【事件の表示】
　平成１１年特許願第２９７３８１号「光磁気記録媒体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　７月１８日出願公開、特開２０００−２００４４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１１年１０月１９日（優先権主張平成１０年１０月３０日）の出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、平成１４年２月１２日付け手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　【請求項１】「少なくとも再生層、中間層及び記録層を積層した磁性積層膜を有し、前記再生層及び前記記録層は積層方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前記中間層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性膜である光磁気記録媒体の製造方法において、
　基板上に形成する前記再生層は室温で８emu/cc〜100 emu/ccの飽和磁化を呈するように成膜条件を設定する過程と、前記再生層上に形成する前記中間層は室温で140 emu/cc〜250 emu/ccの飽和磁化を呈するように成膜条件を設定する過程と、前記中間層上に形成する前記記録層は室温で50emu/cc〜150 emu/ccの飽和磁化を呈するように成膜条件を設定する過程とを備え、該設定した成膜条件の下で前記再生層、中間層、記録層を順次形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である特開平９−１４７４３６号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次のようなことが記載されている。なお、下線は、便宜的に当審が付与したものである。
　（i）「【請求項１】  
磁気的に結合した第１磁性層，第２磁性層及び第３磁性層をこの順に積層した光磁気記録媒体
・・・（中略）・・・
【請求項４】　請求項１，２または３記載の光磁気記録媒体の前記第３磁性層に記録された情報を再生する方法であって、
外部磁界を印加しながら、再生光ビームを前記光磁気記録媒体に照射してビームスポット内に高温領域，中間温度領域及び低温領域を形成し
該低温領域では、前記第２磁性層の磁化反転によってこれと交換結合した前記第１磁性層の磁化を前記外部磁界と逆方向に揃えることにより磁気的なマスクを得る
【請求項５】　前記
高温領域では、前記第１磁性層のみの磁化を前記外部磁界と同方向に揃える
　（ii）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録／再生装置に適応される光磁気ディスク，光磁気テープ，光磁気カード等の光磁気記録媒体、
特に磁気超解像再生が可能である光磁気記録媒体
　（iii）「【００４０】【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００４１】図１は、本発明の光磁気ディスクの構成図であり、図中１はガラス製の基板を示す。
基板
下地層
再生層としての第１磁性層
中間層としての第２磁性層
記録層としての第３磁性層
保護層
がこの順に積層されている
【００４２】なお、第１磁性層３，第３磁性層５の補償温度は何れも室温以下である。また、
第２磁性層４は
室温では面内方向の磁化容易軸を有し
所定温度以上で磁化方向が面内から垂直方向へ変化する
　（iv）「【００４８】図６は、このような光磁気ディスクにおける再生時の磁化状態を示す模式図である。ビームスポット内には、低温領域，中間温度領域，高温領域がディスクの回転方向後方側から順に形成される。低温領域では、バイアス磁界Ｈr の向きに揃った第２磁性層４と交換結合した第１磁性層３は、その磁化方向がバイアス磁界Ｈr の向きと逆方向に揃うので（図２の3の状態）、第３磁性層５の記録ビットが第１磁性層３に転写されずにマスク領域となる。この低温領域では、Ｈs2＋Ｈc2＜Ｈr の条件を満足する（図２参照）。
【００４９】一方、高温領域では、第２磁性層４との交換結合力が弱まった第１磁性層３は、その磁化方向がバイアス磁界Ｈr の向きと同じ方向に揃うので（図３の4の状態）、第３磁性層５の記録ビットが第１磁性層３に転写されずにマスク領域となる。この高温領域では、｜−Ｈs1−Ｈc1｜＜Ｈr の条件を満足する（図３参照）。
【００５０】中間温度領域では、第３磁性層５の記録ビットが第１磁性層３に転写されている（図５の8の状態）。なお、第３磁性層５の記録ビットを第１磁性層３に転写できるための条件は、Ｈs2−Ｈc2＞Ｈr かつ｜−Ｈs1−Ｈc1｜＞Ｈr であるが、低温領域においてＨs2＋Ｈc2＜Ｈr の条件を満たしていることが前提となる。なお、図６における○数字は、図２，３，５における磁化状態との対応関係を示している。
