【手続補正書】
【提出日】平成30年8月3日(2018.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、
第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、
前記第１の発光素子から前記第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、
前記第２の発光素子から前記第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
前記第３の発光素子から前記第３の光学素子を介して射出される光は、前記第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、
前記第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、
前記第３の極大値に対する前記第４の極大値の強度比は、１５％以下である、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の光学素子は、
５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
前記第２の光学素子は、
４８０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
前記第３の光学素子は、
４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有する、ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の発光素子は、
第１の下部電極と、
前記第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、
前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の第２の発光層と、
前記第２の発光層上の上部電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、
第２の下部電極と、
前記第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、
前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
前記第３の発光素子は、
第３の下部電極と、
前記第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、
前記第３の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有する、ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の下部電極と、前記第３の発光層との間の光学距離が３λＲ／４（λＲは赤色の波長を表す）近傍であり、
前記第２の下部電極と、前記第２の発光層との間の光学距離が３λＧ／４（λＧは緑色の波長を表す）近傍であり、
前記第３の下部電極と、前記第１の発光層との間の光学距離が３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）近傍である、ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子と、
第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、第４の光学素子と、を有し、
前記第１の発光素子から前記第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、
前記第２の発光素子から前記第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
前記第３の発光素子から前記第３の光学素子を介して射出される光は、前記第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、
前記第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、
前記第４の発光素子から前記第４の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有し、
前記第３の極大値に対する前記第４の極大値の強度比は、１５％以下である、ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子と、
第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、
前記第１の発光素子から前記第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、
前記第２の発光素子から前記第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
前記第３の発光素子から前記第３の光学素子を介して射出される光は、前記第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、
前記第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、
前記第４の発光素子から射出される光は、前記第１の光学素子乃至前記第３の光学素子を介さずに射出され、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有し、
前記第３の極大値に対する前記第４の極大値の強度比は、１５％以下である、ことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第１の光学素子は、
５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
前記第２の光学素子は、
４８０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
前記第３の光学素子は、
４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有する、ことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項において、
前記第１の発光素子は、
第１の下部電極と、
前記第１の下部電極上の第１の透明導電膜と、
前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の第２の発光層と、
前記第２の発光層上の上部電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、
第２の下部電極と、
前記第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、
前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
前記第３の発光素子は、
第３の下部電極と、
前記第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、
前記第３の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
前記第４の発光素子は、
第４の下部電極と、
前記第４の下部電極上の第４の透明導電膜と、
前記第４の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有する、ことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１の下部電極と、前記第３の発光層との間の光学距離が３λＲ／４（λＲは赤色の波長を表す）近傍であり、
前記第２の下部電極と、前記第２の発光層との間の光学距離が３λＧ／４（λＧは緑色の波長を表す）近傍であり、
前記第３の下部電極と、前記第１の発光層との間の光学距離が３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）近傍である、
前記第４の下部電極と、前記第２の発光層との間の光学距離が３λＹ／４（λＹは黄色の波長を表す）近傍である、ことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発光装置と、筐体および／またはタッチセンサと、を有することを特徴とする電子機器。