【事件の表示】
　平成１０年特許願第２２３９５号「アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年８月１０日出願公開、特開平１１−２１８７８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年２月３日の出願であって、平成１５年１月２８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに手続補正がなされ、その後当審において平成１７年４月６日付で拒絶理由を通知したところ、同年６月９日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、平成１７年６月９日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
「
透明絶縁性基板と、
　該透明絶縁性基板上に相互に平行に配置された複数の走査配線と、
　前記透明絶縁性基板上に前記各走査配線と直交するように配置された複数の信号配線と、
　前記各走査配線と前記各信号配線とによってマトリクス状に区切られた各領域にそれぞれ設けられた複数の画素電極と、
　前記各走査配線および前記各信号配線の交差部近傍にそれぞれ設けられ、前記各交差部を形成する前記走査配線および前記信号配線と、前記交差部に近接する前記画素電極とにそれぞれ接続されたスイッチング素子と、
　前記各画素電極にそれぞれ接続された付加容量部とを備え、
　前記各付加容量部が、
　前記画素電極に前記スイッチング素子を介して接続された走査配線に該画素電極を挟んで隣接する走査配線と該画素電極との間に該走査配線と平行に設けられ、該画素電極の下方にまで突出する突出部を有する下部電極配線と、
　該下部電極配線と絶縁膜を介してそれぞれ設けられて前記突出部上にてのみ前記画素電極と接続された上部電極とによって形成された、
の製造工程
　
前記透明絶縁性基板上に、前記走査配線および前記下部電極配線と、前記スイッチング素子と、前記信号配線と、前記画素電極および前記上部電極とが形成された直後に、前記各画素電極に電荷をチャージして、前記各画素電極の電荷を検出する工程と、
　
該工程での検出結果に基づいて欠陥を有する画素電極を特定して、該画素電極に接続された前記付加容量部の前記下部電極配線における前記突出部の基部にレーザ光を照射して、該付加容量部と該画素電極とを絶縁させる工程と、
　該工程にて絶縁された前記
に
包含し、
　前記ペーストとして、Ａｕ及びＡｇのうちの少なくとも一方の金属錯体を含む溶液、又はトリフロロ酢酸パラジウムを有機溶媒に溶解させた溶液を用いることを特徴とするアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。」
　
２　引用例
　当審において通知した拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平４−２７８９２６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の（１）〜（４）の事項が記載されている。
（１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆動信号を印加することにより、表示を実行する表示装置に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密度表示を行うアクティブマトリクス駆動方式の表示装置に関する。」（段落【０００１】）
（２）「【００２２】
【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。
【００２３】図１は本発明の一実施例にかかるアクティブマトリクス表示装置を示しており、この表示装置は、上下一対の透明絶縁性基板間に液晶を封入してなる。下側の基板１（図２および図３参照）上には、走査線として機能する複数本のゲートバスライン１０、１０…および信号線として機能する複数本のソースバスライン２０、２０…が格子状に配線され、両バスライン１０、２０で囲まれる矩形上の領域それぞれにＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）膜からなる絵素電極４０がマトリクス状に配設される。ゲートバスライン１０にはこれから絵素電極４０側に向けて突出するゲート電極１１が分岐され、該ゲート電極１１の先端寄りの部分にＴＦＴ３０が形成される。ＴＦＴ３０はスイッチング素子として機能し、絵素電極４０に接続される。ゲート電極１１の先端は、ソースバスライン２０から絵素電極４０に向けて突出形成されるソース電極３１の前方まで延伸する。
