【事件の表示】
　平成９年特許願第２６６４６６号「欠陥評価装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年４月２３日出願公開、特開平１１−１０８８４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年９月３０日の出願であって、平成１６年６月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２７日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年８月２７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
２−１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　
「被検物体にレーザ光を斜めに照射するレーザ照射手段と、
　該被検物体内部または表面からの散乱光を観察する観察手段とを有する欠陥評価装置において、
　該被検物体は観察光学軸を中心に回転可能なステージの平面上において移動可能であり、
　該レーザ照射手段は、該ステージとともに回転する該被検物体の欠陥等に対して該観察光学軸の周りの複数の異なる角度で、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を所定の割合で含むレーザ光を該被検物体に照射し、
　該観察手段は、該被検物体からの散乱光の強度と、該散乱光に対応する該角度の値とに基づき、該被検物体内部または表面の欠陥等の形状情報を得ることを特徴とする欠陥評価装置。」と補正された。
　
　上記補正は、補正前の「被検物体」について、「観察光学軸を中心に回転可能なステージの平面上において移動可能である」と限定するとともに、これに合わせて、補正前に「レーザ照射手段は、該被検物体に対して」とあったのを、「レーザ照射手段は、該ステージとともに回転する該被検物体の欠陥等に対して」としたものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号（特許請求の範囲の限縮）に掲げる事項を目的とするものに該当し、出願当初の明細書又は図面に記載した事項の範囲内でするものである。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２−２　刊行物
　
２−２−１　刊行物１
　原査定の拒絶の理由（平成１５年７月２２日付けの拒絶理由通知）で引用された特開昭６３−１２４９４２号公報（以下「刊行物１」という。）には、「半導体スライスの表面性状を測定するための方法と装置」に関し、以下の事項が記載・図示されている。
　
「実施例１
　この検査を第１図に説明した装置内で実施した。被検半導体スライスはＸＹ方向に・・・移動可能かつ回転可能なサンプルキャリアの真空チャック上にその都度真空ピンセットで載せ、配向のために用いるスライスの切り口が常に同じ方向であるように注意した。・・・ヘリウム−ネオンレーザー光源からのビーム・・・を法線に対して約５５°の角度でスライス上に照射し・・・約３０光パルス／秒の序列にする。スライス表面の照射部分はほぼ円形であり、約０．５ｎｍの直径を有した。・・・検査部分から法線を中心とする約２０°の夾角を有する円錐内に照射される拡散散乱光を適当な収束レンズによって光電子増倍管の測定表面に案内した。約３０パルス／秒の序列を含むシグナルを・・・Ｘ−Ｙプロッターによって記録し、各場合に測定した散乱光強度とスライス表面上の検査部分との間の相関関係を比較できるようにした。
　各測定操作では・・・約１０ｃｍの直径を有する研磨したケイ素スライスをサンプルキャリア上に置き、入射レーザービームがスライスの中心に衝突するような位置に案内した。次にスライスを３６０°回転させ、これを行いながら、対応する測定曲線も記録した。次にスライスを載せたサンプルキャリアを入射ビームに対して垂直に約５ｍｍ移動させ、３６０°回転させ、この測定曲線も記録した。次に・・・同じ方向にさらに約１０ｍｍ移動させ・・・測定曲線を記録した。この操作をスライスの縁に達するまで、さらに３回くり返した。典型的な測定曲線を第２図に示す。
　・・・走査した光線の強度をスライスが３６０°回転する場合の回転角度の関数としてプロットする６本の測定曲線は６種類の検査部分と相関する。この場合に、細い平行線を引いた曲線部分はスライス表面に粒子が存在することを示唆する。
　さらに・・・研磨スライスの散乱力が互いに９０°の角度内にある極端な値の間で変動することが明らかに認められる。このことから、このスライスが最適条件下で研磨されたものではなく、表面性状が不充分であることが結論される。」（５頁右下欄７行〜６頁右上欄１４行）
