(57)【要約】  チャンバ（２）内の略中央には、所定対象のウエハ（Ｗ）を載置するサセプタ（１６）と、サセプタ（１６）を支持する支持台（１５）が設置されている。処理ガス供給装置（４）は、ウエハ（Ｗ）を処理するための処理ガスをチャンバ（２）内に供給する。第１高周波電源（５）及び第２高周波電源（７）は、それぞれ所定の高周波電圧を印加することにより、供給された処理ガスのプラズマを生成してウエハ（Ｗ）を処理する。支持台（１５）及びサセプタ（１６）の周囲には、接地された導電部材（１８ａ）を有する堰（１８）が設けられており、これにより、生成されたプラズマがサセプタ（１６）に載置されたウエハ（Ｗ）上の領域に封じ込められる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体（Ｗ）にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置（１）であって、
前記被処理体（Ｗ）にプラズマ処理を施すための処理室（２）と、
前記処理室（２）内に設置され、前記被処理体（Ｗ）を載置するための載置台（１６）と、
前記被処理体（Ｗ）にプラズマ処理を施すための処理ガスを、前記処理室（２）内に供給する処理ガス供給部（４）と、
高周波電圧を印加することにより、前記処理ガス供給部（４）によって供給される前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部（５，７）と、
前記プラズマ生成部（５，７）によって生成される前記プラズマを前記載置台（１６）上に載置される前記被処理体（Ｗ）上の領域に封じ込めるための堰（１８）と、
を備え、
前記堰（１８）は、導電体から形成された導電部材（１８ａ）を有し、該導電部材（１８ａ）は接地されている、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記堰（１８）は、
前記導電部材（１８ａ）を被覆し、該導電部材（１８ａ）と前記載置台（１６）との間を電気的に絶縁する絶縁部材（１８ｂ）と、
から構成される、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置（１）。
【請求項３】
前記堰（１８）は、前記被処理体（Ｗ）上の領域を取り囲むように、前記載置台（１６）に載置された前記被処理体（Ｗ）より高く形成された突出部（１８ｃ）を備える、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置（１）。
【請求項４】
前記堰（１８）の上端と前記処理室（２）の内壁との間隔は、８５ｍｍ以下である、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置（１）。
【請求項５】
前記堰（１８）を、前記処理室（２）内で昇降させる昇降部（２２，２４）をさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記堰（１８）及び前記載置台（１６）を、前記処理室（２）内で昇降させる昇降部（２２）をさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
少なくとも一のチャンバに、請求項１に記載のプラズマ処理装置を配置した、ことを特徴とするマルチチャンバシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置及びこれを備えるマルチチャンバシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置は、被処理体、例えば、半導体ウエハを収容するチャンバ内に処理ガスを供給し、所定の高周波電圧を印加することにより、チャンバ内にプラズマを発生させ、このプラズマにより半導体ウエハに所定の処理を施す。【０００３】
ところで、このプラズマＣＶＤ装置のチャンバ壁は、安定した電位と低いインピーダンスを持っている。このため、半導体ウエハを載置する載置台の周囲にあるチャンバ壁を対向電極として、プラズマが発生しやすい。これにより、チャンバ内で発生するプラズマを、処理ガスの吹出口であるシャワーヘッドと、半導体ウエハを載置する載置台との間の処理領域内に集中させることが困難となる。【０００４】
処理領域内にプラズマが集中しない場合、半導体ウエハに作用しないプラズマが多く存在するため、プラズマ処理の効率が悪くなるという問題がある。また、半導体ウエハ上に形成される膜の品質や膜厚等が不均一になりやすいという問題がある。【０００５】
そこで、例えば、特許文献１では、載置台の周囲を薄い誘電体で包囲することにより、プラズマが載置台に載置される半導体ウエハの周辺を越えてかなり延びることを防止しようとしている。
