【事件の表示】
　特許第５７５２２６４号「不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７５２２６４号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第５７５２２６４号の請求項１〜４に係る特許についての出願は、平成２２年１２月３１日（パリ条約による優先権主張２０１０年１２月２７日　中国、２０１０年１２月２７日　中国）を国際出願日として特許出願され、平成２７年５月２９日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許に対し、特許異議申立人岡村英紀により特許異議の申立てがされたものである。
２　本件特許発明
　特許第５７５２２６４号の請求項１〜４の特許に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法であって、
　エレメント基板及び支持基板を提供するステップと、
　前記エレメント基板の表面に絶縁層を形成するステップと、
　前記エレメント基板の表面にＤＺ層を形成するための熱処理ステップ１と、
　ＤＺ層以外の前記エレメント基板における飽和酸素を核に蓄積させるため、温度が前記熱処理ステップ１以下にある熱処理ステップ２と、
　前記熱処理ステップ２で核に蓄積した酸素を更に大きな酸素析出物に形成させると同時に、前記の酸素析出物がＤＺ層における金属不純物を吸収できる熱処理ステップ３と、
　絶縁層付きの前記エレメント基板及び前記支持基板をボンディングさせ、前記絶縁層が前記エレメント基板及び前記支持基板の間に挟まれるようにするステップと、
　ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行い、前記ボンディング・インターフェースの堅牢度が後続の面取り研磨、薄化及び研磨技術の要求を満たすようにするステップと、
　ボンディングした前記エレメント基板の面取り研磨、薄化及び研磨を行うステップとを含み、
　前記ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行うステップは、前記熱処理ステップ３を兼ねることを特徴する不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法。」（以下「本件特許発明１」という。）
「【請求項２】
　前記エレメント基板が単結晶ケイ素基板であることを特徴とする請求項１に記載の方法。」（以下「本件特許発明２」という。）
「【請求項３】
　更に前記エレメント基板に対する面取り研磨、薄化及び研磨技術を実施してから、ボンディングしたインターフェースに対する補充的焼鈍補強を行うステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。」（以下「本件特許発明３」という。）
「【請求項４】
　更に前記エレメント基板に対する面取り研磨、薄化及び研磨技術を実施するまで前記支持基板の露出表面に保護層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。」（以下「本件特許発明４」という。）
３　申立理由の概要
　特許異議申立人岡村英紀は、主たる証拠として特開平８−１１５８６１号公報（以下「甲第１号証」という。）を、及び、従たる証拠として、再公表特許第ＷＯ００／５５３９７号（以下「甲第２号証」という。）、特開平８−２３６７３５号公報（以下「甲第３号証」という。）、特開平１０−２０９４０８号公報（以下「甲第４号証」という。）を提出し、本件特許の請求項１ないし４に係る特許は同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１ないし４に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
４　甲第１号証〜甲第４号証
（１）甲第１号証の記載
ア　甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、「張り合わせ半導体基板およびその製造方法」（発明の名称）について、図１〜図２とともに、次の事項が記載されている（下線は当審で付加。以下同じ。）。
ａ　「【請求項２】  ２
枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において
少なくとも
一方の半導体基板の主面にＤＺを形成した後、主面同士を重ね合わせ
さらに、熱処理後、上記ＤＺを露出させる張り合わせ半導体基板の製造方法。」
ｂ　「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば２枚のシリコンウェーハを直接張り合わせて一体化した張り合わせ半導体基板およびその製造方法に関する。」
