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　平成１０年特許願第　３９８９３号「電界効果トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　９月２５日出願公開、特開平１０−２５６５５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯について　
　本願は、平成１０年２月２３日（パリ条約による優先権主張１９９７年３月１２日、米国）の出願であって、平成１３年７月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１０月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、平成１５年１１月２１日付けで当審において拒絶理由通知がなされたものである。
　
２．本願発明について
　本願の請求項に係る発明は、平成１３年７月２日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１０に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　「ソースとなる第１領域と、ドレインとなる第２領域を含み、いずれも基板に形成され、更にゲート酸化物とゲート電極を含む、電界効果トランジスタであって、
　前記ゲート電極は非対称であり、角度θ８に傾斜した側壁と角度θ９の垂直な側壁とを持ち、
　前記第２領域は前記傾斜した側壁下に延び、前記第２領域の、前記ゲート電極下に延びた部分は、前記第２領域の残りの部分よりも軽くドープされ、
　前記第２領域には、前記ゲート電極下で角度θ１０の傾斜した接合エッジがある、
　電界効果トランジスタ。」
　
３．引用例について　
　これに対して、当審において拒絶の理由に引用した、本願の優先権主張日前の昭和６２年９月２８日に頒布された刊行物である特開昭６２−２１９９６５号公報（以下、「引用例１」という。）には、第１図とともに次のとおり記載されている。
　
・「半導体基板表面の互いに隔離された領域に反対導電型の不純物を導入し、それ以前或いは以後に前記不純物導入領域の間の基板表面上に絶縁皮膜を介してゲート電極を設ける絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造において、ゲート電極のドレイン側終端部を傾斜面に整形し、半導体基板と同導電型の不純物をイオン注入する工程を包含することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法」（特許請求の範囲請求項１）
・「・・・空乏層の拡がりを抑えるのに有効な部分だけを高濃度化することが出来れば、不純物散乱の悪影響なしにパンチスルー耐圧を高めることが出来て好都合である。」（第２頁左上欄第１０行〜第１３行）
・「第１図は本発明の工程中の要部を示す模式断面図である。
　図に於いて１はｐ型Ｓｉ基板、２はゲート絶縁膜であり、ポリＳｉゲート３はその一方の端部がチャネル長方向に傾斜している。このような断面形状のポリＳｉ層をマスクとしてボロンをイオン注入すると、ポリＳｉが傾斜している側では基板内でも注入されたイオンが同じ傾きをもって分布することになる。
　例えば、ポリＳｉゲートの一定部分の厚さを４００Å、ボロンイオンの加速電圧を１００ＫｅＶ・・・とすると、ポリＳｉの厚さがおよそ２００Å以下の部分ではこれを透過したボロンイオンが基板に注入され、それ以上の厚みの部分では基板にまで到達しないので、これを熱処理して活性化すると、ｐ＋領域４は図示の如くチャネル長方向に深さが変化する形状となる。該ｐ＋領域のマスクされない部分の深さは０．４μｍ程度である。
　これに対しゲート電極の端部が垂直な側では、ゲート電極の縁に一致した領域４’にボロンがイオン注入される。
　次にボロンよりも浅く入る条件で砒素を多量にイオン注入する。ゲート電極が傾斜した側ではボロンと同じ断面形状で、それよりも浅い領域５がｎ型に変換されるので、これをドレイン領域とする。垂直端側では領域５’がｎ型に変換され、これがソース領域となる。」（第２頁左下欄第１８行〜第３頁左上欄第７行）
・「ポリＳｉ層の一方を傾斜、他方を垂直に仕上げるための条件は、ポリＳｉの厚さ、レジストの幅と高さ、ＲＩＥの傾きと処理条件といった複数の要素を組み合わせて定めることになるので、形成しようとするＦＥＴの設計や処理装置に合わせて選択すればよい。」（第３頁右下欄第５行〜第１０行）
　
　これらの記載及び第１図より、引用例１には、
  「半導体基板表面の互いに隔離された、前記半導体基板と反対導電型の不純物を導入したソース領域及びドレイン領域と、前記半導体基板表面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備えた絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、
