(57)【要約】  赤外線検出器デュワーシステム(100)は、筐体(106)及び赤外線検出器(104、202)を含む。該システムは、第1端部で筐体に結合された1つ以上のストラット部材(108、206)を含む。該システムは、赤外線検出器に及び1つ以上のストラット部材の第２端部に結合されたコールドシールド(102、200)をさらに含む。コールドシールドは、1つ以上のストラット部材に整合した補強リング(300)を含む。コールドシールドは、支持リング(308)によって包囲されたディスク(306)を有する支持部材を形成することによって、形成される。支持部材は、補強リングがストラット位置に整合するように配置されるように、マンドレル(404)内に位置決めされる。次いで、マンドレル及び支持部材の少なくとも一部上に銅を電気メッキし、その後、前記マンドレルの全てを除去／溶解することによって、コールドシールドが形成される。
2020516909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持リングによって包囲されたディスクを有する支持部材を形成する工程；
前記支持部材がストラット位置に整合して配置されるように、マンドレルの内部に前記支持部材を位置決めする工程であり、該ストラット位置は、計画されたストラット部材に結合するための位置を含む工程；及び
前記マンドレル及び前記支持部材の一部上に銅を電気メッキすることによってコールドシールドを形成する工程；
を含む方法。
【請求項２】
前記の支持部材を形成する工程は、ニッケルを電気メッキして前記ディスク及び前記支持リングを形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マンドレルを溶解する工程をさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記コールドシールドが連続した銅の本体を含み；
前記支持部材がニッケル支持バッフルを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記マンドレルは複数のバッフルを形成するように構成されている、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記支持部材が前記複数のバッフル内に配置された１つのバッフルを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記コールドシールドを形成する工程は、前記複数のバッフルの各々を形成するために銅を電気メッキする工程を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
筐体；
赤外線検出器；
それぞれの第1端部が前記筐体に結合された1つ以上のストラット部材；及び
前記赤外線検出器に結合され、前記1つ以上のストラット部材のそれぞれの第２端部に結合されたコールドシールドであって、前記1つ以上のストラット部材に整合した補強リングを備える、コールドシールド；
を含むシステム。
【請求項９】
前記コールドシールドが銅を含み；
前記補強リングがニッケルを含む；
請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記コールドシールドが連続した銅の本体を含み；
前記銅の一部が前記補強リングの一部上に位置されている；
請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記補強リングは、前記コールドシールド内の複数のバッフルの間に１つ以上の補強バッフルを備える、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記補強リングは、前記補強リングの側部表面の少なくとも一部が前記1つ以上のストラット部材の少なくとも一部に整合されるように、前記1つ以上のストラット部材に整合される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記コールドシールドにおいて、1つ以上のストラット部材に整合した少なくとも２つの補強リングを備える、請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
前記補強リングが、
ディスクであり、当該ディスクの中心に配置された開口部を有するディスク；及び
前記ディスクの外縁の周囲にある支持リング；
を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１５】
可変アパーチャ機構(VAM)に結合するように適合された頂部表面であり、前記VAMのアパーチャと整合するように構成された開口部を有する、頂部表面；
冷却された物体に結合するように構成された底部;
ストラットに結合するように構成された接触部であり、前記頂部表面、底部及び接触部が連続した本体を形成する、接触部；
