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【手続補正書】
【提出日】平成30年8月28日(2018.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体と、
前記導体の周囲を被覆する第１の誘電体と、
前記第１の誘電体の周囲を被覆する外部導体と、
前記外部導体の周囲を被覆する、前記第１の誘電体よりも伝送損失の高い材料からなる第２の誘電体と、
前記第２の誘電体の周囲を覆うシールドと、
を有する、差動信号伝送用ケーブル。
【請求項２】
前記第２の誘電体が磁性粉末を含む樹脂からなる、
請求項１に記載の差動信号伝送用ケーブル。
【請求項３】
前記シールドの導電率が、前記外部導体の導電率よりも低い、
請求項１又は２に記載の差動信号伝送用ケーブル。
【請求項４】
前記外部導体の外側表面が粗面化された、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の差動信号伝送用ケーブル。
【請求項５】
前記導体と前記外部導体とにより差動信号が伝送可能である、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の差動信号伝送用ケーブル。
【請求項６】
前記第２の誘電体の厚さは、前記差動信号の特性インピーダンスをＲｄとして、前記外部導体と前記第２の誘電体と前記シールドによって形成される同軸線路の特性インピーダンスがＲｄ×０．２５以下、またはＲｄ×１以上になる厚さである、
請求項５に記載の差動信号伝送用ケーブル。
【請求項７】
前記外部導体は、前記第１の誘電体の表面にメッキされた銅薄膜である、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の差動信号伝送用ケーブル。
【請求項８】
ｐ電極、ｎ電極、及びグランド電極を有し、差動信号を出力する差動基板を備え、
前記導体は、前記ｐ電極に接続され、
前記外部導体は、前記ｎ電極に接続され、
前記シールドは、前記グランド電極に接続される、
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の差動信号伝送用ケーブル。
【請求項９】
導体、前記導体の周囲を被覆する第１の誘電体、及び前記第１の誘電体の周囲を被覆する外部導体を各々が有する複数の線材と、
前記複数の線材を一括して被覆する、前記第１の誘電体よりも伝送損失の高い材料からなる第２の誘電体と、
前記第２の誘電体の周囲を覆うシールドと、
を有する、
多芯差動信号伝送用ケーブル。
【請求項１０】
前記第２の誘電体が磁性粉末を含む樹脂からなる、
請求項９に記載の多芯差動信号伝送用ケーブル。
【請求項１１】
前記外部導体の外側表面が粗面化された、
請求項９又は１０に記載の多芯差動信号伝送用ケーブル。
【請求項１２】
前記複数の線材が互いに平行に一列に配置された、
請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の多芯差動信号伝送用ケーブル。
【請求項１３】
前記複数の線材は、各々が前記導体と前記外部導体とにより差動信号が伝送可能である、
請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の多芯差動信号伝送用ケーブル。
【請求項１４】
前記外部導体は、前記第１の誘電体の表面にメッキされた銅薄膜である、
請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の多芯差動信号伝送用ケーブル。
【請求項１５】
ｐ電極、ｎ電極、及びグランド電極を有し、差動信号を出力する差動基板を備え、
前記導体は、前記ｐ電極に接続され、
前記外部導体は、前記ｎ電極に接続され、
前記シールドは、前記グランド電極に接続される、
請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の多芯差動信号伝送用ケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月21日(2018.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気センサ（１）であって、
主面（２１）を有する基板（２）と、
前記主面と平行な面内方向の磁化容易軸方向を有する自由層（３）と、
前記主面と非平行な第一方向（Ｚ１）に磁化方向が固定された第一強磁性体層（５１）と、前記主面の法線と平行な面直方向の成分が前記第一方向とは反対となる第二方向（Ｚ２）に磁化方向が固定された第二強磁性体層（５２）と、前記第一強磁性体層と前記第二強磁性体層との間に設けられた非磁性体層（５３）と、を有する固定層（５）と、
前記自由層と前記固定層との間に設けられた中間層（４）と、
を備え、
前記固定層は、前記面直方向におけるベクトル的に加算した全体としての磁化量が実質的にゼロとはならないように形成された磁気センサ。
【請求項２】
前記第二方向は前記第一方向と反平行である、請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記第一方向は前記法線と平行である、請求項１又は２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記第一強磁性体層と前記第二強磁性体層との磁化量の差が実質的にゼロである、請求項１〜３のいずれか１つに記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記第一強磁性体層と前記第二強磁性体層との磁化量の差が実質的にゼロではない、請求項１〜３のいずれか１つに記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記基板には、前記自由層と前記中間層と前記固定層とを備えた素子部（１０１〜１０４）が複数設けられ、
複数の前記素子部のうちの一つである第一素子部（１０１）における前記固定層と、複数の前記素子部のうちの他の一つである第二素子部（１０２）における前記固定層とで、磁化方向が異なる、請求項１〜５のいずれか１つに記載の磁気センサ。
【請求項７】
