【事件の表示】
　特許第５７１５９８１号「基板処理方法および基板処理装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７１５９８１号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第５７１５９８１号は、平成２４年３月２８日に出願され、平成２７年３月２０日に特許の設定登録がなされ、同年５月１３日に特許掲載公報が発行され、その後、同年１１月１２日付けで、その請求項１ないし５に係る特許に対し、特許異議申立人鈴木啓文により特許異議の申立てがなされたものである。
　
第２　本件特許発明
　本件特許第５７１５９８１号の請求項１ないし５に係る発明（以下「本件特許発明１」ないし「本件特許発明５」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項によって特定される次のとおりのものである。（なお、Ａ．〜Ｎ．（Ｍ１．〜Ｍ７．及びＮ１．〜Ｎ４．を含む）の分節の記号は異議申立書に記載のとおりのものである。以下、Ａ．〜Ｎ．，Ｍ１．〜Ｍ７．及びＮ１．〜Ｎ４．の分節で特定される事項を、それそれ、「構成要件Ａ」〜「構成要件Ｎ」，「構成要件Ｍ１」〜「構成要件Ｍ７」及び「構成要件Ｎ１」〜「構成要件Ｎ４」という）
　
「【請求項１】
Ａ．基板の表面に形成されたレジスト膜を、硫酸および過酸化水素水を混合して生成したＳＰＭ液を用いて除去する基板処理方法において、
Ｂ．第１温度の硫酸に過酸化水素水を第１の混合比で混合することにより生成したＳＰＭ液をノズルから基板に供給する第１工程と、
Ｃ．第１工程の前または後に実行される第２工程であって、第２温度の硫酸に過酸化水素水を第２混合比で混合することにより生成したＳＰＭ液をノズルから前記基板に供給する第２工程と、
を備え、
Ｄ．前記レジスト膜は、表面にイオン注入がされた表面硬質層を有するレジスト膜であり、
Ｅ．前記第１工程は前記第２工程の前に実行され、
Ｆ．少なくとも、前記第１温度が前記第２温度より高いか、若しくは前記第１混合比が前記第２混合比より高いことを特徴とする、基板処理方法。
【請求項２】
Ｇ．前記第１工程で前記表面硬質層を破壊し、前記第２工程で前記表面硬質層が破壊された後のレジスト膜を除去する、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
Ｈ．前記第１工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第１経路長が、前記第２工程において硫酸と過酸化水素水とが混合される位置から前記ノズルまでの第２経路長より短い、請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
Ｉ．硫酸と過酸化水素水とを混合してなるＳＰＭ液を基板に供給することにより、前記基板の表面に形成された表面にイオン注入がされた表面硬質層を有するレジスト膜を除去する基板処理装置において、
Ｊ．基板を水平に保持する基板保持部と、
Ｋ．前記基板保持部を回転させて基板を鉛直軸線周りに回転させる駆動機構と、
Ｌ．前記基板保持部に保持された基板にＳＰＭ液を供給するノズルと、
Ｍ．　前記ノズルにＳＰＭ液を供給するＳＰＭ供給部であって、
Ｍ１．硫酸供給部によって供給される硫酸を流すための硫酸供給路と、
Ｍ２．硫酸を加熱するヒータと、
Ｍ３．前記硫酸供給路を流れる硫酸の流量を調節する硫酸流量調節手段と、
Ｍ４．過酸化水素水供給部により供給される過酸化水素水を流すための過酸化水素水供給路と、
Ｍ５．前記過酸化水素水供給路を流れる過酸化水素水の流量を調節する過酸化水素水流量調節手段と、
Ｍ６．前記過酸化水素水供給路から分岐するとともに前記ノズルまでの距離が互いに異なる位置において前記硫酸供給路に接続された複数の分岐路と、
Ｍ７．前記複数の分岐路から、前記過酸化水素水供給路から前記硫酸供給路に過酸化水素水を流すための少なくとも１つの分岐路を選択するための選択手段と、
を有するＳＰＭ供給部と、
Ｎ．制御装置と、を備え、
Ｎ１．前記制御装置は、前記ＳＰＭ供給部を制御して、一枚の基板に対して、第１温度の硫酸に過酸化水素水を第１の混合比で混合することにより生成したＳＰＭ液を前記ノズルから基板に供給し、
Ｎ２．その後に第２温度の硫酸に過酸化水素水を第２混合比で混合することにより生成したＳＰＭ液を前記ノズルから前記基板に供給し、
Ｎ３．このとき、前記ヒータの設定温度を変化させるか、または、硫酸と過酸化水素水との混合比を変化させることにより、少なくとも、前記第１温度が前記第２温度より高いか、若しくは前記第１混合比が前記第２混合比より高いようにすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
Ｎ４．前記制御装置は、一枚の基板の処理中において、前記ヒータの設定温度が変化したか、または、硫酸と過酸化水素水との混合比が変化したときに、前記選択手段により選択される分岐路が変更されるように、前記ＳＰＭ供給部を制御する、請求項４記載の基板処理装置。」
　
第３　特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１ないし４号証を提出して、本件特許発明１ないし５は、いずれも、甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、それらの特許は、特許法第２９条の規定に違反してなされたものであり、取り消すべきものである旨の主張をしている。
　
　・甲第１号証：特開２０１０−２２５７８９号公報
　・甲第２号証：特開２０１１−９３００号公報
　・甲第３号証：特開２０１１−２２８４３８号公報
　・甲第４号証：特開２０１１−６１０３４号公報
　
第４　甲第１〜４号証に記載された事項、及び、甲第１号証に記載された発明
１　甲第１号証について
（１）甲第１号証には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。以下、甲第２〜４号証において同じ。）
ア　「【技術分野】
【０００１】
　この発明は、硫酸と過酸化水素水とを混合してなる液体をレジスト剥離液として、該レジスト剥離液により、基板表面に形成されたレジストを除去する基板処理装置に関するものである。ここで、処理対象となる基板としては、例えば半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板およびフォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
　半導体デバイスの製造工程においては、
半導体表面を局所的に感光性樹脂などのレジストによって覆い、その状態でエッチングやイオン注入など各種の処理が施される
硫酸と過酸化水素水とを混合してなる硫酸過水（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；ＳＰＭ）をレジスト剥離液として用いた
【０００３】
