【手続補正書】
【提出日】平成29年12月5日(2017.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理する方法であって、
前記半導体基板の上にナノラミネート層を成長させることと、
前記ナノラミネート層の上に酸化チタン層を成長させることであって、前記ナノラミネート層は、約１５Åから約２００Åの厚さと、前記酸化チタン層の密度よりも低い密度を有する、ことと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、更に、
アモルファス炭素層を成長させることを備え、
前記ナノラミネート層は、前記アモルファス炭素層の上に成長される、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記アモルファス炭素層は、パターニングされる、方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ナノラミネート層は、２枚以上の副層を含むスタックを含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記２枚以上の副層は、それぞれ、酸化シリコン、又は酸化チタン、又はそれらの組み合わせを含む、方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、
前記スタックは、２枚以下の副層を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記ナノラミネート層は、酸化シリコンの第１の副層と、酸化チタンの第２の副層とを含む、方法。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ナノラミネート層は、酸化シリコン又は酸化チタンを含む、方法。
【請求項９】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ナノラミネート層は、プラズマ強化原子層成長（ＰＥＡＬＤ）を使用して、
前記半導体基板をチタン含有前駆体又はシリコン含有前駆体に暴露することと、
前記半導体基板を酸化体に暴露することと、
前記半導体基板が前記酸化体に暴露されている間にプラズマを起こさせることと、
によって成長される、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記ナノラミネート層は、約５０℃から約１５０℃の温度で成長され、前記プラズマは、基板面積１平方ミリメートルあたりにして約１．７６８×１０-4Ｗ／ｍｍ2から約１．７６８×１０-3Ｗ／ｍｍ2の高周波数無線周波（ＨＦＲＦ）電力で起こされる、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記ナノラミネート層は、約１００℃未満の温度で成長される、方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法であって、
前記チタン含有前駆体は、ＴＤＭＡＴを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記酸化チタン層は、ＰＥＡＬＤによって、
前記半導体基板をチタン含有前駆体に暴露することと、
前記半導体基板を酸化体に暴露することと、
前記半導体基板が前記酸化体に暴露されている間に、基板面積１平方ミリメートルあたりにして少なくとも約１．７６８×１０-3Ｗ／ｍｍ2のＨＦＲＦ電力でプラズマを起こさせることと、
によって成長される、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記酸化体は、亜酸化窒素、又は酸素、又は二酸化炭素、又はそれらの組み合わせを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、
前記チタン含有前駆体は、ＴＤＭＡＴを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であって、
前記酸化チタン層は、約３トールから約３．５トールの圧力で成長される、方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の方法であって、
前記酸化チタン層は、約５０℃から約４００℃の温度で成長される、方法。
【請求項１８】
基板を処理する方法であって、
コア層を成長させることと、
前記コア層の上にナノラミネート層を成長させることと、
前記ナノラミネート層の上に金属窒化物層又は金属酸化物層を成長させることと、
を備え、
