【事件の表示】
　平成　７年特許願第　１６６６６号「磁気記憶装置及びそれに用いる薄膜磁気ヘッドとその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　８月２０日出願公開、特開平　８−２１２５１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成７年２月３日の出願であって、平成１５年２月７日付けで手続補正がなされ、その後平成１５年６月３日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１５年７月４日に審判請求がされるとともに、平成１５年８月４日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１５年８月４日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年８月４日付け手続補正を却下する。
［理由］
１
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１については、補正前の
（ａ）「【請求項１】　下部磁性膜と，該下部磁性膜上に形成され一端が前記下部磁性膜の一端に接し、他端が前記下部磁性膜の他端に磁気ギャップを介して対向し、これによって下部磁性膜と共に一部に磁気ギャップを有する磁気回路を形成する上部磁性膜と，両磁性膜間を通り磁気回路と交差する所定巻回数のコイルを形成する導体コイルとを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記下部及び上部磁性膜の少なくとも一方が、重量でＮｉ３８〜６０重量％及びＦｅ４０〜６２重量％を含有するＮｉ−Ｆｅ系合金からなり、平均結晶粒径が５００Å以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」を、
（ｂ）「【請求項１】　下部磁性膜と，該下部磁性膜上に形成され一端が前記下部磁性膜の一端に接し、他端が前記下部磁性膜の他端に磁気ギャップを介して対向し、これによって下部磁性膜と共に一部に磁気ギャップを有する磁気回路を形成する上部磁性膜と，両磁性膜間を通り磁気回路と交差する所定巻回数のコイルを形成する導体コイルとを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記下部及び上部磁性膜の少なくとも一方が、重量でＮｉ３８〜６０重量％及びＦｅ４０〜６２重量％を含有するＮｉ−Ｆｅ系合金からなり、平均結晶粒径が５００Å以下で
あり、飽和磁束密度（Ｂｓ）が１．６Ｔ以下で
　本件補正について検討すると、特許請求の範囲の請求項１についての補正は、「前記下部及び上部磁性膜の少なくとも一方」について、「
飽和磁束密度（Ｂｓ）が１．６Ｔ以下で
　
２
　下部及び上部磁性膜の少なくとも一方が、「飽和磁束密度（Ｂｓ）が１．６Ｔ以下」である構成が、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内であるかについて以下検討する。
　当初明細書等には、以下のとおりの記載がある。
　ア　「【０００３】【発明が解決しようとする課題】これらの３元系材料は飽和磁束密度（ＢＳ）は
１．５Ｔ以上
　イ　「【０００８】そこで、結晶粒を小さく抑えられるめっき法を取上げ、３８〜６０重量％Ｎｉ−Ｆｅ２元系合金をベースにＣｏ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｂ，Ｉｎ等の第３元素の添加を検討し、必要な記録磁界を得る膜厚２〜５μｍを確保した上で飽和磁束密度（ＢＳ）：
１．５Ｔ以上
　ウ　「【００３４】Ｎｉ−Ｆｅ２元系磁性膜（膜厚：３μｍ）ではＮｉ３８〜６０重量％の範囲で飽和磁束密度（ＢＳ）が
１．５Ｔ以上
１．５Ｔ
１．５Ｔ
　エ　「【００３５】一方、Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｂ，Ｉｎ及びＰｄの少なくとも１種の元素を添加する場合、Ｃｏは１５重量％以下、Ｍｏは３重量％以下が飽和磁束密度（ＢＳ）を
