【事件の表示】
　特許第５７０８７３３号「パワーモジュール用基板の製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７０８７３３号の請求項１及び２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第５７０８７３３号の請求項１及び２に係る特許についての出願は、平成２０年１１月４日に特許出願した特願２００８−２８３７５９号の一部を平成２５年８月１９日に特願２０１３−１６９９３８号として新たに特許出願され、平成２７年３月１３日に特許の設定登録がなされ、その後、その特許に対し、特許異議申立人　畠明により特許異議の申立てがなされたものである。
２．本件特許発明
　特許第５７０８７３３号の請求項１及び２に係る特許発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」及び「本件特許発明２」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
  パワーモジュール用基板の製造方法であって、
  セラミックス基板上に、外形がこのセラミックス基板よりも大きく該セラミックス基板から面方向に突出する突出部を有する金属板を前記セラミックス基板と同形状のろう材を介して重ねる積層工程と、
  前記セラミックス基板と前記金属板とを加熱状態で厚さ方向に圧縮してこれらを前記ろう材によって接合する加熱圧縮工程と、
  前記突出部を除去する除去工程と、
  を有することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。」
「【請求項２】
  前記加熱圧縮工程において、前記セラミックス基板と前記金属板との間から前記ろう材の余剰分を漏出させて前記突出部の表面に保持させ、
  前記除去工程において、前記突出部に保持された前記ろう材の余剰分を除去することを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。」
３．申立理由の概要
　特許異議申立人は、請求項１及び２に係る発明は、証拠として提出された甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるから、請求項１及び２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであって、同法第１１３条第１項第２号に該当し、取り消すべきものである旨を主張している。
（証拠）
甲第１号証：特開２００２−　６４１６９号公報
甲第２号証：特開２００５−２８６１００号公報
甲第３号証：特開２００５−２１３１０７号公報
甲第４号証：特開２０００−２６９３９２号公報
甲第５号証：特開２００２−２８９９５６号公報
４．甲第１号証ないし５号証の記載事項（なお、下線は当審で付与した。）
（１）甲第１号証の記載
　異議申立人が証拠として提出した甲第１号証（特開２００２−６４１６９号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
ア．「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、ヒートシンク上に金属板を介して、発熱性電気部品を搭載する回路を有するセラミックス回路基板を積層した、或いは
両面に金属板からなる回路を有するセラミックス回路基板を配置した構造を有する放熱構造体に関し、ことに電源用途向けのパワーモジュール等に好適に用いられる放熱構造体に関する。
イ．「【００１８】即ち、本発明は、ヒートシンク上に、金属板（Ａ）、セラミックス基板、更に、発熱性電気部品を搭載できるように回路形成されている金属板（Ｂ）を順次設けた構造を有する放熱構造体であって、金属板（Ａ）が、２００ＭＰａ以下の引っ張り強度と２０％以上の伸びを有する金属からなることを特徴とする放熱構造体である。」
ウ．「【００２３】前記金属板（Ａ）の例としては、アルミニウム、スズ、鉛、亜鉛、バナジウム、イットリウム、カドミウム、カルシウム、インジウム、白金、パラジウム、銀、金、それらの合金等を用いることが出来る。中でも、入手しやすさ、安価な点から、アルミニウム、亜鉛、スズおよびそれらの合金等を用いると良い。また、アルミニウム合金の中では、純度９９％以上の高純度アルミニウム、ＪＩＳ呼称３００３、８０１１等が特に好ましく用いられる。」
