Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月8日(2018.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物と、
Ｍｎと、
３価のＢｉを有する圧電材料であって、
前記金属酸化物１モルに対して、
前記Ｍｎの含有量が０．００２０モル以上０．０１５０モル以下、
前記Ｂｉの含有量が０．０００４２モル以上０．００８５０モル以下であることを特徴とする圧電材料。
Ｂａａ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３    （１）（式中、０．０２≦ｘ≦０．１３、０．９８６≦ａ≦１．０２）
【請求項２】
前記圧電材料がＳｉまたはＢの少なくとも一方を含み、前記ＳｉおよびＢの含有量の総和が前記一般式（１）で表されるペロブスカイト型金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．００１重量部以上４．０００重量部以下であることを特徴とする請求項１に記載の圧電材料。
【請求項３】
正方晶と斜方晶との相転移温度Ｔｔｏが１０℃以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の圧電材料。
【請求項４】
前記圧電材料を構成する結晶粒の平均円相当径が５００ｎｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧電材料。
【請求項５】
前記圧電材料の相対密度が９３％以上１００％以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の圧電材料。
【請求項６】
前記圧電材料の相対密度が９３％以上９９．５％以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の圧電材料。
【請求項７】
前記圧電材料の周波数１ｋＨｚにおける誘電正接が０．００６以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の圧電材料。
【請求項８】
電極および圧電材料部を少なくとも有する圧電素子であって、前記圧電材料部に含まれる圧電材料が請求項１乃至７のいずれか１項に記載の圧電材料であることを特徴とする圧電素子。
【請求項９】
前記圧電材料部と、前記電極とが交互に積層された請求項８に記載の圧電素子。
【請求項１０】
前記電極がＡｇとＰｄを含み、前記Ａｇの含有重量Ｍ１と前記Ｐｄの含有重量Ｍ２との重量比Ｍ１／Ｍ２が０．２５≦Ｍ１／Ｍ２≦４．０であることを特徴とする請求項９に記載の圧電素子。
【請求項１１】
前記電極がＮｉおよびＣｕの少なくともいずれか１種を含むことを特徴とする請求項９に記載の圧電素子。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の圧電素子を備えた振動部を備えた液室と、前記液室と連通する吐出口を少なくとも有することを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１３】
被転写体の載置部と請求項１２に記載の液体吐出ヘッドを有することを特徴とする液体吐出装置。
【請求項１４】
請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の圧電素子を備えた振動体と、前記振動体と接触する移動体とを少なくとも有することを特徴とする超音波モータ。
【請求項１５】
請求項１４に記載の超音波モータを備えた駆動部を有することを特徴とする光学機器。
【請求項１６】
請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の圧電素子を備えた振動板を含む振動体を有することを特徴とする振動装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の振動装置を備えた振動を有することを特徴とする塵埃除去装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の塵埃除去装置と撮像素子ユニットとを少なくとも有する撮像装置であって、前記塵埃除去装置の振動板を前記撮像素子ユニットの受光面側に設けたことを特徴とする撮像装置。
【請求項１９】
請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の圧電素子を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の圧電素子を備えたことを特徴とする圧電音響部品。
【請求項２１】
圧電素子の製造方法であって、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の圧電材料と電極を設け、前記圧電材料が正方晶となる温度で電圧を印加し、電圧を保持した状態で前記圧電材料が斜方晶となる温度まで冷却することを特徴とする圧電素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る圧電材料は、下記一般式（１）：
Ｂａａ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３    （１）（式中、０．０２≦ｘ≦０．１３、０．９８６≦ａ≦１．０２）
で表わされるペロブスカイト型金属酸化物と、
Ｍｎと、
３価のＢｉを有する圧電材料であって、
前記金属酸化物１モルに対して、
前記Ｍｎの含有量が０．００２０モル以上０．０１５０モル以下、
前記Ｂｉの含有量が０．０００４２モル以上０．００８５０モル以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月14日(2018.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記２の絶縁膜上の第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜及び前記第２のトランジスタと電気的に接続された第２の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、第１の絶縁膜を貫通する領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２の絶縁膜を貫通する領域と、前記第２のトランジスタの半導体膜及び前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極を貫通する領域と、を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、単結晶半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２の導電膜の底面の幅は、５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
第１乃至第４の二等辺三角形と、正方形とで構成され、且つ前記第１乃至前記第４の二等辺三角形の頂角が１２０°以下である逆正四角錐の頂点を前記第１のトランジスタのゲート電極の上面の中心としたとき、前記半導体膜の底面が、前記正方形の領域に収まることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１のトランジスタのゲート電極の上面の中心と、前記第２のトランジスタのゲート電極の上面の中心とは互いに重なり、
