Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月25日(2018.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの抗原結合部位を形成する２つのポリペプチド鎖を含む抗体様結合タンパク質であって、ここで、第１のポリペプチド鎖は構造Ｖ1−Ｌ1−Ｖ2−Ｌ2−ＣLを含み、そして第２のポリペプチド鎖は構造Ｖ3−Ｌ3−Ｖ4−Ｌ4−ＣH1を含み、
ここで：
（ａ）Ｖ1は第１の免疫グロブリン重鎖可変ドメイン（ＶH1）であり、Ｖ2は第２の免疫グロブリン軽鎖可変ドメイン（ＶL2）であり、Ｖ3は第２の免疫グロブリン重鎖可変ドメイン（ＶH2）であり、Ｖ4は第１の免疫グロブリン軽鎖可変ドメイン（ＶL1）であり；又は
Ｖ1は第１の免疫グロブリン軽鎖可変ドメイン（ＶL1）であり、Ｖ2は第２の免疫グロブリン重鎖可変ドメイン（ＶH2）であり、Ｖ3は第２の免疫グロブリン軽鎖可変ドメイン（ＶL2）であり、Ｖ4は第１の免疫グロブリン重鎖可変ドメイン（ＶH1）であり；又は
Ｖ1は第１の免疫グロブリン重鎖可変ドメイン（ＶH1）であり、Ｖ2は第２の免疫グロブリン重鎖可変ドメイン（ＶH2）であり、Ｖ3は第２の免疫グロブリン軽鎖可変ドメイン（ＶL2）であり、Ｖ4は第１の免疫グロブリン軽鎖可変ドメイン（ＶL1）であり；
ここで、ＶL1とＶH1は会合して第１の抗原結合部位を形成し、そしてＶL2とＶH2は会合して第２の抗原結合部位を形成し；
（ｂ）ＣLは、免疫グロブリン軽鎖定常ドメインであり；
（ｃ）ＣH1は、免疫グロブリンＣH1重鎖定常ドメインであり；
（ｄ）Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4は、アミノ酸リンカーであり；
（ｅ）前記第１又は第２のポリペプチド鎖の少なくとも一つは、Ｆｃドメインをさらに含み；そして
ここで、前記第１及び第２のポリペプチドは、交差軽鎖−重鎖対を形成する、上記抗体様結合タンパク質。
【請求項２】
１つまたはそれ以上の抗原標的と特異的に結合することができる、請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項３】
前記１つ又はそれ以上の抗原標的が、Ｂ７．１、Ｂ７．２、ＢＡＦＦ、ＢｌｙＳ、Ｃ３
、Ｃ５、ＣＣＬ１１（エオタキシン）、ＣＣＬ１５（ＭＩＰ−１ｄ）、ＣＣＬ１７（ＴＡＲＣ）、ＣＣＬ１９（ＭＩＰ−３ｂ）、ＣＣＬ２（ＭＣＰ−１）、ＣＣＬ２０（ＭＩＰ−３ａ）、ＣＣＬ２１（ＭＩＰ−２）、ＳＬＣ、ＣＣＬ２４（ＭＰＩＦ−２／エオタキシン−２）、ＣＣＬ２５（ＴＥＣＫ）、ＣＣＬ２６（エオタキシン−３)、ＣＣＬ３（ＭＩＰ―１ａ）、ＣＣＬ４（ＭＩＰ−１ｂ）、ＣＣＬ５（ＲＡＮＴＥＳ）、ＣＣＬ7（ＭＣＰ−３）、ＣＣＬ８（ｍｃｐ−２）、ＣＤ３、ＣＤ１９、ＣＤ２０、ＣＤ２４、ＣＤ４０、ＣＤ４０Ｌ、ＣＤ８０、ＣＤ８６、ＣＤＨ１（Ｅ−カドヘリン）、キチナーゼ、ＣＳＦ１（Ｍ−ＣＳＦ）、ＣＳＦ２（ＧＭ−ＣＳＦ）、ＣＳＦ３（ＧＣＳＦ）、ＣＴＬＡ４、ＣＸ３ＣＬ１（ＳＣＹＤ１）、ＣＸＣＬ１２（ＳＤＦ１）、ＣＸＣＬ１３、ＥＧＦＲ、ＦＣＥＲ１Ａ、ＦＣＥＲ２, ＨＥＲ２、ＩＧＦ１Ｒ、ＩＬ−１、ＩＬ−１２、ＩＬ１３、ＩＬ１５、ＩＬ１７、ＩＬ１８、ＩＬ１Ａ、ＩＬ１Ｂ、ＩＬ１Ｆ１０、ＩＬ１β、ＩＬ２、ＩＬ４、ＩＬ６、ＩＬ７、ＩＬ８、ＩＬ９、ＩＬ１２／２３、ＩＬ２２、ＩＬ２３、ＩＬ２５、ＩＬ２７、ＩＬ３５、ＩＴＧＢ４（ｂ４インテグリン）、ＬＥＰ（レプチン）、ＭＨＣクラスＩＩ、ＴＬＲ２、ＴＬＲ４、ＴＬＲ５、ＴＮＦ、ＴＮＦα、ＴＮＦＳＦ４（ＯＸ４０リガンド)、ＴＮＦＳＦ５（ＣＤ４０リガンド）、Ｔｏｌｌ様受容体、ＴＲＥＭ１、ＴＳＬＰ、ＴＷＥＡＫ、ＸＣＲ１（ＧＰＲ５／ＣＣＸＣＲ１）、ＤＮＧＲ−１（ＣＬＥＣ９１）、及びＨＭＧＢ１からなる群から選択される、請求項２に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項４】
二重特異性であり、２つの異なる抗原標的と結合することができる、請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項５】
前記２つの異なる抗原標的が、ＩＬ４及びＩＬ１３、ＩＧＦ１Ｒ及びＨＥＲ２、ＩＧＦ１Ｒ及びＥＧＦＲ、ＥＧＦＲ及びＨＥＲ２、ＢＫ及びＩＬ１３、ＰＤＬ−１及びＣＴＬＡ−４、ＣＴＬＡ４及びＭＨＣクラスＩＩ、ＩＬ−１２及びＩＬ−１８、ＩＬ−１α及びＩＬ−１β、ＴＮＦα及びＩＬ１２／２３、ＴＮＦα及びＩＬ−１２ｐ４０、ＴＮＦα及びＩＬ−１β、ＴＮＦα及びＩＬ−２３、並びにＩＬ１７及びＩＬ２３からなる群から選択される、請求項４に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項６】
抗原標的の１つ又はそれ以上の機能を阻害することができる、請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項７】
Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4からなる群から選択される前記リンカーの少なくとも１つが少なくとも１つのシステイン残基を含む、請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項８】
薬学的に許容可能な担体、及び治療的に有効な量の請求項１に記載の抗体様結合タンパク質を含んでなる、医薬組成物。
【請求項９】
Ｌ1は３〜１２アミノ酸残基の長さであり；
Ｌ2は３〜１４アミノ酸残基の長さであり;
Ｌ3は１〜８アミノ酸残基の長さであり;そして
Ｌ4は１〜３アミノ酸残基の長さである、
請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項１０】
Ｌ1は１〜３アミノ酸残基の長さであり；
Ｌ2は１〜４アミノ酸残基の長さであり;
Ｌ3は２〜１５アミノ酸残基の長さであり;そして
Ｌ4は２〜１５アミノ酸残基の長さである、
請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項１１】
Ｌ1は５〜１０アミノ酸残基の長さであり；
Ｌ2は５〜８アミノ酸残基の長さであり;
Ｌ3は１〜５アミノ酸残基の長さであり;そして
Ｌ4は１〜２アミノ酸残基の長さである、
請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項１２】
Ｌ1は７アミノ酸残基の長さであり；
Ｌ2は５アミノ酸残基の長さであり;
Ｌ3は１アミノ酸残基の長さであり;そして
Ｌ4は２アミノ酸残基の長さである、
請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項１３】
Ｌ1は１〜２アミノ酸残基の長さであり；
Ｌ2は１〜２アミノ酸残基の長さであり;
Ｌ3は４〜１２アミノ酸残基の長さであり;そして
Ｌ4は２〜１２アミノ酸残基の長さである、
請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項１４】
Ｌ1は１アミノ酸残基の長さであり；
Ｌ2は２アミノ酸残基の長さであり;
Ｌ3は７アミノ酸残基の長さであり;そして
Ｌ4は５アミノ酸残基の長さである、
請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項１５】
