【事件の表示】
　特許第５８０７９３５号発明「放熱基板と、それを使用した半導体用モジュール」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８０７９３５号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯 
　特許第５８０７９３５号の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は、平成２６年１０月９日に特許出願され、平成２７年９月１８日に特許の設定登録がなされ、その後、その特許に対し、特許異議申立人　角田　朗により特許異議の申立てがなされたものである。 
 　 
２．本件特許発明 
　特許第５８０７９３５号の請求項１ないし１０に係る特許発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」ないし「本件特許発明１０」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。 
「【請求項１】
　主成分が金属とダイヤモンドからなる複合材の表面にメッキにより金属層を形成し、前記金属層の形成された前記複合材を固相焼結し、前記固相焼結により前記金属層の表面に残ったピンホールを修復して、ろう付けやハンダ付けが可能なＮｉ系メッキを形成することを特徴とする放熱基板の製造方法。
【請求項２】
　主金属と添加金属およびダイヤモンドの粉末を混合し、その混合粉末を型押しした後に液相焼結をすることでダイヤモンドの表面に添加金属の炭化物と主金属からなる層を形成し、前記液相焼結ののちに複合材の表面にメッキにより金属層を形成し、前記金属層の形成された前記複合材を固相焼結し、前記固相焼結により前記金属層の表面に残ったピンホールを修復して、ろう付けやハンダ付けが可能なＮｉ系メッキを形成することを特徴とする放熱基板の製造方法。
【請求項３】
　前記放熱基板の線膨張係数が6.5ppm/K以上15ppm/K以下の範囲にあり、熱伝導率が420W/m・K以上であることを特徴とする請求項２に記載の放熱基板の製造方法。
【請求項４】
　前記主金属はAg、Cu、Alまたはこれらの合金であり、前記添加金属は複合材全体に対しTi、Cr、Co、Mn、Ni、Fe、B、Si、Mg、Znから選ばれた１種もしくは1種以上の金属であり、その添加割合は複合材全体に対し1vol%以上15vol%以下であって、前記ダイヤモンドの粒径はその95％以上が10μｍ以上1000μｍ以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の放熱基板の製造方法。
【請求項５】
　前記複合材の表面はAg、Cu、Niまたはこれらの合金から選ばれた金属層からなり、その厚みは5μｍ以上200μｍ以下である請求項１から３何れかに記載の放熱基板の製造方法。
【請求項６】
　前記複合材を研削や研磨した後に、Ti、Cr、Au、Ptまたは、これらの合金から選ばれた金属を蒸着して、その表面にAg、Cu、Niまたはこれらの合金から選ばれた金属層を形成し、その合計の厚さが5μｍ以上200μｍ以下である請求項１から３何れかに記載の放熱基板の製造方法。
【請求項７】
　前記固相焼結は真空、減圧、非酸化、還元、不活性ガス、難燃性液体、不燃性液体から選ばれた雰囲気において、前記主金属と前記添加金属からなる合金の液相出現温度以下の温度と50MPa以上500MPa以下の圧力で加熱し加圧して得られた請求項２または３に記載の放熱基板の製造方法。
【請求項８】
　前記固相焼結は真空、減圧、非酸化、還元、不活性ガス、難燃性液体、不燃性液体から選ばれた雰囲気において、前記主金属または前記主金属と前記添加金属からなる合金の液相出現温度以下の温度で50MPa以上500MPa以下のホットプレスで加熱し加圧して得られた請求項２または３に記載の放熱基板の製造方法。
【請求項９】
　前記固相焼結は水中において、前記主金属または前記主金属と前記添加金属からなる合金の液相出現温度以下の温度で50MPa以上500MPa以下の通電焼結で加熱し加圧して得られた請求項２または３に記載の放熱基板の製造方法。
【請求項１０】
　前記複合材を高温高圧下で緻密化した後に金属層をもうけ、再度、固相焼結を行う請求項２または３に記載の放熱基板の製造方法。」 
　
３．申立理由の概要 
　特許異議申立人は、主たる証拠として甲第１号証、及び従たる証拠として甲第２ないし９号証を提出し、 
（１）本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証に記載の技術事項、及び甲第３号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、 
（２）本件特許発明２は、甲第１号証に記載された発明、及び甲第２ないし４号証にそれぞれ記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、
（３）本件特許発明３ないし５，７，８，１０は、甲第１号証に記載された発明、及び甲第２ないし５号証にそれぞれ記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、
（４）本件特許発明６は、甲第１号証に記載された発明、及び甲第２ないし６号証にそれぞれ記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、
（５）本件特許発明９は、甲第１号証に記載された発明、甲第２ないし５号証に記載の技術事項、及び甲第７ないし９号証にそれぞれ記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、
　請求項１ないし１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 
［証拠］ 
　甲第１号証：特開２０１０−１０６３６２号公報 
　甲第２号証：特開２００５−１７５００６号公報 
　甲第３号証：特開２０１３−９８４９１号公報 
　甲第４号証：特開平１１−６７９９１号公報 
　甲第５号証：特開２００４−１９７１５３号公報 
　甲第６号証：特許第４２５１９８６号公報
　甲第７号証：特開平１０−２３１１７５号公報
　甲第８号証：特開２００８−１１２８９３号公報
　甲第９号証：特開２００９−２１８５４１号公報
　 
４．甲第１ないし９号証の記載事項（なお、下線は当審で付与した。） 
（１）甲第１号証（特開２０１０−１０６３６２号公報） 
　ア．「【請求項１８】
  鋳型に収納されている
SiC集合体に、溶融したマグネシウム又はマグネシウム合金を溶浸させて、前記マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとを複合した複合材料からなる基板を具える複合部材を製造する複合部材の製造方法であって
  
