(57)【要約】  基板のエッジ部分を試験するための装置は、基板のエッジ部分の端部に光を照射するように構成された第１の照明源；エッジ部分の下部に光を照射するように構成された第２の照明源；エッジ部分の上部に光を照射するように構成された第３の照明源；及び、それぞれ第１から第３の照明源に対応する第１から第３の撮影部を備えており、ここで、第１の照明源は、Ｃ字形断面を含み、かつエッジ部分の端部に面する第１の曲面を含んでおり、第２の照明源は、半Ｃ字形断面を含み、かつエッジ部分の下部に面する第２の曲面を含んでおり、第３の照明源は、半Ｃ字形断面を含み、かつエッジ部分の上部に面する第３の曲面を含んでいる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のエッジ部分を試験するための装置であって、
前記基板の前記エッジ部分の端部に光を照射するように構成された第１の照明源；
前記エッジ部分の下部に光を照射するように構成された第２の照明源；
前記エッジ部分の上部に光を照射するように構成された第３の照明源；及び
それぞれ前記第１から第３の照明源に対応する第１から第３の撮影部
を備えており、
前記第１の照明源が、Ｃ字形断面を含み、かつ前記エッジ部分の前記端部に面する第１の曲面を含んでおり、前記第２の照明源が、半Ｃ字形断面を含み、かつ前記エッジ部分の前記下部に面する第２の曲面を含んでおり、前記第３の照明源が、半Ｃ字形断面を含み、かつ前記エッジ部分の前記上部に面する第３の曲面を含んでいる、
装置。
【請求項２】
前記第１から第３の照明源が、互いに離間され、一方向に沿って配置され、かつ前記一方向に進行するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の撮影部に対応する第１の反射部及び前記第２の撮影部に対応する第２の反射部
をさらに含む、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１から第３の撮影部が、互いに離間され、一方向に沿って配置され、かつ前記一方向に進行するように構成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の照明源が、前記第１の曲面に沿って配置された複数の光源を備えている、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記第２の照明源及び前記第３の照明源が、それぞれ、前記第２の曲面及び前記第３の曲面に沿って配置された複数の光源を備えている、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
基板のエッジ部分を試験するためのシステムであって、
前記基板の前記エッジ部分の端部を撮影することによって第１の画像を生成するように構成された第１の撮影部；
前記エッジ部分の下部を撮影することによって第２の画像を生成するように構成された第２の撮影部；
前記エッジ部分の上部を撮影することによって第３の画像を生成するように構成された第３の撮影部；
順次、それぞれ前記第１から第３の撮影部に対応し、均一な照度を有する光を提供するように構成された、第１から第３の照明源；及び
前記第１から第３の画像を収集するように構成された試験データ解析部
を備えており、
前記第２の照明源が半Ｃ字形であり、かつ前記エッジ部分の前記下部に面する第２の曲面を含んでおり、前記第３の照明源が半Ｃ字形であり、かつ前記エッジ部分の前記上部に面する第３の曲面を含んでいる、
システム。
【請求項８】
前記第１から第３の撮影部が互いに実質的に平行である、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１の撮影部に対応する第１の反射部及び前記第２の撮影部に対応する複数の第２の反射部
をさらに含む、請求項７又は８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１の照明源がＣ字形であり、かつ前記エッジ部分の前記端部に面する第１の曲面を含んでいる、請求項７〜９のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記試験データ分析部が、前記第１から第３の画像上の前記エッジ部分の始点の位置を同期させた後、又は前記第１から第３の撮影部の物理的位置の差に基づいて前記第１から第３の画像を補正した後に、画像全体を取得する、請求項７〜１０のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１２】
基板のエッジ部分を試験する方法であって、
基板の前記エッジ部分の端部に均一な照度を有する光を照射し、第１の撮影部を用いて前記端部を撮影することによって第１の画像を生成する工程であって、前記基板の前記エッジ部分が面取りされている、工程；
前記エッジ部分の下部に均一な照度を有する光を照射し、第２の撮影部を用いて前記下部を撮影することによって第２の画像を生成する工程；
前記エッジ部分の上部に均一な照度を有する光を照射し、第３の撮影部を用いて前記上部を撮影することによって第３の画像を生成する工程；及び
前記第１の画像から前記第３の画像に基づいて前記基板の前記エッジ部分の品質を評価する工程
を含み、
前記第１のから第３の画像に基づいて前記基板の前記エッジ部分の前記品質を評価する工程が、
一連の第１の基準線内の欠陥の少なくとも１つの面積を含む第１の面積を合計するステップであって、前記第１の基準線が前記第１の画像上の所定の基準線である、ステップ；
一連の第２の基準線内の欠陥の少なくとも１つの面積を含む第２の面積を合計するステップであって、前記第２の基準線が前記第２の画像上の所定の基準線である、ステップ；
一連の第３の基準線内の欠陥の少なくとも１つの面積を含む第３の面積を合計するステップであって、前記第３の基準線が前記第３の画像上の所定の基準線である、ステップ；及び
前記第１から第３の面積の合計を前記エッジ部分の面積で割るステップ
を含む、方法。
【請求項１３】
前記第１の画像を取得する工程から前記第３の画像を取得する工程がほぼ同時に行われ、ほぼ同時にキャプチャされた前記第１から第３の画像が、前記エッジ部分上の異なる点に対応する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１から第３の画像を収集することによって、画像全体を生成する工程
をさらに含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記画像全体を取得する工程が、前記第１から第３の画像上の前記エッジ部分の始点の位置を同期させることによって、又は前記第１から第３の撮影部の位置の違いに基づいて前記第１から第３の画像の位置を補正することによって、前記画像全体を取得する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、その内容が依拠され、その全体がここに参照することによって本願に援用される、２０１７年４月１８日出願の韓国特許出願第１０−２０１７−００５００２０号の米国法典第３５編特許法１１９条に基づく優先権の利益を主張する。
【技術分野】
