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【手続補正書】
【提出日】平成30年9月6日(2018.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ドライバが手をハンドル（９）に沿って滑らせるスライド操作を行うことで、制御対象機器（５〜７）の制御を行う車両用操作システム（１）において、
ドライバが前記スライド操作を行ったか否かを判定する操作判定部（２ａ）と、
ドライバが前記スライド操作を行ったと前記操作判定部が判定した後に、ドライバが前記スライド操作を行ったときの操舵角度を判定する操舵角度判定部（２ｃ）と、
前記操作判定部の判定結果と前記操舵角度判定部の判定結果とを用い、前記制御対象機器の制御を行うか否かを選択する機器制御部（２ｄ）と、を備えた車両用操作システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
ドライバが手をハンドル（９）に沿って滑らせるスライド操作を行うことで、制御対象機器（５〜７）の制御を行う車両用操作システム（１）の制御部（２）に、
ドライバが前記スライド操作を行ったか否かを判定する操作判定手順と、
ドライバが前記スライド操作を行ったと前記操作判定手順により判定した後に、ドライバが前記スライド操作を行ったときの操舵角度を判定する操舵角度判定手順と、
前記操作判定手順の判定結果と前記操舵角度判定手順の判定結果とを用い、前記制御対象機器の制御を行うか否かを選択する機器制御手順と、を実行させるコンピュータプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載した発明によれば、ドライバが手をハンドル（９）に沿って滑らせるスライド操作を行うことで、制御対象機器（５〜７）の制御を行う車両用操作システム（１）において、操作判定部（２ａ）は、ドライバがスライド操作を行ったか否かを判定する。操舵角度判定部（２ｃ）は、ドライバがスライド操作を行ったと操作判定部が判定した後に、ドライバがスライド操作を行ったときの操舵角度を判定する。機器制御部（２ｄ）は、操作判定部の判定結果と操舵角度判定部の判定結果とを用い、制御対象機器の制御を行うか否かを選択する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月25日(2018.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超純水中の微量金属による汚染性を低減するための金属汚染防止剤を添加した超純水（ｐＨ５以下のものを除く）で製品を洗浄する製品洗浄方法であって、
該金属汚染防止剤が、イオン交換基を有するポリマーを含有し、該ポリマーがポリスチレンスルホン酸、又は４級アンモニウム基を有するポリマーであり、
該金属汚染防止剤を添加した超純水を膜処理することなく、該製品の洗浄に用いることを特徴とする製品洗浄方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製品洗浄方法において、前記超純水への金属汚染防止剤の添加量が、前記イオン交換基を有するポリマーと超純水中の微量金属量とのイオン交換反応当量の１〜２０倍であることを特徴とする製品洗浄方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】製品洗浄方法
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月5日(2018.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮されたビデオの送信に対する利用可能な帯域幅の使用を向上するデジタルビデオデータを圧縮する方法であって、
入力ビデオフレームのシークエンスを受信することと、
入力ビデオフレームの前記シークエンスを、複数のピクチャーの複数のグループ状に配置される出力ビデオフレームのシークエンスへ符号化すること
を含み、複数のピクチャーの各々のグループは、イントラフレーム及び０以上の後続のインターフレームを含み、複数のピクチャーの前記グループ内に含まれた任意の数のフレームによって規定されたＧＯＰ長を有し、
入力ビデオフレームの前記シークエンスを符号化することは、
入力ビデオフレームの前記シークエンスからの第１の入力ビデオフレームに対して、前記第１の入力ビデオフレームの動きのレベル及び光のレベルを決定することと、
前記光のレベルが所定の閾値以下であることを条件に、所定の一定なＧＯＰ長、及び前記光のレベルの減少関数である第１の圧縮値を使用して、出力ビデオフレームを形成するために前記第１の入力ビデオフレームを符号化すること、
前記光のレベルが前記所定の閾値より大きいことを条件に、前記動きのレベルの減少関数である計算されたＧＯＰ長、及び前記光のレベルの減少関数である第２の圧縮値を使用して、前記出力ビデオフレームを形成するために前記第１の入力ビデオフレームを符号化することを含む、方法。
【請求項２】
前記光のレベルが前記所定の閾値未満であることを条件に、所定の最大圧縮値は、前記動きのレベルが所定の動きの最小レベルであることを条件に、前記第１の入力ビデオフレームを符号化するために使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光のレベルが前記所定の閾値より大きいことを条件に、所定の最小圧縮値は、前記光のレベルが所定の光の最大レベルである場合に、前記第１の入力ビデオフレームを符号化するために使用される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記光のレベルが前記所定の閾値より大きいことを条件に、所定の最小ＧＯＰ長は、前記動きのレベルが所定の動きの最大レベルである場合に、前記第１の入力ビデオフレームを符号化するために使用される、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記光のレベルが前記所定の閾値より大きいことを条件に、所定の最大ＧＯＰ長は、前記動きのレベルが所定の動きの最小レベルである場合に、使用される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
入力ビデオフレームの前記シークエンスを符号化することは、前記動きのレベルの増加関数である出力フレームレートにおいて、入力ビデオフレームの前記シークエンスを符号化することを更に含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