前記基板に金属板を重ね、この積層物を300℃以上の温度に加熱しながら、0.5ton/cm
2
以上の圧力で加圧する金属被覆層形成工程を具えることを特徴とする複合部材の製造方法
 　 
　イ．「【請求項２１】
  前記基板又は
前記複合部材を300℃以上、当該基板の金属成分及び金属被覆層の構成金属の固相線温度未満の温度に加熱しながら、1ton/cm
2
以上の圧力で加圧する圧縮工程を具える
 　 
　ウ．「【０００１】
  
本発明は、マグネシウム(いわゆる純マグネシウム)又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板を具える複合部材、及びその製造方法、上記複合部材からなる放熱部材
に関するものである
　エ．「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
  しかし、
従来の複合材料は、Niなどのめっきを施し難い
【０００６】
  
複合材料の表面は、SiCが点在することで凹凸が多く、均一的にめっきすることが難しい
【０００７】
  また、
生産性を考慮すると電気めっきが好ましいが、複合材料の表面に存在するSiCは、電気絶縁性が高いことから導通を取れない。そのため、電気めっきが実質的に行えない。無電解めっきは可能であるが、上述のように表面の凹凸によって均一的にめっきを施すことが難しい上に、コストの増大を招く
【０００８】
  
そこで、本発明の目的の一つは、Mg-SiC複合材料を主たる構成材料とする複合部材であって、電気めっきが施し易い複合部材を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記複合部材の製造に適した複合部材の製造方法を提供することにある
【課題を解決するための手段】
【０００９】
  
本発明は、複合材料からなる基板の少なくとも一面に金属被覆層を具えることで、上記目的を達成する。本発明複合部材は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板と、この基板の少なくとも一面を覆う金属被覆層とを具える
【００１０】
  
本発明複合部材によれば、複合材料からなる基板の一面が導電性を有する金属被覆層により覆われていることで、導通がとれるため、電気めっきを施すことができる。また、金属被覆層を具える基板の少なくとも一面は、SiCの存在による凹凸が低減され、均一的にめっきを施し易い
【００１１】
  上記本発明複合部材は、例えば、以下の本発明製造方法により製造することができる。
本発明複合部材の製造方法は
SiC集合体に、溶融したマグネシウム又はマグネシウム合金を溶浸させて、上記マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとを複合した複合材料からなる基板を具える複合部材を製造する方法である
本発明製造方法では、上記鋳型と上記SiC集合体との間にSiCが充填されない非充填領域を設け、この非充填領域に金属を存在させ、この金属により、上記基板の少なくとも一面を覆う金属被覆層を形成する。以下、この製造方法を複合一体法と呼ぶ
【００１２】
  或いは、別の本発明製造方法として、以下の方法が挙げられる。本発明複合部材の製造方法は、鋳型に収納されているS
iC集合体に、溶融したマグネシウム又はマグネシウム合金を溶浸させて、上記マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとを複合した複合材料からなる基板を具える複合部材を製造する方法である
本発明製造方法では、上記基板に金属板を重ね、この積層物を300℃以上の温度に加熱しながら、0.5ton/cm
2
以上の圧力で加圧する金属被覆層形成工程を具える。以下、この製造方法をホットプレス法と呼ぶ
　オ．「【００４７】
  その他、
本発明複合部材は、別途、基板を作製した後、金属被覆層を形成する金属板を接合することでも製造することができる。例えば、上述した本発明製造方法のうち、ホットプレス法を利用することができる
【００４８】
  