前記第１のトランジスタのゲート電極の上面の中心と、前記半導体膜の上面の中心とは互いに重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
容量素子を有し、
前記容量素子は、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置と、
表示装置、マイクロフォン、スピーカー、操作キー、タッチパネル、または、アンテナと、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項６】
単結晶半導体をチャネルとする第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタ上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に無機膜を形成し、
前記無機膜上に第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて前記無機膜を加工して、第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクをマスクとして、前記第１の導電膜、前記酸化物半導体膜、及び前記第１の絶縁膜に開口を形成し、
前記開口に前記第１の導電膜、前記酸化物半導体膜、及び前記第１の絶縁膜を貫通する第２の導電膜を形成し、
前記第１のマスクはレジストマスクであり、
前記第１の導電膜及び前記酸化物半導体膜は、第２のトランジスタに含まれ、
前記第２の導電膜は、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタと電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記無機膜と前記第１のマスクとの間に、有機樹脂膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第２の導電膜を研磨処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月9日(2018.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、第１の導電膜と、絶縁膜と、を有する半導体装置であって、
前記絶縁膜は、開口部を有し、
前記第１の導電膜は、前記開口部に設けられた領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記トランジスタと電気的に接続され、
前記第１の導電膜の側面は、膜厚方向の断面形状において、複数の凸部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、
第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
第３の開口部を有する第３の絶縁膜と、
前記第１の開口部、前記第２の開口部、および前記第３の開口部に設けられた第１の導電膜と、を有し、
前記第１の開口部と、第２の開口部と、前記第３の開口部とは、互いに重なる領域を有し、
前記第１の開口部における前記第１の導電膜の幅、前記第２の開口部における前記第１の導電膜の幅、および前記第３の開口部における前記第１の導電膜の幅の、少なくとも２つ以上が互いに異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２の開口部は、前記第１の開口部上に位置し、
前記第３の開口部は、前記第２の開口部上に位置し、
前記第１の導電膜は、前記第１の開口部における幅より前記第２の開口部における幅が小さく、
前記第１の導電膜は、前記第３の開口部における幅より前記第２の開口部における幅が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の絶縁膜および前記第３の絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２において、
前記第２の開口部は、前記第１の開口部上に位置し、
前記第３の開口部は、前記第２の開口部上に位置し、
前記第１の導電膜は、前記第１の開口部における幅より前記第２の開口部における幅が大きく、
前記第１の導電膜は、前記第３の開口部における幅より前記第２の開口部における幅が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の絶縁膜および前記第３の絶縁膜は、酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜を有し、
前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置と、
表示装置、マイクロフォン、スピーカー、操作キー、位置入力装置、レンズ、または、接続部と、を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月21日(2018.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、導電層と、第２の絶縁層と、コンタクトプラグを有し、
前記導電層は前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に設けられ、
前記第１の絶縁層、前記導電層および前記第２の絶縁層は、互いに重なる領域を有し、
前記コンタクトプラグは、第１の絶縁層と、導電層と、第２の絶縁層を貫通するように設けられ、
前記コンタクトプラグは、前記第２の絶縁層から前記第１の絶縁層に向かう深さ方向において、前記第２の絶縁層と前記導電層との界面を境に径が小さくなる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、コンタクトプラグを有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタはシリコン基板に活性領域を有し、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体を活性層に有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタはそれぞれ重なる領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの間に第１の絶縁層を有し、
前記第２のトランジスタ上に第２の絶縁層を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と前記コンタクトプラグを介して電気的に接続されており、
前記コンタクトプラグは、前記第１の絶縁層、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、および前記第２の絶縁層を貫通しており、前記コンタクトプラグは、前記第２の絶縁層から前記第１の絶縁層に向かう深さ方向において、前記第２の絶縁層と前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方との界面を境に径が小さくなる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、ＣＭＯＳ回路を構成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記コンタクトプラグは、前記第２のトランジスタが有する酸化物半導体層を貫通していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に導電膜を形成し、