　
２−２−２　刊行物２
　平成１６年１１月１８日付け前置報告書で新たに引用された特開平８−１８９８９６号公報（以下「刊行物２」という。）には、「表面異物検査装置及びそれを用いた表面異物分類方法」に関し、以下の事項が記載・図示されている。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造においてＬＳＩのウエハー表面等、被検査物の表面上の異物の有無等の検査を自動的に行う表面異物検査装置及びその異物を分類する方法に関するものである。」
　
「【００３９】【実施例】・・・
（装置の実施例１）図１は本発明の実施例１に係る表面異物検査装置を概略的に示す。・・・１個の受光器１３が入射レーザ光軸の回りに対称に回転しながら散乱光１０を検出する・・・。Ａｒレーザ発振器３・・・からなる入射光学系と、ウエハー２を互いに直交するＸ方向及びＹ方向の２方向に走査するためのＸ−Ｙステージ１・・・は従来例と同様・・・Ｘ−Ｙステージ制御系１５はＸ−Ｙステージ１をＸ方向に走査させながら一定のピッチでＹ方向に送り・・・ウエハー２の全面に入射レーザ光４を照射可能なように駆動できる機能を有する。
　【００４０】・・・入射光学系では、Ａｒレーザ発振器３で発振したＡｒレーザ光が・・・ウエハー２の表面上にその垂直上方から入射レーザ光４・・・にできる機能を持つ。
　【００４１】受光系は従来例と異なり、ウエハー２の表面（Ｘ−Ｙステージ１の面）に対し所定の角度α（例えばα＝３０°）で傾斜配置されて異物９からの散乱光１０を受光する受光器１３と、受光した光を増倍して電気信号に変換する光電子増倍管１４との他に（受光器１３及び光電子増倍管１４で本発明の受光手段が構成される）、受光器１３を前記入射レーザ光４の軸の回りに初期位置Ａ（θ＝０°）から回転角θ＝０°〜３６０°の範囲を回転できる機構を・・・を備えてなる。・・・
　【００４３】これに対し、ウエハー２表面上に、異物９が存在すると、入射レーザ光４は異物９で散乱され、受光器１３は、入射レーザ光軸の回りに、初期位置Ａ（θ＝０°）からθ＝３６０°の範囲まで回転しながら、それぞれの受光器位置（θ）に対応した異物９からの散乱光を受光する。・・・受光された散乱光は・・・各々の受光器１３の位置での散乱光の強度に応じた電圧に変換されて電気信号１８として信号処理される。・・・」
　
「【００４４】（装置の実施例２）図２は本発明の実施例２を示し・・・Ｘ−Ｙステージ１を入射レーザ光軸の回りに回転させるようにしたもの・・・
　【００４５】この実施例では、Ｘ−Ｙステージ１を入射レーザ光軸の回りに３６０°回転させるための回転基盤５１・・・が設けられている。
　【００４６】そして、本実施例では、回転基盤５１をＸ−Ｙステージ１及びウエハー２と共に回転角δ＝０°からδ＝３６０°まで連続的に回転させながら、異物からの散乱光１０による電気信号１８を検出するようにしている。・・・」
　
「【００５７】前記異物が存在すると判定されたとき、散乱光１０の強度分布関数を測定するステップに移る。ウエハー２表面からの傾角αがα＝３０°においた受光器１３は、入射レーザ光４の光軸の回りを受光器初期位置Ａ（θ＝０°）からθ＝３６０°まで回転し、異物９からの散乱光１０を受光してそれを光電子増倍管１４で増倍し、異物９の回りの散乱光の強度分布を電気信号１８（Ｖ（θ））に変換する・・・。
　【００５８】前記異物９の散乱光による電気信号１８に対し、異物位置座標（Ｘ，Ｙ）と、受光器１３の入射レーザ光軸回りの位置（θ）と、その位置に対応した電圧Ｖ（θ) とで表される。この電気信号１８は、異物９の異物位置座標（Ｘ，Ｙ）と共に信号処理部３１に送られ、異物粒径を算出するステップである電気信号の並べ換えと・・・異物分類するステップである電気信号の規格化・・・と、類似度Ｒの算出・・・とを行う。」
　
２−３　対比・判断
　
２−３−１　刊行物１に記載のものとの対比・判断
　
　刊行物１に記載のものは、レーザ光源からのビームを被検半導体スライスにその法線に対して約５５°の角度で照射し、該スライス表面からの拡散散乱光の強度を測定することにより、スライス表面上の粒子の存在や研磨状態を評価するものであるから、本願補正発明と同様の『被検物体にレーザ光を斜めに照射するレーザ照射手段と、該被検物体内部または表面からの散乱光を観察する観察手段とを有する欠陥評価装置』に属し、
