【事件の表示】
　平成６年特許願第１１１６２４号「ＬＳＩデバイス・ウエハのプラナリゼーション加工装置及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成７年１２月５日出願公開、特開平７−３１４２９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成６年５月２６日の特許出願であって、平成１４年４月２２日付けで拒絶の理由が通知され、同１４年５月２９日に意見書とともに手続補正書が提出されたが、同１５年３月３日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１５年４月４日に本件審判の請求がされるとともに、同１５年４月１７日に明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、補正前後の特許請求の範囲の請求項４の記載は以下のとおりである。
　
（１）補正前の請求項４
「ＬＳＩデバイス・ウエハの回路パターンによる凸部間距離に所定の等分布荷重が作用する場合の最大撓みが５００Å以下である十分高い剛性を有し、かつ表面に研磨屑を収納する溝を有するポリッシャ板（１２）の上面にウエハ（２）の被加工面を下にして載せ、該ウエハの上面に内部に液体又は気体が充填された弾性材からなる円板状容器を介して均等な圧力をかけ、ポリッシャ板とウエハの間に平均粒径が１μｍ未満の酸化セリウム砥粒を含む懸濁液を供給し、ウエハをポリッシャ板の表面に沿って摺動させる、ことを特徴とするＬＳＩデバイス・ウエハのプラナリゼーション加工方法。」
　
（２）補正後の請求項４
「ＬＳＩデバイス・ウエハの回路パターンによる凸部間距離に所定の等分布荷重が作用する場合の最大撓みが５００Å以下である十分高い剛性を有し、かつ表面に研磨屑を収納する溝を有するポリッシャ板（１２）の上面にウエハ（２）の被加工面を下にして載せ、該ウエハの上面に内部に液体又は気体が充填された弾性材からなる個別の円板状容器を介して均等な圧力をかけ、ポリッシャ板とウエハの間に砥粒を含む懸濁液を供給し、ウエハをポリッシャ板の表面に沿って摺動させる、ことを特徴とするＬＳＩデバイス・ウエハのプラナリゼーション加工方法。」
　
２　補正の適否　　　
　請求項４における補正は、「円板状容器」が「個別の円板状容器」であるとの限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項４に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、前記１の（２）の補正後の請求項４に記載されたとおりのものであると認める。
　
（２）引用例記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−２７７９０８号公報（以下、「引用例１」という。）及び実願昭５１−２１９３８号（実開昭５２−１１３４９６号）のマイクロフィルム（以下、「引用例２」という。）並びに原査定における備考欄に記載した本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭５４−４４２９９号公報（以下、「引用例３」という。）には、以下のとおり記載されている。
　
（２−１）引用例１
ａ　第１欄第４９行−第２欄第８行
「【発明の背景】集積回路（ＩＣｓ）の製造過程では、薄く平坦なウェハなどの一方の面を研磨する必要性が出てくることがあり、通常、半導体ウェハはその表面を平坦化するため研磨して、表面の凹凸を取除いたり、結晶格子損傷や、スクラッチ、粗さ、または塵埃などウェハ内に埋もれているパーティクルの表面欠陥を取除く。この研磨工程は、しばしば、機械的平坦化、または化学機械的平坦化（ＣＭＰ）と呼ばれ、半導体デバイスの品質や信頼性を向上させるために利用され、通常、ウェハ上でのデバイスや集積回路の形成中に実施される。」
ｂ　第５欄第１５行−第６欄第３４行
