【事件の表示】
　特許第３３３６２４０号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３３３６２４０号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３３３６２４０号の請求項１〜３に係る発明の出願は、平成９年１１月２８日に特許出願され、平成１４年８月２日にその発明につき特許の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立て(異議２００３−７１０２８号)がなされ、平成１６年１２月１３日付で「訂正を認める。特許第３３３６２４０号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。」との取消決定がなされた。
　本件請求人は、これを不服として東京高等裁判所に当該決定の取消しを求める訴(平成１７年(行ケ)第１０１４２号)を平成１７年２月２日提起し、現在知的財産高等裁判所にて係属中であるところ、平成１７年４月５日に本件訂正審判を請求したものである。 
　
II．請求の要旨
　本件審判の請求の要旨は、特許第３３３６２４０号の明細書を審判請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち、次の訂正事項ａ〜ｄのとおりに訂正することを求めるものである。
１．訂正事項ａ
　請求項１中の「絶縁基板」を、「セラミック焼結体からなる絶縁基板」と訂正する。
２．訂正事項ｂ 
　請求項１中の「前記メタライズ配線層と前記接続用電極とを導電性接続部材によって接続してなる半導体素子実装基板において、」を、「前記メタライズ配線層と前記接続用電極とを導電性接続部材によって接続してなり、前記絶縁基板の底面に接続パッドが形成されてなる表面実装型の半導体素子実装基板において、」と訂正する。
３．訂正事項ｃ
　明細書段落【００１２】中の「絶縁基板」を、「セラミック焼結体からなる絶縁基板」と訂正する。
４．訂正事項ｄ
　明細書段落【００１２】中の「前記メタライズ配線層と前記接続用電極とを導電性接続部材によって接続してなる半導体素子実装基板において、」を、「前記メタライズ配線層と前記接続用電極とを導電性接続部材によって接続してなり、前記絶縁基板の底面に接続パッドが形成されてなる表面実装型の半導体素子実装基板において、」と訂正する。 
　
III．当審の判断
１．特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の要件について
（１）上記訂正事項ａは、請求項１において、絶縁基板についてその材料をセラミック焼結体からなると限定するものであるから、特許請求の範囲を減縮するものである。そして、この点は、明細書段落【００２０】欄に「絶縁基板は、・・・セラミック焼結体からなることが望ましい。」と記載され、更に段落【００２１】の説明、段落【００３３】〜【００４１】の実施例についての記載によって裏付けられている。
（２）上記訂正事項ｂは、請求項１において、メタライズ配線層と接続用電極とを導電性接続部材によって接続してなる半導体素子実装基板を、更に、絶縁基板の底面に接続パッドが形成されてなる表面実装型の半導体素子実装基板と限定するものであって、特許請求の範囲を減縮するものである。そして、この点は、明細書段落【０００１】欄に「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を実装した配線基板に関し、特に大型形状の表面実装型の・・」と記載され、段落【００１５】の「絶縁基板１の底面に形成された接続パッド６」の記載、及び図１の記載によって裏付けられている。
　したがって、訂正事項ａ、ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）上記訂正事項ｃは、請求項１の訂正に基づき訂正後の請求項１と整合するよう、発明の詳細な説明の記載を訂正するものであって、いずれも明りょうでない記載の釈明に該当し、又該訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）まとめ
