【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２５７５２８５号発明「改良されたスループットを有する真空処理装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第２５７５２８５号の請求項１〜７に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２５７５２８５号（以下、「本件特許」という。）に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　
　特許出願（特願平６−８７０３号）　　　　平成　６年　１月２８日
　優先権主張（米国）　　　　　　　　　　　平成　５年　１月２８日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　平成　８年１０月２４日
　無効審判請求書　　　　　　　　　　　　　平成１０年　２月２３日
　無効審判請求理由補充書　　　　　　　　　平成１０年　７月２７日
　手続補正書（無効審判請求書）　　　　　　平成１０年　９月　７日
　答弁書　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年　４月　６日
　口頭審理陳述要領書（被請求人）　　　　　平成１１年　８月２６日
　口頭審理陳述要領書（請求人）　　　　　　平成１１年　８月２６日
　口頭審理　　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年　９月　９日
　上申書（請求人）　　　　　　　　　　　　平成１１年１０月１９日
　上申書・訂正請求書　　　　　　　　　　　平成１１年１１月２９日
　弁駁書　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年　３月　６日
　訂正拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　平成１２年　４月１０日
　答弁書・意見書・手続補正書（訂正請求書）平成１２年　７月２１日
　
２．訂正の適否
２．１　手続補正書（訂正請求書）について
２．１．１　補正の主な内容
　平成１２年７月２１日付け手続補正書の主な内容は、平成１１年１１月２９日付け訂正請求書の請求項１中の「熱伝導性の複数の棚」を「熱伝導材料から作られている複数の棚」に、同請求項６中の「複数の熱伝導性の棚」を「複数の熱伝導材料から作られている棚」に、同請求項１中の「全て」を「すべて」に、同請求項２中の「取付け」を「取り付け」に、同請求項６中の「および」を「及び」に補正するものである。
２．１．２　補正の適否
　前記訂正請求書の補正は、軽微な瑕疵の補正であって、その要旨を変更するものでないから、特許法第１３１条第２項の規定により認める。
　
２．２　訂正の主な内容及び目的等
２．２．１　訂正事項１
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１及び請求項６をそれぞれ
「【請求項１】　中に入れられた複数のガラス基板を支持し冷却する複数の棚であってガラス基板を対応する棚との間に隙間を持って支持するために複数の絶縁性マウントを具備している熱伝導材料から作られている複数の棚を有する１または１を超える数のロードロック（ｌｏａｄ　ｌｏｃｋ）／冷却チャンバ、
　複数のガラス基板を高温に加熱するための加熱チャンバ、
　前記ガラス基板上に薄膜を蒸着させるための１または１を超える数の単一基板用処理チャンバ、及び
　すべての前記チャンバにアクセスし、任意の前記チャンバにガラス基板を移送する自動化された手段を有する移送チャンバ、
を備えた、ガラス基板上への単一基板用膜処理のための真空システム。」、
「【請求項６】　ａ）　複数のガラス基板を複数の熱伝導材料から作られている棚が取り付けられている冷却カセットを具備しているロードロック／冷却チャンバ内にロードし、前記チャンバを排気するステップ、
　ｂ）　すべての前記ガラス基板を、接続する真空移送チャンバを通して前記基板を高温に加熱するのに適するチャンバまで移送するステップ、
　ｃ）　ステップｂ）からの加熱された基板のうちの１枚を、移送チャンバを通して、単一基板用処理チャンバまで移送し、その上に薄膜を蒸着するステップ、及び
　ｄ）　ステップｃ）からの基板を、前記移送チャンバを通してステップａ）のロードロック／冷却チャンバまで送り戻して前記冷却カセット内において棚との間に隙間を持って支持し、基板を両面から均一に冷却するステップ、
を順番に備えた、ガラス基板上に薄膜を蒸着する方法。」
に訂正するのは、ロードロック／冷却チャンバの棚の形状及び材質を限定するものであるから特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされており、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものでもない。
　
２．２．２　訂正事項２
（１）本件特許明細書【００１３】の「ガスを導くこと」を「ガス伝導」に、同【００１５】の「ガス導入」を「ガス伝導」に訂正するのは、明りょうでない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされており、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものでもない。
　
２．３　独立特許要件について
２．３．１　本件訂正発明
　本件特許２５７５２８５号の訂正された請求項１〜７に係る発明（以下、「本件訂正発明１〜７」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】　中に入れられた複数のガラス基板を支持し冷却する複数の棚であってガラス基板を対応する棚との間に隙間を持って支持するために複数の絶縁性マウントを具備している熱伝導材料から作られている複数の棚を有する１または１を超える数のロードロック（ｌｏａｄ　ｌｏｃｋ）／冷却チャンバ、
