【手続補正書】
【提出日】平成30年5月7日(2018.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチステーション処理チャンバにおいて複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させる方法であって、
（ａ）１枚以上の基板の第１群の基板を前記処理チャンバ内の１つ以上のプロセスステーションの第１群のプロセスステーションに搭載することと、
（ｂ）厳密にＮサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に膜材料を堆積させることと、
（ｃ）（ｂ）における堆積後、前記第１群の基板を前記第１群のプロセスステーションから、前記処理チャンバ内の１つ以上のプロセスステーションの第２群のプロセスステーションに、移送することと、
（ｄ）１枚以上の基板の第２群の基板を前記処理チャンバ内の前記第１群のプロセスステーションに搭載することと、
（ｅ）厳密にＮ’サイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第２群の基板上に、および前記第２群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に、膜材料を堆積させることであって、Ｎ’は、Ｎに等しくない、ことと、
（ｆ）（ｅ）における堆積後、前記第１群の基板を前記処理チャンバから取り出すことと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
（ｇ）前記第２群の基板を、前記第１群のプロセスステーションから前記第２群のプロセスステーションに、移送することと、
（ｈ）厳密にＮサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第２群のプロセスステーションにある前記第２群の基板上に膜材料を堆積させることと、
を備える方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
一サイクルの膜堆積は、
（ｉ）膜前駆体を、膜前駆体が前記基板上に吸着制限層を形成するように、前記基板上に吸着させることと、
（ｉｉ）前記吸着された前駆体を取り巻く空間から、吸着されなかった膜前駆体の少なくとも一部を除去することと、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）において、吸着されなかった前駆体を除去した後に、吸着された膜前駆体を反応させて、前記基板上に膜層を形成させることと、
（ｉｖ）前記吸着された前駆体を反応させた後に存在する脱離した膜前駆体および／または反応の副生成物を、前記膜層を取り巻く空間から除去することと、
を含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
ＮとＮ’は、１だけ異なる、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さＤを選択することと、
Ｄ／ｄに最も近い正の整数Ｍを奇数であると判定することであって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、判定と、
ＮおよびＮ’をＮ＋Ｎ’＝Ｍで、かつ｜Ｎ−Ｎ’｜＝１であるように選択することと、
を備える方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さＤを選択することと、
Ｎを（１／２）×（Ｄ／ｄ）に最も近い正の整数であるように選択することであって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、選択と、
Ｎ’をＮ−１またはＮ＋１のいずれかであるように選択することと、
を備える方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、４つのプロセスステーションを収容し、前記第１群のプロセスステーションおよび前記第２群のプロセスステーションは、それぞれ２つのプロセスステーションからなる、方法。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、２つのプロセスステーションを収容し、前記第１群のプロセスステーションおよび前記第２群のプロセスステーションは、それぞれ１つのプロセスステーションからなる、方法。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、偶数Ｓのプロセスステーションを収容し、前記第１群のプロセスステーションおよび前記第２群のプロセスステーションは、それぞれＳ／２のプロセスステーションからなる、方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記堆積された膜材料は、誘電体を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記誘電体は、１種以上のシリコン酸化物を含む、方法。
【請求項１２】
２つ以上のプロセスステーションを有する反応チャンバにおいて基板上に規定の厚さの膜を堆積させる方法であって、
（ａ）前記反応チャンバの第１のプロセスステーションに、少なくとも第１の基板を受け入れることと、
（ｂ）厳密にＮサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜の膜厚の一部を堆積させることと、
（ｃ）少なくとも前記第１の基板を第２のプロセスステーションに移送することと、
（ｄ）（ｃ）後に、厳密にＮ’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜厚の別の一部を堆積させることであって、Ｎは、Ｎ’に等しくなく、ＮおよびＮ’は、前記規定の厚さを達成するように選択される、堆積と、
（ｅ）少なくとも前記第１の基板を前記反応チャンバから取り出すことと、
を備える方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
Ｎ’は、Ｎ−１またはＮ＋１に等しい、方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって、
（ａ）は、前記反応チャンバ内の複数のプロセスステーションに、複数の基板を受け入れることを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
（ａ）は、２枚の基板を受け入れることを含み、
前記方法は、さらに、
規定の厚さＤを決定することと、
Ｄ／ｄに最も近い正の整数ＭがＸの倍数ではないと判定することであって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、判定と、
ＮおよびＮ’を、Ｎ＋Ｎ’＝Ｍで、かつＮがＮ’に等しくないように選択することと、
を備える方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
（ａ）は、４枚の基板を受け入れることを含み、
前記方法は、さらに、
規定の厚さＤを決定することと、