「【好ましい具体例の説明】図１を参照すると、化学機械的平坦化（ＣＭＰ）に適した装置が（２４）として示されている。この化学機械的平坦化（ＣＭＰ）装置（２４）には半導体ウェハ（１０）を保持するウェハ・キャリア（２６）がある。このウェハ・キャリア（２６）はドライブ・モーター（２８）によってウェハを連続回転するように搭載されている。また、ウェハ・キャリア（２６）はその動きを両向き矢印３０で示すように、研磨する面に沿って横方向に動くように搭載されている。・・・また、ウェハ・キャリア（２６）にはウェハ上に押し付ける圧力あるいは力（Ｆ）が及ぶようにされている。
【００１５】ＣＭＰ装置（２４）には、ドライブ・モーター（３６）によって回転する研磨プラテン（３４）が搭載されている。この研磨プラテンはウェハ（１０）に比べて比較的大きく、ＣＭＰ工程の間ウェハ（１０）はこの研磨プラテン上を移動して平坦化される。研磨プラテン（３４）は金属などの硬く圧縮しない材料で構成されている。表面にアルミナやシリカなどの研磨材を含む研磨用スラリーが導管（３８）を通して研磨プラテン（３４）の表面に供給されるようになっている。
【００１６】研磨パッド（４０）は研磨プラテン（３４）に装着されている。本発明に従って、本発明中のＣＭＰプロセスの平坦化工程中は、硬く圧縮率の低い材料からなる研磨パッドが使用される。・・・平坦化の段階では、研磨パッド（４０）は比較的硬く圧縮率の低い材料で構成され、ウェハ（１０）を平坦化する凹凸のない平坦な接触面を作る（図２（Ａ），４６）。・・・
【００１７】一般に、硬質で圧縮率の低い研磨パッド（４０）は、図７（Ａ）の柔らかい圧縮性の研磨パッド（１８）と異なり、負荷を与えても変形することがない。・・・
【００１８】また、図３（Ａ）に示すように、硬質で圧縮率の低い研磨パッド（４０）は、ＢＰＳＧのような絶縁層（４２）の最も高い部分をも取り除くこともできる。研磨パッド（４０）の平坦な接触面（４６）は図のように最も高い部分に接触するが、この絶縁層（４２）の形状に整合堆積して生じた谷の部分に接触することはない。図３（Ｂ）に示すように、単に絶縁層（４２）上に平坦な面を形成するだでなく、ＢＰＳＧなどのより薄い絶縁層（４２）を使うことも可能となる。これは、硬質で圧縮率の低い研磨パッド（４０）を使用することにより、絶縁層（４２）の谷の部分に接触して、完全に削り取られたり、打ち抜かれることがなくなるからである。」
　また、半導体ウエハ（１０）の高い部分が回路パターンにより生じたものであることは、技術常識より明らかであり、また、研磨パッド（４０）の上面に半導体ウエハ（１０）が被加工面を下にして載せられ、該半導体ウエハ（１０）の上面に圧力がかけられていることは、図１及び図３より明らかである。
　以上のとおりであるので、引用例１には、次の「半導体ウエハの平坦化方法」が記載されていると認める。
「回路パターンによる高い部分が生じた半導体ウェハ（１０）に所定の圧力が作用する場合に高い部分間の谷の部分に接触することがないような十分高い剛性を有する研磨パッド（４０）の上面に半導体ウェハ（１０）の被加工面を下にして載せ、該半導体ウェハ（１０）の上面に圧力をかけ、研磨パッド（４０）と半導体ウェハ（１０）の間に研磨材を含む研磨用スラリーを供給し、半導体ウェハ（１０）を研磨パッド（４０）の表面に沿って摺動させる半導体ウェハ（１０）の平坦化方法。」（以下、「引用例１記載の発明」という。）
　
（２−２）引用例２
ａ　明細書第１頁第１１−１８行
「本考案は半導体材料表面をラップ研磨するためのラッププレートに関するものである。
　半導体材料例えばシリコンウエーハを両面ラップする方法は上部及び下部ラッププレートの間に中間キヤリヤを入れ、このキヤリヤでシリコンウエーハを移動させながら上部より点滴される研磨剤と上部及び下部プレートの圧力により行う湿式ラップである。」
ｂ　明細書第３頁第４行−末行
「本考案は前記した欠点の原因となつている下部ラッププレートの碁盤の目状の溝を第２図に例示したように螺旋状の溝（３）とこれらを相互に流通する同心円状の溝（４）としたものである。この場合滴下された研磨剤は下部プレート（２）の溝を通じシリコンウエーハの自公転運動と下部プレートの回転による遠心力さらに研磨剤の動きと同一方向の下部プレートの螺旋状溝（３）により外周方向への自然な強い移動力を受け溝中をあふれることなく流出する。
　本考案は以上のようになるものであるからシリコンウエーハのラッピング中に発生するシリコンウエーハのかけらによる微細なシリコン屑、研磨剤中に混入する微量のごみが種々の条件変動によつても溝からあふれ出すことがないからウエーハに傷つけることがなく、傷やかけ等によるウエーハの損失を防止できる点の効果は多大である。」
