【手続補正書】
【提出日】平成30年8月7日(2018.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ビアホールを有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に形成され、前記第１ビアホールの上端側に、先端が前記第１ビアホール内に入り込むだれ部を備えた第１金属層と、
前記第１絶縁層の下に形成され、前記第１ビアホールの底面に第１接続部を露出する第２金属層と、
前記第１ビアホール内に形成され、前記第１接続部と前記第１金属層のだれ部とを接続する第１金属めっき層と
を有することを特徴とするインダクタ装置。
【請求項２】
前記第１ビアホールの側面の上端側が凸状曲面となっており、前記第１金属層のだれ部が前記凸状曲面を被覆していることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ装置。
【請求項３】
前記第１金属層の上に形成され、前記第１ビアホール上及び前記第１ビアホールの周囲の前記第１金属層の上に開口部が配置された第２絶縁層を有し、
前記第１金属めっき層は、前記第１ビアホール内から前記第２絶縁層の開口部内の前記第１金属層の上にかけて形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインダクタ装置。
【請求項４】
前記第１金属めっき層の上面と前記第２絶縁層の上面とは面一になっていることを特徴とする請求項３に記載のインダクタ装置。
【請求項５】
前記第１金属層は第２接続部を有し、
前記第２絶縁層に形成され、前記第２接続部上に配置された接続用開口部と、
前記第２絶縁層上と前記接続用開口部内に形成された第３絶縁層と、
前記第３絶縁層に形成され、前記第２接続部に到達する第２ビアホールと、
前記第３絶縁層の上に形成され、前記第２ビアホールの上端側に、先端が前記第２ビアホール内に入り込むだれ部を備えた第３金属層と、
前記第２ビアホール内に形成され、前記第１金属層と前記第３金属層のだれ部とを接続する第２金属めっき層とを有することを特徴とする請求項３又は４に記載のインダクタ装置。
【請求項６】
第１金属層の下に第１絶縁層が形成された積層基材を用意する工程と、
パンチによって前記積層基材を打ち抜き加工することにより、前記第１絶縁層に第１ビアホールを形成して、前記第１ビアホールの上端側に、先端が前記第１ビアホール内に入り込む前記第１金属層のだれ部を得る工程と、
前記第１絶縁層の下に、前記第１ビアホールの底面に第１接続部を露出する第２金属層を形成する工程と、
前記第２金属層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記第１ビアホール内に、前記第１接続部と前記第１金属層のだれ部とを接続する第１金属めっき層を形成する工程と
を有することを特徴とするインダクタ装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１金属層のだれ部を得る工程において、
前記第１ビアホールの側面の上端側が凸状曲面となっており、前記第１金属層のだれ部が前記凸状曲面を被覆することを特徴とする請求項６に記載のインダクタ装置の製造方法。
【請求項８】
前記積層基材を用意する工程において、
前記積層基材は、前記第１金属層の上に形成され、前記第１ビアホール上及び前記第１ビアホールの周囲の前記第１金属層の上に開口部が配置された第２絶縁層を含み、
前記第１金属めっき層を形成する工程において、
前記第１金属めっき層は、前記第１ビアホール内から前記第２絶縁層の開口部内の前記第１金属層の上にかけて形成されることを特徴とする請求項６又は７に記載のインダクタ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１金属めっき層を形成する工程において、
前記第１金属めっき層の上面と前記第２絶縁層の上面とが面一になることを特徴とする請求項８に記載のインダクタ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記積層基材を用意する工程において、
前記積層基材の第２絶縁層は、前記第１金属層の第２接続部上に配置された接続用開口部を備え、
前記第１金属めっき層を形成する工程の後に、
第２ビアホールを備えた第３絶縁層と、前記第３絶縁層の上に形成され、前記第２ビアホールの上端側に、先端が前記第２ビアホール内に入り込むだれ部を備えた第３金属層とを有するユニット基材を用意する工程と、
前記ユニット基材の第２ビアホールが前記第２絶縁層の接続用開口部内の前記第１金属層の上に配置されるように、前記ユニット基材の第３絶縁層を前記第２絶縁層の上に積層する工程と、
前記第１金属層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記第２ビアホール内に、前記第１金属層と前記第３金属層のだれ部とを接続する第２金属めっき層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項８又は９に記載のインダクタ装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、第１ビアホールを有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成され、前記第１ビアホールの上端側に、先端が前記第１ビアホール内に入り込むだれ部を備えた第１金属層と、前記第１絶縁層の下に形成され、前記第１ビアホールの底面に第１接続部を露出する第２金属層と、前記第１ビアホール内に形成され、前記第１接続部と前記第１金属層のだれ部とを接続する第１金属めっき層とを有するインダクタ装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、その開示の他の観点によれば、第１金属層の下に第１絶縁層が形成された積層基材を用意する工程と、パンチによって前記積層基材を打ち抜き加工することにより、前記第１絶縁層に第１ビアホールを形成して、前記第１ビアホールの上端側に、先端が前記第１ビアホール内に入り込む前記第１金属層のだれ部を得る工程と、前記第１絶縁層の下に、前記第１ビアホールの底面に第１接続部を露出する第２金属層を形成する工程と、前記第２金属層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記第１ビアホール内に、前記第１接続部と前記第１金属層のだれ部とを接続する第１金属めっき層を形成する工程とを有するインダクタ装置の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
さらに、絶縁層３０の下には絶縁層５０を介して金属層２２が接着されている。金属層２２はビアホールＶＨを塞ぐように形成されている。ビアホールＶＨの底面に金属層２２の接続部２２ｘが露出している。第２金属層の一例が第１ユニット基材３ａの金属層２２である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
また同様に、第４ユニット基材３ｄの上に第５ユニット基材３ｅが積層されている。第５ユニット基材３ｅは、第３ユニット基材３ｃと同じ構造を有し、ビアホールＶＨが一端側Ｅ１に配置されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
１，１ａ…インダクタ装置、２…積層コイル部材、２ａ…積層ユニット基材、３ａ…第１ユニット基材、３ｂ…第２ユニット基材、３ｃ…第３ユニット基材、３ｄ…第４ユニット基材、３ｅ…第５ユニット基材、３ｘ，１０ａ，４２ａ，４４ａ，５０ａ…開口部、５…ベース基材、５ａ…積層基材、１０，３０，５０，７０…絶縁層、３０ａ…凸状曲面、１０ｂ…接続用開口部、１２…キャリアフィルム、２０，２２…金属層、２０ａ，２２ａ…金属層、２０ｘ，２２ｘ…接続部、４０…金型、４２…受け部材、４４…押え部材、４６…パンチ、６０…金属めっき層、７２…磁性体、Ｃ…クリアランス、Ｅ１…一端側、Ｅ２…他端側、Ｓ…だれ部、ＶＨ…ビアホール。