【手続補正書】
【提出日】平成30年9月26日(2018.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
持続性記憶装置からデータを読み取る方法であって、方法は、
データについてのクライアント読み取り要求をクライアントから受け取るステップを備え、前記クライアント読み取り要求は論理アドレスを含み、方法はさらに、
前記論理アドレスに対応する物理アドレスを判定するステップを備え、前記物理アドレスは前記持続性記憶装置における物理ページについてのページ番号を含み、方法はさらに、
前記物理アドレスと前記論理アドレスとからなるグループから選択される１つのアドレスを使用し、前記データについての保持時間を判定するステップと、
前記物理ページに関連付けられたプログラム／消去（Ｐ／Ｅ）サイクル値を判定するステップと、
前記保持時間、前記ページ番号および前記Ｐ／Ｅサイクル値を含むタプルに対応する複数の読み取り閾値を識別するステップとを備え、前記複数の読み取り閾値は、少なくとも１つのデフォルト読み取り閾値と、少なくとも１つの非デフォルト読み取り閾値とを含み、方法はさらに、
前記複数の読み取り閾値を含む制御モジュール読み取り要求を記憶モジュールに対して発するステップを備え、前記記憶モジュールは前記物理ページを含み、方法はさらに、
前記複数の読み取り閾値を使用して前記データを前記物理ページから取得するステップを備える、方法。
【請求項２】
第２のデータについての第２のクライアント読み取り要求を前記クライアントから受け取るステップをさらに備え、前記第２のクライアント読み取り要求は第２の論理アドレスを含み、方法はさらに、
前記第２の論理アドレスに対応する第２の物理アドレスを判定するステップを備え、前記第２の物理アドレスは前記持続性記憶装置における第２の物理ページについての第２のページ番号を含み、方法はさらに、
前記第２の物理アドレスと前記第２の論理アドレスとからなるグループから選択される１つを使用し、前記第２の物理ページ上に記憶された前記第２のデータについての第２の保持時間を判定するステップと、
前記第２の物理ページに関連付けられた第２のＰ／Ｅサイクル値を判定するステップと、
前記第２のＰ／Ｅサイクル値、前記第２の保持時間および前記第２のページ番号を含む第２のタプルに対応する少なくとも１つの読み取り閾値を識別するステップと、
前記少なくとも１つの読み取り閾値を含む第２の制御モジュール読み取り要求を前記記憶モジュールに対して発するステップとを備え、前記記憶モジュールは前記第２の物理ページを含み、前記第２の物理ページは前記物理ページとは異なり、方法はさらに、
前記少なくとも１つの読み取り閾値を使用して前記第２の物理ページから前記第２のデータを取得するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記物理ページは、前記記憶モジュールにおける固体モジュール上に位置し、前記固体モジュールはマルチレベルセル（ＭＬＣ）を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのデフォルト読み取り閾値は、Ａ閾値、Ｂ閾値、およびＣ閾値からなる閾値のグループから選択された少なくとも１つに適用され、前記少なくとも１つの非デフォルト読み取り閾値は前記閾値のグループから選択された別の少なくとも１つに適用される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記保持時間を判定するステップは、
前記物理ページに前記データが書き込まれた第１の時間を判定するステップと、
前記クライアント読み取り要求に関連付けられた第２の時間を判定するステップと、
前記第１の時間および前記第２の時間を使用して前記保持時間を判定するステップとを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の時間は、メモリにおけるインメモリデータ構造から取得され、前記メモリは制御モジュール内に位置する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の時間は、前記クライアント読み取り要求から取得される、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記複数の読み取り閾値を識別するステップは、インメモリデータ構造においてルックアップを行なうステップを含み、前記インメモリデータ構造は複数のエントリーを含み、前記複数のエントリーの各々は、複数の読み取り閾値のうちの１つを含み、前記複数のエントリーの１つのエントリーは、前記タプル、前記少なくとも１つのデフォルト閾値および前記少なくとも１つの非デフォルト読み取り閾値を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の読み取り閾値の少なくとも１つの読み取り閾値は電圧値を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の読み取り閾値の少なくとも１つの読み取り閾値はシフト値を含み、前記シフト値は、デフォルト読み取り閾値の電圧シフトに対応する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記Ｐ／Ｅサイクル値は、Ｐ／Ｅサイクル値範囲である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
システムであって、
記憶モジュール制御部と持続性記憶装置とを含む記憶モジュールと、
前記記憶モジュールおよびクライアントに動作的に接続される制御モジュールとを備え、
前記制御モジュールは、
データについてのクライアント読み取り要求をクライアントから受け取り、前記クライアント読み取り要求は論理アドレスを含み、前記制御モジュールはさらに、
前記論理アドレスに対応する物理アドレスを判定し、前記物理アドレスは前記持続性記憶装置における物理ページについてのページ番号を含み、前記記憶モジュールはさらに、
