【手続補正書】
【提出日】平成30年6月12日(2018.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板に活性領域と終端構造部とを備え、該活性領域はＦＷＤ領域とＩＧＢＴ領域とを有する逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法であって、
前記活性領域にわたってストライプ状のトレンチを所定の間隔で形成する工程と、
前記活性領域にわたって第２導電型の第１領域を形成する工程と、
前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域に前記第１領域より不純物濃度が高い第２導電型の第２領域を形成する工程と、
を含み、
前記第２領域を形成する工程は、
前記活性領域のおもて面に第１レジストマスクを形成する工程と、
前記第１レジストマスクをマスクとして、第２導電型の不純物をイオン注入する工程と、
前記第１レジストマスクを除去する工程と、
を含み、
前記第１レジストマスクは、前記トレンチの長手方向において前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域それぞれに複数の開口部を有し、該トレンチの長手方向において該ＦＷＤ領域の開口部の間隔を該ＩＧＢＴ領域の開口部の間隔よりも広くする
逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記第１レジストマスクは、前記トレンチの長手方向において、前記ＦＷＤ領域の開口部の幅と前記ＩＧＢＴ領域の開口部の幅とを同一にする
請求項１に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記第１レジストマスクは、前記トレンチの長手方向において、前記ＩＧＢＴ領域の開口部の幅を該ＩＧＢＴ領域の該開口部の間隔よりも広くする
請求項１または２に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記第１レジストマスクは、前記トレンチの長手方向において、前記ＦＷＤ領域の開口部の間隔を該ＦＷＤ領域の該開口部の幅よりも広くする
請求項１から３のいずれか１項に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記第１レジストマスクは、前記ＦＷＤ領域の前記ＩＧＢＴ領域側の隣り合うトレンチ間に開口部を有さない
請求項１から４のいずれか１項に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記活性領域に第１導電型のエミッタ領域を形成する工程を更に含む
請求項１から５のいずれか１項に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記エミッタ領域を形成する工程は、
前記活性領域のおもて面に第２レジストマスクを形成する工程と、
前記第２レジストマスクをマスクとして、第１導電型の不純物をイオン注入する工程と、
前記第２レジストマスクを除去する工程と、
を含み、
前記第２レジストマスクは、前記トレンチの長手方向において前記ＩＧＢＴ領域に複数の開口部を有し、該ＩＧＢＴ領域の開口部間に前記第２領域を挟む
請求項６に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記第２レジストマスクは、前記トレンチの長手方向において前記ＦＷＤ領域に複数の開口部を有し、該ＦＷＤ領域の開口部間に前記第２領域を挟む
請求項７に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記活性領域のおもて面に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域の前記トレンチ間に、それぞれ、該トレンチの長手方向に沿った１つのコンタクトホールを形成する工程と、
を更に含む
請求項１から８のいずれか１項に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記半導体基板の裏面に、前記ＦＷＤ領域の第１導電型カソード層と前記ＩＧＢＴ領域の第２導電型コレクタ層とを形成する工程を更に含み、
前記第１導電型カソード層と前記第２導電型コレクタ層とが並んで設けられる
請求項１から９のいずれか１項に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項１１】
第１導電型の半導体基板に活性領域と終端構造部とを備え、該活性領域はＦＷＤ領域とＩＧＢＴ領域とを有する逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、
前記活性領域にわたって所定の間隔で設けられるストライプ状のトレンチと、
前記活性領域にわたって設けられる第２導電型の第１領域と、
前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域に設けられる、前記第１領域より不純物濃度が高い第２導電型の第２領域と、
を含み、
前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域は、それぞれ、前記トレンチの長手方向において複数の前記第２領域を有し、該トレンチの長手方向において該ＦＷＤ領域の第２領域の間隔が該ＩＧＢＴ領域の第２領域の間隔よりも広い
逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項１２】
前記トレンチの長手方向において、前記ＦＷＤ領域の第２領域の幅と前記ＩＧＢＴ領域の第２領域の幅が同一である
請求項１１に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項１３】
前記トレンチの長手方向において、前記ＩＧＢＴ領域の第２領域の幅が該ＩＧＢＴ領域の該第２領域の間隔よりも広い
請求項１１または１２に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項１４】
前記トレンチの長手方向において、前記ＦＷＤ領域の第２領域の間隔が該ＦＷＤ領域の該第２領域の幅よりも広い
請求項１１から１３のいずれか１項に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項１５】
