【事件の表示】
　平成１１年特許願第１１６７１２号「薄膜磁気ヘッド及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月３０日出願公開、特開２０００−１８２２２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年４月２３日（優先権主張平成１０年１０月８日）の出願であって、平成１３年１２月２１日付けで手続補正がなされ、その後平成１４年１月１６日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１４年２月２１日に審判請求がされるとともに、平成１４年３月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１４年３月２５日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年３月２５日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前の
　（ａ）　「【請求項１】　下部シールド層及びその上の下部ギャップ層と、この下部ギャップ層上に形成されて、磁気抵抗効果を発揮する多層膜及び前記多層膜に導通する電極層を有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上に上部ギャップ層を介して形成された上部シールド層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記下部シールド層の表面にトラック幅方向に間隔を開けて凹部が形成され、前記凹部内に、表面が前記下部シールド層の表面と同一面となる一層の絶縁層が形成されて、前記下部ギャップ層は、前記下部シールド層の表面と前記絶縁層の表面上に積層されており、前記絶縁層と前記下部ギャップ層の上層に前記電極層が形成され、前記凹部と凹部とで挟まれた位置で前記下部ギャップ層上に前記磁気抵抗効果素子が配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」を、
　（ｂ）　「【請求項１】　下部シールド層及びその上の下部ギャップ層と、この下部ギャップ層上に形成されて、磁気抵抗効果を発揮する多層膜及び前記多層膜に導通する電極層を有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上に上部ギャップ層を介して形成された上部シールド層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記下部シールド層の表面にトラック幅方向に間隔を開けて凹部が形成され、前記凹部内に、
スパッタ法で成膜された
前記絶縁層の表面は前記下部シールド層の表面と同一面であり
　本件補正について検討すると、補正前の請求項１に記載された発明の「絶縁層」について、「表面が前記下部シールド層の表面と同一面となる一層の絶縁層が形成されて」を「
スパッタ法で成膜された
前記絶縁層の表面は前記下部シールド層の表面と同一面であり
　そこで、補正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−１３８２１３号公報（以下「引用例１」という。）には、磁気抵抗効果型ヘッドに関し、次の事項が記載されている。
（ア）　「【請求項１】基板と、該基板上に設けられた下部磁気シールド膜と、該下部磁気シールド膜上の感磁部領域に絶縁膜を介して設けられた磁気抵抗センサ膜と、この磁気抵抗センサ膜の側面に接続された通電用電極膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上記磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さが、上記電極膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さより薄いことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
　　　【請求項２】請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上記下部磁気シールド膜は、上記感磁部領域に凸部を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。」（公報特許請求の範囲の請求項１，２）
（イ）　「【０００４】【発明が解決しようとする課題】磁気記録の分野では、今後益々面記録密度を向上させて行くことが必要であるが、面記録密度を向上させるためにはトラック密度に加えて線記録密度も大幅に向上させて行くことが必要である。そのためにはＭＲヘッドのギャップ長、すなわち感磁部領域（磁気抵抗センサ膜の動作領域）の下部シールド膜と上部シールド膜の間隔を小さくする必要がある。」
（ウ）　「【００１０】【作用】感磁部領域の磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さを薄くすれば、下部シールド膜と上部シールド膜の間隔を薄くすることができ、高密度記録に対応できる。一方、電極膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さは、上記感磁部領域の絶縁膜の厚さより厚くすることによって、電極膜と下部磁気シールド膜との安定した絶縁性を確保することができる。」
（エ）　「【００１１】【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
　　〈実施例１〉　図１は本発明の第１の実施例のＭＲヘッドの媒体対抗面（浮上面）の素子部構造図、図２及び図３はその製造工程を示すための部分構造図である。基板１０上に、下地膜１１、厚さ２μｍの下部シールド膜１２を形成し、下部シールド膜１２の一部、すなわち、後に形成する磁気抵抗センサ膜１の領域以外の部分を膜厚が薄くなるように、イオンミリングにより約０．５μｍエッチングする。ここで形成された下部シールド膜１２の凸部の幅は２μｍであり、記録媒体のトラック幅に対応する。（後略）
