【事件の表示】
　特許第５８８６４１６号発明「表面処理銅箔」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８８６４１６号の請求項１〜２４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５８８６４１６号の請求項１〜２４に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、２０１３年３月２９日（優先権主張２０１２年３月２９日　日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年２月１９日に特許権の設定登録がされ、その後、その特許に対し、特許異議申立人山田大介により特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件発明
　特許第５８８６４１６号の請求項１〜２４の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１〜２４」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜２４に記載された事項により特定されるとおりのものである。
第３　申立理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１号証〜甲第１５号証を提出し、以下の１〜２の理由により、請求項１〜２４に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
１　本件発明１〜２４は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３号証〜甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、本件発明１〜２４は、甲第１号証に記載された発明、周知技術（甲第３号証〜甲第７号証）及び甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜２４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである（以下、「（以下、「申立理由１−１」という。）。
２　本件発明１〜２４は、甲第２号証に記載された発明及び甲第３号証〜甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、本件発明１〜２４は、甲第２号証に記載された発明、周知技術（甲第３号証〜甲第７号証）及び甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜２４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである（以下、「申立理由１−２」という。）。
［証拠方法］
甲第１号証：特開２０１１−１６８８８７号公報
甲第２号証：特開２００８−１１８１６３号公報
甲第３号証：中村吉伸、永田員也監修、「シランカップリング剤の効果と使用法」、サイエンス＆テクノロジー株式会社、２００７年１０月１０日、ｐ．１４０−１５１
甲第４号証：特開２００３−２９１２５６号公報
甲第５号証：特開２０１２−４１６２６号公報
甲第６号証：特開平７−３３１４５４号公報
甲第７号証：特公昭６０−１５６５４号公報
甲第８号証：国際公開第２０１１／１３８８７６号
甲第９号証：特開２００５−４８２６９号公報
甲第１０号証：モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社の製品カタログ「シランカップリング剤」、２００７年５月改訂
甲第１１号証：特開２０１１−２１６５９８号公報
甲第１２号証：特開２０１１−９１４３８号公報
甲第１３号証：特開２０１０−２３６０５８号公報
甲第１４号証：特開２０１０−２２１６９４号公報
甲第１５号証：特開２０１０−１３７３８号公報
第４　甲号証の記載事項
１　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第１号証には、「粗化処理銅箔、その製造方法、銅張積層板及びプリント配線板」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている（なお、下線は当合議体が付加したものであり、「・・・」は記載の省略を表す。以下、同様である。）。 
（１ａ）　「【請求項１】
　母材銅箔（未処理銅箔）の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さＲｚに対してＲｚが０．０５〜０．３μｍ増加する粗化処理が施されて、
粗化処理後の表面粗さＲｚが１．１μｍ以下である粗化処理面を有する粗化処理銅箔
【請求項２】
　前記粗化処理面の二次元表面積に対するレーザーマイクロスコープによる三次元表面積の比が、３倍以上である請求項１に記載の粗化処理銅箔。
【請求項３】
　
前記粗化処理面に、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｚｎ、Ｚｎ合金のいずれかの金属めっきにより金属めっき層が施されている請求項１又は２に記載の粗化処理銅箔
【請求項４】
　
前記金属めっき層の表面に、Ｃｒめっき、Ｃｒ合金めっき、クロメート処理のいずれかの防錆処理が施された請求項３に記載の粗化処理銅箔
【請求項５】
　
前記防錆処理が施された表面に、シランカップリング処理が施された請求項４に記載の粗化処理銅箔
（１ｂ）　「【発明が解決しようとする課題】
・・・
【００１６】
　本発明の目的は、ファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性に優れる粗化処理銅箔を提供することにある。
　また本発明の目的は、前記粗化処理銅箔を樹脂基材に張り付けた銅張積層板および前記銅張積層板を用いたプリント配線板を提供することにある。」
（１ｃ）　「【発明の効果】
【００２２】
　本発明の粗化処理銅箔はファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性（銅箔と樹脂基材との界面での薬品の染み込みを阻止）に優れる粗化処理銅箔である。
　更に、本発明の粗化処理銅箔を用いた銅張積層板によれば、ファインパターンや高周波基板に適するだけでなく、樹脂基材と銅箔との密着性が良好で信頼性の高いプリント配線板を提供することができる。」
（１ｄ）　「【発明を実施するための形態】
【００２３】
　
銅箔表面には樹脂基材との密着性を改善するための粗化処理と、必要によりその上に粗化処理粒子の脱落や防錆を目的とした表面処理がなされる。本発明では表面処理として、主として銅又は銅合金からなる粗化処理を施し、その上に必要によりＮｉ、Ｚｎおよびこれらの合金等やＣｒによる表面処理を施し、さらに必要に応じて樹脂基材との密着性向上のためのシランカップリング処理が施される。
【００２４】
　銅箔と樹脂基材との密着性を向上させる粗化処理は、粗化粒子を粗くするほど、すなわち表面の凹凸を粗くするほど密着性は向上するが、ファインパターンでの回路形成性や高周波帯域における伝送特性、ブラインドビアホール穿設時のデスミア性は悪くなる傾向にある。
【００２５】
　本発明では、母材銅箔（未処理銅箔）の表面に先ず母材銅箔の表面粗さＲｚが０．０５〜０．３０μｍ増加する粗化処理を銅又は銅合金で施す。このとき、
粗化処理後の表面粗さＲｚは１．１μｍ以下とする
　なお、上記銅又は銅合金で施す粗化処理では、表面粗さＲａを０．０２〜０．０５μｍ増加する範囲で行い、粗化処理後のＲａを０．３５μｍ以下とすることが好ましい。
　粗化処理後の表面粗さＲｚが上記下限値に満たない処理であると、樹脂基材との密着性がやや低くなり、Ｒｚが上記上限値を超えると表面が粗くなり、後述する回路形成性や伝送特性が低下する。
　また、
粗化処理後の表面粗さＲｚを１．１μｍよりも粗くしない
　なお、
表面粗さ
ＲzはＪＩＳ−Ｂ−０６０１の規定に準じて測定される値である
・・・
【００３２】
　また、
粗化粒子の表面に、樹脂基材との密着性・耐熱性・耐薬品性・粉落ち性等を向上させることを目的にＮｉ、Ｎｉ合金、Ｚｎ、Ｚｎ合金の群から選ばれる少なくとも１種の金属めっき層を設けると良い
　これらの目的を果たすためには、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｚｎ、Ｚｎ合金の付着金属量は０．０５ｍｇ／ｄｍ２〜１０ｍｇ／ｄｍ２であることが望ましい。
　
上記金属めっき層の上に、Ｃｒめっきやクロメート被膜からなる防錆層を形成することが望ましい。
　
更に、防錆層の上にシランカップリング処理を施すと良い
・・・
【００３４】
　
前記防錆層の上に、必要に応じて前記粗化処理銅箔と樹脂基材との密着性を向上させるためにシランカップリング処理を施してもよい。
　
シランカップリング剤は対象となる樹脂基材によりエポキシ系、アミノ系、メタクリル系、ビニル系、メルカプト系等から適宜選択することができる
　
高周波対応基板に用いられる樹脂基材には、特に相性の優れるエポキシ系、アミノ系、ビニル系のカップリング剤を選択することが好ましく
・・・
【００３６】
　これらの
樹脂基材と粗化処理銅箔を張り合わせる方法としては、熱プレス方式、連続ロールラミネート方式、連続ベルトプレス方式などを用いることができ、接着剤等を介さずに熱圧着することができる
　また、別の方法としては、溶融状態や溶剤に溶解して流動性を有する状態とした樹脂含有物を粗化処理銅箔の表面に塗布した後に、熱処理により樹脂を硬化させる方法もある。
・・・
【００３８】
