(57)【要約】  本発明は、約１００ＭＰａを超える剛性を有する少なくとも１つの材料から作られる複数の膜（１０４）を含む支持体（１０２）を製造する段階であって、各々が、電子回路のうちの１つの一部であり、約１５ｍｍから５００ｍｍの間の曲率半径Ｒを有することを対象としている段階と、膜が弾性的に変形し、前記力に晒された際に実質的に平面形状を有するように、膜の各々の主面の一方に力を加える段階と、少なくとも１つの電子部品（１１２）を膜の各々に強固に接続する段階と、膜の各々が、その元の曲率半径Ｒを取り戻し、この曲率半径Ｒに従って電子部品を湾曲させるように、膜の各々の主面の一方に加えられた力を除去する段階と、を含む、複数の湾曲した電子回路（１００）を製造する方法に関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の湾曲した電子回路（１００）を製造する方法であって、
−約１００ＭＰａを超える剛性又はヤング率を有する少なくとも１つの材料から作られる複数の膜（１０４）を含む支持体（１０２）を製造する段階であって、各々が、前記電子回路（１００）のうちの１つの一部であり、約１５ｍｍから５００ｍｍの間の曲率半径Ｒを有することを対象としている段階と、
−前記膜（１０４）が弾性的に変形し、この力の影響下で実質的に平面形状を有するように、前記膜（１０４）の各々の主面（１１０）の一方に力（１０８）を加える段階と、
−少なくとも１つの電子部品（１１２）を前記膜（１０４）の各々に強固に接続する段階と、
−前記膜（１０４）の各々が、その元の曲率半径Ｒを取り戻し、この曲率半径Ｒに従って前記電子部品（１１２）を湾曲させるように、前記膜（１０４）の各々の主面（１１０）の一方に加えられた力（１０８）を除去する段階と、
を含む、複数の湾曲した電子回路（１００）を製造する方法。
【請求項２】
前記膜（１０４）の材料が、プラスチック材料であり、前記支持体（１０２）が、成形又は３Ｄ印刷によって製造され、又は、前記膜（１０４）の材料が、金属材料であり、前記支持体（１０２）が、機械加工又はエンボス加工によって製造される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記膜（１０４）の各々の主面（１１０）のうちの前記１つに加えられる力（１０８）が、前記主面（１１０）の全てに加えられる静水圧、又は、局所的な力である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記膜（１０４）の各々が、球面曲率又は円筒形曲率を有する、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記膜（１０４）の各々が球面曲率を有し、前記加えられる力（１０８）が局所的であるとき、前記膜（１０４）の各々が、前記膜（１０４）の中心から前記膜（１０４）の端部に向けて減少する可変厚さを含む、請求項３及び４に記載の方法。
【請求項６】
前記力（１０８）が、前記膜（１０４）の各々の第１の主面（１１０）に加えられ、各々の電子部品（１１２）が、前記第１の主面（１１０）の反対側の前記膜（１０４）の各々の第２の主面（１０５）に強固に接続されている、請求項１から５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
各電子部品（１１２）が、少なくとも１つの結合層（１１４）によって前記膜（１０４）のうちの１つに強固に接続されている、請求項１から６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記膜（１０４）の各々の主面（１１０）のうちの１つに加えられる力（１０８）を除去する段階の後に、互いに前記電子回路（１００）を分離させる前記支持体（１０２）を切断する段階をさらに含む、請求項１から７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電子回路（１００）を製造する方法の実施を含み、続いて各電子回路（１００）を光学系（１００２）と結合して電子デバイス（１０００）を形成する段階を含む、電子デバイス（１０００）を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、湾曲した、すなわち非平面状の電子回路の大量生産、並びに、例えば撮像装置（又はセンサ）又はディスプレイタイプの光学系と結合されたそのような湾曲した電子回路を含む電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
