Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月31日(2018.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板上に配置され、ソース接地の第１トランジスタと、
前記ＳＯＩ基板上に配置され、前記第１トランジスタにカスコード接続される第２トランジスタと、
前記ＳＯＩ基板上に配置され、前記第１トランジスタのゲート電圧、前記第２トランジスタのゲート電圧、および前記第２トランジスタのドレイン用の第１電圧を生成するバイアス生成回路と、を備え、
前記バイアス生成回路は、前記第１トランジスタの閾値電圧を第２電圧とし、前記第１トランジスタのゲート−ソース間電圧に対するドレイン電流の平方根の変化を表す曲線を前記ゲート−ソース間電圧で二階微分した曲線の最大値に対応するゲート−ソース間電圧を第３電圧としたときに、前記第１トランジスタのゲート電圧を前記第２電圧と前記第３電圧との間の電圧であって、前記第１トランジスタのドレイン−ソース間電圧より小さい電圧に設定する、高周波半導体増幅回路。
【請求項２】
前記第１トランジスタのドレイン−ソース間電圧は、インパクトイオン化により正孔が前記第１トランジスタのボディ領域に蓄積される現象が生じる電圧よりも低くなるように設定される、請求項１に記載の高周波半導体増幅回路。
【請求項３】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタのボディはフローティング状態である、請求項１または２に記載の高周波半導体増幅回路。
【請求項４】
前記第１トランジスタのボディはフローティング状態であり、
前記第２トランジスタのボディは、前記第２トランジスタのソースに接続されている、請求項１または２に記載の高周波半導体増幅回路。
【請求項５】
前記バイアス生成回路は、前記第１トランジスタのドレイン−ソース間電圧と前記第２トランジスタのドレイン−ソース間電圧とが等しくなるように前記第１トランジスタのゲート電圧と前記第２トランジスタのゲート電圧とを制御する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の高周波半導体増幅回路。
【請求項６】
ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板上に配置され、ソース接地の第１トランジスタと、
前記ＳＯＩ基板上に配置され、前記第１トランジスタにカスコード接続される第２トランジスタと、
前記ＳＯＩ基板上に配置され、前記第１トランジスタのゲート電圧、前記第２トランジスタのゲート電圧、および前記第２トランジスタのドレイン用の第１電圧を生成するバイアス生成回路と、を備え、
前記バイアス生成回路は、
前記第１トランジスタとカレントミラー回路を構成する第３トランジスタと、
前記第２トランジスタとカレントミラー回路を構成する第４トランジスタと、
前記第１電圧と、前記第１トランジスタのゲート電圧よりも大きい固定電圧である第２電圧とを生成する電源回路と、
前記第３トランジスタのドレイン電圧が前記第２電圧に一致するように負帰還制御を行う第１差動増幅回路と、を備え、
前記第３トランジスタのドレイン−ソース間電流と、前記第４トランジスタのドレイン−ソース間電流とは等しい、高周波半導体増幅回路。
【請求項７】
前記第４トランジスタのソース電圧が前記第２電圧に一致するように負帰還制御を行う第２差動増幅回路を備える、請求項６に記載の高周波半導体増幅回路。
【請求項８】
前記第３トランジスタおよび第４トランジスタのボディはフローティング状態である、請求項６または７に記載の高周波半導体増幅回路。
【請求項９】
前記第３トランジスタのボディはフローティング状態であり、
前記第４トランジスタのボディは、前記第４トランジスタのソースに接続されている、請求項５または６に記載の高周波半導体増幅回路。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
ＴＴＬが「０」より大きければ、復調部２２から受けた相関値を用いて、音波送信確率Ｘを計算する（ステップ１０２）。具体的には、相関値が大きいほど音波送信確率が小さく、相関値が小さいほど音波送信確率が大きくなるよう、次の式で算出する。
Ｘ＝１−（相関値）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
音波送信確率Ｘで音波を送信する場合は、通信端末が音波を受信して中継したことがわかるよう、ＴＴＬを「１」減じ（ステップ１０７）、更新したＴＴＬを音声生成部２５に出力して音波送信を指示する（ステップ１０８）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月5日(2018.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、Ｔ１＝０．６μｍのとき、Ｌ１＝０．５μｍに比べＬ１＝２．５μｍでは引き出し領域５８における配線層２０付近の領域６２の面積が小さい。これは、Ｌ１＝２．５μｍとすることで、共振領域５０から引き出し領域５８への弾性波の漏れが抑制されることを示している。これにより、Ｌ１を長くすると弾性波の漏れに起因する損失が抑制できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
一方、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、Ｔ１＝１．０μｍのとき、Ｌ１＝０．５μｍに比べＬ１＝２．５μmでは引き出し領域５８における配線層２０付近の領域６２の面積が大きい。これは、Ｌ１＝２．５μｍとすることで、共振領域５０から引き出し領域５８へ配線層２０を伝搬した弾性波の漏れが生じることを示している。これにより、Ｌ１を長くすると弾性波の漏れに起因する損失が生じる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信先を示す情報と、パスワードと当該パスワードの有効期限または有効回数とを記憶する記憶手段を備えるコンピュータを、
電子メールに添付されたファイルに対して、当該電子メールの送信先を示す情報に対応付けて記憶されたパスワードを設定するパスワード設定手段と、
前記パスワード設定手段により設定されたパスワードの残り有効回数または有効期限を当該電子メールの送信元に通知する通知手段として機能させるためのプログラム。
【請求項２】
