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【手続補正書】
【提出日】平成30年8月10日(2018.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
続いて、図１１は、水晶発振器の構成を表す別の例の回路図である。同図に示す水晶発振器４２は、図１０に示す水晶発振器４０において、ロードキャパシタ２５，２７を、離散型容量バンクに置き換えて、さらに該離散型容量バンクと抵抗素子２８，３０を通信用ＬＳＩ３６の内部に配置したものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
このグラフは、第１のクロック信号が理想状態（周波数誤差なし）であって、その発振周波数が３２．７６８ｋＨｚ、周波数精度が±５ｐｐｍ（つまり、±１６３．８４×10-3Ｈｚ）であり、校正前の第２のクロック信号の発振周波数が３２ＭＨｚ、周波数精度が±２０ｐｐｍ（つまり、±６４０Ｈｚ）の場合に、校正後の第２のクロック信号の目標発振周波数が３２ＭＨｚで、目標周波数精度が±１０ｐｐｍ（つまり、±３２０Ｈｚ）の場合のシミュレーション結果である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
このグラフに示すように、第２のクロック信号の発振周波数の偏差Error(freq)は、目標発振周波数の偏差の０Ｈｚに対して−６００Ｈｚ前後から始まり、次第にプラス側へ大きくなって＋４００Ｈｚ前後となり、続いて、次第にマイナス側へ小さくなって−２００Ｈｚ前後となりというようにプラス側およびマイナス側への変化を繰り返し、最終的に目標発振周波数の偏差の０Ｈｚ、つまり、目標発振周波数の３２ＭＨｚに収束する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
この場合、例えば、第１の分周器ＤＩＶ１により、３２．７６８ｋＨｚの第１のクロック信号が１／１の発振周波数に分周され、つまり、第１のクロック信号の発振周波数そのままの３２．７６８ｋＨｚの第１の分周信号が出力される。また、第２の分周器ＤＩＶ２により、３２ＭＨｚの第２のクロック信号が１６／１５６２５の発振周波数に分周されて３２．７６８ｋＨｚの第２の分周信号が出力される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
このグラフは、同様に、第１のクロック信号が理想状態（周波数誤差なし）であって、その発振周波数が３２．７６８ｋＨｚ、周波数精度が±５ｐｐｍ（つまり、±１６３．８４×10-3Ｈｚ）であり、校正前の第２のクロック信号の発振周波数が３２ＭＨｚ、周波数精度が±２０ｐｐｍ（つまり、±６４０Ｈｚ）の場合に、校正後の第２のクロック信号の目標発振周波数が３２ＭＨｚで、目標周波数精度が±１０ｐｐｍ（つまり、±３２０Ｈｚ）の場合のシミュレーション結果である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月27日(2018.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
巻線が巻回される固定子鉄心と、磁界を生じる回転子と、を備え、
前記固定子鉄心は、磁束が入射する面において、前記回転子の回転軸からの距離が第１距離となる第１面と、当該第１距離とは異なる距離である第２距離となる第２面と、を有し、
前記第１面と前記第２面の距離の差を設けることにより生じるコギングトルクの振幅が、極値を含む第１範囲となるように前記第２面が形成され、
前記コギングトルクの位相とは逆位相であって、前記コギングトルクの振幅の極値を含む第２範囲となるように形成される深さの溝を設けることを特徴とする回転電機。
【請求項２】
前記第２面及び前記溝は、前記固定子鉄心に設けられた各ティースの磁束が入射する面において、周方向中央に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の回転電機。
【請求項３】
前記第２面は、前記第１面に溝を設けることで形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回転電機。
【請求項４】
前記第２面は、前記第１面に突部を設けることで形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回転電機。
【請求項５】
前記回転子の磁石数をＭ（Ｍは自然数）、前記固定子鉄心に設けられたティースの数をＮ（Ｎは自然数）、ＭとＮの最小公倍数をＬとするとき、
前記回転子に、前記コギングトルクのＬ次成分を最小にするスキュー角度よりも小さい角度の段スキューが設けられていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の回転電機。
【請求項６】
前記溝の底面は、前記第２面よりも前記回転子の回転軸からの距離が遠い位置に配置されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の回転電機。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月11日(2018.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された交流電力を直流電力に変換して出力する充電動作を実行する複数の電源ユニットと、
前記複数の電源ユニットの内、１より大きい所定数以上の電源ユニットに異常が検出された場合に、異常が検出された電源ユニットと異常が検出されなかった電源ユニットとを含む全ての電源ユニットの前記充電動作を停止させ、前記全ての電源ユニットに前記充電動作をリトライさせる充電制御ユニットと
を含む、充電装置。
【請求項２】
請求項１に記載の充電装置であって、
前記充電制御ユニットは、前記所定数以上の電源ユニットに検出された異常が回復するまで、前記全ての電源ユニットに前記充電動作を繰り返しリトライさせる
充電装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の充電装置であって、
前記充電制御ユニットは、前記複数の電源ユニットの内、前記所定数未満の電源ユニットに異常が検出された場合に、異常が検出された前記電源ユニット以外の電源ユニットに前記充電動作を実行させる
充電装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の充電装置であって、
前記所定数は２である
充電装置。
【請求項５】
請求項１に記載の充電装置であって、
前記充電制御ユニットは、前記所定数以上の電源ユニットに異常が検出された場合には、検出された前記異常は電源ユニットの外的要因により発生した異常であると確定する
充電装置。
【請求項６】
請求項５に記載の充電装置であって、
前記外的要因は、前記交流電力を出力する交流電源の停電、前記交流電源と前記所定数以上の電源ユニットとの間の電源ケーブルの破損、前記所定数以上の電源ユニットと蓄電装置との間の充電ケーブルの破損の内の何れか１つである
充電装置。
【請求項７】