センサ又はディスプレイなどの電子デバイスは、光学系を介して光の放出又は検出を実行することを目的とした電子回路と結合された、一般に複数のレンズから形成された光学系を含む。電子回路は、基板を含み、その上に複数の電子部品が製造される。
【０００３】
電子回路を湾曲させることは、特に光学系によって必要とされるレンズの数を減らすことによって光学系を著しく単純化することを可能にする解決策であり、それは、光学系のより小型化された実施形態を可能にする。広角光学素子の単純化の例は、例えば、非特許文献１に記載されている。
【０００４】
回路の電子部品が製造される基板は、一般にシリコンを含む。パッケージング技術及び方法は、基板の厚さを比較的小さい厚さ（数ミクロン）に減らすことを可能にする。湾曲した電子回路を製造するために、回路の構成要素の基板が所望の厚さに薄くされると、電子回路は、求められている曲率に適合する支持体上に包装され、又は組み立てられる。
【０００５】
Ｂ．Ｃｈａｍｂｉｏｎらによる、上に引用された文献には、電子回路が結合されている特定の支持体が記載されている。続いて、電子回路が配置されている側とは反対側の面の中央で、支持体に局所的に力を加えることによって曲率が得られる。しかしながら、この方法では、支持体を湾曲させる力が常に支持体に加えられることが必要であり、これは、大きな制約である。
【０００６】
米国特許出願公開第２０１４／０１６０３２７号明細書には、キャビティが形成されている支持体の使用が記載されている。電子回路が支持体上のキャビティの上部に配置されている。次に、このキャビティを負圧条件下に設定することによって回路を湾曲させ、回路と支持体との間に注入された接着剤によってこの位置に固定する。しかしながら、この解決策は、回路の中央部で球面曲率を得ることを可能にするだけである。さらに、それは、電子回路の端部にかなりの機械的応力を生じさせ、その機械的応力がそれを弱める。
【０００７】
あるいは、国際公開第２０１２／１７２２５１号には、異なる熱膨張係数を有する２つの材料から形成された支持体を使用する湾曲した電子回路の製造が記載されている。この曲率は、異なる熱機械的挙動を有する２つの材料間のバイメタル効果によって得られる。しかしながら、この方法は、各々が支持体上に個々に配置される前に、同じ基板から製造された異なる電子回路を切断しなければならないので、複数の湾曲した電子回路の大量生産には適していない。さらに、回路の湾曲の程度の選択は、支持体が受ける温度を調整することによって行われ、これは、電子回路がその動作が極めて温度に敏感であるという点で特に撮像装置に対応する場合に制限的である（曲率を調整するために行われる温度の変化は、温度の上昇によって発生するノイズの増大のために、撮像装置によって供給される画像の品質を低下させる）。
【０００８】
米国特許出願公開第２０１１／０１４９４２３号明細書、米国特許出願公開第２００９／００４５５１０号明細書及び欧州特許出願公開第２３２０４６９号明細書には、電子回路を湾曲させるためのさらなる方法が記載されている。しかしながら、これらの方法はいずれも、複数の湾曲した電子回路の大量生産には適していない。
【０００９】
米国特許出願公開第２００６／００３８１８３号明細書には、同じ基板上に製造された複数の電子回路をまとめて湾曲させる方法が記載されている。このために、流体を収容する区画が各回路の下に静水圧を加えるように各回路の下に配置される。回路の曲率は、この静水圧によって得られる。しかしながら、この方法は、いくつかの欠点を有する。実際に、得られる曲率は、流体が晒される温度と共に変化する。従って、電子回路の正確な湾曲を得ることは困難である。さらに、この解決策は、流体の漏れの際に回路の曲率が再調整されなければならないので、信頼できない。
【００１０】
非特許文献２には、湾曲したＰＤＭＳ膜が、この膜上の構成要素を結合する前に同じ平面になるように制約される撮像装置を製造するための方法が記載されている。膜上に結合された電子回路は、単一の基板を形成しないが別個の相互接続要素によって相互接続されたシリコンの部分上に製造された複数の電子部品から形成されるという点で特に重要である。この結合の後、膜上の応力が解放され、その結果、膜は、その初期形状に戻る。
