(57)【要約】  一実施形態による本装置は、高エネルギー放射線光子を電流に変換するように構成された直接変換化合物半導体層を備える装置であって、前記直接変換化合物半導体層は、前記直接変換化合物半導体層の内部に配置された画素アレイであって、最外周に位置し信号パッドにより構成された画素を含む画素アレイと、前記画素アレイを囲むガードリングであって、前記最外周の画素が当該ガードリングに最も近い、ガードリングと、前記最外周の画素信号パッドのいくつかの代わりに配置され、前記ガードリングに接続されているガードリングコンタクトパッドと、を含み、前記ガードリングコンタクトパッドは、さらに、前記直接変換化合物半導体層の対称ｘ軸および対称ｙ軸に対して非対称に配置されている。  他の実施形態は、本装置によるタイルのアレイを含む検出器、およびＸ線光源と検出器とを含む画像処理システムに関する。【選択図面】  図６【特許請求の範囲】
【請求項１】
高エネルギー放射線光子を電流に変換するように構成された直接変換化合物半導体層を備える装置であって、
前記直接変換化合物半導体層は、
前記直接変換化合物半導体層の内部に配置された画素アレイであって、最外周に位置し信号パッドにより構成された画素を含む画素アレイと、
前記画素アレイを囲むガードリングであって、前記最外周の画素が当該ガードリングに最も近い、ガードリングと、
前記最外周の画素信号パッドのいくつかの代わりに配置され、前記ガードリングに接続されているガードリングコンタクトパッドと、を含み、
前記ガードリングコンタクトパッドは、さらに、前記直接変換化合物半導体層の対称ｘ軸および対称ｙ軸に対して非対称に配置されていることを特徴とする装置。
【請求項２】
他の直接変換化合物半導体層が前記直接変換化合物半導体層の隣に位置するとき、当該他の直接変換化合物半導体層と前記直接変換化合物半導体層の間のギャップによって分離されている前記ガードリングコンタクトパッドが、当該ガードリングコンタクトパッドのうちの一つのｘ軸またはｙ軸上に配置されていないように、前記ガードリングコンタクトパッドが非対称の位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記直接変換化合物半導体層の側面が隣接するように他の直接変換化合物半導体層が前記直接変換化合物半導体層の隣に位置するとき、前記側面に配置されている前記ガードリングコンタクトパッドが、前記ガードリングコンタクトパッドの１つと交差するｘ軸またはｙ軸上に位置しないように、前記ガードリングコンタクトパッドが非対称の位置に配置されていることを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項４】
前記直接変換化合物半導体層が、室温での高エネルギー光子検出に使用されるように構成されている半導体層を含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記直接変換化合物半導体層が、テルル化カドミウム層またはテルル化カドミウム亜鉛層から構成されていることを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記半導体層の各面が、少なくとも１つの前記ガードリングコンタクトパッドを含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記ガードリングコンタクトパッドが、前記ガードリングを接地するように構成されていることを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記直接変換化合物半導体層の下に位置する集積回路（ＩＣ）層をさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記ガードリングコンタクトパッドは、前記直接変換化合物半導体層を介して前記ＩＣ層に前記ガードリングを接続することを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記ＩＣ層の下方に位置する基板層をさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記装置がタイルを含み、該タイルが前記直接化合物半導体層を含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
前記請求項のいずれかに記載の前記タイルのアレイを含む検出器。
【請求項１３】
高エネルギー放射線源と、前記請求項のいずれかに記載の検出器と、を含む画像処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
