【事件の表示】
　特願２０００−２１３１７６「熱遮蔽素子とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１月２３日出願公開、特開２００２−２２９０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯及び本願発明
　本願は、平成１２年７月１３日の出願であって、平成１４年１０月４日付けで拒絶査定がなされ、その後、当審による拒絶理由の通知がなされ、その指定期間である平成１６年９月６日付けで手続補正書が提出されたものであるところ、その請求項１に係る発明は、平成１６年９月６日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）。
「【請求項１】　角度治具にＣＺ法又はベルヌーイ法により製造されたサファイアインゴットを張り付け基準面を研削し、前記サファイアインゴットの結晶方位を測定して前記基準面を調整して研削することで、前記サファイヤインゴット上に結晶方位面と平行に指定された幅となるように第１基準面を加工する工程と、
　前記第１基準面を有する前記サファイヤインゴットを結晶面指定方位に従って切り出し、ブランクを取り出す工程と、
　前記ブランクに、前記第１基準面とは反対側に、指定された間隔で前記第１基準面と平行な面である第２基準面を付ける工程と、
　前記第２の基準面を付けたブランクを指定された大きさの長方形になる様に、前記第１基準面に対して両端面の加工を行い、長方形のブランクを得る工程と、
　前記ブランクに、厚み揃えと平行出しを行う粗研磨工程と、
　前記ブランクの周辺を面取りする工程と、
　２００乃至５００ナノメータ粒子の破砕型シリカの粒子を溶かした研磨液を用いて前記ブランクの表面粗さを整える中間研磨工程と、
　前記ブランクを化学研磨する工程と、
　前記ブランクを洗浄する工程と、
　前記ブランクを検査する工程と、からなることを特徴とする熱遮蔽素子の製造方法。」
　
２．引用刊行物
　当審の拒絶の理由に引用された特開平１１−３３７９１９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の記載がある。
（ａ１）「【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、液晶パネルの画像を投影するようにした液晶プロジェクタ装置に関し、特に効率良い冷却構造を有して、極めて耐熱信頼性に優れた液晶プロジェクタ装置に関する。」（段落【０００１】）
（ａ２）「【００２９】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、光源からの光をレンズ、偏光板を介して液晶パネルを通過させ、投影するようにした液晶プロジェクタ装置において、上記レンズ、偏光板における偏光体の保持板、液晶パネルを構成する透明基板のうちの少なくとも一種をサファイア基板で形成したことを特徴とする。
【００３０】また、本発明は、光源からの光を、波長を選択して透過・反射を行うようにしたダイクロイックミラーやフィルタを通過させた後、レンズ、偏光板を介して液晶パネルを通過させ、投影するようにした液晶プロジェクタ装置において、上記ダイクロイックミラー、フィルタ、レンズ、偏光板における偏光体の保持板、液晶パネルを構成する透明基板のうちの少なくとも一種をサファイア基板で形成したことを特徴とする。
【００３１】即ち、本発明は、液晶プロジェクタ装置における透明板として熱伝導性の高いサファイア基板を用いることによって、放熱性を高めるようにしたものである。さらに本発明は、上記サファイア基板が、Ｃ軸方向又はＣ軸方向投影線方向と透過すべき偏光透過軸との成す角度が±２°以内であるか、又はＣ軸と直交する軸（例えばＭ軸またはＡ軸）と透過すべき偏光透過軸との成す角度が±２゜以内であるか、又はＣ面と透過すべき偏光の透過方向に垂直な面との成す角度が±２°以内であることを特徴とする。
【００３２】即ち、サファイアの結晶方位を上記のようにしておくことによって、偏光特性に悪影響を及ぼすことを防止できるようにしたものである。
【００３３】また、本発明は上記サファイア基板に金属製放熱フィンを接合したことによって、さらに放熱性を向上させたものである。」（段落【００２９】〜【００３３】）
（ａ３）「【００４５】図３に示すように、偏光体１３をサファイア基板からなる保持板１５の表面に、透明接着剤で接合して偏光板６、７を構成する。なお、この時、偏光体１３の透過偏光軸１４と、保持板１５を構成するサファイア基板のＣ軸またはＣ軸投影線方向を示す軸またはＣ軸と直交する軸（例えばＭ軸）１６との成す角度が±２゜好ましくは±０．５゜以内となるように、両者を接合する。
