【事件の表示】
　平成１１年特許願第１３２６０３号「薄膜素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月２４日出願公開、特開２０００−３２２７０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年５月１３日の出願であって、平成１４年６月１３日付けで手続補正がなされ、その後平成１４年１０月９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１４年１１月１４日に審判請求がされるとともに、平成１４年１２月１３日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１４年１２月１３日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年１２月１３日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の
　（ａ）　「【請求項１】　薄膜導電層と、この薄膜導電層の表面に接続される導電体とを有する薄膜素子において、
　前記薄膜導電層は、導電性材料層と、前記導電性材料層上に積層された所定厚さの導電性保護層とを有し、
　前記導電性保護層は、常温または加熱雰囲気での表面の酸化層が、この導電性保護層の厚さ以上に進行しない材料で形成され、前記導電性保護層の前記酸化層が除去された部分または導電性保護層全体が除去された部分に、前記導電体が接続されていることを特徴とする薄膜素子。」を、
　（ｂ）　「【請求項１】　薄膜導電層と、この薄膜導電層の表面に接続される導電体とを有する薄膜素子において、
　前記薄膜導電層は、導電性材料層と、前記導電性材料層上に積層されたＮｉからなる導電性保護層とを有し、
　前記導電性保護層に形成された酸化層がエッチングによって除去された表面に、前記導電体が接続されていることを特徴とする薄膜素子。」と補正するものである。
　本件補正について検討すると、補正前の請求項１に記載された発明の「導電性保護層」について、「常温または加熱雰囲気での表面の酸化層が、この導電性保護層の厚さ以上に進行しない材料で形成され」をその実施の形態の一例である「Ｎｉ」に限定し、「前記導電性保護層の酸化層が除去された部分または導電性保護層全体が除去された部分に、導電体が接続されていること」を「前記導電性保護層に形成された酸化層がエッチングによって除去された表面に、前記導電体が接続されていること」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−３５６７１０号公報（以下「引用例１」という。）には、薄膜磁気ヘッドに関し、次の事項が記載されている。
（ア）　「【請求項１】　複数のコイル層を具備する薄膜磁気ヘッドにおける１つのコイル層の形成工程が、絶縁層を形成する第１工程と、この絶縁層の上にメッキ下地金属層を形成する第２工程と、このメッキ下地金属層の上にメッキ用レジストフレームをホトリソグラフィを用いて形成する第３工程と、このレジストフレームの溝内のメッキ下地金属層上にコイル形成用金属を電気メッキしてコイル層を形成する第４工程と、このコイル層における少くとも上部コイル層と接合される部分に耐食性金属膜を形成する第５工程と、前記レジストフレームおよびその下部のメッキ下地金属層を除去する第６工程とを具備してなる薄膜磁気ヘッドの製造法。」（公報特許請求の範囲）
（イ）　「【０００５】【発明が解決しようとする課題】　前記図４の工程では、（６−７）の第１コイル層２０が形成されてから、第２コイル層２４が形成されるまでの間第１コイル層端部２０ａは裸で露出しているため、空気中で酸化しやすい。そして、この端部２０ａの表面が図５に２０′で示すように深く酸化されると、この酸化物が絶縁層となって第１コイル層端部２０ａと第２コイル層端部２４ａの導通を妨げるため、接触不良となる問題があった。」（公報段落５、図４、図５）
（ウ）　「【０００８】【作用】　この発明によれば、コイル層を形成後に少くとも上部コイル層と接合される部分に耐食性の金属膜（酸化しないもしくは酸化しにくいまたは進行性の深い酸化物質層を作らない等の安定な金属膜）を形成したので、接合部表面に絶縁層が形成されにくくなり、上部コイル層との導通を良好にして、接触不良をなくすことができる。」（公報段落８）
（エ）　「【０００９】【実施例】　この発明の一実施例を図１に示す。（中略）　（６）さらに引き続き第１コイル層２０の表面が酸化されて絶縁層が形成される前に、空気中では酸化されないもしくは酸化しにくいまたは進行性の深い酸化物質を作らない安定な金属としてＣｒ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ等の金属膜４０を電気メッキまたは無電界メッキ等により形成する。（第５工程）　（７）ホトレジスト３４を除去すると、第１コイル層２０ができる。この時の平面形状を図６に示す。　（８）ドライエッチング（例えばイオンエッチング等）により、露出しているメッキ下地金属層３２を除去する。（（７）と合わせて第６工程）　（９）第１コイル層２０が形成されたら、続いて上記（１）　〜（８）　の工程を繰り返して、第２コイル層２４、第３コイル層……を順次形成する。なお、最上層コイルについては耐食性金属層が不要な場合は（６）の工程を省くことができる。」（公報段落９、図１）