【００５１】このように、ビームスポット内の低温領域と高温領域とにあって、第３磁性層５の記録ビットを第１磁性層３に転写できないマスク領域を形成できるので、実質的にスポットを絞った場合と同様の効果を奏することができ、高い再生分解能が得られる。
【００５２】このような光磁気ディスクに、線速７ｍ／秒，Ｄｕｔｙ比25％，記録パワー8.3 ｍＷ，記録周波数11.3ＭＨｚの条件でビットを記録した後に、その記録ビットを再生した。なお、
再生時にはビットを記録した方向とは逆方向に300 Ｏｅのバイアス磁界Ｈr を印加した
　（v）「【００５６】
このような構成の光磁気ディスクの製造方法
　　ガス圧： 0.3Ｐａ　　スパッタガス：アルゴンと窒素（分圧比６：４）
　　投入電力； 0.8ｋＷ
【００５７】次に、再びチャンバ内を１×10-5Ｐａまで減圧し、下地層２上に次の条件で第１磁性層３，第２磁性層４及び第３磁性層５を連続で形成する。
　　ガス圧：１Ｐａ　　スパッタガス：アルゴン　　投入電力：　１ｋＷ
さらに、第３磁性層５上に保護層６（ＳｉＮ膜）を、下地層２と同条件にて形成する。」（段落【００５６】〜【００５７】参照）こと、
　（vi）「【００６３】上述した如き磁性層を備える光磁気ディスクについて、第１磁性層３が有する再生磁界が小さく、且つ高精度の再生信号が得られる構成を検討した。
第１磁性層３のＧｄ組成量
第２磁性層４のＧｄ組成量
を異ならせて、第１磁性層３の反転磁界及び再生信号のＣＮＲを夫々測定した
・・・（中略）・・・
【００８１】〔例６〕　表６に示す如き膜構成の光磁気ディスクを作成する。膜形成条件は上述の方法と同様である。第１磁性層３のＧｄ組成比を異ならせたものを作成し、ＣＮＲを測定した。結果を図17に示す。図17の縦軸はＣＮＲ及び第２磁性層４に対する最小再生磁界を示し、横軸は第１磁性層３のＧｄ組成比を示す。
【００８２】【表６】　・・・表６省略・・・
【００８３】 図17に示すように、第１磁性層３のＧｄ組成比が23atomic％〜25atomic％の広い範囲で１ｋＯｅ以下の小さい最小再生磁界で磁化反転可能となり、この範囲で48.5ｄＢ以上のＣＮＲが得られている。第１磁性層３のＧｄ組成比は、例２の結果と同程度の23 atomic ％〜25 atomic ％が良いと言える。
【００８４】 以上の結果から、ＧｄＦｅＣｏ膜で構成された
第１磁性層３
Ｇｄ組成比が23atomic％〜26atomic％であり
第２磁性層４のＧｄ組成比が略29atomic％〜35atomic％であり
ように光磁気ディスクを作成することにより、１ｋＯｅ以下の低い再生磁界の印加により、高精度に再生信号を得ることができる
【００８５】以上、
これらの磁性層を夫々の成分による組成比で表しているが、各磁性層の磁気特性を用いて表しても良い
第１磁性層３は飽和磁化が略70emu/cc以下であり、第２磁性層４は飽和磁化が120emu/cc 〜300emu/cc 程度であることが望ましい
　（vii）「【００９６】（変形例３）　図22は、変形例３の光磁気ディスクにおける再生時の磁化状態を示す模式図である。変形例３では、
面内方向に磁化容易軸を有する面内磁化膜（例えば、ＲＥリッチのＧｄＦｅ膜）を第２磁性層４として用いる。他の構成は、前述の例と同じ
　（viii）図６と図２２に、
第１磁性層３と第３磁性層５が垂直に磁化された状態
　
　これらの記載からみて、引用例には、再生時に３００Ｏｅ程度のバイアス磁界を印加して磁気的超解像再生が可能な、以下の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「磁気的に結合した第１磁性層（再生層），第２磁性層（中間層）及び第３磁性層（記録層）をこの順に積層し、第１磁性層は基板の上に（下地層を介して）形成された光磁気記録媒体の製造方法において、
　第１磁性層と第３磁性層は、垂直に磁化される磁性膜であり、
　第２磁性層は、室温では面内方向の磁化容易軸を有し、所定温度以上で磁化方向が面内から垂直方向へ変化し、
　第１磁性層は飽和磁化が略70emu/cc以下であり、第２磁性層は飽和磁化が120emu/cc 〜300emu/cc 程度であることが望ましい、
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。」
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例発明とを対比する。
　（ａ）引用例発明の「磁気的に結合した第１磁性層（再生層），第２磁性層（中間層）及び第３磁性層（記録層）をこの順に積層し」は、本願発明の「少なくとも再生層、中間層及び記録層を積層した磁性積層膜を有し」に相当するとともに、本願発明の「前記再生層、中間層、記録層を順次形成する」及び「前記中間層上に形成する前記記録層」にも相当する。
