Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月15日(2018.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、及び発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の支持体と、第１の被剥離層と、接合層と、第２の支持体と、を有し、
前記第１の被剥離層と前記第１の支持体は、互いに重なる領域を有し、
前記接合層と前記第１の被剥離層は、互いに重なる領域を有し、
前記第２の支持体と前記接合層は、互いに重なる領域を有し、
前記第１の支持体は、等方性を備え、
前記第１の被剥離層は、第１の絶縁膜および発光素子を備え、
前記第１の絶縁膜は、前記発光素子と前記第１の支持体の間に設けられ、
前記第１の支持体または前記第２の支持体の少なくとも一つは、前記発光素子が射出する光を透過することができる機能を有する発光装置。
【請求項２】
第１の支持体と、第１の被剥離層と、接合層と、第２の被剥離層と、第２の支持体と、を有し、
前記第１の被剥離層と前記第１の支持体は、互いに重なる領域を有し、
前記接合層と前記第１の被剥離層は、互いに重なる領域を有し、
前記第２の被剥離層と前記接合層は、互いに重なる領域を有し、
前記第２の支持体と前記第２の被剥離層は、互いに重なる領域を有し、
前記第１の支持体は、等方性を備え、
前記第１の被剥離層は、第１の絶縁膜および発光素子を備え、
前記第１の絶縁膜は、前記発光素子と前記第１の支持体の間に設けられ、
前記第２の被剥離層は、第２の絶縁膜を備え、
前記第１の支持体または前記第２の支持体の少なくとも一つは、前記発光素子が射出する光を透過することができる機能を有する発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２の支持体は、等方性又は異方性を備える材料を含む発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の被剥離層は、前記発光素子と電気的に接続された端子部を備え、
前記第２の支持体は、前記端子部に重なる開口部を備える発光装置。
【請求項５】
第１の基板と、第１の剥離層と、第１の被剥離層と、接合層と、第２の支持体と、を備え、
前記第１の剥離層と前記第１の基板は、互いに重なる領域を備え、
前記第１の被剥離層と前記第１の剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記接合層と前記第１の被剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記第２の支持体と前記接合層は、互いに重なる領域を備え、
前記第１の被剥離層は、第１の絶縁膜および発光素子を備え、
前記第１の絶縁膜は、前記発光素子と前記第１の基板の間に設けられる加工部材を準備して、
第１のステップにおいて、前記加工部材の前記接合層の端部に重なる位置の近傍に、前記第１の被剥離層の一部が前記第１の基板から分離した第１の剥離の起点を形成し、
第２のステップにおいて、前記第１の剥離の起点から、前記第１の基板を含む表層を前記加工部材から分離して、第１の残部を得、
第３のステップにおいて、前記第１の被剥離層に流動性を有する材料を塗布し、
第４のステップにおいて、前記材料を硬化して、第１の支持体を形成する発光装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板と、第１の剥離層と、第１の被剥離層と、接合層と、第２の被剥離層と、第２の剥離層と、第２の基板と、を備え、
前記第１の剥離層と前記第１の基板は、互いに重なる領域を備え、
前記第１の被剥離層と前記第１の剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記接合層と前記第１の被剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記第２の被剥離層と前記接合層は、互いに重なる領域を備え、
前記第２の剥離層と前記第２の被剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記第２の基板と前記第２の剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記第１の被剥離層は、第１の絶縁膜および発光素子を備え、
前記第１の絶縁膜は、前記発光素子と前記第１の基板の間に設けられ、
前記第２の被剥離層は、第２の絶縁膜を備える加工部材を準備して、
第１のステップにおいて、前記加工部材の前記接合層の端部に重なる位置の近傍に、前記第１の被剥離層の一部が前記第１の基板から分離した第１の剥離の起点を形成し、
第２のステップにおいて、前記第１の剥離の起点から、前記第１の基板を含む表層を前記加工部材から分離して、第１の残部を得、
第３のステップにおいて、前記第１の被剥離層に流動性を有する材料を塗布し、
第４のステップにおいて、前記材料を硬化して第１の支持体を形成し、積層体を形成し、
第５のステップにおいて、前記第２の被剥離層の一部が前記第２の基板から分離した第２の剥離の起点を形成し、
第６のステップにおいて、前記第２の剥離の起点から、前記第２の基板を含む表層を前記積層体から分離して、第２の残部を得、
第７のステップにおいて、前記第２の被剥離層に流動性を有する材料を塗布し、
第８のステップにおいて、前記材料を硬化して第２の支持体を形成する発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第７のステップにおいて、接着層を用いて第２の支持体を前記第２の被剥離層に貼り合わせ、
前記第８のステップにおいて、前記接着層を硬化する発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月1日(2018.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体と、活物質層と、を有する二次電池であって、
前記集電体は、突出部を有し、
前記突出部は、底面と外側面が交わるコーナー部を有し、
前記突出部は、リードと電気的に接続する機能を有し、
前記活物質層は、前記集電体上に設けられ、
前記集電体と前記活物質層との積層体は、第１のスリット及び、第２のスリットを有し、
前記第１のスリットは、前記集電体と前記活物質層との積層体の端部から延びており、
前記第２のスリットは、前記コーナー部から前記集電体と前記活物質層との積層体の内側に延びている二次電池。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のスリットと、前記第２のスリットのなす角度は９０度未満である二次電池。
【請求項３】
第１及び第２の集電体と、第１及び第２の活物質層と、を有する二次電池であって、
前記第１の集電体は、第１の突出部を有し、
前記第２の集電体は、第２の突出部を有し、
前記第１の突出部は、底面と外側面が交わる第１のコーナー部を有し、
前記第２の突出部は、底面と外側面が交わる第２のコーナー部を有し、
前記第１の突出部及び、前記第２の突出部は、リードと電気的に接続する機能を有し、
前記第１の活物質層は、前記第１の集電体上に設けられ、
前記第２の活物質層は、前記第１の活物質層上に設けられ、
前記第２の集電体は、前記第２の活物質層上に設けられ、
前記第１の集電体と前記第１の活物質層との積層体は、第１のスリット及び、第２のスリットを有し、
前記第２の集電体と前記第２の活物質層との積層体は、第３のスリット及び、第４のスリットを有し、
