【事件の表示】
　特許第５６９６８１１号発明「コネクタ用めっき端子および端子対」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５６９６８１１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項〔１〜１４〕のとおり訂正することを認める。
　特許第５６９６８１１号の請求項３ないし１４に係る特許を維持する。
　特許第５６９６８１１号の請求項１及び２に係る特許についての申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５６９６８１１号（以下「本件特許」という。）に係る出願（以下「本件出願」という。）は、２０１３年５月９日（優先権主張平成２４年５月１１日、日本国、平成２５年３月１８日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年２月２０日に設定登録（特許掲載公報発行：同年４月８日）がされた。
　以後の本件に係る手続の概要は、以下のとおりである。
　　平成２７年１０月　６日　特許異議申立
　　平成２８年　１月１８日　取消理由通知
　　　　　同年　３月１８日　訂正請求
　　　　　同年　３月１８日　意見書（特許権者）
　　　　　同年　５月　６日　意見書（申立人）
　　　　　同年　６月　１日　上申書（特許権者）
　
第２　訂正の適否についての判断
　１　訂正の内容
（１）訂正事項１ 
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
 　 
（２）訂正事項２ 
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
　　
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３に「前記合金含有層の表面に占める前記第一金属相の露出面積率は１０％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のコネクタ用めっき端子。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、「銅又は銅合金よりなる母材の上に、スズとパラジウムよりなり、スズ−パラジウム合金を含む合金含有層が形成されており、前記合金含有層におけるパラジウムの含有量は、２０原子％未満であり、前記合金含有層は、スズとパラジウムの合金よりなる第一金属相のドメイン構造が、純スズスは前記第一金属相よりもパラジウムに対するスズの割合が高い合金よりなる第二金属相の中に形成されたものであり、前記合金含有層の表面に占める前記第一金属相の露出面積率は１０％以上であることを特徴とするコネクタ用めっき端子。」と訂正する。
 　 
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項３に「前記合金含有層の表面に占める前記第一金属相の露出面積率は１０％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のコネクタ用めっき端子。」と記載されているのを、上記訂正事項３により訂正したうえで、さらに「前記合金含有層の表面に占める前記第一金属相の露出面積率は１０％以上であることを特徴とするコネクタ用めっき端子。」を「前記合金含有層の表面に占める前記第一金属相の露出面積率は１０％以上であることを特徴とするコネクタ用めっき端子。ただし、前記合金含有層におけるパラジウムの含有量が２.９６原子％以下である場合を除く。」と訂正する。 
 　 
（５）訂正事項５ 
　特許請求の範囲の請求項１、２の削除に伴い、請求項１ 、２の記載を引用する請求項４において「請求項１〜３のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」と記載されているのを、「請求項３に記載のコネク夕用めっき端子」と訂正する。
　
　同様に、請求項１、２の記載を引用する請求項５において「請求項１〜４のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」と記載されているのを、「請求項３又は４に記載のコネクタ用めっき端子」に訂正する。
　
　同様に、請求項１、２の記載を引用する請求項６において「請求項１〜５のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」と記載されているのを、「請求項３〜５のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」に訂正する。
　
　同様に、請求項１、２の記載を引用する請求項７において「請求項１〜６のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」と記載されているのを、「請求項３〜６のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」に訂正する。
