Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月30日(2017.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
畜ふん燃焼灰に、タルク、ポリエチレングリコール、ステアリン酸金属塩、ラウリル硫酸金属塩、カオリン、テレフタル酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、リン酸カルシウム、およびフッ化リチウムから選ばれる少なくとも一種の粒状化促進材を含む粒状肥料組成物。
【請求項２】
粒状肥料組成物の水分率が１％以下であることを特徴とする請求項1記載の粒状肥料組成物。
【請求項３】
畜ふん燃焼灰が、鶏、アヒル、鴨、豚、牛、馬、山羊、羊、犬、および猫から選ばれる少なくとも一種の畜ふん燃焼灰である請求項１または２に記載の粒状肥料組成物。
【請求項４】
畜ふん燃焼灰が、リン酸、硫酸、硝酸、および塩酸から選ばれる少なくとも一種の鉱酸で中和された中和灰である請求項１〜３のいずれかに記載の粒状肥料組成物。
【請求項５】
前記粒状化促進材が、粒状肥料組成物の表面に被覆されている請求項１〜４のいずれかに記載の粒状肥料組成物。
【請求項６】
畜ふん燃焼灰１００重量部に対して前記粒状化促進材１〜５重量部を含む請求項１〜５のいずれかに記載の粒状肥料組成物。
【請求項７】
粒状肥料組成物７５０ｇに６０ｋｇの錘で１ヶ月荷重をかけた後の固結率が２０％以下である請求項１〜６のいずれかに記載の粒状肥料組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の粒状肥料組成物に、リン成分を含有する粒状組成物および／またはカリウム成分を含有する粒状組成物が混合された混合肥料。
【請求項９】
下記の４工程を含む請求項１〜８のいずれかに記載の粒状肥料組成物の製造方法。
１）畜ふん燃焼灰に、水および、タルク、ポリエチレングリコール、ステアリン酸金属塩、ラウリル硫酸金属塩、カオリン、テレフタル酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、リン酸カルシウム、およびフッ化リチウムから選ばれる少なくとも一種の粒状化促進材を混合する工程
２）１）で得られた混合物を造粒して粒状にする工程
３）２）で得られた粒状物を整粒し形状を調節する工程
４）３）で得られた形状が調節された粒状物を乾燥する工程
【請求項１０】
下記の４工程を含む請求項１〜８のいずれかに記載の粒状肥料組成物の製造方法。
１）畜ふん燃焼灰にに水を加えて造粒して粒状にする工程
２）１）で得られた粒状物を整粒し形状を調節する工程
３）２）で得られた形状が調節された粒状物にタルク、ポリエチレングリコール、ステアリン酸金属塩、ラウリル硫酸金属塩、カオリン、テレフタル酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、リン酸カルシウム、およびフッ化リチウムから選ばれる少なくとも一種の粒状化促進材を添加し被覆する工程
４）３）で得られた粒状物を乾燥する工程
【請求項１１】
水の添加量が、畜ふん燃焼灰１００重量部に対して１〜５重量部である請求項９または１０記載の粒状肥料組成物の製造方法。
【請求項１２】
造粒が圧縮造粒方式であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の粒状肥料組成物の製造方法。
【請求項１３】
原料を一対のローラーを用いたブリケット方式により圧縮して造粒物を製造することを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の粒状肥料組成物の製造方法。
【請求項１４】
粒状肥料組成物の原料合計重量に対する得られる粒状肥料組成物の収率が６０重量％以上である請求項９〜１３のいずれかに記載の粒状肥料組成物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用する。すなわち、
１．畜ふん燃焼灰に、タルク、ポリエチレングリコール、ステアリン酸金属塩、ラウリル硫酸金属塩、カオリン、テレフタル酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、リン酸カルシウム、およびフッ化リチウムから選ばれる少なくとも一種を粒状化促進材を含む粒状肥料組成物
２．粒状肥料組成物の水分率が１％以下であることを特徴とする１記載の粒状肥料組成物。
３．畜ふん燃焼灰が、鶏、アヒル、鴨、豚、牛、馬、山羊、羊、犬、および猫から選ばれる少なくとも一種の畜ふん燃焼灰である１または２記載の粒状肥料組成物。
４．畜ふん燃焼灰が、リン酸、硫酸、硝酸、および塩酸から選ばれる少なくとも一種の鉱酸で中和された中和灰である１〜３のいずれかに記載の粒状肥料組成物。
５．前記粒状化促進材が、粒状肥料組成物の表面に被覆されている１〜４のいずれかに記載の粒状肥料組成物
６．畜ふん燃焼灰１００重量部に対して前記粒状化促進材１〜５重量部を含む１〜５のいずれかに記載の粒状肥料組成物。
７．粒状肥料組成物７５０ｇに６０ｋｇの錘で１ヶ月荷重をかけた後の固結率が２０％以下である１〜６のいずれかに記載の粒状肥料組成物。
８．１〜７のいずれかに記載の粒状肥料組成物に、リン成分を含有する粒状組成物および／またはカリウム成分を含有する粒状組成物が混合された混合肥料。
９．下記の４工程を含む１〜８のいずれかに記載の粒状肥料組成物の製造方法。
１）畜ふん燃焼灰に、水および、タルク、ポリエチレングリコール、ステアリン酸金属塩、ラウリル硫酸金属塩、カオリン、テレフタル酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、リン酸カルシウム、およびフッ化リチウムから選ばれる少なくとも一種の粒状化促進材を混合する工程
２）１）で得られた混合物を造粒して粒状にする工程
３）２）で得られた粒状物を整粒し形状を調節する工程
４）３）で得られた形状が調節された粒状物を乾燥する工程
１０．下記の４工程を含む１〜８のいずれかに記載の粒状肥料組成物の製造方法。
１）畜ふん燃焼灰に水を加えて造粒して粒状にする工程
２）１）で得られた粒状物を整粒し形状を調節する工程
３）２）で得られた形状が調節された粒状物にタルク、ポリエチレングリコール、ステアリン酸金属塩、ラウリル硫酸金属塩、カオリン、テレフタル酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、リン酸カルシウム、およびフッ化リチウムから選ばれる少なくとも一種の粒状化促進材を添加し被覆する工程
４）３）で得られた粒状物を乾燥する工程
１１．水の添加量が、畜ふん燃焼灰１００重量部に対して１〜５重量部である９または１０記載の粒状肥料組成物の製造方法。
１２．造粒が圧縮造粒方式であることを特徴とする９〜１１のいずれかに記載の粒状肥料組成物の製造方法。
１３．原料を一対のローラーを用いたブリケット方式により圧縮して造粒物を製造することを特徴とする９〜１２のいずれかに記載の粒状肥料組成物の製造方法。
