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　平成１１年特許願第２２２９９２号「光パルス入力型高速ジョセフソンサンプリング測定回路及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月　６日出願公開、特開２０００−１５５０５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年８月５日（先にした出願に基づく優先権主張平成１０年９月１４日）の出願であって、平成１３年７月３１日付け、及び平成１４年６月１２日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１ないし３に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたとおりのものであり、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は次のものである。
　「【請求項１】入力された光パルス信号から変換された電気パルス信号と、極短電気パルス信号、更に、順次変化するバイアス電流をジョセフソンサンプリングゲートに印加し、該ジョセフソンサンプリングゲートが電圧遷移する確率が一定となるように 前記バイアス電流を制御した時のバイアス電流の変化分により入力された光パルス信号を測定する光パルス入力型ジョセフソン・高速サンプリング測定回路において、
　室温環境からの光パルスを極低温系の超伝導回路部に入力する光ケーブル及び前記超伝導回路部に光ケーブルで入力された光パルスを前記電気パルス信号に変換する光伝導素子を設け、
　該光伝導素子は、該素子作成領域に形成された半導体薄膜と超伝導電極間隙から作製され、かつ該超伝導電極間隙は、超伝導ストリップ線路の途中に設けた対向する櫛形の電極により構成され、該光伝導素子と光ケーブルとの結合は、前記超伝導電極間隙の上に凸レンズを配置し、その中心に光ケーブル端を接触固定することを特徴とする光パルス入力型高速ジョセフソンサンプリング測定回路。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物は次のものである。
　
刊行物１：特開昭６２−９５４２８号公報
刊行物２：特開平４−８５９７５号公報
　
　刊行物１には、
ａ．「従来、高速パルス光を検出する手段としては、第２高調波発生を利用する相関法やストリークカメラなどがあるが、これらは時間軸を空間に拡大してみるもので、実測時間観測は不可能であるという欠点がある。……ところで、赤外域での高速高感度に光検出が可能である超伝導光検出器が実現されている。しかし従来超伝導検出器からの出力電気信号は、室温に置かれた測定計で測られ、データ処理を行っていた。……本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、電気信号の再起きる光検出感度および応答速度の劣化を解決した光検出装置を提供することを目的とする。」（第１頁右下欄１６行−第２頁右上欄第１０行）、
ｂ．「本発明による光検出装置によれば、超伝導検出器よりの出力電流を超低温中で動作するジョセフソン・サンプリング回路によって検出することを特徴とし、従来の室温で動作する計測に比較して、光検出部もサンプリング部も極低温中で動作させるため、低雑音であるいう利点がある。」（第２頁右上欄第１９行−同頁左下欄第５行）、
ｃ．「この第１図において、光検出用超伝導トンネル接合１および電源８が光検出部を構成し、サンプリング用ジョセフソン接合２，可変遅延線４，短パルス発生器５，電流計６、電圧計７、交流電源９はジョセフソン接合を用いたサンプラ、すなわちジョセフソン・サンプリング装置を構成しており、光検出部よりの高速電流パルスを解析するようになっている。いま、光検出用トンネル接合１に電源８により接合電極の超伝導エネルギーギャップ幅の和より小さい電圧を印加する。……、この光照射によりトンネル電流が増加する。この電流変化を検出することにより、光信号の検出が可能である。」（第２頁右下欄第１−１９行）、
ｄ．「このトンネル電流Ｉｏｐｔ（ｔ）はサンプリング用ジョセフソン接合２に被測定電流として流れ込み、このジョセフソン接合２には、さらに交流電源９よりの直流電流Ｉａｃとパルス発生器…からの短電流パルスＩｐ（ｔ）が流れ込む。なお、このパルス電流は、可変遅延線５を設けて、前記光源３とある可変時間だけ遅延同期して電流を流すようにしてある。このジョセフソン接合２の最大ジョセフソン電流をＩｃとすると、前記ジョセフソン接合に流れる全電流値が、Ｉｏｐｔ（ｔ）＋Ｉｐ（ｔ）＋Ｉａｃ（ｎ）＝Ｉｃとなって瞬間に、超伝導の初期状態から電圧状態に変化する。この電圧変化をトリガ信号として、その時の電流値Ｉａｃ（ｎ）を測定する。前記電圧変化は短時間で起きるため、高速の電流測定が可能である。このようにして既知であるＩｃおよびＩｐと組み合わせて、光照射で生じた電流、Ｉｏｐｔ（ｔ）＝Ｉｃ−Ｉｐ（ｔ）−Ｉａｃ　のｔ時刻での値を測定できる」（第３頁右上欄第１−第２０行）、
