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【手続補正書】
【提出日】平成30年1月16日(2018.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機であって、
前縁を有する空気力学コンポーネントおよび曝露表面を含むボディを備え、
前記曝露表面は大気に曝露され、
前記曝露表面は、受動除氷構造であって、
前記前縁に実質的に平行に方向付けられた伸長方向で伸長され、氷核生成ゾーン上で氷を形成させるように構成された核生成粒子を有する、前記氷核生成ゾーン、および
前記前縁に実質的に平行に方向付けられた伸長方向で伸長された氷抵抗ゾーンを含む受動除氷構造を含み、
前記氷抵抗ゾーンは、前記氷核生成ゾーンにより前記前縁から分離され、
前記氷核生成ゾーンの濡れ可能性は、前記氷抵抗ゾーンの濡れ可能性より大きい、航空機。
【請求項２】
前記氷核生成ゾーンは、前記受動除氷構造上で無秩序な氷の核となるように構成されている核生成粒子を含む請求項1に記載の航空機。
【請求項３】
航空機であって、
前縁を有する空気力学コンポーネントおよび曝露表面を含むボディを備え、
前記曝露表面は大気に曝露され、
前記曝露表面は、受動除氷構造であって、前記受動除氷構造上の1つ以上の予め定められた位置で氷を形成させるように構成された複数の氷核生成ゾーンを含む受動除氷構造を含み、かつ、前記複数の氷核生成ゾーンのそれぞれは、前記受動除氷構造上に無秩序な氷の核となるよう構成された核生成粒子を含む、航空機。
【請求項４】
前記ボディは、翼、尾翼、水平安定板、垂直安定板、胴体、エンジンカウリング、プロペラ羽根および回転翼羽根のうちの少なくとも1つを含む請求項3に記載の航空機。
【請求項５】
各氷核生成ゾーンは、前記氷核生成ゾーンと接触する超臨界水を、氷の結晶の無秩序なグループを含む氷に変換するように構成されている請求項3に記載の航空機。
【請求項６】
前記複数の氷核生成ゾーンは、装置の除氷を促す氷の特徴が剪断力を受けたときの、氷の特徴の選択的な形成のために配列されている請求項3に記載の航空機。
【請求項７】
前記複数の氷核生成ゾーンのそれぞれは、前記氷核生成ゾーン上で無秩序な氷の核となるように予め選択された核生成粒子を含む請求項3に記載の航空機。
【請求項８】
前記核生成粒子は、スフェロイド、ナノ粒子、板状晶およびフレークのうちの少なくとも1つを含む請求項7に記載の航空機。
【請求項９】
前記核生成粒子は、粘土鉱物、ケイ酸塩、ケイ酸アルミニウム、フィロケイ酸塩、立体網状ケイ酸塩、長石、カオリナイト、モンモリロナイト、イオウおよびイオウ酸のうちの1以上を含む請求項7に記載の航空機。
【請求項１０】
前記複数の氷核生成ゾーンのそれぞれは、親水性表面を有する請求項3に記載の航空機。
【請求項１１】
前記複数の氷核生成ゾーンのそれぞれは、前記曝露表面上での鉱化コーティングを含む請求項3に記載の航空機。
【請求項１２】
前記複数の氷核生成ゾーンの少なくとも1つは、前記前縁に近い請求項3に記載の航空機。
【請求項１３】
前記複数の氷核生成ゾーンの少なくとも1つは、前記前縁に実質的に平行に方向付けられた伸長方向で伸長される請求項3に記載の航空機。
【請求項１４】
前記受動除氷構造は氷抵抗ゾーンを含む請求項3に記載の航空機。
【請求項１５】
前記氷抵抗ゾーンは、前記複数の氷核生成ゾーンの少なくとも1つによって、前記前縁から分離される請求項14に記載の航空機。
【請求項１６】
前記氷抵抗ゾーンは疎水性である請求項14に記載の航空機。
【請求項１７】
前記氷抵抗ゾーンは、前記複数の氷核生成ゾーンよりも濡れにくい請求項14に記載の航空機。
【請求項１８】
装置であって、
大気に曝露される曝露表面を備えたボディを備え、
前記曝露表面は、受動除氷構造であって、前記受動除氷構造上の1つ以上の予め定められた位置で氷を形成させるように予め選択された氷核生成ゾーンを含む受動除氷構造を含み、かつ、前記氷核生成ゾーンは、前記氷核生成ゾーン上に無秩序な氷の核となるよう予め選択された核生成粒子を含む、装置。
【請求項１９】
前記氷核生成ゾーンは、前記氷核生成ゾーンと接触する超臨界水を、氷の結晶の無秩序なグループを含む氷に変換するよう構成される請求項18に記載の装置。
【請求項２０】
前記受動除氷構造は、前記氷核生成ゾーンよりも濡れにくい氷抵抗ゾーンを含む請求項18に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月1日(2018.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を発振する発振素子であって、
負性抵抗素子と、
第一の導体と第二の導体とを有する共振器と、を有し、
前記負性抵抗素子及び前記共振器は、基板上に配置されており、
前記負性抵抗素子は、前記第一の導体及び前記第二の導体と電気的に接続しており、
前記第一の導体と前記第二の導体とは、容量結合しており、
前記共振器の直列共振周波数ｆ１は、前記第一の導体と前記第二の導体との間の容量をＣ、前記第一の導体及び前記第二の導体のインダクタンスをＬ１、発振される前記電磁波の真空中の速度をＣ０、前記基板の比誘電率をεｒ、前記基板の対角線の長さをｄとすると、
【数１】
2015180049.tif 000001
【数２】
2015180049.tif 000002
を満たす
ことを特徴とする発振素子。
【請求項２】
前記直列共振周波数ｆ１は、３ＧＨｚ未満である
ことを特徴とする請求項１に記載の発振素子。
【請求項３】
前記直列共振周波数ｆ１は、１００ＭＨｚ以上である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発振素子。
【請求項４】
発振される前記電磁波の発振周波数ｆｏｓｃは、０．１ＴＨｚ以下であり、
前記容量Ｃは、０．１ｎＦ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の発振素子。
【請求項５】
発振される前記電磁波の発振周波数ｆｏｓｃは、１ＴＨｚ以下であり、
前記容量Ｃは、１ｎＦ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の発振素子。
【請求項６】
発振される前記電磁波の発振周波数ｆｏｓｃは、１０ＴＨｚ以下であり、
前記容量Ｃは、１０ｎＦ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の発振素子。
【請求項７】
前記基板は、導電性である
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発振素子。
【請求項８】
電磁波を発振する発振素子であって、
負性抵抗素子と、分布定数型の共振器と、を有し、
前記共振器は、第一の導体層と、第二の導体層と、第三の導体層と、を有し、
前記第一の導体層と前記第二の導体層とは、短絡しており、
前記負性抵抗素子は、前記第一の導体層及び前記第三の導体層と接続されており、
前記第二の導体層と前記第三の導体層とは、対向して配置されており、且つ、容量結合している
ことを特徴とする発振素子。
【請求項９】
前記負性抵抗素子と前記共振器とは、基板上に配置されており、
前記共振器の直列共振周波数ｆ１は、前記第二の導体層と前記第三の導体層との間の容量をＣ、前記第一の導体層、前記第二の導体層及び前記第三の導体層のインダクタンスをＬ１、発振される前記電磁波の真空中の速度をＣ０、前記基板の比誘電率をεｒ、前記基板の対角線の長さをｄとすると、
