(57)【要約】  本発明は、基材を保持するための基材ホルダーを備える反応チャンバーと、基材を加熱するためのヒーターと、を備える反応チャンバーを備える、半導体デバイスを製造するための装置に関する。ヒーターは、基材を加熱するために基材ホルダーによって保持される基材に放射ビームを放射するように構築および配置される垂直共振器面発光レーザーを備えることができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを製造する装置であって、
基材を保持するための基材ホルダーを備える反応チャンバーと、
前記基材を加熱するためのヒーターであって、前記ヒーターが前記装置内の基材に放射ビームを放射するように構築および配置される垂直共振器面発光レーザーを備える、ヒーターと、を備える、装置。
【請求項２】
前記ヒーターが、前記基材の方向に複数の放射ビームを放射するために、アレイ状に設けられる複数の垂直共振器面発光レーザーを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置が、各放射ビームのパワーを個別に制御するために、前記アレイ内の個々の垂直共振器面発光レーザーのパワーを個別に制御するパワーコントローラーを備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
垂直共振器面発光レーザーの前記アレイが、前記基材を５０〜１２００℃の温度に加熱するように構築および配置される、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記基材の方向に放射線を放射するための垂直共振器面発光レーザーの前記アレイが、１０Ｗ／ｃｍ２〜４０ｋＷ／ｃｍ２のパワー出力を有する、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記垂直共振器面発光レーザーが、８００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長を有する赤外線を放射する、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記基材ホルダーが、間隔を空けた状態で複数の半導体基材を保持するための基材ラックであり、前記基材ラックが複数の離間した基材保持支持部を画定する少なくとも一つの支持部材を備え、各基材保持支持部が、基材を実質的に水平方向に独立して保持するように構成され、前記垂直共振器面発光レーザーが、少なくとも前記基材ラックの側面から前記基材ラック内の前記基材に放射線を放射するように構築および配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記装置が、前記基材ラックを回転させるように構築および配置される基材ラック回転装置を備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記垂直共振器面発光レーザーが、前記基材ラックの側面から前記基材ラックに保持される前記基材の底部に向かって、前記基材の表面に垂直な線に対して６０〜９０°の角度で上向きに放射ビームを放射するように構築および配置される、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置が、前記基材からの反射された放射線を前記基材ラックに反射して戻すために、前記垂直共振器面発光レーザーに対して前記基材ラックの反対側の前記装置内に構築および配置される反射器を備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記反射器は前記放射ビームが来るのと同じ方向に前記放射ビームを反射して戻すためのレトロリフレクタを備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
複数の垂直共振器面発光レーザーと、前記個々の垂直共振器面発光レーザーのパワーを個別に制御するためのパワーコントローラーと、を備え、前記基材ラックに沿って前記垂直共振器面発光レーザーの放射出力を調整する、請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
前記パワーコントローラーが、前記基材ラックの上部および下部にある前記垂直共振器面発光レーザーを用いて、より高い放射出力を供給するようにプログラムされる、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ヒーターが、前記基材を予熱するためのプレヒーターと、前記基材を最終温度で加熱するための最終ヒーターと、前記ラックを前記プレヒーターから前記最終ヒーターへ移動させるためのラックハンドラーと、を備え、前記基材ラック内の前記基材に対して放射線を放射するための前記垂直共振器面発光レーザーが前記プレヒーターに設けられる、請求項７に記載の装置。
