【事件の表示】
　平成　５年特許願第１０２２４４号「情報記録システムおよび情報記録方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　９月２２日出願公開、特開平　６−２６５９３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年４月２８日に出願された特許出願（優先権主張　平成４年１０月２６日、平成５年１月１４日）であって、原審において、平成１４年７月２日付で拒絶査定がなされたところ、同年８月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月１１日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
　　
「【請求項１】　電極層上に光導電層を積層してなる光センサーと、電極層上に電界または電荷により情報記録が可能な情報記録層を積層してなる情報記録媒体とが対向させて配置され、両電極間に電圧を印加した状態での情報露光により情報記録媒体への情報記録を可能とする情報記録システムであって、光センサーにおける光導電層は電圧印加状態での情報露光時において、未露光部での通過電流が、１０５Ｖ／ｃｍ〜１０６Ｖ／ｃｍの電界が与えられた状態で、１０−４Ａ／ｃｍ２ 〜１０−８Ａ／ｃｍ２ であり、光センサーの露光部においては、情報露光を遮断した後でも電圧印加を継続した状態で導電性を維持し、未露光部よりも大きな電流が継続して流れる光センサーを有し、スメックチック液晶とネマチック液晶とを混合したメモリー性液晶を情報記録層とした情報記録媒体に対して情報記録を行うことを特徴とする情報記録システム。」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５１−３２３４５号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
　ａ．「１より大きな光電利得を得るには、オーム接触例えば金属と光導電体との界面に電荷貯蔵所を設けることが必要であると一般に考えられている。さらに、光導電体に対するブロツキング接触、例えば金属と光導電体との界面にシヨツトキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）エネルギー障壁を有する非オーム接触を用いると１より大きな光電利得が得られないと考えられている。この事実に関しては、例えば１９７３年１月発行のＲ．Ｒ．メータ（ｍｅｈｔａ）およびＢ．Ｓ．シャーマ（ｓｈａｒｍａ）のＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４４，Ｎｏ．１に記載されている「接点におけるシヨツトキー障壁を用いたＣｄＳｅフィルムにおける１以上の光電利得（Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｇａｉｎ　ｇｒｅａｔｅｒ　ｔｈａｎ　Ｕｎｉｔｙ　ｉｎ　ＣｄＳｅ　Ｆｉｌｍｓ　ｗｉｔｈ　Ｓｃｈｏｔｔｋｙ　Ｂａｒｒｌｅｒｓ　ａｔ　ｔｈｅ　Ｃｏｎｔａｃｔｓ）」を参照されたい。この論文によれば、その著者らは光導電体に接触した金の電極を用いて１より高い光電利得を得ることに成功した。この場合には電極と光導電体との間でシヨツトキー・エネルギー障壁を得るには金接点は非抵抗性であり、また使用した放射線は光導電体のバンドギヤツプをもつ放射線であった。
更に金電極と光導電体との間にはことさら絶縁層を挿入しなかった
　ｂ．「従って本発明の目的は利得光電流を得るための新しいシステムを提供することである。・・・・
 本発明のこれらの目的およびその他の目的は、本発明によれば、光導電性層と接触して故意に絶縁層を設けることによって達成される。これらの光導電性層と絶縁層との厚みの比は少なくとも約１０：１とし、これら両者を二つの電極間にはさみ、これに電界を与えて活性化光線により該光導電性層に衝撃を加える。利得光電流または二次電流がこうして生じるが、これは一次電流より何倍も大きい。」（４頁左上欄１１行〜同頁右上欄１０行）
　ｃ．「例ＶＩ
　　例Ｉと同様にして例ＩＩＩの金電極を有し、厚み約１００Åのフエノキシ絶縁層と厚み約８ミクロンの三セレン化ヒ素光導電性層とを有する利得光電流装置を作る。与える電場は約１．５×１０５Ｖ／ｃｍ、励起光線の波長は約４９８ｎｍである。一次電流および利得光電流を種々の励起光線光束の関数として測定した。得られたデータの代表的なものを次に示す。すなわち光束約１０１２光量子／ｃｍ２−ｓｅｃにおいて測定される一次電流は約１．３×１０−７ａｍｐｓ／ｃｍ２、利得光電流は約１．８×１０−６ａｍｐｓ／ｃｍ２であり；光束約８×１０１２光量子／ｃｍ２−ｓｅｃにおいて測定される一次電流は約９×１０−７ａｍｐｓ／ｃｍ２、利得光電流は約６．５×１０−６ａｍｐｓ／ｃｍ２であり、光束約１．６×１０１３光量子／ｃｍ２−ｓｅｃにおいて測定される一次電流は約１．５×１０−６ａｍｐｓ／ｃｍ２、利得光電流は約１．８×１０−６ａｍｐｓ／ｃｍ２である。」（１１頁右下欄９行〜１２頁左上欄５行）