　したがって、本件訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の要件を満たすものである。
　
２．特許法第１２６条第３項の要件（独立特許要件）について
（１）本件訂正明細書の請求項１〜３に係る発明
　本件訂正明細書の請求項１〜３に係る発明　(以下、それぞれ「訂正発明１」〜「訂正発明３」という。)は、審判請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】４０℃から４００℃における熱膨張係数が８〜２５ｐｐｍ／℃、ヤング率が２００ＧＰａ以下のセラミック焼結体からなる絶縁基板の表面にメタライズ配線層を被着形成してなる配線基板の表面に、接続用電極を具備する半導体素子を熱硬化性樹脂により接着固定し、前記メタライズ配線層と前記接続用電極とを導電性接続部材によって接続してなり、前記絶縁基板の底面に接続パッドが形成されてなる表面実装型の半導体素子実装基板において、前記固定用の熱硬化性樹脂の−４０℃〜２５℃における熱膨張係数が１０〜４０ｐｐｍ／℃であり、かつ前記温度範囲におけるヤング率が５〜１０ＧＰａであることを特徴とする半導体素子実装基板。 
　【請求項２】前記熱硬化性樹脂が、 フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂のいずれかである請求項１記載の半導体素子実装基板。
　【請求項３】前記半導体素子の面積が前記配線基板の面積の８０％以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子実装基板。」
                       　
（２）引用刊行物に記載された発明
　これに対して、先の特許異議の申立てにおいては、本件請求項１、２に係る発明は、本件の出願前に頒布された刊行物である特公平４−５１０５７号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、同じく特開平７−６６３２６号公報（以下、「引用刊行物２」という。）、及び同じく特開平６−１８１２２７号公報（以下、「引用刊行物３」という。）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとされた。そして、それら各引用刊行物には、次の事項が記載されている。
（2-1）引用刊行物１：特公平４−５１０５７号公報 
（2-1a）「１　複数個のハンダバンプを備え電子回路が形成されてなるＬＳＩチツプと、配線を形成している基板とからなり、該ＬＳＩチツプと該基板とが該ハンダバンプを介してハンダ接合されてなる電子装置において、該ＬＳＩチツプと該基板とが作る間隙が、せん断弾性率が該ハンダのそれよりも大きい硬質の有機高分子材料により接着充てんされていることを特徴とする電子装置。 
 　２　該有機高分子材料の熱膨張係数が、接合に用いたハンダの熱膨張係数にほぼ等しいか、それよりも小さい特許請求の範囲第１項記載の電子装置。 
 　３　該基板が、ソーダガラスである特許請求の範囲第１項記載の電子装置。」（特許請求の範囲１〜３） 
（2-1b）「ＣＣＢ接続法が冷熱サイクルによって破壊されるメカニズムについて、実験及び解析を進めた結果、チツプと、電極基板との熱膨張係数差による熱応力をハンダ層が受け、接続部界面に繰返しのせん断応力が加わることにより、界面近傍でハンダ層のせん断疲労破壊が起り、断線に至ることが判り、本発明に到つたものである。最も単純な解決法は、チツプと電極基板の熱膨張係数を合わせることであるが、実用的に考えると電極基板が限られたものとなり、現実性に乏しい。・・・。ハンダのせん断疲労による破断を抑えるためには、ハンダの受けるせん断変形量を小さくすれば良いことは明らかである。せん断変形を受けなければ疲労することはないからである。それを達成するには、チツプと基板とが作る空隙をせん断弾性率がハンダよりも大きい硬質の絶縁材料で、充てんし、かつ、それがチツプ及び基板を接着している状態を作ればよいことが判った。」（４欄２８行〜５欄１０行） 
