Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月7日(2018.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電子部品（１２）と、
前記電子部品を封止する封止樹脂体（１１）と、
前記封止樹脂体の内部において前記電子部品と電気的に接続されており、一部が前記封止樹脂体から外部に露出され、互いに異なる電位とされる複数の導電部材と、を備え、
前記導電部材は、ヒートシンク（１４，１９）と、前記封止樹脂体の内部から外部にわたって延設された端子（２２，２３，２４，２５）を含み、
前記端子の表面は、前記封止樹脂体により覆われる部分として、前記封止樹脂体との密着力が高い高密着部（４３）と、前記封止樹脂体との密着力が前記高密着部よりも低い低密着部（４４）と、を有し、
前記低密着部は、前記電子部品と電気的に接続される接続部（４０ａ）側の面である接続面（４０）、及び、前記接続面と板厚方向において反対の裏面（４１）のうち、前記裏面の全面に設けられ、前記高密着部は、前記接続面に設けられている電子装置。
【請求項２】
少なくとも１つの電子部品（１２）と、
前記電子部品を封止する封止樹脂体（１１）と、
前記封止樹脂体の内部において前記電子部品と電気的に接続されており、一部が前記封止樹脂体から外部に露出され、互いに異なる電位とされる複数の導電部材と、を備え、
前記導電部材は、前記封止樹脂体の内部から外部にわたって延設された外部接続端子（１４，２２，２３，２４，２５）を含み、
前記外部接続端子の表面は、前記電子部品と電気的に接続される接続部（４０ａ）を除く部分であって前記封止樹脂体により覆われる部分として、前記封止樹脂体との密着力が高い高密着部（４３）と、前記封止樹脂体との密着力が前記高密着部よりも低い低密着部（４４）と、を有し、
前記封止樹脂体の外周端から前記外部接続端子の延設方向に沿った所定の範囲において、前記接続部を含む接続面（４０）に前記高密着部が設けられ、前記接続面と板厚方向において反対の裏面（４１）に前記低密着部が設けられている電子装置。
【請求項３】
前記低密着部は、前記裏面のうち、前記封止樹脂体により覆われる部分の全面に設けられている請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記低密着部は、前記延設方向において前記裏面の一部のみに設けられている請求項２に記載の電子装置。
【請求項５】
前記高密着部は、前記接続面における前記接続部と前記封止樹脂体の外周端との間の部分のうち、前記接続部から少なくとも一部に設けられている請求項１〜４いずれか１項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記高密着部は、前記接続面のうち、前記接続部と前記封止樹脂体の外周端との間の部分の全面に設けられている請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記高密着部は、前記接続面において前記接続部を取り囲んでいる請求項５又は請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記高密着部及び前記低密着部のうち、前記高密着部のみ、粗化面（４３ａ）となっている請求項１〜７いずれか１項に記載の電子装置。
【請求項９】
前記高密着部及び前記低密着部のうち、前記高密着部のみに、前記封止樹脂体との密着力を高める高分子膜（４３ｂ）が形成されている請求項１〜７いずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１０】
電力変換装置に用いられる請求項１〜９いずれか１項に記載の電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本開示のひとつは、少なくとも１つの電子部品（１２）と、電子部品を封止する封止樹脂体（１１）と、封止樹脂体の内部において電子部品と電気的に接続されており、一部が封止樹脂体から外部に露出され、互いに異なる電位とされる複数の導電部材と、を備え、導電部材は、ヒートシンク（１４，１９）と、封止樹脂体の内部から外部にわたって延設された端子（２２，２３，２４，２５）を含み、端子の表面は、封止樹脂体により覆われる部分として、封止樹脂体との密着力が高い高密着部（４３）と、封止樹脂体との密着力が高密着部よりも低い低密着部（４４）と、を有し、低密着部は、電子部品と電気的に接続される接続部（４０ａ）側の面である接続面（４０）、及び、接続面と板厚方向において反対の裏面（４１）のうち、裏面の全面に設けられ、高密着部は、接続面に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月11日(2018.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部分電源を含む通信装置であって、
複数の穴を画定する接着剤の層を支持構造の第１の位置に堆積してあり、
前記支持構造は、前記複数の穴夫々の底部側に隙間なく連なって残留する支持材料であり、
前記接着剤の層に接着する第１の材料を該接着剤の層へ堆積してあり、
前記支持構造の第２の位置に遷移材料の層を堆積してあり、
前記遷移材料の層に第２の材料を堆積してあり、
前記第１の材料及び第２の材料は、導電性流体と接触する際に電位差を示すこと
を特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記接着剤の層は金であること
を特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
接着性を高めるために前記接着剤の層の表面を粗面化してあること
を特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項４】
前記支持構造はシリコンベースの材料であること
を特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第１の材料は電子ビームを用いた蒸着によって堆積してあること
を特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項６】
前記接着剤の層は１００ミクロン未満の厚さであり、
前記第１の材料は電子ビームを用いた蒸着によって堆積してあること
を特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項７】
前記遷移材料の層は、
前記支持構造に前記遷移材料の層を堆積してあり、
前記遷移材料の層の堆積を有する前記支持構造を加熱処理してあり、
結果として生じる構造が第２の材料を受け入れる準備が整うように、前記遷移材料の層の露出表面をクリーニングしてあること
を特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項８】
前記露出表面はイオン銃を用いてクリーニングしてあること
を特徴とする請求項７に記載の通信装置。
【請求項９】
部分電源を含む通信装置であって、
複数の穴を画定する接着剤の層を支持構造の第１の位置に堆積してあり、