【特許文献１】特表２００１−５１６９４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記した薄い誘電体は、プラズマが半導体ウエハの周辺を越えてかなり延びることを防止するだけであり、プラズマが上記した処理領域外に広がることを十分に防止することはできない。このため、依然として、プラズマ処理の効率が悪く、また、半導体ウエハ上に形成される膜の品質や膜厚等が不均一になりやすいという問題が生じていた。【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、効率のよいプラズマ処理を実現するプラズマ処理装置及びこれを備えるマルチチャンバシステムを提供することを目的とする。
また、本発明は、チャンバ内に配置される被処理体上の領域にプラズマを封じ込めるプラズマ処理装置及びこれを備えるマルチチャンバシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明のプラズマ処理装置は、被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記被処理体にプラズマ処理を施すための処理室と、前記処理室内に設置され、前記被処理体を載置するための載置台と、前記被処理体にプラズマ処理を施すための処理ガスを、前記処理室内に供給する処理ガス供給部と、高周波電圧を印加することにより、前記処理ガス供給部によって供給される前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ生成部によって生成される前記プラズマを前記載置台上に載置される被処理体上の領域に封じ込めるための堰と、を備え、前記堰は、導電体から形成された導電部材を有し、該導電部材は接地されている、ことを特徴とする。【０００９】
前記堰は、前記導電体から形成される導電部材と、前記導電部材を被覆し、該導電部材と前記載置台との間を電気的に絶縁する絶縁部材と、から構成されてもよい。【００１０】
前記堰は、被処理体上の領域を取り囲むように、前記載置台に載置された前記被処理体より高く形成された突出部を備えてもよい。【００１１】
前記堰の上端と前記処理室の内壁との間隔は、８５ｍｍ以下であってもよい。
前記間隔は、好ましくは３０ｍｍ以下であり、さらに好ましくは２５ｍｍ以下である。【００１２】
前記堰を、前記処理室内で昇降させる昇降部をさらに備えてもよい。
前記堰及び前記載置台を、前記処理室内で昇降させる昇降部をさらに備えてもよい。【００１３】
また、上記目的を達成するため、本発明のマルチチャンバシステムは、少なくとも一のチャンバに、上記プラズマ処理装置を配置した、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によって、チャンバ内に配置されるウエハ上の領域にプラズマを封じ込めることができ、効率のよいプラズマ処理を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置を構成する堰の斜視図である。
【図３】図１のプラズマ処理装置を構成する堰とチャンバとの間隔を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかるマルチチャンバシステムの構成を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置の他の構成を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置の他の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００１６】
１      プラズマ処理装置
２      チャンバ
３      排気装置
４      処理ガス供給装置
５      第１高周波電源
６      第１整合器
７      第２高周波電源
８      第２整合器
９      制御装置
１１    排気管
１２    ゲートバルブ
１３    ガス供給管
１４    シャワーヘッド
１５    支持台
１５ａ  リフトピン
１５ｂ  流路
１６    サセプタ
１７    冷媒供給管
１８    堰
１８ａ  導電部材
１８ｂ  被覆部材
１８ｃ  突出部
２１    シャフト
２２    支持台昇降装置
２３    ベローズ
２４    堰昇降装置
５１    マルチチャンバシステム
５６    チャンバ
６３    制御部
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のプラズマ処理装置及びこのプラズマ処理装置を備えるマルチチャンバシステムについて説明する。なお、以下では、プラズマ処理装置として、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を例にとって説明する。
図１は、本発明の実施の形態のプラズマ処理装置の構成を示す図である。【００１８】
図１に示すように、本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置１は、チャンバ２と、排気装置３と、処理ガス供給装置４と、第１高周波電源５と、第１整合器６と、第２高周波電源７と、第２整合器８と、制御装置９と、から構成されている。【００１９】