Ｎを（１／４）×Ｄ／ｄに最も近い正の整数Ｍであるように選択することであって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、選択と、
Ｎ’をＮ−１またはＮ＋１のいずれかであるように選択することと、
を備える方法。
【請求項１７】
請求項１２ないし１６のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、（ｄ）後で、かつ（ｅ）前に、
（ｆ）少なくとも前記第１の基板を前記反応チャンバ内の第３のプロセスステーションに移送することと、
（ｇ）厳密にＮ”サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜厚の尚も別の一部を堆積させることであって、Ｎ”は、Ｎに等しくまたは等しくなく、Ｎ、Ｎ’およびＮ”は、前記規定の厚さを実現するように選択される、ことと、
を備える方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、さらに、（ｇ）後で、かつ（ｅ）前に、
（ｈ）少なくとも前記第１の基板を前記反応チャンバ内の第４のプロセスステーションに移送することと、
（ｉ）厳密にＮ”’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜厚のさらなる一部を堆積させることであって、Ｎ”’は、Ｎに等しくまたは等しくなく、Ｎ、Ｎ’、Ｎ”およびＮ”’は、前記規定の厚さを実現するように選択される、ことと、
を備える方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記反応チャンバ内の４つのプロセスステーションに、４枚の基板が受け入れられ、
前記方法は、さらに、
規定の厚さＤを選択することと、
Ｄ／ｄに最も近い正の整数Ｍが４の倍数ではないと判定することであって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、判定と、
ＮおよびＮ’をＮ＋Ｎ’＝Ｍで、かつＮがＮ’に等しくないように選択することと、
を備える方法。
【請求項２０】
請求項１２ないし１６のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）において、前記反応チャンバ内の複数のプロセスステーションに、複数の基板が受け入れられ、
（ｂ）において、厳密にＮサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記膜の厚みの一部が堆積され、
（ｃ）において、前記反応チャンバ内の異なるプロセスステーションに、前記複数の基板が移送され、
（ｄ）において、厳密にＮ’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記膜厚の別の一部が堆積される、方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、
前記複数の基板は、少なくとも前記第１の基板と、第２の基板とを含み、（ｃ）は、さらに、前記第２の基板を前記第２のプロセスステーションから前記第１のプロセスステーションに移送することを含む、方法。
【請求項２２】
請求項１２ないし１６のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、
（ｃ）後で、かつ（ｄ）前に、前記反応チャンバ内のプロセスステーションに、少なくとも１枚の追加の基板を受け入れることを備え、（ｄ）は、さらに、前記少なくとも１枚の追加の基板上に前記膜厚の別の一部を堆積させることを含む、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、
前記少なくとも１枚の追加の基板は、前記反応チャンバ内の前記第１のプロセスステーションに受け入れられる、方法。
【請求項２４】
複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させるためのマルチステーション基板処理装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに収容され、それぞれが基板ホルダを有する１つ以上のプロセスステーションの第１群のプロセスステーションと、
前記処理チャンバに収容され、それぞれが基板ホルダを有する１つ以上のプロセスステーションの第２群のプロセスステーションと、
前記プロセスステーションへの膜前駆体の流れを制御するための１つ以上の弁と、
前記処理チャンバに収容された前記プロセスステーションを取り巻く空間から膜前駆体を除去するための弁作動式真空源と、
基板を前記処理チャンバ内の前記プロセスステーションの１つ以上に搭載するための基板搭載機器と、
１枚以上の基板を、前記第１群のプロセスステーションから前記第２群のプロセスステーションに、移送するための基板移送機器と、
前記基板上に材料の膜を堆積させるために前記基板搭載機器、前記基板移送機器、前記１つ以上の弁、前記真空源を操作するための機械読み取り可能命令を含む１つ以上のコントローラであって、
（ａ）１枚以上の基板の第１群の基板を前記処理チャンバ内の前記第１群のプロセスステーションに搭載するための命令と、
（ｂ）厳密にＮサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に膜材料を堆積させるための命令と、
（ｃ）（ｂ）における堆積後、前記第１群の基板を、前記第１群のプロセスステーションから前記第２群のプロセスステーションに、移送するための命令と、
（ｄ）１枚以上の基板の第２群の基板を前記処理チャンバ内の前記第１群のプロセスステーションに搭載するための命令と、
（ｅ）厳密にＮ’サイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第２群の基板上に、および前記第２群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に、膜材料を堆積させるための命令であって、Ｎ’およびＮは、規定の総膜厚を提供するように選択される、命令と、
（ｆ）（ｅ）における堆積後、前記第１群の基板を前記処理チャンバから取り出すための命令と、
を含む、コントローラと、
を備える装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
（ｇ）前記第２群の基板を、前記第１群のプロセスステーションから前記第２群のプロセスステーションに、移送するための機械読み取り可能命令と、
（ｈ）Ｎサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第２群のプロセスステーションにある前記第２群の基板上に膜材料を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
【請求項２６】
請求項２４に記載の装置であって、
一サイクルの膜堆積は、
（ｉ）膜前駆体を、膜前駆体が前記基板上に吸着制限層を形成するように、前記基板上に吸着させることと、