【００２４】ＴＦＴ３０が接続されたゲートバスライン１０に隣接するゲートバスライン１０と絵素電極４０との間には付加容量を形成するための付加容量バスライン（下部電極）７０がゲートバスライン１０と平行に配線され、該付加容量バスライン７０上には、ゲート絶縁膜５０（図２および図３参照）を挟んで付加容量電極（上部電極）７１が形成される。付加容量バスライン７０の前記ＴＦＴ３０と対向する部分には、付加容量バスライン突出部７２が突出形成される。この突出部７２の基端部はＴＦＴ３０へ向かって直線状に延び、その先端部はソースバスライン２０に向かってほぼ直角に屈曲している。屈曲部の先端にはソースバスライン２０から延出されたソースバスライン突出部２１がゲート絶縁膜５０を介して重畳される。一方、屈曲部の基端側には、ゲート絶縁膜５０を介して導電体片８０が重畳される。」（段落【００２２】〜【００２４】）
（３）「【００３０】以上の表示装置において、付加容量電極７１にピンホール等の欠陥が発生し、この欠陥により絵素欠陥が発生している場合の修復方法を図４に従い以下に説明する。なお、このような絵素欠陥は表示装置に表示動作を行わせ、それを視認して発見される。・・・
【００３１】さて、ピンホール等の欠陥に起因する絵素欠陥を検出すると、まず、該当する付加容量バスライン７０の突出部７２における図４に破線で示す領域９０（突出部７２の基部）にガラス基板１越しに光エネルギの一例としてレーザー光を照射する。・・・
【００３２】上記領域９０へのレーザー光の照射によって、領域９０の導電体が四散し、この部分が切断される。この結果、突出部７２が付加容量バスライン７０から電気的に絶縁される。これと同時に、突出部７２は絵素電極４０および付加容量電極７１からも絶縁される。従って、この状態では付加容量バスライン７０と絵素電極４０が絶縁状態にあるので、付加容量バスライン７０における電流リークの影響が絵素電極４０に及ぶことがない。それ故、この状態の絵素は、液晶に全く電圧が印加されない不良を生じていない状態になる。
【００３３】次に、図４に破線で示す領域９１、９２に順次レーザー光を照射する。ここで、領域９１はソースバスライン２０からの突出部２１と付加容量バスライン突出部７２の重畳部に相当し、一方、領域９２は導電体片８０形成部に相当する。従って、領域９１への照射によって両突出部２１、７２に挟まれたゲート絶縁膜５０が溶融破壊され、これにより照射部の端部において両突出部が短絡されることになる。同様にして領域９２への照射によって導電体片８０と付加容量バスライン突出部７２が短絡され、導電体片８０と電気的に接続状態にある絵素電極４０と突出部７２が導通されることになる。それ故、領域９１および９２へのレーザー光の照射によって、結局ソースバスライン２０と絵素電極４０とが電気的に接続されることになる。
【００３４】この結果、ゲートバスラインの選択、非選択にかかわらず、不良絵素に常にソース信号が入力され、結局、ソース電圧の実効値が液晶に印加され、不良絵素は隣接したソースバスラインに接続されたすべての絵素の平均的な明るさに点灯することになる。従って、欠陥に伴う絵素不良が実質的に修復される。・・・」（段落【００３０】〜【００３４】）
（４）図１、４から、付加容量電極（上部電極）７１が付加容量バスライン突出部７２上にてのみ絵素電極４０に接続されていることが看取できる。
　
　また、当審において通知した拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された国際公開第９６／７１２２号パンフレット（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の（５）の事項が記載されている。
（５）「７．マトリックス状に配置されるそれぞれの画素によって表示面を構成し、各画素の画素電極に、走査信号線からの走査信号によって導通するスイッチング素子を介して、映像信号線からの映像信号が供給されることによって、選択された画素の液晶の透過光を減衰させるアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法で、
　検査工程と修復工程を有し、該検査工程は完成前のアクティブマトリックス型液晶表示装置の欠陥画素の有無を検査し、欠陥画素が存在する場合は上記検査工程は該欠陥画素を特定し、上記修復工程は上記欠陥画素の画素電極と隣接する走査信号線あるいは映像信号線との間に導通処理を施すことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。」（４８頁１１〜２１行）