連続本体内の複数のバッフルであり、各バッフルが、前記VAMのアパーチャに整合するように構成された開口部を有する、複数のバッフル；及び
前記ストラットが前記連続本体に結合されるときに前記ストラットに整合するように配置される補強リング；
を含む装置。
【請求項１６】
前記連続本体が銅を含み、前記補強リングがニッケルを含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記銅の少なくとも一部が、前記補強リングの一部の上に配置され、
前記補強リングは、
前記VAMのアパーチャに整合するように配置された開口部を有するディスク；及び
前記ディスクの外縁を収容するように配置された支持リング；
を含む、
請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記補強リングが前記連続本体内の前記複数のバッフルの間に1つ以上の補強バッフルを備える、請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
前記補強リングは、側部表面の少なくとも一部が前記ストラットの少なくとも一部に整合するように、前記ストラットに整列するように配置される、請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】
前記連続本体内に、1つ以上のストラットに整合した少なくとも２つの補強リングを備える、請求項１５に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般に、赤外線センサコールドシールド(又は放射線シールド)の設計及び製造に関する。より具体的には、本開示は、赤外線センサ及び他の適用可能なデバイスに使用するための構造的に強化された複合材のコールドシールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外線（IR）検出器は、赤外線放射に反応する装置であり、カメラシステム、ミサイル誘導システムなどに使用される。赤外線検出器は、光学視野の外の熱バックグラウンド放射によって引き起こされる加熱から当該赤外線検出器を保護するために、コールドシールドをしばしば必要とする。コールドシールドは、通常、赤外線検出器と同様の温度に冷却される。コールドシールドは、しばしば、銅又は他の熱伝導性金属などの純金属を電鋳（electroforming）することによって形成され、コールドシールドがほぼ瞬間的に急速に冷却し、低い質量を有することを可能にする。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本開示は、赤外線センサその他のデバイスに使用するための構造的に補強された複合体コールドシールドを提供する。
【０００４】
第１の実施形態に従った方法は、支持リングによって包囲されたディスクを有する支持部材を形成する工程を含む。本方法はまた、支持部材がストラット位置に整合するように配置されるように、マンドレル内に支持部材を位置決めする工程を含み、ここで、ストラット位置は、計画されたストラット部材に結合するための位置を含む。さらに、本方法は、マンドレル及び支持部材の一部上に銅を電気メッキすることによってコールドシールドを形成する工程を含む。
【０００５】
第２の実施形態に従ってシステムは、筐体と、赤外線検出器と、各々第1端部で筐体に結合された1つ以上のストラット部材とを含む。本システムはまた、赤外線検出器及び1つ以上のストラット部材の各々の第２端部に結合されたコールドシールドを含む。コールドシールドは、1つ以上のストラット部材に整合した補強リングを含む。
【０００６】
第３の実施形態に従った装置は、可変アパーチャ機構（VAM）に結合するように適合された頂部表面を含み、該頂部表面は、VAMのアパーチャに整合するように構成された開口部を有する。本装置はまた、冷却された物体に結合するように構成された底部と、ストラットに結合するように構成された接触部とを含む。頂部表面、底部、接触部が連続本体を形成する。本装置はさらに、連続本体の内部に複数のバッフルを含み、各バッフルは、VAMのアパーチャに整合するように構成された開口部を有する。さらに、装置は、ストラットが連続本体に結合されたときにストラットと整合するように配置された補強リングを含む。
【０００７】
他の技術的特徴は、以下の図面、説明、及び特許請求の範囲から当業者には容易に明らかとなろう。
【０００８】
本開示及びその利点をより完全に理解するために、添付の図面と併せて以下の説明を参照する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示に従ったコールドシールドを利用する例示的な赤外線検出システムを示す。
【図２】本開示に従った、赤外線検出システムのために用いる例示的なコールドシールドを示す。
