【事件の表示】
　平成１０年特許願第３０７１４５号「平坦化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　５月１２日出願公開、特開２０００−１３３６２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１０年１０月２８日に特許出願されたものであって、平成１５年６月２４日付で拒絶査定がなされ、その後平成１５年８月２８日付で審判請求がなされ、同じく平成１５年８月２８日付で明細書を補正対象書類とする手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２．補正却下の決定
［結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
（１）手続補正の内容
　本件補正は、少なくとも特許請求の範囲の請求項１について、これを以下のとおり補正するものである。なお、下線は補正箇所を明確にするものである。
「半導体装置形成用の下地パターンに応じた凹凸が形成された被処理基板表面に対して砥石研削処理を行う工程と、この砥石研削処理が行われた被処理基板に対してスポンジ洗浄処理を行う工程と、このスポンジ洗浄処理が行われた被処理基板表面に対して化学的機械研磨処理を行う工程とを有することを特徴とする平坦化方法。」
　
　この請求項1に係る補正についてその内容をみると、この補正は、請求項1に記載した発明を特定するために必要な事項である「下地パターン」について「半導体装置形成用の」と限定したものであり、また、「洗浄処理」について「スポンジ」と限定したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項1に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか否か）について、以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−２５６２０１号公報（以下、「引用例1」という。）には以下の事項が記載されている。
ア　【特許請求の範囲】
　「【請求項１】凹凸パターンが形成されている半導体基板の表面上に薄膜を形成する工程と、該半導体基板の該薄膜が形成されている面を研磨工具表面上に押しつけて相対運動させながら該凹凸パターンを平坦化する工程、を含む半導体製造方法において、砥粒とこれら砥粒を結合、保持するための物質から構成される上記研磨工具の弾性率が異なる、少なくとも２種類以上の該研磨工具を用意し、弾性率の高い第一の研磨工具で平坦化加工後に第一の研磨工具より弾性率の低い第二の研磨工具で加工する工程を含むことを特徴とする半導体の製造方法。」
イ　段落【００１１】
　「上記チップの断面Ａ−Ａ’をとると、図３（ｂ）に示すようにメモリマット部１６の平均高さは周辺回路部１７の平均高さより０．５〜１μｍ程度高い。このような段差パターン上に厚さ１〜２μｍ程度の絶縁膜４を成膜すると、その表面部の断面形状３１もほぼ下地パターンの段差形状を反映したものとなる。」
ウ　段落【００１８】
　「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、加工ダメージを発生することなく、寸法の大きなパターン部と微細なパターン部を同一平面に平坦化するための加工法、およびそのための装置を提供することにある。」
エ　段落【００２７】
　「この微細なマイクロスクラッチの除去を目的に、粒径１μｍの酸化セリウムを弾性率：５０ｋｇ／ｍ ｍ２となるようにフェノール系またはポリエステル系樹脂で結合して製作された砥石を用いて仕上げ加工を施すと、加工前に残存していたマイクロスクラッチは完全に除去されてなくなり、表面粗さは０．２ｎｍ Ｒａと超平滑面に仕上がった。…」
オ　段落【００２８】
「本発明の加工法を図示すれば図６のようになる。以下、図６（ａ）〜図６（ｅ）を用て具体的な実施例について説明する。まず、第一の工程（図６（ａ）、（ｂ））として、砥石１８Ｈ（例えぱ例えぱ図５に示した構成からなる砥石で弾性率１００ｋｇ／ｍ ｍ２程度のもの）を用い、被加工ウエハ表面３１を３分間程度研磨加工する。砥石１８Ｈで加工された結果、加工前に存在していた凹凸の突起部は、図６（ｃ）に示すように研磨されて消滅する。次に第二の工程として、砥石１８Ｈよりも軟質な砥石１８Ｓ（例えば弾性率５０ｋｇ／ｍ ｍ２程度のもの）を使用して１分間ほど研磨する。事前に凹凸部は上記工程で撤去されているので、第一工程で用いた研磨工具より軟質な砥石を用いて研磨しても、パターン依存性は発生せず、図６（ｃ）に示すようにダメージの無い平坦化加工を行なうことができる。第２の加工工程で用いる工具は、ダメージが除去できれば何でも良く、研磨砥石以外に、通常の軟質発抱ポリウレタン樹脂系の研磨パッドとコロイダルシリカ等の極く一般的な組合せのポリッシング加工でも良い。」