前記Ｆｃドメインが前記ポリペプチド鎖のカルボキシル末端領域に結合している、請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項１６】
前記ＦｃドメインがＣL及び／又はＣH1に結合している、請求項１に記載の抗体様結合タンパク質。
【請求項１７】
第１のポリペプチドのＦｃドメインがＣLに結合し、及び／又は、第２のポリペプチドのＦｃドメインがＣH1に結合している、請求項１４に記載の抗体様結合タンパク質。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月26日(2018.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の作用因子を含む経口製剤であって、該複数の作用因子は、ブロッコリー種子抽出物、レッドオレンジ抽出物およびブドウ種子抽出物を含み、被験体により該経口製剤が摂取されると、該複数の作用因子のうちの少なくとも１つが、Ｎｒｆ２関連遺伝子の発現をモジュレートし、該Ｎｒｆ２関連遺伝子は、内在性の抗酸化物質をコードする少なくとも１つの遺伝子、および細胞性解毒物質をコードする少なくとも１つの遺伝子を含み、該複数の作用因子のうちの少なくとも１つは炎症を弱める、経口製剤。
【請求項２】
前記Ｎｒｆ２関連遺伝子が、ＮＦＥ２Ｌ２、ＧＣＬＭ、ＧＣＬＣ、ＧＳＲ、ＧＳＴＡ１、ＧＰＸ１、ＧＰＸ４、ＨＭＯＸ１、Ｎ００１、ＳＲＸＮ１、ＳＯＳＴＭ１、Ｓ００１、ＵＧＴ１Ａ６、ＮＯＳ２、ＮＯＳ３およびＰＴＧＳ２からなる群から選択される、請求項１に記載の経口製剤。
【請求項３】
前記複数の作用因子のうちの少なくとも１つが、前記Ｎｒｆ２関連遺伝子のうちの少なくとも１つの発現における年齢関連の変化を実質的に逆転させる、請求項２に記載の経口製剤。
【請求項４】
前記複数の作用因子が一緒になって少なくとも５つのＮｒｆ２関連遺伝子の発現をモジュレートする、請求項１に記載の経口製剤。
【請求項５】
前記複数の作用因子のうちの少なくとも１つが、内在性の抗酸化物質をコードする遺伝子もしくは細胞性解毒物質をコードする遺伝子を上方制御するか、または、被験体の組織における自己貪食を刺激する、請求項１に記載の経口製剤。
【請求項６】
前記複数の作用因子は、αリポ酸、ブドウ全体の抽出物、オリーブ葉抽出物、オリーブ果実抽出物、コエンザイムＱ１０、ザクロ抽出物、クルクミン、ＥＧＣＧ、ルテイン、リコペン、ゼアキサンチン、レスベラトロール、五味子抽出物、酸果桜桃、チョウセンニンジン、ローズマリー抽出物およびＣｏｒｄｙｃｅｐｓ  ｓｉｎｅｎｓｉｓのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１に記載の経口製剤。
【請求項７】
２０重量％から３０重量％までのブロッコリー種子抽出物、２５重量％から３５重量％までのレッドオレンジ抽出物、および４５重量％から５５重量％までのブドウ種子抽出物を含む、請求項１に記載の経口製剤。
【請求項８】
カプセル剤、錠剤、散剤、飲料、ウエハー、菓子類、チュアブル剤、ゲル剤、ペースト剤、エリキシル剤、シロップ剤、ドロップ剤およびロゼンジ剤からなる群から選択される剤形で存在する、請求項１に記載の経口製剤。
【請求項９】
微結晶性セルロース、二酸化ケイ素、ステアリン酸、食品グレードのガム、レシチンおよび固結防止剤からなる群から選択される少なくとも１つの賦形剤をさらに含む、請求項１に記載の経口製剤。
【請求項１０】
治療に使用するための、請求項１〜９のいずれか一項に記載の経口製剤。
【請求項１１】
被験体の細胞における治療的解毒の促進に使用するための、請求項１〜１０のいずれか一項の経口製剤。
【請求項１２】
被験体の細胞における解毒のための、請求項１〜９のいずれか一項に記載の経口製剤の使用。
【請求項１３】
前記複数の作用因子が一緒になって少なくとも５つのＮｒｆ２関連遺伝子の発現をモジュレートする、請求項１０または１１に記載の使用のための経口製剤。
【請求項１４】
前記複数の作用因子のうちの少なくとも１つが、前記被験体の組織における自己貪食を刺激する、請求項１０または１１に記載の使用のための経口製剤。
【請求項１５】
投与によって、
１２５ｍｇのレッドオレンジ抽出物、２１０ｍｇのブドウ種子抽出物および１１５ｍｇのブロッコリー種子抽出物の日投薬量；または
０．１５ｍｇから１８ｍｇのレッドオレンジ抽出物、０．３ｍｇから３０ｍｇのブドウ種子抽出物、および０．１５ｍｇから１６．５ｍｇのブロッコリー種子抽出物の体重１ｋｇあたりの投薬量
が前記被験体に提供される、請求項１０または１１に記載の使用のための経口製剤。
【請求項１６】
被験体における健康を促進する方法において使用するための、代謝性能を強化する複数の作用因子を含む性能強化製剤、および、請求項１〜９のいずれかに記載の解毒製剤であって、該方法は、
該被験体に性能強化製剤および解毒製剤を投与すること
を含み、該解毒製剤が、該被験体への該性能強化製剤の投与から２４時間以内に該被験体に投与される、製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成30年7月30日(2018.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下からなる群から選択される化合物：
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［１−（３−フェノキシベンジル）−１Ｈ−インドール−４−イル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［１−（ビフェニル−４−イルメチル）−１Ｈ−インドール−４−イル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［１−（２−フェノキシベンジル）−１Ｈ−インドール−４−イル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［２−（ベンジルスルホニル）−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン−７−イル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−［（２−ピリジン−２−イル−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン−７−イル）アミノ］ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［２−（３−メトキシベンゾイル）−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン−７−イル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［２−（２−メトキシベンゾイル）−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン−７−イル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［２−（４−メトキシベンゾイル）−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン−７−イル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［２−（フェニルスルホニル）−