【事件の表示】
　平成８年特許願第３０５２０５号「弾性表面波素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年８月２６日出願公開、特開平９−２２３９４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は優先権主張を伴う平成８年１１月１５日（優先日：平成７年１２月１３日）の出願であって、その請求項１、請求項１０に係る発明は、平成１３年７月９日付、及び平成１３年１２月１１日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、それぞれ特許請求の範囲の請求項１、請求項１０に記載された事項により特定される次のとおりのもの（以下、それぞれ「本願発明１」、「本願発明１０」と呼ぶ。）である。
「【請求項１】　基板上に、Ａｌ膜又はＡｌに少なくとも１種の他の元素が添加された膜からなる第１膜と、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｎ、Ｇａ及びＣｏから選択される金属からなる第２膜とを積層することにより形成された電極を有することを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項１０】　基板上に、Ａｌ膜又はＡｌに少なくとも１種の他の元素が添加された膜からなる第１膜と、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｎ、Ｇａ及びＣｏから選択される金属からなる第２膜とを積層し、所望の形状にパターニングする電極形成工程と該電極形成工程以降のウェハ工程とを２００℃以下で行うことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。」
　
２．引用刊行物
１）これに対して当審の拒絶理由通知書に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物「特開平７−１６２２５６号公報」（以下「引用刊行物１」という。）には「弾性表面波装置及びその製造方法」の発明に関して、図面を参照して以下の記載がある。
「【請求項４】圧電基板上ＡｌまたはＡｌ合金膜を形成する工程と、該ＡｌまたはＡｌ合金膜上に該ＡｌまたはＡｌ合金膜が酸素に曝されるを防ぐ役目を果たす金属膜を非酸素雰囲気下で形成する工程と、該金属膜を除去する工程を有することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】上記金属膜は、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＢｅおよびＹからなる群の中から選ばれた少なくとも１種からなる請求項４記載の弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置、特に通信用の弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＧＨｚ帯弾性表面波装置は、例えば“高周波ＳＡＷデバイス用サブミクロンプロセスの検討”，信学技報，ＵＳ９２−７（１９９２）に記載されているように、圧電基板上に膜厚５０ｎｍ以下の純ＡｌあるいはＡｌ合金薄膜（以下、Ａｌ薄膜という）からなる櫛型状の電極が形成された構造をしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】弾性表面波装置の動作帯域は高周波化の方向にあり、そのためには櫛型電極の膜厚をより薄くする必要がある。ところが、膜厚をより薄くしていくと、フォトレジストのベ−キング等の加熱工程で、ピンホ−ルが発生し始める。特に、１５ｎｍ以下で顕著となる。例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金薄膜の場合、純Ａｌ薄膜の場合に比べてピンホ−ルが発生し難く、膜厚が１５ｎｍを超える場合にはピンホ−ルは発生しない。しかし、膜厚が１５ｎｍ以下になるとピンホ−ルの発生を抑えることはできない。ピンホ−ルの直径は０．５μｍ程度はあり、これはＧＨｚ帯弾性表面波装置の電極線幅に相当する。そのため、電極が断線して電極形成が不可能になるという問題がある。
【０００４】本発明の目的は、Ａｌ薄膜櫛型電極の膜厚が１５ｎｍ以下の場合でも電極の断線のない弾性表面波装置およびその製造方法を提供することにある。」（第２頁左欄第１３行−末行）
　
「【００１０】
【実施例】実施例１
