(57)【要約】 本願は、ベース基板と、前記ベース基板上の絶縁層と、前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側にあり且つ複数の電極ブロックを有する電極層とを有する表示基板を開示する。前記絶縁層は、前記ベース基板から遠い第１の側面と、前記第１の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第２の側面とを有する。前記複数の電極ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い第３の側面と、前記第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面とを有する。前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも大きい前記ベース基板の表面に対する第１の高さを有する。 【選択図】  図２
2020521989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示基板であって、
ベース基板と、
前記ベース基板上の絶縁層と、
前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側にあり且つ複数の電極ブロックを含む電極層と
を含み、
前記表示基板は、前記複数の電極ブロックに対応する電極ブロック領域と、前記電極ブロック領域の外部の電極ブロック間領域とを有し、
前記絶縁層は、前記ベース基板から遠い第１の側面と、前記第１の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第２の側面とを有し、
前記複数の電極ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い第３の側面と、前記第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面とを有し、
前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも大きい前記ベース基板の表面に対する第１の高さを有することを特徴とする表示基板。
【請求項２】
前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも小さいかそれに実質的に等しい前記ベース基板の表面に対する第３の高さを有することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記電極ブロック間領における突起部と、前記電極ブロック領域における凹部とを含み、
前記複数の電極ブロックの前記ベース基板上の正投影は、前記突起部の正投影と実質的に非オーバーラップすることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項４】
前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面と直接接触することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項５】
前記第１の高さは、前記第２の高さより約１μｍ乃至約３μｍだけ大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項６】
前記第１の高さは、前記第３の高さより約１μｍ乃至約３μｍだけ大きいことを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
【請求項７】
前記表示基板は、複数のサブピクセル領域を有し、
前記複数の電極ブロックの各々は、前記複数のサブピクセル領域のうち一つにあり、
前記電極ブロック間領域は、サブピクセル間領域であることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項８】
前記表示基板は、複数の発光ダイオードを含む発光ダイオード表示基板であり、
前記複数の電極ブロックは、前記複数の発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のアノードであり、
前記絶縁層は、平坦化層であることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項９】
前記平坦化層の前記ベース基板から遠い側におけるピクセル限定層を更に含むことを特徴とする請求項８に記載の表示基板。
【請求項１０】
前記ピクセル限定層の前記平坦化層から遠い側におけるスペーサー層を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の表示基板。
【請求項１１】
前記表示基板は、液晶表示基板であり、
前記複数の電極ブロックは、複数のサブピクセル領域において光放出を駆動するための複数のピクセル電極であり、
前記絶縁層は、パッシベーション層であることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１２】
前記表示基板は、液晶表示基板であり、
前記複数の電極ブロックは、複数の共通電極であることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１３】
前記電極ブロック間領域及び前記電極ブロック領域における前記絶縁層は、実質的に前記表示基板全体に亘って拡張される一体絶縁層であることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１４】
前記ベース基板の表面に対する前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面の第１の高さは、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第３の側面の第４の高さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１５】
前記電極ブロック間領域及び前記電極ブロック領域における前記絶縁層は、実質的に前記表示基板全体に亘って拡張される一体絶縁層であり、
前記ベース基板の表面に対する前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面の第１の高さは、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第３の側面の第４の高さよりも大きく、
前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも小さいかそれに実質的に等しい前記ベース基板の表面に対する第３の高さを有することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の表示基板を含む表示装置。
【請求項１７】
表示基板の製造方法であって、
ベース基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層を形成した後、前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側に複数の電極ブロックを含むように形成される電極層を形成するステップと
を含み、
前記表示基板は、前記複数の電極ブロックに対応する電極ブロック領域と、前記電極ブロック領域の外部の電極ブロック間領域とを有するように形成され、
前記絶縁層は、前記ベース基板から遠い第１の側面と、前記第１の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第２の側面とを有するように形成され、
前記複数の電極ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い第３の側面と、前記第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面とを有するように形成され、