　　　【００１２】続いて図２に示すように、厚さ０．１μｍの第１の絶縁膜１３及び厚さ約１μｍの第２の絶縁膜１７を形成し、ポリシング加工によって、図３に示すように第１の絶縁膜１３が露出し、概略平坦面が得られるまで加工する。（中略）ここで、第１の絶縁膜１３には硬質でポリシング加工で加工され難いカーボン絶縁膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）、第２の絶縁膜１７にはＡｌ２Ｏ３を用いたが、第２の絶縁膜１７にはＳｉＯ２等を用いてもよい。
　　　【００１３】図４及び図５はこの平坦面を形成する上での別のやり方を示した部分構造図であり、この場合には第１の絶縁膜１３が一部加工されて薄くなった状態又は加工されてなくなった状態から、再度第１の絶縁膜に相当する絶縁膜２７を形成するもので機能的には図３に示す構造と同じである。
　　　【００１４】この後、図１に示す磁気抵抗センサ膜１を形成するが、この磁気抵抗センサ膜１は、図６に示す部分構造図のように３層以上の膜からなっている。（後略）
　　　【００１５】次に、図６に示すようなマスク材となるステンシル３１を下部シールド膜１２の膜厚が厚いところに位置合わせしてフォトレジストで形成し、イオンミリングによってソフトバイアス膜１４、分離膜１５、ＭＲ膜１６の３層をエッチングする。（後略）
　　　【００１６】続いてこの状態から、ステンシル３１を残したまま、図７に示すように、ＭＲ膜１６に縦バイアスを印加するための縦バイアス膜１８と電極膜１９を連続積層する。（中略）形成法は金属膜被着粒子の回り込みの大きな通常のスパッタ法で形成する。いずれの方法で製造しても、本実施例では、磁気抵抗センサ膜と縦バイアス膜の下層面は実質的に平坦となっている。
　　　【００１７】この後、ステンシル３１を除去すると図８に示す形状が得られる。この後図９に示すように上部ギャップ膜２０、下部シールド膜と同じ材質の上部シールド膜２１を形成し、図１に示すライトギャップ膜２２、コイル（図示せず）、層間絶縁膜（図示せず）、ライトコア２５、保護膜２６、端子（図示せず）等を形成してＭＲヘッドを完成させる。（後略）」
（オ）　図５には、下部シールド膜の凸部以外の領域に形成されている第１の絶縁膜１３と第２の絶縁膜１７の、第２の絶縁膜１７の表面と、下部シールド膜の凸部の領域にある第１の絶縁膜１３の表面とは、平坦化され略同一面であり、当該平坦化された面の上に絶縁膜２７が形成されていることが図示されている。
　
３．対比判断
（１）対比
　補正後の発明と引用例１に記載された発明とを対比する。
　上記２で摘示した記載事項、特に（ア）（エ）によれば、引用例１には、
　「基板と、該基板上に設けられた下部磁気シールド膜と、該下部磁気シールド膜上の感磁部領域に絶縁膜を介して設けられた磁気抵抗センサ膜と、この磁気抵抗センサ膜の側面に接続された通電用電極膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上記磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さが、上記電極膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さより薄く、
　上記下部磁気シールド膜は、上記感磁部領域に凸部を有し、
　磁気抵抗センサ膜の上に、上部ギャップ膜、上部シールド膜が形成された磁気抵抗効果型ヘッド。」
　の発明が記載されている。
　
　引用例１に記載された発明の「磁気抵抗効果型ヘッド」は、薄膜で形成されているので、補正後の発明の「薄膜磁気ヘッド」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「下部磁気シールド膜」「磁気抵抗センサ膜」「通電用電極膜」「上部ギャップ膜」「上部シールド膜」は、それぞれ補正後の発明の「下部シールド層」「磁気抵抗効果を発揮する多層膜」「電極層」「上部ギャップ層」「上部シールド層」に相当している。
　引用例１に記載された発明の「磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁層」は、補正後の発明の「下部ギャップ層」に相当している。
　引用例１に記載された発明は、「感磁部領域に絶縁膜を介して設けられた磁気抵抗センサ膜と、この磁気抵抗センサ膜の側面に接続された通電用電極膜を有する」ので、補正後の発明の「磁気抵抗効果を発揮する多層膜及び前記多層膜に導通する電極層を有する磁気抵抗効果素子」に相当する構成を備えている。
　引用例１に記載された発明の「下部磁気シールド膜」は、「感磁部領域に凸部を有し」、この凸部は、下部磁気シールド膜の一部、すなわち、後に形成する磁気抵抗センサ膜１の領域以外の部分を膜厚が薄くなるように、イオンミリングにより形成されたものである（上記（エ）段落１１参照）から、実質的に、膜厚が薄い箇所は凹部が形成されていることに他ならず、また、凸部の幅は記録媒体のトラック幅に対応する（同段落１１参照）ので、引用例１に記載された発明は、「下部シールド層の表面にトラック幅方向に間隔を開けて凹部が形成され」ている構成を備えている。
　引用例１に記載された発明では、「磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さが、上記電極膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さより薄く」する具体例として、第１の絶縁膜１３及び第２の絶縁膜１７を形成し、概略平坦面が得られるまで加工し、（上記（エ）段落１２参照）、第１の絶縁膜１３が加工されてなくなった状態から、再度第１の絶縁膜に相当する絶縁膜２７を形成する構造（上記（エ）段落１３参照、（オ）参照）が示されている。ここで、引用例１に記載された発明の「磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁層」である「絶縁膜２７」は、補正後の発明の「下部ギャップ層」に相当している。また、引用例１に記載された発明の「電極膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜」である、「第１の絶縁膜１３及び第２の絶縁膜１７」及び「絶縁膜２７」のうちの、「第１の絶縁膜１３及び第２の絶縁膜１７」は、補正後の発明の「絶縁層」に相当している。よって、引用例１に記載された発明は、「絶縁層の表面は下部シールド層の表面と同一面であり」、「下部ギャップ層は、下部シールド層の表面と絶縁層の表面上に積層され」、「絶縁層と下部ギャップ層の上層に電極層が形成され」、及び「凹部と凹部とで挟まれた位置で下部ギャップ層上に前記磁気抵抗効果素子が配置されている」構成を備えている。
