【手続補正書】
【提出日】平成30年2月28日(2018.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および第２面を有する基板に対して、前記第１面から前記第２面に対して貫通し孔内部において径が極大値を有し極小値を有しない貫通孔を形成し、
前記貫通孔の内側面に対して、第１金属層を形成し、
電解メッキ処理により前記第１金属層から第２金属層を成長させることを含み、
前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％、５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が８．０°以上である条件を満たす、貫通電極基板の製造方法。
【請求項２】
第１面および第２面を有する基板に対して、前記第１面から前記第２面に対して貫通し孔内部において径が極大値および極小値を有する貫通孔を形成し、
前記貫通孔の内側面に対して、第１金属層を形成し、
電解メッキ処理により前記第１金属層から第２金属層を成長させることを含み、
前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が４．０°以上、および前記第１面から５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度の合計値が−４．０°以下である条件を満たす、貫通電極基板の製造方法。
【請求項３】
前記基板はガラス基板である、請求項１または請求項２に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項４】
前記貫通孔を形成する処理はレーザを前記基板に照射する処理を含む、請求項３に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項５】
前記貫通孔を形成する処理は、レーザを前記第１面側から前記基板に照射する処理、レーザを前記第２面側から前記基板に照射する処理、および前記基板をエッチング液によりエッチングする処理を含む、請求項４に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１金属層を形成する処理は、前記第１面側から前記第１金属層を堆積させる処理の後に、前記第２面側から前記第１金属層を堆積させる処理を含む、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔のアスペクト比は４以上である、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項８】
第１面から第２面に対して貫通し孔内部において径が極大値を有し極小値を有しない貫通孔を含む基板と、
前記貫通孔の内部に配置された導電体と、
を備え、
前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％、５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が、８．０°以上である条件を満たす、貫通電極基板。
【請求項９】
第１面から第２面に対して貫通し孔内部において径が極大値および極小値を有する貫通孔を含む基板と、
前記貫通孔の内部に配置された導電体と、
を備え、
前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が４．０°以上、および前記第１面から５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度の合計値が−４．０°以下である条件を満たす、貫通電極基板。
【請求項１０】
前記基板は、ガラス基板である、請求項８または請求項９に記載の貫通電極基板。
【請求項１１】
前記導電体は、前記基板上に配置された第１金属層および前記第１金属層上に配置された第２金属層を含む、請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の貫通電極基板。
【請求項１２】
前記貫通孔のアスペクト比は４以上である、請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載の貫通電極基板。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれかに記載の貫通電極基板と、
前記貫通電極基板の前記導電体と電気的に接続された半導体回路基板と、
を有する半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本開示の一実施形態によると、第１面および第２面を有する基板に対して、前記第１面から前記第２面に対して貫通し孔内部において径が極大値を有し極小値を有しない貫通孔を形成し、前記貫通孔の内側面に対して、第１金属層を形成し、電解メッキ処理により前記第１金属層から第２金属層を成長させることを含み、前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％、５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が８．０°以上である条件を満たす、貫通電極基板の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本開示の一実施形態によると、第１面および第２面を有する基板に対して、前記第１面から前記第２面に対して貫通し孔内部において径が極大値および極小値を有する貫通孔を形成し、前記貫通孔の内側面に対して、第１金属層を形成し、電解メッキ処理により前記第１金属層から第２金属層を成長させることを含み、前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が４．０°以上、および前記第１面から５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度の合計値が−４．０°以下である条件を満たす、貫通電極基板の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本開示の一実施形態によると、第１面から第２面に対して貫通し孔内部において径が極大値を有し極小値を有しない貫通孔を含む基板と、前記貫通孔の内部に配置された導電体と、を備え、前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％、５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が、８．０°以上である条件を満たす、貫通電極基板が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本開示の一実施形態によると、第１面から第２面に対して貫通し孔内部において径が極大値および極小値を有する貫通孔を含む基板と、前記貫通孔の内部に配置された導電体と、を備え、前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が４．０°以上、および前記第１面から５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度の合計値が−４．０°以下である条件を満たす、貫通電極基板が提供される。