Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月7日(2018.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電圧により振動する振動子と、
前記振動子と摩擦接触する摺動部材と、
前記振動子を前記摺動部材に対して加圧する加圧手段と、
前記振動子が固定される基台と、
前記基台を保持する保持部材と、
前記基台を前記保持部材に対して前記加圧手段の加圧方向に移動自在な状態にして前記基台と前記保持部材とを連結する連結手段と、
前記基台と前記保持部材に形成される、前記基台と前記保持部材の前記加圧方向の相対移動を規制する規制部とを備える
ことを特徴とする振動型アクチュエータ。
【請求項２】
前記連結手段は、前記基台と前記保持部材との間の組み込み空間に組み込まれた転動部材と弾性付勢部材とを有し、
前記転動部材は、前記基台を前記保持部材に対し前記加圧手段の加圧方向に移動自在とし、前記弾性付勢部材は、前記転動部材を前記振動子と前記摺動部材との相対的な移動方向に弾性付勢する
ことを特徴とする請求項１に記載の振動型アクチュエータ。
【請求項３】
前記組み込み空間は、前記保持部材が有する前記加圧手段の加圧方向に延設された延設部と前記基台との間に形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の振動型アクチュエータ。
【請求項４】
前記組み込み空間は、前記振動子の前記摺動部材に対して圧接される圧接部を挟んで、前記振動子と前記摺動部材との相対的な移動方向の前後２か所に形成されている
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の振動型アクチュエータ。
【請求項５】
前記弾性付勢部材は、前記転動部材を弾性付勢することで、前記保持部材と前記基台とを互いに反対方向に付勢する
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の振動型アクチュエータ。
【請求項６】
前記規制部は、
前記保持部材に設けられた、前記加圧方向に延出する腕部と、
前記腕部の先端に形成された爪部と、
前記基台に設けられた、前記爪部と係合する係合部とを有する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の振動型アクチュエータ。
【請求項７】
前記腕部は、前記基台を挟んで前記連結手段と反対側に形成される
ことを特徴とする請求項６に記載の振動型アクチュエータ。
【請求項８】
前記保持部材は、前記爪部と前記係合部とが係合した状態において前記転動部材の脱落を防止する脱落防止部を有する
ことを特徴とすることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の振動型アクチュエータ。
【請求項９】
前記爪部と前記係合部とは、前記振動型アクチュエータの使用状態においては当接しない
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の振動型アクチュエータ。
【請求項１０】
前記振動子は、印加される高周波電圧により超音波振動する
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の振動型アクチュエータとして機能する超音波モータ。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の振動型アクチュエータと、
前記振動型アクチュエータにより駆動される被駆動部材と、を備えることを特徴とする光学機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】振動型アクチュエータ、超音波モータ、および光学機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、振動型アクチュエータ、超音波モータ、および光学機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一実施形態の振動型アクチュエータは、駆動電圧により振動する振動子と、前記振動子と摩擦接触する摺動部材と、前記振動子を前記摺動部材に対して加圧する加圧手段と、前記振動子が固定される基台と、前記基台を保持する保持部材と、前記基台を前記保持部材に対して前記加圧手段の加圧方向に移動自在な状態にして前記基台と前記保持部材とを連結する連結手段と、前記基台と前記保持部材に形成される、前記基台と前記保持部材の前記加圧方向の相対移動を規制する規制部とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月25日(2018.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上にアルミニウムを含む材料で導電体パターンを形成する工程と、
前記導電体パターンの上に水素を含有する絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板、前記導電体パターンおよび前記絶縁膜を含む構造体に水素含有雰囲気中で第１熱処理を行う工程と、
前記第１熱処理の後に、前記絶縁膜の上に、水素の透過性が前記絶縁膜より低い保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の形成後に、前記半導体基板、前記導電体パターン、前記絶縁膜および前記保護膜を含む構造体に水素含有雰囲気中で第２熱処理を行う工程と、を含み、
前記第１熱処理の温度は、前記絶縁膜を形成する際の温度以上であり、前記保護膜を形成する際の温度以下である、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法で形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記保護膜は、プラズマＣＶＤ法で形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記保護膜は、窒化シリコン膜である、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１熱処理の後であって前記保護膜の形成前に、少なくとも１回の積層工程を含み、前記積層工程は、追加の導電体パターン、および、前記追加の導電体パターンを覆う追加の絶縁膜を形成する工程を含み、
前記積層工程を実施する度に水素含有雰囲気中で熱処理が実施され、
前記熱処理の温度は、前記絶縁膜および前記追加の絶縁膜を形成する際の温度以上であり、前記保護膜を形成する際の温度以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電体パターンを形成する工程は、アルミニウムを含む材料で膜を形成した後にハードマスクを形成し、前記ハードマスクを使って前記膜をパターニングする工程を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板の上には、前記導電体パターンを含む複数の導電体パターンが、複数の配線層を構成するように配置され、
