【事件の表示】
　特許第５８１８０４５号発明「放熱基板と、それを使用した半導体パッケージと半導体モジュール」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８１８０４５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第５８１８０４５号に係る出願は、平成２６年１２月５日に出願され、平成２７年１０月９日にその発明について特許の設定登録がなされたものであって、手続の概要は以下のとおりである。
　特許異議申立（全請求項　角田朗）：平成２８年　５月１３日
２．申立理由の概要
　本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２ないし９号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
　本件特許の請求項２、３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２ないし１０号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
甲第１号証：特開２００２−３５６７３１号公報
甲第２号証：特開２００３−１００９６７号公報
甲第３号証：特開２００３−１０５４７６号公報
甲第４号証：特許第４６１５３１２号公報
甲第５号証：特開昭６２−２８４０３２号公報
甲第６号証：特開２００１−２３０３５０号公報
甲第７号証：特開２００８−２４０００７号公報
甲第８号証：特開２００１−３５８２６６号公報
甲第９号証：特開平６−２２０５９７号公報
甲第１０号証：特開平６−３１６７０７号公報
３．本件特許発明
　本件特許の請求項１ないし３に係る発明（以下、「本件特許発明１」ないし「本件特許発明３」という。）は、特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　　　　粉末粒子の90wt%以上が15μｍ以上200μｍ以下のMoまたはWとCuからなるCuMoまたはCuWの複合材を緻密処理して相対密度を向上させた後、該複合材を固相焼結し、さらにクロス圧延して、線膨張係数の最大値を低下させるとともに、熱伝導率を向上させ、安定させた、室温25℃以上800℃以下における線膨張係数の最大値が10ppm/K以下であり、温度200℃における熱伝導率が250W/m・K以上であることを特徴とする放熱基板材料の製造方法。
　　【請求項２】
　　　　前記固相焼結後の前記CuMo又はCuWの複合材にメッキにより金属層を形成してなる請求項１記載の放熱基板材料の製造方法。
　　【請求項３】
　　　　前記クロス圧延が温間、熱間、冷間もしくはこれらを組み合わせたクロス圧延である請求項1または２に記載の放熱基板材料の製造方法。」
３．甲第１号証
　甲第１号証には、「半導体基板材料」について、以下の記載がある。（下線は当審で付加した。）
（１）「【請求項１】  
高融点金属の大粒子または高融点金属の大粒子と高熱伝導性金属粒子とが相互に分散した混合粒子の圧粉体もしくは仮焼結体に充填金属を溶浸した複合材料からなる半導体基板材料であって、
高融点金属が、ＷとＭｏの中の何れか１種または２種よりなり、
高熱伝導性金属粒子と充填金属が、ＣｕとＡｇとＡｌの中の１種または２種以上の合金であり、
且つ、大粒子の平均粒径が７〜１００μｍであることを特徴とする半導体基板材料。
（２）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路用に適した
半導体基板材料
（３）「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようとする課題は、溶浸法によって得られる半導体基板材料の熱伝導率と熱膨張係数の改善にあって、電子デバイスの高集積、高速化などの高性能化及び信頼性向上の要求に応えるもので、
集積回路基板から発生した熱エネルギーの放熱能をさらに向上した半導体基板材料を提供するものである。
（４）表１に、
平均粒径４０μｍのＷ粉末を使用した実施例２について、
配合割合がＣｕ２０重量％、Ｗ８０重量％、熱伝導率が２６１Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張係数が７．７ｐｐｍ／Ｋの基板材料
配合割合がＣｕ３０重量％、Ｗ７０重量％、熱伝導率が３２５Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張係数が９．５ｐｐｍ／Ｋの基板材料
　上記摘示事項及び図面の記載から以下のことがいえる。
（ａ）甲第１号証には、「半導体基板材料」が記載されている（摘示事項（２））。
（ｂ）「半導体基板材料」は、高融点金属の大粒子または高融点金属の大粒子と高熱伝導性金属粒子とが相互に分散した混合粒子の圧粉体もしくは仮焼結体に充填金属を溶浸した複合材料からなるものであって、高融点金属が、ＷとＭｏの中の何れか１種または２種よりなり、高熱伝導性金属粒子と充填金属が、ＣｕとＡｇとＡｌの中の１種または２種以上の合金であり、且つ、大粒子の平均粒径が７〜１００μｍである（摘示事項（１））。
（ｃ）「半導体基板材料」は、平均粒径４０μｍのＷ粉末を使用した実施例として、配合割合がＣｕ２０重量％、Ｗ８０重量％、熱伝導率が２６１Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張係数が７．７ｐｐｍ／Ｋの基板材料と、配合割合がＣｕ３０重量％、Ｗ７０重量％、熱伝導率が３２５Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張係数が９．５ｐｐｍ／Ｋの基板材料とを含む（摘示事項（４））。
