【事件の表示】
　特願２０００−１３９３５７「集積回路チップおよび平面化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１２月２６日出願公開、特開２０００−３５７６７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１２年５月１２日（パリ条約による優先権主張１９９９年５月１４日、アメリカ合衆国）の特許出願であって、同１４年５月２２日付けで拒絶の理由が通知され、同１４年８月２２日に意見書とともに手続補正書が提出されたが、同１４年１０月１０日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１５年１月８日に本件審判の請求がされるとともに手続補正（以下、「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は特許請求の範囲について補正するものであって、補正前後の特許請求の範囲の請求項１の記載は以下のとおりである。
（１）補正前の請求項１
「ダマシーン配線層の過剰な金属を化学的機械的研磨し、
　前記研磨によって引き起こされた、少なくとも１つの、疵又はへこみからなる表面形状の不規則部を含むところのダマシーン配線層の表面を、研磨停止層によって、前記研磨停止層の表面が前記不規則部を含むようにして覆い、
　前記研磨停止層の上に、前記表面形状の不規則部の深さよりも大きな厚さを有する充填材層を付着し、
　前記充填材層を前記停止層まで下方に選択的に研磨することからなる、
ダマシーン配線層表面を平面化する方法。」
（２）補正後の請求項１
「ダマシーン配線層の過剰な金属を化学的機械的研磨し、
　前記研磨によって引き起こされた、少なくとも１つの、疵又はへこみからなる表面形状の不規則部を含むところのダマシーン配線層の表面を、研磨停止層によって、前記研磨停止層の表面が前記不規則部を含むようにして覆い、
　前記研磨停止層の上に、前記表面形状の不規則部の深さよりも大きな厚さを有する充填材層を付着し、
　前記充填材層を前記停止層まで下方に選択的に研磨することからなり、
前記研磨後に前記充填材層が前記表面形状の不規則部の中にのみ残る、
２　補正の適否　　　
　請求項１における補正は、充填材層について、研磨後に表面形状の不規則部の中にのみ残る旨の限定事項を付加するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるので、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、前記１の（２）の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
（２）周知技術及び引用例記載事項
ア　周知技術
　ダマシーン配線層の過剰な金属の化学的機械的研磨によって引き起こされるダマシーン配線層の表面のへこみからなる表面形状の不規則部に対し、この不規則部が引き起こされるのを防止するダマシーン配線層表面を平面化する方法は、例えば、特開平９−１４８３２９号公報（研磨ストップ部８を設けること参照。）、特開平１０−１０６９８３号公報（化学的なエッチングを阻止する被膜を形成する工程参照。）等に記載されているように、従来周知である（以下、この従来周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法を、「周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法」という。）。
イ　引用例記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され本件出願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−６４０３６号公報（以下「引用例」という。）の第８欄第１９行−第９欄第４８行には、以下のとおり記載されている。
「【００２５】次に、図４（１）〜（４）は、請求項５記載の半導体装置の製造方法の一例を示す図であり、以下にこれらの図面を用いて第３の実施形態を説明する。なお、上記図１及び図２で示した構成部品と同一の構成部品には同一の符号を付し、重複する工程の説明は省略する。ここで説明する第３の実施形態と、上記で説明した第１及び第２の実施形態との異なる点は、図４（１）に示す第１工程と図４（３）に示す第３工程との間の図４（２）に示す第２工程で、第１絶縁膜１４上にストッパ層４１を形成する工程を行い、その後図４（４）に示す第４工程でこのストッパ層４１が露出するまで第２絶縁膜１５を研磨する点にある。
【００２６】すなわち、この第３の実施形態では、図４（１）に示す第１工程を上記第１の実施形態の第１工程と同様に行う。この際、基板１１上に形成する第１絶縁膜１４としては、上記第１及び第２の実施形態で示した酸化フッ化シリコンの他に、例えば、下記（ａ）に示す有機ＳＯＧ，（ｂ）に示すポリイミド，（ｃ）に示すフッ素を含有するポリイミドやその他（ｄ）〜（ｈ）の各化学構造式に示す材料のうちから選択した材料を用いる。また、この他にも、酸化シリコンよりも誘電率の低い絶縁性材料であれば、上記各化合物材料に限定することなく第１絶縁膜１として用いることができる。
・・・
その後、図４（２）に示す第２工程では、第１絶縁膜１４上に絶縁性材料からなるストッパ層４１を形成する。このストッパ層４１には、例えば酸化シリコンや窒化シリコンを用いる。
【００２７】次に、図４（３）に示す第３工程では、ストッパ層４１上に、当該ストッパ層４１よりも研磨速度が早い第２絶縁膜１５を、配線１２の高さｔ２ よりも大きい膜厚ｔ５ に形成する。この第２絶縁膜１５には、例えば不純物を含有する酸化シリコンが用いられる。
【００２８】次に、図４（３）に示す第４工程では、研磨法によって、配線１２上のストッパ層４１が露出するまで第２絶縁膜１５を研磨する。上記研磨条件は、例えば上記図１（３）で説明したと同様に行い、ストッパ層４１の下方に成膜された第１絶縁膜１４に研磨の影響を及ぼすことなく平坦化絶縁膜４２を形成する。」
　また、上記記載事項及び図４より、第２絶縁膜１５は、半導体装置の製造過程によって引き起こされた表面形状の不規則部であるへこみを充填するものであるので、充填材層であることが明らかである。
　以上のとおりであるので、引用例には、次の事項が記載されていると認める。
