【手続補正書】
【提出日】平成30年7月20日(2018.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された第１導電型の電荷蓄積領域と、
前記半導体基板に形成された前記第１導電型の第１電荷保持領域と、
前記電荷蓄積領域から前記第１電荷保持領域に電荷を転送するための第１トランジスタと、
前記半導体基板に形成された前記第１導電型の第２電荷保持領域と、
前記第１電荷保持領域から前記第２電荷保持領域に電荷を転送するための第２トランジスタと、を備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記電荷蓄積領域の上に第１開口を有する第１レジストパターンを、前記半導体基板の上に形成する工程と、
前記電荷蓄積領域が埋め込み型になるように、前記第１開口を介して第２導電型の第１不純物を注入する工程と、
前記第１電荷保持領域の上に第２開口を有する第２レジストパターンを、前記半導体基板の上に形成する工程と、
前記第１電荷保持領域が埋め込み型になるように、前記第２開口を介して前記第２導電型の第２不純物を注入する工程と、
を有し、
前記第１不純物を注入する工程では、前記半導体基板の上面の垂線に対して傾斜し、かつ、前記第１電荷保持領域側から前記電荷蓄積領域側に向かう第１方向に前記第１不純物を注入し、
前記第２不純物を注入する工程では、前記垂線に対して傾斜し、かつ、前記第２電荷保持領域側から前記第１電荷保持領域側に向かう第２方向に前記第２不純物を注入する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１トランジスタによる前記電荷蓄積領域から前記第１電荷保持領域への電荷の転送の方向と、
前記第２トランジスタによる前記第１電荷保持領域から前記第２電荷保持領域への電荷の転送の方向は互いに逆向きである
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板の上面に対する平面視において、前記第１開口は、前記第１トランジスタの第１ゲート電極の前記電荷蓄積領域の側の一部に重なっており、かつ、前記第２開口は、前記第２トランジスタの第２ゲート電極の前記第１電荷保持領域の側の一部に重なっている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１不純物を注入する工程において、前記第１ゲート電極の前記電荷蓄積領域の側の側面にはサイドスペーサは形成されておらず、かつ、前記第２不純物を注入する工程において、前記第２ゲート電極の前記第１電荷保持領域の側の側面にはサイドスペーサは形成されていない
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１不純物を注入する工程では、前記電荷蓄積領域を埋め込み型にする前記第２導電型の第１不純物領域を、前記第１ゲート電極の前記電荷蓄積領域の側の端から離れた位置に形成し、
前記第２不純物を注入する工程では、前記第１電荷保持領域を埋め込み型にする前記第２導電型の第２不純物領域を、前記第２ゲート電極の前記第１電荷保持領域の側の端から離れた位置に形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２不純物を注入する工程では、前記第２不純物領域は、更に、前記第１ゲート電極の前記第１電荷保持領域の側の端から離れた位置に形成される
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１不純物を注入する工程において、前記第１方向は、前記第１ゲート電極の前記電荷蓄積領域の側の端から該工程の後に形成されるべき前記第１不純物領域までの距離と、前記第１ゲート電極の高さとに基づいて決定され、
前記第２不純物を注入する工程において、前記第２方向は、前記第２ゲート電極の前記第１電荷保持領域の側の端から該工程の後に形成されるべき前記第２不純物領域までの距離と、前記第２ゲート電極の高さとに基づいて決定される
ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１不純物を注入する工程では、前記第１不純物の注入を、該注入の対象物であるウエハであって前記半導体基板を含むウエハを前記第１方向に対して固定しながら行い、かつ、前記第２不純物を注入する工程では、前記第２不純物の注入を、前記ウエハを前記第２方向に対して固定しながら行う
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１不純物および前記第２不純物には、同じ元素が用いられる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記固体撮像装置の製造方法は、前記第１レジストパターンを形成する工程の前に、前記電荷蓄積領域と、前記第１電荷保持領域と、前記第２電荷保持領域と、前記第１ゲート電極と、前記第２ゲート電極とを、
前記電荷蓄積領域と前記第１電荷保持領域とが、前記第１ゲート電極を介して第３方向で互いに隣り合い、
前記第１電荷保持領域と前記第２電荷保持領域とが、前記第２ゲート電極を介して前記第３方向で互いに隣り合い、
前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極とが、前記第３方向と交差する第４方向で互いに隣り合い、
前記電荷蓄積領域と前記第２電荷保持領域とが、前記第４方向で互いに隣り合う
ように前記半導体基板に形成する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１方向の前記半導体基板の上面と平行な成分と、前記第２方向の該上面と平行な成分とは、互いに逆向きである
ことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記電荷蓄積領域と、前記第１電荷保持領域と、前記第２電荷保持領域と、前記第１ゲート電極と、前記第２ゲート電極とを１つのグループとして、
前記固体撮像装置は、前記グループを２つ有しており、
前記電荷蓄積領域と前記第１電荷保持領域と前記第２電荷保持領域と前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極とを前記半導体基板に形成する工程では、前記２つのグループのそれぞれについての前記電荷蓄積領域、前記第１電荷保持領域、前記第２電荷保持領域、前記第１ゲート電極および前記第２ゲート電極を、前記２つのグループが互いに隣り合いながら線対称の関係になるように形成する
ことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記電荷蓄積領域と前記第１電荷保持領域と前記第２電荷保持領域と前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極とを前記半導体基板に形成する工程では、前記２つのグループのうちの一方の前記電荷蓄積領域と、前記２つのグループのうちの他方の前記電荷蓄積領域とは、前記一方の前記第２電荷保持領域と、前記他方の前記第２電荷保持領域との間に形成され、
前記固体撮像装置の製造方法は、前記第２不純物を注入する工程の後に、前記一方の前記電荷蓄積領域および前記他方の前記電荷蓄積領域の双方の上に単一のマイクロレンズを形成する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
第１導電型の電荷蓄積領域と、
前記電荷蓄積領域から第１電荷保持領域に電荷を転送する第１の転送トランジスタと、
前記第１電荷保持領域から第２電荷保持領域に電荷を転送する第２の転送トランジスタと、
前記電荷蓄積領域の上に設けられた第２導電型の第１不純物領域と、
前記第１電荷保持領域の上に設けられた前記第２導電型の第２不純物領域と、を備え、
平面視において、
前記第１不純物領域は、前記第１の転送トランジスタの第１ゲートの前記電荷蓄積領域側の端から離れた位置に設けられ、
前記第２不純物領域は、前記第１ゲートの前記第１電荷保持領域側の端から離れた位置、かつ、前記第２の転送トランジスタの第２ゲートの前記第１電荷保持領域側の端から離れた位置に設けられ、
前記第１の転送トランジスタによる電荷の転送方向と、前記第２の転送トランジスタによる電荷の転送方向とは互いに異なる
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１５】
前記平面視において、
前記電荷蓄積領域および前記第２電荷保持領域は第１方向で互いに隣り合い、
前記第１電荷保持領域は第１方向に延在している
ことを特徴とする請求項１４に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記電荷蓄積領域は、前記第１方向と交差する第２方向に延在している
ことを特徴とする請求項１５に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
前記第１の転送トランジスタによる電荷の転送方向と、前記第２の転送トランジスタによる電荷の転送方向とは、前記第１方向と交差する第２方向に対して平行である
ことを特徴とする請求項１５に記載の固体撮像装置。
【請求項１８】
複数の前記電荷蓄積領域とマイクロレンズとを更に備え、
前記複数の電荷蓄積領域は、互いに隣り合う第１の電荷蓄積領域および第２の電荷蓄積領域を含み、
前記マイクロレンズは、前記第１の電荷蓄積領域および前記第２の電荷蓄積領域に対して共通に設けられている
ことを特徴とする請求項１４に記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一つの側面は固体撮像装置の製造方法にかかり、前記固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に形成された第１導電型の電荷蓄積領域と、前記半導体基板に形成された前記第１導電型の第１電荷保持領域と、前記電荷蓄積領域から前記第１電荷保持領域に電荷を転送するための第１トランジスタと、前記半導体基板に形成された前記第１導電型の第２電荷保持領域と、前記第１電荷保持領域から前記第２電荷保持領域に電荷を転送するための第２トランジスタと、を備える固体撮像装置の製造方法であって、前記電荷蓄積領域の上に第１開口を有する第１レジストパターンを、前記半導体基板の上に形成する工程と、前記電荷蓄積領域が埋め込み型になるように、前記第１開口を介して第２導電型の第１不純物を注入する工程と、前記第１電荷保持領域の上に第２開口を有する第２レジストパターンを、前記半導体基板の上に形成する工程と、前記第１電荷保持領域が埋め込み型になるように、前記第２開口を介して前記第２導電型の第２不純物を注入する工程と、を有し、前記第１不純物を注入する工程では、前記半導体基板の上面の垂線に対して傾斜し、かつ、前記第１電荷保持領域側から前記電荷蓄積領域側に向かう第１方向に前記第１不純物を注入し、前記第２不純物を注入する工程では、前記垂線に対して傾斜し、かつ、前記第２電荷保持領域側から前記第１電荷保持領域側に向かう第２方向に前記第２不純物を注入することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置およびその製造方法