【事件の表示】
　平成　６年特許願第　６３５７２号「非対称ＬＤＤ接合薄膜トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　６月　２日出願公開、特開平　７−１４２７１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は、平成６年３月３１日（パリ条約優先権主張、１９９３年３月３１日、韓国）の出願であって、平成１４年１２月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１５年３月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月２日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１６年７月２３日付けで審尋がなされ、その後平成１６年１０月２７日に回答書が提出されたものである。　
　
２．平成１５年４月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１５年４月２日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲請求項１ないし３及び、明細書の００１５段落，００１７段落及び００３１段落を補正するものであって、特許請求の範囲の請求項１ないし３（以下、「補正後請求項１」ないし「補正後請求項３」という。）は、以下のとおり補正された。　
　「【請求項１】
　絶縁基板上に形成された活性層と、ソース、ドレイン及びゲート電極とを備え、ドレイン側にのみ低濃度不純物が注入されてＬＤＤ領域が形成されている薄膜トランジスタにおいて、前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成されることによって、活性層のドレイン側にのみＬＤＤ接合構造が形成されており、前記高濃度不純物がｎ＋、低濃度不純物がｎ−であることを特徴とする非対称ＬＤＤ接合構造を有する薄膜トランジスタ。
　【請求項２】
　絶縁基板上に形成された活性層と、ソース、ドレイン及びゲート電極とを備え、ドレイン側にのみ低濃度不純物が注入されてＬＤＤ領域が形成されている薄膜トランジスタにおいて、前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成されることによって、活性層のドレイン側にのみＬＤＤ接合構造が形成されており、前記高濃度不純物がＰ＋、低濃度不純物がＰ−であることを特徴とする非対称ＬＤＤ接合構造を有する薄膜トランジスタ。
　【請求項３】
　前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記ゲート電極上に金属との接触抵抗を減らすため、シリサイドが形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の非対称ＬＤＤ接合構造を有する薄膜トランジスタ。」　
　また、本件補正により、明細書の００１５段落，００１７段落及び，００３１段落は以下のように補正された。
　「【００１５】
　【課題を解決するための手段】
　このような目的を達成するために、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成された活性層と、ソース、ドレイン及びゲート電極とを備え、ドレイン側にのみ低濃度不純物が注入されてＬＤＤ領域が形成されている薄膜トランジスタにおいて、前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成されることによって、活性層のドレイン側にのみＬＤＤ接合構造が形成されており、前記高濃度不純物がｎ＋、低濃度不純物がｎ−であることを特徴とする非対称ＬＤＤ接合構造を有するものである。」
　「【００１７】
　また、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成された活性層と、ソース、ドレイン及びゲート電極とを備え、ドレイン側にのみ低濃度不純物が注入されてＬＤＤ領域が形成されている薄膜トランジスタにおいて、前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成されることによって、活性層のドレイン側にのみＬＤＤ接合構造が形成されており、前記高濃度不純物がＰ＋、低濃度不純物がＰ−であることを特徴とする非対称ＬＤＤ接合構造を有するものである。」及び、
　「【００３１】
　【発明の効果】
　以上の説明のように、本発明は薄膜トランジスタのドレイン側にのみイオン注入によりＬＤＤ構造の二重接合構造を形成するとともに、高濃度不純物がｎ＋、低濃度不純物がｎ−、または、高濃度不純物がＰ＋、低濃度不純物がＰ−とすることによって、ソース側の電子移動経路に形成されるエネルギー段差を除去させることができ、これにより薄膜トランジスタのキンク現象を防止して薄膜トランジスタの作動特性を安定化させることのできる利点がある。」
　
　上記補正は、平成１４年８月２８日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された以下のとおりのもの及び明細書の００１５段落、００１７段落及び００３１段落を補正するものである。（以下、請求項１ないし３を、「補正前請求項１」ないし「補正前請求項３」という。）