前記第１のスリットは、前記第１の集電体と前記第１の活物質層との積層体の端部から延びており、
前記第２のスリットは、前記第１のコーナー部から前記第１の集電体と前記第１の活物質層との積層体の内側に延びており、
前記第３のスリットは、前記第２の集電体と前記第２の活物質層との積層体の端部から延びており、
前記第４のスリットは、前記第２のコーナー部から前記第２の集電体と前記第２の活物質層との積層体の内側に延びている二次電池。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のスリットと、前記第２のスリットのなす角度は９０度未満であり、
前記第３のスリットと、前記第４のスリットのなす角度は９０度未満である二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月26日(2018.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
命令デコードステージと、実行ステージと、メモリアクセスステージと、ライトバックステージと、を有するパイプライン処理を行う半導体装置であって、
前記命令デコードステージと前記実行ステージとは、第１のパイプラインレジスタで区分けされ、
前記実行ステージと前記メモリアクセスステージとは、第２のパイプラインレジスタで区分けされ、
前記メモリアクセスステージと前記ライトバックステージとは、第３のパイプラインレジスタで区分けされ、
前記実行ステージは、第１の演算部と、前記第１の演算部と異なる演算を行う第２の演算部と、を有し、
前記第１の演算部は、第１の演算器と、第１のトランジスタと、を有し、
前記第２の演算部は、第２の演算器と、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、前記第１の演算器への電源電圧の供給を制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第２の演算器への電源電圧の供給を制御する機能を有し、
前記第１の演算部又は前記第２の演算部の演算によって得られたデータは、前記第２のパイプラインレジスタを介して、前記メモリアクセスステージに転送され、
前記メモリアクセスステージが有するデータメモリは、演算によって得られたデータを記憶し、
前記データメモリに記憶されたデータは、前記第３のパイプラインレジスタを介して、前記ライトバックステージに転送され、
前記ライトバックステージは、転送されたデータを、前記命令デコードステージが有するレジスタファイルに記憶し、
前記レジスタファイルは、前記第１のパイプラインレジスタを介して、前記第１の演算部又は前記第２の演算部に演算を行うためのデータを転送し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタにより、演算を行う演算器のみに電源電圧の供給を行う半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月5日(2018.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（６−｛［４−（ピラゾール−１−イル）ベンジル］（ピリジン−３−イルスルホニル）アミノメチル｝ピリジン−２−イルアミノ）酢酸イソプロピル又はその塩を０．００１〜０．００３％（ｗ／ｖ）含み、ｐＨが４．０〜８．０であることを特徴とする、緑内障若しくは高眼圧症を治療または予防するための医薬製剤。
【請求項２】
（６−｛［４−（ピラゾール−１−イル）ベンジル］（ピリジン−３−イルスルホニル）アミノメチル｝ピリジン−２−イルアミノ）酢酸イソプロピル又はその塩を０．００１１〜０．００３０％（ｗ／ｖ）含む、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項３】
（６−｛［４−（ピラゾール−１−イル）ベンジル］（ピリジン−３−イルスルホニル）アミノメチル｝ピリジン−２−イルアミノ）酢酸イソプロピル又はその塩を０．００１１〜０．００２９％（ｗ／ｖ）含む、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項４】
（６−｛［４−（ピラゾール−１−イル）ベンジル］（ピリジン−３−イルスルホニル）アミノメチル｝ピリジン−２−イルアミノ）酢酸イソプロピル又はその塩を０．００１３〜０．００２７％（ｗ／ｖ）含む、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項５】
（６−｛［４−（ピラゾール−１−イル）ベンジル］（ピリジン−３−イルスルホニル）アミノメチル｝ピリジン−２−イルアミノ）酢酸イソプロピル又はその塩を０．００１５〜０．００２５％（ｗ／ｖ）含む、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項６】
（６−｛［４−（ピラゾール−１−イル）ベンジル］（ピリジン−３−イルスルホニル）アミノメチル｝ピリジン−２−イルアミノ）酢酸イソプロピル又はその塩を０．００１０％（ｗ／ｖ）、０．００１１％（ｗ／ｖ）、０．００１２％（ｗ／ｖ）、０．００１３％（ｗ／ｖ）、０．００１４％（ｗ／ｖ）、０．００１５％（ｗ／ｖ）、０．００１６％（ｗ／ｖ）、０．００１７％（ｗ／ｖ）、０．００１８％（ｗ／ｖ）、０．００１９％（ｗ／ｖ）、０．００２０％（ｗ／ｖ）、０．００２１％（ｗ／ｖ）、０．００２２％（ｗ／ｖ）、０．００２３％（ｗ／ｖ）、０．００２４％（ｗ／ｖ）、０．００２５％（ｗ／ｖ）、０．００２６％（ｗ／ｖ）、０．００２７％（ｗ／ｖ）、０．００２８％（ｗ／ｖ）、０．００２９％（ｗ／ｖ）又は０．００３０％（ｗ／ｖ）含む、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項７】
（６−｛［４−（ピラゾール−１−イル）ベンジル］（ピリジン−３−イルスルホニル）アミノメチル｝ピリジン−２−イルアミノ）酢酸イソプロピル又はその塩を０．００１１％（ｗ／ｖ）、０．００１２％（ｗ／ｖ）、０．００１３％（ｗ／ｖ）、０．００１４％（ｗ／ｖ）、０．００１５％（ｗ／ｖ）、０．００１６％（ｗ／ｖ）、０．００１７％（ｗ／ｖ）、０．００１８％（ｗ／ｖ）、０．００１９％（ｗ／ｖ）、０．００２０％（ｗ／ｖ）、０．００２１％（ｗ／ｖ）、０．００２２％（ｗ／ｖ）、０．００２３％（ｗ／ｖ）、０．００２４％（ｗ／ｖ）、０．００２５％（ｗ／ｖ）、０．００２６％（ｗ／ｖ）、０．００２７％（ｗ／ｖ）、０．００２８％（ｗ／ｖ）、０．００２９％（ｗ／ｖ）又は０．００３０％（ｗ／ｖ）含む、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項８】
（６−｛［４−（ピラゾール−１−イル）ベンジル］（ピリジン−３−イルスルホニル）アミノメチル｝ピリジン−２−イルアミノ）酢酸イソプロピル又はその塩を０．００１１％（ｗ／ｖ）、０．００１２％（ｗ／ｖ）、０．００１３％（ｗ／ｖ）、０．００１４％（ｗ／ｖ）、０．００１５％（ｗ／ｖ）、０．００１６％（ｗ／ｖ）、０．００１７％（ｗ／ｖ）、０．００１８％（ｗ／ｖ）、０．００１９％（ｗ／ｖ）、０．００２０％（ｗ／ｖ）、０．００２１％（ｗ／ｖ）、０．００２２％（ｗ／ｖ）、０．００２３％（ｗ／ｖ）、０．００２４％（ｗ／ｖ）、０．００２５％（ｗ／ｖ）、０．００２６％（ｗ／ｖ）、０．００２７％（ｗ／ｖ）、０．００２８％（ｗ／ｖ）又は０．００２９％（ｗ／ｖ）含む、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項９】