前記接着剤の層に接着する第１の材料を該接着剤の層へ堆積してあり、
前記支持構造の第２の位置に遷移材料の層を堆積してあり、
前記遷移材料の層に第２の材料を堆積してあり
前記第１の材料及び第２の材料は、導電性流体と接触する際に電位差を示し、
前記複数の穴は、前記第１の材料が前記接着剤の層に接着する場合に、前記第１の材料の端部の夫々が前記複数の穴の何れかと重なる位置に配置されないように、前記接着剤の層の中央の領域に限定して画定されていること
を特徴とする通信装置。
【請求項１０】
前記接着剤の層は金であることを特徴とする請求項９に記載の通信装置。
【請求項１１】
接着性を高めるために前記接着剤の層の表面を粗面化してあることを特徴とする請求項９に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記支持構造はシリコンベースの材料であることを特徴とする請求項９に記載の通信装置。
【請求項１３】
前記第１の材料は電子ビームを用いた蒸着によって堆積してあることを特徴とする請求項９に記載の通信装置。
【請求項１４】
前記接着剤の層は１００ミクロン未満の厚さであり、
前記第１の材料は電子ビームを用いた蒸着によって堆積してあること
を特徴とする請求項９に記載の通信装置。
【請求項１５】
前記遷移材料の層は、遷移金属の層を前記支持構造に堆積し、前記遷移材料の層の堆積を有する前記支持構造を加熱処理し、結果として生じる構造が第２の材料を受け入れる準備が整うように、前記遷移材料の層の露出表面をクリーニングしてあること
を特徴とする請求項９に記載の通信装置。
【請求項１６】
前記露出表面はイオン銃を用いてクリーニングしてあることを特徴とする請求項１５に記載の通信装置。
【請求項１７】
部分電源を含む通信装置であって、
複数の穴を画定する接着剤の層を支持構造の第１の位置に堆積してあり、
前記接着剤の層に接着する第１の材料を該接着剤の層へ堆積してあり、
前記複数の穴は、前記接着剤の層に対する前記第１の材料の接着性を高めるように形成されており、
前記支持構造の第２の位置に遷移材料の層を堆積してあり、
前記遷移材料の層に第２の材料を堆積してあり、
前記第１の材料及び第２の材料は、導電性流体と接触する際に電位差を示すこと
を特徴とする通信装置。
【請求項１８】
前記接着剤の層は金であることを特徴とする請求項１７に記載の通信装置。
【請求項１９】
接着性を高めるために前記接着剤の層の表面を粗面化してあることを特徴とする請求項１７に記載の通信装置。
【請求項２０】
前記支持構造は、シリコンベースの材料であることを特徴とする請求項１７に記載の通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月2日(2017.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、画素部と、前記画素部の外側に設けられた接続部と、を有し、
前記接続部は、
前記画素部のゲート配線と同一材料を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の、前記画素部のソース配線と同一材料を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の、前記画素部の画素電極と同一材料を有する第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の端部より延在した領域を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間にゲート絶縁膜が設けられ、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１の導電層及び前記第３の導電層と重なる開口を有し、
前記基板を上方から見たとき、前記開口の長辺方向の幅は、前記領域の線幅より大きい、表示装置。
【請求項２】
基板上に、画素部と、前記画素部の外側に設けられた接続部と、を有し、
前記接続部は、
前記画素部のゲート配線と同一材料を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の、前記画素部のソース配線と同一材料を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の、前記画素部の画素電極と同一材料を有する第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と接する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と接する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の端部より延在した領域を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間にゲート絶縁膜が設けられ、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１の導電層及び前記第３の導電層と重なる開口を有し、
前記基板を上方から見たとき、前記開口の長辺方向の幅は、前記領域の線幅よりも大きい、表示装置。
【請求項３】
基板上に、画素部と、前記画素部の外側に設けられた接続部と、を有し、
前記接続部は、
前記画素部のゲート配線と同一材料を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の、前記画素部のソース配線と同一材料を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の、前記画素部の画素電極と同一材料を有する第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、導電性粒子を介して外部接続端子と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第２の導電層は、前記第３の導電層と重なる第１の領域と、前記第１の導電層の端部より延在した第２の領域とを有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間にゲート絶縁膜が設けられ、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１の導電層及び前記第３の導電層と重なる開口を有し、
前記基板を上方から見たとき、前記開口の長辺方向の幅は、前記第２の領域の線幅より大きい、表示装置。
【請求項４】
基板上に、画素部と、前記画素部の外側に設けられた接続部と、を有し、
前記接続部は、
