【手続補正書】
【提出日】平成30年10月18日(2018.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュール半導体基板処理システム内を搬送される半導体基板の熱制御のためのモジュール半導体基板処理システムにおけるバッファステーションであって、前記バッファステーションは、前記モジュール半導体基板処理システムの第１および第２の真空搬送モジュールと接続され半導体基板をその間で搬送できるように構成され、
前記バッファステーションは、
１つ以上の半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように構成されている第１の真空搬送モジュールインターフェースと、
１つ以上の半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように構成されている第２の真空搬送モジュールインターフェースと、
前記第１の真空搬送モジュールインターフェースと前記第２の真空搬送モジュールインターフェースとの間の少なくとも１つのバッファチャンバと、を備え、
前記少なくとも１つのバッファチャンバのそれぞれは、
前記バッファチャンバの最低内面を規定する下部台座であって、前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから前記下部台座の支持面上に半導体基板を受け取るように構成され、下部台座上に受け取られる前記半導体基板に対して加熱または冷却処理を実施するように動作可能な下部台座と、
前記下部台座の上方に配され前記バッファチャンバの側壁から外部にのびる１つ以上の半導体基板収納棚であって、前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから半導体基板を受け取るように各々構成されている１つ以上の半導体基板収納棚と、を備え、
各半導体基板収納棚は、その上にそれぞれの半導体基板を収納するように動作可能である、バッファステーション。
【請求項２】
請求項１に記載のバッファステーションであって、
前記下部台座は、前記下部台座の前記支持面の温度を空間的および時間的に独立して制御および調整するように動作可能な独立して制御可能なヒータゾーンを含むヒータ層を備え、ならびに／または、
前記下部台座は、前記下部台座の前記温度を下げるように動作可能な冷却層を備える、バッファステーション。
【請求項３】
請求項１に記載のバッファステーションであって、
前記少なくとも１つのバッファチャンバは、前記下部台座と前記１つ以上の半導体基板収納棚との間に遮熱シールドを備え、
前記遮熱シールドは、処理時に、前記下部台座上に支持される半導体基板と、前記１つ以上の半導体基板収納棚それぞれの上に支持される１つ以上の基板と、の間の熱伝達を低減するように動作可能なであるバッファステーション。
【請求項４】
請求項１に記載のバッファステーションであって、
（ａ）前記少なくとも１つのバッファチャンバは、第２のバッファチャンバの上方に配置される第１のバッファチャンバを備え、前記第１のバッファチャンバは、半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールから前記第２の真空搬送モジュールに搬送できるように構成されており、前記第２のバッファチャンバは、半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールから前記第１の真空搬送モジュールに搬送できるように構成されており、または、
（ｂ）前記少なくとも１つのバッファチャンバは、第２のバッファチャンバの上方に配置される第１のバッファチャンバを備え、前記第１のバッファチャンバは、半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールから前記第２の真空搬送モジュールに搬送できるように構成されており、前記第２のバッファチャンバは、半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールから前記第１の真空搬送モジュールに搬送できるように構成されており、前記バッファステーションは、半導体基板を前記第１のバッファチャンバを介して搬送できるように前記第１および第の２のバッファチャンバを下降させ、半導体基板を前記第２のバッファチャンバを介して搬送できるように前記第１および第２のバッファチャンバを上昇させるように動作可能なドライバを備える、バッファステーション。
【請求項５】
請求項１に記載のバッファステーションであって、
（ａ）前記バッファステーションは、不活性ガス供給源と流体的に連通するように構成され、前記不活性ガス供給源は、前記下部台座と前記下部台座上に支持される半導体基板との間の熱伝達を容易にするため、不活性ガスを前記少なくとも１つのバッファチャンバに供給するように動作可能であり、
（ｂ）前記バッファステーションは、真空ポンプと流体的に連通するように構成され、前記真空ポンプは、前記少なくとも１つのバッファチャンバ内の圧力を制御するように動作可能であり、
（ｃ）前記第１の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第１のスリット弁を備え、前記第１のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの環境を前記第１の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように構成され、
（ｄ）前記第２の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第２のスリット弁を備え、前記第２のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの前記環境を前記第２の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように構成され、
（ｅ）前記バッファステーションは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第１の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように構成されている位置合わせピンを備え、および／または
（ｆ）前記バッファステーションは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第２の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように構成されている位置合わせピンを備える、バッファステーション。
【請求項６】
請求項１に記載のバッファステーションであって、
前記下部台座は、
（ａ）前記支持面において、その上に支持される半導体基板の裏面に伝熱ガスを供給する少なくとも１つの排気口および、伝熱ガスを所望の圧力で少なくとも１つのガス流路に供給するように動作可能な伝熱ガス源に接続される前記下部台座を貫通する少なくとも１つのガス流路、
（ｂ）静電クランプ電圧が単極もしくは双極の静電クランプ電極に印加されるときに、静電クランプ力を前記支持面上の半導体基板に印加するように動作可能な単極もしくは双極静電クランプ電極、ならびに／または
（ｃ）半導体基板を前記下部台座の前記支持面上に降ろすように、かつ、前記半導体基板を前記下部台座の前記支持面から持ち上げるように動作可能なリフトピン、を備える、バッファステーション。
【請求項７】
搬送される半導体基板の熱制御のためのバッファステーションを備えるモジュール半導体基板処理システムであって、前記モジュール半導体基板処理システムは、
第１の真空搬送モジュールと、
第２の真空搬送モジュールと、
前記第１の真空搬送モジュールおよび前記第２の真空搬送モジュールと接続され半導体基板をその間で搬送できるバッファステーションと、を備え、
前記バッファステーションは、
１つ以上の半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように動作可能な第１の真空搬送モジュールインターフェースと、