前記パスワード設定手段を、前記記憶手段に前記電子メールの送信先を示す情報に対応するパスワードであって、有効回数または有効期限が残っているパスワードが記憶されている場合には当該パスワードを電子メールに設定し、前記記憶手段に記憶されていない場合には、新たに生成したパスワードを設定する手段として機能させるための請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
前記通知手段を、前記パスワード設定手段により設定されたパスワードの有効回数が残り０回である場合、当該パスワードの有効回数が残り０回である旨を通知する手段として機能させるための請求項１または２に記載のプログラム。
【請求項４】
前記コンピュータを、
有効期限が切れたパスワードについて、同一の有効期限のパスワードを登録するか、新たな有効期限を登録するかの選択を受け付ける条件選択受付手段と、
前記同一の有効期限のパスワードを登録する旨の選択を受け付けた場合、当該有効期限が切れたパスワードについて再度同一の有効期限で登録し、新たな有効期限を登録する旨の選択を受け付けた場合、新たな有効期限の設定を受け付け、当該受け付けた有効期限のパスワードとして登録する新規パスワード登録手段として機能させるための請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項５】
前記通知手段を、前記パスワード設定手段により新たに生成したパスワードが設定された場合、当該パスワードの有効期限を登録するための画面を示す情報を通知する手段として機能させるための請求項２乃至４のいずれか1項に記載のプログラム。
【請求項６】
前記コンピュータを、
前記通知手段により通知されたパスワードの有効期限を登録するための画面を示す情報がユーザにより指示された場合、当該パスワードの有効期限の設定を受け付ける設定受付手段として機能させ、
記憶手段を、前記設定受付手段で設定された有効期限または有効回数を、当該生成されたパスワードと対応付けて記憶する手段として機能させるための請求項５に記載のプログラム。
【請求項７】
送信先を示す情報と、パスワードと当該パスワードの有効期限または有効回数とを記憶する記憶手段と、
電子メールに添付されたファイルに対して、当該電子メールの送信先を示す情報に対応付けて記憶されたパスワードを設定するパスワード設定手段と、
前記パスワード設定手段により設定されたパスワードの残り有効回数または有効期限を当該電子メールの送信元に通知する通知手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
送信先を示す情報と、パスワードと当該パスワードの有効期限または有効回数とを記憶する記憶手段を備える情報処理装置における情報処理方法であって、
前記情報処理装置のパスワード設定手段が、電子メールに添付されたファイルに対して、当該電子メールの送信先を示す情報に対応付けて記憶されたパスワードを設定するパスワード設定工程と、
前記情報処理装置の通知手段が、前記パスワード設定工程により設定されたパスワードの残り有効回数または有効期限を当該電子メールの送信元に通知する通知工程と、
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月22日(2018.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
探査波を送波し前記探査波の反射波を受波する測距センサ（２２）と、自車周辺を撮影する撮像装置（２１）とを備える車両（５０）に適用される周辺監視装置であって、
自車周辺に存在する物体（５２〜５５）の前記測距センサによる検知情報として、前記物体の距離情報、方位情報及び物体幅情報を取得する情報取得部と、
前記情報取得部で取得した前記距離情報、前記方位情報及び前記物体幅情報に基づいて、前記撮像装置により撮影された画像において画像処理を施す画像処理領域（６１）を設定する領域設定部と、
前記領域設定部で設定した画像処理領域に対して画像処理を施して前記物体を認識する物体認識部と、
を備え、
前記情報取得部は、前記測距センサにより検知した前記物体の反射面情報に基づいて前記物体幅情報を取得し、
前記領域設定部は、前記反射面情報に基づき取得した前記物体幅情報を用いて前記画像処理領域を設定する周辺監視装置。
【請求項２】
前記情報取得部は、前記反射面情報に基づいて前記物体の向き情報を取得し、
前記領域設定部は、前記反射面情報に基づき取得した前記向き情報を用いて前記画像処理領域を設定する、請求項１に記載の周辺監視装置。
【請求項３】
前記車両は、前記測距センサを複数備え、
前記情報取得部は、前記測距センサのうち前記探査波を送波した第１センサ（２２ａ）が受波した反射波である直接波、及び前記測距センサのうち前記探査波を送波したセンサとは異なる第２センサ（２２ｂ）が受波した反射波である間接波を用いて、前記方位情報及び前記物体幅情報を取得する、請求項１又は２に記載の周辺監視装置。
【請求項４】
前記車両の走行状態に関する情報に基づいて、前記測距センサにより検知した物体と前記車両との接触の可能性が低いか否かを判定する接触判定部を備え、
前記領域設定部は、前記接触判定部により前記車両との接触の可能性が低いと判定された物体については、前記撮像装置により撮影された画像において前記画像処理領域を設定しない、請求項１〜３のいずれか一項に記載の周辺監視装置。
【請求項５】
前記測距センサは超音波センサである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の周辺監視装置。
【請求項６】
探査波を送波し前記探査波の反射波を受波する測距センサ（２２）と、自車周辺を撮影する撮像装置（２１）とを備える車両（５０）に適用される周辺監視方法であって、
前記車両の周辺に存在する物体（５２〜５５）の前記測距センサによる検知情報として、前記物体の距離情報、方位情報及び物体幅情報を取得し、
当該取得した前記距離情報、前記方位情報及び前記物体幅情報に基づいて、前記撮像装置により撮影された画像において画像処理を施す画像処理領域（６１）を設定し、
当該設定した画像処理領域に対して画像処理を施して前記物体を認識する、周辺監視方法において、
前記測距センサにより検知した前記物体の反射面情報に基づいて前記物体幅情報を取得し、