前記画素部のゲート配線と同一材料を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の、前記画素部のソース配線と同一材料を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の、前記画素部の画素電極と同一材料を有する第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、導電性粒子を介して外部接続端子と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と接する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と接する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第３の導電層と重なる第１の領域と、前記第１の導電層の端部より延在した第２の領域とを有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間にゲート絶縁膜が設けられ、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１の導電層及び前記第３の導電層と重なる開口を有し、
前記基板を上方から見たとき、前記開口の長辺方向の幅は、前記第２の領域の線幅より大きい、表示装置。
【請求項５】
基板上に、画素部と、前記画素部の外側に設けられた接続部と、を有し、
前記接続部は、
前記画素部のゲート配線と同一材料を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の、前記画素部のソース配線と同一材料を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の、前記画素部の画素電極と同一材料を有する第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と接する第１の領域と、前記第２の導電層と接する第２の領域とを有し、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と接する第３の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の端部より延在した第４の領域を有し、
前記基板を上方から見たとき、前記第４の領域の長辺方向において、前記第３の領域は前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する領域を有する、表示装置。
【請求項６】
基板上に、画素部と、前記画素部の外側に設けられた接続部と、を有し、
前記接続部は、
前記画素部のゲート配線と同一材料を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の、前記画素部のソース配線と同一材料を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の、前記画素部の画素電極と同一材料を有する第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と接する第１の領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と接する第２の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の第１の端部より延在した第３の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の端部と対向する第２の端部より延在した第４の領域を有する、表示装置。
【請求項７】
基板上に、画素部と、前記画素部の外側に設けられた接続部と、を有し、
前記接続部は、
前記画素部のゲート配線と同一材料を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上方の、前記画素部のソース配線と同一材料を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層上方の、前記画素部の画素電極と同一材料を有する第３の導電層と、を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と接する第１の領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と接する第２の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の第１の端部より延在した第３の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の端部と対向する第２の端部より延在した第４の領域を有し、
前記第２の領域は、前記第３の領域と前記第４の領域との間に位置する、表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月13日(2017.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が入射される第１面と前記第１面とは反対の第２面とを有するＰ型半導体においてＮ型半導体が複数配置された撮像素子であって、
複数の前記Ｎ型半導体のうち、第１分光特性を有するフィルタからの光が入射される第１半導体と、
複数の前記Ｎ型半導体のうち前記第１半導体から第１方向において配置され、前記第１分光特性とは異なる第２分光特性を有するフィルタからの光が入射される第２半導体と、
複数の前記Ｎ型半導体のうち前記第１半導体から前記第１方向と交差する第２方向において配置され、前記第１分光特性及び前記第２分光特性とは異なる第３分光特性を有するフィルタからの光が入射される第３半導体と、
前記Ｐ型半導体において前記第１半導体と前記第２半導体との間に配置され、前記第１面から前記第２面に向かう方向に延伸した第４半導体と、
前記Ｐ型半導体において前記第１半導体と前記第３半導体との間に配置され、前記第１面から前記第２面に向かう方向に前記第４半導体よりも延伸した第５半導体と、
を備える撮像素子。
【請求項２】
前記第４半導体及び前記第５半導体は、前記Ｐ型半導体の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記Ｐ型半導体において前記第１半導体が配置された領域よりも前記第２面側の領域に配置され、前記第１半導体とは異なる導電型の第６半導体を備える請求項１又は請求項２に記載の撮像素子。
【請求項４】
前記第６半導体は、前記Ｐ型半導体において前記第２面側における前記第４半導体の端部と接している請求項３に記載の撮像素子。
【請求項５】
前記第６半導体は、前記Ｐ型半導体の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する請求項３又は請求項４に記載の撮像素子。
【請求項６】
前記Ｐ型半導体において前記第２半導体が配置された領域よりも前記第２面側の領域に配置され、前記第２半導体とは異なる導電型の第７半導体を備える請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の撮像素子。
【請求項７】
前記第７半導体は、前記Ｐ型半導体において前記第２面側における前記第５半導体の端部と接している請求項６に記載の撮像素子。
【請求項８】
前記第７半導体は、前記Ｐ型半導体の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する請求項６又は請求項７に記載の撮像素子。
