【事件の表示】
　平成　９年特許願第１４６２６３号「半導体発光素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１２月１８日出願公開、特開平１０−３３５７００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年６月４日に出願された特許出願であって、原審において、平成１４年１２月９日付で拒絶理由が通知され、これに対し、平成１５年２月１２日に手続補正がなされたところ、同年３月１７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月１４日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１５年５月１４日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年５月１４日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）特許法第１７条の２第４項違反について
　平成１５年５月１４日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本件補正前の請求項１〜３を削除し、同請求項４（平成１５年２月１２日付手続補正）である、
「【請求項４】　基板上に、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層上に、前記第１の層よりもインジウムの組成が低い窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２の層を形成する工程と、
前記第２の層上に、前記第１の層よりもインジウムの組成が低い窒化ガリウム系化合物半導体からなる第３の層を形成する工程と、
を、以下のとおりの請求項１とする補正を含むものである。
　　
「【請求項１】　基板上に、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層上に、前記第１の層よりもインジウムの組成が低い窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２の層を形成する工程と、を有し、前記第２の層を形成する工程は、前記第１の層より高い成長温度で、かつ、前記第１の層のバンド間遷移に基づく発光波長をナノメータの単位でｘ軸に、前記第２の層の成長温度を℃の単位でｙ軸に、それぞれプロットしたグラフ図において、ｘｙ座標が、それぞれ（３６６、６００）、（３６６、１０１０）、（５５０、１０１０）、（６５０、６００）、および（３６６、６００）で表される各点をこの順序で結んで得られる領域の境界線上または内部に属する条件で、前記第２の層を堆積することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。」
　
　本件補正前の請求項４と本件補正の請求項１とを対比すると、前者の構成要素のうち「前記第２の層上に、前記第１の層よりもインジウムの組成が低い窒化ガリウム系化合物半導体からなる第３の層を形成する工程と」（下線を引いた箇所）が後者には記載されていないことが認められる。したがって、本件補正の請求項１は、本件補正前の請求項４の構成要素の一部である上記事項を削除したものといえる。
　そして、このような構成要素を削除する補正が、特許請求の範囲の減縮にも、誤記の訂正にも、明りょうでない記載の釈明にも当たらないことは明らかであるから、上記補正は特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　　
　なお、仮に本件補正の請求項１が本件補正前の請求項１を補正した請求項であるとしても、本件補正の請求項１の「前記第１の層上に、前記第１の層よりもインジウムの組成が低い窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２の層を形成する工程と」が、これに対応する本件補正前の請求項１の「前記第１の層上に、窒化ガリウム又は窒化ガリウム・アルミニウムからなる第２の層を形成する工程と」に比べて、化合物半導体の材料をより上位の概念に拡張した表現であることは明らかであるから、係る補正が、特許請求の範囲の減縮にも、誤記の訂正にも、明りょうでない記載の釈明にも当たらないことは明らかである。
　　
（２）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって結論のとおり決定する。　
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年５月１４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年２月１２日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載されたものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】　基板上に、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層上に、窒化ガリウム又は窒化ガリウム・アルミニウムからなる第２の層を形成する工程と、を有し、前記第２の層を形成する工程は、前記第１の層より高い成長温度で、かつ、前記第１の層のバンド間遷移に基づく発光波長をナノメータの単位でｘ軸に、前記第２の層の成長温度を℃の単位でｙ軸に、それぞれプロットしたグラフ図において、ｘｙ座標が、それぞれ（３６６、６００）、（３６６、１０１０）、（５５０、１０１０）、（６５０、６００）、および（３６６、６００）で表される各点をこの順序で結んで得られる領域の境界線上または内部に属する条件で、前記第２の層を堆積することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。」
　　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−１１６１３０号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、
