【事件の表示】
　平成　９年特許願第２５６１０７号「受光素子及び受光素子モジュ−ル」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月２６日出願公開、特開平１１−　８３６１９、請求項の数（１３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年９月３日の出願であって、特許請求の範囲の請求項に係る発明は、平成１３年１１月６日付けの手続補正書によって補正された明細書の記載からみて、その請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】第１の波長λ１の光とそれより長い第２の波長λ２の光（λ１＜λ２）を用いた光通信において第２の波長λ２の光のみを感受するための受光素子であって、ｎ型又はｐ型のいずれかである第１伝導型の半導体基板と、半導体基板の一方の面にエピタキシャル成長させた基板と同じ第１伝導型の受光層と、受光層の一部に基板と反対の第２伝導型の不純物をドープして形成した第２伝導型のｐ型或いはｎ型領域と、受光層のなかに形成されるｐｎ接合と、第２伝導型領域の上に形成される第２伝導型用の電極と、前記の半導体基板の他方の面にエピタキシャル成長させた波長λ１の光のエネルギーより低く波長λ２の光のエネルギーより高いバンドギャップを有する第１伝導型半導体結晶よりなるフィルタ層と、フィルタ層の上に開口部を有するように形成された第１伝導型用の電極とよりなり、第１伝導型電極の開口部を通してλ１、λ２の光を入射させ、フィルタ層によってλ１を吸収し、λ２のみが受光層のｐｎ接合に到達するようにしたことを特徴とする受光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．原査定の理由
　請求項に係る発明は、原査定の拒絶理由に引用された特開平９−１３９５１２号公報（以下、「引用例１」という。）に記載された発明と、同じく特開平６−１３２５５０号公報（以下、「引用例２」という。）に記載された発明と、同じく特開平２−１０６９７９号公報（以下、「引用例３」という。）と、に基づいて当業者が容易に発明できたものである、というにある。　
　
３．引用刊行物
　引用例１ないし３にはそれぞれ、次の事項が記載されている。
引用例１：
（イ）「【００２０】［従来例に係る半導体受光素子チップの説明］・・・ｎ型ＩｎＰ基板５２の上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層５３、ｎ型ＩｎＧａＡｓ受光層（光吸収層）５４、ｎ型ＩｎＰ窓層５５がこの順にエピタキシャル成長されている。チップの中央部上方から亜鉛を拡散することによって、ｐ型領域５６を形成する。亜鉛拡散はｎ型ＩｎＧａＡｓ受光層の半ばにまで達している。つまりこの部分は、ｐ型ＩｎＰ窓層、ｐ型ＩｎＧａＡｓ受光層となっている。ｐｎ接合がＩｎＧａＡｓ受光層の内部に生じる。
【００２１】・・・基板の裏面は必ず電極が全面に形成されて光が通らないようになっている。これが従来例の受光素子の特徴の一つである。」
（ロ）「【０１２０】［波長選択フォトダイオードチップの実施例］・・・基板９２はｎ型ＩｎＰウエハである。ｎ−ＩｎＰ基板９２の上に、
【０１２１】ｎ−ＩｎＰバッファ層９３、ｎ−Ｉｎ０．６６Ｇａ０．３４Ａｓ０．７６Ｐ０．２４（λｚ＝１．４２μｍ）受光層９４、ｎ−Ｉｎ０．８２Ｇａ０．１８Ａｓ０．４０Ｐ０．６０（λｗ＝１．１５μｍ）窓層９５を液相エピタキシャル成長させる。・・・
【０１２５】このようなエピタキシャル層を形成した後、マスクをして、素子になるべき部分の中央部のみにｐ型領域９６を作る。これは亜鉛拡散など公知の方法による。ｐ型領域９６の上にｐ側電極９７をリング状に形成する。環状ｐ側電極９７によって囲まれる上面を透明の反射防止膜９８によって被覆する。環状ｐ電極９７の外側はパッシベーション膜９９によって保護する。」
　
引用例２：
（イ）「【０００３】図４（ｂ）において、１０は赤外線検知素子であり、該赤外線検知素子１０は、ＣｄＴｅ基板１，該ＣｄＴｅ基板１上に形成されたＣｄＨｇＴｅからなる受光層２、該受光層２の上面に形成された電極部から構成され、該電極部３の間に表面露出する受光層３が受光部となっている。」
（ロ）「【００１３】・・・ＣｄＴｅ基板の裏面側の開口部２１ａを通してＣｄＴｅ基板内に信号光が入射され、該信号光１１が該ＣｄＴｅ基板１内を通って受光層に到達する。」
（ハ）「【００１５】なお、上記実施例では開口部２１ａから受光部４が露出しているが、該開口部２１ａに１０μｍ帯の光を透過するが、輻射による熱線を透過しないＺｎＳ膜を配設してもよく、この場合には、少量ではあるが開口部２１ａを通して受光部４に到達する熱線も完全に遮断することができ、出力信号に発生するノイズを一層低減することができる。」
　
引用例３：
（イ）「バンドギャップの異なる２つのフォトダイオード３，５を入射光に沿って集積したもので、光入射側となるフォトダイオード３は、もう一方のフォトダイオード５よりもバンドギャップが大きく、フォトダイオードとして働くと同時に、波長多重通信における２つの波長の短波長λａのみを吸収する反面、長波長λｂを通過させるフィルタの役割を果たしている。」（第２頁左上欄第１８行から右上欄第５行）
