【事件の表示】
　平成６年特許願第２１９６８８号「ドライエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成８年３月２６日出願公開、特開平８−８３７８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成６年９月１４日の出願であって、その請求項１〜４に係る発明は、平成１５年４月３０日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、次のとおりのものである。
　「反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりプラズマを発生させてチタン（Ｔｉ）をドライエッチングするに当たり、エッチングマスクとして有機高分子レジストを用いると共に、反応ガスとして、塩素ガス若しくは塩素と窒素との混合ガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。」
　
２．引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平６−１６３５３８号公報（以下「引用刊行物」という）には、以下の事項が記載されている。
（２ａ）「【請求項１】  エッチングガスとして塩素系ガス及び窒素系ガスを用い、レジストをマスクとしてアルミニウム合金膜をプラズマエッチングする方法において、前記レジスト上に酸化膜を堆積し、該酸化膜及び前記レジストをマスクとしてエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】　エッチングガスとして塩素系ガス及び窒素系ガスを用い、レジストをマスクとしてアルミニウム合金膜をプラズマエッチングする方法において、前記レジスト上に酸化膜を堆積し、該酸化膜及び前記レジストをマスクに用い、エッチングにてアルミニウム合金膜に削成される側壁に前記エッチングガス，前記レジスト及び前記酸化膜の反応物である保護膜を形成させつつ前記アルミニウム合金膜をエッチングし、・・・を特徴とするプラズマエッチング方法。」              
（２ｂ）従来技術として、「【０００２】【従来の技術】　図７はマイクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴（以下ＥＣＲという）を利用するプラズマエッチング装置の構成を示す模式的断面図であり、図中２１はエッチングを行うためのプラズマを生成するプラズマ生成室である。・・・
【０００４】　このような装置にてエッチングを行うには、所要の真空度に設定したプラズマ生成室２１，試料室２３内にＣｌ2 ＋ＢＣｌ3 混合ガスを供給し、励磁コイル３５にて磁界を形成しつつプラズマ生成室２１にマイクロ波を導入して、プラズマ生成室２１を空洞共振器として供給したＣｌ2 ＋ＢＣｌ3 混合ガスをＥＣＲ励起してプラズマを生成させ、該プラズマを励磁コイル３５にて形成され試料室２３側に向かうに従い磁束密度が低下する発散磁界によって試料室２３内の載置台２７上の試料Ｓ周辺に導き、Ａｌ合金膜上に所定パターンに成形したレジストをマスクとしてＡｌ合金膜をエッチングする。
【０００５】【発明が解決しようとする課題】　ところでこのような方法にてＡｌ合金膜のエッチングを行うと、このエッチングは化学反応が主体となり等方向性エッチングとなるため、異方性エッチングを行うためには、エッチングしたＡｌ合金膜の側壁に保護膜を形成させながらエッチングを行っている。しかし前述した方法において保護膜の形成は、プラズマによるレジストのスパッタリングに由来するものしか行われず、所要の異方性形状を得るのに十分でない。そこで保護膜を強化するために、デポジション性のＳｉＣｌ4 ，ＣＣｌ4 ，・・Ｎ2 ・・等のガスを添加している。
【０００６】　ところが通常反応性イオンエッチング装置にて使用されるＣｌ2 ＋ＢＣｌ3混合ガスに例えばＮ2ガスを添加すると、ＥＣＲプラズマエッチング装置ではＢＣｌ3とＮ2とが反応してＢＮ系の反応生成物が形成され、これが装置内に付着してパーティクルの問題を生じる。またデポジション性のガスの添加にて強化された保護膜は、アッシングまたは湿式処理等の保護膜の除去処理後も残存するため、この残存物に含まれる塩素と大気中の水分とによって腐食が発生する虞があった。そのため特開平３−１０４８８６号公報に記載されている如く、Ｃｌ2＋ＢＣｌ3混合ガスに代えて塩素系ガス及び窒素系ガスの混合ガスを用いてＡｌ合金膜をエッチングする方法が提案されている。