【００４６】図５は、図３のように貼り合わせた偏光板６、７を、液晶パネル８の前後にセットし、光を照射した状態を示している。この場合、入射側は、液晶パネル８から１〜５ｍｍの間隔を開けて設置し、出射側は、液晶パネル８の表面に直接透明接着剤を用いて偏光体１３側を貼り合わせた。
【００４７】このようにすれば、熱伝導率が４２Ｗ／ｍ・Ｋと高いサファイア基板を保持板１５とし、偏光体１３と貼り合わせることにより、偏光体１３を透過できなかった光の吸収による蓄熱をサファイア基板に伝導し、効率よく放熱させることができる。さらに、冷却ファンを組み合わせて使用することにより極めて効率よく、偏光板６の蓄熱を放散する事が出来る。
【００４８】なお、この実施形態において、偏光体１３の透過偏光軸１４と、保持板１５を成すサファイア基板のＣ軸又はＣ軸投影線又はＣ軸と直交する軸１６との成す角度を±２゜好ましくは±０．５゜以内に制御する理由は、偏光体１３により整えた偏光が、サファイア結晶内の複屈折を起因とした旋光を発生させないようにするためである。例えば、上記範囲以上の角度となった場合、液晶プロジェクタ装置から投影する映像に乱れ等の影響が生じる。
【００４９】また、図４に示すようにサファイア基板からなる保持板１５の主面１５ａの面方位をＣ面±２゜好ましくは±０．５゜以内とすることによっても、複屈折の影響をなくし、安定した映像とすることが可能であった。」（段落【００４５】〜【００４９】）
　
　同じく、当審の拒絶の理由に引用された特開平８−９５２３３号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の記載がある。
（ｂ１）「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程で使用されるフォトマスク用透明基板及びレチクル用透明基板として用いるサファイヤ基板の製造方法に関する。」（段落【０００１】）
（ｂ２）「【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面により説明する。
（１）実施例１
図１は、本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造行程の実施例１の工程図である。
【００１０】図１において、引き上げ法或はベルヌーイ法を用いてアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からサファイヤの単結晶４１を作成する（工程１０１）。サファイヤの単結晶４１の大きさは、例えば、５インチ角、６インチ角、７インチ角の平面が充分取れる大きさを持つ。
【００１１】作成されたサファイヤの単結晶４１を、必要なフォトマスクの大きさと厚みに合わせ、サファイヤの四角形の板４３に切断加工する（工程１０２）。サファイヤの四角形の板４３を、外周整形機を用いて外周仕上げを行う。（工程１０３）。
【００１２】外周整形の終わった四角形の板４３の表面の研磨を行なう（工程１０４）。研磨方法には、例えば２重研磨及び３重研磨方法が有る。研磨条件は、図５及び図６に示すものが好ましい。図５は、本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造行程における３重研磨で使用する研磨粒子の範囲の関係を示す説明図である。
【００１３】図５において、粗研磨においては、研磨に用いられるダイヤモンド粒子は２ミクロン以上で２０ミクロン以下が好ましい。特に、４ミクロン以上で８ミクロン以下が好ましい。仕上げにおいては、研磨に用いられるダイヤモンド粒子は０．２ミクロン以上で５ミクロン以下が好ましい。特に、０．５ミクロン以上で３ミクロン以下が好ましい。
【００１４】鏡面仕上げにおいては、シリコン乳剤を用いるのが好ましい。図６は、本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造行程における２重研磨で使用する研磨粒子の範囲の関係を示す説明図である。図６において、粗研磨においては、研磨に用いられるダイヤモンド粒子は０．２ミクロン以上で２０ミクロン以下が好ましい。特に、０．５ミクロン以上で８ミクロン以下が好ましい。
【００１５】鏡面仕上げにおいては、シリコン乳剤を用いるのが好ましい。また、必要に応じてバフ法による研磨を行う。この時の総研磨代は片面で、例えば、５０ミクロン程度が好ましい。表面研磨の終わったサファイヤ基板４６を、６種類の１１工程の洗浄工程を経て（工程２０７）、フォトマスク用サファイヤ基板が完成する（工程２０８）。
