【事件の表示】
　平成　８年特許願第１７２０３１号「アクティブマトリクス基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月２３日出願公開、特開平１０−　２０３３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年７月２日の出願であって、平成１５年２月６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月８日に手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年４月８日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年４月８日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　絶縁性基板と、該基板上に格子状に配線された走査線及び信号線と、該走査線と該信号線で囲まれた領域に配置された絵素電極と、該走査線、該信号線及び該絵素電極にそれぞれ電気的に接続されたスイッチング素子とを備えたアクティブマトリクス基板において、
　該走査線のうち少なくとも任意の２本の配線が２端子素子で接続され、
　前記２端子素子には、レーザー等により切断するためのレーザーカット用くびれパターンが形成され、
　前記２端子素子は、前記配線に対して互いに逆方向で並列して接続された２つの薄膜トランジスタを一組として構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である２端子素子について、「前記配線に対して互いに逆方向で並列して接続された２つの薄膜トランジスタを一組として構成されている」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された本願出願前に国内で頒布された特開平５−１４２５６８号公報（以下、「引用例」という。）には、
（ア）「【００１３】
　本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の等価回路図を図１に示す。
【００１４】
　図において、１は絶縁透明基板を示している。
【００１５】
　この絶縁透明基板１上の表示領域には、複数のアドレス配線２，２…とこれらアドレス配線２，２…と交差するようにデータ配線３，３…が形成されている。これらアドレス配線２とデータ配線３との各交差点には、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと記す。）４が形成されており、そのゲート電極４ａがアドレス配線２に電気的に接続され、そのドレイン電極４ｂがデータ配線３に電気的に接続され、そのソース電極４ｃが交差点の近傍に形成された画素電極５に電気的に接続されている。
【００１６】
　そして、画素電極５と対向基板６との間に液晶（誘電体）を挟持してコンデンサ７を構成している。
【００１７】
　各アドレス配線２およびデータ配線３は、表示領域外に延在しており、その延在部に形成された駆動用パルス入力パッド８、９に電気的に接続されている。
【００１８】
　各アドレス配線２およびデータ配線３は、駆動用パルス入力パッド８、９よりさらに延在し、それらの端末に形成された抵抗１０に電気的に接続されている。ここで、抵抗１０の構成を具体的に説明する。
【００１９】
　抵抗１０は、主に２つのＴＦＴ１１、１２から構成される。
【００２０】
　ＴＦＴ１１のドレイン電極１１ａ、ゲート電極１１ｂおよびＴＦＴ１２のソース電極１２ｃは、駆動用パルス入力パッド８（または９）に電気的に接続されている。
【００２１】
　ＴＦＴ１２のドレイン電極１２ａ、ゲート電極１２ｂおよびＴＦＴ１１のソース電極１１ｃは、すべての抵抗１０を相互に短絡するための短絡線１３に電気的に接続されている。
【００２２】
　また、これらＴＦＴ１１、１２は、バックライト等の外部からの光の入射を遮断する斜光膜１４により覆われており、これら斜光膜１４は、すべての斜光膜１４を短絡するための斜光膜短絡線１５に電気的に接続されている。
【００２３】
　ここで、抵抗１０の拡大図を図２に、図２のａ−ａ′、ｂ−ｂ′における断面拡大図をそれぞれ図３、図４に示す。
【００２４】
　これらの図に示すように絶縁透明基板１上には、ゲート電極１１ｂ、１２ｂが形成され、これらを覆うようにゲート絶縁膜１６が形成されている。
【００２５】
　ゲート絶縁膜１６上には、ａ−Ｓｉ膜１７、チャネル保護膜１８およびｎ+ ａ−Ｓｉ膜１９を介してドレイン電極１１ａ、１２ａおよびソース電極１１ｃ、１２ｃが形成されている。
【００２６】
　そして、これらを覆うように、保護絶縁膜２０を介して斜光膜１４が形成されている。
【００２７】
　なお、ドレイン電極１１ａ、１２ａとゲート電極１１ｂ、１２ｂとの間は、スルーホール２１により電気的に接続されている。」、
（イ）「【００６７】
