【事件の表示】
　平成　９年特許願第３１８７１０号「光ディスクおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　６月　２日出願公開、特開平１１−１４９６６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年１１月１９日の出願であって、平成１５年６月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月５日付けで手続補正がなされたものであり、その後、前置報告がなされ、その前置報告の内容を用いて審尋がなされ、これに対し回答がなされたものである。
　
２．平成１５年８月５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年８月５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正は、概略、請求項１及び２，３，７，８（及びそれらの項を引用する請求項４，５，６）において、特定するために必要な事項である「透明誘電体膜」について、バイメタル効果を抑制する「ようにその膜厚が最適化された」との要件を限定して特許請求の範囲を減縮するもので、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。
　【請求項１】「透光性を有する基板の一方の表面に光記録膜が形成され、光記録膜の表面に第一保護膜が形成されてなる光ディスクにおいて、
　上記基板に対して上記光記録膜と反対側に、上記光記録膜と上記基板の熱膨張差によるバイメタル効果を抑制する
ようにその膜厚が最適化された
　上記透明誘電体膜の屈折率をｎ、膜厚をｄ（ｎｍ）、光ディスクに照射される光ビームの波長をλ（ｎｍ）とすると、ｎは上記基板の屈折率よりも大きく、かつ、ほぼλ／２ｄの整数倍であることを特徴とする光ディスク。」
　
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）否かについて以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された本願出願前の刊行物である特開平９−１５３２３０号公報（以下、引用例という。）と、周知例として提示する図書１（小瀬輝次、他４名編「光工学ハンドブック」、１９８６年２月２０日初版第１刷、株式会社朝倉書店発行、第１６０〜１６３頁）には、図面とともに、次のことが記載されている。　なお、下線は、便宜上当審が付与した。
　
　引用例には、
　（i）「【請求項１】　
レーザ光により記録及び／又は再生が行われる光ディスクにおいて、　プラスチックよりなる基板の一方の主面に記録層及び／又は反射膜が形成されるとともに、他方の主面に透明膜が形成され
　上記透明膜の屈折率をｎ1、基板の屈折率をｎ0としたときに、ｎ1≦ｎ0＋０．５であることを特徴とする光ディスク。
　【請求項２】　上記記録層及び／又は反射膜が形成される一主面の基板に最も近い位置に誘電体膜が形成されるとともに、この誘電体膜の膜厚ｄ1と上記透明膜の膜厚ｄ2の差が５００Å以下とされていることを特徴とする請求項１記載の光ディスク。
　【請求項３】　透明膜上に保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の光ディスク。」（特許請求の範囲の請求項１〜３参照）、及び、
　（ii）「【０００５】ところで、近年、光ディスクの高密度化の要求に伴い、記録再生に用いるレーザの短波長化が進んでいる。ここで、使用するレーザの波長を短くすると、ディスクの反り等により記録層あるいは反射膜の膜面上でのビームプロファイルに歪みが生じ易くなり、再生信号の劣化や隣接信号からのクロストークの増加を招き易くなる。したがって、
光ディスクの反り量はできるだけ小さい方がよい