　「【請求項１】
　絶縁基板上に形成された活性層と、ソース、ドレイン及びゲート電極とを備えた薄膜トランジスタにおいて、ドレイン側にのみ低濃度不純物が注入されてＬＤＤ領域が形成され、前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成されることによって、活性層のドレイン側にのみＬＤＤ接合構造が形成されていることを特徴とする非対称ＬＤＤ接合構造を有する薄膜トランジスタ。
　【請求項２】
　前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記ゲート電極上に金属との接触抵抗を減らすため、シリサイドが形成されたことを特徴とする請求項１記載の非対称ＬＤＤ接合構造を有する薄膜トランジスタ。
　【請求項３】
　前記ドーピングされた高濃度不純物がｎ＋、低濃度不純物がｎ−であるか、または、前記ドーピングされた高濃度不純物がＰ＋、低濃度不純物がＰ−であることを特徴とする請求項１または２記載の非対称ＬＤＤ接合構造を有する薄膜トランジスタ。」
　
（２）本件補正についての検討
（２−１）新規事項の有無及び補正の目的の適否について
　本件補正は、特許請求の範囲を補正後請求項１ないし３と補正し、明細書の００１５段落、００１７段落及び００３１段落を補正するものである。
　
　本件補正は、１）補正前請求項１を引用する補正前請求項３に記載される技術的限定（「 前記ドーピングされた高濃度不純物がｎ＋、低濃度不純物がｎ−であるか、または、前記ドーピングされた高濃度不純物がＰ＋、低濃度不純物がＰ−であること」）を追加した２つの請求項を、「補正後請求項１」及び「補正後請求項２」とするとともに、２）補正前請求項１を引用する補正前請求項２に記載された技術的限定（「前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記ゲート電極上に金属との接触抵抗を減らすため、シリサイドが形成されたこと」）を含む補正前請求項２を引用する補正前請求項３が、「前記ドーピングされた高濃度不純物がｎ＋、低濃度不純物がｎ−であるか、または、前記ドーピングされた高濃度不純物がＰ＋、低濃度不純物がＰ−であること」なる技術的限定を含むものであるから、補正前請求項２を引用する「補正前請求項３」を「補正後請求項３」とするものである。
　したがって、補正後請求項１ないし３は、補正前請求項３に実質的に記載される発明を引用形式を変更して記載したものに対応しており、本件補正は、実質的には、補正前請求項１及び２を削除したものである。
　よって、補正前請求項１ないし３を補正後請求項１ないし３に補正することは、特許法第１７条の２第３項第１号の請求項の削除及び、特許法第１７条の２第３項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、かつ、特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものでもある。　
　また、明細書の上記段落の補正は、補正後請求項１ないし３の補正の内容に整合させるように補正するものであって、特許法第１７条の２第３項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、かつ、特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内におけるものでもある。
　
　（２−２）独立特許要件について
　本件補正後請求項１ないし３に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲に記載された事項に特定された、「２．（１）本件補正の内容」に記載したとおりのものである。
　
　（２−３）刊行物
　（ａ）刊行物１：特開平４−２２６０８１号公報
　刊行物１には、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されいる。
「【請求項１】　絶縁層上に形成されたシリコン薄膜と、このシリコン薄膜の少なくとも一部を基体領域として当該基体領域にチャンネルを形成すべく設けられたゲートと、前記シリコン薄膜との間にショットキーバリアを形成するシリサイド膜とを有する薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタのソースおよびドレインの少なくとも一方と前記基体領域との間の接合を前記ショットキーバリアで構成することを特徴とする半導体装置。」
「【請求項３】　請求項１記載の半導体装置において、前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域と当該不純物領域にオーミック接触する他のシリサイド膜とをさらに有し、前記ソースおよびドレインの一方は前記基体領域との間に前記ショットキーバリアを形成し、前記ソースおよびドレインの他方は前記不純物領域を含んで前記基体領域との間に前記ＰＮ接合を形成することを特徴とする半導体装置。」
「【０００７】本発明の他の目的は、ソース，ドレインの抵抗を増大することなくリーク電流が小さいＴＦＴを備えた半導体装置を提供することにある。」
