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　平成１０年特許願第２０３９３５号「サーマルヘッドの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月　２日出願公開、特開２０００−　３３７２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年７月１７日の出願であって、その請求項１乃至請求項９に係る発明は、平成１４年１０月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年１１月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされると共に、同年１２月２４日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年１２月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１４年１２月２４日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
　（１）平成１４年１２月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第１項第３号の規定に基づく明細書の補正であって、特許請求の範囲を補正する補正を含むものである。
　そして、この補正は、補正前の、
「【請求項１】発熱素子及び電極上に少なくとも１層からなる下層保護膜を形成し、この下層保護膜上に少なくとも１層からなる中間保護膜を形成し、この中間保護膜上に少なくとも１層からなるカーボンを主成分とする上層保護膜を形成するに際し、少なくとも前記中間保護膜を形成する前の前記下層保護膜の表面にイオン照射処理を行うことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項２】前記下層保護膜はＳｉ系窒化物を主成分とする化合物からなり、前記イオン照射処理は不活性ガスと窒素を含むガスをプラズマ化し、このプラズマ中のイオンを照射する請求項１に記載のサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項３】前記中間保護膜は、周期律表４Ａ，５Ａ，６Ａ族の金属、Ｓｉ，Ｇｅからなる群れより選択される少なくとも１種を主成分とする金属、合金からなり、前記イオン照射処理は不活性ガスをプラズマ化し、このプラズマ中のイオンを照射する請求項１または２に記載のサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項４】発熱素子及び電極上に少なくとも１層からなる下層保護膜を形成し、この下層保護膜上に少なくとも１層からなる中間保護膜を形成し、この中間保護膜上に少なくとも１層からなるカーボンを主成分とする上層保護膜を形成するに際し、前記中間保護膜を形成する前の前記下層保護膜の表面にラッピングテープを押し当て、前記下層保護膜の表面を研磨した後、中間保護膜の成膜に引き続いて、真空排気を継続しながら、イオン照射並びに上層保護膜の成膜を行うことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項５】前記表面研磨を行う際に、ラッピングテープの搬送速度を０．１−５０ｍ／ｓｅｃとする請求項４に記載のサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項６】前記表面研磨を行う際に、ラッピングテープの押し付け圧を０．０５−１０ｇ／ｍｍ２とする請求項４に記載のサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項７】前記表面研磨を行う際に、サーマルヘッドを１０−１００Ｈｚで振動させる請求項４に記載のサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項８】発熱素子及び電極上に少なくとも１層からなる下層保護膜を形成し、この下層保護膜上に少なくとも１層からなる中間保護膜を形成し、この中間保護膜上に少なくとも１層からなるカーボンを主成分とする上層保護膜を形成するに際し、前記中間保護膜を形成する前の前記下層保護膜の表面に粘着テープを貼り付け、この粘着テープを剥がした後、中間保護膜の成膜に引き続いて、真空排気を継続しながら、イオン照射並びに上層保護膜の成膜を行うことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項９】発熱素子及び電極上に少なくとも１層からなる下層保護膜を形成し、この下層保護膜上に少なくとも１層からなる中間保護膜を形成し、この中間保護膜上に少なくとも１層からなるカーボンを主成分とする上層保護膜を形成するに際し、前記中間保護膜を形成する前の前記下層保護膜を真空中で加熱処理した後、中間保護膜の成膜に引き続いて、真空排気を継続しながら、イオン照射並びに上層保護膜の成膜を行うことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」から、