上記基板と金属板との積層物の加熱温度や加圧圧力は、基板の金属成分の組成や、金属板の組成などにより適宜選択することができる。加熱温度が300℃未満及び加圧圧力が0.5ton/cm
2
未満では、上記積層物を十分に接合することが難しい
加熱温度は、基板の金属成分や金属板の固相線温度(融点)以下が好ましい
　カ．「【００５４】
  
その他、上記製造方法の一工程として
上記金属被覆層を具える複合部材を300℃以上、当該基板の金属成分及び金属被覆層の構成金属の固相線温度(融点)未満の温度に加熱しながら、1ton/cm
2
以上の圧力で加圧する圧縮処理工程を具えることが挙げられる。このようなホットプレスを基板や複合部材に施すことで、基板中の気孔を低減して、気孔率が低い緻密な基板や複合部材とすることができ
　キ．「【００６２】
  
上記複合部材に対して、電気めっきによりNiめっきを施した
Niめっきを具える複合部材と、Niめっきを施していない複合部材に対して、耐食性及び半田との濡れ性を調べたところ、Niめっきを具える複合部材の方が、耐食性及び半田との濡れ性に優れていた
 　 
　・上記甲第１号証には「複合部材及びその製造方法」について記載（上記「イ．」を参照）され、 
　当該複合部材の「製造方法」は、上記「ウ．」の記載事項によれば、SiC集合体に、溶融したマグネシウム又はマグネシウム合金を溶浸させて形成した、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板を備える、放熱部材を構成する複合部材の製造方法に関するものである。
　・上記「エ．」の【発明が解決しようとする課題】や【課題を解決するための手段】の記載事項を参照するに、Mg-SiC複合材料には直接めっきを施し難いことから、まず、めっき法ではない、「複合一体法」や「ホットプレス法」によって当該複合材料からなる基板の一面に金属被膜層を形成し、次いでその金属被膜層を介して電気めっきを施すようにしたものであると理解することができる。
　・上記「ア．」、「オ．」の記載事項によれば、当該複合部材の製造方法は、複合材料からなる基板に金属板を重ね、この積層物を300℃以上の温度に加熱しながら、0.5ton/cm2以上の圧力で加圧するいわゆるホットプレス法により金属板を接合することで金属被膜層を形成する金属被覆層形成工程を備えるものである。
　・上記「イ．」、「カ．」の記載事項によれば、金属被膜層が形成された複合部材に対して、300℃以上、当該基板の金属成分及び金属被覆層の構成金属の固相線温度(融点)未満の温度に加熱しながら、1ton/cm2以上の圧力で加圧するホットプレスを施し、基板中の気孔を低減して気孔率の低い緻密な複合部材とするための圧縮処理工程を備えている。
　・上記「キ．」の記載事項によれば、金属被膜層に対して、電気めっきにより半田との濡れ性に優れたNiめっきが施される。
 　 
　したがって、特に金属被覆層の成形方法として「ホットプレス法」を用いてなるものに着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 
「SiC集合体に、溶融したマグネシウム又はマグネシウム合金を溶浸させて形成した、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板を備える、放熱部材を構成する複合部材の製造方法であって、
　前記複合材料からなる基板に金属板を重ね、この積層物を300℃以上の温度に加熱しながら、0.5ton/cm2以上の圧力で加圧するいわゆるホットプレス法により前記金属板を接合することで金属被膜層を形成する金属被覆層形成工程と、
　前記金属被膜層が形成された複合部材に対して、300℃以上、前記基板の金属成分及び前記金属被覆層の構成金属の固相線温度(融点)未満の温度に加熱しながら、1ton/cm2以上の圧力で加圧するホットプレスを施し、前記基板中の気孔を低減して気孔率の低い緻密な複合部材とするための圧縮処理工程と、を有し、
　前記金属被膜層に対して、電気めっきにより半田との濡れ性に優れたNiめっきを施すようにした、放熱部材を構成する複合部材の製造方法。」 
  
（２）甲第２号証（特開２００５−１７５００６号公報） 
　ア．「【請求項１】
金属製の母材内にダイヤモンド粒子が混入されて
構成とされた放熱体
  前記ダイヤモンド粒子の表面には、前記母材と同一材質のコーティング層を備えた金属材層が形成されていることを特徴とする放熱体。」
　イ．「【００１８】
  放熱体１１は、ＣｕまたはＡｇ好ましくは純度９９．９９９％以上のＣｕからなる母材１５と、この母材１５の表裏面に形成された純度９９．９９９％以上のＣｕからなるＣｕ材層１６とを備えている。ここで、
Ｃｕ材層１６の表面にはんだ層１２との良好な接合性を実現するために予めＮｉめっき層を形成しておいてもよい
  
