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【手続補正書】
【提出日】平成30年7月25日(2018.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿台に載置された原稿を読み取る読取手段と、
前記読取手段によって読み取られた原稿の画像を印刷する印刷手段と、
前記読取手段による読取りエラーを検知する検知手段と、
前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従って前記読取手段による前記原稿の読み直しを前記読取手段に実行させる読取制御手段と、を有する画像形成装置であって、
前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従って前記読取手段による前記原稿の読み直しを前記読取手段に実行させるか否かをユーザの指示に従って設定する設定手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従って前記読取手段による前記原稿の読み直しを前記読取手段に実行させるか否かを設定するための画面を表示する表示手段をさらに有し、
前記設定手段は、前記表示手段によって表示された画面を介して受け付けたユーザの指示に従って、前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従って前記読取手段による前記原稿の読み直しを前記読取手段に実行させるか否かを設定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従った前記読取手段による前記原稿の読み直しを繰り返した回数が、所定の上限値に達するまで、前記読取手段による前記原稿の読み直しを繰り返すことを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記所定の上限値をユーザの操作に従って決定する決定手段をさらに有することを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従った前記読取手段による前記原稿の読み直しを繰り返した回数が、所定の上限値に達した後は、前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従ってエラーを通知する通知手段をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記読取手段による前記原稿の読み直しの実行中に、原稿の読み直しを実行中であることを示す情報を提示する提示手段をさらに有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記検知手段は、読み取られた１ラインの画素数に基づいて、前記読取りエラーを検知することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
原稿台に載置された原稿を読み取る読取手段と、
前記読取手段によって読み取られた原稿の画像を印刷する印刷手段と、
前記読取手段による読取りエラーを検知する検知手段と、
前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従って前記読取手段による前記原稿の読み直しを前記読取手段に実行させる読取制御手段と、を有する画像形成装置の制御方法であって、
前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従って前記読取手段による前記原稿の読み直しを前記読取手段に実行させるか否かをユーザの指示に従って設定する設定工程を有することを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載の画像形成装置の制御方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、本発明の目的は、読取りエラーを検知したことに従って原稿の読み直しを実行させるか否かをユーザが設定することができる仕組みを提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成する本発明の画像形成装置は以下に示す構成を備える。
原稿台に載置された原稿を読み取る読取手段と、前記読取手段によって読み取られた原稿の画像を印刷する印刷手段と、前記読取手段による読取りエラーを検知する検知手段と、前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従って前記読取手段による前記原稿の読み直しを前記読取手段に実行させる読取制御手段と、を有する画像形成装置であって、前記検知手段によって前記読取りエラーを検知したことに従って前記読取手段による前記原稿の読み直しを前記読取手段に実行させるか否かをユーザの指示に従って設定する設定手段を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、読取りエラーを検知したことに従って原稿の読み直しを実行させるか否かをユーザが設定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月27日(2018.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１に記載のスピーカー電流負帰還電流駆動システムであって、共振周波数ｆｏを有するスピーカーユニットとそれに直列につながる抵抗とから成る負帰還部を具備し、、当該スピーカーユニットと略等しい共振周波数ｆｏをもつスピーカーユニットを、当該電流負帰還電流駆動    システムに含まれる電圧増幅部の出力端子とアース間に接続することを特徴とするスピーカー電流負帰還電流駆動システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】請求項６について本発明は前記課題の解決のため以下の手段を案出した。請求項１に記載のスピーカー電流負帰還電流駆動システムであって、共振周波数ｆｏを有するスピーカーユニットとそれに直列につながる抵抗器とから成る負帰還部を具備し、当該スピーカーユニットと略等しい共振周波数ｆｏをもつスピーカーユニットを、当該電流負帰還電流駆動システムに含まれる電圧増幅部の出力端子とアース間に接続し電圧駆動し、同時に電流駆動する電流負帰還電流駆動システムである。図４に示す電圧増幅器Ａ（６０）の開ループ利得ｆ（Ａ）は当該増幅器Ａ（６０）単体の電圧負帰還量を変えたり、その入力側に分割抵抗器を挿入する等で任意に設定する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月25日(2017.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信により遠隔操縦される小型無人飛行機の飛行を妨害する飛行妨害装置であって、