カ　段落【００４２】及び【００４３】
　「【発明の効果】被加工物の物性に合わせて最適に選択された砥石の種類と加工条件による固定砥粒加工法であるので、硬質としても加工むらの発生を伴うことなくパターン依存性が少なく、かつ基板面内の加工速度むらの少ない平坦化加工を行うことができる。また高価な研磨スラリを必要としないので、極めて低いランニングコストで加工することができる。また加工後の洗浄も容易になる。さらに、本発明の第一の砥石により平坦化加工した後に、第一の砥石より軟質の第二の砥石により仕上げ加工すれば、スラリレスという効果と加工ダメージのない良質な加工面を得るという二つの効果を両立できる。…」
　上記記載事項によれば、引用例１には、「半導体製造用の凹凸パターンの段差形状を反映した被加工ウエハ表面３１（表面部の断面形状３１）に対して弾性率の高い砥石１８Ｈで平坦化加工後に、弾性率の低い砥石１８Ｓ（ダメージが除去できれば何でも良く、研磨砥石以外に、通常の軟質発抱ポリウレタン樹脂系の研磨パッドとコロイダルシリカ等の極く一般的な組合せのポリッシング加工でも良い）で加工する工程を含む半導体を平坦化するための加工法。」（以下、「引用例１記載の発明」という。）との発明が開示されていると認めることができる。
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−９７７７６号公報（以下、「引用例２」という。）には以下の事項が記載されている。
キ　段落【００１３】
　「本発明の半導体基板の製造方法によれば、研削工程の後、該研削工程にて研削した面を、研磨砥粒を用いた化学的機械的研磨法で研磨することから、研削に伴って形成された研削傷（研削による凹凸）が研削面から除去される。したがって、この後に行う化学的研磨工程では、その研磨速度が処理面内においてより均一になる。」
ク　段落【００１５】
　「すなわち、本実施形態例では、図２（ｂ）に示したように第一のシリコン基板１と第二のシリコン基板６とを、絶縁膜２、バックゲートパターン３、酸化膜４、ポリシリコン膜５を介して貼り合わせた後、第一のシリコン基板１の裏面を、例えばダイヤモンドを砥粒とするグラインダーによって研削する。このような研削を行うと、前述したようにその研削面には、研削砥粒による傷、すなわち凹凸が無数形成される。」
ケ　段落【００１６】
　「次いで、この研削面を化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）によって研磨し、研削によって形成された研削傷（研削による凹凸）を除去する。研削傷が除去できたかどうかの判定は、ウエハのぬれ性を観察することで容易に行うことができる。すなわち、該化学的機械的研磨を施したウエハを純水でぬらし、全面の疎水性が確認されればもはや選択研磨に影響するほどの凹凸が残っていないと判断されるのである。」
コ　段落【００２３】
　「【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体基板の製造方法は、研削工程の後、該研削工程にて研削した面を、研磨砥粒を用いた化学的機械的研磨法で研磨することにより、研削に伴って形成された研削傷（研削による凹凸）を研削面から除去するようにした方法であるから、この後に行う選択（化学的）研磨工程での研磨速度を、処理面内においてより均一にすることができる。したがって、例えば本製造方法をＳＯＩ基板の製造に適用した場合、ＳＯＩ膜厚の精度向上を図ることができる。」
　
（３）対比
　そこで、本件補正発明と引用例１記載の発明とを比較すると、後者の「半導体製造用の凹凸パターンの段差形状を反映した被加工ウエハ表面３１（表面部の断面形状３１）」が前者の「半導体装置形成用の下地パターンに応じた凹凸が形成された被処理基板表面」、以下同様に「弾性率の高い砥石１８Ｈで平坦化加工」が「砥石研削処理を行う工程」に、「平坦化するための加工法」が「平坦化方法」に、それぞれ相当し、そして、後者の「弾性率の低い砥石１８Ｓで加工する工程」と前者の「化学的機械研磨処理を行う工程」とは、「ダメージ（微細なスクラッチ）の除去を行う研磨処理を行う工程」の限りにおいて、それぞれ共通する。
　してみると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
