Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月25日(2018.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３０ｍｇ／１００ｇ以上５０ｍｇ／１００ｇ以下のリコピンと、果物または穀類の酵母発酵物または酢酸発酵物と、食塩とを含む、トマトケチャップであって、
前記食塩の含有量は、０．５重量％以上３．０重量％以下であり、
香気成分であるエステルおよび／またはアルコールを、１ｐｐｂの内部標準物質（フェナントレン−ｄ１０）を用いるＧＣ−ＭＳ分析での相対含量で０．０６〜１．０含有する、トマトケチャップ。
【請求項２】
前記香気成分は、果実香、花様香、醸造香、吟醸香、発酵臭又は酵母臭の官能特性を有するエステルおよび／またはアルコールである、請求項１に記載のトマトケチャップ。
【請求項３】
前記酢酸発酵物が、醸造酢である、請求項１又は２に記載のトマトケチャップ。
【請求項４】
３０ｍｇ／１００ｇ以上５０ｍｇ／１００ｇ以下のリコピンと、醸造酢と、食塩とを含むトマトケチャップであって、
前記食塩の含有量は、０．５重量％以上３．０重量％以下であり、
香気成分であるエステルおよび／またはアルコールを含有し、該エステルは、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミルおよび酢酸フェニルエチルエステルからなる群から選択される少なくとも１種を含み、 該アルコールは、イソブタノール、アミルアルコール、イソアミルアルコールおよびフェネチルアルコールからなる群から選択される少なくとも１種を含み、
該エステルおよびアルコールを、１ｐｐｂの内部標準物質としてフェナントレン−ｄ１０を用いるＧＣ−ＭＳ分析で０．０６〜１．０の相対含量で含有する、トマトケチャップ。
【請求項５】
前記香気成分は、少なくともフェニルエチルアルコールおよび／又は酢酸エチルを含む、請求項１〜４の何れか１項に記載のトマトケチャップ。
【請求項６】
前記食塩の含有量は、０．５重量％以上２．０重量％以下である、請求項１から５に記載のトマトケチャップ。
【請求項７】
前記食塩の含有量は、１．０重量％以上２．０重量％以下である、請求項１から５に記載のトマトケチャップ。
【請求項８】
前記エステルおよびアルコールの含有量は、０．１０以上である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のトマトケチャップ。
【請求項９】
原料に果物または穀類の醸造酢を含有させることによりリコピン由来の臭いを軽減することを含む、リコピンの含有量が２５ｍｇ／１００ｇ以上５０ｍｇ／１００ｇ以下であるトマトケチャップにおけるリコピンの臭いを軽減する方法。
【請求項１０】
リコピン由来の臭いを抑制する量の、フェニルエチルアルコールおよび酢酸エチルを含む醸造酢を原料に含有させることを含む、リコピンの含有量が２５ｍｇ／１００ｇ以上５０ｍｇ／１００ｇ以下であるトマトケチャップにおけるリコピンの臭いを軽減する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月15日(2018.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
画像の属性を変更するための画像オブジェクトを、各指示体の数だけ設けてもよい。
図８は、ツールパレットＩＭ４を表示面５００の左右両端に表示させた例を示す。右側のツールパレットＩＭ４は指示体４００−１によって指定された場合に、指示体４００−１を用いて描画される画像の属性が変更される。指示体４００−２にて指定されてもその指定は指示体４００−１を用いて描画される画像の属性を指定するとして処理されず、指示体４００−２によるペン操作であると処理されるもしくは無効な指定であると判定される。同様に、左側のツールパレットＩＭ４は指示体４００−２によって指定された場合に、指示体４００−２を用いて描画される画像の属性が変更される。指示体４００−１にて指定されてもその指定は指示体４００−２を用いて描画される画像の属性を指定するとして処理されず、指示体４００−１によるペン操作であると処理されるもしくは無効な指定であると判定される。
このように、各指示体４００に対応して専用のツールパレットを設けることで、複数の指示体４００を同時使用する際においてユーザーを混乱させることがない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
要するに、本発明の表示システムは、画像供給部と、画像供給部から第１画像を取得する取得部と、指示体を検出し、当該指示体の位置、および当該指示体が第１指示体か第２指示体かを特定する検出部と、該特定された位置に基づいて第２画像を生成し、該取得した第１画像と当該第２画像とを重ねた第３画像を生成する生成部と、前記第３画像を表示する表示部と、前記第２指示体の位置を表す情報の供給先を前記生成部または前記画像供給部のいずれかに指定する指定部と、該検出された指示体が前記第１指示体である場合は、当該指示体の位置を表す情報を前記生成部に供給する一方、該検出された指示体が前記第２指示体である場合は、当該指示体の位置を表す情報を該指定された供給先に供給する制御部とを有していればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月9日(2018.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルと、Ａ／Ｄコンバータと、を有する半導体装置であって、
前記メモリセルは、複数の電圧を保持する機能を有し、
前記メモリセルは、第１のトランジスタを有し、
前記メモリセルは、前記複数の電圧のいずれか一と、前記第１のトランジスタの閾値電圧と、の和となる読み出し電圧を出力する機能を有し、
前記Ａ／Ｄコンバータは、補正された参照電圧と前記読み出し電圧とを比較して前記複数の電圧に対応するデータを判別する機能を有し、
前記Ａ／Ｄコンバータは、第２のトランジスタを有し、
前記補正された参照電圧は、基準となる参照電圧と、前記第２のトランジスタの閾値電圧と、の和となる電圧である、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記読み出し電圧は、前記複数の電圧のいずれか一に応じて前記第１のトランジスタに電流を流すことで読み出される電圧である、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記補正された参照電圧は、前記第２のトランジスタのゲートに前記基準となる参照電圧を与えて得られる電圧である、半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記補正された参照電圧を与える配線を有し、