【０００２】
本開示は、基板エッジ試験装置、システム、及び方法に関し、より詳細には、基板のエッジ部分に存在する欠陥について基板を試験するための基板エッジ試験装置、システム、及び方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイに用いられるガラス基板は、成形プロセスを通じて製造される。成形プロセスでは、ガラス溶融炉で溶融したガラスは平板へと成形され、切断プロセスで所定の基準に従って切断された後、切断されたガラスは加工ステーションに移され、さらに加工される。加工ステーションでは、フラットパネルディスプレイの基準に従ってガラス基板を切断することができ、ガラス基板の４つのエッジを面取りする面取りプロセスを実行することができる。さらに、面取りプロセスの後、この面取りプロセスによって面取りされたエッジに欠け又は亀裂などの欠陥が発生しているかどうかを確認する試験を行うことができる。
【発明の概要】
【０００４】
本開示の１つ以上の実施形態は、基板のエッジ部分を試験するための装置を提供し、該装置は、基板のエッジ部分の端部に光を照射するように構成された第１の照明源；エッジ部分の下部に光を照射するように構成された第２の照明源；エッジ部分の上部に光を照射するように構成された第３の照明源；及び、それぞれ第１から第３の照明源に対応する第１から第３の撮影部を備えており、ここで、第１の照明源は、Ｃ字形断面を含み、かつエッジ部分の端部に面する第１の曲面を含んでおり、第２の照明源は、半Ｃ字形断面を含み、かつエッジ部分の下部に面する第２の曲面を含んでおり、第３の照明源は、半Ｃ字形断面を含み、かつエッジ部分の上部に面する第３の曲面を含んでいる。
【０００５】
本開示の１つ以上の実施形態は、基板のエッジ部分を試験するためのシステムを提供し、該システムは、基板のエッジ部分の端部を撮影することによって第１の画像を生成するように構成された第１の撮影部；エッジ部分の下部を撮影することによって第２の画像を生成するように構成された第２の撮影部；エッジ部分の上部を撮影することによって第３の画像を生成するように構成された第３の撮影部；順次、それぞれ第１から第３の撮影部に対応し、均一な照度を有する光を提供するように構成された、第１から第３の照明源；及び、第１から第３の画像を収集するように構成された試験データ分析部を備えており、ここで、第２の照明源は、半Ｃ字形であり、かつエッジ部分の下部に面する第２の曲面を含んでおり、第３の照明源は、半Ｃ字形であり、かつエッジ部分の上部に面する第３の曲面を含んでいる。
【０００６】
本開示の１つ以上の実施形態は、基板エッジ試験方法を提供し、該方法は、基板のエッジ部分の端部に均一な照度を有する光を照射し、第１の撮影部を用いて端部を撮影することにより、第１の画像を生成する工程であって、基板のエッジ部分が面取りされている、工程；エッジ部分の下部に均一な照度を有する光を照射し、第２の撮影部を用いて下部を撮影することにより、第２の画像を生成する工程；エッジ部分の上部に均一な照度を有する光を照射し、第３の撮影部を用いて端部を撮影することにより、第３の画像を生成する工程；及び、第１の画像から第３の画像に基づいて基板のエッジ部分の品質を評価する工程を含み、ここで、第１から第３の画像に基づいて基板のエッジ部分の品質を評価する工程は、一連の第１の基準線内の欠陥の少なくとも１つの面積を含む第１の面積を合計するステップであって、第１の基準線が、第１の画像上の所定の基準線である、ステップ；一連の第２の基準線内の欠陥の少なくとも１つの面積を含む第２の面積を合計するステップであって、第２の基準線が、第２の画像上の所定の基準線である、ステップ；一連の第３の基準線内の欠陥の少なくとも１つの面積を含む第３の面積を合計するステップであって、第３の基準線が、第３の画像上の所定の基準線である、ステップ；及び、第１から第３の面積の合計をエッジ部分の面積で割るステップを含む。
【０００７】
本明細書に開示される実施形態のさらなる特徴及び利点は、以下の詳細な説明に記載されており、一部にはその説明から当業者には容易に明らかになり、あるいは、以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付の図面を含む、本明細書に記載されるように開示される実施形態を実施することによって認識される。
【０００８】
前述の概要及び後述する詳細な説明はいずれも、特許請求の範囲に記載される実施形態の性質及び特徴を理解するための概観又は枠組みを提供することが意図されていることが理解されるべきである。添付の図面は、さらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれて、その一部を構成する。図面は本開示のさまざまな実施形態を例証しており、その説明とともに、それらの原理及び動作を説明する役割を担う。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】例示的な実施形態による基板エッジ試験システムのブロック図
【図２】例示的な実施形態による基板エッジ試験システムに含まれうる面取り装置の概略図
【図３】例示的な実施形態による面取りした基板のエッジを示す断面図
【図４Ａ】例示的な実施形態による基板エッジ試験装置内に含まれうる光学系の斜視図
【図４Ｂ】例示的な実施形態による基板エッジ試験装置内に含まれうる光学系の側面図
【図４Ｃ】例示的な実施形態による基板エッジ試験装置内に含まれうる光学系のレイアウト
【図５Ａ】例示的な実施形態による基板エッジ試験装置に含まれうる照明源を示す断面図
【図５Ｂ】例示的な実施形態による基板エッジ試験装置に含まれうる照明源を示す断面図
【図５Ｃ】例示的な実施形態による基板エッジ試験装置に含まれうる照明源を示す断面図
【図６】例示的な実施形態による基板エッジ試験装置内に含まれうる光学系を示す概略図
【図７】例示的な実施形態による基板エッジ試験方法を示すフローチャート
【図８】例示的な実施形態による基板エッジ試験方法によって生成された基板エッジの画像
【図９】例示的な実施形態による基板エッジ試験装置、システム、及び方法の効果を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して本開示の例示的な実施形態を詳細に説明する。同様の参照番号は図面上の同一の要素を示し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、例示的な実施形態による基板エッジ試験システム１０００のブロック図である。
【００１２】
図１を参照すると、基板エッジ試験システム１０００は、試験モジュール１０３０及び試験プロセッサ１０４０を含むことができる。
【００１３】
例示的な実施形態によれば、基板処理システム１０１０は、基板１を加工するための複数のステーションを含みうる。例えば、基板処理システム１０１０は、溶融処理ステーション、形状処理ステーション、切断処理ステーション、面取り処理ステーション、研磨処理ステーションなど、さまざまな処理ステーションを含みうる。しかしながら、本開示はそれらに限定されず、基板処理システム１０１０には、洗浄処理ステーション、フィルム蓄積処理ステーション、フォトリソグラフィー処理ステーション、エッチング処理ステーション、ストリップ処理ステーションなども含まれうる。基板処理システム１０１０は、基板１を生成し、該基板１を搬送ユニット１０５０に提供することができる。