１．５Ｔ以上
　オ　「【００５５】（前略）この磁性膜の組成は４２．４Ｎｉ−Ｆｅ（重量％）であり、磁気特性は飽和磁束密度（ＢＳ）が
１．６４Ｔ
　カ　「【００８２】膜のＮｉ含有量が３８〜６０重量％の範囲で飽和磁束密度（ＢＳ）が
１．５Ｔ以上
１．５以上
　キ　「【００８５】特に、図１６に示すようにＮｉ４０〜５０重量％でＢＳで
１．６Ｔ
　ク　「【００８７】（前略）例えば、Ｍｏ：２重量％添加で磁性膜の比抵抗（ρ）はおよそ６０μΩｃｍ以上と８０Ｎｉ−Ｆｅパーマロイ膜の３倍以上の値を示す。その時、飽和磁束密度（ＢＳ）はおよそ
１．５０Ｔ
１．５Ｔ以下
　ケ　「【００９０】（実施例４）図１８は（Ｎｉ４４重量％−Ｆｅ）−Ｃｏ１５重量％−Ｍｏ磁性膜の磁気特性を損なわずに飽和磁束密度（ＢＳ）と比抵抗（ρ）を更に増大させるためにＣｏとＭｏを同じに添加した場合の検討結果である。（中略）その結果、Ｃｏを１３重量％添加することで磁性膜の飽和磁束密度（ＢＳ）は
１．７８Ｔ
１．５５Ｔ
　コ　「【０１００】本実施例で作製した薄膜磁気ヘッドを用いて構成した磁気記憶装置について述べる。（中略）ヘッドの上部及び下部磁性膜には飽和磁束密度が
１．３テスラ
１．６Ｔ
　サ　「【０１１５】（前略）この磁性膜の組成は４２．４Ｎｉ−Ｆｅ（重量％）であり、磁気特性は飽和磁束密度（ＢＳ）が
１．６４Ｔ
　上記ア、イ、ウ、エ、カ、クには、飽和磁束密度は１．５Ｔ以上が望ましく、１．５Ｔ以下は好ましくないことが記載されているが、１．６Ｔ以下が好ましいとの示唆はない。
　むしろ、上記オ、サには、１．６４Ｔという１．６Ｔを超えるものが望ましい例として記載されており、１．６Ｔ以下と数値限定する示唆は全くない。
　また、上記キで、「図１６に示すようにＮｉ４０〜５０重量％でＢＳで
１．６Ｔ
　また、上記クに１．５０Ｔの例、上記ケに１．５５Ｔの例、上記コに１．６Ｔの例が記載され、これらの値は、１．６Ｔまたはそれ以下であるが、当初明細書等の記載全体、特に課題・効果等の記載からみて、１．６Ｔが、連続的な数値範囲の上限の境界値として記載されているとは認められない。
　よって、「前記下部及び上部磁性膜の少なくとも一方」が、「飽和磁束密度（Ｂｓ）が１．６Ｔ以下であること」は、当初明細書等に記載がなく、自明の事項でもないので、当初明細書等に記載した事項の範囲内であるということはできない。
　したがって、本件補正は、平成６年改正前特許法第１７条の２第２項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１５年８月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至３に係る発明は、平成１５年２月７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載されたとおりのものあるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次ののとおりである。
　【請求項１】　上記「第２の１の（ａ）」のとおり。
　
２　引用例
（１）原査定の拒絶の理由で引用された特開平２−６８９０６号公報（以下「引用例１」という。）には、「高飽和磁束密度軟磁性膜及び磁気ヘッド」について、以下の事項が記載されている。
　（ア）「Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの３成分を主成分とし、各成分組成が原子％で２０％＜Ｆｅ＜７５％　且つ　５％＜Ｃｏ＜４５％　且つ　２０％＜Ｎｉ＜７０％　である合金薄膜であって、薄膜面として面心立方格子構造の（２２０）面または（１１１）面を優先的に面配向させたことを特徴とする高飽和磁束密度軟磁性膜。」（公報１頁左下欄５行〜１２行、特許請求の範囲の請求項１）。
　（イ）「請求項１記載の高飽和磁束密度軟磁性膜を用いた磁気ヘッド。」（公報１頁右下欄４行〜５行、特許請求の範囲の請求項５）。
　（ウ）「上記のような従来の軟磁性薄膜のもつ問題点に対して、およそ１５０００Ｇａｕｓｓ以上のＢｓ値を有し、なお且つ良好な軟磁気特性（低抗磁力（Ｈｃ），高い初透磁率（μｉ），低い磁歪（λｓ））を有する熱的にも安定なヘッド用材料が実用上必要である。」（公報２頁左上欄１９行〜右上欄３行、発明が解決しようとする課題の項）
