【事件の表示】
　平成８年特許願第３１８３１９号「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年６月１９日出願公開、特開平１０−１６１１４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成８年１１月２８日の出願であって、平成１４年１１月２９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年１月６日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月５日付で手続補正がなされたものである。
　
２　平成１５年２月５日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年２月５日付の手続補正を却下する。
［理由］
２．１　補正の内容
　平成１５年２月５日付の手続補正は、明細書全文を補正しようとするものであり、その内容には、請求項２を以下のとおりに補正することが含まれる。
「基板上の隣合う走査線同士および／または信号線同士を接続するようにして保護回路が形成されるとともに、該基板上に絶縁膜を介して画素電極が設けられ、上記基板と対向基板とが液晶を封止するシール材を介して互いに貼着されてなる液晶表示装置において、
　上記絶縁膜に覆われている保護回路が、基板上における該シール材にて貼着される領域よりも内側の領域に形成されており、保護回路を覆う絶縁膜の剥がれを上記シール材の部分で停止
させる構成であり、
　
さらに、上記走査線及び／または信号線の両端部には入力端子が形成されており、該入力端子には周辺回路が実装可能となっているとともに、
　
周辺回路を実装してから点灯して検査したときに、走査線もしくは信号線に異常が認められる場合には、周辺回路を剥がして新しい周辺回路を実装するようになっている
　
２．２　補正の目的
　上記補正により、補正前の請求項２の記載事項に、「
さらに、上記走査線及び／または信号線の両端部には入力端子が形成されており、該入力端子には周辺回路が実装可能となっているとともに、周辺回路を実装してから点灯して検査したときに、走査線もしくは信号線に異常が認められる場合には、周辺回路を剥がして新しい周辺回路を実装するようになっている
　上記事項は、補正前の請求項２に記載の発明を特定するために必要な事項である「走査線及び／または信号線」に関して限定を加えるものであり、またこれが追加されることにより、発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が変更されることもないから、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項２に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．３　本願補正発明
　本願補正発明は、平成１５年２月５日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載事項からみて、該手続補正書の請求項２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「基板上の隣合う走査線同士および／または信号線同士を接続するようにして保護回路が形成されるとともに、該基板上に絶縁膜を介して画素電極が設けられ、上記基板と対向基板とが液晶を封止するシール材を介して互いに貼着されてなる液晶表示装置において、
　上記絶縁膜に覆われている保護回路が、基板上における該シール材にて貼着される領域よりも内側の領域に形成されており、保護回路を覆う絶縁膜の剥がれを上記シール材の部分で停止
させる構成であり、
　
さらに、上記走査線及び／または信号線の両端部には入力端子が形成されており、該入力端子には周辺回路が実装可能となっているとともに、
　
周辺回路を実装してから点灯して検査したときに、走査線もしくは信号線に異常が認められる場合には、周辺回路を剥がして新しい周辺回路を実装するようになっている
　
２．４　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶理由に引用された特開平７−２２５３９４号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００２３】