第１のマスクを用いて前記導電膜を選択的にエッチングすることによって、導電層および当該導電層を膜厚方向に貫通する貫通口を形成し、
前記導電層および前記貫通口を覆うように第２の絶縁層を形成し、
第２のマスクを用いて前記第２の絶縁層を選択的にエッチングすることによって、前記貫通口の径よりも大きい径の開口部を形成して前記貫通口を露出させ、
前記導電層をマスクとして第１の絶縁層を選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月25日(2018.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の酸化物半導体と、
前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体と、
前記第２の酸化物半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
前記第１の導電体上、前記第２の導電体上、及び前記第２の酸化物半導体上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体を介して、前記第２の酸化物半導体上に重なる領域を有する第３の導電体と、を有し、
前記第２の酸化物半導体は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、を有し、
前記第１の層は、前記第１の酸化物半導体と接する領域を有し、
前記第２の層は、前記第１の絶縁体と接する領域を有し、
前記第１の層は、前記第２の層よりも酸素欠損の割合が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上の第１の酸化物半導体と、
前記第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体と、
前記第２の酸化物半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
前記第１の導電体上、前記第２の導電体上、及び前記第２の酸化物半導体上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体を介して、前記第２の酸化物半導体上に重なる領域を有する第３の導電体と、を有し、
前記第２の酸化物半導体は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層と、を有し、
前記第１の層は、前記第１の酸化物半導体と接する領域を有し、
前記第２の層は、前記第１の絶縁体と接する領域を有し、
前記第２の層は、前記第１の層よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記基板と、前記第１の酸化物半導体との間に第２の絶縁体を有し、
前記第２の絶縁体は、前記第１の酸化物半導体と接する第１の領域と、前記第１の酸化物半導体と接しない第２の領域と、を有し、
前記第１の領域における前記第２の絶縁体の厚さは、前記第２の領域における前記第２の絶縁体の厚さより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体と、前記第１の絶縁体との間に第３の酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の層は、前記第１の絶縁体と重なる第３の領域と、前記第１の導電体と重なる第４の領域と、前記第２の導電体と重なる第５の領域と、を有し、
前記第３の領域の厚さは、前記第４の領域の厚さよりも小さく、かつ前記第５の領域の厚さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の導電体と、前記第１の絶縁体との間に第３の絶縁体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体のチャネル幅方向に置いて、前記第３の導電体は、前記第２の酸化物半導体の側面と面する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体は、インジウム、元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）と、亜鉛と、を有する酸化物であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月30日(2018.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン交換銀担持ゼオライトおよび所定量の非加熱使用の可能な遠赤外線放射体を含む殺菌用組成物であって、前記殺菌用組成物の比表面積が１０〜２０ｍ２／ｇであることを特徴とする殺菌用組成物。
【請求項２】
前記遠赤外線放射体の含有量が、前記イオン交換銀担持ゼオライトに対して１〜５質量％であることを特徴とする請求項１に記載の殺菌用組成物。
【請求項３】
大気中で７５０〜１０００℃で焼成されたものである、請求項１あるいは請求項２に記載の殺菌用組成物。
【請求項４】
下記の工程（１）〜（４）を含む工程によって請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の殺菌用組成物を製造することを特徴とする殺菌用組成物の製造方法。
（１）原料ゼオライトおよび硝酸銀を、純水を収容した容器中に入れて十分に混合してイオン交換銀担持ゼオライトを得る工程。
（２）工程（１）において得たイオン交換銀担持ゼオライトに対して所定量の非加熱使用の可能な遠赤外線放射体を混合して混合原料を得る工程。
（３）工程（２）において得た混合原料を真空引きしつつ加温し乾燥して乾燥原料を得る工程。
（４）工程（３）において得た乾燥原料を炉内に収容し大気中で７５０〜１０００℃で焼成するか、あるいは前記乾燥原料に必要に応じてバインダーを配合して成形した後、炉内に収容し大気中で７５０〜１０００℃で焼成して殺菌用組成物を得る工程。
【請求項５】
前記工程（１）において、原料ゼオライトがＮａＡ型ゼオライトであり、原料ゼオライトおよび硝酸銀を混合した前記純水のｐＨが７〜９であることを特徴とする請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
前記工程（２）において、工程（１）で得たイオン交換銀担持ゼオライトに対して前記遠赤外線放射体を１〜５質量％混合することを特徴とする請求項４あるいは請求項５記載の製造方法。
【請求項７】
前記工程（３）において、工程（２）で得た混合原料を真空度４〜８ｋＰａで真空引きしつつ温度７０〜９５℃で加温して、前記工程（１）と工程（２）の合計時間が３〜１０時間となるようにゆっくり乾燥することを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月27日(2018.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（４−カルバモイル−１−デシルピリジニウムアセテート）、４，４’−（テトラメチレンジカルボニルジアミノ）ビス（１−デシルピリジニウムアセテート）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（４−カルバモイル−１−デシルピリジニウムブロマイド）、および４，４’−（テトラメチレンジカルボニルジアミノ）ビス（１−デシルピリジニウムブロマイド）からなる群より選択される少なくとも１種以上のビス四級アンモニウム化合物、ならびに銀系抗菌剤を含有する、抗ウイルス剤。