　この反応熱による昇温作用をより効果的に利用するため、本願出願人は、それぞれ個別に供給源から供給される硫酸と過酸化水素水とをミキシングバルブで混合した後のＳＰＭを、経路長の異なる複数の配管から選択した１つに流通させることで経路長を変化させ、これによりＳＰＭの温度上昇を促進させる技術を先に開示した（特許文献１参照）。」
イ　「【０００５】
　ところで、ＳＰＭにより除去すべき対象となるレジストは、その種類によって、あるいは該レジストが基板とともに受けた処理の内容によって、ＳＰＭに対する耐性が異なっている。したがって、レジストの性質によって最適なＳＰＭの流量、混合比、温度などの条件が異なっており、処理対象物に応じて、あるいは混合前の硫酸や過酸化水素水、周囲の温度などに応じてこれらを適宜切り換えることが必要な場合がある。しかしながら、混合後の配管長を切り換える構造としている上記従来技術においては、例えば配管を切り換えたときに、それまで使用していなかった配管に残留する液や配管が冷えているために液温が変動してしまい、速やかな切り換えに対応することができない可能性があった。」
ウ　「【０００７】
　この発明は、
硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板の表面に供給して基板表面のレジストを除去する基板処理装置
前記複数のミキシングポイントの各々において、前記過酸化水素水供給路から前記硫酸供給路に流入する過酸化水素水の流入量を個別に制御
【０００８】
　このように構成された発明では、ノズルまで通ずる硫酸供給路に、昇温された硫酸が通送されている。そして、その硫酸供給路の途中に設けられた複数のミキシングポイントへの過酸化水素水の流入量がミキシングポイントごとに制御される。そのため、硫酸は常に同じ供給路を通ってノズルまで送られ、その過程で過酸化水素水がどのミキシングポイントから流入するかだけが変化する。このため、各ミキシングポイントからノズルまでの硫酸供給路は常に昇温された硫酸あるいはこれに過酸化水素水が混合されたＳＰＭによって温められた状態となっている。これにより、この発明では、流量、混合比、液温などの条件を変更したい場合にも、速やかにこれに対応することができ、適切に調節された温度のレジスト剥離液（ＳＰＭ）を基板に供給することができる。
【０００９】
　ここで、前記制御手段は、除去すべきレジストの種類に応じて、前記ノズルからの前記レジスト剥離液の吐出量に応じて、または前記硫酸供給路内の硫酸の温度に応じて、前記各ミキシングポイントへの過酸化水素水の流入量を制御するようにしてもよい。これらの要素はいずれもノズルから吐出されるレジスト剥離液の温度に関わるパラメータである。したがって、このような条件の変化があるときに各ミキシングポイントへの過酸化水素水の流入量を制御することで、ノズルから吐出されるレジスト剥離液の温度を適切に調節することができる。
【００１０】
　また、前記制御手段は、前記複数のミキシングポイントのうち択一的に選択した１つに接続された前記過酸化水素水供給路から過酸化水素水を流入させる一方、他のミキシングポイントに接続された前記過酸化水素水供給路からの過酸化水素水の流入を禁止するようにしてもよい。すなわち、各ミキシングポイントのうち１つのみから過酸化水素水が流入するようにしてもよい。複数のミキシングポイントから過酸化水素水を流入させた場合、反応熱による温度上昇の態様が複雑となり、温度管理が難しくなる。これに対し、１つのミキシングポイントから過酸化水素水を流入させるようにすれば、ノズルから吐出されるレジスト剥離液の温度管理をより容易に行うことが可能となる。
【００１１】
　この場合において、前記ノズルから吐出する前記レジスト剥離液の流量を可変としたときには、前記制御手段は、例えば前記硫酸供給路内の硫酸の流量と選択すべき前記ミキシングポイントとを対応付けたテーブルを有しており、該テーブルに基づいて前記複数のミキシングポイントのうち１つを選択するようにしてもよい。１つのミキシングポイントから過酸化水素水を流入させる場合、ノズルから吐出されるレジスト剥離液の流量と温度との関係は、各ミキシングポイントごとに当該ミキシングポイントからノズルまでの経路長によって決まるので、各ミキシングポイントについて両者の対応関係を予め求めておくことができる。これをテーブル化しておき、これに基づいてミキシングポイントを選択するようにすれば、レジスト剥離液の流量を可変とする場合でもミキシングポイントを切り換えることで速やかに所望の温度のレジスト剥離液をノズルから吐出させることができる。」
エ　「【００１８】
　＜第１実施形態＞
　図１は本発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この
基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Ｗの表面Ｗfに付着しているレジスト膜を除去するためのレジスト除去処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、レジスト膜を形成された基板表面Ｗfに対してレジスト剥離液として硫酸と過酸化水素水とを混合した硫酸過水（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；ＳＰＭ）によるレジスト除去処理
【００１９】
　この
基板処理装置は、基板表面Ｗfを上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック２と、スピンチャック２に保持された基板Ｗの表面Ｗfに向けてＳＰＭを吐出する薬液吐出ノズル４と、
【００２０】
　スピンチャック２は、回転支軸６がモータを含むチャック回転機構８の回転軸に連結されており、チャック回転機構８の駆動により回転軸Ｊ（鉛直軸）回りに回転可能となっている。これら回転支軸６、チャック回転機構８は、円筒状のケーシング１０内に収容されている。回転支軸６の上端部には、円盤状のスピンベース１２が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット１４からの動作指令に応じてチャック回転機構８を駆動させることによりスピンベース１２が回転軸Ｊ回りに回転する。また、制御ユニット１４はチャック回転機構８を制御してスピンベース１２の回転速度を調整する。
【００２１】
　スピンベース１２の周縁部付近には、基板Ｗの周縁部を把持するための複数個のチャックピン１６が立設されている。チャックピン１６は、円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース１２の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン１６のそれぞれは、基板Ｗの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持する基板保持部とを備えている。各チャックピン１６は、基板保持部が基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Ｗの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。
