【手続補正書】
【提出日】平成30年6月7日(2018.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する複数の熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の自動修正のための方法であって、
プロセッサを含む制御装置によって、前記熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が正常に動作していないことを検出することと、
前記制御装置によって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、
前記制御装置によって、前記温度制御板における少なくとも１つの機能している熱制御素子の電力レベルを修正し、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する前記動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記配列は少なくとも５０個の熱制御素子を含み、前記温度制御板は、温度制御されたベースプレートと、少なくとも１つの静電クランプ電極を含む誘電体層と、の間に位置する、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は、温度検出器によって検出される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の開回路、閉回路、または変更状態を感知する電気モニタリングを実施することによって検出される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記停止させることは、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子への電力供給を停止することによって実施される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、修正された前記少なくとも１つの機能している熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子に隣接する熱制御素子である、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記修正中に、熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列が用いられる、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記行列はベクトルを含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
所望の温度出力と、前記熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列と、に基づいて、前記温度制御板の熱制御素子の電力入力を計算することを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記修正中に単位応答行列が用いられる、方法。
【請求項１１】
プロセッサによって実行された場合に、独立して制御可能な複数の熱制御素子であって、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する複数の熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子のために自動修正を実施する方法を実行する、命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、
前記熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が正常に動作していないことを検出することと、
前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、
静電チャックにおける少なくとも１つの機能している熱制御素子の電力レベルを修正し、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する前記動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、
を備える非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記配列は少なくとも５０個の熱制御素子を含み、前記温度制御板は、温度制御されたベースプレートと、少なくとも１つの静電クランプ電極を含む誘電体層と、の間に位置する、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は温度検出器によって検出される、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の開回路、閉回路、または変更状態を感知する電気モニタリングを実施することによって検出される、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記停止させることは、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子への電力供給を停止することによって実施される、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１６】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、修正された前記少なくとも１つの機能している熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子に隣接する熱制御素子である、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１７】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記修正中に、熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列が用いられる、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１８】
請求項１７に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記行列はベクトルを含む、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１９】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、さらに、
所望の温度出力と、前記熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列と、に基づいて、前記基板支持アセンブリの熱制御素子の電力入力を計算することを含む、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２０】
請求項１１に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記修正中に、単位応答行列が用いられる、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法によって自動修正された前記熱制御素子の配列を含む前記温度制御板を有する前記基板支持アセンブリに半導体基板が支持される処理チャンバで半導体基板を処理する方法であって、
前記半導体基板全体の径方向および方位角方向の温度プロファイルを制御しつつ前記半導体基板を処理することを含む、方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、前記処理はプラズマエッチング関連処理を含む、方法。
【請求項２３】
請求項２１に記載の方法であって、前記処理は堆積処理を含む、方法。
【請求項２４】
請求項２１に記載の方法であって、前記処理は洗浄処理を含む、方法。
【請求項２５】
独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する複数の熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の自動修正方法であって、
プロセッサを含む制御装置によって、前記熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が異常に動作していることを検出することと、
前記制御装置によって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、
前記制御装置によって、前記温度制御板における全ての機能している熱制御素子の電力レベルを維持し、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する前記動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、
を含む方法。
【請求項２６】
請求項１に記載の方法であって、前記基板支持アセンブリに対する前記動作不良熱制御素子の影響を示す通知が装置に送られる、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図５Ｂは、故障した熱制御素子１１４ａ、１１４ｂおよび１１４ｃへの補正が行われた場合の、それら故障した熱制御素子に関連する温度データを含む例示的な表である。図５Ｂにおける表の１列目は、全ての熱制御素子が正常に機能している場合、すなわち故障した熱制御素子がない場合の基板支持アセンブリ１１２の温度データを示す。故障した熱制御素子がない場合は、基板支持アセンブリ１１２上の最低温度は０．７５ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の平均温度は０．８２ａ．ｕ．であり、基板支持アセンブリ１１２全体の最高温度は０．８９ａ．ｕ．であり、標準偏差は０．０１ａ．ｕ．である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
