【事件の表示】
　平成１１年特許願第２１１０４４号「ＧａＮ結晶膜、ＩＩＩ族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１２月１５日出願公開、特開２０００−３４９３３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年６月２２日（優先権主張平成１０年９月３０日、平成１１年３月２６日）に出願された特許出願であって、原審において平成１４年２月６日付けで通知された拒絶理由通知書に対して、同年４月１５日付けで意見書が提出された後、平成１５年２月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１４日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　そして、本願の請求項１に係る発明は、手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。
　「サファイア基板上に複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされたマスクを有し、該成長領域から成長したＧａＮ結晶が該マスクを介して隣り合う成長領域から成長したＧａＮ結晶と合体して該マスクを覆って成るＧａＮ結晶膜であって、該マスク上の結晶領域に、ストライプ方向に沿って走る複数の転位が基板面のほぼ法線方向に配列した欠陥を有し、ストライプ方向に対して垂直な断面で見たとき、基板面にほぼ平行な方向に伝播してきた転位が、該マスク上で結晶が合体した箇所の近傍において基板面のほぼ法線方向に伝播している転位を有することを特徴とするＧａＮ結晶膜。」（以下、本願発明という。）
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に外国において頒布された刊行物である Applied Physics Letters, Vol.71, No.16, p.2259-2261(1997)（以下「引用例１」という。）には、図面と共に、次の事項が記載されている。（注：引用例１で用いられている上線は負の符号に置き換えて記載している。）
　
（ａ）「The GaN growth was performed using a conventional HVPE system. The growth procedure,described in detail in our previous paper,13 will be briefly reported here. Prior to the HVPE growth, a 1- to 1.5-μm-thick GaN layer was grown on a sapphire(0001) wafer by low-pressure MOVPE with the conventional two-step procedure, consisting of low-temperature growth of a 20-nm-thick buffer-layer and high-temperature growth of an overlayer. An SiO2 layer was deposited on the MOVPE-grown GaN layer by chemical vapor deposition at 430℃ and then fabricated into mask/window stripes with a period of about 7μm aligned along the11-20 direction of the GaN film, using conventional photolithographic techniques. The width of the mask was varied between 1 and 4 μm. The detailed substrate structure was shown in Fig. 1. After surface cleaning, the substrate was loaded into the reactor of the HVPE system and heated to 1000℃ under a NH3 atmosphere. Then, a GaN layer was grown at 1000℃ with GaCl and NH3 sources.」（第2259頁左欄36行−右欄17行）
（ｂ）「Figure 2 is a cross-sectional TEM[11-20] image showing a representative aspect of the defect structures in the vicinity of the interface between the HVPE- and MOVPE-grown GaN layers formed by our method. The sample had a 140-μm-thick HVPE-grown layer.」（第2259頁右欄26行−第2260頁左欄2行）
（ｃ）「In general, three types of characters of threading dislocations have been reported;6-8 a pure-edge dislocation with Burgers vector b=1/311-20, a screw dislocation with b=[0001], and a mixed dislocation with b=1/311-23. The Burgers vector notation used in this paper is shown in Fig. 3.」（第2260頁左欄20行−25行）
（ｄ）「Next, we examine the dislocation structure in the HVPE layer. It can be clearly seen in Fig. 2 that almost all the dislocations in the MOVPE layer propagated into the HVPE layer and that no defects were newly generated at the interface. Interestingly, dislocations parallel to the interface were frequently observed in the HVPE layer; these dislocations originated mostly from the threading dislocations in the MOVPE layer, forming an angled configuration. Especially near the SiO2 mask, we clearly observed such angled dislocations piled up along the [0001] direction. We also confirmed that the angled dislocations were formed primarily within the thickness of about 5μm in the HVPE layer.」（第2260頁右欄4行−15行）
