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　平成　９年特許願第５０９５５７号「研磨パッド」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　２月２７日国際公開、ＷＯ９７／０６９２１、平成１１年１１月　９日国内公表、特表平１１−５１２９７７、請求項の数（２）〕について平成１５年６月１９日にされた審決に対し、東京高等裁判所において審決取消の判決があったので、さらに審理の上、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願は、平成８年８月２０日（パリ条約による優先権主張１９９５年８月２１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１３年１１月１４日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされ、これに対し、平成１４年２月１８日に本件審判の請求がなされ、平成１５年６月１９日に審判請求は成り立たないとの審決がされたところ、平成１５年１０月２９日に該審決に対する訴えが東京高等裁判所に提起された（平成１５年（行ケ）４７５号）。そして、東京高等裁判所において平成１６年９月３０日に審決を取り消す旨の判決の言い渡しがあったので、本件についてさらに審理する。
　
２．本件発明  
　本件出願の請求項１及び２に係る発明（以下「本件発明１」及び「本件発明２」という。）は、平成１７年４月８日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　光学的方法を用いるインシチュ終点検出に有用であり、かつ集積回路搭載ウェーハの研磨に有用なパッドであって、
　前記パッドが、第一の樹脂からなる第一の部分と、第二の樹脂からなる第二の部分とを含み、
　前記第一の部分が、スラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を持たず、かつ１９０〜３５００nmの範囲の波長の光線が透過する、硬質均一樹脂シートからなり、
　前記パッドが、外部手段によって、前記第一の部分及び前記第二の部分の表面上に設けられる、フロー溝を有する表面テクスチャーを有し、前記フロー溝がスラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を与える、
パッド。
　【請求項２】
　前記第一の部分が、ポリウレタン、アクリル、ポリカーボネイト、ナイロン又はポリエステルからなる、請求項１記載のパッド。」  
 　 
３．先願明細書及び先願発明
　これに対して、当審において平成１７年３月２３日付けで通知した拒絶の理由に引用された、本件出願の日前の他の特許出願であって、本件出願の発明者が他の特許出願に係る発明の発明者と同一の者ではなく、また、本件出願の時にその出願人と他の特許出願の出願人とが同一の者でもなく、本件出願後に出願公開がされた特願平８−７４９７６号（特開平９−７９８５号公報）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下「先願明細書等」という。）と本件出願の優先権の主張の日（１９９５年８月２１日）前の１９９５年３月２８日の特許出願であって、他の特許出願の優先権の主張の基礎としている０８／４１３９９２号の明細書等（以下「第一国出願の明細書等」という。）とには、両者に共通する次の事項が記載されていると認める。  
 ア　先願明細書等の段落【０００１】−【０００３】及び第一国出願の明細書等の第１頁第１２行−第２頁第３０行  
 「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に関し、特に、ケミカルメカニカルポリシング(chemical mechanical polishing ：ＣＭＰ)及びＣＭＰプロセス中のインシチュウ(in-situ)終点検出に関する。  
 【従来の技術】現代の半導体集積回路（ＩＣ）製造のプロセスにおいては、先に形成された層や構造の上に様々な材料の層や構造を形成することが必要となる。しかし、先に形成される際に、プロセス中のウエハの上面の局所構造において、隆起物、高低差のある部分、谷間、溝、及び／又はその他の表面の不均一さが現れ、非常に不均一となることがしばしばである。次の層を形成する際に、これらの不均一さが問題を生じさせる。例えば、先に形成された層の上に細かい幾何的構造をもつフォトリソグラフィのパターンを転写する場合は、フォーカスを非常に浅くする必要がある。従って、表面は平坦で平面的であることが不可欠であり・・・。従って、ＩＣ構造体に何等かの平坦化（プラナリゼーション(planarization)）やレベリング(leveling)を行うことが望ましい。実際、多くの高密度ＩＣの製造技術では、製造プロセスにおける重要な局面において、ウエハ表面を平坦化する方法を使用できるようになっている。  