【請求項９】
前記Ｐ型半導体において前記第１半導体が配置された領域よりも前記第２面側の領域に配置され、前記第１半導体とは異なる導電型の第６半導体と、
前記Ｐ型半導体において前記第２半導体が配置された領域よりも前記第２面側の領域に配置され、前記第２半導体とは異なる導電型の第７半導体と、
を備える請求項１又は請求項２に記載の撮像素子。
【請求項１０】
前記第６半導体は、前記Ｐ型半導体において前記第２面側における前記第４半導体の端部と接し、
前記第７半導体は、前記Ｐ型半導体において前記第２面側における前記第４半導体の端部と接している請求項９に記載の撮像素子。
【請求項１１】
前記第６半導体と前記第７半導体とは、前記Ｐ型半導体において互いに離れて配置されている請求項９又は請求項１０に記載の撮像素子。
【請求項１２】
前記第６半導体は、前記Ｐ型半導体の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し、
前記第７半導体は、前記Ｐ型半導体の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する請求項９から請求項１１のいずれか一項に記載の撮像素子。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の撮像素子を備えた撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月19日(2018.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横断歩道に係る一対の歩行者用信号機と、前記横断歩道に係る車両用信号機と、待機歩行者の検出に基づいて前記歩行者用信号機及び前記車両用信号機を制御する信号制御機と、を具備する横断歩道用信号システムであって、
前記横断歩道の反対側に待機している待機歩行者が位置する所定の待機エリアを撮影範囲に含む、前記一対の歩行者用信号機それぞれの近傍或いは当該歩行者用信号機と一体に設けられた撮影部を更に具備し、
前記信号制御機は、
前記撮影部の撮影画像を分析して待機歩行者を検出する待機歩行者検出手段、
を備え、
前記待機歩行者検出手段による検出がなされた場合に、その旨を表示する検出表示部を更に具備した、横断歩道用信号システム。
【請求項２】
横断歩道に係る一対の歩行者用信号機と、前記横断歩道に係る車両用信号機と、待機歩行者の検出に基づいて前記歩行者用信号機及び前記車両用信号機を制御する信号制御機と、を具備する横断歩道用信号システムであって、
前記横断歩道の反対側に待機している待機歩行者が位置する所定の待機エリアと、前記横断歩道のうちの前記待機エリア側の半分とを撮影範囲に少なくとも含む、前記一対の歩行者用信号機それぞれの近傍或いは当該歩行者用信号機と一体に設けられた撮影部を更に具備し、
前記信号制御機は、
前記撮影部の撮影画像を分析して待機歩行者を検出する待機歩行者検出手段と、
前記撮影部の撮影画像に基づいて、歩行者の画像部分が、挙手人物を検出するための挙手人物検出条件、白杖を検出するための白杖検出条件、及び、車椅子を検出するための車椅子検出条件のうちの少なくとも１つの条件を満たすことを検出する特定歩行者検出手段と、
前記特定歩行者検出手段の検出に応じて、前記歩行者用信号機の青表示時間を延長する制御を行う延長制御手段と、
を備え、
前記延長制御手段による延長制御がなされた場合に、その旨を表示する延長表示部を更に具備した、横断歩道用信号システム。
【請求項３】
前記撮影部は、前記撮影範囲として、前記横断歩道のうち、撮影対象の前記待機エリア側の半分を少なくとも含み、
前記信号制御機は、
前記撮影部の撮影画像に基づいて、歩行者の画像部分が、挙手人物を検出するための挙手人物検出条件、白杖を検出するための白杖検出条件、及び、車椅子を検出するための車椅子検出条件のうちの少なくとも１つの条件を満たすことを検出する特定歩行者検出手段と、
前記特定歩行者検出手段の検出に応じて、前記歩行者用信号機の青表示時間を延長する制御を行う延長制御手段と、
を備えた、
請求項１に記載の横断歩道用信号システム。
【請求項４】
前記延長制御手段による延長制御がなされた場合に、その旨を表示する延長表示部を更に具備した、
請求項３に記載の横断歩道用信号システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月12日(2017.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の更新周期の中から選択された一の更新周期を指定する更新周期指定部と、
前記指定された一の更新周期に従ってタイムベース・パスワードを生成するパスワード生成部と、
前記生成されたタイムベース・パスワードを含む暗証表を生成する暗証表生成部と、
前記生成された暗証表を表示するように制御する表示制御部と、を備える、
セキュリティトークン。
【請求項２】
前記複数の更新周期の少なくとも１つは、１週間、２週間、３０日或いは１か月又はそれ以上である、請求項１に記載のセキュリティトークン。
【請求項３】
前記セキュリティトークンは、幾何学的パターンにおけるパスワード導出パターンを記憶する記憶部をさらに備え、
前記暗証表生成部は、前記パスワード導出パターンの各セルに前記生成したタイムベース・パスワードの各要素を割り当てることによって、前記暗証表を生成する、
請求項１又は２に記載のセキュリティトークン。
【請求項４】
セキュリティトークンにおいて実行されるプログラムであって、
前記プログラムは、前記セキュリティトークンに、
複数の更新周期の中から選択された一の更新周期を指定する機能と、
前記指定された一の更新周期に従ってタイムベース・パスワードを生成する機能と、
前記生成されたタイムベース・パスワードを含む暗証表を生成する機能と、
前記生成された暗証表を表示するように制御する機能と、
を実現させるように構成された、
プログラム。
【請求項５】
前記複数の更新周期の少なくとも１つは、１週間、２週間、３０日或いは１か月又はそれ以上である、請求項４に記載のプログラム。
【請求項６】
前記プログラムは、前記セキュリティトークンに、幾何学的パターンにおけるパスワード導出パターンを記憶させる機能を実現させ、
前記暗証表を生成する機能は、前記パスワード導出パターンの各セルに前記生成したタイムベース・パスワードの各要素を割り当てることによって、前記暗証表を生成する、
請求項４又は５に記載のプログラム。
【請求項７】
セキュリティトークンによるタイムベース・パスワードの生成方法であって、
複数の更新周期の中から選択された一の更新周期を指定することと、
前記指定された一の更新周期に従ってタイムベース・パスワードを生成することと、
前記生成されたタイムベース・パスワードを含む暗証表を生成することと、
前記生成された暗証表を表示するように制御することと、
を含む、タイムベース・パスワードの生成方法。
【請求項８】
前記複数の更新周期の少なくとも１つは、１週間、２週間、３０日或いは１か月又はそれ以上である、請求項７に記載の生成方法。
【請求項９】
幾何学的パターンにおけるパスワード導出パターンを記憶部に記憶することと、