複数の前記素子部がブリッジ回路を形成している、請求項６に記載の磁気センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に記載の発明に係る磁気センサ（１）は、主面（２１）を有する基板（２）と、前記主面と平行な面内方向の磁化容易軸方向を有する自由層（３）と、固定層（５）と、前記自由層と前記固定層との間に設けられた中間層（４）とを備えている。前記固定層は、前記主面と非平行な第一方向（Ｚ１）に磁化方向が固定された第一強磁性体層（５１）と、前記主面の法線と平行な面直方向の成分が前記第一方向とは反対となる第二方向（Ｚ２）に磁化方向が固定された第二強磁性体層（５２）と、前記第一強磁性体層と前記第二強磁性体層との間に設けられた非磁性体層（５３）と、を有している。前記固定層は、前記面直方向におけるベクトル的に加算した全体としての磁化量が実質的にゼロとはならないように形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記構成において、前記固定層は、磁化方向における前記法線と平行な面直方向の成分（即ち垂直磁化方向成分）が互いに逆となる前記第一強磁性体層と前記第二強磁性体層との間に前記非磁性体層を挟んだ、いわゆる積層フェリ構造を有している。故に、前記固定層からの磁界の漏れが可及的に抑制され得る。したがって、上記構成によれば、漏れ磁界に起因する検出精度の低下を良好に抑制することが可能となる。また、前記固定層は、前記面直方向におけるベクトル的に加算した全体としての磁化量が実質的にゼロとはならないように形成されている。したがって、製造時における、各層の膜厚及び／又は組成のばらつきに対するロバスト性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月14日(2018.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
アンチヒューズ素子は、例えば、特開２００６−５９９１９号公報（特許文献１）、特開２０１１−１１９６４０号公報（特許文献２）、特開２００９−５４６６２号公報（特許文献３）、または、特開２００９−２００４９７号公報（特許文献４）等に記載されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−５９９１９号公報
【特許文献２】特開２０１１−１１９６４０号公報
【特許文献３】特開２００９−５４６６２号公報
【特許文献４】特開２００９−２００４９７号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図４は、メモリセルＭＣ００に書き込みをする場合の選択ワード線ＷＬ０、選択ビット線ＢＬ０および選択ソース線ＳＬ０への供給電位のタイミングチャートである。先ず、選択ワード線ＷＬ０を、第１基準電位ＧＮＤから第２基準電位Ｖｄｄ（「Ｈ」）に立ち上げる。その後、選択ソース線ＳＬ０を、第１基準電位ＧＮＤから中間電位Ｖｓ（「Ｈ」）に立ち上げる。（ただし、先に選択ソース線ＳＬ０を立ち上げた後に選択ワード線ＷＬ０を立ち上げても良い。）その後、選択ビット線ＢＬ０を、第１基準電位ＧＮＤから第１書き込み電位Ｖｐｐ１（「Ｈ」）に立ち上げ、時間Ｔ１の間、選択ビット線ＢＬ０に第１書き込み電位Ｖｐｐ１を印加し続ける。この工程が、前述の第１ステージに相当する。つまり、第１ステージで、アンチヒューズ素子ＦＵのゲート絶縁膜ＧＩｆに絶縁破壊領域が形成される。次に、第２ステージで、時間Ｔ２の間、選択ビット線ＢＬ０に第２書き込み電位Ｖｐｐ２を印加する。この第２ステージで、アンチヒューズ素子ＦＵのゲート絶縁膜ＧＩｆ中に導電層からなるフィラメントＦＭが形成される。ここで、例えば、第１基準電位ＧＮＤは０Ｖ、第２基準電位Ｖｄｄは１．５Ｖ、第１書き込み電位Ｖｐｐ１は６Ｖ、第２書き込み電位Ｖｐｐ２は４Ｖ、中間電位Ｖｓは３Ｖとする。また、図１に示す、給電線ＰＷＦには、第１基準電位ＧＮＤの０Ｖが印加されており、アンチヒューズ素子ＦＵが形成されたウエル領域ＰＷは、第１基準電位ＧＮＤの０Ｖに固定されている。なお、選択ビット線ＢＬ０に、第１書き込み電位Ｖｐｐ１供給後に、第１書き込み電位Ｖｐｐ１よりも低い第２書き込み電位Ｖｐｐ２を供給する例を示したが、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、選択ビット線ＢＬ０に、第１書き込み電位Ｖｐｐ１のみを供給しても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図１４に示すように、選択トランジスタＳＴ１は、ｐ型半導体基板ＳＵＢの主面に形成されたｎ型ウエル領域ＮＷに形成されている。選択トランジスタＳＴ１のゲート電極Ｇｓは、ボロン（Ｂ）等のｐ型不純物を含有している。選択トランジスタＳＴ１のソース・ドレイン領域ＳＤｓは、比較的低濃度のｐ型の半導体領域ＰＭｓと比較的高濃度のｐ型の半導体領域ＰＨｓとで構成されており、半導体領域ＰＭｓおよび半導体領域ＰＨｓは、ボロン（Ｂ）等のｐ型不純物を含有している。また、半導体領域ＰＭｓの下部には、ソース・ドレイン領域ＳＤｓからの空乏層の延びを抑制する為に、「ハロー層」と呼ばれるｎ型の半導体領域ＮＭが形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月4日(2018.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機フィラーと、ポリフッ化ビニリデン系樹脂とを含む非水電解液二次電池用多孔質層であって、
前記無機フィラーおよび前記ポリフッ化ビニリデン系樹脂の総重量に対する前記無機フィラーの含有量が、５０重量％以上であり、
前記ポリフッ化ビニリデン系樹脂は、α型結晶およびβ型結晶を含み、
前記ポリフッ化ビニリデン系樹脂における、α型結晶とβ型結晶の含有量の合計を１００モル％とした場合の、前記α型結晶の含有量が４５モル％以上である、非水電解液二次電池用多孔質層。
（ここで、α型結晶の含有量は、前記多孔質層の１９Ｆ−ＮＭＲスペクトルにおける、−７８ｐｐｍ付近にて観測される（α／２）の波形分離、および、−９５ｐｐｍ付近にて観測される｛（α／２）＋β｝の波形分離から算出される。）
【請求項２】
前記ポリフッ化ビニリデン系樹脂における、α型結晶とβ型結晶の含有量の合計を１００モル％とした場合の、前記α型結晶の含有量が６５モル％以上、９５モル％以下である、請求項１に記載の非水電解液二次電池用多孔質層。
【請求項３】
前記無機フィラーが絶縁性である、請求項１または２に記載の非水電解液二次電池用多孔質層。
【請求項４】
前記無機フィラーおよび前記ポリフッ化ビニリデン系樹脂の総重量に対する前記無機フィラーの含有量が、７０重量％以上、９９重量％以下である、請求項１〜３の何れか１項に記載の非水電解液二次電池用多孔質層。
【請求項５】
前記ポリフッ化ビニリデン系樹脂が、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン共重合体、または、これらの混合物である、請求項１〜４の何れか１項に記載の非水電解液二次電池用多孔質層。
【請求項６】