（６−｛［４−（ピラゾール−１−イル）ベンジル］（ピリジン−３−イルスルホニル）アミノメチル｝ピリジン−２−イルアミノ）酢酸イソプロピル又はその塩を０．００２％（ｗ／ｖ）含む、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項１０】
剤形が点眼剤である、請求項１〜９のいずれか１記載の医薬製剤。
【請求項１１】
１日１回又は２回、点眼投与されるように用いられることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１記載の医薬製剤。
【請求項１２】
１回１又は２滴を、点眼投与されるように用いられることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１記載の医薬製剤。
【請求項１３】
１日１回、１回１滴を点眼投与されるように用いられることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１記載の医薬製剤。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれか１記載の医薬製剤を、１日１回又は２回、点眼投与することを特徴とする、緑内障若しくは高眼圧症の治療または予防方法。
【請求項１５】
請求項１〜１０のいずれか１記載の医薬製剤を、１回１又は２滴、点眼投与することを特徴とする、緑内障若しくは高眼圧症の治療または予防方法。
【請求項１６】
請求項１〜１０のいずれか１記載の医薬製剤を、１日１回、１回１滴、点眼投与することを特徴とする、緑内障若しくは高眼圧症の治療または予防方法。
【請求項１７】
緑内障若しくは高眼圧症を治療または予防するための薬剤の製造における、請求項１〜１３のいずれか１記載の医薬製剤の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月1日(2018.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己分散顔料を製造する方法であって、
下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物、及び下記一般式（３）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の処理剤を、顔料の粒子表面に反応させて、親水性基を含む官能基を前記顔料の粒子表面に結合させる工程を有することを特徴とする自己分散顔料の製造方法。
2016027099.tif 000001
（前記一般式（１）中、Ｒ1は、シアノ基；又はエステル基、エーテル基、チオエーテル基、ケトン基、及びスルホニル基からなる群より選ばれ、アゾ基に結合する少なくとも１種の基（ｉ）と、前記基（ｉ）に結合し、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基（ｉｉ）と、が結合した原子団を表し、Ｒ2は、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及びホスホン酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の親水性基が置換した基を表す）
2016027099.tif 000002
（前記一般式（２）中、Ｒ3は、シアノ基；又はエステル基、エーテル基、チオエーテル基、ケトン基、及びスルホニル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基と、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基と、が結合した原子団を表し、Ｒ4は、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及びホスホン酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の親水性基が置換した基を表す）
2016027099.tif 000003
（前記一般式（３）中、Ｒ5は、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及びホスホン酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の親水性基が置換した基を表す）
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ2、前記一般式（２）中のＲ4、及び前記一般式（３）中のＲ5が、アリーレン基及び複数のカルボン酸基を含む構造、並びにアミド結合及びホスホン酸基を含む構造の少なくとも一方を有する請求項１に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項３】
前記一般式（２）中のＲ3が、シアノ基；又はエステル基、エーテル基、及びスルホニル基からなる群より選ばれ、アゾ基に結合する少なくとも１種の基（ｉ）と、前記基（ｉ）に結合し、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基（ｉｉ）と、が結合した原子団を表す請求項１又は２に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項４】
前記工程を、ｐＨ１以上１３以下の条件下で行う請求項１乃至３のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項５】
前記工程を、酸化剤の存在下で行う請求項１乃至４のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項６】
前記工程を、液媒体中で行う請求項１乃至５のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項７】
前記工程を、水系で行う請求項１乃至５のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項８】
前記自己分散顔料を構成する顔料種が、無機顔料及び有機顔料の少なくとも１種である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項９】
前記自己分散顔料を構成する顔料種が、カーボンブラックである請求項１乃至７のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１０】
自己分散顔料を含有するインクの製造方法であって、
前記自己分散顔料として、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の製造方法によって製造された自己分散顔料を用いることを特徴とするインクの製造方法。
【請求項１１】
インクをインクジェット方式の記録ヘッドから吐出して記録媒体に画像を記録するインクジェット記録方法であって、
前記インクとして、請求項１０に記載の製造方法によって製造されたインクを用いることを特徴とするインクジェット記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】自己分散顔料の製造方法、インクの製造方法、及びインクジェット記録方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、自己分散顔料の製造方法、インクの製造方法、及びインクジェット記録方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
