【事件の表示】
　特願２０００−　２２７７６「磁気ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月１８日出願公開、特開２０００−２００４０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、平成２年６月８日に出願した特願平２−１４８６４３号の一部を平成１２年１月３１日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１ないし３に係る発明は、平成１４年８月１９日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、本願特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたとおりのものであるところ、その請求項２に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項２】　第１の非磁性金属層と該第１の非磁性金属層上に形成された磁気抵抗効果膜と該磁気抵抗効果膜上に形成された第２の非磁性金属層とを備え、上記磁気抵抗効果膜が、第１の磁性層と第２の磁性層と該第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成された絶縁材料からなる中間層とを有し、上記中間層を通って上記第１の磁性層および第２の磁性層間にトンネル電流が流れ、外部磁界が印加されると上記第１の磁性層の磁化方向は変化することを特徴とする磁気ヘッド。」
　
２　引用例
（１）　原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された文献であるProceedings　of　the　International　Symposium　on　Physics　of　Magnetic　Materials　(1987)　p303−306「Effect　of　spin−dependent　tunneling　on　the　magnetic　properties　of　multilayered　ferromagnetic　thin　films」（以下「引用例１」という。）には、「多層強磁性薄膜の磁気特性におけるスピン依存トンネル効果」について次の事項が記載されている。
　（ア）　スピン方向依存性は、絶縁材料の薄い層により分離される２つの金属間のトンネル電流を決定する興味深いファクターであること。（ｐ３０３、本文冒頭、下から２３行〜２１行）
　（イ）　前川氏らは、スピン依存トンネルのアイデアを、２つの強磁性金属薄膜電極からなる接合に発展させ、印加電圧ゼロ、４．２Ｋ以下の温度でのＮｉ／ＮｉＯ／（Ｎｉ　Ｃｏ　又はＦｅ）接合の、抵抗の磁界依存性のヒステリシスを観察したこと。（ｐ３０３、下から１４行〜９行）
　（ウ）　Ｎｉ／ＮｉＯ／Ｎｉ、及びＮｉ／ＮｉＯ／Ｃｏ接合において、典型的なクロスストリップ電極の配置が用いられたこと、まずガラス基板上にＮｉ電極が蒸着され、次にＮｉの表面が酸化され、その次にＮｉ又はＣｏの電極が蒸着され、これらの電極においてスピンの方向の所望の組み合わせを作成するために、斜方蒸着によりそれぞれ電極の長さ方向に沿った一軸磁気異方性を実現したこと、及びこれらの端部に金の端子電極（terminal）を予め蒸着したこと。（ｐ３０４、１行〜１３行）
　（エ）　第２図に、Ｎｉ／ＮｉＯ／Ｃｏ試料の室温での典型的な磁気モーメントと印加磁界の関係が図示されること、及び図中のループの肩部に見られる段は、ＮｉとＣｏ膜の異なる保磁力の値を示していて、これらの電極のスピンの方向の所望の組み合わせが可能であることを示していること。（ｐ３０５、１行〜５行（なお図は行数に数えない。））
　（オ）　第３図に、室温及び７７．４ＫでのＮｉ／ＮｉＯ／Ｃｏ接合における、抵抗の磁界依存性が図示され、計測の仕組みも示されていること。（ｐ３０５、５行〜７行）
　（カ）　室温で、印加磁界が０〜５０Ｏｅ及び０〜−５０Ｏｅあたりで抵抗値の増減が観察されること、及びＣｏ電極とＮｉ電極がクロスストリップ電極となるよう配置され、Ｃｏ電極のストリップの長手方向に外部磁界が印加されること。（第３図）
　（キ）　接合部分は１ｍｍ２の限られた領域であるので、測定された抵抗は、ＮｉＯ層を横切るトンネル電流の抵抗と、ＮｉとＣｏ電極の接合部分の面内の面抵抗との和であると考えられること。（ｐ３０５、下から４行〜末行）
　（ク）　抵抗の磁界依存性は、前川氏の論文における４．２ＫでのＮｉ／ＮｉＯ／Ｃｏ接合の測定結果と類似していて、本結果は、主にスピンに依存するトンネル効果に基づくことを示していること。（ｐ３０６、４行〜７行）