（2-1c）「ソーダガラス（配線基板Ｉ） 
 　・・・中央部にチツプを搭載するため、チツプに設けられたバンプと対応する位置にハンダ接続用ペデスタルを有する導体配線が基板端部まで延在している基板である。」（７欄１６〜２１行） 
（2-1d）「以上の説明は、配線基板とチツプとを接続した電子装置構成のみに限っているが、配線基板が液晶表示素子など他の装置の一部となっている場合、あるいは、上述た構成要素が更に他の基板上に複数個配設されたモジュール装置となる場合でも、本発明の効果は十分に発揮される。」（１１欄３６〜４１行、なお、公報中の「ジュール装置」なる記載は、上記のとおり「モジュール装置」の誤記であると認定した。） 
（2-1e）第１表には、せん断弾性率が２５８０ｋｇｆ／ｍｍ２、線膨張係数が９．４×１０−６／℃のソーダガラスと、せん断弾性率が１７５０ｋｇｆ／ｍｍ２、線膨張係数が１５．０×１０−６／℃のガラス繊維強化エポキシ（配線基板II）が記載され、更にせん断弾性率が５９０ｋｇｆ／ｍｍ２、線膨張係数が２９．０×１０−６／℃のエポキシ樹脂（ポッティング材Ｉ−３）と、せん断弾性率が７００ｋｇｆ／ｍｍ２、線膨張係数が１８．０×１０−６／℃のエポキシ樹脂（ポッティング材Ｉ−４）、及びせん断弾性率が５５０ｋｇｆ／ｍｍ２、線膨張係数が２１．４×１０−６／℃の９５Ｐｂ〜５Ｓｎ合金（ハンダＩ）、せん断弾性率が６１０ｋｇｆ／ｍｍ２、線膨張係数が２８．０×１０−６／℃の４０Ｐｂ〜６０Ｓｎ合金（ハンダII）が記載され、表２には、これらを用い実装した実施例１〜３、５が記載されている。
　
（2-2）引用刊行物２ ：特開平７−６６３２６号公報 
（2-2a）「【産業上の利用分野】本発明は、ガラスを基板とする半導体装置に関し、特に、ガラス基板にＩＣチップを実装する構造を有する液晶表示装置等の半導体装置に関する。」（段落【０００１】）
（2-2b）「・・・本発明の目的は、ガラス基板上にＩＣがバンプ半田付けされた構造において、基板とＩＣとの間にできたすき間を樹脂で固定する構造で、ＩＣチップと基板との熱膨張係数の差によって生じるＩＣの剥がれ、バンプ半田のひび割れなどを防ぎ、製品の信頼性低下を防ぐことである。」（段落【０００３】）
（2-2c）「・・本発明の構成は、ガラス基板上にＩＣチップを実装し、該ＩＣチップと該ガラス基板とのギャップに補強のための樹脂を充填する構造を有する半導体装置・・・。本発明の関連発明の構成はまた、前記樹脂が、平均径３μｍのシリカ粒が約６５ｗｔ％混合された、線膨張係数が３５ｐｐｍ／℃以下のエポキシ系樹脂である・・」（段落【０００４】） 
（2-2d）「・・樹脂がガラス基板に及ぼす要因は、樹脂の物性値である線膨張係数αと弾性率Ｅ、・・・がガラス基板の応力に大きく影響することが示された。・・」（段落【００１１】） 
（2-2e）図１には、ガラス基板２の表面に配線導体５が形成されている基板図が記載され、また図７には、樹脂物性の耐久評価結果（−４０←→１２５℃各３０分）として、樹脂１について、線膨張係数αが３１ｐｐｍ／℃、弾性率Ｅが８２０ｋｇｆ／ｍｍ２であることが記載されている。 
 　 
（2-3）引用刊行物３：特開平６−１８１２２７号公報 
（2-3a）「本発明は・・・リフローソルダリング時にリフロークラックの無い高信頼性の半導体装置を得ることができる接着剤及びこれを用いた半導体装置に関する。」（段落【０００１】） 
（2-3b）「本発明に用いられるエポキシ樹脂としては１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤなどとエピクロクヒドリドンとから誘導されるエポキシ樹脂、・・・フェノールノボラック型エポキシ樹脂・・・、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂・・・などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂を適宜組み合わせて用いてもよい。・・・」（段落【０００６】） 