【実施例】本発明の一実施例による液晶表示装置を図１乃至図６を用いて説明する。まず、本実施例の液晶表示装置の構造について図１乃至図５を用いて説明する。本実施例で用いた液晶表示装置はＴＦＴ／ＬＣＤである。図１は本実施例の液晶表示装置の液晶表示パネル８を示す図である。透明基板であるＴＦＴアレイ基板３の中央部に、例えば画面の大きさが１０インチの長方形の画像表示領域２が配置されている。画像表示領域２の外周囲とＴＦＴアレイ基板３周辺部との間に、幅約２〜３ｍｍ程度で額縁領域１が設けられている。
【００２４】図示は省略したが、図１の左右方向に額縁領域１を通過してＴＦＴアレイ基板３周辺部から画像表示領域２内に複数のゲート線が形成され、図１の上下方向には額縁領域１を通過してＴＦＴアレイ基板３周辺部から画像表示領域２内に複数のデータ線が形成されている。そして、データ線とゲート線との交差領域にＴＦＴ及び表示電極等が配置されて表示画素が形成されている。
【００２５】額縁領域１とＴＦＴアレイ基板３周辺部の境界近傍に形成されたシール材（図示せず）を介してＴＦＴアレイ基板３に対向する位置に透明電極基板である対向電極基板５が配置されている。ＴＦＴアレイ基板３と対向電極基板５の間には液晶が封入されている。また、本実施例の液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板３裏面から素子側に向けて光が透過する透過型表示装置を用いているが、素子側から基板裏面に向かって光が透過するものでもよい。」（段落【００２３】〜【００２５】）
（２）「【００２６】図２及び図３を用いて本実施例の液晶表示装置の額縁領域１の構造を詳細に説明する。図２は図１における額縁領域１の一部分４を拡大して示したものである。額縁領域１の一部分４はデータ線が通過している領域である。図３は、図２のＡ−Ａ断面での断面図である。図３において対向電極基板５の図示は省略している。
【００２７】ＴＦＴアレイ基板３上の額縁領域１に、例えば厚さ約０．３μｍの遮光層１２が形成されている。遮光層１２の形成材料は、例えばＭｏ合金、Ｔａ、Ｃｒ、Ａｌ等でありゲート線形成金属を用いることが好ましい。ゲート線形成金属を用いることにより、製造工程においてゲート線の形成時に同時に遮光層１２を形成することができる。
【００２８】遮光層１２の形状、配置関係は、（遮光層１２より後の工程で形成される）後述する複数のデータ線１０の位置関係に依存して予め決定されている。遮光層１２は、額縁領域１内で島状に形成されている。遮光層１２のエッジ部は、金属層であるデータ線１０のそれぞれのエッジ部とＴＦＴアレイ基板３表面に対して垂直方向から見て所定の重ね合せ量ｄで重ね合わされた重ね合せ領域１４を有している。所定の重ね合せ量ｄは、製造工程における重ね合わせ精度とほぼ同等の幅を有していることが好ましい。重ね合せ量ｄが重ね合せ精度以下になると遮光すべき領域に隙間を生じてしまうことがあるからである。本実施例においては、図２に示すように、額縁領域１において各データ線１０同士が狭まるようにＴＦＴアレイ基板３周辺部に延びていくようになっているので、遮光層１２の形状は平行四辺形又は台形形状になっているが、遮光層１２の形状は額縁領域１内の各データ線１０のエッジ部の形状に沿って所定の重ね合せ量で重なるように形成されていればよい。額縁領域１において、データ線１０の幅は約２０〜４０μｍであり、データ線１０間の間隔は、約２０〜１００μｍである。重ね合せ量ｄは約１〜１０μｍであり、遮光層１２のデータ線１０間方向の幅は、中心部で約３０〜１２０μｍであり、データ線１０とほぼ平行の方向に約２〜５ｍｍである。
【００２９】遮光層１２及びＴＦＴアレイ基板３上には絶縁層１６が、厚さ例えば、約０．４μｍで形成されている。絶縁層１６の形成材料は、例えば金属酸化膜、Ｓｉ酸化膜、Ｓｉ窒化膜等であり画像表示領域２内に形成されるＴＦＴアレイのゲート絶縁膜の形成材料を用いることが好ましい。ゲート絶縁膜形成材料を用いることにより、製造工程においてＴＦＴのゲート絶縁膜の形成と同時に絶縁層１６を形成することができるようになる。
【００３０】絶縁層１６上には、厚さ例えば、約５００Åの半導体層１８が形成されている。半導体層１８の形成材料は、例えば、アモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）であり画像表示領域２内に形成されるＴＦＴアレイのチャネル領域の形成材料を用いることが好ましい。チャネル領域形成材料を用いることにより、製造工程においてＴＦＴのチャネル領域の形成と同時に半導体層１８を形成することができるようになる。