入力ビデオフレームの前記シークエンスを符号化することは、
入力ビデオフレームの前記シークエンスからの第２の入力ビデオフレームに対して、前記第２の入力ビデオフレームの動きのレベルを決定することと、
前記第２の入力ビデオフレームの前記動きのレベルが、第１の閾値の変化量だけ、前記第１の入力ビデオフレームの前記動きのレベルと異なることを条件に、所定のフレームレートの量だけ前記出力フレームレートを変化させることを更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
入力ビデオフレームの前記シークエンスを符号化することは、
前記第１の入力ビデオフレームに後続する第２の入力ビデオフレームに対して、第１の閾値の変化量だけ、前記第１の入力ビデオフレームと比較して、前記光のレベルが変化したか否かをチェックすることを更に含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記閾値の変化量だけ、前記第１の入力ビデオフレームと比較して、前記光のレベルが変化しなかった場合に、第２の閾値の変化量だけ、前記第２の入力ビデオフレームの第２の動きのレベルが、前記第１の入力ビデオフレームの前記動きのレベルと異なる場合に、前記第２の動きのレベルに基づいて計算されたＧＯＰ長を使用して、前記第２の入力ビデオフレームを符号化することを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
プロセッサによって実行されたときに、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法を実行するように適合された指令を有する非一時的コンピュータ可読記憶媒体を備える、コンピュータプログラム製品。
【請求項１１】
圧縮されたビデオの送信に対する利用可能な帯域幅の使用を向上するビデオデータを圧縮するためのデジタルビデオエンコーダシステムであって、
入力ビデオフレームのシークエンスを受信する入力部、
複数のピクチャーの複数のグループ状に配置される出力ビデオのシークエンスを送信する出力部であって、複数のピクチャーの各々のグループは、イントラフレーム及びゼロ以上の後続のインターフレームを備え、複数のピクチャーの前記グループ内に含まれた任意の数のフレームによって規定されたＧＯＰ長を有する、出力部、
前記入力部及び出力部に通信可能に連結されたプロセッサ、
を備え、
前記プロセッサは、
入力ビデオフレームの前記シークエンスからの第１の入力ビデオフレームにおける光のレベルを決定することと、
前記第１の入力ビデオフレームにおける動きのレベルを決定することと、
圧縮値を、前記光のレベルの減少関数に設定することと、
前記光のレベルに基づいて、複数のピクチャーの１つのグループ内に含まれる任意の数のフレームとしてＧＯＰ長を設定すること
によって、入力ビデオフレームの前記シークエンスを出力ビデオフレームの前記シークエンスに符号化し、
前記ＧＯＰ長は、前記光のレベルが所定の閾値以下である場合に、所定の一定なＧＯＰ長に設定され、前記光のレベルが前記所定の閾値より大きい場合に、前記動きのレベルの減少関数に設定される、デジタルビデオエンコーダシステム。
【請求項１２】
前記プロセッサは更に、入力ビデオフレームが符号化されるフレームレートを設定する、請求項１１に記載のデジタルビデオエンコーダシステム。
【請求項１３】
前記プロセッサに通信可能に連結されたルクス計を更に備える、請求項１１又は１２に記載のデジタルビデオエンコーダシステム。
【請求項１４】
前記プロセッサは更に、入力ビデオフレーム内の信号対雑音比を決定する、請求項１１から１３のいずれか一項に記載のデジタルビデオエンコーダシステム。
【請求項１５】
請求項１１から１４のいずれか一項に記載のデジタルビデオエンコーダシステムを備える、カメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月2日(2018.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュアルコンパートメントバイオリアクターシステムであって、
従属栄養性有機体を含む第１のコンパートメントと；
独立栄養性有機体を含む第２のコンパートメントと；
第１のコンパートメントおよび第２のコンパートメントと操作上接触している膜サブシステムとを備え；
膜サブシステムは、第１のコンパートメントから第２のコンパートメントへの少なくとも１つの気体および溶質の輸送を可能にするような構成であり；
膜サブシステムは、液体透過性の一体化された疎水性／親水性膜を備え、該疎水性／親水性膜は、気体の輸送のみを可能にする疎水性領域と、流体、溶質および気体の輸送を可能にする親水性領域とを有する、デュアルコンパートメントバイオリアクターシステム。
【請求項２】
第２のコンパートメントが、可視光を通過させることができる透明外壁を備える、請求項１に記載のデュアルコンパートメントバイオリアクターシステム。
【請求項３】
膜サブシステムの少なくとも１つの膜の少なくとも１つの表面をきれいにするような構成の磁気クリーナーをさらに備える、請求項１に記載のデュアルコンパートメントバイオリアクターシステム。
【請求項４】
膜サブシステムが、前記液体透過性の膜からなり、膜が、第１のコンパートメントおよび第２のコンパートメントと物理的に接触している、請求項１に記載のデュアルコンパートメントバイオリアクターシステム。
【請求項５】
第２のコンパートメントが、第１のコンパートメントの周囲を取り囲んでいる、請求項１に記載のデュアルコンパートメントバイオリアクターシステム。
【請求項６】
請求項１に記載されているデュアルコンパートメントバイオリアクターシステムを用いて、入力物を代謝する方法であって、
第１のコンパートメントに入力物を供給することと；
第１のコンパートメント中、入力物を代謝し、従属栄養性有機体を成長させることと；
第１のコンパートメントまたは第２のコンパートメントから要素を回収することと；
第２のコンパートメント中、入力物を代謝し、独立栄養性有機体を成長させることを含み；
第２のコンパートメントが、透明外壁を備える、方法。
【請求項７】
膜サブシステムが前記液体透過性の膜からなり；膜が、第１のコンパートメントの少なくとも第１の部分の周囲を取り囲んでおり；第２のコンパートメントが、膜の少なくとも第２の部分の周囲を取り囲んでいる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