前記絶縁層及び前記電極層は、前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面が、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも大きい前記ベース基板の表面に対する第１の高さを有するように形成されることを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記絶縁層及び前記電極層は、前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面が、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも小さいかそれに実質的に等しい前記ベース基板の表面に対する第３の高さを有するように形成されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記絶縁層は、前記絶縁層の前記ベース基板上の正投影が、前記複数の電極ブロックの前記ベース基板上の正投影と実質的に非オーバーラップするように形成されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記絶縁層を形成するステップは、
前記ベース基板上に絶縁材料層を形成するステップと、
ハーフトーンマスク板又はグレートーンマスク板を用いて前記絶縁材料層をパターニングすることにより、前記絶縁層及び前記絶縁層を貫通する複数のビアを形成するステップと
を含み、
前記絶縁層は、前記電極ブロック間領域における第１の部分と、前記電極ブロック領域における第２の部分とを有するように形成されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記表示基板は、複数の発光ダイオードを含む発光ダイオード表示基板であり、
前記複数の電極ブロックは、前記複数の発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のアノードであり、
前記絶縁層は、平坦化層であり、
前記方法は、前記平坦化層の前記ベース基板から遠い側におけるピクセル限定層を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示技術に関し、特に、表示基板、表示基板を有する表示装置及び表示基板の製造方法に関する。
【０００２】
〔関連出願の相互参照〕
本出願は、２０１７年６月２日に中国特許庁に提出された中国特許出願２０１７１０４１７５９３.５の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる。
【背景技術】
【０００３】
液晶表示（ＬＣＤ）装置、有機発光ダイオード表示（ＯＬＥＤ）装置及び電気泳動表示（ＥＰＤ）装置のような表示装置が広く使われている。通常、表示装置は、ともに組み立てられたアレイ基板と、対向基板とを含む。通常、アレイ基板は、その表示区域における複数のサブピクセル区域を含み、前記複数のサブピクセル区域の各々は、イメージ表示用薄膜トランジスタにより制御される。
【発明の概要】
【０００４】
一つの側面において、本発明は、表示基板であって、ベース基板と、前記ベース基板上の絶縁層と、前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側にあり且つ複数の電極ブロックを含む電極層とを含み、前記表示基板は、前記複数の電極ブロックに対応する電極ブロック領域と、前記電極ブロック領域の外部の電極ブロック間領域とを有し、前記絶縁層は、前記ベース基板から遠い第１の側面と、前記第１の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第２の側面とを有し、前記複数の電極ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い第３の側面と、前記第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面とを有し、前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも大きい前記ベース基板の表面に対する第１の高さを有する表示基板を提供する。
【０００５】
選択可能に、前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも小さいかそれに実質的に等しい前記ベース基板の表面に対する第３の高さを有する。
【０００６】
選択可能に、前記絶縁層は、前記電極ブロック間領における突起部と、前記電極ブロック領域における凹部とを含み、前記複数の電極ブロックの前記ベース基板上の正投影は、前記突起部の正投影と実質的に非オーバーラップする。
【０００７】
選択可能に、前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面と直接接触する。
【０００８】
選択可能に、前記第１の高さは、前記第２の高さより約１μｍ乃至約３μｍだけ大きい。
【０００９】
選択可能に、前記第１の高さは、前記第３の高さより約１μｍ乃至約３μｍだけ大きい。
【００１０】
選択可能に、前記表示基板は、複数のサブピクセル領域を有し、前記複数の電極ブロックの各々は、前記複数のサブピクセル領域のうち一つにあり、前記電極ブロック間領域は、サブピクセル間領域である。
【００１１】
選択可能に、前記表示基板は、複数の発光ダイオードを含む発光ダイオード表示基板であり、前記複数の電極ブロックは、前記複数の発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のアノードであり、前記絶縁層は、平坦化層である。
【００１２】
選択可能に、前記表示基板は、前記平坦化層の前記ベース基板から遠い側におけるピクセル限定層を更に含む。
【００１３】
選択可能に、前記表示基板は、前記ピクセル限定層の前記平坦化層から遠い側におけるスペーサー層を更に含む。
【００１４】
選択可能に、前記表示基板は、液晶表示基板であり、前記複数の電極ブロックは、複数のサブピクセル領域において光放出を駆動するための複数のピクセル電極であり、前記絶縁層は、パッシベーション層である。
【００１５】
選択可能に、前記表示基板は、液晶表示基板であり、前記複数の電極ブロックは、複数の共通電極である。
【００１６】
選択可能に、前記電極ブロック間領域及び前記電極ブロック領域における前記絶縁層は、実質的に前記表示基板全体に亘って拡張される一体絶縁層である。
【００１７】
選択可能に、前記ベース基板の表面に対する前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面の第１の高さは、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第３の側面の第４の高さよりも大きい。
【００１８】
選択可能に、前記電極ブロック間領域及び前記電極ブロック領域における前記絶縁層は、実質的に前記表示基板全体に亘って拡張される一体絶縁層であり、前記ベース基板の表面に対する前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面の第１の高さは、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第３の側面の第４の高さよりも大きく、前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも小さいかそれに実質的に等しい前記ベース基板の表面に対する第３の高さを有する。
【００１９】
他の一側面において、本発明は、ここに記述される表示基板又はここに記述される方法により製造される表示基板を含む表示装置を提供する。
【００２０】
他の一側面において、本発明は、表示基板の製造方法であって、ベース基板上に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層を形成した後、前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側に複数の電極ブロックを含むように形成される電極層を形成するステップとを含み、前記表示基板は、前記複数の電極ブロックに対応する電極ブロック領域と、前記電極ブロック領域の外部の電極ブロック間領域とを有するように形成され、前記絶縁層は、前記ベース基板から遠い第１の側面と、前記第１の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第２の側面とを有するように形成され、前記複数の電極ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い第３の側面と、前記第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面とを有するように形成され、前記絶縁層及び前記電極層は、前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面が、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも大きい前記ベース基板の表面に対する第１の高さを有するように形成される方法を提供する。