【０００７】　この方法によると試料周辺でのみ被エッチング物とエッチングガスが反応するするため、装置内の汚れが少なくてパーティクルの発生が抑制され、また形成された保護膜は容易に除去される。しかしレジストとＡｌ合金膜との選択比が小さいため、例えばＡｌ配線の段差部におけるレジスト膜が薄い部分では過剰にエッチングされてＡｌ配線を傷つける虞があり、またレジストの上面が均一にエッチングされずに凹凸が形成されるため、後工程である保護膜の除去処理の際に問題となる。本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは塩素系ガス及び窒素系ガスの混合ガスを用いても選択比が高くかつ後工程に影響を与えることなくＡｌ合金膜の異方性エッチングを行うプラズマエッチング方法を提供することにある。」
（２ｃ）「【０００９】【作用】　第１の発明のプラズマエッチング方法は、レジスト及び該レジスト上に形成した酸化膜をマスクとしてエッチングするため、エッチングガスとして塩素系ガス及び窒素系ガスを用いてもエッチングされた酸化膜の成分とエッチングされたレジストとエッチングガスの塩素及び窒素との反応物が保護膜としてアルミニウム合金膜のエッチングされた側壁に形成され、所要の異方性形状にエッチングできる。またこの保護膜はＳｉ，Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈといったアッシングによって容易に除去し得る成分で形成されており、アッシングに使用されるＯ2及びＣＦ4でエッチングされるものばかりであるため、後工程に影響を与えない。更に酸化膜とアルミニウム合金膜との選択比が高く、酸化膜がエッチングされてしまうまでレジストはエッチングされないため、対レジスト選択比も向上する。」
（２ｄ）実施例欄には、「【００１１】・・・図１は本発明に係る被エッチング試料の模式的断面図であり、（ａ）はＡｌ合金膜を、また（ｂ）はＡｌ合金膜及びその下に堆積したバリア層をエッチングする場合を示している。バリア層には、一般にＴｉＮ，ＴｉＷ及びＴｉ等の高融点金属とそのシリサイドが用いられている。・・・また（ｂ）では、Ｓｉ基板１上に絶縁膜であるＳｉＯ2膜２，バリア層としてＴｉＮ膜３及び前記Ａｌ合金膜４がこの順に堆積されている。ＴｉＮ膜３の膜厚は1,000 Åである。
【００１２】　そして両Ａｌ合金膜４の上にレジスト膜５を20,000Åの膜厚に堆積した後、ＳＯＧ膜６を膜厚が5,000Å以下となるように堆積する。・・・そして所定のパターン成形されたＳＯＧ膜６及びレジスト膜５をマスクとしてＣｌ2＋Ｎ2混合ガスによるプラズマにて、Ａｌ合金膜４またはＡｌ合金膜４及びＴｉＮ膜３の被エッチング膜をＳｉＯ2 膜２に達するまでエッチングする。
【００１３】　図２はエッチングを行った結果を示す模式的断面図であり、図中（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１中の（ａ），（ｂ）に対応する。図２から明らかな如くＳＯＧ膜６及び被エッチング膜がエッチングされるにつれて、レジスト膜５の上端から被エッチング膜の下端にわたってその側壁にＳＯＧ膜６中のＳｉ及びＯとプラズマ中のＣｌ，Ｎとエッチングされたレジストとが反応した保護膜１１が形成されている。・・・そして被エッチング膜の側壁はこの保護膜１１にてエッチングから保護されるため、エッチングはＳｉ基板１に垂直な方向へしか進まず所要の異方性形状が得られる。更に前記保護膜１１はエッチング処理後、アッシング処理により容易に除去できる。【００１４】　これに対し図３の如きレジスト膜５の上にＳＯＧ膜６を堆積させない従来の被エッチング試料において、・・・Ｃｌ2＋Ｎ2 混合ガスによるプラズマを用いてエッチングを行った結果を図４（ａ）及び（ｂ）に示す。図４から明らかな如く・・・また後者を用いた場合（ｂ）、Ａｌ合金膜４のエッチング形状は良好ではあるが、レジスト膜５とＡｌ合金膜４との選択比が小さいためレジスト膜５が大きくエッチングされており、かつレジスト膜５のエッチングされた跡には凹凸が形成されている。・・」が記載されている。
　　
３．当審の判断                 
