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　平成　７年特許願第１３９２８２号「被加工物支持面の異物除去方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年１２月１０日出願公開、特開平　８−３２３５７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年６月６日の出願であって、平成１５年９月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年１０月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１５年１１月１４日付けで明細書を補正対象書類とする手続補正がなされ、平成１６年７月２２日付けで上記手続補正が決定をもって却下され、平成１６年８月９日付けで当審で拒絶の理由を通知し、平成１６年１０月１２日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１６年１０月１２日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】半導体ウエハが支持されるウエハ研削盤の被加工物支持テーブルにエッチング液を塗布して被加工物支持テーブル上のウエハの研削粉を溶解した後、該被加工物支持テーブルに中和液を塗布して前記エッチング液を中和させた後、前記ウエハを前記被加工物支持テーブルの真空吸着部によって支持し、前記ウエハの表面研削を行うことを特徴とする被加工物支持面の異物除去方法。」
　
３．刊行物記載の発明・事項
　これに対して、当審において平成１６年８月９日付けで通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に国内で頒布された刊行物である特開平３−１２１７７８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下のとおり記載されている。
（１）「本発明は、平面自動研削盤等の複数箇所に配設された半導体ウエハをバキューム吸着させて研削加工を施す吸着チャック機構の上面に研削加工後残留付着している研削屑を洗浄する装置に関するもので、・・・研削屑を除去し洗浄する装置に関するものである。」（第１頁右下欄第４〜１１行）
（２）「本発明に係る、特にこの種のコンピュータ等の電子関連機器・・・等の半導体ウエハの開発は目覚ましいものがあり、更には機器の小型化に繋がる、極薄化と、より超高度の平坦精度と、鏡面精度とを具備した半導体ウエハが要求されてきている。」（第１頁右下欄第１６行〜第２頁左上欄第１行）
（３）「平面自動研削盤等の吸着チャック機構の上面の洗浄装置としては、・・・上方から水或いは洗浄液を吐出させて刷子状のもので拭き払う等の方法で行なわれていたが上述の方法では・・・研削屑を完全に取り除く洗浄ができず、順次研削加工を施す場合、・・・残留している研削屑が半導体ウエハの下面と吸着チャック機構の上面との間に挟まった状態で研削することになり平坦精度がでない上、バキューム吸着されているので研削加工中に半導体ウエハを破損する等ロスも多発し、高精度の鏡面加工及び平坦加工もできないという問題があった。」（第２頁左上欄第３〜１９行）
　上記摘記事項、及び、研削盤を用いた加工の技術常識からみて、刊行物１には、次の発明が記載されている。
　「半導体ウエハが支持される平面自動研削盤の吸着チャック機構に洗浄液を吐出させて吸着チャック機構上のウエハの研削屑を洗浄した後、前記ウエハを前記吸着チャック機構上にバキューム吸着し、前記ウエハの表面研削を行う吸着チャック機構の上面の異物除去方法。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）
　また、同摘記事項からみて、刊行物１には、次の事項が記載されている。
　「半導体ウエハと吸着チャック機構の上面との間に研削屑が挟まった状態で研磨すると、平坦精度がでないこと」
　
　同じく当審において通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に国内で頒布された刊行物である特開平１−２１５７３０号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下のとおり記載されている。
（４）「本発明の洗浄方法は、ガラスモールド用型に付着した生成物を強酸で溶解除去することを特徴とする。・・・強酸をガラスモールド用型に塗布するためには、強酸を吹き付ける方法、・・・などを採用することが好ましい。塗布したのちは、溶解物を含む強酸をガラスモールド用型表面から、除去しなければならない。それには、・・・アルカリを上記強酸に接触させて中和させる方法、などがある。このように強酸を除去すれば、ガラスモールド用型の表面は使用初期の状態に保つことができる。」（第２頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第１８行）
　上記摘記事項、及び「ガラスモールド用型」は、被加工物に接触するものであることからみて、刊行物２には、次の事項が記載されている。
　「被加工物の接する箇所の表面の生成物を除去する際に、表面に強酸を塗布して生成物を溶解した後、アルカリを強酸に接触させて中和させること。」
　
４．対比・判断
　本願発明と、刊行物１記載の発明とを対比する。
　後者の、「平面自動研削盤」は、その技術的意義から見て、前者の「ウエハ研削盤」に相当する。同様に、前者の「吸着チャック機構」は、後者の「被加工物支持テーブル」に、「吸着チャック機構の上面」は「被加工物支持面」に、「研削屑」は「研削粉」に相当し、また、ウエハを、「吸着チャック機構上にバキューム吸着」することは「真空吸着部によって支持」することに相当する。また、後者の「吸着チャック機構に洗浄液を吐出させて吸着チャック機構上のウエハの研削屑を洗浄」することは、前者の「被加工物支持テーブルにエッチング液を塗布して被加工物支持テーブル上のウエハの研削粉を溶解した後、該被加工物支持テーブルに中和液を塗布して前記エッチング液を中和」することと、被加工物支持テーブル上のウエハの研削粉を除去する限りで一致する。
　したがって、両者は次の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
　「半導体ウエハが支持されるウエハ研削盤の被加工物支持テーブル上のウエハの研削粉を除去した後、前記ウエハを前記被加工物支持テーブルの真空吸着部によって支持し、前記ウエハの表面研削を行う被加工物支持面の異物除去方法。」
＜相違点＞
　本願発明においては、被加工物支持テーブル上のウエハの研削粉を除去する方法が、「被加工物支持テーブルにエッチング液を塗布して被加工物支持テーブル上のウエハの研削粉を溶解した後、該被加工物支持テーブルに中和液を塗布して前記エッチング液を中和」するのに対し、刊行物１記載の発明においては、洗浄液を吐出させて研削粉（研削屑）を洗浄する点。
　上記相違点について検討する。
　刊行物１には、「半導体ウエハと吸着チャック機構の上面との間に研削屑が挟まった状態で研磨すると、平坦精度がでないこと」が記載されており、この記載からみて、研削屑等の異物を除去することが研削加工後の半導体ウエハの平坦精度を向上させ、高品質の半導体ウエハを得るのに有効であることは、当業者にとって充分に予測可能なものである。そして、刊行物２には、「被加工物の接する箇所の表面の生成物を除去する際に、表面に強酸を塗布して生成物を溶解した後、アルカリを強酸に接触させて中和させること。」が記載されている。同記載事項において、表面の生成物は、被加工物を加工する際に異物として作用することは明かである。また、強酸を塗布して生成物を溶解することは、生成物に対して強酸がエッチング液として作用していることに他ならない。また、アルカリを強酸と接触させる方法については明記されていないものの、その方法として「塗布」することはごく一般的なものである。してみれば、刊行物１記載の発明に対し、刊行物２記載の事項を勘案し、上記相違点に係る技術事項となすことは、当業者が容易に成し得たものに相当する。
　そして、本願発明の効果は、刊行物１記載の発明、事項及び刊行物２記載の事項から、当業者であれば予測できる程度のものであって格別なものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、刊行物１記載の発明、事項及び刊行物２記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるので、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。