「【００１２】・・・本発明の他の実施例では、ソース・ドレインの一方（好ましくはソース）のみがシリサイド膜で形成されていてショットキーバリアで区画され、ソース・ドレインの他方（好ましくはドレイン）はシリコン薄膜の中に同膜と反対導電型をもって選択的に形成された不純物領域で構成されてＰＮ接合で区画され、さらに当該不純物領域に接してシリサイド層が形成されている。このシリサイド層は不純物領域との間にショットキーバリアを形成しない。」
「【００１５】図１は本発明の第１実施例を示す断面図である。Ｐ型シリコン基板１０の表面に厚さ０．５μｍ程度のフィールドシリコン酸化膜１１が形成されている。酸化膜１１の表面には、ＴＦＴの基体としてのＮ型多結晶シリコン膜１２が膜厚４００オングストロームで約１×１０15ｃｍ-3程度の不純物濃度で形成されている。多結晶シリコン膜１２は、酸化膜１１上にまず非晶質シリコン膜を形成し同膜のその後の熱処理による多結晶化により形成される。本発明に従って、ソースおよびドレイン領域としてチタンシリサイド膜１５および１６が多結晶シリコン膜１２にこれとの間にショットキーバリア１８および１９をそれぞれ形成して選択的に設けられている。チタンシリサイド膜１５，１６はチタン層を多結晶シリコン膜１２に選択的に形成し、その後熱処理することによって形成される。かくして、ソース１５およびドレイン１６はショットキーバリア１８，１９によりそれぞれ区画される。ソース１５とドレイン１６間の多結晶シリコン層１２上には、約３００オングストローム厚のゲート酸化膜１３を介して１×１０20ｃｍ-3程度の不純物濃度を有するＮ型多結晶シリコンゲート電極１４が形成されている。ゲート電極１４上にはこれとオーミック接触を提供するチタンシリサイド膜１７が形成されている。」
「【００１８】ＴＦＴのリーク電流はＰＮ接合の利用によりさらに小さくできる。すなわち、図２に本発明の第２実施例と示すように、ドレイン側にＰ型領域２０が形成され、基体領域１２との間にＰＮ接合２２が形成されている。かくして、本実施例ではドレインが不純物領域２０として形成されている。この領域２０は１×１０13ｃｍ2 のドーズ量をもってイオン注入で形成されるので、高ドーズ量注入に比してはるかに制御性，作業性が向上される。ドレイン領域２０の表面部にはチタンシリサイド膜２１が形成され、領域２０との間にオーミック接触している。」（「１×１０13ｃｍ2 のドーズ量」は「１×１０13ｃｍ-２ のドーズ量」の誤記である。）
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　「シリコン基板上に形成された絶縁層上に形成されたシリコン薄膜と、このシリコン薄膜の少なくとも一部を基体領域として当該基体領域にチャンネルを形成すべく設けられたゲート電極と、前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域と、前記不純物領域にオーミック接触するシリサイド膜からなるドレインと、前記シリコン薄膜との間にショットキーバリアを形成するシリサイド膜からなるソースとを備えたことを特徴とする半導体装置。」
　（ｂ）刊行物２：特開平４−１４２６２号公報
　刊行物２には、第４図及び第５図とともに、以下の事項が記載されている。
　「・・・薄膜ＭＯＳＦＥＴにおいては、ドレインｇ近傍でインパクトイオン化によって発生する少数キャリアが素子形成半導体層ｂのフローティング領域に蓄積されて、素子形成半導体層ｂの変動を引き起こすために、ドレイン電流−電圧特性におけるキンク・・・が生じるといった問題がある。
　これに対しては、ソースｆ、ドレインｇを第５図のようなＬＤＤ構造とすることによってインパクトイオン化による少数キャリアの発生を小さくすることが行われているが、このＬＤＤ構造によっても、少数キャリアの蓄積を完全になくすことはできず・・・。」（第２頁右上欄第１２行〜同頁左下欄第６行）
　「・・・第２の実施例では、ドレインとなる拡散層４を高濃度に形成したが、第４図に例示するようなＬＤＤ構造にすることもできる。
　・・・
　まず、第４図(a)に示すように、ＳＯＩ基板１の上層にある・・・Ｐ型シリコン膜１ｃの表面にゲート絶縁膜２を・・・成長し、この上にポリシリコンよりなる・・・ゲート電極３を形成する。
　この後に・・・ゲート電極３の一側を・・・パターニングする。
　そして・・・ゲート電極３の一側には、トランジスタのドレインとなるＮ−型の拡散層２１が形成される。
　・・・第４図(b)に示すように、ゲート電極３の両側にＳｉＯ２膜２２を残存させる。
　この後に、ゲート電極３及びＳｉＯ２膜２２をマスクにして・・・砒素イオン・・・を注入し、これを拡散すると、ゲート電極３の両脇にあるシリコン層１ｃにはＮ＋型拡散層６、２３が形成される。
　この場合・・・これらの拡散層２１、２３によりドレインがＬＤＤ構造になる。また、Ｎ−型拡散層２１を有しないＮ＋型拡散層６は、トランジスタのソースに適用される。
　・・・各Ｎ＋型拡散層６、２３の内部に金属シリサイド層５、２５が形成され・・・る。
  ・・・
　このようにして形成されたＭＯＳトランジスタのドレインは、拡散層２１、２３によってＬＤＤ構造となっているために、インパクトイオン化によって発生する少数キャリアを低減することになり・・・シリコン膜１ｃの電位変動を少なくすることになる。」（第５頁左上欄第１４行〜同頁右下欄第１４行）