　ウ．「【００２４】
  次に、この
放熱体の製造方法について説明する
  まず、
Ｃｕからなる金属粉末にダイヤモンド粒子１７を混合する
これを型に入れ
加圧
加熱して焼結体を形成する
その後、前記焼結体の表裏面に、Ｃｕめっき処理を施しＣｕめっき層を形成する、またはＣｕからなる板状体を接合して、Ｃｕ材層１６を形成し、放熱体１１を形成する
 　 
　エ．「【００２７】
  また、
母材１５の表面に平滑面とされたＣｕ材層１６が形成されている
  
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第２号証には、次の技術事項が記載されている。
「金属製の母材（Ｃｕ）内にダイヤモンド粒子が混入された構成の放熱体の製造方法であって、
  Ｃｕからなる金属粉末にダイヤモンド粒子を混合し、その混合粉末を加圧、加熱して得た焼結体の表面に、Ｃｕめっき処理を施しＣｕめっき層を形成する、またはＣｕからなる板状体を接合して、その表面が平滑面とされたＣｕ材層を形成し、
　前記Ｃｕ材層の表面に、はんだ層との良好な接合性を実現するために予めＮｉめっき層を形成するようにしたこと。」
 　 
（３）甲第３号証（特開２０１３−９８４９１号公報） 
　ア．「【請求項３３】
  
ヒートシンクを作製する方法であって
  
第１表面粗さの主面を有しヒートシンクのベースのための金属・ダイヤモンド複合体を準備する工程と
  
前記金属・ダイヤモンド複合体の前記主面に金属膜をメッキ法で形成して、前記金属膜と前記金属・ダイヤモンド複合体とを含む複合体生産物を形成する工程と
  前記複合体生産物を加工して、デバイスを搭載するための搭載面を有するヒートシンクを形成する工程と、
を備え
  前記金属・ダイヤモンド複合体は、ダイヤモンド粒子と金属を複合したものであり、
  
前記金属膜は、前記ダイヤモンド粒子による突起を覆い
  
前記金属・ダイヤモンド複合体の前記主面には、前記ダイヤモンド粒子による突起と前記金属の表面からなる窪みとを含み
  
前記金属膜は前記窪みを埋めて
　
　イ．「【０００８】
  
本発明に係る
ヒートシンクは、（ａ）ダイヤモンド粒子と金属を複合した金属・ダイヤモンド複合物からなり、前記ダイヤモンド粒子及び前記金属が現れた主面を有するベースと、（ｂ）前記ベースの主面を覆うように設けられた金属層を含み
前記ベースの前記主面には、前記ダイヤモンド粒子による突起と前記突起の間に位置する窪みとを含み、前記金属領域は前記窪みを埋めて
 　 
　ウ．「【０１６０】
  再び図３を参照しながら、別の実施例を説明する。
工程Ｓ１０１では、第１表面粗さＲＭＳ１の主面を有しヒートシンクのベースのための金属・ダイヤモンド複合体４３を準備する。工程Ｓ１０２では、金属・ダイヤモンド複合体基板（図４において、符号４３で参照される）から複合体生産物を形成する。複合体生産物は、金属・ダイヤモンド複合体基板と、この金属・ダイヤモンド複合体基板の主面に設けられた金属膜とを含む
【０１６１】
  
工程Ｓ１０７では、この金属膜がメッキ法で形成される
【０１６２】
  
このヒートシンクを作製する方法によれば、金属膜４７をメッキ法で形成するので、メッキ膜はまず金属・ダイヤモンド複合体基板主面４３ａにおける金属表面に成長する。これ故に、メッキ膜は窪みを埋めながら成長する。また、メッキ膜は、金属表面からダイヤモンドに沿って成長していき、ダイヤモンド粒子４１による突起を覆って、ついには一体の金属膜４７を形成する。このような成長機構により、金属・ダイヤモンド複合体基板主面４３ａ（ヒートシンク１１の搭載面１１ａ）には、突起及び窪みに起因するラフネスより小さいラフネスを提供できる
  