【００２２】
　スピンベース１２に対して基板Ｗが受渡しされる際には、複数個のチャックピン１６を解放状態とし、後述する基板処理を基板Ｗに対して行う際には、複数個のチャックピン１６を押圧状態とする。このように押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン１６は基板Ｗの周縁部を把持してその基板Ｗをスピンベース１２から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Ｗはその表面Ｗfを上方に向け、裏面Ｗｂを下方に向けた状態で支持される。なお、基板保持手段としてはチャックピン１６に限らず、基板裏面Ｗｂを吸引して基板Ｗを支持する真空チャックを用いてもよい。
【００２３】
　
薬液吐出ノズル４は薬液供給管２０に接続されている。薬液供給管２０の最上流側端部には硫酸供給源２１が接続されており、硫酸供給源２１と薬液吐出ノズル４とを結ぶ薬液供給管２０の途中には上流側から、昇温ユニット２３、ゲートバルブ２２、３基のミキシングバルブ２４１，２４２，２４３およびインラインミキサー２５がこの順序で介挿されている。
【００２４】
　
ゲートバルブ２２は制御ユニット１４からの制御指令に応じて開閉することで、硫酸供給源２１から薬液供給管２０への硫酸の流入を許可／禁止
昇温ユニット２３は硫酸供給源２１から供給される硫酸を後述する所定の温度に昇温させるものである
ミキシングバルブ２４１，２４２，２４３はそれぞれ、後述する過酸化水素水供給源４１から供給される過酸化水素水を硫酸に混合させる。
【００２５】
　また、この実施形態は、
過酸化水素水供給源４１にゲートバルブ４２を介して接続された過酸化水素水供給管４０を備えており、この過酸化水素水供給管４０の下流側端部は分岐してミキシングバルブ２４１，２４２，２４３にそれぞれ接続されている。
制御ユニット１４がミキシングバルブ２４１，２４２，２４３を個別に制御して、各バルブを介した過酸化水素水供給管４０から薬液供給管２０への過酸化水素水の流入をそれぞれ制御している。以下では、薬液供給管２０内の薬液流通経路上において、該経路を流れる硫酸に過酸化水素水が混合されうるミキシングバルブ２４１，２４２，２４３の設置位置をそれぞれミキシングポイントＭＰ1，ＭＰ2，ＭＰ3と称する。
オ　「【００３０】
　上記のような構成を有する基板処理装置では、
基板表面Ｗｆに形成されたレジスト膜に向けて、昇温された硫酸と過酸化水素水とを薬液供給管２０内で混合することで生成されるＳＰＭを薬液吐出ノズル４から吐出することで、基板上のレジスト膜を除去する。
基板Ｗへのイオン注入処理のために形成されたレジスト膜では、イオン種のドーズ量によってその耐薬品性が変化することがある。
【００３１】
　一般的には、薬液吐出ノズル４から吐出されるＳＰＭの温度ができるだけ高いことが望ましい。これにより、難溶性のレジストであっても良好に除去することが可能であるし、逆に易溶性のレジストであればＳＰＭの流量を少なくしてその消費量の低減を図ることが可能である。ＳＰＭにおいては、硫酸と過酸化水素水とが混合されるとその際に反応熱が生じるため、これを利用して液温を上昇させることが可能である。
【００３２】
　図３は混合後のＳＰＭの温度上昇の例を示す図である。より具体的には、所定の温度に調節された硫酸に対し、体積比で１：０．３の常温の過酸化水素水を混合した時からの液温の変化を調べた結果を示すグラフである。図３（ａ）に示すように、硫酸と過酸化水素水とを混合してから数秒後に温度が上昇し始め、最終的には２００℃程度にまで達する。元の硫酸の温度Ｔsが高いほど速く温度が上昇し、また最高到達温度も高くなる。図３（ｂ）に示すように、硫酸の温度Ｔsが高いほど、最高到達温度が高く、また最高温度に到達するまでの時間も短い。なお、これらの曲線は、硫酸と過酸化水素水との混合比によっても変化する。例えば、過酸化水素水の量を少なくすると最高到達温度が低くなる。
【００３３】
　図４はミキシングポイントからの経路長と液温との関係を模式的に示す図である。なお、上記したように元の硫酸の温度によっても液温は変化するので、図４では液温を混合直後の液温Ｔ0で正規化して示している。ミキシングポイントで混合されたＳＰＭは流通経路に沿って流れるうちに化学反応が進みその温度が次第に上昇するが、その上昇の態様は、上記したように元の硫酸の温度や混合後の経過時間によって様々に異なる。例えば、硫酸の温度が高く、混合後のＳＰＭが流通経路内をゆっくりと流れる場合には、図４の曲線（Ａ）に示すように、ミキシングポイントに近い位置から急速に温度が上昇し、その温度が下流側まで持続すると考えられる。一方、ＳＰＭの流速が速い場合には、曲線（Ｃ）に示すように、混合後十分な時間が経過しないうちに流通経路を通過してしまうため、温度の立ち上がりが遅くなり、場合によっては十分に昇温しないうちにノズルから吐出されてしまう可能性がある。さらに、ＳＰＭの流量が少ない場合、曲線（Ｂ）に示すように、いったん温度が上昇するものの、上がりきってからは外部へ流出する熱の方が多くなるため温度が次第に下がる場合もありうる。
【００３４】
　このことから、硫酸の温度や流量が変化する場合には、ミキシングポイントから吐出ノズルまでの経路長を適切に設定することが、より高温のＳＰＭを得るという点で重要となってくる。このような問題に対応するため、上記した特許文献１に記載の技術では、ミキシングポイント後、ノズルに至るまでの配管として互いに配管長の異なるものを複数組用意しておき、経路上で測定したＳＰＭの温度に応じて配管を切り換えるようにしている。このような構成とすることにより、所望の温度のＳＰＭを基板に供給するという目的は達成されるが、切り換え時の過渡的な状態や、硫酸の温度や流量等を広範囲に変化させたいというニーズなどを考えると、さらなる改良の余地が残されているといえる。というのは、特許文献１に記載の構成では、使用していない配管に残った冷えた薬液が混入したり配管自体が冷えていることに起因して薬液の温度が一時的に下がってしまうため、切り換えの度に、配管に残留した薬液を廃棄したり管が温まるのを待つ必要が生じるからである。
【００３５】
　この点に鑑み、この実施形態では、予め昇温された硫酸が薬液吐出ノズル４まで通送される薬液供給管２０を主たる流通経路とし、過酸化水素水はこの経路上に複数設けられたミキシングポイントＭＰ1、ＭＰ2、ＭＰ3のいずれかから薬液供給管２０に流入する構成とした。このような構成によれば、過酸化水素水がどのミキシングポイントから混合されるかにかかわらず、硫酸の経路は常に同じであり、しかもこの経路を流れる硫酸は予め温められたものである。このため、主たる流通経路は常に温められた状態となっており、ミキシングポイントの切り換え時にもＳＰＭの温度変動を最小限に抑えることができる。また、主たる１本の流通経路が常に使用されるので、不使用の経路に滞留した薬液の排出を必要とせず、切り換えを素早く行うことができる上に、薬液の無駄も抑えられる。