【００１１】
ここでもまた、そのような方法は、いくつかの欠点を有する。第１に、この方法は、この文献に記載され、圧縮に適した相互接続部材によって相互接続された複数の構成要素によって形成された特定の電子回路に対してのみ実行することができる。この方法は、圧縮されることによって膜の曲率に追従するのが相互接続部材であるので、膜に取り付けられた電子部品を直接的に湾曲させるのには適していない。各構成要素が個別に考慮されるとき、これらの構成要素は、湾曲していない。さらに、この方法の間、膜は、膜の全周に横方向の力を加えることによって平らにされる。従って、この方法は、複数の湾曲した電子回路の大量生産に適合しない。さらに、複数の個別部品を用いてこの回路を構成しても、高分解能システムを得ることは不可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／０１６０３２７号明細書
【特許文献２】国際公開第２０１２／１７２２５１号
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１１／０１４９４２３号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００９／００４５５１０号明細書
【特許文献５】欧州特許出願公開第２３２０４６９号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００６／００３８１８３号明細書
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】“Ｔｕｎａｂｌｅ  ｃｕｒｖａｔｕｒｅ  ｏｆ  ｌａｒｇｅ  ｖｉｓｉｂｌｅ  ＣＭＯＳ  ｉｍａｇｅ  ｓｅｎｓｏｒｓ：  Ｔｏｗａｒｄｓ  ｎｅｗ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｆｕｎｃｔｉｏｎｓ  ａｎｄ  ｓｙｓｔｅｍ  ｍｉｎｉａｔｕｒｉｚａｔｉｏｎ”  ｂｙ  Ｂ．  Ｃｈａｍｂｉｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，  ２０１６  ＩＥＥＥ  ６６ｔｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  （ＥＣＴＣ）
【非特許文献２】“Ａ  ｈｅｍｉｓｐｈｅｒｉｃａｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｅｙｅ  ｃａｍｅｒａ  ｂａｓｅｄ  ｏｎ  ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｂｌｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ”  ｂｙ  Ｈｅｕｎｇ  Ｃｈｏ  Ｋｏ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｎａｔｕｒｅ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  ｖｏ．  ４５４／７，  ７／０８／２００８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、従来技術の欠点を含まない、複数の湾曲した電子回路の大量生産方法を提供することであり、すなわち：
−電子部品の支持体上に外力を保持する必要なしに、電子回路の電子部品に湾曲が適用され、
−これは、電子部品の表面全体に球面曲率を得ることに適合し、
−これは、電子回路の端部を弱めることはなく、
−温度に対する電子回路の曲率の依存性が低減又は除去され、
−これは、支持体によって適用される曲率半径に従って回路の電子部品を直接的に湾曲させるのに適している。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このために、本発明は、
−約１００ＭＰａを超える剛性又はヤング率を有する少なくとも１つの材料から作られる複数の膜を含む支持体を製造する段階であって、各々が、電子回路のうちの１つの一部であり、約１５ｍｍから５００ｍｍの間の曲率半径Ｒを有することを対象としている段階と、
