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【手続補正書】
【提出日】平成30年10月12日(2018.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４−メチル−１−ペンテンから導かれる構成単位（Ａ−ｉ）および４−メチル−１−ペンテンを除く炭素原子数２〜２０のα−オレフィンから選ばれる少なくとも１種以上のα−オレフィンから導かれる構成単位（Ａ−ｉｉ）を含み、任意に非共役ポリエンから導かれる構成単位（Ａ−ｉｉｉ）を含んでもよい４−メチル−１−ペンテン・α−オレフィン共重合体であって、構成単位（Ａ−ｉ）、（Ａ−ｉｉ）および（Ａ−ｉｉｉ）の合計を１００モル％としたときに、構成単位（Ａ−ｉ）を６３〜８６モル％、構成単位（Ａ−ｉｉ）を１４〜３７モル％、構成単位（Ａ−ｉｉｉ）を０〜１０モル％含む、４−メチル−１−ペンテン・α−オレフィン共重合体（Ａ）と、
エチレンから導かれる構成単位（Ｂ−ｉ）、炭素原子数３〜２０のα−オレフィンから導かれる構成単位（Ｂ−ｉｉ）、および非共役ポリエンから導かれる構成単位（Ｂ−ｉｉｉ）を含む共重合体［Ｂ−Ｉ］とポリオレフィン樹脂［Ｂ−ＩＩ］とを含む混合物を動的架橋して得られる熱可塑性エラストマー組成物（Ｂ）とを含有し、
前記４−メチル−１−ペンテン・α−オレフィン共重合体（Ａ）と前記熱可塑性エラストマー組成物（Ｂ）の質量比（Ａ）／（Ｂ）が１０／９０〜４９／５１であることを特徴とする制振材用熱可塑性重合体組成物。
【請求項２】
前記４−メチル−１−ペンテン・α−オレフィン共重合体（Ａ）は、前記構成単位（Ａ−ｉ）、（Ａ−ｉｉ）および（Ａ−ｉｉｉ）の合計を１００モル％としたときに、前記構成単位（Ａ−ｉ）を６３〜８０モル％、前記構成単位（Ａ−ｉｉ）を２０〜３７モル％、前記構成単位（Ａ−ｉｉｉ）を０〜１０モル％含む４−メチル−１−ペンテン・α−オレフィン共重合体である請求項１に記載の制振材用熱可塑性重合体組成物。
【請求項３】
前記４−メチル−１−ペンテン・α−オレフィン共重合体（Ａ）は、融点が観測されないか、もしくは融点が１３５℃未満の共重合体であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の制振材用熱可塑性重合体組成物。
【請求項４】
前記４−メチル−１−ペンテン・α−オレフィン共重合体（Ａ）は、融点が観測されないか、もしくは１１０℃未満の共重合体であることを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載の制振材用熱可塑性重合体組成物。
【請求項５】
前記４−メチル−１−ペンテン・α−オレフィン共重合体（Ａ）は、損失正接ｔａｎδの値が最大となる温度が０℃以上４０℃以下の共重合体であることを特徴とする、請求項１〜４の何れか１項に記載の制振材用熱可塑性重合体組成物。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の制振材用熱可塑性重合体組成物を成形する工程を含む、成形体の製造方法。
【請求項７】
前記成形体は制振部材である、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記成形体は衝撃吸収材である、請求項６に記載の製造方法。
【請求項９】
前記成形体は振動吸収材である、請求項６に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記成形体は共振吸収材である、請求項６に記載の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜５の何れか１項に記載の制振材用熱可塑性重合体組成物を含む成形体。
【請求項１２】
制振部材である、請求項１１に記載の成形体。
【請求項１３】
衝撃吸収材である、請求項１１に記載の成形体。
【請求項１４】
振動吸収材である、請求項１１に記載の成形体。
【請求項１５】
共振吸収材である、請求項１１に記載の成形体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月30日(2018.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水が入る少なくとも一つの槽を有する流しと、この流しを下方から支える台と、を具備する業務用流し台において、
前記台は、
前記槽を下方から受けるとともに、前記流しの長手方向に延びる長方形状の台フレームと、
前記台フレームの四隅部に連結され、前記台フレームから床面に向けて下方に突出された４本の脚と、
４本の前記脚のうち、前記台フレームの長手方向に対向する２本の前記脚の高さ方向の中央部の間に跨るように前記脚に連結され、前記台フレームの長手方向に延びる前後の横棒と、
前記横棒より上側で前記台フレームの長手方向に対向する２本の前記脚に跨るように前記脚に連結されるとともに、少なくとも前記脚の間に位置する中央部が前記台フレームに連結され、前記台フレームが前記流しから受ける下向き荷重を前記台フレームの長手方向に対向する２本の前記脚に伝える前後の補強材と、
を備えた業務用流し台。
【請求項２】
前記補強材は、上向きに凸となるアーチ形状をなし、前記補強材の両端が前記台フレームの長手方向に対向する２本の前記脚の高さ方向の中央部に連結されているとともに、前記補強材の長手方向の中央部に位置する前記補強材の頂部が前記台フレームの長手方向の中央部に連結された請求項１に記載の業務用流し台。
【請求項３】
４本の前記脚が前記流しの長手方向の一端と他端に対し、夫々前記台フレームの長手方向の中央部の側にずれて配設され、前記流しの端部の下方に作業者の足を入れることが可能なスペースが確保された請求項１又は請求項２に記載の業務用流し台。
【請求項４】
前記槽の外底面に取付けられた排水装置と、前記台フレームに支持され、前記脚の高さ方向の中央部で前記台フレームの長手方向に延びた排水配管と、をさらに備え、
前記排水配管は、前記排水装置の出口と連通されているとともに、少なくとも一方の端に開閉部材を有する請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の業務用流し台。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記の課題を解決するために、本発明の業務用流し台は、水が入る少なくとも一つの槽を有する流しと、この流しを下方から支える台と、を備える。前記台は、台フレーム、４本の脚、前後の横棒及び前後の補強材を備える。台フレームは、前記槽を下方から受けるとともに、前記流しの長手方向に延びる長方形状に形成されている。４本の脚は、前記台フレームの四隅部に連結され、前記台フレームから床面に向けて下方に突出されている。前後の横棒は、４本の前記脚のうち、前記台フレームの長手方向に対向する２本の前記脚の高さ方向の中央部の間に跨るように前記脚に連結され、前記台フレームの長手方向に延びている。前後の補強材は、前記横棒より上側で前記台フレームの長手方向に対向する２本の前記脚に跨るように前記脚に連結されるとともに、少なくとも前記脚の間に位置する中央部が前記台フレームに連結され、前記台フレームが前記流しから受ける下向き荷重を前記台フレームの長手方向に対向する２本の前記脚に伝えることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
