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【手続補正書】
【提出日】平成30年3月13日(2018.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極材料を有する負極（２１）と、酸素を正極活物質とし、かつ、酸素を還元する触媒（２０ｂ）を備える正極材料を有する正極（２０）と、該負極及び該正極の間に介在する固体電解質を含む固体電解質層（２２）と、を有するリチウム空気電池（２）と、
酸素を含むとともに少なくとも前記正極に接するガスの湿度を調整する湿度制御部（５、７）と、を備え、
前記湿度制御部は、少なくとも前記リチウム空気電池の動作時に、前記リチウム空気電池の温度に基づいて前記ガスの湿度を調整し、
前記ガスに含まれる気相の水の存在下で、前記正極の表面にリチウム化合物からなるリチウムイオン伝導層（２４）が形成され、
前記湿度制御部は、前記リチウム空気電池の温度における前記リチウム化合物の飽和水溶液の飽和蒸気圧に基づいて、前記ガスの湿度を制御するリチウム空気電池システム。
【請求項２】
前記湿度制御部は、前記リチウム空気電池の温度が変化した場合において、前記リチウム化合物の飽和水溶液の飽和蒸気圧に対する前記ガスの湿度の割合が一定値となるように、前記ガスの湿度を調整する制御する請求項１に記載のリチウム空気電池システム。
【請求項３】
前記湿度制御部は、前記リチウムイオン伝導層が所望の充放電密度に応じたイオン伝導度となるように、前記ガスの湿度を制御する請求項１または２に記載のリチウム空気電池システム。
【請求項４】
前記リチウム空気電池は容器（３）に収容されており、
前記湿度制御部は、前記容器内に配置され、かつ、前記リチウムイオン伝導層と同種のリチウム化合物水溶液を含んでいる請求項１ないし３のいずれか１つに記載のリチウム空気電池システム。
【請求項５】
前記リチウム化合物は、水酸化リチウムである請求項１ないし４のいずれか１つに記載のリチウム空気電池システム。
【請求項６】
前記湿度制御部は、前記ガスの相対湿度が６０〜９０％の範囲内となるように制御する請求項５に記載のリチウム空気電池システム。
【請求項７】
前記リチウム化合物は、塩化リチウムである請求項１ないし４のいずれか１つに記載のリチウム空気電池システム。
【請求項８】
前記湿度制御部は、前記ガスの相対湿度が１０％以上となるように制御する請求項７に記載のリチウム空気電池システム。
【請求項９】
前記リチウム化合物は、臭化リチウムである請求項１ないし４のいずれか１つに記載のリチウム空気電池システム。
【請求項１０】
前記湿度制御部は、前記ガスの相対湿度が５％以上となるように制御する請求項９に記載のリチウム空気電池システム。
【請求項１１】
前記リチウム化合物は、ヨウ化リチウムである請求項１ないし４のいずれか１つに記載のリチウム空気電池システム。
【請求項１２】
前記湿度制御部は、前記ガスの相対湿度が２５％以上となるように制御する請求項１１に記載のリチウム空気電池システム。
【請求項１３】
前記湿度制御部は、前記リチウム空気電池の温度における飽和水蒸気量より低くなるように前記ガスの湿度を制御する請求項１ないし１２のいずれか１つに記載のリチウム空気電池システム。
【請求項１４】
前記湿度制御部は、前記リチウム空気電池の停止時には、前記リチウム空気電池の動作時よりも、前記ガスの湿度を低下させる請求項１ないし１３のいずれか１つに記載のリチウム空気電池システム。
【請求項１５】
前記湿度制御部は、前記ガスを加湿する加湿装置（６）を含んでおり、前記加湿装置による加湿量を制御することで、前記ガスの湿度を調整する請求項１ないし１４のいずれか１つに記載のリチウム空気電池システム。
【請求項１６】
前記リチウム空気電池の温度を検出する温度検出部（８）を備え、
前記湿度制御部は、前記温度検出部で検出した温度に基づいて、前記ガスの湿度を制御する制御部（７）を含んでいる請求項１ないし１５のいずれか１つに記載のリチウム空気電池システム。
【請求項１７】
前記湿度制御部は、前記リチウム空気電池の温度を調整する電池温度調整部（９）を含んでおり、
前記湿度制御部は、前記電池温度調整部によって前記リチウム空気電池の温度を調整することで、前記ガスの湿度を制御する請求項１ないし１６のいずれか１つに記載のリチウム空気電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極材料を有する負極（２１）と、酸素を正極活物質とし、かつ、酸素を還元する触媒（２０ｂ）を備える正極材料を有する正極（２０）と、該負極及び該正極の間に介在する固体電解質を含む固体電解質層（２２）と、を有するリチウム空気電池（２）と、酸素を含むとともに少なくとも正極に接するガスの湿度を調整する湿度制御部（５、７）と、を備え、湿度制御部は、少なくともリチウム空気電池の動作時に、リチウム空気電池の温度に基づいてガスの湿度を調整し、ガスに含まれる気相の水の存在下で、正極の表面にリチウム化合物からなるリチウムイオン伝導層（２４）が形成され、湿度制御部は、リチウム空気電池の温度におけるリチウム化合物の飽和水溶液の飽和蒸気圧に基づいて、ガスの湿度を制御することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月16日(2018.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の長辺と１対の短辺とを備えた長方形形状の半導体基板上に形成された半導体集積回路であって、
取得する制御基準クロック信号に基づいて複数の制御クロック信号を生成する同一機能の複数のタイミング生成回路と、
前記複数のタイミング生成回路と同数に、互いに面積が略等しい回路ブロックに分割される並列処理回路部と、を備えており、
各回路ブロックには、対応する各タイミング生成回路から、複数の制御クロック信号が入力され、
前記各回路ブロックでは、入力された複数の制御クロック信号に夫々対応する、前記複数の制御クロック信号と同数の、複数のクロック分配網が形成され、
前記並列処理回路部は各クロック分配網毎に並列に処理可能であり、
前記各クロック分配網は、
各制御クロック信号が入力される、入力バッファ回路と、
前記入力バッファ回路と直列に接続され、前記回路ブロックの半導体基板の長手方向に対して中央付近に配置されるクロックバッファ回路と、
分岐しているクロック配線によって前記クロックバッファ回路と接続され、前記クロックバッファ回路から出力される制御出力クロック信号が分配されて供給される複数の末端素子と、を備えていることを特徴とする
半導体集積回路。
【請求項２】
前記クロックバッファ回路は、並列接続された複数のインバータ又は複数のトランスファーゲートによって構成された段が、２段以上直列接続された構成であり、
後段を構成する複数のインバータ又はトランスファーゲートの並列接続される個数は、前段を構成する複数のインバータ又はトランスファーゲートの並列接続される個数よりも多いことを特徴とする
請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記クロックバッファ回路を構成する複数のインバータ又は複数のトランスファーゲートの、各インバータ又は各トランスファーゲートにはＰｃｈトランジスタ及びＮｃｈトランジスタが含まれており、
