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　平成１１年特許願第２４０１９１号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月２１日出願公開、特開２０００−　８２８２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成７年８月４日（優先権主張　平成７年７月３日）に出願した特願平７−１９９９８０号の一部を平成１１年８月２６日に新たな特許出願としたものであって、平成１３年１月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１３年２月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、平成１３年２月１４日付けの手続補正は平成１６年６月１４日付けで補正却下され、さらに、平成１６年６月２８日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、その指定期間内の平成１６年８月２４日に意見書が提出されると共に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年８月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について補正するとともに、発明の詳細な説明を補正するものであって、その特許請求の範囲の請求項２ないし６については何ら補正することなく、その請求項１について以下のとおり補正するものである。
　「【請求項１】　基板上に非晶質シリコン膜を形成する第１の工程と、
　シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、ソース／ドレイン領域としての不純物領域を形成する第３の工程と、　
　前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する第４の工程と、を含み、
　前記第３の工程よりも前に、金属を含むゲート電極を形成する工程を更に備え、
　前記第４の工程は、一対のランプを相対向させた状態で、この一対のランプ間に前記基板を搬送することを特徴とした半導体装置の製造方法。」
　
　（２）本件補正についての検討
　（２−１）新規事項の有無及び補正の目的の適否について
　本件補正は、特許請求の範囲について、請求項１を補正し、発明の詳細な説明の段落【００１８】を補正するものである。
　請求項１に係る発明の補正は、補正前の請求項１に記載された、発明を特定するために必要と認める事項である「前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する第４の工程」について、「前記第４の工程は、一対のランプを相対向させた状態で、この一対のランプ間に前記基板を搬送する」なる技術的限定を付加し（補正事項１）、「前記第３の工程よりも前に、金属を含むゲート電極を形成する工程を」の後の「行う」を「更に備え、」と補正し（補正事項２）、さらに、発明の詳細な説明についての補正は、発明の詳細な説明の段落【００１８】を請求項１の補正に整合するように補正する（補正事項３）ものである。
　
　補正事項１について
　補正事項１は、補正前の請求項１の発明を特定するために必要と認める事項である「前記不純物領域を、ランプを熱源として加熱することにより活性化する第４の工程」を技術的に限定するものであって、且つ、「前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する」ために、「一対のランプを相対向させた状態で、この一対のランプ間に前記基板を搬送すること」は、本願の願書に最初に添付した明細書の「図３０において、１０５はシート状のアニール光を発する光源であり、キセノン（Ｘｅ）アークランプ１０６とそれを包む反射鏡１０７を１組として、これを上下に相対向させることにより構成している。」（００４８段落）なる記載を含む、００４８段落ないし００５４段落及び図３０の記載からみて、特許法第１７条の２第３項に規定する願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものであって、かつ、同法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　補正事項２について
　補正事項２は、補正事項１を補正前の請求項１に追加するために、「前記第３の工程よりも前に、金属を含むゲート電極を形成する工程を」の後の「行う」を「更に備え、」と補正するものであって、明りょうでない記載の釈明に該当し、また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものであることは明らかであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　補正事項３について
　補正事項３は、特許請求の範囲の請求項１の補正に伴って、明細書の００１８段落の記載を請求項１の記載と整合するように補正するものであって、明りょうでない記載の釈明に該当し、また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものであることは明らかであるので、特許法第１７条の２第４項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　　
　（２−２）独立特許要件について
　（２−２−１）本件補正後の発明
　本件補正後のその請求項１ないし６に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は以下のとおりである。