【請求項１５】
前記プレヒーターおよび前記最終ヒーターが反応領域に設けられる、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記プリヒーターが前記最終ヒーターの下に構築および配置され、前記ラックハンドラーが前記ラックを前記最終ヒーターまで上方に移動させることができる、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記ラックハンドラーおよび前記プレヒーターが、前記プレヒーターが前記ラック内の前記基材の一部を加熱している間に、前記プレヒーターに沿って前記ラックを移動させるように構築および配置される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記プレヒーターが、前記ラックの垂直方向の長さよりも短い垂直方向の長さを有する、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記ヒーターが、前記基材を予熱するためのプレヒーターと、前記基材を最終温度で加熱するための最終ヒーターと、前記基材を前記プレヒーターから前記最終ヒーターへ移動させるための基材ハンドラーと、を備え、前記基材に放射線を放射する前記垂直共振器面発光レーザーが前記プレヒーターに設けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記垂直共振器面発光レーザーが、基材ハンドリングチャンバーに設けられる、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記垂直共振器面発光レーザーが、前記反応チャンバー内の基材を加熱するように構築および配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項２２】
前記反応チャンバーが、前記垂直共振器面発光レーザーの放射線を透過するチャンバー壁を備える、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記チャンバー壁が、前記垂直共振器面発光レーザーの前記放射線を透過する材料から作られる、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記装置が、複数の垂直共振器面発光レーザーと、前記個々の垂直共振器面発光レーザーの前記パワーを個別に制御するためのパワーコントローラーと、を備え、前記基材ラックの幅に沿って前記垂直共振器面発光レーザーの放射出力を調整する、請求項７に記載の装置。
【請求項２５】
半導体デバイスを製造する方法であって、
基材を供給することと、
前記基材を垂直共振器面発光レーザーで加熱することと、を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概ね、半導体デバイスを製造するための装置および方法に関する。より具体的には、本発明は、
基材を保持するための基材ホルダーを備える反応チャンバーと、
基材を加熱するヒーターと、を備える装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
反応器として機能する高温炉は、半導体基材上に微細構造、例えば集積回路を作製するための反応チャンバーとして用いられることができる。いくつかの基材、例えばシリコンウェーハを、基材ホルダー、例えば反応器内の基材ラック又はボートに置くことができる。あるいは、単一の基材を、基材ホルダー、例えば反応器内部の基材サセプター上に配置してもよい。基材とホルダーの両方を所望の温度に加熱してもよい。典型的な基材処理工程では、反応ガスを加熱された基材上を通過させ、基材上に反応物質材料のまたはガスの反応物質の薄い層を堆積させる。
【０００３】
基材上の一連のこのような処理工程は、レシピと呼ばれる。堆積層が下にあるシリコン基材と同じ結晶構造を有する場合、それはエピタキシャル層と呼ばれる。これはまた、ただ一つの結晶構造を有するため、単結晶層と呼ばれることもある。その後の堆積、ドーピング、リソグラフィー、エッチングおよびその他のプロセスによって、これらの層は集積回路になり、基材のサイズ及び回路の複雑さに応じて、数十から数千、または数百万もの集積素子を製造する。
【０００４】
得られる層の高品質を保証するために、様々な処理パラメータが注意深く制御される。このような重要なパラメータの一つは、各レシピ工程中の基材温度である。例えば、ＣＶＤ中、堆積ガスは、特定の温度ウインドウ内で反応し、基材上へ堆積する。異なる温度はまた、異なる堆積速度をもたらす。したがって、処理が始まる前に、基材を望ましい温度しておくように基材温度を正確に制御することが重要である。
【０００５】
