【事件の表示】
　平成１０年特許願第　２８９３０号「光学スイッチのクロストークの低減方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　８月２５日出願公開、特開平１０−２２８０３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年２月１０日の出願(パリ条約による優先権主張１９９７年２月１０日、米国)であって、その請求項に係る発明は、平成１４年２月２１日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。 
「それぞれが屈折量制御部分と吸収量制御部分とを有する第１ブランチと第２ブランチからなる光学スイッチのクロストーク低減方法において、（Ａ）スイッチを通る所望の光学信号パスの一部として、第１ブランチと第２ブランチのうちの一方を選択ブランチとして、他方を非選択ブランチとして選択するステップと、（Ｂ）前記選択ブランチの吸収量制御部分を第１吸収レベルの第１吸収状態にし、光学信号に対しゲインを与えないように、構成するステップと、（Ｃ）前記非選択ブランチの吸収量制御部分を第１レベルの吸収状態以上の第２レベルの吸収状態である第２吸収状態に構成するステップとからなることを特徴とする光学スイッチのクロストークの低減方法。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成６年３月１１日に頒布された「特開平６−６７２２１号公報 」（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
(１)「【従来の技術】光変調や半導体導波路形光スイッチに適用する光デバイスとして、多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：以下、ＭＱＷと略す）半導体材料を用いたものがある。これらの材料は大きな量子井戸閉じ込め効果（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｃｏｎｆｉｎｅｄ Ｓｔａｒｋ Ｅｆｆｅｃｔ：以下、ＱＣＳＥと略す）に起因する電気光学効果を有しているので、高効率で小形の光変調器や導波路形光スイッチ等種々の光デバイスを実現できるなどの特徴があり、これらの光デバイスの研究が進められている。」(【０００２】)
(２)「図４は従来の導波路形光スイッチの一例として、河野他による特願平４−２１５２７７号に開示されているＭＱＷを用いた方向性結合器２×２光スイッチの斜視図である。以下、光スイッチの構造について説明する中で、従来の光スイッチの制御方法の原理について述べる。Ｉは光入力部、ＩＩは光スイッチ部、ＩＩＩは光出力部、ＩＶは光吸収部である。１はｐ側電極、２はｐ＋−ＩｎＧａＡｓキャップ層、３はｐ−ＩｎＰクラッド層、４はｉ−ＩｎＰクラッド層、５はｉ−ＭＱＷ層、６はｎ−ＩｎＰ基板、７はｎ側電極、８はｎ−ＩｎＰバッファ層、９は電気的分離溝である。ここでｉ−ＭＱＷ層５としては、ＩｎＧａＡｌＡｓウェル９ｎｍ，ＩｎＡｌＡｓバリア５ｎｍでヘビーホールエキシトン（Ｈｅａｖｙ−ｈｏｌｅ　ｅｘｃｉｔｏｎ）の吸収ピークを１．４４μｍと設定でき、１．５５μｍの波長でスイッチング動作させることができる。これを動作させるには、ｐ側電極１とｎ側電極７間に電界を加えればよい。つまり、導波路に直接電界を印加し、ＭＱＷ構造に起因する電気光学効果により、光の吸収係数が変化するとクラマースークローニヒの関係から屈折率が変化し、これに伴い導波路の屈折率を変えスイッチングを行う構造である。なお、ｉ−ＭＱＷ層５はＱＣＳＥを有するｉ−ＭＱＷ層以外にフランツ−ケルディシュ効果を有するｉ−ＩｎＧａＡｓＰなどバルク材料でもよい。」(【０００３】)
(３)「このような構成の従来の方向性結合器形光スイッチでは、例えば、光入力ポートＡから光を入射し、光出力ポートＤから光を出射する場合（クロス状態）には、光出力ポートＣに漏れ光、すなわちクロストークが生じる。図５に示すように、そこで電極１０に電界を印加することによりＱＣＳＥのためｉ−ＭＱＷ層５の吸収端を長波長側に大きくシフトさせ、クロストーク光を吸収することができる。また、光を光出力ポートＣに出したい場合（バー状態）には電極１に電圧を印加する。この時生じた光出力ポートＤのクロストーク光は電極１１に電圧を印加することにより吸収できる。こうして２×２光スイッチの出力側ポート（あるいは次段の光スイッチの入力ポート）に電極を設け、電界を印加あるいは電流を注入するなどによりクロストーク光を消失でき、クロストーク成分をきわめて小さく抑制することも可能であり、方向性結合器を製作する時の製作の歩留りが大幅に向上する利点がある。」(【０００４】)