  「【請求項１】基板上に非晶質シリコン膜を形成する第１の工程と、
　シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、ソース／ドレイン領域としての不純物領域を形成する第３の工程と、　
　前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する第４の工程と、を含み、
　前記第３の工程よりも前に、金属を含むゲート電極を形成する工程を更に備え、
　前記第４の工程は、一対のランプを相対向させた状態で、この一対のランプ間に前記基板を搬送することを特徴とした半導体装置の製造方法。」
　
　（２−２−２）刊行物に記載された事項
　平成１６年６月２８日付けの当審での拒絶理由通知に引用された引用例１ないし５（以下、「刊行物１」ないし「刊行物５」という。）に記載された事項は以下のとおりである。
　刊行物１．特開平６−２６７９８２号公報
　刊行物１には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１０】
【問題を解決するための手段】本発明は、レーザーもしくはフラッシュランプ等の強力な光源より発せられる光エネルギーを上面より不純物領域に照射してこれを活性化せしめる際に、不純物領域のみでなくそれに隣接する活性領域の一部、特に不純物領域と活性領域の境界部分にも光エネルギーを照射するものであり、・・・」（００１０段落）
「【００１４】さらに、本発明において用いられる光エネルギーの源泉（ソース）としては、ＫｒＦレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザー（３０８ｎｍ）、ＡｒＦレーザー（１９３ｎｍ）、ＸｅＦレーザー（３５３ｎｍ）等のエキシマーレーザーや、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー（１０６４ｎｍ）およびその第２、第３、第４高調波、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレーザー、銅蒸気レーザー等のコヒーレント光源、およびキセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源が適している。」（００１４段落）
「【００１７】
【実施例】
〔実施例１〕　図１に本実施例を示す。本実施例は絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成するものである。基板１０１は、ガラス基板で、例えば、コーニング７０５９等の無アルカリガラス基板や石英基板等を使用できる。・・
【００１８】次いで、アモルファスシリコン膜を堆積し、これを島状にパターニングした。アモルファスシリコン膜の堆積方法としてはプラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法が用いられる。・・・このアモルファスシリコン膜の厚さは２００〜７００Åとした。そして、これにレーザー光（ＫｒＦレーザー、波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射した。・・・この結果、アモルファスシリコン膜は結晶化し、結晶性シリコン膜となった。・・・　
【００１９】・・・陽極酸化可能な材料、例えば、アルミニウム、タンタル、チタン等の金属、シリコン等の半導体、窒化タンタル、窒化チタン等の導電性金属窒化物を用いてゲイト電極１０５を形成した。・・・　
【００２０】その後、ゲイト電極を陽極酸化し、その表面に厚さ１５００〜２５００Åの陽極酸化物（第１の陽極酸化物）１０６を形成した。・・・さらに、プラズマドーピング法によって、ボロン（Ｂ）もしくは燐（Ｐ）のイオンを照射して不純物領域１０７を形成した。・・・　
【００２１】・・・その結果、図１（Ｃ）に示すように不純物領域１０７とそれにはさまれた活性領域の境界（ｘと指示）が現れた。そして、このような状態でレーザー照射によって不純物領域の活性化をおこなった。・・・」（００１７段落〜００２１段落）
　
　ここで、不純物領域の活性化のためにレーザー照射することが記載されるとともに（００２１段落参照）、光エネルギーの源泉として、「レーザー等のコヒーレント光源、およびキセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源が適している。」と記載されているので（００１４段落参照）、結晶性シリコン膜に形成した不純物領域の不純物の活性化のために、レーザー光源のみでなく、「キセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源」を用いることも実質的に記載されている。
　
　よって、刊行物１には、
　「基板上にアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、
　前記アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射することにより、前記アモルファスシリコン膜を結晶化し、結晶性シリコン膜とする工程と、
　金属、半導体、導電性金属窒化物を用いたゲイト電極を形成する工程と、
　その後、前記結晶性シリコン膜にイオンを照射して不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域の活性化のために、キセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源を熱源として加熱する工程と
を備えたことを特徴とするＭＩＳ型半導体装置の製造方法。」
が記載されている。
　
　刊行物２．特開平３−２８６５１８号公報
　刊行物２には、以下の事項が記載されている。
