【事件の表示】
　平成　５年特許願第２０２１３２号「放射感知層のパターン化に使用するレチクルおよび放射感知層をパターン化する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年１０月１８日出願公開、特開平　６−２８９５９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成５年７月２３日（パリ条約による優先権主張平成４年８月２１日、米国）の出願であって、平成１４年７月２２日付で拒絶査定がなされ、これに対し同年１１月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１４年１１月６日に手続補正がなされた。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　放射感知層のパターン化に使用するレチクルにおいて、
　入射する放射の少なくとも一部を透過させる第１のリム領域と、
　この第１のリム領域に接触し、入射する放射の少なくとも一部を透過させ、かつこの透過した放射が前記第１のリム領域を透過した放射に対して約１６０〜２００度移相させるパターンニング領域と、
　このパターンニング領域に接触し、入射する放射の少なくとも一部を透過させ、かつこの透過した放射が前記パターンニング領域を透過した放射に対して約１６０〜２００度移相させる第２のリム領域を備える開口パターンを複数備え、
　前記複数の開口パターンの内少なくとも２つの開口パターンが相互に反対位相を持つように互いに相対するリム領域を相互に接触配置する構成を備えることを特徴とするレチクル。」
　
３．引用例
３−１．引用例１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平３−２５２６５９号公報（以下、引用例１という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
ア．この発明は、ＬＳＩ製造プロセスにおける光リソグラフィー工程等で使用されるフォトマスクに関する。（公報第１頁右下欄６〜８行）
　
イ．第１図は、この発明によるフォトマスクの一実施例を示す断面図である。図において、１１はクォーツ基板等の透明基板であり、この透明基板１１上に例えば配線パターンを規定するクロムパターン等の遮光パターン１２と透過光の位相を１／２波長だけシフトさせる１／２波長板１３とが形成されている。遮光パターン１２の一方隣りの第１の透光部１４ａにおいて、その両端の比較的小さい第１の部分２１には１／２波長板１３が形成され、第１の部分２１間の比較的大きい第２の部分２２には１／２波長板１３は形成されていない。一方、遮光パターン１２の他方隣りの第２の透光部１４ｂにおいては、第１の透光部１４ａとは逆に、その両端の比較的小さい第３の部分２３には１／２波長板１３は形成されず、第３の部分２３間の比較的大きい第４の部分２４に１／２波長板１３が形成されている。すなわち、第１，第２の透光部１４ａ，１４ｂは互いに透過光の位相が反転したものであり、またそれぞれの透光部１４ａ，１４ｂの両隣には微小な位相反転部分（第１，第３の部分２１，２３）が設けてある。（公報第２頁右下欄１〜第３頁左上欄１行）
　
　したがって、引用例１には、上記各記載事項から、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「ＬＳＩ製造プロセスにおける光リソグラフィー工程等で使用されるフォトマスクにおいて、遮光パターン１２の一方隣りの第１の透光部１４ａにおいて、その両端の比較的小さい第１の部分２１には１／２波長板１３が形成され、第１の部分２１間の比較的大きい第２の部分２２には１／２波長板１３は形成されておらず、遮光パターン１２の他方隣りの第２の透光部１４ｂにおいては、第１の透光部１４ａとは逆に、その両端の比較的小さい第３の部分２３には１／２波長板１３は形成されず、第３の部分２３間の比較的大きい第４の部分２４に１／２波長板１３は形成されて、比較的小さい第１の部分２１と第３の部分２３とは相互に反対位相を有するフォトマスク。」
　
　４．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ＬＳＩ製造プロセスにおける光リソグラフィー工程等で使用されるフォトマスク」、「比較的小さい第１の部分２１」、「比較的大きい第２の部分２２、比較的大きい第４の部分２４」、「比較的小さい第３の部分２３」、「第１の透光部１４ａ、第２の透光部１４ｂ」は、それぞれ、本願発明の「放射感知層のパターン化に使用するレチクル」、「入射する放射の少なくとも一部を透過させる第１のリム領域」、「パターンニング領域」、「第２のリム領域」、「開口パターン」に相当する。
　
　また、引用発明の１／２波長板１３を有する部分と有しない部分とでは、位相が反転するので、本願発明の「移相させる」に相当することが明らかである。
　
　結局、両者は、「放射感知層のパターン化に使用するレチクルにおいて、入射する放射の少なくとも一部を透過させる第１のリム領域と、
　この第１のリム領域に接触し、入射する放射の少なくとも一部を透過させ、かつこの透過した放射が前記第１のリム領域を透過した放射に対して移相させるパターンニング領域と、
　入射する放射の少なくとも一部を透過させ、かつこの透過した放射が前記パターンニング領域を透過した放射に対して移相させる第２のリム領域を備える開口パターンを複数備え、
　前記複数の開口パターンの内少なくとも２つの開口パターンが相互に反対位相を持つように互いに相対するリム領域を備えることを特徴とするレチクル。」である点で一致し、以下の各点において相違している。
　
相違点１；
　本願発明では、パターンニング領域とリム領域とで約１６０〜２００度移相するのに対し、引用発明では、１／２波長板１３により位相を反転している点。
　
相違点２；
　本願発明では、リム領域を相互に接触配置する構成を有しているのに対し、引用発明では、リム領域に相当する比較的小さい第１の部分２１、第３の部分２３間に遮光パターン１２を有している点。
　
５．当審の判断
以下、各相違点について検討する。
相違点１について；
　引用発明では、１／２波長板１３により位相を反転しているので、文言通り理解すれば、１８０度の移相ということになるが、１８０度前後に多少ずれても２波長の干渉効果があることは当業者にとって自明であり、相違点１の角度に限定することは、当業者にとって困難性はない。
　
相違点２について；
　位相差が１８０度異なる領域の境界部には、遮光帯を設けなくても、実質的に遮光部が作成できることは、本願の出願時において周知（例えば、特開平４−１８４４４１号公報（第３図等）、特開平４−２１８０４６号公報（図６等）、特開平４−２１６５５２号公報（図２等）参照）の技術事項であり、また、パターンの微細化、すなわち密接配置も従来周知の課題であり、また、遮光パターンを無くしレチクルの製造工程を簡略化することも上記周知例（特開平４−１８４４４１号公報、特開平４−２１６５５２号公報）に記載されるように周知の課題に過ぎない。
　そして、引用発明の遮光パターン１２を挟んで隣り合うリム領域が、互いに位相差が１８０度異なる領域であることが明らかであるから、引用発明の遮光パターン１２を無くし、位相が反転しているリム領域を接触配置することは当業者にとって困難性はない。
　
　本願発明の効果も、上記引用例１に記載されたもの、及び従来周知の技術事項から予測し得る程度のものである。
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例１に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する 。