【手続補正書】
【提出日】平成30年9月10日(2018.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延びる第１部分を含む金属の第１電極と、
前記第１部分の周りに設けられ、前記第１方向に対して垂直な第２方向において前記第１部分と重なる第１導電形の第１半導体層と、
前記第１部分と前記第１半導体層との間に設けられた第２導電形の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第３半導体層と、
第１導電層と、
第１低不純物濃度層と、
を備え、
前記第１電極は、前記第１導電層と前記第１部分との間に設けられた第２部分をさらに含み、
前記第１導電層は、前記第２部分と電気的に接続され、
前記第１低不純物濃度層は、前記第２半導体層と前記第１導電層との間に設けられ、
前記第１低不純物濃度層における不純物濃度は、前記第２半導体層における不純物濃度よりも低い、半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１導電層の上に設けられた第１低不純物領域をさらに備え、
前記第１電極は、前記第１部分と前記第２部分との間に設けられた第３部分をさらに含み、
前記第１低不純物領域は、前記第３部分と、前記第１半導体層と、の間に位置し、
前記第３半導体層は、前記第１低不純物領域と前記第１半導体層との間に延在し、
前記第１低不純物領域における不純物濃度は、前記第２半導体層における不純物濃度よりも低い、請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１方向に延び前記第２方向において前記第１部分と並ぶ第４部分を含む金属の第２電極と、
前記第４部分の周りに設けられ、前記第２方向において前記第４部分と重なる前記第１導電形の第４半導体層と、
前記第４部分と前記第４半導体層との間に設けられた前記第２導電形の第５半導体層と、
前記第４半導体層と前記第５半導体層との間に設けられた第６半導体層と、
をさらに備え、
前記第１半導体層の一部、前記第２半導体層の一部、前記第３半導体層の一部、前記第４半導体層の一部、前記第５半導体層の一部、及び、前記第６半導体層の一部は、前記第１部分と前記第４部分との間に位置する、請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第５半導体層と前記第１導電層との間に設けられた第２低不純物濃度層をさらに備え、
前記第２低不純物濃度層における不純物濃度は、前記第５半導体層における不純物濃度よりも低い、請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第２電極は、前記第１導電層と前記第４部分との間に設けられ前記第２方向において前記第２部分と並ぶ第５部分をさらに含み、
前記第１導電層は、前記第５部分と電気的に接続される、請求項３または４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１導電層の上に設けられた第２低不純物領域をさらに備え、
前記第２電極は、前記第４部分と前記第５部分との間に設けられた第６部分をさらに含み、
前記第２低不純物領域は、前記第６部分と、前記第４半導体層と、の間に位置し、
前記第６半導体層は、前記第２低不純物領域と前記第４半導体層との間に延在し、
前記第２低不純物領域における不純物濃度は、前記第５半導体層における不純物濃度よりも低い、請求項５記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第１導電層と前記第１半導体層との間に設けられた第１絶縁層をさらに備えた、請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第１絶縁層は、前記第１方向に交互に並ぶ複数の第１層及び複数の第２層を含み、
前記複数の第１層の１つの屈折率は、前記複数の第２層の１つの屈折率とは異なる、請求項７記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記第１導電形の第１半導体領域と、
前記第２導電形の第２半導体領域と、
第３半導体領域と、
をさらに備え、
前記第１半導体領域と前記第１導電層との間に前記第２半導体領域が配置され、
前記第１半導体領域と前記第２半導体領域との間に前記第３半導体領域が配置される、請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第１導電層と電気的に接続された第１パッドをさらに備え、
前記第１パッドと前記第１電極との間に前記第１導電層が配置される、請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第１導電層は、金属を含む請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記第１半導体層と電気的に接続された第２導電層をさらに備え、
前記第２導電層と前記第１部分との間に前記第１半導体層が位置する請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記第２導電層は、光透過性である、請求項１２記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
第２パッドと、
前記第２パッドを前記第２導電層と電気的に接続し前記第１方向に沿って延びる接続部と、
をさらに備えた請求項１２または１３に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
前記第１部分は、前記第２半導体層とオーミック接触する、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
前記第１電極の第３方向の長さは、前記第１電極の前記第２方向の長さよりも長く、前記第３方向は、前記第１方向と交差し前記第２方向に対して垂直である、請求項１〜１５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
第１方向に延びる第２導電形のベース半導体層と、前記ベース半導体層の周りに設けられ、前記第１方向に対して垂直な第２方向において前記ベース半導体層と重なる第１導電形の第１半導体層と、前記ベース半導体層と前記第１半導体層との間に設けられた第３半導体層と、を含む構造体の前記ベース半導体層に前記第１方向に延びる孔を形成し、
前記孔に金属を埋め込んで電極を形成する、半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
孔と、前記孔の周りの表面と、を含む基板の前記表面の上に前記表面に対して交差する第１方向に延びる第２導電形の第２半導体層であって前記第１方向に対して垂直な第２方向と交差する第２側面を有し、前記孔に繋がる空洞部を有する前記第２半導体層を形成し、
前記第２側面の上に第３半導体層を形成し、
前記第３半導体層の上に第１導電形の第１半導体層を形成し、
前記基板の厚さを減少させて前記空洞部を露出させ、
前記空洞部に金属を埋め込んで前記金属を含む電極を形成する半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、半導体発光素子は、第１電極と、第１半導体層と、第２半導体層と、第３半導体層と、第１導電層と、第１低不純物濃度層と、を含む。前記第１電極は、第１方向に延びる第１部分を含み、金属である。前記第１半導体層は、前記第１部分の周りに設けられ、前記第１方向に対して垂直な第２方向において前記第１部分と重なり、第１導電形である。前記第２半導体層は、前記第１部分と前記第１半導体層との間に設けられ、第２導電形である。前記第３半導体層は、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる。前記第１電極は、前記第１導電層と前記第１部分との間に設けられた第２部分をさらに含む。前記第１導電層は、前記第２部分と電気的に接続される。前記第１低不純物濃度層は、前記第２半導体層と前記第１導電層との間に設けられる。前記第１低不純物濃度層における不純物濃度は、前記第２半導体層における不純物濃度よりも低い。