【事件の表示】
　特願２０００−２２８４４７「ＣＭＯＳ出力回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月３０日出願公開、特開２００１−　８５６３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、特願平４−１３７０１８号の一部を平成１２年７月２８日に新たな特許出願としたものであって、平成１５年５月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の発明は、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】　Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタとＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとが、高位電源及び低位電源との間に直列に接続されたＣＭＯＳ出力回路において、
　前記Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタと前記Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタの少なくとも一方のＭＯＳトランジスタのソースに直列に付加された抵抗成分であって、前記抵抗成分は、前記一方のＭＯＳトランジスタのソース上にて該ソースとのコンタクトがとられる位置と前記一方のＭＯＳトランジスタのゲートとの間の距離が、前記一方のＭＯＳトランジスタのドレイン上にて該ドレインとのコンタクトがとられる位置と前記一方のＭＯＳトランジスタのゲートとの間の距離よりも長くすることで得られることを特徴とするＣＭＯＳ出力回路。」
　
３．引用例
（引用例１）
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である特開昭５６−１３３８６５号公報（以下、「引用例１」という。）には、第３図及び第４図とともに、次のとおり記載されている。
「（１）　Ｐチヤネル又はＮチヤネル又はその両チヤネルトランジスタのソースと電源配線間にイオン打込により形成される抵抗を挿入することを特徴とする高耐圧相補型ＭＯＳトランジスタ。」（特許請求の範囲第１項）
「第３図は本発明の具体例を示し、（Ａ）が平面図，（Ｂ）がＢ線における断面を示すものである。Ｎ−基板４０とＰ−ウエル３９が形成され、それぞれの中にＰチヤネルとＮチヤネルのトランジスタができる。ソースＮ＋２２，ドレインＮ＋２６，ゲート２０がＮチヤネルを、又ソースＰ＋２３，ドレインＰ＋２７，ゲート２１がＰチヤネルトランジスタとなる。又Ｎチヤネルはオフセット打込部２４，Ｐチヤネルは打込部２５を有し更にＰチヤネルとＮチヤネルのドレイン同志はコンタクトホール２８，２９によりメタル配線３０を通して結合されインバータを構成する。ここまでは第１図と同じであるが、この特徴はソースに抵抗を挿入することにある。ＮチヤネルはＶＳＳメタル３５を一度Ｎ＋層３１にコンタクトホール４３により接続しイオン打込部３３を介してソースＮ＋２２につなぐ。又ＰチヤネルはＶＤＤメタル３６からコンタクトホール４とを介してＰ＋層３２に接続し、イオン打込部３４を介してソースＰ＋２３につなぐ。するとこの両チヤネルのイオン打込部３３，３４はソース抵抗として働き等価的には第４図に示す如くＲＳＰ，ＲＳＮとして挿入される。ここに用いる基板濃度ではＲＢＰが数Ω，ＲＢＮは数１０Ω程度にすることが可能であり、これに対しＲＳＰ，ＲＳＮとして数１００Ω位にすると全くラツチアツプを生じさせないし、又両チヤネルでなくとも片チヤネルのみでも十分効果がある。」（第２頁右上欄第１０行〜第２頁左下欄第１６行）
　よって、引用例１には、
「ＮチヤネルＭＯＳトランジスタとＰチヤネルＭＯＳトランジスタとが、ＶＤＤ及びＶＳＳとの間に接続されインバータを構成した相補型ＭＯＳトランジスタにおいて、
　前記ＮチヤネルＭＯＳトランジスタのソースに直列に付加された第１の抵抗であって、前記第１の抵抗は、前記ＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースＮ＋とＶＳＳメタルを接続したＮ＋層とを第１のイオン打込層を介してつなぐことにより得られるものであり、
　前記ＰチヤネルＭＯＳトランジスタのソースに直列に付加された第２の抵抗であって、前記第２の抵抗は、前記ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースＰ＋とＶＤＤメタルを接続したＰ＋層とを第２のイオン打込層を介してつなぐことにより得られるものである相補型ＭＯＳトランジスタ。」（以下、「引用発明」という。）
が記載されている。
　
（引用例２）
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平３−７３５６９号公報（以下、「引用例２」という。）には、第１図とともに、次のとおり記載されている。
「第１図（ａ）は本発明の一実施例のパターンレイアウト図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ線相当部で切断した半導体チップの断面図である。