したがって、本発明の目的は、インクなどの色材として有用な自己分散顔料の高反応効率な製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、前記自己分散顔料の製造方法によって製造される自己分散顔料を用いたインクの製造方法、及びインクジェット記録方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
2016027099.tif 000004
（前記一般式（１）中、Ｒ1は、シアノ基；又はエステル基、エーテル基、チオエーテル基、ケトン基、及びスルホニル基からなる群より選ばれ、アゾ基に結合する少なくとも１種の基（ｉ）と、前記基（ｉ）に結合し、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基（ｉｉ）と、が結合した原子団を表し、Ｒ2は、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及びホスホン酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の親水性基が置換した基を表す）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、インクなどの色材として有用な自己分散顔料の高反応効率な製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、この自己分散顔料の製造方法によって製造される自己分散顔料を用いたインクの製造方法、及びインクジェット記録方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月1日(2018.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己分散顔料を製造する方法であって、
下記一般式（１）で表される化合物を顔料の粒子表面に反応させて、親水性基を含む官能基を前記顔料の粒子表面に結合させる工程を有することを特徴とする自己分散顔料の製造方法。
2016027100.tif 000001
（前記一般式（１）中、Ｒ1は、ハロゲン原子を表す。Ｒ2は、アルカリ金属を表す。Ｒ3は、単結合、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、又は−ＳＯ2−を表す。Ｒ4は、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及びホスホン酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の親水性基が置換した基を表す）
【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ1が塩素原子である請求項１に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項３】
前記一般式（１）中のＲ2がナトリウムである請求項１に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項４】
前記一般式（１）中のＲ1が塩素原子であるとともに、Ｒ2がナトリウムである請求項１に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項５】
１級アミン化合物とハロゲン化剤とを反応させて、前記一般式（１）で表される化合物を製造する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項６】
前記１級アミン化合物が、Ｈ2Ｎ−Ｒ3−Ｒ4（式中、Ｒ3は、単結合、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、又は−ＳＯ2−を表す。Ｒ4は、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及びホスホン酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の親水性基が置換した基を表す）で表される構造を有する請求項５に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項７】
前記工程を、銅、酸化銅、ハロゲン化銅、硫酸銅、ヨウ素、アンモニア、脂肪族アミン、脂肪族アルコールアミン、及びヒドラジンからなる群より選ばれる少なくとも１種の反応促進剤の存在下で行う請求項１乃至６のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項８】
前記工程を、ヨウ素、アンモニア、及び脂肪族１級アミンからなる群より選ばれる少なくとも１種の反応促進剤の存在下で行う請求項１乃至６のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項９】
前記工程を、ｐＨ１以上１３以下の条件下で行う請求項１乃至８のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１０】
前記工程を、ｐＨ８以上１０以下の条件下で行う請求項１乃至８のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１１】
前記工程を、温度８０℃以下で行う請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１２】
前記工程を、液媒体中で行う請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１３】
前記工程を、水系で行う請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１４】
前記自己分散顔料を構成する顔料種が、無機顔料及び有機顔料の少なくとも１種である請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１５】
前記自己分散顔料を構成する顔料種が、カーボンブラックである請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１６】
自己分散顔料を含有するインクの製造方法であって、
前記自己分散顔料として、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の製造方法によって製造された自己分散顔料を用いることを特徴とするインクの製造方法。
【請求項１７】
インクをインクジェット方式の記録ヘッドから吐出して記録媒体に画像を記録するインクジェット記録方法であって、
前記インクとして、請求項１６に記載の製造方法によって製造されたインクを用いることを特徴とするインクジェット記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】自己分散顔料の製造方法、インクの製造方法、及びインクジェット記録方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、自己分散顔料の製造方法、インクの製造方法、及びインクジェット記録方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
