【事件の表示】
　平成４年特許願第２０６１８３号「液晶表示装置用基板の粒子線式試験方法」拒絶査定不服審判事件〔平成５年９月２１日出願公開、特開平５−２４０９０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成４年７月１０日（パリ条約による優先権主張１９９１年７月１５日、ドイツ連邦共和国）に出願されたものであって、平成１４年２月５付けで拒絶査定がなされ、同年２月１３日に拒絶査定の謄本が発送され、同年５月１４日付けで拒絶査定不服審判の請求がされ、同年６月１３日付けで明細書の手続補正がなされたが、同年１２月２４日付けで、当該手続補正の却下の決定がなされ、その決定が確定したものである。
　
２　本願発明
　上記１の手続の経緯に記載のとおり、平成１４年６月１３日付けの手続補正は、その却下の決定が確定しているので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１３年１２月１９日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されたとおりのものであって、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりのものと認める。
　
【請求項１】多数の画素を有し、光透過性絶縁体から構成され、その表面上に多数の面電極（ＰＥ）、スイッチング素子（Ｔ）、制御導線（Ｌ１、Ｌ２）および寄生素子（Ｒ１、Ｃ１、Ｒ２、Ｃ２）を備え、それぞれ面電極（ＰＥ）が少なくとも１つのスイッチング素子を介して制御導線と接続されている液晶表示装置に用いられる基板（ＳＵＢ１）の粒子線式試験方法において、設定時間インターバルの期間内に、スイッチング素子（Ｔ）を介して面電極（ＰＥ）と接続されている制御導線（Ｌ１、Ｌ２）が予め定められた電位にもたらされ、測定時間インターバルの期間内に粒子線（Ｓ３）が面電極（ＰＥ）に向けられそして粒子線（Ｓ３）によって生成された二次電子（Ｓ５）を測定することによって面電極（ＰＥ）の電位が測定され、測定された電位がそれぞれの目標電位と比較され、これから画素の試験結果が形成され、設定時間インターバルの終わりと測定時間インターバルの始めとの間の待機時間が、画素の挙動としてその時間内のエラーが検出され得るように決定され、維持されることを特徴とする液晶表示装置用基板の粒子線式試験方法。
　
３　刊行物に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−２７２０４６号公報（以下、「刊行物１」という。）には図面とともに、次の事項が記載されている。
　（１ａ）「本発明は、少なくとも１本の駆動ラインと形成すべきがその一部分との間にスイッチング素子を有する表示装置の一部を検査する表示装置検査方法に関するものである。ここにスイッチング素子とは、特に薄膜トランジスタ（FET)、ダイオードや、例えばMIM（金属−絶縁体−金属）・・・を意味するものとする。」（第２頁左上欄第１８行〜右上欄第７行）
　（１ｂ）「大型表示装置、特にマトリックスに構成した能動液晶表示装置の場合には、スイッチング素子の数や、機能しないスイッチング素子が生じるおそれが急激に増大している。従って最終（完成）製品が廃棄されるおそれが増大する為、中間製品を検査する必要性が生じる。・・・製品全体の大部分をすでに有している半完成製品、例えばスイッチング素子を有する液晶表示装置の第１支持板を簡単に検査でき・・・れば費用の点で極めて有利である。」（第２頁右上欄第８行目〜左下欄第４行目）
　（１ｃ）「本発明による表示装置検査方法は、少なくとも１本の駆動ラインと形成すべきがその一部分との間にスイッチング素子を有する表示装置の一部を検査するに当たり、前記のスイッチング素子或いは形成すべき画素の前記の一部分をエネルギービームにより操作することを特徴とする。前記のエネルギービームは例えば、電子ビーム或いは光ビーム、特にレーザビームとすることができる。」（第２頁左下欄第１１行〜第１９行）
　（１ｄ）「第１図は、本例ではマトリックスの形態とした表示装置１０の一部分を線図的に示す。このマトリックスは行電極１１と列電極１２とを有する。これら行電極と列電極とが交差する領域では、液晶素子９がスイッチング素子、本例では薄膜電界効果トランジスタ１３を経て行電極１１および列電極１２に接続されている。液晶素子（画素）は本例では電極１１、１２及びトランジスタ１３と同じの第１の支持板上に配置された画素電極１７を有している。画素はさらに第１図に破線で示す第２の支持板上の対向電極１８を有している。」（第３頁左上欄第４行〜第１４行）
