【事件の表示】
　平成　９年特許願第２２４６７４号「メタルハライドランプ」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月　９日出願公開、特開平１１−　６７１５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年８月２１日の出願であって、平成１４年７月２６日付けで拒絶査定（発送日；平成１４年８月６日）がなされ、これに対し、同年９月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１４年１０月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
　１．補正却下の決定の結論
　平成１４年１０月７日付けの手続補正を却下する。
　
　２．理由
　（１）補正の内容
　上記手続補正により、特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおり補正された。
「【請求項１】電極とリード線とがモリブデン箔にて接続され、該モリブデン箔がピンチシール部に埋設状に設けられたメタルハライドランプであって、
上記モリブデン箔としてモリブデンにイットリアをドープしたものを用い、且つ、ピンチシール時に１６００〜２０００°Ｃで加熱することによって、
　
　（２）補正の目的の適否について
　この補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「モリブデン箔」について、「上記モリブデン箔としてモリブデンにイットリアをドープしたものを用い、且つ、ピンチシール時に１６００〜２０００°Ｃで加熱することによって、」との限定を附加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　（３）独立特許要件について
　上記手続補正により補正された後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　ア．補正後発明
　上記手続補正により補正された後の請求項１に係る発明（以下、「補正後発明」という）は、補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】電極とリード線とがモリブデン箔にて接続され、該モリブデン箔がピンチシール部に埋設状に設けられたメタルハライドランプであって、
上記モリブデン箔としてモリブデンにイットリアをドープしたものを用い、且つ、ピンチシール時に１６００〜２０００°Ｃで加熱することによって、
　
　イ．引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５５−７４０３４号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が図面と共に記載されている。
　（ア）「本発明は、モリブデン箔を電流導入導体として封入合体させたつまみ封止を設けたガラス発光容器を有し、外側電流導体が前記モリブデン箔の一端部に溶接されかつ発光容器の内側に収納した電気素子への内側電流導体が前記モリブデン箔の他端部に溶接された電灯に関するものである。」（１頁左下欄１４〜１９行）
　（イ）「この箔と、内側及び外側の電流導体との間に溶接点を作った後に、この組立を取扱うとこの箔の溶接した合わせ目の近くで箔の破砕がしばしば起る。この構造のさらにゆゆしい特徴は、つまみ封止を作る際に、この箔に破砕が起ることである。・・・本発明の目的は、機械的に強い電流導入導体を有する電灯を提供することである。本発明によれば、この目的は、モリブデンの１／４〜１重量％の量の酸化イットリウム粒子をこのモリブデン箔中に分散させることにおいて冒頭の段落に記載されたこの種の電灯において達成される。」（１頁右下欄１８行〜２頁左上欄１０行）
　（ウ）「第１図には、高圧水銀放電灯の石英ガラス放電灯容器１、すなわち発光管が、外被４の中の電流導体２及び３の間に配置される。この放電灯容器１は、その各々が電流導入導体として、それぞれ酸化イットリウムを含有するモリブデン箔７及び８を含む２個のつまみ封止５及び６を有し、前記モリブデン箔に対し、それぞれ、外側電流導体９及び１０と、それぞれ内側電流導体１１及び１２とが溶接される。この内側電流導体１１及び１２は、タングステンから成り、一対の電極１３、１４まで延在する。外側電流導体９及び１０は、モリブデンから成る。第２図にては、参照数字２０が、ハロゲン白熱灯の石英ガラス電灯外被バルブを示す。その外被バルブはつまみ封止２１を具え、このつまみ封止には酸化イットリウムを含有するモリブデン箔２２及び２３が封入合体されている。それぞれ、モリブデンの外側電流導体２４及び２５と、それぞれ、タングステンの内側電流導体２６及び２７とは、箔２２、２３に溶接される。タングステンフィラメント２８が電灯外被バルブ２０に収納されている。直径０．７ｍｍのタングステン線が厚さ３０μｍのモリブデン箔に溶接され、厚さ０．５ｍｍのＵ状に曲げられたＭｏ線の手足がモリブデン箔の他端部に電気的に溶接された。その溶接時間は２０ｍｓであり、溶接力１５Ｎであり、溶接電流は５８０−５９０Ａであった。このモリブデン箔とＭｏ線との長手方向における溶接の引張強度は、２０Ｎまでの測定範囲を有する装置にて試験された。この測定は、モリブデンの重量によって表わした０、１／４、１／２及び１重量％のＹ２Ｏ３を含有するモリブデン箔について行なわれた。５００の測定の平均値が次表に記録される。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　表
