【事件の表示】
　特許第５７８４８４９号発明「セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７８４８４９号の請求項１〜９に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第５７８４８４９号の請求項１〜１０に係る特許についての出願は、平成２４年１月１８日に出願した特願２０１２−００７９７５号の一部を平成２７年１月２１日に新たな特許出願したものであって、平成２７年７月３１日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許のうち、請求項１〜９に係る特許に対して、特許異議申立人南郷誠治により特許異議の申立てがされたものである。
２　本件特許
　特許第５７８４８４９号の請求項１〜９に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものである。
３　申立理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として、ＧＬＡＳＳ　ＣＡＮＡＤＡ　Ａｐｒｉｌ　２００９（以下、「甲第１号証」という。）、及び、特開２０１０−２４８０４９号公報（以下、「甲第２号証」という。）を提出し、以下の取消理由１及び２によって請求項１〜９に係る特許を取り消すべきものである旨を主張している。
　取消理由１
　本件特許の請求項１〜９に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　取消理由２
　本件特許の請求項１〜９に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反して特許されたものである。
４　甲号証の記載
（１）本件特許の出願前に頒布された甲第１号証には、「Thermal spray as a sputter target production method」（当審訳「スパッタターゲットの製造方法として溶射」）に関して、以下の事項が記載されている。
　ア　「ITO targets - ・・・
　Rotating cylindrical ITO targets have been developed by several manufacturing methods. All of the targets are designed as single piece components, with the bonding of the ITO layer to the backing tube generated during the target production process. The obtained densities vary between 92 per cent and more than 99 per cent of the theoretical value for ITO.
　Large size prototype targets of 1700 mm in length and up to 4-mm layer thickness have been produced for sputter deposition testing on polymer web in different roll coaters.」（第９頁中欄第１４行〜右欄第５行、当審訳「ＩＴＯターゲット − ・・・
　回転式の円筒形のＩＴＯターゲットは、いくつかの製造方法によって開発されてきた。ターゲットのすべては単一部品として設計され、ターゲット製造工程において製造されたバッキングチューブにＩＴＯ層がボンディングされている。得られた密度は、ＩＴＯの理論値の９２％と９９％以上の間の値である。
　長さが１７００ｍｍ、層厚が最大４ｍｍの大型プロトタイプのターゲットは、異なるロールコーターでのポリマーウェブ上へのスパッタ成膜試験用に製造されている。」）
（２）したがって、甲第１号証には、上記（１）アの記載事項によれば、「単一部品として設計され、密度がＩＴＯの理論値の９２％と９９％以上の間である、回転式の円筒形のＩＴＯターゲットであって、長さが１７００ｍｍの大型プロトタイプのターゲット」の発明が記載されているといえる。
（３）本件特許の出願前に頒布された甲第２号証には、「透明導電膜用焼結体の製造方法」の発明に関して、以下の事項が記載されている。
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分と有機成分を総量で０．３〜２．０重量％含有した最小厚みが５ｍｍ以上でかつ、体積が５０ｃｍ３以上である成形体と、この成形体に接触しないよう、上下及び／又は側面にＳｉＣ質材料を設置し、当該ＳｉＣ質材料の温度により電磁波加熱炉内の温度制御を行う、電磁波加熱によって当該成形体を焼結する方法であって、室温から４００℃までの温度域を１００〜３００℃／時間の昇温速度で加熱することを特徴とする透明導電膜用焼結体の製造方法。」
　イ　「【００４８】
　また、原料粉末は、噴霧乾燥等により造粒することが好ましい。その理由としては、充填時の粉末が均一に充填され、均質な成形体が得られるからである。円筒などの複雑な形状をもつ成形体において均質な成形体が得られることは特に重要である。」
　ウ　「【００６８】
　本発明では、透明導電膜用焼結体の製造方法において、水分と有機成分を含んだ大型の成形体を電磁波加熱によって焼結する際に、上下又は側面にＳｉＣ質材料を当該成形体に接触しないように設置して焼成を行うことにより、焼成割れが低減され、円筒形状であれば真円度が高い焼結体、平板形状であれば反りの少ない焼結体を歩留まり良く製造することができる。」
５　判断
（１）取消理由１の検討
　ア　請求項１に係る発明について
　（ア）本件特許の請求項１に係る発明と特許異議申立人が提出した甲第１号証の発明とを対比すると、甲第１号証には「一体品であるセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材」が「長さが７５０ｍｍ以上」であり、かつ「相対密度が９９％以上」であることが記載されていないし、示唆もなされていない。この点は、甲第２号証にも記載されていないし、示唆もなされてない。
　したがって、本件特許の請求項１に係る発明は、上記甲第１号証及び甲第２号証に記載の発明から当業者が容易になし得るものではない。
　（イ）特許異議申立人は、特許異議申立書の「３−４−２−３　甲１発明」において、「甲第１号証には、「得られた密度は、ＩＴＯの理論的な値の９２〜９９％を超えるものとなった。（当審注「The obtained densities vary between 92 per cent and more than 99 per cent of the theoretical value for ITO.」の特許異議申立人による抄訳）」とある点は、「相対密度が９９％以上」に対応する。」との判断を示して、「甲第１号証の「長さが７５０ｍｍ以上」のスパッタリングターゲットの相対密度は、「相対密度９９％以上」である。」と主張している。