　（１ｅ）「本発明によれば、第１の支持板上に存在する装置の部分を、双方の支持板を互いに固着する前に最初に検査し、次に、これらの支持間の間隙を液晶材料で充填し、次に密閉する。この目的の為には種々の方法がある。」（第３頁左上欄第１５行〜第２０行）
　（１ｆ）「行電極１１を経てトランジスタ１３を選択し、関連の画像電極１７が帯電されるような電圧を列電極１２を経てソース領域１４に与えることにより、トランジスタ１３を経て画像電極１７に電荷を与えることができる。この場合、画像電極１７の電荷は走査式電子顕微鏡における電子ビーム・・・で走査することにより検出しうる。これにより欠陥を検出することができる。」（第３頁右上欄第１６行〜左下欄第３行）
　（１ｅ）図１には、「第１の支持板は、液晶素子９を構成する画像電極１７が薄膜電界効果トランジスタ１３を介して行電極１１と列電極１２に接続されている」ことがみてとれる。
　
４　当審の判断
（１）本願発明１と刊行物１に記載された発明との対比
　　　ア　刊行物１に記載された発明は、図１に記載されている、液晶素子を備える表示装置の第１の支持板上に存在する装置の部分を検査する表示装置の検査方法であり、電子ビームにより測定するものであることから、液晶表示装置に用いられる第１の支持板の電子ビーム試験方法であるといえる。
　　　イ　刊行物１の図１の記載から「第１の支持板」は、多数の液晶素子９を構成する画像電極１７が薄膜電界効果トランジスタ１３を介して行電極１１と列電極１２に接続されていることがみてとれる。
　　　ウ　刊行物１に記載された発明の「第１の支持板」は、液晶表示装置用のものであることから、光透過性の絶縁体から構成されていることは明らかである。
　　　エ　刊行物１には、「行電極１１を経てトランジスタ１３を選択し、関連の画像電極１７が帯電されるような電圧を列電極１２を経てソース領域１４に与えることにより、トランジスタ１３を経て画像電極１７に電荷を与える」ことが記載されており、トランジスタ１３を選択するためには、行電極１１にトランジスタ１３のオン電圧を印加することは、当業者にとって明らかなことであるから、刊行物１には、「トランジスタ１３を介して画像電極１７と接続されている行電極１１と列電極１２が予め定められた電位にもたらされる」点が記載されているものと認められる。
　　　オ　刊行物１には画像電極１７の電荷を走査式電子顕微鏡における電子ビームで走査することにより検出し、これにより欠陥を検出する旨が記載されており、刊行物１には、粒子線である「電子ビーム」が「画像電極１７」を照射して画像電極の電荷を測定して液晶素子９の試験結果が形成されることが記載されているものと認められる。
　　　カ　したがって、刊行物１には、「多数の液晶素子９を有し、光透過性絶縁体から構成され、その表面上に多数の画像電極１７、薄膜電界効果トランジスタ１３、行電極１１と列電極１２を備え、それぞれ画像電極１７が１つの薄膜電界効果トランジスタ１３を介して行電極１１と列電極１２と接続されている液晶表示装置に用いられる第１の支持板の電子ビーム試験方法において、薄膜電界効果トランジスタ１３を介して画像電極１７と接続されている行電極１１と列電極１２が予め定められた電位にもたらされ、電子ビームが画像電極に走査され、画像電極１７の電荷を測定することにより液晶素子９の試験結果が形成されることを特徴とする液晶表示装置に用いられる第１の支持板の電子ビーム試験方法」が記載されているものと認める。
　　　キ　本願発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明の「液晶素子９」、「画像電極１７」、「薄膜電界効果トランジスタ１３」、「行電極１１」と「列電極１２」、「第１の支持板」、「電子ビーム」は、それぞれ、本願発明１の「画素」、「面電極」、「スイッチング素子」、「制御導線」、「基板」、「粒子線」に相当する。