【図３】本開示に従った、赤外線検出システムのために用いる例示的なコールドシールドを示す。
【図４】本開示に従った、赤外線検出システムのために用いる例示的なコールドシールドを示す。
【図５Ａ】本開示に従った、補強リング及びストラットアセンブリのアライメント例を示す。
【図５Ｂ】本開示に従った、補強リング及びストラットアセンブリのアライメント例を示す。
【図５Ｃ】本開示に従った、補強リング及びストラットアセンブリのアライメント例を示す。
【図５Ｄ】本開示に従った、補強リング及びストラットアセンブリのアライメント例を示す。
【図５Ｅ】本開示に従った補強リング及びストラットアセンブリのアライメント例を示す。
【図６】本開示に従った、コールドシールド内の補強リングの平面図の例を示す図である。
【図７】本開示に従った、補強リングを有するコールドシールドを製造するための例示的な方法を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下で説明する図１から図７、及び本特許文献において本発明の原理を説明するために使用する様々な実施形態は、例示のためのものに過ぎず、決して本発明の範囲を制限するために解釈されるべきではない。当業者であれば、本発明の原理は、任意のタイプの適切に配置された装置又はシステムで実施することができることを理解するであろう。
【００１１】
赤外(IR)センサは、その実現技術のために可変アパーチャ機構(variable  aperture  mechanism,  VAM)を必要とすることが多い。このタイプのセンサは、代表的には、コールド／放射線シールド（cold/radiation  shield）の頂部に取り付けられ、これは、伝統的に、IRデュワーの制限アパーチャとして機能する。コールド／放射線シールドは、熱的に低いジュール質量（thermally  low  Joule  mass）を有することによって、可能な限り軽くなるように設計され、焦点面アセンブリ(IR検出器を含む)の極低温冷却を減速しない。
【００１２】
赤外線検出器システムは、代表的には、赤外線検出器（IR  detector）、冷却シールド又はコールドシールド（cold  shield）、他のコールドステージ構成要素を含み、且つ、選択的にVAMを含む。比較的重いVAMアセンブリをコールドシールドの頂部に取り付ける場合、IR検出器システムは、熱衝撃及び弾道衝撃（ballistic  shock）、振動又はそれらの組み合わせのような現実的に特定されるレベルの衝撃の下で、機械的降伏、機械的故障、又はその両方のリスクが増大する。衝撃に耐えるためにコールドシールドの厚さ又はサイズを増加させると、システムの冷却及び準備時間が短縮される可能性がある。同様に、コールドシールドを温かい又は周囲の構造に物理的に取り付けることによってコールドシールドを支持することは、IRデュワーにおいて顕著な熱的寄生損失（thermal  parasitic  losses）を付加する。従来の解決策は、許容可能で信頼できるマージンの量で必要な要件を満たすために、熱的性能と構造的性能の両方を最適化するには不十分である可能性がある。
【００１３】
いくつかのアプローチは、純粋なニッケルで形成され、電鋳される薄いコールドシールドを組み込んでいる。他のアプローチでは、チタン合金製ストラットと純ニッケル製のコールドシールドの組み合わせが用いられており、これは(試験はされていないが)弾道衝撃に耐えられると推定されている。純粋なニッケルは非常に低い熱伝導係数を有し、したがって純粋なニッケルを使用する準備時間は過剰(例えば12分を超える)となり得る。純粋なニッケル溶液中のジョイント（joint）、寄生、又は厚さのばらつきが、要求される性能仕様を満足しないことがある。
【００１４】
逆に、薄い純粋な銅コールドシールドを有するアプローチは、ニッケルよりも著しく多くの熱伝導を提供することができる。しかしながら、銅製のコールドシールドは、VAMアセンブリの重量下での弾道衝撃に耐えられないことが多い。戦略的に配置されたストラットを用いても、銅の低い最終降伏強度は、特定の仕様の衝撃入力に耐えることができない。
【００１５】
他のアプローチは、ニッケル−銅−ニッケル(Ni-Cu-Ni)層を有するもののような多層コールドシールドを利用することができる。この多層アセンブリは、チタン合金ストラットと組み合わせて使用することができ、純粋なニッケル製のコールドシールドを越える増大した伝導性をもたらす。しかしながら、電着プロセスの最小層厚さの制約によって、結果としての部品が過度に大量となり、特に部品の幾何形状が最適化されていない場合にそうである。したがって、増大された伝導性は、総ジュール質量の増加によってほぼ相殺される。このコールドシールドとストラットの設計は、特定の仕様を満たすことができるが、歩留まりには非常に低いマージンしかもたらさない。さらに、その製造プロセスは、より複雑であり、より長いリードタイムを必要とし、費用対効果の解決策ではない。
