Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月2日(2018.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変表示を行い、遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、
可変表示に対応して特定表示を表示可能な特定表示手段と、
前記有利状態に制御されるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段の判定結果にもとづいて、特定表示の表示態様を変化させる有利度が異なる複数種類の変化演出を実行可能な変化演出実行手段とを備え、
前記変化演出実行手段は、前記判定手段の判定対象となった可変表示が実行されるときと、前記判定手段の判定対象となった可変表示より前の可変表示が実行されるときとで、異なる種類の変化演出を実行可能である
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（手段Ａ）上記目的を達成するため、本発明の遊技機は、可変表示を行い、遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、可変表示に対応して特定表示を表示可能な特定表示手段と、前記有利状態に制御されるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段の判定結果にもとづいて、特定表示の表示態様を変化させる有利度が異なる複数種類の変化演出を実行可能な変化演出実行手段とを備え、前記変化演出実行手段は、前記判定手段の判定対象となった可変表示が実行されるときと、前記判定手段の判定対象となった可変表示より前の可変表示が実行されるときとで、異なる種類の変化演出を実行可能である
ことを特徴とする遊技機。
（１）上記目的を達成するため、本発明の他の遊技機は、可変表示を行い、遊技者にとって有利な有利状態（例えば、大当り遊技状態）に制御可能な遊技機であって、可変表示に対応して特定表示（例えば、保留表示、アクティブ表示）を表示可能な特定表示手段（例えば、合算保留記憶表示部１８ｃ、アクティブ表示領域９Ａ）と、有利状態に制御されるか否かを判定する判定手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１２１６Ａ，Ｓ１２１６Ｂを実行する部分）と、判定手段の判定結果にもとづいて、特定表示の表示態様を変化させる変化演出（例えば、保留等予告演出における作用演出）を実行可能な変化演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるステップＳ８０１０，Ｓ８０１３，Ｓ８０１８で選択したプロセステーブルにしたがってステップＳ８０２１，Ｓ８１０５を実行する部分）とを備え、変化演出実行手段は、判定手段の判定対象となった可変表示が実行されるときと、判定手段の判定対象となった可変表示より前の可変表示が実行されるときとで、異なる種類の変化演出を実行可能である（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００は、図４２（Ｄ）に示すように、アクティブ表示の表示態様を変化させる場合には、変動開始時の「シフト時変化」や「落雷作用演出、変動中期の「役物作用演出」、および変動後期の「リーチ後変化」を実行可能であるのに対して、図４２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、予告対象の保留表示の表示態様を変化させる場合には、変動開始時の「シフト時変化」や「落雷作用演出」、変動中期の「役物作用演出」や「キャラクタ作用演出Ａ」、変動後期の「保留変化図柄作用演出」や「キャラクタ作用演出Ｂ」を実行可能である）ことを特徴とする。そのような構成によれば、判定対象となった可変表示が実行されるときと、判定対象となった可変表示より前の可変表示が実行されるときとで、変化演出の種類が異なるので、変化演出の演出効果を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月2日(2018.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変表示を実行し、遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、
未だ開始されていない可変表示に対応する保留表示を表示する保留表示手段と、
可変表示が実行されているときに当該可変表示に対応する対応表示を表示する対応表示手段と、
保留表示の表示態様が変化するか否かを示唆する示唆演出を実行する示唆演出実行手段と、
保留表示及び対応表示の表示態様が異なる複数の演出モードのいずれかに制御可能な演出モード制御手段と、を備え、
保留表示の表示態様が前記有利状態に制御される期待度が所定の期待度であることを示唆する第１特殊態様とされている場合に、前記演出モードの切り替えがあった後に、当該保留表示に対応する対応表示の表示態様が、前記第１特殊態様で示唆される前記所定の期待度を維持するように、当該第１特殊態様と少なくとも一部の表示態様が共通する第２特殊態様とされる、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（手段Ａ）上記目的を達成するため、本発明の遊技機は、可変表示を実行し、遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、未だ開始されていない可変表示に対応する保留表示を表示する保留表示手段と、可変表示が実行されているときに当該可変表示に対応する対応表示を表示する対応表示手段と、保留表示の表示態様が変化するか否かを示唆する示唆演出を実行する示唆演出実行手段と、保留表示及び対応表示の表示態様が異なる複数の演出モードのいずれかに制御可能な演出モード制御手段と、を備え、保留表示の表示態様が前記有利状態に制御される期待度が所定の期待度であることを示唆する第１特殊態様とされている場合に、前記演出モードの切り替えがあった後に、当該保留表示に対応する対応表示の表示態様が、前記第１特殊態様で示唆される前記所定の期待度を維持するように、当該第１特殊態様と少なくとも一部の表示態様が共通する第２特殊態様とされる、ことを特徴とする遊技機。
（１）上記目的を達成するため、本発明の他の遊技機は、可変表示（例えば、飾り図柄の可変表示など）を実行し、遊技者にとって有利な有利状態（例えば、大当り遊技状態など）に制御可能な遊技機（例えば、パチンコ遊技機１など）であって、未だ開始されていない可変表示に対応する保留表示（例えば、保留表示画像など）を表示する保留表示手段（例えば、画像表示装置５など）と、可変表示が実行されているときに当該可変表示に対応する対応表示（例えば、アクティブ表示画像など）を表示する対応表示手段（例えば、画像表示装置５など）と、保留表示及び対応表示の表示態様が異なる複数の演出モード（例えば、キャラＡの通常モード、キャラＢの通常モードなど）のいずれかに制御可能な演出モード制御手段（例えば、ステップＳ１６１、Ｓ１７２の処理を行う演出制御用ＣＰＵ１２０など）と、を備え、保留表示の表示態様が前記有利状態に制御される期待度が所定の期待度であることを示唆する第１特殊態様とされている場合に、前記演出モードの切り替えがあった後に、当該保留表示に対応する対応表示の表示態様が、前記第１特殊態様で示唆される前記所定の期待度を維持するように、当該第１特殊態様と少なくとも一部の表示態様が共通する第２特殊態様とされる（例えば、図３４などを参照）、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月27日(2018.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変表示を行い、該可変表示に対応する特定表示を表示可能な遊技機であって、