本発明の実施例１を図１に示す。圧電基板として水晶基板１を用い、抵抗加熱蒸着装置により水晶基板１上に、真空度４×１０-5Ｐａ、基板温度４５℃、蒸着レ−ト５ｎｍ／ｓでＡｌ薄膜２を１３ｎｍ蒸着する（図１（ａ））。次に、真空を解かずに連続してＡｌ薄膜２の上にＣｒ薄膜３を蒸着レ−ト０．１ｎｍ／ｓ以下で１０ｎｍ蒸着する（図１（ｂ））。このとき、ＣｒがＡｌ薄膜２と反応しＣｒ薄膜３との間にＡｌ−Ｃｒ合金層４が形成される。次に、フォトリソグラフィ工程で線幅０．５μｍ、線間隔０．５μｍのフォトレジストパタ−ン５を形成する（図１（ｃ）〜（ｄ））。次に、このフォトレジストパタ−ン５をマスクとして、Ｃｒ薄膜３、Ａｌ−Ｃｒ合金層４およびＡｌ薄膜２をイオンミリングによりエッチングする（図１（ｅ））。次に、硝酸第２セリウムアンモニウム溶液に室温で１０秒浸漬し、Ｃｒ薄膜３およびＡｌ−Ｃｒ合金層４を除去してＡｌ薄膜櫛形電極を形成し弾性表面波装置が完成する（図示せず）。このときの電極膜厚は８ｎｍであり、１５ｎｍ以下の膜厚の場合でも電極の形成が可能であることがわかる。また、比抵抗は１６×１０-8Ω−ｍであり電極として十分に機能するものであることがわかる。ここで、膜厚が厚くなれば比抵抗がより小さくなることは云うまでもない。また、分析により、９ｗｔ％のＣｒが検出された。また、この９ｗｔ％を単位面積当りの量（ｋｇ／ｍ2）に換算するとが１．７×１０-6ｋｇ／ｍ2となり、この値は電極膜厚によらず一定であった。このことは、Ａｌ薄膜櫛形電極は、Ａｌ薄膜２の表面にＡｌ−Ｃｒ合金層４の一部が残留した構造となっていることを意味している。
【００１１】また、この状態で空気中に室温で１ヶ月以上放置しても、ピンホ−ルは発生しなかった。これは、時間の経過と共にＡｌ薄膜２中のＡｌ原子がＡｌ−Ｃｒ合金層４の表面に移動し表面にＡｌ酸化膜７が形成されるが（図１（ｆ））、Ａｌ薄膜２自体は酸化されないためである。
【００１２】また、本実施例のＡｌ薄膜２は純Ａｌでも、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金薄膜を用いても構わない。例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金の場合は弾性表面波装置の耐電力性（耐ストレスマイグレ−ション）が向上する。以下の実施例においても同様である。
【００１３】また、本実施例では、Ａｌ薄膜２のイオンミリング時に、Ａｌ薄膜２は金属膜としてのＣｒ薄膜３で被覆された状態にあり、Ａｌ酸化膜が最表面にないので（図１（ｅ））、Ａｒ等のイオンミリングガスを導入する前のチャンバの真空度を、Ａｌ酸化膜の場合（従来）のように１０-5Ｐａと高くする必要はなく、１０-4Ｐａ程度の低い真空度で良い。したがって、従来に比べイオンミリング装置チャンバ内の排気時間を約１／３に短縮できスル−プットが大幅に向上する。
【００１４】また、金属膜としてＣｒを用いる場合には、次のような副次的な効果がある。Ｃｒの反射率はＡｌの約５０％であるためフォトリソグラフィ工程での反射防止膜が不要となる。Ａｌはアルカリ系現像液でエッチングされるため、レジストパタ−ンの形成に失敗した場合、Ａｌから再び形成しなければならないが、Ｃｒは現像液でエッチングされないためその必要がない。」（第２頁右欄第３２行−第３頁左欄第３９行）
　
「【００１９】また、金属膜として、Ｃｒ，Ｍｇ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＢｅおよびＹからなる群の中から選ばれた１種を用いる場合、Ａｌ薄膜の酸化防止の他に弾性表面波装置の耐電力性を向上に有効である。
【００２０】なお、本発明の電極技術は半導体素子にも適用可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、膜厚１５ｎｍ以下でも断線の無いＡｌ薄膜櫛形電極を形成でき、ＧＨｚ帯通信用高周波弾性表面波装置の実現が可能となる。」（第３頁右欄第２５−３４行）
　
２）　同じく、当審の拒絶理由通知書に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物「特開平７−１２２９６１号公報」（以下「引用刊行物２」という。）には「表面弾性波素子とその製造方法」の発明に関して、図面を参照して以下の記載がある。
　
「【請求項４】 圧電基板の上に、少なくとも銅が添加されたアルミニウム合金の膜と銅の膜を、２００℃を超えない温度で交互に積層して形成し、該積層膜をパターニングして電極を形成し、その後の工程も２００℃を超えない温度に維持することを特徴とする表面弾性波素子の製造方法。」（第２頁左欄第１３−１８行）