【００１６】
本開示は、赤外線センサ及び他のデバイスに使用するための構造的に強化された複合体コールドシールド、及びそれを製造するためのプロセスを記載する。コールドシールドは、低吸収性及び高反射率を必要とする冷却された物体と共に使用するように適合されており、例えばIRセンサと共に使用するようになっている。コールドシールドは、IRアセンブリの焦点面アセンブリの急速な(できればほぼ瞬間的な)極低温冷却を可能にするように熱的に軽いように構成される。低温シールドは、振動及び衝撃に耐えるように構造的に補強されている。また、本開示は、構造的に強化された複合材料電鋳ニッケル−銅コールドシールド及び各材料の利点を最大にするそのようなコールドシールドを製造するための方法を提供する。
【００１７】
図１は、本開示によるコールドシールドを利用する例示的な赤外線検出システム100を示す。図１に示す例では、赤外線検出システム100が、赤外線検出器104に結合された冷却シールド又はコールドシールド102を含む赤外線デュワーを表現している。コールドシールド102は、1つ以上のストラット（struts）108を介してハウジング又は筐体106に結合される。コールドシールド102は、1つ又は複数のIRセンサ112及びVAM  114と整列したバイア又は開口部110を含み、1つ又は複数のIRセンサ112に向けられた視野又は視線（field  of  view）を提供するように構成されている。
【００１８】
コールドシールド102は、IR検出器104の上方に配置され、冷却され、IR検出器104のような低吸収性及び高反射率を有する冷却された物体をシールドするように構成されている。例えば、コールドシールド102は、周囲の熱又はIR放射からIR検出器104を保護することができる連続的な銅の本体を含むことができる。赤外線検出器104は、赤外線放射に反応するセンサであるか、或いはセンサを含む。もちろん、熱放射又は光による望ましくない加熱からの保護を必要とする他の物体を有する実施形態を使用することができる。
【００１９】
VAM  114は、コールドシールド102の開口部110の頂部表面に取り付けられ、開口部に整合される。VAM  114は、赤外線検出システム100のアパーチャ開口部を変化させるように構成されたアパーチャ機構を含み、コリメートされたIR放射が赤外線検出システム100内へとどのように進入するかを制御する。ストラット108は、コールドシールド102と筐体106との間に結合され、VAM  114、コールドシールド102及び赤外線検出器104を含むアセンブリを筐体106内部の所定の位置に維持するように構成される。
【００２０】
図２乃至４は、本開示による赤外線検出システムのための例示的なコールドシールド200を示す。図２から図４に示す例では、赤外線検出器アセンブリは、赤外線検出器202に結合されたコールドシールド200、1つ以上のストラット又はストラットアセンブリ206、及びVAM  208を含む。しかしながら、コールドシールド200は、任意の他の適切なシステムで使用することができる。
【００２１】
いくつかの実施態様において、コールドシールド200の大部分は、75  K又は他のコールドステージからVAM  208への十分な熱伝導を提供することができ、コールドシールド200の頂部から約1インチ離れて取り付けることができる、0.005インチ厚の銅を使用して形成される。また、いくつかの実施態様において、コールドシールド200の本体210は、連続した銅本体を生成するために、1つ以上のマンドレル（mandrels）404(後に溶解される)の上に電気成形メッキ（electroformed  plating）を介して製造し得る。特定の実施形態では、コールドシールド200は、約４グラムの質量を有するように寸法決めすることができる。VAM  208は、IR放射がIR検出器202にどのように進入できる（admit）かを制御するためにアパーチャ開口部を変化させることができる。特定の実施形態において、VAM  208は、約３グラムの質量を有することができる。
【００２２】
コールドシールド200は、複数のバッフル302の間に配置された強化リング又は補強リング300を含む。補強リング300は、コールドシールド200の鉛直中心付近に配置された補強された中間バッフル又は複数のバッフル302のうちの他のバッフルを意味することができる。補強リング300は、支持リング308内に完全に収容されたディスク又は薄板306によって画定される開口部304を含む。例えば、補強リング300は、0.003−0.005インチのニッケルシートストックから切断され、0.020インチの高さのニッケル支持リングに完全に収容されたディスクによって形成することができる。さらに、補強リング300の上に、銅400を電気メッキするか、堆積させることができ、その方法は、コールドシールド200の残りの部分の製造プロセスにおいて後に溶解される、マンドレル404の上にメッキされる銅と同様の方法である。
