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　特願２０００−１６７１９２「半導体レーザ装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月２６日出願公開、特開２００１−　２４２７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年４月２４日に出願された特願平４−１０６５０８号の一部を平成１２年６月５日に平成５年改正前特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願としたものであって、原審において平成１４年７月１１日付けで通知された拒絶理由通知書に対して、平成１４年９月２０日付けで手続補正がなされた後、平成１５年３月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年４月１７日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１５年５月１９日付けで手続補正がなされたものである。
　そして、本願の請求項１に係る発明は、手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「半導体レーザ装置の製造方法において、
　活性層上にｐ型ドーパントがドーピングされた層を含む半導体薄膜を基板上に形成し、このｐ型ドーパントがドーピングされた層の少なくとも一部を露出させる工程と、
　前記露出された層のｐ型ドーパント金属の有機金属化合物の気体を供給しながら、基板温度を昇温させる工程と、
　前記露出された層を含む前記半導体薄膜の上に、直接又はｐ型エッチングストップ層を介してｎ型ブロック層を再成長する工程と、を含んでなることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。」（以下、本願発明という。）
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−１６６２８５号公報（以下「引用例１」という。）には、半導体発光装置の製造方法について、次の事項が記載されている。
（ａ）「この種の半導体レーザにあっては次のような問題があった。即ち、ｐ型クラッド層５３に蒸気圧の高いＺｎをドープしているため、光導波路層５５以降の再成長層を成長する昇温過程で、クラッド層５３のストライプ部から成長炉雰囲気（水素ガス）へＺｎが蒸発してしまう。このため、ストライプ部分のアクセプタ濃度が低くなったり、最悪の場合はｐ型からｎ型へ転換してしまう。そして、ストライプ部分のアクセプタ濃度が低下すると、半導体レーザの電圧−電流特性が悪くなり、素子特性の劣化や寿命の低下を招くことになる。」（第２頁左下欄２−１３行）
（ｂ）「本願発明の骨子は、再成長層形成の際におけるアクセプタ濃度の低下を防止するために、再成長層の成長開始前及び成長後にも基板温度が高い時にはｐ型不純物を供給状態にしておくことにある。」（第３頁左上欄７−１０行）
（ｃ）「成長炉内に基板を挿入したのち昇温以前からＺｎの原料であるジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）を水素ガスと共に流す。」（第３頁右上欄３−６行）
（ｄ）「第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略構造を示す断面図である。図中１０はｎ−ＧａＡｓ基板（Ｓｉドープ：２×１０18ｃｍ-3）であり、この基板１０上にＭＯＣＶＤ法により、厚さ１．５μｍのｎ−Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓクラッド層１１（Ｓｅドープ：５×１０17ｃｍ-3）、厚さ０．０５μｍのアンドープＧａ0.94Ａｌ0.06Ａｓ活性層１２、厚さ０．５μｍのｐ−Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓクラッド層１３（Ｚｎドープ：２×１０18ｃｍ-3）及び厚さ１．５μｍのｎ−Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓ電流ブロック層１４（Ｓｅドープ：７×１０17ｃｍ-3）が連続成長されている。」（第３頁左下欄６−１７行）
（ｅ）「まず、第３図（ａ）に示す如く、ｎ−ＧａＡｓ基板１０上に電流ブロック層１４まで連続成長した後、同図（ｂ）に示す如くホトリソグラフィ技術を利用し、ストライプ幅２μｍの溝２１を硫酸系エッチャント（８Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ：２０℃）で形成する。なお、このエッチングに際しては、クラッド層１３を０．２μｍ残すまでエッチングする。