【数３】
2015180049.tif 000003
【数４】
2015180049.tif 000004
を満たす
ことを特徴とする請求項８に記載の発振素子。
【請求項１０】
前記電磁波の発振周波数ｆｏｓｃは、０．１ＴＨｚ以下であり、
前記第二の導体層と前記第三の導体層との間の容量Ｃは、０．１ｎＦ以上である
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の発振素子。
【請求項１１】
前記電磁波の発振周波数ｆｏｓｃは、１ＴＨｚ以下であり、
前記第二の導体層と前記第三の導体層との間の容量Ｃは、１ｎＦ以上である
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の発振素子。
【請求項１２】
前記電磁波の発振周波数ｆｏｓｃは、１０ＴＨｚ以下であり、
前記第二の導体層と前記第三の導体層との間の容量Ｃは、１０ｎＦ以上である
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の発振素子。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発振素子と、
前記発振素子にバイアス電圧を供給する電源回路と、を有し、
前記電源回路は、電源と、前記電源と前記発振素子とを電気的に接続する導体とを備える
ことを特徴とする発振器。
【請求項１４】
前記電源と前記発振素子とを電気的に接続する前記導体は、電線である
ことを特徴とする請求項１３に記載の発振器。
【請求項１５】
シャント素子を有し、
前記シャント素子は、前記電源と前記発振素子との間で前記電線と接続されており、
前記発振素子と前記シャント素子との間の前記電線の長さは、前記発振素子の直列共振周波数ｆ１に対応する波長の１／４以下である
ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の発振器。
【請求項１６】
前記電源回路は、前記発振素子が有する負性抵抗素子の負性抵抗を−Ｒｄ、前記電線の直列抵抗をＲｓ２、前記電線のインダクタンスをＬ２とすると、Ｒｄ＞Ｒｓ２＞Ｌ２／ＣＲｄを満たす
ことを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の発振器。
【請求項１７】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発振素子と、
前記発振素子から発振された前記電磁波が照射された被写体からの電磁波を検出する検出手段と、を有する
ことを特徴とするイメージングシステム。
【請求項１８】
前記検出手段は、前記被写体からの電磁波を画像として検出する画像形成装置である
ことを特徴とする請求項１７に記載のイメージングシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年11月30日(2017.11.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＥ（ユーザ装置）、ＮＡＦ（ｎｅｔｗｏｒｋ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）、およびＢＳＦ（ｂｏｏｔｓｔｒａｐｐｉｎｇ  ｓｅｒｖｅｒ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を含むシステムにおいて実行される方法であって、
前記ＵＥと前記ＢＳＦとの間におけるＴＬＳ（ｔｒａｎｓｐｏｒｔ−ｌａｙｅｒ  ｓｅｃｕｒｉｔｙ）トンネルを前記ＵＥにおいて確立するステップであって、前記ＴＬＳトンネルは、前記ＴＬＳトンネルと関連付けられているＴＬＳマスターキーを有する、ステップと、
前記ＢＳＦからのチャレンジに応答して、前記ＵＥにおいてランダムなノンスを生成して、認証応答を計算するステップと、
前記ＵＥのユーザの成功した認証を示すメッセージを前記ＵＥにおいて受信するステップであって、前記成功した認証の結果、前記ＴＬＳマスターキーと異なる第２のキーが導出される、ステップと、
前記ＵＥと前記ＮＡＦとの間における通信を後でセキュアにする際に使用するための第３のキーを前記ＵＥにおいて導出するステップであって、前記第３のキーの前記導出は、前記第２のキーおよび前記ＴＬＳマスターキーの両方に依存している、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記認証応答を計算する前記ステップは、１つまたは複数のＳＩＰ−ｄｉｇｅｓｔ（ｓｅｓｓｉｏｎ  ｉｎｉｔｉａｔｉｏｎ  ｐｒｏｔｏｃｏｌ  ｄｉｇｅｓｔ）クレデンシャルを使用して実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のキーは、ＧＢＡ（ｇｅｎｅｒｉｃ  ｂｏｏｔｓｔｒａｐｐｉｎｇ  ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）セッションキー（Ｋｓ）であり、前記第３のキーを導出する前記ステップは、
ＧＢＡプロトコルを使用して前記Ｋｓから前記第３のキーを導出するステップであって、前記第３のキーは、アプリケーション固有のキー（Ｋｓ＿ＮＡＦ）である、ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｋｓ＿ＮＡＦを使用して、前記ＵＥと前記ＮＡＦとの間における通信をセキュアにするステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｋｓは、インテグリティキーまたはコンフィデンシャリティキーのうちの少なくとも１つを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
ＮＡＦ（ｎｅｔｗｏｒｋ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）およびＢＳＦ（ｂｏｏｔｓｔｒａｐｐｉｎｇ  ｓｅｒｖｅｒ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）と通信するように構成されたＵＥ（ユーザ装置）であって、前記ＵＥは、コンピュータ実行可能命令が格納されたメモリ、および前記コンピュータ実行可能命令を実行するように構成されたプロセッサを含み、前記コンピュータ実行可能命令は、
前記ＵＥと前記ＢＳＦとの間におけるＴＬＳ（ｔｒａｎｓｐｏｒｔ−ｌａｙｅｒ  ｓｅｃｕｒｉｔｙ）トンネルを確立するステップであって、前記ＴＬＳトンネルは、前記ＴＬＳトンネルと関連付けられているＴＬＳマスターキーを有する、ステップと、
前記ＢＳＦからのチャレンジに応答して、ランダムなノンスを生成して、認証応答を計算するステップと、
前記ＵＥのユーザの成功した認証を示すメッセージを受信するステップであって、前記成功した認証の結果、前記ＴＬＳマスターキーと異なる第２のキーが導出される、ステップと、
前記ＵＥと前記ＮＡＦとの間における通信を後でセキュアにする際に使用するための第３のキーを導出するステップであって、前記第３のキーの前記導出は、前記第２のキーおよび前記ＴＬＳマスターキーの両方に依存している、ステップと
を実行するためのものである、ＵＥ。
【請求項７】
