【事件の表示】
　平成　９年特許願第１１３７２７号「射影リソグラフィー光学系」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　４月１０日出願公開、特開平１０−　９０６０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成９年５月１日（パリ条約による優先権主張１９９６年５月１日、米国）の出願であって、平成１４年２月１２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月２日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年７月２日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年７月２日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「射影リソグラフィーにおいて用いる光学系であって、
　リソグラフィーマスク（２８）からの像が露出波長を用いて半導体ウェハー（３０）上に射影され、
　ａ）前記リソグラフィーマスク（２８）と前記半導体ウェハー（３０）の間に配置された少なくとも６個の反射表面（１２〜２６）を有し、
　前記各反射表面は、非球面であり、
　前記少なくとも６個の反射表面（１２〜２６）のうちの２個で一組の反射表面はそれぞれ、亜系を構成し、
　前記各亜系は、凹反射表面及び凸反射表面を有し、
　前記凹反射表面は、凸反射表面より大きいことを特徴とする光学系。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「前記少なくとも６個の反射表面（１２〜２６）は、第１亜系、第２亜系、及び第３亜系を構成し」を「前記少なくとも６個の反射表面（１２〜２６）のうちの２個で一組の反射表面はそれぞれ、亜系を構成し」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
（２）−１　引用例の記載内容　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−１０３８０９号公報（以下、引用例１という。）の第１頁右欄第７行ないし同欄第１０行には、
「本発明は、反射鏡光学系、特に半導体集積回路を製造する際に、フォトレジストを塗布したウエハにマスク（原板）のパターンを縮小投影露光するための反射縮小投影光学装置に関する。」
と記載され、
　第２頁左上欄第５行ないし同欄第９行には、
「超ＬＳＩ等の極微細パターンからなる半導体素子…の製造のためには…軟Ｘ線やＸ線を用いることが不可欠となる。」と記載され、
　第２頁左下欄第２行ないし同頁右下欄第７行には、
「本発明による反射縮小光学装置は、第１図乃至第４図の概略構成図に示す如く、物体面上の物体Ｏのほぼ倍率１の虚像を形成する第１光学系Ｓ１と、該第１光学系による虚像から縮小実像を形成する第２光学系Ｓ２と、該第２光学系による実像からほぼ等倍の像を形成する第３光学系Ｓ３とを有する構成である。
　第１光学系Ｓ１はほぼ同心円状に配置された第１反射面Ｒ１としての凹面反射面、第２反射面Ｒ２としての凸面反射面及び所定の光軸Ａ１を有し、該第１光学系の物体面Ｏと像面Ｉ１とは同心中心Ｃ１をほぼ含み該第１光学系の光軸に垂直な面内又はこの面と光学的に等価な面内にほぼ位置している。第２光学系Ｓ２はＣ２を同心中心としてほぼ同心状に配置された第３反射面Ｒ３としての凸面反射面と第４反射面Ｒ４としての凹面反射面、そして第３反射面と第４反射面とによる実像Ｉ２の位置にほぼ配置された第５反射面Ｒ５としての凹面反射面及び所定の光軸Ａ２を有している。そして、第３光学系Ｓ３は第６反射面Ｒ６としての凹面反射面と所定の光軸Ａ３を有し、該第３光学系の物体面Ｏ３と像面Ｉは前記第６反射面Ｒ６の曲率中心Ｃ２をほぼ含み該第３光学系の光軸に垂直な面内又はこの面と光学的に等価な面内にほぼ位置する構成である。」
と記載されている。
　引用例１の第１図
　　　
　
（２）−２　引用例１の記載の発明
　引用例１には、フォトレジストを塗布したウエハにマスクのパターンを縮小投影露光するための反射縮小投影光学であって、軟Ｘ線やＸ線を用いて、マスクとウエハに対して、６個の反射面を有する光学系が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１に記載された発明とを比較する。
　一致点
　引用例１に記載された、「フォトレジストを塗布したウエハにマスクのパターンを縮小投影露光」、「マスク」、「ウエハ」及び「反射面」は、それぞれ、本願補正発明の、「射影リソグラフィー」、「リソグラフィーマスク」、「半導体ウェハー」及び「反射表面」に相当する。
　また、引用例１に記載された「軟Ｘ線やＸ線」は、本願補正発明の、「露出波長」に実質的に相当する。
　さらに、引用例１記載の第１光学系Ｓ１は、第１反射面Ｒ１としての凹面反射面、第２反射面Ｒ２としての凸面反射面からなる亜系を構成し、第２光学系Ｓ２は、第３反射面Ｒ３としての凸面反射面と第４反射面Ｒ４としての凹面反射面、第３反射面と第４反射面とによる実像Ｉ２の位置にほぼ配置された第５反射面Ｒ５からなる亜系を構成し、第３光学系Ｓ３は第６反射面Ｒ６としての凹面反射面からなる亜系を構成するから、両者は、
「射影リソグラフィーにおいて用いる光学系であって、
　リソグラフィーマスクからの像が露出波長を用いて半導体ウェハー上に射影され、
　前記リソグラフィーマスクと前記半導体ウェハーに対して配置された少なくとも６個の反射表面を有し、亜系を構成する光学系」
において一致する。