１つ以上の半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように動作可能な第２の真空搬送モジュールインターフェースと、
前記第１の真空搬送モジュールインターフェースと前記第２の真空搬送モジュールインターフェースとの間の少なくとも１つのバッファチャンバと、を備え、
前記少なくとも１つのバッファチャンバのそれぞれは、
前記バッファチャンバの最低内面を規定する下部台座であって、半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから前記下部台座の支持面上に受け取るように動作可能で、下部台座上に受け取られる前記半導体基板に対して加熱または冷却処理を実施するように動作可能な下部台座と、
前記下部台座の上方に配され前記バッファチャンバの側壁から外部にのびる１つ以上の半導体基板収納棚であって、半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから受け取るように各々が動作可能な１つ以上の半導体基板収納棚と、を備え、
各半導体基板収納棚は、それぞれの半導体基板をその上に収納するように動作可能である、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項８】
請求項７に記載のモジュール半導体基板処理システムであって、
前記下部台座は、前記下部台座の前記支持面の温度を空間的および時間的に独立して制御および調整するように動作可能な独立して制御可能なヒータゾーンを含むヒータ層を備え、ならびに／または、
前記下部台座は、前記下部台座の前記温度を下げるように動作可能な冷却層を含む、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項９】
請求項７に記載のモジュール半導体基板処理システムであって、
前記少なくとも１つのバッファチャンバは、前記下部台座と前記１つ以上の半導体基板収納棚との間に遮熱シールドを備え、
前記遮熱シールドは、処理時に、前記下部台座上に支持される半導体基板と、前記１つ以上の半導体基板収納棚それぞれの上に支持される１つ以上の基板との間の熱伝達を低減するように動作可能である、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項１０】
請求項７に記載のモジュール半導体基板処理システムであって、
（ａ）前記少なくとも１つのバッファチャンバは、第２のバッファチャンバの上方に配置される第１のバッファチャンバを備え、前記第１のバッファチャンバは、半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールから前記第２の真空搬送モジュールに搬送できるように動作可能であり、前記第２のバッファチャンバは、半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールから前記第１の真空搬送モジュールに搬送できるように動作可能であり、または、
（ｂ）前記少なくとも１つのバッファチャンバは、第２のバッファチャンバの上方に配置される第１のバッファチャンバを備え、前記第１のバッファチャンバは、半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールから前記第２の真空搬送モジュールに搬送できるように動作可能であり、前記第２のバッファチャンバは、半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールから前記第１の真空搬送モジュールに搬送できるように動作可能であり、前記バッファステーションは、半導体基板を前記第１のバッファチャンバを介して搬送できるように前記第１および第の２のバッファチャンバを降ろし、半導体基板を前記第２のバッファチャンバを介して搬送できるように前記第１および第２のバッファチャンバを持ち上げるように動作可能なドライバを備える、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項１１】
請求項７に記載のモジュール半導体基板処理システムであって、
（ａ）前記バッファステーションは、不活性ガス供給源と流体的に連通し、前記不活性ガス供給源は、前記下部台座と前記下部台座上に支持される半導体基板との間の熱伝達を容易にするため、不活性ガスを前記少なくとも１つのバッファチャンバに供給するように動作可能であり、
（ｂ）前記バッファステーションは、真空ポンプと流体的に連通し、前記真空ポンプは、前記少なくとも１つのバッファチャンバ内の圧力を制御するように動作可能であり、
（ｃ）前記第１の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第１のスリット弁を備え、前記第１のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの環境を前記第１の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように動作可能であり、
（ｄ）前記第２の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第２のスリット弁を備え、前記第２のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの前記環境を前記第２の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように動作可能であり、
（ｅ）前記バッファステーションは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第１の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように動作可能な位置合わせピンを備え、
（ｆ）前記バッファステーションは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第２の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように動作可能な位置合わせピンを備え、
（ｇ）前記モジュール半導体基板処理システムは、さらに、前記システムによって実施される処理を制御するように構成されているコントローラを備え、および／または、
（ｈ）前記モジュール半導体基板処理システムは、さらに、前記システムの制御のためのプログラム命令を備える非一時的コンピュータ機械可読媒体を備える、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項１２】
請求項７に記載のモジュール半導体基板処理システムであって、
前記下部台座は、
（ａ）前記支持面において、その上に支持される半導体基板の裏面に伝熱ガスを供給する少なくとも１つの排気口および、伝熱ガスを所望の圧力で少なくとも１つのガス流路に供給するように動作可能な伝熱ガス源に接続される前記下部台座を貫通する少なくとも１つのガス流路、
（ｂ）静電クランプ電圧が単極もしくは双極の静電クランプ電極に印加されるときに、静電クランプ力を前記支持面上の半導体基板に印加するように動作可能な単極もしくは双極静電クランプ電極、および／または、
（ｃ）半導体基板を前記下部台座の前記支持面上に降ろすように、かつ、前記半導体基板を前記下部台座の前記支持面から持ち上げるように動作可能なリフトピン、を備える、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項１３】
請求項７に記載のモジュール半導体基板処理システムであって、
（ａ）前記第１の真空搬送モジュールは、装備フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）と協働関係にあり、前記ＥＦＥＭは、半導体基板を大気圧で前開き一体型ポッド（ＦＯＵＰ）から受け取り、前記半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールの真空環境に搬送するように動作可能であり、
（ｂ）前記第１の真空搬送モジュールは、１つ以上の処理操作を半導体基板に対して実施するように動作可能な１つ以上の半導体基板処理モジュールと協働関係にあり、