　複数のガラス基板を高温に加熱するための加熱チャンバ、
　前記ガラス基板上に薄膜を蒸着させるための１または１を超える数の単一基板用処理チャンバ、及び
　すべての前記チャンバにアクセスし、任意の前記チャンバにガラス基板を移送する自動化された手段を有する移送チャンバ、
を備えた、ガラス基板上への単一基板用膜処理のための真空システム。
【請求項２】　前記ロードロック／冷却チャンバが、前記棚を有し且つ上下移動用装置（ｅｌｅｖａｔｏｒ　ａｓｓｅｍｂｌｙ）に取り付けられたカセットを備え、前記加熱チャンバが、上下移動用装置（ｅｌｅｖａｔｏｒ　ａｓｓｅｍｂｌｙ）に取り付けられたカセットを備えている請求項１記載の真空システム。
【請求項３】　２個のロードロック／冷却チャンバを備えた請求項１記載の真空システム。
【請求項４】　少なくとも２個の処理チャンバを備えた請求項１記載の真空システム。
【請求項５】　前記単一基板用処理チャンバが化学気相成長チャンバである請求項１記載の真空システム。
【請求項６】　ａ）　複数のガラス基板を複数の熱伝導材料から作られている棚が取り付けられている冷却カセットを具備しているロードロック／冷却チャンバ内にロードし、前記チャンバを排気するステップ、
　ｂ）　すべての前記ガラス基板を、接続する真空移送チャンバを通して前記基板を高温に加熱するのに適するチャンバまで移送するステップ、
　ｃ）　ステップｂ）からの加熱された基板のうちの１枚を、移送チャンバを通して、単一基板用処理チャンバまで移送し、その上に薄膜を蒸着するステップ、及び
　ｄ）　ステップｃ）からの基板を、前記移送チャンバを通してステップａ）のロードロック／冷却チャンバまで送り戻して前記冷却カセット内において棚との間に隙間を持って支持し、基板を両面から均一に冷却するステップ、
を順番に備えた、ガラス基板上に薄膜を蒸着する方法。
【請求項７】　ステップｃ）に続いて、基板を、その上に付加的な薄膜を蒸着するための１または１を超える数の付加的な処理チャンバに移送するステップを行う請求項６記載の方法。」
  　
２．３．２　各刊行物に記載された発明
２．３．２．１　刊行物１（甲第１号証：特開昭６０−１６７４２０号公報）には、クラスタタイプで、ガラスサブストレートを処理している多層皮膜装置が、第１〜８図と共に記載されている。
　
２．３．２．２　刊行物２（甲第２号証：特開昭６３−２５２４３９号公報）には、クラスタタイプで、半導体ウエハのような被加工片を処理しており、上下するウエハ支持プレート５４を備えた保管エレベータカセット組立体５０を有している多チャンバの統合処理システムが、第１〜２０図と共に記載されている。
　
２．３．２．３　刊行物３（甲第６号証：１９９１年６月１９−２２日、京都において開催されたセミコン関西・京都技術セミナー９１講演予稿集、６３−７０頁）には、インラインタイプで、ガラス基板を処理しており、冷却パネルを内蔵したアンロードチャンバを有しているインラインプラズマＣＶＤ装置が、Fig.２，５，７と共に記載されている。
　
２．３．２．４　刊行物４（甲第７号証：ＷＯ９２／２１１４４号：翻訳文として特表平６−５０７５２４号公報で代用）は、ウェファ処理クラスタ・ツール・バッチ予熱及び脱気方法及び装置に関するものであり、以下の点がFIG.１〜４と共に記載されている。
「本発明は半導体ウェファのようなウェファの処理に関し、特に、シリコン・ウェファの表面に付いた及び吸収された水蒸気及び他のガスのような不純物を、ウェファのコーティング又はエッチングに先立って除去することに関する。本発明は更に特に、クラスタ・ツール（cluster tool）のようなモジュール型処理システム内で個別に処理されるウェファを予熱することによる予処理に関する。」（第４頁右上欄３行〜１０行）
「本発明の好適な実施例によれば、各バッチ予熱モジュールが、２５個のシリコン・ウェファを完全に装入された規格カセットを保持できる可動のクォーツのラックを備える。このラックはエレベータによって垂直方向に動かされ、垂直方向に相互に離間した水平方向のウェファを保持するスロットのそれぞれを規格のＭＥＳＡゲート弁の位置へと送ることができる。そのゲート弁を通して、予処理モジュールが結合されている輸送モジュールから当該バッチのウェファが１つずつ装入され、また装出される。」（第６頁左上欄１３行〜２２行）
「後部輸送モジュール１４は、６個の隣接モジュールと結合する６つのモジュール結合面又は側部をもっている。これら側部の１つに、図示の実施例では、ウェファの表面の清掃又は軟エッチング予調整を行う軟エッチング・モジュール２２が結合される。第２の側部に第１スパッタ・コーティング・モジュール２４が結合される。このモジュールは、普通モジュール２２の軟エッチング処理に続いて、スパッタ・コーティング処理を行ってウェファ表面に均等なコーティングを着ける。第３の側部に又別の処理モジュール、迅速熱処理（ＲＴＰ）モジュール２６が結合され、ウェファを例えば１０００℃の高温で迅速に処理し、この高温熱処理によって、例えばスパッタリング・モジュール２４におけるスパッタ・コーティング処理によって先に着けられた金属コーティングを焼鈍または調質する。第４側部には又別の処理モジュール、例えばスパッタ・エッチング・モジュール又はその他のスパッタ・コーティング・モジュールのようなスパッタリング・モジュール２８が結合される。第５側部には、例えば化学蒸着（ＣＶＤ）モジュールのような別の処理モジュール３０が結合される。」（第７頁右上欄５行〜２４行）
「ロード−ロック３２、２４はそれぞれに１つのアクセス扉を有し、そしてこのアクセス扉を通して、例えば２５個のウェファの規格のカセットが、通常ポリプロピレンのようなプラスチック材料で作られたラック内に保持される。」（第７頁左下欄１５行〜１９行）
