(57)【要約】ＴＥ０１δモードで共振する誘電体共振素子部と、その誘電体共振素子部の底面に対し垂直方向に配置した突起部とを一体成形するとともに、誘電体共振素子部底面側の面積が突起部下面の面積よりも大きくなるように突起部の外周部側面を傾斜させる。この構造により、誘電体共振素子部の磁界を突起部の外周部側面の傾斜している部分とその周辺へも広げ、誘電体共振素子部の下方周辺の磁界分布の広がりを大きくし、突起部から離れた位置に入出力電極を配置した場合にも、入出力用電極と誘電体共振素子部とを十分に強く結合させる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体共振素子部と、前記誘電体共振素子部の底面に対し垂直方向に配置された突起部を一体成形してなる誘電体共振器において、
前記突起部の前記誘電体共振素子部底面側の面積が前記突起部下面の面積よりも大きくなるように前記突起部の外周部側面が傾斜され、かつ前記誘電体共振素子部に使用する電磁界モードがＴＥ０１δモードであることを特徴とする誘電体共振器。
【請求項２】
請求項１記載の誘電体共振器において、
前記突起部の外周部側面すべてが傾斜されたことを特徴とする誘電体共振器。
【請求項３】
請求項１および請求項２記載の誘電体共振器において、
前記誘電体共振素子部の底面積が、前記突起部の前記誘電体共振素子部底面側の面積よりも大きいことを特徴とする誘電体共振器。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３記載の誘電体共振器を複数備えたことを特徴とするフィルタ。
【請求項５】
請求項４記載のフィルタを２個備えたことを特徴とするデュプレクサ。
【請求項６】
請求項１ないし請求項３記載の誘電体共振器を備えたことを特徴とする発振器。
【請求項７】
請求項１ないし請求項３記載の誘電体共振器、請求項４記載のフィルタ、請求項５記載のデュプレクサあるいは請求項６記載の発振器のうち、少なくとも一つを備えたことを特徴とする通信機装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、マイクロ波帯、ミリ波帯において使用されるＴＥ０１δモード誘電体共振器と、これを用いたフィルタ、デュプレクサ、発振器およびそれらを備えた通信機装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  マイクロ波帯あるいはミリ波帯を使用した携帯電話等の無線通信システムにおいては、そこで使用するフィルタや発振器用に誘電体共振器が使用されている。そのうち、高Ｑで、かつ高い耐電力性が必要な用途にＴＥ０１δモード誘電体共振器が使用される。ＴＥ０１δモード誘電体共振器は、円柱状あるいは角柱状の誘電体共振素子を支持体で支える構造となっている。この共振器を外部回路と接続するためには、共振器を実装する基板上のマイクロストリップ線路や、金属プローブ等の入出力用電極が必要である。ここで前記デバイスの所望の電気特性を得るためには、入出力用電極と共振器間の距離等により変化する外部回路との結合量を所望値に設定する必要がある。ＴＥ０１δモード誘電体共振器において外部回路と結合を得る方法として以下のような方法が提案されている。【０００３】  特許文献１においては、マイクロ波帯発振器に使用するＴＥ０１δモード誘電体共振器を取り付けた誘電体の支持体をはさみこむように、マイクロストリップ線路の入出力用電極が配置されている。【０００４】  また、特許文献２においては、外部回路との結合を強くする方法として、ＴＥ０１δモード誘電体共振素子が支持体上に傾斜をつけて配置された高周波発振器が示されている。この方法により、共振素子が下に傾いている側に入出力用電極を配置した場合は、外部回路との結合を強くすることができる。また支持体から離れた位置に入出力用電極を配置できるため、支持体を入出力電極上に設置するおそれも少なくなり、発振特性が不安定になる可能性を小さくすることができる。
【特許文献１】特開平５−１５２８４５号公報