直接変換化合物半導体ベースの検出器および検出器アレイは、高エネルギー放射線、例えばＸ線光子を直接電荷に変換するために放射線撮像において利用される。それらは典型的には電荷コレクタの上に直接成長したＸ線光導電体層および読み出し層（例えば室温半導体）からなる。かかる検出器は、一般に、改善された解像度を有する増大された画像サイズが生成され得るように、複数のタイルのアレイにおいて利用される。
【背景技術】
【０００２】
検出器、特に周辺タイル要素の性能は、多くの画像処理用途にとって重要となり得る。直線性、均一性、安定性、および一貫性が周辺タイルに関連している可能性がある。多くの用途にとって、画像処理要件は非常に厳格であり得る。室温半導体を用いて構築されたタイル型撮像検出器の場合、各タイルの端部は著しい不均一性または目に見えるアーチファクトを引き起こす可能性がある。これは、より大きなリーク電流と端部近くの歪んだ電界が原因で起こることが知られている。タイルの端部周辺のアーチファクトは望ましくない可能性がある。これらのアーチファクトは、端部画素の性能低下によって引き起こされると考えられている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ガードリングを利用して周辺画素の挙動を改善することができることが知られている。ガードリングは、典型的には、検出器のピクセル化された側の同じ表面上に作られており、隣接するものと同じ電位、例えば接地電位を印加する。ガードリングは、ガードリングコンタクトパッドを介して接地されている。したがって、ガードリングのサイズに応じて、端部画素への電界歪みが軽減または解消される。さらに、側壁リーク電流はガードリングによって集められる。しかしながら、同一平面上のガードリングは、不活性空間領域、すなわちガードリング形状の寸法を有するデッドピクセルを生成する。さらに、ガードリングコンタクトパッドは追加のデッドピクセルを作成する。これらは、不活性空間に対する許容範囲が限られている可能性があるタイルを用いた検出器の境界または検出器端部にとって望ましくない。デジタル画像処理はこれらを補正できないかもしれないし、あるいはそれを行うには費用がかかりすぎるか面倒である。
【０００４】
刊行物Ｄ１は、背景を理解するのに有用であると見なすことができる情報を開示している。
【０００５】
当概要は、詳細な説明において以下にさらに説明される概念の選択を単純化された形で紹介するために提供される。この概要は、特許請求される主題の重要な特徴または本質的な特徴を識別することを意図するものでもなく、特許請求される主題の範囲を限定するために使用されることを意図するものでもない。
【０００６】
非対称に配置されたガードリングコンタクトを提供することが目的である。この目的は独立請求項の特徴により達成される。いくつかの実施形態は、従属請求項に記載されている。一実施形態によれば、本装置は、高エネルギー放射線光子を電流に変換するように構成された直接変換化合物半導体層を備え、前記直接変換化合物半導体層は、前記直接変換化合物半導体層の内部に配置された画素アレイであって、最外周に位置し信号パッドにより構成された画素を含む画素アレイと、前記画素アレイを囲むガードリングであって、前記最外周の画素が当該ガードリングに最も近い、ガードリングと、前記最外周の画素信号パッドのいくつかの代わりに配置され、前記ガードリングに接続されているガードリングコンタクトパッドと、を含み、前記ガードリングコンタクトパッドは、さらに、前記直接変換化合物半導体層の対称ｘ軸および対称ｙ軸に対して非対称に配置されている。
【０００７】
他の実施形態は、本装置によるタイルのアレイを含む検出器、および高エネルギー放射線源と検出器とを含む撮像システムに関する。
【０００８】
付随する特徴の多くは、添付の図面と関連して考慮される以下の詳細な説明を参照することによってそれらがよりよく理解されるにつれて、より容易に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本明細書は、添付の図面を参照しながら読まれる以下の詳細な説明からよりよく理解されるであろう。
【００１０】
【図１】一実施形態による直接変換化合物半導体層、集積回路層、および基板層を示すタイルの断面の概略図である。
【００１１】
【図２】比較例によるタイルコーナーの上面図の概略図である。
【００１２】
【図３】一実施形態によるタイルコーナーの上面図の概略図である。
【００１３】
【図４】一比較例による、タイルおよびタイル間のギャップを有するタイルの上面図の概略図である。