ｅ．「第２図は第１図でブロック図で示した実施例を具体的に記載した図である。……、１６は電流計６を介して鋸歯状電源９（第１図参照）とそれぞれ結線されている。」（第３頁右下欄第７−第４頁左上欄第５行）、
ｆ．「光ファイバ２２および２３による光源よりの照射光量に対応して、前記パルス発生用トンネル接合１９および光検出用トンネル接合２０を通る電流が誘起され、ジョセフソン接合２１に流れる。パルス発生用トンネル接合１９に誘起される電流は短光パルスに応じてたとえば、半値幅１ピコ秒電流最大値４０μＡのパルス形状をもつ。は１６は電流計６を介して鋸歯状電源９（第１図参照）とそれぞれ結線されている。また、電極パッド１６により接地端子１３に向かって徐々に増加し、急激に低下する鋸歯状の時間変化特性を持つ電流を流す。」（第４頁左上欄第１４−同頁右上欄第３行）、
ｇ．「第４図は本発明による第３の実施例のブロック図であり、……、２０は例えばＳｒＴｉＯ３のバリアからなる光検出用トンネル接合、２３は、たとえば石英ガラスあるいはフッ化物ガラスよりなる測定光導入用光ファイバ、……、３３は作動アンプである。」（第５頁左上欄第９行−同頁右上欄第６行）、
ｈ．「光検出用接合２０に照射される光量の時間依存性を測定することができる。」（第５頁左下欄第６−８行）、
　が記載されており、
　第１、２図により、「光検出用超伝導トンネル接合１」，「サンプリング用ジョセフソン接合２」、「パルス発生器５」がいずれも１１で示す点線に囲まれた極低温に冷却される部分内にあることが明らかであり、点線１１の外部にある光源３からの光が「光検出用超伝導トンネル接合１」に照射されるものであることも明らかである。
　
　刊行物２には、
　「本発明による伝導光検出装置は、……化合物半導体でなり且つｐ型またはｎ型を有する半導体基板または半導体層と、……その半導体基板または半導体層上にそれと連結して配されている第１及び第２の超伝導層を有し、……、上記第１の超伝導体層の第１の層部と上記第２の超伝導体層の第２の層部との間の領域を、受光領域とし、……上記第１及び第２の超伝導体層を、それぞれ第１及び第２の電極としている構成を有する。」（第２頁右下欄第６行−第３頁左上欄第８行）、
　が記載され、
　第１図には、電極６Ａを含む超伝導体層２Ａと、電極６Ｂを含む超伝導体層２Ｂが、いずれも櫛形状のものとして示され、それらは半導体基板１上にあり、一方の櫛の刃の隙間に他方の櫛の刃が入り込むような形式で、２Ａと２Ｂが対抗配置されていることも明らかである。
　
３．対比・検討
　本願発明と、刊行物１に記載された発明［刊行物１の第１図の基本的ブロックからなり、光検出用超伝導トンネル接合への導光手段として、その第２図または第４図に示された光ファイバを採用してなる発明である］を対比すると、
　刊行物１での摘記ｄにおける「光検出用超伝導トンネル接合１からのトンネル電流Ｉｏｐｔ（ｔ）」、「パルス発生器５からの短電流パルスＩｐ（ｔ）」、「交流電源９よりの鋸歯状の時間変化特性を持つ直流電流Ｉａｃ」、「サンプリング用ジョセフソン接合２」がそれぞれ、本願発明における「入力された光パルス信号から変換された電気パルス信号」、「極短電気パルス信号」、「順次変化するバイアス電流」、「ジョセフソンサンプリングゲート」に相当し、
　刊行物１での摘記ｄにおける「ジョセフソン接合２の最大ジョセフソン電流をＩｃ（注：ジョセフソン接合に流れる全電流値が、Ｉｃとなって瞬間に、超伝導の初期状態から電圧状態に変化する）とし、既知であるＩｃおよびＩｐと組み合わせて、光照射で生じたトンネル電流であるＩｏｐｔ、つまり、Ｉｏｐｔ（ｔ）＝Ｉｃ−Ｉｐ（ｔ）−Ｉａｃ　のｔ時刻での値を測定するジョセフソン・サンプリング回路」が、本願発明における「ジョセフソンサンプリングゲートが電圧遷移する確率が一定となるように 前記バイアス電流を制御した時のバイアス電流の変化分により入力された光パルス信号を測定する光パルス入力型ジョセフソン・高速サンプリング測定回路」に相当し、
　刊行物１は、パルス光を測定するための装置であるから、光源３が光パルスを発生させるためのものであることは当然であり、その第１図からみて光源３が超低温の環境下にはなく室温環境下であることは明らかであるから、刊行物１における「超低温の環境にはない光源３からの光パルスを、超低温の環境下にある光検出用超伝導トンネル接合に導くための光ファイバ」が、本願発明の「室温環境からの光パルスを極低温系の超伝導回路部に入力する光ケーブル」に相当し、