「入口輸送モジュール１２の他の２つの面には、２個の好適には同等のバッチ予熱、脱気、又は脱着モジュール４２、４４が結合される。これらモジュールはそれぞれ、複数個のウェファ、好適には、ロード−ロック３２、３４によって取扱われる完全ウェファ・カセット内に保持される量までの任意の個数のウェファを同時に収受、保持、及び予処理する。（第７頁右下欄７行〜１３行）
「２つのロード−ロック、２つの予熱室を備える本発明の好適な実施例の好適な操作シーケンスにおいて、ロード−ロックを輸送モジュール１２に結合するゲート弁が閉じられた状態で、処理される第１バッチのウェファを担持したカセットがアクセス扉４１を通してロード−ロック３２、３４の一方、例えばロード−ロック３２へ挿入される。そこでロード−ロック３２の扉は閉じられ、そしてそのロード−ロック３２の内部室がポンプによって輸送室１８の真空圧力レベルにされる。このレベルが得られると、ロード−ロック３２から輸送室１８への弁が開かれ、そしてロード−ロック３２からウェファが取出され、１つ１つ予熱モジュール４２へ移送される。
　予熱モジュール４２においてウェファは、エレベータ駆動装置８０によって垂直方向の割出しをされるラック６４の各位置内へ置かれる。ウェファ間に空位置を置かずにラック６４が所要の容量まで装入されると、口５６の弁５８が閉じられ、そしてランプ９０が付勢されてモジュール３２内の室５２の加熱が開始される。予熱モジュール４２内で第１バッチのウェファが加熱されているとき、第２バッチのウェファがロード−ロック３４を通して他方の予熱モジュール４４へ装入される。
　第１バッチのウェファの加熱は、ウェファ６２の温度を直接読取るセンサ９２によって感知される。ランプ列９０へ供給されるエネルギーがセンサ９３、９４からの信号に応答して制御されて典型的には２５０℃から５００℃の範囲の所定の予熱温度に徐々に近付けられ、その温度に保持される。吸収された水蒸気のその他のガスをウェファ６２から除去するためのこの予熱処理は上記の所定温度で１０から３０分間続けなければならない。
　モジュール内でのウェファ６２の予熱が完了するとゲート弁５８が開かれ、そしてそれらウェファが１つずつ逐次的に輸送モジュール１２とコンジット１６を通して後部輸送モジュール１４へ移送され、ここからウェファはそれぞれに、そのモジュール１４に結合した５つの処理室２２−３０のいずれか又は全てに逐次に入出して処理を施される。各ウェファは処理が終わるとコンジット１６を通して輸送モジュール１２へ戻され、そしてロード−ロック３２、３４のいずれか一方、好適にはウェファが輸送モジュール１２へ入ったときと同じロード−ロック内のカセットの中へ返される。第１バッチのウェファの移送が行われている間、予熱モジュール４４内の第２バッチのウェファが同様に加熱されている。第２バッチのウェファが予熱されてしまうまでに第３バッチが同様にして第１予熱モジュール４２内に装入され、こうしてシーケンスは１つのバッチから次のバッチへと同じ態様で続行されていく。」（第８頁右下欄１行〜第９頁左上欄２１行）
　以上の記載から、刊行物４には、
「複数のウェファを担持するカセットを収納する２個のロード−ロック３２，３４、
　複数のウェファを２５０℃から５００℃の範囲の所定の予熱温度に予熱するための予熱モジュール４２，４４、
　ウェファを個別に化学蒸着する化学蒸着（ＣＶＤ）モジュール３０、及び
　ロード−ロック及び各モジュール間にウェファを移送する輸送モジュール１２，１４、
を備え、化学蒸着（ＣＶＤ）などのモジュール型処理システム内で個別にウェファを処理するクラスタ・ツール。」及び
「複数のウェファを担持するカセットをロード−ロック３２，３４内にロードし、前記ロード−ロックを排気するステップ、
　すべての前記ウェファを、接続する輸送モジュール１２を通して前記ウェファを２５０℃から５００℃の範囲の所定の予熱温度に予熱するための予熱モジュール４２，４４まで移送するステップ、
 加熱されたウェファのうちの１枚を、輸送モジュール１２，１４を通して、ウェファを個別に化学蒸着する化学蒸着（ＣＶＤ）モジュール３０まで移送し、その上に薄膜を蒸着するステップ、及び
 処理されたウェファを、前記輸送モジュールを通してロード−ロックまで送り戻すステップ、
を順番に備えた、ウェファ上に薄膜を蒸着する方法。」が記載されている。
　
２．３．２．５　刊行物５（平成１１年８月２６日付け口頭審理陳述要領書（請求人）に添付された参考資料：「ILC-702　IN-LINE　SPUTTERING　SYSTEM」、１９８３年８月）には、アンロードのためのベンティング前にクーリング工程を設けているインライン・スパッタリングシステムが記載されている。
　
２．３．２．６　刊行物６（平成１１年１０月１９日付け上申書（請求人）に添付された参考資料２：「プラズマＣＶＤ装置　ロードロック式ＩＬＶ−９２００シリーズ」、１９８４年５月）には、ロードロック室を水冷しているプラズマＣＶＤ装置が記載されている。
　
２．３．３　本件訂正発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
２．３．３．１　本件訂正発明１
　本件訂正発明１と刊行物４に記載された発明とを対比すると、刊行物４に記載された発明における
「ウェファ」、
「ロード−ロック」、
「複数のウェファを２５０℃から５００℃の範囲の所定の予熱温度に予熱するための予熱モジュール」、
「ウェファを個別に化学蒸着する化学蒸着（ＣＶＤ）モジュール」、
「ロード−ロック及び各モジュール間にウェファを移送する輸送モジュール」、
「化学蒸着（ＣＶＤ）などのモジュール型処理システム内で個別にウェファを処理するクラスタ・ツール」、
は、本件訂正発明１における
「基板」、
「ロードロックチャンバ」、
「複数の基板を高温に加熱するための加熱チャンバ」、
「基板上に薄膜を蒸着させるための１個の単一基板用処理チャンバ」、
「すべての前記チャンバにアクセスし、任意の前記チャンバに基板を移送する手段を有する移送チャンバ」、
「基板上への単一基板用膜処理のための真空システム」、
にそれぞれ相当するので、両者は、