（ｉｉ）前記吸着された前駆体を取り巻く空間から、吸着されなかった膜前駆体の少なくとも一部を除去することと、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）において、吸着されなかった前駆体を除去した後に、吸着された膜前駆体を反応させて、前記基板上に膜層を形成させることと、
（ｉｖ）前記吸着された前駆体を反応させた後に存在する脱離した膜前駆体および／または反応の副生成物を、前記膜層を取り巻く空間から除去することと、
を含む、装置。
【請求項２７】
請求項２４に記載の装置であって、
前記基板搭載機器は、１つ以上のプロセスステーションの前記基板ホルダ上に基板を載置するための基板取扱ロボットを含む、装置。
【請求項２８】
請求項２４に記載の装置であって、
前記基板移送機器は、複数の前記基板の面に実質的に垂直で、かつ複数の前記基板に対して実質的に等間隔な中心軸を中心として、複数の前記基板を回転させることによって動作するカルーセルを含む、装置。
【請求項２９】
請求項２４ないし２８のいずれか一項に記載の装置であって、
前記処理チャンバは、４つのプロセスステーションを収容し、前記第１群のプロセスステーションおよび前記第２群のプロセスステーションは、それぞれ２つのプロセスステーションからなる、装置。
【請求項３０】
請求項２４ないし２８のいずれか一項に記載の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さＤを選択するための機械読み取り可能命令と、
Ｎを（１／２）×（Ｄ／ｄ）に最も近い正の整数であるように選択するための機械読み取り可能命令であって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、機械読み取り可能命令と、
Ｎ’をＮ−１またはＮ＋１のいずれかであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
【請求項３１】
請求項３０に記載の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
Δ＝２×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＜ｄ／２であるときに、Ｎ’をＮであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ＝２×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＞ｄ／２で、かつΔ＞０であるときに、Ｎ’をＮ−１であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ＝２×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＞ｄ／２で、かつΔ＜０であるときに、Ｎ’をＮ＋１であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
【請求項３２】
複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させるためのマルチステーション基板処理装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに収容された第１のプロセスステーションと、
前記処理チャンバに収容された第２のプロセスステーションと、
前記複数のプロセスステーションへの膜前駆体の流れを制御するための１つ以上の弁と、
前記処理チャンバに収容された前記複数のプロセスステーションを取り巻く複数の空間から膜前駆体を除去するための弁作動式真空源と、
基板を処理チャンバ内の前記プロセスステーションの１つ以上に搭載するための基板搭載機器と、
１枚以上の基板を前記第１のプロセスステーションから前記第２のプロセスステーションに移送するための基板移送機器と、
前記基板上に材料の膜を堆積させるために前記基板搭載機器、前記基板移送機器、前記１つ以上の弁、および前記真空源を操作するための機械読み取り可能命令を含む１つ以上のコントローラであって、
（ａ）少なくとも第１の基板を処理チャンバ内の前記第１のプロセスステーションに搭載するための命令と、
（ｂ）厳密にＮサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１のプロセスステーションにある少なくとも前記第１の基板上に規定の膜厚の一部を堆積させるための命令と、
（ｃ）少なくとも前記第１の基板を前記第２のプロセスステーションに移送するための命令と、
（ｄ）（ｃ）後に、厳密にＮ’サイクルの循環膜堆積を実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記規定の膜厚の別の一部を堆積させるための命令であって、Ｎは、Ｎ’に等しくなく、ＮおよびＮ’は、前記規定の膜厚を実現するように選択される、命令と、
（ｅ）少なくとも前記第１の基板を前記処理チャンバから取り出すための命令と、
を含む、１つ以上のコントローラと、
を備える装置。
【請求項３３】
請求項３２に記載の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
（ａ）において、複数のプロセスステーションに複数の基板を搭載するための機械読み取り可能命令と、
（ｂ）において、厳密にＮサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記規定の膜厚の一部を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
（ｃ）において、前記複数の基板を前記処理チャンバ内の異なるプロセスステーションに移送するための機械読み取り可能命令と、
（ｄ）において、厳密にＮ’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記規定の膜厚の別の一部を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
【請求項３４】
請求項３２に記載の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、（ｃ）後で、かつ（ｄ）前に、少なくとも１枚の追加の基板を前記処理チャンバ内のプロセスステーションに搭載するための機械読み取り可能命令を含み、（ｄ）は、さらに、前記少なくとも１枚の追加の基板上に前記膜厚の別の一部を堆積させることを含む、装置。
【請求項３５】
請求項３２に記載の装置であって、
一サイクルの膜堆積は、
（ｉ）膜前駆体を、膜前駆体が前記基板上に吸着制限層を形成するように、前記基板上に吸着させることと、
（ｉｉ）前記吸着された前駆体を取り巻く空間から、吸着されなかった膜前駆体の少なくとも一部を除去することと、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）において、吸着されなかった膜前駆体を除去した後に、吸着された膜前駆体を反応させて、前記基板上に膜層を形成させることと、
（ｉｖ）前記吸着された前駆体を反応させた後に存在する脱離した膜前駆体および／または反応の副生成物を、前記膜層を取り巻く空間から除去することと、
を含む、装置。
【請求項３６】
請求項３２に記載の装置であって、