前記ポリフッ化ビニリデン系樹脂の重量平均分子量が、３０万以上、３００万以下である、請求項１〜５の何れか１項に記載の非水電解液二次電池用多孔質層。
【請求項７】
ポリオレフィン系樹脂を主成分とする多孔質基材と、前記多孔質基材の少なくとも一方の面に積層された、請求項１〜６の何れか１項に記載の非水電解液二次電池用多孔質層と、を含む積層体。
【請求項８】
ポリオレフィン系樹脂を主成分とする多孔質基材と、前記多孔質基材の少なくとも一方の面に積層された、請求項１〜６の何れか１項に記載の非水電解液二次電池用多孔質層と、を含む非水電解液二次電池用セパレータ。
【請求項９】
正極シートまたは負極シートと、前記正極シートまたは前記負極シートの少なくとも一方の面に積層された、請求項１〜６の何れか１項に記載の非水電解液二次電池用多孔質層と、を含む非水電解液二次電池用電極。
【請求項１０】
正極、請求項１〜６の何れか１項に記載の非水電解液二次電池用多孔質層、および負極がこの順で配置されてなることを特徴とする非水電解液二次電池用部材。
【請求項１１】
請求項１〜６の何れか１項に記載の非水電解液二次電池用多孔質層を含む、非水電解液二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（ここで、α型結晶の含有量は、前記多孔質層の１９Ｆ−ＮＭＲスペクトルにおける、−７８ｐｐｍ付近にて観測される（α／２）の波形分離、および、−９５ｐｐｍ付近にて観測される｛（α／２）＋β｝の波形分離から算出される。）
［２］前記ポリフッ化ビニリデン系樹脂における、α型結晶とβ型結晶の含有量の合計を１００モル％とした場合の、前記α型結晶の含有量が６５モル％以上、９５モル％以下であることを特徴とする、［１］に記載の非水電解液二次電池用多孔質層。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
［実施形態１：多孔質層］
本発明の実施形態１に係る非水電解液二次電池用多孔質層（以下、単に多孔質層とも称する）は、無機フィラーと、ポリフッ化ビニリデン系樹脂とを含む多孔質層であって、前記無機フィラーおよび前記ポリフッ化ビニリデン系樹脂の総重量に対する前記無機フィラーの含有量が、５０重量％以上であり、前記ポリフッ化ビニリデン系樹脂における、α型結晶とβ型結晶の含有量の合計を１００モル％とした場合の、前記α型結晶の含有量が４５モル％以上であることを特徴とする。ここで、α型結晶の含有量は、前記多孔質層の１９Ｆ−ＮＭＲスペクトルにおける、−７８ｐｐｍ付近にて観測される（α／２）の波形分離、および、−９５ｐｐｍ付近にて観測される｛（α／２）＋β｝の波形分離から算出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
（４）（２）および（３）にて得られた積分値から、以下の式（１）にて、α型結晶とβ型結晶の含有量の合計を１００モル％とした場合のα型結晶の含有率（α比とも称する）を算出する。
α比（モル％）＝〔（−７８ｐｐｍ付近の積分値）×２／｛（−９５ｐｐｍ付近の積分値）＋（−７８ｐｐｍ付近の積分値）｝〕×１００  （１）
（５）（４）にて得られたα比の値から、以下の式（２）にて、α型結晶とβ型結晶の含有量の合計を１００モル％とした場合のβ型結晶の含有率（β比とも称する）を算出する。
β比（モル％）＝１００（モル％）−α比（モル％）  （２）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
（４）（２）および（３）にて得られた積分値から、以下の式（１）にて、α型結晶とβ型結晶の含有量の合計を１００モル％とした場合のα型結晶の含有率を算出した。
α比（モル％）＝〔（−７８ｐｐｍ付近の積分値）×２／｛（−９５ｐｐｍ付近の積分値）＋（−７８ｐｐｍ付近の積分値）｝〕×１００  （１）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月26日(2017.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
直径よりも厚みが小さい、厚み方向から見て円形状の扁平型の電池と、
前記電池の側方に、厚み方向の一方の面が前記電池の側面の少なくとも一部と対向するように配置される前記電池の充電を制御する充電制御回路が形成された回路基板と、
前記電池及び前記回路基板を保持するホルダーとを備え、
前記ホルダーに保持されている前記回路基板の長手方向の長さは、前記電池の直径と同等である、小型機器の電源として用いられる電池ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月11日(2018.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上方のチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域と重なるゲート電極と、
前記半導体層上方及び前記ゲート電極上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の配線と、
前記配線上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方の第１の電極と、
前記第１の電極上方及び前記第３の絶縁膜上方のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上方の第２の電極と、
前記第２の電極上方の第２の基板と、を有し、
前記第１の電極は、前記配線を介して前記半導体層と電気的に接続され、
前記第３の絶縁膜は、前記第１の電極の端部を覆っており、
前記第２の絶縁膜は樹脂を有し、
前記第１の電極は、前記半導体層の前記チャネル形成領域と重なっている第１の部分を有し、
前記第１の電極の第１の部分は、前記第３の絶縁膜と重なっていないことを特徴とする自発光装置。
【請求項２】
第１の基板上方のチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域と重なるゲート電極と、
前記半導体層上方及び前記ゲート電極上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の配線と、
前記配線上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方の第１の電極と、
前記第１の電極上方及び前記第３の絶縁膜上方のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上方の第２の電極と、
前記第２の電極及び前記半導体層と重なる有機材料と、
前記有機材料上方の第２の基板と、を有し、