【００３１】額縁領域１の半導体層１８上に画像表示領域２に形成した複数のデータ線１０が配線され、ＴＦＴアレイ基板３の周辺部形成されたデータ線駆動回路（図示せず）に接続されるように延びている。図示しないがａ−Ｓｉの半導体層１８とデータ線１０との間には、Ｐドープａ−Ｓｉ層（厚さ約５００Å）が形成されている。半導体層１８上のデータ線１０間にはエッチングストッパ層２０が形成されている。データ線１０及びエッチングストッパ層２０上には、パッシベーション層２２が形成されている。これらの層もＴＦＴアレイ形成時に同時に形成することが可能であり、そうすることが好ましい。」（段落【００２６】〜【００３１】）
（３）「【００３２】さらに、図４及び図５を用いて本実施例の液晶表示装置の額縁領域１の構造を詳細に説明する。図４は図１における額縁領域１の一部分６を拡大して示したものである。額縁領域１の一部分６はゲート線が通過している領域である。図５は、図４のＢ−Ｂ断面での断面図である。図５において対向電極基板５の図示は省略している。
【００３３】ＴＦＴアレイ基板３上の額縁領域１を、例えば厚さ約０．３μｍ、幅約２０〜１００μｍ、材料Ｍｏ合金、Ｔａ、Ｃｒ、Ａｌ等で形成された複数のゲート線２４が通過している。ゲート線２４間の幅は、約５０〜２００μｍである。額縁領域１のゲート線２４間には、ゲート線形成材料でゲート線の形成時に同時に形成された遮光層２６が島状に形成されている。遮光層２６の厚さ、及び幅はゲート線のそれとほぼ同値であり、遮光層２６とゲート線２４との間の幅は、両者が短絡しない程度の約１０〜５０μｍであればよい。遮光層２６の形成材料は、ゲート線形成金属を用いることが好ましい。前述のようにゲート線形成金属を用いることにより、製造工程においてゲート線の形成時に同時に遮光層２６を形成することができるからである。
【００３４】額縁領域１のゲート線２４及び、遮光層２６、ＴＦＴアレイ基板３上には絶縁層１６が形成されている。額縁領域１のゲート線２４上の絶縁層１６上に遮光層３０が形成されている。遮光層３０とゲート線２４は絶縁層１６に設けられたスルーホール２８により電気的に接続されている。遮光層３０の形成材料は、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等でありデータ線１０の形成金属を用いることが好ましい。ゲート線形成金属を用いることにより、製造工程においてゲート線１０の形成時に同時に遮光層３０を形成することができる。
【００３５】遮光層３０の形状、配置関係は、複数の遮光層２６の形状、位置に関係して決定される。遮光層３０は、額縁領域１内で島状に形成されている。遮光層３０のエッジ部は、金属層である遮光層２６のそれぞれのエッジ部とＴＦＴアレイ基板３表面に対して垂直方向から見て所定の重ね合せ量ｄで重ね合わされた重ね合せ領域３２を有している。所定の重ね合せ量ｄは、前述の通り、製造工程における重ね合わせ精度とほぼ同等の幅を有していることが好ましい。本実施例においては、図４に示すように、額縁領域１において各ゲート線２４が額縁領域１の幅方向に対して若干角度を持ってＴＦＴアレイ基板３周辺部に延びているので、遮光層２６、３０の形状は平行四辺形又は台形形状になっているが、遮光層２６、３０の形状は額縁領域１内の各ゲート線２４のエッジ部の形状に沿って所定の重ね合せ量で重なるように形成されていればよい。。重ね合せ領域３２の重ね合せ量ｄは、約１〜１０μｍであり、遮光層２６のゲート線２４間方向の幅は、約１０〜１００μｍであり、ゲート線２４とほぼ平行の方向の長さは約２〜５ｍｍである。遮光層３０のゲート線２４間方向の幅は、約５０〜１５０μｍであり、ゲート線２４とほぼ平行の方向の長さは約２〜５ｍｍである。
【００３６】絶縁層１６上であって、遮光層３０間の領域には遮光層３０に接触する半導体層１８が形成され、その上にエッチングストッパ層が形成されている。遮光層３０及びエッチングストッパ層２０上には、パッシベーション層２２が形成されている。
【００３７】データ線１０やゲート線２４等の信号配線が通過しない額縁領域１、例えば図１中の額縁領域１の右辺領域には、データ線１０又はゲート線２４の形成時に同時にこれらの配線形成用の金属を当該領域に堆積して遮光層を形成するようにしてもよいし、二つの金属層を所定の重ね合せ精度で重ね合せた構造を随所に設けるようにしてもよい。」（段落【００３２】〜【００３７】）