前記基準となる参照電圧は、前記第２のトランジスタのゲートに与えられ、
前記配線は、前記第２のトランジスタにスイッチを介して電気的に接続され、
前記補正された参照電圧は、前記配線をプリチャージし、前記スイッチを導通状態とすることで前記配線を放電させて得られる電圧である、半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記メモリセルは、第３のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタである、半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記Ａ／Ｄコンバータは、フラッシュ型のＡ／Ｄコンバータである、半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置と、
表示部と、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月15日(2018.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベルトテンショニング装置において、
補機（３５）に取り付けられる取付け部分（９）と、前記補機の駆動軸用の開口（３６）とを有するベース部材（３）と、
第１の軸受（２２）によって第１の枢軸（Ａ４）を中心に回動可能に前記ベース部材（３）に支持され、第１の回転軸線（Ａ５）を中心に回転可能な第１のテンショニングローラ（５）を有する、第１のテンショニングアーム（４）と、
第２の軸受（２４）によって第２の枢軸（Ａ６）を中心に回動可能に前記ベース部材（３）に支持され、第２の回転軸線（Ａ７）を中心に回転可能な第２のテンショニングローラ（７）を有する、第２のテンショニングアーム（６）と、
前記第１のテンショニングアーム（４）と前記第２のテンショニングアーム（６）との間に配置されたばね配列（８）であって、前記第１のテンショニングアーム（４）と前記第２のテンショニングアーム（６）とが前記ばね配列（８）によって互いに対して周方向に予め緊張させられている、ばね配列（８）と、を備え、
該ばね配列（８）は、第１及び第２の枢軸（Ａ４，Ａ６）を中心に３６０°未満の周方向延在範囲（Ｕ２５）を有する少なくとも１つの弓形ばね（２５，２５’）を含み、
該少なくとも１つの弓形ばね（２５，２５’）は、前記第１のテンショニングアーム（４）に支持された第１の支持部分（２６，２６’）と、前記第２のテンショニングアーム（６）に支持された第２の支持部分（２７，２７’）と、前記第１の支持部分（２６，２６’）と前記第２の支持部分（２７，２７’）との間に延びるばね部分（２８，２８’）とを有し、
前記少なくとも１つの弓形ばね（２５，２５’）は、第１及び第２の支持部分（２６，２７；２６’，２７’）の領域における軸方向長さ（Ｌ２６，Ｌ２７）を有し、該軸方向長さ（Ｌ２６，Ｌ２７）は前記弓形ばね（２５，２５’）の全体の軸方向長さ（Ｌ２５）よりも短いことを特徴とする、ベルトテンショニング装置。
【請求項２】
前記弓形ばね（２５，２５’）の断面積（Ｆ）は、周方向延在範囲（Ｕ２５，Ｕ２５’）に沿って一定であり、前記ばね部分（２８，２８’）の少なくとも中央領域は、第１及び第２の支持部分（２６，２６’）に対して軸方向に、第１及び第２のテンショニングローラ（５，７）によって形成された中央平面（Ｅ５）に向かう方向にずらされている、請求項１記載のベルトテンショニング装置。
【請求項３】
前記ばね部分（２８，２８’）は、前記弓形ばね（２５，２５’）の少なくとも周方向延在部分に沿って軸方向勾配成分を備える勾配領域（４６，４７；４６’，４７’）を有する、請求項１又は２記載のベルトテンショニング装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの弓形ばね（２５，２５’）は、少なくとも前記ばね部分（２８，２８’）の中央領域におけるよりも、第１及び第２の支持部分（２６，２７；２６’，２７’）において、より小さな軸方向長さ（Ｌ２６，Ｌ２７）を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載のベルトテンショニング装置。
【請求項５】
前記ばね配列（８）は、軸方向で見て鏡面対称的に形成されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のベルトテンショニング装置。
【請求項６】
前記弓形ばね（２５，２５’）は、丸いワイヤ又は四角いワイヤから製造されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のベルトテンショニング装置。
【請求項７】
前記ばね配列（８）は、少なくとも１つの接続エレメント（４５）によって互いに接続された２つの弓形ばね（２５，２５’）を含み、
前記２つの弓形ばね（２５，２５’）の前記第１の支持部分（２６，２６’）は第１の支持エレメント（３１）に接続されており、前記２つの弓形ばね（２５，２５’）の前記第２の支持部分（２７，２７’）は第２の支持エレメント（３２）に接続されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のベルトテンショニング装置。
【請求項８】
前記２つの弓形ばね（２５，２５’）は、同様に形成されており、互いに軸方向にずらされて配置されている、請求項７記載のベルトテンショニング装置。
【請求項９】
前記２つの弓形ばね（２５，２５’）は、異なって形成されており、前記２つの弓形ばね（２５，２５’）の第１及び第２の支持部分（２６，２７；２６’，２７’）は１つの平面に配置されており、前記２つの弓形ばね（２５，２５’）の前記ばね部分（２８，２８’）は、少なくとも中央領域において互いに軸方向にずらされて配置されており、
前記２つの弓形ばね（２５，２５’）は、ばね部分（２８，２８’）において同じ半径（Ｒ２８，Ｒ２８’）を有し、前記２つの弓形ばね（２５，２５’）の前記支持部分（２６，２６’；２７，２７’）は異なる半径を有する、請求項７記載のベルトテンショニング装置。
【請求項１０】
前記ベース部材（３）、前記第１のテンショニングアーム（４）及び前記第２のテンショニングアーム（６）のうちの少なくとも１つは、薄鋼板から形成された薄板金部材である、請求項１から９までのいずれか１項記載のベルトテンショニング装置。
【請求項１１】
前記ベース部材（３）、前記第１のテンショニングアーム（４）及び前記第２のテンショニングアーム（６）のうちの少なくとも１つのシート厚さは、前記弓形ばね（２５，２５’）のワイヤ直径（ｄ）よりも小さく、前記ベース部材（３）の全体の軸方向長さ（Ｌ３）は、前記弓形ばね（２５）の前記ワイヤ直径（ｄ）の３倍よりも短い、請求項１０記載のベルトテンショニング装置。
【請求項１２】