指向性アンテナから妨害電波を放射する一または複数のアンテナ装置を備え、
前記指向性アンテナは、所定の周波数帯の妨害電波を放射する放射素子と、該妨害電波の放射方向に指向性を付与する反射器と、を有しており、
前記指向性アンテナは、一の前記反射器に対して複数の前記放射素子を有し、
前記複数の放射素子は、それぞれ異なる周波数帯の妨害電波を放射することを特徴とする飛行妨害装置。
【請求項２】
無線通信により遠隔操縦される小型無人飛行機の飛行を妨害する飛行妨害装置であって、
指向性アンテナから妨害電波を放射する一または複数のアンテナ装置を備え、
前記指向性アンテナは、所定の周波数帯の妨害電波を放射する放射素子と、該妨害電波の放射方向に指向性を付与する反射器と、を有しており、
前記各アンテナ装置は、前記小型無人機の侵入を阻止すべき地理的領域または空間の境界近傍に配置され、
前記各アンテナ装置の前記指向性アンテナは、その仰角および方位角が、前記地理的領域または空間への侵入路に前記妨害電波が放射され、かつ、該妨害電波による前記地理的領域または空間への影響が少ない角度に設定されていることを特徴とする飛行妨害装置。
【請求項３】
前記指向性アンテナは、その仰角または方位角における所定の角度範囲を連続的に往復動作可能であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の飛行妨害装置。
【請求項４】
前記指向性アンテナは、前記放射素子を一次放射器とし、前記反射器が凹状の曲面を有するパラボラアンテナであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の飛行妨害装置。
【請求項５】
前記指向性アンテナは、その仰角または方位角における所定の角度範囲を連続的に往復動作可能であり、
前記各アンテナ装置の前記指向性アンテナが前記所定の角度範囲を往復動作することにより、前記地理的領域または空間への侵入路の全面が前記妨害電波により走査されることを特徴とする請求項２に記載の飛行妨害装置。
【請求項６】
前記小型無人飛行機はマルチコプターであり、
前記各アンテナ装置は２．４ＧＨｚ帯の妨害電波を放射することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の飛行妨害装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月25日(2018.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変倍が可能な主光学系により形成された被写体像を撮像する主撮像系と、
複数の副光学系のそれぞれにより形成された複数の被写体像をそれぞれ撮像する複数の副撮像系とを有し、
前記複数の副光学系は、前記主光学系の光軸を含む断面を挟んだ両側の領域に配置されており、
前記主撮像系を介した撮像により生成された主画像と前記複数の副撮像系のそれぞれを介した撮像により生成された複数の副画像とを用いて前記主撮像系の撮像画角内での被写体距離情報の取得を行う処理手段を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記複数の副光学系は、前記主光学系の光軸を含む断面を挟んだ両側であって、前記断面に直交する方向における前記主光学系より外側の領域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の副光学系はそれぞれ、単焦点光学系であることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記複数の副光学系のうち少なくとも１つの副光学系は、前記主光学系の広角端での画角以上の画角を有する単焦点光学系であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記複数の副光学系のうち少なくとも１つの副光学系は、前記主光学系の広角端での画角より狭く、かつ望遠端での画角以上の画角を有する単焦点光学系であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記複数の副光学系は、
前記主光学系の広角端での画角以上の画角を有する単焦点光学系である少なくとも２つの第１の副光学系と、
前記主光学系の広角端での画角より狭く、望遠端での画角以上の画角を有する単焦点光学系である少なくとも２つの第２の副光学系とを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記複数の副光学系のうち少なくとも１つの副光学系と前記主光学系との光軸間距離が、他の副光学系と前記主光学系との光軸間距離に対して異なることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記複数の副光学系のうち少なくとも２つの副光学系の光軸と前記主光学系の光軸とが同一直線上に位置していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記主光学系において設定された画角に応じて、前記複数の副撮像系のうち前記被写体距離情報を取得するために用いる前記副撮像系を選択する選択手段を有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記処理手段は、前記被写体距離情報を取得する際に、前記主撮像系の撮像画角と前記選択手段により選択された前記副撮像系の撮像画角とが異なる場合は、該選択された副撮像系により生成された前記副画像から前記主撮像系の撮像画角に対応する画像領域をトリミングして拡大することで得られた拡大画像を用いて前記被写体距離情報を取得することを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の他の一側面としての撮像装置は、変倍が可能な主光学系により形成された被写体像を撮像する主撮像系と、複数の副光学系のそれぞれにより形成された複数の被写体像をそれぞれ撮像する複数の副撮像系とを有する。複数の副光学系は、主光学系の光軸を含む断面を挟んだ両側の領域に配置されている。そして、主撮像系を介して撮像により生成された主画像と複数の副撮像系のそれぞれを介した撮像により生成された複数の副画像とを用いて主撮像系の撮像画角内での被写体距離情報の取得を行う処理手段を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