前記ナノラミネート層は、酸化シリコン又は酸化チタンを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記金属窒化物層又は金属酸化物層は、前記コア層に対してエッチング選択性を有する、方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法であって、
前記コア層は、パターニングされた層である、方法。
【請求項２１】
請求項１８に記載の方法であって、
前記コア層は、アモルファス炭素又はフォトレジストを含む、方法。
【請求項２２】
請求項１８に記載の方法であって、
前記成長されたナノラミネート層の厚さは、約１５Åから約２００Åである、方法。
【請求項２３】
請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ナノラミネート層は、ＰＥＡＬＤを使用して、
前記基板をチタン含有前駆体又はシリコン含有前駆体に暴露することと、
前記基板を酸化体に暴露することと、
前記基板が前記酸化体に暴露されている間にプラズマを起こさせることと、
によって成長される、方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、
前記ナノラミネート層は、約５０℃から約１５０℃の温度で成長され、
前記プラズマは、基板面積１平方ミリメートルあたりにして約１．７６８×１０-4Ｗ／ｍｍ2から約１．７６８×１０-3Ｗ／ｍｍ2のＨＦＲＦ電力で起こされる、方法。
【請求項２５】
請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ナノラミネート層は、約１００℃未満の温度で成長される、方法。
【請求項２６】
請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記金属窒化物層又は金属酸化物層は、酸化チタン又は酸化シリコンを含む、方法。
【請求項２７】
半導体基板を処理する方法であって、
（ａ）前記半導体基板を第１のチタン含有前駆体又はシリコン含有前駆体に暴露することと、
（ｂ）前記半導体基板を第１の酸化体に暴露することと、
（ｃ）前記半導体基板が前記第１の酸化体に暴露されている間に、基板面積１平方ミリメートルあたりにして約１．７６８×１０-4Ｗ／ｍｍ2から約１．７６８×１０-3Ｗ／ｍｍ2のＨＦＲＦ電力で第１のプラズマを起こさせることと、
（ｄ）前記半導体基板を第２のチタン含有前駆体に暴露することと、
（ｅ）前記半導体基板を第２の酸化体に暴露することと、
（ｆ）前記半導体基板が前記第２の酸化体に暴露されている間に、基板面積１平方ミリメートルあたりにして少なくとも約１．７６８×１０-3Ｗ／ｍｍ2のＨＦＲＦ電力で第２のプラズマを起こさせることと、
を備える方法。
【請求項２８】
請求項２７に記載の方法であって、
（ａ）から（ｃ）は、約５０℃から約１５０℃の温度で処理される、方法。
【請求項２９】
請求項２７に記載の方法であって、
（ｄ）から（ｆ）は、約５０℃から約４００℃の温度で処理される、方法。
【請求項３０】
請求項２７に記載の方法であって、
（ｄ）から（ｆ）は、約３トールから約３．５トールの圧力で処理される、方法。
【請求項３１】
請求項２７に記載の方法であって、
前記第１のチタン含有前駆体はＴＤＭＡＴであり、前記第２のチタン含有前駆体はＴＤＭＡＴである、方法。
【請求項３２】
請求項２７に記載の方法であって、
前記第１の酸化体は、亜酸化窒素、酸素、若しくは二酸化炭素、又はそれらの組み合わせであり、
前記第２の酸化体は、亜酸化窒素、酸素、若しくは二酸化炭素、又はそれらの組み合わせである、方法。
【請求項３３】
請求項２７に記載の方法であって、
前記半導体基板は、アモルファス炭素を含む、方法。
【請求項３４】
請求項３３に記載の方法であって、
前記アモルファス炭素は、パターニングされている、方法。
【請求項３５】
請求項３４に記載の方法であって、更に、
前記第２のプラズマを起こさせた後に、前記アモルファス炭素を露出させるために前記半導体基板を平坦化することと、
マスクを形成するために前記アモルファス炭素を選択的にエッチングすることと、
を備える方法。
【請求項３６】
半導体基板をパターニングする方法であって、
コア層の上に共形膜を成長させる前に、パターニングされたコア層の上にナノラミネート保護層を成長させることと、
前記ナノラミネート保護層の上に共形膜を成長させることと、
前記コア層を露出させるために前記共形膜を平坦化することと、
マスクを形成するために前記コア層を選択的にエッチングすることと、
を備える方法。
【請求項３７】
請求項３６に記載の方法であって、
前記コア層は、アモルファス炭素を含む、方法。
【請求項３８】
請求項３６に記載の方法であって、
前記ナノラミネート保護層は、酸化シリコン又は酸化チタンを含む、方法。
【請求項３９】
請求項３６〜３８のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ナノラミネート保護層の厚さは、約１５Åから約２００Åである、方法。