　高融点金属の大粒子または高融点金属の大粒子と高熱伝導性金属粒子とが相互に分散した混合粒子の圧粉体もしくは仮焼結体に充填金属を溶浸して複合材料を得る点に着目し、製造方法の発明として捉え得ることを踏まえて、以上を総合勘案すると、甲第１号証には、次の発明（以下「甲第１号証発明」という。）が記載されているものと認める。
「高融点金属の大粒子または高融点金属の大粒子と高熱伝導性金属粒子とが相互に分散した混合粒子の圧粉体もしくは仮焼結体に充填金属を溶浸した複合材料からなる半導体基板材料の製造方法であって、
高融点金属が、ＷとＭｏの中の何れか１種または２種よりなり、
高熱伝導性金属粒子と充填金属が、ＣｕとＡｇとＡｌの中の１種または２種以上の合金であり、
且つ、大粒子の平均粒径が７〜１００μｍであり、
平均粒径４０μｍのＷ粉末を使用した基板材料として、配合割合がＣｕ２０重量％、Ｗ８０重量％、熱伝導率が２６１Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張係数が７．７ｐｐｍ／Ｋの基板材料と、配合割合がＣｕ３０重量％、Ｗ７０重量％、熱伝導率が３２５Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張係数が９．５ｐｐｍ／Ｋの基板材料とを含む半導体基板材料の製造方法。」
４．対比
　そこで、本件特許発明１と甲第１号証発明とを対比する。
（１）放熱基板材料の製造方法
　甲第１号証発明は、集積回路基板から発生した熱エネルギーの放熱能をさらに向上した半導体基板材料を提供するものである（摘示事項（３））から、本件特許発明１と甲第１号証発明とは、「放熱基板材料の製造方法」である点で一致する。
（２）複合材
　甲第１号証発明は、高融点金属がＭｏまたはＷであり、高熱伝導性金属粒子と充填金属がＣｕである態様を含むから、本件特許発明１と甲第１号証発明とは、「MoまたはWとCuからなるCuMoまたはCuWの複合材」を使用する点で一致する。
　もっとも、「MoまたはW」について、本件特許発明１は、「粉末粒子の90wt%以上が15μｍ以上200μｍ以下の」ものであるのに対し、甲第１号証発明は、「平均粒径が７〜１００μｍであ」る点で相違する。
（３）複合材の処理
　本件特許発明１は、「複合材を緻密処理して相対密度を向上させた後、該複合材を固相焼結し、さらにクロス圧延して、線膨張係数の最大値を低下させるとともに、熱伝導率を向上させ、安定させ」るのに対し、甲第１号証発明は、「溶浸」後の「複合材料」の処理について特定がない点で相違する。
（４）線膨張係数の最大値と熱伝導率
　本件特許発明１は、「室温25℃以上800℃以下における線膨張係数の最大値が10ppm/K以下であり、温度200℃における熱伝導率が250 W /m・K以上である」のに対し、甲第１号証発明は、「熱伝導率が２６１Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張係数が７．７ｐｐｍ／Ｋの基板材料」と、「熱伝導率が３２５Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張係数が９．５ｐｐｍ／Ｋの基板材料」とを含むものの、「室温25℃以上800℃以下における線膨張係数の最大値」と、「温度200℃における熱伝導率」については、特定がない点で相違する。
　そうすると、本件特許発明１と甲第１号証発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「MoまたはWとCuからなるCuMoまたはCuWの複合材を使用する放熱基板材料の製造方法。」の点。
　そして、次の点で相違する。
＜相違点＞
（１）「MoまたはW」について、本件特許発明１は、「粉末粒子の90wt%以上が15μｍ以上200μｍ以下の」ものであるのに対し、甲第１号証発明は、「平均粒径が７〜１００μｍであ」る点。
（２）本件特許発明１は、「複合材を緻密処理して相対密度を向上させた後、該複合材を固相焼結し、さらにクロス圧延して、線膨張係数の最大値を低下させるとともに、熱伝導率を向上させ、安定させ」るのに対し、甲第１号証発明は、「溶浸」後の「複合材料」の処理について特定がない点。
（３）本件特許発明１は、「室温25℃以上800℃以下における線膨張係数の最大値が10ppm/K以下であり、温度200℃における熱伝導率が250 W /m・K以上である」のに対し、甲第１号証発明は、「熱伝導率が２６１Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張係数が７．７ｐｐｍ／Ｋの基板材料」と「熱伝導率が３２５Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張係数が９．５ｐｐｍ／Ｋの基板材料」とを含むものの、「室温25℃以上800℃以下における線膨張係数の最大値」と「温度200℃における熱伝導率」とについては、特定がない点。
５．判断
　そこで、まず上記相違点（２）、（３）について検討する。
相違点（２）について
　甲第４号証には、溶浸体の塑性加工によって緻密化が図られ、溶浸体に空孔がある場合にはその量を減らすことができることが記載されている（【００４０】）が、溶浸体を塑性加工によって緻密化した後、該溶浸体を固相焼結し、さらにクロス圧延して、線膨張係数の最大値を低下させるとともに、熱伝導率を向上させ、安定させることまでは記載されていない。