前記暗証表を生成することは、前記パスワード導出パターンの各セルに前記生成したタイムベース・パスワードの各要素を割り当てることによって、前記暗証表を生成することを含む、
請求項７又は８に記載の生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月28日(2017.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近距離無線通信により読み取った情報を受信する近距離無線通信部と、
前記近距離無線通信の際のセンサによるセンシングデータを検知するセンサ部と、
前記情報とセンシングデータと共に自装置を特定する情報である端末ＩＤ及び／または自装置を操作するユーザを特定する情報であるユーザＩＤを含む第１の情報をサーバ装置に送信し、前記サーバ装置から前記第１の情報に応じて送られてくる第２の情報を取得する通信部と、
取得した前記第２の情報に基づいて自装置でのアプリケーションの起動を制御する制御部と、を備える、情報処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記近距離無線通信による情報の読み取りの際に用いる認証情報を保持する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記近距離無線通信による情報の読み取りの際に、使用した前記認証情報を削除する、請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記通信部は、前記認証情報を前記サーバ装置から取得する、請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記通信部は、前記第１の情報に、自装置に対するユーザの操作に基づく情報を含めて前記サーバ装置に送信する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記通信部は、前記ユーザの操作に基づく情報として、自装置で起動するアプリケーションの属性についての情報を前記第１の情報に含めて、前記サーバ装置に送信する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記通信部は、前記第１の情報に、現在日時の情報を含めて前記サーバ装置に送信する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記通信部は、前記第１の情報に、自装置の位置情報を含めて前記サーバ装置に送信する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記通信部は、前記読み取った情報に前記自装置の位置情報が含まれる前記第１の情報を前記サーバ装置に送信する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
情報処理装置と、
サーバ装置と、
を備え、
前記情報処理装置は、
近距離無線通信により読み取った情報を受信する近距離無線通信部と、
前記近距離無線通信の際のセンサによるセンシングデータを検知するセンサ部と、
前記情報とセンシングデータと共に自装置を特定する情報である端末ＩＤ及び／または自装置を操作するユーザを特定する情報であるユーザＩＤを含む第１の情報をサーバ装置に送信し、前記サーバ装置から前記第１の情報に応じて送られてくる第２の情報を取得する通信部と、
取得した前記第２の情報に基づいて自装置でのアプリケーションの起動を制御する制御部と、を備え、
前記サーバ装置は、
前記情報処理装置で起動されるアプリケーションの情報を予め保持しておくアプリケーション管理部と、
該情報処理装置で起動されるアプリケーションの情報を、前記情報処理装置から送信されてきた前記第１の情報に応じて前記アプリケーション管理部から取得して、前記情報処理装置に返信するアプリケーション起動指示部と、
を備える、情報処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月13日(2018.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＧＢＴ素子（１ａ）を有するＩＧＢＴ領域（１）と、ＦＷＤ素子（２ａ）を有するＦＷＤ領域（２）が共通の半導体基板（１０）に形成されている半導体装置において、
第１導電型のドリフト層（１１）と、
前記ドリフト層上に形成された第２導電型のベース層（１２）と、
前記ベース層の表層部であって、前記ベース層を挟んで前記ドリフト層から離間して形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型のエミッタ領域（１４）と、
前記エミッタ領域と前記ドリフト層との間に位置する前記ベース層の表面に配置されたゲート絶縁膜（１６）と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極（１７）と、
前記ドリフト層を挟んで前記ベース層と反対側に配置され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型のフィールドストップ層（２０）と、
前記フィールドストップ層を挟んで前記ドリフト層と反対側に配置された第２導電型のコレクタ層（２１）と、
前記フィールドストップ層を挟んで前記ドリフト層と反対側に配置されると共に前記コレクタ層と隣接する第１導電型のカソード層（２２）と、
前記ベース層および前記エミッタ領域と電気的に接続される第１電極（１９）と、
前記コレクタ層および前記カソード層と電気的に接続される第２電極（２３）と、を備え、
前記カソード層には、前記コレクタ層と離れた位置に、前記第２電極と電気的に接続されると共に前記フィールドストップ層とＰＮ接合を構成する第２導電型のキャリア注入層（２４）が形成されており、
前記ＦＷＤ素子に順方向電流が流れている状態から当該電流を遮断する際、前記ＦＷＤ素子内の第１キャリアが前記キャリア注入層上に位置する前記フィールドストップ層を通過して前記カソード層へと流れることにより、前記第２電極から前記キャリア注入層を介して第２キャリアが前記ドリフト層に注入され、
前記キャリア注入層は、前記カソード層に１つのみ形成されている半導体装置。
【請求項２】
前記キャリア注入層は、前記カソード層の中心を含んで形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
ＩＧＢＴ素子（１ａ）を有するＩＧＢＴ領域（１）と、ＦＷＤ素子（２ａ）を有するＦＷＤ領域（２）が共通の半導体基板（１０）に形成されている半導体装置において、
第１導電型のドリフト層（１１）と、
前記ドリフト層上に形成された第２導電型のベース層（１２）と、
前記ベース層の表層部であって、前記ベース層を挟んで前記ドリフト層から離間して形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型のエミッタ領域（１４）と、
前記エミッタ領域と前記ドリフト層との間に位置する前記ベース層の表面に配置されたゲート絶縁膜（１６）と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極（１７）と、