前記第１の電極は、前記配線を介して前記半導体層と電気的に接続され、
前記第３の絶縁膜は、前記第１の電極の端部を覆っており、
前記第２の絶縁膜は樹脂を有し、
前記第１の電極は、前記半導体層の前記チャネル形成領域と重なっている第１の部分を有し、
前記第１の電極の第１の部分は、前記第３の絶縁膜と重なっていないことを特徴とする自発光装置。
【請求項３】
前記電極は、透光性を有することを特徴とする自発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月8日(2018.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１流体が流れる第１流体通路（２７）と、
前記第１流体よりも高温であり、エンジン（２０）から排出される第２流体が流れる第２流体通路（３１）と、
熱電変換素子（１００）を有し、一方側部（１０ａ）と他方側部（１０ｂ）との温度差によって発電する熱電発電部（１０）と、
前記第１流体通路と前記一方側部との間に介在して、前記第１流体と前記一方側部との間の熱移動経路の少なくとも一部をなす低温側部材（６１，８１）と、
前記第２流体通路と前記他方側部との間に介在して、前記第２流体と前記他方側部との間の熱移動経路の少なくとも一部をなす高温側部材（７；１０７；２０７；３０７）と、
を備え、
前記高温側部材は、前記第２流体の流れ方向に沿って移動する熱に対する熱抵抗が、上流に設けられる上流側部（７０；１７０；１７０；２７０）と前記上流側部よりも下流に設けられる下流側部（７１；１７１；２７１；３７０）とにおいて一方が他方よりも大きくなるように構成されており、
前記高温側部材は、前記第２流体通路と前記他方側部との間に設けられて、グラファイトを含む材質で形成された熱抵抗調整層であり、
前記熱抵抗調整層において、前記上流側部および前記下流側部のうち前記熱抵抗が大きい方は、細長状のグラファイト片部（７１０）の複数個が前記第２流体の流れ方向に沿って配列されて構成されている熱電発電装置。
【請求項２】
複数個の前記グラファイト片部は隣同士が互いに接合された状態で一体に形成されている請求項１に記載の熱電発電装置。
【請求項３】
前記熱抵抗調整層において、前記上流側部および前記下流側部のうち前記熱抵抗が小さい方は、それぞれ前記第２流体の流れ方向に細長状である複数個の前記グラファイト片部（７００）が互いに接合された状態で一体に構成されている請求項１または請求項２に記載の熱電発電装置。
【請求項４】
第１流体が流れる第１流体通路（２７）と、
前記第１流体よりも高温であり、エンジン（２０）から排出される第２流体が流れる第２流体通路（３１）と、
熱電変換素子（１００）を有し、一方側部（１０ａ）と他方側部（１０ｂ）との温度差によって発電する熱電発電部（１０）と、
前記第１流体通路と前記一方側部との間に介在して、前記第１流体と前記一方側部との間の熱移動経路の少なくとも一部をなす低温側部材（６１，８１）と、
前記第２流体通路と前記他方側部との間に介在して、前記第２流体と前記他方側部との間の熱移動経路の少なくとも一部をなす高温側部材（１６０）と、
を備え、
前記高温側部材は、前記第２流体の流れ方向に沿って移動する熱に対する熱抵抗が、上流に設けられる上流側部（１６０１）と前記上流側部よりも下流に設けられる下流側部（１６０２）とにおいて一方が他方よりも大きくなるように構成されており、
前記高温側部材は、熱伝導性および電気絶縁性を有する材質で構成され前記他方側部に接触する絶縁層であり、
前記絶縁層において、前記上流側部および前記下流側部のうち前記熱抵抗が大きい方は、細長状の片部（１６００）の複数個が前記第２流体の流れ方向に沿って配列されて構成されている熱電発電装置。
【請求項５】
複数個の前記片部は隣同士が間隔をあけて設置されている請求項４に記載の熱電発電装置。
【請求項６】
前記高温側部材は、前記下流側部（７１；２７１）の方が前記上流側部（７０；２７０）よりも前記第２流体の流れ方向における前記熱抵抗が大きくなるように構成されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の熱電発電装置。
【請求項７】
前記高温側部材は、前記上流側部（１７０；１６０１）の方が前記下流側部（１７１；３７０；１６０２）よりも前記第２流体の流れ方向における前記熱抵抗が大きくなるように構成されている請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の熱電発電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
開示された熱電発電装置のひとつは、第１流体が流れる第１流体通路（２７）と、第１流体よりも高温であり、エンジン（２０）から排出される第２流体が流れる第２流体通路（３１）と、熱電変換素子（１００）を有し、一方側部（１０ａ）と他方側部（１０ｂ）との温度差によって発電する熱電発電部（１０）と、第１流体通路と一方側部との間に介在して、第１流体と一方側部との間の熱移動経路の少なくとも一部をなす低温側部材（６１，８１）と、第２流体通路と他方側部との間に介在して、第２流体と他方側部との間の熱移動経路の少なくとも一部をなす高温側部材（７；１０７；２０７；３０７）と、を備え、
高温側部材は、第２流体の流れ方向に沿って移動する熱に対する熱抵抗が、上流に設けられる上流側部（７０；１７０；１６０１；１７０；２７０）と上流側部よりも下流に設けられる下流側部（７１；１７１；２７１；３７０）とにおいて一方が他方よりも大きくなるように構成されており、
高温側部材は、第２流体通路と他方側部との間に設けられて、グラファイトを含む材質で形成された熱抵抗調整層であり、熱抵抗調整層において、上流側部および下流側部のうち熱抵抗が大きい方は、細長状のグラファイト片部（７１０）の複数個が第２流体の流れ方向に沿って配列されて構成されている。
開示された熱電発電装置のひとつは、第１流体が流れる第１流体通路（２７）と、第１流体よりも高温であり、エンジン（２０）から排出される第２流体が流れる第２流体通路（３１）と、熱電変換素子（１００）を有し、一方側部（１０ａ）と他方側部（１０ｂ）との温度差によって発電する熱電発電部（１０）と、第１流体通路と一方側部との間に介在して、第１流体と一方側部との間の熱移動経路の少なくとも一部をなす低温側部材（６１，８１）と、第２流体通路と他方側部との間に介在して、第２流体と他方側部との間の熱移動経路の少なくとも一部をなす高温側部材（１６０）と、を備え、
高温側部材は、第２流体の流れ方向に沿って移動する熱に対する熱抵抗が、上流に設けられる上流側部（１６０１）と上流側部よりも下流に設けられる下流側部（１６０２）とにおいて一方が他方よりも大きくなるように構成されており、