【００１６】洗浄液の種類と使用する工程は、図７に示すものが好ましい。図７は、本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造行程における洗浄液の種類と使用する工程の説明図である。図７において、洗浄工程６においては、洗浄液として冷水を用いる。
【００１７】洗浄工程１、洗浄工程３及び洗浄工程５においては、洗浄液として温水を用いる。洗浄工程４においては、洗浄液としてシロリンを用いる。洗浄工程２においては、洗浄液として酸（Ｓ−５９）を用いる。
【００１８】洗浄工程７、洗浄工程８、洗浄工程９及び洗浄工程１０においては、洗浄液としてメタノールを用いる。洗浄工程１１においては、洗浄液として塩化メチレンを用いる。なお、洗浄工程の数、洗浄液の種類、洗浄液の利用の順番はこの実施例に限るものではない。
【００１９】また、必要に応じてバフ法による研磨を行う。この時の総研磨代は片面で、例えば、５０ミクロン内外が好ましい。完成時において、フォトマスク用サファイヤ基板の厚みは、例えば、５インチ角マスク用で１ｍｍ〜２ｍｍの厚み、６インチ角マスク用で２ｍｍ〜６ｍｍの厚み、７インチ角マスク用で２ｍｍ〜８ｍｍの厚みを有するのが好ましい。」（段落【０００９】〜【００１９】）
（ｂ３）「【００２１】図４は、本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造工程の実施例２の説明図である。図３及び図４において、引き上げ法或はベルヌーイ法を用いてアルミナ（Ａｌ2 ０3 ）からサファイヤの単結晶４１を作成する（工程２０１）。
【００２２】サファイヤの単結晶４１の大きさは、例えば、５インチ角、６インチ角、７インチ角の平面が充分取れる大きさを持つ。作成されたサファイヤの単結晶４１を、センタレス研削器を用い必要なマスクの対角線の長さを直径とする太さで外周研削を行う（工程２０２）。
【００２３】次に、サファイヤの単結晶４１を、ラップ法を用いて一辺の値が希望するマスクサイズになるように切断し、直方体型のサファイヤの単結晶４２を作成する。次に、ラップ法或いはバンド法を用いて、直方体型のサファイヤの単結晶４２を四角形の板状４３に切断する（工程２０３）。ラップ法の場合、研削用ダイアモンド粒子の大きさは４〜８ミクロンが好ましい。
【００２４】サファイヤの四角形の板４３を、外周整形機を用いて外周の面仕上げを行う。（工程２０４）。外周の面仕上げの終わったサファイヤの四角形の板４４の表面の研削を行なう。研磨に使われるダイヤモンド粒子は２０ミクロン以下が好ましい（工程２０５）。
【００２５】表面研削の終わったサファイヤの四角形の板４５の表面の研磨を行なう（工程２０６）。研磨方法はラップ法を用いロ−タリ−研磨機上で行う。実際の研磨方法は、例えば２重研磨及び３重研磨方法が有る。研磨条件は、実施例１と同様で、図５及び図６に示すものが好ましい。」（段落【００２１】〜【００２５】）
　上記（ｂ１）〜（ｂ３）の記載事項及び添付の図面から刊行物２には、「ベルヌーイ法により作成されたサファイア単結晶４１を切断し直方体のサファイア単結晶４２を作成し（工程２０１、２０２）、次にサファイア単結晶４２をサファイアの四角形の板４３に切断し（工程２０３）、次いで外周の面仕上げ（工程２０４）、表面の研削（工程２０５）、０．２〜２０μｍの研磨剤を用いたサファイア板４５の表面研磨（工程２０６）を行い、その後サファイア板を洗浄し（工程２０７）、研磨工程は粗研磨、０．２〜５μｍの研磨粒子を用いた仕上げ研磨、及び鏡面仕上げ研磨工程からなるサファイア板の製造方法。」についての発明が記載されているもとの認められる。
　
３．対比
　本願発明と刊行物２に記載された発明とを対比すると、本願発明に係る熱遮蔽素子は板状のサファイア材からなるものであるから両者はサファイア板を製造する点で共通しており、また、刊行物２に記載の発明に係る「サファイア単結晶」、「サファイア板」、「外周の面仕上げ」、「仕上げ研磨」、「鏡面仕上げ研磨」は、本願発明に係る「サファイアゴッド」、「ブランク」、「面取り仕上げ」、「中間研磨」、「化学研磨」にそれぞれ実質的に相当するから、両者は、「ＣＺ法又はベルヌーイ法により製造されたサファイアインゴット切り出し、ブランクを取り出す工程と、前記ブランクに、厚み揃えと平行出しを行う粗研磨工程と、前記ブランクの周辺を面取りする工程と、２００乃至５００ナノメータ粒子の破砕型シリカの粒子を溶かした研磨液を用いて前記ブランクの表面粗さを整える中間研磨工程と、前記ブランクを化学研磨する工程と、前記ブランクを洗浄する工程と、からなることを特徴とするサファイア板の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点１；本願発明に係るサファイア板は熱遮蔽素子として用いられるが、刊行物２に記載のサファイア板はフォトマスクとして用いられる点。