Ｓ２００からＳ２０２までの処理は、図４に示したＳ１００からＳ１０２までの撮像および視差画像の生成に関する処理と同じであるため、ここでの説明は省略する。また、Ｓ２０３およびＳ２０４の処理についても、図４のＳ１０３およびＳ１０５のトリミングおよび拡大処理と同じであるため、ここでの説明は省略する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
また、６つの副光学系１６０ａ，１６０ｂ，１７０ａ，１７０ｂ，１８０ａ，１８０ｂはいずれも固定焦点距離（単焦点）の結像光学系である。図示しない６つの副撮像素子は、副光学系１６０ａ，１６０ｂ，１７０ａ，１７０ｂ，１８０ａ，１８０ｂのそれぞれによって形成された被写体像を撮像する。各副光学系およびこれに対応する副撮像素子により副撮像系が構成される。すなわち、本実施例の撮像装置４は、６つの副撮像系を有する。そして、６つの副撮像系のうち、副光学系１６０ａ，１６０ｂおよびこれらに対応する副撮像素子により２つの第１の副撮像系が構成され、副光学系１７０ａ，１７０ｂ，１８０ａ，１８０ｂおよびこれらに対応する副撮像素子により４つの第２の副撮像系が構成される。なお、以下の説明では、副光学系１７０ａ，１７０ｂを含む２つの副撮像系を第２の副撮像系といい、副光学系１８０ａ，１８０ｂを含む２つの副撮像系を第３の副撮像系という。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
主光学系１００および６つの副光学系１６０ａ，１６０ｂ，１７０ａ，１７０ｂ，１８０ａ，１８０ｂは、それらの光軸が互いに平行になるように配置されている。副光学系（以下、第１の副光学系という）１６０ａ，１６０ｂは、主光学系１００の３５ｍｍ換算における広角端での焦点距離２４ｍｍと同じ焦点距離（つまりは同じ画角）を有する単焦点光学系である。また、副光学系（以下、第２の副光学系という）１７０ａ，１７０ｂは、主光学系１００の広角端と望遠端との間の広角側中間ズーム位置での焦点距離（つまりは広角端での画角より狭く、望遠端での画角以上の画角）を有する単焦点光学系である。例として、第２の副光学系１７０ａ，１７０ｂは、３５ｍｍ換算で１００ｍｍの焦点距離を有する。さらに、副光学系（以下、第３の副光学系という）１８０ａ，１８０ｂは、主光学系１００の広角端と望遠端との間の望遠側中間ズーム位置での焦点距離（広角端での画角より狭く、望遠端での画角以上の画角）を有する単焦点光学系である。例として、第３の副光学系１８０ａ，１８０ｂは、３５ｍｍ換算で２００ｍｍの焦点距離を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月17日(2018.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図３は、図２の構成に、各マイクロホンユニット１０，２０，２５，３０の指向特性を表すパターンや、各マイクロホンユニット１０，２０，２５，３０の位置関係を表す基準線などを加えた図である。図５は、図４に対応して上記指向特性のパターンや基準線などを加えた斜視図である。図３及び図５に示すように、無指向性マイクロホンユニット１０及び双指向性マイクロホンユニット２０，２５は、下側ケース１５及び基板２１の中心点から１２０度の間隔で放射状に延びる直線上に各々のユニットの中心部が位置するように、配置されている。また、この例では、これら３つのマイクロホンユニット１０，２０，２５は、基板２１の中心点（１の点）２５０を中心とする円周上に各ユニットの中心部が位置するように、一平面上に配置されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに、双指向性マイクロホンユニット２０及び２５は、基板２１の中心点から無指向性マイクロホンユニット１０の中心部を通る基準線に対して各々１２０度の角度で放射状に延びる直線上に各々の指向軸が位置するように、配置されている。したがって、双指向性マイクロホンユニット２０及び２５は、基板２１の中心点（１の点）２５０を通り周方向の間隔が１２０度で放射状に延びる二つの直線上に各々の指向軸が位置するように、基板２１上に固定設置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
他方、第３の双指向性マイクロホンユニットとしての双指向性マイクロホンユニット３０は、基板２１の中心点２５０上に配置されている。また、双指向性マイクロホンユニット３０は、その指向軸が双指向性マイクロホンユニット２０及び２５の指向軸に直交するように配置されている。具体的には、双指向性マイクロホンユニット２０及び２５の指向軸は基板２１に並行であり、これに対して、双指向性マイクロホンユニット３０は、その指向軸が基板２１の垂直方向下側を向くように配置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１、図３乃至図７、及び実測データを示す図８（ａ），（ｂ）から分かるように、無指向性マイクロホンユニット１０は、全方位の音源を均一に捉える性質を有する。他方、図１、図３乃至図７、及び実測データを示す図９（ａ），（ｂ）から分かるように、双指向性マイクロホンユニット２０，２５，３０は、それぞれのユニットにおける正面（０ｄｅｇ）とその反対側（１８０ｄｅｇ）の前後２方向の音源を強く捉える性質を有する。加えて、双指向性マイクロホンユニット２０，２５，３０は、横方向（９０ｄｅｇ）からの音源は捉えにくい性質を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2017028603.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2017028603.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月7日(2017.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＬＤチップを搭載しており、前記複数のＬＤチップから出射される複数のレーザ光を合波し、基準光軸に平行に出力する光アセンブリであって、
前記複数のＬＤチップのそれぞれはブロックの主面上に、前記複数のＬＤチップのそれぞれに対応するサブマウントを介して搭載されており、
前記ブロック上には、前記複数のＬＤチップから出射される前記複数のレーザ光に対する複数のレンズであって、前記複数のレーザ光のそれぞれを実質的にコリメート光に変換する焦点距離が５ｍｍ未満である前記複数のレンズが搭載されており、
前記複数のレンズにより実質的にコリメート光に変換された前記複数のレーザ光を一本の合波光に合波する、個々に独立した別体の複数の波長選択性フィルタを有し、
前記複数の波長選択性フィルタは、それぞれが個別に光軸調整された状態で、前記ブロック上に搭載されており、
各前記サブマウントは単一の部材であり、