　（ｃ）刊行物３：特開昭６２−７１２７４号公報
　刊行物３には、第１図及び第２図とともに、以下の事項が記載されている。
　「第１図(a)は本発明に係わるＭＯＳ形半導体装置の一実施例を示す平面配置図であり、第１図(b)および(c)は第１図(a)のＩＢ−ＩＢ線断面図およびＩＣ−ＩＣ線断面図である。
　第１図において、２０は絶縁物層、２１は第１導電形を有する主たる半導体基板として絶縁物層２０上に形成されたｐ形能動層、２２は能動層２１上に形成されたゲート絶縁膜、２３はゲート絶縁膜２２の上に形成されたゲート電極である。能動層２１は動作中に空乏化領域２１ａと非空乏化領域２１ｂとに分かれる。２４は上記主たる半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第２導電形の領域として能動層２１の一端部にｎ形の高不純物濃度半導体によって形成されたソース領域であり、ソース領域２４と能動層２１の双方に接するようにこれらの上表面にソース電極２６が設けられている。この場合、ソース電極２６の材料としては、能動層２１との界面に発生するショットキー障壁が能動層２１のバンドギャップの１／２以下となるものを選択する。２５は同じくｎ形の高不純物濃度半導体によって形成されたドレイン領域であり、能動層２１のソース領域２４と反対側の一端部に形成されており、その上には、ドレイン電極２７が形成されている。電極２３，２６，２７は絶縁物層２８によって相互に電気的絶縁が図られている。
　次にこのように構成された半導体装置の動作を説明する。まず、ソース電極２６を接地し、ドレイン電極２７に正電圧を印加する。このような状態で、ゲート電極２３に正電圧を印加すると、能動層２１の中に空乏化された領域２１ａが発生し、また、能動層２１とゲート絶縁膜２２との界面に反転層が形成される。これにより、空乏化領域２１ａ中の反転層を通じて、ドレイン領域２５からソース領域２４へ電流が流れる。このように電流が流れる時、ドレイン領域２５に近い空乏化領域２１ａの内部で弱いアバランシェにより発生した正孔は、非空乏化領域２１ｂの中に入るが、ソース領域２４には注入されず、ソース領域２４に隣接して能動層２１上に配置されたソース電極２６に流れ込む。これは、ソース電極２６と能動層２１の界面に発生するショットキー障壁を十分低くしてあるからである。このようにして、能動層の非空乏化領域２１ｂ中での正孔蓄積は抑圧され、キンク現象は現れない。
　・・・イオン打ち込み法により第１図の構造を形成して製作した本実施例としての半導体装置で得られたドレイン電圧−ドレイン電流特性の一例を第２図(a)に・・・示す。
　第２図からわかるように、本実施例としての半導体装置では・・・キンク現象は完全に除去されている。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左下欄第１２行）
　
（２−４）対比・判断
　補正後請求項１に係る発明（以下、「補正後発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
　刊行物発明の、「シリコン基板上に形成された絶縁層」、「基体領域」は、それぞれ、補正後発明１の、「絶縁基板」、「活性層」に相当する。
　刊行物発明の「半導体装置」が、ソース、ドレイン及びゲート電極とを備え、チャンネルが絶縁層上に形成されたシリコン薄膜の一部である基体領域に形成されているから、薄膜トランジスタであることは明らかである。
　刊行物発明の「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域」がチャネルの導電型と反対導電型であることは明らかであり、また、補正後発明１の「ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入」された領域の導電型が活性層の導電型と反対導電型であることも明らかであるから、刊行物発明の、「不純物領域」は、補正後発明１の「不純物が注入」された領域に相当する。
　さらに、刊行物発明においては、ドレイン側のみに「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域」が形成されているから、刊行物発明が、非対称構造であることは明らかである。
　よって、両者は、
　「絶縁基板上に形成された活性層と、ソース、ドレイン及びゲート電極とを備え、ドレイン側にのみ不純物が注入されている薄膜トランジスタにおいて、非対称構造を有する薄膜トランジスタ。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１
　「ソース」及び「ドレイン」に関して、
　補正後発明１は、「ソース、ドレイン及びゲート電極とを備え」た薄膜トランジスタであって、「前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成される」のに対して、