支持面の対が、前記ベース部材（３）と前記第１のテンショニングアーム（４）との間、前記第１のテンショニングアーム（４）と前記第２のテンショニングアーム（６）との間、及び前記第２のテンショニングアーム（６）と前記ベース部材（３）との間に形成されており、少なくとも前記支持面の対のうちの１つの間に環状シール（４１，４２，４３）が設けられている、請求項１から１１までのいずれか１項記載のベルトテンショニング装置。
【請求項１３】
前記環状シール（４１，４２，４３）のうちの１つと、前記軸受（２２，２３，２４）のうちの１つとは、２成分射出成形によって一緒に製造され、
前記環状シール（４１，４２，４３）のうちの１つと、前記ベース部材（３）、前記第１のテンショニングアーム（４）及び前記第２のテンショニングアーム（６）のうちの１つとが、互いに接続される、請求項１２記載のベルトテンショニング装置。
【請求項１４】
テンショニングアーム（４，６）においてテンショニングローラ（５，７）を支持する軸受（１８）によって第１の中央軸受平面（Ｅ５）が形成され、ベース部材（３）においてテンショニングアーム（４，６）を支持する軸受（２２，２３，２４）によって第２の中央軸受平面（Ｅ２３）が形成され、
前記第１の中央軸受平面（Ｅ５）と、前記ベース部材（３）を取り付けるための取付け部分（９）とは、前記第２の中央軸受平面（Ｅ２３）の異なる側に配置されている、又は
前記第２の中央軸受平面（Ｅ２３）と、前記ベース部材（３）を取り付けるための取付け部分（９）とは、前記第１の中央軸受平面（Ｅ５）の異なる側に配置されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載のベルトテンショニング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月10日(2018.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
１    トルク伝達軸
２    エンコーダ
３、３ａ、３ｂ  センサ
４、４ａ  ハーネス
５、５ａ  トルク測定装置付回転伝達装置
６、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅ  トルク伝達軸
７    転がり軸受
８、８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ  出力歯車
９、９ａ、９ｂ    内軸
１０、１０ａ  第一エンコーダ
１１  第二エンコーダ
１２、１２ａ、１２ｂ  センサユニット
１３  スプライン部
１４、１４ａ  支持環
１５  支持環
１６  エンコーダ本体
１７  エンコーダ本体
１８  第一被検出部
１９  第二被検出部
２０、２０ａ  ホルダ
２１、２１ａ  第一センサ
２２、２２ａ  第二センサ
２３  ハーネス
２４  エンコーダ
２５  支持環
２６  エンコーダ本体
２７  第一被検出部
２８  第二被検出部
２９  トルク検出用スリーブ
３０  トルク検出用凹凸部材
３１  トルク検出用凹凸部
３２  大径筒部
３３  小径筒部
３４  コイルセンサユニット
３５  窓孔
３６  支持部材
３７  検出本体
３８  コイル
３９  ヨーク部材
４０  転がり軸受
４１  大径部
４２  案内面
４３、４３ａ  被案内面
４４、４４ａ  入力歯車
４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、４５ｄ  転がり軸受
４６  入力プーリ
４７ａ、４７ｂ  転がり軸受
４８  中間軸
４９  出力プーリ
５０  ベルト
５１    内輪
５２    外輪
５３、５３ａ  小径筒部
５４、５４ａ  大径筒部
５５、５５ａ  円輪部
５６、５６ａ  屈曲部
５７    取付段差部
５８    第一基板
５９    第二基板
６０    センサ支持ブロック
６１    センサキャップ
６２ａ、６２ｂ  検出部
６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄ  端子
６４ａ、６４ｂ  連結部材
６５ａ、６５ｂ  取付部
６６    底部
６７    外側筒部
６８    突き当て円輪部
６９    支持筒部
７０    外輪軌道
７１    肩部
７２    嵌合段差部
７３    転動体
７４    ハーネス引出孔
７５    基板
７６ａ、７６ｂ、７６ｃ、７６ｄ  端子
７７ａ、７７ｂ  出力配線
７８ａ    第一出力配線
７８ｂ    第二出力配線
７９ａ    第一入力配線
７９ｂ    第二入力配線
８０ａ    第一基板
８０ｂ    第二基板
８１ａ、８１ｂ、８１ｃ、８１ｄ  端子
８２    ブッシュ
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月31日(2018.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム・システム内での自動化された試料調製の方法であって、
１つまたは複数の荷電粒子ビーム・システムおよび試料操作プローブを有する真空室内に加工物を装填することと、
前記加工物の薄い切片の周囲の材料を、集束イオン・ビームを使用して、小さな取付け構造体によって大きな加工物に取り付けられた前記薄い切片を残して除去することと、
前記集束イオン・ビームを使用して前記試料操作プローブの先端の材料を除去することによって、前記試料操作プローブの前記先端を機械認識が可能な形状に整形することと、
前記薄い切片に対する前記先端の位置を決定するために、前記先端の機械認識が可能な形状を使用することと、
前記薄い切片に対する前記先端の位置を使用し、荷電粒子ビーム誘起付着を使用して前記操作プローブを取り付けるために、前記試料プローブを前記薄い切片に十分に近接して自動的に移動させることと、
前記試料プローブを前記薄い切片に取り付けることと、
前記薄い切片が前記試料プローブだけによって支持されるように、前記小さな取付け構造体を切り離すことと、
前記薄い切片が、荷電粒子ビーム誘起付着を使用して前記薄い切片を試料グリッドに取り付けるために、薄い試料を保持する前記試料グリッドの十分近くにくるように、前記試料プローブを自動的に移動させることと、
前記薄い切片を前記試料グリッドに取り付けることと、
前記薄い切片から前記試料プローブの前記先端を取り外すことと
を含む方法。
【請求項２】