【００１４】
【図５】別比較例による、デッドピクセルを有するタイルおよびタイル間のギャップの上面図の概略図である。
【００１５】
【図６】一実施例による、対称軸に関して非対称に配置されたデッドピクセルを示すタイルの上面図の概略図である。
【００１６】
【図７】ガードリングコンタクトパッドをタイルの中に構成するための他の実施形態を示す。
【図８】ガードリングコンタクトパッドをタイルの中に構成するための他の実施形態を示す。
【００１７】
【図９】一実施形態による、タイルの一部の上面図の概略図である。
【００１８】
【図１０】一実施形態による、非対称に配置されたデッドピクセルを有するタイルのアレイおよびタイル間のギャップの上面図の概略図である。
【００１９】
【図１１】一実施形態によるタイルを有する検出器の断面の概略図を示す。
【００２０】
添付の図面においては、同様の部分を示すために同様の参照符号が使用されている。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
添付の図面に関連して以下に提供される詳細な説明は、実施形態の説明として意図されており、当該実施形態が構築または利用され得る唯一の形態を表すことを意図するものではなく、同一のまたは同等の機能および構造は、異なる実施形態によっても達成され得る。
【００２２】
画像処理アレイにおいては、ソフトウェア（ＳＷ）ベースの補間は隣接する不適合ピクセルを最終画像から除去するようには作用しないかもしれないので、隣接する不適合ピクセルは許されないかもしれない。タイルベースの画像処理アレイでは、タイル間のデッドエリアによってデッドピクセルゾーンが作成される。これは、ＳＷの観点からはデッドピクセル列として記述される。実際のタイルピクセルマトリックスの外端上の任意のデッドピクセルは、タイル間のデッドゾーンに隣接するデッドピクセルを生成する。
【００２３】
通常、検出器は、ピクセルマトリックスと検出器半導体結晶の外端との間に配置されたガードリングを必要とする。ガードリングは、ピクセル以外の別の接地バイアスコンタクトを必要とする。ガードリングの設置が検出器の結晶内で対称的である場合、３つのデッドピクセルのクラスタサイズが決定される場合がある。第１のデッドピクセルは、最初のタイルの画素アレイの外端にあり、第２のデッドピクセルはタイル間の領域にあり、第３のデッドピクセルは第２のタイルの画素アレイの外端にある。その結果、デッドピクセルのクラスタを隠すために最低３回の補間が必要とされ、これが最終的な画質を劣化させる。
【００２４】
一実施形態によれば、ガードリングコンタクトパッドは、検出器のタイルのｘ対称軸およびｙ対称軸に関して非対称に構成されている。ガードリングコンタクトパッドは、ガードリングコンタクト画素と呼ばれてもよく、画素は画像処理に関する領域を示し、パッドは電気的コンタクトに関する領域を表す。タイルの各端部は、画素アレイの外周に構成された少なくとも１つのガードリングコンタクトパッドを含む。ガードリングコンタクトパッドがタイルのｘ対称軸およびｙ対称軸を考慮して互いに非対称に構成されている場合、隣接するタイル間のガードリングコンタクト画素は一致せず、向かい合って位置していない。
【００２５】
その結果、３つのデッドピクセルを含むクラスタは作成されない。さらに、組み立て段階において、３つのガードリングデッドピクセルのクラスタを生成する可能性なく、タイルを３６０度自由に回転させることができ、エラー修正の必要性が少なくなる。さらに、この構成は、検出器結晶の組み立て工程に対してもエラー防止性が高い。
【００２６】
本実施形態は、直接変換化合物半導体において実施されるものとして本明細書で説明および図示されているが、これは例示的な実施に過ぎず、限定ではない。当業者には理解されるように、本実施形態は、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、テルル化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＴｅ）などの様々な異なる種類の検出器半導体結晶における用途に適している。
【００２７】
図１は、一実施形態に係る直接変換化合物半導体層１０１、集積回路（ＩＣ）層１０２、および基板層１０３を示す、ｚ軸方向（図１には示されていない）のタイル１００の断面の概略図である。
【００２８】