「【０００６】　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、欠陥の少ない高品質の３−５族化合物半導体、およびＩｎを含む層を成長させた後、ｐ型不純物をドープしたＧａＡｌＮを１０００℃を超える温度で成長させてもＩｎを含む層を劣化させず、良好な発光特性を示す３−５族化合物半導体の製造方法、さらに該３−５族化合物半導体を用いた良好な発光特性を示す発光素子を提供することにある。」、
「【０００７】　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、３−５族化合物半導体について種々検討の結果、・・・Ｉｎを含む層を成長し、つぎに比較的低温で保護層としてＧａＡｌＮ層を成長させることで、該化合物半導体層の耐熱性が向上することを見出し、本発明に至った。」、
「【００２９】　以下特に、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表される３−５族化合物半導体からなる第１の層を成長させた後に、一般式Ｇａx'' Ａｌy'' Ｎ（ただし、ｘ''＋ｙ''＝１、０＜ｘ''≦１、０≦ｙ''＜１）で表される３−５族化合物半導体からなる第３の層を１０００℃を超える温度で成長させる３−５族化合物半導体の成長方法について説明する。
　本発明の３−５族化合物半導体の製造方法は、第１の層を成長した後、第３の層を成長させる前に、一般式Ｇａx'Ａｌy'Ｎ（ただし、ｘ’＋ｙ’＝１、０＜ｘ’≦１、０≦ｙ’＜１）で表される３−５族化合物半導体からなる第２の層を、１０００℃以下の温度で成長させることを特徴とする。・・・
【００３０】　ここで、前記の
第２の層の成長温度は、１０００℃以下であり、４００℃以上１０００℃以下であることが好ましい。さらに好ましくは５００℃以上９００℃以下である。
「【００３２】　【実施例】
　以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
　図３に示す構造の発光素子を作製した。以下、図３に基づいて説明する。ここで、３−５族化合物半導体層は、有機金属気相成長法により作製した。・・・
【００３３】　次に
基板温度を７８５℃まで下げ、キャリアガスを窒素に換え、ＴＥＧ、ＴＭＩ及びアンモニアをそれぞれ０．０４ｓｃｃｍ、０．０８ｓｃｃｍ、４ｓｌｍ供給して、発光層であるＩｎ
０．３
Ｇａ
０．７
Ｎ層１を７０秒間成長した。　さらに、同じ温度にてＴＥＧ、ＴＥＡ及びアンモニアをそれぞれ０．０３２ｓｃｃｍ、０．００８ｓｃｃｍ、４ｓｌｍ供給して、保護層であるＧａ
０．８
Ａｌ
０．２
Ｎ層２を１０分間成長した。
【００３４】　・・・
　以上により作製した３−５族化合物半導体試料を反応炉から取り出したのち、窒素中で８００℃、２０分アニール処理を施し、ＭｇをドープしたＧａＮ層を低抵抗のｐ型層にした。こうして得た試料に常法により電極を形成し、ＬＥＤとした。ｐ電極としてＮｉ−Ａｕ合金、ｎ電極としてＡｌを用いた。このＬＥＤに順方向に電流を流したところ、
発光波長４５７０Åの明瞭な青色発光を示した
　　
　これらの記載によれば、引用例には、
「基板上に活性層であるＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる第１の層を成長温度７８５℃で形成する工程と、第１の層の上に成長温度が１０００℃以下であり、さらに好ましくは５００℃以上９００℃以下でＧａ０．８Ａｌ０．２Ｎからなる第２の層を形成する工程を有し、発光波長が４５７ｎｍである３−５族化合物半導体発光素子の製造方法。」
との発明（以下「引用例発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　　
（３）対比・判断
　そこで、本願発明と引用例発明とを対比すると、
　（ａ）引用例発明の「基板」、「Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる第１の層」、「Ｇａ０．８Ａｌ０．２Ｎからなる第２の層」は、それぞれ本願発明の「基板」、「インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる第１の層」、「窒化ガリウム・アルミニウムからなる第２の層」に相当し、
　（ｂ）本願発明の「第２の層を形成する工程は、第１の層より高い成長温度で前記第２の層を堆積する」については、引用例発明において、第１の層の成長温度が７８５℃であり、第２の層の成長温度が１０００℃以下、さらに好ましくは５００℃以上９００℃以下であることからみて、引用例発明が、上記第２の層の成長温度を、上記第１の層の成長温度である７８５℃以上で１０００℃以下の温度に設定する場合を含むことは明らかであるから、本願発明の上記事項は引用例発明に含まれると解することができ、
　（ｃ）上記（ｂ）で述べたように、引用例発明は、第２の層の成長温度を、第１の層の成長温度である７８５℃以上で１０００℃以下の温度に設定する場合を含み、さらに発光波長が４５７ｎｍであって、これは活性層であるＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる第１層のバンド間遷移に基づく発光波長であると理解できるから、引用例発明における第２の層の成長温度と発光波長との関係は、本願発明の「第１の層のバンド間遷移に基づく発光波長をナノメータの単位でｘ軸に、前記第２の層の成長温度を℃の単位でｙ軸に、それぞれプロットしたグラフ図において、ｘｙ座標が、それぞれ（３６６、６００）、（３６６、１０１０）、（５５０、１０１０）、（６５０、６００）、および（３６６、６００）で表される各点をこの順序で結んで得られる領域の境界線上または内部に属する条件で、前記第２の層を堆積すること」を満たすものであることが明らかである。　
　したがって、引用例発明は、本願発明のすべての構成要件を充足し、相違するところがないから、両者は同一であるということができる。
 　　
　なお、原査定の理由は特許法第２９条第２項違反であったが、請求人は、意見書等において、引用例に記載された事項と本願発明との相違点について充分言及しており、その中で特許法第２９条第１項第３号の同一性を含め検討していることは明らかである。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。