【事件の表示】
　平成　４年特許願第２８３２２８号「弾性表面波装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　５月１３日出願公開、特開平　６−１３２７６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】本願発明
　本願は、平成４年１０月２１日に特許出願されたものであって、その請求項１、２に係る発明は、平成１３年７月２３日付け及び平成１４年３月７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載されたとおりのものであって、当該請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「【請求項１】　単結晶基板と、該単結晶基板上にエピタキシャル成長されたZnO薄膜とを有する表面波基板と、　
　前記表面波基板上に形成されたインターデジタルトランスデューサと、　
　前記ZnO薄膜と同じ材料からなり、前記表面波基板上において前記インターデジタルトランスデューサを覆うようにエピタキシャル成長されており、膜厚により周波数調整を図り得る、パッシベーション膜とを備え
、かつ前記パッシベーション膜をエッチングにより開口させ電極パッドを露出させた
　
【２】引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平3-40510号公報（以下「刊行物1」という。）には、背景技術、実施例と図面、殊に第２図（補正後は第４図）とこれに係わる記載を参酌すると、以下のとおりの技術的事項が記載されているものと認められる。
（1-1）「近年、弾性表面波（以下SAWと称する場合がある。）を用いたフィルタや共振子、発振子等の弾性表面波装置が広く用いられるようになっている。弾性表面波装置は、バルク波装置よりも高周波化に適しているが、より高周波化をはかるためには、使用するすだれ状のインターディジタル電極のピッチを細かくするか、あるいは基板を伝搬する弾性表面波の音速の速い基板（高音速基板）を用いる必要がある。
　しかし、インターディジタル電極のピッチの微細化には限度があるので、上記目的のためには高音速基板を用いるのが望ましく、最近ではシリコン、サファイア、ダイアモンド等の単結晶誘電体上に酸化亜鉛や窒化アルミニウム等の圧電薄膜を形成した基板が高音速基板として開発されている。高音速基板の各圧電薄膜は、一般的には高周波における伝搬損失を小さくするため、エピタキシャル膜化する必要がある。一方、従来より用いられているアルミニウム電極は、ランダム配向の多結晶膜である。電極材料としてアルミニウムを用いるのは、フォトリソグラフィが容易であり、比重が小さくて電極負荷質量効果が少なく、伝導率が高いなどの長所を備えているためである。
　しかし、ランダム配向多結晶膜の上にはエピタキシャル成長させることができないので、従来のアルミニウム電極の上では圧電薄膜をエピタキシャル成長させることができず、このため従来の高音速基板を用いた弾性表面波装置8としては、第2図に示すように、単結晶誘電体5の上にスパッタやCDV等の方法により圧電薄膜6を成膜して高音速基板を形成し、圧電薄膜6の表面にランダム配向した多結晶体のアルミニウム電極7を形成して構造となっていた。すなわち、アルミニウム電極3は、弾性表面波装置8の表面にあり、大気に露出している。」（第1頁右下欄第9行〜第2頁右上欄第3行、第2図参照）
（1-2）「以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
　第1図に示すものは、ZnO/R面サファイア基板を用いた弾性表面波フィルタ1である。高音速、高結合係数の弾性表面波用基板としては、R面サファイア上の（1120）配向ZnO薄膜はよく知られており、この実施例でも、R面サファイアの単結晶誘電体2の表面に（1120）配向のZnOの圧電薄膜4を形成し、誘電体2と圧電薄膜4との境界にすだれ状のアルミニウム電極3を形成している。
　この一実施例の弾性表面波フィルタ1の製造順序を次に説明する。まず、表面を鏡面研磨されたR面サファイア板の上に薄いアルミニウム膜を蒸着により成膜した。このとき、蒸着条件を制御することにより、R面サファイア板の上にアルミニウム膜をエピタキシャル成長させることができた。アルミニウム膜の膜厚は500Åとした。ついで、アルミニウム膜をフォトエッチングし、R面サファイア基板の表面に1μmの指幅と指間間隔を持つ
インターディジタル型のアルミニウム電極を形成した後、プレーナ・マグネトロン・スパッタによりアルミニウム電極の上からR面サファイア板の表面に圧電薄膜としてZnO膜をエピタキシャル成長させた。
　このようにして弾性表面波フィルタを形成したところ、アルミニウム膜は鏡面研磨されたサファイア板の表面に形成されたので、平滑なアルミニウム膜を得ることができ、フォトリソグラフィ時の不良を防止できた。これに対して第2図に示すような従来の構造では、R面サファイア板上にZnO膜をエピタキシャル成長させた後、ZnO膜の上にアルミニウム膜を形成し、フォトエッチングを行うのでZnO膜に発生した突起のため、約30%のショート不良が発生していた。」（第3頁右上欄第12行〜同頁右下欄第12行、第1、2図参照）
（1-3）「また、エピタキシャル成長のアルミニウム膜の場合、多結晶アルミニウム膜の場合のような粒界拡散によるマイグレーション発生がなく、耐電力特性が向上する。また、本発明では、アルミニウム電極が、誘電体と圧電薄膜の境界に形成された内部電極となっているので、酸化に対しても強くなる。」（第4頁左上欄第1〜7行）
（1-4）以上の記載とともに図面第２図に係わる構成によれば、この刊行物１には以下のような発明が記載されているものと認められる。