（４）「【００４２】次に、本実施例の液晶表示装置による静電気障害の防止機能について説明する。図３に示した額縁領域１の遮光構造は、以下のようなトランジスタ構造をしている。即ち、ＴＦＴアレイ基板３上に、トランジスタのゲートとして機能する遮光層１２が形成され、その上にゲート絶縁膜として機能する絶縁層１６が形成されている。ゲートである遮光層１２上の絶縁層１６上に、チャネルとして機能する半導体層１８が形成されている。半導体層１８は、ソース電極又はドレイン電極として機能する二個のデータ線１０にｎ＋−ａ−Ｓｉ（図示せず）を介して接続されている。そして、このトランジスタ構造が直列に連続して図１に示す額縁領域１の上下辺にそれぞれ形成されて、本実施例の保護回路を形成している。
【００４３】又、図５に示した額縁領域１の遮光構造は、以下のようなトランジスタ構造をしている。即ち、ＴＦＴアレイ基板３上に、トランジスタのゲートとして機能する遮光層２６が形成されている。遮光層２６の両側のＴＦＴアレイ基板３上に形成された二個のゲート線２４は、それぞれの上層に電気的に接続して形成され、ＴＦＴアレイ基板３面垂直方向から観察して遮光層２６のエッジ部と所定量重なり合うエッジ部を有する遮光層３０と共にソース電極又はドレイン電極を構成する。ゲートとなる遮光層２６上にはゲート絶縁膜として機能する絶縁層１６を介して半導体層１８が形成されている。半導体層１８は、ソース／ドレイン電極である遮光層３０に接続されておりチャネルとして機能する。そして、このトランジスタ構造が連続して図１に示す額縁領域１の左辺に形成されて、本実施例の保護回路を形成している。
【００４４】そして、本実施例においては額縁領域１の上辺、左辺、及び下辺に形成した保護回路を相互に電気的に接続するようにしているが、これは本質的なことではなく各辺部の保護回路が独立していてもよい。この額縁領域１に形成される保護回路の回路を図６を用いて説明する。図６は、図１に示す液晶表示パネル８の左上部の額縁領域１の角部を示している。図６中上下方向に、複数のデータ線１０が額縁領域１を通過して画像表示領域２内に配線されている。図６中左右方向に、額縁領域１を通過して複数のゲート線２４が絶縁層１６（図示せず）を介してデータ線１０と直交して画像表示領域２内に配線されている。画像表示領域２内のデータ線１０とゲート線２４との交差部に画素領域３６が形成されている。画素領域３６には、図示しないがデータ線１０に接続されたドレイン電極と、ゲート線２４に接続されたゲート電極と、やはり図示しない表示電極に接続されたソース電極とを有するＴＦＴが形成されている。
【００４５】さて、図６の額縁領域１において、各データ線１０はデータ線１０間に形成されたトランジスタ３８のソース／ドレイン電極に接続されている。また、トランジスタ３８のゲート電極は、両側のデータ線１０と容量結合されている。各ゲート線２４もゲート線２４間に形成されたトランジスタ３８のソース／ドレイン電極に接続されている。また、トランジスタ３８のゲート電極は、両側のゲート線２４と容量結合されている。このトランジスタ３８のゲート電極は、図３に示す遮光層１２、又は図５に示す遮光層２６である。
【００４６】本実施例による額縁領域１に形成した保護回路は、低電圧では電流があまり流れないが、高電圧印加時には大きな電流が流れる非線形の電流−電圧特性を有するスイッチング素子を各データ線１０間及びゲート線２４間にそれぞれ形成した構造となっている。
【００４７】液晶表示装置の製造工程において、障害を引き起こすほどの大きな静電気がデータ線１０又はゲート線２４のいずれかに発生したときは、それらに隣接する信号配線（データ線１０又はゲート線２４）との間に生じる大きな電位差のために、容量結合された遮光層１２又は遮光層２６（トランジスタ３８におけるゲートとして機能する）との間にも大きな電位差を生じ、結果保護回路の半導体層１８に大きな電流が流れ、発生した静電気による隣接する配線間の電位差を、保護回路を構成するトランジスタ３８のしきい値電圧まで低下させるようにして静電気障害を未然に防止することができる。半導体層１８に大きな電流を流せるのは、ゲートとなる遮光層１２、２６の幅を額縁領域１の幅、即ち３ｍｍ程度も採ることができ、極めて長いチャネル幅を得ることができるからである。
【００４８】このように、本実施例による静電気障害の予防は、額縁領域１に形成され、非線形の電流−電圧特性を有するスイッチング素子を備えた保護回路により達成される。
【００４９】額縁領域１のほぼ全域を静電気障害予防の保護回路である保護回路として利用することができるので、保護回路に起因する歩留りの低下や、表示品位の低下なしに、効果的に静電気障害を予防できるようになる。