【００１４】
プロセスコントローラ１０２０は、基板処理システム１０１０を制御することができる。プロセスコントローラ１０２０は、ワークステーションコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータなどのコンピューティングデバイスでありうる。プロセスコントローラ１０２０は、プロセスに関するフィードバックの受信、試験データの受信、プロセスの調整などのさまざまな機能を実行するためのソフトウェアを格納していてもよい。
【００１５】
例示的な実施形態によれば、基板１はガラス基板でありうる。この場合、基板１は、薄膜トランジスタ−液晶ディスプレイ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの製造に使用することができる。
【００１６】
搬送ユニット１０５０は、基板処理システム１０１０によって生成された基板１を搬送することができる搬送システムであってもよい。搬送ユニット１０５０は、コンベアシステムなどを含んでもよい。搬送ユニット１０５０は、基板１を試験モジュール１０３０に提供することができる。
【００１７】
試験モジュール１０３０は、基板１に対してさまざまな試験を実行することができる１つ以上の試験ステーションを含みうる。基板１は、試験ステーションのそれぞれにロードされうる。例となる実施形態によれば、試験モジュール１０３０は、基板１が欠陥を含むかどうかを検査するための試験を実行することができる。
【００１８】
試験モジュール１０３０は、基板エッジ試験装置を含みうる。試験モジュール１０３０は、面取りプロセス中に発生した可能性のある欠陥、例えば、非面取り、面取り過剰、燃焼、チッピング、亀裂などを検査することができる。試験モジュール１０３０は、基板エッジ、基板の上面及び／又は下面の欠陥を検査することができる。
【００１９】
試験プロセッサ１０４０は、試験モジュール１０３０から送信された試験データを分析する試験データ分析部１０４１と、試験モジュールを制御する試験コントローラ１０４５とを含みうる。
【００２０】
例示的な実施形態によれば、試験データ分析部１０４１は、試験データに基づいて、欠陥発生の程度を基準値又は閾値と比較することができる。例となる実施形態によれば、この比較は、基板エッジ試験システム１０００に格納されたデータに関するルックアップ機能及び／又はオフラインデータとの比較によって実行されうる。試験データ分析部１０４１は、それぞれ、エッジ部分の端部１ａ（図３参照）、下部１ｂ（図３参照）、及び上部１ｃ（図３参照）の画像である、第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３（図８参照）を生成するように、後述する第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃ（図４参照）からデータを収集することができる。
【００２１】
試験データ分析部１０４１は、分析データ（試験データを分析することにより得られる）を処理コントローラ１０２０に提供することができる。処理コントローラ１０２０は、分析データに基づいてフィードバック信号を基板処理システム１０１０に送信することができる。フィードバック信号に基づいて、基板処理システム１０１０は、実行するプロセスを調整及び／又は選択することができる。
【００２２】
フィードバック信号は、基板処理プロセスの実行及び／又は選択に用いられるさまざまな要素に影響を及ぼすことができる。例えば、試験データ分析部１０４１で解析された試験データは、処理コントローラ１０２０に提供することができる。その後、分析データに基づいて、処理コントローラ１０２０は、１つ以上の処理要素及び／又は複数の処理要素の中からある特定の処理要素の選択を調整することができる。
【００２３】
試験モジュール１０３０は、試験コントローラ１０４５によって制御することができる。例示的な実施形態によれば、試験コントローラ１０４５は、試験モジュール１０３０に隣接するように示されているが、そのように限定されない。例えば、試験コントローラ１０４５は、例えば、ワークステーションコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータなど、試験モジュール１０３０の動作を制御することができる１つ以上のソフトウェア製品を含む、コンピューティングデバイスでありうる。
【００２４】
基板エッジ試験システム１０００は、さまざまなサイズ及び使用法を有する基板１に対して試験を実行することができる。例えば、基板エッジ試験システム１０００は、ガラス基板に対して試験を実行することができる。
【００２５】
図２は、例となる実施形態による基板エッジ試験システムに含まれうる面取り装置の概略図である。図３は、例示的な実施形態による面取りした基板のエッジを示す断面図である。
【００２６】
図２及び３を参照すると、面取り装置は、第１のステージ１０、第２のステージ２０、及び第３のステージ３０を含みうる。直線矢印は基板１の移動方向を示しており、曲線矢印は基板１の回転を示している。基板１は、コンベアなどの搬送ユニットによって運ぶことができる。
【００２７】
基板１は、搬送ユニットによって第１のステージ１０にロードすることができる。基板１は、それぞれ、長方形のエッジ又は４つの辺にそれぞれ対応するエッジ部分１ｅを有しうる。基板１は、該基板１の上面に平行な第１の方向（ｘ方向）、並びに、上面に平行かつ第１の方向（ｘ方向）と交差する第２の方向（ｙ方向）に広がりうる。第１の方向（ｘ方向）及び第２の方向（ｙ方向）は、実質的に垂直であってもよいが、これに限定されない。４つのエッジ部分１ｅのうちの２つは、第１の方向（ｘ方向）とほぼ平行に延在しうる。４つのエッジ部分１ｅのうちの他のエッジ部分１ｅは、第２の方向（ｙ方向）にほぼ平行に延在しうる。特に指定しないかぎり、エッジ部分１ｅの延在方向と、基板の広がる方向である第１及び第２の方向（ｘ方向、ｙ方向）の定義は、上記のものと同じである。第１のステージ１０は、第１の面取りホイール１１及び第１の研磨ホイール１２を含みうる。基板１が第１のステージ１０とともに移動する際に、第１の面取りホイール１１は、基板１のエッジ部分１ｅを面取りすることができる。加えて、第１の研磨ホイール１２は、面取りプロセス中に発生する粗さを低減するために、面取りされたエッジ部分１ｅを研磨することができる。
【００２８】
面取りプロセスとは、ガラス基板のエッジ部分１ｅが外部衝撃などによって容易に破損しないように、ガラス基板のエッジ部分１ｅを丸めるプロセスである。面取りプロセスが実行されると、図３に示すように、基板１の各エッジ部分１ｅは、端部１ａ、下部１ｂ、及び上部１ｃを含む。
【００２９】