開示された方法の様々な例示的実施形態が上述されてきたが、これらは、単に例示のみを目的として提供されたのであり、限定を目的としていないことを理解されたい。それは網羅的ではなく、また開示を正確なものに限定するものではない。修正および変更は、上記の教示に照らして可能であり、あるいは開示の幅または範囲を逸脱することなく開示内容を実行することから得ることができる。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する複数の熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の自動修正のための方法であって、
プロセッサを含む制御装置によって、前記熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が正常に動作していないことを検出することと、
前記制御装置によって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、
前記制御装置によって、前記温度制御板における少なくとも１つの機能している熱制御素子の電力レベルを修正し、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する前記動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、
を含む方法。
適用例２：
適用例１の方法であって、前記配列は少なくとも５０個の熱制御素子を含み、前記温度制御板は、温度制御されたベースプレートと、少なくとも１つの静電クランプ電極を含む誘電体層と、の間に位置する、方法。
適用例３：
適用例１の方法であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は、温度検出器によって検出される、方法。
適用例４：
適用例１の方法であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の開回路、閉回路、または変更状態を感知する電気モニタリングを実施することによって検出される、方法。
適用例５：
適用例１の方法であって、前記停止させることは、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子への電力供給を停止することによって実施される、方法。
適用例６：
適用例１の方法であって、修正された前記少なくとも１つの機能している熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子に隣接する熱制御素子である、方法。
適用例７：
適用例１の方法であって、前記修正中に、熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列が用いられる、方法。
適用例８：
適用例７の方法であって、前記行列はベクトルを含む、方法。
適用例９：
適用例１の方法であって、さらに、
所望の温度出力と、前記熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列と、に基づいて、前記温度制御板の熱制御素子の電力入力を計算することを含む、方法。
適用例１０：
適用例１の方法であって、前記修正中に単位応答行列が用いられる、方法。
適用例１１：
プロセッサによって実行された場合に、独立して制御可能な複数の熱制御素子であって、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する複数の熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子のために自動修正を実施する方法を実行する、命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、
前記熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が正常に動作していないことを検出することと、
前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、
静電チャックにおける少なくとも１つの機能している熱制御素子の電力レベルを修正し、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における所望の温度出力に対する前記動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、
を備える非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
適用例１２：
適用例１１の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記配列は少なくとも５０個の熱制御素子を含み、前記温度制御板は、温度制御されたベースプレートと、少なくとも１つの静電クランプ電極を含む誘電体層と、の間に位置する、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
適用例１３：
適用例１１の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は温度検出器によって検出される、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
適用例１４：
適用例１１の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の開回路、閉回路、または変更状態を感知する電気モニタリングを実施することによって検出される、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
適用例１５：
適用例１１の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記停止させることは、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子への電力供給を停止することによって実施される、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
適用例１６：
適用例１１の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、修正された前記少なくとも１つの機能している熱制御素子は、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子に隣接する熱制御素子である、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
適用例１７：
適用例１１の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記修正中に、熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列が用いられる、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
適用例１８：
適用例１７の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記行列はベクトルを含む、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
適用例１９：
適用例１１の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、さらに、
所望の温度出力と、前記熱制御素子の電力入力を前記熱制御素子の温度出力に関係付ける行列と、に基づいて、前記基板支持アセンブリの熱制御素子の電力入力を計算することを含む、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
適用例２０：
適用例１１の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記修正中に、単位応答行列が用いられる、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
適用例２１：
適用例１の方法によって自動修正された前記熱制御素子の配列を含む前記熱制御板を有する前記基板支持アセンブリに半導体基板が支持される処理チャンバで半導体基板を処理する方法であって、
前記半導体基板全体の径方向および方位角方向の温度プロファイルを制御しつつ前記半導体基板を処理することを含む、方法。
適用例２２：
適用例２１の方法であって、前記処理はプラズマエッチング関連処理を含む、方法。
適用例２３：
適用例２１の方法であって、前記処理は堆積処理を含む、方法。
適用例２４：
適用例２１の方法であって、前記処理は洗浄処理を含む、方法。
適用例２５：
独立して制御可能であり、その処理中に半導体基板を支持する基板支持アセンブリの温度制御板に位置する複数の熱制御素子の配列の中で、少なくとも１つの動作不良熱制御素子の自動修正方法であって、
プロセッサを含む制御装置によって、前記熱制御素子の配列のうち少なくとも１つの熱制御素子が異常に動作していることを検出することと、
前記制御装置によって、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子を停止させることと、
前記制御装置によって、前記温度制御板における全ての機能している熱制御素子の電力レベルを維持し、前記少なくとも１つの動作不良熱制御素子の位置における前記所望の温度出力に対する前記動作不良熱制御素子の影響を最小限にすることと、
を含む方法。
適用例２６：
適用例１の方法であって、前記基板支持アセンブリに対する前記動作不良熱制御素子の影響を示す通知が装置に送られる、方法。