直接変換化合物半導体層１０１は、検出用半導体結晶または化合物半導体とも呼ばれ、Ｘ線光子などの高エネルギー放射線を検出し、対応する電子電流に変換するように構成される。化合物半導体層１０１は、タイル１００の最上層である。化合物半導体層１０１は、Ｘ線放射１０４を受ける。Ｘ線の代わりにガンマ線放射を受けてもよいことに留意されたい。化合物半導体層１０１の下にはＩＣ層１０２がある。ＩＣ層１０２は特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）でもよい。ＡＳＩＣは、マイクロプロセッサと、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリを含むメモリブロックと、他の大きなビルディングブロックと、を含み得る。この種のＡＳＩＣは、しばしばＳｏＣ（システムオンチップ）と呼ばれる。ＡＳＩＣの機能を記述するために、ＶｅｒｉｌｏｇやＶＨＤＬなどのハードウェア記述言語（ＨＤＬ）を使用して設定することができる。ＡＳＩＣの代わりに、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）をプログラマブルロジックブロックおよびプログラマブル相互接続として使用して、同じＦＰＧＡを多くの異なる用途で使用することが可能である。ＩＣ層１０２は、他の電子機器に加えて電気的接地を含む。最下層は基板層１０３である。基板（ウェハとも呼ばれる）は、他の物質の層がその上に塗布され、その第２の物質が付着する固体（通常は平面）物質であり得る。基板１０３は、シリコン、二酸化シリコン、酸化アルミニウム、サファイア、ゲルマニウム、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、シリコンとゲルマニウムの合金、またはリン化インジウム（ＩｎＰ）などの材料のスライスとすることができる。これらは、トランジスタ、ダイオード、特に集積回路（ＩＣ）のようなＩＣ電子デバイスがその上に積層される基礎として役立つ。
【００２９】
化合物半導体１０１、ＩＣ１０２および基板１０３が、タイル１００を構成する。１つのタイルは、画素アレイを有し、各画素は、検出器内のデジタル画像処理における化合物半導体上の信号パッドに対応する。検出器はタイル１００のアレイ（あるいはマトリックスとも呼ばれる）を有する。
【００３０】
図２は、比較例によるタイルコーナーの上面図の概略図である。直接変換化合物半導体層１０１は、アレイ内の信号パッド（あるいは画素パッドとも呼ばれる）１０６と、画素アレイを囲むガードリング１０５と、を備える。比較例では、ガードリングコンタクトパッド１０７は、ガードリング１０５上に位置するように構成される。これは、ガードリング１０５が直接変換化合物半導体層１０１の側面の端部の近くに構成され得ないため、デッドゾーンのサイズおよびデッドピクセルの量を増加させ得る。端部と対象物との間に一定の許容差および安全距離を維持する必要があり、この例ではパッド１０７の左側に設けれれる。
【００３１】
信号パッド１０６およびガードリングパッド１０７は、半導体化合物１０１を介してＩＣ層１０２およびその電子機器に接続する。
【００３２】
図３は、一実施形態によるタイルコーナーの上面図の概略図を示す。１画素である信号パッド１０６のうちの１つは、ガードリングパッド１０７によって置き換えられている。したがって、信号パッド１０６の代わりに、ガードリングコンタクトパッド１０７がこの位置に配置されている。さらに、ガードリングパッド１０７は、接続部１０８によってガードリングに接続されている。図３の構成では、ガードリング１０５は、図２の構成と比較して、タイル１０１の端部の近くに配置することができる。
【００３３】
図４は、比較例によるタイル１００、１００＿１およびタイル１００、１００＿１間のギャップ１０９の上面図の概略図を示す。当比較例では、ガードリングコンタクトパッド１０７は、タイル１００、１００＿１の対称軸に対して対称である。その結果、パッド１０７は、それらの間にギャップ１０９のみを有して並んでいる。ギャップ１０９とタイル１００、１０１＿１の端部とは、デッドエリア１０９＿１を確立し、これは１画素のエリアにほぼ対応し得る。当比較例では、破線ボックス１１０で示すように、３つのデッドピクセルのクラスタ１１１がパッド１０７とデッドゾーン１０９＿１とによって確立される。
【００３４】
図５は、他の比較例によるデッドピクセルのクラスタ１１１およびタイル間のギャップ１０９を有する直接変換化合物半導体層１０１、１０１＿１、１０１＿２の上面図の概略図を示す。当比較例は、タイル間の水平方向および垂直方向の３つの連続するデッドピクセルのクラスタ１１１を示す。当比較例では、接地リングコンタクトパッド１０７はタイルにおいて対称的に構成され、その結果タイル間には常にクラスタ１１１が存在する。これはこの種の検出器の性能を著しく低下させる可能性がある。