【請求項２】
前記ビス四級アンモニウム化合物の水への溶解度が０．２％以下である、請求項１に記載の抗ウイルス剤。
【請求項３】
対象ウイルスが非エンベロープウイルスである、請求項１又は２に記載の抗ウイルス剤。
【請求項４】
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（４−カルバモイル−１−デシルピリジニウムアセテート）、４，４’−（テトラメチレンジカルボニルジアミノ）ビス（１−デシルピリジニウムアセテート）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（４−カルバモイル−１−デシルピリジニウムブロマイド）、および４，４’−（テトラメチレンジカルボニルジアミノ）ビス（１−デシルピリジニウムブロマイド）からなる群より選択される少なくとも１種以上のビス四級アンモニウム化合物、ならびに銀系抗菌剤を、物品に配合すること、又は物品表面にコーティングすることを含む、物品を抗ウイルス加工する方法。
【請求項５】
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（４−カルバモイル−１−デシルピリジニウムアセテート）、４，４’−（テトラメチレンジカルボニルジアミノ）ビス（１−デシルピリジニウムアセテート）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（４−カルバモイル−１−デシルピリジニウムブロマイド）、および４，４’−（テトラメチレンジカルボニルジアミノ）ビス（１−デシルピリジニウムブロマイド）からなる群より選択される少なくとも１種以上のビス四級アンモニウム化合物、ならびに銀系抗菌剤を、物品に配合すること、又は物品表面にコーティングすることを含む、抗ウイルス加工された物品を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月1日(2018.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の種類の樹脂片を摩擦帯電させる帯電装置と、
静電場を間に発生させる一対の電極と、
前記樹脂片を鉛直上方から前記静電場に導く搬送装置と、
前記静電場の鉛直下方に設けられ、かつ前記鉛直上方に開口することによって、前記静電場を通過して落下する前記樹脂片を回収する回収容器と、
前記静電場と前記回収容器との間の計測空間における前記樹脂片の落下量を計測する計測センサとを備える静電選別装置。
【請求項２】
前記回収容器が複数のセパレータで仕切られることによって、複数の回収区画が形成されている請求項１に記載の静電選別装置。
【請求項３】
前記計測センサは、前記複数の回収区画の鉛直上方に設けられている請求項２に記載の静電選別装置。
【請求項４】
前記計測センサを複数備え、
複数の前記計測センサは、前記複数の回収区画の鉛直上方に設けられている請求項２に記載の静電選別装置。
【請求項５】
前記計測センサが、前記計測空間において水平方向に走査される請求項３に記載の静電選別装置。
【請求項６】
前記計測センサは、ロードセルであり、かつ前記樹脂片の重量を計測する請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の静電選別装置。
【請求項７】
前記計測センサは、光学式センサであり、かつ前記樹脂片の個数を計測する請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の静電選別装置。
【請求項８】
予め定められたフィッティングカーブと前記計測センサが計測した前記計測空間における前記樹脂片の落下量とに基づいて前記回収区画に対応した前記樹脂片の落下量を解析するコンピュータをさらに備える請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の静電選別装置。
【請求項９】
前記セパレータを水平方向に移動させる駆動部をさらに備え、
前記コンピュータは、前記駆動部を制御して前記樹脂片の落下量の解析結果に対応した位置に前記セパレータを移動させることによって、前記回収区画の回収容量を変化させる、請求項８に記載の静電選別装置。
【請求項１０】
前記一対の電極に電圧をかけて前記一対の電極に前記静電場を発生させる電源をさらに備え、
前記コンピュータは、前記樹脂片の落下量の解析結果に基づいて前記電源の出力電圧を制御する、請求項８または請求項９に記載の静電選別装置。
【請求項１１】
前記回収容器の鉛直上方に設けられ、温度または湿度を調整する温湿度調整機器をさらに備え、
前記コンピュータは、前記樹脂片の落下量の解析結果に基づいて、前記温湿度調整機器を制御する、請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の静電選別装置。
【請求項１２】
前記コンピュータは、前記樹脂片の落下量の解析結果に基づいて算出した前記樹脂片の回収純度および前記樹脂片の回収率を用いて、前記セパレータの初期位置を決定する請求項９に記載の静電選別装置。
【請求項１３】
前記コンピュータは、前記樹脂片の落下量の解析結果を記憶する記憶装置を有し、かつ前記記憶した前記樹脂片の落下量の解析結果に基づいて算出した前記樹脂片の回収純度および前記樹脂片の回収率を用いて、前記セパレータの初期位置を決定する請求項１２に記載の静電選別装置。
【請求項１４】
前記コンピュータは、前記セパレータの初期位置を、前記樹脂片の回収純度が予め定められた値以上１００％以下の範囲になる位置に決定する請求項１２または請求項１３に記載の静電選別装置。
【請求項１５】
一対の電極の間に発生する静電場を通過して、前記静電場の鉛直下方に設けられ、かつ鉛直上方に開口する回収容器へ落下して回収される複数の種類の樹脂片の前記静電場と前記回収容器との間の計測空間における落下量を計測センサによって計測するステップと、
コンピュータが、予め定められたフィッティングカーブと前記計測するステップで計測した前記計測空間における前記樹脂片の落下量とに基づいて、前記回収容器に形成された複数の回収区画に回収される前記樹脂片の落下量を解析するステップとを備え、
前記複数の回収区画は、前記回収容器が複数のセパレータで仕切られることによって形成される、静電選別方法。
【請求項１６】
前記コンピュータが、前記セパレータを移動させる駆動部を制御して、前記解析するステップで解析した前記樹脂片の落下量の解析結果に対応した位置に前記セパレータを移動させるステップをさらに備える請求項１５に記載の静電選別方法。
【請求項１７】
前記コンピュータが、前記解析するステップで解析した前記樹脂片の落下量の解析結果に基づいて、電源の電圧を制御するステップをさらに備え、前記電源の電圧は、前記一対の電極に印加されて、前記一対の電極に前記静電場を発生させる、請求項１５または請求項１６に記載の静電選別方法。
【請求項１８】
前記コンピュータが、前記解析するステップで解析した前記樹脂片の落下量の解析結果に基づいて、前記回収容器の鉛直上方に配置された温湿度調整機器の温度または湿度を制御するステップをさらに備える請求項１５から請求項１７のいずれか１項に記載の静電選別方法。
【請求項１９】
前記コンピュータが、前記樹脂片の落下量の解析結果に基づいて算出した前記樹脂片の回収純度および前記樹脂片の回収率を用いて、前記セパレータの初期位置を決定するステップをさらに備える請求項１６に記載の静電選別方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