処理反応器のスループットに重大な影響を与える一つの要因は、基材温度のランプレートである。このような温度ランピングは、特定のレシピの複数のポイントで必要とされる場合がある。例えば、冷たい基材は適切な処理温度に加熱される必要がある。また、レシピは異なる処理工程のために異なる温度を必要とする場合がある。レシピの最後で、基材は通常、基材ハンドリングデバイスが許容できるレベルまで冷却される。加熱および冷却工程は、処理時間のかなりの割合を占める可能性があり、反応器のスループットを制限する可能性がある。定常状態の温度の間の時間は、本質的に反応器のスループットを高めるように最小化される時間である。
【０００６】
したがって、高いパワーおよび制御性で基材温度を制御する必要性がある場合がある。
【発明の概要】
【０００７】
本発明の少なくとも一つの実施形態によれば、
基材を保持するための基材ホルダーを備える反応チャンバーと、
基材を加熱するためのヒーターであって、ヒーターは基材ホルダーによって保持される基材に放射ビームを放射するように構築および配置される垂直共振器面発光レーザーを備える、ヒーターと、を備える、半導体デバイスを製造する装置が提供される。
【０００８】
垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）は、基材温度の急峻なランプを提供するのに十分な放射パワーを生成できる。垂直共振器面発光レーザーは、スイッチのオン／オフ時間が短いため、非常に高い制御性を有する半導体デバイスである。垂直共振器面発光レーザーから放出される放射ビームは非常に小さな発散角を示すため、ＶＣＳＥＬはＶＣＳＥＬのある距離で非常に優れたパワー制御を可能にする。
【０００９】
基材ホルダーは、間隔を空けた状態で複数の半導体基材を保持する基材ラックであってもよく、基材ラックは複数の離間した基材保持支持部を画定する少なくとも一つの支持部材を備え、各基材保持支持部は、基材を実質的に水平方向に独立して保持するように構成され、垂直共振器面発光レーザーは、少なくとも基材ラックの側面から基材ラック内の基材に放射線を放射するように構築および配置される。ヒーターは、基材を予熱するためのプレヒーターと、基材を最終温度で加熱するための最終ヒーターと、ラックをプレヒーターから最終ヒーターへと移動させるラックハンドラーと、を備えることができ、基材ラック内の基材に対して放射線を放射する垂直共振器面発光レーザーがプレヒーターに設けられる。
【００１０】
本発明の更なる実施形態によれば、半導体デバイスを製造する方法が提供され、該方法は、
基材を供給する工程と、
基材を垂直共振器面発光レーザーで加熱することと、を含む。
【００１１】
先行技術を超えて達成される本発明および利点を要約する目的で、本発明のある特定の目的および利点が本明細書において上記に説明されている。当然のことながら、必ずしもこうした目的または利点のすべてが本発明の任意の特定の実施形態によって達成されなくてもよいことが理解されるべきである。それ故に、例えば本明細書に教授または示唆する通り、一つの利点または一群の利点を達成または最適化する方法で、本明細書で教授または示唆されうる通りの他の目的または利点を必ずしも達成することなく、本発明が具体化または実行されてもよいことを当業者は認識するであろう。
【００１２】
これらの実施形態のすべては、本明細書に開示する本発明の範囲内であることが意図されている。当業者には、これらのおよび他の実施形態は、添付の図面を参照して、以下のある特定の実施形態の発明を実施するための形態から容易に明らかとなり、本発明は、開示されるいかなる特定の実施形態にも限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
当然のことながら、図内の要素は、単純化および明瞭化のために例示されており、必ずしも実寸に比例して描かれていない。例えば、図内の要素のうちの幾つかの寸法は、本開示の例示された実施形態の理解の向上を助けるために他の要素に対して相対的に誇張されている場合がある。
【００１４】
【図１】本発明による垂直共振器面発光レーザーを適用する装置の、図式的にかつ部分的に露出させた斜視図である。
【図２】図１による装置の図式的平面図である。
【図３】垂直共振器面発光レーザーである。
【図４】アレイ状の図３の垂直共振器面発光レーザーである。
【図５】図４のアレイによって加熱される複数の基材を搬送するための基材ラックの側面図である。
【図６】図４のアレイによって加熱されている図５の基材ラックの一部を示す。
【図７】図５の基材ラック内で加熱されている基材の上面図である。
【図８】ＶＣＳＥＬアレイを用いる装置で発生する可能性がある過熱問題である。
【図９】図８の過熱問題の解決策である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
ある特定の実施形態および実施例を以下に開示するものの、本発明が、具体的に開示される本発明の実施形態および／または使用、ならびにその明白な修正および均等物を超えて拡大することは、当業者によって理解されるであろう。それ故に、開示される本発明の範囲は、以下に説明される特定の開示される実施形態によって限定されるべきではないことが意図される。