　前記ゲート電極はソース側端部で垂直であると共に、ドレイン側終端部に傾斜面を備え、前記ソース領域と前記ドレイン領域は、前記半導体基板と同導電型の不純物を導入した領域より浅く形成されると共に、
　前記ドレイン領域が前記ゲート電極の傾斜面の下にまで延びたことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。」
　が記載されている。
　
  また、同様に、当審において拒絶の理由に引用した、本願の優先権主張日前の昭和５３年１２月１２日に頒布された刊行物である特開昭５３−１４２８７９号公報（以下、「引用例２」という。）には、第３図及び第４図とともに、次のとおり記載されている。
　
・「（１）ゲートマスクパターンを形成した半導体基板平面に対し所定角度でイオン注入を行ない、ソースまたはドレイン拡散領域につながる拡散領域を前記半導体基板のゲート領域内に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）イオン注入により拡散層を形成するに際し、注入する不純物濃度をソースまたはドレイン拡散領域の濃度より低くすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１及び請求項２）
・「第３図ａ〜ｃは本発明の一実施例としてのポリシリコンゲートのＭＯＳＦＥＴの製造工程を示す断面であるが、まず、同図ａに示すようにシリコン基板２１上に、フィールド酸化膜２２およびゲート酸化膜２３を形成する。その後、同図ｂに示すようにポリシリコンゲート電極２４を形成し、さらにセルファライン方式により、ゲート酸化膜パターン２３’およびソース２５，ドレーン２６の拡散層を形成する。・・・さらに、イオン注入法を用いて打込角θでもってソース２５，ドレーン２６と同種の不純物イオンを高エネルギーγで全面に注入する。このときイオン注入のマスクとしては、フィールド酸化膜２２、ポリシリコンゲート電極２４およびゲート酸化膜パターン２３’からなるゲートマスクパターンを用いることになるのであるが、通常湿式エッチング法を用いると、これらは下広がりのテーパー（傾斜角θ２）を持つので、打込角θ１，ゲート酸化膜パターン２３’の厚み、ポリシリコンゲート電極２４の厚み、および、イオン注入エネルギーγを適当に選ぶことにより、ゲート酸化膜パターン２３’下のシリコン基板２１の任意の部分に、第２の不純物層２７を形成することができる。従って、写真蝕刻法にくらべて、第２の不純物層２７の幅だけゲート長Ｂを短くできる。」（第２頁左上欄第１９行〜同頁左下欄第４行）
・「本発明はまた、前記のポリシリコン電極やゲート酸化膜パターン、あるいはフィールド酸化膜の代りに、感光性樹脂膜パターンをマスクにして、斜方向よりイオン注入を行うことができる。
　なお本発明においては、例えばドレイン領域につながる拡散領域を形成した場合、この拡散領域の濃度はソース側に向う程低くなるため、ドレイン，ソース間の耐圧の低下が生じることはない。
　以上本発明は傾め方向からゲート部分にイオン注入を行ない、ゲート領域内に拡散層を形成しているので、制御性良くゲートを短くすることが可能で、高速動作のＭＯＳＦＥＴを製造出来、更にゲート領域内の拡散層はイオン注入法により形成されるので、不純物濃度の制御が容易であり、ゲート領域内の拡散層の不純物濃度をソース，ドレイン拡散層の不純物濃度より低くすることにより高耐圧のショートチャンネルＭＯＳＦＥＴを製造出来る。この様に本発明は高速動作及び高耐圧のＭＯＳＦＥＴを提供するので工業的価値は非常に高い。」（第２頁右下欄第１６行〜第３頁左上欄第１４行）
　
４．対比・判断について
　ここで、本願発明と引用例１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）を対比すると、　
　引用発明において、「ソース領域」及び「ドレイン領域」が、基板に形成されていることは明らかであるから、引用発明の「ソース領域」、「ドレイン領域」、「ゲート絶縁膜」及び、「絶縁ゲート型電界効果トランジスタ」は、　
　それぞれ、本願発明の、「ソースとなる第１領域」、「ドレインとなる第２領域」、「ゲート酸化物」及び「電界効果トランジスタ」に相当する。
　　
　また、引用発明においても、ゲート電極はソース側端部で垂直であると共に、ドレイン側終端部に傾斜面を備えているので、引用発明のゲート電極は非対称であり、また、本願発明の「角度θ８に傾斜した側壁」及び「角度θ９の垂直な側壁」は、それぞれ、単に、傾いた側壁及び、垂直な側壁を意味するのみであって、「角度θ８」及び「角度θ９」に格別な意味があるとは認められないから、引用発明の「前記ゲート電極はソース側端部で垂直であると共に、ドレイン側終端部に傾斜面を備え」ることは、本願発明１の「前記ゲート電極は非対称であり、角度θ８に傾斜した側壁と角度θ９の垂直な側壁とを持」つことに相当する。