エッジ部分１ｅの下部１ｂ及び上部１ｃは、空間に対する基板１の配置、例えば、地面に対する基板１の配置に応じて変更することができる。具体的には、基板が実質的に広がる方向である第１の方向（ｘ方向）及び第２の方向（ｘ方向）の一方が地面に対して実質的に垂直である場合、下部１ｂ及び上部１ｃは、地面に対して垂直に立っている観測者の視点から、エッジ部分１ｅの端部１ａに対して、それぞれ左右に配置されうる。他方では、本明細書で説明するように、基板が実質的に広がる方向である第１の方向（ｘ方向）及び第２の方向（ｘ方向）が地面に平行である場合、エッジ部分１ｅの下部１ｂ及び上部１ｃは、地面に対して垂直に立っている観測者の視点から、エッジ部分１ｅの端部１ａに対して上下に配置されうる。したがって、以下で用いられるエッジ部１ｅの「下部１ｂ」及び「上部１ｃ」という用語は、説明の便宜上のためだけのものであり、いかなる意味においても本発明の思想を限定するものではない。さらには、基板１を製造する一般的なプロセスによれば、処理中の基板１は、処理環境に曝される上面と、キャリア、コンベアなどに含まれる支持構造と接触する下面とを含む。したがって、基板の下面に隣接するエッジ１ｅの所定の部分を下部１ｂと定義し、基板１の上面に隣接するエッジ１の所定の部分を上部１ｃと定義する場合、エッジ部分１ｅの下部１ｂ及び上部１ｃの定義は、当業者には明らかであろう。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、処理中に基板１を反転させる際に、エッジ部分１ｅの下部１ｂと上部１ｃとを入れ替えてもよい。この場合、基板が反転される前のエッジ部分の下部は、基板が反転された後のエッジ部分の上部であり、基板が反転される前のエッジ部分の上部は、基板が反転された後のエッジ部分の下部でありうる。互いに対向する２つのエッジ部分１ｅの面取りと研磨を同時に行うために、第１のステージ１０の第１の面取りホイール１１及び第１の研磨ホイール１２は、基板１の移動方向に垂直な方向に互いに離間されて２列に配置されてもよい。１つの列における第１の面取りホイール１１及び第１の研磨ホイール１２は、基板１の移動方向と平行であってもよく、隣接するエッジ部分１ｅを面取り及び研磨することができる。同時に、他の列の第１の面取りホイール１１及び第１の研磨ホイール１２は、上記エッジ部分１ｅに面する別のエッジ部分１ｅを面取り及び研磨することができる。したがって、基板１の２つの対向するエッジ部分１ｅは、第１のステージ１０上で同時に面取り及び研磨されうる。第１の面取りホイール１１は、第１の研磨ホイール１２よりも第１のステージ１０の入口に近く、それによって、基板１が最初に面取りされ、次に研磨されるようにすることができる。１つの列における第１の面取りホイール１１と第１の研磨ホイール１２との間の距離、並びに他の列における第１の面取りホイール１１と第１の研磨ホイール１２との間の距離は、面取り及び研磨される基板１のサイズに応じて変動しうる。図２を参照すると、第１のステージ１０は、４つの第１の面取りホイール１１及び６つの第１の研磨ホイール１２を有するように示されているが、これに限定されない。
【００３０】
第２のステージ２０は、基板１を回転させることができる。第２のステージ２０は、例えば、基板１を約９０°の角度で回転させることができる。したがって、基板１の他の一対のエッジ部分１ｅを面取り及び研磨することができる。
【００３１】
第３のステージ３０は、第２の面取りホイール３１及び第２の研磨ホイール３２を含みうる。第１のステージ１０の面取り及び研磨されていないエッジ部分１ｅを、第３のステージ３０で面取り及び研磨することができる。第１のステージ１０と同様に、第３のステージ３０は、第２の面取りホイール３１及び第２の研磨ホイール３２を２つの別々の列に備えていてもよく、それによって、２つの対向するエッジ部分１ｅを同時に面取り及び研磨することができる。図２を参照すると、第３のステージ３０は、４つの第２の面取りホイール３１及び６つの第２の研磨ホイール３２を有するように示されているが、これに限定されない。
【００３２】
基板１が略長方形である場合、一対の２つの対向するエッジ部分１ｅの長さと、他の一対の２つの対向するエッジ部分１ｅの長さとは、互いに異なっていてもよい。しかしながら、例となる実施形態はこれに限らず、基板１が略正方形を有している場合には、４つのエッジ部分１ｅの長さは互いに略等しくてもよい。
【００３３】
図４Ａは、例示的な実施形態による基板エッジ試験装置内に含まれうる光学系の斜視図である。図４Ｂは例示的な実施形態による基板エッジ試験装置内に含まれうる光学系の側面図である。図４Ｃは、第１の照明源と基板との相対的な配置を示すレイアウトである。図５Ａ〜５Ｃは、例示的な実施形態による基板エッジ試験装置に含まれうる照明源を示す断面図である。
【００３４】
図３〜図５Ｃを参照すると、基板エッジ試験装置は、第１から第３の照明源１００ａ、１００ｂ、及び１００ｃ、並びに第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃを備えることができる。基板エッジ試験装置は、第１の反射部１５１及び複数の第２の反射部１５２をさらに備えていてもよい。
【００３５】
第１の照明源１００ａは、第１の反射部１５１及び第１の撮影部２００ａに対応しうる。第１の照明源１００ａは、エッジ部分１ｅの端部１ａに均一な照度の光を照射することができる。第１の照明源１００ａは、エッジ部分１ｅ全体に均一な照度の光を照射することができる。第１の照明源１００ａから照射された光は、エッジ部分１ｅの端部１ａで反射され、その後、第１の反射部１５１を介して第１の撮影部２００ａに到達しうる。端部１ａ及び／又はエッジ部分１ｅに均一な照度の光を照射するとは、端部１ａ及び／又はエッジ部分１ｅに照射される光の単位面積当たりのエネルギーが、端部１ａ及び／又はエッジ部分１ｅ全体にわたってほぼ同じであることを意味する。
【００３６】
第２の照明源１００ｂは、複数の第２の反射部１５２及び第２の撮影部２００ｂに対応する。第２の照明源１００ｂは、エッジ部分１ｅの下部１ｂに均一な照度の光を照射することができる。第２の照明源１００ｂから照射された光は、エッジ部分１ｅの下部１ｂで反射され、その後、複数の第２の反射部１５２を介して第２の撮影部２００ｂに到達しうる。
【００３７】
第３の照明源１００ｃは、第３の撮影部２００ｃに対応する。第３の照明源１００ｃは、エッジ部分１ｅの上部１ｃに均一な照度の光を照射することができる。第３の照明源１００ｃから照射された光は、エッジ部分１ｅの上部１ｃで反射され、その後、第３の撮影部２００ｃに到達しうる。
【００３８】
第１から第３の照明源１００ａ、１００ｂ、及び１００ｃは、互いに離間されて、所定の方向に配置されうる。後述するように、基板エッジ試験装置は、所定の方向に進行しながら、基板１のエッジ部分１ｅを検査することができる。第１から第３の照明源１００ａ、１００ｂ、及び１００ｃは、互いに離間されて、基板エッジ試験装置の進行方向に実質的に平行な方向に配置されうる。基板エッジ試験装置にロードされた基板１のエッジ部分の延在方向は、基板エッジ試験装置の進行方向と実質的に平行であってもよい。第１から第３の照明源１００ａ、１００ｂ、及び１００ｃは、互いに離間されており、ロードされた後のエッジ部１ｅの延長方向に配置されうる。基板１のエッジ部分１ｅの延在方向は、図２を参照して説明した第１の方向（ｘ方向）及び／又は第２の方向（ｙ方向）とすることができる。
【００３９】
