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　平成　７年特許願第　７６９１３号「光メモリ媒体及び光メモリ媒体への記録方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年１０月２２日出願公開、特開平　８−２７９１７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成７年３月３１日の出願であって、その請求項１〜１０に係る発明は、平成１３年８月１０日付け手続補正及び平成１６年７月３０日付け手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのもの認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。　なお、審判請求とともになされた平成１４年７月３日付けの手続補正は補正却下された。
　【請求項１】「基板上に書換え可能な記録層を有し、光ビームの照射によって前記記録層に記録信号が記録される光メモリ媒体において、ＥＦＭ変調のランダムパターンを記録信号として前記記録層に記録信号を記録した場合における前記記録層の記録信号記録後の最大反射率が１０％以上で２０％以下とし、かつ、前記記録層の最大反射率と最低反射率との差を最大反射率で規格化した変調度が５０％以上であることを特徴とする光メモリ媒体。」
　
２．引用例
　これに対し、当審の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である特開平３−１５６７４３号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次のような記載がある。なお、下線は当審が付与した。
　（i）「
基板上に
記録層に可逆的相変化を起こさせる
記録状態の反射率Ｒ１
非記録状態の反射率Ｒ２
　（ii）「［産業上の利用分野］　本発明は
記録情報の高いＣＮ比と消去比を有する書き換え型の光記録媒体
　（iii）「書き換え型の光記録媒体は、光磁気方式と相変化方式の二つの記録方式の開発が進められているが、ここではこれら二つの記録方式のうち、
相変化方式について述べる
　（iv）「
通常の相変化型光記録媒体では、初期状態は記録層を結晶状態としておき、情報記録時にこれにレーザ光を照射し、照射部を溶融した後急冷却して非結晶状態のスポットを形成する。消去時にはこの非結晶状態のスポットをレーザ光によりアニールして結晶状態へ戻す
　（v）「以上のように相変化型の光記録媒体は記録層の結晶状態と非結晶状態の反射率差で情報の記録を行なうものであるから、一般にこの反射率差が大きい程記録された情報を再生した時の信号とノイズの比、即ちCN比が高くなり、その後の信号処理が容易になる。従来このCN比を大きくとるため反射率差をできるだけ大きくすることが行われており、実用上はCN比が45dB以上であることが望まれている。」（第２頁右上欄１５行〜同頁左下欄３行参照）こと、
　（vi）「光記録媒体のCN比と記録状態の反射率R1,非記録状態の反射率R2との関係は、CN比のＣレベルは反射率差|R2−R1|に比例し、ＮレベルはR2に比例するので、（R2−R1）/R2の絶対値が最大となる膜厚構成とするとき、この光記録媒体は最大のCN比を得ることができる。　しかしながら、相変化型光記録媒体のＣＮ比を大きくするために、以上のような膜厚構成をとることに関してはなお次のような問題がある。」（第２頁右下欄４〜１２行参照）こと、
　（vii）「〔発明が解決しようとする課題〕  
第１の問題は｜（R2−R1）/R2|を大きくした場合、レーザ光のフォーカス，トラッキング用のサーボ信号に乱れが生じ、レーザ光のトラッキングにずれが起こりやすくなることである。この原因は｜（R2−R1）/R2|を最大にするためにはR1またはR2をゼロに近づけるのが有効であるが、そのときサーボ信号に必要な反射光を確保することができないからである
　第２は相変化型光記録媒体の特徴である１ビームオーバライト時に生ずる問題である。即ち
１ビームオーバーライトを行なうに当たっては、レーザ光を照射する以前の記録層が非結晶状態，結晶状態の如何であるに関わらず、オーバーライト時のレーザ光の照射条件に対応した非結晶状態または結晶状態となっていることが必要である。しかし、非結晶状態の反射率R1と結晶状態の反射率R2とが余りに異なると吸収されるレーザエネルギーがレーザ光照射以前の状態によって大きく異なるため、オーバーライトを行なう前の古い情報を完全に消去し切れなくなる。古い情報のオーバーライト前後のCN比の変化を消去比と言い、実用上は25dB以上が必要であるが、上記のように|R1−R2|が大き過ぎるとこの値を確保することができない
　（viii）「〔作用〕  本発明の光記録媒体は上記のように記録状態の反射率R1と非記録状態の反射率R2に関して、｜（R2−R1）/R2|の値を適切な範囲に設定したことにより、第１図，第２図に示した如く実用上高いCN比と１ビームオーバーライト時の高い消去比を付与することができる。」（第３頁右上欄１０〜１６行参照）こと、
　（ix）「実施例1.
