【事件の表示】
　平成　６年特許願第２２９００７号「集積回路および形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　３月３１日出願公開、特開平　７−　８６５２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年８月３１日（パリ条約による優先権主張１９９３年９月３日、米国）の出願であって、平成１５年１月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の発明は、明細書及び図面の記載からみて、平成１４年１１月８日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】第１の導電層（３２，５９）および第２の導電層（４２，５６，６６，７６）より成り、それらの間に配置される誘電体層（３６）を有するコンデンサ（２２，５０，６２，７２）であって、前記第１の導電層（３２、５９）には、アルミニウム、チタニウム、タングステンおよび金の内のいずれかが用いられ、前記第１の導電層（３２、５９）は約１．０ミクロンの厚さを有し、前記誘電体層（３６）を、約０．１ミクロンおよび約１．０ミクロンの間の範囲の厚さを有する窒化シリコンおよび酸化シリコンのいずれかとし、前記第２の導電層（４２，５６，６６，７６）が前記第１の導電層（３２，５９）の少なくとも一部を被覆するところのコンデンサ；および
　前記誘電体層（３６）上に形成されたインダクタ（２１，５１，６１，７１，８１）であって、前記コンデンサ（２２，５０，６２，７２）の前記第２の導電層（４２，５６，６６，７６）が前記インダクタを実質的に包囲し、前記インダクタ（２１，５１，６１，７１，８１）が前記コンデンサ（２２，５０，６２，７２）の前記第１の導電層（３２，５９）に電気的に結合されるところのインダクタ；
　を備えることを特徴とする集積回路。」
　なお、請求項１に記載された「前記コンデンサ（２２，５０，６２，７２）の前記第１の導電層（３２，５９）に電気的に結合されるとことのインダクタ」の「とこと」は、「ところ」の誤記と認められるので、上記のように認定する。
　
３．引用例
　
（引用例１）
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である実願昭６０−１５７３０１号（実開昭６２−６５８５０号）のマイクロフィルム（以下、「引用例１」という。）には、第１図及び第２図とともに、以下のとおり記載されている。
「[産業上の利用分野]
　この考案は基板上に集積して形成される共振回路素子に関するものである。」（明細書第１頁第１７行〜第１９行）
「[実施例]
　以下、この考案を一実施例を示す第１図を参照して説明する。
　なお、この実施例では前述の従来例と同一の部材及び部位については同一の符号を付しその説明は省略する。
　この考案に係る共振回路素子２０は、基板６上に並設された第１下面対向電極２１と第２下面対向電極２５とを備えている。これら電極２１及び２５は基板６上に蒸着、メッキ等により設けた金属膜を第２ランド９に接続して形成されている。そして、両電極２１，２５の上には、これらに対向する誘電体膜２２が設けられている。この誘電体膜２２も基板６上に蒸着、メッキ等により設けた金属膜で形成されている。誘電体膜２２上には、この形成に用いた手段と同じ手段により上面対向電極２３及び２６が設けてある。一方の上面対向電極２３は誘電体膜２２を介して第１下面対向電極２１に対向するように配設され、これら両電極２１，２３で１個目の薄膜多層構造のコンデンサが形成される。
　また、上面対向電極２３には、この上面対向電極２３をとり巻くように延長して形成された上面渦巻線路２４の一端が接続されている。上面渦巻線路２４はインダクタンスとなるもので、蒸着、メッキ等により設けた金属膜よりなるもので、その他端は第１ランド８に接続されている。
　また、他方の上面対向電極２６はその一端が第１ランド８に接続されるとともに、誘電体膜２２を介して第２下面対向電極２５に対向するように配設されている。そして、これら両電極２５，２６で２個目の薄膜多層構造のコンデンサが形成される。この場合、電極２１，２３よりなる１個目のコンデンサは第２図の共振回路中の第１キヤパシタ４に対応し、電極２５，２６よりなる２個目のコンデンサは第２キヤパシタ５に対応する。
　また、上面渦巻線路２４は誘電体膜２２及び基板６を介して金属膜７と対向するスパイラルインダクタとなるので、インダクタ３に対応する。従って、この共振回路素子には等価回路が形成されるようになる。」（明細書第５頁第１０行〜第７頁第１０行）
「[考案の効果]
　以上、説明したようにこの考案は一つの誘電体膜を共用して２個のコンデンサを形成するとともに、上面渦巻線路を一つの電極をとり巻くように誘電体膜上に形成したことを特徴とするものであるから、基板上における構成部品の占有面積が縮小できるため共振回路素子の小型化を図ることができる。」（明細書第８頁第１行〜第８行）
　
　したがって、引用例１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「基板上に集積して形成される共振回路素子であって、
　下面対向電極及び上面対向電極と、それらの間に配置される誘電体膜とを有し、前記下面対向電極及び前記上面対向電極は金属膜からなり、前記上面対向電極が前記下面対向電極に対向するように配設されたコンデンサと、
　前記誘電体膜上に形成されたインダクタであって、前記インダクタの上面渦巻線路が前記コンデンサの上面対向電極をとり巻き、前記インダクタが前記コンデンサの前記上面対向電極に電気的に接続されるインダクタと、