前記薄い切片が断面観察用の切片である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試料プローブの移動を誘導するために、画像解析を使用することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記先端を鑿形に整形することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プローブを前記薄い切片または前記試料グリッドまで移動させるための軌道を決定するために、前記プローブの位置を画像解析を使用して特定することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記画像解析が画像減算を使用する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記プローブと前記薄い切片の間のＸＹベクトルを、１つの荷電粒子ビームによる画像に基づいて計算し、前記プローブと前記薄い切片の間のＺベクトルを、第２の粒子ビームによる画像に基づいて計算することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プローブから前記薄い切片が取り外された後に前記先端を再整形することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記薄い切片の側面の関心領域から離れた位置に前記プローブを取り付けることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記薄い切片が前記試料グリッドに取り付けられた後に前記薄い切片をさらに薄くすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
荷電粒子システム内での自動化された試料調製のための装置であって、
加工物を収容する真空室と、
前記真空室内の前記加工物を画像化し、前記加工物に対して作用する荷電粒子ビームを生成する少なくとも２つの荷電粒子ビーム・カラムと、
前記真空室内の前記加工物を保持し、前記加工物を移動させる可動試料ステージと、
前記荷電粒子ビームが衝突したときに試料から放出された荷電粒子から画像を形成する荷電粒子検出器と、
サブミクロンの位置決めが可能な試料操作プローブと、
荷電粒子ビーム誘起付着用の前駆体ガスを供給するガス噴射システムと、
前記装置の動作を制御する制御装置と、
前記制御装置によって実行される、請求項１に記載の方法を実行するためのコンピュータ命令を記憶するコンピュータ可読の記憶装置と
を備える装置。
【請求項１２】
２つの荷電粒子ビーム・システムを含む装置をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記加工物を画像化し、前記加工物に対して作用する荷電粒子ビームを生成する前記少なくとも２つの荷電粒子ビーム・カラムが、電子ビーム・カラムおよびイオン・ビーム・カラムを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記コンピュータ記憶装置が、前記荷電粒子ビームによって形成された画像を解析するためのコンピュータ命令を含み、この画像解析が、薄い切片が取り付けられた前記試料操作プローブの位置または薄い切片が取り付けられていない前記試料操作プローブの位置を特定するようにプログラムされている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記画像解析が画像減算を使用して実行される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記集束イオン・ビームが前記試料プローブの先端を鑿形に形成するようにするコンピュータ命令を前記コンピュータ記憶装置が含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記荷電粒子ビームのうちの少なくとも１つが集束イオン・ビームである、請求項１１に記載の装置。
【請求項１８】
荷電粒子ビーム・システム内での自動化された試料調製の方法であって、
１つまたは複数の荷電粒子ビーム・システムおよび試料操作プローブを含む真空室内に加工物を装填することと、
前記操作プローブを、新たな形状へと自動的に物理的に再整形することと、
前記加工物の一部分から試料を形成するために、荷電粒子ミリング操作を自動的に実行することと、
前記加工物から前記試料を取り出すために、再整形後の前記プローブを使用することと
を含む方法。
【請求項１９】
前記加工物から前記試料を取り出すために再整形後の前記プローブを使用することが、再整形後の前記プローブの位置を自動的に決定するために画像認識ソフトウェアを使用することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記プローブを再整形することが、プローブ先端を直方柱の形状にすることを含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ、メモリ、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第Ｎのフィンと（Ｎは２以上の自然数）、
第１の酸化物半導体と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、を有し、
前記第１乃至第Ｎのフィンのうち、隣接する２つのフィンの一方は、第２及び第３の酸化物半導体を含み、
前記隣接する２つのフィンの他方は、第４の酸化物半導体、及び前記第３の酸化物半導体を含み、
前記第２の酸化物半導体と、前記第４の酸化物半導体とは、前記ゲート電極を介して、互いに面する領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は前記第１の酸化物半導体の上面と接する領域を有し、
前記第２の酸化物半導体は、前記第１の酸化物半導体と、前記第３の酸化物半導体との間に設けられている第１の部分を有し、
前記ゲート電極と、前記第１の部分とは、前記ゲート絶縁膜を介して、互いに重なる領域を有し、
前記第４の酸化物半導体は、前記第１の酸化物半導体と、前記第３の酸化物半導体との間に設けられている第２の部分を有し、
前記ゲート電極と、前記第２の部分とは、前記ゲート絶縁膜を介して、互いに重なる領域を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
第１乃至第Ｎのフィンと（Ｎは２以上の自然数）、
第１の酸化物半導体と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、を有し、
前記第１乃至第Ｎのフィンのうち、隣接する２つのフィンの一方は、第２及び第３の酸化物半導体を含み、
前記隣接する２つのフィンの他方は、第４の酸化物半導体、及び前記第３の酸化物半導体を含み、
前記第２の酸化物半導体と、前記第４の酸化物半導体とは、前記ゲート電極を介して、互いに面する領域を有し、
前記隣接する２つのフィンの一方に含まれる前記第３の酸化物半導体と、前記隣接する２つのフィンの他方に含まれる前記第３の酸化物半導体とは、前記ゲート電極を介して、互いに面する領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は前記第１の酸化物半導体の上面と接する領域を有し、