膜サブシステムが、前記液体透過性の膜からなり、膜が、第１のコンパートメントおよび第２のコンパートメントと直接接触する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
透明外壁に沿って磁石を動かすことによって膜サブシステムの膜を洗浄することをさらに含み、
第１の磁気ブラシが、膜の少なくとも１つの表面をきれいにするような構成である、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
第１のコンパートメントの従属栄養性バイオマスを再循環させる方向に対して向流になるように、第２のコンパートメントの独立栄養性バイオマスを連続的に再循環させることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月5日(2018.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の下に配置され、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記第２導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層に接触する第１電極と、
前記第２導電型半導体層と接触するコンタクト層と、
前記第２導電型半導体層と前記第１電極との間及び前記活性層と前記第１電極との間に配置され、前記コンタクト層の側部及び上部をキャッピングし、少なくとも２つの多層を含む第１絶縁層と、
前記第１絶縁層を貫通して前記コンタクト層と接触する第２電極とを含む、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記コンタクト層は反射物質を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記コンタクト層は、
反射層と、
前記反射層と前記第２導電型半導体層との間に配置された透明電極とを含む、請求項１又は２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記反射層は銀（Ａｇ）を含む、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１電極は、
前記第２導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層に接触する金属層と、
前記金属層と接触するボンディングパッドとを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１絶縁層と前記金属層を囲むように配置された第２絶縁層をさらに含み、
前記第２電極は、前記第１及び第２絶縁層と前記金属層を貫通して前記コンタクト層と接触する、請求項５に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第１絶縁層は、前記基板と接触するように配置され、ＩＡＤを含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第１絶縁層は、前記少なくとも２つの多層が繰り返された構造を有する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記少なくとも２つの多層は、熱膨張係数が互いに異なる物質からなる、請求項１又は８に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記少なくとも２つの多層のそれぞれは、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、またはＭｇＦ２のうちの少なくとも１つを含む、請求項１乃至９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±３ｘ１０−６／Ｋ以上である、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±４ｘ１０−６／Ｋ以下である、請求項１乃至１１のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記基板はサファイアを含み、前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±２．５ｘ１０−６／Ｋ〜±１２．５ｘ１０−６／Ｋである、請求項１乃至１２のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記基板はサファイアを含み、前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±５ｘ１０−６／Ｋ以下である、請求項１乃至１３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記基板と前記発光構造物の体積熱膨張係数の平均値と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±３ｘ１０−６／Ｋ〜±４ｘ１０−６／Ｋ以下である、請求項１乃至１４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１６】
前記少なくとも２つの多層の厚さは互いに異なる、請求項１乃至１５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１７】
前記第１絶縁層は分散ブラッグ反射層を含む、請求項３乃至１６のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１８】
前記発光素子パッケージは、
互いに電気的に分離された第１及び第２リードフレームと、
前記第１電極と前記第１リードフレームとの間に配置された第１ソルダ部と、
前記第２電極と前記第２リードフレームとの間に配置された第２ソルダ部とをさらに含む、請求項１乃至１７のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１９】
前記第１絶縁層は、０．５μｍ〜１０μｍの厚さを有する、請求項１乃至１８のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれかに記載の前記発光素子パッケージを含む、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月9日(2018.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イリジウム錯体を有する発光素子であって、
