【事件の表示】
　平成１１年特許願第２３８９６０号「ｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月１６日出願公開、特開２００１−　６８０１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成１１年８月２５日の出願であって、その請求項１〜１４に係る発明は、平成１４年３月１８日付けで補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１には次のとおり記載されている。
「【請求項１】　イオウドープｎ型ダイヤモンド半導体と、このイオウドープｎ型ダイヤモンド半導体表面を水素化して負の電子親和力を有する水素化表面と、この水素化表面に対向して設けたアノード電極とを備え、
　上記イオウドープｎ型ダイヤモンド半導体を冷陰極として電子を放出する、ｎ型ダイヤモンド電子放出素子。」（以下、「本願発明」という。）。
　
【２】引用刊行物に記載された発明
（引用刊行物１に記載された発明）
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成７年４月７日に頒布された特開平７−９４０７７号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ真空管、発光素子アレイ等において電子線のエミッタとして機能する冷陰極素子に利用される電子デバイスに関する。」
ｂ．「【００２１】このｎ型ダイヤモンド層を構成するダイヤモンドは、電子親和力がゼロに非常に近い値を有することにより、伝導帯と真空準位との差が微小である。ここで、本件出願の発明者は、ダイヤモンド中で電流を移動させることにより、容易に電子を真空中に取り出せると推測した。」
　上記記載ｂ．より、
・ｎ型ダイヤモンドは、電子親和力がゼロに近く、電子を真空中に取り出しやすいことが読みとれる。
ｃ．「【００２２】そこで、当該発明者は、ｎ型ドーパントとして高濃度に窒素をドープすることにより・・・ｎ型ダイヤモンド層を形成し、電界放出により非常に高効率で電子が真空中に放出されることを確認した。」
　上記記載ｃ．より、
・窒素をドープしたｎ型ダイヤモンド層が高効率で電子を真空中に放出し得ることが読みとれる。
ｄ．「【００２３】・・・ｎ型ダイヤモンド層における窒素のドーパント濃度が大きい場合は、基板温度が室温程度であっても、電界放出によりエミッタ部の先端部分から電子が高効率で取り出される。」
　上記記載ａ．も併せ参酌すると、「基板温度が室温程度であっても、電界放出により・・・電子が高効率で取り出される」エミッタ部は、「冷陰極」と言い得るものと解されるから、上記記載ｄ．より、
・窒素ドープｎ型ダイヤモンド半導体を冷陰極として電子を放出する点の構成が読みとれる。
ｅ．「【００４６】図５は、上記第１実施例に対する実験の説明図である。・・・
【００４７】アノード電極板１４とｎ型層３との間には、電圧源及び電流計が直列に配線されており、アノード電極板１４と電子デバイス１０との間に電界を発生する。また、電子デバイス１０から放出された電子はアノード電極板１４に捕獲され、電子デバイス１０からの放出電流として電流計により検出される。」
　上記記載ｅ．より、
・ｎ型層３に対向して設けたアノード電極板１４とを備えたｎ型ダイヤモンド電子放出素子、が読みとれる。
　これらの記載から、引用刊行物１には次の発明が記載されているものと認められる。
　「窒素ドープｎ型ダイヤモンド半導体と、この窒素ドープｎ型ダイヤモンド半導体表面に対向して設けたアノード電極１４とを備え、
　上記窒素ドープｎ型ダイヤモンド半導体を冷陰極として電子を放出する、ｎ型ダイヤモンド電子放出素子」（以下、「引用刊行物１に記載された発明」という。）。
　
（引用刊行物２に記載された発明）
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前である平成１０年２月１３日に頒布された特開平１０−４０８０５号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
ｆ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を放出する冷陰極素子に関し、特に粒子状のダイヤモンドを電子放出源として有する冷陰極部分で構成される冷陰極素子及びその製造方法に関する。」
ｇ．「【００６５】また前記本発明の構成において、冷陰極部分に配置されたダイヤモンドの最表面の炭素原子が、水素原子との結合によって終端された構造を含んでいるという好ましい例によれば、水素終端されたダイヤモンド表面は負の電子親和力状態であることから、電子放出源として非常に電子放出をしやすい状態にすることが可能となる。・・・」
　上記記載から、引用刊行物２には次の発明が記載されているものと認められる。
　「ダイヤモンドの最表面の炭素原子に水素原子を結合させることによりダイヤモンド表面を負の電子親和力状態にして電子放出をしやすくしたダイヤモンドを電子放出源とする冷陰極素子」（以下、「引用刊行物２に記載された発明」という。）。
　
【３】対比
　本願発明と引用刊行物１に記載された発明とを対比すると、
引用刊行物１に記載された発明の
「アノード電極１４」、「電子放出素子」は、それぞれ、
本願発明における
「アノード電極」、「電子放出素子」に相当する。
　そして、本願発明における「イオウドープｎ型ダイヤモンド半導体」も、引用刊行物１に記載された発明における「窒素ドープｎ型ダイヤモンド半導体」も共に、ｎ型ダイヤモンド半導体であるから、両者の一致点、相違点は次のとおりである。
　
（一致点）