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン−７−イル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ，２Ｓ）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−［（３’−ヒドロキシビフェニル−３−イル）アミノ］−６−メチルピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ，２Ｓ）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−［（４’−ヒドロキシビフェニル−３−イル）アミノ］−６−メチルピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［１−（シクロプロピルカルボニル）−１，２，３，４−テトラヒドロキノリン−７−イル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［１−（シクロプロピルカルボニル）−１，２，３，４−テトラヒドロキノリン−５−イル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−［（３，５−ジメトキシフェニル）アミノ］−６−ヒドロキシピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−｛［３−（フェノキシメチル）フェニル］アミノ｝ピリミジン−５−カルボキサミド；
２−｛［（１Ｒ，２Ｓ）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−４−（｛３−［２−（メチルアミノ）−２−オキソエトキシ］フェニル｝アミノ）ピリミジン−５−カルボキサミド；
５−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−７−（ビフェニル−３−イルアミノ）イミダゾ［１，２−ｃ］ピリミジン−８−カルボキサミド；
５−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−７−［（３’−メチルビフェニル−３−イル）アミノ］イミダゾ［１，２−ｃ］ピリミジン−８−カルボキサミド；または
５−｛［（１Ｒ＊，２Ｓ＊）−２−アミノシクロヘキシル］アミノ｝−７−［（２−メトキシ−３’−メチルビフェニル−４−イル）アミノ］イミダゾ［１，２−ｃ］ピリミジン−８−カルボキサミド；
もしくはその薬学的に許容される塩、または前記化合物もしくは薬学的に許容される塩の薬学的に許容される溶媒和物。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物と、薬学的に許容される医薬品添加物とを含む医薬組成物。
【請求項３】
治療を必要とする対象における、ＳＹＫ阻害剤の適応疾患または症状を治療するために用いられる、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の使用のための医薬組成物であって、前記疾患または症状が、アレルギー性鼻炎、鼻閉、鼻漏、通年性鼻炎、鼻の炎症、喘息、慢性閉塞性肺疾患（ＣＯＰＤ）、慢性または急性気管支収縮、慢性気管支炎、末梢気道閉塞、肺気腫、慢性好酸球性肺炎、成人呼吸窮迫症候群、他の薬物療法の結果として起こる気道反応亢進の増悪、肺血管疾患（肺動脈高血圧症を含む）、急性肺損傷、気管支拡張症、副鼻腔炎、アレルギー性結膜炎、特発性肺線維症またはアトピー性皮膚炎、特に、喘息またはアレルギー性鼻炎またはアトピー性皮膚炎またはアレルギー性結膜炎、炎症、関節炎、疼痛、発熱、肺サルコイドーシス、珪肺症、心血管疾患（アテローム性動脈硬化症、心筋梗塞、血栓症、うっ血性心不全および心臓再灌流障害を含む）、心筋症、脳卒中、虚血、再灌流障害、脳浮腫、脳外傷、神経変性、肝疾患、炎症性腸疾患（クローン病および潰瘍性大腸炎を含む）、腎炎、網膜炎、網膜症、黄斑変性、緑内障、糖尿病（１型および２型糖尿病を含む）、ドライアイ症、糖尿病性神経障害、ウイルスおよび細菌感染、筋痛症、内毒素ショック、中毒性ショック症候群、自己免疫疾患、骨粗鬆症、多発性硬化症、子宮内膜症、月経性痙攣、膣炎、カンジダ症、癌、結膜炎、食物アレルギー、線維症、肥満、筋ジストロフィー、多発筋炎、アルツハイマー病、皮膚潮紅、湿疹、乾癬、アトピー性皮膚炎、酒さ、円板状エリテマトーデス、結節性痒疹、脱毛症ならびに日焼けから選択される、
医薬組成物。
【請求項５】
請求項３に記載の使用のための医薬組成物であって、前記疾患または症状が、喘息、ＣＯＰＤ、アレルギー性鼻炎、慢性副鼻腔炎、アトピー性皮膚炎、乾癬、酒さ、脱毛症、アレルギー性結膜炎およびドライアイ症から選択される、
医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月9日(2018.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【図１】第１実施形態の自転車用ディスクブレーキロータを備える自転車の一部を示す左側面図。
【図２】図１の自転車用ディスクブレーキロータの右側面図。
【図３】図２の３−３線に沿う断面図。
【図４】第２実施形態の自転車用ディスクブレーキロータの右側面図。
【図５】図４の５−５線に沿う断面図。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３に示されるとおり、被膜３６は、外周部３２に設けられる。被膜３６は、窒化物を含む。窒化物は、窒化クロムである。被膜３６は、制動面４６の少なくとも一部を構成する。好ましくは、被膜３６は、制動面４６の全体を構成する。制動面４６は、第１制動面４６Ａと第２制動面４６Ｂとを含む。第１制動面４６Ａは、ロータ３０の軸方向において、一方側に面する。第２制動面４６Ｂは、軸方向の他方側に面する。第１制動面４６Ａは、第１面４２のうちの径方向の外側部分に設けられる。第２制動面４６Ｂは、第２面４４のうちの径方向の外側部分に設けられる。被膜３６は、第１制動面４６Ａおよび第２制動面４６Ｂの両方それぞれの少なくとも一部を構成する。好ましくは、被膜３６は、第１制動面４６Ａおよび第２制動面４６Ｂの全体を構成する。被膜３６は、外周部３２よりも薄いことが好ましい。被膜３６の厚さは１μｍ以上、かつ、５００μｍ以下である。より好ましくは、被膜３６の厚さは２μｍ以上、かつ３００μｍ以下である。被膜３６は、外周部３２よりも耐摩耗性が高いことが好ましい。被膜３６の硬さは、ＨＶ１０００以上、かつ、ＨＶ４０００以下である。より好ましくは被膜３６の硬さは、ＨＶ１５００以上、かつ、ＨＶ２５００以下である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月11日(2018.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧燃料供給ポンプにおいて、
ポンプハウジング（１）と、
前記ポンプ本体に形成された加圧室（１１）と、
前記ポンプハウジング（１）とダンパカバー（１４）とにより形成されるダンパ室（１０ｂ、１０ｃ）と、
前記ダンパ室（１０ｂ、１０ｃ）に配置される金属ダイアフラムダンパ（９）と、
前記ダンパカバー（１４）の環状面と前記ポンプハウジング（１）の環状面とが圧入される圧入部（１２２）と、
前記圧入部（１２２）の外周全周において前記ダンパカバー（１４）を前記ポンプハウジング（１）に固定する溶接部（１０６）と、を備えた高圧燃料供給ポンプ。