前記反射面情報に基づき取得した前記物体幅情報を用いて前記画像処理領域を設定する、周辺監視方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、探査波を送波し前記探査波の反射波を受波する測距センサ（２２）と、自車周辺を撮影する撮像装置（２１）とを備える車両（５０）に適用される周辺監視装置に関する。第１の構成は、自車周辺に存在する物体（５２〜５５）の前記測距センサによる検知情報として、前記物体の距離情報、方位情報及び物体幅情報を取得する情報取得部（３１）と、前記情報取得部で取得した前記距離情報、前記方位情報及び前記物体幅情報に基づいて、前記撮像装置により撮影された画像において画像処理を施す画像処理領域（６１）を設定する領域設定部（３２）と、前記領域設定部で設定した画像処理領域
に対して画像処理を施して前記物体を認識する物体認識部（３３）と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２では、第１センサ２２ａで受波される直接波に基づいて、第１センサ２２ａの位置Ａと物体５５の反射点Ｏとの間の往復距離（２ＡＯ）がＬ１として算出される。また、第２センサ２２ｂで受波される間接波に基づいて、位置Ａと反射点Ｏと第２センサ２２ｂの位置Ｂとの間の距離（ＡＯ＋ＯＢ）がＬ２として算出される。図２に示すように、直接波によれば、位置Ａを中心とし線分ＡＯを半径とする円Ｓ１上に物体５５が存在しているものと把握でき、間接波によれば、ＡＯ＋ＯＢが一定となる楕円Ｓ２上に物体５５が存在しているものと把握できる。この場合、物体５５の反射点Ｏは、円Ｓ１と楕円Ｓ２との交点にあると認識できる。したがって、反射点Ｏの座標（ｘ，ｙ）を求めることで、物体５５の相対位置を算出することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月5日(2018.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
経時的に変化する画像内に含まれている１以上の対象物に対してそれぞれ付随情報を関連付けて成る３次元画像を再生して、視聴者に装着して使用されるヘッドマウントディスプレイに表示させると共に、上記３次元画像の再生中は、上記ヘッドマウントディスプレイを装着する上記視聴者の頭部の動きに応じて、上記視聴者が向いている方向側の３次元空間が広がるように、上記３次元画像を再生する画像再生部と、
上記画像再生部により表示された３次元画像内に表示された対象物のうち、上記視聴者が注目している１以上の対象物を検出する注目対象物検出部と、
上記画像再生部による上記３次元画像の再生が終了または停止したとき、上記注目対象物検出部により検出された１以上の注目対象物を、上記視聴者による注目度合が高い順にランキングするランキング部と、
上記画像再生部による上記３次元画像の再生が終了または停止したとき、上記注目対象物検出部により検出された１以上の注目対象物に対応する付随情報を、上記ランキング部により特定されたランキングに従って、上記３次元画像を表示していた上記ヘッドマウントディスプレイとは異なる媒体であって、上記ヘッドマウントディスプレイを外した後に表示内容を視認可能な上記媒体を通じて上記視聴者に提供する付随情報提供部とを備えたことを特徴とする注目対象物に関する情報提供システム。
【請求項２】
上記付随情報提供部は、上記注目対象物が表示されていたときの３次元画像の再現シーン画像と共に、上記付随情報を提供することを特徴とする請求項１に記載の注目対象物に関する情報提供システム。
【請求項３】
上記３次元画像は、仮想現実の３次元空間を作るための視差画像であり、
上記再現シーン画像は、上記注目対象物が表示されていたときの３次元画像に対応した非視差画像であることを特徴とする請求項２に記載の注目対象物に関する情報提供システム。
【請求項４】
上記３次元画像を再生する再生装置と、上記３次元画像が表示される上記ヘッドマウントディスプレイと、サーバ装置と、上記視聴者が使用するユーザ端末とを備え、
上記付随情報提供部は、上記付随情報を上記再生装置から上記サーバ装置を介して上記ユーザ端末に提供することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の注目対象物に関する情報提供システム。
【請求項５】
上記３次元画像を再生する再生装置と、上記３次元画像が表示される上記ヘッドマウントディスプレイと、上記視聴者が使用するユーザ端末とを備え、
上記付随情報提供部は、上記付随情報を上記再生装置から上記ユーザ端末に提供することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の注目対象物に関する情報提供システム。
【請求項６】
上記３次元画像を再生する再生装置と、上記３次元画像が表示される上記ヘッドマウントディスプレイと、上記再生装置に接続された第２のディスプレイとを備え、
上記付随情報提供部は、上記付随情報を上記第２のディスプレイに表示させることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の注目対象物に関する情報提供システム。
【請求項７】
情報提供装置において、３次元画像内に表示された対象物のうち視聴者が注目した対象物に関する付随情報を提供するための方法であって、
上記情報提供装置の画像再生部が、経時的に変化する画像内に含まれている１以上の対象物に対してそれぞれ付随情報を関連付けて成る３次元画像を再生して、視聴者に装着して使用されるヘッドマウントディスプレイに表示させると共に、上記３次元画像の再生中は、上記ヘッドマウントディスプレイを装着する上記視聴者の頭部の動きに応じて、上記視聴者が向いている方向側の３次元空間が広がるように、上記３次元画像を再生する第１のステップと、
上記情報提供装置の注目対象物検出部が、上記画像再生部により表示された３次元画像内に表示された対象物のうち、上記視聴者が注目している１以上の対象物を検出する第２のステップと、
上記情報提供装置のランキング部が、上記画像再生部による上記３次元画像の再生が終了または停止したとき、上記注目対象物検出部により検出された１以上の注目対象物を、上記視聴者による注目度合が高い順にランキングする第３のステップと、