【００３６】
　次に、この実施形態において、所望の温度のＳＰＭを薬液吐出ノズル４から吐出させるための方法について説明する。上記したように、この実施形態では、硫酸の流通経路である薬液供給管２０への過酸化水素水のミキシングポイントを適宜に選択することによって、薬液吐出ノズル４から吐出されるＳＰＭの温度を調節しようとするものである。以下ではその具体的な制御方法について述べる。この実施形態では、薬液吐出ノズル４から吐出されるＳＰＭの液温と、硫酸の液温、ＳＰＭの流量、混合比およびミキシングポイントの組み合わせとの相関性を予め求めてテーブル化しておき、
必要な流量および液温が決まればそれに対応するミキシングポイントを制御ユニット１４が選び出すことができる
【００３７】
　図５は第１実施形態におけるテーブルの例を示す図である。この実施形態では、まず図５（ａ）に示すように、硫酸の温度、硫酸および過酸化水素水それぞれの流量の組み合わせを多段階に変更設定しながら、硫酸と過酸化水素水とを混合するミキシングポイントを変えたときに薬液吐出ノズル４から吐出されるＳＰＭの液温を測定しておく。図５（ａ）の例では、例えば液温Ｔs＝８０℃の硫酸の流量をＶs1、常温の過酸化水素水の流量をＶh1に設定したとき、これらをミキシングポイントＭＰ1、ＭＰ2、ＭＰ3でそれぞれ混合すると、薬液吐出ノズル４から吐出されるＳＰＭの液温がそれぞれＴ11、Ｔ21、Ｔ31であったことが示されている。ミキシングポイントからの距離が異なるため、吐出されるＳＰＭの液温も異なっていると予想されるが、その態様は図４に示したように様々である。同様に、硫酸および過酸化水素水の流量の組み合わせを変更して同様に測定を行うことで、実測された液温Ｔ12〜Ｔ35を得ることができる。これを、硫酸の温度Ｔsを変更しながら繰り返す。なお、硫酸の温度Ｔs、硫酸および過酸化水素水の流量の組み合わせについては、表の全ての組み合わせについて測定する必要はなく、実際に使用する可能性のある組み合わせのみについて測定を行えばよい。
【００３８】
　こうして得られた図５（ａ）の関係をテーブル化しておけば、実際の処理において例えば次のようにして利用することができる。処理対象物であるレジストの性質が決まれば、それを除去するためにＳＰＭの液温がどれだけ必要かがわかる。そこで、その温度以上のＳＰＭを吐出することのできる組み合わせを図５（ａ）のテーブルから抽出し、抽出された中からいずれかの組み合わせを選択して、その組み合わせにより指定される条件で処理を行えばよい。該当する組み合わせが複数ある場合には原理的にはどれを選んでもよいが、例えば処理時間や薬液使用量など他の要件に基づいて条件を絞り込むようにしてもよい。
【００３９】
　逆に、上記の結果を、硫酸の温度、硫酸および過酸化水素水それぞれの流量の組み合わせが決まったときに、その組み合わせにおいて所望の液温のＳＰＭを生成するのに最適なミキシングポイントを選定するために利用することができる。ここで、「最適なミキシングポイント」としては、例えば最も高温を得られるものであってもよいし、所望の温度に最も近い液温が得られるミキシングポイントであってもよく、ニーズに応じて選択すればよい。ここでは３つのミキシングポイントのうち最も高温のＳＰＭが得られるものを「最適なミキシングポイント」とする場合について考える。
【００４０】
　例えば、図５（ａ）に示す硫酸、過酸化水素水の流量をそれぞれＶs1、Ｖh1としたときの、各ミキシングポイントＭＰ1、ＭＰ2、ＭＰ3で両者を混合したときの温度測定結果Ｔ11、Ｔ12、Ｔ13のうち、Ｔ12が最も高温であったとする。この場合、図５（ｂ）のテーブルにおいて硫酸の流量Ｖs1の列と、過酸化水素水の流量Ｖh1の行とが交わる欄に入るべきはミキシングポイントＭＰ2となる。このことは、硫酸、過酸化水素水の流量が上記であるとき、これらをミキシングポイントＭＰ2で混合すれば薬液吐出ノズル４から吐出されるＳＰＭが最も高温となる、ということを意味する。同様にして、他の各欄にもそれぞれミキシングポイントＭＰ1、ＭＰ2、ＭＰ3のいずれかが入る。これを、硫酸の温度Ｔsごとに作成する。
【００４１】
　実際の処理では、硫酸の液温Ｔs、硫酸および過酸化水素水の流量が決まれば、図５（ｂ）のテーブルにおいてその組み合わせに対応する欄に記載されたミキシングポイントを選択すれば、その条件において可能な最も高い液温のＳＰＭを薬液吐出ノズル４から吐出させることができる。また、所望の温度に対応するミキシングポイントをテーブル化している場合には、所望の液温のＳＰＭを薬液吐出ノズル４から吐出させることができる。
【００４２】
　目的の温度を得られるミキシングポイントが複数ある場合には、それらのうち最も高温を得られるものを選択してもよいが、最も上流側に位置するミキシングポイントを選択するようにしてもよい。このようにすると、ＳＰＭの流れる経路長が長くなるため、たとえ吐出されるＳＰＭの液温は同じであったとしても、薬液供給管２０を温める効果はより高くなる。
【００４３】
　以上のように、この実施形態では、昇温された硫酸が流れる薬液供給管２０を主たる流通経路として、これに過酸化水素水を混合する際のミキシングポイントを複数の中から選択することにより、薬液吐出ノズル４から吐出されるＳＰＭの液温を調節している。このような構成により、この実施形態では、流量、混合比、液温などの条件を変更したい場合にも速やかにこれに対応して、適切に調節された温度のＳＰＭ（レジスト剥離液）を基板に供給することができる。」
カ　「【００６０】
　また、上記実施形態は、硫酸および過酸化水素水の流量をそれぞれ独立に変更できるものとして説明したが、これ以外にも、例えば、これらの流量比を一定に保って全体の流量だけを変えるようにしてもよい。また、いずれかの流量を一定として、他方の流量のみを可変としてもよい。また、上記実施形態では硫酸の温度と液の流量とをともに変更できるようにしているが、いずれか一方のみを可変とした装置に対しても、本発明を有効に適用することが可能である。」
キ　「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ク　「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ケ　「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
コ　「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
サ　「【図５】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（２）甲第１号証に記載された発明の認定
　上記（１）のア〜サの記載事項から、甲第１号証には、方法の発明として
「硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液（ＳＰＭ液）を基板Ｗの表面Ｗfに供給して基板表面のレジストを除去する基板処理方法であって、
　薬液吐出ノズルからスピンチャック２に保持された基板Ｗの表面Ｗfに向けてＳＰＭを吐出する工程を備え