高温側部材は、熱伝導性および電気絶縁性を有する材質で構成され他方側部に接触する絶縁層であり、絶縁層において、上流側部および下流側部のうち熱抵抗が大きい方は、細長状の片部（１６００）の複数個が第２流体の流れ方向に沿って配列されて構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月21日(2018.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
取得用情報１２ｃは、情報を使用できる回数が例えば１回又は数回等に制限されており、制限された回数の使用後には記憶部１２から消去される。取得用情報１２ｃは、例えば車載通信装置１０の製造段階などに記憶部１２に書き込まれ、所定回数の使用により消去された場合には例えば車両１のディーラなどにて記憶部１２に書き込まれる。なお記憶部１２には、複数の取得用情報１２ｃが記憶されていてもよい。例えば使用回数が１回のみに制限された取得用情報１２ｃを１０個記憶しておくことにより、証明書情報１２ｂの有効期限が切れた場合の新たな証明書情報１２ｂの取得を１０回行うことが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また本実施の形態に係るサブサーバ装置５２ａの処理部６１には、記憶部６２に記憶されたプログラムを実行することによって、証明書情報作成処理部６１ａ及び回答処理部６１ｂ等がソフトウェア的な機能ブロックとして実現される。証明書情報作成処理部６１ａは、車載通信装置１０からの依頼に応じて、証明書情報を作成する処理を行う。証明書情報作成処理部６１ａは、車載通信装置１０から依頼と共に与えられる公開鍵、及び、記憶部６２に記憶された自身の証明書情報６２ａ等に基づいて、車載通信装置１０の証明書情報を作成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
回答処理部６１ｂは、車載通信装置１０からの問合わせに応じて、作成を依頼された証明書情報の作成状況を回答する処理を行う。回答処理部６１ｂは、証明書情報の作成が完了したか否かを示す情報を、問合わせ元の車載通信装置１０へ送信することにより回答を行う。なお、回答処理部６１ｂは、証明書情報の作成が完了していない場合、その旨を回答すると共に、例えば作成が完了する予定日時などの情報を車載通信装置１０へ送信してもよい。また回答処理部６１ｂは、証明書情報の作成が完了している場合、その旨を回答すると共に、作成済みの証明書情報を車載通信装置１０へ送信する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
ステップＳ６３又はＳ６４にて行った正否判定処理に基づき、処理部１１は、受信した問合わせが正当な問合わせであるか否かを判定する（ステップＳ６５）。正当な問い合わせでない場合（Ｓ６５：ＮＯ）、処理部１１は、処理を終了する。正当な問合わせである場合（Ｓ６５：ＹＥＳ）、処理部１１の回答処理部６１ｂは、問合わせに係る証明書情報の作成状況を確認し（ステップＳ６６）、この証明書情報の作成が完了しているか否かを判定する（ステップＳ６７）。問合わせに係る証明書情報の作成が完了していない場合（Ｓ６７：ＮＯ）、回答処理部６１ｂは、証明書情報の作成が未完了である旨の回答を問合わせ元の車載通信装置１０に対して送信し（ステップＳ６８）、処理を終了する。証明書情報の作成が完了している場合（Ｓ６７：ＹＥＳ）、回答処理部６１ｂは、証明書情報の作成が完了している旨の回答と作成済みの証明書情報とを、問合わせ元の車載通信装置１０に対して送信し（ステップＳ６９）、処理を終了する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月7日(2018.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２４４７６号公報
【特許文献２】特開２０１３−３８６５８号公報
【特許文献３】特開２０１４−１６１００１号公報
【特許文献４】特開２００８−８５９８９号公報
【特許文献５】特開２００９−１０９３２号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
まず、圧電薄膜共振器の２次歪みを抑制する例について説明する。図１（ａ）および図１（ｂ）は、圧電薄膜共振器の断面図を示す図である。図１（ａ）に示すように、圧電膜１４は下部電極１２と上部電極１６との間に挟まれている。圧電薄膜共振器８０では、共振周波数の波長λの１／２がほぼ圧電膜１４の厚さに相当する。つまり、圧電薄膜共振器８０は、１／２λ厚み共振を用いている。このため、例えば下部電極１２が−のとき、上部電極１６は＋となる。圧電膜１４内の上下の面はそれぞれ＋および−のいずれかとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
（実施例１の変形例１１）
図１８（ａ）は、実施例１の変形例１１に係る弾性波デバイスの平面図、図１８（ｂ）は、共振領域付近の平面図である。図１８（ａ）および図１８（ｂ）に示すように、分断領域６２は長軸および短軸から傾いている。分断領域６２に沿った挿入膜２８は長軸および短軸から傾いている。その他の構造は実施例１と同じであり説明を省略する。分断領域６２を曲線状とすることで、スプリアスを抑制できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2018006919.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月2日(2018.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に半導体デバイスを形成するデバイス形成工程において前記半導体基板中に転位が発生するか否かを予測する方法であって、
前記半導体基板における応力集中点を含む領域の応力分布を算出し、算出した前記応力分布から前記応力集中点の応力拡大係数Ｋを算出し、算出した前記応力拡大係数Ｋと、前記応力集中点において転位が発生する臨界の応力拡大係数Ｋcriとを比較して、前記応力集中点において転位が発生するか否かを予測し、
前記応力拡大係数Ｋの算出は、τ：応力、ｒ：前記応力集中点からの距離、λおよびτA：定数とする下記式（α）および前記応力分布を用い、前記Ｋ、λおよびτAをフィッティングパラメータとした重回帰分析により行うことを特徴とする転位発生予測方法。
【数１】
2018006708.tif 000001
【請求項２】
前記応力分布の算出は、シミュレーション計算により行う、請求項１に記載の転位発生予測方法。