　申立人は、同証の「なお必要によっては、以上の基本工程に適宜接合・熱処理など別の工程を追加することもある。」（【００４２】）との記載における「熱処理」が「固相焼結」に相当する旨主張するが、そのように解釈し得る根拠はない。
　したがって、甲第１号証発明において、「溶浸」後の「複合材料」に、甲第４号証に記載された塑性加工を実施しても、複合材料を塑性加工によって緻密化した後、該複合材料を固相焼結し、さらにクロス圧延して、線膨張係数の最大値を低下させるとともに、熱伝導率を向上させ、安定させることにはならず、「溶浸」後の「複合材料」の処理について、本件特許発明１のように変更することは、当業者が容易に想到し得るとはいえない。
　また、甲第５号証には、焼結材を熱間圧延、または熱間圧延、焼鈍、冷間圧延を実施することにより密度を理論密度の９８％以上とし空孔をほぼ消滅させることが可能であることが記載されている（２頁左下欄５〜８行）が、焼結材を熱間圧延、または熱間圧延、焼鈍、冷間圧延した後、該焼結材を固相焼結し、さらにクロス圧延して、線膨張係数の最大値を低下させるとともに、熱伝導率を向上させ、安定させることまでは記載されていない。
　申立人は、同証の「焼鈍」が、その条件（「Ａｒ雰囲気中800 ℃、１時間」（２頁左下欄１６〜１７行））より、「固相焼結」に相当する旨主張するが、「固相焼結」がなされていると解釈し得る根拠はない。
　したがって、甲第１号証発明において、「溶浸」後の「複合材料」に、甲第５号証に記載された熱間圧延、または熱間圧延、焼鈍、冷間圧延を実施しても、複合材料を塑性加工によって緻密化した後、該複合材料を固相焼結し、さらにクロス圧延して、線膨張係数の最大値を低下させるとともに、熱伝導率を向上させ、安定させることにはならず、「溶浸」後の「複合材料」の処理について、本件特許発明１のように変更することは、当業者が容易に想到し得るとはいえない。
相違点（３）について
　甲第２号証には、基体の線熱膨張係数を５ｐｐｍ／℃乃至８ｐｐｍ／℃（室温〜８００℃）の任意の値とすることが記載されている（【００３１】）が、「室温25℃以上800℃以下における線膨張係数の最大値」と「温度200℃における熱伝導率」とを特定することまでは記載されていない。
　したがって、甲第１号証発明において、甲第２号証に記載された、室温〜８００℃における線膨張係数を調整する技術思想を適用しても、「室温25℃以上800℃以下における線膨張係数の最大値」と「温度200℃における熱伝導率」とを特定することにはならず、線膨張係数の最大値と熱伝導率について、本件特許発明１のように変更することは、当業者が容易に想到し得るとはいえない。
　また、甲第３号証には、基体の線熱膨張係数を６ｐｐｍ／℃乃至８．５ｐｐｍ／℃（室温〜８００℃）の任意の値とすることが記載されている（【００４４】）が、「室温25℃以上800℃以下における線膨張係数の最大値」と「温度200℃における熱伝導率」とを特定することまでは記載されていない。
　したがって、甲第１号証発明において、甲第３号証に記載された、室温〜８００℃における線膨張係数を調整する技術思想を適用しても、「室温25℃以上800℃以下における線膨張係数の最大値」と「温度200℃における熱伝導率」とを特定することにはならず、線膨張係数の最大値と熱伝導率について、本件特許発明１のように変更することは、当業者が容易に想到し得るとはいえない。
　申立人は、本件特許明細書の記載と甲第１ないし３号証の記載とを比較して、甲第１ないし３号証に記載された材料の「室温25℃以上800℃以下における線膨張係数の最大値」と「温度200℃における熱伝導率」とを推測している。しかしながら、本件特許明細書の表１にRT、RT〜800℃の範囲の最大線膨張係数とRTの熱伝導率が示され、表２にRT〜800℃の範囲の最大線膨張係数と200℃の熱伝導率が示された既存の放熱基板については、その製造条件が同明細書に記載されておらず、甲第１ないし３号証に記載された材料の製造条件と同じであるとはいえないから、該推測が妥当であるといえるだけの根拠は見出せない。
　甲第６ないし９号証は、「クロス圧延」が周知であることを示すものであり、甲第１０号証は、本件特許発明２、３に対して引用されたものであり、いずれも、相違点（２）、（３）についての判断を左右するものではない。
　したがって、上記相違点（１）について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲第１号証発明及び甲第２ないし９号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　本件特許発明２、３は、本件特許発明１の発明特定事項をすべて含みさらに発明特定事項を付加したものであるから、上記本件特許発明１についての判断と同様の理由により、本件特許発明２、３は、甲第１号証発明及び甲第２ないし１０号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
６．むすび
　以上のとおりであるから、申立理由及び証拠によっては、請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、ほかに請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年８月１８日（２０１６．８．１８）