チャンバ２は、導電性材料から形成され、例えば、アルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム等から形成されている。また、このチャンバ２は、接地されている。【００２０】
チャンバ２の側壁には、チャンバ２内のガスを排気するための排気管１１と、被処理体としてのウエハ（半導体ウエハ）Ｗを搬入出するためのゲートバルブ１２と、が設置されている。ウエハＷの搬入出は、ゲートバルブ１２を開放した状態で、チャンバ２に連通する後述するロードロック室との間で行われる。【００２１】
また、チャンバ２の上部には、チャンバ２内に処理ガスを導入するための処理ガス供給管１３と、処理ガス供給管１３に接続され、処理ガス供給管１３を介して供給される処理ガスの吹出口となるシャワーヘッド１４と、が設置されている。シャワーヘッド１４は、その底面に多数の孔を有する中空のアルミニウム等から形成されている。シャワーヘッド１４は、処理ガス供給管１３からの処理ガスを拡散してウエハＷの全面に均一に供給するとともに、上部電極として機能する。【００２２】
また、チャンバ２内の底部には、その略中央に支持台１５が設置されている。支持台１５の上には、ウエハＷを載置する載置台として機能するとともに、下部電極として機能するサセプタ１６が設置されている。サセプタ１６は、上部電極として機能するシャワーヘッド１４と対向するように設置されている。【００２３】
支持台１５の内部には、図示せぬ昇降機構によって昇降する複数のリフトピン１５ａが設置されている。チャンバ２内に搬入されたウエハＷは、上昇したリフトピン１５ａ上に載置され、リフトピン１５ａが下降することによってサセプタ１６上に載置される。また、プラズマ処理を施されたウエハＷは、リフトピン１５ａが上昇することにより、サセプタ１６上から脱離する。なお、リフトピン１５ａの長さは、搬入出の際に、ウエハＷを後述する堰１８よりも高い位置に持ち上げることが可能なように設定されている。【００２４】
また、支持台１５の内部には、フロリナート等の冷媒を循環させるための流路１５ｂが形成されている。流路１５ｂは、冷媒供給管１７を介して、図示せぬ冷媒供給装置に接続されている。冷媒供給装置から供給される冷媒が流路１５ｂ内を流通することにより、サセプタ１６及びサセプタ１６上に載置されるウエハＷの温度が所定温度に制御される。【００２５】
支持台１５及びサセプタ１６の周囲には、図２に示すような、支持台１５及びサセプタ１６を取り囲む堰１８が設置されている。堰１８は、ウエハＷ上の領域、即ち、サセプタ１６上に載置されたウエハＷ（又はサセプタ１６）とシャワーヘッド１４との間の処理領域Ｒを取り囲むように、サセプタ１６上に載置されたウエハＷより高く形成された突出部１８ｃを備えている。この堰１８は、チャンバ２内で発生するプラズマを、処理領域Ｒに封じ込めるために設けられている。【００２６】
堰１８の突出部１８ｃ（サセプタ１６の表面より突出した部分）の断面形状及び高さは、上記処理領域Ｒ内にプラズマを実質的に封じ込めることができるように設定されている。言い換えると、突出部１８ｃの断面形状及び高さは、上記処理領域Ｒ外へ拡散するプラズマによって及ぼされる、ウエハＷの処理に対する影響が無視できる程度になるように設定されている。【００２７】
以上のような突出部１８ｃの断面形状及び高さは、理論計算や実験等によって予め求められる。例えば、図３に示す突出部１８ｃの上端とチャンバ２の内壁との間隔Ｌは、８５ｍｍ以下であることが好ましく、３０ｍｍ以下であることがより好ましく、２５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。【００２８】
また、この突起部１８ｃの高さは、チャンバ２内の圧力や生成されるプラズマの密度などに応じて設定される。例えば、チャンバ２内の圧力が５００〜１１００Ｐａ、プラズマ密度が１０９〜１０１１／ｃｍ３である場合には、図３に示す突起部１８ｃの上端とチャンバ２との間隔Ｌが５ｍｍ以下、好ましくは２．５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．８ｍｍ以下となるように、さらに小さく設定される。なお、このように間隔Ｌが小さい場合には、後述する図５及び図６に示すように、堰１８が昇降可能に構成されていることが好ましい。【００２９】
また、堰１８は、導電体から形成された導電部材１８ａを有している。本実施の形態では、堰１８は、導電部材１８ａと、被覆部材１８ｂと、から構成されている。導電部材１８ａは、アルミニウム等の導電体から構成され、接地されている。被覆部材１８ｂは、導電部材１８ａを被覆し、導電部材１８ａと支持台１５及びサセプタ１６との間を電気的に絶縁する、セラミック等の絶縁体から構成されている。【００３０】
