【手続補正書】
【提出日】平成30年6月1日(2018.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１レジストパターンを形成する工程であって、前記第１レジストパターンは、前記基板上面に対する平面視において、第１方向に沿ってそれぞれ延設された複数の第１ラインパターンと、該第１方向と交差する第２方向に沿ってそれぞれ延設された複数の第３ラインパターンとを含んでおり、各第１ラインパターンは前記複数の第３ラインパターンに接触し且つ各第３ラインパターンは前記複数の第１ラインパターンに接触する、工程と、
前記第１レジストパターンを用いて前記基板に第１の不純物を注入する工程と、
前記第１レジストパターンを除去する工程と、
前記基板上に第２レジストパターンを形成する工程であって、前記第２レジストパターンは、前記平面視において、前記第１方向に沿ってそれぞれ延設された複数の第２ラインパターンと、前記第２方向に沿ってそれぞれ延設された複数の第４ラインパターンとを含んでおり、各第２ラインパターンは前記複数の第４ラインパターンに接触し且つ各第４ラインパターンは前記複数の第２ラインパターンに接触する、工程と、
前記第２レジストパターンを用いて前記基板に第２の不純物を注入する工程と、を有し、
前記第２レジストパターンを形成する工程では、前記複数の第１ラインパターンの互いに隣り合う２つが形成されていた場所の間に各第２ラインパターンを形成し、前記複数の第３ラインパターンの互いに隣り合う２つが形成されていた場所の間に各第４ラインパターンを形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記平面視において、
前記第１レジストパターンを形成する工程では、前記複数の第１ラインパターンを所定の間隔で形成し、
前記第２レジストパターンを形成する工程では、前記複数の第２ラインパターンを、前記複数の第１ラインパターンのそれぞれが形成されていた場所と、それと隣り合う前記第２ラインパターンのそれぞれとの距離が均一になるように形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記平面視において、
前記第１レジストパターンを形成する工程では、前記複数の第３ラインパターンを所定の間隔で形成し、
前記第２レジストパターンを形成する工程では、前記複数の第４ラインパターンを、前記複数の第３ラインパターンのそれぞれが形成されていた場所と、それと隣り合う前記第４ラインパターンのそれぞれとの距離が均一になるように形成する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体装置は、前記基板に配列された複数の画素を備える固体撮像装置であり、
前記複数の第１ラインパターンと前記複数の第２ラインパターンとは、行方向および列方向の一方に沿って前記複数の画素を区画するように形成され、
前記複数の第３ラインパターンと前記複数の第４ラインパターンとは、前記行方向および前記列方向の他方に沿って前記複数の画素を区画するように形成される
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記複数の画素が配列された領域のうちの周辺領域に位置する画素の個々は、ダミー画素である
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の不純物を注入する工程及び／又は前記第２の不純物を注入する工程で前記基板に注入された不純物は、素子分離部を形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１レジストパターンを形成する工程での露光と前記第２レジストパターンを形成する工程での露光とで、同じレチクルを用いる
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１レジストパターンを形成する工程で、露光装置のレチクルステージに前記レチクルを設置して露光を行った後、前記第２レジストパターンを形成する工程では、前記レチクルが設置された前記レチクルステージの前記基板に対する相対位置を、前記平面視において前記複数の第２ラインパターンのそれぞれが前記互いに隣り合う前記第１ラインパターンのそれぞれが形成されていた場所の間に形成されるように移動させて露光を行う
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の不純物を注入する工程および前記第２の不純物を注入する工程では、それぞれ、３００［ＫｅＶ］〜１５００［ＫｅＶ］の範囲内の強度で前記第１の不純物および前記第２の不純物の注入を行う
ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２レジストパターンは、前記第１レジストパターンを前記第１方向に第１距離だけシフトさせて得られるパターンと一致する
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２レジストパターンは、前記第１レジストパターンを前記第２方向に第２距離だけシフトさせて得られるパターンと一致する
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
各第１ラインパターンの前記第２方向での幅と、各第２ラインパターンの前記第２方向での幅とは互いに等しい
ことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
各第３ラインパターンの前記第１方向での幅と、各第４ラインパターンの前記第１方向での幅とは互いに等しい
ことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１レジストパターンは格子状のパターンを有し、前記第２レジストパターンは他の格子状パターンを有する
ことを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の不純物を注入する工程の後、前記基板上には、前記第１レジストパターンと前記第２レジストパターンとを重ねて得られる格子状のパターンであって前記第１の不純物及び／又は前記第２の不純物を含む格子状のパターンが形成され、該格子状のパターンのうち前記第１の不純物及び前記第２の不純物の双方を含む部分は、各第１ラインパターンと各第４ラインパターンとが重なる領域、又は、各第２ラインパターンと各第３ラインパターンとが重なる領域、に対応する
ことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体装置は、前記基板に配列された複数の画素を備える固体撮像装置であり、
前記複数の第１ラインパターンと前記複数の第２ラインパターンとは、行方向および列方向の一方に沿って前記複数の画素を区画するように形成され、
前記複数の第３ラインパターンと前記複数の第４ラインパターンとは、前記行方向および前記列方向の他方に沿って前記複数の画素を区画するように形成され、
前記第２の不純物を注入する工程の後において、前記第１レジストパターンと前記第２レジストパターンとを重ねて得られる前記格子状のパターンのうちの前記部分は、前記平面視において対角方向において互いに隣り合う２つの画素間に位置する
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の不純物を注入する工程の後において、前記第１レジストパターンと前記第２レジストパターンとを重ねて得られる前記格子状のパターンのうちの前記部分は、前記平面視において、前記第１方向または前記第２方向に沿って千鳥配置となっている
ことを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一つの側面は半導体装置の製造方法にかかり、前記半導体装置の製造方法は、基板上に第１レジストパターンを形成する工程であって、前記第１レジストパターンは、前記基板上面に対する平面視において、第１方向に沿ってそれぞれ延設された複数の第１ラインパターンと、該第１方向と交差する第２方向に沿ってそれぞれ延設された複数の第３ラインパターンとを含んでおり、各第１ラインパターンは前記複数の第３ラインパターンに接触し且つ各第３ラインパターンは前記複数の第１ラインパターンに接触する、工程と、前記第１レジストパターンを用いて前記基板に第１の不純物を注入する工程と、前記第１レジストパターンを除去する工程と、前記基板上に第２レジストパターンを形成する工程であって、前記第２レジストパターンは、前記平面視において、前記第１方向に沿ってそれぞれ延設された複数の第２ラインパターンと、前記第２方向に沿ってそれぞれ延設された複数の第４ラインパターンとを含んでおり、各第２ラインパターンは前記複数の第４ラインパターンに接触し且つ各第４ラインパターンは前記複数の第２ラインパターンに接触する、工程と、前記第２レジストパターンを用いて前記基板に第２の不純物を注入する工程と、を有し、前記第２レジストパターンを形成する工程では、前記複数の第１ラインパターンの互いに隣り合う２つが形成されていた場所の間に各第２ラインパターンを形成し、前記複数の第３ラインパターンの互いに隣り合う２つが形成されていた場所の間に各第４ラインパターンを形成することを特徴とする。