ｃ　「【０００２】
【従来の技術】従来より、シリコンウェーハ同士を直接張り合わせて接合する技術は、例えば特開昭６１−１４５８３９号公報、特開昭６２−７１２１５号公報等に列挙されている。
【０００３】このシリコンウェーハの張り合わせ接合技術は、基本的には以下の工程により構成されている。(１)室温で２枚のシリコンウェーハを張り合わせる。(２)８００℃以上の温度領域でこれをアニールし、結合強度を高める。この張り合わせ半導体基板では、張り合わせ界面が一様に結合されてボイド等の非結合部分がないこと、また、後工程で剥離しない程度に結合強度が高いことが要求される」
（注：原文では、前記「(１)」〜「(２)」は、いずれも、丸付き数字で表記されている。）
ｄ　「【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は、表面にＤＺ（無欠陥層）を有する張り合わせ半導体基板である。」
ｅ　「【０００９】
【作用】この発明に係る張り合わせ半導体基板によれば、張り合わせ半導体基板の特徴を活かし、かつ、高品質の表面活性層を得ることができる。この場合、張り合わせられる半導体基板としては、鏡面研磨したもの同士であってもよく、または、
一方の重ね合わせ面に酸化膜
を被着した
【００１０】この発明に係る張り合わせ半導体基板の製造方法によれば、張り合わせ半導体基板の表面活性層の品質を高めることができる。
特にＤＺ形成によりゲッタリング層（ＩＧ層）を基板内部に同時に形成する
【００１１】ここに、シリコンウェーハへのＤＺの形成は、１０００〜１１５０℃での高温熱処理により行うことができる。この高温熱処理は、シリコンウェーハ表面から酸素をアウトディフュージョンし、該ウェーハ表面にＤＺを例えば２０〜５０μｍの厚さに形成するものである。」
ｆ　「【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。図１は一実施例に係る張り合わせ半導体基板の製造方法を示している。この図の（Ｂ）に示すように、まず、鏡面研磨した
基盤ウェーハＢ、および、同じく鏡面研磨したこれに張り合わせられる活性層ウェーハＡを準備する
活性層ウェーハＡにはＤＺが形成されている
ウェーハＡ，Ｂを重ね合わせ、室温下所定条件にて張り合わせる。この場合、活性層ウェーハＡのＤＺは基盤ウェーハＢの表面に重ね合わされて張り合わせられる
【００１４】そして、張り合わせ後の所定の熱処理を行う。すなわち、熱処理前の重ね合わせ段階での張り合わせが正常である場合は、
張り合わせ後のウェーハＣには例えば１２００℃，２時間，酸素雰囲気での熱処理（アニール）が施される
Ａウェーハ部分の平面研削による薄膜化およびポリシングによる薄膜化が施される
【００１５】以下に、ＤＺの形成条件の一例を示す。すなわち、以下に示す
三段熱処理によりＤＺを形成する
Ｔ℃、ｔ時間、熱処理雰囲気は窒素あるいは酸素
５５０℃、６時間
１０００℃、１６時間の熱処理を連続して行う
　……（中略）……
【００１７】また、図２には、１１００℃、２時間、張り合わせ熱処理後の活性層の酸素濃度のプロファイルを示している。この場合の活性層の酸素濃度は、約１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃである。」
（注：原文では、前記「(１)」〜「(３)」は、いずれも、丸付き数字で表記されている。）
ｇ　「【００１８】
【発明の効果】
この発明によれば、活性層に欠陥のない高品質の張り合わせ半導体基板を得ることができる。また、張り合わせに使用する半導体基板の酸素濃度は不問とされる
ｈ　段落【００１６】の表には、「熱処理条件」として、「温度（Ｔ）」は１１００℃または１１５０℃であり、各温度について「時間（ｔ）」は、それぞれ、１時間、４時間、９時間であることが記載されている。
イ　甲第１号証に記載された発明
　以上のａ〜ｈの記載を総合すると、甲第１号証には、次の発明（以下「甲第１号証発明」という。）が記載されていると認められる。
「２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法であって、
　基盤ウェーハＢ、及び、これに張り合わせられる活性層ウェーハＡを準備するステップと、
　前記基盤ウェーハＢ及び前記活性層ウェーハＡの一方の重ね合わせ面に酸化膜を被着するステップと、
　前記活性層ウェーハＡの主面にＤＺ（無欠陥層）を形成することにより、ゲッタリング層（ＩＧ層）を前記活性層ウェーハＡ内部に同時に形成するための三段熱処理として、
　　窒素あるいは酸素雰囲気で、Ｔ℃（Ｔ＝１１００℃または１１５０℃）、ｔ時間（ｔ＝１時間、４時間または９時間）の熱処理を行うステップ(１)と、
　　５５０℃、６時間の熱処理を行うステップ(２)と、
　　１０００℃、１６時間の熱処理を行うステップ(３)と、
を連続して行うステップと、