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第３号証には、次の技術事項が記載されている。
「ヒートシンクを作製する方法であって、
　当該ヒートシンクのベースのための金属・ダイヤモンド複合体の主面に金属膜をメッキ法で形成し、当該主面に含まれるダイヤモンド粒子による突起を覆うとともにその突起の間に位置する窪みを埋めて、突起及び窪みに起因するラフネスを低減するようにしたこと。」
（４）甲第４号証（特開平１１−６７９９１号公報） 
　ア．「【請求項１５】  
金属（Ａ）と金属炭化物（Ｂ’）とダイヤモンド粒子からなるヒートシンクを形成する方法であって、その工程に、（１）金属（Ａ）と金属（Ｂ）からなる合金（Ｃ）粉末と合金（Ｃ）より高い融点をもつ金属（Ａ）の粉末と、複数のダイヤモンド粒子を混合する工程、（２）混合物を加圧成形する工程、（３）金属（Ａ）の融点以上の温度で焼成することにより、金属（Ｂ）がダイヤモンド粒子と反応してダイヤモンド粒子の周りに金属炭化物（Ｂ’）を形成させる工程、を含む、半導体用ヒートシンクの製造方法
  
　イ．「【００１６】以上が溶浸法と呼ばれる手法を用いた本発明を製造する方法であり、次に
本発明を焼結法と呼ばれる方法で行うには
【００１９】さらには、
他の方法として、（１）金属（Ａ）と金属（Ｂ）からなる合金（Ｃ）粉末と、合金（Ｃ）より高い融点をもつ金属（Ａ）の粉末と複数のダイヤモンド粒子を混合する工程、（２）混合物を加圧成形する工程、（３）金属（Ａ）の融点以上の温度で焼成することにより、金属（Ｂ）がダイヤモンド粒子と反応してダイヤモンド粒子の周りに金属炭化物（Ｂ’）を形成させる工程、を含む工程でも作製できる
　ウ．「【００４２】
本発明になるヒートシンクは
表面にメッキして用いることもできる
  
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第４号証には、次の技術事項が記載されている。
「金属（Ａ）と金属炭化物（Ｂ’）とダイヤモンド粒子からなるヒートシンクを形成する方法であって、
　（１）金属（Ａ）と金属（Ｂ）からなる合金（Ｃ）粉末と合金（Ｃ）より高い融点をもつ金属（Ａ）の粉末と、複数のダイヤモンド粒子を混合する工程、（２）混合物を加圧成形する工程、（３）金属（Ａ）の融点以上の温度で焼成することにより、金属（Ｂ）がダイヤモンド粒子と反応してダイヤモンド粒子の周りに金属炭化物（Ｂ’）を形成させる工程と、を含み、
　形成されたヒートシンクの表面にメッキを施すようにしたこと。」
（５）甲第５号証（特開２００４−１９７１５３号公報） 
　ア．「【発明の属する技術分野】
本発明は
放熱基板として用いるダイヤモンド−金属複合材料
に関する
 　 
　イ．「【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明のダイヤモンド−金属複合材料は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎより選ばれた一種以上からなる金属１をマトリックスとし、このマトリックス中に平均粒径が６０μｍ未満のダイヤモンド粒子が分散した構造となっている。ダイヤモンド粒子はそれぞれが接触しておらず、その表面に、４ａ、５ａ及び６ａ族元素から選ばれた一種以上からなる金属２の炭化物とを主成分とする反応層が存在しており、これを介してマトリックス金属１とダイヤモンド粒子とが密着した構造となっている
 　 
　ウ．「【００２８】
このため本発明のダイヤモンド−金属複合材料においては、ダイヤモンド粒子は平均粒径で１０μｍ以上、６０μｍ未満であることが望ましく、２０μｍ以上、４０μｍ以下であることがさらに望ましい。
また、
ダイヤモンド−金属複合材料中のダイヤモンド粒子の比率は、ダイヤモンド−金属複合材料の熱膨張係数を搭載時の半導体素子の熱膨張係数に合わせる
 　 
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第５号証には、次の技術事項が記載されている。
「放熱基板として用いるダイヤモンド−金属複合材料であって、
　Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎより選ばれた一種以上からなる金属のマトリックス中に、４ａ、５ａ及び６ａ族元素から選ばれた一種以上からなる金属の炭化物を主成分とする反応層が表面に形成されたダイヤモンド粒子を分散された構造とし、
　ダイヤモンド−金属複合材料中のダイヤモンド粒子の比率を調整して、当該ダイヤモンド−金属複合材料の熱膨張係数を搭載時の半導体素子の熱膨張係数に合わせるようにしたこと。」
（６）甲第６号証（特許第４２５１９８６号公報）
　ア．「【００２７】
  
