【事件の表示】
　特願２０００−　　３５１２「電界効果トランジスタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月１９日出願公開、特開２００１−１９６５８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年１月１２日の出願であって、平成１５年４月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「半導体基板上に０．４μｍ以下のゲート長を持つゲート電極を形成した後、このゲート電極の両側の基板表面にソース領域およびドレイン領域を形成する電界効果トランジスタの製造方法において、
　上記ゲート電極のゲート長を測定し、形成される電界効果トランジスタの短チャネル効果に関する特性が所定のレベルになるように、上記ソース領域およびドレイン領域を形成するためのイオン注入のドーズ量を上記ゲート長の測定値に応じて可変して設定することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。」
　
３．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−８２８８号公報（以下、「引用例」という。）には、図１とともに、次のとおり記載されている。
「【請求項１】　半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板表面にソース・ドレイン領域を形成するための不純物をイオン注入した後、熱処理により前記不純物を拡散して前記ソース・ドレイン領域となる不純物拡散層を形成する半導体装置の製造方法であって、
　前記ゲート電極を形成した後、ゲート長を測定し、この測定値が目標値より大きいときには前記不純物のイオン注入量を多くし、前記測定値が前記目標値より小さいときには前記不純物のイオン注入量を少なくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
「【０００２】
【従来の技術】近年、サブミクロンからハーフミクロン、さらにクォーターミクロンへと微細化が進む半導体装置において、そのトランジスタ特性はゲート電極の寸法の影響を大変強く受け、今やいかに安定して、目標通りのゲート電極寸法を得るプロセス条件を確立することができるかが、安定したトランジスタ特性を実現する上で、最も重要なものとなってきている。
【０００３】以下に従来のＭＯＳトランジスタを搭載した半導体装置の製造方法について説明する。・・・」（０００２段落〜０００３段落）
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来の製造方法では、特に、ゲート電極３の寸法に対応して敏感に変化するトランジスタ特性を有する半導体装置においては、工程内でのゲート電極の加工寸法のばらつき（目標寸法からのずれ）によって実効的なゲート長もばらつき、満足なトランジスタ特性を得ることができないという問題があった。
【０００６】この発明は、上記従来の課題を解決するもので、ゲート電極の加工寸法に左右されずに、実効的なゲート長を常に一定に保ち、所望のトランジスタ特性を得ることのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」（０００５段落〜０００６段落）
「【０００９】
【作用】この発明の製造方法によれば、ゲート長の測定値が目標値より大きいときにはソース・ドレイン領域を形成するための不純物のイオン注入量を多くし、測定値が目標値より小さいときには不純物のイオン注入量を少なくすることにより、または、ゲート長の測定値が目標値より大きいときにはソース・ドレイン領域となる不純物拡散層を形成するための熱処理条件を不純物の拡散が大きくなるようにし、測定値が目標値より小さいときには熱処理条件を不純物の拡散が小さくなるようにすることにより、ゲート電極の加工寸法に左右されずに、実効的なゲート長を常に一定に保ち、所望のトランジスタ特性を得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下この発明の一実施例について、図面を参照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例の半導体装置の製造方法の工程順断面図である。ここでは主に、従来の製造方法と異なる点について説明する。図１の（ａ）に示すように、通常のリソグラフィ技術とエッチング技術により、ゲート酸化膜３とゲート電極４を形成した後、ゲート電極４の寸法（ゲート長）を走査型電子顕微鏡を用いて測定する。特に、ランダムパターンを搭載しているマイコン・ロジックＬＳＩについては、マイクロローディング効果の影響により、一般にゲート電極の面積が異なると、リソグラフィ工程でのゲート電極の寸法とエッチング工程での寸法との差（寸法変換差、ＣＤロス）も異なることが多く、目標とする寸法（目標値）からずれを生じていることがある。この実施例では、測定したゲート電極４の寸法（ゲート長）と目標値とのずれ量に見合った分だけ、ソース・ドレイン領域を形成するための注入すべき不純物５の量を調整し、半導体基板内１にドーピングする。すなわち、測定したゲート電極４の寸法が目標値より小さかった場合は、図１の（ｂ）の不純物注入工程において、不純物５の量を減らし、図１の（ｃ）のアニールによって形成される不純物拡散層６のゲート電極４下への入り込みを抑制する。また、ゲート電極４の寸法が目標値より大きかった場合は、図１の（ｂ）の不純物注入工程において、不純物５の量を増やし、図１の（ｃ）アニールによって形成される不純物拡散層６のゲート電極４下への入り込みを助長させるのである。
【００１１】以上のようにこの実施例によれば、ゲート電極４の加工寸法に応じて不純物５の注入量を調整することにより、アニールによる不純物拡散層６のゲート電極４下への入り込みを制御して、実効的なゲート長をゲート電極４の加工寸法に左右されずに常に一定に保ち、所望のトランジスタ特性を得ることができる。・・・」（０００９段落〜００１１段落）
　
　これらの記載事項によれば、引用例には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板表面にソース・ドレイン領域を形成するための不純物をイオン注入した後、熱処理により前記不純物を拡散して前記ソース・ドレイン領域となる不純物拡散層を形成するＭＯＳトランジスタの製造方法であって、