　次いで、第３図（ｂ）に示す加工基板をＭＯＣＶＤ結晶成長炉内に挿入し、第４図に示す成長温度プログラムと、成長ガス流量シーケンスに基づいて再成長層を成長する。ＤＥＺｎ及びアルシン（以下、ＡｓＨ3）は昇温前５分から流す。成長条件は成長温度７５０℃、常圧、Ｖ／III比（Ｖ族とIII族のモル比）＝２０、成長速度（ＧａＡｓ）＝０．２μｍ／分、水素全流量１０ｌ／分である。ＤＥＺｎは最初３×１０-2／III族（モル比）流した。この流量はクラッド層１３の成長の際のＤＥＺｎ流量の１．５倍である。７５０℃で２５分間表面の酸化膜のクリーニングを行う。
　次いで、ＤＥＺｎ流量を１．５×１０-2／III族として、第３図（ｃ）に示す如く、光導波路層１５及びクラッド層１６を成長させる。」（第４頁左上欄２行−右上欄４行）
（ｆ）「また、半導体レーザの構造は前記第１図に限るものではなく、ダブルへテロ接合部を形成したのちに、再成長層の形成が必要なものに適用することができる。」（第４頁右下欄１３−１６行）
（ｇ）更に、第４図を参酌すると「ＤＥＺｎを供給しながら、基板温度を昇温させる工程」が見て取れる。
　
　したがって、上記（ｄ），（ｅ），（ｇ）の記載事項からみて、引用例１には以下の発明が記載されていると認められる。
　「半導体レーザの製造方法において、
　ｎ−ＧａＡｓ基板上に、アンドープＧａ0.94Ａｌ0.06Ａｓ活性層１２、ｐ−Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓクラッド層１３（Ｚｎドープ：２×１０18ｃｍ-3）、ｎ−Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓ電流ブロック層１４を連続成長させる工程、
　クラッド層１３を０．２μｍ残すまで、ストライプ幅２μｍの溝２１をエッチングにより形成する工程、
　ＤＥＺｎを供給しながら、加工基板温度を昇温させる工程、
　ＤＥＺｎ流量を１．５×１０-2／III族として、光導波路層１５及びクラッド層１６を再成長させる工程、を含む半導体レーザの製造方法。」
　
３．対比
　次に、本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、
（１）引用例１に記載された発明における「半導体レーザ」、「ｎ−ＧａＡｓ基板」、「アンドープＧａ0.94Ａｌ0.06Ａｓ活性層１２」、「ｐ−Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓクラッド層１３（Ｚｎドープ：２×１０18ｃｍ-3）」、「ｐ−Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓクラッド層１３（Ｚｎドープ：２×１０18ｃｍ-3）及びｎ−Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓ電流ブロック層１４」、「ＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛）」は、本願発明における「半導体レーザ装置」、「基板」、「活性層」、「ｐ型ドーパントがドーピングされた層」、「ｐ型ドーパントがドーピングされた層を含む半導体薄膜」、「ｐ型ドーパント金属の有機金属化合物」に相当する。
（２）引用例１に記載された発明は、ｎ−ＧａＡｓ基板１０上に電流ブロック層１４まで連続成長した後に、クラッド層１３を０．２μｍ残すまでストライプ幅２μｍの溝２１をエッチングにより形成する工程を有しており、斯かる「エッチング」が「クラッド層１３を露出させる工程」であることは明らかであるから、当該工程は本願発明における「活性層上にｐ型ドーパントがドーピングされた層を含む半導体薄膜を基板上に形成し、このｐ型ドーパントがドーピングされた層の少なくとも一部を露出させる工程」に相当する。
（３）上記（２）に記載のとおり引用例１に記載された発明における「クラッド層１３」は本願発明における「露出された層」に相当し、「クラッド層１３」はＺｎがドープされた層であるから、「ＤＥＺｎ」は「露出された層のｐ型ドーパント金属の有機金属化合物」に相当する。
　よって、引用例１に記載された発明における「ＤＥＺｎを供給しながら、基板温度を昇温させる工程」は本願発明における「露出された層のｐ型ドーパント金属の有機金属化合物の気体を供給しながら、基板温度を昇温させる工程」に相当する。
（４）引用例１に記載された発明における「ＤＥＺｎ流量を１．５×１０-2／III族として、光導波路層１５及びクラッド層１６を再成長させる工程」により再成長させた層は、クラッド層１３（露出された層）上に再成長されているから、両者は「露出された層を含む半導体薄膜の上に再成長層を再成長する工程」を有する点で一致している。
　したがって、本願発明と引用例１に記載された発明は、
　「半導体レーザ装置の製造方法において、
　活性層上にｐ型ドーパントがドーピングされた層を含む半導体薄膜を基板上に形成し、このｐ型ドーパントがドーピングされた層の少なくとも一部を露出させる工程と、
　前記露出された層のｐ型ドーパント金属の有機金属化合物の気体を供給しながら、基板温度を昇温させる工程と、