　
　同様に、請求項１、２の記載を引用する請求項８において「請求項１〜７のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」と記載されているのを、「請求項３〜７のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」に訂正する。
　
　同様に、請求項１、２の記載を引用する請求項９において「請求項１〜８のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」と記載されているのを、「請求項３〜８のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」に訂正する。
　
　同様に、請求項１、２の記載を引用する請求項１２において「請求項１〜１１のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」と記載されているのを、「請求項３〜１１のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子」に訂正する。
　
　２　訂正要件について 
（１）訂正の目的 
　訂正事項１及び２は、請求項１及び２を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　訂正事項３は、訂正前の請求項３が請求項１又は２の記載を引用する記載であるところ、請求項２を引用しないものとした上で、請求項１の記載を引用しない記載に訂正するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に掲げる他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
　
　訂正事項４は、合金含有層におけるパラジウムの含有量につき、訂正前に「２０原子％未満」であったものを「ただし、前記合金含有層におけるパラジウムの含有量が２.９６原子％以下である場合を除く。」とすることにより、訂正後の請求項３に係る発明の合金含有層におけるパラジウムの含有量を、より狭い領域に限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　 
　訂正事項５は、訂正事項１及び２による請求項１及び２の削除に対応して、訂正前の請求項４〜９、１２において訂正前の請求項１及び２を引用している記載を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（２）新規事項 
　訂正事項１及び２は、請求項１及び２を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合する。
　
　訂正事項３は、請求項の記載を他の請求項の記載を引用しない記載に訂正するものであって、何ら実質的な内容の変更を伴わないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合する。
　
　訂正事項４は、請求項３に係る発明の合金含有層におけるパラジウムの含有量につき、平成２８年１月１８日付けの取消理由で示された刊行物１発明との重なりのみを除くものであって、本件特許明細書又は図面から導かれる技術的事項に何らかの変更を生じさせるとはいえない。
　したがって、訂正事項４は、本件特許明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではないから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合する。
　
　訂正事項５は、訂正前の請求項４〜９、１２において訂正前の請求項１及び２を引用している記載を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合する。
 　 
（３）拡張・変更の存否 
　訂正事項１及び２は、請求項１及び２を削除するものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合する。
　
　訂正事項３は、請求項の記載を他の請求項の記載を引用しない記載に訂正するものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合する。
　
　訂正事項４は、合金含有層におけるパラジウムの含有量につき、訂正前の「２０原子％未満」という数値範囲に対して、「ただし、前記合金含有層におけるパラジウムの含有量が２.９６原子％以下である場合を除く。」という制限を付すものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合する。
　
　訂正事項５は、訂正前の請求項４〜９、１２において訂正前の請求項１及び２を引用している記載を削除するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合する。