　Ｎｏ　　箔のＹ２０３含有　　引張強度（Ｎ）　引張強度（Ｎ）
　　　（Ｍｏに関する重量％）　Ｕ状線との溶接　直線との溶接
　　Ａ　　　　　０　　　　　　　　１３．６　　　　１０．３
　　１　　　　１／４　　　　　　＞１７．６　　　＞１７．９
　　２　　　　１／２　　　　　　＞１６．８　　　＞１５．９
　　３　　　　　１　　　　　　　＞１９．２　　　＞１９　　
　
溶接後、そのような電流導体は水素中で１３００°Ｃにて還元され、次いで石英ガラスのところでつまみを作られる。酸化イットリウムを含まないＭｏ箔を付けた電流導体は、つまみ封止を作る間にひびが入った結果０．９％の不合格品百分率を与えた。酸化イットリウムの１／４、１／２及び１重量％を含有する電流導体の不合格品百分率は、０．１％であった。（２頁左下欄１３行〜３頁左上欄１９行）
　（エ）「以上要するに、少なくとも９５重量％のＳｉＯ２を含有する種類のガラスの電灯発光容器、すなわち電灯外被バルブ（２０）を有する電灯において、電流導入導体（２２，２３）は、一般にモリブデン箔から成り、該箔に対して内側（２６、２７）及び外側（２４、２５）電流導体が溶接されている。溶接後、電灯外被バルブすなわち電灯発光容器（２０）のつまみ封止（２１）を作るに際し、ひび割れがモリブデン箔（２２、２３）にしばしば生じる。これに対して、本発明においては、モリブデン重量の１／４〜１％の量の酸化イットリウム粒子が分散されているモリブデン箔（２２、２３）は、酸化イットリウムを含有していない同じ厚みのモリブデン箔よりも可成り強いことが判った。」（３頁右上欄１１行〜同左下欄４行）
　
　そうすると、上記摘記事項（ア）中の記載「外側電流導体が前記モリブデン箔の一端部に溶接されかつ発光容器の内側に収納した電気素子への内側電流導体が前記モリブデン箔の他端部に溶接された」からみて、内側電流導体と外側電流導体とがモリブデン箔にて接続されていることは明らかである。
　また、上記摘記事項（ウ）中の記載「外被バルブはつまみ封止２１を具え、このつまみ封止には酸化イットリウムを含有するモリブデン箔２２及び２３が封入合体されている。」及び図面の第１、２図の記載からみて、つまみ封止にモリブデン箔が埋設状に設けられていることは明かである。
　したがって、引用刊行物には次の発明が記載されているものと認める。
「内側電流導体と外側電流導体とがモリブデン箔にて接続され、該モリブデン箔がつまみ封止に埋設状に設けられた電灯であって、上記モリブデン箔としてモリブデン箔に酸化イットリウム粒子を分散させたものを用いた電灯」（以下、「引用発明」という。）
　
　ウ．対比・判断
　補正後発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「内側電流導体」、「外側電流導体」、「モリブデン箔」、「つまみ封止」は、それぞれ、補正後発明の「電極」、「リード線」、「モリブデン箔」、「ピンチシール部」に相当する。
　また、イットリアはイットリウムの酸化物のことであり、ドープ（ドーピング）とは、合金法や拡散法により結晶に少量の不純物を添加することであるから、引用発明の「モリブデン箔に酸化イットリウム粒子を分散させた」ものは、補正後発明の「モリブデンにイットリアをドープした」ものと異ならない。
　さらに、補正後発明の「メタルハライドランプ」は電灯の一種であることも明らかである。
　したがって、両者は、次の一致点で一致し、相違点１及び２で相違する。
　【一致点】
　電極とリード線とがモリブデン箔にて接続され、該モリブデン箔がピンチシール部に埋設状に設けられた電灯であって、上記モリブデン箔としてモリブデンにイットリアをドープしたものを用いた電灯。
　【相違点】
　相違点１：補正後発明では、ピンチシール時に１６００〜２０００°Ｃで加熱することによって、上記モリブデン箔の再結晶粒の大きさを５０μｍ以下としているのに対し、引用発明では、つまみ封止（ピンチシール）時の加熱温度及び当該加熱により生成されるモリブデン箔の再結晶粒の大きさについては明記されていない点。
　相違点２：補正後発明では、電灯がメタルハライドランプと特定されているのに対し、引用発明では特定されてない点。
　
　上記相違点１について検討する。
　「ピンチシール時に１６００〜２０００°Ｃで加熱する」点については、例えば、特開昭６２−５５８５６号公報（１頁右下欄１２〜１８行「発光管封止部を形成する工程は、金属箔の両端に主電極、補助電極および外部導線をそれぞれ接続してなる各導入導体を石英ガラス製発光管バルブの端部内に配置し、バルブ内に酸化防止用の窒素ガスを流しながらバルブ端部を１６００°Ｃ〜１８００°Ｃに加熱して軟化させ、ついで圧潰封止するものである」参照）、実願昭６０−１７４８６４号（実開昭６２−８４１６０号）のマイクロフィルム（明細書６頁２〜４行「モリブデン箔４を管球１の両端の封止部の中心に配置し、約１８００〜２０００°Ｃで石英ガラスを軟化させて封着される」参照）、実公昭５２−１７９８５号公報（３欄５〜８行「石英１の加工温度（１７００°Ｃ〜２０００°Ｃ）付近において、タングステンの内部導入線５、モリブデン箔６等は外側から石英１を圧潰する」参照）にみられるごとく、ピンチシール時に普通に用いられている加熱温度範囲である。そうすると、加熱温度１６００〜２０００°Ｃは、いわゆるピンチシール時の加熱温度として普通に用いられている温度範囲にすぎないものであるから、引用発明のつまみ封止（「ピンチシール」に相当）の際に、上記普通に用いられている温度範囲を採用して１６００〜２０００°Ｃで加熱する構成とすることは当業者が適宜なし得る設計的事項である。