前記プロセッサは、１つまたは複数のＳＩＰ−ｄｉｇｅｓｔ（ｓｅｓｓｉｏｎ  ｉｎｉｔｉａｔｉｏｎ  ｐｒｏｔｏｃｏｌ  ｄｉｇｅｓｔ）クレデンシャルを使用して前記認証応答を計算するために、前記コンピュータ実行可能命令を実行するようにさらに構成された、請求項６に記載のＵＥ。
【請求項８】
前記第２のキーは、ＧＢＡ（ｇｅｎｅｒｉｃ  ｂｏｏｔｓｔｒａｐｐｉｎｇ  ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）セッションキー（Ｋｓ）であり、前記プロセッサは、ＧＢＡプロトコルを使用して前記Ｋｓから前記第３のキーを導出するために、前記コンピュータ実行可能命令を実行するようにさらに構成され、前記第３のキーは、アプリケーション固有のキー（Ｋｓ＿ＮＡＦ）である、請求項６に記載のＵＥ。
【請求項９】
前記プロセッサは、前記Ｋｓ＿ＮＡＦを使用して、前記ＵＥと前記ＮＡＦとの間における通信をセキュアにするために、前記コンピュータ実行可能命令を実行するようにさらに構成された、請求項８に記載のＵＥ。
【請求項１０】
前記Ｋｓは、インテグリティキーまたはコンフィデンシャリティキーのうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載のＵＥ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
（ＵＥ７０２とＮＡＦ（ｎｅｔｗｏｒｋ  ａｕｔｈｅｎｔｉｃａｔｉｏｎ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）（図示せず）との間における）Ｕａリファレンスポイントを介したセキュリティーのためのアプリケーション固有のキーが、少なくとも部分的に、ＧＢＡを介して、ブートストラップされたキーから導出されることが可能である。たとえば、Ｋｓ＿ＮＡＦは、Ｋｓ＝ＣＫ‖ＩＫから導出されることが可能であり、この場合、ＣＫおよびＩＫは、７１４においてＨＳＳ７０６からＢＳＦ７０４へ配信されたＡＶの一部である。Ｋｓ＿ＮＡＦが、ＫｓおよびＴＬＳトンネルの編成中に確立されたマスターキーの両方から導出されている場合には、バインディングは、依然として有効であることが可能である。したがってＫｓ＿ＮＡＦは、ＵＥ７０２とネットワークとの間において共有されることが可能である。Ｋｓ＿ＮＡＦは、いかなるＭｉｔＭにとっても利用不可能とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月21日(2018.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線、第２の配線、第１のスイッチ、及び第２のスイッチを有し、
前記第１のスイッチは、第１の配線と第２の配線との間の導通を制御する機能を有し、
前記第１の配線には、第１の期間において第１の信号が与えられ、
前記第１の配線には、第２の期間において第２の信号が与えられ、
前記第１の信号は、コンフィギュレーションデータを含む信号であり、
前記第２の信号は、演算処理のための信号であり、
前記第２のスイッチは、前記第１の期間においてオフ状態となり、
前記第２のスイッチは、前記第２の期間においてオン状態となることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のスイッチは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタであることを特徴とする半導体装置
【請求項３】
請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係るワイヤレス温度センサの製造方法は、第一のセラミックグリーンシートと、第二のセラミックグリーンシートと、を用意する工程と、第二のセラミックグリーンシートよりも熱伝導率が高い第一のセラミックグリーンシートを焼成して容器本体を形成する工程と、第二のセラミックグリーンシートにアンテナ電極及びＧＮＤ電極を配置し、アンテナ電極及びＧＮＤ電極が配置された第二のセラミックグリーンシートを、第一のセラミックグリーンシートよりも低い焼成温度で焼成してアンテナを有する蓋を形成する工程と、温度検出素子を、アンテナ電極及びＧＮＤ電極に電気的に接続する工程と、温度検出素子が容器本体及び蓋の内部に固定されるように、容器本体と蓋とを貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ワイヤレス温度センサの製造方法であって、
第一のセラミックグリーンシートと、第二のセラミックグリーンシートと、を用意する工程と、
前記第二のセラミックグリーンシートよりも熱伝導率が高い前記第一のセラミックグリーンシートを焼成して容器本体を形成する工程と、
前記第二のセラミックグリーンシートにアンテナ電極及びＧＮＤ電極を配置し、前記アンテナ電極及び前記ＧＮＤ電極が配置された前記第二のセラミックグリーンシートを、前記第一のセラミックグリーンシートよりも低い焼成温度で焼成してアンテナを有する蓋を形成する工程と、
温度検出素子を、前記アンテナ電極及び前記ＧＮＤ電極に電気的に接続する工程と、
前記温度検出素子が前記容器本体及び前記蓋の内部に固定されるように、前記容器本体と前記蓋とを貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とするワイヤレス温度センサの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の可撓性基板と、
前記第１の可撓性基板上の発光素子と、
前記発光素子上のクラック抑止層と
前記クラック抑止層上に接して設けられたバッファ層と、
前記バッファ層上の第２の可撓性基板と、を有し、
前記クラック抑止層は、前記第２の可撓性基板の端部と、前記発光素子が形成されている表示部との間の領域に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の可撓性基板と、
前記第１の可撓性基板上の発光素子と、
前記発光素子上のクラック抑止層と
前記クラック抑止層上に接して設けられたバッファ層と、
前記バッファ層上の第２の可撓性基板と、を有し、
前記クラック抑止層は、前記発光素子とは重ならならないことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記バッファ層は、無機材料を有し、
前記クラック抑止層は、導電性材料または樹脂材料のいずれかを有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の可撓性基板と前記バッファ層との間に、接着層が設けられていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
折りたたむことが可能な表示部と、
第１のバッテリーと、
第２のバッテリーと、
ＣＰＵを含むシステム部と、を有し、
前記表示部が折りたたまれていないときは、前記第１のバッテリーと前記第２のバッテリーと前記システム部はそれぞれ、前記表示部の表示面に対して裏側に設けられるとともに、前記第１のバッテリーと前記第２のバッテリーと前記システム部はそれぞれ、互いに重ならず、
前記表示部が折りたたまれたときは、前記第１のバッテリーと前記第２のバッテリーと前記システム部はそれぞれ、互いに重なり、
前記表示部が折りたたまれたときは、前記システム部と前記第１のバッテリーとは、前記表示部を介して重なり、
前記表示部が折りたたまれたときは、前記第１のバッテリーと前記第２のバッテリーとは、前記表示部を介さずに重なる電子機器。