前記基板搭載機器は、前記プロセスステーションの少なくとも１つに基板を載置するための基板取扱ロボットを含む、装置。
【請求項３７】
請求項３２に記載の装置であって、
前記基板移送機器は、複数の前記基板の面に実質的に垂直で、かつ複数の前記基板に対して実質的に等間隔な中心軸を中心として、複数の前記基板を回転させることによって動作するカルーセルを含む、装置。
【請求項３８】
請求項３２ないし３７のいずれか一項に記載の装置であって、
前記処理チャンバは、４つのプロセスステーションを収容する、装置。
【請求項３９】
請求項３８に記載の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さＤを選択するための機械読み取り可能命令と、
Ｎを（１／４）×（Ｄ／ｄ）に最も近い正の整数であるように選択するための機械読み取り可能命令であって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、機械読み取り可能命令と、
Ｎ’をＮ−１またはＮ＋１のいずれかであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
【請求項４０】
請求項３９に記載の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
Δ＝４×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＜ｄ／２であるときに、Ｎ’をＮであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ＝４×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＞ｄ／２で、かつΔ＞０であるときに、Ｎ’をＮ−１であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ＝４×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＞ｄ／２で、かつΔ＜０であるときに、Ｎ’をＮ＋１であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
【請求項４１】
機械読み取り可能媒体であって、
（ａ）１枚以上の基板の第１群の基板を処理チャンバ内の１つ以上のプロセスステーションの第１群のプロセスステーションに搭載するための機械読み取り可能命令と、
（ｂ）Ｎサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に膜材料を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
（ｃ）（ｂ）における堆積後、前記第１群の基板を前記第１群のプロセスステーションから、前記処理チャンバ内の１つ以上のプロセスステーションの第２群のプロセスステーションに、移送するための機械読み取り可能命令と、
（ｄ）１枚以上の基板の第２群の基板を前記処理チャンバ内の前記第１群のプロセスステーションに搭載するための機械読み取り可能命令と、
（ｅ）Ｎ’サイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第２群の基板上に、および前記第２群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に、膜材料を堆積させるための機械読み取り可能命令であって、Ｎ’は、Ｎに等しくない、機械読み取り可能命令と、
（ｆ）（ｅ）における堆積後、前記第１群の基板を前記処理チャンバから取り出すための機械読み取り可能命令と、
を有する機械読み取り可能媒体。
【請求項４２】
機械読み取り可能媒体であって、
（ａ）処理チャンバの第１のプロセスステーションに、少なくとも第１の基板を受け入れるための機械読み取り可能命令と、
（ｂ）厳密にＮサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜の厚みの一部を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
（ｃ）少なくとも前記第１の基板を第２のプロセスステーションに移送するための機械読み取り可能命令と、
（ｄ）（ｃ）後に、厳密にＮ’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜の厚みの別の一部を堆積させるための機械読み取り可能命令であって、Ｎは、Ｎ’に等しくなく、ＮおよびＮ’は、前記厚みを達成するように選択される、機械読み取り可能命令と、
（ｅ）少なくとも前記第１の基板を前記処理チャンバから取り出すための機械読み取り可能命令と、
を有する機械読み取り可能媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本明細書で開示されるのは、マルチステーション処理チャンバにおいて複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させる方法である。幾つかの実施形態では、方法は、１枚以上の基板の第１群の基板を処理チャンバ内の１つ以上のプロセスステーションの第１群のプロセスステーションに搭載することと、Ｎサイクルの膜堆積を実施することによって、第１群のプロセスステーションにある第１群の基板上に膜材料を堆積させることと、を含んでいてよい。このような特定の実施形態の方法は、その後、第１群の基板を第１群のプロセスステーションから処理チャンバ内の１つ以上のプロセスステーションの第２群のプロセスステーションに移送することと、１枚以上の基板の第２群の基板を処理チャンバ内の第１群のプロセスステーションに搭載することと、Ｎ’サイクルの膜堆積を実施することによって、第１群のプロセスステーションにある第２群の基板上におよび第２群のプロセスステーションにある第１群の基板上に膜材料を堆積させることであって、Ｎ’は、Ｎに等しくない、堆積と、を含んでいてよい。さらに、特定の実施形態では、方法は、第１群および第２群の基板上に膜材料を堆積させた後に、第１群の基板を処理チャンバから取り出すことと、第２群の基板を第１群のプロセスステーションから第２群のプロセスステーションに移送することと、随意として、１枚以上の基板の第３群の基板を処理チャンバ内の第１群のプロセスステーションに搭載することと、Ｎサイクルの膜堆積を実施することによって、第２群のプロセスステーションにある第２群の基板上におよび随意として第１群のプロセスステーションにある第３群の基板上に膜材料を堆積させることと、を含んでいてよい。このような特定の実施形態では、ＮとＮ’は、１だけ異なっていてよい。この操作手順は、このようにして、処理されている基板バッチの最初から最後まで各堆積工程をＮサイクルとＮ’サイクルとで交替に繰り返し、基板バッチのなかの最後の２群の基板それぞれ最後のＮサイクルまたはＮ’サイクルの膜堆積を経て処理チャンバから取り出されるまで続けることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図２Ｂは、順次モードまたはダマシンモードに適した処理装置の一例を示している。図２Ｂにおいて、マルチステーション基板処理装置２００Ａは、図２に示されたマルチステーション基板処理装置２００に類似している。