【事件の表示】
　平成　７年特許願第１５８８３５号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　１月１０日出願公開、特開平　９−　　８０３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
一．手続の経緯
　本願は、平成　７年　６月２６日の出願であって、審判請求後の当審で以下の手続きがなされた。
　拒絶理由通知　　　　　平成１６年　８月１０日（発送日）
　意見書提出　　　　　　平成１６年１０月　８日
　手続補正書提出　　　　平成１６年１０月　８日
　　
二．上記拒絶理由の理由４ （特許法第２９条第２項）につき、以下のとおり検討する。
１．本願発明について
　本願の請求項１乃至７に係る発明は、平成１６年１０月８日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　半導体基板上に設けられ、溝パターンを備えた絶縁層と、化学的機械研磨法にて前記溝パターン内に埋め込まれた導電材料からなる配線を有する半導体装置において、
　前記溝パターン内には、前記溝パターンの底面から前記配線の上面に達する高さを有する該絶縁層からなる複数の島パターンが１μｍ以下の範囲内で互いに離間して配置されていることを特徴とする半導体装置。」（以下、「本願発明１」という。）
　
「【請求項２】　半導体基板上に設けられ、溝パターンを備えた絶縁層と、化学的機械研磨法にて前記溝パターン内に埋め込まれた導電材料からなる配線とを有する半導体装置において、
　前記溝パターン内には、該溝パターンを定義する前記絶縁層のエッジから１μｍ以下の範囲内で離間して配置されるとともに、前記配線の上面にて露出する高さを有した絶縁材料より形成される複数の島パターンが１μｍ以下の範囲内で互いに離間して配置されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】　請求項２記載の半導体装置において、
　前記島パターンの高さは、前記溝パターンの底面から前記絶縁層の上面に達する高さであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】　半導体基板と、
　前記半導体基板上に設けられ、第１溝パターンを備えた第１絶縁層と、
　化学的機械研磨法にて前記第１溝パターン内に埋め込まれた第１配線と、
　　前記第１溝パターンを定義する前記第１絶縁層のエッジから１μｍ以下の範囲内で互いに離間して配置されるとともに、前記第１配線の上面にて露出する高さを有した絶縁材料より形成される複数の島パターンと、
　前記第１絶縁層および前記第１配線上に設けられ、第２溝パターンと前記第１配線の一部を露出させるスルーホールとを備えた第２絶縁層と、
　前記スルーホールおよび前記第２溝パターン内に埋め込まれた第２配線とを有し、
　前記複数の島パターンは１μｍ以下の範囲内で互いに離間して配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】　請求項４記載の半導体装置において、
　前記島パターンの高さは、前記溝パターンの底面から前記絶縁層の上面に達する高さであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】　請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置において、前記導電材料は銅であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】　請求項４または請求項５記載の半導体装置において、前記第１配線は導電材料として銅を用いることを特徴とする半導体装置。」
　
２．刊行物に記載された発明について
　上記拒絶理由で引用された本願出願前に頒布された刊行物３（特開平６−３１８５９０号公報）には、図１、２とともに以下のことが記載されている。
「【００１０】図１（ａ）〜（ｄ）および図２（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明するための工程順に示した半導体チップの平面図およびＡ−Ａ′線断面図である。
【００１１】まず、図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体基板１の上に形成した絶縁膜２の上にＢＰＳＧ膜３を０．７μｍの厚さに形成してパターニングし、内部に柱状（又はスリット状）絶縁膜６を配列して残したボンディングパッド形成用の開口部４および配線形成用の溝５のそれぞれを形成する。
【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、開口部４および溝５を含む表面に高温スパッタ法又はスパッタリフロー法によりＡｌＳｉＣｕ膜７を堆積して開口部４および溝５内に充填する。
【００１３】次に、図１（ｄ）に示すように、化学機械研磨法を用いてＡｌＳｉＣｕ膜７およびＢＰＳＧ膜３の上面を研磨し、ＢＰＳＧ膜３の厚さが０．５μｍ程度になるように研磨して開口部４および溝５内にＡｌＳｉＣｕ膜７を埋込み表面を平坦化する。」
「【００１６】このように、開口面積の広いパッド形成用開口部や配線形成用溝内に予め柱状（又はスリット状）絶縁膜を設けて開口部を細分化することにより化学機械研磨による過剰な研削を防止することができる。」　    
　
「格子状の配線形成用溝を形成する」 （刊行物３の２欄１６〜１７行）
　
　そして、上記記載から、刊行物３には、少なくとも以下の発明が記載されている。
「半導体チップとして、半導体基板１の上に形成した絶縁膜２と、その上にＢＰＳＧ膜３を形成して、パターニングし、内部に柱状絶縁膜６を配列した配線形成用の溝５を形成し、化学機械研磨法を用いて溝５内にＡｌＳｉＣｕ膜７を埋込み表面を平坦化した半導体チップ」（以下、「刊行物３に記載された発明」という。）