　
３　対比
　本願発明と引用例１の記載事項とを対比する。
（ａ）引用例１に記載の「上下一対の透明絶縁性基板」のうちの「下側の基板１」は、本願発明の「透明絶縁性基板」に相当する。
（ｂ）引用例１に記載の「走査線として機能する複数本のゲートバスライン１０、１０…」は、本願発明の「該透明絶縁性基板上に相互に平行に配置された複数の走査配線」に相当する。
（ｃ）引用例１に記載の「信号線として機能する複数本のソースバスライン２０、２０…」は、本願発明の「前記透明絶縁性基板上に前記各走査配線と直交するように配置された複数の信号配線」に相当する。
（ｄ）引用例１に記載の「絵素電極４０」は、本願発明の「前記各走査配線と前記各信号配線とによってマトリクス状に区切られた各領域にそれぞれ設けられた複数の画素電極」に相当する。
（ｅ）引用例１に記載の「ＴＦＴ３０」は、本願発明の「前記各走査配線および前記各信号配線の交差部近傍にそれぞれ設けられ、前記各交差部を形成する前記走査配線および前記信号配線と、前記交差部に近接する前記画素電極とにそれぞれ接続されたスイッチング素子」に相当する。
（ｆ）引用例１に記載の「付加容量バスライン突出部７２」は、本願発明の「該画素電極の下方にまで突出する突出部」に相当する。
（ｇ）引用例１に記載の「付加容量バスライン（下部電極）７０」は、本願発明の「前記画素電極に前記スイッチング素子を介して接続された走査配線に該画素電極を挟んで隣接する走査配線と該画素電極との間に該走査配線と平行に設けられ、該画素電極の下方にまで突出する突出部を有する下部電極配線」に相当する。
（ｈ）引用例１に記載の「ゲート絶縁膜５０」は、本願発明の「絶縁膜」に相当する。
（ｉ）引用例１に記載の「付加容量電極（上部電極）７１」は、本願発明の「該下部電極配線と絶縁膜を介してそれぞれ設けられて前記突出部上にてのみ前記画素電極と接続された上部電極」に相当する。
（ｊ）引用例１に記載のアクティブマトリクス表示装置では、付加容量バスライン７０（下部電極配線）と付加容量電極７１（上部電極）とによって、絵素電極４０（画素電極）に接続された付加容量部を形成しているとみることができる。
（ｋ）引用例１に記載の下側の基板１（透明絶縁性基板）と、複数本のゲートバスライン１０、１０…（走査配線）と、複数本のソースバスライン２０、２０…（信号配線）と、ＴＦＴ３０（スイッチング素子）と、付加容量バスライン７０（下部電極配線）と付加容量電極７１（上部電極）とから形成された付加容量部とを備えた構成は、対向基板と貼り合わされてアクティブマトリクス表示装置を構成するから、「アクティブマトリクス基板」といえる。
（ｌ）引用例１に記載の絵素（画素）欠陥が発生している場合の修復方法は、同引用例の段落【００３０】に「このような絵素欠陥は表示装置に表示動作を行わせ、それを視認して発見される。」と記載されているように、完成後のアクティブマトリクス表示装置を表示動作しその視認により、欠陥を有する画素を検出する工程を包含するものである。
（ｍ）引用例１に記載の絵素（画素）欠陥が発生している場合の修復方法は、同引用例の段落【００３１】及び【００３２】にそれぞれ「ピンホール等の欠陥に起因する絵素欠陥を検出すると、まず、該当する付加容量バスライン７０の突出部７２における図４に破線で示す領域９０（突出部７２の基部）にガラス基板１越しに光エネルギの一例としてレーザー光を照射する。」及び「上記領域９０へのレーザー光の照射によって、領域９０の導電体が四散し、この部分が切断される。この結果、突出部７２が付加容量バスライン７０から電気的に絶縁される。これと同時に、突出部７２は絵素電極４０および付加容量電極７１からも絶縁される。従って、この状態では付加容量バスライン７０と絵素電極４０が絶縁状態にある」と記載されているように、上記（ｌ）の工程での検出結果に基づいて、欠陥を有する絵素電極４０（画素電極）を特定して、該絵素電極（画素電極）に接続された付加容量バスライン７０（下部電極配線）における突出部７２（突出部）の基部にレーザ光を照射し上記領域９０の部分を切断して、該付加容量バスライン７０（下部電極配線）と該絵素電極（画素電極）とを絶縁させる工程を包含するものである。