請求項３に記載の充電装置であって、
前記充電制御ユニットは、前記所定数未満の電源ユニットに異常が検出された場合には、検出された前記異常は電源ユニットの内的要因により発生した異常であると確定する
充電装置。
【請求項８】
請求項７に記載の充電装置であって、
前記内的要因は、前記所定数未満の電源ユニットの故障である
充電装置。
【請求項９】
入力された交流電力を直流電力に変換して出力する充電動作を実行する複数の電源ユニットの内、１より大きい所定数以上の電源ユニットに異常が検出された場合に、異常が検出された電源ユニットと異常が検出されなかった電源ユニットとを含む全ての電源ユニットの前記充電動作を停止させ、
前記全ての電源ユニットに前記充電動作をリトライさせること
を含む充電制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月1日(2018.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子であって、
活性層を有する第１発光構造と、
第２発光構造と、
前記第１発光構造及び前記第２発光構造を取り囲む透明材料と、
前記第１発光構造を前記第２発光構造と電気的に接続し、断面図において前記活性層をオーバーラップし、且つ前記透明材料内に延在する第１部分を有する第１導電性構造と、を含む、発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子であって、
第１表面と、該第１表面に面する第２表面とを有する構造を更に含み、
前記第１発光構造及び前記第２発光構造は、前記第１表面と前記第２表面との間に配置される、発光素子。
【請求項３】
請求項２に記載の発光素子であって、
前記第１発光構造に接続される第２導電性構造を更に含み、
前記第２導電性構造は、前記構造の縁部を超えて延在する第３部分を有する、発光素子。
【請求項４】
請求項１に記載の発光素子であって、
前記透明材料内に配置される波長変換材料を更に含む、発光素子。
【請求項５】
請求項１に記載の発光素子であって、
前記第１部分は、前記透明材料内に完全に嵌入される、発光素子。
【請求項６】
発光素子であって、
第１発光構造と、
第２発光構造と、
前記第１発光構造を取り囲むが、前記第２発光構造を取り囲まない透明材料と、
前記第１発光構造を前記第２発光構造と電気的に接続し、且つ周囲環境に延在する第１部分を有する第１導電性構造と、を含み、
前記発光素子は、湾曲した形状（curved  shape）に配置される、発光素子。
【請求項７】
ランプであって、
カバーと、
前記カバー内に設置される、請求項６に記載の発光素子である第１発光素子と、
前記発光素子が取り付けられる支持リードと、を含む、ランプ。
【請求項８】
請求項７に記載のランプであって、
前記第１発光素子は、前記第１発光構造を前記支持リードと接続する第２導電性構造を更に含む、ランプ。
【請求項９】
請求項７に記載のランプであって、
前記カバー内に設置され、且つ前記第１発光素子と並列に電気的に接続される第２発光素子を更に含む、ランプ。
【請求項１０】
請求項７に記載のランプであって、
前記カバーに接続される電気コネクトを更に含む、ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月1日(2018.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視領域内の対象（１０）を検出するための、センサ（１２）及びエミッタ（１１）を備えるデバイスであって、前記エミッタ（１１）と前記センサ（１２）とを別個のユニットとして設計される前記監視領域の反対側に配設され、
前記エミッタ（１１）は以下の構成要素：
‐電磁放射線（１７）を放出するための放射源（３１）；
‐前記放射源（３１）から前記エミッタ（１１）からの出口点（２４）までの前記放射線（１７）の経路において前記放射線（１７）を伝導するよう設計された放射伝導構造（１９）
を備え、
前記放射伝導構造（１９）は、前記放射線（１７）を焦点調節するための焦点調節要素（２３）を有するデバイスにおいて、
前記放射伝導構造（１９）は、前記放射源（３１）から前記エミッタ（１１）からの前記出口点（２４）までの前記放射線（１７）の前記経路において、２回以上の反射によって前記放射線（１７）を偏向するように形成されていることを特徴とし、
および／又は、
前記センサ（１２）は以下の構成要素：
‐電磁放射線（１７）を受信するためのレシーバ（４１）；
‐前記センサ（１２）への入り口点（２６）から前記レシーバ（４１）までの前記放射線（１７）の経路において前記放射線（１７）を伝導するよう設計された放射伝導構造（１９）
を備え、
前記放射伝導構造（１９）は、前記放射線（１７）を焦点調節するための焦点調節要素（２３）を有するデバイスにおいて、
前記放射伝導構造（１９）は、前記センサ（１２）への入り口点（２６）から前記レシーバ（４１）までの前記放射線（１７）の前記経路において、２回以上の反射によって前記放射線（１７）を偏向するように形成されていること、
を特徴とする、デバイス。
【請求項２】
前記放射伝導構造（１９）によって形成される前記放射源（３１）から前記エミッタ（１１）からの前記出口点（２４）までの前記放射線（３１）の前記経路の一部は、少なくとも部分的に略Ｓ字型又はジグザグとなるよう形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記放射源（３１）から前記エミッタ（１１）からの前記出口点（２４）までの前記放射線（１７）の前記経路において、２回の反射によって前記放射線（１７）を偏向するよう形成された前記放射伝導構造（１９）の少なくとも一部は、好ましくは前記焦点調節要素（２３）を有し、かつ特に射出成形された部分として、一体に形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記放射伝導構造（１９）は複数の放射伝導要素（２１，２２）を有し、
前記放射伝導構造（１９）は、前記エミッタ（１１）からの前記出口点（２４）への前記放射線（１７）の前記経路において、前記放射線（１７）を複数の別個の放射量の形態で伝導し、互いに分離された前記複数の独立した放射量を、少なくとも部分的に異なる前記放射伝導要素（２１，２２）を介して、前記エミッタ（１１）からの前記出口点（２４）へと伝導するように形成されている
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記放射伝導構造（１９）は、前記放射源（３１）から前記エミッタ（１１）からの前記出口点（２４）までの前記放射線（１７）の前記経路において、前記放射線（１７）を複数の放射量に分割し、前記複数の独立した放射量を、少なくとも部分的に異なる前記放射伝導要素（２１，２２）を介して、分割点から前記エミッタ（１１）からの前記出口点（２４）へと伝導するよう形成されていることを特徴とする、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記放射伝導要素（２１，２２）は、前記放射源（３１）から前記エミッタ（１１）からの前記出口点（２４）までの前記放射線（１７）の前記経路において、前記放射線（１７）が前記放射伝導要素（２１，２２）に当たる順に、又は前記放射伝導要素（２１，２２）を通過する順に、サイズが増大することを特徴とする、請求項１〜５にのいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記エミッタ（１１）は、前記放射源（３１）に加えて、電磁放射線（１７）の放出のための１つ又は複数の追加の放射源（３１）を有し、