前記イリジウム錯体は、イリジウム金属と、前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフにおいて、前記イリジウム錯体のピーク面積に対する、前記イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が０％以上１０％以下である発光素子。
【請求項２】
イリジウム錯体を有する発光素子であって、
前記イリジウム錯体は、イリジウム金属と、前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、前記イリジウム錯体のプレカーサーイオンと、前記イリジウム錯体の第１のフラグメントイオンと、前記イリジウム錯体の第２のフラグメントイオンと、が質量分析検出器及びフォトダイオードアレイ検出器により検出され、
前記質量分析検出器により検出された、前記第１のフラグメントイオンは、前記イリジウム金属を含み、
前記質量分析検出器により検出された、前記第２のフラグメントイオンは、前記イリジウム金属を含まず、
前記フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフは、前記プレカーサーイオンに対応する第１のピークと、前記第１のフラグメントイオンに対応する第２のピークと、前記第２のフラグメントイオンに対応する第３のピークと、を有し、
前記第１のピークに対する、前記第３のピークの面積の比が０％以上１０％以下である発光素子。
【請求項３】
イリジウム錯体を有する発光素子であって、
前記イリジウム錯体は、イリジウム金属と、前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフにおいて、前記イリジウム錯体のピーク面積に対する、前記イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が０％以上５％以下である発光素子。
【請求項４】
イリジウム錯体を有する発光素子であって、
前記イリジウム錯体は、イリジウム金属と、前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、前記イリジウム錯体のプレカーサーイオンと、前記イリジウム錯体の第１のフラグメントイオンと、前記イリジウム錯体の第２のフラグメントイオンと、が質量分析検出器及びフォトダイオードアレイ検出器により検出され、
前記質量分析検出器により検出された、前記第１のフラグメントイオンは、前記イリジウム金属を含み、
前記質量分析検出器により検出された、前記第２のフラグメントイオンは、前記イリジウム金属を含まず、
前記フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフは、前記プレカーサーイオンに対応する第１のピークと、前記第１のフラグメントイオンに対応する第２のピークと、前記第２のフラグメントイオンに対応する第３のピークと、を有し、
前記第１のピークに対する、前記第３のピークの面積の比が０％以上５％以下である発光素子。
【請求項５】
イリジウム錯体を有する発光素子であって、
前記イリジウム錯体は、イリジウム金属と、前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフにおいて、前記イリジウム錯体のピーク面積に対する、前記イリジウム金属に配位結合していない配位子のピーク面積の比が０％以上１％以下である発光素子。
【請求項６】
イリジウム錯体を有する発光素子であって、
前記イリジウム錯体は、イリジウム金属と、前記イリジウム金属に配位結合する配位子と、を有し、
前記発光素子を液体クロマトグラフィー質量分析した際に、前記イリジウム錯体のプレカーサーイオンと、前記イリジウム錯体の第１のフラグメントイオンと、前記イリジウム錯体の第２のフラグメントイオンと、が質量分析検出器及びフォトダイオードアレイ検出器により検出され、
前記質量分析検出器により検出された、前記第１のフラグメントイオンは、前記イリジウム金属を含み、
前記質量分析検出器により検出された、前記第２のフラグメントイオンは、前記イリジウム金属を含まず、
前記フォトダイオードアレイ検出器のクロマトグラフは、前記プレカーサーイオンに対応する第１のピークと、前記第１のフラグメントイオンに対応する第２のピークと、前記第２のフラグメントイオンに対応する第３のピークと、を有し、
前記第１のピークに対する、前記第３のピークの面積の比が０％以上１％以下である発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の発光素子と、カラーフィルタと、を有する発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の発光素子あるいは請求項７に記載の発光装置と、筐体またはタッチセンサ機能と、を有する電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の発光素子あるいは請求項７に記載の発光装置と、筐体と、を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月12日(2018.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示装置、及び表示モジュール
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第１の金属酸化膜と、
前記第１の金属酸化膜上の第２の金属酸化膜と、を有し、
前記第１の金属酸化膜は、前記酸化物半導体膜と同一の金属元素を少なくとも一つ有し、
前記第１の金属酸化膜と前記第２の金属酸化膜との間に、混合領域を有し、
前記混合領域は、前記第１の金属酸化膜が有する元素と、前記第２の金属酸化膜が有する元素とを有する半導体装置。
【請求項２】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第１の金属酸化膜と、
前記第１の金属酸化膜上の第２の金属酸化膜と、
前記第２の金属酸化膜上の第２のゲート電極と、を有し、
前記第１の金属酸化膜は、前記酸化物半導体膜と同一の金属元素を少なくとも一つ有し、
前記第１の金属酸化膜と前記第２の金属酸化膜との間に、混合領域を有し、
