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　平成１１年特許願第３２４９３８号「光学情報記録媒体及び多層光学情報記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　８月１１日出願公開、特開２０００−２２２７７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年１１月１６日（優先権主張平成１０年１１月２５日）の出願であって、平成１５年９月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年１０月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２４日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年１０月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年１０月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
　「【請求項１】　レーザー光の照射によって光学特性が可逆的に変化し、かつ、膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である記録層と、波長λの前記レーザー光を透過する反射層と、前記反射層に接して設けられた熱拡散層とを備え、前記熱拡散層の屈折率をｎとしたとき、前記熱拡散層の膜厚ｄが０＜ｄ≦（５／１６）λ／
ｎの
と補正する内容を含むものである。
　上記請求項１の補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である熱拡散層の膜厚ｄに関し、補正前の「０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎ又は（７／１６）λ／ｎ≦ｄ≦（１／２）λ／ｎ」の２つの選択肢から、一方の選択肢である「又は（７／１６）λ／ｎ≦ｄ≦（１／２）λ／ｎ」を削除し、他方の選択肢である「０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎ」を残して限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された本願出願前の刊行物である特開平８−１２９７７７号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、次のことが記載されている。　なお、下線は、便宜上当審が付与した。
　（i）「【請求項１】
基板上に
レーザ−光線の照射によって結晶状態とアモルファス状態との間で光学的に検出可能な可逆的状態変化を生じる材料からなる記録層
反射層を順に積層した積層体を含む光学情報記録媒体
入射レーザー光線に対する記録層での吸収率を結晶状態でＡｃ、アモルファス状態でＡａとするとき、Ａｃ−Ａａ≧０であり
入射レーザー光線に対する反射率を結晶状態でＲｃ、アモルファス状態でＲａとするとき、Ｒｃ−Ｒａ≧１０％となるように、各層の膜厚が選ばれる
　【請求項２】　・・・（中略）・・・。
　【請求項３】
反射層の厚さが、２０ｎｍ以下である
　【請求項４】　・・・（中略）・・・。
　【請求項５】
反射層をＡｕで構成した
　【請求項６】
反射層の上に、さらにレーザ光線に対して略透明な無機薄膜層を積層してなる
　【請求項７】　・・・（中略）・・・。
　【請求項１１】
記録層が、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金またはこれをベースにした合金で構成
　（ii）「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、
基板上に形成した記録薄膜層にレ−ザ−光線等の高エネルギービームを照射し、記録材料薄膜に変化を生じさせることにより情報信号を記録、再生する光学的情報記録媒体に関するものであり、特にオーバーライト記録に有効な相変化記録媒体の構成に関する
　（iii）「【０００６】相変化光ディスクでは、信号の記録はレーザー照射によって記録膜を溶融後急冷してアモルファスの記録マークを形成することで行なわれる。結晶状態は、アモルファス状態より反射率が高く、従ってレーザー光の吸収率は小さい。
【０００７】加えて結晶は、溶融するとき融解熱を吸収するため融解熱を必要としないアモルファスより溶融するためには、高いエネルギーを必要とする。
【０００８】結果として結晶状態は、アモルファス状態より記録時の到達温度が低くなる。すなわち、オーバーライトする場合には、古い信号のアモルファスの記録マークが点在するトラック上に信号を記録するため、新しく記録されたマークはその到達温度が場所によって異なり、古い信号によって新しいマークの形状が歪む。これが消し残りの一因であった。