前記放射伝導構造（１９）は、１つ又は複数の前記追加の放射源（３１）から前記エミッタ（１１）からの前記出口点（２４）への前記放射線（１７）の経路において前記放射線（１７）を伝導するようにも形成されている
ことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記放射伝導要素（２２）の１つは、前記放射伝導要素（２２）に当たる前記放射線（１７）のうちある程度を反射し、前記放射線（１７）の残りを通過させることができるよう形成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項９】
光電子バリアであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のデバイスを用いた、監視領域内の対象（１０）を検出するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月14日(2018.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層に直接接着された少なくとも１つの半導体デバイスと、
それ自体の中に前記少なくとも１つの半導体デバイスを埋め込むように前記第１の誘電体層に付けられた埋め込み材料であって、１つまたは複数の追加の誘電体層を備える、埋め込み材料と、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層との間に配置された前記少なくとも１つの半導体デバイスおよび、前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層との間に完全に埋め込まれた前記埋め込み材料と共に、前記第１の誘電体層の反対の前記パッケージ構造の外側に面した表面に配置される第２の誘電体層と、
前記少なくとも１つの半導体デバイスまで形成され、前記第１の誘電体層を貫通して形成される、複数のビアと、
前記少なくとも１つの半導体デバイスへの電気的相互接続部を形成するために、前記複数のビア内および前記パッケージ構造の１つまたは複数の外側に面した表面に形成された金属インターコネクトと、
外部回路への第２レベルの接続を可能にするために、前記パッケージ構造の一方の端部において前記パッケージ構造の１つまたは複数の外側に面した表面に設置された入力／出力（Ｉ／Ｏ）接続部と、
を備え、
前記パッケージ構造は、前記パッケージ構造の前記一方の端部の前記Ｉ／Ｏ接続部が前記外部回路への前記第２レベルの接続を形成するためにコネクタに電気的に接続された状態で、前記外部回路に垂直に前記パッケージ構造を実装するために前記外部回路上に形成された前記コネクタとインターフィットするように構成される、
パッケージ構造。
【請求項２】
前記Ｉ／Ｏ接続部が、前記外部回路への前記第２レベルの接続を形成するように構成された電気的リードを備える、請求項１記載のパッケージ構造。
【請求項３】
前記金属インターコネクトが、前記パッケージ構造の前記１つまたは複数の外側に面した表面に電気的接続部を形成するメッキした銅パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）インターコネクトを備え、前記ＰＯＬインターコネクトの一部が、前記Ｉ／Ｏ接続部を形成する前記電気的リードを形成する、請求項２記載のパッケージ構造。
【請求項４】
前記金属インターコネクトが、前記少なくとも１つの半導体デバイスへの熱的相互接続部を与えるように、前記パッケージ構造の前記外側に面した表面のうちの１つまたは複数に熱拡散性銅パッドを形成するメッキした銅パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）インターコネクトを備える、請求項１乃至３のいずれかに記載のパッケージ構造。
【請求項５】
前記熱拡散性銅パッドに付けられた熱インターフェース材料（ＴＩＭ）と、
前記パッケージ構造から熱を伝導で取り除くために前記ＴＩＭに装着されたヒートシンクと、
をさらに備える、請求項４記載のパッケージ構造。
【請求項６】
前記ヒートシンクが、前記パッケージ構造を前記外部回路に垂直に実装するときに支持を与えるように前記外部回路にさらに結合される、請求項５記載のパッケージ構造。
【請求項７】
前記Ｉ／Ｏ接続部が、前記パッケージ構造の前記一方の端部において、前記パッケージ構造の前記外側に面した両方の表面に形成される、請求項１乃至６のいずれかに記載のパッケージ構造。
【請求項８】
前記少なくとも１つの半導体デバイスを固定するために前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層の少なくとも一方の内側に面した表面に付けられた接着剤層であって、前記複数のビアが前記接着剤層を貫通して延びる、接着剤層をさらに備える、請求項１乃至７のいずれかに記載のパッケージ構造。
【請求項９】
前記少なくとも１つの半導体デバイスが、パワー半導体デバイスを含み、
前記複数のビアが、
前記パワー半導体デバイスの表面まで前記第１の誘電体層および前記接着剤層を貫通して形成されたビアと、
前記パワー半導体デバイスの裏面まで前記１つまたは複数の第２の誘電体層および前記接着剤層を貫通して形成されたビアと
を含み、
前記ビアが、前記パッケージ構造において熱的ビアおよび電気的ビアとして機能し、
金属インターコネクトが、前記パワー半導体デバイスの前記表面および前記裏面まで前記ビアのそれぞれの中に形成される、
請求項８記載のパッケージ構造。
【請求項１０】
前記パッケージ構造内の配線経路を増加させるために前記第１の誘電体層または前記第２の誘電体層の内側に面した表面に配置された金属層をさらに備える、請求項８記載のパッケージ構造。
【請求項１１】
前記パッケージ構造の前記外側に面した表面の前記金属インターコネクトを覆って形成されたはんだマスクをさらに備え、前記はんだマスクは前記Ｉ／Ｏ接続部を覆っては形成されない、請求項１乃至１０のいずれかに記載のパッケージ構造。
【請求項１２】
前記外部回路に垂直に前記パッケージ構造を実装することにより、横たわった向きに前記パッケージ構造を実装する場合と比べたときに前記外部回路上の前記パッケージ構造のフットプリントが縮小される、請求項１乃至１１のいずれかに記載のパッケージ構造。
【請求項１３】
前記埋め込み材料の前記１つまたは複数の追加の誘電体層が、前記少なくとも１つの半導体デバイスの周りに存在するすべての空隙を埋めるためのラミネーションプロセスを受けたときに溶融しかつ流動するように構成された１つまたは複数の誘電体シートを含み、