したがって、本発明の目的は、インクなどの色材として有用な自己分散顔料の高反応効率な製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、前記自己分散顔料の製造方法によって製造される自己分散顔料を用いたインクの製造方法、及びインクジェット記録方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、インクなどの色材として有用な自己分散顔料の高反応効率な製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、この自己分散顔料の製造方法によって製造される自己分散顔料を用いたインクの製造方法、及びインクジェット記録方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月1日(2018.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己分散顔料を製造する方法であって、
下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の処理剤を、顔料の粒子表面に反応させて、親水性基を含む官能基を前記顔料の粒子表面に結合させる工程を有することを特徴とする自己分散顔料の製造方法。
2016027093.tif 000001
（前記一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基、カルボン酸エステル基、又は−Ｓ（＝Ｏ）2−Ｒ4を表し、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3が同時に水素原子となることはない。Ｒ4は、ヒドロキシ基、又は脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基を表す。Ａ1は、カルボン酸基；スルホン酸基；リン酸基；ホスホン酸基；又は脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及びホスホン酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の親水性基が置換した基を表す）
2016027093.tif 000002
（前記一般式（２）中、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アシル基、カルボン酸エステル基、アリールオキシ基、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、又はホスホン酸基を表し、Ｒ5及びＲ6が同時に水素原子となることはない。Ｒ7は、水素原子、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基、又はカルボン酸エステル基を表す。Ａ2は、カルボン酸基；スルホン酸基；リン酸基；ホスホン酸基；又は脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を有する基に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及びホスホン酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の親水性基が置換した基を表す）
【請求項２】
前記一般式（１）中のＡ1、及び前記一般式（２）中のＡ2が、アリーレン基及び複数のカルボン酸基を含む構造、並びにアミド結合及びホスホン酸基を含む構造の少なくとも一方を有する請求項１に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項３】
前記一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3の１つ又は２つがメチル基であるとともに、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3の炭素数の合計が２以下である請求項１又は２に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項４】
前記一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3の少なくともいずれかが、ｔ−ブトキシカルボニル基である請求項１又は２に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項５】
前記一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3の少なくともいずれかが、−Ｓ（＝Ｏ）2−Ｒ4であり、かつ、Ｒ4が、メチル基、２−ヒドロキシエチル基、フェニル基、又はトリル基である請求項１又は２に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項６】
前記工程を、ｐＨ１以上１３以下の条件下で行う請求項１乃至５のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項７】
前記工程を、酸化剤の存在下で行う請求項１乃至６のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項８】
前記工程を、液媒体中で行う請求項１乃至７のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項９】
前記工程を、水系で行う請求項１乃至７のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１０】
前記自己分散顔料を構成する顔料種が、無機顔料及び有機顔料の少なくとも１種である請求項１乃至９のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１１】
前記自己分散顔料を構成する顔料種が、カーボンブラックである請求項１乃至９のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１２】
前記処理剤が、前記一般式（１）で表される化合物である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の自己分散顔料の製造方法。
【請求項１３】
自己分散顔料を含有するインクの製造方法であって、
前記自己分散顔料として、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の製造方法によって製造された自己分散顔料を用いることを特徴とするインクの製造方法。
【請求項１４】
インクをインクジェット方式の記録ヘッドから吐出して記録媒体に画像を記録するインクジェット記録方法であって、
前記インクとして、請求項１３に記載の製造方法によって製造されたインクを用いることを特徴とするインクジェット記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】自己分散顔料の製造方法、インクの製造方法、及びインクジェット記録方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、自己分散顔料の製造方法、インクの製造方法、及びインクジェット記録方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
したがって、本発明の目的は、インクなどの色材として有用な自己分散顔料の高反応効率な製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、前記自己分散顔料の製造方法によって製造される自己分散顔料を用いたインクの製造方法、及びインクジェット記録方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、インクなどの色材として有用な自己分散顔料の高反応効率な製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、この自己分散顔料の製造方法によって製造される自己分散顔料を用いたインクの製造方法、及びインクジェット記録方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月3日(2018.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属コア材料を準備するステップと、