　
３．本願発明１と刊行物３に記載された発明との対比・判断　
　刊行物３に記載された発明の「半導体基板１の上に形成した絶縁膜２」と、その上の「ＢＰＳＧ膜３」は共に絶縁膜であり、ＢＰＳＧ膜３は、「パターニングし、内部に柱状絶縁膜６を配列した」「溝５」を形成した絶縁膜であり、また「溝５」は本願発明１の溝パターンに相当するから、「絶縁膜２」と「ＢＰＳＧ膜３」とは合わせて、
本願発明１の「半導体基板上に設けられ、溝パターンを備えた絶縁層」に相当する。
　
刊行物３に記載された発明の「配線形成用の溝５を形成し、化学機械研磨法を用いて溝５内にＡｌＳｉＣｕ膜７を埋込み表面を平坦化した半導体チップ」の内、「化学機械研磨法」は、本願発明１の化学的機械研磨法に相当し、「溝５」は、本願発明１のパターニングした溝パターンに相当し、また「配線形成用の溝５」内に埋め込まれたＡｌＳｉＣｕ膜７は、導電材料であり、配線となっているから、この「ＡｌＳｉＣｕ膜７」からなる配線は、
本願発明１の「化学的機械研磨法にて前記溝パターン内に埋め込まれた導電材料からなる配線」に相当する。　
　
刊行物３に記載された発明の「半導体チップ」は、上記「絶縁膜２」と「ＢＰＳＧ膜３」とを合わせた絶縁層と、上記「ＡｌＳｉＣｕ膜７」からなる配線を備えるから、
本願発明１の上記「絶縁層」と、上記「導電材料からなる配線」を有する「半導体装置」に相当する。
　
刊行物３に記載された発明の「パターニングし、内部に柱状絶縁膜６を配列した配線形成用の溝５」を形成した「半導体チップ」において、
「溝５」内部に柱状絶縁膜６を「配列」したということは、柱状絶縁膜６が複数あり、互いに離間して配置されていることを意味しており、そのパターニングして形成した柱状のものは、島状とも言えるので、柱状絶縁膜６は本願発明１の絶縁層からなる島パターンに相当するから、
刊行物３に記載された発明の「パターニングし、内部に柱状絶縁膜６を配列した配線形成用の溝５」を形成した「半導体チップ」は、
本願発明１の「前記溝パターン内には、該絶縁層からなる複数の島パターンが互いに離間して配置されている半導体装置」に相当する。
　
　従って、刊行物３に記載された発明と、本願発明１とは、以下の点で、一致し、以下の点で相違する。
　
３−１．（一致点）
「半導体基板上に設けられ、溝パターンを備えた絶縁層と、化学的機械研磨法にて前記溝パターン内に埋め込まれた導電材料からなる配線を有する半導体装置において、
　前記溝パターン内には、該絶縁層からなる複数の島パターンが互いに離間して配置されていることを特徴とする半導体装置。」
　
３−２．（相違点）
　相違点１
本願発明１は、絶縁層からなる複数の島パターンが、「前記溝パターンの底面から前記配線の上面に達する高さを有する」のに対して、
刊行物３に記載された発明には、本願発明１の絶縁層からなる複数の島パターンに相当する部分が、このような構成を有することが明記されていない点。
　
　相違点２
本願発明１は、「複数の島パターン」の互いに離間した配置が「１μｍ以下の範囲内」であるのに対して、
刊行物３に記載された発明には、このような数値範囲の記載がない点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　相違点１について
刊行物３に記載された発明は、柱状絶縁膜６（本願発明１の絶縁層からなる島パターンに相当）を配列した溝５（本願発明１の溝パターンに相当）内にＡｌＳｉＣｕ膜７を埋込み表面を平坦化した半導体チップであり、平坦化するために、柱状絶縁膜６の高さすなわちＢＰＳＧ膜３の高さが、ＡｌＳｉＣｕ膜７からなる配線の上面に達する高さと等しくなっていることが刊行物３の図１（ｄ）に示されている。
　
　相違点１は、単に上記のように刊行物３に示されていることを、本願発明１において、絶縁層からなる複数の島パターンが、「前記溝パターンの底面から前記配線の上面に達する高さを有する」と表現しただけにすぎないものと認められ、格別に相違するものではない。
　
　相違点２について
本願発明１において「１μｍ以下の範囲内」としたことについて、当業者の予測を越える臨界的意義を有することは、以下の理由から認められない。
　
（１）臨界的意義の根拠である本願図２について、発明を実施するための十分な条件（配線数、配線密度、配線長さ、配線パターン形状、配線間隔、ＣＭＰ法の研磨時間、研磨液、研磨粒子の成分、大きさ、研磨圧力、半導体基板や研磨器具の各回転速度、研磨速度等 ）の記載が明細書中に認められない。
　
（２）図２の関係は、前記（１）のような、発明を実施するための条件の変化により変わる関係であるという慨然性が高く、図２の関係が変わると相違点２の「数値範囲」にも変化が生じてしまうおそれがあるから、図２の関係は、当業者の予測を越える臨界的意義の根拠とは認められない。
　その他、本願明細書又は図面には、相違点２の「数値範囲」の、当業者の予測を越える臨界的意義の根拠を示す具体的記載はない。
　
（３）さらに、本願発明１には、発明を実施するための前記（１）のような条件の記載が全くなく、様々な条件の変化により前記（２）のとおり相違点２の数値範囲にも変化が生じてしまうおそれがあるから、本願発明１における「数値範囲」として「１μｍ以下の範囲内」とすることが、当業者の予測を越える臨界的意義を有するとは言えない。
　
　従って、相違点２の「数値範囲」は、当業者であれば、実施の際、適宜設定できる程度の数値範囲にすぎない。
　
　よって、本願発明１は、刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、請求項２乃至７に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。