【事件の表示】
　平成　８年特許願第　７３７８２号「磁気抵抗効果素子及び磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　３月２８日出願公開、特開平　９−　８１９１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年３月２８日（優先権主張平成７年７月１２日）の出願であって、平成１５年６月６日付けで手続補正がなされ、その後平成１５年８月７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１５年１０月２日に審判請求がされるとともに、平成１５年１０月３１日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１５年１０月３１日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１０月３１日付け手続補正を却下する。
［理由］
　本件補正は、特許請求の範囲において新たな請求項を付加する補正を含む（請求項２及び３がこれに当たる）。かかる新たな請求項を付加することは、特許法第１７条の２第４項第１号から第４号までに掲げる事項のいずれをも目的とするものではなく、同条同項の規定に違反する。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１５年１０月３１日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１５年６月６日付け手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　軟磁性層と接してＰｄ、Ｍｎを主成分とする反強磁性層が形成されている磁気抵抗効果素子であって、
　前記反強磁性層は加熱処理により反強磁性が付与されてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平６−３１４６１７号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
　（ア）「【請求項２】　組成がＮ１００−ｚＭｎｚ（Ｎは　Ｐｄ，Ｐｔのうちから選ばれた少なくとも１種、２４≦ｚ＜３５または４０＜ｚ≦７５）で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性体膜と、前記反強磁性体膜と積層形成された強磁性体膜とを備えることを特徴とする交換結合膜。
　　【請求項９】　請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載の交換結合膜と、前記交換結合膜のうち少なくとも強磁性体膜に電流を通電するための電極とが基板上に形成されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」（公報特許請求の範囲の請求項抜粋）
　（イ）「【００１５】　一方、本発明の交換結合膜において、強磁性体膜とは強磁性を発現する膜であり、特に限定されないが、磁気抵抗効果素子に用いる場合、飽和磁界の小さいパーマロイ等の磁気抵抗効果膜や、巨大磁気抵抗効果を示すたとえばＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏの強磁性金属、これらの合金であるＦｅＮｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉならびにこれらの強磁性金属合金に磁気特性の向上を目的として第３元素や第４元素を添加した合金と非磁性金属、合金からなる人工格子膜やスピンバルブ膜、グラニュラー磁性合金膜等が挙げられる。また、このような強磁性体膜と反強磁性体膜は少なくとも一部が積層形成されて、交換結合していれば良い。」（公報段落１５）
　（ウ）「【００１８】　本発明の交換結合膜は、蒸着法、スパッタ法、ＭＢＥ法など公知の成膜方法を用いてたとえば基板上に形成される。このとき反強磁性体膜に一軸磁気異方性を付与するために、磁界中で成膜、熱処理を行ってもよい。（後略）」（公報段落１８）
　（エ）「【００２２】【実施例】次に本発明を実施例を用いて説明する。
　実施例１
　ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いて反強磁性体膜と強磁性体膜とからなる本発明の交換結合膜を作製した。膜の断面図を図１に示す。具体的にはガラス基板１上に、組成がＮｉ８０Ｆｅ２０（８０ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅ）で表される強磁性体膜２を３０ｎｍの厚さに、組成がＰｄ１００−ｚＭｎｚ（ｚ＝２０，２４，４１，５０，７５，８０）で表される反強磁性体膜３を３０ｎｍの厚さにそれぞれ磁界中で成膜した。このとき基板の加熱は特に行わなかった。得られた反強磁性体膜についてＸ線回折で結晶構造とその配向方位を調べたところ、結晶構造が正方晶で（１０１）配向していることが確認された。
　　【００２３】ここで、反強磁性体膜の組成がＰｄ５０Ｍｎ５０の場合における磁化容易軸方向ａ（成膜時の磁界方向）と磁化困難軸方向ｂの磁化曲線を図２に示す。このとき、磁化０における両者の磁界の大きさの差ｃが交換バイアス磁界（Ｈｕａ）となる。さらにＭｎ量ｚと交換バイアス磁界の関係を図３に示す。この図から２４≦ｚ≦７５の範囲で交換バイアス磁界が１６００（Ａ／ｍ）以上と従来のγ−ＦｅＭｎ反強磁性体膜と比較して遜色ない値が得られることがわかる。一方、ｚがこの範囲から外れると交換バイアス磁界の値は著しく低下することが確認された。なお、３５≦ｚ≦４０の範囲は優れた交換バイアス磁界を示したが、反強磁性体膜と強磁性体膜との膜剥離がみられた。」（公報段落２２〜２３）
　（オ）「【００３９】【発明の効果】　以上、詳述したように本発明の交換結合膜は、良好な交換結合力を有し、かつ耐食性、熱安定性にも優れ、さらにこのような交換結合膜を具備してなる本発明の磁気抵抗効果素子においては、安定した出力を長期間に亘って得ることができ、その工業的価値は大なるものがある。」（公報段落３９）
　
３．対比判断
　本願発明と引用例に記載された発明とを対比する。
　引用例には、上記２に摘示した記載事項、特に上記（ア）（ウ）によれば、
「組成がＮ１００−ｚＭｎｚ（Ｎは　Ｐｄ，Ｐｔのうちから選ばれた少なくとも１種、２４≦ｚ＜３５または４０＜ｚ≦７５）で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性体膜と、前記反強磁性体膜と積層形成された強磁性体膜とを備えることを特徴とする交換結合膜と、前記交換結合膜のうち少なくとも強磁性体膜に電流を通電するための電極とが基板上に形成された磁気抵抗効果素子であって、上記交換結合膜が熱処理されたもの。」の発明が記載されている。
　引用例に記載された発明の「強磁性体膜」は、上記２（イ）（エ）によれば、Ｎｉ８０Ｆｅ２０などの磁気抵抗効果膜が例示されており、これらは軟磁性を示すものであるから、本願発明の「軟磁性層」に相当している。
　引用例に記載された発明の「組成がＮ１００−ｚＭｎｚ（Ｎは　Ｐｄ，Ｐｔのうちから選ばれた少なくとも１種、２４≦ｚ＜３５または４０＜ｚ≦７５）で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性体膜」は、本願発明の「Ｐｄ、Ｍｎを主成分とする反強磁性層」に相当しており、強磁性体膜と交換結合するものであるので、本願発明の「軟磁性層に接して」形成されている構成を備えている。
　よって、引用例に記載された発明の「磁気抵抗効果素子」は、「軟磁性層と接してＰｄ、Ｍｎを主成分とする反強磁性層が形成されている磁気抵抗効果素子」に相当する構成を備えている。
　また、引用例に記載された発明は、交換結合膜が熱処理された磁気抵抗効果素子であり、この熱処理された反強磁性体膜は反強磁性特性を示すものであるから、本願発明の「反強磁性層は加熱処理により反強磁性が付与されてなること」に対応している。ここで本願発明では、「加熱処理により反強磁性が付与されてなる」と特定しているので検討するに、本願明細書によれば、所定の温度の加熱処理によりバイアス磁界量が改善される場合があることが窺われるものの、ＰｄとＭｎを主成分とする層は加熱処理せずとも反強磁性を備えており、加熱処理により反強磁性が初めて発現するものでないので、加熱処理の前後で反強磁性を備えていることは、引用例のものと同様である。してみれば、本願発明は、引用例に記載された発明と、その反強磁性層が加熱処理されたものであり反強磁性が付与されているものである点で共通するものであって、実質的に同じであるというべきである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は引用例に記載された発明と実質的に同一であるので、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。