　電気信号の伝送速度が速くなると、樹脂基材の材質が特性インピーダンスや信号伝搬速度等に重要に関与してくるため、高周波回路用プリント配線板に適した樹脂基材として誘電率や誘電体損失等の特性に優れた基材が要求される。これらを満足させるために種々な材料が提案されており、例えば
電気信号の高速伝送のためには、誘電率が小さく、誘電体損失も小さい樹脂基材として、液晶ポリマー、ポリフッ化エチレン、イソシアネート化合物、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル等を挙げることができる
（１ｅ）　「【実施例】
・・・
【００４９】
（５）シラン処理
　防錆めっき処理後に、下記の処理液および処理条件でシランカップリング処理を施した。
　　シラン種：γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
　　シラン濃度：０．１ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌ
　　液温：２０〜５０℃」
（１ｆ）　「【００６１】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
２　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第２号証には、「電解銅箔」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（２ａ）　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と、該導体層が積層された絶縁層とを有し、該導体層をエッチングして回路形成されたチップオンフィルム（以下、ＣＯＦと称す）用フレキシブルプリント配線板における導体層用の電解銅箔において、
　前記
電解銅箔は、絶縁層に接着される接着面が、表面粗度Ｒｚ０．０５〜１．５μｍである
　前記導体層である電解銅箔をエッチングして回路形成した際のエッチング領域における絶縁層の光透過率が５０％以上となることを特徴とする電解銅箔。
【請求項２】
　
前記接着面は、９９〜５０ｗｔ％ニッケルと、１〜５０ｗｔ％亜鉛とからなるニッケル−亜鉛合金による防錆処理層を備える請求項１に記載の電解銅箔
【請求項３】
　
防錆処理層は、ニッケル−亜鉛合金層上にクロメート層を形成したものであり、該防錆処理層表面にはアミノ官能性シランカップリング剤を吸着させたシランカップリング剤吸着層を形成したものである請求項２に記載の電解銅箔
（２ｂ）　「【発明が解決しようとする課題】
・・・
【００１１】
　本発明は、以上のような事情のもとになされたもので、フレキシブルプリント配線板を構成する際の絶縁層の高光透過率を実現できるとともに、導体層と絶縁層との密着性、及び耐マイグレーション特性に優れるＣＯＦに好適なフレキシブルプリント配線板を実現可能な電解銅箔を提供するものである。」
（２ｃ）　「【課題を解決するための手段】
・・・
【００１３】
　本発明は、導体層と、該導体層が積層された絶縁層とを有し、該導体層をエッチングして回路形成されたチップオンフィルム（以下、ＣＯＦと称す）用フレキシブルプリント配線板における導体層用の電解銅箔において、　
前記電解銅箔は、絶縁層に接着される接着面が、表面粗度Ｒｚ０．０５〜１．５μｍである
・・・
【００１５】
　本発明に係る電解銅箔を用いれば、導体層のエッチング処理後における絶縁層の光透過率が５０％以上であり、形成した導体回路と絶縁層との密着強度も実用上問題ないフレキシブルプリント配線板を実現できる。そして、耐マイグレーションに優れ、非常にファインな導体形成が可能となる。
・・・
【００１７】
　このように高光透過率を実現できるフレキシブルプリント配線板とする場合、
電解銅箔の接着面を表面粗度Ｒｚ０．０５〜１．５μｍとする
・・・
【００１９】
　そして、本発明に係る電解銅箔は、非常に低粗度であっても、絶縁層との密着性に優れるものとするために、電解銅箔の接着面に、５０〜９９ｗｔ％ニッケルと５０〜１ｗｔ％亜鉛との組成からなるニッケル−亜鉛合金による防錆処理層を備えることが好ましい。この防錆処理層は、電解銅箔自体の表面酸化を防止するとともに接着面と絶縁層との密着強度及び耐マイグレーション特性を向上させる役目を果たす。
ＣＯＦ用のフレキシブルプリント配線板では、絶縁材としてポリイミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホン、液晶ポリマー等が用いられ
【００２１】
　そして、
この防錆処理層は、ニッケル−亜鉛合金層上にクロメート層を形成したものであり、該防錆処理層表面にはアミノ官能性シランカップリング剤を吸着させたシランカップリング剤吸着層を形成することが望ましい。クロメート層とシランカップリング剤吸着層は、絶縁層との密着性をさらに向上させ、耐湿性や耐薬品性の向上を図ることができる
【００２２】
　この
シランカップリング剤の種類には特に制限はなく
イミダゾールシラン、トリアジンシラン
を用いることができる
本発明者等の研究によると、ポリイミド系の絶縁材に対しては、特にアミノ官能性シランが好適なものであることも確認している。例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−３−（４−（３−アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる
（２ｄ）　「【発明を実施するための最良の形態】
・・・
【００３３】
　上記のようにして電解銅箔を３ロット準備し、その光沢面に対し防錆処理として、ニッケル−亜鉛合金メッキ処理、クロメート処理、シランカップリング剤処理の順で処理を行い、本実施形態のフレキシブルプリント配線板用の電解銅箔を製造した。その表面処理条件は表２に示す通りである。・・・
【００３４】
【表２】
・・・
【００３６】
　実施例１〜３、比較例１、２に関して、その接着面側の表面粗度、防錆処理の各付着量を測定した結果について説明する。表面粗度は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１に準拠して行い、
十点平均粗さ（Ｒｚ）
【００３７】
【表３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
３　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第３号証には、「銅箔におけるシランカップリング剤の効果と使用法」（１４０頁１行）に関して、以下の事項が記載されている。
（３ａ）　「携帯電話やパソコン、ディスプレーなどの電気電子機器の配線回路にはプリント配線板が使用されている。・・・」（１４０頁４〜５行）
（３ｂ）　「プリント配線板に使用される銅箔の製造法には、銅板を目標厚みまで機械的に引き延ばす圧延銅箔と、円筒状の金属ドラムカソードを回転させながら、目標厚みまで電解析出により製造する電解銅箔がある。・・・」（１４０頁１０〜１２行）
（３ｃ）　「４．１アンカー効果
　厚み１８μｍの電解銅箔のマット両側に、表面処理を施した。図４に表面処理フローを示す。
　粗化処理は、はじめに、銅濃度１２〜２０ｇ／ｄｍ３、硫酸濃度４５〜１２０ｇ／ｄｍ３、浴温２２〜３５℃の浴を用い、限界電流密度付近の６〜１８Ａ／ｄｍ２にて、銅をデンドライト状に析出させ（ヤケめっき）、次に、その上部に、銅濃度４０〜８５ｇ／ｄｍ３、硫酸濃度４０〜１２０ｇ／ｄｍ３、浴温３６〜５５℃の浴から、電流密度１２〜３０Ａ／ｄｍ２にて、厚み１μｍの銅めっきを施し、このデンドライト状の銅析出物を基板に固定させる。このとき、はじめに施す電流密度を制御することで、粗化処理前後の粗さの制御が可能である。図５に、粗化処理後の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す。このような形状にすることで、アンカー効果により樹脂基材と強固に接着する。
　上記の方法で、粗さの異なる粗化処理面とシャイニー面に対して、厚み１０ｎｍの電気Ｎｉ−Ｚｎ合金めっきを13,14)、ピロリン酸亜鉛０．７ｇ／ｄｍ３、硫酸ニッケル１１ｇ／ｄｍ３、ピロリン酸カリウム１００ｇ／ｄｍ３、ｐＨ１０．５、浴温４０℃に調整した浴から、電流密度１Ａ／ｄｍ２で施した後、クロメート処理をおこなった。クロメート処理は、ＣｒＯ３　１ｇ／ｄｍ３、ｐＨ１２で１．３Ａ／ｄｍ２にて５秒間処理した。そして、樹脂基材との密着性を高めるために、０．５ｗｔ％γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン溶液を塗布し、２００℃にて３０秒間、硬化させた。その後、ガラスエポキシ樹脂基材と１８０℃、１時間で熱圧着させ、エッチングにより導体パターンを形成し、引き剥がし強さを測定した。」（１４３頁１６行〜１４４頁１５行）
（３ｄ）　「
　　　　　　　　　　　　　　」（１４３頁）
（３ｅ）　「
　　　　　　　　　　　　　　　　」（１４５頁）
（３ｆ）　「
　　　　　　　　　　　　　　　　」（１４６頁）
（３ｇ）　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１４７頁）
４　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第４号証には、「銅箔／樹脂積層体の製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（４ａ）　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅箔／樹脂積層体の製造方法に関し、より詳しくは、銅箔と樹脂間の接着強度を高めることの可能な、銅箔／樹脂積層体の製造方法に関する。」