前記複数の導電体パターンのうち前記半導体基板に最も近い導電体パターンの上面と前記保護膜の下面との距離が、４００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲内である、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記導電体パターンを形成する工程では、前記半導体基板としての、光電変換部を有する半導体基板の上に前記導電体パターンを形成する、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の１つの側面は、半導体装置の製造方法に係り、前記製造方法は、半導体基板の上にアルミニウムを含む材料で導電体パターンを形成する工程と、前記導電体パターンの上に水素を含有する絶縁膜を形成する工程と、前記半導体基板、前記導電体パターンおよび前記絶縁膜を含む構造体に水素含有雰囲気中で第１熱処理を行う工程と、前記第１熱処理の後に、前記絶縁膜の上に、水素の透過性が前記絶縁膜より低い保護膜を形成する工程と、前記保護膜の形成後に、前記半導体基板、前記導電体パターン、前記絶縁膜および前記保護膜を含む構造体に水素含有雰囲気中で第２熱処理を行う工程と、を含み、前記第１熱処理の温度は、前記絶縁膜を形成する際の温度以上であり、前記保護膜を形成する際の温度以下である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月5日(2018.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に複数の被処理物を収納可能なカセットが載せられる複数のカセット台がその前面
側に並べられて配置され内部の空間で前記被処理物が搬送される大気搬送容器と、前記大
気搬送容器の背面側に連結されて配置されたロック室と、前記ロック室の後方で連結され
て配置され各々の内部に前記被処理物をアーム上に載せて搬送するロボットが配置された
複数の真空搬送容器と、各々の真空搬送容器に連結され内部の減圧された処理室内に搬送
され配置された前記被処理物が当該処理室内に形成されたプラズマを用いて処理される複
数の処理容器と、複数の前記処理容器同士の間でこれらを連結して配置され内部に前記被処理物を収納する空間を備えた少なくとも１つの中間室とを備え、前記カセットから取り出され前記ロック室に搬送された未処理の前記被処理物が予め定められた少なくとも１つの前記真空搬送容器を通して前記処理容器の処理室に搬送されて前記処理が施された後当該処理室から搬出されて元の前記真空搬送容器を通して前記ロック室から元の前記カセットに戻される真空処理装置であって、
前記処理容器内の処理室において前記被処理物が処理後に当該処理室から搬出された後
に内部にプラズマが形成されてクリーニングが実施されるものであって、
複数の前記被処理物がこれらが収納された前記カセットから前記予め定められた処理容
器への搬入及び当該処理室から搬出され元の前記カセットに戻されるまでの搬送の動作を
制御する制御装置を備え、前記制御装置が、前記被処理物が前記処理室内に配置されない状態で実施される前記クリーニングの前に前記処理室内に架空の被処理物を搬入する際の前記ロボットの動作の時間を予め割り当てられたスケジュールに沿って前記ロボットの動作を調節して前記架空の被処理物の搬送を制御することを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、
前記制御装置が、複数の前記被処理物の各々について前記カセットから取り出される前
に当該カセットから前記処理容器に搬送されて処理された後に当該カセットに戻されるま
での搬送の動作の順序と時間とが割り当てられたスケジュールに沿って前記被処理物の搬
送を調節することを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空処理装置であって、
前記クリーニングが前記複数の被処理物各々の処理の後に実施されることを特徴とする
真空処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の真空処理装置であって、
１つの前記カセットは、前記クリーニングにおいて前記処理室内にクリーニング用被処
理物を配置する際のクリーニング用被処理物が収納されるものであることを特徴とする真
空処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の真空処理装置であって、
前記制御装置が、前記架空の被処理物を用いて実施される前記クリーニングの後に前記
処理室内から前記架空の被処理物を搬出する際の前記ロボットの動作の時間を予め割り当
てられたスケジュールに沿って前記ロボットの動作を調節して前記架空の被処理物の搬送
を制御することを特徴とする真空処理装置。
【請求項６】
内部に複数の被処理物を収納可能なカセットが載せられる複数のカセット台がその前面
側に並べられて配置され内部の空間で前記被処理物が搬送される大気搬送容器と、前記大
気搬送容器の背面側に連結されて配置されたロック室と、前記ロック室の後方で連結され
て配置され各々の内部に前記被処理物をアーム上に載せて搬送するロボットが配置された
複数の真空搬送容器と、各々の真空搬送容器に連結され内部の減圧された処理室内に搬送
され配置された前記被処理物が当該処理室内に形成されたプラズマを用いて処理される複
数の処理容器と、複数の前記処理容器同士の間でこれらを連結して配置され内部に前記被処理物を収納する空間を備えた少なくとも１つの中間室とを備えた真空処理装置の運転方法であって、
前記カセットから取り出され前記ロック室に搬送された未処理の前記被処理物が予め定
められた少なくとも１つの前記真空搬送容器を通して前記処理容器の処理室に搬送されて前記処理が施された後当該処理室から搬出されて元の前記真空搬送容器を通して前記ロック室から元の前記カセットに戻されるまでの前記被処理物の搬送の動作を制御して実施され、
前記処理容器内の処理室において前記被処理物が処理後に当該処理室から搬出された後
に内部にプラズマを形成してクリーニングするクリーニング工程が実施され、
前記被処理物が前記処理室内に配置されない状態で実施される前記クリーニング工程の前に前記処理室内に架空の被処理物を搬入する際の前記ロボットの動作の時間を予め割り当てられたスケジュールに沿って前記ロボットの動作が調節して前記架空の被処理物の搬送を制御することを特徴とする真空処理装置の運転方法。
【請求項７】
請求項６記載の真空処理装置の運転方法であって、
複数の前記被処理物の各々について前記カセットから取り出される前に当該カセットか
ら前記処理容器に搬送されて処理された後に当該カセットに戻されるまでの搬送の動作の
順序と時間とが割り当てられたスケジュールに沿って前記被処理物の搬送を調節すること
を特徴とする真空処理装置の運転方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の真空処理装置の運転方法であって、
前記クリーニング工程が前記複数の被処理物各々の処理の後に実施されることを特徴と
する真空処理装置の運転方法。
【請求項９】