１４．粒状肥料組成物の原料合計重量に対する得られる粒状肥料組成物の収率が６０重量％以上である９〜１３のいずれかに記載の粒状肥料組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月5日(2017.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柚子の花を原料として抽出したことを特徴とする柚子花精油。
【請求項２】
精油中の成分として、ミルテノールを含有する請求項１記載の柚子花精油。
【請求項３】
精油中の成分として、ミルテノール及びフェニルアセトアルデヒドを含有する請求項１記載の柚子花精油。
【請求項４】
精油中の成分として、ミルテノール，フェニルアセトアルデヒド及びＣｉｓ−ジャスモンを含有する請求項１記載の柚子花精油。
【請求項５】
精油中の成分として１０％以下のリモネンを含有する請求項１，２，３又は４記載の柚子花精油。
【請求項６】
精油中の成分として２０％以下のリナロールを含有する請求項１，２，３，４又は５記載の柚子花精油。
【請求項７】
精油中の各構成成分がいずれも２０％以下である請求項１，２，３，４，５又は６記載の柚子花精油。
【請求項８】
精油中の成分が相互に複合して香りを醸成する請求項１，２，３，４，５，６又は７記載の柚子花精油。
【請求項９】
精油中の成分が相互に複合することにより、柚子の果実や果皮を原料として抽出した精油とは異なる香りを醸成する請求項１，２，３，４，５，６，７又は８記載の柚子花精油。
【請求項１０】
柚子の花として、柚子の花弁を用いて精油を抽出した請求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９記載の柚子花精油。
【請求項１１】
柚子の花として、柚子の花弁と、柚子のがく，柚子の雄しべ又は柚子の雌しべから選択された一又は複数を用いて精油を抽出した請求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９記載の柚子花精油。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれかに記載した柚子花精油からなる化粧料用香料。
【請求項１３】
請求項１２記載の化粧料用香料を添加してなる化粧料。
【請求項１４】
化粧料用香料を０．００１％〜１％添加した請求項１３記載の化粧料。
【請求項１５】
化粧料用香料を０．００５％〜０．１％添加した請求項１３記載の化粧料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記した着想に基づき、本発明は柚子の農園の開花時の香りを精油として抽出するために、柚子の花を原料として抽出した柚子花精油を基本として提供する。この柚子花精油中の成分として、ミルテノールを含有しており、又精油中の成分として、ミルテノール及びフェニルアセトアルデヒドを含有しており、更に、精油中の成分として、ミルテノール，フェニルアセトアルデヒド及びＣｉｓ−ジャスモンを含有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、精油中の成分として１０％以下のリモネンを含有し、精油中の成分として２０％以下のリナロールを含有するとともに、精油中の各構成成分がいずれも２０％以下である。そのため、精油中の成分が相互に複合して香りを醸成し、精油中の成分が相互に複合することにより、柚子の果実や果皮を原料として抽出した精油とは異なる香りを醸成する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月21日(2018.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コエンザイムＱ１０及び還元麦芽糖を含有する固形組成物であって、
該固形組成物は、ショ糖脂肪酸エステルを含まないことを特徴とする、前記固形組成物。
【請求項２】
前記コエンザイムＱ１０は、前記固形組成物の総質量に対して４．０質量％以上で配合される、請求項１に記載の固形組成物。
【請求項３】
前記還元麦芽糖は、等量の還元パラチノース又はブドウ糖を含有する場合に比べて、コエンザイムＱ１０に起因する斑点の表出が低減される量の還元麦芽糖である、請求項１又は２に記載の固形組成物。
【請求項４】
前記固形組成物は、４８℃以上で７２時間以上放置した場合に、表出したコエンザイムＱ１０に起因する斑点の出現が低減される固形組成物である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の固形組成物。
【請求項５】
４．０質量％以上のコエンザイムＱ１０と還元麦芽糖とを混合することを含む、固形組成物におけるコエンザイムＱ１０に起因する斑点の表出を低減する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（I）配合全成分をそれぞれ量り込み、撹拌しながら分散させる。
（II）その後、約７０〜約８０℃に加温して、ホモミキサーで高速撹拌し、分散を高める。
（III）次いで、前項（II）の分散液を高圧ミキサー（マイクロフルイダイザー）により微細に分散させてリポソームを形成させる。
（IV）次いで、この分散液を室温まで冷却してリポソーム分散液を得る。得られたリポソームの平均粒径は２５０ｎｍ以下であることを確認する。
（６）皮膚外用剤
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
クリーム剤(成分)  （Ｗ／Ｗ）％
ＰＯＥ（４０）ステアリン酸                  ２％
自己乳化型モノステアリン酸グリセリル        ４％
スクワラン                                  ８％
２−エチルヘキサン酸セチル                  ３％
トリ（カプリル・カプリン酸）グリセリル      ２％
トリ  ２−エチルヘキサン酸グリセリル        ３％
ベヘニルアルコール                          ４％
メチルポリシロキサン（３００ｃＳｔ）        ０．１％
１,３-ブチレングリコール                    ５％
実施例２のセラミド類含有リポソーム分散液    １０％
防腐剤                                      適量
精製水                                      残量
（実施例１９）
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月2日(2018.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を含有するトナー粒子を有するトナーであって、
該樹脂が、スチレンアクリル樹脂及びポリエステル樹脂Ａを含有し、
該スチレンアクリル樹脂の含有割合が、該樹脂を基準として、５０．０質量％以上９９．０質量％以下であり、
該ポリエステル樹脂Ａの含有割合が、該樹脂を基準として、１．０質量％以上３５．０質量％以下であり、
該ポリエステル樹脂Ａが、該ポリエステル樹脂Ａを構成する全モノマーユニットを基準として、下記式（１）で示されるイソソルビドユニットを、０．１０ｍｏｌ％以上３０．００ｍｏｌ％以下含有することを特徴とするトナー。
【化１】
2015179264.tif 000001
【請求項２】