前記複数のインバータ又は前記複数のトランスファーゲートにおいて含まれている夫々のＰｃｈトランジスタはサイズが共通であり、夫々Ｎｃｈトランジスタはサイズが共通であることを特徴とする
請求項１又は２に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記クロックバッファ回路を構成する、前記複数のインバータの各インバータの間隔、又は前記複数のトランスファーゲートの各トランスファーゲートの間隔を半導体基板の長手方向に広くとることで、前記クロックバッファ回路が前記半導体基板の長手方向に空間的に広がっていることを特徴とする
請求項２又は３に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記複数のタイミング生成回路は、それぞれ、前記制御基準クロック信号の位相を任意に調整可能な位相調整回路を備え、位相調整された制御基準クロック信号に基づいて複数の制御クロック信号を生成することを特徴とする
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記位相調整回路は、前記制御基準クロック信号と、前記位相調整回路から出力される前記位相調整された制御基準クロック信号との位相差が１８０度になるように設定されることを特徴とする
請求項５に記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記並列処理回路部を構成する前記同一機能を有する前記回路ブロックは、アナログ信号処理、Ａ／Ｄ変換、およびデジタル信号処理のうち少なくとも１つを実行することを特徴とする
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記制御基準クロック信号を生成するクロック生成回路を備えており、
前記クロック生成回路は、任意の周波数の制御基準クロック信号を前記複数のタイミング生成回路にそれぞれ出力可能であることを特徴とする
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体集積回路。
【請求項９】
半導体集積回路のクロック供給方法であって、１対の長辺と１対の短辺とを備えた長方形形状の半導体基板上に形成される当該半導体集積回路は、複数のタイミング生成回路と、前記複数のタイミング生成回路と同数の各回路ブロックを含み、該回路ブロックには複数のクロック分配網が形成されている並列処理回路部とを備え、
各回路ブロックには、対応する各タイミング生成回路から、複数の制御クロック信号が入力され、前記各回路ブロックでは、入力された複数の制御クロック信号に夫々対応する、前記複数の制御クロック信号と同数の、複数のクロック分配網が形成されており、
クロック供給方法は、
前記複数のタイミング生成回路で、取得する制御基準クロック信号に基づいて複数の制御クロック信号を生成するステップと、
前記並列処理回路部の各クロック分配網において、各制御クロック信号は、各入力バッファから各クロックバッファ回路へ伝達され、制御出力クロック信号として分配されて複数の末端素子へ供給されるステップと、を有しており、
前記各クロックバッファ回路は、前記回路ブロックの半導体基板の長手方向に対して中央付近に配置されていることを特徴とする
半導体集積回路のクロック供給方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月24日(2017.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、
亜鉛元素を含む負極集電体と、チタン酸化物、リチウムチタン酸化物、およびリチウムチタン複合酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む負極活物質を含んでおり前記負極集電体上に配置されている負極層とを含む負極と、
水系溶媒と電解質とを含む電解液と
を具備する二次電池。
【請求項２】
前記負極集電体は少なくとも表面領域の一部において、前記負極集電体の表面から深さ方向に０．１μｍ以上までの深さ領域に３０ａｔｏｍ％以上の割合で亜鉛元素を含む請求項１に記載の二次電池。
【請求項３】
前記負極集電体は、３０ａｔｏｍ％以上の割合で亜鉛元素を含んだ箔を含む請求項２に記載の二次電池。
【請求項４】
前記負極集電体は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＴｉから選択される少なくとも１種の金属を含む基板と、３０ａｔｏｍ％以上の割合で亜鉛元素を含んでおり、０．１μｍ以上１０μｍ以下の厚さを有しており、前記基板の表面の少なくとも一部に配置された第１の亜鉛含有被覆層とを含む請求項２に記載の二次電池。
【請求項５】
前記負極集電体は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、およびＡｌからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む請求項３に記載の二次電池。
【請求項６】
前記第１の亜鉛含有被覆層は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、およびＡｌからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む請求項４に記載の二次電池。
【請求項７】
前記負極集電体は少なくとも表面領域の一部において、亜鉛酸化物、亜鉛水酸化物、および塩基性炭酸亜鉛化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含んでおり、５ｎｍ以上１μｍ以下の厚さを有する酸化型亜鉛含有領域をさらに含む請求項１乃至６の何れか１項に記載の二次電池。
【請求項８】
前記負極集電体は少なくとも表面領域の一部において、前記負極集電体の表面から深さ方向へ５ｎｍ以上１μｍ以下までの深さ領域に亜鉛酸化物、亜鉛水酸化物、および塩基性炭酸亜鉛化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む請求項１乃至６の何れか１項に記載の二次電池。
【請求項９】
前記負極は、亜鉛元素、亜鉛酸化物、亜鉛水酸化物、および塩基性炭酸亜鉛化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含んでおり、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下の厚さを有する第２の亜鉛含有被覆層をさらに含む請求項１乃至８の何れか１項に記載の二次電池。
【請求項１０】
前記負極活物質は負極活物質粒子を含み、前記第２の亜鉛含有被覆層が前記負極活物質粒子の表面の少なくとも一部に配置されている請求項９に記載の二次電池。
【請求項１１】
前記電解液のｐＨ値が３以上１３以下である請求項１乃至１０の何れか１項に記載の二次電池。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１項に記載の二次電池を具備する電池パック。
【請求項１３】
通電用の外部端子と、保護回路とをさらに含む請求項１２に記載の電池パック。
【請求項１４】