　「（１）基板上に半導体薄膜を堆積し、この半導体薄膜に高出力エネルギービームを連続的に照射し、上記薄膜の結晶粒径拡大若しくは単結晶化をはかる半導体薄膜結晶層の製造方法において、上記ビームの形状を板状に変形して、ビームを走査すると同時に半導体薄膜にビームを照射することを特徴とする半導体薄膜結晶層の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
　
　刊行物３．特開平６−２６０５０２号公報
　刊行物３には、以下の事項が記載されている。
「【００１４】まず、図１８（ｂ）のようにガラス基板ＧＬＳ上に減圧化学気相成長法で非晶質シリコン薄膜ＳＬＲを形成し、図１８（ｃ）のように１回目のＫｒＦエキシマレーザＦＬＳを２７０ｍＪｃｍ-2の強度で、図１７の方法で照射して多結晶シリコンＦＰＬを形成し、次に図１８（ｄ）に示すように２回目のＫｒＦエキシマレーザＳＬＳを４５０ｍＪｃｍ-2の強度で照射して１回目に形成した多結晶シリコン薄膜ＦＰＬよりも大きな粒径の多結晶シリコン薄膜ＳＰＬになる。」（００１４段落）
「【００１８】
【課題を解決するための手段】１枚の基板上に、表示領域の素子を駆動する駆動回路を内蔵するアクティブマトリクス基板を複数個製造する工程において、基板上にシリコン薄膜を形成する工程と、シリコン薄膜のパターニング前、あるいはパターニング後にエネルギービームの照射領域と非照射領域の境界が駆動回路と表示領域に掛からないように、一枚の基板上の個々のアクティブマトリクス基板の駆動回路と表示領域の全領域、あるいは表示領域、駆動回路形成領域の各領域を一括してエネルギービームを照射することによりシリコン薄膜を結晶化する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。」（００１８段落）
「【００２３】モノシランガスを反応ガスに用いた減圧化学気相成長法の基板温度５５０℃でシリコン薄膜ＳＬＲが形成された場合には、１８０ｍＪｃｍ-2から２７０ｍＪｃｍ-2の強度で真空中あるいは不活性ガス雰囲気、大気中でＸｅＣｌエキシマレーザＬＳＲを照射すればよく、この結果、シリコン薄膜ＳＬＲは、粒径が２００ｎｍ〜５００ｎｍの結晶で構成された多結晶シリコン薄膜になる。シリコン薄膜の結晶化に用いるレーザはＸｅＣｌエキシマレーザばかりでなく、ＡｒＦ、ＫｒＦ、Ｆ2エキシマレーザやＹＡＧレーザでもよい。凸レンズや凹レンズや蒲鉾型のレンズの組み合わせによる光学系にレーザビームを透過することにより、このエキシマレーザビームは強度９５％以上のエネルギー均一性が±５％以下である領域が１８．５ｍｍある空間的なエネルギー分布を持つ。」（００２３段落）
　
　刊行物４．特開平６−９７１０２号公報
　刊行物４には、以下の事項が記載されている。
「【従来の技術】一般に、アモルファスシリコン膜を再結晶化させる一つの手段としてレーザアニールがある。これによると、チャネル層となるＳｉ膜を非晶質状態でガラス基板上に堆積した後、レーザ光を照射してこのＳｉ膜を多結晶に改質することで、電子の移動度を高くすることができる。」（０００２段落）
「【０００４】エキシマレーザでアニールする場合、通常、およそ０.２Ｊ／cm2の強度でレーザ光を照射する必要がある。これに対して、一般に市販されている放電励起のエキシマレーザでは、通常数Ｊ程度までのレーザ出力が得られるため、パルス光１発の照射で、最大数cm角の部分をアニールできる。そのため、数十cm四方の大きさであるＳｉ基板の全面をアニールするためには、パルスごとに照射位置を変えて、複数発レーザ光を照射する必要があった。」（０００４段落）
「【００１３】本発明の目的は以上に説明した問題を解決することにあり、エキシマレーザを用いずに、数十cm四方の大きさのＳｉ基板の全面に対して、レーザ光を１パルス照射するだけで良質なアニールができる方法を提供し、さらに均一な強度分布を有するレーザ光を効率良く発生できる色素レーザを提供することにある。」（００１３段落）　
　
　刊行物５．特開平２−１９４６２６号公報
　刊行物５には、以下の事項が記載されている。
　「半導体薄膜のうちのソース・ドレイン領域とすべき部分に不純物を導入し熱処理を行う薄膜トランジスタの製造方法において、
　短波長アークランプの光線を照射することによって前記熱処理を行う様にした薄膜トランジスタの製造方法。」（特許請求の範囲）
　「本実施例は、ソース・ドレイン領域１５、１６形成用の不純物をイオン注入した後の熱処理を、キセノンアークランプ・・・の光線を照射することによって行う・・・」（第２頁右下欄第１〜５行）　
　
　（２−２−３）対比・判断
　請求項１について
　本件補正により補正された請求項１に係る発明（以下、「補正発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
　
　アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射することにより、アモルファスシリコン膜のアニール（熱処理）ができること、アニール（熱処理）によりアモルファスシリコン膜が結晶化すること及び、アモルファスシリコン膜が単結晶以外の基板上又は薄膜上に形成されている場合には、結晶化により、多結晶シリコン膜となることは、従来周知の技術的事項であり、刊行物発明においても、アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射すると結晶化により多結晶シリコン膜となることは明らかであるので、刊行物発明の「結晶性シリコン膜」は、補正発明１の「多結晶シリコン膜」に相当し、刊行物発明の「前記アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射することにより、前記アモルファスシリコン膜を結晶化し、結晶性シリコン膜とする工程」は、補正発明１の、「レーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する」工程に相当する。