前記ドリフト層を挟んで前記ベース層と反対側に配置され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型のフィールドストップ層（２０）と、
前記フィールドストップ層を挟んで前記ドリフト層と反対側に配置された第２導電型のコレクタ層（２１）と、
前記フィールドストップ層を挟んで前記ドリフト層と反対側に配置されると共に前記コレクタ層と隣接する第１導電型のカソード層（２２）と、
前記ベース層および前記エミッタ領域と電気的に接続される第１電極（１９）と、
前記コレクタ層および前記カソード層と電気的に接続される第２電極（２３）と、を備え、
前記カソード層には、前記コレクタ層と離れた位置に、前記第２電極と電気的に接続されると共に前記フィールドストップ層とＰＮ接合を構成する第２導電型のキャリア注入層（２４）が形成されており、
前記ＦＷＤ素子に順方向電流が流れている状態から当該電流を遮断する際、前記ＦＷＤ素子内の第１キャリアが前記キャリア注入層上に位置する前記フィールドストップ層を通過して前記カソード層へと流れることにより、前記第２電極から前記キャリア注入層を介して第２キャリアが前記ドリフト層に注入され、
前記キャリア注入層は、前記カソード層の中心を含んで形成されている半導体装置。
【請求項４】
前記キャリア注入層は、前記半導体基板の平面方向における一方向に沿って延設されており、前記フィールドストップ層の不純物濃度をＮｆｓ［ｃｍ−３］とし、前記キャリア注入層における延設方向と直交する方向であり、前記半導体基板の平面方向に沿った方向の長さを幅Ｗ［μｍ］とすると、Ｗ＞６．８×１０−１６×Ｎｆｓ＋２０を満たす請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するための請求項１、３では、ＩＧＢＴ素子（１ａ）を有するＩＧＢＴ領域（１）と、ＦＷＤ素子（２ａ）を有するＦＷＤ領域（２）が共通の半導体基板（１０）に形成されている半導体装置において、第１導電型のドリフト層（１１）と、ドリフト層上に形成された第２導電型のベース層（１２）と、ベース層の表層部であって、ベース層を挟んでドリフト層から離間して形成され、ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型のエミッタ領域（１４）と、エミッタ領域とドリフト層との間に位置するベース層の表面に配置されたゲート絶縁膜（１６）と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極（１７）と、ドリフト層を挟んでベース層と反対側に配置され、ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型のフィールドストップ層（２０）と、フィールドストップ層を挟んでドリフト層と反対側に配置された第２導電型のコレクタ層（２１）と、フィールドストップ層を挟んでドリフト層と反対側に配置されると共にコレクタ層と隣接する第１導電型のカソード層（２２）と、ベース層およびエミッタ領域と電気的に接続される第１電極（１９）と、コレクタ層およびカソード層と電気的に接続される第２電極（２３）と、を備え、カソード層には、コレクタ層と離れた位置に、第２電極と電気的に接続されると共にフィールドストップ層とＰＮ接合を構成する第２導電型のキャリア注入層（２４）が形成されており、ＦＷＤ素子に順方向電流が流れている状態から当該電流を遮断する際、ＦＷＤ素子内の第１キャリアがキャリア注入層上に位置するフィールドストップ層を通過してカソード層へと流れることにより、第２電極からキャリア注入層を介して第２キャリアがドリフト層に注入されるようにしている。
そして、請求項１では、さらに、キャリア注入層は、カソード層に１つのみ形成されるようにしている。請求項３では、さらに、キャリア注入層は、カソード層の中心を含んで形成されるようにしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2017208413.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2017208413.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2017208413.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月19日(2018.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
また、溶加材５４Ｂとしてアルミニウム又はアルミニウム合金に適したものを用いる場合、リング部材５０としてもアルミニウム又はアルミニウム合金により形成されたものを用いると、接合部５４はリング部材５０も良好に接合される。このため、リング部材５０も筒状導電部材４０と金属パイプ３２との接続強度向上に貢献する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月19日(2018.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
板状の導体部材であるグランド部（１０）と、
前記グランド部と対向するように平行に設置された板状の導体部材であるパッチ部（２０）と、
前記パッチ部と前記グランド部とを電気的に接続する導体部材である短絡部（６０）と、
前記パッチ部において前記グランド部と対向する側の面であるパッチ側対向面に設けられた、前記グランド部に対する前記パッチ側対向面の見かけ上の面積である実効表面積を拡張させるパッチ面積拡張部（３０）と、
前記グランド部において前記パッチ部と対向する側の面であるグランド側対向面のうち、前記パッチ面積拡張部と対向する領域に設けられた、前記パッチ部に対する前記グランド側対向面の実効表面積を拡張させるグランド面積拡張部（４０）と、を備え、
前記パッチ面積拡張部によって拡張された前記パッチ側対向面の実効表面積は、所定の動作周波数において前記短絡部が提供するインダクタンスと並列共振を生じさせるために必要なキャパシタンスである必要キャパシタンスを提供する面積となっており、
前記パッチ面積拡張部及び前記グランド面積拡張部は、導電性の繊維の層である導電繊維層、又は、前記グランド側対向面及び前記パッチ側対向面に設けられた凹凸部によって実現されていることを特徴とするアンテナ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１において、
前記パッチ面積拡張部及び前記グランド面積拡張部のそれぞれは、前記導電繊維層であることを特徴とするアンテナ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