上記情報提供装置の付随情報送信部が、上記画像再生部による上記３次元画像の再生が終了または停止したとき、上記注目対象物検出部により検出された１以上の注目対象物に対応する付随情報を、上記ランキング部により特定されたランキングに従って、上記３次元画像を表示していた上記ヘッドマウントディスプレイとは異なる媒体であって、上記ヘッドマウントディスプレイを外した後に表示内容を視認可能な上記媒体に向けて送信する第４のステップとを有することを特徴とする注目対象物に関する情報提供方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記した課題を解決するために、本発明では、経時的に変化する画像内に含まれている１以上の対象物に対してそれぞれ付随情報を関連付けて成る３次元画像を再生して、視聴者に装着して使用されるヘッドマウントディスプレイに表示させると共に、３次元画像の再生中は、ヘッドマウントディスプレイを装着する視聴者の頭部の動きに応じて、視聴者が向いている方向側の３次元空間が広がるように、３次元画像を再生し、当該３次元画像内に表示された対象物のうち、視聴者が注目している１以上の対象物を検出して、それらを注目度合が高い順にランキングする。そして、３次元画像の再生が終了または停止したとき、１以上の注目対象物に対応する付随情報を、ランキングに従って、３次元画像を表示していたヘッドマウントディスプレイとは異なる媒体であって、ヘッドマウントディスプレイを外した後に表示内容を視認可能な媒体を通じて視聴者に提供するようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月30日(2018.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第２の窒化物半導体層と、
ゲート電極と、
前記ゲート電極と前記第２の窒化物半導体層との間に設けられた酸窒化アルミニウム層と、
前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の電極との間に前記ゲート電極が設けられ、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、
前記第１の電極と前記酸窒化アルミニウム層との間の、前記第２の窒化物半導体層の上に設けられた第１の窒化アルミニウム層と、
前記酸窒化アルミニウム層と前記第２の電極との間の、前記第２の窒化物半導体層の上に設けられた第２の窒化アルミニウム層と、
を備え、
前記第１の窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接し、前記第２の窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接し、
前記酸窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接する半導体装置。
【請求項２】
前記酸窒化アルミニウム層と前記第１の窒化物半導体層との距離をｄ１、前記第１の窒化アルミニウム層と前記第１の窒化物半導体層との距離をｄ２とした場合に、ｄ１とｄ２との差が−１ｎｍ以上１ｎｍ以下である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の窒化アルミニウム層が結晶質であり、前記第２の窒化アルミニウム層が結晶質である請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の電極が前記第２の窒化物半導体層に接し、前記第２の電極が前記第２の窒化物半導体層に接する請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記酸窒化アルミニウム層中の酸素と窒素の和に対する窒素の原子比が、０．００１以上０．１以下である請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極と前記酸窒化アルミニウム層との間に設けられた絶縁層を、更に備える請求項１ないし請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
第１の窒化物半導体層の上に前記第１の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第２の窒化物半導体層を形成し、
前記第２の窒化物半導体層の上に窒化アルミニウム層を形成し、
前記窒化アルミニウム層の一部を選択的に酸化して酸窒化アルミニウム層を形成し、
前記酸窒化アルミニウム層の上にゲート電極を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記酸窒化アルミニウム層を形成する際、前記酸窒化アルミニウム層が前記２の窒化物半導体層に接するよう酸化する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様の半導体装置は、第１の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第２の窒化物半導体層と、ゲート電極と、前記ゲート電極と前記第２の窒化物半導体層との間に設けられた酸窒化アルミニウム層と、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、前記第１の電極との間に前記ゲート電極が設けられ、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、前記第１の電極と前記酸窒化アルミニウム層との間の、前記第２の窒化物半導体層の上に設けられた第１の窒化アルミニウム層と、前記酸窒化アルミニウム層と前記第２の電極との間の、前記第２の窒化物半導体層の上に設けられた第２の窒化アルミニウム層と、を備え、前記第１の窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接し、前記第２の窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接し、前記酸窒化アルミニウム層が前記第２の窒化物半導体層に接する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層に形成された複数の半導体ユニットを備える半導体装置であって、
前記半導体ユニットは、
前記半導体層において上方に突出している部分であり、上面と側面を備えるメサ部と、
前記メサ部の前記上面において前記半導体層とショットキー接合しているショットキー電極と、
前記メサ部の前記上面上において前記ショットキー電極の一部よりも前記上面の端に近い前記ショットキー電極の他の一部と、前記メサ部の前記側面と、前記半導体層の前記メサ部以外の表面と、の上に連続的に形成されている絶縁膜と、
前記ショットキー電極と前記絶縁膜の上に形成されている配線電極と、を備え、
前記メサ部の前記側面と前記半導体層の前記表面のなす角は８５度以上９０度以下であり、
隣り合う前記メサ部の向かい合う前記側面に形成された前記絶縁膜の間に、前記配線電極の一部が位置している、半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記メサ部の幅は、２．０μｍ以上１５．０μｍ以下である、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置であって、