【特許文献２】特開平２−２４６４０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  ＴＥ０１δモード誘電体共振器の磁界は、例えば誘電体共振素子が円柱状の場合、その円形上面の中央付近から誘電体共振素子の上部へ、そして誘電体共振素子縁端部の外部を通り、円形下面へとループ状に、かつ放射状に分布している。特許文献１の構造では、誘電体共振素子の磁界が誘電体共振素子の下方周辺には十分広がっていない。従って誘電体共振素子部とマイクロストリップ線路を強く結合させるためには、支持体近傍までマイクロストリップ線路を近づける必要がある。これにより強い外部結合は得られるものの、支持体とマイクロストリップ線路の間隔が、支持体の実装基板への実装精度よりも狭い場合、支持体がマイクロストリップ線路上に実装されるおそれがある。これにより共振器特性が変化し、発振器の発振特性が不安定になるという問題が発生する。【０００６】  また特許文献２の構造では次のような問題がある。まず共振器が上に傾いた側では強い外部結合が得られないため、入出力用電極を配置する場所に制限が生じる。またＴＥ０１δモード誘電体共振器を使用したフィルタや発振器等では、キャビティ内に共振器を配置することが一般的である。しかし上に傾いた側の共振器上部の磁界が、キャビティの上部面による摂動を受けて共振周波数が変化する。また共振器が傾いているため、発振器の高さが高くなる。さらにＴＥ０１δモード誘電体共振器の場合、共振器上部からネジ等により共振周波数の調整が行なわれている。しかし本特許文献の構造では共振器上面が傾いているため、共振器上部の磁界分布が一様ではなくなり、傾いていない場合に比べ共振周波数の調整が難しくなる。【０００７】  以上のように前記二つの特許文献では、共振器と入出力用電極との結合を強くすることはできるが、実装精度による特性劣化や、共振器使用上の制限があるという問題が生じてしまう。そこで本発明は、入出力用電極が共振器から離れていても外部回路と強い結合が得られ、共振器の実装精度による共振器特性の変化もないＴＥ０１δモード誘電体共振器と、これを用いたフィルタ、デュプレクサ、発振器等とそれらを備えた通信機装置を得ることを目的とした。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  上記課題を解決するために本発明の誘電体共振器は、誘電体共振素子部と、前記誘電体共振素子部の底面に対し垂直方向に配置された突起部を一体成形してなる誘電体共振器において、前記突起部の前記誘電体共振素子部底面側の面積が前記突起部下面の面積よりも大きくなるように前記突起部の外周部側面が傾斜され、かつ前記誘電体共振素子部に使用する電磁界モードがＴＥ０１δモードであることを特徴とした。【０００９】  この構造により誘電体共振素子部の磁界が突起部の外周部側面の傾斜している部分とその周辺へも広がるため、従来構造よりも誘電体共振素子部の下方周辺の磁界分布の広がりを大きくすることができる。この効果により突起部から離れた位置に入出力電極を配置しても入出力用電極と十分強い結合が得られる。このため入出力用電極との接触もなくなるため、共振器特性の変化をなくすことができる。【００１０】  また突起部の外周部側面が傾斜されていない場合、誘電体共振素子部と突起部の境界に直角に近い段差ができる。この誘電体共振素子部と突起部をプレス成形により一体成形する時、その境界で成形密度が急激に変化し、安定した成形が行えなかった。しかし本発明のように突起部の外周部側面を傾斜させることにより、誘電体共振素子部と突起部の境界の段差が小さくなるため、成形密度の急激な変化を緩和でき、安定した成形が行なえるようになる。またこの構造により、成形が容易で安価な一軸加圧プレス成形法も使用することができるようになる。【００１１】  次に本発明においては、突起部の外周部側面全体を傾斜させることにより、突起部と入出力用電極の間隔及び結合長さが同じ場合、入出力用電極を突起部周囲のどの位置に配置しても同じ結合量が得られ、入出力用電極の配置場所の制限がなくなる。【００１２】  さらに本発明においては誘電体共振素子部の底面積を、突起部の誘電体共振素子部底面側の面積よりも大きくしている。この構造にすることにより、誘電体共振素子部の底面の縁端部に環状の平坦な部分を作製することができる。本発明のＴＥ０１δモード誘電体共振器は、誘電体共振器素子部と突起部を金型を用いて一体成形により作製している。本発明のように誘電体共振素子部の底面に平坦な部分を設けることにより、成形用金型に鋭利な部分が必要なくなり、金型の耐久性と耐摩耗性が向上する。【００１３】  また本発明のＴＥ０１δモード誘電体共振器をフィルタあるいは発振器に使用した場合、所望のフィルタあるいは発振器特性を得るために外部回路との強い結合が必要な場合でも、実装精度の影響による共振器特性の変化がないため、所望のフィルタおよび発振器特性を得ることができる。【００１４】  また本発明のＴＥ０１δモード誘電体共振器を使用したフィルタを用いてデュプレクサを作製した場合、共振器と送信側回路、受信側回路およびアンテナの入出力用電極間に強い結合が必要な場合でも、実装精度の影響による共振器特性の変化がないため、所望のデュプレクサ特性を得ることができる。【００１５】  また本発明のＴＥ０１δモード誘電体共振器や、それを利用したフィルタ、デュプレクサ、発振器等を少なくとも一つ用いた通信機装置も前記デバイス同様に所望の特性を得ることができる。
