位が２つの部位であり、一方が上腕部または頸部であり、他方が大腿部、膝、足首、または足趾であることを特徴とする請求項５または６に記載の脈波信号計測装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
上側部材１１（第１クランプ部分１１Ｍ、ブロック部分１１Ｎ、ガイド部分１１Ｐ，１１Ｑを含む。）は、この例ではＡＢＳ（アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合体）樹脂からなり、一体成形により形成されている。一方、下側部材１２については、第２クランプ部分１２Ｍ、連結板部分１２Ｐ，１２Ｑ、基板部分１２Ｓ、およびスライド棒１４が一体成形により形成されている。そのスライド棒１４の先端に対して、別途作製された端板部分１２Ｖが図示しないねじによって固定されている。下側部材１２の各要素１２Ｍ，１２Ｐ，１２Ｑ，１２Ｓ，１４，１２Ｖも、上側部材１１と同様にＡＢＳ樹脂からなっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図９は、この血圧計１が既述の左手首９０よりも太い左手首９１に対して装着された状態を示している。この図９から分かるように、第１クランプ部分１１Ｍの周方向の寸法は、太い左手首９１の手のひら側の半面９１ａを完全に覆う寸法に設定されている。第１クランプ部分１１Ｍの内周面１１ｂに沿って略全域に設けられた流体袋２２は、太い左手首９１の手のひら側の半面９１ａの大部分を覆っている。したがって、流体袋２２が加圧されることにより、動脈９０ｕ，９０ｖが圧迫されて、血圧測定が円滑に行われる。なお、この例では第２クランプ部分１２Ｍの周方向寸法が第１クランプ部分１１Ｍの周方向寸法よりも小さいことから、太い左手首９１のうちスライド棒１４から遠い左下部分は、第２クランプ部分１２Ｍの左端部１２ｅよりも外側へはみ出している。しかし、圧迫すべき動脈９０ｕ，９０ｖは手のひら側の半面９１ａに存在し、手の甲側の半面９１ｂには存在しないので、血圧測定に支障は生じない。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月1日(2018.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検眼眼底からの反射光を受光して眼底像を撮像する眼底撮像光学系と、
前記眼底撮像光学系の光路中に配置されており、入射光の波面を制御して被検眼の波面収差を補償する波面補償デバイスと、
前記波面収差を検出するための収差検出光学系であって、被検眼に対して測定光を投光すると共に，被検眼眼底からの測定光の反射光を検出器で検出する収差検出光学系と、
被検眼と，前記波面補償デバイスにおいて波面補償が有効な領域である有効領域と，の相対的な位置関係を調整する調整手段と、
前記検出器からの検出信号に基づいて被検眼の収差量を演算し、更に、前記調整手段による前記被検眼と前記有効領域とのアライメントの誘導を、前記演算の結果得られる収差量に基づいて実行する演算制御手段と、を備える波面補償付眼底撮影装置。
【請求項２】
前記演算制御手段は、ゼルニケ展開が適用される場合において次数が奇数となる３次以上の収差の収差量を前記演算によって求め、前記演算によって得られる収差量を少なくとも用いて前記アライメントの誘導を行う請求項１記載の波面補償付眼底撮影装置。
【請求項３】
前記波面補償デバイスは、被検眼の前眼部共役面上において、前記収差検出光学系によって前記波面収差が測定される領域である波面測定領域のうち、前記波面補償デバイスにおいて波面補償が有効な領域である有効領域において波面を補償するものであり、
前記演算制御手段は、前記演算によって得られる収差量に基づいてアライメントの誘導が行われた結果における前記有効領域と前記波面測定領域との位置関係をシミュレーションし、そのシミュレーション結果に応じて前記アライメントの誘導内容を変更する請求項１又は２に記載の波面補償付眼底撮影装置。
【請求項４】
被検眼の２次以下の低次収差を補正するための光学系を有し、前記眼底撮像光学系に配置される第２補正部を備え、
前演算制御部は、前記第２補正部によって前記低次収差が補正されている状態において出力される前記検出信号に基づいて前記演算を行い、前記演算の結果得られる収差量である残収差の収差量に基づいて、前記アライメントの誘導を実行する請求項１から３のいずれかに記載の波面補償付眼底撮影装置。
【請求項５】
前記アライメントが完了した際に被検眼と前記有効領域との位置関係を示す基準情報を取得し、前記基準情報によって示される被検眼と前記有効領域との位置関係からの変化を補正するためのトラッキング手段を備える請求項１から４のいずれかに記載の波面補償付眼底撮影装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月15日(2018.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