　前記活性層ウェーハＡの前記ＤＺが前記基盤ウェーハＢの表面に重ね合わされるように、前記活性層ウェーハＡと前記基盤ウェーハＢを、重ね合わせて張り合わせるステップと
　張り合わせ後のウェーハＣに、例えば１２００℃，２時間，酸素雰囲気での熱処理を施すステップと、
　前記張り合わせ後のウェーハＣの前記ウェーハＡ部分の平面研削による薄膜化及びポリシングによる薄膜化を施すステップと、
を含むことを特徴する張り合わせ半導体基板の製造方法。」
（２）甲第２号証の記載
ア　甲第２号証の記載事項
　甲第２号証には、「シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ」（発明の名称）について、図１〜図４とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「また、前記半導体デバイスを更に高性能にするために、いわゆるＳＯＩ（Ｓｉｌｌｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエーハが用いられることもある。このＳＯＩウエーハの代表的な製造方法としてウエーハ貼り合わせ法がある。この方法は、
デバイス形成層となるボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハとを酸化膜を介して密着させ
熱処理を加えて両者を強固に結合する
このような方法で製造された貼り合わせＳＯＩウエーハ
信号の伝送ロス等の問題を解決するためには、ＣＺ法で高抵抗率のウエーハをベースウエーハとして用いる
ｂ　「発明の開示
　本発明はこのような問題点に鑑みて為されたもので、酸素ドナーの発生による抵抗率の低下を防ぎつつ、ゲッタリング効果も高い高抵抗率ＣＺウエーハを得る方法、および、その方法により製造された
高抵抗率ＣＺウエーハ
を提供することを第１の目的とする
　……（中略）……
　本発明では、
前記第１の目的を達成するため
ウエーハ中の残留格子間酸素濃度を８ｐｐｍａ以下とする
　このように、チョクラルスキー法により、１００Ω・ｃｍ以上の高抵抗率であって、初期格子間酸素濃度が１０〜２５ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ：日本電子工業振興協会）の高酸素濃度のシリコンウエーハを作製して、この高抵抗率ＣＺウエーハに対し酸素析出熱処理を行ない、
残留格子間酸素濃度を８ｐｐｍａ以下の低酸素濃度とすることにより、シリコンウエーハの格子間酸素を析出させて、電気的に活性な酸素ドナーとなることを防ぎ、ウエーハの抵抗率の低下を防ぐことができる
ｃ　「なお、貼り合わせＳＯＩウエーハ用のベースウエーハに行う酸素析出熱処理は、貼り合わせＳＯＩウエーハの製造工程中の結合熱処理と兼ねて行うこともできる。
　すなわち、ボンドウエーハとベースウエーハとを酸化膜を介して密着させる工程と、結合熱処理を加えて強固に結合させる工程と、ボンドウエーハを薄膜化してＳＯＩ層とする工程とを有する貼り合わせＳＯＩウエーハの製造の際、前記ベースウエーハとして抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上で初期格子間酸素濃度が１０〜２５ｐｐｍａであるシリコンウエーハを用い、前記結合熱処理としてベースウエーハ中の残留格子間酸素濃度を８ｐｐｍａ以下とする熱処理を行うことで、高抵抗率を有し、且つ充分なゲッタリング効果を有するＳＯＩウエーハをより効率的に得ることができる。
　この場合、前記用いるベースウエーハを、該ベースウエーハとボンドウエーハとを密着させる工程の前に酸素析出熱処理の少なくとも一部を行ったウエーハとすることもできる。
　貼り合わせＳＯＩウエーハの作製工程中に行われる酸素析出熱処理として複数段の熱処理を行う場合には、上記のように
ボンドウエーハと密着する前のベースウエーハにその酸素析出熱処理の一部を予め行い、残りの熱処理を結合熱処理として行う
貼り合わせＳＯＩウエーハの作製工程において必要な酸素析出熱処理を分割して行えば、結合熱処理のみで行う場合に比べて結合熱処理工程を短くできるので、各工程間の時間調整がし易くなり、工程間在庫を低減し効率よく製品を作製することができる
ｄ　「さらにこの場合、前記酸素析出熱処理を、その初段において１１００℃以上の高温熱処理を行い、ウエーハ表面の格子間酸素を外方拡散させることによりウエーハ表面にＤＺ層（無欠陥層）を形成させるように行うことが好ましい。」（第１４頁第１９〜２１行）
ｅ　「また、このようなウエーハを利用して貼り合わせＳＯＩウエーハを製造する場合には、少なくともベースウエーハとして上記の高抵抗率ＣＺウエーハを用い、デバイス層となるボンドウエーハとベースウエーハの少なくとも一方にシリコン酸化膜を形成した後、両者を貼り合わせ、結合熱処理を加えて結合強度を向上させてからボンドウエーハを薄膜化しＳＯＩ層とすることにより、