【請求項２】
請求項１に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
縦方向に金属ダイアフラムダンパ（９）を挟む一対の上側保持部材（１０４）と下側保持部材（１０５）を備えた高圧燃料供給ポンプ。
【請求項３】
請求項１に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記上側保持部材（１０４）は前記ダンパカバー（１４）と接触し、前記下側保持部材（１０５）は前記ポンプハウジング（１）と接触する高圧燃料供給ポンプ。
【請求項４】
請求項１に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパカバー（１４）の前記環状面は前記ダンパカバー（１４）の開放側に形成された高圧燃料供給ポンプ。
【請求項５】
請求項４に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記圧入部（１２２）の外周全周において前記溶接部（１０６）は前記ダンパカバー（１４）から前記ポンプハウジング（１）まで貫くように形成される高圧燃料供給ポンプ。
【請求項６】
請求項４に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパカバー（１４）の前記環状面の開放側端部が前記ポンプハウジング（１）の上面と非接触に構成される高圧燃料供給ポンプ。
【請求項７】
請求項５に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパカバー（１４）はプレス成型された圧延鋼板により構成される高圧燃料供給ポンプ。
【請求項８】
請求項２に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパカバー（１４）と前記上側保持部材（１０４）との間に形成される環状空間（１２１）を有する高圧燃料供給ポンプ。
【請求項９】
請求項８に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記環状空間（１２１）は前記ダンパカバー（１４）と金属ダイアフラムダンパ（９）との間に形成される吸入通路（１０ｂ）と連通する高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１０】
請求項２に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記加圧室に向かって上昇するとともに前記加圧室から下降する往復運動を行うように構成されたプランジャ（２）と、
前記プランジャ（２）の前記往復運動をガイドするシリンダ（６）と、
前記プランジャ（２）の外周と摺動可能に接触するプランジャシール（１３）と、
前記シリンダ（６）の端部と前記プランジャシール（１３）との間に形成されるシール室（１０ｆ）と、
前記ダンパ室（１０ｂ、１０ｃ）と前記シール室（１０ｆ）とを連通する吸入通路（１０ｄ）と、を備え、
前記吸入通路（１０ｄ）は前記下側保持部材（１０５）の径方向内側に位置する高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１１】
請求項２に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパ室（１０ｂ、１０ｃ）と電磁吸入弁機構（３０）の吸入ポート（３０ａ）とを連通する吸入通路（１０ｃ）と、を備え、
前記吸入通路（１０ｃ）は前記下側保持部材（１０５）の径方向内側に位置する高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１２】
請求項２に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパカバー（１４）の欠落部の内周面に固定される吸入ジョイント（１０１）と、
前記ダンパカバー（１４）の前記欠落部の外周面から吸入ジョイント（１０１）まで貫く溶接部（１０３）と、を備えた高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記吸入ジョイント（１０１）に固定されたフィルタ（１０２）を備えた高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１４】
請求項１２に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記吸入ジョイント（１０１）は前記ポンプハウジング（１）の外周壁と垂直の方向に設けられた高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１５】
請求項４に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパカバー（１４）はカップ形状に形成され、底部と開放部とを有し、前記底部は上側に配置され、前記開放部が下側に配置された高圧燃料供給ポンプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、圧力脈動低減機構としての金属ダイアフラムダンパを低圧燃料通路に組込む際に金属ダイアフラムダンパをリジッドに固定することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の目的は、圧力脈動低減機構を備えた高圧燃料供給ポンプにおいて、圧力脈動低減機構を高圧燃料供給ポンプに組付ける際に金属ダイアフラムダンパをリジッドに固定することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の課題を解決するために本発明は、高圧燃料供給ポンプにおいて、ポンプハウジング（１）と、前記ポンプ本体に形成された加圧室（１１）と、前記ポンプハウジング（１）とダンパカバー（１４）とにより形成されるダンパ室（１０ｂ、１０ｃ）と、前記ダンパ室（１０ｂ、１０ｃ）に配置される金属ダイアフラムダンパ（９）と、前記ダンパカバー（１４）の環状面と前記ポンプハウジング（１）の環状面とが圧入される圧入部（１２２）と、前記圧入部（１２２）の外周全周において前記ダンパカバー（１４）を前記ポンプハウジング（１）に固定する溶接部（１０６）と、を備えた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
圧力脈動低減機構としての金属ダイアフラムダンパを低圧燃料通路、あるいは高圧燃料供給ポンプに組込む作業の際に金属ダイアフラムダンパをリジッドに固定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月15日(2018.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶回路を有する半導体装置であって、
前記記憶回路にスタートアップルーチンを格納させ、当該スタートアップルーチンを実行する機能と、
前記スタートアップルーチンを実行した後、前記記憶回路を緩衝記憶装置として動作させる機能と、
前記半導体装置の電源を遮断する前に外部から前記記憶回路に前記スタートアップルーチンをロードする機能と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
電源の供給が遮断されていた期間を計測する機能と、