（ｃ）前記第２の真空搬送モジュールは、１つ以上の処理操作を半導体基板に対して実施するように動作可能な１つ以上の半導体基板処理モジュールと協働関係にあり、
（ｄ）前記第１の真空搬送モジュールは、その真空環境において半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールインターフェースを介して搬送するように動作可能なロボットを備え、および／または
（ｅ）前記第２の真空搬送モジュールは、その真空環境において半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールインターフェースを介して搬送するように動作可能なロボットを備える、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項１４】
請求項７に記載のモジュール半導体基板処理システムであって、
（ａ）前記バッファステーションは、前記第１もしくは第２の真空搬送モジュールのフレームによって支持され、または
（ｂ）前記バッファステーションは、前記第１および第２の真空搬送モジュールの間に懸架される、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項１５】
３つ以上の真空搬送モジュールを備えるモジュール半導体基板処理システムであって、
各真空搬送モジュールは、請求項１に記載の前記バッファステーションによって、少なくとも１つの他の真空搬送モジュールと協働関係にある、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のモジュール半導体基板処理システムであって、
（ａ）前記真空搬送モジュールのうち少なくとも１つは、半導体基板を大気圧で前開き一体型ポッド（ＦＯＵＰ）から受け取り、前記半導体基板をその真空環境に搬送するように動作可能なＥＦＥＭと協働関係にあり、および／または、
（ｂ）各真空搬送モジュールは、１つ以上の処理操作を半導体基板に対して実施するように動作可能な１つ以上の半導体基板処理モジュールと協働関係にある、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項１７】
モジュール半導体基板処理システムの第１の真空搬送モジュールと第２の真空搬送モジュールとの間のバッファステーションを介して半導体基板を搬送する方法であって、前記方法は、
第１の真空搬送モジュールから第１の真空搬送モジュールインターフェースを介して前記バッファステーションの第１のバッファチャンバに半導体基板を搬送することと、
前記第１のバッファチャンバに配置され前記第１のバッファチャンバの最低内面を規定する下部台座の支持面上で前記半導体基板を支持することと、
加熱または冷却処理を前記下部台座の前記支持面上に支持される前記半導体基板に対して実施することと、
前記第１のバッファチャンバの前記下部台座から前記バッファステーションの第２の真空搬送モジュールインターフェースを介して第２の真空搬送モジュールに前記半導体基板を搬送することと、
前記第１のバッファチャンバの前記下部台座の前記支持面上に前記半導体基板が支持される前に、前記第１のバッファチャンバ内の半導体基板収納棚に前記半導体基板を収納することであって、前記半導体基板収納棚は、前記下部台座の上方に配され、前記第１のバッファチャンバの側壁から外部にのびる、前記半導体基板の収納と、を備える、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
（ａ）前記下部台座の前記支持面と前記半導体基板との間の熱伝達を向上させるために、前記加熱もしくは冷却処理時に、前記第１のバッファチャンバにおける圧力を上昇させること、
（ｂ）前記加熱もしくは冷却処理時に、前記第１のバッファチャンバにおける不活性ガス環境を提供すること、
（ｃ）前記加熱もしくは冷却処理時に、前記第１のバッファチャンバの環境を前記第１および／もしくは第２の真空搬送モジュールから隔離すること、
（ｄ）前記加熱もしくは冷却処理時に、伝熱ガスを前記支持面上に支持される前記半導体基板の裏面に供給すること、
（ｅ）前記加熱もしくは冷却処理時に、前記半導体基板を前記下部台座の前記支持面に静電気的にクランプすること、ならびに／または、
（ｆ）前記加熱もしくは冷却処理時に、独立して制御可能なヒータゾーンを含むヒータ層によって、前記下部台座の前記支持面の温度を空間的および時間的に独立して制御および調整すること、を備える、方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法であって、さらに、
第２の真空チャンバから、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースを介して、前記バッファステーションの前記第１のバッファチャンバに、前記半導体基板を搬送することと、
前記第１のバッファチャンバに配置される前記下部台座の前記支持面上に前記半導体基板を支持すること、ならびに
前記下部台座の前記支持面上に支持される前記半導体基板に対して加熱もしくは冷却処理、および
前記第１のバッファチャンバにおける第２の半導体基板収納棚上に前記半導体基板を収納することと、
の一方を実施することと、
前記第１のバッファチャンバから、前記バッファステーションの前記第１の真空搬送モジュールインターフェースを介して、前記第１の真空搬送モジュールに、前記半導体基板を搬送することと、を備える方法。
【請求項２０】
請求項１７に記載の方法であって、さらに、
第２の真空チャンバから、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースを介して、前記バッファステーションの第２のバッファチャンバに、前記半導体基板を搬送することと、
前記第２のバッファチャンバに配置される下部台座の支持面上に前記半導体基板を支持すること、ならびに
前記下部台座の前記支持面上に支持される前記半導体基板に対して加熱もしくは冷却処理、および
前記第２のバッファチャンバにおける第２の半導体基板収納棚上に前記半導体基板を収納することと、
の一方を実施することと、
前記第２のバッファチャンバから、前記バッファステーションの前記第１の真空搬送モジュールインターフェースを介して、前記第１の真空搬送モジュールに、前記半導体基板を搬送することと、を備える方法。
【請求項２１】
モジュール半導体基板処理システム内を搬送される半導体基板の熱制御のためのモジュール半導体基板処理システムにおけるバッファステーションであって、前記バッファステーションは、前記モジュール半導体基板処理システムの第１および第２の真空搬送モジュールと接続され半導体基板をその間で搬送できるように構成され、
前記バッファステーションは、
１つ以上の半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように構成されている第１の真空搬送モジュールインターフェースと、
１つ以上の半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように構成されている第２の真空搬送モジュールインターフェースと、
前記第１の真空搬送モジュールインターフェースと前記第２の真空搬送モジュールインターフェースとの間の少なくとも１つのバッファチャンバと、を備え、
前記少なくとも１つのバッファチャンバは、
下部台座の支持面上の前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから半導体基板を受け取るように構成され、下部台座上に受け取られる前記半導体基板に対して加熱または冷却処理を実施するように動作可能な下部台座と、
前記下部台座の上方にあって前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから半導体基板を受け取るように各々構成されている１つ以上の半導体基板収納棚と、を備え、
各半導体基板収納棚は、その上にそれぞれの半導体基板を収納するように動作可能であり、