前記混合領域は、前記第１の金属酸化膜が有する元素と、前記第２の金属酸化膜が有する元素とを有する半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第１の金属酸化膜と、
前記第１の金属酸化膜上の第２の金属酸化膜と、
前記第２の金属酸化膜上に設けられ、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極と、
前記第２の金属酸化膜上に設けられ、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるドレイン電極と、を有し、
前記第１の金属酸化膜は、前記酸化物半導体膜と同一の金属元素を少なくとも一つ有し、
前記第１の金属酸化膜と前記第２の金属酸化膜との間に、混合領域を有し、
前記混合領域は、前記第１の金属酸化膜が有する元素と、前記第２の金属酸化膜が有する元素とを有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、結晶部を有し、
前記結晶部は、ｃ軸配向性を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜は、昇温脱離ガス分析法によって、８．０×１０１４個／ｃｍ２以上の酸素分子が検出される半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の金属酸化膜は、Ｉｎを有する半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の金属酸化膜は、Ａｌを有する半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載された半導体装置と、
表示素子と、を有する表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載された表示装置と、
タッチセンサと、を有する表示モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月22日(2018.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
陰極と、
前記陽極及び前記陰極の間に設けられたＥＬ層とを有する発光素子において、
前記ＥＬ層は少なくとも、
発光層と、
前記発光層と前記陰極と間に設けられた電子注入輸送層とを有し、
前記電子注入輸送層を構成する材料から検出されるにおけるハロゲンの量が３０ｐｐｍ以下である発光素子。
【請求項２】
陽極と、
陰極と、
前記陽極及び前記陰極の間に設けられたＥＬ層とを有する発光素子において、
前記ＥＬ層は少なくとも、
発光層と、
前記発光層と前記陰極の間に設けられた電子注入輸送層とを有し、
前記電子注入輸送層は、第１の有機化合物を含み、
前記第１の有機化合物のハロゲン置換体は電子を受け取ることによってハロゲンを遊離する物質であり、
前記電子注入輸送層を構成する材料から検出される前記ハロゲンの量が３０ｐｐｍ以下である発光素子。
【請求項３】
陽極と、
陰極と、
前記陽極及び前記陰極の間に設けられたＥＬ層とを有する発光素子において、
前記ＥＬ層は少なくとも、
発光層と、
前記発光層と前記陰極の間に設けられた電子注入輸送層とを有し、
前記電子注入輸送層は、第１の有機化合物を含み、
前記第１の有機化合物は、ラジカルアニオン状態における前記第１の有機化合物のハロゲン置換体からハロゲンが遊離するエネルギーが１．００ｅＶ以下である物質であり、
前記電子注入輸送層を構成する材料から検出される前記ハロゲンの量が３０ｐｐｍ以下である発光素子。
【請求項４】
陽極と、
陰極と、
前記陽極及び陰極の間に設けられたＥＬ層とを有する発光素子において、
前記ＥＬ層は少なくとも、
発光層と、
前記発光層と前記陰極との間に設けられた電子注入輸送層とを有し、
前記電子注入輸送層は第１の有機化合物を含み、
前記発光層は第２の有機化合物を含み、前記第１の有機化合物のハロゲン置換体は電子を受け取ることによってハロゲンを遊離する物質であり、
前記発光素子の積算駆動時間が増加しても、前記第２の有機化合物のハロゲン置換体が増加しない発光素子。
【請求項５】
陽極と、
陰極と、
前記陽極及び陰極の間に設けられたＥＬ層とを有する発光素子において、
前記ＥＬ層は少なくとも、
発光層と、
前記発光層と前記陰極との間に設けられた電子注入輸送層とを有し、
前記電子注入輸送層は第１の有機化合物を含み、
前記発光層は第２の有機化合物を含み、
前記第１の有機化合物のハロゲン置換体は電子を受け取ることによってハロゲンを遊離する物質であり、
前記発光素子の輝度劣化が初期輝度の８０％以下となった時点で、前記第２の有機化合物のハロゲン置換体が駆動初期と比較して増加していない発光素子。
【請求項６】
陽極と、
陰極と、
前記陽極及び陰極の間に設けられたＥＬ層とを有する発光素子において、
前記ＥＬ層は少なくとも、
発光層と、
前記発光層と前記陰極との間に設けられた電子注入輸送層とを有し、
前記電子注入輸送層は第１の有機化合物を含み、
前記発光層は第２の有機化合物を含み、
前記第１の有機化合物は、ラジカルアニオン状態における前記第１の有機化合物のハロゲン置換体からハロゲンが遊離するエネルギーが１．００ｅＶ以下である物質であり、
前記発光素子の積算駆動時間が増加しても、前記第２の有機化合物のハロゲン置換体が増加しない発光素子。
【請求項７】
陽極と、
陰極と、
前記陽極及び陰極の間に設けられたＥＬ層とを有する発光素子において、
前記ＥＬ層は少なくとも、
発光層と、
前記発光層と前記陰極との間に設けられた電子注入輸送層とを有し、
前記電子注入輸送層は第１の有機化合物を含み、
前記発光層は第２の有機化合物を含み、
前記第１の有機化合物は、ラジカルアニオン状態における前記第１の有機化合物のハロゲン置換体からハロゲンが遊離するエネルギーが１．００ｅＶ以下である物質であり、
前記発光素子の輝度劣化が初期輝度の８０％以下となった時点で、前記第２の有機化合物のハロゲン置換体が駆動初期と比較して増加していない発光素子。
【請求項８】
請求項２乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物が、複素芳香族化合物である発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光素子と、
トランジスタ、または、基板と、
を有する発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光装置と、
センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、