（４）一群の請求項 
　訂正事項１〜５は、一群の請求項ごとに請求されたものである。
　
　３　むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び同条第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜１４〕について訂正を認める。
　
第３　特許異議の申立てについて
　１　本件訂正発明
　本件訂正請求により訂正された請求項３ないし１４に係る発明（以下「本件訂正発明３」ないし「本件訂正発明１４」という。）は、その特許請求の範囲の請求項３ないし１４に記載された次のとおりのものと認める。
　
「【請求項３】
　銅又は銅合金よりなる母材の上に、スズとパラジウムよりなり、スズ−パラジウム合金を含む合金含有層が形成されており、
　前記合金含有層におけるパラジウムの含有量は、２０原子％未満であり、
　前記合金含有層は、スズとパラジウムの合金よりなる第一金属相のドメイン構造が、純スズ又は前記第一金属相よりもパラジウムに対するスズの割合が高い合金よりなる第二金属相の中に形成されたものであり、
　前記合金含有層の表面に占める前記第一金属相の露出面積率は１０％以上であることを特徴とするコネクタ用めっき端子。
　ただし、前記合金含有層におけるパラジウムの含有量が２．９６原子％以下である場合を除く。
【請求項４】
　前記合金含有層の表面に占める前記第一金属相の露出面積率は８０％以下であることを特徴とする請求項３に記載のコネクタ用めっき端子。
【請求項５】
　表面の光沢度が１０〜３００％の範囲にあることを特徴とする請求項３又は４に記載のコネクタ用めっき端子。
【請求項６】
　前記合金含有層の厚さが０．８μｍ以上であることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子。
【請求項７】
　前記合金含有層の表面を相互に摩擦させた時の動摩擦係数が０．４以下であることを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子。
【請求項８】
　前記合金含有層のビッカース硬度が１００以上であることを特徴とする請求項３〜７のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子。
【請求項９】
　他の導電部材と電気的に接触する接点部の表面に、前記接点部を横切る直線のうち最長の直線よりも短い径を有する前記第一金属相のドメインが露出されていることを特徴とする請求項３〜８のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子。
【請求項１０】
　前記接点部は、エンボスとして形成されていることを特徴とする請求項９に記載のコネクタ用めっき端子。
【請求項１１】
　前記エンボスの半径が３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１０に記載のコネクタ用めっき端子。
【請求項１２】
　雄型コネクタ端子と雌型コネクタ端子とからなり、
　前記雄型コネクタ端子と前記雌型コネクタ端子の少なくとも一方が請求項３〜１１のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子よりなることを特徴とする端子対。
【請求項１３】
　前記雄型コネクタ端子と前記雌型コネクタ端子とが相互に接触する接点部に印加される接触荷重が、２Ｎ以上であることを特徴とする請求項１２に記載の端子対。
【請求項１４】
　前記接触荷重は、５Ｎ以上であることを特徴とする請求項１３に記載の端子対。」
　
　２　取消理由の概要　
　訂正前の請求項１ないし１４に係る発明（以下「本件特許発明１」ないし「本件特許発明１４」という。）についての特許に対して平成２８年１月１８日付けで通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
　
（１）本件特許発明１ないし９は、刊行物１発明と同一であるか、又は刊行物１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１ないし９は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、請求項１ないし９に係る特許は、取り消されるべきものである。
　
（２）本件特許発明１０、１１、１３及び１４は、刊行物１発明に基いて、又は刊行物１発明及び刊行物２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１０、１１、１３及び１４は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、請求項１０、１１、１３及び１４に係る特許は、取り消されるべきものである。
 　 
