【手続補正書】
【提出日】平成29年10月27日(2017.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガリウムおよび窒素含有レーザダイオード装置を製造する方法において、前記方法が：
表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板を設ける工程と；
前記表面領域を覆うエピタキシャル材料を形成する工程と、を備え、前記エピタキシャル材料は：
ｎ型クラッド領域と、前記ｎ型クラッド領域を覆う少なくとも１つの活性層から成る活性領域と、前記活性層領域を覆うｐ型クラッド領域とを備え、さらに
前記エピタキシャル材料をパターン化して、複数個のダイを形成する工程を備え、前記ダイの各々は、少なくとも１つのレーザ装置に対応し、１対のダイの間の第１のピッチを特徴とし、前記第１のピッチが設計幅よりも小さく、さらに
各対の転送されたダイがその間の第２のピッチで構成されるように、前記複数のダイの少なくとも一部をキャリヤウェハに転送する工程を備え、前記第２のピッチが前記設計幅に対応する前記第１のピッチよりも大きく、
前記転送工程は、
１つまたはそれ以上のダイと前記ガリウムおよび窒素含有基板との間にある固定領域を完全なままで残しながら前記１つまたはそれ以上のダイの少なくとも一部の剥離領域の選択的除去工程と、
前記１つまたはそれ以上のダイを前記キャリヤウェハへ選択的にボンディングする工程と、
前記エピタキシャル材料の一部が前記キャリヤウェハにボンディングされた状態で、前記１つまたはそれ以上のダイに関連する前記固定領域を分離することにより、前記１つまたはそれ以上のダイを前記ガリウムおよび窒素含有基板から剥離する工程と、を備えることを特徴とする、方法。
【請求項２】
各ダイがメサとして形成され、各対のダイが、１μｍから１０μｍまでの範囲の前記第１のピッチ、１０ミクロンから５０ミクロンまでの幅、または５０μｍから３０００μｍまでの長さを有し、前記パターン化はエッチングプロセスを含み、前記キャリヤウェハ上の前記第２のピッチが、１００ミクロンから２００ミクロンまでであるか、または２００ミクロンから３００ミクロンまでであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記転送後に、前記ダイの各々を処理して、前記各ダイ上に少なくとも１つのレーザ装置を形成する工程、またはエピタキシャル材料の各ダイ上に１つまたは多数のレーザダイオード空洞を形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記キャリヤウェハを覆う各対のダイが、前記第２のピッチで定められ、さらに、前記方法が、前記第２のピッチで定められた空間を覆う１つまたはそれ以上の構成要素を形成する工程をさらに備え、前記１つまたはそれ以上の構成要素がコンタクト領域またはボンディングパッドから選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記キャリヤウェハが１つまたはそれ以上のコンタクト領域のための導電材料を特徴とし、前記レーザ装置の各々が２００ｎｍから２０００ｎｍまでの範囲の波長を特徴とし、前記レーザ装置の各々が、開裂プロセスまたはエッチングプロセスから構成された１対のファセットを備え、前記エッチングプロセスが、誘導結合プラズマエッチング、化学的促進イオンビームエッチング、または反応性イオンビームエッチングから選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のピッチによって定められた空間で、各対のダイを分離して前記ダイの各々を個片化する工程をさらに備え、前記エピタキシャル材料がＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、およびＩｎＡｌＧａＮ、またはそれいずれかであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ガリウムおよび窒素含有材料が極性、無極性、または半極性平面上で成長され、前記キャリヤウェハが、シリコン、ガリウムヒ素、サファイア、炭化シリコン、ダイヤモンド、窒化ガリウム、ＡｌＮ、リン化インジウムおよび金属のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記転送工程が、１つまたはそれ以上の他のダイを前記キャリヤウェハに転送するためにＮ回繰り返され、Ｎは１から５０までの整数であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記転送工程が、１つまたはそれ以上の他のダイを前記キャリヤウェハに転送するためにＮ回繰り返され、Ｎは、前記キャリヤウェハにボンディングされるべき前記ダイの各々を除去するために、１から５０までの整数であり、前記キャリヤウェハは、前記ガリウムおよび窒素含有基板の直径よりも大きい直径を有し、前記１つまたはそれ以上のダイと前記キャリヤウェハの各々との間のボンディングは、金属―金属対、酸化物―酸化物対、スピンオンガラス、半田合金、ポリマー、フォトレジストおよびワックスのうちの少なくとも１つであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記転送工程が、１つまたはそれ以上の他のダイを前記キャリヤウェハに転送するためにＮ回繰り返され、Ｎは、前記キャリヤウェハにボンディングされるべき前記ダイの各々を除去するために、１から５０までの整数であり、前記キャリヤウェハは、前記ガリウムおよび窒素含有基板の直径よりも大きい直径を有し、前記１つまたはそれ以上のダイと前記キャリヤウェハの各々との間のボンディングは、金属―金属対、酸化物―酸化物対、スピンオンガラス、半田合金、ポリマー、フォトレジストおよびワックスのうちの少なくとも１つであり、さらに、前記選択的除去工程が、バンドギャップ選択的光電気化学（ＰＥＣ）エッチングを利用して前記剥離領域の一部を除去することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記剥離領域が、隣接するエピタキシャル層よりも小さいバンドギャップを有する材料から成り、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＮ、またはＩｎＡｌＧａＮから構成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＰＥＣエッチングが、前記選択的なボンディングの間に構造を設けるための、前記剥離領域の一部を完全な状態で残しながら、前記剥離領域の実質的全てを選択的に除去し、前記剥離領域の一部が固定領域を形成することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＰＥＣエッチングが、前記選択的なボンディングの間に前記ダイを支持するために、前記固定領域を完全なままで残しながら前記剥離領域を選択的に除去し、前記固定領域が、欠陥ピラー、静的な力またはファンデルワールス力を有することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記１つまたはそれ以上のダイが前記キャリヤウェハにボンディングされながら、前記１つまたはそれ以上のダイ上の前記剥離領域の残存部分を完全に除去するように、付加的ＰＥＣエッチングプロセスをさらに備えることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
選択的ボンディングの後に、前記ダイの各々を選択的に破断し、そこから分離するように構成された１つまたはそれ以上の固定領域を露出したままで、転送前に前記１つまたはそれ以上のダイを覆う金属材料を形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記選択的除去工程が、前記１つまたはそれ以上のダイの各々の選択的な剥離を可能にするために前記１つまたはそれ以上のダイの各々の付近にアンダカット領域を形成し、前記１つまたはそれ以上のダイの各々がＰＥＣエッチングから保護するためのパッシベーション領域を備えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ダイの各々が１つまたはそれ以上の構成要素を含み、前記１つまたはそれ以上の構成要素が、電気コンタクト、電流波及領域、光クラッド領域、レーザリッジ、レーザリッジパッシベーションおよび１対のファセットのうちの少なくとも１つを単独でまたはいずれかの組み合わせで選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。