このように、堰１８の導電部材１８ａが接地されているため、導電部材１８ａ（即ち、堰１８）は、安定した電位と低いインピーダンスとを有する。これにより、チャンバ２壁ではなく、導電部材１８ａを対向電極としてプラズマが発生するため、堰１８の外側にプラズマが広がることを確実に防止することができる。【００３１】
排気装置３は、排気管１１を介してチャンバ２に接続されている。排気装置３は、真空ポンプを備え、チャンバ２内のガスを排気して、チャンバ２内の圧力を所定の圧力（例えば、８００Ｐａ）に設定する。【００３２】
処理ガス供給装置４は、ガス供給管１３を介してチャンバ２に接続され、ウエハＷの処理に必要な処理ガスを、所定の流量（例えば、１０００ｓｃｃｍ）でチャンバ２内に供給する。【００３３】
第１高周波電源５は、第１整合器６を介して、下部電極として機能するサセプタ１６に接続され、例えば、１３．５６〜１００ＭＨｚの高周波をサセプタ１６に印加する。【００３４】
第２高周波電源７は、第２整合器８を介して、上部電極として機能するシャワーヘッド１４に接続され、例えば、０．８〜１３．５６ＭＨｚの高周波をシャワーヘッド１４に印加する。【００３５】
制御装置９は、マイクロコンピュータ等から構成され、ウエハＷにプラズマ処理を施すためのプログラムを記憶している。制御装置９は、記憶しているプログラムに従って、プラズマ処理装置１全体の動作を制御し、チャンバ２内に配置されたウエハＷにプラズマＣＶＤ処理を行い、ウエハＷ上に所定種の膜を形成する。【００３６】
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置１を備えるマルチチャンバシステムについて説明する。
図４は、本発明の実施の形態のマルチチャンバシステムの構成を示す図である。【００３７】
図４に示すように、マルチチャンバシステム５１は、搬入出室５２と、第１搬送室５３と、ロードロック室５４と、第２搬送室５５と、複数（本実施の形態では４つ）のチャンバ５６（５６ａ〜５６ｄ）と、を備えている。【００３８】
搬入出室５２は、被処理体、例えば、ウエハ（半導体ウエハ）をマルチチャンバシステム５１に搬入または搬出する空間であり、ウエハを収容した複数のカセット５７が収納されている。この搬入出室５２には、処理対象である未処理のウエハが収容されているカセット５７と、処理後のウエハが収容されているカセット５７とが収容されている。【００３９】
第１搬送室５３は、搬入出室５２とロードロック室５４とを連結する空間である。第１搬送室５３には第１搬送アーム５８が載置されており、第１搬送アーム５８によりウエハを搬送して、ウエハを搬入出室５２またはロードロック室５４に搬入または搬出する。【００４０】
ロードロック室５４は第１搬送室５３と第２搬送室５５とを連結し、ウエハを第１搬送室５３または第２搬送室５５に搬入または搬出する空間である。【００４１】
第２搬送室５５は各チャンバ５６とロードロック室５４とを連結する空間である。第２搬送室５５には第２搬送アーム５９が載置されており、第２搬送アーム５９によりウエハを搬送して、ウエハをロードロック室５４または各チャンバ５６に搬入または搬出する。【００４２】
チャンバ５６（５６ａ〜５６ｄ）には、ウエハに施す処理に応じた処理装置が配置されている。例えば、本実施の形態では、チャンバ５６ａに本発明のプラズマ処理装置１が配置され、チャンバ５６ｂ〜５６ｄに他の処理装置が配置されている。【００４３】
第２搬送室５５と各チャンバ５６とは、真空ポンプ、バルブ等から構成された図示しない真空制御部によって真空に保持されている。また、ロードロック室５４は、真空制御部によって真空と常圧との切り替えが可能なように構成されている。【００４４】
第１搬送室５３とロードロック室５４とはゲートバルブ６０を介して接続され、ロードロック室５４と第２搬送室５５とはゲートバルブ６１を介して接続されている。また、第２搬送室５５と各チャンバ５６とはゲートバルブ６２を介して接続されている。【００４５】
また、第１搬送アーム５８、第２搬送アーム５９、ゲートバルブ６０、ゲートバルブ６１、ゲートバルブ６２等には、制御部６３が接続されている。制御部６３は、マイクロコンピュータ等から構成され、マルチチャンバシステム５１全体の動作を制御する。例えば、制御部６３は、第１搬送アーム５８、第２搬送アーム５９の移動、及び、ゲートバルブ６０、ゲートバルブ６１、ゲートバルブ６２の開閉を制御し、ウエハを所定の位置に搬送する。これにより、ウエハは、搬入出室５２に収納されたカセット５７から、第１搬送アーム５８により第１搬送室５３、ゲートバルブ６０を介してロードロック室５４に搬送される。そして、ロードロック室５４内のウエハは、第２搬送アーム５９によりゲートバルブ６１、第２搬送室５５、ゲートバルブ６２を介して各チャンバ５６に搬送される。【００４６】
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置１及びマルチチャンバシステム５１の動作について説明する。なお、以下に示すプラズマ処理装置１及びマルチチャンバシステム５１の動作は、制御装置９、制御部６３の制御下で行われる。【００４７】