（ｎ）引用例１に記載の絵素（画素）欠陥が発生している場合の修復方法は、同引用例の【００３３】に「次に、図４に破線で示す領域９１、９２に順次レーザー光を照射する。ここで、領域９１はソースバスライン２０からの突出部２１と付加容量バスライン突出部７２の重畳部に相当し、一方、領域９２は導電体片８０形成部に相当する。従って、領域９１への照射によって・・・両突出部が短絡されることになる。同様にして領域９２への照射によって導電体片８０と付加容量バスライン突出部７２が短絡され、導電体片８０と電気的に接続状態にある絵素電極４０と突出部７２が導通されることになる。それ故、・・・結局ソースバスライン２０と絵素電極４０とが電気的に接続されることになる。」と記載されているように、ソースバスライン２０（信号配線）からの突出部２１と付加容量バスライン突出部７２（突出部）との重畳部にレーザ光を照射し両突出部を短絡させるとともに、該付加容量バスライン突出部７２（突出部）の屈曲部の基端部にレーザ光を照射し、そこに重畳された導電体片８０と電気的に接続状態にある絵素電極４０（画素電極）と、該付加容量バスライン突出部７２（突出部）とを短絡することにより、上記（ｍ）の工程にて絶縁された絵素電極４０（画素電極）と該絵素電極４０（画素電極）にＴＦＴ３０（スイッチング素子）を介して接続されたソースバスライン２０（信号配線）とを短絡させる工程を包含するものである。
　
　以上の（ａ）〜（ｎ）を考慮すると、引用例１には、
「透明絶縁性基板と、
　該透明絶縁性基板上に相互に平行に配置された複数の走査配線と、
　前記透明絶縁性基板上に前記各走査配線と直交するように配置された複数の信号配線と、
　前記各走査配線と前記各信号配線とによってマトリクス状に区切られた各領域にそれぞれ設けられた複数の画素電極と、
　前記各走査配線および前記各信号配線の交差部近傍にそれぞれ設けられ、前記各交差部を形成する前記走査配線および前記信号配線と、前記交差部に近接する前記画素電極とにそれぞれ接続されたスイッチング素子と、
　前記各画素電極にそれぞれ接続された付加容量部とを備え、
　前記各付加容量部が、
　前記画素電極に前記スイッチング素子を介して接続された走査配線に該画素電極を挟んで隣接する走査配線と該画素電極との間に該走査配線と平行に設けられ、該画素電極の下方にまで突出する突出部を有する下部電極配線と、
　該下部電極配線と絶縁膜を介してそれぞれ設けられて前記突出部上にてのみ前記画素電極と接続された上部電極とによって形成された、アクティブマトリクス基板を、対向基板に貼り合わせて、アクティブマトリクス表示装置を完成させた後、
　該表示装置を表示動作しその視認により欠陥を有する画素を検出する工程と、
　該工程での検出結果に基づいて欠陥を有する画素電極を特定して、該画素電極に接続された前記付加容量部の前記下部電極配線における前記突出部の基部にレーザ光を照射して、該付加容量部と該画素電極とを絶縁させる工程と、
　信号配線からの突出部２１と下部電極配線の突出部との重畳部にレーザ光を照射し両突出部を短絡させるとともに、該下部電極配線の突出部の屈曲部の基端部にレーザ光を照射し、そこに重畳された導電体片８０と電気的に接続状態にある画素電極と、該下部電極配線の突出部とを短絡させることにより、前記工程にて絶縁された画素電極と該画素電極に前記スイッチング素子を介して接続された信号配線とを短絡させる工程とを包含するアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法」の発明が記載されているから、
　
本願発明と引用例１に記載の発明とは、
「透明絶縁性基板と、
　該透明絶縁性基板上に相互に平行に配置された複数の走査配線と、
　前記透明絶縁性基板上に前記各走査配線と直交するように配置された複数の信号配線と、
　前記各走査配線と前記各信号配線とによってマトリクス状に区切られた各領域にそれぞれ設けられた複数の画素電極と、
　前記各走査配線および前記各信号配線の交差部近傍にそれぞれ設けられ、前記各交差部を形成する前記走査配線および前記信号配線と、前記交差部に近接する前記画素電極とにそれぞれ接続されたスイッチング素子と、
　前記各画素電極にそれぞれ接続された付加容量部とを備え、
　前記各付加容量部が、
　前記画素電極に前記スイッチング素子を介して接続された走査配線に該画素電極を挟んで隣接する走査配線と該画素電極との間に該走査配線と平行に設けられ、該画素電極の下方にまで突出する突出部を有する下部電極配線と、
　該下部電極配線と絶縁膜を介してそれぞれ設けられて前記突出部上にてのみ前記画素電極と接続された上部電極とによって形成された、アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法であって、
　欠陥を有する画素電極を特定して、該画素電極に接続された前記付加容量部の前記下部電極配線における前記突出部の基部にレーザ光を照射して、該付加容量部と該画素電極とを絶縁させる工程と、