　（エ）「蒸着法、又は電着法による製法の面心立方格子のＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉを主成分とする薄膜においては、例えば図１に示すように、およそＮｉの原子（ａｔ％）に主として依存した飽和磁束密度の値を有し、Ｎｉ＜７０ａｔ％で従来の軟磁性薄膜にないＢｓ＞１２０００Ｇａｕｓｓを得ることができる。しかし、Ｎｉ≦２０ａｔ％では室温における。面心立方格子構造の安定性はなく、体心立方格子構造が安定となるため、薄膜の軟磁気特性へ大きな悪影響を及ぼす。また、同様なことが図２からＦｅ≧７５ａｔ％についても言える（即ち２０＜Ｎｉ＜７０〔％〕，Ｆｅ＜７５％が必要）。」（公報２頁右上欄１０行〜左下欄１行、発明が解決しようとする課題の項）
　（オ）「通常結晶磁気異方性定数及び磁歪定数が軟磁気特性に大きく影響を及ぼすが、両者は各合金元素成分組成に依存するだけでなく、各結晶面内における値によって大きさ符号とも、大きく相違するため、一般に薄膜材料の面配向性、結晶粒径の大きさ、形状によって大きく左右されるため、バルク材料として知られている従来のデータとは同組成であっても異なっている。」（公報２頁左下欄２行〜９行、発明が解決しようとする課題の項）
　（カ）「スパッタ蒸着法、電子ビーム蒸着法、或いは電着法等の薄膜作製方法によれば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの３成分を主成分とする合金薄膜において、面心立方構造の（２２０）面又は（１１１）面を作成条件を選ぶことによって薄膜面として優先的に面配向させることが可能である。これ等の面配向をもつ膜の薄膜面内の軟磁気特性に良好な特性を確認した。しかし、これ等の面配向をもつ薄膜面内の良好な軟磁気特性を得るためには組成的には　Ｎｉ＞２０ａｔ％に加えて、Ｆｅ＞２０ａｔ％，且つＣｏ＜４５ａｔ％が必要であることがわかった。この組成領域内のものを選べば薄膜の作成条件や熱処理条件を適当に選ぶことにより面配向、結晶粒径や形状を制御することで初透磁率μｉ＞３００，Ｈｃ＜３Ｏｅのものを得ることができる。一方、Ｃｏ≦５ａｔ％の薄膜についてはパーマロイ合金をはじめとしたＮｉ−Ｆｅ系合金２元系薄膜として従来から知られている材料とほぼ同様な薄膜といえる。」（公報２頁左下欄１９行〜右下欄１７行、作用の項）
　（キ）「表１は第２図の結果によって確かめられた各結晶構造のものについて、薄膜の面配向性と対比させながら各合金組成における初透磁率（μｉ）、抗磁力（Ｈｃ）等の特性を７００℃　０．５Ｈｒ，又は５００℃　０．５Ｈｒの熱処理膜についてまとめたものである。」（公報３頁左上欄１４行〜１８行、実施例の項）
　（ク）「本発明の第３実施例におけるＦｅＣｏＮｉを主成分とする高飽和磁束密度を有する電着軟磁性膜（一軸磁界中電着）について、第４図に示すような薄膜磁気ヘッド用ヨーク材料（下部磁性層及び上部磁性層）として使用し、良好な磁気記録再生特性を得た。同図において、１は基板であり、その上には絶縁層２を介して下部磁性層３が形成されている。更にギャップ層４を介して、絶縁層５とコイル層７が積層され、その上部に上部磁性層６が形成されている。ただし、先端部分においては下部磁性層３と上部磁性層６とはギャップ層４のみを介して対向している。８は保護層である。」（公報３頁右下欄９行〜２０行、実施例の項）
　（ケ）第４図（ａ）（ｂ）には、上部磁性層６の一端が、下部磁性層３の一端に接し、上部磁性層６の他端が下部磁性層３とギャップ層４を介して対向し、上部磁性層は下部磁性層と共に一部に磁気ギャップを有する磁気回路を形成し、コイル層７は上部磁性層６と下部磁性層３の間を通り磁気回路と交差する所定巻回数のコイルを形成していることが図示されている。
　
（２）原査定の拒絶の理由で引用された特開平６−３４６２０２号公報（以下「引用例２」という。）には、「軟磁性合金、軟磁性薄膜および多層膜」について、以下の事項が記載されている。
