【事件の表示】
　特願２０００−　２５８４５「フォトマスクおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月１０日出願公開、特開２００１−２１５６８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年２月３日の出願であって、平成１４年１２月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年１月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年１月２７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年１月２７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１４年１２月５日付けの手続補正書の請求項１に記載された
「露光光に対して透過性を有する透明基板と、前記透明基板上に形成された露光光を遮光する遮光膜とを備えた、投影光学系を介して所定のパターンを被露光基板上に露光するために用いられるフォトマスクにおいて、前記透明基板には、前記遮光膜とは逆パターンの、側面が垂直で均一な深さを有する凹部が形成されており、かつ、前記被露光基板上に形成される露光パターンの非露光パターンに対する寸法比は、前記遮光膜の開口パターンの前記遮光膜に対する寸法比より小さいことを特徴とするフォトマスク。」を
「露光光に対して透過性を有する透明基板と、前記透明基板上に形成された露光光を遮光する遮光膜とを備えた、投影光学系を介して所定のパターンを被露光基板上に露光するために用いられるフォトマスクにおいて、前記透明基板には、前記遮光膜とは逆パターンの、側面が垂直で均一な深さを有しかつ深さが露光光の波長の１倍から６倍の凹部が形成されており、かつ、前記被露光基板上に形成される露光パターンの非露光パターンに対する寸法比は、前記遮光膜の開口パターンの前記遮光膜に対する寸法比より小さいことを特徴とするフォトマスク。」
と補正したものである。
　
　この補正は、フォトマスクの凹部の深さを「露光光の波長の１倍から６倍」と限定したものである。
　
　これらの補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の限定的減縮に該当するものである。そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５７−５２０５６号（以下、「引用例１」という。）には、以下の点が記載されている。
ア．この発明は集積回路用のフォトマスクに関するものである。（公報第１頁左下欄１０〜１１行）
　
イ．第３図において、１１はフォトマスク、１２は所定の厚さの透明基板、１３は遮光膜、１４は透光面である。遮光膜１３と透光面１４とはその平面形状は所定のパターンにしたがって形成されている。また遮光膜１３と透光面１４とは一定の段差ｈをもって凹凸状に形成され、この段差ｈは露光装置内の投影レンズ５の焦点深度よりも大きくなるように形成されている。（公報第２頁左上欄５〜１３行）
　
　上記記載事項、及び図面も参照すれば、引用例１には、「露光光に対して透過性を有する透明基板と、前記透明基板上に形成された露光光を遮光する遮光膜とを備えた、投影光学系を介して所定のパターンを被露光基板上に露光するために用いられるフォトマスクにおいて、前記透明基板には、前記遮光膜とは逆パターンの、側面が垂直で均一な深さを有する凹部が形成されていることを特徴とするフォトマスク。」（以下「引用発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを比較すると、両者は「露光光に対して透過性を有する透明基板と、前記透明基板上に形成された露光光を遮光する遮光膜とを備えた、投影光学系を介して所定のパターンを被露光基板上に露光するために用いられるフォトマスクにおいて、前記透明基板には、前記遮光膜とは逆パターンの、側面が垂直で均一な深さを有する凹部が形成されていることを特徴とするフォトマスク。」の点で一致し、以下の各点で相違している。
　
相違点１
　本願補正発明は、凹部の深さを「露光光の波長の１倍から６倍」と限定しているのに対し、引用発明は、そのような限定がない点。
　
相違点２
　本願補正発明は、「前記被露光基板上に形成される露光パターンの非露光パターンに対する寸法比は、前記遮光膜の開口パターンの前記遮光膜に対する寸法比より小さい」と限定しているのに対し、引用発明は、そのような限定がない点。
　
（４）判断
相違点１について
　本願明細書の段落【００１１】には、「図２に示すように、透明基板１の掘り込み深さＤが波長（１×λ）以上でマスク直下の光強度を表すグラフの勾配が大きくなることが確認され、更に１×λ→３×λ→６×λと増えるに従いその傾向が顕著になり、高い解像度が得られることが解る。」と記載されている。
　ここで、図２を見てみると、凹凸がない場合と、１λの場合とでは、有意の差異があるようには見えず、また、６λ以上のグラフがなく、その場合のグラフが不明であるが、段落【００１１】の「増えるに従いその傾向が顕著になり」の記載からは、λの倍数が大きい方が良いようにも理解できる。いずれにしても、１λ、６λに臨界的意義があるとは認められない。
　また、請求人は、審判請求理由に中（請求書７頁）で、「引用例３ではゴミなどの転写を防止するためにウェハ上で約１μmデフォーカスしていなければなりません。」及び「本願発明では凹部の深さが引用例３に比べて十分浅い（光源がＡｒＦの場合で波長の３倍で約６００ｎｍ）ので上記の問題点はありません。」と主張しているが、本願補正発明は、凹部の深さの上限は６λで、約１２００ｎｍであり、しかも、引用発明の凹部の深さを約１μmと理解しなければならないということもないので、請求人の主張は採用できない。
　してみれば、引用発明において、相違点１の構成を限定することは、当業者が必要に応じてなし得る設計事項である。
　
相違点２について
　被露光基板上の所望のパターンを得るためのマスク上のパターンを、被露光基板上の所望のパターンとは異なるものに設計すること（マスク上のパターンを補正すること）は、当業者には従来周知（例えば、特開平６−２７３９１４号公報、特開平４−１７９９５２号公報、特開平１−１８１４２２号公報、特開平９−３１９０６７号公報等参照。）の技術事項である。
　そして、開口部と遮光部の比率を、具体的にどのように補正するかは、露光、現像（例えば、ネガ型レジスト、ポジ型レジスト）、パターン形状などの種々の条件に応じて、設計される事項にすぎない。
　しかも、フォトマスクの発明において、被露光基板上のパターンの寸法が構成要件となることの技術的意義が格別あるとも認められない。
　してみれば、引用発明において、相違点２の構成を限定することは、当業者が必要に応じてなし得る設計事項である。
　
　そして、本願補正発明の効果も、引用発明、及び従来周知の技術事項から予測される範囲のもので格別のものとは言えない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年１月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１４年１２月５日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「２．（１）補正後の本願発明」の項参照。）
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、フォトマスクの凹部の深さが「露光光の波長の１倍から６倍」との限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。