前記隣り合うメサ部の間の距離は、１．０μｍ以上であり、かつ、前記メサ部の幅以下である、半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記メサ部の高さは、０．１μｍ以上５．０μｍ以下である、半導体装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記ショットキー電極は、前記メサ部の前記上面において、前記ショットキー電極の端と、前記メサ部の前記上面の端と、の距離が２．０μｍ以下であるように構成されている、半導体装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記絶縁膜の厚さは、５０ｎｍ以上であり、かつ、前記隣り合うメサ部の間の距離の１／２未満である、半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記各半導体ユニットにおいて、前記絶縁膜と前記配線電極は、前記ショットキー電極の前記一部の両側に配されている、半導体装置。
【請求項８】
請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記各半導体ユニットにおいて、前記絶縁膜と前記配線電極は、前記ショットキー電極の前記一部を囲む位置に配されている、半導体装置。
【請求項９】
半導体層に形成された複数の半導体ユニットを備える半導体装置を製造する方法であって、
（ａ）それぞれ前記半導体層において上方に突出しており、上面と側面とを備える複数のメサ部を、前記半導体層に形成することと、
（ｂ）前記複数のメサ部のそれぞれに対して、前記メサ部の前記上面において前記半導体層とショットキー接合するショットキー電極を、フォトリソグラフィを使用して形成することと、
（ｃ）前記メサ部の前記上面上において前記ショットキー電極の一部よりも前記上面の端に近い前記ショットキー電極の他の一部と、前記メサ部の前記側面と、前記半導体層の前記メサ部以外の表面と、の上に連続的に形成される絶縁膜を、前記複数のメサ部のそれぞれに対して、形成することと、
（ｄ）前記ショットキー電極と前記絶縁膜の上に形成される配線電極を、前記複数のメサ部に対して、形成することと、を備え、
前記メサ部の形成は、前記半導体層の前記表面と前記側面のなす角が８５度以上９０度以下である前記メサ部を形成する処理を含み、
前記絶縁膜の形成は、隣り合う前記メサ部の向かい合う前記側面に形成された前記絶縁膜を、前記半導体層の前記表面上で互いに接続されるように形成する処理を含み、
前記配線電極の形成は、前記向かい合う前記側面に形成された前記絶縁膜の間に、前記配線電極の一部を配する処理を含む、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
半導体装置１００の半導体層１１２は、基板１１０に対してＺ軸方向の＋側に位置し、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に広がるｎ型半導体層である。本実施形態においては、半導体層１１２は、主に窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる。半導体層１１２は、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素として含有する。半導体層１１２に含まれるケイ素（Ｓｉ）濃度の平均値は、１×１０１６ｃｍ−３である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月1日(2018.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手形状であり、光源が取り付けられたフレームを有する光源部と、
前記光源部の一部によって通過されている開口を形成する長手形状の本体部と、
前記光源部の長手方向の前記フレームの一端の側に設けられ、押圧部と摺動部を有するバネと、
前記本体部の前記開口の縁に設けられた引掛金具と、
を備え、
前記バネは、
前記光源部の一端の側を前記本体部の開口に差し込む際に前記引掛金具に当接し、
前記摺動部は、
前記押圧部が前記フレームから離れるように前記引掛金具を摺動する照明器具。
【請求項２】
前記摺動部は、
前記フレームに設けられた状態で、前記光源部の前記一端に向うに従って前記フレームから離れるように傾斜している請求項１に記載の照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明の照明器具は、
長手形状であり、光源が取り付けられたフレームを有する光源部と、
前記光源部の一部によって通過されている開口を形成する長手形状の本体部と、
前記光源部の長手方向の前記フレームの一端の側に設けられ、押圧部と摺動部を有するバネと、
前記本体部の前記開口の縁に設けられた引掛金具と、
を備え、
前記バネは、
前記光源部の一端の側を前記本体部の開口に差し込む際に前記引掛金具に当接し、
前記摺動部は、
前記押圧部が前記フレームから離れるように前記引掛金具を摺動する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月1日(2018.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の光源側取付部と第二の光源側取付部とが配置される長手形状の光源部と、
底面を有し、前記底面と対向する位置に前記光源部の一部によって通過されている開口を形成する長手形状の本体部と、
前記開口の長手方向における一方の端部の縁に配置され、前記開口の長手方向における他方の端部から前記開口の長手方向における前記一方の端部に向かう方向に前記第一の光源側取付部が差し込まれていることで前記光源部を前記本体部に固定させる第一の本体側取付部と、
前記底面に配置され、前記第二の光源側取付部を前記開口から前記底面に向かう方向に引き上げて前記光源部を前記本体部に固定させる第二の本体側取付部と、
を備える照明器具。
【請求項２】
前記第二の本体側取付部は、
前記第一の本体側取付部によって前記光源部の長手方向の一方の端部が前記本体部の長手方向の一方の端部に取り付けられている状態であり、かつ、前記光源部の長手方向の他方の端部と前記本体部の長手方向の他方の端部とが離隔している状態から、前記本体部の前記他方の端部に前記光源部の前記他方の端部を固定させる請求項１に記載の照明器具。