[一致点]
「半導体装置形成用の下地パターンに応じた凹凸が形成された被処理基板表面に対して砥石研削処理を行う工程と、この砥石研削処理が行われた被処理基板に対してダメージ（微細なスクラッチ）の除去を行う研磨処理を行う工程とを有する平坦化方法。」
[相違点１]
　本件補正発明では、被処理基板表面に形成されたダメージ（微細なスクラッチ）の除去を行う研磨処理が、化学的機械研磨処理であるのに対して、引用例１記載の発明では、弾性率の低い砥石１８Ｓでの加工である点。
[相違点２]
　本件補正発明では、砥石研削処理が行われた被処理基板に対してスポンジ洗浄処理を行うのに対して、引用例１記載の発明では、そのようになっていない点。
　
（４）判断
[相違点１]について
　引用例２に、研削に伴って形成された研削傷（研削による凹凸）を研削面から除去するために化学的機械的研磨法で研磨する技術事項が記載されており、また、引用例１及び２は半導体基板の製造方法である点で技術分野が共通するので、引用例２記載の技術的事項を、引用例１記載の発明の弾性率の低い砥石１８Ｓでの加工の代わりに採用して、上記相違点１に係る発明特定事項となすことは、当業者であれば容易になしえたものである。
[相違点２]について
　半導体装置形成用の下地パターンが形成された基板表面を研磨した後にスポンジ洗浄処理を行うことは、例えば、特開平１０−２１４８０３号公報（請求項８参照）、特開平１０−９２７８１号公報（段落【０００３】〜【０００４】参照）等にも示すように周知である。該周知技術は、ＣＭＰ後の洗浄についてのものではあるが、試料表面に砥粒等の残留ダストを生じる点では、引用例１記載の発明の砥石研削処理とＣＭＰとは何ら変わるものでなく、また、複数の研磨工程の間に洗浄を行うことも周知（例えば、特開平１０−５８３１７号公報の段落【００３４】参照）であるので、これら周知技術を引用例１記載の発明に適用し、上記相違点２に係る発明特定事項となすことは、当業者が容易になしえたものである。
　
　そして、本件補正発明の作用効果は、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項及び上記各周知技術から当業者が予測できる範囲のものであって、格別のものではない。
　したがって、本件補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本件発明について
　平成１５年８月２８日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本件の請求項１及び２に係る発明は、平成１５年１月２４日付け手続補正により補正がされた明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本件発明」という。）は、次のとおりのものである。
「下地パターンに応じた凹凸が形成された被処理基板表面に対して砥石研削処理を行う工程と、この砥石研削処理が行われた被処理基板に対して洗浄処理を行う工程と、この洗浄処理が行われた被処理基板表面に対して化学的機械研磨処理を行う工程とを有することを特徴とする平坦化方法。」
　
（１） 引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及び、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２） 対比・判断
　本件発明は、前記２．で検討した本件補正発明から「下地パターン」の限定事項である「半導体装置形成用の」との発明特定事項を省き、また、「洗浄処理」の限定事項である「スポンジ」との発明特定事項を省いたものである。
　そうすると、本件発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項及び前記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も、同様の理由により、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項及び前記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用例１記載の発明、引用例２記載の事項及び前記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願の請求項２に係る発明について判断するまでもなく本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。