　基板Ｗへのイオン注入処理のために形成されたレジスト膜では、イオン種のドーズ量によってその耐薬品性が変化するものである、基板処理方法。」
の発明が記載されている。
　また、装置の発明として、
「硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液（ＳＰＭ液）を基板の表面に供給して基板表面の、イオン注入処理のためにその耐薬品性が変化したレジスト膜を除去する基板処理装置において、
　基板処理装置は、基板表面Ｗfを上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック２と、
　スピンチャック２に保持された基板Ｗの表面Ｗfに向けてＳＰＭを吐出する薬液吐出ノズル４とを備え、
　薬液吐出ノズル４は薬液供給管２０に接続され、薬液供給管２０の最上流側端部には硫酸供給源２１が接続されており、硫酸供給源２１と薬液吐出ノズル４とを結ぶ薬液供給管２０の途中には上流側から、昇温ユニット２３、ゲートバルブ２２、３基のミキシングバルブ２４１，２４２，２４３およびインラインミキサー２５がこの順序で介挿され、
　ゲートバルブ２２は制御ユニット１４からの制御指令に応じて開閉することで、硫酸供給源２１から薬液供給管２０への硫酸の流入を許可／禁止し、
　昇温ユニット２３は硫酸供給源２１から供給される硫酸を後述する所定の温度に昇温させるものであり、
　過酸化水素水供給源４１にゲートバルブ４２を介して接続された過酸化水素水供給管４０を備えており、この過酸化水素水供給管４０の下流側端部は分岐してミキシングバルブ２４１，２４２，２４３にそれぞれ接続され、
　ミキシングバルブ２４１，２４２，２４３はそれぞれ、過酸化水素水供給源４１から供給される過酸化水素水を硫酸に混合させ、
　制御ユニット１４が、ミキシングポイントＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３の各々において、複数のミキシングバルブ２４１，２４２，２４３を個別に制御して、前記過酸化水素水供給路４０から前記硫酸供給路２０に流入する過酸化水素水の流入量を個別に制御する基板処理装置。」
の発明が記載されている。
　したがって、甲第１号証には、異議申立書に記載のとおり、次の方法の発明（以下「甲１方法発明」という。）及び装置の発明（以下「甲１装置発明」という。）が記載されていることは明らかであるといえる。なお、イオン注入処理によってレジスト膜の表面が硬化することは周知の技術事項（異議申立書の第２０ページ第１０〜１１行に記載のとおり）であるから、甲第１号証に記載された「イオン注入処理」によって「耐薬品性が変化」した「レジスト膜」は、「表面にイオン注入がされた表面硬質層を有するレジスト膜」であるものと認定した。
　
ア　甲１方法発明
「Ａ．基板（Ｗ）の表面に形成されたレジスト膜を、硫酸および過酸化水素水を混合して生成したＳＰＭ液を用いて除去する基板処理方法において、
Ｂ．第１温度の硫酸に過酸化水素水を第１の混合比で混合することにより生成したＳＰＭ液をノズル（４）から基板（Ｗ）に供給する第１工程を備え、
Ｄ．前記レジスト膜は、表面にイオン注入がされた表面硬質層を有するレジスト膜である、基板処理方法。」
　
イ　甲１装置発明
「Ｉ．硫酸と過酸化水素水とを混合してなるＳＰＭ液を基板（Ｗ）に供給することにより、前記基板の表面に形成された表面にイオン注入がされた表面硬質層を有するレジスト膜を除去する基板処理装置において、
Ｊ．基板を水平に保持する基板保持部（２）と、
Ｋ．前記基板保持部（２）を回転させて基板（Ｗ）を鉛直軸線（Ｊ）周りに回転させる駆動機構（８）と、
Ｌ．前記基板保持部（２）に保持された基板（ｗ）にＳＰＭ液を供給するノズル（４）と、
Ｍ．　前記ノズル（４）にＳＰＭ液を供給するＳＰＭ供給部（２０〜２５，４０〜４２，２４１〜２４３）であって、
Ｍ１．硫酸供給部（２１）によって供給される硫酸を流すための硫酸供給路（２０）と、
Ｍ２．硫酸を加熱するヒータ（２３）と、
Ｍ３．前記硫酸供給路（２０）を流れる硫酸の流量を調節する硫酸流量調節手段と、
Ｍ４．過酸化水素水供給部（４１）により供給される過酸化水素水を流すための過酸化水素水供給路（４０）と、
Ｍ５．前記過酸化水素水供給路（４０）を流れる過酸化水素水の流量を調節する過酸化水素水流量調節手段と、
Ｍ６．前記過酸化水素水供給路（４０）から分岐するとともに前記ノズル（４）までの距離が互いに異なる位置（ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３）において前記硫酸供給路（２０）に接続された複数の分岐路（過酸化水素水供給路４０の下流側端部）と、
Ｍ７．前記複数の分岐路から、前記過酸化水素水供給路（４０）から前記硫酸供給路（２０）に過酸化水素水を流すための少なくとも１つの分岐路を選択するための選択手段（２４１，２４２，２４３）と、
を有するＳＰＭ供給部と、
Ｎ．制御装置（１４）と、を備え、
Ｎ１．前記制御装置（１４）は、前記ＳＰＭ供給部（２０〜２５，４０〜４２，２４１〜２４３）を制御して、一枚の基板（Ｗ）に対して、第１温度の硫酸に過酸化水素水を第１の混合比で混合することにより生成したＳＰＭ液を前記ノズル（４）から基板（Ｗ）に供給する基板処理装置。」
　
２　甲第２号証について
　甲第２号証には次の事項が記載されている。
ア　「【請求項７】
　第１の薬液に溶解する第１の膜と、この第１の膜の上層に形成され、当該第１の膜よりも前記第１の薬液に溶解しにくい第２の膜とが形成された基板から、これら第１の膜及び第２の膜を除去する液処理方法において、
　前記
第２の膜の強度を低下させるため、前記基板に第２の薬液を供給する工程と、
　
次いで、前記第２の膜に物理的衝撃を与えて前記第２の膜を破壊する工程と、
　基板に流体を供給して、物理的衝撃が与えられた第２の膜の破片を流体により流し去ることによって第２の膜を除去する工程と、
　
この後、前記基板に前記第１の薬液を供給し、前記第１の膜を溶解させて除去する工程と、を含む
イ　「【請求項１２】
　前記第１の膜はレジスト膜であるか、このレジスト膜の下層に形成され、基板表面の凹凸をなだらかにして、前記レジスト膜の表面を平坦化するための膜であるかの少なくとも一方であり、前記第２の膜はレジスト膜の露光時における入射光の反射を抑える反射防止膜であるか、または前記レジスト膜を構成する材料が化学的に変化して形成された硬化層であることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか１つに記載の液処理方法。」
ウ　「【００２３】
　以上の構成を備えた液処理装置３は、
犠牲膜１０２を溶解するための薬液をウエハＷ表面に供給する機能を備えていると共に、この犠牲膜１０２の上層に形成され、前記の薬液によっては溶解されにくいＢＡＲＣ１０３に対して物理的（言い替えると力学的）な衝撃を与えて破壊することによりＢＡＲＣ１０３を除去する機能を備えている。
エ　「【００３７】