　【０００６】しかしながら、光ディスクの使用環境温度は、ドライブ内部の使用中の温度上昇等も含め、５０℃程度の大幅な温度変化が考えられ、例えば基板にポリカーボネートやポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック材料を使用した光ディスクでは、この
環境温度の変化に伴い反り量が大きく変化する傾向にある
この結果、基板にプラスチックを用いた光ディスクでは、温度変化による信号品質の劣化が問題となっている
　（iii）「【０００８】問題となるのは、
プラスチック基板とそれに接して形成される膜の熱膨張係数が異なり、使用温度下での膨張量が異なるためにディスクに反りが生じてしまう
　【０００９】そこで本発明は、使用環境温度範囲において、反り量の小さな光ディスクを提供することを目的とし、温度変化による信号品質の劣化のない光ディスクを提供することを目的とする。」（段落【０００８】〜【０００９】参照）こと、
　（iv）「【００１０】【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的を達成せんものと種々の検討を重ねてきた。その結果、
基板の表面側にも透明膜を形成することにより、反りの問題を解決することができるとの結論を得るに至った
　【００１１】すなわち、本発明は、レーザ光により記録や再生が行われる光ディスクにおいて、プラスチックよりなる基板の一方の主面に記録層や反射膜が形成されるとともに、他方の主面にも透明膜が形成されることを大きな特徴とする。
　【００１２】
光ディスクの反り量は、主にディスクの使用温度、プラスチック基板とそれに接して形成される膜のそれぞれの厚さ、熱膨張係数、ヤング率等により決定される
基板上に形成される第１層目の膜はＳｉＮ、ＳｉＯ、ＡｌＮ等からなる誘電体膜であり、これら材料の熱膨張係数が２桁程度違うことがディスクの温度変化に伴う反りの原因である
　（v）「【００１３】そこで、本発明では、
温度変化に伴う反り量を低減するために、記録層や反射膜が形成される面（以下、記録再生層側と言う。）とは反対側の基板表面（以下、表面側と言う。）に前記第１層目の膜と同程度の熱膨張係数やヤング率を有する透明膜を形成し、先の反りを相殺する
　【００１４】ここで、工業的に形成可能な
透明膜の材質としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ等の酸化物、窒化物等が挙げられ、前記誘電体膜とこの透明膜とは、任意の材料の組み合わせで基板の表面側、記録再生層側に形成して差し支えない
　（vi）「【００１５】ただし、基板の表面側に形成される
透明膜の屈折率と厚さの決定は重要である
　【００１６】先ず、実際の光ディスクシステムの光学系では、レーザ光は基板表面で焦点を結んではいないが、
使用するレーザ光の波長での表面側透明膜の屈折率と基板自体の屈折率の差が大きくなると、その境界面での反射、吸収の影響で、効率的に信号の記録・再生が行えなかったり、信号のノイズ源になってしまう等の弊害が生ずる
　【００１７】また、膜厚に関して言えば、通常、記録再生層側の誘電体膜の膜厚は、熱的、光学的に良質の信号再生ができるように決定されている。このときの基板の記録再生層側の第１層目の誘電体膜の膜厚をｄ1とし、基板の表面側に形成される透明膜の膜厚をｄ2とすると、
温度変化に伴う反り量を相殺するためには膜厚ｄ
1
と膜厚ｄ
2
の差をなるべく小さくしなければならず
　（vii）「【００２２】また、上記
記録層３上には、必要に応じて紫外線硬化樹脂等からなる保護膜を形成してもよい
　【００２３】一方、プラスチック
基板１の上記記録層３が形成される面とは反対側の面には、反りを相殺するための透明膜４が成膜されている
　【００２４】この
透明膜４は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の酸化物、窒化物等からなるもので、光学的に透明で、記録再生用のレーザ光を十分に透過する材料が選ばれる。具体的には、ＳｉＮ等である
　【００２５】ただし、この
透明膜４の屈折率がプラスチック基板１の屈折率と大きく異なると、記録再生特性に悪影響を及ぼす虞れがあることから、その屈折率をｎ