【００２１】
選択可能に、前記絶縁層及び前記電極層は、前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面が、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも小さいかそれに実質的に等しい前記ベース基板の表面に対する第３の高さを有するように形成される。
【００２２】
選択可能に、前記絶縁層は、前記絶縁層の前記ベース基板上の正投影が、前記複数の電極ブロックの前記ベース基板上の正投影と実質的に非オーバーラップするように形成される。
【００２３】
選択可能に、前記絶縁層を形成するステップは、前記ベース基板上に絶縁材料層を形成するステップと、ハーフトーンマスク板又はグレートーンマスク板を用いて前記絶縁材料層をパターニングすることにより、前記絶縁層及び前記絶縁層を貫通する複数のビアを形成するステップとを含み、前記絶縁層は、前記電極ブロック間領域における第１の部分と、前記電極ブロック領域における第２の部分とを有するように形成される。
【００２４】
選択可能に、前記表示基板は、複数の発光ダイオードを含む発光ダイオード表示基板であり、前記複数の電極ブロックは、前記複数の発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のアノードであり、前記絶縁層は、平坦化層であり、前記方法は、前記平坦化層の前記ベース基板から遠い側におけるピクセル限定層を形成するステップを更に含む。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
以下の図面は、ただ開示された様々な実施例による説明の目的で使用された例であり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
【００２６】
【図１】エッチングされた区域に残るアノード材料の残留物を有する従来の表示基板を示す。
【００２７】
【図２】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。
【００２８】
【図３】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。
【００２９】
【図４】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。
【００３０】
【図５】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。
【００３１】
【図６】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。
【００３２】
【図７】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。
【００３３】
【図８】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。
【００３４】
【図９】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するためのマスク板の構造を示す模式図である。
【００３５】
【図１０】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。
【００３６】
【図１１】本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
次に、以下の実施例を参照しながら本開示をより詳しく説明する。説明すべきことは、幾つかの実施例に対する以下の説明は、ただ解釈及び説明の目的でここに記載される。これは、網羅的であること又は開示された正確な形式に限ることを意図するものではない。
【００３８】
従来の表示基板では、導電性材料層のアンダー・エッチングにより欠陥が頻繁に発生する。特に、ウェットエッチャントを用いて、狭い又は小さい区域で囲まれた導電性材料層の一部をエッチングする時、該狭い又は小さい区域へのエッチャント溶液の浸透がしばしば不十分であり、その結果、エッチング工程の後、導電性材料の残留物が残る。図１は、エッチングされた区域に残るアノード材料の残留物を有する従来の表示基板を示す。図１を参照すると、実質的に均一な厚さを有する平坦化層２がベース基板１に形成され、アノード材料層３’（例えば、酸化インジウムスズ／銀／酸化インジウムスズ材料層）が平坦化層２に形成され、フォトレジスト層４がアノード材料層３’に形成される。フォトレジスト層４は、アノード材料層３’の特定区域を露出するパターンを有する。そして、アノード材料層３’の露出された区域は、エッチングされてアノード層３を形成する。エッチャント溶液の不十分な浸透及び前述したアノード材料のアンダー・エッチングにより、エッチング工程の後、前記表示基板に残るアノード材料の残留物は、前記表示基板における欠陥を引き起こす。
【００３９】
従って、本開示は、とりわけ、関連技術の限界及び弱点による１つ又はその以上の問題点を実質的に予防する表示基板、表示基板を有する表示装置及び表示基板の製造方法を提供する。一つの側面において、本開示は、表示基板を提供する。幾つかの実施例において、前記表示基板は、ベース基板と、前記ベース基板上の絶縁層と、前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側にあり且つ複数の電極ブロックを含む電極層とを含む。前記表示基板は、前記複数の電極ブロックに対応する電極ブロック領域と、前記電極ブロック領域の外部の電極ブロック間領域とを有する。前記絶縁層は、前記ベース基板から遠い第１の側面と、前記第１の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第２の側面とを有する。前記複数の電極ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い第３の側面と、前記第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面とを有する。選択可能に、前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも大きい前記ベース基板の表面に対する第１の高さを有する。選択可能に、前記絶縁層は、前記電極層に直接隣接する層である。選択可能に、前記表示基板は、前記電極層と前記絶縁層の間の付加層を含む。
【００４０】
図２は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図２を参照すると、幾つかの実施例における前記表示基板は、ベース基板１と、前記ベース基板上の絶縁層２と、絶縁層２のベース基板１から遠い側における電極層３とを含む。電極層３は、複数の電極ブロック３３を含む。前記表示基板は、複数の電極ブロック３３に対応する電極ブロック領域３２と、電極ブロック領域３２の外部の電極ブロック間領域３１とを有する。幾つかの実施例において、絶縁層２は、例えば、一部の領域において（例えば、電極ブロック間領域３１において）より厚く、他の一部の領域において（例えば、電極ブロック領域３２において）より薄い不均一な厚さを有する。絶縁層２は、ベース基板１から遠い第１の側面Ｓ１と、第１の側面Ｓ１に対向し且つベース基板１から近い第２の側面Ｓ２とを有する。複数の電極ブロック３３の各々は、ベース基板１から遠い第３の側面Ｓ３と、第３の側面Ｓ３に対向し且つベース基板１から近い第４の側面Ｓ４とを有する。図２に示すように、電極ブロック間領域３１において、絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも大きいベース基板１の表面に対する第１の高さＬ１を有する。電極ブロック領域３２において、絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも小さいかそれに実質的に等しいベース基板１の表面に対する第３の高さＬ３を有する。選択可能に、電極ブロック領域３２における絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４と直接接触し、例えば、電極ブロック領域３２における絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、任意の中間構造で複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４に接続される。
