【手続補正書】
【提出日】平成30年4月9日(2018.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムのためのペデスタルであって、
基板対向面を含むペデスタル本体と、
前記基板対向面の上に配置され、基板の半径方向外側縁部を支持するように構成された環状バンドと、
前記ペデスタル本体の前記基板対向面に規定され、前記環状バンドの半径方向内側に配置された空洞であって、前記空洞は、前記基板の底面と前記ペデスタル本体の前記基板対向面との間に空間を形成する、空洞と、
前記ペデスタル本体を貫通して前記空洞と流体連通することで、処理中に前記基板の両面における圧力を均一にする複数のベントと、
を備える、ペデスタル。
【請求項２】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記環状バンドは、４ｍｍ〜１２ｍｍの範囲の幅を有する、ペデスタル。
【請求項３】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記環状バンドは、５ｍｍ〜９ｍｍの範囲の幅を有する、ペデスタル。
【請求項４】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記環状バンドは、６ｍｍ〜７ｍｍの範囲の幅を有する、ペデスタル。
【請求項５】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記環状バンドは、２〜３２の範囲の表面粗さ（Ｒａ）を有する、ペデスタル。
【請求項６】
請求項５に記載のペデスタルであって、前記表面粗さ（Ｒａ）は、２〜２４の範囲である、ペデスタル。
【請求項７】
請求項５に記載のペデスタルであって、前記表面粗さ（Ｒａ）は、２〜１６の範囲である、ペデスタル。
【請求項８】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記複数のベントは、
前記ペデスタル本体の半径方向外側から半径方向内向きに伸びる第１ベント部分と、
前記第１ベント部分の半径方向内側端部から前記空洞まで伸びる第２ベント部分と、
を備える、ペデスタル。
【請求項９】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記複数のベントは、
前記ペデスタル本体の底部側から前記空洞に向かって軸方向に伸びる第１ベント部分と、
前記第１ベント部分を前記空洞に接続する複数の孔を含む第２ベント部分と、
を備える、ペデスタル。
【請求項１０】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記環状バンドは、導電材料の表面上に形成された誘電体コーティング、コーティングされていない導電材料、コーティングされていない金属、および、コーティングされていない誘電材料からなる群より選択された材料で形成される、ペデスタル。
【請求項１１】
請求項１に記載のペデスタルであって、さらに、
前記基板および前記環状バンドの半径方向外側に配置されたリングを備え、
前記リングの上面は、前記基板の上面よりも上方に配置され、
前記リングは、誘電材料で形成されている、ペデスタル。
【請求項１２】
請求項１１に記載のペデスタルであって、前記誘電材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、サファイア、石英、および、酸化シリコンからなる群より選択される、ペデスタル。
【請求項１３】
請求項１に記載のペデスタルであって、さらに、
前記基板の半径方向内側かつ下方に配置された半径方向内側表面と、前記基板の半径方向外側に配置された半径方向外側表面とを含むリングを備え、
前記リングの上面は、前記基板の上面と平行であり、
前記リングは、誘電材料で形成されている、ペデスタル。
【請求項１４】
請求項１３に記載のペデスタルであって、前記誘電材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、サファイア、石英、および、酸化シリコンからなる群より選択される、ペデスタル。
【請求項１５】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記ペデスタル本体は、その半径方向外側縁部の周りに環状ノッチを備え、前記ペデスタルは、さらに、
前記環状ノッチ内に配置されたリングを備え、
前記リングの底面は、前記基板の底面よりも下方にあり、
前記リングの上面は、前記基板の上面よりも下方にあり、
前記リングは、誘電材料で形成されている、ペデスタル。
【請求項１６】
請求項１５に記載のペデスタルであって、前記誘電材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、サファイア、石英、および、酸化シリコンからなる群より選択される、ペデスタル。
【請求項１７】
請求項１に記載のペデスタルであって、さらに、
前記基板の中央を支持するために前記空洞内に配置された複数のピンを備え、
前記ピンの上面は、処理中に前記環状バンドの上面よりも下方、平行、または、上方のいずれかにある、ペデスタル。