また、図９における電圧制御ステップＳ１５において、コンピュータ９が、解析ステップＳ１２で解析した樹脂片２ａ、２ｂの落下量の解析結果に基づいて電圧指令値を出力して、電源８の電圧を制御する。電源８の電圧は、一対の電極７ａ、７ｂに与えられて、一対の電極７ａ、７ｂに静電場を発生させる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月24日(2018.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象において統合失調症の少なくとも１種類の、課題完了の問題、気分の問題、気分変調、非定型的抗精神病薬による処置に起因する静座不能、非定型的抗精神病薬による処置に起因する錐体外路系症状、および肥満からなるグループから選択される陰性症状を処置または緩和するための医薬組成物であって、式（ＩＩ）の化合物：
【化１】
2018065829.tif 000001
またはその医薬的に許容できる塩、水和物、もしくは溶媒和物を、一日当たり１〜６４ｍｇの用量で１２週間以上、そのような処置または緩和を必要とする対象に投与するように用いられる、前記医薬組成物。
【請求項２】
一日当たりの用量が１６〜６４ｍｇである請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
一日当たりの用量が３２〜６４ｍｇである請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
対象において統合失調症の少なくとも１種類の、障害された思考、衝動的行動、幻覚、ギャンブル依存、アルコール依存、および不安からなるグループから選択される陽性症状を処置または緩和するための医薬組成物であって、式（ＩＩ）の化合物：
【化２】
2018065829.tif 000002
またはその医薬的に許容できる塩、水和物、もしくは溶媒和物を、そのような処置または緩和を必要とする対象に一日当たり１〜６４ｍｇの用量で１２週間以上、投与するように用いられる、前記医薬組成物。
【請求項５】
一日当たりの用量が１６〜６４ｍｇである請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項６】
一日当たりの用量が３２〜６４ｍｇである請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項７】
認知の問題、記憶の問題、運動速度の問題、言語の流暢さの問題、処理速度の問題、睡眠の問題、障害された思考、衝動的行動、幻覚、ギャンブル依存、アルコール依存、および不安からなるグループから選択される少なくとも一種類の統合失調症の陽性および／または一般症状の処置をさらに含む、請求項１〜３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項８】
化合物が低いＱＴ延長傾向を有する、請求項１〜３又は７のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項９】
治療の経過中に化合物が低いＱＴ延長傾向を有する、請求項４〜６のいずれかに記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月10日(2018.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カチオン性脂質粒子と、抗原ミセルとを含む、ワクチン製剤であって、
前記粒子は抗原を含まず、前記抗原ミセルは脂質を含まず、投与の前に互いに混合される、ワクチン製剤。
【請求項２】
前記カチオン性脂質は、免疫調節剤である、請求項１に記載のワクチン製剤。
【請求項３】
前記カチオン性脂質は、ＤＯＴＡＰ、ＤＯＴＭＡ、ＤＯＥＰＣ、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載のワクチン製剤。
【請求項４】
前記カチオン性脂質は、ＤＯＴＡＰである、請求項３に記載のワクチン製剤。
【請求項５】
前記脂質は、カチオン性脂質のエナンチオマーである、請求項１または２に記載のワクチン製剤。
【請求項６】
前記エナンチオマーは、Ｒ−ＤＯＴＡＰである、請求項５に記載のワクチン製剤。
【請求項７】
前記抗原ミセルは、管状構造、球状構造、または二重層構造のうち少なくとも１つを含む、請求項１から６のいずれか１項に記載のワクチン製剤。
【請求項８】
前記抗原ミセルは、二重層構造を含む、請求項７に記載のワクチン製剤。
【請求項９】
前記抗原ミセルは、癌抗原、ウイルス抗原、細菌抗原、および病原性抗原からなる群から選択される１種または２種以上の抗原を含む、請求項１から８のいずれか１項に記載のワクチン製剤。
【請求項１０】
少なくとも１種の抗原は、ＨＰＶタンパク質またはペプチドである、請求項９に記載のワクチン製剤。
【請求項１１】
前記抗原ミセルは、ペプチド抗原を含む、請求項９に記載のワクチン製剤。
【請求項１２】
少なくとも１種の抗原は、メラノーマ抗原である、請求項９から１１のいずれか１項に記載のワクチン製剤。
【請求項１３】
１種または２種以上の抗原は、前記抗原の疎水性を高めるまたは低減させるよう修飾された抗原である、請求項９から１２のいずれか１項に記載のワクチン製剤。
【請求項１４】
少なくとも１種の抗原は、RAHYNIVTF（配列番号１）、GQAEPDRAHYNIVTF（配列番号２）、KSSGQAEPDRAHYNIVTF（配列番号３）、YMLDLQPETT（配列番号４）、KSSYMLDLQPETT（配列番号５）、KSSMHGDTPTLHEYMLDLQPETT（配列番号６）、KSSLLMGTLGIVCPICSQKP（配列番号７）、KVPRNQDWL（配列番号８）、SYVDFFVWL（配列番号９）、KYICNSSCM（配列番号１０）、KSSKVPRNQDWL（配列番号１１）からなる群から選択される、請求項９から１３のいずれか１項に記載のワクチン製剤。
【請求項１５】
前記抗原ミセルは、１つ以上の改変された抗原を含む、請求項１に記載のワクチン製剤。
【請求項１６】
哺乳動物における疾患の治療のためのワクチン製剤の製造におけるカチオン性脂質粒子と抗原ミセルを使用する方法であって、
前記粒子は抗原を含まず、前記抗原ミセルは脂質を含まない、方法。
【請求項１７】
前記カチオン性脂質は、免疫調節剤である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記カチオン性脂質は、アジュバントである、請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記カチオン性脂質は、ＤＯＴＡＰ、ＤＯＴＭＡ、ＤＯＥＰＣ、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記カチオン性脂質は、ＤＯＴＡＰである、請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記脂質は、カチオン性脂質のエナンチオマーである、請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記エナンチオマーは、Ｒ−ＤＯＴＡＰである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記抗原ミセルは、管状構造、球状構造、または二重層構造のうち少なくとも１つを含む、請求項１６から２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記抗原ミセルは、二重層構造を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記抗原ミセルは、癌抗原、ウイルス抗原、細菌抗原、および病原性抗原からなる群から選択される１種または２種以上の抗原を含む、請求項１６から２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも１種の抗原は、ＨＰＶタンパク質またはペプチドである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１種の抗原は、メラノーマ抗原である、請求項２５または２６に記載の方法。