本発明の高熱伝導性ダイヤモンド焼結体を用いた半導体搭載用ヒートシンクでは、互いに対向する少なくとも１組２面以上の表面が、ニッケル、クロム、チタン、タンタルから選ばれる少なくとも１種類の金属、もしくはそれらの合金によって被覆され、さらにその外側表面が、モリブデン、白金、金、銀、錫、鉛、ゲルマニウム、インジウムから選ばれる少なくとも１種類の金属、もしくはそれらの合金層によって少なくとも１層もしくは複数層被覆されている
半導体素子に用いられるヒートシンクの最表面は半導体素子とのハンダ付け性の良い金属が被覆されていることが望ましい。そのためにまずダイヤモンドと親和性の高い金属であるニッケル、クロム、チタン、及びタンタルからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む金属がヒートシンクと接する面に被覆することにより、金属層の密着強度を向上させる
さらに半導体素子と接する表面にはハンダ付け性の良いモリブデン、白金、金、銀、錫、鉛、ゲルマニウム、インジウムの金属のうち、１種類もしくは複数種の金属を１種あるいは多層被覆する
　
　イ．「【００３１】
  更に、上述の
高熱伝導率焼結体を利用した半導体搭載用ヒートシンクを作製するためには、焼結体素材を所定の形状、大きさに加工した後、半導体チップと接合させるための金属膜被覆を施す必要がある
  
通常、焼結体素材の厚みを所定の寸法・面粗さに仕上げる加工を行った後に、ヒートシンクとして要求される形状、寸法に切断する。この切断後の素材に金属膜の被覆を施し、半導体搭載用ヒートシンクとして使用される
【００３２】
  例えば、
ダイヤモンド−銅複合焼結体の表面に金属膜を被覆する
ことができる。
  まず、
焼結体素材を所定の厚み、面粗度に仕上げる加工方法としては、レジンボンドのダイヤモンド砥石を装着した研磨機を用いて乾式研磨で仕上げる方法と、レジンボンドもしくはビトリファイドボンドのダイヤモンド砥石を装着した平面研削盤を用いて湿式研削で仕上げる方法のいずれを用いてもよい
【００３３】
  前記の方法で表面仕上げを行う場合、砥石裏面を水冷することにより砥石表面の温度管理を行うことが、焼結体中の銅の酸化を抑制するためには望ましい。この方法で研磨した面の７０％以上の面積は平坦な面になったダイヤモンド粒子が表面に露出している。このように
表面の大部分にダイヤモンドが露出した面には、通常の電解メッキでは十分な密着強度をもった膜の被覆ができないため、第１層目の金属膜はスパッタリング法により被覆するのが好ましい。第２層目以降の金属膜はめっき法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のいずれの方法を用いてもよい
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第６号証には、次の技術事項が記載されている。
「ダイヤモンド−銅複合焼結体（高熱伝導性ダイヤモンド焼結体）を用いた半導体搭載用ヒートシンクの製造方法であって、
　焼結体素材の表面を研磨して所定の厚み、面粗度に仕上げる工程と、
　研磨後の表面に、金属膜被覆を施す工程と、を有し、
　前記金属膜被覆を施す工程は、ダイヤモンドと親和性の高い金属であるニッケル、クロム、チタン、タンタルから選ばれる少なくとも１種類の金属、もしくはそれらの合金からなる金属膜を好ましくはスパッタリング法により形成し、さらにその外側表面に、ハンダ付け性の良いモリブデン、白金、金、銀、錫、鉛、ゲルマニウム、インジウムから選ばれる少なくとも１種類の金属、もしくはそれらの合金からなる金属膜をめっき法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のいずれの方法を用いて１層もしくは複数層形成するようにしたものであること。」
（７）甲第７号証（特開平１０−２３１１７５号公報）
　ア．「【請求項３】  SiC:54〜78wt％、および残部Alに対し、Ｘ (ただし、ＸはLi、Ｂ、Mg、Ca、Ti、Ｖ、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Se、Te、Ｙ、Th、希土類元素の１種または２種以上): 0.1〜５wt％ (外掛け添加量) の配合組成を有する
SiC粉末、Al粉末、Ｘ粉末を混合し、得られた混合粉末を焼結することを特徴とする低熱膨張・高熱伝導熱放散材料の製造方法
 
　イ．「【請求項７】  
直接通電焼結法で前記混合粉末を焼結する
　
　ウ．「【００３０】
本発明の複合材料の焼結方法は
HP等の加圧焼結の方がより確実に焼結体が製造でき望ましい
短時間で焼結可能な直接通電焼結法がさらに望ましい
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第７号証には、次の技術事項が記載されている。
「SiC粉末、Al粉末、Ｘ（Li、Ｂ、Mg、Ca、Ti、Ｖ、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Se、Te、Ｙ、Th、希土類元素の１種または２種以上）粉末を混合し、得られた混合粉末を焼結する低熱膨張・高熱伝導熱放散材料の製造方法であって、
　前記混合粉末を、望ましくはHP等の加圧焼結法、さらに望ましくは直接通電焼結法にて焼結するようにしたこと。」
（８）甲第８号証（特開２００８−１１２８９３号公報）
　ア．「【請求項１】
  