演出モードとして複数種類の演出モードのうちの一の演出モードに切り替え制御可能なモード制御手段と、
前記複数種類の演出モードのそれぞれに対応する種類の特定表示を表示可能な特定表示制御手段と、を備え、
前記複数種類の演出モードのそれぞれに対応する種類の作用演出により特定表示の態様を変化可能であり、
前記作用演出は、前記複数種類の演出モードのそれぞれに対応する種類のキャラクタ表示により特定表示の態様を変化可能な演出である、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
(手段Ａ)上記目的を達成するため、本発明の遊技機は、可変表示を行い、該可変表示に対応する特定表示を表示可能な遊技機であって、演出モードとして複数種類の演出モードのうちの一の演出モードに切り替え制御可能なモード制御手段と、前記複数種類の演出モードのそれぞれに対応する種類の特定表示を表示可能な特定表示制御手段と、を備え、前記複数種類の演出モードのそれぞれに対応する種類の作用演出により特定表示の態様を変化可能であり、前記作用演出は、前記複数種類の演出モードのそれぞれに対応する種類のキャラクタ表示により特定表示の態様を変化可能な演出である、ことを特徴とする遊技機。
（１）上記目的を達成するため、本発明の他の遊技機は、可変表示（例えば、飾り図柄の可変表示）を行い、該可変表示に対応する特定表示（例えば、アクティブ表示や保留表示）を表示可能な遊技機（例えば、パチンコ遊技機１）であって、演出モード（例えば、演出ステージ）として複数種類の演出モード（例えば、昼ステージや夜ステージ）のうちの一の演出モードに切り替え制御可能なモード制御手段（例えば、Ｓ５２６Ａの処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０）と、前記複数種類の演出モードのそれぞれに対応する種類の特定表示（例えば、太陽や月の態様とした保留・アクティブ表示）を表示可能な特定表示制御手段（例えば、Ｓ５２６Ｂの処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０）と、を備え、前記複数種類の演出モードのそれぞれに対応する種類の作用演出（例えば、鳥作用演出や流星作用演出）により特定表示の態様を変化可能である（例えば、Ｓ５２６Ｄの処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０）、ことを特徴とする。この構成によれば、遊技演出の興趣を向上できる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月27日(2018.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、
前記有利状態中の演出状態を複数種類の演出状態のうちいずれかに制御可能な演出状態制御手段と、
前記有利状態中に付与された遊技媒体数に関連した報知演出を実行する報知演出手段と、
前記有利状態において、遊技媒体が入賞可能な第１状態と、遊技媒体が入賞し難いまたは入賞困難な第２状態とに変化可能な可変手段と、を備え、
前記報知演出手段は、
前記演出状態制御手段により第１演出状態に制御されているときには、第１報知態様による前記報知演出を実行し、
前記演出状態制御手段により前記第１演出状態とは異なる第２演出状態に制御されているときには、前記第１報知態様とは異なる第２報知態様による前記報知演出を実行し、
前記可変手段に遊技媒体が入賞した遊技媒体数を表示可能とすることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
(手段Ａ)上記目的を達成するため、本発明の遊技機は、遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、前記有利状態中の演出状態を複数種類の演出状態のうちいずれかに制御可能な演出状態制御手段と、前記有利状態中に付与された遊技媒体数に関連した報知演出を実行する報知演出手段と、前記有利状態において、遊技媒体が入賞可能な第１状態と、遊技媒体が入賞し難いまたは入賞困難な第２状態とに変化可能な可変手段と、を備え、前記報知演出手段は、前記演出状態制御手段により第１演出状態に制御されているときには、第１報知態様による前記報知演出を実行し、前記演出状態制御手段により前記第１演出状態とは異なる第２演出状態に制御されているときには、前記第１報知態様とは異なる第２報知態様による前記報知演出を実行し、前記可変手段に遊技媒体が入賞した遊技媒体数を表示可能とすることを特徴とする遊技機。
（１）上記目的を達成するため、本発明の他の遊技機は、遊技者にとって有利な有利状態（大当り遊技状態等）に制御可能な遊技機（パチンコ遊技機１等）であって、前記有利状態中の演出状態（ラウンド中の演出状態等）を複数種類の演出状態（図１２のＡモードまたはＢモード等）のうちいずれかに制御可能な演出状態制御手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００等）と、前記有利状態中に付与された遊技媒体数（遊技球数等）に関連した報知演出（図１２に示す第１報知画像２０４や第２報知画像２１４による報知演出等）を実行する報知演出手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００等）とを備え、前記報知演出手段は、前記演出状態制御手段により第１演出状態（Ａモード等）に制御されているときには、第１報知態様（図１２に示す第１報知画像２０４等）による前記報知演出を実行し、前記演出状態制御手段により前記第１演出状態とは異なる第２演出状態（Ｂモード等）に制御されているときには、前記第１報知態様とは異なる第２報知態様（図１２に示す第２報知画像２１４等）による前記報知演出を実行する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月5日(2018.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗原結合タンパク質であって、
（ｉ）第１の免疫グロブリン重鎖定常領域（ＣＨ）と融合した第１のヒト軽鎖可変ドメイン（ＶＬ１）を含む、第１のポリペプチド；および
（ｉｉ）免疫グロブリン軽鎖定常領域（ＣＬ）と融合した第２のヒト軽鎖可変ドメイン（ＶＬ２）を含む、第２のポリペプチド
を含み、ＶＬ１とＶＬ２が会合して、対象の抗原に特異的に結合する、抗原結合タンパク質。
【請求項２】
ＶＬ１とＶＬ２が同一でない、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項３】
ＶＬ１とＶＬ２がＶκドメインおよびＶλドメインから独立して選択される、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項４】
ＶＬ１がＶκドメインである、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項５】
前記ＣＨがマウスＣＨドメインであり、前記ＣＬがマウスＣＬドメインである、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項６】