【請求項３】
前記第一の本体側取付部と、前記第二の本体側取付部とは、
板材で形成された請求項１または請求項２に記載の照明器具。
【請求項４】
前記第一の光源側取付部は、
前記光源部の長手方向の一方の端部に配置され、前記第一の本体側取付部とバネ力で係合し、
前記第二の光源側取付部は、
前記光源部の長手方向の他方の端部に配置され、前記第二の本体側取付部とバネ力で係合する請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明の照明器具は、
第一の光源側取付部と第二の光源側取付部とが配置される長手形状の光源部と、
底面を有し、前記底面と対向する位置に前記光源部の一部によって通過されている開口を形成する長手形状の本体部と、
前記開口の長手方向における一方の端部の縁に配置され、前記開口の長手方向における他方の端部から前記開口の長手方向における前記一方の端部に向かう方向に前記第一の光源側取付部が差し込まれていることで前記光源部を前記本体部に固定させる第一の本体側取付部と、
前記底面に配置され、前記第二の光源側取付部を前記開口から前記底面に向かう方向に引き上げて前記光源部を前記本体部に固定させる第二の本体側取付部と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月27日(2018.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部と、
前記本体部に脱着可能に取り付けられる光源部と、
前記光源部に固定されて取り付けられる長手形状のバネ部であって、前記光源部に固定される固定部と、前記本体部に向かって凸となる凸部とを有するバネ部と、
前記本体部に取り付けられ、前記凸部を摺動させる開口が形成された連結部と
を備えた照明装置。
【請求項２】
前記バネ部は、
前記凸部が、円弧形状に形成されている請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記連結部は、
前記凸部の前記摺動を規制するバネ受部を有する請求項１又は請求項２に記載の照明装
置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月29日(2018.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のライドガイドであって、各ライドガイドが、入力端および出力端から共通の方向に沿って延在するとともに、前記入力端で受けた光を前記出力端に導くように構成された、複数のライドガイドを備え、
前記各ライトガイドは、前記ライトガイドにより導かれた光を受けるとともに該受けた光を一つ又は二つ以上の出力方向に向けるように構成された光抽出器に光学的に結合されており、
複数の発光素子（ＬＥＥ）であって、前記ライトガイドの入力端に構成されるとともに前記入力端で前記ライトガイドに結合された光を出射するように構成された、複数の発光素子（ＬＥＥ）を備える照明デバイス。
【請求項２】
前記各ライトガイドは、第一のディメンションおよび第二のディメンションを有し、前記第一のディメンションは前記ライトガイドの入力端から出力端までの深さに対応し、かつ前記第二のディメンションは前記第一のディメンションに直交して測定された光ガイドの厚さであり、前記第一のディメンションは、約１ｃｍから約２０ｃｍまでの範囲内である請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項３】
前記第二のディメンションは、約０．０５ｃｍから約２ｃｍまでの範囲内である請求項２に記載の照明デバイス。
【請求項４】
各ライトガイドは、第一のディメンションおよび第二のディメンションを有し、前記第一のディメンションは、前記ライトガイドの入力端から出力端までの深さに対応し、かつ前記第二のディメンションは、前記第一のディメンションに直交して測定されたライトガイドの厚さであり、前記第二のディメンションは、約０．０５ｃｍから約２ｃｍまでの範囲内である請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項５】
前記第二のディメンションは、０．２ｃｍ以上である請求項４に記載の照明デバイス。
【請求項６】
前記各ライトガイドは、平面ライトガイドである請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項７】
前記複数のライトガイドは、各ライトガイドのエッジが前記ライトガイドのうちの隣接するライトガイドの対応するエッジに面するように構成された請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項８】
各発光素子（ＬＥＥ）は、発光ダイオードを備える請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項９】
各発光素子（ＬＥＥ）は、白色ＬＥＤである請求項７に記載の照明デバイス。
【請求項１０】
前記ライトガイドのそれぞれは、前記ライトガイドの入力端で前記ライトガイドに結合された光を出射するように構成された複数の発光素子（ＬＥＥ）を、複数有する請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項１１】
前記複数の発光素子（ＬＥＥ）は、前記複数の発光素子（ＬＥＥ）が１ｃｍ当たり０．５以上の線密度を有するように構成された請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項１２】
前記複数の発光素子（ＬＥＥ）は、前記複数の発光素子（ＬＥＥ）が１ｃｍ当たり１以上の線密度を有するように構成された請求項１０に記載の照明デバイス。
【請求項１３】
前記複数の発光素子（ＬＥＥ）は、共通の方向に沿って、一次元アレイに構成された請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項１４】
前記複数の発光素子（ＬＥＥ）と前記複数のライトガイドとの間に構成された複数の光カプラーをさらに備え、前記光カプラーのそれぞれが、前記複数の発光素子（ＬＥＥ）のうちの一つ又は二つ以上により出射された光を前記複数のライトガイドのうちの対応する一つのエッジに結合するように構成された請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項１５】