識別情報の変動表示を実行し、表示結果を導出表示する変動表示部に特定表示結果が導出表示されたときに特定状態に制御する遊技機であって、
識別情報の変動表示が開始されてから表示結果が導出表示されるまでに、所定の演出を所定回繰返し実行することにより、前記特定状態となるか否かを示唆する特定演出を実行する特定演出手段を備え、
前記特定演出手段は、前記特定演出の実行中において前記特定状態となる可能性が異なる複数種類のいずれかに変更して前記特定演出を実行可能であり、
前記特定演出での特定回数目における前記所定の演出の実行時に変更する遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（Ａ）  上記目的を達成するため、本願発明に係る遊技機は、識別情報の変動表示を実行し、表示結果を導出表示する変動表示部に特定表示結果が導出表示されたときに特定状態に制御する遊技機であって、識別情報の変動表示が開始されてから表示結果が導出表示されるまでに、所定の演出を所定回繰返し実行することにより、前記特定状態となるか否かを示唆する特定演出を実行する特定演出手段を備え、前記特定演出手段は、前記特定演出の実行中において、前記特定状態となる可能性が異なる複数種類のいずれかに変更して前記特定演出を実行可能であり、前記特定演出での特定回数目における前記所定の演出の実行時に変更する。
（１）  上記目的を達成するため、本願発明に係る他の遊技機は、各々を識別可能な複数種類の識別情報（特別図柄、演出図柄）の変動表示を実行し、表示結果を導出表示する変動表示部（第１特別図柄表示器８ａ、第２特別図柄表示器８ｂ、演出表示装置９）に特定表示結果（大当り表示結果）が導出表示されたときに特定遊技状態（大当り遊技状態）に制御する遊技機（パチンコ遊技機１）であって、識別情報の変動表示が開始されてから表示結果が導出表示されるまでに、所定の演出（図２１の第１〜第３擬似連演出の演出態様）を所定回繰返し実行することにより、前記特定遊技状態となるか否かを示唆する特定演出（図２１の擬似連演出）を実行する特定演出手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００、図１９のＳ８０１，Ｓ８０２）を備え、前記特定演出手段は、前記特定演出の実行中において、演出（第１擬似連演出の演出態様）を前記特定遊技状態となる可能性が異なる複数種類の他の演出（第２擬似連演出の演出態様、第３擬似連演出の演出態様）のいずれかに変更して前記特定演出を実行可能である（図１４〜図１５の擬似連移行演出、図２１の擬似連パターン８，９）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月7日(2018.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部により生成された電荷信号とノイズ信号との差分に基づいて撮像画像信号を出力する撮像装置であって、
第１の画像と、前記第１の画像が撮像された第１の撮像条件より前記光電変換部の露光量が少ない第２の撮像条件で撮像された第２の画像と、の差分に基づく差分画像を生成する生成手段と、
前記生成手段により生成された前記差分画像に基づいて、黒沈み領域を検出する検出手段と、
検出された前記黒沈み領域に基づいて、前記ノイズ信号の電圧に制限を設けるためのクリップ電圧を制御する電圧制御手段と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第２の画像は、前記第１の画像が撮像された第１の蓄積時間よりも短い第２の蓄積時間で撮像された画像である、ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の画像を前記撮像装置の外部に出力し、前記第２の画像を前記撮像装置の外部に出力しないことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の画像と前記第２の画像を交互に撮像することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
外部から信号を入力するための入力手段を備え、
前記入力手段から入力された入力信号に基づいて、前記第２の画像を撮像する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
請求項１に記載の撮像装置と、絞りと該絞りを制御する絞り制御手段とを備えるレンズ装置と、を備える撮像システムであって、