流し２は、その長手方向に並んでかつ上方に開放された複数の槽を有する。複数の槽の数は問わないが、この一実施形態は３つの槽を有する流し２を例示しているので、ここでは各槽を第１槽３〜第３槽５として便宜上区別する。各槽の長さは800cm〜900cmである。第２槽４は流し２の長手方向中央部に位置された槽であり、第１槽３は第２槽４の左隣に位置された槽であり、第３槽５は第２槽４の右隣に位置された槽である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第１溢水部８の溢水出口８aは、第１堰６の左隣に隣接して臨んでいる槽である第１槽３用の第１排水装置１１に、第１排水管路１４を介して連通されている。つまり、第１排水管路１４の一端（上端）は、第１溢水部８の溢水出口８aに接続され、第１排水管路１４の一端より低く配置された第１排水管路１４の他端は、第１排水装置１１の溢水受口部１１aに接続されている。
同様に、第２溢水部９の溢水出口９aは、第２堰７の左隣に隣接して臨んでいる槽である第２槽４用の第２排水装置１２に、第２排水管路１５を介して連通されている。つまり、第２排水管路１５の一端（上端）は、第２溢水部９の溢水出口９aに接続され、第２排水管路１５の一端より低く配置された第２排水管路１５の他端は、第２排水装置１２の溢水受口部１２aに接続されている。
同様に、第３溢水部１０の溢水出口１０aは、流し２の他端部２ｂの左隣に隣接して臨んでいる槽である第３槽５用の第３排水装置１３に、第３排水管路１６を介して連通されている。つまり、第３排水管路１６の一端（上端）は、第３溢水部１０の溢水出口１０aに接続され、第３排水管路１６の一端より低く配置された第３排水管路１６の他端は、第３排水装置１３の溢水受口部１３aに接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
流し台１は、第１水栓３１〜第３水栓３３の夫々に湯を供給するための給湯配管３５と、第１水栓３１〜第３水栓３３の夫々に水を供給するための給水配管３６を備えている。図４及び図５中符号３７は支持棒２８に取付けられた給湯配管３５用の配管ホルダを示し、同じく符号３８は支持棒２８に取付けられた給水配管３６用の配管ホルダを示している。配管ホルダ３７は給湯配管の半周に巻き付くような形態でこの給湯配管３５を支持棒２８に支持しており、同様に配管ホルダ３８は給水配管３６の半周に巻き付くような形態でこの給水配管３６を支持棒２８に支持している。それにより、給湯配管３５と給水配管３６は調理場の床面Lから上方に離された状態で複数の支持棒２８にわたって支持されている。
なお、図２及び図４中符号３９は配管カバーを示している。この配管カバー３９は、流し２の一端部２aの下側に位置された配管部分を覆い隠して設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月27日(2018.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
エラストマーは、特定の種類に限定されないが、耐熱性及び耐油性に優れ、圧縮永久歪みが小さいものであることが好ましい。具体的に、エラストマーの耐熱温度は１８０℃以上であることが好ましい。また、エラストマーは、１５０℃のＣＶＴＦへの１０００時間の浸漬での体積膨張率が１０％以下であることが好ましい。更に、エラストマーの圧縮永久歪み（１７７℃、２２時間）は３０％以下であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月3日(2018.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔料と、アクリル系粒子と、アルコールと、水と、を含むインクジェット印刷用インクであり、
前記アルコールが、前記インクジェット印刷用インク全質量に対して１０〜２０質量％の３価のアルコールと、前記インクジェット印刷用インク全質量に対して１０〜２０質量％の２価のアルコールと、を含み、
前記２価のアルコールは、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−プロパンジオール、ブチレングリコール、およびヘキサンジオールからなる群から選択される化合物であり、
前記インクジェット印刷用インク全質量に対する、前記アルコールの含有量が３０質量％以下であり、
前記顔料１０質量部に対する前記アクリル系粒子の量が０．５〜１０質量部であり、
皮膚刺激性が陰性である、
インクジェット印刷用インク。
【請求項２】
前記３価のアルコールがグリセリンである、
請求項１に記載のインクジェット印刷用インク。
【請求項３】
前記顔料１０質量部に対する前記アクリル系粒子の量が１．５〜５．７質量部である、
請求項１に記載のインクジェット印刷用インク。
【請求項４】
前記アルコールの含有量が、前記インクジェット印刷用インク全質量に対して２０〜３０質量％である、
請求項１に記載のインクジェット印刷用インク。
【請求項５】
前記アクリル系粒子は、皮膚刺激性のないアクリル系の樹脂からなり、
前記アクリル系の樹脂は、アクリル系モノマーの単独重合体、二種以上のアクリル系モノマーの共重合体、およびアクリル系モノマーと他のモノマーとの共重合体からなる群から選ばれる一種以上の重合体を含む、
請求項１に記載のインクジェット印刷用インク。
【請求項６】
界面活性剤、ｐＨ調整剤、増粘剤、紫外線吸収剤、紫外線散乱剤、防腐防カビ剤、脱酸素剤、酸化防止剤、防腐剤、褪色防止剤、消泡剤、香料、および溶媒（ただし、前記アルコールおよび前記水を除く）からなる群から選ばれ、皮膚刺激性が陰性である成分を一種以上さらに含む、
請求項１に記載のインクジェット印刷用インク。
【請求項７】
ｐＨが７．０〜９．５である、
請求項１に記載のインクジェット印刷用インク。
【請求項８】
前記顔料の粒度分布のメディアン径が、０．０１〜０．３μｍである、
請求項１に記載のインクジェット印刷用インク。
【請求項９】
２５℃における表面張力が、３２ｍＮ／ｍ〜４６ｍＮ／ｍである、
請求項１に記載のインクジェット印刷用インク。
【請求項１０】
厚さ１０ｎｍ〜１０００ｎｍの生体適合性を有するフィルムと、
前記フィルムの裏面側に剥離可能に積層された、吸水性を有する支持体と、含み、
前記フィルムの前記支持体とは反対側の面に、請求項１に記載のインクジェット印刷用インクが塗布されている、
肌へ密着させる薄膜シート。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月1日(2018.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で示されるアントラセン骨格を有する化合物、ベンゾフェノン骨格を有する化合物及びラジカル重合性化合物、を含む光重合性組成物。