　
　相違点
　本願補正発明は、各反射表面は、非球面であるのに対し、引用例１に記載された発明は、その旨の記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）する。
　本願補正発明は、各亜系が凹反射表面及び凸反射表面を有するのに対し、引用例１に記載された発明では、第１光学系Ｓ１を構成する亜系は凹反射表面及び凸反射表面を有するものの、第２光学系Ｓ２を構成する亜系は、第３反射面Ｒ３としての凸面反射面と第４反射面Ｒ４としての凹面反射面、第３反射面と第４反射面とによる実像Ｉ２の位置にほぼ配置された第５反射面Ｒ５としての凹面反射面を有する亜系である点で相違し、第３光学系Ｓ３は第６反射面Ｒ６としての凹面反射面からなる亜系である点で相違（以下、「相違点２」という。）する。
　本願補正発明は、凹反射表面は、凸反射表面より大きいのに対し、引用例１に記載された発明では、その旨の記載がない点で相違（以下、「相違点３」という。）する。
　本願補正発明は、リソグラフィーマスクと前記半導体ウェハーの間に配置された少なくとも６個の反射表面を有するのに対し、引用例１に記載された発明では、ウエハの位置が６個の反射表面の外にあるとはいえず、従って、リソグラフィーマスクと前記半導体ウェハーの間に配置された少なくとも６個の反射表面を有するとはいえない点で相違（以下、「相違点４」という。）する。
　
（４）判断
　相違点１について検討する。
　反射光学系において、収差の補正のため非球面を用いることは慣用手段（例えば特開平７−１４７２３０号公報、特開昭６３−３１２６３９号公報等参照）であり、各反射表面を非球面とすることに何ら困難性はないから、相違点１に係る相違については当業者が容易に想到できたことである。
　相違点２について検討する。
　引用例１に記載された発明では、第２光学系Ｓ２を構成する亜系は、凹反射表面及び凸反射表面の他に、凹面反射面である第５反射面Ｒ５を有しているが、第５反射面Ｒ５は実像Ｉ２の位置にほぼ配置されており、光学的には、いわばフィールドレンズとして機能するものであり、その有無については単に設計上の選択事項にすぎない。
　また、第３光学系Ｓ３を構成する亜系は、凹反射表面のみからなるが、凹反射表面及び凸反射表面の収差が逆であることを用い、光学系の収差を互いに消しあわせることは光学設計における慣用手段であることを考慮すると、第３光学系Ｓ３を構成する亜系を凹反射表面及び凸反射表面とすることは当業者が容易に想到できたことである。
　従って、相違点２に係る相違については当業者が容易に想到できたことである。
　相違点３について検討する。
　凸反射表面から反射された光束は発散するので、この光束を受ける凹反射表面を凸反射表面より大きくすることは、光束を有効に利用する観点から自明の事項であり、また、光束を受ける凹反射表面を凸反射表面より大きくすることは、慣用手段（例えば特開平７−１４７２３０号公報参照）であることを考慮すると、相違点３に係る相違については当業者が容易に想到できたことである。　
　相違点４について検討する。
　引用例１において、ウエハの位置は特に第１図の位置に制限する必要はなく、ウエハを６個の反射表面の外側に置くことすなわち、リソグラフィーマスクと前記半導体ウェハーの間に配置された少なくとも６個の反射表面を有する構成とすることは当業者が容易に想到できたことであるから、相違点４に係る相違については当業者が容易に想到できたことである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１記載の発明及び慣用手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１記載の発明及び慣用手段に基づいて当業者が容易に想到しえたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年７月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１４年１月１７日付け補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「射影リソグラフィーにおいて用いる光学系であって、
　リソグラフィーマスク（２８）からの像が露出波長を用いて半導体ウェハー（３０）上に射影され、
　ａ）前記リソグラフィーマスク（２８）と前記半導体ウェハー（３０）
の間に配置された少なくとも６個の反射表面（１２〜２６）を有し、
　前記各反射表面は、非球面であり、
　前記少なくとも６個の反射表面（１２〜２６）は、第１亜系、第２亜系、及び第３亜系を構成し、
　前記各亜系は、凹反射表面及び凸反射表面を有し、
　前記凹反射表面は、凸反射表面より大きい
ことを特徴とする光学系。」
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断      
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、亜系の限定事項である「２個で一組の反射表面」との構成を省くものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１記載の発明及び慣用手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１記載の発明及び慣用手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明及び慣用手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。