【発明の効果】
【００１６】  以上のように本発明の誘電体共振器は、誘電体共振素子部と、前記誘電体共振素子部の底面に対し垂直方向に配置された突起部を一体成形してなる誘電体共振器において、前記突起部の前記誘電体共振素子部底面側の面積が前記突起部下面の面積よりも大きくなるように前記突起部の外周部側面が傾斜され、かつ前記誘電体共振素子部に使用する電磁界モードがＴＥ０１δモードであることを特徴としているので、入出力用電極が突起部から離れていても外部回路と強い結合が得られ、共振器の実装精度の影響による共振器特性の変化がない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】［図１］本発明の一実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器の概略断面図である。
［図２］本発明の一実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器の突起部下面の外周部の任意点からの距離と、その位置での磁界強度との関係を示したグラフである。
［図３］本発明の一実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器の成形工程に用いる金型とＴＥ０１δモード誘電体共振器の概略断面図である。
［図４］本発明の一実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器において、その突起部側面の外周部に設けた傾斜の形状を変更したときの実施例の概略断面図である。
［図５］本発明の一実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器において、その突起部内部にくぼみと傾斜を設けた実施例における概略断面図である。
［図６］本発明の一実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器において、その内部に空洞を設けた実施例における概略断面図である。
［図７］本発明の一実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器を用いて作製したフィルタの概略断面図である。
［図８］本発明の一実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器を用いて作製したデュプレクサの概略断面図である。
［図９］本発明の一実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器を用いて作製した発振器の概略平面図である。
［図１０］本発明のＴＥ０１δモード誘電体共振器を使用した通信機器の送受信回路の概略回路図である。
［図１１］従来技術におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器の概略断面図である。
【符号の説明】
【００１８】  １、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、１１０  誘電体共振器
２  誘電体共振素子部
３  突起部
４  突起部下面の直径
５  突起部の誘電体共振素子部側の面の直径
６  誘電体共振素子部の底面の直径
７、３１、４１、５１  突起部外周部に設けた傾斜
８、６３、７３、８２、８３、１１１  入出力用電極
９  実装用基板
１０、６２、７４  キャビティ
１１  突起部下面外周部の任意点
１２  磁界
１３  突起部外周部の傾斜角度
１４  突起部下面外周部の任意点からの距離