【請求項２】
折りたたむことが可能な表示部と、
第１のバッテリーと、
第２のバッテリーと、
ＣＰＵを含むシステム部と、を有し、
前記表示部が折りたたまれていないときは、前記第１のバッテリーと前記第２のバッテリーと前記システム部はそれぞれ、前記表示部の表示面に対して裏側に設けられるとともに、前記第１のバッテリーと前記第２のバッテリーと前記システム部はそれぞれ、互いに重ならず、
前記表示部が折りたたまれたときは、前記第１のバッテリーと前記システム部は互いに重なり、且つ前記第２のバッテリーと前記システム部は互いに重なり、且つ前記第１のバッテリーと前記第２のバッテリーとは重ならず、
前記表示部が折りたたまれたときは、折りたたまれたことで対向する表示部同士の間で、前記第１のバッテリーと前記第２のバッテリーとは並んで設けられている電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月27日(2018.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光を透過する窓部と、
前記窓部に重なる透光性の検知素子と、
前記検知素子と電気的に接続される検知回路と、
前記検知素子および前記検知回路を支持する可撓性の基材と、を有し、
前記検知素子は、可撓性の絶縁層、前記絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、
前記検知回路は、前記検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給することができることを特徴とする検知器。
【請求項２】
請求項１において、
前記検知回路は、第１のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチを有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極は、前記検知素子の前記第１の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、接地電位を供給することができる配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの制御端子は、選択信号を供給することができる第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第１の端子は、前記第１のトランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、検知信号を供給することができる第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの制御端子がリセット信号を供給することができる第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第１の端子は、前記検知素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、接地電位を供給することができる第４の配線と電気的に接続されることを特徴とする検知器。
【請求項３】
マトリクス状に配置される複数の検知ユニットと、
行方向に配置される複数の前記検知ユニットが電気的に接続される走査線と、
列方向に配置される前記検知ユニットが電気的に接続される信号線と、
前記検知ユニット、前記走査線および前記信号線が配設される可撓性の基材と、を有し、
前記検知ユニットは、可視光を透過する窓部、前記窓部に重なる検知素子および前記検知素子と電気的に接続される検知回路を備え、
前記検知素子は、可撓性の絶縁層、前記絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、
前記検知回路は、選択信号を供給され且つ前記検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給し、
前記走査線は、前記選択信号を供給することができ、
前記信号線は、前記検知信号を供給することができることを特徴とする入力装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記検知回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極は、前記検知素子の前記第１の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、接地電位を供給することができる配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲート電極は、選択信号を供給することができる第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極の他方は、検知信号を供給することができる第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲート電極がリセット信号を供給することができる第３の配線と電気的に接続され、
前記第第３のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記検知素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第第３のトランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極の他方は、接地電位を供給することができる第４の配線と電気的に接続されることを特徴とする入力装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
検知素子の前記第２の電極の面積が、前記信号線に電気的に接続される複数の前記検知素子が備える前記第１の電極の面積の和の１０倍以上であることを特徴とする入力装置。
【請求項６】
可視光を透過する窓部を具備し且つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット、行方向に配置される複数の前記検知ユニットが電気的に接続される走査線、列方向に配置される複数の前記検知ユニットが電気的に接続される信号線ならびに複数の前記検知ユニット、前記走査線および前記信号線を支持する可撓性の第１の基材を備える可撓性の入力装置と、
マトリクス状に配設され且つ前記窓部に重なる複数の画素および前記画素を支持する可撓性の第２の基材を備える表示部と、を有し、
前記検知ユニットは、前記窓部に重なる検知素子および前記検知素子と電気的に接続される検知回路を備え、
前記検知素子は、可撓性の絶縁層、前記絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、
前記検知回路は、選択信号を供給され且つ前記検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給し、
前記走査線は、前記選択信号を供給することができ、
前記信号線は、前記検知信号を供給することができ、
前記検知回路は、複数の前記窓部の間隙に重なるように配置されることを特徴とする入出力装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記検知ユニットおよび前記画素の間に着色層を備えることを特徴とする入出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスタと、第１のキャッシュと、第２のキャッシュと、を有し、