【化１】
2017057249.tif 000001
（一般式（１）において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ炭素数６から２０のアリール基、炭素数１から２０のアルキル基を有するアルキルカルボニル基、炭素数６から２０のアリール基を有するアリールカルボニル基、炭素数１から２０のアルキル基を有するアルキルオキシカルボニル基又は炭素数６から２０のアリール基を有するアリールオキシカルボニル基を示し、Ｒ１、Ｒ２は同一であっても異なっていてもよい。また、Ｘ、Ｙは水素原子又は炭素数１から８のアルキル基を示し、Ｘ、Ｙは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項２】
ベンゾフェノン骨格を有する化合物が一般式（２）で表されるベンゾフェノン骨格を有する化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の光重合性組成物。
【化２】
2017057249.tif 000002
（一般式（２）において、Ｒ３〜Ｒ１２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、ハロゲン原子、ビニル基を表す。Ｒ３〜Ｒ１２はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。また芳香環の炭素原子を介して隣り合う２つの置換基が互いに結合し、該炭素原子と共に環構造を形成してもよい。さらに、Ｒ７とＲ８が互いに直接又は酸素原子を介して結合し、該炭素原子と共に環構造を形成してもよい。）
【請求項３】
さらに水素供与性化合物を含む、請求項１又は２に記載の光重合性組成物。
【請求項４】
水素供与性化合物が分子内にアミノ基、水酸基、エーテル結合、メルカプト基から選ばれる少なくとも一つの官能基を有する化合物であることを特徴とする、請求項３に記載の光重合性組成物。
【請求項５】
さらにベンゾフェノン骨格を有する化合物及びアントラセン骨格を有する化合物以外の光ラジカル重合開始剤を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光重合性組成物。
【請求項６】
光ラジカル重合開始剤が光照射により分子が開裂してラジカルを発生するような化合物であることを特徴とする、請求項５に記載の光重合性組成物。
【請求項７】
ラジカル重合性化合物が少なくとも一つのエチレン性不飽和結合を有する化合物であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光重合性組成物。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光重合性組成物にエネルギー線を照射することによる硬化物の製造方法。
【請求項９】
照射するエネルギー線が３００ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲の光を含有することを特徴とする、請求項８に記載の硬化物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月15日(2018.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬学的に許容される担体と、
5-HT受容体アゴニストと、
選択的セロトニン再取り込み阻害薬（SSRI）と
を含む、てんかんの一形態を有する患者における発作を低減するための製剤。
【請求項２】
てんかんの形態がドラベ症候群である、請求項1記載の製剤。
【請求項３】
5-HT受容体アゴニストがフェンフルラミンである、請求項2記載の製剤。
【請求項４】
フェンフルラミンが任意のレボフェンフルラミンの非存在下でのデキスフェンフルラミンである、請求項3記載の製剤。
【請求項５】
フェンフルラミンが任意のデキスフェンフルラミンの非存在下でのレボフェンフルラミンである、請求項3記載の製剤。
【請求項６】
5-HT受容体アゴニストが、5-HT1D、5-HT2A、5-HT2C、5-HT5A、5-HT5B、5-HT7、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される受容体に対するアフィニティーと、その受容体における活性とを有する、請求項2記載の製剤。
【請求項７】
SSRIが、シタロプラム、エスシタロプラム、フルオキセチン、フルボキサミン、パロキセチン、セルトラリン、ならびにそれらの組み合わせ、塩、誘導体、断片、および複合体からなる群より選択される、請求項1記載の製剤。
【請求項８】
SSRIが、エスシタロプラム、フルオキセチン、フルボキサミン、パロキセチン、セルトラリン、ならびにそれらの組み合わせ、塩、誘導体、断片、および複合体からなる群より選択される、請求項4記載の製剤。
【請求項９】
SSRIが、エスシタロプラム、フルオキセチン、フルボキサミン、パロキセチン、セルトラリン、ならびにそれらの組み合わせ、塩、誘導体、断片、および複合体からなる群より選択される、請求項5記載の製剤。
【請求項１０】
薬学的に許容される担体と、
5-HT受容体アゴニストと、
選択的セロトニン再取り込み阻害薬（SNRI）と
を含む、てんかんの一形態を有する患者における発作を低減するための製剤。
【請求項１１】
てんかんの形態がドラベ症候群である、請求項10記載の製剤。
【請求項１２】
5-HT受容体アゴニストがフェンフルラミンである、請求項10記載の製剤。
【請求項１３】
フェンフルラミンが任意のレボフェンフルラミンの非存在下でのデキスフェンフルラミンである、請求項12記載の製剤。
【請求項１４】
フェンフルラミンが任意のデキスフェンフルラミンの非存在下でのレボフェンフルラミンである、請求項12記載の製剤。
【請求項１５】
5-HT受容体アゴニストが、5-HT1D、5-HT2A、5-HT2C、5-HT5A、5-HT5B、5-HT7、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される受容体に対するアフィニティーと、その受容体における活性とを有する、請求項11記載の製剤。
【請求項１６】
SNRIが、ボルチオキセチン、イミプラミン、ベンラファキシン、デスベンラファキシン、デュロキセチン、ミルナシプラン、レボミルナシプラン、ならびにそれらの組み合わせ、塩、誘導体、断片、および複合体からなる群より選択される、請求項11記載の製剤。
【請求項１７】
SNRIが、アルモトリプタン、フロバトリプタン、リザトリプタン、スマトリプタン、ゾルミトリプタン、ならびにそれらの組み合わせ、塩、誘導体、断片、および複合体からなる群より選択される、請求項13記載の製剤。
【請求項１８】
SNRIが、アルモトリプタン、フロバトリプタン、リザトリプタン、スマトリプタン、ゾルミトリプタン、ならびにそれらの組み合わせ、塩、誘導体、断片、および複合体からなる群より選択される、請求項14記載の製剤。
【請求項１９】
薬学的に許容される担体と、