複数の前記二次電池を具備し、前記二次電池が直列、並列、又は直列及び並列を組み合わせて電気的に接続されている請求項１２又は１３に記載の電池パック。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４の何れか１項に記載の電池パックを搭載した車両。
【請求項１６】
前記車両の運動エネルギーを回生エネルギーに変換する機構を含む、請求項１５に記載の車両。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９９】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］  正極と、
亜鉛元素を含む負極集電体と、チタン酸化物、リチウムチタン酸化物、およびリチウムチタン複合酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む負極活物質を含んでおり前記負極集電体上に配置されている負極層とを含む負極と、
水系溶媒と電解質とを含む電解液と
を具備する二次電池。
［２］  前記負極集電体は少なくとも表面領域の一部において、前記負極集電体の表面から深さ方向に０．１μｍ以上までの深さ領域に３０ａｔｏｍ％以上の割合で亜鉛元素を含む［１］に記載の二次電池。
［３］  前記負極集電体は、３０ａｔｏｍ％以上の割合で亜鉛元素を含んだ箔を含む［２］に記載の二次電池。
［４］  前記負極集電体は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＴｉから選択される少なくとも１種の金属を含む基板と、３０ａｔｏｍ％以上の割合で亜鉛元素を含んでおり、０．１μｍ以上１０μｍ以下の厚さを有しており、前記基板の表面の少なくとも一部に配置された第１の亜鉛含有被覆層とを含む［２］に記載の二次電池。
［５］  前記負極集電体は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、およびＡｌからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む［３］に記載の二次電池。
［６］  前記第１の亜鉛含有被覆層は、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、およびＡｌからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む［４］に記載の二次電池。
［７］  前記負極集電体は少なくとも表面領域の一部において、亜鉛酸化物、亜鉛水酸化物、および塩基性炭酸亜鉛化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含んでおり、５ｎｍ以上１μｍ以下の厚さを有する酸化型亜鉛含有領域をさらに含む［１］乃至［６］の何れか１つに記載の二次電池。
［８］  前記負極集電体は少なくとも表面領域の一部において、前記負極集電体の表面から深さ方向へ５ｎｍ以上１μｍ以下までの深さ領域に亜鉛酸化物、亜鉛水酸化物、および塩基性炭酸亜鉛化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む［１］乃至［６］の何れか１つに記載の二次電池。
［９］  前記負極は、亜鉛元素、亜鉛酸化物、亜鉛水酸化物、および塩基性炭酸亜鉛化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含んでおり、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下の厚さを有する第２の亜鉛含有被覆層をさらに含む［１］乃至［８］の何れか１つに記載の二次電池。
［１０］  前記負極活物質は負極活物質粒子を含み、前記第２の亜鉛含有被覆層が前記負極活物質粒子の表面の少なくとも一部に配置されている［９］に記載の二次電池。
［１１］  ［１］乃至［１０］の何れか１つに記載の二次電池を具備する電池パック。
［１２］  通電用の外部端子と、保護回路とをさらに含む［１１］に記載の電池パック。
［１３］  複数の前記二次電池を具備し、前記二次電池が直列、並列、又は直列及び並列を組み合わせて電気的に接続されている［１１］又は［１２］に記載の電池パック。
［１４］  ［１１］乃至［１３］の何れか１つに記載の電池パックを搭載した車両。
［１５］  前記電池パックは、前記車両の動力の回生エネルギーを回収するものである［１４］に記載の車両。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月3日(2018.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄心と前記鉄心に巻かれた巻線とを備える変圧部と、
前記変圧部を挟み込むように前記変圧部の上下面にそれぞれ配置され、フランジ部を有する第１および第２の端板と
を備え、
前記第１および第２の端板の少なくとも一方は、前記フランジ部の端部が折り曲げられた折り曲げ部材を有することを特徴とする静止誘導器。
【請求項２】
前記変圧部の側面に配置され、フランジ部を有する側板を備え、
前記側板は、当該フランジ部の端部が折り曲げられた折り曲げ部材を有することを特徴とする請求項１に記載の静止誘導器。
【請求項３】
前記第１および第２の端板を相互に連結する連結部材の端部が固定され、２箇所以上折り曲げられた吊り金具を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の静止誘導器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月29日(2018.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）プリント回路板を収容し、底面に少なくとも１つの接続コネクタが設けられた本体部と、
（ｂ）前記本体部の底面と固定され得るフランジ部と、
（ｃ）土台と固定され得る構造を有し、かつ
少なくとも一つのリブを有し、当該リブは前記フランジ部の下面に垂直に当接し、当該当接部分におけるリブの奥行（Ｄ１）は、前記フランジ部の奥行（Ｄ２）に実質的に等しい第１のケーブル収容部と、
（ｄ）前記第１のケーブル収容部に係合される第２のケーブル収容部
とを備える電子機器の筐体であって、
前記第１のケーブル収容部は、前記本体部と固定されかつ前記第２のケーブル収容部と係合しない状態で土台上に自立して前記本体部の接続コネクタに接続ケーブルを装着され得ることを特徴とする筐体。
【請求項２】
前記リブの長さ（Ｌ）は前記第１のケーブル収容部の高さ（Ｈ）に実質的に等しい請求項１記載の筐体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月18日(2018.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
外導体１８の前部は略角筒状に形成された収容筒部１９を有し、その外面には係止突部２０が突出形成され、ランス１０と係止可能である。収容筒部１９の後部には編組線１１の折り返し部分に圧着可能なバレル部２１が連続している。雌端子モジュールＦＭが端子収容室９内に収容されたときに、編組線１１に対するバレル部２１はシール筒部７内に位置している。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月14日(2018.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコイル要素を直列に接続した構成を持つ、通電によって磁束を生成するコイルと、