前記第２の酸化物半導体は、前記第１の酸化物半導体と、前記第３の酸化物半導体との間に設けられている第１の部分を有し、
前記ゲート電極と、前記第１の部分とは、前記ゲート絶縁膜を介して、互いに重なる領域を有し、
前記第４の酸化物半導体は、前記第１の酸化物半導体と、前記第３の酸化物半導体との間に設けられている第２の部分を有し、
前記ゲート電極と、前記第２の部分とは、前記ゲート絶縁膜を介して、互いに重なる領域を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１乃至第４の酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を含むトランジスタ。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１及び第３の酸化物半導体は、Ｉｎに対するＭの原子数比が、前記第２及び第４の酸化物半導体よりも大きいトランジスタ。
【請求項５】
第１乃至第Ｎのフィンと（Ｎは２以上の自然数）、
第１の酸化物半導体と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、を有し、
前記第１乃至第Ｎのフィンのうち、隣接する２つのフィンの一方は、第２及び第３の酸化物半導体を含み、
前記隣接する２つのフィンの他方は、第４及び第５の酸化物半導体を含み、
前記第２の酸化物半導体と、前記第４の酸化物半導体とは、前記ゲート電極を介して、互いに面する領域を有し、
前記第３の酸化物半導体と、前記第５の酸化物半導体とは、前記ゲート電極を介して、互いに面する領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は前記第１の酸化物半導体の上面と接する領域を有し、
前記第２の酸化物半導体は、前記第１の酸化物半導体と、前記第３の酸化物半導体との間に設けられている第１の部分を有し、
前記ゲート電極と、前記第１の部分とは、前記ゲート絶縁膜を介して、互いに重なる領域を有し、
前記第４の酸化物半導体は、前記第１の酸化物半導体と、前記第５の酸化物半導体との間に設けられている第２の部分を有し、
前記ゲート電極と、前記第２の部分とは、前記ゲート絶縁膜を介して、互いに重なる領域を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１乃至第５の酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を含むトランジスタ。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１、第３及び第５の酸化物半導体は、Ｉｎに対するＭの原子数比が、前記第２及び第４の酸化物半導体よりも大きいトランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載のトランジスタと、容量素子と、を有するメモリであって、前記Ｎを負荷容量で除した値が、２×１０１２Ｆ−１以上、２００×１０１５Ｆ−１以下であるメモリ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のトランジスタと、マイクロフォン、スピーカ、表示部、および操作キーのうちの少なくとも１つと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月13日(2018.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸部を有する第１の電極と、
前記凸部上の第１の絶縁体と、
前記第１の電極及び前記第１の絶縁体を覆う第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第２の電極と、を有し、
前記第２の電極の側周辺は、前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体を介して、前記第１の電極と重なる領域を有する半導体装置。
【請求項２】
凸部を有する第１の電極と、
前記凸部上の第１の絶縁体と、
前記第１の電極及び前記第１の絶縁体を覆う第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第２の電極と、を有し、
前記第２の電極は、前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体を介して前記第１の電極と重なる第１の領域と、前記第２の絶縁体を介して前記第１の電極と重なる第２の領域と、を有し、
前記第２の電極の側周辺は、前記第１の領域にある半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の電極は、トランジスタと電気的に接続されている半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記トランジスタは、第３の電極を有し、
前記第３の電極は、前記第１の電極と共通の導電体に設けられている半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置と、
表示装置、マイクロフォン、スピーカー、操作キー、タッチパネル、または、アンテナの少なくともいずれか一と、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月6日(2018.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面が金属である実装基板と、
前記実装基板の表面に形成された第一の絶縁層と、
前記第一の絶縁層の上層として形成された配線層と、
実装基板上にマトリックス状に表面実装された、同一仕様である多数個のＬＥＤチップと、を備えたＬＥＤ光源装置において、
前記ＬＥＤチップと同数のマイクロリフレクターを有するリフレクターブロックを備え、
前記マイクロリフレクターが、底部開口と底部開口よりも大径の上部開口とを有し、
前記第一の絶縁層が、ナノ粒子化されたＳｉＯ２及び白色無機顔料を含む液材を塗布し、１６０〜２５０℃で加熱してなる多孔質の無機系白色絶縁層により構成されること、
前記配線層が、前記多孔質の無機系白色絶縁層に染み込み硬化する樹脂および金属粉末を含有する金属ペーストを塗布し、加熱して形成された第一の導電層と、第一の導電層の上面に形成された第一の導電層よりも肉厚かつ低抵抗の第二の導電層とを備えて構成されることを特徴とするＬＥＤ光源装置。
【請求項２】
前記配線層の上層として反射層として機能する第二の絶縁層が、前記配線層を露出させる露出部を残すように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項３】