エ．「【００２９】即ち、所望の形状の凹面とそれに対向する凸面とを一対とする型の前記凹凸面間に、一主面上に回路となる金属板（Ｂ）を設け、それと反対面に所望の金属板（Ａ）を設けたセラミック回路基板と、ロウ材を介して、又は介することなく、ヒートシンクを配置して、治具に固定し、ロウ材の一部を溶融するように或いは所望の金属板（Ａ）とヒートシンクとの表面を反応させながら、加熱して、セラミック回路基板とヒートシンクとを接合し、本発明の放熱構造体を得る。また、セラミック回路基板上の金属板（Ｂ）からなる回路の表面には、必要に応じて、電気メッキまたは無電解メッキ等により半田付け可能なニッケル層等を形成する。」
オ．「【００３２】
セラミックス基板と金属板（Ａ）或いは金属板（Ｂ）との接合に関しては、金属板の材質によって接合に用いるロウ材や接合方法を選択する必要がある。例えば、金属板（Ａ）、金属板（Ｂ）ともにアルミニウムを用いる場合は、マグネシウムと、銅とゲルマニウムとケイ素からなる群から選ばれる少なくとも一種以上の元素とを含有するアルミニウム合金を用いるとよい。特にＪＩＳ呼称２０１７の箔を、金属板とセラミック基板の間に挿入し、圧力をかけながら６００℃以上に加熱すると、信頼性の高い接合が可能である。
【００３３】
本発明の放熱構造体は、金属板をあらかじめ接合して得たセラミック回路基板とヒートシンクとを接合して得ることが出来る
カ．「【００３７】また、ヒートシンクに接する側の
金属板（Ａ）の大きさは、セラミック基板の外形を基準として、−２．０ｍｍ以上大きくすることが好ましい。
尚、金属板（Ａ）の大きさは、セラミックス基板の外形を基準として、＋４．０ｍｍ以上大きくないことが好ましく、
最も好ましくは、セラミック基板の外形を基準として−１．０〜＋１．０ｍｍである。
キ．「【００４１】【実施例】〔実施例１〕セラミック基板として、レーザーフラッシュ法で測定した熱伝導率が６５Ｗ／ｍＫ、３点曲げ強さの平均値が７２０ＭＰａの
窒化ケイ素基板（寸法４５×３０×０．６３５ｍｍ）
金属板（Ａ）用に寸法が４５×３０×０．５ｍｍ
窒化ケイ素基板の表裏両面に、ＪＩＳ呼称２０１７アルミニウム合金箔を介して前記アルミニウム板を重ねて、治具にセットし、加圧しながら、真空中で、アルミニウム板と窒化ケイ素板とを接合した
接合後、アルミニウム板表面の所望部分にエッチングレジストをスクリーン印刷して、エッチング処理することにより回路パターンを形成し、セラミック回路基板を作製した
【００４２】次に、ヒートシンクとして、７０×１１０×３ｍｍで４つの取り付け用ネジ穴を有する無酸素銅板に、厚み１０μｍのＮｉメッキを全表面に施したものを用意した。そして、前記
セラミック回路基板２枚と前記銅製ヒートシンクとの間に、ＪＩＳ呼称２０１７アルミニウム合金箔を置き
黒鉛治具で加圧しながら６１０℃×４ｍｉｎの加熱条件で接合して、放熱構造体を得た
」
ク．「【００４８】〔実施例１０〕回路側の金属板を無酸素銅板（寸法４２×２７×０．３ｍｍ）に換え、窒化珪素板と該無酸素銅板の接合を、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系ロウ材を用いて行い、エッチングして回路化したセラミック回路基板を作成した。該
セラミック基板とニッケルメッキを施した無酸素銅板の間に、３０μｍ厚のＪＩＳ呼称４００４材を両側にクラッドしたＪＩＳ呼称３００３材（寸法４７×３２×０．６ｍｍ）を介して積層し、６０５℃×１０分加熱して放熱構造体を得た。
・上記甲第１号証には、「パワーモジュールに用いられる放熱構造体」の構成要素として、ヒートシンク上に配置される「両面に金属板からなる回路を有するセラミックス回路基板」の構成について記載されている。
・上記「オ．」の記載事項によれば、セラミックス基板と金属板（Ａ）或いは金属板（Ｂ）との接合に関しては、金属板の材質によって接合に用いるロウ材や接合方法を選択する必要があり、その接合方法として、例えば、金属板（Ａ）、金属板（Ｂ）ともにアルミニウムを用いる場合は、特にＪＩＳ呼称２０１７の箔を、金属板とセラミック基板の間に挿入し、圧力をかけながら６００℃以上に加熱すると、信頼性の高い接合が可能である。