前記埋め込み材料は、周囲環境へ熱を拡散しかつ伝達するために、前記複数のビアに熱的に接続された金属層または銅を有する誘電体シートをさらに含み、前記金属層または銅を有する誘電体シートはラミネーションプロセスを受けたときに溶融せずかつ流動しないように構成されている、請求項１乃至１２のいずれかに記載のパッケージ構造。
【請求項１４】
前記パッケージ構造の前記外側に面した表面に配置された少なくとも１つの追加の金属回路層をさらに備え、前記少なくとも１つの追加の金属回路層は前記パッケージ構造内の配線経路を増加させるように構成される、請求項１乃至１３のいずれかに記載のパッケージ構造。
【請求項１５】
コネクタがその内部に形成された回路基板と、
前記回路基板の前記コネクタに接続されるように構成される請求項１乃至１４のいずれかに記載のパッケージ構造と、
を備える、
回路基板及びパッケージ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月4日(2018.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓ／ＴＥＭと原子プローブ顕微鏡法の両方によって試料を分析する方法であって、
集束イオン・ビームを使用してバルク材料を加工することにより、関心領域を含む、２００ｎｍ未満の厚さを有する薄片を形成することと、
マイクロマニピュレータを使用して前記バルク材料から前記薄片を抽出することと、
Ｓ／ＴＥＭ（透過電子顕微鏡または走査型透過電子顕微鏡）を使用して前記関心領域の画像を形成することと、
前記薄片が埋め込まれたより厚い構造体を形成するために、前記Ｓ／ＴＥＭで前記関心領域の前記画像を形成した後に、ビーム誘起付着、物理蒸着、または化学蒸着を用いて前記薄片上に材料を付着させることであって、前記材料を前記関心領域上の前記薄片の面上に付着させることと、
前記薄片が埋め込まれた前記より厚い構造体から、イオン・ビーム・ミリングを使用して前記より厚い構造体から材料を除去することにより、針形試料を形成することと、
原子プローブ顕微鏡を使用して前記針形試料中の前記関心領域の原子プローブ顕微鏡画像を形成することと
を含む方法。
【請求項２】
前記原子プローブ顕微鏡を使用して前記関心領域の画像を形成することが、深さが異なる前記針形試料の複数の画像を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｓ／ＴＥＭを使用して前記関心領域の画像を形成することが、前記Ｓ／ＴＥＭの電子ビームに対する角度が異なる前記試料の画像を形成して、前記関心領域の３次元画像を断層撮影によって形成することを含む、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｓ／ＴＥＭによって得られた情報と、前記原子プローブ顕微鏡によって得られた情報とをディスプレイ上で結合することをさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記薄片上に前記材料を付着させることが、前記材料が前記関心領域内の元素成分を補完する電界蒸発特性を有していることをさらに特徴としている、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
Ｓ／ＴＥＭと前記原子プローブ顕微鏡の両方に適合するマウント上に前記薄片を配置することをさらに含み、前記Ｓ／ＴＥＭは走査型透過電子顕微鏡を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記薄片が上面を有し、前記薄片が、前記マウント上において、前記上面が実質的に水平になる向きに配置される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記薄片が上面を有し、前記薄片が、前記マウント上において、前記上面が実質的に垂直になる向きに配置される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記薄片が上面を有し、前記薄片が、前記マウント上において、前記上面が前記マウントに接続された上下逆向きに配置される、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記薄片上に前記材料を付着させることが、前記関心領域の質量とは異なる質量を有する材料を付着させることを含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記薄片上に付着させた前記材料が、シリコン、ニッケル、コバルトおよび／またはクロムを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記関心領域が、前記針形試料の先端から３０ｎｍから２マイクロメートルの間のところに位置する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
原子プローブ顕微鏡上で分析するための試料であって、
１００ｎｍ未満の厚さを有し、関心領域を含む第１の層と、
前記第１の層に結合された、前記関心領域内の元素成分を補完する電界蒸発特性を有する第２の層と
を含み、
実質的に尖鋭な円錐形の先端を有する針形に成形された
試料。
【請求項１４】
前記関心領域が、前記針形試料の前記尖鋭な円錐形の先端内に含まれる、請求項１３に記載の試料。
【請求項１５】
前記試料を支持するマウントをさらに含み、前記マウントが、Ｓ／ＴＥＭシステムとＡＰＭシステムの両方に適合する、請求項１３または請求項１４に記載の試料。
【請求項１６】
前記第１の層が上面を有し、前記第１の層が、前記マウント上において、前記上面が実質的に水平になる向きに配置された、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の試料。
【請求項１７】
前記第１の層が上面を有し、前記第１の層が、前記マウント上において、前記上面が実質的に垂直になる向きに配置された、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の試料。
【請求項１８】
前記第１の層が上面を有し、前記第１の層が、前記マウント上において、前記上面が前記マウントに接続された上下逆向きに配置された、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の試料。
【請求項１９】
前記第２の層が、前記関心領域の質量とは異なる質量を有する、請求項１３から１８のいずれか一項に記載の試料。
【請求項２０】
前記第２の層が、シリコン、ニッケル、コバルトおよび／またはクロムを含む、請求項１３から１９のいずれか一項に記載の試料。
【請求項２１】
前記関心領域が、前記針形試料の前記先端から３０ｎｍから２マイクロメートルの間のところに位置する、請求項１３から２０のいずれか一項に記載の試料。
【請求項２２】