第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃは、互いに離間され、基板エッジ試験装置の進行方向と実質的に平行な方向に配置されうる。第１から第３の照明源１００ａ、１００ｂ、及び１００ｃは、互いに離間され、ロードされた後のエッジ部分１ｅの延在方向に配置されうる。例示的な実施形態では、基板エッジ試験装置は、エッジ部分１ｅの端部１ａ、下部１ｂ、及び上部１ｃを同時に試験することができる。第１から第３の照明源１００ａ、１００ｂ、及び１００ｃ、並びに第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃは、エッジ部分１ｅの延在方向の１つの端部から他の部分へと進行しながら、エッジ部分１ｅの画像をキャプチャすることができる。
【００４０】
図５Ａに示されるように、第１の照明源１００ａは、断面がＣ字形であってもよく、エッジ部分１ｅの端部１ａに面する第１の曲面１００ａｒを含む。第１の曲面１００ａｒの輪郭は、円、楕円、放物線、又は双曲線のうちの少なくとも１つの一部を含みうるが、これらに限定されない。第１の曲面１００ａｒは、エッジ部分１ｅと同様の輪郭を有しうる。第１の曲面１００ａｒは、エッジ部分１ｅと実質的に同じ輪郭を有しうる。第１の照明源１００ａは、第１の曲面１００ａｒに沿って行及び列に配置された複数の第１の光源１１０ａを含みうる。複数の第１の光源１１０ａは、第１の曲面１００ａｒに沿って均等に分布しうる。複数の第１の光源１１０ａは、第１の曲面１００ａｒに沿った隣接する第１の光源１１０ａ間の間隔が互いに実質的に等しくなるように配置されうる。第１の光源１１０ａは、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）光源を含みうるが、これに限定されない。第１の光源１１０ａは、基板１のエッジ部分全体に光が均等に照射されうるように配置することができる。
【００４１】
第１の照明源１００ａの中心角である第１の中心角θ１は、約１８０°以上でありうるが、これに限定されない。中心角とは、基板１に隣接する第１の照明源１００ａの端点ｅ１を中心点に接続する直線と、基板１に隣接する第１の照明源１００ａの別の端点ｅ２を中心点に接続する直線との間の角度を意味する。第１の中心角θ１が約１８０°以上である場合、基板の上面及び／又は下面とエッジ部分１ｅの輪郭の接線との角度が所定の角度以上である場合でも、エッジ部分１ｅ全体に均一に光を照射することができる。第１の照明源１００ａは、均一な照度の光を照射するための光拡散器をさらに含みうる。
【００４２】
図４Ｃを参照すると、第１の照明源１００ａは、第１の角度θだけエッジ部分の延在方向に向かって傾斜していてもよい。したがって、第１の照明源１００ａから照射された光は、エッジ部分１ｅの端部１ａ及び第１の反射部１５１で反射され、第１の撮影部２００ａに到達する。第１の撮影部２００ａは、エッジ部分１ｅの端部１ａの画像である第１の画像Ｅ１（図８参照）を生成し、試験データ分析部１０４１に第１の画像Ｅ１を送信することができる。
【００４３】
図５Ｂに示されるように、第２の照明源１００ｂは、断面が、エッジ部分１ｅの下部に面する第２の曲面１００ｂｒを有する半Ｃ字形であってもよい。図５Ｃに示されるように、第３の照明源１００ｃは、断面が、エッジ部分１ｅの上部に面する第３の曲面１００ｃｒを有する半Ｃ字形であってもよい。第２及び第３の曲面１００ｂｒ及び１００ｃｒの輪郭は、それぞれ、円、楕円、放物線、及び双曲線のうちの少なくとも１つの一部を含みうるが、これらに限定されない。第２及び第３の曲面１００ｂｒ及び１００ｃｒは、エッジ部分１ｅの一部と同様の輪郭を有しうる。第２及び第３の曲面１００ｂｒ及び１００ｃｒは、エッジ部分１ｅの一部と実質的に等しい輪郭を有しうる。すなわち、第２及び第３の曲面１００ｂｒ及び１００ｃｒの輪郭は、所定の比率で拡大されたエッジ部分１ｅの一部と実質的に同じ輪郭を有しうる。第２の曲面１００ｂｒの輪郭は、エッジ部分１ｅの下部１ｂの拡大された輪郭を含みうる。第３の曲面１００ｃｒの輪郭は、エッジ部分１ｅの上部１ｃの拡大された輪郭を含みうる。第２及び第３の照明源１００ｂ及び１００ｃは、それぞれ、第２及び第３の曲面１００ｂｒ及び１００ｃｒに沿って、行及び／又は列に配置された複数の第２及び第３の光源１１０ｂ及び１１０ｃを含みうる。複数の第２及び第３の光源１１０ｂ及び１１０ｃは、第２及び第３の曲面１００ｂｒ及び１００ｃｒに沿ってそれぞれ均等に分布しうる。第２の光源１１０ｂは、第２の曲面１００ｂｒに沿った隣接する第２の光源１１０ｂ間の間隔が互いに実質的に等しくなるように配置することができる。第３の光源１１０ｃは、第３の曲面１００ｃｒに沿った隣接する第３の光源１１０ｃ間の間隔が互いに実質的に等しくなるように配置することができる。第２及び第３の光源１１０ｂ及び１１０ｃは、例えば、ＬＥＤ光源を含みうるが、これに限定されない。第２の光源１１０ｂは、第２の光Ｌｅ２、すなわち、第２の光源１１０ｂから照射された光が、エッジ部分１ｅの下部１ｂの点に実質的に焦点を結ぶように配置することができる。第３の光源１１０ｃは、第３の光Ｌｅ３、すなわち、第３の光源１１０ｃから照射された光が、エッジ部分１ｅの上部１ｃの点に実質的に焦点を結ぶように配置することができる。図面には示されていないが、第２及び第３の照明源１００ｂ及び１００ｃはそれぞれ光拡散器をさらに含んでいてもよい。
【００４４】
第２の照明源１００ｂから照射された光は、エッジ部分１ｅの下部１ｂ及び複数の第２の反射部１５２によって第２の撮影部２００ｂに向かって反射されうる。第２の撮影部２００ｂは、エッジ部分１ｅの下部１ｂの画像である第２の画像Ｅ２（図８参照）を生成し、試験データ分析部１０４１などに第２の画像Ｅ２を送信することができる。
【００４５】
第３の照明源１００ｃから照射された光は、エッジ部分１ｅの上部１ｃで反射されて、第３の撮影部２００ｃに到達する。第３の撮影部２００ｃは、エッジ部分１ｅの上部１ｃの画像である第３の画像Ｅ３（図８参照）を生成し、試験データ分析部１０４１に第３の画像Ｅ３を送信することができる。
【００４６】
半Ｃ字形ではなくＣ字形の断面を有する第２及び第３の照明源が用いられる場合、基板１の上面又は下面を透過した光とエッジ部分１ｅで反射した光との干渉により、画像の鮮明度が低下する可能性がある。詳細には、Ｃ字形を有する第２の照明源１００ｂがエッジ部分１ｅの下部１ｂの画像をキャプチャするために用いられる場合、基板１の面取りされていない上面を透過した光と、エッジ部分１ｅの下部１ｂで反射した光とが、互いに干渉する。したがって、第２の照明源がＣ字形の場合、透過光と反射光との干渉により、エッジ部分１ｅの下部１ｂの鮮明な画像が得られない可能性がある。加えて、Ｃ字形の断面を有する第３の照明源１００ｃがエッジ部分１ｅの上部１ｃの画像をキャプチャするために用いられる場合には、基板１の面取りされていない下面を透過した光と、エッジ部分１ｅの上部１ｃで反射した光とが、互いに干渉する。したがって、第３の照明源の断面がＣ字形の場合、透過光と反射光との干渉により、エッジ部分１ｅの上部１ｃの鮮明な画像が得られない可能性がある。
【００４７】