「２個のロードロックチャンバ、
　複数の基板を高温に加熱するための加熱チャンバ、
　前記基板上に薄膜を蒸着させるための１個の単一基板用処理チャンバ、及び
　すべての前記チャンバにアクセスし、任意の前記チャンバに基板を移送する手段を有する移送チャンバ、
を備えた、基板上への単一基板用膜処理のための真空システム。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１：基板が、前者ではガラス基板であるのに対して、後者ではウェファである点。
　相違点２：ロードロックチャンバが、前者は、中に入れられた複数のガラス基板を支持し冷却する複数の棚であってガラス基板を対応する棚との間に隙間を持って支持するために複数の絶縁性マウントを具備している熱伝導材料から作られている複数の棚を有するロードロック／冷却チャンバであるのに対して、後者は、複数のウェファを担持するカセットを収納している点。
　相違点３：移送チャンバが、前者は自動化されているのに対して、後者は、自動化されているか否か不明である点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　相違点１，２：刊行物１ではガラスサブストレートをクラスタタイプで処理しており、刊行物２では半導体ウエハをクラスタタイプで処理しているように、クラスタタイプは、半導体ウエハとガラス基板のどちらでも使えるものであるから、刊行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用した点に格別の困難性はなく、さらに、その際、ガラス基板に対応するよう多少の変更を行うことは、当業者として当然のことである。
　また、刊行物３にはガラス基板を冷却パネル内蔵のアンロードチャンバで冷却する点が記載されており、刊行物５にはアンロードのためのベンティング前にクーリング工程を設ける点が記載されており、刊行物６にはロードロック室を水冷する点が記載されている。そして、これらの技術をクラスタタイプに適用するのに格別の阻害要因もない。
　また、基板を冷却するため基板と冷却板（棚）との間に隙間を設けて支持することは、周知であり（必要なら、特開昭６３−３１８７３８号公報（ウエーハ１１４を支持ピン１６７により冷却板１６６との間に隙間を設けて支持している。）、特開平１−２１６５３１号公報（マスク等の基板１を熱伝導性の悪い材質のスペーサ６ａ，６ｂにより冷却板２との間に隙間を設けて支持し、均一に冷却している。）参照。）、冷却するためには冷却板を熱伝導材料から作るのは当然のことである。さらに、基板を熱処理する際は、基板面の均熱性が重要であり、基板を熱伝導性部材で支持したのでは基板の支持部分のみ熱的に不均一になるので、基板を熱絶縁部材で支持することも、当然のことである（必要なら、上記特開平１−２１６５３１号公報、特開昭６３−１８１４１５号公報（被加熱体を熱絶縁部材４で支持している。）参照）。
　さらに、ロードロックチャンバに複数の棚を設けることは単なる慣用手段に過ぎない。
　したがって、刊行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用し、さらに、ガラス基板に対応させるため、ロードロックチャンバに、中に入れられた複数のガラス基板を支持し冷却する複数の棚であってガラス基板を対応する棚との間に隙間を持って支持するために複数の絶縁性マウントを具備している熱伝導材料から作られている複数の棚を設けて、ガラス基板の冷却を行うことは、当業者が容易に考え得ることである。
　相違点３：移送チャンバを自動化することは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　また、本件訂正発明１の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件訂正発明１は、前記刊行物１〜６に記載された発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２．３．３．２　本件訂正発明２
　本件訂正発明２は、本件訂正発明１に「前記ロードロック／冷却チャンバが、前記棚を有し且つ上下移動用装置（ｅｌｅｖａｔｏｒ　ａｓｓｅｍｂｌｙ）に取付けられたカセットを備え、前記加熱チャンバが、上下移動用装置（ｅｌｅｖａｔｏｒ　ａｓｓｅｍｂｌｙ）に取り付けられたカセットを備えている」点を限定したものである。
　しかし、刊行物４にはエレベータ駆動装置８０等から構成される上下機構を有するバッチ予熱モジュールが記載されており、さらに刊行物２には上下するウエハ支持プレート５４を備えた保管エレベータカセット組立体５０が記載されており、上下移動用装置に取り付けられたカセットをロードロック／冷却チャンバ及び加熱チャンバに備えることは、当業者が適宜なし得ることである。
　また、本件訂正発明２の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件訂正発明２は、前記刊行物１〜６に記載された発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２．３．３．３　本件訂正発明３
　本件訂正発明３は、本件訂正発明１に「２個のロードロック／冷却チャンバを備えた」点を限定したものであるが、刊行物４には２個のロードロックモジュールを設けることが記載されている。
　また、本件訂正発明３の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件訂正発明３は、前記刊行物１〜６に記載された発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２．３．３．４　本件訂正発明４
　本件訂正発明４は、本件訂正発明１に「少なくとも２個の処理チャンバを備えた」点を限定したものであるが、刊行物４には化学蒸着（ＣＶＤ）モジュール３０の他に第１スパッタ・コーティング・モジュール２４等の少なくとも２個の処理チャンバを設けることが記載されている。