1
、基板１の屈折率をｎ
0
としたときに、ｎ
1
≦ｎ
0
＋０．５となるように設定
　【００２６】また、この
透明膜４の膜厚であるが、これは反りの解消の観点から、前記第１層膜２の膜厚を考慮して決められている
　（viii）「【００２７】【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果をもとに詳細に説明する。
　【００２８】実施例１
　本実施例で試作した光ディスクは、記録層に希土類−遷移金属合金を用い、それをＳｉＮ誘電体膜で挟み、さらにＡｌ反射膜を加えた４層構造の
記録層
　【００２９】上記
記録層上には、その保護のために、スピンコートにより紫外線硬化樹脂を塗布し、保護膜を形成した
　【００３０】プラスチック
基板は
波長６８０ｎｍのレーザ光において１．５８
　【００３１】また、記録再生層側の第１層目のＳｉＮ誘電体膜（第１層膜）の膜厚ｄ1は１０００Åである。
　【００３２】この光ディスクの表面側に、
膜厚ｄ
2
＝１０００Å、屈折率ｎ
1
＝２．０２のＳｉＮ膜をスパッタリング法により形成し、透明膜とする
いずれの屈折率も、波長６８０ｎｍのレーザ光における値
　【００３３】実施例２
　表面側の
透明膜の屈折率ｎ
1
を２．０８、膜厚ｄ
2
を９００Åとし
　【００３４】実施例３
　表面側の
透明膜の屈折率ｎ
1
を２．０２、膜厚ｄ
2
を１５００Åとし
　・・・（中略）・・・
　【００３８】以上の各実施例、比較例における透明膜の屈折率や膜厚、ＳｉＮ誘電体膜との
膜厚差等を下記の表１にまとめて示す。」（段落【００２７】〜【００３８】参照）こと、
　（ix）「【００４０】　そこで次に、これらのサンプルディスクを温度２０〜６０℃、相対湿度ＲＨ５０％の環境下で基板反り量の測定を行い、さらには温度２０℃、相対湿度ＲＨ５０％の環境下でディスク１周内の平均の反射率に対する反射率変動幅を測定した。この
反射率変動幅は、信号振幅変動量の目安となるものである
　【００４１】　結果を表２に示す。上記の測定において、
目標とする値は、信号品質等の点から、反り量３ｍｒａｄ以下、反射率変動幅７％以下である
　（x）「【００４６】　【発明の効果】　以上の説明からも明らかなように、本発明の光ディスクにおいては、基板の記録膜や反射膜が形成される面とは反対側の面に透明膜を形成しているので、ディスクの反り量を抑え、信号品質を向上することが可能である。また、このとき
透明膜の屈折率を適正な範囲に設定しているので、反射率変動等による悪影響も抑えることができる
　（xi）表１，２として次の表が示されている（段落【００３９】，【００４２】参照）。
　
　これらの記載によれば、引用例には、反りの問題を解決した、「レーザ光により記録及び／又は再生が行われる光ディスクにおいて、プラスチックよりなる基板の一方の主面に記録層及び／又は反射膜が形成されるとともに、他方の主面に透明膜が形成されてなり、上記記録層の上に紫外線硬化樹脂からなる保護膜を形成し、上記透明膜の屈折率をｎ1、基板の屈折率をｎ0としたときに、ｎ1≦ｎ0＋０．５であることを特徴とする光ディスク。」の発明（以下「引用例発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
　図書１には、
　（2-i）「ここでは、単層膜による光の反射，透過特性を，境界面の繰返し反射の干渉を用いて求める．
　ａ．反射と透過の式　　図１．１．１に示すように，波長λ（真空中の波長）の平行光線が入射する側から非吸収性媒質（０），（１），（２）が並んでいる．　（１）は厚さｄ１の等方均質的な薄膜，（２）は薄膜を支える下地である．媒質の屈折率と光線の入射角（または屈折率）をそれぞれｎ０，ｎ１，ｎ２およびφ０，φ１，φ２とすれば，スネルの法則ｎ０sinφ０＝ｎ１sinφ１＝ｎ２sinφ２が成り立っている．光が媒質（０）から（１）へ向かうときの境界面のフレネルの振幅反射係数をr０，透過系は数をt０，逆に媒質（１）から（０）に向かうときの係数をそれぞれｒ'０，ｔ'０とする．同様に媒質（１）から（２）または（２）から（１）に向かうときの係数をそれぞれｒ１，ｔ１またはｒ'１，ｔ'１とする．繰返し反射の結果，媒質（０）へ戻る反射光と媒質（２）へ向かう透過光の振幅はそれぞれ・・・・（中略）・・・・となる．　また光線が薄膜を通過するとき，相つぐ光線の間に生じる位相の遅れは２δ１＝（４π／λ）ｎ１ｄ１cosφ１で与えられる．　・・・（中略）・・・　