【００４１】
図２を参照すると、絶縁層２は、電極ブロック間領域３１における突起部Ｐと、電極ブロック領域３２における凹部Ｒとを含む。選択可能に、複数の電極ブロック３３のベース基板１上の正投影は、突起部Ｐのベース基板１上の正投影と実質的に非オーバーラップする。選択可能に、複数の電極ブロック３３のベース基板１上の正投影は、凹部Ｒのベース基板１上の正投影と実質的にオーバーラップする。選択可能に、凹部Ｒのベース基板１上の正投影は、複数の電極ブロック３３のベース基板１上の正投影を実質的に覆う。選択可能に、複数の電極ブロック３３は、実質的に凹部Ｒに限られ、前記表示基板は、前記突起部Ｐ上で複数の電極ブロック３３が実質的にない。
【００４２】
選択可能に、第１の高さＬ１は、第２の高さＬ２より約１μｍ乃至約３μｍ、例えば、約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、約２．０μｍ乃至約２．５μｍ、及び約２．５μｍ乃至約３．０μｍだけ大きい。
【００４３】
選択可能に、第１の高さＬ１は、第３の高さＬ３より約１μｍ乃至約３μｍ、例えば、約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、約２．０μｍ乃至約２．５μｍ、及び約２．５μｍ乃至約３．０μｍだけ大きい。
【００４４】
選択可能に、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４よりも大きい。選択可能に、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４よりも小さい。選択可能に、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４に実質的に等しい。選択可能に、複数の電極ブロック３３の各々は、約０．１μｍ乃至約５μｍの範囲にある厚さを有する。
【００４５】
図３は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図３に示すように、幾つかの実施例における絶縁層２は、電極ブロック間領域３１に限られる。図３を参照すると、幾つかの実施例における前記表示基板は、ベース基板１と、前記ベース基板上の絶縁層２と、絶縁層２のベース基板１から遠い側における電極層３とを含む。絶縁層２は、電極ブロック間領域３１に限られ、且つベース基板１から遠い第１の側面Ｓ１と、第１の側面Ｓ１に対向し且つベース基板１から近い第２の側面Ｓ２とを有する。図３に示すように、絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも大きいベース基板１の表面に対する第１の高さＬ１を有する。選択可能に、第１の高さＬ１は、第２の高さＬ２より約１μｍ乃至約３μｍ、例えば、約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、約２．０μｍ乃至約２．５μｍ、及び約２．５μｍ乃至約３．０μｍだけ大きい。
【００４６】
選択可能に、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４よりも大きい。選択可能に、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４よりも小さい。選択可能に、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４に実質的に等しい。選択可能に、複数の電極ブロック３３の各々は、約０．１μｍ乃至約５μｍの範囲にある厚さを有する。
【００４７】
選択可能に、（電極ブロック間領域３１又は電極ブロック領域３２のいずれかにおける）絶縁層２は、実質的に透明な絶縁層である。
【００４８】
幾つかの実施例において、図２に示すように、電極ブロック間領域３１及び電極ブロック領域３２における絶縁層２は、実質的に前記表示基板全体に亘って拡張される一体絶縁層である。選択可能に、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における一体絶縁層の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４よりも大きく、電極ブロック領域３２における一体絶縁層の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも小さいかそれに実質的に等しいベース基板１の表面に対する第３の高さＬ３を有する。
【００４９】
図４は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図４を参照すると、幾つかの実施例における前記表示基板は、前記ベース基板上の第２の絶縁層８と、第２の絶縁層８のベース基板１から遠い側における絶縁層２とを含む。選択可能に、絶縁層２は、実質的に均一な厚さを有する層であり、絶縁層２は、電極層３に直接接触する層であるが、例えば、絶縁層２と、電極層３とは、いかなる中間接続構造なしに相互に接続される。選択可能に、第２の絶縁層８は、例えば、一部の領域において（例えば、電極ブロック間領域３１において）より厚く、他の一部の領域において（例えば、電極ブロック領域３２において）より薄い不均一な厚さを有する層である。選択可能に、電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも大きいベース基板１の表面に対する第１の高さＬ１を有する。選択可能に、電極ブロック領域３２における絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも小さいかそれに実質的に等しいベース基板１の表面に対する第３の高さＬ３を有する。選択可能に、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４よりも大きい。選択可能に、絶縁層２は、パッシベーション層であり、第２の絶縁層８は、ゲート絶縁層である。選択可能に、第１の高さＬ１は、第２の高さＬ２より約１μｍ乃至約３μｍ、例えば、約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、約２．０μｍ乃至約２．５μｍ、及び約２．５μｍ乃至約３．０μｍだけ大きい。
【００５０】
図５は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図５を参照すると、幾つかの実施例における前記表示基板は、前記ベース基板上の中間層８’と、中間層８’のベース基板１から遠い側における絶縁層２とを含む。選択可能に、絶縁層２は、電極層３に直接接触する層であるが、例えば、絶縁層２と、電極層３とは、いかなる中間接続構造なしに相互に接続される。選択可能に、絶縁層２は、例えば、一部の領域において（例えば、電極ブロック間領域３１において）より厚く、他の一部の領域において（例えば、電極ブロック領域３２において）より薄い不均一な厚さを有する層であり、中間層８’も、一部の領域において（例えば、電極ブロック間領域３１において）より厚く、他の一部の領域において（例えば、電極ブロック領域３２において）より薄い不均一な厚さを有する層である。選択可能に、電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも大きいベース基板１の表面に対する第１の高さＬ１を有する。選択可能に、電極ブロック領域３２における絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも小さいかそれに実質的に等しいベース基板１の表面に対する第３の高さＬ３を有する。選択可能に、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４よりも大きい。選択可能に、第１の高さＬ１は、第２の高さＬ２より約１μｍ乃至約３μｍ、例えば、約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、約２．０μｍ乃至約２．５μｍ、及び約２．５μｍ乃至約３．０μｍだけ大きい。選択可能に、絶縁層２は、パッシベーション層であり、中間層８は、ゲート絶縁層である。