基材のスタックを加熱するＶＣＳＥＬ
【００１６】
本発明による垂直共振器面発光レーザーＶＣＳＥＬを備える装置１は、図１および２に示されている。装置１は、ハウジング２を備え、一般的に、いわゆる「クリーンルーム」内に部分的または完全に据え付けられてもよい。特に図２から分かるように、ハウジング２に加えて、仕切り部３、４および５が存在しうる。ハウジング２は、仕切り部３で反応領域２１を画定する。基材ハンドリングチャンバー２２は、ハウジング２と仕切り部３と４との間で画定される。カセットハンドリングチャンバー２３は、仕切り部４と５とハウジング２との間で画定される。装置１は、カセット導入部分３３を更に備える。
【００１７】
二つの反応チャンバー、例えばヒーターを備えた炉６、７が反応領域２１に配置されているが、単一の炉を用いることもできる。炉は垂直に配置され、基材１３で満たされ１２で示される基材ラックを、下から垂直方向に炉６、７に導入してもよい。この目的を達成するために、各炉は、スピンドル３８を用いて垂直方向に移動可能な挿入アーム１４を備えるラックハンドラーを有する。図１の図面では、一つの挿入アーム１４のみが見える。図２では、装置の両側に二つの挿入アーム１４があることが示される。基材ラック１２は、より詳細には示されていないが、底部に絶縁プラグを備え、これは炉に対して封止を提供する。
【００１８】
ラックハンドラーは、反応領域２１内に配置される切り抜き１５を備えるロータリープラットフォーム１１を更に備える。切り抜き１５は、切り抜き１５が正しい位置に持ち込まれた場合、アーム１４が切り抜きを通して上下に移動できるように形成される。一方、基材ラックの底部の直径は、アーム１４が図１に示す位置から下方に移動する場合、基材ラック１２はロータリープラットフォーム１１上に配置されることができ、逆動作でそこから再び取り外されることができるように、基材ラックの直径がプラットフォーム１１内の切り抜き１５よりも大きい。
【００１９】
基材ラック１２を、ラックハンドラーを用いて炉６および７の両方に供給することができる。その中で連続的な処理を実施することが可能である。また、基材ラック１２の平行群を、炉６のみによって、および炉７のみによって処理することが可能である。基材ラック１２は基材１３を備えることができる。
【００２０】
基材１３を（搬送）カセット１０内に供給することができ、カセットをカセットハンドリングロボット３５のアーム３１を用いて、カセット導入部３３から開閉式開口部３４を通って収納部８に配置することができる。アーム３１に、ロータリープラットフォーム２７内の一連の切り抜き２６の寸法よりもわずかに小さい寸法を持つ座面３２を備えることができる。このようないくつかのロータリープラットフォームを、収納部８で垂直方向に上下に備える。アーム３１は、カセットハンドリングロボット３５を用いて垂直方向に移動可能である。アーム３１が、導入部３３から収納部８へ、または収納部８から導入部３３へ、カセットをピックアップまたは取り出すことができるだけではなく、カセットを収納部８からロータリープラットフォーム３０へ、またはロータリープラットフォーム３０から収納部８へ移動させることも可能にするように、アームは取り付けられる。
【００２１】
ロータリープラットフォーム３０は、回転時に開口部３７が形成されている仕切り部４に対してカセットを配置し、カセットを開いた後、基材を基材ハンドラーのアーム２４を用いて該当のカセットから一枚ずつ取り出し、基材ハンドリングチャンバー２２内に配置される基材ラック１２内に配置することができるように構築される。基材ラック１２は、ラックハンドラーの一部であるヒンジアーム１６によって支持され、端部に座面１７が設けられ、座面の寸法はロータリープラットフォーム１１の切り抜き１５の寸法よりも多少小さい。アーム１６は、回転点１８の周りの回転によって、仕切り部３の開閉式開口部を通って基材ラックと共に移動する。反応領域２１と基材ハンドリングチャンバー２２の間の開口部１９を閉じることができるように、クロージャーを設ける。
【００２２】
オペレータ又は自動化されたカセット搬送システム（図示せず）は、いくつかのカセットを導入部３３に導入することによって、収納部８を充填ことができる。制御操作を、パネル３６で行うことができる。カセット１０を、導入部分３３からアーム３１を用いて、収納部８内のこれらのカセットのために作られた収納区画９へ搬送することができる。開口部３４を通して導入部３３から該当するカセット１０を取り外すために最も低い位置から開始することによって、カセットを、カセットハンドリングロボット３５によって収納部８のより高い区画９に移動させるために上方向に移動させることができる。収納部８の回転により、カセット１０で様々な区画９を充填することが可能である。