前記ＣＨがヒトＣＨドメインであり、前記ＣＬがヒトＣＬドメインである、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項７】
前記ＣＬがヒトＣκである、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項８】
前記ＣＨが、ＣＨ１、ヒンジ、ＣＨ２、ＣＨ３、およびこれらの組合せから選択される、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項９】
前記ＣＨが、ＩｇＭ、ＩｇＤ、ＩｇＧ、ＩｇＡおよびＩｇＥからなる群より選択されるアイソタイプである、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１０】
前記アイソタイプが、ＩｇＧ１、ＩｇＧ２Ａ、ＩｇＧ２ｂ、ＩｇＧ２Ｃ、ＩｇＧ３およびＩｇＧ４からなる群より選択されるＩｇＧである、請求項９に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１１】
前記アイソタイプが、ＩｇＧ１、ＩｇＧ２およびＩｇＧ４から選択される、請求項１０に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１２】
前記ＩｇＧ  ＣＨ３ドメインが、該ＩｇＧ  ＣＨ３のプロテインＡへの結合を低減または消失させる修飾を含む、請求項１１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１３】
ＶＬ１もＶＬ２も、ＤＨ遺伝子セグメント由来のアミノ酸配列を含まない、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１４】
前記ＶＬ１が、
（ａ）ＶＬ２に存在する体細胞超変異の数の約１．５〜約５倍以上、または、それより多い数の体細胞超変異、および／または
（ｂ）１、２、３、４、５、６、７、８、９、もしくは、１０、または、それより多いＮ付加
を含む配列によってコードされる、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１５】
さらに、
（ｉ）第２の免疫グロブリン重鎖定常領域（ＣＨ２）と融合した第３の軽鎖可変ドメイン（ＶＬ３）を含む、第３のポリペプチド；および
（ｉｉ）第２の免疫グロブリン軽鎖定常領域（ＣＬ２）と融合した第４の軽鎖可変ドメイン（ＶＬ４）を含む、第４のポリペプチド
を含み、ＶＬ３とＶＬ４が同一でない、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１６】
（ａ）ＶＬ１とＶＬ３が同一である、および／または
（ｂ）ＶＬ２とＶＬ４が同一である、
請求項１５に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１７】
二重特異性である、請求項１５に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１８】
前記第１と第２の免疫グロブリン重鎖定常領域が同じアイソタイプであるが、他の免疫グロブリン重鎖と比較して、該第１または第２の免疫グロブリン重鎖定常領域の一方がプロテインＡに結合できない点で異なり、該アイソタイプがＩｇＧ１、ＩｇＧ２、ＩｇＧ３またはＩｇＧ４である、請求項１７に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１９】
前記ＣＨがマウスＣＨ１ドメインであり、前記ＣＬがマウスＣκドメインである、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月26日(2018.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
喫煙物品のための多層可燃性熱源であって、
炭素を含む可燃性第１層と、
前記第１層と直接に接触し、炭素及び少なくとも１つの発火補助剤を含む第２層と、
を含み、
前記第１層及び前記第２層は、少なくとも０．６ｇ／ｃｍ3の見かけの密度を有する縦方向同心層であり、
前記第１層の組成が、前記第２層の組成とは異なっている、
ことを特徴とする多層可燃性熱源。
【請求項２】
前記第１層及び前記第２層は、０．６ｇ／ｃｍ3と約１．０ｇ／ｍ3の間の密度を有することを特徴とする請求項１に記載の多層可燃性熱源。
【請求項３】
前記第１層の前記見かけの密度は、前記第２層の前記見かけの密度とは異なっており、  前記第１層の前記見かけの密度と前記第２層の前記見かけの密度の差が、０．２ｇ／ｃｍ3よりも小さいか又はそれに等しい、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多層可燃性熱源。
【請求項４】
前記第１層及び前記第２層は、非繊維性であることを特徴とする請求項１、請求項２、又は請求項３に記載の多層可燃性熱源。
【請求項５】
前記第１層は、少なくとも１つの発火補助剤を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の多層可燃性熱源。
【請求項６】
前記第１層内の発火補助剤に対する炭素の乾燥重量比が、前記第２層内の発火補助剤に対する炭素の乾燥重量比とは異なっていることを特徴とする請求項５に記載の多層可燃性熱源。
【請求項７】
前記第１層内の発火補助剤に対する炭素の前記乾燥重量比は、前記第２層内の発火補助剤に対する炭素の前記乾燥重量比よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の多層可燃性熱源。
【請求項８】
前記第１層は、外側層であり、前記第２層は、該第１層が外接する内側層であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の多層可燃性熱源。
【請求項９】
前記多層可燃性熱源は、ブラインド多層可燃性熱源であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の多層可燃性熱源。
【請求項１０】
前記第１層は、少なくとも５５乾燥重量パーセントの炭素含有量を有することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の多層可燃性熱源。
【請求項１１】
前記第２層は、３５乾燥重量パーセント以下の炭素含有量を有する請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の多層可燃性熱源。
【請求項１２】
前記第２層は、少なくとも５５乾燥重量パーセントの発火補助剤含有量を有する請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の多層可燃性熱源。
【請求項１３】
前記第２層は、６００℃より低い温度で酸素を活発に放出する過酸化物又は超酸化物の少なくとも一つを含む発火補助剤を有する請求１から請求項１２のいずれか１項に記載の多層可燃性熱源。
【請求項１４】
前記第２層は、カルシウム過酸化物、ストロンチウム過酸化物、マグネシウム過酸化物、バリウム過酸化物、及びこれらの混合物から構成される群から選択される少なくとも一つの過酸化物を含む発火補助剤を有する請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の多層可燃性熱源。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の多層可燃性熱源と、