　前記ゲート電極のゲート長を測定し、実効的なゲート長を常に一定に保ち、所望のトランジスタ特性を得られるように、測定したゲート電極のゲート長と目標値とのずれ量に見合った分だけ、ソース・ドレイン領域を形成するためにイオン注入すべき不純物の量を増減し、半導体基板内にドーピングすることを特徴とするＭＯＳトランジスタの製造方法。」
　
４．対比・検討
　引用発明の「ＭＯＳトランジスタ」は、本願発明の「電界効果トランジスタ」に相当する。
　また、引用発明の「半導体基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板表面にソース・ドレイン領域を形成するための不純物をイオン注入した後、熱処理により前記不純物を拡散して前記ソース・ドレイン領域となる不純物拡散層を形成する」ことは、本願発明の「半導体基板上に」「ゲート電極を形成した後、このゲート電極の両側の基板表面にソース領域およびドレイン領域を形成する」ことに相当する。
　さらに、引用発明の「ゲート電極のゲート長を測定し、」「測定したゲート電極のゲート長と目標値とのずれ量に見合った分だけ、ソース・ドレイン領域を形成するためにイオン注入すべき不純物の量を増減し、半導体基板内にドーピングすること」は、「ゲート長の測定値が目標値より大きいときにはソース・ドレイン領域を形成するための不純物のイオン注入量を多くし、測定値が目標値より小さいときには不純物のイオン注入量を少なくすること」（引用例の０００９段落を参照。）、すなわち、「ゲート長の測定値」に応じて「ソース・ドレイン領域を形成するためにイオン注入すべき不純物の量」を変えるようにすることであるから、本願発明の「上記ゲート電極のゲート長を測定し、」「上記ソース領域およびドレイン領域を形成するためのイオン注入のドーズ量を上記ゲート長の測定値に応じて可変して設定すること」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「半導体基板上にゲート電極を形成した後、このゲート電極の両側の基板表面にソース領域およびドレイン領域を形成する電界効果トランジスタの製造方法において、
　上記ゲート電極のゲート長を測定し、上記ソース領域およびドレイン領域を形成するためのイオン注入のドーズ量を上記ゲート長の測定値に応じて可変して設定することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明においては、「形成される電界効果トランジスタの短チャネル効果に関する特性が所定のレベルになるように」するのに対して、引用発明においては、「実効的なゲート長を常に一定に保ち、所望のトランジスタ特性を得られるように」する点。
　
（相違点２）
　本願発明においては「０．４μｍ以下のゲート長を持つゲート電極」であるのに対して、引用発明においては「ゲート電極」のゲート長が規定されていない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　引用発明が課題を解決しようとしている対象のＭＯＳトランジスタは、「サブミクロンからハーフミクロン、さらにクォーターミクロンへと微細化が進む半導体装置」（引用例の０００２段落を参照。）であって、「ゲート電極３の寸法に対応して敏感に変化するトランジスタ特性を有する半導体装置」（同０００５段落を参照。）である。
　ここで、半導体用語大辞典編集委員会編、半導体用語大辞典、第１版１刷、１９９９年３月２０日、株式会社日刊工業新聞社、ｐ．６６７に、「短チャネル効果・・・チャネル長の減少に伴いソース−ドレイン間の距離が狭まり，チャネル部分の電界，電位分布にソース−ドレインのおよぼす影響が大きくなることにより引き起こされるＭＯＳ　ＦＥＴの特性変動．一般にチャネル長が短くなるにつれ，・・・急激にしきい値電圧が浅くなることで代表される。
　半導体プロセス技術の発展に伴いＭＯＳ　ＦＥＴのゲート長の微細化が進んでいるが，プロセス技術の各世代において，最小設計寸法のチャネル長のＭＯＳ　ＦＥＴの製造マージンを表す尺度の一つとして，短チャネル効果の大小がしばしば用いられる．」と記載されているように、引用発明の、「微細化が進む」につれて問題となる「ゲート電極の寸法に対応して敏感に変化するトランジスタ特性」であって、「実効的なゲート長を常に一定に保」つことによって得られる「所望のトランジスタ特性」が、本願発明の「電界効果トランジスタの短チャネル効果に関する特性」と同等のものであることは、当業者にとって明らかであるから、相違点１は単なる表現上の相違にすぎない。
　
（相違点２について）
　引用例には、前記（相違点１について）の部分にも示したように、引用発明が、「ハーフミクロン」（０．５μｍ）から「クォーターミクロン」（０．２５μｍ）へと微細化が進む半導体装置に適用されることが示唆されているから、引用発明における「ゲート電極」のゲート長を０．４μｍ以下に限定することは、当業者が適宜設定し得たものである。
　なお、本願発明は、ゲート電極を「０．４μｍ以下のゲート長を持つゲート電極」と限定したことにより、「ソースドレイン注入のドーズ量を変化させることによって、他のトランジスタ特性に悪影響を及ぼすことなく短チャネル効果に関するトランジスタ特性を制御できる」（本願明細書の０００８段落を参照。）という効果を奏するものとされている。
　しかし、電界効果トランジスタにおいて、ソース・ドレイン領域形成のためのイオン注入のドーズ量に、種々のトランジスタ特性との関係で許容範囲が存在することは当業者にとって技術常識であり、引用発明においても、ソース・ドレイン領域形成のために注入する不純物の量の変化が、短チャネル効果に関するトランジスタ特性以外の他の種々のトランジスタ特性に及ぼす影響は、当業者が当然考慮すべき事項であるから、ゲート電極のゲート長に起因するトランジスタ特性のずれを、ソース・ドレイン領域形成のために注入する不純物の量を調整して補償するという、引用発明の技術思想の範囲内において、その不純物の量（ドーズ量）が許容範囲に収まるような条件を実験的に見いだすことは、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎない。
　
　よって、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２及び３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおりに審決する。