前記ポリエステル樹脂Ａが、前記ポリエステル樹脂Ａを構成する全モノマーユニットを基準として、前記式（１）で示されるイソソルビドユニットを、０．１０ｍｏｌ％以上１０．５０ｍｏｌ％以下含有し、
前記ポリエステル樹脂Ａが、
（ｉ）フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、フマル酸、マレイン酸、アジピン酸、コハク酸、および、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数２〜２０のアルケニル基で置換されたコハク酸からなる群から選択されるジカルボン酸またはその無水物、
（ｉｉ）下記式（２）で示されるイソソルビド、
【化２】
2015179264.tif 000002
（ｉｉｉ）ポリオキシプロピレン（２．２）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ポリオキシプロピレン（３．３）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ポリオキシエチレン（２．０）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ポリオキシプロピレン（２．０）−ポリオキシエチレン（２．０）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ポリオキシプロピレン（６）−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４−ブテンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、および、ポリテトラメチレングリコールからなる群から選択される、前記イソソルビド以外の二価のアルコール、および、
（ｉｖ）トリメリット酸、ピロメリット酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ソルビトール、１，２，３，６−ヘキサンテトロール、１，４−ソルビタン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、１，２，４−ブタントリオール、１，２，５−ペンタントリオール、グリセロール、２−メチルプロパントリオール、２−メチル−１，２，４−ブタントリオール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、および、１，３，５−トリヒドロキシメチルベンゼンからなる群から選択される少なくとも一つの化合物
の縮重合体である、請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記ポリエステル樹脂Ａの酸価が、０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上２５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
前記スチレンアクリル樹脂のピーク分子量（Ｍｐ）が、５０００以上３００００以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項５】
前記トナー粒子は、懸濁重合トナー粒子である請求項１〜４のいずれか１項に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイアス転写ロールを位置合わせする方法であって、
プロセッサが、用紙の位置を検出することと、
前記プロセッサが、前記バイアス転写ロールの位置を判定することと、
前記プロセッサが、前記用紙の前記位置と、前記バイアス転写ロールの前記位置との間のオフセットを計算することと、
前記プロセッサが、前記バイアス転写ロールを前記オフセットの量だけ横方向に移動して、前記バイアス転写ロールを前記用紙と位置合わせすることとを含む、
方法。
【請求項２】
前記プロセッサが、前記バイアス転写ロールを前記オフセットの量だけ横方向に移動することに加え、感光体上の画像を前記用紙と位置合わせすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記用紙の前記位置はレジストセンサによって検出される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記レジストセンサは、端部レジストシステムまたは中央レジストシステムの一部である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記レジストセンサはレジストニップローラよりも手前に位置する、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記バイアス転写ロールを、機械的手段を介して横方向に移動させる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記機械的手段がリードスクリューを含み、前記バイアス転写ロールが、横方向に移動するために前記リードスクリューを中心として回転する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記バイアス転写ロールは前記用紙と略同一の幅である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
複数の命令が格納された非一時的なコンピュータ可読媒体であって、
前記複数の命令は、コンピュータによって実行されたときに、プロセッサに、バイアス転写ロールを位置合わせする動作を行わせる命令であり、
前記動作は、
用紙の位置を検出することと、
前記バイアス転写ロールの位置を判定することと、
前記用紙の前記位置と前記バイアス転写ロールの前記位置との間のオフセットを計算することと、
前記バイアス転写ロールを前記オフセットの量だけ横方向に移動して、前記バイアス転写ロールを前記用紙に位置合わせすることとを含む、非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１０】
前記バイアス転写ロールを前記オフセットの量だけ横方向に移動することに加え、感光体上の画像を前記用紙と位置合わせすることをさらに含む、請求項９に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１１】
前記用紙の前記位置はレジストセンサによって検出される、請求項９に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１２】
前記レジストセンサは、端部レジストシステムまたは中央レジストシステムの一部である、請求項１１に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
前記レジストセンサがレジストニップローラよりも手前に位置する、請求項１１に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
前記バイアス転写ロールを、機械的手段を介して横方向に移動させる、請求項９に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