【００５０】一方、画像表示制御のための信号電圧（駆動電圧）レベル程度では、データ線１０と容量結合によりトランジスタのゲートとして機能する遮光層１２のデータ線１０との間の電位差は高々信号電圧振幅程度であり、保護回路を形成するトランジスタ３８のしきい値電圧以下なので、保護回路の半導体層１８にほとんど電流が流れず、画像表示における画面品位を高品位に保っておくことができる。同様に、画像表示制御のための走査電圧（駆動電圧）レベル程度では、ゲート線２４と容量結合によりトランジスタのゲートとして機能する遮光層２６のゲート線２４との間の電位差は、走査信号のＯＮとＯＦＦ時の電位差の半分程度であり、保護回路を形成するトランジスタ３８のしきい値電圧を越えてトランジスタ３８をＯＮさせるが、保護回路の半導体層１８に流れる電流による走査信号の影響は無視できる程度のものであるから、画像表示における画面品位を高品位に保っておくことができる。
【００５１】また、各画素の蓄積容量に対する電位を供給する配線、或は対向電極の電位を供給する配線は、本実施例と同様にして図６に示す保護回路に接続することにより静電気障害から保護することが可能である。」（段落【００４２】〜【００５１】）
（５）【図５】から、額縁領域１が対向電極基板５の周縁よりも内側にあることが看取される
　
２．５　対比
　本願補正発明と引用例の記載事項とを対比する。
（ａ）引用例に記載の「ＴＦＴアレイ基板３」は、本願補正発明の「基板」に相当する。
（ｂ）引用例に記載の「ゲート線２４」及び「データ線１０」は、ＴＦＴアレイ基板３（基板）上に配線されたものであって、それぞれ本願補正発明の「走査線」及び「信号線」に相当する。
（ｃ）引用例に記載の「保護回路」は、同引用例の【図６】からも明らかなように、隣合うゲート線２４（走査線）同士及びデータ線１０（信号線）同士を接続するものであり、本願補正発明の「保護回路」に相当する。
（ｄ）引用例に記載の「パッシベーション層２２」及び「表示電極」は、それぞれ本願補正発明の「絶縁膜」及び「画素電極」に相当し、また表示電極がパッシベーション層を介してＴＦＴアレイ基板３（基板）上に設けられていることは明らかである。
（ｅ）引用例に記載の「対向電極基板５」、「シール材」及び「液晶」は、それぞれ本願補正発明の「対向基板」、「シール材」及び「液晶」に相当する。
（ｆ）引用例に実施例として記載された液晶表示装置は、同引用例の段落【００２５】に「額縁領域１とＴＦＴアレイ基板３周辺部の境界近傍に形成されたシール材（図示せず）を介してＴＦＴアレイ基板３に対向する位置に透明電極基板である対向電極基板５が配置されている。ＴＦＴアレイ基板３と対向電極基板５の間には液晶が封入されている。」と記載されているように、ＴＦＴアレイ基板３（基板）と対向電極基板５（対向基板）とが液晶を封止するシール材を介して互いに貼着されてなるものである。
（ｇ）引用例に記載の「保護回路」は、同引用例の【図３】や【図５】からも明らかなように、パッシベーション層２２（絶縁膜）に覆われたものである。
（ｈ）引用例に記載の保護回路は、同引用例の段落【００４６】に「本実施例による額縁領域１に形成した保護回路」と記載されているように、額縁領域１に形成されている。
（ｉ）引用例に記載の「データ線駆動回路」は、本願補正発明の「周辺回路」相当する。
（ｊ）引用例に記載のデータ線１０（信号線）には、同引用例の段落【００３１】に「額縁領域１の半導体層１８上に画像表示領域２に形成した複数のデータ線１０が配線され、ＴＦＴアレイ基板３の周辺部形成されたデータ線駆動回路（図示せず）に接続されるように延びている。」と記載されているように、データ線駆動回路（周辺回路）が接続される。
　以上の（ａ）〜（ｊ）を考慮すると、引用例には、「基板上の隣合う走査線同士および信号線同士を接続するようにして保護回路が形成されるとともに、該基板上に絶縁膜を介して画素電極が設けられ、上記基板と対向基板とが液晶を封止するシール材を介して互いに貼着されてなる液晶表示装置において、上記絶縁膜に覆われている保護回路が、額縁領域１に形成されており、さらに、上記信号線には周辺回路が接続されている液晶表示装置」の発明が記載されており、
本願補正発明と引用例に記載の発明とは、
「基板上の隣合う走査線同士および信号線同士を接続するようにして保護回路が形成されるとともに、該基板上に絶縁膜を介して画素電極が設けられ、上記基板と対向基板とが液晶を封止するシール材を介して互いに貼着されてなる液晶表示装置において、上記絶縁膜に覆われている保護回路が形成されている液晶表示装置」である点で一致し、次の点で一応相違する。
相違点１：