（ｅ）「Figure 4 shows various cross-sectional TEM micrographs taken with different reflection vectors from the same area of a portion of the sample shown in Fig. 2. It can be clearly seen that some of the angled dislocations and dislocation segments that are aligned laterally are in contrast with g=1-100[Fig. 4(a)] but are out of contrast with g=000-2[Fig. 4(b)]. From the invisibility criterion, i.e., g・b=0,14 the dislocations that are out of contrast in Fig. 4(b) have their Burgers vectors perpendicular to the [0001] direction, i.e.,b=1/311-20. In comparison, as shown later, the dislocations that are in contrast in Fig. 4(b) mostly have Burgers vectors of b=1/311-23. Note that the occurrence of the angled dislocations depends on their having Burgers vectors of either 1/311-20 or 1/311-23. 」（第2260頁右欄21行−34行）
（ｆ）「For the former dislocations, the occurrence of lateral propagation is less dependent on their positions with respect to the SiO2 mask, while for the latter it occurs more markedly around the SiO2 mask than away from the mask, as clearly seen in Fig. 4(b).」（第2260頁右欄34行−38行）
（ｇ）「Here we first focus on the former dislocations with b=1/311-20,e.g., a bundle of angled dislocations indicated by arrow A in Fig. 4(a). Using stereomicrography14 for these dislocations, we found that the lateral segments were aligned more or less along the 1/3[2-1-10] direction, parallel to their Burgers vector. This type of dislocation morphology was also verified by the plan-view observation. Thus we find that the pure-edge character of the dislocation originating from the threading dislocation in the MOVPE layer changed into the screw character by the lateral propagation in the HVPE layer.」（第2260頁右欄38行−48行）
（ｈ）「The dislocations seen as clearly in contrast in Fig. 4(b) were found to come from the threading dislocations with the non-pure-edge character in the MOVPE layer. As mentioned earlier, for these dislocations, the lateral propagation occurs markedly around the SiO2 mask. By visibility or invisibility and image contrast analysis, the dislocations were found to have Burgers vectors with b=1/311-23 type. For instance, the dislocation indicated by arrow B in Fig. 4(b) shows visible contrast in Figs. 4(a)-4(c) but residual contrast in Fig.4(d). （第2260頁右欄54行−第2261左欄4行）
（ｉ）Furthermore,the stereomicrography revealed that the lateral segments lay on the plane nearly parallel to the TEM specimen surface, and were aligned approximately along the [1-100] direction. This means that these segments no longer lie on their slip planes of the {1-101}. Therefore, this configuration was not brought about solely by the glide process of the dislocation.」（第2261頁左欄7行−右欄4行）
（ｊ）「The broken line in Fig. 4(b) corresponds to the projection of the (1-101) plane, which is a facet plane appearing during the ridge growth of GaN in the selective epitaxy on the opening windows of the SiO2 stripes.13 Note that the line more or less crosses the sites where respective dislocations angled. This indicates that the lateral propagation of the dislocations is closely related to the growth process on the {1-101} facet plane on which the dislocations intersect. Details of these mechanisms are currently under investigation and will be reported in future.」（第2261頁右欄4行−13行）