　半導体ウエハの平坦化又は局所構造の除去を実現する方法の１つに、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）がある。一般的には、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）プロセスは、圧力を制御した状態で、回転する研磨プラーテンに対してウエハを保持し又は回転させる。図１に示されるように、典型的なＣＭＰ装置１０は、研磨プラーテン１６に対してウエハ１４を保持するための研磨ヘッド１２を有している。研磨プラーテン１６は、パッド１８によって覆われている。このパッド１８は典型的には裏張り層２０を有し、これは、ウエハ１４を研磨するためにケミカルポリシングスラリと共に用いられるカバー層２２とプラーテンとの間のインターフェースとなっている。しかし、パッドの中には、カバー層のみを有し裏張り層を有していないものもある。カバー層２２は、通例は、オープンセル発泡ウレタン（例えばRodel IC1000）又はグルーブのある表面を有するポリウレタンシート（例えばRodel EX2000）である。このパッド材料は、研磨剤と化学品とを含有するケミカルポリシングスラリによってウェットな状態となっている。典型的なケミカルポリシングスラリの１例は、ＫＯＨ（水酸化カリウム）とヒュームドシリカ粒子(fumed-silica particles)とを含有している。」  
 　 
イ　同段落【０００６】及び同第４頁第８−１３行  
「本発明は、研磨プロセスに関して正確性を向上し更に有用な情報を与えるために用いる事ができる終点の検出器及び方法を目指すものである。本発明の装置及び方法は、ＣＭＰプロセスの最中に、除去された材料の厚さ又はウエハ表面の平坦度をインシチュウに決定するための、干渉による技術を採用する。」  
 　 
ウ　同段落【００２８】−【００３０】及び同第１２頁第３０行−第１４頁第５行  
「図３（ｂ）は、プラーテン１６とパッド１８の別の具体例である。この具体例では、クオーツインサートは排除され、パッド１８には貫通穴は存在しない。その代わりに、プラーテン１６のホール３０の上の領域では、パッド１８の裏張り層２０（存在すれば）が除去された。このことにより、ウエハ１４とプラーテン１６の底部との間には、パッド１８のポリウレタンカバー層２２だけが残っている。カバー層２２に用いられるポリウレタン材料が、レーザー干渉計３２からのレーザービームを実質的に透過させるだろうことが、見出されている。・・・オープンセルのタイプのパッド及びグルーブを有する表面のタイプのパッドを用いた実験によれば、グルーブを有する表面のパッドの方がレーザービームの弱化が小さくなる結果が示されたことに注目すべきである。従って、このタイプのパッドを用いることが好ましい。  
　パッドのカバー層に用いられるポリウレタン材料は、レーザービームに対して実質的に透過性を有しているものの、透過性を阻害する添加物を含有している。この問題点は、図３（ｃ）に描かれている本発明の具体例において排除される。この具体例では、プラーテンホール３０の上の領域における典型的なパッド材料は、ソリッドな（中空ではない）ポリウレタンプラグ４２に置き換えられる。このプラグ４２は、レーザービームのウィンドウとして機能し、パッド材料を包囲するグルーブ（又はオープンセル構造）を有しないポリウレタン材料製であり、透過性を阻害する添加物を含有していない。従って、プラグ４２を通ることによるレーザービームの弱化は最小になる。好ましくは、プラグ４２はパッドと一体で成形される。  
　動作中は、本発明に従ったＣＭＰ装置は、レーザー干渉計からのレーザービームを用いて、ウエハの表面から除去された材料の量を決定するか、又は、表面が平坦化されたときを決定する。」  
　 
エ　同段落【００５３】及び同第２９頁第１−３行  
「レーザービームの波長に関しては、遠赤外から紫外までのあらゆる波長を用いることが可能である。」  
 　 
　また、カバー層２２は、上記アより、ウエハ１４を研磨するためにケミカルポリシングスラリと共に用いられるものであるので、スラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を有しているものであり、また、プラグ４２は、上記ウより、グルーブ（又はオープンセル構造）を有しないソリッドな（中空ではない）ポリウレタン材料製であるので、スラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を持たない硬質均一樹脂シートであることは、技術常識より明らかである。  
　また、パッドは、上記アより、半導体集積回路（ＩＣ）製造のプロセス中のウエハの上面を研磨し、平坦化するものであるので、集積回路搭載ウエハの研磨に有用なパッドであることも、技術常識より明らかである。  
