【事件の表示】
　平成　９年特許願第３３４６５７号「集束イオンビーム加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　６月２２日出願公開、特開平１１−１６７８９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯／本願発明
  本願は、平成９年１２月４日の出願であって、その請求項１乃至５に係る発明は、平成１０年８月１９日付け、平成１２年１０月３０日付け、平成１４年８月２０日付け、及び平成１７年５月１６日付け手続き補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項によって特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである（以下、請求項１に係る発明を「本願発明１」という。）。
「【請求項１】　試料の所望の領域に集束イオンビームを繰り返し走査照射することによって、試料表面をエッチング加工し、試料の断面を加工観察する方法において、
　試料表面に対する入射角が浅い第一の角度となるように、試料表面をイオンビーム照射軸に垂直な位置から前記第一の角度にて傾斜させた状態で集束イオンビームを走査照射することにより加工して断面を形成し、
　当該試料を、前記垂直な位置に戻した状態から更に第二の角度として９０−第一の角度傾斜させた状態、かそれに近い角度で前記形成した断面を観察することを特徴とする集束イオンビーム加工観察方法。」
　
２．引用刊行物 
　これに対し、当審において、平成１７年３月１０日付けで通知した拒絶の理由には、本願出願前に頒布された以下の刊行物が引用されており、各刊行物の記載事項は、後述する「２−１．」乃至「２−３．」に記載のとおりである。
　
刊行物１：特開平７−２６３４２２号公報
刊行物２：特開平４−１９９５３４号公報
刊行物３：特開平８−２９８２７５号公報
２−１．刊行物１
　刊行物１（特開平７−２６３４２２号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
１ａ．「【請求項１】イオンを照射することによって固体表面を構成する原子を剥離するスパッタエッチング法において、イオン線を走査させ、走査の方向や速度を制御しながらスパッタすることを特徴とする固体表面のスパッタエッチング法。
【請求項２】請求項１において、スパッタ後の固体表面が所望の表面形状になるように、イオン線の走査の方向や速度を制御しながらスパッタする固体表面のスパッタエッチング法。
【請求項３】請求項１または２において、スパッタ後の固体表面がスパッタ前の表面に対して一定の傾斜を持つように、イオン線の走査の方向や速度を制御しながらスパッタする固体表面のスパッタエッチング法。」
１ｂ．「【００１１】試料表面のある１点を原点にとり、水平面内の１方向をＸ方向とし、それと直交する方向をＹ方向とした時に、イオン銃１０２内の偏向電極１０３に印加する
電圧の振り幅をＸ方向，Ｙ方向共に試料表面上で２mmになるようにする。Ｘ方向についてはグラフ１０４に示した時間の平方根に比例した形状にし、Ｙ方向についてはグラフ１０５に示した鋸波状の電圧にする。最も深い位置でのスパッタ深さが２μｍになったところでスパッタエッチングを止めると、理想的には試料表面は約０．０６度の斜面となり、深さ方向が１０００倍に拡大されて表面に露出される。実際には組成によってスパッタ速度は異なるため、スパッタ表面は一定傾斜の斜面にはならないが、複数種のガス１０６，１０７，１０８を用いて質量数が異なるイオン線を交互に切り替えてスパッタエッチングを行うと、組成によるスパッタエッチング速度の違いを低減でき、スパッタ後の表面を理想的な斜面に近付けることができる。
【００１２】この方法によりスパッタエッチングした後の分析方法を図２に示す。グラフ２０１に示すように、表面に衝突するイオンの個数はＸ方向の変位に比例して増加する。Ｓｉ基板２０２の上に膜厚１０ｎｍのＳｉＯ2 薄膜２０３と膜厚５ｎｍのＡｌ薄膜２０４が形成されている試料を混合イオンによりスパッタエッチングした場合に、Ｘ方向の断面は図のようになる。この試料のスパッタ後の表面には１０ｎｍのＳｉＯ2 層が１０μｍに、５ｎｍのＡｌ層が５μｍに拡大されて露出しており、Ｘ方向に線分析を行うと、元素Ｓｉ，Ｏ，Ａｌからのオージェ信号強度が得られる。拡大率を考慮し、Ｘ方向のスケールを一千分の一にすると、この線分析の結果はそのまま深さプロファイルとなり、簡便に深さプロファイルを得ることができる。」
１ｃ．「【００１５】領域３０６は超構造内における組成変化の急峻性を測定する目的で、高精度な深さ分解能で測定できるよう、浅い角度でスパッタエッチングされており、拡大
率も大きくなっている。一方、領域３０７では大雑把な深さプロファイルを得るために、領域３０６に比べて急な角度でスパッタエッチングされており、深さ分解能は低く、各層の分離はできていないものの大まかな深さ方向の構造は分析できる。
【００１６】このように分析の目的に応じたスパッタエッチングを行うことにより、大まかなプロファイルと高精度の測定を同時に、簡便に測定することができる。」
２−２．刊行物２
　刊行物２（特開平４−１９９５３４号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