（３）本件特許発明１２は、刊行物１発明と同一であるか、又は刊行物１発明及び上記周知技術に基いて、或いは刊行物１発明及び刊行物２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許発明１２は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、請求項１２に係る特許は、取り消されるべきものである。
　
　刊行物１：国際公開第２０１１／００１７３７号
　刊行物２：「電子情報技術産業協会規格ＪＥＩＴＡ　ＲＣ−５２４１電子　　　　　　機器用コネクタのウィスカ試験方法」（社団法人電子情報技術　　　　　　産業協会、２００７年１２月発行）
　
　３　刊行物
（１）刊行物１　
　本件出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物１には、「電気部品の製造方法及び電気部品」に関して、図面（特に、図２及び図５（ａ）参照）とともに、次の事項が記載されている。
　
　ア　「[0031]・・・ここで、拡散層は、スズとパラジウムの金属間化合物からなる層でもよく、スズとパラジウムの固溶体からなる層でもよく、またこれらの両方を含む層であってもよい。・・・」
　
　イ　「[0036] 図２は、上記製造方法により得られる本発明の電気部品の第２の態様の部分断面図である。図２に示す本発明の電気部品２０は、基材１１と、この基材上に形成された表面層２４を有している。本実施形態において、上記表面層２４は、スズ又はパラジウム以外の金属を含有するスズ合金からなる相２５（以下、「スズ相」と表記することもある）と、スズとパラジウムを含有する合金相２６（以下、「スズ−パラジウム合金相」と表記することもある）とを有する。また、本発明の電気部品２０は、表面メッキ層２４の下層に、中間層１３及び／又は下地層１２を有していてもよい。
[0037] 表面層２４におけるスズ相２５は、本発明の製造方法において用いられる表面メッキ層と同様の材料からなるものである。また、スズ−パラジウム合金相２６は、主としてスズとパラジウムの２元合金からなる相を示す。本発明におけるスズ−パラジウム合金相２６は、該２元合金のみからなる相であってもよいし、１種又は２種以上の他の元素を更に含む３元以上の合金であってもよい。このとき、スズ−パラジウム合金相２６に含有される他の金属元素は特に限定されないが、通常は、表面メッキ層に含有されるスズ以外の金属元素、基材を構成する金属元素、下地層１２を構成する金属元素、及び中間層１３を構成するパラジウム以外の金属元素から選ばれる。」
　
　ウ　「[0040] 本発明における表面層２４は、スズ相２５中にスズ−パラジウム合金相２６が分散してなるものであることが好ましい。すなわち、表面層２４が、スズ相２５を海とし、スズ−パラジウム合金相２６を島とする海島構造を有していることが好ましい。スズ−パラジウム合金相２６がスズ相２５中に分散して存在することにより、スズの結晶粒界におけるエネルギー勾配をより緩和させることができるため、ウィスカの発生をより効果的に抑制できると考えられる。このような本発明特有の効果は、中間層の金属としてパラジウム又はパラジウム合金を採用することにより得られるものである。例えば、銀を中間層に用いた場合、銀はスズメッキ層内で拡散し、スズの結晶粒界にのみ点在すると考えられている。このため、スズの結晶粒界におけるエネルギー勾配を充分に緩和させることができず、長期の使用においてウィスカが発生することがあった。また、電気部品の性能にばらつきが生じることもあった。」
　
　エ　「[0042] 上記海島構造を有する表面層２４を得るための加熱処理の条件は、製造される電子部品の種類、並びに中間メッキ層及び表面メッキ層の材料や厚さによって適宜選択することができ、特に限定されないが、例えば厚さ０．０５μｍのパラジウム中間メッキ層上に厚さ３μｍのスズ表面メッキ層を形成してなるコネクタ用コンタクトの場合、２３２℃以上４００℃以下で１〜１２０秒リフロー処理することにより、図２に示すような海島構造を有する表面層２４を得ることができる。
[0043] また、本第２態様の電気部品２０は、中間層１３を有していてもよい。本発明の製造方法において基材上に形成される中間メッキ層は、パラジウム原子が表面メッキ層に拡散するため、加熱処理や時間の経過に伴い通常は消失するが、中間メッキ層のメッキ厚が大きい場合などには残留していてもよい。また、表面メッキ層形成後の加熱処理条件や製造後の経過時間によっては、この中間層１３が上述したような拡散層として存在する場合もある。本発明の電気部品が中間層１３を有する場合、その厚さは通常２μｍ以下である。」
　
　オ　「[0048] 以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明する。
〈実施例１〉
