【事件の表示】
　平成　６年特許願第２９６８９１号「固体撮像素子」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　６月２１日出願公開、特開平　８−１６３４４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯、本願発明
　本願は、平成６年１１月３０日の出願であって、その特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１５年３月３１日付け、平成１５年６月３０日付けの各手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、請求項１に記載される次のとおりのものと認められる。
「半導体基板と、この半導体基板の表面領域で複数の分離領域により区画されて一方向に延在し、互いに平行に配置される複数のチャネル領域と、上記複数のチャネル領域と交差する方向に延在して上記半導体基板上に一定の間隙を隔てて互いに平行に配置され、上記複数のチャネル領域内に一定の間隔で電位障壁を形成して電気的に複数の受光画素を形成する同一層からなる複数の転送電極と、を備え、上記複数の転送電極は、それぞれ上記複数のチャネル領域におけるチャネル領域の延在方向と交差する方向の中央部上で上記複数の分離領域上よりも幅が広く形成され、上記間隙の幅が狭く形成されることを特徴とする固体撮像素子。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開平１−２６８０５３号公報（平成１年１０月２５日公開、以下「引用例」という。）には、名称を「固体撮像素子」とする発明について、次のとおりの記載がなされている。（ａ）「第１図は本発明のＣＣＤ固体撮像素子の一実施例を示しており、・・・（１）はシリコンからなる半導体基板であり、Ｎ型基板（１０）にＰウエル領域（１４）を形成し、その表面部にＰ+型のチャンネルストップ領域（１２）とＮ型のＣＣＤチャンネル領域（１１）とが形成されている。さらに、チャンネル領域（１１）の表面近くに浅い真性の受光領域（１３）が形成されている。・・・（２）は該半導体基板（１）上に形成されたシリコン酸化膜からなる絶縁膜である。（３１）（３２）は該絶縁膜状のポリシリコンからなる第１層及び第２層の電荷転送電極であり、第１層電極（３１）は上記ＣＣＤチャンネルに直交して延在する電極幅が一定であるが、第２層電極（３２）はその幅が領域の中央部で大きく、両端部で小さく設定されている。」（第２頁右上欄１４行〜同頁左下欄１３行目、第１図）
（ｂ）「斯る構成の撮像素子は、フレームトランスファー型のＣＣＤ撮像素子であり、その特徴とするところは、第２層電極（３２）の電極幅をチャンネルストップ領域（１２）上で狭くした点にある。この実施例の場合、電極の幅狭部はチャンネル幅の両側に３０％まで延在し、このチャンネル領域（１１）の電極不存在箇所が受光窓となる。この受光窓位置のチャンネル領域（１１）には逆導電型不純物の導入によって真性の受光領域（１３）が形成され、チャンネル幅の中央４０％の第２層電極（３２）箇所が実質的な電荷転送路を形成している。上述の如き撮像素子は、受光窓位置の受光領域（１３）で光電変換し、その電荷が高電位状態の第１あるいは第２層電極（３１）（３２）下のチャンネル領域（１１）位置に蓄積された後、パルス駆動電位が印加される第１及び第２層電極（３１）（３２）下のチャンネル領域を転送され、画像信号として外部に出力される。」（第２頁左下欄１５行〜同頁右下欄１２行目）
（ｃ）「第２図は本発明の撮像素子の他の実施例を示しており、本実施例が第１図の実施例と異なるところは、第１層電極（３１）の電極幅をもチャンネルストップ領域（１２）上で狭くした幅狭部（３０）を設けた点にある。」（第３頁左上欄５行〜９行目、第２図）
　
３．対比
　本願発明と引用例に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを対比すると、
