【事件の表示】
　平成　９年特許願第２６６６８１号「表示装置とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月２３日出願公開、特開平１１−１０９４０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年９月３０日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１４年６月１４日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものと認める。
「絶縁基板上に、ゲート絶縁膜を挟んで半導体膜とゲート電極とを形成し、前記半導体膜にソース・ドレイン及びチャネルを形成する工程と、
　前記ソース・ドレイン領域を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜に、前記ソース・ドレイン領域の表面を露出する第１と第２のコンタクトホールを同時に形成する工程と、
　前記第１のコンタクト孔を通して前記ソース・ドレイン領域の一方の領域にコンタクトする電極を形成する工程と、
　前記絶縁膜及び前記電極を被う感光性樹脂からなる平坦化膜を形成する工程と、
　前記平坦化膜の前記第２のコンタクト孔に対応する部分に、第３のコンタクト孔を形成する工程と、
　前記平坦化膜の上に配置され、前記第３のコンタクト孔を介して前記ソース・ドレイン領域の他方の領域にコンタクトする透明電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする表示装置の製造方法。」
　
　なお、請求項１における「ゲート電極を挟んで半導体膜とゲート電極とを形成し」の最初の「ゲート電極」は、図面及び出願当初明細書の請求項１の記載から見て、「ゲート絶縁膜」の明らかな誤記と認め、本願発明を上記のとおり認定した。
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に周知例として引用した、この出願前公知の刊行物である特開平９−１４６１１８号公報（以下、「引用例１」という。なお、当該刊行物について、請求人は、補正された審判請求書の請求の理由第３頁下から４行ないし第４頁９行において、引用例６として相違点を検討している。）には、下記の記載が認められる。
「【００２１】　次に、図５及び図６に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。まず、耐熱性の石英からなる基板（１０）上に、ジシランＳｉ２Ｈ６を材料ガスとしてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を積層する。このａ−Ｓｉを６００℃の固相成長法、あるいは、１０５０℃のＯ２アニールにより多結晶化し、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）（１１）とする。これを、反応性イオンエッチ、即ち、ＲＩＥ（reactive ion etch）によりエッチングしてＴＦＴ部の島状層及び第１の補助容量電極（１１Ｃ）を形成する。これにボロンなどのｐ型不純物のイオン注入を行い、低濃度にドーピングした後、更に、８８０℃の減圧ＣＶＤにより、ＳｉＯ２のゲート絶縁膜（１２）を形成し、高温アニールを行う。ＴＦＴ部上にレジストを被覆して、燐などのｎ型不純物のイオン注入を行い、第１の補助容量電極（１１Ｃ）を低抵抗化する。この上に、ＳｉＨ４を材料ガスとした６７０℃の高温ＣＶＤによりｐ−Ｓｉを積層して、ＰＯＣｌ３拡散により燐をドーピングして低抵抗化した後、タングステンシリサイドＷＳｉをスパッタリングする。これらｐ−ＳｉとＷＳｉをＲＩＥによりエッチングして、ゲート電極（１３Ｇ）とゲートライン（１３Ｌ）及び第２の補助容量電極（１３Ｃ）を形成する。