　ｎ型ダイヤモンド半導体と、このｎ型ダイヤモンド半導体表面に対向して設けたアノード電極とを備え、
　上記ｎ型ダイヤモンド半導体を冷陰極として電子を放出する、ｎ型ダイヤモンド電子放出素子。
（相違点）
相違点１：ｎ型ダイヤモンド半導体について、
　本願発明では、「イオウドープｎ型ダイヤモンド半導体」であるのに対し、引用刊行物１に記載された発明では、「窒素ドープｎ型ダイヤモンド半導体」である点。
相違点２：半導体表面について、
　本願発明では、「ｎ型ダイヤモンド半導体表面を水素化して負の電子親和力を有する水素化表面」を有するのに対し、引用刊行物１に記載された発明におけるｎ型ダイヤモンド半導体は、そのような水素化表面を有しない点
　
【４】相違点の判断
相違点１について、
　ダイヤモンド半導体電子放出素子において、イオウドープｎ型半導体を電子放出素子として用いたものは周知である（例えば、特開平７−１３０９８１号公報（周知例１）、【００５０】の記載、特開平６−１８７９０２号公報（周知例２）、【００６４】の記載参照）
　そうしてみると、引用刊行物１に記載された発明において、窒素ドープｎ型ダイヤモンド半導体に代えて周知のイオウドープｎ型ダイヤモンド半導体で置き換えること自体に、格別の創意を要するものであるとは言えない。
　この点について審判請求人は審判請求書に対する平成１４年８月１２日付け手続補正書の中で、
「イオウドープダイヤモンドがｎ型導電性を示すことは、例えば、特開昭６３−３０２５１６号公報で古くから知られている。しかしながら、半導体が電子デバイスとして使用可能になるためには、単にキャリアの導電性がｎ型、または、ｐ型であるだけでなく、ドーパント原子が正確に格子点に配置され、結晶完全性が高くなければならないことは、ダイヤモンド半導体に限らず、ＳｉやＧａＡｓ半導体においても周知である。引用例５，６（注：上記周知例１、２に相当）において、「イオウでもできる」と記載しながら実証例がないのは、イオウドープダイヤモンドがｎ型導電性を示しても結晶完全性が低いため、十分な特性が得られなかったためと推察される。電子放出素子等の電子デバイスは、単に、導電性が同じだから同様に実現できるとは全く言えないのであり、その半導体を用いてできると判断するためには、結晶完全性も含めて判断する必要がある。あるいは、実証例をもって判断すべきである。」（補正書４頁３行〜１４行）と主張しているので、この点について検討する。
　本願発明は請求項１の記載から明らかなように、「イオウドープｎ型ダイヤモンド半導体」を特定事項の一部とするものであって、その「結晶完全性」についてまでも特定事項の一部とするものではない。
　また、本願明細書中に、イオウドープｎ型ダイヤモンド半導体の結晶完全性について言及した箇所は皆無であり、本願発明におけるイオウドープｎ型ダイヤモンド半導体がどの程度の結晶完全性を備えたものであるのかを、本願明細書の記載から読み取ることはできない。
　そうすると、本願発明に言うところの「イオウドープｎ型ダイヤモンド半導体」には、（その結晶完全性はさておき）通常の方法により製造可能なイオウドープｎ型ダイヤモンド半導体が含まれると解するのが自然である。
　ところで、「イオウドープｎ型ダイヤモンド半導体」の製造方法は、請求人自身が示した特開昭６３−３０２５１６号公報にも記載されている如く周知である。
　そして、周知例１、２に記載されたイオウドープｎ型半導体が特に製造可能でないとする何らかの事情、また、製造可能であっても電子放出素子として使用できないとする格別の理由は見あたらない。
　そうしてみると、周知例１、２に記載されたイオウドープｎ型半導体が十分な結晶完全性を有するか否か不明であること、あるいは実証例が記載されていないことをもって電子放出素子として実現できないとする審判請求人の主張は根拠がなく、採用し得ない。
　
相違点２について、
　引用刊行物２には次の発明が記載されている。
　ダイヤモンドの最表面の炭素原子に水素原子を結合させる（水素化することに相当）ことによりダイヤモンド表面を負の電子親和力状態にして電子放出をしやすくしたダイヤモンドを電子放出源とする冷陰極素子。
　引用刊行物１に記載された発明も引用刊行物２に記載された発明も共に冷陰極に関するものであり、また、引用刊行物１に記載された発明は、ｎ型ダイヤモンドがそもそも電子親和力がゼロに近く電子を真空中に取り出しやすいことに着目して、ｎ型ダイヤモンドを冷陰極素子材料として採用したのであるから（【２】記載ｂ．参照）、更に電子を取り出しやすくするために、ダイヤモンド表面の電子親和力に着目して、ダイヤモンド表面を水素化することにより負の電子親和力状態にすべく引用刊行物２に記載された発明の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得るところと言える。
　そして、本願発明の効果も、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知事項から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
　
【５】むすび
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、引用刊行物１に記載された発明、引用刊行物２に記載された発明、及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　上記のとおり、本願の請求項１に係る発明が特許を受けることができないものであるから、本願のその余の請求項に係る発明について審究するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。