電源投入後、前記電源の供給が遮断されていた期間の長さを設定期間と比較し、前記設定期間より長い場合、外部からスタートアップルーチンを前記記憶回路にロードしてから当該スタートアップルーチンを実行し、前記設定期間より短い場合、前記記憶回路に格納された前記スタートアップルーチンを実行する機能と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
記憶回路と、プロセッサと、カウンタと、パワーマネージメントユニットと、レジスタと、比較回路と、を有する半導体装置であって、
前記記憶回路は、第１の期間においてプログラムを格納する機能と、第２の期間において前記プロセッサのための緩衝記憶装置として動作する機能と、を有し、
前記プロセッサは、前記第２の期間において前記プログラムを実行する機能を有し、
前記第１の期間は、電力の供給が遮断される期間を有し、
前記第２の期間は、前記電力の供給が行われる期間を有し、
前記カウンタは、前記第１の期間の長さを計測する機能を有し、
前記パワーマネージメントユニットは、前記第２の期間が開始されると、前記プロセッサへの前記電力の供給が開始されるように制御する機能を有し、
前記レジスタは、前記カウンタによって計測された前記第１の期間の長さのデータを格納する機能を有し、
前記比較回路は、前記記憶回路が前記緩衝記憶装置として動作する際に、前記プロセッサから要求されたデータが前記記憶回路に格納されているか否かを判断する機能を有し、
前記記憶回路は、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月1日(2018.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電圧制御発振器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（２ｎ＋１）段の第１の回路（ｎは１以上の整数）を有し、
ｋ段目（ｋは１以上２ｎ以下の整数）の前記第１の回路の出力端子は、（ｋ＋１）段目の前記第１の回路の入力端子に電気的に接続されており、
（２ｎ＋１）段目の前記第１の回路の出力端子は、１段目の前記第１の回路の入力端子に電気的に接続されており、
（２ｎ＋１）段の前記第１の回路の一は、第２の回路と、第３の回路と、を有し、
前記第２の回路の出力端子は、前記第３の回路の入力端子に電気的に接続されており、
前記第２の回路は、インバータ、ＮＡＮＤ回路、およびＮＯＲ回路のいずれかを有し、
前記第３の回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタを介して前記第２のトランジスタのゲートに入力される信号に従ってソースとドレインとの間の抵抗値が制御される電圧制御発振器。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有する電圧制御発振器。
【請求項３】
請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎを含む電圧制御発振器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月12日(2017.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の解像度Ｍを有する画像データに対してディザ閾値マトリクスを用いてディザ処理を行うディザ処理手段と、
前記ディザ処理手段によって生成された前記第１の解像度Ｍを有する画像データを、フィルタを用いて前記第１の解像度Ｍより低い第２の解像度Ｎを有する画像データに解像度変換する解像度変換手段と、
を備え、
前記ディザ閾値マトリクスの成長中心の画素と、前記フィルタを用いた処理の中心画素が一致する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記フィルタは、変倍比率Ｎ／Ｍに応じたサイズのフィルタであることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記ディザ処理手段によって生成された前記第１の解像度Ｍを有する画像データに対し回転処理を行なう回転処理手段と、 
前記回転処理がなされた画像データにおける任意のディザ処理の成長中心点の座標を導出する手段と、
をさらに備え
前記任意のディザ処理の成長中心点の位相と前記フィルタの中心の位相とが一致しない場合に、導出された前記座標に基づいて、前記任意のディザ処理の成長中心点の位相と一致するように前記フィルタの中心の位相を動かし、
前記解像度変換手段は、一致するように位相を動かした後のフィルタの中心に従って、前記解像度変換を行なう
ことを特徴とした請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置を備えた、電子写真方式の画像形成装置。
【請求項５】
ディザ閾値マトリクスを用いた中間調処理によって生成された第１の解像度Ｍを有するハーフトーン画像データを受け取る手段と、
受け取った前記ハーフトーン画像データを、前記第１の解像度Ｍより低い第２の解像度Ｎを有する画像データに解像度変換する解像度変換手段と、
前記ハーフトーン画像データが持つディザ成長中心点の位相と前記解像度変換における変換時サンプリング点の位相とが一致しない場合、当該変換時サンプリング点を移動させて双方の位相を一致させる手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
第１の解像度Ｍを有する画像データに対してディザ閾値マトリクスを用いてディザ処理を行うステップと、
前記ディザ処理を行うステップによって生成された前記第１の解像度Ｍを有する画像データを、フィルタを用いて前記第１の解像度Ｍより低い第２の解像度Ｎを有する画像データに解像度変換するステップと、
を含み、
前記ディザ閾値マトリクスの成長中心の画素と、前記フィルタを用いた処理の中心画素が一致する
ことを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
ディザ処理に用いるディザ閾値マトリクスの成長中心の画素と、解像度変換処理に用いるフィルタ処理の中心画素とが一致しているかを判定するステップと、 
前記判定するステップによる判定の結果、一致していないと判定された場合、前記ディザ閾値マトリクスの成長中心の画素と前記フィルタ処理の中心画素とが一致するように、前記ディザ閾値マトリクスを調整し、調整後のディザ閾値マトリクスを生成するステップと
を含むことを特徴とするディザ閾値マトリクスの生成方法。
【請求項８】
前記生成するステップは、前記ディザ閾値マトリクスの成長中心の画素と前記フィルタ処理の中心画素との差に応じて、前記ディザ閾値マトリクスの行および列のいずれか一方または双方をシフトさせることで、前記調整後のディザ閾値マトリクスを生成する、ことを特徴とする請求項７に記載のディザ閾値マトリクスの生成方法。
【請求項９】
ディザ処理に用いるディザ閾値マトリクスの成長中心の画素と、解像度変換処理に用いるフィルタ処理の中心画素とが一致しているかを判定するステップと、
前記判定するステップによる判定の結果、一致していないと判定された場合、前記ディザ閾値マトリクスの成長中心の画素と前記フィルタ処理の中心画素とが一致するように、前記フィルタ処理の中心画素を調整するステップと、