　刊行物発明は、ＭＩＳ型半導体装置に関するものであり、また、刊行物１の図１（Ｂ）を参照すると、不純物領域である１０７がゲイト電極の直下を除いた島状半導体領域１０３に形成されていることから、イオンを照射して形成された不純物領域が、ソース領域及びドレイン領域であることは当業者に明らかであるので、刊行物発明の「不純物領域」は、補正発明１の「ソース／ドレイン領域」に相当する。
　刊行物発明においては、ゲイト電極を形成した後に、不純物領域を形成しているので、刊行物発明の、「ゲイト電極を形成する工程と、その後、前記結晶性シリコン膜にイオンを照射して不純物領域を形成する工程」は、補正発明１の、「前記第３の工程よりも前」に「ゲート電極を形成する工程を行うこと」に相当する。
　刊行物発明の「ＭＩＳ型半導体装置」が、半導体装置のある種のものであることは明らかであるので、刊行物発明の「ＭＩＳ型半導体装置」は、補正発明１の「半導体装置」に相当する。
　
　したがって、刊行物発明の、「アモルファスシリコン膜」、「レーザー光」、「結晶性シリコン膜」、「ゲイト電極」及び、「ＭＩＳ型半導体装置」は、それぞれ
　補正発明１の、「非晶質シリコン膜」、「レーザービーム」、「多結晶シリコン膜」、「ゲート電極」及び、「半導体装置」に相当する。
　
　よって、両者は、
　「基板上に非晶質シリコン膜を形成する第１の工程と、
　レーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、ソース／ドレイン領域としての不純物領域を形成する第３の工程と、　
　前記不純物領域を、ランプを熱源として加熱することにより活性化する第４の工程と、を含み、
　前記第３の工程よりも前に、ゲート電極を形成する工程を行うことを特徴とした半導体装置の製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　補正発明１は、「シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する」工程を備えるのに対し、
　刊行物発明は、「前記アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射することにより、前記アモルファスシリコン膜を結晶化し、結晶性シリコン膜とする工程」を備えているが、「レーザー光」の形状は明らかでない点。
　相違点２
　補正発明１は、「前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する」工程を備えるのに対し、
　刊行物発明は、「前記不純物領域の活性化のために、ランプ光源を熱源として加熱する工程」を備えている点。
　相違点３
　補正発明１は、「金属を含むゲート電極を形成する工程」を備えるのに対し、
　刊行物発明は、「金属、半導体、導電性金属窒化物を用いたゲイト電極を形成する工程」を備えている点。　
　相違点４
　補正発明１は、「前記第４の工程は、一対のランプを相対向させた状態で、この一対のランプ間に前記基板を搬送すること」なる構成を備えるのに対し、
　刊行物発明は、上記工程を備えていない点。
　
　上記各相違点について検討する。  
　相違点１について
　基板上に形成した非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜）にレーザービーム（光）を照射して多結晶シリコン膜とする工程において、レーザービームとして平面的（２次元的）広がりを持つものを用いることは、例えば、刊行物２（特許請求の範囲参照）、刊行物３（００１４段落、００１８段落及び００２３段落参照）及び刊行物４（０００２段落、０００４段落、００１３段落参照）にも示されるように従来周知であって、また、レーザビームが「平面的（２次元的）広がり」を持つことと、レーザビームが「シート状に加工された」こととが同等であることは当業者に明らかであるので、刊行物発明において、レーザ光として、従来周知の平面的（２次元的）広がりを持つレーザービーム（光）を用いることにより、補正発明１の如く、「シート状に加工されたレーザビーム」を用いるようにすることは、当業者が何ら困難性なくなしえたものである。
　相違点２について
　刊行物発明においても、熱処理工程に用いる熱源として「前記不純物領域の活性化のために、キセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源」を用いるとともに、薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域に導入した不純物を活性化するために、キセノンアークランプを用いることは、例えば、刊行物５（特に、特許請求の範囲、及び第２頁右下欄参照）に記載されているように従来周知の技術的事項であり、また、刊行物１記載される、キセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ又は、刊行物５に記載されるキセノンアークランプ等のランプを用いて加熱処理することにより半導体薄膜が急速加熱できることは、例えば、特開平６−２６０６４５号公報（「赤外線ランプやハロゲンランプを用いたＲＴＡ（Rapid　Thermal　Annealing）法も効果がある。」（第１２欄第２６〜２８行））にも記載されるように従来周知であるから、刊行物発明において、不純物領域の活性化のための熱処理用の熱源として、ランプを用いて急速加熱することは、当業者が適宜なしえたものである。
　相違点３について