・上記「カ．」の記載事項によれば、セラミック基板と金属板との大きさの関係について、金属板（Ａ）の大きさは、セラミック基板の外形を基準として、−２．０ｍｍ以上大きくすることが好ましく、尚、＋４．０ｍｍ以上大きくないことが好ましく、最も好ましくは、セラミック基板の外形を基準として−１．０〜＋１．０ｍｍであることが記載されており、同形状も含むものである。
・上記「キ．」の記載事項によれば、実施例１として、セラミック基板として窒化ケイ素基板（寸法４５×３０×０．６３５ｍｍ）を用意し、金属板（Ｂ）用に寸法が４２×２７×０．４ｍｍ、金属板（Ａ）用に寸法が４５×３０×０．５ｍｍの、純度が９９．９９％のアルミニウム板を用意し、窒化ケイ素基板の表裏両面に、ＪＩＳ呼称２０１７アルミニウム合金箔を介して前記アルミニウム板を重ねて、治具にセットし、加圧しながら、真空中で、アルミニウム板と窒化ケイ素板とを接合し、接合後、アルミニウム板表面の所望部分にエッチングレジストをスクリーン印刷して、エッチング処理することにより回路パターンを形成し、セラミック回路基板を作製することが開示されている。
・上記「キ．ク．」の記載事項によれば、実施例１０として、セラミック基板（実施例１と同様であるから寸法４５×３０×０．６３５ｍｍ）とニッケルメッキを施した無酸素銅板の間に、３０μｍ厚のＪＩＳ呼称４００４材（ろう材）を両側にクラッド（被覆）したＪＩＳ呼称３００３材（金属）（寸法４７×３２×０．６ｍｍ）を介して積層し、６０５℃×１０分加熱して放熱構造体を得ることが開示されている。
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。（なお、甲第１号証においては、「セラミック」と「セラミックス」なる用語が混在して使用されてるが、当審では「セラミックス」に統一して認定する。）
「ヒートシンク上に、両面に金属板からなる回路を有するセラミックス回路基板を配置した構造を有する、パワーモジュール等に好適に用いられる放熱構造体において、セラミックス基板に、外形がセラミックス基板の外形を基準として、−２．０ｍｍ以上大きく＋４．０ｍｍ以上大きくない（最も好ましくは、セラミックス基板の外形を基準として−１．０〜＋１．０ｍｍ）金属板を、
　実施例１の場合（セラミックス基板の寸法４５×３０×０．６３５ｍｍ，金属板の寸法が４５×３０×０．５ｍｍ）はセラミックス基板の両面にろう材を介して金属板を重ねて、治具にセットし、加圧しながら、真空中で、セラミックス基板と金属板とを接合し、
　実施例１０の場合（セラミックス基板の寸法４５×３０×０．６３５ｍｍ，金属板の寸法４７×３２×０．６ｍｍ）は金属板の両面にろう材を介（被覆）して積層し、加熱してセラミックス基板と金属板とを接合し、
　接合後、金属板表面の所望部分にエッチングレジストをスクリーン印刷して、エッチング処理することにより回路パターンを形成する、
　パワーモジュール用放熱構造体に用いられるセラミックス回路基板。」
（２）甲第２号証の記載
　異議申立人が証拠として提出した甲第２号証（特開２００５−２８６１００号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【技術分野】【０００１】本発明は、半導体実装基板や半導体パッケージ等に有用なセラミックス二層回路基板に関する。」
「【００１２】セラミックス基板に金属回路を形成させるには、金属板とセラミックス基板とを接合した後、エッチングする方法、金属板から打ち抜かれた回路のパターンをセラミックス基板に接合する方法等によって行うことができる。これらの接合には、活性金属ろう付け法が用いるのが一般的である。
【００１３】セラミックス基板と金属回路又は金属放熱板の接合層は、セラミックス基板に金属回路又は金属放熱板を活性金属ろう付け法によって接合したときに形成される。ろう材の金属成分は銀及び／又は銅を主成分とし、溶融時のセラミックス基板との濡れ性を確保するためにチタンを副成分とするのが一般的である。」
「【図２】二層基板の製造方法」
　上記記載事項及び図面（特に図２）を総合勘案すると、甲第２号証には、以下の技術事項が記載されている。