（ア）引用発明は、引用例の前記記載（ａ）、（ｂ）及び第１図の記載によれば、本願発明と同様「固体撮像素子」を対象とするもので、その固体撮像素子は、半導体基板（１）の表面部にＰ+型の複数のチャンネルストップ領域（１２）（本願発明でいう分離領域に相当）と、これら複数のチャンネルストップ領域（１２）で区画され互いに平行に配置される複数のＮ型のＣＣＤチャンネル領域（１１）（本願発明でいうチャネル領域に相当）とが形成され、上記ＣＣＤチャンネルに直交して延在し、上記半導体基板（１）上に配置された複数の第１層及び第２層の電荷転送電極（本願発明でいう転送電極に対応）を備えており、また、引用発明では、引用例の前記記載（ｂ）によれば、電荷転送電極の幅狭部はチャンネル幅の両側に３０％まで延在し、このチャンネル領域（１１）の電極不存在箇所が受光窓となり、撮像素子は、受光窓位置の受光領域（１３）で光電変換し、その電荷が高電位状態の第１あるいは第２層電極（３１）（３２）下のチャンネル領域（１１）位置に蓄積されるのであるから、引用発明は、本願発明でいうのと同様「半導体基板と、この半導体基板の表面領域で複数の分離領域により区画されて一方向に延在し、互いに平行に配置される複数のチャネル領域と、上記複数のチャネル領域と交差する方向に延在して上記半導体基板上に配置され、上記複数のチャネル領域内に一定の間隔で電位障壁を形成して電気的に複数の受光画素を形成する複数の転送電極とを備えた」ものといえる。
（イ）引用例の前記記載（ａ）ないし（ｃ）の記載によれば、引用発明の複数の電荷転送電極（３１）（３２）は、ＣＣＤチャンネル領域におけるＣＣＤチャンネル領域の延在方向と直交する方向の中央部で複数のチャンネルストップ領域（１２）上よりも幅が広く形成され、チャンネル幅の中央部の第２層電極（３２）箇所が実質的な電荷転送路を形成しているのであるから、引用発明は、本願発明でいうのと同様「複数のチャネル領域におけるチャネル領域の延在方向と交差する方向の中央部上で上記複数の分離領域上よりも幅が広く形成された複数の転送電極」を備えるものといえる。
（ウ）もっとも、本願発明では、上記複数の転送電極を、半導体基板上に「一定の間隔を隔てて互いに平行に配置され」、「同一層からなる」ものとし、「複数のチャネル領域におけるチャネル領域の延在方向と交差する方向の中央部上で上記間隙の幅が狭く形成される」としているのに対し、引用発明では、複数の転送電極は半導体基板上に互いに平行に配置され、第１層及び第２層の２層からなるものとし、複数のチャネル領域におけるチャネル領域の延在方向と交差する方向の中央部上で隣り合う転送電極をオーバーラップさせたものとしている点で異なる。
　
　以上の対比結果によれば、本願発明と引用発明とは、
「半導体基板と、この半導体基板の表面領域で複数の分離領域により区画されて一方向に延在し、互いに平行に配置される複数のチャネル領域と、上記複数のチャネル領域と交差する方向に延在して上記半導体基板上に配置され、上記複数のチャネル領域内に一定の間隔で電位障壁を形成して電気的に複数の受光画素を形成する複数の転送電極と、を備え、上記複数の転送電極は、それぞれ上記複数のチャネル領域におけるチャネル領域の延在方向と交差する方向の中央部上で上記複数の分離領域上よりも幅が広く形成されことを特徴とする固体撮像素子」である点で一致し、次の点で相違しているものと認められる。
　相違点
　上記複数の転送電極が、本願発明では、半導体基板上に「一定の間隔を隔てて互いに平行に配置され」、「同一層からなる」ものであり、「複数のチャネル領域におけるチャネル領域の延在方向と交差する方向の中央部上で上記間隙の幅が狭く形成される」のに対し、引用発明では、半導体基板上に互いに平行に配置され、第１層及び第２層の２層からなるものであり、複数のチャネル領域におけるチャネル領域の延在方向と交差する方向の中央部上で隣り合う転送電極をオーバーラップさせている点。
　
４．判断
　そこで本願発明と引用発明との上記相違点について検討すると、本願発明や引用発明が対象とするいわゆるフレーム転送方式の固体撮像素子で、一定の間隔を隔てて互いに平行に配置された同一層からなる転送電極を備えた固体撮像素子は周知であり、また、このような固体撮像素子において、チャンネル領域での転送電極の間隔を狭くするほど転送効率が向上することも周知である（例えば、原審での拒絶理由通知で引用する特開昭５０−３４１２３号公報（第２図及びその説明）、同じく特開昭５２−３９３１１号公報（第２図及びその説明、第１１、１２図及びその説明）等参照）ことからすると、引用発明において、転送電極を一定の間隔を隔てて互いに平行に配置された同一層からなる転送電極とし、また、チャンネル幅の中央部の転送電極をオーバーラップさせて設けることに替えて、転送電極の間隔の幅を狭く形成し、実質的な電荷転送路を形成するようにすることは、当業者が格別の困難性なくなし得ることであると認められる。
　また、本願発明の効果についてみても、上記構成の採用に伴って当然に予測される程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。