前記複数の波長選択性フィルタによって合波されている前記複数のＬＤチップのそれぞれのレーザ光の光軸は、前記基準光軸の方向において前記ブロックの端面から略１メートル先において一致しており、
前記複数の波長選択性フィルタのうち、前記複数のレーザ光のすべてを含む一本の合波光を出力する波長選択性フィルタは、前記複数のレーザ光のすべてを含む一本の合波光を前記基準光軸に平行に出力し、
前記複数のレーザ光のすべてを含む一本の前記合波光は、他のレンズによることなく前記複数のレンズのみでコリメートされており、
前記複数のＬＤチップは、赤、緑、及び青に対応する波長のレーザ光を出射し、
前記複数のレンズはＵＶ硬化樹脂で前記ブロック上に固定されており、
前記複数のＬＤチップ、前記複数のレンズ、及び前記複数の波長選択性フィルタはキャップ内にハーメチックシールされている、
光アセンブリ。
【請求項２】
前記複数のレンズ及び前記複数の波長選択性フィルタは、ベースの主面に搭載されており、
前記複数のレンズは前記UV硬化樹脂で前記ベースの前記主面に固定されている、
請求項１に記載の光アセンブリ。
【請求項３】
前記ベースは、ガラス製であり、前記レンズの固定位置を示す構造を有する、
請求項２に記載の光アセンブリ。
【請求項４】
前記構造は、前記ベースの前記主面に形成された複数の凹部である、
請求項３に記載の光アセンブリ。
【請求項５】
前記複数のＬＤチップは、前記複数のＬＤチップの一のＬＤチップの光出射方向と他のＬＤチップの光出射方向とが９０度を成すように、前記ブロック上に搭載されている、
請求項１〜４の何れか一項に記載の光アセンブリ。
【請求項６】
前記複数のレンズのそれぞれは、球レンズである、
請求項１〜５の何れか一項に記載の光アセンブリ。
【請求項７】
前記複数のＬＤチップは、対応するサブマウントに直接搭載されており、
各前記サブマウントは、前記ブロックの前記主面に直接搭載されている、
請求項１〜６の何れか一項に記載の光アセンブリ。
【請求項８】
前記ブロックは、ステム上に搭載されている、
請求項１〜７の何れか一項に記載の光アセンブリ。
【請求項９】
前記ブロックの前記主面と、前記ステムの前記主面とは実質的に直交している、
請求項８に記載の光アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月27日(2017.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮想的に設定したＩＣＯ球の球中心に配置された被写体を異なる複数の視点から撮影し、複数枚の静止画像を撮影する多視点画像の撮影方法であって、
前記仮想的に設定したＩＣＯ球の頂点からＩＣＯ球の球中心に向かって撮影された複数枚の静止画像を生成するようにカメラを制御する、
多視点画像の撮影方法。
【請求項２】
前記ＩＣＯ球の頂点からＩＣＯ球の球中心に向かって被写体を撮影する際、一つの撮影位置から前記カメラを複数の異なる角度に傾けて撮影することにより複数枚の静止画像を生成する、
請求項１に記載の多視点画像の撮影方法。
【請求項３】
前記撮影方法は、前記被写体が載せられるテーブルと、前記カメラが取り付けられるアームと、前記カメラとを制御することにより、前記仮想的に設定したＩＣＯ球の頂点からＩＣＯ球の球中心に向かって撮影された複数枚の静止画像を生成する請求項１または請求項２に撮影方法。
【請求項４】
前記撮影方法は、更に、前記被写体の回転軸を設定し、ユーザの操作に応じて前記回転軸を中心に回転するように前記複数の静止画像を表示するように制御する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の撮影方法。
【請求項５】
仮想的に設定したＩＣＯ球の球中心に配置された被写体を異なる複数の視点から撮影し、複数枚の静止画像を撮影する多視点画像の撮影装置であって、
前記仮想的に設定したＩＣＯ球の頂点からＩＣＯ球の球中心に向かって撮影された複数枚の静止画像を生成するようにカメラを制御する制御機器を備える、
撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多視点画像の撮影方法および撮影装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本技術は、被写体の回転軸を自由に変更可能な多視点画像の撮影方法、及び画像の撮影装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本技術における撮影方法は、仮想的に設定したＩＣＯ球の球中心に配置された被写体を異なる複数の視点から撮影し、複数枚の静止画像を撮影する多視点画像の撮影方法であって、仮想的に設定したＩＣＯ球の頂点からＩＣＯ球の球中心に向かって撮影された複数枚の静止画像を生成するようにカメラを制御するものである。
本技術における撮影装置は、仮想的に設定したＩＣＯ球の球中心に配置された被写体を異なる複数の視点から撮影し、複数枚の静止画像を撮影する多視点画像の撮影装置であって、仮想的に設定したＩＣＯ球の頂点からＩＣＯ球の球中心に向かって撮影された複数枚の静止画像を生成するようにカメラを制御する制御機器を備えるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月26日(2018.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の開口部内に位置する、ゲート電極と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層と、前記ゲート電極との間に、ゲート絶縁層を有し、
前記第２の酸化物半導体層と、前記ゲート絶縁層との間に、第３の酸化物半導体層を有し、
チャネル幅方向の断面において、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層と重ならない領域に位置する前記ゲート電極の底面は、前記第１の酸化物半導体層の底面より下に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の開口部内に位置する、ゲート電極と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層と、前記ゲート電極との間に、ゲート絶縁膜を有し、
チャネル幅方向の断面において、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層と重ならない領域に位置する前記ゲート電極の底面は、前記第１の酸化物半導体層の底面より下に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の開口部内に位置する、ゲート電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層と、前記ゲート電極との間に、ゲート絶縁膜及び第２の酸化物半導体層を有し、