を有する電子機器。
【請求項１１】
請求項９に記載の発光装置と、
筐体と、
を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月31日(2018.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者が操作することで第１位置と第２位置との間を移動する移動手段と、その移動手段を移動させる駆動力を発生させる駆動手段と、その駆動手段から生じる駆動力を前記移動手段に伝達する伝達手段と、付勢手段と、を備える遊技機であって、
前記移動手段は、前記伝達手段側に位置する伝達手段側部を備え、
前記伝達手段は、前記伝達手段側部に対向配置される対向部を備え、
前記伝達手段側部は、前記移動手段が一の方向に操作されることで、前記対向部から離れる方向に移動するよう構成され、
前記付勢手段は、前記移動手段を前記一の方向の逆側へ向けて付勢することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
基板ボックスを備えることを特徴とする請求項１記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この目的を達成するために本発明の遊技機は、遊技者が操作することで第１位置と第２位置との間を移動する移動手段と、その移動手段を移動させる駆動力を発生させる駆動手段と、その駆動手段から生じる駆動力を前記移動手段に伝達する伝達手段と、付勢手段と、を備える遊技機であって、前記移動手段は、前記伝達手段側に位置する伝達手段側部を備え、前記伝達手段は、前記伝達手段側部に対向配置される対向部を備え、前記伝達手段側部は、前記移動手段が一の方向に操作されることで、前記対向部から離れる方向に移動するよう構成され、前記付勢手段は、前記移動手段を前記一の方向の逆側へ向けて付勢する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１記載の遊技機によれば、伝達手段の耐久性を良好にすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２記載の遊技機によれば、請求項１記載の遊技機の奏する効果に加え、基板ボックスの内部に収納されている制御装置で、操作の検出を行うことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０７３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０７３９】
１０                                              パチンコ機（遊技機）
３１０                                            首振り操作部材（操作部材の一部、入力装置の一部、移動手段の一部）
３１１ａ                                          挿通孔（係止部）
３１３ｄ                                          第２センサ部材（検出装置）
３１７                                            レンズ部材（入力装置の一部、入力部、押し込み部材）
３３０、３３３０、５３３０、８３３０、１０３３０  内側ケース部材（支持部材の一部）
３３１ｄ１                                        レバー支持軸（第１軸、第２軸）
３３１ｄ２                                        偏心カム軸（第１軸）
３３３、２３３３、４３３３、６３３３              偏心カム部材（伝達手段）
３３３ｂ                                          筒状部（円筒部、対向部の一部）
３３３ｃ                                          カム部（対向部の一部）
３３５                                            第１駆動装置（駆動手段）
３３６、４３３６、５３３６、８３３６              ロック部材（規制部材）
３３８                                            ギアダンパ（制動手段）
３４０、２３４０、３３４０、４３４０、７３４０、９３４０  レバー部材（移動手段の一部、伝達手段側部）
３５０、４３５０、７３５０、                      剥離部材（被規制部材の一部）
３６３                                            軸支棒（第２軸）
３６４                                            緩衝部材
３６６                                            振動装置（演出部材の一部、振動装置）
３６６ｂ                                          押し付け部材（振動部）
２３３３ａ                                        本体部材（回転ギア）
２３３３ｂ                                        カム部材（偏心カム）
５３３６ａ１                                      湾曲壁部（凹設部）
ＣＳ１                                            振動コイルスプリング（第２付勢装置）
ＣＳ２                                            押し込みコイルスプリング（第１付勢装置）
Ｍ４１                                            電磁石部材（電磁石）
ＳＰ１、ＳＰ２１、ＳＰ３１、ＳＰ４１、ＳＰ１０１  ねじりバネ（第１付勢部材、付勢手段）
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月25日(2018.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線の入射によりＸ線を発生するターゲット層と、前記ターゲット層を支持する支持基板と、前記支持基板を内側で保持する管状の陽極部材と、前記ターゲット層と前記陽極部材とを電気的に接続する接続電極層と、を備え、Ｘ線発生管に適用される陽極であって、
