【手続補正書】
【提出日】平成30年2月26日(2018.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、上記の課題を解決するために、以下の発明が提供される。
（１）基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜であって、該基材に溝加工した後に該保護膜を堆積してセグメント保護膜間の間隔を形成してなり、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、基材表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜。
（２）溝が流路または池である上記（１）に記載の保護膜。
（３）保護膜が、ダイヤモンド状カーボン膜、ダイヤモンド膜、ＢＮ膜、Ｗ２Ｃ膜、ＣｒＮ膜、ＨｆＮ膜、ＶＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＺｎＯ膜、ＳｉＯ２膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる上記（１）または（２）に記載の保護膜。
（４）保護膜が、金属メッキ膜、アルマイト膜および樹脂膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる上記（１）〜（３）のいずれかに記載の保護膜。
（５）溝加工が、レーザー加工、切削加工、加熱加工、研削加工、塑性加工、放電加工、３Ｄ加工、ウォタージェット加工、射出成型加工、鋳造加工、エッチング加工またはそれらの組み合わせである上記（１）〜（４）のいずれかに記載の保護膜。
（６）基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜であって、該基材上に該保護膜を堆積した後に保護膜内に溝加工してセグメント保護膜間の間隔を形成してなり、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、保護膜表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜。
（７）溝が流路または池である上記（６）に記載の保護膜。
（８）保護膜が、ダイヤモンド状カーボン膜、ダイヤモンド膜、ＢＮ膜、Ｗ２Ｃ膜、ＣｒＮ膜、ＨｆＮ膜、ＶＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＺｎＯ膜、ＳｉＯ２膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる上記（６）または（７）に記載の保護膜。
（９）保護膜が、金属メッキ膜、アルマイト膜および樹脂膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる上記（６）〜（８）のいずれかに記載の保護膜。
（１０）溝加工が、レーザー加工、切削加工、加熱加工、研削加工、塑性加工、放電加工、３Ｄ加工、ウォタージェット加工、射出成型加工、鋳造加工、エッチング加工またはそれらの組み合わせである上記（６）〜（９）のいずれかに記載の保護膜。
（１１）基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜であって、該基材上に該保護膜を堆積した後に保護膜および基材に溝加工してセグメント保護膜間の間隔を形成してなり、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、保護膜表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜。
（１２）溝が流路または池である上記（１１）に記載の保護膜。
（１３）保護膜が、ダイヤモンド状カーボン膜、ダイヤモンド膜、ＢＮ膜、Ｗ２Ｃ膜、ＣｒＮ膜、ＨｆＮ膜、ＶＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＺｎＯ膜、ＳｉＯ２膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる上記（１１）または（１２）に記載の保護膜。
（１４）保護膜が、金属メッキ膜、アルマイト膜および樹脂膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる上記（１１）〜（１３）のいずれかに記載の保護膜。
（１５）溝加工が、レーザー加工、切削加工、加熱加工、研削加工、塑性加工、放電加工、３Ｄ加工、ウォタージェット加工、射出成型加工、鋳造加工、エッチング加工またはそれらの組み合わせである上記（１１）〜（１４）のいずれかに記載の保護膜。
（１６）基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜を形成するに際し、該基材に溝加工した後に該保護膜を堆積してセグメント保護膜間の間隔を形成し、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、基材表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜を得ることを特徴とする保護膜の製造方法。
（１７）基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜を形成するに際し、該基材上に該保護膜を堆積した後に保護膜内に溝加工してセグメント保護膜間の間隔を形成し、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、保護膜表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜を得ることを特徴とする保護膜の製造方法。