その目的を達成するための第１の発明は、板状の導体部材であるグランド部（１０）と、グランド部と対向するように平行に設置された板状の導体部材であるパッチ部（２０）と、パッチ部とグランド部とを電気的に接続する導体部材である短絡部（６０）と、パッチ部においてグランド部と対向する側の面であるパッチ側対向面に設けられた、グランド部に対するパッチ側対向面の見かけ上の面積である実効表面積を拡張させるパッチ面積拡張部（３０）と、グランド部においてパッチ部と対向する側の面であるグランド側対向面のうち、パッチ面積拡張部と対向する領域に設けられた、パッチ部に対するグランド側対向面の実効表面積を拡張させるグランド面積拡張部（４０）と、を備え、パッチ面積拡張部によって拡張されたパッチ側対向面の実効表面積は、所定の動作周波数において短絡部が提供するインダクタンスと並列共振を生じさせるために必要なキャパシタンスである必要キャパシタンスを提供する面積となっており、パッチ面積拡張部及びグランド面積拡張部は、導電性の繊維の層である導電繊維層、又は、グランド側対向面及びパッチ側対向面に設けられた凹凸部によって実現されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月31日(2018.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子が設置される第１の基板と、
前記スイッチング素子に並列接続されるコンデンサを含むスナバ回路が設置される第２の基板と、
前記スイッチング素子と前記スナバ回路とを電気的に接続する導体と
を備えることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記第２の基板は、前記第１の基板よりも熱膨張係数が小さいこと
を特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記第１の基板と前記第２の基板は同一平面内に配置され、前記コンデンサは前記第２の基板の上面における中心よりも前記第１の基板側に配置されること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記第１の基板と前記第２の基板は積層方向に順に配置されること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子と前記スナバ回路とを接続する導体に配置され、前記スナバ回路に一定値以上の電流が流れたときに溶断する溶断部材を備えることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の電力変換装置。
【請求項６】
前記溶断部材はワイヤで構成されていることを特徴とする請求項５に記載の電力変換装置。
【請求項７】
前記スナバ回路は、前記コンデンサと直列に接続された抵抗を備えることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載の電力変換装置。
【請求項８】
前記コンデンサの電極の一端は前記ワイヤに接続され、
前記コンデンサの電極の他端は前記第２の基板の導体パターンに接続されていることを特徴とする請求項６に記載の電力変換装置。
【請求項９】
前記スナバ回路は、抵抗を備え、
前記抵抗、前記コンデンサおよび前記ワイヤは直列に接続されていることを特徴とする請求項６に記載の電力変換装置。
【請求項１０】
前記スイッチング素子はワイドギャップ半導体を用いて形成されていることを特徴とする請求項１から請求項９の何れか一項に記載の電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月10日(2018.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
２つの弾性接触片１８Ａ及び１８Ｂは相手側端子３０を３つのエンボス１５に圧接させるためのものであり、５つの側壁２０のうちエンボス１５が設けられていない第１側壁２０Ａ及び第５側壁２０Ｅに設けられている。図３に示すように、弾性接触片１８Ａは側壁２０Ｅの前側の開口縁部から前方に延出した舌片を角筒部１４の内側にＵ字状に折り返すことによって形成された板バネであり、内側に折り返された部分は後側に向けて斜め内側に延びるとともに、先端部が斜め外側に向けて延びるように屈曲した形状とされている。弾性接触片１８Ａにおいて内側に最も膨出した屈曲部分１９は相手側端子３０に接触する接点とされている。弾性接触片１８Ｂについても同様である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２に示すように、２つの弾性接触片１８Ａ及び１８Ｂはそれぞれ相手側端子３０を挟んで逆側となる２つの側壁２０の角部に向かって相手側端子３０を押圧するように構成されている。例えば弾性接触片１８Ａの場合、相手側端子３０を挟んで逆側となる２つの側壁２０は第２側壁２０Ｂ及び第３側壁２０Ｃであり、弾性接触片１８Ａは第２側壁２０Ｂと第３側壁２０Ｃとの角部に向けて相手側端子３０を押圧する。弾性接触片１８Ｂについても同様である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、図３に示すように、各弾性接触片１８の相手側端子３０に接触する屈曲部分１９は前後方向の位置が両側のエンボス１５Ａ及び１５Ｃと間のエンボス１５Ｂとの間に位置している。このため各弾性接触片１８に押圧された相手側端子３０は両側の２つのエンボス１５と間のエンボス１５とのそれぞれに圧接する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月29日(2018.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一態様に係るコンピュータプログラムは、半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電をコンピュータに制御させるコンピュータプログラムであって、前記コンピュータに、前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて、前記半導体スイッチをオフに切替えるステップと、前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて、前記リレー接点をオフに切替えるステップとを実行させる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（７）本発明の一態様に係るコンピュータプログラムは、半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電をコンピュータに制御させるコンピュータプログラムであって、前記コンピュータに、前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて、前記半導体スイッチをオフに切替えるステップと、前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて、前記リレー接点をオフに切替えるステップとを実行させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電をコンピュータに制御させるコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定するステップと、