前記接続電極層は、前記支持基板と接合された第１の接合界面と、前記陽極部材と接合された第２の接合界面とを有し、
前記第１の接合界面と前記第２の接合界面とは、前記接続電極層に対して同じ側に位置していることを特徴とする陽極。
【請求項２】
前記接続電極層の前記支持基板に支持された面とは反対側の面は、前記陽極部材とは接合されていないことを特徴とする請求項１に記載の陽極。
【請求項３】
前記陽極部材は、前記接続電極層の前記第１の接合界面とは反対側の面に対向する面を持たないことを特徴とする請求項２に記載の陽極。
【請求項４】
前記接続電極層に沿い前記接続電極層の厚さ方向の中央に位置する仮想中間面に対して、前記第２の接合界面は前記第１の接合界面と同じ側に位置していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項５】
前記第２の接合界面は前記仮想中間面を跨がずに前記第１の接合界面と連なっていることを特徴とする請求項４に記載の陽極。
【請求項６】
前記接続電極層は、前記陽極部材、前記支持基板、前記ターゲット層のいずれよりもヤング率が低いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項７】
前記支持基板は、前記陽極部材より線膨張係数が低いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項８】
前記支持基板は、ダイヤモンド基板であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項９】
前記陽極部材は、タングステン、タンタル、モリブデンの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項１０】
前記ターゲット層は、タングステン、タンタル、モリブデンの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項１１】
前記支持基板は、環状の接合材を介して前記陽極部材に接合されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項１２】
前記接続電極層はその端部において、前記陽極部材を環状に被覆していることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項１３】
前記ターゲット層は、前記陽極部材の開口よりも、管径方向において内側に位置していることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項１４】
前記接続電極層は、前記ターゲット層と接合された第３の接合界面を有し、
前記第３の接合界面と前記第１の接合界面とは、前記接続電極層に対して同じ側に位置していることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項１５】
前記支持基板が前記ターゲット層で発生したＸ線を透過する透過型ターゲットである請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の陽極。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の陽極と、
前記陽極が有する前記ターゲット層に向けて電子を放出する電子放出源を備えた陰極と、
前記陽極と前記陰極とを絶縁し、前記陽極と前記陰極と共に真空容器を構成する絶縁管と、を備えたことを特徴とするＸ線発生管。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＸ線発生管と、
前記Ｘ線発生管の前記陰極と前記陽極との間に管電圧を印加する駆動回路と、を備えたことを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載のＸ線発生装置と、
前記Ｘ線発生装置から放出され、被検体を透過したＸ線を検出するＸ線検出装置と、
前記Ｘ線発生装置と前記Ｘ線検出装置とを連携制御するシステム制御装置と、を備えたことを特徴とするＸ線撮影システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第１は、電子線の入射によりＸ線を発生するターゲット層と、前記ターゲット層を支持する支持基板と、前記支持基板を内側で保持する管状の陽極部材と、前記ターゲット層と前記陽極部材とを電気的に接続する接続電極層と、を備え、Ｘ線発生管に適用される陽極であって、
前記接続電極層は、前記支持基板と接合された第１の接合界面と、前記陽極部材と接合された第２の接合界面とを有し、
前記第１の接合界面と前記第２の接合界面とは、前記接続電極層に対して同じ側に位置していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
尚、駆動評価終了後に陽極６を分解してターゲット５を観察したところ、接続電極層４及びターゲット層１にクラックの発生がなく、ターゲット層１と支持基板２の間の隙間も無く、ターゲット５を形成した際の形態を保っていることを確認した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
また、駆動評価終了後に陽極６を分解してターゲット５を観察したところ、接続電極層４及びターゲット層１にクラックの発生がなく、ターゲット層１と支持基板２の間の隙間も無く、ターゲット５を形成した際の形態を保っていることを確認した。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月9日(2018.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロム（Ｃｒ）の含有部材を有する処理容器と、該処理容器内に配置された載置台とを備えるプラズマ処理装置を用いて該載置台上の基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
臭素を含む第１のガスから生成されたプラズマにより基板をエッチングする工程と、
前記エッチングされた基板を搬出後、ＣｘＦｙガス（ｘ≧１、ｙ≧４）及び不活性ガスを含む第２のガスから生成されたプラズマにより保護膜を形成する工程と、
前記エッチングする工程において生成されたクロムを含む反応生成物を排気する工程と、