　引用刊行物には、上記摘記事項（２ｂ）によれば、従来の技術としてマイクロ波を用いたＥＣＲを利用するプラズマエッチング装置（【０００２】欄）が、このエッチングは化学反応が主体であること（【０００５】欄）が記載されており、引用刊行物に記載された発明においても、ＥＣＲを利用する反応性プラズマエッチング装置を用いることも意図していることは明らかである。また、上記摘記事項（２ｃ）（２ｄ）によれば、エッチングにより酸化膜（ＳＯＧ膜）中のＳｉ及びＯとエッチングガスのＣｌ，Ｎとエッチングされたレジストとの反応物が保護膜として形成されること、及びプラズマエッチングにより形成されるこの保護膜はＳｉ，Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈといった成分で形成されること（【０００９】欄）が記載され、上記摘記事項（２ｄ）によれば、（ｂ）として被エッチング試料はＡｌ合金膜及びその下に堆積したバリア層が、またバリア層にはＴｉが例示されるものの具体的にはＴｉＮが記載されており（【００１１】欄）、Ａｌ合金膜の上にレジスト膜及びＳＯＧ膜を順に堆積し、ＳＯＧ膜及びレジスト膜をマスクとしてＣｌ2＋Ｎ2混合ガスによるプラズマにて被エッチング膜をエッチングすること（【００１２】欄）が記載されている。
　ここで、被エッチング試料はＡｌ合金膜及びその下に堆積したＴｉＮ膜という積層構造となり、レジスト膜は当然ＴｉＮ膜に対してもエッチングマスクとして機能している。
　よって、引用刊行物には「反応性エッチングガスとしてＣｌ2＋Ｎ2混合ガスを用い、レジストをマスクとしてアルミニウム合金膜、ＴｉＮ膜をプラズマエッチングする方法において、前記レジスト上に酸化膜を堆積し、該酸化膜及び前記レジストをマスクとしてエッチングするＥＣＲを利用した反応性プラズマエッチング方法」の発明（以下、「引用刊行物記載の発明」という）が記載されていることになる。
　ここで、ＥＣＲを利用したプラズマエッチングはプラズマのイオンを利用するドライエッチングに分類されるエッチング方法の１つであることは自明であって、反応性プラズマエッチングでは反応性イオンを利用するものであるから、引用刊行物記載の発明における「ＥＣＲを利用した反応性プラズマエッチング」は、本願発明における「反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりプラズマを発生させてドライエッチングする」ことに相当し、レジストが有機高分子材料から形成されていることは通常のことであるから、引用刊行物記載の発明における「レジスト」は、本願発明における「有機高分子レジスト」に相当している。
　そこで、本願発明と引用刊行物記載の発明とを対比すると、両者は「反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によりプラズマを発生させてドライエッチングするに当たり、エッチングマスクとして有機高分子レジストを用いると共に、反応ガスとして、塩素と窒素との混合ガスを用いるドライエッチング方法」で一致するものの、ドライエッチングする対象が本願発明ではチタン（Ｔｉ）であるのに対し、引用刊行物記載の発明では、アルミニウム合金膜、ＴｉＮ膜である点で相違している。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　引用刊行物には、上記摘記事項（２ｄ）によれば、具体的な実施例としての記載はないものの、実施例欄にはドライエッチングするバリア層としてＴｉが例示されている。そして、バリア層としては、Ｔｉ、ＴｉＮは共に周知のものであって、かつ引用刊行物の記載ではＡｌ合金膜と、バリア層とを同時にエッチングするものであって、かつバリア層としてのＴｉをＣｌ２ガスを用いた反応性イオンエッチングすることも良く知られたこと（必要ならば、特開平３−１８００４０号公報の１頁右下欄〔従来技術〕欄、特開平５−１４４７８３号公報の段落【００２６】〜【００２８】欄参照）であるから、引用刊行物記載の発明において、ドライエッチングする対象を引用刊行物に例示されたチタン（Ｔｉ）とすることは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　また、本願発明の効果は、引用刊行物の記載から予測し得る程度のものであって格別なものとは認められない。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。