このゲート電極（１３Ｇ）をマスクに燐の第１回のイオン注入を低ドーズ量で行うことにより、ソース及びドレイン領域（１１Ｓ，１１Ｄ）とＬＤ領域（１１Ｌ）となる領域を低濃度にドーピングするとともに、ゲート電極（１３Ｇ）の直下にはｐ型のチャンネル領域（１１Ｎ）を残す。続いて、ゲート電極（１３Ｇ）よりもサイズの大きなレジストを被覆し、これをマスクに燐の第２回のイオン注入を高ドーズ量で行う。これにより、チャンネル領域（１１Ｎ）の両側に低濃度のＬＤ領域（１１Ｎ）を挟んで高濃度のソース及びドレイン領域（１１Ｓ，１１Ｄ）が形成される。次に、平坦化された第１の層間絶縁膜（１４）として、まず、ＣＶＤによりＳｉＯ２を１０００Å、及び、ＢＰＳＧ、即ち、ボロンと燐を含んだＳｉＯ２を５０００Å成膜し、９００℃で加熱することにより、ＢＰＳＧを平坦化した後、更に、ＳｉＯ２を３２００Åを成膜する。そして、ＲＩＥにより、ドレイン領域（１１Ｄ）及びソース領域（１１Ｓ）上の第１の層間絶縁膜（１４）及びゲート絶縁膜（１２）を除去して、コンタクトホール（ＣＴ４，ＣＴ５）を形成する。この時、コンタクトホール（ＣＴ５）は、従来よりも径が大きく、５μｍ程度としている。そして、ドレイン電極材料としてＴｉ／ＡｌＳｉの２層メタルをスパッタリングにより、７０００Å程度積層する。これをＲＩＥによりエッチングして、コンタクトホール（ＣＴ４）を介してドレイン領域（１１Ｄ）に接続するドレイン電極（１５）を形成する。ドレイン電極（１５）を覆う全面には、第２の層間絶縁膜（１７）として、ＣＶＤによりＳｉＯ２膜を２０００Å、平坦化のためのＳＯＧ膜を６０００Å、更に、ＣＶＤによりＳｉＯ２膜を３０００Åに厚さに形成している。この時、コンタクトホール（ＣＴ５）中に第２の層間絶縁膜（１７）が埋め込まれ、段差が緩和される。そして、ＲＩＥによりソース領域（１１Ｓ）上のコンタクトホール（ＣＴ５）内の第２の層間絶縁膜（１７）を��去し、コンタクトホール（ＣＴ６）を形成する。そして、ＩＴＯのスパッタリングとＲＩＥにより、コンタクトホール（ＣＴ６）を介してソース領域（１１Ｓ）に接続する表示電極（１８）を形成する。
【００２２】・・・傾斜部は、ＳＯＧなどの平坦化膜の表面により形成されているため、緩やかであり、・・・コンタクト抵抗を上昇させることはない。」
　
　上記及び図６の記載によれば、引用例１には、
「基板（１０）上に、アモルファスシリコンを積層して多結晶化したポリシリコン（１１）、ゲート絶縁膜（１２）、ゲート電極（１３Ｇ）をこの順に形成し、このゲート電極（１３Ｇ）をマスクにソース及びドレイン領域（１１Ｓ，１１Ｄ）形成し、チャンネル領域（１１Ｎ）を残し、次に、第１の層間絶縁膜（１４）を成膜し、ドレイン領域（１１Ｄ）及びソース領域（１１Ｓ）上の第１の層間絶縁膜（１４）及びゲート絶縁膜（１２）を除去して、コンタクトホール（ＣＴ４，ＣＴ５）を形成し、ドレイン電極材料としてＴｉ／ＡｌＳｉの２層メタルをスパッタリングにより積層し、エッチングして、コンタクトホール（ＣＴ４）を介してドレイン領域（１１Ｄ）に接続するドレイン電極（１５）を形成し、前記第１の層間絶縁膜（１４）及びドレイン電極（１５）を覆う全面に、平坦化のためのＳＯＧ膜を含む第２の層間絶縁膜（１７）を形成し、この時、コンタクトホール（ＣＴ５）中に第２の層間絶縁膜（１７）が埋め込まれ、次いで、ソース領域（１１Ｓ）上のコンタクトホール（ＣＴ５）内の第２の層間絶縁膜（１７）を除去し、コンタクトホール（ＣＴ６）を形成し、ＩＴＯのスパッタリングとＲＩＥにより、コンタクトホール（ＣＴ６）を介してソース領域（１１Ｓ）に接続する表示電極（１８）を形成する液晶表示装置の製造方法」の発明が記載されている。
　
３．対比・判断
　本願発明と上記引用例１記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