【００２３】
該当のカセット１０は、アーム３１によって収納部から取り外され、ロータリープラットフォーム３０上に配置されうる。カセットをロータリープラットフォーム３０上で回転させて、それらのドアを仕切り部４に押し当てて配置する。カセットのドアは、ドアのオープナーで取り外されることができる。アーム２４を用いて、基材を一枚ずつ取り外すことができ、基材ハンドラーを備えるスイングアーム１６上に配置される基材ラック１２内に配置することができる。
【００２４】
その間に、ロータリープラットフォーム１１は、反応領域２１内に存在する基材上で実行される処理に関して最適な方法で、反応領域２１内で移動することができる。基材ラック１２が基材ハンドリングチャンバー２２内に充填され、反応器６、７のうちの一つが利用可能になった後、この時間まで閉じていた開口部１９が開かれ、新たに充填された基材ラック１２をロータリープラットフォーム１１上に配置することができる。そして、ロータリープラットフォーム１１は位置を一つ移動し、充填された基材ラック１２を、挿入アーム１４を用いてプラットフォーム１１から炉６、７内へ移動させることができる。完成したラック内の処理された基材を、充填されるプラットフォーム１１上に下降させることができる。基材は、上記と逆の動きして最終的にカセットに入る。
【００２５】
各炉６、７に設けられた挿入アーム１４を備える炉６または炉７に供給される新しい基材を有する基材ラック１２は、前述の炉で処理されてもよい。炉６、７内で連続処理を行うことが可能である。処理は、ラック１２内の基材の温度を上昇させることを含むことができる。特に、処理に比較的高い温度を必要とする場合、この温度の上昇には長い時間が必要となる場合がある。基材温度がある定常状態から別の状態に変化する速度は、反応器のランプ速度に依存する。
【００２６】
装置は、加熱時間を短縮するために、基材１３に向けられたレーザービームでラック１２内の基材１３を加熱するためのプレヒーター、例えば垂直共振器面発光レーザー３９を有してもよい。ラック１２は、挿入アーム１４により、最終ヒーターとして機能する炉６、７内に下方からの垂直方向に導入することができ、これはスピンドル３８を用いて垂直方向に移動可能である。この移動中に、基材１３は、垂直共振器面発光レーザー３９に沿って移動されうる。垂直共振器面発光レーザー３９は、移動中に基材１３が垂直共振器面発光レーザー３９に沿って通過する場合、基材１３に温度ランプをもたらすのに十分なパワーをレーザービームに生成することができる。垂直共振器面発光レーザー３９は、アレイ状に配置されてもよい。
【００２７】
プレヒーターとして機能する垂直共振器面発光レーザー３９のアレイは、垂直方向の長さがラック１２の垂直方向の長さよりも短くてもよい。更により好ましくは、プレヒーターは、ラック１２の垂直方向の長さの２／３未満、半分未満、更には１／３未満である垂直方向の長さを有しうる。
【００２８】
図１の図面では、一つの垂直共振器面発光レーザー３９のみを見ることができる。図２に示すように、二つの垂直共振器面発光レーザー３９があってもよく、それぞれが炉６、７のうちの一つで動作する。あるいは、加熱の均一性を高めるために、二つ以上の垂直共振器面発光レーザーを単一の炉６、７の下に配置してもよい。
【００２９】
基材ラック１２は、ラック１２が炉６、７内で上方向に移動する場合に、炉６、７に対して封止を提供する絶縁プラグと共に底部に提供され得る。垂直共振器面発光レーザー３９による予熱の均一性を高めるために、絶縁プラグに、垂直共振器面発光レーザー３９によりラック１２内の基材１３の加熱中に垂直軸の周りを、基材１３を備えるラック１２を回転させるラック回転装置を設けることができる。ラック回転装置は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第９，０１８，５６７Ｂ２号から公知であることができる。
【００３０】
図３は、図１および図２の装置で使用するための垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）３９を示す。垂直共振器面発光レーザー３９は、結晶基材４３、前述の基材上にエピタキシャル形成された下部多層干渉ミラー４５（例えば、ブラッグ反射器）、前述の下部ミラー上にエピタキシャルに形成され、所定の波長を発振する少なくとも一つの量子井戸層を備える活性領域４７、および前述の活性領域上にエピタキシャル形成された上部多層干渉ミラー４９（例えば、ブラッグ反射器）を備える。層は垂直方向に配置される。
【００３１】
下部および上部スペーサ領域は、前述の活性領域４７と前述のミラー４５、４９のそれぞれとの間に介在し、それらとエピタキシャルであり、前述の波長との所定の関係の光学距離により隔てられる前述のミラーの対向する面の間に、垂直光学キャビティを提供する。前述の活性領域４７、前述の上部スペーサ領域および前述の上部ミラーは、実質的に一定の断面積および前述の上部ミラー４９の下の第一の有効誘電率を有する垂直導波領域内に形成される。レーザーは、前述の導波領域を横方向に実質的に囲み、前述の第一の有効誘電率よりも小さい第二の誘電率を有する媒体をさらに備える。
