【事件の表示】
　平成　９年特許願第２７４４２９号「ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　７月１４日出願公開、特開平１０−１８６６３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成９年１０月７日の出願であって、平成１４年１２月１３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年１月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月７日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年２月７日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年２月７日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「透光性基板上に露光光に対して透明領域と半透明領域を有するハーフトーン型位相シフトマスクを作製するためのマスク用ブランクにおいて、前記半透明領域は単層もしくは２層以上の膜で構成されており、少なくとも１層が酸化ジルコニウムシリサイド膜よりなり、前記半透明領域の検査波長での透過率が３０％以下であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク」を「半透明領域の検査波長での透過率が３０％以下であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−２６１３７０号公報（以下、引用例１という。）の【特許請求の範囲】には、
「【請求項５】
　位相シフト・マスクにおいて、所与の波長のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成する方法であって前記所与の波長で透過性である基板を用意するステップと、
　シリコンを含有する付着ターゲットを用意するステップと、
　反応性酸素成分を含有する気体環境において、付着プロセスを用いて、前記ターゲットから、前記基板上に主としてシリコンと酸素を含有する前記層を付着するステップと、
を含む方法。
【請求項６】
　前記ターゲットが金属をも含有し、かつ前記層が前記波長でエネルギーを吸収する前記金属を含む化学種を含有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
…
【請求項１０】
　前記金属がＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｕのうちの１つであることを特徴とする請求項６に記載の方法。」
と記載されている。
　また、【０００４】及び【０００５】段落には、
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
　本発明の主目的は、減衰層を有する位相シフト・マスクを生成する方法を提供することである。
【０００５】
　本発明の他の目的は、減衰がうまく制御された層を有する位相シフト・マスクを提供することである。」
と記載されている。
　また、【００１４】及び【００１５】段落には、
「【００１４】
　図２を参照すると、膜は高周波ダイオード・スパッタ・システムによって付着させた。…
【００１５】
　図２に示した技法を用いて作成した位相シフト・マスク・ブランクの層１８を次にパターン化して、図３に示すような所望のリソグラフィ・マスクを形成する。…」
と記載されている。
　さらに、図２には、スパッタ・システムが図示されている。
　
（３）引用例１記載の発明
　所与の波長で透過性である基板を用意するステップと、
　シリコンを含有する付着ターゲットを用意するステップと、
　反応性酸素成分を含有する気体環境において、付着プロセスを用いて、前記ターゲットから、前記基板上に主としてシリコンと酸素を含有する前記層を付着するステップと、
　前記ターゲットが金属をも含有し、かつ前記層が前記波長でエネルギーを吸収する前記金属を含む化学種を含有し、
　前記金属がＺｒである、所与の波長のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成することにより、位相シフト・マスク・ブランクを形成し、当該位相シフト・マスク・ブランクをパターン化して、リソグラフィマスクとする発明。
　
（４）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１に記載された発明とを比較する。
　引用例１には、「露光光」及び「ハーフトーン型位相シフトマスク」の文言はないが、引用例１において、所与の波長の光で露光するから、引用例１においても「露光光」を用いることは明らかである。
　また、引用例１での、所与の波長のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成することにより、位相シフト・マスク・ブランクを形成し、当該位相シフト・マスク・ブランクをパターン化したリソグラフィマスクは、「ハーフトーン型位相シフトマスク」に相当する。
　さらに、引用例１に記載された発明の、「所与の波長で透過性である基板」及び「位相シフト・マスク・ブランク」は、それぞれ、本願補正発明の、「透光性基板」及び「ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク」に相当する。
　また、引用例１では、基板に、シリコン、酸素及びＺｒを含むターゲットを用いて位相シフト層を形成するから、引用例１に記載された発明の位相シフト層は、酸化ジルコニウムシリサイド膜よりなるものである。
　そうすると、両者は、「透光性基板上に露光光に対して透明領域と半透明領域を有するハーフトーン型位相シフトマスクを作製するためのマスク用ブランクにおいて、前記半透明領域は酸化ジルコニウムシリサイド膜よりなる、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。」において一致し、本願補正発明は、半透明領域の検査波長での透過率が３０％以下であるのに対し、引用例１に記載された発明は、その旨の記載がない点で相違（以下、「相違点」という。）する。
　
（５）判断
　相違点について検討する。
　ハーフトーン型位相シフトマスクの透過率が、検査波長で高いと欠陥検査ができないことは周知の事項（例えば、特開平７−１６８３４３号公報、特開平８−７４０３１号公報及び特開平７−２０９８４９号公報等参照）であり、引用例１記載の酸化ジルコニウムシリサイド膜よりなる半透明領域の検査波長での透過率を、検査ができる程度に低くすることは、当業者が容易に想到できたことと認められ、また、透過率が３０％以下である点の臨界的意義もないから、相違点については、当業者が引用例１及び周知の事項に基づいて適宜採用することができたものである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１記載の発明及び周知の事項から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１記載の発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（６）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年２月７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１４年１０月７日付で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「透光性基板上に露光光に対して透明領域と半透明領域を有するハーフトーン型位相シフトマスクを作製するためのマスク用ブランクにおいて、前記半透明領域は単層もしくは２層以上の膜で構成されており、少なくとも１層が酸化ジルコニウムシリサイド膜よりなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断      
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの限定事項である「半透明領域の検査波長での透過率が３０％以下であること」との構成を省くものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（５）」に記載したとおり、引用例１記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。