【手続補正書】
【提出日】平成30年3月28日(2018.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に順次設けられる下部電極と、発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、を有する有機発光装置であって、
前記有機化合物層が前記下部電極を被覆し、
前記上部電極が前記有機化合物層を被覆し、
前記上部電極が、前記基板に設けられた配線接続部と電気的に接続され、
前記有機化合物層の少なくとも一部の領域における膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ1としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされることを特徴とする、有機発光装置。
（１）ｔａｎ（θ1）＝ｄ1／ｄ2
（２）ｔａｎ（θ1）≧０．２
（式（１）において、ｄ1は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ2は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。）
【請求項２】
前記上部電極の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ2としたときに、下記式（３）及び（４）が満たされることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
（３）ｔａｎ（θ2）＝ｄ3／ｄ4
（４）ｔａｎ（θ2）≧０．２
（式（３）において、ｄ3は、上部電極の膜厚を表し、ｄ4は、上部電極の膜端断面のテーパー幅を表す。）
【請求項３】
前記上部電極が、第１の上部電極層と、第２の上部電極層と、をこの順で有し、
前記有機化合物層の平面パターンが前記第１の上部電極層の平面パターンと略同一であり、
前記第２の上部電極層の少なくとも一部が、前記第１の上部電極層と重なり、
前記第２の上部電極層が、第１の上部電極層と重ならない領域において、前記基板に設けられた配線接続部と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記第１の上部電極層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ3としたときに、下記式（５）及び（６）が満たされることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光装置。
（５）ｔａｎ（θ3）＝ｄ5／ｄ6
（６）ｔａｎ（θ3）≧０．２
（式（５）において、ｄ5は、第１の上部電極層の膜厚を表し、ｄ6は、第１の上部電極層の膜端断面のテーパー幅を表す。）
【請求項５】
前記第２の上部電極層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ4としたときに、下記式（７）及び（８）が満たされることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光装置。
（７）ｔａｎ（θ4）＝ｄ7／ｄ8
（８）ｔａｎ（θ4）≧０．２
（式（７）において、ｄ7は、第２の上部電極層の膜厚を表し、ｄ8は、第２の上部電極層の膜端断面のテーパー幅を表す。）
【請求項６】
前記第２の上部電極層が前記第１の上部電極層を覆うように形成されていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記有機化合物層の膜端断面のテーパー幅、又は前記上部電極の膜端断面のテーパー幅が、５μｍ以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅、又は前記第１の上部電極層の膜端の断面のテーパー幅が、５μｍ以下であることを特徴とする、請求項３乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記上部電極を被覆するように封止層が形成され、
前記封止層の一部に、外部接続端子部を設けるための開口を有することを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記下部電極を複数有し、
前記有機化合物層が、複数の前記下部電極を覆う共通層であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光装置と、前記有機発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする、表示装置。
【請求項１２】
画像情報を入力する入力部と、前記画像情報を処理する情報処理部と、画像を表示する表示部を有し、
前記表示部は、請求項１１に記載の表示装置であることを特徴とする、画像情報処理装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光装置と、前記有機発光装置に駆動電圧を供給するＡＣ／ＤＣコンバーターと、を有することを特徴とする、照明装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光装置と、放熱板と、を有する照明装置であって、
前記放熱板が、前記照明装置内の熱を外部へ放出する放熱板であることを特徴とする、照明装置。
【請求項１５】
感光体と、前記感光体を帯電させる帯電部と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体に現像材を供給する現像部とを有する電子写真方式の画像形成装置であって、
前記露光部が、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光装置を有することを特徴とする、画像形成装置。
【請求項１６】
感光体を露光する露光装置であって、
前記露光装置が、複数の有機発光装置を有し、
前記複数の有機発光装置のうち少なくとも一つが、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機発光装置であり、
前記複数の有機発光装置が、前記感光体の長軸方向に沿って、一列に配置されていることを特徴とする、露光装置。
【請求項１７】
基板の上に順次設けられる下部電極と、発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、を有する有機発光装置の製造方法において、
下部電極に、発光領域を決めるための発光制限領域を設ける工程と、
前記下部電極の上に、有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層をパターニングする工程と、
前記有機化合物層の上に上部電極を形成する工程と、を有し、
前記有機化合物層の膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ1としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされることを特徴とする、有機発光装置の製造方法。
（１）ｔａｎ（θ1）＝ｄ1／ｄ2
（２）ｔａｎ（θ1）≧０．２
（式（１）において、ｄ1は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ2は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。）