　刊行物発明においては、ゲイト電極は「金属、半導体、導電性金属窒化物」を用いたものであり、一方、補正発明１においても、「金属を含むゲート電極」は、「金属」層、又は、刊行物発明の「導電性金属窒化物」のような「金属」を含む層からなる「ゲート電極」を意味するのであるから、この点は、実質的な相違点ではない。
　仮に、補正発明１の「金属を含むゲート電極」が積層構造からなるものとしても、ゲート電極を備えた半導体装置において、ゲート電極をシリコン膜とシリサイド膜とを含んだ積層で構成することは、例えば、特開平６−２６０６４５号公報（図１の、「最下層の不純物添加された多結晶シリコン膜」５，「中間層のシリサイド膜」６、「最上層の高抵抗多結晶シリコン膜」７及び、００３８段落〜００４３段落参照）にも記載されるように従来周知であり、一方、補正発明１についても、明細書の詳細な説明に記載された実施例には、多結晶シリコン膜(4a)にＷシリサイド膜(4b)が積層されたゲート電極が記載され、Ｗシリサイド以外の高融点金属シリサイド等を含むゲート電極も記載されており、補正発明１における「金属」とは、Ｗシリサイド膜に含まれる「金属」等を意味するものと認められるから、刊行物発明のゲイト電極を従来周知のシリサイド膜を含む積層構造とすること、即ち、補正発明１の如く、「金属を含むゲート電極」とすることは、当業者が特に困難性なくなしえたものである。
　相違点４について
　本願の原出願の優先権主張の基礎となる出願の出願日前に公開された特開昭６３−２２７０１５号公報（以下「刊行物６」という。）には、「半導体基板に対し所定の位置関係で配置された少なくとも１本のランプと、前記ランプと半導体基板のどちらか一方を一方向に動かせる手段を有し、前記半導体基板に前記ランプの光を照射するように構成したランプ加熱装置。」（特許請求の範囲）及び、「実　施　例　　第１図，第２図に本発明の一実施例を示す。第１図は平面図で、加熱開始後、半導体基板１１を図の１０の矢印の方向へ一定の速度で移動させる。第２図にランプ加熱開始前後の状態を示す。　ランプ１２からのランプ光１４により半導体基板１１は第１図の左の端部から、順次加熱される。ランプ光１４は、反射板１３で反射され半導体基板１４に垂直な向きに照射される。　半導体基板１１にランプ光が照射されると、急速に半導体基板１１の温度が上昇し、所望の加熱温度に昇温される。半導体基板１１は一定の速度で、左の方向に移動し第２図ａからｂとなるため、半導体基板にランプ光１４が照射されなくなると、急速に温度が下がり、熱伝導による加熱のみになる。　第２図の様に、半導体基板全体を加熱することにより、１枚の半導体基板のランプ加熱は終了する。　この場合、ランプ加熱は・・・第２図のように半導体基板の両面にあってもよい。」（第２頁左上欄第１５行〜同頁右上欄第１６行）と記載されるとともに、第２図a、bより、半導体基板が１対のランプの間を搬送されること、言い換えると、刊行物６には、半導体基板をランプ光により加熱する際に、半導体基板をその上下に配置した１対のランプの間を搬送して加熱することが記載されているので、刊行物発明において、「前記結晶性シリコン膜にイオンを照射して不純物領域を形成する工程」の後、「前記不純物領域の活性化のために、キセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源を熱源として加熱する工程」の際に、刊行物６に記載されるように、加熱するためのランプ（熱源）を、上下１対に配置し、１対のランプの間に結晶性シリコン膜を形成した基板を搬送して加熱することにより、補正発明１の如く、「一対のランプを相対向させた状態で、この一対のランプ間に前記基板を搬送する」ようになすことは、当業者が容易になしえたものである。
　
　よって、本件補正により補正された請求項１に係る発明は、刊行物１ないし５及び刊行物６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
（３）むすび
　したがって、補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができず、本件補正により補正された請求項２ないし請求項６に係る発明について検討するまでもなく、適法でない補正を含む本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないものであり、本件補正は特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
３．本願発明
　平成１６年８月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１２年１０月１６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という、）は、その請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　「基板上に非晶質シリコン膜を形成する第１の工程と、
　シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、ソース／ドレイン領域としての不純物領域を形成する第３の工程と、
　前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する第４の工程と、を含み、
　前記第３の工程よりも前に、金属を含むゲート電極を形成する工程を行うことを特徴とした半導体装置の製造方法。」
　
４．刊行物に記載された事項
　平成１６年６月２８日付けの当審での拒絶理由通知に引用された引用例１ないし５（以下、「刊行物１」ないし「刊行物５」という。）に記載された事項は以下のとおりである。
　刊行物１．特開平６−２６７９８２号公報
　刊行物１には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１０】