−膜が弾性的又は弾力的に変形し、この力の影響下で実質的に平面形状を有するように、膜の各々の主面の一方に力を加える段階と、
−少なくとも１つの電子部品を膜の各々に強固に接続する段階と、
−膜の各々が、その元の曲率半径Ｒを取り戻し、この曲率半径Ｒに従って電子部品を湾曲させるように、膜の各々の主面の一方に加えられた力を除去する段階と、
を含む、複数の湾曲した電子回路を製造する方法に関する。
【００１６】
電子回路の湾曲は、本明細書では、膜内の弾性エネルギーの一時的な貯蔵によって得られる。静止時の膜の曲率は、電子回路に求められる最終的な曲率に対応する。その製造後、膜は、平坦な表面を示すように制約され、例えばセンサ又はディスプレイを形成する各電子回路の電子部品の結合又は「平らな」取り付けを実行することを可能にする。力が取り除かれると、膜は、それらが電子部品に適用するその初期位置に戻り、従って、湾曲した電子回路を形成する。
【００１７】
この方法の間に膜及びこれらの膜に加える力は、膜が弾性的に変形する、すなわち可逆的に変形するようなものである。従って、膜の各々に加えられた力を取り除いた後、それらは、破壊又は塑性変形することなく、その初期形状に戻る。
【００１８】
この方法では、力が膜の側部又は側面にではなく膜の各々の主面の１つに加えられるので、膜の変形は、全ての膜について同時に得られ得、それは、湾曲した電子回路の大量生産と互換性をこの方法に与える。
【００１９】
さらに、膜の材料は、電子部品が薄いシリコン基板部上に製造されるときでさえ、膜の材料が、電子部品にその曲率を適用することを可能にするかなりの剛性を有し、従って、これらの薄い基板部分も膜によって湾曲する。膜の材料の著しい剛性は、約１５ｍｍと５００ｍｍとの間の曲率半径Ｒを得ることに対応して、この方法を電子回路の著しい曲率に適合させることも可能にする。
【００２０】
さらに、求められている曲率を有する膜を最初に製造することにより、この方法が、各電子回路の全表面上に球面曲率を得ることと両立する。
【００２１】
さらに、弾性変形範囲内に留まっている間、膜の端部の弱化は生じない。
【００２２】
さらに、この方法は、バイメタル効果によって求められる曲率を得るために異なるＣＴＥ（熱膨張係数）を有する材料を使用せず、それは、電子回路の曲率を電子回路が受ける温度と無関係にする。得られる曲率もまた、より正確である。
【００２３】
この方法は、製造された湾曲回路の電子部品の凹状又は凸状の湾曲に適合する。
【００２４】
膜の材料は、プラスチック材料とすることができ、支持体は、成形又は３Ｄ印刷によって製造することができる。あるいは、膜の材料は、金属材料であり得、支持体は、機械加工又はエンボス加工によって製造され得る。
【００２５】
膜の各々の主面のうちの前記１つに加えられる力は、前記主面の全てに加えられる静水圧、又は、局所的な力であり得る。
【００２６】
膜の各々は、球面曲率又は円筒形曲率を有していてもよい。
【００２７】
膜の各々が球面曲率を有し、加えられる力が局所的である場合、膜の各々は、膜の中心から膜の端部に向けて減少する可変厚さ（任意選択的に線形）を含み得る。言い換えれば、各膜の中心における厚さは、その端部における厚さよりも大きい。そのような可変的な厚さは、加えられる力が局所的であるときでさえも球面曲率を得ることを可能にする。
【００２８】
力は、膜の各々の第１の主面に加えられ、各電子部品は、第１の主面の反対側の膜の各々の第２の主面に強固に接続され、又は取り付けられ得る。
【００２９】
各電子部品は、少なくとも１つの結合層によって、膜のうちの１つに強固に接続されてもよい。
【００３０】
この方法は、膜の各々の主面のうちの１つに加えられる力を除去する段階の後に、互いに電子回路を分離する支持体を切断する段階をさらに含み得る。
【００３１】
本発明はまた、上述のような電子回路を製造する方法の実施を含み、続いて各電子回路を光学系と結合して電子デバイスを形成する段階を含む、電子デバイスを製造する方法に関する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
本発明は、添付の図面を参照しながら、単なる例示として与えられるものであって限定するものではない実施形態の実施例の説明を読むことでより明確に理解されるであろう。
【００３３】
【図１】特定の実施形態による、本発明による湾曲した電子回路を製造する方法の段階を示す図である。