　
　さらに、引用発明の「前記ゲート電極の傾斜面」は、本願発明の、前記ゲート電極の「傾斜した側壁」に相当しているので、引用発明の「前記ドレイン領域が前記ゲート電極の傾斜面の下にまで延びたこと」は、本願発明の「前記第２領域は前記傾斜した側壁下に延び」ていることに相当する。
　
　したがって、両者は、
　「ソースとなる第１領域と、ドレインとなる第２領域を含み、いずれも基板に形成され、更にゲート酸化物とゲート電極を含む、電界効果トランジスタであって、
　前記ゲート電極は非対称であり、角度θ８に傾斜した側壁と角度θ９の垂直な側壁とを持ち、
　前記第２領域は前記傾斜した側壁下に延びた
　電界効果トランジスタ。」である点で一致し、
　以下の点で相違する。　　
   
　相違点１
　引用発明では、「前記ソース領域と前記ドレイン領域は、前記半導体基板と同導電型の不純物を導入した領域の内側に形成される」構成を備えているのに対して、本願発明では、上記構成を備えていない点。
　
　相違点２  
  本願発明では、「前記第２領域の、前記ゲート電極下に延びた部分は、前記第２領域の残りの部分よりも軽くドープされ」ているのに対して、引用発明では、ドレイン領域の一部の「前記ゲート電極の傾斜面の下に延びた」部分が、前記部分以外のドレイン領域より「軽くドープ」されているか否かは記載されていない点。
　
　相違点３  
　本願発明では、「前記第２領域には、前記ゲート電極下で角度θ１０の傾斜した接合エッジがある」のに対して、引用発明では、上記の点が明確には記載されていない点。
　　
　上記相違点について、以下で検討する。
　
　相違点１について　
　（１）ドレイン側に斜面を備えたゲート電極において、ゲート電極下のチャネルのドレイン側においてイオン注入による不純物濃度が比較的低い部分を形成することは従来周知であるとともに（必要とあらば、当審の拒絶の理由に引用した、引用例３．特開平５−１０２１８０号公報（特に、図１，図３及び第７〜１４段落及び、第１７〜２５段落参照）、引用例４．特開平６−１９６４９４号公報（特に、図１ないし５、第６段落、第９〜１１段落及び、第１３段落参照）及び、引用例５．特開平５−２１８０７８号公報（特に、図４及び、第１６段落参照）参照）、
　（２）ドレイン側に斜面を持つゲート電極を備えたＭＯＳＦＥＴにおいて、イオン注入によりドレイン領域を形成する場合、ゲート電極に覆われていない半導体基板の浅い領域にイオン注入時の不純物濃度のピークが来るようにイオン注入すれば、前記ゲート電極に覆われていない半導体基板でのドレイン領域の不純物濃度のピーク値と比較して、ゲート電極の斜面に覆われた半導体基板での不純物濃度は相対的に低いことは当業者に明らかであり、
　（３）引用例２には、「ゲート領域内の拡散層の不純物濃度をソース、ドレイン拡散層の不純物濃度より低くすることにより高耐圧のショートチャンネルＭＯＳＦＥＴを製造出来る。」ことが記載されており（第３頁左上欄第９〜１３行参照）、さらに、
　（４）引用例５には、短チャネル効果による特性劣化を防止するために、ソース・ドレイン領域を覆う、半導体基板と同導電型の領域を形成することが記載されるとともに、ホットキャリア注入による特性劣化を防止するために、高不純物濃度のソース・ドレイン領域と高不純物濃度のソース・ドレイン領域よりチャネル領域側でゲート電極の下に相対的に低不純物濃度のドレイン領域（ＬＤＤ）を形成することが記載されている（第１６段落、第２０段落及び第２２段落参照）ので、短チャネル効果に対する特性劣化を問題とせず、ホットキャリア注入による特性劣化のみの防止を目的とするのであれば、ソース・ドレイン領域を覆う、半導体基板と同導電型の領域を形成することは不要であることは、当業者に明らかである。
　
　したがって、引用発明においては、引用例１にも記載されるようにパンチスルー耐圧を高めるために、「前記ソース領域と前記ドレイン領域は、前記半導体基板と同導電型の不純物を導入した領域の内側に形成され」る構成を備えるのであって、単に、前記ゲート電極はソース側端部で垂直であると共に、ドレイン側終端部に傾斜面を備えたゲート電極の下、特に、ドレイン側に形成したゲート電極の傾斜面の下に半導体基板と反対導電型の不純物導入領域を形成するためであれば、短チャネル効果による特性劣化の防止と同等の目的と認められる、パンチスルー耐圧を高めるための構成である、上記の「前記半導体基板と同導電型の不純物を導入した領域」を形成することは必要でなく、結果として、ドレイン側に形成したゲート電極の傾斜面の下に半導体基板と反対導電型の不純物導入領域のみを形成すること、即ち、引用発明において、「前記ソース領域と前記ドレイン領域は、前記半導体基板と同導電型の不純物を導入した領域の内側に形成され」る構成を備えないものとすることは、当業者が容易になし得たものと認める。
　
　相違点２について