を含むことを特徴とするディザ閾値マトリクスの調整方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１、２、３、５のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させるためのプログラム。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る画像処理装置は、第１の解像度Ｍを有する画像データに対してディザ閾値マトリクスを用いてディザ処理を行うディザ処理手段と、前記ディザ処理手段によって生成された前記第１の解像度Ｍを有する画像データを、フィルタを用いて前記第１の解像度Ｍより低い第２の解像度Ｎを有する画像データに解像度変換する解像度変換手段と、を備え、前記ディザ閾値マトリクスの成長中心の画素と、前記フィルタを用いた処理の中心画素が一致することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月24日(2017.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷処理の対象となる画像データに含まれるオブジェクトの属性を判定する属性判定手段と、
前記属性判定手段での判定結果に応じて、前記画像データの色空間を、印刷装置に対応する色空間に変換する色変換手段と、
前記色変換手段で色空間が変換された画像データに含まれるオブジェクトのエッジを判定するエッジ判定手段と、
前記印刷装置に対応する色空間に変換された画像データのオブジェクトのうち無彩色のオブジェクトの画素であって、前記エッジ判定手段でエッジであると判定された画素の色を、黒のみに変換する黒単色化手段と
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記色変換手段は、
前記属性判定手段において判定された属性が、滑らかな階調性が要求されない属性である場合、当該属性のオブジェクトに対応する画素に対して、グレー補償色変換を行い、
前記属性判定手段において判定された属性が、滑らかな階調性が要求される属性である場合、当該属性のオブジェクトに対応する画素に対して、非グレー補償色変換を行なう、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記滑らかな階調性が要求されない属性とは、文字及びラインであることを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記印刷装置に対応する色空間は、ＣＭＹＫ色空間であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記画像データの色空間は、ＲＧＢ色空間であり、
前記黒単色化手段は、ＣＭＹＫのうち、Ｋと、それ以外の色のうち１色とから、Ｒ＝Ｇ＝Ｂとなる値を求めることにより、無彩色のオブジェクトの画素であって前記エッジ判定手段でエッジであると判定された画素の色を黒のみに変換する
ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記色変換手段で色空間が変換された画像データが、カラーであるかモノクロであるかを判定する第１カラーモノクロ判定手段と、
前記印刷装置におけるプリンタエンジンの動作モードを制御する制御手段と、
をさらに備え、
前記制御手段は、前記第１カラーモノクロ判定手段での判定結果に従って、前記プリンタエンジンをカラーモード又はモノクロモードで起動する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記第１カラーモノクロ判定手段での判定結果に基づいて、前記色変換手段で色空間が変換された画像データが、カラーであるのかモノクロであるのかを示すカラーモノクロ情報を生成する手段と、
前記制御手段によって前記プリンタエンジンが起動された後に、前記色変換手段で色空間が変換された画像データが、カラーであるかモノクロであるかを判定する第２カラーモノクロ判定手段と、
前記第２カラーモノクロ判定手段での判定結果に基づいて、前記カラーモノクロ情報を更新する手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記印刷装置において同一の画像データについて複数部の印刷がなされる場合、前記制御手段は、前記カラーモノクロ情報に基づいて、２部目以降の印刷処理における前記プリンタエンジンの起動を制御することを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記カラーモノクロ情報は、ページ単位で生成されることを特徴とする請求項７又は８  に記載の装置。
【請求項１０】
前記印刷処理のシーケンスが、前記第１カラーモノクロ判定手段での判定結果に応じて前記プリンタエンジンを起動することで印刷処理時間を短縮することが可能なシーケンスであるかどうかを判定するシーケンス判定手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記シーケンス判定手段で印刷処理時間を短縮できると判定された場合に、前記第１カラーモノクロ判定手段での判定結果に従って前記プリンタエンジンを起動させる
ことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の装置を備えた印刷装置。
【請求項１２】
印刷処理の対象となる画像データに含まれるオブジェクトの属性を判定する属性判定ステップと、
前記属性判定ステップでの判定結果に応じて、前記画像データの色空間を、印刷装置に対応する色空間に変換する色変換ステップと、
前記色変換ステップで色空間が変換された画像データに含まれるオブジェクトのエッジを判定するエッジ判定ステップと、
前記印刷装置に対応する色空間に変換された画像データのオブジェクトのうち無彩色のオブジェクトの画素であって、前記エッジ判定ステップでエッジであると判定された画素の色を、黒のみに変換する黒単色化ステップと
を含むことを特徴とする印刷の制御方法。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月23日(2018.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域を有する表示装置の作製方法であって、
第１乃至第７の工程を有し、
前記第１の工程は、第１の基板の第１の表面上に、第１の層を設ける工程と、前記第１の層上に第１の絶縁層を設ける工程と、前記第１の絶縁層上に電極を設ける工程と、前記電極上に第２の絶縁層を設ける工程と、第２の絶縁層上に表示素子を設ける工程と、を有し、
前記第２の工程は、第２の基板の第２の表面上に、第２の層を設ける工程と、前記第２の層上に第３の絶縁層を設ける工程と、前記第２の層および第３の絶縁層の一部を除去して開口を設ける工程と、を有し、
前記第３の工程は、前記第１の表面と前記第２の表面を向かい合わせ、前記電極と前記開口とが互いに重なる領域を有するように、接着層を介して第１の基板と第２の基板とを互いに重ねる工程を有し、
前記第４の工程は、前記第１の基板を前記第１の層とともに前記第１の絶縁層から剥離する工程を有し、
前記第５の工程は、前記第１の絶縁層と第３の基板とを互いに重ねて前記第３の基板を設ける工程を有し、
前記第６の工程は、前記第２の基板を前記第２の層とともに前記第３の絶縁層から剥離する工程を有し、
前記第７の工程は、前記第３の絶縁層と第４の基板とが互いに重なるように前記第４の基板を設ける工程を有し、