２ａ．「本発明は、特にＩＣの断面観察する方法に関する・・・溝を形成する。その溝の側面に集束イオンビームが照射するように、ＩＣを傾けて、集束イオンビームを照射しながら、・・・段差を形成する。そこで、集束イオンビーム照射により発生する二次荷電粒子の強度・・・に基づいて溝側面の画像を画像表示装置に表示して、ＩＣの断面をより鮮明に観察する。」（１ページ右下欄下から９行〜２ページ左上欄４行）
２−３．刊行物３
　刊行物３（特開平８−２９８２７５号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
３ａ．「【０００２】
【従来の技術】ＦＩＢによりＬＳＩなどの試料の内部の断面観察を行う技術は広く用いられている。まず試料の断面観察を行う箇所にイオンビームを照射する。照射されたイオンは試料に衝突し、その衝撃により試料をエッチングし穴を生ぜしめる。よってこの手法によって得られる断面すなわち穴の側面はイオン照射方向と平行になる。この切断面を観察する際、そのままでは観察できないので、サンプルを傾け、斜めからの観察を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＦＩＢ観察を行う際、まず試料に穴を開け、観察箇所を露出させる。観察面はイオンが衝突する方向と平行になる。断面を露出させた後、観察を行う。理想的には断面に垂直な方向から観察を行うのが望ましい。何故ならば、その状態が得られる像に歪みを生じさせないからである。しかし、垂直に切った断面を斜めからのぞき込むようになるため、像に歪みが生じるのは避けられない。その歪みも、観察する角度によって変わる。これはＬＳＩ断面観察時、各層のスケールを相対的にしか扱えないばかりではなく、異なるサンプルを比較する際の障害にもなる。」
　
３．対比／判断
　上記「２−１．」の記載１ａ．には、スパッタエッチング後の固体表面が所望の表面形状になるようにイオン線を走査させることによって、試料表面をスパッタエッチング加工し、一定の傾斜を持つ試料表面を得ることが、同じく記載１ｂ．には、このようにして得られた斜面は深さ方向が拡大されて表面に露出されたものであり、この表面の分析を行うことが示されている。同じく記載１ｃ．には、この斜面の傾斜角と深さ方向の拡大率とが関連しており、高精度な深さ分解能で測定するためには傾斜角を浅い角度とする必要があることが示されており、その場合、斜面はほぼ水平状態となることから、斜面をほぼ水平状態で分析するものである。
　したがって、刊行物１には次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
「所望の表面形状になるようにイオン線を走査させることによって、試料表面をスパッタエッチング加工し、その加工された試料表面の分析を行う方法において、試料表面のスパッタエッチング加工により、試料表面として浅い角度の傾斜角の斜面を形成するものであって、斜面をほぼ水平状態で分析するもの」
　本願発明１（前者）と上記刊行物１記載の発明（後者）とを対比する。
　後者の「イオン線」、「走査」、「スパッタエッチング加工」、「加工された試料表面の分析」は、前者の「収束イオンビーム」、「繰り返し走査照射」、「エッチング加工」、「試料の断面を加工観察」に相当し、これを勘案すれば、後者の「所望の表面形状になるようにイオン線を走査させることによって、試料表面をスパッタエッチング加工し、その加工された試料表面の分析を行う方法」は、前者の「試料の所望の領域に集束イオンビームを繰り返し走査照射することによって、試料表面をエッチング加工し、試料の断面を加工観察する方法」に相当するものである。後者の「試料表面のスパッタエッチング加工により、試料表面として浅い角度の傾斜角の斜面を形成する」ことと、前者の「試料表面に対する入射角が浅い第一の角度となるように、試料表面をイオンビーム照射軸に垂直な位置から前記第一の角度にて傾斜させた状態で集束イオンビームを走査照射することにより加工して断面を形成」することとは、上記相当関係も勘案すれば、共に、「試料表面を前記集束イオンビームを走査照射することにより加工して浅い角度の傾斜角の加工断面を形成する」ことである。また、前者の「当該試料を、前記垂直な位置に戻した状態から更に第二の角度として９０−第一の角度傾斜させた状態、かそれに近い角度で前記形成した断面を観察する」とは、試料の加工断面を水平状態か、ほぼ水平状態で観察することであるから、後者の「斜面をほぼ水平状態で分析する」ことと、前者の「当該試料を、試料の傾斜を元に戻した状態から更に第二の角度として９０−第一の角度傾斜させた状態、かそれに近い角度で前記試料の加工断面を観察する」こととは、上記相当関係も勘案すれば、共に、「試料の加工断面を水平に近い状態で観察する」ことである。
　以上より、両者は、
　「試料の所望の領域に集束イオンビームを繰り返し走査照射することによって、試料表面をエッチング加工し、試料の断面を加工観察する方法において、試料表面を前記集束イオンビームを走査照射することにより加工して浅い角度の傾斜角の加工断面を形成し、試料の加工断面を水平に近い状態で観察することを特徴とする集束イオンビーム加工観察方法。」