【０００９】これを解消するには、
結晶領域の光吸収率をアモルファス領域のそれより大きくして、両者の到達温度を等しくすればよい。これを実現するためには、例えばＡｕ反射層の膜厚を２０ｎｍ程度の薄いものとすることが１つの解である
　（iv）「【００１７】【作用】　
Ａｃ−Ａａ≧０であるため高い消去率が得られ、かつＲｃ−Ｒａ≧１０％のため、大きな信号振幅が得られる
【００１８】さらに、記録層と反射層の距離が近いため、記録層の熱が反射層へ拡散しやすく、記録層の熱的ダメージが小さい。
【００１９】すなわち、高い消去率、大きな信号振幅と良好な繰り返し特性の三者を同時に満たすことができる。
【００２０】また、
反射層の上に、さらにレーザ光線に対して略透明な無機薄膜層を積層することで、反射層からの熱の拡散が促進され
　（v）「【００２７】第１の誘電体層２および第２の誘電体層４は、透明でかつ熱的に安定な物質がよく、例えば金属や半金属の酸化物、窒化物、カルコゲン化物、フッ化物、炭化物等およびこれらの混合物であり、具体的にはSiO2,SiO,Al2O3,GeO2,In2O3,Ta2O5,TeO2,TiO2,MoO3,WO3,ZrO2,Si3N4,AlN,BN,TiN,ZnS,CdS,CdSe,ZnSe,ZnTe,AgF,PbF2,MnF2,NiF2,SiC等のの単体あるいはこれらの混合物等である。」（段落【００２７】参照）こと、
　（vi）「【００３０】このように構成することにより、Ａｃ−Ａａ≧０であるため高い消去率が得られ、かつＲｃ−Ｒａ≧１０％のため大きな信号振幅が得られる。
【００３１】さらに、記録層と反射層との距離が近いため、記録層の熱が反射層へ拡散しやすく、記録層の熱的ダメージが小さい。すなわち、
高い消去率、大きな信号振幅と良好な繰り返し特性の三者を同時に満たすことができる
　（vii）図２として、基材／第１の誘電体層／記録層／第２の誘電体層／反射層／無機材料層／保護材がその順に積層され、レーザー入射方向が基板側からであることが図示されるとともに、「【００４８】図２は、本願発明による光学情報記録媒体の他の構成の断面図である。この構成の特徴は、
反射層の上にさらにレーザー光線に対して略透明な無機薄膜層を設けた
【００４９】
これによって、繰り返し特性はさらに改善された。本発明による構造では、反射層が薄いために、記録時に反射層も昇温すると考えられる。そこで、反射層の上に無機薄膜層を積層することで、反射層からの熱の拡散が促進されて反射層の昇温が抑えられ、したがって、記録層から反射層への熱拡散も促進されて、記録層の熱ダメージが小さく抑えられた
【００５０】また、薄膜層の上にさらに有機の保護材がある場合には、その保護材の熱的ダメージを防ぐこともできる。
【００５１】
上記無機膜層としては、レーザー光線に対して略透明で、かつ熱的安定性の良い材料であればよいが、熱伝導率の高い材料が特に好ましい
　（viii）「【００５３】さらに、容易に推測できるように、光学計算に取り込む層の数は、なるべく少ない方が望ましい。すなわち、計算に要する手間が省けるばかりでなく、計算精度も高くなる。
【００５４】そこで、最後の層である無機薄膜層の厚さをλ／２ｎ（λはレーザ波長、ｎは熱拡散層の屈折率）の整数倍近傍に選ぶことが賢い方法である。当該波長に対して透明な物質層が、λ／２ｎの整数倍の厚さに形成されても記録面側からみた媒体全体の光学的特性は変化しないからである。すなわち、無機薄膜層の膜厚を（ｍ×λ）／（２×ｎ）とすればよい。ここでｍは正の整数である。」（段落【００５３】〜【００５４】参照）こと、
　（ix）「【００５６】次に本願発明に至った具体的実施例について記す。
（実施例１）図１おいて
記録層としてＧｅＳｂＴｅ：２０ｎｍ
反射層としてＡｕ：１０ｎｍ
ＺｎＳ−ＳｉＯ
2
（ＳｉＯ
2
：２０ｍｏｌ％）の第１および第２の誘電体層
【００５７】基板は厚さ１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネイト製であり、その表面にはレーザー光線を導くための深さ６０ｎｍ、幅０．６μｍのスパイラル状の連続溝が、１．２μｍピッチで刻まれている。
【００５８】薄膜の成膜は、すべてスパッタリング法でおこなった。この設計は図３に基づくものであり、
レーザー波長が７８０ｎｍ
誘電体層の屈折率が２．１
　（x）「【００６９】（実施例２）　実施例１と同様の実験を、ＧｅＳｂＴｅ層厚とＡｕ厚を変えて行なった。
ＧｅＳｂＴｅ層厚１０ｎｍとＡｕ厚１０ｎｍの場合
【００７０】基板、誘電体材料は実施例１と同じである。作製したディスクは、実施例１と同じ評価手段によりＣＮＲ、消去率、繰り返し特性を求めた。
【００７１】（表２）に