チャネル幅方向の断面において、前記第１の酸化物半導体層と重ならない領域に位置する前記ゲート電極の底面は、前記第１の酸化物半導体層の底面より下に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層は、第２の絶縁膜の凸部と重なる領域に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層は、インジウムを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月13日(2018.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成する第１の工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する第３の工程と、
前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜上に金属膜を形成する第４の工程と、
前記金属膜を介して、前記酸化物半導体膜の少なくとも一部に酸素を添加し、かつ前記金属膜を金属酸化膜とする第５の工程と、
前記前記金属酸化物膜上に導電膜を形成する第６の工程と、
前記第１の金属酸化膜及び前記導電膜の一部をエッチングすることにより、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、第２の金属酸化物膜上のソース電極、および第３の金属酸化物膜上のドレイン電極を形成する第７の工程と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域、第２の領域、第３の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第２の金属酸化物膜およびソース電極と重なり、
前記第２の領域は、前記第３の金属酸化物膜およびドレイン電極と重なり、
前記第３の領域は、前記第１の領域および前記第２の領域の間に位置し、チャネル形成領域として機能することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成する第１の工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する第３の工程と、
前記ゲート電極および前記酸化物半導体膜上に金属膜を形成する第４の工程と、
前記金属膜を介して、前記酸化物半導体膜の少なくとも一部に酸素を添加し、かつ前記金属膜を金属酸化膜とする第５の工程と、
前記前記金属酸化物膜上に導電膜を形成する第６の工程と、
前記第１の金属酸化膜及び前記導電膜の一部をエッチングすることにより、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、第２の金属酸化物膜上のソース電極、および第３の金属酸化物膜上のドレイン電極を形成する第７の工程と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域、第２の領域、第３の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第２の金属酸化物膜およびソース電極と重なり、
前記第２の領域は、前記第３の金属酸化物膜およびドレイン電極と重なり、
前記第３の領域は、前記第１の領域および前記第２の領域の間に位置し、チャネル形成領域として機能し、
前記金属膜は、インジウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、タングステン、タンタル、またはモリブデンのいずれか一を含むことを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第３の工程の後に、前記酸化物半導体膜を２００℃以上４５０℃以下で加熱処理を行うことを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記加熱処理は、窒素雰囲気で加熱処理した後、水の含有量が１ｐｐｍ以下の乾燥空気で加熱処理することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第７の工程の後に、リン酸を含む薬液で洗浄することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月22日(2018.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層と、第２の層と、第３の層と、を有するグローバルシャッター方式の撮像装置であって、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に設けられ、
前記第１の層は、第１のトランジスタを有し、
前記第２の層は、第２のトランジスタを有し、
前記第３の層は、フォトダイオードを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の回路の構成要素であり、
前記第２のトランジスタおよび前記フォトダイオードは、第２の回路の構成要素であり、
前記第１の回路は、前記第２の回路を駆動することができる構成を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記フォトダイオードは、ｐｉｎ型の構造を有し、
前記フォトダイオードは、非晶質シリコンを有し、
前記非晶質シリコンは、ｉ型である領域を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
第１の層と、第２の層と、第３の層と、を有するグローバルシャッター方式の撮像装置であって、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に設けられ、
前記第１の層は、第１のトランジスタを有し、
前記第２の層は、第２のトランジスタ、第３のトランジスタおよび第４のトランジスタを有し、
前記第３の層は、フォトダイオードを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の回路の構成要素であり、
前記第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、および前記フォトダイオードは、第２の回路の構成要素であり、
前記第１の回路は、前記第２の回路を駆動することができる構成を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、および前記第４のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記フォトダイオードは、ｐｉｎ型の構造を有し、