前記第二の絶縁層が、ナノ粒子化されたＳｉＯ２及び白色無機顔料を含む液材を塗布し、１６０〜２５０℃で加熱してなる多孔質の無機系白色絶縁層により構成されることを特徴とする請求項２に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項４】
前記マイクロリフレクターの上部開口が、底部開口に対し７０〜８５°で拡径されており、底部開口と上部開口との距離が４〜８ｍｍであることを特徴とする請求項２または３に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項５】
前記マイクロリフレクターが千鳥配置されており、各マイクロリフレクターの中心間の間隔が前記上部開口の直径よりも小さいこと、かつ、前記上部開口が相互に重なり合わないことを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項６】
前記ＬＥＤチップが、当該ＬＥＤチップが配置される前記マイクロリフレクターのピッチ上部開口の範囲内で前記開口部を介して前記配線層と結線されることを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項７】
配光角度が３０度以下であり、全光束値が５００ルーメン以上であり、かつ、プロジェクター用であることを特徴とする請求項２ないし６のいずれかに記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項８】
前記ＬＥＤチップの上面視形状が実質正方形であり、最大定格電流３００ｍＡ以上であることを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項９】
前記リフレクターブロックが一体成形された樹脂材料により構成され、
前記マイクロリフレクターの内周面に、金属材料からなる反射層が形成されていることを特徴とする請求項８に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項１０】
前記リフレクターブロックの心材に金属、外周部に樹脂が一体成形され、前記マイクロリフレクターの内周面に、金属材料からなる反射層が形成されていることを特徴とする請求項８に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項１１】
前記マイクロリフレクターが、上部開口と、前記ＬＥＤチップが近傍に配置される底部開口と、反射面とを備え、
前記反射面が、底部開口側に位置し、前記ＬＥＤチップからの照射光を中心軸側に集光するよう作用する第一の内周面と、第一の内周面よりも上部開口側に位置し且つ中心軸に対する角度が狭い第二の内周面と、第二の内周面よりも上部開口側に位置し且つ中心軸に対する角度が狭い第三の内周面とを備えて構成されることを特徴とする請求項７ないし１０のいずれかに記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項１２】
前記各内周面の断面形状が、直線状であることを特徴とする請求項１１に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項１３】
赤色光用ＬＥＤ光源装置と、前記赤色光用ＬＥＤ光源装置から射出される光を変調する赤色光用透過型液晶パネルと、
緑色光用ＬＥＤ光源装置と、前記緑色光用ＬＥＤ光源装置から射出される光を変調する緑色光用透過型液晶パネルと、
青色光用ＬＥＤ光源装置と、前記赤色光用ＬＥＤ光源装置から射出される光を変調する赤色光用透過型液晶パネルと、
赤色光、緑色光および青色光を合成するダイクロイックプリズムと、
ダイクロイックプリズムからの合成光を投写する投写光学系と、を備えたプロジェクターにおいて、
前記赤色光用ＬＥＤ光源装置、前記緑色光用ＬＥＤ光源装置および前記青色光用ＬＥＤ光源装置が、請求項２ないし１２のいずれかに記載のＬＥＤ光源装置により構成されることを特徴とするプロジェクター。
【請求項１４】
前記赤色光用ＬＥＤ光源装置、前記緑色光用ＬＥＤ光源装置および前記青色光用ＬＥＤ光源装置の全光束値が、２０００ルーメン以上であることを特徴とする請求項１１に記載のプロジェクター。
【請求項１５】
前記マイクロリフレクターが構成する照射面が、前記各液晶パネルと比べ一回り大きく構成されていることを特徴とする請求項１３または１４に記載のプロジェクター。
【請求項１６】
前記多数個のＬＥＤチップが、紫外光を発光することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＬＥＤ光源装置を複数個連設してなる光源を有するＵＶインク硬化用装置。
【請求項１８】
請求項１６に記載のＬＥＤ光源装置を複数個連設してなる光源を有するＵＶ殺菌用装置。
【請求項１９】
前記多数個のＬＥＤチップが、赤外光を発光することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のＬＥＤ光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月12日(2018.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、第４の導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、半導体と、電子捕獲層と、を有し、
前記半導体は、前記第３の導電体と接する第１の領域と、前記第４の導電体と接する第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置される第３の領域と、を有し、
前記電子捕獲層は、前記第２の絶縁体を介して前記第３の領域と互いに重なる領域を有し、
前記第１の導電体は、前記第１の絶縁体を介して前記第３の領域と互いに重なる領域を有し、
前記第２の導電体は、前記第３の絶縁体を介して前記電子捕獲層と互いに重なる領域を有し、
前記第２の導電体は、前記第３の領域と重なる領域を有さない半導体装置。
【請求項２】
第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、第４の導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、半導体と、電子捕獲層と、を有し、
前記半導体は、前記第３の導電体と接する第１の領域と、前記第４の導電体と接する第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置される第３の領域と、を有し、
前記電子捕獲層は、前記第２の絶縁体を介して前記第１の領域および前記第３の領域と互いに重なる領域を有し、