前記第３の工程において、前記接着層は、前記接着層と前記開口とが互いに重なる第１の領域を有し、前記第２の絶縁層は、前記第２の絶縁層と前記開口とが互いに重なる第２の領域を有し、
前記第６の工程において、前記第１の領域の少なくとも一部の前記接着層と、前記第２の領域の少なくとも一部の前記第２の絶縁層と、を前記第２の基板とともに剥離し、前記電極の少なくとも一部が露出することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の工程において、前記第２の絶縁層を設ける前に、前記電極の表面を、酸素を有する雰囲気に曝すことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記雰囲気は、プラズマ雰囲気であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
表示領域を有する表示装置の作製方法であって、
第１乃至第７の工程を有し、
前記第１の工程は、第１の基板の第１の表面上に、第１の層を設ける工程と、前記第１の層の一部を除去して開口を設ける工程と、前記第１の層および前記開口の上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層および前記開口の上に電極を設ける工程と、前記電極上に第２の絶縁層を設ける工程と、第２の絶縁層上に表示素子を設ける工程と、を有し、
前記第２の工程は、第２の基板の第２の表面上に、第２の層を設ける工程と、前記第２の層上に第３の絶縁層を設ける工程と、を有し、
前記第３の工程は、前記第１の表面と前記第２の表面を向かい合わせ、接着層を介して第１の基板と第２の基板とを互いに重ねる工程を有し、
前記第４の工程は、前記第２の基板を前記第２の層とともに前記第３の絶縁層から剥離する工程を有し、
前記第５の工程は、前記第３の絶縁層と第３の基板とを互いに重ねて前記第３の基板を設ける工程を有し、
前記第６の工程は、前記第１の基板を前記第１の層とともに前記第１の絶縁層から剥離する工程を有し、
前記第７の工程は、前記第２の絶縁層と第４の基板とが互いに重なるように前記第４の基板を設ける工程を有し、
前記第６の工程において、前記開口と重なる前記第１の絶縁層の少なくとも一部を前記第１の基板とともに剥離し、前記電極の少なくとも一部が露出することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第６の工程の前に、前記開口を介して前記電極の少なくとも一部に光を照射することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第３の基板および前記第４の基板は、可撓性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の層は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、またはシリコンを有し、
前記第２の層は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、またはシリコンを有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月6日(2018.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のメモリ回路と、
前記第１のメモリ回路と電気的に接続する第１の回路と、
前記第１の回路と電気的に接続する第２のメモリ回路と、を有し、
前記第１の回路は、前記第２のメモリ回路から入力されるデジタル信号をアナログ信号に変換する機能を有し、
前記第１のメモリ回路は、出力ノード、第１のトランジスタ、および第１の容量素子を有し、
前記第１の容量素子は、前記出力ノードと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、前記第１の回路と出力ノードとの間の導通状態を制御することができる機能を有し、
前記第１のメモリ回路には、前記アナログ信号が入力され、
前記第１のトランジスタは、チャネルとして酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のメモリ回路は、メモリセルと、配線と、を有し
前記メモリセルは、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第２の容量素子と、第１のノードと、を有し、
前記第２のトランジスタは、前記配線と前記第１のノードとの間の導通状態を制御することができる機能を有し、
前記第１のノードには、前記第３のトランジスタのゲートおよび前記第２の容量素子が電気的に接続され
前記第２のトランジスタは、チャネルとして酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２のメモリ回路は、メモリセルと、配線と、を有し
前記メモリセルは、第２乃至第４のトランジスタと、第１のノードと、を有し、
前記第２のトランジスタは、前記配線と前記第１のノードとの間の導通状態を制御することができる機能を有し、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタとは電気的に直列に接続され、
前記第１のノードには、前記第３のトランジスタのゲートが電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、チャネルとして酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記出力ノードと電気的に接続されているオペアンプと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記出力ノードと電気的に接続されているオペアンプと、
前記オペアンプの入力ノードと電気的に接続されているセンサ回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記出力ノードと電気的に接続されているオペアンプと、
前記オペアンプと電気的に接続されているセンサ回路と、
アンテナと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置と、
表示部、筐体、マイクロホン、スピーカー、または、操作キーの少なくとも１つと、を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月15日(2018.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
略平面を有する基板上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に酸素イオンを注入し、
前記酸化物半導体層上に絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体層を加熱処理して、前記酸化物半導体層中に酸素を拡散させる工程を有し、
前記酸素イオンの注入は、前記略平面に対して垂直な角度（θ）を０°、前記略平面に対して平行な角度（θ）を９０°としたとき、１０°＜θ＜８５°の角度から、前記トランジスタのチャネル幅方向の略平面に対して垂直な断面における側面と、前記酸化物半導体層の上面とに対して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