【００３２】
二つの電気接触領域が提供され、一つの電気接触領域５１は、前述の活性領域４７の上の前述の導波領域に電気的に接続され、別の電気接触領域４９は、前述の活性領域４７の下の前述の導波領域に電気的に接続される。前述の接触領域に印加される電力は、前述のミラー４５、４９の対向する面の間に定在波を生成することにより、前述のレーザーを前述の波長でレーザー発振させる。
【００３３】
上部多層干渉ミラー４９は１００％反射するのではないので、放射ビーム５５は垂直共振器面発光レーザー３９から漏れている。下側ミラー４５と上側ミラー４９との間の距離を調整することにより、放射ビーム５５の波長を調整することができる。
【００３４】
垂直共振器面発光レーザー３９は、８００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長、好ましくは約８０８ｎｍ、８５０ｎｍ、または９８０ｎｍの赤外線５５を放射することができる。これらの波長は、放射ビーム５５を照射される基材によって最適に吸収されることができる。垂直共振器面発光レーザー３９は、基材を５０〜１２００℃、好ましくは１００〜９００℃、より好ましくは１５０〜６００℃の温度に加熱することができる。
【００３５】
図４は、基材方向に放射ビーム５５を放射するためにＶＣＳＥＬアレイ５７に設けられる複数の垂直共振器面発光レーザー３９を示す。ＶＣＳＥＬアレイ５７では、ＶＣＳＥＬアレイ５７内の個々の垂直共振器面発光レーザー３９の個々のパワーをパワーコントローラー５９で個々に制御して、放射ビーム５５のパワー出力を調整することができる。垂直共振器面発光レーザーは、高いエネルギー密度と高い制御性を兼ね備えている。垂直共振器面発光レーザー３９は非常に狭い指向性放射ビーム５５を提供するため、制御性が高く、垂直共振器面発光レーザー３９は、狭いスペクトルを有する放射ビーム５５の非常に高速の切り替えを可能にし、調光を可能にする。垂直共振器面発光レーザー３９は固体デバイスであり、したがって非常に長い寿命を有する。基材方向に放射線を放射する垂直共振器面発光レーザー３９のＶＣＳＥＬアレイ５７は、１０Ｗ／ｃｍ２〜４０ｋＷ／ｃｍ２、好ましくは１００Ｗ／ｃｍ２〜１０ｋＷ／ｃｍ２、さらにより好ましくは約１ｋＷ／ｃｍ２のパワー出力を有することができる。
【００３６】
高温成膜またはアニーリングプロセスでは、基材を反応チャンバー、例えば炉６、７内に導入した後、基材を所定の温度に加熱する必要がある。現在の化学気相堆積反応器では、基材がおそらく９００℃程度の非常に高い温度でさえある反応チャンバー内に装填される場合、基材は通常室温である場合がある。
【００３７】
基材が反応チャンバーに装填されると、基材は熱衝撃を受ける。基材が受ける熱効果は通常、基材の全体にわたって異なり、即ち、大きな温度勾配があり、軽減が難しい場合がある。これは、基材の反りおよび破損につながり、また堆積膜の均一性や品質の低下にもつながる可能性がある。
【００３８】
プロセスのスループットに悪影響を与えることなく、基材が受ける熱衝撃を低減し、代わりにスループットを向上させる、高温反応チャンバーでの基材交換が必要になる場合がある。垂直共振器面発光レーザーは、基材が反応チャンバー内に装填される前に基材を加熱するように構築および配置されてもよい。
【００３９】
垂直共振器面発光レーザーは、プレヒーターとして反応器領域２１内の基材を加熱するように構築および配置されてもよい。ラックハンドラーの挿入アーム１４を用いて、基材を備えるラック１２をプレヒーターから、例えば反応器、例えば基材を最終温度に加熱または最終温度で制御できる炉６、７内の最終ヒーターに移動させることができる。
【００４０】
図５は、間隔を空けた状態で複数の基材１３を保持する基材ラック１２を示す。基材ラック１２は、複数の離間した基材保持支持部を画定する少なくとも一つの支持部材（例えば、三つの支柱６１）を備え、各基材保持支持部は、基材１３を実質的に水平方向に独立して保持するように構成される。
【００４１】
基材１３の方向に放射ビーム５５を放射する垂直共振器面発光レーザー３９のＶＣＳＥＬアレイ５７は、ラック１２の側面に配置されてもよい。ＶＣＳＥＬアレイ５７は、基材１３の底部に向かって上向きに放射ビームを側面から放射してもよい。放射ビーム５５の角度は、基材１３の表面に対して垂直な線Ｌに対して、６０〜９０°、好ましくは８０〜８９．５°、さらにより好ましくは８５〜８９°とし得る。
【００４２】
垂直共振器面発光レーザー３９の放射ビーム５５は非常に平行であるが、それでもそれらは（非常に）小さな角度で放射される可能性がある。したがって、放射ビーム５５の方向は、垂直共振器面発光レーザー３９によって放射される放射の平均方向として定義される。