　を備える共振回路素子。」
　
（引用例２）
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平４−３５５９０２号公報（以下、「引用例２」という。）には、図５とともに、以下のとおり記載されている。
「【００９７】図５の実装説明図において、イ図は分解平面図、ロ図は実装断面図である。図中、図２〜図４と同符号は同一のものを示す。また、２１はＧＮＤパターン、２２は窓、２３はコンデンサ電極パターン、２４はコイルパターンを示す。
【００９８】多層回路基板の第１の層１０−１には、中央部に窓（導体の無い部分）２２を設けたＧＮＤパターン２１を印刷により設け、第２の層１０−２にはコンデンサ電極パターン２３とコイルパターン２４を印刷により形成するが、その際、コイルパターン２４を中央部に設け、このコイルパターン２４の周囲を取り囲むようにコンデンサ電極パターン２３を設ける。
【００９９】また、層１０−３にも同様にして、コイルパターン２４と、このコイルパターン２４の周囲を取り囲むようにしてコンデンサ電極パターン２３を印刷により形成する。このようにして各パターンを形成した各層を積層すると、図５ロのような断面構造の共振部（図２イと同じ回路）が得られる。
【０１００】上記共振部を高周波フィルタとして用いる時は、この例では層１０−３に形成したコンデンサ電極パターン２３をＧＮＤ端子に接続して用いる。このようにすると、コイル部を取り囲む形でＧＮＤ電極が配置されるので、コイルの横方向へ広がる磁界をシールドできる。
【０１０１】したがって、他の回路パターンに磁気的影響を与えないようになる。
【０１０２】なお、図２〜図５に示される構成例は、下記のような変形が可能である。
【０１０３】（１）上記構成例では、各共振部のコンデンサを２層とし、コイルを２パターンとした例について説明したが、これらは、単層、１ターンとしてもよく、また、２層以上、２ターン以上の構成としてもよい。」（第７頁左欄第１２行〜第４３行）
　
（引用例３）
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−１９３５８号公報（以下、「引用例３」という。）には、第４図とともに、以下のとおり記載されている。
「この種の従来のＩＣ化されたインダクタについて、第４図により説明する。
　第４図（ａ）および（ｂ）は、インダクタの要部拡大断面図および平面図で、（ａ）図に示すように、従来のインダクタは、半導体基板１の表面に金属膜配線２を形成した上に、上記の金属膜配線２の末端部に連通孔３ａを設けた絶縁膜３を形成し、さらにその表面に、上記の連通孔３ａで金属膜配線２と接続する渦巻き状の金属膜コイル４を形成したものである。一般に半導体基板１にはＳｉやＧａＡｓが、絶縁膜３にはＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４が、金属膜配線２および金属膜コイル４には蒸着スパッタあるいはめっきによるＡｌ，Ｔｉ−Ａｕ等がそれぞれ用いられる。」（第１頁右下欄第９行〜第２頁左上欄第２行）
　
４．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「下面対向電極」、「上面対向電極」及び「誘電体膜」は、本願発明の「第１の導電層」、「第２の導電層」及び「誘電体層」に、それぞれ相当し、引用発明の「前記上面対向電極が前記下面対向電極に対向する」ことは、本願発明の「前記第２の導電層（４２，５６，６６，７６）が前記第１の導電層（３２，５９）の少なくとも一部を被覆する」ことに相当する。
　また、引用発明の「共振回路素子」は「基板上に集積して形成される」ものであるから、本願発明の「集積回路」に相当するものの一部を構成するものである。
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「第１の導電層および第２の導電層より成り、それらの間に配置される誘電体層を有するコンデンサであって、前記第２の導電層が前記第１の導電層の少なくとも一部を被覆するところのコンデンサ；および
　前記誘電体層上に形成されたインダクタ；
　を備えることを特徴とする集積回路。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明においては、「前記第１の導電層（３２、５９）には、アルミニウム、チタニウム、タングステンおよび金の内のいずれかが用いられ、前記第１の導電層（３２、５９）は約１．０ミクロンの厚さを有し、前記誘電体層（３６）を、約０．１ミクロンおよび約１．０ミクロンの間の範囲の厚さを有する窒化シリコンおよび酸化シリコンのいずれかとし」ているのに対して、引用発明においては、本願発明の「第１の導電層」に相当する「下面対向電極」は「金属膜」で形成されているものの、その材質と膜厚が不明であり、また、本願発明の「誘電体層」に相当する「誘電体膜」の材質と膜厚が不明である点。
（なお、引用例１には、「この誘電体膜２２も基板６上に蒸着、メッキ等により設けた金属膜で形成されている。」という記載があるが、この記載が誤記であることは明らかであり、引用発明の「誘電体膜」は、当該技術分野において通常用いられる誘電体からなるものと認める。）
　
（相違点２）
　本願発明においては、「前記コンデンサ（２２，５０，６２，７２）の前記第２の導電層（４２，５６，６６，７６）が前記インダクタを実質的に包囲し」ているのに対して、引用発明においては、「前記インダクタの上面渦巻線路が前記コンデンサの上面対向電極をとり巻き」、すなわち、「インダクタ」が、本願発明の「第２の導電層」に相当する「上面対向電極」を包囲している点。
