【手続補正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルスレーザを用いてガラス基板に孔を形成する方法であって、
（１）相互に対向する第１および第２の表面を有するガラス基板を準備する工程と、
（２）前記ガラス基板の前記第１の表面に、吸収層を設置する工程と、
（３）前記ガラス基板の前記第１の表面の側に、第１の条件で、レンズを介してパルスレーザを照射することにより、前記第１の表面に、凹部を形成する工程であって、
前記第１の条件は、前記パルスレーザのエネルギー密度が前記ガラス基板の加工閾値以下となるように選定され、
前記凹部は、前記第１の表面における直径φおよび深さｄを有し、
前記直径φは、以下の（１）式
スポット径Ｓ＝（４×λ×ｆ×Ｍ２）／（π×ｒ）      （１）式
（ここで、λは前記パルスレーザの波長であり、ｆは前記レンズの焦点距離であり、Ｍ２はエムスクエア値であり、ｒは前記レンズに入射される前記パルスレーザのビームの直径である）
で表される前記パルスレーザの前記第１の表面におけるスポット径Ｓ以上（φ≧Ｓ）であり、前記深さｄは、前記直径φの０．７倍以上である、工程と、
（４）前記パルスレーザのエネルギー密度が前記ガラス基板の加工閾値以下となる第２の条件で、前記凹部に前記パルスレーザを照射して、孔を形成する工程であって、
前記第２の条件における前記パルスレーザのエネルギー密度は、前記第１の条件における前記パルスレーザのエネルギー密度より小さい、工程と、
を有する方法。
【請求項２】
前記第２の条件における前記パルスレーザのパルス列は、変調されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パルスレーザの波長λは、１２００ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記直径φは、３μｍ〜３０μｍの範囲である、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
前記深さｄは、２．１μｍ〜１２０μｍの範囲である、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
前記スポット径Ｓは、１５μｍ以下である、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
孔を有するガラス基板を製造する方法であって、
（１）相互に対向する第１および第２の表面を有するガラス基板を準備する工程と、
（２）前記ガラス基板の前記第１の表面に、吸収層を設置する工程と、
（３）前記ガラス基板の前記第１の表面の側に、第１の条件で、レンズを介してパルスレーザを照射することにより、前記第１の表面に、凹部を形成する工程であって、
前記第１の条件は、前記パルスレーザのエネルギー密度が前記ガラス基板の加工閾値以下となるように選定され、
前記凹部は、前記第１の表面における直径φおよび深さｄを有し、
前記直径φは、以下の（１）式
スポット径Ｓ＝（４×λ×ｆ×Ｍ２）／（π×ｒ）      （１）式
（ここで、λは前記パルスレーザの波長であり、ｆは前記レンズの焦点距離であり、Ｍ２はエムスクエア値であり、ｒは前記レンズに入射される前記パルスレーザのビームの直径である）
で表される前記パルスレーザの前記第１の表面におけるスポット径Ｓ以上（φ≧Ｓ）であり、前記深さｄは、前記直径φの０．７倍以上である、工程と、
（４）前記パルスレーザのエネルギー密度が前記ガラス基板の加工閾値以下となる第２の条件で、前記凹部に前記パルスレーザを照射して、孔を形成する工程であって、
前記第２の条件における前記パルスレーザのエネルギー密度は、前記第１の条件における前記パルスレーザのエネルギー密度より小さい、工程と、
を有する方法。
【請求項８】
前記第２の条件における前記パルスレーザのパルス列は、変調されている、請求項７に記載の孔を有するガラス基板を製造する方法。
【請求項９】
前記パルスレーザの波長λは、１２００ｎｍ以下である、請求項７または８記載の孔を有するガラス基板を製造する方法。
【請求項１０】
前記直径φは、３μｍ〜３０μｍの範囲である、請求項７乃至９のいずれか一つに記載の孔を有するガラス基板を製造する方法。
【請求項１１】
前記深さｄは、２．１μｍ〜１２０μｍの範囲である、請求項７乃至１０のいずれか一つに記載の孔を有するガラス基板を製造する方法。
【請求項１２】
前記スポット径Ｓは、１５μｍ以下である、請求項７乃至１１のいずれか一つに記載の孔を有するガラス基板を製造する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明では、パルスレーザを用いてガラス基板に孔を形成する方法であって、
（１）相互に対向する第１および第２の表面を有するガラス基板を準備する工程と、
（２）前記ガラス基板の前記第１の表面に、吸収層を設置する工程と、
（３）前記ガラス基板の前記第１の表面の側に、第１の条件で、レンズを介してパルスレーザを照射することにより、前記第１の表面に、凹部を形成する工程であって、
前記第１の条件は、前記パルスレーザのエネルギー密度が前記ガラス基板の加工閾値以下となるように選定され、
前記凹部は、前記第１の表面における直径φおよび深さｄを有し、
前記直径φは、以下の（１）式
スポット径Ｓ＝（４×λ×ｆ×Ｍ２）／（π×ｒ）      （１）式
（ここで、λは前記パルスレーザの波長であり、ｆは前記レンズの焦点距離であり、Ｍ２はエムスクエア値であり、ｒは前記レンズに入射される前記パルスレーザのビームの直径である）
で表される前記パルスレーザの前記第１の表面におけるスポット径Ｓ以上（φ≧Ｓ）であり、前記深さｄは、前記直径φの０．７倍以上である、工程と、
（４）前記パルスレーザのエネルギー密度が前記ガラス基板の加工閾値以下となる第２の条件で、前記凹部に前記パルスレーザを照射して、孔を形成する工程であって、
前記第２の条件における前記パルスレーザのエネルギー密度は、前記第１の条件における前記パルスレーザのエネルギー密度より小さい、工程と、
を有する方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明では、孔を有するガラス基板を製造する方法であって、
（１）相互に対向する第１および第２の表面を有するガラス基板を準備する工程と、
（２）前記ガラス基板の前記第１の表面に、吸収層を設置する工程と、
（３）前記ガラス基板の前記第１の表面の側に、第１の条件で、レンズを介してパルスレーザを照射することにより、前記第１の表面に、凹部を形成する工程であって、
前記第１の条件は、前記パルスレーザのエネルギー密度が前記ガラス基板の加工閾値以下となるように選定され、
前記凹部は、前記第１の表面における直径φおよび深さｄを有し、
前記直径φは、以下の（１）式
スポット径Ｓ＝（４×λ×ｆ×Ｍ２）／（π×ｒ）      （１）式
（ここで、λは前記パルスレーザの波長であり、ｆは前記レンズの焦点距離であり、Ｍ２はエムスクエア値であり、ｒは前記レンズに入射される前記パルスレーザのビームの直径である）
で表される前記パルスレーザの前記第１の表面におけるスポット径Ｓ以上（φ≧Ｓ）であり、前記深さｄは、前記直径φの０．７倍以上である、工程と、
（４）前記パルスレーザのエネルギー密度が前記ガラス基板の加工閾値以下となる第２の条件で、前記凹部に前記パルスレーザを照射して、孔を形成する工程であって、
前記第２の条件における前記パルスレーザのエネルギー密度は、前記第１の条件における前記パルスレーザのエネルギー密度より小さい、工程と、
を有する方法が提供される。