【請求項３】
前記臨界応力拡大係数Ｋcriは、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：温度、ＡおよびＢ：定数として、下記の式（β）で表される、請求項１または２に記載の転位発生予測方法。
【数２】
2018006708.tif 000002
【請求項４】
Ａは０．０７８７であり、Ｂは０．２６である、請求項３に記載の転位発生予測方法。
【請求項５】
前記半導体基板はシリコンウェーハである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の転位発生予測方法。
【請求項６】
半導体基板上に半導体デバイスを製造する方法であって、
請求項１〜５に記載の転位発生予測方法により、半導体基板上に半導体デバイスを形成する工程において前記半導体基板中に転位が発生するか否かを予測し、転位が発生しないと予測された条件の下で前記半導体デバイスを形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
転位が発生すると判定された場合には、前記半導体デバイスの設計を変更し、変更された前記半導体基板中に転位が発生するか否かを再度予測する、請求項６に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
転位が発生すると判定された場合には、前記半導体デバイスの製造条件を変更し、変更された製造条件の下で前記半導体基板中に転位が発生するか否かを再度予測する、請求項６に記載の半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、本発明の要旨構成は以下の通りである。
（１）半導体基板上に半導体デバイスを形成するデバイス形成工程において前記半導体基板中に転位が発生するか否かを予測する方法であって、
前記半導体基板における応力集中点を含む領域の応力分布を算出し、算出した前記応力分布から前記応力集中点の応力拡大係数Ｋを算出し、算出した前記応力拡大係数Ｋと、前記応力集中点において転位が発生する臨界の応力拡大係数Ｋcriとを比較して、前記応力集中点において転位が発生するか否かを予測し、
前記応力拡大係数Ｋの算出は、τ：応力、ｒ：前記応力集中点からの距離、λおよびτA：定数とする下記式（α）および前記応力分布を用い、前記Ｋ、λおよびτAをフィッティングパラメータとした重回帰分析により行うことを特徴とする転位発生予測方法。
【数３】
2018006708.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月26日(2018.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切断機械用の刃具の破損を検出する刃具の破損検出装置であって、
前記刃具による切断時に発生する振動に基づく信号を発生させる検出部と、
前記検出部において発生した前記信号に基づいて前記刃具の破損の有無を判定する判定部とを備える、刃具の破損検出装置。
【請求項２】
前記検出部は、前記振動に基づく特性値の振幅である前記信号を発生させ、
前記判定部は、前記振幅の大きさに基づいて前記刃具の破損の有無を判定する、請求項１に記載の刃具の破損検出装置。
【請求項３】
前記判定部は、前記振幅が上限閾値を超えた回数が予め決定された基準回数を超えたときに前記刃具に破損が発生したと判定する、請求項２に記載の刃具の破損検出装置。
【請求項４】
前記判定部は、前記振幅が下限閾値を下回る回数が予め決定された基準回数を超えたときに前記刃具に破損が発生したと判定する、請求項２に記載の刃具の破損検出装置。
【請求項５】
前記切断機械は、被切断物が通過する孔部を有するダイスと、前記ダイスを保持するホルダとを含み、
前記検出部は、前記ホルダに取り付けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の刃具の破損検出装置。
【請求項６】
前記検出部は、加速度センサである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の刃具の破損検出装置。
【請求項７】
前記切断機械は、被切断物が通過する孔部を有するダイスと、前記ダイスを保持するホルダとを含み、
前記検出部は、前記刃具、前記ダイス、および前記ホルダのそれぞれと間隔を隔てて対向する位置にある、請求項１〜４のいずれか１項に記載の刃具の破損検出装置。
【請求項８】
前記検出部は、音響センサである、請求項７に記載の刃具の破損検出装置。
【請求項９】
前記検出部は、前記刃具との間の距離を変更可能に設けられている、請求項８に記載の刃具の破損検出装置。
【請求項１０】
前記検出部において発生した前記信号のうち予め決定された周波数の前記振動に基づく信号のみを取り出して前記判定部に送信する帯域フィルタをさらに備える、請求項１〜９のいずれか１項に記載の刃具の破損検出装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の刃具の破損検出装置を備える、切断機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図４を参照して、両方の切断刃が正常である場合には振動パルスの振幅がすべて３００ｍ／ｓ２（上限閾値）以下になっている。一方図５を参照して、一枚の切断刃が破損した場合には、振幅が３００ｍ／ｓ２以下であるパルス（正常な切断刃に相当）と振幅が３００ｍ／ｓ２を超えるパルス（破損した切断刃に相当）とが交互に発生している。判定器１０では、振幅が３００ｍ／ｓ２（上限閾値）を超えた回数が予め決定された基準回数を超えたときに切断刃５に破損が発生したと判定するようにすることができる。この上限閾値および基準回数は特に限定されるものではなく、切断刃５の破損を高感度に検出可能なように適宜調整することができる。また切断刃５の破損状態によっては正常時の振幅よりも破損時の振幅が小さい場合もある。この場合、判定器１０では振幅が下限閾値を下回る回数が予め決定された基準回数を超えたときに切断刃５に破損が発生したと判定するようにすることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また切断刃５の破損状態によっては正常時の振幅よりも破損時の振幅が小さい場合もある。この場合、判定器１０では、切断刃が破損した場合の音響パルスの振幅以上であり、切断刃が正常である場合の音響パルスの振幅未満の下限閾値を予め設けておき、測定された振幅が下限閾値を下回る回数が予め決定された基準回数を超えたときに切断刃５に破損が発生したと判定するようにすることもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図１１は、実施の形態２に係る切断機械（帯域フィルタを備える）において、切断刃が正常である場合のパルス波形の振幅を示すグラフである。