(４)「【発明が解決しようとする課題】ところで、このような構造では、クロストーク光が漏れ光であるため、クロストーク光が生じている側と反対側の光導波路を伝搬する主パワーが損失していることになる。この従来の光スイッチの制御系では単にクロストーク光を消失させるため、低いクロストークが実現できるもののクロストーク光に起因する挿入損失の改善は望めない。大規模スイッチを構成する場合には、通過する光スイッチの段数が増加するため、このクロストーク光に起因する損失増加も全体として大きくなる。」(【０００５】)
　
３　対比
　本願発明と引用例に記載の発明とを対比する。
(５)引用例に記載の光スイッチ部ＩＩにあるにある「ｐ−ＩｎＰクラッド層３」と「ｐ側電極１」とが、本願発明の「屈折量制御部分」に相当する。また、引用例に記載の光吸収部ＩＶにある「ｐ−ＩｎＰクラッド層３」と「電極１０」及び「電極１１」とが、本願発明の「吸収量制御部分」に相当する。
(６)引用例に記載の光吸収部スイッチ部ＩＶ及び光出力部ＩＩＩにある２本の光導波路が、本願発明の「第１ブランチ」と「第２ブランチ」とに相当する。
(７)上記(６)に記載した２本の光導波路のうち、光入力ポートからの光が出射する光出力ポート側にある光導波路が、本願発明の「選択ブランチ」に相当し、その反対側の光導波路が、本願発明の「非選択ブランチ」に相当する。
(８)引用例に記載の光スイッチでは、上記(１)〜(３)に摘記したように、本願発明の実施の形態と同じくＱＣＳＥを利用してクロストークの吸収が行われること、及び上記(４)に摘記したように、「選択ブランチ」において主パワーの損失が問題視されていることからみて、「選択ブランチ」おいて光学信号にゲインが与えられないことは明らかである。
(９)引用例に記載の光スイッチにおいて、「選択ブランチ」での光損失を避けることは当然のことであるから、「選択ブランチ」の「吸収量制御部分」の吸収レベルを、クロストークが吸収される「非選択ブランチ」の「吸収量制御部分」のそれより低くすること、つまり「非選択ブランチ」の「吸収量制御部分」の吸収レベルを、「選択ブランチ」の「吸収量制御部分」のそれ以上とすることは、明らかである。
　以上の(５)〜(９)を踏まえると、両者は、「それぞれが吸収量制御部分を有する第１ブランチと第２ブランチからなる光学スイッチのクロストーク低減方法において、（Ａ）スイッチを通る所望の光学信号パスの一部として、第１ブランチと第２ブランチのうちの一方を選択ブランチとして、他方を非選択ブランチとして選択するステップと、（Ｂ）前記選択ブランチの吸収量制御部分を第１吸収レベルの第１吸収状態にし、光学信号に対しゲインを与えないように、構成するステップと、（Ｃ）前記非選択ブランチの吸収量制御部分を第１レベルの吸収状態以上の第２レベルの吸収状態である第２吸収状態に構成するステップとからなることを特徴とする光学スイッチのクロストークの低減方法」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本願発明では、屈折量制御部分が第１ブランチ及び第２ブランチのそれぞれにあるのに対して、引用例に記載の発明では、屈折量制御部分が光スイッチ部ＩＩにあり、第１ブランチ及び第２点ブランチのそれぞれにあるとはいえない点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
　２つの分岐導波路それぞれに屈折率制御部を有するＹ型の光学スイッチは、周知である(特開平１−１４４０２３号公報、特開平６−１４８６９９号公報、特開平８−８２８１０号公報及び特開平８−２２０５７１号公報を参照)。また、引用例に記載の発明における光学スイッチは、２つの入力ポートを有するものであるが、個々の入力ポートからみれば、そこに入力された光が２つの導波路のいずれかにスイッチングされるのであるから、その意味において、上記周知の光学スイッチと機能的に異なるところはない。
　したがって、このような周知の光学スイッチを引用例に記載の発明に適用して、本願発明の技術的事項とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　また、本願発明の効果も、当業者が予測し得る程度のことにすぎない。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。