前記薄片上に前記材料を付着させることが、選択された材料で前記薄片を均一にコーティングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記薄片上に前記材料を付着させることが、物理蒸着（ＰＶＤ）または化学蒸着（ＣＶＤ）によってシリコンを付着させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記薄片上に前記材料を付着させることが、ニッケル、コバルト、またはクロムをＰＶＤによって付着させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記関心領域からのＳ／ＴＥＭ画像データを前記関心領域からの原子プローブ顕微鏡データと相関させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記関心領域からのＳ／ＴＥＭ画像データを前記関心領域からの原子プローブ顕微鏡データと相関させることが、試料の３次元微小構造および組成を再構成することを含む、請求項２５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月11日(2018.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略方形の第１シートと、
略方形のシートであって、前記第１シートに重ねられて貼り合わせされた第２シートとを備え、
前記第１シートと前記第２シートは、湾曲させて膨らませた場合にコーンを入れる空洞部が形成される扇形状の中央部の斜辺よりも外側部分が互いに貼り合わされており、
前記空洞部に前記コーンを入れた状態で正面から見た場合に、前記空洞部の形成箇所の両側に、前記第１シートと前記第２シートとが互いに貼り合わされた突き出し部が形成される、コーン用サインカバー。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月11日(2018.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
目標位置と現在位置との差異に応じた制御量と数値モデルとに基づいて振れ補正レンズの位置を推定し、第１の位置信号を出力する推定手段と、
前記第１の位置信号のうち所定の周波数より高い第１の周波数帯域を抽出する第１の抽出手段と、
前記振れ補正レンズの位置を検出する検出手段から出力される第２の位置信号のうち前記所定の周波数以下の第２の周波数帯域を抽出する第２の抽出手段と、
前記第１の抽出手段により抽出される信号と、前記第２の抽出手段により抽出される信号と、を合成する合成手段と、
前記合成手段により合成された第３の位置信号に基づいて、前記目標位置に近づくように前記振れ補正ンレンズの駆動を制御する制御手段と、を有することを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記第１の抽出手段はハイパスフィルタであり、前記第２の抽出手段はローパスフィルタであることを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記第１の位置信号と前記第３の位置信号との差分から前記第１の位置信号の補正量を算出する演算手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記推定手段は、前記制御量と前記補正量とに基づいて、前記第１の位置信号を出力することを特徴とする請求項３に記載の光学装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記所定の周波数を変更することで、前記第１の周波数帯域および前記第２の周波数帯域を変更することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項６】
前記制御手段は、
前記振れ補正レンズの駆動音を除去する場合には、前記所定の周波数を低域側に変更し、
前記振れ補正レンズの制御応答性を維持する場合には、前記所定の周波数を高域側に変更することを特徴とする請求項５に記載の光学装置。
【請求項７】
前記数値モデルは、前記制御量に応じた前記振れ補正レンズの駆動に関する伝達関数で表されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項８】
振れ補正レンズの駆動を制御する制御方法であって、
目標位置と現在位置との差異に応じた制御量と数値モデルとに基づいて前記振れ補正レンズの位置を推定し、第１の位置信号を出力する推定ステップと、
前記第１の位置信号のうち所定の周波数より高い第１の周波数帯域を抽出する第１の抽出ステップと、
前記振れ補正レンズの位置を検出する検出手段から出力される第２の位置信号のうち前記所定の周波数以下の第２の周波数帯域を抽出する第２の抽出ステップと、
前記第１の抽出ステップにより抽出される信号と、前記第２の抽出ステップにより抽出される信号と、を合成し、第３の位置信号を生成する合成ステップと、
前記合成ステップにより合成された前記第３の位置信号に基づいて、前記振れ補正レンズが前記目標位置に近づくように前記振れ補正レンズの駆動を制御する制御ステップと、を有することを特徴とする制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載の制御方法の手順が記述されたコンピュータで実行可能なプログラム。
【請求項１０】
コンピュータに、請求項８に記載の制御方法の各ステップを実行させるためのプログラムが記憶されたコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学装置、制御方法、プログラム、記憶媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光学装置に関し、特に可動体の位置を磁気成分により検出する検出手段からの出力に基づいて該可動体を制御する光学装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、本発明は、上記課題を鑑み、ホール素子がコイルから発生する誘導磁気を検出した際においても可動部の制御に有利な光学装置を提供することを例示的目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面としての光学装置は、目標位置と現在位置との差異に応じた制御量と数値モデルとに基づいて振れ補正レンズの位置を推定し、第１の位置信号を出力する推定手段と、前記第１の位置信号のうち所定の周波数より高い第１の周波数帯域を抽出する第１の抽出手段と、前記振れ補正レンズの位置を検出する検出手段から出力される第２の位置信号のうち前記所定の周波数以下の第２の周波数帯域を抽出する第２の抽出手段と、前記第１の抽出手段により抽出される信号と、前記第２の抽出手段により抽出される信号と、を合成する合成手段と、前記合成手段により合成された第３の位置信号に基づいて、前記目標位置に近づくように前記振れ補正ンレンズの駆動を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、ホール素子がコイルから発生する誘導磁気を検出した際においても可動部の制御に有利な光学装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月11日(2018.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１投影装置及び第２投影装置の投影領域が重複する重複領域における基準ゲインパターンに所定のゲインパターンを付与する付与手段と、