前記レジスタは、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された第１の容量素子と、を有する第１の回路を有し、
前記第１のキャッシュは、第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタと電気的に接続された第２の容量素子と、を有する第２の回路を有し、
前記第２のキャッシュは、第３のトランジスタと、前記第３のトランジスタと電気的に接続された第３の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体に形成されるチャネル形成領域を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体に形成されるチャネル形成領域を有し、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体に形成されるチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記レジスタは、第４のトランジスタを有する第４の回路を有し、
前記第１のキャッシュは、第５のトランジスタを有する第５の回路を有し、
前記第４の回路は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記第５の回路は、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、酸化物半導体以外の材料に形成されるチャネル形成領域を有し、
前記第５のトランジスタは、酸化物半導体以外の材料に形成されるチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記レジスタは、第４のトランジスタを有する第４の回路を有し、
前記第１のキャッシュは、第５のトランジスタを有する第５の回路を有し、
前記第４の回路は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記第５の回路は、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、シリコン半導体に形成されるチャネル形成領域を有し、
前記第５のトランジスタは、シリコン半導体に形成されるチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第４の回路は、フリップフロップを有し、
前記第５の回路は、ＳＲＡＭセルを有し、
前記レジスタは、前記第４の回路に格納されたデータを、前記第１の回路に退避させる機能を有し、
前記第１のキャッシュは、前記第５の回路に格納されたデータを、前記第２の回路に退避させる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記第３のトランジスタと、の上方に絶縁層を有し、
前記絶縁層上方に、前記第４のトランジスタと、前記第５のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月19日(2018.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
通知部５３は、タイヤの空気圧の確認を指示する確認信号を制御部５５に出力する。通知部５３は、更に、確認信号の出力を事前に通知する事前信号も制御部５５に出力する。図５には、通知部５３が確認信号を制御部５５に出力する出力タイミングと、通知部５３が事前信号を制御部５５に出力する出力タイミングとが示されている。
図５に示すように、通知部５３は、クロック信号のＮ周期（Ｎ：２以上の整数）が経過する都度、確認信号を制御部５５に出力する。また、通知部５３は、確認信号を出力してから、クロック信号のＫ周期（Ｋ：Ｎ未満である自然数）が経過した場合、事前信号を制御部５５に出力する。
図５には、Ｎが５であり、かつ、Ｋが４である例が示されている。当然のことながら、Ｎは５に限定されず、Ｋは４に限定されない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図９は、車載機１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄと送信アンテナＴａ，Ｔｂ，Ｔｃ，Ｔｄとの対応関係を示す図表である。図９に示すように、車載機１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ夫々は送信アンテナＴａ，Ｔｂ，Ｔｃ，Ｔｄに対応している。車載機１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ夫々には、送信アンテナＴａ，Ｔｂ，Ｔｃ，Ｔｄの中で、最も近い送信アンテナが対応している。この対応関係が記憶部５４に記憶されている。具体的には、車載機１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ夫々を示す情報が、送信アンテナＴａ，Ｔｂ，Ｔｃ，Ｔｄ夫々を示す情報中の１つに対応付けられている。ステップＳ２３では、記憶部５４に記憶されている対応関係に基づいて、送信アンテナＴａ，Ｔｂ，Ｔｃ，Ｔｄの中から送信アンテナを選択する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月20日(2017.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の走行に係る車載器（３０）を動作させて運転操作を行うために、ドライバによって操作される操作部（３）と、
前記操作部が操作されていない状況下で、前記車載器を自動的に駆動する運転支援を実行する運転支援部（１２）と、
前記操作部がドライバによって操作される操作力又は操作量を検出する操作検出部（２５）と、
ドライバによる前記操作部に対する操作に応じて前記車載器が動作する運転状態を手動運転として、前記運転支援部が前記運転支援を実行している運転支援時に、前記操作検出部によって検出される操作力又は操作量が閾値を超えたとき、前記運転支援部による運転支援を中止させ、前記運転支援がなされる運転状態から前記手動運転に切り換える切換制御部（１３）と、
前記運転支援部による運転支援の信頼度が低下したことを検出する信頼検出部（１５）と、
前記運転支援時に、前記信頼検出部が前記信頼度の低下を検出したとき、前記閾値を低減させる閾値低減部（１４）と、
前記運転支援時に、前記信頼検出部が前記信頼度の低下を検出している場合、前記閾値を超えない範囲の操作力又は操作量で前記操作部が操作されたときに、前記運転支援部による前記車載器の駆動に前記操作を少なくとも部分的に反映させる縮退制御部（１６）と、
を備えた運転支援装置。
【請求項２】
前記縮退制御部は、前記信頼検出部が前記信頼度の低下を検出したとき、前記運転支援部による前記操作部の駆動に前記操作が反映される割合を、時間の経過に応じて徐々に増加させる
請求項１に記載の運転支援装置。
【請求項３】
前記車載器は操舵輪であり、
前記操作部はステアリングホイールであり、
前記運転支援部は、前記ステアリングホイールを駆動することによって前記操舵輪を駆動する
請求項１又は請求項２に記載の運転支援装置。