請求項６乃至８の何れか一項に記載の真空処理装置の運転方法であって、
１つの前記カセットは、前記クリーニング工程において前記処理室内にクリーニング用
被処理物を配置する際のクリーニング用被処理物が収納されるものであることを特徴とす
る真空処理装置の運転方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９の何れか一項に記載の真空処理装置の運転方法であって、
前記架空の被処理物を用いて実施される前記クリーニング工程の後に前記処理室内から
前記架空の被処理物を搬出する際の前記ロボットの動作の時間を予め割り当てられたスケ
ジュールに沿って前記ロボットの動作を調節して前記前記架空の被処理物の搬送を制御す
ることを特徴とする真空処理装置の運転方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月29日(2017.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いて試料が処理されるプラズマ処理室と、
前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、
前記試料を静電吸着させるための電極を具備し前記試料が載置される試料台と、
前記電極に直流電圧を印加する直流電源と、
前記プラズマの放電中、予め設定された前記直流電圧を負の方向へ所定の値分シフトさせ、前記プラズマの放電終了後、前記負の方向へ所定の値分シフトされた前記予め設定された直流電圧を正の方向へ前記所定の値分シフトさせる制御装置とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記電極は、前記直流電源により第一の直流電圧が印加される第一の電極と、前記直流電源により前記第一の直流電圧と極性が異なる第二の直流電圧が印加される第二の電極と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマの放電中、前記予め設定された直流電圧を負の方向へシフトさせるシフト量は、前記プラズマの放電終了後、前記負の方向へ所定の値分シフトされた前記予め設定された直流電圧を正の方向へシフトさせた時の前記試料の電位を概ね０Ｖとする値であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマの放電中、前記予め設定された直流電圧を負の方向へシフトさせるシフト量は、前記プラズマによる浮遊電位に基づいて求められた値であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマの放電中、前記予め設定された直流電圧を負の方向へシフトさせるシフト量は、１５Ｖ以上であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記プラズマが生成される前，前記第一の電極と前記試料の間のインピーダンスと、前記第二の電極と前記試料の間のインピーダンスと、の差により発生した前記試料の電位が概ね０となるように前記第一の直流電圧と前記第二の直流電圧を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において，
前記プラズマの生成および前記プラズマの放電終了を検知する検知手段をさらに備え、
前記検知手段は、前記高周波電源の出力電圧をモニタするセンサー、前記プラズマの発光をモニタするセンサーまたは前記プラズマからのイオン電流をモニタするセンサーを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
プラズマを用いて試料が処理されるプラズマ処理室と、前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料を静電吸着させるための電極を具備し前記試料が載置される試料台と、前記電極に直流電圧を印加する直流電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
前記プラズマの放電中、予め設定された前記直流電圧を負の方向へ所定の値分シフトさせ、
前記プラズマの放電終了後、前記負の方向へ所定の値分シフトされた前記予め設定された直流電圧を正の方向へ前記所定の値分シフトさせることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマ処理方法において、
前記プラズマの放電中、前記予め設定された直流電圧を負の方向へシフトさせるシフト量は、前記プラズマの放電終了後、前記負の方向へ所定の値分シフトされた前記予め設定された直流電圧を正の方向へシフトさせた時の前記試料の電位を０Ｖとする値、または、前記プラズマによる浮遊電位に基づいて求められた値であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】
請求項８に記載のプラズマ処理方法において、
前記電極は、前記直流電源により第一の直流電圧が印加される第一の電極と、前記直流電源により前記第一の直流電圧と極性が異なる第二の直流電圧が印加される第二の電極と、を具備し，
前記プラズマが生成される前、前記第一の電極と前記試料の間のインピーダンスと、前記第二の電極と前記試料の間のインピーダンスと、の差により発生した前記試料の電位が概ね０となるように前記第一の直流電圧と前記第二の直流電圧を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、プラズマを用いて試料が処理されるプラズマ処理室と、前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料を静電吸着させるための電極を具備し前記試料が載置される試料台と、前記電極に直流電圧を印加する直流電源と、前記プラズマの放電中、予め設定された前記直流電圧を負の方向へ所定の値分シフトさせ、前記プラズマの放電終了後、前記負の方向へ所定の値分シフトされた前記予め設定された直流電圧を正の方向へ前記所定の値分シフトさせる制御装置とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、プラズマを用いて試料が処理されるプラズマ処理室と、前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料を静電吸着させるための電極を具備し前記試料が載置される試料台と、前記電極に直流電圧を印加する直流電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、前記プラズマの放電中、予め設定された前記直流電圧を負の方向へ所定の値分シフトさせ、前記プラズマの放電終了後、前記負の方向へ所定の値分シフトされた前記予め設定された直流電圧を正の方向へ前記所定の値分シフトさせることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月29日(2017.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いて試料がプラズマ処理される処理室と、前記プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、温度センサーおよびヒーターが内部に配置され前記試料が載置される試料台とを備えるプラズマ処理装置において、