デバイス製造熱処理等を受けてもベースウエーハは高抵抗率を維持できるので高周波特性に優れたデバイスが作製可能なＳＯＩウエーハを得ることができる
ｆ　「（実施例３）
　ＣＺ法により作製され、方位＜１００＞、直径１５０ｍｍ、導電型Ｐ型であって、抵抗率の面内分布が４４００〜７０００Ω・ｃｍの範囲で、初期格子間酸素濃度が約１７．９ｐｐｍａであるウエーハをベースウエーハとして用意し、ベースウエーハと同一の直径、方位、導電型であり、抵抗率が１０〜２０Ω・ｃｍ、初期格子間酸素濃度が１５ｐｐｍａであるボンドウエーハを用意した。
　このボンドウエーハの表面に熱酸化膜を４００ｎｍ形成した後、この熱酸化膜を通して水素イオンを注入（注入エネルギー１００ｋｅＶ、ドーズ量８×１０１６／ｃｍ２）した。そして、このボンドウエーハを室温でベースウエーハと密着させ、５００℃、３０分の熱処理を加えることにより、水素イオン注入層でボンドウエーハを剥離して、厚さ約０．４μｍのＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウエーハを作製した。
　その後、
貼り合わせ強度を向上させるための結合熱処理とベースウエーハの酸素析出熱処理とを兼ねて、実施例１の熱処理Ｄと同一条件の３段熱処理を加えた
　さらに、
このＳＯＩウエーハに４５０℃、１６時間の熱処理を施し、再度ベースウエーハの抵抗率を測定したところ、酸素ドナーが発生しやすい温度で熱処理したにもかかわらず、抵抗率は３０００Ω・ｃｍ以上の高抵抗率を維持している
ｇ　「（実施例４）
　ＣＺ法によりシリコン単結晶棒を作製し、これからワイヤーソーを用いてウエーハ状にスライスした後、通常行われる面取り、ラッピング、ケミカルエッチング等の工程を経て、直径１５０ｍｍ、方位＜１００＞、導電型Ｐ型、抵抗率が約１１２００Ω・ｃｍ、初期酸素濃度１７．６ｐｐｍａのＣＷを作製し、これをベースウエーハとして用意した。尚、このＣＷを作製する際には、通常のＣＷ作製工程において一般的に行われるドナー消去熱処理は行わなかった。
　また、ボンドウエーハとしては、直径１５０ｍｍ、方位＜１００＞、導電型Ｐ型、抵抗率が１０〜２０Ω・ｃｍ、初期酸素濃度約１５ｐｐｍａの鏡面研磨ウエーハを用意し、このボンドウエーハの表面に５００ｎｍの熱酸化膜を形成した。
　そして、
ベースウエーハとして用意したＣＷに対し、酸素析出熱処理としての３段熱処理のうち、初段熱処理（５００℃、４時間、窒素雰囲気）および２段目の熱処理（８００℃、６時間、窒素雰囲気）を行った後、一方の面を３段研磨（１次研磨、２次研磨、仕上げ研磨（最終研磨））して鏡面研磨ウエーハとした
　
その後、ボンドウエーハとベースウエーハの鏡面同士を酸化膜を介して室温で密着させ、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理として、酸素析出熱処理の３段目の熱処理を兼ねて、１１００℃、１０時間の熱処理（パイロジェニック酸化）を行った
　
作製されたＳＯＩウエーハのベースウエーハ裏面の酸化膜をエッチングにより除去して、ベースウエーハの残留格子間酸素濃度、抵抗率、内部欠陥密度を測定した。さらに、このＳＯＩウエーハに対しデバイス製造熱処理として初段に１２００℃、３０分の高温熱処理を行った後、４５０℃、５時間の熱処理を施し、ベースウエーハの残留格子間酸素濃度、抵抗率、内部欠陥密度を再度測定した。これらの結果を表２に示した
　上記の結果より、本発明のＳＯＩウエーハのベースウエーハは、結合熱処理後に高密度の酸素析出物を有しており、初期の抵抗率と殆ど変らない高抵抗率を維持していることがわかる。また、デバイス製造熱処理を模して初段に１２００℃という高温熱処理を行ったにもかかわらず、酸素析出物が溶解して格子間酸素を増加させることもなく、その後の４００℃、５時間の熱処理により、抵抗率が若干低下するものの、依然として３０００Ω・ｃｍ以上の高抵抗率を維持していることがわかった。」（第２６頁第２２行〜第２７頁第２９行）
ｈ　第２７頁の表２には、ベースウエーハの残留格子間酸素濃度は、結合熱処理後も、デバイス熱処理後も、７．２ｐｐｍａであることが記載されている。
イ　甲第２号証に記載された発明
　以上のａ〜ｈの記載を総合すると、甲第２号証には、次の発明（以下「甲第２号証発明」という。）が記載されていると認められる。
「デバイス形成層となるボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハとを酸化膜を介して密着させて、熱処理を加えて両者を強固に結合させて貼り合わせＳＯＩウエーハを製造する方法において、
