【手続補正書】
【提出日】平成30年3月23日(2018.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数のサイクルで、少なくとも１つの金属層を含むスタックをエッチングする方法であって、各サイクルは、
前記少なくとも１つの金属層の一部を金属酸化物、金属ハロゲン化物、または、格子損傷金属サイトに変換する開始ステップを実行する工程と、
１または複数のサイクルを提供する反応ステップを実行する工程であって、各サイクルは、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、または、金属酸化物状態を形成する工程と、
有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程と、を含む、工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの金属層は、パターニングされたマスクの下に配置される、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記パターニングされたマスクは、パターニングされた金属トンネル接合スタックを含む、方法。
【請求項４】
１または複数のサイクルで、少なくとも１つの金属層を含むスタックをエッチングする方法であって、各サイクルは、
前記少なくとも１つの金属層の一部を金属酸化物、金属ハロゲン化物、または、格子損傷金属サイトに変換する開始ステップを実行する工程と、
反応ステップであって、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、もしくは、金属酸化物状態を形成する工程、または、
有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程、を含む、反応ステップを実行する工程と、
を備える、方法。
【請求項５】
１または複数のサイクルで、少なくとも１つの金属層を含むスタックをエッチングする方法であって、各サイクルは、
前記少なくとも１つの金属層の一部を金属酸化物、金属ハロゲン化物、または、格子損傷金属サイトに変換する開始ステップを実行する工程と、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、もしくは、金属酸化物状態を形成する工程を含む反応ステップを実行する工程と、
を備える、方法。
【請求項６】
１または複数のサイクルで、少なくとも１つの金属層を含むスタックをエッチングする方法であって、各サイクルは、
前記少なくとも１つの金属層の一部を金属酸化物、金属ハロゲン化物、または、格子損傷金属サイトに変換する開始ステップを実行する工程と、
有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する反応ステップを実行する工程と、
を備える、方法。
【請求項７】
請求項１，２，４，５，６のいずれか一項に記載の方法であって、
さらに、パターニングされたマスクを形成する工程を備え、前記パターニングされたマスクを形成する工程は、
イオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングで、前記スタックの上に形成された磁気トンネル接合層をエッチングする工程と、
前記磁気トンネル接合層の上にスペーサ層を形成する工程と、
前記スペーサ層を開く工程と、
を含む、方法。
【請求項８】
請求項１，４，６のいずれか一項に記載の方法であって、
さらに、前記揮発性有機金属化合物の脱着を実行する工程を含む、方法。
【請求項９】
マスクの下に配置されたトンネル層の下に配置された少なくとも１つの金属層を含むＭＲＡＭスタックをエッチングする方法であって、
前記トンネル層をエッチングする工程と、
前記エッチングされたトンネル層の上にスペーサ層を形成する工程と、
前記スペーサ層を開く工程と、
１または複数のサイクルで、前記少なくとも１つの金属層をエッチングする工程と、
を備え、
各サイクルは、
前記少なくとも１つの金属層の一部を金属酸化物、金属ハロゲン化物、または、格子損傷金属サイトに変換する開始ステップを実行する工程と、
１または複数のサイクルを提供する反応ステップを実行する工程であって、各サイクルは、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、または、金属酸化物状態を形成する工程と、
有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程と、を含む、工程と、
を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの金属層をエッチングする前記工程の前記各サイクルは、
さらに、前記揮発性有機金属化合物の脱着を実行する工程を含む、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記トンネル層をエッチングする工程は、イオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングの少なくとも一方を含む、方法。
【請求項１２】
請求項８または１０に記載の方法であって、
前記脱着を実行する工程は、前記有機金属化合物を加熱する工程を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記有機金属化合物を加熱する工程は、前記有機金属化合物を直接加熱するために放射熱を供給する工程を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１，９，１２のいずれか一項に記載の方法であって、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、または、金属酸化物状態を形成する工程、ならびに、有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程は、順次実行される、方法。
【請求項１５】
請求項１，９，１２のいずれか一項に記載の方法であって、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、または、金属酸化物状態を形成する工程、ならびに、有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程は、同時に実行される、方法。
【請求項１６】
請求項１，４，５，９のいずれか一項に記載の方法であって、
前記有機溶媒蒸気は、アルコール、アミン、または、炭化水素の内の少なくとも１つを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１，４，６，９，１２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記有機リガンド溶媒は、アセチルアセトネート（ａｃａｃ）族、酢酸、アミド、アミジナート、アリル、エチレン、アセチレン、および、シクロペンダジエニルの内の少なくとも１つを含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