　
　したがって、上記（ａ），（ｂ），（ｈ）−（ｊ）に記載の事項からみて、引用例１には以下の発明が記載されていると認められる。
　「サファイアウェハ上にストライプ状にパターニングされたＳｉＯ2層を有し、ＳｉＯ2層を覆ってなるＧａＮ層であって、ＳｉＯ2層上の結晶領域に、ストライプ方向に対して垂直な断面で見たとき、基板面にほぼ平行な方向に伝播している転位を有することを特徴とするＧａＮ層。」
　
１．対比
　次に、本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、
（１）引用例１に記載された発明における「サファイアウェハ」、「ＳｉＯ2層」「ＧａＮ層」は、本願発明における「サファイア基板」、「マスク」、「ＧａＮ結晶膜」に相当する。
（２）上記（ｊ）に記載のとおり、ＧａＮ層はＳｉＯ2層の形成されていない複数の領域から成長していることから、ＳｉＯ2層が複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされていることは明らかである。
（３）上記（ｊ）に記載のとおり、ＧａＮ層はＳｉＯ2層の開口部（成長領域）から成長し始め、ファセットを形成しながらＳｉＯ2層を覆うように成長している。よって、ＳｉＯ2層を介して隣り合う開口部からＳｉＯ2層を覆うように成長したＧａＮ層が、ＳｉＯ2層の中央で合体し、後に上方へ成長していくことは明らかな構成である。
（４）第４図（ｂ）から、基板面にほぼ平行な方向へ伝播している転位（矢印Ｂ）及びＳｉＯ2層の中央近傍において基板面のほぼ法線方向へ伝播している転位、が見てとれる。
　そして、転位が結晶成長と共に伝播することは自明な事項であり、ＧａＮ層は上記（３）に記載のとおりの成長をしている。よって、基板面にほぼ平行な方向へ伝播している転位は、ＳｉＯ2層の中央近傍（ＧａＮ層が合体した箇所）において基板面のほぼ法線方向に伝播している転位と繋がっていると見るのが相当である。
　
　したがって、本願発明と引用例１に記載された発明とは、 
　「サファイア基板上に複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされたマスクを有し、該成長領域から成長したＧａＮ結晶が該マスクを介して隣り合う成長領域から成長したＧａＮ結晶と合体して該マスクを覆って成るＧａＮ結晶膜であって、ストライプ方向に対して垂直な断面で見たとき、基板面にほぼ平行な方向に伝播してきた転位が、該マスク上で結晶が合体した箇所の近傍において基板面のほぼ法線方向に伝播している転位を有することを特徴とするＧａＮ結晶膜。」である点で一致し、次の点で一応、相違している。
［相違点］ 
　本願発明では、ＧａＮ結晶膜が、マスク上の結晶領域に、ストライプ方向に沿って走る複数の転位が基板面のほぼ法線方向に配列した欠陥を有する膜であるのに対し、引用例１に記載された発明では、ＧａＮ結晶膜が有する欠陥については特に規定されていない点。
　
４．判断
　まず、引用例１の第４図（ａ）に矢印Ａで示されている転位（以下、「矢印Ａ転位」という。）について、引用例１の記載を参酌すると、
　上記（ｃ），（ｇ）の「Here we first focus on the former dislocations with b=1/311-20,e.g., a bundle of angled dislocations indicated by arrow A in Fig. 4(a).」，「a pure-edge dislocation with Burgers vector b=1/311-20」、「Thus we find that the pure-edge character of the dislocation originating from the threading dislocation in the MOVPE layer changed into the screw character by the lateral propagation in the HVPE layer.」、「we found that the lateral segments were aligned more or less along the 1/3[2-1-10] direction」の記載から、矢印Ａ転位は、MOVPE層の刃状転位を引き継いだBurgers vector b=1/311-20の転位であって、HVPE層の成長中に水平方向へ伝播して（折れ曲がり）、螺旋のキャラクタに変化しており、矢印Ａ転位の水平な部分は1/3[2-1-10]方向（ＳｉＯ2層へ向かう方向）へ伝播していることが分かる。
　そして、矢印Ａ転位はＳｉＯ2層へ向かう方向へ伝播していることから、必然的に、ＧａＮ層とＳｉＯ2層との界面を通過して伝播している。
　次に、上記相違点である欠陥について、本願明細書では以下のように説明している。（注：下線は当審にて付与した。）
（イ）「次に、Ｄ１、Ｄ２欠陥を形成する転位の起源および構造について説明する。前述のとおり、ＧａＮ結晶膜中には主として２種類の転位が存在する。一つは、
下地結晶膜中の刃状転位を引き継ぎ上層のＧａＮ結晶膜中で水平方向に折れ曲がった転位（以下「Ａ転位」という。）
Ａ転位のバーガースベクトルｂは＜１１−２０＞／３で六方晶格子のａ軸ベクトルと等価であることに注意する。
Ｄ１、Ｄ２欠陥を構成する小傾角粒界中の転位の起源はＡ転位であると考えられる。
（ロ）「これらの図が示すように前述のＴＥＭによる解析結果から、本発明によるＧａＮ結晶膜中の転位の形態においては、サファイア基板上でｃ軸方向に沿って存在していた刃状転位、
すなわちＧａＮ結晶のｃ面に平行な変位ベクトルを持つ転位（Ａ転位）が、開口部からさらに成長した領域で折れ曲がってｃ面内をマスクに向かって伝播し、再度曲がってマスクストライプ方向に沿って伝播している。
（ハ）「Ａ転位のｃ面内でのマスクストライプ方向に沿う伝播挙動は、結晶内でマスクストライプ方向に垂直に働く剪断応力で決定され、
その剪断応力は主としてＥＬＯ成長中のＧａＮ結晶とマスクとの界面に働く力によって引き起こされる。
　以上から明らかなように、引用例１に記載された「矢印Ａ転位」と本願明細書に記載された「Ａ転位」とは、転位の起源、構造、伝播方向が等しく、ＧａＮ結晶とマスクとの界面で同様の応力を受けていると考えられるので、「矢印Ａ転位」は「Ａ転位」であると判断できる。
　したがって、上記相違点は、引用例１に記載されたＧａＮ結晶膜も有している欠陥構造を単に規定したに過ぎず、本願発明と引用例１に記載された発明とに実質的な差異はない。
　
　なお、審判請求書において「本願発明の製造方法では、『マスクの表面をエッチングし表面から１〜５００ｎｍ除去して清浄化処理を行う工程』とあるように、マスク表面から所定の厚さをエッチング除去することにより清浄化処理を行っています。」と、本願発明が引用例１に記載された発明とは異なる旨主張しているが、該主張は特許請求の範囲の記載に基づくものではなく、これを認めることはできない。
　また、原査定の拒絶理由は、本願発明が特許法第２９条第１項３号に該当するというものではないが、審判請求人は、平成１４年４月１５日付け意見書において、引用例に記載された発明との相違点を主張しており、進歩性判断の前提として新規性についても検討していることは明らかである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。