　刊行物発明は、「ソース」、「ドレイン」及び「ゲート電極」を備え、「前記不純物領域にオーミック接触するシリサイド膜からなるドレイン」と、「前記シリコン薄膜に形成されたシリサイド膜からなるソース」を備えているものの、両者における「ソース」及び「ドレイン」が、通常使われる技術用語としての「ソース領域」又は「ソース電極」、「ドレイン領域」又は「ドレイン電極」のいずれを意味するか明確でなく、この点において、補正後発明１と刊行物発明とは、同一用語により実質的に同一の構成を意味しているか明確でない点。
　相違点２
　補正後発明１は、「ドレイン側にのみ低濃度不純物が注入されてＬＤＤ領域が形成されている」とともに、「前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成されることによって、活性層のドレイン側にのみＬＤＤ接合構造が形成されており、前記高濃度不純物がｎ＋、低濃度不純物がｎ−であることを特徴とする非対称ＬＤＤ接合構造を有する」のに対して、
　刊行物発明は、「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域と前記不純物領域にオーミック接触するシリサイド膜からなるドレイン」を備えた点。
　
　以下相違点について検討する。
　相違点１について
　補正後請求項３に「前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記ゲート電極上に金属との接触抵抗を減らすため、シリサイドが形成されたこと」が記載され、補正後請求項３は補正後請求項１を引用しているから、「前記ソース電極」、「前記ドレイン電極」が、補正後請求項１に記載される「ソース」、「ドレイン」に対応するものであって、補正後請求項１には、「前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成される」と記載されること、及び、本件明細書には、「図６を参照すれば、本発明の薄膜トランジスタにおいて、透明絶縁基板(10)上に活性層(30)が形成されるが、この活性層(30)にソース電極(20)が形成される。ドレイン側には、低濃度不純物層であるＬＤＤ領域(60)と高濃度不純物層であるドレイン電極(70)の二重接合（Junction）が形成される。また、前記活性層(30)上にはゲート絶縁膜(40)を媒介してゲート電極(50)が形成される。前記ソース電極(20)、ドレイン電極(70)及びゲート電極(50)上には金属との良好な接触のためにシリサイド（Silicide）(80a)(80b)(80c) が各々形成される。」（第２３段落参照）との記載を参酌すると、補正後発明１においては、「ドレイン電極」は、通常の技術用語として使用される、薄膜トランジスタの構成要素で通常不純物が導入された領域である「ドレイン領域」を意味しており、通常不純物が導入された領域（「ドレイン領域」）と外部の配線との導電接続のための構成要素である「ドレイン電極」は意味しない。また、補正後発明１では、「ソース電極」は活性層の一部分であって不純物が導入されていない部分で、シリサイド(80a)の下の部分を意味しており、さらに、補正後発明３には、「前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記ゲート電極上に金属との接触抵抗を減らすため、シリサイドが形成された」と記載されているから、補正後発明１の「ソース（電極）」及び「ドレイン（電極）」の上に形成された「シリサイド」（80a)(80b)が、通常の技術用語としての「ソース電極」及び「ドレイン電極」または、「ソース電極」及び「ドレイン電極」と「ソース領域」及び「ドレイン領域」との導電接続するための導電層（以下、「導電コンタクト層」という。）であることは当業者に明らかである。
　一方、刊行物発明における「ソース」及び「ドレイン」は、刊行物発明の「前記シリコン薄膜との間にショットキーバリアを形成するシリサイド膜からなるソース」及び「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域と、前記不純物領域にオーミック接触するシリサイド膜からなるドレイン」なる記載より、通常の技術用語としての「ソース電極」及び「ドレイン電極」又は「導電コンタクト層」に相当している。さらに、刊行物発明においては、「シリサイド膜からなるドレイン」がオーミック接触している「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域」は、ドレイン側にチャネル領域とは反対導電型の不純物導入により形成された「不純物領域」であるから、通常の意味での「ドレイン領域」であり、また、「シリサイド膜からなるソース」が形成された「シリコン薄膜」の一部である「基体領域」にはチャンネルが形成されており、「シリサイド膜からなるソース」が形成された部分は、チャンネルと同一導電型であって、基体領域の一部分でもあることは明らかである。
　よって、刊行物発明の、「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域」及び「前記シリコン薄膜との間にショットキーバリアを形成するシリサイド膜からなるソース」の「シリサイド膜からなるソース」が形成された「シリコン薄膜」は、それぞれ、補正後発明１の「ドレイン」及び「ソース」に相当するから、相違点１は実質的な相違点ではない。　
　
　相違点２について
　刊行物発明は、いわゆる「ＬＤＤ」を備えていないものの、
