【手続補正書】
【提出日】平成29年11月24日(2017.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＬＴＳ測定装置の管理方法であって、
前記ＤＬＴＳ測定装置は、
測定対象試料載置面を有し、半導体試料の一方の面に半導体接合を有し他方の面にオーミック層を有する測定対象試料が、該オーミック層と前記測定対象試料載置面とが対向して載置される試料台と、
先端が測定対象試料に接触する第一の配線と、
先端が試料台に接触する第二の配線と、
を備え、
前記ＤＬＴＳ測定装置により測定された測定値が、予め設定した許容範囲内であるか否かを判定すること、ならびに、
判定の結果、前記測定値が予め設定した許容範囲を外れていた場合、前記試料台の全体または一部、第一の配線の全体または一部、および第二の配線の全体または一部の少なくとも一つを交換または補修する保守処理を行うこと、
を含む、前記管理方法。
【請求項２】
前記保守処理は、前記試料台全体または前記試料台の測定対象試料載置面を含む一部を交換することを含む請求項１に記載の管理方法。
【請求項３】
前記保守処理は、前記試料台の測定対象試料載置面に被膜形成処理を施すことを含む請求項１に記載の管理方法。
【請求項４】
前記ＤＬＴＳ測定装置は、前記オーミック層がＧａを含む測定対象試料を測定するために使用されるＤＬＴＳ測定装置であり、
前記被膜形成処理により、Ａｕ、ＡｇおよびＰｔからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属または該金属の化合物の被膜を形成する請求項３に記載の管理方法。
【請求項５】
前記被膜形成処理を蒸着により行う請求項３または４に記載の管理方法。
【請求項６】
前記保守処理は、前記試料台の少なくとも一部を研磨することを含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の管理方法。
【請求項７】
前記保守処理は、前記第一の配線を交換することを含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の管理方法。
【請求項８】
前記保守処理は、前記第一の配線の前記先端を含む一部を研磨することを含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の管理方法。
【請求項９】
前記保守処理は、前記第二の配線を交換することを含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の管理方法。
【請求項１０】
前記保守処理は、前記第二の配線の前記先端を含む一部に被膜形成処理を施すことを含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の管理方法。
【請求項１１】
前記ＤＬＴＳ測定装置は、前記オーミック層がＧａを含む測定対象試料を測定するために使用されるＤＬＴＳ測定装置であり、
前記被膜形成処理により、Ａｕ、ＡｇおよびＰｔからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属または該金属の化合物の被膜を形成する請求項１０に記載の管理方法。
【請求項１２】
前記被膜形成処理を蒸着により行う請求項１０または１１に記載の管理方法。
【請求項１３】
前記測定値は、キャパシタンス、抵抗値およびＤＬＴＳ信号強度からなる群から選ばれる少なくとも一つの測定値である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の管理方法。
【請求項１４】
測定対象試料載置面を有し、半導体試料の一方の面に半導体接合を有し他方の面にオーミック層を有する測定対象試料が、該オーミック層と前記測定対象試料載置面とが対向して載置される試料台と、
先端が測定対象試料に接触する第一の配線と、
先端が試料台に接触する第二の配線と、
を備え、
前記オーミック層がＧａを含む測定対象試料を測定するために使用されるＤＬＴＳ測定装置であり、
前記試料台の測定対象試料載置面および第二の配線の前記先端の少なくとも一方が、Ａｕ、ＡｇおよびＰｔからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属または該金属の化合物の被膜を有するＤＬＴＳ測定装置。
【請求項１５】
前記被膜は、Ａｕ、ＡｇおよびＰｔからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属または該金属の化合物の蒸着膜である請求項１４に記載のＤＬＴＳ測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
一態様では、前記被膜は、Ａｕ、ＡｇおよびＰｔからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属または該金属の化合物の蒸着膜であることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
以上説明した態様では、ＤＬＴＳ測定装置の試料台上に測定対象試料１００を１つ載置しているが、２つ以上載置することも可能であり、載置される測定対象試料の数は特に限定されるものではない。また、測定対象試料の数に応じて、第一の配線、第二の配線の数を２つ以上とすることも可能であり、これら配線の数も特に限定されるものではない。一例として、図３に、測定対象試料を２つ載置してＤＬＴＳ測定を行うために好適なＤＬＴＳ測定装置の試料載置部の一例を示す概略構成図を示す。図４は、図３に示すＤＬＴＳ測定装置の試料載置部２に、測定対象試料（ダイオード）１００を２つ載置した状態を示している。図３、４に示すＤＬＴＳ測定装置は、第一の配線を２つ設け、それぞれの配線のために第一の配線用絶縁部材１３を備えた第一の配線支持部１４を設けている点を除き、図１、２に示すＤＬＴＳ測定装置と同様の構成を有している。なお、試料台上に測定対象試料を２つ以上載置する場合、各測定対象試料のためにそれぞれ第一の配線を設けることは必須ではなく、１つの第一の配線によって順次、各測定対象試料への電圧印加を行うことができる。第一の配線支持部１４は、そのための可動機構（図示せず）を有することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
なお本発明の管理方法では、異常値が検出された場合に上記いずれか１つ以上の保守処理を行えばよい。異常値をもたらす要因となる劣化がどの部分で生じているかを特定することは、行ってもよいが、行うことは要さない。好ましい一態様においては、保守処理の後に、保守処理を行ったＤＬＴＳ測定装置においてＤＬＴＳ測定を行い、予め設定した許容範囲内の測定値が得られることを確認することにより、保守処理により異常値の要因が除去または低減されたことを確認することができる。また、保守処理の後に、保守処理を行ったＤＬＴＳ測定装置においてＤＬＴＳ測定を行った結果、やはり異常値が検出された場合には、更なる保守処理（再保守処理）を行うことが好ましい。再保守処理は、先に行った保守処理と同種の処理であることができ、または異なる種類の保守処理であることもできる。そして再保守処理の後に、再保守処理を行ったＤＬＴＳ測定装置においてＤＬＴＳ測定を行い、予め設定した許容範囲内の測定値が得られることを確認することにより、再保守処理により異常値の要因が除去または低減されたことを確認することができる。更に異常値が検出された場合には、更なる保守処理、好ましくはそれまで行わなかった保守処理を行うことができ、好ましくは、かかる保守処理により異常値の要因が除去または低減されたことを確認する作業を行うこともできる。こうして保守処理によって異常値の要因が除去または低減されたことを確認することは、測定精度の更なる向上のために好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
２．被膜形成および保守処理の検討
（１）評価対象ＤＬＴＳ装置
２台のＤＬＴＳ測定装置について、１台のＤＬＴＳ測定装置（以下、「装置Ａ」と記載する。）には上記１．（３）と同様に試料載置面に研磨およびＡｕ蒸着を行い、もう１台のＤＬＴＳ測定装置（以下、「装置Ｂ」と記載する。）には上記の研磨およびＡｕ蒸着を行わずに、１ヶ月間、同じ使用頻度および使用条件で使用を続けた。測定した測定対象試料は、いずれもＧａを含むオーミック層を有する試料であった。