例示的な実施形態によれば、第２の照明源１００ｂは、エッジ部分１ｅの下部１ｂを覆うことができる。第２の照明源１００ｂは、照射された光がエッジ部分１ｅの下部１ｂには到達するが、エッジ部分１ｅの上部１ｃには到達しないように光を照射することができる。第２の照明源１００ｂは、エッジ部分１ｅの上部１ｃを少なくとも部分的に曝露することができる。第２の照明源１００ｂは、エッジ部分１ｅの上部１ｃを覆わなくてもよい。第３の照明源１００ｃは、エッジ部分１ｅの上部１ｃを覆うことができる。第３の照明源１００ｃは、照射された光がエッジ部分１ｅの上部１ｃには到達するが、エッジ部分１ｅの下部１ｂには到達しないように光を照射することができる。第３の照明源１００ｃは、エッジ部分１ｅの下部１ｂを少なくとも部分的に曝露することができる。第３の照明源１００ｃは、エッジ部分１ｅの下部１ｂを覆わなくてもよい。例示的な実施形態によれば、第１の照明源１００ａとは異なり、半Ｃ字形の第２及び第３の照明源１００ｂ及び１００ｃが使用されるため、第２及び第３の画像Ｅ２及びＥ３（図８参照）を高解像度で得ることができる。
【００４８】
第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃへの光路間の差が、エッジ部分１ｅの位置に応じて生じる場合がある。したがって、第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃからエッジ部分１ｅの端部１ａ、下部１ｂ、及び上部１ｃまでの光路を考慮して、焦点深度を調整することができる。
【００４９】
第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃの焦点深度を決定するためには、丸い形状を有するエッジ部分１ｅまでの距離を正確に測定すべきである。したがって、第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃは、自動焦点調節（ＡＦ）モジュールを含んでいてもよい。第１の撮影部２００ａのＡＦモジュールは、エッジ部分１ｅの端部１ａに基づいて合焦を行うことができる。第２及び第３の撮影部２００ｂ及び２００ｃのＡＦモジュールは、それぞれ、エッジ部分１ｅに隣接する基板１の下面及び上面に基づいて合焦を行うことができる。
【００５０】
図面には示されていないが、基板エッジ試験装置は、移動ユニットを含みうる。第１から第３の照明源１００ａ、１００ｂ、及び１００ｃ、第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃ、第１の反射部１５１、並びに複数の第２の反射部１５２は、移動ユニットに一体的に結合することができる。したがって、基板エッジ試験装置は、エッジ部分１ｅの一方の端から他方の端まで移動しつつ、第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３（図８参照）を同時に生成することができる。
【００５１】
基板エッジ試験装置は、光学顕微鏡と、該光学顕微鏡に対応する第４の照明源とをさらに含んでいてもよい。第４の照明源は、点照明源、垂直照明源、横断照明などを含みうるが、これらに限定されない。
【００５２】
図６は、例示的な実施形態による基板エッジ試験装置内に含まれうる光学系を示す概略図である。
【００５３】
図６を参照すると、第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃは、基板のエッジ部分１ｅの端部１ａ、下部１ｂ、及び上部１ｃから反射された光を順次に直接受け取ることができる。したがって、第１の反射部１５１及び複数の第２の反射部１５２は省略されてもよい。
【００５４】
図７は、例示的な実施形態による基板エッジ試験方法を示すフローチャートである。図８は、例示的な実施形態による基板エッジ試験方法によって生成された基板エッジの画像の図である。図９は、例示的な実施形態による基板エッジ試験装置、システム、及び方法の効果を示すグラフである。
【００５５】
図１、図３、図４Ａ、図４Ｂ、及び図７〜９を再び参照すると、動作Ｐ５１０では、例示的な実施形態による基板エッジ試験装置を含む試験モジュール１０３０上に基板１をロードすることができる。
【００５６】
加えて、動作Ｐ５２０では、基板エッジ試験装置は、基板１のエッジ部分１ｅを試験することができる。上述のように、基板エッジ試験装置は、エッジ部分１ｅの一端から他端へと移動しながら、基板１のエッジ部分１ｅの画像を連続的に取得することができる。第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃは、エッジ部分１ｅの延在方向に沿って互いに所定の距離だけ離間していてよく、したがって、第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃは、同じ時点においてエッジ部分１ｅの異なる部分をキャプチャすることができる。
【００５７】
さらに、動作Ｐ５３０では、試験データ分析部１０４１は、エッジ部分１ｅの端部１ａの画像を含む第１の画像Ｅ１を生成することができる。第２の撮影部２００ｂは、エッジ部分１ｅの下部１ｂの画像を含む第２の画像Ｅ２を生成することができる。第３の撮影部２００ｃは、エッジ部分１ｅの上部１ｃの画像を含む第３の画像Ｅ３を生成することができる。第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃは、第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３を同時に生成することができる。
【００５８】
必要に応じて、試験データ分析部は、第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３を組み合わせることができる。第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃは、同じ時点でエッジ部分１ｅの異なる部分をキャプチャすることができることから、位置差を補正して、第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３を合成することができる。この差を補正するために、試験データ分析部１０４１は、第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３におけるエッジ部分１ｅの始点の位置を同期させてもよい。すなわち、画像全体を生成するために、第１の画像Ｅ１上のエッジ部分１ｅの端部１ａの始点、第２の画像Ｅ２上のエッジ部分１ｅの下部１ｂの始点、及び第３の画像Ｅ３上のエッジ部分１ｅの上部１ｃの始点が、互いに一致するように、第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３が互いに同期されてもよい。第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３は、第１から第３の撮影部２００ａ、２００ｂ、及び２００ｃの物理的位置の違いに基づいて互いに平行に移動し、それによって、画像全体を生成することができる。試験データ分析部１０４１は、第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３の重複部分が画像全体に過度に反映されないように、第１から第３の画像の重複部分を画像全体から除去することができる。