【００５１】
図６は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図６を参照すると、幾つかの実施例における前記表示基板は、前記ベース基板上の中間層８’と、中間層８’のベース基板１から遠い側における絶縁層２とを含む。選択可能に、絶縁層２は、実質的に均一な厚さを有する層であり、絶縁層２は、電極層３に直接接触する層であるが、例えば、絶縁層２と、電極層３とは、いかなる中間接続構造なしに相互に接続される。選択可能に、中間層８’は、電極ブロック間領域３１に限られる。電極ブロック間領域３１における中間層８’を有ることによって、選択可能に、電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも大きいベース基板１の表面に対する第１の高さＬ１を有する。選択可能に、電極ブロック領域３２における絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも小さいかそれに実質的に等しいベース基板１の表面に対する第３の高さＬ３を有する。選択可能に、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４よりも大きい。選択可能に、第１の高さＬ１は、第２の高さＬ２より約１μｍ乃至約３μｍ、例えば、約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、約２．０μｍ乃至約２．５μｍ、及び約２．５μｍ乃至約３．０μｍだけ大きい。選択可能に、絶縁層２は、パッシベーション層であり、中間層８は、ゲート絶縁層である。
【００５２】
図６における中間層８’は、任意の適切な中間層であって可能である。選択可能に、中間層８’は、絶縁層である。選択可能に、中間層８’は、半導体層である。選択可能に、中間層８’は、電極層のような導電性層である。
【００５３】
幾つかの実施例において、中間層８’は、電極層のような導電性層である。一例において、前記表示基板は、液晶表示基板であり、複数の電極ブロック３３は、前記複数のサブピクセル区域において光放出を駆動するための複数のピクセル電極であり、絶縁層２は、パッシベーション層である。中間層８’は、前記表示基板のドレイン電極である。他の一例において、図６を参照すると、液晶表示基板は、アドバンスドスーパーディメンションスイッチ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｓｗｉｔｃｈ）型の表示基板であり、ここで、前記ピクセル電極は、複数のスリットにより離隔される複数のブランチを含む。電極ブロック領域３２は、前記複数のブランチに対応し、電極ブロック間領域３１は、前記複数のスリットに対応する。前記表示基板の前記ドレイン電極は、電極ブロック間領域３１内に拡張されるように作られることが可能である。電極ブロック間領域３１内に拡張される前記ドレイン電極を有することにより、絶縁層２は、電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１が、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３（前記ピクセル電極の複数のブランチ）のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも大きいベース基板１の表面に対する第１の高さＬ１を有するように形成される。前記ピクセル電極は、前記表示基板上に導電性材料層を堆積することにより形成される。前記ピクセル電極を形成するために、前記導電性材料層の一部（例えば、電極ブロック間領域３１に対応する前記ピクセル電極の複数のスリットに対応する部分）をエッチングする時、エッチャント溶液は、該領域全体に亘って容易に浸透でき、エッチング工程の後に残る導電性材料の残留物の問題を回避する。
【００５４】
幾つかの実施例において、図２乃至６を参照すると、前記表示基板は、複数のサブピクセル領域Ａにおける複数のサブピクセル区域と、サブピクセル間領域Ｂとを含む。例えば、前記複数の電極ブロックの各々は、複数のサブピクセル領域Ａのうち一つにある。前記電極ブロック領域は、サブピクセル領域Ａであり、前記電極ブロック間領域は、サブピクセル間領域Ｂである。ここで使われるサブピクセル領域とは、液晶ディスプレイにおけるピクセル電極に対応する領域及び有機発光ダイオード表示パネルにおける発光層に対応する領域のようなサブピクセル又はサブピクセル区域の発光領域を指す。選択可能に、ピクセル又はピクセル区域は、前記ピクセルにおける多数のサブピクセル又は前記ピクセル区域における多数のサブピクセル区域に対応する多数の個別発光領域を含むことができる。選択可能に、前記サブピクセル領域は、赤色サブピクセル又は赤色サブピクセル区域の発光領域である。選択可能に、前記サブピクセル領域は、緑色サブピクセル又は緑色サブピクセル区域の発光領域である。選択可能に、前記サブピクセル領域は、青色サブピクセル又は青色サブピクセル区域の発光領域である。選択可能に、前記サブピクセル領域は、白色サブピクセル又は白色サブピクセル区域の発光領域である。ここで使われるサブピクセル間領域とは、液晶ディスプレイにおけるブラックマトリクスに対応する領域及び有機発光ダイオード表示パネルにおけるピクセル限定層に対応する領域のような隣接するサブピクセル領域間の領域を指す。選択可能に、前記サブピクセル間領域は、同一のピクセル又はピクセル区域における隣接するサブピクセル領域間の領域である。選択可能に、前記サブピクセル間領域は、隣接する２つのピクセル又はピクセル区域からの隣接する２つのサブピクセル領域間の領域である。選択可能に、前記サブピクセル間領域は、赤色サブピクセルのサブピクセル領域と隣接する緑色サブピクセルのサブピクセル領域の間の領域である。選択可能に、前記サブピクセル間領域は、赤色サブピクセルのサブピクセル領域と隣接する青色サブピクセルのサブピクセル領域の間の領域である。選択可能に、前記サブピクセル間領域は、緑色サブピクセルのサブピクセル領域と隣接する青色サブピクセルのサブピクセル領域の間の領域である。
【００５５】
電極層３は、表示基板における任意の適切な電極構造であって可能である。幾つかの実施例において、前記表示基板は、複数の発光ダイオード（例えば、複数の有機発光ダイオード）を有する発光ダイオード表示基板（例えば、有機発光ダイオード表示基板）である。前記複数の有機発光ダイオードの各々は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間の有機発光層とを含む。選択可能に、前記第１の電極は、アノードであり、前記第２の電極は、カソードである。選択可能に、前記第１の電極は、カソードであり、前記第２の電極は、アノードである。選択可能に、複数の電極ブロック３３は、前記複数の有機発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のアノードである。選択可能に、複数の電極ブロック３３は、前記複数の有機発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のカソードである。選択可能に、絶縁層２は、電極層３のベース基板１から近い側における平坦化層である。
【００５６】
図７は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図７を参照すると、幾つかの実施例における前記表示基板は、発光ダイオード表示基板（例えば、有機発光ダイオード表示基板）であり、複数の電極ブロック３３は、前記複数の発光ダイオード（例えば、複数の有機発光ダイオード）において光放出を駆動するための複数のアノードである。図７に示すように、複数の電極ブロック３３の各々は、絶縁層２を貫通するビアを介して薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｄに電気的に接続される。幾つかの実施例において、前記表示基板は、前記平坦化層（例えば、図７における絶縁層２）のベース基板１から遠い側におけるピクセル限定層６を更に含む。選択可能に、前記表示基板は、ピクセル限定層６の前記平坦化層（例えば、図７における絶縁層２）から遠い側におけるスペーサー層７を更に含む。ピクセル限定層６及びスペーサー層７は、サブピクセル間領域Ｂ（例えば、図７における電極ブロック間領域３１）にある。