ＧｅＳｂＴｅ層厚１０ｎｍ、Ａｕ厚１０ｎｍの場合
　（xi）「【００７７】（実施例３）　次に反射層の上にさらに無機薄膜層を設けた図２の構成に関する具体的実施例について述べる。
【００７８】実施例１のディスクＮｏ．５の
Ａｕ反射層の上に、さらにＺｎＳ−ＳｉＯ
2
（ＳｉＯ
2
：２０ｍｏｌ％）を１００ｎｍ設けたＮｏ．５ａ、Ｔａ
2
Ｏ
5
を１００ｎｍ設けたＮｏ．５ｂ、ＳｉＯ
2
を１００ｎｍ設けたＮｏ．５ｃ、ＳｉＮ
x
を１００ｎｍ設けたＮｏ．５ｄ、ダイアモンドライクカーボンを１００ｎｍ設けたＮｏ．５ｅの５種類の光ディスクを作製した
【００７９】無機薄膜層としてのＺｎＳ−ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＳｉＮxはスパッタリング法で成膜し、また、ダイアモンドライクカーボンはＥＣＲプラズマ法で成膜した。
【００８０】無機反射層以外の構成はディスクＮｏ．５と同じであり、作製したディスクの評価方法も実施例１と同じである。
【００８１】５枚のディスクのＣＮＲと消去率とはほぼ同等であった。しかし、サイクル回数はＮｏ．５が４０万回であったのに対して、Ｎｏ．５ａが６５万回、Ｎｏ．５ｂが８０万回、Ｎｏ．５ｃが７５万回、Ｎｏ．５ｄが８０万回、Ｎｏ．５ｅが１７０万回と、
どのディスクにおいても無機薄膜層の採用による効果が見られる
【００８２】
同様の検討を実施例１および実施例２の他の構成のディスクに試みたところ、全てのディスクの繰り返し回数の改善がみられた
　
　これらの記載によれば、引用例には、オーバライト記録に有効な相変化記録媒体に関し、
　「基板上に、第１の誘電体層、レーザ−光線の照射によって結晶状態とアモルファス状態との間で光学的に検出可能な可逆的状態変化を生じる材料からなる記録層（その膜厚としては１０ｎｍ，２０ｎｍなどの実施例）、第２の誘電体層、反射層（その膜厚としては実施例で１０ｎｍ）を順に積層した積層体を含む光学情報記録媒体であって、前記第２の誘電体層の厚さが３ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、かつ、前記入射レーザー光線に対する記録層での吸収率を結晶状態でＡｃ、アモルファス状態でＡａとするとき、Ａｃ−Ａａ≧０であり、かつ、前記入射レーザー光線に対する反射率を結晶状態でＲｃ、アモルファス状態でＲａとするとき、Ｒｃ−Ｒａ≧１０％となるように、各層の膜厚が選ばれ、かつ、反射層の上に、さらにレーザ光線に対して略透明な無機薄膜層を積層してなり、該無機薄膜層は熱拡散を促進するものであることを特徴とする光学的情報記録媒体。」
の発明（以下「引用例発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）対比、判断
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを比較する。
　（ａ）引用例発明の「レーザ−光線の照射によって結晶状態とアモルファス状態との間で光学的に検出可能な可逆的状態変化を生じる材料からなる記録層（その膜厚としては１０ｎｍ，２０ｎｍなどの実施例）」は、本願補正発明における「光学特性が可逆的に変化」する材料が具体的には結晶状態とアモルファス状態との間で変化する相変化材料であることから、本願補正発明の「レーザー光の照射によって光学特性が可逆的に変化し、かつ、膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である記録層」に相当し、その膜厚は少なくとも１０ｎｍの点で一致している。
　なお、本願補正発明で特定する膜厚は、当初「３ｎｍ以上２０ｎｍ以下」とされていていただけ（本願当初明細書段落【００２１】参照）で、（３ｎｍ以上）１０ｎｍ以下との言及はなく、たまたま実施例において１０ｎｍの例があった（平成１４年４月２５日付け意見書第２頁の（３）補正の説明の項を参照）がために上限を１０ｎｍと規定しているにすぎないものであり、その１０ｎｍ以下との限定自体に格別の臨界的な意義があったわけではない。
　（ｂ）引用例発明の「反射層（その膜厚としては実施例で１０ｎｍ）」は、その上に（即ち、レーザー光入射側からみて反射層の後側に）積層された無機薄膜層に関して「レーザ光線に対して略透明な」と規定しているため、レーザー光が無機反射薄膜層に届くこと即ち反射層を透過することが意図されていると認められること、及び１０ｎｍ程度のＡｕ反射層はレーザー光が透過することが周知であること（なお、本願補正発明で採用するレーザー光を透過する反射層の膜厚は１〜２０ｎｍで実質的に相違がない）から、本願補正発明の「波長λの前記レーザー光を透過する反射層」に相当することが明らかである。
