【事件の表示】
　平成１０年特許願第３５０８６０号「光導波路素子の光接続端面の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年６月３０日出願公開、特開２０００−１８０６４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年１２月１０日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１４年４月２６日及び同年７月２４日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
「ニオブ酸リチウム結晶からなる基板に形成された光導波路素子を光ファイバに接続するための光接続端面を基板に形成するに当たり、加工用高エネルギー源としてエキシマレーザーを用いて基板に溝加工を施し、光導波路と光ファイバとの光接続端面を溝壁に形成するようにした、光導波路素子の光接続端面の形成方法であって、光導波路を形成した基板の全面に基板より熱伝導率の高い反射膜を成膜する工程と、溝加工を施す領域から反射膜を除去して露出させる工程と、露出した溝加工領域にエネルギーが３．７５ｅＶ以上の高エネルギー源から放射される放射光を照射して溝加工を施す工程とを備え、露出した溝加工領域を選択的に溝加工することを特徴とする光導波路素子の光接続端面の形成方法。」
　
２　引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前の平成元年２月１６日に頒布された「特開昭６４−４４２９２号公報 」（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
(１)「［産業上の利用分野］　本発明は、例えば光集積回路と光ファイバとを接続するための溝を、光集積回路の基板に加工する溝加工方法に関する。」(１頁左下欄１７〜２０行)
(２)「［実施例］　・・・本実施例の光集積回路の基板２としては、厚さ０．５ｍｍのニオブ酸リチウムの基板２が用いられ、基板２の溝加工しない部分の表面には、厚さ４μｍのアルミマスク４が、別体のアルミマスクを合わせるか、蒸着等のパターニングによって形成されている。このアルミマスク４は、光集積回路の基板２に、レーザ光６を照射して溝８を形成する際に、溝８以外の部分にレーザ光６が照射されることを防止するためのものである。そしてそのアルミマスク４には、基板２の溝加工を行う部分に、縦２ｍｍ，横１２５μｍの切欠１０が設けられている。この溝加工に使用されるレーザ光６の光源としては、周知のＣＯ２レーザが用いられ、レーザのスポットサイズ及びエネルギー密度を高めるためにフォーカスビームがもちいられる。」(２頁右上欄１５行〜同頁左下欄１３行)
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前の平成２年６月２８日に頒布された「特開平２−１６８２１０号公報 」（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
(３)「［産業上の利用分野］　この発明は、ぜい性部材からなる光集積回路に溝加工を、容易且つ高速に施し得るレーザによる溝加工方法に関するものである。」(１頁左下欄１６〜１９行)
(４)「［実施例］　・・・本発明に係わる溝加工方法では、その加工手段として高エネルギービームを使用するが、実施例ではこの高エネルギービームとして例えば波長２４８ｎｍのＫｒＦのエキシマレーザを使用する場合につき説明する。但し、ガラス材やニオブ酸リチウムの結晶の如くぜい性の高い難削材からなる光集積回路基板にビーム加工を施し得るもので、ビーム形状を制御できるものであれば他の高エネルギービームも選択的に使用可能である。第１図に示すようにＬｉＮｂＯ３を材質とする光集積回路基板１０は図示しない公知のＸＹテーブルに載置され、・・・、次いで、基板１０上の光導波路５０と位置合わせを行なって加工ヘッド５５からエキシマレーザビームを垂直下方に向けて出射する。・・・加工ヘッド５５から出射する１０ｍｍ×２５ｍｍのレーザ光をシリンドリカルレンズ６０で一方向のみに集束し、基板に出射することにより光ファイバを結合するのに好適な１２５μｍ幅６３μｍ深さの溝を得る。」(２頁左下欄１３〜３頁左上欄２行)
　
３　対比
　本願発明と引用例１に記載の発明とを対比する。
(５)引用例１に記載の「光集積回路」、「レーザ光６の光源」及び「アルミマスク４」が、それぞれ本願発明の「光導波路」、「加工用高エネルギー源」及び「反射膜」に相当する。
(６)引用例１に記載の「アルミマスク４が、・・・蒸着等のパターニングによって形成されている」は、本願発明でいう「反射膜を成膜する」に他ならない。
(７)　引用例１に記載の「アルミマスク４」がニオブ酸リチウムの基板２よりも熱伝導率が高いことは明らかである。
　以上の(５)〜(７)を踏まえると、両者は、「ニオブ酸リチウム結晶からなる基板に形成された光導波路素子を光ファイバに接続するための光接続端面を基板に形成するに当たり、加工用高エネルギー源としてレーザーを用いて基板に溝加工を施し、光導波路と光ファイバとの光接続端面を溝壁に形成するようにした、光導波路素子の光接続端面の形成方法であって、光導波路を形成した基板に基板より熱伝導率の高い反射膜を成膜する工程と、露出した溝加工領域に高エネルギー源から放射される放射光を照射して溝加工を施す工程とを備え、露出した溝加工領域を選択的に溝加工する光導波路素子の光接続端面の形成方法」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点１：
　本願発明では、加工用高エネルギー源として「エキシマレーザ」を用い、エネルギーが３．７５ｅＶ以上の高エネルギー源から放射される放射光を照射して溝加工を施すのに対して、引用例１に記載の発明では、加工用高エネルギー源としてＣＯ２レーザを用いて溝加工を施す点。
相違点２：
　本願発明では、基板の「全面」に反射膜を成膜するのに対して、引用例１には、基板に反射膜を成膜することは記載されているものの、その全面に成膜することまでは記載されていない点。
相違点３：
　本願発明では、溝加工を施す領域から反射膜を除去して露出させる工程を備えるのに対して、引用例１には、反射膜における基板の溝加工を行う部分に切欠を設けることは記載されているものの、その切欠をどのようにして形成するかについては記載されていない点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
　相違点１について
　引用例２には、(４)に摘記したように、波長２４８ｎｍのＫｒＦのエキシマレーザを用い、ニオブ酸リチウムを材質とする光集積回路基板に光ファイバを結合するための溝を形成することが記載されている。また、この引用例２に記載されたエキシマレーザは、波長２４８ｎｍであることからみて、エネルギーが３．７５ｅＶ以上であることは明らかである。
　そして、引用例２の上記事項は、エキシマレーザを用いるものではあるが、ニオブ酸リチウム結晶からなる基板にレーザ光を照射して溝加工を行うことにおいて、引用例１に記載の発明と異なるところがなく、また引用例２の上記事項を引用例１に記載の発明に適用するにあたり、これを阻害する格別の要因も見出せないから、引用例１に記載の発明に引用例２の上記事項を適用して、本願発明の技術的事項とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　相違点２について
　反射膜の形成範囲をどの程度とするかは、溝加工を行う範囲やレーザ光を照射する範囲等を考慮して適宜決定する設計的事項であり、また基板の「全面」に反射膜を成膜した点に格別の技術的意義も見出せないから、この点は単なる設計上のことにすぎない。
　相違点３について
　被加工物の表面に高反射率を有する薄膜を形成した上で、その薄膜を部分的に除去しそこにレーザ光を照射してレーザ加工を行うことは、周知であるから(例えば、特開昭５９−１０４２８７号公報の２頁左上欄８行〜同頁右上欄２行及び第１図を参照。)、引用例１に記載の発明に上記周知事項を適用して、本願発明の技術的事項とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　以上のように、上記各相違点に格別のものはなく、また本願発明の効果も、当業者が予測し得る程度のことにすぎない。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載の発明並びに周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。