前記温度センサーの値と前記ヒーターの出力値に基づいて前記プラズマ処理の開始の判定を行う制御装置をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記ヒーターの出力値が所定の範囲内の値である場合、前記プラズマ処理を開始させ、前記ヒーターの出力値が前記所定の範囲内の値で無い場合、前記処理室を昇温させる昇温処理を行った後、前記温度センサーの値と前記ヒーターの出力値に基づいて前記プラズマ処理の開始の判定を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記昇温処理は、プラズマ処理であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
温度センサーおよびヒーターが内部に配置された試料台に載置された試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記温度センサーの値と前記ヒーターの出力値に基づいて前記プラズマ処理の開始を判定することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ処理方法において、
前記ヒーターの出力値が所定の範囲内の値である場合、前記プラズマ処理を開始し、
前記ヒーターの出力値が前記所定の範囲内の値で無い場合、前記処理室を昇温させる昇温処理を行った後、前記温度センサーの値と前記ヒーターの出力値に基づいて前記プラズマ処理の開始を判定することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項４に記載のプラズマ処理方法において、
前記ヒーターの出力値が所定の範囲内の値である場合、前記プラズマ処理を開始し、
前記ヒーターの出力値が前記所定の範囲内の値で無い場合、所望のプラズマ処理結果となるようにフィードバック制御またはフィードフォワード制御により前記プラズマ処理条件のパラメータを補正し、前記パラメータを補正した後、前記パラメータが補正されたプラズマ処理条件によりプラズマ処理を開始することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月23日(2018.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープダイヤモンドであって、
前記不純物ドープダイヤモンドにおいて、二次イオン質量分析法で測定した不純物濃度は、１×１０１８ｃｍ−３〜１×１０２２ｃｍ−３であり、不純物を含まない単結晶ダイヤモンドの格子定数（３．５６７Å）を基準として、Ｘ線回折法で測定した格子歪みは、０．８％以下である、不純物ドープダイヤモンド。
【請求項２】
前記不純物ドープダイヤモンドにおいて、透過ＦＴ−ＩＲによって測定される有効アクセプタ密度と、前記不純物濃度との比によって算出されるホール活性化率（前記有効アクセプタ密度／前記不純物濃度）は、９５％以上である、請求項１に記載の不純物ドープダイヤモンド。
【請求項３】
フィラメントを構成する金属をさらに含む、請求項１または請求項２に記載の不純物ドープダイヤモンド。
【請求項４】
前記不純物が、ホウ素及びリンの少なくとも一方である、請求項１〜３のいずれかに記載の不純物ドープダイヤモンド。
【請求項５】
厚みが０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある、請求項１〜４のいずれかに記載の不純物ドープダイヤモンド。
【請求項６】
前記不純物ドープダイヤモンドの厚みの最大値と最小値との差が、当該最大値の１０％以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の不純物ドープダイヤモンド。
【請求項７】
温度２５℃における抵抗値が、０．５〜５ｍΩｃｍである、請求項１〜６のいずれかに記載の不純物ドープダイヤモンド。
【請求項８】
ホール移動度が、０．１〜１０ｃｍ２／Ｖｓである、請求項１〜７のいずれかに記載の不純物ドープダイヤモンド。
【請求項９】
基板の上に形成されている、請求項１〜８のいずれかに記載の不純物ドープダイヤモンド。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の不純物ドープダイヤモンドを含む、電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月1日(2017.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒素を含有する膜またはシリコンと炭素を含有する膜をチタンが含有された膜に対して選択的にプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
ＣＨ３Ｆガスと酸素を含有するガスの混合ガスを用いて前記窒素を含有する膜または前記シリコンと炭素を含有する膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマエッチング方法において、
前記混合ガスは、さらに不活性ガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマエッチング方法において、
前記酸素を含有するガスは、Ｏ２ガス、ＣＯ２ガス、ＳＯ２ガスの中の少なくとも一つのガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において、
前記ＣＨ３Ｆガスの流量と前記酸素を含有するガスの流量は、同じであることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において、
前記チタンを含有する膜は、チタンナイトライド膜であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において、
前記窒素を含有する膜は、シリコン窒化膜、窒化シリコン酸化膜または窒化炭化シリコン酸化膜であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において、
前記シリコンと炭素を含有する膜は、シリコン炭化膜または炭化シリコン酸化膜であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において、
前記チタンを含有する膜は、前記窒素を含有する膜または前記シリコンと炭素を含有する膜をエッチングするときのマスクとして用いられることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において、
前記窒素を含有する膜または前記シリコンと炭素を含有する膜は、シリコン酸化膜の上に形成されており、