前記磁束を通すための磁路を形成するコアと、
前記コイルの近傍に設置された端子固定部材と、
前記コイルの全巻数のうちの所望部分を選択して使用できるようにするために、前記端子固定部材に固定された複数の接続端子とを備え、
複数の前記コイル要素の各々は、線状導体を前記コアまたはその一部に１回または複数回巻回させることによって形成されていると共に、互いに隣接する前記線状導体は、それら線状導体の間にある前記接続端子を用いて電気的・機械的に相互接続されており、
前記線状導体は絶縁被膜を有する導電性素線を複数個束ねてなるリッツ線の構成を有しており、
前記線状導体の外周は絶縁性の被覆材で覆われている
ことを特徴とする高周波用リアクトル。
【請求項２】
前記コイルの両端に位置する前記コイル要素以外の前記コイル要素の各々では、互いに隣接する位置にある二つの前記線状導体のうちの一方の一端と他方の一端とが、対応する一つの前記接続端子に機械的・電気的に共通接続されており、それによって前記二つの線状導体がそれらの間にある前記接続端子を用いて電気的に相互接続されている請求項１に記載の高周波用リアクトル。
【請求項３】
前記線状導体が、前記絶縁被膜を有する前記導電性素線を複数個束ねてなる素線束を複数個、さらに撚って束ねてなる素線束の束からなっており、その素線束の束の外周が前記被覆材で覆われている請求項１または２に記載の高周波用リアクトル。
【請求項４】
前記線状導体と前記被覆材の間に、前記線状導体を冷却するための冷却用流体を流動するための内部空隙が形成されており、
前記線状導体の端部に、前記内部空隙に対して前記冷却用流体の供給・排出を行うための流体供給・排出部材が設けられている請求項１〜３のいずれかに記載の高周波用リアクトル。
【請求項５】
前記コイルに含まれるすべての前記線状導体が、複数の前記接続端子を介して前記端子固定部材によって機械的に支持されている請求項１〜４のいずれかに記載の高周波用リアクトル。
【請求項６】
前記コアが、複数のコア・ブロックと、それらコア・ブロックを所定位置に固定する一対の導電性のコア・ブロック固定部材とを備えており、
前記端子固定部材が一対の前記コア・ブロック固定部材に保持されている請求項１〜５のいずれかに記載の高周波用リアクトル。
【請求項７】
前記コアが、複数のコア・ブロックを組み合わせた構成を有しており、それらコア・ブロックの間に前記コア・ブロックを冷却するための冷却媒体を通過させるための冷却媒体通路が設けられている請求項１〜５のいずれかに記載の高周波用リアクトル。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月18日(2018.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に第１の層の表面が露出していると共に側壁及び底面のうち少なくとも側壁に第２の層が露出する凹部が形成された半導体装置製造用の基板の上に処理ガスを供給して第３の層を形成し、当該第３の層により前記凹部を埋め込む前段工程と、
次に前記第３の層をエッチングし、前記基板の上面が露出すると共に凹部内に第３の層が残った状態でエッチングを停止するエッチング工程と、
その後、基板の上に処理ガスを供給して第３の層を形成し、当該第３の層により前記凹部を埋め込む後段工程と、を含み、
前記処理ガスを供給した時に、第１の層の表面におけるインキュベーションタイムが第２の層の表面におけるインキュベーションタイムよりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程は、凹部内における第３の層に前段工程時に形成された空隙が露出している状態でエッチングを停止することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の層に前記凹部が形成され、
前記凹部の側壁が第２の層により被覆されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の層はシリコン酸化層であり、
前記第２の層は窒化シリコン層であり、
前記第３の層は窒化シリコン層であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチング工程は、エッチング液である、加熱したリン酸溶液を基板に接触させる工程であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記後段工程を行った後、前記エッチング工程及び前記後段工程を少なくとも１回繰り返すことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
上面に第１の層の表面が露出していると共に側壁及び底面のうち少なくとも側壁に第２の層が露出する凹部が形成された半導体装置製造用の基板に対して処理を行う半導体装置の製造システムであって、
真空雰囲気中で前記基板の上に処理ガスを供給して第３の層を形成するための成膜装置と、
前記第３の層をエッチングするためのエッチング装置と、
前記成膜装置とエッチング装置との間で基板を搬送する搬送機構と、
前記成膜装置にて、第３の層により前記凹部を埋め込むステップと、次に前記成膜装置からエッチング装置に基板を搬送するステップと、前記エッチング装置にて、前記基板の上面が露出するまで前記第３の層をエッチングするステップと、その後、前記エッチング装置から成膜装置に基板を搬送するステップと、しかる後、基板の上に処理ガスを供給して第３の層を形成し、当該第３の層により前記凹部を埋め込むステップと、を実行するための制御部と、を備え、
前記処理ガスを供給した時に、第１の層の表面におけるインキュベーションタイムが第２の層の表面におけるインキュベーションタイムよりも長いことを特徴とする半導体装置の製造システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月28日(2018.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してユーザ端末に情報を提供する情報提供装置であって、
前記ユーザ端末から当該ユーザ端末の位置情報を受信し、当該位置情報に基づいて、当該ユーザ端末が情報提供場所から第１の距離の範囲内に存在するか否かを判定し、第１の距離の範囲内に存在すると判定した場合に、前記ユーザ端末に対して前記情報提供場所の位置情報を送信する手段と、
前記ユーザ端末において、当該ユーザ端末が前記情報提供場所から第２の距離の範囲内に存在すると判定された場合に、当該ユーザ端末から情報要求を受信し、当該情報要求に基づいて、前記ユーザ端末に情報を送信する手段と
を備えることを特徴とする情報提供装置。
【請求項２】
ネットワークを介してユーザ端末に情報を提供する情報提供装置であって、
前記ユーザ端末から当該ユーザ端末の位置情報を受信し、当該位置情報に基づいて、当該ユーザ端末が情報提供場所から第１の距離の範囲内に存在するか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により、前記ユーザ端末が前記情報提供場所から第１の距離の範囲内に存在すると判定された場合に、当該ユーザ端末が前記情報提供場所から第２の距離の範囲内に存在するか否かを判定し、第２の距離の範囲内に存在すると判定した場合に、当該ユーザ端末に情報を送信する送信手段と
