【事件の表示】
　平成　６年特許願第　９７３１３号「光記録媒体及び光記録媒体の再生方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１１月２１日出願公開、特開平　７−３０７０３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成６年５月１１日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明は、平成１３年１２月２５日付け、平成１５年５月２９日付け及び平成１６年６月２８日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　【請求項１】　「光透過性基板上に、情報信号に対応した配列パターンで凹凸形状のピットが形成され、このピットが再生光スポットによって走査されることで信号再生がなされる光記録媒体において、上記ピットは、上記再生光スポットの走査方向と直交する方向を長径とする長円形状に形成されるとともに、上記長径方向の長さがトラックピッチの１／２以下とされ、上記光透過基板の上記ピットが形成された面上に、ナフタロシアニン誘導体を含有する材料膜が形成されたことを特徴とする光記録媒体。」
　
２．引用例
　これに対し、当審の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開平５−２８５３５号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開平５−１７４４２８号公報（以下、「引用例２」という。」）には、次の記載がある。なお、下線は当審が付したものである。
　
　引用例１（特開平５−２８５３５号公報）には、図面とともに、
　（1-i）「【請求項１】　スポット光を利用して再生または記録再生する記録層と、照射された光の強度に応じて光透過率が変化する補助層とを積層したことを特徴とする光記録媒体。
　【請求項２】　補助層は、照射された光の強度に応じて光透過率が一時的に変化する光透過率変化材であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。」（特許請求の範囲参照）、及び、
　（1-ii）「【０００８】　上記のように構成された光記録媒体では、再生または記録再生するスポット光が補助層に入射すると、スポット光のうち光強度が強い中心部分では補助層の光透過率が大きくなり、スポット光のうち光強度が弱い周辺部分では補助層の光透過率が小さくなる。その結果、スポット光のうち光強度が強い中心部分は、周辺部分と比較してより強度が大きくなり、スポット光のうち光強度が弱い周辺部分は、中心部分と比較してより強度が小さくなる。すなわち、スポット光の径が実質的に小さくなって、記録層に入射される。」（段落【０００８】参照）こと、
　（1-iii）「【０００１】　【産業上の利用分野】　本発明は光ディスク・光カード・光テープなどスポット光を利用して再生または記録再生する光記録媒体に関し、特に読出し用スポット光の径を実質的に小さくして高密度な情報蓄積を可能としたものであり、再生専用型光記録媒体、追加記録可能型光記録媒体、書替え可能型光記録媒体いずれにも応用可能なものである。」（段落【０００１】参照）こと、
　（1-iv）「【００１１】　上記ような光ディスク１は、図１の（Ａ）に示すように、スポット光照射手段４からのスポット光を利用して再生または記録再生される。すなわち、スポット光照射手段４から照射された光スポットは光透過率変化材である補助層３側から記録層２へ入射して再生、記録再生動作がなされる。記録層２へ入射した光ａは、その反射光ｂまたは透過光ｂ’が読取られて再生され、また、光スポットにより記録層２が固定的（不可逆的に）変化して情報が記録される。
　【００１２】　この
スポット光の照射時、光透過率変化材である補助層３は、図１の（Ｄ）に示すような光強度と光透過率との光学的特性を持つので、再生・記録に用いられる光スポット径は、実質的には縮小することとなる。
図１の（Ｂ）は、光ディスクをピット状の基板・反射層を有する再生専用型光記録媒体として構成した具体例
この光ディスク１１は、基板１２，光透過率変化材である補助層１３（光ディスク１の補助層２対応），反射層１４（光ディスク１の記録層２対応），保護層１５を順次積層したものである