【請求項２８】
１種または２種以上の抗原は、前記抗原の疎水性を高めるまたは低減させるよう修飾された抗原である、請求項２５から２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
少なくとも１種の抗原は、RAHYNIVTF（配列番号１）、GQAEPDRAHYNIVTF（配列番号２）、KSSGQAEPDRAHYNIVTF（配列番号３）、YMLDLQPETT（配列番号４）、KSSYMLDLQPETT（配列番号５）、KSSMHGDTPTLHEYMLDLQPETT（配列番号６）、KSSLLMGTLGIVCPICSQKP（配列番号７）、KVPRNQDWL（配列番号８）、SYVDFFVWL（配列番号９）、KYICNSSCM（配列番号１０）、およびKSSKVPRNQDWL（配列番号１１）からなる群から選択される、請求項２５から２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
前記抗原ミセルは、１つ以上の改変された抗原を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項３１】
前記免疫応答は、細胞障害性Ｔ細胞応答を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項３２】
前記抗原ミセルは、ペプチド抗原を含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月18日(2018.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光活性化可能な組成物であって、当該光活性化可能な組成物が、  
１重量％乃至７０重量％の過酸化水素、および、
活性化剤であって、０．０２重量％乃至１２重量％のエオシンＹと、０．０２重量％乃至１２重量％のエオシンＹおよびエオシンＢと、０．０２重量％乃至１２重量％のエオシンＢと、０．００５重量％乃至１重量％のエリスロシンＢとのうち、少なくとも１つから選択される活性化剤
を含むことを特徴とする光活性化可能な組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の光活性化可能な組成物が、安定化剤を含み、前記安定化剤が、亜硫酸ナトリウム、ＥＤＴＡ、および酢酸ナトリウムから成る群から選択されることを特徴とする光活性化可能な組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光活性化可能な組成物が、加速剤を含み、前記加速剤が過ホウ酸ナトリウムであることを特徴とする光活性化可能な組成物。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の光活性化可能な組成物が、二酸化ケイ素、１ミクロン未満の粒子径を有するヒュームドシリカ、アミドスターチ、およびカルボマーから成る群から選択された増粘剤をさらに含むことを特徴とする光活性化可能な組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の光活性化可能な組成物が、加工デンプンおよびグルコースから成る群から選択された親水性のゲル化剤をさらに含むことを特徴とする光活性化可能な組成物。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の光活性化可能な組成物において、前記組成物のｐＨが４〜１０であることを特徴とする光活性化可能な組成物。
【請求項７】
光活性化可能な組成物を活性化させる方法であって、当該方法が、
光活性化可能な組成物を提供するステップであって、当該光活性化可能な組成物が、
１重量％乃至７０重量％の過酸化水素、および、
活性化剤であって、０．０２重量％乃至１２重量％のエオシンＹと、０．０２重量％乃至１２重量％のエオシンＹおよびエオシンＢと、０．０２重量％乃至１２重量％のエオシンＢと、０．００５重量％乃至１重量％のエリスロシンＢとのうち、少なくとも１つから選択される活性化剤を含む、ステップと、
前記光活性化可能な組成物を作用光に暴露するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、前記光活性化可能な組成物が、安定剤を含み、前記安定化剤が、亜硫酸ナトリウム、ＥＤＴＡ、および酢酸ナトリウムから成る群から選択されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の方法において、前記光活性化可能な組成物が、過ホウ酸ナトリウムをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９の何れか１項に記載の方法において、前記光活性化可能な組成物が、二酸化ケイ素、１ミクロン未満の粒子径を有するヒュームドシリカ、アミドスターチ、およびカルボマーから成る群から選択された増粘剤をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０の何れか１項に記載の方法において、加工デンプンおよびグルコースから成る群から選択された親水性のゲル化剤をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１の何れか１項に記載の方法において、前記光活性化可能な組成物のｐＨが４〜１０であることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項７乃至１２の何れか１項に記載の方法において、前記光活性化可能な組成物が、４〜５秒間作用光に暴露されることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項７乃至１２の何れか１項に記載の方法において、前記光活性化可能な組成物は、前記活性化剤が光化学的に漂白されるまで、作用光に暴露されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項７乃至１２の何れか１項に記載の方法において、前記光活性化可能な組成物は、前記過酸化水素が活性化されるまで、作用光に暴露されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月10日(2018.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物であって、式（Ｉ）：
【化１】
2018065817.tif 000001
［式中：
Ｕは、Ｃであり；
Ｗは、Ｃ又はＮであり；
Ｘは、Ｎ、Ｏ、又はＮＨであり；
Ｙは、Ｎであり；
Ｚは、Ｃであり；
環Ａ：
【化２】
2018065817.tif 000002
は、フェニルであり；
ｎは、０〜３の整数であり；
ｍは、０〜２の整数であり；
ｐは、１又は２であり；
それぞれのＲ１は、Ｃ１〜Ｃ３アルキル；Ｃ１〜Ｃ３アルコキシ；及びハロゲンより独立して選択され；
Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ３アルキルより選択され；
それぞれのＲ３は、Ｃ１〜Ｃ３アルキルより独立して選択され；そして
それぞれのＲ４は、ＮＯ２；ハロゲン；及びＣ１〜Ｃ３アルキルより独立して選択され、ここで、該アルキルは、１個又は数個のフッ素原子で置換されていてもよい］の化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物であって、どのＣ１〜Ｃ３アルキル部分もメチルである化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の化合物であって、ｎが０〜２の整数である化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項４】
請求項３に記載の化合物であって、ｎが０である化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物であって、ｍが０である化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物であって、ＸがＮである化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物であって、ＸがＮＨである化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物であって、ＸがＯである化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物であって、ＷがＮである化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の化合物であって、ＷがＣである化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項１１】
請求項１に記載の化合物であって、
（４−（２−クロロ−４−ニトロフェニル）ピペラジン−１−イル）（５−メチル−３−フェニルイソオキサゾール−４−イル）メタンチオン；
（５−メチル−３−フェニルイソオキサゾール−４−イル）（４−（４−（トリフルオロメチル）フェニル）ピペラジン−１−イル）メタンチオン；
（４−（２−クロロ−４−ニトロフェニル）ピペラジン−１−イル）（４−（２−メトキシフェニル）−１−メチル−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−５−イル）メタンチオン；
（４−（２−クロロ−４−ニトロフェニル）ピペラジン−１−イル）（４−（２−フルオロ−６−メトキシフェニル）−１−メチル−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−５−イル）メタンチオン；及び
（４−（２−クロロ−４−ニトロフェニル）ピペラジン−１−イル）（４−（２，６−ジメトキシフェニル）−１−メチル−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−５−イル）メタンチオン
から選択される化合物、又はその医薬的に許容される塩。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の化合物又はその医薬的に許容される塩と、少なくとも１つの医薬的に許容される賦形剤を含んでなる医薬組成物。
【請求項１３】
請求項１２に記載の医薬組成物であって、ウイルス感染症の治療における使用のための組成物。
【請求項１４】
請求項１３に記載の医薬組成物であって、該ウイルス感染症がインフルエンザである組成物。
【請求項１５】
式（Ｉ）：
【化３】
2018065817.tif 000003
［式中：
Ｕは、Ｃであり；
Ｗは、Ｃ又はＮであり；
Ｘは、Ｎ、Ｏ、又はＮＨであり；
Ｙは、Ｎであり；
Ｚは、Ｃであり；
環Ａ：
【化４】
2018065817.tif 000004
は、フェニルであり；
ｎは、０〜２の整数であり；
ｍは、０〜２の整数であり；
ｐは、１又は２であり；
それぞれのＲ１は、Ｃ１〜Ｃ３アルキル；Ｃ１〜Ｃ３アルコキシ；及びハロゲンより独立して選択され；
Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ３アルキルより選択され；
それぞれのＲ３は、Ｃ１〜Ｃ３アルキルより独立して選択され；そして
それぞれのＲ４は、ＮＯ２；ハロゲン；及びＣ１〜Ｃ３アルキルより独立して選択され、ここで、該アルキルは、１個又は数個のフッ素原子で置換されていてもよい］の化合物、又はその医薬的に許容される塩を製造する方法であって：
式（ＩＩ）：
【化５】
2018065817.tif 000005
［式中、環Ａ、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｕ、Ｗ、ｎ、ｍ、ｐ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、上で定義した通りである］の化合物を硫化剤（a thionating agent）としてのＰ２Ｓ５・２Ｃ５Ｈ５Ｎと反応させる工程を含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月10日(2018.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体を第１の電極と第２の電極とで挟み、ノズルに連通する加圧液室を加圧するように構成された圧電素子を備えた液体吐出ヘッドの駆動方法であって、
前記第１の電極にパルス状の吐出波形電圧とパルス状の非吐出波形電圧とを印加し、
前記第２の電極に直流電圧を印加し、
前記吐出波形電圧は、前記直流電圧より高い第１の電圧と、前記直流電圧より低く、第１の時間継続する第２の電圧とを含み、
前記非吐出波形電圧は、前記直流電圧より高い第３の電圧と、前記直流電圧より低い第４の電圧とを含み、
前記非吐出波形電圧は、前記第３の電圧から前記第４の電圧へと移行し、前記第４の電圧を第２の時間継続した後に、前記第４の電圧から前記第３の電圧へと移行し、
前記第２の時間は、前記第１の時間よりも長く、
前記第３の電圧から前記第４の電圧へと移行する時間及び前記第４の電圧から前記第３の電圧へと移行する時間の少なくとも一方の時間は、前記ノズルにおけるメニスカス共振周期よりも長い、ことを特徴とする液体吐出ヘッドの駆動方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液体吐出ヘッドの駆動方法において、
前記第４の電圧を印加することで生じる電界は、前記圧電素子の抗電界を超えないことを特徴とする液体吐出ヘッドの駆動方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液体吐出ヘッドの駆動方法において、
前記第２の時間は、メニスカスの反共振周期であることを特徴とする液体吐出ヘッドの駆動方法。
【請求項４】
請求項１、２または３に記載の液体吐出ヘッドの駆動方法において、
前記第３の電圧は、前記第１の電圧以上であることを特徴とする液体吐出ヘッドの駆動方法。
【請求項５】
圧電体を第１の電極と第２の電極とで挟み、ノズルに連通する加圧液室を加圧するように構成された圧電素子と、
前記第１の電極にパルス状の吐出波形電圧とパルス状の非吐出波形電圧とを印加し、前記第２の電極に直流電圧を印加する駆動回路を備え、