（ａ）前記バッファステーションは、不活性ガス供給源と流体的に連通するように構成され、前記不活性ガス供給源は、前記下部台座と前記下部台座上に支持される半導体基板との間の熱伝達を容易にするため、不活性ガスを前記少なくとも１つのバッファチャンバに供給するように動作可能である、
（ｂ）前記バッファステーションは、真空ポンプと流体的に連通するように構成され、前記真空ポンプは、前記少なくとも１つのバッファチャンバ内の圧力を制御するように動作可能である、
（ｃ）前記第１の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第１のスリット弁を備え、前記第１のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの環境を前記第１の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように構成される、
（ｄ）前記第２の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第２のスリット弁を備え、前記第２のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの前記環境を前記第２の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように構成される、
（ｅ）前記バッファステーションは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第１の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように構成されている位置合わせピンを備える、および／または
（ｆ）前記バッファステーションは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第２の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように構成されている位置合わせピンを備える、
のうちの少なくとも一つの構成を備える、バッファステーション。
【請求項２２】
モジュール半導体基板処理システム内を搬送される半導体基板の熱制御のためのモジュール半導体基板処理システムにおけるバッファステーションであって、前記バッファステーションは、前記モジュール半導体基板処理システムの第１および第２の真空搬送モジュールと接続され半導体基板をその間で搬送できるように構成され、
前記バッファステーションは、
１つ以上の半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように構成されている第１の真空搬送モジュールインターフェースと、
１つ以上の半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように構成されている第２の真空搬送モジュールインターフェースと、
前記第１の真空搬送モジュールインターフェースと前記第２の真空搬送モジュールインターフェースとの間の少なくとも１つのバッファチャンバと、を備え、
前記少なくとも１つのバッファチャンバは、
下部台座の支持面上の前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから半導体基板を受け取るように構成され、下部台座上に受け取られる前記半導体基板に対して加熱または冷却処理を実施するように動作可能な下部台座と、
前記下部台座の上方にあって前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから半導体基板を受け取るように各々構成されている１つ以上の半導体基板収納棚と、を備え、
各半導体基板収納棚は、その上にそれぞれの半導体基板を収納するように動作可能であり、
前記下部台座は、
（ａ）前記支持面において、その上に支持される半導体基板の裏面に伝熱ガスを供給する少なくとも１つの排気口および、伝熱ガスを所望の圧力で少なくとも１つのガス流路に供給するように動作可能な伝熱ガス源に接続される前記下部台座を貫通する少なくとも１つのガス流路、
（ｂ）静電クランプ電圧が単極もしくは双極の静電クランプ電極に印加されるときに、静電クランプ力を前記支持面上の半導体基板に印加するように動作可能な単極もしくは双極静電クランプ電極、ならびに
（ｃ）半導体基板を前記下部台座の前記支持面上に降ろすように、かつ、前記半導体基板を前記下部台座の前記支持面から持ち上げるように動作可能なリフトピン、
のうちの少なくとも一つの構成を備える、バッファステーション。
【請求項２３】
搬送される半導体基板の熱制御のためのバッファステーションを備えるモジュール半導体基板処理システムであって、前記モジュール半導体基板処理システムは、
第１の真空搬送モジュールと、
第２の真空搬送モジュールと、
前記第１の真空搬送モジュールおよび前記第２の真空搬送モジュールと接続され半導体基板をその間で搬送できるバッファステーションと、を備え、
前記バッファステーションは、
１つ以上の半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように動作可能な第１の真空搬送モジュールインターフェースと、
１つ以上の半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように動作可能な第２の真空搬送モジュールインターフェースと、
前記第１の真空搬送モジュールインターフェースと前記第２の真空搬送モジュールインターフェースとの間の少なくとも１つのバッファチャンバと、を備え、
前記少なくとも１つのバッファチャンバは、
半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから下部台座の支持面上に受け取るように動作可能で、下部台座上に受け取られる前記半導体基板に対して加熱または冷却処理を実施するように動作可能な下部台座と、
前記下部台座の上方にあって半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから受け取るように各々が動作可能な１つ以上の半導体基板収納棚と、を備え、
各半導体基板収納棚は、それぞれの半導体基板をその上に収納するように動作可能であり、
（ａ）前記バッファステーションは、不活性ガス供給源と流体的に連通し、前記不活性ガス供給源は、前記下部台座と前記下部台座上に支持される半導体基板との間の熱伝達を容易にするため、不活性ガスを前記少なくとも１つのバッファチャンバに供給するように動作可能である、
（ｂ）前記バッファステーションは、真空ポンプと流体的に連通し、前記真空ポンプは、前記少なくとも１つのバッファチャンバ内の圧力を制御するように動作可能である、
（ｃ）前記第１の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第１のスリット弁を備え、前記第１のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの環境を前記第１の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように動作可能である、
（ｄ）前記第２の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第２のスリット弁を備え、前記第２のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの前記環境を前記第２の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように動作可能である、
（ｅ）前記バッファステーションは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第１の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように動作可能な位置合わせピンを備える、
（ｆ）前記バッファステーションは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第２の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように動作可能な位置合わせピンを備える、