各ライトガイドは、透明材料から形成された請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項１６】
透明材料が、有機プラスチックである請求項１４に記載の照明デバイス。
【請求項１７】
前記ライトガイドは、光の全反射により光を導くように構成された請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項１８】
各ライトガイドは、別個の光抽出器に結合された請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項１９】
各光抽出器は、対応する出力光を共通の配向パターンへと向けるように構成された請求項１８に記載の照明デバイス。
【請求項２０】
隣接する光抽出器は、対応する出力光を異なる配向パターンへと向けるように構成された請求項１８に記載の照明デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月5日(2018.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の、保護絶縁層と、
前記保護絶縁層上の、カラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層上の、平坦化絶縁膜と、
前記平坦化絶縁膜上の、隔壁と、を有し、
前記平坦化絶縁膜は、前記カラーフィルタ層の表面凹凸を低減する機能を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、チャネル形成領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであり、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであり、
前記カラーフィルタ層は、前記チャネル形成領域と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の、保護絶縁層と、
前記保護絶縁層上の、カラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層上の、平坦化絶縁膜と、
前記平坦化絶縁膜上の、隔壁と、を有し、
前記平坦化絶縁膜は、前記カラーフィルタ層の表面凹凸を低減する機能を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、チャネル形成領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであり、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであり、
前記カラーフィルタ層は、前記チャネル形成領域と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の、保護絶縁層と、
前記保護絶縁層上の、カラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層上の、平坦化絶縁膜と、
前記平坦化絶縁膜上の、第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う、隔壁と、
前記隔壁上の、ＥＬ層と、
前記ＥＬ層上の、第２の電極と、を有し、
前記平坦化絶縁膜は、前記カラーフィルタ層の表面凹凸を低減する機能を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、チャネル形成領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであり、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであり、
前記カラーフィルタ層は、前記チャネル形成領域と重ならず、
前記ＥＬ層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に複数積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の、保護絶縁層と、
前記保護絶縁層上の、カラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層上の、平坦化絶縁膜と、
前記平坦化絶縁膜上の、第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う、隔壁と、
前記隔壁上の、ＥＬ層と、
前記ＥＬ層上の、第２の電極と、を有し、
前記平坦化絶縁膜は、前記カラーフィルタ層の表面凹凸を低減する機能を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、チャネル形成領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであり、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであり、
前記カラーフィルタ層は、前記チャネル形成領域と重ならず、
前記ＥＬ層は、発光色の異なる複数の発光物質を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の、保護絶縁層と、
前記保護絶縁層上の、カラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層上の、平坦化絶縁膜と、
前記平坦化絶縁膜上の、隔壁と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、チャネル形成領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであり、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の、保護絶縁層と、
前記保護絶縁層上の、カラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層上の、平坦化絶縁膜と、
前記平坦化絶縁膜上の、隔壁と、を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、チャネル形成領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであり、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域より、低抵抗化されたものであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月4日(2018.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文字を記入する記入枠を備えた文書媒体をデータ化した画像データから、前記記入枠にユーザにより記入された文字を読み取る読取手段と、