　（ｂ）引用例発明の「第１磁性層と第３磁性層は、垂直に磁化される磁性膜であり、第２磁性層は、室温では面内方向の磁化容易軸を有し、所定温度以上で磁化方向が面内から垂直方向へ変化し」は、垂直に磁化されていることが積層方向の磁化容易特性を有することを意味するから、本願発明の「前記再生層及び前記記録層は積層方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前記中間層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性膜である」に相当する。
　（ｃ）引用例発明の「第１磁性層は基板の上に（下地層を介して）形成された」は、本願発明でも再生層は下地層を介して形成されている態様で説明されていることに鑑みると、本願発明の「基板上に形成する前記再生層」に相当する。
　（ｄ）引用例発明の「第１磁性層は飽和磁化が略70emu/cc以下であり、第２磁性層は飽和磁化が120emu/cc 〜300emu/cc 程度であることが望ましい」は、（d1）その飽和磁化がどの温度でのものとの言及はないものの、測定温度に関し格別の言及がないことからみて常識的に室温での測定値と解するのが相当である（なお、引用例の他の記載を勘案してもそのように解することに矛盾はない。）から、そして、（d2）層構成自体の磁気特性を特定した媒体の製造に際し、そのような磁気特性の層（即ち、膜）が得られるような成膜条件（例えば、材料やその材料組成の選択、スパッタ条件など）を検討し設定することは当然のことであるから、本願発明の「前記再生層は室温で８emu/cc〜100 emu/ccの飽和磁化を呈するように成膜条件を設定する過程と、前記再生層上に形成する前記中間層は室温で140 emu/cc〜250 emu/ccの飽和磁化を呈するように成膜条件を設定する過程」とを備えることに対応し、両者の室温での再生層と中間層の飽和磁化はそれぞれ８emu/cc〜７０emu/cc、140 emu/cc〜250 emu/ccの範囲で一致する。
　（ｅ）前記（d2）と同じ理由で、引用例発明において、「前記中間層上に形成する前記記録層」が「成膜条件を設定する過程」を備えることは、当然のことである。
　
　してみると、両発明は、
　「少なくとも再生層、中間層及び記録層を積層した磁性積層膜を有し、前記再生層及び前記記録層は積層方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前記中間層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性膜である光磁気記録媒体の製造方法において、
　基板上に形成する前記再生層は室温で８emu/cc〜７０emu/ccの飽和磁化を呈するように成膜条件を設定する過程と、前記再生層上に形成する前記中間層は室温で140 emu/cc〜250 emu/ccの飽和磁化を呈するように成膜条件を設定する過程と、前記中間層上に形成する前記記録層は成膜条件を設定する過程とを備え、該設定した成膜条件の下で前記再生層、中間層、記録層を順次形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。」
の発明である点で一致する。
　
　ただ、記録層の成膜条件に関し、本願発明では、「記録層は室温で50emu/cc〜150 emu/ccの飽和磁化を呈するように成膜条件を設定する」ことを特定しているのに対して、引用例発明では、記録層の飽和磁化について言及していない点で、両発明は一応相違している。
　
　しかしながら、磁気的超解像再生を行う光磁気記録媒体における記録層の室温での飽和磁化として１００emu/cc前後程度のものを採用することは、周知例（例えば、特開平７−３２０３１８号公報、特開平８−２２１８１９号公報、特開平８−９６４２８号公報など）からみて常套手段と認められる。ここに、前記特開平７−３２０３１８号公報には、記録層の室温における磁化は１５０emu/cc以下が好ましい（段落【００１９】参照）との記載があり、その実施例１において記録層の磁化８０emu/cc（ちなみに、再生層の磁化６５emu/cc，中間層の磁化１６０emu/ccであって、上記一致するとした発明で（当然に本願発明でも）特定する再生層と中間層のそれぞれの飽和磁化の数値も充足している）の例が示されている。また、特開平８−２２１８１９号公報（段落【００２１】〜【００２３】など参照）には、再生層への転写を安定に行うために記録層はある程度以上の磁化を有している必要があり、再生時の最高到達温度において８０emu/cc以上が好ましく、しかし室温において磁化率が大きすぎる場合に記録層内部での微小反転磁区が生じたり、磁気異方性の低下が起こり再生層の磁化を完全に垂直に立たせる事ができなくなるため、室温においては２００emu/cc以下が好ましい旨が記載されていて、特開平８−９６４２８号公報（段落【００１７】など参照）には、記録層は、再生層と交換結合できる室温で遷移金属優勢なＴｂＦｅＣｏなどのを用い、記録磁界の変化に対して敏感にするため、室温において遷移金属優勢で、飽和磁化Ｍｓが５０〜１５０emu/cm3の範囲とする旨が記載されている。