（１８）基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜を形成するに際し、該基材上に該保護膜を堆積した後に保護膜および基材に溝加工してセグメント保護膜間の間隔を形成し、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、保護膜表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜を得ることを特徴とする保護膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜であって、該基材に溝加工した後に該保護膜を堆積してセグメント保護膜間の間隔を形成してなり、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、基材表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜。
【請求項２】
溝が流路または池である請求項１に記載の保護膜。
【請求項３】
保護膜が、ダイヤモンド状カーボン膜、ダイヤモンド膜、ＢＮ膜、Ｗ２Ｃ膜、ＣｒＮ膜、ＨｆＮ膜、ＶＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＺｎＯ膜、ＳｉＯ２膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項１または２に記載の保護膜。
【請求項４】
保護膜が、金属メッキ膜、アルマイト膜および樹脂膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項１〜３のいずれか１項に記載の保護膜。
【請求項５】
溝加工が、レーザー加工、切削加工、加熱加工、研削加工、塑性加工、放電加工、３Ｄ加工、ウォタージェット加工、射出成型加工、鋳造加工、エッチング加工またはそれらの組み合わせである請求項１〜４のいずれか１項に記載の保護膜。
【請求項６】
基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜であって、該基材上に該保護膜を堆積した後に保護膜内に溝加工してセグメント保護膜間の間隔を形成してなり、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、保護膜表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜。
【請求項７】
溝が流路または池である請求項６に記載の保護膜。
【請求項８】
保護膜が、ダイヤモンド状カーボン膜、ダイヤモンド膜、ＢＮ膜、Ｗ２Ｃ膜、ＣｒＮ膜、ＨｆＮ膜、ＶＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＺｎＯ膜、ＳｉＯ２膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項６または７に記載の保護膜。
【請求項９】
保護膜が、金属メッキ膜、アルマイト膜および樹脂膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項６〜８のいずれか１項に記載の保護膜。
【請求項１０】
溝加工が、レーザー加工、切削加工、加熱加工、研削加工、塑性加工、放電加工、３Ｄ加工、ウォタージェット加工、射出成型加工、鋳造加工、エッチング加工またはそれらの組み合わせである請求項６〜９のいずれか１項に記載の保護膜。
【請求項１１】
基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜であって、該基材上に該保護膜を堆積した後に保護膜および基材に溝加工してセグメント保護膜間の間隔を形成してなり、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、
保護膜表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜。
【請求項１２】
溝が流路または池である請求項１１に記載の保護膜。
【請求項１３】
保護膜が、ダイヤモンド状カーボン膜、ダイヤモンド膜、ＢＮ膜、Ｗ２Ｃ膜、ＣｒＮ膜、ＨｆＮ膜、ＶＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＺｎＯ膜、ＳｉＯ２膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項１１または１２に記載の保護膜。
【請求項１４】
保護膜が、金属メッキ膜、アルマイト膜および樹脂膜およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の保護膜。
【請求項１５】
溝加工が、レーザー加工、切削加工、加熱加工、研削加工、塑性加工、放電加工、３Ｄ加工、ウォタージェット加工、射出成型加工、鋳造加工、エッチング加工またはそれらの組み合わせである請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の保護膜。
【請求項１６】
基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜を形成するに際し、該基材に溝加工した後に該保護膜を堆積してセグメント保護膜間の間隔を形成し、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、基材表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜を得ることを特徴とする保護膜の製造方法。
【請求項１７】
基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜を形成するに際し、該基材上に該保護膜を堆積した後に保護膜内に溝加工してセグメント保護膜間の間隔を形成し、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、保護膜表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜を得ることを特徴とする保護膜の製造方法。
【請求項１８】
基材上に膜を堆積したセグメント構造の保護膜を形成するに際し、該基材上に該保護膜を堆積した後に保護膜および基材に溝加工してセグメント保護膜間の間隔を形成し、溝側面と溝の底部が交差する部分の縦断面が下に凸の曲線で繋がり、かつ溝の底部の縦断面が下に凸の曲線、または直線であり、保護膜表面から溝の底部への溝側面の傾斜角αが２５±２０度である保護膜を得ることを特徴とする保護膜の製造方法。