【事件の表示】
　平成　９年特許願第　１４９３６号「エピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　８月１１日出願公開、特開平１０−２１４９９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年１月２９日に出願された特許出願であって、原審において、平成１４年１１月２５日付で拒絶理由が通知され、平成１５年１月３１日に手続補正がなされたところ、同年３月１７日付で拒絶査定がなされ、これに対し同年４月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　酸素濃度が１×１０１６ｃｍ−３以下のアンドープ化合物半導体多結晶を使用し、液相エピタキシャル法によってｐ型化合物半導体基板の上に、ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド層とを順次液相エピタキシャル成長させ、且つ、上記ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ型化合物半導体活性層との界面の酸素濃度および上記ｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド層との界面の酸素濃度を、それぞれ１×１０１７ｃｍ−３以下に形成することを特徴とするエピタキシャルウエハの製造方法。」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−１８０５２号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　　
「【特許請求の範囲】　【請求項１】
　ｐ型ＧａＡｌＡｓ厚膜クラッド層と、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型もしくはアンドープＧａＡｌＡｓ活性層と、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層とが、ｐ型ＧａＡｓ基板上に液相エピタキシャル法により順次形成されたダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハ・・・」、
　　
３．対比
　そこで、本願発明と、引用例１に記載された事項とを、以下に対比する。
　（１）引用例１の「ｐ型ＧａＡｓ基板」、「ｐ型ＧａＡｌＡｓ厚膜クラッド層」、「ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層」、「ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層」、「液相エピタキシャル法」、「エピタキシャルウェハ」は、各々本願発明の「ｐ型化合物半導体基板」、「ｐ型化合物半導体クラッド層」、「ｐ型化合物半導体活性層」、「ｎ型化合物半導体クラッド層」、「液相エピタキシャル法」、「エピタキシャルウエハ」に相当し、
　（２）引用例１のｐ型ＧａＡｌＡｓ厚膜クラッド層、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層の各層は、液相エピタキシャル法によりｐ型ＧａＡｓ基板上に順次形成され、エピタキシャルウェハをなすのであるから、本願発明の「 液相エピタキシャル法によってｐ型化合物半導体基板の上に、ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド層とを順次液相エピタキシャル成長させ」るエピタキシャルウエハの製造方法に相当するから、
　両者は、
「液相エピタキシャル法によってｐ型化合物半導体基板の上に、ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド層とを順次液相エピタキシャル成長させるエピタキシャルウエハの製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本願発明では、「酸素濃度が１×１０１６ｃｍ−３以下のアンドープ化合物半導体多結晶を使用し」、「ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ型化合物半導体活性層との界面の酸素濃度およびｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド層との界面の酸素濃度を、それぞれ１×１０１７ｃｍ−３以下に形成する」のに対し、引用例１に記載された製造方法では、係る酸素濃度に関する数値限定がない点。
　
４．判断
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６１−８６５００号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　（ア）「Ｐ型ヒ化ガリウム基板上に、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層さらに該層上にＮ型ＧａＡｌＡｓ層を有するＧａＡｌＡｓ発光素子を液相エピタキシャル成長により製造する」（１頁左下欄５〜７行）
　（イ）「ＧａＡｌＡｓの液相エピタキシャル成長の場合、非常に酸化され易いアルミニウムを溶液に添加している為に、成長前に十分な空焼きにより溶液中の酸素及び成長用治具等に吸着した酸素を十分除去しなければならない。」（２頁右上欄１２〜１６行）