　１）例えば、刊行物２の第４図及びその説明に記載されるように薄膜トランジスタにおいて、通常使用される技術的意味のでＬＤＤ構造（チャンネルの導電型と反対導電型の不純物を高濃度に導入した「ドレイン領域」と、チャンネルとの間に形成した、「ドレイン領域」より低濃度で同導電型の不純物導入領域である「ＬＤＤ」を備えた構造）を備えたものは従来周知であり、また、刊行物２には、ＬＤＤ構造を備えることにより、少数キャリアの蓄積を低減することに効果があることも記載されており（第２頁右上欄第１２行〜左下欄第６行参照）、
　２）ドレイン側にＬＤＤ構造を形成する場合に、不純物を導入して形成した「ドレイン領域」とチャネル領域の間で、ドレイン領域より低濃度で、ドレイン領域と同導電型の不純物を導入することは従来周知であり、
　３）刊行物３には、薄膜トランジスタのドレイン側のみに不純物を導入し（２５）、ソース側には不純物を導入しない部分（２１）を備えること、即ち、ドレイン側に不純物導入領域を形成するとともに、ソース側はチャネルの延長した部分に直接ソース電極として使用する「シリサイド膜」を備えることにより、キンク現象を防止できることが記載されている（第３頁右上欄第１１行〜左下欄第１行）参照）ことを参酌すると、刊行物発明の構成要素である「前記シリコン薄膜に形成されたシリサイド膜からなるソース」によっても、キンク現象を防止できるものと認められ、
　４）刊行物発明に「ＬＤＤ」構造を追加することにより、リーク電流の低減には寄与するが、キンク現象の低減には、副次的な効果しか奏しないと認められ、
　５）半導体の導電型は「Ｎ型」と「Ｐ型」の２種類のみがあるから、いずれかの導電型を選択することは当業者が適宜なしえるものであり、さらに、
　６）補正後発明１においては、「ＬＤＤ」を通常の技術的意味とは異なって、高濃度に不純物を導入した（ドレイン）領域及び低濃度に不純物を導入した（ドレイン）領域の両者を含めて、「ＬＤＤ」と定義しているようであるが、そうであったとしても、補正後発明１の「ＬＤＤ」も「前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成され」ており、従来周知のＬＤＤ構造と比較して何ら異ならないから、
　刊行物発明において、ドレイン領域として機能する「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域」とチャンネルとの間に、前記「不純物領域」より低濃度で、前記「不純物領域」と同一導電型の不純物を導入することにより、ＬＤＤ構造を備えたものとすることは、当業者が各刊行物に記載された発明から容易になしえたものであって、導電型として「Ｎ型」を選択することは当業者が適宜なし得たものである。
　
　よって、補正後発明１は、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　（２−５）むすび
　　したがって、補正後発明１は特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。よって、補正後請求項２及び３に係る発明について検討するまでもなく、適法でない補正を含む本件補正は特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に適合しないものであり、本件補正は特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本件発明について
　平成１５年４月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件の請求項１ないし３に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明３」という。）は、平成１４年８月２８日付け手続補正書により、明細書の全文と図６が補正され、図７が削除された補正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】
　絶縁基板上に形成された活性層と、ソース、ドレイン及びゲート電極とを備えた薄膜トランジスタにおいて、ドレイン側にのみ低濃度不純物が注入されてＬＤＤ領域が形成され、前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成されることによって、活性層のドレイン側にのみＬＤＤ接合構造が形成されていることを特徴とする非対称ＬＤＤ接合構造を有する薄膜トランジスタ。
　【請求項２】
　前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記ゲート電極上に金属との接触抵抗を減らすため、シリサイドが形成されたことを特徴とする請求項１記載の非対称ＬＤＤ接合構造を有する薄膜トランジスタ。
　【請求項３】
　前記ドーピングされた高濃度不純物がｎ＋、低濃度不純物がｎ−であるか、または、前記ドーピングされた高濃度不純物がＰ＋、低濃度不純物がＰ−であることを特徴とする請求項１または２記載の非対称ＬＤＤ接合構造を有する薄膜トランジスタ。」
　
４．刊行物記載の発明
　刊行物１ないし３に記載された事項は、「２．（２−３）刊行物」に記載したとおりであって、刊行物１に記載された発明は以下のとおりである。