まず、制御部６３は、第１搬送アーム５８を制御して、処理対象である未処理のウエハＷが収容されているカセット５７から未処理のウエハＷを取り出し、ゲートバルブ６０を介してロードロック室５４に搬送する。次に、制御部６３は、図示せぬ真空制御部を制御して、ロードロック室５４を真空にする。続いて、制御部６３は、第２搬送アーム５９を制御して、ロードロック室５４内の未処理のウエハＷを、ゲートバルブ６１、ゲートバルブ６２（１２）を介してチャンバ５６ａ（プラズマ処理装置１）に搬送し、プラズマ処理装置１の上昇したリフトピン１５ａ上に載置する。【００４８】
未処理のウエハＷがリフトピン１５ａ上に載置されると、制御装置９は、図示せぬ昇降機構を制御して、リフトピン１５ａを下降させ、未処理のウエハＷをサセプタ１６上に載置する。【００４９】
制御装置９は、図示せぬ冷媒供給装置を制御して、支持台１５内の流路１５ｂに冷媒を供給しているため、サセプタ１６上にウエハＷが載置されると、ウエハＷの温度は所定温度に設定される。また、制御装置９は、排気装置３を制御して、チャンバ２内のガスを排気して、チャンバ２内の圧力を所定の圧力に設定する。【００５０】
次に、制御装置９は、処理ガス供給装置４を制御して、処理ガスを所定の流量でチャンバ２内に供給する。続いて、制御装置９は、第２高周波電源７を制御して、所定の高周波電圧を、上部電極として機能するシャワーヘッド１４に印加する。また、制御装置９は、第１高周波電源５を制御して、所定の高周波電圧を、下部電極として機能するサセプタ１６に印加する。これにより、チャンバ２内に供給された処理ガスのプラズマが生成され、生成されたプラズマによってウエハＷ上に所定の膜が形成される。【００５１】
ここで、支持台１５及びサセプタ１６の周囲には、処理領域Ｒを取り囲むように堰１８が配置されているので、生成されたプラズマは、処理領域Ｒ内に封じ込められる。さらに、堰１８の導電部材１８ａが接地されているので、堰１８が安定した電位と低いインピーダンスとを有し、チャンバ２壁ではなく、導電部材１８ａを対向電極としてプラズマが発生することになるため、堰１８の外側にプラズマが広がることを確実に防止することができる。これにより、処理領域Ｒ内にプラズマが集中し、プラズマ処理を効率よく行うことができる。また、プラズマが処理領域Ｒ外に拡散することを防止できるので、処理領域Ｒ内における処理ガスの滞留時間、プラズマ強度、プラズマ分布などの制御が容易になる。その結果、形成される膜の品質や膜厚等を高い精度で制御することが可能となり、均一な膜をウエハＷ上に形成することができる。【００５２】
ウエハＷの処理が終了すると、制御装置９は、図示せぬ昇降機構を制御して、リフトピン１５ａを上昇させる。【００５３】
リフトピン１５ａが上昇すると、制御部６３は、第２搬送アーム５９を制御して、リフトピン１５ａ上のウエハＷを、ゲートバルブ６２（１２）、ゲートバルブ６１を介してロードロック室５４内に収容する。続いて、制御部６３は、第１搬送アーム５８を制御して、ロードロック室５４内のウエハＷを、ゲートバルブ６０を介して処理済みのウエハＷを収容するカセット５７に搬送する。【００５４】
以上説明したように、本実施の形態では、接地された導電部材１８ａから構成される堰１８が処理領域Ｒを取り囲むように配置されているので、処理領域Ｒ内にプラズマが集中し、プラズマ処理を効率よく行うことができる。また、処理領域Ｒ内における処理ガスの滞留時間、プラズマ強度、プラズマ分布などの制御が容易になる。その結果、形成される膜の品質や膜厚等を高い精度で制御することが可能となり、均一な膜をウエハＷ上に形成することができる。【００５５】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。【００５６】
上記実施の形態では、堰１８が導電部材１８ａと被覆部材１８ｂとから構成されている場合を例にとって説明したが、堰１８は、被覆部材１８ｂを備えず、導電部材１８ａだけで構成されてもよい。この場合、導電部材１８ａは、アルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム等から形成される。【００５７】
上記実施の形態では、チャンバ２内の底部に堰１８が設置されている場合を例にとって説明したが、例えば、図５及び図６に示すように、堰１８を昇降可能に構成してもよい。なお、図５及び図６では、図１に示される構成の一部の図示を省略している。【００５８】
図５に示すプラズマ処理装置１において、支持台１５は、シャフト２１を介して支持台昇降装置２２に接続されている。支持台昇降装置２２は、制御装置９の制御に従って、支持台１５、サセプタ１６、及び、堰１８の全体をチャンバ２内で昇降させる。なお、支持台１５の昇降部分におけるチャンバ２内外の雰囲気は、例えば、ステンレスから形成されるベローズ２３によって分離される。【００５９】
以上の構成によれば、ウエハＷの処理中は、支持台昇降装置２２が支持台１５全体を上昇させることにより、堰１８とチャンバ２との間隔Ｌが十分狭く維持される。これにより、プラズマを処理領域Ｒ内に確実に封じ込めることができる。また、ウエハＷの搬入出時には、支持台昇降装置２２が支持台１５全体を下降させることにより、ウエハＷの搬入出を容易に行うことが可能となる。【００６０】