5-HT受容体アゴニストと、
トリプタンと
を含む、てんかんの一形態を有する患者における発作を低減するための製剤。
【請求項２０】
てんかんの形態がドラベ症候群である、請求項19記載の製剤。
【請求項２１】
5-HT受容体アゴニストがフェンフルラミンである、請求項19記載の製剤。
【請求項２２】
フェンフルラミンが任意のレボフェンフルラミンの非存在下でのデキスフェンフルラミンである、請求項21記載の製剤。
【請求項２３】
フェンフルラミンが任意のデキスフェンフルラミンの非存在下でのレボフェンフルラミンである、請求項21記載の製剤。
【請求項２４】
5-HT受容体アゴニストが、5-HT1D、5-HT2A、5-HT2C、5-HT5A、5-HT5B、5-HT7、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される受容体に対するアフィニティーと、その受容体における活性とを有する、請求項20記載の製剤。
【請求項２５】
トリプタンが、アルモトリプタン、フロバトリプタン、リザトリプタン、スマトリプタン、ゾルミトリプタン、ナラトリプタン、ならびにそれらの組み合わせ、塩、誘導体、断片、および複合体からなる群より選択される、請求項19記載の製剤。
【請求項２６】
トリプタンがナラトリプタンである、請求項25記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月28日(2018.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、図１３の超電導コイル１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄの配設角度θを、それぞれ、１００度、１１０度、１１５度、１２０度、１３０度（すなわち、コイル軸間の中心角度αはそれぞれ８０度、７０度、６５度、６０度、５０度）とした場合の磁場分布を示す図１４〜図１８に示した磁場分布において、中心磁場が十分に広い領域に亘って均一に配置される。その一方で、図１９に示すように、配設角度θが９０度（コイル軸間の中心角度αは９０度）と小さい場合には、中心磁場のＹ方向の幅が極端に狭くなり、図２０に示すように、配設角度θが１４０度（コイル軸間の中心角度αは４０度）と大きい場合には、中心磁場のＸ方向の幅が極端に狭くなっている。
したがって、図１３の超電導磁石１３０において、配設角度θを１００度〜１３０度の範囲に設定することで、ボア１１５内部に同心円状もしくは正方形状の等分布磁場を得ることができるとされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上述のように、特許文献１では、配設角度θを１００度〜１３０度（すなわち、コイル軸間の中心角度αは、５０度〜８０度）の範囲に設定することで、ボア内部に同心円状もしくは正方形状の等分布磁場を得ることを可能にしている。しかしながら、このような均一な磁場分布であっても、中心軸１１０における磁力線がＸ軸方向に向かう横磁場においては、Ｘ軸と平行な断面内とＸ軸に垂直な断面内とでは熱対流に違いがあることが、本発明者の行った３次元の融液対流を含む総合伝熱解析により明らかとなった。Ｘ軸に垂直な断面内に坩堝壁から成長界面への流れ場が残存することで、石英坩堝から溶出する酸素が結晶に到達するため、水平磁場印加による酸素濃度低下効果には限界があり、パワーデバイスやイメージセンサー用半導体単結晶における極低濃度の酸素濃度要求に応えることが難しくなっているという問題点がある。また、坩堝の周方向で不均一な流れ場が存在することは、単結晶を回転させながら引き上げる単結晶においては成長縞の原因となり、成長方向に平行な断面内を評価すると、結晶回転周期の抵抗率・酸素濃度変動が観察されるため、成長方向に垂直にスライスしたウェーハ面内ではリング状の分布となってしまうという問題点もある。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月9日(2018.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートが積載される積載部と、
前記積載部に対向して配置され、折り速度で回転する折りローラと、
前記折り速度よりも速い速度である突き速度で移動し、前記積載部に積載されたシートを前記折りローラに向かって突く突き部と、
前記折りローラによって折られるべきシートの枚数が第１の枚数である場合における前記折りローラの前記折り速度と前記突き部の前記突き速度との速度差が、前記折りローラによって折られるべきシートの枚数が前記第１の枚数よりも多い第２の枚数である場合における前記折りローラの前記折り速度と前記突き部の前記突き速度との速度差よりも小さくなるように、前記折りローラと前記突き部とを制御する制御部と、
を有することを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記折りローラによって折られるべきシートの枚数が多いほど、前記突き部の前記突き速度が増大するように前記突き部を制御する請求項１に記載のシート処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、折られるべきシートの枚数に拘わらず、前記折りローラの前記折り速度を一定に制御することを特徴とする請求項２に記載のシート処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、折られるべきシートの枚数が多いほど、前記折りローラの前記折り速度が減少するように前記折りローラを制御する請求項１に記載のシート処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、折られるべきシートの枚数に拘わらず、前記突き部の前記突き速度を一定に制御することを特徴とする請求項４に記載のシート処理装置。
【請求項６】
前記シート処理装置は、前記シートに筋付けを行う筋付け部を有し、
前記制御部は、前記折りローラによって折られるべきシートに前記筋付けが行われたシートが含まれる場合に、前記折りローラによって折られるべきシートの枚数が前記第１の枚数である場合における前記折りローラの前記折り速度と前記突き部の前記突き速度との速度差が、前記折りローラによって折られるべきシートの枚数が前記第２の枚数である場合における前記折りローラの前記折り速度と前記突き部の前記突き速度との速度差よりも小さくなるように、前記折りローラと前記突き部とを制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記折りローラによって折られるべきシートに前記筋付けが行われたシートが含まれない場合、前記折りローラによって折られるべきシートの枚数に拘わらず、前記速度差の変更を行わないことを特徴とする請求項６に記載のシート処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記折りローラによって折られるべきシートに前記筋付けが行われたシートが含まれる場合における前記速度差が、前記折りローラによって折られるべきシートに前記筋付けが行われたシートが含まれない場合における前記速度差よりも小さくなるように前記折りローラと前記突き部とを制御することを特徴とする請求項６に記載のシート処理装置。