　引用発明の「基板（１０）」、「ゲート絶縁膜（１２）」、「ポリシリコン（１１）」、「ゲート電極（１３Ｇ）」、「第１の層間絶縁膜（１４）」、「コンタクトホール（ＣＴ４，ＣＴ５）」、「ドレイン電極（１５）」、「平坦化のためのＳＯＧ膜を含む第２の層間絶縁膜（１７）」、「コンタクトホール（ＣＴ６）」、「表示電極（１８）」及び「液晶表示装置」は、本願発明の「絶縁基板」、「ゲート絶縁膜」、「半導体膜」、「ゲート電極」、「ソース・ドレイン領域を被覆する絶縁膜」、「第１と第２のコンタクトホール」、「ソース・ドレイン領域の一方の領域にコンタクトする電極」、「平坦化膜」、「第３のコンタクト孔」、「透明電極」及び「表示装置」に各々相当する。
　また、引用発明において、「ポリシリコン（１１）、ゲート絶縁膜（１２）、ゲート電極（１３Ｇ）をこの順に形成」しているのであるから、ゲート絶縁膜を挟んでポリシリコンとゲート電極が形成されていることは明らかである。
　またさらに、引用発明において、「第１の層間絶縁膜（１４）及びゲート絶縁膜（１２）を除去して、コンタクトホール（ＣＴ４，ＣＴ５）を形成」するのであるから、コンタクトホール（ＣＴ４，ＣＴ５）は同時に形成され、ソース・ドレイン領域の表面が露出されることは明らかである。
　したがって、両者は、
「絶縁基板上に、ゲート絶縁膜を挟んで半導体膜とゲート電極とを形成し、前記半導体膜にソース・ドレイン及びチャネルを形成する工程と、
　前記ソース・ドレイン領域を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜に、前記ソース・ドレイン領域の表面を露出する第１と第２のコンタクトホールを同時に形成する工程と、
　前記第１のコンタクト孔を通して前記ソース・ドレイン領域の一方の領域にコンタクトする電極を形成する工程と、
　前記絶縁膜及び前記電極を被う平坦化膜を形成する工程と、
　前記平坦化膜の前記第２のコンタクト孔に対応する部分に、第３のコンタクト孔を形成する工程と、
　前記平坦化膜の上に配置され、前記第３のコンタクト孔を介して前記ソース・ドレイン領域の他方の領域にコンタクトする透明電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする表示装置の製造方法」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
　相違点；
　平坦化膜が、本願発明では、「感光性樹脂からなる」のに対して、引用発明は、この構成を有しない点。
　
　上記相違点につき検討する。
　原査定の拒絶理由に引用した特開平７−１４６４９１号公報（以下、「引用例２」という。）には、絶縁基板上に、ソース、ドレイン領域を形成するポリシリコン膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極を形成し、その上方に、第一層間絶縁膜、アルミニウムの信号電極、平坦化層等を順に設けた表示素子用基板（図１参照。）において、「平坦化層５の材料としては上述した様にフォトリソグラフィ可能な感光性透明樹脂材料を採用することが好ましい。」（第７欄２６〜２８行）と記載されている。
　したがって、本願発明は、引用例１の平坦化のためのＳＯＧ膜を含む第２の層間絶縁膜として、引用例２に記載された感光性透明樹脂材料からなる平坦化層を採用することにより当業者が容易に想到することができたものである。
　また、本願発明によってもたらされる効果は、引用例１（前掲【００２１】「コンタクトホール（ＣＴ５）中に第２の層間絶縁膜（１７）が埋め込まれ、段差が緩和される。」及び【００２２】「・・・傾斜部は、ＳＯＧなどの平坦化膜の表面により形成されているため、緩やかであり、・・・コンタクト抵抗を上昇させることはない。」）及び引用例２記載のものから予測し得る程度のものであり、格別とは言えない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。