【手続補正書】
【提出日】平成30年4月11日(2018.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の磁性膜と前記第一の磁性膜の上方に配置された金属酸化膜と前記金属酸化膜の上方に配置された第二の磁性膜とにより構成された磁気抵抗素子を製造する磁気抵抗素子の製造方法において、
前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜を酸化または還元させる第一の工程と、
前記第一の工程後、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が酸化された場合、前記磁気抵抗素子を構成し酸化された磁性膜または前記酸化された金属酸化膜を選択的に還元させ、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が還元された場合、前記磁気抵抗素子を構成し還元された磁性膜または前記還元された金属酸化膜を選択的に酸化させる第二の工程とを有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第一の工程と前記第二の工程を真空状態にて行うことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第一の工程は、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜を酸化させることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
第二の工程は、熱平衡状態におけるギブスのエネルギー変化量の分布が正の値の領域と負の値の領域を備えるガスを用いて行われることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
第二の工程は、水素ガス、カルボキシ基を含有するガスまたはアルデヒド基を含有するガスを用いて行われることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第二の工程は、蟻酸ガスを用いて行われることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第二の工程の還元処理における処理圧力を０．１〜２２０００Ｐａの範囲内の値とし、
前記第二の工程の還元処理における処理温度を１０７〜４００℃の範囲内の値とすることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項８】
請求項３に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第一の工程前に前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜をプラズマエッチングするエッチング工程をさらに有し、
前記エッチング工程、前記第一の工程および前記第二の工程の各々の処理温度は、前記磁気抵抗素子が形成された試料を真空搬送する時、金属酸化膜の変質を抑制する温度であることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項９】
請求項３に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第二の工程後、前記磁気抵抗素子に保護膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記エッチング工程、前記第一の工程および前記第二の工程の各々の処理温度は、８３〜４００℃の範囲内の温度であることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項１１】
第一の磁性膜と前記第一の磁性膜の上方に配置された金属酸化膜と前記金属酸化膜の上方に配置された第二の磁性膜とにより構成された磁気抵抗素子を真空状態にて製造する真空処理装置において、
前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜を酸化または還元させる第一の処理室と、
前記第一の処理室の処理後、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が酸化された場合、前記磁気抵抗素子を構成し酸化された磁性膜または前記酸化された金属酸化膜を選択的に還元させ、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が還元された場合、前記磁気抵抗素子を構成し還元された磁性膜または前記還元された金属酸化膜を選択的に酸化させる第二の処理室とを備え、
前記第一の処理室および前記第二の処理室は、真空状態にて処理が行われる処理室であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の真空処理装置において、
前記第一の処理室は、酸化処理が行われる処理室であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項１３】
第一の磁性膜と前記第一の磁性膜の上方に配置された金属酸化膜と前記金属酸化膜の上方に配置された第二の磁性膜とにより構成された磁気抵抗素子を真空状態にて製造する真空処理装置において、
前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜を酸化または還元させる第一の処理と、
前記第一の処理後、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が酸化された場合、前記磁気抵抗素子を構成し酸化された磁性膜または前記酸化された金属酸化膜を選択的に還元させ、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が還元された場合、前記磁気抵抗素子を構成し還元された磁性膜または前記還元された金属酸化膜を選択的に酸化させる第二の処理と、が行われる処理室を備え、
前記処理室は、真空状態にて処理が行われる処理室であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の真空処理装置において、
前記処理室は、酸化処理用ガスを導入するための第一のガス導入機構と還元処理用ガスを導入するための第二のガス導入機構が独立に配置されていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の真空処理装置において、
前記第一のガス導入機構は、希ガスまたは前記希ガスと窒素ガスの混合ガスを流すことにより前記還元処理用ガスの混入を防ぐ機構を具備することを特徴とする真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明は、第一の磁性膜と前記第一の磁性膜の上方に配置された金属酸化膜と前記金属酸化膜の上方に配置された第二の磁性膜とにより構成された磁気抵抗素子を製造する磁気抵抗素子の製造方法において、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜を酸化または還元させる第一の工程と、前記第一の工程後、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が酸化された場合、前記磁気抵抗素子を構成し酸化された磁性膜または前記酸化された金属酸化膜を選択的に還元させ、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が還元された場合、前記磁気抵抗素子を構成し還元された磁性膜または前記還元された金属酸化膜を選択的に酸化させる第二の工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、本発明は、第一の磁性膜と前記第一の磁性膜の上方に配置された金属酸化膜と前記金属酸化膜の上方に配置された第二の磁性膜とにより構成された磁気抵抗素子を真空状態にて製造する真空処理装置において、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜を酸化または還元させる第一の処理室と、前記第一の処理室の処理後、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が酸化された場合、前記磁気抵抗素子を構成し酸化された磁性膜または前記酸化された金属酸化膜を選択的に還元させ、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が還元された場合、前記磁気抵抗素子を構成し還元された磁性膜または前記還元された金属酸化膜を選択的に酸化させる第二の処理室とを備え、前記第一の処理室および前記第二の処理室は、真空状態にて処理が行われる処理室であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
さらに本発明は、第一の磁性膜と前記第一の磁性膜の上方に配置された金属酸化膜と前記金属酸化膜の上方に配置された第二の磁性膜とにより構成された磁気抵抗素子を真空状態にて製造する真空処理装置において、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜を酸化または還元させる第一の処理と、前記第一の処理後、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が酸化された場合、前記磁気抵抗素子を構成し酸化された磁性膜または前記酸化された金属酸化膜を選択的に還元させ、前記磁気抵抗素子を構成する磁性膜と前記金属酸化膜が還元された場合、前記磁気抵抗素子を構成し還元された磁性膜または前記還元された金属酸化膜を選択的に酸化させる第二の処理と、が行われる処理室を備え、前記処理室は、真空状態にて処理が行われる処理室であることを特徴とする。