前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて、前記半導体スイッチをオフに切替えるステップと、
前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定するステップと、
前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて、前記リレー接点をオフに切替えるステップと
を実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月1日(2018.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス（１００、２００）であって、
ハードウェア（１０２）と、
前記ハードウェア（１０２）を制御するための、アップグレード可能な第１のファームウェア（１０６）と、
前記ハードウェア（１０２）がハイパーバイザ（１０４）を介してのみ前記第１のファームウェア（１０６）にアクセス可能になるように、前記第１のファームウェア（１０６）を前記ハードウェア（１０２）にリンクする前記ハイパーバイザ（１０４）であって、前記ハードウェア（１０２）のインターフェースと同一のインターフェースを前記第１のファームウェア（１０６）に提供し、前記第１のファームウェア（１０６）の前記ハードウェア（１０２）へのアクセスを制御するように構成される前記ハイパーバイザ（１０４）と
を備え、
前記ハイパーバイザ（１０４）は、前記ハードウェア（１０２）を制御するための第２のファームウェア（１０８）を備え、
前記デバイス（１００、２００）は、前記ハードウェア（１０２）が前記第１のファームウェア（１０６）によって制御される第１のモードと、前記第１のファームウェア（１０６）がアップグレードされる第２のモードとで動作するように構成され、前記第１のファームウェア（１０６）は、前記ハイパーバイザ（１０４）の前記第１のモードから前記第２のモードへの切り替わりをトリガするように構成され、これにより前記ハイパーバイザ（１０４）は、前記第１のモードから前記第２のモードへ切り替わるときは前記第１のファームウェア（１０６）の前記ハードウェア（１０２）へのアクセスを拒否し、前記第２のファームウェア（１０８）にアクセスし、前記第２のファームウェア（１０８）を用いて前記ハードウェア（１０２）を制御するように構成され、前記ハイパーバイザ（１０４）は更に、前記第１のファームウェア（１０６）のアップグレード後に、前記第１のファームウェア（１０６）の前記ハードウェア（１０２）へのアクセスを再確立し、前記ハードウェア（１０２）の制御を前記第１のファームウェア（１０６）へ引き渡すように構成される、デバイス（１００、２００）。
【請求項２】
前記第１のファームウェア（１０６）は、前記デバイス（１００、２００）が第１の機能で動作可能となるように前記ハードウェア（１０２）を制御するように構成され、
前記第２のファームウェア（１０８）は、前記デバイス（１００、２００）が第２の機能で動作可能となるように前記ハードウェア（１０２）を制御するように構成され、前記第２の機能は前記第１の機能よりも減少している、請求項１に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項３】
前記第１のファームウェア（１０６）が、自由に使える第１のメモリリソースを有する前記ハードウェア（１０２）を制御するように構成され、
前記第２のファームウェア（１０８）が、自由に使える第２のメモリリソースを有する前記ハードウェア（１０２）を制御するように構成され、前記第２のメモリリソースは前記第１のメモリリソースよりも小さい、請求項１または２に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項４】
前記ハイパーバイザ（１０４）がタイプ１である、請求項１から３のいずれか一項に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項５】
前記ハイパーバイザ（１０４）がタイプ２である、請求項１から３のいずれか一項に記載のデバイス（１００、２００）。
【請求項６】
前記デバイスがビデオカメラである、請求項１から５のいずれか一項に記載のデバイス（２００）。
【請求項７】
前記第１のファームウェア（１０６）と前記第２のファームウェア（１０８）が各々、前記カメラのイメージングパイプラインを制御するドライバとソフトウェア命令を含む、請求項６に記載のデバイス（２００）。
【請求項８】
前記イメージングパイプラインが、イメージング、画像スケーリング、ビデオエンコーディング、及びネットワークインターフェースの提供のために構成されたハードウェアブロック（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ）を含む、請求項７に記載のデバイス（２００）。
【請求項９】
前記第１のファームウェア（１０６）と前記第２のファームウェア（１０８）が各々、前記ハードウェアブロック（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ）に対応するドライバとソフトウェア命令を含む、請求項８に記載のデバイス（２００）。
【請求項１０】
前記ハイパーバイザ（１０４）が、前記第１のファームウェア（１０６）のドライバとソフトウェア命令の、対応する前記ハードウェアブロック（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ）へのアクセスを制御するように構成される、請求項９に記載のデバイス（２００）。
【請求項１１】
第１のモードで動作しているデバイスのハードウェアを制御するように構成された第１のファームウェアのアップグレード中に、前記デバイスの操作を容易にするために前記デバイスにおいて実施される方法であって、
前記デバイスは、前記ハードウェアがハイパーバイザを介してのみ前記第１のファームウェアにアクセス可能となるように、前記第１のファームウェアを前記ハードウェアにリンクするハイパーバイザを備え、前記ハイパーバイザ（１０４）は、前記ハードウェア（１０２）のインターフェースと同一のインターフェースを前記第１のファームウェア（１０６）に提供し、前記第１のファームウェア（１０６）の前記ハードウェア（１０２）へのアクセスを制御するように構成され、前記方法は、
前記第１のファームウェアがアップグレードされている間に、前記第１のファームウェア（１０６）が、前記ハイパーバイザの前記第１のモードから第２のモードへの切り替わりをトリガし、これにより前記ハイパーバイザが、前記第１のモードから前記第２のモードへ切り替わるときは前記第１のファームウェアの前記ハードウェアへのアクセスを拒否すること（Ｓ０４）と、前記ハイパーバイザに含まれる第２のファームウェア（１０８）にアクセスすることと、前記第２のファームウェアを用いて前記ハードウェアを制御する（Ｓ０６）ことと、
前記第１のファームウェアのアップグレード後に、前記ハイパーバイザが、前記第１のファームウェアの前記ハードウェアへのアクセスを再確立すること（Ｓ０８）と、前記第１のファームウェアに前記ハードウェアの制御を引き渡すことと
を含む方法。