（2-3c）「本発明になる接着剤を用いた半導体装置は、リードフレーム等の支持部材に本発明の接着剤を・・・塗布したのち、半導体素子を圧着し、・・加熱硬化して半導体素子を支持部材に接合し、その後通常のワイヤーボンデング工程・・・」（【００１５】）、「本発明になる接着剤は、その吸湿抑制効果により、・・・半導体装置のダイボンデイング剤として使用した場合に、・・・半導体装置としての信頼性を向上させることができる。」（【００２２】）が記載されている。 
　
（３）対比・判断
（3-1）訂正発明１について
　引用刊行物１には、配線基板として、せん断弾性率２５８０ｋｇｆ／ｍｍ２（換算すると約２５．３ＧＰａ、以下同じ。）、線膨張係数９．４ｐｐｍ／℃のソーダガラスが記載され、さらに、接着充てんされる硬質の有機高分子材料として、せん断弾性率５９０ｋｇｆ／ｍｍ２（約５．８ＧＰａ）、線膨張係数２９．０ｐｐｍ／℃のエポキシ樹脂と、せん断弾性率７００ｋｇｆ／ｍｍ２（約６．９ＧＰａ）、線膨張係数１８．０ｐｐｍ／℃のエポキシ樹脂（摘記事項（2-1e））が記載されている。そして、引用刊行物１に記載の「線膨張係数」は「熱膨張係数」と同等であると認められる。 
　そうすると、引用刊行物１には、「せん断弾性率約２５．３ＧＰａ、熱膨張係数９．４ｐｐｍ／℃のソーダガラスの表面に導体配線を有する配線基板の表面に、ハンダバンプを具備するＬＳＩチップを硬質の有機高分子材料であるエポキシ樹脂により接着固定し、前記導体配線と前記ハンダバンプとをハンダ接合してなる電子装置において、前記エポキシ樹脂の熱膨張係数が２９．０ｐｐｍ／℃または１８．０ｐｐｍ／℃であり、かつせん断弾性率が約５．８ＧＰａまたは約６．９ＧＰａである電子装置」の発明が記載されていることになる。 
　そこで、訂正発明１と引用刊行物１に記載の発明とを対比すると、両者は、「絶縁基板の表面にメタライズ配線層を被着形成してなる配線基板の表面に、接続用電極を具備する半導体素子を熱硬化性樹脂により接着固定し、前記メタライズ配線層と前記接続用電極とを導電性接続部材によって接続してなる半導体素子実装基板」の点で一致し、次の点ａ〜ｃで相違する。 
 　 
　相違点ａ：訂正発明１の絶縁基板は、「４０℃から４００℃における熱膨張係数が８〜２５ｐｐｍ／℃、ヤング率が２００ＧＰａ以下のセラミック焼結体からなる」のに対し、引用刊行物１に記載の配線基板は、ソーダガラスからなり、４０℃から４００℃においてこのような物性値を有するのかが不明である点。 
　相違点ｂ：訂正発明１の半導体素子実装基板は、「絶縁基板の底面に接続パッドが形成されてなる表面実装型」であるが、引用刊行物１に記載の配線基板は、そのようなものを有するのかが不明である点。 
　相違点ｃ：訂正発明１の固定用の熱硬化性樹脂は、「−４０℃〜２５℃における熱膨張係数が１０〜４０ｐｐｍ／℃であり、かつ前記温度範囲におけるヤング率が５〜１０ＧＰａ」の物性値を有するのに対し、引用刊行物１に記載のエポキシ樹脂は、この測定温度範囲においてこのような物性値を有するのかが不明である点。
 　 
　そこで、まず上記相違点ａについて検討する。 
　引用刊行物１には、ソーダガラスの熱膨張係数、せん断弾性率の測定時の温度について何も開示されていないが、セラミック絶縁基板は使用時に半導体素子の駆動により加熱、冷却されることから、実際に加熱される温度である２５０℃・・４００℃程度までの温度範囲で、セラミック絶縁基板の特性を測定するものであり、通常、絶縁基板の熱膨張係数とヤング率を測定する場合には、ほぼ４０℃から４００℃の温度範囲で測定するということになり、引用刊行物１に記載の、ソーダガラスからなる配線基板のせん断弾性率も４０℃から４００℃の温度範囲で測定しているものと認められる。 
　また、通常、ソーダガラスの弾性率は（５〜８）×１０５Ｋｇ／ｃｍ２ （化学大辞典５、共立出版株式会社、１９９３年６月１日縮刷版第３４刷発行、５２４頁左欄「ソーダせっかいガラス」）（約４９〜７８．５ＧＰａ）であり、例えば特開平２−２２１３６号公報の実験例ではソーダガラスのヤング率は７０００Ｋｇｆ／ｍｍ２（６８．６ＭＰａ）（３頁左上欄１３〜１８行）、特開平２００３−３３５５４７号公報の比較例（試料Ｎｏ．７）ではヤング率６８ＧＰａであるとしているから、引用刊行物１記載のソーダガラスからなる配線基板のヤング率は、訂正発明１の絶縁基板の４０℃から４００℃におけるヤング率である２００ＧＰａ以下の範囲内にあることは明らかである。 