　ｄ．「例ＩＸ
　　例Ｉと同様にして第３図の素子を作る。この素子は例ＶＩＩＩの酸化インジウム被覆を有する電極からなり、これはさらに厚み約１００Åのフエノキシ絶縁層からなるオーバー・コーチングを有し、このフエノキシ絶縁層にはさらに厚み約８．５ミクロンの三セレン化ヒ素光導電性層を被覆してある。この光導電性層と向かい合わせて酸化インジウムのコーチングを有する電導性ガラスを配し、そのエアギヤツプを約１３μｍとする。次にこのエアギヤツプにコレステリツク液晶をつめ、エポキシ樹脂で密封する。」（１３頁左上欄１〜１２行）
　ｅ．「約１００ボルトの電圧をこの装置に与え、第二の電極を電圧源の陰端子に電気的に接続し、第一の酸化インジウム・コーチングを有する電極を該電圧源の陽端子に接続する。電圧源はＤ．Ｃ。電圧である。液晶層に用いたコレステリツク液晶組成物は・・・とから成るものである。この素子の作用面積は約４ｃｍ２である。
　約５４５ｎｍの波長と約９．２×１０１３光量子／ｃｍ２−ｓｅｃの光束とを有する励起光線を用い、この光線を酸化インジウム・コーチングを有する素子のフエノキシ側に入射させる。電圧を加えてから約２０秒の間隔をおいて約１４ｍｓｅｃパルスの露光を行い各露光時における電流を測定する。第一の露光パルスにより約１３．５×１０−６ａｍｐｓのピーク電流が生じ、約１００ｍｓｅｃ内で約０．１×１０−６ａｍｐｓ以下の暗電流レベルに戻る。第二・第三および第四パルスによっては重要な変化は生じない。しかし第五励起パルスにおいては光励起後暗電流が始まり、約０．１×１０−６ａｍｐｓ以下のレベルに戻る前にある程度その大きさが増加することを示す。第六励起パルスにより暗電流期間およびマグニチユードに重大な増加がみられる。」（１３頁左上欄１３行〜同頁右上欄１６行）
との事項が開示されていると認めることができる（以下、「引用例１発明」という。）。
　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを以下に対比する。
（１）層構成について
　引用例１発明の「酸化インジウム被覆を有する電極」、「三セレン化ヒ素光導電性層」、「コレステリツク液晶層」、「酸化インジウムのコーチングを有する電導性ガラス」は、各々本願発明の「光導電層が積層される電極層」、「光導電層」、「情報記録層」、「情報記録層が積層される電極層」に相当し、また、引用例１発明の「酸化インジウム被覆を有する電極」及び「三セレン化ヒ素光導電性層」からなる層は、本願発明の「光センサー」に相当することは明らかである。
（２）電界強度および通過電流について
　本願発明の光センサーは、未露光部での通過電流が、１０５Ｖ／ｃｍ〜１０６Ｖ／ｃｍの電界が与えられた状態で、１０−４Ａ／ｃｍ２ 〜１０−８Ａ／ｃｍ２ である。
　かかる電界強度および通過電流について、本願明細書の段落【００５２】には、
「そのため、例えば光センサーの未露光部の液晶層にかかる暗電位は液晶の動作開始電位程度に設定する必要がある。そのために光センサーバルクに１０５Ｖ／ｃｍ〜１０６Ｖ／ｃｍの電界が与えられた状態で１０−４ 〜１０−８Ａ／ｃｍ２ の暗電流が生じる程度の導電性が要求され、・・・。暗電流が１０−８Ａ／ｃｍ２ 以下の光センサーでは液晶層が露光状態でも配向せず、また１０−４Ａ／ｃｍ２ 以上の暗電流の光センサーでは未露光状態でも電圧印加と同時に電流が多く流れ、液晶が配向し露光したとしても露光による透過率の差が得られない。・・・。」
と記載されており、これに照らせば、本願発明の光センサーの通過電流は、上記暗電流であることが明らかである。
　他方、引用例１発明には、上記ｃ．に、金電極と、フエノキシ絶縁層と、三セレン化ヒ素光導電性層とを有する利得光電流装置（本願発明の光センサーに相当）に、１．５×１０５Ｖ／ｃｍの電場を与え、異なる強度の光に曝したときの一次電流がそれぞれ、１．３×１０−７ａｍｐｓ／ｃｍ２、９×１０−７ａｍｐｓ／ｃｍ２、１．５×１０−６ａｍｐｓ／ｃｍ２、と記載されており、一次電流の値が大凡１０−６ 〜１０−７ａｍｐｓ／ｃｍ２の範囲であることが理解できる。
　ここで一次電流は、上記ｅ．にも記載されているように暗電流のことであるから、結局、引用例１発明の光センサーの電界強度および通過電流の値は、本願発明の光センサーの電界強度および通過電流値の範囲内であることが明らかである。