前記多層可燃性熱源の下流のエアロゾル形成基材と、
を含むことを特徴とする喫煙物品。
【請求項１６】
請求項１５に記載の喫煙物品は、前記多層可燃性熱源の下流端とエアロゾル形成基材の上流端との間に不燃性で実質的に空気不透過性の障壁を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月16日(2018.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌ−メチオニンを生産する方法であって、
（ａ）クエン酸シンターゼ（citrate synthase）の内在的活性が低下又は不活性化された、Ｏ−アセチルホモセリンを生産するエシェリキア（Escherichia）属微生物を培養するステップ、及び
（ｂ）ステップ（ａ）で生産されたＯ−アセチルホモセリンを、Ｏ−アセチルホモセリンスルフヒドリラーゼ（O-acetylhomoserine sulfhydrylase）又はＯ−アセチルホモセリンスルフヒドリラーゼを有する微生物と接触させるステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記クエン酸シンターゼ（citrate synthase）の内在的活性が低下した微生物が、配列番号１又は２で表されるアミノ酸配列を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記微生物において、さらにシスタチオニンγ−シンターゼ（cystathionine gamma synthase）、ホモセリンキナーゼ（homoserine kinase）、又は双方の活性が内在的活性に比べて低下又は不活性化されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記微生物において、さらにホモセリンＯ−アセチルトランスフェラーゼ活性が導入又は強化されているか、内在性ホモセリンＯ−スクシニルトランスフェラーゼがホモセリンＯ−アセチルトランスフェラーゼの活性を有するように変異している、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記微生物において、さらにホスホエノールピルビン酸カルボキシラーゼ、アスパラギン酸アミノトランスフェラーゼ、及びアスパラギン酸セミアルデヒドデヒドロゲナーゼからなる群から選択される１つ以上のタンパク質の活性が導入又は強化されている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記微生物が大腸菌（E.coli）である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
Ｏ−アセチルホモセリンスルフヒドリラーゼがレプトスピラ属（Leptospira sp.）、クロモバクテリウム属（Chromobacterium sp.）、又はヒフォモナス属（Hyphomonas sp.）に由来する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ステップ（ｂ）においてメチルメルカプタンを基質として添加することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ステップ（ａ）で生産されたＯ−アセチルホモセリンを回収するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ステップ（ｂ）で生産されたＬ−メチオニンを回収するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月13日(2018.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルツハイマー病の診断が必要なヒト対象におけるアルツハイマー病を判定することを補助する方法であって、
（ａ）繊維芽細胞試料またはリンパ球細胞試料である対象由来の細胞試料をＢＤマトリゲル（商標）と接触させることと；
（ｂ）細胞試料中で、ＥＦＥＭＰ１、ＢＤＮＦ、ＦＧＦ１８、ＩＧＦＢＰ５、ＨＡＳ１、ＣＤＨ２、ＣＡＰＧ、ＭＭＰ１２、ＭＡＰＫ１、ＴＮＦＲＳＦ１９、ＰＰＡＰＤＣ１Ａ、ＤＵＳＰ２、ＣＲＩＰ２、ＰＰＰ１ＣＢ、ＥＤＮＲＢ、ＥＧＲ２、ＭＡＰ２、ＨＬＡ−Ｃ、ＣＡＤＭ１、ＣＯＬ２３Ａ１、ＢＤＫＲＢ２、ＡＰＯＥおよびＮＲＧ３からなる群から選択される１以上の遺伝子の発現レベルを決定することとを含み、
ここで、ステップ（ｂ）で決定された発現レベルと、ＢＤマトリゲル（商標）と接触させた対照細胞中の同一遺伝子との発現レベルとに相違がある場合に、前記対象はアルツハイマー病を有することを示す、
方法。
【請求項２】
前記対象からの皮膚繊維芽細胞試料をＢＤマトリゲル（商標）と接触させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記対象からのリンパ球細胞試料をＢＤマトリゲル（商標）と接触させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｂ）で決定された、ＥＦＥＭＰ１、ＢＤＮＦ、ＦＧＦ１８、ＩＧＦＢＰ５、ＨＡＳ１、ＣＤＨ２、ＣＡＰＧ、ＭＭＰ１２、ＭＡＰＫ１、ＴＮＦＲＳＦ１９、ＰＰＡＰＤＣ１Ａ、ＤＵＳＰ２、ＣＲＩＰ２、ＰＰＰ１ＣＢおよびＥＤＮＲＢからなる群から選択される１以上の遺伝子の発現レベルが、ＢＤマトリゲル（商標）と接触させた対照細胞中の同一遺伝子の発現レベルより増大している場合に、前記対象はアルツハイマー病を有することを示す、請求項１記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ｂ）で決定された、ＥＧＲ２、ＭＡＰ２、ＨＬＡ−Ｃ、ＣＡＤＭ１、ＣＯＬ２３Ａ１、ＢＤＫＲＢ２、ＡＰＯＥおよびＮＲＧ３からなる群から選択される１以上の遺伝子の発現レベルが、ＢＤマトリゲル（商標）と接触させた対照細胞中の同一遺伝子の発現レベルより低減している場合に、前記対象はアルツハイマー病を有することを示す、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記遺伝子の発現レベルがマイクロアレイを用いて決定される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記アルツハイマー病の判定が１種以上のさらなる診断法を使用して確認される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記対照細胞がアルツハイマー病ではない個体由来である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記対照細胞が、年齢が一致する対照細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
アルツハイマー病の診断が必要なヒト対象におけるアルツハイマー病を判定することを補助する方法であって、
（ａ）繊維芽細胞試料またはリンパ球細胞試料である対象由来の細胞試料をＢＤマトリゲル（商標）と接触させることと；
（ｂ）細胞試料中で、ＥＦＥＭＰ１、ＢＤＮＦ、ＦＧＦ１８、ＩＧＦＢＰ５、ＨＡＳ１、ＣＤＨ２、ＣＡＰＧ、ＭＭＰ１２、ＭＡＰＫ１、ＴＮＦＲＳＦ１９、ＰＰＡＰＤＣ１Ａ、ＤＵＳＰ２、ＣＲＩＰ２、ＰＰＰ１ＣＢ、ＥＤＮＲＢ、ＥＧＲ２、ＭＡＰ２、ＨＬＡ−Ｃ、ＣＡＤＭ１、ＣＯＬ２３Ａ１、ＢＤＫＲＢ２、ＡＰＯＥおよびＮＲＧ３からなる群から選択される１以上の遺伝子の発現レベルを決定することとを含み、