　
３　本願発明と引用例に記載された発明との対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１には、上記２に摘示した記載事項によれば、
　「絶縁材料の薄い層で分離される２つの強磁性の金属層からなるＮｉ／ＮｉＯ／Ｃｏ接合構造において、上記接合構造の抵抗は印加磁界に依存し、上記２つの強磁性の金属層は電極であり、上記２つの強磁性の金属層間にトンネル電流が流れるものであり、上記接合構造の抵抗の磁界依存性は、上記２つの強磁性の金属層のスピン方向に依存するトンネル効果に基づいているもの」
　の発明が記載されている。
　引用例１に記載された発明の「２つの強磁性の金属層」であるＮｉとＣｏは、それぞれ「第１の磁性層」と「第２の磁性層」のいずれかに相当している。
　引用例１に記載された発明の「絶縁材料の薄い層で分離される２つの強磁性の金属層からなるＮｉ／ＮｉＯ／Ｃｏ接合構造」は、印加磁界に依存して抵抗が変化するので、磁気抵抗効果特性を備えており、また蒸着によって作成される膜の形状であるから、本願発明の「磁気抵抗効果膜」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「絶縁材料の薄い層、ＮｉＯ」は、本願発明の「絶縁材料からなる中間層」に相当している。
　引用例１の第２図や第３図によれば、印加される磁界に応じて、接合構造の磁気モーメントの変化や抵抗の変化が観察され（上記（エ）〜（キ）参照）、２つの強磁性金属層のスピン方向の変化に依存してトンネル電流の大きさが変化することが示唆されている（上記（ア）（イ）（ク）参照）ので、引用例１に記載された発明における２つの強磁性の金属層は、磁界が印加されると、印加磁界の大きさに応じて、それぞれその磁化方向が変化していることは明らかである。
　してみると、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「磁気抵抗効果膜が、第１の磁性層と第２の磁性層と該第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成された絶縁材料からなる中間層とを有し、上記中間層を通って上記第１の磁性層および第２の磁性層間にトンネル電流が流れ、外部磁界が印加されると上記第１の磁性層の磁化方向は変化するもの」
　である点で一致しており、以下の点で相違している。
　
（相違点１）
　本願発明は、「第１の非磁性金属層と該第１の非磁性金属層上に形成された磁気抵抗効果膜と該磁気抵抗効果膜上に形成された第２の非磁性金属層とを備え」るのに対し、引用例１に記載された発明では、磁気抵抗効果膜の第１及び第２の磁性層が電極であり、第１及び第２の非磁性金属層について記載がない点。
（相違点２）
　本願発明は、「磁気ヘッド」であるのに対し、引用例１に記載された発明では、そのように特定されていない点。
　
（２）相違点についての検討
（相違点１について）
　引用例１には、２つの磁性層の電極の端部には、金の端子電極を蒸着により膜形成しておくことが記載されている（上記（ウ）参照）ので、引用例１に記載された発明の磁性層の一部に、金などの非磁性金属層を形成し層構造にすることが示唆されているものである。してみれば、引用例１に記載された発明において、２つの磁性層に非磁性金属層をそれぞれ設け、第１の非磁性金属層上に磁気抵抗効果膜、該磁気抵抗効果膜上に第２の非磁性金属層という構造を得ることは、当業者が容易に想到しうることである。
（相違点２について）
　磁界に応じて抵抗が変化する磁気抵抗効果膜の用途として磁気ヘッドは周知の事項である。
　よって、引用例１に記載された発明の接合構造を磁気ヘッドに特定することは当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　
　そして、上記相違点を総合的に検討しても、当業者が容易に想到し得る程度の事項であり、また、その効果にしても、引用例１に記載された発明及び周知の事項から当業者であれば当然に予測し得る範囲内である。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、本願出願前に頒布された上記引用例１に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項を検討するまでもなく、本願は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。