　【００１３】　ここで、光スポット径の縮小程度について説明する。説明を容易にするために、入射光の強度と光透過率がほぼ比例した図１の（Ｄ）の点線のような光透過率特性であるとすると、光スポット径は約 3/4に縮小される。実際には、図１の（Ａ）の実線のような特性を持つので、光スポット径はさらに縮小し、実質的には約 3/5になる。図のように反射光を検出する場合は、光透過率変化である補助層３を２回通過するので、光スポット径はさらに縮小し 1/2〜 1/3になり、記録密度にすると約４倍〜９倍になる。」（段落【００１１】〜【００１３】参照）こと、
　（1-v）「【００１４】　＜光透過率変化材である補助層＞　補助層２は照射された光の強度により光透過率が（一時的に）変化する光透過率変化材、例えば環状有機金属錯体、相変化材料、フォトクロミックなどであり、図１の（Ｄ）に示すように入射した光の強度が大きいほど光透過率が大きくなるものである。
　　・・・（中略）・・・
　【００１６】　また、光透過率変化材としては、フタロシアニン金属（ニッケル、アルミニウム、鉄、スズ、その他の遷移金属）錯体に配位子としてピリジン（その他の極性分子ＮＨ3、陰イオンＣｌ−）が結合したものも使用できる。これは、読取り用のスポット光（波長 600〜 700nm）を照射すると、配位結合の分離を起こして光吸収スペクトラムの変化により、光透過率が大きく一時的に変化する。この結果、上述したように、実質的なスポット光の径が小さくなる。読取り用のスポット光を照射がなくなると、再結合で元に戻る。なお、
ナフタロシアニン金属錯体の配位子も同様に 800nm付近の光照射で、光透過率が大きく変化して再結合で元に戻るので、光透過率変化材として使用できる
　【００１７】　これらの環状有機金属錯体の金属配位結合の分離・再結合反応はpsec〜nsecのオーダーで変化するので、高転送レートの再生に有利である。さらに、
スピンナー法で塗布が可能であり、安価な製造設備で生産ができ、かつ生産性が良い特長がある。
　（1-vi）「【００２６】　図２は、再生専用型光記録媒体への具体例であり、反射層を有する例である（前述した図１の（Ｂ）参照）。
光ディスク１１は、基板１２，光透過率変化材である補助層１３，反射層１４，保護層１５を順次積層したものである
情報は基板１２のピットとして記録され
入射側である基板１２）と記録層として実質的に機能する反射層１４との間に光透過率変化材である補助層１３を設けている
　
　引用例２（特開平５−１７４４２８号公報）には、図面とともに、
　（2-i）「【請求項１】　基体上に被着形成したフォトレジスト層に対して記録情報に応じて光変調された光スポットをもって露光を行う工程と、上記フォトレジスト層の現像処理によって記録情報に応じた凹凸パターンを形成する工程と、該凹凸パターンに基づいてＲＯＭディスクを作製する工程とを少なくとも有するＲＯＭディスクの製造方法において、上記フォトレジスト層に対する露光光を
トラック幅方向に長軸を有する長円形スポット光をもって
　（2-ii）「【０００１】　【産業上の利用分野】　本発明は、
記録ピットが予めカッティングされたＣＤ（コンパクトディスク）等のＲＯＭディスクの製造方法に係わる
　（2-iii）「【０００７】　この光変調記録についてみると、この場合図６Ａ，Ｂ及びＣにその記録光のスポットを示すように、
記録密度を上げていくに伴い、順次ＡからＣに向かうように、記録光のスポットの径を小さくする必要があることから、これによって得られた記録部の記録ピットＰのトラック幅方向の幅Ｗについても漸次これが小となり再生出力が小さく、変調伝達関数ＭＴＦが悪くなる
【０００８】　一方、記録の読出しを高い変調度ＭＴＦ（モジュレーション・トランスファ・ファンクション）をもって行うには、読み出し光の波長λを小さく、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．を高めることになるが、実際上再生光として一般に用いられる普及型の半導体レーザの波長は、７８０ｎｍであり、Ｎ．Ａ．についてもこれがあまり大きいとディスクの傾きによる収差が大きくなるとか焦点深度が浅いことによってフォーカスが不安定になることなどから、この開口数Ｎ．Ａ．は、０．５５程度とされている。
【０００９】　そして、今、このＭＴＦの、例えば“０”，“１”の繰返しパターンの密度Ｌｐ／ｍｍの依存性をみると、図８に示すようになり、その記録密度の限界はλ／２ＮＡで決まる周波数となるが、同図中各曲線ａ，ｂ，ｃで示すように記録ピットの幅の減少に伴ってその変調度が低下する。　【００１０】　したがって、このようないわば光変調記録に対応するＲＯＭディスクにおいては、高変調度の高記録密度によるＲＯＭディスクが得難い。
【００１１】　これに対しＭＯ（光磁気）ディスクについてみると、これにおいて磁界変調記録が用いられるときは、図９Ａ，Ｂ及びＣで示すように、順次高密度化されてもその磁気的ピットＰの配列方向に重ね書きができることからトラック幅方向のピット幅Ｗをほとんど一定に、即ち大なる幅に保持した状態で高密度記録を行うことができる。