を備えることを特徴とする情報提供装置。
【請求項３】
ネットワークを介してユーザ端末に情報を提供する情報提供装置であって、
前記ユーザ端末から当該ユーザ端末の３次元の位置情報を受信し、当該位置情報に基づいて、当該ユーザ端末が情報提供場所から所定の距離の範囲内に存在するか否かを判定し、所定の距離の範囲内に存在すると判定した場合に、前記ユーザ端末に情報を送信する手段
を備えることを特徴とする情報提供装置。
【請求項４】
ネットワークを介してユーザ端末に情報を提供する情報提供装置であって、
前記ユーザ端末から当該ユーザ端末の３次元の位置情報を受信し、当該位置情報に基づいて、当該ユーザ端末が情報提供場所から第１の距離の範囲内に存在するか否かを判定し、第１の距離の範囲内に存在すると判定した場合に、前記ユーザ端末に対して前記情報提供場所の３次元の位置情報を送信する手段と、
前記ユーザ端末において、当該ユーザ端末が前記情報提供場所から第２の距離の範囲内に存在すると判定された場合に、当該ユーザ端末から情報要求を受信し、当該情報要求に基づいて、前記ユーザ端末に情報を送信する手段と
を備えることを特徴とする情報提供装置。
【請求項５】
ネットワークを介してユーザ端末に情報を提供する情報提供装置であって、
前記ユーザ端末から当該ユーザ端末の３次元の位置情報を受信し、当該位置情報に基づいて、当該ユーザ端末が情報提供場所から第１の距離の範囲内に存在するか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により、前記ユーザ端末が前記情報提供場所から第１の距離の範囲内に存在すると判定された場合に、当該ユーザ端末が前記情報提供場所から第２の距離の範囲内に存在するか否かを判定し、第２の距離の範囲内に存在すると判定した場合に、当該ユーザ端末に情報を送信する送信手段と
を備えることを特徴とする情報提供装置。
【請求項６】
前記情報提供場所は移動する、ことを特徴とする請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の情報提供装置。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の情報提供装置における各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項８】
ネットワークを介して情報提供装置から情報を取得するユーザ端末であって、
情報提供場所に設置される発信装置からＩＤを受信し、当該ＩＤを受信する際の受信電波強度に基づいて、前記ユーザ端末と前記情報提供場所との間の距離を推定する推定手段と、
前記距離が、所定の距離よりも小さいか否かを判定し、所定の距離よりも小さいと判定した場合に、前記ＩＤを前記情報提供装置に送信する送信手段と、
前記情報提供装置から、前記ＩＤに対応する情報を受信する受信手段と
を備えることを特徴とするユーザ端末。
【請求項９】
ネットワークを介して情報提供装置から情報を取得するユーザ端末であって、
情報提供場所に設置される発信装置から、ＩＤ、情報提供場所の位置情報、及び、第１の距離の値を受信する手段と、
前記情報提供場所の位置情報、前記第１の距離の値、前記ユーザ端末の位置情報、及び、当該ユーザ端末が保持する第２の距離の値に基づいて、当該ユーザ端末が前記情報提供場所から第１の距離の範囲内に存在し、かつ、当該ユーザ端末が前記情報提供場所から第２の距離の範囲内に存在するという条件を満たすか否かを判定する手段と、
前記条件を満たすと判定された場合に、前記ＩＤを前記情報提供装置に送信し、当該情報提供装置から、前記ＩＤに対応する情報を受信する手段と
を備えることを特徴とするユーザ端末。
【請求項１０】
ネットワークを介して情報提供装置から情報を取得するユーザ端末であって、
前記情報提供装置から、ＩＤ、ＩＤに対応する情報、情報提供場所の位置情報、及び、第１の距離の値を受信する手段と、
前記情報提供場所の位置情報、前記第１の距離の値、前記ユーザ端末の位置情報、及び、当該ユーザ端末が保持する第２の距離の値に基づいて、当該ユーザ端末が前記情報提供場所から第１の距離の範囲内に存在し、かつ、当該ユーザ端末が前記情報提供場所から第２の距離の範囲内に存在するという条件を満たすか否かを判定する手段と、
前記条件を満たすと判定された場合に、前記ＩＤに対応する情報を表示する、又は、前記ＩＤに対応する情報があることを通知する手段と
を備えることを特徴とするユーザ端末。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項８ないし１０のうちいずれか１項に記載のユーザ端末における各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月13日(2018.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
特許文献２には、研削装置の別例が開示されている。具体的に、特許文献２に係る研削装置（精密研削加工装置）は、駆動モータの駆動電流の変化を検出する検出回路を備えて構成されており、ワーク（被加工物）と砥石（加工工具）とを高速で接近させている最中、検出回路の検出信号が所定の閾値（検出レベル）を超えたとき、ワークと砥石とが接触したものと判定するようになっている。この特許文献２に係る研削装置は、ワークと砥石との接触を検出すると、ワークに対する砥石の送り速度を低速へ切り換えるよう構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
研削サイクルＳｎの各工程において、駆動電力は、砥石２１とワークＷとの相対位置関係、砥石径、及び、クーラントのかかり具合等に応じてバラつく。また、早送りの最中、駆動電力は、砥石２１とワークＷとが接近するにしたがって、概ね、増加するようになっている。その結果、実施例では、駆動電力は、砥石２１が送り込まれるにしたがって、振動しながら漸増するようになっている。ここで、予定以上の取代を有するワークＷｎが投入された結果、砥石２１とワークＷｎとが接触してしまった場合、砥石駆動モータ４４にかかる負荷が増大した分だけ、駆動電力は、急速に上昇する。その場合、駆動電力が、前記の如く設定された取代閾値Ｕｎを超えることになり、制御装置１００は、前述のステップＳ３〜Ｓ５に示すように、操作者へ異常を報知して、研削サイクルＳｎを中止する。尚、取代閾値Ｕｎに基づいた判定は、早送りの最中に砥石２１とワークＷとが接触した結果、砥石２１や研削装置１に破損が生じてしまうことが無いように行っている。そのため、準急送り以降の工程では、取代閾値Ｕｎに基づいた判定は、原則として行わない。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月31日(2018.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