　刊行物１における「光検出用超伝導トンネル接合１」が、「光伝導素子」であることも明らかであるから、
　両者は、
　「入力された光パルス信号から変換された電気パルス信号と、極短電気パルス信号、更に、順次変化するバイアス電流をジョセフソンサンプリングゲートに印加し、該ジョセフソンサンプリングゲートが電圧遷移する確率が一定となるように 前記バイアス電流を制御した時のバイアス電流の変化分により入力された光パルス信号を測定する光パルス入力型ジョセフソン・高速サンプリング測定回路において、
　室温環境からの光パルスを極低温系の超伝導回路部に入力する光ケーブル及び前記超伝導回路部に光ケーブルで入力された光パルスを前記電気パルス信号に変換する光伝導素子を設けた、光パルス入力型高速ジョセフソンサンプリング測定回路。」
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明では、光伝導素子が、素子作成領域に形成された半導体薄膜と超伝導電極間隙から作製され、かつ該超伝導電極間隙は、超伝導ストリップ線路の途中に設けた対向する櫛形の電極により構成されているのに対し、刊行物１に記載の光伝導素子は、光検出用超伝導トンネル接合である点。
　
　相違点２
　本願発明は、該光伝導素子と光ケーブルとの結合は、前記超伝導電極間隙の上に凸レンズを配置し、その中心に光ケーブル端を接触固定するものであるのに、刊行物１に記載の発明は、光ファイバ（本願発明の光ケーブルに相当）からの光を光伝導素子に単に、照射するだけで、凸レンズを用いていない点。
　
　前記相違点について検討すると
　相違点１について
　刊行物１に記載の発明は、パルス光を高感度で測定するためのものであり、そのために光伝導素子として高感度で光の検出ができる光検出用超伝導トンネル接合を採用したものと認められ、高感度の超伝導光検出デバイスとしては「素子作成領域に形成された半導体薄膜と超伝導電極間隙から作製され、かつ該超伝導電極間隙が、超伝導ストリップ線路の途中に設けた対向する電極により構成されてなる光伝導素子」も従来周知であり（例として、特開昭６４−８６５７５号公報の第２９図のものを参照）、また、光検出デバイス一般において、光検出用半導体面上に間隙を隔てて櫛形の電極を対向させて設けることはよく採用される周知の技術手段である（例として刊行物２、特開平３−５１７１９号公報および特開平７−２３１１０６号公報を参照）から、
　刊行物１に記載の発明において、光伝導素子として、光検出用超伝導トンネル接合に代えて、前記「素子作成領域に形成された半導体薄膜と超伝導電極間隙から作製され、かつ該超伝導電極間隙が、超伝導ストリップ線路の途中に設けた対向する電極により構成されてなる光伝導素子」を採用することは当業者が容易に想到できたものであり、そうした際に、対向する電極として、対向する櫛形の電極を採用することは、単なる設計的事項である。
　
　相違点２について
　光ファイバ端部からの光を光ファイバの先端に設けた凸レンズ部を介して受光素子の所用領域上に集光することで、ファイバ端部と受光素子のカップリング効率を改善することが従来周知であり［例として、特開平６−１１６３２号公報の明細書段落００２１−００２４、００５８の記載、特開平９−６１６７３号公報の明細書段落００３３、００３４の記載を参照］、また、光センサにおいて対向電極の間隙が光感受領域である場合に、凸レンズを間隙の上に配置すればよいことは当然であるから（例として、特開平５−７５１７０号公報の明細書段落００１２の記載を参照）、
　刊行物１に記載の発明において、光伝導素子として、相違点１で記載したような「素子作成領域に形成された半導体薄膜と超伝導電極間隙から作製され、かつ該超伝導電極間隙は、超伝導ストリップ線路の途中に設けた対向する櫛形の電極により構成されてなる光伝導素子」を採用した場合において、超伝導電極間隙の上に、凸レンズを配置し、その中心に光ケーブル端を接触固定することは、当業者が容易に想到できたものである。
　
　そして、相違点１，２を総合的に判断しても、本願発明は当業者が容易に発明できたものであり、その効果も予想範囲内のものであるから、本願は、原査定どおり特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。　
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１，２に記載された発明、及び従来周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、その余の請求項について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。