（ｇ）前記モジュール半導体基板処理システムは、前記システムによって実施される処理を制御するように構成されているコントローラを備える、および
（ｈ）前記モジュール半導体基板処理システムは、前記システムの制御のためのプログラム命令を備える非一時的コンピュータ機械可読媒体を備える、
のうちの少なくとも一つの構成を備える、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項２４】
搬送される半導体基板の熱制御のためのバッファステーションを備えるモジュール半導体基板処理システムであって、前記モジュール半導体基板処理システムは、
第１の真空搬送モジュールと、
第２の真空搬送モジュールと、
前記第１の真空搬送モジュールおよび前記第２の真空搬送モジュールと接続され半導体基板をその間で搬送できるバッファステーションと、を備え、
前記バッファステーションは、
１つ以上の半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように動作可能な第１の真空搬送モジュールインターフェースと、
１つ以上の半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように動作可能な第２の真空搬送モジュールインターフェースと、
前記第１の真空搬送モジュールインターフェースと前記第２の真空搬送モジュールインターフェースとの間の少なくとも１つのバッファチャンバと、を備え、
前記少なくとも１つのバッファチャンバは、
半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから下部台座の支持面上に受け取るように動作可能で、下部台座上に受け取られる前記半導体基板に対して加熱または冷却処理を実施するように動作可能な下部台座と、
前記下部台座の上方にあって半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから受け取るように各々が動作可能な１つ以上の半導体基板収納棚と、を備え、
各半導体基板収納棚は、それぞれの半導体基板をその上に収納するように動作可能であり、
前記下部台座は、
（ａ）前記支持面において、その上に支持される半導体基板の裏面に伝熱ガスを供給する少なくとも１つの排気口および、伝熱ガスを所望の圧力で少なくとも１つのガス流路に供給するように動作可能な伝熱ガス源に接続される前記下部台座を貫通する少なくとも１つのガス流路、
（ｂ）静電クランプ電圧が単極もしくは双極の静電クランプ電極に印加されるときに、静電クランプ力を前記支持面上の半導体基板に印加するように動作可能な単極もしくは双極静電クランプ電極、および、
（ｃ）半導体基板を前記下部台座の前記支持面上に降ろすように、かつ、前記半導体基板を前記下部台座の前記支持面から持ち上げるように動作可能なリフトピン、
のうちの少なくとも一つの構成を備える、モジュール半導体基板処理システム。
【請求項２５】
モジュール半導体基板処理システムの第１の真空搬送モジュールと第２の真空搬送モジュールとの間のバッファステーションを介して半導体基板を搬送する方法であって、前記方法は、
第１の真空搬送モジュールから第１の真空搬送モジュールインターフェースを介して前記バッファステーションの第１のバッファチャンバに半導体基板を搬送することと、
前記第１のバッファチャンバに配置される下部台座の支持面上で前記半導体基板を支持することと、
加熱または冷却処理を前記下部台座の前記支持面上に支持される前記半導体基板に対して実施することと、
前記第１のバッファチャンバの前記下部台座から前記バッファステーションの第２の真空搬送モジュールインターフェースを介して第２の真空搬送モジュールに前記半導体基板を搬送することと、を備え、
（ａ）前記半導体基板が前記第１のバッファチャンバの前記下部台座の前記支持面上に支持される前に、前記第１のバッファチャンバにおける半導体基板収納棚上に前記半導体基板を収納すること、
（ｂ）前記下部台座の前記支持面と前記半導体基板との間の熱伝達を向上させるために、前記加熱もしくは冷却処理時に、前記第１のバッファチャンバにおける圧力を上昇させること、
（ｃ）前記加熱もしくは冷却処理時に、前記第１のバッファチャンバにおける不活性ガス環境を提供すること、
（ｄ）前記加熱もしくは冷却処理時に、前記第１のバッファチャンバの環境を前記第１および／もしくは第２の真空搬送モジュールから隔離すること、
（ｅ）前記加熱もしくは冷却処理時に、伝熱ガスを前記支持面上に支持される前記半導体基板の裏面に供給すること、
（ｆ）前記加熱もしくは冷却処理時に、前記半導体基板を前記下部台座の前記支持面に静電気的にクランプすること、ならびに／または、
（ｇ）前記加熱もしくは冷却処理時に、独立して制御可能なヒータゾーンを含むヒータ層によって、前記下部台座の前記支持面の温度を空間的および時間的に独立して制御および調整すること、
のうちの少なくとも一つの工程を備える、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
半導体基板移送システムは、例えば、前開き一体型ポッド（ＦＯＵＰ）から処理のために半導体基板処理システムに基板を搬送し、ＦＯＵＰに戻すように動作可能な装備フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）、半導体基板を大気状態から微小圧力状態（例えば、真空状態）にし大気状態に戻すロードロック、ロードロックに半導体基板を搬出入するように動作可能な真空搬送モジュール、および真空搬送モジュールと協働関係にある半導体基板処理モジュールを含みうる。半導体基板移送システムは、基板を半導体基板処理システムにおける様々な位置に搬送するロボットを含みうる。スループット（すなわち、ある期間に処理される基板の数）は、基板の処理時間、所定の時間に処理される基板の数、また基板を真空チャンバに導入する工程のタイミングによっても影響される。そのため、スループットを高める改良された方法および装置が必要とされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
バッファチャンバ１３０は、下部台座１４０の上方に１つ以上の半導体基板収納棚１５０を備え、各半導体基板収納棚１５０は、その上にそれぞれの半導体基板を収納するように動作可能である。例えば、図１Ａに示すように、バッファチャンバ１３０は、３つの半導体基板収納棚１５０を備える。別の実施形態では、バッファチャンバ１３０は、２つ、４つ、５つ、またはそれ以上の半導体基板収納棚１５０を備えうる。好ましくは、図１Ｂに示すように、バッファチャンバ１３０は、下部台座１４０と１つ以上の半導体基板収納棚１５０との間に遮熱シールド１６０を備える。遮熱シールド１６０は、断熱材料から形成されてよく、下部台座１４０の上に支持される半導体基板と、１つ以上の半導体基板収納棚１５０の上にそれぞれ支持される１つ以上の基板との間の熱伝達を低減するように動作可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図２を参照すると、バッファステーション１００は、そこを介して半導体基板を搬送するように動作可能な２つ以上の半導体基板移送システムと協働関係にあることが好ましい。例えば、第１および第２の真空搬送モジュール２００および３００の各々は、半導体基板をバッファステーション１００の下部台座１４０の上に設置し、半導体基板を下部台座１４０から取り出すように動作可能なそれぞれのロボットを備えてよい。それぞれのロボットは、半導体基板をバッファステーション１００の収納棚１５０の上に設置し、半導体基板をそこから移動させるように動作可能であってもよい。ある実施形態では、第１の真空搬送モジュール２００のロボットは、半導体基板を下部台座１４０の上に、１つ以上の半導体基板をそれぞれの収納棚１５０の上に設置するように動作可能である。下部台座１４０の上の半導体基板が加熱または冷却処理（または、ｉｎ  ｓｉｔｕ計測処理もしくはウエハ洗浄処理などの他の処理操作）を受けた後、第２の真空搬送モジュール３００のロボットは、半導体基板を下部台座１４０から取り出し、半導体基板をロボットと協働関係にある処理モジュール４００に搬送してよい。