次に、砥石２をワーク６の内面に向けて早送りする。早送り後は、砥石２の送り速度を遅くして引き続き砥石２をワーク６の内面に向けて送り込む。本実施形態では、早送り終了から後述する砥石とワークとの接触までの期間を「準急送り」という。砥石２とワーク６とが接触すると、砥石軸回転機構４の負荷電力が急激に上昇する。入力部１４内の電力監視部（図示せず）によりこの変化を監視しており、負荷電力上昇値が所定値以上となった場合は、砥石２とワーク６とが接触したと判断して、以降、砥石２の送り速度を変化させて、ワークの研削を行う。研削は、ワークの表面変性部等を除去する研削（以下、「黒皮研削」という）粗研削、仕上げ研削、スパークアウトの順で行い、この切り替えはインライン定寸装置１０によって測定された寸法に基づき決定する。砥石２の送り速度は（早送り）＞（準急送り）＞（黒皮研削）＞（粗研削）＞（仕上げ研削）の順である。なお、スパークアウトでは、砥石２のワーク６への切り込みは行わない（ステップＳ４）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
第１コート層および第２コート層の形成は、ミカサ株式会社製ＳｐｉｎＣｏａｔｅｒ  ＭＳ-Ａ１５０を用いて行った。具体的には、まず、表４中の種類の欄に示された主成分
にバインダーが混ぜられ、固形分濃度が１０質量％以下になるよう溶剤で希釈されたコーティング剤が準備された。次に、上記アルミニウム箔の試料に、当該コーティング剤を滴下し、スピンコーティングにより５００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下のスピードで１０秒間コート後、１８０℃の温度で１分焼成することにより形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで本発明の目的は、シール機構部の手前に、スラッジ浸入防止手段を設けることで、シール性能の長寿命を実現することが可能な放電加工機の回転軸装置および該回転軸装置を有する放電加工機を提供することである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本願の請求項１に係る発明は、回転軸本体と、前記回転軸本体に軸承され回転するテーブル回転体と、前記テーブル回転体を回転させるための駆動部と、前記回転軸本体と前記テーブル回転体との間にシール材が配設されたシール機構部と、前記シール機構部に加工に用いられる清浄な流体を供給する第１供給部と、前記シール機構部に前記加工に用いられる清浄な流体を排出する排出口であって、前記加工に用いられる清浄な流体の前記テーブル回転体への流れを減少させる排出口と、を備えたことを特徴とする放電加工機の回転軸装置である。第１供給部には例えば図１の管路１０が対応する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に係る発明は、前記シール機構部は、前記回転軸本体と分割可能な構造を備えている請求項１に記載の放電加工機の回転軸装置である。  
請求項３に係る発明は、前記シール機構部に前記加工に用いられる清浄な流体の排出口を設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放電加工機の回転軸装置である。  
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項４に係る発明は、前記加工に用いられる清浄な流体を流す管路が、前記シール機構部のシール材に設けられた請求項１〜３のいずれか一つに記載の放電加工機の回転軸装置である。    
請求項５に係る発明は、前記請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の前記回転軸装置を加工槽内に備え、前記回転軸装置に備わった前記第１供給部に供給される加工に用いられる清浄な流体の量を制御する供給量制御手段を備えた放電加工機である。  
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸本体と、
前記回転軸本体に軸承され回転するテーブル回転体と、
前記テーブル回転体を回転させるための駆動部と、
前記回転軸本体と前記テーブル回転体との間にシール材が配設されたシール機構部と、
前記シール機構部に加工に用いられる清浄な流体を供給する第１供給部と、
前記シール機構部に前記加工に用いられる清浄な流体を排出する排出口であって、前記加工に用いられる清浄な流体の前記テーブル回転体への流れを減少させる排出口と、
を備えたことを特徴とする放電加工機の回転軸装置。
【請求項２】
前記シール機構部は、前記回転軸本体と分割可能な構造を備えている請求項１に記載の放電加工機の回転軸装置。
【請求項３】
前記シール機構部に前記加工に用いられる清浄な流体の排出口を設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放電加工機の回転軸装置。
【請求項４】
前記加工に用いられる清浄な流体を流す管路が、前記シール機構部のシール材に設けられた請求項１〜３のいずれか一つに記載の放電加工機の回転軸装置。
【請求項５】
前記請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の前記放電加工機の回転軸装置を加工槽内に備え、前記回転軸装置に備わった前記第１供給部に供給される加工に用いられる清浄な流体の量を制御する供給量制御手段を備えた放電加工機。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月1日(2018.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工作機械の洗浄システムであって、
流体を噴射可能なノズルと、
前記ノズルを移動させるマニピュレータと、
被加工物が設置される領域内に設定された複数の重点区域の各々に対して予め定められた、該重点区域に存在する前記加工屑に流体を吹き付けるときの前記ノズルの位置および姿勢を記憶する記憶部と、
前記領域を撮像する撮像部と、
前記撮像部によって撮像された画像に基づいて、前記領域に存在する加工屑を検出する加工屑検出部と、
前記加工屑検出部が１つの前記重点区域に存在する前記加工屑を検出したときに、該１つの重点区域に対応する前記位置および姿勢を前記記憶部から読み出して、該１つの重点区域に存在する該加工屑に向かって前記流体を吹き付けるときの前記ノズルの位置および姿勢として決定する配置決定部と、
前記配置決定部によって決定された前記位置および前記姿勢に前記ノズルを配置させるように、前記マニピュレータを制御するマニピュレータ制御部と、
前記ノズルが前記位置および前記姿勢に配置されたときに、前記ノズルに前記流体を供給して該ノズルを通して該流体を噴射させる流体供給部と、を備える、洗浄システム。
【請求項２】
前記記憶部が記憶する前記位置および姿勢は、前記ノズルから噴射された前記流体によって前記加工屑を予め定められた方向へ吹き飛ばすことができるように定められる、請求項１に記載の洗浄システム。
【請求項３】
前記撮像部は、前記マニピュレータによって移動され、
前記マニピュレータ制御部は、前記マニピュレータを動作させて、前記撮像部を、各々の前記重点区域の拡大画像を撮像可能な複数の位置に配置させ、
前記撮像部は、前記複数の位置の各々において前記領域を撮像する、請求項１または２に記載の洗浄システム。
【請求項４】
前記撮像部は、前記流体の噴射後に前記領域を再度撮像し、
前記加工屑検出部は、前記流体の噴射後に前記撮像部によって撮像された画像に基づいて、前記流体の噴射後に前記領域に残存している前記加工屑を検出し、