　また、本件訂正発明４の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件訂正発明４は、前記刊行物１〜６に記載された発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２．３．３．５　本件訂正発明５
　本件訂正発明５は、本件訂正発明１に「前記単一基板用処理チャンバが化学気相成長チャンバである」点を限定したものであるが、刊行物４には化学蒸着（ＣＶＤ）モジュール処理モジュール３０を設けることが記載されている。
　また、本件訂正発明５の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件訂正発明５は、前記刊行物１〜６に記載された発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２．３．３．６　本件訂正発明６
　本件訂正発明６と刊行物４に記載された発明とを対比すると、刊行物４に記載された発明における
「ウェファ」、
「ロード−ロック」、
「輸送モジュール」、
「ウェファを２５０℃から５００℃の範囲の所定の予熱温度に予熱するための予熱モジュール」、
「ウェファを個別に化学蒸着する化学蒸着（ＣＶＤ）モジュール」、
は、本件訂正発明６における
「基板」、
「ロードロックチャンバ」、
「真空移送チャンバ」、
「高温に加熱するのに適するチャンバ」
「単一基板用処理チャンバ」
にそれぞれ相当するので、両者は、
「ａ）　複数の基板をロードロックチャンバ内にロードし、前記チャンバを排気するステップ、
　ｂ）　すべての前記基板を、接続する真空移送チャンバを通して前記基板を高温に加熱するのに適するチャンバまで移送するステップ、
　ｃ）　ステップｂ）からの加熱された基板のうちの１枚を、移送チャンバを通して、単一基板用処理チャンバまで移送し、その上に薄膜を蒸着するステップ、及び
　ｄ）　ステップｃ）からの基板を、前記移送チャンバを通してステップａ）のロードロックチャンバまで送り戻すステップ、
を順番に備えた、基板上に薄膜を蒸着する方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１：基板が、前者ではガラス基板であるのに対して、後者ではウェファである点。
　相違点２：前者のロードロックが、複数の熱伝導材料から作られている棚が取り付けられている冷却カセットを具備し、冷却カセット内において棚との間に隙間を持って支持し、基板を両面から均一に冷却するステップを有しているのに対して、後者がカセットであり、冷却について記載がない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　相違点１，２：刊行物１ではガラスサブストレートをクラスタタイプで処理しており、刊行物２では半導体ウエハをクラスタタイプで処理しているように、クラスタタイプは、半導体ウエハとガラス基板のどちらでも使えるものであるから、刊行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用した点に格別の困難性はなく、さらに、その際、ガラス基板に対応するよう多少の変更を行うことは、当業者として当然のことである。
　また、刊行物３にはガラス基板を冷却パネル内蔵のアンロードチャンバで冷却する点が記載されており、刊行物５にはアンロードのためのベンティング前にクーリング工程を設ける点が記載されており、刊行物６にはロードロック室を水冷する点が記載されている。そして、これらの技術をクラスタタイプに適用するのに格別の阻害要因もない。
　また、基板を冷却するため基板と冷却板（棚）との間に隙間を設けて支持することは、周知であり（必要なら、特開昭６３−３１８７３８号公報（ウエーハ１１４を支持ピン１６７により冷却板１６６との間に隙間を設けて支持している。）、特開平１−２１６５３１号公報（マスク等の基板１を熱伝導性の悪い材質のスペーサ６ａ，６ｂにより冷却板２との間に隙間を設けて支持し、均一に冷却している。）参照。）、冷却するためには冷却板を熱伝導材料から作るのは当然のことである。さらに、基板を熱処理する際は、基板面の均熱性が重要であり、基板を均一に冷却することも当然である。
　したがって、刊行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用し、さらに、ガラス基板に対応させるため、ロードロックチャンバに、複数の熱伝導材料から作られている棚が取り付けられている冷却カセットを具備し、冷却カセット内において棚との間に隙間を持って支持し、基板を両面から均一に冷却することは、当業者が容易に考え得ることである。
　また、本件訂正発明６の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件訂正発明６は、前記刊行物１〜６に記載された発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２．３．３．７　本件訂正発明７
　本件訂正発明７は、本件訂正発明６に「ステップｃ）に続いて、基板を、その上に付加的な薄膜を蒸着するための１または１を超える数の付加的な処理チャンバに移送するステップ」を追加したものであるが、薄膜を複数工程で積層することは単なる慣用手段に過ぎず、当業者が必要に応じて適宜採用し得るものである。
　また、本件訂正発明７の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件訂正発明７は、前記刊行物１〜６に記載された発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２．３．４　「２．３　独立特許要件について」の結び
　したがって、本件訂正発明１〜７は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２．４　「２．訂正の適否」の結び
