【事件の表示】
　平成４年特許願第１５３３１２号「セラミックス回路基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成５年１２月２７日出願公開、特開平５−３４７４６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は平成４年６月１２日の出願であって、その請求項１〜１０に係る発明は、平成１３年１１月２９日付けの手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、次のとおりである。
【請求項１】　
「セラミックス基板と、このセラミックス基板上に活性金属ろう材層を介して接合された金属回路板とを有するセラミックス回路基板において、
　前記金属回路板の最小線間が0.3mm以上であり、前記ろう材層は前記金属回路板の側面の一部を覆うように設けられていることを特徴とするセラミックス回路基板。」
　　　　　　　　　　　　　　　　
２．引用例
　　＜なお、下記引用例の記載中における下線は、いずれも当審で加入。＞
（１）これに対して、拒絶査定の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６４−６５８５９号公報（以下、「引用例１」という）には、「回路基板の製造方法」に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　　　　　　　
　ア．「金属とセラミックとの異材質間の接合法としては、有機接着剤による接着法や活性金属法、焼きばめ法、固相反応法などがあり、」（第１頁右下欄１５行〜１８行）
　　　　　　　　　
　イ．「以下に本発明を更に詳細に説明する。
　まず、本発明に用いる接着ペーストについて説明する。
　第１図は本発明で用いる
接着ペーストを構成する金属質の接着材料の成分系並びに組成域(wt％)を示す図であり、Ａ成分はＣu及びＮiのうちの少なくとも１種からなり、Ｂ成分はＴi、Ｎb及びＺrのうちの少なくとも１種からなり、残部は実質的にＡgからなるＣ成分
　　　　　　　　　　　　
　ウ．「この場合、、このような複合粉末の粒度は５μm以下の粒径(５μmのメッシュをオールパスしたもの)にし、活性を高めるのが好ましい。これにより、少量の
活性金属(Ｔi、Ｚr、Ｎb)
　　　　　　　　　　
　エ．「このような複合粉末から実質的になる金属質接着材料は、有機バインダー、有機溶媒中に分散させペースト状にして接着ペーストとする。
　次に、この接着ペーストを用いて回路基板を製造するプロセスについて説明する。
　まず、回路基板を構成するセラミック基板又は金属板の所要表面に
上記接着ペーストを印刷塗布し
　セラミック基板としては、Ａl２Ｏ３、ＳiＣ、ＡlＮ等よりなり、用途に応じて厚み０．５〜１mm程度のものが使用される。金属板としては、導体回路用でも或いはヒートシンク用でもよく、厚み０．５〜２．０mm程度の銅箔が例示される。」（第３頁右上欄２０行〜左下欄１２行）
　　　　　　　　　　　　　
　オ．「乾燥、脱脂を含む乾燥工程では、８０〜１２０℃で約３０分間程度乾燥すればよいが、脱脂は真空又は不活性雰囲気下で５００〜７００℃で行うのが好ましい。」（第３頁左下欄１９行〜右上欄２行）
　　　　　　　　　　　　　
　カ．「乾燥工程後、非酸化性雰囲気中又は真空中（例、１０−２Torr以下）で８２０〜９２０℃に加熱焼成する。」（第３頁右下欄１０行〜１２行）
　　　　　　　　　　　　　　
　キ．「実施例１
　まず、第１表に示す各成分について１０μm以下の粉末を準備した。 
　……
  次いで、この複合粉末を３本ロールミルで混練し、以下に示す配合割合のペーストとした。
　　複　合  粉　末　　　２４　   重量部
　　エチルセルロース　　　４．４　〃
　　テキサノール　　　　　５　　  〃
　　界面活性剤　　        ０．５４〃
　次に、接合する一方の基板として同表に示すセラミック基板(５０mm×５０mm口サイズ)を用い、上記ペースト(インサート材)をスクリーン印刷機を用いて所定の寸法の銅板に厚み３０μm、所定の形状に印刷した。なお、使用したスクリーンはステンレス製２００メッシユ、バイアス張りで、エマルジョン厚さ４５μm、所定の形状にパターン化されているものである。
　印刷後、１０分間室温にてレベリングした後に１０５℃で３０分間乾燥した。乾燥したものを更に膜厚焼成炉を使用し、窒素雰囲気中で脱脂した。７００℃以上の高温で焼成すると最終的に接合しなくなるので、本実施例では、ピーク温度は６００℃×８分間で６０分間プロファィルとした。この焼成の目的はペ−スト中のバインダー成分を発揮させることにある。
　脱脂後、第３図に示す表パターンの場合は、５０mm×５０mmで厚さ０．６３５mmのセラミック基板上にパターン間隔２mmにて４８mm×１６mm寸法の銅板(タフピッチ銅、無酸素銅)を重ねた状態で、また第４図に示す裏パターンの場合は、同様のセラミック基板上に４．６mm口の銅板を重ねた状態で、Ｎ２気流中又は１０−４Ｔorrの真空下で１０kg／cm２の荷重をかけて８５０℃×(１０〜１５)分間で接合した。」（第４頁左上欄１行〜左下欄４行）
