【事件の表示】
　平成　５年特許願第２１１２４４号「結晶成長解析装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　３月１０日出願公開、特開平　７−　６３７０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　本願は、平成　５年　８月２６日の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　これに対して、平成１６年６月２２日付けで拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。
　
　なお、上記拒絶理由の内容は以下のとおりである。
　
『　本件出願の請求項１に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１　文部省重点領域研究「原子レベルでの結晶成長機構」
　　　　　第５回研究会予稿集　Ｎｏ．１０　Ｊｕｎｅ　１９９３における
　　　　「Layer-by-Layer成長の斜め入射散乱イオンによる研究」
　　　　（藤井義和　外７名）第１７９−１８４頁
刊行物２　特開平０２−１８１６３９号公報
刊行物３　実願平０１−０２５７４７号
　　　　（実開平０２−１１８２５４号）のマイクロフィルム
　
 １． 引用刊行物に記載の事項
（１） 刊行物１
（１ａ）「ＧａＡｓの成長表面におけるＲＨＥＥＤ鏡面反射強度が、１分子層の成長に対応した周期振動を示すことが発見されて以来［1-3］、この方法が原子層成長機構を研究するための…例えばＧｅのＭＢＥ成長におけるＸ線散乱の観察…しかしながらこれらの探針（電子、Ｘ線、光）による測定結果から表面を解析するには、探針が本質的に波であるがゆえに困難さを伴う。」（第１７９頁第６から１５行目）
（１ｂ）「そして、このような斜入射イオン散乱を短時間内に測定する目的で、マイクロチャネルプレート、ＣＣＤカメラ、ｖｉｄｅｏレコーダーよりなる散乱イオン計測システムを製作し、ＳｎＴｅ（００１）上の鉛カルコゲナイドエピタキシャル成長の初期過程を計測し、成長表面の実時間測定が斜入射イオン散乱を使って可能であることを示した。［13］
今回、この斜入射イオン散乱迅速測定装置を使ってＧａＡｓ（００１）のＭＢＥ成長のその場観測を行った。…」（第１７９頁第３３から３９行目）
（１ｃ）「３ｋｅＶ　Ｈｅ+イオンを一連のスリットによって０．２×０．２mm2に絞り、分散各０．８m radにコリメートして、入射角１２．６m radでＧａＡｓ（００１）成長表面すれすれに入射した。」（第１８０頁第５から７行目）
　
　これらの記載より、刊行物１に記載されたイオンビームは、本願の実施例と同じ条件で加速されたビームであるから、「高速の」ビームであると認められ、また、図２または図５を参酌すると、刊行物１の分析装置は、結晶成長面に対して数十m radの角度方向の散乱イオンビームを検出しているから、ビーム照射位置から散乱するイオンのうち、前方に進行する散乱イオンビームの強度変化を検出する手段を備えていると認められる。従って、刊行物１には、
「薄膜結晶成長過程において、その結晶成長の状態を分析するのに使用される装置であって、結晶成長面に所定の角度だけ傾いた方向から高速の数KeVオーダーのイオンビームを照射するためのイオン源と、そのビーム照射位置から散乱するイオンのうち、前方に進行する散乱イオンビームの強度変化を検出する手段を備え、その検出結果を結晶成長状態の分析情報として用いるよう構成されていることを特徴とする結晶成長分析装置」が、記載されているものと認める。
　
（２） 刊行物２
（２ａ）「上記プローブビームもしくは粒子が電荷を持たない粒子のビームもしくは粒子である第１，２項の何れかに記載の表面分析方法。」（特許請求の範囲第５項）
　
（２ｂ）「実施例１から６までは、プローブビームが試料２表面にほぼ垂直に入射していた。しかし、プローブビームによっては、プローブビームの試料面への入射角と放出粒子の再度分布に相関関係が依存する場合がある（たとえば、光入射による試料表面からの光電子放出等）。このような場合は、プローブビームを試料２表面に対し斜入射すると都合のよい場合が多い。また、イオン散乱分光（ＴＳＳ）や電子エネルギー損失分光（ＥＥＬＳ）等のように。試料２表面で反射もしくは散乱したプローブビームを観測する場合にも、斜入射方式が多く用いられている。本実施例は、このような実施例の一例である。
　第７図において、ビーム源１からプローブビーム（もしくは粒子）は、加速系４１、集光、集束系１６を通過して、試料２表面に入射する。先に述べたように、この入射は斜入射である。試料２表面への入射角は、検出器５で検出する粒子に最適な入射角となるよう、調節ができるものとする。加速系１４や集光、集光系１６は、先の実施例と同じく、必要のない場合には取り除くことができるものとする。
　試料２表面上でのプローブビームの強度分布は、微小移動機構１３に設置されたアパーチャ４０と、検出器１１を用いて測定される。アパーチャ４０のかわりに、実施例２で述べたナイフエッジやスリットを用いてもよい。検出器１１は、プローブビームに正対するように配置されている。その他の部分は他実施例と同じである。」（第７頁右下欄第１２行目から第８頁左上欄第２０行目）
　
（３） 刊行物３
（３ａ）「本考案は、試料に中性粒子を照射し、試料で散乱されて放出される中性粒子及びイオンを検出することにより、試料の結晶構造の解析等を行う中性粒子散乱分析装置に関する。」（第３頁第３から６行目）
　
２． 対比・判断
　本願請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）と刊行物１に記載された発明（以下「引用発明１」という）とを比較すると、両者は、
　
「薄膜結晶成長過程において、その結晶成長の状態を解析するのに使用される装置であって、結晶成長面に所定の角度だけ傾いた方向から高速の数KeVオーダーのビームを照射するためのビーム発生源と、そのビーム照射位置から散乱する粒子のうち、前方に進行する散乱ビームの強度変化を検出する手段を備え、その検出結果を結晶成長状態の解析情報として用いるよう構成されていることを特徴とする結晶成長解析装置。」
　
である点で一致し以下の点で相違している。
　
（相違点）
　本願発明は、結晶成長面に照射するビームが、中性粒子ビームであるのに対し、引用発明１は、イオンビームである点。
　
上記（相違点）について検討する。
　刊行物２には、本願発明と同様の結晶成長面に所定の角度だけ傾いた方向からビームを照射し、そのビーム照射位置から散乱する粒子のうち、前方に進行する散乱ビームの強度変化を検出する手段を備えた装置のビームとして中性粒子ビームを用いた構成が記載されており、刊行物３には、中性粒子ビームにより結晶構造の解析がおこなえる旨、記載されている。これら、本願発明と同一の技術分野に属する刊行物２ないし３に中性粒子ビームを解析装置の照射ビーム（プローブ）として適用することが明確に示されている以上、引用発明１のイオンビームを中性粒子ビームに置き換える程度のことは、当業者が必要に応じて適宜なしうる事項にすぎない。』
　
　そして、上記の拒絶理由は妥当なものと認められるので、本願は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。