　刊行物１に記載の「サンプルキャリア」は、その回転軸を観察光学軸と一致させて回転させることもできるから、本願補正発明における『該被検物体は観察光学軸を中心に回転可能なステージ』に相当するということができ、被検半導体スライスは、サンプルキャリア上に真空ピンセットを用いて載せられるものであるから、『ステージ（サンプルキャリア）の平面上において移動可能』でなければならず、
　刊行物１に記載のものにおいて、そのスライス中心にレーザ光を照射しつつサンプルキャリア上に置かれた被検半導体スライスを３６０°回転させる態様は、本願補正発明における『レーザ照射手段』が『ステージとともに回転する被検物体の欠陥等に対して観察光学軸の周りの複数の異なる角度でレーザ光を該被検物体に照射』するのに相当し、
　刊行物１に記載のものにおいて、散乱光の強度をスライスが３６０°回転する場合の回転角度の関数として得られる測定曲線から、該スライス表面の欠陥等の形状情報を当業者が見てとることができることは自明であるから、刊行物１に記載のものは、本願補正発明と同様、『被検物体からの散乱光の強度と、該散乱光に対応する角度の値とに基づき、該被検物体内部または表面の欠陥等の形状情報を得ること』ができるものである。
　
　そうすると、本願補正発明と刊行物１に記載のものとは、
　
（一致点）　
「被検物体にレーザ光を斜めに照射するレーザ照射手段と、
　該被検物体内部または表面からの散乱光を観察する観察手段とを有する欠陥評価装置において、
　該被検物体は観察光学軸を中心に回転可能なステージの平面上において移動可能であり、
　該レーザ照射手段は、該ステージとともに回転する該被検物体の欠陥等に対して該観察光学軸の周りの複数の異なる角度でレーザ光を該被検物体に照射し、
　該観察手段は、該被検物体からの散乱光の強度と、該散乱光に対応する該角度の値とに基づき、該被検物体内部または表面の欠陥等の形状情報を得ることを特徴とする欠陥評価装置。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
＜相違点１―１＞
　本願補正発明において照射する「レーザ光」は『ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を所定の割合で含む』のに対し、刊行物１に記載のものにおいて照射する「レーザ光」の偏光状態は明らかでない点。
　
　上記＜相違点１−１＞について検討する。
　一般に、レーザ光照射により半導体スライス等の欠陥を知るという手法を用いる際、得られる欠陥状態に関する情報の質を高めるためにレーザ光の振動数や偏光状態を適宜選択することは周知であり（例えば、刊行物１の３頁左上欄下から３行〜右上欄１６行を参照。）、レーザ光として、Ｐ偏光およびＳ偏光成分を照射することも周知であるから（例えば、上記拒絶理由に引用された特開昭６２−２２３６５０号公報〔２頁右上欄４〜１５行〕、特開平６−２８１５８９号公報〔【００１５】段〕を参照。）、刊行物１に記載のものにおいて、照射する「レーザ光」を『ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を所定の割合で含む』ものとすることは、知りたい欠陥等が当該被検査対象のどこに生じ得るのかなどの点を考慮して、当業者が適宜に選択し得ることにすぎない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
２−３−２　刊行物２に記載のものとの対比・判断
　
　刊行物２に記載のものは、ウエハー２（本願補正発明の『被検物体』に相当）上に照射したウエハー２表面上の異物からの散乱光を受光して異物の粒径等を求めるものであるから、本願補正発明における『被検物体にレーザ光を照射するレーザ照射手段と、該被検物体内部または表面からの散乱光を観察する観察手段とを有する欠陥評価装置』に相当し、
　刊行物２に記載のウエハー２は、回転基盤５１（本願補正発明の『ステージ』に相当）により、Ｘ−Ｙステージ１を介して、入射レーザ光軸の回りに３６０°回転されるから、本願補正発明の『被検物体』が『回転可能なステージの平面上において移動可能』であるのに相当し、
　刊行物２に記載のものは、回転基盤５１とともに回転するウエハー２に対してレーザ光を照射するものであるから、本願補正発明の『レーザ照射手段』が『ステージとともに回転する被検物体の欠陥等に対してレーザ光を該被検物体に照射』するものであるのに相当し、　
　刊行物２に記載のものは、それぞれの受光器位置θに対応したウエハー２の表面上の異物９からの散乱光の強度に応じた電気信号１８に変換し、異物粒径の算出に用いるものであるから、本願補正発明で『被検物体からの散乱光の強度と、該散乱光に対応する角度の値とに基づき、該被検物体内部または表面の欠陥等の形状情報』を得るようにしているのに相当する。
　