【００５７】
幾つかの実施例において、前記表示基板は、液晶表示基板である。選択可能に、複数の電極ブロック３３は、複数のサブピクセル区域において光放出を駆動するための複数のピクセル電極である。選択可能に、絶縁層２は、パッシベーション層である。選択可能に、複数の電極ブロック３３（前記複数のピクセル電極）の各々は、絶縁層２（前記パッシベーション層）を貫通するビアを介して薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｄに電気的に接続される。幾つかの実施例において、前記表示基板は、前記パッシベーション層のベース基板１から遠い側におけるスペーサー層７を更に含む。
【００５８】
幾つかの実施例において、前記表示基板は、液晶表示基板である。選択可能に、複数の電極ブロック３３は、共通電圧が提供されるように構成される複数の共通電極である。選択可能に、複数の電極ブロック３３（前記複数のピクセル電極）の各々は、絶縁層２（前記パッシベーション層）を貫通するビアを介して共通電極信号ラインに電気的に接続される。選択可能に、前記表示基板は、アドバンスドスーパーディメンションスイッチ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｓｗｉｔｃｈ）型の表示パネルにおける表示基板である。選択可能に、前記共通電極信号ラインは、前記ゲートライン及び前記ゲート電極と同一の層にある。選択可能に、絶縁層２は、パッシベーション層である。選択可能に、絶縁層２は、ゲート絶縁層である。
【００５９】
幾つかの実施例において、複数の電極ブロック３３は、複数のゲート電極である。選択可能に、前記複数のゲート電極は、複数のトップゲート型の薄膜トランジスタにおける複数のゲート電極であり、絶縁層２は、前記表示基板におけるバッファ層である。選択可能に、前記複数のゲート電極は、複数のボトムゲート型の薄膜トランジスタにおける複数のゲート電極であり、絶縁層２は、前記表示基板におけるパッシベーション層である。
【００６０】
幾つかの実施例において、複数の電極ブロック３３は、複数のソース電極及び複数のドレイン電極である。選択可能に、絶縁層２は、前記表示基板におけるゲート絶縁層である。
【００６１】
選択可能に、前記表示基板は、アレイ基板である。選択可能に、前記表示基板は、カラーフィルタ基板又は封止基板のような対向基板である。
【００６２】
他の一側面において、本開示は、表示基板の製造方法を提供する。幾つかの実施例において、前記方法は、ベース基板上に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層を形成した後、前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側に複数の電極ブロックを含むように形成される電極層を形成するステップとを含む。選択可能に、前記表示基板は、前記複数の電極ブロックに対応する電極ブロック領域と、前記電極ブロック領域の外部の電極ブロック間領域とを有するように形成される。前記絶縁層は、前記ベース基板から遠い第１の側面と、前記第１の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第２の側面とを有するように形成される。前記複数の電極ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い第３の側面と、前記第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面とを有するように形成される。選択可能に、前記絶縁層及び前記電極層は、前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面が、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも大きい前記ベース基板の表面に対する第１の高さを有するように形成される。選択可能に、前記絶縁層は、前記電極層に直接隣接して形成される層である。選択可能に、前記方法は、前記電極層と前記絶縁層の間の付加層を形成するステップを更に含む。選択可能に、前記絶縁層及び前記電極層は、前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面が、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも小さいかそれに実質的に等しい前記ベース基板の表面に対する第３の高さを有するように形成される。選択可能に、前記絶縁層及び前記電極層は、前記ベース基板の表面に対する前記電極ブロック間領域における前記絶縁層の第１の側面の第１の高さが、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第３の側面の第４の高さよりも大きいように形成される。選択可能に、前記電極ブロック間領域及び前記電極ブロック領域における前記絶縁層は、実質的に前記表示基板全体に亘って拡張される一体絶縁層として形成される。選択可能に、前記絶縁層は、前記絶縁層の前記ベース基板上の正投影が、前記複数の電極ブロックの前記ベース基板上の正投影と実質的に非オーバーラップするように形成される。選択可能に、前記絶縁層及び前記電極層は、前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面が、前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面と直接接触するように形成される。選択可能に、前記第１の高さは、前記第２の高さより約１μｍ乃至約３μｍだけ大きい。選択可能に、前記第１の高さは、前記第３の高さより約１μｍ乃至約３μｍだけ大きい。
【００６３】
図８は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。図８を参照すると、幾つかの実施例における前記絶縁層を形成するステップは、ベース基板１に絶縁材料層２０を形成するステップと、ハーフトーン又はグレートーンマスク板５を用いて絶縁材料層２０をパターニングすることにより、絶縁層２を形成するステップとを含む。選択可能に、絶縁層２は、電極ブロック間領域３１おける第１の部分及び電極ブロック領域３２における第２の部分を有するように形成される。選択可能に、絶縁材料層２０をパターニングするステップは、前記絶縁層を貫通する複数のビアＶを更に形成する。選択可能に、絶縁層２は、前記表示基板において後続して形成される電極層に直接接触する層であるが、例えば、絶縁層２と、前記後続して形成される電極層とは、いかなる中間接続構造なしに相互に接続される。選択可能に、前記表示基板は、絶縁層２と、前記後続して形成される電極層の間の付加層を更に含む。
【００６４】
図９は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板を製造するためのマスク板の構造を示す模式図である。図８及び図９を参照すると、幾つかの実施例におけるマスク板は、透過部５１と、半遮光部５２と、遮光部５３とを含む。ポジティブ・フォトレジストが用いられる時（例えば、図８及び図９に示すように）、前記透過部は、複数のビアＶに対応し、前記半遮光部は、電極ブロック領域３２に対応し、前記遮光部は、電極ブロック間領域３１に対応する。ネガティブ・フォトレジストが用いられる時、前記遮光部は、複数のビアＶに対応し、前記半遮光部は、電極ブロック領域３２に対応し、前記透過部は、電極ブロック間領域３１に対応する。
【００６５】