（４ｂ）　「【００１２】本発明においては、また、上記付着工程において、上記電着銅層表面に上記加水分解性ケイ素化合物を付着させた後に、当該加水分解性ケイ素化合物の加水分解及び縮合を生じせしめることが好ましい。加水分解性ケイ素化合物の加水分解及び縮合を樹脂との接合に先立って生じせしめることにより、銅箔と樹脂との接着性をより向上させることができるようになる。」
（４ｃ）　「【００２２】本発明においては、加水分解性ケイ素基は、下記一般式（１）で表される化合物であることが好ましい。
Ｒn−Ｓｉ−Ｘ(4-n)　・・・（１）
【００２３】式中、Ｒは１価有機基であり、Ｘは加水分解性基であり、ｎは０〜３の整数を示す。Ｒは、官能基を有する１価有機基であることが好ましく、当該官能基としてはアミノ基、メルカプト基、エポキシ基及びビニル基が挙げられる。また、加水分解性基Ｘとしては、上述の基が例示可能である。
【００２４】加水分解性能の観点から、一般式（１）におけるｎは０又は１であり、Ｘはアルコキシル基であることが好ましい。ｎが０でありＸがアルコキシル基である化合物としては、テトラメトキシシランやテトラエトキシシラン等のテトラアルコキシシランが挙げられる。
【００２５】一方、ｎが１でありＸがアルコキシル基である化合物としては、一般にシランカップリング剤と称される化合物が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−（メタクリロイルオキシプロピル）トリメトキシシラン等の不飽和二重結合を有するシランカップリング剤；β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン等のエポキシ基を有するシランカップリング剤；γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基を有するシランカップリング剤；γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基を有するシランカップリング剤が例示可能である。」
（４ｄ）　「【００２８】付着工程においては、加水分解性ケイ素化合物を、スプレー法やロールコート法等により付着させることができる。また、液状の加水分解性ケイ素化合物に銅箔を浸漬してもよい。いずれの付着方法を採用した場合であっても、加水分解性ケイ素化合物の付着量は、２〜１０×１０-3ｇ／ｍ2が好ましい。
【００２９】次に、接着工程を説明する。接着工程においては、付着工程で得られた表面処理銅箔を、加水分解性ケイ素化合物が付着した面を接着面として、樹脂と接着する。
【００３０】接着工程において用いられる樹脂としては、ガラス繊維強化樹脂が好ましい。ガラス繊維強化樹脂に用いられる樹脂としては、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００３１】ガラス繊維で強化する熱可塑性樹脂としては、ポリアミド（ナイロン）、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリサルフォン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、（メタ）アクリル樹脂、フッ素樹脂、飽和ポリエステル樹脂等が例示でき、熱硬化性樹脂としては、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂等が例示できる。」
５　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第５号証には、「銅張積層基板とその製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（５ａ）　「【０００１】
　本発明は、プリント配線板等の回路基板を作成するのに適した銅張積層基板と該銅張積層基板の製造方法に関するものである。」
（５ｂ）　「【００２４】
　プリント配線板用の銅箔の場合には該シランカップリング保護層を複数層に重ね塗工処理することにより、樹脂基板との密着性をより高めることができる。この場合のシランカップリング剤の選択は、金属との親和性に優れる例えばエポキシ系のメトキシ基やエトキシ基を有するカップリング剤が好ましく、樹脂側であれば同様にメトキシ基やエトキシ基を有する例えばビニル系やアミノ系のカップリング剤との組み合わせが好ましい。」
（５ｃ）　「【００３７】
　インジウム処理の施された防錆被膜面の主に樹脂基板と接着される面にはシランカップリング剤を適宜コーティングする。シランカップリング剤は積層する絶縁樹脂基板により適宜選択されるが、特に汎用モジュール対応基板やポリイミド基板には相性に優れるエポキシ系、アミノ系、ビニル系のカップリング剤を選択することが好ましい。
　また、本発明においてはシランカップリング剤の品種種類を限定しないが、シランカップリング剤の付着量はケイ素として０.００１〜０.０１５ｍｇ／ｄｍ２の範囲であることが好ましい。」
６　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第６号証には、「銅箔の処理方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（６ａ）　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅張積層板等の製造に用いられる銅箔の処理方法に関する。」
（６ｂ）　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにカップリング剤を用いることによって、ある程度までは接着性を向上できる。しかしながら、最近プリント回路が緻密化しているので、使用されるプリント回路用銅箔に要求される特性はますます厳しくなっている。本発明は、こうした要請に対応できる、すなわち、とくに銅箔表面と樹脂基板との接着性を向上し、煮沸後のピール劣化率を改善する銅箔の表面処理方法を提供することを目的とするものである。」
（６ｃ）　「【０００９】次いで本発明の処理方法においては、銅箔表面に水酸基導入後、カップリング剤が塗布される。カップリング剤としては、シランカップリング剤が好ましく、例えばビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、３−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、テトラエトキシシラン等がある。
【００１０】カップリング剤は、そのまま直接銅箔表面に塗布してもよいが、水、エタノール、メタノール等のアルコール類、更にはアセトン、酢酸エチル、トルエン等の溶剤で０．００１〜２０重量％、好ましくは０．０１〜６重量％になるように希釈し、この溶液に銅箔を浸漬させる方法で塗布するのが簡便で好ましいが、スプレーして塗布してもよい。０．００１重量％未満では煮沸後のピール強度の改善効果が少なく、又２０重量％を超えると効果が飽和すると共に溶解性が悪くなるので好ましくない。・・・」
（６ｄ）　「【００１３】・・・
これら実施例及び比較例１〜４で得た表面処理銅箔の粗化面を、ガラス繊維クロスにエポキシ樹脂を含浸させた基材に接着し、銅張積層板を得た。・・・」
７　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第７号証には、「銅箔のクロメ−ト処理層と樹脂基材との接着方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（７ａ）　「２　銅箔の粗面側に形成したクロメート処理層を、前記一般式で示したシランカップリング剤の０．００１〜５重量％溶液で処理し、ついでこれを樹脂基材と接着させる特許請求の範囲第１項記載の接着方法。」（２頁１欄１５〜１９行）
（７ｂ）　「この発明は、銅箔のクロメート処理層と樹脂基材とを、強固に接着させるための新規な方法に関するものである。」（１頁２欄２〜４行）
（７ｃ）　「この発明は、前記従来法にみられるステインの発生や煩雑な工程を解消し、銅箔のクロメート処理層と樹脂基材とを強固に接着する方法を提供するものである。・・・」（２頁３欄１５〜１８行）
（７ｄ）　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（３頁）
（７ｅ）　「本発明は、上記のようなシランカップリング剤を用いて、銅箔粗面側に形成したクロメート処理層を処理したのち、これを樹脂基材と接着させるか、または前記銅箔粗面側のクロメート処理層に対し、シランカップリング剤を添加した接着剤層を形成後、樹脂基材と接着するものである。そして上記銅箔のクロメート層処理のためのシランカップリング剤の濃度は０．００１〜５重量％、好適には０．１〜３重量％の溶液である。・・・」（３頁５欄２５〜３３行）
（７ｆ）　「実施例　１
　公知の酸性硫酸銅メッキ浴を用い、チタン製の陰極面に３２μ厚みの銅箔を電析させた後、これを陰極から剥離し、水洗を行った後、その粗面側をｐＨ３〜５に調整したＮａ２Ｃｒ２Ｏ７・２Ｈ２Ｏの５ｇ／ｌ溶液中で浴温２０℃、陰極電流密度１Ａ／ｄｍ２において１分間処理し、水洗乾燥して銅箔粗面にクロメート層を形成させた。つぎにこの試料を、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランのエチルアルコール溶液に水を加えて希釈し、酢酸によりそのＰＨを４．５〜５．０となし、かつその濃度を０．０１重量％、０．１重量％および３．０重量％に調整した３種類の溶液中に、それぞれ常温において１分間浸漬し、引上げて室温乾燥を行い、引続きこれを１１０〜１２０℃に保持した乾燥器中で３分間乾燥後、各試片のクロメート処理面を、ガラス〜エポキシ樹脂基材と重ね合わせて１５５℃、圧力１００ｋｇ／ｃｍ２において３０分間乾燥し、２５０×２５０×２ｍｍの銅張積層板を試作した。・・・」（３頁５欄４４行〜６欄４２行）