　そうすると、本願補正発明と刊行物２に記載のものとは、
　
（一致点）
「被検物体にレーザ光を照射するレーザ照射手段と、
　該被検物体内部または表面からの散乱光を観察する観察手段とを有する欠陥評価装置において、
　該被検物体は回転可能なステージの平面上において移動可能であり、
　該レーザ照射手段は、該ステージとともに回転する該被検物体の欠陥等に対してレーザ光を該被検物体に照射し、
　該観察手段は、該被検物体からの散乱光の強度と、該散乱光に対応する該角度の値とに基づき、該被検物体内部または表面の欠陥等の形状情報を得ることを特徴とする欠陥評価装置。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
＜相違点２−１＞
　被検物体からの散乱光の強度と、該散乱光に対応する角度の値とに基づき、該被検物体表面の欠陥等の形状情報を得るために、本願補正発明の「レーザ照射手段」は『観察光学軸の周りの複数の異なる角度で、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を所定の割合で含むレーザ光を照射』するものであるのに対し、刊行物２に記載のものでは、被検物体の垂直上方からレーザ光を被検物体に照射するものである点。
　
　上記＜相違点２−１＞について検討する。
　上記刊行物１には、被検物体からの散乱光の強度と、該散乱光に対応する角度の値とに基づき、該被検物体表面の欠陥等の形状情報を得るために、観察光学軸の周りの複数の異なる角度から、レーザ光を照射することが記載されているから、同様に、被検物体からの散乱光強度と該散乱光に対応する角度の値とに基づき被検物体の欠陥等の形状情報を得る刊行物２に記載のものに、刊行物１に記載の技術を適用し、「レーザ照射手段」を『観察光学軸の周りの複数の異なる角度で、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を所定の割合で含むレーザ光を照射』するものとすることは、当業者が容易に想到し得ることであり、その際、レーザ光として「ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を所定の割合で含む」ものを用いることは、上記＜相違点１−１＞で検討したのと同様の理由により、当業者が適宜に選択し得ることである。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１及び２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
２−４　むすび
　以上のとおり、本件補正は、２−３−１の理由からも２−３−２の理由からも平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　平成１６年８月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１５年９月２６日付けの手続補正書によって補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「被検物体にレーザ光を斜めに照射するレーザ照射手段と、
　該被検物体内部または表面からの散乱光を観察する観察手段とを有する欠陥評価装置において、
　該レーザ照射手段は、該被検物体に対して観察光学軸の周りの複数の異なる角度で、ｐ偏光成分およびｓ偏光成分を所定の割合で含むレーザ光を該被検物体に照射し、
　該観察手段は、該被検物体からの散乱光の強度と、該散乱光に対応する該角度の値とに基づき、該被検物体内部または表面の欠陥等の形状情報を得ることを特徴とする欠陥評価装置。」
　
３−１　刊行物１
　上記原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１の記載事項は、前記「２−２−１」に記載したとおりである。
　
３−２　対比・判断
　本願発明は、前記「２−１」で認定した本願補正発明から、「被検物体」が「観察光学軸を中心に回転可能なステージの平面上において移動可能である」との限定を省くとともに、「ステージとともに回転する該被検物体の欠陥等」を『被検物体』と上位概念化したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２−３−１」に記載したとおり、上記刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、そうである以上、本願の他の請求項に係る発明についての検討・判断を示すまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。