「【請求項１】発熱素子及び電極上に少なくとも１層からなる下層保護膜を形成し、この下層保護膜上に少なくとも１層からなる中間保護膜を形成し、この中間保護膜上に少なくとも１層からなるカーボンを主成分とする上層保護膜を形成するに際し、前記中間保護膜を形成する前の前記下層保護膜の表面にラッピングテープを押し当て、前記下層保護膜の表面を研磨した後、この研磨後の下層保護膜の表面にさらにイオン照射処理を行い、その後、中間保護膜の成膜に引き続いて、真空排気を継続しながら、イオン照射並びに上層保護膜の成膜を行うことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項２】前記表面研磨を行う際に、ラッピングテープの搬送速度を０．１−５０ｍ／ｓｅｃとする請求項１に記載のサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項３】前記表面研磨を行う際に、ラッピングテープの押し付け圧を０．０５−１０ｇ／ｍｍ２とする請求項１または２に記載のサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項４】前記表面研磨を行う際に、サーマルヘッドを１０−１００Ｈｚで振動させる請求項１〜３のいずれか１項に記載のサーマルヘッドの製造方法。
　【請求項５】前記下層保護膜はＳｉ系窒化物を主成分とする化合物からなり、この下層保護膜への前記イオン照射処理は不活性ガスと窒素を含むガスをプラズマ化し、このプラズマ中のイオンを照射する請求項１〜４のいずれか１項に記載のサーマルヘッドの製造方法。」と、補正しようとするものである。
　
　しかしながら、本件補正による請求項３は請求項１または請求項２を引用する形式で記載されているが、本件補正による請求項３は補正前の請求項６に対応するものであり、補正前では単に請求項４（本件補正による請求項１に対応）を引用するだけで、請求項５（本件補正による請求項２に一応対応）は引用していない。
　同様に、本件補正による請求項４は請求項１または請求項２または請求項３を引用する形式で記載されているが、本件補正による請求項４は補正前の請求項７に対応するものであり、補正前では単に請求項４（本件補正による請求項１に対応）を引用するだけで、請求項５（本件補正による請求項２に一応対応）または請求項６（本件補正による請求項３に一応対応）は引用していない。
　また、本件補正による請求項５は請求項１または請求項２または請求項３または請求項４を引用する形式で記載されているが、本件補正による請求項５は補正前の請求項２に対応するものであり、補正前では単に請求項１（本件補正による請求項１に対応）を引用するだけで、請求項５（本件補正による請求項２に一応対応）または請求項６（本件補正による請求項３に一応対応）または請求項７（本件補正による請求項４に一応対応）は引用していない。
　してみると、特許請求の範囲についてする本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。さらに、誤記の訂正、あるいは明りょうでない記載の釈明を目的とするものとも認められない。
　それ故、本件補正の特許請求の範囲についてする補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる事項のいずれを目的とするものとも認められない。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項により読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定によって却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年１２月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至請求項９に係る発明のうち、請求項１に係る発明は、平成１４年３月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される下記のとおりのものである。
　「発熱素子及び電極上に少なくとも１層からなる下層保護膜を形成し、この下層保護膜上に少なくとも１層からなる中間保護膜を形成し、この中間保護膜上に少なくとも１層からなるカーボンを主成分とする上層保護膜を形成するに際し、少なくとも前記中間保護膜を形成する前の前記下層保護膜の表面にイオン照射処理を行うことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
４．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由として引用された特開平１０−３４９８９号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平５−５７９３７号公報（以下、「引用例２」という。）には、それぞれ図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
　（引用例１）
　ａ．「熱記録を行うための発熱抵抗体及び導体電極を積層した基板と、前記発熱抵抗体及び前記導体電極を覆うように積層された保護層とを含むサーマルヘッドにおいて、前記保護層は、炭素系材料からなる層及び該層に積層された炭素からなる硬質の最外層を有することを特徴とするサーマルヘッド。」（特許請求の範囲、請求項１）。
　ｂ．「こうして形成された発熱抵抗層及びリードパターン上には、保護層１０６が積層されている。保護層１０６は、厚さ約２μｍのＳｉＯ２膜１０６ａ、厚さ約２μｍのＳｉＣ膜１０６ｂ及び厚さ約２μｍの硬質カーボン膜１０６ｃからなる。ＳｉＯ２膜１０６ａは、発熱抵抗層の酸化防止のために設けられているもので、スパッタリングにより形成される。続いてＳｉＣ膜１０６ｂも同様にスパッタリングにより形成され、最後に硬質カーボン膜１０６ｃがイオンプレーティングにより形成される。」（段落【００１０】）。