【請求項４０】
請求項３６〜３８のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ナノラミネート保護層は、プラズマ強化原子層成長（ＰＥＡＬＤ）を使用して、前記半導体基板をチタン含有前駆体又はシリコン含有前駆体に暴露することと、前記半導体基板を酸化体に暴露することと、前記半導体基板が前記酸化体に暴露されている間に第１のプラズマを起こさせることと、によって成長される、方法。
【請求項４１】
請求項４０に記載の方法であって、
前記ナノラミネート保護層は、約１００℃未満の温度で成長される、方法。
【請求項４２】
請求項４０に記載の方法であって、
前記ナノラミネート保護層は、約５０℃から約１５０℃の温度で成長され、前記第１のプラズマは、基板面積１平方ミリメートルあたりにして約１．７６８×１０-4Ｗ／ｍｍ2から約１．７６８×１０-3Ｗ／ｍｍ2のＨＦＲＦ電力で起こされる、方法。
【請求項４３】
請求項４０に記載の方法であって、
前記共形膜は、ＰＥＡＬＤを使用して、前記半導体基板をチタン含有前駆体に暴露することと、前記半導体基板を酸化体に暴露することと、前記半導体基板が前記酸化体に暴露されている間に、基板面積１平方ミリメートルあたりにして少なくとも約１．７６８×１０-3Ｗ／ｍｍ2のＨＦＲＦ電力で第２のプラズマを起こさせることと、によって成長される、方法。
【請求項４４】
半導体基板を処理するための装置であって、
１つ以上のプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバへの１つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、
ＨＦＲＦ発生器と、
メモリと少なくとも１つのプロセッサとを有するコントローラであって、
前記メモリと前記少なくとも１つのプロセッサとは、互いに通信可能であるように接続され、
前記少なくとも１つのプロセッサは、前記流量制御ハードウェア及び前記ＨＦＲＦ発生器に少なくとも可操作式に接続され、
前記メモリは、
前記半導体基板の金属含有前駆体への暴露を起こさせるためのコンピュータ実行可能命令と、
前記半導体基板の第１の酸化体への暴露を起こさせるためのコンピュータ実行可能命令と、
前記半導体基板が前記第１の酸化体に暴露されている間に、基板面積１平方ミリメートルあたりにして約１．７６８×１０-4Ｗ／ｍｍ2から約１．７６８×１０-3Ｗ／ｍｍ2のＨＦＲＦ電力で第１のプラズマの発生を起こさせるためのコンピュータ実行可能命令と、
前記半導体基板のチタン含有前駆体への暴露を起こさせるためのコンピュータ実行可能命令と、
前記半導体基板の第２の酸化体への暴露を起こさせるためのコンピュータ実行可能命令と、
前記半導体基板が前記第２の酸化体に暴露されている間に、基板面積１平方ミリメートルあたりにして少なくとも約１．７６８×１０-3Ｗ／ｍｍ2のＨＦＲＦ電力で第２のプラズマの発生を起こさせるためのコンピュータ実行可能命令と、
を記憶している、
メモリと少なくとも１つのプロセッサとを有するコントローラと、
を備える装置。
【請求項４５】
基板を処理する方法であって、
コア層を成長させることと、
前記コア層の上にナノラミネート層を成長させることと、
前記ナノラミネート層の上に金属窒化物層又は金属酸化物層を成長させることと、を備え、
前記金属窒化物層又は金属酸化物層は、プラズマ強化原子層成長（ＰＥＡＬＤ）を使用して、
前記基板を金属含有前駆体に暴露することと、
前記基板を酸化体に暴露することと、
前記基板が前記酸化体に暴露されている間に、基板面積１平方ミリメートルあたりにして少なくとも約１．７６８×１０-3Ｗ／ｍｍ2のＨＦＲＦ電力でプラズマを起こさせることと、によって成長される、方法。
【請求項４６】
請求項４５に記載の方法であって、
前記酸化体は、亜酸化窒素、酸素、若しくは二酸化炭素、又はそれらの組み合わせを含む、方法。
【請求項４７】
請求項４５に記載の方法であって、
前記金属窒化物層又は金属酸化物層は、約３トールから約３．５トールの圧力で成長される、方法。
【請求項４８】
請求項４５に記載の方法であって、
前記金属窒化物層又は金属酸化物層は、約５０℃から約４００℃の温度で成長される、方法。
【請求項４９】
基板を処理する方法であって、
コア層を成長させることと、
前記コア層の上にナノラミネート層を成長させることと、
前記ナノラミネート層の上に金属窒化物層又は金属酸化物層を成長させることと、を備え、
前記ナノラミネート層は、プラズマ強化原子層成長（ＰＥＡＬＤ）を使用して、
前記基板をチタン含有前駆体又はシリコン含有前駆体に暴露することと、
前記基板を酸化体に暴露することと、
前記基板が前記酸化体に暴露されている間にプラズマを起こさせることと、によって成長される、方法。