ここで、ステップ（ｂ）で決定された、ＥＦＥＭＰ１、ＢＤＮＦ、ＦＧＦ１８、ＩＧＦＢＰ５、ＨＡＳ１、ＣＤＨ２、ＣＡＰＧ、ＭＭＰ１２、ＭＡＰＫ１、ＴＮＦＲＳＦ１９、ＰＰＡＰＤＣ１Ａ、ＤＵＳＰ２、ＣＲＩＰ２、ＰＰＰ１ＣＢおよびＥＤＮＲＢからなる群から選択される１以上の遺伝子の発現レベルが、ＢＤマトリゲル（商標）と接触させた対照細胞中の同一遺伝子の発現レベルより増大している場合に、前記対象はアルツハイマー病を有することを示し、
ステップ（ｂ）で決定された、ＥＧＲ２、ＭＡＰ２、ＨＬＡ−Ｃ、ＣＡＤＭ１、ＣＯＬ２３Ａ１、ＢＤＫＲＢ２、ＡＰＯＥおよびＮＲＧ３からなる群から選択される１以上の遺伝子の発現レベルが、ＢＤマトリゲル（商標）と接触させた対照細胞中の同一遺伝子の発現レベルより低減している場合に、前記対象はアルツハイマー病を有することを示す、
方法。
【請求項１１】
ステップ（ｂ）が、前記細胞試料中の、ＥＦＥＭＰ１、ＢＤＮＦ、ＦＧＦ１８、ＩＧＦＢＰ５、ＨＡＳ１、ＣＤＨ２、ＣＡＰＧ、ＭＭＰ１２、ＭＡＰＫ１、ＴＮＦＲＳＦ１９、ＰＰＡＰＤＣ１Ａ、ＤＵＳＰ２、ＣＲＩＰ２、ＰＰＰ１ＣＢおよびＥＤＮＲＢからなる群から選択される１以上の遺伝子、およびＥＧＲ２、ＭＡＰ２、ＨＬＡ−Ｃ、ＣＡＤＭ１、ＣＯＬ２３Ａ１、ＢＤＫＲＢ２、ＡＰＯＥおよびＮＲＧ３からなる群から選択される１以上の遺伝子、の発現レベルを決定することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記対象からの皮膚繊維芽細胞試料をＢＤマトリゲル（商標）と接触させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記対象からのリンパ球細胞試料をＢＤマトリゲル（商標）と接触させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記遺伝子の発現レベルがマイクロアレイを用いて決定される、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
前記アルツハイマー病の判定が１種以上のさらなる診断法を使用して確認される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記対照細胞がアルツハイマー病ではない個体由来である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記対照細胞が、年齢が一致する対照細胞である、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物を分析するための方法であって、該方法は、
水性流体中でビーズに付着される化合物のレパートリーを提供する工程、
該水性流体を乳化して複数の小滴を生成する工程であって、ここで各小滴はビーズを含む、工程、
該複数の小滴内で、１つまたはそれより多くの該化合物のレパートリーが関与する増幅反応を実行し、ビーズ結合アンプリコンを生成する工程、
該小滴から該ビーズ結合アンプリコンを放出させる工程、および
該ビーズ結合アンプリコンに基づきビーズをソートする工程
を含む、方法。
【請求項２】
前記化合物のレパートリーが遺伝子座特異的プライマーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記遺伝子座特異的プライマーがＰＣＲプライマー対のメンバーであり、各プライマー対が第一のプライマーおよび第二のプライマーを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＰＣＲプライマー対の各メンバーがユニークな部分を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
各ビーズに付着される前記ＰＣＲプライマー対が、同一のユニークな部分を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の小滴の各々が核酸鋳型を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記遺伝子座特異的プライマーが前記核酸鋳型上のランダムな位置にハイブリダイズする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記核酸鋳型が、ゲノムＤＮＡ、ｃＤＮＡまたはＲＮＡである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記水性流体が、ポリメラーゼおよび複数のデオキシヌクレオチドをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記油がフルオロカーボン油を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記油が界面活性剤を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ソートする工程が、同一の小滴に由来するアンプリコンを検出する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記アンプリコンを配列決定する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月30日(2018.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に選択的に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に選択的に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
前記第１半導体領域中および前記第２半導体領域中に第１絶縁部を介して設けられ、第１方向に延びるゲート電極と、
前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第３半導体領域と電気的に接続された第１電極と、
前記第１半導体領域中において前記ゲート電極と離間し、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２絶縁部と、
前記第１方向に延びる第１絶縁部分を有し、前記第１絶縁部分が前記第２方向において前記ゲート電極と前記第２絶縁部との間に位置し、前記第１半導体領域中において前記ゲート電極および前記第２絶縁部と離間した第３絶縁部と、
前記第２絶縁部および前記第３絶縁部の上に設けられ、前記ゲート電極と電気的に接続された第２電極と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は、前記第２方向において複数設けられ、
前記第２絶縁部は、前記第１方向において複数設けられ、
前記第１絶縁部分は、前記第２方向において、前記複数のゲート電極と前記複数の第２絶縁部との間に位置する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート電極は、前記第２方向において複数設けられ、
前記第２絶縁部は、前記第１方向において複数設けられ、
前記第３絶縁部は、前記第２方向に延びる第２絶縁部分をさらに有し、
前記第１絶縁部分は、前記第２方向において、前記複数のゲート電極の一部と前記複数の第２絶縁部との間に位置し、