　
「【０００６】
【従来の技術】表面弾性波素子においては、上記のように櫛型電極が用いられるが、その材料としては、質量が軽いことと、電気抵抗値が低いことから、一般にアルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）に微量の異種金属を添加したアルミニウム系合金（必ずしも固溶体でない場合が多い）が用いられてきた。そして、表面弾性波素子によるアンテナ分波器の構造に関していくつかの提案がある。」（第２頁右欄第９−１７行）
　
「【００２６】これらをさらに裏付けるデータとして、同じ構成の３層膜を熱処理を行わず、しかも全工程中で２００℃を超えないように配慮して形成した表面弾性波フィルターの寿命を評価すると図７の曲線ｂのようになり、熱処理しないＡｌ−１％Ｃｕ単層膜（曲線ａ参照）と同程度になる。４００℃程度の高温での熱処理を行わないことによって、寿命は１桁近く向上していることがわかる。」（第４頁左欄第２５−３２行）
　
「【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる表面弾性波素子においては、圧電基板の上に、少なくとも銅が添加されたアルミニウム合金の膜と銅の膜が交互に積層された電極が形成された構成を採用した。
【００２９】この場合、少なくとも銅が添加されたアルミニウム合金の膜と銅の膜とは、互いにその内部応力の向きが逆であり、合計の内部応力がほぼ零、もしくは、圧縮応力である構成を用いることによってＡｌのストレスマイグレーションを低減することができる。
【００３０】また、この場合、圧電材料をＬｉＴａＯ3 またはＬｉＮｂＯ3 にすることができる。
【００３１】また本発明にかかる表面弾性波素子の製造方法においては、圧電基板の上に、少なくとも銅が添加されたアルミニウム合金の膜と銅の膜を、２００℃を超えない温度で交互に積層して形成し、該積層膜をパターニングして電極を形成し、その後の工程も２００℃を超えない温度に維持することによって、電極材料の粒界の成長を抑制するようにした。
【００３２】この場合、圧電材料をＬｉＴａＯ3 またはＬｉＮｂＯ3 で形成することができる。」（第４頁左欄第４３行−右欄第１３行）
　
「【００３５】Ａｌ膜に比べてＡｌ−Ｃｕ膜がマイグレーションに強いのは、この結晶粒界２４に存在するＣｕＡｌ2 ２５が、Ａｌ原子の流動を阻止するためであるといわれている。Ａｌに添加する金属として、上記のＣｕに代えてＴｉやＳｉ等を用いた場合も同様な効果が生じる。いま、この構造を有するＡｌ膜の上面にＣｕ膜を形成した場合を考える。」（第４頁右欄第２７−３３行）
　
「【００４０】このような状態では、上下のＡｌ−Ｃｕ膜２２，２７中の結晶粒界２４，２９に存在するＣｕＡｌ2 ２５，３０と、Ａｌ−Ｃｕ膜２２，２７とＣｕ膜２６の界面に存在するＣｕＡｌ2 が強く結合し、膜全体としては中心のＣｕ膜が屋台骨のようになり、その上下のＡｌ−Ｃｕ膜の結晶粒界に存在するＣｕＡｌ2 が小骨を張り巡らした構造となるため、ストレスマイグレーションに強い膜が２００℃以下の低温で実現できる。
【００４１】これに熱処理を加えると界面のＣｕＡｌ2 は厚くなるが、前記のようにＡｌ結晶粒が大きく成長し却ってストレスマイグレーションに弱くなる。したがって、２００℃を超える高温での熱処理を加えてはならない。以上説明したように、本発明の基本原理は、Ａｌ−Ｃｕ膜とＣｕ膜を積層し、Ｃｕ膜を中心として、Ａｌ−Ｃｕ膜中のＡｌ結晶粒界に形成されるＣｕＡｌ2 によって網の目構造を形成することによってストレスマイグレーションを阻止することである。」（第５頁左欄第３０−４６行）
　
３．対比・判断
３−１　本願発明１について
１）本願発明１と引用刊行物１との対比
　引用刊行物１に記載された「ＡｌまたはＡｌ合金膜」、「圧電基板（水晶基板）」、「Ａｌ薄膜櫛形電極」、「金属膜」及び「弾性表面波装置」はそれぞれ、本願発明１の「Ａｌ膜又はＡｌに少なくとも１種の他の元素が添加された膜からなる第１膜」、「基板」、「電極」、「第２膜」及び「弾性表面波素子」に相当する。
　また、引用刊行物１には「金属膜として、Ｃｒ，Ｍｇ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＢｅおよびＹからなる群の中から選ばれた１種を用いる場合」と記載されているから、引用刊行物１に記載された「金属膜」と本願発明１の「Ｍｇ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｎ、Ｇａ及びＣｏから選択される金属からなる第２膜」とは、選択肢としてＭｇを選択した場合に一致する。そして引用刊行物１に記載された金属膜はＡｌまたはＡｌ合金膜上に形成される（引用刊行物１の請求項４には金属膜がＡｌまたはＡｌ合金膜上に形成されることが記載されている。）ものであるから、引用刊行物１に記載されたＡｌまたはＡｌ合金膜と金属膜とが積層されていることは明らかである。