前記付与手段による前記所定のゲインパターンの付与後における前記第１投影装置と前記第２投影装置の投影領域の撮影画像を用いて、前記第１投影装置と前記第２投影装置の少なくとも何れかの投影位置を調整する調整手段と
を有することを特徴とする投影制御装置。
【請求項２】
前記付与手段は、前記第１投影装置のための基準ゲインパターンのうち、前記重複領域内の特定位置には、所定のゲインが加算され、且つ、前記第２投影装置のための基準ゲインパターンのうち、前記重複領域内の前記特定位置には、前記所定のゲインが減算されるよう、前記所定のゲインパターンを付与することを特徴とする請求項１に記載の投影制御装置。
【請求項３】
前記第１投影装置のための基準ゲインパターンは、前記第１投影装置の投影領域のうち、前記重複領域内のゲインが前記第２投影装置の投影領域に近づくほど下がるゲインパターンであり、
前記第２投影装置のための基準ゲインパターンは、前記第２投影装置の投影領域のうち、前記重複領域内のゲインが前記第１投影装置の投影領域に近づくほど下がるゲインパターンであることを特徴とする請求項２に記載の投影制御装置。
【請求項４】
前記加算される輝度の値と前記減算される輝度の値は一致することを特徴とする請求項２又は３に記載の投影制御装置。
【請求項５】
画像が分割された第１分割画像に対して前記所定のゲインパターンの付与後のゲインパターンが適用された第１投影画像を前記第１投影装置へ出力すると共に、前記画像が分割された第２分割画像に対して前記所定のゲインパターンの付与後のゲインパターンが適用された第２投影画像を前記第２投影装置へ出力する出力手段を有することを特徴とする請求項１乃至４のうち、何れか１項に記載の投影制御装置。
【請求項６】
前記調整手段は、前記所定のゲインが加算された位置と、前記所定のゲインが減算された位置との差異を、前記撮影画像を用いることによって特定し、当該差異が小さくなるように、前記第１投影装置と前記第２投影装置の少なくとも何れかの投影位置を調整することを特徴とする請求項２乃至４のうち、何れか１項に記載の投影制御装置。
【請求項７】
前記特定位置は、所定の形状を有する図形の位置に対応することを特徴とする請求項２乃至４のうち、何れか１項に記載の投影制御装置。
【請求項８】
第１投影装置及び第２投影装置の投影領域が重複する重複領域における基準ゲインパターンに所定のゲインパターンを付与する付与工程と、
前記付与工程による前記所定のゲインパターンの付与後における前記第１投影装置と前記第２投影装置の投影領域の撮影画像を用いて、前記第１投影装置と前記第２投影装置の少なくとも何れかの投影位置を調整する調整工程と
を含むことを特徴とする投影制御方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１乃至７のうち、何れか１項に記載の投影制御装置として動作させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】投影制御装置、投影制御方法及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は投影制御装置、投影制御方法及びプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の投影制御装置は、第１投影装置及び第２投影装置の投影領域が重複する重複領域における基準ゲインパターンに所定のゲインパターンを付与する付与手段と、前記付与手段による前記所定のゲインパターンの付与後における前記第１投影装置と前記第２投影装置の投影領域の撮影画像を用いて、前記第１投影装置と前記第２投影装置の少なくとも何れかの投影位置を調整する調整手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月20日(2017.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電潜像が形成される像担持体と、
トナーとキャリアとを含む現像剤を収容する収容手段と、前記収容手段に収容されている前記現像剤を攪拌する攪拌手段と、前記像担持体に形成された前記静電潜像を前記収容手段に収容されている前記現像剤のトナーで現像する現像剤担持体と、を有する現像手段と、
前記収容手段に収容されている前記現像剤のトナー濃度を検出する検出手段と、
前記収容手段にトナーを補給する補給手段と、
前記補給手段を制御する制御手段と
を有し、
前記制御手段は、
画像形成と並行して実行されるシーケンスであって、前記攪拌手段を動作させながら前記検出手段により検出された前記トナー濃度とターゲット濃度との差分に応じてトナーの補給量を決定し、当該決定した補給量にしたがってトナーを前記収容手段に補給する第１シーケンスと、
画像形成を停止させて実行されるシーケンスであって、前記攪拌手段を動作させながら前記検出手段により検出された前記トナー濃度と前記ターゲット濃度との差分に応じてトナーの補給量を決定し、当該決定した補給量にしたがってトナーを前記収容手段に補給する第２シーケンスと、
を有し、
画像形成を開始すると前記第１シーケンスにしたがって前記補給手段を制御し、前記画像形成によるトナーの消費量に対して前記第１シーケンスによるトナーの補給量が不十分な状態になると、前記第２シーケンスにしたがって前記補給手段を制御し、前記第１シーケンスに復帰することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記第１シーケンスによるトナーの補給制御と前記第２シーケンスによるトナーの補給制御はともにＰＩＤ制御であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第１シーケンスによるＰＩＤゲインと前記第２シーケンスによるトナーの補給制御のＰＩＤゲインは等しいことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記検出手段により検出された前記トナー濃度と前記ターゲット濃度との差分を取得し、前記差分にＰゲインを乗算したものと、前記差分を積分してさらにＩゲインを乗算したものと、前記差分を微分してさらにＤゲインを乗算したものを加算することで前記トナーの補給量を決定することを特徴とする請求項２または３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記検出手段により検出された前記トナー濃度に基づき、前記第１シーケンスから前記第２シーケンスへ移行する第１移行条件が満たされたかどうかを判定する第１判定手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記第１移行条件が満たされたと前記第１判定手段が判定すると、前記第１シーケンスから前記第２シーケンスへ移行することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記第１移行条件は、前記検出手段により検出された前記トナー濃度と前記ターゲット濃度との差分が閾値を超えたことであることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記検出手段により検出された前記トナー濃度に基づき、前記第２シーケンスから前記第１シーケンスへ移行する第２移行条件が満たされたかどうかを判定する第２判定手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記第２移行条件が満たされたと前記第２判定手段が判定すると、前記第２シーケンスから前記第１シーケンスへ移行することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記第２移行条件は、前記検出手段により検出された前記トナー濃度と前記ターゲット濃度との差分が閾値以下になったことであることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記第１シーケンスにおいて、前記検出手段により検出された前記トナー濃度に基づく前記トナーの補給量を積算して積算値を取得し、当該積算値が補給条件を満たすかどうかを判定し、当該積算値が当該補給条件を満たすと、前記補給手段に所定量のトナーを補給させ、当該積算値から当該所定量を減算し、当該所定量を減算することで得られた積算値が前記補給条件を満たさなくなるまで、前記補給手段に前記所定量ずつトナーを補給させることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記トナーの補給量の積算値を記憶する記憶手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記記憶手段に記憶されている前記積算値を前記第１シーケンスと前記第２シーケンスとで共通に使用することを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記第２シーケンスにおいて、前記検出手段により検出された前記トナー濃度に基づく前記トナーの補給量を積算して積算値を取得し、当該積算値が補給条件を満たすかどうかを判定し、当該積算値が当該補給条件を満たすと、前記補給手段に所定量のトナーを補給させ、当該積算値から当該所定量を減算し、前記第２シーケンスから前記第１シーケンスへ復帰するための条件が満たされていなければ、前記検出手段に前記トナー濃度を再度検出させ、当該トナー濃度に基づき前記トナーの補給量を更新し、前記第２シーケンスから前記第１シーケンスへ復帰するための条件が満たされると、前記第１シーケンスへ復帰することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記制御手段は、前記第２シーケンスにおいて、前記検出手段により検出されたトナー濃度と前記ターゲット濃度との差分に比例して前記トナーの補給量を調整することを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第１室５２および第２室５３にはそれぞれ現像剤を撹拌する攪拌手段であるスクリュー５８、５９が配置されている。スクリュー５８、５９は、現像スクリュー、攪拌スクリュー、攪拌搬送スクリューと呼ばれてもよい。ＣＰＵ１０１は現像モータ６８（図３）を制御してスクリュー５８、５９を回転させる。スクリュー５８は第１室５２中の現像剤を撹拌しながら搬送する。スクリュー５９は、トナー補給漕６０のトナー搬送路６１から供給されたトナー６３と既に現像器４４内にあった現像剤４３とを撹拌しながら搬送し、トナー濃度を均一化する。隔壁５１には図２における手前側と奥側の端部において第１室５２と第２室５３とを相互に連通させる現像剤通路（非図示）が形成されている。スクリュー５８は、現像によってトナーが消費されてトナー濃度の低下した第１室５２内の現像剤を一方の通路を通じて第２室５３へ移動させる。スクリュー５９は、第２室５３内でトナー濃度の回復した現像剤を他方の通路から第１室５２内へ移動させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月16日(2018.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振回路を有し、前記発振回路によりクロック信号を生成するクロック信号生成回路と、
前記クロック信号に基づく動作用信号により動作する回路を有し、物理量トランスデューサーからの検出信号が入力される検出回路と、
を含み、
前記クロック信号生成回路は、
前記物理量トランスデューサーと回路装置とが接続される前において、前記発振回路の発振周波数を調整可能な第１の周波数調整部と、
前記物理量トランスデューサーと回路装置とが接続された状態において、前記発振回路の前記発振周波数を調整可能な第２の周波数調整部と、
を含むことを特徴とする回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の回路装置において、
前記発振回路は、ＣＲ発振回路であり、
前記第１の周波数調整部は、前記ＣＲ発振回路の可変抵抗回路であることを特徴とする回路装置。
【請求項３】
請求項２に記載の回路装置において、
前記ＣＲ発振回路は、増幅回路を有し、
前記可変抵抗回路は、前記増幅回路の信号を前記増幅回路の入力ノードに帰還する抵抗回路であることを特徴とする回路装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の回路装置において、
前記可変抵抗回路は、
直列接続される複数の抵抗素子と、
前記複数の抵抗素子の各抵抗素子に対して各ヒューズ素子が並列に設けられる複数のヒューズ素子と、
を含むことを特徴とする回路装置。
【請求項５】
請求項４に記載の回路装置において、
前記可変抵抗回路は、
前記複数の抵抗素子に直列接続される基準抵抗素子と、
前記基準抵抗素子に対して並列に設けられ、ヒューズカット前の前記発振周波数の第１の測定モードにおいてオフになり、前記ヒューズカット前の前記発振周波数の第２の測定モードにおいてオンになるトリミング用補助スイッチと、
を含むことを特徴とする回路装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記発振回路は、ＣＲ発振回路であり、
前記第２の周波数調整部は、前記ＣＲ発振回路の可変容量回路であることを特徴とする回路装置。
【請求項７】
請求項６に記載の回路装置において、
前記ＣＲ発振回路は、増幅回路を有し、
前記可変容量回路は、前記増幅回路の出力ノードに設けられることを特徴とする回路装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の回路装置において、
電源電圧を生成し、前記電源電圧を前記発振回路に供給する電圧生成回路を含み、
前記電圧生成回路は、
前記発振回路の前記発振周波数の温度特性を補償する電源電圧を生成することを特徴とする回路装置。
【請求項９】
請求項８に記載の回路装置において、
前記電源電圧が固定電圧の場合の前記発振周波数は、正の温度特性を有し、
前記電圧生成回路は、