しかしながら、図２Ｂに図示された取扱ロボット２２６Ａは、基板を操作するためのアームが１本であるという点で、取扱ロボット２２６とは異なる。その他に考えられる実施形態では、取扱ロボット２２６Ａは、基板を操作するためのアームが複数本であってもよい。図２Ｂにおける取扱ロボット２２６Ａは、１枚から４枚までの基板をステーション２０１〜２０４に搭載することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図４Ａには、以上の原理に基づいてマルチステーション処理チャンバにおいて複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させるための手法の一例が図解されている。適切な装置の例が、以下で詳しく説明される。図に示されるように、また、図３Ａに示されるように、方法は、縦の破線の左側に示されるような基板搭載／移送操作と、縦の破線の右側に示されるような堆積操作とを有するものと見なすことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
投入段階後は、堆積サイクルのパージ段階がきてよい。パージ段階では、前駆体の供給は停止するが、ＲＦ電力は依然としてオフであり、反応ガスも供給されていない。パージ段階は、吸着されなかった膜前駆体および／または反応の副生成物の少なくとも一部を、吸着された前駆体を取り巻く空間から除去することができる。図５Ｂのパージ段階は、図５Ａの操作５１２に相当する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
上記のように、幾つかの実施形態では、気化地点１０３は、加熱された液体注入モジュール（略して「液体注入器」）であってよい。このような液体注入器は、混合容器の上流のキャリアガス流に液体反応物を一定間隔で注入することができる。或る状況では、液体注入器は、液体を高圧から低圧へ勢いよく流すことによって反応物を気化させてよい。別の状況では、液体注入器は、液体を霧化し、分散された微滴にしてよく、これらの微滴は、引き続き、加熱された配送管内で気化される。なお、液滴は、小さいほど早く気化されて、液体注入と完全気化との間の遅延を短縮することができる、ということが理解される。より速い気化は、気化地点１０３よりも下流の管の長さを短くすることができる。或る状況では、液体注入器は、混合容器１０４に直接取り付けられてよい。別の状況では、液体注入器は、シャワーヘッド１０６に直接取り付けられてよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
本明細書で説明される小空間の変更例は、高さ調整可能な台座に言及しているが、幾つかの実施形態では、小空間１０７の体積を変化させるために、シャワーヘッド１０６の位置が台座１０８に相対的に調整されてよいことが理解される。さらに、台座１０８および／またはシャワーヘッド１０６の垂直位置は、本開示の範囲内で、任意の適切なメカニズムによって変更されてよいことが理解される。幾つかの実施形態では、台座１０８は、基板１１２の向きを回転させるための回転軸を含んでいてよい。幾つかの実施形態では、これらの調整例の１つ以上が、上述された操作の全部または一部を実施するための機械読み取り可能命令を有する１つ以上の適切なシステムコントローラによってプログラムで実施されてよいことが理解される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
開示された以上の技術、操作、プロセス、方法、システム、装置、ツール、膜、化学物質、および組成は、明瞭および理解を促す目的で具体的な実施形態との関連のもとで説明されてきたが、当業者ならば、以上の実施形態を実現するための、本開示の趣旨および範囲内に入る多くの代替のやり方があることが明らかである。したがって、本明細書で説明された実施形態は、開示された発明の概念を、限定するのではなく例示するものだと見なされ、最終的に本開示の内容を定めたものであるいかなる特許請求の範囲も過度に限定するための揺るがない基準として使用されるべきではない。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
マルチステーション処理チャンバにおいて複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させる方法であって、
（ａ）１枚以上の基板の第１群の基板を前記処理チャンバ内の１つ以上のプロセスステーションの第１群のプロセスステーションに搭載することと、
（ｂ）厳密にＮサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に膜材料を堆積させることと、
（ｃ）（ｂ）における堆積後、前記第１群の基板を前記第１群のプロセスステーションから、前記処理チャンバ内の１つ以上のプロセスステーションの第２群のプロセスステーションに、移送することと、
（ｄ）１枚以上の基板の第２群の基板を前記処理チャンバ内の前記第１群のプロセスステーションに搭載することと、
（ｅ）厳密にＮ’サイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第２群の基板上に、および前記第２群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に、膜材料を堆積させることであって、Ｎ’は、Ｎに等しくない、ことと、
（ｆ）（ｅ）における堆積後、前記第１群の基板を前記処理チャンバから取り出すことと、
を備える方法。
適用例２：
適用例１の方法であって、さらに、
（ｇ）前記第２群の基板を、前記第１群のプロセスステーションから前記第２群のプロセスステーションに、移送することと、
（ｈ）厳密にＮサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第２群のプロセスステーションにある前記第２群の基板上に膜材料を堆積させることと、
を備える方法。
適用例３：
適用例１の方法であって、
一サイクルの膜堆積は、
（ｉ）膜前駆体を、膜前駆体が前記基板上に吸着制限層を形成するように、前記基板上に吸着させることと、
（ｉｉ）前記吸着された前駆体を取り巻く空間から、吸着されなかった膜前駆体の少なくとも一部を除去することと、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）において、吸着されなかった前駆体を除去した後に、吸着された膜前駆体を反応させて、前記基板上に膜層を形成させることと、
（ｉｖ）前記吸着された前駆体を反応させた後に存在する脱離した膜前駆体および／または反応の副生成物を、前記膜層を取り巻く空間から除去することと、
を含む、方法。
適用例４：
適用例１の方法であって、
ＮとＮ’は、１だけ異なる、方法。
適用例５：
適用例１の方法であって、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さＤを選択することと、
Ｄ／ｄに最も近い正の整数Ｍを奇数であると判定することであって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、判定と、