前記フォトダイオードは、非晶質シリコンを有し、
前記非晶質シリコンは、ｉ型である領域を有し、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記フォトダイオードと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記フォトダイオードのｐ型半導体層は、当該フォトダイオードを貫通して設けられる導電体と電気的に接続されていることを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月7日(2018.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられる開口部を介して、前記第１の導電膜と電気的に接続される第３の導電膜と、
前記第３の導電膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
前記第３の導電膜は、
インジウムと、酸素と、を有し、
前記第３の絶縁膜は、
シリコンと、窒素と、を有し、且つ昇温脱離ガス分析法において、
アンモニア分子の放出量が１×１０１５分子／ｃｍ３以下である、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続される一対の第２の導電膜と、
前記酸化物半導体膜及び前記一対の第２の導電膜上の第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられる開口部を介して、前記第１の導電膜と電気的に接続される第３の導電膜と、
前記第３の導電膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
前記第３の導電膜は、
インジウムと、酸素と、を有し、
前記第３の絶縁膜は、
シリコンと、窒素と、を有し、且つ昇温脱離ガス分析法において、
アンモニア分子の放出量が１×１０１５分子／ｃｍ３以下である、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第３の導電膜は、
さらに、錫と、シリコンとを有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、
酸素と、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）とを有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２または請求項４において、
前記酸化物半導体膜は、
結晶部を有し、
前記結晶部は、ｃ軸配向した結晶を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月1日(2018.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
第１配線板１９ａは基体２１に連結される。第１配線板１９ａは第１端子アレイ３３ａに覆い被さる。第１配線板１９ａの一端には上電極端子３４および下電極端子３５に個別に対応して導電線すなわち第１信号線３９が形成される。第１信号線３９は上電極端子３４および下電極端子３５に個別に向き合わせられ個別に接合される。同様に、第２配線板１９ｂは基体２１に連結される。第２配線板１９ｂは第２端子アレイ３３ｂに覆い被さる。第２配線板１９ｂの一端には上電極端子３６および下電極端子３７に個別に対応して導電線すなわち第２信号線４２が形成される。第２信号線４２は上電極端子３６および下電極端子３７に個別に向き合わせられ個別に接合される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
振動膜２４の表面に酸化シリコン層４８（下電極）と、酸化ジルコニウム層４９（圧電体膜２８）および上電極２６が順番に積層される。圧電体膜２８は例えばジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）で形成されることができる。圧電体膜２８にはその他の圧電材料が用いられてもよい。ここでは、第１導電体２９の下で圧電体膜２８は完全に第２導電体３２を覆う。圧電体膜２８の働きで第１導電体２９と第２導電体３２との間で短絡は回避されることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
基体２１の第１辺２１ａと受信アレイＲＲの輪郭との間に１ラインの第３端子アレイ６９が配置される。第３端子アレイ６９は第１辺２１ａに平行に１ラインを形成することができる。第３端子アレイ６９は信号端子７１および共通端子７２で構成される。信号端子７１は第３導電体６７に接続される。共通端子７２は第４導電体６８に接続される。ここでは、第３端子アレイ６９は第１端子アレイ３３ａとともに１ラインを形成する。第１配線板１９ａは第１端子アレイ３３ａおよび第３端子アレイ６９に覆い被さる。第１配線板１９ａの一端には信号端子７１および共通端子７２に個別に対応して導電線すなわち第３信号線７３が形成される。第３信号線７３は信号端子７１および共通端子７２に個別に向き合わせられ個別に接合される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
受信アレイＲＲでは個々の行内で第１圧電素子５７の第１電極６１に隣接する第１圧電素子５７の第２電極６２が接続される。１行の第１圧電素子５７は電気的に直列に接続される。したがって、変形によって発生する電圧が増加し感度は向上する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
前述のように、超音波デバイス１７では第１圧電素子５７は超音波の受信にあたって利用されることができ、第２圧電素子２３は超音波の発信にあたって利用されることができる。第１圧電素子５７は第２圧電素子２３に比べて高い感度を有することから、超音波の解像度は向上する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
（７）第１超音波トランスデューサー素子の検証