【００５９】
加えて、動作Ｐ５４０では、試験データ分析部１０４１は、チッピング欠陥などの欠陥が発生しうる面積を合計することができる。チッピング欠陥が発生しうる部分は、光の分散又は干渉に起因して、欠陥が発生しない部分とは異なる照度又は輝度を有しうる。試験データ分析部１０４１は、照度又は輝度に基づいてチッピング欠陥などの欠陥の有無を判定し、欠陥の面積を算出することができる。
【００６０】
上述のように、第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３は、重複部分を有する可能性がある。詳細には、第１の画像Ｅ１と第２の画像Ｅ２との重複部分は、第１の画像Ｅ１と第２の画像Ｅ２の両方に、エッジ部１ｅ上のある特定の位置が示されることを示している。
【００６１】
重複部分によって引き起こされるエラーを取り除くために、試験データ分析部１０４１は、エッジ部分１ｅの端部１ａ、下部１ｂ、及び上部１ｃのそれぞれについて、チッピング欠陥などの欠陥の面積を個別に合計することができる。試験データ分析部１０４１は、第１の画像Ｅ１上の所定の基準線である第１の基準線ｃ１内に含まれる欠陥の面積を合計することができる。試験データ分析部１０４１は、第２の画像Ｅ２上の所定の基準線である第２の基準線ｃ２内に含まれる欠陥の面積を合計することができる。試験データ分析部１０４１は、第３の画像Ｅ３上の所定の基準線である第３の基準線ｃ３内に含まれる欠陥の面積を合計することができる。
【００６２】
図８に示されるように、第１から第３の基準線ｃ１、ｃ２、及びｃ３は、エッジ部分１ｅの延在方向に実質的に平行でありうる。第１から第３の基準線ｃ１、ｃ２、及びｃ３は、所望の製造プロセスに従って製造されたエッジ部分１ｅの形状に基づいて、エッジ部分１ｅの端部１ａ、下部１ｂ、及び上部１ｃを区分するための基準線であってもよい。例えば、第１の基準線ｃ１は、エッジ部分１ｅの端部１ａと下部１ｂとを区切るための基準線と、エッジ部分１ｅの端部１ａと上部１ｃとを区切るための基準線とを含みうる。第２の基準線ｃ２は、基板のエッジ部分１ｅの下部１ｂと下面とを区切るための基準線と、エッジ部分１ｅの下部１ｂと端部１ａとを区切るための基準線とを含みうる。第３の基準線ｃ３は、エッジ部分１ｅの上部１ｃと基板の上面とを区切るための基準線と、エッジ部分１ｅの上部１ｃと端部１ａとを区切るための基準線とを含みうる。第１の基準線ｃ１のうちの１つと第２の基準線ｃ２のうちの１つは、エッジ部分１ｅ上の同じ点に実質的に対応しうる。第１の基準線ｃ１のうちの１つと第３の基準線ｃ３のうちの１つは、エッジ部分１ｅ上の同じ点に実質的に対応しうる。
【００６３】
しかしながら、例示的な実施形態は、上記の例に限定されず、試験データ分析部１０４１は、動作Ｐ５３０で生成された画像全体に基づいて、エッジ部分１ｅに発生するチッピング欠陥等の面積を合計してもよい。
【００６４】
加えて、動作Ｐ５５０では、試験の進行度を決定することができる。基板１のエッジ部分の一部がまだ試験されていない場合、動作Ｐ５６０では、連続的に試験するために、基板１を回転させることができる。基板１は約９０°回転させることができるが、これに限定されない。上記とは異なり、基板のエッジ部分のすべてを試験する場合には、後述するＢＣＤ（ベベルチップ密度）指数を計算してもよく、動作Ｐ５７０で試験を終了することができる。
【００６５】
ガラス基板の面取りされた表面に対する切断プロセス中に、欠陥、例えば、非面取り、面取り過剰、燃焼、チッピング、亀裂などが発生する可能性がある。特に、面取りプロセス中に発生するチッピング欠陥は、微粒子の生成を引き起こしうる。これらの微粒子は、後処理でゲート不良を引き起こす可能性があり、したがって、ガラス基板の製造プロセスの生産歩留まり及び信頼性が低下する可能性がある。
【００６６】
エッジ部分のチッピングから発生した微粒子は、エッジ部分の表面に付着しうる。後処理での化学反応によって微粒子が露出されることから、従来技術では、エッジ部分のチッピング欠陥を検査する方法がない。エッジ部分のチッピング欠陥などの欠陥を示す指標として、ＢＣＤ指標が以下の式１に従って定義されうる。
【００６７】
【数１】
2020516904.tif 000003
【００６８】
すなわち、ＢＣＤ指標は、総面積に対するチッピング欠陥を有する面積の割合を測定することによって欠陥の発生を測定するための指標である。
【００６９】
したがって、試験データ分析部１０４１は、エッジ部分１ｅの端部１ａ、下部１ｂ、及び上部１ｃのそれぞれのＢＣＤ指標を別々に計算することができる。例えば、試験データ分析部１０４１は、動作Ｐ５４０で得られた第１の画像Ｅ１上のチッピング欠陥の面積の合計を、第１の画像Ｅ１上の第１の基準線ｃ１の間に配置されたエッジ部分１ｅの面積で割ることにより、エッジ部分１ｅの端部１ａのＢＣＤ指標を計算することができる。試験データ分析部１０４１は、動作Ｐ５４０で得られた第２の画像Ｅ２上のチッピング欠陥の面積の合計を、第２の画像Ｅ２上の第２の基準線ｃ２の間に配置されたエッジ部分１ｅの面積で割ることにより、エッジ部分１ｅの下部１ｂのＢＣＤ指標を計算することができる。試験データ分析部１０４１は、動作Ｐ５４０で得られた第３の画像Ｅ３上のチッピング欠陥の面積の合計を、第３の画像Ｅ３上の第３の基準線ｃ３の間に配置されたエッジ部分１ｅの面積で割ることにより、エッジ部分１ｅの上部１ｃのＢＣＤ指標を計算することができる。
【００７０】
しかしながら、例示的な実施形態はそれに限定されず、試験データ分析部１０４１は、動作Ｐ５４０で得られた第１から第３の画像Ｅ１、Ｅ２、及びＥ３のチッピング欠陥の面積を合計し、その合計面積をエッジ部分１ｅの面積で割ることにより、総ＢＣＤ指数を計算してもよい。あるいは、試験データ分析部１０４１は、動作Ｐ５４０で画像全体に基づいて計算された、エッジ部分１ｅに発生するチッピング欠陥の総面積の合計を、エッジ部分１ｅの面積で割ることにより、総ＢＣＤ指数を計算することができる。
【００７１】
図９に示されるように、ＢＣＤ指数は、チッピング欠陥の発生率と正の相関がある。すなわち、チッピング欠陥の発生率は、ＢＣＤ指数が増加するにつれて増加する。例示的な実施形態による基板エッジ試験装置によって得られた画像からＢＣＤ指数を測定することにより、迅速なフィードバックを得ることができ、したがって、製造プロセスの生産歩留まり及び品質を改善することができる。
【００７２】
本開示は、本明細書に記載される例示的な実施形態を参照して特に示され、説明されてきたが、以下の特許請求の範囲の精神及び範囲から逸脱することなく、それらに形態及び詳細のさまざまな変更がなされうることが理解されよう。
【００７３】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【００７４】
実施形態１
基板のエッジ部分を試験するための装置であって、
前記基板の前記エッジ部分の端部に光を照射するように構成された第１の照明源；