第２の真空搬送モジュール３００のロボット、または第１の真空搬送モジュール２００のロボットは、次に半導体基板をそれぞれの収納棚１５０の１つから下部台座１４０に搬送してよく、次に加熱または冷却処理が半導体基板に対して実施されてよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらなる実施形態では、半導体基板は、処理のために下部台座１４０の上に設置されることなく、第１の真空搬送モジュール２００のロボットによって収納棚１５０の上に設置され、第２の真空搬送モジュール３００のロボットによって収納棚１５０から取り出されてよく、またはその逆が行われてもよい。さらなる実施形態では、処理中に破損していた可能性のある半導体基板は、半導体基板処理システム１０において処理される一群の半導体基板のスループットを妨げないように、半導体基板収納棚１５０の上に設置され収納されてよい。そのため、本明細書で開示されるバッファステーション１００の実施形態は、搬送時に半導体基板に対して処理操作を実施することによって、１つ以上の半導体基板をバッファステーションに収納できるようにすることでバッファステーション１００を介して搬送される半導体基板へのより高速なアクセスを可能にすることによって、また、破損した半導体基板を取り出すための時間をかけずに、または残りの半導体基板の処理を中断することなく、破損した基板が処理ラインから取り出されるようにすることによって、半導体基板処理システム１０を用いて半導体基板のスループットを向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第１の真空搬送モジュール２００は、その中の半導体基板に対して１つ以上の処理操作を実施するように各々が動作可能な１つ以上の処理モジュール（図示せず）と協働関係になりうる。いわゆるクラスタ処理ツールにおいて、上部ロードロック６０および下部ロードロック６５を介する１つまたは複数のＦＯＵＰおよび１つ以上の処理モジュール、ならびに半導体基板をＥＦＥＭ５０を介して搬送するように動作可能な１つ以上のロボットシステム（すなわち、ロボット）を有する真空搬送モジュール２００と協働関係にあるＥＦＥＭ５０の例示的な実施形態は、本発明の譲渡人に譲渡された米国特許第８，４３０，６２０号、第８，２８２，６９８号、および第８，５６２，２７２号に記載されており、その全体が本明細書に参考として組み込まれている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
バッファステーション１００は、第１の真空搬送モジュール２００および第２の真空搬送モジュール３００とインターフェースし、半導体基板をその間で搬送できようにする。第２の真空搬送モジュール３００における圧力は、真空環境が第２の真空搬送モジュール３００において維持されるように、第２の真空搬送モジュール弁３００ａを介して第２の真空搬送モジュール３００と流体連通する第２の真空ポンプ３０５によって制御されうる。第２の真空搬送モジュール３００は、任意で、不活性ガスを第１の真空搬送モジュール２００の内部に供給するように動作可能な第２の真空搬送マスフローコントローラ（図示せず）と流体連通しうる。第２の真空搬送モジュール３００は、その中の半導体基板に対して１つ以上の処理操作を実施するように各々が動作可能な１つ以上の処理モジュール４００と協働関係になりうる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
等温堆積チャンバを含むプラズマ処理装置がその特定の実施形態を参照して詳述されているが、添付の請求の範囲から逸脱することなく様々な変更および修正がなされ、同等物が採用されうることは当業者には明らかであろう。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
モジュール半導体基板処理システム内を搬送される半導体基板の熱制御のためのモジュール半導体基板処理システムにおけるバッファステーションであって、前記バッファステーションは、前記モジュール半導体基板処理システムの第１および第２の真空搬送モジュールと接続され半導体基板をその間で搬送できるように構成され、
前記バッファステーションは、
１つ以上の半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように構成されている第１の真空搬送モジュールインターフェースと、
１つ以上の半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように構成されている第２の真空搬送モジュールインターフェースと、
前記第１の真空搬送モジュールインターフェースと前記第２の真空搬送モジュールインターフェースとの間の少なくとも１つのバッファチャンバと、を備え、
前記少なくとも１つのバッファチャンバは、
下部台座の支持面上の前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから半導体基板を受け取るように構成され、下部台座上に受け取られる前記半導体基板に対して加熱または冷却処理を実施するように動作可能な下部台座と、
前記下部台座の上方にあって前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから半導体基板を受け取るように各々構成されている１つ以上の半導体基板収納棚と、を備え、
各半導体基板収納棚は、その上にそれぞれの半導体基板を収納するように動作可能である、バッファステーション。
適用例２：
適用例１のバッファステーションであって、
前記下部台座は、前記下部台座の前記支持面の温度を空間的および時間的に独立して制御および調整するように動作可能な独立して制御可能なヒータゾーンを含むヒータ層を備え、ならびに／または、
前記下部台座は、前記下部台座の前記温度を下げるように動作可能な冷却層を備える、バッファステーション。
適用例３：
適用例１のバッファステーションであって、
前記少なくとも１つのバッファチャンバは、前記下部台座と前記１つ以上の半導体基板収納棚との間に遮熱シールドを備え、
前記遮熱シールドは、処理時に、前記下部台座上に支持される半導体基板と、前記１つ以上の半導体基板収納棚それぞれの上に支持される１つ以上の基板と、の間の熱伝達を低減するように動作可能なであるバッファステーション。
適用例４：
適用例１のバッファステーションであって、
（ａ）前記少なくとも１つのバッファチャンバは、第２のバッファチャンバの上方に配置される第１のバッファチャンバを備え、前記第１のバッファチャンバは、半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールから前記第２の真空搬送モジュールに搬送できるように構成されており、前記第２のバッファチャンバは、半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールから前記第１の真空搬送モジュールに搬送できるように構成されており、または、
（ｂ）前記少なくとも１つのバッファチャンバは、第２のバッファチャンバの上方に配置される第１のバッファチャンバを備え、前記第１のバッファチャンバは、半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールから前記第２の真空搬送モジュールに搬送できるように構成されており、前記第２のバッファチャンバは、半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールから前記第１の真空搬送モジュールに搬送できるように構成されており、前記バッファステーションは、半導体基板を前記第１のバッファチャンバを介して搬送できるように前記第１および第の２のバッファチャンバを下降させ、半導体基板を前記第２のバッファチャンバを介して搬送できるように前記第１および第２のバッファチャンバを上昇させるように動作可能なドライバを備える、バッファステーション。
適用例５：
適用例１のバッファステーションであって、
（ａ）前記バッファステーションは、不活性ガス供給源と流体的に連通するように構成され、前記不活性ガス供給源は、前記下部台座と前記下部台座上に支持される半導体基板との間の熱伝達を容易にするため、不活性ガスを前記少なくとも１つのバッファチャンバに供給するように動作可能であり、