前記第２絶縁部分は、前記第１方向において、前記複数のゲート電極の他の一部と前記複数の第２絶縁部との間に位置する請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２絶縁部中に設けられた第１導電部と、
前記第３絶縁部中に設けられた第２導電部と、
をさらに備え、
前記第１導電部は、前記第２方向に延び、
前記第２導電部は、前記第１絶縁部分中を前記第１方向に延びる第１導電部分を有し、
前記第１導電部および前記第２導電部は、前記第１電極および前記第２電極と電気的に分離された請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に選択的に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に選択的に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
前記第１半導体領域中および前記第２半導体領域中に第１絶縁部を介して設けられ、第１方向に延びるゲート電極と、
前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第３半導体領域と電気的に接続された第１電極と、
前記第１半導体領域中において前記ゲート電極と離間し、前記第１方向に延びる第２絶縁部と、
前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２絶縁部分を有し、前記第２絶縁部分が前記第１方向において前記ゲート電極と前記第２絶縁部との間に位置し、前記第１半導体領域中において前記ゲート電極および前記第２絶縁部と離間した第３絶縁部と、
前記第２絶縁部および前記第３絶縁部の上に設けられ、前記ゲート電極と電気的に接続された第２電極と、
を備えた半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極は、前記第２方向において複数設けられ、
前記第２絶縁部は、前記第２方向において複数設けられ、
前記第３絶縁部は、前記第１方向に延びる第１絶縁部分をさらに有し、
前記第１絶縁部分は、前記第２方向において、前記複数のゲート電極の一部と前記複数の第２絶縁部との間に位置し、
前記第２絶縁部分は、前記第１方向において、前記複数のゲート電極の他の一部と前記複数の第２絶縁部との間に位置する請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に選択的に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に選択的に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
前記第１半導体領域中および前記第２半導体領域中に第１絶縁部を介して設けられたゲート電極と、
前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第３半導体領域と電気的に接続された第１電極と、
前記第１半導体領域中において前記ゲート電極と離間し、前記第１半導体領域の一部を囲む環状の第２絶縁部と、
前記第２絶縁部の上に設けられ、前記ゲート電極と電気的に接続された第２電極と、
を備えた半導体装置。
【請求項８】
前記第２絶縁部と離間して前記第１半導体領域中に設けられ、前記第２絶縁部の内側に位置し、前記第１半導体領域の一部を囲む環状の第３絶縁部をさらに備えた請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２絶縁部中に設けられた環状の第１導電部と、
前記第３絶縁部中に設けられた環状の第２導電部と、
をさらに備え、
前記第１導電部および前記第２導電部は、前記第１電極および前記第２電極と電気的に分離された請求項７または８に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月30日(2018.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
前記第１半導体領域中に第１絶縁部を介して設けられた第１電極と、
前記第１電極の上に設けられた第２絶縁部と、
前記第２絶縁部の上に設けられたゲート電極であって、
上方に向けて窪んだ第１凹部および第２凹部が設けられた下面と、
第１方向において前記第２半導体領域とゲート絶縁部を介して対面する第１側面と、
を有し、前記第１凹部は、前記第１方向において前記第２凹部と前記第１側面との間に位置し、前記第１凹部と前記第２凹部との間の前記第１方向における距離は、前記第１側面と前記第１凹部との間の前記第１方向における距離よりも長いゲート電極と、
前記第２半導体領域の上および前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域、前記第３半導体領域、および前記第１電極と電気的に接続された第２電極と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記第１電極は、上面と、第２側面と、前記第２側面と反対側の第３側面と、を有し、
前記上面と前記第２側面との間の第１角は、前記第１凹部と上下方向において並び、
前記上面と前記第３側面との間の第２角は、前記第２凹部と上下方向において並ぶ請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２絶縁部は、
第１絶縁部分と、
前記ゲート電極と前記第１絶縁部分との間に設けられ、前記第１絶縁部分よりも誘電率が高い第２絶縁部分と、
を有する請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２絶縁部は、
第１絶縁部分と、
前記ゲート電極と前記第１絶縁部分との間に設けられ、前記第１絶縁部分よりもボロンを多く含む第２絶縁部分と、
を有する請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２絶縁部分は、上方に向けて突出した第１突出部および第２突出部を有し、
前記第１突出部は、前記第１凹部中に設けられ、
前記第２突出部は、前記第２凹部中に設けられた請求項３または４に記載の半導体装置。
【請求項６】
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
前記第１半導体領域中に第１絶縁部を介して設けられた第１電極と、
前記第１電極の上に設けられた第２絶縁部と、
上方に向けて窪んだ凹部が設けられた下面を有し、前記第２絶縁部の上に設けられ、第１方向においてゲート絶縁部を介して前記第２半導体領域と対面し、前記凹部は前記第１電極の上面と前記第１電極の側面との間の角と上下方向において並ぶゲート電極と、
前記第２半導体領域の上および前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域、前記第３半導体領域、および前記第１電極と電気的に接続された第２電極と、
を備えた半導体装置。
【請求項７】
前記第２絶縁部は、
第１絶縁部分と、
前記ゲート電極と前記第１絶縁部分との間に設けられ、前記第１絶縁部分よりも誘電率が高い第２絶縁部分と、
を有する請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２絶縁部は、
第１絶縁部分と、
前記ゲート電極と前記第１絶縁部分との間に設けられ、前記第１絶縁部分よりもボロンを多く含む第２絶縁部分と、
を有する請求項６記載の半導体装置。
【請求項９】
上面に第１トレンチが形成された第１半導体層と、