【００２３】
図４に示すように、コールドシールド200は、VAM  208に結合されるように構成された上方表面を含む。コールドシールド200はまた、冷却された物体410に結合するように適合された、底部、エッジ、又は表面を備える連続した銅本体を有する。コールドシールド200、VAM  208、及び冷却された物体410は、デュワーアセンブリ（dewar  assembly）内に含めることができる。
【００２４】
図１の赤外線検出システム100のようなデュワーアセンブリでは、1つ以上のストラットを有するチタン合金（例えばTi−6A1−4V）  ストラットアセンブリ又はニッケル合金（例えば、Kovar  又はInconnelなど）ストラットアセンブリ206を、筐体106の内壁のようなデュワーの内壁に溶接その他の方法で取り付けることができる。ストラット組立体206は、コールドシールド200の補強リング300に沿って配置される。特定の実施形態では、ストラット組立体206とコールドシールド200との間のギャップ(例えば、約0.020")は、熱絶縁性エポキシ402で充填することができる。
【００２５】
図５Ａ乃至５Ｅは、本開示による補強リング300及びストラット組立体206の配置例を示す。いくつかの実施態様において、補強リング300は、図５Ａに示されるように、ストラット組立体206の頂部表面及び底部表面の範囲内に配置される。他の実施態様においては、図５Ｂ及び図５Ｃに示すように、補強リング300の側部表面の一部、すなわち、補強リング300の側面全体よりも小さい部分のみが、ストラット組立体206の側部表面の側部一部又は全部に重なる。特定の実施形態では、コールドシールド200は、図５Ｄに示すように、1つ以上のストラットアセンブリ206と整列した複数の補強リング300を含む。例えば、コールドシールド200は、1つのストラットアセンブリ206に整列した2つの補強リング300、又は2つのストラットアセンブリ206にそれぞれ整列した2つの補強リング300を含むことができる。特定の実施態様において、補強リング300は、図５Ｅに示されるように、プレート306を含まない。例えば、補強リング300は、バッフル又はプレート306を含まない、又は収容しない支持リング308のみを含むことができる。支持リング308のみのフープ強度（hoop  strength）は、衝撃耐久性のためにストラット組立体206と共に使用するように構成される。
【００２６】
図６は、本開示による、コールドシールド200内の補強リング300の平面図の例を示す。図６に示す例では、補強リング300は、VAM  208のアパーチャ（aperture）と整列した開口部（opening）304を含む。銅400を、上述のように、補強リング300の側部表面上に電気メッキすることができる。銅は、補強リング300の頂部表面及び底部表面の上には電気メッキされない。
【００２７】
図２乃至６は、赤外線検出システム又は他のデバイスのためのコールドシールドアーキテクチャの一例を示しているが、図２乃至６には様々な変更を加えることができる。例えば、コールドシールドアーキテクチャは、銅、ニッケル、及びチタンを使用するものとして記載されているが、ジュール質量（joule  mass）が低く、引張（tensile）及び引張強度（tension  strength）が同等である他の金属又は材料を使用することもできる。また、コールドシールドアーキテクチャは、単一の補強リング300を有するものとして示されているが、2つ以上の補強リング又はバッフルを有する他の実施形態を使用することもできる。
【００２８】
図７は、本開示による補強リングを有するコールドシールドを生成するための例示的方法700を示す。説明を容易にするために、図２乃至４のコールドシールド200に関して方法700を説明する。しかしながら、この方法700は、任意の他の適切なコールドシールド及び任意の他の適切なシステムと共に使用することができる。
【００２９】
ステップ702において、支持部材（補強リング300のような）が形成される。これは、例えば、金属シートを支持リングに結合することを含み得る。金属シート及び支持リングは、同じ材料又は異なる材料から形成することができる。例えば、金属シート及び支持リングは、それぞれ、ニッケルなどの金属から形成することができる。金属シート及び支持リングは、溶接、ボンディング、締結などのような任意の適切な方法で結合することができる。いくつかの実施態様において、金属シートは、金属バッフルの形態で機械加工され、ニッケルフープに包まれ、強化バッフルを形成する。他の実施形態では、支持部材は、単一片の金属から機械加工されて、支持リング308及びプレート306を有する中実の単一本体支持部材を形成する。さらに他の実施形態では、支持部材は、ニッケル電気メッキによって形成され、支持リング308及びプレート306を形成する。