　前記露出された層を含む前記半導体薄膜の上に層を再成長する工程と、を含んでなることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法」である点で一致し、次の点で相違している。
［相違点］
　本願発明では、再成長する工程により形成された層が、ｎ型ブロック層又はｐ型エッチングストップ層を介して成長させたｎ型ブロック層、であるのに対し、引用例１に記載された発明では、上記層が、光導波路層１５又は光導波路層１５を介して成長させたクラッド層１６であって、光導波路層１５及びクラッド層１６がＺｎがドープされたｐ型層である点。
　
４．判断
　上記（ａ），（ｂ）の記載からみて、再成長層を成長する昇温過程でのｐ型ドーパント（Ｚｎ）の蒸発を防止するために、ｐ型ドーパントを供給した状態で昇温過程を行うという技術思想が開示されており、上記（ｆ）の記載からみて、当該技術思想を適用する対象は、引用例１の実施例に記載された積層構造の半導体レーザ装置のみに限られるものではない点が示唆されていることは明らかである。
　そして、露出された層を含む半導体薄膜の上にｎ型ブロック層又はｐ型エッチングストップ層を介して成長させたｎ型ブロック層を再成長させる構成は、下記（ア），（イ）の刊行物にも見られるように、いずれも半導体レーザ装置の構造として周知な構成である。
（ア）本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平２−２０６１９１号公報：「第７図（ｆ）に示す如くＳｉＯ2膜２１をマスクとして用い、化学エッチングによりｐ−クラッド層１５を回折格子が露出するまでエッチングし、幅３μｍのストライプ状のリッジを形成した。次いで、トリメチルガリウムとアルシンを原料とした減圧ＭＯＣＶＤ法により、第７図（ｇ）に示す如くｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１６（Ｓｉドープ、５×１０18ｃｍ-3）を厚さ０．５μｍ成長した。」（第５頁右下欄１１−１９行）
　なお、明細書記載の番号と第７図記載の番号とが対応していないが、明らかな誤記であり、開示された構成は明確である。
（イ）本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−７３６８３号公報：「半導体基板１０上には、ＭＯＣＶＤ法にて形成されたｎ型ＩｎＰからなるクラッド層１１、ノンドープＧａＩｎＡｓＰ（λg＝１．３μｍ）からなる活性層１２及びｐ型ＩｎＰからなる中間層１３が順次積層されている。中間層１３の主面には、Ｈｅ−Ｃｄレーザ或いはＡｒレーザを用いた干渉露光法及びＫＫＩ １２１エッチング液（２ＣＨ3ＣＯＯＨ：ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2）等を用いた化学エッチングにより、ピッチ１（＝λ／２ｎeff；λは発振波長であり１．３μｍ，ｎeffは活性領域の等価的な屈折率）〜２０００Åの回折格子が形成されている。中間層１３上には、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰ（λg＝１．１μｍ）からなるエッチング停止層１４、ｎ型ＩｎＰからなる電流阻止層１５、ｐ型ＩｎＰからなる電流阻止層１６が順次積層されている。」（第２頁右下欄１−１５行）
　
　そこで、上記周知な構成を引用例１に記載された発明に適用することが容易であるかを検討すると、引用例１に記載された発明の再成長層が、ｐ型光導波路層又はｐ型光導波路層を介して成長させたｐ型クラッド層、である点は、単に、実施例の半導体レーザ装置がＳＡＳ型であることに基づく構成の差異に過ぎず、また上記（ｆ）に記載のように、引用例１に他の周知の半導体レーザ装置への適用も示唆されている。
　したがって、引用例１に記載された発明において、再成長層を周知の構成である、ｎ型ブロック層又はｐ型エッチングストップ層を介して成長させたｎ型ブロック層とすることにより、本願発明となすことは当業者にとって何ら困難なことではない。
　それゆえ、前記相違点である再成長層を「ｎ型ブロック層又はｐ型エッチングストップ層を介して成長させたｎ型ブロック層」とする技術事項は、当業者が所望の半導体レーザ装置の構造に応じて適宜なし得る設計変更である。
　　
　なお、請求人は審判請求書において「半導体レーザの製造方法において、活性層上にわずかに残された（または形成された）ｐ層上に、ｎ型ブロック層を再成長することにより、『ｎ型層のキャリア濃度の低下、ｐ層のｎ型反転、ｐ層の薄層化、ｐｎ接合位置の変化または消滅、電流狭窄機能の低下または消滅』という新たな課題が生じます。」と主張しているが、指摘の現象は、再成長層成長前の昇温工程において、露出しているｐ型層のアクセプタ濃度が低下することにより生じる現象であり、引用例１に記載された課題（上記（ａ）参照）から予想し得る事項である。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。