【問題を解決するための手段】本発明は、レーザーもしくはフラッシュランプ等の強力な光源より発せられる光エネルギーを上面より不純物領域に照射してこれを活性化せしめる際に、不純物領域のみでなくそれに隣接する活性領域の一部、特に不純物領域と活性領域の境界部分にも光エネルギーを照射するものであり、・・・」（００１０段落）
「【００１４】さらに、本発明において用いられる光エネルギーの源泉（ソース）としては、ＫｒＦレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザー（３０８ｎｍ）、ＡｒＦレーザー（１９３ｎｍ）、ＸｅＦレーザー（３５３ｎｍ）等のエキシマーレーザーや、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー（１０６４ｎｍ）およびその第２、第３、第４高調波、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレーザー、銅蒸気レーザー等のコヒーレント光源、およびキセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源が適している。」（００１４段落）
「【００１７】
【実施例】
〔実施例１〕　図１に本実施例を示す。本実施例は絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成するものである。基板１０１は、ガラス基板で、例えば、コーニング７０５９等の無アルカリガラス基板や石英基板等を使用できる。・・
【００１８】次いで、アモルファスシリコン膜を堆積し、これを島状にパターニングした。アモルファスシリコン膜の堆積方法としてはプラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法が用いられる。・・・このアモルファスシリコン膜の厚さは２００〜７００Åとした。そして、これにレーザー光（ＫｒＦレーザー、波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射した。・・・この結果、アモルファスシリコン膜は結晶化し、結晶性シリコン膜となった。・・・　
【００１９】・・・陽極酸化可能な材料、例えば、アルミニウム、タンタル、チタン等の金属、シリコン等の半導体、窒化タンタル、窒化チタン等の導電性金属窒化物を用いてゲイト電極１０５を形成した。・・・　
【００２０】その後、ゲイト電極を陽極酸化し、その表面に厚さ１５００〜２５００Åの陽極酸化物（第１の陽極酸化物）１０６を形成した。・・・さらに、プラズマドーピング法によって、ボロン（Ｂ）もしくは燐（Ｐ）のイオンを照射して不純物領域１０７を形成した。・・・　
【００２１】・・・その結果、図１（Ｃ）に示すように不純物領域１０７とそれにはさまれた活性領域の境界（ｘと指示）が現れた。そして、このような状態でレーザー照射によって不純物領域の活性化をおこなった。・・・」（００１７段落〜００２１段落）
　
　ここで、不純物領域の活性化のためにレーザー照射することが記載されるとともに（００２１段落参照）、光エネルギーの源泉として、「レーザー等のコヒーレント光源およびキセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源が適している。」と記載されているから（００１４段落参照）、結晶性シリコン膜に形成した不純物領域の不純物の活性化のために、レーザー光源のみでなく、「キセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源」を用いることも実質的に記載されている。
　
　よって、刊行物１には、
　「基板上にアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、
　前記アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射することにより、前記アモルファスシリコン膜を結晶化し、結晶性シリコン膜とする工程と、
　金属、半導体、導電性金属窒化物を用いたゲイト電極を形成する工程と、
　その後、前記結晶性シリコン膜にイオンを照射して不純物領域を形成する工程と、
　前記不純物領域の活性化のために、キセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源を熱源として加熱する工程と
を備えたことを特徴とするＭＩＳ型半導体装置の製造方法。」
が記載されている。
　
　刊行物２．特開平３−２８６５１８号公報
　刊行物２には、以下の事項が記載されている。
　「（１）基板上に半導体薄膜を堆積し、この半導体薄膜に高出力エネルギービームを連続的に照射し、上記薄膜の結晶粒径拡大若しくは単結晶化をはかる半導体薄膜結晶層の製造方法において、上記ビームの形状を板状に変形して、ビームを走査すると同時に半導体薄膜にビームを照射することを特徴とする半導体薄膜結晶層の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
　
　刊行物３．特開平６−２６０５０２号公報
　刊行物３には、以下の事項が記載されている。
「【００１４】まず、図１８（ｂ）のようにガラス基板ＧＬＳ上に減圧化学気相成長法で非晶質シリコン薄膜ＳＬＲを形成し、図１８（ｃ）のように１回目のＫｒＦエキシマレーザＦＬＳを２７０ｍＪｃｍ-2の強度で、図１７の方法で照射して多結晶シリコンＦＰＬを形成し、次に図１８（ｄ）に示すように２回目のＫｒＦエキシマレーザＳＬＳを４５０ｍＪｃｍ-2の強度で照射して１回目に形成した多結晶シリコン薄膜ＦＰＬよりも大きな粒径の多結晶シリコン薄膜ＳＰＬになる。」（００１４段落）
「【００１８】