　次に、本発明の第９の実施例の等価回路図を第１５図に示す。
【００６８】
　第８の実施例においては、抵抗１０をアドレス配線２あるいはデータ配線３の間の、駆動用パルス入力パッド８、９よりも外側に挿入しているが、第９の実施例では、表示領域と駆動用パルス入力パッド８、９の間の領域において、アドレス配線２あるいはデータ配線３の間に抵抗１０を挿入している。第８の実施例と同様に、アドレス配線２あるいはデータ配線３の間に入れる抵抗１０の構造は、第１から第７の実施例に示したいずれの構造を採用してもよい。」、
（ウ）「【００７９】
　【発明の効果】
　本発明による液晶表示装置は、液晶駆動用アクティブマトリクス基板の静電気に対する保護および、製造工程中の点欠陥の検出のために、アドレス配線およびデータ配線と短絡線間に抵抗を挿入する構造において、抵抗を形成する薄膜トランジスタが導電性の斜光膜を有しているため、外部からの静電気によって破壊されたり、電気的特性に影響を受けにくくなっており、安定した抵抗値を有する抵抗を供給することができる。その結果、アクティブマトリクス基板の耐静電気性が向上する。」、が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と上記引用例に記載された事項とを比較すると、
（エ）引用例に記載された「絶縁透明基板１」、「アドレス配線２」、「データ配線３」、「画素電極５」、「薄膜トランジスタ４」、「抵抗１０を構成する２つのＴＦＴ１１、１２」は、本願補正発明の「絶縁性基板」、「走査線」、「信号線」、「絵素電極」、「スイッチング素子」、「２端子素子」にそれぞれ相当し、
（オ）引用例の図１５及び図１からは、２本のアドレス配線が、抵抗１０を構成する２つのＴＦＴ１１、１２で接続され、ＴＦＴ１１，１２は、２本のアドレス配線に対し、互いに逆方向で並列して接続された薄膜トランジスタを一組として構成していることが読み取れるので、
　本願補正発明と引用例に記載された発明とは、
「絶縁性基板と、該基板上に格子状に配線された走査線及び信号線と、該走査線と該信号線で囲まれた領域に配置された絵素電極と、該走査線、該信号線及び該絵素電極にそれぞれ電気的に接続されたスイッチング素子とを備えたアクティブマトリクス基板において、
　該走査線のうち少なくとも任意の２本の配線が２端子素子で接続され、
　前記２端子素子は、前記配線に対して互いに逆方向で並列して接続された２つの薄膜トランジスタを一組として構成されているアクティブマトリクス基板」の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点］
　本願補正発明の２端子素子には、レーザー等により切断するためのレーザーカット用くびれパターンが形成されているのに対し、引用例に記載のものは、特にそのようなくびれパターンが形成されていない点。
　
（４）判断
　従来、ＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板において、ＴＦＴに欠陥があった場合にこれをレーザ等で切断することは周知（例、特開平５−１１２６１号公報　段落００１０〜００１２及び図７の記載を参照）であるので、上記引用例に記載された発明の２端子素子において、該周知技術に係る構成を付加する程度のことは当業者にとって格別困難とはいえない。
　そして、本願補正発明の奏する作用効果は、上記引用例に記載された発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものに過ぎない。
　よって、本願補正発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年４月８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という。）は、平成１４年１２月１１日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　絶縁性基板と、該基板上に格子状に配線された走査線及び信号線と、該走査線と該信号線で囲まれた領域に配置された絵素電極と、該走査線、該信号線及び該絵素電極にそれぞれ電気的に接続されたスイッチング素子とを備えたアクティブマトリクス基板において、該走査線のうち少なくとも任意の２本の配線が２端子素子で接続され、
　前記２端子素子には、レーザー等により切断するためのレーザーカット用くびれパターンが形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。」
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、２端子素子について、「前記配線に対して互いに逆方向で並列して接続された２つの薄膜トランジスタを一組として構成されている」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。