本発明者は圧電体膜６３上の溝６４の働きを検証した。検証にあたって音圧に対する歪みの大きさ（歪み音圧比）が算出された。算出にあたって縦横比１０：１の振動膜が設定された。溝の幅Ｗｔは、振動膜２４の幅に対して１７％、４２％および６７％に設定された。従来構造として圧電体膜に溝なしの振動膜が用意された。長手方向からの中心線からの距離に応じて振動膜の歪み音圧比が変化する様子を図１１に示す。溝６４では圧電体膜の厚みの減少に応じて歪みが増大することが確認された。しかも、溝ありでは、溝なしに比べて振動膜の縁近辺で歪みが抑制されることが見出された。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図１８に示されるように、厚み比が変化しても振動膜２４の固有周波数は１ＭＨｚ以上大きく変化しないことが確認された。したがって、圧電体膜６３に溝６４を形成して受信感度を高める手段をとったとしても、本実施形態の範囲であれば圧電素子５７の振動特性が変動しないことがわかる。固有周波数は音波の波長に反比例し、波長を介して圧電素子５７の空間分解能を決定するため、固有周波数の低下は分解能の低下につながる。そのため受信感度が向上する圧電素子５７の構造をとったとしても、固有周波数が低下することは、素子の設計上好ましくない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2015195351.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、被試験用トランジスタと、第１のトランジスタと、読み出し回路とを有し、
前記被試験用トランジスタの第１の端子と、前記第１のトランジスタの第１の端子と、前記読み出し回路とが電気的に接続するノードを有し、
前記被試験用トランジスタの第２の端子に第１の電位を与え、
前記第１のトランジスタの第２の端子に第２の電位を与え、
前記第１のトランジスタを導通させ、前記ノードに所定の電荷を蓄積させ、
前記読み出し回路の出力端子の第３の電位を測定し、
前記第１のトランジスタを非導通にし、
前記読み出し回路の前記出力端子の第４の電位を測定し、
前記第３の電位と前記第４の電位の差から、前記ノードが保持する電荷量を見積もり、
前記電荷量から、前記被試験用トランジスタの前記第２の端子と前記第１のトランジスタの前記第１の端子との間を流れる電流値を算出することを特徴とする電流測定方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記被試験用トランジスタの前記第１の端子あるいは前記第２の端子と前記基板との間の容量は、前記ノードの全容量の１３．４％未満であることを特徴とする電流測定方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記被試験用トランジスタは、前記第１のトランジスタよりチャネル幅が大きいことを特徴とする電流測定方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記読み出し回路は、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタのゲート端子は前記ノードと電気的に接続し、
前記第３のトランジスタの第１の端子は、前記第２のトランジスタの第１の端子および前記出力端子と電気的に接続することを特徴とする電流測定方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２のトランジスタの第２の端子の電位と、前記第３のトランジスタの第２の端子の電位と、前記第３のトランジスタのゲート端子の電位とは、同電位である期間を有することを特徴とする電流測定方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
測定環境を恒温状態にして測定する電流測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月7日(2018.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の半導体と、
前記半導体上に接する領域を有する、第１の電極及び第２の電極と、
前記半導体上、前記第１の電極上、及び前記第２の電極上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第３の電極と、を有し、
前記第１の絶縁体は、前記半導体上に開口又は溝を有し、
前記第２の絶縁体は、前記第１の絶縁体上、前記開口の内壁上又は溝の内壁上、及び前記半導体上に設けられており、
前記第３の電極は、前記開口又は溝に設けられた領域を有する半導体装置。
【請求項２】
基板上に半導体を設ける第１の工程と、
前記半導体に第１の加工を行い、島状半導体を設ける第２の工程と、
前記島状半導体上に第１の導電体を設ける第３の工程と、
前記第１の導電体に第２の加工を行い、第１の形状の導電体を設ける第４の工程と、
前記第１の形状の導電体上に第１の絶縁体を設ける第５の工程と、
前記第１の絶縁体に開口又は溝を設ける第６の工程と、
前記開口又は溝において、前記第１の形状の導電体に第３の加工を行い、第１の電極と第２の電極を形成し、且つ、前記島状半導体を露出する第７の工程と、
前記第１の絶縁体上、前記開口の内壁上又は溝の内壁上、及び、前記露出された島状半導体上に第２の絶縁体を設ける第８の工程と、
前記第２の絶縁体上に第２の導電体を設ける第９の工程と、
前記第２の導電体に第４の加工を行い、前記開口又は溝に設けられた第３の電極を設ける第１０の工程と、を有する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に半導体を設ける第１の工程と、
前記半導体に第１の加工を行い、島状半導体を設ける第２の工程と、
前記島状半導体上に第１の導電体を設ける第３の工程と、
前記第１の導電体上に第１の絶縁体を設ける第４の工程と、
前記第１の絶縁体に開口又は溝を設ける第５の工程と、
前記開口又は溝において、前記第１の導電体に第２の加工を行い、第１の電極と第２の電極を形成し、且つ、前記島状半導体を露出する第６の工程と、
前記第１の絶縁体上、前記開口の内壁上又は溝の内壁上、及び、前記露出された島状半導体上に第２の絶縁体を設ける第７の工程と、
前記第２の絶縁体上に第２の導電体を設ける第８の工程と、
前記第２の導電体に第３の加工を行い、前記開口又は溝に設けられた第３の電極を設ける第９の工程と、を有する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に半導体を設ける第１の工程と、
前記半導体上に接する領域を有する第１の導電体を設ける第２の工程と、
前記半導体と前記第１の導電体とに第１の加工を行い、島状半導体及び島状導電体を設ける第３の工程と、
前記島状半導体上、及び前記島状導電体上に第１の絶縁体を設ける第４の工程と、
前記第１の絶縁体に開口又は溝を設ける第５の工程と、
前記開口又は溝において、前記島状導電体に第２の加工を行い、第１の電極と第２の電極を形成し、且つ、前記島状半導体を露出する第６の工程と、
前記第１の絶縁体上、前記開口の内壁上又は溝の内壁上、及び、前記露出された島状半導体上に第２の絶縁体を設ける第７の工程と、
前記第２の絶縁体上に第２の導電体を設ける第８の工程と、