前記駆動回路は、前記直流電圧より高い第１の電圧と、前記直流電圧より低く、第１の時間継続する第２の電圧とを含む前記吐出波形電圧を前記第１の電極に印加し、
前記駆動回路は、前記直流電圧より高い第３の電圧と、前記直流電圧より低い第４の電圧とを含む前記非吐出波形電圧を前記第１の電極に印加し、
前記駆動回路により出力される前記非吐出波形電圧は、前記第３の電圧から前記第４の電圧へと移行し、前記第４の電圧を第２の時間継続した後に、前記第４の電圧から前記第３の電圧へと移行し、
前記第２の時間は、前記第１の時間よりも長く、
前記第３の電圧から前記第４の電圧へと移行する時間及び前記第４の電圧から前記第３の電圧へと移行する時間の少なくとも一方の時間は、前記ノズルにおけるメニスカス共振周期よりも長いことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項６】
請求項５に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記第４の電圧を印加することで生じる電界は、前記圧電素子の抗電界を超えないことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項７】
請求項５または６に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記第２の時間は、メニスカスの反共振周期であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項８】
請求項５、６または７に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記第３の電圧は、前記第１の電圧以上であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体吐出ヘッドの駆動方法および液体吐出ヘッド
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、圧電体を第１の電極と第２の電極とで挟み、ノズルに連通する加圧液室を加圧するように構成された圧電素子を備えた液体吐出ヘッドの駆動方法であって、前記第１の電極にパルス状の吐出波形電圧とパルス状の非吐出波形電圧とを印加し、前記第２の電極に直流電圧を印加し、前記吐出波形電圧は、前記直流電圧より高い第１の電圧と、前記直流電圧より低く、第１の時間継続する第２の電圧とを含み、前記非吐出波形電圧は、前記直流電圧より高い第３の電圧と、前記直流電圧より低い第４の電圧とを含み、前記非吐出波形電圧は、前記第３の電圧から前記第４の電圧へと移行し、前記第４の電圧を第２の時間継続した後に、前記第４の電圧から前記第３の電圧へと移行し、前記第２の時間は、前記第１の時間よりも長く、前記第３の電圧から前記第４の電圧へと移行する時間及び前記第４の電圧から前記第３の電圧へと移行する時間の少なくとも一方の時間は、前記ノズルにおけるメニスカス共振周期よりも長い、ことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月25日(2018.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の遊技状態として少なくとも通常遊技状態、確率変動状態、特別遊技状態を備える遊技機において、
遊技領域内の入賞領域への遊技媒体の入賞を契機に取得可能な始動情報を所定数まで記憶可能な始動情報記憶手段と、
前記始動情報に基づいて抽選遊技を実行可能な抽選遊技実行手段と、
前記抽選遊技が特定結果を導出したことを契機に遊技者に有利な特別遊技を実行する特別遊技実行手段と、
遊技状態を他の遊技状態に移行可能な遊技状態移行手段と、
前記抽選遊技の抽選結果が前記特定結果を導出するかを当該抽選遊技の実行前に判定可能な事前判定手段と、
前記遊技状態に応じて、前記抽選遊技のパターンを選択するパターン選択テーブルを変更可能なパターン選択テーブル変更手段と、
前記事前判定手段による判定結果に基づく先読み演出の実行を設定可能な事前演出実行手段と、
前記事前演出実行手段に前記事前判定手段の判定に基づく事前判定情報を含む遊技情報を送信可能な遊技情報送信手段と、を備え、
前記抽選遊技にて前記特定結果が導出される確率が変更されることに応じて前記パターン選択テーブル変更手段によって前記パターン選択テーブルが変更されるまでの期間が所定期間となった場合は、前記事前判定手段による判定を行わないことで前記事前演出実行手段による前記先読み演出が行われないようにし、
前記遊技機に電源供給が開始された復電後から前記抽選遊技が特定回数実行されるまでの間に前記入賞領域への遊技媒体の入賞が新たにされた場合は、新たにされた入賞に基づく前記抽選遊技が前記特定結果を導出するか前記抽選遊技の実行前に前記事前判定手段により判定を行うものの、前記事前判定手段による判定結果がいずれの結果であっても該判定結果に基づく前記事前演出実行手段による前記先読み演出を行わず、
前記特別遊技実行手段により前記特別遊技が実行される際に、前記抽選遊技が実行前とされている前記始動情報に基づき前記事前演出実行手段により設定されている場合は前記先読み演出の実行設定が消去し、前記遊技情報送信手段から受信した前記抽選遊技が実行前とされている前記始動情報の前記事前判定情報を含む前記遊技情報に基づく情報を保持した状態で前記特別遊技の演出を実行することを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の代表的な一形態では、複数の遊技状態として少なくとも通常遊技状態、確率変動状態、特別遊技状態を備える遊技機において、遊技領域内の入賞領域への遊技媒体の入賞を契機に取得可能な始動情報を所定数まで記憶可能な始動情報記憶手段と、前記始動情報に基づいて抽選遊技を実行可能な抽選遊技実行手段と、前記抽選遊技が特定結果を導出したことを契機に遊技者に有利な特別遊技を実行する特別遊技実行手段と、遊技状態を他の遊技状態に移行可能な遊技状態移行手段と、前記抽選遊技の抽選結果が前記特定結果を導出するかを当該抽選遊技の実行前に判定可能な事前判定手段と、前記遊技状態に応じて、前記抽選遊技のパターンを選択するパターン選択テーブルを変更可能なパターン選択テーブル変更手段と、前記事前判定手段による判定結果に基づく先読み演出の実行を設定可能な事前演出実行手段と、前記事前演出実行手段に前記事前判定手段の判定に基づく事前判定情報を含む遊技情報を送信可能な遊技情報送信手段と、を備え、前記抽選遊技にて前記特定結果が導出される確率が変更されることに応じて前記パターン選択テーブル変更手段によって前記パターン選択テーブルが変更されるまでの期間が所定期間となった場合は、前記事前判定手段による判定を行わないことで前記事前演出実行手段による前記先読み演出が行われないようにし、前記遊技機に電源供給が開始された復電後から前記抽選遊技が特定回数実行されるまでの間に前記入賞領域への遊技媒体の入賞が新たにされた場合は、新たにされた入賞に基づく前記抽選遊技が前記特定結果を導出するか前記抽選遊技の実行前に前記事前判定手段により判定を行うものの、前記事前判定手段による判定結果がいずれの結果であっても該判定結果に基づく前記事前演出実行手段による前記先読み演出を行わず、前記特別遊技実行手段により前記特別遊技が実行される際に、前記抽選遊技が実行前とされている前記始動情報に基づき前記事前演出実行手段により設定されている場合は前記先読み演出の実行設定が消去し、前記遊技情報送信手段から受信した前記抽選遊技が実行前とされている前記始動情報の前記事前判定情報を含む前記遊技情報に基づく情報を保持した状態で前記特別遊技の演出を実行することを特徴とする。