　本発明の光記録媒体に形成する各薄膜は通常のRFマグネトロンスパッタにより容易に作製することができる。ここでは直径130mmのポリカーボネート製の基板上に第１の保護層ZnSを100nm,記録層Ge2Sb2Te5を60nm,第２の保護層ZnSを170nm,Alの反射冷却層を100nmの膜厚となるように各層を順次スパッタ形成した後、表面保護層を堆積した構造のものとした。この光記録媒体を回転数1800rpmで回転させながら、波長830nm,出力8mWのレーザ光を照射したときの光記録媒体面における
レーザ光スポットの径は約１μｍ
この光記録媒体のR1は10％,R2は30％,|（R2−R1）/R2|は0.67
スパッタ形成された直後の記録層Ge
2
Sb
2
Te
5
は非結晶状態であり、その光反射率は10％であったがレーザ光の照射により光反射率は30％にまで上昇した
反射率が10％から30％に上昇したのは、記録層が非結晶状態から結晶状態へ変化したため
  この光記録媒体にレーザ光出力15mWで
周波数3.7MHzのパルス入力を書き込んだ
　（x）「以上述べてきたように光記録媒体のCN比は｜（R2−R1）/R2|で決定されるが、例えば
レーザ光のビーム径が1.5μｍの光ヘッドによりピットピッチ1.5μｍで書き込まれた光記録媒体
　（xi）「一方、５インチディスクの光記録媒体を用いて、回転数1800rpmにおけるオーバーライト時の消去比と｜（R2−R1）/R2|との関係を第２図の線図に示す。第２図中の線（イ）はこの光記録媒体の記録層に結晶化速度の大きいGe2Sb2Te5を用い、実用上可能な範囲で急冷却し、できるだけ高い消去比が得られる構造としたときの消去比と｜（R2−R1）/R2|との関係を示したものであり、線（ロ）は記録層の結晶化速度が低く熱拡散も小さい構造とした光記録媒体の場合を表している。消去比は記録層の結晶化速度，光記録媒体自体の熱的な設計によっても変わるが、これらの条件が一定の場合｜（R2−R1）/R2|が小さい程大きくなる。第２図から実用上必要な消去比25dBを確保するには｜（R2−R1）/R2|の上限値を0.8と定めることができる。
  
R1,R2の絶対値については、光ヘッドのサーボ信号が確保されなくてはならないから、通常の光ヘッドを用いる場合望ましくは10％以上、少なくとも５％以上とすることが必要である。
　（xii）「以上のことから、相変化型光記録媒体はR1,R2および｜（R2−R1）/R2|の具備すべき条件として、R1,R2がいずれも５％以上の値を持ち、R1とR2の間には0.3≦｜（R2−R1）/R2|≦0.8なる関係を満足するように光記録媒体を構成することにより、高いCN比と消去比が得られることがわかる。第１表はその条件を満たす組み合わせの例を示したものである。
　第１表の結果はいずれも本発明の条件を満たす構成の光記録媒体であり、CN比は45dB以上，消去比は25dB以上となっており、全て実用上の使用に供することができる。」（第４頁左下欄１９行〜同頁右下欄下から２行参照）こと、
　（xiii）「〔発明の効果〕
　相変化型の光記録媒体は記録状態の反射率R1と非記録状態の反射率R2との差をただ大きくするだけでは、１ビームオーバライト時の古い情報の消え残りが生ずるなど種々問題があったが、本発明では実施例で述べたように｜（R2−R1）/R2|絶対値を適切な範囲に設定して光記録媒体を構成したために、レーザ光のトラッキングが容易に行なわれ、１ビームオーバーライト時の消去比が高く、しかも実用上十分に満足できる高いCN比を有する光記録媒体を得ることができたものである。」（第４頁右下欄末行〜第５頁左上欄１０行参照）こと。
　
　これらの記載からみて、引用例には、「基板上に可逆的相変化を起こす書き換え型の記録層を有し、レーザ光の入射によって情報の記録、再生、消去を行なう光記録媒体において、この光記録媒体の記録状態の反射率Ｒ１と非記録状態の反射率Ｒ２とをいずれも５％以上（望ましくは１０％以上）とし、０．３≦｜（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ２｜≦０．８（実施例で０．５６，０．６０，０．６７）である光記録媒体。」の発明が記載されているものと認められる。
　
３．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例に記載の発明とを対比する。
　引用例に記載の発明の「可逆的相変化を起こす書き換え型の記録層」と「光記録媒体」は、それぞれ本願発明の「書換え可能な記録層」と「光メモリ媒体」に相当し、引用例に記載の発明の「｜（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ２｜」は変調度に相当するから、両発明は、少なくとも、