 　 
　以上のとおりであるので、先願明細書等及び第一国出願の明細書等には、両者に共通な次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されていると認める。  
　「光学的方法を用いるインシチュ終点検出に有用であり、かつ集積回路搭載ウエハ１４の研磨に有用なパッド１８であって、前記パッド１８がポリウレタン材料製のプラグ４２とカバー層２２を含み、
　前記プラグ４２はスラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を持たず、遠赤外から紫外までの範囲の波長の光線が透過する、硬質均一樹脂シートからなり、
　前記プラグ４２は、パッド材料を包囲するグルーブ（又はオープンセル構造）を有しないものであり、カバー層２２はグルーブを有しスラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を有するパッド。」 
　 
４．対比・判断 
（１）本件発明１について 
　本件発明１と先願発明との対比すると、先願発明の「プラグ４２」は、本件発明１における「第一の部分」に相当し、以下同様に、「カバー層２２」は「第二の部分」に、「グルーブ」は「フロー溝」に、相当していることが明らかであり、また、先願発明の光線の波長についても、「１９０〜３５００nm」の範囲で一致している。
　したがって、両者は、
「光学的方法を用いるインシチュ終点検出に有用であり、かつ集積回路搭載ウェーハの研磨に有用なパッドであって、
　前記パッドが、第一の部分と、第二の部分とを含み、
　前記第一の部分が、スラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を持たず、かつ１９０〜３５００nmの範囲の波長の光線が透過する、硬質均一樹脂シートからなり、
　前記パッドが、外部手段によって、前記第二の部分の表面上に設けられる、フロー溝を有する表面テクスチャーを有し、前記フロー溝がスラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を与える、
パッド。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　本件発明１では、パッドが、第一の樹脂からなる第一の部分と、第二の樹脂からなる第二の部分とを含むのに対し、先願発明では、プラグとカバー層が、それぞれ第一の樹脂及び第二の樹脂からなるものかどうか明らかでない点。
［相違点２］
　本件発明１では、第一の部分にもフロー溝を有する表面テクスチャーを有し、前記フロー溝がスラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を与えるものであるのに対し、先願発明では、プラグ４２は、パッド材料を包囲するグルーブ（又はオープンセル構造）を有しないものである点。
　
　まず、相違点２について検討する。
　先願発明では、プラグ４２は、パッド材料を包囲するグルーブを有しないものであって、当該プラグ４２上でスラリー粒子の吸収、輸送が行われることはないが、本件発明１においては、研磨パッドの透過部分を構成する第一の部分にもフロー溝を有する表面テクスチャーを有することによって、研磨活動が研磨パッド全体に均一になることに近づくという本件明細書に記載された作用効果を奏するものである（明細書第４頁第１９〜２１行参照）。
　一方、樹脂シート上にフロー溝を有する表面テクスチャーを形成してスラリー粒子の吸収、輸送という能力を与えること自体は周知の技術手段と認められるが、研磨パッドのレーザービームを透過させるために設けた透過部分にまでフロー溝を有する表面テクスチャーを形成することが周知の事項であったとすることはできない。
　してみると、上記相違点２に係る本件発明１の発明特定事項は、課題解決のための具体化手段における微差ということはできず、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１が先願発明と同一であるとすることはできない。
　
（２）本件発明２について 
　本件発明２は、本件発明１を引用する発明であって、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するものである。  
　そして、本件発明１は、上記（１）に示した理由により、先願発明と同一であるとすることはできないから、本件発明２も、同様の理由により、先願発明と同一であるとすることはできない。 
　 
５．むすび 
　以上のとおりであるから、本件発明１及び２は、上記先願発明と同一であるとすることはできない。
　また、他に、本件出願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。