　そうであるから、引用例発明において、相違点とした50emu/cc〜150 emu/cc程度の飽和磁化が当然に採用されていたと断定するかはさておき、少なくともその程度の飽和磁化を採用することは当業者が容易に想到し得ることと認められる。そして、その採用に基づく作用効果は、単に確認したものにすぎないというべきである。なお、上記一致点として構成に基づく作用効果は、引用例発明においても当然に奏されていると言う他ない。
　
　ところで、審判請求理由において請求人は、「本願発明は製造条件を変更することにより飽和磁化を制御することが可能であるという新規な知見に基づくものである。」ことや、「引用文献１（当審注：引用例のこと）の段落００８５には、再生層と中間層でのＧｄ組成比を変更することにより飽和磁化を変更するとの記載がある。しかしながら、上述した本願発明のように製造条件（成膜条件）を変更することによる飽和磁化の制御可能性については、全く記載が無く、示唆するところもない。」ことを主張している。
　しかしながら、成膜条件として何を制御したのかの構成が発明として何ら特定されていないことに鑑みれば、上記（ｄ）の（d2）でも指摘した如く、各層の組成比を制御すること（一般にはターゲットの組成を制御し、スパッタの条件を制御する）も成膜条件というべきであるから、前記請求人の主張は何ら根拠がなく到底採用できるものではない。
　更に、原審拒絶査定の理由になお書きされた「請求項１には「・・の飽和磁化を呈するように成膜条件を設定する過程」としか記載されていないが、成膜条件に何が含まれており、それをどのような指針に基づいて設定すればよいのかがなんら説明されていない。」との付記に対し、審判請求理由において請求人は次の（イ）（ロ）の旨を主張しているけれども、いずれも失当であり、採用すべき理由がない。即ち、
（イ）「・・本願発明は、「どのようなパラメータ（具体的な制御要素）」を用いて飽和磁化を特定するのかによって発明を特定するものでは無く、製造すべき光磁気記録媒体の磁性層の飽和磁化を特定すると共に、その飽和磁化を製造条件（成膜条件）の設定により変更するということを発明の必須要件とするものであるから、」と主張している。しかし、この主張は詭弁であり、特定された飽和磁化は、その磁気特性を有する媒体（乃至その磁性層）を製造するに際し何らかの条件を設定せずして得られるものではないから、具体的な製造条件を規定することなく単に「製造条件（成膜条件）の設定により変更する」ことは、単に目標値（製造すべき記録媒体）が与えられていることと実質的に同義であると理解すべきであって、製造上何ら技術的意義のある限定とは解し得ないものである。
（ロ）「引用文献１に記載された磁気超解像媒体で信号特性や温度特性から組成比率が定まった場合であっても、本願明細書の段落か１【００４２】の表１で記載したとおり、Ａｒガス圧や投入電力を変更することにより、それぞれの磁性層の飽和磁化を制御できるものであり、」と主張し、「なお、その後の研究により、基板の組成やスパッタ時の露点を変更することによっても、飽和磁化できる可能性を見出している。」と主張している。しかし、前者の主張について検討すると、段落【００４２】の表１に関しては、「これら積層膜はＤＣスパッタ法により順次形成してある。スパッタ条件を表１に示す。なお、再生層１４，中間層１５及び記録層１６は上述した飽和磁化の値を有するように予め成膜装置及び成膜条件を設定してある。」（段落【００４１】参照）との記載はあるものの、先行する段落【００３６】〜【００４０】には、飽和磁化の数値に関し、再生層では「１００emu/ccより低く」、中間層では「２５０emu/cc以内であり」、記録層では「１５０emu/cc以内であり」との如く一般的説明として記載されているだけであるから、表１の再生層のＡｒガス圧５．０Ｐａと投入電力１．０ｋＷ、中間層のＡｒガス圧５．０Ｐａと投入電力１．０ｋＷ、記録層のＡｒガス圧７．０Ｐａと投入電力１．０ｋＷの数値データは、どの程度の飽和磁化を得るためのものであるのかが全く不明であるばかりか、続く段落【００４５】〜【００５１】における各磁性層の飽和磁化量を変化させたデータはどのような成膜条件をどのように変化させたことにより得られたものかも全く不明であることに鑑みると、前者の主張は全く根拠を欠くものというしかない。また、後者の主張に関しては、出願時に認識されていない技術事項であることを自ら認めており、本願当初明細書に記載のない事項であるから、勘案すべき理由がない。
　その他いくつかの主張も審判請求理由でなされているけれども、上記判断を左右する主張として特段採用すべき理由は見いだせない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、周知技術を勘案し引用例発明に基づいて当業者が容易に想到し得る。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。それ故、本願はその余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。