（オ）　「【００１０】　図１（９）のコイル接合部３８の拡大図を図７に示す。コイル接合部３８は第１コイル層端部２０ａの上に耐食性金属膜４０を形成し、その上にメッキ下地金属層３７を介して第２コイル層２４を形成して構成されている。この場合、第１コイル層端部２０ａの表面は耐食性金属膜４０で覆われているので、メッキ下地金属層３７を形成するまでの間の酸化が防止され、第２コイル層端部２４ａとの導通が良好になり、接触不良をなくすことができる。」（公報段落１０、図７）
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（ア）（エ）（オ）によれば、引用例１には、
「メッキにより形成されたコイル層における少くとも上部コイル層と接合される部分に耐食性金属膜であるＮｉ膜を形成してなる薄膜磁気ヘッド。」の発明が記載されている。
　引用例１に記載された発明の「薄膜磁気ヘッド」は、補正後の発明の「薄膜素子」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「メッキにより形成されたコイル層」は、補正後の発明の「薄膜導電層」を構成する「導電性材料層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「耐食性金属膜であるＮｉ膜」は、補正後の発明の「薄膜導電層」を構成する「Ｎｉからなる導電性保護膜」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「上部コイル層」「接合」は、それぞれ補正後の発明の「導電体」「接続」に相当している。
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明は、
　「薄膜導電層と、この薄膜導電層の表面に接続される導電体とを有する薄膜素子において、
　前記薄膜導電層は、導電性材料層と、前記導電性材料層上に積層されたＮｉからなる導電性保護層とを有している薄膜素子。」
　である点で共通し、以下の点で相違している。
　（相違点）　補正後の発明は、「導電性保護層に形成された酸化層がエッチングによって除去された表面に、導電体が接続されている」と特定しているのに対し、引用例１に記載された発明では、そのような特定のない点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
　引用例１には、Ｎｉ膜などの耐食性金属膜について、「空気中では酸化されないもしくは酸化しにくいまたは進行性の深い酸化物質を作らない安定な金属」と記載され、酸化層が形成されるものの進行性の深い酸化物質を作らないものであることが示されている。
　酸化層は絶縁性を示し接触不良の原因となることから、導電性金属膜の表面に形成される酸化層をエッチングにより除去した表面に、導電体を接続することは、周知の技術であって、例えば、特開昭５８−８０１２１号公報や特開平７−３３４８１７号公報等に記載されている。
　してみれば、引用例１に記載された発明において、その耐食性金属膜であるＮｉ膜は、酸化層を形成することが示唆されているので、上記酸化層をエッチングにより除去してからその表面に導電体を接続するようにする程度のことは、上記周知の技術に基づき当業者が必要に応じ適宜なし得ることである。
　そして、補正後の発明の効果は、引用例１に記載された発明及び上記周知の技術から、当業者であれば予測することができる程度のものにすぎず、格別顕著なものではない。
　なお、審判の請求の理由において、請求人は、酸化層の存在は導電性や密着性を阻害することから除去しないよりは除去した方が良いことは当業者であれば想到できる事項であるかもしれないが、導電性保護層であるＮｉ膜の酸化層を除去するという着想はない旨主張している。しかしながら、導電接続において酸化層が接触不良等を起こすことが技術常識である以上、導電性金属で酸化層が生ずるものにおいて当該酸化層を除去するという上記周知の技術が、Ｃｕ層に限ることなく導電性金属にひろく採用されることは、当然のことであり、Ｎｉ膜の酸化層をエッチング除去する程度のことに、格別困難性を要したとはいえないので、請求人の主張は採用できない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、補正後の発明は、上記引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第４項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１４年１２月１３日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１４年６月１３日付け手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原審の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した補正後の発明の「導電性保護層」の限定事項である「Ｎｉ」が「常温または加熱雰囲気での表面の酸化層が、この導電性保護層の厚さ以上に進行しない材料」であり、また補正後の発明の「導電体が接続されている」構成の限定事項である「導電性保護層に形成された酸化層がエッチングによって除去された表面に、導電体が接続されていること」が「導電性保護層の酸化層が除去された部分または導電性保護層全体が除去された部分に、導電体が接続されていること」であるものであるので、本願発明は、補正後の発明から「Ｎｉ」及び「エッチング」という構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　　
３．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。