第１の溶媒と有機バインダとの混合物に前記金属コア材料を分散するステップと、
高屈折率材料を前記金属コア材料上に堆積するステップと、
堆積された前記高屈折率材料及び前記金属コア材料を乾燥するステップと、
を備え、
前記金属コア材料は、ＳｉＯ２で被覆されたＡｌであり、
前記有機バインダは、前記金属コア材料及び前記第１の溶媒に対して重量で０．５％から１０％までの量で存在しており、
前記高屈折率材料の層は均質で亀裂無しであり、かつ５０〜２００ｎｍの厚みを有する、
多層顔料を形成する方法。
【請求項２】
前記層はＴｉＯ２を含む、請求項１に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項３】
前記第１の溶媒はエタノールを含んでいる、請求項１又は２に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項４】
前記有機バインダはアニオン性、カチオン性、両性イオン性及び非イオン性のバインダから成る群から選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項５】
前記有機バインダは、ラウリル硫酸アンモニウム、ラウリル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）、ラウリルエーテル硫酸ナトリウム（ＳＬＥＳ）、ラウロイルサルコシンナトリウムセチルトリメチルアンモニウムブロミド（ＣＴＡＢ）、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、セチルトリメチルアンモニウムクロライド（ＣＴＡＣ）、コカミドプロピルベタイン、ポリエチレングリコール；ポリオキシプロピレングリコールアルキルエーテル；ポリオキシエチレングリコール、アルキルフェノールエーテル（Ｔｒｉｔｏｎ  Ｘ−１００）；ポリオキシエチレングリコールソルビタンアルキルエステル；ポリエチレングリコールとポリプロピレングリコールのブロック共重合体；グリセリンアルキルエステル；及び、グルコシドアルキルエステルから成る群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項６】
前記堆積するステップは、高屈折率材料前駆体を第２の溶媒に溶かし、前記溶けた金属前駆体と水とを前記第１の溶媒と有機バインダとの混合物に分散された前記金属コア材料に添加することを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項７】
前記高屈折率材料前駆体はテトラエトキシチタン（ＴＥＯＴ）を含む、請求項６に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項８】
前記第２の溶媒はエタノールを含む、請求項６に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項９】
前記有機バインダを除去する乾燥ステップの後で、堆積された前記高屈折率材料及び前記金属コア材料を焼結するステップを更に備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項１０】
前記焼結するステップは、所定時間、４００℃以下の温度である、請求項９に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項１１】
前記堆積するステップは、前記金属コア材料を洗浄し、濾過するステップをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項１２】
金属コアと、
水・有機二相法によって前記金属コアに付着され前記金属コアを囲む高屈折率層と、前記高屈折率層は１２０ｎｍを超える厚みを有し、前記高屈折率層は均質で亀裂無しである、
を備える、
多層顔料。
【請求項１３】
前記高屈折率層はＴｉＯ２を含む、請求項１２に記載の多層顔料。
【請求項１４】
前記金属コアはＳｉＯ２で被覆されたＡｌである、請求項１２又は１３に記載の多層顔料を形成する方法。
【請求項１５】
Ａｌ−ＳｉＯ２コアと、
水・有機二相法によって前記Ａｌ−ＳｉＯ２コアに付着され前記Ａｌ−ＳｉＯ２コアを囲むＴｉＯ２層と、前記ＴｉＯ２層は１２０ｎｍを超える厚みを有し、前記ＴｉＯ２層は均質で亀裂無しである、
を備える、
多層顔料。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第２の目標角度は、前記穿刺針が前記穿刺針の回転中心と前記目標部位とを結ぶ直線と平行になる角度であり、
前記第１の目標角度は、前記第２の目標角度を含む所定の角度範囲から選ばれる角度であることを特徴とする請求項６又は７に記載の穿刺プランニング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
請求項１５〜１７のうちいずれか１項に記載の穿刺プランニング方法の各ステップをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月14日(2018.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録材を積載するための手差しトレイと、
前記手差しトレイ上の記録材の有無を検知する第一の検知手段と、
前記手差しトレイ上の記録材の搬送方向に直交する方向の長さを検知する第二の検知手段と、
前記手差しトレイ上の記録材の前記搬送方向の長さを検知する第三の検知手段と、
前記第一の検知手段が記録材を検知している状態で前記第二及び前記第三の検知手段の検知結果に基づいて記録材のサイズを決定する決定手段と、
を備え、前記決定手段に電力が供給されている第一のモードと、前記決定手段に電力が供給されていない第二のモードとで動作可能である画像形成装置であって、
前記第一のモードから前記第二のモードへ移行する際に前記決定手段により決定されている記録材のサイズを前記第二のモード中も記憶する記憶手段と、
情報を表示する表示手段と、
前記第二のモードから前記第一のモードへ移行したときに前記決定手段により決定された前記記録材の前記サイズが前記記憶手段に記憶されている前記記録材の前記サイズと一致しない場合に、前記手差しトレイ上の記録材のサイズを確認するための画面を前記表示手段に表示させる制御手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第二のモードから前記第一のモードへ移行した場合、前記第一の検知手段により前記手差しトレイに記録材が有ることが検知されたにもかかわらず、前記記憶手段には前記第二のモードへ移行する前には前記手差しトレイに記録材が無かったという情報が記憶されていた場合には、前記表示手段に前記画面を表示させることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第二のモードから前記第一のモードへ移行した場合、前記決定手段により記録材のサイズを決定できなければ、前記表示手段に前記画面を表示させることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記表示手段に前記画面を表示させる場合には、前記第二のモードから前記第一のモードへ移行した際に前記表示手段に前記画面を表示させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記表示手段に前記画面を表示させる場合には、前記第二のモードから前記第一のモードへ移行した後に投入されたジョブにおいて前記手差しトレイが記録材給送段として指定されたときに前記表示手段に前記画面を表示させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記第二のモードから前記第一のモードへ移行したときに前記第一の検知手段が記録材を検知しており、前記決定手段により決定された前記記録材の前記サイズが前記記憶手段に記憶されている前記記録材の前記サイズと一致する場合には、前記表示手段に前記画面を表示させないことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記手差しトレイは、記録材の前記搬送方向に直交する方向の両端部を規制する規制板を有し、