炭素繊維束の表面に
コア形成用高熱伝導金属を被覆あるいは付着した後、該炭素繊維束を所定長さに切断し切断片とし、該切断片を積み重ねた状態で加圧焼結してコア材を得た後、該コア材の全周囲に
外殻形成用高熱伝導金属を配置して加圧焼結を行なうことを特徴とする高熱伝導複合材料の製造方法
　イ．「【請求項５】
  
加圧焼結は、パルス通電焼結法によって行なう
　
　ウ．「【００１０】
  また、本発明は、切断片は、炭素繊維の長手方向を揃えて積み重ねた状態で加圧焼結する場合に適用すると特に有効である。  
  
加圧焼結としては
生産性の点からパルス通電焼結法を適用することが望ましい
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第８号証には、次の技術事項が記載されている。
「炭素繊維束の表面にコア形成用高熱伝導金属を被覆あるいは付着した後、該炭素繊維束を所定長さに切断し切断片とし、該切断片を積み重ねた状態で加圧焼結してコア材を得た後、該コア材の全周囲に外殻形成用高熱伝導金属を配置して加圧焼結を行なう高熱伝導複合材料の製造方法であって、
　前記加圧焼結を、パルス通電焼結法によって行うようにしたこと。」
（９）甲第９号証（特開２００９−２１８５４１号公報）
　ア．「【請求項１】
  
マンガン系酸化物および酸化銅の混合物
を
焼結する工程を有する焼結体の製造方法
　イ．「【００２８】
  また、
焼結においては、常圧焼結の他に、ホットプレスやパルス通電焼結法などを用いた加圧焼結を行うことも可能である
　
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第９号証には、次の技術事項が記載されている。
「マンガン系酸化物および酸化銅の混合物を焼結する工程を有する焼結体の製造方法であって、
　前記焼結においては、常圧焼結の他に、ホットプレスやパルス通電焼結法などを用いた加圧焼結を行うことも可能であること。」
５．当審の判断 
５−１．本件特許発明１について 
（１）対比 
　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると、 
　ア．甲１発明における「SiC集合体に、溶融したマグネシウム又はマグネシウム合金を溶浸させて形成した、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板を備える、放熱部材を構成する複合部材の製造方法であって、前記複合材料からなる基板に金属板を重ね、この積層物を300℃以上の温度に加熱しながら、0.5ton/cm2以上の圧力で加圧するいわゆるホットプレス法により前記金属板を接合することで金属被膜層を形成する金属被覆層形成工程と」によれば、 
　甲１発明における「複合材料からなる基板」、「金属被膜層」は、それぞれ本件特許発明１における「複合材」、「金属層」に対応し、 
　また、甲１発明の「複合材料からなる基板」と本件特許発明１の「複合材」とは、主成分が金属と当該金属以外の無機材料からなるものである点では共通することから、
　本件特許発明１と甲１発明とは、「主成分が金属と当該金属以外の無機材料からなる複合材の表面に金属層を形成」する点で共通する。
　ただし、金属以外の無機材料が、本件特許発明１では「ダイヤモンド」であるのに対し、甲１発明ではＳｉＣである点で相違するとともに、金属層について、本件特許発明１では「メッキにより」形成するのに対し、甲１発明ではホットプレス法により金属板を接合することで形成するものである点で相違している。
 　 
　イ．甲１発明における「前記金属被膜層に対して、電気めっきにより半田との濡れ性に優れたNiめっきを施すようにした・・」によれば、 
　甲１発明における、半田との濡れ性に優れた「Niめっき」は、本件特許発明１における、ろう付けやハンダ付けが可能な「Ｎｉ系メッキ」に相当し、
　本件特許発明１と甲１発明とは、「ろう付けやハンダ付けが可能なＮｉ系メッキを形成」する点で一致する。
　ウ．そして、甲１発明における「放熱部材を構成する複合部材」は、放熱のための複合材料からなる基板を備えるものであることから、本件特許発明１でいう「放熱基板」に相当するといえるものである。
　
　よって、本件特許発明１と甲１発明とは、 
「主成分が金属と当該金属以外の無機材料からなる複合材の表面に金属層を形成し、ろう付けやハンダ付けが可能なＮｉ系メッキを形成することを特徴とする放熱基板の製造方法。」 
である点で一致し、次の点で相違する。 
  