　（サ）「（前略）良好な磁気記録を行なうためには、磁気ヘッドから密度の高い磁束を発生させる必要があるので、飽和磁束密度（Ｂｓ）の高い軟磁性薄膜や軟磁性多層膜を利用したメタル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型磁気ヘッド、積層型磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドなどが用いられるようになってきている。これらの磁気ヘッドに用いられる軟磁性薄膜や軟磁性多層膜には、高いＢｓの他、保磁力（Ｈｃ）が低く透磁率（μ）が高いことも要求され、さらに、飽和磁歪値（λｓ）が小さいことが極めて重要である。（後略）」（公報段落２）。
　（シ）「本発明の軟磁性合金は、上記主成分に加えＮおよびＯを含むことが好ましい。Ｎは、結晶粒を微細化し、Ｈｃを低下させてμを向上させる。」（公報段落１７）
　（ス）「本発明の軟磁性合金の平均結晶粒径は、２０〜３５０Ａであることが好ましい。このように結晶粒が微細化されることにより、良好な軟磁気特性が得られる。」（公報段落２２、なお、「Ａ」はオングストロームの意味である。）
　
３　対比判断
（１）対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した事項、特に上記（ア）（イ）（ク）（ケ）によれば、引用例１には、
　「Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの３成分を主成分とし、各成分組成が原子％で２０％＜Ｆｅ＜７５％　且つ　５％＜Ｃｏ＜４５％　且つ　２０％＜Ｎｉ＜７０％　である合金薄膜の高飽和磁束密度軟磁性膜を下部磁性層と上部磁性層に使用した薄膜磁気ヘッドであって、
　上部磁性層の一端が、下部磁性層の一端に接し、上部磁性層の他端が下部磁性層とギャップ層を介して対向し、上部磁性層は下部磁性層と共に一部に磁気ギャップを有する磁気回路を形成し、コイル層は上部磁性層と下部磁性層の間を通り磁気回路と交差する所定巻回数のコイルを形成している薄膜磁気ヘッド。」の発明が記載されている。
　引用例１に記載された発明の「下部磁性層」「上部磁性層」は、それぞれ本願発明の「下部磁性膜」「上部磁性膜」に相当する。
　引用例１に記載された発明の「Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの３成分を主成分とし、各成分組成が原子％で２０％＜Ｆｅ＜７５％　且つ　５％＜Ｃｏ＜４５％　且つ　２０％＜Ｎｉ＜７０％　である合金薄膜の高飽和磁束密度軟磁性膜」の組成範囲について検討する。各元素の原子量は、Ｎｉが５８．６９、Ｆｅが５５．８５、Ｃｏが５８．９３であること（請求人の平成１５年２月７日付け意見書参照）から、引用例１に記載された発明の、Ｎｉの含有量の上限の組成は、Ｃｏが５原子％のとき、Ｎｉが７０原子％、Ｆｅが２５原子％で、重量％に換算すると、Ｎｉが７０．８重量％、Ｆｅが２４．１重量％、Ｃｏが５．１重量％となり、また、Ｎｉの含有量の下限の組成は、Ｃｏが５原子％のとき、Ｎｉが２０原子％、Ｆｅが７５原子％で、重量％に換算すると、Ｎｉが２０．８重量％、Ｆｅが７４．０重量％、Ｃｏが５．２重量％となる。引用例１に記載された発明の、５原子％を若干超える程度のＣｏ含有量のＦｅＣｏＮｉは、Ｃｏを含むＮｉ−Ｆｅ系合金といえるものであるから、引用例１に記載された発明の「Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの３成分を主成分とし、各成分組成が原子％で２０％＜Ｆｅ＜７５％　且つ　５％＜Ｃｏ＜４５％　且つ　２０％＜Ｎｉ＜７０％　である合金薄膜の高飽和磁束密度軟磁性膜」は、本願発明の「重量でＮｉ３８〜６０重量％及びＦｅ４０〜６２重量％を含有するＮｉ−Ｆｅ系合金」と重複している組成を備えている。