　ｂ．垂直入射の場合（非吸収媒質）　すべての媒質が非吸収性のとき，垂直入射に対するフレネル係数は屈折率を用いて容易に表せる．すなわち
　ｒ０＝（ｎ０−ｎ１）／（ｎ０＋ｎ１），ｔ０＝２ｎ０／（ｎ０＋ｎ１）
　ｒ１＝（ｎ１−ｎ２）／（ｎ１＋ｎ２），ｔ１＝２ｎ１／（ｎ１＋ｎ２）
であるから，エネルギー反射率，透過率はそれぞれ
　　Ｒ＝［（ｎ０２＋ｎ１２）（ｎ１２＋ｎ２２）−４ｎ０ｎ１２ｎ２＋（ｎ０２−ｎ１２）（ｎ１２−ｎ２２）cos２δ１］／［（ｎ０２＋ｎ１２）（ｎ１２＋ｎ２２）＋４ｎ０ｎ１２ｎ２＋（ｎ０２−ｎ１２）（ｎ１２−ｎ２２）cos２δ１］　　　　　　　　　　　　　　　（１．１．４ａ）
　　Ｔ＝８ｎ０ｎ１２ｎ２／［（ｎ０２＋ｎ１２）（ｎ１２＋ｎ２２）＋４ｎ０ｎ１２ｎ２＋（ｎ０２−ｎ１２）（ｎ１２−ｎ２２）cos２δ１］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（１．１．４ｂ）
となる．
　エネルギー反射率について詳しく調べると，次の結果が得られる．
　（ｉ）ｎ１ｄ１＝（２ｍ＋１）λ／４（ｍ＝０，１，２・・・）のとき：
　　　　　Ｒ＝［（ｎ０ｎ２−ｎ１２）／（ｎ０ｎ２＋ｎ１２）］２　＝Ｒmin（ｎ０＜ｎ１＜ｎ２），Ｒmax（ｎ０＜ｎ１＞ｎ２）　　（１．１．５）
この式から，ｎ１＝（ｎ０ｎ２）1/2  のときＲmin＝０となる．
　（ii）
ｎ
１
ｄ
１
＝（ｍ＋１）λ／２　（ｍ＝０，１，２・・・）のとき
　　　　　Ｒ＝［（ｎ０−ｎ２）／（ｎ０＋ｎ２）］２　＝Ｒmax（ｎ０＜ｎ１＜ｎ２），
Ｒmin（ｎ
０
＜ｎ
１
＞ｎ
２
この場合，反射率は薄膜がないときの下地の反射率と一致する
　ｎ０＝１（空気），ｎ２＝１．５（ガラス）として，反射率と光学的膜厚（ｎ１ｄ１）の関係を，種々のｎ１（薄膜）について計算した結果を図１．１．２に示す．この図から，薄膜はｎ１＜ｎ２のとき反射減少，ｎ１＞ｎ２のとき反射増加の作用をすることがわかる．」（第１６１頁下から１８行〜第１６３頁６行参照；なお、１行に表記できない式はその意味を変えない程度に便宜的に表記を修正した。）ことが記載されていて、
　（2-ii）図１．１．１と図１．１．２として次の図が図示されている。
　
（３）対比、判断
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを比較する。
　（ａ）引用例発明の「プラスチックよりなる基板」は、ポリカーボネートなどから形成されていて当然に透光性であることが明らかであるから、本願補正発明の「透光性を有する基板」に相当する。
　（ｂ）引用例発明の「基板の一方の主面に記録層及び／又は反射膜が形成される」ことは、本願補正発明の「基板の一方の表面に光記録膜が形成され」ていることに相当する。　なお、引用例発明の実施例の記録層は、「希土類−遷移金属合金を用い、それをＳｉＮ誘電体膜で挟み、さらにＡｌ反射膜を加えた４層構造」の記録再生用光磁気ディスクに使用するものであるのに対し、本願補正発明の実施例の光記録膜は、「透明誘電体層、希土類−繊維金属アモルファス磁性合金層、非磁性金属層、金属反射層などの数層が積層している」光磁気記録膜（本願明細書の段落【００５０】（当初明細書の段落【００５１】）参照）である点で本質的に同一のものである。
　（ｃ）引用例発明の「上記記録層の上に紫外線硬化樹脂からなる保護膜を形成」することは、本願補正発明の「光記録膜の表面に第一保護膜が形成されてなる」ことに相当する。