【請求項４】
前記切換制御部が前記運転支援を中止させて前記手動運転に切り換えたことを、ドライバに告知する告知部（５）を、
更に備えた請求項１〜３のいずれか１項に記載の運転支援装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月19日(2018.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空調装置であって、
冷媒を圧縮する圧縮機と、
冷媒と外気との間で熱交換を行う室外熱交換器と、
空調に利用する空気の熱を冷媒に吸収させることで冷媒を蒸発させる蒸発器と、
前記圧縮機に圧縮された冷媒の熱を用いて空調に利用する空気を加熱する加熱器と、
前記室外熱交換器と前記蒸発器との間に配置され、前記蒸発器を通過した冷媒の温度に応じて開度を調整し、前記室外熱交換器を通過した冷媒を減圧膨張させる温度式膨張弁と、
前記温度式膨張弁の上流の冷媒と前記蒸発器の下流の冷媒とを熱交換させる内部熱交換器と、
前記圧縮機と前記室外熱交換器との間に配置され、前記圧縮機によって圧縮された冷媒を減圧膨張させる絞り機構と、
暖房運転時に、前記蒸発器、前記温度式膨張弁、及び前記内部熱交換器をバイパスするように冷媒の流路を切り換える第１流路切換弁と、
冷房運転時に、前記加熱器及び前記絞り機構をバイパスするように冷媒の流路を切り換える第２流路切換弁と、
前記圧縮機と前記内部熱交換器との間に配置され、冷媒を気液分離する気液分離器と、
を備え、
冷房運転時には、前記圧縮機、前記第２流路切換弁、前記室外熱交換器、前記内部熱交換器、前記温度式膨張弁、前記蒸発器、前記内部熱交換器、前記気液分離器、前記圧縮機の順に冷媒が流れ、
暖房運転時には、前記圧縮機、前記加熱器、前記絞り機構、前記室外熱交換器、前記第１流路切換弁、前記気液分離器、前記圧縮機の順に冷媒が流れる、
ことを特徴とする空調装置。
【請求項２】
請求項１に記載の空調装置であって、
前記内部熱交換器と前記温度式膨張弁との間に配置され、冷房運転時に前記温度式膨張弁に冷媒を流通させるように開かれる開閉弁、
をさらに備えることを特徴とする空調装置。
【請求項３】
請求項１に記載の空調装置であって、
前記第２流路切換弁は、前記蒸発器及び前記温度式膨張弁をバイパスするように冷媒の流路を切り換える三方弁である、
ことを特徴とする空調装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の空調装置であって、
前記第１流路切換弁及び前記第２流路切換弁の動作を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記圧縮機の上流の冷媒と下流の冷媒との圧力差が所定圧以内である場合に、前記第１流路切換弁及び前記第２流路切換弁による冷媒の流路の切り換えを許可する、
ことを特徴とする空調装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のある態様による空調装置は、冷媒を圧縮する圧縮機と、冷媒と外気との間で熱交換を行う室外熱交換器と、空調に利用する空気の熱を冷媒に吸収させることで冷媒を蒸発させる蒸発器と、前記圧縮機に圧縮された冷媒の熱を用いて空調に利用する空気を加熱する加熱器と、前記室外熱交換器と前記蒸発器との間に配置され、前記蒸発器を通過した冷媒の温度に応じて開度を調整し、前記室外熱交換器を通過した冷媒を減圧膨張させる温度式膨張弁と、前記温度式膨張弁の上流の冷媒と前記蒸発器の下流の冷媒とを熱交換させる内部熱交換器と、前記圧縮機と前記室外熱交換器との間に配置され、前記圧縮機によって圧縮された冷媒を減圧膨張させる絞り機構と、暖房運転時に、前記蒸発器、前記温度式膨張弁、及び前記内部熱交換器をバイパスするように冷媒の流路を切り換える第１流路切換弁と、冷房運転時に、前記加熱器及び前記絞り機構をバイパスするように冷媒の流路を切り換える第２流路切換弁と、前記圧縮機と前記内部熱交換器との間に配置され、冷媒を気液分離する気液分離器と、を備え、冷房運転時には、前記圧縮機、前記第２流路切換弁、前記室外熱交換器、前記内部熱交換器、前記温度式膨張弁、前記蒸発器、前記内部熱交換器、前記気液分離器、前記圧縮機の順に冷媒が流れ、暖房運転時には、前記圧縮機、前記加熱器、前記絞り機構、前記室外熱交換器、前記第１流路切換弁、前記気液分離器、前記圧縮機の順に冷媒が流れる、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月25日(2018.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
かご室と、かご室の開口部を開閉するかご側ドアを有する乗りかごにおける前記かご室と前記かご側ドアとの隙間を塞ぐ乗りかごドア気密装置において、
前記かご室に設けられた回転軸に回転可能に支持された気密機構ボディと、
前記気密機構ボディに設けられた揺動部材と、
前記揺動部材に設けられ、前記かご側ドアに対向する気密部材と、
前記かご側ドアに設けられ、前記かご側ドアの開閉時に前記気密機構ボディを回転させる被接触部材と、
前記揺動部材及び前記被接触部材のうちどちらか一方に設けられた係合部と、
前記揺動部材及び前記被接触部材のうち前記係合部が設けられた部材と異なる部材に設けられた第１のカム片と、
前揺動部材及び前記被接触部材のうち前記第１のカム片と同じ部材に設けられた第２のカム片と、を備え、
前記係合部及び前記第１のカム片は、前記かご側ドアが戸閉時に、係合し、かつ前記気密部材が前記かご側ドアに接近する方向に前記気密機構ボディが回転するように押圧し、
前記係合部及び前記第２のカム片は、前記かご側ドアが戸開時に、係合し、かつ前記気密部材が前記かご側ドアから離れる方向に前記気密機構ボディが回転するように押圧する
乗りかごドア気密装置。
【請求項２】
前記第１のカム片と前記第２のカム片は、前記揺動部材又は前記被接触部材に、前記かご側ドアの開閉方向に所定の間隔を空けて設けられる
請求項１に記載の乗りかごドア気密装置。
【請求項３】
前記第２のカム片は、前記係合部と前記第１のカム片との係合が解除された際に、前記係合部と係合する位置に配置される
請求項２に記載の乗りかごドア気密装置。
【請求項４】
前記気密機構ボディには、ウエイト部材が設けられ、
前記ウエイト部材は、前記気密機構ボディと、前記揺動部材と、前記気密部材及び、前記係合部、又は前記第１のカム片、第２のカム片を合わせた重心位置を、前記回転軸の軸心よりも前記かご側ドア側の位置に調整する
請求項１に記載の乗りかごドア気密装置。
【請求項５】
前記係合部は、前記揺動部材又は前記被接触部材に設けられ、前記回転軸の軸心と直交する方向に突出したローラ軸に回転可能に支持された係合ローラである
請求項１に記載の乗りかごドア気密装置。
【請求項６】
前記回転軸から前記気密部材までの距離は、前記係合部と前記第１のカム片又は前記第２のカム片が当接する点から前記回転軸までの距離よりも、長く設定されている
請求項１に記載の乗りかごドア気密装置。
【請求項７】
前記係合部と、前記第１のカム片及び前記第２のカム片がそれぞれ対となって複数設けられている
請求項１に記載の乗りかごドア気密装置。
【請求項８】
かご室及びかご室の開口部を開閉するかご側ドアを有する乗りかごと、
前記かご室の内部の気圧を制御する気圧制御装置と、
前記かご室と前記かご側ドアとの隙間を塞ぐ乗りかごドア気密装置と、を備えたエレベーターにおいて、