　また、引用刊行物１に記載のソーダガラスからなる配線基板の熱膨張係数は９．４ｐｐｍ／℃であるから、訂正発明１の絶縁基板の４０℃から４００℃における熱膨張係数である８〜２５ｐｐｍ／℃の範囲内にあることも明らかである。 
　そうすると、引用刊行物１に記載のソーダガラスの熱膨張係数、せん断弾性率は、訂正発明１の絶縁基板の熱膨張係数、ヤング率と数値上は一致するものの、その材質が訂正発明１ではセラミック焼結体からなるのに対し、引用刊行物１に記載の配線基板は、ソーダガラスであって明らかに異なっている。
　
　訂正発明１は、従来のアルミナ、ムライト等のセラミックスに替えて、外部電気回路基板と近似した熱膨張係数を有する高熱膨張のセラミックス焼結体を絶縁基板材料として用いることが検討され、パッケージと外部電気回路基板の接続部との間に生ずる接続不良は回避できるが、高熱膨張のガラスセラミック焼結体を絶縁基板材料として用いた配線基板においては、シリコンより成る半導体素子（熱膨張係数：２乃至３ｐｐｍ／℃) との熱膨張差が逆に大きくなり、半導体素子の接続用電極と絶縁基板に設けられたメタライズ配線層との間に接続不良が発生したり、この熱膨張差による応力で配線基板自体に反りが発生し、外部電気回路基板との接続部に不良が発生するなどの新たな問題を生じこれを解決すること、即ち高熱膨張の配線基板表面に対して、半導体素子を作動／停止による熱サイクルの印加に対しても、強固に且つ長期にわたり安定した接続状態を維持できる半導体素子実装基板を提供することを目的とするもので（特許明細書段落【０００８】〜【００１０】）、外部電気回路基板と近似した熱膨張係数を有する高熱膨張のセラミックス焼結体を絶縁基板材料として用い、半導体素子を接着固定させるのに用いる熱硬化性樹脂の熱膨張係数とヤング率を特定範囲に制御することにより、発生した熱応力が吸収され、応力歪みが緩和される結果、前記目的が達成されるものである。
　引用刊行物１では、チツプと、電極基板との熱膨張係数差による熱応力をハンダ層が受け、接続部界面に繰返しのせん断応力が加わることにより、界面近傍でハンダ層のせん断疲労破壊が起り、断線に至ることを防止するために、チツプと基板とが作る空隙をせん断弾性率がハンダよりも大きい硬質の絶縁材料で、充てんしチツプと基板を接着させたもので（摘記事項（2-1b））、具体的には、ソーダガラスからなる配線基板とチツプと基板とが作る空隙をせん断弾性率がハンダよりも大きい硬質の絶縁材料（エポキシ樹脂）で充てんし接着することが示されているが、上記相違点ａの物性値を有する基板はソーダガラス、ガラス繊維強化エポキシ以外示されておらず、外部電気回路基板と近似した熱膨張係数を有する高熱膨張のセラミックス焼結体を用いることは示唆すらされていない。
　引用刊行物２には、ガラスを基板とする半導体装置に関し、ガラス基板上にＩＣがバンプ半田付けされた構造において、基板とＩＣとの間にできたすき間を樹脂で固定する構造で、ＩＣチップと基板との熱膨張係数の差によって生じるＩＣの剥がれ、バンプ半田のひび割れなどを防ぎ、製品の信頼性低下を防ぐことを目的とするものではあるが（摘記事項（2-2a）（2-2b））、外部電気回路基板と近似した熱膨張係数を有する高熱膨張のセラミックス焼結体を用いることは示唆すらされていない。
　更に、引用刊行物３には、半導体装置のダイボンデイング剤として使用した場合に、吸湿抑制効果を有する接着剤を用いて、半導体装置としての信頼性を向上させるための、フェノールノボラック型エポキシ樹脂・・、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂からなる接着剤が示されているに過ぎない。
　そうすると、引用刊行物１〜３を参酌しても上記相違点ａなる構成、即ち４０℃から４００℃における熱膨張係数が８〜２５ｐｐｍ／℃、ヤング率が２００ＧＰａ以下のセラミック焼結体からなる絶縁基板を用いることは、当業者といえども容易には想到し得ないものである。