［相違点１］ 
　複合材の主成分の一つである金属以外の無機材料が、本件特許発明１では、「ダイヤモンド」であるのに対し、甲１発明では、ＳｉＣである点。 
 　 
［相違点２］
　金属層について、本件特許発明１では、「メッキにより」形成する旨特定するのに対し、甲１発明では、ホットプレス法により金属板を接合することで形成するものである点。 
［相違点３］
　本件特許発明１では、「前記金属層の形成された前記複合材を固相焼結し、前記固相焼結により前記金属層の表面に残ったピンホールを修復」する旨特定するのに対し、甲１発明では、そのような特定を有していない点。
（２）判断 
　まず、上記［相違点２］について検討すると、
　上記「４．（１）」でも述べたように、甲１発明は、Mg-SiC複合材料には直接メッキを施し難いことから、まず、
メッキ法ではない
　したがって、甲１発明に対して甲第２号証あるいは甲第３号証に記載の技術事項を適用することによって、相違点２に係る構成を導き出すことはできない。
　
　また、上記［相違点３］について、本件特許発明１は、「
メッキによる
メッキにより形成された
　なお、当該相違点３に係る構成については、甲第２号証及び甲第３号証のいずれにも、記載も示唆もされていない。
 　 
　よって、上記［相違点１］について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲１発明、甲第２号証に記載の技術事項、及び甲第３号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
 　 
５−２．本件特許発明２について 
（１）対比 
　本件特許発明２と甲１発明とを対比すると、 
　本件特許発明２と甲１発明とは、 
「少なくとも金属と当該金属以外の無機材料を含む複合材の表面に金属層を形成し、ろう付けやハンダ付けが可能なＮｉ系メッキを形成することを特徴とする放熱基板の製造方法。」 
である点で一致し、次の点で相違する。 
  
［相違点１］ 
　少なくとも金属と当該金属以外の無機材料を含む複合材について、本件特許発明２では、「主金属と添加金属およびダイヤモンドの粉末を混合し、その混合粉末を型押しした後に液相焼結をすることでダイヤモンドの表面に添加金属の炭化物と主金属からなる層を形成」してなるものである旨特定するのに対し、甲１発明では、「ＳｉＣ集合体に、溶融したマグネシウム又はマグネシウム合金を溶浸させて形成した、マグネシウム又はマグネシウム合金とＳｉＣとが複合された複合材料」からなるものである点。 
  
［相違点２］ 
　金属層について、本件特許発明２では、「メッキにより」形成する旨特定するのに対し、甲１発明では、ホットプレス法により金属板を接合することで形成するものである点。
  
［相違点３］ 
　本件特許発明２では、「前記金属層の形成された前記複合材を固相焼結し、前記固相焼結により前記金属層の表面に残ったピンホールを修復」する旨特定するのに対し、甲１発明では、そのような特定を有していない点。
（２）判断 
　上記［相違点２］及び［相違点３］は、上記「５−１．（２）」で検討した［相違点２］及び［相違点３］と同じである。
　したがって、上記「５−１．（２）」で検討した［相違点２］及び［相違点３］についての判断と同様の理由により、甲１発明及び甲第２ないし４号証にそれぞれ記載の技術事項からは、相違点２及び相違点３に係る構成を導き出すことはできない。
　なお、相違点３に係る構成については、甲第４号証（上記「４．（４）を参照」）にも、記載も示唆もされていない。
  
　よって、上記［相違点１］について検討するまでもなく、本件特許発明２は、甲１発明及び甲第２ないし４号証にそれぞれ記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
５−３．本件特許発明３ないし１０について
　請求項３ないし１０は、請求項１または請求項２に従属する請求項であり、本件特許発明３ないし１０は、本件特許発明１または本件特許発明２の発明特定事項をすべて含みさらに発明特定事項を追加するなどして限定したものであるから、上記本件特許発明１または上記本件特許発明２についての判断（上記「５−１．（２）」、「５−２．（２）」を参照）と同様の理由により、
　本件特許発明３ないし５，７，８，１０は、甲１発明及び甲第２ないし５号証にそれぞれ記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえず、
　本件特許発明６は、甲１発明及び甲第２ないし６号証にそれぞれ記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえず、
　本件特許発明９は、甲１発明、甲第２ないし５号証にそれぞれ記載の技術事項及び甲第７ないし９号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 
　
５−５．まとめ 
　以上のとおり、本件特許発明１ないし１０は、甲１発明及び甲第２ないし９号証にそれぞれ記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。 
　 
６．むすび 
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。 
　また、他に請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。 
【異議決定日】
平成２８年８月５日（２０１６．８．５）