前記エッジ部分の下部に光を照射するように構成された第２の照明源；
前記エッジ部分の上部に光を照射するように構成された第３の照明源；及び
それぞれ前記第１から第３の照明源に対応する第１から第３の撮影部
を備えており、
前記第１の照明源が、Ｃ字形断面を含み、かつ、前記エッジ部分の前記端部に面する第１の曲面を含んでおり、前記第２の照明源が、半Ｃ字形断面を含み、かつ、前記エッジ部分の前記下部に面する第２の曲面を含んでおり、前記第３の照明源が、半Ｃ字形断面を含み、かつ、前記エッジ部分の前記上部に面する第３の曲面を含んでいる、
装置。
【００７５】
実施形態２
前記第１から第３の照明源が、互いに離間され、一方向に沿って配置され、かつ前記一方向に進行するように構成されている、実施形態１に記載の装置。
【００７６】
実施形態３
前記第１の撮影部に対応する第１の反射部及び前記第２の撮影部に対応する第２の反射部
をさらに含む、実施形態１に記載の装置。
【００７７】
実施形態４
前記第１から第３の撮影部が、互いに離間され、一方向に沿って配置され、かつ前記一方向に進行するように構成されている、実施形態１に記載の装置。
【００７８】
実施形態５
前記第２の曲面及び前記第３の曲面の各輪郭が、円、楕円、放物線、又は双曲線のうちの少なくとも１つの一部を含む、実施形態１に記載の装置。
【００７９】
実施形態６
前記第２の照明源及び前記第３の照明源が、前記基板に対して互いに対称である、実施形態１に記載の装置。
【００８０】
実施形態７
前記第１の照明源が、前記第１の曲面に沿って配置された複数の光源を備えている、実施形態１に記載の装置。
【００８１】
実施形態８
前記複数の光源が、前記第１の曲面に沿った前記複数の光源の各対における隣接する光源間の距離が実質的に同じになるように配置される、実施形態７に記載の装置。
【００８２】
実施形態９
前記第２の照明源及び前記第３の照明源が、それぞれ、前記第２の曲面及び前記第３の曲面に沿って配置された複数の光源を備えている、実施形態１に記載の装置。
【００８３】
実施形態１０
前記複数の光源が、前記第２の曲面及び前記第３の曲面に沿った前記複数の光源間の距離が実質的に同じになるように配置される、実施形態９に記載の装置。
【００８４】
実施形態１１
基板のエッジ部分を試験するためのシステムであって、
前記基板の前記エッジ部分の端部を撮影することによって第１の画像を生成するように構成された第１の撮影部；
前記エッジ部分の下部を撮影することによって第２の画像を生成するように構成された第２の撮影部；
前記エッジ部分の上部を撮影することによって第３の画像を生成するように構成された第３の撮影部；
順次、それぞれ前記第１から第３の撮影部に対応し、均一な照度を有する光を提供するように構成された、第１から第３の照明源；及び
前記第１から第３の画像を収集するように構成された試験データ分析部
を備えており、
前記第２の照明源が半Ｃ字形であり、かつ前記エッジ部分の前記下部に面する第２の曲面を含んでおり、前記第３の照明源が半Ｃ字形であり、かつ前記エッジ部分の前記上部に面する第３の曲面を含んでいる、
システム。
【００８５】
実施形態１２
前記第１から第３の撮影部が互いに実質的に平行である、実施形態１１に記載のシステム。
【００８６】
実施形態１３
実施形態１１に記載のシステムであって、
前記第１の撮影部に対応する第１の反射部及び前記第２の撮影部に対応する複数の第２の反射部をさらに備えている、実施形態１１に記載のシステム。
【００８７】
実施形態１４
前記第１の照明源がＣ字形であり、かつ前記エッジ部分の前記端部に面する第１の曲面を含んでいる、実施形態１１に記載のシステム。
【００８８】
実施形態１５
前記第１から第３の撮影部が、前記エッジ部分の延在方向に沿って配置される、実施形態１１に記載のシステム。
【００８９】
実施形態１６
前記試験データ分析部が、前記第１から第３の画像上の前記エッジ部分の始点の位置を同期させた後、又は前記第１から第３の撮影部の物理的位置の差に基づいて前記第１から第３の画像を補正した後に、画像全体を取得する、実施形態１１に記載のシステム。
【００９０】
実施形態１７
基板のエッジ部分を試験する方法であって、
基板の前記エッジ部分の端部に均一な照度を有する光を照射し、第１の撮影部を用いて前記端部を撮影することによって第１の画像を生成する工程であって、前記基板の前記エッジ部分が面取りされている、工程；
前記エッジ部分の下部に均一な照度を有する光を照射し、第２の撮影部を用いて前記下部を撮影することによって第２の画像を生成する工程；
前記エッジ部分の上部に均一な照度を有する光を照射し、第３の撮影部を用いて前記上部を撮影することによって第３の画像を生成する工程；及び
前記第１の画像から前記第３の画像に基づいて前記基板の前記エッジ部分の品質を評価する工程
を含み、
前記第１から第３の画像に基づいて前記基板の前記エッジ部分の前記品質を評価する工程が、
一連の第１の基準線内の欠陥の少なくとも１つの面積を含む第１の面積を合計するステップであって、前記第１の基準線が前記第１の画像上の所定の基準線である、ステップ；
一連の第２の基準線内の欠陥の少なくとも１つの面積を含む第２の面積を合計するステップであって、前記第２の基準線が前記第２の画像上の所定の基準線である、ステップ；
一連の第３の基準線内の欠陥の少なくとも１つの面積を含む第３の面積を合計するステップであって、前記第３の基準線が前記第３の画像上の所定の基準線である、ステップ；及び
前記第１から第３の面積の合計を前記エッジ部分の面積で割るステップ
を含む、方法。
【００９１】
実施形態１８
前記第１の画像を取得する工程から前記第３の画像を取得する工程がほぼ同時に行われ、ほぼ同時にキャプチャされた前記第１から第３の画像が、前記エッジ部分上の異なる点に対応する、実施形態１７に記載の方法。
【００９２】
実施形態１９
前記第１から第３の画像を収集することによって、画像全体を生成する工程
をさらに含む、実施形態１７に記載の方法。
【００９３】
実施形態２０
前記画像全体を取得する工程が、前記第１から第３の画像上の前記エッジ部分の始点の位置を同期させることによって、又は前記第１から第３の撮影部の位置の違いに基づいて前記第１から第３の画像の位置を補正することによって、前記画像全体を取得する工程を含む、実施形態１９に記載の方法。
【符号の説明】
【００９４】
１      基板
１ａ    端部
１ｂ    下部
１ｃ    上部
１ｅ    エッジ部分
１０    第１のステージ
１１    第１の面取りホイール
１２    第１の研磨ホイール
２０    第２のステージ
３０    第３のステージ
３１    第２の面取りホイール
１００ａ，１００ｂ，１００ｃ  第１から第３の照明源
１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ  第１から第３の光源
２００ａ，２００ｂ，２００ｃ  第１から第３の撮影部
１５１  第１の反射部
１５２  第２の反射部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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