　そして、刊行物１に記載された発明の「電子ビームが画像電極に走査され」ることは、本願発明１の「粒子線が面電極に向けられ」ることに相当し、刊行物１に記載された発明の「画像電極の電荷を測定する」ことと、本願発明１の「面電極（ＰＥ）の電位が測定」されることとは、「面電極の電気的状態を測定する」点において相当する。
　　　ク　また、刊行物１には、「第１の基板」が「寄生素子」を有することについては明記されていないが、本願発明１の「寄生素子」とは、明細書の発明の詳細な説明を参酌すると、図１に記載されている基板（ＳＵＢ１）の等価回路として示された図２に記載されている制御線Ｌ１，Ｌ２とスイッチング素子のドレインの端子線との間に存在する抵抗（Ｒ１，Ｒ２）及び寄生容量（Ｃ１，Ｃ２）であるものと認められ、本願発明１の「基板」が「寄生素子」を備えているとは、制御線Ｌ１，Ｌ２とスイッチング素子のドレインの端子線との線間に所定の抵抗値及び容量が存在するという構成を特定していると解するのが相当であることから、刊行物１に記載された第１の支持板上においても、制御線に相当する行電極１１と列電極１２と、スイッチング素子に相当する電界効果トランジスタ１３のドレイン端子線との間には、その線間に所定の抵抗値及び容量が存在することは明らかであるので、刊行物１に記載された発明の「第１の支持板」は、本願発明１の「寄生素子」を備えているものといえる。
　　　ケ　したがって、本願発明１と刊行物１に記載された発明とは、「多数の画素を有し、光透過性絶縁体から構成され、その表面上に多数の面電極、スイッチング素子、制御導線及び寄生素子を備え、それぞれ面電極が少なくとも１つのスイッチング素子を介して制御導線と接続されている液晶表示装置に用いられる基板の粒子線試験方法において、スイッチング素子を介して面電極と接続されている制御導線が予め定められた電位にもたらされ、粒子線が面電極に向けられそして面電極の電気的状態を測定することにより画素の試験結果が形成されることを特徴とする液晶表示装置用基板の粒子線試験方法」である点で一致し、次の相違点ＡないしＣで相違する。
　
相違点Ａ　「面電極の電気的状態の測定」に関し、本願発明１が「面電極に向けられた粒子線によって生成された二次電子を測定する」ことによって「面電極の電位」を測定するものであるのに対して、刊行物１に記載された発明は、「画像電極の電荷」を測定するものである点
　
相違点Ｂ　本願発明１が「測定された電位がそれぞれの目標電位と比較される」ものであるのに対して、刊行物１に記載された発明は、その点が不明である点
　
相違点Ｃ　本願発明１が、「設定時間インターバルの期間内」に、「制御導線」を「予め定められた電位にもたら」し、測定時間インターバルの期間内に「粒子線」により「面電極の電気的状態」が測定され、「画素の試験結果が形成され」るものであり、「設定時間インターバルの終わりと測定時間インターバルの始めとの間の待機時間が画素の挙動としてその時間内のエラーが検出され得るように決定され、維持される」ものであるのに対して、刊行物１に記載された発明は、「行電極１１と列電極１２」を「予め定められた電位にもたらし」、「電子ビーム」により「画像電極の電気的状態」が測定され、「液晶素子の試験結果」が形成されるものであって、「設定時間インターバル」、「測定時間インターバル」、「待機時間」を有さない点
　（２）判断
　（２−１）相違点Ａについて
　相違点Ａについて検討する。
　この出願の出願前に、電子ビームを走査し、それにより生成される２次電子により走査対象の電位を測定することは従来周知の技術事項（例えば特公昭４５−８８２０号公報、特開昭６３−４８４７３号公報を参照）であり、刊行物１に記載された発明に周知技術を適用して、電子ビームにより生成される二次電子を測定することにより画像電極の電位を測定するようにすることは、当業者であれば容易になし得る程度のことである。
　（２−２）相違点Ｂについて
　相違点Ｂについて検討するに、画素の電位を正常な画素の電位と比較することにより欠陥を検出することは、例えば特開昭６３−４８４７３号公報に記載されているように、従来周知の技術であることから、刊行物１に記載された発明に周知技術を適用して、測定された電位を正常な画素の電位と比較することにより画素の試験結果を形成するように構成することは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　（２−３）相違点Ｃについて