　「シリコン基板上に形成された絶縁層上に形成されたシリコン薄膜と、このシリコン薄膜の少なくとも一部を基体領域として当該基体領域にチャンネルを形成すべく設けられたゲート電極と、前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域と、前記不純物領域にオーミック接触するシリサイド膜からなるドレインと、前記シリコン薄膜との間にショットキーバリアを形成するシリサイド膜からなるソースとを備えたことを特徴とする半導体装置。」　
　
５．対比・判断
　本件発明１と刊行物発明とを対比する。
　刊行物発明の、「シリコン基板上に形成された絶縁層」、「基体領域」は、それぞれ、本件発明１の、「絶縁基板」、「活性層」に相当する。
　刊行物発明の「半導体装置」が、ソース、ドレイン及びゲート電極とを備え、チャンネルが絶縁層上に形成されたシリコン薄膜の一部である基体領域に形成されているから、薄膜トランジスタであることは明らかである。
　刊行物発明の「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域」がチャネルの導電型と反対導電型であることは明らかであり、また、本件発明１の「ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入」された領域の導電型が活性層の導電型と反対導電型であることも明らかであるから、刊行物発明の、「不純物領域」は、本件発明１の「不純物が注入」された領域に相当する。
　さらに、刊行物発明においては、ドレイン側のみに「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域」が形成されているから、刊行物発明が、非対称構造であることは明らかである。
　よって、両者は、
　「絶縁基板上に形成された活性層と、ソース、ドレイン及びゲート電極とを備えた薄膜トランジスタにおいて、ドレイン側にのみ不純物が注入されていることを特徴とする非対称構造を有する薄膜トランジスタ。」である点で一致し、以下の点で相違する。　
　相違点１
　「ソース」及び「ドレイン」に関して、
　本件発明１は、「ソース、ドレイン及びゲート電極とを備え」た薄膜トランジスタであって、「前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成される」のに対して、
　刊行物発明は、「ソース」、「ドレイン」及び「ゲート電極」を備え、「前記不純物領域にオーミック接触するシリサイド膜からなるドレイン」と、「前記シリコン薄膜に形成されたシリサイド膜からなるソース」を備えているものの、両者における「ソース」及び「ドレイン」が、通常使われる技術用語としての「ソース領域」又は「ソース電極」、「ドレイン領域」又は「ドレイン電極」のいずれを意味するか明確でなく、この点において、本件発明と刊行物発明とは、同一用語により実質的に同一の構成を意味しているか明確でない点。
　相違点２
　本件発明１は、「ドレイン側にのみ低濃度不純物が注入されてＬＤＤ領域が形成され」ているとともに、「前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成されることによって、活性層のドレイン側にのみＬＤＤ接合構造が形成されていることを特徴とする非対称ＬＤＤ接合構造を有する」のに対して、
　刊行物発明は、「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域と前記不純物領域にオーミック接触するシリサイド膜からなるドレイン」を備えた点。
　
　以下相違点について検討する。
　相違点１について
　本件の請求項２に「前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記ゲート電極上に金属との接触抵抗を減らすため、シリサイドが形成されたこと」が記載され、本件の請求項２は本件の請求項１を引用しているから、「前記ソース電極」、「前記ドレイン電極」が、本件の請求項１に記載される「ソース」、「ドレイン」に対応するものであって、本件の請求項１には、「前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成される」と記載されること、及び、本件明細書には、「図６を参照すれば、本発明の薄膜トランジスタにおいて、透明絶縁基板(10)上に活性層(30)が形成されるが、この活性層(30)にソース電極(20)が形成される。ドレイン側には、低濃度不純物層であるＬＤＤ領域(60)と高濃度不純物層であるドレイン電極(70)の二重接合（Junction）が形成される。また、前記活性層(30)上にはゲート絶縁膜(40)を媒介してゲート電極(50)が形成される。前記ソース電極(20)、ドレイン電極(70)及びゲート電極(50)上には金属との良好な接触のためにシリサイド（Silicide）(80a)(80b)(80c) が各々形成される。」（第２３段落参照）との記載を参酌すると、本件発明１においては、「ドレイン電極」は、通常の技術用語として使用される、薄膜トランジスタの構成要素で通常不純物が導入された領域である「ドレイン領域」を意味しており、通常不純物が導入された領域（「ドレイン領域」）と外部の配線との導電接続のための構成要素である「ドレイン電極」は意味しない。