前記チタンを含有する膜は、前記窒素を含有する膜または前記シリコンと炭素を含有する膜の上に形成されていることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月11日(2018.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記第２モードに設定された画素行から読み出された出力に基づいて基準像信号と参照像信号とを生成し、前記基準像信号と前記参照像信号とに基づいて結像光学系のデフォーカス量を検出する位相差ＡＦ手段をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月12日(2018.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自側端末が相手側端末へ送信するカメラ映像の品質を自側端末において評価する方法において、
自側端末のWebブラウザが主導して相手側端末のWebブラウザとの間に第１リアルタイム映像通信路を確立する手順と、
自側端末のWebブラウザから相手側端末のWebブラウザへ前記第１リアルタイム映像通信路でカメラ映像を送信する手順と、
前記カメラ映像を受信した相手側端末のWebブラウザが主導して自側端末のWebブラウザとの間に第２リアルタイム映像通信路を確立する手順と、
相手側端末のWebブラウザから自側端末のWebブラウザへ前記受信したカメラ映像を前記第２リアルタイム映像通信路で折返し送信する手順と、
自側端末のWebブラウザが前記折返し送信されたカメラ映像を表示する手順とを含むことを特徴とするリアルタイム映像通信の品質評価方法。
【請求項２】
自側端末のWebブラウザは、前記送信したカメラ映像を前記折返し送信されたカメラ映像と共に表示することを特徴とする請求項１に記載のリアルタイム映像通信の品質評価方法。
【請求項３】
自側端末が前記送信したカメラ映像および折返し送信されたカメラ映像の品質統計情報を取得する手順を更に含み、
前記自側端末のWebブラウザは、前記各品質統計情報を前記送信したカメラ映像および折返し送信されたカメラ映像と共に表示することを特徴とする請求項２に記載のリアルタイム映像通信の品質評価方法。
【請求項４】
自側端末が相手側端末へ送信するカメラ映像の品質を自側端末において評価するシステムにおいて、
自側端末のWebブラウザが、
相手側端末のWebブラウザとの間に第１リアルタイム映像通信路を確立する手段と、
前記第１リアルタイム映像通信路でカメラ映像を送信する手段とを具備し、
相手側端末のWebブラウザが
自側端末のWebブラウザとの間に第２リアルタイム映像通信路を確立する手段と、
受信したカメラ映像を前記第２リアルタイム映像通信路で折返し送信する手段とを具備し、
前記自側端末のWebブラウザがさらに、
前記折返し送信されたカメラ映像を受信して表示する手段を具備したことを特徴とするリアルタイム映像通信の品質評価システム。
【請求項５】
前記カメラ映像を表示する手段は、前記送信したカメラ映像を前記折返し送信されたカメラ映像と共に表示することを特徴とする請求項４に記載のリアルタイム映像通信の品質評価システム。
【請求項６】
前記自側端末が前記送信したカメラ映像および折返し送信されたカメラ映像の品質統計情報を取得する手段を更に具備し、
前記自側端末のWebブラウザは、前記各品質統計情報を前記送信したカメラ映像および折返し送信されたカメラ映像と共に表示することを特徴とする請求項５に記載のリアルタイム映像通信の品質評価システム。
【請求項７】
前記自側端末が前記カメラ映像を生成するカメラを具備したことを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載のリアルタイム映像通信の品質評価システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月23日(2018.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画を撮影・記録する撮像装置において、
上記動画のフレームレートよりも短い周期で繰り返し撮像を行い、画像データを出力する撮像部と、
上記撮像部から出力された一連の上記画像データに対して、画像合成を行い、この画像合成を施した後の画像データに適正露光となるようにゲインを乗算して合成画像を生成する画像処理部と、
を具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
さらに、被写界輝度に基づいて、予め準備された他の画像合成処理を切り替える指示をする露出演算部を備え、
上記画像処理部は、上記画像データに適正露光となるようにゲインを乗算して合成画像を生成する画像合成処理とは異なる第１の画像合成処理を行うことができ、上記露出演算部の指示に基づき上記画像データに適正露光となるようにゲインを乗算して合成画像を生成する画像合成処理と、上記第１の画像合成処理とを切り換えることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
上記画像合成処理は、累積加算、累積加算＋ゲインアップ、平均加算の内の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
動画を撮影・記録する撮像方法において、
上記動画のフレームレートよりも短い周期で繰り返し撮像を行い、画像データを出力し、
一連の上記画像データに対して画像合成を行い、この画像合成を施した後の画像データに適正露光となるようにゲインを乗算して合成画像を生成する、
ことを特徴とする撮像方法。
【請求項５】
動画を撮影・記録する撮像装置内のコンピュータを実行するプログラムにおいて、
上記動画のフレームレートよりも短い周期で繰り返し撮像を行い、画像データを出力し、
一連の上記画像データに対して画像合成を行い、この画像合成を施した後の画像データに適正露光となるようにゲインを乗算して合成画像を生成する、
ことを上記コンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため第１の発明に係る撮像装置は、動画を撮影・記録する撮像装置において、上記動画のフレームレートよりも短い周期で繰り返し撮像を行い、画像データを出力する撮像部と、上記撮像部から出力された一連の上記画像データに対して、画像合成を行い、この画像合成を施した後の画像データに適正露光となるようにゲインを乗算して合成画像を生成する画像処理部と、を具備する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第２の発明に係る撮像装置は、上記第１の発明において、さらに、被写界輝度に基づいて、予め準備された他の画像合成処理を切り替える指示をする露出演算部を備え、上記画像処理部は、上記画像データに適正露光となるようにゲインを乗算して合成画像を生成する画像合成処理とは異なる第１の画像合成処理を有し、上記露出演算部の指示に基づき上記画像データに適正露光となるようにゲインを乗算して合成画像を生成する画像合成処理と、上記第１の画像合成処理とを切り換える。