トランジスターの仕事関数差に基づいて、負の温度特性を有する前記電源電圧を生成して、前記発振回路の電源として供給することを特徴とする回路装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の回路装置において、
前記電圧生成回路は、
前記回路装置に接続される前記物理量トランスデューサーが第１の物理量トランスデューサーである場合には、前記電源電圧として第１の電圧を供給し、
前記回路装置に接続される前記物理量トランスデューサーが、前記第１の物理量トランスデューサーとは駆動周波数が異なる第２の物理量トランスデューサーである場合には、前記電源電圧として前記第１の電圧と異なる第２の電圧を供給することを特徴とする回路装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記検出回路は、
前記動作用信号であるサンプリングクロック信号に基づいて、入力信号のサンプリング動作を行うＡ／Ｄ変換回路を含むことを特徴とする回路装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記検出回路は、
前記動作用信号である動作クロック信号に基づいて、デジタル信号処理を行うデジタル信号処理部を含むことを特徴とする回路装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記物理量トランスデューサーからのフィードバック信号を受けて、前記物理量トランスデューサーを駆動する駆動回路を含むことを特徴とする回路装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の回路装置において、
前記発振回路の前記発振周波数をｆｏｓとし、前記物理量トランスデューサーの駆動周波数をｆｄｒとし、ｉを１以上の整数とし、ｊを１以上の整数とし、前記動作用信号の周波数をｆｏｓ／ｉとした場合に、ｊ×ｆｄｒ≠ｆｏｓ／ｉとなるように前記発振周波数ｆｏｓが設定されることを特徴とする回路装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の回路装置において、
ｋを１以上の整数とした場合に、ｊ×ｆｄｒ≠ｋ×ｆｏｓ／ｉとなるように前記発振周波数ｆｏｓが設定されることを特徴とする回路装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１７】
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする移動体。
【請求項１８】
物理量トランスデューサーと回路装置を有する物理量検出装置の製造方法であって、
発振回路を有し、前記発振回路によりクロック信号を生成するクロック信号生成回路と、前記クロック信号に基づく動作用信号により動作する回路を有し、前記物理量トランスデューサーからの検出信号が入力される検出回路と、を含む前記回路装置を製造する工程と、
前記物理量トランスデューサーと前記回路装置とが接続される前において、前記発振回路の発振周波数を調整する第１の周波数調整工程と、
前記物理量トランスデューサーと前記回路装置とが接続された状態において、前記発振回路の前記発振周波数を調整する第２の周波数調整工程と、
を含むことを特徴とする物理量検出装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
これに対して本実施形態では、検出回路６０の回路の高速動作を実現するために、発振回路１９０を有するクロック信号生成回路１５０を設け、生成されたクロック信号に基づく動作用信号により、検出回路６０の回路（Ａ／Ｄ変換回路、ＤＳＰ部）を動作させている。そして駆動信号の駆動周波数と、発振回路１９０の発振周波数とは、別個独立のものであり、相関性がない。このため図７に示すような干渉周波数の問題が発生してしまう。そして、このような干渉周波数の問題を解消するために、本実施形態では以下に説明するような発振周波数の調整手法を採用している。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月15日(2018.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１サーバは、売手と買手による電子商取引を提供する手段と、商品の配送業者が宛名印刷に利用し前記電子商取引の前記買手が入力した第１宛て名情報を受信する手段と、前記第１サーバに前記第１宛て名情報を送信する手段と、前記第１サーバから前記電子商取引の前記売手が前記宛て名印刷に利用し前記配送業者の拠点に該当する第２宛て名情報を受信する手段と、前記電子商取引の前記売手に前記第２宛て名情報を通知する手段と、を備える第２サーバから前記第１宛て名情報を受信する過程と、
前記第２宛て名情報を前記第２サーバに送信する過程と、
前記第１宛て名情報を前記配送業者が前記宛て名印刷に利用する端末に送信する過程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
第１サーバは、売手と買手による電子商取引を提供する手段と、商品の受取場所提供業者が宛て名印刷に利用し前記電子商取引の前記買手が入力した第１宛て名情報を受信する手段と、前記電子商取引の前記買手が前記受取場所提供業者の拠点を選ぶ手段と、前記電子商取引の前記売手に、前記電子商取引の前記売手が前記宛て名印刷に利用し前記拠点に該当する第２宛て名情報を通知する手段と、前記第１サーバに前記第１宛て名情報を送信する手段と、を備える第２サーバから前記第１宛て名情報を受信する過程と、
前記第１宛て名情報を前記受取場所提供業者が前記宛て名印刷に利用する第３端末に送信する過程と、を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため本発明の匿名商取引提供方法において、第１サーバ（５）は、売手と買手による電子商取引を提供する手段と、商品の配送業者が宛名印刷に利用し前記電子商取引の前記買手が入力した第１宛て名情報を受信する手段と、前記第１サーバ（５）に前記第１宛て名情報を送信する手段と、前記第１サーバ（５）から前記電子商取引の前記売手が前記宛て名印刷に利用し前記配送業者の拠点に該当する第２宛て名情報を受信する手段と、前記電子商取引の前記売手に前記第２宛て名情報を通知する手段と、を備える第２サーバ（３）から前記第１宛て名情報を受信する過程と、前記第２宛て名情報を前記第２サーバ（３）に送信する過程と、前記第１宛て名情報を前記配送業者が前記宛て名印刷に利用する端末（４）に送信する過程と、を含むことを特徴とする。
また、第１サーバ（５）は、売手と買手による電子商取引を提供する手段と、商品の受取場所提供業者が宛て名印刷に利用し前記電子商取引の前記買手が入力した第１宛て名情報を受信する手段と、前記電子商取引の前記買手が前記受取場所提供業者の拠点を選ぶ手段と、前記電子商取引の前記売手に、前記電子商取引の前記売手が前記宛て名印刷に利用し前記拠点に該当する第２宛て名情報を通知する手段と、前記第１サーバ（５）に前記第１宛て名情報を送信する手段と、を備える第２サーバ（３）から前記第１宛て名情報を受信する過程と、前記第１宛て名情報を前記受取場所提供業者が前記宛て名印刷に利用する第３端末（４）に送信する過程と、を含むことを特徴とする。