また、本件発明１では、「ソース電極」は活性層の一部分であって不純物が導入されていない部分で、シリサイド(80a)の下の部分を意味しており、さらに、本件の請求項２には、「前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記ゲート電極上に金属との接触抵抗を減らすため、シリサイドが形成された」と記載されているから、本件発明１の「ソース（電極）」及び「ドレイン（電極）」の上に形成された「シリサイド」（80a)(80b)が、通常の技術用語としての「ソース電極」及び「ドレイン電極」または、「ソース電極」及び「ドレイン電極」と「ソース領域」及び「ドレイン領域」との導電接続するための導電層（以下、「導電コンタクト層」という。）であることは当業者に明らかである。
　一方、刊行物発明における「ソース」及び「ドレイン」は、刊行物発明の「前記シリコン薄膜との間にショットキーバリアを形成するシリサイド膜からなるソース」及び「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域と、前記不純物領域にオーミック接触するシリサイド膜からなるドレイン」なる記載より、通常の技術用語としての「ソース電極」及び「ドレイン電極」又は「導電コンタクト層」に相当している。さらに、刊行物発明においては、「シリサイド膜からなるドレイン」がオーミック接触している「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域」は、ドレイン側にチャネル領域とは反対導電型の不純物導入により形成された「不純物領域」であるから、通常の意味での「ドレイン領域」であり、また、「シリサイド膜からなるソース」が形成された「シリコン薄膜」の一部である「基体領域」にはチャンネルが形成されており、「シリサイド膜からなるソース」が形成された部分は、チャンネルと同一導電型であって、基体領域の一部分でもあることは明らかである。
　よって、刊行物発明の、「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域」及び「前記シリコン薄膜との間にショットキーバリアを形成するシリサイド膜からなるソース」の「シリサイド膜からなるソース」が形成された「シリコン薄膜」は、それぞれ、本件発明１の「ドレイン」及び「ソース」に相当するから、相違点１は実質的な相違点ではない。　
　
　相違点２について
　刊行物発明は、いわゆる「ＬＤＤ」を備えていないものの、
　１）例えば、刊行物２の第４図及びその説明に記載されるように薄膜トランジスタにおいて、通常使用される技術的意味のでＬＤＤ構造（チャンネルの導電型と反対導電型の不純物を高濃度に導入した「ドレイン領域」と、チャンネルとの間に形成した、「ドレイン領域」より低濃度で同導電型の不純物導入領域である「ＬＤＤ」を備えた構造）を備えたものは従来周知であり、また、刊行物２には、ＬＤＤ構造を備えることにより、少数キャリアの蓄積を低減することに効果があることも記載されており（第２頁右上欄第１２行〜左下欄第６行参照）、
　２）ドレイン側にＬＤＤ構造を形成する場合に、不純物を導入して形成した「ドレイン領域」とチャネル領域の間で、ドレイン領域より低濃度で、ドレイン領域と同導電型の不純物を導入することは従来周知であり、
　３）刊行物３には、薄膜トランジスタのドレイン側のみに不純物を導入し（２５）、ソース側には不純物を導入しない部分（２１）を備えること、即ち、ドレイン側に不純物導入領域を形成するとともに、ソース側はチャネルの延長した部分に直接ソース電極として使用する「シリサイド膜」を備えることにより、キンク現象を防止できることが記載されている（第３頁右上欄第１１行〜左下欄第１行）参照）ことを参酌すると、刊行物発明の構成要素である「前記シリコン薄膜に形成されたシリサイド膜からなるソース」によっても、キンク現象を防止できるものと認められ、
　４）刊行物発明に「ＬＤＤ」構造を追加することにより、リーク電流の低減には寄与するが、キンク現象の低減には、副次的な効果しか奏しないと認められ、
　５）本件発明１においては、「ＬＤＤ」を通常の技術的意味とは異なって、高濃度に不純物を導入した（ドレイン）領域及び低濃度に不純物を導入した（ドレイン）領域の両者を含めて、「ＬＤＤ」と定義しているようであるが、そうであったとしても、本件発明１の「ＬＤＤ」も「前記ＬＤＤ領域内に低濃度不純物と同じ型の高濃度不純物が注入されてドレイン電極が形成され」ており、従来周知のＬＤＤ構造と比較して何ら異ならないから、
　刊行物発明において、ドレイン領域として機能する「前記基体領域との間にＰＮ接合を形成する不純物領域」とチャンネルとの間に、前記「不純物領域」より低濃度で、前記「不純物領域」と同一導電型の不純物を導入することにより、ＬＤＤ構造を備えたものとすることは、当業者が各刊行物に記載された発明から容易になしえたものである。
　
　よって、本件発明１は、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２及び３に係る発明について判断するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。