前記第２の導電体に第３の加工を行い、前記開口又は溝に設けられた第３の電極を設ける第９の工程と、を有する半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に半導体を設ける第１の工程と、
前記半導体上に接する領域を有する第１の導電体を設ける第２の工程と、
前記第１の導電体上に第１の絶縁体を設ける第３の工程と、
前記半導体と、前記第１の導電体と、前記第１の絶縁体とに第１の加工を行い、島状半導体、島状導電体、及び島状絶縁体を設ける第４の工程と、
前記島状絶縁体に開口又は溝を設ける第５の工程と、
前記開口又は溝において、前記島状導電体に第２の加工を行い、第１の電極と第２の電極を形成し、且つ、前記島状半導体を露出する第６の工程と、
前記島状絶縁体上、前記開口の内壁上又は溝の内壁上、及び、前記露出された島状半導体上に第２の絶縁体を設ける第７の工程と、
前記第２の絶縁体上に第２の導電体を設ける第８の工程と、
前記第２の導電体に第３の加工を行い、前記開口又は溝に設けられた第３の電極を設ける第９の工程と、を有する半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２又は請求項４において、前記第２の導電体の加工に際し、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月16日(2018.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１の半導体と、第３の絶縁体と、第１の導電体と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の半導体と、第４の絶縁体と、第２の導電体と、を有し、
前記容量素子は、第３の導電体と、第４の導電体と、第５の絶縁体と、を有し、
前記第１の絶縁体は、前記第１のトランジスタ上に配置され、
前記容量素子は、前記第１の絶縁体上に配置され、
前記第２の絶縁体は、前記容量素子上に配置され、
前記第２のトランジスタは、前記第２の絶縁体上に配置され、
前記第１の半導体は、前記第３の絶縁体を介して、前記第１の半導体と前記第１の導電体とが互いに重なる領域を有し、
前記第２の半導体は、前記第４の絶縁体を介して、前記第２の半導体と前記第２の導電体とが互いに重なる領域を有し、
前記第３の導電体は、前記第５の絶縁体を介して、前記第３の導電体と前記第４の導電体とが対向する領域を有し、
前記第３の導電体は、前記第１の絶縁体の有する開口部を介して、前記第１の導電体と接する領域を有し、
前記第３の導電体は、前記第２の絶縁体の有する開口部を介して、前記第２の半導体と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第５の絶縁体は、前記第４の導電体の有する元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の半導体は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の半導体は、インジウムを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月28日(2017.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操作手段の操作によって遊技媒体が遊技領域に打ち込まれる遊技機であって、
当りに関する抽選を行う抽選手段と、
前記抽選手段による抽選の結果が当りである場合に、所定の開閉入賞口を開放させる制御を実行する開閉制御手段と、
通常状態および該通常状態よりも有利な有利状態を少なくとも含んだ状態がある中で状態を制御する状態制御手段と、
所定の演出を表示する演出表示手段と、を備え、
前記有利状態に制御されることを認識可能にさせる演出態様が前記演出表示手段に示されるようになされており、
前記演出態様が前記演出表示手段に表示されているときにおいては前記開閉入賞口が閉鎖しているものの、前記遊技領域のうちの所定領域に前記遊技媒体を打ち込むように指示する指示演出が示されるようになされており、
前記開閉入賞口が閉鎖しているものの前記演出態様が前記演出表示手段に表示されているときに前記遊技領域にある特定領域に前記遊技媒体が通過したことに基づいて特別演出を実行可能とされており、
前記特別演出が実行されたことに応じた関連演出を現出可能とされており、
前記特別演出は、前記開閉入賞口が閉鎖しているものの前記演出態様が前記演出表示手段に表示されているときの複数のタイミングにて現出されうる演出であり、
前記特定領域に前記遊技媒体が通過したことに基づいて遊技媒体を付与することを可能とした
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
既述の遊技機は、演出ボタン等の操作手段を操作させることによって興趣の向上を図っているものの、そのために遊技球の打ち込みを中断してしまうという虜があり、その行為によって稼働が低下するためホールにも迷惑をかけるおそれがあった。そこで、本発明は、演出を活かしつつ稼働の低下を抑制し得る遊技機を提供することを目的とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記目的を達成するために、本発明は、操作手段の操作によって遊技媒体が遊技領域に打ち込まれる遊技機であって、当りに関する抽選を行う抽選手段と、前記抽選手段による抽選の結果が当りである場合に、所定の開閉入賞口を開放させる制御を実行する開閉制御手段と、通常状態および該通常状態よりも有利な有利状態を少なくとも含んだ状態がある中で状態を制御する状態制御手段と、所定の演出を表示する演出表示手段と、を備え、前記有利状態に制御されることを認識可能にさせる演出態様が前記演出表示手段に示されるようになされており、前記演出態様が前記演出表示手段に表示されているときにおいては前記開閉入賞口が閉鎖しているものの、前記遊技領域のうちの所定領域に前記遊技媒体を打ち込むように指示する指示演出が示されるようになされており、前記開閉入賞口が閉鎖しているものの前記演出態様が前記演出表示手段に表示されているときに前記遊技領域にある特定領域に前記遊技媒体が通過したことに基づいて特別演出を実行可能とされており、前記特別演出が実行されたことに応じた関連演出を現出可能とされており、前記特別演出は、前記開閉入賞口が閉鎖しているものの前記演出態様が前記演出表示手段に表示されているときの複数のタイミングにて現出されうる演出であり、前記特定領域に前記遊技媒体が通過したことに基づいて遊技媒体を付与することを可能としたことを特徴とする遊技機。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、演出を活かしつつ稼働の低下を抑制し得る遊技機を提供することができる。