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】  以下において図を参照しつつ本発明の第１の実施例について説明する。図１は本発明の一実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器１の概略断面図である。図１において誘電体共振素子部２は円柱上で、その底面に垂直な軸方向で、誘電体共振素子部２の底面側に突起部３が配置されており、この突起部３の断面も円形になっている。本実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器１の寸法は、誘電体共振素子部２の底面の直径６が５．６ｍｍ、厚みが２．５ｍｍ、突起部３の誘電体共振素子部の底面側面の直径５が４ｍｍ、突起部３の下面の直径４が３．２ｍｍで突起部３の厚みが１ｍｍである。このように突起部３の誘電体共振素子部の底面側面積（直径５）を、突起部下面の面積（直径４）よりも大きくすることにより、突起部の外周部に傾斜を持たせた構造としている。また誘電体共振素子部２の底面積（直径６）を、突起部３の誘電体共振素子部の底面側面積（直径５）よりも大きくすることにより、誘電体共振素子部２の底面縁端部に、環状の平坦な部分を形成している。この誘電体共振器１は、Ｃｕ配線等を用いたマイクロストリップ線路による入出力用電極８が作製されたガラスエポキシ基板等の実装基板９上に接着剤等により接着、固定され、キャビティ１０で覆われた構造で使用される。なおキャビティ１０は金属製もしくはセラミックの表面に導体を付与した導電性ケースからなる。【００２０】  また誘電体共振素子部２と突起部３は、誘電体材料を用いてプレス成形により一体成形する。本実施例で使用した共振器１の誘電体材料は、チタン酸ジルコニウ厶−チタン酸錫系化合物で、比誘電率は３８である。【００２１】  本実施例の構造において、図１のようにＴＥ０１δモード誘電体共振器１の突起部３下面の外周上の任意点１１を原点とし、そこから外部へ離れる方向へ距離１４を変化させたときの磁界強度の変化をシミュレーションにより求めた。その結果を図２に示す。なおＴＥ０１δモード誘電体共振器の磁界は、図１中の１２で示されるような分布となっている。また図２中に示す角度は、図１に示す突起部３の傾斜角度１３である。このグラフは傾斜角度１３が０°のとき、つまり突起部３に傾斜がないときの原点１１での磁界強度を基準とし、距離１４が変化したときの磁界強度をその基準値との比で表している。なお突起部の傾斜角度が０°、つまり傾斜がない従来構造の共振器の概略断面図を図１１に示す。グラフ中には、図１に示す傾斜角度１３の変化による磁界強度の変化も示している。【００２２】  ここで傾斜角度１３が０°の従来構造において、所望の共振器特性を得るために、原点１１部分に入出力用電極８を配置し、入出力回路８との結合を強くしなければならない場合がある。しかしこの構造では、突起部３を実装基板９上に実装する場合、現在の共振器実装精度では突起部３が入出力用電極８上に配置され、共振器特性が劣化する可能性がある。しかし図１のような本発明の構造においては、例えば突起部３の傾斜角度１３を２０°にした場合、従来構造で原点１１において得られていた磁界強度（グラフ中のＡ点）と同じ磁界強度が、原点１１から０．３５ｍｍ離れた位置（グラフ中のＢ点）で得られることが分かる。つまり、従来構造においては突起部下面の外周部に配置する必要があった入出力電極を、図１のように突起部の外周側面に傾斜を持たせることにより突起部下面の外周部から０．３５ｍｍ離した位置に配置することができる。このことにより現在の共振器実装精度で突起部３を実装した場合、実装位置が変動したとしても突起部３と入出力電極８の間隔が０．３５ｍｍ離れていれば突起部３が入出力電極８上に実装されることはなく、これにより共振器特性が劣化することもなくなる。【００２３】  また図１に示す傾斜角度１３を大きくするほど、同じ磁界強度が得られる位置は原点１１から遠くなることが分かる。これは図１のように突起部３に傾斜を持たせることにより、誘電体共振素子部２の磁界が突起部３の傾斜させた部分７とその下方周辺へ大きく広がるためである。この結果より、傾斜角度１３を共振器実装精度による特性劣化の問題が生じない２０°以上で、共振器構造上の問題が生じない９０°未満の範囲で選ぶことにより、ＴＥ０１δモード誘電体共振器の実装精度に関係なく所望の共振器特性が得られることがわかる。【００２４】  なお本実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器の誘電体材料としては共振器の仕様周波数帯等により、本実施例の材料以外に希土類チタン酸バリウム系化合物、チタン酸バリウム系化合物、亜鉛タンタル酸バリウム系化合物、マグネシウムタンタル酸バリウム系化合物、アルミニウム酸希土類−チタン酸バリウム系化合物、チタン酸マグネシウム−チタン酸カルシウム系化合物、亜鉛ニオブ酸カルシウム系化合物、コバルト亜鉛ニオブ酸バリウム系化合物からなる群より選択しても構わない。