　基材として、コネクタ用コンタクトとなるべき部分が接続部分を介して多数連結されてなるリン青銅製のテープを用いた。このリン青銅製テープの脱脂及び酸洗浄を行った後に、銅ストライクメッキ（メッキ厚０．１μｍ）を施し、この上にニッケルメッキ（メッキ厚２．０μｍ）を施して合計厚さ約２μｍの下地メッキ層を得、該下地メッキ層上にパラジウムメッキを施して厚さ０．０５μｍの中間メッキ層を得た。得られた中間メッキ層上に厚さ３μｍのスズメッキを施すことにより、厚さ約３μｍの表面メッキ層を得た。
なお、これらの各メッキ工程はフープメッキにより行い、パラジウムメッキ液としてエヌ・イーケムキャット（株）製のＰＤ−ＬＦ−８００を、スズメッキ液としてユケン工業（株）製のＳＢＳ−Ｍを用いた。このようにして、本発明の電気部品としてのコネクタ用コンタクトを多数連結された状態で有するテープ１を得た。即ち、テープ１は、基材上にニッケル下地層、パラジウム中間層及びスズ表面層をこの順に積層して有している。」
　
　カ　「[0051] 〈実施例３〉
　実施例１において得られたテープ１を簡易リフロー炉に導入し、テープ３を得た。得られたテープ３について、実施例１と同様の方法により断面観察を行った。観察部位の断面の顕微鏡写真を図５（ａ）に示す。図５（ａ）において、５１はニッケル下地層を、５２は中間層としてのスズ−パラジウム拡散層を、５３は表面層を、それぞれ示す。また、表面層５３中において、５４はスズ相であり、５５はスズ−パラジウム合金相である。更に、テープ３の表面をＸ線回折装置に観察した。得られたＸ線回折パターンを図５（ｂ）に示す。これより、ＰｄＳｎ４に相当するピークの存在が確認された。」
　
　キ　図５（ａ）には、上記（２）の「本発明における表面層２４は、スズ相２５中にスズ−パラジウム合金相２６が分散してなるものであることが好ましい。すなわち、表面層２４が、スズ相２５を海とし、スズ−パラジウム合金相２６を島とする海島構造を有していることが好ましい。」（段落［0040］）との記載とあわせみると、スズ相５４を海とし、スズ−パラジウム合金相５５を島とする海島構造が示されている。
　
　これらの記載事項及び図面の図示内容を総合し、本件訂正発明３の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、実施例３に関して、次の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
「リン青銅製のテープの上に、スズとパラジウムよりなり、スズ−パラジウム合金相５５を含む表面層５３が形成されており、
　前記表面層５３は、スズ−パラジウム合金相５５の島が、スズ相５４の海の中に形成された海島構造であるコネクタ用コンタクト。」
　
（２）刊行物２
　本件出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物２の附属書Ｄの１７ページの図Ｄ．１．１には、ＦＰＣ／ＦＦＣコネクタのコンタクトのかん合部（接触部）を下向き略三角形状とすることが示され、第１８ページの図Ｄ．１．２には、プリント配線板用コネクタのコンタクトのかん合部（接触部）を横向き略三角形状とすることが示されている。
　
　４　判断
（１）本件訂正発明３について
　ア　対比
　本件訂正発明３と刊行物１発明とを対比すると、後者の「リン青銅製のテープ」は前者の「銅合金よりなる母材」に相当し、以下同様に、「スズ−パラジウム合金相５５」は「スズ−パラジウム合金」に、「スズとパラジウムよりなり、スズ−パラジウム合金相５５を含む表面層５３」は「スズとパラジウムよりなり、スズ−パラジウム合金を含む合金含有層」に、「スズ−パラジウム合金相５５の島」は「スズとパラジウムの合金よりなる第一金属相のドメイン構造」に、「スズ相５４の海」は「純スズよりなる第二金属相」に、「コネクタ用コンタクト」はメッキを施して得られたものであるから「コネクタ用めっき端子」にそれぞれ相当する。
 　 
　したがって、両者は、  
「銅合金よりなる母材の上に、スズとパラジウムよりなり、スズ−パラジウム合金を含む合金含有層が形成されており、
　前記合金含有層は、スズとパラジウムの合金よりなる第一金属相のドメイン構造が、純スズよりなる第二金属相の中に形成されたものであるコネクタ用めっき端子。」  
　で一致し、次の点で相違する。  
 　 　  
 〔相違点１〕  
　本件訂正発明３は、「前記合金含有層におけるパラジウムの含有量は、２０原子％未満であり」、「ただし、前記合金含有層におけるパラジウムの含有量が２．９６原子％以下である場合を除く」のに対し、  
　刊行物１発明は、表面層５３におけるパラジウムの含有量が特定されていない点。
　
 〔相違点２〕  
　本件訂正発明３は、「前記合金含有層の表面に占める前記第一金属相の露出面積率は１０％以上である」のに対し、  
　刊行物１発明は、露出面積率が特定されていない点。
　
　イ　判断
　そこで、各相違点を検討する。
（ア）相違点１について
　刊行物１のスズ−パラジウム拡散層５２及び表面層５３は、厚さ０．０５μｍのパラジウムメッキからなる中間メッキ層上に厚さ３μｍのスズメッキを施して得られた厚さ約３μｍの表面メッキ層（段落［0048］）をピーク温度３１０℃で２秒間リフロー処理（段落［0051］）することにより得られたものであるから、パラジウムメッキからなる中間メッキ層のパラジウムを全て含有するものである。
