【手続補正書】
【提出日】平成29年12月8日(2017.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１辺および前記第１辺に対向する第２辺を含む四辺形の撮像領域に、各々が光電変換部を備える、複数の画素が配列された撮像装置であって、
前記複数の画素は、前記第２辺よりも前記第１辺に近い位置に配された第１画素と、前記第１辺よりも前記第２辺に近い位置に配された第２画素と、前記第１画素の前記第１辺の側にて前記第１画素に隣り合う第３画素と、前記第２画素の前記第２辺の側にて前記第２画素に隣り合う第４画素と、前記第１画素の前記第２辺の側にて前記第１画素に隣り合う第５画素と、前記第２画素の前記第１辺の側にて前記第２画素に隣り合う第６画素と、を含み、
前記第１画素の光電変換部は、信号電荷を蓄積する第１導電型の半導体領域である第１蓄積領域を含み、
前記第１画素の前記光電変換部と前記第３画素の光電変換部との間に、第２導電型の半導体領域である第１分離領域が設けられ、前記第１画素の前記光電変換部と前記第５画素の光電変換部との間に、第２導電型の半導体領域である第２分離領域が設けられており、
前記第１分離領域および前記第２分離領域は、前記第１蓄積領域よりも前記受光面から深い位置に配されており、前記第１蓄積領域と前記第１分離領域との距離が、前記第１蓄積領域と前記第２分離領域との距離よりも大きく、
前記第２画素の光電変換部は、信号電荷を蓄積する第１導電型の半導体領域である第２蓄積領域を含み、
前記第２画素の光電変換部と前記第４画素の前記光電変換部との間に、第２導電型の半導体領域である第３分離領域が設けられ、前記第２画素の光電変換部と前記第６画素の光電変換部との間に、第２導電型の半導体領域である第４分離領域が設けられており、
前記第３分離領域および前記第４分離領域は、前記第２蓄積領域よりも前記受光面から深い位置に配されており、前記第２蓄積領域と前記第３分離領域との距離が、前記第２蓄積領域と前記第４分離領域との距離よりも大きいことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記複数の画素の各々は、電荷検出部と、前記光電変換部から前記電荷検出部へ信号電荷を転送する電荷転送部と、を備え、
前記撮像領域に対する平面視において、前記第１画素の電荷転送部が前記第１蓄積領域と前記第１分離領域との間に位置し、前記第２画素の電荷転送部が前記第２蓄積領域と前記第３分離領域との間に位置する、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
第１辺および前記第１辺に対向する第２辺を含む四辺形の撮像領域に、各々が光電変換部と、前記光電変換部から電荷検出部へ信号電荷を転送する電荷転送部と、を備える、複数の画素が配列された撮像装置であって、
前記複数の画素は、前記第２辺よりも前記第１辺に近い位置に配された第１画素と、前記第１辺よりも前記第２辺に近い位置に配された第２画素と、前記第１画素の前記第１辺の側にて前記第１画素に隣り合う第３画素と、前記第２画素の前記第２辺の側にて前記第２画素に隣り合う第４画素と、前記第１画素の前記第２辺の側にて前記第１画素に隣り合う第５画素と、前記第２画素の前記第１辺の側にて前記第２画素に隣り合う第６画素と、を含み、
前記第１画素の光電変換部は、信号電荷を蓄積する第１導電型の半導体領域である第１蓄積領域を含み、
前記第１画素の前記光電変換部と前記第３画素の光電変換部との間に、第２導電型の半導体領域である第１分離領域が設けられ、前記第１画素の前記光電変換部と前記第５画素の光電変換部との間に、第２導電型の半導体領域である第２分離領域が設けられており、
前記撮像領域に対する平面視において、前記第１画素の電荷転送部が前記第１蓄積領域と前記第１分離領域との間に位置し、前記第３画素の前記光電変換部が前記第１画素の前記電荷転送部と前記第３画素の電荷転送部との間に位置し、
前記第２画素の光電変換部は、信号電荷を蓄積する第１導電型の半導体領域である第２蓄積領域を含み、
前記第２画素の光電変換部と前記第４画素の前記光電変換部との間に、第２導電型の半導体領域である第３分離領域が設けられ、前記第２画素の光電変換部と前記第６画素の光電変換部との間に、第２導電型の半導体領域である第４分離領域が設けられており、
前記撮像領域に対する平面視において、前記第２画素の電荷転送部が前記第２蓄積領域と前記第３分離領域との間に位置し、前記第４画素の前記光電変換部が前記第２画素の前記電荷転送部と前記第４画素の電荷転送部との間に位置することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
前記第１画素の前記光電変換部から信号電荷が転送される電荷検出部は、第１導電型の半導体領域である第１浮遊拡散領域を含み、前記第１浮遊拡散領域の少なくとも一部は、前記第１分離領域に重なっており、
前記第２画素の前記光電変換部から信号電荷が転送される電荷検出部は、第１導電型の半導体領域である第２浮遊拡散領域を含み、前記第２浮遊拡散領域の少なくとも一部は、前記第３分離領域に重なっている、請求項２または３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１画素の前記光電変換部は、前記第１蓄積領域、前記第１分離領域および前記第２分離領域よりも前記受光面から深い位置に配された、第２導電型の半導体領域である第１光電変換領域を含み、
前記第２画素の前記光電変換部は、前記第２蓄積領域、前記第３分離領域および前記第４分離領域よりも前記受光面から深い位置に配された、第２導電型の半導体領域である第２光電変換領域を含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１分離領域および前記第２分離領域は、前記第１光電変換領域よりも不純物濃度が高く、