（７ｇ）　「実施例１
・・・
・・・
・・・
・・・
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（３頁５欄最下行〜５頁１０欄１０行）
８　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第８号証には、「印刷回
路用銅箔」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（８ａ）　「［００１４］本発明の課題は、最も基本的な、銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる粗化処理において、樹枝状に形成される粗化粒子が銅箔の表面から剥がれ落ち、一般に粉落ちと言われる現象、処理ムラを抑制し、ピール強度を高め、かつ耐熱性を向上させることのできる印刷回路用銅箔を提供するものである。・・・」
（８ｂ）　「［００１８］本発明は、最も基本的な、銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる粗化処理（二次粒子層の形成）において、樹枝状に形成される粗化粒子が銅箔の表面から剥がれ落ち、一般に粉落ちと言われる現象を抑制し、ピール強度を高め、かつ耐熱性を向上させることのできる印刷回路用銅箔を提供するものである。・・・」
（８ｃ）　「［００２５］前記一次粒子層の平均粒子径を０．２５−０．４５μｍ、銅、コバルト及びニッケルからなる３元系合金からなる二次粒子層の平均粒子径を０．０５−０．２５μｍとするのが、下記に示す実施例から明らかなように、粉落ちを防止する最適な条件である。・・・」
（８ｄ）　「［００２７］（銅の一次粒子のめっき条件）
銅の一次粒子のめっき条件の一例を挙げると、下記の通りである。
なお、このめっき条件はあくまで好適な例を示すものであり、銅の一次粒子は銅箔上に形成される平均粒子径が粉落ち防止の役割を担うものである。したがって、平均粒子径が本願発明の範囲に入るものであれば、下記に表示する以外のめっき条件であることは何ら妨げるものではない。本願発明はこれらを包含するものである。
また、一次粒子形成前に、銅箔と一次粒子の間に、金属層めっきを施してもよい。金属めっき層としては、銅めっき層、銅合金めっき層が代表的に考えられる。銅めっき層を行う場合には、硫酸銅と硫酸を主成分とする硫酸銅水溶液のみを使用する場合や、硫酸、メルカプト基を有する有機硫黄化合物、ポリエチレングリコールなどの界面活性剤、さらに塩化物イオンを組み合わせた硫酸銅水溶液を使用して、電気めっきにより銅めっき層を形成する方法が挙げられる。
液組成　　：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、硫酸５０〜１００ｇ／Ｌ
液温　　　：２５〜５０Ｃ
電流密度　：１〜５８Ａ／ｄｍ２
クーロン量：４〜８１Ａｓ／ｄｍ２
［００２８］（二次粒子のめっき条件）
なお、上記と同様に、このめっき条件はあくまで好適な例を示すものであり、二次粒子は一次粒子の上に形成されるものであり、平均粒子径が粉落ち防止の役割を担うものである。したがって、平均粒子径が本願発明の範囲に入るものであれば、下記に表示する以外のめっき条件であることは何ら妨げるものではない。本願発明はこれらを包含するものである。
液組成　　：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、ニッケル５〜１５ｇ／Ｌ、コバルト５〜１５ｇ／Ｌ
ｐＨ　　　：２〜３
液温　　　：３０〜５０Ｃ
電流密度　：２４〜５０Ａ／ｄｍ２
クーロン量：３４〜４８Ａｓ／ｄｍ２
［００２９］（耐熱層１を形成するめっき条件）
　本願発明は、上記二次粒子層の上に、さらに耐熱層を形成することができる。このめっき条件を下記に示す。
液組成　　：ニッケル５〜２０ｇ／Ｌ、コバルト１〜８ｇ／Ｌ
ｐＨ　　　：２〜３
液温　　　：４０〜６０Ｃ
電流密度　：５〜２０Ａ／ｄｍ２
クーロン量：１０〜２０Ａｓ／ｄｍ２
［００３０］（耐熱層２を形成するめっき条件）
本願発明は、上記二次粒子層の上に、さらに次の耐熱層を形成することができる。このめっき条件を下記に示す。
液組成　　：ニッケル２〜３０ｇ／Ｌ、亜鉛２〜３０ｇ／Ｌ
ｐＨ　　　：３〜４
液温　　　：３０〜５０Ｃ
電流密度　：１〜２Ａ／ｄｍ２
クーロン量：１〜２Ａｓ／ｄｍ２
［００３１］（防錆層を形成するめっき条件）
　本願発明は、さらに次の防錆層を形成することができる。このめっき条件を下記に示す。下記においては、浸漬クロメート処理の条件を示したが、電解クロメート処理でも良い。
液組成　　：重クロム酸カリウム１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛０〜５ｇ／Ｌ
ｐＨ　　　：３〜４
液温　　　：５０〜６０Ｃ
電流密度　：０〜２Ａ／ｄｍ２（浸漬クロメート処理のため）
クーロン量：０〜２Ａｓ／ｄｍ２（浸漬クロメート処理のため）
［００３２］（耐候性層の種類）
　一例として、エポキシシラン水溶液の塗布を挙げることができる。」
（８ｅ）　「［００４２］この後、必要に応じ、防錆処理が実施される。本発明において好ましい防錆処理は、クロム酸化物単独の皮膜処理或いはクロム酸化物と亜鉛／亜鉛酸化物との混合物皮膜処理である。クロム酸化物と亜鉛／亜鉛酸化物との混合物皮膜処理とは、亜鉛塩または酸化亜鉛とクロム酸塩とを含むめっき浴を用いて電気めっきにより亜鉛または酸化亜鉛とクロム酸化物とより成る亜鉛−クロム基混合物の防錆層を被覆する処理である。
めっき浴としては、代表的には、Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７、Ｎａ２Ｃｒ２Ｏ７等の重クロム酸塩やＣｒＯ３等の少なくとも一種と、水溶性亜鉛塩、例えばＺｎＯ、ＺｎＳＯ４・７Ｈ２Ｏなど少なくとも一種と、水酸化アルカリとの混合水溶液が用いられる。代表的なめっき浴組成と電解条件例は次の通りである。」
（８ｆ）　「［００４５］最後に、必要に応じ、銅箔と樹脂基板との接着力の改善を主目的として、防錆層上の少なくとも粗化面にシランカップリング剤を塗布するシラン処理が施される。
このシラン処理に使用するシランカップリング剤としては、オレフィン系シラン、エポキシ系シラン、アクリル系シラン、アミノ系シラン、メルカプト系シランを挙げることができるが、これらを適宜選択して使用することができる。
塗布方法は、シランカップリング剤溶液のスプレーによる吹付け、コーターでの塗布、浸漬、流しかけ等いずれでもよい。例えば、特公昭６０−１５６５４号は、銅箔の粗面側にクロメート処理を施した後シランカップリング剤処理を行なうことによって銅箔と樹脂基板との接着力を改善することを記載している。詳細はこれを参照されたい。この後、必要なら、銅箔の延性を改善する目的で焼鈍処理を施すこともある。」
（８ｇ）　「［００５１］
［表１］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（８ｈ）　「［請求項１］　　銅箔の表面に、銅の一次粒子層を形成した後、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる３元系合金からなる二次粒子層を形成した印刷回路用銅箔であって、一次粒子層の平均粒子径が０．２５−０．４５μｍであり、銅、コバルト及びニッケルからなる３元系合金からなる二次粒子層の平均粒子径が０．０５−０．２５μｍであることを特徴とする印刷回路用銅箔。」
９　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第９号証には、「表面処理銅箔およびそれを使用した基板」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（９ａ）　「【００１５】
　本発明の銅箔は、表面粗さが２．５μｍ以下である電解銅箔又は圧延銅箔を使用し、さらにこの電解銅箔又は圧延銅箔上に耐熱処理層、防錆処理層、窒素を含有するシランカップリング剤層をこの順に備えていることが重要である。
　これによって、銅箔と絶縁層、特にはポリイミド系樹脂層との間の接着強度が優れており、耐酸性及び耐錫めっき液性を備え、良好なエッチング性と高い光沢度を備え、さらに配線のファインパターン化が可能であるという総合的な優れた効果を保有させることができる。」
（９ｂ）　「【００２３】
　上記のように耐熱処理を施した銅箔は、次に防錆処理される。防錆層の形成方法は、公知のものはすべて本発明に適用することができるが、好ましくは浸漬または電解クロメート処理によりクロム酸化物、或いは電解クロム・亜鉛処理によりクロム酸化物と亜鉛若しくは酸化亜鉛との混合物からなる防錆層を形成する。・・・」
１０　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第１０号証には、「シランカップリング剤」（標題）に関して、以下の事項が記載されている。
（１０ａ）　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（４〜５頁）
１１　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第１１号証には、「高周波回路基板」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（１１ａ）　「【請求項１】