前記第２導電型の第２領域は、前記ＦＷＤ領域の前記ＩＧＢＴ領域側の隣り合うトレンチ間に設けられていない
請求項１１から１４のいずれか１項に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項１６】
前記活性領域に第１導電型のエミッタ領域を更に含み、
前記第１導電型のエミッタ領域は、前記トレンチの長手方向において前記ＩＧＢＴ領域に複数設けられていて、該ＩＧＢＴ領域のエミッタ領域間に前記第２領域を挟んでいる
請求項１１から１５のいずれか１項に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項１７】
前記第１導電型のエミッタ領域は、前記トレンチの長手方向において前記ＦＷＤ領域に複数設けられていて、該ＦＷＤ領域のエミッタ領域間に前記第２領域を挟んでいる
請求項１６に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項１８】
前記活性領域のおもて面に形成される層間絶縁膜と、
前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域の前記トレンチ間に、それぞれ、該トレンチの長手方向に沿って形成される１つのコンタクトホールと、
を更に含む
請求項１１から１７のいずれか１項に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【請求項１９】
前記半導体基板の裏面に形成される、前記ＦＷＤ領域の第１導電型カソード層と前記ＩＧＢＴ領域の第２導電型コレクタ層とを更に含み、
前記第１導電型カソード層と前記第２導電型コレクタ層とが並んで設けられる
請求項１１から１８のいずれか１項に記載の逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法および逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法および逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとダイオードとが同一の半導体基板に形成されてなる逆導通型ＩＧＢＴにおいて、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびダイオードともに最適な電気的特性を有する逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法および逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法は、第１導電型の半導体基板に活性領域と終端構造部とを備え、該活性領域はＦＷＤ領域とＩＧＢＴ領域とを有する逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法であって、前記活性領域にわたってストライプ状のトレンチを所定の間隔で形成する工程と、前記活性領域にわたって第２導電型の第１領域を形成する工程と、前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域に前記第１領域より不純物濃度が高い第２導電型の第２領域を形成する工程と、を含み、前記第２領域を形成する工程は、前記活性領域のおもて面に第１レジストマスクを形成する工程と、前記第１レジストマスクをマスクとして、第２導電型の不純物をイオン注入する工程と、前記第１レジストマスクを除去する工程と、を含み、前記第１レジストマスクは、前記トレンチの長手方向において前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域それぞれに複数の開口部を有し、該トレンチの長手方向において該ＦＷＤ領域の開口部の間隔を前記ＩＧＢＴ領域の開口部の間隔よりも広くする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、第１導電型の半導体基板に活性領域と終端構造部とを備え、該活性領域はＦＷＤ領域とＩＧＢＴ領域とを有する逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、前記活性領域にわたって所定の間隔で設けられるストライプ状のトレンチと、前記活性領域にわたって設けられる第２導電型の第１領域と、前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域に設けられる、前記第１領域より不純物濃度が高い第２導電型の第２領域と、を含み、前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域は、それぞれ、前記トレンチの長手方向において複数の前記第２領域を有し、該トレンチの長手方向において該ＦＷＤ領域の第２領域の間隔が該ＩＧＢＴ領域の第２領域の間隔よりも広い。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明にかかる逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法および逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタによれば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとダイオードとが同一の半導体基板に形成されてなる逆導通型ＩＧＢＴにおいて、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびダイオードの電気的特性をともに最適な状態とすることができるという効果を奏する。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法および逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
以上のように、本発明にかかる逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法および逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、パワーエレクトロニクス分野における電源機器などに使用される電力用半導体装置に有用である。