（ｂ）前記バッファステーションは、真空ポンプと流体的に連通するように構成され、前記真空ポンプは、前記少なくとも１つのバッファチャンバ内の圧力を制御するように動作可能であり、
（ｃ）前記第１の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第１のスリット弁を備え、前記第１のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの前記環境を前記第１の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように構成され、
（ｄ）前記第２の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第２のスリット弁を備え、前記第２のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの前記環境を前記第２の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように構成され、
（ｅ）前記バッファステーションは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第１の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように構成されている位置合わせピンを備え、および／または
（ｆ）前記バッファステーションは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第２の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように構成されている位置合わせピンを備える、バッファステーション。
適用例６：
適用例１のバッファステーションであって、
前記下部台座は、
（ａ）前記支持面において、その上に支持される半導体基板の裏面に伝熱ガスを供給する少なくとも１つの排気口および、伝熱ガスを所望の圧力で少なくとも１つのガス流路に供給するように動作可能な伝熱ガス源に接続される前記下部台座を貫通する少なくとも１つのガス流路、
（ｂ）静電クランプ電圧が単極もしくは双極の静電クランプ電極に印加されるときに、静電クランプ力を前記支持面上の半導体基板に印加するように動作可能な単極もしくは双極静電クランプ電極、ならびに／または
（ｃ）半導体基板を前記下部台座の前記支持面上に降ろすように、かつ、前記半導体基板を前記下部台座の前記支持面から持ち上げるように動作可能なリフトピン、を備える、バッファステーション。
適用例７：
搬送される半導体基板の熱制御のためのバッファステーションを備えるモジュール半導体基板処理システムであって、前記モジュール半導体基板処理システムは、
第１の真空搬送モジュールと、
第２の真空搬送モジュールと、
前記第１の真空搬送モジュールおよび前記第２の真空搬送モジュールと接続され半導体基板をその間で搬送できるバッファステーションと、を備え、
前記バッファステーションは、
１つ以上の半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように動作可能な第１の真空搬送モジュールインターフェースと、
１つ以上の半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールと前記バッファステーションとの間で真空圧で搬送できるように動作可能な第２の真空搬送モジュールインターフェースと、
前記第１の真空搬送モジュールインターフェースと前記第２の真空搬送モジュールインターフェースとの間の少なくとも１つのバッファチャンバと、を備え、
前記少なくとも１つのバッファチャンバは、
半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから下部台座の支持面上に受け取るように動作可能で、下部台座上に受け取られる前記半導体基板に対して加熱または冷却処理を実施するように動作可能な下部台座と、
前記下部台座の上方にあって半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールまたは前記第２の真空搬送モジュールから受け取るように各々が動作可能な１つ以上の半導体基板収納棚と、を備え、
各半導体基板収納棚は、それぞれの半導体基板をその上に収納するように動作可能である、モジュール半導体基板処理システム。
適用例８：
適用例７のモジュール半導体基板処理システムであって、
前記下部台座は、前記下部台座の前記支持面の温度を空間的および時間的に独立して制御および調整するように動作可能な独立して制御可能なヒータゾーンを含むヒータ層を備え、ならびに／または、
前記下部台座は、前記下部台座の前記温度を下げるように動作可能な冷却層を含む、モジュール半導体基板処理システム。
適用例９：
適用例７のモジュール半導体基板処理システムであって、
前記少なくとも１つのバッファチャンバは、前記下部台座と前記１つ以上の半導体基板収納棚との間に遮熱シールドを備え、
前記遮熱シールドは、処理時に、前記下部台座上に支持される半導体基板と、前記１つ以上の半導体基板収納棚それぞれの上に支持される１つ以上の基板との間の熱伝達を低減するように動作可能である、モジュール半導体基板処理システム。
適用例１０：
適用例７のモジュール半導体基板処理システムであって、
（ａ）前記少なくとも１つのバッファチャンバは、第２のバッファチャンバの上方に配置される第１のバッファチャンバを備え、前記第１のバッファチャンバは、半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールから前記第２の真空搬送モジュールに搬送できるように動作可能であり、前記第２のバッファチャンバは、半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールから前記第１の真空搬送モジュールに搬送できるように動作可能であり、または、
（ｂ）前記少なくとも１つのバッファチャンバは、第２のバッファチャンバの上方に配置される第１のバッファチャンバを備え、前記第１のバッファチャンバは、半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールから前記第２の真空搬送モジュールに搬送できるように動作可能であり、前記第２のバッファチャンバは、半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールから前記第１の真空搬送モジュールに搬送できるように動作可能であり、前記バッファステーションは、半導体基板を前記第１のバッファチャンバを介して搬送できるように前記第１および第の２のバッファチャンバを降ろし、半導体基板を前記第２のバッファチャンバを介して搬送できるように前記第１および第２のバッファチャンバを持ち上げるように動作可能なドライバを備える、モジュール半導体基板処理システム。
適用例１１：
適用例７のモジュール半導体基板処理システムであって、
（ａ）前記バッファステーションは、不活性ガス供給源と流体的に連通し、前記不活性ガス供給源は、前記下部台座と前記下部台座上に支持される半導体基板との間の熱伝達を容易にするため、不活性ガスを前記少なくとも１つのバッファチャンバに供給するように動作可能であり、
（ｂ）前記バッファステーションは、真空ポンプと流体的に連通し、前記真空ポンプは、前記少なくとも１つのバッファチャンバ内の圧力を制御するように動作可能であり、
（ｃ）前記第１の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第１のスリット弁を備え、前記第１のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの前記環境を前記第１の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように動作可能であり、