「単結晶誘電体(5)と、該単結晶誘電体(5)上にエピタキシャル成長されたZnO薄膜からなる圧電薄膜(6)とを有する高音速基板と、前記高音速基板上に形成されたアルミニウム電極(7)からなるインターデジタルトランスデューサと、を備える弾性表面波装置。」
（２）同じく引用された実願昭56-13705号（実開昭57-128237号）のマイクロフイルム（以下「刊行物2」という。）は、表面波フィルタに関するもので、その実施例と図面に係わる記載（公開明細書第3頁第13行〜同第4頁第19行）を参酌すると、この刊行物２には、圧電基板(1)（表面波基板）と、この基板(1)上に形成されたインターデジタルトランスデューサである入力電極(2)と出力電極(3)とを備える表面波フィルタ（弾性表面波装置）が開示されており、このような表面波フィルタ（弾性表面波装置）において、「表面波基板の圧電材料と同じ材料からなり、前記表面波基板上において前記インターデジタルトランスデューサを覆うように形成された保護膜(6)（パッシベーション膜）を備える」ことが記載されている。
　
【３】対比・判断
（対比）
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）と上記刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１における「単結晶誘電体(5)」「圧電薄膜(6)」「高音速基板」及び「アルミニウム電極(3)」は、それぞれ本願発明における「単結晶基板」「ZnO薄膜」「表面波基板」及び「インターデジタルトランスデューサ」に相当するから、両者は、以下のとおりの一致点及び相違点を有するものと認められる。
（一致点）
「単結晶基板と、該単結晶基板上にエピタキシャル成長されたZnO薄膜とを有する表面波基板と、
　前記表面波基板上に形成されたインターデジタルトランスデューサとを備える、弾性表面波装置。」
（相違点）
（ア）本願発明にあっては、表面波基板のZnO薄膜と同じ材料からなり、表面波基板上においてインターデジタルトランスデューサを覆うようにエピタキシャル成長されており、膜厚により周波数調整を図り得る、パッシベーション膜を備えているのに対して、刊行物１にあっては、このように構成していない点。
（イ）本願発明にあっては、前記パッシベーション膜をエッチングにより開口させ電極パッドを露出させているのに対して、刊行物１にあっては、この構成が明かでない点。
（検討）
　前記相違点について、以下に検討する。
　前記相違点（ア）について、上記刊行物２には、表面波基板と、前記表面波基板上に形成されたインターデジタルトランスデューサとを備える弾性表面波装置において、「前記表面波基板の圧電材料と同じ材料からなり、前記表面波基板上において前記インターデジタルトランスデューサを覆うように形成されたパッシベーション膜を備える」技術的事項が記載されており、また弾性表面波装置（表面波フィルタ）の基板上において、「インターデジタルトランスデューサを覆うように形成されたパッシベーション膜（薄膜）を、膜厚により周波数調整を図り得る、ZnO薄膜とする」ことも従来より周知の技術的事項である（例えば、特開昭63-18708号公報、特開昭63-102410号公報参照）。
　そして、上記刊行物１には、インターデジタルトランスデューサが形成された弾性表面波装置の基板上において、「前記インターデジタルトランスデューサを覆うように形成されるZnO薄膜（圧電薄膜ではあるが）を、エピタキシャル成長させる」との記載（前摘記(1-2)参照）もなされており、この層構成は、インターデジタルトランスデューサを覆う薄膜としてエピタキシャル成長させたZnO薄膜の構成であってインターデジタルトランスデューサとZnO薄膜との層構造に係る構成として、本願発明におけるインターデジタルトランスデューサと（ZnO薄膜と同じ材料からなる）パッシベーション膜（薄膜、保護膜、不動態皮膜）との層構造と同様構成と見ることができるから、上記刊行物１に記載された発明においても、上記刊行物１、２に記載の技術及び前記周知の技術的事項を参酌して、本願発明のように「表面波基板のZnO薄膜と同じ材料からなり、表面波基板上においてインターデジタルトランスデューサを覆うようにエピタキシャル成長されており、膜厚により周波数調整を図り得る、パッシベーション膜を備え」る構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　前記相違点（イ）について検討すると、弾性表面波装置において、表面波基板上に設けられる電極パッドは、このパッド部分で導電接続を行うものであるから、通常、露出させるものであって当業者に自明の技術的事項であり、この露出する手段として、「インターデジタルトランスデューサを覆うように形成されたパッシベーション膜（薄膜、保護膜、不動態皮膜）を、エッチング（フォトリソグラフィ）により開口させ電極パッドを露出させる」ことも従来より周知の技術的事項（例えば、特開昭63-102410 号公報、特開平2-123808号公報参照）であるから、本願発明のように構成することは当業者が容易になし得ることである。
　また、本願発明により奏する作用効果も、当業者が予測し得る程度のものであって格別のものとは認められない。
　
【４】むすび
　以上のとおりであって、本願の請求項１に係る発明は、上記刊行物１に記載された発明、刊行物１、２に記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるので、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項に記載された発明について論及するまでもでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。