　（ｄ）引用例発明の「基板の一方の主面に・・・・とともに、他方の主面に透明膜が形成されてなり」は、次の（ｄ１）〜（ｄ３）からみて、本願補正発明の「上記基板に対して上記光記録膜と反対側に、上記光記録膜と上記基板の熱膨張差によるバイメタル効果を抑制するようにその膜厚が最適化された透明誘電体膜が形成されており」に相当する。
　（ｄ１）該透明膜は、熱膨張差などによって発生する反りを解消するために設けられるもの（摘示（iii）〜（v）参照）であるから、基板と記録層の熱膨張差によるいわゆるバイメタル効果を抑制するものといえ、
　（ｄ２）該透明膜は、ＳｉＮやＡlの窒化物（即ちＡｌＮ）などの透明な誘電体の材質で形成され（摘示（v），（vii），（viii）参照）ているから、透明誘電体膜であることが明らかであり、
　（ｄ３）該透明膜の膜厚が反りの解消の観点から決められている（摘示（vii）参照）ことから、熱膨張差によるバイメタル効果を抑制するようにその膜厚が最適化されているといえる。
　
　してみると、両発明は、
　「透光性を有する基板の一方の表面に光記録膜が形成され、光記録膜の表面に第一保護膜が形成されてなる光ディスクにおいて、
　上記基板に対して上記光記録膜と反対側に、上記光記録膜と上記基板の熱膨張差によるバイメタル効果を抑制するようにその膜厚が最適化された透明誘電体膜が形成されていることを特徴とする光ディスク。」の発明で一致し、次の点で一応相違している。
　＜＜相違点＞＞
　　透明誘電体膜の屈折率に関して、本願補正発明では、「透明誘電体膜屈折率をｎ、膜厚をｄ（ｎｍ）、光ディスクに照射される光ビームの波長をλ（ｎｍ）とすると、ｎは上記基板の屈折率よりも大きく、かつ、ほぼλ／２ｄの整数倍であり」と規定しているのに対し、引用例発明ではそのような表現では規定されていない点。
　
　そこで、この相違点について検討する。
　（イ）引用例発明の実施例、比較例を検討すると、基板の屈折率１．５８に比べ、透明膜（即ち透明誘電体膜）の屈折率は２．０２〜２．１と大きいことから、「透明誘電体膜屈折率をｎ」とするとき「ｎは上記基板の屈折率よりも大きく」との本願補正発明の構成は、引用例発明においても採用されていることが明らかである。
　（ロ）本願補正発明で前記相違点の如き構成を規定するのは、多重干渉による光入射側の三層のエネルギー反射率ができるだけ低くなるようにするためである旨（本願明細書段落【０１１２】（当初明細書の段落【０１１３】）など参照）が説明されている。
　一方、引用例発明では、「使用するレーザ光の波長での表面側透明膜の屈折率と基板自体の屈折率の差が大きくなると、その
境界面での反射、吸収の影響で
　なるほど、引用例発明では、その対策として「基板の表面側に形成する透明膜の屈折率ｎ1は、基板の屈折率をｎ0としたときに、ｎ1≦ｎ0＋０．５とする」（摘示（vi）参照）とされていて、透明誘電体膜の屈折ｎは「ほぼλ／２ｄの整数倍であり」とする構成を採用することのその表現での明示はない。
　しかしながら、
薄膜の光学的な基礎となる理論として
ｎ
１
＞ｎ
２
の場合に
ｎ
１
ｄ
１
＝（ｍ＋１）λ／２　（ｍ＝０，１，２・・・）のときに、反射率が最小（Ｒmin（ｎ
０
＜ｎ
１
＞ｎ
２
））となり、下地の反射率と一致する
　即ち、透明誘電体膜屈折率ｎが上記基板の屈折率よりも大きい、即ちｎ１＞ｎ２の条件では、ｎ１＝（ｍ＋１）λ／２ｄ１　（ｍ＝０，１，２・・・）の場合にエネルギー反射率が最小（図１．１．２の光学的膜厚／波長が０，０．５，１．０の箇所）になり、下地の反射率と一致することが知られているのである（ここで、下地とは基板に相当することに留意）。
　そうであるから、前記エネルギー反射率を増加させず、可能な限り透過させるために、「透明誘電体膜屈折率をｎ、膜厚をｄ（ｎｍ）、光ディスクに照射される光ビームの波長をλ（ｎｍ）とすると、ｎは上記基板の屈折率よりも大きく、かつ、ほぼλ／２ｄの整数倍であり」との条件を採用することは当業者が容易に想到し得ることといえる。
　