　まずウエハ保持機構４に図７（ａ）の状態のウエハＷが保持されると、処理液供給機構５はアーム部５４を旋回させて図６（ａ）に示すように薬液ノズル５１をウエハＷの中央部上方位置まで移動させ、ウエハＷの中央部上方に位置させる一方、回転軸４３によりウエハＷを鉛直軸周りに回転させる。そして図９（ａ）に示すように時刻Ｔ１にて薬液ノズル５１から薬液の供給を開始する。
【００３８】
　既述のように本実施の形態に係る薬液は、ＢＡＲＣ１０３内へと浸透する程度の能力は持っているので、図７（ｂ）に示すように薬液はＢＡＲＣ１０３内に浸透してＢＡＲＣ１０３を膨潤させ、ＢＡＲＣ１０３にはクラック１２１が形成され始める。さらに薬液が浸透すると、クラック１２１の数が増える共にＢＡＲＣ１０３の下面に到達した薬液によって犠牲膜１０２が溶解され始め、ＢＡＲＣ１０３の下層側に液状部１２２が形成される（図７（ｃ））。このように多数のクラック１２１や液状部１２２が形成されることによってＢＡＲＣ１０３の機械的な強度が低下し、ＢＡＲＣ１０３は衝撃によって壊れやすい状態となる。また回転するウエハＷから振り落とされた薬液の排出先に着目すると、排液ライン６８１は薬液回収ライン６８２側に接続されており、薬液はリサイクルタンク６１へ回収されている（図６（ａ）、図９（ｄ））。
【００３９】
　所定時間薬液を供給しＢＡＲＣ１０３の機械的強度が低下したら、
時刻Ｔ
２
にて薬液ノズル５１からの薬液の供給を停止した後、図６（ｂ）、図９（ｂ）に示すように二流体スプレーノズル５２からＤＩＷと窒素ガスとの混合流体を吐出して、ＢＡＲＣ１０３を破壊する動作を開始する。
【００４０】
　ここで例えば図示しない中央部用リンスノズルをさらに設け、ウエハＷの中央部側の領域にリンス液を供給する構成としてもよい。中央部用リンスノズルは、例えばウエハＷを径方向にスキャンする二流体スプレーノズル５２がウエハＷの中央部側の領域を離れている期間中に、当該中央部側の領域にＤＩＷなどのリンス液を供給する役割を果たす。これにより、当該ウエハＷの中央部側の領域の乾燥を防止してＢＡＲＣ片１０６をより効率的に流し去ることができる。
【００４１】
　図９（ｂ）、図９（ｄ）に示すように二流体スプレーノズル５２からの混合流体の吐出が開始された時刻Ｔ２において、排液ライン６８１の接続先は直ちに排出ライン６８３側に切り替えられるので、多量のＢＡＲＣ片１０６を含むＤＩＷはリサイクルタンク６１には流れ込まない。この結果、薬液をリサイクルしてもフィルター６４の目詰まりが発生しにくいのでフィルター６４の交換頻度を下げることができる。
【００４２】
　所定時間ＢＡＲＣ１０３の除去動作を実行したらウエハＷを回転させたまま薬液ノズル５１からの混合流体の吐出を停止し、リンス洗浄を実行する（図９（ｃ）の時刻Ｔ３）。
しかる後、薬液ノズル５１をウエハＷの中央部上方に位置させ、ＢＡＲＣ１０３の除去されたウエハＷの表面に薬液の供給を再開する（図６（ｃ）、図９（ａ）の時刻Ｔ
４
）。
【００４３】
　このときウエハＷの表面には、例えば図８（ａ）に示すようにウエハＷの面積比で１割〜３割程度のＢＡＲＣ片１０６が残存している可能性があるが、先行するＢＡＲＣ１０３の除去によりウエハＷには犠牲膜１０２が露出しているので、図８（ｂ）に示すように犠牲膜１０２は薬液の供給によって速やかに溶解し、これに伴ってＢＡＲＣ片１０６も溶解した犠牲膜１０２と共に流し去られる。以上の処理により犠牲膜１０２及びその上面に残存していたＢＡＲＣ片１０６が除去され、図８（ｃ）に示すように層間絶縁膜１０１が露出した状態のウエハＷを得ることができる。」
　
３　甲第３号証について
　甲第３号証には次の事項が記載されている。
ア　「【０００３】
　一般的なレジスト除去方式としては、酸素プラズマ照射等を用いたアッシング処理による方式と、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）等を用いた洗浄処理による方式とがある。従来、イオン注入されたレジストの除去には、一般にアッシング処理が用いられてきた。しかし近年、デバイスの微細化に伴い、アッシングによるドーズロス（基板上のイオン注入された領域が酸化し、実効的なドーズ量が減少してしまうこと）に対応するために、アッシングを避けてＳＰＭ洗浄のみによってレジストを除去する方式が注目されている。
【０００４】
　ここで、基板上にパターン形成されたレジストにイオン注入を行うと、イオン注入ダメージによってレジスト表面に変質層が形成され、ＳＰＭによるレジスト除去性を低下させることが知られている。
【０００５】
　変質層とは、イオン注入ダメージによってレジストが変質した層、より具体的にはレジスト中の化学結合（例えばＣ−Ｈ結合等）が破壊された層であり、炭化層と想定される。特に、トランジスタ形成工程等のイオン注入条件として多く用いられるドーズ量５×１０14／ｃｍ2 以上の高濃度のイオン注入を施されたレジスト表面には、強固な変質層が形成される。このような変質層を短時間で良好に除去するためには、高温のＳＰＭを基板表面に供給しなければならない。」
イ　「【００１０】
　しかしながら、
枚葉式洗浄方法において、ドーズ量５×１０
14
／ｃｍ
2
 程度の高濃度のイオン注入が施されたレジスト膜を、１４０℃程度の高温のＳＰＭによって除去すると、基板表面のＳＰＭの吐出位置近傍に残渣が発生する。
【００１１】
　以上に鑑み、本発明の目的は、基板上のレジストパターン等を除去するための枚葉式の基板洗浄方法及び洗浄装置において、残渣の発生を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
　前記の目的を達成するための検討の結果、本願発明者は、前記の残渣が、イオン注入により生じた変質層がリフトオフした後、基板に再付着することによって発生するもの（再付着残渣）であることを突き止めた。これについて以下に説明する。
【００１３】
　基板上に供給されたＳＰＭの流れがレジストパターンに接触すると、レジストパターンの表面のうち脆弱な箇所（例えば、変質層の厚さが薄い箇所）が溶解除去され、この箇所を起点として、レジストパターンの内部が溶解除去される。この結果、変質していない部分よりも溶解に時間を要する変質層が基板からリフトオフされる。
【００１４】
　ここで、ＳＰＭが高温（例えば１４０℃程度）の場合、レジストパターンの脆弱箇所の溶解は瞬時に起るので、リフトオフも速やかに起る。よって、ＳＰＭの先端部分において変質層がリフトオフされて蓄積され、沈殿して基板表面に再付着することになる。このようにして、ＳＰＭ洗浄後に基板表面に残差が生じる。
【００１５】
　これに対し、ＳＰＭが比較的低温（例えば１２０℃程度）の場合、レジストパターンの脆弱箇所の溶解にはある程度の時間を要するので、変質層のリフトオフが発生する頃には、基板表面の中央部から周縁に向かう安定した液流が形成されている。この場合、リフトオフされた変質層は液流によって基板上から排除され、基板にはほとんど再付着しない。よって、ＳＰＭ洗浄後に、基板表面に残差はほとんど生じない。
【００１６】
　このように、