前記第１の導電体は、前記第１の絶縁体を介して前記第３の領域と互いに重なる領域を有し、
前記第２の導電体は、前記第３の絶縁体を介して前記電子捕獲層と互いに重なる領域を有し、
前記第２の導電体は、前記第１の領域と重なる領域を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月23日(2018.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体および該支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層が、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
該有機化合物が、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、及びＮ−メチルピロリドンからなる群より選択される少なくとも１種であり、
該有機化合物の含有量が、該ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上１．５質量％以下であり、
該電荷輸送層が、式（１）で示される構造単位を有するポリエステル樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2016105156.tif 000001
（式（１）中のＡは式（２）で示される２価の基を示す。Ｂは、式（４）で示される２価の基、または式（５）で示される２価の基を示す。）
【化２】
2016105156.tif 000002
（式（２）中のＲ２１及びＲ２２は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、または、アルコキシ基を示す。ｉ、ｊはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。式（２）中のＸは、式（３−１）〜（３−７）のいずれかで示される基である。）
【化３】
2016105156.tif 000003
（式（３−１）中のＲ３１及びＲ３２は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル基、またはＲ３１及びＲ３２が結合してシクロアルキル環もしくは複素環を形成するのに必要な基を示す。式（３−７）中のＲ３３〜Ｒ３６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリ−ル基を示す。式（３−４）中のａ、式（３−７）中のｂ及びｄは０〜２０の整数、ｃは１〜５００の整数を示す。）
【化４】
2016105156.tif 000004
（式（４）中のＲ４１及びＲ４２は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、または、アルコキシ基を示す。ｋ、ｌはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。）
【化５】
2016105156.tif 000005
（式（５）中のＲ５１は、アルキル基、アリール基、または、アルコキシ基を示す。ｍは０〜４の整数を示す。）
【請求項２】
前記式（２）で示される２価の基が、式（６）で示される２価の基である請求項１に記載の電子写真感光体。
【化６】
2016105156.tif 000006
【請求項３】
前記式（２）で示される２価の基が、式（７）〜（９）のいずれかで示される２価の基である請求項１に記載の電子写真感光体。
【化７】
2016105156.tif 000007
【請求項４】
前記式（４）で示される２価の基が、式（１０）で示される２価の基である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化８】
2016105156.tif 000008
【請求項５】
前記式（５）で示される２価の基が、式（１１）または（１２）で示される２価の基である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【化９】
2016105156.tif 000009
【請求項６】
前記有機化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．４質量％以上１．４質量％以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記有機化合物が、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、及びＮ−ビニルホルムアミドからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
支持体および該支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを有する電子写真感光体であって、
該電荷発生層が、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
前記有機化合物が、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、及びＮ−ビニルホルムアミドからなる群より選択され、かつ
該有機化合物の含有量が、該ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上１．５質量％以下であり、
該電荷輸送層が、式（１）で示される構造単位を有するポリエステル樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１０】
2016105156.tif 000010
（式（１）中のＡは式（２）で示される２価の基を示す。Ｂは、式（１１）または式（１２）で示される２価の基を示す。）
【化１１】
2016105156.tif 000011
（式（２）中のＲ２１及びＲ２２は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、または、アルコキシ基を示す。ｉ、ｊはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。式（２）中のＸは、式（３−１）〜（３−７）のいずれかで示される基である。）
【化３】
2016105156.tif 000012
（式（３−１）中のＲ３１及びＲ３２は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアルケニル基、またはＲ３１及びＲ３２が結合してシクロアルキル環もしくは複素環を形成するのに必要な基を示す。式（３−７）中のＲ３３〜Ｒ３６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリ−ル基を示す。式（３−４）中のａ、式（３−７）中のｂ及びｄは０〜２０の整数、ｃは１〜５００の整数を示す。）