「セラミック板２に金属板１をろう付けにより接合した後、エッチングにより金属回路を形成する二層基板の製造方法。」
（３）甲第３号証の記載
　異議申立人が証拠として提出した甲第３号証（特開２００５−２１３１０７号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【発明の詳細な説明】【技術分野】【０００１】
  本発明は、パワーモジュールなどに使用されるセラミックス−金属接合回路基板の製造方法に関するものである。」
「【０００９】本発明では、上記事情を考慮し、セラミックス基板の外形サイズに比較的大きなばらつきがあっても容易且つ経済的にろう材を寸法精度よく形成する方法を提供し、生産効率の高いセラミックス−金属接合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】前記の課題を解決するための手段として、請求項１の発明は、セラミックス基板に金属板をろう材を介して接合して回路を形成するセラミックス−金属接合基板において、
セラミックス基板と同等かまたはセラミックス基板より大きい金属板の一方の面に、セラミックス基板と同等かまたはセラミックス基板より広い面積のろう材層を形成した後に、前記金属板のろう材層が形成されている面を、セラミックス基板の少なくとも一方の面に接触配置させ、加熱、接合した後、所定のパターン形状を形成する
「【００１６】請求項７の発明は、セラミックス基板に金属板をろう材を介して接合して回路を形成するセラミックス−金属接合基板において、
金属板の大きさが、セラミックス基板より大きく、該金属板の片面の略全面にろう材を形成した後、所定の大きさに切断し、該接合用金属板とする
「【００２２】ろう材形成の効率化
  
大面積の金属板の略全面にろう材を形成しておき、その後セラミックス基板のサイズに合わせて所定のサイズの金属板を切断し、接合することができ非常に効率的である
「【００２９】即ち、寸法ばらつきの大きいセラミックス基板に精密なろう材の位置合せをするということであり、原理的に難しい要因を有する方法であるため、特にセラミックス基板の大きさ（長さ、幅）が５０ｍｍ以上になると位置合せが難しい。
  
本発明は、金属板にろう材を印刷することで、セラミックス基板のサイズ（特に５０ｍｍ以上）やばらつきが大きくても無視でき、また比較的寸法の揃った金属板を使用し、その大きさをセラミックス基板と同等かまたは大きく作成することにより、位置合わせも簡単にでき、ろう材の形成作業が大きく軽減される
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲第３号証には、以下の技術事項が記載されている。
「セラミックス−金属接合基板の製造方法において、ろう材形成の効率化を図るため、金属板の大きさが、セラミックス基板より大きく、該金属板の片面の略全面にろう材を形成した後、所定の大きさに切断し、該接合用金属板とすることで、セラミックス基板のサイズやばらつきが大きくても無視でき、位置合わせも簡単にできること。」
（４）甲第４号証の記載
　異議申立人が証拠として提出した甲第４号証（特開２０００−２６９３９２号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、放熱構造を改良した半導体モジュール及び放熱用絶縁板に関するものである。」
「【０００５】本発明はこのような事情を考慮してなされたものであり、従ってその目的は、放熱構造の部品点数削減、低コスト化を実現できる半導体モジュール及び放熱用絶縁板を提供することにある。」
「【００１９】次に、上記構成の半導体モジュールの製造方法を説明する。セラミック基板２２をアルミナで形成する場合には、アルミナグリーンシートの両面にＷ又はＭｏのペーストを印刷し、これを所定の製品サイズに切断した後、Ｈ2 ／Ｎ2 雰囲気中で約１５５０℃で焼成し、アルミナ基板２２（セラミック基板）とその両面のメタライズ層２３，２４とを同時に焼成する。この後、
アルミナ基板２２両面のメタライズ層２３，２４の表面に無電解Ｎｉメッキを施して、厚み２〜３μｍのＮｉメッキ被膜を形成する。この後、アルミナ基板２２両面にチップ搭載用のＣｕ板２５とヒートシンク２９をそれぞれＡｇろう材２６，３０を挟み込んで重ね合わせた状態にセットし、この状態で、約８００℃で加熱してＡｇろう材２６，３０を溶融させてアルミナ基板２２両面にチップ搭載用のＣｕ板２５とヒートシンク２９を同時に接合する