　
　したがって、両者は
「基板上に、Ａｌ膜又はＡｌに少なくとも１種の他の元素が添加された膜からなる第１膜と、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｎ、Ｇａ及びＣｏから選択される金属からなる第２膜とを積層する」ことにより「形成された電極を有する弾性表面波素子。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点
　本願発明１では、第１膜と第２膜とを積層することにより電極が形成されるのに対して、引用刊行物１では、第１膜の上に第２膜が積層されるが、第２膜を積層の後、第１膜と第２膜の間に形成された合金層を残して第２膜が除去されて電極が形成される点。
　
２）相違点の判断
　以下、上記相違点について検討する。
　本願発明１は、本願明細書の実施例あるいは発明の効果の欄等に記載されているようにＡｌを含む第１膜と第２膜を積層し、拡散により第１膜と第２膜の相互の金属で合金層又は固容体層が形成されると耐電力性が向上するものであるが、Ａｌを合金化することにより耐電力性を向上させることは本願明細書中にも従来例として記載され、また更に、引用刊行物２（従来技術としてもＡｌ合金の記載がある。）、特開平６−３５０３７７号公報（従来技術としてもＭｇ等を添加したＡｌ合金の記載がある。以下「引用刊行物３」という。）にも記載されているように周知である。また、耐電力性を向上させるためにＡｌあるいはＡｌ合金膜上に更に金属膜を積層させることも引用刊行物２，引用刊行物３にも記載されているように周知である。
　そして、引用刊行物１にはＡｌまたはＡｌ合金膜上に積層する金属膜としてＣｒ、Ｍｇ等を用いると、弾性表面波素子の製造工程中のＡｌ薄膜の酸化防止の他に弾性表面波装置の耐電力性の向上に有効である旨記載されている。ここでＣｒ、Ｍｇ等はＡｌまたはＡｌ合金上に積層された後、合金層４を形成するものであるから、上記周知技術を勘案すればＡｌ、またはＡｌ合金上に積層されたＣｒまたはＭｇとＡｌの合金が耐電力性に有効であることが引用刊行物１に記載されていることは明らかである。そして、合金層はＡｌまたはＡｌ合金と、その上に積層されたＣｒまたはＭｇの金属膜に由来するものであるから、引用刊行物１に記載された耐電力性の向上を目的とする場合には、ＡｌまたはＡｌ合金上に積層したＣｒ、Ｍｇ等の金属膜を除去することなく残存させることも当業者であれば容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明１によって奏される効果も引用刊行物１に記載の発明及び周知技術から予測できる程度のものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願発明１は引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、審判請求人は当審の拒絶理由に対して意見書を提出し、引用刊行物１は、Ａｌ又はＡｌ合金層が酸素に曝されることを防ぐ役目を果すために金属膜を形成していることに加え、Ａｌ薄膜櫛形電極膜厚を１５nm以下にすることを目的としていることから、金属膜を残存させる技術思想は全くなく、金属膜を残存させるための動機付が引用刊行物１には無い旨主張している。
　審判請求人の主張の意味するところは必ずしも明確ではないが、引用刊行物１には、上で指摘したように、ＡｌまたはＡｌ合金上に積層する金属膜としてＣｒ、Ｍｇ等を用いると、製造工程中のＡｌ薄膜の酸化防止の他に弾性表面波装置の耐電力性の向上に有効であることが明記されているのであるから、Ａｌ合金上に積層した金属膜を製造工程中の酸化防止の観点からは製造後には不用なものとして除去されることがあったっとしても、耐電力性の向上の目的からみれば、製造後に特にこれを除去する必要がないことは明かである。
