【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３の回路を有し、
前記第１の回路は、第１のノードと、第２のノードと、を有し、
前記第２の回路は、第１乃至第６のトランジスタと、第３のノードと、第４のノードと、第１の配線と、を有し、
前記第３の回路は、第７乃至第９のトランジスタと、第１乃至第Ｎのインバータ回路（Ｎは２以上の偶数）と、第２の配線と、を有し、
前記第１のノードは、第１の電位及び第２の電位の一方を保持する機能を有し、
前記第２のノードは、第１の電位及び第２の電位の他方を保持する機能を有し、
前記第１のノードは、前記第１のトランジスタを介して、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第５及び前記第６のトランジスタを介して、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第４のトランジスタを介して、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第２及び前記第３のトランジスタを介して、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１乃至前記第Ｎのインバータ回路を介して、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第９のトランジスタを介して、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１乃至前記第Ｎのインバータ回路を介して、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第９のトランジスタを介して、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第１、前記第４、前記第７及び前記第８のトランジスタの各々は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第３の回路を有し、
前記第１の回路は、第１のノードと、第２のノードと、を有し、
前記第２の回路は、第１乃至第６のトランジスタと、第３のノードと、第４のノードと、第１の配線と、を有し、
前記第３の回路は、第７及び第８のトランジスタと、第２の配線と、を有し、
前記第１のノードは、第１の電位及び第２の電位の一方を保持する機能を有し、
前記第２のノードは、第１の電位及び第２の電位の他方を保持する機能を有し、
前記第１のノードは、前記第１のトランジスタを介して、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第５及び前記第６のトランジスタを介して、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第４のトランジスタを介して、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第２及び前記第３のトランジスタを介して、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第７のトランジスタを介して、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第８のトランジスタを介して、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第１、前記第４、前記第７及び前記第８のトランジスタの各々は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の配線は、前記第２の電位が与えられ、
前記第２の配線は、プリチャージ信号が与えられることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第３のノードは、前記第１乃至前記第３の回路への電源電位の供給が停止された状態において、前記第１のノードに与えられた電位を保持し、
前記第４のノードは、前記第１乃至前記第３の回路への電源電位の供給が停止された状態において、前記第２のノードに与えられた電位を保持することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１乃至第３の回路を有し、
前記第１の回路は、第１のノードと、第２のノードと、を有し、
前記第２の回路は、第１及び第２のインバータ回路と、第１乃至第６のトランジスタと、第３のノードと、第４のノードと、第１の配線と、を有し、
前記第３の回路は、第７乃至第９のトランジスタと、第３乃至第Ｎのインバータ回路（Ｎは４以上の偶数）と、第２の配線と、を有し、
前記第１のノードは、第１の電位及び第２の電位の一方を保持する機能を有し、
前記第２のノードは、第１の電位及び第２の電位の他方を保持する機能を有し、
前記第１のノードは、前記第１のインバータ回路及び前記第１のトランジスタを介して、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第２及び前記第３のトランジスタを介して、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第２のインバータ回路及び前記第４のトランジスタを介して、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第５及び前記第６のトランジスタを介して、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３乃至前記第Ｎのインバータ回路を介して、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第９のトランジスタを介して、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３乃至前記第Ｎのインバータ回路を介して、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第９のトランジスタを介して、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第１、前記第４、前記第７及び前記第８のトランジスタの各々は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１乃至第３の回路を有し、
前記第１の回路は、第１のノードと、第２のノードと、を有し、
前記第２の回路は、第１及び第２のインバータ回路と、第１乃至第６のトランジスタと、第３のノードと、第４のノードと、第１の配線と、を有し、
前記第３の回路は、第７及び第８のトランジスタと、第２の配線と、を有し、
前記第１のノードは、第１の電位及び第２の電位の一方を保持する機能を有し、
前記第２のノードは、第１の電位及び第２の電位の他方を保持する機能を有し、
前記第１のノードは、前記第１のインバータ回路及び前記第１のトランジスタを介して、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第１のノードは、前記第２及び前記第３のトランジスタを介して、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第２のインバータ回路及び前記第４のトランジスタを介して、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第２のノードは、前記第５及び前記第６のトランジスタを介して、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第７のトランジスタを介して、前記第３のノードに電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第８のトランジスタを介して、前記第４のノードに電気的に接続され、
前記第１、前記第４、前記第７及び前記第８のトランジスタの各々は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記第１の配線は、前記第２の電位が与えられ、
前記第２の配線は、プリチャージ信号が与えられることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第３のノードは、前記第１乃至前記第３の回路への電源電位の供給が停止された状態において、前記第２のノードに与えられた電位を保持し、
前記第４のノードは、前記第１乃至前記第３の回路への電源電位の供給が停止された状態において、前記第１のノードに与えられた電位を保持することを特徴とする半導体装置。