前記機械的手段がリードスクリューを含み、前記バイアス転写ロールが、横方向に移動するために前記リードスクリューを中心として回転する、請求項１４に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１６】
前記バイアス転写ロールは前記用紙と略同一の幅である、請求項９に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１７】
バイアス転写ロールを位置合わせする方法であって、
プロセッサが、前記プロセッサと通信する少なくとも１つのレジストセンサを介して、用紙の端部の位置を検出することと、
前記プロセッサが、前記バイアス転写ロールの端部の位置を判定することと、
前記プロセッサが、前記用紙の前記端部の前記位置と、前記バイアス転写ロールの前記端部の前記位置との間のオフセットを計算することと、
前記プロセッサが、前記バイアス転写ロールの前記端部を前記用紙の前記端部と位置合わせするために、前記バイアス転写ロールを前記オフセットの量だけ横方向に移動させることと、
前記プロセッサが、異なる印刷物に均一な画像を提供するために、前記移動させることの後に、前記バイアス転写ロールの、他のすべての印刷物に使用された部分と同じ部分を使用して、前記画像を前記用紙に印刷することとを含む、
方法。
【請求項１８】
前記プロセッサが、前記バイアス転写ロールを前記オフセットの量だけ横方向に移動させることに加えて、前記用紙に印刷される感光体上の画像を、前記用紙と位置合わせすることをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記バイアス転写ロールを、機械的手段を介して横方向に移動させる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記機械的手段がリードスクリューを含み、前記バイアス転写ロールが、横方向に移動するために前記リードスクリューを中心として回転する、請求項１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バイアス転写ロールを位置合わせする方法および非一時的なコンピュータ可読媒体
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月2日(2018.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂、ポリエステル樹脂Ａ、及びワックスを含有するトナー粒子を含有するトナーであって、
該ポリエステル樹脂Ａが、該ポリエステル樹脂Ａを構成する全モノマーユニットを基準として、下記式（１）で示されるイソソルビドユニットを、０．１０ｍｏｌ％以上２０．００ｍｏｌ％以下含有し、
該ポリエステル樹脂Ａの含有量が、該結着樹脂１００．０質量部に対して、１．０質量部以上２０．０質量部以下であり、
該トナーの透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた断面観察において、
（１）フロー式粒子像測定装置で測定される該トナーの重量平均径Ｄ４（μｍ）に対し、０．９≦Ｒ／Ｄ４≦１．１の関係を満たす長径Ｒ（μｍ）を有するトナー粒子の断面を２０個選び出し、
（２）選び出したトナー粒子の断面中に存在するワックスで構成されるドメインのうち、長径が最も大きいものの長径ｒをそれぞれ計測し、
（３）求められたｒ／Ｒの相加平均値（ｒ／Ｒ）ｓｔが、０．２５≦（ｒ／Ｒ）ｓｔ≦０．９５を満たすことを特徴とするトナー。
2015179262.tif 000001
【請求項２】
前記ポリエステル樹脂Ａが、前記ポリエステル樹脂Ａを構成する全モノマーユニットを基準として、前記式（１）で示されるイソソルビドユニットを、０．１０ｍｏｌ％以上１０．５０ｍｏｌ％以下含有し、
前記ポリエステル樹脂Ａが、
（ｉ）マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ドデシルコハク酸、ドデセニルコハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバチン酸、デカン−１，１０−ジカルボン酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、テトラブ
ロムフタル酸、テトラクロルフタル酸、ヘット酸、ハイミック酸、イソフタル酸、テレフタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選択されるジカルボン酸またはその無水物、
（ｉｉ）下記式（２）で示されるイソソルビド、
【化２】
2015179262.tif 000002
（ｉｉｉ）エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ネオペンチルグリコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡのエチレンオキサイド付加物、ビスフェノールＡのプロピレンオキサイド付加物、キシリレンジグリコール、１，４−シクロヘキサンジメタノールおよび水添ビスフェノールＡからなる群から選択される、前記イソソルビド以外の二価のアルコール、および、
（ｉｖ）トリメリット酸、メチルシクロヘキセントリカルボン酸、ピロメリット酸、無水トリメリット酸、メチルシクロヘキセントリカルボン酸無水物、無水ピロメリット酸からなる群から選択される少なくとも一つの化合物
の縮重合体である、請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記ポリエステル樹脂Ａのゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定された重量平均分子量（Ｍｗ）が、５０００以上３００００以下である請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
前記ポリエステル樹脂Ａの酸価が、０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上３０．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項５】
前記ワックスの含有量が、前記結着樹脂１００．０質量部に対して、５．０質量部以上３０．０質量部以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項６】
前記結着樹脂が、ビニル樹脂を含有する請求項１〜５のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項７】
前記トナー粒子が、懸濁重合トナー粒子である請求項１〜６のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項８】
前記ポリエステル樹脂Ａが、
酸価２．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であり、
前記ポリエステル樹脂Ａを構成する全モノマーユニットを基準として、前記式（１）で示されるイソソルビドユニットを、１．５８ｍｏｌ％以上１０．５０ｍｏｌ％以下含有し、
前記ポリエステル樹脂Ａの含有量が、前記結着樹脂１００．０質量部に対して、１．０質量部以上１０．０質量部以下であり、