【請求項９】
前記折りローラによって折られるべきシートに前記筋付けが行われたシートが含まれる場合、前記折りローラによって前記シートが折られる際、前記筋付けが行われたシートは前記折りローラに接触し、
前記シートに付けられた筋は、前記シートが２つ折りされたときに折られたシートの内側へ凸となる筋であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項１０】
前記シート処理装置は、前記筋付けが行われたシートを前記積載部へ搬送する搬送路を有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項１１】
前記制御部は、折られるべきシートの枚数と前記速度差とを関連付けるテーブルが格納された記憶手段を有し、
前記制御部は、前記テーブルを参照することによって前記速度差を設定することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のシート処理装置と、
前記シート処理装置によって処理されるべきシートに画像を形成する画像形成手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月24日(2018.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みが２〜２００μｍの高分子フィルム基材と、
前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面側に形成された透明導電層を備える透明導電性フィルムであって、
前記高分子フィルム基材と前記透明導電層との間に、無機物により形成された無機アンダーコート層を備え、
前記高分子フィルム基材の材料は、ノルボルネンの単一成分の高分子もしくは共重合高分子、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィン、ポリカーボネート、ポリアミド、又は、ポリスチレンのいずれかであり、
前記透明導電層は、インジウム−スズ複合酸化物層であり、
前記透明導電層中の炭素原子の存在原子量が３×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記透明導電層の比抵抗が１．１×１０−４Ω・ｃｍ以上２．４×１０−４Ω・ｃｍ以下である透明導電性フィルム。
【請求項２】
厚みが２〜２００μｍの高分子フィルム基材と、
前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面側に形成された透明導電層を備える透明導電性フィルムであって、
前記高分子フィルム基材と前記透明導電層との間に、無機物により形成された無機アンダーコート層を備え、
前記透明導電層中の水素原子の存在原子量が３．７×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である透明導電性フィルム。
【請求項３】
前記透明導電層が結晶質である請求項１又は２に記載の透明導電性フィルム。
【請求項４】
前記インジウム−スズ複合酸化物層における酸化スズの含有量が、酸化スズ及び酸化インジウムの合計量に対し０．５重量％〜１５重量％である請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項５】
前記透明導電層は、複数のインジウム−スズ複合酸化物層が積層された構造を有し、
前記複数のインジウム−スズ複合酸化物層のうち少なくとも２層では互いにスズの存在量が異なる請求項１又は２に記載の透明導電性フィルム。
【請求項６】
前記インジウム−スズ複合酸化物層の全てが結晶質である請求項５に記載の透明導電性フィルム。
【請求項７】
前記透明導電層は、前記高分子フィルム基材側から、第１のインジウム−スズ複合酸化物層及び第２のインジウム−スズ複合酸化物層をこの順で有し、
前記第１のインジウム−スズ複合酸化物層における酸化スズの含有量が、酸化スズ及び酸化インジウムの合計量に対し６重量％〜１５重量％であり、
前記第２のインジウム−スズ複合酸化物層における酸化スズの含有量が、酸化スズ及び酸化インジウムの合計量に対し０．５重量％〜５．５重量％である請求項５又は６に記載の透明導電性フィルム。
【請求項８】
前記高分子フィルム基材と前記透明導電層との間に、有機物又は有機物と無機物との混合物により形成された有機アンダーコート層を備える請求項１〜７のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項９】
前記高分子フィルムの少なくとも一方の面側に
有機物又は有機物と無機物との混合物により形成された有機アンダーコート層と、
無機物により形成された無機アンダーコート層と、
前記透明導電層とをこの順で備える請求項１〜７のいずれか１項に記載の透明導電性フィルム。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムを備えるタッチパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月23日(2018.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鋼板表面にめっき皮膜を有する溶融Al−Zn−Mg−Siめっき鋼板であって、
前記めっき皮膜は、膜厚が27μm以下であり、下地鋼板との界面に存在する界面合金層と該合金層の上に存在する主層とからなり、25〜80質量％のAl、0.6超え〜15質量％のSi及び0.1超え〜25質量％のMg、並びに、合計で0.01〜10質量％の、Mn、V、Mo、Ti、Sr、Ni、Co、Sb及びBのうちから選択される一種又は二種以上を含有し、残部がZn及び不可避的不純物からなる組成を有し、
前記めっき皮膜中のMg及びSiの含有量が、以下の式（１）を満足することを特徴とする、溶融Al−Zn−Mg−Siめっき鋼板。
ＭMg／（ＭSi−0.6）＞1.7  ・・・（１）
ＭMg：Mgの含有量（質量％）、ＭSi：Siの含有量（質量％）
【請求項２】
前記主層がMg2Siを含有し、前記主層におけるMg2Siの含有量が1.0質量％以上であることを特徴とする、請求項１に記載の溶融Al−Zn−Mg−Siめっき鋼板。
【請求項３】
前記主層がMg2Siを含有し、該主層の断面におけるMg2Siの面積率が1％以上であることを特徴とする、請求項１に記載の溶融Al−Zn−Mg−Siめっき鋼板。
【請求項４】
前記主層がMg2Siを含有し、Ｘ線回折によるMg2Siの（１１１）面（面間隔ｄ=0.367nm）のAlの（２００）面（面間隔ｄ＝0.202nm）に対する強度比が、0.01以上であることを特徴とする、請求項１に記載の溶融Al−Zn−Mg−Siめっき鋼板。
【請求項５】
前記界面合金層の厚さが、1μm以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の溶融Al−Zn−Mg−Siめっき鋼板。