前記マニピュレータ制御部は、前記加工屑検出部によって前記１つの重点区域に前記残存している加工屑が検出されたときに、前記マニピュレータを動作させて、前記ノズルを前記配置決定部によって決定された前記位置および前記姿勢に再度配置させ、
前記流体供給部は、前記ノズルに前記流体を再度供給して該ノズルを通して該流体を再度噴射させる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の洗浄システム。
【請求項５】
前記流体供給部が前記ノズルから流体を噴射させる動作を実行した回数が、予め定められた回数を上回ったときに警告を生成する警告生成部をさらに備える、請求項４に記載の洗浄システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月21日(2018.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
エンジン（２０）と、
前記エンジンと動力伝達可能に連結された三相回転電機（３０、１３０）と、
直流電源（４０）と、
前記三相回転電機と前記直流電源との間で電力変換するインバータ（５０）と、
前記エンジンの運転状態に基づいて、前記電力変換時に前記インバータの各相をオン・オフする位相を制御する位相制御部（６０）と、
を備えているシステム（１０、１１０）に適用される三相回転電機の故障検出装置（７０）であって、
前記三相回転電機の正常時において、前記電力変換時に前記エンジンの運転状態に基づいて制御される前記位相を記憶している記憶部（７１）と、
前記位相制御部により制御されている前記電力変換時の前記位相と、前記記憶部に記憶されている対応する前記電力変換時の前記位相との乖離量に基づいて、前記三相回転電機の故障を判定する故障判定部（７２）と、
を備え、
前記位相は、前記インバータの各相への印加電圧の位相であり、
前記記憶部は、前記エンジンの運転状態と、前記三相回転電機の正常時における前記印加電圧の位相と、を対応付けて記憶していることを特徴とする回転電機の故障検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月7日(2018.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面シートと裏面シートとを備えるパウチ容器であって、
前記表面シートと前記裏面シートに囲まれた空間が内容物の充填部を形成し、前記充填部に繋がる開口部が前記パウチ容器上部の前記表面シートと前記裏面シートとの間に形成されており、
前記表面シートの内側に設けられた第１の内側シートと、
前記裏面シートの内側に設けられた第２の内側シートと、
前記表面シートに形成され、内側に折り込み可能な第１の舌片と、
前記表面シートと前記第１の内側シートとが重なり合うことで形成され、前記第１の舌片を前記表面シートの内側に折り込むことで形成された第１の挿入口から指を挿入可能である、前記充填部から隔離された第１の内部空間と、
前記裏面シートと前記第２の内側シートとが重なり合うことで形成され、前記裏面シートに形成された第２の挿入口から指を挿入可能である、前記充填部から隔離された第２の内部空間と、
を有することを特徴とするパウチ容器。
【請求項２】
表面シートと裏面シートとを備えるパウチ容器であって、
前記表面シートと前記裏面シートに囲まれた空間が内容物の充填部を形成し、前記充填部に繋がる開口部が前記パウチ容器上部の前記表面シートと前記裏面シートとの間に形成されており、
前記表面シートの外側に設けられた第１の外側シートと、
前記裏面シートの外側に設けられた第２の外側シートと、
前記第１の外側シートに形成され、内側に折り込み可能な第１の舌片と、
前記表面シートと前記第１の外側シートとが重なり合うことで形成され、前記第１の舌片を前記第１の外側シートの内側に折り込むことで形成された第１の挿入口から指を挿入可能である、前記充填部から隔離された第１の内部空間と、
前記裏面シートと前記第２の外側シートとが重なり合うことで形成され、前記第２の外側シートに形成された第２の挿入口から指を挿入可能である、前記充填部から隔離された第２の内部空間と、
を有することを特徴とするパウチ容器。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のパウチ容器であって、
前記パウチ容器は、さらに、
前記開口部を閉じるチャック、
を備え、
前記第１の内部空間と前記第２の内部空間とは前記チャックより上方に設けられることにより、前記第１の内部空間と前記第２の内部空間とが前記充填部から隔離されることを特徴とするパウチ容器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月29日(2018.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性化合物と、有機溶剤と、レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤を含み、前記硬化性化合物および有機溶剤の合計１００重量部に対し、レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤を０．０５〜７０重量部含むレーザーダイレクトストラクチャリング層形成用組成物と、
熱可塑性樹脂を含む熱可塑性樹脂組成物を成形した成形品であって、メッキ層が形成される部分が平滑である成形品を有するキットであって、
前記レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤は、レーザーが照射された部分のみを活性化するものであり、
前記レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤が、銅およびクロムを含む酸化物、アンチモンおよび／またはリンと、錫を含む酸化物、および、少なくとも２種の金属を含み、かつ、抵抗率が５×１０3Ω・ｃｍ以下の導電性酸化物から選択される少なくとも１種であり、
前記レーザーダイレクトストラクチャリング層形成用組成物から形成されるレーザーダイレクトストラクチャリング層の厚さが０．１〜１０００μｍである、キット。
【請求項２】
硬化性化合物と、有機溶剤と、レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤を含み、前記硬化性化合物および有機溶剤の合計１００重量部に対し、レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤を０．０５〜７０重量部含むレーザーダイレクトストラクチャリング層形成用組成物と、
熱可塑性樹脂を含む熱可塑性樹脂組成物を成形した成形品であって、メッキ層が形成される部分が平滑である成形品を有するキットであって、
前記レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤が、銅およびクロムを含む酸化物、アンチモンおよび／またはリンと、錫を含む酸化物、および、少なくとも２種の金属を含み、かつ、抵抗率が５×１０3Ω・ｃｍ以下の導電性酸化物から選択される少なくとも１種であり、
前記レーザーダイレクトストラクチャリング層形成用組成物から形成されるレーザーダイレクトストラクチャリング層の厚さが０．１〜１０００μｍである、キット。