幾つかの実施例において、前記方法は、ベース基板１上に絶縁材料を堆積して、絶縁材料層２０を形成するステップと、絶縁材料層２０のベース基板１から遠い側にフォトレジスト層を形成するステップと、ハーフトーンマスク板又はグレートーンマスク板で前記フォトレジスト層を露光し、露光されたフォトレジスト層を現像して、複数のビアＶに対応する完全に露光される第１の部と、電極ブロック領域３２に対応する部分的に露光される第２の部と、電極ブロック間領域３１に対応する実質的に露光されない第３の部とを有するフォトレジストパターンを得、フォトレジスト材料は、前記第１の部で除去されるステップと、前記第１の部における半導体材料層及び非晶質炭素材料層を除去することにより、前記複数のビアを形成するステップと、前記第３の部におけるフォトレジストを保持しつつ、前記第２の部におけるフォトレジスト層を除去することにより、絶縁層２を形成するステップとを含む。選択可能に、前記第２の部におけるフォトレジスト層は、アッシングにより除去される。
【００６６】
幾つかの実施例において、前記表示基板は、複数のサブピクセル領域Ａにおける複数のサブピクセル区域を含むように形成される。例えば、前記複数の電極ブロックの各々は、複数のサブピクセル領域Ａのいずれか一つに形成される。電極ブロック領域３２は、サブピクセル領域Ａであり、電極ブロック間領域３１は、サブピクセル間領域Ｂである。
【００６７】
幾つかの実施例において、形成されるべき前記表示基板は、複数の発光ダイオード（例えば、複数の有機発光ダイオード）を有する発光ダイオード表示基板（例えば、有機発光ダイオード表示基板）である。前記複数の有機発光ダイオードの各々は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間の有機発光層とを含むように形成される。選択可能に、前記第１の電極は、アノードであり、前記第２の電極は、カソードである。選択可能に、前記第１の電極は、カソードであり、前記第２の電極は、アノードである。選択可能に、前記複数の電極ブロックは、前記複数の有機発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のアノードである。選択可能に、前記複数の電極ブロックは、前記複数の有機発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のカソードである。選択可能に、絶縁層２は、前記電極層のベース基板１から近い側における平坦化層である。
【００６８】
図１０は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。図１０を参照すると、幾つかの実施例における前記表示基板は、発光ダイオード表示基板（例えば、有機発光ダイオード表示基板）であり、複数の電極ブロック３３は、前記複数の発光ダイオード（例えば、複数の有機発光ダイオード）において光放出を駆動するための複数のアノードである。図１０に示すように、前記方法は、ベース基板１上に（例えば、ハーフトーンマスク板または、グレートーンマスク板を用いて）絶縁層２を形成するステップと、絶縁層２の一側に電極材料層３’を形成するステップと、電極材料層３’の絶縁層２から遠い側にフォトレジスト層４を形成するステップと、フォトレジスト層４により露出された電極材料層３’の一部をエッチングして、複数の電極ブロック３３を形成するステップと、絶縁層２のベース基板１から遠い側にピクセル限定層６を形成するステップと、ピクセル限定層６のベース基板１から遠い側にスペーサー層７を形成するステップとを含む。前記表示基板は、複数の電極ブロック３３に対応する電極ブロック領域３２と、電極ブロック領域３２の外部の電極ブロック間領域３１とを有するように形成される。絶縁層２は、例えば、一部の領域において（例えば、電極ブロック間領域３１において）より厚く、他の一部の領域において（例えば、電極ブロック領域３２において）より薄い不均一な厚さを有するように形成される。絶縁層２は、ベース基板１から遠い第１の側面Ｓ１と、第１の側面Ｓ１に対向し且つベース基板１から近い第２の側面Ｓ２とを有するように形成される。複数の電極ブロック３３の各々は、ベース基板１から遠い第３の側面Ｓ３と、第３の側面Ｓ３に対向し且つベース基板１から近い第４の側面Ｓ４とを有するように形成される。図１０に示すように、電極ブロック間領域３１において、絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも大きいベース基板１の表面に対する第１の高さＬ１を有する。電極ブロック領域３２において、絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも小さいかそれに実質的に等しいベース基板１の表面に対する第３の高さＬ３を有する。選択可能に、絶縁層２及び電極層３は、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１が、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４よりも大きいように形成される。選択可能に、第１の高さＬ１は、第２の高さＬ２より約１μｍ乃至約３μｍ、例えば、約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、約２．０μｍ乃至約２．５μｍ、及び約２．５μｍ乃至約３．０μｍだけ大きい。選択可能に、第１の高さＬ１は、第３の高さＬ３より約１μｍ乃至約３μｍ、例えば、約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、約２．０μｍ乃至約２．５μｍ、及び約２．５μｍ乃至約３．０μｍだけ大きい。選択可能に、絶縁層２及び電極層３は、電極ブロック領��３２における絶縁層２の第１の側面Ｓ１が、複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４と直接接触するように形成されるが、例えば、電極ブロック領域３２における絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、任意の中間構造で複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４に接続される。
【００６９】
選択可能に、ピクセル限定層６及びスペーサー層７は、サブピクセル間領域Ｂ（例えば、図７における電極ブロック間領域３１）に形成される。
【００７０】
選択可能に、図１０及び図７を参照すると、幾つかの実施例における前記方法は、複数のビアＶを形成するステップを更に含む。複数の電極ブロック３３の各々は、絶縁層２を貫通する複数のビアＶのうち一つを介して薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｄに電気的に接続されるように形成される。
【００７１】
幾つかの実施例において、前記表示基板は、液晶表示基板である。選択可能に、複数の電極ブロック３３は、複数のサブピクセル区域において光放出を駆動するための複数のピクセル電極でる。選択可能に、絶縁層２は、パッシベーション層である。選択可能に、複数の電極ブロック３３（前記複数のピクセル電極）の各々は、絶縁層２（前記パッシベーション層）を貫通する複数のビアＶのうち一つを介して薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｄに電気的に接続されるように形成される。幾つかの実施例において、前記方法は、前記パッシベーション層のベース基板１から遠い側にスペーサー層７を形成するステップを更に含む。
【００７２】
幾つかの実施例において、前記表示基板は、液晶表示基板である。選択可能に、複数の電極ブロック３３は、共通電圧が提供されるように構成される複数の共通電極である。選択可能に、複数の電極ブロック３３（前記複数のピクセル電極）の各々は、絶縁層２（前記パッシベーション層）を貫通するビアを介して共通電極信号ラインに電気的に接続されるように形成される。選択可能に、前記表示基板は、アドバンスドスーパーディメンションスイッチ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｓｗｉｔｃｈ）型の表示パネルにおける表示基板である。選択可能に、前記共通電極信号ラインは、前記ゲートライン及び前記ゲート電極と同一の層に形成される。選択可能に、絶縁層２は、パッシベーション層である。選択可能に、絶縁層２は、ゲート絶縁層である。
【００７３】
幾つかの実施例において、複数の電極ブロック３３は、複数のゲート電極である。選択可能に、前記複数のゲート電極は、複数のトップゲート型の薄膜トランジスタにおける複数のゲート電極であり、絶縁層２は、前記表示基板におけるバッファ層である。選択可能に、前記複数のゲート電極は、複数のボトムゲート型の薄膜トランジスタにおける複数のゲート電極であり、絶縁層２は、前記表示基板におけるパッシベーション層である。