　（ｃ）引用例発明の「反射層の上に、さらにレーザ光線に対して略透明な無機薄膜層を積層してなり、該無機薄膜層は熱拡散を促進するものである」は、無機薄膜層が図２からも明白な如く反射層の上に直接接して設けられていること、かつ、熱拡散層との表現はされていないけれども熱拡散を促進するが故に無機薄膜層を熱拡散層と呼べることが明らかであることから、本願補正発明の「前記反射層に接して設けられた熱拡散層」に相当する。
　（ｄ）引用例発明では、第１の誘電体層と第２の誘電体層をさらに有している。しかしながら、本願補正発明でもそれらの層を格別除外することは明示されておらず、むしろ界面層３，４を別途設けても良い点で軌を一にしているばかりか、その引用例発明の第１の誘電体層と第２の誘電体層の材料（摘示（v）参照）と本願補正発明の界面層３，４の材料（本願明細書段落【００３８】参照）は、殆ど重複し、実質的に相違するものではないから、引用例発明で第１の誘電体層と第２の誘電体層をさらに有することは、実質的な相違点というべきではなく、阻害要因ともなり得ないものである。
　（ｅ）引用例発明では、「入射レーザー光線に対する記録層での吸収率を結晶状態でＡｃ、アモルファス状態でＡａとするとき、Ａｃ−Ａａ≧０であり、かつ、前記入射レーザー光線に対する反射率を結晶状態でＲｃ、アモルファス状態でＲａとするとき、Ｒｃ−Ｒａ≧１０％となる」と規定しているところ、Ａｃ−Ａａ≧０とはＡｃ／Ａａ≧１に他ならず、Ｒｃ−Ｒａ≧１０％とはＲｃ≧（１０％＋Ｒａ）＞Ｒａに他ならないから、本願補正発明で説明（本願明細書段落【０００５】〜【００１２】など参照）するところのＡｃ／Ａａ＞１、Ｒｃ＞Ｒａの光透過型の構成に他ならないから、その規定は実質的な相違点とはなり得ないものであり、むしろ、両発明はその点で軌を一にするものというべきである。
　
　してみると、両発明は、
　「レーザー光の照射によって光学特性が可逆的に変化し、かつ、膜厚が１０ｎｍである記録層と、波長λの前記レーザー光を透過する反射層と、前記反射層に接して設けられた熱拡散層とを備えることを特徴とする光学情報記録媒体。」の発明で一致し、次の点で一応相違している。
　＜＜相違点＞＞
　熱拡散層の膜厚ｄに関し、本願補正発明では、「前記熱拡散層の屈折率をｎとしたとき、前記熱拡散層の膜厚ｄが０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎの範囲内にある」と規定しているのに対し、引用例発明ではそのような表現では規定されていない点。
　
　そこで、この相違点について検討する。
　引用例発明の、熱拡散層に相当する無機薄膜層を反射層の上に設けた実施例３を検討すると、「ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）を１００ｎｍ設けたＮｏ．５ａ、Ｔａ2Ｏ5を１００ｎｍ設けたＮｏ．５ｂ、ＳｉＯ2を１００ｎｍ設けたＮｏ．５ｃ、ＳｉＮxを１００ｎｍ設けたＮｏ．５ｄ、ダイアモンドライクカーボンを１００ｎｍ設けた」（摘示（xi）参照）と記載されている。　ここで、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）の屈折率は２．１と記載（摘示（ix）参照）されている。そして、Ｔａ2Ｏ5の屈折率は２．１程度（例えば、小瀬輝次外４名編「光工学ハンドブック」、１９８６年２月２０日、初版第１刷、株式会社朝倉書店発行、第１７５頁の表１．３．１参照）で、ＳｉＯ2の屈折率は１．５程度（例えば、前記文献の表１．３．１参照）、ダイアモンドライクカーボンの屈折率は１．８〜２．４程度（特開平７−２６８６０７号公報段落【００２３】参照）であることが知られている（なお、ＳｉＮxはｘが不明なため検討を省略する）。
　これらの屈折率と、光レーザの波長（λ）が７８０ｎｍ（摘示（ix）参照）であり、ｄ＝１００ｎｍであることから、そのｄがλ／ｎの何倍になるか計算すると、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＳｉＯ2：２０ｍｏｌ％）（ｎ＝２．１）の場合に（４．３／１６）λ／ｎ（注：４．３＝ｄ×１６×ｎ／λ＝１００×１６×２．１／７８０）と算出でき、同様に、Ｔａ2Ｏ5（ｎ＝２．１）の場合に（４．３／１６）λ／ｎ、ＳｉＯ2（ｎ＝１．５）の場合に（３．１／１６）λ／ｎ、ダイアモンドライクカーボン（ｎ＝１．８〜２．４）の場合に（３．７／１６〜４．９／１６）λ／ｎと算出できるから、それらの算出値は本願補正発明で規定する「０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎの範囲内にある」ことが明らかである。
　ただ、前記実施例３の態様は、実施例１のディスクＮｏ．５に準拠するものであって、記録層の膜厚が２０ｎｍの点で、本願発明と一致していない（なお、引用例の実施例１，２は、熱拡散層に相当する無機薄膜層が反射層上に設けられていない点で本願補正発明とは相違している。）。