前記第２の画像は、前記第１の画像が撮像された第１の絞り値よりも絞った第２の絞り値で撮像された画像である、
ことを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかしながら、上述の従来技術では、昼間から夜間までの様々な撮影シーンに対応することが困難となる。例えば、特許文献１では、過度なクリップ電圧設定を行った場合、高輝度光による黒沈み現象を強く抑制する効果が得られる一方で固定パターンノイズが発生しやすく、画質が低下してしまう課題がある。特に、夜間の撮影では感度を上げるためにゲインを適用した場合、更なる画質の低下を招く恐れがあり見にくい撮影映像となってしまう。特許文献２では、黒沈み現象を改善できるが、黒沈み現象を検知するために、異なる画素領域に異なる蓄積時間を適用できる構造のイメージセンサとするためコストがかかってしまう問題がある。また、特許文献２では、黒沈み検出のために参照用として用いる画素群は周囲の画素から補完されて出力され、本来の撮像信号として使用されない。そのため、低解像度の撮影画像となってしまう問題もある。放送や高級監視などの分野では、昼間から夜間まで様々な撮影条件が設定され、かつ高画質な撮影映像が求められるため、上記の対策を行ったとしても画質を維持することが必要である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図２にイメージセンサ１０１の構造図を示す。図２のＩｍｇは、撮像素子群を示している。図２中の１１から３３までは、Ｉｍｇに構成される画素配列の一部を示している。Ｉｍｇ中の各画素は、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３…およびＨ１、Ｈ２、Ｈ３…を通じて、垂直回路１０１１および水平回路１０１２に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２の垂直回路１０１１へは不図示のリセットパルスや選択行シフトなどの制御線が接続されている。これらの制御線は、図１の撮像制御部１０２と接続されており、イメージセンサ１０１を駆動制御するための前述のタイミング信号が伝搬される。また、図２の水平回路１０１２へは、後述の転送パルスおよび読み出しパルスの２つの制御線が接続されている。これらの制御線は、上述の垂直回路１０１１で説明した制御線と同様に、図１の撮像制御部１０２に接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図８ステップＳ１２３では、読み出し前設定Ａが行われる。ここでは、通常撮影における読み出し処理の前処理として、図６のステップＳ１１０で設定されたモードに応じたＶｃｌｉｐＨ（ＶｃｌｉｐＨ１又はＶｃｌｉｐＨ２）がイメージセンサ１０１に対して更新・反映される。例えば、図６のステップＳ１１０では昼間モードが設定された場合は、ＶｃｌｉｐＨの初期値としてＶｃｌｉｐＨ１が設定される。なお、図６ではステップＳ１６０が実行された後は再びステップＳ１１０から再び実行されることになるが、ステップＳ１２３では後述するステップＳ１５０で設定されたＶｃｌｉｐＨによって更新されるものとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
図１１のステップＳ１４１では、画像生成手段である画像処理部１０４において、図８のステップＳ１２６および図９のステップＳ１３６で記憶した画像Ａおよび画像Ｂを用いて、各画素における値の差を演算する。ここでは、画像Ｂから画像Ａを減算する。なお、減算の結果、負の値となる場合は０で下限リミットするなどしておく。ステップＳ１４１の結果から得られる画像（差分画像）のイメージ図を図１２に示す。黒沈みが発生した領域のみが白い領域（正の値を示す画素）として出力され、そのほかの領域については黒い領域（値が「０」である画素）として出力される。ここでは、画像Ｂから画像Ａを減算する場合を例示したが、これに限定されることはなく、一方から他方の画素値を減算すると、黒沈み領域と黒沈みしていない領域とでは、値の符号が反転する関係となるので、これを利用することにより、黒沈み領域を特定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月1日(2018.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記画像データ整理サーバー装置は、
前記画像データ整理端末装置から前記所定時間毎の割り込み処理によって出力される前記時系列心拍データを入力し、
次の前記時系列心拍データが入力される前に、フーリエ変換し、高周波成分と低周波成分とを分離し、癒され度を求め、前記画像データ整理端末装置に返却する、請求項５に記載の画像データ整理システム。