　前記ベースウエーハに対し、酸素析出熱処理としての３段熱処理のうち、初段熱処理（５００℃、４時間、窒素雰囲気）及び２段目の熱処理（８００℃、６時間、窒素雰囲気）を行った後、前記ボンドウエーハと前記ベースウエーハを酸化膜を介して密着させ、貼り合わせ強度を向上させるための熱処理として、前記酸素析出熱処理の３段目の熱処理を兼ねて、１１００℃、１０時間の熱処理（パイロジェニック酸化）を行うことで、
　作成された前記ＳＯＩウェーハにおける前記ベースウエーハの残留格子間酸素濃度を７．２ｐｐｍａと８ｐｐｍａ以下とすることにより、前記ベースウエーハを高抵抗率として高周波特性を向上させるとともに、
　前記ＳＯＩウエーハの作製工程において必要な酸素析出熱処理を分割して、前記ボンドウエーハと密着する前の前記ベースウエーハにその酸素析出熱処理の一部を予め行い、残りの熱処理を結合熱処理として行うことで、工程間在庫を低減し効率よく製品を作製することができる方法。」
（３）甲第３号証の記載
　甲第３号証には、「ＳＯＩ基板及びその製造方法」（発明の名称）について、図１〜図６とともに、次の事項が記載されている。
「【請求項２】  第１シリコンウェーハ(11)と第２シリコンウェーハ(12)とを絶縁層(13)を介して接合し、前記接合した第１及び第２シリコンウェーハ(11,12)を熱処理して貼り合わせた後、前記第１シリコンウェーハ(11)又は第２シリコンウェーハ(12)を所定の厚さに研削研磨してデバイス形成用のＳＯＩ層(12a)とするＳＯＩ基板の製造方法において、
前記研削研磨した後で、乾燥酸素雰囲気又は窒素雰囲気中で１２００〜１３００℃の温度範囲で再度熱処理することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
（４）甲第４号証の記載
　甲第４号証には、「ＳＯＩ基板の製造方法」（発明の名称）について、図１〜図７とともに、次の事項が記載されている。
「【００１８】第１実施例によれば、予め単結晶シリコン製の活性層用ウェーハ１（鏡面研磨ウェーハ）を用意し、また活性層用ウェーハ１と同一素材および同一口径の支持基板用ウェーハ２（鏡面研磨ウェーハ）の表面に、絶縁膜である熱酸化膜（ＳｉＯ２）２ａを形成しておく。次に、図１（ａ）に示すように、これらの活性層用ウェーハ１および支持基板用ウェーハ２同士を室温下で重ね合わせ、所定の熱処理を施すことにより、張り合わせ基板３を形成する。ここで、この張り合わせ基板３において、活性層用ウェーハ１の周縁部に所定の面取りを施す。すなわち、まず、図１（ｂ）に示す切削盤４を用いた機械的面取りを行う。」
５　判断
（１）請求項１に係る発明について
ア　対比
（ア）本件特許発明１と甲第１号証発明との対比
　甲第１号証には、段落【００１０】に「この発明に係る張り合わせ半導体基板の製造方法によれば、張り合わせ半導体基板の表面活性層の品質を高めることができる。特にＤＺ形成によりゲッタリング層（ＩＧ層）を基板内部に同時に形成することができ、治具汚染をゲッタリングすることができる。」と記載されている。
　そして、甲第１号証発明の「張り合わせ半導体基板の製造方法」は、「２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する」に際し、「前記基盤ウェーハＢ及び前記活性層ウェーハＡの一方の重ね合わせ面に酸化膜を被着する」とともに、前記「張り合わせ」前に「前記活性層ウェーハＡの主面にＤＺ（無欠陥層）を形成することにより、ゲッタリング層（ＩＧ層）を前記活性層ウェーハＡ内部に同時に形成するための三段熱処理」を行うものである。
　そうすると、甲第１号証発明の「２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法」は、「ゲッタリング層（ＩＧ層）を前記活性層ウェーハＡ内部に同時に形成する」ことで治具汚染をゲッタリングするプロセスを有しており、「重ね合わせ面に酸化膜」という絶縁層を備える「張り合わせ半導体基板」を「製造」する「方法」であるということができる。
　したがって、甲第１号証発明の「２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法」は、本件特許発明１の「不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法」に相当する。
　甲第１号証発明の「活性層ウェーハＡ」及び「基盤ウェーハＢ」は、それぞれ、本件特許発明１の「エレメント基板」及び「支持基板」に相当する。
　したがって、甲第１号証発明の「基盤ウェーハＢ、及び、これに張り合わせられる活性層ウェーハＡを準備するステップ」は、本件特許発明１の「エレメント基板及び支持基板を提供するステップ」に相当する。
　
　甲第１号証発明において、「前記基盤ウェーハＢ及び前記活性層ウェーハＡの一方の重ね合わせ面に酸化膜を被着する」ことは、「前記基盤ウェーハＢ」もしくは「前記活性層ウェーハＡ」の表面に「酸化膜を被着する」ということである。そして、前記「酸化膜」は絶縁層であると認められる。