　表面に凹凸を有する金属箔であって、表面粗度（Rz）が０．５〜５μｍの範囲内にあり、表面粗度（Rz）と表面の凹凸間の間隔（Sm）との比（Rz/Sm）が、１．５〜３．５の範囲内にある表面を有する金属箔に、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを積層した積層体からなる高周波回路基板。」
（１１ｂ）　「【０００２】
　近年、高速伝送の普及に伴い、高速伝送時の伝送損失の小さい材料が求められる。
熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、高速伝送時の伝送損失の小さい材料として知られている
（１１ｃ）　「【００１２】
（熱可塑性液晶ポリマーフィルム）
　熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、溶融成形できる液晶性ポリマー（または溶融時における光学的異方性を有する液晶性ポリマー）から形成され、この熱可塑性液晶ポリマーは、溶融成形できる液晶性ポリマーであればその化学的構成については特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性液晶ポリエステル、又はこれにアミド結合が導入された熱可塑性液晶ポリエステルアミドなどを挙げることができる。
【００１３】
　また熱可塑性液晶ポリマーは、芳香族ポリエステルまたは芳香族ポリエステルアミドに、更にイミド結合、カーボネート結合、カルボジイミド結合やイソシアヌレート結合などのイソシアネート由来の結合等が導入されたポリマーであってもよい。
【００１４】
　本発明に用いられる熱可塑性液晶ポリマーの具体例としては、以下に例示する（１）から（４）に分類される化合物およびその誘導体から導かれる公知の熱可塑性液晶ポリエステルおよび熱可塑性液晶ポリエステルアミドを挙げることができる。ただし、光学的に異方性の溶融相を形成し得るポリマーを形成するためには、種々の原料化合物の組合せには適当な範囲があることは言うまでもない。
【００１５】
（１）芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物（代表例は表１参照）
【表１】
【００１６】
（２）芳香族または脂肪族ジカルボン酸（代表例は表２参照）
【表２】
【００１７】
（３）芳香族ヒドロキシカルボン酸（代表例は表３参照）
【表３】
【００１８】
（４）芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸（代表例は表４参照）
【表４】
【００１９】
　これらの原料化合物から得られる液晶ポリマーの代表例として表５および６に示す構造単位を有する共重合体を挙げることができる。
【００２０】
【表５】
【００２１】
【表６】
【００２２】
　これらの共重合体のうち、ｐ―ヒドロキシ安息香酸および／または６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸を少なくとも繰り返し単位として含む重合体が好ましく、特に、（ｉ）ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む重合体、（ｉｉ）ｐ−ヒドロキシ安息香酸および６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸と、４，４’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む重合体が好ましい。
【００２３】
　例えば、（ｉ）の重合体では、熱可塑性液晶ポリマーが、少なくともｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位（Ａ）のｐ−ヒドロキシ安息香酸と、繰り返し単位（Ｂ）の６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸とのモル比（Ａ）／（Ｂ）は、液晶ポリマー中、（Ａ）／（Ｂ）＝１０／９０〜９０／１０程度であるのが望ましく、より好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝５０／５０〜８５／１５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝６０／４０〜８０／２０程度であってもよい。
【００２４】
　また、（ｉｉ）の重合体の場合、ｐ−ヒドロキシ安息香酸および６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）と、４，４’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオール（Ｄ）と、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸（Ｅ）の、液晶ポリマーにおける各繰り返し単位のモル比は、芳香族ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）：前記芳香族ジオール（Ｄ）：前記芳香族ジカルボン酸（Ｅ）＝３０〜８０：３５〜１０：３５〜１０程度であってもよく、より好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝３５〜７５：３２．５〜１２．５：３２．５〜１２．５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝４０〜７０：３０〜１５：３０〜１５程度であってもよい。
【００２５】
　また、芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位と芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位とのモル比は、（Ｄ）／（Ｅ）＝９５／１００〜１００／９５であることが好ましい。この範囲をはずれると、重合度が上がらず機械強度が低下する傾向がある。
【００２６】
　なお、本発明にいう溶融時における光学的異方性とは、例えば試料をホットステージにのせ、窒素雰囲気下で昇温加熱し、試料の透過光を観察することにより認定できる。
【００２７】
　熱可塑性液晶ポリマーとして好ましいものは、融点（以下、Ｍｐと称す）が２６０〜３６０℃の範囲のものであり、さらに好ましくはＭｐが２７０〜３５０℃のものである。なお、Ｍｐは示差走査熱量計（（株）島津製作所ＤＳＣ）により主吸熱ピークが現れる温度を測定することにより求められる。
【００２８】
　前記熱可塑性液晶ポリマーには、本発明の効果を損なわない範囲内で、ポリエチレンテレフタレート、変性ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエステルエーテルケトン、フッ素樹脂等の熱可塑性ポリマーを添加してもよい。
【００２９】
　本発明に使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して得られる。熱可塑性液晶ポリマーの剛直な棒状分子の方向を制御できる限り、任意の押出成形法が適用できるが、周知のＴダイ法、ラミネート体延伸法、インフレーション法などが工業的に有利である。特にインフレーション法やラミネート体延伸法では、フィルムの機械軸方向（以下、ＭＤ方向と略す）だけでなく、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）にも応力が加えられ、ＭＤ方向とＴＤ方向における誘電特性を制御したフィルムが得られる。
【００３０】
　押出成形では、配向を制御するために、延伸処理を伴うのが好ましく、例えば、Ｔダイ法による押出成形では、Ｔダイから押出した溶融体シートを、フィルムの機械軸方向（以下、ＭＤ方向と略す）だけでなく、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）の双方に対して同時に延伸してもよいし、またはＴダイから押出した溶融体シートを一旦ＭＤ方向に延伸し、ついでＴＤ方向に延伸してもよい。
【００３１】
　また、インフレーション法による押出成形では、リングダイから溶融押出された円筒状シートに対して、所定のドロー比（ＭＤ方向の延伸倍率に相当する）およびブロー比（ＴＤ方向の延伸倍率に相当する）で延伸してもよい。
【００３２】
　このような押出成形の延伸倍率は、ＭＤ方向の延伸倍率（またはドロー比）として、例えば、１．０〜１０程度であってもよく、好ましくは１．２〜７程度、さらに好ましくは１．３〜７程度であってもよい。また、ＴＤ方向の延伸倍率（またはブロー比）として、例えば、１．５〜２０程度であってもよく、好ましくは２〜１５程度、さらに好ましくは２．５〜１４程度であってもよい。
【００３３】
　そして、ＭＤ方向とＴＤ方向とのそれぞれの延伸倍率の比（ＴＤ方向／ＭＤ方向）は、例えば、２．６以下、好ましくは０．４〜２．５程度であってもよい。
【００３４】
　また、必要に応じて、押出成形された原反シートに対して、公知または慣用の熱処理（例えば、液晶ポリマーの融点（Ｍｐ）以上（例えば、Ｍｐ〜Ｍｐ＋３０℃程度、好ましくはＭｐ＋１０〜Ｍｐ＋２０℃程度）で熱処理を行い、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点や熱膨張係数を調整してもよい。
【００３５】
　また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、押出成形した後に、必要に応じて延伸を行ってもよい。延伸方法自体は公知であり、二軸延伸、一軸延伸のいずれを採用してもよいが、分子配向度を制御することがより容易であることから、二軸延伸が好ましい。また、延伸は、公知の一軸延伸機、同時二軸延伸機、逐次二軸延伸機などが使用できる。