前記物理アドレスと前記論理アドレスとからなるグループから選択される１つのアドレスを使用し、前記物理ページ上に記憶された前記データについての保持時間を判定し、
前記物理ページに関連付けられたプログラム／消去（Ｐ／Ｅ）サイクル値を判定し、
前記保持時間、前記ページ番号および前記Ｐ／Ｅサイクル値を含むタプルに対応する複数の読み取り閾値を識別し、前記複数の読み取り閾値は、少なくとも１つのデフォルト読み取り閾値と、少なくとも１つの非デフォルト読み取り閾値とを含み、前記制御モジュールはさらに、
前記複数の読み取り閾値を含む制御モジュール読み取り要求を前記記憶モジュールに対して発し、前記記憶モジュールは前記物理ページを含み、
前記記憶モジュールは、
前記制御モジュール読み取り要求を受け取り、
前記制御モジュール読み取り要求における前記複数の読み取り閾値を使用して前記物理ページから前記データを取得する、システム。
【請求項１３】
前記持続性記憶装置はフラッシュメモリを含み、前記物理ページは前記フラッシュメモリ内に位置する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記フラッシュメモリは、ＮＯＲフラッシュメモリとＮＡＮＤフラッシュメモリとからなるグループから選択される１つである、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
記憶したコンピュータ読み取り可能プログラムコードを含む非一時的コンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、前記コンピュータ読み取り可能プログラムコードがコンピュータプロセッサによって実行されると、コンピュータプロセッサは、
データについてのクライアント読み取り要求をクライアントから受け取り、前記クライアント読み取り要求は論理アドレスを含み、コンピュータプロセッサはさらに、
前記論理アドレスに対応する物理アドレスを判定し、前記物理アドレスは持続性記憶装置における物理ページについてのページ番号を含み、コンピュータプロセッサはさらに、
前記物理アドレスと前記論理アドレスとからなるグループから選択される１つのアドレスを使用して前記データについての保持時間を判定し、
前記物理ページに関連付けられたプログラム／消去（Ｐ／Ｅ）サイクル値を判定し、
前記保持時間、前記ページ番号および前記Ｐ／Ｅサイクル値を含むタプルに対応する複数の読み取り閾値を識別し、前記複数の読み取り閾値は、少なくとも１つのデフォルト読み取り閾値と、少なくとも１つの非デフォルト読み取り閾値とを含み、コンピュータプロセッサはさらに、
前記複数の読み取り閾値を含む制御モジュール読み取り要求を記憶モジュールに対して発し、前記記憶モジュールは前記物理ページを含み、コンピュータプロセッサはさらに、
前記複数の読み取り閾値を使用して前記物理ページから前記データを取得する、非一時的コンピュータ読み取り可能記憶媒体。
【請求項１６】
前記制御モジュールはさらに、
第２のデータについての第２のクライアント読み取り要求を前記クライアントから受け取り、前記第２のクライアント読み取り要求は第２の論理アドレスを含み、前記制御モジュールはさらに、
前記第２の論理アドレスに対応する第２の物理アドレスを判定し、前記第２の物理アドレスは前記持続性記憶装置における第２の物理ページについての第２のページ番号を含み、前記制御モジュールはさらに、
前記第２の物理アドレスと前記第２の論理アドレスとからなるグループから選択される１つを使用し、前記第２の物理ページ上に記憶された前記第２のデータについての第２の保持時間を判定し、
前記第２の物理ページに関連付けられた第２のＰ／Ｅサイクル値を判定し、
前記第２のＰ／Ｅサイクル値、前記第２の保持時間および前記第２のページ番号を含む第２のタプルに対応する少なくとも１つの読み取り閾値を識別し、
前記少なくとも１つの読み取り閾値を含む第２の制御モジュール読み取り要求を前記記憶モジュールに対して発し、前記記憶モジュールは前記第２の物理ページを含み、前記第２の物理ページは前記物理ページとは異なり、前記制御モジュールはさらに、
前記少なくとも１つの読み取り閾値を使用して前記第２の物理ページから前記第２のデータを取得する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１７】
コンピュータ読み取り可能プログラムコードをさらに記憶した非一時的コンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、前記コンピュータ読み取り可能プログラムコードがコンピュータプロセッサによって実行されると、コンピュータプロセッサは、
第２のデータについての第２のクライアント読み取り要求を前記クライアントから受け取り、前記第２のクライアント読み取り要求は第２の論理アドレスを含み、コンピュータプロセッサはさらに、
前記第２の論理アドレスに対応する第２の物理アドレスを判定し、前記第２の物理アドレスは前記持続性記憶装置における第２の物理ページについての第２のページ番号を含み、コンピュータプロセッサはさらに、
前記第２の物理アドレスと前記第２の論理アドレスとからなるグループから選択される１つを使用し、前記第２の物理ページ上に記憶された前記第２のデータについての第２の保持時間を判定し、
前記第２の物理ページに関連付けられた第２のＰ／Ｅサイクル値を判定し、
前記第２のＰ／Ｅサイクル値、前記第２の保持時間および前記第２のページ番号を含む第２のタプルに対応する少なくとも１つの読み取り閾値を識別し、
前記少なくとも１つの読み取り閾値を含む第２の制御モジュール読み取り要求を前記記憶モジュールに対して発し、前記記憶モジュールは前記第２の物理ページを含み、前記第２の物理ページは前記物理ページとは異なり、コンピュータプロセッサはさらに、
前記少なくとも１つの読み取り閾値を使用して前記第２の物理ページから前記第２のデータを取得する、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ読み取り可能記憶媒体。