前記第１トレンチの内壁に沿って設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上において前記第１トレンチ内の下部に設けられた第１電極と、
前記第１電極の上面に設けられた第２絶縁層と、
を有する半導体基板に対して、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層の表面に沿って、前記第１絶縁層よりもエッチングレートが低い第３絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層の上に前記第３絶縁層よりもエッチングレートが高い第４絶縁層を形成して前記第１トレンチを埋め込み、
前記第１絶縁層の一部、前記第３絶縁層の一部、および前記第４絶縁層の少なくとも一部を除去し、記第２絶縁層の上に位置する前記第３絶縁層の他の一部の上面に、上方に向けて突出した第１突出部および第２突出部を形成し、
前記第２絶縁層および前記第３絶縁層の前記他の一部の上にゲート電極を形成する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月6日(2018.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極の上に設けられ、前記第１電極と電気的に接続された第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に設けられ、前記第１半導体領域よりも第１導電形のキャリア濃度が低い第１導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に設けられた第２導電形の第３半導体領域と、
前記第３半導体領域の上に設けられた第１導電形の第４半導体領域と、
前記第４半導体領域の上に設けられ、前記第４半導体領域と電気的に接続された第２電極と、
前記第２半導体領域の上に設けられ、第１方向において前記第３半導体領域と離間した第２導電形の第５半導体領域と、
前記第５半導体領域の上に設けられ、前記第２電極と離間し、前記第５半導体領域と電気的に接続された第３電極と、
前記２半導体領域の上に設けられ、前記第１方向において第１ゲート絶縁層を介して前記第３半導体領域と対面し、前記第３半導体領域と前記第５半導体領域との間に位置する第１ゲート電極と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記第５半導体領域と前記第１ゲート電極との間に設けられ、第２ゲート絶縁層を介して前記第５半導体領域と対面する第２ゲート電極をさらに備えた請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２半導体領域と前記第３半導体領域との間に設けられ、前記第２半導体領域よりも第１導電形のキャリア濃度が高い第１導電形の第６半導体領域と、
前記第２半導体領域と前記第５半導体領域との間に設けられ、前記第２半導体領域よりも第１導電形のキャリア濃度が高い第１導電形の第７半導体領域と、
を備えた請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に選択的に設けられた第１導電形の第３半導体領域と、
前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域および前記第３半導体領域と電気的に接続された第１電極と、
前記第１半導体領域の上に設けられ、第１方向において前記第２半導体領域と離間した第２導電形の第４半導体領域と、
前記第４半導体領域の上に選択的に設けられた第１導電形の第５半導体領域と、
前記第５半導体領域の上に設けられ、前記第１電極と離間し、前記第４半導体領域および前記第５半導体領域と電気的に接続された第２電極と、
前記第１半導体領域の上に設けられ、前記第１方向において第１ゲート絶縁層を介して前記第２半導体領域と対面する第１ゲート電極と、
前記第４半導体領域と前記第１ゲート電極との間に設けられ、第２ゲート絶縁層を介して前記第４半導体領域と対面する第２ゲート電極と、
前記第１半導体領域の下に設けられた第２導電形の第６半導体領域と、
前記第６半導体領域の下に選択的に設けられた第１導電形の第７半導体領域と、
前記第７半導体領域の下に設けられ、前記第６半導体領域および前記第７半導体領域と電気的に接続された第３電極と、
前記第１半導体領域の下に設けられ、前記第１方向において第３ゲート絶縁層を介して前記第６半導体領域と対面する第３ゲート電極と、
を備えた半導体装置。
【請求項５】
前記第１半導体領域の下に設けられ、前記第１方向において前記第６半導体領域と離間した第２導電形の第８半導体領域と、
前記第８半導体領域の下に選択的に設けられた第１導電形の第９半導体領域と、
前記第９半導体領域の下に設けられ、前記第３電極と離間し、前記第８半導体領域および前記第９半導体領域と電気的に接続された第４電極と、
前記第８半導体領域と前記第３ゲート電極との間に設けられ、第４ゲート絶縁層を介して前記第８半導体領域と対面する第４ゲート電極と、
をさらに備えた請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２半導体領域の上に設けられ、前記第１方向において、前記第３半導体領域と前記第５半導体領域との間に位置し、前記第１ゲート絶縁層および前記第２ゲート絶縁層を含む第１絶縁部と、
前記第２半導体領域の上に設けられ、前記第１方向において、前記第１絶縁部との間に前記第３半導体領域が位置する第２絶縁部と、
前記第２半導体領域の上に設けられ、前記第１方向において、前記第１絶縁部との間に前記第５半導体領域が位置する第３絶縁部と、
をさらに備え、
前記第１絶縁部の少なくとも一部と前記第２絶縁部の少なくとも一部との間の前記第１方向における距離は、１．０μｍ以下であり、
前記第１絶縁部の少なくとも一部と前記第３絶縁部の少なくとも一部との間の前記第１方向における距離は、１．０μｍ以下である請求項４または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１絶縁部の前記第１方向における長さは、前記第１絶縁部の少なくとも一部と前記第２絶縁部の少なくとも一部との間の前記距離の２倍以上であり、前記第１絶縁部の少なくとも一部と前記第３絶縁部の少なくとも一部との間の前記距離の２倍以上である請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第１半導体領域中および前記第２半導体領域中に第１ゲート絶縁層を介して設けられた複数の第１ゲート電極と、
前記第２半導体領域の上に設けられ、それぞれが、前記複数の第１ゲート電極のそれぞれと前記第１ゲート絶縁層を介して対面する第１導電形の複数の第３半導体領域と、
前記第２半導体領域および前記複数の第３半導体領域の一部の上に設けられ、前記複数の第３半導体領域の一部と電気的に接続された第１電極と、
前記第２半導体領域および前記複数の第３半導体領域の他の一部の上に設けられ、前記第１電極と離間し、前記複数の第３半導体領域の他の一部と電気的に接続された第２電極と、
前記第２半導体領域および前記複数の第３半導体領域のさらに他の一部の上に設けられ、前記第１電極および前記第２電極と離間し、前記複数の第３半導体領域のさらに他の一部と電気的に接続された第３電極と、
前記第１半導体領域の下に設けられ、前記第１半導体領域よりも第１導電形のキャリア濃度が高い第１導電形の第４半導体領域と、
前記第１半導体領域中および前記第４半導体領域中に第２ゲート絶縁層を介して設けられ、前記第１電極の下に位置する第２ゲート電極と、