略平面を有する基板上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記酸化物半導体層に酸素イオンを注入し、
前記酸化物半導体層を加熱処理して、前記酸化物半導体層中に酸素を拡散させ工程を有し、
前記酸素イオンの注入は、前記略平面に対して垂直な角度（θ）を０°、前記略平面に対して平行な角度（θ）を９０°としたとき、１０°＜θ＜８５°の角度から、前記トランジスタのチャネル幅方向の略平面に対して垂直な断面における側面と、前記酸化物半導体層の上面とに対して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有する酸化物半導体膜の作製方法であって、
基板をチャンバーの中に導入し、
前記基板を加熱し、
前記チャンバーの中に、第１の原料ガスと、第２の原料ガスと、第３の原料ガスと、酸化剤と、を導入し、
前記第１の原料ガスは、トリメチルインジウムまたはトリエチルインジウムのいずれかであり、
前記第２の原料ガスは、トリメチルガリウムまたはトリエチルガリウムのいずれかであり、
前記第３の原料ガスは、トリメチル亜鉛またはトリエチル亜鉛のいずれかであり、
前記基板上で前記第１の原料ガスと、前記第２の原料ガスと、前記第３の原料ガスと、前記酸化剤とを反応させること、を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月15日(2018.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルを有し、
前記メモリセルは、第１乃至第ｃ（ｃは２以上の自然数）のサブメモリセルを有し、
第ｊ（ｊは１からｃまでの自然数）のサブメモリセルは、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び容量素子を有し、
前記第１のトランジスタの第１の半導体層及び前記第２のトランジスタの第２の半導体層は、酸化物半導体を有し、
前記容量素子の端子の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記ゲート電極は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、
ｊ≧２において、第ｊのサブメモリセルは、第ｊ−１のサブメモリセル上に配置されている半導体装置。
【請求項２】
メモリセルを有し、
前記メモリセルは、第１乃至第ｃ（ｃは２以上の自然数）のサブメモリセルを有し、
第ｊ（ｊは１からｃまでの自然数）のサブメモリセルは、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び容量素子を有し、
前記第１のトランジスタの第１の半導体層及び前記第２のトランジスタの第２の半導体層は、酸化物半導体を有し、
前記容量素子の端子の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記ゲート電極は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、
ｊ≧２において、第ｊのサブメモリセルの第２のトランジスタの半導体層と、第（ｊ−１）のサブメモリセルの第１のトランジスタの半導体層は、第１の絶縁膜の上面に接し、
ｊ≧２において、第ｊのサブメモリセルの第２のトランジスタのゲート電極と、第（ｊ−１）のサブメモリセルの第１のトランジスタのゲート電極は、第２の絶縁膜の下面に接する半導体装置。
【請求項３】
メモリセルを有し、
前記メモリセルは、第１乃至第ｃ（ｃは２以上の自然数）のサブメモリセルを有し、
第ｊ（ｊは１からｃまでの自然数）のサブメモリセルは、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び容量素子を有し、
ｊ≧２において、第ｊのサブメモリセルは、第ｊ−１のサブメモリセル上に配置され、
前記第１のトランジスタの第１の半導体層及び前記第２のトランジスタの第２の半導体層は、酸化物半導体を有し、
第１のサブメモリセルの第１のトランジスタの半導体層または第２のトランジスタの半導体層のいずれかと、前記第１のサブメモリセルと隣接する第３のトランジスタの半導体層は、第１の絶縁膜の上面に接し、
第ｃのサブメモリセルの第１のトランジスタの半導体層または第２のトランジスタの半導体層のいずれかと、前記第ｃのサブメモリセルと隣接する第４のトランジスタの半導体層は、第２の絶縁膜の上面に接する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月1日(2018.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル領域と、前記チャネル領域を挟むソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜のチャネル長方向において、前記ゲート絶縁膜の幅は、前記ゲート電極の幅より内側に位置する領域を有し、
前記ゲート電極は、前記ソース領域と重なる領域と、前記ドレイン領域と重なる領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート絶縁膜は、前記ソース領域と接する領域と、前記ドレイン領域と接する領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ソース領域と接する領域における前記ゲート絶縁膜の厚さ、及び前記ドレイン領域と接する領域における前記ゲート絶縁膜の厚さの各々は、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴する半導体装置。
【請求項４】
基板上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル領域と、前記チャネル領域を挟むソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素を含み、
前記第２の絶縁膜は、窒素を含み、
前記第１の絶縁膜は、前記ソース領域と接する領域と、前記ドレイン領域と接する領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜のチャネル長方向において、前記第２の絶縁膜の幅は、前記ゲート電極の幅より内側に位置する領域を有し、
前記ゲート電極は、前記ソース領域と重なる領域と、前記ドレイン領域と重なる領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の絶縁膜の厚さは、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ソース領域及びドレイン領域の各々は、水素を含む絶縁膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記水素を含む絶縁膜は、窒化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜上に接する第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に接する第２の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜の幅は、前記第２の導電膜の幅より大きいことを特徴とする半導体装置。