再付着残渣の発生を避けるためには、低温のＳＰＭを用いることが有効である。
【００１７】
　以上に基づき、本開示の基板洗浄方法は、
レジストパターンを有する基板上に第１の温度の第１処理液を供給し、第１処理液により基板の表面を覆う工程（ａ）と、第１処理液に覆われた基板の表面に第２処理液を供給し、第１の温度よりも高温である第２の温度の第２処理液により基板の表面を覆ってレジストパターンを除去する工程（ｂ）とを備える。
ウ　「【００４５】
　ここで、ＳＰＭが高温（例えば１４０℃程度）の場合、レジストパターンの脆弱箇所の溶解は瞬時に起るので、ＳＰＭの流れの先端部分（ＳＰＭが基板上に広がる過程における先端部分）において変質層がリフトオフされる。変質層は瞬時には溶解しないのでＳＰＭの流れの先端部分に蓄積され、更には沈殿して基板表面に再付着することになる。このようにして、ＳＰＭ洗浄後に基板表面に残差が生じる。
【００４６】
　これに対し、
ＳＰＭが比較的低温（例えば１２０℃程度）の場合、
ＳＰＭ洗浄後に、基板表面に残差はほとんど生じない。
エ　「【００５５】
　エクステンション領域を形成するためのイオン注入としては、例えば、Ａｓイオンをドーズ量５×１０14／ｃｍ2 の注入量で注入する。これにより、基板３１表面におけるレジストパターン３４に覆われていない部分に、イオン注入された活性領域３５が形成される。この際、レジストパターン３４の表面部には、イオン注入のダメージにより変質層３６が形成される。変質層３６の内側には、変質していないレジスト層３７が残っている。
【００５６】
　イオン注入の後、レジストパターン３４を除去するための洗浄を行なう。このために、まず、第１の温度の第１処理液を基板３１上に吐出する。具体的に、第１処理液としては、硫酸（濃度９５％以上）と過酸化水素水（濃度３１％）とを体積比２：１にて混合したＳＰＭを用いる。第１の温度は、例えば１２０℃とする。また、基板３１を３００ｒｐｍにて回転させながら、９００ｍｌ／ｍｉｎの吐出流量にて吐出する。
【００５７】
　図３（ｃ）に示すように、基板３１上への第１処理液の吐出を開始した後、２０秒経過すると、基板３１の表面が第１処理液によって覆われ、基板表面の温度が１２０℃付近に達した状態となる。
【００５８】
　第１処理液を供給する工程では、レジストパターン３４の溶解がある程度進行すると考えられるが、変質層３６の瞬間的なリフトオフはほとんど発生しない。また、基板３１上を第１処理液にて覆うことにより、基板３１の中心付近である吐出位置から周縁部に向かって第１処理液の安定した流れが形成される。
【００５９】
　このような状態において、基板表面にて第２の温度、例えば１４０℃となる第２処理液を基板３１上に吐出する。第２処理液としては、第１処理液とは温度のみが異なり、同一の成分を有するＳＰＭを用いる。基板３１を３００ｒｐｍにて回転させながら、９００ｍｌ／ｍｉｎの吐出流量にて吐出する点も同じである。また、第１処理液によって基板３１の表面が覆われた状態において第２処理液を供給することにより、基板３１の表面には、処理終了まで安定した処理液の流れが形成されることになる。
【００６０】
　第２処理液は、基板３１からレジストパターン３４を完全に除去できるまで、例えば４０秒間、供給する。この際、基板表面の温度は第２処理液の温度と同じ１４０℃付近に達している。
【００６１】
　これにより、レジストパターン３４の除去が進行する。この際、変質層３６のリフトオフが発生するが、基板３１の中心付近から周縁部に向かう処理液の安定した流れが形成されているので、リフトオフされた変質層は基板３１上に再付着することなく除去される。」
　
４　甲第４号証について
　甲第４号証には次の事項が記載されている。
「【０００４】
　ところが、レジストのアッシングのためのプラズマの照射は、基板の表面のレジストで覆われていない部分（たとえば酸化膜や金属膜）にダメージを与えてしまう。そのため、ＦＥＯＬ（Front End of the Line：半導体製造プロセスにおける第１層目のメタル配線までの工程）では、アッシング処理による基板のダメージを回避するために、高温のＳＰＭを基板に供給してレジストを除去する場合がある。しかしながら、
高温のＳＰＭを用いた場合でも、基板におけるレジストの下地となる部分が金属や有機物によって構成されている場合には、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板にダメージ（たとえば、金属や有機物の腐食）が生じるおそれがある。
　
第５　対比・判断
１　本件特許発明１について
（１）対比・一致点・相違点
　本件特許発明１と甲１方法発明とを対比すると、甲１方法発明の分節Ａ．，Ｂ．及びＤ．で特定された事項が、それぞれ、本件特許発明１の構成要件Ａ，Ｂ及びＤに相当することは明らかであるから、本件特許発明１と甲１方法発明とは、
「Ａ．基板の表面に形成されたレジスト膜を、硫酸および過酸化水素水を混合して生成したＳＰＭ液を用いて除去する基板処理方法において、
Ｂ．第１温度の硫酸に過酸化水素水を第１の混合比で混合することにより生成したＳＰＭ液をノズルから基板に供給する第１工程、
を備え、
Ｄ．前記レジスト膜は、表面にイオン注入がされた表面硬質層を有するレジスト膜である、
基板処理方法。」
の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　本件特許発明１が、
「Ｃ．第１工程の前または後に実行される第２工程であって、第２温度の硫酸に過酸化水素水を第２混合比で混合することにより生成したＳＰＭ液をノズルから前記基板に供給する第２工程と、
を備え、
Ｅ．前記第１工程は前記第２工程の前に実行され、
Ｆ．少なくとも、前記第１温度が前記第２温度より高いか、若しくは前記第１混合比が前記第２混合比より高い」
という構成（構成要件Ｃ，Ｅ，Ｆ）を有するのに対し、甲１方法発明は、「第１工程の前または後に実行される第２工程」を有するものではなく、したがって、上記の構成要件Ｃ，Ｅ，Ｆを備えないものである点。
　上記の相違点に関し、異議申立書においては次のように記載されている（第１９ページ第１３〜２６行）。
「甲１方法発明と本件特許発明１とは、構成要件Ａ，Ｂ，Ｄの点で一致し、構成要件Ｃ，Ｅ，Ｆの点で相違する。より具体的には、両者の相違点は、次のとおりである。
　相違点１：「第２温度の硫酸に過酸化水素水を第２混合比で混合することにより生成したＳＰＭ液をノズルから前記基板に供給する第２工程」について、本件特許発明１は、第１工程が実行された後に、当該基板に対して第２工程が実行されるかどうか、および第１工程が第２工程の前に実行されるのかどうかが不明である点。
　相違点２：本件特許発明１では、第１温度（第１工程における硫酸の温度）が、第２温度（第２工程における硫酸の温度）より高いか、若しくは第１混合比（第１工程における過酸化水素水硫酸の混合比）が第２混合比（第１工程における過酸化水素水硫酸の混合比）より高いが、甲１方法発明では、これらの関係が不明である点。」
　上記のように異議申立書においては本件特許発明１と甲１方法発明との相違点を２つに分けて認定し、それぞれについての検討が行われている。