（５）甲第５号証の記載
　異議申立人が証拠として提出した甲第５号証（特開２００２−２８９９５６号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、光通信等に使用される半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】【従来の技術】従来の半導体レーザ装置の断面図を図３に示す。図３において、１はＣｕ−Ｗ合金より成り表面にＮｉおよびＡｕメッキを施された放熱体としての金属基台、２はセラミック基板に配線パターンが形成された配線基板、３は金属基台１の上面に配線基板２を載置接合するためのＡｕ−Ｇｅ等からなるロウ材、４は半導体レーザ素子、５はＡＬＮ質焼結体等からなる半導体レーザ素子４のサブマウントとしての搭載用基板である。また、６は金属基台１の上面に搭載用基板５を接合するためのＰｂ−Ｓｎ等からなるロウ材、７は配線基板２の配線パターンと半導体レーザ素子４とを電気的に接続するＡｕ等からなるボンディングワイヤである。なお、配線基板２は半導体レーザ素子４に駆動信号を入力するための配線パターンやインピーダンス整合用の配線パターンが形成されたものである。
（中略）
【０００４】［１］
金属基台１の上面の配線基板載置領域に板状のＡｕ−Ｇｅロウ材３を載せて、そのロウ材３を加熱溶融させ、配線基板載置領域に配線基板２を載置しロウ付けする
５．当審の判断
（１）本件特許発明１について
　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると、
ア．甲１発明における「セラミックス基板」「金属板」「ろう材」「セラミックス回路基板」は、それぞれ本件特許発明１でいう「セラミックス基板」「金属板」「ろう材」「パワーモジュール用基板」に相当するものであることは明らかである。
イ．甲１発明における「実施例１０の場合（セラミックス基板の寸法４５×３０×０．６３５ｍｍ，金属板の寸法４７×３２×０．６ｍｍ）」は、セラミックス基板と金属板との関係について、その外形寸法から、本件特許発明１でいう「セラミックス基板より金属板が大きい場合」に相当する。
　また、甲１発明における「ろう材を介（被覆）して積層し」は、本件特許発明１でいう「ろう材を介して重ねる積層工程」に相当する。
ウ．甲１発明における「金属板を、セラミックス基板の両面にろう材を介して重ねて、治具にセットし、加圧しながら、真空中で、セラミックス基板と金属板とを接合し」は、セラミックス基板・ろう材・金属板を積層して治具にセットして加圧しながら接合するものであり、セラミックス基板と金属板とをろう材を介して接合するには、圧力をかけながら加熱する（通常６００℃以上）ことは、甲第１号証の段落【００３２】にも記載されているように技術常識であるから、本件特許発明１でいう「セラミックス基板と金属板とを加熱状態で厚さ方向に圧縮してこれらをろう材によって接合する加熱圧縮工程」に相当するものである。
エ．甲１発明における「接合後、金属板表面の所望部分にエッチングレジストをスクリーン印刷して、エッチング処理することにより回路パターンを形成する」構成は、回路パターンを形成するものであるから、金属板の不要部分を除去する除去工程を含むものであり、ろう材の余剰分を保持した金属板の突出部が不要部分であることは明らかであるから、甲１発明のエッチング処理により回路パターンを形成する工程は、不要部分を除去する工程でもあるので、本件特許発明１の「（不要部分である）突出部を除去する除去工程」に相当するものである。
　したがって、本件特許発明１と甲１発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
（一致点）
「パワーモジュール用基板の製造方法であって、
  セラミックス基板上に、外形がこのセラミックス基板よりも大きい金属板をろう材を介して重ねる積層工程と、
  前記セラミックス基板と前記金属板とを加熱状態で厚さ方向に圧縮してこれらを前記ろう材によって接合する加熱圧縮工程と、
　前記突出部を除去する除去工程と、