前記第二の検知手段は、前記規制板の動作に連動して前記規制板の位置に応じた値を出力することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記決定手段は、前記第二及び前記第三の検知手段による検知結果と、前記第二及び前記第三の検知手段による検知結果と記録材のサイズとを関連付けた情報と、に基づいて、記録材のサイズを決定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記第二のモードで動作しているときに、前記第一のモードへ移行する要因の発生を監視する監視手段を備え、
前記監視手段は、前記要因が発生した場合には、前記第二のモードから前記第一のモードへ移行するための動作を行うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記第二のモードから前記第一のモードへ移行するために押下することが可能なボタンを備え、
前記要因は、前記ボタンが押下されたことであることを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記画像形成装置は、外部機器と通信を行うためのネットワークに接続されており、
前記要因は、前記ネットワークを介して前記外部機器からジョブが投入されたことであることを特徴とする請求項９又は１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記画像形成装置は、ファックスを受信するための電話回線に接続されており、
前記要因は、前記電話回線を介して前記ファックスを受信したことであることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
前記第一のモードは、画像形成動作を行うためのモードであり、
前記第二のモードは、前記第一のモードよりも消費電力を低減したモードであることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）記録材を積載するための手差しトレイと、前記手差しトレイ上の記録材の有無を検知する第一の検知手段と、前記手差しトレイ上の記録材の搬送方向に直交する方向の長さを検知する第二の検知手段と、前記手差しトレイ上の記録材の前記搬送方向の長さを検知する第三の検知手段と、前記第一の検知手段が記録材を検知している状態で前記第二及び前記第三の検知手段の検知結果に基づいて記録材のサイズを決定する決定手段と、を備え、前記決定手段に電力が供給されている第一のモードと、前記決定手段に電力が供給されていない第二のモードとで動作可能である画像形成装置であって、前記第一のモードから前記第二のモードへ移行する際に前記決定手段により決定されている記録材のサイズを前記第二のモード中も記憶する記憶手段と、情報を表示する表示手段と、前記第二のモードから前記第一のモードへ移行したときに前記決定手段により決定された前記記録材の前記サイズが前記記憶手段に記憶されている前記記録材の前記サイズと一致しない場合に、前記手差しトレイ上の記録材のサイズを確認するための画面を前記表示手段に表示させる制御手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月26日(2018.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料からなるミストをキャリアガスによって基板上に搬送して成膜するための成膜装置であって、
前記原料を霧化してミストを発生させるミスト発生器と、
前記キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段と、
前記ミスト発生器で発生したミストを前記キャリアガスによって前記基板へ供給する供給管と、
を備え、
前記キャリアガスによって搬送されているミストを前記基板までさらに加速させるミスト加速手段を備えていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記供給管内に、または所望により前記供給管に併設されている成長室内に、前記基板を保持するサセプタを備え、
前記サセプタが、ミストを前記基板まで加速させるためのミスト加速部を備えていることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記サセプタが占めるサセプタ領域と、前記基板領域と、未反応のミストを排出する排出領域とに分けられる前記供給管または前記成長室内の断面において、前記サセプタ領域と前記基板との総面積が、前記排出領域の面積よりも大きいことを特徴とする請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記サセプタの外周形状の全部または一部が、前記供給管または前記成長室の内周に沿って略同一となるような形状である請求項２または３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記供給管内に前記サセプタを備え、前記サセプタの外周形状の全部または一部が、前記供給管の内周に沿って略同一となるような略円状またはその一部である請求項２〜４のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項６】
前記サセプタの前記基板側表面の外周形状が略半円状である請求項５記載の成膜装置。
【請求項７】
前記サセプタが前記基板を傾斜させて保持する手段を有していることを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項８】
前記基板の傾斜角が５°〜６０°である請求項７記載の成膜装置。
【請求項９】
前記サセプタが前記基板を埋め込んで保持する手段を有する請求項２〜８のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１０】
ミスト加速手段が、キャリアガスによって搬送されているミストに対し、さらに、０．１〜１０ｍ／ｓ２の加速度を付与する請求項１〜９のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１１】
加速させるミストの流路方向が、前記基板に対して、平行または略平行である請求項１〜１０のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１２】
原料を霧化して発生したミストをキャリアガスによって基板上に搬送して成膜する成膜方法であって、
前記原料を霧化してミストを発生させる工程と、