　以上のように、本件訂正発明１〜７は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、当該訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条により、なお従前の例とされる平成５年改正特許法第１３４条第５項において準用する同法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
　さらに、訂正請求ができる期間は、手続補正書（無効審判請求書）の発送日である平成１０年１０月６日から６月後（期間延長含む）の平成１１年４月６日までの間であるが、当該訂正請求書は、この期間を過ぎた平成１１年１１月２９日になされているので、特許法第１３４条第２項の規定に適合せず、この点においても当該訂正は認められない。
　
　
３．無効理由
３．１　本件発明
　本件特許第２５７５２８５号の請求項１〜７に係る発明（以下、「本件発明１〜７」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】　中に入れられた複数のガラス基板を支持し冷却する複数の棚を有する１または１を超える数のロードロック（ｌｏａｄ　ｌｏｃｋ）／冷却チャンバ、
　複数のガラス基板を高温に加熱するための加熱チャンバ、
　前記ガラス基板上に薄膜を蒸着させるための１または１を超える数の単一基板用処理チャンバ、及びすべての前記チャンバにアクセスし、任意の前記チャンバにガラス基板を移送する自動化された手段を有する移送チャンバ、
を備えた、ガラス基板上への単一基板用膜処理のための真空システム。
【請求項２】　前記ロードロック／冷却チャンバが、前記棚を有し且つ上下移動用装置（ｅｌｅｖａｔｏｒ　ａｓｓｅｍｂｌｙ）に取り付けられたカセットを備え、前記加熱チャンバが、上下移動用装置（ｅｌｅｖａｔｏｒ　ａｓｓｅｍｂｌｙ）に取り付けられたカセットを備えている請求項１記載の真空システム。
【請求項３】　２個のロードロック／冷却チャンバを備えた請求項１記載の真空システム。
【請求項４】　少なくとも２個の処理チャンバを備えた請求項１記載の真空システム。
【請求項５】　前記単一基板用処理チャンバが化学気相成長チャンバである請求項１記載の真空システム。
【請求項６】　ａ）　複数のガラス基板をロードロック／冷却チャンバ内にロードし、前記チャンバを排気するステップ、
　ｂ）　すべての前記ガラス基板を、接続する真空移送チャンバを通して前記基板を高温に加熱するのに適するチャンバまで移送するステップ、
　ｃ）　ステップｂ）からの加熱された基板のうちの１枚を、移送チャンバを通して、単一基板用処理チャンバまで移送し、その上に薄膜を蒸着するステップ、及び
　ｄ）　ステップｃ）からの基板を、前記移送チャンバを通してステップａ）のロードロック／冷却チャンバまで送り戻し、基板を冷却するステップ、
を順番に備えた、ガラス基板上に薄膜を蒸着する方法。
【請求項７】　ステップｃ）に続いて、基板を、その上に付加的な薄膜を蒸着するための１または１を超える数の付加的な処理チャンバに移送するステップを行う請求項６記載の方法。」
　
３．２　無効審判請求人が主張する主な無効理由
　無効審判請求人は、甲第１〜７号証、参考文献、及び参考資料１，２を提出し、本件請求項１〜７に係る発明は、甲第１号証、甲第６号証、及び甲第７号証に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反しているから、特許法第１２３条第１項の規定により無効であると主張している。
　
３．３　主な刊行物（甲第１号証、甲第６号証、甲第７号証）に記載された発明
　前記「２．３．２　各刊行物に記載された発明」中の「２．３．２．１」，「２．３．２．３」，「２．３．２．４」に記載された刊行物１（甲第１号証），刊行物３（甲第６号証），刊行物４（甲第７号証）と同様。
　
３．４　本件発明と主な刊行物に記載された発明との対比・判断
３．４．１　本件発明１
　本件発明１と刊行物４に記載された発明とを対比すると、両者の対応関係は前記「２．３．３．１　本件訂正発明１」と同様であるから、両者は、
「２個のロードロックチャンバ、
　複数の基板を高温に加熱するための加熱チャンバ、
　前記基板上に薄膜を蒸着させるための１個の単一基板用処理チャンバ、及び
　すべての前記チャンバにアクセスし、任意の前記チャンバに基板を移送する手段を有する移送チャンバ、
を備えた、基板上への単一基板用膜処理のための真空システム。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１：基板が、前者ではガラス基板であるのに対して、後者ではウェファである点。
　相違点２：ロードロックチャンバが、前者は、中に入れられた複数のガラス基板を支持し冷却する複数の棚を有するロードロック／冷却チャンバであるのに対して、後者は、複数のウェファを担持するカセットを収納している点。
　相違点３：移送チャンバが、前者は自動化されているのに対して、後者は、自動化されているか否か不明である点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　相違点１，２：刊行物１ではガラスサブストレートをクラスタタイプで処理しているように、クラスタタイプは、ガラス基板にも使えるものであるから、刊行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用した点に格別の困難性はなく、さらに、その際、ガラス基板に対応するよう多少の変更を行うことは、当業者として当然のことである。
　また、刊行物３にはガラス基板を冷却パネル内蔵のアンロードチャンバで冷却する点が記載されており、この技術をクラスタタイプに適用するのに格別の阻害要因もない。
　さらに、ロードロックチャンバに複数の棚を設けることは単なる慣用手段に過ぎない。