【００３５】
図６は、一実施形態による、対称軸１１０、１１２に関して非対称に配置されたデッドピクセル１０７を示すタイル１００の上面図の概略図を示す。
【００３６】
タイル１００は、タイル１００の各側が１つのパッド１０７を有するように４つのガードリングコンタクトパッド１０７を備える。ガードリングコンタクトパッド１０７は、対称ｘ軸１１０に対して非対称に配置されている。ガードリングコンタクトパッド１０７は、対称ｙ軸１１２に関して非対称にも位置している。
【００３７】
タイル１００が検出器上に組み立てられ、他のタイルの隣に配置されるとき、ガードリングコンタクトパッド１０７は、それらが非対称に構成されているので並んで、配置されることがない。さらに、タイル１００の各側面は依然としてガードリングコンタクトパッド１０７を有するので、ガードリング１０５の信頼性、構成および機能性を改善することができる。３つのデッドピクセルを含むクラスタ１１１はない。さらに、検出器を組み立てるとき、タイル１００を上面図に対して３６０度回転させることができ、それによってタイル１００の任意の側を別の同様のタイルの隣に配置することができ、それによって製造プロセスのコストおよび複雑さが軽減される。さらに、これは検出器の製造工程の速度を速める。
【００３８】
図７および図８は、ガードリングコンタクトパッド１０７をタイル１００上に構成するための他の実施形態を示す。パッド１０７は、ｘおよびｙ対称軸１１０、１１２に対して非対称である。パッド１０７と対称軸１１０、１１２との間の距離は、様々であり、いくつかの実施形態が例示されている。
【００３９】
図６、図７および図８に係る実施形態では、ガードリングコンタクトパッド１０７が直接変換化合物半導体層１０１の端部に配置されているように図示されているが、実際にはガードリング１０５が、例えば図３および図９に示すように、パッド１０７と端部との間に配置されていることに注意されたい。
【００４０】
図９は、一実施形態によるタイル１００の一部の上面図の概略図を示す。図９の実施形態は、図３の実施形態と同様である。ガードリングコンタクトパッド１０７は、ガードリング１０５の隣に位置し、パッド１０７によって置き換えられている画素１０６の位置で接続部１０８によって接続されている。対称軸１１０、１１２は、図９には示されていないが、それらは、図６−８の実施形態に従って実施することができる。
【００４１】
図１０は、一実施形態によるタイル１００のアレイおよび非対称に配置されたデッドピクセル１０７を有するタイル間のギャップ１０９の上面図の概略図を示す。図１０は、非対称に配置されたガードリングコンタクトパッド１０７を有するタイル１００のアレイを示す。３つ以上のデッドピクセルを含むクラスタ１１１は存在しない。２つの隣接するタイル１００では、ギャップ１０９によって隔てられているデッドピクセル１０７は、（タイル１００の対称軸に対して）非対称であるため、同じ水平軸または垂直軸上には発生しない。図１０は９個のタイル１００のアレイを示しているが、タイルの数は変化してもよく、９つのタイルは一実施形態としてのみ示されている。さらに、アレイの形状は、図１０に示すような正方形以外の形状でもよく、例えば、長方形、楕円形または球形のアレイを代わりに使用することができる。
【００４２】
図１１は、一実施形態によるタイル１００のアレイを有する検出器２００の断面の概略図を示す。Ｘ線放射１０４は光源（図１１には図示せず）から射出される。Ｘ線放射１０４によって検出され検査される対象物３００は、光源と検出器２００との間に示されている。検出器２００は、検出器２００の断面に、例えばＸ軸方向に９個のタイル１００−１００＿８を有するアレイを含む。
【００４３】
図１１は、当実施形態による非対称に配置されたガードリングコンタクトパッド１０７を有するタイル１００を含む検出装置２００を示す。装置２００は、これらの実施形態のいずれかに記載されているようにタイル１００を含む、物体３００を検出するための画像処理システムの一部であり得る。このシステムは、例えば医療用画像処理、セキュリティイ用画像処理、および／または工業用画像処理に適用することができる。
【００４４】
本明細書に記載の任意の範囲または装置の値は、求める効果を失うことなく拡張または変更することができる。また、明示的に否定しない限り、任意の実施形態を他の実施形態と組み合わせることができる。
【００４５】
主題は、構造的特徴および／または行為に特有の用語で説明されてきたが、添付の特許請求の範囲に規定された主題は必ずしも上記の特定の特徴または行為に限定されないことを理解されたい。そうではなく、上記の特定の特徴および行為は、特許請求の範囲を実施する例として開示されており、他の同等の特徴および行為は、特許請求の範囲内にあることが意図されている。