【図２】特定の実施形態による、本発明による湾曲した電子回路を製造する方法の段階を示す図である。
【図３】特定の実施形態による、本発明による湾曲した電子回路を製造する方法の段階を示す図である。
【図４】特定の実施形態による、本発明による湾曲した電子回路を製造する方法の段階を示す図である。
【図５】特定の実施形態による、本発明による湾曲した電子回路を製造する方法の段階を示す図である。
【図６】本発明による方法を使用して得られた電子デバイスを概略的に示す図である。
【図７】本発明による方法を用いて得られ、支持体に強固に接続された電子回路を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下で説明される様々な図の同一の、類似の、又は同等の部分は、ある図から別の図への移行を容易にするために同じ参照番号を有する。
【００３５】
図面をより見やすくするために、図面に示された様々な部分は均一な縮尺に従って示されていない。
【００３６】
様々な可能性（変形例及び実施形態）は、互いに排他的ではないと理解されるべきであり、互いに組み合わされてもよい。
【００３７】
特定の実施形態による、複数の湾曲した電子回路１００を製造するための方法の段階を示す図１から図４を最初に参照する。この特定の実施形態では、電子回路１００は、凹球面湾曲に適合する厚さを有する薄いシリコン基板上に電子部品が予め製造され、最終曲率半径がＲであり、Ｒ＞１５ｍｍ、及び、Ｒ＜５００ｍｍである、ＣＭＯＳ撮像装置に対応する。電子回路１００はまた、ＣＣＤ撮像装置、又は、他の任意の電子回路に対応し得る。
【００３８】
本明細書に記載の方法では、複数の湾曲した電子回路１００は、同じ支持体１０２から大量生産される。
【００３９】
図１に示されるように、支持体１０２が最初に製造される。この支持体１０２は、電子回路１００の電子部品を受容し、これらの電子部品に求められる湾曲形状を与えることを対象としている。
【００４０】
支持体１０２は、複数の膜１０４を含み、各膜は、膜１０４のうちの１つの上面１０５上に、電子回路１００のうちの１つの電子部品（本明細書ではＣＭＯＳ撮像装置を形成する）を受容するように意図されている。膜１０４の端部又は周辺部分は、膜１０４の保持部１０６を形成する支持部１０２のより厚い部分に接続される。
【００４１】
膜１０４は、保持部１０６から吊り下げられていると見ることができる。膜１０４の各々は、例えば、支持体１０２の主平面（図１の平面（Ｘ、Ｙ））に、実質的に円形又は正方形又は長方形を有する。
【００４２】
膜１０４の各々は、湾曲しており、約１５ｍｍから５００ｍｍ、又は、約８５ｍｍから５００ｍｍ、又は、約２５０ｍｍから５００ｍｍ、又は、約２８０ｍｍから５００ｍｍの曲率半径Ｒを有する。
【００４３】
この方法によって得られるのに適した最小曲率半径Ｒは、特に電子部品が製造される基板の材料及び寸法に依存する。図５は、この基板の厚さ（図５ではミクロン単位）に従って、電子部品が薄いシリコン基板上に製造されるときに得られるのに適したｍｍ単位の最小曲率半径Ｒを示す。これらの値は、辺がそれぞれ長さＬを有する正方形のシリコン基板を考慮することによって得られる。図５において、最小の曲率半径の値が、異なるＬの値に対して与えられている。一辺がＬ＝３ｍｍで厚さが約１０μｍに等しい正方形のシリコン基板の場合、Ｒの値が１５ｍｍよりわずかに大きいことが図５において見られる。
【００４４】
支持体１０２は、例えば金属材料から製造される。
【００４５】
この場合、支持体１０２は、最終の曲率半径に対応する曲率半径Ｒに従って湾曲した膜１０４を形成するために、例えば機械加工によって製造され、又は、エンボス加工によって組み立てられ、それによって、電子回路１００の電子部品が湾曲するように意図される。
【００４６】
あるいは、支持体１０２の材料は、プラスチック材料に対応してもよい。この場合、支持体１０２は、成形又は３Ｄ印刷によって製造することができる。
【００４７】
いずれにしても、支持体１０２の材料が金属であろうとプラスチックであろうと、この材料は、その剛性又はヤング率が約１００ＭＰａよりも大きくなるように選択される。そのような金属材料は、例えば鋼を含み、そのようなプラスチック材料は、例えば熱可塑性材料（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリロニトリルブタジエンスチレンであるＡＢＳなどの少なくとも１つを含む）及び／又は熱硬化性材料（例えば、以下の材料の少なくとも１つを含む：エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリウレタンなど）に対応する。