　本願補正発明では、保護回路が、基板上における該シール材にて貼着される領域よりも内側の領域に形成されており、保護回路を覆う絶縁膜の剥がれを上記シール材の部分で停止させる構成であるのに対して、引用例に記載の発明では、保護回路が額縁領域１に形成されている点。
相違点２：
　本願補正発明では、上記走査線及び／または信号線の両端部には入力端子が形成されており、該入力端子には周辺回路が実装可能となっているとともに、周辺回路を実装してから点灯して検査したときに、走査線もしくは信号線に異常が認められる場合には、周辺回路を剥がして新しい周辺回路を実装するようになっているのに対して、引用例には、上記信号線に周辺回路が接続されていることは記載されているものの、本願補正発明のような周辺回路の実装に関しては記載がない点。
　
２．６　判断
　上記相違点を検討する。
［相違点１について］
　引用例の段落【００２５】に「額縁領域１とＴＦＴアレイ基板３周辺部の境界近傍に形成されたシール材」と記載されていること、及び額縁領域１が対向電極基板５（対向基板）の周縁よりも内側にあることが同引用例の【図５】から看取されることからみると、額縁領域１はシール材よりも内側にあるといえる。そうすると、額縁領域１に形成された保護回路は、シール材にて貼着される領域よりも内側の領域に形成されていることになり、また、保護回路がそのような領域に形成されれば、それを覆う絶縁膜の剥がれはシール材の部分で停止される。
　したがって、上記相違点１に係る本願補正発明の技術的事項は、実質的に引用例に記載されたものである。
［相違点２について］
　周辺回路は、通常ＴＡＢ方式により液晶パネルに実装されること（シャープ株式会社液晶事業本部編，“液晶ディスプレイ（改訂版）その概要と応用市場”，第３版，株式会社ラジオ技術社，平成５年３月１日，９３〜９４頁の「３．６．７　ＬＳＩの実装技術」を参照。）に鑑みれば、引用例に記載の発明においても、周辺回路の実装にあたり、このＴＡＢ方式が採用されているといえる。また、このＴＡＢ方式は、周辺回路を走査線又は信号線の入力端子に実装するものであって、この方式によれば、周辺回路を実装してから点灯して検査したときに、走査線もしくは信号線に異常が認められる場合には、周辺回路を剥がして新しい周辺回路を実装することができる。
　したがって、上記相違点２に係る本願補正発明の技術的事項は、実質的に引用例に記載されたものである。
　以上のように、本願補正発明は、引用例に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２．７　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３　本願発明について
３．１　本願発明
　平成１５年２月５日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１４年１１月１１日付の手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項２に係る発明(以下、「本願発明」という。)は次のものである。
「基板上の隣合う走査線同士および／または信号線同士を接続するようにして保護回路が形成されるとともに、該基板上に絶縁膜を介して画素電極が設けられ、上記基板と対向基板とが液晶を封止するシール材を介して互いに貼着されてなる液晶表示装置において、
　
上記絶縁膜に覆われている
おり、保護回路を覆う絶縁膜の剥がれを上記シール材の部分で停止する
　
３．２　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例に記載された事項は、上記２．４に記載したとおりである。
　
３．３　対比、判断
　本願発明をさらに限定した本願補正発明が、上記２．６に記載したとおり、引用例に記載された発明であるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明である。
　なお、原査定の拒絶理由は、本願発明が特許法第２９条第１項第３号に該当するというものではないが、審判請求人は、平成１４年１１月１１日付意見書において、本願発明と引用例の記載事項とを対比し、進歩性の前提として新規性についても検討していることが明らかである。
　
３．４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であり、特許法２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。