【課題を解決するための手段】１枚の基板上に、表示領域の素子を駆動する駆動回路を内蔵するアクティブマトリクス基板を複数個製造する工程において、基板上にシリコン薄膜を形成する工程と、シリコン薄膜のパターニング前、あるいはパターニング後にエネルギービームの照射領域と非照射領域の境界が駆動回路と表示領域に掛からないように、一枚の基板上の個々のアクティブマトリクス基板の駆動回路と表示領域の全領域、あるいは表示領域、駆動回路形成領域の各領域を一括してエネルギービームを照射することによりシリコン薄膜を結晶化する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。」（００１８段落）
「【００２３】モノシランガスを反応ガスに用いた減圧化学気相成長法の基板温度５５０℃でシリコン薄膜ＳＬＲが形成された場合には、１８０ｍＪｃｍ-2から２７０ｍＪｃｍ-2の強度で真空中あるいは不活性ガス雰囲気、大気中でＸｅＣｌエキシマレーザＬＳＲを照射すればよく、この結果、シリコン薄膜ＳＬＲは、粒径が２００ｎｍ〜５００ｎｍの結晶で構成された多結晶シリコン薄膜になる。シリコン薄膜の結晶化に用いるレーザはＸｅＣｌエキシマレーザばかりでなく、ＡｒＦ、ＫｒＦ、Ｆ2エキシマレーザやＹＡＧレーザでもよい。凸レンズや凹レンズや蒲鉾型のレンズの組み合わせによる光学系にレーザビームを透過することにより、このエキシマレーザビームは強度９５％以上のエネルギー均一性が±５％以下である領域が１８．５ｍｍある空間的なエネルギー分布を持つ。」（００２３段落）
　
　刊行物４．特開平６−９７１０２号公報
　刊行物４には、以下の事項が記載されている。
「【従来の技術】一般に、アモルファスシリコン膜を再結晶化させる一つの手段としてレーザアニールがある。これによると、チャネル層となるＳｉ膜を非晶質状態でガラス基板上に堆積した後、レーザ光を照射してこのＳｉ膜を多結晶に改質することで、電子の移動度を高くすることができる。」（０００２段落）
「【０００４】エキシマレーザでアニールする場合、通常、およそ０.２Ｊ／cm2の強度でレーザ光を照射する必要がある。これに対して、一般に市販されている放電励起のエキシマレーザでは、通常数Ｊ程度までのレーザ出力が得られるため、パルス光１発の照射で、最大数cm角の部分をアニールできる。そのため、数十cm四方の大きさであるＳｉ基板の全面をアニールするためには、パルスごとに照射位置を変えて、複数発レーザ光を照射する必要があった。」（０００４段落）
「【００１３】本発明の目的は以上に説明した問題を解決することにあり、エキシマレーザを用いずに、数十cm四方の大きさのＳｉ基板の全面に対して、レーザ光を１パルス照射するだけで良質なアニールができる方法を提供し、さらに均一な強度分布を有するレーザ光を効率良く発生できる色素レーザを提供することにある。」（００１３段落）　
　
　刊行物５．特開平２−１９４６２６号公報
　刊行物５には、以下の事項が記載されている。
　「半導体薄膜のうちのソース・ドレイン領域とすべき部分に不純物を導入し熱処理を行う薄膜トランジスタの製造方法において、
　短波長アークランプの光線を照射することによって前記熱処理を行う様にした薄膜トランジスタの製造方法。」（特許請求の範囲）
　「本実施例は、ソース・ドレイン領域１５、１６形成用の不純物をイオン注入した後の熱処理を、キセノンアークランプ・・・の光線を照射することによって行う・・・」（第２頁右下欄第１〜５行）　
　　
５．対比・判断   
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
　アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射することにより、アモルファスシリコン膜のアニール（熱処理）ができること、アニール（熱処理）によりアモルファスシリコン膜が結晶化すること及び、アモルファスシリコン膜が単結晶以外の基板上又は薄膜上に形成されている場合には、結晶化により、多結晶シリコン膜となることは、従来周知の技術的事項であるから、刊行物発明において、アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射すると結晶化により多結晶シリコン膜となることは明らかであるので、刊行物発明の「結晶シリコン膜」は、本願発明の「多結晶シリコン膜」に相当し、刊行物発明の「前記アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射することにより、前記アモルファスシリコン膜を結晶化し、結晶性シリコン膜とする工程」は、本願発明の、「レーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する」工程に相当する。
　刊行物発明は、ＭＩＳ型半導体装置に関するものであり、また、刊行物１の図１（Ｂ）を参照すると、不純物領域である１０７がゲイト電極の直下を除いた島状半導体領域１０３に形成されていることから、イオンを照射して形成された不純物領域が、ソース領域及びドレイン領域であることは当業者に明らかであるので、刊行物発明の「不純物領域」は、本願発明の「ソース／ドレイン領域」に相当する。
　刊行物発明においては、ゲイト電極を形成した後に、不純物領域を形成しているから、刊行物発明の、「ゲイト電極を形成する工程と、その後、前記結晶性シリコン膜にイオンを照射して不純物領域を形成する工程」は、本願発明の、「前記第３の工程よりも前に、金属を含むゲート電極を形成する工程を行うこと」に相当する。
　刊行物発明の「ＭＩＳ型半導体装置」が、半導体装置のある種のものであることは明らかであるので、刊行物発明の「ＭＩＳ型半導体装置」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
　