ＮおよびＮ’をＮ＋Ｎ’＝Ｍで、かつ｜Ｎ−Ｎ’｜＝１であるように選択することと、
を備える方法。
適用例６：
適用例１の方法であって、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さＤを選択することと、
Ｎを（１／２）×（Ｄ／ｄ）に最も近い正の整数であるように選択することであって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、選択と、
Ｎ’をＮ−１またはＮ＋１のいずれかであるように選択することと、
を備える方法。
適用例７：
適用例１ないし６のいずれか一項の方法であって、
前記処理チャンバは、４つのプロセスステーションを収容し、前記第１群のプロセスステーションおよび前記第２群のプロセスステーションは、それぞれ２つのプロセスステーションからなる、方法。
適用例８：
適用例１ないし６のいずれか一項の方法であって、
前記処理チャンバは、２つのプロセスステーションを収容し、前記第１群のプロセスステーションおよび前記第２群のプロセスステーションは、それぞれ１つのプロセスステーションからなる、方法。
適用例９：
適用例１ないし６のいずれか一項の方法であって、
前記処理チャンバは、偶数Ｓのプロセスステーションを収容し、前記第１群のプロセスステーションおよび前記第２群のプロセスステーションは、それぞれＳ／２のプロセスステーションからなる、方法。
適用例１０：
適用例１ないし６のいずれか一項の方法であって、
前記堆積された膜材料は、誘電体を含む、方法。
適用例１１：
適用例１０の方法であって、
前記誘電体は、１種以上のシリコン酸化物を含む、方法。
適用例１２：
２つ以上のプロセスステーションを有する反応チャンバにおいて基板上に規定の厚さの膜を堆積させる方法であって、
（ａ）前記反応チャンバの第１のプロセスステーションに、少なくとも第１の基板を受け入れることと、
（ｂ）厳密にＮサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜の厚みの一部を堆積させることと、
（ｃ）少なくとも前記第１の基板を第２のプロセスステーションに移送することと、
（ｄ）（ｃ）後に、厳密にＮ’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜厚の別の一部を堆積させることであって、Ｎは、Ｎ’に等しくなく、ＮおよびＮ’は、前記規定の厚さを達成するように選択される、堆積と、
（ｅ）少なくとも前記第１の基板を前記反応チャンバから取り出すことと、
を備える方法。
適用例１３：
適用例１２の方法であって、
Ｎ’は、Ｎ−１またはＮ＋１に等しい、方法。
適用例１４：
適用例１２の方法であって、
（ａ）は、前記反応チャンバ内の複数のプロセスステーションに、複数の基板を受け入れることを含む、方法。
適用例１５：
適用例１４の方法であって、
（ａ）は、２枚の基板を受け入れることを含み、
前記方法は、さらに、
規定の厚さＤを決定することと、
Ｄ／ｄに最も近い正の整数ＭがＸの倍数ではないと判定することであって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、判定と、
ＮおよびＮ’を、Ｎ＋Ｎ’＝Ｍで、かつＮがＮ’に等しくないように選択することと、
を備える方法。
適用例１６：
適用例１４の方法であって、
（ａ）は、４枚の基板を受け入れることを含み、
前記方法は、さらに、
規定の厚さＤを決定することと、
Ｎを（１／４）×Ｄ／ｄに最も近い正の整数Ｍであるように選択することであって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、選択と、
Ｎ’をＮ−１またはＮ＋１のいずれかであるように選択することと、
を備える方法。
適用例１７：
適用例１２ないし１６のいずれか一項の方法であって、さらに、（ｄ）後で、かつ（ｅ）前に、
（ｆ）少なくとも前記第１の基板を前記反応チャンバ内の第３のプロセスステーションに移送することと、
（ｇ）厳密にＮ”サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜厚の尚も別の一部を堆積させることであって、Ｎ”は、Ｎに等しくまたは等しくなく、Ｎ、Ｎ’は、Ｎ”は、前記規定の厚さを実現するように選択される、ことと、
を備える方法。
適用例１８：
適用例１７の方法であって、さらに、（ｇ）後で、かつ（ｅ）前に、
（ｈ）少なくとも前記第１の基板を前記反応チャンバ内の第４のプロセスステーションに移送することと、
（ｉ）厳密にＮ”’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜厚のさらなる一部を堆積させることであって、Ｎ”’は、Ｎに等しくまたは等しくなく、Ｎ、Ｎ’、Ｎ”およびＮ”’は、前記規定の厚さを実現するように選択される、ことと、
を備える方法。
適用例１９：
適用例１８の方法であって、
前記反応チャンバ内の４つのプロセスステーションに、４枚の基板が受け入れられ、
前記方法は、さらに、
規定の厚さＤを選択することと、
Ｄ／ｄに最も近い正の整数Ｍが４の倍数ではないと判定することであって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、判定と、
ＮおよびＮ’をＮ＋Ｎ’＝Ｍで、かつＮがＮ’に等しくないように選択することと、
を備える方法。
適用例２０：
適用例１２ないし１６のいずれか一項の方法であって、
（ａ）において、前記反応チャンバ内の複数のプロセスステーションに、複数の基板が受け入れられ、
（ｂ）において、厳密にＮサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記膜の厚みの一部が堆積され、
（ｃ）において、前記反応チャンバ内の異なるプロセスステーションに、前記複数の基板が移送され、
（ｄ）において、厳密にＮ’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記膜厚の別の一部が堆積される、方法。
適用例２１：
適用例２０の方法であって、
前記複数の基板は、少なくとも前記第１の基板と、第２の基板とを含み、（ｃ）は、さらに、前記第２の基板を前記第２のプロセスステーションから前記第１のプロセスステーションに移送することを含む、方法。
適用例２２：
適用例１２ないし１６のいずれか一項の方法であって、さらに、
（ｃ）後で、かつ（ｄ）前に、前記反応チャンバ内のプロセスステーションに、少なくとも１枚の追加の基板を受け入れることを備え、（ｄ）は、さらに、前記少なくとも１枚の追加の基板上に前記膜厚の別の一部を堆積させることを含む、方法。
適用例２３：
適用例２２の方法であって、
前記少なくとも１枚の追加の基板は、前記反応チャンバ内の前記第１のプロセスステーションに受け入れられる、方法。
適用例２４：
複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させるためのマルチステーション基板処理装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに収容され、それぞれが基板ホルダを有する１つ以上のプロセスステーションの第１群のプロセスステーションと、