なおこのときの誘電体材料の比誘電率は、２０〜１３０の間の任意の値である。また誘電体共振素子部２および突起部３の形状は円柱上に限るものではなく、多角柱状でも構わない。さらに図１に示した入出力用電極はマイクロストリップ線路であるが、コプレナ線路等の他の平面型線路のほか、金属プローブ等を用いても同様の効果を得ることができる。【００２５】  また本発明の構造においては、誘電体共振素子部２の形状は従来と同様なので、上部キャビティによる特性変化もなく、誘電体共振素子部２の上部からの周波数調整も容易に行なうことができる。【００２６】  以上のように、突起部外周部側面に傾斜を持たせることにより、傾斜がない従来構造に比べ、磁界分布を突起部外周の傾斜部分とその下方周辺へ大きく広げることができる。これにより、入出力用電極が突起部から離れていても外部回路と強い結合が得られ、誘電体共振器の実装精度の影響による共振器特性の変化がないＴＥ０１δモード誘電体共振器を得ることができる。【００２７】  図３は、第１の実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器を一体成形により作製する時に使用する金型と成形時の共振器の概略断面図である。図３に示すように、ＴＥ０１δモード誘電体共振器２０を一体成形する場合の金型として、ダイス２１、第１パンチ２２および第２パンチ２３が必要である。本発明におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器では、図３のように誘電体共振素子部底面の縁端部に環状の平坦な部分２４を設けている。このため各金型には鋭利な部分等の強度が弱い部分が必要なく、金型の耐久性や耐摩耗性を向上する���とができる。【００２８】  図４は、第１の実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器の突起部外周部に設けた傾斜の形状を変更した実施例の概略断面図である。突起部外周部の傾斜の形状３１は、誘電体共振器３０の成形のしやすさ、所望の外部回路との結合量および誘電体共振器の実装精度等を考慮して図４に示すような各種の形状が考えられる。図４（ａ）は突起部の外側へ円弧状の傾斜をもたせたもの、図４（ｂ）は突起部の傾斜を直線状にしたもの、図４（ｃ）は突起部の内部側へ円弧状の傾斜を持たせたものである。傾斜部分以外の構造をすべて同じにし、入出力電極を突起部下面の外周部よりすべて同じ位置に配置した場合、入出力電極部での磁界強度の強さは、図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）の順となり、傾斜部の形状により磁界強度を調整することができる。また図４（ｄ）は誘電体共振素子部底面の縁端部に環状の平坦部３２ｄを作製している。これにより、テーパ部下方周辺での磁界分布を広くでき、かつ成形用金型の耐久性と耐摩耗性を向上することができる。また図４（ｅ）は誘電体共振素子部底面の縁端部の平坦部３２ｅと突起部３１ｅの境界部を円弧状にしている。この構造により成形用金型も円弧状になるため、その耐久性と耐摩耗性をさらに向上させることができる。【００２９】  図５は、第１の実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器の突起部内部にくぼみを設けた構造である。誘電体共振器作製工程や実装工程の都合上、および所望の共振器特性を得るために、突起部内部にくぼみが必要な場合がある。この場合でも、図５（ａ）のように突起部４２ａの外周部に傾斜４１ａを持たせることにより、第１の実施例と同様の効果を得ることができる。また図５（ｂ）のように突起部４２ｂの内部のくぼみの側面にも傾斜４３ｂを持たせることにより、容易で安価な成形方法である一軸加圧プレスによる成形がさらに容易になる。【００３０】  図６は、第１の実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器の共振周波数調整のため、共振器５０内部に共振器上面に垂直な方向に調整穴５２を設けた構造である。これはネジ等を調整穴５２に挿入し、その挿入量により共振周波数を調整する目的である。このような構造においても、その突起部の外周部側面に傾斜５１を持たせることにより、第１の実施例と同様な効果を得ることができる。【００３１】  図７は、第１の実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器を使用したフィルタの概略断面図を示したものである。