図１２は、実施の形態２に係る切断機械（帯域フィルタを備える）において、切断刃が破損した場合のパルス波形の振幅を示すグラフである。図１１および図１２において横軸は時間（秒）を示し、縦軸は音の振幅（Ｐａ）を示している。図１１は切断刃が正常である場合のグラフであり、図１２は切断刃が破損した場合のグラフである。図１１および図１２のグラフを比較すると、切断刃が破損した場合にはパルス状の音響信号が見られるのに対して、正常時にはパルス状の音響信号がほとんど見られず、音響信号の違いが顕著になっている。そのため、上記実施の形態２のように帯域フィルタ９を通過後のパルス振幅を比較することにより、帯域フィルタ９を用いない場合と比べて切断刃５の破損を一層高感度に検出することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月9日(2018.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の甘味剤としては、例えばスクラロース、アスパルテーム、ステビア、グリチルチン、サッカリン、サッカリンナトリウム、アスパルテーム、アセスルファムＫ、ソーマチン、ネオテーム等の高甘味度甘味剤、アマチャ抽出物、砂糖、ブドウ糖、麦芽糖、果糖、水飴、異性化糖、イソマルトオリゴ糖、ガラクトオリゴ糖、キシロオリゴ糖、乳果オリゴ糖、大豆オリゴ糖、ラフィノース、トレハロース、乳糖、ソルビトール、マンニトール、マルチトール、還元水飴、還元パラチノース、キシリトール、エリスリトールが好ましい。このうち、特に好ましいのは、スクラロース、アスパルテーム、ステビア、グリチルチン、サッカリン、サッカリンナトリウム、アスパルテーム、アセスルファムＫ、アマチャ抽出物、ソーマチン、ネオテームであり、最も好ましいのはスクラロース、アスパルテーム、アセスルファムＫ、ステビアまたはサッカリンナトリウムである。甘味剤の含有量は、経口用組成物中１質量％〜１０質量％が好ましく、４質量％〜８質量％がより好ましい。また、甘味剤の含有量は、イブプロフェン１質量部に対して０．０２質量部以上が好ましい。本発明の甘味剤としてスクラロースを配合する場合は、イブプロフェン１質量部に対して０．０３質量部以上が好ましく、０．０５質量部以上がさらに好ましい。アスパルテームを配合する場合は、０．０２質量部以上が好ましく、さらに好ましくは０．１７質量部以上である。アセスルファムＫを配合する場合は、イブプロフェン１質量部に対して０．０２質量部以上が好ましく、０．２質量部以上がさらに好ましい。ステビアを配合する場合は、イブプロフェン１質量部に対して０．００５質量部以上が好ましく、０．０２質量部以上がさらに好ましい。サッカリンナトリウムを配合する場合は、イブプロフェン１質量部に対して０．０２質量部以上が好ましく、０．２質量部以上がさらに好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月13日(2017.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子を封入している原子セルと、
前記原子のＤ１線に共鳴する第１光を出射する第１光源部と、
前記第１光と異なる波長であって前記原子のＤ１線またはＤ２線に共鳴する第２光を出射する第２光源部と、
前記原子セルを通過した前記第１光と前記第２光との干渉による光ビートを検出してビート信号を生成する検出部と、
を備えることを特徴とする原子共鳴遷移装置。
【請求項２】
前記第２光は、前記原子のＤ２線に共鳴する光である請求項１に記載の原子共鳴遷移装置。
【請求項３】
前記第２光は、前記原子のＤ１線に共鳴する光である請求項１に記載の原子共鳴遷移装置。
【請求項４】
前記原子は、アルカリ金属原子である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の原子共鳴遷移装置。
【請求項５】
前記アルカリ金属原子は、セシウム原子である請求項４に記載の原子共鳴遷移装置。
【請求項６】
前記第１光の波長が前記原子の吸収スペクトルのピーク波長となるように前記第１光源部を制御する第１制御部を備える請求項１ないし５のいずれか１項に記載の原子共鳴遷移装置。
【請求項７】
前記第１制御部は、前記第１光の波長が前記原子の飽和吸収スペクトルのピーク波長となるように前記第１光源部を制御する請求項６に記載の原子共鳴遷移装置。
【請求項８】
前記第２光の波長が前記原子の吸収スペクトルのピーク波長となるように前記第２光源部を制御する第２制御部を備える請求項１ないし７のいずれか１項に記載の原子共鳴遷移装置。
【請求項９】
前記第２制御部は、前記第２光の波長が前記原子の飽和吸収スペクトルのピーク波長となるように前記第２光源部を制御する請求項８に記載の原子共鳴遷移装置。
【請求項１０】
前記第１光と前記第２光とが前記原子セル内で交差する請求項７または９に記載の原子共鳴遷移装置。
【請求項１１】
前記ビート信号を用いてクロック信号を出力する出力部を備える請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の原子共鳴遷移装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の原子共鳴遷移装置を備えることを特徴とする原子発振器。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の原子共鳴遷移装置を備えることを特徴とする時計。
【請求項１４】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の原子共鳴遷移装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
窓部２２、２３の構成材料としては、それぞれ、第１光ＬＬ１および第２光ＬＬ２に対する透過性を有していれば、特に限定されず、例えば、ガラス材料、水晶等が挙げられるが、ガラス材料を用いることが好ましい。これにより、第１光ＬＬ１および第２光ＬＬ２に対する優れた透過性を有する窓部２２、２３を実現することができる。また、胴体部２１がシリコンで構成されている場合、ガラスを用いて窓部２２、２３を構成することにより、胴体部２１と窓部２２、２３とを陽極接合により簡単に気密的に接合することができ、原子セル２の信頼性を優れたものとすることができる。なお、窓部２２、２３の厚さや第１光ＬＬ１および第２光ＬＬ２の強度によっては、窓部２２、２３をシリコンで構成することもできる。この場合でも、胴体部２１と窓部２２、２３とを直接接合または陽極接合することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