　なお、本願発明の「重量でＮｉ３８〜６０重量％及びＦｅ４０〜６２重量％を含有するＮｉ−Ｆｅ系合金」という記載については、明細書に、「本発明に係る前記磁気コアは重量でＣｏ１５重量％以下及びＭｏ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｂ及びＩｎの１種以上を総量で３重量％以下の少なくとも一方を含むことができるものである。」（段落１２）と記載され、段落３５、３６、３７、９０、１１１〜１１３、１１８にも、同様Ｃｏ等を含む旨が記載されている。また、当初明細書等には、請求項２，３，４，６に組成比の限定がなされ、それを引用する請求項７で、Ｃｏ１５重量％以下を含む旨の限定を付加していることから、本願において「重量でＮｉ３８〜６０重量％及びＦｅ４０〜６２重量％を含有するＮｉ−Ｆｅ系合金」という記載は、Ｃｏを含むものを除外するものでないことは、明らかである。よって、本願発明の「重量でＮｉ３８〜６０重量％及びＦｅ４０〜６２重量％を含有するＮｉ−Ｆｅ系合金」は、Ｃｏを含むものも当然含まれているので、請求人の請求の理由における主張は採用できない。
　よって、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「下部磁性膜と，該下部磁性膜上に形成され一端が前記下部磁性膜の一端に接し、他端が前記下部磁性膜の他端に磁気ギャップを介して対向し、これによって下部磁性膜と共に一部に磁気ギャップを有する磁気回路を形成する上部磁性膜と，両磁性膜間を通り磁気回路と交差する所定巻回数のコイルを形成する導体コイルとを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記下部及び上部磁性膜の少なくとも一方が、重量でＮｉ３８〜６０重量％及びＦｅ４０〜６２重量％を含有するＮｉ−Ｆｅ系合金からなる薄膜磁気ヘッド。」
　である点で一致し、以下の点で相違している。
　（相違点）　「下部及び上部磁性膜の少なくとも一方」が、本願発明では、「平均結晶粒径が５００Å以下である」であるのに対し、引用例１に記載された発明では、平均結晶粒径を特定していない点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
  引用例１には、結晶磁気異方性定数が軟磁気特性に大きく影響を及ぼすので、合金元素組成だけでなく薄膜の結晶粒径の大きさに大きく左右されること（上記２の（オ）参照）が示され、また、Ｎｉ＞２０ａｔ％（ここで２０＜Ｎｉ＜７０〔％〕，Ｆｅ＜７５％が前提（上記２の（エ）参照））に加えて、Ｆｅ＞２０ａｔ％、且つＣｏ＜４５ａｔ％を満たす組成領域内のもの、即ち、原子％で２０％＜Ｆｅ＜７５％、２０％＜Ｎｉ＜７０％、Ｃｏ＜４５％を満たす組成領域内のものを選べば、薄膜の作成条件等を適当に選ぶことにより面配向や結晶粒径や形状を制御することで、初透磁率が大きくＨｃが小さいものを得ることができること（上記２の（カ）参照）が、示されている。即ち、引用例１には、本願発明の組成と重複する組成である、原子％で２０％＜Ｆｅ＜７５％、２０％＜Ｎｉ＜７０％、Ｃｏ＜４５％を満たす組成領域内の磁性膜で、結晶粒径を制御して、薄膜磁気ヘッドの磁気特性を向上させることの示唆がある。
　また引用例２には、ＦｅＣｏＮｉ系軟磁性薄膜において、結晶粒径を小さくすることにより保磁力を小とする作用効果があること（上記２の（シ）（ス）参照）が示され、そして当該作用効果は、引用例２の例示される組成範囲のものに限るものでなく広く適用できる作用効果であることは、特開平６−１２２９９０号公報（段落１５乃至１７参照）や特開平５−２９１７２号公報（段落２６参照）や特開平７−３４８９号公報（原審での引用文献、段落１９参照）公報にも記載されるように、出願当時すでに当業者にとって技術常識である。
　してみれば、引用例１に記載された発明において、その結晶粒径の小さいものを選択することは当業者が適宜なし得るところ、引用例２には平均結晶粒径として２５０〜３５０Åの例示もあることから、平均結晶粒径が５００Å以下とすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　そして、本願発明の効果は、引用例１及び２に記載された発明から、当業者であれば予測することができる程度のものにすぎず、格別顕著なものではない。
　
４　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。