３個のＴＥ０１δモード誘電体共振器６０が、入出力端子用同軸コネクタ６１がとりつけられたキャビティ６２内に配置して構成されている。同軸コネクタ６１の先端にはＴＥ０１δモード誘電体共振器６０と電磁結合するための入出力用電極（金属プローブ）６３が設けられている。各共振器６０は突起部下面をキャビティ６２に接着剤等により接着し固定される。また各共振器６０の上部には、共振周波数を調整するための調整ネジ６４を有する。キャビティ６２は金属製、もしくはセラミックの表面に導体を付与した導電性ケースからなる。なおフィルタを構成する共振器の数は、所望のフィルタ特性を得るために３個に限るものではない。【００３２】  図８は、第１の実施例におけるＴＥ０１δモー���誘電体共振器を使用したデュプレクサの一実施例における概略断面図を示したものである。図８は受信用フィルタ７６を構成する３個と送信用フィルタ７７を構成する２個のＴＥ０１δモード誘電体共振器７０が、キャビティ７４内に配置されたものである。図８中の同軸コネクタ７１は受信用フィルタ７６および送信用フィルタ７７の入出力端子用、同軸コネクタ７２は送信用と受信用フィルタの入出力を共用するアンテナ入出力端子用である。それぞれの同軸コネクタの先端には、共振器７０と電磁結合するための入出力用電極（金属プローブ）７３が取り付けられている。各共振器７０は突起部下面をキャビティ７４に接着剤等により接着し固定される。各共振器７０の上部には、共振周波数を調整するための調整ネジ７５を有する。キャビティ７４は金属製、もしくはセラミックの表面に導体を付与した導電性ケースからなる。なおフィルタを構成する共振器の数は、所望のフィルタ特性を得るために前記の個数に限るものではない。【００３３】  図９は、第１の実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器を使用した発振器の一実施例における概略平面図を示したものである。ＴＥ０１δモード誘電体共振器８０は、第１のスタブ８２および第２のスタブ８３の一端と所望の共振周波数で結合するように配置される。また前記第１のスタブ８２と第２のスタブ８３の他端は、それぞれエミッタ接地されるトランジスタ８１のベース端子８８とコレクタ端子８９に接続されている。さらにトランジスタ８１のベース端子８８とコレクタ端子８９には、それぞれベース電圧供給配線８４、コレクタ電圧供給配線８５が接続され、コレクタ端子８９には出力負荷キャパシタ８６を介して発振出力端子８７も接続されている。なお前記ベース電圧供給配線８４とコレクタ電圧供給配線８５の他端は、直流電源供給部８６に接続されている。本実施例における発振回路では、前記誘電体共振器８０と第１のスタブ８２がフィードバック回路を、誘電体共振器８０と第２のスタブ８３が発振側回路を構成している。トランジスタ８１のベース端子８８とコレクタ端子８９には、それぞれベース電圧供給配線８４とコレクタ電圧供給配線８５を介して、直流電源が供給される。トランジスタのコレクタ端子８９からの発振出力は、発振出力端子８７から取り出される。【００３４】  図１０は、第１の実施例におけるＴＥ０１δモード誘電体共振器を使用した通信機器の送受信回路の一実施例を示したものである。送信側信号の処理は次のように行なわれる。分周器９１を通してミキサ９２に入力された局部発振器９０の信号を用いて送信側信号９３を周波数変換する。次に帯域通過フィルタ９４により、送信側信号の送信周波数帯域以外の周波数成分を除去する。その後、増幅器９５により増幅され、デュプレクサ９６の送信側フィルタ９７を介してアンテナ９９より送信側信号が送信される。また受信側信号の処理は次のように行なわれる。アンテナ９９から受信された受信側信号は、デュプレクサ９６の受信側フィルタ９８から受信側回路へ出力される。その信号のうち、受信周波数帯域以外の成分は帯域通過フィルタ１００により除去され、増幅器１０１により増幅される。その後、ミキサ１０２で帯域通過フィルタ１０３から���力される局部発振器９０の周波数信号により受信信号よりも低い周波数に周波数変換され、中間周波信号１０４が出力される。この回路においては、送信用帯域通過フィルタ９４、受信用帯域通過フィルタ１００およびデュプレクサ９６に前記実施例で示したフィルタおよびデュプレクサを使用した。さらに発振器９０に、本発明のＴＥ０１δモード誘電体共振器を使用した。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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2005062415.tif 000014