（ｄ）前記第２の真空搬送モジュールインターフェースは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを密閉するように動作可能な第２のスリット弁を備え、前記第２のスリット弁は、前記少なくとも１つのバッファチャンバの前記環境を前記第２の真空搬送モジュールの真空環境から隔離するように動作可能であり、
（ｄ）前記バッファステーションは、前記第１の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第１の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように動作可能な位置合わせピンを備え、
（ｅ）前記バッファステーションは、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースの第１のポートを前記第２の真空搬送モジュールのそれぞれのポートと位置合わせするように動作可能な位置合わせピンを備え、
（ｆ）前記システムによって実施される処理を制御するように構成されているコントローラ、および／または、
（ｇ）前記システムの制御のためのプログラム命令を備える非一時的コンピュータ機械可読媒体。
適用例１２：
適用例７のモジュール半導体基板処理システムであって、
前記下部台座は、
（ａ）前記支持面において、その上に支持される半導体基板の裏面に伝熱ガスを供給する少なくとも１つの排気口および、伝熱ガスを所望の圧力で少なくとも１つのガス流路に供給するように動作可能な伝熱ガス源に接続される前記下部台座を貫通する少なくとも１つのガス流路、
（ｂ）静電クランプ電圧が単極もしくは双極の静電クランプ電極に印加されるときに、静電クランプ力を前記支持面上の半導体基板に印加するように動作可能な単極もしくは双極静電クランプ電極、および／または、
（ｃ）半導体基板を前記下部台座の前記支持面上に降ろすように、かつ、前記半導体基板を前記下部台座の前記支持面から持ち上げるように動作可能なリフトピン、を備える、モジュール半導体基板処理システム。
適用例１３：
適用例７のモジュール半導体基板処理システムであって、
（ａ）前記第１の真空搬送モジュールは、フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）と協働関係にあり、前記ＥＦＥＭは、半導体基板を大気圧で前開き一体型ポッド（ＦＯＵＰ）から受け取り、前記半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールの真空環境に搬送するように動作可能であり、
（ｂ）前記第１の真空搬送モジュールは、１つ以上の処理操作を半導体基板に対して実施するように動作可能な１つ以上の半導体基板処理モジュールと協働関係にあり、
（ｃ）前記第２の真空搬送モジュールは、１つ以上の処理操作を半導体基板に対して実施するように動作可能な１つ以上の半導体基板処理モジュールと協働関係にあり、
（ｄ）前記第１の真空搬送モジュールは、その真空環境において半導体基板を前記第１の真空搬送モジュールインターフェースを介して搬送するように動作可能なロボットを備え、および／または
（ｅ）前記第２の真空搬送モジュールは、その真空環境において半導体基板を前記第２の真空搬送モジュールインターフェースを介して搬送するように動作可能なロボットを備える、モジュール半導体基板処理システム。
適用例１４：
適用例７のモジュール半導体基板処理システムであって、
（ａ）前記バッファステーションは、前記第１もしくは第２の真空搬送モジュールのフレームによって支持され、または
（ｂ）前記バッファステーションは、前記第１および第２の真空搬送モジュールの間に懸架される、モジュール半導体基板処理システム。
適用例１５：
３つ以上の真空搬送モジュールを備えるモジュール半導体基板処理システムであって、
各真空搬送モジュールは、適用例１の前記バッファステーションによって、少なくとも１つの他の真空搬送モジュールと協働関係にある、モジュール半導体基板処理システム。
適用例１６：
適用例１５のモジュール半導体基板処理システムであって、
（ａ）前記真空搬送モジュールのうち少なくとも１つは、半導体基板を大気圧で前開き一体型ポッド（ＦＯＵＰ）から受け取り、前記半導体基板をその真空環境に搬送するように動作可能なＥＦＥＭと協働関係にあり、および／または、
（ｂ）各真空搬送モジュールは、１つ以上の処理操作を半導体基板に対して実施するように動作可能な１つ以上の半導体基板処理モジュールと協働関係にある、モジュール半導体基板処理システム。
適用例１７：
モジュール半導体基板処理システムの第１の真空搬送モジュールと第２の真空搬送モジュールとの間のバッファステーションを介して半導体基板を搬送する方法であって、前記方法は、
第１の真空搬送モジュールから第１の真空搬送モジュールインターフェースを介して前記バッファステーションの第１のバッファチャンバに半導体基板を搬送することと、
前記第１のバッファチャンバに配置される下部台座の支持面上で前記半導体基板を支持することと、
加熱または冷却処理を前記下部台座の前記支持面上に支持される前記半導体基板に対して実施することと、
前記第１のバッファチャンバの前記下部台座から前記バッファステーションの第２の真空搬送モジュールインターフェースを介して第２の真空搬送モジュールに前記半導体基板を搬送することと、を備える、方法。
適用例１８：
適用例１７の方法であって、
（ａ）前記半導体基板が前記バッファチャンバの前記下部台座の前記支持面上に支持される前に、前記第１のバッファチャンバにおける半導体基板収納棚上に前記半導体基板を収納すること、
（ｂ）前記下部台座の前記支持面と前記半導体基板との間の熱伝達を向上させるために、前記加熱もしくは冷却処理時に、前記第１のバッファチャンバにおける圧力を上昇させること、
（ｃ）前記加熱もしくは冷却処理時に、前記第１のバッファチャンバにおける不活性ガス環境を提供すること、
（ｄ）前記加熱もしくは冷却処理時に、前記第１のバッファチャンバ環境を前記第１および／もしくは第２の真空搬送モジュールから隔離すること、
（ｅ）前記加熱もしくは冷却処理時に、伝熱ガスを前記支持面上に支持される前記半導体基板の裏面に供給すること、
（ｆ）前記加熱もしくは冷却処理時に、前記半導体基板を前記下部台座の前記支持面に静電気的にクランプすること、ならびに／または、
（ｇ）前記加熱もしくは冷却処理時に、独立して制御可能なヒータゾーンを含むヒータ層によって、前記下部台座の前記支持面の温度を空間的および時間的に独立して制御および調整すること、を備える、方法。
適用例１９：
適用例１７の方法であって、さらに、
第２の真空チャンバから、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースを介して、前記バッファステーションの前記第１のバッファチャンバに、前記半導体基板を搬送することと、
前記第１のバッファチャンバに配置される前記下部台座の前記支持面上に前記半導体基板を支持すること、および前記下部台座の前記支持面上に支持される前記半導体基板に対して加熱もしくは冷却処理を必要に応じて実施すること、または前記第１のバッファチャンバにおける半導体基板収納棚上に前記半導体基板を収納することと、
前記第１のバッファチャンバの前記下部台座もしくは収納棚から、前記バッファステーションの前記第１の真空搬送モジュールインターフェースを介して、前記第１の真空搬送モジュールに、前記半導体基板を搬送することと、を備える方法。
適用例２０：
適用例１７の方法であって、さらに、
第２の真空チャンバから、前記第２の真空搬送モジュールインターフェースを介して、前記バッファステーションの第２のバッファチャンバに、前記半導体基板を搬送することと、
前記第２のバッファチャンバに配置される下部台座の支持面上に前記半導体基板を支持すること、および前記下部台座の前記支持面上に支持される前記半導体基板に対して加熱もしくは冷却処理を必要に応じて実施すること、または前記第２のバッファチャンバにおける導体基板収納棚上に前記半導体基板を収納することと、
前記第２のバッファチャンバの前記下部台座もしくは収納棚から、前記バッファステーションの前記第１の真空搬送モジュールインターフェースを介して、前記第１の真空搬送モジュールに、前記半導体基板を搬送することと、を備える方法。