【００４３】
基材１３から反射された放射線を基材ラックに反射して戻すために、基材ラックの反対側に反射器を適用してもよい。反射器はレトロリフレクタであってもよく、照射ビームが来るのと同じ方向に照射ビームを反射し返すことができる。反射器は偏光子を備え、それにより反射光の偏光を９０°変化させ、反射光の吸収を向上させ得る。偏光子は、波長の１／８の厚さの薄いプレートであってもよい。
【００４４】
図６は、図５の複数の基材１３を搬送するための基材ラック１２の一部を示す。ＶＣＳＥＬアレイ５７の放射ビーム５５を、わずかに軸から外れて、基材１３の表面へ上向きに放射することにより、基材１３は確実に下から上に加熱され、これは、基材１３の上面上に敏感な形体が存在する場合があるので、より望ましい場合がある。
【００４５】
図７は基材ラック内の基材１３の上面図を示す。ＶＣＳＥＬアレイ５７が基材１３を側面から加熱することにより、基材１３の一部５９のみが直接加熱される。矢印６１で示される方向に回転装置で基材１３を回転させることにより、基材１３が確実に均一に加熱される。回転装置内の回転モータを用いて、基材１３を有するラックを回転させ、基材１３を均一に加熱してもよい。
【００４６】
あるいは、垂直共振器面発光レーザーは、反応器、例えば炉６、７内の基材を加熱し、最終ヒーターとして機能するように構築および配置されてもよい。したがって、反応器壁を通る放射ビーム５５の透過を可能にする反応器壁が必要になる場合がある。この目的のために、反応器壁はガラスでできていてもよい。
【００４７】
図８は、炉内で基材ラック１２を移動する前に、基材１３を加熱するためにＶＣＳＥＬアレイ５７を用いる装置で生じる可能性のある問題を示している。ＶＣＳＥＬアレイ５７の放射は、基材ラックの一部１２ａを過度に加熱する可能性がある。放射線は、加熱されることを意図しない装置の部品を加熱する支持部材の周囲を通って、加熱される基材ラック１２から散乱する場合があり、または存在するラック１２の湾曲部分によって放射線が集束される場合がある。
【００４８】
この問題を部分的に軽減するために、基材ラック１２を回転させて、より均一な温度分布を達成し、過度の加熱を回避することができる。さらに、基材ラック１２の形状および制御システムから入手可能なラック１２の回転位置の情報を使用して、ラック１２の前述の部分１２ａ（図９を参照）に当たるＶＣＳＥＬマトリックス５７の一部のパワーをオフにするか制限することができる。したがって、基材ラック１２の部分１２ａが受ける放射線の量が減少する可能性があり、加熱されることを意図しない装置の部品を加熱する支持部材の周囲を通して加熱される基材ラック１２から散乱する放射線がより少ない可能性がある。この装置は、複数の垂直共振器面発光レーザーと、個々の垂直共振器面発光レーザーのパワーを個別に制御するためのパワーコントローラーとを備え、パワーコントローラーは、基材ラックの過剰な加熱を避けるために、基材ラックの幅に沿って垂直共振器面発光レーザーの放射出力を調整するようにプログラムされることができる。
単一の基材を加熱するＶＣＳＥＬ
【００４９】
放射ビーム５５を放射する垂直共振器面発光レーザー３９のＶＣＳＥＬアレイ５７を用いて、単一の基材反応チャンバー内の個々の基材を加熱してもよい。例えば、ＶＣＳＥＬアレイ５７を、単一の基材化学気相堆積（ＣＶＤ）装置で用いてもよい。このような化学気相堆積装置は、
反応チャンバーと、
基材ホルダー、例えば、上面で処理される基材を支持するためにチャンバー内に配置されるサセプターと、
反応チャンバーの表面に配置される複数の垂直共振器面発光レーザー３９であって、それぞれがサセプターの上面に向かって放射ビーム５５で放射エネルギーを放射するように構成される、垂直共振器面発光レーザー、を備えることができる。垂直共振器面発光レーザー３９は、基材の下から、または必要に応じて基材の上からも基材を加熱することができる。装置は、基材を均一に加熱するために、複数の垂直共振器面発光レーザー３９のうちの少なくとも一つによって放出される放射エネルギーを、複数の垂直共振器面発光レーザー３９のうちの別の一つに対して調整するように構成されるコントローラを有してもよい。
【００５０】
複数の垂直共振器面発光レーザー３９とサセプターとの間に反射体または放射再分配器を配置することができる。反応チャンバーの構成およびコントローラ５９の目的は、可能な限り基材および関連するサセプターに均一な放射をもたらす環境を提供することでありうる。放射が均一な場合、基材とサセプターの組み合わせの温度は、熱損失も均一になる程度に均一になる。反応器の表面は、内部反射材料、例えば金メッキでコーティングされていてもよい。
【００５１】
反応チャンバー内の開口部を用いて、反応チャンバー内に反応ガスを導入してもよい。化学気相堆積反応チャンバーに関する詳細は、米国特許第６，１９１，３９９号に開示されており、参照により本明細書に組み込まれる。サセプターの詳細は、２０００年５月３０日発行の米国特許第６，０６８，４４１号に記載されている。