前記乗りかごドア気密装置は、
前記かご室に設けられた回転軸に回転可能に支持された気密機構ボディと、
前記気密機構ボディに設けられた揺動部材と、
前記揺動部材に設けられ、前記かご側ドアに対向する気密部材と、
前記かご側ドアに設けられ、前記かご側ドアの開閉時に前記気密機構ボディを回転させる被接触部材と、
前記揺動部材及び前記被接触部材のうちどちらか一方に設けられた係合部と、
前記揺動部材及び前記被接触部材のうち前記係合部が設けられた部材と異なる部材に設けられた第１のカム片と、
前揺動部材及び前記被接触部材のうち前記第１のカム片と同じ部材に設けられた第２のカム片と、を備え、
前記係合部及び前記第１のカム片は、前記かご側ドアが戸閉時に、係合し、かつ前記気密部材が前記かご側ドアに接近する方向に前記気密機構ボディが回転するように押圧し、
前記係合部及び前記第２のカム片は、前記かご側ドアが戸開時に、係合し、かつ前記気密部材が前記かご側ドアから離れる方向に前記気密機構ボディが回転するように押圧する
エレベーター。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月22日(2018.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管反応性の改善を必要とする被験体において血管反応性を改善するための医薬の製造における、ペプチドＤ-Ａｒｇ-２’，６’-Ｄｍｔ-Ｌｙｓ-Ｐｈｅ-ＮＨ2またはその製薬上許容可能な塩を含む組成物の使用。
【請求項２】
被験体が、アテローム硬化性腎臓血管性疾患（ＡＲＶＤ）と診断されている、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
ＡＲＶＤが、正常対照被験体と比較して低減した腎臓血流量（ＲＢＦ）を含む、請求項２に記載の使用。
【請求項４】
ＡＲＶＤが、正常対照被験体と比較して低減した糸球体濾過率（ＧＦＲ）を含む、請求項２に記載の使用。
【請求項５】
治療が、被験体に血管再生術を実施することを含む、請求項１に記載の使用。
【請求項６】
血管再生術が、経皮経血管性腎臓血管形成術を含む、請求項５に記載の使用。
【請求項７】
血管再生術前、血管再生術後、血管再生術の最中および後、あるいは血管再生術の前、最中および後に連続的に、医薬が被験体へ投与される、請求項５に記載の使用。
【請求項８】
血管再生術後少なくとも３時間、血管再生術後少なくとも５時間、血管再生術後少なくとも８時間、血管再生術後少なくとも１２時間、または血管再生術後少なくとも２４時間、医薬が被験体へ投与される、請求項７に記載の使用。
【請求項９】
血管再生術の少なくとも８時間前に開始して、血管再生術の少なくとも４時間前に開始して、血管再生術の少なくとも２時間前に開始して、血管再生術の少なくとも１時間前に開始して、または血管再生術の少なくとも１０分前に開始して、医薬が被験体へ投与される、請求項７に記載の使用。
【請求項１０】
血管再生術が、腎動脈閉塞の除去を含む、請求項５に記載の使用。
【請求項１１】
血管再生術が、１つ以上の血栓溶解薬の投与を含む、請求項５に記載の使用。
【請求項１２】
１つ以上の血栓溶解薬が、組織プラスミノーゲン活性化因子、ウロキナーゼ、プロウロキナーゼ、ストレプトキナーゼ、アシル化型のプラスミノーゲン、アシル化型のプラスミンおよびアシル化ストレプトキナーゼ-プラスミノーゲン複合体からなる群から選択される、請求項１１に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月20日(2018.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジオスゲニン、ジオスゲニン誘導体、及びこれらの薬学的に許容される塩から選ばれる１種以上の化合物が油脂に懸濁又は溶解していることを特徴とする経口投与剤であり、
ジオスゲニン誘導体が、（３β，２５Ｒ）−３−（２−アミノエタノイロキシ）−スピロスト−５−エン、及び（３β，２５Ｒ）−３−フルオロスピロスト−５−エンからなる群から選ばれる１種以上であり、
（１）神経細胞の軸索の機能不全が関与する疾患の予防及び／又は治療、（２）神経細胞の軸索の伸展、（３）変性した神経細胞の軸索の修復、及び（４）記憶の増進又は記憶力低下の抑制から選択された少なくとも１つの用途に用いるための経口投与剤。
【請求項２】
少なくともジオスゲニンを含有する請求項１記載の剤。
【請求項３】
神経細胞の軸索の機能不全が関与する疾患の予防剤又は治療剤である、請求項１又は２に記載の剤。
【請求項４】
神経細胞の軸索が機能不全となっていることが要因の疾患が、アルツハイマー病である、請求項３に記載の剤。
【請求項５】
神経細胞の軸索が機能不全となっていることが要因の疾患が、脊髄損傷である、請求項３に記載の剤。
【請求項６】
神経細胞の軸索の伸展剤である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の剤。
【請求項７】
変性した神経細胞の軸索の修復剤である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の剤。
【請求項８】
記憶増進剤又は記憶力低下の抑制剤である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の剤。
【請求項９】
軸索の機能不全が関与する疾患の治療又は予防に有用であることが知られている１以上の化合物、又はその薬学的に許容されている塩が併用される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の剤。
【請求項１０】
剤形が、液剤、懸濁剤、カプセル剤、ソフトカプセル剤、錠剤、顆粒剤、散剤、シロップ剤、ゼリー剤、口腔内崩壊錠、及びチュワブル錠からなる群から選ばれる１種以上である請求項１〜９に記載の剤。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の剤を含有する飲食品であり、
（１）神経細胞の軸索の機能不全が関与する疾患の予防及び／又は治療、（２）神経細胞の軸索の伸展、（３）変性した神経細胞の軸索の修復、及び（４）記憶の増進又は記憶力低下の抑制から選択された少なくとも１つの用途に用いるための飲食品。
【請求項１２】
健康機能食品である請求項１１記載の飲食品。
【請求項１３】
油脂が、植物油、動物油、脂肪酸類、脂溶性ビタミン類、中鎖脂肪酸トリグリセリド、およびヨード化ケシ脂肪酸エステルから選択された少なくとも１種である請求項１〜１２のいずれかに記載の剤又は飲食品。
【請求項１４】
ジオスゲニン、ジオスゲニン誘導体、及びこれらの薬学的に許容される塩から選ばれる１種以上の化合物が油脂に懸濁又は溶解している懸濁液又は溶液中の含有比率が、１ｎｍｏｌ／ｍＬ〜１０００ｎｍｏｌ／ｍＬである請求項１〜１３のいずれかに記載の剤又は飲食品。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月10日(2018.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印字ヘッドに配置された複数のノズルから塗料を断続的に吐出して、前記ノズルに対して相対的に動いている対象材に文字または図柄を描く印字装置における印字タイミング制御方法であって、該複数のノズルは複数のグループに分けられ、１のグループに属するノズルの吐出タイミングは、他のグループに属するノズルの吐出タイミングと重なることがないように、各ノズルは吐出タイミングをずらされ、かつ前記時間のずれに対応してノズルの印字ヘッド上の配置が調整され、前記ノズルの印字ヘッド上の配置の位置は、或る１のノズルを基準にして印字方向に対してｃ＊ｘ＋ｎ＊ｘ／ｇ（ｃは整数、ｘはドット間隔、ｇはグループ数、ｎは整数）であり、前記印字すべき文字または図柄をメモリ上に展開したビットパターンにおいて、ドット間にｇ−１個の空白に対応するビット情報を挿入し、対応するノズルごとにｃ＊ｇ＋ｎだけビットをシフトし、かつビットパターンを読み込むクロック周期をｇ倍にすることを特徴とする、印字タイミング制御方法。