　（ウ）「第２図は第１発明の実施において用いた黒鉛製スライトボートを模式的に示したものである。下部スライダー１にＰ型ＧａＡｓ基板３が設置され、成長溶液４は金属ガリウム５０ｇ、ＧａＡｓ多結晶４ｇ、アルミニウム（Ａｌ）８０ｍｇ、亜鉛５０ｍｇ、テルル２ｍｇを配合した組成となっている。また上部スライダー８にはＡｌ（９）３００ｍｇが設置されている。」（２頁左下欄１２〜１８行）
　また、同様に引用された特開平３−１５０２８９号公報（以下、「引用例３」という。）には、以下の事項が記載されている。
　（エ）「本発明は、ＡｌＧａＡｓ混晶半導体結晶のエピタキシャル成長法に関するものである。」（１頁左下欄１４，１５行）
　（オ）「液相エピタキシャル成長法により得られる半導体結晶中の積層欠陥の発生原因としては、基板表面上に付着あるいはエピタキシャル成長用原料に混入した異物が考えられている。特にＡｌＧａＡｓ混晶半導体結晶を成長させる場合にはＡｌが酸化しやすく、しかもその酸化物であるＡｌ２Ｏ３が非常に安定であることからこのＡｌ２Ｏ３が積層欠陥の発生の核となっている。従ってＡｌＧａＡｓ混晶半導体結晶のエピタキシャル成長を行うときには、酸素（Ｏ２）の混入を防ぐことが重要なポイントである。」（２頁左上欄１０〜２０行）
　
　上記（ア）〜（オ）によれば、
　（１）ＧａＡｌＡｓ混晶半導体結晶の液相エピタキシャル成長を行うときには、酸素は除去すべき不純物であり、これが存在することにより結晶欠陥を招くことが従来から周知の技術事項である。
　（２）酸素を除去するには、基板上に付着しているもの、原料に混入しているもの、成長治具等器具に吸着しているものを十分除去する必要がある（引用例２）。
　（３）原料には、ＧａＡｓ多結晶があり、これは本願発明の「アンドープ化合物半導体多結晶」に相当する（引用例２）。
ことが、明らかである。
　
　そこで、上記相違点に係る本願発明の技術的事項が、上記引用例２，３に記載された事項から容易に想到し得ることであるか以下に検討する。
　　
　本願発明において、酸素濃度の数値を上記の如く限定した根拠は、ｐ型ＧａＡｓ基板上に液相エピタキシャル法によりｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を順次形成したダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハを用いて製造したＬＥＤにおいて、上記活性層とｐ型及びｎ型クラッド層との界面における酸素濃度が減少するにしたがって発光出力が上昇し、同濃度が１×１０１７ｃｍ−３以下になると発光出力が一定になること（段落【００２３】）、及び、界面の酸素濃度を１×１０１７ｃｍ−３以下にするためには、原料となるＧａＡｓ多結晶の含有酸素濃度が１×１０１６ｃｍ−３以下である必要があること（段落【００１７】、【００２４】）、にあるものと解されるところ、本願発明においては、材料をＧａＡｌＡｓに限定せず、広く化合物半導体全般に上記酸素濃度についての数値を適用しているが、係る酸素濃度の数値がＧａＡｌＡｓ以外の化合物半導体についてまで敷衍可能であり、ＧａＡｌＡｓにおけるのと同様な技術的意味を有するものであるとする合理的な根拠は、少なくとも明細書の記載から見出すことはできない。
　なお、本願明細書の段落【００２９】には、「上述の実施例では、化合物半導体として、ＧａＡｌＡｓを例に説明したが、他に、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ａＩｎＰなどを使用することもできる」なる記載があるが、データ等による技術的な裏付けを欠くものであり、上記の判断を覆す根拠たり得ない。
　そして上記引用例２及び３の記載事項（上記（１）〜（３））に照らせば、酸素は、除去すべき不純物であり、これが存在することにより結晶欠陥を招くことから、結晶性を向上させ、ＬＥＤの発光出力を高めるためには、酸素は可及的に少ないほうがよいことが周知の技術事項であること、そのための手段の一つとして、原料であるＧａＡｓ多結晶に含まれる酸素を除去すればよいことが直ちに導出できること、が明らかであるから、ＧａＡｌＡｓ以外の化合物半導体についてその技術的な意味が明らかでない上記酸素濃度の数値が、上記周知事項及び引用例２から導き出せる上記事項に比べて格別のこととはいえない。
　
　なお、請求人は、本願発明はクラッド層と活性層の界面に酸素濃度のピークがあり、その酸素濃度が発光出力に大きな影響を与えることを見出した点に特徴があり、引用例にはその点が何ら記載されていない旨主張するが、酸素の存在自体が結晶性に悪影響があり、発光出力に影響を及ぼすことが従来から知られており、また、本願発明における界面の酸素濃度を低減する手段も、従来からの酸素除去手段に等しいのであるから、両者における酸素除去の作用効果は、界面における酸素濃度が発光出力に及ぼす知見の有無に拘わらず等しいといわざるを得ず、それゆえ、請求人の上記主張は採用できない。
　
　なお、請求人は、平成１５年８月８日に提出した審判請求書【請求の理由】において、補正案を提示するとともに補正の機会を与えてほしい旨申し出ている。
　しかしながら、補正の機会は審判請求時に与えられているのであるから、その機会を利用しない責めは請求人が負うべきであり、改めて補正の機会を与えることは、法律の想定するところではない。
　また、このような申し出を受けることは、審判請求時に、原審における全ての拒絶理由を解消するように十分に検討して請求の理由ないしは補正書を提出する他の審判請求人に比べ、公平さを欠くことになる。
　よって、上記申し出のような、補正の機会を与えることはできない。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。