【００５２】
反応チャンバーの機能は、エピタキシャル反応器を提供することであってもよい。堆積材料と共にガスを導入および除去する必要性、ならびに基材自体を導入および除去する必要性のため、反応チャンバーは、関連する機能を達成するための開口部を備えていてもよい。高温成膜またはアニーリングプロセスでは、基材を反応チャンバー内に導入した後、基材を所定の温度に加熱する必要がある。
【００５３】
例えば、エピタキシープロセスでは、温度は通常約１０９０℃〜１１９０℃であってもよい。この基材加熱は、加熱されたサセプターとの直接接触による伝導によって、または加熱ランプ、例えば垂直共振器面発光レーザー３９の使用による放射によってもたらされることができる。
【００５４】
現在の化学気相堆積エピタキシャル反応器では、基材がおそらく９００℃程度のはるかに高い温度でさえある反応チャンバー内に装填される場合、基材は通常室温である。基材がサセプター上に下ろされると、基材とサセプターの両方が熱衝撃を受ける。その質量はサセプターの質量よりもはるかに小さいため、基材の衝撃はより大きい。基材が受ける熱効果は通常、基材の全体にわたって異なり、即ち、大きな温度勾配があり、軽減が難しい場合がある。これは、基材の反りおよび破損につながり、また堆積膜の均一性や品質の低下にもつながる可能性がある。
【００５５】
サセプターも熱衝撃を受け、これは基材ごとに繰り返され、最終的にサセプターの動作寿命を縮める可能性がある。通常、サセプターは熱衝撃を低減するために、プロセス温度よりはるかに低い温度に冷却することにより基材を受け入れる準備ができる。次に、基材を配置すると、処理を進める前にサセプターをプロセス温度に再加熱する必要がある。この繰り返される温度サイクルは、単に基材の搬送のみを目的としており、装置内の基材のスループットを低下させる。
【００５６】
プロセスのスループットに悪影響を与えることなく、基材およびサセプターの両方が受ける熱衝撃を低減し、代わりにスループットを向上させる、高温反応チャンバーでの基材交換の方法が明らかに必要である。したがって、装置内にヒーターおよび／またはプレヒーターとして垂直共振器面発光レーザーを備えることが有利である。
【００５７】
ヒーターは、基材を予熱するためのプレヒーターと、基材を最終温度で加熱するための最終ヒーターと、を備えてもよい。基材をプレヒーターから最終ヒーターに移動させるための基材ハンドラーを備えてもよい。垂直共振器面発光レーザーは、基材を反応チャンバーに搬送する前または搬送中に基材を予熱するために、プレヒーター内の基材に放射線を放射するように構築および配置されてもよい。これにより、基材およびサセプターの両方が受ける熱衝撃は、プロセスのスループットに悪影響を与えることなく減少し、代わりにスループットを向上させる。
【００５８】
単一基材装置の場合、低温用途は比較的高温用途と同様に関連する場合がありうる。比較的高い温度では、熱の移動がより容易になり、低い温度では、熱の移動がより遅くなる。したがって、低温で入ってくる冷たいウェーハの温度効果は少ないことは事実である可能性があるが、絶対摂氏温度ではこの低い温度を制御するのはより難しい可能性がある。
【００５９】
示され説明された特定の実施形態は、本発明およびその最良の形態の例示であり、別途態様および実施形態の範囲をいかなるやり方でも限定することを意図しない。実際、簡潔さのために、従来の製造、関連、調製、およびシステムの他の機能的態様を詳細には説明していない場合がある。さらに、様々な図に示される接続線は、様々な要素間の例示的な機能的関係および／または物理的連結を表すことを意図する。多くの代替的もしくは追加の機能的関係、もしくは物理的接続が実際のシステムに存在してもよく、および／または幾つかの実施形態では存在しなくてもよい。
【００６０】
本明細書に記載される構成および／または方法は本質的に例示的であり、これらの特定の実施形態または実施例は、数多くの変形が可能であるので、限定的な意味で考えられるべきではないことが理解されるべきである。本明細書に記載される特定のルーチンまたは方法は、任意の数の加工方策のうちの一つ以上を表す場合がある。それ故に、例示された様々な動作は、例示される逐次で実施されてもよく、他の逐次で実施されてもよく、または場合によっては省略されてもよい。
【００６１】
本開示の主題は、本明細書で開示される様々なプロセス、システム、および構成、ならびに他の特徴、機能、動作および／または特性の、すべての新規かつ自明でない組み合わせおよび部分的組み合わせ、ならびにその任意のおよびすべての均等物を含む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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