　また、上記ｂの記載事項より、シリコン屑すなわち研磨屑は、溝からあふれ出すことがないので、溝は研磨屑を収納するものであることが明らかである。
　以上のとおりであるので、引用例２には、「半導体ウエハの研磨において、研磨剤を介して半導体ウエハを研磨する下部ラッププレートの表面に研磨屑を収納する溝を設けること。」（以下、「引用例２記載の技術的事項」という。）が記載されていると認める。
　
（２−３）引用例３
ａ　第２頁左上欄第６−１３行
「本発明は、半導体ウエハ、金属片等の研磨方法およびその装置に関し、更に詳しくは、研磨体に被研磨体を一定圧力で押付けて行なう研磨装置において、被研磨体に流体を封入した柔軟体を直接又は間接に上設し、該柔軟体に加圧手段で荷重をかけることにより、前記被研磨体を研磨体に均等な圧力で接触させるようにしたことを特徴とする研磨方法およびその装置に関する。」
ｂ　第２頁左下欄第５−１７行
「本発明に例示したユニツト（３）は、第２〜４図に示す如き構成のものであるが、共通することは流体を封入した柔軟体（７）を組込んでいることである。第２図に示す定盤（１）に載置したユニツト（３）は円筒形のリング（３）の内部下位に複数個の通孔（９）…を穿設した円形固定プレート（１０）を取付け、該通孔（９）…に複数個の円柱形被研磨体（４）…を位置せしめると共に、筒体（１１）の上下にゴム又は合成樹脂等の軟質材製の皮膜（１２）（１２）を張り、その内部にガス体又は液体の流体（１３）を封入した柔軟体（７）を被研磨体（４）…に上設したものである。想像線で示したものは加圧手段（５）の一実施例である重錘で、これを柔軟体（７）上に載置している。」
　上記記載事項より、引用例３には、「半導体ウエハの研磨方法において、内部に液体又は気体が充填された筒体（１１）及び軟質材製の皮膜（１２）（１２）からなる容器の皮膜（１２）を介して半導体ウエハの上面に均等な圧力をかけること。」（以下、「引用例３記載の技術的事項」という。）が記載されていると認める。
　
（３）対比
　補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１記載の発明の「半導体ウェハ（１０）」は、補正発明の「ＬＳＩデバイス・ウエハ」に相当しており、以下同様に、「研磨パッド（４０）」は「ポリッシャ板（１２）」に、「研磨材を含む研磨用スラリー」は「砥粒を含む懸濁液」に、「平坦化方法」は「プラナリゼーション加工方法」に、それぞれ相当していることが明らかである。
　したがって、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりです。
〈一致点〉
　高い剛性を有するポリッシャ板の上面にウエハの被加工面を下にして載せ、該ウエハの上面に圧力をかけ、ポリッシャ板とウエハの間に砥粒を含む懸濁液を供給し、ウエハをポリッシャ板の表面に沿って摺動させるＬＳＩデバイス・ウエハのプラナリゼーション加工方法。
〈相違点１〉
　ポリッシャ板の表面に、補正発明では、研磨屑を収納する溝が設けられているのに対し、引用例１記載の発明では、そのような溝が設けられているものではない点。
〈相違点２〉
　ウエハの上面にかける圧力が、補正発明では、内部に液体又は気体が充填された弾性材からなる個別の円板状容器を介した均等な圧力であるのに対し、引用例１記載の発明では、そのような均等な圧力ではない点。
〈相違点３〉
　ポリッシャ板の剛性が、補正発明では、ＬＳＩデバイス・ウエハの回路パターンによる凸部間距離に所定の等分布荷重が作用する場合の最大撓みが５００Å以下である十分高い剛性であるるのに対し、引用例１記載の発明では、そのように特定されていない点。
　
（４）相違点の検討
　前記各相違点について、以下検討する。
〈相違点１について〉
　引用例２には、前記（２）のイのとおりの技術的事項が記載されており、この引用例２記載の技術的事項の研磨剤は補正発明の砥粒を含む懸濁液に相当するものであることが明らかであり、そして、引用例１記載の発明のポリッシャ板と引用例２記載の技術的事項の下部ラッププレートとは、砥粒を含む懸濁液を介して半導体ウエハを研磨する部材であることで共通しているので、引用例１記載の発明におけるポリッシャ板に引用例２記載の技術的事項の表面に研磨屑を収納する溝を設けることを採用することは、当業者が容易に想到することができたことである。