　したがって、甲第１号証発明の「前記基盤ウェーハＢ及び前記活性層ウェーハＡの一方の重ね合わせ面に酸化膜を被着するステップ」と、本件特許発明１の「前記エレメント基板の表面に絶縁層を形成するステップ」とは、「エレメント基板」もしくは「支持基板」の「表面に絶縁層を形成するステップ」である点で共通する。
　
　甲第１号証発明の「前記活性層ウェーハＡの主面にＤＺ（無欠陥層）を形成することにより、ゲッタリング層（ＩＧ層）を前記活性層ウェーハＡ内部に同時に形成するための三段熱処理」における「窒素あるいは酸素雰囲気で、Ｔ℃（Ｔ＝１１００℃または１１５０℃）、ｔ時間（ｔ＝１時間、４時間または９時間）の熱処理を行うステップ(１)」と、本件特許発明１の「前記エレメント基板の表面にＤＺ層を形成するための熱処理ステップ１」とは、「前記エレメント基板の表面にＤＺ層を形成するための」１番目の「熱処理ステップ１」である点で共通する。
　甲第１号証発明の「前記活性層ウェーハＡの主面にＤＺ（無欠陥層）を形成することにより、ゲッタリング層（ＩＧ層）を前記活性層ウェーハＡ内部に同時に形成するための三段熱処理」における「５５０℃、６時間の熱処理を行うステップ(２)」と、本件特許発明１の「ＤＺ層以外の前記エレメント基板における飽和酸素を核に蓄積させるため、温度が前記熱処理ステップ１以下にある熱処理ステップ２」とは、「温度が前記熱処理ステップ１以下にある」２番目の「熱処理ステップ２」である点で共通する。
　甲第１号証発明の「前記活性層ウェーハＡの主面にＤＺ（無欠陥層）を形成することにより、ゲッタリング層（ＩＧ層）を前記活性層ウェーハＡ内部に同時に形成するための三段熱処理」における「１０００℃、１６時間の熱処理を行うステップ(３)」と、本件特許発明１の「前記熱処理ステップ２で核に蓄積した酸素を更に大きな酸素析出物に形成させると同時に、前記の酸素析出物がＤＺ層における金属不純物を吸収できる熱処理ステップ３」とは、「ゲッタリング層」が「ＤＺ層における金属不純物を吸収できる」３番目の「熱処理ステップ３」である点で共通する。
　甲第１号証発明の「重ね合わせ面に酸化膜を被着」された「前記活性層ウェーハＡ」の前記ＤＺが「前記基盤ウェーハＢ」の表面に重ね合わされるように「前記活性層ウェーハＡと前記基盤ウェーハＢを、重ね合わせて張り合わせるステップ」は、本件特許発明１の「絶縁層付きの前記エレメント基板及び前記支持基板をボンディングさせ、前記絶縁層が前記エレメント基板及び前記支持基板の間に挟まれるようにするステップ」に相当する。
　甲第１号証には、「従来の技術」に関して、段落【０００３】に「(１)室温で２枚のシリコンウェーハを張り合わせる。(２)８００℃以上の温度領域でこれをアニールし、結合強度を高める。」と記載されている。
　上記記載を参酌すれば、甲第１号証発明において、「張り合わせ後のウェーハＣに、例えば１２００℃，２時間，酸素雰囲気での熱処理を施すステップ」は、次に行う「前記張り合わせ後のウェーハＣの前記ウェーハＡ部分の平面研削による薄膜化及びポリシングによる薄膜化を施すステップ」に耐えられるように、「張り合わせ」た「前記活性層ウェーハＡと前記基盤ウェーハＢ」との結合強度を高めることを目的としていることは明らかである。
　したがって、甲第１号証発明の「張り合わせ後のウェーハＣに、例えば１２００℃，２時間，酸素雰囲気での熱処理を施すステップ」と、本件特許発明１の「ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行い、前記ボンディング・インターフェースの堅牢度が後続の面取り研磨、薄化及び研磨技術の要求を満たすようにするステップ」とは、「ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行い、前記ボンディング・インターフェースの堅牢度が後続」の「薄化及び研磨技術の要求を満たすようにするステップ」である点で共通する。
　そして、甲第１号証発明の「前記張り合わせ後のウェーハＣの前記ウェーハＡ部分の平面研削による薄膜化及びポリシングによる薄膜化を施すステップ」と、本件特許発明１の「ボンディングした前記エレメント基板の面取り研磨、薄化及び研磨を行うステップ」とは、「ボンディングした前記エレメント基板」の「薄化及び研磨を行うステップ」である点で共通する。
（イ）本件特許発明１と甲第１号証発明との一致点及び相違点
　以上から、本件特許発明１と甲第１号証発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。
＜一致点＞
「不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法であって、
　エレメント基板及び支持基板を提供するステップと、
　前記エレメント基板もしくは前記支持基板の表面に絶縁層を形成するステップと、