　ところで、本願補正発明における「ほぼλ／２ｄの整数倍」とはどの程度の整数倍かについて本願明細書に何ら説明がなく不明瞭である、そこで実施例を検討する。　本願明細書段落【０１１７】〜【０１２２】（当初明細書明細書段落【０１１８】〜【０１２３】）の例が、本願補正発明の実施例および参考にする例と認められるところ、その実施例にもλ／２ｄの数値は示されていないが、λ＝６５０ｎｍであること及び透明誘電体膜の屈折率と膜厚が表１１に示されているので、計算は可能である。　表１１中の実施例１の上の例では、２．７１（＝６５０ｎｍ／（２×６０ｎｍ×屈折率２．０））倍、実施例１では、１．６３（＝６５０ｎｍ／（２×１００ｎｍ×屈折率２．０））倍、実施例１の下の例では、１．０８（＝６５０ｎｍ／（２×１５０ｎｍ×屈折率２．０））倍、実施例２では、１．８１（＝６５０ｎｍ／（２×１００ｎｍ×屈折率１．８））倍であって、「膜厚１５０ｎｍではｄ＝λ／２ｎとなって」（段落【０１２０】参照）と記載されていることから、実施例１の下のその例の
１．０８倍
１．８１倍
　一方、引用例発明の実施例２，３を検討すると、波長６８０ｎｍのレーザ光を使用し、実施例２の透明膜の屈折率が２．０８，膜厚９００Å（即ち９０ｎｍ）、実施例３の透明膜の屈折率が２．０２、膜厚１５００Å（即ち１５０ｎｍ）であるとの記載から、それらの屈折率のλ／２ｄの倍数は、実施例２で
１．８２
１．１２
　よって、引用例発明の実施例２，３は、本願補正発明の一応相違するとした構成を満たすものではあっても、阻害要因とならないとこが明らかである。
　なお、引用例発明においても、その実施例、比較例で、透明膜の屈折率と膜厚を適宜選択しているものであり、スパッタリングの手法で成膜されている点でも本願補正発明と同一であることから、透明膜（透明誘電体膜）の材料選択に格別の意義を求めることはできない。　そして、本願補正発明の光ディスクに格別予想外の作用効果があるとも認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、周知技術を勘案し引用例発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年８月５日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１にかかる発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１４年３月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　透光性を有する基板の一方の表面に光記録膜が形成され、光記録膜の表面に第一保護膜が形成されてなる光ディスクにおいて、
　上記基板に対して上記光記録膜と反対側に、上記光記録膜と上記基板の熱膨張差によるバイメタル効果を抑制する透明誘電体膜が形成されており、
　上記透明誘電体膜の屈折率をｎ、膜厚をｄ（ｎｍ）、光ディスクに照射される光ビームの波長をλ（ｎｍ）とすると、ｎは上記基板の屈折率よりも大きく、かつ、ほぼλ／２ｄの整数倍であることを特徴とする光ディスク。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶理由に引用される引用例と周知例、およびその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比、判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「透明誘電体膜」の限定事項である「ようにその膜厚が最適化された」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願補正発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用例発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、周知技術を勘案し引用例発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、周知技術を勘案し引用例発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。