【請求項６】
前記主層がα−Al相のデンドライト部分を有し、該デンドライト部分の平均デンドライト径と、前記めっき皮膜の厚さとが、以下の式（２）を満足することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の溶融Al−Zn−Mg−Siめっき鋼板。
ｔ／ｄ≧1.5  ・・・（２）
ｔ：めっき皮膜の厚さ（μm）、ｄ：平均デンドライト径（隣接するデンドライトアーム間の中心距離）（μm）
【請求項７】
前記めっき皮膜が、25〜80質量％のAl、2.3超え〜5質量％のSi及び3〜10質量％のMgを含有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の溶融Al−Zn−Mg−Siめっき鋼板。
【請求項８】
前記めっき皮膜が、25〜80質量％のAl、0.6超え〜15質量％のSi及び5超え〜10質量％のMgを含有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の溶融Al−Zn−Mg−Siめっき鋼板。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月11日(2017.12.11)
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素と金属系原子を含有する金属系構造体であって、
前記金属系原子として鉄を含み、
前記水素の少なくとも一部が、前記金属系構造体を２００℃で２分間加熱した後に該金属系構造体に含有されている非拡散性水素であり、
前記非拡散性水素の含有量が、前記金属系構造体の全量を基準として０．０１質量％以上又は０．４１原子％以上であることを特徴とする金属系構造体。
【請求項２】
水素を含有することによって非晶質化した金属系非晶質相を含むことを特徴とする、請求項１記載の金属系構造体。
【請求項３】
一般式ＭｍＨで示される成分からなり、
前記Ｍは金属系原子であり、
前記ｍは３以上３００以下の整数であり、
前記Ｈは水素原子である
ことを特徴とする、請求項１又は２に記載の金属系構造体。
【請求項４】
前記ｍが４、６、８、１２、２０、３０のいずれかであることを特徴とする、請求項３に記載の金属系構造体。
【請求項５】
化合物であることを特徴とする、請求項３又は４に記載の金属系構造体。
【請求項６】
前記金属系構造体が、少なくとも一部に非晶質相を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項７】
前記金属系構造体が、少なくとも一部に非晶質相を有し、
加熱することにより金属単相の結晶化金属系構造体を得ることが可能な、請求項１〜５のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項８】
前記金属系構造体が、少なくとも一部に非晶質相を有し、
加熱することにより金属元素単相の結晶化金属系構造体を得ることが可能な、請求項１〜５のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項９】
前記金属系構造体が、少なくとも一部に非晶質相を有し、
加熱することにより鉄単相の結晶化金属系構造体を得ることが可能な、請求項１〜５のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項１０】
前記非晶質相が、水素を含有することを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項１１】
前記水素の含有量が、前記金属系構造体の全量を基準として、０．０３７質量％以上、０．５９質量％以下、又は、２．０原子％以上、２５原子％以下であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項１２】
前記水素の含有量が、前記金属系構造体の全量を基準として０．０９５質量％以上又は５．０４原子％以上であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項１３】
前記金属系構造体が、鉄を主成分として含有することを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項１４】
前記金属系構造体の少なくとも一部が、粒子構造、及び／又はワイヤ状の構造を有することを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項１５】
前記金属系構造体において、該金属系構造体の空隙を充填する無定形の非晶質相を有する又は無定形の非晶質相からなることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項１６】
前記粒子構造、及び／又は、ワイヤ状の構造が、自己造粒反応により形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の金属系構造体。
【請求項１７】
前記金属系構造体が、正多面体構造又は略正多面体構造を有し、
前記正多面体構造が、水素原子を中心とし、該正多面体構造の各頂点、各面の中央又は各辺の中央に金属原子が配されていることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の金属系構造体。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかに記載の前記金属系構造体が結合した金属系構造体結合体であって、
前記金属系構造体結合体が、形状的異方性を有することを特徴とする金属系構造体結合体である金属系構造体。
【請求項１９】
前記金属系構造体又は前記金属系構造体結合体が、３Ｄプリンタ用であることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれかに記載の金属系構造体又は金属系構造体結合体。
【請求項２０】
金属元素及び／又は半金属元素の少なくとも１種を含む金属系可還元性成分を含有する物質である可還元性物質が液体中で還元してなる構造体である金属系構造体の製造方法であって、
前記金属系構造体の全量を基準として、該金属系構造体の含有する水素の水素含有量を制御することによって、次の（ｉ）から（ｉｉｉ）の少なくとも１つを制御する金属系構造体の製造方法であって、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の金属系構造体の製造方法：
（ｉ）前記金属系構造体に含まれる非晶質相の形成を制御する；
（ｉｉ）前記金属系構造体の粒子形状を制御する；
（ｉｉｉ）前記金属系構造体の組成を制御する。
【請求項２１】
前記請求項１〜１９に記載の金属系構造体に磁場を作用させる工程を有し、前記金属系構造体の形状的異方性を制御することを特徴とする、金属系構造体の製造方法。
【請求項２２】
前記請求項１〜１９に記載の金属系構造体の空隙に付加物質を付与することを特徴とする、金属系構造体の製造方法。