前記ｒ／Ｒの相加平均値（ｒ／Ｒ）ｓｔが、０．２５≦（ｒ／Ｒ）ｓｔ≦０．５０を満たす、請求項１〜７のいずれか１項に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼鏡を装用した被検者の画像を解析し、被検者の眼鏡装用パラメータを測定するための眼鏡装用画像解析装置であって、
眼鏡フレームタイプ情報を取得する取得手段と、
前記眼鏡フレームタイプ情報に基づいた制御動作を行う制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記眼鏡フレームタイプ情報に基づいて、眼鏡装用パラメータを取得する制御を行うことを特徴とする眼鏡装用画像解析装置。
【請求項２】
請求項１の眼鏡装用画像解析装置において、
前記制御手段は、前記眼鏡フレームタイプ情報に基づいて、眼鏡を装用した被検者の画像を解析処理するための解析処理方法を選択し、選択した解析処理方法に基づいて、画像を解析する制御を行うことを特徴とする眼鏡装用画像解析装置。
【請求項３】
請求項１又は２の眼鏡装用画像解析装置において、
前記制御手段は、前記眼鏡フレームタイプ情報に基づいて、眼鏡装用パラメータを補正する制御を行うことを特徴とする眼鏡装用画像解析装置。
【請求項４】
請求項１〜３の眼鏡装用画像解析装置において、
前記制御手段は、前記眼鏡フレームタイプ情報である、そり角度及び前傾角度の少なくとも一方に基づいて、眼鏡装用パラメータを補正することを特徴とする眼鏡装用画像解析装置。
【請求項５】
眼鏡を装用した被検者の画像を解析し、被検者の眼鏡装用パラメータを測定するための眼鏡装用画像解析方法であって、
眼鏡フレームタイプ情報を取得する取得ステップと、
前記フレームタイプ情報に基づいた制御動作を行う制御ステップであって、前記眼鏡フレームタイプ情報に基づいて、眼鏡装用パラメータを取得する制御を行う制御ステップと、
を備えることを特徴とする眼鏡装用画像解析方法。
【請求項６】
眼鏡を装用した被検者の画像を解析し、被検者の眼鏡装用パラメータを測定するための眼鏡装用画像解析装置において実行される眼鏡装用画像解析プログラムであって、
前記眼鏡装用画像解析装置のプロセッサによって実行されることで、
眼鏡フレームタイプ情報を取得する取得ステップと、
前記フレームタイプ情報に基づいた制御動作を行う制御ステップであって、前記眼鏡フレームタイプ情報に基づいて、眼鏡装用パラメータを取得する制御を行う制御ステップと、
を前記眼鏡装用画像解析装置に実行させることを特徴とする眼鏡装用画像解析プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）  本開示の第１態様に係る眼鏡装用画像解析装置は、眼鏡を装用した被検者の画像を解析し、被検者の眼鏡装用パラメータを測定するための眼鏡装用画像解析装置であって、眼鏡フレームタイプ情報を取得する取得手段と、前記眼鏡フレームタイプ情報に基づいた制御動作を行う制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記眼鏡フレームタイプ情報に基づいて、眼鏡装用パラメータを取得する制御を行うことを特徴とする。
（２）  本開示の第２態様に係る眼鏡装用画像解析方法は、眼鏡を装用した被検者の画像を解析し、被検者の眼鏡装用パラメータを測定するための眼鏡装用画像解析方法であって、眼鏡フレームタイプ情報を取得する取得ステップと、前記フレームタイプ情報に基づいた制御動作を行う制御ステップであって、前記眼鏡フレームタイプ情報に基づいて、眼鏡装用パラメータを取得する制御を行う制御ステップを備えることを特徴とする。
（３）  本開示の第３態様に係る眼鏡装用画像解析プログラムは、眼鏡を装用した被検者の画像を解析し、被検者の眼鏡装用パラメータを測定するための眼鏡装用画像解析装置において実行される眼鏡装用画像解析プログラムであって、前記眼鏡装用画像解析装置のプロセッサによって実行されることで、眼鏡フレームタイプ情報を取得する取得ステップと、前記フレームタイプ情報に基づいた制御動作を行う制御ステップであって、前記眼鏡フレームタイプ情報に基づいて、眼鏡装用パラメータを取得する制御を行う制御ステップと、を前記眼鏡装用画像解析装置に実行させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域としてシリコンを有する、ｐチャネル型の第１トランジスタと、
チャネル形成領域として酸化物半導体を有する、ｎチャネル型の第２トランジスタと、
第１電源電圧が供給される第１導電体と、
第２電源電圧が供給される第２導電体と、を有し、
前記第２トランジスタは、前記第１トランジスタと重なるように、前記第１トランジスタの上に積層され、
前記第１トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第１導電体と電気的に接続され、
前記第２トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第２導電体と電気的に接続され、
前記第１導電体は、１層または複数層の絶縁体を介して、前記第２導電体と重なる第１の領域を有し、
前記第１の領域は、１層または複数層の前記絶縁体を介して、前記第２の導電体と平行に延在することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１トランジスタのゲート電極及び前記第２トランジスタのゲート電極と電気的に接続される入力端子と、
前記第１トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方及び前記第２トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と電気的に接続される出力端子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１トランジスタと前記第１導電体との間の第１絶縁体を有し、
前記第１絶縁体の開口部には、第３導電体が設けられ、
前記第３導電体は、前記第１導電体と接し、かつ前記第１トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１導電体と前記第２導電体との間、前記第１トランジスタと前記第２トランジスタとの間のそれぞれにトランジスタを有さないことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１領域と前記第２領域との間には、導電体を有さないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１トランジスタのチャネル長方向と、前記第２トランジスタのチャネル長方向とは、平行であり、
前記第１トランジスタのチャネル形成領域と前記第２のチャネル形成領域とは、互いに重なる部分を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、ｃ軸配向した結晶部を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月22日(2018.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極と、