【００１２】　このように磁界変調によるＭＯディスクにおいては、高密度化されてもなお、そのピットが、トラック幅方向に関して大なる幅を保持できることから大きな変調度が得られる。
【００１３】　そして、このように高密度化されたＭＯディスクの再生機に、上述したＯＤディスクとの互換性を持たせるには、同じ信号処理、同じ回転数でその読出しを行うことができるようにすなわち同じフォーマットのＯＤ−ＲＯＭディスクを作製することが望まれる。」（段落【０００７】〜【００１３】参照）こと、
　（2-iv）「【００１４】　【発明が解決しようとする課題】　本発明においては、ＭＯディスクと同程度の高密度記録化をはかることができ、しかも高変調度が得られるＯＤ−ＲＯＭディスクを作製することができるようにする。
【００１５】　すなわち、現状においてＭＯディスクにおいては、０．４μｍに及ぶ小さいピットの形成が可能な状態となっているものであるが、本発明は、これと同程度の最短ピットを含み、ベースバンド情報を確実にピットとして形成することができるようにする。」（段落【００１４】〜【００１５】参照）こと、
　（2-v）「【００３０】　このような構成において、本発明においては光源１８から対物レンズ２２の光路上、例えば光源１８と光変調器２０との間、あるいはその後段にアナモルクィックプリズム２４を配置して、図３ＡでそのスポットＳＰを示したように、
トラック幅方向とこれと直交するピットの配列方向に関して非対称の倍率とされた長円形スポットＳＰを形成する
【００３１】　さらに、この記録は１ビット当たり１パルスの露光によって行う。すなわち１ビット毎に独立した露光を図３Ｂに示すように行う。
【００３２】　このようにすることによって前述したようにベースバンド情報をピットとしてカッティングする場合においても独立した不連続のピットＰとして形成することができる。そして、この場合このピットＰは最密状態に形成する。」（段落【００３０】〜【００３２】参照）こと、
　（2-vi）「【００３４】　上述したように、本発明においては長円形スポットＳＰを用いて露光処理を施し、これによってスタンパを作製し、このスタンパによってＲＯＭディスクを得るものであるが、このようにして得たＲＯＭディスクのピットすなわち凹部は従来の円形スポットによって得たピットの最端ピット（当審注：最短ピットの誤記と認める）が０．８７μｍであったものであるのに比し０．４５μｍ以下例えば０．４μｍに及ぶピットの形成が可能となり磁界変調型におけると同等の高密度化をはかることができる。」（段落【００３４】参照）ことが記載されている。
　
３．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例１に記載の発明とを対比する。
　引用例１には、上記摘示より、
　「情報が基板のピットとして記録されている再生専用型光記録媒体であって、読取り用光スポットの入射側である基板と、照射された光の強度に応じて光透過率が一時的に変化する光透過率変化材（例えば、ナフタロシアニン金属錯体を配位子としたもの）からなる補助層と、反射層が順次積層されていることを特徴とする光記録媒体。」の発明が記載されているものと認められる。　そして、
　（ａ）引用例１に記載の発明の「情報が基板のピットとして記録されている」ことは、基板のピットとして情報を記録することが凹凸形状のピットを基板に形成することに他ならず、また「読取り用光スポットの入射側である基板」が光透過性基板であることを意味するから、本願発明の「光透過性基板上に、情報信号に対応した配列パターンで凹凸形状のピットが形成され」たものに相当し、
　（ｂ）引用例１に記載の発明の「情報が基板のピットとして記録されている再生専用型光記録媒体」は、本願発明の「このピットが再生光スポットによって走査されることで信号再生がなされる光記録媒体」に相当し、
　（ｃ）引用例１に記載された発明の「照射された光の強度に応じて光透過率が一時的に変化する光透過率変化材（例えば、ナフタロシアニン金属錯体を配位子としたもの）からなる補助層」は基板の上に積層されていることであるから、これは本願発明の「光透過基板の上記ピットが形成された面上に、ナフタロシアニン誘導体を含有する材料膜が形成された」ことに相当する。