相違点２；本願発明では、サファイアゴッドを角度治具に張り付けて基準面を研削し、サファイアインゴットの結晶方位を測定して前記基準面を調整して研削することで、前記サファイヤインゴット上に結晶方位面と平行に指定された幅となるように第１基準面を加工する工程とを含むのに対し、刊行物２に記載の発明には前記工程についてに記載がない点。
相違点３；本願発明では、第１基準面を有するサファイヤインゴットを結晶面指定方位に従って切り出し、ブランクを取り出す工程を含むのに対し、刊行物２に記載の発明ではその旨の記載がない点。
相違点４；本願発明では、ブランクの第１基準面とは反対側に、指定された間隔で前記第１基準面と平行な面である第２基準面を付ける工程を含むのに対し、刊行物２に記載の発明には前記工程についてに記載がない点。、
相違点５；本願発明では、第２の基準面を付けたブランクを指定された大きさの長方形になる様に、前記第１基準面に対して両端面の加工を行い、長方形のブランクを得る工程を含むのに対し、刊行物２に記載の発明には前記工程についてに記載がない点。
相違点６；本願発明では、ブランクを洗浄した後、ブランクを検査する工程があるのに対し、刊行物２に記載の発明には検査工程についてに記載がない点。
相違点７；本願発明では、粗研磨工程後にブランクを面取りする工程があるのに対し、刊行物２に記載の発明では研磨工程の前に面取り工程がある点。
　
４．当審の判断
相違点１について；
　刊行物１には、サファイア板を熱遮蔽素子として用いることが記載されており、この記載に基づけば、熱遮蔽素子としてサファイアインゴットからサファイア板を製造することは、当業者であれば容易に想到することができたものである。
相違点２について；
　サファイア板を光学部品の熱遮蔽素子として用いる場合、サファイア板の結晶方位を考慮してサファイア板が作成されることは刊行物１に記載されている。また、結晶軸の方位を測定しつつ基準面を調整して研削する点は、当審の拒絶の理由に引用された特開平８−２２２７９８号公報（以下、「刊行物３」という。）に開示されている。してみれば、サファイアインゴットから、ある結晶方位をもったサファイア板を作成する場合、角度治具を用いてサファイアゴットの結晶方位を測定しつつ、結晶方位に関連づけられた基準面を研削して所望の結晶方位をもったブランクを作成することは、当業者であれば容易に想到することができたものである。
　また、サファイヤインゴット上に結晶方位面と平行に指定された幅となるように第１基準面を加工する点について、まず、「平行」については当業者が偏光特性等に応じて、適宜、結晶方位面との角度を規定しうるものであり、また、幅を指定されたものにすることは単なる設計事項にすぎず、いずれも格別なものとはいえない。
相違点３について；
　刊行物２に記載の発明では、サファイアインゴットからサファイア板を切り出すときに結晶面指定方位にしたがって切り出すことは開示されていないが、刊行物１にサファイア板を熱遮蔽素子として用いる場合は結晶方位性を考慮してサファイア板が作成されることが記載されているから、光学部品の熱遮蔽素子として用いられるサファイア板は結晶方位に関連した基準面にしたがってサファイアインゴットからブランクを切り出すことは当業者であれば容易に想到することができたものである。
相違点４及び５について；
　第１基準目とは反対側に指定された間隔で前記第１基準面と平行な面である第２基準面を付ける点は、刊行物１に係るサファイア板も本願発明に係るサファイア板も最終的に略長方形のサファイア板を作成するものであるから、第２基準面を本願発明のように付けることは、長方形のサファイア板を切り出す工程において、普通に予測される工程であり、当業者であれば容易に想到することができたものである。そして、それらの基準面に対して両端面の加工を行い、最終的に長方形のブランクを得ることも当業者であれば容易に実施することができたものである。
相違点６及び７について；
　製品の製造工程、特に最終工程で検査工程を組み込むことは、普通に採用されている事項であり、格別なものとはいえない。また、面取り工程を粗研磨工程の前で行うか、後で行うかは単なる設計事項にすぎない。
　そして、本願は発明の作用効果も、刊行物１乃至刊行物３から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。