　しかしながら、上記の相違点２に係る構成要件Ｆは、第２工程が実行されること、すなわち、構成要件Ｃが前提となって認定できる相違点であり、技術的観点から、構成要件Ｃ，Ｅ，Ｆから構成要件Ｆのみを分離して認定することはできないものである。すなわち、異議申立書のように相違点を相違点１と相違点２に分離して検討することは、技術的観点から考えて、許されることではないから、本決定においては、相違点を上記のように認定した。
　
（２）相違点についての検討
　上記相違点について検討すると、上記相違点に係る構成要件Ｃ，Ｅ，Ｆを備えることは、異議申立人が提出した甲第２〜４号証のいずれにも記載されておらず、甲１方法発明において、上記相違点に係る構成を採用して本件特許発明１を導出することが当業者にとって容易であるということはできない。
　詳述すると、甲第２号証には、「第２の膜に物理的衝撃を与えて第２の膜を破壊する工程の前に予め第２の膜の強度を低下させるため、基板に第２の薬液を供給する工程」と、その後の工程であって、「基板に第１の薬液を供給し、第１の膜を溶解させて除去する工程」を有する方法が記載されているのみで、上記の相違点に係る構成要件Ｃ，Ｅ，Ｆについて、特に構成要件Ｆについては全く記載されていない。
　甲第３号証に記載の発明は、「枚葉式洗浄方法において、ドーズ量５×１０14／ｃｍ2 程度の高濃度のイオン注入が施されたレジスト膜を、１４０℃程度の高温のＳＰＭによって除去すると、基板表面のＳＰＭの吐出位置近傍に残渣が発生する。」という課題を解決するために、「ＳＰＭが比較的低温（例えば１２０℃程度）の場合、・・・ＳＰＭ洗浄後に、基板表面に残差はほとんど生じない。」「再付着残渣の発生を避けるためには、低温のＳＰＭを用いることが有効である。」という技術的知見を踏まえ、「レジストパターンを有する基板上に第１の温度（１２０℃）の第１処理液を供給し、第１処理液により基板の表面を覆う工程（ａ）と、第１処理液に覆われた基板の表面に第２処理液を供給し、第１の温度よりも高温である第２の温度（１４０℃）の第２処理液により基板の表面を覆ってレジストパターンを除去する工程（ｂ）とを備える。」という構成を採用した発明である。したがって、甲第３号証に記載の発明においては、「レジストパターンを有する基板上に第１の温度の第１処理液を供給し」た工程の実行後に「第１の温度よりも高温である第２の温度の第２処理液により基板の表面を覆ってレジストパターンを除去する」工程を実行するという工程の順序は避けられない事項であり、これを順序を逆にすることに阻害要因があることは明らかである。すなわち、上記相違点における構成要件Ｅ，Ｆは、甲第３号証に記載されていない事項であり、かつ、甲第３号証に記載されている発明の上記工程の順序を入れ換えて、構成要件Ｅ，Ｆのようにすることには阻害要因があり、許されないことである。
　甲第４号証には、「高温のＳＰＭを用いた場合でも、基板におけるレジストの下地となる部分が金属や有機物によって構成されている場合には、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板にダメージ（たとえば、金属や有機物の腐食）が生じるおそれがある。」という技術課題が記載されているのみで、上記の相違点に係る構成要件Ｃ，Ｅ，Ｆについて記載されていないことは明らかである。
　以上のとおり、上記相違点に係る構成要件Ｃ，Ｅ，Ｆについては、甲第２〜４号証のいずれにも記載されておらず、かつ、甲第３号証において、「レジストパターンを有する基板上に第１の温度の第１処理液を供給し」た工程の実行後に「第１の温度よりも高温である第２の温度の第２処理液により基板の表面を覆ってレジストパターンを除去する」工程を実行するという工程の順序を入れ換えることに阻害要因があることを踏まえると、甲第２〜４号証に記載された事項を組合わせて上記相違点に係る構成要件Ｃ，Ｅ，Ｆを導出することが容易ということもできない。
　
（３）結論
　上記のとおり、上記相違点は、甲第１〜４号証に記載された事項ではなく、かつ、甲第１〜４号証に記載された事項から当業者が容易に想到し得る事項でもないから、本件特許発明１は、甲１発明及び甲第２〜４号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
２　本件特許発明２，３について
　本件特許発明２，３は、本件特許発明１を限定した発明であるところ、上記「１　本件特許発明１について」で記載したとおり、本件特許発明１は、甲１発明及び甲第２〜４号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないのであるから、本件特許発明１の特定事項を全て含み、さらに限定を加えた本件特許発明２，３についても、甲１発明及び甲第２〜４号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないことは明らかである。
　
３　本件特許発明４について
　本件特許発明１と甲１装置発明とを対比すると、甲１装置発明の分節Ｉ．〜Ｍ．，Ｍ１．〜Ｍ７．，Ｎ．，Ｎ１．で特定された事項が、それぞれ、本件特許発明１の構成要件Ｉ〜Ｍ，Ｍ１〜Ｍ７，Ｎ，Ｎ１に相当することは明らかであるから、本件特許発明１と甲１装置発明とは、本件特許発明１の構成要件Ｉ〜Ｍ，Ｍ１〜Ｍ７，Ｎ，Ｎ１を備えた発明である点で一致し、これに対して、本件特許発明１が構成要件Ｎ２，Ｎ３を備えるのに対して、甲１装置発明が構成要件Ｎ２，Ｎ３を備えていない点で相違する。
　そして、この相違点については、上記の「１　本件特許発明１について」の「（２）相違点についての検討」において記載した理由と同様の理由により、上記相違点に係る構成要件Ｎ２，Ｎ３については、甲第２〜４号証のいずれにも記載されておらず、かつ、甲第２〜４号証に記載された事項を組合わせて上記相違点に係る構成要件Ｎ２，Ｎ３を導出することが容易ということもできない。
　上記のとおり、上記相違点は、甲第１〜４号証に記載された事項ではなく、かつ、甲第１〜４号証に記載された事項から当業者が容易に想到し得る事項でもないから、本件特許発明４は、甲１発明及び甲第２〜４号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
４　本件特許発明５について
　本件特許発明５は、本件特許発明４を限定した発明であるところ、上記「３　本件特許発明４について」で記載したとおり、本件特許発明４は、甲１発明及び甲第２〜４号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないのであるから、本件特許発明４の特定事項を全て含み、さらに限定を加えた本件特許発明５についても、甲１発明及び甲第２〜４号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないことは明らかである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
　
【異議決定日】
平成２８年１月２０日（２０１６．１．２０）