【請求項１８】
請求項１に記載のペデスタルであって、さらに、
前記基板の中央を支持するための複数の突起を備え、
前記突起の上面は、前記環状バンドの上面よりも下方、平行、または、上方のいずれかにある、ペデスタル。
【請求項１９】
請求項１に記載のペデスタルであって、前記基板の前記半径方向外側縁部に沿った前記基板の裏面は、処理中に前記環状バンドと平行である、ペデスタル。
【請求項２０】
基板処理システムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置された請求項１のペデスタルと、
前記処理チャンバ内に配置されたＲＦ発生器と、
を備える、基板処理システム。
【請求項２１】
請求項２０に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記ペデスタル本体から伸張可能な複数の最小接触面積（ＭＣＡ）ピンと、
前記ＭＣＡピンの上面が、前記環状バンドよりも下方、平行、または、上方のいずれかになるように、処理中に前記ＭＣＡピンを伸ばすように構成されたコントローラと、
を備える、基板処理システム。
【請求項２２】
請求項１に記載のペデスタルであって、さらに、前記空洞内で前記ペデスタル本体から上向きに伸びる複数の突起を備える、ペデスタル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
別の特徴において、誘電材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、サファイア、石英、および、酸化シリコンからなる群より選択される。リングが、基板の半径方向内側かつ下方に配置された半径方向内側表面と、基板の半径方向外側に配置された半径方向外側表面とを含む。リングの上面は、基板の上面と平行である。リングは、誘電材料で形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
別の特徴において、誘電材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、サファイア、石英、および、酸化シリコンからなる群より選択される。ペデスタル本体は、その半径方向外側縁部の周りに環状ノッチを備える。リングが、環状ノッチ内に配置される。リングの底面は、基板の底面よりも下方にある。リングの上面は、基板の上面よりも下方にある。リングは、誘電材料で形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
別の特徴において、誘電材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、サファイア、石英、および、酸化シリコンからなる群より選択される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
一部の例において、最小接触面積（ＭＣＡ）ピン７１が、処理中に基板１８の中央領域を支持するために用いられる。用いられる場合、コントローラ７０は、ＭＣＡピン７１を作動させるために用いられてもよい。一部の例では、ＭＣＡピン７１の上面が、環状バンドの上面の下方に、上面と平行に、または、上面の上方になる高さに配置されて、基板と環状バンドとの間に平行接触を提供する。一部の例において、ＭＣＡピン７１は、サファイアで製造されるが、その他の材料が用いられてもよい。ＭＣＡピンは、基板（ウエハ）と環状リング（シールバンド）との間の接触力を変えるために、高さが環状バンドの上方、平行、または、下方になるように設定されうる。より高い接触力は、基板と環状リングとの間のギャップを減少させることによって基板への裏面蒸着の低減を保証しうる。ＭＣＡピンが環状リングの上方および下方でどれだけ離れているかに関しては両方に制限がある；両方の方向で、離れすぎると、基板とリングとの間の接触力が低減することにより、ギャップが増大する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ここで、図９〜図１１を参照すると、リング１３２の様々な配置例が示されている。リング１３２は、略環状の形状を有し、誘電材料で製造されてよい。一部の例において、誘電材料は、アルミナ、窒化アルミニウム、サファイア、石英、および、酸化シリコンから選択される。図９において、リング１３２−１は、基板の外径（ＯＤ）および環状バンド１２２の半径方向外側に配置されている。リング１３２−１は、ペデスタル本体１１０のノッチ３１５内に受け入れられる下側部分３１３を備える。リング１３２−１は、さらに、上側部分３１７を備える。一部の例において、リング１３２−１の上側部分３１７は、下側部分３１３と比べて半径方向の厚さが大きい。リング１３２−１は、環状バンド１２２の外側縁部１２８および基板１８の半径方向外側縁部の半径方向外側に離間した半径方向内側表面３００−１を備える。リング１３２−１の上面３１０−１は、基板１８の上面の上方に、上面と平行に、または、上面の下方に配置されてよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】