【事件の表示】
　平成４年特許願第２０７３７６号「エクトロルミネッセンス素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成６年２月１０日出願公開、特開平６−３６８７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
 　本願は、平成４年７月１０日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１４年６月２７日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである（以下、「本願発明」という）。
「【請求項１】第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層及び第２電極を、少なくとも光取り出し側の材料を光学的に透明なものにて順次積層し形成したエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
　前記第１電極を特定の結晶方位を有するように形成する工程と、
　前記第１絶縁層を前記第１電極と等価な結晶方位を有するように形成する工程と、
　前記発光層を前記第１絶縁層と等価な結晶方位を有するように有機金属気相成長法により形成する工程とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した特開平６３−２９４６９０号公報（以下、「刊行物１」という）には、次の（ａ１）〜（ａ４）の事項が記載されている。
（ａ１）「しかし、従来のＥＬ素子は前述したように絶縁層３の上に、又は透明電極２の上に直接発光層４を形成するものであり、発光層４の結晶性はこれら下地の形態の影響を受けてしまい、優れた結晶性を得ることが難しいと言う問題点があつた。
　本発明は、前記問題点に基づいて成されたものであり、発光層の結晶性を優れたものにし、駆動電圧を低下させ発光効率の向上を図ることのできる薄膜ＥＬ素子を提供することを目的とするものである。」（２頁左上欄７〜１７行）
（ａ２）「第１図は本発明の第１実施例を示しており、７は抵抗率ρ＝１０２〜１０５Ω・ｃｍ程度の半絶縁性を有し、厚さｄ＝２００〜５００μｍのＳＩ−ＧａＡｓ基板を用いた半導体基板であり、この場合、面方位が（１００）面の基板を用いている。この半導体基板７の一面には発光層８としてＺｎＳ等の発光母体材料内にＭｎ等の発光中心を添加した蛍光材料を分子線エピタキシ−法等の適当な方法を用いて膜厚３０００〜６０００Åに成長して形成する。尚、この発光層８は半導体基板７の面方位と同じ（１００）面方位で成長を行う。」（２頁右上欄１０〜２０行）
（ａ３）「しかし、本発明は例えば（１００）面の半絶縁性半導体基板７を発光層８の下地として用いるため、形成される発光層８を完全に（１００）配向として形成でき、優れた結晶性を得て電子の平均自由行程を大きくしている。また、半導体基板７は抵抗率が高く半絶縁性のため、絶縁破壊時の保護抵抗層の機能を有し、絶縁性能を安定させている。第２図は透明電極９と金属電極１０との間に電圧を印加した時のエネルギ−バンドを模式的に示しており、電圧印加により、半導体基板７と発光層８との界面準位又は半導体基板７の伝導帯１１上の電子１２がトンネルによりあるいは障壁を越えて発光層８に注入される。この電子１２は大きい平均自由行程の発光層８に形成された電界により十分に加速され大きな運動エネルギ−を得て発光中心を衝突励起する。従つて、発光効率の良い電子エネルギ−分布が得られ、駆動電圧を低下させることができ、安定動作も可能となる。」（２頁左下欄１５行〜右下欄１２行）
（ａ４）「第５図は本発明の第３実施例を示しており、前記第１実施例と異なる点は発光層８を絶縁層の機能として用いる第１及び第２の発光母体層１４．１５により挟持したことである。すなわち、先ず半導体基板７の上に第１の発光母体層１４としてＺｎＳ等の発光母体材料を分子線エピタキシ−法等を用いて膜厚１０００〜５０００Åに成長して形成する。そして、この第１の発光母体層１４の上に前記発光層８を形成した後、この発光層８の上に第２の発光母体層１５を第１の発光母体層１４と同様に膜厚１０００〜５０００Åに成長して形成する。尚、第１の発光母体層１４、発光層８及び第２の発光母体層１５は半導体基板７の面方位と同じ（１００）面方位で成長を行う。そして、透明電極９と金属電極１０が各々真空蒸着法等により形成されて、薄膜ＥＬ素子が得られる。この場合、（１００）面の半導体基板７を用いることにより絶縁層となるべきき（１００）配向の第１の発光母体層１４を形成し、この第１の発光母体層１４の上に半導体基板７の形態を反映させて順次発光層８と第２の発光母体層１５を形成することにより、このような積層構造の発光層８を完全に（１００）配向として形成でき、優れた結晶性を得て電子１２の平均自由行程を大きくしている。」（３頁左上欄４行〜右上欄６行）
　以上の記載及び明細書に添付の図面から、刊行物１には、「半導体基板７の上に第１の発光母体層１４としてＺｎＳ等の発光母体材料を分子線エピタキシ−法等を用いて形成し、その上に前記発光層８を形成した後、この発光層８の上に第２の発光母体層１５を形成することを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、第１の発光母体層１４、発光層８及び第２の発光母体層１５は半導体基板７の面方位と同じ（１００）面方位で成長を行い、また、第１及び第２の発光母体層は絶縁層として機能する薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。」についての発明が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に開示の発明に係る薄膜エレクトロルミネッセンス素子は、光取り出し側の材料を光学的に透明なもので順次積層したものであることは上記（ａ１）〜（ａ４）の記載からみて明らかであり、また、半導体基板７は上記（ａ３）の記載からみて特定の結晶方位を有するものであり、そして、刊行物１に開示の発明に係る「第１の発光母体層１４」、「発光層８」、「第２の発光母体層１５」、及び「透明電極９」は、本願発明に係る「第１絶縁層」、「発光層」、「第２絶縁層」及び及び「第２電極」にそれぞれ実質的に相当するから、結局、両者は、「基板、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層及び第２電極を、少なくとも光取り出し側の材料を光学的に透明なものにて順次積層し形成したエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記基板を特定の結晶方位を有するように形成する工程と、前記第１絶縁層を前記基板と等価な結晶方位を有するように形成する工程と、前記発光層を前記第１絶縁層と等価な結晶方位を有するように形成する工程とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］、本願発明では、基板が第１電極であるのに対し、刊行物１に係る基板は、シリコン−ガリウム砒素からなる半絶縁性の半導体基板である点。
［相違点２］本願発明では、発光層を有機金属気層成長法により形成するのに対し、刊行物１に開示の発明では分子線エピキタシー法等を用いる点。
　
４．当審の判断
［相違点１］について
　本願明細書の段落【０００８】の記載によれば、本願発明に係る第１電極はシリコン又はガリウム砒素等からなる単結晶基板であるが、これらの材料は半導体であり、また、刊行物１に開示の基板材料と異なるものではないから、両者は実質的な差異はないものと認められる。
［相違点２］について
　刊行物１に開示の発明には、発光層を分子線エピキタシー法等の適当な方法を用いて成膜することが記載されており、また、成膜手段として有機金属気相成長法が本願出願前周知でありこと（周知例として、特開平３−１８７１８９号公報、特開平４−３２１９３号公報、特開昭６０−２１６４９７号公報を参照のこと）、有機金属気相成長法を発光層の成膜手段として採用することを妨げる特段の事情もないこと、を考慮すれば、発光層を有機金属気相成長法により形成することは、当業者であれば容易に想到することができたものである。
　そして、請求人が主張する効果は、刊行物１及び本願出願前周知の技術から、当業者であれば予測できる程度のもので、格別なものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１記載された発に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。