　前記エレメント基板の表面にＤＺ層を形成するための１番目の熱処理ステップ１と、
　温度が前記熱処理ステップ１以下にある２番目の熱処理ステップ２と、
　ゲッタリング層がＤＺ層における金属不純物を吸収できる３番目の熱処理ステップ３と、
　絶縁層付きの前記エレメント基板及び前記支持基板をボンディングさせ、前記絶縁層が前記エレメント基板及び前記支持基板の間に挟まれるようにするステップと、
　ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行い、前記ボンディング・インターフェースの堅牢度が後続の薄化及び研磨技術の要求を満たすようにするステップと、
　ボンディングした前記エレメント基板の薄化及び研磨を行うステップとを含む、
　ことを特徴する不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法。」
＜相違点Ａ＞
　本件特許発明１は「前記エレメント基板の表面に絶縁層を形成する」のに対して、甲第１号証発明は「前記基盤ウェーハＢ及び前記活性層ウェーハＡ」のどちらの「重ね合わせ面に酸化膜を被着する」のか不明である点。
＜相違点１＞
　本件特許発明１は、「熱処理ステップ１」により「前記エレメント基板の表面にＤＺ層を形成」し、「熱処理ステップ２」により「ＤＺ層以外の前記エレメント基板における飽和酸素を核に蓄積させ」、「熱処理ステップ３」により「前記熱処理ステップ２で核に蓄積した酸素を更に大きな酸素析出物に形成させると同時に、前記の酸素析出物」が「ＤＺ層における金属不純物を吸収できる」のに対して、甲第１号証発明は、「ステップ(１)」と「ステップ(２)」と「ステップ(３)」からなる「三段熱処理」により「前記活性層ウェーハＡの主面にＤＺ（無欠陥層）を形成することにより、ゲッタリング層（ＩＧ層）を前記活性層ウェーハＡ内部に同時に形成する」点。
＜相違点２＞
　本件特許発明１は、「ボンディングした前記エレメント基板の面取り研磨」を行うため、「ボンディング・インターフェースの焼鈍補強」は「前記ボンディング・インターフェースの堅牢度が後続の面取り研磨」の「要求」も「満たすようにする」のに対して、甲第１号証発明は、「前記ウェーハＡ部分」の「平面研削による薄膜化及びポリシングによる薄膜化」に加えて「面取り研磨」を行うことは特定されていない点。
＜相違点３＞
　本件特許発明１は「前記ボンディング・インターフェースの焼鈍補強を行うステップは、前記熱処理ステップ３を兼ねる」のに対して、甲第１号証発明はそのような特定を有していない点。
　したがって、本件特許発明１と甲第１号証発明とは、異議申立人が主張する相違点１〜３（特許異議申立書１０ページ、１２ページ）に加えて、相違点Ａでも相違している。
イ　判断
　前記相違点Ａ及び相違点１〜３のうち、相違点３について検討する。
（ア）異議申立人の主張
　異議申立人は、相違点３について、「熱処理による酸素析出物の形成の際に、結合熱処理のみで行う場合に比べて結合熱処理工程を短くすることを目的とし、甲第２号証の記載事項（酸素析出熱処理の一部（例えば３段目）を兼ねて結合熱処理を行うこと）を甲第１号証の発明に適用して本件特許発明１における特徴Ｇとすることは、容易に想到し得るものである。」と主張している。（特許異議申立書第１２〜１３ページ）
（イ）これに対して、甲第１号証発明の「三段熱処理」は「前記活性層ウェーハＡの主面にＤＺ（無欠陥層）を形成することにより、ゲッタリング層（ＩＧ層）を前記活性層ウェーハＡ内部に同時に形成するため」であり、前記「三段熱処理」の対象は、「貼り合わせ」前の「前記活性層ウェーハＡ」である。
　一方、甲第２号証発明は「酸素析出熱処理としての３段熱処理」を行うが、前記「酸素析出熱処理」の対象は「支持基板となるベースウエーハ」であり、その目的は「作成された前記ＳＯＩウェーハにおける前記ベースウエーハの残留格子間酸素濃度を７．２ｐｐｍａと８ｐｐｍａ以下とすることにより、前記ベースウエーハを高抵抗率として高周波特性を向上させる」ためである。
　すなわち、仮に甲第１号証発明の「三段熱処理」が酸素を析出させて「ゲッタリング層（ＩＧ層）を前記活性層ウェーハＡ内部に同時に形成」させるものであるとしても、前記甲第１号証発明の「三段熱処理」と甲第２号証発明の「酸素析出熱処理としての３段熱処理」は、「熱処理」の対象が異なり、その目的も異なる。
　さらに、甲第１号証の段落【００１７】に「張り合わせ熱処理後の活性層の酸素濃度」を所定値にすること、段落【００１８】に「この発明によれば、活性層に欠陥のない高品質の張り合わせ半導体基板を得ることができる。また、張り合わせに使用する半導体基板の酸素濃度は不問とされる」ことが、記載されている。
