【事件の表示】
　平成９年特許願第１７７３３１号「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１月２９日出願公開、特開平１１−２６８１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成９年７月２日の出願であって、平成１５年４月８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１２日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月１１日付で手続補正がなされたものである。
　
２　平成１５年６月１１日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年６月１１日付の手続補正を却下する。
［理由］
２．１　補正の内容
　平成１５年６月１１日付の手続補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正しようとするものであり、その内容は以下の（ア）〜（エ）のとおりである。
（ア）特許請求の範囲を
「【請求項１】　基板上に発光層、電流狭窄層等を形成した
（ＡｌＧａ）ＩｎＰ系の
　駆動電流２０ｍＡの場合に、該発光層に注入する電流密度が、半導体発光素子の電流（縦軸）−電圧（横軸）特性において、該電流（縦軸）−電圧（横軸）特性の傾きを表わす理想係数ｎが極小値ｎ＝１となる位置よりも高電圧側に位置する領域に対応するように、該電流狭窄層の狭窄面積を設定した半導体発光素子。
【請求項２】　前記半導体発光素子が（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰ（
０＜ｘ≦０．５
【請求項３】　前記電流狭窄層として、ＧａＰ、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰ又はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ系材料を用いた請求項１又は請求項２記載の半導体発光素子。
【請求項４】　前記発光層の電流注入領域の面積が１×１０−４ｃｍ２以下である請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項５】　
前記
【請求項６】　前記電流狭窄層の狭窄部をエッチングにより形成した請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項７】　前記電流狭窄層の狭窄部を拡散法により形成した請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項８】　前記電流狭窄層によって電流狭窄される領域が複数の島状構造である請求項１記載の半導体発光素子。」
と補正する。
（イ）段落【００２７】を
「【課題を解決するための手段】
　本発明の半導体発光素子は、基板上に発光層、電流狭窄層等を形成した
（ＡｌＧａ）ＩｎＰ系の
と補正する。
（ウ）段落【００２８】を
「好ましくは、前記半導体発光素子が（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰ（
０＜ｘ≦０．５
と補正する。
（エ）段落【００３１】を
「好ましくは、
前記
と補正する。
　
２．２　補正の適否についての判断
　上記補正により、補正前の請求項１に記載された「半導体発光素子」が、「
（ＡｌＧａ）ＩｎＰ系の
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．３　引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開昭６３−３０１５７４号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）「【産業上の利用分野】
　この発明は、高出力で且つ光ファイバに効率良く光を入射させることのできる、光通信に好適な発光ダイオードに関する。」（１頁左下欄１５〜１８行）
（２）「【従来技術】
　従来より第２図に示すようなモノリシックレンズ付発光ダイオードが知られている。この発光ダイオードは、ｎ型ＩｎＰ基板３０の裏面上にｎ型ＩｎＰバッファ層３１、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２、ｐ型ＩｎＰクラッド層３３、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ電流制限層３４、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層３５を順次エピタキシャル成長させた構造を有している。そして裏面中央の直径１０〜２０μｍの領域からクラッド層３３に到達するようなＺｎ拡散領域４１が形成されている。裏面側のキャップ層３５上のＳｉＯ２絶縁層３６に設けられた直径３０μｍほどの窓を通してｐ型電極３７がこのＺｎ拡散領域４１に接触している。基板３０の表面側にはｎ型電極３８が形成されるとともに凸レンズ状部分の上に反射防止コート３９が設けられている。
　このように、ｎ型電流制限層３４中にＺｎを拡散してｐ型の領域（Ｚｎ拡散領域４１）を作ることによりこのｐ型領域にのみ電流が流れるようにして電流制限を行っている。すなわち、電流が流れる領域を直径１０〜２０μｍ程度に制限し、これによって活性層３２における発光領域４２も直径１０〜２０μｍ程度に制限するものである。」（１頁左下欄１９行〜２頁左上欄１行）