　
（相違点３）
　本願発明においては、「前記インダクタ（２１，５１，６１，７１，８１）が前記コンデンサ（２２，５０，６２，７２）の前記第１の導電層（３２，５９）に電気的に結合される」のに対して、引用発明においては、「前記インダクタが前記コンデンサの前記上面対向電極に電気的に接続される」、すなわち、「インダクタ」が、本願発明の「第２の導電層」に相当する「上面対向電極」に電気的に結合される点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　集積回路において、金属膜にＡｌを用いること、及び、下層の金属膜と上層の金属膜との間に配置される絶縁膜に酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることは、引用例３にも記載されているように、当該技術分野において周知の技術的事項である。
　さらに、集積回路を構成するコンデンサに関しても、本願発明の「第１の導電層」及び「誘電体層」に相当する部分を、それぞれ本願発明のごとき材質及び膜厚で構成することは、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−２３１４５３号公報（特に第１図とその説明の箇所を参照。本願発明の「第１の導電層」に相当する第１配線層の厚さが１．０μｍであること、本願発明の「誘電体層」に相当する誘電体層が二酸化珪素層などでなり、その厚さが１．０μｍであることが記載されている。）、同特開平４−３２６５６８号公報（特に０００４段落〜０００５段落を参照。本願発明の「第１の導電層」に相当する下側電極の材質がアルミニウムであること、本願発明の「誘電体層」に相当する誘電体膜の厚さが４０００Å（０．４μｍ）以上であることが記載されている。また、０００８段落〜０００９段落を参照。本願発明の「第１の導電層」に相当する高融点金属膜のうちの下側電極部分の材質がチタンあるいはタングステン等であること、本願発明の「誘電体層」に相当する誘電体膜の材質がＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２等であり、その厚さが１０００Å（０．１μｍ）程度であることが記載されている。）、同特開昭５９−５５０４９号公報（特に第２図とその説明の箇所を参照。本願発明の「第１の導電層」に相当する金属膜が金とチタンからなる二層金属膜であること、本願発明の「誘電体膜」に相当する絶縁膜がＳｉ３Ｎ４膜からなり、その厚さが３０００Å（０．３μｍ）であることが記載されている。）及び同特開平４−２４６８５４号公報（特に００２４段落〜００２５段落を参照。本願発明の「誘電体層」に相当する二酸化珪素の薄膜の厚さが、１０００Å（０．１μｍ）、３０００Å（０．３μｍ）５０００Å（０．５μｍ）、１μｍであることが記載されている。）に記載されているように、当該技術分野において周知の技術的事項である。
　よって、引用発明における金属膜からなる「下面対向電極」を「アルミニウム、チタニウム、タングステンおよび金の内のいずれか」を用い「約１．０ミクロンの厚さ」を有するものとすること、及び「誘電体膜」を「約０．１ミクロンおよび約１．０ミクロンの間の範囲の厚さを有する窒化シリコンおよび酸化シリコンのいずれか」とすることは、当業者が適宜なし得た単なる設計的事項にすぎない。
　
（相違点２について）
　引用例２には、本願発明の「インダクタ」及び「導電層」にそれぞれ相当する「コイルパターン」及び「コンデンサ電極パターン」を同一面上に形成する際に、「コイルパターン」の周囲を取り囲むように「コンデンサ電極パターン」を設けることが記載されており、さらに、コンデンサを単層、コイルを１ターンとしてもよい旨が記載されている。
　そして、本願発明と引用発明とは、「インダクタ」とコンデンサを構成する「導電層」との位置関係が逆になっているが、いずれも、必要とされる面積を縮小するという効果を奏するものであり、その作用効果に格別の差異は認められないから、引用発明に引用例２に記載の技術を適用して、コンデンサの「上面対向電極」が「インダクタ」を包囲するように構成を変更する程度のことは、当業者が適宜なし得たものである。
　
（相違点３について）
　「インダクタ」を「コンデンサ」に電気的に接続する際に、「コンデンサ」のどちらの電極に結合させるかは当業者が任意に選択し得るものであるとともに、引用例３には、下層の導電層としての「金属膜配線」上を「絶縁膜」で覆い、前記「絶縁膜」上に上層の導電層としての「インダクタ」を形成したものにおいて、上層の導電層としての前記「インダクタ」を前記「絶縁膜」の下に配置された下層の導電層としての前記「金属膜配線」に電気的に接続させることが記載されているから、引用発明において、上層の導電層としての「インダクタ」を、本願発明の「第２の導電層」に相当する上層の導電層としての「上面対向電極」に電気的に結合させることに変えて、下層の導電層と上層の導電層との間に介在する絶縁膜である「誘電体膜」の下に配置され、本願発明の「第１の導電層」に相当する下層の導電層としての「下面対向電極」に電気的に結合させるようにすることも、当業者が適宜なし得たものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１ないし３に記載された発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２及び請求項３に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおりに審決する。