　引用発明においては、本願発明の第２領域に相当するドレイン領域の一部の「前記ゲート電極の傾斜面の下にまで形成された浅い領域」が、浅い領域以外のドレイン領域より「軽くドープ」されているか否かは記載されていないものの、
　（１）ゲート電極の傾斜面の下の半導体基板に形成されるドレイン領域の深さは、前記傾斜面の形状と対応して、ゲート電極の傾斜面に覆われていない半導体基板に形成されたドレイン領域の深さと比較して、ゲート電極の厚さが厚くなるにしたがって、徐々に浅くなることが引用例１の記載（第２頁右下欄第２行〜第１８行）及び第１図から明らかであり、
　（２）ドレイン側に斜面を備えたゲート電極において、ゲート電極下のチャネルのドレイン側においてイオン注入による不純物濃度が比較的低い部分を形成することは従来周知であるとともに（必要とあらば、引用例３．特開平５−１０２１８０号公報（特に、図１，図３及び第７〜１４段落及び、第１７〜２５段落参照）、引用例４．特開平６−１９６４９４号公報（特に、図１ないし５、第６段落、第９〜１１段落及び、第１３段落参照）及び、引用例５．特開平５−２１８０７８号公報（特に、図４及び、第１６段落参照）参照）、
　（３）ドレイン側に斜面を備えたゲート電極を備えるＭＯＳＦＥＴにおいて、イオン注入によりドレイン領域を形成する際、ゲート電極に覆われていない半導体基板の表面に近い領域にイオン注入時の不純物濃度のピークが来るようにイオン注入すれば、前記ゲート電極に覆われていない半導体基板での不純物濃度のピーク値と比較して、ゲート電極の斜面に覆われた半導体基板での不純物濃度は相対的に低いことは当業者に明らかであり、
　（４）さらに、引用例２には、ソース領域及びドレイン領域を備えたＭＯＳ型ＦＥＴにおいて、ゲート領域、即ち、ゲート下のシリコン基板に、ドレイン領域に接続して、ドレイン領域と同導電型でドレイン領域より不純物濃度が低く、ドレイン領域からソース領域方向に向かって不純物領域の深さが浅くなる第２の拡散層を形成することが記載されている。
　したがって、引用発明において、ドレイン領域の一部の「前記ゲート電極の傾斜面の下にまで形成された浅い領域」は、ゲート電極の傾斜部の下に位置しないドレイン領域の部分に比較して、導入された不純物濃度を少なくすること、即ち、ＬＤＤ領域とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　相違点３について
　引用発明について、引用例１には、「図に於いて１はｐ型Ｓｉ基板、２はゲート絶縁膜であり、ポリＳｉゲート３はその一方の端部がチャネル長方向に傾斜している。このような断面形状のポリＳｉ層をマスクとしてボロンをイオン注入すると、ポリＳｉが傾斜している側では基板内でも注入されたイオンが同じ傾きをもって分布することになる。」（第２頁右下欄第２行〜第８行）と記載されており、その後、ドレイン領域を形成するためのイオン注入も前記「その一方の端部がチャネル長方向に傾斜している」Ｓｉゲートをマスクとして行うのであるから、ボロンのイオン注入時と同様に、「ポリＳｉが傾斜している側では基板内でも注入されたイオンが同じ傾きをもって分布することになる」、即ち、ゲート電極が形成されない部分に対応して形成されたドレイン領域の深さと接続して、ゲート電極の傾斜部の傾きにほぼ対応した傾きの不純物導入領域が形成され、結局、引用発明においても、引用例１の第１図に示されるように、一定の深さのドレイン領域に接続して、ゲート電極の傾斜部の傾きにほぼ対応した傾きの不純物導入領域が形成されることとなる。言い換えると、本願発明の如く、「前記第２領域には、前記ゲート電極下で角度θ１０の傾斜した接合エッジがある」構成となる。
　したがって、相違点３は実質的な相違点ではない。
　
　なお、パンチスルーを防止するための構成と、ホットキャリアを防止するための構成は別異のものであって、ドレイン領域からチャネル側に延長されたドレイン領域と同一導電型で、且つドレイン領域より低濃度の不純物領域を備えた構成により、ホットキャリア注入による特性の劣化を防止することができることは、例えば、引用例５にも記載されるように半導体分野において従来周知であって、また、引用発明においても、「前記ドレイン領域が前記ゲート電極の傾斜面の下にまで延びた」構成を備えるとともに、既に検討したとおり、「前記ゲート電極の傾斜面の下まで延びた」ドレイン領域は、相対的に低濃度であるから、これらの構成により、ホットキャリアを防止することができることは当業者に明らかである。
　よって、本願発明は、当業者が引用例１ないし５に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　　　
　　　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし請求項１０に係る発明について検討をするまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。