【請求項１８】
前記上部電極を形成する工程が、前記基板に設けられた配線接続部と導通し、前記有機化合物層の膜端を被覆し、かつ前記基板に設けられ前記基板側の導通をとるためのパッド部分と接続するように前記上部電極を設けることを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記有機化合物層をパターニングする工程が、
前記有機化合物層を形成する工程を行う前にリフトオフ層を形成する工程と、
フォトリソグラフィを用いて、少なくとも前記パッド部分を設ける領域に形成されているリフトオフ層が残留する形でリフトオフ層をパターニングする工程と、
前記有機化合物層の形成工程の後に、リフトオフ層の上に設けられた有機化合物層ごとリフトオフ層を除去する工程と、を有することを特徴とする、請求項１８に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２０】
前記有機化合物層をパターニングする工程が、
前記有機化合物層を形成する工程を行った後でリフトオフ層を形成する工程と、
フォトリソグラフィを用いて、少なくとも発光領域にあるリフトオフ層及び有機化合物層が残留するようにパターニングを行う工程と、
前記リフトオフ層を除去して前記有機化合物層の表面を露出させる工程と、を有することを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２１】
基板の上に順次設けられる下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置される発光層を含む有機化合物層と、を有する有機発光装置の製造方法において、
下部電極に発光領域を決めるための発光領域制限部材を形成する工程と、
前記下部電極の上に、有機化合物層と、第１の上部電極層と、を連続して形成する工程と、
前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層をパターニングする工程と、
前記第１の上部電極層の上に第２の上部電極層を形成する工程と、を有し、
前記有機化合物層の平面パターンが、前記第１の上部電極層の平面パターンと略同一であり、
前記第２の上部電極層の少なくとも一部が前記第１の上部電極層と重なっており、
前記第２の上部電極層が、前記第１の上部電極層と重ならない領域において前記基板に設けられた配線接続部と電気的に接続されていることを特徴とする、有機発光装置の製造方法。
【請求項２２】
前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層をパターニングする工程が、
前記第１の上部電極層の上にレジストを設ける工程と、
前記レジストをフォトリソグラフィにより所定の形状を有するレジストパターンに加工する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層の一部をエッチングにより除去する工程と、からなることを特徴とする、請求項２１に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２３】
前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層をパターニングする工程が、
前記有機化合物層となる膜を成膜する前に、前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層を除去する領域にリフトオフ層を形成する工程と、
前記有機化合物層と、前記第１の上部電極層と、を連続して形成する工程と、
前記リフトオフ層をエッチングすることで、前記リフトオフ層、並びに前記リフトオフ層の上に設けられた前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層を除去する工程と、からなることを特徴とする、請求項２１に記載の有機発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
図６は、本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
（２−１）基板の形成工程（図６（ａ））
まず有機発光装置を作製するために用いられる基板を作製する（図６（ａ））。本実施形態（第二の実施形態）で用いられる基板１０は、少なくとも層間絶縁層１１と、画素分離膜１２と、を備える。ここで図６（ａ）に示される基板１０において、層間絶縁膜１１の上には下部電極２１及び配線接続部２４がそれぞれ所定の位置・領域に設けられ、下部電極２１及び配線接続部２４の端部は、発光領域制限部材である画素分離膜１２に被覆されている。また画素分離膜１２は、発光画素２０に相当する領域及び配線接続部２４と上部電極２３との接触位置においてそれぞれ開口１２ａが設けられている。尚、図６（ａ）には図示されていないが、基板１０には、有機発光装置の駆動を制御する制御回路が設けられていてもよい。ここで基板１０に当該制御回路が含まれている場合、当該制御回路と下部電極２１又は配線接続部２４の電気接続を確保する目的で層間絶縁層１１の一部にコンタクトホール１３を設けておく。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
（２−５）第２の上部電極層の形成及びパターニング工程（図６（ｉ）〜（ｍ））
有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６の加工の後、第１の上部電極層２６の上に、第２の上部電極層２７を形成する（図６（ｉ））。ここで第２の上部電極層２７は、図６（ｉ）に示されるように、基板１０の全面に亘って形成されるため、第１の上部電極層２６は、第２の上部電極層２７によって配線接続部２４に電気接続される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
次に、ＣＶＤ成膜により、基板１０の全面に、窒化珪素を膜厚１００ｎｍで成膜して画素分離膜１２を形成した。次に、ＳｉＮ膜の上に、フォトレジストを成膜した後、成膜したフォトレジストを用いたフォトリソグラフィによるパターニングによって、所定の形状にパターニングしたレジストを形成した。次に、形成したレジストをマスクにしたＣＦ4ガスを用いてドライエッチングにより、図５（ａ）に示されるように、下部電極２１及び配線接続部２４が露出するように開口部１２ａを設けた。次に、このドライエッチングを行う際に画素分離膜１２の上に残ったレジスト残渣を酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。次に、画素分離膜１２まで形成した基板１０について、市販の枚様式洗浄機を用いて、二流体あるいはメガソニックを使った純水洗浄を用いた洗浄を行い、その表面を洗浄した。これにより図５（ａ）に記載されている基板１０を作製した。尚、本実施例にて作製した基板１０は、図２（ｂ）に示されるように、複数の発光画素２０が千鳥ラインで配置されていた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
以上により、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層及び電子注入層がこの順で積層されてなる有機化合物層２２を形成した（図５（ｆ））。