【００３６】
　以上のようにして得られた熱可塑性液晶ポリマーフィルムでは、剛直な棒状分子の方向性が制御された結果、分子配向度を示すＳＯＲ(Segment Orientation Ratio)が、例えば、ＳＯＲ≦１．２０（例えば、１．０２〜１．２０程度）であってもよく、好ましくは１．０５〜１．１９、さらに好ましくは１．０７〜１．１９であってもよい。ここで、分子配向度ＳＯＲとは、分子配向の度合いを与える指標をいい、従来のＭＯＲ(Molecular Orientation Ratio)とは異なり、物体の厚さを考慮した値である。本発明で使用する熱可塑性液晶ポリマーフィルムのＳＯＲは、ＭＤ方向の誘電特性を改善し且つＭＤ方向とＴＤ方向との間における機械的性質および熱的性質のバランスが良好を考慮する必要があり、ＳＯＲは、後述する実施例に記載された方法により測定された値を示す。
【００３７】
　本発明において使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、任意の厚みであってもよく、そして、５ｍｍ以下の板状またはシート状のものをも包含する。ただし、高周波伝送線路に使用する場合は、厚みが厚いほど伝送損失が小さくなるので、できるだけ厚みを厚くする必要がある。しかしながら電気絶縁層として熱可塑性液晶ポリマーフィルムを単独で用いる場合、そのフィルムの膜厚は、１０〜５００μｍの範囲内にあることが好ましく、１５〜２００μｍの範囲内がより好ましい。フィルムの厚さが薄過ぎる場合には、フィルムの剛性や強度が小さくなることから、フィルム膜厚１０〜２００μｍの範囲のフィルムを積層させて任意の厚みを得る方法を使用してもよい。」
（１１ｄ）　「【００５０】
（熱可塑性液晶ポリマーフィルム）
　ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合物で、融点が２８０℃である熱可塑性液晶ポリマーを溶融押出し、インフレーション成形することにより得られた、膜厚が５０μｍの熱可塑性液晶ポリマーフィルム（分子配向度：１．０５）を用いた。
【００５１】
（回路基板）
　上記の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの上下に、表７に示す銅箔を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２９５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、10分間、圧着して、電解銅箔／熱可塑性液晶ポリマーフィルム／電解銅箔の構成の積層体（Ａ）を作製した。得られた積層体の銅箔面に回路パターンを化学エッチング法により作製し、回路パターンを有する積層体（Ｂ）を得た。」
１２　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第１２号証には、「繰り返し屈曲用途向け両面フレキシブル回路基板」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（１２ａ）　「【請求項１】
　絶縁層の両側に、導体回路とカバー材とが設けられた両面フレキシブル回路基板において、絶縁層は厚み10〜100μmの液晶ポリマーフィルムからなり、カバー材は絶縁層とは熱変形温度の異なる液晶ポリマーフィルムのみからなるものであって、下記計算式（1）によって算出される銅箔歪み値Yが0.5〜3％の範囲で使用され、該両面フレキシブル回路基板が、屈曲部と非屈曲部を有し、屈曲部が、周回されて使用されていることを特徴とする周回部を有する両面フレキシブル回路基板。・・・」
（１２ｂ）　「【０００３】
　高周波信号を伝送するためには低誘電率、低誘電正接である材料を用いることが必要である。ここで、液晶ポリマーフィルムは、高耐熱性、吸湿寸法安定性、高周波電気特性等に優れた材料として知られている。例えば、従来の回路基板では、寸法の安定性を狙うためにガラス繊維と接着剤としての樹脂を用いたプリプレグ層を絶縁体として用いており、また、微細配線を有する回路基板においても微細配線間への充填性を確保するため、接着剤を塗布したフィルムを用いてカバー材としている。しかしながら、高周波信号を伝送することに対して、上記材料は適さない。ここで、絶縁層とカバー材を同一材料とする、又は、カバー材に液晶ポリマーフィルムのみを用いることで、絶縁層及びカバー材の材料特性を考慮せず、液晶ポリマーフィルムの特性を損なわないフレキシブル回路基板を構成することができる。」
（１２ｃ）　「【００４０】
実施例１
　厚さ25μmの液晶ポリマーフィルム280（クラレ社製ベクスター、熱変形温度280℃）を絶縁層とし、その両面に厚さ18μｍの圧延銅箔（日鉱マテリアルズ社製BHY-22B-T）を有する両面銅張積層板にドライフィルムをラミネートし、レジスト幅100μm、回路幅100μmのパターンフィルムを使用してUV露光により回路パターンを形成した。・・・」
１３　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第１３号証には、「粗化処理銅箔、粗化処理銅箔の製造方法及び銅張積層板」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（１３ａ）　「【０００１】
　本件発明は、粗化処理銅箔及び粗化処理銅箔の製造方法に関する。特に、プリント配線板製造に用いる液晶ポリマー基材との密着性に優れた粗化処理面を備える銅箔に関する。」
（１３ｂ）　「【０００７】
　特許文献６には、吸湿性が低く、高温での半田耐熱性を有する液晶ポリマーフィルムと銅箔とをラミネートした銅張積層板を製造し、これにファインパターンを形成することが可能な高周波プリント配線板用銅箔として、銅箔の少なくとも一方の面に直径が０．０５〜１．０μｍである球状の微細な粗化粒子からなる粗化処理層を施し、更に該粗化処理層上にモリブデン、ニッケル、タングステン、リン、コバルト、ゲルマニウムの内の少なくとも一種類以上からなる耐熱・防錆層を施し、更に該耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を施し、更に該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を施すことを特徴とするものが開示されている。
【０００８】
　特許文献７には、ＰＰＥ樹脂含浸基材を代表とする高周波基板に対して強い引き剥がし強さを得ることができ、粗面粗度を超低粗度にする事でエッチングによる回路パターン形成後の回路ボトムラインの直線性を高め伝送損失の低減が可能な高周波プリント配線板用銅箔等が開示され、「少なくとも銅箔の片面に粗化粒子を付着して、その表面粗さＲｚ：２．５〜４．０μｍであり、明度値：２５以下である粗化処理面とした表面処理銅箔と、５０％以上が熱可塑性液晶ポリマーからなる絶縁基板とが積層されてなることを特徴とする基板用複合材。」と記載されている。」
（１３ｃ）　「【００６３】
　引き剥がし強度測定用試料は、当該粗化処理銅箔と液晶ポリマー基材とを、２９０℃のプレス温度で張り合わせて、銅張積層板を製造し、エッチング法で、引き剥がし強さ測定用の１０ｍｍ幅直線回路を形成したものを用いた。・・・」
１４　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第１４号証には、「フレキシブルプリント配線板用積層板の製造方法、フレキシブルプリント配線板用積層板及びフレキシブルプリント配線板」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（１４ａ）　「【請求項１】
　一対のエンドレスベルト間に液晶ポリマーで形成される絶縁フィルムと金属箔とを連続的に供給し、前記エンドレスベルト間で絶縁フィルムと金属箔とを重ねると共に熱圧成形することを特徴とするフレキシブルプリント配線板用積層板の製造方法。」
（１４ｂ）　「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、高周波特性が高く、且つ寸法安定性の高いフレキシブルプリント配線板を製造することができるフレキシブルプリント配線板用積層板の製造方法、フレキシブルプリント配線板用積層板、及びフレキシブルプリント配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　本発明に係るフレキシブルプリント配線板用積層板１の製造方法は、一対のエンドレスベルト４間に液晶ポリマーで形成される絶縁フィルム２と金属箔３とを連続的に供給し、前記エンドレスベルト４間で絶縁フィルム２と金属箔３とを重ねると共に熱圧成形することを特徴とする。」
（１４ｃ）　「【００４５】
　尚、表１中の絶縁フィルムの材質のうち、ＬＣＰは液晶ポリマーフィルム（株式会社クラレ製の品番「ベクスターＣＴＳ５０Ｎ」、融点３２５℃）を、ＰＩはポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製の品番「ユーピレックス５０ＶＴ」）を、それぞれ示す。」
１５　本件特許に係る出願の優先日前に頒布された甲第１５号証には、「表面処理銅箔及びその製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
（１５ａ）　「【請求項６】
  請求項４又は５記載の表面処理銅箔を、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマーから選ばれる絶縁基板に貼り合わせて作成したことを特徴とする基板用複合材。」
（１５ｂ）　「【００１４】