前記酸化物半導体膜上のドレイン電極と、
前記ソース電極上の第１の絶縁膜と、
前記ドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上と前記第１の絶縁膜上と前記第２の絶縁膜上に接する第４の絶縁膜と、を有し、
前記第４の絶縁膜は、熱処理によって酸素を放出する機能を有し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は、酸素の透過を抑制できる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極と、
前記酸化物半導体膜上のドレイン電極と、
前記ソース電極上の第１の絶縁膜と、
前記ドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上と前記第１の絶縁膜上と前記第２の絶縁膜上に接する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に接する第４の絶縁膜と、を有し、
前記第３の絶縁膜は、酸素を透過させることができる機能を有し、
前記第４の絶縁膜は、熱処理によって酸素を放出する機能を有し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は、酸素の透過を抑制できる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ゲート絶縁膜は、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素の透過を抑制できる機能を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素を放出する機能を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜に接することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜の端部は、
前記ソース電極の端部と揃う領域を有し、
前記第４の絶縁膜の端部は、
前記ドレイン電極の端部と揃う領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記トランジスタ上には、第３の絶縁膜が設けられ、
前記第３の絶縁膜上には、第４の絶縁膜が設けられ、
前記第３の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第４の絶縁膜は、窒素を有し、
前記第３の絶縁膜は、昇温脱離ガス分析法において、酸素分子の放出量が１×１０１９個／ｃｍ３以上であり、
前記第４の絶縁膜は、前記昇温脱離ガス分析法において、酸素分子の放出量が１×１０１９個／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記トランジスタ上には、第３の絶縁膜が設けられ、
前記第３の絶縁膜上には、第５の絶縁膜が設けられ、
前記第５の絶縁膜上には、第４の絶縁膜が設けられ、
前記第３の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第４の絶縁膜は、窒素を有し、
前記第５の絶縁膜は、金属と、酸素または窒素のいずれか一方と、を有し、
前記第３の絶縁膜は、昇温脱離ガス分析法において、酸素分子の放出量が１×１０１９個／ｃｍ３以上であり、
前記第４の絶縁膜は、前記昇温脱離ガス分析法において、酸素分子の放出量が１×１０１９個／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第３の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記トランジスタ上には、第４の絶縁膜が設けられ、
前記第３の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第４の絶縁膜は、窒素を有し、
前記第３の絶縁膜は、昇温脱離ガス分析法において、酸素分子の放出量が１×１０１９個／ｃｍ３以上であり、
前記第４の絶縁膜は、前記昇温脱離ガス分析法において、酸素分子の放出量が１×１０１９個／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の第５の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記トランジスタ上には、第４の絶縁膜が設けられ、
前記第３の絶縁膜は、酸素を有し、
前記第４の絶縁膜は、窒素を有し、
前記第５の絶縁膜は、金属と、酸素または窒素のいずれか一方と、を有し、
前記第３の絶縁膜は、昇温脱離ガス分析法において、酸素分子の放出量が１×１０１９個／ｃｍ３以上であり、
前記第４の絶縁膜は、前記昇温脱離ガス分析法において、酸素分子の放出量が１×１０１９個／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一つにおいて、
前記第３の絶縁膜は、酸素、窒素、及びシリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つにおいて、
前記第４の絶縁膜は、窒素及びシリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項２または請求項４において、
前記第５の絶縁膜が有する前記金属は、インジウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、タングステン、タンタル、またはモリブデンの中から選ばれる少なくとも１以上を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一つにおいて、
前記第１の絶縁膜は、窒素及びシリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、酸素と、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆを表す）とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一つにおいて、
前記酸化物半導体膜は、結晶部を有し、
前記結晶部は、前記結晶部のｃ軸が前記酸化物半導体膜の被形成面の法線ベクトルに平行である部分を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一つにおいて、
前記第３の絶縁膜は、ＥＳＲ測定によるｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が３×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月31日(2018.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと容量素子とを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記トランジスタ上の第３の絶縁膜を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜上に設けられ、