　
　次に、上記相違点ｃについて検討する。
　引用刊行物２には、ガラス基板上にＩＣがバンプ半田付けされた構造において、基板とＩＣとの間にできたすき間を固定する樹脂として、線膨張係数が３５ｐｐｍ／℃以下のエポキシ系樹脂、実施例には線膨張係数が３１ｐｐｍ／℃、弾性率Eが８２０Ｋｇｆ／ｍｍ２（約８．０ＧＰａ）の樹脂１が記載されている。ここで、樹脂１の弾性率Eをせん断弾性率に換算すると通常約３．３ＧＰａに相当している。
　しかしながら、引用刊行物１では、せん断弾性率が該ハンダのそれよりも大きい硬質の有機高分子材料により接着充てんするとしており、例示されるハンダＩのせん断弾性率が５５０ｋｇｆ／ｍｍ２（約５．４ＧＰａ）、ハンダIIのせん断弾性率が６１０ｋｇｆ／ｍｍ２（約６．４ＧＰａ）より大きいせん断弾性率の硬質の有機高分子材料により接着充てんするものである。そうすると、引用刊行物２のガラス基板とＩＣとの間にできたすき間を固定する樹脂１は、引用刊行物１には適用できないものである。
　このように、引用刊行物２には、ガラス基板上にＩＣがバンプ半田付けされた構造において、基板とＩＣとの間にできたすき間を固定する樹脂の物性値が記載されてはいるが、引用刊行物１の求めるせん断弾性率からしても引用刊行物１には適用できず、相違点ｃを当業者が容易には想到し得ないものである。
　そして、訂正発明１は、これら相違点ａ、ｃにより、特許明細書記載の半導体素子を高熱膨張の配線基板上に実装した場合に、両者の熱膨張係数の差に起因する応力発生を緩和し、半導体素子と配線基板とを長期間にわたり正確、かつ強固に電気的接続させることが可能となるという格別顕著な効果を奏するものである。
 　 
　したがって、相違点ｂについて、検討するまでもなく、訂正発明１は、引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。 
 　 
（3-2）訂正発明２について
　訂正発明２は、訂正発明１において、更に「熱硬化性樹脂が、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂のいずれかである」点を特定したものである。 
　ここで、ＩＣチップとガラス基板とのギャップに補強のため充填する熱硬化性樹脂において、上記成分は、上記引用刊行物２に示されている如く周知のことではあるが、上記（3-1）で述べたとおり訂正発明１が、引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、訂正発明２は、引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
(3-3)訂正発明３について
　訂正発明３は、訂正発明１において、更に「半導体素子の面積が前記配線基板の面積の８０％以上であること」を特定したものである。 
　上記（3-1）で述べたとおり訂正発明１が、引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、訂正発明３は、引用刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
(3-4)したがって、訂正発明１〜３は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものではない。
　
（４）また、訂正発明１〜３を、特許出願の際独立して特許を受けることができるものでないとすべき他の理由も発見できない。
　したがって、訂正発明１〜３は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明でもない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本件審判の請求は、特許法第１２６条第１項ただし書第１号ないし第３号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第２項ないし第４項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。