【００３０】
ステップ704において、支持部材は、複数のバッフル302及びコールドシールド200の壁を形成するために、1つ又は複数のマンドレル404内に位置される。いくつかの実施態様において、支持部材は、コールドシールド200の計画された中心鉛直高さに位置するように、及びIRデュワーの計画されたデュワー内トラット206と整合するように、マンドレル404内に配置され得る。
【００３１】
ステップ706において、銅が、支持部材の周囲に電気メッキされる。例えば、銅の電気メッキは、支持部材の側方リング部分上に実施することができ、金属シート(プレート又はバッフル)上には銅を電気メッキしない。ステップ708では、銅がマンドレル404の上にメッキされるコールドシールド200の電気メッキの一部として、銅の電気メッキが行われる。ステップ710において、コールドシールド200の電気メッキされた銅の内部に封入された支持部材のみを残して、マンドレル404は溶解される。
【００３２】
バッフルをニッケル又は他のフープに封入し、その後、そのフープの周囲に銅を電気メッキすることにより、VAMの十分な熱伝導特性を維持しながら、デュワーシステムにおけるコールドシールドに望ましい構造的剛性が得られる。インデュワーストラット（in-dewar  strut）に沿った支持リングの戦略的配置は、その性能、衝撃、及び環境要求に関してデュワークーラーベンチに有意なマージンを与えることができる。
【００３３】
図７は、補強リングを有するコールドシールドを生成するための方法700の一例を示すが、図7には様々な変更を加えることができる。例えば、一連のステップとして示されているが、図7の様々なステップは、オーバーラップするか、並列に発生するか、異なる順序で発生するか、又は複数回発生することができる。
【００３４】
この特許文献を通して使用されている特定の単語及び語句の定義を示すことは有利であろう。用語「含む」及び「含む」は、それらの誘導語と同様に、包含を意味するが、これらに限定されない。用語「又は」は、包括的であり、及び／又はその両方を意味する。語句「関連する」及びその誘導語は、含み、内部に含まれ、相互接続され、含有し、含有され、接続し、結合し、結合され、又は相互に伝達可能であり、相互に協力し、相互に置き換えられ、近接し、拘束され、又は結合され、それらの特性を有し、それらの特性を有する、又はそれらの類似物を有することを意味し得る。語句「の少なくとも1つ」は、項目のリストと共に使用される場合、リストされた項目の1つ以上の異なる組み合わせが使用されてもよく、リスト内の1つの項目のみが必要とされることを意味する。例えば、「A、B及びCの少なくとも1つ」は、A、B、C、A及びB、A及びC、B及びC、ならびにA及びB及びCのいずれかの組み合わせを含む。
【００３５】
本願の明細書は、特定の要素、工程又は機能が、クレームの範囲に含まれなければならない必須又は重要な要素であることを意味するものとして解釈されるべきではない。特許された主題の範囲は、許可されたクレームによってのみ定義される。さらに、機能的クレームの範囲は、実施形態及びその等価物に限定されて解釈されない。クレーム内の「メカニズム」、「モジュール」、「装置」、「ユニット」、「構成要素」、「部材」、「部材」、「装置」、「機械」、「システム」、「プロセッサ」、又は「コントローラ」のような用語の使用は、クレーム自体の特徴によってさらに修正又は強化されたものとして、当業者に知られた構造を指すことを理解され、意図するものであり、実施形態及びその等価物に限定されて解釈されない。
【００３６】
本開示は、特定の実施形態及び一般的に関連する方法を記載したが、これらの実施形態及び方法の変更及び順列は、当業者には明らかであろう。従って、例示的な実施形態の上述の説明は、本開示を定義したり、制限したりしない。以下の特許請求の範囲によって定義されるように、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、他の変更、置換、及び変更も可能である。
【図１】
2020516909.tif 000003
【図２】
2020516909.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2020516909.tif 000008
【図５Ｃ】
2020516909.tif 000009
【図５Ｄ】
2020516909.tif 000010
【図５Ｅ】
2020516909.tif 000011
【図６】
2020516909.tif 000012
【図７】
2020516909.tif 000013
【国際調査報告】
2020516909.tif 000014
2020516909.tif 000015
2020516909.tif 000016