【請求項２３】
前記請求項１〜１９に記載の金属系構造体を加熱及び／又は加圧する工程を有することによって、該金属系構造体の空隙の体積を減少させる、該金属系構造体同士を固着させる、該金属系構造体内部の部分構造同士を固着させる、及び／又は、該金属系構造体に付加物質を固着させることを特徴とする、金属系構造体の製造方法。
【請求項２４】
前記請求項１〜１９に記載の金属系構造体を加熱して得られることを特徴とする、少なくとも一部に結晶相を有する金属系構造体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月22日(2017.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
結晶性分離体によって分離された磁性粒状体を含む柱状構造を有する磁気記録層と、
前記基板と前記磁気記録層の間に配置された中間層とを備え、前記中間層はＴｉＮ−Ｘ層またはＭｇＯ−Ｙ層であり、Ｘは、ＭｇＯ、ＴｉＣ、ＴｉＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＮ、ＺｒＣ、ＺｒＯ、ＺｒＯ2、ＨｆＮ、ＨｆＣ、ＨｆＯ、およびＨｆＯ2のうちの少なくとも１つを含むドーパントであり、Ｙは、Ｎｉ、Ｔｉ、およびＺｒのうちの少なくとも１つを含むドーパントである、スタック。
【請求項２】
前記磁性粒状体はＦｅＰｔを含む、請求項１に記載のスタック。
【請求項３】
前記結晶性分離体は、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、およびＴｉＣのうちの少なくとも１つである、請求項１または請求項２に記載のスタック。
【請求項４】
前記結晶性分離体はＺｒＯ2である、請求項１または請求項２に記載のスタック。
【請求項５】
前記磁気記録層は、約５体積％と約５０体積％の間の量のＺｒＯ2を含む、請求項４に記載のスタック。
【請求項６】
前記結晶性分離体は５０％以上の結晶構造を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のスタック。
【請求項７】
前記磁気記録層は、前記磁性粒状体と前記結晶性分離体の間に配置された非晶質分離体をさらに含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のスタック。
【請求項８】
前記非晶質分離体は、酸化物および窒化物のうちの少なくとも１つである、請求項７に記載のスタック。
【請求項９】
前記非晶質分離体は、Ｃ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＷＯ3、Ｔａ2Ｏ5、およびＢＮのうちの少なくとも１つである、請求項７に記載のスタック。
【請求項１０】
前記磁気記録層の厚さは、約５ｎｍと約３０ｎｍの間である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のスタック。
【請求項１１】
前記ＦｅＰｔの粒状体は、約１以上の高さ／直径のアスペクト比を有する、請求項２に記載のスタック。
【請求項１２】
Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、およびＷのうちの少なくとも１つを含む合金を含むヒートシンク層をさらに備え、前記ヒートシンク層は前記中間層と前記基板の間に配置される、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のスタック。
【請求項１３】
ＣｒＲｕおよびＭｇＯのうちの１つ以上を含む下地層をさらに備え、前記下地層は前記中間層と前記基板の間に配置される、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載のスタック。
【請求項１４】
基板と、
結晶性分離体と非晶質分離体によって互いに分離された磁性粒状体を含む柱状構造を有する磁気記録層とを備え、前記磁性粒状体はＦｅＰｔを含み、前記結晶性分離体はＺｒＯ2を含み、前記非晶質分離体はＣを含み、さらに、
前記基板と前記磁気記録層の間に配置された中間層を備える、スタック。
【請求項１５】
前記磁気記録層は、約５体積％と約５０体積％の間の量のＺｒＯ2と、約５〜５０体積％の量のＣとを含む、請求項１４に記載のスタック。
【請求項１６】
前記磁気記録層は、約２０体積％と約４５体積％の間の量のＺｒＯ2と、約５〜２０体積％の量のＣとを含む、請求項１４に記載のスタック。
【請求項１７】
前記磁性粒状体は、高さ／直径のアスペクト比が１以上であり、ＦｅＰｔを含む、請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載のスタック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気スタック
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月28日(2017.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ個（ｍは２以上の整数）の正極と、ｎ個（ｎは２以上の整数）の負極とを有する蓄電装置であり、
前記蓄電装置は、可撓性を有し、
前記ｍ個の正極のそれぞれは、正極集電体と、正極集電体の少なくとも一面に接する正極活物質層とを有し、
前記ｍ個の正極のそれぞれは、前記正極集電体の少なくとも一部が露出したタブ領域と、前記正極集電体が前記正極活物質層で覆われた領域とを有し、
前記ｍ個の正極の前記タブ領域のそれぞれは、孔を有し、
前記ｎ個の負極のそれぞれは、負極集電体と、負極集電体の少なくとも一面に接する負極活物質層とを有し、
前記ｎ個の負極のそれぞれは、前記負極集電体の少なくとも一部が露出したタブ領域と、前記負極集電体が前記負極活物質層で覆われた領域とを有し、
前記ｎ個の負極の前記タブ領域のそれぞれは、孔を有し、
前記ｍ個の正極と前記ｎ個の負極は、前記正極及び前記負極とが交互に配置され、
前記ｍ個の正極のそれぞれが有する前記孔は、互いに重なる領域を有し、
前記ｎ個の負極のそれぞれが有する前記孔は、互いに重なる領域を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ｍ個の正極および前記ｎ個の負極が有する前記孔は、真円ではないことを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記ｍ個の正極および前記ｎ個の負極のそれぞれは、複数の孔を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の蓄電装置を搭載した電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月30日(2017.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外装体と、前記外装体内に設けられた正極、負極、セパレータおよび電解液と、を有し、
前記セパレータは、前記正極と、前記負極との間に設けられ、