前記処理チャンバに収容され、それぞれが基板ホルダを有する１つ以上のプロセスステーションの第２群のプロセスステーションと、
前記プロセスステーションへの膜前駆体の流れを制御するための１つ以上の弁と、
前記処理チャンバに収容された前記プロセスステーションを取り巻く空間から膜前駆体を除去するための弁作動式真空源と、
基板を前記処理チャンバ内の前記プロセスステーションの１つ以上に搭載するための基板搭載機器と、
１枚以上の基板を、前記第１群のプロセスステーションから前記第２群のプロセスステーションに、移送するための基板移送機器と、
前記基板上に材料の膜を堆積させるために前記基板搭載機器、前記基板移送機器、前記１つ以上の弁、前記真空源を操作するための機械読み取り可能命令を含む１つ以上のコントローラであって、
（ａ）１枚以上の基板の第１群の基板を前記処理チャンバ内の前記第１群のプロセスステーションに搭載するための命令と、
（ｂ）厳密にＮサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に膜材料を堆積させるための命令と、
（ｃ）（ｂ）における堆積後、前記第１群の基板を、前記第１群のプロセスステーションから前記第２群のプロセスステーションに、移送するための命令と、
（ｄ）１枚以上の基板の第２群の基板を前記処理チャンバ内の前記第１群のプロセスステーションに搭載するための命令と、
（ｅ）厳密にＮ’サイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第２群の基板上に、および前記第２群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に、膜材料を堆積させるための命令であって、Ｎ’およびＮは、規定の総膜厚を提供するように選択される、命令と、
（ｆ）（ｅ）における堆積後、前記第１群の基板を前記処理チャンバから取り出すための命令と、
を含む、コントローラと、
を備える装置。
適用例２５：
適用例２４の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
（ｇ）前記第２群の基板を、前記第１群のプロセスステーションから前記第２群のプロセスステーションに、移送するための機械読み取り可能命令と、
（ｈ）Ｎサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第２群のプロセスステーションにある前記第２群の基板上に膜材料を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
適用例２６：
適用例２４の装置であって、
一サイクルの膜堆積は、
（ｉ）膜前駆体を、膜前駆体が前記基板上に吸着制限層を形成するように、前記基板上に吸着させることと、
（ｉｉ）前記吸着された前駆体を取り巻く空間から、吸着されなかった膜前駆体の少なくとも一部を除去することと、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）において、吸着されなかった前駆体を除去した後に、吸着された膜前駆体を反応させて、前記基板上に膜層を形成させることと、
（ｉｖ）前記吸着された前駆体を反応させた後に存在する脱離した膜前駆体および／または反応の副生成物を、前記膜層を取り巻く空間から除去することと、
を含む、装置。
適用例２７：
適用例２４の装置であって、
前記基板搭載機器は、１つ以上のプロセスステーションの前記基板ホルダ上に基板を載置するための基板取扱ロボットを含む、装置。
適用例２８：
適用例２４の装置であって、
前記基板移送機器は、複数の前記基板の面に実質的に垂直で、かつ複数の前記基板に対して実質的に等間隔な中心軸を中心として、複数の前記基板を回転させることによって動作するカルーセルを含む、装置。
適用例２９：
適用例２４ないし２８のいずれか一項の装置であって、
前記処理チャンバは、４つのプロセスステーションを収容し、前記第１群のプロセスステーションおよび前記第２群のプロセスステーションは、それぞれ２つのプロセスステーションからなる、装置。
適用例３０：
適用例２４ないし２８のいずれか一項の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さＤを選択するための機械読み取り可能命令と、
Ｎを（１／２）×（Ｄ／ｄ）に最も近い正の整数であるように選択するための機械読み取り可能命令であって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、機械読み取り可能命令と、
Ｎ’をＮ−１またはＮ＋１のいずれかであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
適用例３１：
適用例３０の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
Δ＝２×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＜ｄ／２であるときに、Ｎ’をＮであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ＝２×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＞ｄ／２で、かつΔ＞０であるときに、Ｎ’をＮ−１であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ＝２×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＞ｄ／２で、かつΔ＜０であるときに、Ｎ’をＮ＋１であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
適用例３２：
複数の半導体基板上に材料の膜を堆積させるためのマルチステーション基板処理装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに収容された第１のプロセスステーションと、
前記処理チャンバに収容された第２のプロセスステーションと、
前記複数のプロセスステーションへの膜前駆体の流れを制御するための１つ以上の弁と、
前記処理チャンバに収容された前記複数のプロセスステーションを取り巻く複数の空間から膜前駆体を除去するための弁作動式真空源と、
基板を処理チャンバ内の前記プロセスステーションの１つ以上に搭載するための基板搭載機器と、
１枚以上の基板を前記第１のプロセスステーションから前記第２のプロセスステーションに移送するための基板移送機器と、
前記基板上に材料の膜を堆積させるために前記基板搭載機器、前記基板移送機器、前記１つ以上の弁、および前記真空源を操作するための機械読み取り可能命令を含む１つ以上のコントローラであって、
（ａ）少なくとも第１の基板を処理チャンバ内の前記第１のプロセスステーションに搭載するための命令と、
（ｂ）厳密にＮサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１のプロセスステーションにある少なくとも前記第１の基板上に規定の膜厚の一部を堆積させるための命令と、