【００４６】
一実施形態は、Ｘ線光子を電流に変換するように構成された直接変換化合物半導体層を含む装置に関するものであり、前記直接変換化合物半導体層は、前記直接変換化合物半導体層の内部に配置された画素アレイであって、最外周に位置し信号パッドにより構成された画素を含む画素アレイと、前記画素アレイを囲むガードリングであって、前記最外周の画素が当該ガードリングに最も近い、ガードリングと、前記最外周の画素信号パッドのいくつかの代わりに配置され、前記ガードリングに接続されているガードリングコンタクトパッドと、を含み、前記ガードリングコンタクトパッドは、さらに、前記直接変換化合物半導体層の対称ｘ軸および対称ｙ軸に対して非対称に配置されている。
【００４７】
上記に代えて又は上記に加えて、ガードリングコンタクトパッドは非対称に配置されているので、別の直接変換化合物半導体層が当該直接変換化合物半導体層の隣に位置するとき、ガードリングコンタクトパッドは層間のギャップは、一方のパッドのｘ軸またはｙ軸上に位置していない。上記に代えて又は上記に加えて、ガードリングコンタクトパッドは、他の直接変換化合物半導体層が当該直接変換化合物半導体層の隣に位置するときに直接変換化合物半導体層の側面が互いに対向するように非対称に配置される。他の例では、側面に位置するガードリングコンタクトパッドはパッドの１つと交差するｘ軸またはｙ軸上に位置しない。上記に代えて又は上記に加えて、直接変換化合物半導体層は、室温での高エネルギー光子検出に使用されるように構成されている半導体層を含む。上記に代えて又は上記に加えて、直接変換化合物半導体層はテルル化カドミウム層又はテルル化カドミウム亜鉛層を含む。上記に代えて又は上記に加えて、半導体層の各面は少なくとも１つのガードリングコンタクトパッドを含む。上記に代えて又は上記に加えて、ガードリングコンタクトパッドはガードリングを接地するように構成される。上記に代えて又は上記に加えて、画素は信号パッドを含む。上記に代えて又は上記に加えて、ガードリングコンタクトパッドはデジタル画像処理におけるデッドピクセルに対応する。上記に代えて又は上記に加えて、直接変換化合物半導体層の下に位置する集積回路（ＩＣ）層をさらに含む。上記に代えて又は上記に加えて、ガードリングコンタクトパッドは、ガードリングを直接変換化合物半導体層を介してＩＣ層に接続する。上記に代えて又は上記に加えて、ＩＣ層の下に位置する基板層をさらに含む。
【００４８】
一実施形態によれば、装置はタイルを含み、タイルは直接化合物半導体層を含む。一実施形態によれば、検出器はタイルのアレイを含む。一実施形態によれば、画像処理システムは、Ｘ線光源および検出器を含む。
【００４９】
上述の利益および利点は一実施形態に関連してもよく、またはいくつかの実施形態に関連してもよいことが理解されるであろう。実施形態は、記載された問題のいずれかまたはすべてを解決するもの、または記載された利益および利点のいずれかまたはすべてを有するものに限定されない。さらに、「１つの」項目への言及はそれらの項目のうちの１つ以上を指すことが理解されるであろう。
【００５０】
本明細書に記載の方法のステップは、任意の適切な順序で、または適切な場合には同時に実行することができる。さらに、個々のブロックは、本明細書に記載されている主題の精神および範囲から逸脱することなく、任意の方法から削除することができる。上記の実施形態のいずれかの態様を、記載した他の実施形態のいずれかの態様と組み合わせて、求める効果を失うことなくさらなる実施形態を形成することができる。
【００５１】
用語「含む」は、本明細書では、識別された方法、ブロックまたは要素を含むことを意味するが、そのようなブロックまたは要素は排他的リストを含まず、方法または装置は追加のブロックまたは要素を含み得る。
【００５２】
上記の説明は例としてのみ与えられたものであり、当業者によって様々な修正がなされ得ることが理解されるであろう。上記の仕様、実施形態およびデータは、例示的な実施形態の構造および使用の完全な説明を提供する。様々な実施形態をある程度の特殊性を用いて、または１つまたは複数の個々の実施形態を参照しながら上記で説明してきたが、当業者は、本明細書の精神または範囲から逸脱することなく開示された実施形態に多数の変更を加えることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
2020507061.tif 000013
2020507061.tif 000014