　しかしながら、引用例の実施例２として、記録層の厚みを１０ｎｍとした例が実施されており、更に、引用例の段落【００８２】（摘示（xi）参照）に実施例２のディスクについても同様な検討（即ち、無機薄膜層を反射層上に設ける態様）を試みたことが示唆されているから、当業者であれば記録層の厚み１０ｎｍの場合についても、膜厚ｄが０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎの範囲内に熱拡散層（無機薄膜層）を設けた場合を追試しその作用効果を確認する程度のことは容易に想到し得る。
　
　ところで、審判請求理由において審判請求人は、引用例に関して、その段落【００５４】を引用して無機薄膜の膜厚は光学設計を妨げないようにλ／２ｎの整数倍近傍に選ぶことが賢い方法であることが記載されているから本願補正発明は容易に想到し得ない旨を主張していて、なるほど、その段落【００５４】には、そのような記載はある（摘示（viii）参照）。
　しかしながら、そのような言及にもかかわらず、引用例の実際の製造例である実施例３においては、λ／２ｎ即ち（８／１６）λ／ｎの整数倍ではなく、上記検討の如く「０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎの範囲内」で実施されていることが明らかであるから、前記請求人の主張は採用すべきではない。
　また、審判請求人は、「尚、本発明者らの最近の実験結果によれば、特に青色波長域のレーザーを用いる場合には、赤色波長域のレーザーを用いて比較的大きいマーク長のマークを記録する場合に比べてＡｃ／Ａａの値がやや小さい場合であっても、良好な消去率を得ることができることが分かってきております。従って、熱拡散層の膜厚ｄの値は、必ずしもＡｃ／Ａａが最大値をとる値で決定しなければならないわけではなく、透過率が向上する向上する範囲内で決定することができます。」と主張している。
　しかしながら、青色波長域と赤色波長域に関するそのような言及は本願当初明細書には何ら記載はないから、また本願補正発明の構成で特定されていない事項であるから、更に、「最近の実験結果に」よることは出願当初において何らかの認識をしていたことを意味するものでないことが明らかである。
　よって、前記請求人の主張は採用できない。
　
　したがって、本願補正発明は、周知技術を勘案し引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年１０月２４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１２にかかる発明は、平成１４年４月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるのもと認められるところ、そのうち請求項１にかかる発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　レーザー光の照射によって光学特性が可逆的に変化し、かつ、膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である記録層と、波長λの前記レーザー光を透過する反射層と、前記反射層に接して設けられた熱拡散層とを備え、前記熱拡散層の屈折率をｎとしたとき、前記熱拡散層の膜厚ｄが０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎ又は（７／１６）λ／ｎ≦ｄ≦（１／２）λ／ｎの範囲内にあることを特徴とする光学情報記録媒体。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶理由に引用される引用例と周知例、およびその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比、判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明の熱拡散層の膜厚ｄに関し、「０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎ」との限定事項を、選択肢として包含するものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含んでいる本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、周知技術を勘案し引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、周知技術を勘案し引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願はその余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。