【００４８】
そのような剛性は、その後にこの方法の過程で、各回路１００の電子部品が製造される半導体基板を湾曲させることを可能にするだろう。
【００４９】
図２の参照番号１０８を有する矢印によって概略的に表される力Ｆは、次いで、この実施形態の例における膜１０４の底面１１０に対応する膜１０４の主面のうちの１つに加えられる。この力Ｆは、この力を受けた膜１０４が塑性変形して実質的に平面になるようなものである（面１０５、１１０は、支持体１０２の主平面（平面（Ｘ、Ｙ））と平行な平面に属する）。この力Ｆは、例えば、膜１０４の各々の底面１１０の表面全体に流体によって加えられる静水圧に対応する。各膜１０４において、力Ｆは、例えば１０ｋｇから３０ｋｇの間であり、正確な値は、特に膜１０４の材料及び寸法、並びに、曲率半径Ｒの値に依存する。
【００５０】
加えられる力Ｆの強度は、文献（“Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ａ  ｖａｒｉａｂｌｅ  ｃｕｒｖａｔｕｒｅ  ｍｉｒｒｏｒ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  ｄｅｌａｙ  ｌｉｎｅｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ＶＬＴ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ”  ｂｙ  Ｍ．  Ｆｅｒｒａｒｉ，  Ａｓｔｒｏｎ．  Ａｓｔｒｏｐｈｙｓ．  Ｓｕｐｐｌ．  ｓｅｒ．  １２８，  ２２１−２２７，  １９９８，  “ｏｐｔｉｃａｌ  ｒｅｓｕｌｔｓ”  ｓｅｃｔｉｏｎ，  ｐａｇｅ  ２２５−２２７）に記載されているように、解析的計算によって予め決定することができる。あるいは、力Ｆは、予め決定されず、膜１０４に漸進的に加えられてもよい。膜１０４の平坦度を得ることは、次いで、共焦点測定などの光学測定方法又はフィゾー干渉計、又は、機械式プローブやスタイラス測定などの機械的測定によって動的に確認され得る。
【００５１】
膜１０４の平坦度が得られたときに力Ｆの増加を止める。
【００５２】
図３に示すように、電子回路１００の電子部品１１２は、力Ｆによって平面状態に保たれた膜１０４上に取り付けられる。各電子回路１００の電子部品１１２は、例えば、各電子回路１００に対してイメージセンサを形成される。電子部品１１２は、例えばシリコンなどの半導体を含み、破損することなく湾曲するのに適した基板上に製造され、厚さは、例えば約４００μｍ未満である。
【００５３】
本明細書に記載の実施形態では、電子部品１１２は、膜１０４の上面１０５に取り付けられている。電子部品１１２は、接着剤の層に対応する層１１４の取り付けによって、又は、層１１４を接続することによって、例えば、膜１０４に対して強固に接続される。接着剤の層１１４は、例えば、約７５μｍに等しい、より一般的には約３０μｍより大きい厚さを有する。膜１０４の上面１０５への電子部品１１２の結合は、欧州特許第３０９３６３４号明細書に記載されている方法に従って、特に約２０ＭＰａから８０ＭＰａのヤング率を有する接着剤の層を用いて実施することができ、これは、例えば接着剤の架橋又は乾燥によるその後の接着剤硬化段階で、電子回路１００の破損の危険性を減らすことを可能にする。
【００５４】
あるいは、膜１０４に対して電子部品１１２を取り付けるために他の任意の取り付け技術を使用することができる。
【００５５】
次いで、力Ｆが次第に除去され、膜１０４は、次第にその初期形状に戻り、従って、その曲率半径Ｒが、電子回路１００（図４）を損傷することなくその表面に取り付けられた電子部品１１２に加えられる。膜１０４に蓄えられた弾性エネルギーは解放され、製造された種々の電子回路１００を湾曲させる。
【００５６】
接着剤の厚い層によって、力Ｆが取り除かれて電子部品１１２が湾曲したときに電子部品１１２に加えられる応力が減少する。これにより、電子部品１１２が劣化する危険性が低減される。
【００５７】