　なお、本願発明では、発明の詳細な説明に記載されたナフタロシアニン誘導体が可飽和吸収色素であるとの限定がないけれども、そのナフタロシアニン誘導体の可飽和吸収の作用（再生光が照射されると、再生光スポット内で光量が強い中心部ほど強く可飽和吸収が起こり、吸収率が大きく低下して、強く可飽和吸収が起きた領域がアパーチャとして機能する、段落【００５５】参照）は、引用例１記載の「ナフタロシアニン金属錯体を配位子としたもの」の「照射された光の強度に応じて光透過率が一時的に変化する光透過率変化材」の作用と同じで、いずれもいわゆる超解像再生を意図している点でも同じである。
　
　してみると、両発明は、「光透過性基板上に、情報信号に対応した配列パターンで凹凸形状のピットが形成され、このピットが再生光スポットによって走査されることで信号再生がなされる光記録媒体において、上記光透過基板の上記ピットが形成された面上に、ナフタロシアニン誘導体を含有する材料膜が形成されたことを特徴とする光記録媒体。」の発明である点で一致する。
　しかし、本願発明では、「上記ピットは、上記再生光スポットの走査方向と直交する方向を長径とする長円形状に形成されるとともに、上記長径方向の長さがトラックピッチの１／２以下とされ」る点が特定されているのに対し、引用例１に記載の発明ではそのことについて言及していない点で相違する。
　
　この相違点について以下検討する。
　ところで、引用例２には、トラック幅方向（走査方向と直交する方向）の長さが、トラック幅方向に直交する方向（走査方向に相当）の幅に比べて長い長円形のピットを採用することにより、トラック幅方向のピット幅Ｗをほとんど一定に、即ち大なる幅に保持した状態で変調度を低下させずに高密度化が図れることが記載されている（摘示（2-ii）、（2-iii）、（2-iv）、図３など参照、）。　なお、長円形のピットを走査方向に短径がくる（トラック幅方向に長径がくる）ように配列することは、当審での拒絶理由にも示したように例えば、特開平２−６４９３４号公報（第１図（ｂ）、第３頁右上欄下から３行〜同頁左下欄２行、第３頁左下欄１４〜１９行など参照）や特開昭６４−４８２４２号公報（特許請求の範囲、第３頁左下欄、第１図、第４頁右上欄の傾斜角度θは０度乃至９０度の設定が可能、トラックピッチが大きければ大きい角度でも採用可能との記載など参照）などで知られている。
　そうであるから、引用例１に記載の再生専用型光記録媒体の発明において、引用例２などで明らかにされているトラック幅方向のピット幅を大きな幅に保持した状態で、即ちそれによって反射光量をあまり低減させず、変調度を低下させずに高密度記録を可能とするトラック幅方向に長い長円形のピット形状（即ち「ピットは、上記再生光スポットの走査方向と直交する方向を長径とする長円形状」）を採用することは、その高密度記録の観点から当業者が容易に想い到ることと認められる。
　
　それに伴い、「上記長径方向の長さがトラックピッチの１／２以下とされ」る点に関して検討すると、ピット長径方向の長さがトラックピッチの幅以上であるとトラック幅方向にピットが接触乃至重なり隣接トラックからのクロストークが発生することは自明であり、それを避けるため、即ちピット同士の分離性の良いピットとし互いに隣接するトラックに形成されるピット間の干渉を避けるために、トラック幅方向のピット間隔をある程度あける必要があることは明らかである。そして、ここではあけるピット間隔の程度を単にトラック幅方向即ちピットの長径方向の長さがトラックピッチの１／２以下をもって表現しているにすぎず、上記１／２以下と規定することは単なる設計事項にすぎない。ちなみに、ＣＤ（コンパクトディスク）では、ピットのトラック幅方向の大きさはトラックピッチの１／３位であることが知られている。
　
　なお、色素層の形成にスピンコート法を採用した場合に、真円状ピットであるとピット径が小さいと底部の浮いた浅いピットが形成され、ピット径が比較的大きく隣接ピット間隔が狭くなるとピット同士が繋がり、分離性の悪いピットが形成されるのに対し、本願発明ではそのようなことがない旨の本願明細書（段落【００５７】〜【００５９】）の記載は、スピンコート法が特許請求の範囲に特定された構成ではないから本願発明の作用効果として採用できない。仮にスピンコート法の使用を想定したところで、その色素層が形成されるピットの窪みの深さが、ピットの溝幅、溝深さ、スピンコータの回転速度などによって変化することは知られていて、ピット径が小さいほど色素で埋まりやすいことも周知のことにすぎず、更に、スピンコートするために必要な塗料の流動性からみて、ピット間隔が狭ければピット間の色素ののりが悪くなることも当然予想できる範囲のものである。
　
　よって、本願発明は、引用例１と引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得る。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。