　また、刊行物１の「拡散層は、スズとパラジウムの金属間化合物からなる層でもよく、スズとパラジウムの固溶体からなる層でもよく、またこれらの両方を含む層であってもよい」（「３」「（１）」「ア」）との記載からみて、スズ−パラジウム拡散層５２は、スズとパラジウムの金属間化合物からなる層となり得る。
　
　そして、刊行物１の「厚さ０．０５μｍのパラジウム中間メッキ層上に厚さ３μｍのスズ表面メッキ層を形成してなるコネクタ用コンタクトの場合、２３２℃以上４００℃以下で１〜１２０秒リフロー処理することにより、図２に示すような海島構造を有する表面層２４を得ることができる」（「３」「（１）」「エ」）との記載も踏まえると、異議申立書第１４ページ下から第６行〜第１６ページ第１５行に記載された「パラジウムが全てスズめっき層に拡散したと仮定」して計算することができ、当該計算法によれば、表面層５３が、２．９６原子％を上限としてパラジウムを含有し得ることが理解できる。
　
　これに対して、本件訂正発明３は、「前記合金含有層におけるパラジウムの含有量は、２０原子％未満であり」、「ただし、前記合金含有層におけるパラジウムの含有量が２．９６原子％以下である場合を除く」ものである。　
　そうすると、合金含有層におけるパラジウムの含有量に関して、本件訂正発明３は、上記上限と重複しないから、本件訂正発明３と刊行物１発明とは、少なくともこの点において同一ということはできない。
　
　また、刊行物１には、複数の実施例及び比較例が記載されているが、上記計算法に照らせば、いずれにおいても表面層におけるパラジウムの含有量を２．９６原子％より大きくするものでないことが理解できる。
　
　したがって、刊行物１発明において、刊行物１及び２に記載された事項から、相違点１に係る本件訂正発明３の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たということはできない。
　
（イ）相違点２について
　本件訂正発明３は、スズめっきコネクタ端子よりも、摩擦係数が低減されたコネクタ用めっき端子を得ることを課題とする（本件特許明細書の段落【０００５】）のに対して、刊行物１発明は、主としてスズからなる表面層を有する電気部品において、応力がかかった状態でも長期にわたってウィスカの発生を抑制することを課題とする（段落[0007]）から、両者は技術的課題において相違する。
　
　また、本件訂正発明３の露出面積率について、本件特許明細書には「合金部１１の露出面積率は、（表面に露出する合金部１１の面積）／（合金含有層１の表面全体の面積）×１００（％）として算出される。」（段落【００３７】）及び「合金部の露出面積率は、後述する断面のＳＥＭ画像（審決注：走査電子顕微鏡画像）から算出した。」（段落【００６５】）と記載されており、また、図４には、合金部の露出面積率が（ａ）１２％、（ｂ）４５％、（ｃ）７８％であるスズ−パラジウム合金を形成しためっき部材の断面のＳＥＭ像が示されている。
　
　他方、刊行物１の図５（ａ）は、実施例３で得られたテープ断面のＳＩＭ（走査イオン顕微鏡）観察像であるが、スズ−パラジウム合金相５５が表面に露出することは示されていない。
　また、刊行物１には、実施例９（リン青銅製テープ上に下地メッキ層（銅ストライクメッキ（メッキ厚０．１μｍ）、ニッケルメッキ（メッキ厚１．５μｍ））、中間メッキ層（パラジウムメッキ層（メッキ厚０．０５μｍ））、及び表面メッキ層（スズメッキ層（メッキ厚３μｍ））、２９０℃で２秒間リフロー処理）で得られたテープ９について「テープ９の断面におけるスズの結晶方位マップ（ＩＰＦ）を図７（ａ）に、表面におけるスズのＩＰＦを図７（ｂ）にそれぞれ示している」（段落[0081]）こと、及び「図７（ａ）に示すように、加熱処理を行ったテープ９の表面層は、明確な結晶粒界は図６に比べて極めて少なく、ＩＰＦ中の広い範囲にわたって、結晶方位がなだらかに変化している。また、図７（ａ）の長手方向両端での結晶方位差は１１．５°であった。これより、加熱処理を行ったテープ９の表面層の断面において、結晶粒子間の結晶方位差が１５°以内の領域が５０μｍ以上連続して存在していることが分かる。なお、図７（ｂ）の表面におけるＩＰＦから、表面層のどの断面においても、図７（ａ）と同様の結晶配向を有していると推測することができる。このように、加熱処理を行うことにより、粒子間の結晶方位差が１５°以内の領域が１０μｍ以上連続して存在する表面層を得ることができる。」（段落[0083]）ことが記載されており、これらの記載からみて、刊行物１の図７（ａ）及び図７（ｂ）は、テープ９の断面及び表面におけるスズの結晶方位や結晶配向を示したものである。
　
　そうすると、本件特許明細書の露出面積率についての上記記載に照らせば、刊行物１の図５（ａ）、図７（ａ）及び図７（ｂ）から、刊行物１発明の合金部の露出面積率を推測することができるとはいえない。