　また、引用刊行物１には課題を解決するための手段の項には確かに、結果として１５ｎｍ以下の弾性表面波装置を提供できることが記載されているが、発明の目的の項の「本発明の目的は、Ａｌ薄膜櫛型電極の膜厚が１５ｎｍ以下の場合でも電極の断線のない弾性表面波装置およびその製造方法を提供することにある。」との記載からすれば、電極の膜厚は特に１５ｎｍ以下に限定されるものではないと考えられるし、仮に、引用刊行物１の発明においては電極の膜厚が１５ｎｍ以下の発明に限定されていると仮定しても、そのことと、Ａｌ合金上に積層した金属膜を除去するか否かが直接的に関係するわけではない。
　従って、審判請求人の意見書における主張は採用できない。
　
　以上のとおり、本願発明１（請求項１に係る発明）は、引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３−２　本願発明１０について
１）本願発明１０と引用刊行物１との対比
　引用刊行物１に記載された「ＡｌまたはＡｌ合金膜」、「圧電基板（水晶基板）」、「金属膜」及び「弾性表面波装置」はそれぞれ、本願発明１０の「Ａｌ膜又はＡｌに少なくとも１種の他の元素が添加された膜からなる第１膜」、「基板」、「第２膜」及び「弾性表面波素子」に相当する。
　また、引用刊行物１には「金属膜として、Ｃｒ，Ｍｇ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＢｅおよびＹからなる群の中から選ばれた１種を用いる場合」と記載されているから、引用刊行物１に記載された「金属膜」と本願発明１０の「Ｍｇ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｎ、Ｇａ及びＣｏから選択される金属からなる第２膜」とは、選択肢としてＭｇを選択した場合に一致する。そして引用刊行物１に記載された金属膜はＡｌまたはＡｌ合金膜上に形成される（請求項４には金属膜はＡｌまたはＡｌ合金膜上に形成されることが記載されている。）ものであるから、引用刊行物１においてＡｌまたはＡｌ合金膜上に金属膜が積層されていることは明らかである。
　そして、引用刊行物１に記載されている「電極」がＡｌ薄膜上に金属膜を蒸着後、フォトリソグラフィ工程により形成されているので、引用刊行物１には、第１膜と第２膜とを積層し、所望の形状にパターニングする電極形成工程が記載されていることは明らかであるが、引用刊行物１には電極形成工程以降の工程については明記がされていない。しかし、弾性表面波素子の製造に当って、電極形成工程以降にもウエハの処理に関して所定の工程を行うことは当然のことである。
　したがって、両者は「基板上に、Ａｌ膜又はＡｌに少なくとも１種の他の元素が添加された膜からなる第１膜と、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｎ、Ｇａ及びＣｏから選択される金属からなる第２膜とを積層し、所望の形状にパターニングする電極形成工程と該電極形成工程以降のウェハ工程とを行うことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点
　引用刊行物１には、「電極形成工程と該工程以降のウェハ工程」について「２００℃以下」で行うことについて記載がない点。
　
２）相違点の判断
　電極形成工程及び該工程以降の工程を２００℃以下で行うことに関して、本願発明の詳細な説明には、「電極材料の結晶粒系を微細化するという観点から好ましい」（例えば、本願発明の詳細な説明【００１８】）と記載されているが、引用刊行物２にはＡｌ合金膜とＣｕを積層して耐電力性の向上した弾性表面波素子を製造する際して、２００℃を超えない温度でＡｌ合金膜とＣｕを積層し、電極を形成し、その後の工程も２００℃を超えない温度に維持することによって、電極材料の粒界の成長を抑制することが記載されており（【００３１】、【００４１】）、引用刊行物１に記載された、弾性表面波素子の製造方法に、引用刊行物２に記載の技術を適用して「電極形成工程と該工程以降のウェハ工程」を２００℃以下で行うことも当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明１０によって奏される効果も引用刊行物１、引用刊行物２に記載の発明から予測できる程度のものであって格別なものではない。
　
　以上のとおり、本願発明１０は、引用刊行物１，引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１（請求項１に係る発明）は引用刊行物１及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであり、また、本願発明１０（請求項１０に係る発明）は引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。