　ｃ．「ＳｉＣ膜１０６ｂを設けることで、その上に形成する硬質カーボン膜１０６ｃに発生する応力が緩和されて硬質カーボン膜１０６ｃの剥離が防止されるとともに、硬質カーボン膜にダイヤモンドライク構造が形成し易くなるといった作用を奏する。」（段落【００１１】）。
　ｄ．「【発明の効果】以上の説明から明らかなように、保護層が炭素系材料からなる層及び該層に積層された炭素からなる硬質の最外層を有することにより、本発明のサーマルヘッドは、表面硬度が大きく剥離等が発生しない信頼性の優れたものとなった。」（段落【００１３】）。
　
　（引用例２）
　ａ．「絶縁性基板上にグレーズ層と発熱抵抗体層と電極層と保護層とを順次形成するサーマルヘッドの製造方法において、電極層を形成した後に、少なくとも解離しやすい気体成分を含む気体を用いて、保護層形成領域をスパッタリングしてエッチングを行う工程を設け、当該工程終了後に保護層の形成を行うようにしたことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」（特許請求の範囲、請求項１）。
　ｂ．「工程ａ４では、この製造段階の絶縁基板２において、発熱抵抗体層４や電極５，６の表面における後述する保護膜８が形成される保護膜形成領域に、保護膜形成に先立って、スパッタリングによる表面のエッチングを行う。本実施例のエッチングに使用するガスはたとえば窒素ガスＮ２を５％含有したアルゴンＡｒガスを用い、５ｍｔｏｒｒのガス圧の下でスパッタリング装置内に収納されたサーマルヘッド１の絶縁基板２を保持する保持具に高周波電力を印加し、前記保持具を負極に設定することにより、エッチングを行う。このとき、高周波電力によってアルゴンＡｒガスはアルゴンイオンＡｒ＋に電離され、前記発熱抵抗体層４および電極５，６の表面に衝突し、エッチングが施される。」（段落【００１６】）。
　ｃ．「これにより、前記保護膜形成領域における表面の汚れや酸化物層が除去され、表面が清浄化される。」（段落【００１７】）。
　
４．対比・判断
　引用例１の上記記載ａ〜ｄを含む引用例１の明細書及び図面によると、引用例１には、次の発明が記載されている。
　「熱記録を行うための発熱抵抗体１０３及び導体電極を積層した基板１０１と、前記発熱抵抗体１０３及び前記導体電極を覆うように積層された保護層１０６とを含むサーマルヘッドの製造方法であって、前記保護層１０６は、第１の層としてＳｉＯ２膜１０６ａをスパッタリングにより形成し、第１の層の上に第２の層としてＳｉＣ膜１０６ｂをスパッタリングにより形成し、及び第２の層の上に第３の層として硬質カーボン膜１０６ｃをイオンプレーティングにより形成して成るサーマルヘッドの製造方法。」（以下、「引用例１発明」という。）
　
　そこで、本願発明と引用例１発明とを比較する。
　引用例１発明の「発熱抵抗体１０３」、「導体電極」は、本願発明の「発熱素子」、「電極」にそれぞれ相当する。
　本願発明における「下層保護膜」、「中間保護膜」、及び「上層保護膜」を形成する方法は、「下層保護膜２０の形成方法には特に限定はなく」（段落【００１８】）、「中間保護膜（以下、中間膜という）」（段落【００１５】）、「中間膜２２の形成方法には特に限定はなく」【００２２】）、及び「カーボン保護膜２４の成膜方法には特に限定はなく」（段落【００２５】）という記載、並びに、本件明細書においてはカーボンを主成分とする上層保護膜を、主としてカーボン保護膜２４として記載されていることに照らせば、引用例１発明の「第１の層としてＳｉＯ２膜１０６ａをスパッタリングにより形成し、第１の層の上に第２の層としてＳｉＣ膜１０６ｂをスパッタリングにより形成し、及び第２の層の上に第３の層として硬質カーボン膜１０６ｃをイオンプレーティングにより形成して成るサーマルヘッドの製造方法」における「スパッタリング」や「イオンプレーティング」を包含するものである。
　そうすると、引用例１発明の「第１の層としてＳｉＯ２膜１０６ａをスパッタリングにより形成し」は、本願発明の「下層保護膜」を形成する方法に相当し、引用例１発明の「第１の層の上に第２の層としてＳｉＣ膜１０６ｂをスパッタリングにより形成し」は、本願発明の「中間保護膜」を形成する方法に相当し、引用例１発明の「第２の層の上に第３の層として硬質カーボン膜１０６ｃをイオンプレーティングにより形成し」は、本願発明の「上層保護膜」を形成する方法に相当する。
　
　そうすると、双方の発明は、
「発熱素子及び電極上に少なくとも１層からなる下層保護膜を形成し、この下層保護膜上に少なくとも１層からなる中間保護膜を形成し、この中間保護膜上に少なくとも１層からなるカーボンを主成分とする上層保護膜を形成するものであるサーマルヘッドの製造方法。」である点で一致し、次の点において相違する。
　
　相違点：本願発明が、少なくとも中間保護膜を形成する前の下層保護膜の表面にイオン照射処理を行うとしているのに対して、引用例１発明は、そのように規定しているものではない点。
　
　この相違点について検討する。
  積層する膜間の密着性を高めるために、密着の対象となる膜の表面にイオン照射処理を行うことは、周知である（例えば、引用例２、特開平８−２６３８８３号公報、特開平５−２８１４０１号公報等参照。）。
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであり、本願発明が特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶を免れない。
　よって、結論の通り審決する。