　そして、「モリブデン箔の再結晶粒の大きさを５０μｍ以下とした」点については、補正後の本願明細書の発明の詳細な説明には「【００２３】・・・尚、Ｍｏ箔へのイットリア（Ｙ２Ｏ３）の添加量は０．５％に限らず、０．１％〜２％の添加量であっても、多くの再結晶粒の大きさを５０μｍ以下とすることができたが、安定した長寿命化を得るには、０．５％の添加量がもっとも好ましい。」、「【００２７】そして、このようなメタルハライドランプ１は、従来の製造方法と同様にして製造されるが、ピンチシール部４、４に埋着されるＭｏ箔５、５の材質が、Ｍｏ−０．５％Ｙ２Ｏ３であるため、ピンチシール時に高温（１６００〜２０００℃）に晒されても、微細化されたＭｏ箔の結晶は再結晶しにくく、かつ、再結晶しても結晶粒が粗大化しにくいため、ピンチシール後のＭｏ箔５、５の再結晶粒の大きさを５０μｍ以下とすることができる。」と記載されており、これらの記載からみて、モリブデン箔へのイットリア添加量０．１％〜２％のものであればピンチシール時に高温（１６００〜２０００℃）に晒されると、再結晶粒の大きさを５０μｍ以下とすることができると解される。一方、引用発明は、上記摘記事項（ウ）に記載されているごとく実施例レベルにおいてイットリア添加量は１／４、１／２及び１重量％であって、いずれの添加量も０．１％〜２％の範囲内に含まれるから、引用発明においても、ピンチシール時に高温（１６００〜２０００℃）に晒されると、その再結晶粒は５０μｍ以下の大きさを有するものと解され、さらには、再結晶温度以上の加熱下でドープ剤の存在下のモリブデン材においてこまかい再結晶粒が得られることも知られている（特開昭６３−１６６９５２号公報（３頁左上欄８〜１０行「再結晶温度より３００°Ｃ以上の温度に加熱することにより２５〜４０μｍ程度のこまかい再結晶粒が得られる」参照））ことから、引用発明に、上述のとおりのピンチシール時に普通に用いられている加熱温度１６００〜２０００°Ｃを採用することにより、再結晶粒の大きさを５０μｍ以下とすることも、当業者が適宜なし得たものというべきである。
　したがって、補正後発明の上記相違点１に係る構成は、引用発明に普通に用いられているピンチシール時の加熱温度を適用することにより当業者が容易になし得たものである。
　次に、上記相違点２について検討する。
　補正後発明は、Ｍｏ箔とピンチシール部（ガラス）との線膨張係数の差により発生するクラックの発生及び封入ガスのリークを防止することを主要課題とするものであるが、同様な課題は、ピンチシール部（ガラス）との線膨張係数の差を持ったＭｏ箔をピンチシールする電灯すべてについて言えることは自明であるから、当該ピンチシールを行う電灯として特にメタルハライドランプを特定する点に格別の困難性は認められない。
　そして、補正後発明の奏する効果も、上記引用刊行物の記載事項及び上記技術常識から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　したがって、補正後発明は、引用発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　エ．むすび
　以上のとおりであるから、補正後発明は、引用発明及び技術常識に基づい
て当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１４年１０月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び２に係る発明は、願書に最初に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は次のとおりのものである。
「【請求項１】電極とリード線とがモリブデン箔にて接続され、該モリブデン箔がピンチシール部に埋設状に設けられたメタルハライドランプであって、上記モリブデン箔の再結晶粒の大きさを５０μｍ以下としたことを特徴とするメタルハライドランプ。」
　
第４　引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５５−７４０３４号公報の記載事項及び引用発明については、上記「第２　２．（３）イ．引用刊行物に記載された発明」に記載したとおりである。
　
第５　対比・判断
　本願第１発明は、上記「第２　２．（３）ウ．対比・判断」で検討した補正後発明の構成において、「モリブデン箔」に関して「モリブデンにイットリアをドープしたものを用い、且つ、ピンチシール時に１６００〜２０００°Ｃで加熱する」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願第１発明の構成要件を全て含みさらに他の構成要件を付加したものに相当する補正後発明が、上記「第２　２．（３）ウ．対比・判断」に記載したとおり引用発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願第１発明も、同様の理由により、引用発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願第１発明は、引用発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願第１発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２に係る発明について判断するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。