前記外装体は、前記外装体の第１の方向に連続した第１の凹凸を有し、
前記第１の凹凸の断面形状が波状であり、
前記外装体の前記第１の方向に可撓性を有することを特徴とする蓄電体。
【請求項２】
外装体と、正極リードと、負極リードと、前記外装体内に設けられた正極、負極、セパレータおよび電解液と、を有し、
前記セパレータは、前記正極と、前記負極との間に設けられ、
前記正極は、第１の湾曲部を有する正極タブ部を有し、
前記負極は、第２の湾曲部を有する負極タブ部を有し、
前記正極リードは、前記正極タブ部において前記正極と接続され、
前記負極リードは、前記負極タブ部において前記負極と接続され、
前記外装体は、前記外装体の第１の方向に連続した第１の凹凸を有し、
前記第１の凹凸の断面形状が波状であり、
前記外装体の第１の方向に可撓性を有することを特徴とする蓄電体。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記正極リードおよび前記負極リードは、前記外装体の同じ辺に設けられていることを特徴とする蓄電体。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記外装体は、金属フィルムと熱可塑性フィルムの積層を有することを特徴とする蓄電体。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の凹凸のピッチＰは、前記正極と、前記負極と、前記セパレータと、前記電解液が設けられている領域における前記第１の方向の直線距離の１０分の１以下であることを特徴とする蓄電体。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の凹凸の高低差Ａは、前記外装体の厚さＴの５倍以上であることを特徴とする蓄電体。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記外装体は、前記外装体の前記第１の方向と直交する第２の方向に連続した第２の凹凸を有することを特徴とする蓄電体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月1日(2017.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】可撓性を有する二次電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、負極と、電解液とを有し、
前記正極の少なくとも一部と、前記負極の少なくとも一部と、前記電解液とを内包する外装体を有し、
前記外装体の封止部は、曲線、波線、円弧、または、複数の変曲点を有する形状の第１の領域と、前記第１の領域と同形状の第２の領域とを有し、
前記第１の領域と前記第２の領域とは接している可撓性を有する二次電池であって、
前記可撓性を有する二次電池は、曲率半径を有する形状に変形することができる機能を有し、
前記変形した領域は、前記第１の領域を含むことを特徴とする可撓性を有する二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月24日(2017.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、第１のＣｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）を含み、
前記第２のトランジスタのゲート電極は、第２のＣｕ−Ｘ合金膜を含み、
前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜は、前記第２のＣｕ−Ｘ合金膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、第１のＣｕ−Ｘ合金膜（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、またはＴｉ）と、前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜上方の第１のＣｕ膜と、第１のＣｕ膜上方の第２のＣｕ−Ｘ合金膜と、を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極は、第３のＣｕ−Ｘ合金膜と、前記第３のＣｕ−Ｘ合金膜上方の第２のＣｕ膜と、第２のＣｕ膜上方の第４のＣｕ−Ｘ合金膜と、を有し、
前記第１のＣｕ−Ｘ合金膜は、前記第４のＣｕ−Ｘ合金膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、被形成面と側面とのなす傾斜角が３０度以上７０度以下である、ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月21日(2017.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第１の導電膜及び第２の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる第１の領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記第３の導電膜は、前記第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記第２の絶縁膜は、第１の膜と、前記第１の膜上の第２の膜と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の領域と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の端部と重なる領域を有し、
前記第１の膜は、前記第１の領域の上面と接する領域を有し、
前記第１の膜は、前記酸化物半導体膜の端部と接する領域を有し、
前記第１の膜は、前記第１の絶縁膜と接する領域を有する半導体装置。
【請求項２】
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第１の導電膜及び第２の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜全体と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記第３の導電膜は、前記第２の開口部を介して前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記第２の絶縁膜は、第１の膜と、前記第１の膜上の第２の膜と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の開口部と前記第２の開口部との間において前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の端部と重なる領域を有し、
前記第１の膜は、前記第１の領域の上面と接する領域を有し、
前記第１の膜は、前記酸化物半導体膜の端部と接する領域を有し、
前記第１の膜は、前記第１の絶縁膜と接する領域を有する半導体装置。