　
〈相違点２について〉
　引用例３には、前記（２）のウのとおりの技術的事項が記載されており、そして、引用例１記載の発明と引用例３記載の技術的事項とは、ともに半導体ウエハの研磨方法に関するものであり技術分野が共通するので、引用例１記載の発明におけるウエハの上面に圧力をかける手法として引用例３記載の技術的事項の均等な圧力をかける手法を採用することは、当業者が容易に想到することができたことである。
　また、その採用に際し、引用例３記載の技術的事項では、容器は、筒体及び軟質材製の皮膜からなるものであって、容器全体が軟質材製の皮膜すなわち弾性材からなるものでなないが、容器にどのような材料を用いるかは、必要に応じて適宜決定する設計的事項であるので、容器全体を弾性材からなるものとすることに格別の困難性は見当たらず、また、ウエハの上面に圧力をかける容器を個別のものとすること及び容器を円板状とすることにも、格別の困難性は見当たらない。
　
〈相違点３について〉
　ＬＳＩデバイス・ウエハには、回路パターンによる高い部分すなわち凸部が生じており、前記相違点２について検討したウエハの上面に内部に液体又は気体が充填された弾性材からなる個別の円板状容器を介して均等な圧力をかけることにより、ＬＳＩデバイス・ウエハの回路パターンによる凸部間距離に所定の等分布荷重が作用することは、技術常識より明らかであり、このような等分布荷重が作用する場合に対しても、ポリッシャ板が凸部間の谷の部分に接触することがないように、ポリッシャ板を十分高い剛性を有するものとすることは、当然に考慮されることである。
　そして、ポリッシャ板が凸部間の谷の部分に接触することがないような十分高い剛性であることについて、これを最大撓みにより特定することは、当業者にとって格別困難なことではなく、また、その最大撓みをどの程度のものとするかは、例えば、本件明細書の段落【０００２】にも、従来の技術として半導体デバイスの高密度・高集積化の進展に伴い絶縁膜表面の段差を５００Å以下に抑える必要がある旨記載されているように、ＬＳＩデバイス・ウエハの高密度・高集積化の程度に応じて求められる事項であって、５００Å以下とすることに格別の技術的意義が見当たらない。
　したがって、引用例１記載の発明のポリッシャ板の剛性について、ＬＳＩデバイス・ウエハの回路パターンによる凸部間距離に所定の等分布荷重が作用する場合の最大撓みが５００Å以下である十分高い剛性と限定することは、当業者が容易に想到することができたことである。
　
〈作用効果について〉
　補正発明が奏する作用効果は、引用例１記載の発明、引用例２記載の技術的事項及び引用例３記載の技術的事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
　以上のとおりであるので、補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２記載の技術的事項及び引用例３記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　したがって、本件補正は、平成６年改正前特許法第１７条の２第４項において読み替えて準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
  
第３　本件発明について 
１　本件発明
　本件補正は、前記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１乃至４に係る発明は、平成１４年５月２９日付け手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載されたとおりのものであると認めるところ、請求項４に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、前記第２の１の（１）の補正前の請求項４に示したとおりである。
　
２　引用例記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である前記引用例１及び前記引用例２並びに原査定における備考欄に記載した本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である前記引用例３にそれぞれ記載された事項は、前記第２の２の（２）に示したとおりである。