　したがって、刊行物発明の、「アモルファスシリコン膜」、「レーザー光」、「結晶性シリコン膜」、「ゲイト電極」及び、「ＭＩＳ型半導体装置」は、それぞれ
　本願発明の、「非晶質シリコン膜」、「レーザービーム」、「多結晶シリコン膜」、「ゲート電極」及び、「半導体装置」に相当する。
　
　よって、両者は、
　「基板上に非晶質シリコン膜を形成する第１の工程と、
　レーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、
　前記多結晶シリコン膜に、ソース／ドレイン領域としての不純物領域を形成する第３の工程と、　
　前記不純物領域を、ランプを熱源として加熱することにより活性化する第４の工程と、を含み、
　前記第３の工程よりも前に、ゲート電極を形成する工程を行うことを特徴とした半導体装置の製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明は、「シート状に加工されたレーザービームを前記非晶質シリコン膜に照射することにより前記非晶質シリコン膜をアニールして多結晶シリコン膜を形成する」工程を備えるのに対し、
　刊行物発明は、「前記アモルファスシリコン膜にレーザー光を照射することにより、前記アモルファスシリコン膜を結晶化し、結晶性シリコン膜とする工程」を備えているが、「レーザー光」の形状は明らかでない点。
　相違点２
　本願発明は、「前記不純物領域を、ランプを熱源として急速加熱することにより活性化する」工程を備えるのに対し、
　刊行物発明は、「前記不純物領域の活性化のために、ランプ光源を熱源として加熱する工程」を備えている点。
　相違点３
　本願発明は、「金属を含むゲート電極を形成する工程」を備えるのに対し、
　刊行物発明は、「金属、半導体、導電性金属窒化物を用いたゲイト電極を形成する工程」を備えている点。
　　
　上記各相違点について検討する。  
　相違点１について
　基板上に形成した非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜）にレーザービーム（光）を照射して多結晶シリコン膜とする工程において、レーザービームとして平面的（２次元的）広がりを持つものを用いることは、例えば、刊行物２（特許請求の範囲参照）、刊行物３（００１４段落、００１８段落及び００２３段落参照）及び刊行物４（０００２段落、０００４段落、００１３段落参照）にも示されるように従来周知であって、また、レーザビームが「平面的（２次元的）広がり」を持つことと、レーザビームが「シート状に加工された」こととが同等であることは当業者に明らかであるので、刊行物発明において、レーザ光として、従来周知の平面的（２次元的）広がりを持つレーザービーム（光）を用いることにより、本願発明の如く、「シート状に加工されたレーザビーム」を用いるようにすることは、当業者が何ら困難性なくなしえたものである。
　相違点２について
　刊行物発明においても、熱処理工程に用いる熱源として「前記不純物領域の活性化のために、キセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ等の非コヒーレント光源」を用いるとともに、薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域に導入した不純物を活性化するために、キセノンアークランプを用いることは、例えば、刊行物５（特に、特許請求の範囲、及び第２頁右下欄参照）に記載されているように従来周知の技術的事項であり、また、刊行物１記載される、キセノンフラッシュランプ、クリプトンアークランプ、ハロゲンランプ又は、刊行物５に記載されるキセノンアークランプ等のランプを用いて加熱処理することにより半導体薄膜が急速加熱できることは、例えば、特開平６−２６０６４５号公報（「赤外線ランプやハロゲンランプを用いたＲＴＡ（Rapid　Thermal　Annealing）法も効果がある。」（第１２欄第２６〜２８行））にも記載されるように従来周知であるから、刊行物発明において、不純物領域の活性化のための熱処理用の熱源として、ランプを用いて急速加熱することは、当業者が適宜なしえたものである。
　相違点３について
　刊行物発明においては、ゲイト電極は「金属、半導体、導電性金属窒化物」を用いたものであり、一方、本願発明においても、「金属を含むゲート電極」は、「金属」層、又は、刊行物発明の「導電性金属窒化物」のような「金属」を含む層からなる「ゲート電極」を意味するのであるから、この点は、実質的な相違点ではない。
　仮に、本願発明の「金属を含むゲート電極」が積層構造からなるものとしても、ゲート電極を備えた半導体装置において、ゲート電極をシリコン膜とシリサイド膜とを含んだ積層で構成することは、例えば、特開平６−２６０６４５号公報（図１の、「最下層の不純物添加された多結晶シリコン膜」５，「中間層のシリサイド膜」６、「最上層の高抵抗多結晶シリコン膜」７及び、００３８段落〜００４３段落参照）にも記載されるように従来周知であり、一方、本願発明についても、明細書の詳細な説明に記載された実施例には、多結晶シリコン膜(4a)にＷシリサイド膜(4b)が積層されたゲート電極が記載され、Ｗシリサイド以外の高融点金属シリサイド等を含むゲート電極も記載されており、本願発明における「金属」とは、Ｗシリサイド膜に含まれる「金属」等を意味するものと認められるから、刊行物発明のゲイト電極を従来周知のシリサイド膜を含む積層構造とすること、即ち、本願発明の如く、「金属を含むゲート電極」とすることは、当業者が特に困難性なくなしえたものである
　　
　よって、本願発明は、刊行物１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項２ないし６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。