前記第３分離領域および前記第４分離領域は、前記第２光電変換領域よりも不純物濃度が高い、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記撮像領域に対する平面視において、前記第３画素の前記光電変換部が前記第１蓄積領域と前記第３画素の電荷転送部との間に位置し、前記第４画素の前記光電変換部が前記第２蓄積領域と前記第４画素の電荷転送部との間に位置する、請求項２乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像領域に対する平面視において、前記第５画素の光電変換部が前記第１蓄積領域と前記第５画素の前記光電変換部との間に位置し、前記第６画素の電荷転送部が前記第２蓄積領域と前記第６画素の前記光電変換部との間に位置する、請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
第１辺および前記第１辺に対向する第２辺を含む四辺形の撮像領域に、各々が光電変換部と、電荷検出部と、前記光電変換部から前記電荷検出部へ信号電荷を転送する電荷転送部と、を備える、複数の画素が配列された撮像装置であって、
前記複数の画素は、前記第２辺よりも前記第１辺に近い位置に配された第１画素と、前記第１辺よりも前記第２辺に近い位置に配された第２画素と、前記第１画素の前記第１辺の側にて前記第１画素に隣り合う第３画素と、前記第２画素の前記第２辺の側にて前記第２画素に隣り合う第４画素と、を含み、
前記撮像領域に対する平面視において、前記第１画素の光電変換部と前記第３画素の光電変換部との間に前記第１画素の電荷検出部が位置し、前記第３画素の前記光電変換部が前記第１画素の前記電荷検出部と前記第３画素の電荷検出部との間に位置し、
前記撮像領域に対する平面視において、前記第２画素の光電変換部と前記第４画素の光電変換部との間に前記第２画素の電荷検出部が位置し、前記第４画素の前記光電変換部が前記第２画素の前記光電変換部と前記第４画素の電荷検出部との間に位置することを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
前記第１画素の前記第２辺の側にて前記第１画素に隣り合う第５画素と、前記第２画素の前記第１辺の側にて前記第２画素に隣り合う第６画素と、を含み、
前記撮像領域に対する平面視において、前記第５画素の電荷検出部が前記第１画素の前記光電変換部と前記第５画素の光電変換部との間に位置し、
前記撮像領域に対する平面視において、前記第６画素の電荷検出部が前記第２画素の前記光電変換部と前記第６画素の光電変換部との間に位置する、請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第１画素と前記第５画素は第１の画素トランジスタを共有し、前記第２画素と前記第６画素は第２の画素トランジスタを共有している、請求項１乃至８のいずれか１項または請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１２】
第１辺および前記第１辺に対向する第２辺を含む四辺形の撮像領域に、各々が光電変換部と、前記光電変換部から電荷検出部へ信号電荷を転送する電荷転送部と、を備える、複数の画素が配列された撮像装置であって、
前記複数の画素は、前記第２辺よりも前記第１辺に近い位置に配された第１画素と、前記第１辺よりも前記第２辺に近い位置に配された第２画素と、前記第１画素の前記第１辺の側にて前記第１画素に隣り合う第３画素と、前記第２画素の前記第２辺の側にて前記第２画素に隣り合う第４画素と、
前記第１画素の前記第２辺の側にて前記第１画素に隣り合う第５画素と、前記第２画素の前記第１辺の側にて前記第２画素に隣り合う第６画素と、を含み、
前記撮像領域に対する平面視において、前記第１画素の前記光電変換部と前記第３画素の光電変換部との間に、前記第１画素の電荷転送部が位置し、
前記撮像領域に対する平面視において、前記第２画素の光電変換部と前記第４画素の前記光電変換部との間に、前記第２画素の電荷転送部が位置し、
前記第１画素と前記第５画素は第１の画素トランジスタを共有し、前記第２画素と前記第６画素は第２の画素トランジスタを共有していることを特徴とする撮像装置。
【請求項１３】
前記第３画素は前記第１画素以外の画素と第３の画素トランジスタを共有し、前記第４画素は前記第２画素以外の画素と第４の画素トランジスタを共有している、請求項１１または１２に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記第１画素および前記第２画素から等距離に位置し、前記第１辺と前記第２辺に沿った線に対して、前記第１画素を構成するトランジスタのゲート電極のレイアウトと前記第２画素を構成するトランジスタのゲート電極のレイアウトのレイアウトが線対称である、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記撮像領域には、前記第１画素が配された撮像デバイスと、前記第２画素が配された撮像デバイスとが並べられている、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記第１画素と前記第２画素との間に位置する画素の出力を補正する補正回路を備える、撮像システム。
【請求項１７】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像領域に結像する非テレセントリック光学系を備えた撮像システム。