  本発明は、このような従来技術の問題点を解消すべくなされたものであり、一般的に使用されているエポキシ樹脂・ポリイミドフィルム及び吸湿性が著しく低いために誘電特性の変化が少なく、半田付けに耐えられる耐熱性を有しながら、加熱により銅箔とラミネートが可能であるが、ピール強度が得られにくい液晶ポリマー樹脂に対し、ピール強度が大きく、ファインパターン化を可能とした表面処理銅箔であり該表面処理銅箔を使用して、高周波特性が良好な回路基板を提供することにある。」
（１５ｃ）　「【００５２】
（ハ）絶縁基板用フィルム：
(i）液晶ポリマーフィルム（絶縁基板）１（以下「フィルム１」とする）
    ジャパンゴアテックス（株）製のＩ型液晶ポリマーフィルム、BIAC  BA050F−NTを用いた。
(ii)液晶ポリマーフィルム（絶縁基板）２（以下「フィルム２」とする）
    ジャパンゴアテックス（株）製のII型液晶ポリマーフィルム、BIAC  BC050F−NTを用いた。
・・・
【００５４】
  次に、このようにして得た表面処理銅箔に、以下のようにして液晶ポリマーフィルム（絶縁基板）のラミネートを行なった。
  即ち、上記のようにして得た表面処理銅箔と前記フィルム１又はフィルム２のいずれかとを積層し、多段式真空プレス機（北川製作所製ホットアンドコールドプレスVH3−1377）を用いて、前記フィルム１の場合には３３５℃で４ＭＰａの条件で、前記フィルム２の場合には３１０℃で４ＭＰａの条件で、５分間保持した後冷却してラミネート処理を行い基板用複合材とした。室温からの昇温は、７℃／分の速度で行った。」
第５　甲号証に記載された発明
１　甲第１号証に記載された発明
　甲第１号証の上記（１ａ）、（１ｄ）の記載によれば、甲第１号証には、以下の発明が記載されていると認められる。
　「液晶ポリマー、ポリフッ化エチレン、イソシアネート化合物、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテルのいずれかからなる樹脂基材に貼り合わされる粗化処理銅箔であって、
前記粗化処理銅箔表面に、金属めっき層が設けられ、
前記金属めっき層上に防錆層が設けられ、
前記防錆層の表面が、エポキシ系、アミノ系、ビニル系のいずれかのシランカップリング剤で処理されており、
前記粗化処理銅箔の表面粗さＲｚが１．１μｍ以下である、
粗化処理銅箔。」（以下、「甲１発明」という。）
２　甲第２号証に記載された発明
　甲第２号証の上記（２ａ）、（２ｃ）、（２ｄ）の【００３６】の記載によれば、甲第２号証には、以下の発明が記載されていると認められる。
　「ポリイミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホン、液晶ポリマーのいずれかからなる絶縁層に接着される電解銅箔であって、
前記絶縁層に接着される接着面は、９９〜５０ｗｔ％ニッケルと、１〜５０ｗｔ％亜鉛とからなるニッケル−亜鉛合金層上にクロメート層を形成した防錆処理層を備え、
前記防錆処理層表面には、アミノ官能性シランカップリング剤を吸着させたシランカップリング剤吸着層が形成され、
前記電解銅箔表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．０５〜１．５μｍである、
電解銅箔。」（以下、「甲２発明」という。）
第６　対比・判断
１　申立理由１−１について
（１）　本件発明１について
ア　本件発明１と甲１発明との対比
　本件発明１と甲１発明とを対比する。
（ア）　甲１発明の「粗化処理銅箔」は、「前記粗化処理銅箔表面に、金属めっき層が設けられ、
前記金属めっき層上に防錆層が設けられ、
前記防錆層の表面が、エポキシ系、アミノ系、ビニル系のいずれかのシランカップリング剤で処理されて」いるものであるから、表面処理銅箔であるといえる。
　また、甲１発明の「液晶ポリマー、ポリフッ化エチレン、イソシアネート化合物、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテルのいずれかからなる樹脂基材に貼り合わされる粗化処理銅箔」と、本件発明１の「液晶ポリマーに接合される表面処理銅箔」とは、ポリマーに接合される表面処理銅箔である点で共通する。
（イ）　甲１発明において、「粗化処理銅箔の表面粗さＲｚ」は、甲第１号証の上記（１ｄ）の【００２５】の記載によれば、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１の規定に準じて測定される値であるから、十点平均粗さであることは技術常識であって、その範囲は、「１．１μｍ以下」であるところ、「前記粗化処理銅箔表面に、金属めっき層が設けられ、
前記金属めっき層上に防錆層が設けられ、
前記防錆層の表面が、エポキシ系、アミノ系、ビニル系のいずれかのシランカップリング剤で処理されて」いる表面（以下、「粗化処理銅箔の処理表面」という。）のＲｚは、「粗化処理銅箔の表面粗さＲｚ」よりも大きくなることはないから、１．１μｍ以下であるといえる。
　そうすると、甲１発明の「粗化処理銅箔の処理表面」のＲｚは１．１μｍ以下であり、一方、本件発明１の「該表面処理銅箔表面の十点平均粗さＲｚ」は、「１．６μｍ以下」であるから、甲１発明の上記Ｒｚの範囲は、本件発明１のＲｚの範囲に含まれている。
（ウ）　以上から、本件発明１と甲１発明とは、「ポリマーに接合される表面処理銅箔であって、該表面処理銅箔表面の十点平均粗さＲｚが１．１μｍ以下である表面処理銅箔。」である点で一致し、以下の２点で相違する。
相違点１−１：表面処理銅箔について、本件発明１は、「液晶ポリマーに接合される」ものであるのに対し、甲１発明は、「液晶ポリマー、ポリフッ化エチレン、イソシアネート化合物、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテルのいずれかからなる樹脂基材に貼り合わされる」ものである点。
相違点１−２：表面処理銅箔表面のＳｉの付着量及びＮの付着量について、本件発明１は、Ｓｉの付着量が３．５〜２４３．５μｇ／ｄｍ2であり、Ｎの付着量が４．５〜３９９．３μｇ／ｄｍ2であるのに対し、甲１発明は、Ｓｉの付着量及びＮの付着量のいずれもが不明である点。
イ　相違点についての判断
（ア）　まず、本件発明１において、相違点１−１に係る、表面処理銅箔が、液晶ポリマーに接合されることと、相違点１−２に係る、該表面処理銅箔表面のＳｉの付着量及びＮの付着量との関連性について検討する。
　本件特許明細書【００１１】の記載によれば、本件発明１が解決すべき課題は、「高周波用途に好適な液晶ポリマー（ＬＣＰ）に銅箔を積層したフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）用銅箔を提供するに際して、ピール強度を向上させた銅箔を得ること」である。
　そして、本件特許明細書の【００２２】の「
高周波回路用途に用いることができる表面処理銅箔は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ
２
であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ
２
であることを特徴とする。これによって、銅箔を液晶ポリマー（ＬＣＰ）積層基板に接着する際に、接着強度（ピール強度）を高めることが可能となる
接着強度を高めた銅箔は、液晶ポリマーからなるフレキシブルプリント回路基板用として最適な高周波回路用銅箔となる
　そうすると、本件発明１において、表面処理銅箔が、液晶ポリマーに接合されることと、該表面処理銅箔表面のＳｉの付着量及びＮの付着量を所定の範囲にすることとは、密接に関連しているといえるから、相違点１−１と相違点１−２とを併せて検討する。
（イ）　本件特許明細書の【００３８】には、銅箔表面にＳｉ及びＮを付着させる方法の一例として、アミノシランを用いたシランカップリング処理が記載されているところ、甲１発明は、シランカップリング剤として、「エポキシ系、アミノ系、ビニル系」の中から、アミノ系のシランカップリング剤を選択し得るものであり、このアミノ系のシランカップリング剤で処理した「粗化処理銅箔の処理表面」には、Ｓｉ及びＮが付着しているといえる。
　また、甲１発明は、粗化処理銅箔に貼り合わせる樹脂基材として、「液晶ポリマー、ポリフッ化エチレン、イソシアネート化合物、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル」の中から、液晶ポリマーを選択し得るものである。
　しかし、甲第１号証には、液晶ポリマーからなる樹脂基材に貼り合わされる粗化処理銅箔において、アミノ系のシランカップリング剤で処理した際の、「粗化処理銅箔の処理表面」のＳｉの付着量及びＮの付着量を所定の範囲にすることについては、何ら記載も示唆もされていない。
（ウ）　また、液晶ポリマーからなる樹脂基材に貼り合わされる粗化処理銅箔において、アミノ系のシランカップリング剤で処理した際の、「粗化処理銅箔の処理表面」のＳｉの付着量及びＮの付着量を所定の範囲にすることについては、甲第３号証〜甲第１５号証のいずれにも、何ら記載も示唆もされていないから、この点が、本件特許に係る出願の優先日前において、周知技術であるともいえない。
（エ）　そうすると、「高周波用途に好適な液晶ポリマー（ＬＣＰ）に銅箔を積層したフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）用銅箔を提供するに際して、ピール強度を向上させた銅箔を得る」という課題を解決するために、「液晶ポリマーに接合される表面処理銅箔において、該表面処理銅箔表面のＳｉの付着量及びＮの付着量を所定の範囲にする」という本件発明１の技術思想（上記（ア）参照。）は、甲第１号証及び甲第３〜１５号証には記載も示唆もされていないし、また、「銅箔を液晶ポリマー積層基板に接着する際に、接着強度（ピール強度）を高めることができ、このように、接着強度を高めた銅箔は、液晶ポリマーからなるフレキシブルプリント回路基板用として、最適な高周波回路用銅箔となる」という本件発明１の効果（上記（ア）参照。）は、甲第１号証及び甲第３〜１５号証の記載からは予測し得ないものである。