電子回路１００の製造は、電子部品１１２が存在していない様々な保持部１０６で支持体１０２を切断することによって完了し、それによって電子回路１００を互いに分離する。電子部品１１２を保護する段階、又は、配線ケーブルを接続する段階をさらに実行することもできる。
【００５８】
電子部品１１２を膜１０４に取り付ける際に、力Ｆが膜１０４の底面１１０に圧力を加える上述の方法の代替的な実施形態として、膜１０４の後面１１０は、電子部品１１２の取り付け時には、例えば静水圧のような負の圧力に掛けられてもよい。この場合は、膜１０４の初期曲率が図１を参照して上述したものと反対であるとき、すなわち上面１０５が膜１０４の主平面に対して凸形状を有するようになるときに当て嵌る。次いで、膜１０４の後面１１０に加えられる負圧は、膜１０４が実質的に平面的な変形状態にあり、電子部品１１２を非湾曲面１０５に取り付けることを可能にするようなものである。この負圧を取り除いた後、電子部品１１２は、（その上面で）凸状の湾曲状態にある。
【００５９】
さらなる代替的な実施形態によれば、力Ｆは、膜１０４の各々の底面１１０に、例えば膜１０４の各々の底面１１０の中央領域に加えられる局所的な圧力に対応し得る。この場合、膜１０４の球面曲率が求められる場合、膜１０４の各々にわたって局所的な力をできる限り均一に分配するために、膜１０４の各々は、可変の厚さで製造される。例えば、この厚さは、膜１０４の各々の中心から膜１０４の端部に向かって減少してもよい。言い換えれば、各膜１０４の最大厚さは、力Ｆが加えられることが意図されている膜１０４の各々の中心に実質的に位置してもよく、最小厚さは、保持部１０６と接触している膜１０４の端部に位置する。あるいは、膜１０４は、上面１０５が膜１０４の主平面に対して凸面形状を有するようにすることができ、その上面１０５のレベルで膜１０４を引っ張る局所的な力Ｆが加えられるようなものである。
【００６０】
さらなる代替的な実施形態によれば、電子回路１００の曲率は、球形ではなく円筒形（凹面又は凸面）であってもよい。この場合、気密性の理由から、電子部品１１２の装着時に膜１０４を変形させるために加えられる力Ｆは、機械的であるが静水圧ではないベアリング力に対応する。
【００６１】
さらなる代替的な実施形態によれば、電子部品１１２は、膜１０４の後面１１０に取り付けられてもよい。この場合、膜１０４は、膜１０４の前面１０５に力Ｆを加えることによって変形される。
【００６２】
このようにして製造された湾曲した電子回路１００は、図６に概略的に示されるような電子デバイス１０００の製造に使用される。この図において、電子デバイス１０００は、回路１００の電子部品上で受光した光を集束させる複数のレンズを含む光学系１００２と光学的に結合された画像センサを形成する湾曲電子回路１００を含む撮像装置に対応する。
【００６３】
得られた湾曲した電子回路１００は、例えば図７に示すように、支持体１１６に取り付けることもできる。この場合、電子回路１００の保持部１０６は、支持体１１６に固定される。
【００６４】
支持部１１６が保持部１０６とは異なるＣＴＥを有する材料を含む場合、電子回路１００は、温度変動に対して電子回路１００の曲率の不感受性を保証するのに適した特定の保持手段によって支持部１１６に固定されてもよい。図７に示す例では、これらの保持手段は、支持体１１６上に電子回路１００の固定位置決め点を形成する位置決めロッド１１８又はセンタリングロッド、及び、熱膨張を誘発する温度変化の際に支持体１１６上で電子回路１００を相対的に滑らせることを可能にしながら、支持体１１６上に電子回路１００を機械的に保持するさらなる取り付け手段１２０に対応する。図７では、この保持手段１２０は、ねじ１２０、及び、電子回路に形成され、ねじ１２０の寸法よりも大きい寸法を有する孔１２２に対応し、矢印１２４で象徴的に表される移動を可能にする。
【符号の説明】
【００６５】
１００  電子回路
１０２  支持体
１０４  膜
１０５  主面
１０６  支持部
１０８  力
１１０  主面
１１２  電子部品
１１４  結合層
１１６  支持体
１１８  位置決めロッド
１２０  取り付け手段
１２２  孔
１０００  電子デバイス
１００２  光学系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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