【００７４】
幾つかの実施例において、複数の電極ブロック３３は、複数のソース電極及び複数のドレイン電極である。選択可能に、絶縁層２は、前記表示基板におけるゲート絶縁層である。
【００７５】
幾つかの実施例において、図６を参照すると、幾つかの実施例における前記方法は、前記絶縁材料層を形成するステップに先立って、前記表示基板に中間層８’を形成するステップを更に含む。中間層８’は、電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１が、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも大きいベース基板１の表面に対する第１の高さＬ１を有するように形成される。
【００７６】
一例において、図６を参照すると、前記方法は、ピクセル電極が複数のスリットにより離隔される複数のブランチを含むアドバンスドスーパーディメンションスイッチ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｓｗｉｔｃｈ）型の表示基板の製造方法である。電極ブロック領域３２は、前記複数のブランチに対応し、電極ブロック間領域３１は、前記複数のスリットに対応する。選択可能に、前記方法は、前記ベース基板上にドレイン電極（中間層８’）を形成するステップを含む。前記ドレイン電極は、電極ブロック間領域３１内に拡張されるように形成される。前記方法は、前記ドレイン電極のベース基板１から遠い側に絶縁層２を形成するステップと、絶縁層２のベース基板１から遠い側に電極層３を形成するステップとを更に含む。電極ブロック間領域３１における前記ドレイン電極の形成により（少なくとも部分的に）、絶縁層２は、電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１が、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３（前記ピクセル電極の複数のブランチ）のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも大きいベース基板１の表面に対する第１の高さＬ１を有するように形成される。前記ピクセル電極（例えば、電極層３）は、絶縁層２のベース基板１から遠い側に電極材料層を堆積することにより形成される。ピクセル電極を形成するために、前記導電性材料層の一部（例えば、電極ブロック間領域３１に対応する前記ピクセル電極の複数のスリットに対応する部分）をエッチングする時、エッチャント溶液は、該領域全体に亘って容易に浸透でき、エッチング工程の後に残る導電性材料の残留物の問題を回避する。
【００７７】
選択可能に、電極ブロック間領域３１における前記ドレイン電極は、実質的に透明な導電性材料、例えば、実質的に透明な金属材料で作られる。
【００７８】
図１１は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造過程を示す。図１１を参照すると、幾つかの実施例における前記方法は、ベース基板１上に絶縁材料層２０を形成するステップと、マスク板５を用いて絶縁材料層２０をパターニングして、絶縁層２を形成するステップと、絶縁層２のベース基板１から遠い側に複数の電極ブロックを含む電極層３を形成するステップとを含む。前記表示基板は、複数の電極ブロック３３に対応する電極ブロック領域３２と、電極ブロック領域３２の外部の電極ブロック間領域３１とを有するように形成される。絶縁層２は、電極ブロック間領域３１に限られるように形成される。絶縁層２は、ベース基板１から遠い第１の側面Ｓ１と、第１の側面Ｓ１に対向し且つベース基板１から近い第２の側面Ｓ２とを有するように形成される。複数の電極ブロック３３の各々は、ベース基板１から遠い第３の側面Ｓ３と、第３の側面Ｓ３に対向し且つベース基板１から近い第４の側面Ｓ４とを有するように形成される。図１１に示すように、電極ブロック間領域３１において、絶縁層２の第１の側面Ｓ１は、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第４の側面Ｓ４の第２の高さＬ２よりも大きいベース基板１の表面に対する第１の高さＬ１を有する。選択可能に、絶縁層２及び電極層３は、ベース基板１の表面に対する電極ブロック間領域３１における絶縁層２の第１の側面Ｓ１の第１の高さＬ１が、ベース基板１の表面に対する複数の電極ブロック３３のうち隣接する電極の第３の側面Ｓ３の第４の高さＬ４よりも大きいように形成される。選択可能に、第１の高さＬ１は、第２の高さＬ２より約１μｍ乃至約３μｍ、例えば、約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、約２．０μｍ乃至約２．５μｍ、及び約２．５μｍ乃至約３．０μｍだけ大きい。
【００７９】
一例において、電極層３は、複数のゲート電極を含む。選択可能に、前記複数のゲート電極は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおける複数のゲート電極であり、絶縁層２は、バッファ層である。選択可能に、前記複数のゲート電極は、トップゲート型の薄膜トランジスタにおける複数のゲート電極であり、絶縁層２は、パッシベーション層である。他の一例において、電極層３は、複数のソース電極と、複数のドレイン電極とを含み、絶縁層２は、ゲート絶縁層である。
【００８０】
他の一側面において、本開示は、ここに記載される表示基板又はここに記載される方法により製造される表示基板を有する表示装置を提供する。選択可能に、前記表示基板は、アレイ基板である。選択可能に、前記表示基板は、カラーフィルタ基板又は封止基板のような対向基板である。選択可能に、前記表示装置は、液晶表示装置である。選択可能に、前記表示装置は、有機発光ダイオード表示装置である。選択可能に、前記表示装置は、電気泳動表示装置である。適切な表示装置の例は、電子ペーパー、移動電話、タブレットＰＣ、テレビジョン、モニター、ノートＰＣ、デジタルアルバム、ＧＰＳ等を含むが、これらに限定されるものではない。
【００８１】
以上の本発明の実施例に対する説明は、ただ解釈及び説明の目的で提出されたものである。これは、網羅的であること、或いは本発明を開示された正確な形式又は開示された例示的な実施例に限定することを意図するものではない。従って、以上の説明は、限定的なものではなく、説明的なものと見なされるべきである。明らかに、当業者にとって、多様な修正及び変更が自明である。これらの実施例を選択及び記載して、本発明の原理及びその最適モードの実際応用を説明することによって、当業者が、本発明が特定用途又は考慮される実施形態に適用される様々な実施例及び様々な変形を理解できるようにする。本発明の範囲は、ここに添付される特許請求の範囲及びその等価物により限定され、その内、別段の表示がない限り、すべての用語は、その最も広い合理的な意味を意味することを意図する。従って、「発明」、「本発明」等の用語は、必ずしも特許請求の範囲を具体的な実施例に限定するものではなく、本発明の例示的な実施例に対する参考は、本発明に対する限定を意味するものではなく、且つこのような限定を推論できない。本発明は、添付された請求項の範囲の精神及び範囲のみにより限定される。なお、これらの請求項は、名詞又は要素が前に付く「第１」、「第２」等の用語の使用が関連される可能性がある。このような用語は、命名法として理解されるべきであり、既に具体的な数量が与えられていない限り、このような命名法により修飾される要素の数量に対する限定として解釈されないべきである。記載されたいかなる効果及び利点が本発明のすべての実施例に適用されない可能性がある。理解すべきことは、以下の請求項により限定される本発明の範囲を逸脱せずに、当業者は、記載された実施例に対する変形を行うことができる。なお、本開示におけるいかなる要素又は構成部品も、該要素又は構成部品が以下の請求項に明示的に記述されるか否かを問わず、公衆に貢献されないように意図される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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