（オ）　したがって、甲１発明において、樹脂基材として液晶ポリマーを選択し、シランカップリング剤として、アミノ系のシランカップリング剤を選択するとともに、「粗化処理銅箔の処理表面」のＳｉの付着量及びＮの付着量を、相違点１−２に係る本件発明１の範囲にすることは、当業者にとって容易に想到し得るものとはいえない。
　よって、本件発明１は、甲１発明及び甲第３号証〜甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得るものとはいえないし、また、本件発明１は、甲１発明、周知技術（甲第３号証〜甲第７号証）及び甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得るものともいえない。
（２）　本件発明２〜２４について
　本件発明２〜２４は、本件発明１の全ての発明特定事項を有しているから、上記（１）の判断と同様の理由により、甲１発明及び甲第３号証〜甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得るものとはいえないし、また、甲１発明、周知技術（甲第３号証〜甲第７号証）及び甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得るものともいえない。
（３）　まとめ
　以上から、本件発明１〜２４は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３号証〜甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、また、本件発明１〜２４は、甲第１号証に記載された発明、周知技術（甲第３号証〜甲第７号証）及び甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
２　申立理由１−２について
（１）　本件発明１について
ア　本件発明１と甲２発明との対比
　本件発明１と甲２発明とを対比する。
（ア）　甲２発明の「電解銅箔」は、「前記絶縁層に接着される接着面」に、「９９〜５０ｗｔ％ニッケルと、１〜５０ｗｔ％亜鉛とからなるニッケル−亜鉛合金層上にクロメート層を形成した防錆処理層を備え、
前記防錆処理層表面には、アミノ官能性シランカップリング剤を吸着させたシランカップリング剤吸着層が形成され」ているものであるから、表面処理銅箔であるといえる。
　また、甲２発明の「ポリイミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホン、液晶ポリマーのいずれかからなる絶縁層に接着される電解銅箔」と、本件発明１の「液晶ポリマーに接合される表面処理銅箔」とは、ポリマーに接合される表面処理銅箔である点で共通する。
（イ）　甲２発明の「前記電解銅箔の表面粗度（Ｒｚ）」の範囲である「０．０５〜１．５μｍ」は、本件発明１の「該表面処理銅箔表面の十点平均粗さＲｚ」の範囲である「１．６２μｍ以下」に含まれている。
（ウ）　以上から、本件発明１と甲２発明とは、「ポリマーに接合される表面処理銅箔であって、該表面処理銅箔表面の十点平均粗さＲｚが０．０５〜１．５μｍである表面処理銅箔。」である点で一致し、以下の２点で相違する。
相違点２−１：表面処理銅箔について、本件発明１は、「液晶ポリマーに接合される」ものであるのに対し、甲２発明は、「ポリイミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホン、液晶ポリマーのいずれかからなる絶縁層に接着される」ものである点。
相違点２−２：表面処理銅箔表面のＳｉの付着量及びＮの付着量について、本件発明１は、Ｓｉの付着量が３．５〜２４３．５μｇ／ｄｍ2であり、Ｎの付着量が４．５〜３９９．３μｇ／ｄｍ2であるのに対し、甲２発明は、Ｓｉの付着量及びＮの付着量のいずれもが不明である点。
イ　相違点についての判断
（ア）　まず、本件発明１において、相違点２−１に係る、表面処理銅箔が、液晶ポリマーに接合されることと、相違点２−２に係る、該表面処理銅箔表面のＳｉの付着量及びＮの付着量を所定の範囲にすることとの関連性について検討するに、上記１（１）イ（ア）で検討したように、本件発明１において、表面処理銅箔が、液晶ポリマーに接合されることと、該表面処理銅箔表面のＳｉの付着量及びＮの付着量を所定の範囲にすることとは、密接に関連しているといえるから、相違点２−１と相違点２−２とを併せて検討する。
（イ）　本件特許明細書の【００３８】には、銅箔表面にＳｉ及びＮを付着させる方法の一例として、アミノシランを用いたシランカップリング処理が記載されているところ、甲２発明の「電解銅箔」は、「前記絶縁層に接着される接着面」に、「９９〜５０ｗｔ％ニッケルと、１〜５０ｗｔ％亜鉛とからなるニッケル−亜鉛合金層上にクロメート層を形成した防錆処理層を備え、前記防錆処理層表面には、アミノ官能性シランカップリング剤を吸着させたシランカップリング剤吸着層が形成され」ているから、電解銅箔表面に、アミノシランを用いたシランカップリング処理を行っており、その表面には、Ｓｉ及びＮが付着しているといえる。
　また、甲２発明は、電解銅箔に接着する絶縁層として、「ポリイミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホン、液晶ポリマー」の中から、液晶ポリマーを選択し得るものである。
　しかし、甲第２号証には、液晶ポリマーからなる絶縁層に接着される電解銅箔の表面に、アミノシランを用いたシランカップリング処理を行った際の、当該表面のＳｉの付着量及びＮの付着量については、何ら記載も示唆もされていない。また、甲第２号証には、当該表面のＳｉの付着量及びＮの付着量を所定の範囲にすることについても、何ら記載も示唆もされていない。
（ウ）　また、液晶ポリマーからなる絶縁層に接着される電解銅箔の表面に、アミノシランを用いたシランカップリング処理を行った際の、当該表面のＳｉの付着量及びＮの付着量を所定の範囲にすることについては、甲第３号証〜甲第１５号証のいずれにも、何ら記載も示唆もされていないから、この点が、本件特許に係る出願の優先日前において、周知技術であるともいえない。
（エ）　そうすると、「高周波用途に好適な液晶ポリマー（ＬＣＰ）に銅箔を積層したフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）用銅箔を提供するに際して、ピール強度を向上させた銅箔を得る」という課題を解決するために、「液晶ポリマーに接合される表面処理銅箔において、該表面処理銅箔表面のＳｉの付着量及びＮの付着量を所定の範囲にする」という本件発明１の技術思想（上記１（１）イ（ア）参照。）は、甲第２号証及び甲第３号証〜甲第１５号証には記載も示唆もされていないし、また、「銅箔を液晶ポリマー積層基板に接着する際に、接着強度（ピール強度）を高めることができ、このように、接着強度を高めた銅箔は、液晶ポリマーからなるフレキシブルプリント回路基板用として、最適な高周波回路用銅箔となる」という本件発明１の効果（上記１（１）イ（ア）参照。）は、甲第２号証及び甲第３号証〜甲第１５号証の記載からは予測し得ないものである。
（オ）　したがって、甲２発明において、絶縁層として液晶ポリマーを選択するとともに、電解銅箔表面のＳｉの付着量及びＮの付着量を、相違点２−２に係る本件発明１の範囲にすることは、当業者にとって容易に想到し得るものであるとはいえない。
　よって、本件発明１は、甲２発明及び甲第３号証〜甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得るものとはいえないし、また、本件発明１は、甲２発明、周知技術（甲第３号証〜甲第７号証）及び甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得るものともいえない。
（２）　本件発明２〜２４について
　本件発明２〜２４は、本件発明１の全ての発明特定事項を有しているから、上記（１）の判断と同様の理由により、甲１発明及び甲第３号証〜甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得るものとはいえないし、また、甲１発明、周知技術（甲第３号証〜甲第７号証）及び甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得るものともいえない。
（３）　まとめ
　以上から、本件発明１〜２４は、甲第２号証に記載された発明及び甲第３号証〜甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、また、本件発明１〜２４は、甲第２号証に記載された発明、周知技術（甲第３号証〜甲第７号証）及び甲第８号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
第７　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜２４に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、他に請求項１〜２４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１１月８日（２０１６．１１．８）