　しかしながら、上記４（１）アに記載したとおり、甲第１号証には、得られたＩＴＯターゲットの密度は、ＩＴＯの理論値の９２％と９９％以上の間の値であることが示されているにすぎず、得られたＩＴＯターゲットの全てがＩＴＯの理論値の９９％以上の密度であることは記載されていないから、甲第１号証に記載された「長さが１７００ｍｍの大型プロトタイプのターゲット」の密度がＩＴＯの理論値の９９％以上であるとは、直ちにはいえない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は妥当なものといえない。
　（ウ）以上のとおり、特許異議申立人の主張は妥当なものでなく、本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるといえない。
　イ　請求項２〜９に係る発明について
　本件特許の請求項２〜９に係る発明は、請求項１に係る発明を更に減縮したものである。したがって、上記アにおける請求項１に係る発明に対する判断と同様の理由により、本件特許の請求項２〜９に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるといえない。
（２）取消理由２の検討
　ア　特許異議申立人は、「出願人は高密度で長尺のセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材はスパッタリング時におけるアーキングの発生回数を抑えることができるという効果があることを所与のものとして捉えてい」ることや、本件特許明細書の段落００１９の「従来の焼結法では、製造中に割れや変形などが発生し、長さが５００ｍｍ以上である一体品のセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材を製造することはできなかった。」との記載を根拠として、本件特許明細書に記載の課題は、「高密度で長尺のセラミック円筒形スパッタリングターゲットの製造方法を提供すること」であって、請求項１〜９には、上記課題の解決手段として、「少なくとも、バインダを含む有機物添加物の量はセラミックス原料粉末の量に対して０．１〜１．２質量％とし、バインダとして重合度が２００〜４００かつ鹸化度が６０〜８０ｍｏｌ％であるポリビニルアルコールを添加する製造方法の構成」が必要であると主張している。
　イ　上記主張について検討すると、本件特許明細書の段落０００５〜０００７には、相対密度が９５％以上の短尺の円筒セラミックス焼結体や、相対密度が７０％台である５００ｍｍ以上のＩＴＯ円筒形ターゲット材に関する背景技術を示した上で、段落０００９に「本発明の目的は、高密度で長尺のセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材を提供することである。」と記載されていることから、本件特許の請求項１〜９に係る発明の課題は、背景技術において存在しなかった「高密度で長尺のセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材」の「円筒形スパッタリングターゲット」を提供することといえる。
　また、特許異議申立人が主張するように、「出願人は高密度で長尺のセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材はスパッタリング時におけるアーキングの発生回数を抑えることができるという効果があることを所与のものとして捉えてい」るとしても、本件特許の請求項１〜９に係る発明は、背景技術において存在しなかった「高密度で長尺のセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材」の「円筒形スパッタリングターゲット」を提供するのであるから、当該「円筒形スパッタリングターゲット」を提供すること自体が課題でないということはできない。
　ウ　そして、「高密度で長尺のセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材」の「円筒形スパッタリングターゲット」を提供するとの課題に対して、本件特許明細書の実施例には、特定の長さ及び特定の相対密度のＩＴＯ円筒形スパッタリングターゲット材を用いたＩＴＯターゲット、特定の長さ及び特定の相対密度のＡＺＯ円筒形スパッタリングターゲット材を用いたＡＺＯターゲット、及び、特定の長さ及び特定の相対密度のＩＧＺＯ円筒形スパッタリングターゲット材を用いたＩＧＺＯターゲットが具体的に記載されているところ、本件特許の請求項１に係る発明は、「長さが７５０ｍｍ以上、内径が１００ｍｍ以上かつ相対密度が９９％以上であり、一体品であるセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材を、材料としてステンレスまたはチタンを用いたバッキングチューブにボンディング材によって接合してなる円筒形スパッタリングターゲット。」であり、「長さが７５０ｍｍ以上、内径が１００ｍｍ以上かつ相対密度が９９％以上であり、一体品であるセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材」を用いていることから、本件特許明細書に記載された課題解決手段は反映されている。
　本件特許の請求項２〜９に係る発明についても、請求項１に係る発明の発明特定事項を含むものであるから、同様に課題解決手段は反映されている。
　エ　さらに、本件特許の請求項１〜９に係る発明の課題は、「高密度で長尺のセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材」の「円筒形スパッタリングターゲット」を提供することであるから、当該「高密度で長尺のセラミックス円筒形スパッタリングターゲット材」を製造するに際して必要な「少なくとも、バインダを含む有機物添加物の量はセラミックス原料粉末の量に対して０．１〜１．２質量％とし、バインダとして重合度が２００〜４００かつ鹸化度が６０〜８０ｍｏｌ％であるポリビニルアルコールを添加する」ことが、「円筒形スパッタリングターゲット」自体に関する発明である本件特許の請求項１〜９に係る発明において、課題解決手段として必要であるともいえない。
　オ　したがって、特許異議申立人の主張は妥当といえず、本件特許の請求項１〜９に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号の規定に違反して特許されたものであるといえない。
６　むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜９に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１〜９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年５月３０日（２０１６．５．３０）