　・・・Ａｌ配線（入力線）とＬＤＤ型ｎＭＯＳトランジスタ１２の高濃度ドレイン領域１３−１・・・との間の接続をとるためのコンタクト孔１９Ｄとシリコンゲート電極１６との間の距離として与えられるゲート−ソースコンタクト間マージン１８Ｓ・・・より大きく・・・してある。低濃度ドレイン領域と入力線との間に抵抗が挿入されていることになり・・・」（第２頁左上欄第１９行〜第２頁右上欄第１２行）
　
４．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「ＶＤＤ」、「ＶＳＳ」、「抵抗」及び「相補型ＭＯＳトランジスタ」は、本願発明の「高位電源」、「低位電源」、「抵抗成分」及び「ＣＭＯＳ」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明において、ＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースはＶＳＳに電気的に接続され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースはＶＤＤに電気的に接続され、両者のドレイン同志はメタル配線を通して結合されており、これは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタとＰチャネルＭＯＳトランジスタとが、ＶＤＤ及びＶＳＳとの間に直列に接続されたことと技術的に同等のものである。
　よって、本願発明と引用発明とは、
「Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタとＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとが、高位電源及び低位電源との間に直列に接続されたＣＭＯＳにおいて、
　前記Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタと前記Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタの少なくとも一方のＭＯＳトランジスタのソースに直列に付加された抵抗成分を有するＣＭＯＳ。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明においては、「抵抗成分」が、該抵抗成分を付加する「前記一方のＭＯＳトランジスタのソース上にて該ソースとのコンタクトがとられる位置と前記一方のＭＯＳトランジスタのゲートとの間の距離が、前記一方のＭＯＳトランジスタのドレイン上にて該ドレインとのコンタクトがとられる位置と前記一方のＭＯＳトランジスタのゲートとの間の距離よりも長くすることで得られる」のに対して、引用発明では、抵抗成分が、「前記ＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースＮ＋とＶＳＳメタルを接続したＮ＋層とを第１のイオン打込層を介してつなぐことにより得られるものであり、」「前記ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソースＰ＋とＶＤＤメタルを接続したＰ＋層とを第２のイオン打込層を介してつなぐことにより得られるものである」点。
　
（相違点２）
　本願発明の「ＣＭＯＳ］が「出力回路」であるのに対して、引用発明のＣＭＯＳは「インバータ」である点。
　
　上記の各相違点について検討すると、相違点１に関し、引用例２には、ＭＯＳトランジスタのドレインに抵抗成分を直列に付加する手段として、前記ＭＯＳトランジスタの前記ドレイン上にて該ドレインとのコンタクトがとられる位置と前記ＭＯＳトランジスタのゲートとの間の距離が、前記ＭＯＳトランジスタのソース上にて該ソースとのコンタクトがとられる位置と前記ＭＯＳトランジスタのゲートとの間の距離よりも長くすることに相当することが記載されている。
　そして、ＭＯＳトランジスタの構成において、ドレインに関する構成とソースに関する構成とが必要に応じて適宜に転用可能であることは、当該技術分野において周知の技術的事項であるとともに、引用発明における抵抗成分の奏する作用効果は、該抵抗成分をどのようにして形成するかによって本質的に変わるものではないから、引用発明において、ソースに直列に付加された抵抗成分を、電源が接続される拡散層とソース拡散層とをつなぐイオン打込層として形成することに替えて、引用例２に記載の技術思想を適用し、該抵抗成分が付加されるＭＯＳトランジスタのソース上にて該ソースとのコンタクトがとられる位置と前記ＭＯＳトランジスタのゲートとの間の距離が、前記ＭＯＳトランジスタのドレイン上にて該ドレインとのコンタクトがとられる位置と前記ＭＯＳトランジスタのゲートとの間の距離よりも長くすることにより形成することは、当業者が容易に想起し得たものである。
　
　また、相違点２について、引用例１に従来技術の説明として「高耐圧ＣＭＯＳ構造におけるドライバとして、相補型のインバータを構成した」（第１頁右下欄第７行〜第８行参照）と記載されているように、インバータを出力回路として用いることは、当該技術分野において慣用的に行われていることであるから、引用発明におけるインバータを出力回路として用いることは、当業者が適宜なし得たものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２〜８に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおりに審決する。