第３の発明に係る撮像装置は、上記第２の発明において、上記画像合成処理は、累積加算、累積加算＋ゲインアップ、平均加算の内の少なくとも一つを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第４の発明に係る撮像方法は、動画を撮影・記録する撮像方法において、上記動画のフレームレートよりも短い周期で繰り返し撮像を行い、画像データを出力し、一連の上記画像データに対して画像合成を行い、この画像合成を施した後の画像データに適正露光となるようにゲインを乗算して合成画像を生成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第５の発明に係るプログラムは、動画を撮影・記録する撮像装置内のコンピュータを実行するプログラムにおいて、上記動画のフレームレートよりも短い周期で繰り返し撮像を行い、画像データを出力し、一連の上記画像データに対して画像合成を行い、この画像合成を施した後の画像データに適正露光となるようにゲインを乗算して合成画像を生成する、ことを上記コンピュータに実行させる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月23日(2018.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影された画像の被写体に対し、仮想的な光源からの仮想光を照射した効果を付与して明るさを補正する画像処理装置であって、
前記仮想光の強さを設定する設定手段と、
前記仮想光の強さと、前記被写体と前記仮想的な光源との位置関係とに基づき、前記明るさの補正量を決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された補正量に基づき、前記被写体の明るさを補正する補正手段とを有し、
前記設定手段はさらに、前記被写体と前記仮想的な光源との位置関係に基づき、設定可能な前記仮想光の強さの上限値を設定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記補正手段は、前記仮想光の強さに基づく信号を前記明るさを補正する部分の信号に対して加算または減算することにより、明るさを補正することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記明るさの補正量とは、前記仮想光の強さに基づく信号のゲイン値であることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記被写体の陰影状態の情報を取得する取得手段をさらに有し、
前記設定手段は、前記取得手段により取得された陰影状態の情報に基づき前記仮想光の強さを設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記取得手段が取得する陰影状態の情報とは、環境光源によって被写体に生じている明暗の状態であることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
被写体の法線情報を取得する法線情報取得手段をさらに有し、
前記決定手段は、前記被写体の法線情報を用いて前記明るさの補正量を決定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記決定手段は、前記被写体に対する前記仮想光の照射方向を用いて前記明るさの補正量を決定することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記決定手段は、前記仮想的な光源と前記被写体との距離を用いて前記明るさの補正量を決定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記設定手段は、前記仮想的な光源との位置関係に基づき、前記補正手段による補正で明るさが飽和する可能性が高い領域を特定し、当該領域の明るさが飽和しない前記仮想光の強さの上限値を設定することを特徴とする１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
画像処理装置であって、
仮想的な光源から照射される仮想光の強さを設定する設定手段と、
撮影された画像の被写体に対し、前記仮想光を照射した効果を付与して明るさを補正する補正手段と、
前記被写体と前記仮想光の照射方向とが第１の位置関係にある場合、前記設定手段は設定可能な前記仮想光の強さの上限値を第１の値とし、前記被写体と前記仮想光の照射方向とが第１の位置関係と異なる第２の位置関係にある場合、前記設定手段は設定可能な前記仮想光の強さの上限値を前記第１の値とは異なる第２の値とすることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１１】
前記明るさの補正の度合いを設定するためのユーザ操作を受け付ける受付手段をさらに有する請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記受付手段により受け付けられた前記明るさの補正の度合いの設定と、前記仮想光の強さの上限値とに基づき、前記設定手段は前記仮想光の強さを設定することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記受付手段により前記明るさの補正の度合いが最大に設定された場合、前記設定手段は前記仮想光の強さの上限値を前記仮想光の強さとして設定することを特徴とする請求項１２に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
撮影された画像の被写体に対し、仮想的な光源からの仮想光を照射した効果を付与して明るさを補正する画像処理方法であって、
前記仮想光の強さを設定する設定工程と、
前記仮想光の強さと、前記被写体と前記仮想的な光源との位置関係とに基づき、前記明るさの補正量を決定する決定工程と、
前記決定工程において決定された補正量に基づき、前記被写体の明るさを補正する補正工程とを有し、
前記設定工程ではさらに、前記被写体と前記仮想的な光源との位置関係に基づき、設定可能な前記仮想光の強さの上限値を設定することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１５】
画像処理方法であって、
仮想的な光源から照射される仮想光の強さを設定する設定工程と、
撮影された画像の被写体に対し、前記仮想光を照射した効果を付与して明るさを補正する補正工程と、
前記被写体と前記仮想光の照射方向とが第１の位置関係にある場合、前記設定工程では設定可能な前記仮想光の強さの上限値を第１の値とし、前記被写体と前記仮想光の照射方向とが第１の位置関係と異なる第２の位置関係にある場合、前記設定工程では設定可能な前記仮想光の強さの上限値を前記第１の値とは異なる第２の値とすることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の画像処理方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１７】
請求項１４または１５に記載の画像処理方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係わる画像処理装置は、撮影された画像の被写体に対し、仮想的な光源からの仮想光を照射した効果を付与して明るさを補正する画像処理装置であって、前記仮想光の強さを設定する設定手段と、前記仮想光の強さと、前記被写体と前記仮想的な光源との位置関係とに基づき、前記明るさの補正量を決定する決定手段と、前記決定手段により決定された補正量に基づき、前記被写体の明るさを補正する補正手段とを有し、前記設定手段はさらに、前記被写体と前記仮想的な光源との位置関係に基づき、設定可能な前記仮想光の強さの上限値を設定することを特徴とする。