　「基板上に書換え可能な記録層を有し、光ビームの照射によって前記記録層に記録信号が記録される光メモリ媒体において、反射率と変調度が特定された光メモリ媒体。」の発明で一致する。
　本願発明は、更に次の（Ａ）、（Ｂ）の点を必須構成としているので、そのような構成が引用例に記載されているか検討する。
　（Ａ）「ＥＦＭ変調のランダムパターンを記録信号として前記記録層に記録信号を記録した場合における前記記録層の記録信号記録後の最大反射率が１０％以上で２０％以下」とする構成、
　（Ｂ）「前記記録層の最大反射率と最低反射率との差を最大反射率で規格化した変調度が５０％以上である」とする構成。
　
　（Ａ）の構成について
　引用例に記載の発明において、「初期状態は記録層を結晶状態としておき、情報記録時にこれにレーザ光を照射し、照射部を溶融した後急冷却して非結晶状態のスポットを形成する。消去時にはこの非結晶状態のスポットをレーザ光によりアニールして結晶状態へ戻す」（摘示（iv）参照）ものであり、その実施例１の層構成を有する光記録媒体に関して初期化により「反射率が10％から30％に上昇したのは、記録層が非結晶状態から結晶状態へ変化したため」（摘示（ix）参照）であることを勘案すると、スポット（即ち相変化ピットないしはマーク、以下単に「ピット」ともいう。）を形成した記録状態が非結晶状態で、スポットを形成しない状態（即ちピットを形成しない状態）が結晶状態である。　そうすると、記録層にピット（スポット）を形成することにより情報が記録されて非結晶状態に戻り、その結果反射率が低下することは明らかで、結晶状態そのままの状態が最大の反射率を示すことが明白である。
　ところで、引用例には、最大反射率が「ＥＦＭ変調のランダムパターンを記録信号として前記記録層に記録信号を記録した場合における前記記録層の記録信号記録後」のものであることには言及されていないけれども、これは反射率（という物性）を測定するための条件にすぎないと認められ、媒体自体の構成ではない。　かかる測定条件で記録する場合には、いわゆるＣＤ（コンパクトディスク）に用いられているＥＦＭ変調のランダムパターンで形成されるビーム走査方向の隣接ピット同士間のピットが形成されていない最長の長さ（例えば１１Ｔ程度の長さ）は、レーザ光のビーム径に比べ遥かに長いことに留意すると、前記のような相変化を利用する記録媒体においては、記録信号記録後でもピットが存在しない領域が結晶状態であってその箇所の反射率が最大となる場合に相当することは明らかであるから、それは「非記録状態の反射率Ｒ２」に他ならない。
　そして、引用例には、光記録媒体の非記録状態の反射率Ｒ２を５％以上、望ましくはサーボ信号確保のために１０％以上とすることが記載（摘示（xi）参照）されている。　一方、反射率Ｒ２の上限の規定には明確な言及はないものの、実施例１や第１表には２５％〜３５％の例が示されていることから、非記録状態の反射率Ｒ２として１０〜３５％の反射率にすることの実質的な明示があるというべきであって、その範囲は本願発明の「最大反射率が１０％以上で２０％以下」の範囲と一致する。
　なお、非記録状態の反射率Ｒ２が２０％以下の実施例は引用例に記載されていないけれども、引用例記載の発明は、実施例に限定して解釈すべき理由はない。　他方、本願発明では当初明細書で最大反射率の上限の規定は何ら説明はなく、たまたま実施例として２０％の例があってその数値を上限として採用しているにすぎないから、２０％以下との数値限定に格別の臨界的な技術的意義は何ら認められない。　この点に関して、請求人は、平成１６年７月３０日付け意見書（２．（２）参照）において、「最大反射率２０％を越えると、再生試験を行うことができる状態にならない。つまり２０％を越えた最大反射率を示す光メモリでは、記録信号の品質を示すジッタが悪かったり、変調度が５０％未満であったりして、十分な再生試験を行うことができない。その理由は相変化型の記録媒体では反射率とともに必要な記録レーザーパワーを大きくする必要があり、反射率２０％以上ではパワー不足となって満足な記録を行い得ないからであろうと推定される。」と主張しているけれども、かかる主張は推定にすぎず根拠が無いもので、そもそも出願当初なんら認識されていなかったことであるから、該主張の採用はできない。
　以上のとおりであるから、「ＥＦＭ変調のランダムパターンを記録信号として前記記録層に記録信号を記録した場合における前記記録層の記録信号記録後の最大反射率が１０％以上で２０％以下」との構成は、そのような条件下での反射率の測定が行われることが引用例に記載されていなくても、引用例に記載の発明の光メモリ媒体が実質的に有しているものといえる。