　　　　　　　　　　　　　　　　
　なお、第３図に見られるセラミック基板１上の３枚の４８mm×１６mm寸法の銅板２(タフピッチ銅、無酸素銅)は、実際の回路を想定したものであり、本願発明の金属回路板及び回路の線に該当するものと認められる。
　また、この実施例はセラミックス基板１上に接着ペーストを介してこの銅板２を接合するものであるが、この接着ペーストは、上記の記載事項の下線部分の記載からみて、活性金属ろう材層であると認められる。
　　　　　　　　　　　　　
　これらの記載からみれば、引用例１には、以下のとおりの発明が記載されていると認められる（以下、「引用発明１」という。）。
　『セラミックス基板と、このセラミックス基板上に活性金属ろう材層を介して接合された金属回路板とを有するセラミックス回路基板において、　前記金属回路板のパターン間隔２mmであるセラミックス回路基板。』
　　　　　　　　　　　　　
（２）同じく、拒絶査定の理由で周知例として引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−１８８４７５号公報（以下、「引用例２」という）には、「セラミツクスと金属部材との直接接合方法」に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　
　ク．「〔従来の技術〕
　セラミツクスと金属との接合方法として米国特許2739375号、米国特許4471026号で公知のＣｕ，Ａｇ、または、Ｃｕ−Ａｇ合金中にＴｉ、または、Ｚｒを添加した、いわゆる、活性金属ろうによる接合は、セラミツクス表面をメタライズ(金属化)せずに金属と直接々合できる利点があるため、広く利用されつつある。しかし、
活性金属ろう材でセラミツクスと金属とを接合
　　　　　　　　　　　　　
　ケ．「本発明の目的は、セラミックスと金属部材とを活性金属ろうにより直接接合する方法において、金属部材の接合部分の端部の部分の金属表面に、ろう材の過剰なぬれ防止被覆膜を形成した後、セラミックスと金属部材との間に活性金属ろうを配置し、不活性雰囲気中で活性金属ろうの融点以上に加熱し、セラミックスと金属部材とを接合することにより達成される。」（第２頁左上欄１４行〜右上欄１行）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　コ．「＜実施例１＞
　第１図に示すように、板厚２mm、高さ１０mmで８０mm角の
銅フレ−ム１
アルミナセラミツクス基板３
３％Ｔｉ入り銀ろう（７２wt％Ａｇ−Ｃｕ共晶ろう）
３％Ｔｉ入り銀ろう材４
フイレツト６が形成され
　　　　　　　　　　　　
　上記下線部の記載及び第１、２図から、上記引用例２には、活性金属ろう材として、３％Ｔｉ入り銀ろう（７２wt％Ａｇ−Ｃｕ共晶ろう）材を用い、金属部材（銅フレーム１）とアルミナセラミツクス基板３とを接合した場合、金属部材１の側面を所定の高さまで
フイレツト６
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「金属回路板のパターン間隔２ｍｍ」は、本願発明の「金属回路板の最小線間が０．３ｍｍ以上」に含まれるので、両者は、
「セラミックス基板と、このセラミックス基板上に活性金属ろう材層を介して接合された金属回路板とを有するセラミックス回路基板において、前記金属回路板の最小線間が０．３ｍｍ以上であるセラミックス回路基板。」
である点で一致し、
　本願発明では、「前記ろう材層は前記金属回路板の側面の一部を覆うように設けられている」構成を有するのに対し、引用発明１には該構成が記載されていない点で相違する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．当審の判断
　次に、上記相違点について検討する。
　上記相違点に関しては、引用例２に示されている様に、セラミックス基板と金属部材とを活性金属ろう材により接合する場合、そのぬれ特性により、金属側面をフィレットが覆うことは通常のことであり、引用発明１においても、金属側面の一部がフィレットで覆われていないと断定できず、また、たとえ、引用発明１において金属側面の一部がフィレットで覆われていないとしても、引用例２に示されたぬれ特性に対し過剰フィレットを抑制できるという知見をもってすれば、引用発明１の金属回路板の側面の一部を活性金属ろう材層で覆うように設けることにより、本願発明を構成することは当業者であれば容易に想到し得る程度の事項と認められる。
　　　　　　　　　　
　よって、本願発明は、上記引用発明１において、引用例２記載の技術事項を勘案することにより、当業者ならば容易に発明をすることができたものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そして、このような進歩性を有しない発明を包含する本願は、本願の請求項２〜１０に係る発明について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。　　よって、結論のとおり審決する。