　
４．対比・判断
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
（イ）引用例１の「ｎ−ＩｎＰ基板」は、本願発明の「ｎ型又はｐ型のいずれかである第１伝導型の半導体基板」に相当する。
（ロ）引用例１の「ｎ型ＩｎＧａＡｓ受光層（光吸収層）」または「ｎ−Ｉｎ０．６６Ｇａ０．３４Ａｓ０．７６Ｐ０．２４（λｚ＝１．４２μｍ）受光層」は、本願発明の「半導体基板の一方の面にエピタキシャル成長させた基板と同じ第１伝導型の受光層」に相当する。
（ハ）引用例１の「（ｎ型ＩｎＧａＡｓ受光層の半ばにまで達している）ｐ型領域」は、本願発明の「受光層の一部に基板と反対の第２伝導型の不純物をドープして形成した第２伝導型のｐ型或いはｎ型領域と、受光層のなかに形成されるｐｎ接合」に相当する。
（ニ）引用例１の「ｐ型領域９６の上」の「ｐ側電極」は、本願発明の「第２伝導型領域の上に形成される第２伝導型用の電極」に相当する。
　よって、両者は、「ｎ型又はｐ型のいずれかである第１伝導型の半導体基板と、半導体基板の一方の面にエピタキシャル成長させた基板と同じ第１伝導型の受光層と、受光層の一部に基板と反対の第２伝導型の不純物をドープして形成した第２伝導型のｐ型或いはｎ型領域と、受光層のなかに形成されるｐｎ接合と、第２伝導型領域の上に形成される第２伝導型用の電極と、を有する受光素子」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明が、「半導体基板の他方の面にエピタキシャル成長させた波長λ１の光のエネルギーより低く波長λ２の光のエネルギーより高いバンドギャップを有する第１伝導型半導体結晶よりなるフィルタ層と、フィルタ層の上に開口部を有するように形成された第１伝導型用の電極とよりなり、第１伝導型電極の開口部を通してλ１、λ２の光を入射させ、フィルタ層によってλ１を吸収し、λ２のみが受光層のｐｎ接合に到達する」との事項を有するのに対し、引用発明は上記事項を有しない点。
　
　上記相違点について検討する。
　引用例２には光を透過するが複写による熱線を透過しないＺｎＳ膜を用いることは記載されているが、該熱線は該光よりも長波長なものであるから、本願発明の技術的事項である「半導体基板の他方の面にエピタキシャル成長させた波長λ１の光のエネルギーより低く波長λ２の光のエネルギーより高いバンドギャップを有する第１伝導型半導体結晶よりなるフィルタ層」を設けるとの事項は記載されていない。
　さらに、引用例３には光入射側のフォトダイオードが短波長の光を吸収し長波長の光を透過するフィルタの役割を果たすことは記載されているが、該フィルタはｐｎ接合であることから、該引用例３にも本願発明の技術的事項である「半導体基板の他方の面にエピタキシャル成長させた波長λ１の光のエネルギーより低く波長λ２の光のエネルギーより高いバンドギャップを有する第１伝導型半導体結晶よりなるフィルタ層」を設けるとの事項は記載されていない。
　したがって、引用例１ないし３のいずれにも、本願発明の技術的事項である「半導体基板の他方の面にエピタキシャル成長させた波長λ１の光のエネルギーより低く波長λ２の光のエネルギーより高いバンドギャップを有する第１伝導型半導体結晶よりなるフィルタ層と、フィルタ層の上に開口部を有するように形成された第１伝導型用の電極とよりなり、第１伝導型電極の開口部を通してλ１、λ２の光を入射させ、フィルタ層によってλ１を吸収し、λ２のみが受光層のｐｎ接合に到達する」との事項は記載されていない。
　さらに、引用例１に記載された受光素子において、従来例に係る半導体受光素子チップは、基板全面に電極を形成するものであるから波長選択を行うフィルタを設ける動機付けはなく、そして、波長選択フォトダイオードチップは、短波長の光を受光し長波長の光を透過するものであるから、該受光素子に短波長の光を吸収するフィルタ層を設けることはできないものである。
　よって、本願発明は、引用例１〜３から容易になし得るものではない。
　
　また、請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明においてフィルタ層が「λ１の光の透過率が１％以下である厚みを有する」との事項を限定したものであり、請求項９に係る発明は、請求項２に係る発明の受光素子チップの事項に、「光ファイバ、光導波路、光ガイドなど光伝導媒体とをレンズを介してあるいはレンズを介さずに光学的に結合し、光伝導媒体から出射した光が、受光素子の第１伝導型用電極の開口をとおって受光層のｐｎ接合に至る」との事項を更に限定した受光素子モジュールであるから、本願発明と同様に、請求項２，９に係る発明は、引用例１〜３から容易になし得るものではない。
　
　そして、請求項３〜８に係る発明は、請求項１あるいは２に係る発明を引用しさらに限定するものであり、請求項１０〜１３に係る発明は請求項９に係る発明を引用しさらに限定するものであるから、その判断は上記と同様である。
　
５．むすび
　以上のとおり、請求項１ないし１３に係る発明は、引用例１ないし３に記載された各発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。