また、本発明に係わる画像処理装置は、画像処理装置であって、仮想的な光源から照射される仮想光の強さを設定する設定手段と、撮影された画像の被写体に対し、前記仮想光を照射した効果を付与して明るさを補正する補正手段と、前記被写体と前記仮想光の照射方向とが第１の位置関係にある場合、前記設定手段は設定可能な前記仮想光の強さの上限値を第１の値とし、前記被写体と前記仮想光の照射方向とが第１の位置関係と異なる第２の位置関係にある場合、前記設定手段は設定可能な前記仮想光の強さの上限値を前記第１の値とは異なる第２の値とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月10日(2018.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像内の複数の領域について被写体距離に対応する距離情報と地理的位置情報を含む情報が付加された画像を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段から前記地理的位置情報を、第１の位置として取得する第１の位置取得手段と、
前記記憶手段から前記距離情報を取得する距離取得手段と、
前記第１の位置取得手段により取得した前記第１の位置と前記距離取得手段により取得した前記距離情報に基づいて前記画像内の複数の領域の各領域の地理的位置情報を第２の位置として取得する第２の位置取得手段と、
表示媒体に前記記憶手段に記憶される画像を表示する表示手段と、
現表示中の画像から取得した前記第２の位置と次表示の画像から取得した前記第１の位置に基づいて、前記表示手段により前記現表示中の画像から次表示の画像へ切り替える際に用いる切替エフェクトを生成する生成手段と、
を備える
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記地理的位置情報は、撮影した位置と撮影した方位の情報であり、前記距離情報は、視差を有する複数の画像から生成される被写体距離に対応する情報である
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記距離情報は、ＤＦＤ（Ｄｅｐｔｈ  Ｆｒｏｍ  Ｄｅｆｏｃｕｓ）方式で生成される被写体距離に対応する情報である
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記生成手段は、前記現表示中の画像から取得した前記第２の位置に対して、前記次表示の画像から取得した前記第１の位置が所定の範囲内である場合、前記切替エフェクトを生成する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記生成手段は、前記次表示の画像から取得した前記第１の位置と前記現表示中の画像から取得した前記第２の位置から、前記画像内の各領域に対する差分絶対値を算出して、前記差分絶対値が前記閾値未満である場合、前記切替エフェクトを生成する
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記生成手段は、前記差分絶対値に基づいて、前記画像内の複数の領域の中から、前記閾値未満の領域を前記切替エフェクトの対象領域として特定し、前記特定した対象領域に対して切替エフェクトを生成する
ことを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記生成手段は、前記切替エフェクトとして前記第２の位置に対応する領域の被写体を複数段階拡大または縮小した画像を順次表示する
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記生成手段は、前記切替エフェクトとして前記特定した対象領域を拡大または縮小する
ことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記切替エフェクトとしての拡大または縮小の拡大率または縮小率は、前記画像のデータサイズ、現表示画像から次表示の画像への画像切替時間、フレームレート、または画角により算出される
ことを特徴とする請求項７または８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
画像内の複数の領域について被写体距離に対応する距離情報と地理的位置情報を含む情報が付加された画像を記憶する記憶工程と、
前記地理的位置情報を第１の位置として取得する第１の位置取得工程と、
前記距離情報を取得する距離取得工程と、
前記第１の位置取得工程において取得した前記第１の位置と前記距離取得工程において取得した前記距離情報に基づいて前記画像内の複数の領域の各領域の地理的位置情報を第２の位置として取得する第２の位置取得工程と、
現表示中の画像から取得した前記第２の位置と次表示の画像から取得した前記第１の位置に基づいて、前記現表示中の画像から次表示の画像へ切り替える際に用いる切替エフェクトを生成する生成工程と、
を有する
ことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月21日(2017.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの主面側に形成された端子パッドと、
前記端子パッド上に当該端子パッドと電気的に接続して形成されたピラー層と、
前記ピラー層上に当該ピラー層と電気的に接続して形成されたバリア層と、
前記バリア層上に当該バリア層と電気的に接続して形成されたバンプと、を備え、
前記バンプが前記バリア層よりも小さい半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記バリア層の表面は前記ピラー層の表面に比べて半田の濡れ性が低い半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記半導体装置の横断面において、前記バンプの幅が前記バリア層の幅よりも小さい半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記ピラー層の幅が前記バリア層の幅と略同一である半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記ピラー層の幅が前記バリア層の幅よりも大きい半導体装置。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記ピラー層の幅が前記バリア層の幅よりも小さい半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記半導体チップの主面側を平面視した際、前記バリア層および前記バンプは略円形状であり、
前記バンプの直径が前記バリア層の直径よりも小さい半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置であって、