以上、いくつかの好ましい実施形態を参照しつつ本発明について説明したが、本発明の範囲内で、様々な代替物、置換物、変形物、および、等価物が存在する。また、本発明の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、および等価物の全てを網羅するものとして解釈される。本発明は、以下の形態としても実現できる。
［形態１］
１または複数のサイクルで、少なくとも１つの金属層を含むスタックをエッチングする方法であって、各サイクルは、
前記少なくとも１つの金属層の一部を金属酸化物、金属ハロゲン化物、または、格子損傷金属サイトに変換する開始ステップを実行する工程と、
１または複数のサイクルを提供する反応ステップを実行する工程であって、各サイクルは、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、または、金属酸化物状態を形成する工程と、
有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程と、を含む、工程と、
前記揮発性有機金属化合物の脱着を実行する工程と、
を備える、方法。
［形態２］
形態１に記載の方法であって、
前記脱着を実行する工程は、前記有機金属化合物を加熱する工程を含む、方法。
［形態３］
形態２に記載の方法であって、
前記有機金属化合物を加熱する工程は、前記有機金属化合物を直接加熱するために放射熱を供給する工程を含む、方法。
［形態４］
形態２に記載の方法であって、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、または、金属酸化物状態を形成する工程、ならびに、有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程は、順次実行される、方法。
［形態５］
形態２に記載の方法であって、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、または、金属酸化物状態を形成する工程、ならびに、有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程は、同時に実行される、方法。
［形態６］
形態２に記載の方法であって、
前記溶媒蒸気は、アルコール、アミン、または、炭化水素の内の少なくとも１つを含む、方法。
［形態７］
形態６に記載の方法であって、
前記リガンド蒸気は、アセチルアセトネート（ａｃａｃ）族、酢酸、アミド、アミジナート、アリル、エチレン、アセチレン、および、シクロペンダジエニルの内の少なくとも１つを含む、方法。
［形態８］
形態２に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの金属層は、パターニングされたマスクの下に配置される、方法。
［形態９］
形態８に記載の方法であって、
前記パターニングされたマスクは、パターニングされた金属トンネル接合スタックを含む、方法。
［形態１０］
形態８に記載の方法であって、
さらに、パターニングされたマスクを形成する工程を備え、前記パターニングされたマスクを形成する工程は、
イオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングで、前記スタックの上に形成された磁気トンネル接合層をエッチングする工程と、
前記磁気トンネル接合層の上にスペーサ層を形成する工程と、
前記スペーサ層を開く工程と、
を含む、方法。
［形態１１］
形態１に記載の方法であって、
さらに、パターニングされたマスクを形成する工程を備え、前記パターニングされたマスクを形成する工程は、
イオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングで、前記スタックの上に形成された磁気トンネル接合層をエッチングする工程と、
前記磁気トンネル接合層の上にスペーサ層を形成する工程と、
前記スペーサ層を開く工程と、
を含む、方法。
［形態１２］
マスクの下に配置されたトンネル層の下に配置された少なくとも１つの金属層を含むＭＲＡＭスタックをエッチングする方法であって、
前記トンネル層をエッチングする工程と、
前記エッチングされたトンネル層の上にスペーサ層を形成する工程と、
前記スペーサ層を開く工程と、
１または複数のサイクルで、前記少なくとも１つの金属層をエッチングする工程と、
を備え、
各サイクルは、
前記少なくとも１つの金属層の一部を金属酸化物、金属ハロゲン化物、または、格子損傷金属サイトに変換する開始ステップを実行する工程と、
１または複数のサイクルを提供する反応ステップを実行する工程であって、各サイクルは、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、または、金属酸化物状態を形成する工程と、
有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程と、を含む、工程と、
前記揮発性有機金属化合物の脱着を実行する工程と、
を含む、方法。
［形態１３］
形態１２に記載の方法であって、
前記トンネル層をエッチングする工程は、イオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングの少なくとも一方を含む、方法。
［形態１４］
形態１３に記載の方法であって、
前記脱着を実行する工程は、前記有機金属化合物を加熱する工程を含む、方法。
［形態１５］
形態１４に記載の方法であって、
前記有機金属化合物を加熱する工程は、前記有機金属化合物を直接加熱するために放射熱を供給する工程を含む、方法。
［形態１６］
形態１２に記載の方法であって、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、または、金属酸化物状態を形成する工程、ならびに、有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程は、順次実行される、方法。
［形態１７］
形態１２に記載の方法であって、
有機溶媒蒸気を供給して、溶媒和金属、金属ハロゲン化物、または、金属酸化物状態を形成する工程、ならびに、有機リガンド溶媒を供給して、揮発性有機金属化合物を形成する工程は、同時に実行される、方法。
［形態１８］
形態１２に記載の方法であって、
前記溶媒蒸気は、アルコール、アミン、または、炭化水素の内の少なくとも１つを含む、方法。
［形態１９］
形態１８に記載の方法であって、
前記リガンド蒸気は、アセチルアセトネート（ａｃａｃ）族、酢酸、アミド、アミジナート、アリル、エチレン、アセチレン、および、シクロペンダジエニルの内の少なくとも１つを含む、方法。