　該工程にて絶縁された前記画素電極と該画素電極に前記スイッチング素子を介して接続された信号配線とを短絡させる工程とを包含するアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法」である点で一致し、
　
次の点で相違する。
相違点：１
　本願発明が、アクティブマトリクス基板の製造工程において、欠陥を修正する方法であるのに対して、
　引用例１に記載の発明が、アクティブマトリクス表示装置を完成させた後に、欠陥を修正する方法である点。
相違点２：
　本願発明では、欠陥を有する画素電極の特定を、前記透明絶縁性基板上に、前記走査配線および前記下部電極配線と、前記スイッチング素子と、前記信号配線と、前記画素電極および前記上部電極とが形成された直後に、前記各画素電極に電荷をチャージして、前記各画素電極の電荷を検出する工程での検出結果に基づいて、行うのに対して、
　引用例１に記載の発明では、完成後のアクティブマトリクス表示装置を表示動作しその視認により欠陥を有する画素を検出する工程での検出結果に基づいて、それを特定する点。
相違点３：
　本願発明では、絶縁された前記画素電極と該画素電極に前記スイッチング素子を介して接続された信号配線とを短絡させる工程が、該画素電極と該信号配線との間に、導電性材料を含むペーストを供給し、該ペーストを加熱して該画素電極と該信号配線とを短絡させる導電性膜を形成するものであって、前記ペーストとして、Ａｕ及びＡｇのうちの少なくとも一方の金属錯体を含む溶液、又はトリフロロ酢酸パラジウムを有機溶媒に溶解させた溶液を用いるものであるに対して、
　引用例１に記載の発明では、その工程が、信号配線からの突出部２１と下部電極配線の突出部との重畳部にレーザ光を照射し両突出部を短絡させるとともに、該下部電極配線の突出部の屈曲部の基端部にレーザ光を照射し、そこに重畳された導電体片８０と電気的に接続状態にある画素電極と、該下部電極配線の突出部とを短絡するものである点。
　
４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　引用例２には、アクティブマトリクス基板を対向基板に貼り合わせる前、つまりアクティブマトリクス基板を製造する工程において、欠陥を有する画素を検出しそれを修正することが記載されているから、これに倣い、上記相違点１に係る本願発明の技術的事項に至ることは、そうしてはならない特段の事由を見出せない以上、当業者にとって容易なことである。
［相違点２について］
　対向基板に貼り合わせる前のアクティブマトリクス基板に対して、各画素電極に電荷をチャージして、各画素電極の電荷を検出することにより、欠陥を有する画素を検出する手段は、周知であり（例．特開平６−３０８５３０号公報、特開平６−２７４９４号公報及び特開昭６４−５３１４８号公報）、またこの周知の検出手段によって、引用例１に記載の発明と同様に、付加容量部のピンホール等により生じる電流リークに起因する画素の欠陥を検出しようとすれば、それが、「前記透明絶縁性基板上に、前記走査配線および前記下部電極配線と、前記スイッチング素子と、前記信号配線と、前記画素電極および前記上部電極とが形成された直後」になるのは当然であることからすると、上記相違点２に係る本願発明の技術的事項に至ることは、当業者にとって容易なことである。
［相違点３について］
　引用例１に記載の発明における、信号配線と画素電極とを短絡させる手段は、表示装置の完成後に短絡させるためのものであるから、アクティブマトリクス基板を対向基板に貼り合わせる前にあっては、これに拘る必要はなく、信号配線と画素電極とを短絡させる手段としては、両者を導通させるものを選択すれば良いことは、上記相違点１に係る本願発明の技術的事項を採用することに伴う当然の帰結である。そして、Ａｕ、Ａｇ等の導電性ペーストを加熱して導電性膜を形成することが周知であり（例．特開平９−１３５０６４号公報の段落【００１６】、【００１８】及び特開平５−２９１００５号公報の段落【００１０】）、この周知手段を該短絡に用いることに格別の阻害要因がないことからすると、上記相違点３に係る本願発明の技術的事項に至ることは、当業者にとって容易なことである。
　
　以上のように、上記各相違点に格別なものはなく、本願発明の効果も当業者が予測しうる程度のことにすぎない。
　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載の発明並びに周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。