また、図６に示すプラズマ処理装置１において、堰１８は、シャフト２１を介して堰昇降装置２４に接続されている。堰昇降装置２４は、制御装置９の制御に従って、堰１８のみをチャンバ２内で昇降させる。この場合も、堰１８の昇降部分におけるチャンバ２内外の雰囲気は、例えば、ステンレスから形成されるベローズ２３によって分離される。【００６１】
以上の構成によれば、ウエハＷの処理中は、堰昇降装置２４が堰１８を上昇させることにより、堰１８とチャンバ２との間隔Ｌが十分狭く維持される。これにより、プラズマを処理領域Ｒ内に確実に封じ込めることができる。また、ウエハＷの搬入出時には、堰昇降装置２４が堰１８を下降させることにより、ウエハＷの搬入出を容易に行うことが可能となる。【００６２】
また、上記実施の形態では、本発明をプラズマＣＶＤ装置に適用した場合を例にとって説明したが、本発明は、プラズマを用いて被処理体、例えば、半導体ウエハを処理するプラズマ処理装置であればどのような装置にも適用可能である。例えば、プラズマエッチング、プラズマ酸化、及び、プラズマアッシングなどを行う装置に適用することができる。また、被処理体は、ウエハＷに限らず、例えば、液晶表示装置用のガラス基板等であってもよい。【００６３】
本発明は、２００３年１２月３日に出願された日本国特願２００３−４０３９５０号に基づき、その明細書、特許請求の範囲、図面および要約書を含む。上記出願における開示は、本明細書中にその全体が参照として含まれる。
【産業上の利用の可能性】
【００６４】
本発明は、プラズマ処理装置及びこれを備えるマルチチャンバシステムに有用である。
【図１】
2005055298.tif 000002
【図２】
2005055298.tif 000003
【図３】
2005055298.tif 000004
【図４】
2005055298.tif 000005
【図５】
2005055298.tif 000006
【図６】
2005055298.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】請求の範囲
【請求項１】被処理体（Ｗ）にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置（１）であって、
前記被処理体（Ｗ）にプラズマ処理を施すための処理室（２）と、
前記処理室（２）内に設置された支持台（１５）上に設けられ、前記被処理体（Ｗ）を載置するための載置台（１６）と、
前記被処理体（Ｗ）にプラズマ処理を施すための処理ガスを、前記処理室（２）内に供給する処理ガス供給部（４）と、
高周波電圧を印加することにより、前記処理ガス供給部（４）によって供給される前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部（５，７）と、
前記プラズマ生成部（５，７）によって生成される前記プラズマを前記載置台（１６）上に載置される前記被処理体（Ｗ）上の領域に封じ込めるための堰（１８）と、
を備え、
前記堰（１８）は、
導電体から形成された導電部材（１８ａ）と、
前記支持台（１５）及び前記載置台（１６）を取り囲み、該載置台（１６）の載置面より高く形成された突出部（１８ｃ）と、を有し、
前記導電部材（１８ａ）は接地されている、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】前記堰（１８）は、
前記導電部材（１８ａ）を被覆し、該導電部材（１８ａ）と前記載置台（１６）との間を電気的に絶縁する絶縁部材（１８ｂ）を、さらに有する、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置（１）。
【請求項３】前記堰（１８）の突出部（１８ｃ）は、前記被処理体（Ｗ）上の領域を取り囲むように、前記載置台（１６）に載置された前記被処理体（Ｗ）より高く形成される、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置（１）。
【請求項４】前記堰（１８）の上端と前記処理室（２）の内壁との間隔は、８５ｍｍ以下である、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置（１）。
【請求項５】前記堰（１８）を、前記処理室（２）内で昇降させる昇降部（２２，２４）をさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】前記堰（１８）及び前記載置台（１６）を、前記処理室（２）内で昇降させる昇降部（２２）をさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【国際調査報告】
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