　したがって、刊行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用し、さらに、ガラス基板に対応させるため、ロードロックチャンバで複数の棚を設けてガラス基板の冷却を行うことは、当業者が容易に考え得ることである。
　
　なお、被請求人は、平成１１年４月６日付け答弁書の第１９頁第２０行〜第２０頁第１０行において「シリコン基板とガラス基板とは物性が著しく異なるものであって、特に両者の熱伝導率は３桁程度も異なるものであり、そのために両者を加熱又は冷却などが含まれる処理を行う場合においては全く異なる技術的アプローチが必要となるものである。・・・従って、甲第７号証は、シリコン基板を処理対象とすることしか記載しておらず且つガラス基板に対して適用可能であることを記載するものでも示唆するものでもないし、更に、乙第１号証乃至乙第９号証（乙第1号証：”AMORPHOUS−SILICON　THIN　FILM　TRANSISTORS：PERFORMANCE　AND　MATERIAL　PROPERTIES”，Powell，M．J．，et．AI．，pp．191−196，Proceeding　of　the　Society　of　Information　Display，Vol．26，No．3，1985．　乙第2号証：”LIQUID　CRYSTAL　FLAT　PANEL　DISPLAYS−MANUFACTURING　SCIENCE　＆　TECHNOLOGY”，　O'Mara，W．C．，pp．58−63，167−173，Van　Norstrand　Reinhold，New　York（1993）．　乙第3号証：”FLAT　PANEL　DISPLAYS　SUBSTRATES”，Mofatt，D．M．，pp．163−174，Mat．Res．Soc　Symp．Proc．Vo1．345，”FLAT　PANEL　DISPLAY　MATERIALS”，Apr．5−6，1994．　乙第4号証：”A　NEW　SUBSTRATE　FOR　ADVANCED　FLAT−PANEL−DISPLAY　APPLICATIONS”，Lapp，J．C．et．al．，pp．851−853，SID　DIGEST，1994．　乙第5号証：Chapter　5，”Glasses　For　flat−Panel　displays”，authored　by　Dumbaugh，W．H．，et．al．，pp．86−98，”HIGH−PERFORMANCE　GLASSES”，edited　by　Cable，M．et．al．，Blackie，　Glasgo　l992．　乙第6号証：”SUBSTRATE　GLASSES　FOR　FLAT−PANEL　DISPLAYS”，Dumbaugh，W．H．，et．al，pp．269−272，Proc．of　Soc．Inf．Disp．，Vol．31，NO．4，1990．　乙第7号証：”RAPID　THERMAL　PR　PROCESSDING　FOR　ACTIVE　MATRIX　DEVICES”，Fair，J．E．，et．al．，pp．47−52，Solid　State　Technology，August　l992．　乙第8号証：”THE　LOW　TEMPERATURE　POLYSILICON　TFT　TECHNOLOGY　FOR　MANUFACTURING　OF　ACTIVE　MATRIX　LIQUID　CRYSDAL　DISPLAYS”，Morita，T．，et．al．，pp．71−80　Mat．Res．Soc．Symp．Proc．Vol．345，”FLAT　PANEL　DISPLAY　MATERIALS”，Apr．5−6，1994．　乙第9号証：アプライドコマツテクノロジー株式会社技術資料，1997年10月）から明らかなように、シリコン基板に使用される技術はそのままガラス基板に適用することは不可能であるから、そのことのみからも甲第７号証は本件特許発明とは異質の技術に関するものであることが明らかである。」と主張している。
　しかし、本件特許に係る特許異議申立に添付された甲第１号証（月刊Semiconductor　World　増刊号「’９３最新液晶プロセス技術」Technology・Equipment・Materials　平成４年１０月１日発行、Ｐ２０４）に「ＴＦＴ−ＬＣＤの製造工程は、半導体製造工程と類似している点が多い。」と記載があるが、ここでＬＣＤとは液晶表示装置（Liquid　Crystal　Display）のことであり、ＬＣＤは基板にガラス板を用いるものである。即ち、ガラス基板を用いる場合、製造工程は、半導体製造工程と類似している点が多いということは、当技術分野において周知であり、また、前記刊行物１からも明らかなように、クラスタタイプは、ガラス基板にも使えるものであるから、半導体製造に用いられた刊行物４のクラスタタイプの製造装置をガラス基板に応用することに格別の困難性はない。さらに、ガラス基板に応用する際、乙第１，５，６，７号証からも明らかなように、ガラス基板と半導体ウエハとで物性が異なり、そのままでは使用できないことは、周知であるから、ガラス基板に対応するよう多少の変更を行うことは、当業者として当然のことである。
　
　相違点３：移送チャンバを自動化することは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　また、本件発明１の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件発明１は、前記刊行物１，３，４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．４．２　本件発明２
　本件発明２は、本件発明１に「前記ロードロック／冷却チャンバが、前記棚を有し且つ上下移動用装置（ｅｌｅｖａｔｏｒ　ａｓｓｅｍｂｌｙ）に取付けられたカセットを備え、前記加熱チャンバが、上下移動用装置（ｅｌｅｖａｔｏｒ　ａｓｓｅｍｂｌｙ）に取り付けられたカセットを備えている」点を限定したものである。