　
２．４　対比
　本願補正発明と引用例に記載の発明とを対比する。
（ａ）引用例に記載の「ｎ型ＩｎＰ基板３０」、「ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２」及び「ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ電流制限層３４」が、それぞれ本願補正発明の「基板」、「発光層」及び「電流狭窄層」に相当する。
（ｂ）半導体発光素子が発光されるのは、注入電流が理想係数ｎが１から２に移る変曲点の電流よりも大きいときであることが、本願明細書の段落【００１５】及び図９の記載事項から読み取れる。そして、このことと、同明細書の段落【００１１】の記載事項並びに図７及び図８にそれぞれ示された電流−電圧特性のグラフ及び理想係数−電圧特性のグラフとを考え合わせると、発光層に注入する電流密度が、半導体発光素子の電流−電圧特性において、理想係数ｎが１となる位置よりも高電圧側に位置する領域に対応するときに、半導体発光素子が発光されるといえる。
　このことに鑑みて、引用例に記載の発光ダイオードをみると、該発光ダイオードも発光層（ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２）への電流注入により発光するものであるから、その際の電流密度も、発光ダイオードの電流−電圧特性において、理想係数ｎが１となる位置よりも高電圧側に位置する領域に対応するといえ、また発光層に注入する電流密度は、電流狭窄層（ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ電流制限層３４）の狭窄面積に依存するから、引用例に記載の発光ダイオードも、本願補正発明と同様に、「該発光層に注入する電流密度が、半導体発光素子の電流（縦軸）−電圧（横軸）特性において、該電流（縦軸）−電圧（横軸）特性の傾きを表わす理想係数ｎが極小値ｎ＝１となる位置よりも高電圧側に位置する領域に対応するように、該電流狭窄層の狭窄面積を設定した」との事項を備えるものである。
　以上の（ａ）及び（ｂ）を踏まえると、両者は、「基板上に発光層、電流狭窄層等を形成した半導体発光素子であって、該発光層に注入する電流密度が、半導体発光素子の電流（縦軸）−電圧（横軸）特性において、該電流（縦軸）−電圧（横軸）特性の傾きを表わす理想係数ｎが極小値ｎ＝１となる位置よりも高電圧側に位置する領域に対応するように、該電流狭窄層の狭窄面積を設定した半導体発光素子」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　本願補正発明では、半導体発光素子が（ＡｌＧａ）ＩｎＰ系であり、駆動電流が２０ｍＡであるのに対して、引用例に記載の発明では、半導体発光素子がＩｎＧａＡｓＰ系であり、また駆動電流については同引用例に具体的な数値の記載がない点。
　
２．５　判断
　（ＡｌＧａ）ＩｎＰ系の半導体発光素子は周知であり、また駆動電流を２０ｍＡとすることも普通に行われる範囲での数値の設定であって周知であるから（例えば、特開平８−２１３６５２号公報（特に段落【００１４】）、特開平８−４６２３９号公報（特に段落【００３９】〜【００４５】）、特開平８−２３１２３号公報（特に段落【０００９】、【００２４】）及び特開平８−２０４２３４号公報（特に段落【００２６】、【００２９】）を参照。）、上記引用例に記載の発明に上記周知事項を適用して、本願補正発明の技術的事項とすることは、当業者が容易に想到しうることである。また、本願補正発明の効果も当業者が予測しうる程度のことにすぎない。
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載の発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２．６　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３　本願発明について
３．１　本願発明
　平成１５年６月１１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は平成１５年１月１４日付の手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という。)は次のものである。
「【請求項１】　基板上に発光層、電流狭窄層等を形成した半導体発光素子であって、
　
駆動電流２０ｍＡの場合に、
該電流（縦軸）−電圧（横軸）特性の傾きを表わす
　
３．２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記２．３に記載したとおりである。
　
３．３　対比、判断
　本願発明は、上記２で検討した本願補正発明から「半導体発光素子」の限定事項である「
（ＡｌＧａ）ＩｎＰ系の
　そうすると、本願発明の技術的事項をすべて含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が、上記２．５に記載したとおり、引用例に記載の発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載の発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載の発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。