【化１２】
2016105156.tif 000013
【請求項９】
前記ガリウムフタロシアニン結晶が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
前記ガリウムフタロシアニン結晶が、クロロガリウムフタロシアニン結晶である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
前記ポリエステル樹脂の重量平均分子量が、８００００以上、３０００００以下である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月15日(2018.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無端移動する表面に担持した現像剤により、画像形成装置の潜像担持体上の潜像を現像する現像剤担持体と、前記現像剤担持体の表面に対して規制ギャップを介して対向するように配設され、前記現像剤担持体の表面上における現像剤の層厚を規制する規制部材とを有する現像装置において、
前記規制部材の現像剤担持体表面移動方向と直交する方向の中央部にて、前記規制ギャップがより小さくなるように前記規制部材を変形させる変形手段を設けたことを特徴とする現像装置。
【請求項２】
請求項１の現像装置において、
前記変形手段によって前記規制部材を変形させていないときに、前記規制部材の現像剤担持体表面移動方向と直交する方向の中央部の先端における規制ギャップ入口側のエッジの位置を、前記規制ギャップを最小にする位置からずらした状態で前記規制部材を支持したことを特徴とする現像装置。
【請求項３】
請求項１又は２の現像装置において、
前記規制部材を片持ち支持する支持部材と前記規制部材との密着領域の現像剤担持体表面移動方向と直交する方向の中央部にスペーサー部材を介在させ、このスペーサー部材を前記変形手段として機能させたことを特徴とする現像装置。
【請求項４】
請求項３の現像装置において、
前記スペーサー部材を複数枚重ねて前記支持部材と前記規制部材との間に介在させたことを特徴とする現像装置。
【請求項５】
請求項３又は４の現像装置において、
前記スペーサー部材として、非金属材料からなるものを用いたことを特徴とする現像装置。
【請求項６】
請求項３乃至５の何れかの現像装置において、
互いの係合により、前記支持部材と前記規制部材との間に介在している前記スペーサー部材を前記支持部材に保持させる係合部を、前記支持部材及び前記スペーサー部材のそれぞれに設けたことを特徴とする現像装置。
【請求項７】
請求項６の現像装置において、
前記支持部材における前記係合部として、凸部、凹部又は貫通口を設けるとともに、前記スペーサー部材における前記係合部として、前記凸部を受け入れる凹部、前記凸部を受け入れる貫通口、又は前記凹部もしくは前記貫通口に入り込む凸部を設けたことを特徴とする現像装置。
【請求項８】
請求項７の現像装置において、
前記支持部材における前記係合部として、凸部を設け、前記スペーサー部材における前記係合部として前記凸部を受け入れる貫通口を設け、且つ前記凸部を受け入れる貫通口を、前記規制部材にも設けたことを特徴とする現像装置。
【請求項９】
潜像を担持する潜像担持体と、前記潜像担持体上の潜像を現像する現像手段とを備える画像形成装置において、
前記現像手段として、請求項１乃至８の何れかの現像装置を用いたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【図１】実施形態に係る複写機を示す概略構成図。
【図２】同複写機に搭載された４つ作像ユニットのうちの何れか１つにおける現像装置及び感光体を示す拡大構成図。
【図３】同現像装置の規制ブレードを示す斜視図。
【図４】同規制ブレードとこれを片持ち支持する支持部材とを示す分解斜視図。
【図５】同現像装置の現像ローラ、規制ブレード、及び支持部材をブレード長手方向の一端部で破断した横断面図。
【図６】同現像ローラ、規制ブレード、及び支持部材をブレード長手方向の中央部で破断した横断面図。
【図７】第一変形例に係る現像装置の現像ローラ、規制ブレード、及び支持部材をブレード長手方向の中央部で破断した横断面図。
【図８】ブレード長手方向における現像剤の汲み上げ量の偏差と、ブレード長手方向の中央部におけるスペーサー部材の有無との関係を示すグラフ。
【図９】スペーサー部材１３６を設けていない状態の規制ブレード及び支持部材をブレード長手方向の中央部で破断した断面図。
【図１０】第二変形例に係る複写機における規制ブレード、スペーサー部材及び支持部材を示す分解斜視図。
【図１１】同複写機の支持部材、スペーサー部材及び規制ブレードを示す縦断面図。
【図１２】第二変形例に係る複写機における規制ブレード、スペーサー部材及び支持部材を示す分解斜視図。
【図１３】同複写機の支持部材、スペーサー部材及び規制ブレードを示す縦断面図。
【図１４】第二変形例に係る複写機や、実施例に係る複写機におけるブレード長手方向の現像剤汲み上げ量の偏差を示すグラフ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図９は、スペーサー部材１３６を設けていない状態の規制ブレード１２及び支持部材１３をブレード長手方向の中央部で破断した断面図である。同図において、規制ブレード１２の先端磁性板１２ｂは、法線Ｌ１との平行関係を維持したまま図中α方向に法線Ｌ１の位置まで移動したときに、規制ギャップを最小にする。スペーサー部材１３６を設けていない状態では、図示のように、先端磁性板１２ｂのブレード長手方向の中央部の先端における規制ギャップ入口側のエッジＥの位置を、法線Ｌ１に沿う位置からずらした状態になる。このような状態で規制ブレード１２を支持している。かかる構成では、規制ギャップにおけるブレード長手方向の中央部をスペーサー部材１３６による規制ブレード１２の変形によって確実に小さくすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
スペーサー部材１３６は、その貫通口１３６ｂに対して支持部材１３の凸部１３ｂが係合せしめられることで、支持部材１３に保持される。また、規制ブレード１２は、スペーサー部材１３６の貫通口１３６ｂを係合貫通した支持部材１３の凸部１３ｂを自らの貫通口１２ｄに係合貫通せしめられる状態で、支持部材１３にボルト固定される。かかる構成では、規制ブレード１２の長手方向の中央部をボルト１３７で締め付けることなく、支持部材１３の凸部１３ｂとスペーサー部材１３６の貫通口１３６ｂとの係合によってスペーサー部材１３６を支持部材１３に保持させることができる。また、規制ブレード１２の長手方向の中央部をボルト１３７で締め付けることなく、同中央部を支持部材１３に保持させることもできる。