　しかし、刊行物４にはエレベータ駆動装置８０等から構成される上下機構を有するバッチ予熱モジュールが記載されており、上下移動用装置に取り付けられたカセットをロードロック／冷却チャンバ及び加熱チャンバに備えることは、当業者が適宜なし得ることである。
　また、本件発明２の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件発明２は、前記刊行物１，３，４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．４．３　本件発明３
　本件発明３は、本件発明１に「２個のロードロック／冷却チャンバを備えた」点を限定したものであるが、刊行物４には２個のロードロックモジュールを設けることが記載されている。
　また、本件発明３の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件発明３は、前記刊行物１，３，４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．４．４　本件発明４
　本件発明４は、本件発明１に「少なくとも２個の処理チャンバを備えた」点を限定したものであるが、刊行物４には化学蒸着（ＣＶＤ）モジュール３０の他に第１スパッタ・コーティング・モジュール２４等の少なくとも２個の処理チャンバを設けることが記載されている。
　また、本件発明４の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件発明４は、前記刊行物１，３，４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．４．５　本件発明５
　本件発明５は、本件発明１に「前記単一基板用処理チャンバが化学気相成長チャンバである」点を限定したものであるが、刊行物４には化学蒸着（ＣＶＤ）モジュール処理モジュール３０を設けることが記載されている。
　また、本件発明５の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件発明５は、前記刊行物１，３，４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．４．６　本件発明６
　本件発明６と刊行物４に記載された発明とを対比すると、両者の対応関係は前記「２．３．３．６　本件訂正発明６」と同様であるから、両者は、
「ａ）　複数の基板をロードロックチャンバ内にロードし、前記チャンバを排気するステップ、
　ｂ）　すべての前記基板を、接続する真空移送チャンバを通して前記基板を高温に加熱するのに適するチャンバまで移送するステップ、
　ｃ）　ステップｂ）からの加熱された基板のうちの１枚を、移送チャンバを通して、単一基板用処理チャンバまで移送し、その上に薄膜を蒸着するステップ、及び
　ｄ）　ステップｃ）からの基板を、前記移送チャンバを通してステップａ）のロードロックチャンバまで送り戻すステップ、
を順番に備えた、基板上に薄膜を蒸着する方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１：基板が、前者ではガラス基板であるのに対して、後者ではウェファである点。
　相違点２：前者のロードロックが、冷却チャンバを兼ね、基板を冷却するステップを有しているのに対して、後者がカセットであり、冷却について記載がない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　相違点１，２：刊行物１ではガラスサブストレートをクラスタタイプで処理しているように、クラスタタイプは、ガラス基板にも使えるものであるから、刊行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用した点に格別の困難性はなく、さらに、その際、ガラス基板に対応するよう多少の変更を行うことは、当業者として当然のことである。
　また、刊行物３にはガラス基板を冷却パネル内蔵のアンロードチャンバで冷却する点が記載されており、この技術をクラスタタイプに適用するのに格別の阻害要因もない。
　したがって、刊行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用し、さらに、ガラス基板に対応させるため、アンロードチャンバでもあるロードロックチャンバでガラス基板の冷却を行うことは、当業者が容易に考え得ることである。
　また、本件発明６の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件発明６は、前記刊行物１，３，４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．４．７　本件発明７
　本件発明７は、本件発明６に「ステップｃ）に続いて、基板を、その上に付加的な薄膜を蒸着するための１または１を超える数の付加的な処理チャンバに移送するステップ」を追加したものであるが、薄膜を複数工程で積層することは単なる慣用手段に過ぎず、当業者が必要に応じて適宜採用し得るものである。
　また、本件発明７の効果についても、格別のものは認められない。
　したがって、本件発明７は、前記刊行物１，３，４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．５　「３．無効理由」のむすび
　以上のとおり、本件発明１〜７は、前記刊行物１，３，４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。ゆえに、本件発明１〜７は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　したがって、本件請求項１〜７に係る発明についての特許は、特許法第１２３条第１項第２号に該当するので、無効とすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。