前記キャリアガスを供給するキャリアガス供給工程と、
前記ミスト発生器で発生したミストをキャリアガスによって前記基板へ供給するミスト供給工程と、
を含み、
前記ミスト供給工程にて、前記キャリアガスによって搬送されているミストを前記基板までさらに加速させることを特徴とする成膜方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の成膜方法によって形成された膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、
（２）  前記供給管内に、または所望により前記供給管に併設されている成長室内に、前記基板を保持するサセプタを備え、
前記サセプタが、ミストを前記基板まで加速させるためのミスト加速部を備えていることを特徴とする前記（１）記載の成膜装置、
（３）  前記サセプタが占めるサセプタ領域と、前記基板領域と、未反応のミストを排出する排出領域とに分けられる前記供給管または前記成長室内の断面において、前記サセプタ領域と前記基板との総面積が、前記排出領域の面積よりも大きいことを特徴とする前記（２）記載の成膜装置、
（４）  前記サセプタの外周形状の全部または一部が、前記供給管または前記成長室の内周に沿って略同一となるような形状である前記（２）または（３）に記載の成膜装置、
（５）  前記供給管内に前記サセプタを備え、前記サセプタの外周形状の全部または一部が、前記供給管の内周に沿って略同一となるような略円状である前記（１）〜（４）のいずれかに記載の成膜装置、
（６）  前記サセプタの前記基板側表面の外周形状が略半円状である前記（５）記載の成膜装置、
（７）  前記サセプタが前記基板を傾斜させて保持する手段を有していることを特徴とする前記（２）〜（６）のいずれかに記載の成膜装置、
（８）  前記基板の傾斜角が５°〜６０°である前記（７）記載の成膜装置、
（９）  前記サセプタが前記基板を埋め込んで保持する手段を有する前記（２）〜（８）のいずれかに記載の成膜装置、
に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、
（１０）  ミスト加速手段が、キャリアガスによって搬送されているミストに対し、さらに、０．１〜１０ｍ／ｓ２の加速度を付与する前記（１）〜（９）のいずれかに記載の成膜装置、
（１１）  加速させるミストの流路方向が、前記基板に対して、平行または略平行である前記（１）〜（１０）のいずれかに記載の成膜装置、
（１２）  原料を霧化して発生したミストをキャリアガスによって基板上に搬送して成膜する成膜方法であって、
前記原料を霧化してミストを発生させる工程と、
キャリアガスを供給するキャリアガス供給工程と、
前記ミスト発生器で発生したミストをキャリアガスによって前記基板へ供給するミスト供給工程と、
を含み、                            
前記ミスト供給工程にて、キャリアガスによって搬送されているミストを基板までさらに加速させることを特徴とする成膜方法、
（１３）  前記（１２）記載の成膜方法によって形成された膜、
に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月12日(2018.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、及び監視装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素と、
アナログ処理回路と、
デジタル処理回路と、を有し、
前記アナログ処理回路は、前記画素が撮像した第１の撮像データと、前記画素が撮像した第２の撮像データの差分を検出する機能を有し、
前記デジタル処理回路は、前記画素が撮像した第３の撮像データをデジタルデータに変換する機能を有し、
前記画素は、第１のトランジスタ乃至第５のトランジスタと、容量と、フォトダイオードとを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードの端子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、信号線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートに、第１の撮像データに対応する電荷を蓄積することができ、
前記第５のトランジスタがオンとなるとき、前記信号線を介して、第２の撮像データを出力することができることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記アナログ処理回路は、前記画素が撮像した第１の撮像データと、前記画素が撮像した第２の撮像データの差分を検出し、前記差分の値に基づきトリガ信号を生成する機能を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第５のトランジスタはそれぞれ、酸化物半導体層を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第３のトランジスタはそれぞれ、酸化物半導体層を有し、
前記第４のトランジスタ及び前記第５のトランジスタはそれぞれ、シリコン半導体層を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
光電変換素子とトランジスタを含む画素と、
アナログ処理回路と、
デジタル処理回路と、を有する撮像装置であって、
前記撮像装置は、第１のモードと第２のモードとで動作する機能を有し、
前記第１のモードにおいて、前記アナログ処理回路は、前記画素が撮像した第１の撮像データと、前記画素が撮像した第２の撮像データの差分を検出し、前記差分の値に基づきトリガ信号を生成する機能を有し、
前記第２のモードにおいて、前記デジタル処理回路は、前記画素が撮像した第３の撮像データをデジタルデータに変換する機能を有し、
前記第１のモードから前記第２のモードへの遷移は、前記トリガ信号に基づき行われることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記アナログ処理回路は、前記第１の撮像データと前記第２の撮像データとの差分絶対値和演算を行う機能を有し、
前記演算の結果、差分が検出された場合に前記トリガ信号を発生する回路を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記アナログ処理回路は、前記第１の撮像データと前記第２の撮像データの差分に応じた電流値と、基準電流値と、の差の大小関係に従って電流の供給を行う機能を有し、
前記電流の供給が生じた場合に前記トリガ信号を発生する回路であることを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７において、
前記アナログ処理回路は、減算回路、絶対値回路及び加算回路を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記デジタル処理回路は、Ａ／Ｄ変換回路を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記撮像装置は、一定時間が経過した場合に、前記第２のモードから前記第１のモードに遷移することを特徴とする撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一に記載の撮像装置を有するカメラと、
前記カメラに電気的に接続された表示装置と、
前記カメラに電気的に接続された記憶装置と、
前記カメラに電気的に接続された警報装置と、を有することを特徴とする監視装置。