　を有するパワーモジュール用基板の製造方法。」
（相違点）
　セラミックス基板と積層する金属板の外形とろう材形状との関係について、本件特許発明１は、「外形がセラミックス基板よりも大きく該セラミックス基板から面方向に突出する突出部を有する金属板を前記セラミックス基板と同形状のろう材」を介して積層するのに対し、甲１発明は、金属板の外形がセラミックス基板より大きい場合には、金属板と同形状（金属板の両面にろう材を被覆）のろう材を積層する点。 
　そこで、上記相違点について検討する。
　甲第１号証は、金属板の外形がセラミックス基板より大きい場合には、金属板と同形状（金属板の両面にろう材を被覆）のろう材を積層するものであるから、その構成からは、外形がセラミックス基板よりも大きく該セラミックス基板から面方向に突出する突出部を有する金属板を前記セラミックス基板と同形状のろう材を介して重ねる積層工程により、ろう材の余剰分が金属板の突出部に保持されるので、セラミックス基板と金属板とが確実に接合されるとともに、金属板の表面すなわち回路形成面へのろう材の付着を確実に阻止することができるとの技術思想は開示も示唆もされていない。
　また、外形がセラミックス基板より大きい金属板をセラミックス基板と同形状のろう材を介して重ねる構成（工程）は、甲第２号証から甲第５号証の何れにも記載も示唆もされていない。
　そうすると、上記相違点は、甲１発明に甲第２号証ないし甲第５号証に記載された技術事項を組み合わせても容易になし得たものではない。
　なお、異議申立人は、セラミックス基板と金属板とを接合する際に、セラミックス基板と同形状のろう材を介して重ねる構成は、甲第３号証や甲第４号証に記載されているように周知技術であること、本件特許発明１のろう材の余剰分が金属板の突出部に保持されるので、セラミックス基板と金属板とが確実に接合されるとともに、金属板の表面すなわち回路形成面へのろう材の付着を確実に阻止することができるとの効果も、単にセラミックス基板よりも大きい金属板に基づく形状効果にすぎない、旨主張している。
　しかしながら、セラミックス基板と金属板とを接合する際に、セラミックス基板と同形状のろう材を介して重ねる構成が周知技術だとしても、本件特許発明１は、外形がセラミックス基板よりも大きく該セラミックス基板から面方向に突出する突出部を有する金属板を前記セラミックス基板と同形状のろう材を介して重ねるという積層工程によって、ろう材の余剰分が金属板の突出部に保持されるので、セラミックス基板と金属板とが確実に接合されるとともに、金属板の表面すなわち回路形成面へのろう材の付着を確実に阻止することができるものであり、甲１発明の、外形がセラミックス基板より大きい金属板を、金属板と同形状（金属板の両面にろう材を被覆）のろう材を介して積層する構成には、金属板の表面すなわち回路形成面へのろう材の付着を確実に阻止するとの課題が存在しないから、甲１発明に甲第３号証や甲第４号証の周知技術を適用する動機付けも存在せず、よって、異議申立人の主張は採用できない。
　したがって、本件特許発明１は、甲１発明及び甲第２号証ないし甲第５号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。
（２）本件特許発明２について
　請求項２は、請求項１に従属する請求項であり、本件特許発明２は、本件特許発明１の発明特定事項をすべて含みさらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記本件特許発明１についての判断（上記「５．（１）」を参照）と同様の理由により、甲１発明及び甲第２号証ないし甲第５号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。
（３）まとめ
　以上のとおり、本件特許発明１及び２は、甲１発明及び甲第２号証ないし甲第５号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
６．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１及び２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年４月６日（２０１６．４．６）