　
　したがって、刊行物１発明において、刊行物１及び２に記載された事項から、相違点２に係る本件訂正発明３の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たということはできない。
 　  
　ウ　まとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正発明３は、刊行物１発明と同一でなく、また、刊行物１発明並びに刊行物１及び２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（２）本件訂正発明４ないし１４について
　本件訂正発明４ないし１４は、本件訂正発明３のすべてを含んだものであるところ、本件訂正発明３は、前記「（１）」に記載したとおり、刊行物１発明と同一でなく、また、刊行物１発明並びに刊行物１及び２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもないから、本件訂正発明４ないし１４も、同様に、刊行物１発明と同一でなく、また、刊行物１発明並びに刊行物１及び２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　５　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由によっては、本件訂正発明３ないし１４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件訂正発明３ないし１４に係る特許を取り消す理由を発見しない。
　また、請求項１及び２に係る特許は、訂正により、削除されたため、本件特許の請求項１及び２に対して、特許異議申立人がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年６月２８日（２０１６．６．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　（削除）
　【請求項２】
　（削除）
　【請求項３】
　銅又は銅合金よりなる母材の上に、スズとパラジウムよりなり、スズ−パラジウム合金を含む合金含有層が形成されており、
　前記合金含有層におけるパラジウムの含有量は、２０原子％未満であり、
　前記合金含有層は、スズとパラジウムの合金よりなる第一金属相のドメイン構造が、純スズ又は前記第一金属相よりもパラジウムに対するスズの割合が高い合金よりなる第二金属相の中に形成されたものであり、
　前記合金含有層の表面に占める前記第一金属相の露出面積率は１０％以上であることを特徴とするコネクタ用めっき端子。
　ただし、前記合金含有層におけるパラジウムの含有量が２．９６原子％以下である場合を除く。
　【請求項４】
　前記合金含有層の表面に占める前記第一金属相の露出面積率は８０％以下であることを特徴とする請求項３に記載のコネクタ用めっき端子。
　【請求項５】
　表面の光沢度が１０〜３００％の範囲にあることを特徴とする請求項３又は４に記載のコネクタ用めっき端子。
　【請求項６】
　前記合金含有層の厚さが０．８μｍ以上であることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子。
　【請求項７】
　前記合金含有層の表面を相互に摩擦させた時の動摩擦係数が０．４以下であることを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子。
　【請求項８】
　前記合金含有層のビッカース硬度が１００以上であることを特徴とする請求項３〜７のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子。
　【請求項９】
　他の導電部材と電気的に接触する接点部の表面に、前記接点部を横切る直線のうち最長の直線よりも短い径を有する前記第一金属相のドメインが露出されていることを特徴とする請求項３〜８のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子。
　【請求項１０】
　前記接点部は、エンボスとして形成されていることを特徴とする請求項９に記載のコネクタ用めっき端子。
　【請求項１１】
　前記エンボスの半径が３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１０に記載のコネクタ用めっき端子。
　【請求項１２】
　雄型コネクタ端子と雌型コネクタ端子とからなり、
　前記雄型コネクタ端子と前記雌型コネクタ端子の少なくとも一方が請求項３〜１１のいずれかに記載のコネクタ用めっき端子よりなることを特徴とする端子対。
　【請求項１３】
　前記雄型コネクタ端子と前記雌型コネクタ端子とが相互に接触する接点部に印加される接触荷重が、２Ｎ以上であることを特徴とする請求項１２に記載の端子対。
　【請求項１４】
　前記接触荷重は、５Ｎ以上であることを特徴とする請求項１３に記載の端子対。