（ｃ）少なくとも前記第１の基板を前記第２のプロセスステーションに移送するための命令と、
（ｄ）（ｃ）後に、厳密にＮ’サイクルの循環膜堆積を実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記規定の膜厚の別の一部を堆積させるための命令であって、Ｎは、Ｎ’に等しくなく、ＮおよびＮ’は、前記規定の膜厚を実現するように選択される、命令と、
（ｅ）少なくとも前記第１の基板を前記反応チャンバから取り出すための命令と、
を含む、１つ以上のコントローラと、
を備える装置。
適用例３３：
適用例３２の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
（ａ）において、複数のプロセスステーションに複数の基板を搭載するための機械読み取り可能命令と、
（ｂ）において、厳密にＮサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記規定の膜厚の一部を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
（ｃ）において、前記複数の基板を前記反応チャンバ内の異なるプロセスステーションに移送するための機械読み取り可能命令と、
（ｄ）において、厳密にＮ’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、前記複数の基板上に前記規定の膜厚の別の一部を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
適用例３４：
適用例３２の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、（ｃ）後で、かつ（ｄ）前に、少なくとも１枚の追加の基板を前記反応チャンバ内のプロセスステーションに搭載するための機械読み取り可能命令を含み、（ｄ）は、さらに、前記少なくとも１枚の追加の基板上に前記膜厚の別の一部を堆積させることを含む、装置。
適用例３５：
適用例３２の装置であって、
一サイクルの膜堆積は、
（ｉ）膜前駆体を、膜前駆体が前記基板上に吸着制限層を形成するように、前記基板上に吸着させることと、
（ｉｉ）前記吸着された前駆体を取り巻く空間から、吸着されなかった膜前駆体の少なくとも一部を除去することと、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）において、吸着されなかった膜前駆体を除去した後に、吸着された膜前駆体を反応させて、前記基板上に膜層を形成させることと、
（ｉｖ）前記吸着された前駆体を反応させた後に存在する脱離した膜前駆体および／または反応の副生成物を、前記膜層を取り巻く空間から除去することと、
を含む、装置。
適用例３６：
適用例３２の装置であって、
前記基板搭載機器は、前記プロセスステーションの少なくとも１つに基板を載置するための基板取扱ロボットを含む、装置。
適用例３７：
適用例３２の装置であって、
前記基板移送機器は、複数の前記基板の面に実質的に垂直で、かつ複数の前記基板に対して実質的に等間隔な中心軸を中心として、複数の前記基板を回転させることによって動作するカルーセルを含む、装置。
適用例３８：
適用例３２ないし３７のいずれか一項の装置であって、
前記処理チャンバは、４つのプロセスステーションを収容する、装置。
適用例３９：
適用例３８の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
前記堆積される膜の目標厚さＤを選択するための機械読み取り可能命令と、
Ｎを（１／４）×（Ｄ／ｄ）に最も近い正の整数であるように選択するための機械読み取り可能命令であって、ｄは、一サイクルの膜堆積によって堆積される膜層の期待平均厚さである、機械読み取り可能命令と、
Ｎ’をＮ−１またはＮ＋１のいずれかであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
適用例４０：
適用例３９の装置であって、
前記１つ以上のコントローラは、さらに、
Δ＝４×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＜ｄ／２であるときに、Ｎ’をＮであるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ＝４×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＞ｄ／２で、かつΔ＞０であるときに、Ｎ’をＮ−１であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
Δ＝４×ｄ×Ｎ−Ｄとして、｜Δ｜＞ｄ／２で、かつΔ＜０であるときに、Ｎ’をＮ＋１であるように選択するための機械読み取り可能命令と、
を含む、装置。
適用例４１：
機械読み取り可能媒体であって、
（ａ）１枚以上の基板の第１群の基板を処理チャンバ内の１つ以上のプロセスステーションの第１群のプロセスステーションに搭載するための機械読み取り可能命令と、
（ｂ）Ｎサイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に膜材料を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
（ｃ）（ｂ）における堆積後、前記第１群の基板を前記第１群のプロセスステーションから、前記処理チャンバ内の１つ以上のプロセスステーションの第２群のプロセスステーションに、移送するための機械読み取り可能命令と、
（ｄ）１枚以上の基板の第２群の基板を前記処理チャンバ内の前記第１群のプロセスステーションに搭載するための機械読み取り可能命令と、
（ｅ）Ｎ’サイクルの膜堆積を実施することによって、前記第１群のプロセスステーションにある前記第２群の基板上に、および前記第２群のプロセスステーションにある前記第１群の基板上に、膜材料を堆積させるための機械読み取り可能命令であって、Ｎ’は、Ｎに等しくない、機械読み取り可能命令と、
（ｆ）（ｅ）における堆積後、前記第１群の基板を前記処理チャンバから取り出すための機械読み取り可能命令と、
を有する機械読み取り可能媒体。
適用例４２：
機械読み取り可能媒体であって、
（ａ）前記反応チャンバの第１のプロセスステーションに、少なくとも第１の基板を受け入れるための機械読み取り可能命令と、
（ｂ）厳密にＮサイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜の厚みの一部を堆積させるための機械読み取り可能命令と、
（ｃ）少なくとも前記第１の基板を第２のプロセスステーションに移送するための機械読み取り可能命令と、
（ｄ）（ｃ）後に、厳密にＮ’サイクルの循環堆積プロセスを実施することによって、少なくとも前記第１の基板上に前記膜の厚みの別の一部を堆積させるための機械読み取り可能命令であって、Ｎは、Ｎ’に等しくなく、ＮおよびＮ’は、前記規定の厚みを達成するように選択される、機械読み取り可能命令と、
（ｅ）少なくとも前記第１の基板を前記反応チャンバから取り出すための機械読み取り可能命令と、
を有する機械読み取り可能媒体。