を含むプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記保護膜を形成する工程後、酸素を含む第３のガスから生成されたプラズマにより前記処理容器内をクリーニングする工程を更に含む、
請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記第1のガスは、臭化水素（ＨＢｒ）ガスを含む、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記保護膜を形成する工程は、前記臭化クロムを含む反応生成物からフッ化クロム含有物を生成し、
前記排気する工程は、前記フッ化クロム含有物を排気する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記ＣｘＦｙガスは、ＣＦ４、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８及びＣ５Ｆ８の少なくともいずれかである、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
クロム（Ｃｒ）の含有部材を有する処理容器と、該処理容器内に配置された載置台と、制御部とを備え、該載置台上の基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
臭素を含む第１のガスから生成されたプラズマにより基板をエッチングする工程と、
前記エッチングされた基板を搬出後、ＣｘＦｙガス（ｘ≧１、ｙ≧４）及び不活性ガスを含む第２のガスから生成されたプラズマにより保護膜を形成する工程と、
前記エッチングする工程において生成されたクロムを含む反応生成物を排気する工程と、を制御するプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月29日(2018.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシ層と主出射面を含む半導体発光部品であって、
前記エピタキシ層は、第一半導体積層、第二半導体積層、及び第一半導体積層と第二半導体積層との間に位置しかつ光線を放射する活性層を含み、
前記主出射面は前記第一半導体積層上に位置し、前記光線は該主出射面を透過し、
前記主出射面は、第一出射区域、第二出射区域及び最大近接場光度を有し、前記第一出射区域内の近接場光度は最大近接場光度の７０％〜１００％の間に入り、前記第二出射区域内の近接場光度は最大近接場光度の０％〜７０％の間に入り、前記第一出射区域の面積と前記第二出射区域の面積の比は０．２５〜０．４５の間に入る半導体発光部品。
【請求項２】
前記半導体発光部品は辺縁を更に具備し、前記第二出射区域は前記第一出射区域と前記辺縁との間に位置する請求項１に記載の半導体発光部品。
【請求項３】
前記主出射面は所定の周辺長さを有し、前記エピタキシ層は所定の厚さを有し、該厚さと該周辺長さの比は１％以上である請求項２に記載の半導体発光部品。
【請求項４】
前記第一出射区域の形状と前記主出射面の形状は類似している請求項１に記載の半導体発光部品。
【請求項５】
前記主出射面の形状は円形又は正多辺形である請求項１に記載の半導体発光部品。
【請求項６】
前記第一半導体積層上に位置する正面電極と、前記第二半導体積層上に位置する第二抵抗接触構造とを更に含み、
前記正面電極及び前記第二抵抗接触構造と主出射面の中心とは垂直方向に積層する請求項１に記載の半導体発光部品。
【請求項７】
前記正面電極と前記第二抵抗接触構造の面積はいずれも前記主出射面の面積の１％〜１０％の間にある請求項６に記載の半導体発光部品。
【請求項８】
前記正面電極の材料は透明導電材料、ゲルマニウム、金、ニッケル又はこれらの合金を含む請求項６に記載の半導体発光部品。
【請求項９】
前記エピタキシ層の厚さは３μｍより小さい請求項１に記載の半導体発光部品。
【請求項１０】
前記エピタキシ層は制御層を含み、該制御層は導電区域及び該導電区域を包囲する酸化区域を含み、前記導電区域と前記第一出射区域は垂直方向に積層する請求項１に記載の半導体発光部品。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月30日(2018.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の電子機器は、プラグが挿抜可能に装着されるコネクタが実装される基板と、前記基板を保持し、シャーシに対して着脱可能に締結される保持部材と、前記コネクタが実装された前記基板、前記保持部材、及び前記シャーシが露出する開口部を開閉可能に覆うカバーと、を備え、前記保持部材は、前記基板が固定される固定部と、前記固定部に対して直交して配置され、前記シャーシに対して着脱可能に締結される締結部と、を有し、前記締結部は、前記シャーシに対して前記プラグの挿抜方向と同一の方向に締結されており、前記コネクタに挿入された前記プラグに前記基板と略直交する方向の力が加わった際に、前記シャーシに対する締結位置を支点として弾性変形することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラグが挿抜可能に装着されるコネクタが実装される基板と、
前記基板を保持し、シャーシに対して着脱可能に締結される保持部材と、
前記コネクタが実装された前記基板、前記保持部材、及び前記シャーシが露出する開口部を開閉可能に覆うカバーと、を備え、
前記保持部材は、前記基板が固定される固定部と、前記固定部に対して直交して配置され、前記シャーシに対して着脱可能に締結される締結部と、を有し、
前記締結部は、前記シャーシに対して前記プラグの挿抜方向と同一の方向に締結されており、
前記コネクタに挿入された前記プラグに前記基板と略直交する方向の力が加わった際に、前記シャーシに対する締結位置を支点として弾性変形することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記締結部は、ビスにより前記シャーシに締結されることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記締結部は、前記固定部に対して片持ち梁の形状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記コネクタ、前記保持部材、及び前記シャーシは、導電性を有する材料で形成され、前記基板に対してグランド接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子機器。