　　上記相違点Ｃについて検討するに、基板を粒子線で検査するものであって、制御導線に予め定めた電位を与え、欠陥として検出可能となる時間の待機時間を設け、その後電位を測定するようにしたものは、従来周知（例えば特開昭６３−４８４７３号公報（特に第５図（Ａ）及びその説明）を参照）の技術であり、刊行物１に記載された発明に、当該従来周知の技術を適用して、本願発明１の如く構成することは、当業者であれば容易になし得る程度のことである。
　（２−４）そして、本願発明１の効果は、刊行物１に記載された発明及び周知技術から当業者が予測可能なものであって、格別のものであるとも認めることができない。
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、本願発明１と周知技術の例として例示されている特開昭６３−４８４７３号公報に記載された発明とを対比して、「刊行物Ｄ（当審注：特開昭６３−４８４７３号公報と同じ）に記載の発明は、画素（電極）に電荷を与えてから（ＴＦＴのゲートパルスを閉じてから）、所定時間後に電位測定を行う点で本願発明と共通する。しかしながら、刊行物Ｄには、寄生素子に関する記載は全く無い。また、刊行物Ｄの発明における所定時間後は、その実施例では長くても１６ｍｓという非常に短い時間である。本願発明の待機時間は、画素の挙動としてその時間内のエラーが検出され得るように決定されており、刊行物Ｄに記載されている時間よりも何倍も長いものである。詳述すると、２点間の短絡又は開放を検出する場合は、短絡が、０Ωに近い（１０〜１００Ω程度）抵抗値を持ち、開放が、１０１５Ω以上の抵抗値を持つので、刊行物Ｄに記載された検出方法により、容易に区別することができる。ところが、良好な画素のトランジスタが約１０１３Ωのオフ抵抗を有しているのに対して、寄生抵抗を有する不良画素のトランジスタは、約１０１０Ωのオフ抵抗を有しており、これらは、刊行物Ｄに記載された方法では、区別することができない。詳述すると、画素に初期電圧U０を与えた後、時間ｔdelayが経過したときの画素の電圧降下ΔＵは、画素のトランジスタのオフ抵抗値をR、画素の静電容量をＣｓとして、次式で与えられる。・・・ここで、静電容量Ｃｓが、典型的な値である０．５ｐＦ、初期電圧U０が５Ｖであるとして、ｔdelay＝２０ｍｓ（刊行物Ｄに開示された時間より長い時間）であるとすると、正常な画素ではΔＵ＝２０ｍＶ、不良画素ではΔＵ＝１００ｍＶとなる。この結果は、通常の動作における寄生素子の影響として見られるものである。ところが、電子ビームを用いて電位を測定する方法では、周囲の画素の電圧の影響などによって、ｍＶレンジの電位差を検出することができない。つまり、刊行物Ｄに記載された発明では、いずれの画素も正常な画素であると判定されてしまう。数百万個の画素を有する表示装置を検査する場合、その信頼性が非常に重要であって、刊行物Ｄに記載された発明は、使用できない。これに対して、本願発明は、（トランジスタの挙動ではなく）画素の挙動としてその時間内のエラーが検出され得るように決定されているので、上記のような場合であっても、寄生抵抗の存在を検出することができる。これは、・・・抵抗値がＲ＝１０１０Ωであっても、画素の挙動を検出できる程度に長い時間、例えば１秒が経過した後には、画素の電圧が殆ど０Ｖにまで低下するからである。このように、刊行物Ｄに記載された発明と本願発明とは異なるものであって、刊行物Ｄには、待機時間として、寄生素子を検出するのに十分な時間、即ち、画素の挙動としてエラーを検出され得るような時間に決定、維持することについて、開示も示唆もされていない。」と主張しているが、請求項１には、待機時間の具体的な長さについて限定されてはおらず、本願発明１の待機時間が、刊行物１に記載された発明の時間よりも長い時間であるとの主張は理由がない。そして、刊行物１に記載された発明の図５（Ａ）に記載された試験方法の待機時間は、徐々に電位が降下する欠��を良好に検出するための時間であって、画素の挙動としてその時間内のエラーが検出され得るように決定されているものである。したがって、請求人の主張を採用することはできない。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明１が特許を受けることができないものであるから、その他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。