　
　よって、補正後の発明と引用例１に記載された発明は、
　「下部シールド層及びその上の下部ギャップ層と、この下部ギャップ層上に形成されて、磁気抵抗効果を発揮する多層膜及び前記多層膜に導通する電極層を有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上に上部ギャップ層を介して形成された上部シールド層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
　前記下部シールド層の表面にトラック幅方向に間隔を開けて凹部が形成され、前記凹部内に、絶縁層が形成され、前記絶縁層の表面は前記下部シールド層の表面と同一面であり、前記下部ギャップ層は、前記下部シールド層の表面と前記絶縁層の表面上に積層されており、前記絶縁層と前記下部ギャップ層の上層に前記電極層が形成され、前記凹部と凹部とで挟まれた位置で前記下部ギャップ層上に前記磁気抵抗効果素子が配置されている薄膜磁気ヘッド。」
　である点で共通し、以下の点で相違している。
　（相違点）　「絶縁層」について、補正後の発明は、「スパッタ法で成膜された一層の」と特定しているのに対し、引用例１に記載された発明は、そのような特定のない点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
  引用例１に記載された発明では、「絶縁層」が「第１の絶縁膜１３及び第２の絶縁膜１７」の二層からなるものが具体例であるが、これを一層ですませることは当業者が適宜なし得ることである。すなわち、引用例１において、二層であることが必須ではないことは、引用例１の特許請求の範囲において特定していないことからも明らかであり、また、引用例１において、「電極膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さ」が「絶縁膜（１３と１７）（補正後の発明の「絶縁層」に相当）と絶縁膜２７（補正後の発明の「下部ギャップ層」に相当）」で構成されていることで、この厚さより、「磁気抵抗センサ膜と下部磁気シールド膜の間の絶縁膜の厚さ」（具体的には、絶縁膜２７）を薄くすることを特徴とするものであり、絶縁膜（１３と１７）を一層にすることに特に阻害要因はないからである。
　補正後の発明では、「絶縁層」を、「スパッタ法で成膜された」と特定しているが、引用例１において特定されていない、周知の薄膜形成法（蒸着法やスパッタ法等）で成膜された絶縁層と比較して、「絶縁層」であることに何ら異なるところはないので、物の発明として、実質的な相違点とならないものである。
　さらに、仮に、「スパッタ法で成膜された」という成膜法をも考慮することとして検討しても、絶縁層をスパッタで成膜して凹部（絶縁膜や磁気抵抗センサ膜の存在しない部分）に絶縁層を形成することは、引用例１の第２実施例として図１３に記載されていることからも、周知の成膜法にすぎないので、引用例１に記載された発明において、「絶縁層」を「スパッタ法で成膜された一層」のものとすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　そして、補正後の発明の効果は、引用例１に記載された発明及び上記周知の事項から、当業者であれば予測することができる程度のものにすぎず、格別顕著なものではない。
　請求人は、請求の理由で、引用例１に記載された発明では、平坦化するためにポリッシングが必須であり、下部シールド層の両側領域の凹部をスパッタ法によって成膜された１層の絶縁膜で埋めるという発想は想到しづらいと主張している。しかしながら、ポリッシングを必要とせずに、平坦化をスパッタ法による成膜で実現できることは、周知の事項である。例えば、特開平４−１２３３０７号公報（第２図）や特開平７−１５３０３５号公報（図３）等を参照されたい。してみれば、スパッタ法により絶縁層を成膜することが平坦化において有利であることも上記のとおり周知の事項であるから、請求人の主張は採用することができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、補正後の発明は、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第４項の規定に違反するから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１４年３月２５日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１３年１２月２１日付け手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】上記「第２の１の（ａ）」のとおり。」
　
１．引用例
　原審の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、上記「第２の２」に記載されたとおりである。
　
２．対比判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した補正後の発明の「絶縁層」の限定事項である「
スパッタ法で成膜された
前記絶縁層の表面は前記下部シールド層の表面と同一面であり
スパッタ法で成膜された
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後の発明が、上記「第２の３」に記載したとおり、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　　
３．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。他の請求項を検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。