光学部品３５は、光学部品３４からの第１光ＬＬ１および第２光ＬＬ２を、そのまま通過させて原子セル２へ入射させるとともに、光学部品３６に向けて反射させる。すなわち、光学部品３５は、光学部品３４からの第１光ＬＬ１および第２光ＬＬ２からなる光を、原子セル２に入射する光ＬＬａと、光学部品３６に入射する光ＬＬｂとに分岐する。光ＬＬａは、原子セル２を介して検出部４で受光される。一方、光ＬＬｂは、光学部品３７で反射して、図７に示すように、光ＬＬａとは異なる方向で原子セル２に入射する。そして、原子セル２を通過した光ＬＬｂは、図示しない反射防止部に入射する。図７では、光ＬＬａの光軸と光ＬＬｂの光軸とが原子セル２内において直交する場合を示している。なお、光ＬＬｂの光軸は、光ＬＬａの光軸と異なる方向であればよく、図示のものに限定されない。また、本実施形態では、原子セル２の胴体部２１は、光ＬＬｂに対する透過性を有するように構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
このように、第１光ＬＬ１と第２光ＬＬ２とが原子セル２内で交差することにより、第１光ＬＬ１および第２光ＬＬ２の波長が原子セル２内の原子の飽和吸収スペクトルのピーク波長となるように制御することができる。
以上説明したような第２実施形態によっても、小型化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月29日(2017.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置と、
自転車の運転者に関連する物理量を計測するセンサと、
前記センサと一体または別体の装置として構成される第１の装置と、を含み、
前記第１の装置は、
前記センサによって計測された物理量に基づいて、前記運転者の状態に関する評価を行う評価処理手段と、
前記評価処理手段の処理結果に基づいて、前記撮像装置における撮影の制御を実行する撮影制御手段と、
を備えることを特徴とする撮影システム。
【請求項２】
前記撮像装置は、自転車の運転者または該自転車に設置されることを特徴とする請求項１に記載の撮影システム。
【請求項３】
前記センサは、前記運転者に装着されることを特徴とする請求項１または２に記載の撮影システム。
【請求項４】
前記センサは、加速度センサによって構成され、前記運転者における鉛直方向、進行方向の前後方向及び左右方向それぞれの加速度の変化を検出することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の撮影システム。
【請求項５】
前記センサは、ＧＰＳセンサ、ジャイロセンサ、気圧センサの少なくともいずれかひとつをさらに備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の撮影システム。
【請求項６】
前記評価処理手段の処理結果を表示する表示手段を備える第２の装置をさらに含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の撮影システム。
【請求項７】
前記撮影制御手段は、前記センサによって計測された物理量と、該物理量に設定された閾値との比較結果に基づいて、撮影の制御を実行することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の撮影システム。
【請求項８】
前記撮影制御手段は、前記センサによって計測された物理量と、該物理量に関する基準値との比較結果に基づいて、撮影の制御を実行することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の撮影システム。
【請求項９】
前記撮影制御手段は、前記評価処理手段によって前記運転者の状態に変化があったと判定された場合に、撮影を実行することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の撮影システム。
【請求項１０】
前記撮影制御手段は、前記評価処理手段によって前記運転者の状態が特定の状態と判定された場合に、撮影を実行することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の撮影システム。
【請求項１１】
前記撮影制御手段は、前記評価処理手段によって前記運転者の状態が特定の状態と判定された場合に、前記特定の状態に対応する撮影パラメータを設定することを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の撮影システム。
【請求項１２】
前記評価処理手段は、前記運転者の現在の乗車姿勢と、乗車姿勢の履歴とに基づいて、前記運転者の状態の評価を行い、
前記撮影制御手段は、前記評価処理手段による評価結果が特定の状態となった場合に、撮影を実行することを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の撮影システム。
【請求項１３】
自転車の運転者に関連する物理量を計測するセンサによって計測された物理量に基づいて、前記運転者の状態に関する評価を行う評価処理手段と、
前記評価処理手段の処理結果に基づいて、撮像装置の撮影制御を実行する撮影制御手段と、
を備えることを特徴とする撮影制御装置。
【請求項１４】
自転車の運転者に関連する物理量を計測するセンサによって計測された物理量に基づいて、前記運転者の状態に関する評価を行う評価処理ステップと、
前記評価処理ステップにおける処理結果に基づいて、撮像装置の撮影制御を実行する撮影制御ステップと、
を含むことを特徴とする撮影制御方法。
【請求項１５】
撮影制御装置のコンピュータに、
自転車の運転者に関連する物理量を計測するセンサによって計測された物理量に基づいて、前記運転者の状態に関する評価を行う評価処理機能と、
前記評価処理機能による処理結果に基づいて、撮像装置の撮影制御を実行する撮影制御機能と、
を実現させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の撮影システムは、
撮像装置と、
自転車の運転者に関連する物理量を計測するセンサと、
前記センサと一体または別体の装置として構成される第１の装置と、を含み、
前記第１の装置は、
前記センサによって計測された物理量に基づいて、前記運転者の状態に関する評価を行う評価処理手段と、
前記評価処理手段の処理結果に基づいて、前記撮像装置における撮影の制御を実行する撮影制御手段と、
を備えることを特徴とする。