「半導体装置の製造過程によって引き起こされたへこみからなる表面形状の不規則部を含む第１絶縁膜１４の表面を、ストッパ層４１によって、ストッパ層４１の表面が不規則部を含むようにして覆い、前記ストッパ層４１の上に、前記表面形状の不規則部の深さよりも大きな厚さを有する第２絶縁膜１５である充填材層を付着し、前記充填材層を前記ストッパ層４１まで下方に選択的に研磨することからなり、前記研磨後に前記充填材層が前記表面形状の不規則部の中にのみ残る半導体装置の表面を平面化する方法」（以下、「引用例記載の技術的事項」という。）。
（３）対比
　補正発明と周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法とを対比すると、前者では、研磨によって引き起こされたダマシーン配線層の表面形状の不規則部を平面化しているのに対し、後者では、そのような不規則部が研磨によって引き起こされないようにしているものであり、平面化の手段が相違しているが、ダマシーン配線層の過剰な金属の化学的機械的研磨によって引き起こされるダマシーン配線層の表面のへこみからなる表面形状の不規則部に対処する手段を講じていることに限り、両者は一致している。
　したがって、両者は、ダマシーン配線層の過剰な金属の化学的機械的研磨によって引き起こされるダマシーン配線層の表面のへこみからなる表面形状の不規則部に対処する手段を講じたダマシーン配線層表面を平面化する方法で一致している。
　そして、ダマシーン配線層の過剰な金属の化学的機械的研磨によって引き起こされるダマシーン配線層の表面のへこみからなる表面形状の不規則部に対処する手段が、補正発明では、「ダマシーン配線層の過剰な金属を化学的機械的研磨し、前記研磨によって引き起こされた、へこみからなる表面形状の不規則部を含むところのダマシーン配線層の表面を、研磨停止層によって、前記研磨停止層の表面が前記不規則部を含むようにして覆い、前記研磨停止層の上に、前記表面形状の不規則部の深さよりも大きな厚さを有する充填材層を付着し、前記充填材層を前記停止層まで下方に選択的に研磨することからなり、前記研磨後に前記充填材層が前記表面形状の不規則部の中にのみ残る」ようにするものであるのに対し、周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法では、上記研磨によって引き起こされた不規則部を平面化するのではなく、この不規則部が引き起こされるのを防止するものである点（以下、「相違点」という。）で、両者は相違している。
（４）相違点の検討
　前記引用例には、前記（２）のイのとおりの引用例記載の技術的事項が記載されており、この引用例記載の技術的事項と周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法とは、ともに半導体装置の表面を平面化する技術に関するものである。
　また、引用例記載の技術的事項は、絶縁膜の表面形状の不規則部を平面化するものであるが、この平面化の技術を配線層の表面形状の不規則部に採用することを阻害する要因も見当たらない。
　したがって、周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法において、ダマシーン配線層の過剰な金属の化学的機械的研磨によって引き起こされるダマシーン配線層の表面のへこみからなる表面形状の不規則部に対処する手段として、この不規則部が引き起こされるのを防止することに代えて引き起こされた不規則部を平面化する引用例記載の技術的事項を採用し、相違点における補正発明のように発明事項を特定することは、当業者が容易に想到することができたことである。
　また、補正発明が奏する作用効果は、周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法及び引用例記載の技術的事項から当業者が予測できる程度のものであって格別のものではない。
　以上のとおりであるので、補正発明は、周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法及び引用例記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
  
第３　本件発明について 
１　本件発明
　本件補正は、前記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１乃至７に係る発明は、平成１４年８月２２日付け手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、前記第２の１の（１）の補正前の請求項１に示したとおりである。
２　周知技術及び引用例記載事項
　周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法及び原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記第２の２の（２）に示したとおりである。
３　対比・判断
　本件発明は、前記第２の２に示したとおり、補正発明の発明特定事項から前記限定事項を省いたものである。
　そうすると、本件発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項である前記限定事項を付加したものに相当する補正発明が、前記第２の２の（４）で検討したとおり、周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法及び引用例記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も、同様の理由により、周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法及び引用例記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおりであるので、本件発明は、周知のダマシーン配線層表面を平面化する方法及び引用例記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願の請求項２乃至７に係る発明について判断するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。