（３）情報露光を遮断した後でも光センサーの露光部に未露光部よりも大きな電流が継続して流れることについて
　上記ｅ．には、
「約５４５ｎｍの波長と約９．２×１０１３光量子／ｃｍ２−ｓｅｃの光束とを有する励起光線を用い、この光線を酸化インジウム・コーチングを有する素子のフエノキシ側に入射させる。電圧を加えてから約２０秒の間隔をおいて約１４ｍｓｅｃパルスの露光を行い各露光時における電流を測定する。第一の露光パルスにより約１３．５×１０−６ａｍｐｓのピーク電流が生じ、約１００ｍｓｅｃ内で約０．１×１０−６ａｍｐｓ以下の暗電流レベルに戻る。第二・第三および第四パルスによっては重要な変化は生じない。しかし第五励起パルスにおいては光励起後暗電流が始まり、約０．１×１０−６ａｍｐｓ以下のレベルに戻る前にある程度その大きさが増加することを示す。第六励起パルスにより暗電流期間およびマグニチユードに重大な増加がみられる。」
と記載されており、これによれば、露光パルス回数が増えるに伴い、露光後に暗電流レべルまで、電流値が戻る期間が延びる傾向にあることが理解できるから、引用例１発明には、本願発明の「光センサーの露光部においては、情報露光を遮断した後でも電圧印加を継続した状態で導電性を維持し、未露光部よりも大きな電流が継続して流れる光センサーを有し」なる事項が記載されているといえる。
　
　したがって両者は、
「電極層上に光導電層を積層してなる光センサーと、電極層上に電界または電荷により情報記録が可能な情報記録層を積層してなる情報記録媒体とが対向させて配置され、両電極間に電圧を印加した状態での情報露光により情報記録媒体への情報記録を可能とする情報記録システムであって、光センサーにおける光導電層は電圧印加状態での情報露光時において、未露光部での通過電流が、１．５×１０５Ｖ／ｃｍの電界が与えられた状態で、１０−６Ａ／ｃｍ２ 〜１０−７Ａ／ｃｍ２ であり、光センサーの露光部においては、情報露光を遮断した後でも電圧印加を継続した状態で導電性を維持し、未露光部よりも大きな電流が継続して流れる光センサーを有する情報記録システム。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点］本願発明の情報記録層は、「スメックチック液晶とネマチック液晶とを混合したメモリー性液晶」であるのに対し、引用例１発明の情報記録層は、コレステリツク液晶であって、両者の液晶の種類が異なる点。
　
４．判断               
　この種の情報記録システムの情報記録層に「スメックチック液晶とネマチック液晶とを混合したメモリー性液晶」を用いることは従来周知の技術事項（特開平４−７０８０９号公報（２頁右下欄１〜４行）、特開平４−７０８６４号公報（２頁右下欄５〜９行）等参照）にすぎず、引用例１発明において情報記録層のコレステリツク液晶に換えて上記周知技術を採用するについて特段の阻害要因もないから、本願発明の相違点に係る事項は、引用例１に記載された発明および周知技術に基づき当業者が容易に想到し得たことである。
　なお、請求人は、本願発明は、引用例１発明のように光センサーの電極と光導電層との間に絶縁層を設けることを要しないから、その点で引用例１発明と相違する旨主張しているが、本願明細書には、
「【００５１】次に、単層型センサー、積層型センサーにおける電荷注入制御層について説明する。電荷注入制御層は必要に応じて電極１３と光導電層１４・・・間に設けられるもので、光センサーにおける電極１３から光導電層１４・・・への電荷注入性を制御して情報記録媒体に実質的に印加される電圧を調整するために設けられるものである。・・・。
【００５２】・・・電荷注入制御層は、このような情報記録媒体の特性との関係で適宜設けられる。
【００５３】光センサーにおける暗電位を低く抑えることが必要な場合には、電荷注入制御層は電荷注入防止性を有する層とされる。・・・。
【００５４】このような電荷注入性を一定程度防止する層は、例えば無機絶縁性膜、
有機絶縁性高分子膜
　さらに付言すると、絶縁層を有さない光センサーの構成も周知（引用例１の従来例の記載（上記ａ．）、特開平３−１０７８１８号公報（第１図、および２頁右下欄７〜１０行）、特開平３−２２１９１９号公報（図面、および３頁右下欄４〜７行）等参照）であって、絶縁層を設けるか否かは適宜設計しうる程度のことにすぎないから、いずれにしても請求人の上記主張を採用することができない。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　よって、結論のとおり審決する。