前記第４半導体領域の下に設けられ、前記第２ゲート絶縁層を介して前記第２ゲート電極と対面する第２導電形の第５半導体領域と、  
前記第１半導体領域中および前記第４半導体領域中に第１絶縁層を介して設けられ、前記第２電極の下に位置する第４電極と、
前記第４半導体領域の下に設けられ、前記第１絶縁層を介して前記第４電極と対面する第２導電形の第６半導体領域と、
前記第１半導体領域中および前記第４半導体領域中に第２絶縁層を介して設けられ、前記第３電極の下に位置する第５電極と、
前記第４半導体領域、前記第５半導体領域、および前記第６半導体領域の下に設けられ、前記第４半導体領域、前記第５半導体領域、および前記第６半導体領域と電気的に接続された第６電極と、
を備えた半導体装置。
【請求項９】
前記第４電極および前記第５電極は、前記第６電極と電気的に接続された請求項８記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月10日(2018.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素を含有する膜が成膜された試料を処理室内にてプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
ホウ素元素を含有するガスを用いて前記処理室内をプラズマクリーニングする第一の工程と、
前記第一の工程後、塩素ガスを用いて前記処理室をプラズマクリーニングする第二の工程と、
前記第二の工程後、フッ素元素を含有するガスを用いて前記処理室内をプラズマクリーニングする第三の工程と、
前記第三の工程後、シリコン元素を含有するガスを用いたプラズマにより堆積膜を前記処理室内に堆積させる第四の工程と、
前記第四の工程後、前記試料をプラズマエッチングする第五の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
金属元素を含有する膜が成膜された試料を処理室内にてプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
ホウ素元素を含有するガスを用いて前記処理室内をプラズマクリーニングする第一の工程と、
前記第一の工程後、塩素ガスのみを用いて前記処理室をプラズマクリーニングする第二の工程と、
前記第二の工程後、フッ素元素を含有するガスを用いて前記処理室内をプラズマクリーニングする第三の工程と、
前記第三の工程後、シリコン元素を含有するガスを用いたプラズマにより堆積膜を前記処理室内に堆積させる第四の工程と、
前記第四の工程後、前記試料をプラズマエッチングする第五の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記ホウ素元素を含有するガスは、三塩化ホウ素ガスであり、
前記フッ素元素を含有するガスは、三フッ化窒素ガスであって、
前記シリコン元素を含有するガスは、四塩化シリコンガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理方法において、
所定枚数の前記試料を全てプラズマエッチングするまで、前記第一の工程ないし前記第五の工程を順次、繰り返すことを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、金属元素を含有する膜が成膜された試料を処理室内にてプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、ホウ素元素を含有するガスを用いて前記処理室内をプラズマクリーニングする第一の工程と、前記第一の工程後、塩素ガスを用いて前記処理室をプラズマクリーニングする第二の工程と、前記第二の工程後、フッ素元素を含有するガスを用いて前記処理室内をプラズマクリーニングする第三の工程と、前記第三の工程後、シリコン元素を含有するガスを用いたプラズマにより堆積膜を前記処理室内に堆積させる第四の工程と、前記第四の工程後、前記試料をプラズマエッチングする第五の工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月31日(2018.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イミド系高分子溶液であって、その溶媒がイミド系高分子に対し良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒であり、貧溶媒は、前記イミド系高分子溶液を用いて得られる塗膜の乾燥工程において、塗膜中に残存し、イミド系高分子を多孔質化する作用を有するものであることを特徴とする電極活物質層表面へのイオン透過性多孔質層形成用イミド系高分子溶液。
【請求項２】
電極活物質層の表面に、請求項１に記載のイミド系高分子溶液を塗布して塗膜を形成し、しかる後、前記塗膜中の溶媒を除去する際、塗膜中に残存する貧溶媒の作用を利用して塗膜内で相分離を起こさせてイミド系高分子からなるイオン透過性多孔質層を形成せしめるとともに、前記電極活物質層と前記イオン透過性多孔質層とを積層一体化することを特徴とするリチウム二次電池用電極の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の製造方法により得られるリチウム二次電池用電極であって、イオン透過性多孔質層の気孔率が３０〜９０体積％であるリチウム二次電池用電極。
【請求項４】
電極活物質層と、イミド系高分子からなるイオン透過性多孔質層と、が積層一体化されたリチウム二次電池用電極であって、イオン透過性多孔質層のイオン透過性が１５０秒以下であり、かつ電極活物質層とイオン透過性多孔質層との接着強度が、電極活物質層の強度よりも高いことを特徴とするリチウム二次電池用電極。
＜イオン透過性の評価方法＞
多孔質層表面にエチレンカーボネート、エチルメチルカーボネートおよびジメチルカーボネートの混合溶媒（体積比１：１：１）であって３０℃に設定されたもの５μＬを滴下し、これが完全に浸透することを目視で観測してその浸透時間を測定し、この浸透時間をイオン透過性として評価する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
２）電極活物質層の表面に、１）のイミド系高分子溶液を塗布して塗膜を形成し、しかる後、前記塗膜中の溶媒を除去する際、塗膜中に残存する貧溶媒の作用を利用して塗膜内で相分離を起こさせてイミド系高分子からなるイオン透過性多孔質層を形成せしめるとともに、前記電極活物質層と前記イオン透過性多孔質層とを積層一体化することを特徴とするリチウム二次電池用電極の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
３）上記２）の製造方法により得られるリチウム二次電池用電極であって、イオン透過性多孔質層の気孔率が３０〜９０体積％であるリチウム二次電池用電極。
４）電極活物質層と、イミド系高分子からなるイオン透過性多孔質層と、が積層一体化されたリチウム二次電池用電極であって、イオン透過性多孔質層のイオン透過性が１５０秒以下であり、かつ電極活物質層とイオン透過性多孔質層との接着強度が、電極活物質層の強度よりも高いことを特徴とするリチウム二次電池用電極。
＜イオン透過性の評価方法＞
多孔質層表面にエチレンカーボネート、エチルメチルカーボネートおよびジメチルカーボネートの混合溶媒（体積比１：１：１）であって３０℃に設定されたもの５μＬを滴下し、これが完全に浸透することを目視で観測してその浸透時間を測定し、この浸透時間をイオン透過性として評価する。