【請求項３】
前記レーザーダイレクトストラクチャリング層形成用組成物から形成されるレーザーダイレクトストラクチャリング層の厚さが０．５〜３００μｍである、請求項１または２に記載のキット。
【請求項４】
前記硬化性化合物が樹脂である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のキット。
【請求項５】
前記硬化性化合物が、紫外線硬化性化合物または熱硬化性化合物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のキット。
【請求項６】
前記レーザーダイレクトストラクチャリング層形成用組成物は、前記硬化性化合物を、２０〜８０重量％含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のキット。
【請求項７】
前記熱可塑性樹脂組成物がレーザーダイレクトストラクチャリング添加剤を実質的に含まない、請求項１〜６のいずれか１項に記載のキット。
【請求項８】
前記熱可塑性樹脂組成物が、染顔料および／または難燃剤組成物を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のキット。
【請求項９】
前記熱可塑性樹脂組成物が、顔料および／または難燃剤組成物を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のキット。
【請求項１０】
前記熱可塑性樹脂組成物が、黒色染顔料を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のキット。
【請求項１１】
前記熱可塑性樹脂組成物が、アンチモン系難燃剤、ハロゲン系難燃剤、リン系難燃剤および有機金属塩系難燃剤から選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のキット。
【請求項１２】
前記熱可塑性樹脂がポリカーボネート樹脂である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のキット。
【請求項１３】
熱可塑性樹脂成形品の表面に、レーザーダイレクトストラクチャリング層形成用組成物を適用し、硬化させてレーザーダイレクトストラクチャリング層を形成した後、前記レーザーダイレクトストラクチャリング層にレーザーを照射し、メッキ層を形成する工程を含み、
前記熱可塑性樹脂成形品の表面のうち、メッキ層が形成される部分の表面は平滑な面であり、
レーザーダイレクトストラクチャリング層形成用組成物は、硬化性化合物と、有機溶剤と、レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤を含み、かつ、前記硬化性化合物および有機溶剤の合計１００重量部に対し、レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤を０．０５〜７０重量部含み、
前記レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤が、レーザーが照射された部分のみを活性化するものであり、
前記レーザーダイレクトストラクチャリング添加剤が、銅およびクロムを含む酸化物、アンチモンおよび／またはリンと、錫を含む酸化物、および、少なくとも２種の金属を含み、かつ、抵抗率が５×１０3Ω・ｃｍ以下の導電性酸化物から選択される少なくとも１種であり、
前記レーザーダイレクトストラクチャリング層の厚さが０．１〜１０００μｍである、メッキ層付樹脂成形品の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のキットを用いる、請求項１３に記載のメッキ層付樹脂成形品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月21日(2018.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）約２９．１、４０．８、１０１．１、１０２．６、１１３．０、１１７．５、１２１．０、１２５．１、１２８．４、１３２．０、１３７．９、１４３．５、１４５．０および１５８．６ｐｐｍの炭素−１３  ＣＰＭＡＳ固相ＮＭＲピークを特徴とするか、または
（ｂ）約９．８、４．９および４．１オングストロームのｄ−スペーシングに対応する、ｘ線粉末回折、Ｃｕ  Ｋアルファ、ピークを特徴とするか；または
（ｃ）ＤＳＣにより測定した場合、次の吸熱：
（１）約１３０から約２６０℃の範囲の外挿開始温度、約２４５から約２６５℃の範囲のピーク温度および約４から約８Ｊ／ｇの範囲のエンタルピー変化を有する、化合物Ａ  Ｃ結晶性無水物ＩＩ型の無水物Ｉ型への多形転移に伴う吸熱；および
（２）約２８３から約２８４℃の範囲の外挿開始溶融温度、約２８５から約２８７℃の範囲のピーク溶融温度および約１２７から約１３７Ｊ／ｇの範囲のエンタルピー変化を有する吸熱
を有する、
３−クロロ−５−（｛１−［（４−メチル−５−オキソ−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル）メチル］−２−オキソ−４−（トリフルオロメチル）−１，２−ジヒドロピリジン−３−イル｝オキシ）ベンゾニトリルの結晶性無水物ＩＩ型を含む医薬組成物。
【請求項２】
３−クロロ−５−（｛１−［（４−メチル−５−オキソ−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル）メチル］−２−オキソ−４−（トリフルオロメチル）−１，２−ジヒドロピリジン−３−イル｝オキシ）ベンゾニトリルの結晶性無水物ＩＩ型が、約９．８、４．９および４．１オングストロームのｄ−スペーシングに対応する、ｘ線粉末回折、Ｃｕ  Ｋアルファ、ピークを特徴とし、約５．５、４．４および３．８オングストロームのｄ−スペーシングに対応する、ｘ線粉末回折、Ｃｕ  Ｋアルファ、ピークをさらに特徴とする、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
３−クロロ−５−（｛１−［（４−メチル−５−オキソ−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル）メチル］−２−オキソ−４−（トリフルオロメチル）−１，２−ジヒドロピリジン−３−イル｝オキシ）ベンゾニトリルの結晶性無水物ＩＩ型が、約９．８、５．５、４．９、４．４、４．１および３．８オングストロームのｄ−スペーシングに対応する、ｘ線粉末回折、Ｃｕ  Ｋアルファ、ピークを特徴とし、約７．８、６．７および２．７オングストロームのｄ−スペーシングに対応する、ｘ線粉末回折、Ｃｕ  Ｋアルファ、ピークをさらに特徴とする、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
３−クロロ−５−（｛１−［（４−メチル−５−オキソ−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル）メチル］−２−オキソ−４−（トリフルオロメチル）−１，２−ジヒドロピリジン−３−イル｝オキシ）ベンゾニトリルの結晶性無水物ＩＩ型が、実質的に純粋な形態である、請求項１から３の何れか１項に記載の医薬組成物。