　
　（Ｂ）の構成について
　本願発明の「前記記録層の」「最低反射率」が、「ＥＦＭ変調のランダムパターンを記録信号として前記記録層に記録信号を記録した場合における前記記録層の記録信号記録後の」ものであるか否かは、その文言からは特定できないので、諾否に分けて検討する。
　否である場合には、引用例に記載の発明の非結晶状態における反射率が記録層の最低反射率となると解してもよいから、「記録層の」「最低反射率」は記録状態の反射率Ｒ１に相当することは明かである。
　諾である場合には、「記録層に記録信号を記録した場合」に、引用例に記載の発明では、上記（Ａ）で検討したようピットの形成箇所の反射率が低減することを考慮すると、最低反射率となるのはピット（スポット）が記録層に書き込まれた場合に相当し、更に、ビームスポット内の光ビーム走査方向が全てピットで埋まる状態、例えばＥＦＭ変調のランダムパターンで書き込まれた最大長さのピット（例えば１１Ｔ程度）が形成された場合が最低の反射率になると理解できる。
　しかし、「ＥＦＭ変調のランダムパターンを記録信号として前記記録層に記録信号を記録した場合」は光ビーム走査方向の規定にすぎず、走査方向と直交する方向のピットの幅（以下、単に「ピットの幅」ともいう。）をどの程度の幅で記録するのかが特定されるものではなく、本願発明はその点の不明がある。　そこで、本願明細書を検討するも、「グルーブ付きのポリカーボネートからなる基板」を用いたこと（段落【００２１】参照）や、「回転速度２．４ｍ／ｓでＣＤに用いられているＥＭＦ変調のランダムパターンを記録信号とし、」（段落【００２２】参照）などと記載されているものの、「ＥＦＭ変調のランダムパターンを記録信号として前記記録層に記録信号を記録した場合」が、反射率を測定するビームスポットの径に対しどの程度のピットの幅で記録されたものか全く不明である。　してみると、特殊パラメータの定義として定まらないから、ピットの幅は適当に解釈し採用できるものというしかない。　なお、本願明細書添付の図１を勘案しても、グルーブに記録したものかランドに記録したものか判断できないばかりか、そもそもグルーブ乃至ランドの幅は特定されていないというしかない（グルーブの有無は本願発明で特定されていない。）。　また、本願明細書の表１に示された市販のＣＤ系駆動装置による測定は、記録信号特性を評価するものであって、反射率そのものを測定するものかも不明で、仮にその装置で反射率を測定するとしても、前記の如く記録ピットの幅が不明であるから、再生用ビームスポットにおけるピットの占める割合を特定することができず、測定条件が客観的に明らかになるように示されているわけでもない。
　結局のところ、「ＥＦＭ変調のランダムパターンを記録信号として前記記録層に記録信号を記録した場合における前記記録層の記録信号記録後の」最低反射率と変調度がどのように測定されたものか定まらないことになり、それ故に当業者は「ＥＦＭ変調のランダムパターンを記録信号として前記記録層に記録信号を記録した場合」の条件を満たせば他の条件は自由に選択できるものというしかない。
　してみると、ビーム径とほぼ同程度のピットの幅で書き込まれた場合も本願発明に包含されるものと言えるから、その場合の反射率は、記録層に照射されたビームスポット内が全て非結晶状態である場合に同じであって、引用例に記載の発明の「記録状態の反射率Ｒ１」そのものと解するべきであり、それが本願発明の「ＥＦＭ変調のランダムパターンを記録信号として前記記録層に記録信号を記録した場合における前記記録層の記録信号記録後の」「最低反射率」に相当する。
　なお、ビームスポット径に比べ書き込まれたピットの幅が少しぐらい小さくても、ビームの中心部に比べ周辺の光強度は小さいから、「最低反射率」が著しく増大すると解することはでぎず、例えば変調度０．８のものが０．５以下になるとは認められない。
　よって、引用例に記載の発明の「｜（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ２｜」は、本願発明の「記録層の最大反射率と最低反射率との差を最大反射率で規格化した変調度」に実質的に相当し、０．５以上０．８以下（即ち５０％以上８０％以下；引用例に記載の発明の実施例の０．５６，０．６０，０．６７はいずれもその範囲内であることにも留意。）の範囲で一致しているというしかない。
　
　したがって、引用例に記載の発明は、前記（Ａ）と（Ｂ）の構成をも実質的に有しているというべきであり、本願発明は引用例に記載された発明と認められる。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。