　以上から、甲第２号証発明は、「３段熱処理」からなる「酸素析出熱処理」の「残りの熱処理を結合熱処理として行うことで、工程間在庫を低減し効率よく製品を作製する」ものではあるが、前記「酸素析出熱処理」の対象は「支持基板となるベースウエーハ」であり、「熱処理」の目的も甲第１号証発明とは異なるから、「前記活性層ウェーハＡの主面にＤＺ（無欠陥層）を形成することにより、ゲッタリング層（ＩＧ層）を前記活性層ウェーハＡ内部に同時に形成するため」に「三段熱処理」を「活性層ウェーハＡ」に対して行い、支持基板である「基盤ウェーハＢ」の酸素濃度は不問とされる甲第１号証発明の「前記活性層ウェーハＡ」に対する「三段熱処理」に、甲第２号証発明の技術思想を適用することを当業者が想起するとは認められない。
（ウ）さらに、甲第２号証発明は、「ベースウエーハを高抵抗率として高周波特性を向上させる」ために「酸素析出熱処理としての３段熱処理」を「支持基板となるベースウエーハ」に対して行うものであるから、仮に、甲第２号証発明を甲第１号証発明に適用することを当業者が想起したとしても、この場合、当業者は、甲第１号証発明の「基盤ウェーハＢ」に対する「酸素析出熱処理」を分割して、「活性層ウェーハＡ」と密着する前の前記「基盤ウェーハＢ」その「酸素析出熱処理」の一部を予め行い、残りの前記「酸素析出熱処理」を結合熱処理として行うことを想起したと認められる。
　したがって、甲第２号証発明を甲第１号証発明に適用することを当業者が想起したとしても、直ちに、「活性層ウェーハＡ」に対する「１０００℃、１６時間の熱処理を行うステップ(３)」を「張り合わせ後のウェーハＣに、例えば１２００℃，２時間，酸素雰囲気での熱処理を施すステップ」と兼ねて行うという相違点３に係る構成を想到できるとは、認められない。
（エ）また、異議申立人は、相違点３について、「熱処理による酸素析出物の形成の際に、結合熱処理のみで行う場合に比べて結合熱処理工程を短くすることを目的とし、甲第２号証の記載事項（酸素析出熱処理の一部（例えば３段目）を兼ねて結合熱処理を行うこと）を甲第１号証の発明に適用して本件特許発明１における特徴Ｇとすることは、容易に想到し得るものである。」と主張している。すなわち、「酸素析出熱処理」の対象・目的を問わず、「結合熱処理工程を短くすることを目的」として、酸素析出熱処理の一部（例えば３段目）を兼ねて結合熱処理を行うことは、容易に想到し得るものであると主張している。
　この主張によれば、甲第１号証発明において、兼ねて行われるべき熱処理は、「１０００℃、１６時間の熱処理を行うステップ(３)」の処理と、「張り合わせ後のウェーハＣに、例えば１２００℃，２時間，酸素雰囲気での熱処理を施すステップ」の処理である。
　しかしながら、甲第１号証発明における、これら２つの熱処理の温度条件と時間条件は、それぞれ大きく異なっており、重複する範囲を有していない。
　したがって、仮に甲第１号証発明が結合熱処理工程を短くするという課題を有するとしても、甲第１号証に接した当業者が、前記「１０００℃、１６時間の熱処理を行うステップ(３)」の処理を、「張り合わせ後のウェーハＣ」に対して行う「例えば１２００℃，２時間，酸素雰囲気での熱処理を施すステップ」と兼ねて行うことを想到するとは、認められない。
（オ）以上、前記（ア）〜（エ）の検討によれば、甲第１号証発明において、前記「１０００℃、１６時間の熱処理を行うステップ(３)」の処理を、「張り合わせ後のウェーハＣ」に対して行う「例えば１２００℃，２時間，酸素雰囲気での熱処理を施すステップ」と兼ねて行うこと、すなわち、相違点３について本件特許発明１の構成を採用することが、当業者にとって容易になし得たことであるとはいえない。
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲第１号証発明及び甲第２号証〜甲第４号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２）本件特許発明２〜本件特許発明４について
　本件特許の請求項２〜請求項４は、いずれも本件特許の請求項１を引用しており、したがって、本件特許発明２〜本件特許発明４は、本件特許発明１を更に減縮したものである。
　したがって、上記の本件特許発明１についての判断と同様の理由により、本件特許発明２〜本件特許発明４は、甲第１号証発明及び甲第２号証〜甲第４号証の記載から当業者が容易になし得るものではない。
（３）小括
　以上のとおり、本件特許の請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
６．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜４に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、他に請求項１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年３月２８日（２０１６．３．２８）