　の点の構成で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　前者が、試料表面に対する入射角が浅い第一の角度となるように、試料表面をイオンビーム照射軸に垂直な位置から前記第一の角度にて傾斜させた状態で集束イオンビームを走査照射することにより加工して断面を形成し、当該試料を、前記垂直な位置に戻した状態から更に第二の角度として９０−第一の角度傾斜させた状態、かそれに近い角度で前記形成した断面を観察しているのに対し、後者は、所望の表面形状になるようにイオン線を走査させることによって、試料表面をスパッタエッチング加工して得られた斜面を分析しており、前者のように試料の加工に当たっての試料の傾斜及び加工断面の観察に当たっての傾斜の戻し動作等を行っていない点。
　
　上記相違点について検討する。
　刊行物２に、溝の側面に集束イオンビームが照射するように、ＩＣを傾けて、集束イオンビームを照射しながら、段差を形成することが記載されており（上記「２−２．」の記載２ａ．参照）、試料を傾斜させた状態で試料表面の観察に必要な領域を前記集束イオンビームを走査照射することにより加工することは、当業者が格別の推考力を要することなくなし得る程度のことと認められる。また、加工断面の観察に当たり理想的には断面に垂直な方向から観察を行うのが望ましいことが刊行物３に記載されている（上記「２−３．」の記載３ａ．参照）ところからみて、加工断面の観察に当たり本願発明１のような傾斜の戻し動作を行うことも、戻し動作のための機構に格別の構成も特に認められず、格別のものと言うことはできない。
  そして、本願発明による効果も、刊行物１乃至刊行物３の記載から当業者が容易に予測しうる範囲のものにすぎない。
  したがって、本願発明１は、刊行物１乃至刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　なお、審判請求人は当審の通知した拒絶理由に対する平成１７年５月１６日付け意見書において、「刊行物１においては、【００１１】に、・・・とあり、複雑な方法を用いて拡大断面を形成しております。また、作製する断面に向けてイオンビームを照射しております。それに比べ、本願発明においては、傾けた状態で入射角を一定にして一定方向に走査照射するだけですので簡便に断面を形成することができます。また、形成される断面とイオンビームの入射方向が平行ですので、断面の損傷をより低減することができます。・・・
  刊行物２においては、斜面に向かってイオンビームを照射させておりますので、断面の損傷は大きなものとなります。また、本願発明１においては、ビームの側面にて加工することになりますので、より断面の損傷を低減させることができます。また、本願発明１においては、断面形成時に、試料を傾斜させて降ります。すでに形成された断面に、試料を傾斜させた状態でイオンビームを照射するものとはその目的が根本的に異なります。・・・
  刊行物３には、やはり、審判官殿のご指摘のとおり、加工断面の観察に当たり理想的には断面に垂直な方向からの観察を行うのが望ましいことが記載されております。しかし、上記した本願発明１の特徴に関しては何も示唆も開示もしておりません。」と主張しているので、上記主張について検討する。刊行物１の「【００１５】領域３０６は超構造内における組成変化の急峻性を測定する目的で、高精度な深さ分解能で測定できるよう、浅い角度でスパッタエッチングされており、拡大率も大きくなっている。」（上記「２−１．」の記載１ｃ．参照）との記載からみて、浅い角度でエッチングすることによって断面を拡大して観察するという点で、刊行物１記載のものは、本願発明と課題を共有するものであるが、試料を傾けてエッチングし、その傾きを戻して観察する点については刊行物１には記載がない。しかしながら、試料を傾けてエッチングし観察面を形成することは、刊行物２に示されているところであり、また、加工断面の観察に当たり、断面に垂直な方向から観察を行うのが望ましいことは刊行物３に明示されているところであるから、刊行物１記載のものと本願発明との上記相違点は、このような刊行物２及び３に示されている技術事項を考慮すれば、当業者が格別の推考力を要することなくなし得る程度のことと認められる。また、「形成される断面とイオンビームの入射方向が平行ですので、断面の損傷をより低減することができます。」、「本願発明１においては、ビームの側面にて加工することになりますので、より断面の損傷を低減させることができます。」等の主張に関しては、エッチングにより角形の加工穴を形成し、加工穴の側壁の１つを観察面とすることが、例えば、特開平３−１６６７４４号公報に示されており、観察面として形成される断面とイオンビームの入射方向を平行にすることは従来周知のことと認められるから、この点にも格別の特徴は認められない。したがって、審判請求人の意見書の主張は採用できない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１乃至刊行物３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  そして、本願の請求項１に係る発明が特許を受けることができないものであるから、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
  よって、結論のとおり審決する。