前記半導体チップの主面側を平面視した際、前記ピラー層は略円形状であり、
前記ピラー層の直径が前記バリア層の直径と略同一である半導体装置。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体装置であって、
前記半導体チップの主面側を平面視した際、前記ピラー層は略円形状であり、
前記ピラー層の直径が前記バリア層の直径よりも大きい半導体装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体装置であって、
前記半導体チップの主面側を平面視した際、前記ピラー層は略円形状であり、
前記ピラー層の直径が前記バリア層の直径よりも小さい半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記ピラー層はＣｕを主成分とする材料からなり、
前記バリア層はＮｉを主成分とする材料からなり、
前記バンプはＳｎＡｇを主成分とする材料からなる半導体装置。
【請求項１２】
（ａ）半導体基板の主面側に形成された端子パッド上にレジスト膜を塗布する工程、
（ｂ）フォトリソグラフィにより、底部に前記端子パッドが露出する開口を前記レジスト膜に形成する工程、
（ｃ）電界めっきにより、前記開口内に下層から順にＣｕ膜、Ｎｉ膜、ＳｎＡｇ膜を形成する工程、
（ｄ）アッシングにより、前記レジスト膜を除去する工程、
（ｅ）前記ＳｎＡｇ膜の表面をウェットエッチングする工程、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｅ）工程において、希フッ酸を用いてウェットエッチングを行う半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）半導体基板の主面側に形成された端子パッド上に第１のレジスト膜を塗布する工程、
（ｂ）フォトリソグラフィにより、底部に前記端子パッドが露出する第１の開口を前記第１のレジスト膜に形成する工程、
（ｃ）電界めっきにより、前記第１の開口内に下層から順にＣｕ膜、Ｎｉ膜を形成する工程、
（ｄ）アッシングにより、前記第１のレジスト膜を除去する工程、
（ｅ）前記端子パッドおよび前記Ｃｕ膜、前記Ｎｉ膜上に第２のレジスト膜を塗布する工程、
（ｆ）フォトリソグラフィにより、底部に前記Ｎｉ膜が露出する第２の開口を前記第２のレジスト膜に形成する工程、
（ｇ）電界めっきにより、前記第２の開口内にＳｎＡｇ膜を形成する工程、
（ｈ）アッシングにより、前記第２のレジスト膜を除去する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２の開口径は前記第１の開口径よりも小さい半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月12日(2018.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の光透過部と、
金属溜り部を含む内部空間を、前記１対の光透過部とともに構成している胴体部と、
前記金属溜り部に収容された液体または固体のアルカリ金属原子と、
前記光透過部よりも熱伝導率が大きい材料を含み、前記内部空間の外部と前記金属溜り部との間に配置されている異種材料部と、
を備える、原子セル。
【請求項２】
前記異種材料部が前記内部空間の内外のそれぞれに面している請求項１に記載の原子セル。
【請求項３】
前記異種材料部が前記光透過部に配置されている請求項１または２に記載の原子セル。
【請求項４】
前記内部空間は、気体状の前記金属原子を収納している気体収納部を有し、
前記気体収納部と前記金属溜り部との間には、壁部が配置されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の原子セル。
【請求項５】
前記光透過部がガラスを含み、
前記異種材料部がシリコンを含む請求項１ないし４のいずれか１項に記載の原子セル。
【請求項６】
前記異種材料部が前記胴体部に配置されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の原子セル。
【請求項７】
前記異種材料部とその周辺部とが直接接合されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の原子セル。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の原子セルを備える、量子干渉装置。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の原子セルを備える、原子発振器。
【請求項１０】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の原子セルを備える、電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】原子セル、量子干渉装置、原子発振器、および電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る原子発振器（量子干渉装置）を示す概略図である。
【図２】アルカリ金属のエネルギー状態を説明するための図である。
【図３】光出射部から出射される２つの光の周波数差と、光検出部で検出される光の強度との関係を示すグラフである。
【図４】図１に示す原子発振器が備える原子セルの斜視図である。
【図５】（ａ）は、図４に示す原子セルの縦断面図、（ｂ）は、図４に示す原子セルの横断面図である。
【図６】光透過部の熱伝導率に対する異種材料部の熱伝導率の比と周波数安定度との関係を示すグラフである。
【図７】図４に示す原子セルの製造方法を説明するための図である。
【図８】図４に示す原子セルの製造方法を説明するための図である。
【図９】（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る原子セルを示す縦断面図、（ｂ）は、（ａ）に示す原子セルの横断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る原子セルを示す縦断面図である。
【図１１】（ａ）は、本発明の第４実施形態に係る原子セルを示す縦断面図、（ｂ）は、（ａ）に示す原子セルの横断面図である。
【図１２】ＧＰＳ衛星を利用した測位システムに本発明の原子発振器を用いた場合の概略構成を示す図である。
【図１３】本発明の移動体の一例を示す図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
（原子セルの製造方法）
以下、前述した原子セル２の製造方法の一例を説明する。なお、以下では、胴体部２１および光透過部２２、２３のそれぞれがガラスで構成され、異種材料部２４がシリコンで構成されている場合を例に説明する。
図７および図８は、図４に示す原子セルの製造方法を説明するための図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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