【請求項２】
印字ヘッドに配置された複数のノズルから塗料を断続的に吐出して、前記ノズルに対して相対的に動いている対象材に文字または図柄を描く印字装置であって、該複数のノズルは複数のグループに分けられ、異なるグループ間で該塗料の吐出タイミングが重なることがないように吐出タイミング時間をずらすことのできる制御機構を有し、塗料を吐出するノズル間の印字ヘッド上の間隔が印字方向に対してｃ＊ｘ＋ｎ＊ｘ／ｇ（ｃは整数、ｘは印字方向のドット間隔、ｇはグループ数、ｎは整数）であり、前記印字すべき文字または図柄をメモリ上に展開したビットパターンにおいて、ドット間にｇ−１個の空白に対応するビット情報を挿入し、対応するノズルごとにｃ＊ｇ＋ｎだけビットをシフトし、かつビットパターンを読み込むクロック周期をｇ倍にすることを特徴とする、印字装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月17日(2018.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面内の任意の二箇所を選択し、一方の箇所における任意方向の熱収縮率と、他方の箇所における前記任意方向と直交する方向の熱収縮率との差の絶対値が２ｐｐｍ以下であり、歪点が６３０℃以上である無アルカリガラス基板。
なお、前記熱収縮率は、ガラス基板を常温から６００℃まで１００℃／時で昇温し、６００℃で８０分保持し、６００℃から常温まで１００℃／時で降温する熱処理の前後でのガラス基板の測定方向の変形量を測定して算出される。
【請求項２】
前記一方の箇所における任意方向の熱収縮率の絶対値、および前記他方の箇所における前記任意方向と直交する方向の熱収縮率の絶対値が１００ｐｐｍ以下である、請求項１に記載の無アルカリガラス基板。
【請求項３】
前記一方の箇所における任意方向の熱収縮率の絶対値、および前記他方の箇所における前記任意方向と直交する方向の熱収縮率の絶対値が７０ｐｐｍ以下である、請求項２に記載の無アルカリガラス基板。
【請求項４】
前記一方の箇所における任意方向の熱収縮率の絶対値、および前記他方の箇所における前記任意方向と直交する方向の熱収縮率の絶対値が５０ｐｐｍ以下である、請求項３に記載の無アルカリガラス基板。
【請求項５】
歪点が６８０℃以上である、請求項１〜４のいずれかに記載の無アルカリガラス基板。
【請求項６】
歪点が７００℃以上である、請求項５に記載の無アルカリガラス基板。
【請求項７】
基板サイズが１４５０ｍｍ×１４５０ｍｍ以上である、請求項１〜６のいずれかに記載の無アルカリガラス基板。
【請求項８】
基板サイズが３０００ｍｍ×２８００ｍｍ以上である、請求項７に記載の無アルカリガラス基板。
【請求項９】
板厚が０．５ｍｍ以下である、請求項１〜８のいずれかに記載の無アルカリガラス基板。
【請求項１０】
酸化物基準の質量％表示で、
ＳｉＯ2：５４〜６６％
Ａｌ2Ｏ3：１０〜２３％
Ｂ2Ｏ3 ：０〜１２％
ＭｇＯ：０〜１２％
ＣａＯ：０〜１５％
ＳｒＯ：０〜１６％
ＢａＯ：０〜１５％
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ：８〜２６％
を含有する無アルカリガラスで構成される、請求項１〜９のいずれかに記載の無アルカリガラス基板。
【請求項１１】
酸化物基準の質量％表示で、Ｂ2Ｏ3 が５％以下である、請求項１０に記載の無アルカリガラス基板。
【請求項１２】
板厚偏差が２０μｍ以下である、請求項１〜１１のいずれかに記載の無アルカリガラス基板。
【請求項１３】
ガラス溶解炉でガラス原料を溶解して溶融ガラスを得る溶解工程と、成形炉で前記溶融ガラスをガラスリボンに成形する成形工程と、徐冷炉で前記ガラスリボンを徐冷して板ガラスを得る徐冷工程とを有し、
前記徐冷工程は、
前記ガラスリボンの粘度（ｄＰａ・ｓ）の対数が１２．５〜１４．０における前記ガラスリボンの冷却速度が板幅方向中央部より端部が大きく、前記ガラスリボンの板幅方向中央部と端部との板引き方向の冷却速度差が１００℃／分以下で、前記ガラスリボンの板幅方向中央部と端部との温度差が１５℃以下であり、
前記ガラスリボンの温度が板幅方向中央部より端部が大きい場合、前記温度差が１０℃以下では前記冷却速度差が７０℃／分以下で、前記温度差が１０℃超では前記冷却速度差が４０℃／分以下であり、
前記ガラスリボンの温度が板幅方向中央部より端部が小さい場合、または等しい場合、前記冷却速度差が１００℃／分以下であることを特徴とする無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項１４】
前記ガラスリボンの板引き方向の冷却速度が３０〜２００℃／分である、請求項１３に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項１５】
前記板ガラスの板幅方向の長さが５ｍ以上である、請求項１３または１４に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
【請求項１６】
フロート法で前記溶融ガラスを前記ガラスリボンに成形する、請求項１３〜１５のいずれかに記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上述した知見に基づいてなされたものであり、一方の主面内の任意の二箇所を選択し、一方の箇所における任意方向の熱収縮率と、他方の箇所における前記任意方向と直交する方向の熱収縮率との差の絶対値が２ｐｐｍ以下であり、歪点が６３０℃以上である無アルカリガラス基板を提供する。なお、前記熱収縮率は、ガラス基板を常温から６００℃まで１００℃／時で昇温し、６００℃で８０分保持し、６００℃から常温まで１００℃／時で降温する熱処理の前後でのガラス基板の測定方向の変形量を測定して算出される。
また、本発明は、ガラス溶解炉でガラス原料を溶解して溶融ガラスを得る溶解工程と、成形炉で前記溶融ガラスをガラスリボンに成形する成形工程と、徐冷炉で前記ガラスリボンを徐冷して板ガラスを得る徐冷工程とを有し、前記徐冷工程は、前記ガラスリボンの粘度（ｄＰａ・ｓ）の対数が１２．５〜１４．０における前記ガラスリボンの冷却速度が板幅方向中央部より端部が大きく、前記ガラスリボンの板幅方向中央部と端部との板引き方向の冷却速度差が１００℃／分以下で、前記ガラスリボンの板幅方向中央部と端部との温度差が１５℃以下であり、前記ガラスリボンの温度が板幅方向中央部より端部が大きい場合、前記温度差が１０℃以下では前記冷却速度差が７０℃／分以下で、前記温度差が１０℃超では前記冷却速度差が４０℃／分以下であり、前記ガラスリボンの温度が板幅方向中央部より端部が小さい場合、または等しい場合、前記冷却速度差が１００℃／分以下であることを特徴とする無アルカリガラス基板の製造方法を提供する。