前記読取手段で読み取られた文字と、前記記入枠との相対的な位置に応じて、前記読取手段により読み取られた文字を他の文字に置き換える対象の文字として設定するかを決定する決定手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記読取手段で読み取られた文字と、前記記入枠の所定の位置との相対的な位置に応じて、当該文字を他の文字に置き換える対象の文字として設定するかを決定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記読取手段で読み取られた所定の文字と、前記記入枠の所定の位置との相対的な位置に応じて、当該所定の文字を他の文字に置き換える対象の文字として設定するかを決定することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記所定の文字とは、１、５、７であり、前記所定の文字が１の場合、前記他の文字は、７であり、前記所定の文字が５の場合、前記他の文字は６であり、前記所定の文字が７の場合、前記他の文字は、０または２であることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記所定の文字が１の場合、前記所定の位置は前記記入枠の上部であり、前記所定の文字が５の場合、前記所定の位置は前記記入枠の左側部であり、前記所定の文字が７の場合、前記所定の位置は、前記記入枠の左側部または前記記入枠の下部であることを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記所定の文字が７の場合であって、前記所定の位置が前記記入枠の左側部である場合、前記他の文字は０であり、前記所定の文字が７の場合であって、前記所定の位置が前記記入枠の下部である場合、前記他の文字は２であることを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記読取手段により読み取られた文字を出力する出力手段を備え、
前記出力手段は、前記決定手段により他の文字に置き換える対象の文字として設定すると決定されると、前記読取手段で読み取られた文字を前記他の文字に置き換えて出力することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか1項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
文字を記入する記入枠を備えた文書媒体をデータ化した画像データから、前記記入枠にユーザにより記入された文字を読み取る読取工程と、
前記読取工程で読み取られた文字と、前記記入枠との相対的な位置に応じて、前記読取工程で読み取られた文字を他の文字に置き換える対象の文字として設定するかを決定する決定工程と
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか1項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報処理装置、情報処理装置の制御方法、およびプログラムに関し、特に、画像データから読み取られた文字と記入枠との相対的な位置に応じて、読み取られた文字を他の文字に置き換える対象の文字として設定するかを決定することにより、文字の誤認識を補正する精度を向上させることが可能な仕組みに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、画像データから読み取られた文字と記入枠との相対的な位置に応じて、読み取られた文字を他の文字に置き換える対象の文字として設定するかを決定することにより、文字の誤認識を補正する精度を向上させることが可能な仕組みを提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、文字を記入する記入枠を備えた文書媒体をデータ化した画像データから、前記記入枠にユーザにより記入された文字を読み取る読取手段と、前記読取手段で読み取られた文字と、前記記入枠との相対的な位置に応じて、前記読取手段により読み取られた文字を他の文字に置き換える対象の文字として設定するかを決定する決定手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、文字を記入する記入枠を備えた文書媒体をデータ化した画像データから、前記記入枠にユーザにより記入された文字を読み取る読取工程と、前記読取工程で読み取られた文字と、前記記入枠との相対的な位置に応じて、前記読取工程で読み取られた文字を他の文字に置き換える対象の文字として設定するかを決定する決定工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、画像データから読み取られた文字と記入枠との相対的な位置に応じて、読み取られた文字を他の文字に置き換える対象の文字として設定するかを決定することにより、文字の誤認識を補正する精度を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月3日(2018.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2018037323.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2018037323.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【図１】本発明に係る車両用前照灯装置の第１の実施の形態を示す図である。
【図２】図１の制御ユニットの動作を説明するためのフローチャートである。
【図３】図２のＡＤＢ制御ステップ２０５を補足説明するための図である。
【図４】図３の実際に得られた赤外光領域及び可視光領域を示す写真である。
【図５】図２のロービーム制御ステップ２０９を補足説明するための図である。
【図６】本発明に係る車両用前照灯装置の第２の実施の形態を示す図である。
【図７】従来の車両用前照灯装置を示す図である。
【図８】図７のロービーム制御を説明するための図である。
【図９】図７のＡＤＢ制御を説明するための図である。