前記ソース電極は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記第１の絶縁膜は、酸素を含み、
前記第２の絶縁膜は、酸素を含み、
前記第３の絶縁膜は、前記容量素子の誘電体膜として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面及び前記第２の絶縁膜の側面に接し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記第２の絶縁膜と重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域とを有し、
前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜と重ならず、
前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記トランジスタ上の第３の絶縁膜を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜上に設けられ、
前記ソース電極は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記第３の絶縁膜上の画素電極を有し、
前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記容量素子と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素を含み、
前記第２の絶縁膜は、酸素を含み、
前記第３の絶縁膜は、前記容量素子の誘電体膜として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面及び前記第２の絶縁膜の側面に接し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記第２の絶縁膜と重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域とを有し、
前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜と重ならず、
前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トランジスタと、容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
前記トランジスタ上の第３の絶縁膜を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜上に設けられ、
前記ソース電極は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記第１の絶縁膜は、酸素を含み、
前記第２の絶縁膜は、酸素を含み、
前記第３の絶縁膜は、前記容量素子の誘電体膜として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面及び前記第２の絶縁膜の側面に接し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記第２の絶縁膜と重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域とを有し、
前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜と重ならず、
前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
トランジスタと、容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
前記トランジスタ上の第３の絶縁膜を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜上に設けられ、
前記ソース電極は、前記第３の絶縁膜の第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記第３の絶縁膜上に画素電極を有し、
前記画素電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記容量素子と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素を含み、
前記第２の絶縁膜は、酸素を含み、
前記第３の絶縁膜は、前記容量素子の誘電体膜として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜の上面及び前記第２の絶縁膜の側面に接し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記ゲート電極及び前記第２の絶縁膜と重ならず、
前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
前記第１の絶縁膜は、第３の領域と、第４の領域とを有し、
前記第３の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
前記第４の領域は、前記酸化物半導体膜と重ならず、
前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月18日(2017.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に接するソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極間のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と重ならない第２の領域と、を有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、不純物元素の濃度が異なり、
前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、同一の金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に接するソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極間のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と重ならない第２の領域と、を有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、不純物元素の濃度が異なり、
前記第２の領域には、窒化物絶縁膜が接して設けられ、