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用した本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−３２６４６９号公報（以下、「引用例４」という。）には、以下のとおり記載されている。
ａ　第１欄第２−１２行（【特許請求の範囲】）
「【請求項１】半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の少なくとも一部を酸化セリウムを含む研磨剤によって研磨し、取り除く工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　・・・
【請求項３】前記酸化セリウムを含む研磨剤は、酸化セリウムを含む粒子を水に懸濁させたものであることを特徴とする請求項１，２記載の半導体装置の製造方法。」
ｂ　第４欄第１６−２０行
「研磨剤は、平均粒径１．２μｍ、最大粒径４．０μｍの酸化セリウムを含む粉体は、バストネサイトを粉砕、焼成したもので、その組成は、酸化セリウム５０ｗｔ％、その他の希土類金属の酸化物３７ｗｔ％程度のものである。」　
ｃ　第４欄第３７−４３行
「この結果より、・・・酸化セリウムを含む研磨剤は、粒径が小さいもの・・・が傷の発生を抑えられる事・・・がわかる。」
　上記記載事項より、引用例４には、「半導体ウエハの研磨方法において、平均粒径１．２μｍの酸化セリウム砥粒を含む懸濁液を用いること及び酸化セリウム砥粒の粒径が小さいものが好ましいこと。」（以下、「引用例４記載の技術的事項」という。）が記載されていると認める。
　
３　対比
　本件発明と引用例１記載の発明とを対比すると、両者は、上記一致点で一致し、上記相違点１及び前記相違点３に加え、下記相違点４及び相違点５で両者は相違している。
〈相違点４〉
　ウエハの上面にかける圧力が、本件発明では、内部に液体又は気体が充填された弾性材からなる円板状容器を介した均等な圧力であるのに対し、引用例１記載の発明では、そのような均等な圧力ではない点。
〈相違点５〉
　砥粒が、本件発明では、平均粒径が１μｍ未満の酸化セリウム砥粒であるのに対し、引用例１記載の発明では、そのような砥粒ではない点。
　
４　相違点の検討
　前記各相違点について検討すると、相違点１及び相違点３については、前記第２の２の（４）で既に検討しており、また、相違点４については、前記相違点２における円板状容器が個別の円板状容器であるとの限定を省いたものであるので、前記第２の２の（４）で検討した相違点２についての中で既に検討していることになる。
　したがって、以下、相違点５について検討する。
　引用例４には、前記２のとおりの技術的事項が記載されており、そして、引用例１記載の発明と引用例４記載の技術的事項とは、ともに半導体ウエハの研磨方法に関するものであり技術分野が共通するので、引用例１記載の発明における砥粒として引用例４記載の技術的事項である酸化セリウム砥粒を採用することは、当業者が容易に想到することができたことであり、また、引用例４には、平均粒径１．２μｍの酸化セリウム砥粒を用いること及び酸化セリウム砥粒は粒径が小さいものが好ましいことが記載されているので、その採用に際し、酸化セリウム砥粒の平均粒径を１μｍ未満とすることに格別の困難性は見当たらない。
　そして、本件発明が奏する作用効果は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の技術的事項乃至引用例４記載の技術的事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
５　むすび
　以上のとおりであるので、本件発明は、引用例１記載の発明及び引用例２記載の技術的事項乃至引用例４記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願の請求項１乃至３に係る発明について判断するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。