前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、同一の金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記窒化物絶縁膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の領域より前記第２の領域の不純物元素の濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記不純物元素は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリコン、リンまたは塩素の中から選ばれるいずれか一つを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に接するソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極間のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と重ならない第２の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも水素濃度が高く、
前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、同一の金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に接するソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極間のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重なる第１の領域と、前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と重ならない第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも結晶性が高く、
前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、同一の金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記ゲート電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、少なくとも一部が同一平面上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、結晶部を含み、
前記結晶部のｃ軸が、前記酸化物半導体膜の略垂直な方向に配向していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月22日(2017.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工業製品の設計のコンピュータ実施方法であって、前記工業製品のジオメトリ間の制約が、ノードとエッジとを含む制約のグラフを用いてモデル化され、ノードはジオメトリを表し、エッジは２つのジオメトリ間の制約を表す、コンピュータ実施方法であって、
前記製品の少なくとも１つのジオメトリを選択するステップと、
前記少なくとも１つの選択されたジオメトリを表すノードからの前記グラフの各ノードの奥行き値を計算するステップと、
１つまたは複数の相反する制約を前記グラフで識別するステップであって、相反する制約は有向エッジによって表され、開始ノードの奥行き値は終了ノードの奥行き値より大きい、ステップと、
前記識別された１つまたは複数の相反する制約を逆転するステップと、
前記少なくとも１つの選択されたジオメトリを修正するステップと、
前記選択されたジオメトリの前記修正を伝播するステップと
を含むことを特徴とするコンピュータ実施方法。
【請求項２】
前記選択されたジオメトリの前記修正の前記伝播は、前記少なくとも１つの選択されたジオメトリの前記修正に従って、制約のグラフでモデル化された前記制約に従うジオメトリを解決するステップを含み、前記解決は、前記計算された奥行き値によって規定されるシーケンス順に従って行われる、請求項１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項３】
同じ奥行き値を有するノードはグループ化され、ジオメトリ間の前記制約を解決する前記シーケンス順は、奥行き値ｎ＋１を有するノードグループに関して、
前記グループのノードを接続するエッジによって表される制約に従って前記ジオメトリを解決するステップと、
奥行き値ｎを有するノードグループのノードから、奥行き値ｎ＋１を有する前記ノードグループのノードの方に向かう制約に従って前記ジオメトリを解決するステップと
を含むことを特徴とする請求項２に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項４】
奥行き値ｎを有する前記ノードグループのジオメトリ間の制約は解決されることを特徴とする請求項３に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項５】
前記グラフの各ノードの奥行き値を計算するステップの後、最小の奥行き値を有する前記ノードから、最大の奥行値を有する前記ノードに、前記グラフの各エッジの向きを決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のコンピュータ実施方法。
【請求項６】
同じ奥行き値を有する２つのノードを接続するエッジは変更されないことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のコンピュータ実施方法。
【請求項７】
前記製品の少なくとも１つのジオメトリを選択するステップの後、少なくとも１つの基準要素を選択するステップをさらに含み、基準要素は、前記伝播するステップで修正されない前記製品のジオメトリであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のコンピュータ実施方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの選択された基準要素と、前記少なくとも１つの選択されたジオメトリは、前記グラフの最小の奥行き値と同じ奥行き値を有することを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項９】
前記選択されたジオメトリの前記修正を伝播するステップの後、前記識別された１つまたは複数の逆転済みの相反する制約の元の向きを回復するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のコンピュータ実施方法。
【請求項１０】
前記ノードによって表される前記ジオメトリは、点、線、曲線、表面、場所、立体のうちの１つであることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のコンピュータ実施方法。
【請求項１１】
請求項１から１０に記載のいずれかに記載のコンピュータ実施方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンピュータプログラムを記録したコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
メモリとグラフィカルユーザインタフェースとに結合されたプロセッサを含むシステムであって、前記メモリは、請求項１１に記載のコンピュータプログラムを記録し、前記プロセッサは、前記コンピュータプログラムに従って処理することを特徴とするシステム。